FR 2534743 A1 19840420 FR 8316544 A 19831018 La présente invention se rapporte d'une façon générale aux composants semi-conducteurs, et concerne plus particulièrement un composant semiconducteur agencé pour fonctionner à des niveaux élevés de puissance en hyperfréquences. Comme cela est connu, il est souvent souhaitable d'utiliser des diodes à hyperfréquences dans diverses applications à grande puissance Dans ces appli- cations à grande puissance, il est généralement nécessaire d'extraire de la diode la chaleur qu'elle produit en fonc- tionnant avec une haute puissance de sortie et en mainte- nant un rendement acceptable de conversion courant c o N t i N u h y p e r f r é q u e N c e A cet effet, il est fréquemment souhaitable d'utiliser plusieurs diodes individuelles en forme de mesa pour distribuer la chaleur produite parmi les diodes, les diodes individuelles en forme de mesa ayant une surface totale égale à celle d'une seule diode mesa équivalente Dans ces applications, les diodes en forme de mesa sont généralement montées -sur un dissipateur thermique commun en forme de socle pour évacuer la chaleur des diodes Une technique utilisés pour monter plusieurs diodes individuelles destinées à fonctionner dans la bande X ( 5200 à 11000 mégahertz) consiste à fixer indi- viduellement chacune des diodes sur le dissipateur thermique commun C'est une opération relativement difficile pour des diodes en bande X qui sont relativement petites, mais lorsque les diodes sont conçues pour fonctionner à des longueurs d'ondes millimétriques elles sont si petites que leur montage individuel sur le dissipateur thermique commun devient une tâche extrêmement difficile. Une autre technique est également connue pour monter plusieurs diodes, consistant à former un dissipateur thermique en placage épais sur un substrat et en gravant ensuite les diodes en forme de mesa dans des parties du substrat Le substrat est séparé en plusieurs groupes de diodes, chacun de ces groupes comportant une partie du dissipateur thermique en placage épais. 25347-43 Le cÈté de dissipation thermique du groupe de diodes est monté sur le dissipateur thermique commun en forme de socle Le dissipateur thermique en placage épais constitue en général un dispositif conducteur thermique pour évacuer la chaleur de chacune des diodes du groupe. De plus, après la séparation, chaque dissipateur thermique en placage épais supporte un groupe de diodes pendant les opérations suivantes de traitement, comme la mise sous boitier finale Mais un dissipateur thermique en placage épais est indésirable quand la matière du dissipateur thermique commun en forme de socle a une conductivité thermique plus élevée que la matière du dissipateur thermique en placage épais, comme lorsqu'un morceau de diamant plaqué d'or est utilisé pour formé une partie du dissipateur commun Dans ce cas, il est donc souhai- table de réduire l'épaisseur du dissipateur thermique en placage pour réduire au minimum la résistance thermique de la diode et permettre ainsi une plus grande circulation de chaleur depuis la diode vers le dissipateur thermique commun en forme de socle Mais, comme cela a déjà été appliqué, le dissipateur thermique en placage épais est généralement nécessaire pour assurer l'intégrité de struc- ture de la plaquette après que les diodes ont été formées en mesa et pour supporter les diodes individuelles de chaque groupe pour la mise sous boitier finale car après l'attaque du substrat pour former les diodes en forme de mesa, ces dernières ne sont supportées que par le dis- sipateur thermique plaqué d'or Par conséquent, si le dissipateur thermique est trop mince, la structure suppor- tant le groupe des diodes en mesa peut fléchir, se courber ou se fissurer, de sorte que le groupe des diodes est difficile à manipuler pendant les opérations suivantes de photogravure et de traitement, et il peut aussi en résulter des dommages aux diodes avec un plus faible rendement résultant de composants acceptables. Selon l'invention, plusieurs diodes en forme de mesa, comprenant chacune un mince contact inférieur sur une surface, sont supportées par une structure de support comprenant plusieurs ouvertures, chaque ouverture exposant le mince contact inférieur de l'une correspondante des diodes Chaque mince contact inférieur et la structure de. support sont formés en plusieurs groupes de diodes indi- viduelles en forme de mesa, les premières parties non gravées des contacts inférieurs des diodes de chaque groupe étant reliées ensemble par un cadre Le cadre comporte une partie non-gravéè de la structure de support et au moins un mince doigt effilé formé par des secondes parties non gravées du contact inférieur; la première partie non gravée de chaqẻ contact inférieur forme un contact pour la diode en forme de mesa Le mince doigt effilé est formé d'une seule pièce avec le contact de diode et la partie non-gravée de la structure de support Le groupe des-diodes mesa supportées par le cadre est ensuite disposé pour être fixé sur une surface appropriée de dissipation ther- mique, avec le côté des minces coitacts de diodes en bas, sur la surface du dissipateur thermique -Avec le cadre supportant le groupe des diodes, les diodes individuelles en forme de mesa sont alors fixées par thermocompression sur la surface du dissipateur thermique Après la fixation, le cadre est éliminé Avec cette disposition, le cadré permet de manipuler un groupe de diodes en forme de mesa, facili- tant ainsi la fixation des diodes individuelles suri le dissipateur thermique De plus, chaque diode individuelle d'un groupe comporte un contact plaqué qui peut être suffisam- ment mince pour améliorer les propriétés de transfert thermique entre les diodes et le dissipateur, et permettant l'élimination facile de la structure de cadre après la fixation Les diodes peuvent ainsi avoir une plus faible résistance thermique que des diodes comportant un contact en placage plus épais, cette caractéristique étant particulièrement souhaitable lorsque les diodes sont montées sur une matière ayant uneconductivité thermique plus élevée que celle du contact plaqué De plus, la structure de support assure l'intégrité de structure nécessaire pour les diodes pendant le traitement ultérieur de la plaquette. 4 2534743 D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront au cours de la description qui va suivre. Aux dessins annexés donnés uniquement à titre d'exemples nullement limitatifs Les figures 1 à 4 sont une série de vues partielles en perspecitve illustrant des phases de la réalisation d'un caoposant à plusieurs diodes mesa avec un cadre pour maintenir les diodesselon l'invention, La figure 5 est une vue en plan de la plaquette de la figure 4, avec un masque photosensible, La figure 6 est une coupe de la figure 5 suivant la ligne 6-6, La figure 7 est une vue de dessous de la plaquette après gravure pour former un cadre selon l'in- vention, La figure 8 est une coupe de la figure 7 sui- vant la ligne 8-8, La figure 9 est une vue en perspective d'un omposait a plusieurs diodes mesa réalisé selon les figures 1 à 8, La figure 10 est une coupe de la figure 9 suivant la ligne 10-10 montrant un outil de fixation pour fixer des diodes mesa individuelles du composant à diodes multiples selon l'invention, *La figure 11 est une vue en perspective d'un co?osant à plusieurs diodes de la figure 9 avec le cadre éliminé selon l'invention, La figure 12 est une coupe suivant la ligne 12-12 de la figure 12 A montrant un composant à diodes mesa monté dans un boitier annulaire en céramique selon l'invention, La figure 12 A est une vue de dessus du cor- posant à diodesç mesa multiples mente dans un bottier annulaire en céramique selon l'invention, La figure 13 est une vue de dessus d'un masque d'une autre forme de structure de cadre, - La figure 14 est une vue en perspective d'un comoosant à diodes mesa multiples selon les figures 1 à 4 et la-figure 13, 2534743 avec une structure de cadre pour maintenir ensemble plu- sieurs diodes mesa selon un autre mode de réalisation. La réalisation d'un composant semi-conducteur à plusieurs diodes n-esa coaportant un cadre qui relie des diodes individuelles, selon l'invention, sera initialement décrite en regard des figures 1 à 6. Tout d'abord, la figure 1 représente une plaquette 10 qui comporte un substrat 12, dans le cas présent en arséniure de gallium (Ga As) de type N+ et une couche active 14 de semi-conducteurs Ga As produite par croissance épitaxiale La couche active 14 peut avoir l'un quelconque parmi de nombreux profils différents de densité de dopage en fonction de l'application particulière de la diode, par exemple un profil de densité de dopage décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique N 04 160 992. Une première couche métallique 16, de platine (Pt) dans le cas présent, est pulvérisé sur la couche active 14 jusqu'à une épaisseur de l'ordre de 100 à 200 Angstroms. Une seconde couche métallique 18, en titane (Ti) dans le cas présent, est ensuite pulvérisée sur la couche de platine 16 jusqu'à une épaisseur de 1000 à 2000 Angstroms Le titane est la matière préférée parmi le tungstène, l'hafnium, ou autres métaux réfractaires pour l'utilisation dans la couche 18 Sur la couche 18, une couche 20 d'or très conducteur est ensuite pulvérisée jusqu'à une épaisseur de l'ordre de 2000 à 3000 Angstroms Ensuite, une couche de contact 22 conductrice de la chaleur et de l'électricité, de l'or dans le cas présent, est plaquée jusqu'à une épaisseur de 1 à 2 Am sur la couche d'or pulvérisé 20 Une couche de masquage 24, dans le cas présent, une couche photosensible, est ensuite déposée sur la couche de contact d'or plaqué 22. En regard de la figure 2, une couche de masquage 24 est masquée, développée et attaquée chimiquement dans des régions déterminées selon les techniques bien connues de photogravures pour laisser des parties 24 ' en forme de disques et en éliminant des régions déterminées de la couche de contact plaqué 22 comme représenté Les parties non masquées de la couche de contact d'or 22 sont plaquées avec de l'or, dans le cas présent jusqu'à une épaisseur de 10 gm pour former une couche support 28 avec des ouvertures. En regard maintenant de la figure 3, les régions 24 ' en forme-de disques (figure 2) de la couche de masquage 24 sont éliminées, laissant la couche support 28 avec des ouvertures Il faut noter que la couche de contact d'or 22 reste à son épaisseur initiale mais que la couche support 28 est suffisamment épaisse pour assurer une intégrité de structure des diodes formées dans la plaquette de la manière qui sera décrite par la suite Il suffit de noter pour le moment que la couche support 28 comporte des ouvertures 30 correspondant aux régions dans lesquelles les parties 24 ' en forme de disques de la couche de masquage 24 (figure 2) sont prévues Les ouvertures 30 définissent des régions déterminées de la couche de contact 22 Le substrat 12 est ensuite aminci jusqu'à une épaisseur prédéterminée, et une couche de masquage 31 est formée avec des ouvertures 31 ' Les ouvertures 31 définis- sent des régions de contact supérieur des diodes mesa 34 (figure 4) Le masque utilisé pour la couche de masquage 31 est alors aligné avec les ouvertures 30 de la couche support 28 L'opération de formation des ouvertures 31 ' en alignement avec les ouvertures 30 est effectuée en utilisant un alignement avant-arrière du masque de contact supérieur des diodes (non-représenté) utilisé pour former les ouver- tures 31 ' dans la couche de masquage 31 pour les contacts de diode 32 (figure 4) Une procédure générale d'alignement avant-arrière décrite dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 4 169 992 précité peut convenir. La figure 4 montre que plusieurs premiers contacts de diode 32 sont formés sur le dessus du substrat 12 amincé et que plusieurs diodes en forme de mesa 34 sont formées dans le substrat aminci 12 et une couche active 14 entre les premiers contacts de diode 32 et la couche de platine 16 Les contacts de diode 32 sont formées par placage de chacune des ouvertures 31 ' (figure 3) après l'évaporation d'une couche de métallisation de contacts appropriée (non-représentée), l' o r f o r m a N t les premiers contacts de diode 32 précités Les diodes mesa individuelles 34 sont ensuite formées entre les contacts supérieurs 32 et la couche de platine 16 Les diodes mesa individuelles 34 sont formées en éliminant chimiquement des parties du substrat 12 aminci (précédemment aminci jusqu'à une épaisseur prédéterminée) et la couche active 14 entre le contact de diode 32 et la couche de platine 16, comme représenté Ainsi, chaque diode 34 en forme de mesa est formée dans le substrat aminci 12 et la couche active 14 et ccmc Orte sur sa surface inférieure une mince couche d'or de contact 22 et sur sa surface supérieure un premier contact de diode 32 De plus, la plaquette 10 de ces diodes mesa 34 est supportée par la couche de support 28. Selon les figures 5 et-6, une couche photo- sensible 46 est formée sur la surface de support 10 ' de la plaquette 10 et elle est masquée et éliminée dans les régions non-masquées pour former un masque de cadre et de séparation 48 comme représenté Les ouvertures 48 a définissent les régions dans lesquelles la plaquette est séparée en groupes de diodes mesa (figures 7-8) et les ouvertures 48 b définissent les régions dans lesquelles un cadre (figures 7-8) est formé selon l'invention. Selon les figures 7-et 8, un produit d'attaque de l'or (non représenté) est mis en contact avec les parties non masquées du contact d'or 22 (figures 5 et 6) et les parties non masquées du contact d'or 22 sont éliminées en formant à partir d'une première partie non gravée de la couche de contact d'or 22 un plus petit contact d'or 22 '. De plus, les parties non masquées du supoort 28 sont gravées simultanément en plusieurs parties de support, 28 a à 28 d, pour former plusieurs groupes 46 a à 46 d de diodes mesa, chaque diode individuelle comportant l'un correspondant des contacts d'or 22 ' Les contacts d'or 22 ' de chacune des diodes mesa 34-sont maintenus ensemble par un cadre 44 a- 44 d Chaque cadre 44 a-44 d comporte plusieurs doigts effilés 42 a-42 c ou des croisillons et l'une corres- pondante des supports 28 a à 28 c les doigts effilés 42 a à 42 c sont formés solidairement entre les parties de support 28 a à 28 c et les contacts des diodes 22 ', et sont formés à partir des secondes parties non gravées de la couche de contact d'or 22 Ainsi, chacun des cadres formés solidai- rement 44 a à 44 d assure la foncticn de support et maintient ensemble des diodes individuelles 34 en forme de mesa après la séparation en plusieurs groupes 46 a à 46 de de ces diodes, facilitant ainsi leur manipulation et leur mise sous boitier de la manière qui sera décrite. Il faut noter qu'actuellement, en raison des limitations des opérations en technologie de la photogravure, la iargeur w de la couche de masquage 48 (fiaures 5,6, couche photosensible dans le cas présent) des parties de masques 48 a à 48 c des minces doigts effilés, utilisés pour masquer des parties sous-jacentes déterminées de la couche de contact d'or 22 est choisie à environ 0,025 millimètres dans les parties 49 (figures 5 et 6) En utilisant des techniques bien connues, la couche de contact d'or 22 est sélectivement dépouillée en laissant le produit d'attaque (non représenté) en contact avec elle pour poursuivre son attaque jusqu'à ce que la largeur w' des doigts effilés 42 a à 42 c au-dessous des parties 49 du masque 48 (figures 5 et 6) et à la liaison des points 50 a à 50 c des doigts 42 a à 42 c sur les parties de support du cadre 44 a à 44 d se situe dans la plage de 0,008 à 0,015 millimètres Il s'est avéré qu'une largeur w' d'environ 0,01 millimètre est généralement préférable pour l'utilisation avec des diodes mesa portant de minces couches de contact d'or 22 d'environ 2 gm En général, la structure est d'autant plus fragile que les doigts sont plus étroits en ces points 50 a à 50 c et plus les doigts sont Larges en ces points 50 a à 50 c, plus grande est la force nécessaire pour enlever le cadre correspondant 44 a à 44 c du groupe 46 a à 46 d des diodes mesa et plus il est égaiement probable que des dommages soient portés aux diodes individuelles 34 ou à leurs contacts 22 ' pendant l'enlèvement du cadre. Après la gravure sélective de la couche de contact d'or 22, la couche de titane 18 est éliminée dans des régions masquées par la couche de contact 22 utilisant une solution d'acide fluorhydrique à 10 % pendant environ 15 secondes Il faut noter que la couche de platine 16 n'est pas attaquée mais que, en raison des caractéristiques relativement cassantes du platine, la couche 16 peut être effilochée ou écaillée par suite de ces opérations d'attaque Par conséquent, après l'attaque de la couche de contact 22, une pulvérisa- tion d'acétone est appliquée sur la face arrière de la plaquette 10 pour nettoyer sa surface, de la manière connue et pour permettre d'éliminer les parties-effilo- chées ou écaillées (non-représentées) de platine. Les figures 9, 10, 11, 12, 12 A montrent que chacune des diodes mesa 34 du groupe 46 d est fixée par sa surface inférieure sur un contact db diode 22 'corres- pondant et que ce contact de diode 22 'est connecté à un cadre correspondant, ici le cadre 44 d, par les minces doigts effilés 42 a à 42 d, ces doigts étant rétrécis vers l'intérieur, comme représenté Le groupe 46 d des diodes mesa avec son cadre correspondant 44 d est disposé sur une partie d'un diffuseur thermique 62 a Ce dernier, dans le cas présent un morceau de diamant plaqué d'or, fait partie d'un dissipa- teur thermique 62 en forme de socle et le diffuseur thermique 62 a avec le dissipateur thermique 62 font partie d'un boitier de diodes 60 (figure 12) Le boitier de diodes 60 comporte également un support fileté 24 supportant le dissipateur 62, une cale annulaire de céramique 65 avec un bord conduc- teur 65 a supporté par le dissipateur thermique 62 en forme de socle et un couvercle conducteur 66, représenté dans le cas présent, enlevé du boitier 60 Comme le - montrent les figures 9 et 10, un outil de fixation 55 est amené en contact avec un mesa 34 du groupe 46 d et une soudure par thermocompression courante est effectuée, en permettant au contact 22 ' de chaque diode mesa de venir en contact avec la surface du diffuseur thermique 62 a La - température du diffuseur thermique est élevée jusqu'à une valeur prédéterminée, généralement de l'ordre de 300 'C et, en réponse à la pression exercée par l'outil de fixation 55 et la température élevée de la surface du diffuseur 62 a, le côté contact de la diode de chaque mesa est soudé sur le diffuseur 62 a Comme le montre la figure 11, le cadre 44 d du groupe 46 d est enlevé en utilisant des brucelles ou une aiguille pour soulever le cadre 44 d, laissant les diodes mesa soudées sur le diffuseur thermique 62, comme représenté Dans un mode préféré de réalisation, les minces parties de doigts effilés 42 a à 42 d aux points 50 a à d (figure 7) sont également soudées par thermocompression sur le diffuseur thermique 42 a avant l'enlèvement du cadre 44 d du groupe des diodes mesa 46 d Cela a pour but d'éviter que des parties des doigts de la couche de contact 22 ' ne se soulèvent, risquant de court-circuiter les diodes. Selon cette procédure, le cadre 44 d est facilement enlevé du groupe 26 d des diodes mesa Le cadre 44 d est enlevé sans dommages notables des diodes 34 ou des contacts 22 ' si les minces doigts effilés 42 a à 42 c qui maintiennent chaque contact 22 ' sur le cadre 44 d sont fabriqués avec une largeur w' dans la plage de 0,008 à 0,015 mm lorsque l'épaisseur du contact inférieur est 2 Am comme décrit ci-dessus La-structure de cadre 44 d assure une intégrité et une rigidité suffisantes de l'ensemble 46 d des diodes mesa individuelles pour permettre les autres opérations de manipulation, comme l'opération de soudage décrite ci-dessus sans risquer d'endommager les diodes ou sans difficultés inutiles Après l'enlèvement du cadre 44 d, des parties 47 a à 47 c des minces doigts effilés 42 a à 42 b restent soudés sur le diffuseur thermique 62 a comme le montre la figure 11 Si les parties 50 a à 50 c ne sont pas soudées sur le diffuseur thermique 62 a avant l'enlèvement du cadre, comme décrit ci- dessus, les parties qui subsistent 47 a à 47 c après l'enlèvement du cadre sont soudées par ther- mocompression sur le diffuseur thermique 62 a afin d'éviter que ces parties ne touchent accidentellement une partie d'une diode, pouvant créer ainsi un court-circuit Une pièce 70 en forme de croix (figure 12 A) est soudée par thermocompression sur le contact supérieur 22 des diodes et elle est également soudée par thermocompression sur le bord conducteur 65 a de la bague en céramique 65 et le couvercle conducteur 66 pour former un second contact du composant à diodes 72 sous boitier. Les figures 13 et 14 montrent une couche de masquage 80 (figure 13) formée sur une surface de support 10 ' de la plaquette 10 et elle est masquée, dévelop- pée et gravée dans des positions non-masquées pour produire un autre masque 81 de cadre et de séparation. Des ouvertures 81 a définissent des régions dans lesquelles la plaquette 10 est séparée en groupes de diodes mesa (figure 14) et des ouvertures 81 b définissent des régions o un cadre (non-représenté) est formé selon l'invention. Comme le montre la figure 13, des parties de-masquage 86 a à 96 c sont utilisées pour former des minces doigts effilés (non-représentés) qui maintiennent les diodes sur le cadre de la manière-décrite ci-dessus, les doigts étant ici effilés vers l'extérieur à partir des contacts 22. D'une manière similaire à celle déjà décrite, le masque est utilisé pour graver un cadre(non-représenté) dans des parties déterminées des contacts 22 afin d'obtenir après l'enlèvement du cadre, le groupe 82 d représenté sur la figure 14 Mais, dans le cas présent, étant donné que les parties de masquage 90 a à 90 c utilisées pour former les doigts effilés (nonreprésentés) sont amincies vers l'extérieur, il-est plus facile, particulièrement pour des diodes mesa relativement petites, de souder les parties 87 a à 87 c des doigts (non-représentés) sur le diffuseur thermique 62 avant la séparation du cadre (non- représenté) des contacts 22 'l formés sur les diodes mesa de la manière décrite ci-dessus Sous tous-les autres aspects, le cadre (non-représenté) et le procédé de montage sont identiques à ceux décrits en regard des figures 1 à 12. Il est bien évidentque de nombreuses modifications peuvent être apportées aux modes de réali- sation décrits et illustrés à titre d'exemples nullement limitatifs, sans sortir du cadre ni de l'esprit de l'invention. REVENDICATIONS 1 Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il consiste essen- tiellement à former plusieurs composants semi-conducteurs ( 34) sur une couche conductrice commune ( 22), à déposer la couche conductrice commune sur une surface ( 62 a) et à fixer des parties de la couche conductrice commune sur la surface. 2 Procédé selon la revendication 1, carac- térisé en ce qu'il consiste en outre à graver des parties déterminées de la couche conductrice commune ( 22) pour former une structure de cadre ( 34) et à éliminer la struc- ture de cadre. 3 Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il consiste essentiel- lement à former plusieurs éléments semi-conducteurs ( 34) sur une couche conductrice commune ( 22), à déposer la couche conductrice sur une surface ( 62 a), à fixer des parties de la couche conductrice sur la surface et à éliminer des parties subsistantes non-fixées de la couche conductrice. 4 Procédé selon la revendication 3, carac- térisé en ce qu'il consiste en outre à graver des parties déterminées de la couche conductrice commune pour former une structure de cadre ( 44) et à éliminer la structure de cadre. Procédé de formation d'un composant semi- conducteur ( 34) comprenant une couche conductrice plaquée et une couche support plaquée ( 22) perforée, procédé caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement à former un masque sur la couche plaquée ( 22) conductrice thermi- quement et la couche support, à graver des parties non masquées de la couche conductrice thermiquement pour former -au moins une partie de doigts ( 42) dans cette couche conductrice thermiquement, xeliée en une seule pièce à ladite couche support et à éliminer une partie non gravée de la couche conductrice thermiquement. 6 Procédé de formation d'une structure de cadre ( 44) destinée à maintenir ensemble plusieurs éléments semi-conducteurs ( 34), procédé caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement à masquer des parties déterminées d'une surface support ( 22) supportant lesdits éléments semi- conducteurs et à graver des parties non masquées de la surface support pour produire au moins une partie de cette couche support formée intégralement avec une " première région de la couche support et une seconde région de la couche support associée avec les éléments semi- conducteurs. 7 Composant semi-conducteur 1 caractérisé en ce qu'il comporte plusieurs éléments semi-conducteurs ( 34) avec chacun une surface de contact-( 22) une structure de bande dont des parties déterminées sont formées inté- gralement avec ladite surface de contact. 8 Procédé pour maintenir plusieurs éléments semi-conducteurs ( 34) comprenant des premières parties formées intégralement avec une partie de support ( 22), procédé caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement à graver les parties déterminées de ladite première partie pour former une première région de cette partie associée avec les éléments semiconducteurs et plusieurs parties formées intégralement avec cette première région et une partie de support. 9 Composant semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comporte au moins un élément semi-conducteur ( 34) en forme de mesa, comprenant une première région de contact ( 22) formée sur l'une de ses surfaces, avec des parties en saillie ( 42) en forme de doigts à partir dudit contact.