FR 2525814 A1 19831028 FR 8306815 A 19830426 La présente invention concerne les procédés de fabrication de structures à semiconducteur et elle porte plus particulièrement sur des procédés pour protéger des jonctions à nu formées dans des régions actives de telles structures à semiconducteur. On sait qu'il est souvent souhaitable de pro- téger des jonctions à nu formées dans des régions actives d'une structure à semiconducteur, contre l'air ambiant ou des contaminants qui, en l'absence de pro- tection, pourraient entraîner des variations des caractéristiques de la structure ou une défaillance de dispositifs formés dans une telle structure Plus précisément, l'air ou des particules de contaminants présents sur la surface produisent des charges de surface De telles charges de surface peuvent pro- duire des courts-circuits aux bornes de la jonction à nu Une technique pour protéger la jonction consiste à déposer une couche de passivation sur la partie de surface à nu de la jonction Cette technique de l'art antérieur présente un inconvénient important du fait qu'en déposant une couche de passivation sur les parties de surface du semiconducteur, l'air am- biant ou des particules de contaminants présents sur la surface du semiconducteur pendant la formation d'une telle couche de passivation sont emprisonnés entre la surface du semiconducteur et la couche de passivation déposée L'air ou les particules de contaminants emprisonnés produisent toujours des char- ges de surface qui peuvent conduire à des courts- circuits aux bornes de la jonction Il est également bien connu que des régions actives de certaines matières semiconductrices comme l'arséniure de gallium (Ga As), peuvent être rendues semi-isolantes par implantation ionique de particules, telles que des protons (H+) ou des ions oxygène ( O +) Il y a deux mécanismes physiques distincts par lesquels l'implantation ionique de parti- cules dans des parties d'un cristal rend ces parties semi-isolantes Un mécanisme consiste dans l'effet du choc de telles particules sur la structure du réseau du cristal, du fait que le choc de particules d'éner- gie élevée endommage la structure du réseau, ce qui diminue sa conductivité électrique Le second mécanisme consiste dans l'effet des particules implantées sur les électrons libres, ou en excès, du fait que des particules implantées, telles que 0 +, agissent comme des sites de piègeage de porteurs qui se combinent avec les électrons libres ou en excès, pour donner une charge résultante égale à zéro Ainsi, les zones à nu de telles jonctions sont rendues semi-isolantes et sont effectivement électriquement isolées des par- ties restantes de telles régions actives Ainsi, l'exposition à l'air ou à des contaminants de régions semi-isolantes ainsi formées n'affecte pas les pro- priétés électriques des parties électriquement iso- lées restantes de telles régions actives, et élimi- ne donc pratiquement une cause de défaillance des dispositifs On obtient généralement des profondeurs d'implantation de 1 à 2 microns avec des faisceaux d'ions d'énergie élevée (c'est-à-dire des faisceaux ayant des énergies supérieures à 1 million d'élec- trons-volts) Un procédé de l'art antérieur pour ren- dre semi-isolantes des parties des régions actives de semiconducteurs en forme de mésa comprend de façon générale les opérations suivantes: on forme un ensemble de premiers contacts sir une première surface d'un substrat; on forme une couche active sur la surface opposée de ce substrat; on masque des parties sélection- nées de la couche active en établissant un ensemble sem- blable de zones de matière de réserve photographique sur cette couche active, chaque zone étant alignée avec l'un correspondant des premiers contacts, sur la surface opposée du substrat; et on implante des particules dans les parties non masquées de la couche active, ce qui rend semi-isolantes toutes ces parties non masquées. A ce point, on forme une couche de support sur la cou- che active et on enlève le substrat par attaque dans des positions sélectionnées, pour produire les semi- conducteurs en forme de mésa ayant des parties de sur- face semi-isolées Bien que cette technique de l'art antérieur puisse être utile dans certaines applica- tions, l'opération consistant à définir un motif dans la couche de matière de réserve photographique pour former l'ensemble de zones de matière de réserve sur cette couche active, en alignement avec les contacts supérieurs, nécessite un alignement avant-arrière entre le masque de définition de motif et les contacts supérieurs Cette opération d'alignement est une opé- ration difficile qui augmente le temps de traitement et réduit le rendement de fabrication des dispositifs. En outre, la profondeur maximale de pénétration d'un faisceau d'implantation dans la région active est généralement seulement de 1 à 2 microns, ce qui est généralement suffisant pour rendre semi-isolantes des couches actives minces ( 1 à 2 microns d'épaisseur) associées à des semiconducteurs fonctionnant à haute fréquence, mais est généralement insuffisant pour ren- dre semi-isolantes des régions actives plus épaisses ( 3 à 6 microns) telles que celles qui sont associées à des dispositifs fonctionnant à de plus basses fré- quences. Conformément à l'invention, on forme une couche protectrice semi-isclante à partir de parties périphéri- ques d'une jonction, dans une structure à semiconducteur consistant en un cristal en forme de mésa On utilise une électrode de contact supérieure en tant que masque d'attaque, et on enlève par attaque des parties sélec- tionnées d'une telle structure, pour former le semi- conducteur en forme de mésa, avec des parois latérales divergentes La structure à semiconducteur en forme de mésa qui est ainsi formée comporte une jonction avec une partie périphérique à nu qui s'étend au-delà de la périphérie du contact supérieur On utilise ensuite l'électrode de contact supérieure en tant que masque d'implantation et on implante des particules dans la partie périphérique à nu de la jonction La conducti- vité de la partie implantée est réduite, ce qui pro- cure la couche protectrice Avec une telle configura- tion, une jonction active est rendue semi-isolante, du fait que la partie de surface périphérique extérieure de la jonction est implantée avec des particules qui endommagent le réseau cristallin du sem Lconducteur, ce qui réduit la conductivité de telles parties de surface En outre, en utilisant le contact supérieur à la fois comme masque d'attaque et comme masque d'implantation, le problème d'alignement avant- arrière entre le masque d'implantation et le masque d'attaque est éliminé, ce qui simplifie la fabrication d'une structure en forme de mésa auto-passivée. Conformément à un aspect supplémentaire de l'invention, un procédé de formation d'une couche pro- tectrice à partir d'une partie sélectionnée d'une matière ayant une première région et une seconde ré- gion comprend les opérations suivantes: on attaque des parties sélectionnées de la première région et de la seconde région pour mettre à nu une partie de la seconde région s'étendant au-delà de la périphérie de la première région; on masque une partie de la première région; et on implante des particules dans les parties de la seconde région à nu qui s'étendent au-delà de la périphérie de la première région, et dans des parties non masquées de la première région, ce qui diminue la conductivité de ces régions implantées La couche pro- tectrice est ainsi formée à partir de telles régions implantées Avec une telle configuration, en implantant des parties de la surface à nu de la seconde région, on réduit la conductivité de n'importe quelle épaisseur de la seconde région En outre, en convertissant des parties de surface de la matière en une couche protec- trice de conductivité inférieure, tout contaminant de surface présent sur cette matière ne dégrade pas la protection de la matière que procure la conductivité réduite de la couche protectrice. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation et en se référant aux dessins annexés sur lesquels Les figures 1-3 sont une série de coupes montrant des étapes dans la fabrication de diodes en forme de mésa ayant une couche semi-isolante sur des parties étendues de la surface de telles diodes; La figure 2 est une coupe de la structure de la figure 2 A selon la ligne 2-2; La figure 2 A est une vue de dessus des dio- des en forme de mésa au stade de traitement représenté sur la figure 2; La figure 4 est une vue de détail de la jonction formée par la couche active, représentée sur la figure 3; et Les figures 5 A-5 B sont des vues de détail de jonctions formées par d'autres types de couches actives. On considèrera les coupes des figures 1 à 3 pour décrire la fabrication d'un ensemble de disposi- tifs à semiconducteur, dans laquelle une partie de la surface de chacun de ces dispositifs est convertie en une couche protectrice conformément aux principes de l'invention En considérant tout d'abord la figure 1, on voit une tranche 10 qui comprend un substrat aminci 12, consistant ici en arséniure de gallium (Ga As) dopé avec le type N++, dont une surface inférieure porte une couche active 14, qui consiste ici en une couche semiconductrice de Ga As de type N, formée par crois- sance épitaxiale La couche active 14 peut avoir un profil particulier parmi de nombreux profils de densité de dopage différents, en fonction des caractéristiques électriques désirées pour la diode A titre d'exemple, on utilise ici un profil de densité de dopage décrit dans le brevet U S 4 160 992 Une jonction 13 est formée entre la couche active 14 et une première cou- che métallique 16, consistant ici-en platine (Pt), qui est formée par pulvérisation cathodique sur la surface de la couche active 14, jusqu'à une épaisseur dans la plage de 10 nm à 20 nm Une seconde couche métallique 18, consistant ici en titane (Ti), est formée par pul- vérisation cathodique sur la couche deplatine 16, jusqu'à une épaisseur dans la plage de 100 nm à 200 nm. Une couche 20 fortement conductrice de la chaleur et de l'électricité, consistant ici en or (Au), est éva- porée sur la couche 18, jusqu'à une épaisseur dans la plage de 100 nm à 200 nm Ensuite, une seconde couche conductrice de la chaleur et de l'électricité, 22, consistant ici en or, est plaquée sur la première cou- che conductrice de la chaleur et de l'électricité, 20, jusqu'à une épaisseur qui est de façon générale dans la plage de 12 à 20 microns Une telle couche 22 ccns- titue un support pour la tranche pendant l'attaque for- mant la mésa et fait fonction de radiateur thermique et de contact électrique pour des diodes individuelles 30, en forme de mésas, après fabrication et découpage des diodes individuelles Des contacts supérieurs 24, qui sont ici en cr, sont formés sur la surface supérieure du substrat 12, en utilisant des techniques bien connues de masquage par matière de réserve photographique et de dorage On utilise les contacts supérieurs 24 en tant que masque d'attaque pour définir les zones du substrat 12 dans lesquelles sont formées les diodes en forme de mésas 30. On va maintenant considérer la figure 2 sur laquelle on voit un ensemble de diodes en forme de mésas 30, qui sont formées sur des parties sélection- nées du substrat 12 Les contacts supérieurs 24 formés sur la partie supérieure du substrat 12, comme décrit ci-dessus, constituent un masque d'attaque pour l'attaque du substrat 12 On amène en contact avec les parties non masquées de la surface supérieure du subs- trat 12 un agent d'attaque chimique du substrat, de type isotrope, consistant ici en une solution d'acide sulfurique (H 2504), de péroxyde d'hydrogène (H 202) et d'eau (H 20), dans un rapport 3:1:1 On enlève ainsi par attaque des parties sélectionnées 28 du substrat 12, d'une manière décrite ci-après, pour former l'en- semble de dicdes en forme de mésas 30, avec des parois latérales divergentes 15 On place la tranche 10 dans un bain (non représenté) de l'agent d'attaque chimique qui vient en contact avec les parties non masquées 28 du substrat 12 et fait disparaître ces par- ties, comme représenté Les parties 28 du substrat 12 sont enlevées par attaque jusqu'à ce que les diodes en forme de mésas 30 aient des parois latérales diver- gentes 15 avec des régions de base étendues 29, comme représenté Chaque région de base étendue 29 comprend des parties de la couche active 14 et des parties du substrat attaqué 12 La jonction 13 comprend des par- ties de jonction périphériques à nu 13 ', s'étendant au-delà de la périphérie du contact supérieur Chaque région de base étendue 29 et la partie de jonction péri- phérique à nu 13 ' s'étendent au-delà de la périphérie du contact supérieur correspondant 24 formé sur chacune des diodes en forme de mésas 30 On notera que chaque diode en forme de mésa 30 est formée de façon que le diamètre de sa partie de base 31, comprenant la couche active 14 et la partie de jonction périphérique à nu 13 ' formant cette partie de base 31, soit supérieur au dia- mètre correspondant du contact supérieur 24 Le traite- ment d'attaque est contrôlé par des techniques décri- tes ultérieurement, pour déterminer le moment auquel les parties sélectionnées 28 du substrat 12 ont été suffisamment attaquées pour produire les diodes en forme de mésas 30 ayant des régions de base étendues 29, comme représenté Une technique pour contrôler la formation de telles diodes en forme de mésas 30 consiste à contrôler la valeur de capacité d'une ou de plusieurs des diodes en forme de mésas 30 au fur et à mesure de leur formation, jusqu'à l'obtention d'une valeur de capacité prédéterminée pour ces diodes en forme de mésas 30 Une seconde technique pour contrô- ler la formation de telles diodes en forme de mésas consiste à observer la tranche 10 par le coté du contact supérieur (figure 2 A) avec un microscope approprié (non représenté), pour déterminer le moment auquel le diamètre d'une telle région de base 31 pré- sente une valeur prédéterminée Comme on le décrira, pour assurer une implantation ultérieure correcte des couches actives 14 de telles diodes en forme de mésas, ces couches actives 14 doivent s'étendre au- delà de la périphérie des contacts supérieurs 24, de façon que ces derniers ne masquent pas les couches actives 14 pendant l'opération d'implantation qu'on décrira en relation avec la figure 3. En considérant maintenant la figure 2 A, on voit que des parties du substrat sont enlevées par attaque jusqu'à ce que la base 31 d'une telle diode en forme de mésa 30 soit entourée par une partie continue de la couche métallique 16 sur la couche active 14, et jusqu'à ce que la partie de jonction périphérique à nu 13 ' s'étende au-delà de la périphérie du contact supérieur 2 ^ 4. En considérant maintenant la figure 3, on note que la tranche 10 portant les diodes en forme de mésas est placée dans un appareil approprié (non représenté) pour former une couche protectrice 32 à partir de par- ties de surface de la région de base étendue 29 et de la partie de la région de semiconducteur formant pré- cédemment les parties périphériques à nu 13 ' Un pro- cédé préféré pour convertir des parties de surface de la diode en forme de mésa 30 pour former la couche protectrice 32 comprend ici les opérations consistant à placer la tranche 10 portant les diodes en forme de mésas 30 dans un appareil d'implantation ionique (non représenté); et à implanter un flux 37 de particules d'implantation ionique telles que des protons (H+) ou des ions oxygène ( O +) dans la surface des parties étendues 29 des diodes en forme de mésas 30, ce flux 37 étant ici dirigé vers la surface de la tranche 10 sous un angle qui correspond à une incidence pratique- ment normale à la surface du contact supérieur 24. Les particules ne sont pas implantées dans les parties de la diode en forme de mésa 30 qui sont masquées par le contact supérieur 24 Ainsi, le contact supérieur 24 fait ici fonction de masque d'implantation pendant l'implantation ionique qui forme la couche protectrice 32 Les particules de H+ ou de 0 +, par exemple, qui sont implantées dans des parties de surface des par- ties de jonction périphériques à nu 13 ' formées pré- cédemment endommagent la structure du réseau cris- tallin de ces parties, ce qui forme les parties de jonction converties 13 " de la couche protectrice 32. L'endo-magement de la structure du réseau produit une diminution de la conductivité de cette couche protectrice 32 Er outre, les particules implantées de O, par Exem- ple, enterrées dans la structure endomagée du réseau, produisent des sites de piégeage de porteurs pour les porteurs libres qui résultent de l'endommagement du réseau, ou pour les électrons en excès présents pré- cédemment dans le cristal Ces sites de piégeage rédui- sent encore davantage la conductivité de la structure de réseau De façon générale, le fait de former des pièges dans une structure de réseau non endommagée, ce qu'on peut accomplir soit en implantant des parti- cules ayant des niveaux d'énergie insuffisants pour endommager cette structure, soit en recuisant une structure endommagée après implantation, pour faire disparaître de tels dommages, produit la couche pro- tectrice 32 ayant une conductivité réduite En outre, le fait d'implanter des particules pour créer une structure de réseau endommagée sans pièges de porteurs réduit de façon similaire la conductivité d'une telle zone, ce qui produit la couche protectrice 32 Des profondeurs d'implantation de 0,25 micron à 1,0 mi- cron sont généralement suffisantes pour produire une telle couche protectrice 3 2 a En considérant maintenant la figure 4, on voit que la jonction 13 est formée par la région 14 dopée avec le type N et par un contact à barrière de Schottky 16 ', consistant ici en une partie de la cou- che de métal 16 Ce type de structure de diode est souvent appelé diode à barrière de Schottky Une telle diode procure une région 39 à intensité de champ élec- trique élevée, confinée à une petite partie de la région de:ype N 40, et qui se termine à la surface de contact de barrière 16 ' La couche protectrice 32 il formée à partir de parties de surface implantées de la diode en forme de mésa 30 forme les parties de jonction périphériques à nu et converties, 13 " 1, en matière de type N, qui confinent la région de champ élevé. On va maintenant considérer les figures 5 A, B qui montrent d'autres structures de région active de diode, 14 ' et 14 ", formant ici respectivement ce qu'on peut appeler une diode à dérive double 30 ' (fi- gure SA) et une diode à dérive simple 30 " (figure 5 B). La diode à dérive double 30 ' (figure SA) comprend une couche 41 dopée avec le type + une région 42 dopée avec le type P et une région 44 dopée avec le type N, formée par dessus, comme représenté La frontière entre les couches 42, 44 forme une jonction 43 La jonction 43 forme une partie de jonction périphérique à nu et convertie, 43 ", cormme représenté La région dans laquelle le champ électrique est le plus élevé est pratiquement limitée à la zone de la jonction 43. Une couche protectrice 32 " est représentée formée à partir des parties de surface de la matière de type P 42 et de la matière de type N 44, et elle isole électriquement la partie de jonction périphérique à nu et convertie 43 " et limite donc la région de champ élevé aux parties intérieures de la diode en forme de mésa 30 ' La structure à dérive simple 30 " (figu- re 5 B) comprend ici une couche mince 46 de type ++ sur laquelle est formée une couche 48 de type N, ces régions 46, 48 formant une jonction 47 La jonction 47 a formé précédemment une partie de jonction péri- phérique à nu et convertie 47 " Ici encore, la région d'intensité de champ électrique élevée est pratiquement limitée à la zone de la jonction 47 Une couche protec- trice 32 " est formée de façon similaire à partir de parties de surface de la couche 46 et de la couche 48 et limite effectivement la partie de jonction périphé- rique à nu et convertie 47 ", et donc la région de champ élevé,à la partie intérieure de la diode en forme de mésa ". Il faut noter que la partie de surface de la couche active 14, appartenant à la partie de base éten- due 29, est ici rendue semi-isolante, tandis que dans l'art antérieur, une partie de la profondeur de la cou- che active est rendue sem L-isolante Ainsi, la région de jonction est ici à nu et cette région de jonction à nu est convertie pour donner la couche protectrice La technique de passivation d e l'invention n'est pas limi- tée par la profondeur d'implantation Ainsi, contraire- ment aux procédés de l'art antérieur, cette technique peut également être utilisée pour passiver les couches plus épaisses qui sont généralement associées à des dis- positifs fonctionnant à plus basse fréquence. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au procédé décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1 Procédé pour former une structure à semicon- ducteur, caractérisé en ce que: on établit un semiconduc- teur contenant une région de jonction ( 13); on at-aque le semiconducteur, en mettant à nu des parties périphériques ( 13 ') de la jonction; et on convertit une partie de sur- face des parties périphériques ànu ( 13 ') de la jonction en une couche protectrice ( 3 2). 2 Procédé pour former une couche protectrice ( 32) sur une région de champ électrique dans un disposi- tif à semiconducteur, caractérisé en ce cpe: on forme une région active ( 14) dans une première partie de sur- face d'une structure de cristal ( 2 2), cette rég Lon active contenant la région de champ électrique ( 13); on masque des parties sélectionnées de cette structure, sur une seconde surface opposée à la première partie de surface, pour former une zone masquée sur cette surface; on attaque des parties non masquées ( 28) de la structure, sur sa seconde surface, pour former le dispositif à semiconducteur ( 30) avec une partie à nu ( 13 ') de la région de champ électrique ( 13) s'éten- dant au-delà de la zone masquée; et on implante des particules dans la partie à nu ( 13 ') de la région de champ électrique qui s'étend au-delà de la zone mas- quée, ce qui endommage le cristal dans cette partie et réduit sa conductivité. 3 Procédé pour former une couche protectrice ( 32) sur une région de champ électrique ( 13) dans un dispositif à semiconducteur ( 30), caractérisé en ce que: on forme une région active ( 14) dans une première partie de surface d'une structure de cristal ( 22), cette région active contenant la région de champ élec- trique ( 13); on masque des parties sélectionnées de cette structure, sur une seconde surface opposée à la première partie de surface, pour définir une zone mas- quée sur la structure; on attaque des parties non mas- quées ( 281 de la structure sur sa seconde surface, pour former le dispositif à semiconducteur ( 30), avec une partie à nu ( 13 ') de la région de champ électrique ( 13) s'étendant au-delà de la zone masquée; et on implante des particules dans la partie ( 13 ') de 1 a région de champ éleccrique s'étendant au-delà de la zone masquée, pour créer des sites de piégeage de porteurs dans la structure de cristal de cette partie et pour réduire sa conductivité. 4 Procédé de formation d'une couche protec- trice ( 32) sur des régions de champ électrique ( 13) d'un dispositif à semiconducteur ( 30), caractérisé en ce que: on forme une région active ( 14) dans une première partie de surface d'un substrat ( 12), cette région active contenant la région de champ électrique ( 13); on masque des parties sélectionnées du substrat, sur une seconde surface opposée àla première partie de sur- face, pour définir sur le substrat une zone masquée on attaque les parties non masquées ( 28) du substrat ( 12), sur sa seconde surface, pour former le dispositif semiconducteur ( 30), avec une partie à nu ( 13 ') de la région de champ électrique ( 13) s'étendant au-delà de la zone masquée; et on implante des particules dans la partie ( 13 ') de la région de champ électrique qui s'étend au-delà de la zone masquée. Procédé de formation d 'une couche protec- trice ( 32) caractérisé en ce que: on forme une région active ( 14) dans une première partie de surface d'un substrat ( 12); un forme un contact d'électrode ( 24) sur une seconde surface, opposée à la première surface du substrat; on attaque des parties ( 28)du substrat, pour former une structure en forme de mésa ( 30) ali- grée avec le contact d'électrode supérieur ( 24) et ayant des parties de surface à nu, avec des parties de surface de la région active ( 13 ') qui s'étendent au- delà de la périphérie du contact; et on rend semi-iso- lantes les parties de srface à nu ( 13 ') qui s'étendent au-delà de la périphérie du contact d'électrode supérieur ( 24). 6 Procédé de formation d' une couche protec- trice ( 32), caractérise en ce que: on forme une région active ( 14) dans une première partie de surface d'un substrat ( 12); on forme une électrode de contact ( 24) sur une seconde surface opposée à la première surface du substrat ( 12); on attaque des parties ( 28) de ce substrat ( 12) ce qui forme une structure ( 30) alignée avec le contact d'électrode ( 24) et ayant des parties de surface à nu, comprenant des parties de surface de la région active ( 13 ') qui s'étendent au-delà de la périphérie du contact d'électrode ( 24); et on implante des particules dans les parties de surface qui s'éten- dent au-delà de la périphérie du contact d'électrode, ce qui rend ces parties semi-isolantes 7 Procédé de passivation caractérisé en ce que: on forme une région active ( 14) contenant une région de jonction ( 13), dans une première surface d'un substrat ( 12); on forme un contact d'électrode ( 24) sur une seconde surface de ce substrat; on atta- que des parties ( 28) du substrat ( 12) en utilisant d'électrode le contact ( 24) en tant que masque, pour former une structure en forme de mésa ( 30) alignée avec le contact d'électrode, avec des parties de jonc- tion périphériques à nu ( 13 ') s'étendant au-delà de la périphérie du contact d' électrode ( 24); et on rend semi-isolantes les parties de jonction périphériques à nu ( 13 ') qui s'étendent au-delà de la périphérie du contact d'électrode ( 24). 8 Procédé de passivation caractérisé en ce que: on forme une région active ( 14) contenant une région de jonction ( 13), dans tne première surface d'un substrat ( 12); on forme un contact d'électrode / 1 J" ( 24) sur une seconde surface de ce substrat ( 12)); on attaque des parties ( 28) du substrat en utilisant le ccntacz d'électrode ( 24) en tant que masque pour former une structure en forme de mésa ( 30); on met à nu des parties de jonction périphériques ( 13 ') de cette structure qui s'étendent au-delà de la périphérie du contact d'électrode ( 24); et on implante des particu- les dans les parties de jonction périphériques ( 13 ') en utilisant le contact d'électrode ( 24) en tant que masque. 9 Procédé de formation d'une couche pro- tectrice ( 32) à partir de parties d'une matière ayant une première région et une seconde région ( 13), carac- térisé en-ce que: on met à nuune partie ( 13 ') de la seconde région s'étendant au-delà de la première ré- gion; on masque une partie de la première région; et on implante des particules d'une matière dans la par- tie de la seconde région s'étendant au-delà de la première région et dans des parties non masquées de la première région, pour convertir ces parties im- plantées de façon qu'elles forment la couche protec- trice ( 32). Procédé de passivation, caractérisé en ce que: on masque une partie d'une première région d'une structure de cristal; on attaque les parties non mas- quées ( 28) de la première région de la structure, ce qui met à nu des parties ( 13 ') d'une seconde région de cette structure qui s'étendent audelà du masque ( 24); et on implante des particules dans la partie de sur- face à nu ( 13 ') de la seconde région, ce qui endommage le cristal dans la région s'étendant au-delà du masque et réduit sa conductivité. il Procédé de passivation, caractérisé en ce que: en masque une partie d'une première région d'une structure de cristal; on attaque des parties non mas- q_ées ( 28) de la première région de la structure, ce qui ret z nu des parties ( 13 ') d'une seconde région de cette s:ruc-ure qui s'étendent audelà du masque ( 24); et on inp an-:e des particules dans les parties de surface à nu de ia seconde région, ce qui crée des sites de piè- geage de porteurs dans la structure et réduit sa ccnduczivité.