FR 2529013 A1 19831223 FR 8310036 A 19830617 29013 _ 1 _ "CIRCUIT A HAUTE FREQUENCE ET DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR POUR EQUIPER UN TEL CIRCUIT" L'invention concerne un dispositif à haute fréquence, no- tamment pour les applications à micro-ondes, comportant un substrat isolant muni d'une configuration coductrice pour un potentiel de ré- férence et un dispositif semiconducteur. De plus, l'invention concerne un dispositif semiconducteur pour équiper à un tel circuit à haute fréquence. De tels circuits à haute fréquence sont utilisés entre au- tres dans les circuits pour les récepteurs destinés à la télévision de satellites. Un tel dispositif à haute fréquence est décrit dans l'arti- cle "Low noise 12 G Hz front end designs for direct satellite télévi- sion réception" dans Philips Technical Review, Vol 39, No 10 (voir notamment la page 267 et la figure 11) Dans le préamplificateur qui y est représenté sont montés plusieurs transistors (dans ce cas des MESFET) d'une façon directe sur une configuration conductrice qui est appliquée sur un substrat isolant en oxyde d'aluminium Les élec- trodes de source ou d'alimentation des transistors sont connectées à la configuration conductrice qui est connectée, par l'intermédiaire de trous métallisés dans le substrat, à l'autre face du substrat qui est portée à un potentiel de référence, dans ce cas le potentiel de la terre Une telle structure sert à réduire au minimum les éléments parasites (capacités, inductances) ou au moins à les maintenir entre certaines tolérances. Lors de la réalisation d'un tel circuit à haute fréquence il se pose plusieurs problèmes C'est ainsi que le montage des tran- sistors est assez souvent critique et laborieux De plus, il faut utiliser parfois des transistors sélectionnés, ce qui implique, ou- tre les frais de mesure additionnels pour cette sélection, également des frais par rebut de transistors, par suite des tolerances de me- sure, endommagement, transport etc. Toutefois, le problème principal qui se pose, notamment -2- aux fréquences plus élevées, comme par exemple dans ladite applica- tion à la télévision par satellites pour laquelle sont utilisées des fréquences d'environ 12 G Hz, consiste à maîtriser les capacités pa- rasites et les inductances de façon que celles-ci restent entre des limites acceptables pour le transistor dans son ambiance. La présente invention vise à réduire autant que possible ces problèmes. L'invention est basée sur l'idée que des parties du dispo- sitif semiconducteur peuvent être simplement agencées de telle façon que le potentiel de référence s'étende jusque près des transistors (à haute fréquence). Un circuit à haute fréquence conforme à l'invention est ca- ractérisé en ce que le dispositif semiconducteur comporte un premier corps semiconducteur en un premier matériau semiconducteur, dont une surface principale est munie d'au moins un deuxième corps semiconduc- teur dans lequel est réalisé un composant actif et le premier corps semiconducteur est muni d'une zone semiconductrice à basse valeur ohmique qui s'étend au moins localement jusqu'à la première surface principale et qui est connectée à la configuration conductrice pour le potentiel de référence. Le potentiel de référence peut s'étendre, à l'aide de la zone semiconductrice à basse valeur ohmique, pour ainsi dire à tra- vers le corps semiconducteur jusque près du deuxième corps semicon- ducteur. Si le potentiel de référence est le potentiel de la terre, les capacités parasites et les inductances de fils de connexion ou de contact du deuxième corps semiconducteur, qui peut contenir par exemple un transistor à effet de champ en arséniure de gallium, sont réduites notablement Dans ce cas, la zone semiconductrice à basse valeur ohmique, qui peut s'étendre au besoin à travers tout le pre- mier corps semiconducteur, fait office de plan de masse. D'un côté, des parties du deuxième corps semiconducteur (par exemple un contact de connexion d'un transistor qui y est réa- lisé) sont connectées de façon directe à la zone semiconductrice à basse valeur ohmique, d'autre part ces parties peuvent être connec- tées à une configuration métallique qui est appliquée sur une cou- -3- che électro-isolante qui recouvre le premier corps semiconducteur. La couche isolante peut être choisie très mince et servir de dié- lectrique et constitue, de concert avec une partie de la configu- ration métallique et une zone semiconductrice convenablement con- ductrice sousjacente, une capacité vers la terre En revanche, si l'on choisit pour la couche isolante une couche épaisse, par exem- ple une couche en verre, le corps semiconducteur sousjacent est isolé, d'une façon à peu près complètement diélectrique, de la con- figuration métallique Ainsi la configuration métallique permet de réaliser des inductances sur la couche isolante De plus, il est possible de réaliser ainsi des résistances sur la couche isolante. Tout comme pour les composants actifs réalisés dans le deuxième corps semiconducteur, pour tous ces éléments l'applica- tion de la mesure conforme à l'invention permet d'élargir le plan. de masse pour ainsi dire jusque dans le premier corps semiconduc- teur Cela facilite notamment la réalisation de circuits à haute fréquence et de circuits à micro-ondes du fait que les trous mé- tallisés comme décrits dans l'article décrit ci-dessus peuvent être omis en majeure partie, voire entièrement. Le deuxième corps semiconducteur contenant le composant actif peut être monté à l'aide de boules de soudure aux endroits des contacts de connexion de ce composant sur le premier corps se- miconducteur (montage dit flip-chip). Toutefois, le premier corps semiconducteur comporte de préférence un enfoncement pour loger le deuxième corps semicon- ducteur Cela offre notamment des avantages lorsque tout le dis- positif semiconducteur est monté, également par montage dit flip- chip, d'une façon inversée sur le substrat isolant Il y a lieu de noter que la mise en place d'un corps semiconducteur dans un enfoncement d'un autre corps semiconducteur est connu en soi du brevet des Etats-Unis d'Amérique No 4 199 777 Toutefois, la structure représentée dans ce document sert à réaliser des con- nexions fiables entre un élément réalisé dans ou sur le premier corps semiconducteur et un élément appliqué dans l'enfoncement. Dans ce brevet, il n'est nullement question d'une zone semicon- ductrice à basse valeur ohmique appartenant au premier corps se- miconducteur afin de contrecarrer notamment des effets parasites aux fréquences plus élevées. Conformément à l'invention, un dispositif semiconducteur pour équiper un tel circuit à haute fréquence est caractérisé en ce que le dispositif comporte un premier corps semiconducteur réalisé en un premier matériau semiconducteur, dont une surface principale est munie d'au moins un deuxième corps semiconducteur dans lequel est réalisé un composant actif et qui est muni en outre d'une zone semiconductrice à basse valeur ohmique qui s'étend au moins locale- ment jusqu'à la première surface principale et jusqu'à une deuxième surface principale qui est parallèle à la première surface princi- pale. Outre les susdits avantages qu'offre l'application d'un tel dispositif semiconducteur à un circuit à haute fréquence con- forme à l'invention, le dispositif semiconducteur offre lui-même plusieurs autres avantages C'est ainsi que la mesure de plusieurs dispositifs semiconducteurs peut être effectuée préalablement avant qu'ils ne puissent être réunis à obtenir un circuit à haute fré- quence, un tel dispositif semiconducteur présentant déjà plusieurs composants, de sorte que le comportement à haute-fréquence d'un tel ensemble de composants peut être mesuré préalablement Comme deu- xième corps semiconducteur, un tel dispositif semiconducteur peut contenir par exemple un transistor à effet de champ semiconducteur métallique (MESFET) réalisé en arséniure de gallium ou des transis- tors bipolaires sélectionnés réalisés en silicium, alors que dans le premier corps semiconducteur en silicium par exemple sont réa- lisées des capacités et des inductances Une telle structure per- met de réduire simultanément la présence de capacités parasites et d'inductances. Un tel dispositif semiconducteur peut aussi contenir seu- lement un transistor en arséniure de gallium comme deuxième corps semiconducteur, alors que sur le premier corps semiconducteur sont appliquées par exemple des structures à micro-poutres (en anglais beam leads); cela permet une mesure à haute fréquence plus fiable des transistors, de sorte qu'une bonne sélection est possible, no- tamment dans le cas de mesure de paramètres à haute fréquence De -5- plus, le transistor en arséniure de gallium ne pouvant être mesuré ainsi de façon directe, le risque d'endommangement est réduit. Un autre avantage, notamment dans le cas o les surfaces du premier corps semiconducteur et du deuxième corps semiconducteur se situent pratiquement dans un plan, consiste dans le fait que la pose de connexions entre des points de connexions sur les deux corps semiconducteurs s'effectue pratiquement dans un seul plan, de sorte que la mise au point du microscope pendant la pose des connexions ne requiert pas d'adaptation à cet effet. La description ci-après, en se référant aux dessins anne- xés, le tout donné à titre d'exemple non limitatif, fera bien com- prendre comment l'invention peut être réalisée. La figure 1 montre schématiquement un circuit à haute fré- quence conforme à l'invention. La figure 2 montre schématiquement une vue en plan d'un dispositif semiconducteur destiné à un tel circuit à haute-fréquence. La figure 3 montre schématiquement une section transversa- le suivant la ligne III-III de la figure 2. La figure 4 montre l'équivalent électrique du circuit réa- lisé dans le dispositif semiconducteur selon les figures 2 et 3. La figure 5 montre schématiquement une vue d'un autre dis- positif semiconducteur destiné à un circuit à haute fréquence confor- me à l'invention, alors que La figure 6 montre schématiquement une section transversa- le suivant la ligne VI-VI de la figure 5 et La figure VII montre schématiquement une section transver- sale suivant la ligne VII-VII de la figure 5. Les figures sont représentées d'une façon schématique et non à échelle et pour la clarté des dessins, la section transversa- le, notamment les dimensions dans la direction de l'épaisseur, sont fortement exagérées. D'une façon générale, les zones semiconductrices de même type de conduction sont représentées d'une façon hachurée dans la même direction; dans les diverses formes de réalisation, les pièces correspondantes portent en général les mêmes chiffres de référence. La figure 1 montre un circuit à haute-fréquence 1 présen- -6- tant un substrat isolant 2, qui est par exemple en oxyde d'alumi- nium, sur lequel est appliquée une configuration conductrice 3, 4 en or ou en aluminium, qui est mise en place suivant des techni- ques connues, comme la pulvérisation ou le dépôt par évaporation, sur le substrat 2 Des parties 3 de la configuration conductrice sont soumises à une tension de référence invariable; à cet effet, dans le présent exemple, les parties 3 sont connectées au poten- tiel de terre Pour le transport de signaux entre les divers dis- positifs semiconducteurs 10, des parties 4 de la configuration mé- tallique constituent des lignes de transmission sur le substrat 2. Ces lignes de transmission sont connectées par l'intermédiaire de connexions à fil 5 à des parties de la configuration de métallisa- tion 17 appliquées sur un dispositif semiconducteur 10 Ces par- ties de la configuration de métallisation 17 peuvent être consti- tuées tant par des faces de contact simples 28 qui, à leur tour, sont connectées par l'intermédiaire de connexions à fil 21 au deu- xième corps semiconducteur 30 ou par une configuration plus compli- quée qui, dans cet exemple, comporte une connexion autoportante 22 pour le contact direct entre deux dispositifs semiconducteurs 11 Toutes les connexions 5, 21 peuvent être mises en place d'une façon connue comme par exemple par voie ultrasonore ou par soudage par thermocompression De l'autre côté, le substrat isolant 2 est muni d'une façon usuelle d'une couche métallique 36. Une réalisation possible du dispositif semiconducteur 10 est représentée sur les figures 2 et 3 Elle présente un premier corps semiconducteur 11, dont une surface principale 12, dans un enfoncement 13, est muni d'un deuxième corps semiconducteur 30 qui est fixé, par exemple à l'aide d'une colle électro-isolante, sur le fond de l'enfoncement 13. Dans cet exemple, le corps semiconducteur 11 comporte un substrat en silicium de type N 26 présentant une résistivité d'en viron 5 m ohm cm et une épaisseur d'environ 250 micromètres Dans cet exemple, le corps semiconducteur 11 comporte une couche de ty- pe p 27 qui est obtenue par croissance épitaxiale ou par redopage. Le tout est couvert d'une couche 15, 16 en matériau iso- lant, comme par exemple un oxyde de silicium, abstraction faite de -7l'endroit de l'enfoncement 13 présentant une profondeur d'environ micromètres et l'endroit de la couche en verre 23 présentant une épaisseur d'environ 40 micromètres La couche d'oxyde 16 pré- sente une épaisseur d'environ 1,5 micromètre, abstraction faite de l'endroit des éléments capacitifs 19 (voir la figure 3) ou un oxyde mince 15 d'une épaisseur d'environ 0,3/ um fait office de diélectri- que Les capacités sont formées par des parties 19 de la configura- tion métallique 17 comme première armature, l'oxyde mince 15 comme diélectrique, et d'une zone semiconductrice à basse valeur ohmique 14 comme deuxième armature Dans cet exemple, la deuxième armature est mise à la terre. De plus, sur l'oxyde 16 sont réalisées des résistances 20 en matériau résistif, comme par exemple du nickel-chrome Dans cet exemple, une extrémité de ces résistances est connectée par l'inter- médiaire d'un trou de contact 24 à une zone semiconductrice à basse valeur ohmique 14, l'autre extrémité par l'intermédiaire de la con- figuration métallique 17 auxdites capacités. Sur la couche en verre 23 sont réalisées, outre une résis- tance 20, des inductances 18 (voir également la figure 3), par uti- lisation d'une configuration métallique 17 sous forme de méandre. Des parties de la configuration métallique 17 sont inter- connectées à plusieurs endroits à l'aide de connexions à fil 21. Des connexions à fil similaires 21 assurent également la connexion entre les parties de la configuration métallique 17 présentant des faces de contact 31, 32, 33 qui assurent le contact avec un élé- ment actif dans le deuxième corps semiconducteur 30 Dans le pré- sent exemple, celui-ci est constitué par un transistor à effet de champ métallique en arséniure de gallium (MESFET) et comporte une couche active 34 qui est formée par croissance sur un substrat se- mi-isolant 35 Le corps semiconducteur 30 est fixé à l'aide de col- le électro-isolante sur le fond de l'enfoncement 13 Les métalli- sations de contact 31, 32 32 font office de contact de source, de porte et de drain respectivement. De plus, pour un bon contact avec le plan de masse, le premier corps semiconducteur 11 est muni d'une métallisation 25. Le schéma équivalent du dispositif semiconducteur selon -8- les figures 2 et 3 est représenté schématiquement sur la figure 4. Le MESFET 30 présente une connexion de source 31, qui est mise à la terre par l'intermédiaire d'un montage en parallèle d'une capa- cité 19 et d'une résistance 20 L'électrode porte 32 est excitée par l'intermédiaire d'une résistance 20 et d'une self-inductance 18 Comme il ressort de la vue en plan de la figure 2, cette exci- tation s'effectue par l'intermédiaire d'un fil de connexion 5 qui assure le contact d'une partie de la configuration métallique 17 à l'endroit de la métallisation de contact D'autres connexions entre les éléments du circuit sont formées par des connexions 21 ou la configuration métallique 17. Grâce à la présence des zones semiconductrices à basse valeur ohmique 14, 26 qui sont connectées par l'intermédiaire de la métallisation 25 à la configuration conductrice 3 soumise au potentiel de la terre, le plan de masse s'étend pour ainsi dire jusque dans le corps semiconducteur 10, ce qui est particulière- ment avantageux pour les applications à haute fréquence De plus, du fait que les connexions 21 peuvent être très courtes et prati- quement identiques, elles sont ainsi pratiquement exemptes de va- riations dans des éléments parasites. Le dispositif semiconducteur 10 des figures 5, 6 et 7 présente un corps semiconducteur 11 en silicium d'une dimension de 1 x 1 mm d'une épaisseur d'environ 2501 um Le corps semicon- ducteur 11 présente un substrat de type N à basse valeur ohmique 26 présentant une résistivité d'environ 5 m ohm cm sur lequel est formée par croissance une couche épitaxiale (de type p ou n) de valeur ohmique élevée 27 Dans le corps en silicium 11 est réalisé par décapage un enfoncement 13 d'une dimension d'environ 500 x 400,um présentant une profondeur d'environ 1001 um Dans cet enfoncement est fixé un transistor à effet de champ métallique (MESFET) en arséniure de gallium d'une épaisseur qui est égale- ment d'environ 100 microns Le transistor à effet de champ 30 est muni de faces de contact 31, 32, 33, respectivement pour un con- tact de source, de porte et de drain La face de contact de sour- ce 31 est connectée par l'intermédiaire de connexions 21 (voir la figure 6) à une partie de la configuration métallique 17 qui, 29013 -9- dans cet exemple, est appliquée de façon directe sur la surface principale 12 du premier corps semiconducteur 11 et assure le contact de la zone semiconductrice à basse valeur ohmique 14 qui s'étend à l'endroit de la configuration de métallisation 17 jus- qu'à la surface 12 La face de contact de source est ainsi con- nectée par l'intermédiaire d'un trajet de courant à basse valeur ohmique constitué par la connexion 21 et la configuration 17, la zone semiconductrice 14 et le substrat 26 de façon directe à la métallisation de contact 25 à la face inférieure du corps semi- conducteur 11 Ainsi, une telle configuration convient à un cir- cuit présentant une zone de source mise à la terre, la face in- férieure du corps semiconducteur 11 étant montée sur un plan de masse, par exemple par soudage Du reste, le chiffre de référen- ce ont les mêmes significations que dans l'exemple précédent. Les conducteurs autoportants 22, 17 sont connectés par l'intermédiaire de connexions à fil 21 à la face de contact de porte 33 et la face de contact de drain 33 du transistor à effet de champ 30. Les connexions 22, 25 présentant des dimensions rela- tivement grandes, une telle structure permet de réaliser la me- sure (et la sélection préalablement et d'une façon plus fiable que dans le cas o la mesure se fait de façon directe par les contacts 31, 32, 33 du transistor à effet de champ en arséniure de gallium. Pour les applications o la zone de source n'est pas mise à la terre, le contact de source peut être connecté d'une façon analogue à celle des contacts de porte et de drain par l'intermédiaire d'une connexion 21 à un conducteur auto-portant. Dans un tel dispositif, le plan de masse peut être portée pour ainsi dire jusque près de la surface principale 12 par exemple par la réalisation de tout le premier corps semiconducteur 11 en un substrat à basse valeur ohmique 26 Ainsi, on obtient que les conducteurs 22 qui, d'une façon générale, font partie des lignes de signal, s'étendent tout près du niveau de la terre, de sorte que le dispositif semiconducteur présente un très bon com- portement à haute fréquence, (notamment pour les applications à -10 micro-onde) Evidemment, des avantages similaires s'appliquent éga- lement au dispositif des figures 2 et 3 et leurs variantes. Evidemment, l'invention n'est pas limitée aux exemples dé- crits ci-dessus, de nombreuses variantes sont possibles sans sortir du cadre de l'invention C'est ainsi que le contact ne s'effectue pas nécessairement par l'intermédiaire des conducteurs autoportants 22 et des connexions à fil 5, mais le premier corps semiconducteur peut être muni de boules de soudure permettant un montage inversé (en anglais flip-chip) Dans ce cas, la métallisation 25 peut être omise au besoin En outre pour la réalisation desdits éléments pas- sifs, l'élément en silicium 11 peut évidemment également être uti- lisé pour la réalisation d'éléments actifs, comme par exemple une diode Schottky, pour la protection etc De plus, un dispositif con- forme à l'invention peut être incorporé dans un plus grand enser- ble comme un circuit à micro-ondes suivant des techniques connues avec des trous métallisés assurant une connexion électrique entre un plan de masse situé de l'autre côté d'un support et une face de contact sur laquelle est fixé par soudage le dispositif conforme à l'invention En ce qui concerne la réalisation avec des composants séparés, le nombre de trous métallisés est notablement réduit. De plus, dans les circuits selon les figures 2 et 4 peu- vent être introduites plusieurs variantes, comme l'addition d'un élément de résistance additionnel 20 ' représenté schématiquement sur la figure 2 De plus, il est évidemment possible d'utiliser d'autres matériaux semiconducteurs et d'autres méthodes de conne- xion En outre, plusieurs transistors peuvent être placés dans un seul enfoncement ou bien dans plusieurs enfoncements. -11- REVENDICATIONS 1 Dispositif à haute fréquence, notamment pour les applica- tions à micro-ondes, comportant un substrat isolant muni d'une con- figuration conductrice pour un potentiel de référence et un disposi- tif semiconducteur, caractérisé en ce que le dispositif semiconduc- teur comporte un premier corps semiconducteur réalisé en un premier matériau semiconducteur, dont une surface principale est munie d'au moins un deuxieme corps semiconducteur dans lequel est réalisé un composant actif et le premier corps semiconducteur est muni d'une zone semiconductrice à basse valeur ohmique, qui s'étend au moins, localement jusqu'à la surface principale et qui est connectée à la configuration conductrice pour le potentiel de référence. 2 Circuit à haute-fréquence selon la revendication 1, ca- ractérisé en ce que le premier corps semiconducteur comporte un enfoncement dans lequel se trouve le deuxième corps semiconducteur. 3 Circuit à haute-fréquence selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le deuxième corps semiconducteur est consti- tué par un deuxième matériau semiconducteur qui diffère du premier matériau semiconducteur. 4 Dispositif selon la revendication 1, 2 ou 3, caractérisé en ce que la zone semiconductrice à basse valeur ohmique comprend pratiquement tout le premier corps semiconducteur. Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 4, carac- térisé en ce que la zone semiconductrice à basse valeur ohmique présente une résistivité d'au maximum 0,05 ohm cm. 6 Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la zone semiconductrice à basse valeur ohmi- que est connectée à l'endroit de la surface principale du premier corps semiconducteur par un conducteur électrique, à une connexion d'un composant réalisé dans le deuxième corps semiconducteur. 7 Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que un composant réalisé dans le deuxième corps -12semiconducteur est connecté par un conducteur électrique à au moins une partie d'une configuration métallique, appliquée sur une couche en matériau isolant recouvrant le premier corps semiconducteur. 8 Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que la configuration métallique et la couche sousjacente en matériau isolant servant de diélectrique et la partie sousjacente du premier corps semiconducteur constituent une capacité. 9 Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que la configuration métallique est sous forme d'un méandre ou spiralée. 10 Circuit selon la revendication 7, caractérisé en ce que la configuration métallique comporte deux faces de connexion entre les- quelles se trouve une couche de résistance. 11 Circuit selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'une partie de la configuration métallique s'étend comme conducteur auto- portant jusqu'à l'extérieur de la périphérie du premier corps semi- conducteur. 12 Circuit selon l'une des revendications 9 à 11, caractéri- sé en ce que la configuration métallique est localement isolée du premier corps semiconducteur par une couche en verre d'une épaisseur d'au maximum 100 micromètres. 13 Dispositif semiconducteur pour équiper à un dispositif se- lon l'une des revendications 1 ou 12, caractérisé en ce que le dis- positif semiconducteur est muni d'un premier corps semiconducteur en un premier matériau semiconducteur, dont une surface principale est munie d'au moins un deuxième corps semiconducteur dans lequel est réalisé un composant actif et qui est muni d'une zone semiconductri- ce à basse valeur ohmique, qui s'étend au moins localement jusqu'à la première surface principale et jusqu'à une deuxième surface prin- cipale parallèle à la première surface principale. 14 Dispositif semiconducteur selon la revendication 13, carac- térisé en ce que la deuxième surface principale du premier corps se- miconducteur est muni d'une métallisation de contact. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 13 ou 14, caractérisé en ce que le premier corps semiconducteur pré- sente un enfoncement dans lequel se trouve le deuxième corps semicon- ducteur. -13- 16 Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 13 à 15, caractérisé en ce que le deuxième corps semiconducteur est constitué par un deuxième matériau semiconducteur qui diffère du premier matériau semiconducteur. 17 Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 13 à 16, caractérisé en ce que la zone semiconductrice à basse va- leur ohmique compend pratiquement tout le premier corps semiconduc- teur. 18 Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 13 à 17, caractérisé en ce que la zone semiconductrice à basse va- leur ohmique présente une résistivité d'au maximum 0,05 ohm cm. 19 Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 13 à 18, caractérisé en ce que la zone semiconductrice à basse va- leur ohmique est connectée électriquement à l'endroit de la premié- re surface principale du premier corps semiconducteur à une conne- xion d'un composant réalisé dans le deuxième corps semiconducteur. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 13 à 19, caractérisé en ce qu'un composant réalisé dans le deuxiè- me corps semiconducteur est connecté électriquement à au moins une partie d'une configuration métallique appliquée sur une couche en matériau isolant recouvrant le premier corps semiconducteur. 21 Dispositif semiconducteur selon la revendication 20, ca- ractérisé en ce que la configuration métallique avec la couche sousjacente en matériau isolant servant de diélectrique et la par- tie sousjacente du premier corps semiconducteur constitue une ca- pacité. 22 Dispositif semiconducteur selon la revendication 20, ca- ractérisé en ce que la configuration métallique est sous forme de méandre ou de spirale. 23 Dispositif semiconducteur selon la revendication 20, ca- ractérisé en ce que la configuration métallique comprend deux faces de connexion entre lesquelles se trouve une couche de résistance. 24 Dispositif semiconducteur selon la revendication 20, ca- ractérisé en ce qu'une partie de la configuration métallique s'é- tend comme conducteur autoportant jusqu'à l'extérieur de la péri- phérie du premier corps semiconducteur. -14- Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 22 à 24, caractérisé en ce que la configuration métallique est iso- lée localement du premier corps semiconducteur par une couche en verre d'une épaisseur d'au maximum 100/um. 26 Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 13 à 25, caractérisé en ce que le premier corps semiconducteur est constitué par du silicium et le deuxième corps semiconducteur par un composé III-V.