FR 2519190 A1 19830701 FR 8212023 A 19820708 19190 "Contact à barrière de tungstène" La présente invention concerne les dispositifs à semiconducteurs, et elle porte plus particulièrement sur des contacts en aluminium sur des composés métalliques dans un dispositif à semiconducteurs. Un contact entre un métal tel que de l'alumi- nium et un semiconducteur conduit de façon générale à deux types de jonctions métal-semiconducteur L'un des types est un contact redresseur qui forme une diode métal- semiconducteur (ce qu'on appelle souvent une barrière de Schottky ou une diode Schottky) ayant des caractéris- tiques tension-courant très similaires à celles d'une diode à jonction pn L'autre type de contact, souvent appelé contact ohmique, est non redresseur et on l'uti- lise généralement lorsqu'on fixe un fil de connexion sur un semiconducteur. On peut également réaliser ces contacts ohmi- ques et à diode Schottky entre un semiconducteur et des composés métalsemiconducteur tel que des siliciures qui sont des composés de silicium et d'un métal On forme de façon caractéristique le siliciure en déposant une couche d'un métal tel que du nickel, du cobalt, du titane, etc, sur un substrat de silicium, et en le sou- mettant à un traitement thermique qu'on appelle un re- cuit Pendant le traitement de recuit, la couche de mé- tal pénètre et s'étale dans le substrat de silicium en formant une région de siliciure en contact avec le subs- trat de silicium restant Le contact siliciure-silicium peut être un contact ohmique ou à diode Schottky, en fonction du niveau de dopage du silicium. Les contacts avec le substrat de silicium qui font intervenir un siliciure sont souhaitables à cause de la reproductibilité de leurs caractéristiques électri- ques Cependant, l'aluminium demeure fréquemment un métal préféré pour le contact final avec les plots de soudage ou avec d'autres dispositifs se trouvant sur le substrat. On forme de façon caractéristique des contacts en aluminium en déposant une couche d'aluminium sur la région avec laquel- 19190 le un contact doit être établi (figure 1 A) On soumet ensuite la couche d'aluminium à un traitement thermique qu'on désigne par le terme d'agglomération L'agglcméra- tion de la couche d'aluminium permet à l'aluminium de for- mer un meilleur contact avec la région sous-jacente. On a cependant trouvé que de ncnmbreux contacts aluminium-siliciure présentent une instabilité thermique pendant le cycle d'agglomération En effet, de nombreux siliciures réagissent avec l'aluminium dans la plage de température qu'on utilise pour agglomérer le contact en aluminium (soit de façon caractéristique 400-5000 C). Cette réaction chimique conduit à la formation de composés intermétalliques à partir de l'aluminium et du siliciure. Ainsi, par exemple, on a trouvé que l'agglomération d'une couche de contact en aluminium sur une région en siliciure de nickel, forme le composé intermétallique Ni Al 3 (figure l B) On a en outre trouvé que la réaction chimique entre l'aluminium et le siliciure élève la hauteur de la barriè- re de Schottky de la jonction siliciure-silicium, ce qui élève la chute de tension directe de la jonction Ceci augmente à son tour la puissance consommée par la jonc- tion et peut rendre le contact au siliciure impropre pour de nombreuses applications De plus, la réaction p luminium- siliciure peut ne pas se dérouler uniformément pendant le cycle d'agglomération de l'aluminium Il en résulte que la circulation du courant à travers le contact siliciure- aluminium aggloméré peut ne pas être uniforme Ceci peut conduire à un courant excessif dans certains emplacements à l'intérieur du contact, entraînant ainsi une défaillance du dispositif. Pour éviter que le siliciure réagisse avec l'alu- minium au cours de l'agglomération du contact en aluminium, il a été proposé ( G J Van Gurp, J C C Dames, A. Van Oostrom, L J M Augustus, et Y Tammings, J Appl. Phys 50, 6915 ( 1979)) de déposer par pulvérisation une couche de tungstène de 200 nm sur le siliciure, avant de déposer l'aluminium, pour établir une barrière entre l'alu- minium et le siliciure (Il a également été proposé à titre 191-90 de variante de déposer une couche de 100 nrn d'une ccmposi- tion tungstène-titane) Il a été signalé que la couche in- termédiaire de tungstène (ou de tungstène-titane) déposée par pulvérisation empêchait effectivement une réaction chi- mique entre l'aluminium et le siliciure Du fait des épais- seurs relativement élevées de ces couches intermédiaires ( 100-200 nm), il est généralement nécessaire de déposer ces couches par pulvérisation avec un appareil de pulvéri- sation D'autres procédés pour le dépôt d'une couche de métal, comme le dépôt par évaporation avec un canon à faisceau d'électrons, ne conviennent généralement pas pour déposer des couches de tungstène de plus de 25 à nm d'épaisseur. Par conséquent, Van Gurp et col suggèrent qu'après l'achèvement de l'opération de recuit de la ré- gion de siliciure, on retire le dispositif du four de recuit et on le place dans un appareil de pulvérisation séparé, pour déposer par pulvérisation la couche de tungs- tène sur le siliciure Il est ensuite proposé de déposer la couche d'aluminium sur la couche de tungstène par éva- poration en utilisant un canon à faisceau d'électrons (canon électronique) Du fait que le dép 6 t par pulvérisa- tion nécessite de façon caractéristique un appareil sépa- rée, il serait très souhaitable d'éliminer la nécessité de déposer la couche barrière intermédiaire en tungstène sur la région de siliciure, par pulvérisation Ceci per- -mettrait de fabriquer plus économiquement des dispositifs utilisant une telle couche barrière pour le contact. L'invention a pour but de réaliser un contact comportant une couche barrière, pour un dispositif à semi- conducters,dans lequel il ne soit pas nécessaire de dépo- ser la couche barrière par pulvérisation. L'invention a également pour but de réaliser un contact pour un dispositif à semiconducteur dans lequel les opérations de recuit et d'agglomération puissent être effectuées en une seule étape. L'invention consiste en un contact pour un dis- positif à semiconducteur comportant une couche barrière in- termédiaire en métal entre une couche de contact en alumi- nium et un composé métal-semiconducteur La couche barrière a une épaisseur inférieure à 50 nm, ce qui fait qu'on peut la déposer commodément par évaporation avec un canon à fais- ceau d'électrons, par exemple La couche barrière intermé- diaire peut être en tungstène ou en un autre métal comme le tantale ou le hafnium. La couche barrière mince (moins de 50 nm) fait disparaître la nécessité de déposer par pulvérisation la couche barrière sur le composé métalsemiconducteur Du fait qu'un canon à faisceau d'électrons peut utiliser plusieurs sources d'évaporation, on peut déposer séquen- tiellement les couches de métal désirées sur le semicon- ducteur Ainsi, par exemple, on peut déposer séquentiel- lement une couche de métal pour former un composé métal- semiconducteur tel qu'un siliciure, une couche de tungs- tène pour former une couche barrière et une couche de contact en aluminium, sans avoir à interrompre l'opéra- *tion de dépôt pour placer le dispositif dans un appareil de pulvérisation En outre, une fois que les trois cou- ches de métal sont déposées, on peut chauffer le disposi- tif pour recuire le métal et le silicium afin de former le siliciure, ainsi que pour agglomérer la couche de contact en aluminium, le tout en une seule opération de chauffage. Un aspect de l'invention porte sur un dispositif à semiconducteur caractérisé en ce qu'il comprend: un subs- trat semiconducteur; une région d'un composé métal-semi- conducteur, adjacente au substrat; un contact en aluminium destiné à établir une connexion électrique avec la région de composé métalsemiconducteur; et une couche barrière en un composé à base de tungstène, de tantale ou de haf- nium, entre le contact en aluminium et la région de composé métalsemiconducteur, et cette couche barrière a une épaisseur qui est inférieure à 50 nm et elle empê- che une réaction chimique entre le contact en aluminium et la région de composé métal-semiconducteur. Un autre aspect de l'invention porte sur un contact pour un dispositif à semiconducteur comportant un substrat de silicium, caractérisé en ce qu'il comprend: une région de siliciure formée dans le substrat; un contact en alumi- nium destiné à établir une connexion électrique avec la région de siliciure; et une couche de tungstène ayant une épaisseur inférieure à 50 nm, entre le contact en alumi- nium et la région de siliciure, pour empêcher une réac- tion chimique entre le contact en aluminium et la région de siliciure. Un autre aspect de l'invention porte sur une barrière pour un dispositif semiconducteur ayant un contact en aluminium sur une région de siliciure qui forme une jonction siliciure-semiconducteur avec le semiconducteur, caractérisée en ce qu'elle comprend une couche de tungstène disposée entre le contact en alumi- nium et la région de siliciure et ayant une épaisseur inférieure à 50 nm, pour établir une connexion électri- que entre le contact en aluminium et la région de sili- ciure, et pour empêcher que l'aluminium du contact réa- gisse chimiquement avec la région de siliciure, élevant ainsi la hauteur de la barrière de Schottky de la jonc- tion siliciure-semiconducteur. Un autre aspect de l'invention porte sur une diode Schottky, caractérisée en ce qu'elle comprend: un substrat de silicium; une région de siliciure de nickel qui est située à l'intérieur du substrat et forme une jonction siliciur I-silicium; une couche de tungstène ayant une épaisseur inférieure à 50 nm et disposée sur la région de siliciure de nickel; et un contact en alumi- nium qui est disposé sur la couche de tungstène pour éta- blir une connexion électrique avec la région de siliciure, à travers la couche de tungstène, cette dernière empêchant une réaction chimique entre l'aluminium et la région de siliciure de nickel, de façon à éviter une augmentation de la hauteur de la barrière de Schottky de la jonction. Un autre aspect de l'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce que: on dépose une première couche de 19190 métal sur un substrat de silicium; on dépose sur la premiè- re couche de métal une seconde couche de métal consistant en un métal choisi dans le groupe comprenant le tungstène, le tantale et le hafnium; on dépose un cortiact en alumi- nium sur la seconde couche de métal; et, ensuite, on chauf- fe simultanément le substrat et les couches de métal se trouvant sur le substrat pour recuire la première couche de métal et le substrat de silicium afin de former un siliciure, et pour agglomérer également le contact en aluminium, en une seule étape, et la seconde couche de métal empêche l'aluminium de réagir chimiquement avec le siliciure pendant l'étape unique de recuit et d'aggloméra- tion. Un autre aspect de l'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs, caractérisé en ce que: on dépose une première couche de métal sur un substrat de silicium; on recuit la couche de métal et le silicium pour former une région de sili- ciure de métal dans le substrat; on dépose sur la région de siliciure de métal une couche de tungstène ayant une épaisseur inférieure à 50 nm; on dépose une couche de con- tact en aluminium sur la couche de tungstène; et on agglo- mère la couche de contact en aluminium, tandis que la cou- che de tungstène empêche que l'aluminium réagisse chimi- quement avec le siliciure de métal pendant l'étape d'agglo- mération Un autre aspect de l'invention porte sur un pro- cédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs, caractérisé en ce que: on dépose trois couches successives de nickel, de tungstène et d'aluminium sur un substrat de silicium, par évaporation dans une chambre à canon à fais- ceau d'électrons dans laquelle on a fait le vide, en main- tenant le vide dans la chambre entre les dépôts; et on chauffe le substrat dans un four pour recuire le nickel et le silicium de façon à former un siliciure de nickel et pour agglomérer simultanément l'aluminium pour former un contact électrique, et la couche de tungstène établit une connexion électrique entre le contact en aluminium et la région en si- liciure de nickel et elle empêche également une réaction chimique entre le nickel et l'aluminium, de façon à conduire à la formation du siliciure de nickel, plutôt que d'un composé nickel-aluminium. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre non limitatifs La suite de la description se réfère aux dessins annexés sur lesquels La figure l A est un schéma d'un contact alumi- nium-siliciure-silicium de l'art antérieur; La figure 1 B est un schéma du contact de la fi- gure l A après agglomération de l'aluminium; La figure 2 est un organigramme d'un processus de l'art antérieur pour fabriquer un contact aluminium- siliciure-silicium; La figure 3 est un organigramme qui décrit un processus de fabrication pour un contact aluminium- siliciure-semiconducteur conforme à l'invention, et cet organigramme est accompagné de schémas représentant le contact à divers stades du processus; et La figure 4 représente une variante du proces- sus et du contact décrits en relation avec la figure 3 On voit sur la figure l A une représentation schématique d'un contact au siliciure 10, de l'art anté- rieur, formé sur une région de silicium 12 Le contact comporte une région de siliciure 14 qui est formée sur la région de silicium 12 avec laquelle le contact est établi La région de silicium 12 représente une partie d'un dispositif à semiconducteur, comme par exemple la ré- gion de collecteur d'un transistor bipolaire, sur une tranche ou un substrat de silicium On forme la région de siliciure 14 en déposant une couche ou une pellicule de métal tel que du nickel sur le substrat de silicium, et en recuisant le nickel et le silicium, par chauffage du substrat dans un four Sous l'effet du recuit, le nickel s'étend à l'intérieur du silicium en formant le siliciure de nickel Ni Si, dans la région 14 à l'intérieur de la ré- gion de silicium 12 Les propriétés électriques du composé Ni Si sont métalliques par nature, ce qui fait que la jonc- tion 16 entre la région de siliciure 14 et la région de siliciure 12 est similaire à une jonction métal-semicon- ducteur Ainsi, la région de siliciure de nickel 14 peut former soit un contact ohmique soit un contact redresseur (diode Schottky) avec la région de silicium 12, en fonc- tion du niveau de dopage de la région de silicium 12. Comme mentionné précédemment, il est souvent souhaitable d'utiliser de l'aluminium pour établir le contact électrique final entre la région de siliciure et un plot de soudage ou un autre dispositif se trouvant sur le substrat de semiconducteur Ainsi, le contact 10 sur la figure 1 A comporte une couche d'aluminium 18 qui est déposée sur la région 14 en siliciure de nickel recuit, pour interconnecter la région 14 avec d'autres dispositifs ou régions La couche d'aluminium 18 est habituellement soumise à une opération d'agglomération, consistant en un traitement thermique destiné à augmenter la résistan- ce mécanique de l'aluminium et à améliorer la liaison entre l'aluminium et la région de siliciure de nickel 14. Cpendant, du fait de l'instabilité thermique de la couche d'aluminium 18 et de la région de siliciure de nickel 14, la chaleur du cycle d'agglomération entraîne une migra- tion de l'aluminium vers la région de siliciure 14 L'alu- minium réagit alors avec le siliciure en produisant une région intermétallique 20 (figure 1 B)en Ni Al 3, entre la région de silicium 12 et la couche d'aluminium 18 Cette réaction chimique élève la hauteur de la barrière de Schottky de la jonction 16, ce qui élève la chute de ten- sion directe pour le courant qui circule entre la couche d'aluminium 18 et la région de silicium 12 Dans le cas de l'utilisation pour un contact ohmique, cette élévation entraîne une résistance de contact plus élevée Ceci augmen- te la puissance qui est dissipée dans le contact 10 et peut rendre ce contact inutilisable pour de nombreuses applica- tions. Comme mentionné précédemment, pour éviter la réaction chimique entre l'aluminium et le siliciure, il a 251919 C été proposé précédemment de déposer par pulvérisation une couche de tungstène de 200 nm (ou une couche de tungstène et de titane de 100 nm) entre le silicium et l'aluminium La figure 2 illustre le processus suggéré par Van Gurp et col A la première étape (qui correspond à la case portant la référence 22, qu'on appellera ci-après "étape 22 "), on dépose une couche de métal sur une tranche de silicium qui est recuite à l'étape suivante, 24, pour former un siliciure particulier, en fonction du métal déposé Par exemple, on a déposé du cobalt par évapora- tion par faisceau d'électrons à une pression d'environ x 10 6 Pa, pour produire le siliciure Co Si 2, par une opération suivante de recuit à 5500 C pendant deux heures dans une atmosphère de H 2/N 2 Selon une variante, il a été suggéré de déposer par pulvérisation du molybdène et de le recuire à 6000 C pendant une heure dans H 2/IN 2 pour produire le siliciure de Mo Si 2 hexagonal A titre d'autre exemple, il a été suggéré de déposer par pulvé- risation du platine et du nickel sur du silicium et de les recuire à 5000 C pendant 30 minutes dans le vide, pour produire le siliciure Pt X Ni lx Si Les dépôts par pulvérisation ont été de façon générale accomplis dans de l'argon à une pression de 0,65 Pa On retire ensuite les tranches de silicium et on les place'dans un système différent pour déposer par pulvérisation une couche de tungstène de 200 nm sur le siliciure, ce qui correspond aux étapes 26 et 28 A l'étape 30, on ramène la tranche pour procéder à l'évaporation de la couche de contact finale en aluminium Enfin, on procède à l'agglomération de la couche d'aluminium à l'étape 32. Comme il ressort de ce qui précède, le proces- sus décrit dans le document de Van Gurp et col nécessite de déposer par pulvérisation la couche barrière en tungs- tène dans un système séparé de celui qui a été utilisé pour déposer les autres couches du contact Ainsi, en plus du coût de l'équipement de pulvérisation supplémen- taire, ce processus décrit nécessite de faire disparaître pendant l'étape d'enlèvement 26 le vide ou l'atmosphère de WH/NI qu'Qn utilise dans l'étape de recuit 24, afin de 2 2 placer la tranche dans un appareil de pulvérisation sépa- ré En outre, une fois que le traitement de pulvérisation est terminé, on place la tranche dans une chambre d'évapo- ration par faisceau d'électrons dans laquelle on fait à nouveau,le vide pour déposer la couche d'aluminium On voit de plus que Le recuit du siliciure et l'aggloméra- tion de la couche d'aluminium sont accomplis dans deux étapes séparées. De façon générale, il est impossible en prati- que de déposer une couche de tungstène de 200 nm (ou une couche de tungstène-titane de 100 nm) par évaporation en utilisant un canon à faisceau d'électrons L'épaisseur maximale d'une couche de tungstène obtenue par évapora- tion est de façon caractéristique dans la plage de 25 à nm On considère généralement qu'une couche de tungs- tène de 25 nm n'est pas très uniforme et peut comporter un grand nombre de trous d'épingle On considérait donc précédemment qu'il était souhaitable d'avoir une couche de plus de 100 nm pour faire en sorte qu'il n'y ait pas de trous d'épingle dans la couche. Une caractéristique supplémentaire de la pulvé- risation de la couche de tungstène sur le siliciure con- siste dans la tendance à ce que des impuretés provenant de l'atmosphère ambiante se mélangent avec la couche de -métal qui est déposée, ce qui peut contribuer aux proprié- tés de barrière de la couche déposée Par exemple, si on utilise de l'azote comme gaz ambiant dans l'appareil de pulvérisation, de l'azote peut se mélanger à la barrière de tungstène Il est possible que l'impureté constituée par l'azote aide la barrière à empêcher la réaction alumi- nium-siliciure. On va maintenant considérer la figure 3 qui re- présente un organigramme d'un processus de fabrication d'un contact de semiconducteur, 52, conforme à l'invention On a trouvé qu'il n'est pas nécessaire d'avoir une barrière de 200 ou 100 nm pour éviter que la couche de contact en aluminium réagisse avec le siliciure Au contraire, on a trouvé qu'une couche barrière effective en tungstène peut avoir une épaisseur inférieure à 50 nm, comme par exemple nm Il est tout à fait réalisable en pratique de déposer une couche barrière en tungstène de 25 nm par évaporation en utilisant un canon à faisceau d'électrons Ceci simpli- fie considérablement les techniques de fabrication pour le contact de semiconducteur, comme on le comprendra plus clairement à la lecture de la description qui suit. On dépose une couche de nickel 36 de 135 nm par évaporation avec un-canon à faisceau d'électrons, sur une région de silicium 38 d'un substrat de silicium La couche de nickel 36 et la région de silicium 38 sont re- présentées schématiquement et ne sont pas destinées à représenter les formes physiques réelles La région de silicium 38 peut être une partie d'un dispositif formé dans le substrat de silicium, comme par exemple une ré- gion de base ou de collecteur d'un transistor L'étape de dépôt initiale porte la référence 34 dans l'organi- gramme associé. On recuit ensuite le substrat à 4000 C pendant cinq à quinze minutes, à l'étape 40, de façon à former le siliciure de métal Ni Si dans une région 42 On forme ainsi une jonction siliciure-silicium, 54, entre la ré- gion de siliciure 42 et la région de silicium restante 38 On peut recuire le substrat sur place, c'est-à-dire qu'on peut le recuire en le laissant en place, de façon qu'il ne soit pas nécessaire de retirer le substrat de la chambre à canon à faisceau d'électrons pour recuire le siliciure Selon une variante, on peut remplacer le ni- ckel par d'autres métaux, comme le cobalt, le molybdène ou le platine, pour former d'autres siliciures De plus, l'épaisseur de la couche de nickel et la température de recuit ne sont indiquées qu'à titre d'exemple. Une fois que l'étape de recuit est terminée, on remet en action le canon à faisceau d'électrons à l'étape 44, pour déposer par évaporation une couche barrière 46, en tungstène, à partir d'une seconde source d'évaporation, sur la région de siliciure de nickel 42 Dans le mode de réalisation qui est représenté, la couche de tungstène peut avoir par exemple une épaisseur de 25 nr, mais des expériences ont montré que des couches de tungstène d'une épaisseur ne dépassant pas 20 nm donnent satisfaction. Sans retirer le substrat de la chambre à canon à faisceau d'électrons, on dépose la couche de contact en aluminium sous la forme d'une troisième couche de métal 48, par éva- poration sur la couche de tungstène 46 à partir d'une troisième source d'évaporation La pression dans la cham- * bre de dépôt à canon à faisceau d'électrons pendant l'éva- poration peut être inférieure à 52 x 10 Pa, pour le dé- pôt de nickel, inférieure à 26 x 10 6 Pa pour le dépôt de -6 tungstène et inférieure à 130 x 10 6 Pa pour le dépôt d'aluminium, par exemple Le processus décrit ci-dessus convient parfaitement aux dépôts par un canon à faisceau d'électrons du fait que le canon à faisceau d'électrons peut déposer des couches de métaux à partir de trois sour- ces d'évaporation différentes, sans imposer de transférer la tranche ou le substrat vers un appareil séparé On peut ensuite placer le substrat de silicium, avec les cou- ches de siliciure de nickel, de tungstène et d'aluminium, dans un four à tube de quartz, pour agglomérer l'aluminium, ce qui correspond à l'étape 50 et achève le contact de semiconducteur 52 On peut effectuer l'agglomération à une pression résiduelle inférieure à 130 x 10 6 Pa, ou bien on peut l'effectuer également à la pression atmosphé- rique. On a trouvé que la couche de tungstène 46 du contact 52 constitue une couche barrière effective entre la couche d'aluminium 48 et la région de siliciure de nickel 42 Cette couche intermédiaire de tungstène 46 évite que l'aluminium réagisse chimiquement avec le siliciure de nickel, bien que la couche de tungstène 46 ait une épais- seur de 25 nm seulement. La jonction siliciure-silicium 54 du contact 52 peut être soit un contact chmique soit une diode Schottky, en fonction du dopage de la région de silicium 38 Du fait 25191 90 que la couche de tungstène 46 empêche l'aluminium de réa- gir avec le siliciure de nickel pendant l'étape d'agglo- mération 50, la hauteur de la barrière de Schottky de la jonction 54 n'est pas élevée, ce qui évite une augmenta- tion de la chute de tension directe ou de la résistivité de contact de la jonction/contact 54 En outre, le fait d'empêcher l'aluminium de réagir avec le siliciure garantit l'uniformité de la circulation du courant dans la région de siliciure de nickel 42, à partir des couches d'alumi- nium et de tungstène De cette manière, la couche barriè- re en tungstène 46 améliore la fiabilité et la stabilité du contact 52. La figure 4 représente un autre procédé pour fabriquer un contact de semiconducteur qui utilise plus pleinenemt les avantages de l'invention Les trois cou- ches de métal sont ici évaporées séquentiellement sur une région de silicium 38 a, sans recuit après le dépôt de la première couche Ce procédé convient parfaitement à l'utilisation avec des chambres d'évaporation par fais- ceau d'électrons, du fait qu'un canon à faisceau d'élec- trons peut utiliser plusieurs sources de métal d'évapo- ration pour déposer séquentiellement différents métaux sur un substrat. On peut ainsi déposer sur une région de sili- cium 38 a une couche de nickel 36 a de 96 nm, ce qui cor- respond à l'étape 56 La couche de nickel 36 a est suivie par une couche de tungstène 46 a de 25 nm, déposée sur la couche de nickel 36 a, et par une couche d'aluminium 48 a-, de 235 nm, déposée sur la couche de tungstène 46 a On peut déposer séquentiellement ces trois couches de métal par évaporation dans une seule chambre d'évaporation dans la- quelle on a fait le vide, sans avoir à retirer le substrat entre les dépôts de couches Ainsi, on peut maintenir le vide pendant le dépôt de l'ensemble des trois couches Il n'est pas nécessaire de remettre la chambre sous pression entre les dépôts de couches pour retirer le substrat. Une fois que les trois couches ont été déposées, on peut placer le substrat dans un four à 4300 C pour agglorné- rer la couche d'aluminium 48 a Pendant l'agglomération de la couche d'aluminium 48 a, la couche de nickel 36 a est entièrement consommée dans la réaction nickel-silicium qui forme la région de siliciure Ni Si 42 a, adjacente à la ré- gion de silicium restante 38 a On voit sur la figure 4 que la couche de contact en aluminium 48 a conserve son intégrité et ne réagit pas chimiquement avec la couche de nickel 36 a La couche de tungstène 46 a évite que la couche d'aluminium réagisse avec le nickel, ce qui permet au nickel de former la région de siliciure de nickel 42 a. Ainsi, les étapes de recuit du nickel et du silicium pour former la région de siliciure de nickel, et d'aggloméra- tion de la couche de contact en aluminium peuvent mainte- nant être accomplies en une seule étape. La description qui précède montre donc qu'on peut supprimer la réaction de l'aluminium avec le sili- ciure en incorporant une barrière en tungstène mince (moins de 50 nm) entre le siliciure et l'aluminium La minceur de la barrière (moins de 50 nm) entre le sili- cium et l'aluminium fait disparaître la nécessité d'un appareil de pulvérisation séparé De plus, on peut intro- duire la couche barrière dans l'étape de dépôt utilisée pour la première couche de métal et pour le contact en aluminium En outre, on peut effectuer le recuit du métal et du silicium et l'agglomération de la couche de contact en aluminium en un seul traitement thermique. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées à l'invention, dans ses différents aspects, certaines n'apparaissant qu'après une étude, tandis que d'autres relèvent simplement de la routine dans les techniques de fabrication et de conception des semiconducteurs On peut par exemple remplacer le tungs- tène par d'autres métaux tels que le tantale et le hafnium, pour former la couche barrière entre le contact en alumi- nium et le siliciure De plus, la couche barrière de l'in- vention peut former une barrière effective entre un contact en aluminium et d'autres siliciures de métal, comme les siliciures de cobalt, de platine et de molybdène Lorsque des températures de recuit relativement élevées (environ 6000 C) sont nécessaires pour la formation du siliciure, le processus décrit en relation avec la figure 3 peut être plus approprié De plus, la couche barrière mince de l'in- vention peut établir une barrière effective pour des contacts utilisant de l'aluminium et d'autres composés métal-semiconducteur tels que des germaniures D'autres modes de réalisation sont également possibles et leurs caractéristiques propres dépendent de l'application par- ticulière considérée. REVENDICATIOUS 1 Dispositif à semiconducteurs caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat semiconducteur ( 38); une région d'un composé métalsemiconducteur ( 42), adjacente au substrat; un contact en aluminium ( 48) destiné à éta- blir une connexion électrique avec la région de composé métal-semiconducteur ( 42); et une couche barrière ( 46) en un composé à base de tungstène, de tantale ou de hafnium, entre le contact en aluminium et la région de composé métal-semiconducteur, et cette couche barrière a une épaisseur qui est inférieure à 50 nm et elle empêche une réaction chimique entre le contact en alumi- nium et la région de composé métal-semiconducteur. 2 Dispositif selon la revendication 1, carac- térisé en ce que le substrat semiconducteur ( 38) est un substrat de silicium et le composé métal-semiconducteur ( 42) est un siliciure. 3 Dispositif selon la revendication 2,carax Ucélsé enceque la région de siliciure ( 42) dans le substrat est une région de siliciure de nickel. 4 Contact pour un dispositif à semiconducteurs comportant un substrat de silicium ( 38), caractérisé en ce qu'il comprend: une région de siliciure ( 42) formée dans le substrat ( 38); un contact en aluminium ( 48) des- tiné à établir une connexion électrique avec la région de siliciure; et une couche de tungstène ( 46) ayant une épaisseur inférieure à 50 nm, entre le contact en alu- minium et la région de siliciure, pour empêcher une réac- tion chimique entre le contact en aluminium et la région de siliciure. Dispositif selon la revendication 4, carac- térisé en ce que la région de siliciure ( 42) dans le substrat consiste en un siliciure de nickel ayant la com- position Ni Si. 6 Barrière pour un dispositif semiconducteur ayant un contact en aluminium ( 48) sur une région de si- liciure ( 42) qui forme une jonction siliciure-semiconduc- teur avec le semiconducteur, caractérisée en ce qu'elle Z q 1919 C comprend une couche de tungstène ( 46) disposée entre le contact en aluminium ( 48) et la région de siliciure ( 42) et ayant une épaisseur inférieure à 50 nm, pour établir une connexion électrique entre le contact en aluminium et la région de siliciure, et pour empêcher que l'aluminium du contact réagisse chimiquement avec la région de sili- ciure, élevant ainsi la hauteur de la barrière de Schottky de la jonction siliciure-semiconducteur. 7 Diode Schottky, caractérisée en ce qu'elle comprend: un substrat de silicium ( 38); une région de siliciure de nickel ( 42) qui est située à l'intérieur du substrat et forme une jonction siliciure-silicium; une couche de tungstène ( 46) ayant une épaisseur inférieure à 50 nm et disposée sur la région de siliciure de nickel; et un contact en aluminium ( 48) qui est disposé sur la couche de tungstène pour établir une connexion électrique avec la région de siliciure, à travers la couche de tungs- tène, cette dernière empêchant une réaction chimique entre l'aluminium et la région de siliciure de nickel, de façon à éviter une augmentation de la hauteur de la barriè- re de Schottky de la jonction. 8 Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce que: on dépose une pre- mière couche de métal ( 36 a) sur un substrat de silicium ( 38 a); on dépose sur la première couche de métal une seconde couche de métal ( 46 a) consistant en un métal choi- si dans le groupe comprenant le tungstène, le tantale et le hafnium; on dépose un contact en aluminium ( 48 a) sur la seconde couche de métal; et, ensuite, on chauffe si- multanément le substrat et les couches de métal se trou- vant sur le substrat pour recuire la première couche de métal et le substrat de silicium afin de former un sili- ciure ( 42 a), et afin d'agglomérer également le contact en aluminium ( 48 a), en une seule étape, et la seconde cou- che de métal empêche l'aluminium de réagir chimiquement avec le siliciure pendant l'étape unique de recuit et d'agglomération. 9 Procédé selon la revendication 8, caractérisé 251919 C en ce qu'on dépose la seconde couche de métal ( 46 a) en une couche ayant une épaisseur inférieure à 50 rm. Procédé selon l'une quelconque des revendi- cations 8 ou 9, caractérisé en ce qu'on dépose chaque cou- che de métal par évaporation en utilisant un canon à faisceau d'électrons. 11 Procédé selon l'une quelconque des revendi- cations 8 à 10, caractérisé en ce que la première couche de métal ( 36 a) qui est déposée consiste en nickel, de fa- çon à former un siliciure de nickel au cours de l'étape de recuit et d'agglomération. 12 Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs,caractérisé en ce que: on dépose une première couche de métal ( 36) sur un substrat de silicium ( 38); on recuit la couche de métal et le silicium pour former une région de siliciure de métal ( 42) dans le substrat; on dépose sur la région de siliciure de métal une couche de tungstène ( 46) ayant une épaisseur inférieu- re à 50 nm; on dépose une couche de contact en aluminium ( 48) sur la couche de tungstène; et on agglomère la cou- che de contact en aluminium, tandis que la couche de tungstène empêche'que l'aluminium réagisse chimiquement avec le siliciure de métal pendant l'étape d'aggloméra- tion. 13 Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs,caractérisé en ce que: on dépose une cou- che de nickel ( 36 a) sur un substrat de silicium ( 38 a); on dépose sur la couche de nickel une couche de tungstène ( 46 a) ayant une épaisseur inférieure à 50 nm; on dépose sur-le tungstène une couche de contact en aluminium ( 48 a); et on chauffe le substrat et les couches de métal dans un four pour recuire le nickel et le silicium afin de former un siliciure de nickel ( 42 a) et aussi pour agglomérer le contact en aluminium, tandis que la couche de tungstène empêche l'aluminium de réagirobifiquement avec le siliciure de nickel, et le recuit et l'agglomération sont accomplis en une seule étape. 14 Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- 251919 C conducteurs,caractérisé en ce que: on dépose trois couches successives ( 36 a, 46 a, 48 a) de nickel, de tungstène et d'aluminium sur un substrat de silicium ( 38 a), par évapo- ration dans une chambre à canon à faisceau d'électrons dans laquelle on a fait le vide, en maintenant le vide dans la chambre entre les dépôts; et on chauffe le subs- trat dans un four pour recuire le nickel et le silicium de façon à former un siliciure de nickel ( 42 a) et pour agglomérer simultanément l'aluminium pour former un contact électrique, et la couche de tungstène établit une connexion électrique entre le contact en aluminium et la région en siliciure de nickel et elle empêche également une réaction chimique entre le nickel et l'aluminium, de façon à conduire à la formation du siliciure de nickel, plutôt que d'un composé nickel-aluminium.