FR 2521350 A1 19830812 FR 8221110 A 19821216 La présente invention concerne des dispositifs à semiconducteurs du type à boîtier porteur Plus particuliè- rement l'invention concerne un dispositif à semiconducteurs dont le bottier est aminci et dont le coût est réduit et qui peut être monté aisément, et également un procédé pour fabri- quer un tel dispositif. D'une manière générale un dispositif à semiconduc- teurs du type comportant un bottier porteur, désigné sous le terme de porteur de microplaquettes ou de puce,peut être com- plètement installé en étant simplement placé directement sur une plaquette à circuits imprimés en vue de l'installation et du raccordement des bornes de câblage de la plaquette à cir- cuits imprimés aux bornes de connexion extérieures du dispo- sitif à semiconducteurs C'est pourquoi le dispositif à se- miconducteurs dutype spécifié permet d'une manière efficace de réaliser le travail de mise en place et de rendre mince l'ensemble de l'appareil dans lequel le dispositif à semicon- ducteurs est monté, et la demande d'un tel dispositif tend à s'accroître de plus en plus. La plupart des dispositifs à semiconducteurs de l' art antérieur de ce type utilisent un bottier porteur en cé- ramique, comme représenté sur la figure 1 annexé à la présen- te demande Ce bottier porteur 1 est constitué et utilisé de la manière indiquée ci-dessous Un renfoncement 3 est ménagé dans la surface supérieure d'une base de suppcrt 2, qui est formée par exemple en utilisant le procédé au vert de la cé- ramique Un élément semiconducteur (pastille) 4 est fixé sur la surface intérieuiedu fond du renfoncement 3 Les fils de sortie 6, dont chacun est constitué par un conducteur inté- rieur pour le raccordement à la plastique et par un conduc- teur extérieur pour le raccordement estérieur, sont formés en utilisant une technique telle qu'une métallisation de ma- nière à s'étendre à partir du pourtour du renfoncement 3 en direction de la surface arrière de la base Une fois que la pastille 4 et les fils de sortie 6 sont raccordés électrique- ment à l'aide de conducteurs 7, la structure résultante est encapsulée dans un capot 8 en métal ou en céramique. Cependant, avec ce bottier, étant donné qu'il existe une limitation à la réduction de l'épaisseur de la céramique au vert, la réduction de l'épaisseur de la base 2 obtenoe par laminage de cette dernière est naturel- lement limitée, ce qui est un obstacle à l'amincissement de l'ensemble du bottier En outre étant donné que le pro- cédé au vert, auquel on s'est référé ci-dessus, comporte de nombreuses phases opératoires, l'ensemble du bottier devient onéreux, conjointement avec le coût de la cérami- que. En outre la céramique possède un coefficient de dilatation thermique très différent de celui d'une plaquet- te à circuits imprimés constituée en un matériau tel que du verre époxy ou analogue, que l'on utilise habituellement en'tant que plaquette pour le montage C'est pourquoi, lors- que le bottier céramique est directement fixé et raccordé à la plaquette à circuitsimprimésde ce type, il se dévelop- pe une contrainte imputable à la différence des coefficients de dilatation thermique, entre le bottier et la plaquette à circuits imprimés lors d'une variation de température, et la connexion s'en trouve quelquefois endommagée. En outre de tels bottiers céramiques sont fabri- qués séparément un par un Il est par conséquent difficile de réaliser d'une manière entièrement automatique les opéra- tions de fixation de la pastille 4 sur la base 2, de raccor- dement des conducteurs 7, de fixation du capot 8, etc Un autre inconvénient tient au fait qu'aux dimensions des bol- tiers fabriqués individuellement sont a Ssociàmdes erreurs qui rendent l'automatisation plus difficile. Le premier but de la présente invention est de fournir un dispositif à semiconducteuis qui permet de ren- dre mince le dispositif à semiconducteurs décrit ci-dessus et d'abaisser son coût En outre le second but de l'inven- tion est de fournirun dispositif à semiconducteurs qui faci- lite le montage sur une plaquette à circuit imprimé utilisée habituellement, et qui, d'autre part, permet d'accroître la précision sur les dimensions De plus un troisième but de l'in- vention est de fournir un dispositif à semiconducteurs qui permette de réaliser l'automatisation de la fabrication. De plus un quatrième objet de la présente inven- tion est de fournir un procédé de fabrication d'un disposi- tif à semiconducteurs, qui permette de fabriquer de façon commode et efficace le dispositif à semiconducteurs décrit ci-dessus. D'autres caractéristiques et avantages de la pré- sente invention ressortiront de la description donnée ci- après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: la figure 1, dont il a déjà été fait mention, est une vue en perspective,-en coupe partielle, montrant un dispositif à semiconducteurs de l'art antérieur du type à boîtier porteur; la figure 2 (A) est une vue en perspective, en coupe partielle d'un dispositif à semiconducteurs conforme à la présente invention, tandis que la figure 2 (B) est une vue en perspective de dessous du dispositif à-isemiconduc- teurs représenté sur la figure 2 (A); les figures 3 (A)-3 (I), la figure 4 et la figure 5 sont des schémas illustrant des phases opératoires d'un procédé de fabrication du dispositif à semiconducteurs re- présenté sur les figures 2 (A) et 2 (B), et parmi lesquelles les figures 3 (A), 3 (B), 3 (D), 3 (F), 3 (G) et 3 (H) sont des vues en perspective de dessus, tandis que la figure 3 (C) est une vue en coupe, que les figures 3 'E) et 3 (I) sont des vues en perspective de dessous, que la figure 4 est une vue en perspective d'un cadre à plusieurs dispositifs, dans lequel l'assemblage est terminé; la figure 6 est une vue en coupe d'un dispositif à semiconducteurs selon une autre forme de réalisation; et la figure 7 est une vue en coupe d'un dispositif à-semiconducteurs selon une autre forme de réalisation, tandis que la figure 8 est une vue perspective de dessous du dispositif à semiconducteurs représenté sur la figure 7. Ci-après on va décrire un dispositif à semiconduc- teurs conforme à la présente invention et un procédé de fa- brication d'un tel dispositif en liaison avec des formes de réalisation représentées. Les figures 2 (A) et 2 (B) sont des vues en pers- pective partielles d'un dispositif à semiconducteurs 10 conforme à la présente invention En se référant aux figu- res, on voit que la référence 11 désigne une base qui est constituée par une plaque de verre-époxy (fibres de verre remplies avec ure résine époxy) La plaque en verre-époxy, du type utilisé habituellement en tant que plaquette à circuits imprimés, peut être employéetelle quelle Les couches conductrices formées sur les deux surfaces de la plaquette à circuits imprimés sont soumises à une attaque chimique comme cela sera décrit ultérieurement de manière a former des fils intérieurs 12 et des fils extérieurs de sortie 13, ces fils intérieurs et extérieurs étant raccor- dés par des éléments de raccordement 14 formés au moyen de la technique de réalisation de perçages traversants, grâce a quoi on forme des conducteurs 15 Un renfoncement carré 16 est formé au centre de la surface supérieure de la base il par découpage ou une opération analogue, et un élément semiconducteur (pastille) 17 est fixé sur la-sur- face intérieuredu fond du renfoncement à l'aide d'un liant ou analogue Les plots des électrodes de la pastille 17 et les fils intérieurs 12 mentionnés ci-dessous sont raccordés à l'aide de conducteurs 18 Ensuite on recouvre la pastille 17, les conducteurs 18 et les fils intérieurs 12 au moyen d'une résine 19 déposée sur la base il au moyen d'une tech- nique telle que l'encapsulation Parmi les conducteurs 15, au moins les fils intérieurs 12 et les fils extérieurs 13 sont plaqués avec de l'or de manière à faciliter le souda- ge au niveau de la connexion des conducteurs 18 et le mon- tage du dispositif à semiconducteurs Les parties à nu des fils (hormis les parties de ces fils les relient au conducteur) sur la surface supérieure de la base 11 peuvent être parfai- tement recouvertes, par avance, au moyen d'une résine de pro- tection 20 Comme cela est représenté sur la figure 2 (A), le dispositif à semiconducteurs construit comme décrit ci-des- sus est placé, avec sa surface arrière tournée vers le bas, sur les structures ou formes conductrices 22 qui sont réa- lisées sur une plaquette à circuits imprimés habituelle constituée par exemple par du verre-époxy ou du verre au phénol Les fils extérieurs 13 sont raccordés directement aux électrodes 22 formées par les structures ou configura- tions respectivement correspondantes, à l'aide d'un maté- riau de brasage tel que de la soudure Le montage est alors terminé. Ciaprès on va décrire le procédé de fabrication du dispositif à semiconducteurs possédant la constitution indiquée ci-dessus, en référence aux figures 3 (A)-3 (I), 4 et 5. Tout d'abord, comme représenté sur la figure 3 (A) on prépare un substrat 26 dans lequel des feuilles de cui- vre 24 à 25 servant de couches conductrices sont formées respectivement sur les surfaces avant et arrière (surfaces supérieure et inférieure) d'une plaque de verre-époxy 23. Dans ce cas, étant donné que plusieurs bottiers (cinq) sont formés habituellement de façon multiple et simultanément, on utilise un substrat allongé pour former le substrat 26. Ci-après on va décrire le procédé de fabrication en se pré- occupant d'un bottier unique. Ensuite, comme représenté sur la figure 3 (B), on réalise des trous traversants verticaux 27 en un nombre cor- respondant aux conducteurs 15 de manière qu'ils s'étendent le long du bord extérieur du bottier B et ce dans des positions dans le substrat 26, qui permettent leur raccordement avec les coaecteursl 5 devant être formés Comme cela est représen- té sur la figure 3 (C), on forme une couche de placage en cuivre 28 servant d'élément de connexion 14 en réalisant un placage sans électrode sur la surface périphérique in- térieure de chaque trou traversant 27, et ce de telle ma- nière que les feuilles respectives de cuivre 24 et 25 des surfaces supérieure et inférieure sont reliées de façon électriquement conductrice par la couche de pla- cage en cuivre 28 Ensuite, comme représenté sur les figu- res 3 (D) et 3 (E), on soumet à une attaque chimique photo- sensible les feuilles respectives de cuivre 24 et 25 si- tuées sur les surfaces supérieure et inférieure du substrat 26, de manière à former l'ensemble des fils in- térieurs 12 et des fils extérieurs 13, qui sont indépen- dants les uns des autres Il va sans dire que l'attaque chimique photosensible est telle que le cuivre est atta- qué moyennant l'utilisation d'une pellicule conformée de résine photosensible que l'on a réalisée au moyen de la formation d'une pellicule de résine photosensible, de l'expositicnde la pellicule moyennant l'interposition d' un masque et du développement de la pellicule exposée. Au cours de la phase d'attaque chimique, les fils inférieurs 12 situés sur la surface avant possèdent des formes indé- pendantes les unes des autres, tandis que les fils exté- rieurs sont formés de telle manière que les fils respec- tifs sont électriquement conducteurs dans une surface-13 A a l'extérieur des parties s'étendant le long du bord exté- rieur du bottier En outre les fils extérieurs des boîtiers respectifs sont interconnectés à l'aide"de lignes de conne- xion 29 Il en résulte que les fils intérieurs respectifs 12 sont raccordés aux fils extérieurs correspondant 13 par l'intermédiaire des couches de placage en cuivre 28 situées dans les trous traversants 27, et que les conducteurs indé- pendants 15 doivent être constitués par les fils intérieurs 12, les trous traversants 27 et les fils extérieurs 13. Cependant dans cet état, l'ensemble des conducteurs 15 as- surent un état de conduction en raison de la présence des lignes de connexion 29 ainsi que de la configuration des fils extérieurs décrits cidessus. Après que les conducteurs 15 aient été formés comme cela a été décrit ci-dessus, on dépose la résine protectrice 20 sur les parties intermédiaires des fils intérieurs 12 sur la surface supérieure du substrat 26, et ce sous la forme d'une bande, en utilisant la séri- graphie ou une technique analogue, comme cela est il- lustré sur la figure 3 (F) Cette résine protection 20 peut être appliquée en cas de besoin Les parties des fils intérieurs 12 non recouvertes par la résine pro- tectrice 20 sont soumises à un placage de fondation avec du Ni et un placage avec du-Au lors de la phase opéra- toire suivante Ces opérations de placage mettent en oeuvre un placage ou revêtement électrolytique, et la conductibilité des lignes de connexion 29 et des fils extérieurs 13 permet le placage de l'ensemble des fils au moyen d'un simple raccordement d'une source d'alimen- tation en énerg-ié à un-seul fi&. Ensuite, comme cela est représenté sur la fi- gure 3 (G), on aménage le renfoncement 16 en procédant de la manièresuivante: on usine par dégrossissage la surface supérieure du substrat 26, à savoir la partie centrale du bottier, pour former un carré qui possède -. des dimensions légèrement supérieures à celles de 1 ' élément semiconducteur (pastille) En outre, comme repré- senté sur la figure 3 (H), on aménage des fentes 31 par poinçonnage des quatre côtés le long du bord extérieurdu boîtier Des fentes 31 forment une configuration selon la- laquelle la base il du boîtier devant être formée est sus- pendue et portée par une partie périphérique extérieure (partie de cadre) 33 par l'intermédiaire de quatre parties formant des ponts ou languettes 32 qui sont formées entre les fentes 31 Par conséquent la structure obtenue est dans un état tel que la base 11 du bottier peut être obte- nue simplement par découpage des parties formant ponts ou languettes 32 possédant une faible largeur En outre, étant donné que les bords intérieurs des fentes 31 s'étendent le long des trous traversants 27, les parties intérieures de ces derniers (couches 28 de placage en cuivre doré) sont dégagées comme le bord extérieur de la base 11 du bottier par la présence des fentes Simultanément, les fentes 31 dégagent la surface extérieure creuse 13 A des fils extérieurs 13 C'est pourquoi, comme cela est représenté sur la figure 3 (I), les fils extérieurs 13 sont séparés respectivement en étant isolés, et les lignes de connexion 29 sont décou- pées, afin de rendre non conducteur du bottier respectif. Grâce à la mise en oeuvre des phases opératoires ci-dessus, on réalise:: un cadre multiple 40 dans lequel, comme cela est représenté sur la figure 4, les bases 11 des cinq bottiers sont formées sur le substrat allongé de la plaque en verme-époxy 26, et ce d'une manière multiple. Chaque base il possède le renfoncement 16 servant à la fi- xation de l'élément semiconducteur représenté par la pas- tille, et ce dans la partie centrale de la surface avant, pour la fixation des fils inférieurs 12 autour du renfonce- ment et pour la fixation des fils extérieurs 13 raccordés aux fils intérieurs 13 par l'intermédiaire des parties de connexion, sur la surface arrière Les fils intérieures les parties de raccordement et les fils extérieurs constituent les conducteurs 15 Sur les deux côtés du substrat 26, on aménage successivement des trous de guidage 34 prévus à des distances appropriées (distances ou pas identiques au pas d'écartement des bases) Les trous de guidage 34 sont for- més en même temps que les fentes 31 Le cadre multiple 40 est chargé dans une machine d'assemblage automatique,(non représentée) et les phases opératoires de montage et de l'après montage des éléments semiconducteurs (pastilles) sont mises en oeuvre. De façon plus spécifique, comme cela est représen- Lté sur la figure 5, l'élément semiconducteur (pastille) 17 est fixé sur la surface inférieure du fond du renfoncement 16 de la base 11 du boîtier à l'aide d'un liant approprié, à la suite de quoi on raccordeau moyen des conducteurs 18, les fils intérieurs respectifs 12 et les plots des électro- des de la pastille 17 Ensuite, on dépose la résine de scel- lement 19 sur la base 11 du boîtier selon la méthode d'en- capsulation ou une méthode analogue de manière à rendre étanche la pastille 17, les conductedurs 18 et les fils in- térieurs 12 Ainsi se trouve achevé le montage sur la base de chaque boîtier Ensuite, lorsque l'on découpe proprement les parties formant pontsou languettes 32, on sépare les boî- tiers finis de la partie formant cadre 33 et l'on obtient des boitieis indépendants les uns des autres. Par conséquent, lors des opérations de montage, on peut assembler les éléments semiconducteurs sur le substrat de base 26 de la figure 4 en mettant en oeuvre des phasesopératoires et des dispositifs semblables à celles et ceux intervenant dans le cas de la formation de boîtiee mo- yennant l'utilisation d'un cadre de montage multiple, et l'on peut réaliser l'automatisation du montage. Dans le cas o, au cours du processus précédent de fabrication, les éléments servant à l'alimentation en énergie des bottiers respectifs sont par avance-branchés en parallèle les uns avec les autres à l'aide de lignes com- munes et o ces lignes communes subsistent même après que les fils extérieurs et les lignes de connexion aient été section- nés lors de la formation des fentes 31, tous les boîtiers peu- vent être alimentéssimultanément avec des courants, simple- ment au moyen de la mise sous tension de-certaines des li- gnes communes après que les boîtiers respectifs aient été terminés Ainsi, on peut réaliser aisément et avec un rende- ment élevé des cpérations de vieillissement Après l'achèvement du vieillissement à une température, à une tension et à un intervalle de temps prédéterminés, on effectue le second poinçonnage pour le sectionnement des lignes communes de manière à réaliser les boitiersrespectifs de manière qu'ils soient électriquement indépendants (et même dans ce cas, les boîtiers respectifs sont maintenus mécaniquement d'un seul tenant au moyen de la partie formant cadre 33 par l'inter- médiaire des parties formant ponts ou languettes 32), ce qui a pour effet que l'on peut tester individuellement et dans leur ensemble les boîtiers respectifs. Une fois tout ceci réalisé, étant donné que le dis- positif à semiconducteursselon la présente invention et fa- briqué comme décrit ci-dessus utilise un substrat unique, 1 ' épaisseur dell'ensemble du dispositif peut être sensiblement égale a celle du substrat et ceci permetd 'amincir de façon efficace le dispositif Ehoutre, étant donné que le nombre des phases opératoires est faible et que l'on n'utilise au- cun matériau onéreux, il s'avère que le dispositif peut être fabriqué à un faible coût Par ailleurs, étant donné que la base du dispositif utilise un matériauqui est identique ou équivalent à celui de la plaquette à circuits imprimés ordi- naire, ces matériaux possèdent des coefficients de dilatation thermique sensiblement identiques de sorte que l'endommagement de la connexion, qui est lié à une variation de température, ne se produit pas même dans le cas o le dispositif a été mon- té directement sur une plaquette à circuits imprimés -Etant donné que le boîtier n'est pas en céramique, on peut le réa- liser avec une grande précision du point de vue des cotes. Conformément au procédé de fabrication d'un dispo- sitif à semiconducteurs selon la présente invention, on peut former simultanément une pluralité de boîtiers sur le substrat unique Par conséquent le rendement de fabrication des dispo- sitifs à semiconducteurs devient plus élevé que dans le cas du boîtier céramique En outre, une fabrication rentable est possible si bien que les différentes opérations intervenant lors du processus de fabrication sont facilitées et que 1 ' obtention d'une précision sur les cotes, etc est également facilitée. Bien que, dans les formes de réalisation précédentes, on ait utilisé du verre-époxy comme matériau pour le substrat,on peut utiliserd'autres matériaux tels qu'un po- lyester, un polyimide, un papier au phénol, et un triazine. En outre, étant donné que les conducteurs sont plaqués d' or, compte tenu de la soudabilité de ce dernier ainsi que la capacité de liaison des fils et conducteurs, on peut réaliser dans certains cas un placage avec du Al, Ag ou Ni. En outre, dans le cas o l'on peut en considéra- tion le rayonnement thermique dans le cas de l'obtention d'une densité d'intégration améliorée, ou de la fabrica- tion d'un dispositif à semiconducteurs, tel qu'un circuit intégré de puissance, pour lequel on attache une certaine importance au rayonnement thermique, on fabrique le dispo- sitif à semiconducteur comme indiqué ci-après Le processus d'attaque chimique photosensible de la pellicule 25 mis en oeuvre lors de la phase opératoire de la figure 3 (A) est réalisé de telle manière qu'on laisse subsister la feuil- le de cuivre séparée des fils extérieurs 13, dans une par- tie entourée par ces fils extérieurs sur la surface arriè- re du substrat 26 (dans la surface devant devenir la base 11), ce qui apour effet que la feuille de cuivre destinée servir de puits de chaleur est formée sur la surface arriè- re de la surface destinée à devenir la base 11 Ensuite on effectue un traitement similaire aux phases opératoires pré- cédentes des figures 3 (F)-3 (I) En outre on réalise l'opéra- tion telle que le montage de pastille et l'encapsulation par la résine Une vue en coupe du dispositif à semiconduc- teurs réalisé en utilisant cette méthode est représentée sur la figure 6 Sur cette figure la référence 30 désigne la feuille de cuivre qui sert de puitsde chaleur Les par- ties repérées par les autres chiffres sont identiques à cel- les Expliquées à la figure 5. Sinon, une fois que le puits de chaleur 30 a été- formé de la manière décrite ci-dessus, on réalise dans la partie centrale de la boite 11 du boîtier constitué par le substrat en verre-époxy, une ouverture traversante carrée de manière à mettre à nu une partie du puits de chaleur 30 L' élément semiconducteur 17 est fixé sur la surface dégagée du puits de chaleur, l'élément 17 et les fils intérieurs 12 -sont raccordés au moyen des conducteurs 18 et la résine 19, qui recouvre l'élément 17, les fils 18 et des parties des fils intérieurs 12 est applique au moyen de la technique d'encapsulation Une coupe du dispositif à semiconducteurs formé en utilisant une telle méthode est représentée sur la figure 7 et une vue en perspective arrière ou de dessous est représentée sur la figure 8- En se référant aux figures, on voit qoe l'élément semiconducteur 17 est raccordé au puits de chaleur 30 et que cet élément semiconducteur 17 et les fils intérieurs 12 sont raccordés au moyen des conducteurs 18 L'élément semiconducteur 17, les fils 18 et les parties des fils intérieurs 12 sont recouverts avec la résine 19 En utilisant un tel procédé, on raccorde l'élément semiconduc- teur directement à lafeuille de cuivre, de sorte que la ca- ractéristique de rayonnement thermique est encore améliorée. Lorsque l'épaisseur de la feuille de cuivre est insuffisante comme moyen de formation du puits de chaleur, il est possible de l'accroître à l'aide d'un placage, ou bien de l'empilement d'une autre feuille de cuivre En ou- tre la feuille de cuivre peut être remplacée par une plaqué *de duivre. Comme cela a été décrit ci-dessus, conformément au dispositif à semiconducteurs selon la présente invention, on munitde fils un substrat de base dont le matériau est du verm-époxy ou analogue, èt on l'aménage de manière à cons- tituer des bases de boîtiers, on fixe des pastilles sur les- dites bases et on y relie des conducteurs, et on scelle de façon étanche la structure résultante à l'aide d'une résine. Par conséquent on peut obtenir un amincissement du disposi- tif à semiconducteurs et une réduction du coût de ces der- niers, et le montage de ce dispositif sur une plaque à cir- cuits imprimés, habituellement utilisée est facilité D'au- tre part on obtient également certains effets tels qu'il est possible d'améliorer la précision sur les cotes et d' obtenir l'automatisation de la fabrication. En outre conformément au procédé de fabrication se- lon'la présente invention, le dispositif à semiconducteurs mentionné ci-dessus peut être fabriqué aisément et de f a- çon rentable. 2521350. REVENDICATIONS 1 Dispositif à semiconducteurz caractérisé en ce qu'il comnporte une base ( 11) qui est constituée en un matériau choisi parmi' le groupe incluant le verre-époxy le verre-phénol, le triazine, le papier au phénol, le polyimide et le polyester, plusieurs fils ( 12,13) qui sont formés de manière à s'étendre depuis une face avant en di- rection d'une face arrière de la base ( 11), un élément se- miconducteur ( 17) qui est fixé sur ladite base et qui est raccordé électriquement auxdits fils ( 12,13), et une rési- ne ( 19) qui renferme de façon étanche au moins ledit élé- ment semiconducteur ( 17) et les parties de raccordement électrique ( 14) entre l'élément semiconducteur et les fils. 2 Dispositif à semiconducteurs selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que chaque fil ( 15; 12,13) se compose d'un fil intérieur ( 12) qui est formé sur la sur- face avant de la base ( 11), d'un fil extérieur ( 13) qui est formé sur la surface arrière de la base ( 11), et d'une partie de raccordement ( 14) qui traverse la base de maniè- re à relier de façon conductrice le fil intérieur ( 12) et le fil extérieur ( 13). 3 Dispositif à semiconducteurs selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que l'élément semiconducteur ( 17) est fixé dans un renfoncement ( 16) qui est formé dans la surface avant de la base ( 11). 4 Dispositif à semiconducteurs selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que l'élément semiconducteur ( 17) et les fils ( 15; 13,12) sont raccordés électriquement par des conducteurs ( 18). 5 Dispositif à semiconducteurs selon la revendi- cation 3, caractérisé en ce qu'un puits de chaleur ( 25) est formé sur la surface arrière de la base ( 11). 6 Dispositif à semiconducteurs selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que l'élément semiconducteur ( 17) est situé dans un trou qui traverse ladite base ( 11) et qu'un puits de chaleur ( 25) est raccordé à la surface arrière de l'élément semiconducteur ( 17). 7 Dispositif à semiconducteurs du type réalisé en plusieurs exemplaires dans un cadre multiple ( 40),,ca- ractérisé en ce que ce cadre est constitué par un substrat allongé ( 26) constitué en un matériau choisi parmi le grou- pe incluant le verre-époxy le verre-phénol, le triazine, le papier au phénol, le polyimide et le polyester, plu- sieurs bases ( 11) formées dans ledit substrat, et plusieurs fils ( 15; 12,13) qui sont formés sur chaque base. 8 Dispositif à semiconducteurs selon la revendi- cation 7, caractérisé en ce que chaque base ( 11) est formée entre plusieurs fentes ( 31) qui sont ménagées dans ledit substrat ( 26). 9 Dispositif à semiconducteursselon la revendica- tion 7, caractérisé en ce que chaque fil ( 15) est constitué par un fil intérieur ( 12) qui est formé sur une surface avant de ladite base ( 11), par un fil extérieur ( 13) qui est formé sur une surface arrière de la base, et par une partie de rac- cordement ( 14) qui s'étend le long d'un trou traversant ( 27) ménagé dans ladite base et qui raccorde le fil intérieur ( 12) et le fil extérieur ( 13). Dispositif à semiconducteurs selon la revendi- cation 8, caractérisé en ce que lesdites fentes ( 31) sont formées de manière à entourer la base correspondante ( 11). 11 Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteurs selon l'une quelconque des revendications l à , caractérisé en ce qu'il comporte la phase opératoire de préparation d'une base ( 11) qui est constituée en un ma- tériau choisi parmi le groupe incluant-le verre-époxy verre-phénol, le triazine, le papier phénol, le po- lyimide et le polyester, la phase opératoire de formation de fils ( 15; 12; 13) sur une surface avant et une surface arrière de ladite base ( 11) respectivement et également de formation de parties de raccordement ( 14) qui relient les fils ( 12,13) situés sur la surface avant et sur la surface arrière de ladite base, la phase opératoire de fixation d' un élément semiconducteur ( 17) sur la surface avant de la- dite base ( 11), la phase opératoire de raccordement élec- trique dudit élément semiconducteur ( 17) et desdits fils ( 12,13), et la phase opératoire de recouvrement dudit élé- ment semiconducteur ( 17) et des parties de raccordement ( 14) entre l'élément semiconducteur et lesdits fils, au moyen d'une résine ( 19). 12 Procédé de fabrication d'un dispositif semi- conducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que lesdits fils ( 12,13) situés sur les surfaces avant et arrière de ladite base ( 11) sont formés par dépot de feuil- les conductrices ( 24,25) sur lesdites surfaces avant et ar- rière de la base ( 11) et-par attaque chimique sélective de ces feuilles. 13 Procédé de fabrication d'un dispositif à se- miconducteursselon la revendication 11, caractérisé en ce que les parties de raccordement ( 14) servant à relier les fils ( 12) situés sur la surface avant de la base ( 11) et les fils ( 13) situés sur la surface arrière de ladite ba- se sont formées par aménagement de trous traversants ( 27) dans ladite base et par formation de couches de placage conductrices( 28) sur les surfaces intérieures desdits trous traversants. ABREGE DESCRIPTIF DISPOSITIF A SEMICONDUCTEURS ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF Société dite: HITACHI, LTD. L'invention concerne un dispositif à semiconduc- teurs et un procédé de fabrication d'un tel dispositif. Ce dispositif se compose d'une base ( 11) réali- sée en un matériau tel que du verre-époxy,plusieurs conduc- teurs ( 15) comportant des fils (tels 12) qui s'étendent de- puis une surface avant vers une surface arrière de la base ( 11), un élément semiconducteur ( 17) fixé dans un renfonce- ment ( 16) de la base et relié électriquement aux fils ( 12), une encapsulation hermétique formée une par résine ( 19) en- tourant au moins l'élément semiconducteur ( 17) et des par- ties de raccordement ( 14) entre l'élément ( 17) et les fils (tels 12). Application notamment aux plaquettes à circuits intégrés à semiconducteurs disposées en boîtier porteur ex- trêmement mince. (Figure 2 A>