FR 2523355 A1 19830916 FR 8303883 A 19830309 La présente invention se rapporte en général à des dispositifs formant mémoire à semi-conducteurs, et plus particulièrement, à des dispositifs formant mémoire à porte flottante non volatile et électriquement modifiable Les systèmes à base de microprocesseurs ainsi que les techniques s'y rapportant, nécessitent depuis longtemps des éléments formant mémoires mortes électriquement modifiables (EAROM) non volatiles et de nombreux dispositifs où sont incorporés de tels éléments ont à un certain point rempli ce besoin.Cependant, tandis que la technique des calculateurs est devenue de naturè plus complexe, et nécessite des vitesses supérieures et une plus grande capacité, il existe maintenant une nécessité d'un dispositif formant mémoire de haute densité pouvant facilement être programmé ou "écrit" et, selon l'occasion, reprogrammé ("effacé" et "réécrit ") sur place. A cette fin, les ingénieurs de conception disposent actuellement de dispositifs présentant des caractéristiques non volatiles, mais comme on le décrira, ils présentent des inconvénients inhérents qui sont surmontés par la présente invention. Un tel dispositif réside dans la famille des dispositifs Avalanche Metal-Oxyde-Semi-conducteur à porte Flottante (FAMOS). L'avantage de ce type de dispositif réside dans le fait qu'il est indépendant de tout courant extérieur pour maintenir l'information stockée dans le cas ovu le courant est perdu ou interrompu. Comme ce dispositif est indépendant de toute puissance extérieure, il n'est pas non plus nécessaire de regénérer le dispositif, cette caractéristique ayant pour résultat des économies importantes de courant. La famille des dispositifs à porte flottante a usuellement des régions de source et de drain d'un type deconductivité donne ,qui sont formées dans un substrat du type de conductivité opposée, à sa surface. Entre les régions de source et de drain et à la surface du substrat, est formée uns structure de porte en appliquant d'abord une couche isolante mince avec ensuite une couche conductrice (la porte flottante) avec ensuite une seconde couche isolante afin d'entourer totalement la porte flottante et de l'isoler du restant du dispositif. Une seconde couche conductrice (usuellement appelée porte de commande) est formée au-dessus de la seconde couche isolante (dans la région de la porte flottante) pour compléter la structure de la porte.De tels dispositifs sont décrits par exemple dans le brevet US N03.500.142 au nom de D.Kahng du 10 Mars 1970 et le brevet US NO 3.660.819 au nom de D. Frohman-Bentchkowsky du 2 Mars 1972. L'inconvénient majeur de ces dispositifs selon l'art antérieur réside dans le fait qu'il faut des champs importants pour produire la rupture avallanche nécessaire afin que la charge soit placée sur la porte flottante.Par ailleurs; pour effacer la charge apparaissant sur la porte flottante, tout le dispositif doit être pourvu d'une fenêtre transparente afin qu'il puisse être inondé d'une énergie dans la partie des rayons ultraviolets ou des rayons X du spectre. Ainsi, il est extrêmement difficile d'effacer un seul "mot" sans effacer toute la charge du dispositif, nécessitant ainsi que tout le dispositif soit totalement reprogrammé. Par ailleurs, l'étape d'effacement nécessite un temps extrêmement long d'exposition, de l'ordre de 30 à 45 minutes avec le dispositif ou la pastille retiré de l'équipement. Ces dernières années, la technique a progressée au point où des dispositifs formant mémoire mortes à porte flottante non volatile ont été produits qui sont électriquement modifiables. Une telle cellule de mémoires a été décrite en détail dans un article intitulé"16-K EE-PROM Relies on Tunneling for Byte-Erasable Program Storage" de W.S. Johnson, et autres, ELECTR0NICS, 28 Février 1980, pages 113-117. Dans cet article, les auteurs décrivent une structure "Oxyde Tunnel-Porte Flottante" où une cellule utilisant une structure de porte flottante en silicium polycristallin (polysilicium) est chargée d'électrons (ou trous) à travers une couche mince d'oxyde placée entre la porte en silicium polycristallin et le substrat. Le mécanisme de formation de tunnel de Fowler-Nordheim est utilisé pour charger la porte en silicium polycristallin. Une vue en élévation d'un dispositif typique est décrite et représentée sur la figure 1 de l'article où ltorgane formant porte flottante représente le premier niveau de silicium polycristallin. En utilisant ce type de structure (uns structure où le silicium polyscristallin du premier niveau, qui représente la porte flottante et qui est le plus près du substrat, est couvert d'un second niveau de silicium polycristallin ), on produit une capacité porte flot-tante-substrat extrêmement élevé~ Une certaine surface de la porte flottante est nécessaire afin de maintenir un couplage proche entre le premier niveau de silicium polycristallin et le niveau déposé en suivant ou second niveau de silicium polycristallin, On a trouvé que certains fabricants attaquaient des parties du premier niveau de polysilicum afin de réduire la capacité entre la porte flottante et le substrat, sans réduire sensiblement la capacité entre les premier et second niveaux de silicium polycristallin. La cellule de mémoire non volatile selon l'invention utilise le mécanisme de formation de tunnel de Fowler Nordheim pour charger la porte flottante en silicium polycristallin. Cependant, dans la présente invention, la porte flottante en silicium polycristallin est à un second niveau de silicium polycristallin plutôt que le premier niveau, afin de produire une structure où le silicium polycristallin du second niveau (porte flottante) est protégé du substrat par le silicium polycristallin du premier niveau.La porte de programme ou de commande (silicium polycristallin du premier niveau) est pourvue d'une ouverture et le silicium polycristallin du second niveau (porte flottante) est disposé par dessus avec une petite partie de la porte flottant en silicium polycristallin du second niveau qui s'étend à travers l'ouverture dans le silicium polycristallin du premier niveau afin que seule une relativement petite surface du silicium polycristallin du second niveau soit couplée au substrat. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, détails, caractéristiques et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention, et dans lesquels - la figure 1 est une vue en plan d'un mode de réalisation d'un dispositif à mémoire fait selon les enseignements de la présente invention - la figure 1A est une vue en coupe transversale du dispositif de la figure 1, faite suivant la ligne lA-lA - la figure 1B est une vue en coupe transversale du dispositif de la figure 1 faite suivant la ligne lB-lB de la figure 1 - la figure 1C est une vue en coupe transversale du dispositif de la figure 1 faite suivant la ligne l-lC de la figure 1 - la figure 2 est une vue en plan d'un autre mode de réalisation d'un dispositif formant mémoire selon les enseignements de la présente invention - la figure 2A est une vue en coupe transversale du dispositif de la figure 2, faite suivant la ligne 2A-2A de la figure 2 ; et - la figure 2B est une vue en coupe transversale du dispositif de la figure 2, faite suivant la ligne 2B-2B de la figure 2. Les figures 1, 1A 1B et 1C montrent un substrat 10 ayant une ligne 13 consistant en régions actives et comprenant des régions dopées de source et de drain 14 et 16 respectivement séparées par une région de canal 18. A la surface du substrat 10 est formé un oxyde de champ 12, lequel oxyde de champ 12 définit les limites des régions actives qui comprennent également une extension de source 15 et une région auxiliaire de canal 20 ainsi que la ligne 13. Au dessus de l'oxyde de champ 12 et des régions de canal 18 et 20 se trouve une couche d'un oxyde isolant 35, et au-dessus de la couche d'oxyde 35 se trouve la couche de silicium polycristallin de premier niveau (ligne de porte de programme ou de commande) 22.Comme le montrent les figures 1, 1A et 1C la couche en silicium polycristallin de premier niveau 22 est une ligne qui s'étend dans la même direction générale que la ligne 13 et lui est parallèle. Cependant, pour la clarté, cette ligne 22 de porte de silicium polycristallin du premier niveau (programme ou commande) est illustrée sur les figures 1, 1A et 1B comme étant latéralement séparée de la ligne 13. On comprendra que de bonnes techniques de conception dictent que la ligne de porte en silicium polycristallin du premier niveau (programme ou commande) 22 soit aussi proche et aussi coincidente que possible avec la ligne 13 afin de réduire la capacité portesubstrat.De plus, comme le montrent les figures 1, 1A et 1C, la ligne en porte de silicium polycristallin du premier niveau (programme ou commande ) 22 est pourvue d'une ouverture ou fenêtre de charge 40. La région de source 14 est illustrée sur les figures 1 et 1A comme étant pourvue d'une extension de source 15 qui s'étend latéralement vers l'extérieur de la région de source 14 vers la surface sous la ligne de porte 22 en silicium polycristallin du premier niveau (programme ou commande) et une partie de canal auxiliaire 20 qui est latéralement alignée avec l'extension 15 pour s'étendre sous l'ouverture 40 formée dans la ligne de porte 22 de silicium polycristallin du premier niveau (programme ou commande).On comprendra que l'extension de source 15 est dopée de modificateurs du même type de conductivité que la région de source 14 tandis que la région de canal auxiliaire 20 comme le montrent les figures 1A et 1C est une région de canal formée dans le substrat 10. Comme le montrentles figures 1, 1A 18 et 1C une porte flottante en silicium polycristallin die second niveau 24 est prévue ayant une configuration généralement en forme de Z, et ayant sa partie majeure placée sur la ligne de porte 22 de silicium polycristallin du premier niveau (programme ou commande) et le reste formé sur la région de canal 18 dans la ligne 13. La partie de la porte flottante 24 au dessus de l'ouverture 40 s'étend dans l'ouverture et est séparée de la région de canal 20 par une épaisseur d'oxyde qui est plus mince que la couche d'oxyde qui isole la ligne de porte en silicium polycristallin du premier niveau 22 du substrat 10. Des ouvertures de contact de source et de drain 32 et 34 sont illustrées en communication directe avec les régions de source et de drain 14 et 16 respectivement.Une ligne de source 26 produit un contact avec la région de source 14 par l'ouverture de contact 32 tandis qu'une ligne de drain 28 produit un contact avec le drain 16 par l'ouverture de contact 34. Comme on peut le voir sur les figures 1A, 1B et 1C, les lignes de drain et de source 26 et 28 sont isolées des première et seconde couches en silicium polycristallin 22 et 24 au moyen de la couche isolante 28. De plus, en même temps que la couche 24 de porte flottante en silicium polycristallin de second niveau est formée, on forme également une porte de sélection 30(ligne de mot) qui est au même niveau que la porte flottante 24 et qui est isolée de la couche 22 de silicium polycristal lin du premier niveau par une couche d'oxyde 36. Comme on peut le voir sur les figures l et 1A, l'extension de source 15 est dopée des modificateurs du même type de conductivité et est formée en même temps que la région de source 14. De plus, il faut noter que l'épaisseur de l'oxyde en dessous de la couche 24 du second niveau à l'endroit de l'ouverture 40 (figures 1A et 1C) a environ 90 à 120 Angtroms . L'épaisseur de l'oxyde de porte apparaissant entre la couche en silicium polycristallin 22 du premier niveau et le substrat 10 est del'ordre d'environ 1000 AngstrÖms tandis que l'épaisseur de la couche d'oxyde 36 couvrant la couche en silicium polycristallin du premier niveau 22 est de l'ordre environ 2500 angströms. Comme le montre les figures 1A, 18 et 1C, la porte flottante polycristalline du second niveau 24 sera déposée dans l'ouverture formée par la fenêtre 40 et, quand elle est définie par formation d'un masque et attaque , elle est forcée à s'étendre au-dessus de la ligne 13 qui sera subséquemment définie comme la région de source 14, la région de canal 18 et la région de drain 16. Il faut noter que toute personne compétente en la matière reconnaitra qu'afin d'obtenir un dispositif à portes alignées, le dopage de la source 14 et du drain 16 doit être accompli après avoir formé les portes. En même temps que la porte flottante 24 en silicium polycristallin du second niveau est formée, la porte de sélection (ligne de mot) est également formée.Cela a été fait pendant la formation de masque et l'attaque de la couche en silicium polycristallin du premier niveau 22 d'une façon bien connue pour former simultanément à la fois la porte flottante 24 et la porte de sélection 30 (ligne de'mot). Ensuite, le dispositif est pourvu d'une autre couche d'oxyde 38 (Figures 1A, 1B et 1C) de l'ordre de 6000 angströms afin de produire l'isolement pour la formation subséquente des lignes de drain et de source 26 et 28. Après la formation de la couche d'oxyde 38, la surface du dispositif est masquée et attaquée de façon appropriée pour former des ouvertures de contact 32 et 34 (figures 1 et lA)qui communiquent avec la région de source 14 et la région de drain 16 respectivement. Ensuite, une couche d'aluminium est déposée, masquée et attaquée pour former des lignes 26 et 28 qui représentent respectivement la ligne de source et la ligne de drain. Comme le montrent les figures 1A, 1B et LC, l'oxyde de champ 12 a été tiré pour garantir l'isolement autour de cette structure et des structures adjacentes semblables. En se référant de nouveau aux figures 1A, 1B et 1C, il faut noter que, pour obtenir une formation optimale d'un tunnel, il est important de maintenir autant de champ appliqué que possible entre la porte flottante et le substrat. En conséquence, la capacité porte flottante (24)substrat (18), ainsi que la capacité porte flottante (24)partie de canal auxiliaire (20), doivent être réduites, tandis que la capacité de la porte de programme ou de commande (22) à la porte flottante (24) doit être accrue à une valeur aussi importante que possible. Cependant, la capacité porte flottante (24)-extension du canal (20) est réglée par l'épaisseur de la couche d'oxyde sur la porte flottante 24 à l'endroit de la fenêtre 40 .Cette épaisseur de l'oxyde ne doit pas être accrue bien au-delà d'une épaisseur d'environ 90-120 angströms car cela aurait tendance à augmenter la densité de courant ce qui nécessiterait alors des champs supérieurs ou de plus longstemps pour charger le dispositif. Comme on l'a précédemment indiqué, le principe de la présente invention réside dans l'inversion des positions de la porte de programme (commande)22( maintenant la couche en silicium polycristallin du premier niveau) et la porte flottante 24 (maintenant la couche en silicium polycristal- lin du second niveau). Ainsi, la capacité de la couche en silicium polycristallin du second niveau (porte flottante 24 au substrat 10 est fortement réduite. En fait, cette capacité a été réduite au point ou elle est presque négligeable du fait de la présence de la couche en silicium polycristallin intermédiaire du premier niveau 22 sous la porte en silicium polycristallin du second niveau 24 à l'exception des deux zones critiques, c 'est-à-dire : la partie de la porte flottante 22 qui est couplée à l'extension du canal 20 par l'ouverture 40 ( la partie de charge) et la partie de la porte flottante 22 qui est couplée au canal 18. Cette dernière partie, quand elle est chargée détermine le niveau de seuil du dispositif (la partie déterminant le seuil ). La capacité de mode de charge est représentée par la partie de la porte flottante 24 qui s'étend à travers l'ouverture 40. Une autre caractéristique de là présente invention réside dans le fait qu'un bus 26 en métal ou en silicium polycristallin de troisième niveau peut être utilisé pour ajouter au couplage entre la ligne de source et la porte-flottante 24, car la porte en silicium polycristallin du second niveau 24 est placée pour être facilement couplée au bus 26. C'est une caractéristique que l'on ne pouvait obtenir dans l'art antérieur. Le tableau qui suit montre les potentiels qui son appliqués aux divers éléments du dispositif, montré ici, afin d'effacer, de programmer ou d'écrire,et de lire le dispositif. Sur le tableau, les divers potentiels indiqués dans les colonnes intitulées"EFFACEMENT", ECRITURE, et "LECTURE" sont appliqués aux éléments montrés dans la colonne intitulée "ELEMENT". ELEMENT EFFACEMENT ECRITURE LECTURE Drain (34) +20 Volts O Volt +5 Volts Source (32) +20 Volts O Volt O Volt Ligne de programme (22) û Volt +20 Volts +5 Volts Substrat (10) 0 Volt O Volt O Volt ligne de mot (30) +20 Volts +20 Volts +5 Volts Ainsi, comme le montre le tableau ci-dessus, le dispositif est effacé en appliquant un signal de 20 volts au drain 34, à la source 32 et à la ligne de mot 22 de la figure l. Ce cycle d'effacement placera une charge positive sur la porte flottante 24 ce qui mettra la région de canal 18 à un état de faible seuil (forte conduction). Cependant, il n'y aura pas de conduction d'électrons à travers la région de canal 18 à moins que les bonnes tensions "LECTURE" comme cela est indiqué au tableau ci-dessus, ne soient appliquées.Cela donne un procédé pratique de vérification des dispositifs pour déterminer que tous les éléments d'une série sont en faite effacés. Pour 1' "écriture", un signal de 20 Volts est placé sur la ligne de programment 22 et sur la ligne de mot 30 ce qui, en réalité, place une charge négative à la porte flottante 24, qui met la région de canal 18 à l'état de seuil élevé (faible conduction ). Dans ces conditions, la charge négative à la porte flottante 24 empêche le canal 18 d'être inversé et ainsi aucune conduction ne peut avoir lieu entre la source 32 et le drain 34 pendant le cycle de lecture. Pour lire le dispositif, c'est-à-dire pour déterminer si la cellule est à un état de seuil haut ou de seuil bas, on place 5 volts sur le drain 34, la ligne programme 22 et la ligne de mot 30.L'indication de la conduction signifie ainsi la présence d'un dispositif à l'état de seuil bas (état de forte conduction). En se référant maintenant aux figures 2, 2A et 2B, on peut y voir un autre mode de réalisation de la présente invention qui se développe à partir du mode de réalisation des figures précédentes. On peut voir que des éléments semblables sur les figures 1 et 2 portent des chiffres de référence semblables. Le dispositif représenté sur la figure 2 diffère de celui représenté sur la figure 1 par la suppression de l'extension 15 à la source 14 en prévoyant, à la place, entre la source 14 et le drain 16, une région dopée 42 et une extension dopée 43. De même, une région de canal indépendant 44 se trouve en dessous de la porte de sélection (ligne de mot) 30. L'extension dopée 43 s'étend dans une direction vers la couche en silicium polycristallin 22 de premier niveau de la même façon qu'on 1' a décrit pour la figure 1.Cependant, dans ce dernier mode de réalisation, la région de canal auxiliaire 20 est prévue pour s'étendre de l'extension dopée 43 et l'ouverture 40 est prévue sur la région de canal 20. Dans ce mode de réalisation, la ligne 13 contenant la région de source 14 et la région de drain 16, comme le montre la figure 2A, comprend la région de canal 18 et la région dopée 42 et la région de canal 18 se présentant sur la figure 1. La figure 28 montre la relation dela porte flottante 24 à la région de canal 20 et la fenêtre 40. A tous lesautres points de vue, les dispositifs des figures 1 et des figures 2 fonctionnent à peu près de la même façon et seront effacés, écrits et lus comme on l'a indiqué au tableau ci-dessus. La séquence qui suit de processus donne un exemple de la façon dont le présente dispositif peut être fabriqué 1. Définir des régions actives comprenant la ligne 13, l'extension 15 et la région de canal auxiliaire 20 (figure 1). Sur la figure 2, cela comprend la ligne 13, la région dopée 42, l'extension dopée 43 et la région de canal auxiliaire 20 ) 2. Implanter ou diffuser un agent dopant du t#ype Ndans la région de canal auxiliaire 20 3. Tirer une couche d'oxyde 35 sur une épaisseur d'environ 1000 an3stro.ms.; 4. Déposer une couche 22 de silicium polycristallin de premier niveau 5. Masquer et attaquer la première couche 22 de silicium polycristallin comprenant l'ouverture 40 6.Retirer le masque et faire rostre la couche d'oxyde 36 jusqu'à une épaisseur d'environ 2500 angströms (cet oxyde est déposé sur la région de canal 18 et dans l'ouverture (40) 7. Masquer la couche 36 d'une couche d'un "photoresist" dans toutes les zones à l'exception de l'ouverture 40 et attaquer l'oxyde dans l'ouverture 40 8. Retirer le masque et faire croître de l'oxyde mince dans l'ouverture 40 sur une épaisseur d'environ 90-120 angströms au-dessus de la région de canal auxiliaire 20 9. Déposer une couche de silicium polycristallin de second niveau 10. Masquer et attaquer la seconde couche de silicium polycristallin pour former une porte flottante 24 et une porte de sélection (ligne de mot) 30 ; et 11.Les processus standards de traitement continuent à partir de ce point et comprennent les diffusions N+ pour les régions de source et de drain 14 et 16, l'extension 15, la région dopée indépendante 42 et l'extension dopée 43 ( figure 2), la formation de la couche d'oxyde 38 et la formation des ouvertures de contact 32 et 34 avec ensuite métallisation pour former les lignes 26 et 28, etc. Sur les figures 1 et 2 est décrit un dispositif formant mémoire flottante à une seule cellule; pour que ce dispositif ait son utilité maximum, il faut plus d'une cellule de mémoire. En conséquence, il sera maintenant évident à ceux qui sont compétents en la matière qu'un certain nombre de ces dispositifs peuvent être agencés en rangées et colonnes pour former une série, où diverses cellules de la série peuvent être choisies et électriquement programmées et lues selon la description précédemment donnée pour les figures 1 et 2. R E V E N D I C A T I O N S REVENDICATI0 N#S 1. Dispositif formant mémoire à porte flottante comprenant un corps en un matériau semi-conducteur d'un premier type de conductivité ayant des premiere et seconde régionsdopées d'un second type de conductivité qui sont formées dans le corps semi-conducteur à sa surface, lesdites première et seconde régions dopées étant espacées l'une de de l'autre pour définir entre elles une région de canal dans le corps semiconducteur pour supporter un écoulement du courant entre les région dopées, une première couche de silicium polycristallin isolée du corps du matériau semi-conducteur, et une seconde couche d'un matériau de silicium polycrista#llin placée au-dessus de ladite région de canal et de ladite première couche de silicium polycristallin et qui en est isolée, caractérisé en ce que :: une partie étendue (15) est disposée à côté de l'une des régions dopées, la partie étendue ayant une première section du second type de conductivité adjacente à la région dopée et une seconde section du premier type de conductivité adjacente à la première section ; la première couche (22) en silicium polycristallin est une ligne placée sur la seconde section de la partie étendue et à proximité des régions dopées et de la région de canal (18 ); une fenêtre de charge (40) est disposée dans la première couche de silicium polycristallin et est alignée avec la seconde section de la partie étendue ; et la seconde couche (24) de silicium polycristallin s'étend sur une partie de la première couche de silicium polycristallin et sur la région de canal, et s'étend à travers la fenêtre de charge pour couplage à la seconde section de la partie étendue. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend de plus une troisième région dopée (16) ; et une seconde région de canal (18) séparant lesdites seconde et troisième régions dopées. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les première et seconde régions dopées sont des régions de source et de drain, respectivement ; et la partie étendue est fixée à la région de source. 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que la première couche (22) en silicium polycristallin est une porte de programme/commande ; et la seconde couche (24) en silicium polycristallin est une porte flottante. 5. Dispositif selon la revendications 4, caractérisé en ce qu'il comprend de plus une ligne de mot (30 ) placée au dessus et isolée de la seconde région de canal adjacente à la porte flottante; ainsi quand une tension à une première valeur est appliquée à la région de drain, la région de source, et la ligne de mot, et que O volt est appliqué au corps semiconducteur et à la porte de programme/commande, le dispositif formant mémoire est effacé à un état de faible seuil, forte conduction ; quand une tension de O volt est appliquée à la région de drain, la région de source et le substrat et qu'à la ligne de mot et la porte de programme/commande est appliquée la tension à la première valeur, le dispositif formant mémoire est écrit à un état de seuil élevé, faible conduction. 6. Dispositif selon la revendication 1, caractfirisé en ce qu'il comprend de plus une troisième région dopée ; et une seconde région de canal séparant les seconde et troisième régions dopées. 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que les première et troisième régions dopées sont les régions de source et de drain respectivement ; la seconde région est placée entre la région de canal et la région de drain ; et la partie étendue est fixée à la seconde région dopée. 8. Disp tif selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche de silicium polycristallin et une porte de programme/commande ; et la seconde couche de silic#ium polycristallin est une porte flottante. 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend de plus une ligne de mot placée sur et isolée de la seconde région de canal et adjacente-à la porte flottante ainsi quand une tension à une première valeur est appliquée à la région de drain, la région de source et la ligne de mot et qu'une tension de O volt est appliquée au corps semi-conducteur et à la porte de programme/commande, le dispositif formant mémoire est effacé à un état de faible seuil, forte conduction; et quand une tension deO volt est appliquée à la région de drain, la région de source et le substrat et que la tension à la première valeur est appliquée à la ligne de mot et à la porte de programme/commande, le dispositif formant mémoire est écrit à un état de seuil élevé, faible conduction.