FR 2517471 A1 19830603 FR 8122588 A 19811202 MONTAGE EN BOITIER PRESSE DE COMPOSANTS DE PUISSANCE A STRUCTURE D'ELECTRODES RA 4 IFIEE. La présente invention concerne le montage en bottier pressé de composants de puissance tels que des transistors, des thyristors de divers types, des triacs, etc De façon classique, et essentiellement en ce qui concerne les thyristors, les composants de puissance sont montés en bottier pressé: la tranche semiconductrice, couramment du silicium, constituant le composant de puissance est disposée entre deux électrodes conductrices de l'électricité et de la chaleur, par exemple en cuivre, sans soudure; et une pression est appliquée par l'intermédiaire de ces blocs de cuivre contre le composant semiconducteur pour assurer la conduction électrique avec les électrodes présentes sur chacune des faces du composant et per- mettre une bonne dissipation thermique Généralement, l'une des faces du composant semiconducteur ne comporte qu'une électrode (le collecteur d'un transistor ou l'anode d'un thyristor) et est uniformément métallisée Contre cette face est généralement alliée ou brasée une contre-électrode intermédiaire en un matériau de coefficient de dilatation proche de celui du silicium, par exemple du molybdène ou du tungstène L'autre face du composant, dans le cas d'un thyristor, comprend les électrodes de gâchette et de cathode, la métallisation de gâchette étant de petite dimension par rapport à celle de cathode Une contre-électrode, également en molybdène ou tungstène, peut aussi être appliquée contre cette face supérieure en laissant un passage pour accéder à la gâchette. Ainsi, des montages pressés ont donné dans l'art anté- rieur des résultats très satisfaisants quand l'électrode de face supérieure avait une surface relativement importante Récemment, l'on est de plus en plus tenté d'utiliser des montages pressés pour des composants à semiconducteurs, par exemple transistors ou thyristors sensibles ou thyristors à ouverture par la gâchette, dans lesquels, sur une face du dispositif, une électrode de puis- sance a une forme ramifiée interdigitée avec une électrode de commande En ce cas, on pose sur l'électrode de puissance ramifiée et éventuellement sur l'électrode de commande ramifiée de façon complémentaire, une grille en un métal de coefficient de dilata- tion compatible avec celui du semiconducteur, par exemple du molybdène ou du tungstène, et le bloc de cuivre habituel est placé sur cet ensemble Néanmoins, dans la pratique, il s'est avéré que de tels dispositifs présentaient une mauvaise durée de vie et une mauvaise résistance à des cyclages thermiques. Un objet de la présente invention est d'améliorer cet état de choses et de prévoir un montage en bottier pressé de com- posants de puissance à structure d'électrodes ramifiée permettant une bonne résistance à des cyclages thermiques. Pour atteindre cet objet ainsi que d'autres, la présente invention prévoit un montage en bottier pressé de composants de puissance à structure d'électrodes ramifiée dans lequel le compo- sant de puissance est pressé entre des blocs d'un métal bon con- ducteur thermique, au moins une grille d'un métal de coefficient de dilatation adapté à celui du semiconducteur constituant le com- posant étant disposée sur la ou les électrodes ramifiées à la face supérieure du composant, et dans lequel une feuille d'un métal de coefficient de dilatation adapté à celui du semiconducteur est disposée entre la ou les grilles ramifiées et le bloc de métal supérieur Si le composant semiconducteur est à base de silicium, les métaux à coefficient de dilatation adapté pourront être du molybdène ou du tungstène Le métal bon conducteur thermique pourra être du cuivre. La présente invention s'applique notamment aux transis- tors de puissance, thyristors, triacs, thyristors ouvrables par la gâchette, thyristors à ouverture assistée par la gâchette, etc Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront illustrés plus en détail dans la description suivante d'un mode de réalisation particulier faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: les figures 1 et 2 représentent respectivement une vue de dessus et une vue en coupe partielle d'un composant semiconduc- teur de puissance et de son montage en bottier pressé, les figures 3 et 4 représentent les modifications selon la présente invention à la structure de la figure 2. La figure 1 représente une vue de dessus d'un composant de puissance, par exemple un transistor de puissance dont la face inférieure (non visible) comporte une métallisation de collecteur uniforme, et dont la face supérieure comprend deux métallisations ramifiées et interdigitées de façon complémentaire: une métalli- sation d'émetteur il et une métallisation de base 12 Sur la mé- tallisation d'émetteur est posée une grille de molybdène 13 et éventuellement une grille complémentaire interdigitée est posée sur la métallisation de base, la partie supérieure de cette grille complémentaire de base servant de contre-électrode étant recouver- te d'une substance isolante pour qu'il n'y ait pas court-circuit entre émetteur et base lors de l'appui ultérieur de la pièce con- ductrice thermique et électrique contre laquelle va être pressée cette face supérieure. La figure 2 représente une vue en coupe partielle très agrandie d'une portion du composant de puissance de la figure 1 monté de façon classique en montage pressé Dans cette figure, comme d'ailleurs dans les autres figures, conformément à l'usage dans le domaine des semiconducteurs, aucune échelle n'est respec- tée, les épaisseurs et les largeurs des différents éléments étant arbitrairement dilatées ou contractées pour simplifier la lisibilité. On peut voir dans cette figure 2 la tranche semiconduc- trice 20 recouverte, sur sa face inférieure, d'une métallisation 21 de collecteur et, sur sa face supérieure, de métallisations complémentaires d'émetteur il et de base 12 Les métallisations d'émetteur Il sont recouvertes d'une grille de molybdène ou de tungstène 13 de configuration correspondant à celle des métalli- sations 11 Ensuite, le dispositif est pressé entre deux blocs de cuivre 22 et 23 Souvent, on préférera monter la tranche semicon- ductrice 20, par sa face inférieure, sur une contre-électrode de molybdène 24 alliée ou brasée à cette pastille de silicium. Or, il s'avère que des dispositifs classiques, tel que celui représenté en figure 2, présentent une mauvaise durée de vie en cas de cyclages thermiques répétés De l'avis de la deman- deresse, ceci est dû au fait que, à la suite de la pression appliquée contre la grille de molybdène 13 par le bloc de cuivre 22, la grille tend à s'encastrer dans le bloc de cuivre Il en résulte plusieurs inconvénients D'une part, la pression est suf- fisamment forte pour que le cuivre dépasse sa limite élastique et la pression appliquée contre le composant n'est plus constante et n'est plus celle que l'on avait choisie initialement D'autre part, lors de dilatations thermiques du cuivre, celui-ci entraîne en raison de l'effet d'encastrement les doigts de la grille et tend à faire glisser ces doigts contre la surface de la pastille semiconductrice et, ainsi, à détruire des métallisations intermédiaires, couramment des métallisations d'aluminium. Pour pallier ces inconvénients, la demanderesse propose, comme cela est illustré en figure 3, d'insérer une feuille de molybdène 30 entre la grille 13 servant de contre-électrode et le globe supérieur 22 Ainsi, il n'y a plus d'encastrement de la grille et le glissement éventuel se fait entre la feuille de molybdène 30 et le cuivre 22 lors de dilatations latérales éventuelles de ce bloc de cuivre A titre de variante de la présente invention, la grille 13 et la feuille 30 peuvent être constituées à partir d'une plaque de molybdène unique par- tiellement gravée seulement dans son épaisseur pour réaliser les implantations correspondant à la grille 13 Néanmoins, cette solu- tion présente quelques difficultés pour positionner ensuite la contre-électrode 30 sur l'électrode ramifiée 11. Une autre solution proposée par la présente invention, pour résoudre le problème de mauvaise durée de vie des composants à électrodes ramifiées en montage pressé et qui peut être utilisée complémentairement ou alternativement par rapport à la solution précédemment énoncée qui consiste à prévoir une feuille 30 de coefficient de dilatation adapté par rapport à celui du semicon- ducteur constituant le composant de puissance, consiste à prévoir une deuxième grille servant de contre-électrode de base (dans le cas d'un transistor) ou de gâchette (dans le cas d'un thyristor) complémentaire de la contre-électrode 13 Cette deuxième contre- électrode 40, comme le montre la figure 5, sera un peu moins épaisse que la première et revêtue à sa surface supérieure d'une couche isolante 41 pour ne pas faire court-circuit avec la première grille 13 par l'intermédiaire du bloc 22 ou de la feuille 30 dans le cas o une telle feuille est prévue Cette solution permet une répartition plus uniforme des pressions entre les grilles et l'électrode supérieure et permet également de résoudre un autre problème lié aux montages pressés, à savoir une répartition équipotentielle des tensions sur l'électrode de base, cette répartition équipotentielle étant assurée par l'épaisseur de la grille de tungstène ou de molybdène Ce montage à double grille favorise également la dissipation thermique Au lieu de prévoir deux épaisseurs différentes pour les grilles d'émetteur et de base, on pourra prévoir que la grille d'émetteur 13 repose sur une métallisation 11 plus épaisse que la métallisation de base 12. A titre d'exemple dimensionnel, dans la figure 3 on peut considérer que le composant semiconducteur 20 a un diamètre de l'ordre de 20 à 50 mm et une épaisseur de l'ordre de 300 à 500 microns La grille de molybdène 13 a une épaisseur de l'ordre du millimètre; la plaque de molybdène 24 a une épaisseur de l'ordre de quelques millimètres; les blocs de cuivre 22 ont une épaisseur de l'ordre de 0,5 à 1 centimètre La feuille de molybdène 30 a une épaisseur de l'ordre du millimètre. La présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation qui ont été explicitement décrits; bien au contraire, elle englobe les variantes et généralisations incluses dans le champ des revendications ci-après. REVENDICATIONS. 1 Montage en boîtier pressé d'un composant semiconduc- teur de puissance à structure d'électrodes ramifiée dans lequel le composant de puissance ( 20) est pressé entre des blocs ( 22, 23) d'un métal bon conducteur thermique, une grille ( 13) d'un mital de coefficient de dilatation adapté à celui du semiconducteur consti- tuant le composant étant disposée sur l'électrode de puissance ramifiée à la face supérieure du composant, caractérisé en ce qu'une feuille ( 30) d'un métal de coefficient de dilatation adapté à celui du silicium est disposée entre la grille ( 13) et le bloc de métal supérieur ( 22). 2 Montage selon la revendication 1, caractérisé en ce que la face inférieure du composant semiconducteur est alliée à une plaque ( 24) d'un métal de coefficient de dilatation adapté à celui du semiconducteur. 3 Montage selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le métal à coefficient de dilatation adapté est du molybdène ou du tungstène. 4 Montage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le mital bon conducteur est du cuivre. 5 Montage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le composant de puissance est un transistor. 6 Montage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le composant de puissance est du type thyristor (thyristor, triac, thyristor ouvrable par la -gâchette, thyristor à ouverture assistée par la gâchette, thyristor à amplification de gâchette, etc). 7 Montage selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une deuxième grille ( 40) d'un métal-de coefficient de dilata- tion adapté à celui du semiconducteur est disposée sur l'électrode de commande ( 12) interdigitée avec l'électrode de puissance ( 11) sur la face supérieure du composant, cette deuxième grille étant revêtue à sa partie supérieure d'une couche isolante ( 41).