FR 2519213 A1 19830701 FR 8124474 A 19811230 "ELEMENT INVERSEUR POUR CI-RCUIT LOGIQUE, SON PROCEDE DE REALISATION ET ELEMENT LOGIQUE LE COMPORTANT" La présente invention concerne un élément inverseur pour circuit logique a haute densité d'intégration, notamment pour porte bipolaire, constitué d'au moins un transistor de commutation dans la base duquel est raccordée une première connexion d'un circuit résistant, un potentiel fixe étant appliqué sur la seconde, ledit transistor comportant également sur son collecteur un circuit de charge relié par l'une de ses connexions à une source de tension d'alimentation. La présente invention concerne également le procédé de réalisation dudit inverseur et l'élément logique dans lequel il est incorporé. On sait que l'un des éléments de base d'un circuit logique est l'élément dit inverseur. Cet élément est essentiellement constitué d'un transistor de commutation le plus souvent connecté au travers dlim- pédances entre une source de tension d'alimentation et un point commun du circuit dans une disposition connue des spécialistes sous le vocable "d'émetteur commun Dans sa forme la plus simple, l'inverseur comporte uniquement un circuit résistant relié à la base du transistor de commutation et permettant d'alimenter celle-ci à partir d'un potentiel fixe provenant de ladite source de tension. Dans ce cas, la principale caractéristique de l'inverseur est de ne consommer qu'un faible courant, mais cette forme présente,, par ailleurs, un certain nombre d'inconvénients. En effet, cet inverseur est généralement u#tilisé en combinaison avec d'autres éléments notamment des diodes et/ou des transistors associés à des éléments résistants et/ou capacitifs de manière à réaliser les portes bipolaires, du type NON-ET par exemple. On a constaté,ainsi, que le branchement de l'inverseur tel que décrit ci-dessus conduit à des variations importantes de la vitesse de réponse en fonction du nombre d'entrées du circuit logique, que les courants de fuite des diodes aux températures élevées provoquent de sensibles perturbations des performances dudit circuit et que l'immunité au bruit peut être notablement réduite dans certaines conditons. Pour remédier à ces inconvénients, il est connu d'incorporer alors un circuit de charge, résistance notamment, dans le collecteur du transistor de commutation, ce circuit de charge pouvant, d'ailleurs être éventuellement associé à des diodes, dans le cas de circuits logiques plus élaborés par exemple. Cependant, la présence de cette résistance fait créitre la consommation de courant de l'inverseur, consommation qui peut doubler si ladite résistance est sensiblement égale à la résistance incorporée dans le circuit de base dudit transistor de commutation. Or, il est généralement avantageux de rendre la valeur de cette résistance nettement supérieure à celle de la résistance de base de manière à rendre optimum le fonctionnement de l'inverseur. Dans ce cas, lors de l'intégration dudit élément inverseur dans un corps semiconducteur monolithique, l'encombrement de cette résistance de collecteur devient prohibitif, ce qui va à l'encontre du but recherché. En outre, dans certains cas, l'excursion de tension sur le collecteur du transistor de commutation due à la présence de cette résistance de charge dans ledit collecteur tend à réduire la vitesse de réponse de l'élément inverseur d'une manière sensible. La présente invention a pour but de remédier à ces inconvénients. En effet, la présente invention concerne un élément inverseur pour circuit logique à haute densité d'intégration, notamment pour porte bipolaire, constitué d'au moins un transistor de commutation dans la base duquel est raccordée une première connexion d'un circuit résistant, un potentiel fixe étant appliqué sur la seconde, ledit transistor comportant également sur son collecteur un circuit de charge relié par l'une de ses connexions à une source de tension d'alimentation, élément inverseur notamment remarquable en ce que ledit circuit de charge est constitué par au moins le trajet émetteur-collecteur d'un transistor de type opposé à celui du transistor de commutation, dit transistor de charge, dont la base est raccordée à la seconde connexion du circuit résistant auquel elle délivre ledit potentiel fixe et dont l'émetteur est relié à ladite source d'alimentation. Les avantages d'un tel élément inverseur apparaissent essentiellement lors de l'intégration de ses divers circuits dans un bloc semiconducteur. En effet, du point de vue topographique, le transistor constituant le circuit de charge du transistor de commutation est nettement moins encombrant que la résistance précédemment utilisée et n'entrain pas une augmentation notable de la surface utile dudit bloc semiconducteur d'autant plus qu'il peut entre intégré avec le circuit résistant prévu dans la base dudit transistor de commutation. La présente invention est également avantageuse du point de vue électrique. En effet, bien que de petite surface, sous certaines conditions, le transistor de charge permet d'obtenir un résultat équivalent à une résistance de valeur supérieure à celle dudit circuit résistant, ce qui est le but le plus souvent recherché de manière à faire fonctionner l'élément inverseur à faibles courants. En effet, si nécessaire, on peut aisément réaliser un transistor de charge présentant un gain inférieur à 1 de manière à créer, dans ce cas, un courant proportionnel à celui passant dans le circuit résistant mais de valeur inférieure. Du point de vue électrique, on peut noter, en outre, que le transistor de charge a les mêmes effets favorables sur les caractéristiques de l'inverseur que la résistance de charge qu'il remplace. Avantageusement, le transistor de commutation est du type NPN et, dans ce cas, le transistor participant à la formation du circuit de charge est un transistor du type PNP. Un élément inverseur est rarement utilisé seul : le plus souvent, il est associé à un certain nombre de diodes et/ou de transistors pour former un élément logique, par exemple une porte bipolaire notamment du type NON-ET. Dans ce cas, ledit élément comporte alors des diodes et/ou des transistors remplissant des fonctions différentes, les unes purement logiques, les autres de limitation ou d'anti-saturation. Or, on contact déjà le brevet US 3.987.310 décrivant un tel élément logique et qui fait mention d'un transistor NPN alimenté dans la base et dans le collecteur par deux générateurs de courant formés de deux transistors PNP polarisés en parallèle. Au contraire, dans la présente invention, un seul transistor PNP permet d'alimenter à la fois la base et le collecteur du transistor de commutation NPN. En effet, la base du transistor PNP constituant le circuit de charge permet de délivrer au transistor de commutation NPN un courant de base qui définit son courant de collecteur. Pour limiter la tension de collecteur du transistor de commutation, l'élément inverseur selon l'invention peut comporter avantageusement une diode dite de limitation de tension disposée en parallèle avec la jonction base-collecteur dudit transistor mais de sens passant inverse. Dans une forme simplifiée de réalisation de l'invention, le circuit résistant comporte une résistance unique reliée directement par l'une de ses connexions à la base du transistor de commutation et à une première électrode de la diode de limitation de tension dont la seconde électrode est connectée au collecteur dudit transistor. Dans une forme plus élaborée, ledit circuit résistant comporte au moins deux parties disposées en série, le point intermédiaire de ces deux parties étant relié à une première électrode de la diode de limitation de tension dont la seconde électrode est connectée au collecteur dudit transistor. Cette solution permet d'ajuster de manière plus précise le rapport de valeurs des différentes parties du circuit résistant et, ainsi, des différentes tensions appliquées. Cette solution permet également d'améliorer la tenue de l'élément inverseur notamment à des températures élevées. La présente invention concerne également le procédé de réalisation de cet élément inverseur comportant un transistor de commutation, procédé selon lequel on part d'un substrat d'un premier type de conduction recouvert au moins partiellement d'au moins une couche superficielle d'un se oond type de conduction opposé au premier dans laquelle est inclus un circuit résistant relié audit transistor et remarquable en ce que l'on divise cette couche du second type de conduction en au moins deux caissons dans le premier desquels on forme le transistor de commutation, le second étant destiné à contenir le circuit résistant dudit transistor de commutation et les régions actives, émetteur, base et collecteur d'un transistor constituant le circuit de charge du transistor de commutation, la diode émetteurbase de ce transistor de charge étant mise en série avec ledit circuit résistant. La présence du transistor supplémentaire de charge nen- trame pas un accroissement notable de l'encombrement de l'élément inverseur. En effet, pour réaliser le circuit résistant du transistor de commutation, il était déjà nécessaire d'occuper un certain volume de la couche superficielle recouvrant le substrat et, dans la présente invention, on insère le transistor de charge dans la majeure partie de ce volume, la diode émetteur-base pouvant, en outre.s'ajouter elle-même audit circuit résistant ou se substituer à une partie de celuE-ci. De préférence, le transistor de charge est un transistor latéral, les régions d'émetteur et de collecteur étant créées a partir de la même surface dans la région de base formée par la couche superficielle du second type de conduction isolée dans le second caisson. Cette forme de mise en oeuvre permet de mettre plus aisément en série la diode émetteur-base et le circuit résistant. Par ailleurs, les caissons réalisés permettent d'y inclure et d'y isoler d'autres éléments ou d'autres circuits nécessaires au fonctionnement de l'inverseur ou associés audit inverseur. Pour faciliter la réalisation du circuit résistant du transistor de commutation, dans un premier mode de mise en oeuvre, la couche superficielle du second type de conduction est une couche épitaxique divisée en caissons à l'aide de cloisons d'isolement la traversant et pénétrant dans le substrat. De plus, sous le transistor latéral de charge et à l'interface avec le substrat, ladite couche épitaxique est renforcée localement par au moins un îlot enterré du même type de conduction que ladite couche mais à forte concentration en impuretés. Cet flot enterré a pour but non seulement de délimiter le circuit résistant mais surtout de supprimer le transistor vertical pouvant être engendré par le substrat, la couche superficielle et l'émetteur ou le collecteur du transistor de charge. Dans un second mode de mise en oeuvre du procédé, les caissons sont obtenus par diffusion localisée dans le substrat du premier type de conduction d'rots d'impuretés du second type de conduction opposé au premier. La présente invention concerne, en outre, un élément logique notamment une porte bipolaire pour circuits à haute densité d'intégration comportant, sur un substrat du premier type de conduction, d'une part un inverseur réalisé dans une couche superficielle d'un second type de conduction portée par ledit substrat et constitué d'au moins un transistor de commutation dans la base duquel est inclus un circuit résistant, le collecteur comportant lui-même un circuit de charge formé du trajet émetteur-collecteur d'un transistor de type opposé à celui du transistor de commutation, ledit élément logique comportant, d'autre part, en premier lieu une diode d'antisaturation dont une première électrode du premier type de conduction est créée à partir de la surface de la portion de la couche superficielle formant la seconde électrode et le collecteur dudit transistor de commutation et en second lieu au moins une diode assurant la fonction logique et dont une électrode est constituée de la même portion de couche superficielle, l'autre électrode étant raccordée à une prise de contact extérieure. Dans une forme particulière, ledit élément logique comporte une diode de limitation de tension du collecteur du transistor de commutation mise en parallèle avec la diode d'antisaturation mais de sens passant inverse. Dans un premier cas, les deux diodes sont disposées entre le collecteur et la base du transistor de commutation. Dans un second cas, la diode d'antisaturation est disposée entre le collecteur et la base du transistor de commutation et la diode de limitation de tension est insérée entre ledit collecteur du transistor de commutation et un point intermédiaire de deux parts du circuit résistant. La diode mise en parallèle avec la diode d'antisaturation a pour but de limiter l'excursion de tension du transistor de commutation et d'éviter la mise en saturation du transistor de charge. Dans les cas les plus courants de réalisation de portes bipolaires, les diodes utilisées dans la réalisation de l'élément logique sont du type Schottky. Là description qui va suivre en regard des dessins annexés, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La figure 1 représente le schéma électrique de la forme la plus simple de l'élément inverseur, les figures 2, 3 et 4 en représentant des formes plus élaborées dans le cadre d'une application à la réalisation d'un élément logique tel qu'une porte bipolaire. Les figures 5, 6 et 7 représentent schématiquement et en coupe les structures semiconductrices correspondant respectivement aux schémas électriques des figures 2, 3 et 4 de cette application. La figure 8 représente une vue de dessus de la configuration du réseau de connexions nécessaire au fonctionnement d'un ensemble d'éléments logiques conformes à la structure décrite dans la figure 7. Il est à noter que, sur les figures représentant les différentes structures de l'élément logique et la topologie du réseau de connexions, les dimensions sont considérablement exagérées et non proportionnées, ceci afin de rendre les dessins plus clairs. Il est à noter également que, pour faciliter la compréhension, les parties de l'élément inverseur et/ou de l'élément logique ne devant pas subir de modification dans les diverses formes de mise en oeuvre conservent les mêmes références sur l'ensemble des figures représentées. Conformément à la figure 1 l'élément inverseur comporte un transistor de commutation 1, de type NPN par exemple, connecté selon une disposition dite en "émetteur commun" pour laquelle l'émetteur 13 est relié à une électrode commune de l'inverseur. Dans le circuit de base 11 dudit transistor de commutation 1 est inséré un circuit résistant 2 injectant dans la dite base 11 par la liaison 2a un courant sensiblement constant obtenu à partir d'un potentiel de référence donné Dans le collecteur 12 du transistor 1 est inclus un circuit de charge formé par le trajet émetteur 31- collecteur-32 d'un transistor 3 de type PNP,-la base 33 de ce transistor étant reliée en 2b au circuit résistant 2 auquel elle fournit le potentiel de référence à partir de la ten sion Vcc appliquée sur l'émetteur 31. La figure 2 représente le schéma électrique d'une application d'un élément inverseur dans un élément logique tel qu'une porte bipolaire. Selon cette figure, entre le circuit de base 11 du transistor de commutation 1 et le collecteur 12 de ce même transistor est insérée une diode Schottky d'antisaturation 4 reliée auxdites parties 11 et 12 par les connexions 4a et 4b. La fonction logique de l'élément est assurée par les diodes Schottky 5 reliées au collecteur 12 du transistor de commutation 1 ainsi qu'au collecteur 32 du transistor de charge 3 de l'élément inverseur. Ledit transistor de charge remonte le potentiel de collecteur 12 du transistor de commutation 1 :pour limiter cette remontée et donc limiter l'excursion logique, on peut utiliser une variante du schéma précédent illustrée par la figure 3. Selon cette variante, dans l'élément inverseur est insérée une diode Schottky 6 mise en parallèle avec la diode Schottky d'antisaturation 4 mais de sens passant inverse. L'introduction de cette diode supplémentaire entraRne une modification de la valeur du circuit résistant qui porte alors, sur la figure, la référence 16. Cette diode 6 peut être de même structure que celle de la diode 4 mais elle peut être également différente. Comme le montre la figure 4 il est également possible de régler l'excursion logique en ajustant la valeur du circuit résistant par un morcellement de celui-ci en une pluralité de parts 18, 19,... disposées en série. Dans ce cas, la diode Schottky 6 est raccordée à un point intermédiaire dudit circuit résistant. Les figures 5, 6 et 7 concernent les structures correspondant aux schémas électriques représentés sur les figures i à 4, c'est pourquoi les éléments identiques portent les mêmes références sur lesdits schémas et dans lesdites struo tures. Suivant la figure 5 et dans une forme préférentielle de mise en oeuvre, on part d'un substrat semiconducteur 7 d'un premier type de conduction, P par exemple, à partir d'une surface 7a duquel on crée par diffusion des ilots 8 et 9 de type N à forte concentration d'impuretés. Sur cette même surface 7a du substrat 7, y compris sur lesdits ilots 8 et 9, on dépose une couche épitaxique de typez qui, à l'aide des cloisons d'isolement 10, en oxyde de silicium notamment, est ensuite divisée en caissons 12 et 14. Les traitements thermiques nécessaires au dépôt de la couche épitaxique et à oxydation des cloisons d'isolement provoquent une nouvelle diffusion des impuretés des llots 8 et 9 qui prennent alors sensiblement leur forme définitive. Dans les caissons 12 et 14 on diffuse, de manière localisée et par exemple simultanément, des impuretés de type P pour former les ilots 11, 31 et 32 puis, également de ma nière simultanée, des impuretés de type N pour créer l'ilot 2a et l'ilot 13. Les ilots 11 et 13 constituent respectivement la base et l'émetteur du transistor NPN de commutation 1 dont la couche 12 forme le collecteur. Les flots localisés 31 et 32 constituent l'émetteur et le collecteur d'un transistor latéral PNP 3 dont la portion 33 en regard de-la couche enterrée 8 est la base. Le circuit résistant 2 se situe en série dans le prolongement de cette portion 33, c'est-a-dire entre l'extrémité 2b dudit flot 8 et l'flot superficiel 2a. Dans une variante, l'pilot 11 peut être moins épais que les flots 31 et 32 de même type de conduction, ce qui implique que leur réalisation ne peut plus être simultanée. Les diffusions localisées d'impuretés de type N ou de type P s'effectuent par des procédés classiques a travers des ouvertures pratiquées à cet effet dans une couche isolante 15. Il en est de même pour les diodes Schottky 4 et 5 réalisées à la surface du caisson 12 à partir des dépôts localisés respectifs de platine et de titane-tungstène par exemple. Par un moyen approprié de métallisation on recouvre les ouvertures pratiquées dans la couche isolante 15 d'une couche métallique qui, après photogravure, constitue les plages de prise de contact 21 pour la base du transistor 1 et pour la diode 4, 22 pour l'émetteur dudit transistor 1, 23 pour la sortie des diodes Schottky 5, 24 et 25 pour l'émetteur et le collecteur du transistor 3, 26 pour la sortie 2a du circuit résistant 2, 27 pour le collecteur du transistor 1. Pour être conforme au schéma de la figure 1, on relie ensuite extérieurement la plage de prise de contact 24 à l'alimentation Vcc, la plage de contact 26 à la plage 21 et à une borne extérieure de l'élément logique, la plage 22 à l'électrode commune dudit élément et les plages 23 à au moins une autre borne extérieure différente de la précédente, ces diverses liaisons n'étant pas représentées sur la figure. La figure 6 représente la variante de structure correspondant au schéma électrique de la figure 3 et comportant une diode Schottky supplémentaire 6 créée à la surface du caisson 14 par le dépôt localisé d'une couche de titan-e-. tungstène ou autre matériau. Cette diode 6 est recouverte d'une plage de prise de contact 28 qui est alors reliée par l'extérieur à la plage de contact 25. Pour délimiter parfaitement le circuit résistant 16 entre la base 33 du transistor 3 et la diode Schottky supplémentaire 6 tout en évitant la formation d'un transistor PNP vertical parasite, l'îlot enterré sous le caisson 14 est divisé. en deux portions dont l'une, 8a, se trouve en regard de l'émetteur 31 et du collecteur 32 dudit transistor 3 et dont l'autre, 8b, se trouve en regard de ladite diode 6 et de l'flot profond 16a avec lequel elle est mise en contact. La plage de contact 26 se trouve alors reliée directement à la portion 8b, ce qui donne à cette dernière un accès vers l'extérieur. Le circuit résistant est donc délimité à une extrémité par la portion enterrée 8b et l'ilot 16a et vers le transistor 3 par lvextrémité 16b de la portion enterrée 8a. La figure 7 qui correspond au schéma électrique de la figure 4 représente une variante de la structure illustrée par la figure 6. Selon cette nouvelle structure, en effet, le diode Schottky supplémentaire 6 est disposée dans une position intermédiaire entre les portions 20a et 20b de l'flot enterré et le circuit résistant se trouve divisé en deux parts référencées en 18 et 19 sur la figure 4. La portion 20b et l'pilot profond 19a constituent l'extrémité de la résistance 19 reliée à l'extérieur par la plage de contact 26. L'extrémité 18b de la portion enterrée 20a constitue le contact entre le transistor 3 et la résistance 18. Cette forme de structure permet de déterminer un emplacement préférentiel de la diode Schottky 6 tel que, en agrandissant en 32a la surface de l'îlot de collecteur 32 du transistor 3, on assure une liaison directe par le matériau du caisson 14 entre ledit collecteur et ladite diode, ce mode de réalisation permettant alors de réduire encore l'encombrement. De plus, la portion du circuit résistant située sous ledit îlot de collecteur est dite "pincée" ce qui signifie que la valeur de sa résistance est augmentée. Dans ces conditions, en choisissant de manière appropriée la profondeur de diffusion des flots 32-32a on ajuste la valeur du circuit résistant. La figure 8 représente me portion d'un réseau de connexions d'un ensemble logique comportant une pluralité d'éléments correspondant au schéma élec#trique illustré par la figure 4 et à la structure représentée sur la figure 7. Un tel réseau est obtenu par photogravure d'une couche métallique préalablement déposée sur la totalité de la surface de la couche isolante 15 et des plages de contact 21, 22, 23, 24, 26, 27 et 28. Le réseau comporte donc une bandelette 29 en contact avec les plages 24 couvrant l'émetteur 31 des transistors de charge 3 auquel elle fournit la tension d'alimentation Vcc La bandelette 30 constitue l'électrode commune de l'ensemble logique et s'appuie sur les plages 22 permettant l'accès à l'émetteur 13 des transistors de commutation 1. Une plage 34 permet de court-circuiter le collecteur du transistor 1, le collecteur du transistor 3 et une électrode de la diode 6 par l'intermédiaire de leurs prises de contact 27 et 28 tandis qu'une autre plage 35 assure le contact entre la base du transistor 1, une première électrode de la diode 4 et le circuit résistant à l'aide des prises de contact 21 et 26. Dans l'exemple choisi, des bandelettes 36, 37 s'appuient sur les plages de contact 23 des diodes 5 pour leur donner accès à l'extérieur. La topologie illustrée par cette figure 8 permet de mettre en évidence les gains d'encombrement obtenus à l'aide de la présente invention. - REVENDICATIONS 1.- ffllément inverseur pour circuit logique à haute densité d'intégration, notamment pour porte bipolaire, constitué d'au moins un transistor de conmutation (1) dans la base (11) duquel est raccordée une première connexion (2a, 16a, 19a) d'un circuit résistant (2, 16, 18, 19), un potentiel fixe étant appliqué sur la seconde (2b, 16b, 18b), ledit transistor (1) comportant également sur son collecteur (12) un circuit de charge relié par l'une de' ses connexions à une source de tension d'alimentation (V ), élément inverseur cc caractérisé en ce que ledit circuit de charge est constitué par au moins le trajet émetteur-collecteur (31,32) d'un transistor (3) de type opposé à celui du transistor de commutation (1), dit transistor de charge, dont la base (33) est raccordée à la seconde connexion (2b, 16b, 18b) du circuit résistant (2, 16, 18, 19) auquel elle délivre ledit potentiel fixe et dcnt l'émetteur (31) est relié à ladite source d'alimentation (Vcc). 2.- Elément inverseur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le transistor de commutation (1) est du type NPN et en ce que le transistor (3) participant à la formation du circuit de charge est un transistor du type PNP. 3.- Elément inverseur selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il comporte une diode de limitation de tension (6) disposée en parallèle avec la jonction basecollecteur (11-12) dudit transistor de commutation mais de sens passant inverse. 4.- Elément inverseur selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le circuit résistant (2, 16) comporte une résistance unique reliée directement par l'une de ses connexions (2a, 16a) à la base (11) du transistor de commutation (i) et à une première électrode de la diode de limitation de tension (6) dont la seconde électrode. est connectée au collecteur (12) dudit transistor (1) 5.- Elément inverseur selon l'une des revendicat6ns 1 à 3, caracterisé en ce que lo circuit résistant eo > -p au moins deux parties disposées en série (18,19), le point intermédiaire de ces deux parties étant relié à une première électrode de la diode de limitation de tension (6-) dont la seconde électrode est connectée au collecteur (12) dudit transistor (1). 6.- Procédé de réalisation d'un élément inverseur conforme à l'une des revendications 1 à 5 et comportant un transistor de commutation (1), procédé selon lequel on part d'un substrat (7) d'un premier type de conduction reccuvert au moins partiellement d'au moins une couche superficielle d' un second type de conduction opposé au premier dans Laquelle est inclus un circuit résistant (2, 16, 18, 19) relié audit transistor et caractérisé en ce que l'on disse cette couche du second type de conduction en au moins aeux caissons (12, 14) dans le premier (12) desquels on forme le transistor de commutation (1), le second (14) étant destiné à contenir le circuit résistant (2, 16, 18, 19) dudit transistor de commu- tation (1) et les régions actives, émetteur (31), base (33) et collecteur (32) d'un transistor (3) constituant le circuit de charge du transistor de commutation (1), la dio#de émetteur-base (31-33) de ce transistor de charge étant mise en série avec ledit circuit résistant. 7.- Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le transistor de charge (3) est un transistor latéral, les régions d'émetteur (31) et de collecteur (32) étant créées à partir de la même surface dans la région de base (33) formée par la couche superficielle du second type de conduction isolée dans le second caisson. 8.- Procédé selon l'une des revendications 6 et 7, caractérisé en ce que la couche superficielle du second type de conduction est une couche épitaxique divisée en caissons (12, 14) à l'aide de cloisons d'isolement (10) la traversant et pénétrant dans le substrat (7). 9.- Procédé selon l'une des revendications 5a 8 prisé en ce que sous le transistor latéral de charge ( t à l'interface (7a) avec le substrat, la couche epitaxique est renforcée localement au moins par un flot enterré (8, 8a, 8b, 20a, 20b) du même type de conduction mais a forte concentration en inipuretés. 10.- Procédé selon l'une des 'revendications 6 et 7, caractérisé en ce que les caissons (12, 14) sont obtenus par diffusion localisée dans le substrat du premier type de conduction d'flots dtimpuretés du second type de conduction opposé au premier. 11.- Elément logique, notamment porte' bipolaire pour circuits à haute densité d'intégration comportant, sur un substrat (7) du premier type de conduction, d'une part un inverseur conforme à l'une des revendications 1 à 5 réalisé dans une couche superficielle d'un second type de conduction portée par ledit substrat et constitué d'au moins un transistor de commutation (1) dans la base (11) duquel est inclus un circuit résistant (2, 16, 18, 19), le collecteur (12) comportant lui-même un circuit de charge formé du trajet Emet- teur- collecteur (31, 32) d'un transistor (3) de type opposé à celui du transistor de commutation (1), ledit élément logique comportant, d'autre part, en premier lieu une diode d'antisaturation (4) dont une première électrode du premier type de conduction est créée à partir de la surface d'une portion de la couche superficielle formant la seconde électrode et le collecteur (12# dudit transistor de commutation Cl) et en second lieu au moins une diode (5) assurant la fonction logique et dont une électrode est constituée de la même portion de la couche superficielle, l'autre électrode étant raccordée à une prise de contact extérieure (23). 12. Elément logique selon la revendication il, caractérisé en ce qu'il comporte une diode de limitation de tension (6) du collecteur (12) du transistor de commutation mise en parallèle avec la diode d'antisaturation (4) mais de sens passant inverse. 13.- Elément logique selon l'une des reven~ioatiolls 11 et 12, cara#térié' en ce que les deux diodes (4, 6) sont disposées entre le collecteur (12) et la base (11! du transistor de commutation (:1). 14.- Elément logique selon l'une des revendications 11 et 12, caractérisé en ce que la diode d'antisaturation (4) est disposée entre le collecteur (12) et la base (11! du transistor de commutation (lì et er. ce que la diode de limitation de tension (6) est insérée entre ledit collecteur (12) du transistor de commutation (1) et un point intermédiaire de deux parts (18, 19) du circuit résistant. 15.- Elément logique selon l'une des revendications 11 à 14, caractérisé en ce que les diodes (4, 5, 6) utilisées dans la réalisation sont du type Schottky.