FR 2530868 A1 19840127 FR 8307125 A 19830429 La présente invention concerne un transistor à couche mince pour un panneau affichage à cristaux liquides de type transparent, et elle porte plus particulièrement sur un transistor à couche mince ayant une structure offrant des caractéristiques de contact stables et excellentes. Cette structure permet en outre de réduire le courant induit par effet photoélectrique. L'invention porte également sur un dispositif d'affichage à cristaux liquides ayant des éléments d'images disposés en une matrice utilisant des transistors à effet de champ MOS, et sur un procédé de fabrication dans lequel des défauts d'éléments d'image peuvent être compensés aisément. Une technique de formation d'un transistor à couche mince sur une couche isolante a fait l'objet récemment de recherches plus actives. Le développement de cette technique peut donner lieu à des applications dans de nombreux domaines, comme les panneaux d'affichage à matrice active de type mince avec un substrat isolant économique, les circuits intégrés tridimensionnels dans lesquels un élément actif tel qu'un transistor est formé sur un circuit intégré à semiconducteur, des capteurs d'images économiques et à hautes performances, des dispositifs de mémoire à haute densité, etc. Dans le premier cas, en particulier, on est en présence d'un panneau d'affichage de type transparent lorsqu'unie électrode transparente constituée par une matière telle que de oxyde d'indium, de l'oxyde d'étain, de l'oxyde d'indium-étain ou une matière analogue, est utilisée en tant qu'électrode d'attaque d'affichage d'un dispositif d'affichage. Un tel panneau d'affichage de type transparent comprend l'électrode d'attaque d'affichage transparente, une électrode transparente composée et une matière à cristaux liquides enfermée entre les deux électrodes. On décrira l'invention en considérant un transistor à couche mince appliqué à un panneau d'affichage à cristaux liquides de type transparent. La figure t montre une coupe d'un transistor à cou che mince de type général qui est employé en tant qu'élément de commutation dans un panneau d'affichage à cristaux liquides. Une couche isolante 102 constituée par du silicium polycristallin, du silicium amorphe, du séléniure de cadmium ou une matière analogue, est formée sur une couche isolante 101. La référence 103 désigne une couche isolante et la référence 104 designe une électrode de grille. La référence 105 désigne des électrodes de source et de drain. La référence 106 désigne une couche isolante formée entre des couches conductrices. La référence 107 désigne une couche métallique d'interconnexion. On réalise ainsi un élément consistant en un transistor à couche mince. Un panneau d'affichage à matrice active utilisant des transistors à couche mince comprend de fanon générale un substrat transparent supérieur, un substrat transparent inférieur sur lequel sont formés des transistors à couche mince et une matière à cristaux liquides qui est enfermée entre les substrats. Des éléments d'attaque des cristaux liquides sont associés à des électrodes d'attaque des cristaux liquides et sont disposés sous forme de matrice sur le substrat inférieur.Un circuit de sélection externe sélectionne certains des éléments d'affichage à cristaux liquides, et des électrodes d'attaque des cristaux liquides associées de fanon correspondante sont excitées pour afficher des lettres, des chiffres ou des images donnés. Les figures 2(a) et 2(b) montrent un schéma d'éléments à cristaux liquides comprenant des transistors à couche mince, dans un panneau d'affichage à matrice active. La figure 2(a) montre la disposition des éléments d'attaque des cristaux liquides dans la matrice, sur un substrat inférieur sur lequel des transistors à couche mince sont formés. Des éléments d'attaque des cristaux liquides, 2, sont formés dans la matrice à l'intérieur de la zone d'affichage 1. Des signaux de données et d'horloge sont appliqués aux éléments d'attaque des cristaux liquides, 2, par des lignes d'entrée respectives 3 et 4. La figure 2(b) est une représentation en plan agrandie d'un réseau de transistors à couche mince, comprenant un élément d'affichage à cristaux liquides, 2. La référence 202 désigne une couche de silicium polycristallin. La référence 204 désigne une ligne de signal d'horloge pour un élément d'affichage à cristaux liquides 2, c'est-à-dire pour une région d'électrode de grille de balayage. La référence 207 désigne une ligne de signal-de données pour un élément d'attaque des cristaux liquides, c'est-à-dire pour une région d'électrode de signal. La région d'électrode de signal 207 est amenée en contact avec une couche de silicium polycristallin 101 dans une région de contact 208. Une région d'électrode d'affichage 210 est connectée à une couche de silicium polycristallin 101 dans une région de contact 209. Dans le cas d'un panneau d'affichage à cristaux liquides de type transparent, on utilise une électrode transparente pour la région d'électrode d'affichage 210. Une électrode transparente située dans la région d'électrode d'affichage 210 doit donc être connectée à une électrode de drain dans une couche de silicium polycristallin. On se référera à la figure 3 pour décrire le transistor à couche mince classique, connecté à une électrode transparente. Un transistor représenté sur la figure 3 comporte une structure d'électrodes à trois couches, dans laquelle une couche métallique 307 destinée à l'interconnexion est connectée à une électrode de drain et -à une électrode transparente 310 en oxyde d'indium-étain ou en une matière simi laire. Les numéros de référence de la figure 3 correspondent à ceux de la figure 1 de la manière suivante : 101 correspond à 301, .. et 107 correspond à 307. Cependant, la structure classique est désavantageuse en ce qui concerne les caractéristiques de contact.Par exemple, si une couche métallique est en aluminium, la conductivité devient mauvaise se à cause d'une couche d'oxyde d'aluminium (Al2O3) formée entre une couche d'aluminium et une électrode transparente. 11 en résulte une variation du contraste d'affichage produite par un état presque isolé de régions de contact, ce qui donne de mauvaises caractéristiques d'affichage. Un but de l'invention est de procurer un transistor à couche mince perfectionné pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides de type transparent ayant une structure dans laquelle une électrode transparente est connectée à une électrode de drain formée dans une couche de silicium polycristallin, avec des caractéristiques de contact stables et excellentes. L'invention a également pour but de procurer un transistor à couche mince perfectionne forme sur un subs trat isolant, dans lequel le courant induit par effet photoélectrique soit réduit. On considérera ci-après cet aspect. de l'invention en liaison avec un transistor à couche mince appliqué à un panneau d'affichage à matrice active, à titre de mode de réalisation. Le transistor à couche mince conforme à l'invention s'applique également très bien à divers cas autres que celui d'un panneau d'affichage à matrice active. La figure 2(c) est un schéma d'un élément d'attaque de cristaux liquides, 2, appartenant au panneau d'affi- cirage à matrice active représente sur la figure l(a). La référence 5 désigne un transistor à couche mince pour la commutation des données. Un condensateur 6, qui n'est pas obligatoire si la capacité de la matière à cristaux liquides est suffisamment grande, est employé pour mémoriser-les données. Une cellule à cristaux liquides 7 comprend une électrode d'attaque des cristaux liquides, 7-1, qui est formée en correspondance avec chaque élément d'attaque des cristaux liquides, et un panneau transparent supérieur 7-2. La figure 6 est une coupe montrant la structure générale du transistor à couche mince à à canal N de type classique, formé sur un substrat isolant. La référence 8 désigne un substrat transparent isolant, en une matière telle que du verre ou du quartz. La référence 9 désigne une couche mince de semiconducteur telle que du silicium polycristallin. La référence 10 désigne une région de source formée par dopage de la couche mince de semiconducteur avec une impureté telle que du phosphore, de l'arsenic, ou une matière analogue. La référence 11 désigne une région de drain formée de la même manière que la région de source 10. La référence 12 désigne une couche de grille. La référence 13 désigne une électrode de grille. La référence 14 désigne une couche isolante.La référence 15 désigne une électrode de source et la référence 16 désigne une électrode de drain. Dans le cas ou un transistor à couche mince est appliqué à un panneau à matrice active, un transistor à couche mince commande l'application de tensions de signal de données aux cristaux liquides. Pour obtenir des performances d'affichage élevées, un transistor à couche mince doit avoir les caractéristiques suivantes (1) Lorsqu'un transistor à couche mince est à l'état conducteur, il doit être capable de fournir un courant suffisant pour charger un condensateur. (2) Lorsqutun transistor à couche mince est à l'état bloqué, le courant de fuite doit être très faible. L'exigence (1) est une caractéristique obligatoire pour un transistor à couche mince qui concerne l'écriture de données dans un condensateur. Du fait que le niveau des performances d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides dépend du potentiel d'un condensateur, la charge doit être emmagasinée dans un condensateur en une courte durée. En d'autres termes, on désire qu'un transistor à couche mince soit capable de fournir un courant suffisant pour écrire écrire des données dans un condensateur de manière exacte en un temps très court. La valeur du courant pour l'écriture des données (qu'on appellera ci-après courant à l'état conducteur) est déterminée conformément à la capacité du condensateur associé et au temps disponible pour écrire les données.Par conséquent, un transistor à couche mince doit être formé de façon à fournir un courant à l'état conducteur d'une valeur suffisante, cette valeur étant déterminée par le condensateur associé. La valeur du courant à ltétat conducteur que fait circuler un transistor à couche mince dépend de nombreux facteurs tels que la structure et le processus de fabrication du transistor à couche mince, la taille du transistor à couche mince (longueur de canal et/ou largeur de canal), la tension appliquée à la grille ou au drain, etc. L'exigence (2) est une caractéristique obligatoire d'un transistor à couche mince, concernant la conservation pendant une longue durée des données écrites dans un condensateur. De façon générale, une fois que des données ont été écrites dans un condensateur, elles doivent être conservées pendant un temps plus long que le temps nécessaire à l'écriture des données. La capacité du condensateur utilisé est habituellement faible, de l'ordre de 1 pF. Par conséquent, la charge représentative des données qui est emmagasinée dans le condensateur est faible et peut donc être aisément affectée par un courant de fuite de valeur faible circulant entre la source et le drain.En d'autres termes, si un courant de fuite apparaît lorsqutun transistor à couche mince passe à ltétat bloqué (on appellera ci-après ce courant "courant à l'état bloqué"), le potentiel sur un drain au niveau duquel un condensateur est branché à un transistor à couche mince, devient rapidement proche du potentiel de la source de ce transistor. I1 en résulte que les données écrites dans un condensateur ne sont pas-conservées inchangées. On désire donc fortement réduire le courant à l'état bloqué entre la source et le drain. Lorsqu'on irradie un transistor à couche mince avec de la lumière, la densité de porteurs dans la région d'accumulation est augmentée à cause de la lumière, et la couche d'appauvrissement à la jonction PN est rétrécie par la densité de porteurs augmentée. I1 en résulte que les valeurs du courant à l'état conducteur et du courant à l'état bloqué augmentent également , En particulier, la vitesse d'augmenta- tion de la valeur du courant à l'état bloqué est très élevée. En fait, comme un incrément de courant de fuite produit par irradiation par de la lumière est proportionnel à l'éclaire- ment de la lumière, le courant à l'état bloqué augmente d'autant plus que l'environnement est lumineux. Un transistor à couche mince est donc désavantageux pour l'utilisation en tant qu'élément de commutation dans un dispositif d'affichage a cristaux liquides. En effet, alors que, de façon générale, un dispositif d'affichage à cristaux liquides tire profit d'un niveau lumineux élevé pour présenter un meilleur contraste et de bonnes caractéristiques d' affichage, un transistor à couche mince dégrade les performances d'affichage à cause du courant à l'état bloqué qui est produit par la lumière. La figure 7 est un graphique qui illustre une caractéristique du transistor à couche mince ayant la structure de la figure 6, et ce graphique est basé sur des résultats expérimentaux obtenus par les inventeurs. L'axe des abscisses représente la tension de grille par rapport à la source et l'axe des ordonnées représente le courant de drain,IDS. La tension de drain par rapport à la source, VDS est constante et égale à 4 V.Une ligne continue A montre le courant de drain en l'absence d'irradiation par la lumière (courant d'obscurité) et une ligne en pointillés B montre le courant de drain dans le cas de l'irradiation avec une lumière de 10000 gu. Comme on le voit sur la figure 7, alors que le courant à l'état conducteur augmente à peine en présence de lumière, le courant à l'état bloqué augmente forcement. Il en résulte que la marge correspondant au rapport entre le courant à l'état conducteur et le courant à l'état bloqué devient trop étroite pour que le transistor présente d'excellentes caractéristiques. Un but de l'invention est d'éliminer les problèmes mentionnés précédemment d'un transistor à couche mince classi que, et de procurer un transistor à couche mince perfectionné ayant une structure dans laquelle un courant induit par effet photoélectrique est réduit. Conformément à l'invention, dans un transistor à couche mince utilisant une couche mince de semiconducteur et comportant une électrode de source, une électrode de drain et une électrode de grille, les régions de canal sont recouvertes en prolongeant l'électrode de source et/ou l'électrode de drain. On va maintenant considérer l'aspect de llinven- tion qui porte sur un dispositif d'affichage à cristaux liquides. Les dispositifs d'affichage à cristaux liquides de grande taille, utilisant des éléments d'image arranges en une matrice (qu'on appellera ci-après réseau matriciel) ont fait l'objet récemment d'un grand intérêt et sont de plus en plus appliqués à divers appareils tels que les ordinateurs personnels de petite taille, les récepteurs de télévision de poche, etc. L'utilisation d'éléments de commutation dans un reseau matriciel est maintenant envisagée sérieusement, en particulier pour un dispositif d'affichage de grande taille pour aéronef. La figure 2(a) montre une configuration d'un réseau matriciel dans lequel des dispositifs non linéaires, associés à des éléments d'affichage à cristaux liquides, sont disposés en une matrice. Des éléments d'image à cristaux liquides 2 comportant des dispositifs non linéaires sont disposés en une matrice à l'intérieur d'une zone d'affichage 1. Des signaux de données et des signaux d'horloge sont appliqués aux éléments d'image à cristaux liquides 2 par l'inter médiaire, respectivement, d'une ligne de source 3 et d'une ligne de grille 4. Un réseau matriciel tel que celui représenté sur la figure 2(a) est sujet à des défauts : défaut dans le motif produit au moment de la définition du motif pour la ligne de source, la ligne de grille et les dispositifs non linéaires ; mauvaise isolation au point d'inter- section entre la ligne de source et la ligne de grille 4 ou mauvaise isolation des éléments d'image à cristaux liquides 2.On peut exclure de ces défauts ceux qui résultent d'un défaut du motif, en améliorant le processus de fabrication et en accomplissant la fabrication dans un environnement extrêmement propre, ce qui permet d'augmenter le rendement de fabrication- de produits. Une amélioration de la qualité et une augmentation de ltépaisseur d'une couche isolante diminueraient également la dégradation du rendement de fabrication qui resulte d'une mauvaise isolation dans un stade de fabrication initial.Cependant, une fois que le réseau matriciel est complètement fabriqué, un défaut d'isolation entre lignes peut se produire sous l'effet de l'électricité statique ou d'un facteur analogue. Lorsqu'uns ligne de source ou une ligne de grille reqoit de l'électricité statique hors de la zone d'affichage, un défaut d'isolation se produit à un point d'intersection entre la ligne et la ligne qui la croise perpendiculairement.Du fait de cette mauvaise isolation, un signal de données fuit vers une ligne de grille ou un signal d'horloge fuit vers une ligne de source dans une région d'intersection entre une ligne de grille et une ligne de source, zen ce qui constitue ce quson appelle un défaut de ligne. I1 en résulte que tout affichage faisant intervenir un élément d'image connecté à la ligne d'isolation défectueuse devient défectueux. Les caractéristiques d'affichage d'un réseau matriciel sont ainsi considérablement dégradées. Lorsque l'isolation devient mauvaise, le procédé de compensation le plus général consiste à couper la ligne de source ou la ligne de grille autour de cette région présentant une mauvaise isolation. Cependant, ce procédé produit inévitablement un défaut de ligne, dans lequel l'élément connecté à la ligne de source interrompue ou à la ligne de grille interrompue prend la condition d'absence d'éclairement. Dans le cas dans lequel un réseau matriciel est formé sur un substrat de silicium mono cristallin, on peut protéger le réseau matriciel contre l'électricité statique en formant une diode ou une résistance dans le substrat de silicium. Au contraire, dans le cas où un réseau matriciel comportant des transistors à couche mince est formé sur un substrat en verre, un défaut d'isolation a des chances de se produire, et il est très difficile de réaliser un circuit assurant la protection contre l'entrée d'électricité statique. I1 en résulte que le rendement de fabrication d'un réseau matriciel est très mauvais, à cause d'une mauvaise isolation. La figure 2(c) montre un schéma du circuit équivalent d'un élément d'image dans un réseau matriciel utilisant un transistor à effet de champ MOS en tant que dispositif non linéaire. La référence 5 désigne un transistor à effet de champ MOS destiné à appliquer un signal de données à un condensateur et au panneau. La référence 6 désigne un condensateur destiné à conserver un signal de données. Le panneau à cristaux liquides 7 comprend une électrode d'atta- que des cristaux liquides 7-1 qui est formée en correspondance avec chaque élément d'attaque des cristaux liquides, et un panneau de verre supérieur 7-2. La figure 10(a) est une vue en plan détaillée d'un élément d'image des figures 2(a), 2(c), et la figure 10(b) est une coupe de l'élément de la figure 10(a) selon la ligne A-B. Une couche de silicium polycristallin 8 est formée sur un substrat de verre 15 et une couche d'isolation de grille 13 est formée par oxydation de la surface de la couche polycristalline 8. Une seconde couche de silicium polycristallin est formée et photogravée pour former un motif dans cette couche, ce qui forme simultanément la ligne de grille et l'électrode de grille 9 d'un transistor, et l'une des électrodes d'un condensateur. On diffuse ensuite des impuretés dans la seconde couche de silicium polycristallin 9 et 12, et dans la première couche de silicium polycristallin 8, sauf dans la région recouverue par l'électrode de grille 9, afin de former une source et un drain du transistor.On forme ensuite une couche isolante 14 sur toute la surface et on forme des trous de contact dans la région de source et la région de drain du transistor. Enfin, on forme une ligne de source 10 et une électrode d'attaque d'élément d'image li sur cette ligne. Dans le cas de ce transistor, une couche isolante 14 qui isole la ligne de source 10 par rapport à la ligne de grille 9 est disposée entre les électrodes 11 et 12 pour former un condensateur. Du fait que la capacité d'un condensateur est inversement proportionnelle à l'épaisseur de la couche isolante, la couche isolante 14 doit être mince pour obtenir une capacité élevée pour le condensateur.Par exemple, dans le cas dans lequel un élément d'image a une taille de 1 mm dans toutes les direction, l'aire du condensateur est limitée à 200 m2, pour ne pas affecter la luminosité de l'affichage. Si une couche isolante consistant en oxyde de silicium a une épaisseur de 500 nm, la capacité du condensateur n'est que d'environ 2,5 pF.Au contraire, la capacité des cristaux liquides dans un élément d'image est d'environ 9 pr lorsque ltépaisseur des cristaux liquides est de 10 ym. La capacité du condensateur doit être au moins égale à celle des cristaux liquides et, dans le cas idéal, elle doit être égale au double ou au triple de cette derniè e. Pour satisfaire cette condition, l'épaisseur de la couche isolante doit être divisée par cinq ou par dix, ou bien l'aire du condensateur doit être multipliée par cinq ou par dix. Cependant, du fait que l'aire du condensateur est limitée pour garantir la luminosité du panneau d'affichage, la réduction de l'épaisseur de la couche isolante est le seul moyen de donner au condensateur une capacité supérieure à celle de la matière à cristaux liquides. Par conséquent, dans ce cas, la couche d'oxyde de silicium doit avoir une épaisseur de 100 nm. Même dans le cas où on utilise du nitrure de silicium ayant une constante diélectrique relativement supérieure, l'épaisseur de la couche isolante doit être limitée à 100 à 200 nm. D'autre part, une couche isolante de grille 13 d'va transistor a habituellement une épaisseur d'au moins 100 à 200 nm. De plus, lorsque la tension de claquage dsun transistor est élevée, la couche isolante-de grille doit avoir 500 nm ou plus. Si on compare la tension de claquage de la couche isolante 14 et celle de la couche isolante de grille 13, on note que la tenson de claquage de la couche isolante de grille 13 est deux fois plus élevée que celle d'une couche isolante 14, si les de couches ont la même épaisseur.Ceci vient du fait que la couche isolante de grille 13 est en oxyde de silicium normé par voie thermique, tandis que la couche isolante est en oxyde de silicium deposé par dépôt chimique en phase vapeur. Ainsi, lorsque les épaisseurs de la couche isolante de grille 13 et de la couche isolante 14 sont de 100 à 200 nm, la tension de claquage de la couche isolante 14 est nécessairement inférieure à celle de la couche isolante de grille 13.Il en résulte que l'électricité statique endommagerait inévitablement une ligne de grille ou une ligne de source dans une région d'intersection entre une ligne de grille et une ligne de source Lorsqu'on augmente l'épaisseur de la couche isolante 14 dans le but d'éviter la détérioration a un point d'inter- section d'une ligne de grille et d'une ligne de source, la capacité du condensateur diminue et devient inférieure à celle de la matière à cristaux liquides. Un autre but de l'invention est de résoudre le problème mentionné ci-dessus. Conformément à l'invention, on donne une valeur élevée à la tension de claquage d'une couche isolante dans une région d'intersection entre une ligne de grille et une ligne de source, ce qui empêche l'apparition d'un défaut de ligne lorsqu'on compense une déteriora- tion due à l'électricité statique, tandis que la capacité d'un condensateur est suffisamment grande. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation et en se référant aux dessins annexes sur lesquels La figure 1 est une coupe montrant une structure fondamentale d'un transistor à couche mince. La figure 2(a) montre la disposition matricielle d'éléments d'attaque à cristaux liquides ; la figure (2b) est une représentation en plan agrandie d'un élément d'affichage à cristaux liquides dans un rése-au de transistors à couche mince ; et la figure 2(c) est un schéma du circuit équivalent d'un élément d'affichage utilisé dans un réseau matriciel d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides. La figure 3 est une coupe montrant la structure d'un transistor à couche mince classique, en contact avec une électrode transparente. La figure 4 montre un mode de réalisation de l'invention. La figure 5 montre un autre mode de réalisation de l'invention. La figure 6 est une coupe montrant la structure d'un transistor à couche mince à canal N, de type général, formé sur un substrat isolant. La figure 7 est un graphique montrant une caractéristique du transistor à couche mince classique. La figure 8 est une coupe montrant la structure d'un transistor à couche mince conforme à l'invention. La figure 9 est un graphique montrant une caractéristique d'un transistor à couche mince conforme à l'in- vention. Les figures lO(a) et 10(b) sont respectivement des représentations détaillées en plan et en coupe des éléments d'image de la figure 2(a). Les figures ll(a) et 11(b) sont respectivement des représentations en plan et en coupe d'un mode de réalisation de l'invention. Les figures 12(a) et 12(b) sont respectivement des représentations en plan et en coupe d'un autre mode de réalisation de l'invention. On va maintenant considérer la figure 4 sur laquelle on voit une couche de silicium polycristallin 402 qu'on a formée sur un substrat isolant transparent 401 et dans laquelle on a défini un motif ayant une configuration prédéterminée. On forme ensuite une couche isolante de grille 403 sur la couche de silicium polycristallin 402 et on fabrique une électrode de grille 404 sur la couche isolante de grille. On introduit des impuretés de type N dans la couche de silicium polycristallin, par implantation ionique, en utilisant l'électrode de grille 404 comme masque, pour former des régions diffusées qui font fonction d'électrodes de source et de drain 405 du transistor. Après formation d'une couche isolante 406 sur cette structure, on forme des trous de contact 408 et 409 dans les électrodes de source et de drain 405, par photogravure.On forme ensuite une électrode transparente 410, en oxyde dtindium-étain ou en une matière analogue, et on définit un motif dans cette électrode. A ce moment, l'électrode transparente 410 est amenée directement en contact avec la région de drain 405. On forme ensuite, pour l'interconnexion, une couche d'élec- trode de signal 407 en aluminium ou en une matière analogue. Ainsi, le contact direct entre la région de drain et l'élec- trode transparente permet d'obtenir des caractéristiques de contact stables et favorables. L'invention offre en outre l'avantage de pouvoir former des trous de contact relativement grands et de pouvoir donner à l'électrode d'attaque des dimensions relativement grandes, du fait qu?il ne reste pas de métal opaque tel que de l'aluminium dans la région de contact, du côté de l'électrode de drain. Par conséquent, on peut obtenir des caractéristiques de contact stables et excellentes du fait du contact direct entre du silicium polycristallin et l'électrode transparente. La figure 5 montre -un autre mode de réalisation de l'invention. Le transistor de la figure 5 est fabriqué de la même manière que celui de la figure 4. Dans le dernier trai tement de fabrication des couches d'électrode, une couche métallique 511 destinée à l'interconnexion, en aluminum ou en une matière analogue, est laissée en place de façon à recouvrir la région de contact entre une électrode de drain et une électrode transparente. Avec cette structure, même si la couverture dans la région de contact dans la couche d'électrode transparente est extrêmement mauvaise, la conductivité vers une électrode d'attaque n'est jamais interrompue, à cause de l'existence sur la région de contact d'une couche métallique qui fait fonction de conducteur. Ainsi, dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides de type transparent utilisant le transistor représenté sur les figures 4 et 5, le contraste de l'affichage est exempt des variations qui résultent d'une mauvaise caractéristique de contact. L'invention procure donc un transistor à couche mince perfectionné pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides de type transparent, ayant des caraeteristi- qes de contact stables et excellentes entre une électrode de drain et une électrode transparente. Dans les modes de réalisation décrits ici, qui ne sont présentés qu'à titre d'exemple, on a utilisé une couche de silicium polycristallin de type N sur le substrat. On peut cependant appliquer l'invention à autres cas, comme celui d'une couche polycristalline de type P. De plus, dans les modes de réalisation décrits ici, on a décrit un contact entre une région de drain et une électrode transparente, mais un contact entre une région de source et une électrode transparente entre également dans le cadre de l'invention. La figure 8 est une coupe montrant la structure d'un transistor à couche mince conforme à un autre aspect de l'invention. Les numéros de référence correspondent à ceux de la figure 6. Comme le montre la figure 8, une région de canal d'un transistor à couche mince est complètement protégée vis-à-vis de la lumière du fait qu'elle est recouverte par l'électrode de source prolongée. Dans ce cas, du fait que l'électrode de source et l'électrode de drain sont en aluminium, l'espace 17 entre elles par lequel la lumière peut passer doit être très étroit. La largeur de l'espace 17 est déterminée par les possibilités de la technique de définition de motif.Néanmoins, la lumière traver- sant l'espace 17 génère essentiellement des porteurs dans la région de drain il et' n'a pas d'influence sur l'augmentation du courant induit par effet photoélectrique. En effet, la densité d'impuretés est tellement élevée que les porteurs générés ne peuvent pas exister pendant une longue durée et la mobilité des porteurs est extrêmement faible. Par consé quent, la structure représentée sur la figure 8 supprime la génération d'un courant induit par effet photoélectrique. On peut également mettre en oeuvre l'invention en recouvrant la région de canal avec l'électrode de drain prolongée.De plus, l'invention offre l'avantage qui consiste en ce que la région de source 10 ou la région de drain 11 est recouverue par l'électrode, comme la région de canal, ce qui fait que la lumière n'est dirigée que vers l'autre région parmi la région de source et la région de drain. De ce zen fait, le cou- rant induit par effet photoélectrique est encore réduit davantage par rapport au cas dans lequel seule la région de canal est recouverte par un masque qui empêche la pénétration de la lumière.En outre, un transistor à couche mince conforme à l'invention peut être fabriqué sans nécessiter un processus de fabrication spécial , En d'autres termes, un tel transistor à couche mince peut être fabriqué par le même processus que le transistor classique, en changeant seulement la définition du motif de l'électrode de source ou de l'électrode de drain. La figure 9 est un graphique qui montre une caractéristique de transistor correspondant à la structure représentée sur la figure 8. Les données présentées dans le graphique résultent d'expériences efectuées par les inventeurs. Divers paramètres sont identiques à ceux de la figure 7.La ligne continue C montre le courant de drain en l'absence de lumière (c'est-à-dire le courant d'obscurité) et la ligne en pointillés D montre le courant de drain en présence d'une lumière de 10000 lux. La courbe C correspond à la courbe A de la figure 7. On voit sur la figure 9 que le courant induit par effet photoélectrique est faible et que la valeur du courant à l'état bloqué augmente d'environ 1 pA en présence d'une lumière intense, de 10000 lux. Cette faible augmentation du courant à l'état bloque est inévitable et résulte de la lumière qui traverse ltesp2ce situé entre l'électrode de source et l'électrode de drain.Ainsi, conformément à l'invention, on obtient un transistor à couche mince perfectionné ayant une structure excellente, dans laquelle le courant induit par effet photoélectrique est fortement réduit. En outre, l'invention peut être mise en oeuvre selon un autre mode de réalisation, consistant par exemple en une structure dans laquelle la région de canal est recouverte par ltélectrode de de drain prolongée. On va maintenant envisager un autre aspect de l'invention en considérant la figure 11(a) qui est une coupe, dans la même région que sur la figure tO(b), d'un mode de réalisation conforme à l'invention, dans lequel un élément d'image est forme sur un substrat en verre 15. La figure ll(b) est une représentation en plan montrant une région d'intersection entre une ligne de grille 9 et une ligne de source 10. Les éléments similaires à ceux du mode de réalisation représenté sur les figures tO(a), 10(b) sont désignés par les mêmes numéros de référence. En plus des étapes de traitement suivies pour former la couche isolante 14 des figures BO(a), 10(b), une seconde couche d'oxyde de silicium est formée sur la totalité de la surface.La seconde couche d'oxyde de silicium est ensuite enlevée par photogravure, sauf dans une région dans laquelle une ligne de grille 9 et une ligne de source 10 se croisent, comme indiqué par la référence 14-2. Des trous de contact sont ensuite formés dans une région de source et une région de drain de la pre mièvre couche d'oxyde de silicium 14-1. Enfin, on forme une ligne de source 10. L'épaisseur de la première couche d'oxyde de silicium est de 100 nm ou moins, pour obtenir une capacité suffisante pour un condensateur. D'autre part, ltépaisseur de la seconde couche d'oxyde est de 500 nm ou plus, pour élever la tension de claquage dans la région d'intersection entre une ligne de grille et une ligne de source.La structure conforme à ce mode de réalisation est très avantageuse dans la mesure où la tension de claquage dans une région d'intersection entre une électrode de ligne et une électrode de source peut être plus élevée qu'au niveau d'une grille d'un transistor, et où la capacité d'un condensateur est suffisamment grande. La seconde couche d'oxyde de silicium 14-2 peut tout aussi bien être formée en premier et photogravée avant la formation de la première couche d'oxyde de silicium 14-1. Dans un cas dans lequel les première et seconde couches isolantes sont formées par la même matière telle qutune couche d'oxyde de silicium, la couche isolante la plus épaisse qui isole une ligne de grille 9 par rapport à une ligne de source 10 est photogravée beaucoup plus aisément que la couche isolante plus mince. En outre, dans le cas où une première couche isolante 14-1 est formée en premier et où une seconde couche isolante 14-2 est ensuite formée sur elle, il est préférable de former les deux couches avec des matières différentes, comme par exemple une première couche de nitrure de silicium et une seconde couche d'oxyde de silicium, du fait que l'une ou l'autre de ces couches est photogravée au moment de la définition d'un motif. Les figures 12(a) et 12(b) représentent un autre mode de-réalisation de l'invention. La figure 12(a) est une représentation en plan et la figure 12(b) est une coupe selon la ligne en trait mixte A-B de la figure 12(a). Comme sur les figures ll(a), ll(b), on forme une couche d'oxyde thermique 13 sur la surface d'une couche mince de silicium 8, et on forme des secondes couches minces de silicium 9 et 12 dans lesquelles on définit un motif.On diffuse des impuretés dans les secondes couches de silicium 9 et 12 ainsi que dans la première couche de silicium 8, sauf dans la region recouverte par la couche de silicium 90 Après avoir formé la première couche isolante 14-1, puis la seconde couche isolante 14-2, on enlève par photogravure la seconde couche isolante 14-2 dans la région de l'électrode de con densateur 12, ce qui fait que seule la première couche isoantre 14-1 est formée sur la couche de silicium 12 qui est une électrode d'un condensateur. On forme ensuite des trous de contact dans une couche isolante, dans une région de source et une région de drain du transistor.On forme enfin une ligne de source 10 et une électrode d'attaque d'élément image 11. De façon similaire, dans ce mode de réalisation, Si l'épaisseur de la première couche isolante 14-1 est d'environ 100 nm et si ltépaisseur de la seconde couche isolante est de 500 nm ou plus, la tension de claquage dans une région d'intersection entre une ligne de source et une ligne de grille est plus élevée qutau niveau d'une grille d'un transistor. En outre, un condensateur appartenant à un elément d'image peut avoir une capacité suffisante. De plus, conformément au mode de réalisation des figures 12(a), 12(b), un élément d'image d'un transistor peut être protégé par une couche isolante épaisse, ce qui permet une amélioration de la fiabilité.Comme l'indique la ligne en pointillés 16 sur la figure 12(a), une couche isolante épaisse peut colncider pratiquement avec un condensateur, ou recouvrir ce dernier. La capacité du condensateur est d'autant plus éle vée que l'aire de suppression de la couche isolante 14-2 est grande. Les couches isolantes 14-1 et 14-2 consistent habituellement en oxyde de silicium. En outre, elle peuvent être an nitrure de silicium et en oxyde d'aluminium. De plus, -l'ordre de formation des deux couches isolantes peut-être inverse, comme dans le ode de réalisation des figures11(a), 11(b). On peut en outre élargir la zone d'affichage de l'électrode d'attaque 11, du banat que l'électrode d'attaque d'élément d'image 11 recouvre une ligne de grille 9 et une partie d'un transistor 8. Par conséquent, la luminosité de l'image est fortement améliorée. Le recouvrement d'une ligne de grille 9 et d'une partie d'un transistor 8 avec une élec- trode d'attaque d'élément d'image 11 convient particulière- ment bien pour une structure telle que le mode de réalisation des figures 12(a), 12(b), du falt qu'une couche isolante épaisse 14-2 contribue à la diminution de défauts tels qu'un court-circuit. Comme décrit ci-dessus et conformément à l'inven- tion, on peut donner à la tension de claquage dans une région d'intersection entre une ligne de source et une ligne de grille une valeur- supérieure à celle de la tension de claquage d'une grille d'un transistor, en formant une couche isolante plus épaisse dans une région d'intersection entre une ligne de source et une ligne de grille que dans une autre région. La détérioration d'un réseau matriciel par ltélectri cité statique peut être limitée à un défaut portant sur un élément d'image et non un défaut portant sur une ligne. Le rendement de fabrication d'un réseau matriciel est donc con sidérablement amélioré, ce qui permet une production en grande quantité.De plus, la capacité d'un condensateur est grande au point de permettre l'amélioration d'un reseau matriciel en ce qui concerne les caractéristiques de charge d'un signal de données. Il an résulte qu'un dispositif d'affichage utilisant un tel réseau matriciel présente une, caractéristique d'affichage fortement améliorée. Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, on considère un réseau matriciel dans lequel l'électrode de condensateur est formée indépendamment, mais il est clair que l'invention est applicable à un réseau matriciel dans lequel une électrode d'un condensateur et la ligne de grille de l'élément image adjacent à ce condensateur sont formées en commun. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif d'affichage à cristaux liquides comportant un ensemble d'eléments d'image disposes BU5 la forme d'une matrice, chaque élément d'image comprenant une électrode d'attaque pour les cristaux liquides, un condensateur destiné à mémoriser un signal de données, un transistor à effet de champ MOS pour appliquer le signal de données au condensateur et à l'électrode d'attaque, et dans lequel un ensemble de lignes de grille et un ensemble de lignes de source sont disposées de façon orthogonale et sont connectées respectivement à une grille et à une source dudit transistor, caractérisé en ce que la tension de claquage d'une couche isolante formée entre les lignes de source et les lignes de grille est supérieure à la tension de claquage d'une couche isolante de grille dudit transistor, qui est un transistor à couche mince. 2. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche isolante est plus grande dans une région d'intersection entre une ligne de grille et une ligne de source, au moins, que dans une région autre que cette région d'intersection. 3. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une partie au moins de la ligne de grille ou du transistor à effet de champ MOS est recouverte par une électrode d'attaque d'élément d'image, avec interposition de la couche isolante. 4. Dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'ensemble d'éléments d'image est formé sur un substrat en verre.