FR 2519803 A1 19830718 FR 8300445 A 19830113 1 2519803 La présente invention concerne un dispositif semiconducteur com- portant une unité de prise de vue, en un composé semiconducteur sensible à l'infrarouge, et un circuit semiconducteur intégré constituant une unité de lecture, les deux unités reliées électriquement et mécani- quement, ainsi qu'un procédé pour la production dudit dispositif semiconducteur. Des détecteurs de quanta infrarouges sont fabriqués dans un maté- riau semiconducteur, dans lequel le rayonnement interagit avec des électrons du réseau Cette interaction peut être l'ionisation de don- neurs ou d'accepteurs (détecteurs extrinsèques) ou l'excitation d'électrons, les faisant passer de la bande de valence dans la bande de conduction (détecteurs intrinsèques) La classe des détecteurs extrinsèques comprend par exemple le silicium dopé à l'IN pour la plage de longueur d'onde comprise entre 3 et 5 pm, et le silicium dopé au Ga pour la plage de longueur d'onde de 8 à 12 vm La classe des détecteurs intrinsèques comprend par exemple le tellurure de cadmium-mercure qui, selon sa composition (teneur en tellurure de cadmium) convient pour la plage de longueur d'onde de 3-5 pm ou de 8-14 pm. Les détecteurs intrinsèques présentent les avantages suivants ils sont utilisables à des températures élevées, telles que des tempé- ratures supérieures ou égales à celle de l'azote liquide, et peuvent, grâce à leurs coefficients d'absorption élevés, être produits sous une faible épaisseur, inférieure ou égale à 10 pm par exemple, et présenter par suite des surfaces sensibles à profil plus net. Les détecteurs extrinsèques à base de silicium présentent par ailleurs les avantages suivants: une partie du traitement du signal est facilement intégrable dans la mosaîque du détecteur et des registres à couplage de charge (CCD) ou l'injection de charge (CID) permettent de réduire le nombre des lignes de sortie de signal. Lorsque le détecteur infrarouge doit être utilisé pour la repré- sentation d'image sans système optique analyseur, une densité élevée d'éléments détecteurs est souhaitée, par exemple plus de 64 x 64 élé- ments sur le plan focal L'intégration des circuits intégrés de lecture est indispensable dans ce cas Deux voies ont été explorées pour ne pas renoncer aux avantages du Hg Cd Te, matériau de détecteur 2 2519803 intrinsèque. La première solution consiste à intégrer l'unité de lecture dans le matériau Hg Cd Te Elle est par exemple décrite dans "Infrared Monolithic Hg Cd Te IR CCD Focal Plane Technology", D D Buss et al, Intern Electron Devices Meeting, Washington DC, 1978 D'importantes difficultés physiques et technologiques sont toutefois à prévoir dans le cas de circuits à haut degré d'intégration, réalisés dans des semiconducteurs à bande étroite tels que Hg Cd Te. La seconde solution consiste à connecter le détecteur au Hg Cd Te au circuit intégré de lecture au Si par un processus de brasage simul- tané Un contact métallique sur le substrat en Hg Cd Te et un contact N correspondant sur le circuit intégré au Si sont alors affectés à chaque élément détecteur dans le substrat semiconducteur au Hg Cd Te contenant l'ensemble du détecteur Les deux substrats semiconducteurs sont assemblés suivant la technique planaire et les contacts corres- pondants sont réunis par brasage Ces opérations sont par exemple décrites dans "Infrared Focal Planes in Intrinsic Semiconductors", J.T Longo et al, IEEE Trans Electr Dev ED 25, 213 ( 1978). Le rendement d'un tel processus de brasage simultané est toute- fois limité Ce procédé entraîne en outre aussi d'importantes diffi- cultés technologiques. L'invention vise à éliminer les inconvénients des deux procédés décrits et connus, et a pour objets un dispositif semiconducteur et un procédé pour sa production, dans lequel le rendement est élevé et les difficultés technologiques sont plus faibles Selon une caracté- ristique essentielle de l'invention, le substrat semiconducteur ( 4) du circuit intégré est revêtu partiellement au moins d'une couche isolante ( 3); de nombreux éléments de mosaïque ( 1) séparés, en composé semiconducteur sensible à l'infrarouge, sont produits sur ladite couche isolante par dépôt polycristallin, puis convertis en une struc- ture monocristalline par un rayonnement à haute énergie; les divers éléments de mosaïque comprennent au moins une jonction p-n ( 2); et chaque élément de mosaîque est relié électriquement à l'unité de lecture dans le circuit intégré. Un dispositif comportant des éléments monocristallins de Pb S sur 3 2519803 du Si a déjà été étudié ("Direct injection readout of th p-n Pb S heterojunction detector", A J Steckl, K Y Tam, M E Montamedi, Appl. Phys Lett 35, 537 ( 1979) Le matériau détecteur était dans ce cas déposé sous forme monocristalline par hétéro-épitaxie, directement sur le silicium Lorsque la couche déposée doit toutefois présenter la qualité requise pour les composants, les structures et les cons- tantes réticulaires ainsi que les coefficients de dilatation thermi- que des matériaux de la mosaïque du détecteur et du circuit intégré de lecture doivent coincider avec une grande précision Cela réduit évidemment beaucoup les matériaux utilisables. Le dispositif semiconducteur selon l'invention permet de combiner avantageusement les avantages d'un matériau éprouvé, tel que de pré- férence le Hg Cd Te pour le détecteur infrarouge, et ceux du silicium monocristallin pour le circuit intégré de lecture. Dans d'autres formes de réalisation, le matériau détecteur peut aussi être en In Sb ou Pb x Sn X Te Le substrat semiconducteur du cir- cuit intégré est alors avantageusement aussi en silicium monocristal- lin Il contient avantageusement une unité de lecture complète avec structure de transfert, dispositif antiréfléchissant, soustraction du bruit de fond et registres à couplage de charge en technologie MOS classique à canal p ou n Ce substrat semiconducteur est recouvert d'une couche isolante d'un oxyde de silicium ou d'un nitrure de silicium L'utilisation d'autres oxydes métalliques, tels qu'un oxyde- de titane, est également envisageable. Sur la couche isolante du circuit intégré en silicium se trouvent des ilôts séparés ou éléments de mosaïque en matériau semiconducteur monocristallin sensible à l'infrarouge, qui contiennent chacun une structure de diode Les deux régions de chaque diode sensible à l'in- frarouge sont munies d'un contact, dont un est relié à la structure de lecture individuelle dans le circuit intégré semiconducteur et par suite au registre à couplage de charge en technologie CCD Le second contact de chaque diode est relié à une borne commune à-toutes les diodes et qui permet d'ajuster le potentiel de travail sur la jonc- tion pn. Le dispositif semiconducteur selon l'invention est de préférence 4 2519803 produit en déposant une couche de composé semiconducteur sensible à l'infrarouge, d'abord dans l'état cristallin, sur toute la surface de la couche isolante recouvrant le substrat semiconducteur du cir- cuit intégré Cette couche semiconductrice est ensuite divisée en éléments de mosaïque séparés par gravure des domaines intermédiaires. Les divers éléments de mosaique sont ensuite fondus à l'aide d'un faisceau concentré de haute énergie, de sorte qu'ils se solidifient à l'état monocristallin du fait de la croissance ultérieure de la couche monocristalline Une jonction pn est enfin introduite dans les éléments de mosaique par diffusion ou implantation d'impuretés. En cas d'utilisation de Hg Cd Te comme matériau semiconducteur sensible à l'infrarouge, les éléments de mosaique d'abord polycris- tallins sont de préférence fondus par un faisceau laser, dont l'énergie est choisie de façon que l'élément de mosaïque fonde sur toute son épaisseur, tandis que le matériau isolant sous-jacent et le substrat semiconducteur en silicium ne sont pas affectés. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à l'aide de la description détaillée ci-dessous d'un exemple de réalisation et du dessin annexé sur lequel la figure 1 est la coupe partielle du dispositif semiconducteur selon l'invention, ladite coupe comprenant un élément de mosaique sensible à l'infrarouge et la partie d'un circuit intégré de lecture possible entre deux éléments de mosaique; et la figure 2 représente un dispositif à laser, à l'aide duquel les éléments de mosaïque d'abord polycristallins sont convertis en éléments semiconducteurs monocristallins sensibles à l'infrarouge. La coupe de la figure 1 représente, comme précédemment indiqué, une partie d'un dispositif semiconducteur comprenant une unité de prise de vue et un circuit semiconducteur intégré constituant une unité de lecture Un seul élément de mosaîque 1 en composé semi- conducteur sensible à l'infrarouge est représenté; il se trouve sur une couche isolante 3 recouvrant un substrat semiconducteur 4 en silicium Le dispositif complet est de préférence constitué par de nombreux éléments de mosaïque 1 sensibles à l'infrarouge, disposés suivant une matrice et occupant de préférence une surface comprise 2519803 entre 25 x 25 pm et 80 x 80 pm La matrice comprend de préférence au moins 32 x 32 éléments de mosaïque sensibles à l'infrarouge. Les divers éléments de mosaïque 1 comprennent une jonction pn 2, qui sépare par exemple la région N 9 de la région p 8 La lumière infrarouge 16 tombe sur la surface libre de la région N 9 et provoque dans le composé semiconducteur l'excitation des électrons, qui passent de la bande de valence dans la bande de conduction La région p 8 est munie d'un contact 7, de préférence commun à tous les éléments de mosaïque et permettant d'ajuster le potentiel de la jonction des diverses diodes Le contact 6 déposé sur la région N 9 est relié électriquement, par des ouvertures 5 de la couche isolante 3, au circuit intégré et par exemple à la région semiconductrice 10 Le domaine de sensibilité IR du matériau semiconducteur des éléments de mosaîque 1 se situe de préférence sur la plage de longueur d'onde de 3-5 pm ou de 8-12 pm L'épaisseur des éléments de mosaïque 1 est de préférence de 2-8 pm. Dans la représentation selon figure 1, les éléments de mosaïque 1 du matériau sensible à l'infrarouge sont disposés sur la couche isolante 3, au-dessus de zones du substrat semiconducteur 4 en sili- cium ne contenant ni composants du circuit intégré, ni connexions. Les composants et les connexions du circuit intégré se trouvent au contraire entre les éléments de mosaique Dans la représentation selon figure 1, ces domaines intermédiaires sont également recou- verts par une couche isolante 3 a, dans laquelle sont disposées de nombreuses structures de porte 11-15, qui assurent le couplage et le transport de charge selon le principe CDD Ces structures de porte sont par exemple en silicium polycristallin qui, pour la production de recouvrements entre les diverses structures, est constitué pour certaines portes par deux couches partiellement séparées par du matériau isolant. Au lieu du dispositif représenté à la figure 1, il est possible de réduire encore la mosaïque du détecteur, c'est-à-dire le dispo- sitif semiconducteur, en disposant les éléments de mosaïque 1 sur la couche isolante 3 a au-dessus des régions du substrat semiconduc- teur en silicium ou de la couche isolante contenant les composants, 6 2519803 les structures de porte et les connexions du circuit intégré de lec- ture Dans ce cas, toutes les connexions doivent être posées dans la couche d'oxyde 3 a par des procédés multicouches classiques. Dans la forme de réalisation selon figure 1, le substrat en silicium est réalisé dans un matériau de type p, dans lequel est introduite une région N 10 Les porteurs de charge, produits par absorption de quanta IR dans l'élément de mosaïque 1, sont transférés dans cette région N 10 Cette charge est transférée dans la porte d'accumulation 12 à l'aide d'une porte de transfert 11 Cette der- nière permet d'ajuster le temps d'intégration La porte d'accumula- tion 12 est divisée en parties 12 a et 12 b, de sorte qu'une soustrac- tion du bruit de fond est possible à l'aide de la porte de partition 13 disposée en recouvrement Seule la charge se trouvant au-dessous- te la porte 12 b est par suite transférée par la porte 14 dans le registre à couplage de charge comprenant les portes 15 Le signal obtenu est alors lu à l'aide du registre à couplage de charge. Le dispositif semiconducteur représenté à la figure 1 est de préférence produit en introduisant, par la technologie planaire connue, les régions et composants nécessaires au circuit intégré dans le substrat semiconducteur 4 La technique connue à deux couches de silicium polycristallin est utilisée pour les structures de porte se trouvant dans la couche isolante 3 a, les structures requises étant obtenues par des dépôts de couche, suivis par des opérations de gra- vure. Dans la zone sur laquelle les éléments de mosaîque sont dis- posés selon figure 1, le substrat en silicium est de préférence recouvert par une couche isolante exempte de structures de porte et de connexions - Après la production du circuit semiconducteur intégré, toute la surface de la couche isolante 3 ou 3 a est recouverte d'une couche de Hg Cd Te polycristallin Ce matériau pet*de façon connue être déposé chimiquement à partir de la phase gazeuse ou évaporé sous ultravide. Un dépôt par pulvérisation cathodique est en outre possible, ainsi que le dépôt de la couche composant par composant Lors du dépôt par composant, une couche de Cd Te est d'abord déposée, puis recuite dans 7 2519803 de la vapeur de Hg Te pour production du Hg Cd Te Il est également pos- sible de déposer d'abord une couche de Hg Te, puis de la recuire dans de la vapeur de Cd Te. Les éléments de mosaïque selon figure 1 sont ensuite dégagés par gravure de la couche semiconductrice sensible à l'infrarouge. Une couche de photorésist est par exemple utilisable comme masque de gravure Outre la gravure chimique, la gravure ionique est parfai- tement utilisable aussi Les éléments de mosaïque encore polycristal- lins sont ensuite convertis en éléments monocristallins par irradiation ponctuelle ou continue à l'aide d'un faisceau laser On utilise pour ce faire un dispositif d'irradiation laser selon figure 2. La figure 2 représente un four 27 contenant une chambre fermée Cette chambre constitue le porte-échantillon translatable pour la plaquette semiconductrice 31, constituée par le substrat de silicium et le Hg Cd Te sensible à l'infrarouge La chambre contient en outre une source 29 de Hg, qui produit la pression de vapeur de mercure néces- saire Le faisceau laser est dirigé par une lentille 28 sur le point préalablement ajusté de la plaquette semiconductrice 31. L'ajustement du faisceau laser s'effectue à l'aide du laser 24, qui explore la surface du dispositif semiconducteur à l'aide du miroir semitransparent 25 et du miroir 26 Le faisceau laser déclenchant la fusion des éléments de mosaïque selon figure 1 est émis par le dispo- stif laser 20 et dirigé par l'optique à réseau 23 et les miroirs 25 et 26 sur le dispositif semiconducteur Le faisceau laser est pulsé par l'unité 21, que l'unité 22 alimente en courant. Le procédé de conversion des éléments de mosaïque polycristallins sensibles à l'infrarouge en éléments monocristallins est précisé ci- dessous. On sait que l'irradiation par une source d'énergie suffisante permet de faire passer une couche amorphe ou polycristalline dans l'état monocristallin La couche amorphe ou polycristalline est temporairement fondue sur toute son épaisseur, mais uniquement sur des petits éléments de surface, rigoureusement définis Lorsque la couche sous-jacente est cristalline, une croissance épitaxiale se produit dans l'interface lors de la solidification Ce phénomène est 8 2519803 par exemple décrit dans "Spatially Controlled Crystal Regrowth of Ion Implanted Silicon by Laser Irradiation", G K Celler, Ml Poate et L.C Kimerling, Appl Phys Lett 32, 111 ( 1978) Lorsque la couche sous-jacente est amorphe, une croissance monocristalline se produit à partir du germe constitué par la première zone cristallisée Ce phénomène est par exemple décrit dans "Properties of Patterned and CW-Laser-Crystallized Silicon Films on Amorphous Substrates", N M. Johnson, D K Biegelsen et H D Moyer, Proceedings INFOS-Conference, Erlangen ( 1981). Le procédé selon l'invention utilise la dernière propriété citée et l'applique au Hgî x Cdx Te sensible à l'infrarouge Le fait que les phases du processus de production du détecteur ainsi que ses caractéristiques de puissance sont indépendantes de l'orientation cristalline est d'une importance capitale Il est donc inutile d'im- poser une orientation préférentielle au germe de cristallisation. Il convient toutefois de tenir compte de deux particularités. Le Hg 1 x Cdx Te se décompose aux températures élevées sous vide, par évaporation préférentielle de l'élément Hg à partir de la surface. Ce phénomène est évité en effectuant la fusion et la solidification dans une atmosphère de vapeur de Hg. Le Hg X Cd Te se décompose en outre comme suit en cours de soli- dification: le composant Cd Te cristallise d'abord de préférence et le reste de la masse fondue s'enrichit en Hg Te sur le front de soli- dification La dernière fraction cristallisée de la zone fondue par le faisceau laser est ainsi plus riche en Hg Te que la première zone cristal Lisée Dans lé procédé selon l'invention, l'hétérogénéité demeure limitée à des zones microscopiques et peut être compensée par des phases ultérieures de recuit. Dans le cas d'une structure de mosaique à petits éléments ( 25 x 25 pm par exemple), la surface fondue peut recouvrir un élément complet Dans le cas d'éléments plus grands ( 80 x 80 pm par exemple), la recristallisation s'effectue dans des zones partielles d'un élément, de façon que les zones fondues par des impulsions lasers successives se recouvrent. Le traitement ultérieur de recuit à une température de 400-600 C, 9 2519803 également dans une atmosphère de vapeur de Hg, convient dans les deux cas pour produire une homogénéisation par diffusion de Hg et Cd La concentration en trous p = 1015 à 1016 cm du matériau p de base du détecteur, optimale pour des détecteurs photovoltaiques, est ajustée simultanément Lorsque le matériau de base du détecteur doit être de type n, un recuit à 200-300 O C dans une atmosphère de vapeur de Hg est ensuite effectué et produit une concentration en 16 -3 électrons N = 10 à 10 cm La jonction pn est toujours produite par diffusion ou implantation d'ions appropriés de type différent. Du mercure ou de l'aluminium est de préférence diffusé dans le Hg Cd Te pour produire une région semiconductrice de type n Le bore, le mercure ou le béryllium se prêtent particulièrement bien à l'im- plantation Une région p est de préférence produite par implantation d'atomes de phosphore ou d'argent dans le matériau de type n Les régions N et p du matériau sensible à l'infrarouge sont ensuite munies de contacts Cette opération peut s'effectuer simultanément avec l'établissement de contact sur le circuit intégré Des structures multicouches en chrome-indium ou chrome-or sont par exemple utili- sées comme matériaux de contact. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art au principe et aux dispositifs qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemples non limitatifs, sans sortir du cadre de l'invention. 2519803 Revendications 1 Dispositif semiconducteur comportant une unité de prise de vue, en un composé semiconducteur sensible à l'infrarouge, et un circuit semiconducteur intégrte constituant une unité de lecture,les deux unités étant reliées électriquement et mécaniquement, ledit dispo- sitif étant caractérisé en ce que le substrat semiconducteur ( 4) du circuit intégré est revêtu partiellement au moins d'une couche isolante ( 3); de nombreux éléments de mosaïque ( 1) séparés, en com- posé semiconducteur sensible à l'infrarouge, sont produits sur ladite couche isolante par dépôt polycristallin, puis convertis en une structure monocristalline par un rayonnement à haute énergie; les divers éléments de mosaïque comprennent au moins une jonction pn ( 2); et chaque élément de mosaïque est relié électriquement à l'unité de lecture dans le circuit intégré. 2 Dispositif semiconducteur selon revendication 1, caractérisé-en ce que le matériau semiconducteur sensible à l'infrarouge est en Hg 11 X Cdx Te. 3 Dispositif semiconducteur selon revendication 1, caractérisé en ce que le matériau semiconducteur sensible à l'infrarouge est en In Sb ou Pb 1 Sn X Te. 4 Dispositif semiconducteur selon une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le domaine de sensibilité du matériau semiconducteur sensible à l'infrarouge se situe sur la plage de lon- gueur d'onde de 3-5 pm ou de 8-12 pm. 5 Dispositif semiconducteur selon revendication 1, caractérisé en ce que le substrat semiconducteur ( 4) du circuit intégré est en silicium monocristallin; et ce substrat semiconducteur est recouvert d'une couche isolante ( 3) d'oxyde de silicium (Si O), oxyde de titane x (Tio x) ou nitrure de silicium (Si 3 N 4), les éléments de mosaïque ( 1) du matéeiau sensible à l'infrarouge étart reliés électriquement au circuit intégré par des connexions passant dans des ouvertures ( 5) de ladite couche isolante. 6 Dispositif semiconducteur selon une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les éléments de mosaique ( 1) du matériau sensible à l'infrarouge sont disposés sur la couche isolante ( 3), au- il 2519803 dessus de zones du substrat semiconducteur en silicium ( 4) ne conte- nant ni composants du circuit intégré, ni connexions; et les zones du circuit intégré contenant les composants et connexions sont dis- posées entre les éléments de mosaïque ( 1). 7 Dispositif semiconducteur selon une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les éléments de mosaïque ( 1) sont dis- posés sur la couche isolante ( 3), au-dessus des zones du substrat semiconducteur en silicium ( 4) ou de la couche isolante contenant les composants et les connexions du circuit intégré de lecture. 8 Dispositif semiconducteur selon une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les éléments de mosaique ( 1) en maté- riau sensible à l'infrarouge ont une épaisseur d'environ 2-8 pm et comportent chacun une jonction pn pour la formation d'une diode; et les deux régions de chaque diode sensible à l'infrarouge sont munies d'un contact ( 6 ou 7). 9 Dispositif semiconducteur selon une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que les éléments de mosaïque ( 1) sont dis- posés suivant une matrice sur la couche isolante ( 3), la surface de chaque élément de mosaique étant comprise entre 25 x 25 pm et 80 x 80 pm. Dispositif semiconducteur selon revendication 9, caractérisé en ce que lamatrice d'éléments de mosaïque ( 1) sensibles à l'infrarouge comprend 32 x 32 éléments au minimum. 11 Procédé de production d'un dispositif semiconducteur selon une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'une couche de composé semiconducteur sensible à l'infrarouge est d'abord déposée dans l'état polycristallin sur toute la surface de la couche isolante ( 3) recouvrant le substrat semiconducteu ( 4) du circuit intégré; ladite couche semiconductrice est ensuite divisée en éléments de mosaïque ( 1) séparés par gravure des zones intermédiaires; les divers éléments de mosaique sont fondus par un faisceau concentré de haute énergie, de sorte qu'il se solidifie ensuite à l'état monocristallin du fait de la croissance d'une couche monocristalline; et une jonc- tion pn est enfin produite dans les éléments de mosaïque par dif- fusion ou implantation d'ions. 12 2519803 12 Procédé selon revendication 11, caractérisé en ce que dans le cas d'un composé semiconducteur sensible à l'infrarouge en Hg 1 Cd Te, les éléments de mosaïque ( 1) polycristallins sont fondus par un faisceau laser, dont l'énergie est choisie de façon à faire fondre l'élément de mosaïque sur toute son épaisseur, tandis que le matériau isolant sous-jacent et le substrat semiconducteur en sili- cium ne sont pas affectés. 13 Procédé selon revendication 11, caractérisé par l'emploi d'un faisceau laser pulsé. 14 Procédé selon une des revendications 12 ou 13, caractérisé en ce que le diamètre du faisceau laser est choisi de façon à toujours recouvrir toute la surface d'un élément de mosaïque. Procédé selon une des revendications 12 ou 13, caractérisé en ce que le diamètre du faisceau laser est choisi de façon à ne recou- vrir qu'une surface partielle d'un élément de mosaïque; et chaque élément de mosaique est fondu par plusieurs impulsions décalées du faisceau laser, les surfaces recouvertes par des impulsions lasers successives se recouvrant. 16 Procédé selon une quelconque des revendications 11 à 15, carac- térisé en ce que l'irradiation laser s'effectue dans une atmosphère interdisant une décomposition du Hg Cd Te pendant l'action du faisceau laser. 17 Procédé selon revendication 16, caractérisé en ce que l'irra- diation laser s'effectue dans une atmosphère de vapeur de Hg. 18 Procédé selon une quelconque des revendications Il à 17, carac- térisé en ce que le dispositif semiconducteur est recuit après la resolidification cristalline des éléments de mosaïque, la température et la durée de recuit étant choisies de faeon à compenser les hété- rogénéités résiduelles de la composition du matériau sensible à l'infrarouge, résultant de la resolidification. 19 Procédé selon revendication 18, caractérisé en ce que dans le cas d'un matériau sensible à l'infrarouge en Hg Cd Te, un recuit est effectué à 400-600 e C dans de la vapeur de Hg, pendant une durée supérieure à 24 heures. 20 Procédé selon une quelconque des revendications Il à 19, carac- 13 2519803 térisé en ce que le dispositif semiconducteur est soumis à un recuit, dont l'atmosphère, la durée et la température sont choisies de façon à produire dans les éléments de mosaïque la concentration souhaitée en porteurs de charge, requise pour l'utilisation en détecteur. 21 Procédé selon une quelconque des revendications 18 à 20, carac- térisé par un recuit commun pour l'élimination des hétérogénéités et l'ajustement de la concentration en porteurs de charge.