FR 2524661 A1 19831007 FR 8305341 A 19830331 L'invention concerne un élément photoconducteur sensible à des ondes électromagnétiques telles que la lumière (ce terme étant utilisé ici au sens large et englobant les rayons ultraviolets, la lumière visible, les rayons infrarouges, les rayons X et les rayons gamma). Des matières photoconductrices, qui constituent des couches photoconductrices dans des dispositifs de prise de vue à semi-conducteurs, des éléments de formation d'image pour électrophotographie dans le domaine de la formation d'images, ou dans des dispositifs de lecture de manuscrit, doivent avoir une haute sensibilité, un rapport signal/bruit élevé (courant photoélectrique (I )/courant p d'obscurité (il)), des caractéristiques spectrales correspondant à celles des ondes électromagnétiques devant rayonner, une réponse rapide à la lumière, une valeur souhaitée de résistance d'obscurité ainsi qu'un innocuité envers le corps humain pendant l'utilisation. En outre, dans un dispositif de prise de vue à semi-conducteurs, il est également nécessaire que l'image résiduelle puisse être aisément traitée en un temps prédéterminé.En particulier, dans le cas d'un élément de formation d'image pour électrophotographie devant être monté dans un dispositif électrophotographique à utiliser comme appareil de bureau, la caractéristique précitée d'innocuité est très importante. Du point de vue indiqué ci-dessus, le silicium amorphe (désigné ci-après a-Si} a récemment attiré l'attention comme matière photoconductrice. Par exemple, les demandes de brevets allemandes DOS nO 2 746 967 et nO 2 855 718 décrivent des applications du a-Si à une utilisation dans des éléments de formation d'image pour electrophotographie, et la demande de brevet allemande DOS nO 2 933 411 décrit une application du a-Si en utilisation dans un dispositif de lecture à conversion photoélectrique. Cependant, dans la situation présente, les éléments photoconducteurs comportant des couches photoconductrices constituées de a-Si doivent en outre être améliorés en ce qui concerne l'équilibre des caractéristiques globales comprenant les caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices telles que la valeur de la résistance d'obscurité, la photosensibilité et la réponse à la lumière, etc., et les caractéristiques vis-a-vis du milieu ambiant dans lequel ils sont utilisés, telles que la résistance à l'humidité, ainsi, en outre, que la stabilité avec le temps. Par exemple, lors de l'application à un élément de formation d'image pour électrophotographie, on observe souvent la subsistance d'un potentiel résiduel pendant l'utilisation si l'on prévoit de procéder à des améliorarations accroissant la photosensibilité et la résistance d'obscurité en même temps. Lorsqu'un tel élément photoconducteur est utilisé de façon répétée pendant une longue durée, il apparat divers inconvénients tels qu'une accumulation de fatigues, dues à des utilisations répétées ou un phénomène dit d'image fantme, selon lequel des images résiduelles sont formées, ou bien, lorsqu'un tel élément est utilisé de façon répétée à grande vitesse, la réponse diminue progressivement. En outre, le a-Si possède un coefficient d'absorption relativement plus petit dans la bande de longueurs d'ondes située au-delà du cté des ondes les plus longues du spectre de la lumière visible, par rapport au clef fi cient obtenu sur le côté des ondes plus courtes du spectre de la lumière visible, et, par conséquent, en s'adaptant au laser à semi-conducteurs actuellement utilisé, ou en utilisant une lampe à halogène ou une lampe à fluorescence, actuellement disponibles, comme source de lumière, il reste des possibilités d'amélioration visant à atténuer le défaut selon lequel la lumière du côté des plus grandes longueurs d'onde ne peut être utilise efficacement. En outre, lorsque la lumière d'irradiation ne peut être suffisamment absorbée dans la couche photoconductrice, mais que la quantité de lumière atteignant le support augmente, si le support lui-même présente un facteur de réflexion élevé par rapport à la lumière traversant la couche photoconductrice, il apparait une interférence due aux réflexions multiples et qui peut être la cause de la formation d'une "image non nette". Cet effet s'accroît lorsque l'on diminue la dimension du point irradié pour accroître la résolution, et il pose un problème important, en particulier lorsqu'on utilise un laser à semi-conducteur comme source de lumière. Il est donc nécessaire, lors de la conception d'un élément photoconducteur, d'essayer de résoudre tous les problèmes'tels que ceux indiqués ci-dessus, tout en améliorant les matières a-Si proprement dites. Compte tenu des points indiqués ci-dessus, l'invention a pour objet le résultat d'études importantes partant des points de vue à la fois de la possibilité d'application et de l'utilité du a-Si comme élément photoconducteur pour dispositifs de formation d'image pour électrophotographie, dispositifs de prise de vues à semi-conducteurs, dispositifs de lecture, etc.A présent, un élément photoconducteur ayant une couche amorphe présentant une certaine photoconductivité, qui comprend du a-Si, en particulier une matière amorphe contenant au moins l'un des atomes d'hydrogène (H) et d'halogène (X) dans une matrice d'atomes de silicium (cette matière étant désignée ci-après globalement a-Si (H, X)), appelée silicium amorphe hydrogéné, silicium amorphe halogéné ou silicium amorphe hydrogéné contenant un halogène, ledit élément photoconducteur étant préparé par une conception lui conférant une structure particulière comme décrit ci-après, s'avère non seulement présenter, en pratique, des caractéristiques tout à fait excellentes, mais également surpasser les éléments photoconducteurs de l'art antérieur pratiquement en tous points, notamment par des caractéristiques particulièrement bonnes pour un élément photoconducteur pour électrophotographie. La présente invention est basée sur cette constatation. L'invention a pour objet principal un élément photoconducteur ayant des caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices constamment stables, de type convenant à tous les milieux ambiants, pratiquement sans aucune limitation en ce qui concerne son milieu d'utilisation, et qui présente des caractéristiques photosensibles particulierement bonnes sur le côté des plus grandes longueurs d'onde, ainsi qu'une bonne résistance à la fatigue par la lumière, sans présenter de phénomène de détérioration après des utilisations répétées, cet élément photoconducteur étant tout à fait ou à peu près tout à fait exempt de potentiels résiduels observés. L'invention a pour autre objet un élément photoconducteur qui présente une photosensibilité élevée dans la totalité du spectre de la lumière visible, et qui présente une adaptation particulièrement bonne à un laser à semi-conducteurs et une grande rapidité de réponse à la lumière. L'invention a pour autre objet un élément photoconducteur ayant d'excellentes caractéristiques électrophotographiques, suffisamment capable de retenir des charges au moment d'un traitement par charges pour former des charges électrostatiques telles qu'un procédé électrophotographique classique peut être utilisé de façon très efficace lorsqu'il est prévu de mettre en oeuvre cet élément photoconducteur comme élément de formation d'image pour électrophotographie. L'invention a pour autre objet un élément photoconducteur pour électrophotographie, capable de produire aisément une image de haute qualité, de densité élevée,-claire en demi-teinte et de résolution élevée. L'invention a également pour objet un élément photoconducteur ayant une haute photosensibilité et un rapport signal/bruit élevé. Conformément a l'invention, il est prévu un élément photoconducteur comprenant un support destiné à cet élément et une couche amorphe ayant une constitution stratifiée comportant une première région de couche comprenant une matière amorphe qui contient des atomes de silicium et des atomes de germanium, et une seconde région de couche comprenant une matière amorphe qui contient des atomes de silicium et qui présente une certaine photoconductivité, lesdites première et seconde régions de couche étant appliquées l'une a la suite de l'autre sur une face du support. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels: la figure 1 est une coupe transversale schématique montrant la constitution stratifiée d'une forme préférée de réalisation de l'élément photoconducteur selon l'invention; les figures 2 à 10 sont des coupes transvérsales schématiques montrant les états de répartition d'atomes de germanium dans la couche amorphe . la figure 11 est un schéma simplifié illustrant l'appareil utilisé dans la présente invention ; et les figures 12 à 27 sont des graphiques montrant les courbes de rythme de variation des rapports de débits d'ecoulement de gaz utilises dans les exemples de la présente invention : l'épaisseur t étant en ordonnées et le rapport en abscisses ; et . la figure 28 est une coupe transversale schfimatique d'une autre forme préférée de réalisation de l'éliment photoconducteur selon l'invention. Plusieurs formes de réalisation de ltelement photoconducteur selon l'invention seront à présent décrites en détail en regard des dessins. La figure 1 est une coupe schématique illustrant la constitution stratifiée d'une première forme de réalisation de 1 'élésent ptoco'ducteur selon l'invention. L'élément photoconducteur 100 tel que montré sur la figure 1 comporte une couche amorphe 102 appliquée sur un support 101 de cet élément, cette couche amorphe 102 ayant une surface libre 105 à l'une de ses faces extrêmes. La couche amorphe 102 présente également une constitution stratifiée comprenant une première région de couche (G) 103 comprenant du a-Si(H,X) contenant des atomes de germanium (désigné ci-après sous la forme abrégée "a-SiGe(H,X)") et une seconde région de couche (S) 104 comprenant du a-Si(H,X) et présentant une certaine photoconductivité. La première région de couche (G) 103 et la seconde région de couche (S) 104 sont appliquées l'une à la suite de l'autre à partir du côté du support 101. Les atomes de germanium de la première région (G) 103 sont disposés dans cette région (G) 103 suivant une répartition continue et uniforme dans la direction du plan sensiblement parallèle à la surface du support 101, mais suivant une répartition qui peut être uniforme ou non uniforme dans la direction de l'épaisseur des couches. Dans la présente invention, la seconde région de couche (S) appliquée sur la première région (G) ne contient pas d'atomes de germanium. En formant une couche amorphe ayant une telle structure stratifiée, on peut obtenir un élément photoconducteur qui présente une excellente photosensibilité à la lumière ayant des longueurs d'onde comprises dans la totalité de la bande s'étendant des longueurs d'onde relativement courtes aux longueurs d'onde relativement longues et comprenant le spectre de la lumière visible. De plus, étant donné que les atomes de germanium sont répartis de façon continue à travers la première région de couche (G),la lumière du côté desLusqrndeslonguEu's d'onde, qui ne peut être pratiquement pas absorbée par la seconde région de couche (S) lorsqu'on utilise un laser à semi-conducteur, etc., peut être absorbée dans la première région de couche (G) à peu prèstotalement, ce qui permet d'empêcher toute interférence due aux réflexions sur la surface du support. Dans l'élément photoconducteur selon l'invention, on peut assurer une stabilité chimique suffisante, à l'interface de la première région (G) et de la seconde région (S), car les matières amorphes constituant les régions de couches respectives ont pour constituant commun l'atome de silicium. En variante, lorsque la répartition des atomes de germanium n'est pas réalisée de façon uniforme dans la direction de l'épaisseur de la couche, on peut améliorer l'affinité entre la première région de couche (G) et la seconde région de couche (S) en réalisant une répartition continue des atomes de germanium dans la premiere région de couche (G), à travers la totalité de cette région, et en modifiant la concentration C de répartition des atomes de germanium dans la direction de l'épaisseur de la couche afin qu'elle diminue du côté du support vers la seconde région de couche (S). Les figures 2 à 10 montrent des exemples typiques d'une répartition non uniforme, dans la direction de l'épaisseur des couches des atomes de germanium contenus dans la première région (G). Sur les figures 2 a 10, l'axe des abscisses indique la teneur C en atomes de germanium dans la répartition et l'axe des ordonnées l'épaisseur de la première région de couche (G), t B indiquant la position de la surface extréme de la première région de couche (G) sur le côté du support et t T indiquant la position de la surface extrême de la première région de couche (G) sur le côté opposé au côté du support. Ainsi, la formation en couche de la première région de couche (G) contenant des atomes de germanium s'effectue du côté t B vers le côté tT La figure 2 représente une première forme typique du profil en profondeur des atomes de germanium de la première région de couche (G), dans la direction de l'épaisseur de la couche. Dans la forme de réalisation telle que montrée sur la figure 2, à partir de la position d'interface tBt dans laquelle la surface, sur laquelle la première région de couche (G) contenant des atomes de germanium doit être formée, est en contact avec la surface de la première région de couche (G), jusqu a la position tl, les atomes de germanium sont contenus dans la première région de couche (G), la concentration C de la répartition des atomes de germanium prenant une valeur constante C1, laquelle concentration en répartition diminue progressivement de façon continue a partir de la concentration C2, de la position tl jusqu'à la position d'interface A la position d'interface tTf la concentration en atomes de germanium est égale a C3. Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 3, la concentration C en répartition des ateees de germanium conte- nus dans la couche diminue progressivement et en continu de la position t B vers la position tT, de façon à passer de la concentration C4 à la concentration C5 présente à la position tT. Dans le cas de la figure 4, la concentration C en répartition des atomes de germanium est rendue constante à la valeur de concentration C6 de la position tB à la position t2, et elle est abaissée progressivement et en continu de la position t2 à la position tT, et la concentration C en répartition est rendue sensiblement nulle à la position tT (sensiblement nulle signifiant une teneur inférieure à la limite pouvant être détectée). Dans le cas de la figure 5, les atomes de germanium diminuent progressivement et en continu de la position tB à la position tT, à partir de la concentration C8, jusqu'à ce que cette dernière soit sensiblement nulle à la position tT Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 6, la concentration C, en répartition, des atomes de germanium est égale constamment à Cg entre la position t B et la position t3, et elle est rendue égale à C10 à la position tT.Entre la position t3 et la position tTt la concentration C en répartition diminue comme une fonction du premier ordre à partir de la position t3 jusqu'd la position tT Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 7, on forme un profil de profondeur tel que la concentration C en répartition ait une valeur constante C11 à partir de la position tB jusqu'à la position t4, et qu'elle diminue comme une fonction du premier ordre à partir de la concentration C12 jusqu'à la concentration C13, de la position t4 à la position tT. Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 8, la concentration C en répartition des atomes de germanium diminue comme une fonction du premier ordre, de la concentration C14 à une valeur sensiblement nulle, de la position t B à la position tT. Sur la figure 9, il est représenté une forme de réalisation dans laquelle la concentration C en répartition des atomes de germanium diminue comme une fonction du premier ordre, de C15 à C16, de la position tB à la position t5, et elle est rendue constante à la concentration C16, entre les positions t5 et tT. Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 10, la concentration C en répartition des atomes de germanium est égale à C17 à la position tBt laquelle concentration C17 est abaissée initialement de façon progressive, et brusquement à proximité de la position t6, jusqu'à ce qu'on obtienne la concentration C18 à la position t6. Entre la position t6 et la position t7, la concentration est abaissée initialement brusquement, puis abaissée progressivement jusqu'à ce que l'on obtienne la concentration C19 à la position t7 Entre la position t7 et la position t8, la concentration est diminuée de façon très progressive jusqu'à la concentration C20 obtenue à la position t8. Entre la position t8 et la position tTI on fait diminuer la concentration suivant une courbe ayant une forme telle que montrée sur la figure, à partir de la concentration C20 jusqu'à une valeur sensiblement nulle. Comme décrit ci-dessus en ce qui concerne certains exemples typiques de profils de profondeur non uniforme des atomes de germanium contenus dans la première région de couche (G), dans la direction de l'épais- seur de la couche, lorsque le profil en profondeur des atomes de germanium contenus dans la première région de couche (G) n'est pas uniforme dans la direction de l'épaisseur de la couche, cette première région (G) présente avantageusement un profil en profondeur d'atomes de germanium tel que l'on obtient une partie enrichie dans la concentration C, en répartition, d'atomes de germanium sur le côté support et une partie ayant une concentration C, considérablement plus faible que celle du côté support, en atomes de germanium, sur le côté d'interface tT Autrement dit, la première region de couche (G), constituant la couche amorphe, peut, lorsqu'elle contient des atomes de germanium ayant une répartition uniforme dans la direction de l'épaisseur de la couche, comporter avantageusement une région localisée (A) contenant des atomes de germanium à une concentration relativement plus élevée sur le côté support. La région localisée (A), telle qu'indiquée sous la forme des symboles représentés sur les figures 2 à 10, peut être avantageusement réalisée à moins de 5 vm de la position d1interface La région localisée (A) indiquée ci-dessus peut être réalisée afin d'être identique à la totalité de la région de couche (LT), jusqu'a la profondeur de 5 pm à partir de la position d'interface tBS ou bien, en variante, elle peut faire partie de la région de couche (LT). I1 est possible de déterminer convenablement, suivant les caractéristiques demandées pour la couche amorphe à former, si la région localisée (A) doit faire partie de la région de couche (LT) ou doit constituer l'ensemble de cette région de couche (LT). La région localisée (A) peut être de préférence formée par une opération telle que le maximum Cmax des concentrations, en répartition, d'atomes de germanium dans la direction de l'épaisseur de la couche (valeurs du profil en profondeur) peut être avantageusement de 1000 ppm ou plus, de préférence de 5000 ppm ou plus, et, de façon plus préférable, de 1x104 ppm ou plus. Autrement dit, conformément à la présente invention, la couche amorphe contenant des atomes de germanium est de préférence formée de façon que la valeur maximale Cmax de la concentration de répartition puisse être présente dans une épaisseur de couche de 5 m à partir du côté support (la région de couche comprise dans une épaisseur de 5 pm à partir de tB) Dans la présente invention, la teneur en atomes de germanium de la première région de couche (G)1 qui peut être convenablement déterminée comme souhaité afin d'atteindre efficacement les objectifs de la présente invention, peut être avantageusement de 1 à 9,5 x 105 ppm, de préférence 100 à 8 x 105 ppm, et de façon plus préférable de 500 à 7 x 105 ppm. Dans l'élément photoconducteur selon l'invention, l'épaisseur de la première région de couche (G) et l'épaisseur de la seconde région de couche (S) constituent l'un des facteurs importants pour atteindre efficacement l'objectif de l'invention, et il faut donc y porter une attention suffisante lors de la conception de l'élément photoconducteur afin que les caractéristiques souhaitables puissent être conférées à l'élément photoconducteur formé. Dans la présente invention, l'épaisseur T B de la première région (G) peut être avantageusement comprise entre 3 nm et 50 wm, de préférence entre 4 nm et 40 pm, et de façon plus préférable entre 5 nm et 30 m. Par ailleurs, l'épaisseur T de la seconde région de couche (S) peut être avantageusement comprise entre 0,5 et 90 Um, de préférence entre 1 et 80 Pm, et de façon plus préférable entre 2 et 50 vm. La somme des épaisseurs de couche T et TB, indiquées ci-dessus à savoir (T + TB) peut être convenablement déterminée, comme souhaité, lors de l'étude des couches de l'élément photoconducteur, sur la base de la relation organique mutuelle entre les caractéristiques demandées aux deux régions de couches et les caractéristiques demandées à l'ensemble de la couche amorphe. Dans l'élément photoconducteur selon l'invention, la plage numérique pour la somme (TB + T) indiquée ci-dessus peut généralement être comprise entre 1 et 100 x, avantageusement entre 1 et 80 pm et de préférence entre 2 et 50 pm. Dans une forme préférée de réalisation de l'invention, il est préférable de choisir les valeurs numériques pour les épaisseurs respectives TB et T, telles que mentionnées ci-dessus, de façon que la relation TB/T Il est plus avantageux, dans le choix des valeurs numériques des épaisseurs T B et T du cas précédent, que les valeurs de T B et T soient de préférence déterminées de façon que la relation TB/Tc0,9 puisse être satisfaite, et il est encore plus préférable que la relation TB/T Dans la présente invention, lorsque la teneur en atomes de germanium de la premiére région (G) est de 1 x 105 ppm ou plus,l'épaisseur TB de la première région de couche (G) est avantageusement réduite de façon considérable, de façon à avoir une valeur avantageusement de 30 um ou moins, de préférence de 25 pm ou moins, et de façon plus préférable de 20 um ou moins. Dans la présente invention, des exemples d'atomes d'halogène (x), que l'on peut incorporer facultativement dans la première région (G) et dans la seconde région (S) constituant la couche amorphe sont le fluor, le chlore, le brome et l'iode, le fluor et le chlore étant particulièrement préférés. Dans la présente invention, la quantité d'atomes d'hydrogène Dans l'élément photoconducteur selon la présente invention, une substance (C) destinée à déterminer les caractéristiques de conduction peut être incorporée dans au moins la première région (G) de la couche afin de conférer à cette région (G) les caractéristiques de conduction souhaitées. La substance (C) déterminant les caractéristiques de conduction et devant être introduite dans la première région (G) peut être incorporée de façon régu lière et uniforme dans la totalité de la région, ou bien localement, dans une partie de cette région. Lorsque la substance (C) destinée à déterminer les caractéristiques de conduction est incorporée localement dans une partie de la première région (G) de la couche selon l'invention, la région de couche (PN) contenant la substance précitée (C) peut avantageusement être produite de façon à former une partie extrême de la première région (G). En particulier, lorsque la région précitée (PN) est réalisée de façon à former la partie extrême sur le côté support de la première région (G) de la couche, l'injection de charges d'une polarité particu lière, du support dans la couche amorphe, peut être empêchée efficacement par un choix convenable du type et de la quantité de la substance précitée (C) à introduire dans ladite région (PN). Dans l'élément photoconducteur selon l'invention, la substance (C) pouvant déterminer les caractéristiques de conduction peut être incorporée dans la première région (G) constituant une partie de la couche amorphe, soit uniformément à travers l'ensemble de la région, soit localement dans la direction de l'épaisseur de la couche En outre et en variante, la substance précitée (C) peut également être incorporée dans la seconde région (S) appliquée sur la première région (G). Là encore, il est également possible d'introduire la substance précitée (C) à la fois dans la première région (G) et dans la seconde région (S) de la couche. Lorsque la substance précitée (C) doit être incorporée dans la seconde région (S) de la couche, le type et la quantité de substance (C) à introduire dans la seconde région (S), ainsi que son mode d'introduction peuvent être déterminés convenablement suivant le type et la quantité de substance (C) introduite dans la première région (G) ainsi que suivant son mode d'introduction. Dans la présente invention, lorsque la substance précitée (C) doit être introduite dans la seconde région (S), il est préférable que cette substance (C) puisse être introduite dans la région présentant au moins l'interface en contact avec la première région (G) de la couche. Dans la présente invention, la substance précitée (C) peut être incorporée uniformément à travers la totalité de la seconde région (S) de la couche, ou bien, en variante, elle peut être incorporée uniformément dans une partie de la région de la couche. Lorsque la substance (C) destinée à déterminer les caractéristiques de conduction doit etre incorporée à la fois dans la première région (G) et dans la seconde région (S) de la couche, il est préférable que la zone de la couche contenant la substance précitée (C) dans la première région (G) de la couche et que la zone de la couche contenant la substance précitée (C) dans la seconde région (S) de la couche puissent être mises en contact l'une avec l'autre. La substance précitée (C) à introduire dans la première région (G) de la couche peut être la même que celle introduite dans la seconde région (S) de la couche, ou bien elle peut être d'un type différent, et les quantités utilisées peuvent être égales ou différentes dans les régions respectives. Cependant, dans la présente invention, il est préférable que la teneur en -substance "(C) de la premières région (G) de la couche soit suffisamment plus grande lorsque le même type de substance (C) est utilisé dans les régions respectives, ou bien que des types différents de substance (C), ayant des caractéristiques électriques différentes, soient introduits dans les régions respectives souhaitées. Dans la présente invention, en incorporant la substance (C) déterminant les caractéristiques de conduction, au moins dans la première région (G) constituant la couche amorphe, les caractéristiques de conduction de la région (PN) de la couche peuvent être determinees libre- ment comme souhaité. En tant que substance (C), on peut mentionner des substances appelées impuretés dans le domaine des semi-conducteurs. Dans la présente invention, on peut introduire des impuretés de type P donnant des caractéristiques de conduction de type P, et des impuretés de type N donnant des caractéristiques de conduction de type N. Plus particulièrement, on peut mentionner, comme impuretés du type P, des atomes appartenant au groupe III du Tableau Périodique (les atomes du groupe III) tels que le bore (B), l'aluminium (Al), le gallium (Ga), l'indium (In), le thallium (T1), etc., B et Ga étant plus particulièrement préférés. Comme impuretés de type N, on peut introduire les atomes appartenant au groupe V du Tableau Périodique (les atomes du groupe V) tels que le phosphore (P), l'arsenic (As), l'antimoine (Sb), le bismuth (Bi), etc., P et As étant plus particulièrement préférés. Dans la présente invention, la teneur en substance (C) dans ladite région de couche (PN) peut être convenablement choisie suivant les caractéristiques de conduction demandées à cette région (PN) , ou bien, lorsque ladite région (PN) est appliquée en contact direct avec le support, suivant la relation organique telle que la relation avec les caractéristiques de l'interface de contact avec le support. La teneur en substance déterminant les caractéristiques de conduction peut être convenablement choisie en tenant également compte d'autres régions de la couche appliquées en contact direct avec la région (PN) et de la relation avec les caractéristiques de l'interface en contact avec les autres régions de la couche. Dans la présente invention, la teneur atomique en substance (C) déterminant les caractéristiques de conduction dans la région (PN) de la couche peut avantageusement être comprise entre 0,01 et 5 x 104 ppm, de préférence entre 0,5 et 1 x 104 ppm, et , de façon plus pré férable, entre 1 et 5 x 103 ppm. Dans la présente invention, en donnant à la teneur atomique en substance (C), dans la région (PN) de la couche, une valeur avantageusement égale à 30 ppm ou plus, de préférence à 50 ppm ou plus, et de façon plus préférable à 100 ppm ou plus, dans le cas, par exemple, où ladite substance (C) doit être incorporée en tant qu'impureté de type P, une injection d'électrons à partir du côté support dans la couche amorphe peut être empêchée efficacement lorsque la surface libre de la couche amorphe est soumise à un traitement de charge de polarité Q+ , ou bien dans le cas où la substance précitée (C) doit etre incorporée en tant qu'impureté de type N, une injection de trous positifs, à partir du côté support, dans la couche amorphe, peut être empêchée efficacement lorsque la surface libre de la couche amorphe est soumise à un traitement de charge de polarité 0. Dans les cas indiqués ci-dessus et comme décrit précédemment, la région (Z) de la couche, à l'exclusion de la région précitée (PN) de la couche peut contenir une substance (C) ayant un type de conduction d'une polarité différente de celle de la substance (C) contenue dans la région (PN), ou bien elle peut contenir une substance (C) ayant un type de conduction de même polarité que celle de la substance (C) de la région (PN), en quantité très inférieure à la quantité devant être introduite en pratique dans la région (PN). Dans un tel cas, la teneur en substance (C) déterminant les caractéristiques de conduction et devant être introduite dans la région précitée (Z), qui peut être convenablement déterminée comme souhaité suivant la polarité et la teneur atotrue en substance précitée (C) contenue dàns la région précitée (PN) de la couche, peut avantageusement être comprise entre 0,001 et 1000 ppm, de préférence entre 0,05 et 500 ppm et, de façon plus préférable, entre 0,1 et 200 ppm. Dans la présente invention, lorsque le même type de substance (C) est contenu dans la région (PN) ét la région (Z) de la couche, la teneur dans la région (Z) de la couche peut de préférence être.de 30 ppm ou moins. Dans la présente invention, en formant dans la couche amorphe une région contenant une substance (C1) déterminant les caractéristiques de conduction et ayant un type de conduction d'une polarité, et une région contenant une substance (C2) déterminant les caractéristiques de conduction et ayant un type de conduction de l'autre polarité, ces régions étant en contact direct l'une avec l'autre, on peut également obtenir une couche dite d'appauvrissement à ladite région de contact. En résumé, une couche d'appauvrissement peut être formée dans la couche amorphe, par exemple par la réalisation d'une région (P) de couche contenant l'impureté précitée du type P et une région (N) de la couche contenant l'impuretée précitée de type N, de façon que ces régions soient en contact direct l'une avec l'autre pour former une jonction dite P-N. Dans l'élément photoconducteur selon l'invention, pour améliorer la photosensibilité, la résistance d'obscurité et, en outre, l'adhérence entre le support et la couche amorphe, il est souhaitable d'introduire des atomes d'oxygène dans la couche amorphe. Les atomes d'oxygène contenus dans la couche amorphe peuvent être répartis uniformément à travers la totalité des régions de la couche amorphe, ou bien localement et seulement dans une partie de la région de la couche amorphe. Les atomes d'oxygène peuvent être répartis dans la direction de l'épaisseur de la couche amorphe de manière que la concentration, en répartition, C(O) puisse être uniforme ou non uniforme, de même que pour la répartition des atomes de germanium comme décrit en regard des figures 2 à 10. En résumé, la répartition des atomes d'oxygène, lorsque la concentration C(O) en répartition dans la direction de l'épaisseur de la couche n'est pas uniforme, peut être expliquée de la même façon que dans le cas des atomes de germanium, en utilisant les figures 2 à 10. Dans la présente invention, la région (O) entrant dans la constitution de la couche amorphe est réalisée, lorsque l'on recherche principalement des améliorations de la photosensibilité et de la résistance d'obscurité, de manière à occuper la totalité de la région de la couche amorphe, tandis qu'elle est réalisée de manière à occuper la partie extrême, sur le côté support de la couche amorphe, lorsque l'on recherche principalement un renforcement de l'adhérence entre le support et la couche amorphe. Dans le premier cas, la teneur en atomes d'oxygène dans la région De plus, pour atteindre simultanément les deux objectifs, les atomes d'oxygène peuvent être répartis dans la région (O) afin de pouvoir avoir une concentration relativement plus grande sur le côté support, et une concentration relativement plus faible sur le côté de la surface libre de la couche amorphe, ou bien aucun atome d'oxygène ne peut être incorporé volontairement dans la région de la couche située sur le côté de la surface libre de la couche amorphe. La teneur en atomes d'oxygène à introduire dans la région (O) de la couche peut être choisie convenablement suivant les caractéristiques demandées pour cette région Lorsqu'une autre région de la couche doit être appliquée en contact direct avec la région (O), la teneur en atomes d'oxygène peut être choisie convenablement en tenant également compte des caractéristiques de cette autre région et de la relation avec les caractéristiques de l'interface de contact avec ladite autre région. La teneur en atomes d'oxygène de la région (O), qui peut être convenablement déterminée comme souhaité en fonction des caractéristiques demandées pour l'élément photoconducteur à former, peut être avantageusement comprise entre 0,001 et 50%, de préférence entre 0,002 et 40%, et de façon plus préférable entre 0,003 et 30%, ces valeurs étant en pourcentages atomiques. Dans la présente invention, lorsque la région (O) de la couche occupe la totalité de la région de la couche amorphe ou bien lorsque, sans occuper la totalité de la région de la couche, l'épaisseur T0 de la région (o) est suffisamment grande par rapport à l'épaisseur T de la couche amorphe, il est souhaitable que la limite supérieure de la teneur en atomes d'oxygène de la région Autrement dit, dans un tel cas, lorsque le rapport de l'épaisseur T0 de la région T de la couche amorphe est de 2/5 ou plus, la limite supérieure de la teneur en atomes d'oxygène de la région Dans la présente invention, il peut être souhaitable de former la région La zone localisée (B), telle qu'illustréesous la forme des symboles montrés sur les figures 2 à 10, peut être avantageusement réalisée à moins de 5 p de la position d'interface tB. Dans la présente invention, la zone localisée précitée (B) peut être réalisée de façon à être identique à la totalité de la région (LT) de la couche, jusqu'à la profondeur correspondant à une épaisseur de 5 à partir de la position d'interface tBt ou bien, en variante, sous la forme d'une partie de la région (LT) de la couche. On peut choisir convenablement, suivant les caractéristiques demandées pour la couche amorphe à réaliser, si la zone localisée (B) est formée de façon à constituer une partie ou la totalité de la région (LT) de la couche. La zone localisée (B) peut être de préférence formée de façon que la concentration maximale Cmax de la répartition des atomes d'oxygène dans la direction de l'épaisseur de la couche soit avantageusement de 500 ppm ou plus, de préférence de 800 ppm ou plus et de façon plus préférable de 1000 ppm ou plus. Autrement dit, la région (O) de la couche peut être avantageusement formée afin que la concentration maximale C maux de la répartition puisse être présente dans une épaisseur de couche de 5 um p partir du côté support (la région de la couche étant à une épaisseur de 5 Pm à partir de tB) Dans la présente invention, la formation d'une première région (G) comprenant du a-SiGe(H, X) peut être effectuée par le procédé de déposition sous vide utilisant un phénomène de décharge, tel qu'un procédé à décharge d'effluves, un procédé de pulvérisation ou un procédé d'implantation ionique.Par exemple, pour la formation de la première région (G) de la couche comprenant du a-SiGe(H, X) par le procédé à décharge d'effluves, l'opération fondamentale consiste à introduire un gaz de départ pouvant fournir des atomes de silicium (Si) et un gaz de départ pouvant fournir des atomes de germanium (Ge) en même temps que, si cela est nécessaire, un gaz de départ permettant l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou un gaz de départ permettant l'introduction d'atomes d'halogène (X) dans la chambre de déposition qui peut être amenée intérieurement à une pression réduite, cette opération étant suivie du déclenchement d'une décharge d'effluves dans la chambre de déposition afin de former une couche comprenant du a-SiGe(H, X) sur la surface d'un support placé dans une position prédéterminée.Pour former la couche dans le procédé de pulvérisation, lorsque l'on procède à une pulvérisation à l'aide de deux feuilles d'une cible constituée de Si et d'une cible constituée de Ge, ou bien d'une feuille de cible contenant un mélange de Si et de Ge, dans une atmosphère constituée, par exemple, d'un gaz inerte tel que Ar, He, etc., ou d'un mélange gazeux basé sur ces gaz, un gaz destiné à l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogène (X) peut être introduit facultativement dans la chambre de déposition pour la pulvérisation. Le gaz de départ pour fournir du Si à utiliser dans la présente invention peut comprendre des siliciums hydrogénés gazeux ou gazéifiables (silanes) tels que SiH4, Si2H6, Si3H8, Si4H10 et autres substances comme matières efficaces. En particulier, SiH4 et Si06 sont préférés pour leur facilité de manipulation pendant la formation des couches et pour leur efficacité à fournir du Si. Comme substances pouvant être utilisées comme gaz de départ pour fournir du Ge, on peut introduire du germanium hydrogéné gazeux ou gazéifiable tel que GeH4, Ge2H6, Ge3H8, Ge4H10, Ge5H12, Ge6H14, Ge7H16, Ge8H18, Ge et autres, ces substances étant efficaces. En particulier, pour leur facilité de manipulation pendant les opérations de formation des couches et pour l'efficacité avec laquelle ils fournissent du germanium, GeH4, Ge2H6 et Ge3H8 sont préféres. Comme gaz efficaces de départ pour l'introduction d'atomes d'halogène à utiliser dans la présente invention, on peut employer un grand nombre de composés halogénés, y compris des composés d'halogène gazeux ou gazéifiable tels des halogènes gazeux, des halogénures, des composés interhalogénés ou des dérivés de silane substitués par des halogènes. En outre, on peut également utiliser des composés de siliciums hydrogénés, gazeux ou gazéifiables, contenant des atomes d'halogène, constitués d'atomes de silicium et d'atomes d'halogène comme éléments constitutifs, en tant que matières efficaces pour la présente invention. Des exemples typiques de composes halogénés utilisés de préférence dans la présente invention peuvent comprendre des halogenes gazeux tels que le fluor, le chlore, le brome ou l'iode, des composés interhalogénés tels que BrF, C1F, C1F31 BrF5, BrF3, IF3, IF7, ICl, IBr, etc. Comme composés de silicium contenant des atomes d'halogène, à savoir les composés appelés dérivés de silane substitués par des halogènes, on peut utiliser de préférence des halogénures de silicium tels que SiF4, Si2F6, SiCl4, SiBr4 et autres. Lorsque l'élément photoconducteur selon l'invention doit être réalisé par le procédé à décharge d'effluves en utilisant un tel composé de silicium contenant des atomes d'halogène, il est possible de former une première région (G) de couche comprenant du a-SiGe contenant des atomes d'halogène, sur un certain support, sans utilisation de silicium gazeux hydrogéné, comme matière de départ capable de fournir du Si, en même temps qu'un gaz de départ pour l'apport de Ge. Pour former une première région (G) contenant des atomes d'halogène par le procédé à décharge d'effluves, l'opération fondamentale comprend, par exemple, l'introduction d'un halogénure de silicium gazeux comme gaz de départ pour l'apport de Si, d'un germanium hydrogéné comme gaz de départ pour l'apport de Ge, et d'un gaz tel que Ar, H2, He, etc., dans des proportions de mélange et à des débits d'écoulement de gaz prédéterminés, ces substances étant introduites dans une chambre de déposition pour former la première région (G), et une décharge d'effluves étant déclenchée dans cette chambre afin de former une atmosphère constituée d'un plasma de ces gaz de façon que la première région (G) puisse être formée sur un certain support. Pour régler plus aisément la proportion d'atomes d'hydrogène introduits, ces gaz peuvent en outre être mélangés, a un niveau souhaité, avec un gaz constitué d'un composé de silicium contenant des atomes d'hydrogène. De plus, les gaz respectifs peuvent être utilisés non seulement sous la forme d'espèces simples, mais sous la forme d'un mélange de plusieurs espèces. Pour la formation d'une première région (G) comprenant du a-SiGe(H,X) par le procédé de pulvérisation-réaction, ou le procédé d'implantation ionique, par exemple dans le cas du procédé de pulvérisation, la pulvérisation peut être réalisée au moyen de deux feuilles formant une cible de Si et une cible de Ge, ou d'une feuille formant une cible constituée de Si et de Ge, dans une atmosphère constituée d'un certain plasma gazeux, ou bien, dans le cas du procédé d'implantation inonique, du silicium polycristallin ou -du silicium monocristallin et du germanînium polycristallin ou du germanium monocristallin sont placés chacun, en tant que sources de vapeur, dans une nacelle de déposition en phase vapeur, et ces sources sont vaporisées par chauffage, conformément au procédé de chauffage par résistance, ou bien au procédé à faisceau électronique (procédé EB), et le produit vaporisé ainsi dégagé peut traverser l'atmosphère constituée du plasma gazeux. Au cours de cette opération, soit par le procédé de pulvérisation soit par le procédé d'implantation ionique, l'introduction d'atomes d'halogène dans la couche formée peut être réalisée par l'introduction d'un gaz d'un composé halogéné ou d'un composé de silicium contenant des atomes d'halogène, comme décrit ci-dessus, dans la chambre de déposition, et par la formation d'une atmosphère constituée d'un plasma de ce gaz. De plus, pour l'introduction d'atomes d'hydrogène, un gaz de départ destiné a l'apport d'atomes d'hy drogène, tels que H2, ou un gaz constitué de silanes et/ou de germanium hydrogéné, par exemple ceux mentionnés précédemment, peut être introduit dans la chambre de déposition et une atmosphère constituée d'un plasma de ce gaz peut y être formée. Dans la présente invention, comme gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'halogène, on peut utiliser efficacement les composés halogénés ou les composés de silicium contenant des halogènes tels que ceux mentionnés précédemment. De plus, il est aussi possible d'utiliser un halogénure gazeux ou gazéifiable contenant un atome d'hydrogène en tant qu'élément constitutif, tel qu'un halogénure d'hydrogène, comprenant HF, HCl, HBr, HI et autres, du silicium hy2roriné substitué par un halogène, comprenant SiH2F2, SiH2I2, SiH2Cl2, SiHC13, SiH2Br2, SiHBr3 et autres, et des halogénures de germanium hydrogénés, comprenant GeHF3, GeH2F2, GeH3F, GeHCl3, GeH2C12, GeH3Cl, GeHBr3, GeH2Br2, GeH3Br, GeHI3, GeH2I2, GeH3I et autres; et des halogénures de germanium gazeux ou gazéifiables tels que GeF4, GeCl4, GeBr4, GeI4, GeF2, GeCl2, GeBr2, GeI2, et ainsi de suite, en tant que matière de départ efficace pour la formation d'une première région (G) de la couche amorphe. Parmi ces substances, des halogénures contenant l'atome d'hydrogène, qui peuvent introduire des atomes d'hydrogène de façon très efficace pour déterminer les caractéristiques électriques ou photoélectriques dans la couche, pendant la formation de la première région (G), en même temps que l'introduction d'atomes d'halogène, peuvent de préférence être utilisés comme matière de départ pour l'introduction d'atomes d'halogène. Pour l'incorporation structurelle d'atomes d'hydrogène dans la première région (G) de la couche, hormis le procédé ci-dessus, du H2 ou un silicium hydrogéné, comprenant SiH4, Si2H6, Si3H8 et Si4H10 et autres, et du germanium ou un composé de germanium pour l'apport de Ge, ou, en variante, un germanium hydrogéné tel que GeH4, Ge2H6, Ge3H8, Ge4H10, Ge5H12, Ge6H14, Ge7H16, Ge8H18, GegH20 et autres, et du silicium ou un composé de silicium pour l'apport de Si, peuvent être admis de façon à être présents en même temps dans une chambre de déposition dans laquelle une décharge est déclenchée. Dans des formes préférées de réalisation de l'invention, la quantité d'atomes d'hydrogène (H) ou d'atomes d'halogène (X) introduits dans la première région (G) constituant la couche amorphe formée, ou bien la quantité totale d'atomes d'hydrogène et d'atomes d'halogène (H + X) peut, en pourcentages atomiques, être avantageusement comprise entre 0,01 et 40%, de préférence entre 0,05 et 30%, et de façon plus préférable entre 0,1 et 25%. Pour déterminer les quantités d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogène (X) dans la première région (G) de la couche, par exemple, la température du support et/ou les quantités des matières de départ pour l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) ou d'atomes d'halogène (X) a introduire dans l'appareil de déposition, ou encore la puissance de décharge, peuvent être réglées. Dans la présente invention, pour la formation de la seconde région (S) de la couche, comprenant du a-Si(H,X), les matières de départ choisies parmi les matières de départ (I) pour la formation de la première région (G), telles que décrites ci-dessus, hormis la matière de départ utilisée comme gaz de départ pour l'apport de Ge (c'est-à-dire les matières de départ (II) pour la formation de la seconde région (S) de la couche) peuvent être utilises, en suivant le même procédé et les mêmes conditions que dans le cas de la formation de la première région (G) de la couche. Autrement dit, dans la présente invention, la formation d'une seconde région (S) de la couche, comprenant du a-Si(H,X) peut etre effectuée par le procédé de déposition sous vide utilisant un phénomène de décharge, tel qu'un procédé à décharge d'effluves, un procédé de pulvérisation ou un procédé d'implantation ionique. Par exemple, pour la formation de la seconde région (S) de la couche comprenant du a-Si(H,X) par le procédé à décharge d'effluves, l'opération fondamentale consiste à introduire un gaz de départ pouvant fournir des atomes de silicium (Si) ainsi que, si cela est nécessaire, un gaz de départ permettant l'introduction d'atomes d'hydrogène et/ou d'atomes d'halogène dans la chambre de déposition à l'intérieur de laquelle une pression réduite peut être établie, l'opération consistant également à déclencher une décharge d'effluves dans la chambre de déposition afin de former une couche comprenant du a-Si(H,X) sur la surface d'un support placé dans une position prédéterminée.Pour la formation de la couche par le procédé de pulvérisation, lorsqu'on effectue une pulvérisation en utilisant une cible constituée de Si dans une atmosphère constituée de, par exemple, un gaz inerte tel que Ar, He, etc., ou un mélange gazeux basé sur ces gaz, un gaz permettant l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogène (X) peut être introduit dans la chambre de déposition pour la pulvérisation. Pour la formation d'une région (PN) de la couche contenant une substance (C) destinée à déterminer les caractéristiques de conduction, par exemple les atomes du groupe III ou les atomes du groupe V, par introduction structurelle de la substance (C) dans la région constituant la couche amorphe, une matière de départ permettant l'introduction des atomes du groupe III ou une matière de départ permettant l'introduction des atomes du groupe V peut être introduite à l'état gazeux dans la chambre de déposition, en même temps que d'autres matières de départ pour la formation de la couche amorphe. En tant que matières de départ permettant l'introduction des atomes du groupe III, on peut utiliser avantageusement des composés gazeux ou au moins gazéifiables dans les conditions de formation de la couche. Des exemples typiques de telles matières de départ permettant l'introduction des atomes du groupe III peuvent comprendre du bore hydrogéné tel que B H B4Hlo, B5Hg, B5Hllt B6H10n 6 12 6 14 et autres, des halogénures de bore tels que BF3, BC13, BBr3 et autres pour l'introduction d'atomes de bore. De plus, on peut également utiliser Ale13, Gai31 Ga(CH3)3, InC13, T1C13, etc. En tant que matière de départ pour l'introduction des atomes du groupe V pouvant être utilisée efficacement dans la présente invention, on peut mentionner du phosphore hydrogéné tel que PH3, P2H4 et autres, des halogénures de phosphore tels que PH4I, PF3, PF , PC13, PCl5, PBr3, PBr5, PI3 et autres pour l'introduction d'atomes de phosphore. On peut également utiliser AsH3, AsF3, AsC13, AsBr31 AsF5, SbH3, SbF3, SbF5, SbC13, SbCl5, SiH3, SiC13, BiBr3, etc. comme matières de départ efficaces pour l'introduction des atomes du groupe V. Pour la formation de la région (O) de la couche contenant des atomes d'oxygène dans la couche amorphe, on peut utiliser une matière de départ permettant l'introduction d'atomes d'oxygène en même temps que la matière de départ utilisée pour la formation de la couche amorphe, comme mentionné précédemment, pendant la formation de la couche, et on peut introduire ces matières dans la couche tout en réglant leurs quantités. Lorsque le procédé à décharge d'effluves doit être utilisé pour la formation de la région (O) de la couche, une matière de départ permettant l'introduction d'atomes d'oxygène peut être ajoutée à la matière de départ choisie comme souhaité parmi celles utilisées pour la formation de la couche amorphe, comme mentionné précédemment.En tant que matière de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène, on peut utiliser la plupart des substances gazeuses ou gazéifiables contenant au moins des atomes d'oxygène comme atomes constitutifs. Par exemple, on peut utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant des atomes de silicium (Si) comme atomes constitutifs, un gaz de départ contenant des atomes d'oxygène (O) comme atomes constitutifs et, facultativement, un gaz de départ contenant des atomes d'hy drogène (H) et/ou des atomes d'halogène (X) comme atomes constitutifs, dans une proportion de mélange souhaitée; un mélange d'un gaz de départ contenant des atomes de silicium (Si) comme atomes constitutifs et d'un gaz de départ contenant des atomes d'oxygène (O) et des atomes d'hydrogène (H) comme atomes constitutifs, également dans une proportion de mélange souhaitée; ou un mélange d'un gaz de départ contenant des atomes de silicium (Si) comme atomes constitutifs et d'un gaz de départ contenant les trois atomes de silicium (Si), d'oxygène (O) et d'hydrogène (H) comme atomes constitutifs. En variante, on peut également utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant des atomes de silicium (Si) et des atomes d'hydrogène (H) en tant qu'atomes constitutifs, et un gaz de départ contenant des atomes d'oxygène (O) comme atomes constitutifs. On peut mentionner plus particulièrement, par exemple l'oxygène (02) l'ozone (03)1 le monooxyde d'azote (NO), le bioxyde d'azote (NO2), le protoxyde d'azote(N2O), l'anhydride azoteux (N203), le peroxyde d'azote (N204), l'anhydride azotique (N205), le trioxyde d'azote (No3), et des siloxanes inférieurs contenant des atomes de silicium (Si), des atomes d'oxygène (O) et des atomes d'hydrogène (H) en tant qu'atomes constitutifs, tels que le disiloxane H3SiOSiH3, le trisiloxane H3SiOSiH2OSiH3, et autres. Pour la formation de la région (O) de la couche contenant des atomes d'oxygène par le procédé de pulvérisation, une tranche de Si monocristallin ou polycristallin ou une tranche de SiO2, ou encore une tranche contenant du Si et du SiO2 en mélange peut être utilisée et une pulvérisation de ces tranches peut être conduite dans diverses atmosphères gazeuses. Par exemple, lorsqu'une tranche de Si est utilisée comme cible, un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène, avec, facultativement, un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'hydrogène et/ou d'atomes d'halogène, qui peut être facultativement dilué avec un gaz de dilution, peut être-introduit dans une chambre de déposition pour réaliser une pulvérisation afin de former un plasma de ces gaz, chambre dans laquelle une pulvérisation peut être effectuée à l'aide de ladite tranche de Si. En variante, en utilisant des cibles séparées de Si et de SiO2, ou bien une feuille formant une cible contenant du Si et du SiO2 en mélange, on peut effectuer une pulvérisation dans une atmosphère constituée d'un gaz de dilution utilisé comme gaz de pulvérisation, ou bien dans une atmosphère gazeuse contenant au moins des atomes d'hydrogène (H) et/ou des atomes d'halogène (X) en tant qu'atomes constitutifs. Comme gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène, on peut utiliser les gaz de départ indiqués dans les exemples concernant le procédé à décharge d'effluves décrit précédemment, qui sont également des gaz efficaces dans le cas d'une pulvérisation. Dans la présente invention, en produisant une région (O) de couche contenant des atomes d'oxygène pendant la formation de la couche amorphe, la formation de la région (O) ayant une répartition souhaitée (profil en profondeur) d'atomes d'oxygène dans la direction de l'épaisseur de la couche formée par variation de la concentration C(O) de la répartition des atomes d'oxygène contenus dans ladite région (O), peut être réalisée, dans le cas d'une décharge d'éffluves, par l'introduction d'un gaz de départ, destiné à l'apport d'atomes d'oxygène, dans une chambre de déposition, en même temps que le débit d'écoulement de ce gaz est modifié de façon convenable, conformément à une courbe souhaitée de rythme de variation.Par exemple, par le procédé manuel ou par tout autre procédé utilisé classiquement, par exemple un procédé utilisant un moteur. a entraînement extérieur,etc., l'ouverture d'une certaine valve à pointeau placée sur le trajet d'écoulement du gaz, peut être modifiée progressivement. Au cours de cette opération, le rythme de variation du débit d'écoulement du gaz ne doit pas nécessairement être linéaire, mais le débit d'écoulement du gaz peut être commandé suivant une courbe de rythme de variation établie à l'avance, par exemple au moyen d'un microcalculateur, afin que l'on obtienne une courbe de teneurs souhaitée. Dans le cas où la région (O) de la couche est formée par le procédé de pulvérisation, une première opération pour la formation d'une répartition souhaitée (profil en profondeur) des atomes d'oxygène dans la direction de l'épaisseur de la couche par variation de la concentration C(O) en répartition des atomes d'oxygène dans la direction de l'épaisseur de la couche peut être réalisée de la même façon que dans le cas du procédé à décharge d'effluves, par l'utilisation d'une matière de départ permettant l'introduction d'atomes d'oxygène à l'état gazeux et par variation convenable, comme souhaité, du débit d'écoulement du gaz lorsqu'il est introduit dans la chambre de déposition. Ensuite, la formation d'un tel profil en profondeur peut également être obtenue par modification préalable de la composition d'une cible utilisée pour la pulvérisation. Par exemple, lorsqu'une cible constituée d'un mélange de Si et de SiO2 doit être utilisée, la proportion de mélange du Si au SiO2 peut être modifiée dans la direction de l'épaisseur des couches de la cible. Le support à utiliser dans la presente invention peut être conducteur du courant électrique ou isolant. En tant que matière électroconductrice, on peut mentionner des métaux tels que NiCr, de l'acier inoxydable, AI, Cr, Mo, Au, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd etc., ou des alliages de ces métaux. En tant que supports isolants, on peut utiliser habituellement des pellicules ou des feuilles de résines synthétiques, comprenant du polyester, du polyéthylène, du polycarbonate, de l'acétate de cellulose, du polypropylène, du polychlorure de vinyle, du polychlorure de vinylidène, du polystyrène, du polyamide, etc., des verres, des céramiques, des papiers etc. Ces supports isolants doivent de préférence avoir au moins une surface soumise à un traitement électroconducteur, et il est souhaitable de prévoir d'autres couches sur la face ayant été soumise au traitement électroconducteur. Par exemple, un traitement électroconducteur d'un verre peut être effectué par la formation d'une mince pellicule de NiCr, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, In203, SnO2, ITO (IN203 + SnO2) sur celui-ci. En variante, la surface d'une pellicule de résine synthétique telle qu'une pellicule de polyester peut être soumise au traitement électroconducteur consistant en un dépôt sous vide en phase vapeur, en un dépôt par faisceau d'électrons ou en une pulvérisation d'un métal tel que NiCr, Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, etc. ou encore un traitement de stratification avec ledit métal, rendant cette surface électroconductrice. Le support peut être configuré dans toute forme telle que celle de cylindres, de courroies, de plaques ou autres, et sa forme peut être déterminée comme souhaité. Par exemple, lorsque l'élément photoconducteur 100 de la figure 1 doit être utilisé en tant qu'élément de formation d'image en électrophotographie, il peut être avantageusement réalisé sous la forme d'une courroie sans fin ou d'un cylindre destiné à être utilisé dans des opérations de reproduction continue à grande vitesse. Le support peut avoir une épaisseur qui est commodément déterminée de façon que l'on puisse former un élément photoconducteur tel que souhaité. Lorsque l'élément photoconducteur doit avoir une certaine flexibilité, le support est réalisé de façon à être aussi mince que possible dans la mesure où la fonction de support peut être assurée.Cependant, dans un tel cas, l'épaisseur est généralement de 10pm ou plus, compte tenu des critères de fabrication et de manipulation du support, ainsi que de sa résistance mécanique. La figure 28 représente schématiquement la constitution stratifiée d'une autre forme préférée de réalisation de l'élément photoconducteur selon l'invention. L'élément photoconducteur 2800 montré sur la figure 28 comporte une première couche amorphe (I) 2802 et une seconde couche amorphe (II) 2805 appliquées sur un support 2801 destiné a cet élément photoconducteur, la seconde couche amorphe (II) 2805 présentant, sur l'une de ses faces extrêmes, une surface libre 2806. L'élément photoconducteur 2800 tel que montré sur la figure 28 présente la même constitution stratifiée que l'élément photoconducteur montré sur la figure 1, sauf qu'il comporte une seconde couche amorphe 2805 appliquée sur la première couche amorphe 2802. Autrement dit, l'élément photoconducteur 2800 comporte une première couche amorphe 2802 ayant la même constitution que la couche amorphe 102 de l'élément photoconducteur 100 montré sur la figure 1. La seconde couche amorphe (II) 2805 formée sur la première couche amorphe (I) 2802 de l'élément photoconducteur 2800 tel que montré sur la figure 28 présente une surface libre~et est destinée principalement à atteindre les objectifs de la présente invention en ce qui concerne la résistance à l'humidité, les caractéristiques d'utilisation continue et répétée, la rigidité diélectrique, les caractéristiques vis-à-vis du milieu ambiant pendant l'utilisation et la longévité. De plus, dans la présente invention, étant donné que les matières amorphes formant la première couche amorphe (I) 2802 et la seconde couche amorphe (II) 2805 ont comme constituants communs l'atome de silicium, la stabilité chimique est suffisamment assurée à l'interface des couches. La seconde couche amorphe (II) comprend une matière amorphe contenant des atomes de silicium (Si), des atomes de carbone (C) et, facultativement, des atomes d'hydrogène (H) et/ou des atomes d'halogène (X) {cette matière étant désignée ci-après''a-(SixCl X)y(H,X)l y" où O La formation de la seconde couche amorphe (II) comprenant du a-(SixC1-x)y(H,X)1-y peut être effectuée par le procédé à décharge d'effluves, le procédé de pul vérisation, le procédé d'implantation ionique, le procédé de pulvérisation ionique, le procédé à faisceau d'électrons, etc. Ces procédés de préparation peuvent être choisis convenablement suivant divers facteurs tels que les conditions de préparation, la charge constituée par l'investissement en capitaux pour les installations, l'échelle de production, les caractéristiques souhaitables et demandées à l'élément photoconducteur à préparer, etc. En raison des avantages d'une maîtrise relativement aisée des conditions de préparation d'éléments photoconducteurs ayant des caractéristiques souhaitées et d'une introduction aisée d'atomes de silicium et d'atomes de carbone, ainsi que, facultativement, des atomes d'hydrogène ou des atomes d'halogène, dans la seconde couche amorphe (II) à préparer, on peut utiliser de préférence le procédé à décharge d'effluves ou le procédé de pulvérisation. En outre, dans la présente invention, la seconde couche amorphe (II) peut être formée par l'utilisation du procédé à décharge d'effluves et du procédé de pulvérisation, en association, dans le même appareil. Pour la formation de la seconde couche amorphe (II) par le procédé à décharge d'effluves, des gaz de départ pour la formation de a-(SixC1-x)y(H,X)1-y, mélangés, le cas échéant, en une proportion prédéterminée, avec un gaz de dilution, peuvent être introduits dans une chambre de déposition sous vide dans laquelle un support est place, et le gaz introduit est mis sous la forme d'un plasma gazeux par déclenchement d'une décharge d'effluves, afin qu'il se dépose du a-(SixC1-x) y(H,X)1-y sur la première couche amorphe (I) qui a déjà été formée sur le support précité. Comme gaz de départ pour la formation de a-(SixC1-x) y(H,X)1-y pouvant être utilisés dans la présente invention, il est possible d'employer la plupart des substances gazeuses ou des substances gazéifiées et gazéifiables contenant au moins l'un des Si, C, H et X en tant qu'atomes constitutifs. Dans le cas où l'on utilise un gaz de départ ayant du Si, comme atomes constitutifs, ainsi que l'un des Si, C, H et X, on peut faire appel, par exemple, à un mélange d'un gaz de départ contenant du Si en tant qu'atome constitutif, et d'un gaz de départ contenant C comme atome constitutif et, facultativement, d'un gaz de départ contenant H comme atome constitutif et d'un gaz de départ contenant X comme atome constitutif, dans une proportion de mélange souhaitée, ou bien, en variante, un mélange d'un gaz de départ contenant Si comme atomes constitutifs et d'un gaz de départ contenant C et H comme atomes constitutifs et/ou d'un gaz de départ contenant C et X comme atomes constitutifs, également dans une proportion de mélange souhaitée, ou. bien un mélange d'un gaz de départ contenant Si comme atomes constitutifs et d'un gaz contenant trois atomes Si, C et H en tant qu'atomes constitutifs, ou encore d'un gaz contenant trois atomes Si, C et X comme atomes constitutifs. En variante, il est également possible d'utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant Si et H comme atomes constitutifs, avec un gaz de départ contenant C comme atome constitutif, ou bien un mélange d'un gaz de départ contenant Si et X comme atomes constitutifs avec un gaz de départ contenant C comme atome constitutif. Dans la présente invention, des atomes d'halogène (X) qu'il est préférable d'introduire dans la seconde couche amorphe (II) sont F, C1, Br et I, F et C1 étant particulièrement préférés. Dans la présente invention, les composés qui peuvent être utilisés efficacement comme gaz de départ pour la formation de la seconde couche amorphe (II) peuvent comprendre ceux qui sont gazeux à la température normale et à la pression normale ou qui peuvent être aisément gazeux fiés. Dans la présente invention, les gaz de départ utilisés efficacement pour la formation de la seconde couche amorphe (II) peuvent comprendre des siliciums hydrogénés gazeux contenant Si et H comme atomes constitutifs tels que des silanes (par exemple SiH4, Si2H6, Si3H8, Si4H101 etc.), des composés contenant C et H comme atomes constitutifs tels que des hydrocarbures saturés ayant 1 à 5 atomes de carbone, des hydrocarbures éthyléniques ayant 2 à 5 atomes de carbone et des hydrocarbures acétyléniques ayant 2 à 4 atomes de carbone, des substances halogénées simples, des halogénures d'hydrogène, des composés interhalogénés, des halogénures de silicium, des siliciums hydrogénés substitués par un halogène, des siliciums hydrogénés et autres. Plus particulièrement, on peut utiliser, comme hydrocarbures saturés, le méthane (CH4), l'éthane (C2H6), le propane (C3H8), le n-butane (n-C4H10), le pentane (C5H12); comme hydrocarbures éthyléniques, l'éthylène (C2H4), le propylène (C3H6), le butene-l (C4H8), le butène-2 (C4H8), l'isobutylène (C4H8), le pentène (C5Hlo); comme hydrocarbures acétyléniques, l'acétylène IBr; comme halogénures de silicium, SiF4, Si2F6, SiC14, SiC13Br, SiC12Br2, SiClBr3, SiC13I, SiBr4; comme siliciums hydrogénés substitués par un halogène, SiH2F2, SiH2C12, SiHCl31 SiH3Cl, SiH3Br, SiH2Br2, SiHBr3; comme siliciums hydrogénés, des silanes tels que SiH4, Si2H6, Si4Hlo, etc.; et ainsi de suite. En plus de ces matières, on peut également utiliser des hydrocarbures paraffiniques substitués par un halogène tels que CF4, CC14, CBr4, CHF3, CH2F2, CH3F, CH3C1, CH3Br, CH3I, C2H5C1 et autres, des composés de soufre fluorés tels que SF4, SF6 et autres; des alkyl silanes tels que Si(CH3)4, Si(C2H5)4; des alkyl - silanes contenant un halogène tels que SiCl(CH3)3, SiC12(CH3)2, SiC13CH3 et autres, en tant que matières efficaces. Ces matières pour former la seconde couche amorphe (II) peuvent être choisies et utilisées comme souhaité pendant la formation de la seconde couche amorphe (II) de manière que des atomes de silicium, des atomes de carbone.et des atomes d'halogène et, facultativement des atomes d'hydrogène puissent être introduits dans une proportion de composition souhaitée dans la seconde couche amorphe (II) à former. Par exemple, du Si(CH3)4, capable d'introduire aisément des atomes de silicium, des atomes de carbone et des atomes d'hydrogène et de former une couche ayant des caractéristiques souhaitées, ainsi qu'une matière permettant l'introduction d'atomes d'halogène tels que SiHC13, SiH2C12, SiC14 ou SiH3Cl, peuvent etre introduits dans une certaine proportion de mélange, à .letat gazeux, dans un appareil destiné à la formation de la seconde couche amorphe (II) dans lequel une décharge d'effluves est déclenchée afin de former une seconde couche amorphe (II) comprénant du a-(SixCl~x)(Cl+H)l~y. Pour la formation de la seconde couche amorphe (II) par le procédé de pulvérisation, une tranche de Si monocristallin ou polycristallin, ou une tranche de C ou une tranche contenant Si et C en mélange, est utilisée comme cible et soumise à une pulvérisation dans une atmosphère constituée de divers gaz contenant, si cela est souhaité, des atomes d'halogène et/ou des atomes d'hydrogène en tant qu'atomes constitutifs. Par exemple, lorsqu'une tranche de Si est utilisée comme cible, un gaz de départ permettant l'introduction de C et H et/ou X, qui peut être dilué avec un gaz de dilution, si cela est souhaité, peut être introduit dans une chambre de déposition par pulvérisation pour y former un plasma gazeux et permettre la pulvérisation à l'aide de la tranche de Si. En variante, du Si et du C sous forme de cibles séparées ou une feuille cible formée d'un mélange de Si et de C, peuvent être utilisés et une pulvérisation peut être effectuée dans une atmosphère gazeuse contenant, si cela est nécessaire, des atomes d'hydrogène et/ou des atomes d'halogène. Comme gaz de départ permettant lin- troduction de C, H et X, on peut utiliser les matières destinées à la formation de la seconde couche amorphe (II) telles que mentionnées dans le procédé à décharge d'effluves, décrit précédemment, ces gaz étant également efficaces dans le cas de la pulvérisation. Dans la présente invention, comme gaz de dilution à utiliser dans la formation de la seconde couche amorphe (II) par le procédé à décharge d'effluves ou par le procédé de pulvérisation, on peut employer de préférence des gaz dits rares tels que He, Ne, Ar et autres. La seconde couche amorphe (II) de la présente invention doit être formée avec soin afin qu'eltle-puisse acquérir les caractéristiques demandées exactement comme souhaité. Ainsi, une substance contenant, comme atomes constitutifs, Si, C et, si cela est nécessaire, H et/ou X, peut prendre diverses formes, de la forme cristalline à la forme amorphe, peut avoir des propriétés électriques allant de l'état conducteur à l'état isolant en passant par l'état semi-conducteur, et des propriétés photoconductrices allant de la photoconductivité à la non-photoconductivité, suivant les conditions de préparation. Par conséquent, dans la présente invention, les conditions de préparation sont choisies de façon stricte, comme souhaité, afin que l'on puisse former du a-(SixCl~x)y(H,X)l-y ayant les caractéristiques souhaitées, suivant l'application prévue. Par exemple, lorsque la seconde couche amorphe (II) est destinée principalement à améliorer la rigidité diélectrique, du a-(SixC1-x)y(H,X)1-y est préparé comme matière amorphe ayant un comportement d'isolation électrique marqué dans les conditions d'utilisation. En variante, lorsque la fonction principale prévue pour la seconde couche amorphe (II) est d'améliorer les caractéristiques d'utilisation continue et répétée ou les caractéristiques présentées vis-à-vis du milieu ambiant, l'importance de la propriété d'isolation électrique, indiquée ci-dessus, peut être atténuée dans une certaine mesure et on peut préparer du a- (SixC 1-x)y (H,X)1-y en tant que matière amorphe ayant une certaine sensibilité à la lumière l'irradiant. Lors de la formation de la seconde couche amorphe (II) comprenant du a-(SixC1-x)y(H,X)1-y sur la surface de la première couche amorphe (I), la température du support pendant la formation de la couche est un facteur important ayant des influences sur la structure et les caractéristiquesde la couche formée, et il est souhaitable, dans la présente invention, de maîtriser étroitement la température du support pendant la formation de la couche afin que l'on puisse préparer comme souhaité du a-(SixCl X)y(H,X)l y ayant les caractéristiques prévues. Comme température du support utilisée lors de la formation de la seconde couche amorphe (II) pour attein dre efficacement les objectifs de la présente invention, on peut choisir convenablement la plage de températures optimale en conformité avec le procédé mis en oeuvre pour former la seconde couche amorphe (II). Cependant, la température du support peut être avantageusement de 20 à 400 C, de préférence de 50 à 3500C, et, de façon plus préférable, de 100 à 3O00C. Pour la formation de la seconde couche amorphe (II), le procédé à décharge d'effluves ou le procédé de pulvérisation peut être avantageusement adopté, car il permet de maîtriser relativement aisément, par rapport à d'autres procédés, le contrôle strict du rapport de composition des atomes constituant la couche ou le contrôle de l'épaisseur de la couche. Dans 1 cas où la seconde couche amorphe (II) doit être formée par ces procédés de formation de couches, la puissance de décharge pendant la formation de la couche constitue l'un des facteurs importants ayant une influence sur les caractéristiques du a-(SixCl (H,X) a prépa x y 1-y rer, au même titre que la température précitée du support. La puissance de décharge utilisée pour préparer efficacement du a-(SixC1-x)y(H,X)1-y ayant des caractéristiques permettant d'atteindre les objectifs de la présente invention, avec une bonne productivité, peut être avantageusement comprise entre 10 et 300 watts, de préférence entre 20 et 250 watts, et de façon plus préférable entre 50 et 200 watts. La pression du gaz dans une chambre de déposition peut être avantageusement comprise entre 1,33 et 133 Pa, et de préférence entre 13,3 et 66,6 Pa. Dans la présente invention, les plages numériques précitées peuvent être mentionnées à titre de préférence pour la température du support, la puissance de décharge, etc. Cependant, les facteurs utilisés pour la formation de la couche ne sont pas déterminés séparément et indépendamment les uns des autres, mais il est souhaitable que les valeurs optimales des facteurs respectifs de formation des couches puissent être déterminées sur la base de relations organiques mutuelles afin qu'une seconde couche amorphe comprenant du a-(SixC1-x)y(H,X)1-y, ayant des caractéristiques souhaitées, puisse être formée. La teneur en atomes de carbone de la seconde couche amorphe (II) de l'élément photoconducteur selon l'invention est un facteur important pour l'obtention des caractéristiques souhaitées permettant d'atteindre les objectifs de l'invention, au même titre que les conditions de préparation de la seconde couche amorphe (II). La teneur en atomes de carbone de la seconde couche amorphe (II) peut être convenablement déterminée suivant le type de matière amorphe utilisée pour former ladite couche et sa propriété. Autrement dit, la matière amorphe représentée par la formule précédente a-(SixCl~x)y(H,X)l-y peut être classée globalement en une matière amorphe constituée d'atomes de silicium et d'atomes de carbone (désignée ci-après "a-SiaCl~a", où 0 Dans la présente invention, la teneur en atomes de carbone de la seconde couche amorphe (II), lorsqu'elle est constituée de a-SiaC1-a, peut être avantageusement comprise, en pourcentages atomiques, entre 1 x 10 et 90%, de préférence entre 1 et 80%, et de façon plus préférable entre 10 et 75%. Autrement dit, en utilisant les termes de la représentation indiquée ci-dessus, a, faisant partie de la formule a-SiaC1-a, peut être avantageusement compris entre 0,1 et 0,99999, de préférence entre 0,2 et 0,99, et, de façon plus préférable, entre 0,25 et 0,9. Dans la présente invention, lorsque la seconde couche amorphe (II) est constituée de a-(SibC1-b)cH1-c, la teneur en atomes de carbone contenus dans ladite couche (II) peut être comprise, en pourcentages atomiques, avantageusement entre 1 x 10 3 et 90%', de préférence entre 1 et 90%, et de façon plus préférable entre 10 et 80%. La teneur en atomes d'hydrogène peut, en pourcentages atomiques, être avantageusement comprise entre 1 et 40%, de préférence entre 2 et 35% et de façon plus préférable entre 5 et 30%. Un élément photoconducteur réalisé de façon à avoir une teneur en atomes d'hydrogène comprise dans ces plages est suffisamment efficace pour s'avérer excellent dans des applications pratiques. Autrement dit, en utilisant les termes de la représentation a-(SibC1-b)cH1-c, b peut être avantageusement compris entre 0,1 et 0,99999, de préférence entre 0,1 et 0,99, et de façon plus préférable entre 0,15 et 0,9, et c peut etre avantageusement compris entre 0,6 et 0,99, de préférence entre 0,65 et 0,98, et de façon plus préférable entre 0,7 et 0,95. Lorsque la seconde couche amorphe (II) est constituée de a-(SidCl d)e(H,X)l e' la teneur en atomes de carbone contenus dans ladite couche (II) peut, en pourcentages atomiques, être avantageusement comprise entre 1 x 10 3 et 90%, de préférence entre 1 et 90%, et de façon plus préférable entre 10 et 80%. La teneur en atomes d'halogène peut, en pourcentages atomiques, être avantageusement comprise entre 1 et 20%, de préférence entre 1 et 18%, et de façon plus préférable entre 2 et 15%. Un élément photoconducteur réalisé de façon à avoir une teneur en atomes d'halogène comprise dans ces plages est suffisamment efficace pour s'avérer excellent dans des applications pratiques. La teneur en atomes d'hydrogène pouvant être facultativement introduits, peut, en pourcentages atomiques, être avantageusement de 19% ou moins, et de préférence de 13% ou moins. Autrement dit, en utilisant les termes de la représentation a-(SidC1~d)e(H,X)l-ew d peut être avantageusement compris entre 0,1 et 0,99999, de préférence entre 0,1 et 0,99, et de façon plus préférable entre 0,15 et 0,9, et e peut être avantageusement compris entre 0,8 et 0,99, de préférence entre 0,82 et 0,99, et de façon plus préférable entre 0,85 et 0,98. La plage de valeurs numériques d'épaisseur de la seconde couche amorphe (II) est l'un des facteurs importants permettant d'atteindre efficacement les objectifs de la présente invention. Elle peut être avantageusement déterminée suivant l'application prévue afin que les objectifs de la présente invention puissent être atteints efficacement. L'épaisseur de la seconde couche amorphe (II) doit être déterminée comme souhaité et convenablement en tenant compte des relations avec les teneurs en atomes de carbone, l'épaisseur de la première couche amorphe (I) ainsi que d'autres relations organiques avec les caractéristiques demandées pour les régions des couches respectives. De plus, il est également souhaitable de tenir compte du point de vue économique tel que la produc tivité ou la possibilité de production en grande série. I1 est souhaitable que la seconde couche amorphe (II) selon l'invention ait une épaisseur comprise avantageusement entre 0,003 et 30 m, de préférence entre 0,004 et 20 pm, et de façon plus préférable entre 0,005 et 10 vm Un exemple du procédé de production de l'élément photoconducteur selon l'invention sera a présent brièvement décrit. La figure 11 représente un exemple d'un appareil destiné à la production d'un élément photoconducteur. Des bombes ou bouteilles de gaz 1102 - 1106 contiennent hermétiquement des gaz de départ pour la formation de l'élément photoconducteur selon l'invention. Par exemple, une bouteille 1102 contient du SiH4 gazeux (pureté: 99,999%), dilué avec He (désigné ci-après sous la forme abrégée "SiH4/He"); une bouteille 1103 contient du GeH4 gazeux (pureté: 99,999%), dilué avec He (désigné ci-après sous la forme abrégée "GeH4/He"); une bouteille 1104 contient du SiF4 gazeux (pureté: 99,99%) dilué avec He (désignéci'après sous la forme abrégée "SiF4/He"); une bouteille 1105 contient du He gazeux (pureté: 99,999%), et une bouteille 1106 contient du H2 gazeux (pureté: 99,999%). Pour permettre à ces gaz de pénétrer dans la chambre 1101 de réaction, une fois confirmée la fermeture des robinets ou valves 1122 - 1126 des bouteilles de gaz 1102 - 1106 et de la valve de fuite 1135, et une fois confirmée l'ouverture des valves ou robinets d'entrée 1112 1116, des valves ou robinets de sortie 1117 - 1121 et des valves ou robinets auxiliaires 1132, 1133, on ouvre d'abord la valve principale 1134 pour évacuer la chambre de réaction 1101 et les conduites de gaz. Lors de l'étape suivante, lorsque l'indicateur 1136 de vide affiche une valeur d'environ 666,6 x 10 6 Pa, on ferme les valves auxiliaires 1132 et 1133 et les valves de sortie 1117 1121. En se référant à présent à un exemple de formation d'une couche amorphe sur le substrat cylindrique 1137, on permet à du SiH4/He gazeux provenant de la bouteille 1102 et à du GeH4/He gazeux provenant de la bouteille 1103 de circuler dans des régulateurs 1107 et 1108 de débit massique en ouvrant les valves 1122 et 1123, respectivement, et on règle à 100 kPa les pressions affi chées par les manomètres de sortie 1127 et 1128, en ouvrant progressivement les valves 1112 et 1113. Puis on ouvre progressivement les valves de sortie 1117 et 1118 et la valve auxiliaire 1132 pour permettre aux gaz respectifs de pénétrer dans la chambre 1101 de réaction. On règle les valves de sortie 1117 et 1118 afin que le rapport du débit d'écoulement du SiH4/He et du GeH4/He puisse avoir une valeur souhaitée et on règle également l'ouverture de la valve principale 1134 tout en surveillant la valeur affichée par l'indicateur de vide 1136 afin que la pression régnant dans la chambre de réaction puisse atteindre une valeur souhaitée. Après confirmation du réglage à 50 - 4000C, par l'élément chauffant 1138 de la température du substrat cylindrique 1137, on règle la source 1140 d'alimentation en énergie a une puissance souhaitée pour déclencher une décharge d'effluves dans la chambre 1101 de réaction, afin d'introduire des atomes de germanium dans la couche formée. Comme décrit ci-dessus, la décharge d'effluves est maintenue pendant une période de temps souhaitée jusqu'à ce qu'une première région (G) de couche soit formée sur le substrat 1137. Au moment ou la première région (G) est formée a une épaisseur souhaitée, en suivant les mêmes conditions et le meme processus que ceux utilisés lors de la formation de la première région, sauf que l'on ferme complètement la valve 1118 de sortie et que l'on modifie les conditions de décharge, si cela est souhaité, on maintient une décharge d'effluves pendant une période de temps souhaitée afin qu'une seconde région (S) de couche, ne contenant pratiquement pas d'atomes de germanium, puisse être formée sur la première région (G). Pour rendre non uniforme la répartition des atomes de germanium dans la première région (G), au stade où les opérations préliminaires sont achevées confónhent à un processus prédéterminé, une décharge d'effluves peut être déclenchée en même temps que l'on effectue l'opération consistant à modifier le débit d'écoulement du GeH4/He gazeux, conformément à une courbe de rythme de variation déterminée précédemment, en modifiant progressivement l'ouverture de la valve 1118, à la main ou au moyen d'un moteur entraîné extérieurement, afin qu'il soit possible de contrôler la concentration en répartition des atomes de germanium contenus dans la couche formée. Pour introduire structurellement des atomes d'oxygène dans la première région (G), dans la seconde région (S) ou dans ces deux régions, on peut introduire, en plus des gaz tels que ceux décrits ci-dessus, utilisés pour la formation des régions respectives, un gaz de départ permettant l'introduction d'atomes d'oxygène, par exemple NO. De plus, pour rendre non uniforme la répartition des atomes d'oxygène dans la direction de l'épaisseur de la région de la couche, on peut utiliser le même procédé que celui décrit précédemment dans le cas des atomes de germanium. Pour l'introduction d'une substance destinée à déterminer les caractéristiques de conduction de la première région (G), de la seconde région (S) ou des deux, on peut ajouter un gaz tel que B2H6, PH3, etc. aux gaz devant être introduits dans la chambre 1101 de déposition pendant la formation des régions respectives. Durant le processus de formation de la couche, pour obtenir une formation de couche uniforme, on peut faire tourner le substrat 1137, comme souhaité, à une vitesse constante au moyen d'un moteur 1139. Pour la préparation d'un élément photoconducteur ayant la même constitution stratifiée que celle montrée sur la figure 28, une seconde couche amorphe (II) peut être formée sur la première couche amorphe (I) qui a été formée à une épaisseur souhaitée de la même façon que pour former la couche amorphe telle que mentionnée ci-dessus. Autrement dit, la formation de la seconde couche amorphe (II) peut être réalisée par les mêmes manoeuvres des valves que dans'le cas de la formation de la première couche amorphe (I), par exemple en permettant à du SiH4 gazeux, et du C2H4 gazeux, facultativement dilués avec un gaz de dilution tel que He, de pénétrer dans la chambre de réaction, et en déclenchant une décharge d'effluves dans cette chambre, après que les conditions souhaitées ont été établies. Pour l'introduction d'atomes d'halogène dans la seconde couche amorphe {il), par exemple, du 81F4 gazeux et du C2H4 gazeux, ou un mélange de ces gaz avec du SiH4 gazeux, peuvent etre utilisés! et la seconde couche amorphe (II) peut être formée de la même façon que celle décrite précédemment. La teneur en atomes de carbone à introduire dans la seconde couche amorphe (II) peut être réglée comme souhaité, par exemple par variation du rapport des débits d'écoulement du SiH4 gazeux et du C2H4 gazeux devant etre introduits dans la chambre 1101 de réaction pendant que la formation de la couche est effectuée par décharge d'effluves; ou bien lorsqu'un procédé de pulvérisation est utilisé pour former la couche, par variation du rapport des surfaces de pulvérisation des tranches de silicium et de graphite lors de la formation d'une cible, ou encore par variation de la proportion de mélange de la poudre de silicium et de la poudre de graphite lors du moulage d'une cible.La teneur en atomes d'halogène (X) à introduire dans la seconde couche amorphe (II) peut être réglée par ajustement du débit d'écoulement d'un gaz de départ permettant l'introduction d'atomes d'halogène, par exemple du SiF4 gazeux, dans la chambre 1101 de réaction. L'élément photoconducteur de la présente invention, conçu pour avoir une constitution stratifiée telle que décrite ci-dessus, permet de résoudretous les pro blèmes tels que ceux mentionnés précédemment et il présente d'excellentes caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices, et une excellente rigidité électrique et de bonnes caractéristiques vis-à-vis du milieu ambiant lors de l'utilisation. En particulier, lorsqu'il est utilisé comme élément de formation d'image en électrophotographie, il est exempt de toute influence d'un potentiel résiduel sur la formation de l'image, ses propriétés électriques sont stables, avec une sensibilité élevée et un rapport signal/ bruit élevé, ainsi qu'une excellente résistance à la fatigue par la lumière et d'excellentes caractéristiques en utilisation répétée, de sorte qu'il est possible d'obtenir des images de haute qualité, à haute concentration, claires en demi-teinte et de résolution élevée, due façon stable et répétée. En outre, l'élément photoconducteur selon l'invention présente une forte photosensibilité dans la totalité du spectre de la lumière visible et ilestparticuliè- rement excellent dans l'adaptation à un laser à semiconducteur et rapide dans sa réponse à la lumière. Exemple 1 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium, dans les conditions indiquées dans le tableau 1A, afin d'obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge et exposition, soumis à une charge d'effluves à n 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition a une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'irradiation ést effectuée à 2 lux.s a l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positi vement(contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image et on obtient sur celui-ci une bonne image développée. Lorsque l'image développée sur l'élément est transférée sur un papier de report tandis qu'une charge d'effluves est effectuée à A 5,0 kV, on obtient une image claire, à haute densité, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 2 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que cellesdécritoedans l'exemple 1, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 2A pour donner un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report, par les mêmes opérations et dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 1, sauf que la polarité de la charge d'effluves et la polarité de charge du révélateur sont opposées à celles indiquées dans l'exemple 1, respectivement, afin que l'on obtienne une qualité d'image très claire. Exemple 3 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que celles décrites dans l'exemple 1, sauf que l'on modifie les conditions comme indiqué dans le tableau 3A pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report, en suivant les mêmes opérations et dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 1, pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 4 On procède à une formation d'image totalement de la même manière que celle décrite dans l'exemple 1, sauf que l'on modifie la teneur en atomes de germanium de la première couche en faisant varier le rapport des débits d'écoulement du GeH4/He gazeux et du SiH4/He gazeux, comme indiqué dans le tableau 4A, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie, respectivement. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur les papiers de report par les mêmes opérations et dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 1, pour obtenir les résultats montrés sur le tableau 4A. Exemple 5 On procède à une formation de couche totalement de la même manière que celle décrite dans l'exemple 1, sauf que l'épaisseur de la premiere couche est modifiée comme indiqué dans le tableau 5A, pour préparer des élé- ments de formation d'image pour électrophotographie, respectivement. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par les mêmes opérations et dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 1, pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau 5A. Exemple 6 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium, dans les conditions indiquées dans le tableau 6A, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge et exposition, soumis à une charge-d'effluves à O 5,0 kv pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.s à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révé lée sur l'élément est transférée sur du papier à report à l'aide d'une charge d'effluves à0- 5,0 kv, on obtient une image claire, de haute densité, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demiteintes. Exemple 7 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 1, on évalue la qualité des images développées transférées et formées dans les mêmes conditions de formation d'image développée que celles indiquées dans l'exemple 1, sauf que l'on forme des images électrostatiques en utilisant un laser à semiconducteur du type GaAS (10 mW), d'une longueur d'onde de 810 nm, à la place de la lampe à filament de tungstène, comme source de lumière. On obtient comme résultat des images claires, de qualité élevée, d'une excellente résolution et d'une bonne reproductibilité des demiteintes. Exemple 8 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium, dans les conditions indiquées dans le tableau 1B, tout en faisant varier le rapport du débit d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He, avec le temps de formation de la couche, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle qu'indiquée sur la figure 12, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge et exposition, soumis à une charge d'effluves à - 5,0 kV pendant 0,3 seconde , suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.s à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un"toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image développée. Lorsque l'image développée sur l'élément est transféré sur un papier à report, avec une charge d'effluves à s,o 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, d'excellente résolution et d'une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 9 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on effectue une formation de couche dans les conditions indiquées dans le tableau 2B, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He avec la durée de formation de la couche, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz indiquée sur la figure 13, les conditions étant par ailleurs identiques à celles indiquées dans l'exemple 8, afin que l'on obtienne un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers à report par les mêmes opérations et dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 8 et on obtient une qualité d'image très claire. Exemple 10 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on effectue une formation de ouches dans les conditions indiquées dans le tableau 3B, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de formation des couches conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 14, les conditions étant par ailleurs identiques à celles indiquées dans l'exemple 8, afin d'obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report, par les mêmes opérations et dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 8, afin d'obtenir une qualité d'image très claire. Exemple il A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on procède à une formation de couche dans les conditions indiquées dans le tableau 4B, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de formation de la couche, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulementdes gaz telle que montrée sur la figure 15, les conditions étant par ailleurs identiques a celles indiquées dans l'exemple 8, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report, par les mêmes opérations et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 8, pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 12 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on procède à une formation de couche dans les conditions indiquées dans le tableau 5B, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de formation de la couche, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 16, les conditions étant par ailleurs identiques à celles indiquées dans l'exemple 8, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par les mêmes opérations et dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 8 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 13 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on procède à une formation de couche dans les conditions indiquées dans le tableau 6B, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de formation de la couche, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz, telle qu'indiquée sur la figure 17, les conditions étant par ailleurs identiques à celles indiquées dans l'exemple 8, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par les mêmes opérations et dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 8 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 14 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on effectue une formation de couche dans les conditions indiquées dans le tableau 7B, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de formation de la couche, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 18, les conditions étant par ailleurs identiques à celles indiquées dans l'exemple 8, afin d'obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report en suivant les mêmes opérations et dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 8, polir obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 15 On forme des couches dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 8, sauf que l'on utilise du gaz Si2H6/He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 8B pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que celles de l'exemple 8 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 16 On forme des couches dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 8, sauf que l'on utilise du gaz SiF4/He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 9B pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 8 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 17 On forme des couches dans les mêmes conditions que dans l'exemple 8, sauf que l'on utilise un gaz (SiH4/He + SiF4/He) a la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 10B, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 8 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 18 Dans les exemples 8 à 17, les conditions de préparation de la seconde couche sont modifiées comme indiqué dans le tableau 11B, les conditions étant par ailleurs identiques à celles utilisées dans ces exemples, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie, respectivement. A l'aide des élements de formation d'image ainsi préparés, on forme des images par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 8, pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau 12B. Exemple 19 Dans les exemples 8 à 17, les conditions de préparation de la seconde couche sont modifiées comme indiqué dans le tableau 13B, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de ces exemples, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi préparés, on forme des images par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 8 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau 1413. Exemple 20 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les conditions indiquées dans l'exemple 8, on évalue la qualité des images développées transférées, formées dans les mêmes conditions de formation d'image développées que celles indiquées dans l'exemple 8, sauf que les images électrostatiques sont formées au moyen d'un laser à semi-conducteur du type GaAs (10 mW), d'une longueur d'onde de 810 nm, à la place de la lampe à filament de tungstène, comme source de lumière. On obtient comme résultat des images claires de haute qualité, qui ont une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 21 A l'aide de l'appareil de préparation représenté sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau 1C pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à + 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.s à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé négativement (contenant un "toner" et un support) est appli qué- en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur l'élément est transféré sur un papier de report avec une charge d'effluves à + 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 22 A l'aide de l'appareil de.préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que dans l'exemple 21, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 2C pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report en suivant la même opération et dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 21, sauf que la polarité de la charge d'effluves et la polarité de charge du révélateur sont opposées a celles de l'exemple 21, respectivement, pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 2.3 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que celle décrite dans l'exemple 1, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 3C pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 21 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 24 On procède à une formation de couche totalement de la meme manière que celle décrite dans l'exemple 21, sauf que la teneur en atomes de germanium de la première couche est modifiée par variation du rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He, comme indiqué dans le tableau 4C, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie, respectivement. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 21 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau 4C. Exemple 25 On procède à une formation de couche totalement de la même manière que celle décrite dans l'exemple 21, sauf que l'on modifie l'épaisseur de la première couche comme indiqué dans le tableau 5C pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie, respectivement. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 21 pour obtenir les résultats montrés sur le tableau 5C. Exemple 26 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium, dans les conditions indiquées dans le tableau 6C, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d t image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à + 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.sec. à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé négativement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque 1 image révélée sur l'élément est transférée sur du papier de report avec une charge d'effluves àQ+s,o kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 27 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau 7C pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à - 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.sec. à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur 11 élément est transférée sur du papier de report avec une charge d'effluves à - 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 28 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium, dans les conditions indiquées dans le tableau 8C, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à - 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.sec. à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un toner et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révé idée. Lorsque l'image révélée sur l'élément est transférée sur du papier de report soumis à une charge d'effluves à0 5,0 kv, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 29 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que celles décrites dans l'exemple 21, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 9C pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 21 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 30 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que celle décrite dans l'exemple 21, sauf que l'on modifie les conditions comme indiqué dans le tableau 10C pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que celles de l'exemple 21 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 31 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 21, on procède à une évaluation de la qualité des images révélées transférées, formées dans les mêmes conditions de formation de l'image révélée que celles indiquées dans l'exemple 21, sauf que les images électrostatiques sont formées à l'aide d'un laser à semi-conducteur du type GaAs (10 mW), d'une longueur d'onde de 810 nm à la place de la lampe à filament de tungstène, comme source de lumière. On peut obtenir comme résultat des images claires, de qualité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 32 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique d'aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau 1D, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation des débits d'écoulement de gaz indiquée sur la figure 19, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à&commat;S,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.sec. à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur l'élément est transférée sur des papiers de report avec une charge d'effluves à Qs,o 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 33 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau 2D, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz, telle qu'indiquée sur la figure 20, les conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 32, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 32 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 34 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on effectue une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau 3D, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle qu'indiquée sur la figure 14, les conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 32, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 32 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 35 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on effectue une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau 4D, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'ecoulement des gaz telle qu'indiquée sur la figure 21, les conditions étant par ailleurs identiques a celles de l'exemple 32, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 32 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 36 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau 5D, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle qu'indiquée sur la figure 22, les conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 32, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 32 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 37 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau 6D, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle qu'indiquée sur la figure 23, les conditions étant par ailleurs identiques a celles de l'exemple 32, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 32 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 38 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées sur le tableau 7D, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle qu'indiquée sur la figure 24, les conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 32, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 32 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 39 On forme des couches dans les mêmes conditions que dans l'exemple 32, sauf que l'on utilise un gaz Si2H6/He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 8D pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans exemple 32 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 40 On forme des couches dans les mêmes conditions que dans l'exemple 32, sauf qu'on utilise un gaz SiF4/He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 9D pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 32 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 41 On forme des couches dans les mêmes conditions que dans l'exemple 32, sauf qu'on utilise un gaz {SiH4/He + SiF4/He) à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 10D pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 32 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 42 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau 11D, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 19, afin d'obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à - 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2. lux.sec. à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur cet élément est transférée sur du papier de report soumis à une charge d'effluves à G 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 43 Dans l'exemple 42, on a fait varier le débit d'écoulement du B2H6 par rapport à celui du (SiH4 + GeH4) pendant la préparation de la première couche, tandis que le débit d'écoulement du B2H6 par rapport au SiH4 était modifié pendant la préparation de la seconde couche-, comme indiqué dans le tableau 12D, les conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 42, pour obtenir des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 42 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau 12D. Exemple 44 Dans les exemples 32 à 41, les conditions de préparation de la seconde couche sont modifiées comme indiqué dans le tableau 13D, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles des exemples respectifs, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie, respectivement. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi préparés, on forme des images par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 32 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau 14D. Exemple 45 Dans les exemples 32 à 41, les conditions de préparation de la seconde couche sont modifiées comme indiqué dans le tableau 15D, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles des exemples respectifs, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi préparés, on forme des images par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 32 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau 15D. Exemple 46 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 32, on procède à une évaluation de la qualité des images révélées transférées, formées dans les mêmes conditions de formation d'image révélées que dans l'exemple 32, sauf que les images électrostatiques sont formées au moyen d'un laser à semiconducteur du type GaAs (10 mW), à une longueur d'onde de 810 nm, à la place de la lampe à filament de tungstène comme source de lumière. On peut obtenir comme résultat des images claires, de qualité élevée, qui ont une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 47 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat d'aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau 1E pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves &commat; 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.s à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un "toner"et un suppor4) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur l'élément est transférée sur du papier de report soumis à une charge d'effluves à O 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 48 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que celle décrite dans l'exemple 47, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 2E pour obtenir un élément de formation d'image pour électrqphotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 47, sauf que la polarite de la charge d'effluves et la polarité de charge du révélateur sont opposées à celles utilisées dans l'exemple 47, respectivement, pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 49 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que celle décrite dans l'exemple 47, sauf que les conditions sont modifiées comme montré dans le tableau 3E pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 47 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 50 On effectue une formation de couches totalement de la même manière que dans l'exemple 47, sauf que la teneur en atomes de germanium de la première couche est modifiée par variation du. rapport des débits d'écoulement des gaz GeH/He et SiH4/He comme indiqué dans le tableau 4E pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie, respectivement. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 47 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau 4E. Exemple 51 On procède à une formation de couches totalement de la même manière que décrite dans l'exemple 47, hormis que l'épaisseur de la première couche est modifiée comme indiqué dans le tableau SE pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 47 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau 5E. Exemple 52 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium dans les conditions indiquées sur le tableau 6E pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de chargeexposition, soumis à une charge d'effluves &commat; 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.s à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après,un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur cet élément est transférée sur du papier de report soumis à une charge d'effluves àQs,o kV, k, on obtient une image claire, de densité éle- vée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 53 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions que celles indiquées dans l'exemple 47, on procède à une évaluation de la qualité des images révélées transférées, formées dans les mêmes conditions de formation d'images révélées que décrites dans l'exemple 47, sauf que les images électrostatiques sont formées à l'aide d'un laser à semi-conducteur du type GaAs (10 mW), à une longueur d'onde de 810 nm, utilisé à la place de la lampe à filament de tungstène comme source de lumière. On peut obtenir, comme résultat, des images claires, de qualité élevée, ayant une excellente résolution et.une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 54 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau 1F, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 12, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à&commat; 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.s à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur cet élément est transférée sur du papier de report soumis à une charge d'effluves àOs,o kV, k, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 55 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau 2F, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 13, les conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 54, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les memes conditions que dans l'exemple 54 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 56 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau 3F, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure I4, les conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 54, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 54 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 57 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau 4F, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulementdes gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 21, les conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 54, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 54, pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 58 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau SF, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 22, les conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 54, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 54 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 59 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau 6F, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 25, les conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 54, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 54 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 60 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on procède à une formation de couches, dans les conditions indiquées dans le tableau 7F, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 18, les conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 54, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que celles de l'exemple 54 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 61 On forme des couches dans les mêmes conditions que celles de l'exemple 54, sauf que l'on utilise du gaz Si2H6/He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 8F pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 54 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 62 On forme des couches dans les mêmes conditions que dans l'exemple 54, sauf què l'on utilise du gaz SiF4/He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 9F pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 54 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 63 On forme des couches dans les mêmes conditions que dans l'exemple 54, sauf que l'on utilise du gaz (SiH4/He + SiF4/He) à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 10F, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'6lémeslt de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 54 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 64 Dans les exemples 54à 63, les conditions de préparation de la seconde couche sont modifiées comme indiqué dans le tableau 11F, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles des exemples respectifs, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi préparés, on forme des images par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 54 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau 12F. Exemple 65 Dans les exemples 54 à 63, les conditions de préparation de la seconde couche sont modifiées comme indiqué dans le tableau 13F, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles des exemples respectifs, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi préparés, on forme des images par la même opération et dans les mêmes. conditions que dans l'exemple 54 pour obtenir les résultats indiqués sur le tableau 14F. Exemple 66 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau 15F, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He et le rapport des débits d'écoulement des gaz NO et SiH4/He, pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 26, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 54, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 54 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 67 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées sur le tableau 16F tout en faisant varier le rapport des débits-d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He et le rapport des débits d'écoulement des gaz NO et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 27, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 54, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 54 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 68 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions que dans les exemples 54 à 63, on procède à une évaluation de la qualité des images révélées transférées, formées dans les mêmes conditions de formation d'images révélées que dans l'exemple 54, sauf que les images électrostatiques sont formées au moyen d'un laser à semiconducteur du type GaAs (10 mW), à une longueur d'onde de 810 nm, utilisé comme source de lumière à la place de la lampe à filament de tungstène. On peut obtenir comme résultat-des images claires, de qualité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 69 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau 1G pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à&commat; 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.s à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé négativement (contenant' un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur cet élément est transférée sur du papier de report soumis à une charge d'effluves à5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 70 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que celle décrite dans l'exemple 69, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 2G, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 69, sauf que la polarité de la charge d'effluves et la polarité de charge du révélateur sont opposées à celles utilisées dans l'exemple 69, respectivement, pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 71 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme descouches de la même manière que celle décrite dans l'exemple 69, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 3G pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 69 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 72 On procède à une formation de couches totalement de la même manière que celle décrite dans l'exemple 69, sauf que la teneur en atomes de germanium de la première couche est modifiée par variation du rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He comme indiqué dans le tableau 4G, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 69 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau 4G. Exemple 73 On procède à une formation de couches totalement de la même manière que celle décrite dans l'exemple 69, sauf que l'on fait varier l'épaisseur de la première couche comme indiqué dans le tableau 5G pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenu's, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 69 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau 5G. Exemple 74 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium dans les conditions indiquées dans les tableaux 6G à 8G pour obtenir des éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons n C601, G602 et G603). Les éléments de formation d'image respectifs ainsi obtenus sont placés dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves àOs,o kv kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.s à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur cet élément est transféré sur du papier de report avec une charge d'effluves à - 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 75 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que celle décrite dans l'exemple 69, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans les tableaux 9G et 10G pour obtenir des éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons nO G701, G702). A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 69 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 76 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que celle décrite dans l'exemple 69, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans les tableaux llG à 15G pour obtenir des éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons nQ G801 G805), A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 69 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 77 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions que dans l'exemple 69, on procède à une évaluation de la qualité des images révélées transférées, formées dans les mêmes conditions de formation d'images révélées que celles décrites dans l'exemple 69, sauf que les images électrostatiques sont formées au moyen d'un laser à semi-conducteurs du type GaAs (10 mW), à une longueur d'onde de 810 nm, utilisé comme source de lumière à la place de la lampe à filament de tunsgtène. On peut obtenir comme résultat des images claires, de qualité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 78 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau 1H, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 19, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de chargeexposition, soumis à une charge d'effluves à - 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière,on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est ëffectuée à 2 lux.s à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur cet élément est transférée sur du papier de report soumis à une charge d'effluves à - 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 79 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau 2H, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 20, les conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 78, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 78 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 80 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau 3H, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 14, les conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 78, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 78 afin d'obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 81 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau 4H, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 21, les autres conditions étant identiques a' celles de l'exemple 78, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'éléeent de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la meme opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 78 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 82 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau 5H, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 22, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 78, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 78 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 83 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau 6H, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 23, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 78, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 78 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 84 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches dans les conditions indiquées dans le tableau 7H, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 24, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 78, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 78 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 85 On forme des couches dans les mêmes conditions que dans l'exemple 78, sauf que l'on utilise du gaz Si2H6/He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 8H pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la meme opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 78 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 86 On forme des couches dans les mêmes conditions que dans l'exemple 78, sauf que l'on utilise du gaz SiF4/He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 9H pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 78 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 87 On forme des couches dans les mêmes conditions que celles de l'exemple 78, sauf que l'on utilise du gaz (SiH4/He + SiF4/He) à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau 10H pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 78 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 88 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau llH,tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 19, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge exposition, soumis à une charge d'effluves à ze 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tunsgtène et l'exposition est effectuée à 2 lux.s à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur cet élément est transférée sur un papier de report avec une charge d'effluves àO 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 89 Dans l'exemple 88, on fait varier le débit d'écoulement du B2H6 par rapport au (SiH4 + GeH4) pendant la préparation de la première couche, alors que l'on fait varier le débit d'écoulement du B2H6 par rapport à SiH4 pendant la préparation de la seconde couche, comme indiqué dans le tableau 12G, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 88, pour obtenir des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 88 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau 12G. Exemple 90 Dans les exemples 78 à 87, les conditions de préparation de la seconde couche sont modifiées comme indiqué dans les tableaux 13G et 1sG, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles des exemples respectifs, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons nO G1301-G1310, C1401- G1410). A l'aide des éléments de formation d'image ainsi préparés, on forme des images par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 78 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau 15G. Exemple 91 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions que dans l'exemple 78, on procède à une évaluation de la qualité des images révélées transférées, formées dans les mêmes conditions de formation d'images révélées que celles indiquées dans l'exemple 78, sauf que les images électrostatiques sont formées au moyen d'un laser à semi-conducteurs du type GaAs (10 mW), à une longueur d'onde de 810 nm, utilisé comme source de lumière à la place de la lampe à filament de tungstène. On peut obtenir comme résultat des images claires de qualité élevée , ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 92 A l'aide de appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium, dans les conditions indiquées dans le tableau Al pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves.à05,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux,s à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur l'élément est transférée sur un papier de report soumis à une charge d'effluves à kv, 5,0 k, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 93 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que celle décrite dans l'exemple 92, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau A2 pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 92, sauf que la polarité de la charge d'effluves et la polarité de charge du révélateur sont opposées à celles utilisées dans l'exemple 92, respectivement, pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 94 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que celle décrite dans l'exemple 92, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau A3 pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les memes conditions que dans l'exemple 92 afin d'obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 95 On procède à une formation de couches d'une manière totalement analogue à celle décrite dans l'exemple 92, sauf que la teneur en atomes de germanium de la première couche est modifiée par variation du rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He, comme indiqué dans le tableau A4, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 92 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau A4. Exemple 96 On prépare des éléments de formation d'image de la même manière que celle décrite dans l'exemple 92, sauf que l'épaisseur de la première couche constituant la couche amorphe (I) est modifiée comme indiqué dans le tableau AS. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 92 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau A5. Exemple 97 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique d'aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau A6 pour obtenir-- un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à ze 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tunsgtène et l'exposition est effectuée à 2 lux.s à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur l'élément est transférée sur un papier de report avec une charge d'effluves à - 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 98 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions que celles décrites dans i'exemple 92, on procède à une évaluation de la qualité des images révélées transférées, formées dans les mêmes conditions de formation d'images révélées que celles indiquées dans l'exemple 92, sauf que les images électrostatiques sont formées à l'aide d'un laser à semi-conducteurs du type GaAs (10 mW), a une longueur d'onde de 810 nm, utilisé comme source de lumière à la place de la lampe à filament de tungstène. On peut obtenir comme résultat des images claires, de qualité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 99 On prépare des éléments de formation d'image pour électrophotographie (24 échantillons des numéros 8-201A à 8-208A, 8-301A à 8-308A et 8-601A à 8-608A) en utilisant les mêmes conditions et opérations que celles décrites dans les exemples 93, 94 et 96, respectivement, sauf que les conditions de préparation de la couche amorphe (II) sont modifiées afin que l'on utilise les conditions indiquées, respectivement, dans le tableau A7 ci-après. Les éléments de formation d'image ainsi obtenus sont placés individuellement dans un copieur, soumis à une charge d'effluves à - 5,0 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 1,0 lux.seconde. L'image latente est développée au moyen d'un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) et elle est transférée sur un papier uni. L'image transférée s'avère très bonne. Le "toner" n'ayant pas été transféré et restant sur l'élément de formation d'image pour électrophotographie est soumis à une opération de nettoyage au moyen d'une lame de caoutchouc. Ces opérations sont répétées 100 000 fois ou plus, mais on n'observe en aucun cas une détérioration de l'image. Les résultats de l'évaluation de la qualité d'ensemble de l'image transférée et de l'évaluation de la longévité après des utilisations continues répétées sont donnés dans le tableau A8. Exemple 100 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que celui décrit dans l'exemple 92, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation du rapport des surfaces de la--tranche de silicium à la tranche de graphite pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes de formation d'image, développement et nettoyage telles que décrites dans l'exemple 92, sont répétées environ 50 000 fois, et sont suivies d'une évaluation de l'image et on obtient les résultats indiqués dans le tableau A9. Exemple 101 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que celui de l'exemple 92, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié, dans la couche amorphe (II), par variation du rapport des débits d'écoulement des gaz SiH4 et C2H4 pendant la formation d'une couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes allant jusqu'au transfert, telles que décrites dans l'exemple 92, sont répétées environ 50 000 fois, et sont suivies d'une évaluation de l'image qui permet d'obtenir les résultats indiqués dans le tableau A10. Exemple 102 On prépare des éléments de formation d'image suivant le même procédé que celui décrit dans l'exemple 92, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation des rapports des débits d'écoulement des gaz SiH4:SiF4:C2H4 pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes de formation de l'image, de développement et de nettoyage, telles que décrites dans-l'exemple 92, sont répétées environ 50 000 fois, suivies d'une évaluation de l'image, pour donner les résultats indiqués dans le tableau Ail. Exemple 103 On prépare des éléments de formation d'image en suivant le même procédé que celui décrit dans l'exemple 92, sauf que l'épaisseur de la couche amorphe (II) est modifiée. Pour chaque échantillon, les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage,telles que décrites dans l'exemple 92, sont répétées pour donner les résultats indiqués dans le tableau A12. Exemple 104 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie sur un substrat cylindrique d'aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau B1. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de chargeexposition, soumis à une charge d'effluves à Q) 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse.. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.secondes à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur l'élément est transférée sur du papier de report avec une charge d'effluves à - 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité de demi-teinte. Exemple 105 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie de la même manière que celle décrite dans l'exemple 104, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau B2. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par le même procédé et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 104, sauf que la polarité de la charge d'effluves et la polarité de charge du révélateur sont opposées à celles indiquées dans l'exemple 104, pour donner une qualité d'image très claire. Exemple 106 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie de la même manière que celle décrite dans l'exemple 104, sauf que les conditions sont moidifiées comme indiqué dans le tableau B3. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que celles de l'exemple 104 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 107 On procède à une formation de couches en suivant en totalité la même manière que celle décrite dans l'exemple 104, sauf que la teneur en atomes de germanium de la première couche est modifiée par variation du rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He comme indiqué dans le tableau B4 pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 104 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau B4. Exemple 108 On procède à une formation de couches totalement de la même manière que celle décrite dans l'exemple 104, sauf que l'épaisseur de la première couche est modifiée comme indiqué dans le tableau B5 pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 104 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau B5. Exemple 109 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie sur un substrat cylindrique d'aluminium, de la même manière que celle décrite dans l'exemple 104, sauf que la première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées sur le tableau B6. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de chargeexposition, soumis à une charge d'effluves à0 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.secondes à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur l'élément est transférée sur du papier de report avec une charge d'effluves à O 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité de demi-teinte. Exemple 110 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions que celles décrites dans l'exemple 104, on procède à une évaluation de la qualité des images révélées transférées, formées dans les mêmes conditions de formation d'images révélées que celles indiquées dans l'exemple 104, sauf que les images électrostatiques sont formées au moyen d'un laser à semi-conducteurs du tre GaAs (10 Mf), à une longueur d'onde de 810 nm, utilisé comme source de lumière à la place de la lampe à filament de tungstène. On peut obtenir comme résultat, des images claires, de haute qualité, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité de demi-teinte. Exemple 111 On prépare des éléments de formation d'image pour électrophotographie (24 échantillons des numéros 12-201B à 12-208B, 12-301B à 12-308B et 12-601B à 12-608B) dans les mêmes conditions et par les mêmes opérations que celles décrites dans les exemples 105, 106 et 108, respectivement, sauf que les conditions de préparation de la couche amorphe (II) sont modifiées pour devenir les conditions respectives indiquées dans le tableau B11 ciaprès. Les éléments de formation d'image ainsi obtenus sont placés individuellement dans un copieur, soumis à une charge d'effluves à ) 5,0 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 1,0 lux.seconde. L'image latente est développée à l'aide d'un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) et elle est transférée sur un papier uni. L'image transférée s'avère très bonne. Le révélateur non transféré, restant sur l'élément de formation d'image pour électrophotographie, est soumis à une opération de nettoyage à l'aide d'une lame de caoutchouc. Ces opérations sont répétées 100 000 fois ou plus, mais on n'observe en aucun cas une détérioration de l'image. Les résultats de l'évaluation de la qualité globale de l'image transférée et de l'évaluation de la longévité après les utilisations répétées et continues sont donnés dans le tableau B8. Exemple 112 On prépare des éléments de formation d'image en suivant le même procédé que celui décrit dans l'exemple 104, sauf qu'une pulvérisation est utilisée et que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation du rapport des surfaces de la tranche de silicium à la tranche de graphite pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes comprenant la formation de l'image, le développement et le nettoyage, telles que décrites dans l'exemple 104, sont répétées environ 50 000 fois, et sont suivies d'une évaluation de l'image pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau B9. Exemple 113 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que celui décrit dans l'exemple 104, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation du rapport des débits d'écoulement des gaz SiH4 et C2H4 pendant la formation de la couche amorphe (Il). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes aboutissant au report, telles que décrites dans l'exemple 104, sont répétées environ 50 000 fois, suivies d'une évaluation de l'image, pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau B10. Exemple 114 On prépare des éléments de formation d'image par le même. procédé que celui décrit dans l'exemple 104, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation des rapports des débits d'écoulement des gaz SiH4:SiF4:C2H4 pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes consistant à former l'image, la développer et la nettoyer, telles que décrites dans l'exemple 104, sont répétées environ 50 000 fois, et sont suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau B11. Exemple 115 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que celui décrit dans l'exemple 104, sauf que l'épaisseur de la couche amorphe (II) est modifiée. Pour chaque échantillon, les étapes de formation de l'image, de développement et de nettoyage,telles que décrites dans l'exemple 104, sont répétées pour donner les résultats indiqués dans le tableau B12. Exemple 116 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie sur un substrat cylindrique en aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau C1. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à + 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d' une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.secondes à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé négativement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur l'élément est transférée sur du papier de report avec une charge d'effluves à &commat; 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité de demi-teinte. Exemple 117 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie de la même manière que celle décrite dans l'exemple 116, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau C2. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 116, sauf que la polarité de la charge d'eff lu- ves et la polarité de charge du révélateur sont opposées à celles indiquées dans l'exemple 116, respectivement, pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 118 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie de la même manière que celle décrite dans l'exemple 116, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau C3. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 116 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 119 On procède à une formation de couches totalement de la même manière que celle décrite dans l'exemple 116, sauf que la teneur en atomes de germanium de la première couche est modifiée par variation du rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He, comme indiqué dans le tableau C4, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons NO 401C-408C). A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 116 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau C4. Exemple 120 On procède à une formation de couches totalement de la même manière que celle décrite dans l'exemple 116, sauf que l'épaisseur de la première couche est modifiée comme indiqué dans le tableau C5 pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons NO 501C-508C). A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 116 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau C5. Exemple 121 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique d'aluminium dans les conditions indiquées dans les tableaux C6 à C8 pour obtenir des éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons NO 601C,602C et 603C). Les éléments de formation d'image ainsi obtenus sont placés dans un appareil expérimental de chargeexposition, soumis à une charge d'effluves à Q+ 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.secondes à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé négativement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur l'élément est transférée sur du papier de report avec une charge d'effluves à &commat; 5,0 kv, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité de demi-teinte. Exemple 122 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons NO 701C, 702C) de la même manière que celle décrite dans l'exemple 116, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans les tableaux C9 et C10. A l'aide de chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 116 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 123 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des éléments de for mation d'image pour électrophotographie (échantillons NO 801C-805C) de la même manière que celle décrite dans l'exemple 116, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans les tableaux C11 à C15. A l'aide de chacun des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 116 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 124 A l'aide de l'élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions que celles de l'exemple 116, on procède d une évaluation de la qualité des images révélées et transférées, formées dans les mêmes conditions de formation d'images révélées que celles indiquées dans l'exemple 116, sauf que les images électrostatiques sont formées au moyen d'un laser à semi-conducteurs du type GaAs (10 mW), à une longueur d'onde de 810 nm, utilisé comme source de lumière à la place de la lampe à filament de tungstène. On peut obtenir comme résultat des images claires, de qualité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 125 On prépare des éléments de formation d'image pour électrophotographie (16 échantillons des numéros 12-201C à 12-208C, 12-301C à 12-308C) dans les mêmes conditions et dans les mêmes opérations que celles des exemples 117 et 118, respectivement, sauf que les conditions de préparation de la couche amorphe (II) sont modifiées pour que l'on obtienne les conditions respectives indiquées dans le tableau C16 ci-après. Les éléments de formation d'image ainsi obtenus sont placés individuellement dans un copieur, soumis à une charge d'effluves à Q+ 5,0 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à une dose de 1,0 lux.seconde. L'image latente est développée avec un révélateur chargé négativement (contenant un "toner" et un support) et elle est transférée sur un papier uni. L'image transférée s'avère très bonne. Le "toner" non transféré, restant sur l'élément de formation d'image pour électrophotographie, est soumis à des opérations de nettoyage à l'aide d'une lame de caoutchouc. Ces opérations sont répétées 100 000 fois ou plus, mais on n'observe en aucun cas aucune détérioration de l'image. Les résultats de l'évaluation de la qualité globale de l'image transférée et de l'évaluation de la longévité å la suite d'utilisations répétées et continues sont donnés dans le tableau C16A. Exemple 126 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que celui de l'exemple 116, sauf qu'une pulvérisation est utilisée et que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est. modifié dans la couche amorphe (11) par variation du rapport des surfaces de la tranche de silicium et de la tranche de graphite pendant la formation de la couche amorphe (il). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes de formation de l'image, de développement et de nettoyage,telles que décrites dans l'exemple 116, sont répétées environ 50 000 fois et suivies d'une évaluation de l'image pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau C17. Exemple 127 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que celui décrit dans l'exemple 116, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (Il > par variation du rapport des débits d'écoulement des gaz SiH4 et C2H4 pendant la formation de la couche amorphe (Il > . Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes allant jusqu'au report, telles que décrites dans l'exemple 116, sont répétées environ 50 000 fois et sont suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau C18. Exemple 128 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que celui de l'exemple 116, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation des rapports des débits d'écoulement des gaz SiH4:SiF4:C2H4 pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage, telles que décrites dans l'exemple 116, sont répétées environ 50 000 fois et suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau C19. Exemple 129 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que celui décrit dans l'exemple 116, sauf que l'épaisseur de la couche amorphe (II) est modifiée. Pour chaque échantillon, les étapes de formation d'image, de développement et de nettoyage, telles que déctites dans l'exemple 116, sont répétées pour donner les résultats indiqués dans le tableau C20. Exemple 130 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme une première couche amorphe (I) sur un substrat cylindrique en aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau D1, tandis que l'on fait varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 12, puis on forme une seconde couche amorphe (II) sur la première couche amorphe (I), dans les conditions indiquées dans le tableau D1, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à e 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse.Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.secondes à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un "toner1 et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur l'élément est transférée sur du papier de report soumis à une charge d'effluves àQ 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes - Exemple 131 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme une première couche amorphe (I) dans les conditions indiquées dans le tableau D2, tandis que l'on fait varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz, telle que montrée sur la figure 13, les conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 130, puis on forme une seconde couche amorphe (II), de la même façon que dans l'exemple 130, pour obtenir un élément de formation a d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans-les mêmes conditions que dans l'exemple 130 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 132 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on procède à.une formation des couches dans les conditions indiquées dans le tableau D3, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz, telle que montrée sur la figure 14, les conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 130, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 130 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 133 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on procède à une formation de couches dans les conditions indiquées dans le tableau D4, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz, telle que montrée sur la figure 15, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 130, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 130 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 134 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les conditions indiquées dans le tableau D5, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz, telle que montrée sur la figure 16, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 130. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 130 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 135 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les conditions indiquées dans le tableau D6, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz, telle que montrée sur la figure 17, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 130. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 130 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 136 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les conditions indiquées dans le tableau D7, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz, telle que montrée sur la figure 18, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 130. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme les images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 130 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 137 On forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les mêmes conditions que dans l'exemple 130, sauf que l'on utilise du gaz Si2H6/He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau D8. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 130 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 138 On forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les mêmes conditions que dans l'exemple 130, sauf que l'on utilise du gaz SiF4/He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau D9. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 130 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 139 On forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les mêmes conditions que dans l'exemple 130, sauf que l'on utilise du gaz (SiH4/He + SiF4/ He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau D10. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 130 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 140 Dans les exemples 130 à 139, les conditions de préparation de la seconde couche constituant la première couche amorphe (I) sont modifiées comme indiqué dans le tableau D11, les autres conditions étant par ailleurs les mêmes que dans les exemples respectifs, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi préparés, on forme des images par la même opération et dans les mêmes conditions que celles de l'exemple 130 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau D11A. Exemple 141 Dans les exemples 130 à 139, les conditions de préparation de la seconde couche constituant la première couche amorphe (I) sont modifiées comme indiqué dans le tableau D12, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles indiquées dans les exemples respectifs, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi préparés, on forme des images par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 130 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau D12A. Exemple 142 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions que dans l'exemple 130, on procède à une évaluation de la qualité des images révélées transférées, formées dans les mêmes conditions de formation d'images révélées que celles indiquées dans l'exemple 130, sauf que les images électrostatiques sont formées au moyen d'un laser à semi-conducteurs du type GaAs (10 mW), à une longueur d'onde de 810 nm, utilisé comme source de lumière à la place de la lampe à filament de tungstène. On peut obtenir comme résultat des images claires, de qualité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité de demi-teinte. Exemple 143 On prépare des éléments de formation d'image pour électrophotographie (92 échantillons des numéros 12-201D à 12-208D, 12-301D à 12-308D,.. ,12-1001D à 12-1009D) en suivant les mêmes conditions et les mêmes opérations que celles indiquées dans les exemples 131 à 139, respectivement, sauf que les conditions de préparation de la couche amorphe (il) sont modifiées pour devenir les conditions respectives indiquées dans le tableau D13 ci-après. Les-éléments de formation d'image ainsi obtenus sont placés individuellement dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à &commat; 5,0 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et une exposition est effectuée à 1,0 lux.seconde. L'image latente est développée avec un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) et elle est transférée sur un papier uni. L'image transférée s'avère très bonne. Le "toner " non transféré, restant sur l'élément de formation d'image pour électrophotographie, est soumis à une opération de nettoyage à l'aide d'une lame de caoutchouc.Ces opérations sont répétées 100 000 fois ou plus, mais on n'observe, dans tous les cas, aucune détérioration de l'image. Les résultats de l'évaluation de la qualité globale de l'image transférée et de l'évaluation de la longévité à la suite d'utilisations répétées et continues sont donnés dans le tableau D13A. Exemple 144 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 130, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation du rapport de la surface de la tranche de silicium à la surface de la tranche de graphite pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes de formation de l'image, de développement et de nettoyage, telles que décrites dans l'exemple 130, sont répétées environ 50 000 fois et sont suivies dt'sune évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau D14. Exemple 145 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 130, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation du rapport des débits d'écoulement des gaz SiH4 et C2H4 pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes allant jusqu'au report telles que décrites dans l'exemple 130, sont répétées environ 50 000 fois et suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau D15. Exemple 146 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 130, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation des rapports des débits d'écoulement des gaz SiH4:SiF4:C2H4 pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes de formation de l'image, de développement et de nettoyage, telles que décrites dans l'exemple 130, sont répétées environ 50 000 fois, suivies d'une évaluation de l'image, pour donner les résultats indiqués dans le tableau D16. Exemple 147 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 130, sauf que l'épaisseur de la couche amorphe (II) est modifiée. Pour chaque échantillon, les étapes de formation de l'image, de développement et de nettoyage, telles que décrites dans l'exemple 130, sont répétées pour donner les résultats indiqués dans le tableau D17. Exemple 148 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique d'aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau El pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à 0+ 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.secondes à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé négativement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur cet élément est transférée sur un papier de report avec une charge d'effluves àQ+s,o kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité de demi-teinte. Exemple 149 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que celle décrite dans l'exemple 148, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau E2, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 148, sauf que la polarité de la charge d'effluves et la polarité de charge du révélateur sont opposées à celles indiquées dans l'exemple 148, respectivement, pour donner une qualité d'image très claire. Exemple 150 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que celle décrite dans l'exemple 148, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau E3 pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 148 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 151 On procède à une formation de couches totalement de la même manière que celle décrite dans l'exemple 148, sauf que la teneur des atomes de germanium dans la première couche est modifiée par variation du rapport des débits d'écoulement des gaz ÇeH4/He et SiH4/He, comme indiqué dans le tableau E4, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 148, pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau E4. Exemple 152 On procède à une formation de couches totalement de la même manière que dans l'exemple 148, sauf que l'épaisseur de la première couche est modifiée comme indiqué dans le tableau E5 pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 148, pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau E5. Exemple 153 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique d'aluminium, de la même manière que celle décrite dans l'exemple 148, sauf que la première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées dans le tableau E6 pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à 2 5,0 kV-pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effec tuée à 2-lux.secondes à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé négativement (contenant un Rtoner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur cet élément est transférée sur un papier de report avec une charge d'effluves à 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 154 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique en aluminium de la même manière que celle décrite dans l'exemple 148, sauf que la première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées dans le tableau E7 pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.secondes à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé négativement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur cet élément est transférée sur un papier de report avec une charge d'effluves à 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 155 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches sur un substrat cylindrique d'aluminium de la même manière que celle décrite dans l'exemple 148, sauf que la première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées dans le tableau E8, pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à &commat; 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filamentde tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.secondes à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé négativement (contenant un "tonerH et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur l'élément est transférée sur un papier de report soumis à une charge d'effluves à &commat; 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité de demi-teinte. Exemple 156 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que celle décrite dans l'exemple 148, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau E9 pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 148 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 157 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme des couches de la même manière que dans l'exemple 148, sauf que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau E10 pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 148 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 158 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions que dans l'exemple 148, on procède à une évaluation de la qualité des images révélées et transférées, formées dans les mêmes conditions de formation d'images révélées que dans l'exemple 148, sauf que des images électrostatiques sont formées au moyen d'un laser à semi-conducteurs du type GaAs (10 mW), à une longueur d'onde de 810 nm, utilisé comme source de lumière à la place de la lampe à filament de tungstène. On peut obtenir comme résultat des images claires, de haute qualité, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 159 Des éléments de formation d'image pour électrophotographie (72 échantillons des numéros 12-201E à 12-208E, 12-301E à 12-308E, 12-601E à 12-608E ... et 12-1001E à 12-1008E) sont préparés dans les mêmes conditions et par les mêmes opérations que dans les exemples 149, 150 et 153 à 157, respectivement, sauf que les conditions de préparation de la couche amorphe (II) sont modifiées pour devenir les conditions respectives indiquées dans le tableau Eîî ci-après. Les éléments de formation d'image ainsi obtenus sont placés individuellement dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à 5,0 5,0 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à une dose de 1,0 lux.seconde. L'image latente est développée avec un révélateur chargé négativement (contenant un "toner" et un support) et elle est transférée sur un papier uni. L'image transférée s'avère très bonne. Le "toner" non transféré, restant sur l'élément de formation d'image pour électrophotographie, est soumis à un nettoyage à l'aide d'une lame de caoutchouc. Ces opérations sont répétées 100 000 fois ou plus, mais on n'observe, en aucun cas, de détérioration de l'image. Les résultats de l'évaluation de la qualité globale de l'image transférée et de l'évaluation de la longévité après des utilisations répétées et continues sont donnés dans le tableau E12. Exemple 160 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 148, sauf qu'une pulvérisation est utilisée et que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation du rapport de la surface de la tranche de silicium à la surface de la tranche de graphite pendant la formation de la couche amorphe (in1. Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes de formation de l'image, de développement et de nettoyage, telles que décrites dans l'exemple 148, sont répétées environ 50 000 fois, et sont suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau E13. Exemple 161 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 148, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation du rapport des débits d'écoulement des gaz SiH4 et C2H4 pendant la formation de la couche amorphe (IL), Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes allant jusqu'au transfert, telles que décrites dans l'exemple 148, sont répétées environ 50 000 fois, suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau E14. Exemple 162 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 148, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation des rapports des débits d'écoulement des gaz SiH4:SiF4:C2H4 pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les étapes de formation de l'image, de développement et de nettoyage, telles que décrites dans l'exemple 148, sont répétées environ 50 000 fois et sont suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau E15. Exemple 163 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 148, sauf que l'épaisseur de la couche amorphe (II) est modifiée. Pour chaque échantillon, les étapes de formation de l'image, de développement et de nettoyage, telles que décrites dans l'exemple 148, sont répétées pour donner les résultats indiqués dans le tableau E16. Exemple 164 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme une première couche amorphe (I) sur un substrat cylindrique en aluminium, dans les conditions indiquées dans le tableau F1, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz,telle que montrée sur la figure 12, puis on forme une seconde couche amorphe (II) dans les conditions indiquées dans le tableau F1 pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.secondes à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur l'élément est transférée sur un papier de report soumis à une charge d'effluves à &commat; 9 5,0 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 165 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie de la même manière que dans l'exemple 164, sauf qu'une première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées dans le tableau F2, tandis que le rapport des débits d'écoulement des gaz GeR4/He et SiH4/He est modifié pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 13, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 164. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur les papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 164 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 166 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie de la même manière que dans l'exemple 164, sauf qu'une première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées dans le tableau F3, tandis que le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He est modifié pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 14, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 164. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 164 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 167 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie de la même manière que dans l'exemple 164, sauf qu'une première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées dans le tableau F4, tandis que le rapport des débits d'écoulement des gaz 6bH4/He et SiH4/He est modifié pendant le déroulement de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 15, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 164. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 164 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 168 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie de la même manière que dans l'exemple 164, sauf qu'une première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées dans le tableau F5, tandis que le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He est modifié pendant le déroulement de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz, telle que montrée sur la figure 22, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 164. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 164 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 169 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'-image pour électrophotographie de la même manière que dans l'exemple 164, sauf qu'une première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées dans le tableau F6, tandis que le rapport des débits d'écoulement des gaz GèH4/He et SiH4/He est modifié pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz,telle que montrée sur la figure 25, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 164. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dan-s les mêmes conditions que dans l'exemple 164 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 170 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie de la même manière que dans l'exemple 164, sauf qu'une première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées dans le tableau F7, tandis que le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He est modifié pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz telle que montrée sur la figure 18, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 164. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 164 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 171 On forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les mêmes conditions que dans l'exemple 164, sauf que l'on utilise du gaz Si2H6/He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau F8. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 164 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 172 On forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les mêmes conditions que dans l'exemple 164, sauf que l'on utilise du gaz SiF4/He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau F9. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 164 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 173 On forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les mêmes conditions que dans l'exemple 164, sauf que l'on utilise du gaz (SiH4/He + SiF4/He) à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau F10. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 164 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 174 Dans les exemples 164 à 173, les conditions de préparation de la troisième couche sont modifiées comme indiqué dans le tableau F11, les autres conditions étant par ailleurs les mêmes dans les exemples respectifs, pour préparer des éléments de formation d'image pour électro photographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi préparés, on forme des images par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 164 pour obtenir les résultats indiqués dans le tableau F11A. Exemple 175 Dans les exemples 164 à 173, les conditions de préparation de la troisième couche sont modifiées comme indiqué dans le tableau F12, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles des exemples respectifs, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi préparés, on forme des images par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 164 pour obtenir les résultats donnés dans le tableau F12A. Exemple 176 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les conditions indiquées dans le tableau F13, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He et le rapport des débits d'écoulement des gaz de NO et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz,telle que montrée sur la figure 26, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 164. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 164 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 177 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les conditions indiquées dans le tableau F14, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He et le rapport des débits d'écoulement des gaz NO et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à-la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des'gaz,telle que montrée sur la figure 27, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 164. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 164 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 178 A l'aide d'éléments de formation d'image pour électrophotographie préparés dans les mêmes conditions que dans les exemples 164 à 173, on procède à une évaluation de la qualité des images révélées et transférées, formées dans les mêmes conditions de formation d'images révélées que dans l'exemple 164, sauf que des images électrostatiques sont formées au moyen d'un laser à semiconducteurs du type GaAs (10 mW), à une longueur d'onde de 810 nm, utilisé comme source de lumière à la place de la lampe à filament de tungstène. On peut obtenir comme résultat des images claires, de qualité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 179 Des éléments de formation d'image pour électrophotographie (72 échantillons des numéros 12-201F à 12-208F, 12-301F à 12-308F ,1 2-1 001F à 12-1009F) sont préparés dans les mêmes conditions et par les mêmes opérations que dans les exemples 165 à 173, respectivement, sauf que les conditions de préparation de la couche amorphe (II) sont modifiées afin que l'on obtienne les conditions respectives indiquées dans le tableau F15 ci-après. Les éléments de formation d'image ainsi obtenus sont placés individuellement dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à O 5,0 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 1,0 lux.seconde. L'image latente est développée au moyen d'un révélateur chargé positivement (contenant un "toner" et un support) et elle est transférée sur un papier uni. L'image transférée s'avère très bonne. Le "toner" n' ayant pas été transféré et restant sur l'élément de formation d'image pour électrophotographie est soumis à une opération de nettoyage au moyen d'une lame de caoutchouc.Ces opérations sont répétées 100 000 fois ou plus, mais on n'observe en aucun cas une détérioration de l'image. Les résultats de l'évaluation de la qualité globale de l'image transférée et de l'évaluation de la longévité après les utilisations répétées et continues sont donnés dans le tableau F15A. Exemple 180 On prépare des éléments de formation d'image, respectivement, par le même procédé que dans l'exemple 164, sauf qu'une pulvérisation est utilisée et que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation du rapport de la surface de la tranche de silicium à la surface de la tranche de graphite -pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les opérations de formation de l'image, de développement et de nettoyage, telles que décrites dans l'exemple 164, sont répétées environ 50 000 fois et suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau F16. Exemple 181 On prépare des éléments de formation d'image, respectivement, par le même procédé que dans l'exemple 164, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par-variation du rapport des débits d'écoulement des gaz SiH4 et C2H4 pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de forma tion d'image ainsi préparés, les opérations allant jusqu'au transfert, telles que décrites dans l'exemple 164, sont répétées environ 50 000 fois et suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau F17. Exemple 182 On prépare des éléments de formation d'image, respectivement, par le même procédé que dans l'exemple 164, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation des rapports des débits d'écoulement des gaz SiH4:SiF4:C2H4 pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les opérations de formation de l'image, de développement et de nettoyage, telles que décrites dans l'exemple 164, sont répétées environ 50 000 fois et suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau F18. Exemple 183 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 164, sauf que l'épaisseur de la couche amorphe (II) est modifiée. Pour chaque échantillon, les étapes de formation de l'image, de développement et de nettoyage, telles que décrites dans l'exemple 164, sont répétées pour donner les résultats indiqués dans le tableau F19. Exemple 184 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme une première couche amorphe (I) sur un substrat cylindrique d'aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau G1, tout en faisant varier le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He pendant la durée de la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz,telle que montrée sur la figure 19, puis on forme une seconde couche amorphe (II) dans les conditions indiquées dans le tableau G1 pour obtenir un élément de formation d'image pour élec trophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, scxrmis à une charge d'effluves à &commat; 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.secondes à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé négativement (contenant un "toner' et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur l'élément est transférée sur du papier de report avec une charge d'effluves à &commat; 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 185 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie de la même manière que dans l'exemple 184, sauf qu'une première couche amorphe (I > est formée dans les conditions indiquées dans le tableau G2, tandis que le rapport des débits d'écoulement des gas GeH4/He et SiH4/He est modifié durant la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz,telle que montrée sur la figure 20, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 184. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 184 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 186 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie de la même manière que dans l'exemple 184, sauf qu'une première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées dans le tableau G3, tandis que le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He est modifié pendant la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz,telle que montrée sur la figure 14, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 184. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 184 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 187 A l'aide de l'appareil de préparation tel que représenté sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie de la même manière que dans l'exemple 184, sauf qu'une première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées dans le tableau G4, tandis que le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He est modifié pendant la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz,telle que montrée sur la figure 21, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 184. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 184 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 188 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie de la même manière que dans l'exemple 184, sauf qu'une première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées dans le tableau G5, tandis que le rapport des' débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He est modifié pendant la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz,telle que montrée sur la figure 22, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 184. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 184 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 189 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie de la même manière que dans l'exemple 184, sauf qu'une première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées dans le tableau G6, tandis que le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He est modifié pendant la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz,telle que montrée sur la figure 23, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 184. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 184 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 190 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie de la même manière gue dans l'exemple 184, sauf qu'une première couche amorphe (I) est formée dans les conditions indiquées dans le tableau G7, tandis que le rapport des débits d'écoulements des gaz GeH4/He et SiH4/He est modifié pendant la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz,telle que montrée sur la figure 24, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 184. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 184 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 191 On forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les mêmes conditions que dans l'exemple 184, sauf qu'on utilise du gaz Si2H6/He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau G8. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 184 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 192 On forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les mêmes conditions que dans l'exemple 184, sauf qu'on utilise du gaz SiF4/He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme décrit dans le tableau G9. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 184 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 193 On forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les mêmes conditions que dans l'exemple 184, sauf qu'on utilise du gaz (SiH4/He + SiF4/He) à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau G10. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 184 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 194 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie de la même manière que dans l'exemple 184, sauf qu'une première couche amorphe (I) est formée sur un substrat cylindrique d'aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau G11, tandis que le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He est modifié pendant la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz montrée sur la figure 19. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à 0+ 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à une dose de 2 lux.secondes à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé négativement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur cet élément est transférée sur du papier de report avec une charge d'effluves a05,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 195 Dans l'exemple 194, le débit d'écoulement du B2H6 par rapport à (SiH4+GeH4) est modifié pendant la préparation de la première couche, tandis que le débit d'écoulement du B2H6 par rapport au SiH4 est modifié pendant la préparation de la seconde couche, comme indiqué dans le tableau G12, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 194, afin que l'on obtienne des éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons NO 1201G à 1208G). A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 194 pour donner les résultats indiqués dans le tableau G12. Exemple 196 Dans les exemples 184 à 193, les conditions de préparation de la seconde couche sont modifiées comme indi qué dans les tableaux G13 et G14, les autres conditions étant par ailleurs les mêmes que dans les exemples respectifs, afin de préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons NO 1301G à 1310G et 1401G à 1410G). A l'aide des éléments de formation d'image ainsi préparés, on forme des images par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 184 pour obtenir les résultats indiqués dans les tableaux G13A et G14A. Exemple 197 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans lés mêmes conditions que dans l'exemple 184, on procède à une évaluation de la qualité des images révélées et transférées, formées dans les mêmes conditions de formation d'images révélées que dans l'exemple 184, sauf que des images électrostatiques sont formées au moyen d'un laser à semi-conducteurs du type GaAs (10 mW), à une longueur d'onde de 810 nm, utilisé comme source de lumière à la place de la lampe à filament de tungstène. On peut obtenir comme résultat des images claires, de qualité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilté des demi-teintes. Exemple 198 On prépare des éléments de formation d'image pour électrophotographie (72 échantillons des numéros 12-201G à 12-208G, 12-301G à 12-308G, ...,12-1001G à 12-1009G) dans les mêmes conditions et par les mêmes opérations que dans les exemples 185 à 193, respectivement, sauf que les conditions de préparation de la couche amorphe (II) sont modifiées afin que l'on obtienne les conditions respectives indiquées dans le tableau G15 ciaprès. Les éléments de formation d'image ainsi obtenus sont placés individuellement dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à 05,0 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 1,0 luix.seconde. L'image latente est développée avec un révélateur chargé négativement (contenant un "toner" et un support) et elle est transférée sur un papier uni. L'image transférée s'avère très bonne. Le "toner" n'ayant pas été transféré et restant sur l'élément de formation d'image pour électrophotographie est soumis à une opération de nettoyage au moyen d'une lame de caoutchouc.Ces opérations sont répétées 100 000 fois ou plus, maison n'observe aucune détérioration de l'image, en aucun cas. Les résultats de l'évaluation de la qualité globale de l'image transférée et de l'évaluation de la longévité après des utilisations répétées et continues sont donnés dans le tableau G15. Exemple 199 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 184, sauf qu'une pulvérisation est utilisée et que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation du rapport de la surface de la tranche de silicium à la surface de la tranche de graphite pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les opérations de formation de l'image, de développement et de nettoyage, telles que décrites dans l'exemple 184, sont répétées environ 50 000 fois et suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau G16. Exemple 200 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 184, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation du rapport des débits d'écoulement des gaz SiH4 et C2H4 pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les opérations allant jusqu'au transfert, telles que décrites dans l'exemple 184, sont répétées environ 50 000 fois et suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau G17. Exemple 201 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 184, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation des rapports des débits d'écoulement des gaz SiH4:SiF4:C2H4 pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les opérations de formation de l'image, de développement et de nettoyage,telles que décrites dans l'exemple 184, sont répétées environ 50 000 fois, et sont suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau G18. Exemple 202 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 184, sauf que l'épaisseur de la couche amorphe (II) est modifiée. Pour chaque échantillon, les opérations de formation de l'image,de développement et de nettoyage, telles que décrites dans l'exemple 184, sont répétées pour donner les résultats indiqués dans le tableau G19. Exemple 203 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme une première couche amorphe (I) sur un substrat cylindrique en aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau H1, en même temps que le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He est modifié pendant la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz,telle que montrée sur la figure 19, puis on forme une seconde couche amorphe (II) dans les conditions indiquées dans le tableau H1 pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophotographie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à 0+ 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.secondes à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé négativement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révélée sur l'élément est transférée sur du papier de report avec une charge d'effluves à 0+ 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 204 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les conditions indiquées dans le tableau H2, en même temps que le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He est modifié pendant la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz,telle que montrée sur la figure 20, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 203. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 205 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les conditions indiquées dans le tableau H3, en même temps que le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He est modifié pendant la formation des couches, conformément à la courbe. de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz, telle que montrée sur la figure 14, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 203. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203, pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 206 A l'aide de l'appareil de préparation tel'que montré sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les conditions indiquées dans le tableau H4, en même temps que le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He est modifié pendant la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz,telle que montrée sur la figure 21, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 203. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 207 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les conditions indiquées dans le tableau H5, en même temps que le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He est modifié pendant la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz, telle que montrée sur la figure 22, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 203. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 208 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les conditions indiquées dans le tableau H6, en même temps que le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He est modifié pendant la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz, telle que montrée sur la figure 23, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 203. A l'aide de l'élément de formation d image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 209 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les conditions indiquées dans le tableau H7, en même temps que le rapport des débits d'écoulement des gaz GeH4/He et SiH4/He est modifié pendant la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz,telle que montrée sur la figure 23, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 203. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 210 On forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203, sauf que l'on utilise du gaz Si2H6/He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau H8. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 211 On forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203, sauf que l'on utilise du gaz SiF4/He à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau H9. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 212 On forme un élément de formation d'image pour électrophotographie dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203, sauf que l'on utilise du gaz (SiH4/He + SiF4/He) à la place du gaz SiH4/He et que les conditions sont modifiées comme indiqué dans le tableau H10. A l'aide de l'élément de formation d'image ainsi obtenu, on forme des images sur des papiers de report par les mêmes opérations et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203 pour obtenir une qualité d'image très claire. Exemple 213 A l'aide de l'appareil de préparation tel que montré sur la figure 11, on forme une première couche amorphe (I > sur un substrat cylindrique en aluminium dans les conditions indiquées dans le tableau H11, pendant que le rapport des débits d'édoulement des gaz GeH41He et SiH4/ He est modifié pendant la formation des couches, conformément à la courbe de rythme de variation du rapport des débits d'écoulement des gaz,telle que montrée sur la figure 19, puis on forme une seconde couche amorphe (II) dans les conditions indiquées dans le tableau H11 pour obtenir un élément de formation d'image pour électrophoto graphie. L'élément de formation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à G 5,0 kV pendant 0,3 seconde, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 2 lux.secondes à l'aide d'une mire d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur chargé négativement (contenant un "toner" et un support) est appliqué en cascade sur l'élément de formation d'image sur lequel on obtient une bonne image révélée. Lorsque l'image révé- lée sur l'élément est transférée sur un papier de report avec une charge d'effluves à + 5,0 kV, on obtient une image claire, de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 214 Dans l'exemple 213, le débit d'écoulement du B2H6 par rapport au (SiH4+GeH4) est modifié pendant la préparation de la première couche, tandis que le débit d'écoulement du B2H6 par rapport au SiH4 est modifié pendant la préparation de la seconde couche, comme indiqué dans le tableau H12, les autres conditions étant par ailleurs identiques à celles de l'exemple 213, pour obtenir des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi obtenus, on forme des images sur des papiers de report par la même opération et dans les mêmes conditions que -dans l'exemple 213 pour obtenir de bons résultats. Exemple 215 Dans les exemples 203 à 212, les conditions de préparation de la seconde couche sont modifiées comme indiqué dans le tableau H13, les autres conditions étant par ailleurs les mêmes que dans les exemples respectifs, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi préparés, on forme des images par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203 pour don ner les résultats indiqués dans le tableau H13A. Exemple 216 Dans les exemples 203 à 212, les conditions de préparation de la seconde couche sont modifiées comme indiqué dans le tableau H14, les conditions étant par ailleurs identiques à celles des exemples respectifs, pour préparer des éléments de formation d'image pour électrophotographie. A l'aide des éléments de formation d'image ainsi préparés, on forme des images par la même opération et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203 pour donner les résultats indiqués dans le tableau H14. Exemple 217 A l'aide d'un élément de formation d'image pour électrophotographie préparé dans les mêmes conditions que dans l'exemple 203, on procède à une évaluation de la qualité des images révélées et transférées, formées dans les mêmes conditions de formation d'images révélées que dans l'exemple 203, sauf que des images électrostatiques sont formées au moyen d'un laser à semi-conducteurs du type GaAs (10 mW > , à une longueur d'onde de 810 nm, utilisé comme source dé lumière à la place d'une lampe à filament de tungstène. On peut obtenir comme résultat des images claires, de qualité élevée, ayant une excellente résolu tion et une bonne reproductibilité des demi-teintes. Exemple 218 On prépare des éléments de formation d'image pour électrophotographie (72 échantillons allant des numéros 12-201H à 12-208H, 12-301H à 12-308H, .. . ,12-1001H à 12-1008H dans les mêmes conditions et par les mêmes opérations que dans les exemples 204 à 212, sauf que les conditions de préparation de la couche amorphe (II) sont modifiées afin que l'on obtienne les conditions respectives indiquées dans le tableau H15 ci-après. Les éléments de formation d'image ainsi obtenus sont placés individuellement dans un appareil expérimental de charge-exposition, soumis à une charge d'effluves à 05,0 kV pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une exposition l une image lumineuse. Comme source de lumière, on utilise une lampe à filament de tungstène et l'exposition est effectuée à 1,0 lux.seconde. L'image latente est développée au moyen d'un révélateur chargé négativement (contenant un "toner" et un support) et elle est transférée sur un papier uni. L'image transférée s'avère très bonne. Le "toner" n'ayant pas été transféré et restant sur l'élément de formation d'image pour électrophotographie est soumis à une opération de nettoyage au moyen d'une lame de caoutchouc.Ces opérations sont répétées 100 000 fois ou plus, mais on n'observe, dans tous les cas, aucune détérioration de l'image. Les résultats de l'évaluation de la qualité globale de l'image transférée et de l'évaluation de la longévité après les utilisations répétées et continues sont donnés dans le tableau H16. Exemple 219 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 203, sauf qu'une pulvérisation est utilisée et que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation du rapport de la surface de la tranche de silicium à la surface de la tranche de graphite pendant la formation de la couche amorphe (IL). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les opérations de formation de l'image, de développement et de nettoyage,telles que décrites dans l'exemple 203, sont répétées environ 50 000 fois et suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau H17. Exemple 220 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 203, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation du rapport des débits d'écoulement des gaz SiH4 et C2H4 péndant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les opérations allant jusqu'au transfert, telles que décrites dans l'exemple 203, sont répétées environ 50 000 fois et suivies d'une évaluation de l'image pour donner les résultats indiqués dans le tableau H18. Exemple 221 On prépare des éléments de formation d'image par le même procédé que dans l'exemple 203, sauf que le rapport de la teneur des atomes de silicium à la teneur des atomes de carbone est modifié dans la couche amorphe (II) par variation des rapports des débits d'écoulement des gaz SiH4:SiF4:C2H4 pendant la formation de la couche amorphe (II). Pour chacun des éléments de formation d'image ainsi préparés, les opérations de formation de l'image, de développement et de nettoyage, telles que décrites dans l'exemple 203, sont répétées environ 50 000 fois et suivies d'une évaluation de l'image qui donne les résultats indiqués dans le tableau H19. Exemple 222 Les éléments de formation d'image respectifs sont préparés par le même procédé que dans l'exemple 203, sauf que l'épaisseur de la couche amorphe (II) est modifiée. Pour chaque échantillon, les opérations de formation de l'image, de développement et de nettoyage,telles que décrites dans l'exemple 203, sont répétées pour donner les résultats indiqués dans le tableau H20. Les conditions communes de formation de couches utilisées dans les exemples précédents de la présente invention sont indiquées ci-dessous Température du substrat : pour une couche contenant des atomes de germanium (Ge) ... environ 2000C pour une couche ne contenant pas d'atomes de germanium (Ge) ... environ 250"C Fréquence de décharge : 13,56 MHz Pression intérieure de la chambre de réaction pendant la réaction : 40 Pa. T A B L E A U 1A Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1 0,18 0,5 3 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 2A Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=0,1 0,18 0,5 20 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 5 couche T A B L E A U 3A Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=0,4 0,18 0,5 2 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche B2H6/He=10-3 B2H6/SiH4=2x10-5 TABLEAU 4A N d'échantillon Teneur en Ge 1 3 5 10 40 60 90 (% atomique) Evaluation # # # # # # # #: excellent #: bon #: satisfaisant en pratique T A B L E A U 5A N A501 A502 A503 A504 A505 d'échantillon Epaisseur de la couche 0,1 0,5 1 2 5 Evaluation | # | # | # | # | # | # : excellent # : bon T A B L E A U 6A Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1 0,18 0,5 2 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche PH3/He=10-3 PH3/SiH4=1x10-7 T A B L E A U 1B Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1~0 0,18 0,5 10 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 2B Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10~0 0,18 0,5 8 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 3B Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=4/10~2/ 0,18 0,5 2,0 couche 1000 GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche T A B L E A U 4B Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=3/10~0 0,18 0,5 2,0 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 5B Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=8/10~0 0,18 0,5 0,8 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche T A B L E A U 6B Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1~0 0,18 0,5 8 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 7B Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10~0 0,18 0,5 8 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 8B Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première Si2H6/He=0,05 Si2H6+GeH4=50 GeH4/Si2H6=1~0 0,18 0,5 10 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 9B Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiF4/He=0,05 SiF4+GeH4=50 GeH4/SiF4=1~0 0,18 0,5 10 couche GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 10B Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 Première SiH4+SiF4+GeH4 GeH4/(SiH4+SiF4) 0,18 0,5 10 SiF4/He=0,05 couche =50 =1~0 GeH4/He=0,05 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 11B Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=2x10-5 0,18 1,5 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U 12B N B1101 B1102 B1103 B1104 B1105 B1106 B1107 B1108 B1109 B1110 d'échantillon Première Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple couche 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 Epaisseur de la deuxième 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10 couche ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 13B Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 PH3/SiH4=1x10-7 0,18 1,5 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U 14B N B1201 B1202 B1203 B1204 B1205 B1206 B1207 B1208 B1209 B1210 d'échantillon Première Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple couche 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 Epaisseur de la deuxième 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10 couche ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 1C Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=3/10 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 couche B2H6/(GeH4+SiH4) B2H6/He=10-3 =3x10-3 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche T A B L E A U 2C Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 couche B2H6/(GeH4+SiH4) B2H6/He=10-3 =3x10-3 Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 0,18 0,5 19 couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 5 couche T A B L E A U 3C Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 couche B2H6/(GeH4+SiH4) B2H6/He=10-3 =5x10-3 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche B2H6/He=10-3 B2H6/SiH4=2x10-4 T A B L E A U 4C N C401 C402 C403 C404 C405 C406 C407 C408 d'échantillon GeH4/SiH4 5/100 1/10 2/10 4/10 5/10 7/10 8/10 1/1 Rapport des débits d'écoulement Teneur en Ge 4,3 8,4 15,4 26,7 32,3 38,9 42 47,6 (% atomique) Evaluation # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 5C N C501 C502 C503 C504 C505 C506 C507 C508 d'échantillon Epaisseur de 3,0 nm 50,0 nm 0,1 m 0,3 m 0,8 m 3 m 4 m 5 m la couche Evaluation # # # # # # # # # : excellent # : bon # : satisfaisant en pratique T A B L E A U 6C Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=5/10 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =5x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 PH3/SiH4=9x10-5 0,18 1,5 20 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U 7C Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=5/10 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 15 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =8x10-4 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 PH3/SiH4=1x10-5 0,18 1,5 5 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U 8C Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =9x10-4 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 B2H6/SiH4=9x10-4 0,18 1,5 15 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U 9C Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 15 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =9x10-4 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 B2H6/SiH4=9x10-4 0,18 1,5 5 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U 10C Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =2x10-4 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 B2H6/SiH4=2x10-4 0,18 1,5 20 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U 1D Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~0 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 19 couche T A B L E A U 2D Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~0 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =1x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 3D Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisé des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~2/ Première SiH4+GeH4=50 1000 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =1x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 4D Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=15/100~0 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 5D Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1~5/100 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =3x10-4 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 6D Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4= 2/10~0 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 7D Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~0 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =1x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 couche Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Si2H6/He=0,05 GeH4/Si2H6=4/10~0 Première 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 SiH6+GeH4=50 B2H6/(GeH4+Si2H6) couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 Deuxième Si2H6/He=0,5 Si2H6=200 0,18 1,5 19 couche T A B L E A U 9D Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiF4/He=0,05 GeH4/SiF4= 4/10~0 Première SiF4+GeH4=50 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiF4) couche B2H6/He=10-3 =1x10-3 SiF4/He=0,5 Deuxième SiF4=200 0,18 1,5 19 couche T A B L E A U 10D Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/(SiH4+SiF4) SiF4/He=0,05 Première SiH4+SiF4+GeH4 =4/10~0 0,18 0,5 1 couche GeH4/He=0,05 B2H6/GeH4+SiH4+ =50 B2H6/He=10-3 SiF4)=3x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4+SiF4 0,18 1,5 19 couche SiF4/He=0,5 =200 T A B L E A U 11D Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4= 4/10~0 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =5x10-4 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 B2H6/SiH4=5x10-4 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U 12D Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4= 4/10~0 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 couche GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) B2H6/He=10-3 =3x10-3 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 couche B2H6/He=10-3 B2H6/SiH4=2x10-4 T A B L E A U 13D Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 B2H6/SiH4=1x10-4 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U 14D N D1301 D1302 D1303 D1304 D1305 D1306 D1307 D1308 D1309 D1310 d'échantillon Prémiere Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple couche 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 Epaisseur de la deuxième couche 19 15 15 15 15 15 15 19 19 19 ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 15D Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 PH3/SiH4=9x10-5 0,18 1,5 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U 16D N D1401 D1402 D1403 D1404 D1405 D1406 D1407 D1408 D1409 D1410 d'échantillon Première Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple couche 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 Epaisseur de la deuxième couche 19 15 15 15 15 15 15 19 19 19 ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 1E Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4= 1/1 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 3 GeH4/He=0,05 couche NO/(GeH4+SiH4) NO =2/100 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 2E Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Première couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 NO/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 5 NO =3/100~0 diminution linéaire Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 0,18 0,5 1 couche GeH4/He=0,5 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 3E Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10 Première couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 NO/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 2 NO =2/100 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 NO/SiH4=2/100 0,18 1,5 2 couche NO B2H6/SiH4=1x10-5 B2H6/He=10-3 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche B2H6/SiH4=1x10-5 B2H6/He=10-3 T A B L E A U 4E N D401 D402 D403 D404 D405 D406 D407 d'échantillon Teneur en Ge 1 3 5 10 40 60 90 (% atomique) Evaluation # # # # # # # excellent # : bon # : satisfaisant en pratique T A B L E A U 5E N D501 D502 D503. D504 D505 d'échantillon Epaisseur de la couche 0,1 0,5 1 2 5 Evaluation # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 6E Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 NO/(GeH4+SiH4) couche NO =2/100 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 PH3/SiH4=1x10-7 0,18 1,5 20 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U 1F Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~3/ Première 100 couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 NO/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 2 NO =3/100 Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=3/100~0 0,18 0,5 8 couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 2F Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~4/ Première 100 couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 0,18 0,5 2 NO/(GeH4+SiH4) NO =3/100 Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=4/100~0 0,18 0,5 8 couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 3F Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10 ~ Première couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 4/100 0,18 0,5 1 NO NO/(GeH4+SiH4) =3/100 Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=4/100 0,18 0,5 1 couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 4F Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=15/100 Première ~1/100 couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 0,18 0,5 0,4 NO/(GeH4+SiH4) NO =3/100 Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/100~0 0,18 0,5 0,6 couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche T A B L E A U 5F Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/1 Première ~14/100 couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 0,18 0,5 0,2 NO/(GeH4+SiH4) NO =3/100 Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=14/100~0 0,18 0,5 0,8 couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche T A B L E A U 6F Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=2/10 Première ~45/1000 couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 0,18 0,5 2 NO/(GeH4+SiH4) NO =1/100 Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=45/1000 0,18 0,5 6 couche ~0 GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 7F Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Première couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 ~45/1000 0,18 0,5 4 NO NO/(GeH4+SiH4) =1/100 Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=45/1000 0,18 0,5 4 couche ~0 GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 8F Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Si2H6/He=0,05 GeH4/Si2H6=4/10 Première ~3/100 couche GeH4/He=0,05 Si2H6/GeH4=50 0,18 0,5 2 NO/(GeH4+Si2H6) NO =3/100 Deuxième Si2H6/He=0,05 Si2H6+GeH4=50 GeH4/Si2H6=3/100~0 0,18 0,5 8 couche GeH4/He=0,05 Troisième Si2H6/He=0,5 Si2H6=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 9F Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiF4/He=0,05 GeH4/SiF4=4/10 Première ~3/100 couche GeH4/He=0,05 SiF4/GeH4=50 0,18 0,5 2 NO/(GeH4+SiF4) NO =3/100 Deuxième SiF4/He=0,05 SiF4+GeH4=50 GeH4/SiF4=3/100~0 0,18 0,5 8 couche GeH4/He=0,05 Troisième SiF4/He=0,5 SiF4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U 10F Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/(SiH4+SiF4) Première SiF4/GeH4=0,05 SiH4+SiF4+GeH4 couche =4/10~3/100 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 =50 NO/(GeH4+SiH4+SiF4) NO =3/100 Deuxième SiH4/He=0,05 0,18 0,5 SiH4+SiF4+GeH4 GeH4/(SiH4+SiF4) 8 couche SiF4/He=0,05 GeH4/He=0,05 =50 =3/100~0 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=200 0,18 1,5 10 couche SiF4/He=0,5 T A B L E A U 11F Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=4x10-4 0,18 1,5 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U 12F N F1101 F1102 F1103 F1104 F1105 F1106 F1107 F1108 F1109 F1110 d'échantillon Première Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple couche 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 Epaisseur de la troisième couche 10 10 15 20 20 10 10 10 10 10 ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 13F Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 PH3/SiH4=2x10-5 0,18 1,5 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U 14F N F1201 F1202 F1203 F1204 F1205 F1206 F1207 F1208 F1209 F1210 d'échantillon Première Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple couche 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 Epaisseur de la troisième couche 10 10 10 20 20 10 10 10 10 10 ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 15F Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10~0 Première couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 NO/SiH4=4/10 ~ 0,18 0,5 2 2/100 NO Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 NO/SiH4=2/100~0 0,18 1,5 2 couche NO Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 16F Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10~0 Première couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 NO/SiH4=1/10~5/100 0,18 0,5 1 NO Deuxième SiH4/He=0,05 0,18 1,5 1 couche SiH4=200 NO/SiH4=5/100~0 NO Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 18 couche T A B L E A U 1G Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 NO/(GeH4+SiH4)=3/100 NO SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 20 couche T A B L E A U 2G Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Première couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 B2H6/He=10-3 =3/10-3 NO NO/(GeH4+SiH4)=3/100 Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 0,18 0,5 19 couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 5 couche T A B L E A U 3G Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =5x10-3 NO NO/(GeH4+SiH4)=1/100 SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 B2H6/SiH4=2x10-4 0,18 1,5 20 B2H6/He=10-3 couche T A B L E A U 4G N G401 G402 G403 G404 G405 G406 G407 G408 d'échantillon GeH4/SiH4 5/100 1/10 2/10 4/10 5/10 7/10 8/10 1/1 Rapport des débits d'écoulement Teneur en Ge 4,3 8,4 15,4 26,7 32,3 38,9 42 47,6 (% atomique) Evaluation # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 5G N G501 G502 G503 G504 G505 G506 G507 G508 d'échantillon Epaisseur de 3,0 m 50,0 m 0,1 m 0,3 m 0,8 m 3 m 4 m 5 m la couche ( m) Evaluation # # # # # # # # # : excellent # : bon # : satisfaisant en pratique T A B L E A U 6G Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) GeH4/SiH4=5/10 SiH4/He=0.05 Première SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 couche =5x10-3 B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4)=1/100 NO SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 PH3/SiH4=9x10-5 0,18 1,5 20 couche PH3/He=10-3 (N d'échantillon G601) T A B L E A U 7G Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) GeH4/SiH4=1/10 SiH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 15 GeH4/He=0,05 couche B2H6/He=10-3 =8x10-4 NO/(GeH4+SiH4)=1/100 NO SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 PH3/SiH4=1x10-5 0,18 1,5 5 couche PH3/He=10-3 (N d'échantillon G602) T A B L E A U 8G Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) GeH4/SiH4=3/10 SiH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 couche =3x10-3 B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4)=3/100 NO SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 B2H6/SiH4=3x10-4 0,18 1,5 20 couche B2H6/He=10-3 (N d'échantillon G603) T A B L E A U 9G Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Première couche GeH4/He=0,05 SiH4/GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 B2H6/He=10-3 =1x10-5 NO NO/(GeH4+SiH4)=3/100 SiH4/He=0,05 Deuxième SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 0,18 0,5 19 couche GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) B2H6/He=10-3 =1x10-5 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 couche B2H6/SiH4=3x10-4 0,18 1,5 5 B2H6/He=10-3 (N d'échantillon G701) T A B L E A U 10G Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) GeH4+SiH4=3/10 Première SiH4/He=0,05 couche GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 B2H6/He=10-3 =1x10-5 NO NO/SiH4=3/100 SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 NO/SiH4=3/100 0,18 0,5 1 couche NO SiH4/He=0,5 SiH4=200 NO/SiH4=3/100 Troisième NO 0,18 1,5 1 couche B2H6/He=10-3 B2H6/SiH4=1x10-4 SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=1x10-4 Quatrième B2H6/He=10-3 0,18 1,5 15 couche (N d'échantillon G702) T A B L E A U 11G Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 couche GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 B2H6/He=10-3 =3x10-3 NO NO/(GeH4+SiH4) =3/100~2,83/100 SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Deuxième GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 NO/(GeH4/SiH4) 0,18 0,5 1 couche NO =2,83/100~0 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 19 couche (N d'échantillon G801) Note : diminution liniéaire NO/(GeH4+SiH4) T A B L E A U 12G Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) GeH4/SiH4=1/10 Première SiH4/He=0,05 couche GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 0,5 B2H6/He=10-3 =3x10-3 NO/(GeH4+SiH4) NO =3/100~0 SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Deuxième GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 0,5 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 Troisième GeH4/He=0,05 0,18 0,5 19 couche SiH4/He=0,5 SiH4=200 Quatrième 0,18 1,5 5 couche (N d'échantillon G802) T A B L E A U 13G Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 couche GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 B2H6/He=10-3 =5x10-3 NO NO/(GeH4+SiH4) =1/100~0 SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Deuxième GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 couche B2H6/He=10-3 =5x10-3 SiH4/He=0,5 Troisième SiH4=200 B2H6/SiH4=2x10-4 0,18 1,5 20 couche B2H6/He=10-3 (N d'échantillon G803) T A B L E A U 14G Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 GeH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 B2H6/SiH4=3x10-3 couche B2H6/He=10-3 NO/SIH4=3/100~ NO 2,83/100 SiH4/He=0,5 NO/SiH4=2,83/100~0 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 20 couche B2H6/He=10-3 B2H6/SiH4=3x10-4 (N d'échantillon G804) Note : diminution linéaire NO/SiH4 T A B L E A U 15G Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 couche GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 B2H6/He=10-3 =1x10-5 NO NO/(GeH4+SiH4) =3/100~0 SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Deuxième GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 19 couche B2H6/He=10-3 =1x10-5 SiH4/He=0,5 Troisième SiH4=200 B2H6/SiH4=3x10-4 0,18 1,5 5 B2H6/He=10-3 couche (N d'échantillon G805) Note : diminution linéaire NO/(GeH4+SiH4) T A B L E A U 1H Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~0 GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 Première couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 NO NO/(GeH4+SiH4) =3/100 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 19 couche T A B L E A U 2H Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~0 GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 2 Premiére couche B2H6/He=10-3 =1x10-3 NO NO/(GeH4+SiH4) =1/100 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 3H Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~2/ 1000 GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 2 couche B2H6/He=10-3 =1x10-3 NO NO/(GeH4+SiH4) =1/100 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 4H Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=15/100~0 GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 Première couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 NO NO/(GeH4+SiH4) =2/100 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 5H Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/1~5/100 GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 Première couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 NO NO/(GeH4+SiH4) =2/100 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 6H Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=2/10~0 GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 Première couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 NO NO/(GeH4+SiH4) =2/100 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 7H Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~0 GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 Première couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 NO NO/(GeH4+SiH4) =2/100 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U 8H Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Si2H6/He=0,05 GeH4/Si2H6=4/10~0 GeH4/He=0,05 Si2H6+GeH4=50 B2H6/(GeH4+Si2H6) 0,18 0,5 1 Première couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 NO NO/(GeH4+Si2H6) =2/100 Deuxième Si2H6/He=0,5 Si2H6=200 0,18 1,5 19 couche T A B L E A U 9H Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiF4/He=0,05 GeH4/SiF4=4/10~0 GeH4/He=0,05 SiF4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiF4) 0,18 0,5 1 Première couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 NO NO/(GeH4+SiF4) =1/100 Deuxième SiF4/He=0,5 SiF4=200 0,18 1,5 19 couche T A B L E A U 10H Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) GeH4/(SiH4+SiF4)= SiH4/He=0,05 4/10~0 SiF4/He=0,05 SiH4+SiF4+GeH4 B2H6/(GeH4+SiH4+ 0,18 0,5 1 Première GeH4/He=0,05 =50 couche SiF4)=3x10-3 B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4+SiF4) NO =1/100 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=200 0,18 0,5 19 couche SiF4/He=0,5 T A B L E A U 11H Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~0 GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 Première couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 NO NO/(GeH4+SiH4) =3/100 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=3x10-3 0,18 1,5 19 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U 12H N H1201 H1202 H1203 H1204 H1205 H1206 H1207 H1208 d'échantillon B2H6/SiH4 1x10-2 5x10-3 2x10-3 1x10-3 8x10-4 5x10-4 3x10-4 1x10-4 Rapport des débits d'écoulement Teneur en B 1x104 6x10 25x10 1x10 800 500 300 100 (ppm atomique) Evaluation # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 13H Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 B2H6/SiH4=8x10-5 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U 14H N H1301 H1302 H1303 H1304 H1305 H1306 H1307 H1308 H1309 H1310 d'échantillon Première Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple couche 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 Epaisseur de la deuxième 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10 couche ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U 15H Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 PH3/SiH4=1x10-5 0,18 1,5 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U 16H N H1401 H1402 H1403 H1404 H1405 H1406 H1407 H1408 H1409 H1410 d'échantillon Première Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple couche 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 Epaisseur de la deuxième couche 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10 ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U A1 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1 0,18 0,5 3 Première Couche couche GeH4/He=0,05 amorphe Deuxième (I) SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche Couche amorphe SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4/C2H4=3/7 0,18 1,0 0,5 (II) C2H4 T A B L E A U A2 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=0,1 0,18 0,5 20 couche Couche GeH4/He=0,05 amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 5 couche T A B L E A U A3 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=0,4 0,18 0,5 2 couche Couche GeH4/He=0,05 amorphe SiH4/He=0,5 (I) Deuxième SiH4=200 B2H6/SiH4=2x10-5 0,18 1,5 20 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U A4 N0 401A 402A 403A 404A 405A 406A 407A d'échantillon Teneur en Ge 1 3 5 10 40 60 90 (% atomique) Evaluation # # # # # # # # : excellent # : bon # : satisfaisant en pratique T A B L E A U A5 N 501A 502A 503A 504A 505A d'échantillon Epaisseur de la couche 0,1 0,5 1 2 5 ( m) Evaluation # # # # # excellent T A B L E A U A6 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1 0,18 0,5 2 couche Couche GeH4/He=0,05 amorphe SiH4/He=0,5 (I) Deuxième SiH4=200 PH3/SiH4=1x10-7 0,18 1,5 20 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U A7 Condition Gaz utilisés Débit d'écoulement Rapport des débits Puissance Epaisseur de (cm /min) d'écoulement ou de dé- la couche des surfaces charge ( m) (W/cm) tranche de Si: 12-1 Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,5 =1,5:8,5 tranche de Si:: 12-2 Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,3 =0,5:9,5 tranche de Si: 12-3 Ar 200 tranche de graphite 0,3 1,0 =6:4 SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4:9,6 0,18 0,3 12-4 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5:5 0,18 1,5 12-5 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-6 SiF4/He=0,5 =1,5:1,5:7 0,18 0,5 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=15 SiH4:SiF4:C2H4 12-7 SiF4/He=0,5 =0,3:0,1:9,6 0,18 0,3 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-8 SiF4/He=0,5 =3:3::4 0,18 1,5 C2H4 TABLEAU A8 Conditions de préparation de N d'échantillon/Evaluation la couche amorphe (II) 8-201A 8-301A 8-601A 8-1A # # # # # # 8-202A 8-302A 8-602A 8-2A # # # # # # 8-203A 8-303A 8-603A 8-3A # # # # # # 8-204A 8-304A 8-604A 8-4A # # # # # # 8-205A 8-305A 8-605A 8-5A # # # # # # 8-206A 8-306A 8-606A 8-6A # # # # # # 8-207A 8-307A 8-607A 8-7A # # # # # # 8-208A 8-308A 8-608A 8-8A # # # # # # N d'échantillon Evaluation de la qualité Evaluation globale de l'image de la longévité Normes d'évaluation : # : excellent # : bon T A B L E A U A9 N 901A 902A 903A 904A 905A 906A 907A d'échantillon Cible de Si: cible de C 9:1 6,5:3,5 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,2:9,8 (rapport des surfaces) Si:C (rapport des 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3:7 2:8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U A10 N d'échan1001A 1002A 1003A 1004A 1005A 1006A 1007A 1008A tillon SiH4:C2H4 (rapport des 9:1 6:4 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8 débits d'écoulement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de l'image # # # # # # # # # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U A11 N d'échan1101A 1102A 1103A 1104A 1105A 1106A 1107A 1108A tillon SiH4:SiF4:C2H4 (rapport des 5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4: 0,2:0,3: 0,2:0,15: 0,1:0,1: débits d'écou- 9 9,5 9,65 9,8 lement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de l'image # # # # # # # # # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée TABLEAU A12 N d'échan- Epaisseur de tillon la couche Résultats amorphe (II) ( m) 1201A 0,001 Risque de formation d'image défectueuse 1202A 0,02 Aucune image défectueuse pendant 20 000 répétitions 1203A 0,05 Stable pendant 50 000 répétitions au plus 1204A 1 | Stable pendant 200 000 répétitions ou plus T A B L E A U B1 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/1 0,18 0,5 3 Première GeH4/He=0,05 Couche NO/(GeH4+SiH4) couche NO amor- =2/100 phe Deuxième (I) SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche Couche amorphe SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=3::7 0,8 1,0 0,5 (II) C2H4 T A B L E A U B2 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 NO/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 5 couche NO =3/100-0 (diminution Couche linéaire) amorphe Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 0,18 0,5 1 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U B3 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 NO/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 2 couche NO =2/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 NO/SiH4=2/100 0,18 1,5 2 NO (I) couche B2H6/SiH4=1x10-5 B2H6/He=10-3 SiH4/He=0,5 Troisième B2H6/SiH4=1x10-5 B2H6/He=10-3 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U B4 N0 401B 402B 403B 404B 405B 406B 407B d'échantillon en en Ge 1 3 5 10 40 60 90 (% atomique) Evaluation # # # # # # # excellent # : bon A satisfaisant en pratique T A B L E A U B5 N 501B 502B 503B 504B 505B d'échantillon Epaisseur de la couche 0,1 0,5 1 2 4 ( m) Evaluation # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U B6 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=4/10 0,18 0,5 2 couche GeH4/He=0,05 NO/(GeH4+SiH4) Couche NO amor- =2/100 phe SiH4/He=0,5 (I) Deuxième SiH4=200 PH3/SiH4=1x10-7 0,18 1,5 20 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U B7 Condition Gaz utilisés Débit d'écoulement Rapport des débits Puissance Epaisseur de (cm /min) d'écoulement ou de dé- la couche des surfaces charge ( m) (W/cm) tranche de Si: 12-1B Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,5 =1,5:8,5 tranche de Si: 12-2B Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,3 =0,5:9,5 tranche de Si: 12-3B Ar 200 tranche de graphite 0,3 1,0 =6:4 SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4:9,6 0,18 0,3 12-4B C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5:5 0,18 1,5 12-5B C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4::C2H4 12-6B SiF4/He=0,5 =1,5:1,5:7 0,18 0,5 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=15 SiH4:SiF4:C2H4 12-7B SiF4/He=0,5 =0,3:0,1:9,6 0,18 0,3 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-8B SiF4/He=0,5 =3:3::4 0,18 1,5 C2H4 T A B L E A U B8 Conditions de préparation de N d'échantillon/Evaluation la couche amorphe (II) 12-201B 12-301B 12-601B 12-1B # # # # # # 12-202B 12-302B 12-602B 12-2B # # # # # # 12-203B 12-303B 12-603B 12-3B # # # # # # 12-204B 12-304B 12-604B 12-4B # # # # # # 12-205B 12-305B 12-605B 12-5B # # # # # # 12-206B 12-306B 12-606B 12-6B # # # # # # 12-207B 12-307B 12-607B 12-7B # # # # # # 12-208B 12-308B 12-608B 12-8B # # # # # # N d'échantillon évaluation de la qualité Eaaluaticn globale de l'image de la longévité Normes d'évaluation : # : excellent # : bon T A B L E A U B9 N 901B 902B 903B 904B 905B 906B 907B d'échantillon Cible de Si: cible de C 9:1 6,5:3,5 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,2:9,8 (rapport des surfaces) Si:C (rapport des 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3:7 2:8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de l'image # # # # # # # # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U B10 N d'échan1001B 1002B 1003B 1004B 1005B 1006B 1007B 1008B tillon SiH4:C2H4 (rapport des 9:1 6:4 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8 débits d'écoulement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:66 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de l'image # # # # # # # # # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U B11 N d'échan1101B 1102B 1103B 1104B 1105B 1106B 1107B 1108B tillon SiH4:SiF4:C2H4 (rapport des 5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4: 0,2:0,3: 0,2:0,15: 0,1:0,1: débits d'écou- 9 9,5 9,65 9,8 lement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de l'image # # # # # # # # # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée TABLEAU B12 N d'échan- Epaisseur de tillon la couche Résultats amorphe (II) ( m) 1201B 0,001 Risque de formation d'image défectueuse 1202B 0,02 Aucune image défectueuse pendent 20 000 répétitions 1203B 0,05 Stable pendant 50 000 répétitions au plus 1204B 1 Stable pendant 200 000 répétitions au plus T A B L E A U C1 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 couche Couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 amor NO NO/(GeH4+SiH4) phe (I) =3/100 Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche Couche amorphe SiH4/He=0,5 SiH4:C2H4=3::7 0,18 1,0 0,5 (II) SiH4=100 C2H4 T A B L E A U C2 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 NO NO/(GeH4+SiH4) Couche =3/100 amorphe Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 0,18 0,5 19 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 5 couche T A B L E A U C3 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 GeH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 Couche =5x10-3 NO NO/(GeH4+SiH4)=1/100 amorphe SiH4/He=0,5 (I) Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 20 B2H6/He=10-3 B2H6/SiH4=2x10-4 couche T A B L E A U C4 N 401C 402C 403C 404C 405C 406C 407C 408C d'échantillon GeH4/SiH4 5/100 1/10 2/10 4/10 5/10 7/10 8/10 1/1 Rapport des débits d'écoulement Teneur en Ge 4,3 8,4 15,4 26,7 32,3 38,9 42 47,6 (% atomique) Evaluation # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U C5 N 501C 502C 503C 504C 505C 506C 507C 508C d'échantillon Epaisseur de 3,0 nm 50,0 nm 0,1 m 0,3 m 0,8 m 3 m 4 m 5 m la couche Evaluation # # # # # # # # # : excellent # : bon # : satisfaisant en pratique T A B L E A U C6 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=5/10 GeH4/He=0,05 Première B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 2 SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 =5x10-3 Couche 1/ NO NO/(GeH4+SiH4)= amor- 100 phe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 PH3/SiH4=9x10-5 0,18 1,5 20 couche PH3/He=10-3 (N d'échantillon 601C) T A B L E A U C7 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 GeH4/He=0,05 Première B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 15 SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 =8x10-4 Couche 1/ NO/(GeH4+SiH4)= NO amor- 100 phe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 PH3/SiH4=1x10-5 0,18 1,5 5 couche PH3/He=10-3 (N d'échantillon 602C) T A B L E A U C8 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 GeH4/He=0,05 Première B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 Couche 3/ NO/(GeH4+SiH4)= NO amor- 100 phe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=3x10-4 0,18 1,5 20 couche B2H6/He=10-3 (N d'échantillon 603C) T A B L E A U C9 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 B2H6/(GeH4+SiH4) Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 couche =1x10-5 B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4) NO Couche =3/100 amor SiH4/He=0,05 phe Deuxième SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 0,18 0,5 19 GeH4/He=0,05 (I) couche B2H6/(GeH4+SiH4) B2H6/He=10-3 =1x10-5 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=3x10-4 0,18 1,5 5 couche B2H6/He=10-3 (N d'échantillon 701C) T A B L E A U C10 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 couche B2H6/He=10-3 =1x10-5 NO NO/SiH4=3/100 SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 Deuxième Couche couche GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 NO/SiH4=3/100 0,18 0,5 1 amorphe NO (I) SiH4/He=0,5 NO/SiH4=3/100 Troisième NO SiH4=200 0,18 1,5 1 couche B2H6/He=10-3 B2H6/SiH4=1x10-4 Quatrième SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=1x10-4 0,18 1,5 15 couche B2H6/He=10-3 (N d'échantillon 702C) T A B L E A U C11 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 B2H6/(GeH4+SiH4) Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 couche =3x10-3 B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4) NO Couche =3/100~2,83/100 amor SiH4/He=0,05 phe Deuxième SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=3/10 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 (I) couche NO/(GeH4+SiH4)=2,83/ NO 100~0 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 19 couche (N d'échantillon 801C) Note : diminution linéaire de NO/(GeH4+SiH4) T A B L E A U C12 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 0,5 couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 NO/(GeH4+SiH4) NO =3/100~0 SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Deuxième Couche couche GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 0,5 amor B2H6/He=10-3 phe =3x10-3 (I) SiH4/He=0,05 Troisième SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 0,18 0,5 19 couche GeH4/He=0,05 Quatrième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 5 couche (N déchantillon 802C) T A B L E A U C13 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 couche =5x10-3 B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4) NO Couche =1/100~0 amor SiH4/=0,05 phe Deuxième SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=3/10 0,18 0,5 1 Ge/H4=0,05 (I) couche B2H6/(GeH4+SiH4) B2H6/He=10-3 =5x10-3 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=2x10-4 0,18 1,5 20 couche B2H6/He=10-3 (N d'échantillon 803C) T A B L E A U C14 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10 GeH4/He=0,05 0,18 0,5 1 Première B2H6/SiH4=3x10-3 SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 NO/SiH4=3/100~ Couche NO 2,83/100 amorphe SiH4/He=0,5 NO/SiH4=2,83/100~0 (I) Deuxième NO SiH4=200 0,18 1,5 1 couche B2H6/SiH4=3x10-4 B2H6/He=10-3 (N d'échantillon 804C) Note : diminution linéaire de NO/SiH4 T A B L E A U C15 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 B2H6/(GeH4+SiH4) Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 couche =1x10-5 B2H6/He=10-3 NO/(GeH4+SiH4) NO Couche =3/100~0 amor SiH4/He=0,05 phe Deuxième SiH4+GeH4=50 GeH4+SiH4=1/10 0,18 0,5 19 GeH4/He=0,05 (I) couche B2H6/(GeH4+SiH4) B2H6/He=10-3 =1x10-5 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 5 B2H6/SiH4=3x10-4 couche B2H6/He=10-3 (N d'échantillon 805C) Note : diminution linéaire de NO/(GeH4+SiH4) T A B L E A U C16 Condition Gaz utilisés Débit d'écoulement Rapport des débits Puissance Epaisseur de (cm /min) d'écoulement ou de dé- la couche des surfaces charge ( m) (W/cm) tranche de Si: 12-1C Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,5 =1,5:8,5 tranche de Si:: 12-2C Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,3 =0,5:9,5 tranche de Si: 12-3C Ar 200 tranche de graphite 0,3 1,0 =6:4 SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4:9,6 0,18 0,3 12-4C C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5:5 0,18 1,5 12-5C C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-6C SiF4/He=0,5 =1,5:1,5:7 0,18 0,5 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=15 SiH4:SiF4:C2H4 12-7C SiF4/He=0,5 =0,3:0,1:9,6 0,18 0,3 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-8 SiF4/He=0,5 =3:3::4 0,18 1,5 C2H4 T A B L E A U C16A Conditions de préparation de N d'échantillon/ la couche amorphe Evaluation (II) 12-201C 12-301C 12-1C # # # # 12-202C 12-302C # # # # 12-203C 12-303C 12-3C # # # # 12-204C 12-304C 12-4C # # # # 12-205C 12-305C 12-5C # # # # 12-206C 12-306C 12-6C # # # # 12-207C 12-307C 12-7C # # # # 12-208C 12-308C 12-8C # # # # N d'échantillon Evaluation de la qualité | Evaluation globale de l'image de la longévité Normes d'évaluation : # : excellent # : bon T A B L E A U C17 N 1701C 1702C 1703C 1704C 1705C 1706C 1707C d'échantillon Cible de Si: cible de C 9:1 6,5:3,5 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,2:9,8 (rapport des surfaces) Si:C (rapport des 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3:7 2:8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U C18 N d'échan1801C 1802C 1803C 1804C 1805C 1806C 1807C 1808C tillon SiH4:C2H4 (rapport des 9:1 6:4 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8 débits d'écoulement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de l'image # # # # # # # # # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U C19 N d'échan1901C 1902C 1903C 1904C 1905C 1906C 1907C 1908C tillon SiH4:SiF4:C2H4 (rapport des 5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4: 0,2:0,3: 0,2:0,15: 0,1:0,1: débits d'écou- 9 9,5 9,65 9,8 lement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de l'image # # # # # # # # # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U C20 N d'échan- | Epaisseur de tillai la couche Résultats amorphe (II) ( m) 2001C 0,001 Risque de formation d'image défectucuse 2002C 0,02 aucune image défectueuse pendant 20 000 répétitions 2003C 0,05 Stable pendent 50 000 répétitions ou plus 2004C 1 Stable pendant 200 000 répétitions ou plus T A B L E A U D1 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1~0 0,18 0,5 10 Première Couche couche GeH4/He=0,05 amorphe Deuxième (I) SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche Couche amorphe SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4/C2H4=3/7 0,18 1,0 0,5 (II) C2H4 T A B L E A U D2 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10~0 0,18 0,5 8 couche Couche GeH4/He=0,05 amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U D3 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=4/10~ 0,18 0,5 20 couche 2/1000 Couche GeH4/He=0,05 amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche T A B L E A U D4 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=3/10~0 0,18 0,5 2,0 couche Couche GeH4/He=0,05 amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U D5 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=8/10~0 0,18 0,5 0,8 couche Couche GeH4/He=0,05 amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche T A B L E A U D6 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1~0 0,18 0,5 8 couche Couche GeH4/He=0,05 amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U D7 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10~0 0,18 0,5 8 couche Couche GeH4/He=0,05 amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U D8 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première Si2H6/He=0,05 Si2H6+GeH4=50 GeH4/Si2H6=1~0 0,18 0,5 10 couche Couche GeH4/He=0,05 amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U D9 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Première SiF4/He=0,05 SiF4+GeH4=50 GeH4/SiF4=1~0 0,18 0,5 10 couche Couche GeH4/He=0,05 amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U D10 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 Première SiH4+SiF4+GeH4 GeH4/(SiH4+SiF4) 0,18 0,5 10 SiF4/He=0,05 couche =50 =1~0 Couche GeH4/He=0,05 amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U D11 Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=2x10-5 0,18 1,5 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U D11A N 1101D 1102D 1103D 1104D 1105D 1106D 1107D 1108D 1109D 1110D d'échantillon Première Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple couche 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Epaisseur de la deuxième couche 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10 ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U D12 Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 PH3/SiH4=1x10-7 0,18 1,5 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U D12A N 1201D 1202D 1203D 1204D 1205D 1206D 1207D 1208D 1209D 1210D d'échantillon Première Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple couche 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Epaisseur de la deuxième 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10 couche ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U D13 Condition Gaz utilisés Débit d'écoulement Rapport des débits Puissance Epaisseur de (cm /min) d'écoulement ou de dé- la couche des surfaces charge ( m) (W/cm) tranche de Si: 12-1D Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,5 =1,5:8,5 tranche de Si: 12-2D Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,3 =0,5:9,5 tranche de Si: 12-3D Ar 200 tranche de graphite 0,3 1,0 =6:4 SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4::9,6 0,18 0,3 12-4D C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5:5 0,18 1,5 12-5D C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-6D SiF4/He=0,5 =1,5:1,5:7 0,18 0,5 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=15 SiH4:SiF4:C2H4 12-7D SiF4/He=0,5 =0,3:0,1:9,6 0,18 0,3 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-8D SiF4/He=0,5 =3:3::4 0,18 1,5 C2H4 T A B L E A U D13A Conditions de préparation de la N d'échantillon / Evaluation couche amorphe (II) 12-201D 12-301D 12-401D 12-501D 12-601D 12-701D 12-801D 12-901D 12-1001D 12-1D # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-202D 12-302D 12-402D 12-502D 12-602D 12-702D 12-802D 12-902D 12-1002D 12-2D # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-203D 12-303D 12-403D 12-503D 12-603D 12-703D 12-803D 12-903D 12-1003D 12-3D # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-204D 12-304D 12-404D 12-504D 12-604D 12-704D 12-804D 12-904D 12-1004D 12-4D # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-205D 12-305D 12-405D 12-505D 12-605D 12-705D 12-805D 12-905D 12-1005D 12-5D # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-206D 12-306D 12-406D 12-506D 12-606D 12-706D 12-806D 12-906D 12-1006D 12-6D # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-207D 12-307D 12-407D 12-507D 12-607D 12-707D 12-807D 12-907D 12-1007D 12-7D # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-208D 12-308D 12-408D 12-508D 12-608D 12-708D 12-808D 12-908D 12-1008D 12-8D # # # # # # # # # # # # # # # # # # N d'échantillon/Evaluation Evaluation de la qualité Evaluation de globale de l'image la longévité Normes d'évaluation : # : Excellent #: bon T A B L E A U D14 N 1301D 1302D 1303D 1304D 1305D 1306D 1307D d'échantillon Cible de Si: cible de C 9:1 6,5:3,5 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,2:9,8 (rapport des surfaces) Si:C (rapport des 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3:7 2:8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U D15 N d'échan1401D 1402D 1403D 1404D 1405D 1406D 1407D 1408D tillon SiH4:C2H4 (rapport des 9:1 6:4 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8 débits d'écoulement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U D16 N d'échan1501D 1502D 1503D 1504D 1505D 1506D 1507D 1508D tillon SiH4:SiF4:C2H4 (rapport des 5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4: 0,2:0,3: 0,2:0,15: 0,1:0,1: débits d'écou- 9 9,5 9,65 9,8 lement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U D17 N d'échan- Epaisseur de tillon la couche Résultats amorphe (II) ( m) 1601D 0,001 Risque de formation d'image défectueuse 1602D 0,02 Aucune image défectueuese pendant 20 000 répétitions 1603D # 0,05 Stable pendant 50 000 répétitions ou plus 1604D 1 Stable pendant 200 000 répétitions cru plus T A B L E A U E1 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=3/10 0,18 0,5 1 Première GeH4/He=0,05 Couche B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 amorphe Deuxième (I) SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche Couche amorphe SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=3::7 0,18 1,0 0,5 (II) C2H4 T A B L E A U E2 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10 Première GeH4/SiH4=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 0,18 0,5 19 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 5 couche T A B L E A U E3 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=3/10 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 couche Couche B2H6/He=10-3 B2H6/(GeH4+SiH4) amor =5x10-3 phe SiH4/He=0,5 (I) Deuxième SiH4=200 B2H6/SiH4=2x10-4 0,18 1,5 20 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U E4 N 401E 402E 403E 404E 405E 406E 407E 408E d'échantillon GeH4/SiH4 5/100 1/10 2/10 4/10 5/10 7/10 8/10 1/1 Rapport des débits d'écoulement Teneur en Ge 4,3 8,4 15,4 26,7 32,3 38,9 42 47,6 (% atomique) Evaluation # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U E5 N 501E 502E 503E 504E 505E 506E 507E 508E d'échantillon Epaisseur de 3,0 nm 50,0 nm 0,1 m 0,3 m 0,8 m 3 m 4 m 5 m la couche Evaluation # # # # # # # # # : excellent # : bon # : satisfaisant en pratique T A B L E A U E6 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=5/10 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 couche Couche B2H6/He=10-3 B2H6/(GeH4+SiH4) amor5x10-3 phe SiH4/He=0,5 (I) Deuxième SiH4=200 PH3/SiH4=9x10-5 0,18 1,5 20 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U E7 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=5/10 0,18 0,5 15 GeH4/He=0,05 couche Couche B2H6/He=10-3 B2H6/(GeH4+SiH4) amor- 8x10-4 phe SiH4/He=0,5 (I) Deuxième SiH4=200 PH3/SiH4=1x10-5 0,18 1,5 5 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U E8 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=3/10 0,18 0,5 1 GeH4/He=0,05 couche Couche B2H6/He=10-3 B2H6/(GeH4+SiH4) amor =9x10-4 phe SiH4/He=0,5 (I) Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 B2H6/SiH4=9x10-4 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U E9 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/10 0,18 0,5 15 GeH4/He=0,05 couche Couche B2H6/He=10-3 B2H6/(GeH4+SiH4) amor =9x10-4 phe SiH4/He=0,5 (I) Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 5 B2H6/SiH4=9x10-4 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U E10 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=3/10 0,18 0,5 2 GeH4/He=0,05 couche Couche B2H6/He=10-3 B2H6/(GeH4+SiH4) amor =2x10-4 phe SiH4/He=0,5 (I) Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 20 B2H6/SiH4=2x10-4 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U E11 Condition Gaz utilisés Débit d'écoulement Rapport des débits Puissance Epaisseur de (cm /min) d'écoulement ou de dé- la couche des surfaces charge ( m) (W/cm) tranche de Si:: 12-1E Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,5 =1,5:8,5 tranche de Si: 12-2E Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,3 =0,5:9,5 tranche de Si: 12-3E Ar 200 tranche de graphite 0,3 1,0 =6:4 SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4:9,6 0,18 0,3 12-4E C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5:5 0,18 1,5 12-5E C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-6E SiF4/He=0,5 =1,5:1,5:7 0,18 0,5 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=15 SiH4:SiF4:C2H4 12-7E SiF4/He=0,5 =0,3:0,1:9,6 0,18 0,3 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4::C2H4 12-8E SiF4/He=0,5 =3:3:4 0,18 1,5 C2H4 T A B L E A U E12 Conditions de préparation N d'échantillon / Evaluation de la couche amorphe (II) 12-201E 12-301E 12-601E 12-701E 12-801E 12-901E 12-1001E 12-1E # # # # # # # # # # # # # # 12-202E 12-302E 12-602E 12-702E 12-802E 12-902E 12-1002E 12-2E # # # # # # # # # # # # # # 12-203E 12-303E 12-603E 12-703E 12-803E 12-903E 12-1003E 12-3E # # # # # # # # # # # # # # 12-204E 12-304E 12-604E 12-704E 12-804E 12-904E 12-1004E 12-4E # # # # # # # # # # # # # # 12-205E 12-305E 12-605E 12-705E 12-805E 12-905E 12-1005E 12-5E # # # # # # # # # # # # # # 12-206E 12-306E 12-606E 12-706E 12-806E 12-906E 12-1006E 12-6E # # # # # # # # # # # # # # 12-207E 12-307E 12-607E 12-707E 12-807E 12-907E 12-1007E 12-7E # # # # # # # # # # # # # # 12-208E 12-308E 12-608E 12-708E 12-808E 12-908E 12-1008E 12-8E # # # # # # # # # # # # # # N d'échantillon / Evaluation Evaluation de la qualité Evaluation de la globale de l'image longévité Normes d'évaluation : # : Excellent # :Bon T A B L E A U E13 N 1301E 1302E 1303E 1304E 1305E 1306E 1307E d'échantillon Cible de Si: cible de C 9:1 6,5:3,5 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,2:9,8 (rapport des surfaces) Si:C (rapport des 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3:7 2.8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U E14 N d'échan1401E 1402E 1403E 1404E 1405E 1406E 1407E 1408E tillon SiH4:C2H4 (rapport des 9:1 6:4 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8 débits d'écoulement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U E15 N d'échan1501E 1502E 1503E 1504E 1505E 1506E 1507E 1508E tillon SiH4:SiF4:C2H4 (rapport des 5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4: 0,2:0,3: 0,2:0,15: 0,1:0,1: débits d'écou- 9 9,5 9,65 9,8 lement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U E16 N d'échan- Epaisseur de tillon la couche Résultats amorphe (II) ( m) 1601E 0,001 Risque de formation d'image défectueuse 1602E 0,02 Aucune stage défectueuse pendant 20 000 répétitions 1603E 0,05 Stable pendant 50 000 répétitions ou plus 1604E 1 Stable pendant 200 000 répétitions au plus T A B L E A U F1 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~3/ 100 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 NO/(GeH4+SiH4) couche NO =3/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=3/100~0 0,18 0,5 8 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche Couche amorphe SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=3::7 0,18 1,0 0,5 (II) C2H4 T A B L E A U F2 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~4/ 100 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 5 NO/ (GeH4+SiH4) couche NO =3/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=4/100~0 0,18 0,5 3 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U F3 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~4/ 100 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 NO/ (GeH4+SiH4) couche NO =3/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=4/100 0,18 0,5 1 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U F4 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=15/100~1/ 100 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 0,4 NO/ (GeH4+SiH4) couche NO =3/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=1/100~0 0,18 0,5 0,6 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche T A B L E A U F5 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/1~14/ 100 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 0,2 NO/ (GeH4+SiH4) couche NO =3/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=14/100~0 0,18 0,5 0,8 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 20 couche T A B L E A U F6 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=2/10~45/ 1000 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 NO/ (GeH4+SiH4) couche NO =1/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=45/1000~0 0,18 0,5 6 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U F7 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~45/ 1000 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 4 NO/ (GeH4+SiH4) couche NO =1/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 GeH4/SiH4=45/1000~0 0,18 0,5 4 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U F8 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Si2H6/He=0,05 GeH4/Si2H6=4/10~3/ 100 Première GeH4/He=0,05 Si2H6+GeH4=50 0,18 0,5 2 NO/ (GeH4+Si2H6) couche NO =3/100 Couche amorphe Deuxième Si2H6/He=0,05 Si2H6+GeH4=50 GeH4/Si2H6=3/100~0 0,18 0,5 8 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième Si2H6/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U F9 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiF4/He=0,05 GeH4/SiF4=4/10~3/ 100 Première GeH4/He=0,05 SiF4+GeH4=50 0,18 0,5 2 NO/ (GeH4+SiF4) couche NO =3/100 Couche amorphe Deuxième SiF4/He=0,05 SiF4+GeH4=50 GeH4/SiF4=3/100~0 0,18 0,5 8 (I) couche GeH4/He=0,05 Troisième SiF4/He=0,5 SiF4=200 0,18 1,5 10 couche T A B L E A U F10 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/ (SiH4+SiF4) Première SiF4/He=0,05 SiH4+SiF4+GeH4 = 4/10~3/100 0,18 0,5 2 couche NO/ (GeH4+SiH4+SiF4) GeH4/He=0,05 =50 =3/100 NO Couche amor SiH4/He=0,05 phe Deuxième GeH4/ (SiH4+SiF4) 0,18 0,5 8 SiF4/He=0,05 SiH4+SiF4+GeH4 (I) couche GeH4/He=0,05 =3/100~0 =50 Troisième SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=50 0,18 1,5 10 couche SiF4/He=0,5 T A B L E A U F11 Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gas utilisés des couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=4x10-4 0,18 1,5 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U F11A N 1101F 1102F 1103F 1104F 1105F 1106F 1107F 1108F 1109F 1110F d'échantillon Première Example Example Example Example Example Example Example Example Example Example couche 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 Epaisseur de la troisième couche 10 10 15 20 20 10 10 10 10 10 ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U F12 Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gas utilisés des couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 PH3/SiH4=2x10-5 0,18 1,5 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U F12A N 1201F 1202F 1203F 1204F 1205F 1206F 1207F 1208F 1209F 1210F d'échantillon Première Example Example Example Example Example Example Example Example Example Example couche 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 Epaisseur de la troisième couche 10 10 15 20 20 10 10 10 10 10 ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U F13 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10~0 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 2 NO/ SiH4 couche NO =4/10~2/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 NO/SiH4=2/100~0 0,18 1,5 2 (I) couche NO Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U F14 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=3/10~0 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 0,18 0,5 1 NO/SiH4 couche NO =4/10~5/100 Couche amorphe Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 NO/SiH4=5/100~0 0,18 1,5 1 (I) couche Troisième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 18 couche T A B L E A U F15 Constitution Gas utilisés des Débit d'écoulement Rapport des débits Puissance Epaisseur de (cm/min) d'écoulement ou de dé- la couche des surfaces charge ( m) (W/cm) tranche de Si: 12-1F Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,5 =1,5:8,5 tranche de Si: 12-2F Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,3 =0,5:9,5 tranche de Si: 12-3F Ar 200 tranche de graphite 0,3 1,0 =6:4 SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4:9,6 0,18 0,3 12-4F C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5::5 0,18 1,5 12-5F C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-6F SiF4/He=0,5 =1,5:1,5:7 0,18 0,5 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=15 SiH4:SiF4:C2H4 12-7F SiF4/He=0,5 =0,3:0,1:9,6 0,18 0,3 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-8F SiF4/He=0,5 =3:3::4 0,18 1,5 C2H4 T A B L E A U F15A Condition de préparation de la N d'échantillon / Evaluation couche amorphe (II) 12-201F 12-301F 12-401F 12-501F 12-601F 12-701F 12-801F 12-901F 12-1001F 12-1F # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-202F 12-302F 12-402F 12-502F 12-602F 12-702F 12-802F 12-902F 12-1002F 12-2F # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-203F 12-303F 12-403F 12-503F 12-603F 12-703F 12-803F 12-903F 12-1003F 12-3F # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-204F 12-304F 12-404F 12-504F 12-604F 12-704F 12-804F 12-904F 12-1004F 12-4F # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-205F 12-305F 12-405F 12-505F 12-605F 12-705F 12-805F 12-905F 12-1005F 12-5F # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-206F 12-306F 12-406F 12-506F 12-606F 12-706F 12-806F 12-906F 12-1006F 12-6F # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-207F 12-307F 12-407F 12-507F 12-607F 12-707F 12-807F 12-907F 12-1007F 12-7F # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-208F 12-308F 12-408F 12-508F 12-608F 12-708F 12-808F 12-908F 12-1008F 12-8F # # # # # # # # # # # # # # # # # # N d'échantillon/ Evaluation Evaluation de la qualité Evaluation de globale de l'image la longévité Normes d'évaluation : # : Excellent #: Bon T A B L E A U F16 N 1601F 1602F 1603F 1604F 1605F 1606F 1607F d'échantillon Cible de Si: cible de C 9:1 6,5:3,5 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,2:9,8 (rapport des surface) Si:C (rapport des 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3:7 2:8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U F17 N d'échan1701F 1702F 1703F 1704F 1705F 1706F 1707F 1708F tillon SiH4:C2H4 (rapport des 9:1 6:4 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8 débits d'écoulement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U F18 N d'échan1801F 1802F 1803F 1804F 1805F 1806F 1807F 1808F tillon SiH4:SiF4:C2H4 (rapport des 5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4: 0,2:0,3: 0,2:0,15: 0,1:0,1: débits d'écou- 9 9,5 9,65 9,8 lement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B t E A U F19 N d'échan- Epaisseur de tillai la couche Résultats amorphe (II) ( m) 0,001 Risque de formation d'image défectueuse 0,02 Aucune image défectueuse pendant 1902F 20 000 répétitions 0,05 Stable pendant 50 000 répétitions 1903F ou plus 1 Stable pendant 200 000 répétitions 1904F ou plus T A B L E A U G1 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~0 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 Couche amor- NO NO/(GeH4+SiH4) phe =3/100 (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 19 couche SiH4/He=0,5 Couche amorphe SiH4=200 SiH4:C2H4=3::7 0,18 1,0 0,5 (II) C2H4 T A B L E A U G2 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 2 =1x10-3 Couche NO NO/(GeH4+SiH4) amorphe =1/100 (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U G3 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~2/ 1000 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 2 =1x10-3 Couche NO NO/(GeH4+SiH4) amorphe =1/100 (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U G4 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=15/100~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-3 Couche NO NO/(GeH4+SiH4) amorphe =2/100 (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U G5 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/1~5/100 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-3 Couche NO NO/(GeH4+SiH4) amorphe =2/100 (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U G6 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=2/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-3 Couche NO NO/(GeH4+SiH4) amorphe =2/100 (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U G7 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 2 =3x10-3 Couche NO NO/(GeH4+SiH4) amorphe =2/100 (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U G8 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/Si2H6=4/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+Si2H6) Première Si2H6+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-3 Couche NO NO/(GeH4+Si2H6) amorphe =2/100 (I) Deuxième Si2H6/He=0,5 Si2H6=200 0,18 1,5 19 couche T A B L E A U G9 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiF4/He=0,05 GeH4/SiF4=1/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiF4) Première SiF4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-3 Couche NO NO/(GeH4+SiF4) amorphe =1/100 (I) Deuxième SiF4/He=0,05 SiF4=200 0,18 0,5 19 couche T A B L E A U G10 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) GeH4/(SiH4+SiF4) SiH4/He=0,05 SiF4/He=0,05 =4/10~0 Première GeH4/He=0,05 SiH4+SiF4+GeH4 B2H6/(GeH4+SiH4+ couche 0,18 0,5 1 B2H6/He=10-3 =50 SiF4)=3x10-3 Couche amor- NO NO/(GeH4+SiH4+SiF4) phe =1/100 (I) SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4+SiF4=200 0,18 0,5 19 couche SiF4/He=0,5 T A B L E A U G11 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-3 Couche NO NO/(GeH4+SiH4) amorphe =3/100 (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=3x10-3 0,18 1,5 19 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U G12 N 1201G 1202G 1203G 1204G 1205G 1206G 1207G 1208G d'échantillon B2H6/ (SiH4+GeH4) 1x10-2 5x10-3 2x10-3 1x10-3 8x10-4 5x10-4 3x10-4 1x10-4 Rapport des débits d'écoulement Teneur en B 1x104 6x10 2,5x10 1x10 800 500 300 100 (ppm atomique) Evaluation # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U G13 Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=8x10-5 0,18 1,5 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U G13A N 1301G 1302G 1303G 1304G 1305G 1306G 1307G 1308G 1309G 1310G d'échantillon Première Example Example Example Example Example Example Example Example Example Example couche 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 Epaisseur de la deuxième couche 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10 ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U G14 Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 PH3/SiH4=1x10-5 0,18 1,5 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U G14A N 1401G 1402G 1403G 1404G 1405G 1406G 1407G 1408G 1409G 1410G d'échantillon Première Example Example Example Example Example Example Example Example Example Example couche 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Epaisseur de la deuxième couche 10 10 20 15 20 15 10 10 10 10 ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U G15 Condition Gaz utilisés Débit d'écoulement Rapport des débits Puissance Epaisseur de (cm /min) d'écoulement ou de dé- la couche des surfaces charge ( m) (W/cm) tranche de Si: 12-1G Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,5 =1,5:8,5 tranche de Si: 12-2G Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,3 =0,5:9,5 tranche de Si: 12-3G Ar 200 tranche de graphite 0,3 1,0 =6:4 SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4::9,6 0,18 0,3 12-4G C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4:C2H4=5:5 0,18 1,5 12-5G C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-6G SiF4/He=0,5 =1,5:1,5:7 0,18 0,5 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=15 SiH4:SiF4:C2H4 12-7G SiF4/He=0,5 =0,3:0,1:9,6 0,18 0,3 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-8G SiF4/He=0,5 =3:3::3 0,18 1,5 C2H4 T A B L E A U G15A Condition de préparation de la N d'échantillon / Evaluation couche amorphe (II) 12-201G 12-301G 12-401G 12-501G 12-601G 12-701G 12-801G 12-901G 12-1001G 12-1G # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-202G 12-302G 12-402G 12-502G 12-602G 12-702G 12-802G 12-902G 12-1002G 12-2G # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-203G 12-303G 12-403G 12-503G 12-603G 12-703G 12-803G 12-903G 12-1003G 12-3G # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-204G 12-304G 12-404G 12-504G 12-604G 12-704G 12-804G 12-904G 12-1004G 12-4G # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-205G 12-305G 12-405G 12-505G 12-605G 12-705G 12-805G 12-905G 12-1005G 12-5G # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-206G 12-306G 12-406G 12-506G 12-606G 12-706G 12-806G 12-906G 12-1006G 12-6G # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-207G 12-307G 12-407G 12-507G 12-607G 12-707G 12-807G 12-907G 12-1007G 12-7G # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-208G 12-308G 12-408G 12-508G 12-608G 12-708G 12-808G 12-908G 12-1008G 12-8G # # # # # # # # # # # # # # # # # # N d'échantillon/ Evaluation Evaluation de la qualité Evaluation de globale de l'image la longévité Normes d'évaluation : # : Excellent #: Bon T A B L E A U G16 N 1601G 1602G 1603G 1604G 1605G 1606G 1607G d'échantillon Cible de Si: cible de C 9:1 6,5:3,5 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,2:9,8 (rapport des surfaces) Si:C (rapport des 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3:7 2:8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U G17 N d'échan1701G 1702G 1703G 1704G 1705G 1706G 1707G 1708G tillon SiH4:C2H4 (rapport des 9:1 6:4 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8 débits d'écoulement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U G18 N d'échan1801G 1802G 1803G 1804G 1805G 1806G 1807G 1808G tillon SiH4:SiF4:C2H4 (rapport des 5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4: 0,2:0,3: 0,2:0,15: 0,1:0,1: débits d'écou- 9 9,5 9,65 9,8 lement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : saisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B t E A U G19 N d'échan- Epaisseur de tillon la couche Résultats amorphe (II) ( m) 0,001 Risque de formation d'image défectueuse 0,02 Aucune image défectueuse pendant 1902G 20 000 répétitions 0,05 Stable pendant 50 000 répétitions 1903G ou plus 1904G 1 Stable pendant 200 000 répétitions ou plus T A B L E A U H1 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~0 Première GeH4/He=0,05 SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) 0,18 0,5 1 couche B2H6/He=10-3 =3x10-3 Couche amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 19 couche SiH4/He=0,5 Couche amorphe SiH4=200 SiH4:C2H4=3::7 0,18 1,0 0,5 (II) C2H4 T A B L E A U H2 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 2 =1x10-3 Couche amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U H3 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gas utilisés couches ment (cm/min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~2/ 1000 GeH4/He=0,05 Première SiH4+GeH4=50 B2H6/(GeH4+SiH4) couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 2 Couche =1x10-3 amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U H4 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=15/100~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-3 Couche amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U H5 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1~5/100 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-4 Couche amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U H6 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=2/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-3 Couche amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U H7 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=1/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =1x10-3 Couche amorphe (I) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 0,18 1,5 15 couche T A B L E A U H8 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) Si2H6/He=0,05 GeH4/Si2H6=4/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+Si2H6) Première Si2H6+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-3 Couche amorphe (I) Deuxième Si2H6/He=0,5 Si2H6=200 0,18 1,5 19 couche T A B L E A U H9 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiF4/He=0,05 GeH4/SiF=1/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiF4) Première SiF4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =1x10-3 Couche amorphe (I) Deuxième SiF4/He=0,5 SiF4=200 0,18 1,5 19 couche T A B L E A U H10 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/(SiH4+SiF4) SiF4/He=0,05 =4/10~0 Première couche GeH4/He=0,05 SiH4+SiF4+GeH4 B2H6/(GeH4+SiH4+ 0,18 0,5 1 Couche B2H6/He=10-3 =50 SiF4)=3x10-3 amorphe (I) SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4+SiF4=200 0,18 1,5 19 couche SiF4/He=0,5 T A B L E A U H11 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =5x10-4 Couche amorphe (I) SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 B2H6/SiH4=5x10-4 0,18 1,5 15 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U H12 Constitution des Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Epaisseur Gaz utilisés. couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation de la charge des couches couche (W/cm) (nm/s) ( m) SiH4/He=0,05 GeH4/SiH4=4/10~0 GeH4/He=0,05 B2H6/(GeH4+SiH4) Première SiH4+GeH4=50 couche B2H6/He=10-3 0,18 0,5 1 =3x10-3 Couche amorphe (I) SiH4/He=0,5 Deuxième SiH4=200 0,18 1,5 15 B2H6/SiH4=2x10-4 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U H13 Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gaz utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 B2H6/SiH4=1x10-4 0,18 1,5 couche B2H6/He=10-3 T A B L E A U H13A N 1301H 1302H 1303H 1304H 1305H 1306H 1307H 1308H 1309H 1310H d'échantillon Première Example Example Example Example Example Example Example Example Example Example couche 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 Epaisseur de la deuxième couche 19 15 15 15 15 15 15 19 19 19 ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U H14 Constitution Débit d'écoule- Rapport des débits Puissance Vitesse de Gas utilisés des couches ment (cm /min) d'écoulement de dé- formation charge des couches (W/cm) (nm/s) Deuxième SiH4/He=0,5 SiH4=200 PH3/SiH4=9x10-5 0,18 1,5 couche PH3/He=10-3 T A B L E A U H14A N 1401H 1402H 1403H 1404H 1405H 1406H 1407H 1408H 1409H 1410H d'échantillon Première Example Example Example Example Example Example Example Example Example Example couche 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 Epaisseur de la deuxième couche 19 15 15 15 15 15 15 19 19 19 ( m) Evaluation # # # # # # # # # # # : excellent # : bon T A B L E A U H15 Condition Gas utilisés Débit d'écoulement Rapport des débits Puissance Epaisseur de (cm /min) d'écoulement ou de dé- la couche des surfaces charge ( m) (W/cm) tranche de Si: Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,5 12-1H =1,5:8,5 tranche de Si: Ar 200 tranche de graphite 0,3 0,3 12-2H =0,5:9,5 tranche de Si: Ar 200 tranche de graphite 0,3 1,0 12-3H =6:4 SiH4/He=1 SiH4=15 SiH4:C2H4=0,4:9,6 0,18 0,3 12-4H C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4=100 SiH4: :C2H4=5:5 0,18 1,5 12-5H C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-6H SiF4/He=0,5 =1,5:1,5:7 0,18 0,5 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=15 SiH4:SiF4:C2H4 12-7H SiF4/He=0,5 =0,3:0,1:9,6 0,18 0,3 C2H4 SiH4/He=0,5 SiH4+SiF4=150 SiH4:SiF4:C2H4 12-8H SiF4/He=0,5 =3:3::4 0,18 1,5 C2H4 T A B L E A U H16 Condition de prépa N d'échantillon / Evaluation paration de la couche amorphe (II) 12-201H 12-301H 12-401H 12-501H 12-601H 12-701H 12-801H 12-901H 12-1001H 12-1H # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-202H 12-302H 12-402H 12-502H 12-602H 12-702H 12-802H 12-902H 12-1002H 12-2H # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-203H 12-303H 12-403H 12-503H 12-603H 12-703H 12-803H 12-903H 12-1003H 12-3H # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-204H 12-304H 12-404H 12-504H 12-604H 12-704H 12-804H 12-904H 12-1004H 12-4H # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-205H 12-305H 12-405H 12-505H 12-605H 12-705H 12-805H 12-905H 12-1005H 12-5H # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-206H 12-306H 12-406H 12-506H 12-606H 12-706H 12-806H 12-906H 12-1006H 12-6H # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-207H 12-307H 12-407H 12-507H 12-607H 12-707H 12-807H 12-907H 12-1007H 12-7H # # # # # # # # # # # # # # # # # # 12-208H 12-308H 12-408H 12-508H 12-608H 12-708H 12-808H 12-908H 12-1008H 12-8H # # # # # # # # # # # # # # # # # # N d'échantillon Evaluation de la qualité Evaluation de globale de l'image la longévité Normes d'évaluation : # : Excellent # : Bon T A B L E A U H17 N 1301H 1302H 1303H 1304H 1305H 1306H 1307H d'échantillon Cible de Si: cible de C 9:1 6,5:3,5 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,2:9,8 (rapport des surface) Si:C (rapport des 9,7:0,3 8,8:1,2 7,3:2,7 4,8:5,2 3:7 2:8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U H18 N d'échan1401H 1402H 1403H 1404H 1405H 1406H 1407H 1408H tillon SiH4:C2H4 (rapport des 9:1 6:4 4:6 2:8 1:9 0,5:9,5 0,35:9,65 0,2:9,8 débits d'écoulement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U H19 N d'échan1501H 1502H 1503H 1504H 1505H 1506H 1507H 1508H tillon SiH4:SiF4:C2H4 (rapport des 5:4:1 3:3,5:3,5 2:2:6 1:1:8 0,6:0,4: 0,2:0,3: 0,2:0,15: 0,1:0,1: débits d'écou- 9 9,5 9,65 9,8 lement) Si:C (rapport des 9:1 7:3 5,5:4,5 4:6 3:7 2:8 1,2:8,8 0,8:9,2 teneurs) Evaluation de la qualité de # # # # # # # # l'image # : très bon # : bon # : satisfaisant en pratique # : image défectueuse formée T A B L E A U H20 N d'échan- Epaisseur de tillcn la couche Résultats amorphe (11) ( m) 1601H 0,001 0 Risque de formation d'image défectueuse 1602H 0,02 Aucune image défectueuse pendant 20 000 répétitions 1603H 0,05 Stable pendant 50 000 répétitions ou plus 1604H 1 Stable pendant 200 000 répétitions ou plus REVENDICATIONS 1. Elément photoconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un support (701) destiné à cet élément (100) et une couche amorphe (102) présentant une constitution stratifiée ayant une première région (103) comprenant une matière amorphe qui contient des atomes de silicium et des atomes de germanium, une seconde région (104) comprenant une matière amorphe qui contient des atomes de silicium et qui est photoconductrice, les première et seconde régions étant disposées l'une à la suite de l'autre à partir du côté du support. 2. Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche amorphe contient une substance destinée à déterminer les caractéristiques de conduction. 3. Elément photoconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche amorphe comporte une région (P) contenant une impureté du type P et une région (N) contenant une impureté du type Nl 4. Elément photoconducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la région (P) et la région (N) sont en contact l'une avec l'autre. 5. Elément photoconducteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que la région (P) se présente sous la forme d'une partie extrême située sur le côté support de la couche amorphe. 6. Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche amorphe comporte une région contenant une impureté du type P disposée dans la partie extrême, sur le côté support. 7. Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche amorphe contient au moins l'un des atomes d'hydrogène et d'halogènes. 8. Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche amorphe contient des atomes d'oxygène. 9. Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche amorphe contient des atomes d'oxygène situés dans la partie extrême de la région, sur le côté support. 10. Elément photoconducteur, caractérisé en ce qu'il comporte un support (2801) destiné à cet élément (2800), et une première couche amorphe (2802) présentant une constitution stratifiée ayant une première région comprenant une matière amorphe qui contient des atomes de silicium et des atomes de germanium et une seconde région comprenant une matière amorphe qui contient des atomes de silicium et qui est photoconductrice, et les première et seconde régions étant disposées l'une à la suite de l'autre à partir du côté dudit support, l'élément comportant également une seconde couche amorphe (2805) comprenant une matière amorphe qui contient des atomes de silicium et des atomes de carbone. 71. Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 10, caractérisé en ce que les atomes d'hydrogène sont contenus dans au moins l'une des première et seconde régions. 12. Elément photoconducteur selon l'une quelconque des revendications 1, 10 et 11, caractérisé en ce que les atomes d'halogènes sont contenus dans au moins l'une des première et seconde régions. 13. Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 10, caractérisé en ce que les atomes de germanium sont contenus de façon à être répartis de manière non uniforme dans la direction de l'épaisseur des couches. 14. Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 10, caractérisé en ce que la première région contient une substance destinée à déterminer les caractéristiques de conduction. 15. Elément photoconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que la première couche amorphe contient une substance destinée à déterminer les caractéristiques de conduction. 16. Elément photoconducteur selon l'une quelconque des revendications 2, 14 et 15, caractérisé en ce que la substance déterminant les caractéristiques de conduction est une impureté du type P. 17. Elément photoconducteur selon l'une quelconque des revendications 2, 14 et 15, caractérisé en ce que la substance destinée à déterminer les caractéristiques de conduction est une impureté du type N. 18. Elément photoconducteur selon l'une quelconque des revendications 2, 14 et 15, caractérisé en ce que la substance destinée à déterminer les caractéristiques de conduction est un atome appartenant au groupe III du Tableau Périodique. 19. Elément photoconducteur selon la revendication 17, caractérisé en ce que l'atome appartenant au groupe III du Tableau Périodique est choisi parmi B, Al, Ga, In et Tl. 20. Elément photoconducteur selon l'une quelconque des revendications 2, 14 et 17, caractérisé en ce que la substance destinée à déterminer les caractéristiques de conduction est un atome appartenant au groupe V du Tableau Périodique. 21. Elément photoconducteur selon la revendication 20, caractérisé en ce que l'atome appartenant au groupe V du Tableau Périodique est choisi parmi P, As, Sb et Bi. 22. Elément photoconducteur selon la revendication 15, caractérisé en ce que la première couche amorphe comporte une région (P) contenant une impureté du type P et une région (N) contenant une impureté du type N. 23. Elément photoconducteur selon la revendication 22, caractérisé en ce que la région (P) et la région (N) sont en contact l'une avec l'autre. 24. Elément photoconducteur selon la revendication 23, caractérisé en ce que la région (P) est constituée sous la forme d'une partie extrême disposée sur le côté support de la première couche amorphe. 25. Elément photoconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que la première couche amorphe comporte une région contenant une impureté du type P située dans la partie extrême sur le côté support. 26. Elément photoconducteur selon l'une des revendications 1 et 10, caractérisé en ce que l'épaisseur T B de la première région et l'épaisseur T de la seconde région sont dans la relation suivante : TB/T ( 1. 27. Elément photoconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que la première couche amorphe contient au moins l'un des atomes d'hydrogène et d'halogènes. 28. Elément photoconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que la première couche amorphe contient des atomes d'oxygène. 29. Elément photoconducteur selon l'une des revendications 8 et 28, caractérisé en ce que les atomes d'oxygène sont contenus de façon à présenter une répartition non uniforme dans la direction de l'épaisseur des couches. 30. élément photoconducteur selon la revendication 29, caractérisé en ce que les atomes d'oxygène sont contenus suivant une répartition telle que le côté support est plus riche en atomes d'oxygène. 31. Elément photoconducteur selon la revendication 10, caractérisé en chaque la première couche amorphe contient des atomes d'oxygène introduits dans la partie extrême de la région sur le côté support. 32. Elément photoconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que la seconde couche amorphe contient au moins l'un des atomes d'hydrogène et des atomes d'halogènes.