FR 2518234 A1 19830617 FR 8123538 A 19811216 Capteur d'énergie solaire ayant un revêtement sélectif solaire à faible réflectance. La présente invention concerne un capteur d'énergie solaire comportant un revêtement absorbant amélioré constitué de couches multiples qui entraînent une diminution des pertes d'énergie par réflectance. L'idée bien établie que le combustible fossile approvisionne le monde est finie et elle peut être rapidement abandonnée actuellement par suite de la vitesse de consommation nationale en énergie qui a conduit à chercher des sources énergétiques de remplacement. L'utilisation du rayonnement solaire est une possibilité d'avoir une énergie propre et fiable. L'énergie solaire est une source d'énergie constante, étendue dont la fiabilite économique dépend de son captage efficace, de son stockage et de son utilisation. L'efficacité de quelques systemes de capteurs solaires a été faible par suite des pertes thermiques importantes. Un domaine dans lequel une amélioration a été envisagée- est celui des revetements absorbants sélectifs solaires, c'est-à-dire des revêtements qui absorbent l'énergie particulièrement bien dans le spectre solaire. Par exemple, de tels revêtements sont conçus pour capter l'énergie thermique provenant de l'exposition au rayonnement solaire puis pour transmettre l'énergie captez par l'intermédiaire d'autres milieux,soit pour chauffer, soit pour refroidir les maisons et les bbtiments au moyen d'échangeurs de chaleur. En général, quand l'énergie rayonnante provenant du soleil frappe sur un objet plus froid, une partie de l'énergie est réfléchie et est perdue, et le reste est soit absorbé, soit transmis. L'énergie absorbée peut être ré-émise à une longueur d'onde plus grande. Par conséquent, un revêtement qui absorbe dans la plage du rayonnement solaire s'échauffe, à condition que la surface ne rayonne pas de nouveau ou ne ré-émette pas la plus grande partie ou la totalité de l'énergie captée. Le rayonnement solaire atteignant la surface de la terre est presque entierement contenu dans la plage de 0,3 à 2,5 microns. On suppose qu'environ 90 % du rayonnement solaire est à des longueurs d'onde d'environ 0,4 micron à environ 1,5 micron. La quantité de rayonnement supérieur à 2,5 microns est négligeable. Par conséquent, les revêtements sélectifs de l'énergie solaire sont conçus pour se differencier dans leurs propriétés d'absorption, de réflexion ou de transmission entre des longueurs d'onde supérieures à environ 2,5 microns et des longueurs d'onde inférieures à environ 2,5 microns. Ainsi, l'énergie solaire peut être captée à des longueurs d'onde inférieures à environ 2,5 microns et l'énergie captée peut être ensuite transférée vers une application utile à des longueurs d'onde supérieures à environ 2,5 microns. Ceci signifie également que pour avoir un captage réfléchissant et une rétention, un capteur solaire doit absorber fortement dans les longueurs d'onde inférieures à environ 2,5 microns et non rayonner à des longueurs d'onde supérieures à 2,5 microns. Un revêtement qui a une capacité d'absorption élevée, désignée généralement par le terme alpha dans le spectre solaire,mais une faible émissivité epsilon, à la température à laquelle le capteur fonctionnevpeut être appelé un "revêtement sélectif solaire". Même si un rapport élevé alpha à epsilon est désirable, il est essentiel que la valeur alpha soit voisine de 1 pour capter le plus possible d'énergie disponible. Des revêtements sélectifs solaires représentent une voie importante pour augmenter l'efficacité des capteurs d'énergie solaire, principalement en rendant maximum l'absorption d'énergie solaire et en rendant minimum la perte d'énergie par rayonnement. Toutefois, les revêtements sélectifs solaires peuvent encore présenter de graves inconvénients qui affectent défavorablement leur efficacité. Un de ces inconvénients est le degré relativement élevé du facteur de réflexion (ou 'réflectance") du revêtement. Dans les capteurs d'énergie solaire, la perte en énergie due à la réflexion peut représenter une perte importante dans le rendement du système et, par conséquent, une diminution appréciable de l'efficacité globale. Un objet de la présente invention est de fournir un capteur d'énergie solaire amélioré. Un autre objet est de fournir un revêtement sélectif solaire pour un capteur comportant des couches multiples. Un objet qui s'y rattache est de fournir un revêtement sélectif solaire dont les pertes par réflectance sont diminuées. Ces objets et d'autres encore sont réalisés par l'action conjointe de trois couches distinctes disposées dans un ordre laminaire prédéterminé pour définir un revêtement sélectif solaire. La première couche du revêtement qui recouvre un substrat est un métal réflecteur tel que l'argent. La seconde couche qui recouvre la première est en une matière semi-conductrice telle que le noir de chrome. La troisième couche qui recouvre la seconde et est la couche extérieure exposée au rayonnement solaire est une matière diélectrique telle que du fluorure de magnésium. Chaque couche--possède une fonction déterminée. La première couche métallique réfléchissante intervient par sa faible émissivité et réfléchit l'énergie solaire qui traverse le dos du revêtement jusqu'd la seconde couche semi-conductrice de recouvrement qui absorbe fortement dans le spectre solaire. Toutefois, les matières semi-conductrices ont normalement des pertes par réf lectance élevées. La troisième couche diélectrique sert de dispositif de protection ante, réflectance pour les deux autres couches et particulièrement pour la couche semi-conductrice. La couche diélectrique est transparente au rayonnement dans le spectre solaire et a un indice de réfraction relativement faible comparé à l'indice de réfraction de la couche semi-conductrice.L'épaisseur de la couche diélectrique est d'une grandeur suffisante pour diminuer la réf lectance provenant de la couche semi-conductrice par interférence destructrice La couche diélectrique fonctionne comme un milieu optiquement interférant. Elle amène les ondes d'énergie solaire réfléchies à être éliminées de la phase et la réflexion à être diminuée par l'interférence destructrice, dans laquelle les ondes extérieures à la phase se suppriment les unes les autres. I1 en résulte que la réflectance des première et seconde couches est sensiblement diminuée, et que l'absorption des couches et particulièrement de la couche semi-conductrice est sensiblement augmentée. De préférence, l'interférence destructrice est conçue pour être la plus efficace dans la bande d'absorption maximum du spectre solaire des deux couches sous-jacentes. L'efficacité de la couche extérieure diélectrique qui interfère optiquement peut être amélioréeen donnant à cette couche un indice de réfraction qui soit sensiblement inférieur à l'indicé de réfraction de la couche semi-conductrice et qui, de préférence, soit presque égal à la racine carrée de l'indice de réfraction de la couche semi-conductrice. L'efficacité de la couche diélectrique peut également être améliorée en donnant à cette couche une épaisseur favorab-le à l'interférence destructrice, par exemple, une épaisseur sensiblement égale au quart de la longueur d'onde du spectre solaire rayonné sur le capteur solaire. Le revêtement sélectif solaire de la présente invention peut être préparé en déposant les couches dans l'ordre indiqué en utilisant les techniques d'évaporation thermiques connues. On va maintenant décrire rapidement les dessins. Sur les dessins ci-joints, la figure 1 est une vue en coupe partielle, très agrandie, d'un revêtement sélectif solaire de la présente invention sur un support la figure 2 est une vue en élévation de c6té, partiellement en coupe, d'un capteur tubulaire d'énergie solaire comportant un revêtement sélectif solaire de la présente invention la figure 3 est laigraphique des courbes de réflexion spectrales de deux revêtements sélectifs solaires, comprenant celui de la présente invention, et elle montre la diminution de la réflectance obtenue par le revêtement sélectif de la présente invention dans le domaine visible du spectre solaire; et la figure 4 est un graphique identique à celui de la figure 3 et elle montre les résultats améliorés dans la dimi nution de la réflectance dans le domaine visible du spectre solaire, obtenus en incorporant une couche extérieure d'une matière diélectrioue. Chacune des trois couches qui définissent sous forme stratifiée le revêtement sélectif solaire de la présente invention est décrite en détail, suivie d'une description de la préparation du revêtement et de son fonctionnement par exposition au rayonnement solaire. Des exemples de capteurs solaires comportant le revêtement de la présente invention sont décrits ainsi que des combinaisons spécifiques des trois couches et la diminution de la réflectance obtenue par elles comparativement aux revêtements sélectifs solaires n'appartenant pas à la présente invention. Le revêtement sélectif solaire de la présente invention comprend trois couches distinctes disposéés en juxtaposition dans un ordre prédéterminé. En choisissant d'une façon arbitraire pour la discussion les couches allant en s'éloignant d'un substrtporteur, ce qu'on appelle ici la "première couche" est celle d'un métal fortement réflecteur et particulièrement celle ayant une réflectance élevée et une faible émissivité dans le spectre infrarouge. Les métaux utilisés ont de bonnes propriétés d'échange thermique. Par exemple, le métal réflecteur a de préférence une réf lectance d'au moins 90 % à une longueur d'onde de la lumière de 7300 nanomètres. Bien que divers métaux puissent être utilisés, l'aluminium, l'argent, le cuivre, l'or, le molybdène, l'acier inoxydable, le chrome, le nickel et leurs alliages ont été trouvés particulièrement utilisables, surtout quand ils sont réduits a l'état métallique par voie chimique. Ces métaux ont des émissivités relativement faibles, particulièrement quand ils sont très polis. La faible émissivité est désirable si un capteur solaire doit atteindre une température d'équilibre relativement élevé. Néanmoins, ces métaux absorbent peu d'énergie solaire et les capteurs solaires utilisant seulement ces métaux n'auront pas une température d'équilibre suffisamment élevée pour être d'un intérêt pratique. L'utilisation de l'aluminium est en outre limitée parce qu'il a un point de fusion relativement bas.L'argent et le cuivre sont sujets au ternissement,ce qui augmente l'émissivité. La première couche du métal réflecteur peut comprendre un substrat ou un support, tel qu'une plaque, qui est constitué entièrement par du métal. Ou bien la première couche peut comprendre un substrat non-métallique qui est recouvert ou métallisé d'une façon classique avec le métal réflecteur. Un substrat non-métallique typique qui peut être utilisé est le verre, particulièrement pour les capteurs tubulaires tels décrits plus loin. La composition du verre n'est pas critique et peut comprendre un verre sodo-calcique ou un verre de borosilicate. D'autres substrats non-métalliques qui peuvent être utilisés comprennent la porcelaine, les matières réfractaires, les matières polymères organiques et produits analogues. La deuxième couche est une matière semi-conductrice qui absorbe fortement dans le spectre solaire et qui est essentiellement transparente dans le spectre infrarouge. Les matières semi-conductrices qualifiées pour ce rôle ont normalement des indices de réfraction élevés qui provoquent des pertes élevées par réflexion. Tel qu'utilisé ici et dans les revendications, le terme semi-conducteur" désigne une matière telle que définie par l"'American Institute of Physics Handbook, seconde édition, 1963, pages 9-31, à savoir une matière dans laquelle la liaison d'énergie la plus occupée (c'est-à-dire la liaison de valence) est complètement remplie au zéro absolu, et dans laquelle l'intervalle d'énergie entre la liaison de valence et- la liaison immédiatement supérieure (liaison de conduction) est de l'ordre de 0,4 à 5 électrons volts. En général,les oxydes incomplètement oxydés des éléments métalliques de transition donnent les meilleurs résultats et sont par conséquent préférés comme matières semi-conductrices. Des matières spécifiques semi-conductrices utilisées pour la seconde couche comprennent le noir de chrome, le noir de nickel, le noir de platine, le noir de molybdène, le noir de cuivre, le noir de fer, le noir de cobalt, le noir de manganèse7 et des alliages compatibles de ces produits. Le noir de chrome est un mélange d'oxydes de chrome et est désigné dans la technique par CrOx. De même, le noir de nickel est un mélange d'oxydes de nickel. Le noir de platine, le noir de molybdène, le noir de cuivre, le noir de fer, le noir de cobalt, et le noir de manganèse sont des oxydes de ces métaux. Cependant, la matière semi-conductrice peut être autre que des oxydes métalliques. Par exemple, les carbures des métaux mentionnés et ceux d'autres métaux ayant des propriétés semi-conductrices peuvent être utilisés, tels que le carbure de cuivre, le carbure d'hafnium; le carbure de nickel, et produits analogùes. Egalement, les sulfures des métaux mentionné et ceux d'autres métaux ayant des propriétés semi-conductrices peuvent être de même utilisés, tels que le sulfure d'argent, le sulfure de fer, le sulfure de manganèse, et produits analogues. Encore d'autres métaux élémentaires, comme le silicium et le germanium, peuvent être utilisés comme matières semiconductrices. La troisième couche est essentiellement une matière diélectrique qui est transparente dans le spectre solaire et a un indice de réfraction relativement faible. La troisième couche est appliquée en une épaisseur telle, qu'elle diminue la réflectance des première et seconde couches et particulièrement celle de la seconde couche par interférence destructrice. Les matières trouvées particulièrement utilisables pour la troisième couche diélectrique comprennent le fluorure de magnésium, l'oxyde de magnésium, le dioxyde de silicium, l'alumine, l'anhydride tantalique, et produits analogues, parmi lesquels les trois premiers sont préférées. Par le terme "diélectrique", on désigne une matière non-conductrice de l'électricité, par exemple une matière ayant une résistivité électrique d'au moins 50 000 ohms. Les trois couches peuvent être appliquées sur un substrat dans l'ordre écrit par toute matière appropriée, telle que par dépôt à partir de la vapeur, dépôt sous vide, pulvérisation, pulvérisation dans la flamme, et procédés analogues, en fonction, en partie, de la matière à appliquer. Le meilleur procédé connu jusqu'à présent consiste à utiliser les techniques thermiques d'évaporation connues. Les - deux techniques qui ont été utilisées avec succès pour le-dépôt des matières envisagées ici comprennent la technique de la nacelle à résistance échauffante et la technique utilisant les faisceaux d'electrons. En se référant aux autres propriétés des trois couches, toutes les couches sont relativement minces, allant de 250 angstroms à environ 2000 angstroms, sauf quand la première couche métallique comprend un support relativement épais cons titué entièrement par le métal lui-même. En général, la première couche peut aller d-'environ 500 angstroms à environ 1000 angstroms, et la seconde couche peut-être d'environ 250 angstroms a environ 750 angstroms. Llopaisseur de. la troisième couche anti-réfléchissante est en rapport avec celle de la seconde couche àfin de fournir l'interférence destructrice avec la réflectance provenant de cette couche. De préférence, l'interférence destructrice est conçue pour être la plus efficace vers la bande de réflectance maximum des deux premières couches dans le spectre solaire. Plus particulièrement, ia troisième couche diélectrique qui fournit l'interférence optique est une matière capable de transmettre l'énergie à des longueurs d'onde allant d'environ 0,4 micron à environ 1,5 micron. Le domaine des longueurs d'onde de 0,4 à 1,5 micron est significative comme étant le domaine dans lequel la plupart de l'énergie solaire est émise. Mais il- est également important que la troisième couche extérieure transmette les longueurs d'onde supérieures de 1,5 micron à 15 microns parce que, si elle ne le fait pas, la couche absorberait ces longueurs d'onde et deviendrait une surface fortement émettrice qui serait indésirable pour les buts envisagés.La troisième couche est un dispositif de protection anti-réflexion. Elle transforme -les ondes lumineuses réfléchies et les ondes lumineuses incidentes en un rapport hors phase d'environ une demi période ou en une longueur d'onde telle, qu'elle tendent à s'éliminer mutuellement. En tenant compte de cela, la troisième couche a une épaisseur qui va de préférence d'environ 0,1 micron à environ 0,4 micron. Dans la réalisation prefereee l'épaisseur est sensiblement égale au quart de la longueur d'onde du spectre solaire rayonné sur le revêtement sélectif solaire-. Dans un autre aspect du revêtement sélectif solaire de la présente invention, l'indice de réfraction de la troisième couche diélectrique doit être sensiblement inférieur à celui de la seconde couche semi-conductrice. En général, la troisième couche diélectrique peut avoir un indice de réfraction d'environ 1,3 à environ 1,8. Ces trois matières préférées pour les trois couches extérieures ont ces indices de réfraction approchés; Indice de réfraction Fluorure de magnésium 1,380 Oxyde de magnésium 1,736 Dioxyde de silicium 1,480 En général, dans une réalisation préférée, la troisième couche diélectrique a un indice de réfraction sensiblement égal à la racine carrée de l'indice de réfraction de la couche semi-conductrice. On a dit que la matière semi-conductrice de la seconde couche avait un indice de réfraction élevé qui produit des pertes élevées par réflexion. Dans un exemple spécifique où le noir de chrome constitue la seconde couche, celle-ci a un indice de réfraction d'environ 2,551. La perte par réflexion provenant de cette couche est relativement élevée et atteint 19,1%. Dans une réalisation préférée, alors, la troisième couche utilisée sur le noir de chrome aura un indice de réfraction d'environ 1,597. Le revêtement sélectif solaire à trois couches de la présente invention peut être utilisé dans un type quelconque de système de capteur solaire. I1 est nécessaire d'appliquer convenablement sur un support la première couche et d'orienter la troisième couche vers le rayonnement solaire. Par conséquent, le revêtement sélectif solaire de la presente invention peut être incorporé dans un capteur à plaque plat, tel qu'un panneau composite plat, un capteur tubulaire en verre, et analogue. Les figures 1 et 2 montrent deux systèmes de capteur qui peuvent comporter le revêtement sélectif solaire de la présente invention. La figure 1 représente d'une façon semischématique un panneau qui est une partie d'une plaque plate. Un support 10, qui peut être en verre, en métal, en plastique, en céramique, et produits analogues, supporte un revêtement de recouvrement généralement représenté par 11. Le revêtement comprend une première couche 12 d'un métal réflecteur, une seconde couche 13 d'une matière semi-conductrice et une troisième couche 14 d'une matière diélectrique. La figure 2 montre un capteur tubulaire en'verre, à double paroi,-du type décrit dans le brevet US nO 4 033 327. Cette réalisation comprend un capteur généralement représenté par 15 comprenant des tubes de verre transparent, concentriques. Un tube extérieur 16 ou tube de couverture est transparent sur toute sa circonférence, ouvert à l'extrémité qui se trouve à droite sur la figure 2, et fermé à llextremite opposée par fusion du bout de la partie tubulée, comme-en 17. L'extrémité du tube de couverture 16 est soudée à un tube intérieur 18 en verre, absorbant, par une soudure hermétique verre sur verre en 19. L'espace soudé entre les tubes 16 et 18, respectivement, est mis sous un vide poussé (par exemple 1,33 x 10 à 1,33 x 10 6 millibars) et la partie tubulée 17 est fermée dé -façon connue. Le tube absorbant 18 est de préférence en verre et a un diamètre extérieur inférieur et une longueur légèrement supérieure au diamètre intérieur à la longueur respectivement du tube de couverture 16. Le tube 18 est fermé à l'extrémité 18a et ouvert à l'extrémité opposée 18b. Avant l'assemblage, la surface de verre périphérique extérieure du tube absorbant 18 est recouverte avec le revêtement sélectif. solaire, absorbant l'énergie de la présente inventionoqui est illustré sur la figure 2 par la zone hachurée 20. Dans un exemple d'un tel capteur tubulaire, un tube d'alimentation central 21 de diamètre plus petit que le tube 18 peut être introduit dans l'extrémité ouverte 18b du tube absorbant pour s'étendre le long des tubes concentriques 16 et 18 jusqu'à un point voisin de l'extrémité fermée 18a du tube absorbant 18. L'extrémité 18a s' engage dans un ressort en spirale 22 qui maintient en place d'une façon élastique cette extrémité du tube 18. L'extrémité ouverte 18b du tube absorbant en même temps que l'extrémité ouverte du tube d'alimentation 21 sont fixées soudées dans un collecteur (non montré sur la figure) qui comporte un certain nombre d'ensembles de tubes capteurs tels qu'illustrés par la figure 2. En fonctionnement, un fluide circule à partir du collecteur par le tube 21, la zone annulaire entre le tube 21 et le tube 18, puis revient dans le collecteur pour enlever l'énergie thermique recueillie dans le capteur 15. Un autre exemple de circuit du fluide dans un capteur tubulaire de ce type en fonctionnement est-montré dans le brevet US n0 4 120 285. Toutefois, si le revêtement capteur solaire de la présente invention est utilisé, son fonctionnement dans le captage de l'énergie solaire est le même. Le rayonnement solaire frappant le revêtement est transmis par celui-ci et renvoyé par la première couche métallique. Au-fur et à mesure que ce rayonnement continue, la température de la première couche s'élève. Si elle n'est pas couverte, la couche métal lique atteindra une température ou elle rayonnera tant de chaleur par rapport au rayonnement qu'elle reçoit, que le fonctionnement comme capteur solaire sera peu efficace. La présence de la seconde couche semi-conductrice permet de retenir l'énergie thermique de la première couche et empêche d'une façon appréciable cette perte de rayonnement en absorbant sensiblement la réflectance et, en outre, intervient par ses seules qualités d'absorption pour-absorber directement l'énergie provenant du rayonnement solaire Cependant, la seconde couche semi-conductrice de par sa nature a des pertes de réflectance élevées. Cette perte est considérablement diminuée par la présente invention du fait que la troisième couche diélectrique interfère d'une façon destructrice avec la lumière réfléchie et ainsi diminue la perte d'énergie qui, sinon, se produirait de cette façon. Là ou les capteurs solaires connus réfléchissent entre 20 et 30% du spectre solaire, la présente invention ramène cette perte à 10 % ou moins. La présente invention est illustrée par les exemples illustratifs et non limitatifs ci-après. Exemple 1 Une lamelle de verre de microscope est d'abord revêtue avec de l'argent dans une chambre à vide, puis avec de-l'oxyde de chrome, les deux dépôts étant effectués par des techniques thermiques d'évaporation,classiques. L'oxyde de chrome est appliqué par évaporation de l'oxyde de chrome sous une légère pression partielle d'air. Les couches d'argent et d'oxyde de chrome résultantes ont respectivement une épaisseur d'environ 1000 angstroms et d'environ 800 angstroms. La lamelle de microscope est ensuite enlevée et placée dans une seconde chambre à vide ou un dépôt d'oxyde de magnésium ayant une épaisseur d'environ 830 angstroms est effectué pour former un revêtement à trois couches de la présente invention. La figure 3 compare les courbes spectrales du facteur de réflexion de ce revêtement, représenté par la ligne en traits interrompus, avec celle d'un revêtement constitué seulement par de l'oxyde de chrome déposé sur l'argent, représenté par la ligne en trait plein. La figure 3 comprend le spectre de réflexion à partir d'une longueur d'onde d'environ 350 nanomètres jusqu'S environ 2500 nanomètres. Parmi ce domaine, une plage de longueurs d'onde d'environ 350 nanomètres à environ 700 nanomètres représente le spectre solaire visible, tandis que celle supérieure à 700 nanomètres représente l'infrarouge. La supériorité du revêtement sélectif solaire de la présente invention (ligne en traits interrompus) sur l'autre revêtementdonnant une réflectance diminuée, est nettement mise en évidence dans la plage qui va d'environ 350 nanomètres à environ 900 nanomètres. En particulier,il faut remarquer que le revêtement sélectif solaire de la présente invention diminue le spectre du facteur de réflexion d'environ 26 % à O à 500 nanomètres qui est le flux d'énergie maximum du spectre solaire. Exemple 2 On opère de la même façon que dans l'exemple 1, sauf que les trois couches appliquées sur une lamelle de verre de microscope sont dans l'ordre de leur dépôt, l'aluminium, le noir de chrome et le dioxyde de silicium. L'épaisseur des couches résultantes est respectivement d'environ 800 angstroms,- environ 900 angstroms et environ 970 angstroms. Dans ce cas, le spectre du facteur de réflexion de la lamelle est déterminé avant et après application de la troisième couche. Sur la figure 4, la ligne en trait plein représente le spectre de référence de la lamelle avant l'application du dioxyde de silicium, et la ligne en traits interrompus représente le spectre de référence de la lamelle après dépôt du dioxyde de silicium. Comme précédemment, la troisième couche de dioxyde de silicium amène une diminution prononcée de la réf lectance à partir d'environ 350 manomètres jusqu'à environ 900 nanomètres. Sur le dessin, les trois couches du revêtement sélectif solaire de la présente invention sont indiquées dans l'ordre préféré de contact intime mutuel qui donne les meilleurs résultats. Toutefois, il est bien entendu que d'autres couches intermédiaires en d'autres matériaux peuvent être tolérées si leur présence n'affecte pas d'une façon suffisamment défavorable le fonctionnement et l'efficacité du revêtement sélectif solaire. I1 doit être bien entendu que la description qui précède n'a été donnée qu'à titre purement illustratif et non limitatif, et que toute variante ou modification peut y être apportée sans sortir pour autant du cadre général de la présente invention tel que défini dans les revendications ci-annexées. REVENDICATIONS 1. Absorbeur d'énergie solaire comprenant un substrat comportant un revêtement multiple qui comprend une couche d'aluminium, une couche de noir de chrome recouvrant ladite couche d'aluminium, et une couche de fluorure de magnésium recouvrant ladite couche de noir de chrome, l'épaisseur de ladite couche de fluorure de magnésium étant telle, qu'elle diminue la réflectance provenant de ladite couche d'aluminium par interférence destructrice. 2. Capteur d'énergie solaire selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ledit capteur comporte un élément absorbant plat 3. Capteur d'energie solaire selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ledit capteur est tubulaire, ledit revêtement sélectif étant sur la surface extérieure de l'élément absorbant tubulaire dudit capteur tubulaire. 4. Capteur d'énergie solaire selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'élément absorbant est tubulaire et logé dans un tube transparent extérieur dudit capteur tubulaire. 5. Capteur d'énergie solaire selon l'une quelconque des revendications 1,2 et 3, caractérisé par le fait que ladite couche de noir de chrome a un facteur de réflexion d'au moins 90 % d'une longueur d'onde de la lumière d'environ 7300 nanomètres. 6. Absorbeur d'énergie solaire comportant un revêtement sélectif solaire de plusieurs couches sur un substrat, lesdites couches comprenant a) une première couche d'aluminium, b) une seconde couche recouvrant la première couche et comprenant du noir de chrome ayant au moins une perte du facteur de réflexion de 15 % dans le spectre solaire; et c) une troisième couche recouvrant la seconde couche, comprenant du fluorure de magnésium, l'épaisseur dudit fluorure de magnésium étant d'une valeur telle, au'elle diminue la réflectance de ladite couche de noir de chrome par interférence destructrice, ladite couche de fluorure de magnésium ayant un indice de refraction sensiblement égal à la racine carrée de l'indice de réfraction de la couche de noir de chrome et ladite épaisseur étant sensiblement égale au quart de la longueur d'onde du rayonnement solaire reçu. 7. Procédé pour-former un revêtement sélectif solaire sur un substrat pour un capteur d'énergie solaire, diminuant la perte du facteur de réflexion, ledit procédé étant caractérisé par le fait qu'on forme sur un substrat une première couche d'aluminium, puis qu'on forme une seconde couche de noir de chrome et finalement qu'on forme une troisième couche de fluorure de magnésium sur la seconde couche, ledit fluorure de magnésium étant transparent au rayonnement dans le spectre solaire et ayant un indice de réfraction relativement faible, l'épaisseur dudit fluorure de magnésium étant telle qu'elle diminue la réflectance provenant de ladite couche de noir de chrome par interférence destructrice.