FR 2534599 A1 19840420 FR 8217189 A 19821014 La présente invention a trait à un dispositif permettant d'obtenir des couches conductrices minces et donc éventuellement transparentes, sur un substrat organique incapable de subir des températures élevées. On sait, en effet, que déposer une couche conductrice sur un substrat isolant n'est pas une opération simple et que ce dépôt est indispensable pour de nombreuses applications. C'est ainsi qu'on pulvérise des substances pour obtenir des couches superficielles conductrices de bonne tenue mécanique, sur du verre par exemple, mais cette opération est effectuée à temperature élevée. De même, on effectue des dépôts chimiques, mais ces derniers ne résistent pas à l'abrasion. Le dispositif, objet de l'invention, ne présente pas ces inconvénients. I1 permet, en effet, de réaliser un dépôt conducteur par pénétration de particules métalliques sur un substrat de matière organique, le principe retenu consistant dans un premier temps à vaporiser sous vide un élément métallique et à projeter, à grande vitesse, le produit de cette vaporisation sur le substrat. Le dispositif est ainsi constitué d'une enceinte (1) dans laquelle est effectué le vide poussé. Danscette enceinte, est dispose une électrode (2) dont la forme peut être quelconque. A proximité, ou au contact de celle-ci; est disposé le substrat organique (3) que-l?on veut métalliser. L'élement métallique à projeter se présente sous la forme d'un creuset ou filament (4) placé dans l'enceinte. I1 est relié à un circuit, placé à l'extérieur, constitué d'un condensateur de grosse valeur (5), alimenté par une source basse tension (6) à travers une résistance (7) et un redresseur (8). La décharge de cette capacité (5) est commandée par un système quelconque (9). Cette décharge a pour effet de volatiliser tout ou partie du filament ou du courant métallique (4) et de commander, au travers d'une ligne à retard (10), un thyristor (11) qui décharge la capacité haute tension (-12) sur l'électrode (2). Le métal volatilisé, sous l'effet de la haute tension et du champ électrique qui en résulte, est alors entraîne à grande vitesse et vient percuter la surface du substrat (3). En réglant le nombre d'impulsions de décharges, les puissances dissipées, les dimensions du filament ou du creuset (4), on réalise, par ce dispositif, la métallisation d'une surface organique. Une variante consiste à élever legèrement la température du substrat (3) par un procédé quelconque de manière à faciliter la métallisation REVENDICATIONS 1. Dispositif destiné à assurer la métallisation de surfaces non conductrices caractérisé par une projection sous vide et sous haute tension de particules métalliques volatilisées. 2. Dispositif, selon revendication 1, muni d'un circuit Dermettant d'assurer la volatilisation d'un élément métallique caractérisé par ce quelle est réalisée par la décharge d'une capacité. 3. Dispositif, selon revendication 1, caractérisé en ce que l'application de la haute tension sur l'électrode est déelenchée à travers une ligne à retard.