FR 2518788 A1 19830624 FR 8124165 A 19811223 DISPOSITIF A RESISTANCE DEPENDANT DE LA TENSION, SON PROCEDE DE FABRICATION ET SA MISE EN OEUVRE DANS UN ECRAN DE VISUALISATION A COMMANDE ELECTRIQUE. La présente invention se rapporte à un dispositif à résistance dépendant de la tension présentant une courbe réponse tension-courant analogue à celle des varistances. Un tel dispositif est utilisé notamment dans les appareils d'affichages comportant un écran de visualisation à cristaux liquides. Comme il est connu, ces écrans comportent généralement un grand nombre d'éléments de forme carrée ou rectangulaire. Ces éléments peuvent être adressés individuellement. La définition de l'écran est fonction du nombre de points susceptibles de recevoir une information. Chaque point est soumis à un champ électrique. Pour la visualisation d'informations video, il à été proposé des affichages de types matriciels. Chaque élément de l'écran est alors défini par l'intersection de deux réseaux de conducteurs orthogonaux appelés lignes et colonnes. L'adressage d'un élément de l'écran au moyen de tension de commande appliqué à la ligne et à la colonne qui le concerne n'a pas besoin d'être maintenu si on adopte une technique de multiplexage temporel permettant par récurence de rafraichir l'état de l'écran. Dans le cas des dispositifs d'affichages à cristaux liquides, on peut assimiler la cellule élémentaire à un condensateur dont la constante de temps est suffisante pour maintenir la charge entre deux adressages transitoires successifs. Pour appliquer la tension de commande en un temps bref, il est d'usage de monter en série avec la cellule capacitive une résistance non linéaire, c'est à dire un élément de type varistance qui est pratiquement isolant en deçà d'un seuil de tension et qui devient de plus en plus conducteur au-delà de ce seuil. Dans un premier mode de réalisation de l'art connu, il a été proposé de réaliser colectivement les éléments varistance en utilisant comme substrat un bloc de matériau présentant les caractéristiques d'une varistance et qui occupe la même étendue que l'écran. De nombreux inconvénients sont inhérents à ce procédé. Il introduit des capacités parasites non négligeables et, en outre, les matériaux présentant ces propriétés étant généralement opaque, ne permettent pas d'utiliser l'écran en transmission. Il a été proposé dans un second mode de réalisation de l'art connu, décrit dans la demande de brevet français n081 16 217, déposée le 25 Août 1981 au nom de la demanderesse, une structure distribuée de ces varistances.Un agencement particulief des connexions de commande est retenu permettant de former sur cellei des plots de varistances assurant une commande à seuil des cellules àtfcristaux liquides Lorsque ces écrans sont destinés à l'affichage des signaux video, il est nécessaire d'utiliser des écrans à hautes définitions, c'est à dire par exemple comportant 512 ou 1024 lignes ou colonnes. Une varistance étant associée à chaque élément de visualisation de l'écran, il est donc nécessaire également d'utiliser un grand nombre de ces dispositifs non linéaires. Pour les fabrications en série, il est nécessaire notamment d'obtenir une bonne reproductibilité et une grande stabilité de ces composants.Il est en outre nécessaire d'adapter, ce également avec une bonne reproductibilité, la capacité électrique du composant à celle de la cellule associée. Hors les matériaux couramment utilisés, tels qu'un agloméra de poudre d'oxyde de zinc contenant des particules d'oxyde de bismuth et d'oxyde de manganèse ou autre matériau analogue ne permettent pas de satisfaire entièrement ces exigences. La reproductibilité# et la stabilité des varistances dépend entre autre de la taille de grain et des techniques de passivations des joints de grain mis en oeuvre lors~dela fabrication. La capacité parasite de la varistance liée également aux joints de grain est difficilement controlable. Pour pallier les inconvénients de Part connu, l'invention propose un dispositif non linéaire du type à résistance dépendant de la tension réalisé à partir de diodes semi-conductrices en silicium amorphe dont la caractéristique tension-courant, lorsqu'elles sont polarisées en inverse, est fortement non linéaire. La reproductibilité et la stabilité de ce type de diode est uniquement déterminée par la structure amorphe du matériau constituant la diode. Deux types de diode peuvent être mis en oeuvre: les diodes Schottky et les diodes de type pin ou nip. Dans le cas des diodes de type Schottky, comme il est connu, une jonction semiconducteur-métal est créee. Le métal est en général choisi parmi les suivants platine, palladium ou or. Il est possible d'augmenter la stabilité dans ce cadre particulier en créant dans la jonction métal-semi-conducteur une interface en silicure de métal par exemple en siliciure de platine. La capacité électrique de la diode est déterminée directement par les caractéristiques diélectriques et les dimensions géométriques de la diode et peuvent être ainsi adaptées aisément à la capacité de l'élément à adresser en cristal liquide. Enfin, comme tout élément semiconducteur, le dispositif peut être intégré directement sur le substrat du panneau comportant les éléments en cristaux liquides et s'adapte à toute technique de lithographie couramment utilisée. L'invention à donc pour objet un dispositif à résistance dépendant. de la tension comportant deux bornes d'alimentation entre lesquelles est appliquée ladite tension, caractérisé en ce qu'il est constitué par deux diodes en silicium amorphe disposées en opposition et formant un circuit électrique série entre les deux bornes d'alimentation. L'invention à encore pour objet les procédés de fabrication d'un tel dispositif. L'invention à enfin pour objet la mise en oeuvre d'un tel dispositif dans un écran de visualisation à commande électrique. L'invention sera mieux comprise et d'autres caractéristiques et avantages apparaîtront à la lecture de la description ci-après et des figures annexées parmi lesquelles: - les figures 1 et 2 sont deux schémas électriques équivalents au dispositif de l'invention. - les figures 3 et 4 sont des diagrammes explicatifs du fonctionnement du dispositif selon l'invention. - les figures 5 et 6 illustrent deux structures de diodes utilisables dans le cadre de l'invention. - les figures 7 et 8 illustrent deux variantes de réalisation pratique d'un dispositif selon l'invention. - les figures 9 et 10 illustrent des appareillages nécessaires à l'obtention de tels dispositifs selon un procédé préférentiel de fabrication. - les figures 11 et 12 illustrent respectivement en coupe et en élévation une structure d'écran de visualisation utilisant le dispositif de l'invention et mettant en oeuvre des cristaux liquides de types nématiques. - la figure 13 est le schéma électrique d'un écran de visualisation à effet thermoélectrique utilisant le dispositif de l'invention. Les diodes Schottky et pin ou- nip en silicium amorphe présentent des caractéristiques inverses fortement non4inéaires. Le dispositif de l'invention, comme illustré par les figures 1 et 2 est analogue à un élément nonlinéaire du type varistance et consiste en l'association en série et en opposition de deux diodes du type sus-mentionné. Le composant non-linéaire ainsi défini comprend deux bornes B1 et B2 formant contact électrique entre lesquelles sont disposées deux diodes D1 et D2. Lorsque les diodes sont de type discret, elle peuvent être indifféremment reliées par leur cathode ou leur anode selon les deux configurations illustrées respectivement par la figure 1 et la figure 2. Dans le cadre des applications rappelées dans le préambule de la présente description, les diodes D1 et D2 sont obtenues par intégration sur un substrat, qui dans un exemple de réalisation préféré est un substrat commun. Une telle réalisation sera décrite de façon plus détaillée dans ce qui suit. La figure 3 illustre l'allure des courbes de réponse courant Tension inverse Vinv de chacune des diodes D1 ou D2 classé en série pour former les inv dispositifs non-linéaires 1. Plus particulièrement la courbe A illustre la courbe de réponse d'une telle diode. Pour une tension inverse V. = 0 le inv courant de fuite est typiquement, pour une diode de type Schottky en silicium amorphe, de l'ordre de 6. .10 12 ampères. La tension VA représente la tension de claquage, typiquement supérieure à 20 volts. La courbe C illustre la réponse d'une diode classique montrant une saturation sur la plus grande partie de celle-ci jusqu'à une tension de claquage Vc. Les positions relatives des tensions de claquage VA et VC sont arbitraires -sur le diagramme. L'association des deux diodes en série-opposition permet d'obtenir une courbe composite illustrée par le diagramme de la figure 4 représentant la courbe du courant traversant le dispositif 1 en fonction de la tension appliquée entre les bornes B1 et B2. La courbe en courant est non-linéaire dans la gamme de tension - -V1 à + V2 la valeur absolue de ces deux tensions étant les tensions de claquages respectives des diodes D1 et D2 qui peuvent être au choix identiques ou différentes. La figure 5 illustre une structure de diode Schottky à couches de silicium amorphe. Typiquement ce type de diode est obtenu par déposition sur un substrat 10 d'une première couche 11 en silicium amorphe à dopage de type n+, d'une seconde couche en silicium amorphe non dopée 12 et d'une couche superficielle constituée par un métal, cette dernière couche avec la couche sous-jacente forme la jonction Schottky. De façon usuelle, le métal est du platine mais le choix peu t se porter sur des métaux ayant des propriétés analogues tel que palladium ou or. Dans une variante préférée cette couche de métal subit Uh traitement qui sera détaillé dans ce qui suit de manière à former un interface en siliciure de platine (Pt Si, Pt2 Si) assurant un meilleur contact métal-semiconducteur.La couche supérieure est donc une couche composite comprenant une mince couche formant interface 13 en siliciure de platine par exemple et une couche métallique -14 en platine. Le substrat peut être en tout matériau compatible avec les températures atteintes lors du dépôt des couches qui sont typiquement de l'ordre de 600 c. En particulier, il peut être en silicium cristallin ou poly-cristallin en molybdène, en quartz ou à base de certains verres tenant les hautes températures. Outre les couches qui viennent d'être décrites, la diode comporte également des connexions permettant les prises de contact avec la couche supérieure en platine ou autre métaux et la couché inférieure en silicium amorphe dopée n+. Les techniques permettant d'obtenir ces contacts électriques sont bien connues de l'homme de métier et ne nécess#itent pas une plus ample description. Un autre type de diode utilisable dans le cadre de l'invention est la diode pin ou encore la diode nip dont la structure ne se différencie de la première que par l'ordre de dépôt des couches sur un substrat. La figure 6 illustre la structure d'une diode pin. Comme précédemment, elle comprend un substrat 10 une première couche 15 en silicium amorphe dopée p une seconde couche en silicium amorphe non dopé et une troisième couche en silicium amorphe dopée n+. Les connexions électriques n'ont pas été représentées sur la figure 6. Un dispositif complet selon l'invention comprend deux diodes en série associées en opposition selon l'une des configurations illustrées par les figures 1 ou 2. Lorsqu'il s'agit d'éléments discrets, comme précédemment rappelé, il suffit de connecter physiquement ces éléments pour obtenir le dispositif. Cependant dans une des variantes préférée de l'invention, ces éléments sont intégrés sur un substrat commun à un ou plusieurs dispositifs. Dans le cadre de l'invention, plusieurs configurations peuvent être adoptées et notamment, sans que cella soit limitatif, les configurations illustrées par les figures 7 et 8. La figure 7 illustre une première configuration de type coplanaire. Elle s'adapte indifférement aux diodes de type Schottky ou aux diodes pin comme représenté sur cette figure. Sur un substrat isolant 10, qui peut être commun à plusieurs dispositifs, les couches 11, 12 et 15 précédemment décrites ont été déposées. Deux plages métalliques formant des contacts E1 et E2 des limites de diodes D1 et D2 dans les régions semiconductrices qui leurs sont sous-jacentes, la couche n+ 11 étant interrompue par une tranchée entre les deux diodes.La connexion électrique entre ces deux diodes est assurée par la couche 15 de faible résistivité du fait de son dopage P. Les électrodes sont réalisées en métaux bons conducteurs électriques tels que le nickel, l'or, -l'aluminium ou encore le chrome. Ces électrodes sont reliées électriquement à deux plages métalliques formant les bornes de contact électrique B1 et B2 du dispositif. La figure 8 illustre schématiquement une structure composite plus spécialement adaptée au dispositif à base de diode pin ou nip. La structure illustrée sur la figure 8 est une structure du type n-i p-i-n. Les couches 11 et 11' sont en silicium amorphe à dopage n+, la couche 15 est en silicium amorphe à dopage p+ et les couches 12 et 12' en silicium amorphe non dopé. La tension est appliquée entre. les deux bornes B1 et B2 reliées électriquement à deux électrodes en contact respectivement avec les couches 11 et 11'. L'ensemble peut naturellement être déposé sur un substrat. Dans toutes les variantes qui viennent d'être-décrites, la couche en silicium amorphe 12 (ou 12') peut être légèrement dopée. Celà conduit, à tension inverse égale, à un courant traversant chacune des diodes individuel les constituant un dispositif de l'invention plus important. Cependant la tension de claquage est inférieure à celle qu'on peut obtenir si la couche 12 est non dopée. Si on se reporte à nouveau au diagramme de la figure 3, la courbe B illustre cette variante. La tension VB est la tension de claquage d'une diode - dont la couche intermédiaire est légèrement dopée, cette tension étant inférieure à la tension VA d'une diode dont la couche 12 ntest pas dopée, tous autres paramètres restant égaux. Bien que de nombreux procédés permettent d'obtenir des diodes en silicium amorphe de type Schottky ou de type pin ou nip, éléments de base pour l'obtention du dispositif selon l'invention, il va être maintenant décrit deux procédés de fabrication pour l'obtention de ces deux types de diodes. Ces deux procédés comportent un grand nombre d'étapes communes. Seule diffère l'étape consistant à l'obtention d'une couche métallique pour les diodes Schottky. La première phase consiste en la déposition du nombre de couche de silicium amorphe voulu sur un substrat par une méthode de décomposition thermique de silane à pression atmosphérique. Bien que la méthode de dépôt soit connue, il est utile de décrire brièvement un appareil permettant ce dépôt. La figure 9 représente un tel appareil. Sur cette figure est représentée schématiquement un réacteur comprenant une chambre de réaction verticale et composé des éléments suivants: - un suscepteur circulaire 80 en graphite recouvert de carbure de silicium reposant sur un piedestal en quartz (non représenté sur la figure). L'ensemble suscepteur piedestal est animé d'un mouvement de rotation, règlable typiquement entre 0 et 30 tours par minutes; - un bobinage comprenant une self spiralée 81, située dans un plan parallèle au suscepteur 80 et couplée inductivement à celui-ci. La self est reliée à un générateur haute fréquence 85 fonctionnant à 400 k Hz et de puissance 25 Kw; - une jupe en quartz 82 isolant la self de la chambre de réaction; - une cloche en quartz 83 posée sur un socle également en quartz 84. L'ensemble délimite le volume de la chambre de réaction. - un injecteur 86 situé au centre du suscepteur permet l'introduction des gaz C à décomposer dans la chambre à réaction, ces gaz étant évacues par le bas du réacteur par les orifices 87. Les débits gazeux sont mesurés de façon classique à l'aide de tubes débimètres à billes munis de robinets à soufflets en acier inoxydable. Sur le suscepteur 80 sont représentés, sous la référence 1, des dispositifs en cours de réalisation, c'est à dire des dispositifs comprenant au moins un substrat sur lequel vont être déposées une ou plusieurs couches selon le pr#océdé de l'invention. La cloche 83 peut comporter également des fenêtres de visé permettant la mesure de la température atteinte par les dispositifs 84 à l'aide de dispositifs de mesure à infrarouge. Toutes ces dispositions sont bien connues de l'homme de-métier. Le gaz injecté G comprend de l'hydrogène à pression atmosphérique dont le débit typique est de l'ordre de 32 litres par minutes et un mélange d'autres gaz dont la nature dépend de#la couche à réaliser. Pour fixer les idées, un premier exemple concerne la- fabrication d'une diode à caractéristiquesvnon-linéaires de type Schottky et de structure illustrée par la figure 5. La première couche à réaliser est une couche en silicium amorphe dopée n+. Pour ce faire on injecte en plus de l'hydrogène du silane avec un débit del'ordre de 1 litre par minute et de la phosphine dans la proportion :10 3 molécules de PH3 pour une molécule de silane Si H4. L'épaisseur à déposer est typiquement de l'ordre de 2000 A . La température du dépôt est choisie entre environ 4000 et une température inférieure à la température pour laquelle -on obtient une cristallisation, du silicium. Cette température est de l'ordre de 630 C. La vitesse de croissance de la couche est d'environ 1 micromètre par heure.La deuxième couche à réaliser est une couche en silicium amorphe non dopée ou très faiblement dopée. Si on désire un profil de jonction abrupt, il est alors nécessaire de réaliser une étape intermédiaire pendant laquelle l'arrivée de tout gaz autre que l'hydrogène est stoppée. Cette période intermédiaire à une durée de Mordre de 15 mn. Ensuite, pour obtenir une couche non dopée, seul le silane est admis. La vitesse de croissance est également de l'ordre de 1 micromètre par heure et la température est comprise dans la gamme précédemment indiquée. L' épaisseur typique de la couche est d'environ 5000 0 5000A Si on désire une couche faiblement dopée, on admet également de la phosphine en proportion moléculaire inférieure à 10-5, typiquement 10-6. Outre le silane, les autres hydrures de silicium sont également utilisables. Cette première phase est suivie d'une seconde phase pendant laquelle le dispositif à ce stade de la fabrication est soumis à une post-hydrogénation effectuée dans un plasma d'hydrogène généré par microondes. Un appareil permettant d'obtenir cette post-hydrogénation est décrit en relation avec la figure 10. La figure 10 est une vue en coupe d'un appareil utilisé préférentiellement pour cette phase du procédé consistant dans le traitement thermique du dispositif dans une atmosphère contenant de l'hydrogène atomique. Un corps cylindrique en quartz 200 à l'intérieur duquel est placé le dispositif 1 à traiter comporte un orifice d'entrée 203 permettant d'introduire de l'hydro- gène moléculaire et un orifice de sortie 204 utilisé en premier lieu pour effectuer le vide et ensuite pour assurer une très faible circulation des gaz pendant le traitement. Une cavité centrale 205, situées dans l'axe du corps cylindrique, permet sans problème d'étanchéité, de mesurer la température du dispositif à l'aide d'un thermocouple 206.Des cavités résonnantes 207 et 208 excitées par un générateur à microondes 209 transforment par ionisation l'hydrogène moléculaire en hydrogène atomique. Une valeur typique de la puissance absorbée par chaque cavité résonnante est de 30 watts et la fréquence de travail, correspondant par exemple à une des fréquences normalisées par la réglementation en vigueur en France, est de 2.45 GHZ. La puissance consommée non utilisée apparâîssant sous forme calorifique est évacuée par circulation d'azote à travers les cavités résonnantes; une source d'azote 210 est reliée par des conduits 217 a des orifices d'entrée 212 placés sur les cavités résonnantes 207 et 208; des orifices de sortie 214 situés sur les cavités résonnantes et diamétralement opposés aux orifices d'entrée 212 permettant à'azote de s'échapper vers l'extérieur. Une trentaine de spires chauffantes 215 non jointines sont bobinées sur le cylindre de quartz et réparties sur une longueur d'environ 15cm; elles assurent par rayonnement et convexion l'élévation de température du dispositif 1. Le dispositif 1 à traiter est situé en dehors des régions ionisées situées à l'intérieur des cavités 207 et 208; de ce fait le mélange gazeux circulant au voisinage du substrat 201 ne contient pas d'ions ou d'électrons susceptibles d'engendrer une attaque par bombardement dudit substrat. Selon une autre caractéristique importante de ce type d'appareil, deux sources d'hydrogène atomique obtenu par les cavités 207 et 208 sont disposées de part et d'autre du substrat en traitement; cette disposition rend plus homogène la répartition de l'hydrogène atomique en contact avec le substrat 201. Dans un exemple de réalisation pratique avec un appareil dont les dimensions sont: longueur environ 30cm et diamètre de l'ordre de 4cm, on peut traiter des dispositifs dont les substrats ont des dimensions maximales égales à 4cm2. Une troisième phase permettant d'obtenir une diode Schottky de structure illustrée par la figure 5 ou encore un dispositif selon l'invention constitué de deux diodes Schottky selon la structure illustrée par la figure 7 consiste en un dépôt d'une couche métallique destiné à former la jonction Schottky. Après nettoyage à l'aide d'un désoxydant par exemple de l'acide fluorhydrique, une électrode en platine d'épaisseur environ 3000 A est déposée sur la couche 12. Ce dépôt peut être réalisé par la technique connue de bombardement électronique. Après dépôt du métal, selon une variante préférée de l'invention, un recuit sous vide est réalisé à une température d'environ 2000c pendant une dizaine de minutes. Ceci permet de former un interface en siliciure de platine 13 assurant un meilleur contact métalsemiconducteur. On obtient alors une couche superficielle composite 13, 14 cette dernière étant en métal pur. Comme il a été rappelé, tout métal formant un composé d'interface stable avec le silicium par recuit thermique à basse température peut être utilisé, par exemple palladium. Dans une étape ultérieure, la création d'électrode E1 et E2 telle qu'illustré sur la figure 7 peut être obtenue par les techniques habituellement mises en oeuvre dans le domaine de la fabrication des circuits intégrés. Il en est de même des connexions supplémentaires visant la création des bornes de contact électrique B1 et 112. Pour une diode fabriquée dans ces conditions, la tension inverse de claquage qui dépend de l'épaisseur de la couche non dopée est typiquement de l'ordre de 20 volts ou plus. La non-linéarité peut être mise en évidence par les valeurs de densité de courant par unité de surface en prenant deux tensions de polarisation appliquée aux bornes B1 et B2 égales- respectivement à V et 3 V : pour V inv= 5 volts la densité de courant J = 7 10 9 A/cm2-- et Vinv = 15 volts : 3 = 7 10 3 A/cm2. Dans un deuxième inv exemple de réalisation, concernant une diode platine-Sch#ttky dopée à 5 10 6 PH3, les tensions de claquage sont de l'ordre de 10 volts avec des densités de courant égales à 50 A/cm2.Les valeurs de densités de courant à 0,5 volt et 2,5 volts sont respectivement 1,6 10 6 A/cm2 et 7 10 3 A/cm2. Toutes autres possibilités entre ces deux-valeurs peuvent être obtenues par des dopages intermédiaires. Selon un procédé de fabrication, en partie commun avec celui qui vient d'être décrit, concerne la fabrication de diodes de types pin ou nip selon l'ordre des couches déposées. Il comporte également une phase de dépôt et une phase de post-hydrogénation analogue à celles qui viennent d'être décrites. Pendant la phase de dépôt, pour une diode de type pin, les couches suivantes sont réalisées : une couche en silicium amorphe dopée p une couche non-dopée très faiblement dopée et une couche dopée n+. Les étapes permettant d'obtenir les deux- dernières couches sonnt identiques à celles déjà décrites en relation avec le procédé de fabrication dune diode Schottky elles ne seront pas décrites à nouveau. En ce qui concerne l'obtention d'une couche en silicium amorphe dopée p+, il est nécessaire de mélanger au silane un gaz permettant un dopage du type p.Un tel gaz est par exemple du diborane mélangé en proportion volumique égale à 10 3. La vitesse de croissance d'une couche de ce type est d'environ 100 micromètres par heure. o Typiquement l'épaisseur de la couche est 1000 A De la même manière que précédemment décrit, si on désire des profils de jonctions abrupts, il est nécessaire d'observer entre le dépôt des différentes couches des temps d'arrêts typiquement de Mordre de 15 mn pendant lesquelles seules le gaz hydrogène est injecté. Si on désire une couche à -jonction graduelle ces temps d'arrêts ne sont pas observés. Comme précédemment, la phase comportant les étapes de dépôts des couches de silicium amorphe est suivie d'une phase d'hydrogénation sous plasma Les caractéristiques inverses d'une telle diode sont comparables à celles obtenues pour une diode Schottky. En particulier la tension de claquage est du même ordre de grandeur. Cependant la non-linéarité est moins marquée: les densités de courant à 5 volts et 20 volts sont respectivement 1,3 10 6 A/cm2 et 4,5 10-4 A/cm2. Un léger dopage de la couche intermé- diaire 12 augmente la non-linéarité du dispositif mais au #prix d'une tension de claquage inférieure. Le courant de fuite pour V = 0 est de l'ordre de inv 10 A,c'est à dire supérieure à celui obtenu avec une diode Schottky. Enfin dans une phase ultérieure, les électrodes sont crées par une métallisation partielle du type de celle illustrée par la figure 7 et relié électriquement aux bornes de connexions électriques B1 et 112. Un premier exemple d'utilisation du dispositif selon l'invention doit maintenant être décrit en relation avec les figures 1 I et 12 qui représentent respectivement en coupe et en élévation un écran de visualisation du type panneau plat à cristaux liquides. Le cristal liquide de chacune des cellules est un cristal de type nématique. Comme il a été rappelé, une cellule de se type se comporte comme un condensateur électrique et le fonctionnement en a été rappelé. Sur la figure 11, à titre d'exemple non limitatif, on- a représenté une vue partielfe en coupe d'un dispositif de visualisation comprenant une couche de matériau électro-optique 120 constitué dans l'exemple choisi par un cristal liquide de type nématique. Chaque élément de visualisation est commandé par un dispositif 1 conforme à l'invention et qui sera, pour fixer les idées, décrit comme étant du type analogue à celui décrit en relation avec la figure 7. La couche de cristal liquide est enserrée dans l'espace laissé libre entre deux lames 121 et 122 parallèles et distantes d'environ une dizaine de micromètres. L'écartement est défini par des cales d'épaisseur non représentées. Il est connu d'appliquer un champ électrique à un cristal liquide pour modifier Itqrientation de ses molécules afin de moduler la lumière incidente. Les matériaux présentant une phase mésomorphe sont faits de molécules longiformes orientables en présence drune paroi solide, suivant une direction commune qui peut être soit parallèle soit perpendiculaire au plan de la paroi. La direction de cette orientation dépend des natures respectives du matériau cristal liquide et de la paroi. L'orientation en est facilitée par l'utilisation de surfactants appropriés assurant un traiteme#nt préalable en contact avec le film. Suivant l'effet désiré on utilise un matériau mélo~ morphe présentant l'une ou l'autre des trois phases suivante#s: smectique, nématique, et/ou cholestérique. La couche de cristal liquide 120-est commandée électriquement par l'intermédiaire des électrodes 123 et 124 situées respectivement sur la face interne des lames 121 et 122. Chaque électrode 123 définît par le contour de sa surface qui est de l'ordre du mm2, une cellule représentant un élément d'un écran à accès matricielle par exemple. Les tensions nécessaires à la commande de la couche de cristal liquide 120 sont véhiculées par 1 intermédiaire des connexions de lignes et de colonnes. Lorsque les lignes et les colonnes relient entre elles plusieurs cellules, la commande d'une cellule crée un champ de commutation, mais d'autres cellules à ne pas commuter peuvent être le siège de champs électriques parasites indésirables. Dans l'art connu, il est d'usage d'associer- à chaque cellule à cristal liquide un élément de commutation consitué par une varistance mise en série avec chaque point à exciter. Selon la présente invention, cet élément de commutation est remplaçé par le dispositif 1 constitue par l'association de deux diodes Schottky ou pin ou encore nip. Si on se reporte à nouveau aux figures Il et 12, l'électrode 124 est une électrode commune à une rangée de cellules élémentaires, une ligne par exemple. L'électrode 125 sert à adresser dans ce cas une colonne. Elle est reliée à la contre-électrode 123 via l'élément de commutation, c'est à dire le dispositif 1. Ces électrodes 123 de forme carrée, dans ltexemple décrit, peuvent être réalisées à l'aide d'une métallisation de faible épaisseur et rester transparente à la lumière Si la cellule doit être lue par transmission ou réfléchissante dans le cas contraire. De façon préférentielle, les substrats 122 comportent des cavités 126 dans lesquels sont intégrés des dispositifs 1, réalisés par exemple selon l'un des procédés de fabrication qui viennent d'être décrit. Le substrat 122 sert à isoler électriquement les différentes couches disposés dans ces cavités des électrodes de commandes 125 et 123. Celles ci sont en contact électrique avec les deux électrodes E1 et E2, les diodes placées en série formant le dispositif 1 selon l'invention. Dans une réalisation typique, la surface du cristal liquide est environ 1 mm2. Pour que le fonctionnement, par exemple en transmission, ne soit pas perturbé par la présence des dispositifs non linéaires 1, il est nécessaire que la surface de ceux-ci soit petite devant celle du cristal, typiquement un dixième de la surface. Dans le cas des diodes Schottky, réalisé conformément à la structure décrite en relation avec la figure 7, les électrodes définissant les deux diodes ont des dimensions de 300 X 100 micromètres et sont espacées d'environ 290 micromètres. Les deux états de la cellule à cristal liquide peuvent être obtenus par des tensions aux bornes du dispositif égale respectivement à 8 et 14 volts ce qui correspond dans un exemple typique à 10 9 A et 10 6 A. Dans une autre application, les dispositifs non linéaires selon Minven- tion peuvent également être utilisés pour la commande des cellules d'un écran de visualisation à effets therm#élecfrique. Lorsqu'il s'agit de cristal liquide, celui-d est de type smectique. Ce matériau, comme il est connu, réagit optiquement-à un champ électrique au cours d'un cycle thermique comportant une phase d'échauffement et une phase de refroidissement souschamp. Il y a donc un effet mixte thermique et électrique.Pour ce faire, il est prévu deux réseaux croisés de conducteurs définissant un agencement matriciel de point d'affichage. L'un des réseaux se compose d'éléments chauffants destinés à élever transitoirement la température de la couche de matériau inscriptible. L'autre réseau coopère avec le premier pour soumettre localement la couche à des champs électriques de commande et est analogue à celui mis en oeuvre dans l'écran -décrit en relation avec les figures 11 et 12. Généralement, le premier réseau comprend des bandes chauffantes réalisées à partir d'une métallisation résistive et communes à une ligne ou une colonne de cellules élémentaires. A une telle configuration est décrite à titre d'exemples non limitatifs dans la demande de brevet français n080 26 544, déposée le 15 décembre 1980 au nom de la demanderesse. Ces bandes chauffantes sont commandées à l'aide d'un réseau de connexions de type matriciel organisées en ligne et colonne. Les circuits de multiplexage comportant généralement des diodes permettent la commande sélective des bandes chauffantes. Selon l'enseignement d'une variante de réalisation décrite dans la demande de brevet français n081 16 218, déposée le 25 aout 1981 également au nom de la demanderesse, il est possible de remplacer ces diodes par un élément non linéaire de type varistance. Une telle configuration va être rappelé brièvement en relation avec la figure 13 qui en représente le schéma électrique. Dans un but de simplification une matrice 3/3 à été représentée. Les bandes chauffantes sont repérées avec les indices R11 à R33 et de façon plus générale chaque bande résistive peux être associée à un double indice correspondant à une ligne i et une colonne j. Selon la présente invention, l'élément non linéaire sera le dispositif 1 réalisé de façon préférentielle par l'un des procédés de fabrication précédemment décrit. A titre d'exemple, pour provoquer le passage d'un courant de chauffage dans la bande résistive Roll, la première colonne est portée au potentiel + V/2 et la première ligne de potentiel - V/2 ce qui soumet l'ensemble formé par la borne chauffante R11 et le dispositif 1 correspondant au potentiel V.Ce potentiel V est choisi de telle façon qu'il permette le passage du courant. de chauffage i capable d'élever suffisemment la température de la bande résistive R11. Il faut également que V/2 soit inférieur à la tension de seuil du dispositif 1 pour éviter d'adresser d'autres bornes chauffantes. Les autres lignes et colonnes représentées sur la figure 13 étant au potentiel zéro, aucune autre bande que R11 n'est traversée par un courant de chauffage. L'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisations qui viennent d'être décrits et en particulier aux seules utilisations dans les écrans de visualisation à commande électrique ou à commande thermo-électrique. Le dispositif selon l'invention trouve une application avantageuse dans tout système nécessitant un grand nombre d'éléments non linéaires où il est exigé une bonne reproductibilité et une bonne stabilité de ces éléments. REVENDICATIONS 1. Dispositif à résistance dépendant -de la tension comportant deux bornes d'alimentation entre lesquelles est appliquée ladite tension, caractérisé en ce qu'il est constitué par deux diodes (D1, D2) en silicium amorphe disposées en opposition et formant un circuit électrique série entre les deux bornes d'alimentation (B1, 112). 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque diode (D1 ou D2) est une diode de type Schottky comportant au moins une couche (11,12) de silicium amorphe déposée sur un substrat (10) et une couche métallique (14) formant jonction. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche métallique (14) est réalisée à base de platine, de palladium ou d'or. 4. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que# chaque diode est une diode de type pin ou nip comportant au moins un ensemble de trois couches de silicium amorphe déposées sur un substrat (10) et en ce que ces trois couches comprennent une couche (11) à dopage n, une couche intermédiaire non-dopée (12) et une couche (15) à dopage p 5. Dispositif selon la revendication l, caractérisé en ce que chaque diode est une diode de type pin ou nip comportant au moins un ensemble de trois couches de silicium amorphe déposées sur un substrat (10) et en ce que ces trois couches comprennent une couche (11) à dopage n+, une couche intermédiaire (12) faiblement dopée et une couche (15) à dopage p 6.Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les deux diodes (D1, D2) sont intégrées sur un substrat commun (10) selon une configuration coplanaire et en ce que deux plages métalliques- superficielles formant l'une des électrodes (E1,E2) de chacune des diodes définissent ces diodes dans des régions en silicium amorphe sousjacentes et en ce que la couche en silicium amorphe au contact avec le substrat est une couche fortement dopée formant contact entre~les deux diodes de manière à refermer ledit circuit électrique série. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 5, caractérisé en ce que les deux diodes (D1,D2) sont réalisées sous la forme d'un ensemble unique de couches en silicium amorphe comprenant un empilement d'au moins trois couches dopées (11,15,11') séparées par deux couches intermédiaires non dopées (12,12') et en ce que deux plages métalliques superficielles déposées sur les couches extrêmes forment l'une des électrodes (B 1,112) de chacune des diodes. 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le matériau du substrat (10) est choisi parmi les matériaux suivants: silicium monocristallin, silicium policristallin, quartz, molybdène, saphir ou verre de température de ramollissement supérieure à 600 C. 9. Procédé de fabrication sur un substrat commun d'au moins un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'il comprend: - une phase de dépôt d'au moins une couche de silicium amorphe sur ledit substrat par décomposition thermique d'un mélange gazeux comprenant au moins un hydrure de silicium, sous pression atmosphérique et à une température inférieure à la température de cristallisation de la couche de silicium. - et une phase de recuit thermique sous atmosphère d'hydrogène atomique à une température inférieure à la température de cristallisation à la couche de silicium. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'hydrure de silicium est du silane. 11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la phase de dépôt comprend au moins une étape pendant laquelle le mélange gazeux comporte un composé gazeux d'un élément dopant du type n ou p pour réaliser une couche de silicium amorphe dopée. 12. Procédé selon rune quelconque des revendications 9 - à 10, caractérisé en ce que, les diodes étant du type Schottky, il comprend une phase supplémentaire comportant une étape de dépôt d'une couche de platine superficielle et une étape de recuit sous vide de cette couche de manière à former une couche d'interface métal-silicium en siliciure de platine. 13. Ecran de visualisation à commande électrique constitué par un assemblage de cellules élémentaires définies par une lame de cristal liquide (120) enserrée entre deux électrodes (123,124) reliées chacune à une connexion électrique de commande (125), caractérisé en ce qu'un dispositif (1) fabriqué selon rune quelconque des revendications 9 à 12 est associé à chacune desdites cellules par son insertion dans un circuit électrique série formé par l'une des électrodes (123) et sa connexion de commande (125). 14. Ecran de visualisation à commande thermoélectrique constitué par un assemblage de cellules élémentaires définies pat une lame de cristal liquide présentant un effet thermoélectrique et comportant en outre un réseau de bandes résistives (R1 1-R33) destinées à chauffer sélectivement le cristal liquide d'au moins unecellule et reliées à des connexions électriques de commande, caractérisé en uns ce qu'un dispositif (1) selon l'une quelconque des revendications 9 à 12 est associé à chacune desdites bandes par son insertion dans le circuit électrique série formé par la bande résistive et une de ces connexions. 15. Ecran selon l'une quelconque des revendications 13 ou 14, caractérisé en ce que, les cellules étant disposées sur un substrat commun (122), les couches en silicium amorphe desdits dispositifs (1) sont déposées sur ce substrat formant support.