FR 2497403 A1 19820702 FR 8123625 A 19811217 La présente invention a pour objet un procédé de forma- tion d'un réseau, plus particulièrement un procédé permettant de former un réseau extrêmement fin. Un des procédés typiques conformes à l'art antérieur pour former des réseaux est un procédé lithographique utilisant diver- ses sources en forme de faisceaux. Conformément à ce procédé, on soumet une couche résistante revêtue sur un substrat à l'applica- tion sélective de faisceaux de travail ou de rayons de lumière, d'électrons et de rayons X, et la partie soumise ou non soumise à ce faisceau de travail ou d'usinage ou à ces rayons est éliminée par développement de façon à obtenir un réseau désiré. Cependant, conformément à ce procédé, la précision du réseau résultant est déterminée par la précision d'exposition de la couche résistante au faisceau d'usinage, de sorte que le dispositif lithographique requis doit présenter une construction compliquée et une grande précision, ce qui augmente le prix de l'appareil. Avec le développement récent de la technique du circuit à haute intégration, il est nécessaire de travailler un réseau ex- trêmement petit avec une très grande précision. Par exemple, dans les récentes années, des usinages d'une précision inférieure au micron sont recherchés, et lorsqu'on essaye d'obtenir des travaux aussi fins avec le procédé de l'art antérieur, l'appareillage de- vient extrêmement compliqué et coûteux. Pour fabriquer un réseau extrêmement fin selon le procédé de l'art antérieur, il est nécessaire de constituer un film résis- tant mince adapté à former un réseau de façon à rendre faible la diffraction de lumière ou la dispersion du faisceau électronique dans la couche résistante, de sorte que le réseau résultant n'ait pas une hauteur suffisante par rapport à la largeur. Lorsqu'un tel réseau est utilisé comme masque de gravage, l'utilité d'un usinage subséquent serait limitée. Dans la fabrication d'un circuit à haute intégration LSI décrit ci-dessus, de nombreux traitements à haute température tels que la diffusion à la chaleur sont nécessaires dans de nom- breux cas. Etant donné que de tels traitements à température élevée n'entraînent pas toujours des effets favorables sur les caractéristiques du dispositif, il est souhaitable de diminuer, autant que faire se peut, le nombre de tels traitements à tempé- rature élevée. Un exemple d'un procédé de préparation d'un réseau fin qui ne fait pas appel à la lithographie est décrit dans le brevet américain n0 4 124 933 par exemple. C'onZormémenit au procédé décrit dans ce brevet, du bore est doué par diffusion à la chaleur dans les parois latérales d'un réseau de s-'lcium r-o'BicristaIlin, et seule la région dopée est laissée sur le substrat en utilisant la différence dans les vitesses d'attaque de la région dopée et de la région non dopée, grâce à quoi on forme un réseau fin. Ce procédé cependant requiert l'utilisation d'un traitement à température élevée tel que la diffusion à la chaleur. Un tel traitement à température élevée n'est pas toujours appropri. pour la fabrica- tion des circuits LSI et des autres dispositifs à densité élevée. Les traitements à température élevée non seulement 'Limitent le matériau utilisé dans la fabrication du dispositif, mais également dégradent les caractéristiques de ces dispositifs. Pour cette raison il est souhaitable de prévoir un procédé permettant de préparer un fin réseau à une température relativement basse. En conséquence, un des objets principal de l'invention est de prévoir un procédé permettant de former un fin réseau qui puisse être fabriqué effectivement à faible prix. Un autre objet de l'invention est de prévoir un procédé permettant de fabriquer un réseau qui soit plus fin que ceux formés selon les procédés de l'art antérieur, c'est-à-dire de l'ordre.de 0,5 à 0,01 micron. Un autre objet encore de l'invention est de prévoir un procédé permettant de former un réseau ayant une hauteur suffi- samment grande par rapport à sa largeur. Un autre objet encore de l'invention est de prévoir un procédé permettant de former un réseau à température relativement basse pouvant être utilisé pour préparer un semiconducteur. Conformément à la présente invention, on prévoit un pro- cédé de formation d'un réseau comprenant les étapes de formation d'une région oxydable d'un réseau prédéterminé sur un substrat et d'oxydation de la région oxydable pour former un réseau d'une région d'oxyde formant au moins une partie des parois latérales de la région oxydable. Le réseau de la région d'oxyde est utilisé pour préparer une grille de diffraction, un élément d'un semiconducteur, par exemple un ilot de silicium, un réseau d'isolation ou un semi- conducteur tel qu'un MOS FET (transistor à effet de champ Métal- Oxyde-Semiconducteur). L'invention apparaîtra plus clairement à l'aide de la description qui va suivre faite en référence aux dessins annexés dans lesquels - les figures 1A à 1I montrent des étapes successives de la mise en oeuvre d'un procédé conforme à l'invention; - la figure 2 est une courbe caractéristique montrant la relation entre la variation de l'épaisseur de la région d'oxyde formée par le traitement d'oxydation effectué dans l'étape illus- trée à la figure 1G et la température de l'eau - la figure 3 montre la relation entre la durée d'immer- sion en minutes de la région d'oxyde et la variation d'épaisseur; - les figures 4A à 4F montrent un exemple d'étapes succes- sives en vue de préparer un canal court MOS FET (transistor à effet de champ) conformément au procédé de formation d'un réseau de l'invention; les figures 5A et 5B, les figures 6A à 6F et les figures 7A à 7F montrent des étapes successives d'autres modes de réalisa- tion conformes à l'invention; - la figure 8 est une vue en perspective montrant un ré- seau typique d'une région d'oxyde formé selon les modes de réali- sation respectifs; et - les figures 9A à 9E montrent des étapes successives d'un autre mode de réalisation encore de l'invention. Selon un mode de réalisation préféré de l'invention mon- tré aux figures 1A à 1I, un premier substrat 10 de silicium ayant une épaisseur d'environ 400 A par exemple est préparé. Ensuite, le substrat est chauffé en atmosphère d'oxygème (02) à une tempé- rateur de 1050'C pendant 80 minutes de façon à former une couche d'isolation 11 d'un film SiO2 de dioxyde de silicium ayant une épaisseur d'environ 1000 angstr5ms. Cet état est représenté à la figure 1A. Ensuite, sur la couche d'oxyde 11 on dépose sous vide un matériau oxydable, de l'aluminium par exemple, jusqu'à une épais- seur de quelques milliers d'angstrbms, de préférence de l'ordre de 5000 angstr8ms avec une vitesse d'évaporation de 22 angstrôms/ seconde et pendant environ 4 minutes, constituant ainsi une couche oxydable 12. Ce stade est illustré à la figure 1B. Ensuite, un film photorésistant positif, par exemple du type AZ 1350 (marque déposée de la société SHIPLEY CO., INC.) est déposé sur la couche oxydable 12 jusqu'à une épaisseur de 5000 angstrfms par le procédé de revêtement rotationnel. Ensuite l'en- semble est préchauffé dans une atmosphère d'azote N 2 à une tempé- rature de 900C pendant 30 minutes de façon à former une couche photorésistante 13. Cet état est illustré à la figure 1C. Ensuite, comme montré à la figure 1D, la couche photoré- sistante 13 est exposée à la lumière 14, par exemple un rayonne- ment ultraviolet, en utilisant un réseau prédéterminé. L'exposi- tion à la lumière peut être faite par la technique d'impression de contact ou d'impression par projection ou par tout autre pro- cédé connu d'exposition. Faisant suite à l'exposition lumineuse, l'ensemble est développé de façon à éliminer les parties de la couche photorésistante 13 exposées à la lumière, après quoi l'en- semble est soumis à une post-cuisson dans une atmosphère d'azote N2 à une température de 120OC pendant 20 minutes, formant ainsi une région photorésistante 16 comme montrée à la figure lE. Comme il sera décrit plus loin, cette région 16 est utilisée comme masque pour la couche oxydable 12. Plus précisément, un traitement de gravage àplaques paral- lèlesau plasma est effectué dans un plasma de gaz de tétrachlorure de carbone C014 à une pression de 0,25 Torr (soit environ 0,3.10-3 bar) en utilisant la région 16 comme masque. Da=ns ce cas, un cou- rant de 3 A ayant une fréquence de 380 KHz, par exemple, est utilisé. Comme résultat de ce gravage au plasma, la partie de la couche 12 oxydable exposée au plasma est éliminée, de sorte que seule la partie de la région oxydable 17A située en dessous de la région photorésistante 16 est conservée en même temps que la région photorésistante 16. Cet état est illustré à la figure 1F. A ce moment, les parois latérales de la région oxydable 17A sont formées verticalement. Ensuite, la région oxydable 17A est oxydée de façon à en oxyder les parois latérales exposées de façon à constituer une région oxydée 18 entourant la région 17A comme montré à la figure 1G. L'oxydation peut être faite selon le procédé Bomite ou selon le procédé d'oxydation au plasma. Le procédé Bomite sera décrit ci-après, qui utilise de l'aluminium comme matériau oxydable. L'ensemble décrit ci-dessus est immergé dans l'eau chaude à une température de 60C pendant 25 minutes de façon à former une cou- che d'oxyde 18 ayant une épaisseur d'environ 0,2 d sur les parois latérales de la région 17A. Plus particulièrement, lorsque l'aluminium est immergé dans de l'eau chaude pendant 10 minutes, la relation entre la température de l'eau et l'épaisseur D de la couche d'oxyde est illustrée à la figure 2, tandis que lorsque la température de l'eau est de 60C, la relation entre.la durée d'immersion et l'épaisseur D de la couche d'oxyde est illustrée à la figure 3. Ces caractéristiques montrent que l'épaisseur D de la couche d'oxyde à former peut être déterminée en choisissant de façon appropriée la température de l'eau et la durée d'immersion. Lorsqu'on utilise l'oxydation au plasma, la couche d'oxy- de 18 peut être formée selon un procédé décrit dans l'article de George J. TIBOL et autres intitulé "Plasma Anodized Aluminium Oxide Films" (Films d'oxyde d'aluminium anodisés au plasma>, Journal of the Electrochemical Society, Décembre 1964, pages 1368 à 1372. Ensuite, la région résistante 16 est éliminée sous plasma d'oxygène à une pression de 1 Torr (1,3.10-3bar environ) dans un réacteur à plasma du type en tonneau dans lequel un courant à haute fréquence d'environ 200 W sous fréquence de 13,56 MHz est amené. En variante, la technique de gravage au plasma à plaques parallèlles décrite en relation avec la figure 1 peut être utilisée. L'état qui suit l'élimination de la région résistante est illustré à la figure 1H. Ensuite, la région oxydable 17A est éliminée selon la technique de gravage au plasma à plaques parallèles utilisant du tétrachlorure de carbone CCl4 de la même manière qu'à la figure 1F, de façon à obtenir une région d'oxyde 18 ayant un réseau prédéterminé comme illustré à la figure 11. Conformément au procédé décrit ci-dessus, l'épaisseur ou la largeur de la région 18 d'oxyde résultante peut être déterminée par les paramètres utilisés pour oxyder la couche oxydable. En conséquence, à l'encontre du procédé de l'art antérieur, la lar- geur du réseau résultant n'est pas influencée par la précision du masque, et en outre le réseau peut être effectivement formé par simple oxydation de la couche oxydable. En outre, l'étape du procédé permettant d'obtenir la région d'oxyde est relativement simple et ne requiert pas de précision de travail élevée comme c'était le cas du procédé de l'art antérieur. Ainsi, conformément au procédé de l'invention, il est possible d' btenir effective- ment un réseau désiré à faible pJx En outre. il est possible de fabriquer avec une précision levée une largau d e reseau inf4- rieure à 1 g, c'est-à-dire de l'ordre du "sous-!icron" cu'ii était difficile d'obtenir selon aucune des techniques connues de l'art antérieur. La hauteur du réseau est déts}inée par l Eépais- seur de la couche oxydable 17 tout d'abord forage sur le substrat. Dans cet exemple, le réseau à une hauteur de 0:5 g et une largeur de 0,2 g, lesquelles sont beaucoup plus petites aue celles des réseaux préparés selon l'art antérieur connu. Quoique dans le mode de réalisation précédent on ait uti- lisé comme matériau résistant le matériau dénommé AZ 1350, on peut également utiliser du polyméthyle méthacrylate, auquel cas un mélange de méthyle isobutyle cétone et d'alcool isopropylique est utilisé comme solution de développement. Lorsqu'on utilise du polyméthyle méthacrylate, on fait appel à la technique lithogra- phique par faisceau électronique plutot qu'à la photolithographie. Etant donné que la lithographie par faisceau électronique est bien connue dans cette technique, elle ne sera pas décrite en détail. Le réseau ainsi obtenu peut être utilisé comme masque pour préparer une grille requérant un fin réseau, un dispositif de région d'isolation ou une électrode de grille d'une grille de silicium d'un MOS FET. En outre, il est possible d'utiliser le réseau comme grille de diffraction étant donné qu'il s'agit d'un fin réseau composé d'un oxyde. Les figures 4A à 4F montrent une variante du procédé de l'invention. Comme montré à la figure 4A, sur un substrat de silicium 21 de type P sont formés un film 22 d'oxyde formant grille et une région d'oxyde épaisse 23 d'isolation, ainsi qu'une couche polycristalline 24 formée par-dessus le tout. Cette cons- truction peut être aisément obtenue par un procédé bien connu. Ensuite, comme montré à la figure 4B, une couche d'aluminium 25, l'un des matériaux oxydables, est déposée à la vapeur sur la couche de silicium polycristallin 24 et un réseau 26 photorésis- tant prédéterminé est formé sur la couche d'aluminium 25. Alors, comme montré à la figure 4C, la couche d'aluminium est attaquée en utilisant le réseau photorésistant 26 comme masque selon le procédé décrit en relation avec le mode de réali- sation précédent, et la couche d'aluminium restante est oxydée. Alors, le réseau photorésistant 26, la couche d'aluminium restante sont éliminés de façon à obtenir un réseau extrêmement fin d'oxyde d'aluminium 28 comme montré à la figure 4C. Alors, le réseau d'oxyde d'aluminium 28 est utilisé dans une atmosphère de gaz de bichlorure et bifluorure de carbone CCl2F2 sous une pression de 0,1 Torr (environ 0,13.103 bar) comme masque pour éliminer la région de silicium polycristallin exposée avec le procédé de gravage au plasma à plaquesparallèles, laissant ainsi une combinaison de régions 29 de silicium polycristallin ayant une largeur extrêmement faible sur le film 22 d'oxyde for- mant grille et de réseaux 28 d'oxyde d'aluminium ayant également une largeur extrêmement étroite et surmontant les régions 29 comme illustré à la figure 4D. Ensuite, l'ensemble est immergé dans une solution conte- nant de l'acide phosphorique et de l'acide nitrique pour éliminer le réseau 28 d'oxyde d'aluminium, laissant seulement la région 29 de silicium polycristallin. Cet état est illustré à la figure 4E. A ce moment, étant donné que la hauteur de la région de silicium polycristallin 29 peut être suffisamment grande, la région 29 constitue effectivement un organe de blocage efficace lors du procédé d'implantation d'ions successif. Ensuite, des ions du type d'impureté n, par exemple d'arsenic As, sont implantés de façon à former la région de source adjacente 31 et la région de drain 32 sur la surface prin- cipale du substrat semi-conducteur 21. Etant donné que ces régions sont formées en utilisant la région polycristalline 29 comme mas- que, un court canal initialement déterminé par la largeur de la région de silicium polycristallin 29 est formé entre la région de source 31 et la région de drain 32. D'autre part, l'implantation d'ions peut être effectuée avant d'éliminer l'oxyde d'aluminium par la solution acide. Les figures 5A et 5B montrent un autre mode de réalisa- tion du procédé de formation d'un réseau conforme à l'invention dans lequel le même substrat que celui montré aux figures 1A à 1I est utilisé. La figure 5A montre un état dans lequel la couche photorésistante 16 est enlevée avant l'étape d'oxydation illustrée à la figure 1G, et ensuite de quoi l'étape d'oxydation est effec- tuée. Dans ce cas, la région oxydable 17A est oxydée non seulement sur ses parois latérales mais également sur sa surface supérieure, de sorte que la région oxydable 17A est entourée par la couche d'oxyde 18 et 19 ayant chacune une épaisseur de 0,02 à 0,4 g par exemple. Ensuite, la région d'oxyde 19 surmontant la région oxyda- ble 17A est éliminée par le procédé de gravage au plasma à plaques parallèlesen utilisant un mélange de gaz tétrachlorure de carbone CCl4 et d'hydrogène H2 sous une pression de 0,25 Torr (environ 4-32 0,3.10 bar) en faisant passer un courant à haute fréquence de 3 A et sous pression 380 KHz. Dans ce cas, la partie parallèle au substrat 10 est attaquée avec une vitesse d'environ 280 angstrôms/ minute (un angstrbm = 10-4 g = 10 7 mm = 10 10 m) tandis que les parties de parois latérales verticales ne sont pas attaquées de façon appréciable. Le résultat de l'utilisation de la différence des vitesses d'attaque fait que seules les régions oxydées 18 formées sur les parois latérales de la région oxydable 17A restent, comme montré à la figure 5B. Même lorsque l'on n'utilise pas de gaz hydrogène H2, une différence dans les vitesses d'attaaue est créée entre les parties parallèles au substrat et les autres parties, de sorte que des résultats semblables peuvent être obtenus. Ensuite, en utilisant des étapes semblables à celles illus- trées à la figure 1, on atteint le stade illustré à la figure 1I. Les figures 6A à 6F montrent des étapes successives d'un autre mode de réalisation encore de l'invention dans lequel le silicium polycristallin est utilisé comme matériau oxydable. L'étape de formation du film 11 de dioxyde de silicium sur le substrat de silicium 10 est le même que celui illustré à la figu- re 1A. Ensuite, une couche 31 de silicium polycristallin ayant une épaisseur d'environ 5000 angstrfts est formée sur le film d'oxyde 11. Ensuite, une couche photorésistante 13 ayant une épaisseur de 5000 angstr6ms est formée sur la couche 31 de sili- cium polycristallin. Alors, l'ensemble est exposé à la lumière selon un réseau prédéterminé comme illustré à la figure 6A, et les parties exposées sont éliminées par développement. Cet état est illustré à la figure 6B. Ensuite, la région photorésistante restante 16 est utili- sée comme masque, et le substrat est soumis au procédé d'attaque au plasma à plaque parallèle dans une atmosphère de bichlorure bifluorure de carbone CCl2F2 sous une pression de 0,1 Torr -322 (environ 0,13.10 bar) et en utilisant une puissance de 400 W à haute fréquence à 13,56 MHz appliquée de façon à retenir la région 31A de silicium polycristallin située en dessous de la région photorésistante 16 mais à éliminer les autres parties de la région 31A comme illustré à la figure 6C. Ensuite, la région photorésistante 16 est éliminée dans un plasma d'oxygène en utilisant un réacteur à plasma du type en tonneau de façon à obtenir la structure illustrée à la figure 6D. Ensuite, la structure est maintenue pendant 240 minutes dans une atmosphère constituée d'un mélange de gaz hydrogène et de gaz oxygène maintenus à une température de 900'C de façon à former une couche d'oxyde ayant une épaisseur de 0,2 A sur la surface de la région 31A de silicium polycristallin. Evidemment, une couche de film d'oxyde ayant une épaisseur d'environ 0,01 A est également formée sur les autres parties de la surface prin- cipale, c'est-à-dire sur le film d'oxyde 11. La couche d'oxyde comprend les régions d'oxyde 32 recouvrant les parois sensible- ment verticales latérales de la région de silicium polycristallin, et une région d'oxyde 33 recouvrant la surface supérieure de la région 31A. Cet état est illustré à la figure 6E. Ensuite, l'ensemble est soumis au procédé d'attaque par ions réactifs dans un plasma comprenant un mélange de gaz tétra- fluorure de carbone CF4 et d'hydrogène H2 de façon à obtenir une structure comme illustrée à la figure 6F. Ensuite la région de silicium 31A est attaquée et éliminée selon le procédé au plasma à plaques parallèles semblable à celui utilisé dans l'étape de la figure 6C sous atmosphère de gaz CCl2F2 de façon à obtenir une structure semblable à celle illustrée à la figure 1I. Les figures 7A à 7F montrent des étapes successives d'un autre mode de réalisation encore du procédé de l'invention dans lequel le silicium polycristallin est utilisé comme matériau oxydable et le nitrure de silicium SiN4 est utilisé comme masque pour empêcher l'oxydation. Tout d'abord, une couche d'oxyde de silicium -11 ayant une épaisseur de 1000 angstr6ms est formée sur un substrat 10 semblable présentant une surface prlncipale. En- suite, le substrat chauffé jus qu'à C est mainr nu pendant environ 60 minutes dans une atmosphre. gazeuse onsituée de silane ou têtrahydrure de silicium SiH. et d' l ,-IJ e à lune pression de 0,6 Torr (environ 0l- ba) en U' tLsant ie procédé à basse pression CTID, grace à quci u couchei de sili- cium polycristallin ayant une épaisseur d'erniron 0,5 g est for- mée sur la surface du substrat 10. Ensuite ie substrat chauffé jusqu'à 800'C est maintenu pendant environ 60 minutes dans une atmosphère de gaz conprenant un mélange d'hélium He, de silane SiH4 et d'ammoniac NH3 sous une pression de 0,7 Torr (environ 4-3 0,93.10 bar) en utilisant un procédé à basse pression semblable CVD de façon à former une couche de nitrure de silicium 35 ayant une épaisseurd'environ 0,1 l. Ensuite, une couche photorésistante 13 est formée sur la couche 35 de nitrure de silicium qui est exposée aux rayonnements ultraviolets -14 d'un réseau prédéterminé. La couche photorésis- tante exposée est développée et éliminée de façon à obtenir une structure comme illustrée à la figure 7B. Les étapes illustrées aux figures 7A et 7B sont identiques à celles illustrées aux figures 1D et 1E. Ensuite, la couche de nitrure de silicium 35 et la couche de silicium polycristallin 31 sont éliminées en utilisant le procédé d'attaque au plasma à placpes paralèles dans une atmosphère gazeuse de bifluorure bichluorure de carbone CCl 2F2 sous une pression de 0,1 Torr (environ 0,13.10-3 bar) 2 2 et en utilisant la région 16 photorésistante restante comme masque avec application d'une puissance de 400 W à haute fré- quence de 13,56 MHz. L'état résultant est illustré à la figure 7C. Ensuite, la région photorésistante 16 est éliminée selon le procédé d'attaque au plasma d'oxygène de façon à obtenir une structure telle qu'illustrée à la figure 7D. Ensuite, la structure est maintenue pendant environ 240 minutes dans une atmosphère de gaz d'oxygène humide à température souhaitable, par exemple de 900 C, de façon à former des régions d'oxyde 32 ayant une épaisseur d'environ 0,2 d sur les parois exposées sensiblement verticales de la région 31A de silicium polycristallin. Cet état apparaît à la figure 7E. Ensuite, la région de nitrure de silicium 35A et la région de silicium polycristallin 31A sont successivement élimi- nées en utilisant un réacteur à plasma du type à tonneau avec un plasma gazeux contenant un mélange de tétrafluorure de carbo- ne CF4 et d'oxygène 2 à une pression d'environ 0,4 Torr (envi- ron 0,53.103 bar) de façon à obtenir un réseau extrêmement fin comme illustré à la figure 7F. Dans l'étape illustrée à la figure 7E, il est également possible de former un ilôt de silicium entouré par une région d'oxyde en utilisant les étapes consistant à éliminer la région de nitrure de silicium 35A et ensuite en procédant à un recuit au laser de la région de silicium polycristallin exposée 31A. Il est bien entendu que dans ce mode de réalisation du silicium amorphe peut être utilisé comme matériau oxydable au lieu du silicium polycristallin. Etant donné que la région d'oxyde formée selon les divers procédés décrits ci-dessus est constituée autour des parois laté- rales d'une région oxydable, c'est en fait un réseau en forme de cadre qui est obtenu comme illustré à la figure 8. Pour cette raison, lorsque ce réseau est utilisé pour former une électrode de grille d'un transistor MOS FET décrit en relation avec la figure 4, il est nécessaire de former des réseaux parallèles auquel cas une paire de côtés opposés est éliminée par un procéda bien connu. Selon le type d'utilisation du réseau en tant que masque, une partie o des angles diagonalement opposés du réseau en forme de cadre peuvent être éliminés, c'est-à-dire découpés. Les figures 9A à 9E montrent un autre mode de réalisa- tion de l'invention dans lequel des régions d'oxyde parallèles sont formées au lieu de régions d'oxyde en forme de cadre comme illustré à la figure 8. Cette modification est décrite en utilisant les étapes illustrées à la figure 1 et jusqu'à l'étape illustrée à la figure 1F les étapes sont identiques à celles utilisées en rela- tion avec la figure 1. Une vue perspective d'une structure for- mée selon l'étape de la figure 1F est montrée à la figure 9A. Plus particulièrement, une région oxydable rectangulaire 17A est formée sur une couche d'oxyde 11 en utilisant une région rectangulaire photorésistante 16 comme masque. A ce moment, des régions photorésistantes secondaires 41 et 42 sont formées de façon à exposer les extrémités longitudinales des deux régions 16 et 17A, la surface centrale supérieure et les parois latérales. Les configurations en coupe longitudinale et trans- versale de ces diverses régions dans cet état sont illustrées aux figures 9C et 9D respectivement. Ensuite, le traitement d'oxydation suivant est effectué seulement pour les parois laté- rales exposées de la région oxydable 17A. Le traitement d'oxyda- tion peut être le même que celui décrit en référence avec la figure 1G. La figure 9E est une vue en plan montrant r que des régions d'oxyde parallèles 44 et 45 ont été formées sur les deux côtés de la région oxydable 17A après élimination de la région photo- résistante 16. Les étapes suivantes sont identiques à celles illustrées aux figures 1H et 1I. Lorsqu'on désire former l'une ou l'autre des régions d'oxyde parallèles, les parties de la seconde couche photorésis- tante sur l'un ou sur les deux côtés des régions 16 et 17A sont éliminées. Il doit être entendu que l'invention n'est pas limitée aux modes spécifiques de réalisation décrits ci-dessus et que de nombreuses modifications et variantes peuvent être apportées par l'homme de l'art. Par exemple, au lieu d'utiliser de l'aluminium et un silicium polycristallin, tous matériaux oxydables tels que Ta, Ti, Mo, Nb, etc, peuvent être utilisés. Cependant, il y a lieu de noter que le traitement d'oxydation approprié doit être choisi en fonction des différents matériaux oxydables. Par exemple dans le cas de Ta, Ti et Nb, la méthode d'oxydation par plasma ou l'anodisation sont des procédés appropriés tandis que la méthode d'oxydation à la chaleur sera appropriée pour Mo. Dans les variantes illustrées aux figures 6A et 7A, on a utilisé un rayonnement ultraviolet, tandis qu'un faisceau électronique peut être utilisé comme dans le cas de la figure 1. Evidemment, dans un tel cas, un matériau approprié tel que le polyméthyle métacrylate utilisable pour le rayonnement électro- nique devra être utilisé. En outre, dans les modes de réalisation précédents, un film positif a été utilisé que l'impression soit photographique ou par faisceau électronique; des films résistants négatifs peuvent être utilisés en substitution si nécessaire comme il est bien connu. Il est naturellement possible d'utiliser des rayons X au lieu d'un faisceau électronique pour former un réseau résis- tant. En outre, dans les modes de réalisation illustrés, afin d'obtenir la mise en réseau d'une couche oxydable, on a utilisé une technique d'attaque au plasma faisant emploi de décharge à haute fréquence, mais l'on peut tout aussi bien utiliser une attaque par faisceau ionique réactif ou un autre procédé d'atta- que à sec ou par voie humide utilisant un liquide d'attaque. REVENDICATIOIS 1. Procédé de formation d'un réseau caractérisé en ce qu'on forme une région oxydable. (17A) d'un réseau prédéterminé sur un substrat (10,11) et l'on oxyvde ladite rgion oxydable pour former une région dtoxyde {8 du rseau sur au moins une partie des parois lat:rle de l:ad!te région ouda5ble 1 7A). 2. Procédé se!on i reendic ion 1 carac-_érisé en e que ledit réseau de la région d.oxyde semiconducteur ou d'un élément de semiconducteur. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite étape suivante comprend une rtape d'élimination de ladite région oxydable (17A). 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite région oxydable est constituée d'un matériau choisi parmi le groupe comprenant l'aluminium AI, le silicium Si, le tantale Ta, le titane Ti, le molybdène Mo et le niobium Nb. 5. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite région oxydable (17A) est constituée de silicium, et ladite étape suivante consiste à transformer ledit silicium en une structure de silicium cristalline unique de façon à former un lot de silicium entouré par ladite région d'oxyde (18,19). 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite région oxydable (17A) du réseau prédéterminé formé sur ledit substrat (10,11) est constituée selon les étapes suivantes: on forme ladite couche oxydable (12) sur ledit substrat, on forme une couche résistante (13) sur ladite couche oxydable (12), on met en forme ladite couche résistante (13) pour qu'elle constitue une région résistante (16) d'un réseau prédétermine, et l'on attaque ladite couche oxydable (12) en utilisant ladite région résistante (16) comme masque de façon à former ladite région oxydable (17A) pour qu'elle présente la forme du réseau prédéterminé. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'on forme en outre une région d'oxyde (18) sur au moins une partie des parois latérales exposées de ladite région oxydable (17A), et l'on élimine ensuite ladite région résistante (16). 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'on élimine en outre une partie de ladite région oxydable (17A) limitée par ladite région d'oxyde (18). 9. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'on élimine ladite région résistante (16), on oxyde une sur- face supérieure (19) et la paroi latérale exposée (18) de ladite région oxydable (17A) de façon à constituer des régions d'oxyde, et l'on attaque et élimine la région d'oxyde (19) sur la surface supérieure de ladite région oxydable. 10. Procédé selon la revendication 7 ou la revendication 9, caractérisé en ce que ladite région oxydable (17A) est cons- tituée de silicium, et l'on convertit en outre le silicium en- touré par ladite région d'oxyde (18) en une structure de silicium monocristalline. 11. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on forme une couche d'isolation (11) sur ledit substrat (10) avant l'étape de formation de ladite région oxydable (17A) présentant la forme dudit réseau prédéterminé. 12. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on forme une couche de silicium (31) sur ledit substrat (10, 11), on forme une couche de nitrure de silicium (35) sur ladite couche de silicium (31), on forme une région résistante (16) en forme de réseau prédéterminé sur ladite couche de nitrure de silicium, on attaque sélectivement ladite couche de nitrure de silicium région de nitrure de silicium (35). 13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite région d'oxyde (18,32) présente la forme d'un cadre rectangulaire. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'on découpe une partie dudit cadre d'oxyde en forme de cadre rectangulaire. 15. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'au moins l'un des angles dudit cadre d'oxyde en forme de cadre rectangulaire est découpé. 16. Procédé de fabrication d'un transistor du type MOS FET (transistor à effet de champ Métal-Oxyde-Semiconducteur), carac- térisé en ce qu'on effectue les opérations successives suivantes - on forme un film d'oxyde de grille (22) et une région d'oxyde d'isolation. (23) sur un substrat de silicium (21) d'un type de conductivité; - on forme une couche de silicium polycristallin (24) sur ledit film-d'oxyde de grille (22) et sur ladite région d'oxyde formant éléments d'isolation (23); - on forme une couche oxydable (25) sur ladite couche de silicium polycristallin (24); - on forme un réseau résistant (26) d'une forme prédé- terminée sur la couche oxydable précitée (25); - on attaque sélectivement ladite couche oxydable (25) en utilisant ledit réseau résistant (26) en tant que masque, - on oxyde la couche oxydable restante; - on élimine ledit réseau résistant (26) et ladite cou- che restante oxydable (25) formant ainsi un réseau étroit d'oxyde (28) provenant de ladite couche oxydable; - on attaque ladite couche (25) de silicium polycristal- lin exposée en utilisant ledit réseau étroit d'oxyde (28) comme masque, formant ainsi une structure comprenant ledit film d'oxyde de grille (22), ladite région d'oxyde d'isolation (23), une étroite région (29) de silicium polycristallin par-dessus ledit film d'oxyde (22), et un réseau étroit d'oxyde (28) pro- venant de ladite couche oxydable (25); - on plonge ladite structure dans une solution acide de façon à éliminer ledit réseau de région d'oxyde (28) étroite; - on implante une impureté de l'autre type de conducti- vité dans ledit substrat (21) de façon à former des régions de source (31) et des régions de drainage (32) extrêmement voisines en utilisant lesdites régions de silicium polycristallin étroi- tes (29) comme masque.