FR 2503406 A1 19821008 FR 8106591 A 19810331 La présente invention se rapporte en général à la xéro- graphie, et plus spéciiquemert, à un nouveau dispos tif photo- sensible et à un procédé d'utilisation. 'emploi de sélénium vitreux et la technique de a xero- graphie sont bien connus, tel qu'illustré par le brevet américain n 2.970.906. 3n outre, l'addition de tellure à du sélénium pour l'utilisation dans la xérographie est bien connue, tel qu'illustré par le brevet américain n 2.745.327. La demande de brevet américain n 371.647 déposée le 20 juin 1973 sous le titre : Elément de formation d'image à couches et son procédé d'utilisation, aux noms de Michael SMITH,Richard W. RADLER et Charles F. HACKETT décrit un élément photosensible ayant au moins deux couches électriquement opératoires. La première couche comprend une couche conductrice qui est capable de fournir une photoproduction et une injection de trous photo-excités dans une couche active contiguë. La couche active comprend une matière organique transparente qui est sensiblement non absorbante dans la région spectrale d'utilisation prévue, mais qui est "active" du fait qu'elle permet l'injection de trous photo-excités à partir de la couche photoconductrice et permet à ces trous d'être transportés à travers la couche active. Cette structure peut être pourvue d'image suivant le mode xérographique classique, qui comprend ordinairement le chargement, l'exposition à la lumière et le développement. La couche photoconductrice peut comprendre des verres photoconducteurs minéraux typiques, comprenant du sélénium amorphe et des alliages de sélénium tels que le sélénium-tellure et le sélénium-arsenic. Les demandeurs ont récemment découvert que, lorsque la couche de production de charge se compose essentiellement de tellure et de sélénium a une concentration d'environ 5 à 25 Yo en poids atomique de tellure et 75 à 95 % en poids atomique de sélénium, l'épaisseur de la couche est critique pour obtenir d'excellentes propriétés électriques.L'épaisseur critique de la couche de production est de 0,05 à 0,5 micron. quand l'épaisseur de la couche de production est supérieure à la gamme critique indiquée ci-des- sus et que la couche de production se compose essentiellement de tellure et de sélénium une concentration d'environ 5 à 25 v en poids atomique de tellure et 75 à 95 % en poids atomique de sélé- nium, l'éiéme^ > de ormation d'image a des caractéristiques de décharge dans l'obscurité indésirables et extrêmenent élevées. Cependant, on a découvert que, quand la couche de production ayant la composition indiquée ci-dessus est dans cette On-.me d'mais seurs critiques, c'est-à-dire 0,05 à G,5 ic-on, un élément de for :nation d'image utilisant cette couche en relation avec une couche de transport active présente d'excellentes caractéristiques de décharge dans l'obscurité et d'excellentes réponses spectrales. C'est, en conséquence, un objet de la présente invention de prévoir un nouveau dispositif photosensible adapté à la formation cyclique liages, qui surmonte les inconvénients notés ci-dessus. C'est un autre objet de la présente invention de prévoir un élément photosensible qui présente une photoproduction efficace de trous et un transport efficace de trous. C'est un autre objet de la présente invention de prévoir un nouveau dispositif photosensible à couche. C'est un autre objet encore de la présente invention de prévoir un nouveau dispositif photosensible qui est capable de présenter des caractéristiques remarquables de rétention de charge dans 'obscurité, c 'est-à-dire une faible dégradation de charge dans l'obscurité, et de maintenir encore une réponse spectrale élevée. Les objets précédents et d'autres encore sont atteints selon la présente invention en prevoyant un élément de rormation d'image ayant au moins deux couches opératoires. La première couche comprend une couche de production de charge, présentant l'aptl- tude à la production de trous photo-excités. L'épaisseur de la couche de production est une épaisseur critique de 0,05 à 0,5 micron, quand la couche de production oe compose essentiellement de tellure et de sélénium à une concentration d'environ 5 à 25 ffi en poids atomique de tellure et 75 à 95 en poids atomique de sélénium. La première couche est capable de fournir une photoproduction et une injection de trous photo-excités dans un revêtement actif contigu ou adjacent. On doit comprendre que la couche de matière organique active ne fonctionne pas comme photoconducteur dans la région des longueurs d'ondes d'utilisation. Comme indiqué ci-dessus, les paires trou-électron sont photoproduites dans la couche photoconduc trice, les trous sont alors injectés dans la couche active et un transport de trous se produit à travers la couche active. Une application typique de la présente invention comprend une con-4-curatlon à couche où un exemple de réalisation comprend un substrat de support tel qu'un conducteur contenant la couche de production. La couche de production présente une aptitude à la produc'-on de trous photo-excités et a une épaisseur de 0,05 à 0,5 micron. La couche de production se compose essentiellement de tellure et de sélénium, à une concentration d'environ 5 à 25 ,) en poids atomique de tellure et de 75 à 95 ç en poids atomique de sélénium.Une couche polymère de transport, c'est-à-dire une couche de matière organique active, qui est capable de supporter l'insection et le transport de trous photo-excités, est revêtue sur la couche de production en tellure-sélénium. Généraiement, une mince couche interfaciale est prise en sandwich entre la couche de pro duction et le substrat. Cette couche peut comprendre n'importe quelle matière convenable électriquement isolante, telle qu'un oxyde métallique ou une résine organique1 pour servir de couche de blocage électrique, empêchant l'injection de porteurs à partir du substrat. La couche d'interface peut également servir a prévoir une meilleure adhérence mécanique entre la couche de production et le substrat.Cette structure peut être alors pourvue d'image, suivant une manière xérographique classique qtli comprend le chargement, la projection optique, l'exposition et le développenent. Sa général, les avantages de la structure et du procédé perfectionné de formation d'image apparattront en considérant la description suivante de la présente invention, spécialement pr La figure I illustre un graphique de la photosensibilité en fonction du champ appliqué, pour une couche de production formée de 10 ffi en poids atomique de tellure et de 90 s en poids atomique de sélénium, qui a une épaisseur de 0,1 micron et est revêtue par une couche de matière organique active, c'est-à-dire du polgvinylcarbazole d'approximativement 12 microns d'épaisseur; ; La figure 2 représente un graphique de la réponse spectrale pour du sélénium amorphe, du sélénium rhomboédrique, un alliage de 10 ss en poids atomique de tellure et de 90 , en poids atomique de sélénium, et un alliage- de, 25 ,! en poids atomique de tellure et de 75 % en poids atomique de sélénium. Les couches d'alliage et la couche de sélénium rhomboédrique ont une épaisseur d'environ 0,1 micron. La couche de sélénium armorphe a environ 1,0 micron d'épaisseur.Les revêtements de poly:nère ont environ 12 microns d'épaisseur; on applique la même intensité lunineuse (n- tensité normalisée à 2x 1012 photons/cm2/s) et le même champ est applique (50 volts/micron); La figure 9 représente la dégradation dans l'obscurité, en volts par micron par seconde > d'une série de photorécepteurs sn fonction de l'épaisseur de la couche de production pour un champ de 10 volts/micron; les différents chiffres, tels que 80/20 , représentent le pourcentage en poids atomique de sélénium-tellure utilisé dans la couche de production ; et La figure 4 montre que, lorsque la couche de production devient extrêmement mince, le photorécepteur perd sa réponse, c'est-à-dire que quand la couche de production est extrêmement mince, elle perd son aptitude à absorber la lumière dans les longueurs d'ondes plus longues, en réduisant ainsi la panchromaticité du photorécepteur; les variations d'épaisseur se rapportent toutes à des alliages séléniu;/telîure à 75/25 ss en poids atomique.Les différentes points se rapportent à une couche de production de 1,0 micron d'épaisseur, les différents points entourés d'un cercle à une couche de production de 0,5 micron d'épaisseur et les croix à une couche de production de 0,05 micron d1épaisseur; le champ appliqué est 50 volts/micron et l'intensité pour toutes les longueurs d'onde est 2 x 1012 photons/cm2/s. La figure 1 représente la réponse xérographique dV/dt (normalisée pour l'épaisseur du photorécepteur) pour un photorécepteur à couche de production, à 90 ss en poids atomique de sélénium 10 ss en poids atomique de tellure, pour trois intensités différen- tes. Les graphiques de la réponse pour les deux intensités inférieu- res en fonction du champ présentent un changenent direct de pente en fonction du champ. L'extrémité du champ élevé dans ces courbes présente la limitation d'emission de ce pigment à partir duquel l'efficacité quantique est calculée à une valeur de 0,47. La figure 2 représente la réponse xérographique de couche de générateur à 90 % en poids atomique/10 ffi en poids atomique et à 75 % en poids atomique/25 > en poids atomique pour des alliages sélénium/tellure, en fonction de la longueur d'onde d'excitation dans le régime de limitation d'émission (par exemple le champ appliqué est environ 50 cîts/micron) et compare cette réponse à celle du sélénium amorphe et rhomboédrique pour les mêmes champs. la fibre 3 représente la dégradation zanis l'obscurité, en volts par micron par seconde, d'une série de photorécepteurs en fonction de l'épaisseur de la couche de production pour des champs de 10 volts/micron. Puisqu'il est en général souhaitable d'avoir la dégradation dans l'obscurIté litée à 2-3 volts par micron par seconde, ceci suggérerait une limite supérieure d'épaisseur d'environ 0,5 micron pour une couche d'alliage sélénium-tellure à 90 ;H en poids atomique ,- en poids atomique.La figure 3 montre, en ou tre > que, lorsque l'épaisseur de la couche de production diminue, la dégradation dans l'obscurité diminue. On montre égaiement le fait que Si l'épaisseur de la couche de production demeure constante et que la teneur en tellure est augmentée, le sélénium étant diminué respectivement, la dégradation dans l'obscurité augmente. Ceci est représenté par les croix (X) sur la figure 3, Ces points de donnée (X) représentent la moyenne de six échantillons pour chaque concentration d'alliage, pour des champs de 10 volts/micron.En conséquence, pour des alliages de sélénium à teneur élevée en tellure, par exemple 75 ss en poids atomique de sélénium et 25 ss en poids atomique de tellure, llépaisseur maxima de l'élément, c'est-à-dire la couche de production,aSin de maintenir la dégradation dans l'obscurité à un niveau désiré, c'est-à-dire en-dessous de 2 à 3 volts par micron, est environ de 0,5 micron d'épaisseur. Cela signifie que l'épaisseur de 0,5 micron est la limite supérieure critique d'épaisseur pour la couche de production de la présente invention. La figure 4 montre qu'à l'extrémité inférieure de l'épaisseur de la couche de production, la perte de réponse à une absorption insuffisante de lumière, aux longueurs d'ondes plus importantes, réduit la panchromaticité du photorécepteur. La panchromaticité, dans ce cas, signifie que le photorécepteur répond à des longueurs d'ondes plus importantes.Un exemple de cet efret est présenté sur la figure 4, où la réponse d [ddvt] (volts/micron/seconde), c'est-à-dire le taux de décharge de tension par unité d'épaisseur, est présentée en fonction des longueurs d'onde d'excitation pour trois couches de production en alliage sélénium/tellure, à une concentration de 75 > en poids atomique de sélénium et de 25 % en poids atomique de tellure.Ces couches avaient 1,0 micron, 0,5 micron et C,G5 micron d'epaisseur. a perte de réponse aux longueurs d'ondes plus i.-portartes est apparente.En conséquence, en-dessous d'une épaisseur de 0,05 micron, il y a une perte inacceptable de réponse de longueur d'cnde, signifiant que O,C5 micron est la limite inférieure critique d 'épaisseur pour la couche de production de la présente invention. Dans la formule d [dtV] qui représente # dt # le taux de décharge par unité d'épaisseur, d est l'épaisseur en microns, V la tension en volts et t le temps en secondes. Telle que définie ici, la couche de production qui présente l'aptitude à la production de trous photo-excités a une épaisseur critique comprise entre 0,05 et 0,5 micron quand la couche de production se compose essentiellement de tellure et de sélénium à une concentration d'environ 5 à 25 ss en poids atomique de tellure et 75 à 95 ss en poids atomique de sélénium. De préférence, le tellure et le sélénium sont à une concentration de 10 à 20 ffi en poids atomique de tellure et de 80 à 90 ffi en poids atomique de sélénium, et, de préférence encore, à une concentration d'environ 15 % en poids atomique de tellure et de 85 % en poids atomique de sélénium. Comme mentionné, l'épaisseur de la couche de production a une gamme d'épaisseurs critiques de 0,05 à 0,5 micron.De préférence,cette gamme d'épaisseurs critiques de la couche de production est de 0,1 à 0,4 micron. La couche de matière de transport organique active est une matière sensiblement non photoconductrice, qui supporte une efficacité d'injection des trous photo-excités provenant de la couche de production d'au moins environ 10 % pour des champs d'environ 2 x 1 volts/cm. Cette matière est, en outre, caractérisée par l'aptitude à transporter le porteur sur au moins 10 ) cm, pour un champ non supérieur à environ 106 volts/cm. En outre, la couche de matière de transport organique active est sensiblement transparente dans la région des longueurs d'ondes où le dispositif doit être utilisé. La matière de transport organique active, qui est employée en relation avec la couche de production de la présente invention, est une matiere qui est un isolant à un point tel qu'une charge électrostatique placée sur la matière de transport organique active n'est pas conductrice en l'absence d'éclairage, à un taux suffisant pour empêcher la formation et la rétention d'une image latente électrostatique. a raison de l'exigence selon laquelle les matières de transport organiques actives doivent être transparentes est basée sur le fait que, dans toutes les conditions pratiques, l'efficacité de photo-inection à partir de la couche de production dans les matières de transport organiques actives pour le rayonnement visible absorbé par la couche de production dépasse de loin la photOsensibilité intrinsèque de la matière de transport organique active, pour n'importe quelle région de longueur d'onde visible ou autrement.Pour une description détaillée de ces res de transport organiques actives, on se réfèrera à la demande de brevet américain nO 571.647 déposée le 20 juin 1973,sous le titre: lément de format'on d'images à couches et son procédé d'utilisation, aux noms de richael SMITH,Richard tJ.RADL~ER et Charles F.EACXETT. Le perfectionnen:ent évident de performance qui résulte de l'utili- sation du système à deux phases peut être meut réalisé si la matière de transport organique active est sensiblement transparente vis-à-vis du rayonnement, dans une région dans laquelle la couche de production doit être utilisée. car n'importe quelle absorption de rayonnement désiré par la matière de transport organique active empêchera ce rayonnement dtatteindre la couche de production où elle est beaucoup plus efficacement utilisée.En conséquence, il s'ensuit qu'il est avantageux d'utiliser des matières de transport organiques actives qui sont transparentes dans la longueur d'onde dans laquelle la couche de production a sa réponse principale et plus particulièrement dans la région de longueur d'onde où la couche de génération de production doit être utilisée. I1 n'est pas dans l'intention de limiter dans la présente invention le choix des matieres de transport organiques actives à celles qui sont transparentes dans toute la région du visible. Par exemple, quand on utilise avec un substrat transparent, une exposition par image peut être réalisée à travers le substrat sans que la lumière ne traverse la couche de matière de transport organique active. Dans ce cas, la matière de transport organique active n'a pas besoin d'être non absorbante dans la région de longueur d'onde utilisée. D'autres applications ou une transparence complète n'est pas exigée pour la matière de transport organique active dans la région du visible comprennent l'enregistrement sélectif de rayonnement à bande étroite tel que celui émis à partir de laser, la reconnaissance de confi=zurationsspectrales et une xérographie en couleur fonctionnels possibles, tels que le dédoubiement de formes codées en couleur. L'élément de formation d'image peut contenir un substrat support. Le substrat est de préférence constitué de n'importe quelle matière conductrice convenable. Des conducteurs typiques comprennent l'aluminium, l'acier, le laiton ou analogues. Le substrat peut être rigide ou flexible et peut avoir n'importe quelle épaisseur convenable. Des substrat typiques comprennent des courroies flexibles ou des manchons, des feuilles des nappes, des plaques, des cylindres et des tambours. Le substrat ou le support peut aussi comprendre une structure composite, telle qu'un mince recouvrement conducteur contenu sur une base de papier; une matière plastique revêtue d'une mince couche conductrice telle que de l'aluminium ou de l'iodure de cuivre; ou du verre recouvert par un mince revêtement conducteur de chrome ou d'oxyde d'étain. La matière de transport organique peut comprendre ntim- porte quel polymère organique transparent convenable, ou n 'importe quelle matière non polymère ou leurs mélanges, capables de supporter l'injection de trous photo-excités provenant de la couche de production et. de permettre le transport de ces trous à travers la couche de matière de transport organique active, afin de décharger sélectivement une charge en surface On a trouvé que des polymères ayant cette caractéristique contiennent des unités récurrentes (motifs) d'un hydrocarbure aromatique polynucléaire qui peut aussi contenir des hétéroatomes tels que, par exemple, l'azote,l'oxygène ou le soufre.Des polymères convenables comprennent le poly-Nvinylcarbazole (PVK), le poly-l-vinylpyrène (par), le poly-9-vinylanthracène, le polyacénaphtalène, le poly-9-(4-pentényl)-carbazole, le poly-9-(5-hexylj-carbazole, le polyméthylènepyrène, le poly-l (a-pyrényl)-butadiène et les amides d'acide acrylique du pyrene polymères N-substituées. On comprend également des dérivés de ces polymères,comprenant les polymères à substitutions alicylique, nitrée, aminée, halogénée et hydroxylée.Des exemples typiques sont le po ly-3-aminocarbazole, le l,3-dibromo-poly-N-vinylcarbazole et le 3,6-dibromo-poly-N-vinylcarbazole,en particulier les dérivés ayant la formule où X et Y sont des substituants et n est un nombre entier. On comprend également des isomères stucturaux de ces polymères, dont des exemples typiques comprennent ie poly-N-vinylcarbazole, le poly-2-vinylcarbazole et le poly-3-vi'nylcarbazole. On comprend également des copolymères dont les exemples typiques sont un copolymère N-vinylcarsazole/acrylate de méthyle et des polymères séquencés du type ABA et AB l-vinylpyrène/butadiène.Des matières non polymères typiques comprennent le carbazole, le N-éthjlcarbazole > le N-isopropylcarbazole, le N-phénylcarbazole, le pyrène, le tétraphène, ie l-acétylpyrène, le -Senzochrysène, le 2,)-cenzochry- sène, le 6,7-benzopyrène, le 1-bromopyrène, le '-éthylpyrène, le 1-méthylpyrène, le pérylène, le 2-phényli.ndole, le tétracène, le pi cène, le 1,3,6,8,-tétraphénylpyrène, le cnrysèneJ le fluorène, la fluorénone, le phénanthrène, le triphénylène, le I,2,5,6-dibenzan- thracène, le 1,2,3,4-dibenzanthracène, ie 2,3-benzopyrène, l'anthra- quinone, le dibenzothiophene, le bis-(4-diéthylamino-2-méthylphé nyl)phénylméthane, le naphtalène et le l-phénylnaptntalène. Par suite des mauvaises propriétés mécaniques des matières non polymères, elles sont de préférence utilisées en relation soit avec une matière polymère active, soit avec un liant polymère non actif. Des exemples typiques comprennent des mélanges convenables de carbazole dans du poly-N-vinylcarbazole comme polymère actif et du carbazole dans un liant non actif. Ces matières de liants non actives comprennent des polycarbonates, des polymères d'acrylate, des polyamides, des polyesters, des polyuréthanes et des polymères de cellulose. La couche de matière de transport organique active non seulement sert à transporter des trous, mais aussi protège la couche de production cotre toute attaque abrasive ou chimique, et en conséquence, prolonge la durée de vie opératoire de l'élément de formation d'image. De plus, des mélanges convenables de matières actives avec des polymères inactifs ou des matières non polymères peuvent être employés. Une action de certaines matières non actives est de servir comme plastifiant pour améliorer les propriétés mécaniques de la couche de polymère active. Des plastifiants typiques comprennent des résines époxy, des résines de polyesters, des résines de polyearbonate, le phénylnaphtalène et le diphényle chloré. En général l'épaisseur de la couche de matière de transport active organique doit être d'environ 5 à 100 microns, mais des épaisseurs à l'extérieur de cette gamme peuvent aussi être utilisées. Une autre modification des configurations de couche comprend l'utilisation d'une couche de blocage à l'interface substrat/couche de production. La couche de blocage sert à empêcher l'injection de porteurs de charge à partir du substrat dans la couche de production. Toute matière de blocage convenable peut être utilisée. Des matières typiques sont des polyamides ou des polyuréthanes et elles peuvent comprendre de l'oxyde d'aluminium. Normalement le film d'oxyde d'aluminium présent sur un substrat conducteur en aluminium est une couche de barrière convenable. Tel que mentionné, l'épaisseur critique de la couche de production, qui se compose essentiellement de tellure et de sélénium à une concentration d'environ 5 à 25 % en poids atomique de tellure et 75 à 95 % en poids atomique de sélénium, est de 0,05 à 0,5 micron. De préférence encore, cette gamme d'épaisseurs critiques est d'environ 0,1 à 0,4 micron. L'utilisation de cette gamme d'épaisseurs critiques avec cette composition spécifique de couche de production dans l'élément de formation d'image décrit ci-dessus, empêche le développement d'une accumulation de charges interfaciales à l'interface matière de transport organique active/couche de production, par suite des courants massiques élevés dans l'obscuri- té produits thermiquement dans la couche de production.L'épaisseur critique fournit des caractéristiques remarquables de rétention de charge dans l'obscurité, c'est-à-dire une faible dégradation de charge dans l'obscurité, dans la couche de production décrite ci-dessus, tout en maintenant d'excellentes caractéristiques d'absorption dans cette couche. Les avantages de cette couche de production particulière sont présentés sur la figure 2, où la réponse spectrale peut être modifiée par la quantité de tellure ajoutée, par exemple l'aug tentation de la teneur en tellure augnente la réponse spectrale. Cependant, si la teneur en tellure est augmentée au-dessus de la gamme présentée ici, les caractéristiques de rétention de charge dans l'obscurité deviennent inacceptables. L'exemple suivant définit encore spécifiquement la présente invention par rapport à un procédé de fabrication d'un élément de formation d'image, contenant une couche de production à épaisseur critique de 0,05 a 0,5 micron, se composant essentiellement de tellure et de sélénium à une concentration d'environ 5 à 25 , en poids atomique de tellure et de 75 à 95 ffi en poids atomique de sélénium, revêtue par une couche de matière de transport organique active. Les pourcentages sont en poids, sauf indication contrai- re. L'exemple est destiné à illustrer diverses réalisations préférées de la présente invention. EXEMPLE Une plaque contenant 10 , en poids atomique de tellure et 90 ss en poids atomique de sélénium, d'approximativement 0,1 micron d'épaisseur, est préparée et fabriquée sur un substrat d'aluminium. L'alliage est revêtu par une couche de 22 microns de polyvinylcarbazole (PVK) poly-N-vinylcarbazole disponible à la société dite BASF et connu sous l'appellation Luvican M1703. Le photorécepteur est préparé comme suit L'alliage est fabriqué en préparant un échantillon de 10 ss en poids atomique de tellure et de 90 fi en poids atomique de sélénium. Te et Se sont mélangés et placés dans une ampoule en quartz, à dimension de 200 grammes pour la fusion. L'ampoule est mise sous vide et scellée.et et puis elle est placée dans un rour os- cillant. La température dans le four est augmentée Jusqu'à 5000C et le four est placé sur-un cycle d'oscillation rapide; on l'amène à osciller ou à basculer pendant environ 16 heures. Après le cycle de chauffage et d'oscillation, l'ampoule contenant l'alliage est trempée dans de l'eau et de la glace. L'alliage est retiré de l'ampoule, broyé et passé au tamis.On utilise, pour la formation de film, des particules passant au tamis dont l'ouverture de mailles est comprise entre 0,595 mm et 0,150 150 mm (30 à 100 mesh). Un film mince est formé par évaporation instantanée. 'alliage est chargé dans la trémie d'évaporation instantanee, au taux de 3 grammes par micron. Des substrats d'a1swcinium sont placés dans une jarre en forme de cloche et fermés à partir de la source. La jarre est mise sous vide jusqu'à 5 10-6 torr.Le film est fabriqué avec le substrat à 250C et la source à 5000 C. L'alimentation d'alliage est commencée et les obturations sont ouvertes. I1 se forme un film d'approximativement O,1 micron d'épaisseur de l'alliage. Une couche de PVK de 22 microns est formée sur la couche d'alliage par revêtement à la lame racleuse de PVX sur l'alliage. Cette plaque est capable de maintenir une charge électrostatique dans l'obscurité et de dissiper la charge lors d'une exposition à un rayonnement activant. L'appréciation de certaines des valeurs de mesures indiquées ci-dessus doit tenir compte du fait qu'elles proviennent de la conversion d'unités anglo-saxonnes en unités métriques. La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'être décrits, elle est au contraire susceptible de variantes et de modifications qui apparattront à l'homme de l'art. RrIENDiCATiONS ; - clément de formation d'image, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat conducteur > une couche d'une matière de transport organique active, capable de supporter l'injection de trous photo-excités, recouvrant une couche de production présentant une aptitude à la production de trous photo-excités, cette couche de production se composant essentiellement de tellure et de sélénium à une concentration d'environ 5 à 25 ss en poids atomique de tellure et de 75 à 95 X en poids atomique de sélénium, la couche de production ayant une épaisseur de 0,05 à 0,5 micron. 2 - Elément selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de production comprend environ 10 à 20 ss en poids atomique de tellure et 80 à 90 R en poids atomique de sélénium. 3 - Elément selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche de production comprend 15 P en poids atomique de tellure et 85 % en poids atomique de sélénium. 4 - Elément selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de production a une épaisseur de 0,i à 0,4 micron. 5 - Elément selon la revendication 1, caractérisé en ce que Ia couche de matière de transport organique active comprend au moins une matière choisie dans le groupe se composant de poly N-vinylcarbazole, de poly-l -vinylpyrène, de poly-9-vinylanthracène, de polyacénaphtalène, de poly-9-(4-pentényl)-carbazole, de poly-9 (5-hexyl)-carbazole, de polyméthylènepyrène, de poly(l-pyrényl)butadiène, d'amides d'acide acrylique de pyrène polymères N-substituées, de poly-3-aminocarbazole, de l,,-dibromo-poly-N-vinylcar- bazole, de 3,6-dibromo-poly-N-vinylcarbazole, de poly-2-vinylcarbazole, de poly-3-vinylcarbazole, de copolymère N-vinylcarbazole/ acrylate de méthyle, de copolymères séquencés de type ABA et AB l-vinylpyrène/butadiène, de carbazole, de N-éthylcarbazole, d'isopropylcarbazole, de N-phénylcarbazole, de pyrène, de tétraphène, de l-acétylpyrène, de N-benzochrysène, de 2,3-benzocnrysène, de 6,7-benzopyrène, de l-bromopyrène, de l-éthylpyrène, de l-méthylpyrène, de pérylène, de 2-phénylindole, de tétracène, de picène, de 1,3,6,8-tétraphénylpyrène, de chrysène, de fluorène, de fluorénone, de phénanthrène, de triphénylène, de 1,2,5,6-dibenzanthra cène, de 1,2,3,4-dibenzanthracène, de 2 2,3-benzopyrène, d'anthraqui- none > de dibenzothiophène, de naphtalène et de l-phénylnaphtalène.