FR 2508706 A1 19821231 FR 8211320 A 19820628 Dispositif a semi-conducteurspour fortes puissances passives avec du verre La présente invention concerne les dispositifs à semi-conducteurs en général, et plus particulièrement les dispositifs à semi-conducteurs, ainsi que le procédé de préparation de ceux-ci, qui utilisent du verre fondu pour la passivation des jonctions p-n ; et un procédé pour préparer une série de dispositifs à partir d'un seul corps de grandes dimensions d'un matériau semi-conducteur. Jusqu'à présent les thyristors, transistors et diodes scellés sous verre utilisaient une paroi de verre fondue sur un bord du corps en matériau semi-conducteur pour assurer l'étanchéité protégeant les jonctions p-n formées à l'interface des zones de type de conductivité opposés. Un exemple caractéristique d'un scellement sous verre classique est décrit dans la demande de brevet U.S. 897.323, le brevet belge n0 875.606, dans la demande de brevet U.S. 891.090, et le brevet belge n0 875.082. Ces dispositifs classiques utilisent un corps en matériau semi-conducteur dont les bords sont amincis. Il en résulte un dispositif non-symétrique. Cette non-symétrie peut augmenter les contraintes provoquées par les variations de température pendant les cycles de mise sous tension. Un autre exemple d'un dispositif classique encapsulé sous verre est présenté dans la demande de brevet U.S. 970.045, et la demande de brevet EPA 79302905.9. Ce dispositif classique utilise pour sa préparation des anneaux préformés en verre. L'utilisation de telles préformations de verre nécessite la mise en oeuvre extensive d'appareils de montage pour assurer un positionnement initial correct de la pré formation de verre et le maintien de cette position pendant la fusion et le retour à l'état solide du verre. Un autre exemple de dispositif encapsulé sous verre est présenté dans la demande de brevet U.S. -168.818, et la demande de brevet EPA 81105364.4. La présente demande décrit un procédé pour former une série de dispositifs à partir d'un corps de grandes dimensions en matériau semi-conducteur ainsi qu'un dispositif formé par ce procédé. Dans le cadre de la présente demande, on forme des gorges circulaires, alignées verticalement, dans le corps de matériau semi-conducteur depuis les faces du sommet et de la base. Les gorges sont séparées par une partie du corps. On dépose de la pâte de verre dans ces gorges pour qu'elle se solidifie sur place. On découpe dans le corps la zone isolée à l'intérieur des gorges circulaires en coupant de part en part le corps à l'extérieur des gorges circulaires. En se référant à la figure 1, on y voit un thyristor 10 de haute puissance et de grande surface fabriqué suivant le procédé de la demande de brevet EPA 81105364.4. Ce thyristor 10 est composé d'une zone 12 d'émetteur de cathode d'une zone 14 de base de cathode, d'une zone 16 de base d'anode et d'une zone 18 d'émetteur d'anode. Il y a une jonction p-n 20 entre les zones 12 et 14, une jonction p-n 22 entre les zones 14 et 16 et une jonction p-n 24 entre les zones 16 et 18. Les gorges 26 s'étendent dans le thyristor depuis la surface supérieure 28 jusqu'à une profondeur supérieure à la profondeur de la jonction p-n 22 et les gorges 30 s'étendent dans le thyristor au-delà de la jonction p-n 24. Les gorges 26 et 30 contiennent respectivement une masse de verre durci 32 et 34 qui effectue la passivation des jonctions p-n 22 et 24 à l'endroit où les jonctions débouchent dans les gorges. Le verre dans les gorges a une épaisseur d'environ 13 ssm si l'on utilise du verre de borosilicate de plombaluminium, et une épaisseur d'environ 50 ssm si l'on utilise du verre de borosilicate de zinc. La différence dans l'épaisseur est due au fait que le verre de borosilicate de zinc possède un coefficient de dilatation plus proche de celui du silicium. Evidemment, si on modifie le coefficient de dilatation d'un verre de borosilicate de plombaluminium ou de n'importe quel verre adéquat pour qu'il se rapproche du coefficient de dilatation du silicium, par addition de paillettes de silice par exemple, la paroi de verre pourra être plus épaisse, c 'est-à-dire se rapprocher ou être égale à 50 Am. L'électrode 36 d'émetteur de cathode établit le contact électrique ohmique avec la zone 12 d'émetteur de cathode et la zone 14 de base de cathode. L'électrode 38 de gâchette flottante est en contact électrique avec la zone 12 d'émetteur de cathode, et la zone 14 de base de cathode, l'électrode 40 de gâchette étant en contact électrique ohmique avec la zone 14 de base de cathode. L'électrode 36 d'émetteur de cathode, l'électrode 38 de gâchette flottante et l'électrode 40 de gâchette sont disposées sur la surface supérieure 28. Une électrode 42 d'émetteur d'anode est en contact électrique ohmique avec la zone 18 d'émetteur d'anode, sur la surface inférieure 44. La partie 46 de silicium disposée le long de la pé- riphérie extérieure des gorges 26 et 30 et le verre 32 et 34 effectuent la passivation du thyristor. La demande de brevet EPA que l'on vient de décrire présente certains points faibles. En premier lieu, ménager des gorges par attaque chimique à la fois en partant de la surface supérieure et inférieure puis appliquer et faire solidifier du verre dans les gorges augmentent le nombre d'opérations de fabrication. Augmenter le nombre d'étapes dans une fabrication quelconque a toujours pour résultat de diminuer la rentabilité. Ensuite, la gorge passivée par le verre sur la surface inférieure ou dos du corps de matériau semi-conducteur réduit la surface de contact avec une électrode et augmente l'impédance thermique du dispositif. Un objet de l'invention est d'obtenir un procédé comportant moins de phase de fabrication. Un objet supplémentaire de l'invention est de réaliser un dispositif à semi-conducteurs possédant une impédance thermique plus faible. Un aspect de l'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comportant : un corps possédant des surfaces inférieures et supérieures opposées et une partie centrale isolée de la partie périphérique par une première gorge circulaire s'étendant à partir de la surface supérieure dans ledit corps sur une première profondeur inférieure à l'épaisseur du corps, une partie au moins dudit corps comportant deux zones au moins de type de conductivité opposé avec au moins une jonction p-n, une seconde gorges circulaire s'étendant en partant de ladite surface supérieure du corps dans ledit corps sur une seconde profondeur inférieure à ladite première profondeur, et étant disposée à l'intérieur de ladite première gorge ; du verre solidifié disposé à l'intérieur de ladite seconde gorge assurant l'étanchéité avec les parois de celle-ci, ladite partie au moins entourée par ladite seconde gorge et ladite seconde profondeur étant supérieure à la distance entre la surface supérieure et la jonction p-n. Un autre aspect de l'invention concerne un procédé pour préparer une série de dispositifs à semi-conducteurs passivés avec du verre à partir d'un corps de grandes dimensions en matériau semi-conducteur possédant des surfaces inférieure et supérieure opposées ce procédé consistant à former une première gorge ayant une première profondeur suivant une configuration circulaire à travers ladite surface supérieure dudit corps ; à former une seconde gorge suivant une configuration circulaire à travers ladite surface supérieure à l'intérieur du diamètre interne de ladite première gorge et s'étendant dans ledit corps sur une seconde profondeur inférieure à la première profondeur ; à déposer de la pâte de verre, composée de poudre de verre et d'un liant, dans ladite seconde gorge ; à éliminer le liant et à faire solidifier ledit verre dans ladite seconde gorge ; et à découper entièrement de part en part ledit corps autour de la périphérie extérieure de la première gorge. Pour une meilleure compréhension de la présente invention, on va décrire celle-ci en se référant aux dessins annexés, parmi lesquels - la figure 1 est une coupe d'un thyristor classique passivé avec du verre - - la figure 2 est une coupe d'un corps en silicium en cours de fabrication suivant le procédé de la présente invention - la figure 3 est une vue en plan d'un# corps de silicium de grandes dimensions en cours de fabrication suivant le procédé de la présente invention ;; - les figures 4, 5 et 6 sont des coupes du corps de la figure 2 en cours de fabrication suivant le procédé de la présente invention - la figure 7 est une coupe d'un thyristor fabriqué suivant le procédé de la présente invention - la figure 8 est une coupe d'un corps de silicium en cours de fabrication suivant le procédé de la présente invention ; - la figure 9 est une coupe d'un thyristor fabriqué suivant le procédé de la présente invention - la figure 10 est une coupe d'un corps de silicium en cours de fabrication suivant un procédé modifié de la présente invention. En se référant à la figure 2, on y voit un corps 50 de grande surface en matériau semi-conducteur, de préférence en silicium convenant pour être utilisé à la fabrication suivant le procédé de la présente invention, d'un dispositif à semi-conducteurs pour fortes puissances, de grande surface, passivé avec du verre, et en particulier un thyristor pour fortes puissances, de grande surface, passivé avec du verre. "Grande surface" signifie ici un thyristor dont le corps en matériau semi-conducteur possède un diamètre d'au moins 13 mm. On a fabriqué des dispositifs sur des pastilles de silicium possédant des diamètres d'au moins 16 mm jusqu'à au moins 23 mm. Des dispositifs sont prévus ayant un diamètre de 33 mm. "Fortes puissances" signifie ici un thyristor capable de traiter des tensions nominales d'au moins 1000 V jusqu'à 1200 V ou plus. Le corps 50 de grande surface, composé d'un matériau initial adéquat, a un diamètre typique de 76 mm ou plus, une épaisseur d'environ 300 ssm, une conductivité de type n et une résistivité de 4000 ohm/m. Le corps 50 possède une face supérieure 52 et une face inférieure 54. Les faces inférieure et supérieure 52 et 54, respectivement, sont sensiblement planes et parallèles. Une partie 56 s'étend en bordure entre les faces 52 et 54. En se référant à la figure 3 en plus de la figure 2, la face supérieure 52 du corps 50 est recouverte d'un produit résistant à l'attaque chimique, comme celui vendu dans le commerce sous le nom déposé de Waycoat SC, et une série de gorges 56 est formée par attaque chimique dans la face supérieure 52, suivant une configuration circulaire dans le corps 50 sur une profondeur prédéterminée. Cette profondeur prédéterminée est normalement, pour des dispositifs de ce type, d'au moins 75 ssm et habituellement plus. Dans tous les cas, la distance "x" entre la face intérieure 58 de la gorge 56 et la surface inférieure 54 du corps 50 doit être telle que x/2 soit inférieur ou égal à la profondeur de la diffusion subséquente de type p. La largeur de la gorge est normalement d'environ 635 ssm à la surface 56 du corps 50. La distance Y entre les gorges est d'environ 13 mm. Une solution d'attaque adéquate pour former la gorge 56 est composée, en volume, de 2 parties d'acide nitrique, de 1 partie d'acide fluorhydrique et de 1 partie d'acide acétique. Après la gravure des gorges 56, le corps 50 est nettoyé par utilisation alternativement de solutions d'eau oxygénée (H202), d'une solution aqueuse d'acide chlorhydrique (HCl-H20), et d'une solution aqueuse d'eau oxygénée et d'ammoniaque (H202-NH40H-H20 > , avec rinçage de l'eau entre chaque opération successive de nettoyage. La solution aqueuse d'acide chlorhydrique est composée, en volume, de 2 parties d'acide chlorhydrique, de 5 parties d'eau et de 1 partie d'eau oxygénée. La solution aqueuse d'eau oxygénée et d'ammoniaque est composée, en volume,-de 1 partie d'eau oxygénée, 1 partie d'ammoniaque et 5 parties d'eau. L'eau utilisée pour le rinçage est une eau à 18 mégohms. En se référant à la figure 4, après la gravure chimique des gorges 56 et le nettoyage postérieur à la gravure, on utilise les techniques classiques de diffusion ou de diffusion épitaxiale et de masquage photographique pour pro duire la structure montrée à la figure 4 dans le corps 6# Ici encore, seule une partie#du corps 60 située à l'intérieur ou au voisinage immédiat de la gorge 56 est représen- tée figure 4. La partie montrée à la figure 4 est un thyristor 6 pour fortes puissances, prêt pour le traitement ultérieur suivant le procédé de l'invention. On doit comprendre qu'en pratique le profil de diffusion, qui comprend la profondeur de la jonction et la concentration de dopage, est ajusté "sur mesure" en fonction des caractéristiques désirées pour le dispositif. Ce profil de diffusion qui va être décrit en référence à la figure 4 est tel que le thyristor produit soit capable de traiter des tensions de 1000 à 1200 V. Le thyristor 60 comprend la zone 62 d'émetteur de cathode, la zone 64 de base de cathode, la zone 66 de base d'anode et la zone 68 d'émetteur d'anode. Il existe des jonctions p-n entre des zones adjacea- tes. Une jonction p-n 70 entre les zones 62 et 64, une jonction p-n 72 entre les zones 64 et 66 et une jonction p-n 74 entre les zones 66 et 68. La zone 62 d'émetteur de cathode possède une épais- seur de 15 à 20 ssm, est du type n de conductivité et est dopée avec une concentration d'environ 1020 atomes par cm . La zone 64 de base de cathode possède une épaisseur de 65 à 75 ssm, est du type p de conductivité et est dopée 17 avec une concentration en surface de 5 x 10 atomes par cm3 La zone 66 de base d'anode a une épaisseur de 165 à 190 Am, est du type n de conductivité et possède une résistivité de 4000 à 5000 ohm/m. La zone 66 est la partie non recouverte du corps initial 50 en silicium. La zone 68 d'émetteur d'anode a une épaisseur de 65 à 75 ssm, est du type p de conductivité et est dopée avec une concentration en surface d'au moins 5 x î019 atome par cm' Si la zone 68 d'émetteur d'anode est dopée à une concentration de surface inférieure à 5 x 1019 atomes par cm3, le thyristor présente une chute de tension directe inacceptable car trop haute. En se référant à la figure 5, on voit que la surface délimitée par la gorge 56 peut être utilisée également pour former un thyristor 80 à gâchette dynamique. Les composants similaires ou identiques à ceux de la figure 4 portent le même numéro de référence à la figure 5. Les différences entre les deux structures des figures 4 et 5 résident en ce que (1) le thyristor 80 à gâ chette dynamique comporte une zone principale 162 d'émetteur de cathode et une zone auxiliaire 262 d'émetteur de cathode, ces deux zones ayant une configuration circulaire ; (2) il existe une jonction p-n 170 entre la zone 162 et la zone 64 et une jonction p-n 270 entre la zone 262 et la zone 64, et; (3) les parties 82 de la zone 64 de base de cathode s'étendent sous la surface supérieure 52 du thyristor 80. La zone 66 de base d'anode et la zone 68 d'émetteur d'anode sont identiques dans les deux dispositifs. Suivant le procédé préféré de préparation des thyristors pour fortes puissances et de grande surface des figures 4 ou 5, on forme les zones 64 et 68 par diffusion dans le corps 50 de la figure 2. La zone 66 comprend la partie de type n non diffusée dans le corps 50. On effectue ensuite le masquage de la face 52 par les techniques classiques et, dans le cas du thyristor 60 de la figure 4, on forme par diffusion la zone 62 dans la partie voulue de la face 52. Dans le cas du thyristor 80 de la figure 5, on effectue le masquage de la face 52 par les techniques classiques et on forme les segments d'émetteur 162 et 262 dans les parties voulues de la face 52. Dans une variante et dans le cas du thyristor 80 de la figure 5, on effectue la diffusion sur la face 52 toute entière pour former une zone continue de type n, d'émetteur de cathode s'étendant sur la surface du corps 80, et on utilise ensuite les techniques de photo-masquage ; les parties 82 de la zone 64 sont formées par diffusion à travers la zone d'émetteur de cathode en des endroits prédéterminés. En se référant à la figure 6, après la diffusion du thyristor 60 de la figure 4, une seconde gorge 82 est #formée par attaque chimique dans le thyristor 60. Cette seconde gorge 82 est formée à l'intérieur du diamètre interne de la première gorge 56, c'est-à-dire que la première gorge 56 entoure la seconde gorge 82. La gorge 82 est formée suivant le même procédé de gravure chimique et de nettoyage présenté à propos de la gorge 56. Cette seconde gorge 82 s'étend dans le corps de silicium jusqu'à une profondeur telle qu'elle traverse la jonction p-n 72 et débouche sur la zone 66, isolant ainsi à la fois la jonction p-n 70 polarisée en direct et la jonction p-n 72 polarisée en inverse. La gorge 82 a une largeur à la surface 52 approximativement égale à la largeur de la gorge 56, soit environ 630 ssm et une largeur d'environ 380 ssm au fond 83. L'espacement entre les gorges 56 et 82 n'est pas critique. Mais, pour qu'à coup sûr, aucun affouillement susceptible de survenir pendant la gravure chimique de la gorge 82 ne pénètre dans la gorge 56 et pour que la gorge 82 traverse effectivement la partie horizontale 85 de la jonction p-n 72 plutôt que la partie verticale 87, un espacement "Z" sur la figure 6, d'environ 760 am s'est avéré satisfaisant. Une poudre de verre adéquate, dont les particules ont une taille nominale d'environ 250 am, est alors mélangée avec un véhicule adéquat pour former une pâte qui est imprimée dans la gorge 82 au moyen d'une presse d'impression à écran. Le verre à employer suivant le procédé de l'invention doit tout d'abord avoir un coefficient de dilatation proche de celui du silicium, par exemple dans la gamme de 4,0 à 6,0 1O-6 cm par-cm par degré C, et être essentiellement exempt d'ions alcalins. De plus : 1) ce verre doit possèder une structure stable, c'est h-dire qu'il ne doit pas se dévitrifier ou se séparer en phases pendant l'opération de fusion. 2) ce verre doit avoir une bonne résistance chimique à l'environnement et à l'humidité. 3) ce verre doit mouiller le matériau semi-conducteur, normalement du silicium dans le cas présent, et y adhérer. 4) ce verre ne doit pas attaquer chimiquement les surfaces du matériau semi-conducteur, normalement du silicium, de façon nuisible. 5) les caractéristiques thermiques de ce verre doivent être telles que les tensions puissent disparaître à des températures se situant à l'intérieur des limites du dispositif ou du matériau semi-conducteur, encore une fois normalement du silicium. 6) ce verre doit présenter une température de fusion inférieure à la température de dégradation du dispositif. 7) le dispositif terminé doit présenter une résilience aux chocs thermiques et aux cycles thermiques et doit posséder une bonne solidité mécanique. En général, les verres de borosilicate de plomb et d'aluminium se sont avérés satisfaisants. En particulier les verres ayant une composition chimique générale, en poids de, Constituants Pourcentages (%) Si02 30-40 B203 12-23 PbO 40-48 Au 203 2-6 se sont avérés adéquats. Un verre particulièrement approprié est le verre vendu dans le commerce par Innotech sous la référence IP745, qui possède une composition spécifique, en poids, de Constituants Pourcentages (%) SiO2 36 % + 4 % B203 15 % + 3 % PbO 45 % + 3 % Au 203 3 % + 1 % Un autre verre particulièrement satisfaisant est vendu par Innotech sous la référence IP740, et possède une composition nominale, en poids, de Constituants Pourcentages (%) Si02 40 % B203 8,2 % Pb02 49,3 % Al2O3 2,5 % Les verres de borosilicate de plomb sont également satisfaisants, ces verres ont une composition nominale, en poids, de Constituants Pourcentages (%) Si 2 30-40 13203 12-23 PbO 40-48 Les verres de silicates de zinc et d'aluminium sont également satisfaisants, ces verres ont une composition nominale, en poids, de Constituants Pourcentages (%) ZnO 40-50 Al2O3 2-6 Si02 50-60 Un autre verre particulièrement satisfaisant est un verre de borosilicate de zinc, en particulier celui vendu par JENAER GLASWERK SCHOTT & GEN., sous la référence G027 002, qui a une composition nominale, en poids, de Constituants Pourcentages (%) ZnO 40-50 13203 1-5 SiO2 50-60 et qui peut renfermer, en poids, environ 15 % de SiO2 sous forme de particules de silice. Le véhicule au sein duquel le verre est mélangé pour former une pâte peut être un liquide ou une combinaison de liquides capables de supporter les particules de poudre de verre en suspension pour former une pâte, sans avoir d'effet nuisible sur ces particules de verre. De plus, ce véhicule doit être éliminé aisément de la pâte par chauffage. Un exemple d'un véhicule convenable est un mélange d'éthylcellulose et de butylcarbitol. Un autre véhicule satisfaisant est vendu dans le commerce par Electro-Science Laboratory sous la désignation de véhicule n0 400. Le véhicule préféré pour être utilisé avec le verre de borosilicate de zinc est composé de 5 grammes d'éthylcellulose et de 150 cm3 de butylcarbitol. La pâte préférée pour être employée suivant le procédé de l'invention est composée de 40 grammes de poudre de verre G027-002 dont les particules ont une taille nominale de 10 ssm et de 35 cm3 de véhicule formé d'éthylcellulose et de butylcarbitol. La pâte est imprimée dans la gorge 82 au moyen d'une presse munie d'un écran à mailles de 0,092 mm. L'impression se poursuit jusqu'a ce que la pâte remplisse la gorge 82. On laisse la pâte reposer pendant environ cinq à quinze minutes, de préférence environ dix minutes, pour lui permettre de s'écouler et de se disposer dans toutes les parties de la gorge. Cette structure est alors chauffée pendant environ huit à douze minutes à une température dans la gamme de 100 à 1500C pour retirer de la pâte l'excédant de véhicule. Cette opération est normalement effectuée par chauffage avec une lampe de chauffage. La structure est ensuite placée dans un support de quartz puis chauffée dans un four à une température dans la gamme de 450 à 5500C pendant une durée de 20 à 45 minutes ; de préférence, 5000C pendant 30 minutes. Le but de cette opération est de brûler ou éliminer du verre dans la gorge tout le véhicule excédentaire. Ainsi, on peut modifier la température et la durée pour remplir cette tâche en- fonction du véhicule employé. Après l'opération d'élimination et sans refroidir, on chauffe la structure à une température dans la gamme de 650 à 7500C, de préférence 7200C, pendant 5 à 45 minutes, de préférence environ 10 minutes, pour solidifier totalement et faire prendre le verre sur le silicium. Si on le préfère, on peut effectuer l'opération d'éli- mination, de solidification et de prise dans la même fournée, la température étant augmentée en partant de la valeur préférée de 5000C jusqu'à la valeur préférée de 7200C sur une durée d'environ 10 à 20 minutes. Après le chauffage, de préférence à 7200C, pendant 10 minutes de préférence, le four est refroidi depuis la valeur préférée de 7200C jusqu'à une température dans la gamme de 525 à 5000C en 15 minutes environ. La température du four est maintenue dans cette gamme pendant environ 10 minutes, puis on réduit la température jusqu'à 4800C en 15 minutes environ. La température d'environ 4800C est maintenue pendant environ 20 minutes puis on réduit la température jusqu'à 4100C environ en 15 minutes environ. On maintient cette température pendant 30 minutes approximativement puis on réduit la température du four jusqu'à la température de la pièce à une vitesse d'approximativement 100C par minute. Ce refroidissement ou cycle de recuisson libère les tensions nuisibles dans le verre. Le verre durci et traité est montré à la figure 6 et est référencé 84. Le verre 84 est ensuite recouvert d'une couche 86 d'un photoresist convenable en utilisant les techniques classiques de photolithographie. On peut utiliser soit un photoresist de type négatif soit un photoresist de type positif. Un photoresist négatif est préférable. Des exemples de photoresist.négatifs convenables sont ceux vendus dans le commerce comme Hunts waycoat SC et les photoresist de Eastman Kodak désignés par KTFR et KMER. Des exemples de photoresist positifs convenables sont vendus dans le commerce par SHIPLEY sous la désignation 1350 et 1350H. Après l'application de la couche 86 de photoresist sur le verre 84, la série de thyristors, représentés par le thyristor 60, est découpée du corps 50 de silicium avec une pointe laser. Le rôle du photoresist est de protéger le verre contre les particules de silicium en fusion engendrées par la découpe au laser. La pointe laser utilise un laser Nd : Yag, ces pointes sont disponibles dans le commerce. Une pointe laser satisfaisante est vendue dans le commerce par Quantronix Corp. sous la désignation de modèle 604. Les thyristors 60 sont découpés du corps 50 selon une ligne 88 située à environ 0,5 à 1 mm de la périphérie externe 90 de la première gorge circulaire 56. En pratique, on effectue normalement la découpe à une distance d'environ 1,59 mm de la périphérie interne 92 de la gorge 56. Cette distance entre la. périphérie interne 92 ou externe 90 de la gorge 56 et la ligne de découpe 88 n'est pas critique. En se référant à la figure 7, on fixe les contacts électriques ou les électrodes 90, 94 et 96 comprenant les électrodes d'anode, de gâchette et de cathode, comme on va le décrire plus loin, pour compléter le thyristor. En se référant à la figure 8, on y voit le thyristor 80 à gâchette dynamique de la figure 5, dans lequel, suivant le procédé de l'invention, on a formé la seconde gorge 82, remplie avec le verre 84 durci et traité et on a recouvert ce verre 84 d'une couche 86 de photoresist. Toutes les opérations citées plus haut, c'est-à-dire la formation de la gorge 82, le remplissage de cette gorge avec le verre 84, le durcissement et le traitement du verre et le recouvrement de ce verre d'une couche 86 de photoresist sont effectuées suivant les procédés décrits plus haut. Le thyristor est ensuite découpé du corps de grandes dimensions en silicium suivant la ligne 88 en utilisant un laser comme on l'a déjà mentionné plus haut. Après la découpe au laser, on fixe aux différentes zones des électrodes de cathode, d'anode et de gâchette. Ces électrodes sont de préférence bimétalliques, et sont composées d'une première couche de titane (Ti) d'environ 1500 A d'épaisseur, et d'une seconde couche d'argent (Ag) d'environ 20D00 A d'épaisseur. On peut réaliser le dépôt des électrodes métalliques par vaporisation ou projection. On effectue la métallisation ou fixation des électrodes en utilisant, de préférence un masque perforé pour délimiter l'émetteur de cathode, la gâchette et la gâchette d'amplification sur une face et l'émetteur d'anode sur la face opposée. Après la fixation des électrodes, on brûle le photoresist 52 pour l'éliminer du verre dans un milieu d'air à 400 C. En se référant à la figure 9, on voit que l'on y a représenté un thyristor 80 terminé pour fortes puissances et de grande surface à gâchette dynamique réalisé suivant le procédé de l'invention. Ce thyristor 80 à gâchette dynamique comporte une zone 162 d'émetteur de cathode, une zone 262 d'émetteur auxiliaire, une zone 64 de base de cathode, une zone 66 de base d'anode et une zone 68 d'émetteur d'anode. Il existe une jonction p-n 170 entre les zones 162 et 64 ; une jonction p-n 270 entre les zones 262 et 64 une jonction p-n 72 entre les zones 64 et 66 et une jonction p-n 74 entre les zones 66 et 68. La première gorge 56 s'étend sous la surface supérieure 52 dans le thyristor à une première profondeur "x" prédéterminée et la seconde gorge 82, entourée par la première gorge 56, s'étend sous la surface supérieure dans le thyristor à une seconde profondeur prédéterminée. La seconde distance prédéterminée est supérieure à la distance entre la face supérieure 52 et la jonction p-n 72. La seconde gorge 82 contient une masse de verre durcie 84. Ce verre solidifié et traité dans les gorges peut avoir une épaisseur d'environ 13 ssm si on utilise du verre de borosilicate de plomb et d'aluminium et une épaisseur d'environ 50 ssm si on utilise du verre de borosilicate de zinc. La différence d'épaisseur est due au fait que le verre de borosilicate de zinc possède un coefficient de dilatation plus proche de celui du silicium. Evidemment, si on modifie le coefficient de dilatation du verre de borosilicate de plomb et d'aluminium ou de n'importe quel autre verre convenable pour qu'il se rapproche du coefficient de dilatation du silicium, par addition de paillettes de silice par exemple, la paroi de verre pourra être plus épaisse, c'est-à-dire se rapprocher ou être égale à 50 ssm. Il existe une électrode 90 d'émetteur de cathode, une électrode 92 d'émetteur auxiliaire, un contact 94 de gâchette et un contact 96 d'émetteur d'anode établis comme on l'a décrit plus haut. L'électrode 90 d'émetteur de cathode établit le contact électrique ohmique avec les zones 162 et 64. L'élec trode 92 d'émetteur auxiliaire établit le contact électrique ohmique avec les zones 262 et 64. L'électrode 94 de gâchette établit le contact électrique ohmique avec la zone 64 et l'électrode 96 d'émetteur d'anode établit le contact électrique ohmique avec la zone 68. Les thyristors réalisés suivant le procédé de l'in- vention peuvent être encapsulés dans de la résine ou placés dans des bottiers suivant une technique classique quelconque. Des thyristors réalisés suivant le procédé de l'invention et encapsulés dans des résines de silicone, comme celle vendue dans le commerce sous la désignation GE SR112 Silicone Resin, se sont avérés stables sur plus de S00 heures. Pour certaines conceptions de tension, il peut être impossible de graver une gorge profonde uniquement à partir de la face supérieure, comme décrit plus haut. Dans ce cas, la première gorge est gravée dans le corps de silicium en partant à la fois des faces supérieure et inférieure. En se référant à la figure 10, en partant de nouveau d'un corps 50 de grande surface en matériau semi-conducteur, comme par exemple un corps de 76 mm de diamètre en silicium de type n, on grave par attaque chimique la gorge 56 dans la surface supérieure 52 du corps 50 et la gorge 156 dans la surface inférieure 54 du corps 50. Les gorges 56 et 156 sont gravées comme décrit plus haut. La distance "x" entre les gorges 56 et 156 est telle que x/2 soit inférieure ou égale à la diffusion de type p qui suit. En suivant à nouveau le procédé présenté plus haut, on forme dans le corps des zones de type p et n par les techniques de diffusion ou de diffusion épitaxiale. Après les opérations de diffusion ou de diffusion épitaxiale, on forme la gorge 82 comme on l'a vu plus haut et on effectue les opérations de passivation par le verre, d'établissement des contacts et de découpe au laser du corps de grandes dimensions comme décrit précédemment pour obtenir un thyristor. Bien que la présente invention ait été décrite en se référant aux thyristors en particulier, il est clair que l'invention est également applicable aux diodes et aux transistors. REVENDICATIONS 1.- Dispositif à semi-conducteurs caractérisé par le fait qu'il comporte : un corps (50) possédant des surfaces supérieure (52) et inférieure (54) opposées et une partie centrale isolée de la partie périphérique par une première gorge (56) circulaire s'étendant à partir de la surface supérieure dans ledit corps sur une première profondeur inférieure à l'épaisseur du corps, une partie au moins dudit corps comportant deux zones au moins de type de conductivité opposé avec au moins une jonction p-n, une seconde gorge (82) circulaire s'étendant en partant de ladite surface su périeure (52) du corps dans ledit corps (50) sur une seconde profondeur inférieure à ladite première profondeur, et étant disposée à l'intérieur de ladite première gorge (56) du verre (84) solidifié disposé à l'intérieur de ladite seconde gorge (82) assurant l'étanchéité avec les parois de celle-ci ; ladite partie au moins étant entourée par ladite seconde gorge ; et ladite seconde profondeur étant su périeure à la distance entre la face supérieure (52) et la jonction p-n. 2.- Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que le verre (84) dans les gorges est un verre de borosilicate de plomb et d'aluminium. 3.- Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que le verre (84) dans les gorges est un verre de borosilicate de zinc. 4. Dispositif suivant l'une quelconque des revendications 1, 2 ou 3, caractérisé par le fait que la partie centrale du corps (50) comporte quatre zones, des zones adjacentes étant de type de conductivité opposé avec des jonctions p-n entre elles. 5.- Procédé pour préparer une série de dispositifs à semi-conducteurs passivés avec du verre à partir d'un corps (50) de grande surface en matériau semi-conducteur possédant des faces supérieure (52) et inférieure-(54) opposées, caractérisé par le fait qu'il consiste - à former une première gorge (56) ayant une première profondeur suivant une configuration circulaire à travers ladite face supérieure (52) dudit corps (50), à former une seconde gorge ( & ) suivant une configuration circulaire à travers ladite face supérieure (52) à l'intérieur du diamètre interne de ladite première gorge (56) et dans ledit corps (50) sur une seconde profondeur inférieure à ladite profondeur - à déposer de la pâte de verre (84), composée de poudre de verre et d'un véhicule, dans ladite seconde gorge (82) ;; - à éliminer ledit véhicule et faire solidifier ledit verre (84) dans ladite seconde gorge (82) ; et - à découper entièrement de part en part ledit corps (50) autour de la périphérie externe de la première gorge (56) circulaire. 6.- procédé suivant la revendication 5, caractérisé par le fait qu'il consiste : à former par diffusion, consécutivement au formage de ladite première gorge, au moins une seconde zone à l'intérieur dudit corps, cette seconde zone étant d'un type de conductivité opposé au type de conductivité dudit corps. 7.- Procédé suivant les revendications 5 ou 6, caractérisé par le fait que ladite pâte de verre est composée en partie d'un verre sélectionné dans le groupe des verres de borosilicate de plomb et d'aluminium et des verres de borosilicate de zinc. 8.- Procédé suivant les revendications 5 ou 6, caractérisé par le fait que ladite pâte de verre est composée en partie d'un verre de borosilicate de zinc. 9.- Procédé suivant une quelconque des revendications 5 à 8, caractérisé par le fait que la pâte de verre est composée en partie d'un véhicule constitué d'éthylcellulose et de butylcarbitol. 10.- Procédé suivant l'une quelconque des revendications 5 à 9, caractérisé par le fait que la pâte de verre est composée de 40 g d'un verre de borosilicate de zinc et de 35 cm3 d'un véhicule composé d'éthylcellulose et de butylcarbitol. 11.- Procédé suivant l'une quelconque des revendications 5 à 10, caractérisé par le fait que le verre (84) est déposé dans les gorges par une impression à l'écran. 12.- Procédé suivant l'une quelconque des revendications 5 à 11, caractérisé par le fait qu'on laisse le verre se déposer dans les gorges pendant environ 5 à 15 minutes avant d'éliminer le véhicule. 13.- Procédé suivant la revendication 11, caractérisé par le fait qu'on laisse le verre se déposer dans les gorges pendant 10 minutes avant d'éliminer le véhicule. 14.- Procédé suivant l'une quelconque des revendications 9, 10, 11, 12 et 13, caractérisé par le fait que l'on élimine le véhicule par chauffage pendant une durée de 8 à 12 minutes à une température de 100 à 1500C. 15.- Procédé suivant la revendication 14, caractérisé par le fait que l'on durcit le verre (84) en le chauffant pendant une durée de 20 à 45 minutes à une température de 4500à 5500C, puis on le chauffe pendant une durée de 5 à 45 minutes à une température de 6500 à 7500C. 16.- Procédé suivant la revendication 14, caractérisé par le fait que l'on durcit le verre en le chauffant pendant 30 minutes à 5000C et ensuite pendant 10 minutes à 7200C. 17.- Procédé suivant l'une quelconque des revendications 5 à 16, caractérisé par le fait qu'on utilise une pointe laser pour découper de part en part ledit corps (50) de matériau semi-conducteur.