FR 2512262 A1 19830304 FR 8116443 A 19810828 L'invention concerne un matériau pour résistances, des résistances électriques réalisées à partir de ce matériau, et un procédé de fabrication du matériau et des résistances. L'invention concerne plus particulièrement un matériau pour résistances émaillé , permettant d'obtenir un composant à résistance spécifique élevée et de grande solidité, produit à partir de matériaux relativement peu coûteux. Un type de matériau pour résistances électriques dont l'utilisation s'est répandue dans l'industrie est un matériau à résistance émaillé, comprenant un mélange de fritte de verre et de fines particules d'une matière conductrice du courant électrique. Le matériau émaillé est appliqué sur la surface d'un substrat en matière électriquement isolante, généralement une céramique, et il est cuit afin que la fritte de verre se ramollisse. Une fois refroidi, on obtient une pellicule de verre dans laquelle les particules conductrices sont dispersées. Etant donné que l'on souhaite disposer de résistances électriques dont les valeurs s'étendent sur une large gamme, il est nécessaire de disposer de matériaux à résistance émaillés possédant des caractéristiques permettant la fabrication de résistances dont les valeurs s'étendent sur une large gamme. Des matériaux à résistance ou présentant des résistances spécifiques élevées utilisent généralement des métaux nobles comme particules conductrices et sont donc relativement coûteux. Cependant, des matériaux à résistance émaillés relativement peu coûteux, utilisant de l'oxyde d'étain Lors de l'utilisation de ces matériaux à résistances émaillés comprenant une phase conductrice d'oxyde d'étain (SnO2), ou de l'oxyde d'étain et un additif tel que de l'oxyde de tantale (Ta205), on augmente la résistance spécifique du matériau en réduisant la proportion de matière conductrice. Le volume de verre peut être compris entre 20 et 80 % avec un volume correspondant de matière conductrice compris entre 80 et 20 %. Cependant, la plage préférée pour la teneur en oxyde d'étain est comprise entre 40 et 60 % en volume. Toutefois, lorsque la teneur de la phase conductrice est abaissée au-dessous de 40 % en volume et que la teneur du verre est augmentée de façon correspondante à plus de 60 % en volume, la glaçure cloque et devient très mousseuse pendant la cuisson du matériau pour produire la résistance.La matière de la glaçure, dans ces conditions, forme une couche résistive qui est déformée par une épaisseur accrue et qui est affaiblie et très sujette aux écaillages et aux ruptures. Du fait de cette difficulté, ces résistances sont réalisées avec une teneur en verre ayant une limite supérieure de 60 %, en volume,:ffide verre, et de préférence avec une teneur ne dépassant pas 50 % -en volume. Ceci limite l'utilisation de ces matériaux et leur aptitude à la production de résistances ayant une résistance spécifique accrue, qu'il serait autrement possible d'atteindre avec une teneur en verre plus élevée. Dans le domaine de la fabrication des résistances émaillées, il est également apparu que l'accroissement de la température à laquelle le matériau émaillé est cuit pendant la fabrication de la résistance entraîne souvent l'établissement ou l'accroissement de caractéristiques électriques souhaitables pour une résistance, par exemple sa stabilité à la température. Cependant, cette élévation de la température de cuisson entraîne souvent, en même temps, une diminution de la résistance spécifique du composant. Par conséquent, pour produire un composant ayant une résistance spécifique souhaitée, il est apparu nécessaire d'augmenter suffisamment la teneur en verre pour permettre la réduction de résistance spécifique résultant de la cuisson du matériau résistif à plus haute température.Cependant, comme indiqué, la teneur en verre de ces résistances a été limitée à 60 % en volume, et de préférence à 50 % en volume, afin d'éviter l'apparition de caractéristiques physiques indésirables se produisant lorsqu'une charge de verre supérieure à 60 % est utilisée L'invention a donc pour objet un matériau à résistance perfectionné, ainsi qu'une résistance réalisée à partir de ce matériau. L'invention concerne notamment un matériau à résistance émaillé et une résistance produite à partir de ce matériaux Ce dernier comporte une phase conductrice comprenant de l'oxyde d'étain, et il possède une résistance spécifique relativement élevée ainsi qu'une grande solidité physique.Le matériau émaillé pour résistances selon l'invention comporte notamment une phase conductrice en oxyde d'étain et oxyde de tantale et il possède une résistance spécifique relativement élevée ainsi qu'une grande solidité physique. Le matériau selon l'invention permet d'obtenir des résistances spécifiques relativement insensibles aux variations de la température de cuisson utilisées dans le procédé de fabrication. Il est possible d'élever à une valeur optimale la température de cuisson, tout en obtenant une résistance spécifique relativement élevée ainsi qu'une grande solidité physique. L'invention a également pour objet un matériau à résistance émaillé, une résistance et leur procédé de fabrication qui utilisent une phase conductrice comprenant de l'oxyde d'étain et qui sont relativement peu coûteux. L'invention concerne donc un matériau à résistance comprenant un mélange d'une fritte de verre, d'une matière isolante contenant un oxyde de zirconium, et d'une phase conductrice constituée de fines particules d'oxyde d'étain (SnO2) et d'un additif tel que de l'oxyde de tantale (Ta205) si cela est souhaité. La matière isolante est choisie parmi la zircone (ZrO2), le zirconate de calcium (CaZrO3), le zirconate de baryum (BaZrO3) et le zirconate de strontium (SrZrO3). Le matériau, la résistance et leur procédé de fabrication, selon l'invention, possèdent les caractéristiques, les propriétés et la combinaison d'éléments indiqués à titre d'exemple dans la description et les compositions données ci-après. L'inventionsera décrite plus en détail en regard du dessin annexé à titre exemple nullement limitatif et sur lequel la figure 1 est une coupe transversale partielle d'une résistance réalisée à l'aide du matériau à résistance selon l'invention la figure 2 est un graphique comparant la résistance spécifique, en fonction de la température de cuisson, de résistances selon l'invention et de résistances réalisées à partir d'un matériau à résistance de l'art antérieur. D'une manière générale, le matériau émaillé à résistance selon l'invention comprend un mélange d'une fritte de verre vitrifiée, d'une matière isolante contenant un oxyde de zirconium, et d'une phase conductrice de fines particules d'oxyde d'étain (SnO2). La phase conductrice peut également renfermer un additif tel que de l'oxyde de tantale (Ta205) comme décrit dans le brevet nO 4.065.743 précité. La fritte de verre peut être présente dans le mélange à raison d'environ 30 % et jusqu'à environ 60 % en volume, la quantité de fritte de verre étant de préférence comprise entre 35 et 40 % en volume. La matière isolante est un oxyde de zirconium tel que la zircone (ZrO2), du zirconate de calcium (CazrO3), du zirconate de baryum (BaZrO3) et du zirconate de strontium (SrZrO3), en quantités pouvant atteindre environ 15 % et plus si cela est souhaitable, et de préférence entre 10 et 15 %, en volume, du mélange. Une teneur totale de fritte de verre et d'additif de 50 % en volume du matériau à résistance est préférée, bien qu'une quantité de 60 % et pouvant atteindre 70 %, en volume, puisse être utilisée. La quantité préférée d'oxyde d'étain (sono2) est de 40 à 60 % en volume du mélange et, lorsqu'on utilise de l'oxyde de tantale (Ta205), ce dernier est à ajouter à l'oxyde d'étain (SnO2) en quantités pouvant atteindre 50 % en poids de la phase conductrice. La fritte de verre utilisée peut être l'une quelconque des compositions bien connues entrant dans la fabrication des compositions émaillées à résistance, ayant un point de fusion inférieur à celui de la phase conductrice. Cependant, il est apparu préférable d'utiliser une fritte au borosilicate, et en particulier une fritte au borosilicate de terre alcaline telle qu'une fritte au borosilicate de baryum ou de calcium. La préparation de ces frittes est bien connue et consiste, par exemple, à faire fondre ensemble les constituants du verre sous la forme des oxydes de ces constituants, et à couler cette composition fondue dans de l'eau pour former la fritte. Les matières premières peuvent évidemment comprendre tout composé donnant les oxydes souhaités dans les conditions habituelles de production de frittes. Par exemple, de l'oxyde borique peut être obtenu à partir de l'acide borique du bioxyde de silicium est produit à partir du silex de l'oxyde de baryum est produit à partir du carbonate de baryum , etc.La fritte grossière est de préférence broyée dans un broyeur à billes avec de l'eau afin que la dimension des particules de la fritte soit réduite et que l'on obtienne une fritte ayant des particules de dimensions sensiblement uniformes. Le matériau à résistance selon l'invention peut être obtenu par mélange complet, ensemble, de la fritte de verre, de la matière isolante, des particules d'oxyde d'étain et des particules d'oxyde de tantale, lorsqu'elles sont utilisées en quantité appropriée. Pour produire la résistance à partir du matériau à résistance selon l'invention, on applique ce matériau à une épaisseur souhaitée sur la surface d'un substrat. Ce dernier peut être un corps constitué de toute matière pouvant supporter la température de cuisson du matériau à résistance. Le substrat est généralement constitué d'un corps en isolant, par exemple en céramique, en verre, en porcelaine, en stéatite, en titanate de baryum ou en alumine. Le matériau à résistance peut être appliqué sous la forme d'une couche sur le substrat, à la brosse, par immersion, par pulvérisation ou par sérigraphie. Le substrat revêtu du matériau à résistance est ensuite cuit dans un four classique, à une température provoquant un ramollissement de la fritte de verre, mais inférieure au point de fusion de l'oxyde d'étain.Les matériaux à résistance sont de préférence cuits sous atmosphère inerte ou non oxydante, par exemple sous argon, hélium ou azote. La température particulière de cuisson utilisée dépend de la température de ramollissement de la fritte de verre particulière utilisée. Lorsque le substrat et le matériau à résistance sont refroidis, la couche d'émail vitrifié durcit pour lier le matériau à résistance au substrat. Comme montré sur la figure 1, une résistanceobtenue par le procédé de l'invention est indiquéegloba- lement en 10. Cette résistance 10 comprend un substrat 12 de céramique portant une couche 14 du matériau à résistance selon l'invention, appliquée et cuite sur ce substrat. La couche 14 du matériau à résistance comprend du verre et une matière isolante 16, et une phase conductrice constituée de fines particules 18 d'oxyde d'étain (SnO2), et également de l'oxyde de tantale (Ta205) lorsqu'il est utilisé. Les particules 18 de la phase conductrice sont noyées et dispersées dans le verre et la matière isolante 16. Les exemples suivants sont donnés pour illustrer certains détails avantageux de l'invention, indiqués à titre nullement limitatif. Exemple 1 Une phase conductrice, comprenant 50 % en volume d'oxyde d'étain (SnO2), est mélangée à différentes quantités de fritte de verre et de matière isolante. La fritte de verre a pour composition, en poids, 50 % de BaO, 20 % de B2O3, et 30 % de SiO2. La matière isolante utilisée est la zircone (ZrO2). Plusieurs lots de matériaux à résistance sont produits par-mélange ensemble de la phase conductrice, de la fritte de verre et de la matière isolante, dans les proportions données dans le tableau I. Chaque mélange est broyé dans un broyeur à billes, avec de l'acétate de butyl carbitol afin que l'on obtienne un mélange complet. On fait évaporer l'acétate de butyl carbitol et on malaxe le mélange au moyen d'une raquette produite par la firme L.Reusche and Company, Newark, N.J., E.U.A., pour former les compositions de résistances. Des résistances sont réalisées avec chacune des compositions résultantes, par application par sérigraphie de ces compositions sur des plaques de céramique sur lesquelles des terminaisons de cuivre précuites ont été posées. Les résistances sont ensuite cuites dans un four à tunnel sous atmosphère d'azote, aux températures de pointes indiquées dans le tableau I, au cours d'un cycle de 30min. Les résistances spécifiques des composants obtenus sont indiques dans le tableau I et sur le graphique de la figure 2. Tableau I 1 2 3 1 2 3 Oxyde d'étain (% en volume) 50 50 50 Verre (% en volume) 50 40 35 Zircone (% en volume) 0 10 15 Résistance spécifique (kohms/carré) Cuisson à 950"C 345 1100 2600 10000C 135 1600 3000 1025 C 77 1700 2000 10250C 77 1700 2000 La courbe A de la figure 2 représente des résistances à l'oxyde d'étain de l'art antérieur, ne contenant pas de zircone (Zr02) comme matière isolante, tandis que les courbes B et C représentent des résistances selon l'invention qui contiennent 10 % et 15 % en volume de zircone (ZrO2). La courbe A présente une valeur élevée de 345 kilohms/carré pour des résistances cuites à 9500C, une résistance spécifique ramenée à 135 kilohms/carré pour une température de cuisson de 1.000"C, et une faible résistance spécifique de 77 kilohms/carré pour une température de cuisson élevée à 1.0250C. Par ailleurs, la courbe B montre une résistance spécifique s'élevant à 1.100 kilohms/carré pour des résistances cuites à 950du, et des résistances spécifiques qui s'élèvent respectivement à 1.600 et 1.700 kilohms/carré pour des températures de cuisson de 1.000 et 1.0250C.La courbe C correspond à des résistances contenant un plus grand volume de zircone et elle indique des résistances spécifiques encore plus grandes, respectivement de 2.600 et 3.000 kilohms/carré pour des températures de cuisson de 950 et 1.0000C, et une résistance spécifique de 2.000 kilohmsi carré, c'est-à-dire légèrement supérieure à la résistance spécifique de 1.700 kilohms/carré obtenue à cette température, avec les résistances de la courbe B. Le tableau I et la figure 2 montrent donc que l'addition de 10 à 15 %, en volume, de zircone à la composition de glaçure augmente notablement la résistance spécifique des résistances produites par rapport au matériau à résistance à l'oxyde d'étain de l'art antérieur qui ne renferme pas de zircone. Le graphique montre également qu'avec l'addition de la matière isolante, un accroissement de la température de cuisson ne provoque qu'une faible variation de la résistance spécifique, mais non une diminution importante de cette résistance spécifique, comme cela se produit dans l'art antérieur (courbe A). L'addition de la matière isolante augmente donc les résistances spécifiques des composants produits et réduit leur sensibilité aux variations de la température de cuisson.En plus de leur résistance spécifique relativement élevée, les résistances produites conformément à l'invention ne sont pas cloquées et ne présentent pas un aspect mousseux ; elles résistent à l'écaillage et aux ruptures ; et elles présentent une grande solidité physique. EXEMPLE II Trois lots de compositions de résistances sont produits de la manière décrite dans l'exemple I, sauf que la matière isolante utilisée est du zirconate de calcium (CaZrO2). Des résistances sont produites avec ces compositions comme décrit dans l'exemple I, et les résistances, cuites aux températures de pointe indiquées, présentent les résistances spécifiques données dans le tableau II. Ces résistances, qui renferment la matière isolante, présentent de plus grandes valeurs de résistance spécifique, sont relativement insensibles à l'accroissement de la température de cuisson et présentent de bonnes caractéristiques de solidité physique. TABLEAU Il 1 2 3 1 2 3 Oxyde d'étain (% en volume) 50 50 50 Verre (% en volume) 50 40 35 Zirconate de calcium en en volume) 0 10 15 Résistance spécifique (kchms/carré) Cuisson à 9500C 345 515 550 10000C 135 525 500 1025 C 77 660 490 10250C 77 660 490 EXEMPLE III Trois lots de compositions de résistances sont produits de la manière décrite dans l'exemple I, sauf que la matière isolante utilisée est du zirconate de baryum (BaZrO3). On produit des résistances avec ces compositions, comme décrit dans l'exemple I, et les résistances, cuites aux températures de pointe indiquées, présentent les résistances spécifiques données dans le tableau III.Ces résistances, qui renferment la matière isolante, présentent de plus grandes valeurs de résistance spécifique, sont relativement insensibles à l'accroissement de la température de cuisson, et présentent de bonnes caractéristiques de solidité physique. TABLEAU III 1 2 3 1 2 3 Oxyde d'étain (% en volume) 50 50 50 Verre (% en volume) 50 40 35 Zirconate de baryum (% en volume) 0 10 15 Résistance spécifique (kohms/carré) Cuisson à 9500C 345 495 585 1000 C 135 245 340 10000C 135 245 340 EXEMPLE IV Trois lots de compositions de résistances sont produits de la manière décrite dans l'exemple I, sauf que la matière isolante utilisée est du zirconate de strontium (SrZrO3). Des résistances sont produites à l'aide de cette composition, comme décrit dans l'exemple I, et les résistances, cuites aux températures de pointe indiquées, présentent les valeurs de résistance -spécifique données dans le tableau IV.Les résistances, qui contiennent de la matière isolante, présentent de plus grandes valeurs de résistance spécifique, sont relativement insensibles à l'accroissement de la température de cuisson, et présentent également de bonnes caractéristiques de solidité physique. TABLEAU IV 1 2 3 1 2 3 Oxyde d'étain (% en volume) 50 50 50 Verre (% en volume) 50 40 35 Zirconate de strontium (% en volume) 0 10 15 Résistance spécifique (kohms /carré) Cuisson à 950"C 345 320 610 1 0000C 135 215 470 1025 C 77 270 780 1 0250C 77 270 780 EXEMPLE V Deux phases conductrices d'oxyde d'étain (SnO2) et d'oxyde de tantale (Ta205) sont obtenues par mélange ensemble de ces oxydes, dans des-proportions, en volume, telles que l'on obtienne un lot comprenant 90 % d'oxyde d'étain et 10 % d'oxyde de tantale et un autre lot comprenant 75 % d'oxyde d'étain et 25 % d'oxyde de tantale. Des lots de compositions de résistances sont produits par mélange de 50 % en volume des phases conductrices avec 50 % en volume de fritte de verre et de matière isolante, dans les proportions données dans le tableau V. Des résistances sont produites comme décrit dans l'exemple I, et les résistances, cuites aux températures de pointe indiquées, présentent les valeurs de résistance spécifique indiquées dans le tableau V. Les résistances, qui contiennent la matière isolante, sont beaucoup moins sensibles à l'accroissement de la température de cuisson et présentent de bonnes caractéristiques de solidité physique. TABLEAU V -1 2 3 4 -1 2 3 4 Oxyde d'étain (% en volume) 45 45 45 45 Oxyde de tantale (% en volume) 5 5 15 15 Verre (% en volume) 50 40 40 30 Zircone (% en volume) 0 10 0 10 Résistance spécifique (Ohms/carré) Cuisson à 9500C 1,3M 1,3M 600K 650K 1000 C 590K 1,OK 270K 500K 1 0000C 590K 1,0K 270K 500K Les exemples précédents montrent les effets, sur la résistance spécifique de la-résistance selon l'invention, de l'addition de la matière isolante à la composition pour résistances de l'art antérieur.Ainsi, la figure 1 montre l'addition de 10 % et de 15 %, en volume, de zircone (ZrO2) à la composition d'une glaçure d'oxyde d'étain, tandis que le tableau V montre l'effet de cette matière isolante sur une composition pour résistances à l'oxyde d'étain à laquelle de l'oxyde de tantale (Ta205) est ajouté. Les tableaux II, III et IV montrent de la même manière l'effet produit sur la résistance spécifique lorsque des matières isolantes telles que du zirconate de calcium (CaZrO2), du zirconate de baryum (BaZrO3) et du zirconate de strontium (SrZrO3) sont ajoutés respectivement à la composition de glaçure à l'oxyde d'étain de l'art antérieur. Des résistances spécifiques variant d'environ 200 kilohms/ carré à 1,3 mégohm/carré sont obtenues et les effets de la cuisson des compositions de glaçure à différentes températures comprises entre 950 et 10250C sont également montrées en particulier sur la figure 2, en comparaison avec ia glaçure à l'oxyde d'étain de l'art antérieur. Ainsi, l'invention concerne un matériau à résistance destiné à la fabrication de résistances du type à glaçure à l'oxyde d'étain, ayant des résistances spécifiques élevées qu'il n'était possible d'atteindre jusqu'à présent que par un accroissement de la teneur en verre avec, pour conséquences,des déformations physiques et un affaiblissement des résistances. Les exemples montrent également l'efficacité de l'addition d'une matière isolante contenant un oxyde de zirconium tel que de la zircone (ZrO2), du zirconate de calcium (CaZrO2), du zirconate de baryum (BaZrO3), du zirconate de strontium (SrZrO3), en quantités comprises entre environ 10 et 15 %, en volume, du mélange.Outre qu'ils permettent d'atteindre des résistances spécifiques plus élevées avec des résistances à glaçure du type oxyde d'étain, les additifs stabilisent les résistances spécifiques obtenues à des températures de cuisson supérieures, utilisées pour la fabrication des résistances. Cet effet réduit des variations de température pendant le procédé de fabrication permet de mieux maîtriser les résistances spécifiques obtenues sur les composants. Le maintien d'une résistance spécifique relativement élevée sur une certibe plage de température de cuisson, obtenu avec la présente invention, permet en outre de choisir diverses températures de cuisson pour l'obtention d'autres caractéristiques souhaitables, sans modifier notablement les résistances spécifiques des composants produits. Les résistances selon l'invention sont- également réalisées en matières relativement peu coûteuses. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées à la résistance et au procédé décrit et représenté sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Matériau émaillé pour résistances destiné à être appliqué et cuit sur un substrat (12) pour former une résistance électrique (10), caractérisé en ce qu'il comprend un mélange d'une fritte (16) de verre, d'une matière isolante contenant un oxyde de zirconium, et d'une phase conductrice de fines particules (18) d'oxyde d'étain. 2. Matériau selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière isolante est choisie parmi la zircone, le zirconate de calcium, le zirconate de baryum et le zirconate de strontium. 3. Matériau selon la revendication 2, caractérisé en ce que la phase conductrice comprend des particules (18) d'oxyde de tantale. 4. Matériau selon la revendication 3, caractérisé en ce que la fritte de verre est un verre au borosilicate de terre alcaline. 5. Matériau selon l'une quelconque des revendications 1, 2, 3 et 4, caractérisé en ce que la matière isolante est présente en quantité pouvant atteindre environ 15 % en volume du mélange. 6. Matériau selon l'une quelconque des revendications 1, 2, 3 et 4, caractérisé en ce que la fritte de verre est présente en quantité ne dépassant pas environ 50 % en volume du mélange. 7. Matériau selon l'une quelconquedes revendications 1, 2, 3 et 4, caractérisé en ce que la fritte de verre et la matière isolante sont présentes en quantités égales à environ 50 %, en volume, du mélange, la matière isolante étant présente en quantité pouvant atteindre environ 15 % en volume du mélange. 8. Résistance électrique ayant une résistance spécifique relativement élevée et de bonnes caractéristiques -de solidité physique, caractérisée en ce qu'elle comprend un substrat isolant (12) et une couche (14) de matière résistante appliquée sur une surface du substrat, la matière résistante comprenant une phase conductrice de particules (18) d'oxyde d'étain noyées et dispersées dans du verre (16) qui comprend une matière isolante contenant un oxyde de zirconium. 9. Procédé de fabrication d'une résistance électrique, caractérisé en ce qu'il consiste à mélanger ensemble une fritte de verre, une matiere isolante contenant un oxyde de zirconium, et une phase conductrice de fines particules d'oxyde d'étain, à appliquer le mélange sur une surface d'un substrat (12) et à le faire cuire sous atmosphère sensiblement inerte, à la température de ramollissement de la fritte de verre, mais au-dessous de la température de fusion de l'oxyde d'étain, et à faire refroidir le substrat revêtu pour former une résistance (10) comportant une matrice (16) de verre dans laquelle des particules conductrices (18) sont dispersées. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la matière isolante est choisie parmi la zircone, le zirconate de calcium, le zirconate de baryum et le zirconate de strontium. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la phase conductrice comprend des particules d'oxyde de tantale. 12. Procédé selon la revendication 11, caracterisé en ce que la fritte de verre est un verre au borosilicate de terre alcaline. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que le mélange est cuit sous atmosphère d'azote, à une température de pointe comprise entre 950 et 10250C, au cours d'un cycle d'environ 30 min. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9, 10, 11 et 12, caractérisé en ce que. la matière isolante est présente en quantités pouvant atteindre environ 15 % du mélange. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9, 10, 11 et 12, caractérisé en ce que la phase conductrice est présente en quantités ne dépassant pas environ 50 % en volume du mélange. 16. Procédé selon lune quelconque des revendications 9, 10, 11 et 12, caractérisé en ce que la fritte de verre et la matière isolante sont présentes en quantités égales à environ 50 % en volume du mélange, la matière isolante étant présente en quantité pouvant atteindre environ 15 % en volume du mélange. 17. Résistance électrique du type à glaçure vitrifiée, caractérisée en ce qu'elle est produite par mélange ensemble d'une fritte de verre, d'une matière isolante contenant un oxyde de zirconium, et d'une phase conductrice de fines particules d'oxyde d'étain, par l'application du mélange sur une surface d'un substrat (12) et par cuisson de ce mélange, sous atmosphère sensiblement inerte, à la température de ramollissement de la fritte de verre, mais au-dessous de la température de fusion de l'oxyde d'étain, et par refroidissement du substrat ainsi revêtu pour former une résistance (10) comportant une matrice (16) de verre dans laquelle des particules conductrices (18) sont dispersées. 18. Résistance électrique selon l'une des revendications 8 et 17, caractérisée en ce que la matière isolante est choisie parmi la zircone r le zirconate de calcium, le zirconate de baryum et le zirconate de strontium. 19. Résistance électrique selon la revendication 18, caractérisée en ce que la phase conductrice comprend des particules d'oxyde de tantale. 20. Résistance électrique selon la revendication 19, caractérisée en ce que la fritte de verre est un verre au borosilicate de terre alcaline. 21. Résistance électrique selon la revendication 20 prise avec la revendication 17, caractérisée en ce que le mélange est cuit sous atmosphère d'azote à une température de pointe comprise entre 950 et 10250C, au cours d'un cycle d'environ 30 min. 22. Résistance électrique selon l'une quelconque des revendications 8, 17, 18, 19 et 20, caractérisée en ce que la matière isolante est présente en quantités pouvant atteindre environ 15 % en volume du mélange. 23. Résistance électrique selon l'une quelconque des revendications 8, 17, 18, 19 et 20, caractérisée en ce que la phase conductrice est présente en quantité ne dépassant pas environ 50 ou 60 % en volume du mélange. 24. Résistance électrique selon l'une quelconque des revendications 8, 17, 18, 19 et 20, caractérisée en ce que la fritte de verre et la matière isolante sont présentes en quantité égale à environ 50 % en volume du mélange, la matière isolante étant présente en quantité pouvant atteindre environ 15 % en volume du mélange.