FR 2513013 A1 19830318 FR 8215600 A 19820915 La présente invention concerne une diode à semiconducteurs sous boîtier tubulaire, dans lequel le substrat semiconducteur est disposé entre deux éléments de connexion. De telles diodes à semiconducteurs sont constituées par un substrat semiconducteur dont une face superficielle porte une électrode. La face inférieure du substrat semiconducteur est fixée sur un des deux éléments de connexion, tandis que l'électrode sur l'autre face du substrat est en contact avec l'autre élément de connexion. Les éléments de connexion sont avantageusement adaptés à la section intérieure du boîtier. Dans le cas d'un boîtier tubulaire, les éléments de connexion présentent la forme d'une broche ou d'un piston et s'étendent des deux côtés à l'intérieur du boîtier, jusqu'à la diode à semiconducteurs interposée. Le boîtier est en verre. Dans les diodes à semiconducteurs connues du type décrit, les éléments de connexion ou broches portent des fils d'alimentation9 pour établir une liaison électrique avec d'autres composants ou fils d'alimentation. L'invention a pour objet une diode à semiconducteurs se pétant particulièrement bien à l'équipement automatique de cartes imprimées par exemple. Selon une caractéristique essentielle de l'invention, un des éléments de connexion au moins présente à ltextérieur du boîtier une surface de contact agrandie, sous forme d'un embout de contact. Ce dernier constitue généralement une fermeture du boîtier. La coupe d'un élément de connexion selon 1 invention rappelle celle d'un bouchon ou d'un rivet. D'autres caractéristiques seront mieux compris à l'aide de la description détaillée ci-dessous d'un exemple de réalisation, dont la figure unique représente le schéma. La diode à semiconducteurs selon l'invention comporte un boîtier tubu laire 1, en verre par exemple. Le boîtier 1 contient la diode proprement dite, constituée par le substrat semiconducteur 2 et l'électrode 3. Les éléments de connexion 4 et 5 sont en contact chacun avec une face de la diode à semiconducteurs. Les diodes présentant une telle constitution sont appelées diodes DH. Selon l'invention, les extrémités des éléments de connexion 4 et 5 ne portent pas des fils, mais des embouts de contact 6 et 7, réalisés sous forme de disques et obturant le boîtier comme un couvercle. Les embouts de contact (6, 7) sont par exemple produits en une seule pièce (fil Dumet). Les diodes selon l'invention à embouts de contact plats se prêtent particulièrement bien au montage automatique sur cartes imprimées Bien entendu, diverses modifications peuvent etre apportées par l'homme de llart au principe et aux dispositifs qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemples non limitatifs, sans sortir du cadre de l'invention. Revendications 1. Diode à semiconducteurs sous boîtier tubulaire, dans lequel le substrat semiconducteur est disposé entre deux éléments de connexion, ladite diode étant caractérisée en ce qu'un des éléments de connexion au moins présente à l'extérieur du boîtier une surface de contact agrandie, sous forme d'un embout de contact. 2. Diode à semiconducteurs selon revendication 1, caraetérisoeen ce que l'embout de contact est fixé sur la partie de l'élément de connexion située à l'intérieur du boîtier et est constituée par une seule pièce. 3. Diode à semiconducteurs selon une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que l'embout de contact obture le bottier.