FR 2487122 A1 19820122 FR 8113878 A 19810716 2 487122 La présente invention est utilisable dans les opérations de fabrication de dispositifs à semiconducteur dans lesquelles on dépose une couche conductrice de métal sur la surface d'un dispositif à semiconducteur à couches minces, pour former des conducteurs métal- liques continus. Les microcircuits intégrés à transistors bipolaires et à effet de champ sont formés par plusieurs dépôts de couches minces sur un substrat semiconducteur. Les défauts d'uniformité de surface qui résultent du dépôt de nombreuses couches minces ayant des configura- tions en plan différentes créent des décalages verticaux ou des mar- ches à la surface supérieure du dispositif à couches minces. On forme des lignes bus conductrices en procédant tout d'abord au dépôt ou à l'évaporation de métal, tel que de l'aluminium, sous la forme d'une couche mince à la surface supérieure du dispositif, puis en définis- sant les conducteurs par photogravure. Les lignes de métal ou d'alumi- nium doivent couvrir les marches verticales à la surface supérieure du dispositif, sans solution de continuité. Une difficulté relative à ces opérations de fabrication consiste en ce que les marches verti- cales à la surface supérieure du dispositif créent des effets d'ombre pendant l'évaporation ou le dépôt de la couche mince de métal, ce qui réduit l'épaisseur de la couche de métal à proximité des marches ver- ticales et conduit à des fissures ou des discontinuités dans les lignes conductrices en métal, ce qui constitue un problème connu depuis longtemps dans la technique. De façon caractéristique, le rendement de fabrication est considérablement réduit par la mauvaise couverture des marches par le métal, ce qui augmente le coût de fabrication de tels dispositifs. Une solution possible consiste à chauffer les dispositifs de façon à produire une refusion, ou au moins une refusion partielle, de la couche diélectrique sous-jacente, avant le dépôt de métal, afin d'évi- ter l'apparition de fissures ou de discontinuités dans la couche de métal. L'inconvénient d'une telle solution consiste en ce que si on élève suffisamment la température du dispositif pour faire fondre au moins partiellement la matière de la couche diélectrique, les impure- tés de dopage déposées dans le substrat semi-conducteur sous-jacent se redistribuent de façon notable, ce qui peut entraîner une destruc- 9 487122 tion des transistors ou d'autres dispositifs sous-jacents formés dans le substrat, ou tout au moins une dégradation de la définition de ces dispositifs. Ainsi, il y a longtemps qu'on cherche à éviter l'appari- tion de discontinuités ou de fissures dans la couche de métal de re- couvrement, sans perturber les propriétés électriques du substrat semiconducteur sous-jacent.- Conformément à l'invention, on supprime les fissures ou les discontinuités dans la couche de métal de recouvrement, après évapo- ration ou dépôt de la couche de métal sur la surface supérieure du dispositif, par bombardement avec un faisceau d'électrons. L'énergie qui est communiquée par le faisceau d'électrons produit une refusion suffisante de la matière de la couche de métal de recouvrement pour faire disparaître les fissures ou les discontinuités présentes dans la couche de métal. Le faisceau d'électrons en régime d'impulsions est appliqué après l'évaporation de la couche de métal, mais avant la définition par photogravure des lignes conductrices à partir de la couche de métal, afin que la totalité de la surface supérieure du dispositif soit recouverte par une couche de métal pendant le bom- bardement ou l'irradiation par le faisceau en régime d'impulsions. La durée d'application du faisceau d'électrons en régime d'impulsions est de préférence suffisamment courte pour que seule la surface de métal supérieure soit échauffée notablement, afin de ne pas pertur- ber les caractéristiques électriques du substrat semi-conducteur sousjacent. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la descrip- tion qui va suivre d'un mode de réalisation et en se référant aux dessins annexés sur lesquels: La figure 1 est une représentation simplifiée du procédé de l'invention; la figure 2 est un graphique comparatif représentant le cour- rant de fuite à travers une couche isolante dans des dispositifs à semiconducteurs formés avec et sans le procédé de l'invention; et la figure 3 est un graphique comparatif représentant le cou- rant source-drain en fonction de la tension de grille pour des dispo- sitifs MDS formés avec et sans le procédé de l'invention. La fabrication d'un circuit intégré comportant des transistors 2 487122 à effet de champ ou des dispositifs bipolaires commence habituellement par la fabrication d'un substrat semiconducteur 10 d'un premier type de conductivité et par la formation de régions dopées 12, du type de conductivité opposé. On dépose ensuite diverses couches minces 14,16, 18 sur le substrat semiconducteur. Pour réaliser un transistor à effet de champ, on peut placer une couche diélectrique mince 14 sur le substrat, puis une couche conductrice 16 qui est à son tour recou- verte d'une autre couche diélectrique 18. Après le dépôt ou la crois- sance de chaque couche 14,16,18, chaque couche est soumise individuel- lement à des opérations de masquage et d'attaque pour réaliser une photogravure destinée à définir sa configuration en plan. On peut for- mer des trous de contact 20, par attaque, dans la couche isolante de recouvrement 18, pour établir une connexion électrique avec la couche conductrice 16 ou les régions dopées 12. On forme des lignes bus conductrices connectant la couche conductrice 16 aux trous de contact en procédant par évaporation d'une couche mince de métal 22 sur la surface supérieure du dispositif, et en définissant ensuite par photogravure les lignes bus en métal ou les lignes conductrices,dans la couche 22. Des fissures ou des discontinuités apparaissent dans les lignes bus en métal du fait que la surface sur laquelle la cou- che de métal 22 est déposée comporte de nombreux décalages verticaux, ou marches, 24,26, qui résultent des différentes configurations en plan de chacune des couches minces sous-jacentes 14,16,18. Ces déca- lages verticaux, ou marches, 26, produisent des effets d'ombre pen- dant l'évaporation de la couche mince de métal, ce qui réduit son épaisseur dans la région 28 de chacune des marches verticales 26. Dans chaque région 28 d'épaisseur réduite, des fissures ou des dis- continuités se produisent beaucoup trop souvent dans la couche de métal 22. Conformément à l'invention, on répare ou on fait disparaître ces fissures ou discontinuités dans la couverture des marches par le métal, après l'évaporation ou le dépdt de la couche de métal 22, en procédant au recuit de cette couche avec un faisceau d'électrons fonctionnant en régime d'impulsions. Bien que ce procédé soit également applicable aux traitements de semiconducteurs destinés à la fabrication de dispositifs bipolaires et à ceux destinés à la fabrication de dispositifs du type métal-oxyde-semiconducteur, l'in- 2 487122 vention a été effectivement utilisée pour des opérations de fabrication selon la technologie métal-oxyde-semiconducteur/silicium sur saphir ($) S/SOS), de la manière suivante: 1) Définition d'îlots de silicium 10 sur un substrat de saphir 32. 2) Formation de régions de source et de drain 12 dans chaque îlot de silicium 10. 3) Formation d'une couche diélectrique d'oxyde de grille 14. 4) Formation d'électrodes ou de grilles en silicium polycristallin 16 recouvrant la région de canal entre chaque source et chaque drain 12. 5) Formation d'une couche diélectrique de recouvrement 18. 6) Ouverture de trous de contact 20 vers les sources et les drains 12, et d'autres trous de contact (non représentés) vers les électrodes de silicium polycristallin 16, à travers les couches isolantes de recouvrement 14,18. 7) Evaporation d'une couche d'aluminium 22 sur la totalité du disposi- tif. 8) Exposition de la couche d'aluminium 22 à un faisceau d'électrons 30 en régime d'impulsions,-en utilisant un appareil du type SPI 6,000 Pulsed Electron Beam Apparatus fabriqué par la firme Spire Corporation, Bedford, Massachusetts, commandé par un condensateur de décharge i, interne. Le faisceau d'électrons 30 a une durée d'impulsion de 20 ns et un diamètre de faisceau d'environ 38 m et le condensateur de décharge du générateur de faisceau d'électrons est chargé initialement à environ 190 kV. 9) Définition par photogravure des lignes conductrices ou des lignes bus dans la couche d'aluminium de recouvrement 22. On obtient les meilleurs résultats lorsque l'épaisseur de la couche d'oxyde mince 14 est de 50 nmi, l'épaisseur de la couche de silicium polycristallin 16 est de 500 nm, l'épaisseur de la couche isolante de recouvrement 18 est d'environ 900 nm et l'épaisseur de la couche d'aluminium évaporée 22 est de 1 pm. On notera que la représen- tation de la figure 1 n'est pas à l'échelle en ce qui concerne l'épais- seur des diverses couches. On a trouvé qu'il était nécessaire de recouvrir la totalité de la surface arrière 32a du substrat 32 avec une substance ou un liquide conducteur et d'établir ensuite un bon contact entre la totalité de la 2 487122 s surface arrière 32a et l'anode du générateur de faisceau d'électrons, afin que les électrons qui sont projetés sur la couche d'aluminium 22 puissent être évacués rapidement de la couche d'alumiiium 22 vers l'anode, afin d'éviter l'accumulation d'une charge excessive dans la couche d'aluminium 22. On a observé que si on n'établit pas une bonne conduction entre la surface arrière 32a et l'anode du générateur de faisceau d'électrons, il se produit une rupture de l'aluminium 22 sous l'effet des contraintes induites par le champ, à cause de l'accu- mulation d'une charge d'électrons dans l'aluminium 22 pendant l'expo- sition au faisceau d'électrons. Bien que le procédé de l'invention ait été initialement mis en oeuvre avec succès en utilisant une graisse conductrice entre la surface arrière du substrat et l'anode du générateur de faisceau d'électrons, on pense qu'il est possible d'employer pour la mème fonction des substances ou des fluides con- ducteurs plus souhaitables, compatibles avec les opérations de fabri- cation courantes des dispositifs à semiconducteur. Sans adhérer à aucune théorie particulière, on pense que la durée d'impulsion de 20 ns du faisceau d'électrons 30 est suffisamment courte, par rapport aux temps de conduction thermique du substrat de silicium 10, pour que la chaleur se dissipe rapidement avant que le substrat de silicium 10 soit échauffé notablement, bien que la couche d'aluminium de recouvrement 22 reçoim une quantité de chaleur suffi- sante pour faire fondre au moins partiellement l'aluminium. Il en résulte que les caractéristiques électriques des dispositifs à semi- conducteur qui sont formés dans le substrat silicium sous-jacent ne sont pas modifiées notablement (par exemple par diffusion thermique des impuretés de dopage qui définissent les sources et les drains 12). On pense également que l'expérience décrite ci-dessus élève la température de l'aluminium 22 à une température qui est presque exactement égale à sa température de fusion. On a observé que si on emploie un faisceau d'électrons plus puissant, une partie de la couche de métal 22 s'évapore, tandis que si on emploie un faisceau d'électrons moins puissant, l'aluminium ne présente pas une refusion suffisante pour réparer les fissures ou les discontinuités. Un avantage inattendu de l'invention consiste en ce que le courant de fuite entre la couche de métal de recouvrement 22 et le 2 487122 substrat de silicium 10 est notablement réduit après l'exposition de l'aluminium 22 au faisceau d'électrons 30. Sur la figure 2, le courant de fuite IL entre la couche d'aluminium de recouvrement 22 et le substrat de silicium sous-jacent 10 est représenté en fonction de la tension appliquée VA entre les couches 10 et 22, et la ligne continue correspond à une couche d'aluminium non exposée à un faisceau d'électrons, tandis que la ligne en pointillés correspond à une couche d'aluminium qui a été exposée à un faisceau d'électrons conformément à l'invention. On pense que le recuit de l'aluminium par le faisceau d'électrons réduit la densité de défauts entre la couche d'aluminium 22 et la couche isolante sous-jacente 18, ce qui réduit le courant de fuite à travers l'isolant 18. Le principal avantage de l'invention consiste en ce que les fissures ou les discontinuités dans la couverture des marches par la couche d'aluminium peuvent être supprimées par soudage ou refusion de l'aluminium, sans échauffer le substrat semiconducteur sous-jacent à un point suffisant pour que ses caractéristiques électriques changent. Dans les tentatives faites antérieurement pour produire une refusion de la couche diélectrique 18 à l'aide d'un four ou d'autres moyens, les matières de dopage des régions 12, dans le substrat semi- conducteur sous-jacent 10,se redistribuent de façon à changer les caractéristiques électriques des dispositifs semiconducteurs qui sont formés dans le substrat, ce qui est un résultat inadmissible qui est évité dans l'invention, comme le confirment les données expérimenta- les. Sur la figure 3, le courant source-drain ISD pour un dispositif MDS/SOS en fonction de la tension de grille appliquée VG est tracé pour deux dispositifs différents, chacun d'eux recevant une tension de drain de 5 V. La ligne continue de la figure 3 correspond à un tran- sistor MDS/SOS qui a été fabriqué à l'aide des techniques bien connues de l'art antérieur (sans essayer de réparer les fissures dans la cou- verture des marches par le métal), tandis que la courbe en pointillés correspond à un transistor M3S/SOS fabriqué conformément à l'invention. On remarque qu'il y a très peu de différence entre les deux courbes de la figure 3, ce qui indique qu'il n'y a pratiquement aucune dégra- dation des caractéristiques électriques des dispositifs à semiconduc- teur sous-jacents du fait de l'exposition au faisceau d'électrons en régime d'impulsions. On vient de décrire i'invention en considérant l'exposition d'une couche d'aluminium évaporée à un faisceau d'électrons en régime d'impulsions, mais l'invention peut être tout aussi utile avec d'au- tres types de couches de métal et d'autres types de faisceaux d'éner- gie, tels qu'un laser ou un faisceau d'ions. On notera en outre que le faisceau en régime d'impulsions peut être remplacé par un faisceau continu effectuant un balayage du dispositif à une vitesse suffisante pour permettre la refusion du métal, sans perturber les caractéristi- ques électriques du substrat semi-conducteur sous-jacent. Il va de soi que de nombreuses autres modifications peuvent être apportées au procédé décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. 2 487122 REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication de dispositifs à semiconducteur dans un substrat semiconducteur (10), caractérisé en ce que: on place une couche de métal (22) sur ce substrat; et on expose cette couche de métal à un faisceau d'énergie (30). 2. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur perfec- tionné sur un substrat semiconducteur (10), caractérisé en ce que: on place au moins une couche isolante (14,18) sur le substrat semi- conducteur; on place une couche de métal (22) sur la couche isolante; et on expose la couche de métal à un faisceau d'énergie en régime d' impulsions. 3. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur per- fectionné sur un substrat semiconducteur (10) caractérisé en ce que on place une couche de matière diélectrique (14,18) sur la surface supérieure du substrat; on place une couche de métal (22) sur la matière diélectrique, au moins; et on expose la couche de métal à un faisceau d'électrons ayant une durée d'impulsion limitée de façon que la matière de la couche de métal manifeste une refusion au moins par- tielle, suffisante pour réparer les fissures et les discontinuités dans cette couche de métal, sans modifier notablement les caractéris- tiques électriques du substrat. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la durée d'impulsion est de l'ordre de 20 ns. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le fais- ceau d'énergie est continu et il balaie la couche de métal. 6. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le fais- ceau d'énergie est un faisceau d'électrons, un faisceau d'ions ou un faisceau laser. 7. Procédé de fabrication d'un dispositif du type métal-oxyde-semi- conducteur/silicium sur saphir, caractérisé en ce que: a) on définit des Ilots de silicium (10) sur un substrat de saphir (32); b) on forme des paires source-drain (12) dans chacun des îlots de silicium; c) on forme une couche diélectrique d'oxyde de grille (14) couvrant la région de canal entre chacune des paires source-drain; d) on forme des grilles en silicium polycristallin (16) recouvrant la région de canal entre 2 487122 chacune des paires source-drain; e) on forme une couche dié- lectrique de recouvrement (18); f) on ouvre des trous de contact vers les électrodes en silicium polycristallin et d'autres trous de contact (20) vers les paires source-drain; g) on fait évaporer une couche d'aluminium (22) sur l'ensemble du dispositif; - h) on expose la couche d'aluminium à un faisceau d'électrons (30) en régime d'impulsions en utilisant un générateur de faisceau d'électrons commandé par un condensateur de décharge interne, le faisceau d'électrons ayant une durée d'impulsion de l'ordre de 20 ns et un diamètre de faisceau de l'ordre de 38 mm, tandis que le con- -densateur de décharge du générateur de faisceau d'électrons est chargé initialement à environ 190 kV; et i) on définit des lignes conductrices dans la couche d'aluminium, par photogravure.