FR 2489624 A1 19820305 FR 8018926 A 19800902 L'invention concerne une nouvelle façon de combiner un certain nombre d'amplificateurs élémentaires, constitués notamment par des tran- sistors à effet de champ réalisés sur une même plaquette semiconductrice, en vue d'obtenir un amplificateur monolithique ayant une puissance élevée sur une large bande passante, l'ensemble des moyens utilisés étant intégré sur la même plaquette semiconductrice. La puissance d'un transistor à effet de champ est directement propor- tionnelle à la largeur de la grille, toutes choses égales par ailleurs. La seule solution largement répandue à l'heure actuelle, pour obtenir une puissance notable sans introduire de pertes susceptibles de dégrader le gain, consiste à mettre en parallèle un certain nombre de transistors identiques dont la largeur est typiquement de 100 à 200 -pm. Les puissances que l'on sait obtenir sont de l'ordre de 0,5 W par mm de grille (1 W/mm en laboratoire), en bande X. Le nombre d'éléments à mettre en parallèle est donc de l'ordre de 10 à 20 par watt; la dimension longitudinale de chaque transistor dépend de la façon dont la source est reliée à la masse; elle vaut typiquement 50 à Vjm pour des transistors, en bande X et Ku. Par mise en parallèle on obtient donc une dimension longitudinale de l'ordre de 0,5 à 1 mm/W en moyenne. Or toutes les connexions métalliques réalisées pour effectuer la liaison entre ces éléments (grilles et drains) constituent avec 1'embase métallique sur laquelle est soudé l'amplificateur, une ligne de propagation dont la longueur d'onde est d'environ 10 mm à 10 GHz (sur arséniure de gallium). A partir de quelques watts de puissance, il apparait ainsi que les dimensions des connexions deviennent de l'ordre de grandeur du quart de longueur d'onde. L'uniformité de la distribution de puissance entre les différents éléments devient dès lors impossible: les performances ne peuvent plus être proportionnelles au nombre d'éléments. C'est une raison pour laquelle on réalise des amplificateurs sous forme de "modules" dont la puissance ne dépasse généralement pas 1 watt en bande X. La réalisation d'amplificateurs de plusieurs watts exige la mise en parallèle de plusieurs modules. On sait effectuer cette mise en parallèle en utilisant des diviseurs-recombineurs réalisés sur des supports distincts de ceux des modules. Outre les difficultés technologiques, cette méthode ne donne pas de bons résultats si les modules ne sont pas rigoureusement identiques et placés sur des trajets de longueurs rigoureusement égales. On connaît une solution partielle à ces difficultés en utilisant un diviseur en phase dit de WILKINSON, comportant des résistances d'équili- brage. Une disposition en étoile comportant une répartition sur un cylindre des transistors et de leurs éléments d'adaptation permet d'obtenir une grande puissance mais présente le double inconvénient d'une bande d'amplifi- cation de largeur très faible et d'une réalisation très complexe. L'utilisation de coupleurs dits de LANGE permet d'obtenir une cascade pyramidale de coupleurs (par deux), grâce à laquelle on obtient une large bande de fréquence. Mais on n-e peut associer un grand nombre d'amplifica- teurs élémentaires qu'au prix d'une complexité notable. Dans la demande de brevet français déposée le 15 Janvier 1980 par la demanderesse sous le N' 80.00 845, on décrit un répar iteur de puissance haute fréquence utilisant un diviseur à onde progressive. Dans un amplifica- teur doté d'un tel système la puissance est répartie progressivement sur différents modules amplificateurs au fur et à mesure de la propagation le long d'un diviseur d'entrée. La remise en phase s'effectue en utilisant une structure du même type pour la recombinaison des puissances en sortie. Des résistances déposées sur les plaquettes semiconductrices des modules per- mettent à la fois l'équilibrage entre les voies et l'absorption des ondes réfléchies dues aux désadaptations des modules. L'invention permet de s'affranchir des résistances d'équilibrage ce qui est une simplification dans le cas d'amplificateurs monolithiques à très grand nombre de transistors, en n'utilisant qu'une seule charge d'absorption des ondes réfléchies et cela tout en réalisant l'ensemble de l'amplificateur sur une seule plaquette semiconductrice. L'amplificateur monolithique selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comporte sur une même plaquette semiconductrice, une première ligne de transmission coudée, possédant une branche d'entrée et une branche de dérivation aboutissant à une charge résistive gravée sur la plaquette. Il comporte en outre, sur la même plaquette, une multiplicité d'éléments de lignes de transformation d'impédance raccordées en parallèle à la partie coudée de la ligne de transmission d'une part et, d'autre part, aux entrées de transistors amplificateurs montées en parallèle, une deuxième multiplicité de lignes de transformation d'impédance étant raccordée à la sortie des transistors amplificateurs et aboutissant à une deuxième ligne de transmis- sion. L'invention sera mieux comprise, et d'autres caractéristiques apparai- tront, au moyen de la description qui suit, et des dessins qui l'accompagnent, parmi lesquels: - la figure 1 représente schématiquement une réalisation de l'inven- tion; - les figures 2, 3 et 4 représentent schématiquement des variantes de cette réalisation. Sur la figure 1, on a représenté une plaquette semiconductrice 1, constituée par un substrat monocristallin d'arséniure de gallium, dopé de façon à être semi-isolant, recouvert, à sa partie inférieure d'une métallisa- tion Il jouant le rôle de plan de masse, et destiné à recevoir à la partie opposée des contacts de transistors et des métallisations de lignes de transmission d type microbande. Le dessin de la plaquette comporte une échancrure faisant apparaître l'épaisseur du substrat 1 et de son plan de masse 11, que l'on a relié schématiquement à la masse par une connexion symbolique 12. On a limité à 8 le nombre de transistors représentés et à deux le nombre de leurs grilles (l'électrode de chaque grille est symbolisée par un trait d'une certaine épaisseur). Les sources et les drains de ces transistors à effet de champ sont des contacts ohmiques réalisés de façon classique par couches métalliques successives. Les grilles sont des métallisations réalisées de façon classique pour donner un contact Schottky. Toutefois on observe les particularités suivantes: a) les sources, marquées S sur la figure 1, sont reliées au plan de masse soit par un trou métallisé pratiqué dans l'arséniure de gallium (donc invisible sur la figure), soit par fil d'or 130 comme on l'a représenté pour l'électrode 13. On a réalisé neuf contacts de source pour huit transistors, car de façon classique chaque paire de grilles G1 et G2 est flanquée de deux contacts S, tandis qu'entre les grilles elles-mêmes on trouve un contact de drain D. b) chaque paire de grilles, constituant l'entrée d'un amplificateur élémentaire, est reliée à des métallisations constituant autant de lignes de transformation d'impédance. Chaque ligne comporte deux dépôts métalliques rectangulaires Ci et C0 reliés par une étroite bande métallique L1. Le schéma équivalent en haute fréquence d'une telle ligne est un filtre passe- bas comportant une partie inductive (L1) et deux capacités (C0 et C1) de valeurs calculées en fonction du rapport de transformation d'impédance à réaliser, compte-tenu du fait que la capacité propre de chaque dépôt est modifiée par les capacités des éléments auxquels il est raccordé, à savoir celles des grilles du transistor à effet de champ pour C1 et la capacité, au point de raccordement, d'une ligne de transmission 100 de type microbande à deux branches 10 et 20 se raccordant entre elles suivant un triangle AIA'. c) chaque drain est relié à une des métallisations constituées par des lignes de transmission analogues disposées du côté de la sortie de chaque amplificateur élémentaire. On trouve donc une bande métallique étroite L'i reliant deux dépôts C'1 et C0. Le filtre passe-bas est différent de celui du côté grille en raison de la différence d'impédance. Concernant les lignes de transformation d'impédance elles-même, on remarque: ) Que les dépôts métalliques C0 et C'0 se raccordent aux lignes 100 et 200, respectivement, en laissant subsister des fentes IF1 et IF2 entre ces dépôts. 2 ) Que l'inclinaison des bandes L1 et L'1 par rapport à la rangée de transistors est facultative et n'a d'autre but que diéconomiser la surface occupée par l'amplificateur sur la plaquette d'arséniure de gallium, matériau onéreux. Un gain d'encombrement de l'ensemble est également recherché. Quant à l'inclinaison des lignes 100 et 200, par ailleurs parallèles entre elles, elle est guidée par les considérations suivantes: a) on veut faciliter la -division de l'impédance caractéristique de chaque ligne en la répartissant entre les dépôts C0 et C'0 situés respec- tivement à l'entrée de chaque ligne de transformation d'impédance. b) on veut faciliter le raccordement en biais par le côté IA' du triangle AIA', de la branche 20 de la ligne 100. c)en ce qui concerne la ligne 200, son parallélisme avec la ligne 100 permet de corriger les déphasages entraînés par le raccordement en biais de la ligne 100 à la rangée de transistors. Enfin la branche 20 de la ligne 100 aboutit à une charge résistive 30 constituée par exemple par un dépôt d'alliage au nickel et au chrome. Cette charge 30 est à la masse, ce qui est symbolisé par une connexion 31, mais 1 réalisé le plus souvent par un raccordement à travers l'épaisseur de la plaquette 1. D'autres caractéristiques sont représentées figure 1, concernant les lignes 100 et 200: D'une part ces lignes comportent des tronçons de largeur décroissantes 101 et 102, 201 et 202. Le tronçon de plus petite largeur correspond par exemple à l'impédance normale des équipements en haute fréquence, soit 50 ohms. Les tronçons plus larges ont des impédances plus faibles dont on tient compte dans le calcul des lignes de transformation d'impédance à l'entrée comme à la sortie de chaque transistor. D'autre part des fentes F1 pour la ligne 10, F3 pour la ligne 20, F2 pour la ligne 200, sont pratiquées dans l'axe longitudinal de chaque ligne. Ces fentes sont éventuellement remplies par un dépôt résistif. Elles visent à supprimer tout mode de propagation de l'onde progressive dans le sens transverse, c'est à dire celui des axes XX et YY perpendiculaires à la direction de l'axe longitudinal de la ligne. Le fonctionnement de l'amplificateur ainsi décrit peut se résumer comme suit. Si l'on fait d'abord abstraction de la branche 20, en supposant la branche 10 délimitée par la ligne IA', on trouve en première approximation l'association en parallèle de huit lignes d'impédance caractéristique huit fois plus élevée que la branche 10 (dans sa partie la plus large). Ainsi en supposant que cette dernière est de 12,5 ohms, chacune des huit lignes fictives correspond à une impédance de 100 ohms. Dès lors, en supposant en outre que les lignes de transformation d'impédance ramènent chacune une impédance de 100 ohms la ligne la plus large de la branche 10 est parfaitement adaptée. Ceci n'est vérifié que pour les fréquences les plus hautes de la bande dans laquelle on désire faire fonctionner l'amplificateur. On remarque en outre que les différents transistors ne sont pas en phase. Mais la disposition de l'amplificateur est telle que ce retard est compensé en sortie, comme il a déjà été dit. Telle quelle, cette disposition permet d'attaquer une rangée de transistors telle que la longueur AA' soit éventuellement supérieure au quart de longueur d'onde (dans le substrat), en partant d'une ligne de transmission de largeur plus petite, dont la valeur est choisie en fonction de l'impédance ramenée par les lignes de transformation d'impédance (C0, L1, C1). Si l'on considère maintenant les fréquences les plus basses d'une bande de fréquence relativement large, les amplificateurs élémentaires constitués par les différents transistors ne présentent plus l'impédance désirée de 100 ohms, dans l'exemple choisi. Il apparait une partie réactive, généralement capacitive. En conséquence, des ondes réfléchies apparaissent avec des phases différentes de chaque entrée d'amplificateur élémentaire. Or, l'en- semble des branches 10 et 20 peut être grossièrement assimilé à une ligne coudée dont le coude a été tronqué. On sait qu'on peut dans ce cas, choisir convenablement la distance entre le point I et la ligne AAN de façon telle que toute l'énergie incidente dans la branche 10 se retrouve dans la branche 20. Cela tient à des relations de phase qui font que les ondes élémentaires réfléchies se retrouvent en phase dans la branche 20, ce qui n'est pas le cas pour la branche 10. Ce résultat est admissible pour des longueurs de AN de lordre du quart de longueur d'onde, car les ondes réfléchies dans la branche se trouvent alors en opposition de phase aux deux extrémités de cette ligne. Tout ce qui précède suppose qu'il n'existe pas de propagation suivant le mode antisymétrique, ce qui est pallié par les fentes F1 et F3 déjà décrites. Dans ces conditions, les réflexions sont donc absorbées soit dans la résistan- ce 30, soit dans la fente F3 quand celle-ci est résistive. On peut donc ainsi réaliser l'égalisation du gain d'amplification dans une large bande passante, malgré les réflexions sélectives à l'entrée des amplificateurs élémentaires. Des variantes de l'amplificateur représenté à la figure 1 sont représen- tées sur les figures 2 et 3. Sur la figure 2, on n'a représenté que la partie de l'amplificateur entourant le triangle AIA'. Dans cette variante, la fente IF1 de chaque extrémité de la rangée de sept fentes est inclinée vers l'extérieur, afin de réduire l'accès au dépôt C1 du courant venant de la branche 10. La fente médiane demeure telle quelle tandis que les fentes intermédiaires sont progressivement inclinées.Le résultat recherché est l'égalisation des cou- rants à l'entrée des lignes conduisant aux différents transistors. En raison de la répartition inégale du courant de très haute fréquence, selon laquelle la densité de courant est beaucoup plus forte sur les bords de la ligne de transmission, les accès des dépôts C0 situés dans des positions de plus en plus excentriques doivent être progressivement réduits, pour compenser le surcroît de densité de courant aux extrémités. Sur la figure 3, on a représenté l'ensemble d'un amplificateur analogue à celui de la figure 1, sauf sur les points suivants: - la plaquette 1 ne comporte plus nécessairement de métallisation inférieure; - une métallisation 300 a été effectuée, avant dépôt des métallisations des lignes de transformation d'impédance, sur le pourtour de la plaquette, mais assez près des lignes de transmission pour constituer un plan de masse du type de celui d'une ligne coplanaire. En outre les contacts ohmiques S sont reliés entre eux et reliés à la masse par le fait que la métallisation 300 est déposée à l'emplacement même des dépôts C, C'1 ainsi que C0 et C'0. Bien que les contacts S soient dessinés sur la figure 3 (pour la clarté de la représentation), ils ne se distinguent pas à l'examen du produit fini. Les capacités correspondantes des lignes de transformation d'impédan- ce sont réalisées en déposant une couche d'oxyde (par exemple Si 02) aux emplacements correspondants, puis en déposant une métallisation supplé- mentaire qui joue le rôle de la deuxième armature dont la métallisation 300 est la première armature. Sur la figure 4, on a représenté, de façon très simplifiée, un amplifica- teur monolithique à deux étages, comprenant deux amplificateurs analogues à celui de la figure 1, réalisés sur la même plaquette 1 d'arséniure de gallium. Ils comportent respectivement une rangée N1T de n1 transistors et une rangée N2T de n2 transistors. La ligne de sortie LS1 du premier amplificateur est raccordée à la ligne de transmission d'entrée LE2 du second, en ménageant un découplagq capacitif afin de pouvoir polariser séparément les drains du premier et les grilles du second amplificateur. Afin de réduire la surface de la plaquette, les deux amplificateurs sont disposés sensiblement "tête-bêche", ce. qui nécessite un raccordement des lignes LS1 et LE2 par une partie coudée 400. Le dessin de cette partie coudée est déterminé d'une manière analogue à celle de la partie coudée de la ligne LE1. Le premier amplificateur comporte une ligne d'entrée LE1 qui corres- pond à la branche 10 de la ligne 100 (figure 1) et une ligne de dérivation LR1 terminée par une charge résistive R1, ligne et charge analogues respective- ment à la branche 20 et à la charge 30 de l'amplificateur de la figure 1. Le découplage capacitif des lignes LS1 et LE2 est effectué par exemple en interrompant la ligne LE2 en un point 401, en déposant une couche d'oxyde isolant DI, par exemple en silice SiO2, par dessus l'intervalle 401, et en recouvrant la couche d'oxyde par un dépôt métallique 402. Le deuxième amplificateur comporte en outre une ligne de dérivation LR2 terminée par une résistance R2 analogue à la charge résistive R1. Enfin une ligne de sortie LS2, située à la sortie du deuxième amplificateur constitue la sortie de l'amplificateur à deux étages. Parmi les avantages non déjà mentionnés de l'invention on citera la possibilité d'obtenir sur une plaquette d'arséniure de gallium de 20 à 40 mm2 une puissance de l à quelques watts à la fréquence de 10 GHz avec une bande de fréquence supérieure à 50% et un gain d'amplification de plusieurs décibels. L'invention est applicable à un amplificateur comportant des transis- tors bipolaires, en remplaçant respectivement la source, la grille et le drain du transistor à effet de champ par l'émetteur, la base et le collecteur du transistor bipolaire. REVENDICATIONS 1. Amplificateur monolithique du type comportant un système de division et de recombinaison de puissance groupant plusieurs transistors, caractérisé en ce qu'il comporte sur une même plaquette semiconductrice, une première ligne de transmission coudée, possédant une branche d'entrée et une branche de dérivation aboutissant à une charge résistive gravée sur la plaquette, et en ce qu'il comporte en outre sur la même plaquette, une multiplicité d'éléments de lignes de transformation d'impédance raccordées en parallèle à la partie coudée de la ligne de transmission d'une part, et, d'autre part, aux entrées de transistors amplificateurs montés en parallèle, une deuxième multiplicité de lignes de transformations d'impédance étant raccordée à la sortie des transistors et aboutissant à la deuxième ligne de transmission. 2. Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les lignes de transmission sont du type microbande, le conducteur de chaque ligne étant gravé sur une premier grande face de la plaquette semiconduc- trice, et le plan de masse étant réalisé par une métallisation de la deuxième grande face de la plaquette, opposée à la première. 3. Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les lignes de transmission sont du type coplanaire, le conducteur central de chaque ligne étant entouré de métallisations reliées entre elles pour constituer un plan de masse unique gravé sur la même grande face de la plaquette que le conducteur central. 4. Amplificateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que chaque élément de ligne de transformation d'impédance comporte un tron- çon de ligne microbande compris entre deux dépôts métalliques formant avec le plan de masse des capacités d'entrée et de sortie de lélément de ligne. 5. Amplificateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que chaque élément de ligne de transformation d'impédance comporte un tron- çon de ligne microbande compris entre deux dépôts métalliques formant des condensateurs avec le plan de masse grâce au dépôt préalable d'un isolant entre le plan de masse et chacun des deux dépôts. 6. Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte des transistors à effet de champ dont les sources sont reliées au plan de masse, les grilles à la première ligne de transmission et les drains à la deuxième ligne de transmission. 7. Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte des transistors bipolaires dont les émetteurs sont reliés au plan de masse, les bases à la première ligne de transmission et le collecteur à la deuxième ligne de transmission. 8. Amplificateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que, les lignes de transmission étant du type coplanaire et les transistors du type a effet de champ, les sources sont raccordées à la métallisation du plan de masse, cette métallisation passant sous une partie des lignes de transforma- tion d'impédance grâce à l'interposition d'un dépôt isolant entre le plan de masse et ces dernières. 9.Dispositif d'amplification comportant au moins un premier et un second amplificateur, caractérisé en ce que les deux amplificateurs sont réalisés sur la même plaquette et polarisés séparément. 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que la deuxième ligne de transmission du premier amplificateur et la première ligne de transmission du second amplificateur sont raccordés par une partie coudée et comportent un découplage capacitif.