FR 2485824 A1 19811231 FR 8112551 A 19810625 La présente invention concerne un circuit pour proté- ger un dispositif semi-conducteur à jonctions de dégrada- tionsdues à un effort électrique provoqué par des hautes tensions transitoires. Les hautes tensions transitoires capables d'endommager un dispositif semi-conducteur à jonctions comme un transis- tor, peuvent se développer de diverses façons. Dans un téléviseur ayant un tube producteur de l'image, par exemple, de tels phénomènes transitoires peuvent se pro- duire quand se présente une formation de l'arc dans le tube-image à haute tension. Les transitoires peuvent être d'une grandeur, d'une polarité et d'une durée suffi- santespour endommager ou détruire les transistors incorporés dans les circuits de traitement de signaux du téléviseur, par exemple en dépassant la tension de rupture inverse des transistors et en provoquant l'écoulement de niveawcexcessivement élevésde courants inverses de jonction Cet effetest typiqEment observé quand les hautes tensions transitoires sont induitE en des points du circuit ou des bornes oS sont connectés les transistors, et est parti- culièrement gênant dans un système comprenant un ou plusieurs circuits intégrés contenant des circuits à trans- tors de traitement de signaux à faible niveau et sensibles. Dans le cas d'un transistor bipolaire, des courants excessifs inverses de jonction base-émetteur peuvent provoquer une dégradation permanente de sa caractéristique de gain en courant. Divers agencements de protection peuvent être utilisés pour supprimer les effets des hautes tensions transitoires. Des diodes à semi-conducteur polarisées de façon appropriée peuvent être employées en des points de circuit pour by-passer les phénomènes transitoires au loin des circuits sensibles à transistors à protéger. Des diodes fabriquées par des techniques ou ayant des configurations nonstandards peuvent être requises dans ce but. Des diodes répondant à ces conditions ne sont souvent pas souhaitables, en particulier dans un environnement de circuit intégré, car ces conditions compliquent le processus de fabrication du circuit intégré. Dans tous les cas, il faut prendre soin de garantir que les diodes auront une capacité de dissipation de puissance suffisante pour résister à l'effort électrique associé aux phénomènes transitoires sans être détruite et que ces diodes seules ou avec tout réseau de polarisation de détermination de niveau de seuil associé ne nuiront pas aux caractéristiques souhaitées d'impédance ou à la réponse à haute fréquence des circuits de signaux à protéger. Des résistances ou des dispositifs à impédance parti- culièrement conçus pour supprimer les hautes tensions transitoires peuvent également être utilisés. Cependant, de tels dispositifs peuvent être trop coûteux ou autrement peu pratiques du point de vue conception dans de nombreuses applications de circuit, et peuvent nuire aux caractéris- tiques d'impédance et de réponse à haute fréquence des circuits de traitement de. signaux avec lesquels ils sont utilisés. Un circuit actif de protection à transistor a 4gale- ment-fté utilisé avec une impédance de détection, reliée à un point du circuit ou peuvent apparaître des hautes tensions transitoires et au circuit à protéger. Avec cet agencement, le transistor de protection sert à détourner les courants transitoires induits au loin du circuit à protéger, quand le transistor de protection est activé en réponse à une tension de conduction de seuil produite dans l'impédance de détection. Cet agencement n'est pas souhaitable quandanl'utilise pour protéger un circuit de traitement de signaux, car l'impédance de détection modifie l'impédance autrement associée au circuit de traitement de signaux qui est protégé, et peut également atténuerles signaux à haute fréquence apparaissant normale- ment à la borne en formant un filtre passe-bas avec toute capacité parasite pouvant apparaître à la borne. Un circuit de protection contre les phénomènes transi- toires agencé selon l'invention permet d'éviter les inconvénients ci-dessus mentionnés, et il est particulière- ment adapté à une fabrication en circuit intégré qui contient également le circuit à protéger. Plus particuliere- ment, le circuit de protection décrit ici nécessite un minimum de composants et n'affecte pas de façon néfaste la réponse à haute fréquenceou les caractéristiques d'impédance du-circuit protégé. Un agencement sdon la présente invention protège un dispositif semiconducteur des dégradations dues à l'effort électrique du fait de hautes tensions transitoires parasites. Le dispositif semi-conducteur comprend une jonction de semi-conducteur reliée à un point de circuit o peuvent apparaître les phénomènes transitoires et susceptible d'une dégradation par l'effort électrique quand ces phéno- mènes transitoires dépassent un niveau donné. L'ageneemat de protection comprend un transistor de protection dont le collecteur est relié à un potentiel de fonctionnement, et qui a une base et un émetteur relié au point de circuit. Une tension de polarisation de référence est appliquée à la base de façon que la polarisation de la base puisse être déterminée indépendamment de la polarisation du dispo- sitif semi-conducteur et de la polarisation au point de circuit. La tension de référence sert à polariser en inverse la jonction collecteurbase du transistor de protection, et à polariser en inverse la jonction base- émetteur du transistor de protection enl'absence des phéno- mènes transitoires afin de rendre le transistor de protec- tion normalement non-conducteur. Le niveau de la tension de polarisation de référence est tel que la jonction - base-émetteur du transistor de protection soit polarisée en direct en réponse à des. -phénomènes transitoires dépassant un niveau de seuil en dessous du niveau donné, pour permettre à la conduction dans le trajet collecteur- émetteur du transistor de protection de détourner les courants transitoires au loin du dispositif semi-conducteur. Selon une caractéristique de l'invention, l'émetteur du transistor de protection est relié au dispositif semi-conducteur avec une tension de décalage sensiblement nulle entre le point de circuit et le dispositif semi- conducteur. Selon une autre caractéristique de l'invention, le dispositif semi-conducteur protégé comprend un transistor bipolaire, semblable au transistor de protection, protégé contre une conduction excessive de courantsinverses de Jonction à son entrée. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, O10 caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparat- tront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modesde réalisation de l'invention, et dans lesquels: - la figure 1 montre une partie d'un téléviseur contenant un réseau o est incorporé un circuit de protec- tion selon l'invention; - - les figures 2 à 5 montrent des modes de réalisation des circuits de protection selon l'invention, avec les circuits à protéger; et - la figure 6 montre un diagramme utile à la compré- hension du fonctionnement des circuits des figures 2 à 5. Sur la figure 1, des signaux de luminance d'une source 10 et des signaux de chrominance d'une source 12 sont appliqués à des bornes d'entrée séparées de signaux T d'undispositif de traitement 15 de signaux de luminance et de chrominance incorporé dans un télé- viseur couleur. Le dispositif de traitement 15 (tel qu'un circuit intégré) produit des signaux d'image de couleur R, G et B en réponse aux signaux reçus de luminance et de chrominance, comme on le sait. Les signaux de couleur sont appliqués par un étage de sortie vidéo (non représenté) à des cathodes séparées de réglage de l'intensité d'un tube-image couleur 18. Une alimentation en tension de fonctionnement 19 produit plusieurs tensions de fonction- nement pour le tube 18. Ces tensions comprennent une haute tension de l'ordre de 25.000 volts pour polariser l'anode du tube-image 18, et des tensions de l'ordre de quelques centaines de volts pour polariser d'autres électrodes du tube-image 18 (c'est-à-dire les électrodes de cathode de grille-écran et de focalisation.). Le dispositif de traitement 15 comprend des circuits d'entrée, reliés aux bornes d'entrée Ti, qui peuvent être endommagés ou détruits quand des hautes tensions sont forcées à se développer aux bornes du dispositif de traitement 15. Dans un téléviseur, la source principale de ces hautes tensions est formée des phénomènes transitoires provoqués par-la formation de l'arc dans le tube-image. La formation de l'arc dans le tube-image peut se produire entre l'anode à haute tension et le chêssis du télévi- seur quand cebi-ci est -mis en service, par exemple. La formation de l'arc dans le tube - image peut également se produire de façon non prévisible entre l'anode et une ou plusieurs des autres électrodes (plus faible potentiel) du tube-image, quand le telfviseur est en fonctionnement normal.Dans tous les cas, la formation de l'arc dans le tube-image a pour résultat une haute tension transitoire de nature oscillante avec des crêtes positives et négatives de tension dépassant souvent une centaine de voltsaux bornes du circuit et présentant une durée de une à plusieurs microsecondes. La figure 2 montre un circuit pour protéger les circuits dans le dispositif de traitement 15 (figure 1) d'une dégradation due aux hautes tensions transitoires. La figure 2 montre un circuit de traitement de signaux 20 ayant un petit transistor amplificateur de signaux 22 du type NPN et une résistance associée de polarisation de base 24. Les signaux d'entrée à amplifier sont appliqués à la base du transistor 22 par une borne Ti. Les signaux amplifiés apparaissent au collecteur ou sortie du transistor 22, d'o ils sont appliqués aux étages suivants de translation de signaux (non représentés). L'agencement de la figure 2 comprend également un circuit de protection 25 comportant un transistor 28 du type NPN dont l'émetteur est relié directement à la borne Ti, dont la base est reliée à une tension de polari- sation de référence (comme le potentiel de la masse) et dont le collecteur est relié à une tension positive d'alimentaiion de fonctionnement +Vcc. Dans cet exemple, le transistor 28 est semblable au transistor 22. Une résis- tance 29 dans le circuit de collecteur du transistor 28 est une représentation symbolique de la résistance distri- buée de surface de collecteur du transistor 28. Le transis- tor est normalement non conducteur et dans cet exemple, il ne fonctionne pas comme un dispositif de traitement de signaux et il n'est pas incorporé dans un trajet de traite- ment de signaux. Les circuits 20 et 25 peuvent facile- ment être fabriqués en commun sur un seul circuit intégré, auquel cas la borne Ti correspond à une borne de connexion externe du circuit intégré. on se référera maintenant au schéma de la figure 6 avant de passer àuneplus aV3 description de la figure 2. La figure 6 montre une vue en coupe transversale d'un dispositif transistor à semi-conducteurstel que celui que l'on peut employer pour les transistors 22 et 28 de la figure 2. Le dispositif comprend un substrat 60 à la masse (M) formé d'un matériau semi-conducteur du type P, une région de collecteur 61 comprenant un matériau du type N diffusé sur le substrat, une région de base 62 comprenant un matériau du type P diffusé dansle matériau de collecteur du type N et une région d'émetteur 63 comprenant du matériau du type N+ diffusé dans la région d'émetteur. Des bornes conductrices de contact externe sont associéesauxrA#onsdcb e d'émetteur et de collecteur respectivement (64:contact de collecteur, 65: contact de base, 66: contact d'émetteur). Une couche isolante 67 couvre le matériel semi-conducteur.- La résistance rc est la représentation symbolique de la résistance perturbée de semi-conducteur associées la - région de collecteur. En considérant la figure 6 en même temps que la figure 2, on peut noter que le transistor 22 peut être endommagé ou détruit en présence de tensions transitoires de forte amplitude et de polarité négative tellesque celles pouvant être induites à la borne d'entrée Ti du fait de la forma- lion de l'arc dans le tube-image. de tellE tensions transi- toires négatives (dépassant souvent 100 volts d'amplitude crête à crête), quand elles dépsgeat la tension de rupture inverse émetteur-base du transistor 22, peuvent détruire la jonction émetteur-base du transistor 22 du fait d'une dissipation de puissance excessive à court terme dans la jonction. Plus particulièrement, la transistor 22 est forte- ment conducteur en direction inverse émetteur-base en réponse aux phénomènes transitoires négatifs importants proportionnellement à la quantité dont les phénomènes transitoires dépassent la tension de rupture inverse émetteur-base de l'ordre de 7 volts. Ense référant à la figure 6, dans cet exemple, la conduction de courant inverse de forte densité émetteur-base avec chauffage intense conséquent se produit principalement dans la zone "d" de la Jonction émetteur-base, avec possibilit6probable de la destruction thermique de cette jonction en ce point, si aucune mesure de protection n'est employée. La résis- tance de polarisation de base 24 peut égalenDnt être détruite quand le transistor 22 et la résistance 24 sont formés dans le même circuit intégré, car les résistances de faible surface sur circuit, intégré ne peuvent typiquement pas dissiper rapidement une grande quantité d'énergie thermique telle que celle pouvant être provoquée par des courants importants induits par des phénomènes transitoires. La destruction du transistor de signaux 22 par de forts phénomènes transitoires négatifs est empêche par le transistor de protection 28. Le trajet conducteur de courant principal (trajet collecteur-émetteur)du transistor 28 est directement relié entre une source de potentiel positif d'alimentation encourant continu +Vcc et la borne d'entrée Ti sans éléments intermédiaires dans cet exemple (il faut se rappeler que la résistance 29 est une représentation symbolique de la résistance perturbée de région de collecteur illustrée par la résistance r0 sur la figure 6). Une tension de référence de grandeur prédéterminée sert à polariser en inverse la jonction collecteur-base du transistor 28, et polarise la base du transistor de protection 28 pour établir un niveau de conduction de seuil souhaité du transistor 28. Quand la tension de polarisation de référence appliquée au transistor 28 correspond au potentiel de la masse (zero volt) par exemple, le transistor 28 est conducteur quand sa tension d'émettEur est sensiblement égale ou inférieure à la somme de la tension de polarisation de référence plus la tension de décalage de la jonction base- émetteur du transistor 28 (environ 0,7 volt). En consé- quence, une tension transitoire négative apparaissant à la borne Ti d'une grandeur dépassant -0,7 volt rendra le transistor 28 conducteur. Le transistor 28, quand il est conducteur, forme un trajet de courant pour détourner les courants associés aux phénomènes transitoires, au loin du transistor de signaux 22. Le courant dans ce trajet s'écoule de la source du potentiel de fonctionnement + à travers le trajet collecteur-émetteur du transistor 28 et la borne Ti, jusqu'à la source de tension transitoire. Ce mode de conduction de courant de la source de tension d'alimentation de fonctionnement est avantageux dans un environnemait de circuit intégré car cela diminue laprobabilité du développe- ment d'effets transitoires disruptifs dans d'autres zones du circuit intégré par l'intermédiaire du matériau du substrat commun. Dans cet exemple, le transistor 28 est mis en conduc- tion avant que la tension de rupture inverse de la jonc- tion émetteur-base (environ 7 volts) du transistor 22 ne soit atteinte. Comme le courant inverse émetteur-base ne s'écoule pas dans le transistor 22 jusqu'à ce que la tension de rupture inverse soit atteinte, le transistor 22 n'est pas conducteur de courants induits par les phénomènes transitoires quand le transistor de protection 28 est conducteur. Il faut noter que quand le transistor de protection 28 est conducteur, la tension à la borne Ti est par conséquent la tension à la base du transistor 22 sont efficacement bloquées à un niveau égal à la grandeur de la tension deréférence de polarisation de base du transis- tor 28, moins la tension de décalage de la jonction base- émetteur du transistor 28. Le niveau de la tension de polarisation de référence appliquée au transistor 28 peut être déterminé pour s'adapter aux conditions d'un système particulier, en rapport avec la possibilité du fonctionnement du transistor de protection avant que ne aimtproduitsdans le transistor de signaux 22, des niveaux de courant inverse pouvant le dégrader. Le circuit de protection de la figure 2 présente plusieurs caractéristiques avantageuses. Le circuit de protection comprend un nombre minimum de composants, car il ne faut qu'un simple transistor. Ce transistor ne doit pas être un dispositif important ou de forte puissance, et il peut être du même type que le petit transistor de signaux 22. Ainsi, le circuit de protection est avantageusement utilisé dans un circuit intégré ayant une surface disponible limitée. De ce point de vue, il faut noter que le transistor de protection 28 présente de façon inhérente une conduction de courant transitoire auto-limite quand il est conducteur aux états saturé et non saturé en réponse aux hautes tensions transi- toires. Cette conduction de courant transitoire limitée de façon inhérente peut être attribuée à la résistance distribuée de collecteur du transistor 28 (résistance rc de la figure 6), et permet l'utilisation d'un transistor de protection ayant une configuration traditionnelle de la zone émetteur-base. Une résistance de collecteur séparée de limitation de courant peut également être employée cependant, si cela est nécessaire. De plus, il faut noter que la tension de polarisation de référence de base qui détermine le niveau de conduction de seuil du transistor de protection 28 est appliquée au circuit de protection à part du circuit protégé, et dans cet exemple, elle peut être déterminée séparément de la polarisation (de base) du transistor protégé 22. Par conséquent, le niveau de la tension de référence de seuil du transistor de protection 28 peut être déterminé indépen- damment des conditions de polarisation du circuit à protéger. Il faut également noter que le circuit de protection ne modifie pas la caractéristique de réponse à haute fréquence (entrée) du circuit de signaux 20, et ne modifie pas non plus l'impédance d'entrée du circuit 20 dans des buts de traitement de signaux. Le circuit de protection est agencé de façon qu 'une haute impédance souhaitable soit n ésentêe à la borne Ti et au circuit protégé dans des conditions normales quand le transistor de protection 28 n'est pas conducteur. Cette impédance comprend l'impédance associée à la jonction base-émetteur polarisée en AL-tverse du transis- tor 28 comprenant la très faible capacité d'émetteur parasite du transistor 28 (c'est-à-dire en comparant à la capacité parasite de collecteur bien plus importante). Le circuit de protection n'introduit aucune impédance supplémentaire entre la borne Ti et le circuit 20. Ainsi, le circuit révélé de protection n'introduit pas d'impé- dance pwor^t modifier l'impédance autrement associée à l'entrée du circuit 20, et le circuit de protection n'introduit pas non plus d'impédance pouvant former un filtre passe-bas avec la capacité parasite pouvent être associée (et qui est typiquement associée)à la borne Ti. Les observations concernant le fonctionnement et les caractéristiques de l'agencement de la figure 2 s'appliquent également, pour le principal, aux autres modes de réalisa- tion représentés sur les figures 3, 4 et 5. La figure 3 montre un agencement d'untransistor-ampli- ficateur de signaux 32 du type PNP incorporé dans un réseau 30 de traitement de signaux, et d'un transistor de protection 38 du type PNP incorporé dans un circuit de protection 35. Cet agencement srt- à protgc-un transistor il de signaux 32 du type PNP de dégradations duesà une rupture inverse de la jonction émetteur-base en présence de tensions transitoires positives importante apparaissant à la borne Ti, d'une grandeur pouvant provoquer cette rupture par conduc- tion inverse. La figure 4 montre un agencement d'un réseau 40 de traitement de signaux comprenant un transistor 42 du type NPN, protégé contre les dégradations dues à la fois aux hautes tensions transitoires positives et négatives. Dans ce but, l'agencement de la figure 4 comprend un premier circuit de protection 45 comprenant un transistor de pro- tection 46 du type NPN pour protéger le transistor 42 d'une dégradation due aux tensions transitoires négatives et importantes, et un second circuit de protection 48 comprenant un transistor de protection 49 du type PIP pour protéger le transistor de signaux 42 de dégradationsdues à des tensions transitoires positives et importantes. Les circuits de protection 45 et 48 correspondent respective- ment aux circuis de protection 25 et 35 des figures 2 et 3. La figure 5 révèle un agencement o le curseur d'un potentiomètre 59 ( tel qu'un potentiomètre àréglage du gain réglable) est relié à la borne Ti pour contrôler le gain d'un transistor 52 du type NPN dans un circuit 50 de traitement de signaux. Dans cet agencement, il est souhai- table que la tension au curseur du potentiomètre soit réglable sensiblement sur toute la gamme de tension de fonctionnement appliquée au potentiomètre, ou entre zéro volt (potentiel de la masse) et +12 volts. Un agencement de réglage de ce type ou un agencement équivalent est souvent associé à des circuits de traitement de signaux d'un téléviseur. Dans ce cas, un circuit de protection 55 comprenant des transistors 56 et 57 du type NPN est associé au circuit et à la borne Ti. Les Jonctions base-émetteur des tran- sistors 56, 57 sont reliées en série entre un potentiel de polarisation de référence de 0 volt (potentiel de la masse) et la borne Ti. Les collecteurs des transistors 56, 57 sont interconnectés et reliés à une tension d'ali- mentation de fonctionnement +V c. L'agencement du circuit de protection 55 permet le développement, à la borne Ti, de la gamme souhaitée de tension de réglage du potentiomètre 59 (0 volt à +12 volts) sans être gêné par le circuit de protection. De ce point de vue, il faut noter que chacun des transistors 56, 57 présente une tension de rupture inverse émetteur-base de l'ordre de 7 volts, ainsi la tension combinée de rupture inverse pour l'ensemble desdispositifs56 et 57 est à peu près de 14 volts. Par conséquent, dans des conditions normales de fonctionnement (c'est-à-dire en l'absence de phénomènes transitoires) les transistors 56 et 57 ne présenteront pas de conduction inverse car la tension de rupture inverse combinée ne sera pas dépassée quand le curseur du potentio- mètre 59 présentera le potentiel de réglage positif (maximum)de +12 volts. Les circuits décrits de protection sont adaptés à la protection de tout dispositif semi-conducteur à Jonctions (c'est-à-dire comprenant des transistors, des diodes et des résistances en particulier dans un circuit intégré) ayant une configuration de surface relativement petite, ne pouvant dissiper ou limiter en toute sécurité des quantités importantes d'énergie telles que celles pouvant être provoquées par des hautes tensions transitoires. De plus, les circuits décrits de protection peuvent être utilisés pour protéger à la fois les points et bornes des circuits d'entrée et de sortie. REVENDICATIONS 1. Agencement pour protéger un dispositif semi-conduc- teur d'une dégradation due à un effort électrique du fait de hautes tensions transitoires parasites, ledit dispositif semi-conducteur comprenant une jonction à semi-conducteuri reliée à un point de circuit o peuvent apparaître les tensions transitoires et sensible à une dégradation par un effort électrique quand lesdites tensions transitoires dépassent un niveau donné, caractérisé par: un transistor de protection (28) ayant un collecteur relié à un potentiel de fonctionnement, une base et un émetteur relié audit point de circuit; et un moyen pour appliquer une tension de polarisation de référence à ladite base de façon que la polarisation de ladite base puisse être déterminée indépendamment de la polarisation dudit dispositif semi-conducteur (22) et de la polarisation audit point de circuit, ladite tension de polarisation de référence servant à polariser en inverse la jonction collecteur-base dudit transistor de protection et à produire une polarisation inverse de la jonction base-émetteur dudit transistor de protection en l'absence desdites tensions transitoires afin de rendre ledit transistor de protection normalement non conducteur, le niveau de ladite tension de polarisation de référence étant tel que la jonction base-émetteur dudit transis- tor de protection soit polarisée en direct en réponse à des tensions transitoires dépassant un niveau de seuil en dessous dudit niveau donné pour permettre la conduction dans le trajet émetteur-collecteur dudit transistor de protection pour détourner les courants transitoires au loin dudit dispositif semi-conducteur. 2. Agencement selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'émetteur du transistor de protection (28) est relié au dispositif semi-conducteur (22) précité avec une tension de décalage sensiblement nulle entre le point de circuit précité et ledit dispositif semi-conducteur. 3. Agencement selon la revendication 2,caractérisé en ce que le dispositif semi-conducteur précité comprend un dispositif à transistor (22) ayant une première électrode d'entrée reliée au point de circuit précité et des seconde et troisième électrodes définissant un trajet conducteur de courant principal dudit dispositià transistor; et en ce que le transistor de protection (28) précité est polarisé pour être conducteur en réponse àdoE tensions transitoires pour empêcher ledit dispositif à transistor d'être conducteur de courantd'entrée inverseexcessif) 4. Agence ent selon la revendication 3, caractérisé en ce que le dispositif à transistor (22) précité comporte une électrode d'entrée ou base, et des électrodes de collecteur et d'émetteur définissant le trajet conducteur de courant principal; et en ce que le transistor de pro- tection (28) précité est polarisé pour être conducteur en réponse aux tensions transitoires pour empêcher ledit dispositif à transistor d'être conducteur de courantc excessifsde jonction émetteur-base. 5. Agencement selon l'une quelconque des revendica- tions 3 ou 4, caractérisé en ce que le transistor de protection précité et le dispositif à transistor précité sont des dispositifs semblables du même type de conductivi- té. 6. Agencement selon l'une quelconque des revendica- tions 2, 3,4 ou 5, caractérisé en ce que le niveau de courant conduit par le transistor de protection (28) précité en réponse aux tensions transitoires précitées est principalement déterminé par b résistance distribuée de région de collecteur dudit transistor de protection. 7. Agencement selon la revendication 1,caractérisé en ce que le dispositif semi-conducteur précité et le transis- tor de protection précité sont incorporés dans un circuit de traitement de signaux vidéo dans un téléviseur ayant un tube-image (18), une source de tension d'alimentation de fonctionnement (19) comprenant une haute tension pour ledit tube-image; le point de circuit précité étant placé o peuvent apparaître des hautes tensions transitoires provo- quées par une formation de l'arc dans ledit tube-image. 8. Agencement selon la revendication 7, caractérisé par un diviseur de tension réglable (59) relié entre des premier et second points de potentiel de fonctionnement, ledit diviseur de tension ayant une prise réglable reliée au point de circuit précité; et un moyen (56) pour pola- riser le transistor de protection précité (57) de façon qu'il reste non conducteur en l'absence de tensionstransi- toires alors que ledit diviseur de tension est ajusté entre des extrêmes minimum et maximum. 9. Agencement selon la revendication 8, caractérisé en ce que le moyen de polarisation précité comprend un transistor (56) dont la base est reliée à la tension de polarisation de référence, dont-le collecteur est relié à un potentiel de fonctionnement et dont la jonction base- émetteur est agencêeen série avec la jonction base-émetteur du transistor de protection précité entre la tension de polarisation de référence et le point de circuit précité.