FR 2480529 A1 19811016 FR 8008408 A 19800415 La présente invention concerne un amplificateur opérationnel adapté à un fonctionnement sous rayonnements. Elle s'applique notamment aux circuits électroniques soumis à des rayonnements neutroniques ou gamma par exemple.Ces circuits, lorsqu'ils peuvent fonctionner sous rayonnements, sont qualifiés de circuits durcis". On sait que pour les circuits électroniques qui fonctionnent dans l'environnement de sources radiatives, dans le domaine nucléaire ou spatial par exemple, il est fréquent d'utiliser des amplificateurs opérationnels. Ces amplificateurs sont utilisés par exemple dans des circuits intégrateurs, différentiateurs, comparateurs, ou sont tout simplement utilisés comme amplificateurs. Après irradiation, les amplificateurs opérationnels classiques subissent une dégradation de leurs caractéristiques de gain, de dynamique de sortie, de tension de décalage, etc... Ils deviennent, par conséquent, tres rapidement inutilisables. La plupart des amplificateurs opérationnels connus sont constitués par une association de circuits comprenant un circuit différentiel d'entrée, un circuit miroir, un générateur de courant alimentant le circuit différentiel et un convertisseur tensioncourant connecté d'une part sur la liaison entre le circuit différentiel et le circuit miroir, et, d'autre part, sur l'étage de sortie de l'amplificateur opérationnel. Le circuit différentiel et le générateur de courant comprennent essentiellement des transistors à effet de champ, associés à des résistances, tandis que le circuit miroir, le convertisseur de tension courant et l'étage de sortie comprennent, soit des transistors bipolaires, soit une combinaison de transistors bipolaires et de transistors à effet de champ.Les caractéristiques de ces circuits présentent des dérives importantes lorsqu'ils sont soumis à des rayonnements neutroniques ou gamma par exemple. Pour les transistors bipolaires, le gain pour un courant collecteur 1c et pour une tension collecteur/émetteur VCE déterminés après irradiation, est donné par la formule Dans cette formule, K désigne le coefficient de dégradation du transistor bipolaire tandis que et et ssO représentent les gains du transistor après et avant irradiation, désignant la fluence neutronique. Cette formule permet de constater que le gain du transistor bipolaire diminue sous l'influence de l'irradiation. La caractéristique de transfert d'un transistor à effet de champ, qui exprime la variation du-courant drain ID, en fonction de la tension grille-source Vgs est assimilable à une branche de parabole d'équation soit encore Le paramètre caractérise une famille de composants. A est supérieur a u, si le transistor à effet de champ considéré est de type P, tandis que A est inférieur à O, si le transistor à effet de champ considéré est de type N. Sous irradiation, la caractéristique ID = f(Vgs) subit une translation, le paramètre A reste constant et le courant drain-source IDS peut être exprimé en fonction du courant drain source 1DSo avant irradiation, par l'équation IDS = IDSo exp. ruz Dans cette relation, K représente le coefficient de dégradation du transistor à effet de champ. L'invention a pour but de remédier à ces inconvénients et notamment de réaliser, à partir du schéma d'un amplificateur opérationnel connu, un amplificateur opérationnel dont-les caractéristiques se dégradent peu lorsqu'il est soumis à des rayonnements neutroniques ou y par exemple. Comme on le verra par la suite, ces buts sont atteints, d'une part grâce à l'utilisation d'une technologie particulière de fabrication des différents circuits qui constituent l'amplificateur opérationnel connu et, d'autre part, grâce à l'adjonction de différents circuits de compensation de dérive. L'invention a pour objet un amplificateur opérationnel adapté à un fonctionnement sous rayonnements, comprenant un circuit différentiel d'entrée relié par une sortie à un générateur de courant et à un circuit miroir se comportant comme une charge-résistive du circuit différentiel, un circuit convertisseur tension-courant dont l'entrée est reliée à un point commun au circuit miroir et au circuit différentiel, la sortie de ce circuit convertisseur étant reliée à l'entrée d'un circuit de sortie, caractérisé en ce que le circuit différentiel comprend deux transistors à effet de champ monolithiques appairés, dont les sources sont reliées à un point commun et dont les grilles constituent les entrées de l'amplificateur opérationnel, le circuit miroir comprenant deux transistors bipolaires dont les collecteurs sont reliés respectivement aux drains des transistors du circuit différentiel, les bases de ces transistors bipolaires étant reliées entre elles, tandis que leurs émetteurs sont respectivement reliés à une source positive de tension par l'intermédiaire d'une résistance, ce circuit miroir comprenant en outre un transistor supplémentaire dont l'émetteur est relié aux bases des deux transistors bipolaires et dont la base est reliée au collecteur de l'un des deux transistors bipolaires, le collecteur de ce transistor supplémentaire étant relié à un circuit de dérivation Selon une autre caractéristique, le circuit générateur de courant comprend un premier transistor à effet de champ dont le drain est relié au point commun des sources des transistors à effet de champ du circuit différentiel et dont la source est reliée à une source de tension négative par l'intermédiaire d'une résistance, la grille de ce premier transistor à effet de champ étant reliée au drain d'un deuxième transistor à effet de champ dont la source est reliée à la source négative de tension par l'intermédiaire d'une résistance, la grille de ce deuxième transistor étant reliée à la source de tension négative, la grille du premier transistor étant en outre reliée par une résistance au point commun à une résistance de polarisation et à une diode Zener, elle-même reliée à la source de tension négative, cette résistance de polarisation étant reliée au circuit-de dérivation de courant qui est constitué par une résistance reliée, d'une part au collecteur du transistor bipolaire supplementaire du circuit miroir et, d'autre part, à la source-de tension positive. Selon une autre caractéristique, le circuit générateur de courant comprend un transistor bipolaire dont le collecteur est relié au point commun aux deux transistors à effet de champ du circuit différentiel et dont l'émetteur est relié à une source négative de tension par l'intermédiaire d'une résistance, la base du transistor bipolaire étant connectée à une diode de Zener, elle-même reliée à la source négative de tension, cette base étant en outre reliée au collecteur du transistor bipolaire supplémentaire du circuit miroir par l'intermédiaire dudit circuit de dérivation de courant constitué par un transistor à effet de champ dont la source est reliée à la grille et à la diode Zener, le drain de ce transistor à effet de champ étant relié au collecteur du transistor bipolaire supplémentaire du circuit miroir. Selon une autre caractéristique, le circuit convertisseur tension-courant comprend un premier transistor à effet de champ dont la grille et la source sont reliées à la source négative de tension et dont le drain est relié à la source d'un deuxième transistor à effet de champ, la grille de ce transistor étant reliée au collecteur de l'un des transistors du circuit miroir, tandis que le drain de ce deuxième transistor est relié à la source de tension positive, la source de ce deuxième transistor à effet de champ étant reliée par l'intermédiaire d'au moins un redresseur à un premier transistor bipolaire dont l'émetteur est relie à la source positive de tension, la base de ce premier transistor bipolaire étant reliée d'une part au redresseur et, d'autre part, à la source positive de tension par l'intermédiaire d'une résistance, le collecteur de ce premier transistor bipolaire étant relié à la base d'un deuxième transistor bipolaire dont le collecteur est relié à la source positive de tension, la base et l'émetteur de ce deuxième transistor étant reliés par l'intermédiaire d'une résistance shunt, le circuit de sortie étant connecté aux bornes de cette résistance et à la source négative de tension, les premier et deuxième transistors à effet de champ étant appairés. Selon une autre caractéristique, le circuit convertisseur tension-courant comprend un transistor à effet de champ dont la grille est reliée au collecteur de l'un des transistors du circuit miroir, tandis que le drain de ce transistor est relié à la source de tension positive, la source de ce deuxième transistor à effet de champ étant reliée par l'intermédiaire d'au moins un redresseur à un premier transistor bipolaire dont l'émetteur est relié à la source positive de tension, la base de ce premier transistor bipolaire étant reliée d'une part au redresseur et d'autre part à la source positive de tension par l'intermédiaire d'une résistance, le collecteur de ce premier transistor bipolaire étant relié à la base d'un deuxième transistor bipolaire dont le collecteur est relié à la source positive de tension, la base et l'émetteur de ce deuxième transistor étant reliés par l'intermédiaire d'une résistance shunt, le circuit de sortie étant connecté aux bornes de cette résistance et à la source négative de tension, les premier et deuxième transistors à effet de champ étant appairés. Selon une autre caractéristique, le circuit de sortie comprend un transistor à effet de champ de sortie dont le drain est relié à la source de tension négative et dont la source est reliée à une borne de la résistance shunt du circuit convertisseur par l'intermédiaire d'une résistance, la grille de ce transistor à effet de champ de sortie étant reliée à l'autre borne de la résistance shunt. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention-ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée en référence aux dessins annexés dans lesquels - la figure 1 représente les principales bornes de connexion d'un amplificateur opérationnel - la figure 2 représente un amplificateur opérationnel de type connu, qui présente d'importantes dégradations de ses caractéristiques, lorsqu'il est soumis à des radiations, - la figure 3 est un schéma d'un premier mode de réalisation d'un amplificateur opérationnel conforme à l'invention, la figure 4 est un schéma représentant un autre mode de réalisation d'un amplificateur opérationnel conforme à l'invention. La figure 1 représente schématiquement les principales bornes de connexion d'un amplificateur opérationnel monté sous bottier. Les bornes et et S3 désignent respectivement les entrées-négative et positive de l'amplificateur opérationnel. Les bornes S7 et 54 désignent respectivement les entrées de polarisation positive +V et négative ' de l'amplificateur opérationnel. La borne S6 est la borne de sortie de cet amplificateur ; les bornes S1 et S5 permettent de régler les tensions de décalage d'un amplificateur opérationnel tandis que la borne S8 permet d'effectuer des compensations de fréquence dans la réponse de l'amplificateur opérationnel. Ces bornes de connexion sont identiques pour les amplificateurs opérationnels connus et pour l'amplificateur opérationnel de l'invention. L'amplificateur opérationnel, de type connu, représenté sur la figure 2 comprend comme mentionné plus haut, un circuit différentiel d'entrée ED, un circuit générateur de courant GC, un circuit miroir CM, un circuit convertisseur tension courant TC et enfin un circuit de sortie CS. Les différentes entrées ou sorties de l'amplificateur opérationnel sont référencées S1, S2, S3, 54 S5, S6, S7, S8 elles correspondent aux bornes du bottier dans lequel ce circuit est monté. La borne 7 est reliée à une tension positive +V tandis que la borne 4 est portée à une masse de référence ou à un potentiel négatif -V'. Le circuit différentiel d'entrée est un amplificateur différentiel, constitué de manière connue, par uh double transistor monolithique, à effet de champ F, G,-de type N dont les sources sont reliées aux résistances R4, R5. Ce circuit différentiel est associé au circuit miroir CM qui comprend des transistors bipolaires , I, J et qui se comporte comme une charge résistive, les résistances R6, R7 étant incluses dans cette charge. Ce circuit miroir permet également de convertir l'effet différentiel de sortie qui existe normalement entre les collecteurs des transistors I et J, en un effet unilatéral, qui pIlote en tension l'entrée du circuit convertisseur tension-courant TC. Le circuit miroir permet également de régler la tension de décalage, en plaçant un potentiomètre entre les sorties S1 et Sg, le curseur de ce potentiomètre étant relié à la borne S7 sur laquelle est appliquée la tension +V. Le circuit générateur de courant -GC comprend un transistor à effet de champ E relié à une résistance R3 qui permet d'ajuster le débit en courant dans le circuit différentiel ED.Dans ee circuit différentiel les résistances R4 et R5, permettent de rattraper la dissymétrie qui peut exister entre les deux transistors à-effet de champ F et G, sans créer de déséquilibre dans le circuit miroir CM. Lorsque cet amplificateur opérationnel de type connu est soumis à une irradiation, le générateur de courant GC se dégrade à cause du glissement de la caractéristique de transfert du transistor à effet de champ. I1 en résulte que les chutes de tension aux bornes des résistances R4, R5, R6, R7 diminuent et perturbent ainsi les réglages initiaux. Ce glissement des caractéristiques présente des conséquences néfastes et primordiales dans le circuit différentiel ED ; en effet, la compensation effectuée par les résistances R4 et 4 avant irradiation n'est plus adaptée pour les transistors F et G lorsqu'ils sont irradiés.Les transistors I et J de type bipolaire présentent une chute de gain très importante sous irradiation, ce qui provoque une augmentation du courant collecteur dans le transistor bipolaire H ; cette augmentation de courant intervent alors comme une variation supplémentaire-du courant dans le circuit générateur de courant GC. De plus, l'augmentation de courant collecteur de H est accompagnée par une augmentation du courant base de ce transistor, ce qui accentue encore la dissymétrie du circuit différentiel ED. La plus grande partie du gain global de l'amplificateur opérationnel représenté sur cette figure dépend de l'efficacité de transfert du circuit convertisseur tension-courant TC. Ce convertisseur comprend un générateur de courant constitué par le transistor bipolaire C associé à la résistance R2 t le transistor C permet de polariser le transistor bipolaire B de manière à créer dans celui-ci une tension base émetteur VBE qui fixe la tension source du transistor à effet de champ D par rapport à la tension d'alimentation +V. I1 en résulte que le courant qui traverse le transistor à effet de champ D est fonction de la tension grille. Le courant base du transistor B est un complément du courant délivré par le circuit générateur de courant GC et du courant du transistor D.Ce courant est amplifié par le transistor B et le courant Ic dans le collecteur du transistor dépend de la tension de sortie du circuit différentiel ED. Sous irradiation, le générateur de courant constitué par le transistor C et la résistance R2 du convertisseur tension-courant TC délivre un courant plus faible en raison de la chute du gain du transistor C et des variations de courant du générateur de courant pilote GC. Pour une tension de polarisation constante du transistor à effet de champ D, le courant dans ce transistor diminue en raison du glissement de la caractéristique de transfert. Sous irradiation, le gain du transistor B diminue et limite ainsi le courant de sortie dans le transistor à effet de champ A du circuit de sortie CS. Dans ce circuit de sortie CÇ, le courant de sortie de ce transistor détermine en traversant la résistance R1 la tension grille-source VGS du transistor de sortie A. Cette tension VGS commande le courant drain du transistor A ; la différence entre le courant de commande et le courant drain détermine le courant de sortie. Sous irradiation, il y a glissement de la caractéristique de transfert du transistor à effet de champ A. I1 résulte de ces observations que les caractéristiques de cet amplificateur opérationnel connu se dégradent de façon très importante lorsqu'il est soumis à une irradiation. La figure 3 est un schéma d'un premier mode de réalisation d'un amplificateur opérationnel conforme à l'invention. Dans ce premier mode de réalisation, l'amplificateur opérationnel comprend, comme les amplificateurs connus, un circuit différentiel d'entrée ED relié par une sortie à un générateur de courant GC et à un circuit miroir CM qui se comportent comme une charge résistive du circuit différentiel ED. L'amplificateur comprend aussi un circuit convertisseur tension-courant TC dont l'entrée est reliée à un point commun au circuit miroir CM et au circuit différentiel ED ; la sortie de ce circuit convertisseur est reliée à l'entrée d'un circuit de sortie CS. Selon l'invention, le circuit différentiel ED comprend deux transistors 8, 9 à effet de champ monolithique appairés dont les sources sont reliées à un point commun PC et dont les grilles constituent les entrées de l'amplificateur opérationnel. Le circuit miroir CM comprend deux transistors bipolaires 11, 12, dont les collecteurs sont reliés respectivement aux drains des transistors du circuit piffé rentiel ED ; les bases de ces transistors bipolaires sont reliées entre elles tandis que leurs émetteurs sont reliés à une source positive de tension +V connectée à la borne 87 par l'intermédiaire des résistances R7, R8. Ce circuit miroir comprend en outre un transistor supplémentaire 10 dont l'émetteur est relié aux bases de deux transistors bipolaires 11, 12 ; la base de ce transistor bipolaire supplémentaire est reliée au collecteur d'un transistor bipolaire (12). Le collecteur du transistor supplémentaire 10 est relié à un circuit de dérivation de courant dans le circuit générateur de courant GC. Ce circuit de dérivation de courant sera décrit plus loin en détail. Dans un premier mode de réalisation de l'amplificateur opérationnel conforme à l'invention, tel que représenté sur la figure 3, le circuit générateur de courant GC comprend un premier transistor 7 à effet de champ, dont le drain est relié au point commun PC des sources des transistors à effet de champ 8, 9, du circuit différentiel ED la source de ce premier transistor est reliée par l'intermédiaire d'une résistance R4 à la source de tension -V' connectée à la borne S4* La grille de ce premier transistor à effet de champ 7 est reliée au drain d'un deuxième transistor à effet de champ 6, dont la source est elle-même reliée à la source négative de tension -V' par l'intermé- diaire d'une résistance R5. La grille de ce deuxième transistor à effet de champ est reliée à la source . de tension négative -V' tandis que la grille du premier transistor à effet de champ 7 est en outre reliée par l'intermédiaire d'une autre résistance R6 au point commun PC' à une résistance de polari sation R9 et à une diode Zener Z ; cette résistance Rg est reliée au circuit de dérivation de courant- qui est constitué, dans ce premier mode de réalisation de l'amplificateur opérationnel conforme à l'invention, par une résistance R10 reliée d'une part au collecteur du transistor bipolaire supplémentaire 10 du circuit- miroir CM et, d'autre part, à la source de tension positive +V. Dans ce premier mode de réalisation de l'amplificateur conforme à l'invention, le circuit. convertisseur tension-couraht TC comprend un premier transistor à effet de champ 4 dont la grille et la source sont reliées à la source négative de tension -V' et dont le drain est relié à la source d'un deuxième transistor à effet de champ D ; la grille du transistor D est reliée au collecteur de l'un des transistors 11 du circuit miroir CM, tandis que le drain du transistor D est relié à la source de tension +V ; la source de ce deuxième transistor D est reliée à la base d'un premier transistor bipolaire 3 par l'intermédiaire d'au moins un redresseur R ; l'émetteur du premier transistor bipolaire 3 est relié à la source positive de tension +V.La base de ce transistor est également reliée à la source positive de tension par l'intermédiaire d'une résistance R3 tandis que son collecteur est relié à la base d'un deuxième transistor bipolaire 2. Le collecteur de ce deuxième transistor bipolaire est relié à la source positive de tension +V tandis que son émetteur et sa base sont reliés par nterN médiaire d'une résistance shunt R2 2 le circuit de sortie CS est connecté aux bornes de cette résistance t à la source de tension négative -VDo La figure 4 représente un autre mode de réalisation d'un amplificateur opérationnel conforme à l'invention.Dans cet autre mode de réalisation, le générateur de courant GC comprend un transistor bipolaire 6' dont le collecteur est relie au point commun PC des deux transistors à effet de champ 8y 9, du circuit différentiel ED r l'émetteur du transistor 6' est relié à une source de tension négative -V' par l'intermédiaire d'une résistance R4. La base de ce transistor 6' est connectée à une diode Zener Z, elle-meme reliée à la source négative de tension ^ ; cette base est en outre reliée aux collecteurs du transistor bipolaire supplémentaire 10 du circuit miroir CM, par l'intermédiaire du circuit de dérivation de courant , ce circuit est constitué ici par un transistor à effet de champ 4 dont la source est reliée à la grille et à la diode Zener Z. Le drain de ce transistor à effet de champ 4' est relié aux collecteurs du transistor bipolaire supplémentaire 10 du circuit miroir CM. Dans ce second mode de réalisation de l'amplificateur opérationnel conforme à 1' invention, le circuit convertisseur tension-courant TC est constitué de la même manière que le circuit convertisseur tension-courant TC, dans le premier mode de réalisation de 11 amplificateur représenté sur la figure 3. Dans les deux modes de réalisation de l'amplificateùr opérationnel, le circuit de sortie CS comprend un transistor de sortie 1 à effet de champ dont le drain est relié à la source de tension négative -V' et dont la source est reliée à une borne de la résistance shunt R2 du circuit convertisseur TC, par l'intermédiaire d'une résistance R1. La grille de ce transistor de sortie est reliée à l'autre borne de la résistance shunt R2. La dérive des caractéristiques de l'amplificateur opérationnel connu est compensé dans les deux modes de réalisation de l'amplificateur opérationnel conforme à l'invention grace à des compensations réalisées à chaque étage de cet amplificateur opérationnel. L'étage d'entrée constitué par le circuit différentiel ED et par le circuit miroir CM est compensé grâce à l'utilisation de deux transistors bipolaires appairés 11, 12 dans le circuit miroir CM. Pour augmenter le gain de cet étage, les composants présentent une forte résistance dynamique au courant. Le courant collecteur du transistor 10 est dérivé dans le circuit auxiliaire constitué par les résistances Rg et Rlo pour ne pas déséquilibrer le montage, sous irradiation. Les deux résistances de compensation R4, R5 du circuit différentiel ED de la figure 2 peuvent etre supprimées en choisissant des transistors monolithiques 8, 9 présentant de hautes performances.Pour cela, la différence des tensions grille-source des deux transistors 8, 9 du circuit différentiel d'entrée doit être très faible et ce circuit doit présenter un gain en tension très élevé. Lorsque ces transistors sont identiques, ils subissent une dégradation semblable sous irradiation, ce qui permet de conserver la symétrie du circuit différentiel entrée. On met à profit cette remarque pour compenser la dérive du générateur de courant GC dans le premier mode de réalisation de l'amplificateur de l'invention représenté sur la figure 3. En effet, sous irradiation et à courant constant, la tension grillesource VGS du transistor à effet de champ 7 diminue. Pour compenser cet effet, on augmente la tension grille, il en résulte que sous irradiation, le courant drain du transistor à effet de champ 6 du générateur de courant GC diminue. Cette diminution de courant provoque une diminution de la tension aux bornes de la résistance R6 et donc une augmentation du potentiel de la grille du transistor 7. Le calcul des résistances R5 et R6 en fonction de la tension aux bornes de la diode Zener Z conduit à une compensation optimale du circuit différentiel d'entrée, pour une fluence donnée d'irradiation. Dans le deuxième mode de réalisation de l'amplificateur conforme à l'invention, le circuit générateur de courant GC est constitué par un transistor bipolaire 6' associé à une diode Zener Z qui permet de compenser les variations de courant dans le transistor 6', sous irradiation. Dans le circuit de sortie CS, la tension grille-source VGS du transistor à effet de champ 1 est égale à la tension VR1 aux bornes de la résistance R1 augmentée de la tension base-émetteur du transistor bipolaire 2 du circuit convertisseur tension-courant TC. La présence de la jonction émetteur base du transistor 2 dans le circuit convertisseur tensioncourant TC, permet ainsi d'augmenter la tension grille-source du transistor de sortie 1 et ainsi, de diminuer le courant dans ce transistor. Le convertisseur tension-courant TC qui comprend deux transistors bipolaires 2, 3, présente un gain global en diminution sous irradiation. Lorsque le courant dans la résistance R1 du circuit de sortie CS diminue, comme on l'a indiqué précé gemment, le courant dans la base du transistor 3 du circuit convertisseur TC peut rester pratiquement constant, si la dérive se compense. Comme les transistors à effet de champ 4, D sont appairés, leurs caractéristiques se dégradent de la même façon et les variations de courant dans le transistor 4 sont absorbées par le transistor D. La tension grille-source du transistor D n'est donc modifiée que par les vsariations du courant base dans le transistor 3. Par l'adjonction des deux diodes R et de la résistance de polarisation R3, le transistor D fonctionne en dehors de sa zone de saturation, ce qui-permet ainsi de régler son gain. La résistance R2 permet de maintenir le courant base du transistor 3 à une valeur suffisante pour que la résistance dynamique des diodes soit faible à leur point de fonctionnement. L'amplificateur opérationnel conforme à l'invention, qui vient d'etre décrit, permet bien d'atteindre les buts mentionnés plus haut ; c'est ainsi par exemple que sous irradiation neutronique voisine de 1014 neutrons/cm2, la variation de tension de décalage est inférieure à 5 millivolts, le gain est égal à la moitié du gain en absence d'irradiation, tandis que la dynamique de sortie est inchangée. REVENDICATIONS 1. Amplificateur opérationnel adapté à un fonctionnement sous rayonnements, comprenant un circuit différentiel d'entrée (ED) relié par une sortie à un générateur de courant (GC) et à un circuit miroir (CM) se comportant comme une charge résistive du circuit différentiel, un circuit convertisseur tension-courant (TC) dont l'entrée est reliée à un point commun au circuit miroir (CM) et au circuit différentiel (ED), la sortie de ce circuit convertisseur étant reliée à l'entrée d'un circuit de sortie (CS), caractérisé en ce que le circuit différentiel comprend Seuls transistors à effet de champ (8,9) monolithiques appairésS dont les sources sont reliées à un point commun (PC) et dont les grilles constituent les entrées de l'amplificateur opérationnel, le circuit miroir comprenant deux transistors bipolaires (11,12) dont les collecteurs sont reliés respectivement aux drains des transistors du circuit différentiel, les bases de ces transistors bipolaires étant reliées entre elles, tandis que leurs émetteurs sont respectivement reliés à une source positive de tension (+V) par l'intermédiaire dlune résistance (R7, R8 > , ce circuit miroir comprenant en outre un transistor supplémentaire (10) dont l'émetteur est relié aux bases des deux transistors bipolaires (11, 12) et dont la base est reliée au collecteur de l'un des deux transistors bipolaires, (11,12), le collecteur de ce transistor supplémentaire (10) étant relié à un circuit de dérivation de courant dans le circuit générateur de courant. 2. Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit générateur de courant (GC) comprend un premier transistor à effet de champ (7) dont le drain est relié au point commun (PC) des sources des transistors à effet de champ (8, 9) du circuit différentiel (ED) et dont la source est reliée à une source de tension négative (-V') par l'intermédiaire d'une resistance (R4), la grille de ce premier transistor à effet de champ (7) étant reliée au drain d'un deuxième transistor à effet de champ (6) dont la source est reliée à la source négative de tension (-V') par l'intermédiaire d'une résistance (R5), la grille de ce deuxième transistor étant reliée à la source de tension négative (-V'), la grille du premier transistor (7) étant en outre reliée par une résistance (R6) au point commun à une résistance de polarisation (Rg) et à une diode Zener (Z), elle-meme reliée à la source de tension négative (-V'), cette résistance de polarisation (Rg) étant reliée au circuit de dérivation de courant qui est constitué par une résistance (R10) reliée, d'une part au collecteur du transistor bipolaire supplémentaire (10) du circuit miroir (CM) et, d'autre part, à la source de tension positive (+V). 3. Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit générateur de courant (GC) comprend un transistor bipolaire (6') dont le collecteur est relié au point commun aux deux transistors à effet de champ (8, 9) du circuit différentiel (ED) et dont l'émetteur est relié à une source négative de tension (-V') par l'intermédiaire d'une résistance (R4), la base du transistor bipolaire (6') étant connectée à une diode Zener (Z), elle-meme reliée la source négative de tension (-V'), cette base étant en outre reliée au collecteur du transistor bipolaire supplémentaire (10) du circuit miroir (CM) par l'intermédiaire dudit circuit de dérivation de courant constitué par un transistor à effet de champ (4') dont la source est reliée à la grille et à la diode de Zener (2), le drain de ce transistor à effet de champ (4') étant relié au collecteur du transistor bipolaire supplémentaire (10) du circuit miroir (CM). 4. Amplificateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que le circuit convertisseur tension-courant (TC) comprend un premier transistor à effet de champ (4) dont la grille et la source sont reliées à la source négative de tension (-Vs) et dont le drain est relié à la source d'un deuxième transistor à effet de champ (D), la grille de ce transistor (D) étant reliée au collecteur de l'un des transistors (11) du circuit-miroir Son), tandis que le drain de ce deuxième transistor (D) est relié à la source de tension positive, la source de ce deuxième transistor à effet de champ étant reliée par l'intermédiaire d'au moins un redresseur (R) à un premier transistor bipolaire (3) dont l'émetteur est relié à la source positive de tension (+V), la base de ce premier transistor bipolaire étant reliée d'une part au redresseur (R) et, d'autre part, à la source positive de tension (+V) par l'intermédiaire d'une résistance (R3), le collecteur de ce premier transistor bipolaire (3) étant reliéà la base d'un deuxième transistor bipolaire (2) dont le collecteur est relié à la source positive de tension (+V), la base et l'émetteur de ce deuxième transistor (2) étant reliés par l'intermédiaire d'une resistance shunt (R2), le circuit de sortie (CS) étant connecté aux bornes de cette résistance et à la source négative de tension (-V'), les premier et deuxième trarftistors à effet de champ (4, D) étant appairés. 5. Amplificateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que le circuit convertisseur tension-courant (TC) comprend un transistor à effet de champ (D) dont la grille est reliée au collecteur de l'un des transistors (11) du circuit miroir, (CM), tandis que le drain de ce deuxième transistor (D) est relié à la source de tension positive, la source de ce deuxième transistor à effet de champ étant reliée par l'intermédiaire d'au moins un redresseur (R) à un premier transistor bipolaire (3) dont l'émetteur est relié a' la source positive de tension (+V), la base de ce premier transistor bipolaire étant reliée d'une part au redresseur (R) et d'autre part à la source positive de tension (+V) par l'intermédiaire d'une résistance (R3), le collecteur de ce premier transistor bipolaire étant relié à la base d'un deuxième transistor bipolaire (2) dont le collecteur est relié à la source positive de tension (+V), la base et l'émetteur de ce deuxième transistor (2) étant reliés par l'intermédiaire d'une résistance shunt (R2), le circuit de sortie (CS) étant connecté aux bornes de cette résistance et à la source-négative de tension (-V'), les premier et deuxième transistors à effet de champ (4, D) étant appairés. 6. Amplificateur selon l'une quelconque des revendications 4 et 5, caractérisé en ce que le circuit de sortie (CS) comprend un transistor à effet de champ (1) de sortie dont le drain est relié à la source de tension négative (-V') et dont la source est reliée à une borne de la résistance shunt (R2) du circuit convertisseur (TC) par l'intermédiaire d'une résistance (R1), la grille de ce transistor à effet de champ (1) de sortie étant reliée à l'autre borne de la résistance shunt (R2).