FR 2489593 A1 19820305 FR 8116863 A 19810904 La présente invention concerne un dispositif redres- seur à semi-conducteurs du type utilisé en combinaison avec un géné- rateur pour véhicules. De façon générale, un véhicule tel qu'une automobile transporte un générateur permettant de charger la batterie. Comme générateur de ce type, on utilise ordinairement un alternateur. La tension alternative produite par l'alternateur est redressée par un circuit redresseur 12, tel que celui présenté sur la figure 1 par exemple. La figure 1 illustre un montage de circuit pour le circuit redresseur 12 couplé à l'alternateur 14. Des bobines de stator, ou bobines fixes, désignées par les numéros de référence 16, 18 et 20, sont connectées entre elles en étoile. Trois paires de diodes 22a et 22b, 24a et 24b, 26a et 26b constituent un redresseur à double alternance permettant de redresser sur deux alternances la tension alternative produite par l'alternateur 14. Les points de jonction de ces paires de diodes 22a et 22b, 24a et 24b et 26a et 26b sont respectivement connectés aux autres extrémités des bobines fixes 16, 18 et 20. Les cathodes des diodes 22a, 24a et 26a sont couramment connectées à la borne positive d'une batterie 28, tandis que les anodes des diodes 22b, 24b et 26b sont couramment connectées à la borne négative de la batterie 28. Grâce à ce montage, la puissance électrique produite par l'alternateur charge la bat- terie 28. La figure 2 illustre, suivant une vue en coupe, un dispositif redresseur réel de la technique antérieure comportant un circuit tel que celui présenté sur la figure 1. Sur la figure 2, le numéro de référence 32 désigne un bottier, le numéro de réfé- rence 34 un stator, le numéro de référence 38 un ventilateur qui tourne en même temps que le moteur et refroidit l'intérieur du boîtier 32 en provoquant un courant d'air. A l'intérieur du boîtier 32, se trouve un dispositif redresseur à semi-conducteurs 40 comportant les diodes 22a, 22b, 24a, 24b, 26a et 26b, conçu de la manière présentée sur les figures 3 à 5. Le dispositif redresseur. semi-conducteur 40 est globalement appelé ensemble redresseur L'ense mb le redresseur 40 est doté d'un couple de plaques de guidage 42 et 44 faisant fonction d'électrodes qui sont en regard l'une de l'autre tandis que le groupe des diodes 22a à 26b est placé entre elles. Les-plaques 42 et 44 sont respectivement illustrées en plan sur les figures 3 et 4. Les plaques 42 et 44 sont couplées de manière fixe l'une à l'autre, de manière à mettre étroitement en contact les surfaces illustrées de l'une et de l'autre. La figure 5 montre une vue en coupe, suivant les lignes V- V et les directions des flèches des figures 3 et 4, de l'ensemble de plaques de guidage faisant fonction d'électrodes lorsque les deux plaques 42 et 44 sont couplées et fixées. La plaque de gui- dage 42 comporte un couple d'éléments de guidage faisant fonction d'électrodes 46 et 48 qui servent aussi de radiateur, et qui sont disposés en forme de fer à cheval. Un élément isolant 50, fait en une matière plastique thermodurcissable, par exemple de la résine époxyde, fixe ensemble mécaniquement et isole électriquement les plaques de guidage 42 et 44 couplées l'une à l'autre. La plaque de guidage 44 comporte des éléments de guidage faisant fonction d'électrodes 52, 54 et 56, qui sont disposés en forme de fer à cheval, de sorte qu'ils sont bien alignés avec les.éléments 46 et 48, disposés en fer à cheval, de la plaque de guidage 42 lorsque les plaques 42 et 44 sont couplées l'une à l'autre. L'élément isolant 50 est également utilisé avec la plaque de guidage 44 pour électriquement isoler et fixer mécaniquement les éléments 52, 54 et 56. L'élément de guidage 4.6 possède trois parties concaves 60a, b et 60c, et l'élément de guidage 48 possède également trois parties concaves 62a, 62b et 62c. Dans ces parties concaves, les diodes 22a, 22b, 24a, 24b, 26a et 26b sont disposées, ainsi que cela est représenté. Les éléments de guidage 52, 54 et 56 sont dotés de bornes d'entrée 64, 66 et 68 couplées chacune à la pre- mière extrémité de chaque bobine de stator 16, 18 ou 20 de l'alter- nateur 14. Les éléments de guidage 46 et 48 sont dotés de bornes de sortie 70 et 72 pour courant continu qui sont également couplées aux bornes positive et négative de la batterie 28. L'élément iso- lant 50 moule l'ensemble des plaques de guidage faisant fonction d'électrodes 42 et 44 afin d'enfermer-hermétiquement les diodes 22a à 26b disposées dans les parties concaves 60a à 62c et entre les plaques de guidage 42 et 44 lorsque celles-ci sont réunies, si bien que ces plaques sont mécaniquement fixées l'une à l'autre, mais sont électriquement isolées l'une de l'autre. Comme élément isolant 50, on utilise généralement un matériau pré-imprégné qui est formé de fibres de verre imprégnées avec de la résine époxyde. L'ensemble redresseur ainsi conçu présente une faible conductivité thermique pour l'élément isolant 50 placé entre les plaques de guidage 42 et 44. Ainsi, le rayonnement thermique de tout l'ensemble redresseur 40 est faible. Pour cette raison, la technique antérieure fait appel à un moyen de refroidissement. Pour ce moyen de refroidissement, il est prévu un espace entre le bot- tier 32 et le dispositif à semi-conducteurs 40 afin de permettre au courant d'air de refroidissement de le traverser. De plus, pour améliorer le rendement, il doit être prévu une aire de rayonnement agrandie. Ainsi, la forme extérieure de l'ensemble redresseur de la technique antérieure s'étend horizontalement jusqu'à 50 cm2 Avec une telle dimension, le poids s'accroit également pour atteindre environ 133 g, ce qui est relativement lourd. La taille accrue a fréquemment pour effet de gêner le passage du courant d'air de refroidissement dans le dispositif. Comme le montre la figure 2, une partie de l'élément de guidage 46 est montée directement sur le bottier 32, mais l'autre élément de guidage 48 doit être élec- triquement isolé du bottier 32, ce qui entraîne une conductivité thermique médiocre. Par conséquent, la résistance thermique de l'ensemble réducteur total est d'environ 7OC/W, ce qui amène une élévation de température considérable. Pour rendre les rendements de rayonnement des deux plaques de guidage 42 et 44 égaux l'un à l'autre, il faut que l'aire superficielle de l'élément de guidage 48 isolée du bottier 32 soit plus grande que celle de l'élément de guidage 46. Dans la conception de l'ensemble redresseur, ceci doit être pris en compte. Pour résoudre ce problème, la demanderesse avait mis au point un ensemble redresseur tel que celui présenté sur la fi- gure 6. Comme cela est représenté, une couche métallique 86, faite de cuivre par exemple, est liée thermiquement à une première surface d'un substrat 82, fait de cuivre par exemple, dont l'autre surface est étroitement fixée au bottier 32 de l'alternateur, un élément isolant 84 fait en époxyde de verre au ue résine de polyimide étant placé entre eux. Une diode 88 est fixée, au niveau de l'anode, au substrat 82 par soudage. Une autre diode 90 est connectée, au niveau de la cathode, à la couche de cuivre 86. La cathode de la diode 88 et l'anode de la diode 90 sont connectées en commun par une plaque faisant fonction d'électrode 92. Trois combinaisons ayant chacune les diodes 88 et 90 et l'électrode 92 sont formées sur le même substrat 82. Les électrodes de ces combinaisons sont chacune con- nectées à une extrémité de chaque bobine de stator 16, 18 ou 20. L'ensemble redresseur ainsi conçu est alimenté par une tension continue dont la polarité positive est appliquée au substrat 82 et la polarité négative à la couche métallique 86. L'ensemble redresseur est d'un poids léger et d'une taille réduite. De plus, puisque le substrat 82 est fixe par rapport au bottier de l'alternateur, il est en étroit contact avec lui. Ainsi, le rendement de rayonnement thermique est relativement élevé. Dans l'ensemble redresseur, la résine isolante, par exemple l'époxyde de verre ou le polyimide, est placée entre la couche métallique 86 et le substrat 82, comme cela a été mentionné ci-dessus. Du fait de l'utilisation d'une résine isolante, il y a une limite à la diminution de la résistance thermique. Ainsi, une différence de température apparalt entre les diodes 88 et 90, et elle atteint 10 ou plus dans une expérience menée par la demanderesse. C'est pourquoi l'invention a pour objet de proposer un dispositif redresseur à semi-conducteurs qui est d'une taille réduite, d'un poids léger et présente un rendement de rayonnement thermique élevé. Selon l'invention, il est proposé un dispositif redresseur à semiconducteur comprenant: un substrat de rayonnement; une couche isolanteplvérisée à la flamme qui est sélectivement formée sur une surface du substrat de rayonnement; au moins une première couche métallique pulvérisée à la flamme qui est sélecti- vement formée sur la surface du substrat de rayonnement; une deuxième couche métallique sélectivement formée sur la couche isolante pulvérisée à la flamme; un circuit d'éléments redresseurs comportant un premier et un deuxième élément redresseur qui sont électriquement connectés, par leurs bornes de polarités différentes, à la première couche métallique pulvérisée à la flamme et à la deuxième couche métallique pulvérisée à la flamme; et des éléments faisant fonction d'électrodes qui connectent électriquement les bornes des éléments redresseurs dont les polarités sont opposées avec celles des bornes qui sont connectées à la première et à la deuxième couche pulvérisées à la flamme, de manière à former un circuit fermé. La description suivante, conçue à titre d'illustra- tion de l'invention, vise à donner une meilleur compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: - la figure 1 est un schéma de montage d'un circuit redresseur connecté à un alternateur; - la figure 2 est une vue en coupe d'un ensemble redresseur-alternateur classique comportant un circuit tel que celui présenté sur la figure 1; - les figures 3 et 4 sont des vues en plan d'un dispositif redresseur utilisé dans l'ensemble de la figure 2; la figure 5 est une vue en coupe prise suivant la ligne V-V des figures 3 et 4; - la figure 6 est une vue en coupe d'un autre dispositif redresseur à semi-conducteurs de la technique antérieure; - la figure 7 est une vue en perspective d'un mode de réalisation d'ensemble redresseur selon l'invention; - la figure 8 est une vue en perspective d'un agencement de substrat pour l'ensemble redresseur de la figure 7; - les figures 9A à 9D illustrent une séquence d'opérations permettant de fabriquer l'agencement de substrat de la figure 8; et - les figures 10 et 11 montrent d'autres exemples de l'agencement de substrat. On va maintenant décrire un mode de réalisation préféré de dispositif redresseur à semi-conducteurs (ensemble redresseur) selon l'invention en relation avec les dessins annexés. Sur la figure 7, est présenté un mode de réalisa- tion d'un ensemble redresseur selon l'invention. Un agencement de substrat 92 de rayonnement de chaleur, appartenant à l'ensemble re- dresseur de la figure 7, est illustré isolément sur la figure 8, pour une meilleure compréhension de l'invention. On va d'abord donner la structure de l'agencement de substrat 92 faisant fonction de radiateur en relation avec la figure 8. Dans l'agencement de substrat, un élément de substrat 96, fait en aluminium (Ai) de 10 mm d'épaisseur comporte quatre trous de vis 94a à 94d qui sont ménagés à ses coins et par lesquels l'élément de substrat 96 est monté à demeure sur le boîtier de l'alternateur. Une couche isolante 98 pulvérisée à la flamme, qui est faite en céramique, par exemple en oxyde d'aluminium (A 203) ou en dioxyde de silicium (SiO2) et qui présente une épaisseur comprise entre 50 et 150 microns par exemple, est sélectivement formée sur l'élément de substrat 96 par une technique de pulvérisa- tion à la flamme, par exemple une technique de pulvérisation à la flamme par plasma. Des premières couches métalliques 100, 102 et 104 pulvérisées à la flamme et faites par exemple en cuivre, qui présentent une épaisseur comprise entre 50 et 150 microns par exemple, sont sélectivement formées sur l'élément de substrat par la technique de pulvérisation à la flamme par plasma par exemple. Une deuxième couche métallique 106 pulvérisée à la flamme, faite par exemple de cuivre et présentant une épaisseur comprise entre 50 et 150 microns, est sélectivement formée sur le matériau isolant 98 par la technique de pulvérisation à la flamme. Divers composants nécessaires sont montés sur l'agencement de substrat 92 ainsi construit, comme cela est montré sur la figure 7, de manière à former un ensemble redresseur selon l'invention. Ainsi que cela est présenté, trois diodes 108, 110 et 112 sont soudées sur les premières couches métalliques 100, 102 et 104, les anodes étant tournées vers les couches. Trois diodes 114, 116 et 118 sont soudées sur la deuxième couche métallique 106, les cathodes étant tournées vers la couche 106. A la deuxième couche métallique, est également soudée une extrémité d'une électrode 20 en forme de barre. La cathode de la diode 108 et l'anode de la diode 114 sont soudées à une partie horizontale 122a d'une plaque faisant fonction d'électrode 122 en forme de L, de manière à être électriquement connectées l'une à l'autre. De même, la cathode de la diode 110 et l'anode de la diode 116 sont soudées à une partie horizontale 124a d'une plaque faisant fonction d'électrode 124 en forme de L, de manière à être électriquement connectées l'une à l'autre. De plus, la cathode de la diode 112 et l'anode de la diode 118 sont soudées à une partie horizontale 126a d'une plaque faisant fonction d'électrode 126 en forme de L, ce qui établit une connexion électrique entre elles. Pour protéger l'électrode 120 en forme de barre et les électrodes 122, 124 et 126 en forme de L vis-à-vis de l'ap- plication d'une force mécanique extérieure, un élément faisant fonction de couvercle 128, qui est fait en un matériau rigide tel que l'aluminium, est fixé à l'élément de substrat 96 au moyen d'un élément en résine assurant une liaison thermique, par exemple époxyde de verre ou polyimide. Il est nécessaire d'utiliser un ma- tériau non plastique pour l'élément 128 faisant fonction de couvercle pour la raison qui va être donnée ci-dessous. Les parties verti- cales 122b, 124b et 126b des plaques 122, 124 et 126 en forme de L et l'électrode 120 en forme de barre dépassent extérieurement du couvercle 128.1es intervallesexistant entre l'électrode 120 et les électrodes 122, 124 et 126 en forme de L d'une part et, d'autre part, le couvercle 128 sont remplis d'un élément 130 en résine isolante et sont hermétiquement fermés. Lorsque le dispositif redresseur à semi-conducteurs ainsi conçu est monté sur le bottier 32 de la manière présentée sur la figure 2 et est connecté à l'alternateur 14 de la manière pré- sentée sur la figure 1, l'élément de substrat 96 est fixé à l'inté- rieur ou à l'extérieur du boîtier 32, en contact étroit avec ce dernier. Les parties verticales 122b, 124b et 126b des électrodes 122, 124 et 126 en forme de L sont chacune connectées à la première extrémité de chaque bobine de stator 16, 18 ou 20 de l'alternateur 14. L'électrode 120 en forme de barre est connectée à la borne négative de la batterie 28 (figure 1). Dans le dispositif semi-conducteur ayant cette structure, la couche isolante 98, les premières couches métalliques , 102 et 104, et la deuxième couche métallique 106 sont formées par la technique de pulvérisation à la flamme. Ainsi, la conductivité thermique de la partie de connexion de ces constituants est élevée de sorte qu'il n'est pas nécessaire de prévoir le moyen de refroidis- sement. Ceci permet de fixer l'élément de substrat 96 au boîtier 32 en étroit contact avec lui. Cette fixation suivant un contact étroit permet de réduire la résistance thermique, laquelle s'élève à 6,4 C/W selon l'expérience effectuée par la demanderesse. De plus, dans le présent mode de réalisation, l'élément de substrat 96 est fixé au boîtier 32 de manière qu'il existe entre eux un contact étroit assurant une bonne dissipation de la chaleur sur une grande surface du boîtier 32. Du fait de cette particularité, il n'est pas nécessaire de donner une grande aire superficielle à l'élément de substrat dans un but de refroidissement. L'aire horizontalement accrue du substrat peut être réduite. Par exemple, l'aire de montage du substrat sur le bottier 32 peut être ramenée à 24 cm2 par exemple. Ceci diminue également le poids du dispositif redresseur jusqu'à 40 g par exemple. Dans le processus de fabrication, lorsque les couches 98, 100, 102 et 104 pulvériséâtà la flamme, et les autres, sont formées sur la surface de l'élément de substrat 96 au cours d'une dernière étape, la surface de l'élément de substrat est soumise à un traitement d'insufflation, par exemple un traitement de sablage. Dans ce cas, la surface criblée de l'élément'de substrat s'accroit, si bien que l'élément de substrat tend à se gauchir d'environ 0,1 mm. Le gauchissement de l'élément de substrat 96 est ramené à environ 0,03 mu après qu'il a été thermiquement lié à l'élément 128 faisant fonction de couvercle au moyen d'un élément en résine appropriée. Toutefois, lorsque la température du dispositif revient à la valeur normale après le traitement thermique, l'élément de substrat 96 tend de nouveau à se gauchir et à revenir au degré initial de gau- chissement. Dans ce cas, lorsque l'élément 128 faisant fonction de couvercle est fait en un matériau non rigide, le rétablissement du gauchissement ne peut pas être contrôlé et c'est pourquoi lèlé- ment 128 faisant fonction de couvercle tend à se déformer sous l'effet du gauchissement. Toutefois, le présent mode de réalisation est exempt d'une telle déformation, puisque l'élément 128 faisant fonction de couvercle est fait en un matériau très rigide. Ainsi, il n'est pas besoin d'un processus supplémentaire du traitement par insufflation pour la surface non gauchie de l'élément de substrat 96. En résultat, le processus de fabrication du dispositif redresseur à semi-conducteurs est simplifié. Pour monter l'agence- ment de substrat 92 sur le bottier 32, on aligne les quatre trous 94a à 94d avec des trous correspondants formés aux coins de l'élément 128 faisant fonction de couvercle, tandis que l'on met l'élément de substrat 96 en étroit contact avec le bottier 32. Dans ces condi- tions, on insère des vis dans les trous alignés depuis le côté de l'élément 96 faisant fonction de couvercle et on les visse pour les serrer. De façon générale, une automobile est utilisée dans divers environnements et le moteur de l'automobile est entrainé dans des conditions variables. La température du moteur peut varier, dans un cas extrême, entre environ -50 C et environ +500C, selon les conditions de conduite. Dans ce cas, la température de l'élément 128 faisant fonction de couvercle peut varier d'après la température du moteur. Si l'élément 128 est fait en matière plastique, il se contracte lorsque, depuis une température élevée, il redescend à la température normale. Par conséquent, des intervalles se forment entre les vis et l'élément 128, ce qui peut amener une détérioration de la fixité de l'élément 128 par rapport au bottier 32. Toutefois, le présent mode de réalisation ne connatt pas ce problème, parce que le matériau dont est fait l'élément de substrat 96 est métal- lique. Ainsi, le présent mode de réalisation peut lier l'élément de substrat 96 au bottier 32 avec une fixité suffisante. Selon une expérience menée par la demanderesse, il existe une différence de température de 50C ou moins entre les diodes 108, 110 et 112 disposées sur les premières couches métal- liques 100, 102 et 104 et les diodes disposées sur la deuxième couche métallique. On va décrire, en relation avec les figures 9A à 9D, un exemple de processus de fabrication de l'agencement de substrat présenté sur la figure 8. Les diagrammes de ces figures sont chacun une vue en coupe prise suivant la ligne IX-IX de la figure 8, dans le sens des flèches, et sont en outre agrandis pour faciliter la compréhension. Un élément de substrat 96 fait en aluminium (Al) par exemple est préparé comme le montre la figure 9A. On soumet une des surfaces principales de l'élément de substrat 96, par exemple sa surface supérieure, à un traitement d'insufflation, par exemple un traitement de sablage, de manière à rendre la surface irrégulière, ainsi que cela est présenté. Par suite du sablage, l'élément de substrat 96 se gauchit vers le haut, selon l'orientation des dessins, d'environ 0,1 mm. Toutefois, pour simplifier la représentation, ce gauchissement n'a pas été représenté graphiquement. Le sablage déter- mine une résistance de liaison de la couche isolante 98 pulvérisée à la flamme et les couches métalliques 100, 102 et 104 pulvérisées à la flamme formées sur la surface irrégulière de l'élément de substrat 96 dans une étape ultérieure. Ainsi, l'état provoqué par le sablage doit être choisi avec soin. Dans cet exemple, on choisit l'irrégularité, ou grain, de la surface de manière qu'elle soit comprise entre 10 et 20 microns. Au cours de l'opération suivante, on forme sur la surface irrégulière une première couche de mas- quage 132 suivant un tracé donné, qui est faite en fer (Fe) par exemple. A l'aide de la première couche de masquage 132,on pulvérise à la flamme de la céramique, telle que Al 203 sur la surface irré- gulière de l'élément de substrat 96 afin de sélectivement former une couche isolante 98 pulvérisée à la flamme d'une épaisseur de à 150 microns, ainsi que cela est présenté sur la figure 9B. Après cette opération, on retire le premier masque 132 et on forme sur la surface irrégulière une deuxième couche de masquage 134 suivant une configuration donnée, par exemple à l'aide de fer (Fe). Ensuite, on pulvérise à la flamme un métal, par exemple du cuivre, sur le semi-produit que forme alors l'agencement de substrat 92 par l'intermédiaire de la deuxième couche de masquage, afin de sélectivement former les premières couches métalliques 100, 102 et 104, d'une épaisseur de 50 à 150 microns, sur la surface irrégu- lière, ainsi que la deuxième couche métallique 106 sur la couche isolante 98 pulvérisée à la flamme. Dans ce cas, la technique de pulvérisation à la flamme par plasma est applicable à la pulvérisa- tion à la flamme, comme le montre la figure 9C. Sur le dessin de la figure 90, les couches métalliques restantes 100 et 102 sont illustrées, mais, en réalité, celles-ci sont formées dans la même étape. Enfin, on retire le deuxième masque 134 du semi-produit et on forme, comme cela est présenté sur la figure 9C, l'agencement de substrat 92 présenté sur la figure 8. Dans l'exemple donné ci-dessus, l'épaisseur de la couche isolante 98 faite en céramique, par exemple en oxyde d'aluminium Al 203 et en dioxyde de silicium SiO2, est déterminée sur la base d'un compromis entre la capacité de sup- porter la tension électrique et la résistance de liaison de ces couches vis-à-vis de l'élément de substrat 96. Ainsi, il y a opposition entre le fait que, lorsque les couches sont minces, la capacité à supporter la tension est faible, alors que, lorsqu'elles sont épaisses, les couches tendent à s'écailler de l'élément de substrat 96. L'ensemble redresseur du mode de réalisation décrit ci-dessus, qui est destiné à un alternateur, est applicable à un alternateur monophasé ou biphasé, par exemple. Pour l'appliquer à l'alternateur monophasé, on n'utilise que l'une des trois combi- naisons des diodes 108 et 114 et de la plaque 122 en forme de L, des diodes 110 et 116 et de la plaque 126 en forme de L et des diodes 112 et 118 et de la plaque 128 en forme de L. Pour un alternateur biphasé, on utilise deux de ces combinaisons. Dans l'alternateur monophasé, on peut modifier l'agencement de substrat de manière à lui donner la forme présentée sur la figure 10, o deux diodes et une plaque d'électrode en forme de L sont réunies en une unique première couche métallique 100 pulvérisée à la flamme. Dans l'alternateur biphasé, on peut conce- voir l'agencement de substrat de façon que les combinaisons compor- tant chacune deux diodes et une plaque d'électrode en forme de L soient réunies en deux premières couches métalliques pulvérisées à la flamme, respectivement, comme le montre la figure 11. De plus, on peut utiliser du fer (Fe) à la place de l'aluminium pour l'élément de substrat 96 dans le mode de réali- sation mentionné ci-dessus. Le cuivre de la première couche métal- lique 106 pulvérisée à la flamme peut être remplacé par du nickel (Ni) par exemple. Il est clair que la distance de pulvérisation à la flamme, la tension de pulvérisation à la flamme, le courant de pulvérisation à la flamme, et les autres caractéristiques du processus de pulvérisation à la flamme font l'objet d'un choix approprié cor- respondant au métal utilisé pour la pulvérisation à la flamme. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir des dispositifs dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'in- vention. REVENDICATIONS 1. Dispositif redresseur à semi-conducteurs, caracté- risé en ce qu'il comprend: un substrat (96) de rayonnement; une couche isolante (98) pulvérisée à la flamme qui est sélectivement formée sur une surface dudit substrat de rayonnement; au moins une couche métallique (100, 102, 104) pulvérisée à la flamme qui est sélectivement formée sur ladite sur- face du substrat de rayonnement; une deuxième couche métallique (106) qui est sélectivement formée sur ladite couche isolante pulvérisée à la flamme; un circuit d'éléments redresseurs comportant un premier et un deuxième élément redresseur (108, 114; 110, 116; 112, 118) qui sont électriquement connectés par leurs bornes de polarités différentes avec ladite première couche métallique pulvérisée à la flamme et ladite deuxième couche métallique pulvérisée à la flamme; et des éléments faisant fonction d'électrodes (122, 124, 126) qui connectent électriquement les bornes desdits éléments redresseurs dont les polarités sont opposées à celles desdites bornes qui sont connectées auxditespremière et deuxième couches pulvérisées à la flamme, de manière à former un circuit fermé. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat de rayonnement (96) est fait d'aluminium. 3. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat de rayonnement (96) est fait de cuivre. 4. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche isolante (98) pulvérisée à la flamme est faite de céramique. 5. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un moyen (128) faisant fonction de couvercle rigide et non plastique qui protège les composants formés sur ledit substrat de rayonnement. 6. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le moyen faisant fonction de couvercle est lié au substrat de rayonnement. 7. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite première couche métallique pulvérisée à la flamme (100, 102) consiste en deux couches et ledit circuit redresseur (110, 116; 112, 118) est formé entre lesdites deux couches métalliques pulvérisées à la flamme et ladite deuxième couche pulvérisée à la flamme. 8. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite première couche pulvérisée à la flamme (100, 102, 104) consiste en trois couches et ledit circuit redresseur est formé entre lesdites trois premières couches pulvérisées à la flamme et ladite deuxième couche pulvérisée à la flamme.