FR 2494461 A1 19820521 FR 8120315 A 19811029 La présente invention concerne une structure pour un masque destiné à l'exposition avec des rayons X. Il a été proposé récemment un procédé destiné à la fabrication d'un masque pour rayons X comportant un motif subminiature de moins de 2 nm, obtenu de la manière indiquée ci-après. Comme le montre la figure 1, on dépose un revêtement de métal 4 en tungstène (w), en molybdène (Mo), etc, dans un sillon 2 à partir de la surface supérieure d'une lame de SiO2, 1. On donne à ce revêtement de métal une forme définissant un certain motif, par dépôt oblique 3. Par conséquent, dans le cas o la surface de paroi du sillon est formée perpendiculairemen le pouvoir d'absorption des rayons X du revêtement de tungstène, du revêtement de molybdène, etc, qui se trouve sur la paroi du sillon est plus grand que le pouvoir d'absorption des rayons X du revêtement de tungstène ou du revêtement de molybdène qui est formé sur la surface du SiO2, comme le montre la figure 2. On peut ainsi fabriquer un masque pour rayons X qui présente un motif linéaire de moins de 2 nm. Incidemment, la référence sur la figure 1 désigne la direction d'irradiation par les rayons X. Cependant, le procédé mentionné ci-dessus est limité uniquement à un motif linéaire en bande formé dans une seule direction. Il existe de plus un inconvénient qui consiste en ce qu'on ne peut pas appliquer le procédé mentionné ci-dessus à un masque portant un motif compliqué, comme par exemple un masque pour un circuit intégré complexe. L'invention a pour but d'améliorer le procédé mentionné ci-dessus et de réaliser un masque pour rayons X destiné à un circuit intégré complexe dans lequel on puisse définir un motif dans n'importe quelle direction. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre d'un mode de réalisation et en se référant aux dessins annexés sur lesquels: La figure 1 est une coupe d'un masque pour rayons X. La figure 2 est un graphique qui montre le pouvoir d'absorption du masque représenté sur la figure 1. La figure 3 est une représentation en perspective destinée à l'explication de la structure du masque pour rayons X correspondant à l'invention. Sur la figure 3, un revêtement 14a, définissant un motif et formé par la première couche de revêtement en tungstène, est formé dans le sillon 12a de la première couche qui est formée sur la lame de SiO2 il par dépôt oblique 13a. Un revêtement l4b, définissant un motif, constitué par la seconde couche de revêtement de tungstène, est formé dans le sillon 12b de la seconde couche qui est formée sur le SiO2 par dépôt oblique 13b. On peut ainsi former un motif pour rayons X de forme matricielle, et le motif de masque de la première couche et le motif de masque de la seconde couche sont croisés pour l'irradiation par les rayons X parallèles 15, dans une direction perpendiculaire à la surface du masque précité. Dans le mode de réalisation ci-dessus, on explique que le masque de la première couche et le masque de la seconde couche sont formés sur une seule et même lame. On peut cependant également atteindre le but de l'invention en réalisant séparément et en-appliquant l'un sur l'autre le masque de la première couche et le masque de la seconde couche, et en réunissant les masques en un seul ensemble. De plus, dans le mode de réalisation ci-dessus, on explique que le masque de la première couche et le masque de la seconde couche sont réalisés de façon à former un seul ensemble. Cependant, on peut également fabriquer séparément le masque de la première couche et le masque de la seconde couche et les disposer avec un intervalle prédéterminé. Dans le masque pour rayons X fabriqué de la manière indiquée ci-dessus, on dispose de plus de liberté pour former le motif du masque pour rayons X et on peut réaliser un motif subminiature. Par conséquent, le masque pour rayons X peut être utilisé pour des circuits intégrés complexes, etc. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATION Masque destiné à l'exposition par des rayons X qui forme un motif de matière absorbant les rayons X sur une lame mince, caractérisé en ce qu'il comporte des première et seconde couches de formation de motif qui ont un pouvoir d'absorption des rayons X.