FR 2485266 A1 19811224 FR 8013932 A 19800623 Pour réaliser une cellule solaire de petite surface : par exemple inférieure à 800mm2, les techniques utilisant des matériaux monocristallins ne sont pas applicables. On sait que le H2.Mg3.Si4.012 est un matériau pouvant être déposé en couche mince sur une petite surface et permettant la réalisation de dispositifs notamment de cellules solaires. Le (H2.Mg3.Si4.012) présente par rapport au Silicium Polycristailin déposé en couche mince, l'avantage, entre autres, de ne pas présenter de joints de grains dont on sait qu'ils détériorent les caractéristiques des dispositifs. Pour que le (H2.Mg3.Si4.0l2) soit utilisable pour la réalisation des cellules solaires, il faut que certaines conditions soient réalisées. En particulier, une plaque, alliage de MO et Si à 50 % de chaque, en appliquant entre la plaque de MO et Si, alliés, une feuille de Téflon-Matériau non polarisable de très faible épaisseur, et enduire sur la feuille de Téflon une couche de (H2.Mg3.Si4.012). Cette composition des trois éléments-plaque de MOISI (Alliage) et Téflon supportant le (H2.Mg3. Si4.012 > introduit une conductivité sans parasites ; l'on remarque que la couche sélective contient de 1'Hydrogène en grande quantité 30 % environ du nombre d'atomes de Si4. Comme cette quantité d'Hydrogène est facile à contrôler et qu'elle influe sur les propriétés électriques du matériau (H2.Mg3.Si4.012) on ne rencontre pas les difficultés habituelles pour obtenir un matériau homogène sur de. petites surfaces. L'Hydrogène contenu dans le Silicate de Magnésium dont on a cité la formule complète ci-dessus est très stable thermiquement. L'invention vise à augmenter l'ampérage et voltage. L'inconvénient des Photopiles connues est d'être très peu maniable : le Silicium pur étant un métal friable et cassant, tandis que l'alliage du Mo+Si est plus fiable Ampérage et voltage augmentés grâce à cet alliage. Le principe de l'invention consiste à déposer du (H2.Mg3.Si4.012) en couche mince, dans des conditions assurant la pureté du dépôt obtenu, c'est-à-dire par pulvérisation sous pression ; ce composant est fondamental pour que le Si4 et l'H2 contenus sous forme atomique ce qui facilite son insertion dans le matériau afin d'obtenir un bon ampérage. La Figure 1, représente la cellule constituée des trois éléments l'Anode 1 ou mince couche de (H2.Mg3.Si4.012) permettant de recevoir la totalité des rayons solaires (Photons) B' étant la Cathode. 2, représente la feuille de Téflon qui laisse se 1,DETACHER" l'électron vers 3, Cathode, celle-ci composée de l'alliage MO+Si plus fiable après expériences. La Figure 2, représente la cellule solaire en plan la surface du H2.Mg3.Si4.012, appliquée sur le Téflon et la Cathode 3' OÙ se trouve un élément collecteur en Etain (son) ll en résulte que le matériau peut être utilisé pour réaliser des cellules solaires fiables dans le temps. Toutefois les formes, dimensions des différents éléments pourront varier dans la limite des équivalents, comme d'ailleurs les matières utilisées pour leur fabrication, sans changer pour cela la conception générale de l'invention qui vient d'être décrite; C A T I O N S (1) Procédé de fabrication de cellules solaires qui comportent une mince couche de (H2.Mg3.Si4.O12) contenant de l'H2, le tout déposé sur une feuille intercalaire de Téflon, laquelle est supportée par la plaque an alliage (Mo+Si) ou Cathode (2) Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte un dépôt formant l'Anode de (H2.Mg3.Si4.O12) appliqué par projection sous pression. (3) Procédé suivant la la revendication 1, caractérisé par la Ce ode en alliage de (MO+Si) à 50 5b chaque (4) Procédé suivit la revendication tg caractérisé par les t? éléments constituant la cellule solaire (5) Dispositif de cellule solaire, caractérisé en ce qu'il comporte une couche de (H2.Mg3.Si4.O12) une mince feuille de Téflon et une plaque métallique de (MO+Si) à 50 % chaque