FR 2475270 A1 19810807 FR 8002245 A 19800201 La présente invention concerne une structure de mémoire réversible, c'est à dire qu'elle est inscriptible et effaçable, par voie thermo-optique, cependant que la lecture est faite par voie optique. Elle s'applique plus particulièrement à la couche d'inscription d'une mémoire de stockage d'informations sur support défilant, une forme répandue de ce type de mémoire étant constituée par les disques optiques. Les disques optiques sont réalisés à partir d'un disque d'lun matériau rigide et généralement transparent re- couvert d'une fine pellicule d'un matériau absorbant la lumière. Le disque tourne à une vitesse relativement élevée et défile devant une tête de lecture qui décele les informations qui ont été enregistrées dans la couche absorbante superficielle, informations qui sont le plus généralement stockées sous la forme de perforations dans la couche absorbante. La lecture peut se faire donc par passage d'un faisceau laser à travers les trous de stockage de données et à travers le support transpa- rent du disque optique; elle peut également se faire par réflexion d'un faisceau laser, à travers le support transparent du disque, sur la couche absorbante. Les informations peuvent également être stockées sous forme d'une déformation de la surface; dans ce cas, la lecture se fait par réflexion. La technologie actuelle des disques optiques, ou d'une façon plus générale des mémoires défilantes, présente deux types de structure pour la couche d'inscrip- tion: les structures non effaçables, telles que celles dans lesquelles sont pratiquées des perforations de la couche métallique qui constitue la couche absorbante, ou des structures effaçables. Les structurés effaçables sont bisées aur l'utilisation de pEtérsiaux amorphes, métalliquea ou aemconducteurs5 de matériaux magnéto- optiques, photo-chromes ou photo-dich'oXques, qui présentent une différence de propriétés optiques selon qu'ils ont été inscrits ou non par un faisceau laser. L'inconvénient général de ces structures effaçables est un faible rapport signal/bruit car il n'y a pas de modification fondamentale de la structure du matériau de la couche absorbante. L'invention consiste en une nouvelle structure de mémoire réversible, c'est à dire effaçable et ré- inscriptible, présentant un meilleur rapport signal/bruit que les mémoires connues. Cette structure est constituée par une bi-couche, déposée sur le support du disque, qui est doté d'un faible coefficient de dilatation thermique. La bi-couche comprend dans un premier cas de réalisation, une première couche d'un matériau métallique ayant un coef- ficient de dilatation élevé et une seconde couche dont la composition est un alliage se trouvant à la température ambiante dans une phase martensitique et présentant une transformation vers une autre phase cristallographique à une température inférieure à latempérature de fusion de la première couche. En outre cette seconde couche présente un faible coefficient de dilatation, et de préférence des propriétés de faible ou moyenne adhérence au métal de la première couche. Selon une seconde forme de réalisation, la premiè- re couche est un polymère dégradable à basse température, c'est à dire dans une plage de l'ordre de 200 C au dessus de la température ambiante. De façon plus précise l'invention concerne une structure de mémoire réversible à inscription thermo- optique et lecture optique, supportée par un substrat animé d'un mouvement de défilement, caractérisé en ce que le substrat est un matériau à faible coefficient de dilatation et en ce que la couche inscriptible, déposée aur le substrats compnrend au moins une double couche; constituée Dar une première couche d'un matériau qui, sous l'effet de la chaleur, déforme une seconde couche, qui la recouvre, d'un alliage peu dilatable se trouvant à la température ambiante dans une phase martensitique et présentant une transformation vers une autre phase cristallographique à une température infé- rieure à la température de fusion de la première couche. L'invention sera mieux comprise et ses avantages ressortiront de la description qui suit d'un exemple de réalisation de structure de mémoire, laquelle s'appuie sur le s figures suivantes.: - figure 1, un schéma représentant l'état d'une martensite en l'absence de tension; - figure 2, schéma équivalent à celui de la figure 1 mais représentant une martensite sous tension; - figure 3, schéma équivalent à celui de la figure 1 lorsqu'une martensite est soumise à des compressions; - figure 4, vue en coupe d'une structure de mémoi- re réversible selon l'invention. De façon à simplifier le texte, l'exemple de réalisation choisi pour expliquer l'invention est celui dans lequel la première couche est métallique. Certains alliages sont caractérisés par une transformation en phase solide, à une température Tt, entre une phase de haute température généralement cubi- que centrée o les atomes sont disposés de façon aléa- toire aux noeuds du réseau et une phase de basse tempéra- ture généralement orthorhombique o un ou plusieurs types d'atomes se placent à des positions et dans des plans particuliers du réseau. Cette transformation appelée martensitique est réversible et se fait la plupart du temps par un processus coordonné de cisaillement affec- tant de proche en proche toute la structure. C'est donc un processus très rapide car il n'implique pas de migra- tion individuelle d'atome sur de grandes distances. Loraque la température diminue au dessous de Tt la "précipitation" d'atomes dans les plans privilégiés de la martensite entraine la formation de plaquettes reliées les unes aux autres avec des orientations varia- bles. Certaines plaquettes sont en tension, d'autres en compression et l'état des contraintes internes défi- nit les surfaces relatives des différents types de plaquettes afin de rendre minimale l'énergie interne. Sur la figure 1, sont représentés deux types de plaquettes qu'on suppose, pour une raison de simplicité, se développer avec la même rapidité. La plaquette 1 est supposée en compression et la plaquette 2 en tension. En figure 2, lorsque une contrainte de tension est appliquée au matériau, il y a croissance préféren- tielle des plaquettes 2 et en conséquence il y a déformation de la structure. En figure 3, si on utilise une contrainte de tension, la déformation s'effectue dans l'autre sens. Il faut noter qu'il s'agit ici d'une déformation mi- croscopique globale sans qu'il y ait glissement relatif des plans cristallographiques comme dans la déformation plastique classique. D'autre part l'effet résultant est le même si on impose à l'échantillon non plus la contrainte mais la déformation. En résumé une déformation en phase martensitique présente l'intéret essentiel de procéder par cisaillement et non par glissement interplanaire. Il en résulte qu'une telle déformation peut être complètement effacée par suppression des lamelles martensitiques ce qui se produit dès que la température dépasse Tt. Par opposition les déformations de type plastique qui impliquent des glissements interplanaires ne peuvent être effacées. L'effet de mémoire d'une structure cristallogra- phique martensitique est mise à profit dans l'invention selon laquelle un support de disque optique est recou- vert par une première couche d'un métal à fort coefficient de dilatation et par une seconde couche d'un alliage se trouvant dans une phase martensitique. et présentant une température de transformation Tt inférieure à la température de fusion de la première couche. En outre l'alliage doit jouir d'un faible coefficient de dilata- tion, et de préférence de qualités d'adhérence faible ou moyenne au métal de la première couche. La figure 4 représente la structure de mémoire réversible selon l'invention. Sur un substrat 1 préférentiellement plan, rigide, et transparent, sans que ces qualités soient indispensables, sont déposées une première couche métallique 2 puis une seconde couche métallique 3. Selon une forme privilégiée de réalisation de l'invention, la première couche métallique 2 est la couche de métal à fort coefficient de dilatation et la seconde couche métallique 3 est la couche d'alliage se trouvant dans une phase martensitique à la température ambiante. Sous l'effet d'une impulsion thermique, au cours de l'inscription des données sur le disque, la quantité d'énergie apportée par le faisceau laser à son point d'impact à la surface du disque est absorbée par l'ensemble des deux couches métalliques et transformée en chaleur. Le chauffage qui en résulte à une température T inférieure à la température Tt provoque la dilatation différentielle entre les deux couches métalliques. La couche 2 très dilatable communique à la couche 3 moins dilatable une déformation inférieure à la déformation en limite de rupture de la couche 3. Il s'en suit donc pour la couche 3 un relief en forme de protubérance 4. Au cours de l'opération de déformation des deux couches est apparu en 5 un décollement de l'ensemble des deux couches par rapport au substrat. La déformation permanente de la couche 3 ne concerne en fait que les plaquettes de martensite, sans toucher au squelette atomique. Après l'impact du faisceau laser et au cours- du refroidisemnent, la couche di.latable 2 se décolle de la couche de martensite 3 mais cela n'intervient pas dans le résultat de l'inscription de données sur le disque. La présente structure est effaçable et réversi- ble en ce sens que si la couche martensitiQue 3 est portée soit par une impulsion de puissance plus élevée, soit par un défilement plus lent du support devant la source d'énergie, soit par un chauffage global, à une température supérieure à la température Tt de transfor- mation de la phase martensitique en sa phase parente, l'alliage vient alors dans sa phase parente et retrouve sa forme initiale en se recollant à la couche peu dilatable 2 qui a précédemment repris sa forme initiale. Après l'opération d'effacement, qui a lieu à une température relativement élevée, c'est à dire supérieure à la température de transformation Tt, la couche d'alliage 3 revient en phase martensitique, au cours du refroidissement. Par conséquent, on voit qu'à partir d'une structure planecomportant une première couche très dilatable et une seconde couche peu dilatable, mais en phase martensitique à température ambiante, il est possible d'enregistrer des données sous la forme d'une déformation à la surface de la couche inscriptible puis d'effacer ces données et de revenir à l'état initial par une seconde opération de chauffage à une température supérieure à la température de la première opération d'inscription des données. La réalisation de la structure de mémoire selon l'invention fait appel pour la couche de métal très dilatable à l'un des métaux tels que: cadmium, zinc, thalium, magnésium, aluminium, manganèse, argent, pris isolément ou en combinaison. La seconde couche métallique, c'est à dire la couche d'alliage en phase martensitique, est obtenue au cours d'une opération d'évaporation sous vide qui suit l'évaporation de la première couche métallique, danz le même bâti et sans changement de technologie, par le dépôt de l'un des alliages ci-après dans leur phase martensitique fer-nickel, fer-platine, titane-nickel, nickel-aluminium, or-cadmium, cuivre-zinc, ou par des aciers inoxydables ou encore des mélanges ternaires tels que cuivre-zinc- aluminium, contenant de 68 à 305 de cuivre, de 10 à 28% de zinc, de 4 à 10% d'aluminium et répondant aux formules particulières Cu75 Zn18 AI7 dont la température de transformation est égale à 1700 centigrades, et Cu79 Zn13 A18, dont la température de transformation est égale à 3000C. L'épaisseur requise pour chacune des deux couches 2 et 3 de la figure 4 est de l'ordre de 3 à 5 nanomètres pour chacune des deux couches. Ce type de structure de mémoire réversible présente un certain nombre d'intérêts pratiques. En premier lieu, la vitesse d'effacement est très rapide car il n'y a pas de migration atomique, mais seulement cisaillement affectant de proche en proche toute la structure. Il suffit donc de faire défiler la mémoire enregistrée sous une tête de laser apportant une certaine quantité d'énergie pour effacer les données inscrites. En second lieu, cette structure effaçable présen- te par rapport aux structures effaçables connues un meilleur rapport signal/bruit. En outre la technologie de réalisation est simplifiée puisque le dépôt des deux couches métalliques 2 et 3 se fait par une suite d'opérations dans le même bâti à vide. La protection des données enregistrées est possi- ble en raison de l'état de dureté de la surface enre- gistrée par dépôt d'une laque thermique photosensible, par vernis polymère en solution, ou par un capot rigide, de préférence transparent, qui protège l'ensemble de la surface de la Iéngire enregistrée, A partir de ces considérations sur la valeur de l'état de surface enregistrée, il s'en suit que la duplication est possible par exemple au moyen de laques photopolymérisables. C'est ainsi que l'archivage par dépôt des couches métalliques épaisses est rendu possible pour conserver les données enregistrées pendant des temps longs. Cette structure de mémoire effaçable est princi- palement utilisée dans le cas de disques optiques mais son domaine d'utilisation appartient d'une façon plus générale- aux moyens d'archivage à enregistrement thermo- optique, et lecture optique sur des supports rigides ou souples, plans ou cylindriques, et animés d'un mouvement soit de rotation, soit linéaire. En outre appartiennent au domaine de l'invention les cas de réalisations dans lesquels le'nombre de couches métalliques est supérieur à 2, c'est à dire les cas dans lesquels le support serait recouvert d'abord d'une couche métallique d'accrochage pour la couche métallique 2 très dilatable et ensuite d'une quatrième couche métallique déposée par dessus la couche martensitique 3, cette quatrième couche métallique étant destinée à communiquer à la surface de la mémoire enregistrée un meilleur état de réflexion ou une protec- tion contre l'oxydation par exemple. D'autres variantes de la piésente invention ressortiront des revendications ci-après. REyENJDICATIONS 1. Structure de mémoire réversible, à inscription thermooptique et lecture optique, supportée par un substrat animé d'un mouvement de défilement, caracté- risée en ce que le substrat est en un matériau à faible coefficient de dilatation et en ce que la couche inscrip- tible, déposée sur le substrat, comprend au moins une double couche constituée par une première couche d'un matériau qui, sous l'effet de la chaleur, déforme une seconde couche, qui la recouvre, d'un alliage peu dila- table, se trouvant à la température ambiante dans une phase martensitique et présentant une transformation vers une autre phase cristallographique à une tempéra- ture inférieure à la température de fusion de la première couche. i5 2. Structure de mémoire selon la revendication 1, caractérisée en ce que la première couche est une couche métallique très dilatable et réalisée au moyen des métaux suivants: Cd, Zn, Tl. Mg, Al, Mn, Ag, pris isolé- ment ou en alliage. 3. Structure de mémoire selon la revendication 1, caractérisée en ce que la première couche est une couche d'un polymère dégradable pai échauffement. 4. Structure de mémoire selon la revendication 1i caractérisée en ce que la couche martensitique est réalisée au moyen de l'un des alliages suivants: acier inoxydable, Fe-Ni, Fe-Pt, Ti-Ni, Ni-Al, Au-Cd, Cu-Zn, CuZn-Al, 5. Structure de mémoire selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'inscription se traduit par une déformation de la couche martensitique, cette déformation étant inférieure à la limite de rupture de ladite couche martensitique. 6. Procédé d'inscription dans une structure de - mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à , caractérisé en ce que le moyen d'inscription est une impulsion énergétique, apportée par un faisceau laser et absorbée par la double couche métallique de la struc- ture dans laquelle elle se transforme en chaleur, la quantité d'énergie apportée étant suffisante pour que la première couche de métal dilatable communique à la seconde couche d'alliage martensitique une déformation, la température restant inférieure à la température de transition de la phase mart-ensitique vers une autre phase. 7. Procédé d'effacement d'une structure de mémoire dans laquelle des données ont été inscrites selon la revendication 6, caractérisé en ce que le moyen d'effa- cement est une impulsion énergétique, apportée par un faisceau laser et absorbée par la double couche métal- lique de la structure dans laquelle elle se transforme en chaleur, la quantité d'énergie apportée étant suf- fisante pour amener la seconde couche d'alliage à une température supérieure à la température de transition de la phase martensitique vers une autre phase.