FR 2468185 A1 19810430 FR 8022291 A 19801017 La présente invention se rapporte au domaine des mémoires mortes à MOS, électriquement programmables, (mémoires EPRON). De nombreuses mémoires mortes électri quement programmables (mémoires vPROM) sont disponibles dans le commerce. Dans de nombreux cas, ces mémoires utilisent des cellules de mémoire à grille flottante, dont les grilles flottantes sont chargées à partir du substrat par injection en avalanche ou injection de canal. En général, on efface ces matrices de mémoire en les exposant à un rayonnement ultra-violet. Des exemples de mémoire et de cellules de mémoire à grille flottante sont décrits dans les brevets U.S. n0 3.996.657 ; 4.094.012 ; 4.114.255 et 4.142.926. Dans un arrangement type de ces dispositifs ou cellules de mémoire à grille flottante, les cellules sont disposées par paires. Chaque paire de cellules est connectée à un conducteur métallique surjacent par l'intermédiaire d'un contact métallique. Un demi-contact par cellule est donc nécessaire. Ces contacts exigent une superficie de substrat relativement grande et, par conséquent, constituent une des limitations à la fabrication de matrices à densité relativement élevée. En outre, ces contacts métalliques réduisent les rendements de production des mémoires, étant donné qu'ils sont généralement plus difficiles à fabriquer que d'autres éléments semi-conducteurs de la matrice. Comme on le verra plus loin, la présente invention élimine la plupart de ces contacts métalliques et, par exemple, utilise un seul contact métallique pour seize cellules. Certaines des opérations initiales utilisées dans le procédé décrit ici sont analogues aux opérations initiales utilisées dans la fabrication d'une mémoire morte programmée par masque telle que décrite dans la demande de brevet US. n0 sériel 907.557 déposée le 18 mai 1978 et intitulée "MOS DOUBLE POLYSI LICON READ-ONLY MEMORY AND CELL't (MEMOIRE MORTE ET CrQLUL# DE DnrMOiPr "ORTE EN POLYSILICIUM DOUBLE A MOS) cédée au Déposant. D'autres structures de mémoire morte programmée par masque apparantées sont décrites dans le brevet US. n0 4.095.251. Il est décrit ci-après un procédé de fabrication d'une matrice de mémoire électriquement programmable à MOS sur un substrat. Dans tout ce qui va suivre, les rubans conducteurs minces et étroits de la matrice de mémoire seront désignés par simplification sous le nom de "lignes". Une première pluralité de lignes en polysilicium parallèles espacées isolées du substrat sont définies. Des régions dopées sont alors formées entre ces premières lignes en alignement avec celles-ci. Une seconde pluralité de lignes en polysilicium parallèles et espacées, qui sont isolées des premières lignes et des régions dopées, sont formées en superposition aux premières lignes et aux régions dopées. Les secondes lignes sont essentiellement transversales aux premières.Les premières lignes sont gravées en alignement avec les secondes lignes de manière à faner une pluralité de grilles flottantes à partir des premières lignes ; chacune de ces grilles flottantes est disposée entre deux des régions dopées allongées et au-dessous d'une des secondes lignes. De cette manière, on obtient une pluralité de dissositifs à grille flottante électriquement programmables formant une matrice de mamoire à haute densité. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui suit et à l'examen des dessins jointes, qui en représentent, à titre d'exemple non limitatif, un mode de réalisation. Sur ces dessins La Figure 1 est une vue en plan partielle d'un substrat, représentant les opérations initiales du procédé suivant l'invention. Cette vue montre une pluralité de premières lignes en polysilicium formées sur le substrat ; La Figure 2 est une vue en élévation avec coupe transversale du substrat et des lignes de la Figure 1, prise sensiblement suivant la ligne de coupe 2-2 de la Figure 1 ; La Figure 3 représente le substrat de la Figure 2 après la formation de secondes lignes en polysilicium sur le substrat La Figure 4 est une vue en plan du substrat de la Figure 3 La Figure 5 est une vue en plan représentant la matrice de la Figure 4 partiellement terminée après des opérations de gravure utilisées pour définir les grilles flottantes;; La Figure 6 est une vue en élévation avec coupe transversale partielle du substrat de la Figure 5 prise sensiblement suivant les lignes de coupe 6-6 de la Figure 5 ; La Figure 7 représente la matrice de la Figure 5 après la formation de lignes métalliques au-dessus des régions dopées La Figure 8 est une vue en plan d'une partie d'une matrice fabriquées suivant l'invention, qui représente en particulier les lignes de mot métalliques et les contacts échelonnés utilisés pour interconnecter ces lignes avec les régions dopées La Figure 9 est une vue en plan utilisée pour décrite le mode de réalisation actuelle ment préféré des contacts échelonnés de la Figure 8 ; La Figure 10 est une vue en plan de l'intersection entre une des premières et une des secondes lignes en polysilicium.Cette vue est utilisée pour mettre en évidence la largeur des régions de canal La Figure Il est un schéma électrique d'une partie de la matrice fabriquée suivant l'invention. On va décrire ci-après un procédé de fabrication d'une mémoire morte électriquement programmable (EPROM) à dispositifs métal/oxyde/semi-conducteur (MOS) à circuit intégré. Dans la description qui va suivre du procédé actuellement préféré, de nombreux détails spécifiques sont indiqués, tels que les épaisseurs de couche spécifiques, etc. Il apparaltra clairement à un spécialiste de cette technique que le procédé suivant l'invention peut être mis en oeuvre sans ces détails spécifiques. Dans d'autres cas, des opérations de traitement bien connues n'ont pas été décrites, telles que le décapage, le masquage, la formation de couches protectrices, etc., de manière à ne pas encomber la description de la présente invention par des détails inutiles. Avant de décrire le procédé suivant l'invention, il est bon, pour faciliter sa compréhension, d'examiner la matrice résultante sous forme de schéma électrique, En se référant à la Figure 11, on peut voir que le procédé suivant l'invention zpermet de réaliser une pluralité de cellules ou dispositifs de mémoire à grille flottante tels que les dispositifs 41, 42, 43 et 44. Chacun de ces dispositifs comprend une paire de régions dopées espacées dans le substrat, régions qu'il partage avec d'autres dispositifs. Entre ces régions dopées, au-dessus de la région de canal, est disposée une grille flottante 45. Ces grilles re çoivent une charge du substrat au cours de la programmation comme il est bien connu. Des grilles de commande 44 sont disposées au-dessus des grilles flottantes. Les grilles de commande sont utilisées lors de la lecture ou détection, et sont également utilisées pour la programmation comme il est bien connu. Le fonctionnement et les caractéristiques des dispositifs à grille flottante sont sensiblement identiques à ce qui a été décrit dans les brevets ci-dessus cités. Dans le procédé décrit, les grilles flottantes respectives de tous les dispositifs sont formées à partir de premières lignes en polysilicium qui sont parallèles aux lignes de bit. Les régions dopées des dispositifs sont formées sensiblement en alignement avec ces premières lignes. Les lignes de mot, telles que les lignes 51 et 52, sont fabriquées à partir d'une seconde couche de polysilicium. Des lignes métalliques surjacentes disposées au-dessus des régions dopées (et en contact avec celles-ci, comme décrit plus loin) forment les lignes de bit de la matrice. A titre d'exemple, pour lire ou programmer le dispositif 41, on applique des signaux appropriés, comme il est bien connu, sur la ligne 51. La lecture s'effectue sur les lignes de bit 47 et 48 pour le dispositif 41 (et pour le dispositif 43). Les potentiels de programmation sont également appliqués à ces lignes lors de la programmation. On peut lire simultanément une pluralité de cellules, comme cela se fait couramment. Pour fabriquer une mémoire entière sur un mdme substrat en utilisant la matrice de mémoire à haute densité décrite, on fabrique des amplificateurs de lecture ayant un espacement sensiblement égal à l'espacement des lignes de bit. D'une manière analogue, on peut fabriquer des décodeurs ayant un espacement égal, ou sensiblement égal, à l'espacement des lignes de mot.Le fait que la seconde couche de polysilicium puisse passer au-dessus de régions de substrat diffusées permet la réalisation de circuits périphériques d'espacement moindre. Des circuits et une technologie de montage bien connus peuvent être utilisés pour fabriquer les circuits périphériques de la mémoire, y compris les amplificateurs de lecture, les décodeurs, les circuits de programmation, les tampons etc. Dans le procédé actuellement préféré, les dispositifs sont des disnositifs à canal n fabriqués sur un substrat en silicium du type p dopé à un niveau d'environ 50 ohms-cm. Une partie du substrat 14 est représentée sur la Figure 2. Dans un mode de réalisation préféré particulier, on n'utilise pas d'oxyde de champ "frontal" dans la matrice. Par contre, de tels oxydes de champ peuvent être utilisés dans les circuits périphériques. Ainsi, par exemple, le traitement décrit en référence aux Figures 1 et 2 peut être effectué après qu'un autre traitement a été appliqué aux circuits périphériques, tel que la croissance d'oxydes de champ. Dans la matrice (dont une partie est représentée dans le cadre en trait interrompu 12 de la Figure 1), on forme tout d'abord par croissance une couche d'oxyde (silo2) sur le substrat, puis on forme une couche de silicium polycristallin (polysilicium) sur la couche d'oxyde. Ensuite, une seconde couche d'oxyde est formée au-dessus de la couche de poly silicium, puis une couche de nitrure de silicium est formée au-dessus de la seconde couche d'oxyde. Par des opérations de masquage et de gravure bien connues, une pluralité de lignes (premières lignes en polysilicium 18) sont définies sur le substrat. Comme on le voit clairement sur la Figure 2, chacune des lignes 18 est séparée du substrat par une ligne en oxyde 16.Chaque ligne 18 est recouverte par une ligne en oxyde 19 et par une ligne en nitrure de silicium 20. La ligne en oxyde 16 peut avoir une épaisseur comprise entre 400 X et 1000 , la ligne en polysilicium 18 a environ o 5000 d'épaisseur, la ligne en oxyde 19 environ 200 A d'épasvsur et la Mine en nitrure de silicium 20 environ 400 X d'épaisseur. En général, on utilise tout d'abord une opération de masquage pour masquer la couche de nitrure de silicium 20 de manière à définir les lignes en nitrure de silicium 20 puis, par des opérations de -gravure, les lignes 19 et 18.La ligne 16 est également gravée lorsqu'on utilise une opération de diffusion (par opposition à une implantation ionique) pour définir les régions 22. Une fois que les lignes en polysilicium 18 sont définies, on forme des régions dopées allongées 22 dans le substrat en alignement avec les lignes 18. On peut utiliser un dopant constitué par du phosphore ou de l'arsenic. Une diffusion ordinaire ou une implantation ionique, ou encore une combinaison de ces deux techniques, peuvent être utilisées. On utilise de prrférence un niveau de dopant de 20 à 30 ohms/carré. La structure résultante est représentée sur les ligures 1 et 2. Ensuite, une couche d'oxyde 24 est formée par croissance au-dessus de la matrice, comme représenté sur la Figure 3. L'oxyde ne croit pas au dessous de l'élément en nitrure de silicium 20, de sorte que cet oxyde recouvre les régions dopées 22 et les parois latérales des premières lignes en polysilicium, mais non pas les lignes en nitrure de silicium 20. Dans certains processus, il peut être désirable d'éliminer puis de remplacer les lignes en oxyde 19 et les lignes en nitrure de silicium ?0 avant de déposer une seconde couche de polysilicium. La raison pour laquelle il faut procéder de cette manière dans certains cas réside en ce que l'intégrité des lignes en oxyde 19 et des lignes en nitrure de silicium 20 peut se détériorer au cours des opérations de traitement précédentes. (L'oxyde et le nitrure de silicium sont utilisés comme diélectrique dans les dispositifs à grille flottante). On dépose ensuite une seconde couche de polysilicium sur la matrice ; cette couche peut avoir environ 6000 X d'épaisseur. Par une opération de masquage et de gravure ordinaire, on forme une pluralité de lignes en polysilicium parallèles espacées 26 (secondes lignes en polysilicium). Ces lignes, comme représentées sur la Figure 4, sont sensiblement pernendicalaires aux lignes 18 et sont situées au-dessus des régions dopées 22 et des lignes 18, dont elles sont isolées. Les lignes 26 sont isolées des régions dopées par la couche d'oxyde 24 et des lignes 18 par les lignes en oxyde 19, et les lignes en nitrure de silicium 20. Ensuite, le nitrure de silicium exposé et l'oxyde sousjacent recouvrant les lignes 18 sont éliminés par gravure. Il est à noter que l'oxyde et le nitrure de silicium situés au-dessus des lignes 18 et au-dessous des lignes 26 restent en place du fait que les lignes 26 empêchent le corrosif de gravure d'attein dre ces régions. Les lignes 18 sont ensuite gravées en alignement avec les lignes 26. Cela élimine les segments 18b des lignes 18 représentées sur la Figure 4, étant donné que ces segments ne sont pas protégés par les lignes 26. (Une couche d'oxyde est parfois présente au-dessus des lignes 26 pour ernpêcher le corrosil d'attaquer ces lignes. Cette couche d'oxyde peut être la même que celle qui est utilisée lors des opérations de masquage et de gravure assurant la formation des lignes 26). Dans le mode de réalisation actuellement préféré, on utilise un procédé de gravure à autoalignement pour assurer l'alignement des segments 18a des lignes 18 avec les bords des lignes 26. Ce procédé de gravure est décrit dans le brevet US. n0 4.142.926. En se référant à la Figure 5, on peut voir que la structure résultante comprend maintenant les lignes 26 avec les segments de lignes 18a formés à partir des lignes 18 disposées au-dessous des lignes 26 entre les régions diffusées 22. Les segments de ligne 18a forment les grilles flottantes des dispositifs de mémoire. Comme on peut lé voir clairement sur la Figure 6, la structure résultante comprend les lignes surjacentes 26 isolées de la gorille flottante 18a par l'élément en nitrure- de silicium 20a (formé à partir de la ligne 20) et par l'élément en oxyde 19a (formé à partir de la ligne en oxyde 19). La couche d'oxyde 16 sépare la grille flottante 18a du canal défini entre les régions allongées 22. Le dispositif représenté sur la Figure 6 est un dispositif de mémoire à grille flottante correspondant aux dispositifs 41, 42 , 43 et 44 de la Figure 11. Des lignes métalliques (ou autres lignes conductrices) sont ensuite formées au-dessus des régions 22. Dans le mode de réalisation actuellement préféré, des lignes en aluminium 30 sont fabriquées par des opérations bien connues au-dessus des régions 22. Périodiquement, le long des lignes 30, des contacts sort formés, comme représenté sur la Figure 8 entre les lignes 50 et les régions de substrat sous-jacentes 22. Ces contacts, comme décrit plus loin, peuvent être des contacts métalliques ou des contacts enterrés espacés périodiquement le long des lignes 30, entre des groupes de cellules (par exemple entre des séries de seize lignes 26). Les régions de substrat situées audessous des segments de ligne éliminés 18, représentées sous la forme de régions 28a sur la Figure 7, sont du même type de conductibilité et ont la meme résistivité que le substrat. Des "claquages" entre les régions 22 peuvent se produire dans les régions 28a, en particulier lorsqu'on utilise des potentiels de programmation relativement élevés. Pour cette raison, l'ensemble de la matrice est soumis à une implantation de bore pour implanter les régions 28a. Cette implantation définit des barrières de champ entre les régions 22, sauf, bien entendu, dans la région de canal des dispositifs de mémoire. Une implantation à raison d'un niveau de 1-3 x 1 o12 atomes/cm2 est considérée comme suffisante. Selon une variante, les régions 28a peuvent être des régions d'oxyde de champ. Dans ce mode de réalisation de variante, les régions d'oxyde de champ sont formées antérieurement de la définition des lignes 18 de la Figure 1. Ces régions d'oxyde de champ peuvent être formées, par exemple, au cours des opérations "frontales" lors de la définition d'autres régions d'oxyde de champ dans les circuits périphériques. Ces régions d'oxyde de champ (par opposition à l'implantation de bore) assurent de meilleures caractéristiques de résistance au claquage ; toutefois, une plus grande superficie est nécessaire lorsqu'on utilise ces réions ?'oxyde de champs, principalement en raison du problème de bec d'oiseau #ird-beak) et des désalignements entre les opérations de traitement successives. On va maintenant se référer à la Figure 8, sur laquelle une partie de la matrice est à nouveau représentée, mais cette fois sans les lignes 26 par souci de simplicité. Comme décrit précédemment, après la définition des lignes en aluminium 30, des contacts sont formés périodiquement le long de ces lignes. Ces contacts s'étendent vers le bas jusqu'aux régions sous-3acentes 22. Ces contacts, conjointement avec les lignes métalliques 30, améliorent la conductivité le long des régions dopées 22. Les contacts réalisés avec la technologie usuelle sont légèrement plus grands que l'espacement des lignes 26 et 30, et par conséquent, ne peuvent pas être placés en alignement. C'est pourquoi les contacts sont échelonnés. Par exemple, les contacts 37a sont disposés sur une ligne horizontale déterminée tandis que les contacts 37b sont disposés sur une autre ligne horizontale. D'une manière analogue, les contacts 38a sont disposés sur une certaine ligne horizontale et les contacts 38b sur une autre. Comme décrit précédemment, les contacts 37 et 38 peuvent être séparés par un groupe de cellules, par etleexemple pmseize c11ws, c'est-à-dre seize liges 26 26seni^de~~s diso- sées entre les contacts 37 et 38. Dans les régions des contacts, aucune cellule n'est fabriquée et, par conséquent, les lignes 26 sont absentes. Des contacts métalliques ordinaires peuvent être utilisés pour constituer les contacts 37 et 38. Dans le mode de réalisation actuelle ment préféré, au lieu d'utiliser des contacts métalliques directs, on utilise des contacts enterrés, cependant que les lignes métalliques sont en contact avec des plages formées à partir de la première couche de polysilicium. On trouvera une description d'un procédé de fabrication de ces contacts comprenant un exposé de la formation de régions d'oxyde de champ dans le brevet US. n0 4.033.026. En se référant à la Figure 9, on peut voir qu'au cours du traitement frontal de la mémoire, des régions d'oxyde de champ 32 sont formées dans les régions des contacts échelonnés. Dans l'exemple repré senté, ces régions sont adjacentes aux lignes 18 formées ultérieurement à partir de la première couche de polysilicium.La première couche de polysilicium est également utilisée pour définir les contacts 34, qui sont en contact direct avec le substrat (ou avec une région dopée du substrat). On utilise alors des contacts métalliques qui s'étendent entre les lignes métalliques et les contacts en polysilicium 34. De cette manière, il n'est pas nécessaire de prévoir des contacts métalliques s'étendant entre la ligne métallique et le substrat. Ici encore, dans le cas de la figure 8, les contacts sont échelonnés. Tl est également possible d'échelonner les contacts avec d'autres configurations. Par exemple, les contacts 37b pourraient être espacés des contacts 37a avec huit rangées de cellules entre les contacts 37a et 37b Avec cette diEposilicn, les contacts 38b ent es;EIGfs c# ottats 38a par huit rangées de cellules. Ainsi, une ligne de contacts apparaîtrait toutes les huit rangées de cellules dans la matrice et chaque ligne de contacts s'étendrait à partir de lignes métalliques alternées. Sur la Figure 10 est représentée une configuration de lignes 18 qui améliore la performance des dispositifs de mémoire ainsi que les caractéristiques de ré-sistance au claquage à travers les régions 22. Les lignes 18 sont légèrement plus étroites dans les régions de canal des dispositifs, c'est-à-dire au-dessous des lignes 26. Cela est indiqué par la dimension "a". Le reste des lignes 18, principalement entre les lignes 26, est légèrement plus large, comme indiqué par la dimension b. La dimension "a", étant donné qu'elle est légèrement plus étroite, facilite la programmation des grilles flottantes gracie au canal étroit. Par ailleurs, la distance plus grande entre les régions 22 (où aucun dispositif actif n'est présent) élève le potentiel de claquage .Pour une technologie de traitement actuel type, "a" peut être compris dans la gamme de 2,5 11 à 4,0 ~u et "b" entre 4,0 Eu et 6,0 p. Dans la fabrication commerciale type des cellules de mémoire EPROM où l'on utilise un demicontact par cellule, une superficie de substrat d'environ (4,57 mm2) est nécessaire pour une mémoire EPROM de 64 K. En utilisant des règles de conception un peu plus impératives, ces cellules peuvent être réduites à environ (3,60 mm2). Des cellules fabriquées par le procédé suivant l'invention sans les barrières de champ implantées exigent environ 9 11 x 9 p de superficie de substrat, ce qui correspond à une superficie de matrice d'environ (3,20 mm2). Cette superficie peut être réduite à environ (3,02 mm2) avec une technologie usuelle en fonction des techniques de masquage, de gravure, etc. qui sont utilisées. Lorsqu'on utilise l'isolement par oxyde de champ entre les cellules avec la technologie courante, les superficies de matrice sont comprises dans une gamme de (3,20 mm2) à (3,66 mm2) pour une mémoire EPROM de 64 K. Ainsi donc, lorsqu'on utilise le procédé décrit ici, une superficie de matrice consi dérablement moindre est nécessaire, même si l'on tient compte des contacts périodiques le long des lignes métalliques, tels que les contacts 37 et 38 de la Figure 8. Cette réduction de la superficie de matrice est obtenue principalement grace à la réduction du nombre de contacts dans la matrice. Bien que, dans le mode de réalisation actuellement préféré, comme représenté clairement sur la Figure 6, l'éliment en oxyde 19a et l'élément en nitrure de silicium 20a soient utilisés pour séparer la ligne 26 de la grille flottante 18a, ces deux éléments peuvent ne pas être nécessairement dépendants du processus utilisé, etc. Par exemple, on peut employer un élément en oxyde 19a plus épais seul, ou bien seulement un élément en nitrure de silicium. On comprendra aisément que, bien qu'on n'ait représenté sur les dessins que la fabrication d'un petit nombre de cellules seulement, en fait, comme c'est généralement le cas, on fabrique simultanément une grande matrice de cellules. En outre, au cours de la fabrication de la matrice de cellules, une autre fabrication photolithographique principalement dans les circuits périphériques, peut s'effectuer simultanément Par exemple, lors de la définition des lignes 18 à partir de la première couche de polysilicium, des grilles de transistors à effet de champ peuvent être simultanément formées dans les circuits périphériques Une opération de masquage et des opérations apparentées permettent de produire la croissance d'ln oxyde épais sur les premiers éléments en polysilicium dans les circuits périphériques, conjointement avec la croissance de l'oxyde épais audessus des régions de substrat dopées de la matrice. Ainsi, lors de la gravure de la première couche de polysilicium dans la matrice (qui fait suite à la gravure de la seconde couche de polysilicium), les éléléments de la première couche de polysilicium des circuits périphériques ne sont pas attaqués. La seconde couche de polysilicium des circuits périphériques peut être utilisée pour des interconnexions supplémentaires. On voit qu'on a décrit ci-dessus un procédé de fabrication d'une matrice de mémoire morte électriquement programmable à haute densité. Le nombre de contacts utilisés dans la matrice est considérablement réduit par rapport à la technique antérieure, ce qui permet de plus fortes densités en plus de meilleurs rendements. Contrairement à ce qui se passe dans d'autres procédés de formation de dispositifs à grille flottante de la technique antérieure, les secondes lignes en polysilicium intersectent les régions dopées du substrat, ce qui facilite une configuration plus dense. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'une matrice de mémoire électriquement programmable à dispositifs métal/oxyde/semi-conducteur sur un substrat, ledit procédé comprenant les opérations consistant : à former une première pluralité de lignes (18) en polysilicium parallèles espacées, isolées dudit substrat ; à doper des régions allongées (22) dans ledit substrat entre lesdites premières lignes, en alignement avec celles-ci à former une seconde pluralité de lignes (26) en polysilicium parallèles espacées, isolées desdites premières lignes et desdites régions dopées, lesdites secondes lignes étant essentiellement transversales aux premières et surjacentes à celles-ci et auxdites régions dopées et à graver (18b) lesdites premières lignes en alignement avec lesdites secondes lignes en polysilicium, de manière à former une pluralité de grilles flottantes à partir desdites premières lignes, chacune desdites grilles flottantes (18a) étant disposée entre deux desdites régions dopées (22) et étant isolée d'une desdites secondes lignes (26) et disposée au-dessous de celle-ci moyennant quoi l'on obtient une pluralité de dispositifs de mémoire à grille flottante électriquement programmables formant une matrice de mémoire à haute densité. 2. procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend la formation d'une troisième pluralité (30) de lignes conductrices parallèles chacune à l'une desdites régions dopées au-dessus de celle-ci, avec des contacts entre lesdites troisièmes lignes (30) et leurs régions dopées sousjacentes (22) respectives, lesdits contacts étant formés entre des groupes desdites secondes lignes. 3. Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que lesdites premières lignes (18) sont formées avec une ligne en nitrure de silicium surjacente (20a). 4. Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend une opération consistant à former des régions d'isolement (28a) dans le substrat, dans les régions limitées par les grilles flottantes sur des premiers côtés opposés et par les troisièmes lignes sur des seconds côtés opposés. 5. Procédé suivant la revendication 4, caractérisé en ce que lesdites régions d'isolement (28a) sont formées par implantation ionique. 6. Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend la formation de régions d'isolement (28a) en oxyde de champ limitées par les grilles flottantes sur des premiers côtés opposés et par les troisièmes lignes sur des seconds côtés opposés. 7. Procédé de fabrication d'une matrice de mémoire électriquement programmable à dispositifs métal/ oxyde/semi-conducteur sur un substrat en silicium du type p, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les opérations consistant : à former une première pluralité de lignes (18) en polysilicium parallèles espacées, isolées dudit substrat par une couche d'oxyde ; à doper des régions allongées (22) dans ledit substrat entre lesdites premières lignes avec un dopant du type n, en alignement avec lesdites premières lignes ; a former une couche d'oxyde (19, 24) au-dessus desdites lignes dopées allongées ; a former une seconde pluralité de lignes (26) en polysilicium parallèles espacées, isolées desdites premières lignes et desdites régions dopées, lesdites secondes lignes étant essentiellement transversales aux premières et surjacentes a celles-ci et auxdites régions dopées ; a graver (18b) lesdites premières lignes en alignement avec lesdites secondes lignes en polysilicium de manière a former une pluralité de grilles flottantes a partir desdites premières lignes, chacune desdites grilles flottantes (18a) étant disposée entre deux desdites régions dopées et étant isolée d'une desdites secondes lignes et disposée au-dessous de celle-ci ; à former des contacts (37, 38) avec ladite région dopée, ces contacts étant formés entre des groupes des secondes lignes et à former une troisième pluralité (30) de lignes conductrices parallèles chacune à l'une des régions dopées, au-dessus de celle-ci, en contact avec les contacts précités, moyennant quoi l'on obtient une pluralité de dispositifs de mémoire à grille flottante électriquement programmables formant une matrice de mémoire a haute densité. 8. Procédé suivant la revendication 7, caractérisé en ce que lesdits contacts (37, 38) sont échelonnés le long de lignes sensiblement parallèles auxdites secondes lignes (26). 9. Procédé suivant la revendication 7, caractérisé en ce que des régions d'isolement (28a) sont formées, régions qui sont limitées par lesdites grilles flottantes (18a) sur des premiers côtés opposés et par lesdites troisièmes lignes (30) sur des seconds côtés opposés. 10. Procédé suivant la revendication 9, caractérisé en ce que lesdites régions d'isolement sont formées par implantation ionique. 11. Procédé suivant la revendication 9, caractérisé en ce que lesdites régions d'isolement sont formées par une opération d'oxydation de champ.