FR 2466857 A1 19810410 FR 7919154 A 19790725 La présente invention concerne des procédures de fabrication qui sont applicables à des circuits intégrés à résolution fine et à densité élevée, ainsi qu'à des dispositifs discrets. La technologie la plus importante à l'heure actuelle est celle qui est basée sur le silicium. Parmi d'autres domaines importants, on peut citer ceuxcorrespondant à d'autres technologies de semiconducteurs, ainsi qu'au magnétisme, à l'optique intégrée, etc... Les circuits intégrés complexes basés sur la technologie du silicium constituent un exemple de circuits à haute densité de dispositifs fabriqués par des techniques lithographiques. Il existe des circuits intégrés, comme des dispositifs discretsqui utilisent des techniques de fabrication voisines et qui sont basés sur d'autres- technologies de semiconducteurs. Les circuits magnétiques, comme par exemple les mémoires à bulles, l'optique intégrée, etc, constituent d'autres domaines présentant de l'intérêt. On décrira l'in- vention en considérant la fabrication de circuits intégrés complexes au silicium, du fait que cette fabrication constitue un exemple caractéristique des applications de l'invention. A l'heure actuelle, la définition des motifs s'effectue sur des masques discrets, et on utilise ces masques pour reproduire les motifs dans des couches sensibles aux radiations (couches de réserve photographique) qui sont placées sur la structure en fabrication. La tendance à l'augmentation de la miniaturi- sation (pour atteindre finalement des détails inférieurs au micromètre, à par- tir des détails d'environ 4 micromètres qui correspondent aux règles de con- ception courantes à l'heure actuelle) entraîne. des changements dans les techniques de fabrication. Par exemple, du fait en grande partie des problèmes d'alignement, on s'intéresse de plus en plus à une technique sans masque, appelée traitement direct. Dans le traitement direct, on forme directement le motif sur les couches de réserve qui sont placées sur les tranches, et ces couches font ensuite fonction de couches de masquage consommables. Indépendamment de la technique directe ou indirecte par laquelle les motifs sont formés sur les couches de masquage, ces couches délimitent la matière sous-jacente au cours d'étapes de traitement successives très diverses. Une procédure particulièrement importante fait appel à une attaque destinée à produire des couches de forme déterminée de matières telles que le silicium, monocristallin ou polycristallin, l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium (quelquefois déposé par plasma et quelquefois déposé par une technique pyro- lytique), etc... Les règles de conception actuelles sont telles qu'on peut obtenir une résolution appropriée pour les motifs en utilisant un traitement par voie humide, par exemple une attaque chimique. La nécessité de réduire l'écartement entre les motifs fait naître un besoin correspondant pour des profils 2 2466857 d'attaque définis avec précision (généralement des parois d'attaque rectilignes et verticales sans surgravure importante sous les bords de la couche de réserve qui fait fonction de masque). Les besoins relatifs à l'attaque anisotrope ont été satisfaits grâce aux processus par voie sèche à haute énergie, comme l'érosion et le bombarde- ment ionique, etc. Bien que ces procédures soient satisfaisantes pour de nombreuses applications, elles compliquent la fabrication du fait de détério- rations entraînées par les radiations, de l'érosion rapide de la couche de réserve, et d'autres effets dûs au bombardement. Les processus d'attaque par plasma offrent les avantages du traitement par voie sèche mais ne permettent pas toujours d'obtenir une attaque anisotrope définie. On peut quelquefois s'approcher de parois verticales, par un choix approprié des conditions du plasma (en utilisant une pression faible et d'autres conditions qui introduisent une directivité), mais les détériorations dues aux radiations peuvent encore constituer un problème. Conformément à l'invention, la fabrication de dispositifs et de circuits bénéficie des avantages des procédures d'attaque par plasma qui permettent de définir le profil d'attaque. Les systèmes correspondants présentent une souplesse suffisante pour donner des parois verticales, ou d'autres profils désirés. Divers modes de réalisation préféréscorrespondant à diverses conditions de pression-puissance du plasma, permettent de choisir les conditions de réaction qui réduisent au minimum les détériorations dues à l'émission secondaire de rayons X, sous l'effet d'électrons d'énergie élevée. En ce qui concerne la préférence habituelle pour des parois d'attaque verticale, on maîtrise la surgravure. On maîtrise l'attaque des parois latérales sous les couches de réserve en établissant des sites de recombinaison pour les substances d'attaque actives à proximité de ces parois. Conformément à l'invention, l'attaque s'effectue à partir de substances qui résultent de l'introduction d'une composition gazeuse appropriée dans le plasma. On peut considérer que cette composition gazeuse contient des substances distinctes qui, dans le plasma, donnent (a) des substances d'attaque effectives prédominantes, et (b) des substances de recombinaison. Bien que cette désigna- tion soit commode, il est possible que ces deux substances du plasma doivent être activées, c'est-à-dire qu'elles ne peuvent accomplir leurs fonctions que par l'intervention de l'état de surface ou d'autres réactions. Une caractéristique importante de l'invention consiste en ce que des substances réactives que l'on peut identifier séparément permettent implicitement une variation des quantités relatives de ces substances réactives. La variation du rapport des substances réactives, entraînant une variation du rapport substance d'attaque/substance de recombinaison, permet de modeler le profil 3 2466857 d'attaque. Dans des modes de réalisation préférés, on peut obtenir des parois rectilignes verticales (ou d'autres profils désirés) pour une grande diversité de conditions de traitement, en faisant varier ce rapport. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détail- lée de modes de réalisation. 1. Généralités L'invention concerne la fabrication d'articles tels que des circuits intégrés et des dispositifs discrets, faisant intervenir une ou plusieurs procédures d'attaque par plasma. Les procédures lithographiques préalables qui sont nécessaires peuvent être effectuées par reproduction d'un masque discret, ou par une technique sans masque, c'est-à-dire par traitement direct. Dans un cas comme dans l'autre, les articles traités sont munis, à.l'étape ou aux étapes appropriées, d'une couche de réserve adhérente sur laquelle on a formé un motif (1) en l'exposant à une radiation actinique qui modifie sa. solubilité, et (2) en la développant dans un solvant, pour enlever sélectivement les régions exposées ou les régions non exposées, selon que la couche de réserve est du type positif ou négatif. Dans certaines variantes de procédure, le motif porté par la couche de réserve peut ne pas être formé par une radiation actinique, mais être formé directement ou indirectement par reproduction à partir d'une matière sensible aux radiations qui est placée au-dessus de la couche de réserve et sur laquelle on a formé un motif. Conformément à l'invention, le traitement implique nécessairement une attaque sélective par plasma du substrat à nu se trouvant sous la couche de réserve portant un motif. Les matières que l'on rencontre, c'est-àdire les matières à attaquer, varient-selon l'article traité. Dans le cas des circuits intégrés complexes, qui présentent une importance commerciale, les matières que l'on rencontre à l'heure actuelle comprennent le silicium (soit mono- cristallin, soit polycristallin), l'oxyde de silicium (dopé ou non dopé), le nitrure de silicium (déposé par plasma ou par une technique pyrolytique), ainsi que des couches de réserve elles-mêmes (dont l'enlèvement peut faire intervenir un "décollage" de la matière qui se trouve au-dessus), etc... Selon la technologie considérée, comme l'optique à semiconducteurs, le magnétisme, etc., on peut rencontrer d'autres matières. On peut citer à titre d'exemple le nitrure de bore, le Permalloy, le grenatyttrium-fer avec substitution, le niobate de lithium, le tantalate de lithium etc... Les processus de l'invention présentent un intérêt particulier dans la fabrication de dispositifs ou de circuits faisant intervenir des traits fins. A l'heure actuelle, les circuits intégrés complexes au silicium respectent des règles de conception correspondant à des traits d'environ 4 micromètres. L'utilisation de l'attaque par plasma est courante dans la fabrication de ces circuits intégrés complexes. La miniaturisation croissante et la diminution correspondante des dimensions fixées par les règles de conception, qui atteindront la région du micromètre et même moins, entraîneront probablement une augmentation de l'uti- lisation de l'attaque par plasma. La diminution des dimensions définies par les règles de conception impose des conditions plus strictes pour les profils d'attaque, et ces conditions vont généralement dans le sens de bords verticaux, avec une surgravure minimale. On parvient à respecter les contraintes indiquées ci-dessus en utilisant des systèmes d'attaque qui résultent de l'introduction d'un agent réactif gazeux que l'on peut considérer comme un mélange d'au moins deux constituants qui donnent des composants. L'introduction de cet agent réactif dans le plasma donne deux substances: (1) une substance d'attaque effective prédominante, et (2) une substance de recombinaison. La nature de la substance de recombinaison est telle qu'elle entraîne une recombinaison de la substance prédominante sur les parois d'attache, ou à proximité de ces parois,de manière à offrir un moyen qui permet de défitir le degré d'attaque des parois. Une caractéristique importante des processus de l'inventic; est basée sur l'observation du fait que la quantité de substance de recombinsisl comme de substance d'attaque est finie. En réglant la quLantité de l'une de ces substances par rapport à l'autre, on dispose d'un moyen de commande qui permet d'obtenir des parois d'attaque planes et verticales, ou des parois qui présen- tent un degré dfini de surgravwire. Il est même possible en utiliset ds conditions dans lesquelles la substance de recolbinaison 1 'e-:c te Si:r la surface d'attaque, d'obtenir des parois qui présentent une "su:.-avure n.aive' (c'est-à-dire que les parois attaquées font saillie au-delà du br'e EC d _ e dans la région non masquée). 2. Définitions Pour exposer l'invention, il est commode de définir un certain nombre de termes, parmi lesquels certains sont d'usage courant, tandis que d'autres sont spécifiques de l'invention." Attaque par plasm. a: C'est une attaque qui se déroule essene =t du fait deconditions créées à l'intérieur d'un plasma. Cette dYini-' enicle un certain-nombre de procédures que l'on désigne habituellement par des ter-es spécifiques, comme par exemple l'attaque ionique par réaction, l'attanue par bombardement, etc. Du point de vue de l'invention, les procédures cancernees font intervenir une pression suffisamment élevée et une puiss ar-.:ff.-sTent faible pour que l'attaque repose essentiellement sur une réaction chimique au 2466857 niveau de la surface qui est attaquée. Le terme attaque par plasma exclut les procédures dans lesquelles le mécanisme d'enlèvement de matière prédominant fait intervenir un transfert de quantité de mouvement, c'est-à-dire que l'in- vention ne porte pas sur l'érosion ionique, entre autres. Couche de réserve: On utilise ce terme dans son sens implicite, c'est- àdire pour définir une matière qui recouvre le substrat à attaquer et qui limite l'attaque de la matière sous-jacente par l'agent réactif, c'est-àdire dans le cas considéré, par l'agent d'attaque. Conformément à l'usage courant, il n'est pas obligatoire que la couche de réserve soit sensible aux radiations, soit sous sa forme d'origine, soit après formation du motif. Ce terme englobe donc une matière de recouvrement dans laquelle on peut former un motif en utilisant une radiation correspondante et un développement ultérieur, aussi bien qu'une matière de recouvrement qui n'est pas, et n'a jamais été, sensible aux radiations, mais dans laquelle on peut former un motif par d'autres moyens. De façon générale, la couche de réserve que l'on considère dans la description forme un motif, du fait que l'invention s'applique essentiellement aux régions de bord qui définissent la frontière entre la matière à conserver et la matière à enlever pendant l'attaque. Agent réactif: On désigne par ce terme une matière qui est introduite dans le plasma. Cette matière est normalement gazeuse, et on peut la considé- rer comme un mélange gazeux contenant au moins deux composants réactifs: (1) un composant d'attaque réactif, et (2) un composant de recombinaison réactif. Cet agent réactif, normalement neutre (non chargé) peut comporter plusieurs substances élémentaires,diatomiques, et/ou combinées chimiquement. Bien que les deux composants réactifs indiqués ci-dessus soient d'une importance essentielle du point de vue de l'invention, on peut introduire d'autres matières. Ces matières supplémentaires peuvent remplir des fonctions de porteur, de diluant, etc... Composants actifs: Il s'agit des composants présents dans le plasma et qui accomplissent les deux fonctions essentielles de l'invention Substance d'attaque: Il s'agit d'une ou de plusieurs substances qui, par réaction chimique avec la surface attaquée, jouent le rôle essentiel dans l'enlèvement de la matière. On considérera souvent, par la suite, la "sub- stance d'attaque prédominante"; et Substance de recombinaison: Ce terme désigne les centres de recombinai- son qui mettent fin à la durée de vie effective de la substance d'attaque prédominante. On choisit les conditions correspondant à l'invention de façon que la substance de recombinaison rende inactive la substance d'attaque prédominante (ou tout au moins diminue notablement l'activité de cette sub- stance) sur les parois d'attaque, ou à proximité de ces dernières. Profil d'attaque: Ce terme désigne la configuration des parois produites dans la matière qui est attaquée. Il s'applique généralement à la configuration obtenue pendant l'attaque ou après celle-ci.Les profils rencontrés sont les suivants: Vertical: Il s'agit de parois d'attaque pratiquement planes qui se trouvent dans le même plan que le bord de la couche de réserve qui est située au-dessus et qui définit l'attaque, ce plan étant normal à la surface du substrat. Il peut apparaître une certaine attaque du bord de la couche de réserve, mais il est souhaitable de réduire au minimum cette attaque, de façon que le plan se trouve dans une position correspondant approximativement à celle du bord de la couche de réserve avant l'attaque; Surgravure latérale: Ce terme désigne une paroi attaquée dont une partie, généralement la partie supérieure, est "surgravée", c'est-à-dire se trouve sous la couche de réserve; Surgravure latérale négative: Ce terme définit des configurations de bord produites au cours de l'attaque dans lesquelles l'attaque se poursuit sur une aire décroissante, si bien que le plan inférieur de la région attaquée a une aire inférieure à celle du motif qui est défini par l'ouverture cor- respondante dans la couche de réserve. Attaque isotrope: Ce terme désigne un processus d'attaque aléatoire dans lequel l'attaque avance à une vitesse uniforme dans toutes les directions (verticalement et latéralement). L'attaque isotrope entraîne donc une sur- gravure latérale, mais une surgravure définie dans laquelle la région attaquée qui est la plus proche de la couche de réserve s'étend sur une distance appro- ximativement égale à la dimension de l'attaque verticale. L'attaque isotropeest indépendante de[a surgravure latérale due à une attaque excessive (qui peut apparaître au cours d'une attaque anisotrope). Attaque anisotrope: C'est une attaque qui résulte d'un certain effet directif qui produit un écart par rapport à l'attaque isotrope. A ce titre, la surgravure latérale, qu'elle soit négative ou positive, peut être aniso- trope si l'attaque progresse de façon inégale dans deux directions, par exemple verticalement et latéralement. On désigne par "attaque anisotrope idéale" une attaque qui donne une paroi d'attaque pratiquement plane et verticale, située dans un plan qui coïncide approximativement avec celui du bord initial de la couche de réserve, avant l'attaque. 3. Composition de l'agent réactif On a indiqué au paragraphe précédent la nature générale de la composition de l'agent réactif. Des systèmes considérés à titre d'exemples sont générale- ment basés sur une substance d'attaque active obtenue à partir d'un halogène, comme il ressort d'une analyse de l'effluent- par spectroscopie de masse. - 7 2466857 Cette substance, qui consiste généralement en un halogène atomique, comme par exemple du chlore ou du brome, est introduite dans l'agent réactif sous forme combinée. Dans le cas du chlore atomique, la substance prédominante peut être introduite sous la forme de Cl2,CF3C1, etc. L'agent réactif est générale- ment gazeux, et pour éviter la possibilité de condensation, il est souhaitable que toute la matière introduite soit gazeuse à la température ambiante ou au voisinage de cette température. La substance de recombinaison est généralement un composé fluorocarboné, dans le cas de l'attaque du silicium, A titre d'exemples, on peut citer: C2F6 et CF3Cl. Pour les systèmes et les condi- tions d'attaque donnant des vitesses d'attaque ayant un intérêt pratique, une condition générale à respecter est que la substance de recombinaison soit relativement inactive en tant que substance d'attaque, en ce qui concerne les matières qui constituent l'article traité. Bien que les radicaux fluorocarbonés soient suffisamment inactifs en ce qui concerne le silicium, ainsi que les couches de réserve placées au-dessus, ils ne conviennent généralement pas pour certaines autres matières, comme par exemple l'aluminium. A titre d'exemple, une substance de recombinaison utilisable pour l'attaque de l'aluminium est obtenue à partir de l'agent réactif de recombinaison B013. On détermine les quantités relatives des deux composants actifs de façon à obtenir le profil d'attaque désiré. Les conditions qui interviennent, et qui sont envisagées en détail dans un paragraphe ultérieur, font intervenir l'aire du bord de la couche de réserve et d'autres conditions qui déterminent la quantité de substance de recombinaison, ainsi que la quantité de substance d'attaque prédominante. Cette dernière quantité, que l'on détermine en grande partie en se basant sur la nature de la substance d'attaque prédominante elle- même, est également influencée par d'autres paramètres, parmi lesquels la puissance, la pression etc.. Dans de nombreuses conditions-, la quantité de composant de recombinaison qui est introduite dépasse dans un rapport deux, ou davantage, la quantité de composant d'attaque, pour une attaque anisotrope idéale (les rapports indiqués ici sont généralement des rapports molaires) . Ainsi, CF3Cl, que l'on peut traiter comme un mélange molaire 1/1 de composant de recombinaison etde ccposant- d'attaque, ne convient pas, tout au moins pour une attaque anisotrope idéale conformément à l'invention. La substance d'attaque prédominante que donne, ce mélange 1/1 entraîne un degré de surgravure latérale qui est généralement excessif pour l'utilisation envisagée, dans les conditions d'attaque préférées. L'invention permet d'obtenir une grande souplesse dans le modelage du profil et cette souplesse résulte de la spécification du rapport des composants. On peut introduire CF3Cl en compagnie d'uan agent réactif de recombinaison, C2F6, pour obtenir un profil d'attaque qui convient généralement pour la fabri- 8 2466857 cation. Dans le cas du système C2F6 - Cl2 considéré à titre d'exemple, une proportion de Cl2 de 5 à 14 % en volume donne à la fois une attaque rapide et, en respectant d'autres conditions indiquées ici, des profils qui sont soit idéalement anisotropes, soit appropriés à d'autres tit=epour la plupart des applications. Bien que les substances réactives effectives puissent être plus complexes, il est commode de les considérer en envisageant la substance d'attaque prédominante présumée, Cl, et la substance de recombinaison CF3. Dans ces conditions, et en faisant l'hypothèse d'une activation proportionnelle du plasma, un rapport de 2 à 14 %, considéré en unités de formule, peut donner à la fois une attaque efficace et l'anisotropie idéale ou désir6e, dans la plupart des conditions. Du fait que la sélectivité (par exemple pour le silicium par rapport au SiO2) augmente lorsqu'on augmente la quantité de Cl2 qui est introduite, le rapport utilisable peut dépasser 14 %, et il peut atteindre une valeur de 90 '%, ou même davantage, lorsque l'écartement est suffisant pour que la surgravure latérale qui en résulte soit tolérable. Un autre système utilisé dans les exemples est le syst i-,e à halogène associé, basé sur l'introduction de brome combiné. Les plages de rapport pour ce système sont similaires à celles envisagées pour le systè7m analogue à base de chlore. Un autre système présenté dans les exemples fait intervenir l'intro- duction de BCl3 - Cl2. Dans ce cas, i est commode de considérer oue la sub- stance d'attaque prédominante est le chlore atomique, et que la substance dc recombinaison est obtenue à partir de BCl3, et consist peut-être en BC]2. Les plages de rapport, exprimées en rapport Cl/BCl2 vont de O,1 à 5,%: ce qui donne une attaque anisotrope idéale, ou toute autre attaque anisotrope désirée, dans la plupart des conditions envisagées. Il convieit enfin de reîarquer-que la plupart des modes de réalisation de l'invention sont basés sur l'introduction d'un, ager-7. réactif de:-om- binaison et d'un. agent - réactif d'attaque identifiables. De façon générale, l'agent réactif est un mélange gazeux ce qui permet de faire varier le rap- port entre les deux agents réactifs. Cette souplesse est extrêmement importante dans la mesure o elle permet de modeler le profil pour la faire correspondre soit à l'anisotropie idéale, soit à une autre pente désirée, dans diverses conditions de traitement. On a indiqué que les conditions de tri-e- mernt les plus importantes sont celles qui font intervenir une press, s-- fisamment élevée et une puissance suffisamment basse pour permettreJef]. av.e c Mant/un minimum d'effets attribuables au transfert de quantité de mouveent. Il est néanmoins vrai que des circonstances relativement inhabituelles peuvent permettre (1) d'obtenir un rapport fixe avec des substances d'attaque et de recombinaison combinées chimiquement en un seul composé, et même (2) d'obtenir une substance d'attaque et une substance de recombinaison à partir d'un seul agent réactif précurseur. La première des conditions ci-dessus, dont CF3C1 constitue un exemple essentiel, entraîne généralement un degré de surgravure latéral inacceptable pour la plupart des applications, mais tolé- rable dans le cas d'un grand écartement entre motifs. Certains agents réactifs composés peuvent fournir d'eux-mêmes un rapport qui donne une anisotropie presqueidéale. On a constaté que les conditions du second cas indiqué ci-dessus ne donnent des profils utiles que lorsque la vitesse d'attaque est relativement faible, dans les conditions d'attaque habituellement préférées. On considère que cette dernière observation résulte de la nature même du système considéré, du fait que, conformément à l'invention, les profils utiles résultent de l'équi- libre entre l'attaque et la recombinaison. 4. Substance de recombinaison effective Une série prolongée de travaux expérimentaux suggèrent que la maîtrise du profil fait intervenir une combinaison des facteurs suivants: (a) état physique de la surface du bord de la couche de réserve (ou plus généralement de la totalité de la surface du bord, y compris la matière à nu, pendant le déroulement de l'attaque), (b) nature chimique de la surface du bord, et (c) nature des substances qui sont probablement produites dans le plasma qui est introduit à proximité de la paroi. On a indiqué que le nombre d'unités de substance de recombinaison effective est un nombre fini, et cette conclusion peut se justifier en considérant l'état de saturation ou l'état proche de la saturation pour les sites réactifs disponibles dans la partie de la surface de la paroi qui correspond à la couche de réserve. La variation de l'état de surface entraîne la nécessité prévue d'une variation correspondante dans la substance d'attaque prédominante, ce qui confirme l'hypothèse de saturation. La grande disparité qui existe dans la nature chimique et physique des diverses matières de réserve qui s'avèrent efficaces pour l'obtention de sites de recombinaison conduit à la conclusion, qui est également en accord avec les connaissances antérieures, selon laquelle on peut utiliser n'importe quelle composition organique convenant à l'emploi comme matière de réserve (n'importe quel polymère à base d'hydrocarbure présente une surface qui convient pour la recombinaison, mais cette composition doit être raisonnablement stable dans l'environnement de plasma, pour pouvoir être utilisée comme matière de réserve). Les expériences effectuées ont porté sur les substances du type Novolac, de diverses compositions et de divers poids moléculaires avec différents degrés de réticulation. Une grande variété d'autres matières de réserve, de-type négatif comme de type positif, se sont avérées aussi efficaces que les Novolacs positifs d'utilisation pi c l axitE. Les variations d'état de. surface résultent, entre autres, de différentes conditions de cuisson avant attaque, ainsi que de l'utilisation de différents agents d'attaque pour dessiner le motif dans la couche de réserve. D'autres résultats expérimentaux confirment l'existence de réactions d'attaque-recombinaison en compétition à proximité de la paroi. Par exemple, l'inclusion d'une substance de recombinaison qui présente une activité d'attaque importante de la couche de réserve ne permet d'obtenir qu'une faible maîtrise du profil, bien qu'elle donne des durées de vie inhérentes courtes pour la substance d'attaque. Bien qu'il convienne de considérer que la substance-de recombinaison finale existe. à l'intérieur du volume du plasma, l'activité au niveau de la paroi dépend de la substance de recombinaison qui est créée dans cette position. Les résultats expérimentaux montrent clairement que la substance de recombinaison influe (au moins initialement à la surface de la couche de réserve) sur le prbfil d'attaque de la matière qui est attaquée (autre que la matière de réserve), et ceci constitue en fait une thèse sur laquelle l'inven- tion est basée. On peut définir une règle conduisant nécessairement aux résultats de l'invention en considérant la paire matière de réservesubstance de recombinaison, à la seule condition que la substance de recombinaison ne soit pas consommée par une autre matière de surface sur la paroi. Ainsi, alors que la définition du profil se poursuit indépendamment de la profondeur d'atta- que dans le silicium (pour la substance de recombinaison nominale CF3), une *ded couche intermédiaire/S1M2 perturbe la définition de ce profil. Ceci est en accord avec la réactivité connue de SiO2 et CF3. 5. Substance d'attaque effective En termes simples, on peut dire que l'invention est basée sur une compé- tition entre l'attaque et la recombinaison. On ne peut considérer valablement la substance d'attaque qu'en l'exprimant en quantité relative par rapport à la substance de recombinaison, et, comme il a été indiqué, ce paramètre est intime- ment lié à un certain nombre de facteurs comme la surface de la couche de réserve. A partir de l'hypothèse selon laquelle la surface de la paroi corres- pondant à la couche de réserve est généralement voisine du niveau de saturation par rapport à la substance de recombinaison, il est raisonnable de considérer que le niveau de la substance de recombinaison est fixe, et de modifier la concentration effective de la substance d'attaque. L'attaque anisotrope idéale définit l'équilibre le plus souhaitable pour obtenir une densité de circuit élevée. Un écart dans le sens de l'augmentation de la quantité de substance d'attaque entraîne une surgravure latérale; et un écart dans le sens d'une diminution de la quantité de substance d'attaque peut entraîner une sur- gravure latérale négative (en fonction de l'activité d'attaque de la substance de recombinaison, ou d'autres substances présentes). Dans le cas des substances d'attaque qui montrent une sélectivité marquée pour la matière attaquée, par il 2466857 rapport à la matière sous-jacente, on peut "corriger" dans la mesure désirée la surgravure latérale négative, en effectuant une attaque pendant une durée suffisante débouché sur la couche sous-jacente. 6. Conditions de traitement Pour l'homme de l'art, l'invention est suffisamment caractérisée par l'observation du fait que la variation du rapport substance d'attaque/substance de recombinaison permet de maîtriser le profil. L'invention va dans le sens d'une augmentation de l'anisotropie, en respectant des vitesses d'attaque rai- sonnables et d'autres conditions d'attaque désirées. On peut déterminer les spécifications précises pour la fabrication par des essais de fabrication au cours desquels on modifie les divers paramètres. Il est intéressant, pour exposer l'invention, de décrire brièvement les conditions d'atta.que par plasma que l'on rencontre normalement dans les réacteurs utilisés à l'heure actuelle. Pour diverses raisons, les réacteurs à plaques parallèles sont de plus en plus en faveur dans l'industrie. Les structures perfectionnées assurent des configurations d'écoulement qui donnent une uniformité d'attaque raisonnable d'une tranche à une autre. On pourra par exemple consulter à ce titre l'ouvrage de A.R. Reinberg intitulé "Etching for Pattern Definition"(publié par H.G. Hughes et M.J. Rand) ; The Electrochemical Society, Inc.Princeton, N.J., 1976, et l'article de R.G. Poulsen dans la revue J. Vac. Sci. Technol., 14,266 (1977). Les systèmes à plaques parallèles comprennent des paires de plaques contenues dans une enceinte à vide appropriée.On applique à la plaque active de l'énergie,hbbituellement comprise dans la plage HF (par exemple. 13,56 MHz),pour amorcer et entretenir une décharge entre les plaques, tandis que l'autre plaque, ou plaque passive, est habituellement maintenue au potentiel de la masse. On a indiqué que "l'attaque par plasma" telle qu'on l'envisage ici englobe diverses procédures qui sont couramment désignées d'une autre manière. La seule condition à laquelle doivent satisfaire ces opérations est que l'enlèvement de la matière en surface doit résulter essentiellement d'une réaction chimique, et non d'un échange de quantité de mouvement avec les substances d'attaque actives qui sont obtenues à partir du plasma. Il peut apparaître des variations de nomenclature, par exemple en fonction de la taille relative des électrodes, ainsi que de l'emplacement des tranches (sur la ou les électrodes actives ou sur la ou les électrodes passives). Dans la procédure couramment appelée attaque ionique avec réaction, l'électrode active est notablement plus petite que la contre-électrode, et la matière à attaquer est placée sur la contre-électrode. Dans le cas de la procédure habituellement appelée attaque par plasma, les électrodes sont plus proches d'une configuration symétrique, et la matière à attaquer est placée sur l'électrode passive. Ces variations des dispositifs, ainsi que les variations dans les conditions de puissance, de pression, etc.., entrent dans le cadre de l'invention à condition que la condition fondamentale (c'est-à-dire que l'enlèvement de matière résulte essentiellement d'une réaction chimique...) soit remplie. Les paramètres qu'on peut commander dans ces réacteurs sont les suivants: composition du gaz d'attaque, pression, débit d'entrée, puissance, écartement entre les électrodes et température du substrat. Les plages caractéristiques pour ces paramètres sont les suivantes: pression à 2,0 torr; débit: 10-500 cm /min (normalisé à 250C); puissance 100-3000 W; écartement entre les électrodes: 5-50 mm; diamètre des élec- trodes: 40,2 cm; température du substrat: 25-2500G. On va envisager les conditions d'attaque par plasma désirées qu'on - considère comme représentatives de l'usage préféré. Dans ce but, on consi- dérera de façon générale le matériel qui est disponible à l'heure actuelle. Il est très probable que les progrès dans la conception du matériel apporte- ront les effets attendus. Il faut donc noter que les considérations qui suivent, qui s'appliquent à la pratique actuelle. ne sont pas limitatives, en particulier en ce qui concerne la pratique future. Un point important concernant la conception des réacteurs consiste en ce que les processus de l'invention permettent d'obtenir les profils désirés à des pressions de plasma de l'ordre de 0,1 torr. Ceci s'oppose à plusieurs processus de l'art antérieur dans lesquels l'attaque anisotrope idéale n'était accomplie qu'à une pression inférieure. Cette valeur de pression marque la frontière approximative entre l'écoulement visqueux (pour les pressions élevées), et l'écoulement atomique, ionique ou moléculaire non visqueux, pour les pressions plus faibles. Le terme "écoulement visqueux" désigne les con4itiol-,s dans lesquelles il y a une plus forte probebilité de collision à l'intérieur du plasma qu'entre le plasm;a et une surfae cide. Ainsi, pour une densité de puissance caractéristique du plasma, la frontière de l'écoulement visqueux définit le seuil au-dessous duquel il peut y avoir une détérioration importante par les radiations. On peut disposer de puissances de plasma de plusieurs watts par centimètre cube. Des puissances notablement supérieures à 1 W/cmr créent des problèmes de défaut d'uniformité, et la stabilité du plasma est difficile à maintenir à des pressions de l'ordre de 1,0 torr et au-dessus. Un troisième paramètre, lié aux deux premiers (pression et puissance du plasma), consiste dans la vitesse d'attaque. Du point de vue commercial, c'est un facteur important, qui détermine quelquefois la capacité de pro- duction. Il est également important dans la mesure o une attaque plus lente implique nécessairement de plus longues durées d'exposition de la couche de 1 2 réserve. En fonction de l'épaisseur de la couche à attaquer, l'érosion de la couche de réserve, qui atteint normalement un niveau important, peut devenir un facteur limitatif. Pour de nombreux processus lithographiques, les épais- seurs pratiques de la couche de réserve ne dépassent pas beaucoup les dimensions moyennes à définir. Il est raisonnable de fixer une valeur minimale de 30 nm/min, ou de préférence de 50 nm/min pour la vitesse d'attaque. La sélectivité de la substance d'attaque entre les matières habituelles à atta- quer et les polymères les plus durables utilisés pour les couches de réserve est généralement suffisante pour permettre la conservation d'une fraction efficace de la couche de réserve pour ces vitesses. Pour attaquer des couches relativement épaisses, c'est-à-dire de l'ordre de plusieurs micromètres, les considérations précédentes conduisent à préférer des vitesses d'attaque nota- blement supérieures à 50 nm/min. 7. Exemples Les exemples sont présentés sous forme de tableaux. La meilleure façon de caractériser l'invention est de considérer la variation du rapport entre la substance d'attaque effective prédominante et la substance de recom- binaison effective, et les exemples choisis pour le tableau correspondent donc à des opérations qui ont été accomplies dans le même appareil, et dans des conditions pratiquement identiques, en ne faisant varier que le rapport con- sidéré. Le tableau, qui est caractéristiques des systèmes à base d'halogène concerne l'attaque de silicium polycristallin (dans ce cas du silicium poly- cristallin dopé au phosphore pour avoir une résistivité de 5 x lO3-ocm) Dans tous les exemples, la couche de réserve est une substance positive du type Novolac, sensibilisée au diazide de quinone, disponible dans le commerce. Comme il a été indiqué, ces résultats ont été confirmés avec de nombreux autres systèmes, utilisant une grande variété d'autres systèmes de matière de réserve. Le système utilisé dans chacun des exemples du tableau est basé sur l'introduction de C2F6 - Cl2. Ce système est particulièrement intéressant dans la mesure o l'agent réactif est un simple mélange gazeux à deux compo- sants, avec un composant donnant la substance de recombinaison effective, et l'autre donnant la substance d'attaque effective principale. On peut obtenir aveco des résultats similaires, par exemple/CF3Cl + C2F6 mais la relation entre 3 l'agent réactif et les substances effectives est moins directe. Pour chaque exemple, les conditions de réaction sont les suivantes: puissance du plasma 400 W; pression: 0,35 torr; écartement entre les électrodes: 30 mm; tempé- rature du plateau: 250C (température de l'électrode inférieure, à la masse, qui fait fonction de support pour la matière à attaquer); débit: 175 cm3/min (débit"normalisé"à 250C). 1 3 Exemple Pourcentage de Cl2 Profil Vitesse d'attaque Sélectivité 1 O Anisotrope 2 1:5 2 7,5 Anisotrope 53 5,9:1 3 10 Anisotrope 60 6,7:1 4 12 Anisotrope 76 8,4:1 13,8 Anisotrope 80 8,9:1 6 19,4 Surgravure 124' 13, 8:1 latérale 7 25,9 Isotrope 170 19:1 * Rapport des vitesses d'attaque entre le silicium polycristallin et le dioxyde de silicium. * L'exemple 1 est destiné à illustrer le rapport extrême entre la substance de recombinaison et la substance d'attaque. Il ne correspond pas à un mode de réalisation préféré de l'invention du point de vue de la vitesse d'attaque et, dans ce cas, de la sélectivité. Outre les exemples portés-dans le tableau, on a effectué d'autres expériences dans les mêmes conditions, mais avec des proportions de chlore encore plus élevées. La tendance se poursuit, ce qui donne une attaque isotrope jusqu'à 90 % de Cl2, avec augmentation de la vitesse d'attaque comme de la sélectivité. Diverses expériences ont montré des effets similaires sur d'autres systèmes. Ainsi, par exemple, en faisant Ses quantités relatives de BCl3Ci2 on obtient la même tendance générale pour le profil. Bien qu'un rapport particulier ait donné une attaque anisotrope idéale pour un alliage riche. en aluminium, l'augmentation de la quantité de Cl2 a fait apparaître un comportement s'approchant de l'attaque isotrope. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au procédé et au dispositif décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. 1 4 REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication pourtun article comprenant au moins une opération au cours de laquelle l'article fabriqué comprend une surface de matière qui doit être attaquée dans des régions sélectives, l'article fabriqué étant recouvert, au cours de cette opération, par une couche de traitement munie d'ouver- tures qui correspondent à Ces régions; et dans lequel l'article est maintenu dans un environnement de plasma contenu dans un appareil; le plasma résulte de l'application d'un champ élec- trique entre deux électrodes séparées par un mélange gazeux; le plasma est défini par une puissance électrique et par une pression totale; l'attaque est due essentiellement à une réaction chimique avec la matière à attaquer; et l'attaque est suffisamment sélective pour enlever une épaisseur désirée sous la surface de l'article, tout en conservant à la couche de traitement une épaisseur suffisante pour éviter une attaque importante de la surface qui se trouve sous les parties de la couche de traite- :nt qui ne présentent pas d'ouvertures; caractérisé en ce que, pour permettre de définir la direction d'attaque, par exemple pour assurer des parois rectilignes et verticales, ledit mélange gazeux est présélectionné de façon à donner deux substances distinctes, chimiquement identifiables, et obtentues à partir dudit mélange gazeux, ledit mélange gazeux comprenant deux agents réactifs gazeux qui correspondent à une première substance effective désignée par substance d'attaque principal et à une seconde substance désigne par substance de recombinaison efu fective, cette dernière sc combinant avec la substance d'attaque effective principal à proximité de la couche de traitement, au niveau des ouverturesce qui diminue la vitesse d'attaque laté- rale par rapport à la vitesse d'attaque verticale de la surface qui est attaquée, ladite pression étant suffisante pour em- pacher une détérioration importante de la surface de l'article et le rapport des deux gaz réactionnels étant ajusté pour ob- tenir une attaque anisotropique sensiblement idéale. 2. Procédé selon la revendication l, caractérisé en ce que la pression est au moins d'environ 0,1 torr, et la vitesse d'attaque dans une direction normale à la surface de l'article est d'au moins de 30 nm/min, et est de préférence d'au moins wn/min. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendicationsl ou 2, caractérisé en ce que la puissance ne dépasse pas environ 3W/cm3, et a de préférence une valeur maximale de 1 W/cm3 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la surface de l'article est la sur- face d'une couche supportée et l'attaque est poursuivie pendant une durée suffisante pour traverser cette couche. 5. Procédé selon-l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche de traitement consiste en un polymère organique. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que le polymère organique consiste en une matière de réserve photographique, sensible aux radiations actiniques, dans laquelle- on a formé un motif défini par les ouvertures. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la surface de l'article est en silicium élémentaire. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé er ce que la surface de'l'article est polycristalline. S. Procédé selon l'une qulconque des rc2I:dica1 on 1 à 8, caractérisé. en ce que la substanqe de recombinaison ef- fective comprend un composé halogène-carbone. 10. Frocédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le composé halogène-carbone est un composé fluor-carbone. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que la.substance d'attaque effective principale est obtenue pacrtir dém halogene. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérl-i en ce que l'halogène est Cu chlore. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que le mélange gazeux comprend un halo- génure d'un composé fluor-carbone. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'halogénure est du CF3C1. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que le mélange gazeux comprend un agent réactif qui contient un halogène, et un composé fluor-carbone chimiquement distinct. 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que l'agent réactif contenant un halogène est du chlore di- 1l atomique. 17. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que le composé fluor-carbone est C2F6. 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 17, caractérisé en ce que le pourcentage de chlore, en volume, exprimé en chlore atomique, est compris 5% et 14%, par rapport i la quantité atomique totale de CI et de C. 19. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la surface de l'article est une couche de matière riche en aluminium, et le mélange gazeux comprend un agent réactif contenant un halogène, et un halogénure de bore, chimiquement distinct. o 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que l'agent réactif contenant un halogène est du chlore diatomique, et l'halogénure de bore est du BC13. 21. Procédé selon l'une quelconque des revendications i à 6, caractérisé en ce que le mélange gazeux comprend des substances chimiques distinctes, dont l'une au moins donne un halogénure comme substance d'attaque effective principale, et dont l'une au moins donne une substance de recombinaison effective, le rapport entre ces substances ayant une valeur qui donne un profil d'attaque qui s'écarte de l'isotropie, au moins dans la mesure dans laquelle la vitesse d'attaque parallèlement à la surface de l'article diffère de 10% par rapport à l vitesse d'attaque dans la direction normale à la surface de l'article. 22. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que ce rapport a une valeur telle que l'attaque est pratiquement une attaque anisotrope idéale.