FR 2460205 A1 19810123 FR 7917220 A 19790703 La présente invention, due à Vyacheslav Vasilievich PETROV et Andrei Andreevich KRJUCHIN, concerne les moyens d'enregistrement de l'information ou, plus exactement, les matériaux sensibles aux radiations et les procédés d'enregistrement de l'information sur ces matériaux. Par matériau sensible aux radiations on entend ici, comme par la suite, un matériau qui soit sensible aux radiations électromagnétique et corpusculaire. Le matériau et le procédé proposés peuvent être utilisés pour l'enregistrement de l'information binaire dans les mémoires du matériel de calcul électronique, dans l'appareillage d'enregistrement vidéo, dans les appareils d'enregistrement lasers ainsi que dans les autres appareils d'enregistrement d'information. Les procédés d'enregistrement de l'information au moyen des radiations électromagnétique et corpusculaire sont bien connus. Parmi les matériaux aptes à la réalisation de ces procédés on connalat un matériau (voir le brevet d'invention des Etats-Unis d'Amérique n0 3 637 381) comportant une couche de métal avec, dessus, une couche de substance inorganique pouvant former, sous l'effet d'une radiation actinique électromagnétique, des produits d'interaction avec la couche de métal, ces produits ayant des propriétés physiques et chimiques se distinguant de celles de la couche de métal et de la couche de substance inorganique. En ce cas on assiste à une attaque de la surface de la couche de métal. L'enregistrement de l'information sur ce matériau s'effectue par exposition à la radiation actinique pendant un temps suffisant pour que la réaction se déroule complètement. La quantité du produit de la réaction dans ce procédé est proportionnelle au temps d'irradiation et à l'intensité de celle-ci. Le matériau décrit est caractérisé par une faible stabilité des propriétés chimiques due à l'interaction partiellement continue de la couche de substance inorganique avec la couche de métal en l'absence de toute action extérieure si la couche de substance inorganique est une couche de semi-conducteur avec une largeur de bande interdite de plus de 2 eV c'est-à-dire d'un semiconducteur justement tel qu'il puisse assurer une grande sensibilité du matériau et une large gamme de sensibilité spectrale. En outre ce matériau intègre la radiation agissant sur lui et correspondant au domaine d'absorption propre de la couche de substance inorgnni- que.Lesdites particularités du matériau ci-dessus décrit le rendent peu apte à être utilisé comme porteur d'information dans les dispositifs où l'enregistrement et la lecture de l'information se font par radiation électromagnétique ou corpusculaire, à cause de sa faible fiabilité de stockage de l'information et de sa faible véracité de lecture des informations. Le nombre de lectures, pouvant être effectuées à partir du porteur d'information fabriqué à base d'un tel matériau sensible aux radiations électromagnétique et corpusculaire, est également limité et, lors de la lecture, on est obligé d'utiliser une radiation dont la densité de puissance est sensiblement inférieure à celle de radiation d'enregistrement ce qui entratne une réduction de rapport signal/bruit lors de la reproduction des informations. On connaît un procédé d'enregistrement de l'information par radiation électromagnétique sur un matériau sensible aux radiations (voir le brevet Japon n0 49-81 036). Ce procédé est caractérisé par l'amenée d'énergie thermique sur le matériau sensible aux radiations après avoir exposé celui-ci à la radiation électromagnétique. On connaît également un matériau permettant de réaliser le procédé décrit ci-dessus (voir idem), comprenant une couche de métal, réalisée en argent, ou én cuivre, ou en nickel, ou en thallium, une couche de substance inorganique, réalisée en chalcogénide d'antimoine, ou en chalcogénide de bismuth, ou en chalcogénide d'arsenic, et une couche de séparation, disposée entre lesdites couches et réalisée en matériau inerte par rapport à ces couches. En règle générale on applique la couche de métal sur un support perméable à la radiation agissante.Sur la couche de métal sont déposées successivement une couche de séparation et une couche de substance inorganique apte, sous l'action d'une radiation actinique, à entrer en interaction avec la couche de métal en donnant des produits d'interaction ayant des propriétés physiques et chimiques qui diffèrent de celles de la couche de métal et de la couche de substance inorganique. Les matériaux typiques de la couche de métal sont les suivants : argent,cuivre, étain, nickel, tellure, gallium, aluminium, bismuth, or, cadmium, chrome. Les matériaux de la couche de substance inorganique sont halogénures, bioxydes, arséniures, séléniures, tellurures, systèmes binaires et ternaires des verres de chalcogénide d'arsenic, d'antimoine, de bismuth. La couche de séparation dudit matériau sensible aux radiations est réalisée en matières inorganiques, en trisulfure d'arsenic par exemple. Le matériau sensible aux radiations décrit possède une grande stabilité de ses propriétés chimiques lors d'un stockage prolongé du fait que la couche de métal se trouve en contact avec le semiconducteur à bande interdite de faible largeur. Nais cette grande stabilité des propriétés chimiques n'est possible qu'en cas d'absence d'action de radiation actinique sur ce matériau.Dans le cas contraire, c'est-à-dire en cas de radiation actinique même de faible intensité, on observe des modifications structurales du matériau sensible aux radiations décrit ci-dessus, voilant l'information utile ce qui entraîne un abaissement de la fiabilité de stockage des informations, ainsi que la nécessité de diminuer la densité de puissance de radiation, lors de la lecture de l'information, de plusieurs ordres par rapport avec la densité de puissance de radiation lors de l'enregistrement ce qui abaisse la véracité de la lecture des informations. Il est naturel que ces particularités du matériau décrit engendrent certaines difficultés lors de son utilisation comme porteur d'information. De plus, la nécessité d'un traitement thermique entraine des dépenses supplémentaires d'énergie. L'invention vise à mettre au point un matériau sensible aux radiations et un procédé d'enregistrement d'information sur le matériau sensible aux radiations, tels qu'ils puissent assurer l'augmentation de la fiabilité de stockage et de lecture de l'information enregistrée ainsi qu'une diminution des dépenses d'énergie lors de l'enregistrement par le perfectionnement de la structure du matériau sensible aux radiations et le perfectionnement du régime d'enregistrement. Le problème posé par le matériau sensible aux radiations, comportant une couche de métal réalisée en argent, ou en cuivre, ou en thallium, une couche de substance inorganique réalisée en chalcogénide d'arsenic, ou en chalcogénide d'antimoine, ou en chalcogénide de bismuth et une couche de séparation disposée entre la couche de métal et la couche de substance inorganique et réalisée en matériau inerte par rapport à ces couches, est résolu en ce que, suivant l'invention, la couche de séparation est d'une épaisseur suffisante pour prévenir l'interaction de la couche de métal avec la couche de substance inorganique lors de l'action, sur le matériau sensible aux radiations, de radiations électromagnétique ou corpusculaire à densité d'énergie inférieure à la valeur-seuil nécessaire à la destruction de la couche de séparation dans la zone d'irradiation. Une telle réalisation de la couche de séparation dans le matériau sensible aux radiations destiné à 1' enregistrement de l'information binaire augmente la fiabilité de stockage de l'information enregistrée, celle-ci n'étant pas voilée par la radiation ambiante, la couche de séparation formant une "barrière" que l'on ne peut détruire que-par des impulsions d'une assez puissante énergie. Il est rationnel de réaliser la couche de séparation o d'une épaisseur de 50 à 300 A en As, ou en Sb, ou en Si, ou en Ge, ou en oxydes de ceux-ci, ou en oxydes de métaux tels que AI, Ti, V, Fe ou en pellicules de polyorganosiloxane. Il est possible de réaliser un matériau sensible aux radiations dans lequel la couche de séparation soit d'une épaisseur o de 20 à 1000 A et comporte un métal du secohd sous-groupe du troisième groupe, ou en métal du second sous-groupe du quatrième groupe ou un métal du second sous-groupe du cinquième groupe, ou un métal du second sous-groupe du sixième groupe de la classification périodique des éléments, ou un platinoSde ou du bismuth. Le problème posé est également résolu en ce que, dans le procédé d'enregistrement d'information sur le matériau sensible aux radiations, comportant une couche de métal, une couche de substance inorganique et, entreles deux, une couche de séparation, procédé comprenant l'irradiation du matériau par radiation actinique, suivant l'invention, on pratique l'irradiation par impulsions d'une radiation électromagnétique ou corpusculaire d'une durée de 10 a s 8 s avec une densité d'énergie dans la zone d'irradiation d'au moins 5,10'2 2 J/cm2, excitant dans la zone d'irradiation du matériau sensible aux radiations une différence de potentiel entre la couche de métal et la couche de matériau inorganique, nécessaire à la perforation électrique de la couche de séparation dans cette zone. L'enregistrement de l'information par perforation électrique de la couche de séparation permet d'utiliser, comme supports d'information, des matériaux sensibles aux radiations tels que leur couche de séparation ait une épaisseur suffisante pour prévenir l'interaction des couches extérieures ce qui exclue l'altération des informations lors de leur stockage prolongé en cas d'action de la radiation actinique sur le matériau, radiation dont la densité de puissance est inférieure à la valeur-seuil nécessaire à la destruction locale de la couche de séparation, c'est-à-dire de la radiation ambiante. L'enregistrement des informations à l'aide de ces impulsions est rapide et sûr et permet de reproduire les informations avec une grande véracité. Un stockage prolongé de l'information enregistrée par ces impulsions est également possible si une radiation actinique d'une densité de puissance inférieure à 5.10 4 W/cm2 agit sur le support de ces informations. Le matériau sensible aux radiations et le procédé d'enregistrement d'informations sur matériau sensible aux radiations proposés assurent une augmentation de la fiabilité du stockage des informations enregistrées. La solution technique proposée augmente la véracité de la lecture de ces informations. L'utilisation de l'invention permet également de réduire les dépenses d'énergie en cours d'enregistrement d'informations. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de plusieurs exemples de sa réalisation. Dans les exemples de réalisation de l'invention décrits ci-dessous, on a enregistré l'information binaire sur les matériaux sensibles aux radiations à l'aide d'impulsions de radiation électromagnétique. Le matériau sensible aux radiations a été appliqué sur un support transparent. Pour la réalisation du procédé proposé d'enregistrement d'informations, on a utilisé un matériau comprenant un support, une couche de métal, une couche de séparation et une couche de substance inorganique. L'ordre des couches dans le matériau peut être modifié de façon suivante : le support peut être en contact avec la couche de substance inorganique. En tant que support, on peut utiliser le verre, le quartz, les plaques de métal polies, les pellicules souples en matière organique. La couche de métal peut être réalisée en nickel, argent, cuivre, thallium, assurant une grande sensibilité au matériau sensible aux radiations. L'épaisseur de la couche de métal est prise dans les limites de 400 à 10 000 A pour avoir un matériau à grande sensibilité. En tant que matière pour la couche de substance inorganique on peut utiliser des composés et alliages types As-S, As-Se, As-S-Se, Sb-S, Sb-Se, Sb-S-Se, 3i-S, Bi-Se, BivS-Se et d'autres matériaux similaires. L'épaisseur de lacouchede substance o inorganique est prise dans les limites de 100 et 5 000 A pour avoir un matériau sensible aux radiations d'une grande sensibilité. Lors de l'irradiation du matériau sensible aux radiations de type susindiqué par radiation actinique (électromagnétique ou corpusculaire), il se forme dans la couche de substance inorganique et dans la couche de métal une charge volumique entraînant l'apparition d'une différence de potentiel entre les couches susindiquées. Dans le cas d'une durée d'impulsion d'enregistrement de 10 6 à 10 8 s, la relaxation dé la charge à partir de la zone d'irradiation n'a pas lieu et la charge s'accumulant dans le matériau provoque en fin de compte une destruction locale de la couche de séparation par suite de sa perforation électrique dans la zone -d'irradiation. La destruction de la couche de séparation crée les conditions nécessaires à l'interaction entre la couche de métal et la couche de substance inorganique, entraînant la formation d'un produit d'interaction ayant des propriétés physiques et chimiques se distinguant de celles de la couche de métal et de la couche de substance inorganique. En résultat il y a une modification du coefficient de réflexion de la partie irradiée du matériau. La différence dans les coefficients de réflexion des parties irradiées et non irradiées du matériau permet de réaliser 11 enregistrement de l'information binaire sur un matériau de type indiqué par le procédé ci-dessus décrit. L'épaisseur de la couche de séparation a une notable influence sur les caractéristiques du matériau sensible aux radiations électromagnétique et corpusculaire et permet, pour une certaine valeur d'épaisseur de cette couche de séparation, d'avoir un matériau avec des caractéristiques qualitativement nouvelles. Lorsque la couche de séparation a une faible épaisseur (jusqu'à 20 dans le cas des métaux et jusqu'à 50 A dans le cas des diélectriques et Bs, Sb, Si, Ge), on observe, sous l'effet de la radiation, une diffusion du métal de la couche de métal à travers la couche de séparation vers la couche de substance inorganiquee Ce processus a un caractère d'intégration c'est-à-dire que les modifications provoquées par les impulsions lumineuses de faible intensité s'accumulent dans le matériau.Lors de la formation d'une couche de séparation continue, l'effet de sensibilité de tels matériaux n'est pas lié avec la lente diffusion du métal à travers la couche de séparation sous l'effet de la radiation actinique mais il est déterminé par la destruction de la couche de séparation à cause de l'apparition de la charge volumique et de la perforation électrique que celle-ci entralne dans la zone de focalisation de la radiation. L'augmentation de l'épaisseur de la couche de séparation (au-delà de 100 , lorsqufelle est réalisée en métal, et au-deld de o 300 A lorsqu'elle est réalisée en oxydes de métaux, en pellicules de polyorganosiloxane (qui peuvent être réalisées en polyméthyl- siloxane, polyéthylsiloxane, polyhexaéthyldisiloxane), en As, Sb, Si, Ge provoque une diminution de la sensibilité. Cette diminution de i nnsfjilité dt .térrau entraîne une auentat-on nécessaire de l'énergie des impulsions d'enregistrement, ce qui mène à la destruction thermique du ma-seri2u sensible aux radiations. xemtl#1 Le matériau sensible aux radiations comprend un support 3 3mm d'épaisseur en verre poli à chaud avec, disposées successi ventent, une couche de substance inorganique d'une épaisseur de o 300 A en chalcogénide d#arsenic As2S2 (alliage), une couche de séparation de 50 A d'épaisseur, réalisée en protoxyde de germanium o GeO et une couche de métal de 3 000 A d'épaisseur, réalisée en argent.Le matériau sensible aux radiations a été réalisé de la façon suivante : sur le support préalablement nettoyé on a successivement déposé, par la méthode d'évaporation thermique à une pression de 2.10 5 mm Hg, une couche de #substance inorganique, une couche de séparation et puis une couche de métal. La densité d'énergie nécessaire à l'enregistrement de l'unité binaire sur le matériau cité était if# 5.10#2 à 10 1 J/cm2 pour une durée d'impulsion de radiation actinique de 10 6 à 10 8 s. Lors de l'enregistrement il se produit une modification du coefficient de réflexion du matériau de N 40% à IV 8% pour un rayonnement du laser à argon. En cas d'irradiation prolongée (200 à 300 heures) du matériau ci-dessus-décrit par la radiation actinique à densité de puissance inférieure à 5.10 4 W/cm on n'observe pas de modification de ses caractéristiques et d'altération des informations enregistrées. Le matériau sensible aux radiations qui vient d'être décrit a été utilisé pour l'enregistrement des signaux binaires. Les images enregistrées sur un tel matériau sensible aux radiations présentent une suite de domaines à coefficient de rénexion non modifié et de domaines à coefficient de réflexion modifié, suite correspondant au code binaire des informations à enregistrer. L'enregistrement sur le matériau s'est effectué à l'aide d'impul sions sions de courte durée (lo -6 s)-d'un rayonnement focalisé de laser à l'argon. La foealisation du rayonnement de laser s'est effectuée à travers le support transparent. Le diamètre des points enregistrés sur le matériau était de 1,5 à 2 pm avec une distance entre leurs centres de 3,5 à 4 pm. L'information enregistrée sur ce matériau sensible aux radiations a été lue à multiples reprises par une radiation à densité de-puissance inférieure à 5.10 -4 W/cm2. Pratiquement, on peut avoir un nombre illimité de lectures. Exemple 2. Le matériau sensible aux radiations comprend un support en verre poli à chaud de 3 mu d'épaisseur avec, disposées o successivement, une couche de substance inorganique de 500 A d'épaisseur, réalisée en composé As2Se3, une couche de séparation o de 300 A d'épaisseur, réalisée en protoxyde de silicium SiO, et o une couche de métal de 2 500 A d'épaisseur, réalisée en cuivre. Le matériau sensible aux radiations a été préparé suivant le meme procédé que dans l'exemple 1. La densité d'énergie nécessaire à l'enregistrement de l'unité binaire sur le matériau ci-dessus est de 10-1 J/cm2 en cas d'irradiation par impulsions de radiations actiniques d'une durée de à à lO-8 s. Lors de l'enregistrement on observe une modification du coefficient de réflexion allant de U 40% à ev 10% pour le rayonnement du laser à l'argon. Lors d'une irradiation prolongée (200 à 300 heures) du matériau par des radiations actiniques à densité de puissance inférieure à 10 3 W/cm2, il n'y a pas de modifications de ses caractéristiques ni d'altérations des informations enregistrées sur ce matériau. Le matériau sensible aux radiations ci-dessus décrit a été utilisé pour l'enregistrement des signaux binaires. L'enregistrement sur le matériau a été effectué à l'aide d'impulsions de courte durée (10-8 s) de rayonnement focalisé du laser à travers le support transparent. Les informations enregistrées sur le matériau sous forme de points à coefficient de réflexion modifié d'un diamètre de 1,5 à 2 pm et une distance entre leurs centres de 3,5 à 4 pm ont été également lues à multiples reprises par une radiation d'une densité de puissance inférieure à 10 3 W/cm2. Le nombre de lectures est illimité. Exemple 3. Le matériau sensible aux radiations se compose d'un support réalisé en verre poli à chaud de 5 mm d'épaisseur avec, disposées successivement, une couche de métal d'une épaisseur de o 4000 A, réalisée en argent, une couche de séparation d'une épaisseur de 50 A, réalisée en germanium, et une couche de substance inorganique d'une épaisseur de 300 A, réalisée en composé As2S3. Le matériau sensible aux radiations a été préparé de la façon suivante : sur le support, préalablement nettoyé, on a déposé, par évaporation thermique sous une pression de 2.10 -5 mm une couche de métal puis, par évaporation en faisceau électronique, une couche de séparation et ensuite, par évaporation thermique sous une pression de 2.10## 5 mm Hg, une couche de substance inorganique. Le matériau sensible aux radiations décrit ci-dessus présente les mêmes caractéristiques au point de vue sensibilité que le matériau décrit dans l'exemple 1. L'enregistrement des informations sur le matériau est effectué de même façon que dans l'exemple 2. Exemple 4. Le matériau sensible aux radiations comprend un support réalisé en verre poli d'une épaisseur de 3 mu avec, disposées dessus successivement, une couche de substance inorganique réalisée en composé As2Se3, d'une épaisseur de 400 A, une couche de séparation d'une épaisseur de 280 A, réalisée en arsenic et une couche de métal métal d'une épaisseur de 3000 A en argent. Le matériau sensible aux radiations a été préparé de meme façon que le matériau dans l'esem- ple 1. Le matériau donné présente les mimes caractéristiques au point de vue sensibilité que le matériau dans l'exemple 1. L'enregistrement de l'information sur le matériau a été effectué de même façon que dans l'exemple 2. Exemples 5-10. Les matériaux sensibles aux radiations ont été préparés de même manière que dans l'exemple 2. Les données sur la composition et l'épaisseur des couches appliquées sur un support de 5 mu d'épaisseur, réalisé en verre poli, sont regroupées dans le tableau 1 où sont présentés les résultats d'essai de ces matériaux sensibles aux radiations. (voir tableau 1 page suivante) TABLEAU 1 Composition et épaisseur Durée Sensi- Coefficient Dimensions des couches de matériau d'impul- bilité de réfle- des sensible aux radiations sensible xion points sions J/cm2 avant après enre Couche Couche Couche d'irra- irra- après gistrés, de sub- de de stance sépa- métal diation, dia- dia stance sépa- métal diation, tion, tion, Irm inorga- ration Irm m nique o . As2Se3- Si0-70 A Tl-2000 A 10-6-10-8 5.10 2 40 5 1,2-1,5 o 300 A SbSSe3- 400 As2O3-50 Ni-4000 10-6-10-8 5.10-2 35 4 1,2-1,5 As2S3 300 Sb0-60 Ag-3000 10-6-10-8 5.10 2 42 6 1,2-1,5 Bi2S3 300 Sb-200 T1-2000 10-7-10-8 10-1 40 4 1,2-1,5 Bi 350 Sb-100 Cu-3000 10-7-10-8 5.10-2 32 3 1,2-1,5 As2Se2 o o o 400 A Sb-250 A Cu-2000 A 10-7-10-8 10-1 40 4 1,2-1,5 Exemple 11. Le matériau sensible aux radiations comprend un support réalisé en verre poli d'une épaisseur de 3 mm avec, disposées dessus successivement, une couche de substance inorganique réalisée en o AS2Se3 d'une épaisseur de 800 A, une couche de séparation d'une o épaisseur de 250 A en bioxyde de titane et une couche de métal o réalisée en cuivre d'une épaisseur de 3000 A. Le matériau sensible aux radiations a été réalisé de la façon suivante : sur un support préalablement nettoyé on a successi vement déposé, par la méthode d'évaporation thermique à une pression de 2.10 5 mm Hg, une couche de substance inorganique et puis, par évaporation en faisceau électronique, une couche de séparation en faisceau électronique,une couche de séparation et une couche de métal. L'enregistrement des informations sur le matériau est effectué de même façon que dans l'exemple 2. Le matériau donné présente les memes caractéristiques au point de vue sensibilité que le matériau dans l'exemple 1. Exemples 12-16. Les matériaux sensibles aux radiations ont été préparés de même façon que dans l'exemple 11. Les données sur la composition et l'épaisseur des couches déposées sur un support en verre poli d'une épaisseur de 3 mu sont regroupées dans le tableau 2 où sont présentés les résultats d'essai de ces matériaux sensibles aux radiations. (voir tableau 2 page suivante) TABLEAU 2 Composition et épaisseur Durée Sensi- Coefficient Dimensions des couches de matériau d'impul- bilité de réfle- des sensible aux radiations 2 impul- bilité xion points sions J/cm enre Couche Couche Couche d'irra- avant après gistrés, de sub- de de irra- irra- stance sépara- métal diation, dia- diainorga- tion tion, tion, nique s AsS2300 A A1203-60 A Cu-2000A 10-6-10-8 5.10-2 35 5 1,2-1,5 As 2Se3 - 500 A Al202-270A0 Tl-2000A0 10-7- 10-1 40 4 1,2-1,5 Sb2Se3 o o 400 A V205-100 A Ag-3000 10 10-7-10-8 5.10-238 3 1,2-1,5 Bi2ss3- o o 400 A Fe2-03-îOOA Ag-3000 10-6-10-8 6.10-2 40 1,2-1,5 As 2Se3 - o 300 A Ti02-60 A Ag-3000A 10-6-10-8 5.10-2 42 5 1,2-1,5 Exemple 17. Le matériau sensible aux radiations comprend un support réalisé en verre poli à chaud d'une épaisseur de 5 mm avec, disposées successivement, une couche de métal réalisée en argent, d'une épaisseur de 3000 A, une couche de séparation, réalisée en c méthylpolysiloxane, d'une épaisseur de 100 A et une couche de substance inorganique, réalisée en alliage AsS0,5 Se1,5, d'une o épaisseur de 400 A. Le matériau sensible aux radiations a été préparé de la façon suivante : sur le support préalablement nettoyé on a appliqué, par évaporation thermique sous une pression de 2.10 -5 mm. Hg, une couche de métal, puis décomposition dans la décharge luminescente à une pression de 10 -2 mm Hg, on a déposé une couche de séparation, ensuite, par évaporation thermique sous une pression de 2.1 5 mm Hg, on a déposé une couche de substance inorganique. Le matériau décrit ci-dessus a les mêmes caractéristiques au point de vue sensibilité que le matériau décrit dans l'exemple 1. Le matériau ci-dessus décrit a été utilisé pour 1' enregis- trement des signaux binaires. L'enregistrement sur le matériau a été effectué à l'aide d'imtulsions de courtes durées (10 7 à 10 8 s du rayonnement actinique focalisé du laser du c#té de la couche de substance inorganique. les informations enregistrées sur ce matériau sous forme de points à coefficient de réflexion modifié d'un diamètre de 1,2 à 1,5 pm avec une distance entre leurs centres de 3,5 à 4 pm peuvent être lues un nombre illimité de fois par une radiation ayant une densité de puissance inférieure à 10 -3 W/cm2. Exemple 18. Le matériau sensible aux radiations conprend un support réalisé en verre poli d'une épaisseur de 5 mu avec, disposées dessus successivement, une couche de métal réalisée en cuivre, d'une épaisseur de 3000 A, une couche de séparation d'une o épaisseur de 250 A, réalisée en polyméthylsiloxane, et une couche de substance inorganique d'une épaisseur de 500 A, réalisée en composé As2Se3. -Le matériau sensible aux radiations a été préparé de la même façon que le matériau dans l'exemple 17. Le matériau donné présente les mêmes caractéristiques au point de vue sensibilité que le matériau dans l'exemple 2. L'enregistrement de l'information sur le matériau a été effectué de la même façon que dans l'exemple 17. Exemple 19. le matériau sensible aux radiations comprend un support d'une épaisseur de 10 mm, réalisé en quartz poli avec, disposées o successivement, une couche de métal d'une épaisseur de 3000 A, réalisée en argent, une couche de séparation d'une épaisseur de o 20 A, réalisée en molybdène, et une couche de substance inorganique d'une épaisseur de 400 A, réalisée en composé As2 S3. Le matériau sensible aux radiations a été préparé de la façon suivante : sur le support, préalablement nettoyé, on a déposé par évaporation thermique sous une pression de 2.10 -5 mu Hg une couche de métal, puis, par pulvérisation à plasma ionique, une couche de séparation et ensuite, par évaporation thermique sous une pression de 2.10-5 mm Hg, une couche de substance inorganique. Le matériau sensible aux radiations décrit ci-dessus présente les mêmes caractéristiques au point de vue sensibilité que le matériau décrit dans l'exemple 1. L'enregistrement sur le matériau sensible aux radiations est effectué de même façon que dans l'exemple 2. Exem#e 20. le matériau sensible aux radiations comprend un support réalisé en verre poli d'une épaisseur de 5 mm avec, disposées successivement, une couche de métal, réalisée en cuivre, d'une épaisseur de 2500 i, une couche de séparation d'une épaisseur de o 100 A réalisée en molybdène, une couche de substance inorganique o d'une épaisseur de 500 A, réalisée en alliage de AsS0,55e1 5. Ce matériau sensible aux radiations a été préparé de façon identique à celle décrite dans l'exemple 19. le matériau sensible aux radiations décrit ci-dessus présente les mêmes caractéristiques au point de vue sensibilité que le matériau décrit dans l'exemple 2. Le matériau sensible aux radiations décrit ci-dessus a été utilisé pour 1' enregistrement des signaux binaires. L'enregiatrement sur le matériau a été effectué à l'aide d'impulsions de courtes durées (10 -7 à 10 -8 s) d'un rayonnement focalisé du laser du côté de la couche de substance inorganique. Les informations enregistrées sur le matériau sous forme de points à coefficient de réflexion modifié d'un diamètre de 1,2 à 1,5 pm avec des distances entre leurs centres de 3,5 à 4 iim peuvent être lues un nombre illimité de fois en utilisant une radiation à densité de puissance inférieure à 10~3 W/cm2. Exemple 21. Le matériau sensible aux radiations comprend un support réalisé en verre poli d'une épaisseur de 5 mm avec, disposées dessus successivement, une couche de métal, réalisée en cuivre, d'une o épaisseur de 2000 A, une couche de séparation d'une. épaisseur de o 60 A, réalisée en vanadium, et une couche de substance inorganique o réalisée en composé As 25e3 d'une épaisseur de 400 A. Le matériau sensible aux radiations a été préparé suivant le même procédé que dans l'exemple 19. le matériau donné présente les mêmes caractéristiques au point de vue sensibilité que le matériau décrit dans l'exemple 2. L'enregistrement de l'information sur le matériau a été effet tué de la même façon que dans 1' exemple 2. Exemple 22. Le matériau sensible aux radiations comprend un support réalisé en quartz poli d'une épaisseur de 10 mm avec, disposées dessus successivement, une couche de métal d'une épaisseur de 3000 A, réalisée en cuivre, une couche de séparation d'une o épaisseur de 300 A, réalisée en titane, et une couche de substance inorganique, réalisée en alliage AsS0,5Se1,5, d'une épaisseur de 300 A. Le matériau sensible aux radiations a été préparé de la même façon que le matériau dans l'exemple 19. Le matériau donné présente les mêmes caractéristiques au point de vue sensibilité que le matériau dans l'exemple 2. L'enregistrement de l'information sur le matériau a été effectué de la même façon que dans l'exemple 2. Exemple 23. le matériau sensible aux radiations comprend un support réalisé en verre poli d'une épaisseur de 3 mu avec, disposées dessus successivement, une couche de substance inorganique réalisée en o composé As2Se3, d'une épaisseur de 300 A, une couche de séparation o d'une épaisseur de 30 A, réalisée en yttrium, et une couche de métal d'une épaisseur de 3000 A, réalisée en argent. Le matériau sensible aux radiations a été préparé de la même façon que le matériau dans l'exemple 11. Le matériau donné présente les memes caractéristiques au point de vue sensibilité que le matériau dans l'exemple 2. L'enregistrement de l'information sur le matériau a été effectué de la même façon que dans l'exemple 2. Exemple 24. Le matériau sensible aux radiations comprend un support réalisé en verre poli d'une épaisseur de 3 mu avec, disposées dessus successivement, une couche de substance inorganique, réalisée en composé As2Se3, d'une épaisseur de 500 A, une couche de séparation d'une épaisseur de 100 A, réalisée en bismuth, et une couche de o métal d'une épaisseur de 4000 A, réalisée en cuivre. Le matériau sensible aux radiations a été préparé de la même façon que dans l'exemple 1. Le matériau donné présente les memes caractéristiques au point de vue sensibilité que le matériau décrit dans l'exemple 2. L'enregistrement de l'information sur le matériau a été effectué de la même façon que dans l'exemple 1. Exemples 25-32. - Les matériaux sensibles aux radiations ont été préparés de la même façon que dans l'exemple 11. Les données sur la composition et l'épaisseur des couches déposées sur un support en verre poli d'une épaisseur de 3 mm sont regroupées dans le tableau 2 où sont présentés les résultats d'essai de ces matériaux sensibles aux radiations. (voir tableau 3 page suivante) TABLEAU 3 Composition et épaisseur Durée Sensi- Coefficient Dimensions des couches de matériau de réfle- des d'impul- bilité sensible aux radiations xion points sions J/cm enre Couche Couche Couche d'irra- avant après gistrés, de sub- de de d'irra- irra- irra- stance sépara- métal diation, dia- diainorga- tion s tion, tion, nique s AsSe2 o o o 400 A V-30 A Ni-2000A 10-6-10-8 5.10-2 42 4 1,2-1,5 BI2S3- 500 Ti-80 Ag-3000 10-7-10-8 32 3 1,2-1,5 As S 23 o o 300 A 7-90 A Cu-3000A 10-7-10-8 10-1 35 5 1,2-1,5 Sb2Se3- 350 A Pt-20 A Cu-3000A 10-6-10-8 5.10-2 40 5 1,2-1,5 Bi2Se3- o o 400 A Pt-90 A Ag-2000A 10-7-10-8 10-1 354 1,2-1,5 AsSe2 o 300 A Rh-30 A Tl-4000A0 10-6-10-8 8 5.10-2 35 4 1,2-1,5 Sb2S3 o o o 300 A Rh-100 A Cu-2000A 10-7-10-8 10-1 42 5 1,2-1,5 Le matériau sensible aux radiations proposé et le procédé d'enregistrement des informations sur ce matériau assurent une grande fiabilité d'enregistrement et de lecture d'informations, une protection contre la radiation ambiante à une densité de puissance inférieure à 5.10 4 W/cm2, de faibles dépenses énergétiques lors de l'enregistrement d'infoemations ce qui permet de l'utiliser efficacement dan les dispositifs d'enregistrement optiques pour l'enregistrement de l'information binaire. Comme il va de soi et comme il résulte d'ailleurs déjà de ce qui pr#'cède,l'invention ne se limite nullement à celui de ses modes d'application, non plus qu'à ceux des modes de réalisation de ses diverses parties, ayant été pluspalticulièrement envisagés elle en embrasse, au contraire, toutes les variantes. REVENDICATIONS 1. Matériau sensible aux radiations, comprenant une couche de métal réalisée enargent, ouencuivre, ou en nickel, ou en thallium, une couche de substance inorganique réalisée en chalcogénide d'arsenic, ou en chalcogénide d'antimoine, ou en chalcogénide de bismuth, et une couche de séparation disposée entre la couche de métal et la couche de substance inorganique et réalisée en matériau inerte par rapport à ces couches, caractérisé par le fait que la couche de séparation a une épaisseur suffisante pour prévenir l'interaction de la couche de métal avec la couche de substance inorganique lors de l'action, sur le matériau sensible aux radiations, des radiations électromagnétique ou corpusculaire dont la densité de puissance est inférieure à la valeur-seuil nécessaire à la destruction de la couche de séparation dans la zone d'irradiation. 2. Matériau sensible aux radiations suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que la couche de séparation a o une épaisseur de 50 à 300 A et est réalisée en As, ou en Sb, ou en Si, ou en Ge ou en leurs oxydes ou en oxydes des métaux AI, Ti, V, Fe ou en pellicules de polyorganosiloxane. 3. Matériau sensible aux radiations suivant la revendication 2 , caractérisé par le fait que la couche de séparation a une o épaisseur de 20 à 100 A et est réalisée en métal du second sousgroupe du troisième groupe, ou en métal du second sous-groupe du quatrième groupe, ou en métal du second sous-groupe du cinquième groupe, ou en métal du second sous-groupe du sixième groupe de la classification périodique des éléments ou en platinoide ou en bismuth. 4. Procédé d'enregistrement d'information sur matériau sensible aux radiations comprenant une couche de métal, une couche de substance inorganique et, entre les deux, une couche de substance inorganique, procédé comportant l'irradiation du matériau par radiation actinique, caractérisé par le fait que l'on effectue l'irradiation à l'aide d'impulsions de radiations électromagnétique ou corpusculaire d'une durée de 10 à 10 s avec une densité d'énergie dans la zone d'irradiation d'au moins 5.10 2 J/cm2, impulsions excitant dans la zone d'irradiation du matériau sensible aux radiations une différence de potentiel entre la couche de métal et la couche de substance inorganique, différence nécessaire à la perforation électrique de la couche de séparation dans cette zone.