FR 2475068 A1 19810807 FR 8002238 A 19800201 La présente invention concerne un procédé de dopage de semiconducteurs. On sait que le dopage d'un semiconducteur consiste à faire pénétrer ou implanter des particules étrangères, ou impuretés dans un substrat constitué du semiconducteur à doper, et à rendre ces impuretés électriquement actives. L'adjonction d'impuretés dans un semiconducteur permet de modifier les proprié- tés physiques de celui-ci et, notamment, ses propriétés électriques. On connaît plusieurs procédés de dopage des semiconducteurs comme, par exemple, l'implantation ionique, la diffusion, la croissance épitaxiale, la technique d'alliage, etc... Ces différents types de procédés de dopage présentent certains inconvénients et, en particulier, de ne pas être d'un emploi uni- versel. En effet, suivant les particules dopantes utilisées et/ou le matériau constituant le semicon- ducteur à doper, on utilise tel ou tel procédé. De plus, la mise en oeuvre de ces différents procédés est plus ou moins complexe. La présente invention a donc pour objet un procédé de dopage de semiconducteurs permettant de remédier à ces inconvénients et notamment, de présenter une mise en oeuvre simple et universelle. Ce procédé de dopage de semiconducteurs se caractérise enfle qu'on réalise, dans l'ordre, les étapes suivantes: - une implantation par recul des particules dopantes dans le substrat, qui consiste à déposer sur la surface du substrat une couche de matériau, contenant des particules dopantes, et à bombarder ladite couche au moyen d'un faisceau de particules de bombardement, de façon à faire pénétrer les parti- cules dopantes dans le substrat; - une élimination de la couche de matériau déposée sur la surface du substrat; - un recuit transitoire, qui consiste à apporter à la surface, ou au niveau des premières couches implantées, pendant un temps très bref, une densité - d'énergie telle que de très hautes températures soient atteintes, de façon à produire une liquéfac- tion locale des premières couches du substrat. Selon une autre caractéristique de l'inven- tion, les différentes étapes du procédé sont réalisées dans une même enceinte sous vide. Selon un mode préféré de l'invention, le faisceau de particules de bombardement est constitué. par un faisceau d'ions de gaz rare. La présente invention présente bien les avantages cités précédemment. En effet, on sait toujours réaliser le dépôt sur la surface de n'importe quel corps consti- tuant le substrat, d'une couche mince de n'importe quel corps ou composé,-constituant le matériau conte- nant les particules dopantes. De même, il est toujours facile de réaliser et d'utiliser un faisceau d'ions dé gaz rare. De plus, le fait d'utiliser un faisceau d'ions très intense, permet une implantation par recul très rapide, et le fait d'utiliser un recuit transitoire, qui est une étape rapide du procédé, permet d'obtenir à une très grande cadence le dopage de semiconducteurs de toutes sortes. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux à l'aide de la description qui va suivre, donnée à titre purement illustratif et non limitatif, en référence aux figures annexées dans lesquelles: - la figure 1 représente deux courbes mon- trant le profil d'une implantation par recul (nombre d'atomes implantés dans le substrat par centimètre cube, exprimé en puissance de dix, en fonction de la profondeur d'implantation dans le substrat, exprimée en AngstrUms), la courbe 1 représentant le profil de l'implartation avant un reculit transitoire, la courbe 2, le profil de l'implantation après un recuit transitoire; - la figure 2 représente cinq courbes mon- trant l'efficacité du recul (nombre de particules pénétrant dans le substrat) en fonction de l'énergie des particules de bombardement (exprimée en kilo- électron-volt) pour différentes épaisseurs de la couche déposée sur le substrat; - la figure 3 représente un domaine d'efficacité stationnaire de l'implantation par recul de particules d'Antimoine dans un substrat en Silicium à l'aide d'un faisceau de particules d'Argon (épaisseur de la couche d'Ani:imoine exprimée en Angstrbms en fonction de l'énergie des particules incidentes d'Argon exprimée en kilo-électron-volt). Le procédé de dopage de semiconducteurs, conformément à l'invention se présente sous différentes étapes que l'on va décrire. La première étape est une implantation par recul qui consiste à faire pénétrer les particules dopantes (atomes ou ions) dans un substrat constitué du semiconducteur à doper. Les particules dopantes sont contenues dans une couche de matériau déposée sur la surface du substrat, de préférence, par évapo- ration. L'énergie nécessaire à la pénétration des particules dans le substrat, comprise entre quelques électrons-volts et plusieurs kilosélectrons-volts provient d'un transfert d'énergie entre un faisceau de particules de bombardement et, en particulier non dopantes, qui vient bombarder la couche déposée sur le substrat, et les particules dopantes contenues dans ladite couche. En utilisant un faisceau d'ions de gaz rare très intense, de préférence, de l'Argon, l'implan- tation par recul constitue une étape rapide du procédé. La deuxième étape du procédé consiste à éliminer, après implantation,la couche de matériau déposée sur la surface du substrat. L'élimination de cette couche peut se faire: soit par sublimation sous vide, soit par attaque chimique, soit par pulvé- risation ionique. La pulvérisation ionique peut être faite à l'aide d'un faisceau d'ions, qui peut être de même constitution que le faisceau d'ions utilisé pour l'implantation par recul. Ce faisceau d'ions est de préférence un faisceau d'ions d'Argon. Bien entendu, les énergies transportées par ces faisceaux- peuvent être différentes. En effet, l'implantation par recul demande des énergies plus importantes que la pulvérisation ionique. La troisième étape consiste à réaliser un recuit transitoire, permettant le-positionnement des particules dopantes dans les sites interstitiels du réseau cristallin du substrat, et le réarrangement de ce réseau, perturbé lors de la pénétration des particules dopantes dans le substrat. Ce recuit tran- sitoire qui consiste à apporter à la surface, ou au niveau des premières couches implantées, pendant un temps très bref, une densité d'énergie telle que de très hautes températures soient atteintes de façon à produire une liquéfaction locale des premières couches du substrat, peut être réalisé à l'aide d'un faisceau pulsé d'électrons ou à l'aide d'un tir laser. Les différentes étapes du procédé, quel que soit leur mode de réalisation peuvent être réali- sées dans une même enceinte et sous vide. Du fait que les techniques utilisées pour déposer la couche de matériau dopant puis son élimi- nation sont connues, il ne sera pas envisagé de des- cription plus détaillée. Ce procédé de dopage conforme à l'invention a été réalisé avec une couche de matériau, contenant des particules dopantes, en-Antimoine, et un substrat en Silicium. L'implantation par recul a été effectuée au moyen d'un faisceau de particules d'Argon trans- portant une énergie de 100 keV. Le dépôt de la couche de matériau dopant a été effectué comme décrit ci- dessus ainsi que son élimination. En utilisant l'éli- mination par pulvérisation ionique à l'aide d'un faisceau de particules d'Argon, il suffit d'utiliser un faisceau transportant une énergie de 500 eV à 1 keV, c'est-à-dire environ 100 à 200 fois moins 15. énergétique que pour l'implantation par recul. Pour le recuit transitoire par tir laser, il a été utilisé un laser à rubis transportant 0,3 Joule d'énergie sous forme d'impulsion durant 15 nanosecondes. Le recuit transitoire par pulse d'électrons a été réalisé à l'aide de machines type SPI 300 et SPI 5000 commer- cialisées par la Société SPIRE (U.S.A.) permettant d'apporter une densité d'énergie de l'ordre de 1 J/cm Des études détaillées de ce procédé de dopage ont montré que, l'association d'une implantation par recul à un recuit transitoire, conduit à un dopage rapide et efficace de semiconducteurs. En effet, en se référant à la figure 1, et en particulier à la courbe 1 représentant le profil d'une implantation par recul, avant le recuit transi- toire, on constate que la concentration en surface des particules dopantes est très élevée, en général fois plus élevée que la concentration obtenue par une méthode d'implantation classique. La courbe 2 représente ce que devient la courbe 1, c'est-à- dire l'implantation par recul, après un recuit transi- toire. Les profils de l'implantation par recul ont été tracés sur l'un des isotopes de l'Antimoine implan- té dans du Silicium. Le recuit transitoire a été effectué à l'aide d'un faisceau pulsé d'électrons. Le fait d'utiliser un recuit transitoire permet de faire pénétrer les particules d'Antimoine dans le Silicium en profondeur. De plus, le fait d'utiliser un tel recuit ne fait pas ressortir les particules d'Antimoine que l'on a introduites par l'implantation par recul. En effet, par intégration du profil dé concentration et par mesure directe grâce à l'analyse par activation neutronique, on a vérifié sur les profils tracés (courbes 1 et 2) que, à 15% près, le nombre de particules d'Antimoine par centimètre cube introduites dans le substrat est le même que le nombre de particules dopantes présentes dans le substrat en Silicium, après un recuit transitoire. En revanche, si on utilise un recuit classique, c'està-dire le fait de porter le substrat implanté à haute température pendant un temps plus ou moins long, on constate que 80 à % des particules implantées ressortent du substrat, ceci étant lié à la forte concentration des particules - dopantes implantées présentes en surface. De.plus, les qualités électriques d'un tel semiconducteur (implantation par recul, suivi d'un recuit classique) sont très inférieures à celles que l'on obtient pour le même recuit, avec une implantation classique. En revanche, les qualités électriques obtenues pour un semiconducteur dopé, conformément à l'invention (implantation par recul suivi d'un recuit transitoire) sont les mêmes que celles que l'on obtient avec un dopage classique (implantation ionique classique et recuit classique), en particulier les résistivités sont égales à la précision de la mesure près (environ 50 Ohms par carré pour 5.104 ions d'Antimoine, implan- tés par recul par cm2). D'autres études ont montré que la présence d'un gaz rare dans le substrat, due à l'implantation par recul avec un faisceau d'ions de gaz rare, en. particulier l'Argon, n'explique pas les anomalies obtenues lors de l'utilisation d'un recuit classique. De plus, le procédé de dopage selon l'inven- tion a l'avantage de présenter dans certaines condi- tions un domaine d'état stationnaire en ce qui concerne l'efficacité du recul, c'est-à-dire le nombre de particules dopantes pénétrant dans le substrat par particules de bombardement. En général, cette effica- cité dépend de l'énergie apportée par les particules de bombardement et de l'épaisseur de la couche de matériau déposée sur le substrat, mais il existe des plages o cette efficacité est stationnaire, c'est-à-dire que le nombre de particules dopantes pénétrant dans le substrat ne dépend que du nombre de particules de bombardement incidentes. Le nombre de particules de bombardement étant contrôlable de façon simple et avec précision, rend l'utilisation du procédé facile à maîtriser. Il est à noter que l'eff$icacité du recul peut être supérieure à un et peut atteindre une valeur égale à trois. Le domaine d'état stationnaire est illustré à l'aide des cinq courbes de la figure 2 et de la courbe de la figure 3. La figure 2 représente l'efficacité du recul en fonction de l'énergie des particules de bombardement. Les particules dopantes sont constituées par de l'Antimoine, le substrat est en Silicium, les particules de bombardement sont constituées par des ions d'Argon. Le faisceau d'ions d'Argon utilisé pour les cinq courbes est le même et contient 14 2 3 x 10 Ions/cm La courbe 1 correspond à une couche d'Anti- moine déposée sur le substrat de 150 A d'épaisseur, o la courbe 2 à une couche de 300 A, la courbe 3 à o une couche de 620 A, la courbe 4 à une couche de O O 1200 A et la courbe 5 à une couche de 2500 A. On constate à l'aide de ces cinq courbes que le nombre de particules implantées par recul pour une épaisseur donnée et à partir d'une énergie donnée, tend vers une valeur de 6 -x 10 14/cm2, ce qui correspond au double du nombre de particules d'Argon incidentes. Bien entendu, cette valeur est plus ou moins vite atteinte suivant l'épaisseur de la couche déposée et l'énergie nécessaire est plus ou moins importante. Ceci montre qu'il existe des plages (fonction de l'énergie des particules incidentes et de l'épaisseur) o cette efficacité est stationnaire. Ce résultat est bien illustré par la figu- re 3. Le domaine o l'efficacité du recul est station- naire est représenté par la zone hachurée. Ce domaine correspond à une implantation de particules d'Antimoine dans du Silicium, à l'aide d'un faisceau d'ions d'Argon. Cette courbe permet de montrer que l'efficacité du recul varie peu lorsque l'épaisseur de la couche déposée sur le substrat et/ou l'énergie des particules incidentes varient de façon notoire. Dans ce domaine, l'efficacité du recul est de l'ordre de deux. On notera que ce domaine d'efficacité sta- tionnaire n'est pas particulier au procédé utilisant l'Argon et l'Antimoine pour doper le Silicium. L'exis- tence et l'importance de ce domaine sont liées à la répartition entre le freinage électronique et le freinage nucléaire se produisant dans la couche déposée. Le fait que l'efficacité est stationnaire est favorisé par une prédominance du freinage nu- cléaire. Ce domaine d'efficacité stationnaire est différent lorsque l'on modifie l'un des trois para- mètres: nature de la couche déposée, nature de la- particule ou de l'ion,de bombardement, nature du substrat. Ce procédé de dopage, simple à mettre en oeuvre et rapide, peut être appliqué à la fabrication de cellules solaires à base de Silicium ou d'un autre semiconducteur. REVENDICATIONS 1. Procédé de dopage de semiconducteurs consistant à implanter des particules dopantes dans un substrat et à les rendre électriquement actives, de façon à modifier les propriétés physiques du subs- trat, caractérisé en ce que l'on réalise, dans-l'ordre, les étapes suivantes: une implantation par recul des particules dopantes dans le substrat, qui consiste à déposer sur la surface du substrat une couche de matériau contenant des particules dopantes, et à bombarder ladite- couche au moyen d'un faisceau de particules de bombardement, de façon à faire pénétrer les particu- les dopantes dans le substrat; - une élimination de la couche de matériau déposée sur la surface du substrat; - - un reCuit transitoire, qui consiste à apporter à la surface, ou au niveau des premières couches implantées, pendant un temps très bref, une densité - d'énergie telle que de très hautes températures soient atteintes, de façon à produire une liquéfac- tion locale des premières couches du substrat. 2. Procédé de dopage selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que la couche de matériau contenant les particules dopantes est réalisée par évaporation. 3. Procédé de dopage selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le faisceau de particules de bombardement est constitué par un faisceau d'ions de gaz rare. 4. Procédé de dopage selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche de matériau déposée sur le substrat est éliminée par sublimation. 5. Procédé de dopage selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche de matériau déposée sur le substrat est éliminée au moyen d'une attaque chimique. 6. Procédé de dopage selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche de matériau déposée sur le substrat est éliminée par pulvérisation ionique à l'aide d'un faisceau d'ions. 7. Procédé de dopage selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le recuit transitoire est réalisé à l'aide d'un faisceau pulsé d'électrons. 8. Procédé de dopage selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le recuit transitoire est réalisé à l'aide d'un tir laser. 9. Procédé de dopage selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 et 6 à 8, caractérisé en ce que les différentes étapes du procédé sont réalisées dans une même enceinte sous vide. 10. Procèdé de dopage selon les revendications 3 et 6, caractérisé en ce que le faisceau d'ions utilisé pour l'implantation par recul est de même constitution que celui qui est utilisé pour éliminer la couche de matériau déposée. 1. Application du procédé selon l'une quel- conqcue des revendications 1 à 10 au dopage du Silicium par de l'Antimoine à l'aide d'un bombardement d'ions Argon, caractérisée en ce que l'on réalise le bombardement de manière à se situer dans un domaine d'efficacité sta- tionnaire. B 6877.3 LC