FR 2469000 A1 19810508 FR 7926888 A 19791030 La présente invention concerne une structure de thyristor tres haute tension glassivée et son procédé de fabrication. Elle concerne essentiellement les thyristors pour lesquels- les tenues en tension excèdent plusieurs kilovolts. Tout particulierement, la présente invention s'applique aux thyristors de type mesa (on rappelle qu'on distingue généralement les composants semiconducteurs à structure de type planar dans lesquels les jonctions affleurent au niveau d'une face principale du composant et les composants semiconducteurs de type mesa dans lesquels une partie au moins des jonctions redresseuses affleure au niveau de la périphérie des composants) En ce qui concerne les thyristors tres haute tension auxquels on s'intéresse ici, ceux-ci sont pratiquement toujours de type mesa. t'une des difficultés bien connues qui se pose pour de tels composants de type mesa haute tension est que le claquage des jonctions redresseuses se produit généralement daabord en surface, c'est-à-dire au niveau des affleurements des jonctions plutôt qu'en volume, dans la masse du composant. Ainsi, pour obtenir un composant supportant des tensions très élevées, il convient d'une part et bien entendu de se soucier de la structure interne et des niveaux de dopage des diverses couches semiconductrices constituant ce composant, mais aussi autre part de considérer avec soin les phénomenes se produisant au niveau des affleure ments de jonction à la périphérie du composant. Parmi les parametres intervenant pour définir la tension de claquage en surface, il convient de considérer l'angle formé entre le plan de jonction et la direction de la surface périphérique au niveau de l'affleurement de cette jonction. L'influence de la valeur de cet angle de découpe sur le claquage a été étudié en particulier dans l'article de R.L. Davies et F.E.Gentry control of electric field at the surface of P-N juncti#n5fl IEEE transactions electron devices, vol. ED 11, pages 313 à 323, juillet 1964. Il résulte notamment de ces travaux que les angles de découpe pour lesquels la partie restante dé la couche la plus dopée des deux couches formant la jonction a une surface plus importante que la partie restante de la couche la moins dopée de ces deux couches sont des angles favorables. Ces angles seront appelés "angles positifs". Dans le cas d'un thyristor très haute tension dans lequel les deux jonctions affleurent à la périphérie du composant, obtenir un tel angle favorable positif pour chacune des deux jonctions amène à donner une forme concave à la surface périphérique du composant. Un autre paramètre qui joue un rôle important dans la tenue en tension en surface d'une jonction résulte des propriétés d'un agent de passivation déposé au niveau de l'affleurement.de cette jonction. Parmi les divers agents de passivation connus, il s'avère que les verres (procédé dit de glassivation) constituent l'un des produits les plus efficaces car ils associent aux avantages diélectriques et électriques des avantages mécaniques et d'inertie chimique. Les procédés actuellement connus-de formation d'une couche de verre impliquent une étape de frittage qui se produit à une température telle que, si des couches métalliques ont été préalablement déposées sur la tranche semiconductrice, des atomes métalliques diffusent dans le semiconducteur et perturbent fortement ses propriétés.Par conséquent, lors de la fabrication d'un composant semiconducteur glassivé, on est amené à effectuer les étapes de glassivation avant les étapes de métallisation. Ainsi, si l'on veut obtenir un thyristor très haute tension qui soit limité par une surface latérale concave et qui soit passive par glassivation, un problème se pose du fait que la surface latérale -périphérique concave ne peut être obtenue qu'après découpe des thyristors en composants individuels (en général de forme circulaire) à partir d'une plaquette semiconductrice unique sur laquelle un grand nombre de thyristors identiques a été formé et qu'ensuite seulement, il conviendrait de former un motif de métallisation de gâchette et de cathode sur une face du composant.La formation d'un tel motif, par les procédés couramment utilisés dans le domaine de la fabrication des semiconducteurs, implique des étapes de masquage et d'attaque chimi.que, étapes qui seraient fort délicates à réaliser sur un composant individuel et qui très vraisemblablement ne permettraient pas une fabrication économique. Ainsi, un objet de la présente invention est de prévoir une structure de thyristor haute tension à surface périphérique concave pas-sivée par glassivation. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un procédé de fabrication d'un tel thyristor qui soit simple et économique. Pour atteindre ces objets ainsi que d'autres, la présente invention prévoit un thyristor haute tension limité latéralement par une surface périphérique concave, cette surface et les zones non métallisées des surfaces principales du thyristor étant passivées par glassivation. Le procédé de fabrication de thyristors selon la présente invention consiste à partir d'une plaquette semiconductrice comportant selon un motif répétitif des couches semiconductrices alternées de façon appropriée, et comprend les étapes suivantes : déposer une couche de verre sur les faces principales de la plaquette et graver cette dernière aux emplacements destinés à recevoir ultérieurement les couches de métallisation ; découper la plaquette en thyristors élémentaires ; attaquer latéralement la surface périphérique de chaque thyristor pour lui donner une forme concave ; former à nouveau une couche de verre sur cette surface concave pour réaliser la protection de la jonction ; immerger alors la plaquette dans un bain électrochimique de métallisation ; d'où il résulte que seuls les emplacements non glassivés des surfaces principales sont métallisés en raison des propriétés d'autolocalisation des métallisations déposées par déplacement électrochimique. Ces métallisations (nickel par exemple) peuvent être ensuite facilement étamables par simple fusion susjacente d'une préforme de soudure, la non mouillabilité sur le verre du métal en fusion entraînant elle aussi une autolocalisation de 1' étamage. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles - la figure 1 représente une vue partielle en coupe et en perspective d'une plaquette semiconductrice dans laquelle est formée une structure de couches correspondant à un thyristor - les figures 2 à 4 sont des vues en coupe illustrant diverses étapes du procédé de fabrication de thyristors haute tension glassivés à surface latérale concave selon la présente invention. Les diverses dimensions indiquées dans les figures ne correspondent pas à une échelle et, conformément à la pratique usuelle dans la représentation des dispositifs semiconducteurs, certaines des dimensions ont été agrandies par rapport aux autres pour mieux illustrer l'exposé qui va suivre. De.même, les diverses figures ne sont pas non plus tracées à l'échelle les unes par rapport aux autres. D'autre part, dans ces diverses figures, de mêmes références désignent des éléments et couches analogues. La figure 1 représente de façon schématique une plaquette semiconductrice dans laquelle ont été ménagées des couches de types de conductivité alternés pour former de façon répétitive des structures de thyristors. Chaque thyristor élémentaire comprend successivement une couche 1 de type P, une couche 2 de type N, une couche 3 de type P et une couche 4 de type N (bien entendu tous les types de conductivité pourraient être interchangés). La couche 1 constitue l'anode du thyristor, la couche 4 sa cathode et la partie de la couche 3 affleurant au centre de la couche 4 constitue la gâchette. La figure 1 représente comme cela est classique pour les thyristors de puissance haute tension une zone de gâchette centrale, c'est-à-dire située au centre de la cathode. La structure d'ensemble a été représentée comme ayant un motif circulaire comme cela est classique pour les thyristors très haute tension. Les traits en pointillés 5 représentent les séparations entre les thyristors elementaires, après leur découpe circulaire, laquelle peut être effectuée par exemple à l'aide d'un laser. A partir de la plaquette semiconductrice représentee en figure 1, il convient de former des métallisations sur les couches d'anode, de cathode et de gâchette, et de séparer les thyristors élémentaires. tout en passivant les zones de découpe. Pour donner un ordre de grandeur pratique, sans que cela constitue une limitation à la présente invention, on notera que l'épaisseur de la plaquette est le plus souvent supérieure à 400 microns et la dimension d'un thyristor élémentaire de l'ordre de quelques millimètres carrés à quelques centimètres carrés. La première étape du procédé selon la présente invention est illustrée en figure 2. Les deux faces de la plaquette sont revêtues d'une couche de verre qui est localisée de façon à obtenir sur la face portant la cathode et la gâchette une couche de verre 10 à la limite entre les thyristors élémentaires, cette couche s'étendant de façon à recouvrir la zone où la couche 4 de type N affleure à la surface. De même, une couche localisée de verre, désignée par la référence 11, recouvre la séparation entre les zones de cathode et de gâchette, c'est-à-dire qu'elle recouvre l'autre affleurement de la jon#ction entre les couches 3 et 4. Sur la surface inférieure de la plaquette, le dépôt de verre, désigné par la référence 12, est localisé au voisinage de la limite entre deux thyristors élémentaires.Les limites entre les thyristors élémentaires sont désignées comme en figure 1 par des traits pastillés 5. Ces couches de glassivation sur les surfaces supérieure et inférieure de la plaquette semiconductrice peuvent être localisées par tous procédés connus. On peut, ou bien déposer une couche uniforme de verre et la fritter puis la découper ensuite par masquage et attaque chimique, ou bien déposer cette couche de verre en la mélangeant à une résine photosensible, masquer et enlever les dépots en excès puis réaliser ensuite seulement le frittage. Une localisation directe par sérigraphie peut également être envisagée. Une fois formées les giassivations localisées 10, 11 et 12, la plaquette est découpée en pastilles elémen taires sensiblement au milieu des glassivations localisées 10 et 12 en regard l'une de l'autre. Après cela. comme le représente la figure 3, la surface périphérique de la plaquette est attaquée pour lui conférer une forme concave de sorte que les angles de découpe des affleurements de jonction entre les couches 1 et 2 d'une part et 2 et 3 d'autre part soient positifs. Pour obtenir cette surface latérale 13 concave, on peut par exemple procéder à un sablage des faces latérales de la plaquette ou bien à une attaque chimique.Dans les deux cas, on pourra protéger Si nécessaire les surfaces principales des thyristors élémentaires par une couche de résine, cette couche de résine étant déposée sur la plaquette avant sa découpe en thyristors élémentaires. Après cela, comme l'illustre la figure 4, on forme une glassivation 14 sur les faces latérales de la plaquette. Pour cela dans le cas où chaque thyristor élémentaire est à symétrie de révolution, on fait tourner chacune des pastilles autour de son axe et une suspension contenant des billes de verre et déposée localement dans la concavité de la surface latérale 13, après quoi cette suspension est chauffée pour faire évaporer le liant. De préférence, la plaquette est disposée verticalement pendant sa rotation, le dépôt de la -suspension étant effectué dans la partie supérieure et le chauffage dans la partie inférieure s'il s'agit d'un dépôt à la seringue et vice versa s'il s'agit d'un dépôt par immersion partielle du bord de la pastille dans une suspension liquide de poudre de verre. Un traitement thermique est effectué pour fritter le verre déposé 14.Au cours de ce traitement thermique, les zones glassivées 10 et 12 préalablement déposées se fondent avec la nouvelle couche de verre 14 de façon à protéger efficacement les coins de la pastille en ce qui concerne les dommages mécaniques éventuels ou des infiltrations de substances polluantes. Enfin, les pastilles élémentaires sont immergées dans un bain de métallisation à déplacement électrochimique pour former une métallisation d'anode 20, une métallisation de cathode 21 et une métallisation de gâchette 22. On notera que l'un des avantages importants résultant de l'utilisation de glassivation est que, lors de cette métallisation au bain, aucun dépôt ne se forme sur le verre et que l'on obtient directement des métallisations localisées aux emplacements souhaités.Il n'est donc pas utile d'effectuer des traitements incluant des étapes de masquage au niveau des thyristors découpés en pastilles individuelles. A titre d'exemple numérique un thyristor circulaire selon la présente invention, ayant une épaisseur de 2 semiconducteur de 700 microns et une surface de 0,5 cm permet de supporter une tension de l'ordre de 6000 volts alors qu'un thyristor glassivé conventionnel de mêmes dimensions sans surface latérale concave ne pourrait supporter que 2000 volts. La présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation qui ont été explicitement décrits ci-dessus ; elle en inclut les diverses variantes et généralisations comprises dans le domaine des revendications ci-après. Notamment, dans ces revendications, le terme thyristor désigne toute structure semiconductrice comprenant au moins 4 couches alternées et pour laquelle une découpe latérale concave est favorable, par exemple un triac. REVENDICATIONS 1. Structure de thyristor haute tension limitée latéralement par une surface périphérique concave caractérisée en ce que cette surface concave et les zones non métallisées des surfaces principales sont passivées par glassivation. 2. Procédé de fabrication de thyristors selon la revendication 1 à partir d'une plaquette semiconductrice comportant, selon un motif répétitif, des couches semiconductrices alternées de façon appropriée, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes - former une couche de verre sur les faces-principales de la plaquette aux emplacements où celles-ci ne doivent pas recevoir de couches de métallisation, - découper la plaquette en thyristors élémentaires, - attaquer latéralement la surface périphérique de chaque thyristor pour lui donner une forme concave, - former une couche de verre sur cette surface concave, - immerger la plaquette dans un bain de métallisation, d'où il résulte qu'une métallisation ne se forme, par déplacement électrochimique qu'aux emplacements non glassivés des surfaces principales. 3. procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que les couches de verre déposées sur les surfaces principales de la plaquette sont notamment présentes au niveau des limites entre les thyristors élémentaires formes sur cette plaquette. 4. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'attaque générale de la surface périphérique de chaque thyristor est effectuée par sablage. 5. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'attaque latérale de la surface périphérique de chaque thyristor est effectuée par attaque chimique. 6. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le dépôt de la couche de verre sur la surface concave est effectué en maintenant le thyristor en position verticale, en le faisant tourner autour de son axe et en injectant à la seringue une suspension contenant des billes de verre dans la surface concave. 7. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le dépôt de la couche de verre sur la surface concave est effectué en maintenant le thyristor en position verticale, en le faisant tourner autour de son axe tout en immergeant sa partie inférieure dans une suspension liquide de billes de verre.