FR 2436500 A1 19800411 FR 7922573 A 19790910 La présente inventio#n se rapporte à un dispositif, pour protéger les semiconducteurs de puissance'contre les amorçages "gâchette en l'air1, ou sans contrôle de la gâchette L'objet de l'invention est de réaliser un dispositif du type précité de façon à protéger suffisamment et de façon simple les semiconducteurs de puissance en cas d'augmentation brutale de la tension gui leur est appliquée, par exemple en cas d'à-coups de tension dans le réseau. Ce résultat est atteint selon l'invention par le fait qu'un condensateur et au besoin une résistance sont montés entre un point de raccordement, situé en amont du semiconducteur dans le sens du passage du courant, du circuit de courant de charge, et la gachette dudit semiconducteur. En cas d'une montée excessive de la tension, il s'écoule par ce condensateur un courant de charge qui met le semiconducteur de puissance à l'état passant amont que n'intervienne la pointe de tension susceptible de l'endommager.Un retard, réalisant le même effet, du courant passant à travers le semiconducteur de puissance et par conséquent de la montée de tension sur le semiconducteur non encore à même de supporter la totalité du#courant au moment de l'amorçage, est, -selon une autre particularité de l'invention, obtenu au moyen d'une inductivité montée dans le circuit de courant de charge entre le point de raccordement et le semiconducteur de puissance. Si, comme semiconducteurs de puissance, on utilise deux thyristors antiparallèles, on prévoit alors, pour obtenir l'effet de l'invention, d'associer a chaque thyristor un condensateur ayant son point de raccordement individuel, une inductivité, commune pour les deux thyristors, étant montée dans le circuit de courant de charge. Dans ce cas, les points de raccordement pour les condensateurs des deux thyristors peuvent se situer sur des côtes différents de l'inductivité. Des exemples de réalisation de l'invention sont illustrés sur le dessin annexé. Dans tous les cas, il s'agit de dispo sitifs pour la mise en et hors circuit d'un utilisateur V, un Triac Tc étant prévu dans les modes de réalisation respectifs selon les figures 1 et 2, et à chaque fois une paire de thyristors antiparallèles Th, Th' étant prévue dans les modes de réalisation selon les figures 3 et 4. Les signaux de commande pour la mise en circuit du Triac Tc ou des thyristors Th, Th' sont, de façon non représentée en détail, amenés par les raccordements désignés par S et S' aux gâchettes des éléments intéressés Tc, Th, Th'. Dans le mode de réalisation selon la figure 1, un condensateur C est monté entre un point de raccordement A, situé en amont du Triac Tc dans le sens du passage du courant, du circuit de courant de charge et la gâchette S du Triac Tc. En cas d'augmentation de la tension d'alimentation U du circuit de courant de charge due à une perturbation et susceptible de provoquer un amorçage gâchette en l'air du Triac Tc, il s'écoule par le condensateur C un courant de charge allant vers la gâchette S et ouvrant le Triac Tc avant que la tension accrue U ne puisse devenir préjudiciable. Pour augmenter le degré de protection du dispositif, une inductivité L montée entre le point de raccordement A et le Triac Tc retarde en plus le courant passant par le Triac Tc et par conséquent la montée de la tension sur ce dernier non encore à même de supporter la totalité du courant au moment de l'amorçage. Une résistance R, montée en amont du condensateur C et représentée dans le mode de réalisation selon la figure 2, permet un réglage précis de la montée de tension qui provoque le déclenchement du Triac Tc. Si, comme illustré sur la figure 3, on utilise comme semiconducteurs de puissance, deux thyristors antiparallêles Th, Th', on associe respectivement à chacun de ces thyristors Th, Thl un condensateur C et C' pour les protéger contre tout amorçage gâchette en l'air. En pareil cas, il suffit de monter dans le circuit de courant de charge une inductivité L commune pour les deux thyristors Th, Th'. Dans le mode de réalisation selon la figure 3, chacun des condensateurs C, C' est monté entre l'anode A, A' et la gâchette S, S' du thyristor Th ou Th' y associé. La figure 4 représente un dispositif spécial dans lequel les condensateurs C, C' sont munis de résistances chutrices R, R', les points de raccordement A, A' des condensateurs C, C' étant situés sur des côtés différents de l'inductivité L. REVENDICATIONS 1. Dispositif pour protéger les semiconducteurs de puissance contre las amorçages gâchette en l'air, caractérisé par le fait qu'un condensateur et au besoin une résistance sont montés entre un point de raccordement, situé en amont du semiconducteur de puissance dans le sens du passage du courant, du circuit de courant de charte, et la gâchette dudit semiconducteur de puissance. 2. Dispositif selon la revendication I, caractérisé par le fait que, dans le circuit de courant de charge, une inductivité est montée entre le point de raccordement et le semiconducteur de puissance 3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2 dans lequel deux thyristors antiparallèles sont prévus en tant que semionducteurs de puissance, caractérisé par le fait qu'à chaque thyristor est associé un condensateur propre avec point de raccordement individuel, une inductivité, commune pour les deux thyristors, étant montée dans le circuit de courant de charge. 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé par le fait que les points de raccordement pour les condensateurs des deux thyristors sont placés sur des côtés différents de 1' inductivité.