FR 2447628 A1 19800822 FR 7901790 A 19790124 L'invention concerne un dispositif de protection pour commutateur électronique contre les surintensités, par exemple provoquées par un courtcircuit. Une première solution pour protéger un commutateur consiste à le dimensionner pour résister aux surintensités ; mais cette première solution a pour inconvénient d'augmenter considérablement la taille et le coût des équipements. Une autre solution consiste à utiliser un fusible, mais elle nécessite une intervention après détérioration du fusible pour le remplacer et remettre le dispositif en fonctionnement. Une autre solution, qui remédie aux inconvénients cités ci-dessus, consiste à utiliser une résistance du type à coefficient de température positif (CTP), mais elle présente un temps de réponse trop lpng. En effet, cette résistance CTP doit être de faible valeur ohmique, d'où un courant important à l'instant du court-circuit qui entraîne la destruction du commutateur. L'invention propose un dispositif de protection d'un encombrement réduit qui assure la protection du commutateur dès l'instant où se produit la surintensité , sans destruction ni détérioration de composant. Selon une caractéristique de l'invention, le dispositif de protection contre les surintensités pour commutateur électronique, possèdant une entrée de commande et relié à une charge de sortie, comporte une résistance du type à coefficient de température positif (CTP) placée entre le commutateur et la charge de sortie, et un étage basse tension entre la commande et l'entrée de commande du commutateur. D'autres caractéristiques de la présente invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description suivante d'un exemple de réalisation, cette description étant faite en relation avec la figure ci-annexee qui représente;-un exemple de réalisation pratique d'un dispositif de protection, conforme à l'invention, pour un commutateur électronique constitué par un transistor. Sur la figure, le commutateur électronique à protéger est un transistor I de type lIEN. La tension de service est amenée au transistor I par l'intermédiaire des bornes 2 et 3, la borne 3 étant positive par rapport à la borne 2. La borne 2 est reliée à l'émetteur E du transistor I et la borne 3 est reliée au collecteur C de ce transistor I via une résistance 4 qui représente sa charge nominale de sortie. Parla borne 5, la base B du transistor I reçoit un signal de commande la base B constitue l'entrée de commande du transistor. il y a court-circuit dans le circuit de charge lorsque la tension, appliquée à la borne 3 en fonctionnement normal, se trouve appliquée en 6. Selon l'invention, le dispositif de protection comporte tout d'abord une résistance 7 à coefficient de température positif, désignée par CTP placée entre le collecteur C du transistor I et le point de court-circuit 6. Si le dispositif ne comporte que cette CTP 7; le transistor 1 est saturé lorsqu'il est soumis à sa charge en fonctionnement normal. Dans ce cas, si un court-circuit se produit en 6, la CTP 7 garde sa faible valeur pendant son temps de réaction, le transistor 1 se désature et est détruit car il est soumis à une trop forte puissance. Pour protéger le transistor I entre l'instant où se produit le courtcircuit et l'instant où la CTP 7 a suffisamment réagi, le dispositif selon l'invention comporte également un étage basse tension 8 placé entre la borne 5 et la base B du transistor 1. Dans l'exemple représenté sur la figure, cet étage 8 comporte un transistor 9 dont l'émetteur E' est connecte à la base B du transistor 1 via une résistance 10, dont le collecteur C' est relié au collecteur C du transistor I et dont la base B' est connectée à la borne 5 via une résistance 11. En fonctionnement normal, le transistor 1 est saturé. Lorsqu'un court-circuit se produit en 6, la seule charge du transistor I est celle constituée par la CTP à cet instant, c'est-à-dire qu'elle a une faible valeur ohmique. Grâce à l'étage 8, la tension émetteur E - collecteur C du transistor I reste faible, c'est-à-dire qu'il reste saturé, et la puissance dissipée est faible. Ainsi le transistor reste intact jusqu'à ce que le temps de réaction de la CTP se soit écoulé et quelle puisse le protéger efficacement. Bien que les principes de la présente invention aient été décrits cidessus en relation avec un exemple particulier de réalisation, on comprendra clairement que ladite description est faite seulement à titre d'exemple et ne limite pas la portée de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif de protection contre les surintensités pour commutateur électronique possédant une entrée de commande et relié à une charge de sortie, dispositif comportant une résistance du type à coefficient de température positif(CTP) placée entre le commutateur et la charge nominale de sortie, caractérisé en ce que le dispositif comporte également un étage basse tension entre la commande et l'entrée de commande du commutateur. 2. Dispositif de protection contre les surintensités pour commutateur électronique selon la revendication 1, dans lequel le commutateur électronique est un transistor et la résistance du type CTP est placée entre le collecteur du transistor et sa charge de sortie, caractérisé en ce que l'étage basse tension, connecté à l'entrée de commande du transistor qui est sa base, comporte un autre transistor dont le collecteur est relié au collecteur du transistor à protéger, dont l'émetteur est relié via une première résistance à la base du transistor à protéger et dont la base est reliée à la commande via une seconde résistance.