FR 2452803 A1 19801024 FR 7907558 A 19790326 La présente invention concerne une antenne à amplificateur électronique et destinée à la réception de plusieurs gammes d'ondes. Cette antenne présente la forme d'un dipôle ou d'un monopôle et capte,dans des plages de fréquences basses et hautes, la longueur du dipôle ou du monopôle étant relativement courte par rapport à la longueur d'onde dans la plage des fréquences basses. L'antenne électronique suivant l'invention peut, par exemple, être utilisée pour des récepteurs radio de véhicules automobiles, comme antenne électronique de récepteurs radio d'appartement ou portatifs ou pour tout autre récepteur radio travaillant dans les basses et les hautes fréquences. Pour la réception des émissions radio à modulation d'amplitude dans les gammes d'ondes longues, moyennes et courtes ainsi que des émissions en fréquence modulée on utilise de plus en plus des antennes présentant la forme d'un monopole dont la longueur dans la gamme des ondes longues, moyennes et courtes est très courte par r-apport à la longueur d'onde et qui coopère avec un montage amplificateur électronique. On prévoit fréquemment des canaux de transmission séparés dans les deux plages de fréquences pour l'amplification des signaux. les demandes de brevet allemand publiées 1 919 749 et 2 310 616 décrivent une antenne monopôle à laquelle est raccordé un branchement de dérivation de fréquences dont les sorties sont reliées aux canaux de transmission des gammes des ondes longues, moyennes et courtes ainsi qu'à la modulation de fréquence. Dans la demande de brevet allemand 1 919 749 le canal des ondes à modulation d'amplitude est relié au monopole par l'intermédiaire d'une inductance tandis que le canal de la modulation de fréquence est raccordé au monopôle au moyen d'une capacité. Ce montage présente cependant des inconvénients lors de la réception des gammes à modulation d'amplitude.Comme il ressort de la fig. 1 annexée, le condensateur double C2 prévu pour la fréquence modulée se trouve en parallèle au canal de transmission des gammes d'ondes à modulation d'am plitude, parce que 11 entrée du canal de la fréquence modulée comprend toujours une bobine 2 faisant partie d'un circuit résonnant parallèle. La fig. 2 montre, de façon simplifiée, un montage sem blable à celui de la fig. 1 et illustant le fonctionnement lors de la réception des gammes d'ondes à modulation d'amplitude. La courte antenne monopôle agit à la manière d'un émetteur délivrant des signaux d'une tension Us = E.heff et dont 1'impédance d'attaque se compose de la capacité C1 de l'antenne et d'une résistance série très faible ce qui permet de la négliger dans cette étude. E représente l'intensité de champ à l'endroit de l'an- tenne et heff la hauteur effective du monopôle. Lors de la réception des gammes d'ondes à modulation d'amplitude, la capacité de couplage direct C2 pour la fréquence modulée se trouve en série avec la capacité C1 et en parallèle à l'impédance d'entrée du montage amplificateur électronique qui lors de l'utilisation d'un transistor à effet de champ est essentiellement constituée par une capacité C3. La capacité C1 forme avec C2 et C3 un diviseur de tension capacitif, de façon que la tension de commande Ust pour le montage amplificateur électronique soit sensiblement inférieure à US dès que la somme de C2 et C3 est supérieure à VI. U = U CI C1 C1 + C2 + C3 La capacité C1 est très petite notamment pour des mono pôles de faible longueur, ce qui a pour effet une réduction sensible de la tension de commande Ust dans les gammes d'ondes à modulation d'amplitude et pour des capacités C2 et C3 relativement grandes. Ceci montre que la sensibilité de l'antenne électronique est influencée défavorablement dans les gammes d'ondes à modulation d'amplitude lors d'un couplage capacitif direct du canal de transmission pour la fréquence modulée. Le schéma de la fig. 3 montre le cas dela transmission des ondes à fréquence modulée.Dans la plupart des antennes électroniques comportant des canaux de transmission séparés pour les ondes à amplitude modulée et pour les ondes à fréquence modulée, on prévoit pour la transmission correcte des dernières un filtre passe-bande. Le circuit primaire est constitué par l'impédance d'attaque capacitive del'antenne R1/C1, par Il et par l'impédance d'entrée, comportant essentiellement la capacité C3, de l'amplificateur pour les gammes d'ondes à modulation d'am plitude. Le circuit secondaire est composé de L2 et C4 ainsi que de l'impédance d'entrée du canal de transmission des ondes à modulation de fréquence. le filtre est couplé de façon capacitive par C2. il ressort de ce qui précède que la capacité double nuit à la réception des gammes d'ondes à modulation d'amplitude. Selon une autre solution, proposée par la demande de brevet allemand publiée 2 310 616, la capacité de charge à l'entrée du canal,pour les ondes à modulation d'amplitude, peut être réduite oar un dé couplage des signaux des ondes à modulation de fréquence au moyen d'un transformateur. La fig. 4 montre le schéma de couplage qui convient à la transmission des ondes à modulation de fréquence et des ondes à modulation d'amplitude. les résonances Drimaire et secondaire permettent un couplage lâche des enroulements L7 et L2, c 'est-à-dire que l'on peut choisir une distance qui permet d'obtenir une plus faible charge capacitive à l'entrée de l'amplificateur pour les ondes à modulation d'amplitude.Le circuit primaire est composé de l'impédance d'attaque capacitive de l'antenne R1/C?, de L1 et de l'impédance d'entrée, constituée essentiellement par la capacité C3 de l'amplificateur V1 pour les gammes d'ondes à modulation d'amplitude. Le circuit secondaire est constitué par L2, G4 et tar l'impédance d'entrée du canal de transmission V2 pour les ondes à modulation de fréquence. Cependant des champs électriques de l'atmosphère, de l'électricité statique créée par frottenent ou le contact de l'antenne avec des corps chargés électriquement peuvent produire une tension alternative par suite d'un jaillissement d'étincelles, tension qui peut détruire le transistor d'entrée du canal pour les gammes d'ondes à modulation d'amplitude. Afin d'écrêter cette tension on prévoit fréquemment une diode de protection D1. Entre le côté secondaire et le côté Drimaire du transformateur pour les ondes à modulation de fréquence il se produit une impédance supplémentaire qui a pour effet de nuire à la sensibilité dans les gammes d'ondes à modulation d'amplitude. Ceci, ainsi que la charge capacitive inévitable de l'entrée de l'amplificateur, pour les ondes à modulation d'amplitude, par la capacité se manifestant entre les bobines du transformateur, pour les ondes à modulation de fréquence, constituent les inconvénients principaux de cette solution. La demande de brevet allemand publiée 2 115 657 décrit un dispositif de couplage qui, au moyen d'un transistor à effet de champ, amplifie simultanément les différentes plages de fréquences et dans lequel la séparation en plusieurs canaux de transmission s'effectue pa-r un découplage à l'entrée des basses fréquences et à la sortie des fréquences plus élevées. Par suite de cette division des signaux, de la plage de fréquences basses et de la plage de fréquences élevées par des canaux de transmission séparés prévus à la sortie du transistor à effet de champ, il est possible d'éviter la charge capacitive supplémentaire à l'entrée de ce dernier et d'améliorer la sensibilité dans la plage des fréquences basses. Néanmoins les dispositifs de couplage dans lesquels les signaux des différentes plages de fréquences sont amplifiés, simultanément dans des éléments actifs, présentent par rapport aux dispositifs de couplage décrits et comportant des canaux de transmission séparés un mauvais comportement en cas de signaux forts du fait que les signaux des plages de fréquences supérieure et inférieure interfèrent en raison de la non-linéarité de la caractéristique de transmission. Les schémas de principe reproduits par la revue technique "Funkschau" de 1976 No ?4,pages 578 à 580,sont représentatifs pour l'état de la technique actuel dans le domaine des antennes électroniques pour véhicules automobiles. Dans ce document on expose clairement les différents problèmes posés par la séparation des signaux des plages de fréquences en canaux de transmission séparés. Selon l'avis de spécialistes éminents , exprimé dans cette revue, il n'est plus possible d'améliorer la sensibilité d'antennes électroniques pour autre mobiles dans les gammes des ondes à modulation d'amplitude et pour une longueur déterminée de l'antenne. La présente invention a pour objet d'améliorer,dans la gamme des fréquences basses, la sensibilité d'antennes électroniques qui captent dans les gammes de fréquences basses et de fréquences plus élevées, par exemple, dans les gammes des grandes ondes, des ondes moyennes et des ondes courtes ainsi que les ondes à modulation de fréquence, par rapport aux anten nes électroniques qui comportent un branchement diviseur de fréquences entre l'antenne et les amplificateurs pour les différentes plages de fréquences tout en conservant le bon comportement en cas de signaux forts de ces solutions connues à canaux de transmission séparés. L'invention a également pour objet d'éviter une amplification simultanée des signaux des deux plages de fréquences par l'intermédiaire de l'élément amplificateur pour des antennes électroniques dans lesquelles les signaux des plages de fréquences supérieure et inférieure sont appliqués sans être séparés à un premier élément amplificateur électronique. Pour une antenne équipée d'un amplificateur électronique et qui,en étant destinée à la réception de plusieurs gammes d'ondes, présente la forme d'un dipôle ou dtun monopole et capte aussi bien dans une plage de fréquences inférieure que dans une plage de fréquences supérieure et dans laquelle la longueur du dipôle ou du monopole est très courte par rapport à la longueur d'onde dans la plage de fréquences inférieure et dans laquelle la division des signaux des plages de fréquences inférieure et supérieure en canaux de transmission séparés s'effectue à la sortie du premier élément amplificateur électronique de façon que les signaux de la plage de fréquences inférieure soient découpléssspar exemple, à l'entrée d'un transistor à effet de champ, au moyen d'une inductance qui bloque,dans une large mesure, les signaux de la plage de fréquences supérieure; ce problème est résolu car les signaux de la plage de fréquences supérieure sont également découplés à l'entrée du transistor à effet de champ au moyen d'une capacité qui empêche, dans une large mesure, le passage des fréquences de la plage inférieure et parce qu'on a branché, entre l'entrée et la sortie du transistor à effet de champ, une impédance présentant, dans la plage supérieure des fréquences, une valeur ohmique sensiblement inférieure à celle de toutes les autres impédances présentes dans les circuits de sortie et d'entrée. Cette impédance, en étant branchée en parallèle à toutes les autres impédances se manifestant dans la plage de fréquences inférieure entre l'entrée et le potentiel de référence, doit présenter une valeur ohmique suffisamment élevée par rapport au canal de transmission pour la plage de fréquences inférieure afin d'éviter des influences négatives sur le passage des fréquences lors de l'amplification à l'intérieur de cette plage. La présence de cette impédance, entre la sortie et l'entrée, est nécessaire afin de supprimer, dans la plage de fréquences supérieure et dans le circuit d'entrée, des courants amplifiés par le transistor à effet de champ, au moyen d'un court-circuit approximatif du circuit entrée-sortie, de façon que l'influence exercée par ces courants sur le comportement de transmission dans la plage supérieure des fréquences puisse être négligée.Cette impédance peut être constituée, par exemple, par une capacité ou Dar un circuit oscillant monté en série. il est, en outre, nécessaire de prévoir dans le circuit de sortie une impédance inductive qui présente une valeur ohmique suffisamment élevée dans la plage supérieure des fréquences et suffisamment faible dans la plage inférieure des fréquences. Cette impédance inductive assure que le branchement en série de l'impédance entre la sortie et l'entrée du transistor à effet de champ et l'impédance supplémentaire dans le circuit de sortie représen- tent une valeur ohmique élevée dans la plage supérieure des fréquences pour ne pas influencer la caractéristique de transmission à l'intérieur de cette plage.Dans la plage inférieure des fréquences l'impédance de cette inductance est négligeable de façon que le transistor à effet de champ puisse fonctionner dans le circuit de sortie. L'impédance inductive reliée à la sortie du transistor à effet de champ forme un circuit oscillant parallèle avec les capacités agissant entre la sortie et le potentiel de référence. La tension de résonance de ce circuit est couplée rétroactivement à l'électrode d'entrée par l'intermédiaire de l'impédance se trouvant entre la sortie et l'entrée, de façon que cette tension convienne à l'oscillation. Cependant l'oscillation de cet étage peut être empêchée de façon sûre lorsqu'on réduit suffisamment le facteur de surtension de ce circuit oscillant en branchant une résistance parallèle à l'inductance. Lors d'une transmission dans la plage de fréquences supérieure il est avantageux, en ce qui concerne la sensibilité et la sélectivité, de réaliser le circuit se trouvant en aval de la capacité de-découplage de façon qu'il forme un circuit oscillant ou un filtre passe-bande avec l'impédance d'attaque capacitive de l'antenne, avec une capacité de séparation et une inductance entre la porte du transistor à effet de champ et l'élément d'antenne passif, la capacité d'entrée du transistor à effet de champ et la capacité de découplage. il est alors également avantageux de connecter le canal de transmission au transistor pour la olage de fréquences supérieure de façon à obtenir un rapport signal/bruit avantageux.Selon la largeur de bande et la constance de l'amplification à l'intérieur de la plage de transmission exigée il existe plusieurs possibilités pour la réalisation du canal de transmission pour la plage de fréquences supérieure qui fait suite à la capacité de découplage. Lorsque la caractéristique de transmission d'un circuit unique est satisfaisante on peut, dans le cas le plus simple, relier l'entrée du transistor d'amplification (transistor de puissance) de la plage de fréquences supérieure à la capacité de découplage. L'impédance d'entrée du transistor fait alors partie du circuit oscillant pour la plage de fréquences supérieure.On obtient d'autres possibilités pour agir sur la caractéristique de transmission et sur le rapport signal/bruit à l'intérieur de la plage supérieure de fréquences lorsqu'on relie, au lieu de la capacité de découplage, directement une capacité au potentiel de référence ou lorsqu'on relie la capacité de découplage au potentiel de référence par l'intermé- diaire d'une inductance et en branchant l'entrée de l'amplificateur pour la plage de fréquences supérieure en parallèle à cette capacité ou à cette inductance. L'utilisation d'un circuit unique, pour la sélectivité et la transformation, présente l'avantage de produire un moindre affaiblissement d'insertion sur la fréquence de résonance qu'un filtre passebande.Lorsqu'on veut obtenir une plus grande largeur de bande dans la plage supérieure des fréquences, par exemple dans la gamme de la modulation de fréquence, il est avantageux d'insérer un filtre passe-bande à couplage critique ou légèrement supérieur à la valeur critique entre 11 élément d'antenne passif et l'amplificateur pour la plage de fréquences supérieure. le montage peut etre réalisé de façon différente et on peut utiliser tout couplage connu. Par rapport à la demande de brevet allemand 2 310 616 la présente invention offre davantage de possibilités pour la réalisation du canal de transmission pour la plage supérieure des fréquences. il est nossible de brancher d'autres impédances améliorant la caractéristique de transmission et le rapport signal/bruit entre les moyens de sélection mentionnés et l'entrée de l'amplificateur pour la plage supérieure de fréquences. La diode,destinée à protéger le transistor à effet de champ de surtensions, peut également être connectée de façon avantageuse entre la porte du transistor à effet de champ et l'entrée du canal de transmission de la plage de fréquences supérieure lorsque ce canal est relié au potentiel de référence par une bobine de faible inductance. le dispositif de couplage suivant l'invention permet d'obtenir des améliorations supplémentaires par rapport aux montages connus de sorte que les préjugés des spécialistes dans ce domaine n'étaient pas fondés. La caractéristique essentielle de la solution suivant l'invention réside dans le fait que les signaux des plages de fréquences supérieure et inférieure arrivent à la porte d'un transistor à effet de champ ou d'un élément amplificateur à effet analogue, en passant par un canal de transmission commun et grâce à l'absence de capacités de charge supplémentaires.Par suite d'un branchement de dérivation au circuit sortie-entrée et à valeur ohmique suffisamment faible, le transistor à effet de champ agit dans la plage supérieure des fréquences entre la porte et l'alimentation à la manière d'une capacité qui fait partie d'un circuit de transmission linéaire et sélectif de la plage supérieure des fréquences dans laquelle il n'y a pas d'amplification. Etant donné que l'on n'amplifie que la plage inférieure des fréquences dans le premier élément électronique, contrairement au montage suivant la demande de brevet allemand 2 115 657, des effets non linéaires se trouvent sensiblement réduits, ce qui permet d'obtenir un meilleur comportement du montage en cas de signaux forts. Diverses autres caractéristiques de l'invention ressortent d'ailleurs de la description détaillée qui suit. Des formes de réalisation de l'objet de l'invention sont représentéestà titre d'exemples, aux dessins annexés. Les fig. 1 à 4 sont des schémas électriques illustrant des réalisations connues. Les fig. 5 à 8 reprnsentent à l'aide de schémas électriques différents montages du couplage suivant l'invention. Le dispositif de couplage suivant l'invention représenté à la fig. 5 constitue la solution la plus simple donc la moins onéreuse. Lors de la transmission de la plage supérieure de fréquences un circuit oscillant est réalisé au moyen de l'impédance d'attaque capacitive de l'élément d'antenne passif C1/R?, de la capacité de séparation C5, de l'inductance du circuit L1, de la capacité d'entrée C3 du transistor à effet de champ, de la capacité de découplage C6 et de l'impédance d'entrée du canal de transmission de la plage supérieure des fréquences. Dans le cas le plus simple le transistor d'amplification pour la plage supérieure de fréquences est relié directement à la capacité de découplage C6. De ce fait l'impédance d'entrée de ce transistor fait partie du circuit oscillant mentionné. La capacité C7 constitue, dans la plage supérieure des fréquences, un circuit de dérivation, d'une très faible valeur ohmique, au circuit sortie-entrée du transistor à effet de champ V1 et, en conséquence, cette capacité empêche, dans une large mesure, le passage entre l'entrée et le potentiel de référence, de courants de la plage supérieure des fréquences et amplifiés par le transistor à effet de champ. Le choix d'une résistance R d'une valeur ohmique appropriée permet d'empecher l'oscillation de cet étage. Le branchement en série de C7 et L6/R3 présente, en outre, encore une valeur ohmique suffisamment élevée, dans la plage supérieure de fréquences, de façon qu'il n'y ait pas dtinfluence sensible sur le canal de transmission de la plage supérieure des fréquences. Dans le cas d'une transmission dans la plage inférieure des fréquences, l'influence exercée par les impédances des inductances Il, 3, 16 et les capacités C6 et C7 peut être négligée, de sorte que le transistor à effet de champ V1 est branché en émetteur commun. le signal de la plage inférieure de fréquences est découplé au niveau de la résistance R2 et par l'intermédiaire de la capacité C8. D'autres possibilités pour agir sur la caractéristique de transmission et le rapport signal/bruit à l'intérieur de la plage supérieure de fréquences peuvent être obtenues lorsou'on relie, comme illustré à la fig. 6, au lieu de la capacité de découplage, une capacité C9 au potentiel de référence et parallèlement à cette capacité l'amplificateur pour la plage supérieure de fréquence. Dans cette forme de couplage l'amplificateur doit présenter une valeur ohmique élevée dans la nlage inférieure de fréquences. Dans le montage suivant la fig. 7 une inductance 14, branchée en série avec la capacité de découplage C6, est raccordée au potentiel de référence. L'amplificateur pour la plage de fréquences supérieure est monté en parallèle à l'inductance 14. Dans le schéma de la fig. 8 le canal de transmission de la plage supérieure de fréquence est réalisé sous forme d'un filtre passe-bande à couplage inductif par la base. Le circuit primaire est constitué par les composants déjà mentionnés en référence à la fig. 5 et par l'inductance 14 commune aux circuits primaire et secondaire. Le circuit secondaire se compose de plus de L5, C4 et de l'impédance d'entrée de l'amplificateur pour la plage de fréquences supérieure. En ce qui concerne la caractéristique de transmission à l'intérieur de la plage supérieure des fréquences il est avantageux de brancher dans ce montage la diode D1 entre le point de liaison de C6 et de 14 et la porte du transistor V1 à effet de champ. R E V E N D I C A g I O N S 1 - Antenne Dour la réception de plusieurs gammes d'ondes, comportant un aqplificateur électronique et qui présente la forme d'un dipôle ou d'un monopôle pour capter dans une plage inférieure de fréquences et dans une nlage supérieure de fréquences, la longueur du dipôle ou du monopôle étant très courte par rapport à la longueur d'onde de la plage inférieure de fréquences, cette antenne étant reliée à l'entrée du montage ampliricateur électronique de façon que les signaux des deux plages de fréquences soient transmis, à partir des bornes de raccordement du dipôle ou du monopôle, par l'intermédiaire d'une capacité de séparation C5 et d'une inductance série L1 au circuit de commande d'un premier élément amplificateur électronique V1 comportant une entrée capacitive à valeur ohmique élevée, la capacité du dipôle ou du monopôle C1, l'inductance série LI, la capacité d'entrée G3, par exemple, d'un transistor à effet de champ et d'autres impédances disposées entre l'entrée de ce transistor et le potentiel de référence, constituantdes éléments déterminants pour la fréquence d'un circuit oscillant de la plage supérieure de fréquences, la répartition des signaux des plages inférieure et supérieure de fréquences sur des canaux de transmission séparés s' effectuant à la sortie du premier élément amplificateur électronique V1 de façon que les signaux de la plage inférieure des fréquences soient découplés à l'entrée, par exemple, d'un transistor à effet de champ V1 au moyen d'une inductance L3 qui empêche, dans une large mesure, le passage des signaux de la plage supérieure des fréquences, antenne caractérisée en ce que les signaux de la plage supérieure de fréouencessont découplés à entrée au moyen d'une capacité C6 oui empêche, dans une large mesure, le pas sage des signaux de la plage inferieure de fréquences, une impédance C7, présentant dans la plage Supérieure de fréquences une valeur ohmique sensiblement inférieure à celle de toutes les autres impédances des circuits d'entrée et de sortie, étant branchée entre l'entrée du montage et la sortie du transistor à effet de champ V1, cette impédance C7 présentant, par suite de son branchement en parallèle à la capacité de découplage C6 de la nlage supérieure de fréquences, encore une valeur ohmique suffisamment élevée dans la Dlage inférieure de fréquences et par rapport à l'impédance d'entrée du canal de transmission de la tlage inférieure de fréquences, en ce ou'une impédance inductive 16, montée dans le circuit de sortie du transistor à effet de champ V1, est calculée de façon qu'elle présente une valeur ohmique suffisamment élevée dans la plage supérieure de fréquences et une valeur ohmique suffisamment faible dans la plage inférieure de fréquences et en ce que le facteur de surtension du circuit oscillant parallèle formé par cette impédance L6 et les capacités dans la sortie du transistor à effet de champ V1 est si faible à la fréquence de résonance qu'une oscillation de cet étage est évitée de façon sûre. 2 - Antenne suivant la revendication 1, caractérisée en ce que la capacité de découplage C6 (fig. 5) est reliée directement à 11 entrée de l'amplificateur pour la plage supérieure de fréquences. 3 - Antenne suivant la revendication 1, caractérisée en ce qu'on relie au potentiel de référence une capacité C9 (fig.6) au lieu de la capacité de découplage et en ce que l'entrée de l'amplificateur de la plage supérieure de fréquences est couplée avec l'entrée du transistor à effet de champ par l'intermédiaire d'une capacité de séparation, l'impédance d'entrée de l'amplificateur de la plage supérieure de fréquence devant alors présenter une valeur ohmique élevée dans le plage inférieure de fréquences. 4 - Antenne suivant la revendication 1, caractérisée en ce qu'entre la capacité de découplage C6 (fig. 7) et le potentiel de référence est branchée une inductance 14 qui est parallèle au raccordement de l'amplificateur de la plage supérieure de fréquences. 5 - Antenne suivant la revendication 1, caractérisée en ce que le montage en aval de la capacité de dé couplage C6 (fig. 8) est réalisé de façon à obtenir un filtre passe-bande à couplage inductif par la base, entre les raccordements de l'antenne passive et les raccordements de l'amplificateur pour la plage supériéure de fréquences. 6 - Antenne suivant la revendication 1, caractérisée en ce que le montage en aval de la capacité de dé couplage C6 (fig. 5) est réalisé de façon à obtenir, entre les raccordements de l'antenne passive et les raccordements de l'amplificateur de la plage supérieure de fréquences, un filtre passebande à couplage indifférent. 7 - Antenne suivant l'une des revendications 1 à 6, caractérisée en ce que d'autres impédances améliorant la caractéristique de transmission et le rapport signal/bruit sont insérées entre les moyens de sélection et l'entrée de l'amplificateur pour la plage de fréquences supérieure. 8 - Antenne suivant la revendication 1, caractérisée en ce que l'impédance se trouvant entre l'entrée et la sortie du transistor à effet de champ est une capacité C7 (fig. 8). 9 - Antenne suivant la revendication 1, caractérisée en ce que l'impédance se trouvant entre l'entrée et la sortie du transistor à effet de champ est un circuit oscillant série. 10 - Antenne suivant la revendication 1, caractérisée en ce que l'efficacité de l'inductance,prévue dans le circuit de sortie du transistor à effet de champ, est réduite par le branchement en parallèle d'une résistance R3 (fig. 8). 11 - Antenne suivant la revendication 1, caractérisée en ce qu'une diode de protection est branchée entre la porte du transistor à effet de champ vu (fig. 8) et le coté opposé à la masse de la capacité de découplage C6.