FR 2451133 A1 19801003 FR 8000166 A 19800104 La présente invention concerne un dispositif d'accords notamment pour un récepteur de télévision comportant un circuit amont1 accordable, suivi par un étage d'entrée lui-même suivi par un filtre passe-bande, accordable, ainsi qu'un étage mélangeur, prévu à la suite du filtre passebande accprdable. Dans de tels dispositifs d'accord (encore appelés tuner) il y a une influence réciproque entre le filtre passe-bande accordable et l'oscillateur de l'étage mélangeur, nécessitant des travaux importants lors de l'équilibrage du filtre passe-bande et de l'oscillateur. Des tuners construits de cette façon demandent des perfectionnements tant dans la plage de fréquences du filtre passe-bande, accordable; qu'au niveau de l'oscillateur de l'étage mélangeur. La présente invention a pour but de remédier aux inconvénients des solutions connues, et notamment de l'influence réciproque garante entre le filtre passe-bande accordable et l'oscillateur de l'étage mélangeur, et d'augmenter considérablement la plage d'extension en fréquence du filtre passe-bande accordable et de l'oscillateur de l'étage mélangeur. A cet effet, l'invention concerne un dispositif d'accord du type ci-dessus caractérisé en ce qu'entre le filtre passe-bande accordable et ie mélangeur il est prévu un étage séparateur constitué par un amplificateur qui amplifie les signaux de sortie du filtre à bande passante accordable. La résistance d'un tel dispositif d'accord aux signaux importants et aux filtres à modulation croisé peut s'améliorer considérablement a l'aide d'une autre caractéristique de l'invention selon laquelle le transistor qui constitue l'étage séparateur est constitué par un transistor d'intensité, fonctionnant en montage de base. Pour une bonne résistance aux signaux importants et à la modulation croisée,on évite les influences gênantes des signaux de sortie amplifiés par le transistor qui constitue l'étage séparateur, au niveau du filtre à bande passante accordable, par les signaux de sortie de l'oscillateur de l'étage mélangeur dans le transistor formant l'étage séparateur, suivant une autre caractéristique de l'invention en ce que le transistor formant l'étagunélangeur est un transistor MOS-FET à double porte. Suivant une autre caractéristique avantageuse de l'invention; on ameliore encore la résistance aux signaux importants et à la modulation croisée dans un dispositif d'accord caractériséeen ce que l'étage amont et l'étage mélangeur en aval du transistor formant 1 'étage séparateur, sont chaque fois constitués par un transistor MOS FET à double porte. Les avantages de l'invention résident notamment uen ce qu'un dispositif d'accord selon l'invention offre une amplification d'amplitude essentiellement constante dans l'ensemble de la plage d'accopd, très étendue, gracie à la résistance importante aux signaux importants et à la modulation croisée; la courbe différente selon les fréquences de la qualité du circuit aval, accordable, ainsi que du filtre à bande passante accordable -est compenséê par le transistorqui forme l'étage séparateur entre le filtre à bande passante accordable et l'étage mélangeur. En outre, le transistor qui constitue l'étage séparateur forme une charge constante dans toute la plage d'accord du dispositif d'accord pour l'nscillateur de l'étage mélangeur; ainsi, l'étage mélangeur est commandé de façon linéaire, régulière, dans toute la plage d'accord du dispositif d'accord. L'étage séparateur prévu entre le filtre à bande passante accordable et l'étage mélangeur assure une sélectivité considérablement améliorée du filtre à bande passante, accordable par rapport auxdispositifs d'accord, connus. De plus, l'étage séparateur entre le filtre à bande passante, accordable, et l'étage mélangeur amortit de façon plus importante les signaux de sortie de l'oscillateur de l'étage mélangeur, qui pourraient arriver à l'entrée du dispositif d'accord par le filtre à bande passante accordable, l'étage amont et le circuit accordable, si bien que le dispositif d'accord selon l'invention ne donne pas en sortie de parasites haute fréquence. Un dispositif d'accord selon l'invention convient particulièrement pour la réception d'émissions de télévision qui sont émises dans la plage VHF très étendue sur le plan des fréquences et qui est la plage d'excursion, importante, des fréquences du filtre à bande passante accordable et de ltoscillateur de l'étage mélangeur du dispositif accord sont avantageuses dans ce cas La présente invention sera décrite plus en détail à l'aide des dessins annexés dans lesquels - la figure -I est un schéma bloc d'un dispositif raccord selon l'invention. la figure 2 est un schéma de détail du dispositif d'accord selon'l'invention Dans le dispositif accord (tuner) du schéma bloc de la figure 1, les signaux reçus passent de la prise d'antenne 1 par le circuit d'entrée accordable et par la transistor MOS FET T1 à double porte de l'étage d'entrée 3 ainsi que par le filtre à bande passante 4 et l'étage séparateur 5 formé du transistor T2 de haute intensité, non réglé, monté en base commune puis le signal attaque l'étage mélangeur 6 formé par le transistor MOS FET T3 à double porte, qui reçoit également le signal de sortie de l'oscillateur accordable 7 comprenant le transistor T4 pour ttrë mélangé. A la sortie 8 de l'étage mélangeur 6 on a le signal vidéo de fréquence intermédiaire qui est traité de façon connue, non décrite en détail, dans un amplificateur de fréquence intermédiaire. La figure 2 est le schéma bloc d'un dispositif d'accord selon l'invention1 entre la prise d'antenne 1 jusqutau point de branchement 15 auquel est relié de façon connue un étage mélangeur comme indiqué à la figure 1 sur l'oscillateur correspondant.. Selon la figure 2, les signaux vidéo reçus par le dispositif d'accord, passent de la prise 1 par les inductances L1 , L2, L3, L4, le montage en parallèle de la diode capacitive D3 et du condensateur C5 ainsi que par le condensateur c5 à une porte du transistor MOS FET T1 à double port qui constitue l'étage d'entrée. La diode capacitive D2 forme avec les condensateurs C3, c41 C6 ainsi que les inductances L5, L6 -ircuit d'entrée accordable, par exemple le circuit d'entrée accordable 2 selon la figure 1; ce circuit précède par exemple l'étage d'entrée 3 selon la figure ls qui est formé par le transistor MOS FET T1 a double porte La tension d'accord nécessaire est appliquée à la diode capacitive D2 par le noeud 9. La tension d'accord du noeud 9 commande en outre la capacité de la diode capacitive D3 pour assurer une adaptation optimale du transis- tor MOS FET T1 à double porte de l'étage d'entrée sur le circuit d'entrée dans toute la plage d'accord du dispositif d'accord. La tension de réglage est appliquée par le noeud Il au transistor MOS FET T1 a double porte pour régler l'amplification de l'étage d'entrée. La tension de réglage est fournie de façon connue par les étages de fréquence intermédiaires, non représentés, connus, qui font suite au dispositif d'accord de la figure 2. Les signaux de sortie du MOS FET T1 sont àppliqués par le condensateur C11 au flitre passe-bande accordable formé par les diodes capacitives D8, D9, les con densateurs C18, CH13, C20 ainsi que les inductances L8, 9 Lîo, L1l, L12, L13. Les diodes capacitives D8, D-g reçoivent leur tension d'accord par le noeud 10. Les noeuds 9, 10 peuvent être reliés à la même source de tension d'accord. La tension d'accord du noeud 10 est en outre appliquée à la diode capacitive D10 qui est branchée entre le filtre à bande passante et le MOS FET T5 à double porte formant l'étage séparateur pour avoir une adaptation optimale du transistor MOS FET T5 sur le filtre à bande passante accordable dans toute la plage d'accord du dispositif d'accord selon la figure 2. La diode capacitive D10 forme ainsi un montage en série avec le condensateur C21. Le filtre à bande passante, accordable est suivi en aval par le montage en série formé de la diode capacitive D10 et du condensateur C21, selon l'invention, de l'étage séparateur formé par le MOS FET T5 qui amplifie les signaux de sortie du filtre pase-bande accordable, par exemple l'étage séparateur 5 de la figure 1. Les signaux de sortie du MOS FET T5 à double porte qui forme l'étage séparateur, sont reliés par le noeud 15 à l'entrée, connue, non représentée en détail à la figure 2, d'un étage mélangeur pour avoir un bon comportement vis a vis des signaux importants du dispositif d'accord, c-et étage mélangeur étant constitué par un transistor MOS FET à double port, par exemple le transistor MOS FET T3 à double porte de la figure 1. L'étage séparateur consTitué par le transistor MOS FET T5 à double porte assure un bon comportement aux signaux importants du dispositif dvaccord en évitant toute influence réciproque gênante entre le filtre passe-bande accordable et l'oscillateur prévu en aval dl noeud 15, non représenté de façon détaillée, et qui fait partie de l'étage mélangeur, par exemple de l'oscillateur 7 de l'étage mélangeur 6 de la figure 1; on évite ainsi les travaux d'ajustage, par ticuliers, pour le filtre à bande passante accordable, et l'ost cillateur. Du fait des tensions élevées nécessaires pour commander un transistor MOS FET à double porte, on évite l'influence gênante sur les signaux de sortie du filtre å bande passante, accordable, par les signaux de sortie de l'oscillateur relié au noeud 15 dans étage séparateur formé par le transistor MOS FET T5 à double porte. En outre, le transistor MOS FET T5 à double porte qui forme l'étage séparateur, amortit les signaux de sortie de l'oscillateur de l'étage mélangeur de façon que ceux-ci ne puissent parvenir à l'entrée 1 du dispositif d'accord, évitant que celui-ci n'émette des parasites à haute fréquence.En outre, ie trån- sistor MOS FET T5 a double porte constitue une charge essentiellement constante dans toute la plage d'accord du dispositif d'accord, pour l'oscillateur de l'étage mélangeur, prévu en aval du noeud 15. Cette charge entrasse une commande linéaire, souhaitée, de l'étage mélangeur dans toute la plage d'accord, donnant un bon comprtèmien aux signaux importants et une résistance à la modulation croisée, élevée, pour ie tuner. Le tuner reçoit les tensions de commustation et de fonctionnement par les noeuds ou points de branchement 12, 13, 14. Le noeud 13 reçoit toujours une tension de fonctionnement égale par exemple à -22 V. Les noeuds 12, 14 reçoivent alternativement les tensions de commutation d'enviton +12 V Pour de telles tensions de commutation, les diodes D1, D4, D5, D6, D11 deviennent conductrices ou se bloquent, si bien que le circuit d'entrée formé par l'indue tance L3 et le condensateur C2, servent a l'adaptation du dispositif d'accord, peut commuter le circuit d'entrée accord dable et le filtre passebande accordable entre deux plages de fréquence de la plage de réception du tuner selon l'inven- tion. Le tuner selon l'i.nvenion convIent en particulier pour la réception de signaux de télévsion qui sont mis dans la plage VHF Etant donné la plage d'excursion en fréquence,importante, d'un tuner selon l'invention, celui ci présente une structure simple permettant d'éviter' notamment les commutations entre les diverses plages partielles de la plage de fréquence de réception comme cela est nécessaire dans les tuners connus, qui ont une plage d'excursion en fréquence très faible. Les récepteurs de télévision équipes de tuners selon l'invention conviennent pour toutes les condi tions de réception possibles. Le coefficient de bruit qui est pratiquement constant dans toute la plage d'accord du dispositif d'accord et qui est faible, ainsi que le rapport signal/ bruit, avantageux, permettent la réception-de signaux vidéo mtme tres faibles, et dans ce cas la résistance élevée aux signaux importants du dispositif d'accord selon l'invention est très avantageuse. REVENDTCATTONS 1 ) Dispositif d'accord pour récepteur de télévision comportant un circuit a'entrée accordable et d'un étage d'entrée, Sui-mtme suivi d'un filtre à bande passante accordable et d'un étage mélangeur suivant le filtre à bande passante accordable, dispositif caractérise en ce qu'entre le filtre à bande passante accordable 4 et l'étage mélangeur 6 il est prévu un étage séparateur 5 formé par un transistor T2 ou T5 amplifiant les signaux de sortie du filtre à bande passante accordable 4. 20) Dispositif d'accord selon la revendication l, caractérisé en ce que le transistor T2 qui forme l'étage séparateur 5 est un transistor de forte intensité; non réglé, qui est monté en base commune. 34) Dispositif d'accord selon la revendication 1, caractérisé en ce que le transistor formant l'étage séparateur 5 est un transistor MOS FET T5 à double porte. 40) Dispositif d'accord selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que l'étage mélangeur 6, qui est én aval du transistor T2 ou T5 formant t'étage séparateur 5, est lui-même constitué par un transistor MOS FET T3 a double porte. 50) Dispositif d'accord selon l'une quelconque des revendications l à 4, caractérisé en ce que l'ateg d'entrée 3 est constitué par un transistor MOS FET T à double porte7 non réglée.