FR 2416549 A1 19790831 FR 7803097 A 19780203 Dans certains dispositifs d'optique électronique, on utilise des diaphragmes pour délimiter la forme du faisceau électronique. En particulier, certains dispositifs électroniques projetent sur un-objet, par exemple un échantillon de matière semiconductrice, l'image d'un diaphragme avec un grossissement inférieur ou égal On a réalisé de tels diaphragmes au moyen d'équerres de métal, le molybdène par exemple. Mais on a constaté que les tranches de ces équerres n'avaient pas une planéité suffisante pour obtenir ies; images dont les contours soient définis avec suffisamment de metteté. En effet, l'éclairement doit varier du maximum au minimum ou vice-versa à la l-imite de- l'image sur une distance- de l'ordre de 0,1 m. L'invention a pour objet un diaphragme pour dispositif d'bptique électronique permettant de telles performances. Le diaphragme pour optique électronique selon l'invention se caractérise esaentiellement en ce qu'il est fait de monocristal de semiconducteurs d'épaisseur variant entre 100 et 200 um taillés suivant un plan cristallin, ce monocristal offrant aux électrons une conductivité suffisante pour pouvoir les évacuer - Slement. L'invention sera mieux comprise au moyen de la description --ci-après en se référant aux dessins annexés parmi lesquels La figure 1 représente sue du dessus un diaphragme selon l'invention. La figure 2 représente en perspective la partie active de ce diaphragme. @ Sur la figure 1 on voit deux barrettes de silicium monocristallin, 1 et 2 supportées par un anneau métallique 3, l'ensemble formant une fenêtre 4, susceptible de laisser passer un faisceau électronique. On admettra dans @ce qui suit que le faisceau électronique est suffisamment mince et placé de façon à ne faire impact que sur les deux languettes 1 et 2, qui sont montées comme représenté en perspective figure 2. deu Ges deux languettes sont obtenues chacune par clivage suivant @un plamncrmatallin. Leur épaisseur et de l'ordre de 100 à 200 um. @@lles forment entre elles un angle # qui peut être 90 . Le silicium est dopé de façon à avoir une résistivité élec-- trique assez faible, inférieure à lu ohm cm. De plus l'épaisseur de ces languettes est suffisante pour qu'elles puissent résister à l'impact du faisceau électronique. De plus les faces clivées peuvent être polies à moins de i 1 m près. Cette définition se conserve vers le sommet de l'angle droit. Un diaphragme ainsi constitué présente les avantages suivants sur les diaphragmes antérieurement utilisés. a) les languettes de métal d'un seul tenant en molybdène palladium etc ..., qui ont le même encombrement ne peuvent pas être taillées avec la même précision. b) lbs languettes de métal d'un seul tenant et de faible épaisseur ne résistent pas au bombardement électronique. Bien entendu, le silicium n'est donné qu'à titre d'exemple. Tout autre matériau semiconducteur permettant d'obtenir des monocristaux peut être utilisé sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Diaphragme pour dispositif d'optique électronique, carac térisé en ce qu'il comporte au moins une languette faite de monocristaux d'un matériau semiconducteur taillée suivant des plans de cristallisation, le matériau semiconducteur étant suffisamment dopé pour assurer l'évacuation des électrons, et suffisamment épais pour assurer l'évacuation thermique. 2. Diaphragme selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte deux languettes s'appuyant l'une sur l'autre et décalées l'une par rapport à l'autre d'un certain angle Q. 3. Diaphragme suivant la revendication 2, caractérisé en ce que itangie e est égal à 900. 4. Diaphragme suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau est du silicium dopé et d'épaisseur de l'ordre de 100 à 200 vm. 5. Dispositif d'optique électronique, caractérisé en ce qu'il comporte au moins un diaphragme suivant l'une des revendicaitons 1., 2, 3 ou 4