FR 2422223 A1 19791102 FR 7810256 A 19780406 La présente invention concerne des procédés de fabrication de surfaces sensibles à l'action des rayonnements électromagnétiques et corpusculaires (ou rayonnements actiniques). Ces surfaces sont utilisées en particulier pour la fabrication des porteurs d'information des mémoires optiques des enregistreurs vidéo, des enregistreurs à laser et d'autres dispositifs d'enregistrement. On connait un procédé de fabrication d'une surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire comprenant les opérations suivantes : dépôt d'une couche d'un métal sur un support, dépôt sur la couche de métal d'une couche d'une matière semi-conductrice, capable, sous l'action du rayonnement actinique, de réagir avec la couche de métal en formant des produits ayant des propriétés physiques et chimiques différant des propriétés physiques et chimiques de la couche de métal et de celles de la couche de semi-conducteur. Une surface obtenue par ce procédé est caractérisée par un grand contraste : 10 à 20 (rapport du coefficient de réflexion de la surface non exposée au coefficient de réflexion de la mtme surface exposée) mais seulement si ltexposition est effectuée du côté de la couche semi-conductrice. Toutefois, la couche semi-conductrice d'une telle surface n'est pas protégée contre les actions mécaniques extérieures telles que encrassement par des particules de poussière, égratignures, ce qui entrain des altérations de l'information enregistrée sur la surface. On sait qu'une protection efficace de la surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire, et de l'information qui y est enregistrée, peut entre assurée par enregistrement et lecture de l'information à travers un milieu transparent dont l'épaisseur est grandement supérieure à la profondeur de foyer du système de formation de l'image. Un support transparent peut servir de milieu transparent. Dans ce procédé de fabrication de surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire, la couche métallique est disposée du côté du support. Le changement de l'ordre de dépot des couches respectivement semi-conductrice et métallique entraine certaines difficultés qui peuvent entre expliquées par le fait que lors du dépot par projection d'une couche métallique sur une couche semi-conductrice, on observe une élévation relativement importante de la température de la couche de semi-conducteur qui aboutit à la migration du métal dans la couche de semi-conducteur au cours de la fabrication de la surface sensible.Ce fait limite les composés semiconducteurs et les métaux utilisés à des couples qui peuvent engendrer des nouveaux composés dont la chaleur de formation est supérieure à la chaleur dégagée localement lors de la fabrication de la surface sensible. Les composés et les alliages semi-conducteurs des types As-S, As-Se, As-S-Se, Sb-S, Sb-S-Se permettant d'obtenir une surface caractérisée par une haute sensibilité ne peuvent pas être pratiquement utilisés dans le procédé sus-indiqué. On connait aussi un procédé de fabrication de surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire qui consiste à déposer sur un support transparent une couche d'un corps ou composé semi-conducteur, à déposer, par projec- tion, sur la couche de semi-conducteur une couche intermédiaire inerte par rapport à la couche de semi-conducteur, et à déposer, par projection, sur la couche intermédiaire une couche d'un métal capable de réagir chimiquement, sous lteffet d'un rayonnement électromagnétique ou corpusculaire, avec la couche de semi-conducteur en formant des produits ayant des propriétés physiques et chimiques différant des propriétés physiques et chimiques de la couche de métal et de celles de la couche de composé semi-conducteur. Ce procédé permet d'obtenir des surfaces sensibles aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire utilisant une large gamme de matières semi-conductrices. Toutefois, ces surfaces sensibles ont une sensibilité diminuée par la présence de la couche intermédiaire entre les couches de composé semi-conducteur et de métal. L'invention a pour objet un procédé de fabrication de surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire présentant une couche semi-conductrice adhérant à son support, caractérisée simultanément par un fort contraste et par une haute sensibilité. Un autre objet de l'invention est d'élargir la classe des substances semi-conductrices utilisables pour préparer une surface sensible au rayonnement actinique. Encore un autre objet de l'invention est d'obtenir une surface sensible au rayonnement actinique présentant une caractéristique choisie##onseà l'exposition au rayonnement actinique. Le procédé de fabrication de surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire selon ltin- vention consiste à déposer, sur un support transparent, une couche d'un composé,d'un alliage ou corps semi-conducteur, puis, sur la couche de semi-conducteur, une couche intermédiaire, inerte par rapport à la couche de composé semi-conducteur, ensuite, par projection sur ladite couche intermédiaire, une couche d'un métal capable de réagir chimiquement, sous l'effet du rayonnement électromagnétique ou corpusculaire, avec la couche de semi-conducteur en formant des produits ayant des propriétés physiques et chimiques différant des propriétés physiques et chimiques de la couche de métal et de celles de la couche de semi-conducteur, à réaliser un recuit, à une température au moins égale à la température de migration ou de diffusion de la matière constituant la couche intermédiaire au sein d'au moins une des deux couches en contact avec cette couche intermédiaire durant un temps suffisant pour en réaliser une disparition ou élimination complète ou partielle. Pour obtenir une surface à sensibilité maximale, il faut poursuivre le recuit jusqu disparition complète de la couche intermédiaire. Pour obtenir des caractéristiques particulières de r;"'teeà l'exposition et de sensibilité au rayonnement actinique, le recuit n'est conduit que jusqu'à la disparition partielle de la couche intermédiaire. Selon une variante de l'invention, pour conserver invariable la sensibilité spectrale de la surface, la matière de la couche intermédiaire ne passe ou ne migre que dansla couche de métal. Dans ce cas, avant de déposer la couche intermédiaire sur la couche de semi-conducteur, on dépose une pellicule protectrice jouant le rôle d'une barrière interdisant le passage de matière entre les couches intermédiaireetde semi-conducteur. Pour stabiliser les caractéristiques de la couche de semi-conducteur (en obtenant une structure plus homogène de la couche de semi-conducteur) quand elle est constituée en composés ou alliages des types As-S, As-Se, Sb-S, Sb-Se, Sb-S-Se, As-S-Se, le recuit de la surface sensible est conduit à une température comprise entre 0,7 et 0,9 de la température de vitrification de la matière constitutive de la couche semiconductrice. Le présent procédé de fabrication de surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire permet d'obtenir des surfaces assurant la protection de ltin- formation enregistrée contre les actions mécaniques extérieures et ayant une haute sensibilité. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci#apparaitront plus clairementauclrs dela description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemplesillustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels - La figure 1 est une vue, en coupe transversale, d'une surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire selon l'invention en cours de fabrication avant de subir l'opération de recuit ; ; - La figure 2 est une vue, en coupe transversale, d'une surface sensible selon l'invention, après un recuit n'assurant qu'une disparition partielle de la couche intermédiaire - La figure 3 est une vue, en coupe transversale, d'une surface sensible selon l'invention après un recuit assurant la disparition complète de la couche intermédiaire; - La figure 4 est une vue, en coupe transversale, d'une surface sensible selon l'invention présentant une couche de protection. Le procédé selon l'invention de fabrication d'une surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire comprend les opérations suivantes. Sur un support (figure 1) tel qu'une plaque ou une exemple de diélectriques transparents tels que le verre, le quartz ou des substances organiques transparentes, on dépose successivement, par exemple par évaporation sous vide, une couche 2 d'un composé ou alliage semi-conducteur, une couche intermédiaire 3 et une couche 4 d'un métal capable de réagir chimiquement, sous l'effet des rayonnements électromagnétique et corpusculaire, avec un constituant au moins de la couche de matière semi-conductrice. L'épaisseur du support 1 est supérieure à la profondeur de foyer du système de formation de l'image enregistrée sur cette surface et peut être comprise entre 1 et 10 mm. Le métal de la couche 4 peut notre de l'argent, du cuivre ou du thallium qui réagissent chimiquement avec des sulfures, séléniures et tellurures d'arsenic, d'antimoine et de bismuth sous l'effet des rayonnements électromagnétique et corpusculaire en donnant des produits de réaction dont la chaleur de formation est faible. L'épaisseur de la couche 4 de métal est généralement comprise entre 400 et 10 000 ss. Pour réaliser la couche 2 de corps semi-conducteur, on peut choisir parmi les composés et alliages des types As-S, As-Se, As-S-Se, Sb-S, Sb-Se, Sb-S-Se qui réagissent chimiquement avec l'argent, le cuivre et le thallium, sous l'effet des rayonnements électromagnétique et corpusculaire,en donnant des produits de réaction dont la chaleur de formation est faible, ce qui permet d'obtenir des surfaces caractérisées par une haute sensibilité. Avantageusement on peut utiliser comme matière semiconductrice des alliages et des composés réagissant chimiquement avec le métal la couche 4 en formant des combinaisons, de composition stoechiométrique ou proche de cette composition, qui peuvent prendre l'état vitreux, par exemple AsS2, AsSe2, SbS2, Sb Se2, AsS2 x-Sex, où O O(x(2# L'épaisseur de la couche 2 de matière semi-conductrice est comprise entre 100 et 5 000 . Pour former la couche intermédiaire 3, on peut utiliser : différents métaux et leurs alliages, par exemple, Mo, Au, Cr, Pt, Fe, Pb, Ni, Cd, AI, Mn, Zn, Mg, As, Bi, Ga, In, Sb, Sn, Co, (Ag, Cu, Tl étant exclus); les semi-conducteurs Si, Ge; les diélectriques C, B; ainsi que les sulfures, séléniures, tellurures des métaux susmentionnés. Toutefois, en réalisant la couche intermédiaire 3 avec des métaux, celleci peut être d'épaisseur plus faible que si elle est réalisée à partir des sulfures, séléniures, tellurures des métaux susmentionnés, tout en protègeant la couche 2 de semi-conducteur contre une réaction avec le métal (Ag, Cu, Tl) de la couche 4 lors de la déposition de cette couche 4 et en étant facilement dissipée dans une des couches 2 et 4 en contact avec elle et à une température plus basse.L'épaisseur de la couche intermédiaire 3 doit être suffisante pour prévenir l'intéraction chimique entre la couche 2 du semi-conducteur et la couche 4 du métal, lors de la fabrication de la surface sensible, sous l'effet d'un rayonnement électromagnétique de faible intensité ou d'une élévation de la température de la couche 2 de semi-conducteur. Ltépisseur optimale de la couche intermédiaire 3 est comprise entre 20 et 200 t. On peut utiliser pour constituer la couche intermédiaire 3 des alliages présentant une structure de cristallisation fine, sur laquelle peut entre ensuite exécutée une déposition épitaxile de la couche 4 du métal. Le processus permet d'obtenir une surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire, ayant le pouvoir de résolution maximal gr ce au fait que la couche de métal se trouve condensée dans une phase à cristallisation fine. Pour déposer les différentes couches, on peut utiliser différents procédés de dépot des couches minces sous vide, par exemple, dépot par projection thermique, pulvérisation par faisceau d'électrons, procédés de dépot cathodique, assurant une haute pureté des couches minces, l'uniformité de l'épais seur de chaque couche et la reproductibilité des résultats. Après avoir déposé, sur la couche intermédiaire 3, la couche 4 de métal, on procède au recuit de la surface à fabriquer, pour faire dissiper ou migrer la couche intermédiaire 3 soit dans la couche 2, soit dans la couche 4 ou simultanément dans les deux couches 2 et 4. On choisit une température de recuit égale ou supérieure à la température de diffusion,de dissolution ou de migration de la matière de la couche intermédiaire 3 dans une des couches 2 et 4 en contact avec elle.La.durée du recuit doit astre suffisante pour obtenir une dissolution ou dissipation, partielle ou complète, de la couche intermédiaire 3. Avec une dissolution ou dissipation partielle (comme montré sur la figure 2) la présence dans la surface sensible d'une partie de la couche intermédiaire 3 ne permet pas d'obtenir une sensibilité maximale pour un couple donné semi-conducteur-métal; toutefois, la surface sensible présente une caractéristique plus linéaire de réponse aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire. Pour obtenir une surface à sensibilité maximale, on continue le recuit jusqu'à la disparition complète- de la couche intermédiaire 3. La figure 3 représente une vue en coupe d'une surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire après un recuit poussé jusqu'à dissipation complète de la couche intermédiaire. La prolongation du recuit après dissipation complète de la couche 3 n'amène pas a'accroissement de la sensibilité de la surface. Pour faire disparattre une couche intermédiaire 3 constituée d'or, de germanium, de plomb, d'étain, ou de gallium, la température du recuit doit être supérieure à 600C. Si la couche intermédiaire 3 est constituée de chrome, de molybdène, de nickel, de fer, la température da recuit doit entre égale ou supérieure à 1000C. Avant de réaliser ce recuit de la surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire, sa surface libre doit etre couverte d'un vernis qui interdise les processus d'oxydation des couches métalliques minces qui peuvent avoir une épaisseur de 200 à 1000 t - Si la substance semi-conductrice de la couche 2 est des types As-S, As-Se, Sb-S, Sb-Se, As-S-Se, Sb-S-Se, la température du recuit peut étire choisie supérieure à la température de diffusion ou de migration de la couche intermédiaire 3, par exemple prise entre 0,7 et 0,9 de la température de vitrification du semi-conducteur de la couche 2. On peut alors choisir la température de recuit dans l'intervalle de température compris entre 100 à 1800C. Le recuit aux- températures précédentes permet d'obtenir une couche semi-conductrice plus homogène, et par suite une sensibilité constante sur toute l'aire de la surface sensible et le rétrécissement de- la bande de sensibilité spectrale. Pour protéger la couche 2 semi-conductrice contre la pénétration, lors du recuit, des atomes de métal de la couche intermédiaire 3, on peut déposer sur la couche 2 semiconductrice une couche 5 de protection contre la diffusion avant de déposer la couche intermédiaire 3. On dépose suoeooi- vement sur la couche de protection 5 une couche intermédiaire 3 et une couche 4 de métal, puis on effectue le recuit. La figure 4 représente une vue en coupe d'une surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire, présentant une couche de protection 5 interdisant la migration de matière entre les couches 2 et 4,après un recuit réalisé jusqu'à la disparition complète de la couche intermédiaire 5. La couche de protection 5 permet de réaliser la migration ou la dissolution de la couche intermédiaire 3 uniquement dans la couche 4 de métal en excluant une migration dans la couche 2 de semi-conducteur en conservant ainsi inchangée la bande de senbilité spectrale de la surface. Pour la couche de protection 5 contre la migration de matière entre les couches 2 et 4 on peut utiliser des oxydes des métaux employés pour former la couche intermédiaire 3, des oxydes de silicium, de germanium, des pellicules organiques telles que des polymères de résines, de polyacrilate, de polyméthylsiloxane, ctest-à-dire des matériaux qui restent inertes par rapport à la couche 2 de semi-conducteur lors d'un chauffage jusqu'à la température du recuit. L'épaisseur de la couche de protection 5 doit être suffisante pour interdire la diffusion ou migration du métal de la couche intermédiaire 3 dans la couche 2 de semi-conducteur lors du recuit. L'épaisseur de la couche de protection peut étre comprise entre 50 et 200 A . La présence de la couche de protection 5 permet de rendre plus mince (de 25 à 50,') la couche intermédiaire 3, ce qui favorise sa disparition lors du recuit. La couche de protection 5, qui joue le rôle d'une barrière lors du recuit, interdit aussi la diffusion à travers elle du métal de la couche 4, même sous l'action d'un rayonnement actinique, après élimination de la couche intermédiaire 3.Cependant, la couche 5 se détruit facilement sous l'action des impulsions courtes à 3 à 10 8~10'8 s) d'un rayonnement laser dont la densité de puissance sur la surface sensible est au moins égale à 1000w/ cm2. La combinaison d'une couche de protection 5 et d'une couche intermédiaire 3 permet d'obtenir une surface sensible au rayonnement présentant une bande requise de sensibilité spectrale et une haute sensibilité pour un rayonnement d'une densité de puissance suffisante pour détruire la couche de protection 5 contre la diffusion. L'essence de l'invention ressortira mieux à la lecture des exemples concrets suivants de réalisation du procédé proposé de fabrication de surfaces sensibles aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire. Exemple 1. Sur un support 1 (figure 1) en verre poli à chaud d'une épaisseur de 3 mm, on dépose successivement, sous vide (1.10 -5 torr), par le procédé de dépot par projection thermique : une couche 2 d'un alliage semi-conducteur As S1 5 Se0,5 d'une épaisseur de 300 t ;une couche intermédiaire 3 d'or d'une épaisseur de 40 t ;et une couche 4 métallique d'argent d'une épaisseur de 4 000 t. La surface ainsi préparée est scellée par un vernis puis soumise à un recuit sous vide t1.10 -5 torr) pendant 3 heures à une température de 800C jusqu'à disparition complète de la couche intermédiaire 3. La sensibilité de la surface augmente de 20 fois après le recuit lorsqu'on l'expose à un rayonnement correspondant à la bande d'absorption propre au composé de la couche de semiconducteur. La poursuite du recuit à la température indiquée n1 augmente plus ensuite la sensibilité de la surface au rayonnement actinique. Le dépot d'une couche 4 métallique en argent directement sur une couche 2 de semi-conducteur As S1 5 Se0,5 dans les mimes conditions amène leur interaction chimique au cours du processus de dépot de la couche métallique 4 par évaporation sous vide et il est impossible d'obtenir ainsi une surface sensible au rayonnement actinique. Exemple 2. Sur un support 1 (figure t) en verre poli à chaud d'une épaisseur de 3 mm, on dépose successivement, sous vide (1.10 5), par le procédé de dépot par projection thermique : une couche 2 de l'alliage semi-conducteur Sb Se0,5 d'une épaisseur de 300 X et une couche intermédiaire 3 en or d'une épaisseur de 40 ss. On dépose ensuite une couche 4 de métal par le procédé de pulvérisation par faisceau d'électrons, par exemple une couche métallique d'argent d'épaisseur 4 000 t. La surface ainsi préparée est scellée ou hermétisée par un revêtement tel qu'un vernis puis subit un recuit sous vide (1.10 -5 torr) pendant 3 heures å une température de 800C jusqu dissolution complète de la couche intermédiaire en vue d'obtenir la sensibilité maximale de la surface. Après le recuit la sensibilité de la surface augmente de 20 fois. Le dépot d'une couche 4 en argent métallique direc tement sur une couche 2 de semi-conducteur Sb S1 Se0,5 dans les memes conditions amène leur interaction chimique au cours du processus de dépot de la couche métallique 4 et il est impossible d'obtenir ainsi une surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire. Exemple 3. Une surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire présentant des couches 2, 3, 4 déposées comme dans l'exemple 1, subit un recuit dans les mêmes conditions que dans les exemples 1 et 2, à la seule différence que la durée du recuit est diminuée de 3096. Une telle diminution de la durée du recuit amène une dissolution ou disparition partielle de la couche intermédiaire 3 (figure 2) conduisant à la division par deux de la sensibilité de la surface ainsi produite comparée avec la sensibilité d'une surface dont la couche intermédiaire 3 a complètement disparu. Une surface dont la couche intermédiaire 3 est partiellement éliminée présente une caractéristique d'exposition plus linéaire (le tronçon initial de la caractéristique d'exposition est "aplatit) par rapport à une surface qui a subi le recuit jusqu'à élimination complète de la couche intermédiaire. Le dépot d'une couche intermédiaire 3 d'une moindre épaisseur(20 ss) pour obtenir une surface ayant la même sensibilité qu'une surface ayant subi un recuit partiel, amène une interaction chimique partielle de la couche 2 de semi-conducteur et de la couche 4 métallique au cours du dépot de la couche 4 et une diminution du coefficient de réflexion initial de la surface (de 50%).La lecture de l'information enregistrée sur une telle surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire s'effectue avec un moindre rapport signal/bruit, c'est-à-dire que la fiabilité de la lecture de 1'information baisse. Exemple 4. Sur un support 1 en verre poli (figure 1) on dépose successivement, sous vide (1.10 5 torr), par le procédé de dépot par projection thermique : une couche 2 de semi-conducteur As2 S5 d'une épaisseur de 300 t; une couche intermédiaire 3 de chrome d'une épaisseur de 30 S; et une couche 4 d'argent métal d'une épaisseur de 3 000 ss. La surface ainsi préparée est hermétisée ou scellée par un vernis aux silicones, puis soumise à un recuit, sous atmosphère de gaz inerte (argon) à une pression de 1.10-2 2torr, à une température de 1200C, soit 0,9 de la température de vitrification de la couche semiconductrice, pendant quatre heures, jusqu'à élimination complète de la couche intermédiaire.Le recuit à cette tempéra ture aboutit à ceque, que que l'accroissement de la sensi- bilité de la surface, après le recuit, au rayonnement de longueur d'onde 488,0 nm est de 25 fois, la sensiblité de la surface hors de la bande d'absorption propre de la couche 2 semi-conductrice, pour un rayonnement de longueur d'onde 632,8 nm, n1 est augmentée que de 4 fois. La diminution relative de la sensibilité de la surface hors de la bande d'absorption propre favorise l'augmentation de la fiabilité de conservation de l'information. Une surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire présentant des couches semi-conductrice 2 et métallique 4 amène une interaction chimique partielle de la couche semi-conductrice 2 et de la couche métallique 4 lors du dépot par projection de la couche métallique 4.L'interaction chimique partielle des couches 2 et 4 lors du dépot de la couche 4 provoque la division par deux du coefficient de réflexion de la surface. La réalisation d'un recuit de stabilisation de la surface, en vue de diminuer sa sensibilité pour un rayonnement dont les longueurs d'onde se trouvent hors de la bande d'absorption propre, se révèle impossible avec les couches 2 et 4 ci-dessus décrites en l'absence d'une couche intermédiaire 3. Exemple 5. Sur un support 1 (figure 1) en quartz poli d'une épaisseur de 5 mm, on dépose successivement, sous vide ,10'5 torr) : par le procédé de dépot par projection thermique une couche 2 de composé semi-conducteur As2S3 d'une épaisseur de 300 t; par le procédé de pulvérisation par faisceau d'électrons, une couche intermédiaire 3 en alliage Mo-Au d'épaisseur 40 ss;; et par le procédé de déposition par projection thermique, une couche 4 d'argent métallique d'épaisseur 4 000 t. Une surface ainsi préparée est hermétisée ou scellée avec un vernis aux silicones appliqué sur la surface extérieure de la couche 4 métallique par un procédé de centrifugation, puis subit un recuit sous vide (1.10 5 torr) pendant 3 heures à une température de 1000C jusqu'à élimination complète de la couche intermédiaire 3. Après ce recuit, la sensibilité de la surface à l'exposition au rayonnement correspondant à la bande ou raie d'absorption propre du corps ou composé semi conducteur de la couche 2 (# j = 488,0 nm) augmente de 30 fois. Comme la condensation de la couche d'argent 2 s'effectue sur une couche intermédiaire 3 qui présente une structure à cristallisation fine (les dimensions des cristaux ne dépassant pas 20 à 30 t), la structure de la couche d'argent 4 est aussi à cristallisation fine. Le dépot par projection de la couche en argent 4 directement sur la couche de semi-conducteur As2 S3 vitrifié aboutit à la condensation de 11 argent sous forme d'une structure à cristallisation grossière dont les dimensions des cristaux sont compatibles ou comparables avec l'épaisseur de la couche 4 et par conséquent, à l'abaissement du pouvoir de résolution. Exemple 6. Sur un support 1 (figure 4) en verre poli à chaud d'une épaisseur de 3 mm, on dépose successivement, par pro jection thermique sous vide (1.10 5 torr) : une couche 2 en alliage semi-conducteur AsS1,5 Se0,3, d'une-épaisseur de 400 t; une couche de protection 5, d'une épaisseur de 60 g, en protoxyde de germanium; une couche intermédiaire 3 en or dtune épaisseur de 20 ss; et une couche métallique 4 en argent, d'une épaisseur de 4 000 ss. Une surface ainsi préparée est hermétisée ou scellée avec un vernis, puis soumise à un recuit sous atmosphère d'argon (1.tu 2 torr) pendant 2,5 heures à une température de 800C jusqu'à migration complète de la couche intermédiaire 3 dans la couche métallique 4. La couche de protection 5 empoche la migration de la couche intermédiaire 3 dans la couche 2 de semi-conducteur, en conservant ainsi invariable la bande de sensibilité spectrale de la surface. L'opération de recuit terminée, la couche de protection 5 est conservée dans la structure de la surface, mais cette couche 5 est facilement détruite sous l'action d'un rayonnement discontinu dans les impulsions ont une durée de 10 5s et dont la densité de puissance ou intensité sur la surface sensible est au moins égale à 1000 W/cm2 Lorsque le rayonnement a une intensité plus faible, la surface sensible possède une très basse sensibilité, de 100 à 200 fois inférieure à celle correspondant à un rayonnement dont la densité de puissance est au moins égale à 1000 W/cm2. Exemple 7. Sur un support 1 (figure 1) en verre poli à chaud d'une épaisseur de 3 mm, on dépose successivement, par le procédé de dépot par projection thermique sous vide (1.10 torr) une couche 2 en alliage semi-conducteur As S Se d'une épaisseur de 400 , une couche intermédiaire 3 en arsenic d'une épaisseur de 200 t;; une couche 4 d'argent métallique d'une épaisseur de 4 000 t. Une surface ainsi préparée est hermétisée ou scellée avec un vernis aux silicones, Une telle surface a pu être gardée pendant 6 mois sans la protéger contre les radiations ambiantes d'une densité de puissance égale à 5.10#4W/cm2 (ceté & Lrement correspond à un éclairement de 1000 lx à découvert, de jour, sans soleil) sans que son coefficient de réflexion varie# Immédiatement avant l'enregistrement d'une information sur la surface on réalisait le recuit de la surface pendant 4 heures à une température de 1100C Jusqu élimination complète de la couche intermédiaire 3.Par ce recuit on a obtenu une sensibilité de la surface telle qu'elle permettait d'enregistrer des impulsions de rayonnement électromagnétique d'une densité de puissance de 0,0005 W/cm2, d'une durée de 100 s. Exemple 8. Sur un support 1 (figure 1) en verre poli à chaud d'une épaisseur de 3 mm, on dépose successivement par le pro cédé de dépot par projection thermique sous vide (1.10 -5 torr): une couche 2 en sulfure d'arsenic As2 S3 d'une épaisseur de 300 ss une couche intermédiaire 3 d'un alliage Cr-Au d'une épaisseur de 40 t; une couche 4 en argent métallique d'une épaisseur de 4 000 ss. La vitesse de dépot de la couche 4 d'argent est choisie pour obtenir une structure optimale à cristallisation fine de la couche 4 sur la couche intermédiaire 3 (environ 100 t/s). La surface est hermétisée ou scellée avec un vernis aux silicones, puis subit un recuit sous atmosphère de gaz inerte (argon) à une pression de 10 -2 torr pendant 3 heures à une température de 1000C. Après ce recuit la sensibilité à un rayonnement de longueur d'onde égale à 488,0 nm a augmenté de 30 fois. Le dépot direct de l'argent métal de la couche 4 sur la couche 3 en-As2S3 n'est possible qu'avec une très grande vitesse de dépot (une pellicule épaisse de 4 000 À a été déposéé en 5 s). Toutefois, une pellicule de métal condensée à une telle vitesse est caractérisée par une structure à cristallisation grossière, ce qui diminue le pouvoir de résolution de la surface sensible. Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée aux modes de réalisation décrits et représentés qui n'ont été donnés qu'à titre d'exemple. En particulier, elle comprend tous les moyens constituant des équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons, si celles-ci sont exécutées suivant son esprit et mises en oeuvre dans le cadre des revendications qui suivent. REVENDICATIONS 1.- 1.- Procédé de fabrication d'une surface sensible aux rayonnements électromagnétique et corpusculaire selon lequel on dépose successivement sur un support transparent une couche d'un composé, corps ou alliage semi-conducteur, une couche intermédiaire inerte par rapport à la couche de semi-conducteur, et une couche d'un métal capable d'entrer en réaction, sous l'effet d'un rayonnement électromagnétique ou corpusculaire, avec la couche de semi-conducteur en formant des produits ayant des propriétés physiques et chimiques différant des propriétés physiques et chimiques de la couche de métal et de celles de la couche de semi-conducteur, caractérisé en ce qu'après le dépôt de la couche de métal on réalise un recuit à une température au moins égale à la température de migration de la matière de la couche intermédiaire dans la matière d'au moins une des couches en contact avec elle durant un temps suffisant pour assurer la disparition au moins partielle de ladite couche intermédiaire0 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le recuit est poursuivi jusqu'à élimination complète de la couche intermédiaire. 3.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, avant de déposer ladite couche intermédiaire, on dépose, sur la couche semi-conductrice, une couche de protection Jouant le rôle d'une barrière interdisant la migration entre les couches qu'elle sépare. 4.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice est réalisée en un composé ou un alliage des types As-S, As-Se, Sb-S, Sb-Se, As-S-Se, Sb-S-Se, et en ce que le recuit est réalisé à une température égale à 0,7 à 0,9 de la température de vitrification de la couche semi-conductrice. 5.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le recuit est réalisé immédiatement avant l'utilisation de la surface sensible. 6.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la couche intermédiaire présente une cristallisation fine et en ce que la couche métallique présente par rapport à cette couche intermédiaire une constitution, au moins de contact, épitaxile.