FR 2421957 A1 19791102 FR 7800955 A 19780113 L'invention se rapporte à des dispositifs pour lrapplica tion de pellicules minces sous vide et, en particulier, à des dispositifs pour l'application, à l'aide d'ions-plasma, de revêtements en utilisant un plasma en tant que source des ions bombardant le matériau à pulvériser. L'invention peut être utilisée de la manière la plus efficace pour l'application de pellicules minces de métaux7 semiconducteurs et diélectriques (pulvérisation réactive) sur la surface d'articles divers. Elle peut être utilisée aussi pour le décapage de surfaces métalliques, par pulvérisation, et pour le nettoyage d'articules par un courant de plasma. A présent, on connaît quelques types de dispositifs pour la pulvérisation à l'aide d'ions-plasma. Le principe de fonctionnement de ces dispositifs est basé sur l'enlèvement d'atomes, à partir de la surface du matériau à pulvériser, par le bombardement avec des ions. Les dispositifs de pulvérisation se divisent, d'après la construction, en diodes (à deux électrodes), triodes (à trois électrodes) et tétrodes (à quatre électrodes). Les deux derniers types sont appelés dispositifs à ions-plasma. Les dispositifs de pulvérisation, du type diode, comportent, par exemple, une cathode plate (cible) en matériau à pulvériser et une anode plate disposée en face de la cathode, parallèlement à elle. Lors de l'application du potentiel négatif à la cathode et du potentiel positif à l'anode, il se produit, dans l'espace entre elles, une décharge gazeuse autonome. Les ions positifs, formés dans la décharge, par exemple dans de l'argon, bombardent la cathode, enlèvent les atomes du matériau constitutifs de la cathode, une partie-desquels se déposent sur des articles situés en face de la surface, à pulvériser, de la cathode. Les diodes fonctionnent avec une pression de 13,3-1,33 Pa, avec une tension entre la cathode et l'anode atteignant jusqu'à 3000 V, et avec densité du flux ionique, par exemple de l'argon, de 0,5-i,0 mA/cm2. La vitesse d'application des pellicules est de quelques centièmes de micron à la minute. Les inconvénients importants de ces dispositifs résident en un petit rendement et en une qualité inférieure des revêtements, conditionnés par la haute pression de travail, le chauffage non mattrisé des articles, la faible vitesse d'application des revetements, la haute tension de la décharge, etc. Ces inconvénients sont éliminés dans le cas où l'on a recours à des dispositifs de pulvérisation à ions-plasma. Dans les dispositifs de ce type est introduite une troisième électrode- cible fabriquée en matériau nécessaire pour l'application des revttements et, comme source d'ions, on utilise le plasma de décharge gazeuse semi-autonome avec cathode chaude. Pour l'augmentation de la densité du plasma et de la probabilité d'ionisation du gaz de travail, on utilise un champ magnétique. Par application du potentiel négatif à la cible, on obtient l'accélération des ions, à partir du plasma, et la pulvérisation du matériau.Les dispositifs de pulvérisation à ions-plasma fonctionnent avec des pressions de 0,133-0,08 Pa.La vitesse d'application des pellicules atteint, alors, quelques dixièmes de micron à la minute. les dispositifs de pulvérisation à ions-plasma présentent, par comparaison avec les dispositifs du type diode, les avantages suivants : un plus haut degré de pureté des pellicules, résultant d'une faible pression de travail ; une vitesse plus élevée d'application des pellicules ; une grande reproductibilité, et une maltrise aisée du processus d'application. Le dispositif connu de pulvérisation à ions-plasma, du type triode, comporte une cathode chaude et une anode lamellaire disposée en face de la cathode. La cible plate, en matériau à pulvériser, se trouve entre la cathode chaude et Anode, parallèlement au plan passant par la cathode et par l'anode, la surface à pulvériser de la cible étant orientée vers ce plan. L'article, sur lequel il faut appliquer la pellicule, se situe en face de la cible, du c8té de la surface à pulvériser, à l'autre côté du plan passant par la cathode chaude et par Anode. Le dispositif comprend un système magnétique, qui crée un champ magnétique dans le sens du mouvement des électrons, de la cathode à l'anode, le long de la surface de la cible. Le dispositif est placé dans une chambre à vide, ayant des orifices pour l'évacuation des gaz résiduels et pour l'amenée du gaz de travail. Il y a aussi des orifices pour le placement des entrées, à l'aide desquelles la cathode, l'anode et la cible se mettent sous tension à partir des sources d'alimentation. Par ces entrées, l'anode et la cible sont refroidies à l'eau. La cathode et la cible sont isolées des parois de la chambre à vide et l'anode est mise à la terre. Le dispositif mentionné fonctionne- sous une pression de 0,133-1,35 Fa, qui est créée par l'introduction du gaz de travail, par exemple de l'argon, dans la chambre mise sous vide, jusqu'à 1,33.10 4 Pa. La cathode chaude est parcourue par un courant suffisant pour son chauffage jusqu'à la température d'émission. Lors de l'application d'une tension, entre la cathode chaude et l'anode, de l'ordre de 200 à 500 V, il se produit une décharge gazeuse. Dans le volume, entre la cathode chaude et l'anode (cible et article), il se forme un plasma, qui est confiné par le champ magnétique en un courant passant au-dessus de la surface de la cible. À la cible est appliqué le surpotentiel négatif, à partir de la source haute tension. Les ions ponitifs de l'argon s'accélèrent vers la face de la cible, la bombardent et en chassent des atomes du matériau, dont une partie se déposent sur les articles. À l'aide de ce dispositif, avec une densité du flux ionique, sur la cibLe, de 3 à 5 mA/cm, une tension de décharge de 200 V, un courant de décharge de 6-8 A, on peut obtenir une vitesse d'application de revêtements métalliques atteignant jusqu'à 0, 1 p/ mn. L'inconvénient important de ce dispositif réside en ce que le volume de décharge (espace entre la cathode chaude et l'anode) sert aussi d'espace où il se produit la pulvérisation du matériau et sa précipitation sur la surface de l'article. Dans ce dispositif, il est impossible de diminuer la pression de travail pour obtenir une augmentation de la qualité- des pellicules et une élévation de la vitesse d'application. La réduction de la pression dans la chambre à vide conduit à la diminution de la probabilité d'ionisation et à l'interruption de la décharge. Un autre inconvénient de ce dispositif réside en une pollution de la pellicule par le matériau constitutif de la cathode chaude, qui est pulvérisé par les ions de plasma. La cathode chaude ouverte ne permet pas, non plus, de mettre en oeuvre, le processus de pulvérisation réactive, lorsqu'il est nécessaire d'introduire dans la chambre à vide, en plus du gaz de travail, un gaz réactif, par exemple de l'oxygène. Dans ce cas, la longévité de la cathode chaude diminue brusquement. L'application du champ magnétique le long du champ électrique, entre la cathode chaude et l'anode, aboutit à la répartition Irrégulière de la densité du plasma au-dessus de la surface de la cible et, donc, à la pulvérisation irrégulière de la cible. La disposition de la cible entre la cathode et l'anode augmente la tension de la décharge, ce qui abrège la durée de vie de la cathode chaude et fait croître la probabilité de pollution de la pellicule. Pour augmenter le rendement du dispositif de ce type, il faut augmenter la pression de travail, ce qui entraine 1'altération de la qualité des pellicules. On connait aussi un dispositif de pulvérisation à ionsplasma, comportant une cathode chaude, une cible plate, un article et un système magnétique. La cible est entourée d'un écran en V. L'écran possède un orifice en forme de fente, du côté de la cathode chaude. Cet orifice confine le courant de plasma en lui donnant la forme d'un ruban parallèle à la surface de la cible. L'écran sert aussi d'anode de décharge. L'emploi de l'écran diminue la pollution de la pellicule par le matériau constitutif de la cathode chaude. Le confinement du plasma sous la forme d'un ruban aboutit à la pulvérisation régulière de la surface de cible. La séparation partielle, par ltécran, de la zone de décharge et de la zone d'application des pellicules n'élimine pas-tous les inconvénients propres au dispositif décrit ci-dessus. Selon l'autre variante de réalisation de ce dispositif, #1a cathode chaude est entourée d'un écran se présentant sous la forme d'un tube, dans l'une des faces duquel est introduite la cathode chaude, et, dans la face opposée, il y a un orifice se présentant sous la forme d'une fente. En face de l'orifice se situe une anode lamellaire. La cible est placée entre la cathode chaude et l'anode. Le système magnétique du dispositif crée le champ magnétique, dirigé de la cathode à l'anode, à travers la fente de l'écran, le long de la surface de la cible. La mise sous écran de la cathode chaude réduit considéra blement la probabilité de pollution de la pellicule par le matériau constitutif de la cathode chaude. Les inconvénients de ce dispositif résultent de la conception constructive selon laquelle la cible et l'article, situé en face de la cible, sont disposés entre la cathode chaude et l'anode. De cette façon, la zone d'existence du plasma de décharge gazeuse fait aussi fonction de zone où -l se produit la pulvérisation de la cible et 1' application de la pellicule sur l'artible. la pression du gaz de travail, par exemple, de l'argon, dans cette zone est de 0,133 Pa. La réduction de la pression aboutit à la diminution de la densité du plasma et à l'interruption de la décharge. C'est pour cette raison qu'il est impossible d'améliorer, dans ce dispositif, la qualité des pellicules. Un autre inconvénient de ce dispositif réside en ce que, lors de l'introduction des gaz réactifs dans la chambre à vide, par exemple de l'oxygène, ce dernier interagit avec la cathode chauffée et abrège, par cela même, sa longévité Quand la distance entre la cathode chaude et l'anode dans ce dispositif est grande, il est difficile d'amorceur la décharge et il faut appliquer une haute tension pour le maintien de la décharge. Selon une autre variante de dispositif, pour l'élimination de cet inconvénient, on a placé, à proximité de la cathode chaude, une électrode, sous forme d'une tige, liée électriquement à anode, ce qui diminue quelque peu la tension e la décharge. Mais ce dispositif conserve, quand même, tous les autres inconvénients propres aux dispositifs décrits ci-dessus. Le but de la présente invention consiste à éliminer les inconvénients susindiqués. On stest posé le problème de mettre au point un dispositif de pulvérisation à ions-plasma dans lequel la zone de décharge soit éloignée, dans l'espace, de la zone de pulvérisation. Ce problème est résolu par le fait que, dans le dispositif pour l'application à ions-plasma des revêtements sur l'article, dans lequel le flux de plasma est formé par le champ. électrique entre l'anode et la cathode chaude dans la chambre à vide, et dans lequel le confinement du flux de plasma est assuré par le champ magnétique, créé par le système magnétique, et par l'écran à fente, placé suivant le trajet du flux de plasma ; et aussi parce qu'il y a un porte-pièce et une c-ible à pulvériser situés sur des cotés différents du flux de plasma confiné.Suivant l'invention, on a disposé, dans la chambre à vide, une chambre de décharge isolée électriquement d'elle et on a pratiqué, au moins dans l'une des parois de ladite chambre, un orifice en forme de fente, l'anode et la cathode chaude étant disposées dans la chambre de décharge de sorte que la cathode chaude se trouve en face dudit orifice en forme de fente et le système magnétique crée un champ magnétique diigéX à travers la cathode et ~'orifice en fente, perpendicaini- rement au champ électrique entre l'anode et la cathode chaude. La disposition de la cathode chaude et de l'anode dans la chambre de décharge fermée, ayant une fente d'un débit déterminé en gaz, a permis de séparer la zone de décharge et la zone de pulvérisation. Par cela même, on crée des conditions optimales de pression pour l'existence de la décharge, aussi bien que pour le processus d'application de pellicules de qualité. De ce fait, la pression du gaz de travail dans la chambre de décharge est supérieure à celle régnant dans la zone de pulvérisation, ce qui permet d'augmenter la densité du plasma et de diminuer la diffusion de gaz réactif au cours de la réalisation de pellicules diélectriques par le procédé de pulvérisation réactive. A 1laide d'un système de pompage de grande efficacité on peut eréer, dans la zone de pulvérisation, une pression très basse , car la capacité de passage au travers de la fente de la chambre de décharge dépend de ses dimensions géométriques. La réduction de la pression de travail, lors de l'application de pellicules sur l'artiele, est nécessaire pour obtenir l'amélioration de la qualité des pellicules et l'augmentation de la vitesse d'application. La qualité des pellicules, leur pureté et leur adhésion s'accroissent sous de faibles pressions de travail, grâce à la diminution des inclusions de gaz et à la conservation de l'énergie des atomes pulvérisés. A la suite d'une diminution de la pression, la vitesse d'application de pellicules s'accrot grâce à la diminution du nombre de collIsions des atomes pulvérisés avec les molécules du gaz résiduel et à l'augmentation du nombre des atomes qui ont atteint la surface de l'article. La séparation de la zone de décharge et de la zone de pulvérisation contribue à lrélargissement des possibilités technologiques du dispositif et à l'augmentation de la durée de vie de la cathode chaude, en cas d'introduction, dans la chambre à vide, de gaz réactifs, par exemple de l'oxygène pour la formation de revêtements d'oxydes. La disposition de l'anode, à proximité de la cathode chaude de sorte que le champ électrique, entre elles,soit perpendicula~re au champ magnétique créé par le système magnétique, a permis d'utiliser, pour la génération du plasma, une décharge d'arc dans des champs électrique et magnétique perpendiculaires entre eux. Ce type de décharge se caractérise par une petite chute de potentiel et par un grand courant de décharge, ce qui donne la possibilité d'augmenter le flux ionique sur la cible et, par conséquent, la vitesse d'application du matériau. En même temps, la durée de vie de la cathode chaude augmente elle aussi, gce à la diminution de l'énergie des ions bombardant la cathode chaude. Suivant l'une des variantes de l'invention, en face de la fente, derrière la cible, on a placé un répulseur isolé électriquement de la chambre à vide, le porte-pièce et la cible à pulvériser étant disposés entre la chambre de décharge et le répulseur. Le dispositif doté d'un répulseur fonctionne en régime de décharge avec oscillation des électrons. A ce régime de fonctionnement, la densité du flux ionique augmente et, par conséquent, le rendement du dispositif s'accroît lui aussi. Le répulseur peut être connecté électriquement à la cathode chaude ou au p81e négatif de la source de tension. Dans les dispositifs de pulvérisation à ions-plasma, utilisant la décharge d'arc avec la cathode chaude et avec la source d'alimentation à courant continu, la régularité du flux de plasma suivant la section dépend de la répartition du courant de décharge qui est appliqué au courant de cathode. La répartition régulière du courant de décharge, suivant la longueur de la cathode chaude, assure la répartition régulière de la densité du plasma le long de la cathode, ce qui aboutit à la -pulvérisation régulière de la cible et augmente la durée de vie de la cathode chaude. Dans le dispositif proposé, la répartition régulière du courant de décharge est assurée par le fait que la cathode chaude est fixée dans au moins deux porte-pièces, qui sont liés à l'aide des résistances-ballast à la source de tension constante. Les porte-pièces divisent la cathode chaude, suivant sa longueur, en secteurs égaux. L'avantage de l'emploi des résistances-ballast dans le circuit d'alimentation de la cathode et de décharge réside en ce que, lors de la modification du courant de décharge, la régularité de la répartition du courant total, suivant la cathode chaude, n'est pratiquement pas altérée. En outre, les résistances-ballast protègent la source d'alimentation de décharge contre un courtcircuit éventuel. Selon une autre variante de réalisation, dans la chambre de décharge sont pratiqués deux orifices en forme de fentes dans ses parois opposées, le dispositif étant muni des cibles auxiliaires situées de deux côtés de la chambre de décharge. Cette construction de la chambre de décharge augmente l'économie de fonctionnement du dispositif et élargit ses possibilités technologiques. Lors de l'application du potentiel négatif aux cibles, établies en des matériaux différents, à partir de l'une ou de plusieurs sources d'alimentation, on peut appliquer, sur la surface de l'article, des revêtements à couches multiples ou des combinaisons avec une répartition voulue des matériaux constitutifs des cibles dans l'épaisseur de la pellicule. La chambre de décharge du dispositif proposé peut avoir la forme d'un anneau entourant la cible avec la fente dans la paroi, orientée vers la cible, la cathode chaude et l'anode étant réalisées compte tenu de la forme de la chambre de décharge. La cible peut être exécutée sous forme d'un cylindre placé coaxialement par rapport à la chambre de décharge. L'exécution de la chambre de décharge sous la forme d'un anneau entourant la cible avec la cathode chaude, située dans la chambre, augmente l'efficacité et le rendement du dispositif, grâce à l'emploi de la dérive fermée des électrons le long de la cathode et de la possibilité d'augmentation de la surface de la cible sans accroissement du diamètre de la cathode chaude annulaire. Une autre variante de l'invention prévoit l'établissement de la cible sous la forme d'un anneau entourant la chambre de décharge, l'orifice en forme de fente de la chambre de décharge étant ménagé dans sa paroi orientée vers la cible. Lors du fonctionnement du dispositif ainsi construit, il se forme un flux de plasma divergeant radialement qui passe audessus de la surface de la cible. Grâce à la création de la dérive fermée des électrons, le long de la cathode chaude annulaire, on augmente la possibilité d'ionisation du gaz de travail, la densité du plasma et le flux ionique sur la cible. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description suivante d'exemples non limitatifs en se référant aux dessins ci-annexés sur lesquels - la figure 1 montre schématiquement le dispositif de pulvérisation à l'aide d'ions-plasma - la figure 2 est une coupe selon II-II figure 1 - la figure 3 illustre une variante du dispositif de pulvérisation à l'aide d'ions-plasnia - la figure 4 illustre une variante du dispositif à chambre de décharge annulaire - la figure 5 représente une variante du dispositif à chambre de décharge annulaire et à cible cylindrique - la figure 6.montre une variante du dispositif avec chambre de décharge annulaire, entourée par la cible annulaire. Le dispositif selon l'invention (figures 1, 2) comporte une chambre à vide 1, ayant un orifice 2 pour l'éyacuation des gaz résiduels et des orifices 3, 4 pour l'introduction des gaz de travail. Dans la chambre à vide 1 est placée une chambre de décharge 5, isolée électriquement de la chambre à vide et ayant une fente 6 et un orifice 7 pour l'introduction du gaz de travail. La chambre de décharge 5 est isolée de la chambre à vide 1 par un isolateur 8. A l'intérieur de la chambre de décharge 5, le long de la fente 6, on a placé une cathode chaude 9 sous forme d'une barre ou d'une spirale. Les extrémités de la cathode chaude sortent de la chambre de décharge 5 à l'aide d'isolateurs 10, 11, et ils sortent de la chambre à vide 1 à l'aide d'isolateurs t2, 13. Dans la chambre de décharge 5, perpendiculairement au plan passant par la cathode chaude 9 et par la fente 6, on a placé une anode 15, isolée électriquement de la chambre à vide 1 et de la chambre de décharge 5 à l'aide d'un isolateur 14. En face de la fente 6, sur l'isolateur 16 est monté un répulseur 17, qui est relié à une source 18 de potentiel négatif. Entre la chambre de décharge 5 et le répulseur 17 se trouve placée une cible plate 19 en matériau nécessaire pour l'application du revêtement, de sorte que le plan, passant par la cathode chaude 9 et par ia fente 6, soit parallèle à la surface à pulvériser de la cible 19. le porte-pièce 20 se trouve de l'autre côté de ce plan, en face de la cible 19. Le système magnétique 21 est placé dans la chambre à vide 1 de sorte que les lignes de force du champ magnétique, créé par ce système magnétique, passent par la cathode chaude 9, la fente 6, le long de la cible 19, la cathode chaude 9 et la fente 6 étant disposées sur la même ligne de force du champ magnétique. Le champ magnétique, créé par le système magnétique 21, est perpendiculaire au champ électrique établi entre la cathode chaude 9 et l'anode 15.T'intensité du champ magnétique, au milieu de la cible 19, est de 250-300 oersteds. le système magnétique 21 peut se trouver hors de la chambre à vide f. La cathode chaude 9 est fixée dans les porte-pièces 22 (figure 2), dont les extrémités sont isolées de la chambre de décharge 5 et de ia chambre à vide 1 par des isolateurs 23, 24. Les porte-pièces 22 sont connectés, par l'intermédiaire de résistances-ballast 25, au pôle négatif d'une source 26 de tension. La grandeur RK de n'importe quelle résistance-ballast 25 se calcule au moyen de la formule : X = 2(n+1jVa~7a Ro - VkkRo- 2kVk F2Va-Vk(n+1)J 7 ale (n+13 Va - (# k+13 Vkj où : k est le numéro d'ordre de la résistande-ballast 25 k = t, 2, 3, . Va, la tension de la décharge entre l'anode 15 et la cathode chaude 9, en volts ; Ia X le courant de décharge, en ampères ; Ro, la résistance de la cathode chaude 9, en ohms Ik, le courant de chauffage de la cathode chaude 9, en ampères ; VkX la tension de chauffage de la cathode chaude 9, en volts ; n, , le nombre de secteurs de la cathode chaude 9, divisés par les porte-pièces 22. Afin d'éviter la mise en court-circuit des secteurs de la cathode chaude 9 par les résistances-ballast 25, la résistance de la cathode chaude 9 doit être plus grande, de deux ordres, que la résistance du secteur de la cathode chaude 9 entre les portepièces 22. À partir d'une source 28, la tension est appliquée à la cathode chaude 9, par les entrées decourant 27. Sur la cible est appliqué le potentiel négatif à partir d'une source 29. La cible 19 est isolée électriquement de la chambre à vide 1 à l'aide d'un isolateur 30. La cible 19, la chambre de décharge 5, le répulseur 17, l'anode 15,-les entrées de courant 27 de la cathode chaude 9,les extrémités des porte-pièces 22 sont refroidis par de l'eau (dispositif de refroidissement non représenté sur la figure 1). Avant le début de fonctionnement, en face de la cible 19, à une distance de 70 à 100 mm, on monte l'article dans le portepièce 20. On relie le dispositif, à travers l'orifice 3, au système d'amenée du gaz de travail, par exemple de l'argon (système non représenté sur la figure). Àu dispositif, on branche le système de refroidissement par eau de la chambre de décharge 5, de la cible 19, de l'anode 15 et du répulseur t7 (système non représenté sur la figure). Dans la chambre à vide 1, on crée une dépression de 1,5.10 4 Pa, par des moyens universellement connus, par exemple à l'aide d'une pompe à diffusion ou d'une pompe turbomoléculaire. Ensuite, on chauffe la cathode chaude 9, fabriquée par exemple en tungstène, d'un diamètre de 2 mm, par un courant continu de l'ordre de 150 A, à partir de la source 28, jusqu'à la température d'émission. Dans la chambre de décharge 5, à travers l'orifice 7, on introduit de l'argon jusqu a ce que la pression dans la chambre à vide atteigne de 2,6 à 5,4.10 Fa à un débit de pompage de la chambre à vide 1 d'environ 1000 1/s. En même temps, dans la chambre de décharge 5 il s'établit une pression environ 0,2 Pa. On connecte la source d'alimentation 26 et on applique la tension de décharge, entre la cathode chaude 9 et l'anode 15-dans des limites de 50-80 V. Entre la cathode chaude 9 et l'anode 15, il se crée un champ électrique qui accélère lesélectrons, émis par la cathode chaude 9, vers le côté de l'anode 15. Les électrons acquièrent une énergie suffisante pour l'ionisation de l'argon. Lors des collisions des électrons avec des molécules d'argon il se forme un plasma. La tension de décharge tombe spontanément, et il apparaît le courant de décharge.Cela montre que, dans la chambre de décharge 5* il y a une décharge d'arc. le courant de décharge se répartit régulièrement, à travers les résistances-ballast 25 et les porte-pièces 22, selon les secteurs de la cathode chaude 9, en provoquant le chauffage régulier de la cathode chaude 9. Dans la chambre de décharge 5, grave aux champs magnétique et électrique perpendiculaires entre eux, les électrons se meuvent suivant des trajectoires spirales compliquées, ce qui augmente la probabilité d'ionisation et la densité du plasma. Le plasma, formé dans la chambre de décharge 5 (zone de décharge), diffuse, à travers la fente 6, le long des lignes de force du champ magnétique, créé par le système magnétique 917 dans la zone où se trouvent la cible 19 et le porte-pièce 20 (zone -de pulvérisation). La fente 6 confine le plasma en un flux rubané passant parallèlement à la surface à pulvériser de la cible 19, à une distance de 10-15 mm de cel1e-ei. En atteignant le répulseur 117, porté à un petit potentiel négatif, les électrons sont repoussés de lui et se déplacent suivant les lignes de force du champ magnétique, dans le sens inverse. De la sorte, les électrons an plasma oscillent entre la cathode chaude 9 et le répulseur jasqu-'S ce qu'ils pénètrent sur l'anode d5 ou sur la paroi de la chambre à vide 1. À ce régime de fonctionnement (régime avec oscillation des électrons), il se crée une ionisation supplémentaire dans la zone de pulvérisation , ce qui augmente l"efticacité du dispositif en gaz, c'est-à-dire que, avec la même quantité d'argon, on pBut obtenir un courant de décharge plus grand et, par conséquent,-nn flux ionique plus grand sur la cible 19. Le dispositif peut fonctionner sans répulseur 17. Dans -c-e cas, le plasma se diffuse dans le volume sur les parois de la chambre à vide 1. Pour la mise en oeuvre du processus d'application du revêtement sur l'article monté sur le porte-pièce 20, on applique à la cible 19 un po-eentlel négatif, à partir de la source 29, dans des limites de 500 à 2000 V. Dans ce cas, les ions positifs du flux rubané de plasma s'accélèrent vers le côté de la cible 19 en bombardant sa surface et en enlevant des atomes à partir du matériau de la cible 19. Ces atomes quittent la cible 19 et une partie d'entre eux se déposent sur la surface de l'article en formant, sur celui-ci, une pellicule mince. La vitesse d'application de la pellicule sur l'article dépend de la densité-du flux~ionique sur la cible 19 et de la pression de travail. Dans le dispositif proposé, à une densité du flux sur la cible 19 d'environ 2O mA/cm et sous une pression de 5,4 à 6,7.10 4 Pa, on peut obtenir une vitesse d'application, par exemple de cuivre, de l'ordre de 1 plan. La pression dans la zone de pulvérisation se trouve déterminée par les dimensions géométriques de la fente 6 et par le débit de pompage de la chambre à vide 1. Pour la diminution de la pression dans cette zone, avec une capacité de passage constante de la fente 6, il faut augmenter le débit de pompage. Ainsi, par exemple, avec les dimensions suivantes de la fente 6 : largeur 10 cm, hauteur 0,5 cm, profondeur 1,0 cm et un débit de pompage de 2000-3000 l/s pour la chambre à vide 1, la pression de travail dans la zone de pulvérisation s'établit à une valeur d'environ 10-7 Fa. De la sorte, l'avantage du dispositif proposé de pulvétkn à l'aide d'ions-plasma consiste en ce que, grâce à la séparation constructive de la zone de décharge et de la zone de pulvérisation, ses caractéristiques de travail (basse pression de travail dans la zone de pulvérisation et grande densité des ions sur la cible 19) assurent la formation de pellicules d'une haute qualité, à un haut rendement. En outre, cette séparation de la zone de décharge et de la zone de pulvérisation permet d'effectuer la pulvérisation réactive, avec emploi des gaz c himiquement actifs, sans diminution de la durée de vie de la cathode chaude 9.Dans ce cas, on introduit, dans la zone de pulvérisation, à travers l'orifice 4, en plus d'argon, un gaz réactif, par exemple de l'oxygène. Sur la surface de l'article il se forme, alors, une pellicule composée de l'oxyde du matériau constitutif de la cible 19. La figure 3 montre une variante d'exécution du dispositif selon l'invention. La chambre de décharge 5 possède, dans cette variante, deux fentes 6 agencées dans les parois opposées de la chambre de décharge 5, de sorte que les fentes 6 et la cathode chaude 9 se trouvent sur la même ligne de force du champ magnétique créé par le système magnétique 21. Les deux, ou plus de deux, cibles 19 sont placées de deux côtés de la chambre de décharge 5. Chape cible 19 peut être reliée à une source d'alimentation 29 éparée. Fendant le fonctionnement du dispositif, selon cette variante, le plasma formé dans la décharge électrique, entre 11 anode 15 et la cathode chaude 9, est confiné par les fentes 6 en un flux rubané. Le flux du plasma diffuse, de la cathode chaude 9, à travers les fentes 6, dans des sens opposés, le long des lignes de force du champ magnétique, vers le côté des cibles 19. La pulvérisation des cibles 19 se fait par application d'un potentiel négatif, à partir de sources d'alimentation 29. L'avantage de cette variante réside dans l'utilisation efficace du plasma, dans l'augmentation de la productivité d'application des revEtements et dans la possibilité d'obtenir des revetements d'une composition complexe, tant suivant son épaisseur que selon la proportion des matériaux différents provenant des différentes cibles 19. Les figures 4, 5, 6 montrent aussi des variantes d'exécu- tion du dispositif, dans lesquelles la chambre de décharge 5 affecte la forme d'un anneau. Vue en eoupe, la chambre de décharge 5 peut avoir des formes variées, par exemple une forme rectangulaire. ur la paroi de la chambre de décharge 5, orientée vers la cible 19, il y a une fente 5. La cible 19 peut avoir la forme, par exemple, d'un anneau (figures 4 , 6) ou d'un cylindre (figure 5). A l'intérieur de la chambre de décharge 5 sont placées une cathode chaude annulaire 9 et une anode annulaire 15, de sorte que le champ électrique créé entre elles, au cours de l'application de la tension a partir de la source 26 à travers les résistances ballast 25, soit perpendiculaire au champ magnétique créé par le système magnétique 21. L'avantage de ces variantes du dispositif (figures 4, 5 et 6) réside en ce aue, grâce à la création de la dérive fermée des électrons, le long de la cathode chaude annulaire 9, on obtient l'augmentation de la probabilité d'ionisation du gaz de travail, de la densité du plasma et du flux ionique sur la cible 19. En plus, dans la variante du dispositif avec cible cylindrique 19 (figure 5), l'accroissement du rendement slobtient par angmentation de la longueur de la cible 19, sans augmentation du diamètre de la cathode chaude annulaire 9. Le fonctionnement du dispositif réalisé selon différentes variantes montrées sur les figures 4, 5, 6 est analogue au mode de fonctionnement du dispositif représenté sur la figure 1, et décrit ci-dessus. La différence de ces variantes consiste en ce que, dans la variante représentée sur la figure 4, le flux forme de plasma est radialement convergent cependant que, dans la variante représentée sur la figure 5, le flux de plasma est tubulaire autour de la cible 19 et, dans la variante represenbee sur la figure 6, le flux de plasma est radialement divergent et passe au-dessus de la surface de la cible 19. REVENDI CBTIONS 1. Dispositif pour l'application, à l'aide d'ions-plasma, de revêtements sur des articles, dans lequel le flux de plasma est formé par un champ électrique établi entre une anode et une cathode chaude dans une chambre à vide, et le confinement du flux de plasma est assuré par un champ magnétique, eréé par un système magnétite, et par i écran a fente, installé suivant le traJet du flux de plasma, et il y a un porte-pièce et une cible à pulvériser, montés sur des côtés différents du flux de plasma confiné, caracté- risé par Se fait qu'on a disposé, dans la cha-mbre à vide, une chambre de décharge, isolée électriquement de ladite chambre à vide, et on a pratiqué, au moins dans l'une des parois de ladite chambre, un orifice en forme de fente, l'anode et la cathode étant disposées dans la chambre de décharge de sorte que la cathode chaude se situe en face dudit orifice en forme de fente et le système magnétique crée le champ magnétique dirigé à travers la cathode chaude et l'orifice en fente, perpendiculairement au champ électrique entre l'anode et la cathode chaude. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'il possède un répulseur, placé en face de l'orifice en forme de fente de la chambre de décharge, le porte-pièce et la cible à pulvériser étant disposés entre la chambre de décharge et le répulseur. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé par le fait que le répulseur est lié électriquement à la cathode chaude. 4. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé par le fait qu'il possède une source de potentiel négatif, reliée au répulseur. 5. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait que, dans les parois opposées de la chambre de décharge, sont pratiqués deux orifices en forme de fente, le dispositif étant muni des cibles à pulvériser supplémentaires, disposées de deux côtés ae la chambre de décharge. 6. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la cathode chaude est montée dans au moins deux partie pièces, placés régulièrement suivant la longueur delta cathode chaude et est isolee électriquement de la chambre de décharge, et en plus, on a prévu une source de tension, dont le pôle positif est connecté à l'anode et le p8le négatif est connecté, à l'aide de résistancesballast, aux extrémités libres des porte-pièces de la cathode chaude. 7. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la chambre de décharge est réalisée sous la forme d'un anneau entourant la cible, la cathode et l'anode étant réalisées conformément à la forme de la chambre de décharge et l'orifice en forme de fente de la chambre de décharge étant pratiqué dans sa paroi orientée vers la cible. 8. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la cible est exécutée sous la forme d'un anneau entourantla chambre de décharge, 11 orifice en forme de fente de la chambre de décharge étant pratiqué dans sa paroi orientée vers la cible. 9. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé par le fait qu'il possède la forme dtun cylindre disposé coaxialement par rapport à la chambre de décharge.