FR 2386139 A1 19781027 FR 7709185 A 19770328 la présente invention concerne un dispositif à semiconducteurs comportant une couche d'isolation au une couche de protection de type nouveau. De façon générale, un dispositif à semiconducteurs tel qu'un transistor, une diode, un circuit intégré, etc, comporte une couche d'isolation ou une couche de protection placée sur le substrat semiconducteur et sur les électrodes. ta figure 1 représente un exemple caractéristique de dispositif à semiconducteurs classique.Sur la figure 1, une couche d'isolation 4 et une couche de protection 5 sont formées dans cet ordre à la surface d'un substrat semiconducteur,sauf au niveau des surfaces de contact avec les électrodes, et le substrat semiconducteur comporte un transistor 1 et une résistance 2. ta couche d'isolation 4 est génarlement une couche d'oxyde, par exemple de silice, et la couche de protection 5 est une couche de verre au silicate dopé au phosphore et d'alumine. -On forme les électrodes métalliques 6, 6' par une opération d'évaporation d'aluminium, puis on effectue une opération de photogravure sur la partie du substrat correspondant aux surfaces de contaot avec les électrodes, et on établit une connexion électrique (non représentée), avec les électrodes.Les électrodes 6, 6 r et les connexions éle-otriques sont gdnéralerllent reacuvertes par une autre couche d'isolation 4' et par une couche de protection 5'. Ces couches sont formées pour epêchér la contamination du substrat semiconducteur par une impureté, comme par exemple des ions sodium provenant-de l'extdrieur, et la dégradation résultante des. propriétés électri- ques des éléments, par formation de canaux,par exemple.Ces couches sont appelées couches de passivation Cependant, les couches de passivation ont l'inconvénient de diminuer la fiabilité des dispositifs à semiconducteurs, du fait qu'elles ont des propriétés hygroscopiques importantes et un effet polarisant. En particulier, une couche de passivation typique constituée par unverre au silicate dopé au phosphore -absorbe l'humidité et donne alors de l'acide phosphorique, ce qui provoque une -corrosion des -connexions métalliques et des électrodes métalliques, pouvant aller Jusqutà la. rupture. En. outre, l'effet polarisant de la couche de polarisation classique dégrade la tension de claquage collecteur-émetteur Y D, et la tension de claquage collecteur-base Vu30, et produit une plus forte variation du bruit. Du fait qu'un dispositif à semiconducteurs classique du type "planar" est fabriqué par une suite d'opérations de diffusion d'une impureté à travers une fenêtre d'une couche d'isolation, et d'opérations de revêtement avec une autre couche d'isolation, certaines de ces couches sont soumises à des conditions thermiques sévies. Ces couches peuvent être contami- nées avec une impureté constituée par un métal alcalin, comme un ion sodium, etc, émise par une source au cours du traitement thermique, et un canal est susceptible de se former dans la région de base et dans la région de collecteur.Les brevets US 3 812 519, 3 834 953, 3 858 238 et 3 879 230 décrivent d'autre part un procédé destiné à améliorer les caractéristiques de bruit, etc, d'un dispositif à semiconducteurs en améliorant la structure du substrat semiconducteur proprement dit. Ce procédé peut être appelé "procédé à cristal parfait", et est caractérisé en ce qu'on forme une première région de diffusion de concentration élevée, contenant une impureté autre quc l'arsenie, comme par exemple le bore, et une seconde région de diffusion contenant une seconde impureté autre que l'arsenic, comme par exemple le phosphore, ainsi qu'une quantité d'arsenic'plus faible que la quantité de la seconde impureté, et correepondnnt par exemple à une proportion de 3 à 24r. Cette configuration est destinée à réduire les défauts du réseau cristallin dans la première région de diffusion. Cependant, du fait que ce procédé est destiné à améLiorer la structure du substrat semiconducteur lui-meme, il ne permet pas de supprimer les défauts mentionnés précédemment qui résultent de l'utilisation des couches d'isola tion et de protection classiques. Il est donc souhaitable de réaliser une couche d'isola tion ou de protection de caractéristiques excellentes qui permette d'abaisser le bruit d'un dispositif à semiconducteurs. T,'invention a pour but de réaliser un dispositif à semiconducteurs comportant une couche d'isolation et/ou une couche de protection présentant une excellente résistance à l'humidité et ne prásent-ant pas d'effet polarisant. L'invention a également pour but de réaliser un disposi tif à semiconducteurs comportant une couche mince qui fait à la fois fonction de couche d'isolation et de couche de protection, en ayant un effet d'écran pour les impuretés susceptibles de contaminer le dispositif. Selon l'invention, un dispositif à semiconducteurs comporte un substrat semiconducteur et une couche de carbure de silicium formée pn contact direct avec la surface du substrat semiconducteur. La couche de carbure de silicium mentionnée ci-dessus a de préférence une pureté appropriée, ou comporte au moins un élément choisi dans le groupe comprenant l'hydrogène, ltoxygène, l'azote, l'hélium, l'argon et le chlore. Un mode de réalisation préféré de l'invention consiste en un dispositif à semiconducteurs comprenant une couche de carbure de silicium ou une couche de silice formée sur les électrodes et des connexions formées sur la couche de carbure de silicium en contact direct avec un substrat semiconducteur. D'autres caractéristiques et .avantaes de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'exemples -de réalisation et en se référant aux dessins annexés sur lesquels: Ta figure 1 est une coupe schématique d'un dispositif à semiconducteurs de l'art antérieur; -Les figures 2 à 5 sont des coupes schématiques qui illustrent un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs correspondant à un mode de réalisation de l'invention; La figure 6 est une coupe schématique d'un dispositif à semiconducteurs correspondant à un autre mode de réalisation de l'invention; I-a figure 7 est un graphique montrant la tenue sous la tension de claquage en fonction du temps, pour le dispositif de l'invention et pour le dispositif de l'art antérieur plongés dans de l'eau bouillante; ; La figure 8 est un graphique comparatif du gain en courant entre le dispositif de l'invention et le dispositif de l'art antérieur. La figure 9 est un graphique comparatif du facteur de bruit entre le dispositif de l'invention et le dispositif de l'art antérieur; et La figure 10 est un graphique comparatif de la charge de surface entre le dispositif de l'invention et ledispooitif dc l'art antérieur. Une couche de carbure de silicium formée en contact direct avec la surface d'un substrat semiconducteur a des propriétés d'isolation électrique suffisantes pour faire fonction d'isolant. Une couche de carbure de silicium formée par un procédé classique, comme par exemple par dépôt chimique en phase vapeur en utilisant une réaction entre le silane (SiH ) et le toluène (C7H8), par évaporation, par pulvérisation,etc4... a des propriétés d'isolation électrique suffisantes pour être utilisée conformément à l'invention. Du fait que les propriétés d'isolation électrique du carbure de silicium augmentent en même temps que la pureté, il est préférable que la couche de carbure de silicium soit très pure. L'invention permet Cependant d'utiliser une couche de carbure de silicium contenant de l'hydro.,ène, de l'oxygène, de l'azote, de l-'hálium, de l'argon ou du chlore. Ceci tient à ce que ces éléments ne dégradent pas les propriétés d'isolation électrique du carbure de silicium. I.a concentration de ces éléments dans la couche de carbure de silicium doit être limitée à une valeur pour laquelle la structure cristalline et les propriétés du carbure de silicium demeurent pratiquement inchangées. De façon plus précise, il est préférable que la concentration de ces éléments soit inférieure à 1022 atomes/cm3, et il est encore plus préférable qu'elle soit inférieure à 1021 atomes/cm3.En ce qui concerne les éléments (appelés ci-après impuretés) qui réduisent en fonction des besoins les propriétés d'isolation électrique du carbure de silicium, à l'exception des éléments mentionnés ci-dessus, on peut citer: Pb, W, Ta, Gd, Ba, Mo, Sr, Zn, Cu, Ni, Co, e, Cr, Ti, Ca, K, P, Al, Mg, Na, C libre, et B. lorsque la concentration de ces éléments, seuls ou en combinaison, dans le carbure de silicium est inférieure à 5, en étant mesurée en nombre d'atomes, on considère que le carbure de silicium est pur et est applicable à l'invention. Il est préférable que la concentration d'impuretés dans la couche de carbure de silicium sol inférieure à 0,5 , et il est encore plus préférable qu'elle soit inférieure à 0,24. Il va sans dire que le meilleur cas corre.pônd a. une couche de carbure de silicium pur ne comportant pas ou pratiquement pas d' impuretés. La structure du substrat semiconducteur n'est pas critique, et ne limite donc en rien l'invention. T'invention s'applique ausEi bien à des dispositifs discrets qu'à des circuits intégrés, et englobe les transistors bipolaires et les transistors MOS, de type "planar" ou de type "mésa". Il est agalerent Foible d'utiliser un substrat semiconducteur du type fourni par 3c procédé à cristal parfait mentionné précédmment. On se réfèrera maintenant aux fifres 2 à 5 pour décrire un dispositif à semiconducteurs correspondant à un mode de réalisation de l'invention. On réalise un transistor 21 et une résistances 22 dans un substrat semiconducteur 23, par un procédé classique, puis on enlève complètement la couche de iO, formée à li surface du substrat semiconducteur 23, comme il est représenté sur la figure 2. On forme ensuite une premicre couche de carbure de silicium 24 qui est complète et en contact direct avec la surface du substrat semiconducteur 23. a couche de carbure de silicium 24 est formée à la surface du substrat par une operntion de dépôt chimique en phase vapeur en utilisant SiH4 et C7H8, ou par un procédé d'évaporation ou de pulvorisation, etc..., et à une épaisseur de 50 à 5 , et compri.se de préférence entre 0,1 et 1 wu. On forme ensuite un motif de résine photosensible 26 à la surface de la couche de carbure de silicium 24, et on réalise les fenêtres de prise de contact 25a, 25b, 25c, 25d et 25e par gravure par plasma avec CF4 ou CF4 + 02, comme il est indiqué sur la-figure 4. après enlèvement de la résine photosensible 26, on évapore de l'aluminium à la surface de la structure seLeiconductrice résul tte, et on effectue une opération de photoCravure classique sur la surfae.de la couche d'aluminium réalisée par évaporation, pour former lç.'s électrodes 27a, 27b, 27c, 27d et 27e, ainsi qu'une connexion électrique, non représentée. On forme ensuite une seconde couche de carbure de. silicium 28 à la surface de la structure résultante, comme il est représenté sur la figure 5. On peut remplacer la couche de carbure de silicium de haute pureté par une couche de carbure de silicium comprenant au moins un élément choisi dans le groupe contenant l'hydro.ène, l'oxyène, l'azote, l'hélium, l'argon et le chlore. Une telle couche de carbure de silicium comprenant un ou plusieurs de ces éléments est réalisée en introduisant le ou les éléments dans la couche de SiC réalisée préalablement, par exemple par un procédé d'implantation ionique, ou de dép8t chimique en phase vapeur. Pour définir les caractéristiques d'une couche de diffusion dans le substrat semiconducteur, on porte quelquefois la température à une valeur inférieure à 1000 C, au cours des opérations de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs, afin d'éviter une augmentation du gain en courant et une diminution de la tension VcED, ainsi qu'une diminution appréciable de. la tension VCBO La couche de carbure de silicium risque de poser à l'état amorphe dans ces conditions. Cependant, indépendamment de son état amorphe ou cristallin, la couche de carbure de silicium fait effective:;ient fonction de couche d'isolation ou de passivation, et entre dans le cadre de l'invention. Dans le mode de rexllisabion décrit ci-deosus, on forme une seconde couche de carbure de silicium sur celle qui est en contact direct avec la surface du substrat semiconducteur, mais cette seconde couche de carbure de silicium peut nénmoins être remplacée par une couche de silice.La couche de silice peut être réalisee de la manière classique, ou par traitement thermique en atmosphère oxydante de la couche de carbure de silicium réalisée préalablement, ou par introduction d'oxygène avec une forte concentration dans la couche de carbure de silicium réalisée préalablement, par un procédé d'implantation ionique. Dans un tel dispositifà semiconducteurs, la couche de carbure de silicium a l'avantage de compenser les contraintes qui s'exercent sur la couche de silice.Une couche de protection ou de passivation peut être formée en fonction des besoins sur la couche de carbure de silicium qui est en contact direct avec la surface du substrat semiconducteur. & nécessaire, on peut former une couche de silice ou une couche analogue à la surface de la couche de carbure de silicium, dans un but d'isolation. On peut réaliser une couche de passivation classique avec du nitrure de silicium ou un verre au silicate dopé au phosphore et à l'arsenic, au phosphore et au bore, ou au phosphore et à l'antimoine.On sait qu'on peut réaliser une couche de protection ou d'isolation à l'aide d'un oxyde d'au moins un élément appartenant au groupe comprenant les éléments: P, Al, Pb, 3, Ti, a, Sn, Zr, Sr, Cr, Mo, w, Ni, Fe, Co et Ta.La couche de carbure de silicium formée en contact direct avec la surface du substrat semiconducteur peut etre recouverte par une couche de protection ou d'icolation constituée pr une couche de carbure de silicium de pureté appropriée ou par une couche de carbure de silicium comprenant au moins un élément choisi dans le groupe comprenant l'hydrogène, l'oxygène, l'azote, l'hélium, l'armon et le chlore, avec une épaisseur comprise de préférence entre 50t et 5 )1. On a constaté qu'on pouvait utiliser comme couche de protection ou de passivation une couche de carbure de silicium comprenant au moins une impureté choisie dans le groupe comprenent les éléments suivants:P, Al, Pb, B, Ti, Ga, n, Zr, Sr, Cr, Uo, W, Ni, Fe, Co et Ta. La concentration en impureté est comprise de préférence entre 1019 et 1022 atomes/cm3. La figure 6 représente un dispositif à semiconducteurs correspondantàunrnodede réalisation préféré de l'invention. Dans ce mode de réalisation, on forme une couche de carbure de silicium pur 34 en contact direct avec la surface du substrat semiconducteur 33. On forme ensuite successivement à la surface de- la couche de carbure de silicium 34 une couche de verre au silicate dopé au phosphore 35, une couche de carbure de silicium 36 contenant une impureté, et une couche de silice 37 Cependant, conformément à l'invention, il n'existe aucune limitation sur la structure d'une couche de protection ou d'isolation qui est formée sur la couche de carbure de silicium qui est en contact direct avec la surface du substrat semiconducteur. Il faut noter que la couche de carbure de silicium en -contact direct avec la surface du substrat semiconducteur sert uniquement de couche d'isolation ou de passivation. De ce fait, le dispositif i semiconducteurs ne comportant que la couche de carbure de silicium formée à la surface du substrat semiconducteur constitue le mode de réalisation préféré de l'invention. Un dispositif à nemiconducteurs utilisant une telle couche de carbure de silicium à la place de la couche de silice de grille d'un transistor OS classique constitue un autre mode de réalisation préféré de l'invention. Tu fait que cette couche d'isolation de grille en carbure de silicium a un excellent effet de passivation et un excellent effet d'écran contre les impuretés, la tension de seuil peut être maintenue uniformément basse. Un transistor MOS possédant une couche d'isolation de grille en carbure de silicium a donc une consommation inférieure d celle d'un transistor classique. La couche de carbure de silicium présente une excellente résistance i la chaleur et à l'humidité et un effet de polarisation réduit, ce qui améliore la fiabilité de dispositifs a semiconducteurs réalisés avec cette couche, et évite la dégra dation des tensions VCED, VcBO, etc....En outre, on supprime ainsi une couche de Si02 qui est contmin'Se, par exemple au cours d'un traitement tbbrmique, avec une impureté-telle qu'un ion sodium, et la couche de carbure de silicium ernpgchs la contamination du substrat par une impureté, ce qui amliore notablement les caractéristiques du dispositif à semioonducteurs, en particulier en ce qui concerne le bruit. Un dispositif à semiconducteurs comportant une couche de carbure de silicium- formée en contact direct avec la surface du substrat semiconducteur, et fabriqué par le procédé à cristal parfait décrit dans le brevet US 3 812 519 présente des caractéristiques extrêmment améliorées, en particulier en ce qui concerne le bruit. Les figures 7 à 9 permettent de comparer les caractéristiques d'un dispositif à semiconducteurs classique ayant la structure de la figure 1, et d'un dispositif à semiconducteurs correspondant à l'invention et fabriqué de la manière représentée sur la figure 5. La figure 7 montre ainsi la tenue sous la tension de claquage pour le dispositif de l'invention, indIqué par le symbole "o"-et le dispositif à semiconducteurs classique, indiqué par le symbole "x". Cette ure montre que, même après -avoir été immergé plusieurs heures dans de l'eau bouillante, le dispositif à semiconducteurs de l'invention présente une tenue pratiquement égale 100, ctest-à-dire une amélioration supér- rieure d environ 100 par rapport au dispositif à semiconducteurs classique.Le terme "tenue sous la tenson de claquage désigne le pourcentage > par rapport au nombre total d'échantillons essayés, d'échantillons qui présentent un courant de fuite en surface inférieur à 0,1 A avec VCBO = 100 V, après une immersion dans l'eau bouillante pendant une durée prédéterminée. La figure 8, qui est relative nu gain en courant en émetteur commun hFF montre que grâec à l'excellent effet de passivement et d'écran de la couche de SiC, le dispositif à semiconducteurs del'invention-ne présente aucun courant de recombinaison appréciable à la surface du substrat, et aucune diminution appréciable de h, même dans la région à faible courant. La différence relative entre les hi,E de deux transistors formés- sur une même puce, c'est-d-dire une paire, est de l'ordre de l. Ta figure 9 représente un facteur de bruit mesuré pour IC = 100 A, VCE = 3.V, et Rg= 1 ka. Cette figure montre que le dispositif à-semiconducteurs de l'invention a un facteur de bruit de l'ordre de 2 dB à une frsquence de 10 Hz, c'est-à-dire la moitié de celui du transistor équivalent de l'art antérieur. Le dispositif à semiconducteurs comportant une couche de carbure de silicium- en contact direct avec la surface du substrat présente toujours des caractéristiques pratiquement identiques à celles mentionnées ci-dessue, en ce qui concerne la tenue sous la tension de claquage, le gain en courant, le facteur de bruit, etc, même si na structure est différente de celle repró5entde ur la figure 5.Lorsqu'un dispositif à semiconducteurs correspondant à l'invention possède un substrat semiconducteur fabriqué par le procédé à cristal parfait mentionné précédemment, il présente une compensation des contraintes dans le substrat qui donne des résultats encore meilleurs que ceux des modes de réalisation décrits -précédemment, en ce qui concerne les caractéristiques indiquées. Ta figure 10 représente les résultats mesurés pour la charge de surface NFB par unité de surface, pour trois échantillons désignés par I, Il, III. L'échantillon I (correspondant à l'art antérieur),possèdeune couche de silice formée à la surface d'un substrat de silicium réalisé par le procédé à cristal parfait. L'échantillon Il (correspondant à l'art antérieur) possède une couche de nitrure de siiicium formée sur la couche de silice de l'echantillon I. Enfin, l'échantillon III (correspondtmt à l'invention) possède une couche de carbure de silicium formée à la surface d'un substrat de silicium réalisé par le procédé à cristal parfait.Pour mesurer la charge de surface, on polarise en sens inverse les électrodes de chaque dispositif sans traitement de "polarisation" (défini ci-après), et on mesure l'extension d'une couche d'appauvrissement. Après les traitements de polarisation Cn et de "polarisation -, on mesure la quantité d'ions mobiles, et cette qu matité est portée sur la figure sous les symboles- "polarisation +" et "polarisation -". Le traitement de "polarisation" consiste à appliquer une tension de polarisation positive ou négative de 106 V/cm alors que le dispositif à semiconducteurs est maint en nu à 3000C pendant 10 minutes. La quantité de charge de surface Npg permet une évaluation globale des charges mobiles, de la densité d'états de surface, etc, et une appréciation globale de l'effet de passivation et de l'effet d'écran de la couche d'isolation et/ou de la couche de protection qui est -formée sur le dispositif à semiconducteurs La figure 10 montre que le dispositif h semiconducteurs de l'invention présente une amélioration notable par ranport aux dispositifs classiques. Bien entendu diverses mcdifications peuvent être apportées aux dispositifs ou procédés qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemples non limitatifs sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteurs caractérisé en ce qu'il comprend un-substrat semiconducteur et une couche de carbure de silicium formée en contact direct avec la surface du substrat semiconducteur. 2. Dispositif selon la revendication l, caractérisé en ce que la couche de carbure de silicium a une concentration en impureté inférieure à % mesurée en nombre d'atomes, cette impureté dégradant les propriétés d'isolation électrique de la couche de carbure de silicium. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'impureté est constituée par l'un au moins des éléments qui forment le groupe suivant: Pb, ti, Ta, G:i, Ba, Mo, Sr, Zn, Ou, Ni, Co, Fe, Cr, Ti, Ca, E, P, Al, Mg, Na, C libre et B. 4. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la concentration en impureté est inférieure à 0,5%, 5. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la concentration en impureté est inférieure à 0,2%. 6. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche de carbure de silicium ne comporte pas d'impureté 7. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de carbure de silicium comprend au moins un élément choisi dans le groupe comprenant l'hydrogène, l'oxygène, l'azote, l'hélium, l'argon et le chlore. 8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que la concentration de l'élément dans la couche de carbure de silicium est inférieure à 1022 atomes/ôm3. 9. Dispositif selon ).a revendication 8, caractérisé en ce que la concentration de l'élément est inférieure à 1C21 atomes/cm3. 10. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de carbure de silicium a une épaisseur comprise entre 50 # et 5 . 11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que la couche de carbure de silicium a une épaisseur comprise entre 1000.t et 1 12. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de carbure de silicium est formée par du carbure de silicium cristallin. 13. Dispositif selon la revendication 1, caract'risé en ce que la couche de carbure de silicium est formée par du carbure de silicium amorphe. 14. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de carbure de silicium est recouverte par une couche formée par au moins un mcltériau. 15. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte une seconde couche de carbure de silicium formée en contact direct avec la couche de carbure de silicium qui est en contact avec le substrat. 16 Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte une couche de silice formée en contact direct avec la couche de carbure de silicium. 17. Dispositif selon la revendication It, caractérisé en ce que la couche qui recouvre la couche de carbure de silicium est constituée par au moins un matériau choisi dans le groupe comprenant le nitrure de silicium, l'alumine, le verre au silicate dopé au phosphore, le verre QU silicate dopé au phosphore et à l'arsenic, et le verre au silicate dopé au phosphore et à l'antimoine. 18. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce que la couche qui recouvre la couche de carbure de silicium est une couche de carbure de silicium comprenant au moins une impureté choisie dans le groupe comprenant les éléments suivants: P, Al, Pb, B, Ti, Ga, Zn, Zr, Sr, Or, o, W, Ni, Fe, Co et Ta, 19. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce que la couche qui est formée sur la couche de carbure de silicium ent une couche de carbure de silicium comprenant au moins un élément choisi dans le groupe comprenant l'hydrogène, l'oxygène, l'azote, l'hélium, l'argon et le chlore. 20. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce que la couche qui est formée sur la couche de carbure de silicium est une couche de carbure de silicium de pureté élevée. 21. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce que la couche qui est forilLée-sur la couche de carbure de silici-um est une couche d'oxyde comprenant au moins un oxyde de l'un des éléments suivants: P, AI, Pb, B, Ti, Ga, Zn, Zr, Sr, Or, Mo, W, Ni. Fe, Co et Ta 22. Dispositif selon la revendication 19, caractérisé en ce que la couche de carbure de silicium qui recouvre celle qui est en contact direct avec le .substrat a une épaisseur comprise entre 50 R et 5 23.Dispositif selon la revendication 20, caractérisé en ce que la couche de carbure de silicium de pureté élevée a une épaisseur comprise entre 50 R et 5 . 24. Dispositif selon la revendication 18, caractérisé en ce que la couche de carbure de silicium qui recouvre celle qui est en contact direct avec le substrat a une concentration en impureté comprise entre 1019 et 1022 atomes/cm3. 25. Dispositif selon la revendication I, caractérisé en ce que la couche de carbure de silicium est une couche d'isolation de grille d'un transistor MOS. 26. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat semiconducteur possède une première région de diffusion à forte concentration, dans laquelle est diffusée une première impureté autre que l'arsenic, et une seconde région de diffusion dans laquelle sont diffusées une seconde impureté autre que l'arsenic, et de l'arsenic avec un nombre d'atomes inférieur à celui de la seconde impureté, pour réduire les défauts du réseau cristallin 27. Dispositif selon la revendication 26, caractérisé en ce que la concentration d'arsenic dans la seconde rdgion de diffusion représente 3 a 24% de la concentration de la seconde impureté dans la seconde région de diffusion.