FR 2389929 A1 19781201 FR 7713922 A 19770506 La présente invention concerne un procédé de préparation de particules brutes de sulfure de cadmium destinées à des applications électrophotographiques-. Un procédé classique utilise jusqu'à présent pour la préparation des particules brutes de sulfure de cadmium comprend l'introduction d'hydrogène sulfuré gazeux dans une solution contenant des ions cadmium, par exemple de sulfate de cadmium, afin que des particules de sulfure de cadmium se déposent a partir de la solution. Les particules préparées par ce procédé sont des particules brutes permettant la préparation des particules finales de sulfuré de cadmium, par exemple dtune matière photoconductrice pour électrophotographie. La préparation des particules finales de sulfure de cadmium pour electrophotographie nécessite habituellement un traitement supplémentaire des particules brutes précitées. On connaît divers procédés de traitement qu'on a utilisés a cet effet. Selon l'un de ces procédés de traitement, une impureté ayant un effet sensibilisateur du type donneur ou accepteur est ajoutée aux particules brutes et le mélange est chauffé a une température élevée comprise entre 400 et 7000C. Ce traitement provoque la diffusion de l'impureté dans les particules brutes et leur activation si bien que les particules sensibilisées de sulfure de cadmium peuvent se former. Ces particules sensibilisées ainsi obtenues forment la matière photoconductrice pour électrophotographie. Un autre procédé classique utilisé pour la préparation des particules brutes de sulfure comprend la mise en oeuvre d'une solution contenant des ions cadmium et des ions d'un élément d'impureté. La solution réagit avec l'hydrogène sulfuré et forme des particules brutes de sulfure de cadmium qui contiennent initialement l'impureté. Comme les particules brutes ainsi préparées contiennent déjà l'impureté, on peut obtenir les particules voulues de sulfure de cadmium dans lesquelles l'impureté a diffusé, c'est-â-dire les particules sensibilisées par un traitement postérieur par la chaleur,sans incorporation de l'impureté lors du traitement. En outre, les particules sensibilisées peuvent former une matière photoconductrice pour électrophotographie. Ce dernier procédé de préparation présente l'avantage de permettre un traitement thermique à une température relativement basse par rapport au premier procédé car l'impureté nécessaire est déjà incorporée aux particules brutes avant le traitement thermique. En outre, dans le second procédé, le rendement de dispersion de l'impureté est meilleur. Cependant, on constate que ces procédés classiques présentent certains inconvénients portant sur la préparation des particules brutes. L'un des avantages importants est que les particules photoconductrices finales de sulfure de cadmium pour électrophotographie n'ont pas les mêmes caractéristiques électriques toujours constantes. Comme le savent les spécialistes, il est important que toutes les particules photoconductrices utilisées en électrophotographie, obtenues par traitement de particules brutes préparées dans des mêmes conditions, présentent les mêmes caractéristiques électrophotographiques constantes. I1 s'agit d'un critère essentiel à la formation d'un produit commercialisable. Cependant, on ne peut pas former des particules suffisamment bonnes pour la satisfaction de ce critère, par mise en oeuvre des procédés classiques décrits précédemment. En particulier, le premier procédé cité ne convient pas. Un autre inconvénient des procédés classiques est que les particules photoconductrices finales pour électrophotographie, obtenues par traitement thermique des particules brutes au cours des procédés classiques, ont une mauvaise résistance à l'humidité. Elles peuvent donc absorber l'humidité atmosphérique et leurs caractéristiques électrophotographiques varient donc tres facilement lorsque l'humidité atmosphérique varie. Lors de l'utilisation de telles particules de sulfure de cadmium, la formation d'une bonne matière sensible d'électrophotographie, stable à l'humidité, est délicate. L'invention concerne un procédé de préparation de particules brutes de sulfure de cadmium permettant la résolution des problèmes posés par les procédés connus. Elle concerne aussi des particules de sulfure de cadmium sensibilisées à de la lumière de grande longueur d'onde. Plus précisément, l'invention concerne un procédé de préparation de particules brutes de sulfure de cadmium pour électrophotographie, comprenant la réaction d'une solution contenant des ions cadmium et de l'acide chlorhydrique avec de l'hydrogène sulfuré afin que des particules de sulfure de cadmium se déposent à partir de la solution. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, faite en référence au dessin annexé sur lequel la figure unique est un graphique représentant la variation de la sensibilité de divers clichés électrophotographiques, les courbes F et G représentant la sensibilité des clichés formés par utilisation de particules brutes de sulfure de cadmium préparées selon l'invention alors que les courbes F' et G' sont obtenues à partir de clichés formés à l'aide de particules brutes de sulfure de cadmium préparées selon des procédés classiques. Les avantages précités sont obtenus selon Invention par dépôt des particules de sulfure de cadmium formées par réaction en présence d'acide chlorhydrique. Cet acide, utilisé selon l'invention, contribue- à la préparation de particules de sulfure de cadmium ayant des caractéristiques électriques constantes et déterminées et une excellente résistance a l'humSite. En outre, la présence de l'acide chlorhydrique permet la formation de particules de sulfure de cadmium très sensibilisées par rapport aux particules formées de façon classique. La solution contenant des ions cadmium qui est utilisée en général est une solution aqueuse d'un sel hydrosoluble de cadmium Des exemples de sels hydrosolubles sont le sulfate, le chlorure, le nitrate, l'acétate, le bromure, l'iodure de cadmium et analogues. Lorsqu'un tel sel hydrosoluble de cadmium est dissous dans l'eau, le cadmium est présent sous forme d'ions dans la solution aqueuse. Dans une variante, la solution contenant les ions cadmium peut être préparée par dissolution de cadmium métallique dans une solution acide capable de la dissoudre. La préparation d'une solution contenant des ions cadmium et de l'acide chlorhydrique peut être réalisée soit par addition d'acide chlorhydrique à une solution contenant des ions cadmium, soiLpar addition d'ions cadmium à une solution contenant de l'acide chlorhydrique. La réaction de la solution contenant des ions cadmium et l'acide chlorhydrique avec I'hydrogène sulfuré peut être réalisée suivant divers procédés connus. Le plus courant est l'introduction de l'hydrogène sulfuré gazeux dans la solution. D'autres procédés tels que l'addition d'une solution d'hydrogène sulfuré dans la solution ou l'addition de celle-ci dans l'hydrogène sulfuré liquide peuvent être utilisés pour la mise en oeuvre de la réaction. On pense que le produit résultant de la réaction de la solution contenant les ions cadmium et l'acide chlo rhydrique avec l'hydrogène sulfure, c'est-à-dire les parti- cules brutes de sulfure de cadmium, contient du chlore provenant de l'acide chlorhydrique utilisé bien que la quantité de chlore soit très faible. Les particules brutes de sulfure de cadmium ainsi préparées subissent un traitement thermique qui en forme des particules utilisables sous forme d'une matière photoconductrice d'électrophotographie. Pendant le traitement thermique, les particules brutes sont chauffées avec un élément d'impureté constituant un donneur ou un accepteur, ou avec un composé convenable contenant un tel élément d'impureté. En conséquence, l'élément d'impureté diffuse (dopage) dans les particules de sulfure de cadmium et la matière photoconductrice activée qui se forme est utile dans les applications électrophotographiques. I1 existe deux types d'éléments d'im pureté,les éléments donneurs et les éléments accepteurs. Les éléments donneurs sont choisis en général parmi les éléments des groupes IIIa, IIIb et VIIa de la Classification Périodique des Eléments. On utilise de préférence Al, In, Ga, Sc et les halogènes tels que Cl, Br et I qui ont un niveau donneur relativement peu profond. I1 faut noter que l'imbu reté C1 précitée est présentée par une substance autre que l'acide chlorhydrique. Des exemples avantageux d'éléments accepteurs sont les éléments du groupe I de la Classification Périodique des Eléments, tels que Cu, Ag, Au et Li. Divers procédés conviennent à l'addition d'éléments d'impureté aux particules brutes avant le traitement thermique. Par exemple, l'élément d'impureté lui-même peut être mélangé aux particules brutes ou un sel hydrosoluble contenant l'élé- ment d'impureté peut être mélangé aux particules brutes. On peut citer, comme sel hydrosoluble convenant à cet effet, les sulfate, nitrate et cyanate de l'élément d'impureté, et notamment les matières suivantes : A12(S04)3, 1n2(SO4)3, Ga2(S04)3, Sc2(S04)3, CuC1,CuC12, CuSO4, AgN03 et Au(CN)3. 3H20 L'importance de la diffusion de l'élément d'impureté a un effet sur la photoconductivité du sulfure de cadmium. Dans le cas d'un élément donneur, la diffusion correspond de préférence à 1.104 à 1.102 mole par mole de sulfure de cadmium, et dans le cas d'un élément accepteur, la plage al lant de 2.10 5 à 5.10 est préférable. L'incorporation de l'élément d'impureté au sulfure de cadmium peut être réalisée lors de la préparation des particules brutes. Dans ce cas, les particules brutes contenant l'élément d'impureté peuvent être préparées par réaction d'une solution contenant des ions cadmium, de l'acide chlorhydrique et l'élément d'impureté avec de l'hydrogène sulfuré. Lorsque les particules brutes ainsi préparées sont traitées -thermiquement, les particules voulues de sulfure de cadmium dans lequel l'élément d'impureté a diffuse sont obtenues. Avant traitement thermique, l'élément d'impureté contenu dans les particules brutes est présent sous une forme qui n'a pas diffusé dans les particules. On peut utiliser l'élément d'impureté lui-même ou un de ses sels hydrosolubles pour la préparation d'une sollution contenant les ions cadmium, l'acide chlorhydrique et l'élément d'impureté, On peut ajouter une quantité supplémentaire d'élément d'impureté aux particules brutes qui contiennent déjà une certaine quantité de l'élément d'impureté, avant traitement thermique, lors de la préparation des-particules dans lesquelles l'élément d'impureté a diffusé. L'élément d'impureté qui diffuse dans les particules peut être du type donneur ou accepteur. Comme les particules brutes de sulfure de cadmium selon l'invention permettent une diffusion facile de l'élément d'impureté dans les particules au moment du traitement thermique, celui-ci peut aussi être mis en oeuvre sans addition de flux. I1 est préférable que l'acide chlorhydrique présnt dans la solution contenant les ions cadmium utilisés pour la préparation des matières brutes soit relativement peu concentré. Une plage comprise entre 0,01 et 0,5 N est avantageuse, compte tenu du la dimension des particules brutes. Une dimension particulaire moyenne de 1 à 3 microns environ est avantageuse. On considère maintenant des exemples de mise en oeuvre de l'invention, donnés à titre purement illustratif. EXEMPLE 1 On ajoute à 2 1 d'acide sulfurique aqueux 2N contenant une mole de sulfate de cadmium, 4.10-4 mole de sulfate de cuivre et 2.10-4 mole de sulfate d'indium, de l'acide chlorhydrique correspondant à une solution 0,02 N d'acide chlorhydrique. Après addition, on introduit de l'hydrogène sulfuré dans la solution à raison de 1 1/min pendant 60 min, la température de la solution étant maintenue à 600C. Le sulfure de cadmium formé subit alors un lavage à l'eau puis un séchage après retrait de l'excès d'impureté. I1 subit alors un chauffage en atmosphère d'azote a 4500C pendant 120 min. Après traitement thermique, il est à nouveau lavé à l'eau et séché et donne du sulfure de cadmium pour électrophotographie. On ajoute au sulfure de cadmium ainsi préparé 10 % par rapport au poids du sulfure de cadmium, d'un copolymère de chlorure et d'acétate de vinyle, et on disperse soigneusement. Ensuite, on revêt le mélange obtenu sur une plaque de support d'aluminium afin de former une couche photoconductrice de 40 microns d'épaisseur sur le support, et on sèche En outre, on dépose un film polyester de 25 microns d'épaisseur sur la couche photoconductrice afin que l'ensemble forme un cliché photosensible. On forme une image sur le cliché photosensible avec une machine de reproduction dont le principe comprend la charge de polarité positive, l'exposition à une image avec décharge simultanée et l'exposition de la totalité de la surface. On obtient une image ayant une bonne résolution et une bonne - finesse. On forme aussi une image avec le même cliché photosensible, mais en présence d'une grande quantité d'humidité. On obtient une image nette qui est à peine affectée par l'humidité. On laisse reposer le cliché une nuit dans des conditions d'humidite~relative égales à 100 % et on mesure l'absorption d'humidité de la couche photosensible par la méthode Karl Fischer afin de déterminer la propriété de résistance à l'humidité de la matière photosensible. On constate que la teneur en humidité de la couche est de 2100 ppm. EXEMPLE DE REFERENCE 1 On prépare du sulfure de cadmium comme décrit précédemment mais sans addition d'acide chlorhydrique. On prépare avec le sulfure de cadmium, un cliché photo sensible comme décrit dans l'exemple 1 et on forme une image comme indiqué dans cet exemple. On obtient une image ayant une bonne netteté. Cependant, lorsqu'on veut former une image en présence de beaucoup d'humidité, on note une réduction de la densité de l'image formée. Comme dans l'exemple 1, on mesure l'absorption d'humidité par le cliche photosensible. On constate que la teneur en humidite atteint 4800 ppm. Ainsi, la résistance à l'humidité de ce cliché photosensible n'est pas aussi bonne que celle du cliché de l'exemple 1. EXEMPLE 2 On ajoute de l'acide chlorhydrique afin de former une solution 0,05 N d'acide chlorhydrique à l'aide de 2 1 d'acide sulfurique aqueux-2N contenant 1 mole de sulfate de cadmium, 10.10-4 mole de sulfate de cuivre et 15.10-4 mole de sulfate d'indium.- Après addition, on introduit de l'hydrogène sulfuré à la solution à raison de l I/min pendant 120 min, en maintenant la température de la solution à 400C. On lave à l'eau le sulfure de cadmium formé et on sèche après retrait de l'excès d'impureté. On chauffe alors en atmosphère d'azote à 4500C pendant 120 min Après traitement thermique, on lave à nouveau à l'effet on sèche afin d'obtenir du sulfure de cadmium pour électrophotographie. On prépare un cliché photosensible à l'aide du sulfure de cadmium ainsi préparé et on forme une image comme décrit dans l'exemple 1. On obtient une image ayant une bonne netteté et une résolution élevée. En outre, lorsqu'on forme une image en présence de beaucoup d'humidité, on obtient une netteté excellente qui n'est qu'à peine affectée par lthumi- dité. Le cliché photosensible repose alors à 100 % d'humidité relative pendant une nuit et on mesure alors l'absorption d'humidité par la couche photosensible. La teneur en humidité de cette dernière est égale à 1500 ppm. EXEMPLE DE REFERENCE 2 On prépare du sulfure de cadmium comme décrit dans l'exemple 2 mais sans addition d'acide chlorhydrique. On prépare un cliché photoconducteur avec ce sulfure de cadmium, comme décrit dans l'exemple 1, et on forme une image comme décrit dans cet exemple. On obtient une image ayant une bonne netteté. Cependant, lorsqu'on forme une image en présence de beaucoup d'humidité, on note unerédiction de la densité de l'image formée. Comme décrit dans l'exemple 1, on mesure l'absorption d'humidité du cliché. On constate que la teneur en humidite est de 4500 ppm. Ainsi, la résistance à l'humidité de ce cliché photosensible n'est pas aussi bonne que celle du cliché de l'exemple 2. EXEMPLE 3 On ajoute de l'acide chlorhydrique afin de former une solution 0,3 N d'acide chlorhydrique à 2 I d'acide sulfurique aqueux 2N contenant 1 mole de sulfate de cadmium, mole 4 mole de sulfate de cuivre et 10.10 4 mole de sulfate d'indium. Après addition, on introduit de l'hydrogène sulfuré dans la solution à raison de 1 1/min pendant 120 min, en maintenant la température de la solution à 500C. On lave le sulfure de cadmium à l'eau et on sèche après retrait de l'excès d'impureté. On chauffe alors en atmosphère d'azote à 4500C pendant 120 min. Après traitement thermique, on lave à nouveau à l'eau et on sèche afin d'obtenir du sulfure de cadmium pour électrophotographie. On prépare un cliché photosensible à l'aide du sulfure de cadmium ainsi préparé et on forme une image comme décrit dans l'exemple 1. On obtient une image ayant une bonne netteté et une résolution élevée. En outre7 lorsqu'on forme l'image en présence de beaucoup d'humidité4 on obtient une excellente netteté qui est à peine affectée par l'humidité. On laisse le cliché photosensible reposer à 100 % d'humidité pendant une nuit et on mesure alors l'absorption humidité par la couche photosensible. La teneur de cette dernière en humidité est égale à 1900 ppm. EXEMPLE DE REFERENCE 3 On prépare du sulfure de cadmium comme décrit dans l'exemple 3 mais sans addition d'acide chlorhydrique. On prépare un cliche photosensible avec le sulfure de cadmium obtenu, comme décrit dans l'exemple 1 et on forme une image selon le procédé décrit dans cet exemple. On obtient une image ayant une bonne netteté. Cependant, lorsqu'on forme une image en présence de beaucoup d'humidité, on observe une réduction de la densité de l'image formée. Comme décrit dans l'exemple1, on mesure l'absorption d'humidité du cliché photosensible. On constate que la teneur en humidité est égale à 4500 ppm. Ainsi, la résistance à l'humidité de ce cliché photosensible n'est pas aussi bonne que celle du cliché de l'exemple 3. EXEMPLE 4 On prépare une solution aqueuse d'acide sulfurique afin qu'elle contienne une mole de sulfate de cadmium, 10.10 4 mole de sulfate de cuivre et 15.10 4 mole de sulfate d'indium et qu'elle forme une ablution 0,3 N d'acide chlorhydrique. On introduit alors, dans 2 1 de la solution, 1 1/min d'hydrogène sulfuré pendant 60 min. On lave à l'eau et on sèche après retrait de l'excès d'humidité le sulfure de cadmium ainsi obtenu. On chauffe alors le produit en atmos phère d'azote à 4500C pendant 120 min. Après traitement thermique, on lave à nouveau à l'veau et on sèche. On a ainsi préparé du sulfure de cadmium pour électrophotographie. On répète cinq fois le procédé précité de préparation de sulfure de cadmium, dans sa totalité, afin d'obtenir cinq échantillons de sulfure de cadmium correspondant chacun à un lot formé au cours de l'une des opérations. On ajoute alors à chacun des cinq échantillons de sulfure de cadmium ainsi préparé 10 % en poids de copolymère de chlorure et d'acétate de vinyle, et on disperse uniformément. On revêt le mélange résultant sur une plaque de support en aluminium afin de former une couche photoconductrice de 40 microns d'épaisseur sur le support, puis on fait subir un séchage. Ensuite, on dépose sur la couche photosensible un film polyester de 25 microns d'épaisseur, l'ensemble constituant un cliché photosensible. On prépare ainsi cinq clichés photosensibles A à E, correspondant aux cinq lots de sulfure de cadmium. On applique alors une tension à chacun des cinq clichés photosensibles, avec une électrode, et on mesure la tension appliquée à la couche photoconductrice. Lors de l'application de tensiorsde +2000 V et -2000 V, les tensions mesurées sur les couches photoconductrices sont les suivantes Tension appliquée Cliché +2000 V -2000 V Tension A 320 V -1000 V de la B 270 V - 980 V couche C 300 V -1030 V photocon- D 310 V -1050 V ductrice E 250 V - 950 V Le tableau qui précède montre que le sulfure de cadmium préparé selon l'invention a des caractéristiques pratiquement constantes et identiques pour tous les lots, l'irrégularité de la caractéristique étant très faible. EXEMPLE DE REFERENCE 4 On introduit un courant gazeux d'hydrogène sulfuré à raison de 1 I/min dans une solution aqueuse 2N d'acide sulfurique contenant une mole de sulfate de cadmium. Du sulfure de cadmium précipite et forme le produit de la réaction. Après lavage à l'eau et séchage du précipité, on ajoute 10.10 4 mole de sulfate de cuivre et 2 % en poids (par rap- port au poids du sulfure de cadmium) de chlorure de cadmium constituant un flux, et on mélange avec le sulfure de cadmium sous forme d'un mélange homogène. On cuit alors le mélange à une température de 4500C. Après cuisson, on le lave à nouveau à l'eau et on le sèche. On a ainsi préparé du sulfure de cadmium pour électrophotographie. On répète cinq fois ce procédé pour la préparation de sulfure de cadmium, le procédé étant repris dans sa totalité afin qu'on dispose de cinq échantillons de sulfure de cadmium correspondant chacun à un-lot de chacun des procédés. On utilise les divers échantillons ainsi obtenus de sulfure de cadmium pour la formation de cinq clichés photosensibles A' à E', préparés comme décrit dans l'exemple 4 et comprenant chacun l'un des lots de sulfure de cadmium. On applique alors une tension à chacun des clichés photosensibles, à l'aide d'une électrode, et on mesure la tension qui est alors appliquée à- la couche photoconductrice. Lorsde l'application de tensions égales à +2000 V et -2000 V, on obtient, pour les tensions mesurées dans la couche photoconductrice, les valeurs suivantes Tension appliquée Cliché +2000 V -2000 V Tension A' 400 V -1000 V de la B' 250 V - 800 V couche C' 500 V -1100 V photocon- D' 300 V - 900 V ductrice E' 310 V -8500 V Le tableau qui précède montre que le sulfure de cadmium préparé comme décrit présente des caractéristiques très irrégulières parmi les cinq lots. EXEMPLE 5 On prépare un cliché photosensible F comme décrit dans l'exemple 4 mais à l'aide cette fois d'une solution aqueuse d'acide sulfurique 2N qui contient 1 mole de sulfate de cadmium, 4.10 4 mole de sulfate de cuivre et 10.10 4 mole de sulfate d'indium et formant une solution 0,3 N d'acide chlorhydrique. Toujours comme décrit dans l'exemple 4, on prépare un cliché photosensible G. Cette fois, on utilise une solution aqueuse 2N d'acide sulfurique contenant une mole de sulfate de cadmium, 6.10 4 mole de sulfate de cuivre et 12.10 4 mole de sulfate d'indium, la solution étant sous forme d'une solution 0,5 N d'acide chlorhydrique. On fait subir à ces clichés photosensibles F et G le procédé d'électrophotographie décrit dans l'exemple 1 pour la détermination de la sensibilité des clichés. La mesure de sensibilité donne la courbe F de la figure pour le cliché F et la courbe G pour le cliché G. Ces courbes indiquent que les clichés F et G ont aussi une bonne sensibilité à la lumière de grande longueur d'onde. EXEMPLE DE REFERENCE 5 On ajoute, à 1 mole de sulfure de cadmaiittpréparé par introduction d'hydrogène sulfuré dans du sulfate de cadmium, 2.10 4 mole de chlorure de cuivre et 2 % en poids de chlorure de cadmium (par rapport au poids du sulfure de cadmium) et on mélange soigneusement sous forme d'un mélange homogène. Ensuite, on cuit ce dernier à 4500C pendant 100 min. La matière cuite subit alors un lavage à l'eau et un séchage. On obtient ainsi du sulfure de cadmium pour électrophotographie. On prépare un cliché photosensible F' comme décrit dans l'exemple 4 à l'aide de ce sulfure de cadmium. On prépare aussi un cliché photosensible G' à l'aide de sulfure de cadmium préparé de la manière suivante. On ajoute à une mole de sulfure de cadmium préparé par introduction d'hydrogène sulfuré dans du sulfate de cadmium, 6.10 4 mole de chlorure de cuivre et 2 % en poids de chlorure de cadmium (par rapport au poids du sulfure de cad mieux, avec mélange sous forme homogène. On cuit le mélange à 4500C pendant 100 min. On lave à l'eau et on sèche le mélange cuit afin d'obtenir le sulfure de cadmium voulu. On évalue les propriétés des deux clichés photosensibles F' et G', comme décrit dans l'exemple 5. On obtient les courbes F' et G' représentées sur la figure 1 pour les clichés F' et G' respectivement. Ces courbes montrent que les sensibilités des clichés F' et G' sont inférieures à celles des clichés F et G selon l'invention. EXEMPLE 6 On prépare 2 1 d'une solution aqueuse 2N d'acide sulfurique contenant 4.10 mole de Cu et 4.10 4 mole de In pour une mole de sulfate de cadmium. On utilise les sulfates correspondants de Cu et In. On ajoute de l'acide chlorhydrique à la siution ainsi préparée afin de former une solution 0,02 N d'acide chlorhydrique. Après addition, on porte la température de la solution à 600C et on introduit de l'hy- drogène sulfuré avec un débit de 1 1/min pendant 60 min. On lave le sulfure de cadmium obtenu à partir du mélange réactionnel, avec de l'eau et on seche affin de retirer l'excès d'impureté. On traite alors le sulfure de cadmium par chauffage en atmosphère d'azote à 4500C pendant 120 min. Après traitement thermique, on lave à nouveau le produit à l'eau et on sèche. On obtient ainsi du sulfure de cadmium de dimension particulaire égale à 2,0 microns. On disperse le sulfure de cadmium dans un copolymère de chlorure et d'acétate de vinyle et on dépose la dispersion sur une plaque de support formée d'aluminium, afin d'obtenir une couche photoconductrice de 40 microns d'épaisseur sur le support Après séchage du revêtement, on applique un film polyester de 25 microns d'épaisseur sur la couche photoconductrice, l'ensemble formant un cliché photosensible. On forme une image avec le cliché photosensible comprenant trois couches, au cours d'une opération électrophotographique comprenant des opérations de charge,d'exposition à la lumière d'une image avec décharge simultanée et d'exposition de l'ensemble de la surface. On obtient ainsi une image ayant une bonne netteté et une résolution élevée. EXEMPLES 7 A 13 On répète le procédé et les opérations de l'exemple 6 dans des conditions différentes. Le tableau qui suit donne les caractéristiques des matières premières, des produits obtenus et des conditions réactionnelles. Matières premières Conditions Conditions Produit final Exemple Donneur Accepteur Concentra- de la réac- de cuisson Dimension n tion de HCl tion Temp. Durée particulaire, (10-4 mole) (10-4 mole) N Temp. Durée C min C min 7 In 15 Cu 10 0,5 25 120 450 120 1,5 8 Ga 10 Cu 6 0,1 25 120 480 120 1,2 9 In 8 Au 6 0,1 80 60 420 120 3,0 10 In 6 Cu 4 0,005 80 60 450 120 2,0 11 In 10 Ag 5 0,1 60 120 500 120 2,5 12 Al 20 Cu 8 0,3 40 100 450 120 2,0 13 Sc 10 Cu 6 0,1 60 60 450 120 2,0 EXEMPLE 14 On prépare 2 1 d'une solution aqueuse 2N d'acide sulfurique contenant 6.10 4 mole de In par mole de sulfate de cadmium. On ajoute de l'acide chlorhydrique à la solution afin que celle-ci forme une solution 0,1 N d'acide chlorhydrique. Après addition,.on porte la température de la solution à 600C et on introduit de l'hydrogène sulfuré avec un débit de 1 1/min pendant 60 min. La lave à l'eau le sulfure de cadmium obtenu à partir du mélange réaction nel et on le sèche afin de chasser l'excès d'impureté Après addition de 4.10 mole de Cu et mélange poussé, le sulfure de cadmium est traité par chauffage qui assure une cuisson en atmosphère d'azote à 4500C pendant 120 min. Après cuisson, on lave à nouveau le produit à l'eau et on le sèche. Le sulfure de cadmium obtenu a une dimension particulaire de 2,5 microns. On prépare un cliché photosensible avec le sulfure de cadmium ainsi préparé et on forme une image comme décrit dans l'exemple 6. On obtient ainsi une image nette. EXEMPLES 15 A 18 On ajoute une impureté formant un accepteur au sulfure de cadmium au moment de la cuisson; au cours du procédé de l'exemple 14, et on prépare ainsi quatre échantillons de sulfure de cadmium, comme indiqué dans le tableau qui suit. On obtient des résultats excellents analogues à ceux de l'exemple 6 à l'aide de ces échantillons de sulfure de cadmium. Matières premières Conditions de la Conditions Produit réaction de cuisson final Exemple Donneur Concentration Temp. Durée Accepteur Temp. Durée Dimension n (10-4 mole) de HCl, (N) C min C min particu (10-4 mole) laire, 15 In 10 0,1 40 120 Cu 6 450 120 3,0 16 In 8 0,5 25 120 Ag 6 500 120 2,0 17 Ga 10 0,01 80 60 Cu 6 450 120 2,5 18 Al 30 0,3 60 60 Cu 10 450 120 3,0 EXEMPLE 19 On ajoute, à une solution aqueuse 2N d'acide sulfurique contenant du sulfate de cadmium en dissolution, de l'acide chlorhydrique afin de former une solution 0,1 N, et on introduit de l'hydrogène sulfuré, â température ambiante (250C) avec un débit de 1 1/min pendant 120 min. On obtient un précipité jaune de sulfure de cadmium. Après lavage à l'eau du sulfure de cadmium et séchage, on ajoute 6.10-4 mole de In et 4.10-4 mole de Cu. On cuit alors le produit en atmosphère d'azote à 4500C pendant 120 min. On obtient du sulfure de cadmium ayant une dimension particulaire de 2,0 micron environ. On prépare un cliché photosensible avec le sulfure de cadmium ainsi obtenu, suivant le procédé de l'exemple 6, et on forme une image par mise en oeuvre du procédé électrophotographique de l'exemple 6. On obtient ainsi une image ayant une netteté excellente et une résolution élevée. EXEMPLES 20 A 23 On ajoute, selon le procède de l'exemple 19, des impuretés de types donneur et accepteur du sulfure de cadmium, au moment de la cuisson, et on prépare quatre échantillons de sulfure de cadmium comme indiqué dans le tableau qui suit. On obtient d'excellents résultats analogues à celui de l'exemple 6 avec des échantillons de sulfure de cadmium. Conditions de Conditions de Produit final la réaction la cuisson Exemple Concentration Dimension Temp. Durée Donneur Accepteur Temp. Durée n de HCl, (N) particulaire C Min min (10-4 mole) (10-4 mole) C 20 0,4 35 130 In 20 Cu 8 450 90 1 21 0,2 65 130 Al 30 Ag 10 450 90 3 22 0,06 45 130 Ga 10 Ag 6 450 90 1 23 0,02 75 130 In 6 Cu 6 450 90 2 REVENDICATIONS 1. Procédé de préparation de particules brutes de sulfure de cadmium pour électrophotographie, caractérisé en ce qu'il comprend la réaction d'une solution contenant des ions cadmium et de l'acide chlorhydrique avec de l'hydrogène sulfuré, afin que des particules de sulfure de cadmium se déposent à partir de la solution. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la concentration de l'acide chlorhydrique est telle que la matière forme une solution 0,01 à 0,5 N d'acide chlorhydrique. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la solution contient en outre des ions d'un élément d'impureté. 4. - Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que les ions d'un élément d'impureté sont formés par les ions d'un élément choisi dans le groupe comprenant In, Al, Ga, Sc, C1, Cu, Au et Ag, l'élément C1 provenant d'une substance autre que 1 'acide chlorhydrique.