FR 2392375 A1 19781222 FR 7715750 A 19770523 La présente invention concerne les appareils de mesure de pression dans les gaz et les liquides, et a plus précisés ment pour objet un capteur de pression à semi-conducteurs. Le capteur de pression à semi-conducteurs selon l'invention peut être utilisé pour la mesure de la pression dans les puits de forage et dans les pipelines, canalisations ou analogues, dans les systèmes hydrauliques et pneumatiques des avions, dans les moteurs à combustion interne, dans les appareils hydrauliques agricoles, ainsi que pour la mesure des superpressions(très hautes pressions)u#û##ees' dans les laboratoires. L'invention peut être également utilisée pour la mesure des forces lors du pesage de charges lourdes (rames de chemin de fer, berlines de mine), ainsi que pour la mesure des efforts agissant dans les équipements de forgeage et d'estampage. On connaît le phénomène de variation de la résistance électrique des matériaux semi-conducteurs soumis à une pression triaxiale du milieu ambiant (air, gaz, liquide). On sait également que ce phénomène est utilisé pour la création de capteurs de pression, et on connatt en particulier un capteur de pression à semi-conducteurs réalisé à base d'antimoniure de gallium monocristallin à conduction du type n, et doté de deux contacts de prise de courant, la variation de l'intensité du signal entre ces contacts servant à la mesure des variations de pression. La bande de conduction de l'antimoniure de gallium possède deux minimums dont la position énergétique relative varie sous l'action d'une compression triaxiale, ce qui provoque une variation de la résistance électrique du capteur de pression. Toutefois, comme les minimums de la bande de conduction- dans l'antimoniure de gallium soumis à une pression se déplacent dans un même sens sur l'échelle énergétique, le coefficient de sensibilité à la pression du capteur est fai ble (inférieur à 10 4 bar 1) ) et la gamme de mesure de ces capteurs à base d'antimoniure de gallium est limitée : O à 10.000 bars. La stabilité thermique de ces capteurs est insuffisante le coefficient thermique de variation de la sensibilité est trop grand (0,5 % degré ) On connaît un autre capteur de pression, comprenant un corps solide à base d'une solution solide AB, C se composant de deux matières semi-conductrices AB et AC, dont lakremière possède une bande interdite directe, et l'autre une bande interdite indirecte, et dont chacune possède un minimum énergétique direct et un minimum énergétique indirect de la bande de conduction, alors que la valeur de x, représentant la fraction molaire de la matière AC dans la solution solide AB1 -xCx, est choisie de manière que les énergies d4ninimum direct et du minimum indirect de la bande de conduction de la solution solide ABî#xCx soient voisines. Le capteur de pression comprend également un moyen pour mesurer les variations de la résistance électrique du corps solide en fonction des variations de la pression appliquée, ce moyen étant électriquement relié au corps solide. Le capteur de pression connu est réalisé à base d'une solution solide Gais, P se composant d'arséniure de gal x lium et de phosphure de gallium dans un rapport moléculaire donné. En fonction de la gamme des pressions à mesurer, on utilise une solution solide Gatls, Px présentant la valeur x x nécessaire. En choisissant convenablement des solutions solides à différentes valeurs de x on peut obtenir des capteurs pour la mesure de pressions élevées ou faibles dans la gamme de 0 à 60.000 bars. La sensibilité à la pression de ce type de capteurs est supérieure à celle des capteurs à base d'antimoniure de gallium monocristallin, puisqu'elle est de 2.10 4 à 4.10 4 bar 1 dans toute la gamme de pressions indiquée ci-dessus. Cela est dû au fait que le déplacement des minimums de la bande de conduction sous l'action d'une pression s'ef- fectue dans des sens opposés de l'échelle énergétique. Ce capteur de pression connu présente cependant un grave inconvénient, qui est la faible stabilité thermique de ses paramètres, due à la variation du rapport entre énergie thermique des électrons et l'intervalle énergétique entre les minima de la bande de conduction de la solution solide Gazas p 1-x z Ainsi, selon les données expérimentales sur la varia- tion du coefficient de sensibilité en fonction de la valeur du rapport x pour trois températures : (+ 25) C, (-27) C et (+ 90) C, la sensibilité à la pression d'un capteur à base de solution solide GaAs0,65 P0,35 varie environ de 20 % : de 3,10-4 bar -1 à (- 27) C jusqu'à 2,5.10 -4 bar -1 à (+ 90) C, c'est-à-dire que le coefficient thermique de variation de la sensibilité a une valeur relativement importante, égale à 0,15 % degré 1. Pour un capteur de pression à base de solution solide GaAs0 6P014, la sensibilité à la pression varie entre 3,6.10-4GaAs0 6P014, bar -1 à (+ 25) C et 2.10- 4 bar -1 à(+ 90) C, soit un coefficient thermique de variation de la sensibilité de 0,7 %. degré 1. Cela a pour conséquence de limiter considérablement les applications industrielles de ce genre de capteurs dans les cas où il faut mesurer les pressions dans des conditions de variations de température importantes. Dans le cadre de l'invention, on s'est proposé de créer un capteur de pression à semi-conducteurs dont la structure du corps solide permet d'obtenir une stabilité thermique élevée du coefficient de sensibilité à la pression. Ce problème est résolu du fait que le capteur de pression à semi-conhuziors, du type comprenant un corps solide à base d'une solution solide AB1-xCx se composant de deux matières semi-conductrices AB et AC, dont la première possède une bande interdite directe (ou pour polarisation directe), et l'autre, une bande interdite indirecte (ou pour polarisation inverse), et dont chacune possède un minimum énergétique direct et un minimum énergétique indirect de la bande de conduction, tandis que la valeur de x, représentant la fraction molaire de la matière AC dans la solution solide AB, Cx, est choisie de manière que les énergies des minimums direct et indirect de la bande de conduction de la solution solide AB,#Cx soient voisines, ainsi qu'un moyen pour mesurer les variations de la résistance électrique du corps solide sous 11 effet des variations de la pression appliquée, est caractérisé, selon l'invention, en ce que le corps solide représente une structure semi-conductrice comprenant deux groupes de couches alternantes à différentes valeurs absolues de x, dont chacun comprend au moins une couche et a une même valeur de x dans le groupe, et que la gamme de variation de x entre la valeur maximale et la valeur minimale dans la structure semi-conductrice, et le rapport des volumes des couches de différents groupes, sont choisis de manière qu'une diminution de la sensibilité à la pression appliquée avec la variation de température dans les couches du premier groupe soit compensée par son augmentation dans les couches de l'autre groupe. il est rationnel dtutiliser une structure semi-conductrice à valeur constante de x suivant toute l'épaisseur de chaque couche. il n'est pas moins rationnel d'utiliser une structure semi-conductrice dans laquelle la valeur de x dans chaque couche varie suivant son épaisseur, d'une limite à l'autre de la couche, suivant une loi représentée par un tronçon de sinusoïde. Il est utile de doper les couches de la structure semiconductrice avec une impureté donatrice à niveaux énergétiques peu profonds de manière à atteindre une concentration des porteurs libres suffisante pour obtenir la dégénérescence du gaz électronique dans la structure semi-conductrice. On a constaté, en outre, qu'il est utile d'utiliser en tant que corps solide une structure semi-conductrice GaAs, Px dans laquelle la valeur de x est choisie dans la gamme de 0, 2 à 0, 4, la différence des valeurs mazimale;'et minimale de x dans la structure étant choisie dans l'intervalle de 0,02 à 0, 20, alors que le rapport du volume total des couches du premier groupe et du volume total des couches du deuxième groupe est choisie dans la gamme de 1 à 10, et l'épaisseur de chaque couche est choisie dans l'intervalle de 200 A à 3000 Il est en outre rationnel de doper les couches de la structure semi-conductrice GaAs1 xP avec une impureté donatrice à niveaux énergétiques peu profonds de manière à obtenir une concentration des porteurs libres choisie dans la gamme de 2.1018 à 7.1018 cl 3. Le capteur de pression selon l'invention est doué d'une stabilité thermique élevée du coefficient de sensibilité à la pression. Dlautres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de plusieurs modes de réalisation non limitatifs illustrés par les dessins annexés dans lesquels - la figure 1 représente schématiquement un capteur de pression à semi-conducteurs, selon l'invention; - la figure 2 représente une courbe illustrant la loi de variation de la valeur de x d'une couche à une autre de la structure suivant l'épaisseur du corps solide, selon l'invention; - la figure 3 représente une courbe illustrant une autre loi de variation de la valeur de x d'une couche à une autre de la structure suivant l'épaisseur du corps solide, selon l'invention;; - la figure 4 représente une courbe illustrant encore une autre loi de variation de la valeur de x d'une couche à l'autre de la structure suivant l'épaisseur du coprs solide, selon l'invention; - la figure 5 représente les courbes de variation de la sensibilité du capteur à la pression en fonction de la température, selon l'invention. Le capteur de pression à semi-conducteurs comprend un corps solide 1 à base d'une solution solide A3î#xCz se composant de deux matières semi-conductrices AB et AC, dont la première possède une bande interdite directe tou puuc polaristation directe), et l'autre, une bande interdite indirecte ou pour polarisation inverse). Chacune de ces matières possède un minimum énergétique direct et un minimum énergétique indirect de la bande de conduction. La solution solide AB, C est une structure semi-conductrice comprenant deux groupes de couches alternantes 2 et 3. Le premier groupe comprend au moins une couche 2 ayant une première valeur moyenne de x, et le deuxième groupe, au moins une couche 3 ayant une deuxième valeur moyenne de'x. Les structures semi-conductrices sont réalisées à base de solutions solides se composant des matières AIIIBV. Parmi ces structures on peut citer, par exemple : GaAsî#zPx, AsGa1~xAlx, PIn1 xGax, les matières GaAs et InP possédant une bande interdite directe, et les matières GaP et AlAs, une bande interdite indirecte. La valeur de x déterminant la fraction molaire de la matière AB dans la solution solide AB1#Cx est choisie de manière que les minimums direct et indirect de la bande de conduction soient voisins en énergie. La gamme de variation de x entre la valeur maximale et la valeur minimale dans la structure semi-conductrice AB1-xCx et le rapport des volumes des couches 2 et 3 des différents groupes sont choisis de manière qu'une diminution de la sensibilité à la pression appliquée avec la variation de température dans les couches 2 du premier groupe soit compensée par une augmentation de ladite sensibilité dans les couches 3 du deuxième groupe. Le moyen pour mesurer les variations de la résistance électrique du corps solide 1 sous l'action des variations de la pression appliquée est représenté par l'ohmmètre 4. Les contacts ohmiques 5 reliés à la surface latérale du corps solide I présentant une épaisseur d, sont électriquement branchés sur l'entrée de l'ohmmètre 4 à l'aide des conducteurs de sortie 6. Les couches 2 et 3 de la structure semi-conductrice peuvent être dopées avec une impureté donatrice à niveaux énergétiques peu profonds de manière à obtenir une concentration des porteurs libres suffisante pour obtenir la dégénérescence du gaz électronique dans la structure semiconductrice. Ces impuretés dans les solutions solides se composant des matières AIIIBV peuvent être le tellure, le sélénium, l'étain. La valeur de x dans chacune des couches 2 et 3 peut soit rester invariable suivant l'épaisseur de la couche 2 ou 3, soit varier dans chacune des couches 2 et 3 suivant l'épaisseur de la couche 2 ou 3 d'une limite à l'autre de la couche. La figure 2 représente la loi de variation de la valeur de x de la couche 2 à la couche 3 de la structure suivant l'épaisseur d du corps solide 1 (figure 1). Sur la figure 2, d1 est l'épaisseur de chaque couche 2 du premier groupe de couches, et d2, 11 épaisseur de chaque couche 3 du deuxième groupe. Suivant l'épaisseur d1 de la couche 2 (figure 1), x a une première valeur constante, et suivant 11 épaisseur d2 de la couche 3 (figure 1), une deuxième valeur constante. La figure 3 représente la loi de variation de la valeur de x suivant l'épaisseur d, cette loi étant exprimeepar une sinusoïde. Sur la figure 3, d1 est l'épaisseur de chaque couche 2 (figure 1) du premier groupe de couches, et d2, l'épaisseur de chaque couche 3 (figure 1) du deuxième groupe. Suivant l'épaisseur d1 (figure 3) de la couche 2 (figure 1), x a une première valeur moyenne, et la loi de variation de x d'une limite de la couche 2 à l'autre est exprimée par la première demi-onde de la sinusoide figurant sur le dessin. Suivant l'épaisseur d2 (figure 3) de la couche 3 (figure 1), x a une deuxième valeur moyenne, et la loi de variation de x d'une limite de la couche 3 à l'autre est exprimée par la deuxième demi-onde de la sinusoide. La figure 4 représente la loi de variation de la valeur de x suivant 11 épaisseur d, cette loi étant exprimée par un tronçon de sinusoide, où d1 est l'épaisseur de chaque couche 2 (figure 1) du premier groupe, et d2 (figure 4), l'épaisseur de chaque couche 3 (figure 1) du deuxième groupe. Suivant l'épaisseur d1 (figure 4) de la couche 2 (figure 1), x a une première valeur moyenne, et suivant l'épais- seur d2 (figure 4) de la couche 3 (figure 1), une deuxième valeur moyenne, alors que la loi de variation de x en fonction de l'épaisseur d des couches 2 et 3 est représentée par un tronçon de sinusoïde entre la valeur minimale de x à la première limite de la couche 2 et la valeur maximale de x à la deuxième limite de la couche 3 de la structure. Le capteur de pression selon 11 invention fonctionne comme suit. Une augmentation de la pression à mesurer provoque une augmentation de la résistance électrique du capteur et donc une augmentation correspondante de la différence de potentiel entre les contacts 5 (figure I),-mesuréepar ltohmmètre 4. La sensibilité S du capteur à la pression est déterminée par la formule générale suivante où Uo est la différence de potentiel entre les contacts 5 à la pression initiale; U, l'accroissement de la différence de potentiel entre les contacts 5 sous l'effet d'une augmentation de la pression; p, l'accroissement de la pression. En cas d'égalité des conductibilités et des épaisseurs d1 et d2 des couches 2 et 3 respectivement, la sensibilité S à la pression du capteur est déterminée par la formule S1 + S2 Sr = ------------- 2 (2) où S1 est la sensibilité de la solution solide constituant la couche 2; S2, la sensibilité de la solution solide constituant la couche 3. La relation entre, d'une part!la sensibilité de la solution solide à la pression, et dtautre part, la valeur de x étant connue, les valeurs de S1 et S2 sont déterminées par intégration de cette relation connue dans les limites de variation de x dans les couches 2 et 3 de chaque groupe, si la variation de la valeur de x suivant l'épaisseur d1 ou d2 de chaque couche 2 ou 3 revêt un caractère sinusordal, la sensibilité à la pression du capteur à base d'une solution solide se composant de deux matières semi-conductrices peut soit augmenter, soit diminuer sous l'action d'une augmentation de la température du milieu. Cela dépend du rapport entre la valeur de l'énergie due à l'agitation thermique kT de l'électron et la valeur de l'intervalle énergétique AE entre les minimums direct et indirect de la bande de conduction de la solution solide AB1 xCx, la valeur de hE dépendant, à son tour, de la valeur de x de la solution solide. Si la condition hE kT est remplie, la sensibilité à la pression augmente avec l'augmentation de la température. Si E kT, cette sensibilité diminue avec l'augmentation de la température. Aussi la composition des couches 2 et 3 de la structure est-elle choisie de manière que l'inégalité#E > kT soit va lable pour la composition des couches 2 du premier groupe, et que la condition A E4;RT soit remplie pour la composition des couches 3 du deuxième groupe. Si dans les des couches 2 (figure 1) pour lesquelles x = 0,37, la sensibilité S1 diminue avec l'augmentation de la température dans la gamme de O à 100 C, comme l'indique la courbe 7 de la figure 5, et si dans des couches 3 (figure 1) pour lesquelles x = 0,3 la sensibilité S2 augmente dans la même gamme de température (courbe 8 de la figure 5), la sensibilité totale S du capteur dépendra moins de la température que la sensibilité de chacune des couches 2 (figure 1) et 3 (courbe 9 de la figure 5). Donc, la diminution de la sensibilité à la pression appliquée avec la variation de température dans les couches 2 (figure 1) du premier groupe est compensée par une augmentation de la sensibilité à la pression appliquée dans les couches 3 du deuxième groupe. il en résulte une extension de la gamme des températures d'utilisation et une amélioration de la stabilité thermique du coefficient de sensibilité à la pression appliquée. En outre, la sensibilité à la pression du capteur et sa stabilité thermique dépendent du degré de dopage de la solution solide ABî#xCx Si ce degré de dopage est faible, la sensibilité à la pression est déterminée par la probabilité de la transition des électrons par l'intervalle énergétique AE entre les minima direct et indirect de la bande de conduction. Si le degré de dopage est élevé Jusqu'à la dégénérescence du gaz électronique, ce qui, pour la plupart des composés AIIIBV, a lieu quand la concentration des porteurs libres est supérieure à1018 cm 3 le niveau de Fermi correspondant à la valeur de l'énergie EF passe de la bande interdite à la bande de conduction et la sensibilité à la pression d'un tel capteur est déterminée dans ce cas par la probabilité de franchissement par les électrons de l'intervalle énergétique (aE - EF). Bien que 11 énergie kT des électrons croisse avec l'élé- vation de la température, la probabilité de franchissement par les électrons de l'intervalle énergétique ( 4E - EF) ne varie presque pas, car le niveau de Fermi baisse avec l'augmentation de la température. Cela signifie une diminution de l'énergie EF et donc une augmentation de la valeur de l'intervalle énergétique (#E#EF), ce qui conduit en fin de compte à une diminution de la probabilité des transitions d'électrons en fonction de la température et à une amélioration de la sensibilité thermique des capteurs. En outre, en cas de dégénérescence du gaz électronique, la concentration aussi bien que la mobilité des électrons varient peu avec la température, ce qui améliore aussi la stabilité thermique de la résistance du capteur. Le rapport des épaisseurs d1 et d2 des couches voisines 2 et 3 appartenant aux différents groupes et l'épaisseur totale d de la structure sont des facteurs importants influant sur le fonctionnement du capteur de pression. La valeur absolue de ces paramètres est déterminée par les exigences auxquelles doit satisfaire l'impédance d'entrée du capteur. Le choix de la valeur absolue des épaisseurs d et d2 des couches 2 et 3 se fait en tenant compte des caractéristiques de la solution solide à partir de laquelle le capteur de pression est fabriqué. Si l'on utilise la solution solide GaAs1 xPX qui se caractérise par une différence importante entre les paramètres des réseaux cristallins des matières semi-conductrices (arséniure de gallium et phosphure de gallium), la structure à base de cette solution solide est choisie de manière que les couches 2 et 3 soient les plus minces possibles, afin de diminuer la densité des dislocations de non-conformité dans la structure périodique. Si l'on utilise une solution solide se composant d'arséniure de gallium et d'arséniure d'aluminium, dans laquelle la différence entre les paramètres des réseaux des matières semi-conductrices est voisine de zéro, on peut admettre des couches 2 et 3 plus épaisses. Toutefois, dans tous les cas, une augmentation du nombre total de couches 2 et 3 de la structure est favorable à la reproductibilité des paramètres des capteurs pendant leur fabrication gracie au calcul de la moyenne statistique des écarts incontrôlables de l'épaisseur des couches 2 et 3 par rapport à la valeur prescrite et des écarts du profil de répartition des composants de la solution solide suivant l'épaisseur des couches 2 et 3. Les exemples concrets mais non limitatifs suivants de réalisation du capteur de pression semi-conducteur permettront de mieux comprendre la présente invention. Exemple 1. Le capteur est réalisé à base d'une solution solide GaAs1 xPX comprenant des couches alternantes 2 et 3 pour lesquelles les valeurs de x sont respectivement 0,3 et 0,37. Le nombre total de couches 2 et 3 est de 300, 11 épaisseur des des couches 2 et 3 est la même et égale à 500 A, le rapport des volumes des couches 2 et 3 des différents groupes est égal à 1. La valeur absolue de l'épaisseur des couches 2 et 3 de la solution solide GaAs P est choisie dans l'intervalle de 200 à 3 000 A. Cet intervalle est optimal, puisqu'il a été établi expérimentalement que si l'épaisseur de chacune des couches 2 et 3 est inférieure à 3 000-t, la conjugaison du réseau cristallin est normalement cohérente, c'est-à-dire sans formation de dislocations de non-conformité. il n'est pas non plus rationnel d'utiliser des couches 2 et 3 d'une épaisseur inférieure à 200 A, du fait que les structures périodiques de haute qualité dont la période est inférieure à 200 t sont difficiles à fabriquer et coûteuses, ce qui conduit à une augmentation du coût des capteurs de pression. Le niveau de dopage des couches 2 et 3 est de 2.1018 ci 3@ Le capteur est réalisé sous forme d'un corps solide 1 de 10 x 0,2 x 0,015 mm. Les contacts 5 sont en alliage indiumétain, les connexions 6 sont en fil d'or de 50 à 70 microns de diamètre. La mesure des variations de la résistance a été effectuée à 1'aide de l'ohmmètre 4 dans la gamme de pressions de O à 250 bars. La gamme de variation de la résistance du capteur dans l'intervalle de température de (-77) C à (+130) C à une pression invariable a été de 795 à 670 ohms, c'est-à-dire que dans une plage de température égale à 2070C la variation de la résis tance a été de 20 %, et le coefficient thermique de variation de la résistance, de 0,1 %. degré La relation expérimentale entre la sensibilité à la pression du capteur et la température est représentée par la courbe 10 de la figure 5. On a constaté une variation de la sensibilité à la pres sion de 1,36. 10- 4 bar -1 à (-77) C et 1,27.10-4 bar -1 à (+130) C. La variation thermique de la sensibilité dans la plage de 207 degrés a été de 7 %, alors que le coefficient thermique de variation de la sensibilité a été égale à 0,033 %. degré 1 Pour ce capteur, on a constaté une bonne coincidence de la courbe théorique 9 avec la courbe expérimentale 10. Le capteur de pression décrit ci-dessus se caractérise par une bonne stabilité thermique de la sensibilité (le coefficient de température de variation de la résistance est de 0,1 %. degré) et par une bonne stabilité thermique de la sensibilité à la pression (le coefficient de température deva- riation de la sensibilité est de 0,033 %. degré -1). Le capteur de pression à semi-conducteurs à base de solution solide GaAs1~xPx peut être utilisé dans les groupes compresseurs, dans l'industrie pétrochimique, pour le pesage des minerais en berlines et pour les mesures de superpressions (Jusqu'à 40.000 bars) effectuées en laboratoire. Exemple 2. Le capteur est réalisé à base de solution solide AsGa1-xA#x à deux couches 2 et 3 (figure 1) pour lesquelles les valeurs de x sont respectivement 0,33 et 0,37. Le corps solide 1 se compose de deux couches 2 et 3 dont o chacune présente une épaisseur de 60 000 A, le rapport des volumes des couches 2 et 3 des groupes différents étant égal å 1. Le niveau de dopage des couches 2 et 3 est de 2.1018cm#3. Le capteur se présente sous forme d'un corps solide 1 de 10 x 0,2 x 0,012 mm. Les contacts 5 sont en nickel et les connexions sont en fil de cuivre de 50 à 55 microns de diamètre. Les variations de la résistance ont été mesurées à l'aide de l'ohmmètre 4 dans la gamme de pressions de O à 250 bars. La gamme de variation de la résistance du capteur dans l'intervalle des températures de 210C à 1080C à une pression invariable a été respectivement de 155 ohms à 147 ohms. Dans cette plage de température égale à 770 la variation de la résistance du capteur a été de 5,5 %, et le coefficient de variation de la résistance, de 0,07 %. degré 1. On a constaté une variation de la sensibilité à la pres sion entre 2,43.10 4 bar à 210C et 2,28.10 4 bar 1 à 1080C. La variation thermique de la sensibilité dans la plage de température de 770 a été de 7 %, et le coefficient de température de variation de la sensibilité, de 0,1 .degré-1 Le capteur de pression à semi-conducteurs à base de solution solide AsGa1 Atx peut être utilisé pour les mesures de pression dans les puits pétroliers et au cours du pressage de pièces métallocéramiques. Bien entendu, 11 invention n1 est nullement limitée aux modes de réalisation décrits et représentés qui n'ont été donnés qu'à titre d'exemple. En particulier, elle comprend tous les moyens constituant des équivalents techniques des moyens décrits, ainsi que leurs combinaisons, si celles-ci sont exécutées suivant son esprit et mises en oeuvre dans le cadre des revendications qui suivent. REVENDICATIONS 1. Capteur de pression à semi-conducteurs-, du type comprenant un corps solide à base d'une solution solide AB1~XCx se composant de deux matières semi-conductrices AB et AC dont première possède une bande interdite pour polarisation directe, et l'autre, une bande interdite pour polarisation inverse, et dont chacune possède un minimum énergétique direct et un minimum énergétique inverse de la bande de conduction, la valeur de x, représentant la fraction molaire de la matière AC dans la solution solide AB1 xCx, étant choisie de manière que les minimums énergétiques direct et inverse de la bande de conduction de la solution solide soient voisins en énergie, et un moyen pour mesurer les variations de la résistance électrique du corps solide sous l'action des variations de la pression appliquée, ce moyen étant électriquement relié audit corps solide, caractérisé en ce que le corps solide est une structure semi-conductrice comprenant deux groupes de couches alternantes pour lesquelles les valeurs absolues de x sont différentes et dont chacun comprend au moins une couche et a une même valeur de x, la gamme de variation de x entre la valeur minimale et la valeur maximale dans la structure semi-conductrice, ainsi que le rapport des volumes des couches des deux différents groupes, étant choisis de manière qu'une diminution de la sensibilité à la pression appliquée avec la variation de la température dans les couches du premier groupe soit compensée par une augmentation de ladite sensibilité dans les couches du deuxième groupe. 2.Capteur de pression selon la revendication 1, caractérisé en ce que la valeur de x dans chaque couche de la structure semi-conductrice est invariable dans l'épaisseur de la couche. 3. Capteur de pression selon la revendication 1, caractérisé en ce que la valeur de x dans l'épaisseur de chaque couche de la structure semi-conductrice varie d'une limite à l'autre de la couche suivant une loi exprimée par un tronçon de sinusolde. 4. Capteur selon l'une des revendications 1, 2 et 3, caractérisé en ce que les couches de la structure semi-conduc trice sont dopées avec une impureté donatrice à niveaux énergétiques peu profonds, de manière à obtenir une concentration des porteurs libres suffisante pour assurer une dégénérescence du gaz électronique dans la structure semi-conductrice. 5. Capteur suivant l'une des revendications 1, 2 et 3, caractérisé en ce que le corps solide est une structure semiconductrice GaAs1 xP dans laquelle la valeur de x est choisie dans l'intervalle de 0,2 à 0,4, que le rapport du volume tOtal des couches du premier groupe à celui des couches du deuxiè me groupe est choisi dans l'intervalle de 1 à 10, et que l'épais o saur de chaque couche est choisie dans l'intervalle de 200 A à 3 000 A, la différence entre la valeur maximale et la valeur minimale de x dans la structure étant choisie dans l'intervalle de 0,02 à 0,20. 6. Capteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que les couches de la structure semi-conductrice GaAs1#xPx sont dopées avec une impureté donatrice a niveaux énergétiques peu profonds, de manière à obtenir une concentration des porteurs libres choisie dans l'intervalle de 2.1018 à 7.1018cm 3.