FR 2393433 A1 19781229 FR 7815699 A 19780526 L'invention concerne un composant semiconducteur de puissance commandable qui peut être commuté, pour les deux sens du courant, d'un état de forte résistance à un état de faible résistance et qui comporte des successions de zones antiparallèles correspondantes, formées chacune d'au moins quatre zones de types de conductivité alternativement opposés dans un corps semiconducteur en forme de disque dont les électrodes, réalisées sous forme de métallisations des zones anodiques et cathodiques externes et des deux zones de commande qui sortent avec une petite surface de zones moyennes au niveau des faces principales, sont mises en contact électrique et thermique sans couche d'arrêt par les connexions principales et de commande correspondantes. Un tel composant semiconducteur peut être utilisé comme commutateur de courant alternatif symétrique ou comme régulateur de courant continu, à la place ou en plus des triacs généralement utilisés jusqu'ici ou de thyristors indépendants en montage antiparallèle, lesquels ont remplacé de leur côté, en raison du moindre entretien qu'ils exigent, le montage antiparallèle de deux tubes redresseurs à cathode de mercure et à amorçage par igniteur (ignitrms), ainsi que les commutateurs de courant alternatif à contacts mobiles. Par le terme composant semiconducteur "de puissance", il y a lieu d'entendre un composant dont le courant de conduction est supérieur à 10 ampères. Dans le cas d'un composant semiconducteur commandable du genre défini dans le préambule, les connexions des électrodes de commande, par exemple en aluminium, sont appliquées du coté du bord, au moyen d'un procédé de soudure aux ultra-sons, sur les faces principales et en même temps sur les zones moyennes de conduction p qui sortent au niveau de ces faces (demande de brevet allemand nn 1 564 420). les connexions principales sont soudées sous forme de rondelles de molybdène, à l'aide d'une soudure composée d'un alliage de plomb et de nickel, sur les faces principales, c'est-à-dire sur les zones émettrices du corps semiconducteur.Cette technique n'est plus applicable lorsquton passe à des puissances plus élevées et, en conséquence, à des diamètres plus grands des disques, dans le cas par exemple où l'on part de disques circulaires. En cas de hautes puissances, on ne parvient pas, avec cette technique connue, à la forte pente de courant ou à la haute stabilité de di/dt qui sont nécessaires et il peut se produire un amorçage dépourvu dthomogenei té. En conséquence, la structure connue ne convient bien que pour de petits composants senconducteurs commandables. Les triacs généralement connus sont limites quant à la tension par suite de l'utilisation habituelle d'une gâchette à distance ("remote gate") et ils ne sont plus utilisables en cas de fortes puissances, pour des processus de commutation rapides à l'intérieur de circuits redresseurs, en raison de I1 insuffisance de la pente de courant (di/dt) et de la pente de tension (du/dt) (brevet des Etats-Unis ns 3 275 909). Le montage antiparallèle de thyristors indépendants, mentionné dans le préambule, aboutit à des dissymétries dans le cas de la commande à déphasage d'allumage. La puissance qui peut etre transmise est déterminée par le moins 3G3 thyristor.Le coût des boîtiers pour deux thyristors indépendants est très élevé. Certes, la chaleur est mieux dissipée en comparaison de la forme de réalisation recherchée avec un seul boîtier, mais elle est dissipée de façon inégale - en considérant les deux systèmes individuels. L'invention, partant du composant semiconducteur commanda ble du genre défini dans le préambule, a pour but de fournir un système, intégré dans un corps semiconducteur, de deux thyristors et de successions de couches antiparallales correspondantes présentant des types de conductivité différents, pour de fortes puissances avec des courants supérieurs à 10 ampères et, de préférence, supe- rieurs à 5G ampères. La solution de ce problème consiste en ce que, d'après ''in- vention, les deux électrodes de commande se trouvent respectivement dans desdes-évidements des électrodes principales et en ce que les premières comme les secondes sont mises en contact par pression avec leurs connexions ou corps connecteurs correspondants des deux côtés du corps semiconducteur. Il va de soi que la disposition ainsi déQ1- nie des électrodes de commande et des électrodes principales s'ap- plique également pour les zones de commande et pour les zones emet- trices ou cathodiques correspondantes. De meme que dans le cas connu (demande de brevet allemand na 1 564 420), le composant seiniconducter continent dew thyristors qui sont produits en une seule opération de fabrication à partir d'un disque semiconducteur, de préférence un disque de silicium, de sorte que les deux thyristors d'un même composant semiconducteur proviennent des mêmes processus de diffusion et/ou d'alliage.Cela est une condition de base pour que les deux thyristors aient les mêmes caractéristiques de commutation. Etant donné que les deux systèmes de thyristor ont le même développement, ils possèdent également des propriétés physiques exactement semblables, c'est-à-dire qu'on supprime ainsi la sélection à la recherche de propriétés semblables qui est nécessaire autrement lors de l'interconnexion de plusieurs composants classiques Contrairement au composant semicorducteur à commutation symétrique, connu d'après la demande de brevet allemand na 1 564 420, les électrodes de commande se trouvent, non pas au bord, mais dans des évidements respectifs des électrodes principales.En conséquence, relativement à chaque système de thyristors on se trouve en présence d'une disposition en soi connue, appelée gâchette centrale (demande de brevet allemand np 1 132 247). En raison de la position géométrique plus favorable en ce qui concerne la distribution du courant d'amorçage, le diamètre ou la largeur du disque semiconducteur peut être considérablement agrandi Les opérations nécessaires de soudage sur les deux côtés, qui ne sont plus réalisables avec ces très grands disques, sont remplacées avantageusement par le contact direct par pression en soi connu (Publication suisse Brown, Boveri Mitteilungen, 5/75, p. 225). L'expression "contact direct par pression" signifie dans ce cas qu'il n'est effectué aucune union de matières, c'est-à-dire aucune union par alliage entre le corps semiconducteur en forme de disque de silicium et une plaque-support électriquement et thermiquement conductrice. Par ailleurs, il est avantageux que le corps semiconducteur soit mis en contact par pres sion avec toutes les électrodes sur les deux côtés, le contact direct étant symétrique en ce qui concerne la pression sur ses deux faces principales - avec décalage vers des côtés différents par rapport à l'axe central perpendiculaire aux faces principales pour ce qui est des électrodes de commande.Jusqu'ici, on connaissait simplement une gâchette centrale avec contact par pression d'un seul côté (demande de brevet allemand np 2 246 423) La latitude dont on dispose pour agrandir la largeur ou le diamètre du corps semiconducteur en forme de disque permet également de façon avantageuse, de ménager un écart de non-recouvrement ex tremement grand entre les projections des zones cathodiques et anodiques sur un plan de base commun, parallèle aux deux faces principales, de préférence un ecar de non-recouvrement de plus de 1 mm. En augmentant l'écart de non-recouvrement, on obtient, comme on le sait, un découplage des deux systèmes et la pente de tension (du/dt) peut être accrue, de meme que la pente de courant (di/dt) (demande de brevet allemand nn 1 564 420 et brevet des Etats-Unis na 5 123 750, figure 8). D'après l'invention, il est prévu de placer, entre les deux successions de zones antiparallèles, une zone neutre, non dopée fortement, ayant la largeur indiquée ci-dessus. L'agrandissement de la largeur cu du diamètre du corps sem- conducteur permet er; outre, de façon avantageuse et dans des conditions-de symétrie physique, une adaptation au développement des thyristors de puissance en ce qui concerne les dimensions des cristaux et les dimensions des boitiers.Dans ces conditions, le couplage thermique est amélioré opportunément par le fait que, de façon connue en soi (brevet allemand n0 2 059 805), des électrodes de connexion en cuvette sont contiguës par leur fond de cuvette aux électrodes des zones anodiques et/ou cathodiques, leurs rebords de cuvette parallèles à l'axe central étant dirigés å l'opposé des faces principales, par le fait qu'il est prévu, dans chaque fond de cuvette, une solution de continuité pour la connexion de l'électrode de commande et par le fait qu'une rondelle, encastrée dans ltélec- trode de connexion en cuvette et présentant également une solution de continuité pour la connexion de 11 électrode de commande, sert pour chaque système de connexion principale.L'utilisation d'élec- trodes de connexion en cuvette, de préférence en argent, et de rondelles incorporées, de préférence en molybdène, garantit d'une part une symétrie parfaite de la pression et d'autre part la possibilit d'emplie les composants semiconducteurs de puissance avec une simple fixation mécanique par serrage. En vue de la commutation de courants très intenses avec néan- moins des impulsions de commande très petites, petites, d#c#l & c latéral de chaque zone et électrode de commande, mesuré jusqu'au centre de la zone de commande, correspond approximativement à la moitié-de la distance au centre du bord de jonction entre la face principale et la surface latérale à double biseau négatif, et la zone de commande avec l'électrode de commande est réalisée de façon connue en soi sous forme de gâchette amplificatrice ("amplifying gate") (Publication BBC, "Beziehungen zwischen Kenndaten und Eigenschaften von Leistungsthyristoren", na D GHS 30132 D, p.8 et Publication General Electric na 671.15 de mars 1969, "The Ampl ifying Gate" + 8CR), les zones de commande à dopage p et raccordées à la connexion d'électrode de commande par l'intermédiaire de l'électrode de commande se trouvant entre des régions à dopage n qui sont raccordées au moyen de métallisations à des régions des zones p moyennes qui sortent au niveau des faces principales et sont dirigées à l'opposé des zones de commande. Le biseautage négatif du bord, réalisé de façon connue en soi par la technique du mésa double, signifie qu'il existe, en direction de la zone extérieure de moindre résistance spécifique, une diminution de la section transversale du corps semiconducteur en forme de disque. Cette mesure est déjà connue pour accroître l'effort dû à la tension appliquée dans le sens de l'arrêt ou du blocage, c'est-à-dire pour accroître la tension de claquage au niveau de la surface bordante, d'après le brevet australien nn 244 374 et, en ce qui concerne la définition qui précède, d'après la demande de brevet allemand nQ 1 281 584. Pour accroître encore la stabilité du du/dt ou la pente de tension admissible, les zones émettrices sont munies de préférence de courts-circuits d'émetteur, c'est-à-dire de pénétrations punctiformes des zones moyennes voisines au niveau des faces principales (shorted emitter) (Journal of Applied Physics, vol. 30, na 11, novembre 1959, pp. 1819 à 1823 et brevet allemand na 1 154 872). En une combinaison en soi connue avec cette forme de réalisation des zones cathodiques ou émettrices, les zones de commande peuvent être réalisées sous forme dite de gâchette en doigts ("finger gate") ou en bandes, d'où il résulte un rapport de surface plus favorable avec la surface émettrice et on peut parvenir à des valeurs encore plus élevées de la vitesse admissible de montée du courant di/dt (demande de brevet allemand n0 2 164 644). L'invention est ci-après expliquée de façon plus détaillée à l'aide d'un exemple de réalisation représenté sur les dessins annexés. La figure 1 est une vue en coupe du corps semiconducteur, faite dans un plan de coupe perpendiculaire à ses faces principales. La figure 2 illustre la misa en contact par pression du corps semiconducteur représenté sur la figure 1 il va de soi que la représentation de la figure 1 est déformée comme d'habitude, puisque la largeur ou le diamètre du disque est, comme on le sait, très grand par rapport à son épaisseur.Le corps semiconducteur de silicium se compose d'une zone 1 à dopage n doux et de deux zones moyennas contiguës 2 et 2' à dopage p. Dans ces zones 2, 2' se trouvant, duscoté des faces principales 4, 4' et sur des côtés différents de l'axe central 5 perpendiculaire aux faces principales 4, 4', des zones émettrices 3, 3' avec des péné traitions punctiformes 6, 6' des zones moyennes contiguës 2, 2' au niveau des faces principales 4, 4' respectives. Par ailleurs, des + zones anodiques 7, 7' à dopage p , contiguës aux surfaces principa- les 4, 4', se trouvent sur des côtés différents de l'axe central 5. La zone émettrice 3 et la zone anodique 7 sont munies d'une métallisation ou électrode principale 8 et la zone émettrice 3' et la zone anodique 7' sont munies d'une métallisation ou électrode princi- pale 8'. Dans ces conditions, les électrodes principales 8, 8' shuntent également les pénétrations 6,6' et constituent des courtscircuits.Les électrodes principales 8,8' et les zones émettrices 3, 3' présentant, sur des côtés différents de l'axe central 5, des évidements 9, 9' pour les gâchettes a7mplificatrices (amplifying gates) an soi connues, une zone de commande 11 14 , de préférence dopée dopée p et munie d'une électrode de commanda 10, ,0', étant située entre des régions 12, 12' à dopage n qui sont raccordées, par d'autres métallisations 13, 13', à des régions 1 A, 14' des zones p moyennes 2, 2' respectives, régions qui sortent au niveau des faces principales 4, 4' et qui. sont situées à l'opposé de la zone de commande 11, 11 ' correspondante. Par ailleurs, le corps semiconducteur comporte, entre les deux successions de zones antiparallèlas précédemment décrites, c'est-à-dire 7 - 2 - 1 - 2 - 3t d'une part et 7' - 2 - 1 - 2 - 3 d'autre part, qui font partie d'un thyristor normal Tï d'une part et d'un thyristor inverse T2 d'autre part, une zone neutre 15, non fortement dopée, qui a une largeur ou écart de non-recouvrement a de préférence supérieur à 1 mm, qui s'étend parallèlement à l'axé central 5. Le corps semiconducteur présente un double biseautage négatif réalisé par la technique du mésa double - surface latéral 16. La distance entre l'axe central 5 et les zones de commande 11, 11' respectives s'élève de préférence à la moitié environ de la distance totale entre l'axe central 5 et la jonction 17, 17' entre la face principale 4, 4' et la surface latérale 16. D'après la figure 2, des électrodes de connexion en cuvette 20, 20' sont contiguës aux électrodes principales 8,8' des zones anodiques et émettrices 7, D et 7t9 3', ces électrodes 20, 20',qui sont de préférence an argent, ayant leurs rebords de cuvette 21 S21 s X parallèles à l'axe central 5, dirigés à l'opposé des faces principales 4, 4' respectives. Dans le fond de chaque cuvette est prévue une solution de continuité 22, 22' pour une connexion d'électrode de commande 23, 23 E a Les connexions d'électrode de commande 23 p 23 se trouvent, sous la forme de ressorts de compression, à l'intérieur d'isolations 24, 24t dans les solutions de continuité 22, 22'. Dans les électrodes de connexion en cuvette 20 S 20 t sont incorporées en tant que connexions principales, des rondelles 25, 25' qui présentent également des solutions de continuité pour les connexions d'électrode de commande 23, 23 Ces rondelles sont de préférence en molybdène et elles présentent des isolations 26, 26' pour la sortie latérale des connexions d'électrode de commande 23, 23 t ~ Pour ne pas entraver une technique d'empilage possible, les isolations 26, 26' ne font pas saillie sur les plans extérieurs des rondelles 25, 25'. De la manière habituelle, les surfaces latérales obliques 16 sont protégées par une couche de passivation 27, c'est-à-dire une passivation de verre ou une pellicule de protection en matières organiques ou en mélanges. Le composant semiconducteur commandable, qui se compose de deux thyristors T1 et T2, pratiquement complètement découniés l'un de l'autre, mais intégrés dans un corps semiconducteur et mon tés en antiparallèle, est fabriqué par des techniques usuelles. Les deux thyristors T1 et T2 sont produits en une seule opération de fabrication, à partir d'un disque de silicium commun, Par le fait qu'à partir du disque de silicum à conductivité n, un système p-n-p composé des trois zones 1, 2 et 2' est tout d'abord formé de façon connue en soi par introduction d'une matière donnant des trous positifs.Puis la moitié environ des faces principales 4 et 41 est garnie d'une couche supplémentaire de matières délivrant respectivement des donneurs et des accepteurs, ce qui donne lieu aux zones émettrices 3, 3' et aux zones anodiques 7, 7'. Les courts-circuits 6 et 6' dans les zones émettrices 3 et 3' sont ainsi recouverts. I1 en résulte, dans la direction axiale du corps semiconducteur en forme de disque, après une ou plusieurs opérations de diffusion etlou de vaporisation d'un getter et/ou d'alliage, deux successions de couches antiparallèles 7 - 2 - I - 21 - 3' et 71 - 2' - 1 - 2 - 3 ayant des types de conductivité alternativement différents. il s'agit là des successions typiques dans le cas de thyristors :: p - p - deux p - n . Dans ces conditions, les zones émettrices 3, D' de + conductivité n restent interrompues par les courts-circuits 6, de sorte que la zone p sous-jacente 2, 2' arrive à la surface. Ces péné trationssont nécessaires pour les courts-circuits d'émetteur en soi connus des deux thyristors T1 et X2, les régions correspondantes 14, 14' étant par contre nécessaires pour l'activation des deux thyristors T1 et T2.En cas de métallisation effectuée galvaniquement ou par pulvérisation cathodique, il neut être prévu également, outre les évidements 9,9', des solutions de continuité au-dessus de la zone neutre 15. il va de soi que les opérations effectuées sur le corps semiconducteur commun, telles que diffusion, trempage, passivation, traitement galvanique, puis établissement des contacts par pression et éventuellement encapsulage, sont plus rationnelles en comparaison des frais en cas de fabrication de deux thyristors indépendants. La mise en contact par pression est effectuée de la ma niera décrite dans le brevet allemand n0 2 039 806. Le mode d'action du composant semiconducteur commandable résulte du mode d'action en soi connu des thyristors individuels Pi et T2 (BBC-Silizium-Stromrichter-Handbuch, lère éd.(1971), pp. 25 sqq.) Le thyristor normal Tl est commuté à l'état conducteur en cas de tension positive entre la connexion d'électrode principale 25 et la connexion d'électrode principale 25', ainsi que d'une tension sur la connexion d'électrode de commande 23', positive par rapport au potentiel sur l'électrode de commande principale 25' (figure 2). Dans ces conditions, la zone anodique 7 à conductivité p se trouve à un potentiel positif, tandis que la zone émettrice 3' à conductivité n+ se trouve au potentiel négatif. lies jonctions pn entre la zone émettrice 3' et la zone moyenne 2', ainsiqu'entre la zone 1 et la zone moyenne 2, sont sollicitées dans le sens de conduction, tandis que la jonction pn entre la zone moyenne 2' et la zone 1 n doux est tout d'abord sollicitée dans le sens du blocage.Le thyristor inverse T2 comporte, dans ces conditions de tension, une jonction pn supplémentaire à l'état bloqué entre la zone moyenne 2 de conductivité p et sa zone émettrice 3 de conductivité n Le thyristor normal T1 est commuté à l'état conducteur lorsqu'avec le potentiel positif mentionné sur la connexion d'électrode de commande 23' (figure 2) ou sur la zone de commande 11' de conductivité p , un courant de commande (courant de trous) passe. La zone moyenne 2' de conductivité p est au potentiel d'émetteur ou au potentiel négatif de la métallisation 8'. Etant donné que les régions 12' à dopage n sont connectées galvaniquement avec la zone moyenne 2' à conductivité p au niveau de la gâchette amplificatrice, elles peuvent être considérées comme émetteur auxiliaire. En conséquence, le courant de trous au niveau de la zone de commande 11' provoque tout d'abord un amorçage de faible puissance de la région moyenne du corps semiconducteur au-dessous de la gâchette amplificatrice (voir Publication General Electric, op. cit.). Lors du processus d'amorçage ultérieurs la zone émettrice 3' à dopage n provoque également l'injection d'électrons dans la zone moyenne 2' de conductivité p. lies électrons injectés dans la zone moyenne 2' provoquent une injection de trous à partir de la zone moyenne 2 de conductivité p dans la zone 1 de conductivité n doux. Ceux-ci cheminent vers la jonction p entre la zone 1 et 12 zone moyenne 2'. Par injection ultérieure d'électrons d'une part et de trous d'autre part, la charge spatiale au niveau de la jonction de blocage 1 - 2' est supprimée, le courant s'élève à travers le côté gauche du corps semiconducteur an considérant la figure 1, jusqu'à ce qu'enfin, toute la région gauche du corps semiconducteur audessous de la zone émettrice D' conduise le courant.Une influence du thyristor inverse T2 sur le thyristor normal Ti est exclue en raison de la grande distance de non-recouvrement a. Le thyristor inverse T2 est commuté à l'état conducteur lorsqu'avec une tension positive entre la connexion d'électrode prtrci- pale 25' (figure 2) ou la zone anodique 7' (figure 1) et la conne- xion d'électrode principale 25 ou la zone émettrice 5, le potentiel de la connexion de commande 23 est rendu positif par rapport au potentiel sur la connexIon d'électrode de commande 25. La suite du processus se déroule de façon ana#o#u- à ce qui a été décrit cidessus à propos du thyristor normal Ti. Ainsi, les deux thyristors T1 et T2 sont activés avec amor çage positif. Le composant. semiconducteur de puissance peut donc être commuté, dans les conditions de tension décrites, entre le premier quadrant (thyristor normal TI commutable à l'état conducteur) et le troisième quadrant (thyristor inverse T2 commutable à l'état conducteur). Dans la phase de commutation à l'état conducteur de l'un des thyristors T1 ou ou, l'autre thyristor T2 ou T1 est bloqué, selon ce qui a été décrit. En outre, il peut être prévu que le dispositif exerce un effet d'auto-protection en ce qui concerne les deux systèmes de thyristor, c'est-à-dire qu'en cas de tension trop élevée dans le sens du passage (tension de blocage posittretrop élevée), le système concerné commute à l'état conducteur, de façon connue en soi, sans impulsion de commande correspondante (brevet des Etats-Unis n51 3 123- 750). Les dispositions avantageuses décrites, basées sur le découplage de deux systèmes de thyristor, an soi connu d'après la demanda de brevet allemand nQ 1 504 420, à savoir 1. l'établissement des contacts par pression, 2. la gâchette centrale, 3. la réalisation sous la forme d'une gâchette amplificatrice qui n'est absolument pas possible avec le composant semiconducteur connu à contacts par la bord avec les électrodes de co###nde, 4. les zones de commande à dopage p et 5. éventuellement les gâchettes en doigts, aboutissent, avec une stabilité accrue considérablement de cqmmutation, de du/dt, à ce que l'utilisation à des fréquences nettement Supérieures à 100 Hz est possible. En raison de la symétrie physique et de l'augmentation possible du diamètre ou de la largeur du disque, il est possible d'utiliser le composant pour des puissances extrêmement élevées, par exemple avec des courants de 500 ampères et des tensions de 5000 volts. Le composant semiconducteur peut être étendu techniquement, c'est-à-dire que les valeurs citées ne représentent pas une limite supérieure. - REVENDICATIONS 1. Composant semiconducteur de puissance commandabla qui peut être commuté, pour les deux sens du courant, d'un état de forte résistance à un état de faible résistance et qui comporte des successions de zones antiparallèles correspondantes, formées chacune d'au moins quatre zones de types de conductivité alternativement opposés dans un corps semiconducteur an forme de disque dont les électrodes, réalisées sous forme de métallisations des zones anodiques et cathodiques externes et des deux zones de commande qui sortant avec une petite surface de zones moyennes au niveau des faces principales, sont mises en contact électrique et thermique sans couche d'arrêt par des connexions principales et de commande correspondantes, caractérisé en ce que les deux électrodes de commande 10, 10' se trouvent respectivement dans des évidements 9,9' des électrodes principales 8,8' et en ce que les premières comme les secondes sont mises en contact par pression directe avec leurs connexions ou corps connecteurs correspondants 23, 23'; 20, 25, 20', -25' des deux côtés du corps semiconducteur. 2.- Composant semiconducteur commandable selon la revendication 1, caractérisé an ce que le corps semiconducteur est mis en contact par pression directe de façon syméftq#ue sur ses deux faces principales 4, 4' - avec, pour ce qui est des électrodes de commande de 10, 10', un décalage vers des côtés différents par rapport à l'axa central 5 perpendiculaire aux faces principales 4, 41 3.- Composant semiconducteur commandable selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'une zone neutre, non fortement dopée 15, ayant une largeur de plus de 1 mm, est située antre les deux successions de zones antIparai-#alas. 4.- Composant semiconducteur commandable selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que des élec- troues de connexion en cuvette 20, 20' sont contiguës par leur fond de cuvette aux électrodes princinales 8, 8' des zones anodiques et cathodiques 7 et 3, 7' et !;;' leurs rebords de cuvette 21, 21' pa allèles à l'axe central 5 étant dirigés à lloppose des faces princigales 4, 4', en ce qu'il est prévu, dans chaque fond de cuvette, une solution de continuité 22, 22' pour la connexion d'électrode de commande 23, 23', et en ce qu'une rondelle, encastrée dans l'élec- troue de connexion en cuvette 20, 20' et présentant également une solution de continuité pour la connexion d'électrode de commande 23, 23', sert pour chaque connexion principale 25, 25'. 5.- Composant semiconducteur commandable en silicium selon la revendication 4, caractérisé en ce que les électrodes de connexion en cuvette 20, 20' sont faites d'argent et les rondelles sont en molybdène, en tungstène ou en un métal allié, adapté au coefficient de dilatation du silicium. 6.- Composant semiconducteur commandable selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, caractérisé en ce que le décalage latéral de chaque zone de commande 11, 11' et de l'électrode de commande 10, 10?, mesuré jusqu'au centre de la zone de commande, correspond approximativement à la moitié de la distance au centre du bord de jonction 17, 17' entre la face principale et la surface latérale à biseau négatif, et an ce que chaque zone de commande 11, 11' avec l'électrode de commande 10, 10' est réalisée sous forme de gâchette amplificatrice, chaque zone de commande 11, 11' à dopage p+, raccordée à la connexion d'électrode de commande 23, 23' par l'intermédiaire de l'électrode de commande 10, 10', se trouvant entre des régions à dopage n (12, 12' qui sont raccordées au moyen d'autres métallisations 13, 13' à des régions 14, 14' de la zone p moyenne 2, 2' qui sortent au niveau des faces principales et sont dirigées à l'opposé des zones de commande 11, 11'. 7.- Composant semiconducteur commandable selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la zone de commande 11, 11' est réalisée sous forme de gâchette en doigts. 8.- Composant semiconducteur commandable selon l'ure quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les zones émettrices 3,3' sont munies de pénétrations 6,6' des zones moyennes voisines 2,2' au niveau des faces principales 4,4' respectives et de métallisatios, ce qui donne lieu à des courts-circuits d'émetteur.