FR 2379316 A1 19780901 FR 7739114 A 19771223 La présente invention concerne la purification par fusion de zone de barreaux de matériaux semiconducteurs et plus particulièrement un enroulement de chauffage perfectionné et les circuits radiofréquences de commande associés destinés à être u- tilisés dans un procédé de purification par zone fendue pour la production de barres de silicium monocristallin ou de matériaux équivalents. La purification par zone fondue, qui sera dorénavant désignée pour des raisons de brièveté pàr l'expression fusion de zone, est un procédé qui est utilisé commercialement depuis longtemps pour produire des matériaux semiconducteurs monocristallins, tels que du silicium, présentant un très haut degré de pureté et une structure de réseau cristallin sans dislocation de zone, qui sont nécessaires pour la fabrication de certains dispositifs ou composants électroniques. Le procédé général de la fusion de zone est décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique nO 2.992.311 au nom de Seller. Un procédé de fusion de zone commercial récemment développé est décrit dans le brevet des Etats Unis d'Amérique nO 3.734.695 au nom de Campbell. Dans un tel procédé ou ses variantes, on forme initialement- une zone fondue à un endroit choisi d'un barreau de silicium ou de tout autre barreau semiconducteur par chauffage à induction radiofréquences (RF), le sigle RF servant, dans la suite de la description et des revendications,à désigner les caractéristiques radiofréquences. Si le barreau est constitué de silicium polycristallin on introduit initialement dans la zone fondue un petit germe monocristallin. La zone fondue est ensuite déplacée le long du barreau en réalisant un déplacement relatif entre le barreau et un enroulement de chauffage à induction RF adjacent entourant le barreau.Un tel mouvement relatif peut-être réalisé par des moyens mécaniques connus dans la technique tels que des arbres entraînés par moteur, et la vitesse de déplacement transversal de la zone fondue le long du barreau est déterminée en fonction de la qualité requise du cristal et en fonction de la puissance du champ RF produit par l'enroulement de chauffage par induction adjacent. Lors du choix de ces paramètres pour déterminer la vitesse de déplacement tr2nstersal , il faut veiller à éviter toute déformation de zone et formation d'arc selon des critères connus de l'homme du métier. Le degré de pureté final recherché et le diamètre requis peuvent nécessiter une passe ou une série de passes de la zone fondue le long du barreau. Un enroulement de chauffage conventionnel, tel que celui représenté en 10 sur la figure 1, est constitué d'un enroulement monospire, réalisé en métal, de préférence en cuivre, argent ou en cuivre plaqué à l'argent et présentant un diamètre extérieur de l'ordre de 50 à 150 mm, un diamètre intérieur de ltor- dre de 25 à 50 mm, une épaisseur d'enroulement au niveau de la périphérie externe d'environ 10 mm, et un écartement entre les extrémités d'environ 3 mrn. Ces dimensions sont données à titre d'exemple et peuvent varier en fonction des dimensions des barreaux à purifier. En règle générale, le diamètre extérieur de l'enroulement supérieur est d'environ 50 mm au diamètre du barreau. Un des problèmes rencontrés dans lafusion de zone réside dans les effets d'arc au niveau de l'enroulement de chauffage à des puissances RF élevées. De tels niveaux de puissance créent des différences de potentiel importants entre des points dans la chambre renfermant l'enroulement de chauffage et dans laquelle la fusion de zone est réalisée dans un environnement prédéterminé. La formation d'arc doit être normalement exclue des opérations de fusion de zone. Des arcs peuvent se former entre l'enroulement de chauffage et le barreau et entre les points de llen- roulement de chauffage entre lesquels la différence de potentiel est la plus grande, telle que les points où l'enroulement se raccorde à la douille de traversée de cloison coaxiale.Les différences de potentiel mises en jeu sont directement proportionnelles au courant traversant l'enroulement de chauffage. Par exemple, avec un courant d'enroulement de 1.000 ampères efficaces, avec une inductance d'enroulement de 0,1 wH, et une fréquence de 2,5 bEz, on atteint une différence de potentiel entre les blocus d'enroulement de 1,570 volts efficaces ou supérieure à 2.200 volts crêtes. Dans de telles conditions, la tension maximum par rapport à la masse, même si l'enroulement est mis à la masse à son centre, est légèrement supérieure ~l;l00 volts. La présente invention a précisément pour objets principaux de proposer un dispositif ou un appareil perfectionné pour la purification par fusion de zone de barreaux de semiconduc teur, et plus particulièrement un enroulement de chauffage à induction RF perfectionné pour fusion de zone et une installation munie d'un tel enroulement de chauffage pour minimiser les effets d'arc ci-dessus mentionnés. Pour ce faire, et selon une caractéristique de la présente invention, un enroulement de chauffage par induction RF amélioré pour la fusion de zone de barreaux de matériau semiconducteur se présente sous la forme d'une spire unique divisée par des fentes en une pluralité de parties d'arc, plus specifique- ment en deux demi-spires. De façon plus générale, le dispositif pour fusion de zone selon la présente invention comprend des moyens pour positionner un barreau de matériau semiconducteur en vue de sa purification par fusion de zone. L'enroulement de chauffage par induction RF dans un tel dispositif est conçu pour entourer le barreau pour produire dans celui-ci une zone fondue en appliquant par voie inductive une énergie RF au barreau.Le dispositif comporte en outre des moyens pour réaliser un déplacement relatif entre l'enroulement de chauffage et le barreau pour faire décrire à la zone fondue toute la longueur du barreau. Comme précédemment mentionné, l'enroulement de chauffage est un enroulement fendu comportant plusieurs divisions angulaires d'une spire unique complète, chacune de ces divisions ayant ses extrémités en vis-à-vis-et en correspondance mais sans contact électrique avec les divisions adjacentes pour réaliser une spire unique fermée. Plusieurs fenêtres d'entree ou entrées RF sont ainsi prévues, soit, de façon plus spécifique, une entrée RF au voisinage des extrémités en regard entre chacune des divisions. L'agencement comprend en outre une source RF pour alimenter en puissance RF chacune des entrées RF en relation de phase avec la tension RF à l'une quelconque des autres entrées RF. La présente invention sera mieux comprise au vu de la description suivante d'un mode de réalisation, faite en relation avec les dessins annexés, sur lesquels La figure 1 est une vue en perspective d'un enroulement de chauffage de l'art antérieur Les figures 2A et 2B sont des vues en perspective de deux ires de réalisation de l'enroulement fendu de chauffa- ge selon la présente invention La figure 3 est une vue en plan d'une chambre de fusion de zone renfermant un enroulemant fendu de chauffage La figure 4 est un diagramme schématique d'un circuit de contrôle pour tester une installation à enroulement de chauffage fendu La figure 5 est un schéma illustrant les tensions par rapport à la masse en divers points de l'enroulement utilisé dans le test de contrôle de la figure 4 La figure 6 est un diagramme schématique d'un circuit de contrôle pour tester un enroulement conventionnel en comparaison avec un enroulement fendu La figure 7 est une vue schématique illustrant les tensions mesurées en certains points de l'enroulement conventionnel utilisé dans le circuit de contrôle de la figure 6 La figure 8 est un diagramme schématique d'un circuit d'alimention monotube à couplage direct ; et La figure 9 est un diagramme schématique d'un circuit d'alimentation à couplage direct du type symétrique ou push-pull. On a représenté sur la figure 2A, un enroulement de chauffage 18 selon la présente invention. L'enroulement fendu de chauffage est constitué de demi-spires 20 et 22, chacune comportant des bornes 24 et 26, et 28, 30 respectivement aux ex trémités de chaque demi-spire, une paire de bornes 24, 28 définissant une première entrée RF et une seconde paire de bornes 26, 30 définissant une seconde entrée RF opposée à la première. Il s'en suit que ces deux entrées RF se trouvent aux extrémités opposées des demi-spires. L'enroulement fendu selon la présente invention est de préférence conformé selon le mode de réalisation représenté sur la figure 2A. Comme on le voit sur cette figure 2A, les deux demi-spires 20 et 22 ont chacune une configuration généralement semi-circulaire. Chaque demi-spire est une image symétrique de l'autre demi-spire par rapport à un plan imaginaire perpendiculaire à l'enroulement et bissecteur de la fente entre les deux demispires. Chaque demi-spire 20 et 22 a la forme d'un demi-anneau de configuration générale plane, de relativement faible épaisseur, c'est-à-dire d'une demi-rondelle, de telle sorte que les deux demispires définissent ensemble une ouverture 31, de forme sensible ment circulaire pour recevoir un barreau semiconducteur (par exemple de silicium) pour une fusion de zone, De façon similaire, la périphérie externe de l'enroulement de chauffage est sensiblement circulaire. On a représenté sur la figure 2B un second mode de réalisation d'un enroulement fendu 18' dans lequel les deux demi-spires 20' et 22' sont chacune constituées par un tronçon d'un tube métallique de section circulaire qui a été roulé ou conformé pour présenter un profil ayant généralement la même symétrie géométrique que le mode de réalisation représenté sur la figure 2A. En d'autres termes, dans le mode de réalisation représenté sur la figure 2B, l'enroulement fendu 18' est constitué de deux demi-spires dont chacune est l'image symétrique de l'autre et présente une configuration en forme de demi-anneau, définissant toutes les deux une ouverture sensiblement circulaire 31' pour recevoir le barreau destiné à être purifié par fusion de zone. On comprendra que les demi-enroulements du premier mode de réalisation représenté sur la figure 2A peuvent également être creux. Ainsi, l'un ou l'autre mode de réalisation peut permettre un refroidissement de l'enroulement de chauffage en faisant passer un fluide de refroidissement à travers les demi-enroulements. L'enroulement est positionné dans une chambre de fusion de zone, comme représenté sur la figure 3, qui est une vue de dessus de l'installation avec la partie supérieure de la chambre enlevée. La chambre comporte une paroi cylindrique 32 formée avec une ouverture suffisamment large pour permettre l'insertion d'un barreau et l'accès à l'intérieur de-la chambre d'un opérateur. L'ouverture est obture par une porte 34 qui est représentée dans sa position fermée sur la figure 3. L'enroulement fendu 18 est mis à la masse par une tresse de mise à la masse 36. Les paires de bornes de l'enroulement de-chauffage sont chacune connectées à des douilles coaxiales de traversée de cloison séparées 46 et 50. Les oenducteurs d'enroulement 38 et 40 passent à travers une douille coaxiale 46 qui est montée dans une ouverture 48 dans la paroi de la chambre. De même les conducteurs d'enroulement 42 et 44 passent à travers une douille coaxiale 50;qui est montée dans une ouverture 52 dans la paroi de la chambre.Les conducteurs d'enroulement peuvent être couplés par voie inductive au circuit d'oscillateur d'alimentation RF qui alimente l'enroulement de chauffage par des transformateurs RF conventionnels 54 et 56 dont les enroulements primaires sont enroulés en sens contraire, ou peuvent être directement couplés au circuit d'oscillateur d'alimentation RF comme représenté sur les figures 8 et 9. Les circuits à couplage direct de ce type sont décrits dans la demande de brevet britannique nO 42390-77 du 12 octobre 1977 au nom de R.O. Gregoy et L. H. Fricke Jr. ayant pour titre "Improved RF Induction Heating Cir cuits for Float Zone Refining of Semiconductor Rods". Les cir cuits du type à couplage par transformateur ou à couplage direct peuvent être indifféremment utilisés dans le cadre de la présente invention pour fournir des tensions d'alimentation RF de grandeurs sensiblement égales aux deux entrées RF opposées, ces tensions étant déphasées de 1800 l'une par rapport à l'autre. En d'autres termes les tensions RF aux deux fenêtres d'entrée sont en opposition de phase. Quoique sur les dessins on n'ait pas représenté de barreau de silicium polycristallin ou de tout autre matériau semiconducteur en position de fusion de zone, on comprendra que l'enroulement de chauffage est conçu pour entourer ou encercler le barreau pour produire dans celui-ci une zone fondue au voisina ge de l'enroulement en appliquant par voie inductive une énergie RF au barreau. On a de même omis de représenter sur les dessins les moyens conventionnels pour provoquer un déplacement relatif entre l'enroulement de chauffage et le barreau pour faire décrire à la zone fondue toute la longueur du barreau. Ces moyens sont schéma tiquement représentés dans les figures (figure 1) de la demande de brevet britannique précédemment mentionnée nO 42390-77. Ces moyens sont également décrits dans le brevet américain nO 3. 734.695 déja cité. Le dispositif à enroulement de chauffage fendu selon la présente invention a été expérimenté avec des tensions et des courants faibles pour en démontrer la supériorité par rapport aux enroulement conventionnels. L'enroulement et son circuit d'essai sont représentés schématiquement sur la figure 4, les tensions aux bornes de l'enroulement par rapport à la tension de référence de masse étant représentées sur la figure 5. Les conducteurs 38 et 40 sont couplés par voie inductive au transformateur cinq tours 54 et les conducteurs 42 et 44 sont couplés par voie inductive au transformateur cinq tours 56, L'enroulement de chauffage utilise dans cet essai a été réalisé à partir d'une tubulure en argent de section circulaire de 4,76 mm de diamètre et conformée pour représenter un diamètre d'enroulement hors tout de 63!5 mm.Sur la figure 4, une demi-spire de l'enroulement de chauffage comporte une prise centrale de mise à la masse. L'appareil d'essai est constitué d'un circuit résonnant "réservoir" composé de deux transformateurs et de trois condensateurs à vide du type CFDP Jennings de 2.000 pF. Le circuit résonnant est rendu oscillant avec une double triode 6BX7 avec une tension de plaque d'environ 75 volts. Le courant d'enroulement de chauffage mesuré a été de 5,6 ampères crête à 2,2 MHz. Les tensions par rapport à la masse en différents points de l'enroulement de chauffage sont représentées sur la figure 5. Les différences entre les valeurs de crête des tensions résultent de parasites ressortissant aux mesures, plus particulièrement de la capture inductive de la sonde de l'oscilloscope utilisé pour mesurer les tensions et du conducteur de mise à la masse. Pour verifier l'insertion comme quoi l'enroulement fendu autorise des tensions inférieures pour un même courant, un second circuit résonnant "réservoir" a été associé à un enroulement de chauffage conventionnel 58 alimenté par un transformateur unique 54. L'enroulement primaire du second transformateur 56 est laissé branché en travers du circuit résonnant de façon à garder sensiblement la même fréquence que précédemment. Le montage est représenté sur la figure 6, et les résultats mesurés sont représentés sur la figure 7. L'enroulement a été réalisé à partir d'une tubulure en argent de memes dimensions que dans l'essai précédent. Dans ce montage, la tension de plaque a été portée à la valeur pour laquelle le courant de l'enroulement de chauffage est de 5,6 ampères, comme dans l'essai précédent. La fréquence était de 2,1 MHz, c'est à-dire légèrement inférieureaux 2,22 MHz avec l'enroulement fendu. I1 convient de noter que la tension à l'entrée de l'enroulement conventionrLel est de,9,3 volts crête au lieu des 9,6 volts pour la somme des deux tensionsd'alimentation de l'enroulement fendu. En théorie, pour une même fréquence et un même courant, ces tensions devraient être égales et les différences constatées résultent probablement d'erreurs expérimentales. Ce qu'il convient particulièrement de noter c'est que les tensions par rapport à la masse et en tre les branches de l'enroulement fendu sont sensiblement la moitié des tensions équivalentes dans un enroulement conventionnel. Une installation de fusion de zone utilisant l'enroulement fendu selon la présente invention présente ainsi de nombreux avantages potentiels. Par exemple, pour un même courant, elle peut fonctionner à une fréquence supérieure à celle d'un dispositif de fusion de zone actuel et peut ainsi permettre une meilleure fusion d'un barreau polycristallin sans effets d'arc dangereux. De même, pour une meme fréquence, elle peut fonctionner à un niveau de courant sensiblement supérieur à celui d'un dispositif existant, permettant ainsi la fusion de barreaux plus importants. On a représenté sur la figure 8r un premier mode de réalisation d'une installation pour alimenter un enroulement de chauffage fendu 18, cette installation comprenant un circuit d'oscillateur classe C d'alimentation RF, comportant une triode à vide haute puissance 60 comme dispositif d'amplificateur de puissance, la grille de la lampe triode 60 servant d'électrode de commande et la plaque servant d'électrode de sortie de puissance. La plaque est reliée par l'intermédiaire d'un condensateur de blocage de tension 62, à un noeud d'entrée 64 d'un premier circuit résonnant "réservoir" 66. Une inductance 68 de ce circuit résonnant est connectée entre le noeud d'entrée 64 et la borne 24 de l'enroulement de chauffage. Un condensateur 70 du circuit résonnant ou bouchon est connecté entre le noeud d'entrée 64 et la borne 28.De cette façon le circuit résonnant 66 applique directement la puissance RF à la première entrée RF de l'enroulement de chauffage, cette entrée étant constituée, comme précédemment mentionné, par la paire de bornes 24, 28. Quoiqu'elle ne soit pas figurée schématiquement sur les dessins, il existe une capacité intrinseque entre éectro- des de plaque et de grille associée à la lampe triode 60, qui assure une réaction du circuit de plaque vers le circuit de grille, lequel comporte une inductance d'accord de grille 72 interconnectée entre la grille et la jonction entre une résistance de fuite de grille 74 et un condensateur 76 en parallèle. Comme il ressort de ce qui précéde, un tel circuit oscille à une fréquence déterminée pour alimenter en puissance RF, l'enroulement de chauffage. Le circuit résonnant "réservoir 66 peut être consideré comme circuit "pilote" pour appliquer de l'énergie RF à l'enroulement de chauffage, A cet effet comme représenté sur la figure 8, il fonctionne concomitamment avec un second circuit résonnant 78, qui peut être considéré comme un "circuit résonnant secondaire ou 'esclave", Ce circuit comporte un condensateur 80 et une inductance 82 interconnectês à un noeud commun 84, l'autre extrémité du condensateur 80 étant reliée à la borne 30 de l'enroulement et l'autre extrémité de l'inductance 82 étant reliée à la borne 26. De cette façon, le circuit secondaire 78 est effectivement commandé par le circuit pilote 66 de telle sorte que des tensions RF déphasées de 1800 sont appliquées aux deux entrées RF opposées de l'enroulement de chauffage 18. I1 convient de noter que, dans ce montage à couplage direct, la bobine de l'enroulement de chauffage fait effectivement partie de chacun des circuits "ré- servoirs" 66 et 78. On a représenté sur la figure 9, un autre mode de réalisation pour appliquer une encore plus grande puissance RF à l'enroulement de chauffage. Ce circuit comporte essentiellement les mêmes éléments que celui de la figure 8, ceux-ci portant les mêmes références, et comprend en outre un second circuit d'oscilla- teur classe C de puissance comportant un second dispositif d'amplification haute puissance dont la plaque, c'est-à-dire son électrode de sortie de puissance, est connectée par un condensateur de blocage de tension 88 au noeud commun 84. Le circuit de grille, comportant une inductance d'accord 90, une résistance de fuite de grille 92 et un condensateur 94 en parallèle, est identique au circuit de grille de la lampe triode 60. Dans ce montage symétrique, du type communément appelé dans la technique sous le vocable britannique push-pull, les deux circuits oscillants à couplage direct fonctionnent en relation de phase de 1800 l'un par rapport à l'autre, de telle sorte que, comme dans le mode de réalisation de la figure 8, les tensions RF appliquées aux deux entrées RF opposées de l'enroulement sont déphasées de 1800. Au vu de ce qui précède, on comprendra que ces modes de réalisation remplissent les objets et les divers avantages de la présente invention. L'appréciation de certaines des valeurs de mesure indiquées ci-dessus doit tenir compte du fait qu'elles proviennent de la conversion d'unités anglo-saxonnes en unités métri ques. La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'être décrits, elle est au contraire susceptible de variantes et de modifications qui appa raieront à l'homme de l'art. REVENDICATIONS 1 - Dispositif pour la purification par fusion de zone de barreaux d'un matériau semiconducteur, comprenant des moyens pour positionner un barreau de matériau semiconducteur en vue de la fusion de zone, un enroulement de chauffage par induction RF adapté pour entourer ce barreau pour y produire une zone fondue en appliquant par voie inductive une énergie RF à ce barreau, et des moyens pour provoquer un mouvement relatif entre l'enroulement de chauffage et ce barreau pour amener la zone fondue à se dés la cer le long du barreau, caractérisé en ce qu'il comporte un enroulement de chauffage fendu comprenant une première demi-spire et une seconde demi-spire en correspondance mais sans contact électrique avec cette première demi-spire pour former une spire complète unique, deux entrées RF opposées aux extrémités opposées de ces première et seconde demi-spires, et des moyens pour alimenter en puissance RF à l'enroulement de chauffage en appliquant à ces deux fenêtres d'entrée RF des tensions RF déphasées de 1800. 2 - Dispositif selon la revendication 1, carac térisé en ce que chacune des deux entrées RF opposées comprend une paire de bornes, chaque borne étant située à une extrémité respective d'une des deux demi-spires, les moyens pour appliquer la puissance RF à l'enroulement de chauffage étant reliés à cet enroulement par I'intermédiaire de ces paires de bornes. 3 - Dispositif selon la revendication 2, carac térisé en ce que les moyens pour appliquer la puissance RF à l'enroulement de chauffage comprennent un premier circuit résonnant relié à une première paire des dites bornes et un second circuit résonnant relié à la seconde paire de bornes, et un moyen de circuit amplificateur RF relié à au moins un des circuits résonnants. 4 - Dispositif selon la revendication 3, carac térisé en ce que lennyen de circuit amplificateur RF comprend un premier et un second amplificateurs RF interconnectés aux premier et second circuits résonnants, respectivement. 5 - Dispositif selon la revendication 3, carac térisé en ce que les premier et second circuits résonnants sont chacun respectivement interconnectés aux première et seconde paires de bornes par des moyens de transformateur RF. 6 - Dispositif selon la revendication 3, carac térisé en ce que les premier et second circuits résonnants sont chacun directement interconnectés respectivement aux première et seconde paires de bornes dans un montage sans transformateur, -l'en- roulement de chauffage faisant partie intégrante de chacun des premier et second circuits résonnants. 7 - Dispositif selon la revendication 1, carac térisé en ce que chaque demi-spire présente une configuration généra- ;Lent semi-circulaire, chaque demi-spire étant une image symétrique de l'autre demi-spire par rapport à un plan imaginaire perpendiculaire à l'enroulement et bissecteur de cet enroulement entre les deux demi-spires. 8 - Dispositif selon la revendication 7, carac térisé en ce que chaque demi-spire a la forme d'un demi-anneau, des demi-anneaux definissant ensemble une ouverture de forme sensiblement circulaire pour recevoir le barreau semiconducteur. 9 - Dispositif selon la revendication 8, carac térisé en ce que chaque demi-anneau a une configuration généralement plane et de relativement faible épaisseur. 10 - Dispositif selon la revendication 8, carac térisé en ce que chaque demi-spire a la forne d'une demi-rondelle. 11 - Dispositif selon la revendication 8, carac térisé en ce que chaque demi-spire est creuse. 12 - Dispositif selon la revendication 11, carac térisé en ce que chaque demi-spire a une forme tubulaire. 13 - Dispositif selon la revendication 12, ca ractérisé en ce que chaque demi-spire est constituée d'un tronçon de tubulure circulaire. 14 - Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les demi-spires~comprennent une prise centrale pour mise à la masse. 15 - Dispositif pour purifier par fusion de zone des barreaux de matériau semiconducteur, comprenant des moyens pour positionner un barreau de matériau semiconducteur pour la fusion de zone, un enroulement de chauffage par induction RF adapté pour entourer ce barreau pour y produire une zone fondue en appliquant à ce barreau une énergie Pue par voie inductive, et des moyens pour provoquer un mouvement relatif entre l'enroulement de chauffage et ce barreau pour faire se déplacer la zone fondue le long du barreau, un circuit d'oscillateur de puissance RF comportant un dispositif amplificateurde puissance comprenant une électrode de commande et une électrode de sortie de puissance, cette électrode de sortie de puissance étant connectée par un condensateur de blocage de tension à un noeud d'entrée d'un premier circuit résonnant, caractérisé en ce qu'il comporte un enroulement de chauffage fendu comprenant une première demi-spire et une seconde demi-spire en correspondance mais sans contact électrique avec la première demi-spire pour former une spire complète unique, une première entrée RF constituée par des extrémités adjacentes des deux demi- spires, ces extrémités adjacentes formant une première paire de bornes, une seconde entrée RF constituée par les extrémités adjacentes opposées des deux demi-spires, ces extrémités adjacentes opposées formant une seconde paire de bornes, le premier circuit résonnant comportant une capacité interconnectée entre le noeud d'entrée et une borne de la première paire de bornes et une inductance interconnectée entre le noeud d'entrée et l'autre borne de la première paire de bornes et en ce qu'il comporte en outre un second circuit résonnant, ce second circuit résonnant comprenant une capacité et une inductance interconnectées à un noeud commun, cette capacité étant interconnectée entre le noeud commun et une borne de la seconde paire de bornes et cette inductance étant interconnectée entre ce noeud commun et l'autre borne de la seconde paire de bornes, l'une des demi-spires comprenant une prise centrale pour réaliser un noeud de connexion à la masse, les premier et second circuits résonnants fournissant des tensions RF déphasées de 180 0 ceux première et seconde entrées RF. 16 - Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un second circuit d'oscillateur de puissance comportant un second dispositif amplificateur de puissance comprenant une électrode de commande et une électrode de sortie de puissance, cette électrode de sortie de puissance étant connectée par une capacité de blocage de tension au noeud commun du second circuit résonnant. 17 - Dispositif pour la purification par fusion de zone de barreaux de matériau semiconducteur, comprenant des moyens pour positionner un barreau de matériau semiconducteur pour la fusion de zone, un enroulement de chauffage à induction RF adapté pour entourer ce barreau pour produire une zone fondue dans ce barreau en y appliquant par voie inductive de l'énergie RF, et des moyens pour provoquer un mouvement relatif entre l'enroulement de chauffage et le barreau pour faire se déplacer la zone fondue le long du barreau, caractérisé en ce qu'il comporte un enroulement de chauffage fendu, comprenant une pluralité de portions courbes d'une spire unique complète, chaque portion se raccordant sensiblement par ses extrémités, sans contact électrique, aux autres portions pour former une spire complète unique, une pluralité d'en trées RF avec une entrée RF au voisinage des extrémités correspondantes entre chacune des parties, un moyen d'alimentation RF pour alimenter en puissance RF chacune des entrées RF, les tensions RF à chacune de ces entrées RF étant en relation de phase avec la tension RF de chacune des autres entrées RF.