FR 2379880 A1 19780901 FR 7703447 A 19770208 Il ne semble pas qu'il existe dans la technique antérieure des systèmes ou des montages permettant de corrìger les erreurs produites dans les mémoires magnétiques à accès sélectif ou direct par les radiations résultant d'un événement nucléaire ou d'autres phénomènes produisant des erreurs dans les mots d'une mémoire. Or, les mémoires à accès sélectif qui doivent conserver des informations ou des données d'une importance vitale, même après avoir été exposées à des radiations nucléaires pendant l'écriture ou la restitution de ces informations, peuvent être immunis-Ees contre l'effet de ces dernières en conservant en double ou en triple une quantité réduite de telles informations dans la mémoire.Ceci permet de remédier à la perte d'un mot en se référant aux copies intactes de celui-ci. Toutefois les limitations pratiques des dimensions des mémoires interdisent de conserver en double ou en triple tout le contenu d'une mémoire. On peut remédier aux pertes dtinformations dans une-mémoire à accès sélectif sans qu'il soit nécessaire d'avoir recours à une conservation redondante quand il s'agit d'informations fixes, en utilisant une mémoire à lecture non-destructive, du type à fils plaqués. Lorsqu'un montage de contournement approprié est prévu pour protéger les mots non-adressés contenus dans la mémoire à fils plaqués, celle-ci est à Labri des effets des radiations nucléaires, du moins en ce qui concerne ces données. La raison en est le mode non-destructif de lecture des informations dans ce type de mémoire.En conséquence, les mémoires à fils plaqués peuvent être utilises pour conserver des. informations fixes, puisque, dans les conditions de fonctionnement normales ces informations fixes ne sont que lues dans la mémoire et, du fait du mode de lecture nondestructif utilisé, tout mot qui était en train d'être lu au moment où s'est produit un événement nucléaire, peut être reconstitué par la mémoire elle-même. Toutefois les mémoires à fils plaqués posent certains problèmes lorsqu'on les utilise pour conserver des informations ou des données variables, car elles sont vulnérables pendant l'inscription des mots. Il en découle que les mémoires à fils plaqués ne sont pas immunisées contre les effets des radiations nucléaires qui se produisent pendant qu'un mot d'information variable est en train d'être mis à jour puisque, dans ces conditions, le mot en train d'être inscrit risque d'être perdu. On voit donc que, sans protection particulière, les mémoires à fils plaqués ne sont pas adaptées pour conserver des informations ou des données variables. A cela s'ajoute qu'une mémoire fils plaqués, à lecture non-destructive, cote plus cher qu'une mémoire magnétique à tores à lecture destructive et des problèmes de coût se posent quand une mémoire à lecture non-destructive est utilisé pour la conservation d'informations fixes. Par contre, l'adoption d'une mémoire à lecture destructive, qui coûte moins cher, pour la conservation de données fixes soulève certaines difficultés car elle est sensible aux effets des radiations nucléaires, tant pendant l'écriture que pendant la lecture. Ceci résulte de ce que le mode de lecture destructif des mémoires à tores magnétiques impose la nécessité de reconstituer les informations après chaque opération de lecture. Ceci rend ce type de mémoire vulnérable aux effets des radiations pendant la lecture et pendant l'écriture.Une conservation redondante de tout le contenu d'une mémoire à tores magnétiques à lecture des truc tive est également impraticable. La présente invention décrit plusieurs mode de réalisation d'un système pour immuniser une mémoire à accès sélectif à tores magnétiques et à lecture destructive contre les effets des radiations nucléaires et autres, en ce qui concerne la perte de mots d'iforaclons ies ou variables. Les divers modes de réalisation décrits ciaprès concernent la partie fixe des mémoires qui contiennent certains mots d'information invariables, d'un programme et qui restent inchangés pendant tout le programme de l'ordinateur ; ainsi que certains modes de réalisation s'appliquant aux parties de ces mémoires contennant des mots d'informations variables qui sont suceptibles d'être remis à jour ou de subir d'autres changements de temps en temps. La présente invention résout la plupart des difficiles problèmes que pose la correction des erreurs dues à des radiations nucléaires ou autres, dans les mémoires à tores à lecture destructive et permet d'obtenir ce résultat d'une manière relativement simple, économique et directe. Le problème fondamental de i timmunisation des mémoires magnétiques à accès direct contre les effets des radiations nucléaires est le même pour les mémoires à tores et pour les mémoires à fils plaqués. La principale similitude réside dans le fait que pendant un cycle d'écriture ou de réécriture, il est extrêmement difficile de contrôler le courant circulant dans la mémoire avec toute la précision qu'exige la certitude d'une écriture ou d'une réécriture correcte. La principale différence entre les mémoires à tores et celles à fils plaqués est que le cycle de lecture d'une mémoire à tores, comprend une opération de lecture et de réécriture et que la mémoire à tores est sensible aux effets des radiations pendant l'opération de lecture, alors que la mémoire à fils plaqués ne l'est pas. Le principe de l'invention sera discuté en regard d'une mémoire à accès sélectif ou direct dans laquelle chaque élément est sélectionné par une matrice de commutation orthogonale X-Y et en appliquant un courant d'inhibition I. De telles mémoires sont universellement connues et l'une d'entre elles est décrite, par exemple, à la page 185 du volume 4 de la "Mac Graw Hill Encyclopedia of Science and Technology" (Edition 1960). Le système de protection de l'invention prévoit un montage de contournement qui répond à la détection de radiations nucléaires en isolant la mémoire à accès sélectif à tores magnétiques des effets de celleS-ci.Cemontage de contour nement permet de protéger les emplacements non-adressés de la mémoire. Toutefois, il est extrêmement difficile aux circuits de contournement de contrôler le courant nécessaire dans la mémoire dans le cas où une exposition à des radiations nucléaires se produirait pendant une opération réelle d'écriture ou de lecture et de réécriture. Ceci implique que le mot en train d'être lu dans la mémoire à tores, ou en train d'être inscrit dans cette mémoire pendant l'exposition aux radiations risque d'être perdu.Comme il a été indiqué, dans une mémoire à fils plaqués, la lecture est non-destructive, ce qui met le mot conservé l'abri d'une destruction pendant la lecture, même si cette lecture s'effectue pendant un évènement nucléaire. Par contre, dans le cas d'une mémoire à tores magnétiques, le mot obtenu à chaque opération de lecture doit être reconstitué et réinscrit au cours d'une opération d'écriture subséquente de sorte que le mot affecté risque d'être perdu pendant la présence des radiations nucléaires.En conséquence, des moyens supplementaires doivent être prévus pour reconstituer les mots auxquels on accède pendant l'évènement nucléaire Dans le cas d'une mémoire à fils plaqués, ces moyens supplémentaires ne sont nécessaires que pour reconstituer le mot qui était réellement en train d'être inscrit dans la mémoire au moment ou se produisait l'événement nucléaire. Par contre, dans le cas de la mémoire à tores, des mesures correctives doivent être prises à l'égard des mots en train d'être lus ou écrits durant l'événement nucléaire. Comme il a été expliqué brièvement ci dessus, le principe de l'invention, dans l'un de ses modes de réalisation, produit un mot de correction d'erreur pour chaque bloc de mots d'information fixes et ce mot de correction d'erreur sert à permettre à la mémoire à tores à lecture destructive de remplir toutes les conditions nécessaires pour assurer l'immunisation du Système contre les radiations en ce qui concerne la conservation d'informations de program mes fixes. Un second mode de réalisation de l'invention se rapporte à la correction d'erreurs dans le cas de la conservation d'informations ou de données variables ; cependant qu'un troisième exemple de réalisation applique une autre technique de correction d'erreur à la conservation d'informations variables. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple, nullement limitatif, en référence au dessin annexé dans lequel - la figure 1 est un schéma de principe d'un montage destiné à proteger le circuit d'inhibition d'une mémoire à accès sélectif contre les effets des radiations nucléaires ; - la figure 2 est un schéma de principe d'un circuit parallèle pour protéger le circuit de sélection X-Y d'une mémoire à accès sélectif des effets des radiations nucléaires ; - la figure 3 est un diagramme montrant les blocs de mots d'information fixes conservés à des adresses connues dans une mémoire, ainsi que le mot de correction d'erreur correspondant qui est, lui aussi, conservé dans la mémoire, comme il sera expliqué ;; - la figure 4 est un tableau montrant un exemple de reconstitution d'un mot dans un premier mode de réalisation de l'invention en utilisant le mot de correction d'erreur indiqué sur la figure 3 ; - la figure 5 est un schéma fonctionnel par blocs d'un premier mode de réalisation de l'invention qui peut être utilisé pour recouvrer un mot se rapportant à des informations fixes - la figure 6 est un schéma par blocs d'un second mode de réalisation de l'invention dans lequel le mot de correction d'erteur est continuellement mis à jour afin de servir à reconstituer des mots d'information variables affectés par des radiations nucléaires ; - les figures 7, 8 et 9 sont des organigrammes de divers programmes qui peuvent être établis pour exécuter l'action de récupération des mots par le système de la figure 6 ;; - la figure 10 est un schéma par blocs d'un autre mode de réalisation de l'invention appliqué à une mémoire à accès sélectif à fils plaqués, afin de reconstituer un mot d'information variable qui peut avoir été affecté par des événements nucléaires ; et, - la figure 11 est un schéma par blocs d'un troisième exemple de réalisation de l'invention permettant de reconstituer un mot d'information variable dans une mémoire à accès sélectif. Pour éviter que les contenus des adresses non-sélectionnées d'une mémoire à accès sélectif soient altérés par l'action de radiations nucléaires, il est nécessaire de s'assurer que des courants ayant des intensités excessives ne pourront pas circuler dans l'une quelconque des lignes de sélection de la mémoire. D'une manière générale, ceci implique que la somme des intensités de tous les courants (X, Y, I) circulant dans un élément de mémoire particulier doivent être maintenues- inférieures au courant de "demi-selection" maximum admissible. Des circuits de contournement sont utilisés pour dériver les courants de commande des divers éléments de la mémoire suivant les trois axes, ceci étant réalisé par les montages des figures I et 2.Ces montages évitent que tous les éléments de la mémoire qui n'ont pas été sélectionnés soient perturbés par des radiations atomiques. De plus, le signal du détecteur de radiations DI (figure 2) est utilisé pour eteindre tous les circuits actifs immédiatement après l'apparition des radiations nucléaires afin d'éviter que les circuits et les éléments de circuits correspondants soient brûlés. Le détecteur D1 peut être d'un type connu quelconque répondant à la présence de radiations nucléaires ou analogues, au-dessus d'un seuil prédéterminé, en produisant un signal de sortie approprié. Le montage de la figure 1 est incorporé dans le circuit de commande du courant d'inhibition I qui circule dans l'empilement de plaques de la mémoire vers la masse, pendant le fonctionnement normal de celle-ci. Le circuit comprend le transistor NPN usuel à émetteur à la masse 92 qui répond aux impulsions de commande dtinhibition appliquées à la base en devenant conducteur et en complétant le circuit de base d'un transistor PNP Q1. Ceci a pour conséquence de rendre conducteur le transistor Q1 et de faire circuler le courant d'inhibition dans les éléments de mémoire de l'empilement M1.Le collecteur du transistor Q2 est relie à la base du transistor Ql à travers une résistance R2, le collecteur du transistor 91 étant connecté au connecteur d'inhibition de l'empilement MI, tandis que son émetteur est relié à la borne positive d'une source électrique de 12,5 volts. Une résistance Ri est branchée entre la base du transistor QI et la borne positive de la source électrique de 12,5 volts. La jonction des résistances R1-et R2 est connectée à une diode CRI. Une impulsion d'extinction rapide appliquée à la diode termine la circulation du courant d'inhibition dans la mémoire MI à la fin de l'impulsion de commande d'inhibition. Pendant un événement nucléaire des courants de fuite transitoires ipl, ip2 et ip3 circulent dans le transitor.Q1. Les valeurs ohmiques des résistances Ri et R2 ont été réduites à des niveaux relativement bas afin d'éviter que le transitor Q1 devienne conducteur pendant un événement nucléaire et pour éviter ainsi que le courant ipi circulant dans la mémoire pendant l'impulsion de radiations nucléaires atteigne une valeur appréciable. Dans le cas du montage de la figure 2, les circuits des deux transistors Q3 et Q4 établissent des dérivations autour des commutateurs X-Y du réseau de sélection de la mémoire. En cas d'apparition d'une impulsion de radiations nucléaires, les signaux résultants du detecteur D1 rendent conducteurs les transistors 93 et Q4, de manière à établir des dérivations autour des circuits de commutation X-Y, en évitant ainsi que l'intensité des courants de sélection s'élève dans la mémoire Ml, au-dessus d'un seuil de "demi-courant" prédéterminé, Les techniques des figures 1 ou 2 peuvent être appliquées aussi bien aux courants X-Y, qu'aux courants d'inhibition La correction de l'erreur, dans le cas du mot auquel il est accédé dans la partie fixe de l'empilement MI de la mémoire, comme c'est le cas dans le premier mode de réalisation de itinvention, est telle que la perte d'un seul mot d'information d'un emplacement connu de cette partie de la mémoire peut être reconstitué. Chaque bloc de mots d'information fixes contenus dans la partie fixe de l'empilement M1 de la mémoire figurée par le bloc représenté sur la figure 3, possède un mot de correction d'erreur correspondant. Dans le code de correction représenté ici, chaque bit du mot de correction est un bit représentant "la somme OU exclusive" de la colonne correspondante de bits de mots d'information fixes du bloc correspondant. Comme il a été indiqué précédemment, deux conditions sont nécessaires pour que le système de récupération de ce mode de réalisation puisse atteindre les buts visés. Ces conditions sont que l'erreur doit être limitée à un seul mot d'information et que l'adresse du mot.d'information affecté doit être connue. Un exemple de recouvrement ou de reconstitution d'un mot dans la partie fixe d'une mémoire à accès sélectif au moyen du premier montage de l'invention est illustré sous la forme d'un schéma par blocs sur la figure 4 où le bloc comprend quatre mots, comme indiqué dans la colonne "adresse des mots", les quatre mots étant logés dans la partie fixe de la mémoire aux adresses aO, a11 a2 > et a3 ; et où l'adresse du mot de correction d'erreur P est à un o emplacement prédéterminé quelconque de la mémoire (S.D.). Le bloc d'information représenté dans la colonne intitulée "contenu initial" représenté sur la figure 4 comprend quatre mots de quatre bits chacun, qui sont suivis du mots de correction dans lequel chaque bit a une parité paire dans la colonne correspondante de bits du bloc. Dans le cas de l'apparition d'une impulsion de radiations nucléaires pendant l'accession au mot conservé à l'adresse a2, on peut supposer que ce mot particulier aura été détruit ou perdu, comme l'indique la colonne marquée "contenu altéré". Il est à noter que dans l'exemple considéré un seul mot a été affecté par l'impulsion de radiations et que l'adresse de ce mot est connue.Après l'impulsion de radiation, on accède au mot affecté et celui-ci est inscrit dans la mémoire sous la forme d'une suite de zéros, comme le montre la colonne intitulée "contenu reconditionne". Le mot initial qui a été affecté par l'impulsion de radiation peut maintenant être reconstitué en formant un mot de correction d'erreur calculé sous la forme d'un mot représentant la "somme OU exclusive" du bloc d'informations tout entier, y compris le mot affecté (qui se compose maintenant de zéros), plus le mot de correction d'erreur initial. Ce mot de correction d'erreur calculé est une reconstruction du mot qui a été affecté par l'impulsion de radiation, comme l'indique la colonne intitu lée "contenu corrigé". En fait, le mot de correction d'erreur calculé est la "somme OU exclusive" du bloc. il y a plusieurs systèmes de correction d'erreurs qui peuvent être réalisés pour atteindre les résultats désirés par l'invention, c'est-à-dire, pour recouvrer un mot perdu quand se produit une impulsion de radiations, au cours d'un cycle d'écriture ou durant un cycle de lecture et de réécriture d'une mémoire à accès sélectif. Le rétablissement d'un mot, par rapport à des mots d'information fixes, peut être exécuté par le système de correction d'erreurs conforme au premier mode de réalisation de 11 invention. Dans ce premier mode de réalisation, tous les mots fixes sont contenus dans des blocs de l'empilement de la mémoire, chaque bloc possédant un mot de correction d'erreur correspondant conservé à une adresse appropriée dans la mémoire. La nécessité d'immuniser les données ou les informations contenues dans la mémoire contre les radiations, consiste à prévoir en plus des circuits de contournement des figures 1 et 2, conformément au premier mode de réalisation, un-système de récupération ou de recouvrement dont le principe est repré senté par l'organigramme fonctionnel de la figure 5. Le montage de contournement des figures 1 et 2 assure qu'un seul emplacement de la mémoire peut être affecté par la présence d'une impulsion de radiation tandis que le montage de la figure 5 assure le recouvrement du mot d'information fixe pratiquement perdu, auquel on avait accédé au moment où l'impulsion de radiation s'est produite. Comme il a été expliqué, l'apparition d'une impulsion de radiations nucléaires au cours d'une opération d'écriture ou de lecture et de réécriture d'une mémoire à accès sélectif ou direct peut se traduire par la perte du mot adressé. Or, pour pouvoir recouvrer ce mot au moyen du montage de la figure 5, il suffit que l'adresse du mot affecté soit connue et que le mot de correction d'erreur soit disponible dans le bloc dans lequel le mot affecté est logé. Ce mot de correction est normalement conservé dans une partie inutilisée de la mémoire et on n'y accède pas avant que se produise un incident nucléaire, ce qui revient à dire qu'il ne sera jamais affecté par un tel incident ou événement. L'adresse du mot affecté est contenue dans un registre d'adresses 10 du montage de la figure 5. le recouvrement du mot affecté se produit alors selon la routine normale de l'ordinateur en plaçant des zéros provenant d'une source 15 dans l'emplacement de la mémoire désigné par l'adresse du registre 10. De cette manière, le mot affecté a été remplacé par des zéros. Le mot de correction calculé est ensuite' forme dans un registre 17 "cuirassE" ou "blindé", en introduisant dans celui-ci tous les mots-du bloc contenant le mot affecté, y compris le mot affecté lui même (qui se compose maintenant de zéros), plus le mot de correction initial (qui était conservé dans la -mémoire à une adresse normalement inutilisée), à travers un réseau d'addition OU exclusif 19.Le mot formé dans le registre cuirassé 17 est une reconstruction du mot affecté et est introduit dans la mémoire Mi à l'emplacement du mot affecte et vient remplacer les zéros. Pendant l'opération de lecture et de réécriture d'une mémoire à torses magnétiques associée au montage de la figure 5 l'adresse des mots auxquels on accède successivement est introduite par une ligne de l'ordinateur dans les divers modules composant la memoire M1 et est appliquée à une série de circuits-verrous représentés par le bloc 12. Les circuitS#verrous 12 sont couplés au registre 10 de sorte que l'adresse de chaque mot fixe auquel on accède durant une opération de lecture et de réécriture est tenue dans le registre 10, tandis que le mot d'information correspondant appliqué au circuit d'interface 14 pendant ltoperation, est traité.Dans ces conditions, si une impulsion de radiation devait survenir pendant le traitement de l'un quelconque de ces mots d'information fixes, son adresse serait préservée dans le registre 10, de sorte que l'opération de reconstruction d'écriture ci-dessus peut être exécutée. Les registres cuirassés 10 et 17 peuvent être formés par un dispositif semi-conducteur, magnétique ou autre qui n'est pas altére par l'intensité maximale des radiations. Le montage représenté sur la figure 5 et la discussion qui précède présument qu'on peut accéder à des informations fixes contenues dans la partie fixe de la mémoire. Un montage pour réaliser la récupération de mots d'informations variables a été représenté en tant que second mode de réalisation de l'in- vention par l'organigramme fonctionnel par blocs de la figure 6. Le montage de la figure 6 comprend le registre d'adresses cuirassé 10 de la figure 5, ainsi que les clrcuitsuerrous 12, le circuit d'interface 14 et des blocs supplémentaires 15, 17 et 18. De plus le montage de la figure 6 comprend également un registre d'entrée d'informations 20, un registre de sortie d'informations 22 et un circuit logique "OU exclusif" 26. Le montage de reconstruction de mots d'informations variables, représente sur le schéma par blocs de la figure 6 est interposé entre les lignes dtinformations et les lignes d'adresses de l'ordinateur et la mémoire M1, et permet de retenir dans le registre d'adresses cuirassé 10 de la mémoire, l'adresse du mot auquel il est accédé, cette adresse étant conservée pendant la durée du cycle d'accession. Les circuits de contournement décrits ci-dessus assurent qu'un seul emplacement de la mémoire peut être affecté par une impulsion de radiation et le registre d'adresses 10 garantit la rétention de l'adresse du mot d'information affecté.Les registres d'informations d'entrée et de sortie 20 et 22 conjointement avec le circuit logique "OU exclusif" 26 et le registre de parité 24, offrent les moyens de remettre constamment à jour le registre de correction cuirassé 17 des mots d'information variables. Le montage de la figure 6 opère de la même manière que celui de la figure 5 après un événement de radiation nucléaire en utilisant le mot de correction d'erreur mis à jour pour reconstruire le mot affecté. Il est à noter qu'il est nécessaire de changer le mot de correction d'erreur en deux étapes parce qu'il est affecté par l'enlèvement du premier mot d'information et par son remplacement par un autre dans le bloc. Le registre de correction d'erreur durci 17 du montage de la figure 6 est un double registre qui est alternativement remis à jour, de sorte que l'un des registres n'est pas remis à jour avant que l'autre a été rempli, ce, afin qu'une radiation survenant au cours d'une mise à jour ne puisse détruire le mot de correction. L'opération de recouvrement des informations pourrait être commandée par un sous-programme de l'ordinateur, en tant que partie de l'opération de recouvrement normale de celui-ci.# L'action de recouvrement entreprise varie selon qu'un cycle de lecture et de réécriture ou d'effacement et d'écriture est en cours ou non au moment où I'événement .de radiations se produit, et de la partie du cycle dans laquelle cet événement survent. Le maniement final de l'information variable n'affecte pas les opérations de recouvrement dans la partie fixe de la mémoire. L'action entreprise dans la partie variable de la mémoire dépend de l'existence d'un mot de correction d'erreur correct mis à jour dans le registre cuirassé 17 du montage de la figure 6. Le fonctionnement effectif du montage de la figure 6 est clairement illustré par l'organigramme de la figure 7 qui se rapporte à un cycle de lecture et de réécriture de la mémoire et par l'organigramme de la figure 8 relatif à un cycle d'effacement et d'écriture. L'opération de recouvrement est représentée sur ltorganigramme de la figure 9. Ces organigrammes mettent en évidence le principe de base sur lequel est fondé la technique de correction des erreurs, réalisée par le montage de la figure 6. Une récupération ou un recouvrement de mots d'informations variables est possiBle dans les mémoires à accès sélectif ou direct sans produire et sans utiliser des mots de correction, comme c'est le cas dans les montages des figures 5 et 6. La figure 10 illustre un montage pour protéger une mémoire à accès sélectif à fils plaques durant les opérations d'écriture, tandis que la figure 11 montre un montage pour protéger une mémoire à accès sélectif du type à tores magnétiques pendant les opérations d'écriture ou de lecture et de réécriture. Dans le cas de la mémoire a accès sélectif à fils plaqués représentée sur la figure 10, l'information variable critique qui doit être préservée dans le cas d'un événement produisant des radiations nucléaires est normalement partagée, par exemple, entre des blocs de la mémoire, blocs qui ont été désignés ici A, B, C, D et E. Un bloc tampon 100 est également prévu Lorsque le bloc A, par exemple, doit être remis a jour, le contenu de ce bloc est transféré dans le tampon 100 sous la commande de circuits logiques appropriés 102, de sorte que les informations correspondantes sont conservées de façon redondante, à la fois dans le tampon 100 et dans le bloc de mémoire A. On suppose maintenant qu'un événement nucléaire survient pendant que le bloc A est en train d'être mis à jour, on voit que le contenu initial peut, dans ce cas, être recouvré, grâce au tampon 100. A tous autres égards, ce montage opère de la même manière que le montage décrit précédemment et peut utiliser le montage de contournement des figures I et 2. Du fait que, pendant ltope- ration particulière considérée, des informations ne sont inscrites que dans le bloc A, les autres blocs de la mémoire opèrent simplement en lecture et sont protégés par les circuits de contournement. Il est bien évident que les autres blocs peuvent être mis à jour de la même manière, chaque opération de mise à jour étant précédée par un transfert de son contenu dans le tampon 100. Dans le cas d'une mémoire à accès direct à tores magnétiques, il est nécessaire d'ajouter un niveau supplémentaire de conservation, comme le montre la figure il, afin d'immuniser la mémoire contre les effets d'une impulsion de radiation nucléaire. Comme le montre la figure 11, la mémoire peut être divisée en cinq blocs primaires A-E, dont chacun est connecté à un "bloc d'écriture seulement" "fantôme" A-E. Aux fins de mise à jour, le contenu du bloc primaire concerné est transféré dans le tampon 106, comme dans le montage de la figure 10, et en même temps, le contenu du bloc fantôme correspondant est transféré dans le tampon 108. Le bloc considéré et son bloc fantôme sont alors mis à jour simultanément.Ensuite, comme dans le montage précédent, si un événement nucléaire devait se produire pendant la mise a jour d'un bloc quelconque, le contenu initial de celui-ci pourrait être récupéré grâce au bloc fantôme. Normalement, les informations ne sont lues que dans les blocs primaires, sans accéder auxblocs fantômes. Toutefois, Si un événement nucléaire vient à se produire au cours d'un cycle de lecture et de réécriture, l'information peut toujours être récupérée en activant le bloc fantôme correspondant après que l'événement est terminé. Le bloc fantôme ou supplémentaire de lamémoire remplit alors les fonctions décrites ci-dessus. La mémoire fantôme est conçue pour seulement inscrire ou enregistrer des informations pendant le fonctionnement normal de l'ordinateur. Toutefois, quand une lecture est nécessaire à une adresse de cette partie de la mémoire, seules # -seul le bloc primaire opère et répond. il est donc évident que/les informations qui peuvent être détériorées pendant un événement nucléaire, sont celles en train d'être inscrites dans la mémoire primaire et fantôme ou celle en train d'être lue dans les blocs primaires. Les blocs de la mémoire fantôme ne sont jamais lus au cours d'un cycle de lecture et, de ce fait, conservent leur contenu.Toutefois, lorsqu'un événement nucléaire se produit, le signal de sortie du détecteur de radiations est utilisé pour changer la relation-entre les deux blocs contenant le mot affecté, de sorte que le bloc primaire devient une mémoire d'écriture seulement, tandis que le bloc fantôme devient la mémoire de lecture et d'écriture On voit donc que, de la manière décrite ci-dessus, l'adjonction de circuits de contournement, tels que ceux représentés sur les ligures I et 2, à une mémoire à lecture destructive à accès sélectif ou à une mémoire à accès direct, permet de restreindre les pertes d'informations à une adresse connue à laquelle on accede au moment où se produit l'événement.Le mot concerné dans la mémoire fixe ou dans la mémoire de programme peut être reconstitué en utilisant le contrôle de la partie comme il a été décrit à propos du montage de la figure 5. De même, le mot concerné par la partie variable de la mémoire peut être reconstitué par les divers montages décrits en re#gard des figures 6, 10 et 11. On voit aussi que l'invention apporte un système de correction d'erreurs qui permet d'immuniser les mémoires à tores magnétiques à accès sélectif ou direct, contre les effets des radiations nucléaires, les montages de l'invent ion protègent les mots non-adressés contenus dans la mémoire, des effets de ces radiations et permet de reconstituer les mots d'information qui ont été ou pourraient avoir été affectés. il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées aux exemples de réalisation représentés et décrits, sans sortir pour autant du cadre de l'invention. C'est ainsi, par exemple, que le montage décrit ci-contre pourrait être adapté intégralement ou en partie, à de nombreux types différents de Systèmes de mémoire, tels que des mémoires à fils plaqués, a tambour et autres, à condition que la cellule de mémoire de base soit reliée ou "dure" pour les radiations quand on n'y accède pas. - #vENDICATIONS 1. Système de protection pour éviter les pertes de flots d'information dans une mémoire à accès sélectif ou direct en présence d'une impulsion de radiation due à un événement nucléaire ou autre, ladite mémoire comprenant une multiplicité d'éléments de mémoire individuels associés à des circuits de sélection et de lecture et d'écriture, caractérisé en ce qu'il comprend des circuits de contournement couples aux circuits de sélection et de lecture et d'écriture afin de protéger tous les éléments de mémoire non-adressés dans le cas d'une impulsion de radiations ; des moyens d'accès couplés à la mémoire pour accéder sélectivement aux mots d'information contenus dans différents emplacements de celle-ci ; et, des circuits de correction et de recouvrement logique couplés auxdits moyens d'accès pour reconstituer le mot d'information auquel il était accédé durant l'impulsion de radiations, afin de remplacer ce mot dans la mémoire par un mot identique reconstitué 2. Système de protectionselon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit logique de correction d'erreurs comprend un premier registre couplé aux moyens d'accès afin de conserver l'adresse de chaque mot d'information en même temps que les moyens d'accès accèdent à celui-ci, des seconds moyens couplés à ces moyens d'accès pour altérer le mot d'information auquel il est accédé, con férant ainsi à ce mot d'information une configuration de bits prédéterminée, un second registre et d'autres circuits logiques couplés au moyen d'accès pour former le mot d'information reconstitue. 3. Système de protection selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits circuits de contournement servent à limiter les pertes de mots durant la présence des radiations nucléaires à celui de l'adresse à laquelle il est accédé au moment de l'événement auquel sont dues les radiations. 4. Système de protection selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens de coutournement et des moyens permettant une opération subséquente de recouvrement du mot. 5. Système selon la revendication 1, caractérisé en ce que la mémoire conserve, au moins, un bloc de mots d'information à plusieurs bits et qui contient un nombre particulier de mots d'information à des emplacements connus, et en ce que la mémoire comporte, en outre, un mot de correction d'erreurs à bits multiples, lesdits autres circuits logiques formant un mot de correction d'erreurscalculé sur tous les mots du bloc y compris le mot d'information altéré et le mot de correction d'erreur, ledit autre circuit logique introduit dans le mot de correction d'erreur calculé dans le second registre afin d'introduire dans la mémoire le mot reconstitué en remplacement du mot altéré du bloc, à ltem- placement de la mémoire où était logé le mot altéré, 6.Système de protection selon la revendication 2, caractérisé en ce que le second moyen fait que le mot altéré se compose uniquement de zéros binaires. 7. Système de protection selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit autre circuit logique est un circuit logique "OU exclusif", de sorte que le mot- de correction d'erreurs calculé est la somme "exclusive OU" des mots d'information du bloc, y compris du mot de correction d'erreur et du mot altéré. 8. Système de correction selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit autre circuit logique forme ledit mot de-correction d'erreur par un code sélectionné qui se rapporte au contenu tout entier d'un bloc de la mémoire. 9. Système de protection selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comprend un troisième registre couple au moyen d'accès afin de conserver chaque mot d'information auquel les moyens d'accès accèdent ; un quatrième registre et des circuits logiques couplant les moyens d'accès au quatrième registre pour la mise à jour du mot de correction d'erreur quand un mot d'information quelconque a été remplacé dans le bloc par un autre, et pour introduire le mot de correction d'erreur mis à jour dans le quatrième registre en vue de son introduction dans la mémoire l'emplacement de celle-ci qui contenait le mot de correction d'erreur précédent en vue de son remplacement par le mot de correction d'erreur mis à jour. 10. Système de correction selon la revendication 1, caractérisé en ce que les mots d'information sont conserves dans un module comprenant un certain nombre de blocs primaires, chaque bloc primaire étant constitué par un nombre prédéterminé de mots d'information, et en ce que les mots d'information sont aussi conservés de manière redondante dans un module indépendant comprenant un certain nombre de blocs fantômes, chaque bloc fantôme contenant des mots identiques à ceux de l'un des blocs primaires correspondants, d'autres circuits logiques étant prévus pour introduire simultanément des informations dans un bloc primaire et dans le bloc fantôme correspondant pendant un cycle de mise à jour d'un mot particulier quelconque dans le bloc primaire provoquant ainsi le remplacement du mot particulier concerné dans le bloc primaire et dans le bloc fantôme par un mot d'information mis à jour et faisant que les moyens d'accès n'accèdent qu'au bloc primaire afin d'extraire un mot particulier de ceux-ci pendant un cycle de lecture.