FR 2382713 A1 19780929 FR 7706467 A 19770304 La présente invention concerne la technique électronique et en particulier les procédés de fabrication des masques de photogravure destinés à la fabrication des dispositifs et des circuits intégrés à semi-conducteurs. B'invention s'applique en particulier à la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs fonctionnant à des fréquences très élevées et des circuits intégrés complexes, surtout dans le cas de la technique planar dont le procédé essentiel est la photogravure. L'invention peut être également utilise pour la fabrication des dispositifs piézo-électriques, acousto-électroniques et opto-électroniques ainsi que des panneaux à décharge gazeuse. A l'heure actuelle on utilise pour la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs et des circuits intégrés la technique planar qui consiste en ceci : on dépose sur la surface d'un substrat de semi-conducteur une mince couche protectrice, puis par un procédé de photogravure, utilisant essentiellement un masque de photogravure, on pratique des orifices, et par ces orifices on diffuse des corps semi-conducteurs ou on dépose des métallisations de prise de contact pour former un dispositif à semi-conducteurs ou un circuit intégré. On obtient le meilleur rendement en combinant la technique planar avec les procédés de photogravure, ce qui permet de fabriquer les dispositifs à semi-conducteurs et les circuits intégrés par lots. Dans- ce cas, il est très important de fabriquer des masques de photogravure de haute qualité possédant une résolution élevée et peu de défauts. Le masque de photogravure se présente sous la forme d'une lame plane (support) en matière transparente portant un dessin formé par une couche de matériau masquant et constitué par un combinaison de zones opaques et transparent- pour une lumière de longueur d'onde déterminée. Ces zones définissent la topologie d'une des couches d'un dispositif à semi-conducteurs ou d'un circuit intégré. On réalise tout d'abord un masque de photogravure mattre. On appelle masque de photogravure maître le premier masque obtenu possédant un jeu complet d'images des structures à réaliser, à partir duquel on obtient des masques photographiques de travail. On appelle masque photographique de travail un masque utilisé dans le procédé de photogravure pour la fabrication des structures à semi-conducteurs, par tirage par contact ou par projection sur une plaque semi-conductrice recouverte d'une couche de résine photosensible. L'invention a pour but un procédé de fabrication des masques de photogravure de travail. A l'heure actuelle, il existe plusieurs procédés de fabrication des masques de photogravure de travail. Dans le procédé le plus connu de fabrication des masques de photogravure, on dépose à la surface d'un support en verre optique une mince couche ou un film d'un métal présentant une bonne résistance mécanique comme par exemple, le chrome ou le molybdène, ou d'un oxyde, par exemple de l'oxyde de fer, ou d'une combinaison d'oxyde de fer et d'oxyde de vanadium, pour former des couches masquantes. Tous ces films ont une haute résistance mécanique et une porosité insignifiante. La couche de métal, par exemple de chrome, est déposée par vaporisation sous vide ou à partir de composés métalloorganiques. Pour fabriquer un masque de photogravure on doit obtenir une couche de chrome homogène à structure finement cristallisée sans monocristaux relativement grands. En m#me temps on doit assurer la densité minimale des trous d'aiguille. On appelle trous d'aiguille les défauts d'un masque de photogravure se présentant sous la forme de trous minuscules dans les parties opaques de l'image ou de points noirs dans les parties transparentes de l'image. L'importance des trous d'aiguille est définie quantitativement par la densité des défauts. Cette densité indique le nombre de trous d'aiguille d'une gamme de valeurs déterminée par centimètre carré du masque de photogravure dans une zone donnée. Pour réaliser un nettoyage complémentaire du support afin de supprimer toute contamination résiduelle et pour créer à la surface du support un réseau serré de centres de cristallisation, les supports sont traités par décharge par effet couronne avant le dépit du chrome par vaporisation sous vide. Sur les supports recouverts d'une couche de chrome on dépose une couche de résine photosensible et on obtient le dessin nécessaire sur cette dernière en effectuant une exposition à travers un masque maître. Puis le masque à obtenir est traité chimiquement comme une photographie, c'est-à-dire qu'on développe le dessin dans la couche de résine photosensible, on le lave, on le sèche et on le fixe. Après un tel traitement, on obtient un support sur lequel on voit sur la couche de chrome un dessin formé par la couche de résine photosensible. Ensuite, on procède à l'attaque chimique#du chrome dans les zones sans dessin. Puis, on enlève du support le dessin défini par la couche de résine et, après lavage et séchage, on obtient un masque de photogravure fini. Le procédé décrit a plusieurs inconvénients. Durant la préparation du support pour le dépit de la couche de chrome, sa surface est soigneusement traitée. Pourtant, la surface comporte encore une grande quantité d'inperfections qui servent ensuite de centres de formation des défauts ou des trous d'aiguille. le procédé décrit ne permet pas de réduire sensiblement le nombre de trous d'aiguille. Lors de l'attaque chimique de la couche de chrome dans les zones sans dessin on ne réussit pas à obtenir le transfert précis et direct du dessin entre la couche de résine et la couche de chrome car les procédés connus d'attaque chimique de la couche de chrome provoquent la détérioration des bords du dessin ce qui aboutit à une irrégularité notable du bord, au changement des dimensions du dessin et, par conséquent, à une résolution du masque de photogravure. En cas d'utilisation d'un tel masque on observe une usure de la couche de chrome lors du contact du masque avec les substrats de semi-conducteur. Des masques de photogravure semi-transparents à couches de Fe2O3 utilisant la propriété de ce produit de laisser passer la lumière visible en arrêtant l'ultra-violet sont obtenus par un procédé identique à celui des masques à couche de chrome et possèdent des inconvénients analogues. Les masques semi-transparents ont cependant un nombre de trous d'aiguille inférieur à celui des masques à couche de chrome, bien que ce nombre soit encore assez grand, ce qui est dû à la détérioration de la surface du support. Il existe un procédé de fabrication de masques de photogravure selon lequel -on dépose sur la surface d'un support en verre optique une couche de résine photosensible et on effectue l'exposition à travers un masque martre. Ensuite, on développe le dessin dans la couche de résine, on le lave et on le sèche. Ainsi, après exposition de la couche de résine à l'aide du masque maître et développement de cette couche,il apparaît sur le support un dessin (en relief) formé par une couche de résine photosensible dans laquelle les zones transparentes du masque correspondent aux zones recouvertes de résine. Sur le support muni du dessin formé par une couche de résine, on dépose une couche de produit masquant (chrome, molybdène, oxyde de fer, etc.). Après élimination de la couche de résine photosensible sur laquelle est déposée le produit masquant, puis lavage et séchage, on obtient un masque de photogravure de travail. Ce procédé a plusieurs inconvénients notables dus au fait que le dessin formé par une couche de résine photosensible rend plus difficile la préparation (nettoyage) des supports pour la réception du produit masquant, et exclut toute possibilité de chauffage des supports durant le dépit de la couche de produit masquant, ce qui aboutit à de nombreux trous d'aiguille et à la détérioration des bords du dessin. Afin de transférer avec précision le dessin du masque de photogravure et d'améliorer la résolution du masque, l'attaque chimique est remplacée par une attaque par un faisceau d'ions d'argon qui tombe sur le support sous un angle donne. En cas d'utilisation de l'attaque par faisceau d'ions, la résolution obtenue est définie par la technique de masquage, puisqu'elle n'est pas limitée par la technique d'attaque. Dans le cas de la gravure par faisceau d'électrons, la résolution obtenue atteint 0,08 r . Un autre procédé de fabrication de masque vise à améliorer la résistance a l'usure des masques de photogravure qui viennent d'être décrits, ainsi qu'à prévenir les détériorations mécaniques de la couche de résine photosensible par le substrat de semi-conducteur, lors du transfert du dessin à partir d'un masque. Selon ce procédé, on dépose à la surface d'un support en verre une couche de résine sensible au bombardement électronique, on la sèche et on définit un dessin à l'aide d'un faisceau -d'électrons. Ensuite, le masque à obtenir est traité chimiquement, c'est-à-dire qu'on développe le dessin dans la couche de résine, on le lave, on le sèche et on le fixe. Après un tel traitement, on obtient un support portant le dessin dans la couche de résine sensible au rayonnement électronique. Ensuite, on réalise l'attaque chimique du support en verre afin de transférer dans l'épaisseur du support en verre, le dessin formé par la couche de résine sensible au rayonnement électronique. le support avec ce dessin obtenu par attaque chimique est soumis à un lavage et un séchage avant le dépôt sous vide par vaporisation d'une couche de produit masquant. Après le dépôt par vaporisation sous vide de la couche de produit masquant, on enlève la résine sensible au bombardement électronique sur laquelle est déposée la couche de produit masquant. On obtient ainsi un masque photographique sans relief avec la couche de produit masquant noyée dans la matière du support. Un inconvénient notable de procédé tient à l'impossibilité d'obtenir une largeur inférieur à 1 pour une ligne de dessin, par suite de l'isotropie de l'attaque chimique du verre, car l'attaque se produit dans tous les sens à une distance égale à la profondeur de la couche enlevée. Un autre inconvénient de ce procédé réside dans l'irrégularité du bord des éléments du dessin due, elle aussi, au caractère isotrope de l'attaque chimique du verre. L'irrégularité du bord peut dépasser 0,3 Un autre inconvénient de ce procédé de fabrication du masque de photogravure tient aux nombreux défauts de la couche de produit masquant, dus à la séparation dans le temps et dans l'espace des opérations d'attaque du support en verre et de dépôt par vaporisation sous vide de la couche de produit masquant. les nombreux défauts de la couche de produit masquant sont également dues à la difficulté d'obtenir des surfaces de support suffisamment propres durant l'attaque chimique du dessin. le but de l'invention est d'éliminer les inconvénients des procédés de fabrication des masques de photogravure de travail décrits ci-dessus. L'invention vise à créer un procédé de fabrication de -masques de photogravure permettant d'obtenir sur un support de photogravure un dessin formé par une couche d'un produit masquant, ces masques présentant une forte résistance mécanique et un nombre minimal de trous d'aiguille et ayant une résolution élevée grave à une modification de la technologie de traitement du support. Ce but est atteint grâce à un procédé de fabrication de masques de photogravure destinés à réaliser des dispositifs et des circuits intégrés à semi-conducteurs, selon lequel on dépose à la surface d'un support transparent une couche de produit sensible à la lumière, (rasine photosensible), ou sensible aux rayons X ou au bombardement électronique (résine sensible au bombardement électronique) ; on forme le dessin nécessaire, par un rayonnement, dans cette couche de résine ; on élimine une partie de la matière du support qui n'est pas revêtue du dessin formé par la résine ; on y dépose dans une chambre à vide une couche de produit masquant et on enlève le dessin formé dans la couche de résine, en obtenant ainsi dans la couche de produit masquant un dessin négatif par rapport au dessin formé dans la couche de résine. Conformément à l'invention, ltenlèvement de la matière du support se fait à une profondeur sensiblement égale à l'épaisseur de la couche de produit masquant, cette opération étant réalisoepar attaque ionique dans la chambre à vide, et le dépôt d'une couche de produit masquant se fait dans la même chambre à vide sans que le vide soit rompu. Il convient dans ce procédé de fabrication de masques de photogravure d'éliminer la matière du support et de déposer la couche de produit masquant dans la chambre à vide sous une pression qui ne dépasse pas 1.10 3 mm Hg. L'élimination de la matière du support aux endroits où il n'y a pas de couche de résine photosensible, sur une profondeur sensiblement égale à l'épaisseur de la couche de produit masquant déposée, permet de#fabriquer des masques de photogravure, sans relief, c'est-à-dire, des masques, dont le dessin en produit masquant ne fait pas saillie sur la surface du support ce qui améliore la résistance mécanique (résistance à l'usure) du masque de photogravure car cette résistance se trouve déterminée non par la résistance mécanique du produit masquant mais par la résistance mécanique de la matière du support, ce qui permet de prendre n1 importe quelle matière pour le produit masquant. L'élimination de la matière du support par attaque ionique permet de réduire sensiblement le nombre de défauts (trous d'aiguille) dans la couche de produit masquant car lors de l'attaque ionique, la couche supérieure défectueuse du support est enlevée, ce qui permet de créer un réseau serré de centres de cristallisation du produit masquant et améliore notablement la qualité de la surface du support. La surface ayant subi l'attaque ionique reçoit la couche de produit masquant dans une même chambre à vide ce qui exclut toute éventualité de contamination de la surface du support avant le dépôt de la couche de produit masquant, et exclut aussi l'opération de nettoyage (lavage chimique) avant le dépôt de la couche de produit masquant. En outre, l'attaque ionique permet d'obtenir des dimensions des éléments du dessin égales ou inférieures au-micron avec des irrégularités insignifiantes (0,1 au plus) du bord des éléments du dessin et le dessin forme dans la couche de résine est transféré sur le support pratiquement sans aucun changement des dimensions des éléments du dessin. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la des crption qui va suivre d'un exemple de réalisation, donné à titre nullement limitatif. La description se réfère aux dessins annexés, sur lesquels : - la figure 1 représente un support ; - la figure 2 représente le support avec une couche de résine photosensible - la figure 3 montre la disposition mutuelle du support avec la couche de résine photosensible et d'un masque de photogravure maître durant l'exposition à la lumière du dessin dans la couche de résine photosensible - la figure 4 représente le support avec un dessin formé dans la couche de résine photosensible - la figure 5 représente le support avec la couche de résine photosensible après une attaque ionique ;; - la figure 6 représente le support avec la couche de résine photosensible après le dépôt d'une couche de produit masquant - la figure 7 représente un masque de photogravure fini. Pour fabriquer des masques de photograv#ure par le procédé proposé, on utilise des supports 1 (figure 1) en verre optique homogène, sans bulles, à haute résistance à l'usure par frottement, ayant une transparence optique suffisante dans la partie désirée du spectre visible et ultra-violet, par exemple, des supports en verre au borosilicate. Les supports 1 sont nettoyés et décontaminés par n'importe quel procédé de nettoyage connu. Ces procédés diffèrent par les agents d'attaque et les solvants utilisés, ainsi que par le processus technologique de leur utilisation. Suivant un de ces procédés, le support 1 est placé dans le mélange K2Cr204 + H2S04, puis est lavé dans l'eau courante. On le soumet ensuite à un nettoyage par ultra-sons dans l'acétone, puis on le lave de nouveau dans liteau courante distillée et on le sèche. On dépose sur le support lavé et séché 1 (figure 2) une couche de produit choisi parmi les produits sensibles à la lumière (résine photosensible), aux bombardements électroniques ou aux rayons X. Pour les produits sensibles à la lumière (résine photosensible) on utilise des composés à bse de matières organiques, dont la propriété essentielle est le changement brusque des propriétés physico-chimiques sous l'action de la lumière. Par suite des réactions photochimiques entre les constituants du produit, on observe dans un cas le groupement des molécules du produit en structures polymérisées, dans d'autres cas une destruction des liaisons moléculaires.La solubilité du film d'un tel produit dans les révélateurs de composition spéciale varie de telle façon que dans les endroits soumis au rayonnement le fim de certains de ces produits passe de l'état insoluble à l'état soluble, tandis que pour d'autres produits le processus est inverse. Dans le premier cas, le produit sen3i- ble à la lumière est appelé positif, dansle deuxième cas ce produit est négatif. Pour les produits sensibles au bombardement électronique, on utilise des composés à base de matières organiques, y compris certains types de résines photosensibles dont la propriété essentielle est le changement brusque des propriétés physicochimiques sous l'action des électrons (bombardement par électrons). Du fait de cette propriété leur solubilité dans les compositions révélatrices change de façon que dans les endroits soumis au rayonnement le film constitué par certains produits passe de l'état insoluble à l'état soluble, tandis que pour d'autres produits c'est le phénomène inverse qui se produit. Pour le procédé proposé,on peut utiliser des résines photosensibles positives ou négatives ainsi que des résines sensibles au bombardement électronique. Le départ de la couche 2 de produit choisi (résine photosensible) est effectué sous pression atmosphérique par un des procédés connus, par exemple, à l'aide d'une centrifugeuse, procédé qui consiste à mettre sur le disque de la centrifugeuse, incorporée dans la chambre dépoussiérée,un support recevant au centre quelques gouttes de résine photosensible, puis à mettre en marche la centrifugeuse. Sous l'action de la force centrifuge, la résine photosensible s'étale sur la surface du support en formant un film mince. le film de résine photosensible obtenu est soumis à un traitement thermique (séchage), par exemple dans une enceinte thermostatée et dépoussiérée, sous la pression atmosphérique. les résines photosensibles sont subdivisés en deux groupes principaux : résines négatives et résines positives, en fonction de la façon dont le dessin se forme sur le support. Les résines photosensibles négatives forment,sous l'action de la lumière,des zones insolubles qui constituent le dessin sur la surface du support et y restent après le développement. le dessin formé par la résine photosensible sur le support se présente sous la forme d'une image négative du masque maître. Les résines photosensibles positives forment, sous l'action de la lumière, des zones solubles, dans ce cas le dessin du masque étalon est reproduit directement sur la surface du support. Pour former le dessin nécessaire dans la couche photosensible 2 on peut utiliser n'importe quelle méthode connue d'exposition à la lumière, par exemple le tirage par contact à l'aide d'une tireuse avec utilisation du masque de photogravure maître et d'un cadre à vide (qui n'est pas représenté sur le dessin) sur lequel on place le support i (figure 3) avec la couche de résine photosensible 2. Sur le support on place le masque maître 3, côté émulsion vers la couche de résine photosensible, puis on pompe l'air de l'espace intérieur du cadre. Par suite du vide obtenu, le masque maître 3 adhère fortement au support 1 muni de la couche de résine photosensible 2, puis on expose la résine photosensible à la lumière en utilisant par exemple comme source de lumière, une lampe de quartz à mercure (qui n'est pas représentée sur le dessin) sous la pression atmospharique. les masques de photogravure maîtres 3 sont fabriqués à partir de plaques photographiques spéciales à haute résolution par des méthodes classiques de tirage et leur fabrication n'entre pas dans le cadre de l'invention. Ensuite, les supports 1 munis de la couche de résine photosensible 2 exposée sont soumis au traitement photochimique sous la pression atmosphérique, ce traitement étant constitué par le développement, le lavage et la fixation (traitement thermique) de 1a résine photosensible. On obtient ainsi le dessin nécessaire sur le support 1 (figure A) dans la couche de résine photosensible 2. En cas d'utilisation d'une résine sensible au bombardement électronique, on expose la couche de résine à un faisceau d'électrons ou aux rayons X, ce qui permet d'améliorer notablement la résolution, c'est-à-dire, d'obtenir dans la couche de résine sensible au bombardement électronique un dessin dont la largeur de ligne ne dépasse pas o,o8fi. Pour enlever de la matière du support 1 dans les endroits ne portant pas le dessin formé par la couche de résine photosensible 2, les supports i avec le dessin dans la couche de résine photosensible 2 sont soumis à l'action d'un faisceau dirigé d'ions accélérés (attaque ionique), sous vide. L'attaque ionique consiste en ceci : en bombardant la surface de n'importe quelle matière les ions accélérés expulsent les atomes de cette matière et éliminent ainsi cette matière. L'attaque ionique à l'aide d'un faisceau dirigé d'ions permet d'éliminer la matière du support 1 sans pratiquement changer les dimensions données du dessin dans la couche de résine photosensible 2, avec une irrégularité insignifimite (ne dépassant pas 0,1 ) du bord de dessin. La méthode de l'attaque ionique procure une résolution élevée et permet de conserver toute la résolution permise par la photogravure de la gravure par faisceau d'électrons. L'attaque ionique de la matière du support à l'aide d'ions de gaz inertes, par exemple l'argon, se fait à l'aide d'une source d'ions 4 (figure 5) dans une chambre à vide 6 sous une pression qui ne dépasse pas 1.1O3 3mm Hg. La limite supérieure de la pression est imposée par la dissipation du faisceau d'ions dans le milieu résiduel tandis que la limite inférieure est -définie par le rendement du système de pompage et peut autre de l'ordre de 10 à à 10 6 mm Hg. Au cours de l'attaque ionique, le dessin dans la couche 2 de résine photosensible sert de masque et permet d'éliminer la matière du support aux endroits qui ne sont pas protégés par cette résine.Dans ce cas, la résine photosensible est également attaquée avec une vitesse comparable à la vitesse d'attaque de la matière du support 1 et même dépassant cette vitesse pour certaines résines photosensibles. C'est pourquoi, lors de la fabrication des masques de photogravure selon le procédé de l'invention, on choisit expérimentalement l'épaisseur de la couche de résine photosensible, couche devant correspondre à 3 à 5 épaisseurs de la couche de produit masquant déposé et être comprise dans les limites de 0,5 à 0,7 les résines photosensibles ont une mauvaise stabilité thermique, c'est pourquoi on doit, pour obtenir un rendement acceptable de l'attaque ionique, réaliser un traitement collectif des supports i et traiter par exemple 80 supports sur un carousel tournant. La profondeur de l'attaque est définie par l'épaisseur de la couche de produit masquant et l'épaisseur de cette dernière dépend des propriétés optiques du produit masquant et peut varier de 0,07 à'0,i5JÀ pour les divers produits. La profondeur de l'attaque est définie par la vitesse d'attaque et la durée de traitement. La vitesse de l'attaque ioniquedepend du courant et de l'énergie des ions qui bombardent la surface à traiter, mais elle est limitée par la stabilité thermique de la résine photosensible et est choisie par voie expérimentale. Ainsi, par exemple, tlors du traitement de 80 s#upports 1 en verre optique au borosilicate de dimensions 70 x 70 mm portant le dessin formé par la couche de résine photosensible 2 et placés sur un carro m l tournant, on obtient une profondeur d'attaque de 0,15+ dans le support 1 en 60 mn, le faisceau d'ions étant constitué par un courant d'ions d'argon de 0,2 A d'une énergie de 2000 eV. La profondeur d'attaque a été mesurée à l'aide d'un microscope interférentiel. Il convient que la matière du support 1 soit éliminée jusqu'à une profondeur sensiblement égale à ltepaisseur de la couche de produit masquant. De cette façon, au moyen de l'attaque ioni!ue effectuée à travers le dessin formé dans la couche de résine photosensible 2, on obtient sur le support i (figure 5) un dessin noyé dans le matériau du support 1 à une profondeur sensiblement égale à l'épaisseur de la couche du matériau masquant. Sur la surface du support 1 (figure 6), portant un dessin dans la couche de résine photosensible 2 traitée par un faisceau d'ions, on forme,par vaporisation sous vide par plasma, une couche 5 de produit masquant dont l'épaisseur est sensiblement égale a la profondeur du dessin obtenu par attaque ionique dans la matière du support, L'essentiel de cette méthode réside dans le fait que des ions accélérés bombardent la surface d'unecible constituée par la matière à déposer par vaporisation, en expulsant les atomes de la matière de la cible qui se déposent sur le support i et forment un film de la matière ainsi vaporisée, Cette méthode permet de vaporiser les métaux,leurs alliages ainsi que les semi-conducteurs et même d'obtenir les films de composés chimiques (oxydes, nitrures, etc.) si l'on introduit dans la zone du support 1 du gaz actif. Le dépôt se fait sous une pression ne dépassant pas i,10-3 mm Hg. La limite supérieure de pression lors de la vao- risation par plasma est imposée par la diffusion inverse des particules chassées et par la perte de leur énergie dans ltes- pace cible-support. La limite inférieure est due, comme a l'attaque par ions, au rendement du- système de pompage. les films obtenus sont caractérisés par une forte adhzsion due a une grande énergie des atomes de la matière vaporisée (10 à G0 eV) et à l'action des ions du gaz qui nettoient le support 1. En utilisant le procédé de l'invention pour la fabrication des masques de photogravure, il est préférable de déposer le produit masquant dans la meme chambre à vide 1 où lton fait l'attaque ionique, c'est-à-dire sans rompre le vide de la chambre, ce iui élimine le nettoyage des supports 1 avant le dépôt de la couche 5 de produit masquant et produit les exigences de nettoyage de la surface du support i. La réunion des processus d'attaque ionique et du dépôt de la couche 5 de produit masquant par plasma dans une meme chambre à vide 6 a permis de réduire notablement le nombre de trous d'aiguille dans la couche 5 de produit masquant. L'attaque ionique réalisée avant Ze dépôt de la couche 5 de produit masquant élimine la couche supérieure défectueuse du support 1 et forme un réseau serré de centres de cristallisation du produit masquant ce qui permet d'obtenir une bonne adhésion de la couche 5 de produit masquant sur le support 1 et une structure homogène finement cristallisée de la couche 5 de produit masquant. On peut utiliser en tant que produit masquant, divers métaux et composés : chrome, molybdène, tungstène, oxyde de chrome, oxyde de fer, etc. L'épaisseur de la couche 5 de produit masquant dépend des propriétés optiques du matériau choisi et varie de 0,07 à 0,08 )4pour le chrome et de 0,12 à 0,15r pour l'oxyde de fer. On effectue l'attaque ionique de la matière du support à une profondeur sensiblement égale à l'épaisseur de la couche 5 de produit masquant, qui varie selon le produit choisi (figure 6). Comme la couche de résine photosensible 2 qui reste après l'attaque ionique, sous la couche 5 de produit masquant doit assurer une bonne élimination du produit masquant aux endroits voulus, l'épaisseur de la couche de résine photosensible 2 est choisie de façon à laisser après l'attaque ionique une couche d'une épaisseur de 0,3 à 0,4 Le processus de dépôt, par vapDrisation par plasma, d'une couche 5 de produit masquant se fait dans la même chambre à vide 6 que l'attaque ionique, le dépôt étant réalisé à l'aide d'un dispositif 7 (figure 6) de vaporisation parplasma sous une pression ne dépassant pas 1.1Q 3 mm Hg, ce dispositif de vaporisation par plasma pouvant avoir une structure classique. le dispositif i de vaporisation par plasma permet de déposer une couche 5 de produit masquant, en oxyde de fer, épaisse de 0,i5,# , sur 80 supports de 70 x 70 mm en 30 mn. Pour le chrome on obtient une épaisseur de 0,0 8fi en 10 mn. Le dépôt de la couche 5 de produit masquant dans la même chambre à vide 6 exclut l'éventualité d'une contamination du support 1 avant le dépôt de la couche 5 de produit masquant, ce qui réduit notablement le nombre de trous d'aiguille et supprime une opération teclmologique : le lavage chimique du support 1 avant le dépôt de la couche 5 de produit masquant. Après le dépôt de la couche 5 de produit masquant, on enlève la couche 2 de résine photosensible avec la couche 5 de produit masquant superposée, par des méthodes classiques, par exemple à l'aide de solvants : acétone ou diméthylformide, après quoi on lave les supports 1,par exemple dans un courant d'eau chaude, puis on les sèche. On obtient ainsi un masque de photogravure sans relief dont la couche 5 (figure 7) de produit masquant est noyée dans la matière du support. Lors de la fabrication des masques de photogravure par le procédé de l'invention, on peut réaliser l'attaque ionique et le dépôt par plasma dans deux chambres 6 reliées par un sas étanche sans rompre le vide durant la réalisation des opérations. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication des masques de photogravure permettant de fabriquer des dispositifs à semi-conducteurs ou des circuits intégrés, selon lequel on dépose à la surface d'un support transparent une couche de produit sensible à la lumière ou sensible aux rayons X ou au bombardement électronique, on forme le dessin à réaliser par rayonnement dans la couche dudit produit, on élimine la partie de la matière du support qui ne porte pas le dessin formé par ledit produit, on dépose une couche de matériau formant masque et on enlève le dessin formé dans la couche dudit produit choisi en obtenant dans la couche de matériau formant masque un dessin négatif par rapport au dessin formé dans la couche dudit produit, caractérisé en ce qu'on enlève la matière du support à une profondeur sensiblement égale à l'épaisseur de la couche de matériau formant masque, cette opération étant réalisée par attaque ionique en chambre sous pression réduite, le dépôt de la couche de matériau formant masque étant effectué dans la même chambre sans que le vide soit rompu. 2. Procédé de fabrication des masques de photogravure conformément à la revendication 1, caractérisé en ce que l'élimination de la matière du support et le dépôt de la couche de matériau formant masque se fait dans la chambre à vide sous une pression ne dépassant pas 1.10 3mm Hg.