FR 2380640 A1 19780908 FR 7703632 A 19770209 La présente invention concerne en général des transducteurs d'énergie à l'état solide et plus particulièrement un transducteur d'énergie perfectionné et son procédé de fabrication, selon lequel une structure de transducteur d'énergie constituée par un ressort à lames plié est réalisée en un matériau monocristallin. Jusqu'à présent des transducteurs d'énergie monocris tallions ont été réalisés en charges par séparation, par décapage, de membranes minces d'un disque de silicium monocristallin. Des détecteurs à éléments de résistance piézo-électriques furent déposés sur la surface de la membrane, près de la périphérie extérieure de celle-ci. L'un des éléments de résistance piézo-électrique était orienté de façon à détecter la composante de tension radiale dans la membrane et le deuxième élément de résistance piézo-éléctrique était orienté de façon à détecter des élé- ments de tension circonférentiels dans 3a membrane mince, lorsque celle-ci était soumise à une pression différentielle exercée par un fluide sur la membrane. De tels transducteurs d'énergie sont décrits dans les brevets des Etats-Unis d'amérique n0 3.417.361 délivré le 17 Décembre 1968 et n0 3.757.414 délivré le 11 Septembre 1973.De plus, ce genre de transducteurs est décrit dans un article intitulé "Solid State Digital Pressure vransducert, paru dans 'EKE Transactions on Electron Devices", Volume ED 16, BO 10, Octobre 1969, pages 870 à 876. L'un des problèmes posés dans les traneducteurs à membrane du genre connu est que les détecteurs de tension sont disposés près de la périphérie extérieure de la membrane où la tension maximale est la tension radiale et où la tension tangentielle est pratiquement égale à zéro. Toutefois, l'application d'éléments de détection près de la périphérie extérieure de la membrane, en particulier dans le cas où la périphérie de la membrane est supportée par une structure de support rectangulaire, introduit certains effets marginaux indésirables, ce qui se traduit par une légère non linéarité du transducteur d'énergie. De plus, il a été proposé de construire un accéléromètre par fixation d'une poutre en silicium monocristallin à une structure de support de façon à obtenir un ressort cantilever. Un élément de résistance piézo-électrique pour la détection de la tension fut appliqué sur la surface de la poutre en silicium afin de détecter la tension produite par une force exercée sur la poutre, par exemple par suite d'une accélération. Un tel accéléromètre est décrit dans un article intitulé UÂ Silicon Integrated Circuit Force Sensor", paru dans IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED 16, Na 16, Octobre 1969, pages 867 à 870.Voir également IBM Techuical Disclosure Bulletin intitulé "Force trassducero, paru dans le Vol. 7, N0 12 de Mai 1966, pages 1225 à 1226. Un problème posé avec cette structure cantilever est que la structure de ressort se déplace tant de façon rectiligne que de façon curviligne en réponse à une force exercée, de sorte que la tension détectée n'est pas une fonction linéaire de la force exercée. De plus, de l'état de technique il est connu de construire l'accéléromètre à partir d'une pluralité de structures de ressort en forme de E, afin d'obtenir un mouvement rectiligne de la masse du détecteur en réponse à une composante d'énergie exercée sur la structure de ressort suivant l'axe de détection. Un tel accéléromètre ou transducteur d'énergie est décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n0 2.702.186, délivré le 15 Février 1955. De plus, de l'état de la technique, il est connu de former une structure de suspension à ressort linéaire, afin de dériver une translation rectiligne d'un dispositif suspendu à la structure. Le système de suspension utilise une pluralité de structures de ressort en E accouplée au dispositif déplaçable dans un plan commun et en relation opposée, c'est-à-dire disposé des deux c8tés de l'axe de déplacement. Une telle structure est décrite dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n0 3.292.808 délivré le 3 Janvier 1967. Le problème qu'on rencontre avec les structures à ressort en E du genre connu est qu'elles sont relativement assez grandes et utilisent plusieurs éléments assemblés à l'aide de vis ou d'autres moyens de fixation, ce qui se traduit par une réalisation relativement couteuse et des effets d'hystérésis indésirables. La présente invention vise essentiellement à fournir un transducteur d'énergie perfectionné et, plus particulièrement un tel transducteur comportant un ressort à lames plié, qui est réalisé avantageusement à l'aide de techniques photolithographi ques développées dans l'industrie des semi-conducteurs, le prix de revient et les dimensions étant considérablement réduits et, l'effet étant amélioré notablement dans certains cas, compara vivement aux transducteurss d'énergie connus. Selon un aspect de la présente invention, le transducteur d'énergie constitué par un ressort à lames plié est réalisé en un matériau monocristallin, la structure de ressort en résultant présentant une linéarité perfectionnée et une hystérésis réduite. Selon un autre aspect de la présente invention, une charge de transducteurs d'énergie à ressort à lames plié est réalisée à partir d'un disque monocristallin en matériau non métallique par photolithographie et décapage. Selon un autre aspect de la présente invention, le transducteur d'énergie à ressort à lames plié comporte des prel iLer et second bras adjacents, qui sont séparés par une fente allongée parallèle à un axe de cristallographie prédéterminé du matériau ionocristallin, dont est réalisée la structure de ressort. Selon un autre aspect de la présente invention, un cet de décapage anisotropique est utilisé pour le décapage d'un transducteur à ressort à lames plié présentant des fentes allongRess formées entre des bras adjacents de la structure, ces fentes étant orientées parallèlement à certains axes cristallo- graphiques pré-déterminés du matériau monocristallin. Selon un autre aspect de la présente invention, un trasducteur d'énergie à ressort à lames plié est séparé par d*- capage d'un disque de façon àobtenir une structure de support non décapée, qui est reliée à une structure de ressort à lames de façon à pouvoir supporter celle-ci. Selon un autre aspect de la présente invention, une masse de détection est accouplée à la structure de ressort à lames plié de façon que les faces opposées du plan de la structure à ressort plié présente une masse pratiquement égale. Selon un autre aspect de la présente invention la structure de détecteur constituée par un ressort à lames est réalisée en un matériau de membrane élastique mince enjambant la fente entre les bras adjacents du ressort de façon à former une fermeture étanche au liquide pour la structure de ressort. La description ci-après, en se référant aux dessins annexés, le tout donné à titre d'exemple non limitatif, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La figure 1 représente, de façon longitudinalemerp raccourcie, une section transversale d'un disque en matériau monocristallin utilisé pour le procédé conforme à l'inventia~ La figure 2 est une section analogue à celle de ld figure 1, illustrant une couche d'oxyde formée sur les faces opposées du disque. la figure 3 est une vue en plan du disque de la figure 2 illustrant une configuration de structures de ressort à lames plié, formées dans une couche de photorésist appliquez sur la surface du disque. La figure 4 représente, à échelle agrandie, un détail de la configuration de ressort à lames suivant le plan 4- de la figure 3. La figure 5 représente, à échelle agrandie, une partie de la structure de la figure 4 suivant le plan 5-5 dans la direction indiquée par les flèches. La figure 6 est une vue analogue à celle de la figure 5, illustrant tape suivante du procédé de fabrication de la structure de ressort conforme à l'invention. La figure 7 est une vue analogue à celle de la figure 6, illustrant l'étape suivante du procédé. La figure 8 représente, à échelle agrandie, et en section, une partie de la structure de la figure 7 suivant le plan 8-8, illustrant l'étape suivante du procédé au cours de laquelle des éléments de résistance piézo-électriques sont formés dans la surface de la structure de ressort. La figure 9 représente, à échelle agrandie, un élément de résistance piézo-électrique fors dans la surface de la structure de ressort. la figure 10 est une vue analogue à celle de la figure 7, illustrant l'étape suivante du procédé. La figure Il représente, à échelle agrandie et en section, une partie de la structure de la figure 10 suivant le plan Il-Il, illustrant 11 étape suivante du procédé. La figure 12 représente, à échelle agrandie, une vue analogue à celle de la figure 10, illustrant la réalisation par décapage d'un évidement dans le disque à partir de la face arrière, pour y définir les structures de ressort. La figure 13 est une vue d'en bas de la structure décapée de la figure 12 suivant le plan 13-13. La figure 14 représente, à échelle agrandie, et en section, une partie de la structure de la figure 13 suivaut le plan 14-14. la figure 15 est une vue en plan de la structure de la figure 12 selon le plan 15-15 dans la direction indiquée par les flèches. La figure 16 représente schématiquement et en section un boitier en double ligne pour circuit intégré du type appelé en langue anglaise "dual in-line integrated circuit packagen colportant le traasducteur d'énergie selon la présente invention. La figure 17 est une vue en plan analogue à celle de la figure 15, illustrant une structure de ressort elterz##tive selon la présente invention et la figure 18 représente, à échelle agrandie, et en section, une partie de la structure de la figure 12 sui- vant le plan 18-18, illustrant une membrane de scellement élastique formée entre des bras adjacents de la structure de ressort. la figure 1 représente un disque caractéristique Il à partir duquel peut être réalisée une charge de transduc tueurs d'énergie dans le procédé conforme à l'invention. Dans un exemple pratique, le disque 11 est en matériau monocristallin non métallique, tel que silicium, germanium, quartz, arséniure de gallium, phosphure de gallium, etc.. Dans une forme de réalisa- tion préférentielle, le disque Il est en un matériau de structure cristalline cubique du type diamant ou d'un type apparenté, tel que le silicium, et il présente une épaisseur de 254 microns et un diamètre convenable, par exemple 5 à 7,5 cm.Dans le cas du matériau de structure cristalline cubique du type diamant, le plan cristallographique est de préférence formé sur les faces principales supérieure et inférieure du disque 11. De plus, dans le cas du silicium, le disque 11 est de préférence dopé à l'aide d'un agent de type tel que le phosphore, de façon à obtenir une résistivité de 6 à 8 ohm.cm. tu cours de la deuxième étape du procédé, le disque 11 est oxydé sur les faces opposées, afin de former des couches oxydées 12 et 13 d'une épaisseur de o 8000 Â. Ce but est avantageusement atteintpsr introduction des disques dans un fourneau de 11500C en présence d'oxygène. Au cours de l'étape suivante du procédé, la face supérieure des couches d'oxyde 12 et 13 est recouverte d'un matériau de photorésist et la face inférieure dtune couche protectrice, comme le krylon. La couche de photorésist est découverte au cours d'un processus photolithographique conventionnel et à l'aide d'un ensemble de configurations de transducteurs de façon à obtenir la configuration double de ressort cantilevers pliés en E selon la figure 4. De plus, chacune des configurations individuelles 15 est séparée de la configuration adjacente à l'aide d'une partie de limitation rectangulaire de la configuration ou cadre 16. Après l'exposition de la couche de photorésist 14, celle-ci est développée et décapée afin de découvrir la couche d'oxyde 12.La couche d'oxyde est ensuite soumise à décapage à travers la configuration de rainures 15 formée par la couche de photorésist à l'aide d'un agent à base d'acide fluo hydrique tamponné pour déterminer les configurations de ressort 15 et les configurations de cadre 16 dans la couche d'oxyde, de façon à découvrir le disque de silicium à travers ces configurations. Puis le disque de silicium Il est décapé à l'aide d'un agent anisotropique, comme de l'hydrate de soude à 25 * en poids dans de l'eau. Les configurations de ressort et de cadre 15 et 16 sont alignées suivant le plan cristallographique # du disque comme représenté sur la figure 3, les lignes des configurations appelées à former le ressort déterminant des rainures ou des sillons dans la structure de disque orientée parallèlement i, soit l'axe cristallographique #oîW > , soit l'axe cristallographique 411 > . l'orientation propre par rapport au disque Il est déterminée par une corde 19 séparée par coupage de chaque disque, comme la cordé 19, qui est perpendiculaire à, soit l'axe cristallographique ,soit l'axe cristallographie ~05 L'agent de décapage anisotropique attaque de préférence suivant les plans ~111a, #i11 > , et , détermi nant ainsi rigoureusement les rainures ou sillons dans la surface du disque 11, qui déterminent par la suite la structure de ressort du traneducteur d'énergie. Dans un exemple pratique de l'ac-. céléromètre, le décapage anisotropique est continué jusqu'à une profondeur d'environ 25 microns dans la surface supérieure du disque monocristallin 11. Su cours de l'étape de décapage anisotropique, le couche protectrice de krylon 17 est également enlevée par décapage de la couche d'oxyde 13 sur la surface inférieu- re du disque. Au cours de l'étape suivante, comme le montre la figure 6, la couche de krylon 17 est rétablie sur la face infé- rieure et puis, la couche d'oxyde 12 est enlevée de la surface supérieure du disque 11 par décapage dans de l'acide fluorhydrique dilué. Pais, la couche de krylon 17 est enlevée de la surface inférieure à l'aide d'un agent conventionnel, comme le phénol. Au cours de 1' étape suivante, comme le montre la figure 7, la surface supérieure du disque Il est réoxydée pour former la couche 21 d'une épaisseur d'environ 1600 . La couche d'oxyde 21 est ensuite recouverte de matériau de photorésist et exposée suivent des techniques d'exposition photolithographiques conven- tionnelles à l'aide d'une configuration de rayonnement correspondent à une pluralité d'éléments de résistance piOzo-6lectriquess à former dans la surface de la structure ou configuration de ressort en réiu#anb 15. D'une façon générale, les éléments de résistance piézo-électrique présentent la configuration représentée sur la figure 9. Un ensemble d'éléments de résistance piézo-électrique est orienté de façon que les axes longitudinaux s étendent longi tddinaleaent par rapport aux bras du ressort de la structure de ressort dans une région de tension maximale de celle-ci, cons par exemple près du point de support de l'une des extrémités intérieures des bras extérieurs.Un second ensemble d'éléments de résistance piézo-électriques est également formé dans cette r6- gion, les axes longitudinaux étant alignés perpendiculairement à l'axe longituinal du bras en question du ressort de façon & BR Ces deux orientations d'éléments de résistance piézoélectriques sont utilisées dans un montage à pont électrique de façon que la différence en résistance piézo-électrique constitue une mesure pour la tension dans la structure de ressort et par conséquent une mesure pour le déplacement de ce dernier en réponse à une force à mesurer exercée sur celui-ci. Puis, la couche de photorésist 22 est développée de façon à découvrir la couche d'oxyde 21 conformément à la configuration des éléments de résistance piézo-électriques à former. Puis, la face arrière du disque est recouverte de krylon, le photorEsist est enlevé dans la configuration d'éléments de résistance piézo-électrique découverte, afin de découvrir la couche d'oxyde sous-jacente 21 conformément aux configurations dévelop- pées 23. Puis, la couche d'oxyde 21 est soumise à décapage avec de l'acide fluorhydrique dilué, afin de découvrir le disque en silicium monocristallin sous-jacent Il. Puis, le disque est enlevé du krylon et du photorésist qui subsiste. Pulls, comme le montre la figure 8, du bore est diffusé dans le disque en silicium Il à travers les ouvertures 23 dans la couche 21. La diffusion de bore 'obtint lorgqwa la surface du disque en silicium Il est mise en contact avec un disque en nitrure de bore de façon à provoquer la dissociation du disque an nitrure de bore et le bore ainsi dégagé diffuse dans le disque pour former l'élément de résistance piézo-électrique, de tels éléments de résistance piézo-éléctriques présentant une résistivi- té de 300 obis par carré.Puis, la couche de résistance piézoélectrique 25 est recouverte par croissance d'une couche dioxyde mince 24, cet oxyde étant obtenu par exposition du disque à tapérature élevée à un gaz de transport d'oxygène et d'azote. Puis, la surface supérieure du disque Il est recouverte d'un matériau de résist et exposée avec une configuration de rayonnement correspondant aux ouvertures de contact à réaliser aux extrémités opposées de chacun des éléments de résistance piézo-électriques 25 comme le montre la figure 9 en 26. Le matériau de photorésist est ensuite développé et enlevé aux régions à travers lesquelles le contact doit entre réalisé. Puis la couche en oxyde mince 24 est décapée à l'aide d'acide fluorhydrique dilué, afin de découvrir les éléments de résistance piézo-électriques 25 aux régions de contact 26. Lors de cette étape de décapage, la face arrière du disque est protégée par une couche en krylon.Puis, le photorésist est enlevé et de l'sluminiun est appliqué par évaporation jusqu'à une épaisseur d'approximativement 1 micron sur la surface avant du disque recouvert d'oxyde, cet aluminium réalisant un contact avec les éléments de résistance piezo-électrique 25 par l'intermédiaire des ouvertures de contact 26. Ensuite, une couche de photorésist est appliquée sur l'aluminium, et exposée de façon à obte nir une configuration de rayonnement correspondant au conducteur d'interconnexion à former sur le disque.Le matériau de photorésist est développé afin de découvrir l'aluminium aux régions désirées et puis, l'aluminium est décapé avec de l'acide photphorique. Puis, le disque est placé dans un four à 50000, afin d'allier les contacts d'aluminium dans les régions de r6- sistance piéso-électrique 25. Sur la figure 10, la face inférieure du disque Il est recouverte d'un matériau de photorésist 31 aet exposée avec une configuration de rayonnement conformément à une structure de support de base, qui doit entourer chacune des structures de ressort. La structure de support de base est représentée sur la figure 13. Le matériau de photorésist 31 est ensuite dévelop p et enlevé aux régions à décaper . La face supérieure du dis que Il est ensuite recouverte de krylon et la couche d'oxyde 13 sur la face inférieure éliminée par décapage à l'aide d'un acide fluorhydrique dilué de façon à déterminer la structure de base. Puis, comme le montre la figure 11, la surface inférieure du disque Il est recouverte d'une première couche de chrome 32 jusqu' à une épaisseur d'approximativement 500 , ensuite d'une couche d'or 33 d'une épaisseur d'approximativement 8000 i. Puis, les couches métallisées sont recouvertes d'un photorésist et exposées avec des configurations de rayonnement conformément à la structure de base. La face avant du disque Il est protégée par du krylon et puis, la face arrière est décapée à l'#de d'un agent pour les couches d'or et de chrome. Puis, comme le montre la figure 12, le disque est exposé à un agent de décapage anisotropique pour le silicium décapage qui produit un évidement dans la face arrière du disque s'étendant vers l'intérieur Jusqu'd l'intersection avec la confi guration d'évidements déterminant le ressort dans la surface avant du disque, afin de déterminer la structure de ressort et son support de base, comme le montre la figure 13.Plus particulière- agent, la structure de ressort en résultant comprend une paire de ressorts opposés 35 et 36 en forme de E, présentant chacun une paire de bras 37, dont les extrémités intérieures sont supportées par des parties s1étendant vers l'intérieur du support de base 38. les bras extérieurs 37 sont reliés par leurs extrémités extérieures à l'extrémité extérieure d'une partie de ressort à lames centrale 39. Dans une forme de réalisation préférentielle, deux membres de renforcement transversaux 41 sont formés aux extrémités extérieures de chacune des parties de ressort en forme de E 35 et 36 par arrêt du décapage à un point intermédiaire dans la formation de l'évidement arrière, recouvrant les bandes 41 et 42 d'un matériau protecteur convenable, comme le chrome et l'or, pour continuer ensuite le décapage. Une masse n détection 42 est fixée sur les surfaces supérieure et inférieure des bras centraux 39 du ressort à lames en forme de E 35 et 36 comme le montrent les figures 14 et 13 afin de rendre la structure de ressort composée plus facilement sensible à l'accélération. Dans un exemple pratique, les masses 42 comprennent deux carrés de 10 milligrammes d'or fixé, à l'aide de colle, aux extrémités intérieures des bras centraux 39 des ressorts en E 35 et 36. Lorsque le décapage est achevé, les accéléromètres individuels ou transducteurs d'énergie sont séparément décapés dans le disque. la cire est ensuite enlevée de la surface avant des transducteurs et ils sont montés dans un ensemble de circuits intégrés en ligne double conventionnel (en anglais ',dual in-line integrated circuit pacage1') comme le montre la figure 16. Plus particulièrement, une plaque de base 44 est fixée sur la surface supérieure des extrémités intérieures des conducteurs 45. le transducteur 46 est fixé sur la surface supérieure de la plaque de montage 44, d'une façon usuelle, dans les techniques de fixation conventionnelles utilisant des couches d'or et de chrome, sur la surface inférieure de la structure de support de base de transducteur d'énergie individuel 46. Un fil de connexion 47 est ensuite appliqué entre les conducteurs individuels de la structure de conducteurs 45 et les parties de connexion respectives sur la surface avant du transducteur 46. La surface avant du transducteur 46 est montrée en détail sur la figure 15. Dans un exemple pratique, le transducteur résultant 46 présente une épaisseur de ressort d'approximativement 25 microns, une longueur d'approximativement 5 mm, et une largeur de 3,75 mm et une épaisseur d'approximativement 0,25 mm dans la région de la structure de support de base environnant. La figure 17 montre une configuration alternative comportant quatre ressorts en E 35 disposés, à espacement d'angle de 90 , autour de l'axe de sensibilité central 40, qui est perpendiculaire au plan du dessin. La structure de ressort de la figure 17 est très rigide par rapport aux forces exercées normalement sur l'ase de sensibilité. Binai, les forces exercées en dehors de l'axe de sensibilité n'influent que'peu sur le fléchissement de la structure suivant.#l'axe de sensibilité. La figure 18 illustre une méthode pour sceller la structure de ressort, d'une façon étanche au liquide, tout en permettant le fléchissement du ressort. Plus particulièrement, la couche en diode de silicium 21, qui est formée sur la surface supérieure du disque pendant 1 'étape illustrée sur la figure 7 est protégée, dans la région des rainures, au cours de plusieurs étapes du processus.Au cours de la dernière étape de décapage, (voir figure 12), l'agent de décapage anisotropique n'attaque pas le dioxyde de silicium, laissant subsister ainsi une bande en dioxyde de silicium mince qui assure l'interconnexion des bras adjacents des ressorts à lames et enjadbe la rainure entre ceux-ci. Normalement la bande en dioxyde de silicium est perméable à de la vapeur d'eau et elle est recouverte d'un agent de scellement convenable, comme une couche de tantale ou or ~ou parylène. les avantages de la présente invention comprennent la fabrication en charges de transducteurs du genre à ressort plié, qui montre une linéarité améliorée, contrairement aux transducteurs d'énergie du type à cantilever et à membrane connues de l'état de la technique. Un accéléromètre présentant la configuration des figures 13 ét 15 délivre un signal de sortie de 20 volts crête à crête, après être basculé d'un angle de 3600 par rapport à la gravitation de la terre. La déviation crête à crête du signal de sortie mesurée à partir de G sinus O, # étant l'angle de basculement par rapport à la gravitation horizontale et G la force de gravitation terrestre n'était que de 0,1 CA de la valeur totale crête à crête du signal de sortie. Par"substance monocristalline", il y a également lieu d'entendre une couche épitaxiale formée par croissance sur un substrat monocristallin, même lorsque la couche épitaxiale ne contient pas seulement une substance monocristalline, REVENDICATIONS : 1. Procédé pour la fabrication d'un transducteur d'énergie à l'état solide caractérisé par la présence d'une structure de ressort à lames munie d'une pluralité de bras, qui sont dis posés, d'une façon espacée d'un angle déterminé, autour d'un axe d'élasticité maximale et supportés de façon à être déplacés physiquement par rapport à la structure de support en réponse à une foroe exercée sur ladite structure de ressort à lames et d'un moyen de détection de sortie sensible au déplacement d'au moins l'un desdits bras, afin de produire un signal, qui est fonction de la force exercée sur le transducteur, et par la formation de ladite structure de ressort à lames en un matériau monocristallin. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits bras de ladite structure de ressort à lames monocristalline sont séparés par une rainure dans ledit matériau monocristallin et l'axe longitudinal de ladite rainure est orienté parallèlement à un axe cristallographique dudit matériau monocristallin. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit matériau monocristallin est non métallique. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit matériau monocristallin est un matériau semiconducteur. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par la formation d'une masse de détection sur ladite structure de ressort. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'étape de la formation de ladite masse de détection sur ladite structure de ressort comprend la formation de ladite structure de masse de détection telle qu'une masse pratiquement égale se trouve sur des faces opposées du plan passant par la dimension de largeur de la structure à ressort à lames plié. 7. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit matériau monocrisstallin présente une structure cristalline cubique du type diamant ou d'un type apparenté et en ce que l'axe longitudinal de ladite rainure est orienté parallèlement à l'un des axes cristallographiques et dudit matériau monocristallin. 8. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite formation de ladite structure de ressort dudit matériau mono cristallin comprend la séparation par décapage de ladite structure de ressort d'un disque dudit matériau monocristal- lin. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit décapage de ladite structure de ressort s'effectue avec un agent anisotropique pour le matériau monocristallin de fa çon à former ladite rainure de préférence suivant un plan cristallographique prédéterminé. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le matériau monocristallin est du silicium#. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé par la formation d'éléments de résistance piézo-électriques dans ladite structure de ressort. Procédé selon la revendication 8, caractérisé par la séparation par décapage de la structure de support de base dudit disque en matériau monocristallin, ladite structure de support de base étant connectée à ladite structure de ressort par une partie non décapée dudit disque, permettant de supporter ladite structure de ressort. 13. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit disque est en un matériau de structure cristalline cubique du type diamant ou d'un type apparenté et présente une surface principale dans le plan cristallographique et la dimension de largeur dudit ressort à lames s'tend dans le plan cri stallographi que . 14. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que 11 étape de décapage comprend la séparation simultanée par décapage d'un ensemble desdites structures de ressort d'un disque simple. 15 Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que 1' étape de décapage de ladite structure de support de base comprend la réalisation par décapage de ladite structure de ressort de façon à laisser subsister ladite structure de support de base en dehors de la périphérie de ladite structure de ressort. 16. Procédé selon la revendLcation 12, caractérisé par le montage de ladite structure de base sur la face d'une plaque de support. 17. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la structure de ressort comprend une paire de parties de ressort à lames en forme de E du type cantilever présentant une pluralité de rainures rectangulaires allongées, qui se coupent et qui déterminent ladite structure de ressort, et l'axe longitudinal de plusieurs desdites rainures est orienté parallèlement à l'axe cristallographique#11 > ,alors que l'axe longitudinal d'autres rai azures est orienté parallèlement à l'axe cristallographique . 18. Procédé pour la réalisation d'un transducteur d'énergie à l'état solide, caractérisé par la formation d'une structure de ressort à lames dans un disque par évidement d'une configuration de ressort à lames à un endroit sélectionné dans une première surface principale dudit disques 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé par la réalisation d'un second évidement à un endroit sélectionné correspondant à ladite première configuration évidée, dans la surface principale opposée dudit disque et ledit second évidemont coupe ladite première configuration évidée, afin de déterminer ladite structure de ressort à lames. 20. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que ladite configuration de ressort évidée comprend une paire de parties opposées de la configuration de ressort à lames en forme de E, chaque partie de la configuration de ressort en forme de E comprenant un bras central pouvant fléchir et s'étendant à partir d'une région centrale de la structure de ressort vers l'extérieur et une paire de bras appliqués sur des faces opposées et s'étendant, à partir de ladite region centrale vers ltexte- rieur, en général parallèlement audit bras central, lesdits bras extérieurs étant supportés, à leurs extrémités intérieures par une partie du disque et connectés, par leurs extrémités extérieures, à 1' extrémité extérieure dudit bras central pour assurer le fléchissement de tous les bras. 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce que ladite étape de décapage pour la séparation de ladite structure de ressort du disque dudit matériau monocristallin con siste à séparer, par décapage, ladite structure de ressort dudit disque en matériau monocristallin de façon à obtenir une bande non décapée enJambant l'espace compris entre des bras adjacents de ladite structure de ressort, ladite bande étant substanciellement plus mince que lesdits bras reliés par ladite bande. 22. Transducteur d'énergie à l'état solide, caractérisé par des moyens de ressort a' lames présentant une pluralité de bras disposés de façon angulairement espacée autour d'un axe d'élasticité maximale et supportés de façon à être déplacés physiquement par rapport à une structure de support en réponse à une force exercée sur lesdits moyens de ressort à lames, des moyens de détection de sortie sensibles au déplacement d'au moins I 'un desdits bras dans la direction d' élasticité maximale pour fournir un signal de sortie, qui est fonction de la force exercée sur le transducteur, les dits-moyens de ressort à lames étant en un matériau monocristallin. 23. Transducteur selon la revendication 22, caractérise en ce que lesdits bras desdits moyens de ressort à lames en matériau monocristallin sont séparés par une rainure dans ledit matériau cristallin et l'axe longitudinal de ladite rainure est orienté parallèlement à l'axe cristallographique dudit matériau monocristallin. 24. Transducteur selon la revendication 22, caractérisé en ce que ledit matériau monocristallin est non métallique. 25. Transducteur selon la revendication 22, caractérisé en ce que ledit matériau monocristallin est un matériau semiconducteur. 26. Transducteur selon la revendication 22, caractérisé par une masse de détection formée sur lesdits moyens de ressort à lames. 27. Transducteur selon la revendication 26, caractérisé en ce que ledit moyen de masse de détection est disposé de sorte qu'une masse pratiquement égale se trouve sur des faces opposées du plan passant par la dimension de largeur de la structure à ressort à lames plié. 28. Trsnsducteur selon la revendication 25, caractérisé en ce que ledit matériau mono cristallin présente une structure cristalline cubique du type diamant ou d'un type apparenté et en ce que l'axe longitudinal de ladite rainure est orienté parallèle ment à l'un des axes cristallographiques (01 9 et 30. Transducteur selon la revendication 22, caractérisé par une structure de support de base disposée en dehors de la périphérie de ladite structure de ressort et permettant de supporter celle-ci. 31. Transducteur selon la revendication 28, caractérisé en ce que la structure de ressort comprend une paire de parties de ressort à lames en forme de E du type cantilever présentant une pluralité de rainures rectangulaires allongées qui se coupent et qui déterminent ladite structure de ressort, et l'axe longitudinal de plusieurs desdites rainures est orienté parallè- lement à l'axe cristallographique alors que l'axe longitudinal d'autres rainures est orienté parallèlement à l'axe cristal lographique . . 32. Produit obtenu par la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications 8, 9, 12, 14 18, 21, 22.