FR 2378873 A1 19780825 FR 7702723 A 19770201 La présente invention se rapporte au domaine de l'application des revêtements et de la fabrication des matériaux semi-conducteurs et, plus prdoisément, aux procédés de dépit sur un récepteur de couches d'une substance provenant d'une source et aux dispositifs de réalisation. L'invention vise à la réalisation du dépit de divers revtaments permettant d'obtenir des matériaux semi-conducteurs par croissance sur un support3 ainsi que de conférer a la surface du récepteur des propriétés prédéter minées. On connait, dans la technique antérieure, des procédés de dépôt d'une couche de substance sur un récepteur par sublimation et des dispositifs de mise en oeuvre de ces procédés (W.W. Piper, Growth of zinc sulfide single crystals, Journal of Chemical Physics, 1952, 20, 1343). Lors du dépôt de la substance de la source sur le récepteur par sublimation, on chauffe la source, la substance s'évapore de la surface de la source et se dépose sur celle du récepteur Pour obtenir une solution solide base de deux composés par le procédé susmensionnd, il est nécessaire de broyer les substances de départ utilises comme source. Des impuretés nuisibles s'ajoutent alors dans les composés de départ, ce qui altère les parametres électriques des solutions solides obtenues par croissance. En outre, la température de la source doit titre supérieure à celle du récepteur. On connait aussi3 dans la technique antérieure3 des procédés de dépôt de la substance de la source sur le récepteur par réaction chimique de transfert en phase gazeuse et des dispositifs de réalisation de ces procédés. (Professor Dr. Harald Schäfer "Chemische Transport reaktionern", Verlag Chemie. GmbH. Weinheim. Bergstr 1961). Au cours de réactions chimiques de transfert en phase gazeuse, la substance de la source est transférée sous l'action d'un agent porteur à la surface du récepteur, od il se forme un dépôt de substance de la source. On peut citer trois variantes possibles de dépôt de la substance de la source sur le récepteur par réaction chimique de transfert en phase gazeuse. 1. Le transfert de la substance sous un vide suffisamment poussé (de l'ordre de 0,01 mm de Hg) est réalisé suivant le mécanisme des faisceaux moleculaires. Ce mécanisme de transfert est caractérisé par de faibles vitesses. 2. Le transfert par diffusion de la substance est réalisé sous une pres sion de 0,1 à 2 atmosphères b Itlntdrieur du réacteur. Dans ce cas, la vitesse de transfert est entierement déter minée par le prpcessus de diffusion des produits gazeux des réactions chimiques dans l'espace existant entre la source et le récepteur. 3. Le transfert de la substance par le courant du gaz véhicule (procédé å courant gazeux). Dans ce cas, le transfert de la substance ne s'effectue que dans la direction du mouvement du courant gazeux. De plus, le rende ment du transfert est bas. En outre, dans tous les procédés décrits de transfert de la substance, il est nécessaire de maintenir constante la direction du gradient de température de la source au récepteur, qui est strictement déterminée pour chaque substance transportée et pour chaque réaction chimique de transfert en phase gazeuse. Les dispositifs de dépôt de la couche de substance de la source sur le récepteur comprennent un réacteur dans lequel sont disposés une source de substance et un récepteur et des éléments chauffants assurant un gradient de température entre la source et le récepteur. On dispose le récepteur à une distance suffisamment courte de la source et l'on crée un gradient de température. Lors du transfert de la substance par réaction chimique de transfert en phase gazeuse on crée dans le réacteur une atmosphère contenant un agent porteur gazeux. L'invention a pour objet un procédé de dépôt sur un récepteur d'une couche d'une substance provenant d'une source et un dispositif de réalisation de ce procédé; qui permettent de rendre la direction et la vitesse du transfert de la substance indépendantes de la direction et de la valeur du gradient de température de la source au récepteur, de mime que de la direction du courant gazeux contenant l'agent porteur, et assurent la possibilité d'isoler la zone de la source de la zone du récepteur ainsi que d'augmenter la vitesse et le rendement du transfert grâce à une séparation dans le temps et dans l'espace des processus de passage de la substance de la source à l'état gazeux et de dépôt de la substance sur le récepteur avec transformation intermédiaire de la partie transférée de substance à l'état condensé. On résout le problème posé par le moyen suivant. Dans le procédé de dépôt d'une couche. d'une substance d'une source sur un récepteur, qui consiste à transformer en gaz la substance de la source puis à la faire déposer à la surface du récepteur, selon l'invention, on fait déposer la substance d'au moins une source sur au moins un corps intermédiaire, puis, à partir de ce corps intermédiaire, on la fait déposer sur le récepteur. I1 est possible de faire déposer la substance surun corps intermédiaire et, à partir dudit corps intermédiaire, sur le récepteur, par sublimation. Il est aussi possible de faire déposer la substance de la source sur un corps intermédiaire, puis dudit corps, sur le récepteur en faisant appel à la réaction chimique de transfert en phase gazeuse en présence d'un agent porteur. I1 est aussi possible de faire déposer la substance de la source sur le corps intermédiaire par sublimation, tandis que, dudit corps au récepteur, cette substance peut etre déposée par réaction chimique de transfert en phase gazeuse en présence d'un agent porteur. Il est aussi possible de faire déposer la substance de la source sur un corps intermédiaire en utilisant la réaction chimique de transfert en phase gazeuse en présence d'un agent porteur puis, de ce corps intermédiaire au récepteur, de la faire déposer par sublimation. Afin de commander les proportions des constituants de la substance transférée, il est avantageux de faire déposer la substance de la source sur un corps intermédiaire,en ce présence d'un agent porteur, puis, dudit corps au récepteur, en présence d'un autre agent porteur. Il est avantageux de faire déposer les substances a partir d'au moins deux sources différentes sur un méme corps intermédiaire. Il est commode de déposer les substances provenant de différentes sources sur des corps intermédiaires distincts et de déposer ensuite chaque substance sur le meme récepteur à partir de chacun des corps intermédiaires. Lors de l'opération de dépôt de la substance de la source sur le récepteur, à partir du corps intermédiaire, il est possible de transformer au moins partiellement la substance du corps intermédiaire en gaz et de déposer cette substance sur le récepteur en méme temps que la substance de la source. Le dispositif de réalisation du procédé de dépôt de la substance d'une source sur un récepteur comprend un réacteur dans lequel sont disposés au moins une source d'une substance, un récepteur de la substance et au moins un élément chauffant. Selon l'invention, au moins un corps intermédiaire est disposé à l'intérieur du réacteur, et un mécanisme de déplacement permet de mettre la surface de travail du corps intermédiaire à proximité de la surface de la source, au cours de l'opération de dépôt de la substance de la source sur le corps intermédiaire, et de mettre la surface de travail du corps intermédiaire à proximité de la surface du récepteur au cours du dépôt de la substance sur le récepteur à partir du corps intermédiaire. I1 est avantageux que le corps intermédiaire soit relié au mécanisme de déplacement par un axe assurant la rotation du corps intermédiaire autour dudit axe. Il est avantageux que la source de la substance et le récepteur soient disposés sur au moins une monture reliée au mécanisme de déplacement par un axe assurant la rotation de la monture autour dudit axe. I1 est aussi avantageux que le corps intermédiaire soit relié au mécanisme de déplacement par une tige assurant un mouvement alternatif de translation du corps intermédiaire. Il est préférable que la source de la substance et le récepteur soient disposés sur au moins une monture reliée au mécanisme de déplacement par une tige assurant un mouvement de translation et un mouvement de va-et-vient de la monture. Il est avantageux qu'une partie de la surface de travail du corps intermédiaire soit réalisée en un matériau s'opposant à la condensation de la substance de la source. I1 est également avantageux que, sur la surface de travail du corps Intermédiaire, soient réalisées des parties dont la forme est semblable à celle des parties de la surface du récepteur. La présente invention permet d'obtenir des structures épitaxiales parfaites à une et plusieurs couches, de nQue que des solutions solides formées des constituants de départ séparés l'un de l'autre et rend aussi possible d'obtenir aussi bien des solutions solides homogènes que des solutions solides présentant un gradient déterminé de composition suivant l'épaisseur. L'invention permet de commander le rapport des constituants transférés de la source au récepteur, de mkme que d'éviter un transport indésirable de certains constituants à partir de la source et de particules pulvérulentes en cas d'utilisation d'une source de substance finement dispersée. L'inventlon permet aussi de réaliser le transfert de la substance de la source vers des parties localisées sur récepteur, ainsi que de retirer de la substance de parties localises de la source sans devoir former des secteurs spéciaux pour la croissance sélective sur le récepteur ou des secteurs destinés au prélèvement sélectif de la substance sur la source. L'invention donne la possibilité de simplifier le procédé de dépôt d'une couche de substance sur un récepteur de configuration complexe ou sur des endroits difficilement accessibles. D'autres buts et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description détaillée de sa réalisation qui va suivre et en se référant aux dessins annexés, dans lesquels - la figure 1 illustre le dépôt de la couche de substance de la source sur un corps intermédiaire suivant l'invention; - la figure 2 montre le déplacement du corps intermédiaire de la source de substance au récepteur de la substance suivant l'invention; - la figure 3 illustre le dépôt de la couche de substance sur le récepteur à partir du corps intermédiaire suivant l'invention; - la figure 4 illustre le dépôt d'une couche d'une substance fournie par une première source sur le corps intermédiaire suivant l'invention; - la figure 5 montre le dépôt d'une couche de substance fournie par une deuxième source sur le corps intermédiaire suivant l'invention;; - la figure 6 montre le dépôt d'une couche de substance sur le récepteur, à partir du corps intermédiaire suivant l'invention; - la figure 7 montre le dépôt d'une couche de substance à partir de deux sources sur deux corps intermédiaires suivant l'invention; - la figure 8 montre le dépôt d'une couche de substance sur le récepteur, à partir du premier corps intermédiaire. suivant l1inven- tion; - la figure 9 illustre le dépôt d'une couche de substance sur le même récepteur, à partir du deuxième corps intermédiaire, suivant l'invention; - la figure 10 illustre le dépôt dlune couche de substance en forme d'tlots provenant d'une source sur un corps intermédiaire suivant l'invention;; - la figure lI illustre le dépôt d'une couche formée de la substance des flots et de celle du corps intermédiaire lui-mEme sur le récepteur suivant I'invention; - la figure 12 montre le dépôt simultané de la substance de la source sur le corps intermédiaire et de la substance du corps intermédiaire sur le récepteur suivant l'invention; - la figure 13 montre un dispositif permettant d'effectuer le dépôt de la substance de la source sur le récepteur, la source et le récepteur étant rigidement fixés au cours du dépôt de la substance de source sur le corps intermédiaire suivant l'invention; - la figure 14 montre le même dispositif, mais au cours du dépôt de la substance sur le récepteur, à partir du corps intermédiaire selon l'invention;; - la figure 15 montre le dispositif permettant le dépôt de la couche de substance de la source sur le récepteur à I'aide d'un corps intermédiaire, qui tourne autour de son axe horizontal lors du dépôt de la substance de la source sur le corps intermédiaire selon l'invention; - la figure 16 représente le même dispositif, mais pour le cas de dépôt simultané de la substance de la source sur le corps intermédiaire et de la substance portée par le corps intermédiaire sur le recepteur selon l'invention; - la figure 17 représente un dispositif permettant le dépdt de la couche de substance de la source sur le récepteur à l'aide d'un corps intermédiaire tournant autour d'un axe vertical selon l'invention;; - la figure 18 représente un réacteur comportant trois sources et un récepteur selon l'invention; - la figure 19 représente un dispositif permettant le dépôt de la couche de substance de la source sur un récepteur à l'aide d'un corps intermédiaire. réalisé sous forme d'un cylindre creux, le dispositif comportant une source et trois récepteurs selon l'invention; - la figure 20 représente le m'ne dispositif, mais doté de trois sources et d'un récepteur selon l'invention; - la figure 21 représente un dispositif permettant le dépôt d'une couche de la substance provenant d'une source sur un récepteur, où la source et des récepteurs sont disposés sur une meme monture, qui peut tourner sur un axe vertical au cours du dépôt de la substance de la source sur un corps intermédiaire selon l'invention; ; - la figure 22 représente une monture portant une source et trois récepteur selon l'invention; - la figure 23 représente le méme dispositif, maie pour le cas du dépôt d'une couche de la substance à partir du corps intermédiaire sur l'un des récepteurs selon l'invention; - la figure. 24 représente un dispositif permettant le dépôt d'une couche de substance d'une source sur un récepteur doté d'un corps intermédiaire animé d'un mouvement de va-et-vient selon l'invention;; - la figure 25 représente un dispositif-permettant l'appli- cation d'une couche de substance à partir d'une source sur un récepteur, la source et des récepteurs étant disposés sur une même monture qui est animée d'un mouvement de va-et-vient lors du dépôt de la substance de la source sur un corps intermédiaire selon l'invention. - la figure 26 représente le meme dispositif, mais au cours du dépôt de la substance à partir du corps intermédiaire sur un des récepteurs selon l'invention; - la figure 27 représente un corps intermédiaire ayant des parties de configuration prédéterminée, susceptibles de condenser la substance de la source selon l'invention; - la figure 28 représente un dispositif permettant le dépôt d'une couche d'une substance provenant d'une source sur un récepteur, dans le cas de dépôt de la substance de la source sur un corps intermédiaire ayant des parties de configuration prédéterminée selon l'invention; - la figure 29 représente le mame dispositif, mais au cours du dépôt de la substance à partir du corps intermédiaire sur le récepteur selon l'invention;; - la figure 30 représente un récepteur sur lequel une couche de substance a la forme des parties de configuration prédéterminée selon l'invention; - la figure 31 représente un corps intermédiaire et un récepteur, réalisés sous forme de cylindres, selon l'invention; ; la figure 32 représente un corps intermédiaire réalisé sous forme d'une lame et introduit dans un orifice rectangulaire ménagé dans un récepteur selon l'invention; - la figure 33 represente un corps intermédiaire dont une partie de la surface est semblable à une partie de la surface du récepteur selon l'invention. Sur la figure 1 est représenté un réacteur 1 dans lequel sont disposés une source 2 d'une substance, un récepteur 3 de la substance, un corps intermédiaire 4, une couche 5 de la substance de la source 2 s'étant déposée sur le corps intermédiaire. La figure 2 illustre le processus d'un déplacement mécanique du corps intermédiaire 4 portant la couche 5 de substance de la source 2 jusqu'au récepteur 3. Sut la figure 3, le corps intermédiaire 4 portant la couche 5 de la substance de la source 2 est disposé au-dessus de la surface de travail du récepteur 3 sur laquelle s'est déposée une couche 6 de la substance de la source 2. Dans le réacteur 1 (figure 4) sont disposés deux sources de substance 2 et 7 le corps intermédiaire 4 et le récepteur 3. Le corps intermédiaire 4 est disposé à proximité de la surface de la source de substance 2. Sur le corps intermédiaire 4 s'est déposée la couche 5 de la substance de la source 2. Sur la figure 5, le corps intermédiaire 4 portant la couche 5 de la substance de la source 2 est disposé a proximité de la surface d'une source de substance 7. Sur la couche 5 du corps intermédiaire 4 s'est déposée une couche 8 de la substance de la source 7. Sur la figure 6, le corps intermédiaire 4 est disposé à proximité de la surface de travail du récepteur 3 sur laquelle est déposée une couche 9 contenant des constituants formés par la substance de la source 2 et la substance de la source 7. Dans le réacteur 1 (figure 7) sont disposés la source de substance 2, une source de substance 10, le récepteur 3, le corps intermédiaire 4 et un corps intermédiaire Il. Le corps intermédiaire 4 est disposé à proximité de la source de substance 2 et sur ce corps s'est déposée la couche 5 de la substance de la source 2. Le corps intermédiaire Il est installé à proximité de la source de substance 10 et, sur ce corps, s'est déposée une couche 12 de la substance de la source 10. Sur la figure 8, le corps-intermédi.airc '4 portant la couche Sest placé à proximité du récepteur 3. Sur le récepteur 3 s'est déposée la couche 6 de la substance de la source 2 Sur la figure 9, le corps intermédiaire li portant une couche 12 est placé à proximité du récepteur 3. Sur le récepteur 3 portant la couche 6, il s'est déposé une couche 13 de la substance de la source 10. Sur la figure 10, le corps intermédiaire 4 est disposé à proximité de la source 2. Sur le corps intermédiaire 4 s'est déposée la substance de la source 2 sous forme d'plots 14. Sur la figure ll, le corps intermédiaire 4 est disposé à proximité du récepteur 3. Sur le récepteur 3 a été appliquée une couche 15 contenant des constituants de la substance de la source 2 (ilots 14) et de la substance du corps intermédiaire 4. Sur la figure 12, le corps intermédiaire 4 est disposé entre la source 2 et le récepteur 3. -Sur le corps intermédiaire 4 est appliquée la couche 5 de la substance de la source 2. Sur le recepteur 3 est appliquée une couche 16 de la substance du corps intermédiaire 4 Sur la figure 13, il est représenté un réacteur 1 dans lequel la source 2 et le récepteur 3 sont rigidement fixés au réacteur. Par un axe 17, le réacteur 1 est relié à un mécanisme de déplacement 18. Le réacteur 1 est muni d1éléments chauffants 19 et 20. Le réacteur 1 est incliné du côté de la source 2, et le corps intermédiaire 4 est disposé à proximité de la source 2. Sur le corps intermédiaire 4 s'est déposée la couche 5 de la substance provenant de la source 2. Sur la figure 14, le réacteur 1 est incliné du côté du récepteur 3 et le corps intermédiaire 4 est disposé à proximité du récepteur 3. Sur le récepteur 3 s'est déposée la couche 6 de la substance provenant de la source 2. Sur la figure 15, le corps intermédiaire 4 est relié par un axe 21 à un mécanisme de déplacement 18. Un réacteur 1 est muni d'un élément chauffant 22 de la source 2 et d'un élément chauffant 23 du récepteur 3. Sur le corps intermédiaire 4, il s'est déposé une couche 5 de la substance provenant de la source 2. Sur la figure 16 > la couche 5 de la substance provenant de la source 2 est tournée vers le récepteur 3 et, sur la surface opposée du corps intermédiaire 4 s'est déposée une couche 24 de la substance de la source 2. Sur le récepteur 3, la couche 6 de la substance provenant de la source 2 a été appliquée. Sur la figure 17, le corps intermédiaire 4 est réalisé sous la forme d'un disque relié par un axe 25 à un mécanisme de déplacement (non représenté sur les dessins). Le corps intermédiaire 4 est disposé dans un réacteur 1 de façon qu'une partie du disque soit située au-dessus de la source de substance 2 et, l'autre partie, au-dessus du récepteur 3. Le réacteur 1 est pourvu d'un élément chauffant 26 de la source 2, d'un élément chauffant 27 du récepteur 3, d'un élément chauffant 28 destiné à chauffer la partie du corps intermédiaire 4 placée au-dessus de la source 2, et d'un élément 29 qui chauffe la partie du corps intermédiaire 4 disposée au-dessus du récepteur 3. Sur une partie du corps intermédiaire 4 disposée au-dessus de la source 2 a été appliquée la couche 5 de substance de la source 2. Sur une partie du corps intermédiaire 4 disposée au-dessus du récepteur 3 a été appliquée une couche 30 de substance de la source 2. Sur le récepteur 3, une couche 31 de substance de la source 2 s'est déposée. Dans le réacteur 1 de la figure 18 sont placés trois sources 2, 32 et 33 et un récepteur 3 de la substance a déposer. Sur le récepteur 3 s'est déposée une couche 34 contenant des constituants de la substance de la source 2, de la substance de la source 32 et de la substance de la source 33. Sur la figure 19, le corps intermédiaire 4 est réalisé sous la forme d'un cylindre creux à l'intérieur duquel sont placés des éléments chauffants 35 et 36. Le corps intermédiaire 4 est relié par un axe 37 à un mécanisme de déplacement (non représenté sur le dessin). Dans le réacteur I sont placés la source de substance 2 et des récepteurs 3, 38 et 39. Le réacteur I est muni d'un élément chauffant 40 de la source de substance 2 et d'un élément chauffant 41 des récepteurs 3, 38 et 39. Sur la partie du corps intermédiaire 4 se trouvant à proximité de la source 2 a été appliquée la couche 5 de la substance de la source 2. Sur la partie du corps intermédiaire 4 se trouvant a proximité des récepteurs 3, 38 et 39 a été appliquée une couche 42 de la substance de la source 2.Sur le récepteur 3 s'est déposée une couche 43 de la substance de la sorce 2, sur le récepteur 38 s'est déposée une couche 44 de la substance de la source 2 et sur le récepteur 39 s'est déposée une couche 45 de la substance de la source 2. A l'intérieur du réacteur 1 de la figure 20 sont placées trois sources 2, 46 et 47. Le corps intermédiaire 4 est réalisé aussi sous la forme d'un cylindre creux. Sur le corps intermédiaire 4 est déposée une couche 48 contenant des constituants de la substance de la source 2 de la substance de la source 46 et de la substance de la source 47. Sur le récepteur 3 s'est déposée une couche 49 contenant les constitants de la substance delta source 2 de la substance de la source 46 et de la substance de la source 47. Le réacteur I est muni des éléments chauffants 50 et 51. Le corps intermédiaire 4 est muni des éléments chauffants 52 et 53. Dans le réacteur 1 de la figure 21 sont placés la source de substance 2, trois récepteurs de substance 3, 54 et 55 (les récepteurs 54 et 55 ne sont pas représentés sur la figure 21)*et le corps intermédiaire 4. La source 2 et les récepteurs 3, 54 et 55 sont montés sur une môme monture 56. La monture 56 est reliée par un axe 57 à un mécanisme de déplacement 18 assurant la rotation de la monture 56 sur l'axe 57. Dans le réacteur 1 sont disposés des éléments chauffants 58 et 59. L'élément 58 est destiné au chauffage du corps intermédiaire 4. L'élément 59 est disposé sous la partie de la monture 56 qui se trouve au-dessous de la source de substance 2. a source de substance 2 est placée au-dessous du corps intermédiaire 4 sur lequel s'est déposée la couche 5 de la substance de la source 2. Sur la figure 22, il est montré une monture 56 portant la source de substance 2 et les récepteurs de substances 3, 54 et 55. Sur la figure 23, au-dessous du corps intermédiaire 4, est disposé le récepteur de substance 55 sur lequel s'est déposée la couche 6 de la substance de la source 2. Le récepteur de substance 55 est placé audessus de l'élément chauffant 59. Dans le réacteur 1 de la figure 24 sont disposés la source de substance 2 le récepteur de substance 3 et le corps intermédiaire 4 qui est relié par une tige 60 à un mécanisme de déplacement 61 assurant un mouvement de va-et-vient du corps intermédiaire 4. Le réacteur est muni d'éléments chauffants 62, 63, 64 et 65. Dans le réacteur 1 de la figure 25 sont disposés la source de substance 2, des récepteurs de substance 3 et 66 et le corps intermédiaire 4. La source 2 et les récepteurs3 et 66 sont montés sur une même monture 67 reliée par une tige 68 à un mécanisme de déplacement 69 qui assure un mouvement de translation et un mouvement de va-et-vient de la monture 67. Le réacteur 1 est muni d'un élément chauffant 70 qui sert à chauffer le corps intermédiaire 4 et-d'un réchauffeur 71 disposé du côté opposé du réacteur 1. La source de substance 2 se trouve au-dessous du corps intermédiaire 4 sur lequel s'est déposée la couche 5 de la substance de la source 2. Le corps intermédiaire 4 est disposé au-dessus de l'élément chauffant 71. Sur la figure 26, au-dessous du corps intermédiaire 4 se trouve le récepteur de substance 3 sur lequel s'est déposée la couche.6 de la substance de la source 2. Sur la figure 27, une partie 72 de la surface du corps intermédiaire 4 est réalisée en un matériau qui s'oppose à la condensation de la substance de la source. Les parties 73 de la surface du corps intermédiaire 4 sont réalisées en un matériau condensant la substance de la source. A l'intérieur du réacteur 1 de la figure 28 sont disposés une source de substance 2, un récepteur de substance 3 et un corps intermédiaire 4. Sur les parties 73 du cprps intermédiaire 4 s'est déposée une couche 5 de la substance de la source 2. Le corps intermédiaire 4 est placé au-dessus de la source de substance 2, Sur la figure 29, le corps intermédiaire 4 est placé audessus du récepteur de substance 3. Sur le récepteur 3 s'est déposée la couche 6 de la substance de la source 2. Cette couche 6 de substance de source déposée sur le récepteur 3 est montrée sur la figure 30.La couche est constituée de parties sélectives dont la forme et la disposition correspondent à la forme et à la disposition des parties 73 (figure 272 du corps intermédiaire 4. Sur la figure 31, le corps intermédiaire 4, réalisé sous la forme d'un cylindre et portant la couche 5 de substance de la source 2 à sa surface, est disposé à l'intérieur d'un récepteur 3 en forme de cylindre creux. A la surface intérieure du cylindre a été appliquée la couche 6 de substance de la source. La surface intérieure du récepteur 3 est semblable à la surface extérieure du corps intermédiaire 4. Sur la figure 32, le corps intermédiaire 4, réalisé sous la forme d'une lame et portant la couche 5 de substance de la source à sa surface extérieure, est dispose dans l'orifice rectangulaire 74 d'un récepteur 3. A la surface intérieure de l'orifice rectangulaire 74, il a été appliqué une couche 6 de la substance de la source. Dans le récepteur 3 de la figure 33, il est pratiqué un orifice 75. Le corps intermédiaire 4 a une partie 76 dont la forme correspond à celle de l'orifice 75. Sur la partie 76 du corps intermédiaire 4 a été appliquée la couche 5 de substance de la source. Sur une partie de la surface de l'orifice 75, il s'est déposé la couche 6 de substance de la source. L'invention prévoit l'utilisation des sources liquides, pulvérulentes et monolithiques. -Comme récepteurs sont utilisés les corps liquides, monocristallins et pplycristallins réalises à partir de n'importe quel matériau qui est susceptible de condenser & sa surface la substance de la source. Lfexigence essentielle que doit satisfaire le matériau à partir duquel est fait le corps intermédiaire est qu'il soit susceptible de condenser à sa surface la substance de la source. Les directions de transfert de la substance et de dé la cement des éléments du dispositif sont marquées sur les figures par des flèches. Lors du dépôt de la substance de la source 2 (figure 1) sur le récepteur 3, on fait passer la substance de la source 2 å l'état gazeux par sublimation ou en utilisant la réaction chimique de transfert en phase gazeuse et on fait déposer une couche de substance 5 sur le corps intermédiaire 4, sur la surface de travail duquel la substance provenant de la source 2 se condense. Ensuite, le corps intermédiaire 4 (figure 2) portant la couche de substance 5 est déplacé mécaniquement vers le récepteur 3 de la substance, de façon que la surface de travail du corps intermédiaire 4 soit disposée à proximité de la surface du récepteur 3 (figure 3). Par sublimation ou par réaction chimique de transfert en phase gazeuse on fait passer la substance de la couche 5 à l'état gazeux et on la fait déposer sur la surface du récepteur 3 où cette substance se condense. Sur les figures 4 a 6 est représenté le processus de dépôt des substances a partir de deux sources 2 et 7 sur un meme corps intermédiaire 4. D'abord, on dépose la substance de la source 2 sur le corps intermédiaire 4 et l'on obtient la couche 5. Ensuite, sur la couche 5 on dépose la substance de la source 7 et l'on obtient alors la couche 8. Et, enfin, on déplace le corps intermédiaire 4 vers le récepteur 3 sur lequel on dépose la couche 9 contenant les constituants de la couche 5 et de la couche 7. Sur les figures 7, 8 et 9 est montré le processus de dépôt des substances de deux sources 2 et 10 sur les corps intermédiaires isolés 4 et ll respectivement. On dépose d'abord la substance de la source 2 sur le corps intermédiaire 4 en formant ainsi la couche 5 et la substance de la source 10 sur le corps intermédiaire ll en formant la couche 12. Ensuite, on applique la substance de la couche 5 sur le récepteur 3 en formant la couche 6. Après cela, on applique sur la couche 6 la substance de la couche 12 du corps intermédiaire 11 en formant la couche 13. Sur les figures 10 et 11, iL est montré une variante de réalisation du procédé, suivant laquelle le corps intermédiaire 4 est réalisé en une substance pouvant être transformée en gaz par sublimation ou bien par réaction chimique de transfert en phase gazeuse. La substance de la source 2 est déposée de manière sélective sur la surface du corps intermédiaire 4 (figure 10) sous forme d'îlots 14. On dispose le corps intermédiaire a proximité de la surface du récepteur 3 (figure 11) et l'on crée les conditions nécessaires pour le transfert de la substance depuis le corps intermédiaire 4 jusqu'à la surface du récepteur 3. La distance entre les surfaces du corps intermédiaire 4 et du récepteur 3 est choisie de façon qu'elle soit plus grande que la dimension de la portion la plus grande de composition homogène. Dans ces conditions, le transfert de la substance s'effectue autant de la surface des ilots 14 que de la surface dépourvue d'flots du corps intermédiaire 4. il en résulte que sur la surface du corps intermédiaire 4 est appliquée une couche homogène 15 de la substance contenant les composants de la substance de la source 2 et de la substance du corps intermédiaire 4. Si la distance entre la surface du corps intermédiaire 4 et la surface du récepteur 3 est plus petite que la dimension minimale d'une partie d'une méme composition se trouvant sur la surface du corps intermédiaire 4, une hétérogénéité de composition apparaitra dans la couche 15 déposée à la surface du récepteur 3. Dans les cas où le corps intermédiaire 4 (figure 12) est réalisé en une substance se transformant en gaz, on le dispose entre les surfaces de la source 2 et du récepteur 3. En cas d'une telle disposition, et si la température du corps intermédiaire 4 est inférieure à celle de la source 2, mais supérieure à celle du récepteur 3, la substance de la source 2 se dépose sous forme de la couche 5 à la surface du corps intermédiaire 4 qui est tournée du côté de la source 2. A partir de la surface opposée du corps intermédiaire 4 tournée du côté du récepteur 3, la substance du corps intermédiaire 4 est transférée à la surface du récepteur 3 où elle se dépose en une couche 16. Les conditions de transfert des substances sont choisies de façon que les vitesses de croissance des couches 5 et 16 soient égales.Peu à peu, toute la substance du corps intermédiaire 4 sera transférée sur la surface du récepteur 3, et le corps intermédiaire 4 changera complètement de composition. Sa composition correspondra à celle de la couche 5 obtenue a partir de la source 2. Des ce moment, à la surface du récepteur 3 parviendra une substance ayant une composition différente de la composition de départ du corps intermédiaire 4. Cette variante est utilisée, par exemple, dans le cas où la substance de la source est pulvérulente. Dans ce cas, le transport et la croissance de menus cristaux de substance de la source 2 à l'intérieur de 12 couche 16 déposée a la surface du récepteur 3 ne sont pas observés. EXEMPLE 1 En recourant au procédé de sublimation, on fait transférer n'importe quelle substance susceptible d'être sublimée. La source de la substance, le corps intermédiaire et le récepteur de la substance, pourvus d'éléments chauffants, sont disposés à l'intérieur du réacteur. Dans le réacteur est créée une pression de à à 10 mm Hg. Comme source est utilisé le séléniure de cadmium solide ou pulvérulent. Le corps intermédiaire utilisé est une lame de saphir. Le récepteur est un support monocristallin réalisé à partir du sulfure de cadmium d'orientation (1120). La température de la source est maintenue égale à 7000C environ. Le séléniure de cadmium passe en phase gazeuse et se dépose sur la lame de saphir (corps intermédiaire), dont la température est maintenue égale à 4000C environ. Sur la lame de saphir, il se forme une couche de séléniure de cadmium dont ltépaisseur est fonction du temps durant lequel s'est effectué le transfert de la substance. Ensuite3 le corps intermédiaire est amené dans la zone du réacteur (ou dans un autre réacteur) où est disposé le récepteur de la substance. Le corps intermédiaire est chauffé jusqu'à une température égale à 7000C environ et le récepteur est chauffé jusqu'a une température égale à 500 C environ. Dans ce cas, le séléniure de cadmium est soumis à une sublimation à partir du corps intermédiaire et est déposé à la surface d'un support en sulfure de cadmium (récepteur) pour former un film épitaxial ayant une surface lisse et luisante. EXEMPLE 2 En recourant à la réaction chimique de transfert en phase gazeuse on fait transférer les substances qui entrent dans des réactions chimiques réversibles. La source de la substance est un mélange mécanique des poudres de phosphure de gallium et d'arséniure de gallium. La teneur en phosphure de gallium est égale a 20 moles %. Comme corps intermédiaire, il est utilisé une lame de quartz et, comme récepteur de la substance, il est utilisé un support monocristallin en arséniure de gallium. L'appui cation de la substance de la source sur le corps intermédiaire est réalisée par l'intermédiaire de la réaction chimique de transfert en phase gazeuse sous atmosphère d'hydrogène. Comme véhicule ou agent porteur3 on utilise la vapeur d'eau. Le sens thermodynamique du processus de transfert de la substance dans ce système chimique va du domaine de hautes températures au domaine de températures plus basses. I1 est à noter que le procédé permet de réaliser le processus dans le sens inverse, c'est-à-dire à partir d'une source moins chauffée vers le récepteur plus chauffé et cela grâce à une variation de température du corps intermédiaire alors que le courant gazeux à l'intérieur du réacteur est orienté du récepteur de la substance & la source de substance. Le corps intermédiaire (lame de quartz) chauffé a une température de 75ûOC est approché de la source de substance chauffée à une température de 8700C. Le phosphure de gallium et l'arséniure de gallium sont transportés par les particules de vapeur d'eau vers la lame de quartz (corps intermédiaire), où il se forme un dépôt du type solution solide phosphure-arséniure de gallium. Ensuite, le corps intermédiaire est amené jusqu'au récepteur de la substance. Le corps intermédiaire est chauffé à une température de 9500C et, le récepteur, à une température de 9200C. Le phosphure-arséniure de gallium se dépose alors sur un support d'arséniure de gallium (le récepteur). Ainsi, la substance est transférée d'une source de température 8700C a un récepteur de température 920"C, c'est-à-dire d'un corps moins chauffé à un corps plus chauffé. L'étude métallographique de la couche épitaxiale de la solution solide phosphure-arsénlure de gallium obtenue par croissance sur le support d'arséniure de gallium a montré l'absence complète de particules de la seconde phase (particules de la source pulvérulentes) dans la solution, ce qui se produit généralement lors du transfert direct de la substance de la source pulvérulente sur le récepteur. Dans ce cas, les particules de la substance de la source passent à l'état de suspension et s'implantent dans la couche pendant la croissance épitaxiale. Ainsi, le procédé susmentionné permet d'obtenir, par crois sance, une couche épitaxiale de haute qualité. EXEMPLE 3 Le fait de pouvoir isoler et séparer le processus de dépôt de la substancesdtune source sur le corps intermédiaire et le processus de dépôt de la substance sur le récepteur à partir de ce corps intermédiaire permettent de réaliser diverses combinaisons de ces procédés. Par exemple, la substance de la source est transférée sur le corps intermédiaire par sublimation, tandis qu'à partir de ce corps intermédiaire, elle peut titre reportée sur le récepteur par réaction chimique de transfert en phase gazeuse. On divise le réacteur en deux zones. Dans la première zone sont introduits une source de la substance qui est le tellurure de zinc et un corps intermédiaire réalisé sous la forme d'une lame de saphir. Dans la deuxième zone est placé le récepteur de la substance, sous forme d'un support en arséniure de gallium. On fait le vide dans la première zone jusqu'à une pression comprise entre 1Q 4 et 10 5 mm Hg. On remplit la deuxième zone d'hydrogène sous une pression de 1 atmosphère environ. La source (tellururede zinc) est chauffée à une température de 700qu environ et le corps intermédiaire (La lame de saphir) à une température de 4000C environ. Le dépôt de la couche du tellurure de zinc sur la lame de saphir s'effectue par sublimation. Après cela, le corps intermédiaire est amené dans la deuxième zone du réacteur à travers un orifice du type sas. Le corps intermédiaire est chauffé à une température de 7509C et le récepteur (arséniure de gallium) à une température de 7000C. Alors, une réaction chimique de transfert en phase gazeuse a lieu dans l'atmosphère d 'hydrogène. Il en résulte que le tellurure de zinc est transféra sur le récepteur et se dépose en formant une couche épitaxiale. La couche épitaxiale du tellurure de zinc obtenue par croissance au moyen du procédé susmentionné possède une structure meilleure que celle obtenue par sublimation. Si la source a des impuretés non volatiles, ces dernières ne sont pas transférées sur le corps intermédiaire au cours de la sublimation et, par conséquent, ces impuretés ne pénbtrent pas dans le récepteur. EXEMPLE 4 On divise le réacteur en deux zones. Dans une des zones sont introduits la source de la substance, qui est du tellurure de zinc, et le corps intermédiaire, en arséniure de gallium. Dans la deuxième zone, qui est isolée de la première zone; est placé un récepteur en sulfure de cadmium. La surface du corps intermédiaire porte un masque en bioxyde de silicium ayant des fenêtres ouvertes de diamètre égal à 10 microns environ. Dans la zone de la source est introduit de l'hydrogène sous une pression de 1 atmosphère environ. La source de la substance est chauffée à une température de 7500C et le corps intermédiaire est chauffé à une température de 7000C. Le corps intermédiaire est approché de la source de substance de façon que leur distance soit égale à 1 mm environ. Sur les tronçons non protégés par le masque du corps intermédiaire se dépose une couche de substance de la source (tellurure de zinc) obtenue par la réaction chimique de transfert en phase gazeuse du tellurure de zinc avec l'hydrogène. Ensuite, le corps intermédiaire est placé dans la deuxième zone. Dans cette zone est créé un vide de 10 à 10 5 mm Hg. Le corps intermédiaire est disposé à une distance comprise entre 1 et 2 mm du récepteur. La température du corps intermEdiaire est égale a 700"C et celle du récepteur, a 5000C. Le tellurure de zinc est déposé sur le sulfure de cadmium (récepteur) par sublimation. L'épaisseur de la couche épitaxiale de croissance est proportionnelle à la densité superficielle des parties localisées de tellurure de zinc sur le corps intermédiaire. Etant donné qu'il est possible de réduire considérablement la vitesse de transport de la substance dans le vide par comparaison avec la vitesse de transport de cette substance au cours de la réaction chimique de transfert dans les gaz, le procédé susmentionné permet d'obtenir sur le récepteur une couche de substance (tellurure de zinc) d'une épaisseur variable allant jusqu'à 5 000 . EXEMPLE 5 Le procédé donné permet de réaliser le transfert de la substance d'une source sur le corps intermédiaire, puis, de ce corps inter médiaire,sur le récepteur à laide de la réaction chimique de transport en phase gazeuse et de divers agents porteurs. La source est réalisée à partir d'arséniure de gallium, le corps intermédiaire est fait d'une lame de quartz et, le récepteur, d'arséniure de gallium monocristallin. Dans la première zone du réacteur sont placés la source de la substance et le corps intermédiaire. Comme agent porteur, on utilise l'hydrogène contenant de la vapeur d'eau (hydrogène humidifié). La source est portée à 850 C et, le corps intermédiaire, à 7200C Dans ce cas, une couche d'arséniure de gallium se dépose sur le corps intermédiaire. Ensuite, le corps intermédiaire est placé dans la deuxième zone, dans laquelle ou utilise le chlorure d'hydrogène comme agent porteur. Le corps intermédiaire est porté à 800bu et,le récepteur, & 750"C. L'arséniure de gallium se dépose du corps intermédiaire sur le récepteur. Le remplacement de l'agent porteur rend possible une épura tion supplémentaire de la substance transférée. Lors du transfert de la substance de la source (arséniure de gallium) sur le corps intermédiaire par réaction chimique de transfert en phase gazeuse, ne passent en phase gazeuse dans le milieu d'hydrogène humidifié et ne sont: par conséquent, transférés sur le corps intermédiaire que les constituants formés des oxydes volatils. Le reste des constituants, y compris les impuretés parasites, tels que, par exemple, le fer, le chrome et le molybdène, reste dans la source. Ainsi, l'arséniure de gallium déposé sur le corps intermédiaire ést débarrassé des impuretés indésirables.L'utilisation de chlorure dthydrogene lors du transfert de l'arséniure de gallium sur le récepteur, à partir du corps intermédiaire, donne de meilleurs résultats à la croissance épitaxiale de l'utilisation d'hydrogène humidifié et, de plus, elle permet d'obtenir une croissance de qualité élevée de la couche d'arséniure de gallium sur un support d'arséniure de gallium ayant l'orientation (100). On a recours à la variante de réalisation du procédé, indiquée lors de la préparation de sources profilées. EXEMPLE 6 Le procédé proposé permet de transférer les substances à partir de plusieurs sources sur un même récepteur, à l'aide d'un seul corps intermédiaire. De cette façon, on réalise la croissance d'une solution solide homogène de deux substances, ou plus. Comme source de substance, on utilise l'arséniure de gallium et le phosphure de gallium, comme corps intermédiaire, une lame de quartz et, comme récepteur, un support en arséniure de gallium. tes sources, le corps intermédiaire et le récepteur sont disposés dans le réacteur. L'agent porteur utilisé est la vapeur d'eau. La température des sources est égale à 9000C environ et la température du corps intermédiaire est égale à 8500C environ. Le corps intermédiaire est approche à tour de rôle de l'arséniure de gallium et du phosphure de gallium. Par conséquent, sur la surface du corps intermzdiaire, il se forme une couche ayant une composition alternée de phosphure de gallium et d'arsénium de gallium. En réglant le rapport des durées de transfert de la substance des sources: on obtient un rapport voulu des quantités de phosphure et d'arséniure (par exemple 1:2) dans la couche déposée sur le corps intermédiaire. Pour améliorer l'homogénéité de la couche: il faut limiter la durée de transport de la substance,à partir de chacune des sources: à une valeur nécessaire correspondant à lrapplication d'une couche d'épaisseur o ne dépassant pas I 000 A. Après l'obtention sur le corps intermédiaire d'une couche prédéterminée, on transfère ce corps intermédiaire vers le récepteur. Le corps intermédiaire est porté à 9000C et le récepteur à 870"C. Comme agent porteur, on utilise des particules de vapeur d'eau ou le chlorure d'hydrogène. A la suite de la réaction chimique de transfert en phase gazeuse3 il se dépose sur le récepteur une solution solide homogène de phosphure-arséniure de gallium ayant la proportion requise de constituants, laquelle est déterminée par le régime de dépôt des couches de substances des sources sur le corps intermédiaire. EXEMPLE 7 La substance de chacune des sources différentes est trans férde sur le récepteur à l'aide de corps intermédiaires isolés. Pour réaliser une croissance sélective successive de la solution solide de phosphure-arséniure de gallium et de l'arséniure de gallium sur le support, on emploie deux sources dont l'une est faite d'une solution solide de phosphure-arséniure de gallium et, l'autre, d'arséniure de gallium. Les corps intermédiairessont des lames de quartz polies. Le premier corps intermédiaire a une partie en forme de cercle3 de diamètre égal à 500 microns, tandis que l'autre corps intermédiaire a une partie en forme de cercle de diamètre égal à 300 microns. Les parties précitées sont réalisées en or, car l'or est susceptible de condenser les substances des sources. En recourant à la réaction chimique de transfert en phase gazeuse (la vapeur d'eau sert d'agent porteur), on dépose une couche de phosphure-arséniure de gallium sur le premier corps intermédiaire et une couche d'arséniure de gallium sur le second corps intermédiaire. Les corps intermédiaires sont portés à 880au, la solution de phosphure-arséniure de gallium est portée à 9300C et l'arséniure de gallium est aussi porté 930 C. Après cela3 le premier corps intermédiaire est chauffé à 950au et rapproché du récepteur chauffé jusqu'à 9200C de façon que la distance entre les surfaces du récepteur et du corps intermédiaire soit de 20 microns.Comme agent porteur, on utilise la vapeur d'eau. Sur le récepteur est déposée localement une couche de phosphure-arséniure de gallium sous la forme d'un cercle de diamètre 500 microns environ. Ensuite3 le premier corps intermédiaire est écarté et le deuxième corps intermédiaire est approché du récepteur à une distance de 20 microns3 de façon que le centre de la cquche en forme de cercle se trouvant sur la surface du récepteur cotncide avec le centre de la couche appliquée sur le deuxième corps intermédiaire. Le deuxième corps intermédiaire est aussi porté à une température de 950"C. Dans ce cas, sur la couche phosphure-arséniure de gallium d'un diamètre de 500 microns est appliquée une couche d'arséniure de gallium d'un diamètre de 300 microns environ. L'utilisation des corps intermédiaires isolés est souhaitable surtout dans le cas où l'on veut obtenir par croissance des structures épitaxiales à partir de substances de type de conduction différent ou de degré différent de dopage puisque, dans ce cas, la substance d'une source ne pollue pas la substance de l'autre source. EXEMPLE 8 La substance du corps intermédiaire passe à ltétat gazeux et se dépose partiellement sur le récepteur. Comme source de substance, il est utilisé une lame en phosphure de gallium, comme corps intermédiaire, une lame en arséniure de galium et, comme récepteur, un support en arséniure de gallium. I1 est nécessaire de faire croître sur le support en arséniure de gallium une couche de solution solide de phosphure-arséniure de gallium à teneur prédéterminée en phosphure de gallium. Sur la lame de la source est préalablement appliqué un masque, par exemple de bioxyde de silicium doté d'orifices débouchants de diamètre 200 microns environ. Les orifices pratiqués dans le masque sont uniformément répartis sur la surface de la source. Comme agent porteur, on utilise l'hydrogène humidifié. La source (phosphure de gallium) est portée à 9500C et le corps intermédiaire (arséniure de gallium) est porté à 900au. Le corps intermédiaire est rapproché de la source à une distance de 20 microns. Par réaction chimique de transfert en phase gazeuse, des tlots locaux de phosphure de gallium se déposent à travers les orifices du masque sur le corps intermédiaire. Les parties localisées de phosphure de gallium sont uniformément réparties à la surface du corps intermédiaire. Ensuite, le corps intermédiaire est déplacé dans la zone du récepteur de la substance. Le corps intermédiaire est porté à 9600C et le récepteur à 9300C. Dans le milieu d'hydrogène humidifié et par réaction chimique de transfert en phase gazeuse se dépose sur le récepteur une couche de substance provenant du corps intermédiaire (phosphure de gallium et arséniure de gallium). Ainsi une couche épitaxiale, se présentant sous forme de solution solide de phosphure-arséniure de gallium à teneur prédéterminée en phosphure de gallium, se dépose sur le récepteur. Le dispositif de mise en oeuvre du procédé proposé fonctionne de la manière suivante. Les figures 13 et 14 représentent un dispositif permettant le dépit de la substance de la source 2 sur la surface du récepteur 3, à l'aide du corps intermédiaire 4. Le corps intermédiaire 4 (figure 13) est placé, sans y être fixé, sur la paroi du réacteur 1. Dans cette position lorsque le réacteur 1 est incliné du côté de la source 2, le corps intermédiaire 4 se place à proximité de la surface de la source 2. La source 2 est chauffée à l'aide de l'élément chauffant 19. Après le dépôt à la surface du corps intermédiaire 4 de la couche 5 d'une épaisseur prédéterminée, le réacteur 1 est tourné au moyen d'un mécanisme 18 autour de l'axe 17 et il se trouve incliné de l'autre coté. Le corps intermédiaire 4 (figure 14) descend en glissant sur la paroi du réacteur 1 et s'installe à proximité de la surface du récepteur 3.En chauffant le corps intermédiaire 4 au moyen de l'élément chauffant 20, on réalise le transfert de a substance de la source 5 à la surface du récepteur 3 où se dépose la couche 6. Sur les figures 15 et 16, il est montré un dispositif dans lequel le corps intermédiaire 4 est disposé entre les surfaces de la source 2 et du récepteur 3, qui sont respectivement chauffées par les éléments chauffants 22 et 23 aux températures assurant le transfert de la substance de la source 2 sur le récepteur 3. Le corps intermédiaire 4 (figure 15), se trouvant entre la source 2 et le récepteur 3 chauffés, a une température inférieure à celle de la source 2, mais supérieure à celle du récepteur 3 (on considere le cas de transfert de la substance à partir d'un corps plus chauffé sur celui moins chauffé). Tout d'abord, sur la face du corps intetmédiaire 4 qui est tournée du côté de la source 2 se dépose une couche 5 de substance de la source 2 d 'épaisseur prédéterminée (les flèches montrent la direction du transfert). Ensuite, le corps intermédiaire 4 est tourne, à l'aide du mécanisme 18, de 1800 sur l'axe 21 (figure 16).Dans ceste position, la substance de la couche 5 est transférée de la surface du corps intermédiaire 4, qui est tournée vers le récepteur 3, à la surface du récepteur 3 où il se forme la couche 6 de la substance de la source 2. En même temps, å la surface du corps intermédiaire 4 tournée vers la source 2, il se dépose la couche 24 de la substance de la source 2. En tournant périodiquement le corps intermédiaire 4 de 180 sur l'axe 21, on réalise le transfert de la. substance de la source 2 sur le récepteur 3 par parties. Si besoin est, au moment de la rotation du corps intermédiaire 4, on remplace une lame du~récepteur 3 par une autre. Sur la figure 17, il est montré un dispositif permettant le transfert continu de la substance de source 2 sur le récepteur 3. A cette fin, le corps intermédiaire 4 est réalisé sous la forme d'un disque qui est disposé de façon que ses surfaces supérieure et inférieure soient parallèles aux surfaces de la source 2 et du récepteur 3 se trouvant dans le réacteur 1. Le corps intermédiaire 4 est relié à l'axe 25 qui est perpendiculaire au plan du disque. L'axe 25 est destiné à faire tourner le corps intermédiaire 4.Dans la zone de la source 2, il est créé, au moyen d'éléments chauffants 26 et 28, un gradient de température entre la source 2 et le corps intermédiaire 4, qui assure le transfert de la substance provenant de la source 2 sur la face du corps intermédiaire 4 qui se trouve,au moment donné, au-dessus de la surface de la source 2. Sur cette partie de la surface du corps intermédiaire 4 se dépose la couche 5 de la substance de la source 2. Dans la zone du récepteur 3, il est créé, au moyen des éléments chauffants 27 et 29, un gradient de température assurant -le transfert de la substance du corps intermédiaire 4 au récepteur 3. Après déplacement de la partie du corps intermédiaire 4 au-dessus de la surface du récepteur 3, une couche 30 de la substance de la source 2 est transférée du corps intermédiaire 4 à la surface du récepteur 3 où il se forme une couche 31 de la substance de la source 2. La couche 30, appliquée a la surface du corps intermédiaire 4, a la meme composition que la couche 5. En tournant le corps intermédiaire 4 autour de l'axe 25, on réa lise un transfert en continu de la substance de la source 2 sur le récepteur 3. Le dispositif pourvu d'un corps intermédiaire 4 en forme de disque est aussi utilisé pour réaliser, sur le récepteur, une croissance épitaxiale de solutions solides de constituants de départ pris sous forme de lames. A cette fin, les lames des sources 2, 32 et 33 (figure 18) de compositions différentes sont disposées dans le réacteur 1, dans lequel est créé un gradient de température assurant le transfert des substances des sources 2, 32 et 33 à la surface du corps intermédiaire (non représenté sur la figure). Dans ce cas, en choisissant les paramètres technologiques convenables, on arrive à ce que chaque substance des sources 2, 32 et 33 se dépose successivement sur la surface du corps intermédiaire sous forme de couches dont l'épaisseur ne dépasse pas 1 000 . L'épaisseur de chacune des couches d'une composition différente est déterminée par la vitesse de transport de la substance et par les dimensions géométriques des sources 2, 32 et 33. A partir de la partie de la surface du corps intermédiaire qui, en tournant, passe audessus de la surface du récepteur 3,dans la zone duquel est crée un gradient de température rassurant le transfert de Le substance de la surface du corps interné- diaire au récepteur 3, s'effectue le transfert de la substance sur la surface du récepteur 3, sur lequel croit une couche 34 contenant les constituants des substances des sources 2, 32 et 33 dans des proportions correspondantes. Sur la figure 19 est montré un dispositif permettant le transfert de la substance de la source 2 sur les récepteurs 3, 38 et 39, dans lequel le corps intermédiaire 4 est réalisé sous la forme d'un cylindre pouvant tourner autour d'un axe 37. On dispose,dans la zone inférieuredu réacteur l,la source 2 et, dans la zone supérieure, les récepteurs3, 38 et 39. Dans la zone de la source, on crée, au moyen des éléments chauffants 40 et 35, un gradient de température assurant le transfert de la substance de la source 2 sur une partie de la surface du corps intermédiaire 4 se trouvant au-dessus de la surface de la source 2. Sur cette partie de la surface du corps intermédiaire 4, on fait déposer la couche 5. On tourne le cyclindre autour de l'axe 37. Au moyen des éléments chauffants 36 et 41, on crée un gradient de température assurant le transfert de la substance sur les récepteurs 3, 38 et 39 à partir du corps intermédiaire 4.Une couche 42 qui correspond à la couche 5, après la rotation du cylindre, est déposée sur la surface des récepteurs3, 38 et 39, respectivement sous forme de couches 43, 44 et 45. En tournant continment le corps intermédiaire 4, on réalise le transfert de la substance de la source 2 à la surface de plusieurs récepteurs 3, 38 et 39. Sur la figure 20 est montré, en coupe transversale, le réacteur 1 dans lequel le corps. intermédiaire 4 est aussi réalisé sous forme de cylindre. En disposant, dans la partie inférieure, plusieurs sources 2, 46 et 47 de compositions différentes t en faisant tourner le cylindre sur l'axe longitudinal (non représenté sur le dessin), on réalise le dépôt, à la surface du récepteur 3, d'une couche 49 constituée par les composants des substances des sources 2, 46 et 47. Les éléments chauffants 50 et 52 sont destinés à créer un gradient de température entre les sources 2, 46, 47 et la partie de la surface du corps intermédiaire 4 assurant le transfert des substances des sources 2, 46 et 47 sur le corps intermédiaire 4. Les éléments chauffants 51 et 53 servent à créer les conditions assurant le transfert de la substance de la couche 48 sur le récepteur 3 sous la forme d'une couche 49 qui est constituée par les constituants des sources 2, 46 et 47 dans des proportions correspondantes. En disposant, dans la partie supérieure du réacteur 1, le long de son axe, plusieurs rangées de récepteurs (non représentés sur la figure 20), on réalise simultanément le transport des substances des sources sur plusieurs récepteurs (de 10 à 30 pièces). Sur les figures 21, 22 et 23, il est montré une variante de réalisation du dispositif, suivant laquelle le corps intermédiaire est fixe, tandis que la monture 56, sur laquelle sont disposés la source 2 et les récepteurs 3, 54 et 55, est mobile. Les dléments chauffants 58 et 59 servent à créer un gradient de température assurant le transport de la substance dans une-direction prédéterminée. Tout d'abord, on crée un gradient de température assurant le transfert de la substance de la source 2 au corps intermédiaire 4. Ensuite, après dépôt sur le corps intermédiaire 4 d'une couche 5 d'épaisseur prédéterminée, on tourne la monture 56 en retirant la source 2 de dessous du corps intermédiaire 4 et en y plaçant l'un des récepteur, par exemple, le récepteur 55 (figure 23).Avant d'installer le premier des trois récepteurs (le récepteur 55), on crée, au moyen des éléments chauffants 58 et 59, un gradient de température assurant le transfert de la substance de la couche 5 au récepteur 55 à partir du corps intermédiaire 4. I1 en résulte qu'à la surface du récepteur 55 est appliquée la couche 6. En rapprochant ensuite a tour de rôle les récepteurs 3 et 54, on réalise l'application de la substance de la couche 5 à la surface de ces récepteurs 3 et 54. Cette variante de réalisation du dispositif est utilisée dans les cas où il est nécessaire d'appliquer la substance de la source sur plusieurs récepteurs. Sur la figure 24 est montré un dispositif dans lequel le corps intermédiaire 4, relié par une tige 60 au mécanisme 61 effectue un déplacement de va-et-vient, c'est-à-dire un déplacement de la source 2 au récepteur 3,et inversement. Les éléments chauffants 62 et 63 servent à créer un gradient de températures assurant le transport de la substance de la source 2 à la surface du corps intermédiaire 4, tandis que les éléments chauffants 64 et 65 SOnt. destinés à créer un gradient de température assurant le transport de la substance de la source 2 du corps intermédiaire 4 au récepteur 3.Après dépôt la surface du eorps intermédiaire 4 d'une couche 5, le corps intermédiaire 4 est déplacé par le mécanisme 61 jusqu'à la surface du récepteur 3 (sur la figure 24, cette position est indiquée par une ligne discontinue), où se réalise le transfert de la substance du corps intermédiaire 4 au récepteur 3. En ramenant le corps intermédiaire 4 jusqu'd la surface de la source 2, on prélève encore une partie de la substance de la source 2 et on répète tout le processus. Au moyen d'un tel dispositif, la substance de la source est transférée par parties sur des récepteurs remplaçables. Sur les figures 25 et 26 est monté un dispositif permettant l'application successive de la substance de la source 2 sur plusieurs récepteurs (par exemple de 10 à 50 pièces) au moyen d'un corps interme- diaire 4 fixe. La source 2 et les récepteurs 3, 66, etc. sont disposés sur une même monture 67 réalisée sous forme d'une bande transporteuse. Cette monture 67 est reliée par une tige 68 à un mécanisme 69 assurant un dé la cement de translation de la monture 67. D'abord, au moyen des éléments chauffants 71 et 70, on crée un gradient de température assurant le transfert de la substance de la source 2 sur le corps intermédiaire 4. Après application à la surface du corps intermédiaire 4 d'une couche 5 d'épaisseur prédéterminée, la monture 67 est déplacée de façon que le récepteur 3 pénètre sous le corps intermédiaire 4 (figure 26).Alors, au moyen des éléments chauffants 70 et 71 est créé, entre le corps intermédiaire 4 et le récepteur 3, un gradient de température assurant le transport de la substance de la couche 5 à la surface du récepteur 3. Après dépôt sur le récepteur 3 d'une couche 6, d'épaisseur prédéterminée, la monture 67 est déplacée de façon que le récepteur suivant 66 pénètre sous le corps intermédiaire 4, et le processus de dépôt de la substance se répète. Sur la figure 27 est représenté un corps intermédiaire 4 à la surface duquel ont été créées, en deux matériaux differentsJ les parties 72 et 73. Sur les parties 72, les produits ga.eux ne se condensent pas, tandis que, sur les parties 73, il se condensent. En rapprochant un tel corps intermédiaire 4 de la source 2 (figure 28), on réalise l'appli- cation de la substance de la source 2 sur les parties 73.Après dépôt des couches 5 sur les parties 73 de la surface du corps IntermédIaire 4, le corps intermédiaire 4 est rapproché de la surface du récepteur 3 (figure 29) S'il existe une courte distance entre les surfaces du corps intermédiaire 4 et du récepteur 3 (de 10 à 100 microns), la substance de la source 5 est transférée sur les parties de la surface du récepteur 3, qui sont disposées directement au-dessous des parties du corps intermédiaire 4 où a été préalablement appliquée la substance de la source 2 sous forme de couches 5. Ainsi, sur le récepteur 3 est appliquée,de de manière sélective, la couche 6 (figure 30) sous forme de parties dont la configuration correspond à celle des parties 73 (figure 27) de la surface du corps intermédiaire 4. Sur la figure 31, il est montré comment, à l'aide d'un corps intermédiaire 4 en forme de cylindre, on dépose la substance de la couche 5 sur la face cylindrique intérieure du récepteur 3, où il se forme la couche 6 de la substance. Afin de transférer la substance- de la couche 5 sur la face cylindrique intérieure du récepteur 3, on crée, entre le corps intermédiaire 4 et le récepteur 3, un gradient de température correspondant. Ainsi on dépose une substance ayant des propriétés déterminées à la surface d'orifices de diverses pièces. Sur la figure 32, il est montré une variante de réalisation du corps intermédiaire 4 sous forme de lame, qui permet le dépôt d'une substance de propriétés déterminées à la surface intérieure d'un orifice intermédiaire du récepteur 3. A cette fin, une couche 5 de la substance est préalablement déposée à la surface du corps intermédiaire 4, puis le corps intermédiaire 4 est engagé dans l'orifice 74 ménagé dans le récepteur 3. En créant un gradient de température assurant le transfert de la substance de la couche 5, de la surface du corps intermédiaire 4 à la surface intérieure de l'orifice 74 du récepteur 3, on fait déposer la couche 6. Sur la figure 33 est montrée une variante de réalisation du corps intermédiaire 4,qui permet le dépôt d'une substance de propriétés déterminées à la surface hémisphérique d'un orifice 75 du récepteur 3. A cette fin, on dépose d'abord la couche 5 de la substance sur une partie hémisphérique 76 du corps intermédiaire 4, puis on engage ce corps intermédiaire 4 dans l'orifice 75 du récepteur 3. En créant le gradient de température indispensable au transfert de la substance, du corps intermédiaire 4 au récepteur 3, on fait déposer la couche 6 sur la partie sphérique de l'orifice 75 du récepteur 3. La réalisation de corps intermédiaires 4 de formes différentes, telles que les montrent les figures 31, 32 et 33, permet le dépôt de rev8tements dans des endroits difficilement accessibles et dans des orifices de configuration complexe. La présente invention permet d'échapper aux contraintes qu'impose l'existence d'un rapport obligatoire entre la direction et la vitesse du transport de la substance, d'une part, et, d'autre part, la direction et la valeur du gradient de température allant de la source au récepteur, et la direction du courant gazeux. L'invention permet donc, par'exemple, de déposer la substance sur un récepteur plus chauffé à partir d'une source moins chauffée, ainsi que de transférer la substance de la source au récepteur dans une direction qui est opposée à la direction du courant gazeux. En outre, l'invention assure la possibilité d'isoler la source et le récepteur l'un de l'autre, ce qui permet d'exclure toute influence indésirable de la source sur le récepteur et d'obtenir} avec une haute précision, des couches de substance ayant des propriétés prédéterminées. L'invention permet aussi d'élever le rendement du transfert de la substance, car le transport de la substance à déposer se fait à l'état condensé. R E V E N D I C- A T I O N S 1 - Procédé de dépôt d'une couche d'une substance provenant d'une source sur un récepteur, dans lequel la substance de la source est transtormée en gaz puis déposée à la surface du récepteur, caractérisé en ce que la substance au moins d'une source est déposée sur au moins un corps intermédiaire, puis est déposée de ce corps intermédiaire sur le récepteur. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la substance de la source est déposée sur le corps intermédiaire, puis, de ce corps intermédiaire, sur le récepteur par sublimation. 3 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la substance de la source est déposée sur le corps intermédiaire, puis, de ce corps intermédiaire, sur le récepteur, par réaction chimique de transfert en phase gazeuse en présence d'un agent porteur. 4 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la substance de la source est déposée sur- le corps intermédiaire par sublimation, puis est déposée de ce corps intermédiaire sur le récepteur par réaction chimique de transfert en phase gazeuse en présence d'un agent porteur. 5 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la substance de la source est déposée sur le corps intermédiaire par réaction chimique de transfert en phase gazeuse,en présence d'un agent porteur puis est déposée de ce corps intermédiaire sur le récepteur par sublimation. 6 - Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que, pour permettre l'ajustement des proportions des constituants de la substance a transporter, la substance de la source est appliquée sur le corps intermédiaire en présence d'un agent porteur, puis est déposée de ce corps intermédiaire sur le récepteur en présence d'un autre agent porteur. 7 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que les substances sont déposées sur un méme corps Inter- médiaire à partir d'au moins deux sources différentes. 8 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la substance est déposée sur des corps intermédiaires isolés à partir de chacune des sources différentes, puis est déposée sur un meme récepteur à partir de chacun de ces corps intermédiaires. 9 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que, lors du dépôt de la substance de la source sur le récepteur, à partir du corps intermddiaire, la substance du corps intermédiaire est transformée au moins partiellement en gaz et est déposée sur le récepteur en même temps que la substance de la source. 10 - Dispositif de réalisation du procédé de dépôt d'une couche de substance d'une source sur un récepteur qui est défini dans la revendication 1, comprenant un réacteur dans lequel sont disposés au moins une source de substance, un récepteur de substance et au moins un élément chauffant, caractérisé en ce qu'il comporte au moins un corps intermédiaire disposé dans le réacteur et un mécanisme de déplacement permettant de mettre la surface de travail du corps intermédiaire à proximité de la surface de la source lors du dépôt de la substance de la source sur le corps intermédiaire, et de mettre la surface de travail du corps intermédiaire a proximité de la surface du récepteur lors du dépôt de la substance sur le récepteur, à partir du corps intermédiaire. Il - Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que le corps intermédiaire est relié au mécanisme de déplacement par un axe qui assure la rotation du corps intermédiaire sur ledit axe. 12 - Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que la source de substance et le récepteur de substance sont disposés sur au moins une monture reliée au mécanisme de déplacement par un axe qui assure la rotation de la monture sur ledit axe. 13 - Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que le corps intermédiaire est relié au mécanisme de déplacement par une tige qui assure un mouvement de va-et-vient du corps intermédiaire. 14 - Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que la source de substance et le récepteur de substance sont disposés sur au moins une monture reliée au mécanisme de déplacement par une tige qui assure un mouvement de translation et un mouvement de va-et-vient de la monture. 15 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications 10 à 14, caractérisé en ce qu'une partie de la surface de travail du corps intermédiaire est réalisée en un matériau empêchant la condensation de la substance de la source. 16 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications LO à 14, caractérisé en ce que, sur la surface de travail du corps intermédiaire, sont exécutées des parties dont la forme est semblable à celle des parties de la surface du récepteur.