FR 2359512 A1 19780217 FR 7622127 A 19760720 L'invention concerne des procédés permettant la fabricatiDn de détecteurs de rayonnement infrarouge. La fabrication de détecteurs de rayonnement infrarouge comporte la formation des éléments de détection de rayonnement infrarouge, le mon- tage de ceux-ci sur des substrats adéquats, 11 élaboration des connexions électriques vers ces éléments, le contrôle des éléments munis desdites connexions, et le montage final éventuel des éléments et des contacts dans une enveloppe adéquate. Sous certaines formes, les détecteurs de rayonnement infrarouge ne comportent qu'un seul élément de détection, tandis que sous d'autres formes, ils comportent plusieurs éléments de détection, ceux-ci formant par exemple une série linéaire.Dans le cas de dispositifs dont le fonctionnement est fonction de la photoconductibilité dont est doté dans sa masse le matériau sensible au rayonneaent infrarouge, la fabrication des éléments comporte des étapes telles que la préparation dudit matériau, le façonnage d'élément (s) par combinaison un décapage et un polissage, des traitements de surface, et l'élaboration de couches servant de contact. Pour la fabrication de détecteurs comportent une série d'éléments de détection de rayonnement infrarouge, le problème de rendement de fabrication se pose lorsque, comme cela est habituellement le cas, la série d1élé- ments est formée par un groupe ou par plusieurs groupes, chaque groupe étant formé dans un corps commun en matériau sensible au rayonnement infrarouge. Jusqu'à l'heure actuelle, cet approche dite "monolithique" de la fabrication d'un groupe d'élément de détection conduit à certains problèmes. Par exemple si un groupe de dix éléments est formé sur un corps en forme de peigne, an est confronté avec le problème que si, après le montage des éléments et i 'é- laboration de leurs connexions électriques, l'on constate qu'un des éléments distincts du groupe est défectueux, il faut remplacer le groupe entier.En plus du fait que cela est coûteux en termes de consomnation de matériau sensible au rayonnement infrarouge et d'éléments qui, déjà réalisés en ce -matériau, doivent être mis au rebut, son est confronté avec le désavantage que les connexions électriques conduisant au groupe entier d'élémentset affectant la forme de fils raccordés distinctement, doivent être enlevées et élaborées de nouveau. Les mêmes inconvénients surviennent si un élément d'un groupe d'éléments formés dans un même corps devient défectueux au cours de l'emploi du détecteur et que la réparation de celui-ci est nécessaire. Un grand problème survenant aussi bien lors de la fabrication d'un détecteur à élément unique que de#celle de détecteurs à plusieurs éléments concerne les moyens à l'aide desquels on établit les connexions élec triques conduisant audit élément unique ou à chacun des éléments d'une série. Jusqu'à présent, ces connexions résultent du raccordement de conducteurs en forme de fil sur des parties de surface métallisées de l'élément ou des éléments, ce qui a lieu par exemple par thermocompression ou par soudage. L'extrémité du fil ainsi relié se déformant comme c'est le cas par exemple lors d'une liaison par tête de clou, il faut prendre des mesures pour s'assurer que la zone à laquelle le fil est raccordé suffise pour que l'extrémité de fil déformée se situe entièrement sur l'élément.Cela peut compliquer sans raison le façonnage de 11 élément et peut d'imposer d'autres restrictions à l'écartement minimal réalisable entre des éléments voisins d'une série. Le soudage également est une opération qui impose des restrictions similaires audit écartement, la chauffe, inhérente audit soudage conduisant encore à d'autres problèmes. Un autre problème, qui est inhérent à ladite approche "monolithique" de la fabrication, survient si l'on désire réaliser un détecteur dans lequel il faut respecter un écartement faible entre les éléments distincts d'un groupe d'éléments formés dans un corps comnun. Lorsque la séparation des zones de surface actives des éléments dans un tel corps est obtenue par décapage, il existe une limite de ltécartement minimal susceptible d'être réalisé étant donné que généralement, lors du décapage du corps en matériau sensible au rayonnement infrarouge, la largeur d'un canal est normalement beaucoup plus grande que l'épaisseur du corps.Par conséquent, même si l'épaisseur du corps est réduite à 6 microns, il n'est pas facile de réaliser par décapage un écartement inférieur à 12ju entre les éléments distincts d'une série. Si le façonnage de l'élément unique ou des éléments d'une série a lieu avant que l'on ait procédé à la réduction finale de l'épaisseur la manipulation des corps peut être extremement difficile. En outre il se peut que l'on désire fabriquer des détecteurs à plusieurs éléments dans lesquels l'écartement entre deux éléments voisins, appartenant par exemple à une série linéaire, n'est pas le meme partout, cela par exemple dans le but d'obtenir différents degrés de résolution en différents endroits de la série d'éléments de détection.Dans ce cas, la formation de plusieurs éléments dans un même corps, l'écartement entre deux éléments voisins n1 étant pas le méme en différents endroits de la série, conduit à bon nombre de difficultés et peut augmenter fortement les frais nécessaires à engager en ce qui concerne la quantité de matériau nécessaire. Conformément à l'invention, un procédé permettant la fabri cation d'un détecteur de rayonnement infrarouge est remarquable en ce que ce procédé comporte l'élaboration d'au moins un élément de détection qui est réalisé en matériau sensible au rayonnement infrarouge et dont au moins une surface principale comporte au moins une zone de surface active définie entre deux couches de contact électriquement conductrice séparées par une certaine distance sur la surface et stétendanta > -dessus de deux bords incurvés opposés de ladite face principale, la fixation de la surface principale opposée de l1élément ou de chaque élément distinct à un substrat isolant dont une surface est munie d une configuration électri quement conductrice de conducteurs de sortie, lesdits bords incurvés opposés de l'élément ou de chaque élément distinct étant situés dans le voisinage d'extrémités opposées desdits conducteurs de sortie, ainsi que l'élaboration d'un matériau électriquement conducteur dans le but de former des interconnexions entre d'une part les couches de contact sur chaque élément ou sur chaque élément distinct et d'autre part les extrémités adjacentes des conducteurs de sortie, lesdites interconnexions s'étendant. sous forme de couches conductrices, sur La surface supérieure des conducteurs de sortie et sur au moins les parties de couches de contact de l'élé- ment ou de chaque élément distinct qui sont situées au-dessus desdits bords incurvés à la Pce principale citée en premier lieu. Ce procédé procure des avantages importants quant à la faci- lité de définir la position de la zone de surface active de l'élément unique ou de chaque élément distinct sur le substrat isolant, quant à la fiaoilité des interoonnexions, au faible écartement des éléments voisins dans le cas de dispositifs à plusieurs éléments, au gain de matériau sensible et à la possibilité de ccllstruire sur commande des détecteurs dont les configurations peuvent varier fortement. Suivant le procédé conforme a 11 invention, des éléments munis de couches de contact sont utilisés de telle façon que le montage et l'éta- blissement d'une autre connexion aux éléments soient simplement réalisables par des techniques de dépôt de matériau et ne nécessitent pas la mise en oeuvre d'autres liaisons par fil ou d'autres techniques, de sorte que les inconvénients inhérents à celles-ci sontévités. En particulier, le fait de prévoir sur les léments des# sords incurvés opposés sur lesquels sont situées des couches de contact, permet de profiter d'autres avantages au cours de la fabrication, pour autant que lesdites interconnexions ne pré- sentent pas d'irrégularités prononcées (larges gradins). En ce qui concerne les moyens permettant l'obtention des clénients, on est prié de se ré férer à la demande de brevet britannique N 30800 75 déposée simultanément avec la présente au nom de Mullard Limited le 23 Juillet 1975. Bien que dans le cadre de la présente invention, celle-ci se rapporte à la fabrication d'un détecteur à élément uniques le procédé préconisé par l'invention est surtout avantageux pour la fabrication de détecteurs à plusieurs éléments. Le procédé conforme à l'invention permet de choisir l'écarten.ent entre les éléments voisins, dans un tel détecteur, après la formation des éléments, alors qulau besoin, cet écartement peut etre considérablement inférieur à celui réalisable par l'approche dite "monolithique" de la fabrication.De plus, la réalisation d'un détecteur à plusieurs éléments dans lequel l'écartement entre deux féléments voisins n'est pas le meme partout et/ou les dimensions des zones de surface actives ne sont partout les mêmes, ne pose aucun problème. Comme décrit ci-après, un autre avantage important est que si, au cours d'un contrôle un des éléments s'avère défectueux, son remplacement par un autre est possible. Bien que dans le cadre de l'invention, il existe un procédé suivant lequel l'élément unique ou chaque élément distinct est situé sur la surface du substrat isolant en un endroit si-tué entre des bords opposés pratiquement parallèles des extrén.ité6 de deux conducteurs de sortie de la configuration, l'invention indique un procédé préféré suivant lequel l'écartement entre lesdits bords opposés est choisi sciemment inférieur à la dinension transversale de l'élén.ent dans une direction perpendiculaire auxdits bords incurvés.En correspondance à ce procédé, la configuration électriquement conductrice que forcent les conducteurs de sortie est telle que, pour le montage de l'élément unique ou de chaque élément distinct, dans une direction perpendiculaire auxdits bords incurvés opposés de l'élément, la distance entre les extrémités opposées des conducteurs de sortie correspond dnnts est pratiquement égale à la dimension entre les deux couches de contact, dans ladite direction, de la zone de surface active de l'élément, l'élément unique ou chaque élément distinct étant monté sur le substrat de façon que la zone de surface active se situe au-dessus de l'endroit entre lesdites extrémités des conducteurs de sortie et que les couches de.contact se situent audessus desdites extrénités. De cette façon il est possible de réaliser des interconnexions fiables entre les couches de contact sur les éléments et les extrémités ce conducteurs de sortie, et cela tout en étant trt-s sûr de la position occupée par :1l'Elénent unique, ou p.r chaque élément distinct.Toujours suivant ce node de réalisation préféré, la configuration que constituent les conducteurs de sortie est en effet formée de manière tel que la position de la zone de surface active de ltelellentulluque ou de chaque élément distinct de détection de rayonnement infrarouge est définie d'avance, tandis que dans le cas où le dispositif est formé par une série linéaire d'élémentsde détection, l'alignement de ceux-ci est obtenu sans peine.Pour ce mode de réalisation préféré suivant lequel l'élément unique ou chaque élément distinct est monté sur le substrat de façon que les couches de contact se situent au-dessus des extrémités des conducteurs de sortie correspondants de la configuration, dans le but d'empêcher que ltélément se trouve à une distance trop grande de la surface de substrat et forme ainsi pour ainsi dire un pont entre les extrémités opposées des conducteurs de sortie, l'épaisseur des extrémités est plus petite au moins sur la longueur de ces parties au-dessus laquelle un élément est positionné. On a constaté que cette précaution est désirable surtout lors de l'emploi d'une résine #époxy adhésive pour fixer à son substrat 11 élément unique ou chaque élément distinct.De plus, par l'emploi d'un tel agent adhésif, on réalise l'isolation indispensable entre les extrémités des conducteurs de sortie. Si on utilise une telle configuration de condusleurs de sortie dans laquelle les extrémités présentent une épaisseur moindre, au moins sur la longueur de ces extrémités au-dessus de laquelle un élément est positionné, il est préférable de réaliser lesdites interconnexions sous forne-de couches conductrices qui, sur les conducteurs de sortie, s'étendent auadelà des parties à épaisseur plus faible de ceux-ci. De cette façon on peut réaliser des interconnexions fiables, peu ohmiques. Suivant un mode de mise en oeuvre du procédé, l'élément unique ou chaque élément distinct affecte la forme d'une bande de surface pratiquement rectangulaire, les deux couches de contact et la zone de surface active entre celles-ci s'étendant transversalement à la longueur de la bande. Pour la description complète de la préparation des éléments ayant une telle configuration et munis de leurs couches de contact, et des avantages de ltem.ploi de ces éléments, on est prié de se référer à notre demande de brevet NO duo800 dgjà citée-précédemn;ent, déposée. Suivant ledit mode de mise en oeuvre du procédé, l'extrémité du conducteur de sortie et la couche d'interconnexion conductrice au moins d'un octé de la zone de surface active de ltélément unique ou de chaque élément distinct affectent toutes les deux la forme de bandes métalliques qui sont pratiquement parallèles à l'élément. Le procédé mis en oeuvre de la sorte peut être utilisé pour la fabrication d'un détecteur comportant au moins un groupe d'élément de détection dont les zones de surface actives sont aménagées suivant une ligne pratiquement droite, les extrémités des conducteurs de sortie étant couvertes de couches de contact qui avoisinent un bord du groupe d'éléments situés sur la surface du substrat isolant sous forme de plusieurs bandes pratiquement parallèles qui sont pratiquement perpendiculaires à ladite ligne droite et dont le pas correspond pratiquement au pas désiré entre les éléments. De cette façon, le positionnement désiré des zones de surface actives des éléments et la réalisation des interconnexions entre les conducteurs de sortie et les couches de contact sur les éléments peut être conduite de façon simple, particulièrement dans le cas où l'écartement entre les éléments doit être petit. A titre d'exemple, pour la connexion aux couches de contact s'étendant sur les autres bords du groupe d'éléments, le substrat isolant porte un conducteur de sortie commun, le bord longitudinal de l'extrémité de ce conducteur comnun étant couvert desdites couches de contact pratiquement parallèles à ladite ligne droite. L'emploi d'un tel conducteur de sortie conçu de la sorte permet de simplifier la configuration que fornent les conducteurs de sortie. Le détecteur de rayonnement infrarouge comporte par exemple plusieurs groupes d'éléments de détection, et de chaque côté ou de part et d'autre de la ligne suivant laquelle il y a lieu d'aligner les zones de surface actives des éléments de détection, les conducteurs de sortie situés sur la surface du substrat isolant sont présents alternativement conne une pluralité de bandes combinés avec un groupe d'éléments de détection à réaliser et comme un conducteur de sortie commun combiné avec le groupe adjacent le plus proche d'éléments de détection à réaliser. Le procédé peut etre mis en oeuvre pour la fabrication d'un dispositif dans lequel le pas entre deux éléments voisins d'un premier groupe d'éléments de détection du détecteur diffère du pas entre deux éléments voisins d'un deuxième groupe d'éléments de détection du dispositif, ladite différence entre les pas étant compensée par l'élaboration de conducteurs de sortie sur le substrat isolant, ces conducteurs ayant des extrémités affectant la forme de bandes entre lesquelles le pas n'est pas le même partout. Cette mesure est utile pour la fabrication d'un dispositif qui affecte ladite forme, et dans lequel l'écartement entre les éléments n'est pas le même partout, alors que les zones actives des éléments du détecteur ont au moins deux surfaces différentes. Dans le cas d'une telle fabrication, dans la direction qui est perpendiculaire aux bords incurvés opposés, tous les éléments ont la même dimension alors que la surface de la zone active de chacun des premiers éléments de détection diffère de celle de la zone ac- tive ce chacun des deuxièmes éléments ce détection lacite différence des surfaces des zones actives étant fournie par une dimension transversale différente. Suivant un mode préféré de la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention, après la formation des interconnexions entre, d'une part, les couches de contact sur l'élément unique ou sur cnaque élément distinct et, d'autre part, Les conducteurs de sortie, il est procédé au contrôle dudit élénent unique ou de chaque élément distinct, tout élément s'avérant défectueux étant enlevé mécaniquement du substrat isolant et remplacé par un autre en fixant cet autre élément dans la position devenue disponible sur la surface dudit substrat isolant, puis qu'un nouveau dêpot de matériau conducteur a lieu dans le but de former des interconnexions au ncins entre, d'une part, les couches de contact sur l'élément unique substitué ou chaque élément distinct substitué et, d'autre part-, les parties d'extrémité adjacentes de la configuration de conducteurs de sortie.Je mode préféré permet l'échange d'un élément défectueux ou de plusieurs éléments défectueux et la réalisation simple des nouvelles interconnexions, et peut être utilisé aussi bien pour la fabrication d'un détecteur à élément unique que pour celle de détecteurs à plusieurs éléments. Lors ne la fabrication d'un détecteur à plusieurs éléments, ledit nouveau dépôt de matériau conducteur peut être effectué, simultanément avec la réalisation de l'inter- connexion vers l'élément remplacé ou vers les éléments remplacés, par dépôt audit matériau également sur les interconnexions formées préalablement vers les éléments qui répondent aux exigences de contrôle, de sorte que dans ces zones, l'épaisseur des couches conductrices formées anciennement augmente. Suivant ledit mode préféré, la réalisation des interconnexions formées en premier lieu entre les couches de contact sur l'élément unique ou sur caque lent distinct et les conducteurs de sortie, et la realisation des interconnexions correspondantes formées par la suite et conduisant à l'élément remplacé ou aux éléments remplacés, ont iieu toutes les deux à l'aide d'un meme photomasque et d'un dépôt de couches métalliques.De cette façon, le remplacement et l'interconnexion d'un élément défectueux ou de plusieurs éléments défectueux peuvent avoir lieu sans nécessiter la formation d'un masque spécial. Lors de la fabrication d'un détecteur à plusieurs éléments, on a constaté qu'en utilisant le même masque pour former lesdites interconnexions, il est possible d'effectuer jusqu'à cinq nouveaux dépôts de maté- riau devant former les couches conductrices d'interconnexion. Ce dépôt de matériau conducteur répété plusieurs fois dans le but de former les interconnexions vers.l'éléntent (les éléments) remplacé (s), convient en particulier pour un mode de réalisation suivant lequel l'élaboration du matériau conducteur devant former les interconnexions a lieu par dépôt de ce matériau sur des portions d'une couche en photorésist définie par voie de photolithographie, lesdites portions servant en masquer des parties de surface sur l'élément unique ou sur chaque élément distinct ainsi que les endroits de substrat où il n'est pas nécessaire de déposer du matériau, le matériau déposé sur les portions de couche en photorésist étant ensuite enlevées par dissolution de ce matériau.De cette façon, on procède pour ainsi dire à une technique de soulèvement ("lift-off" technique), pour éloigner le matériau déposé sur lesdites portions de la couche en photo-résist. La description suivante, en regard des dessins annexés, le tout donné à titre d'exemple, fera bien comprendre coament l'invention peut être réalisée. La figure 1 est une vue en plan d'un élément de détection de rayonnement infrarouge muni de couches de contact. La figure 2 est une coupe transversale suivant la plan Il-Il sur la figure 1. La figure 3 est une coupe transversale suivant le plan III-III sur la figure 1. La figure 4 est une vue en plan d'une partie d'un substrat isolant muni d'une configuration conductrice de conducteurs de sortie et de plusieurs éléments ue détection de rayonnement infrarouge, fixés au substrat. La figure 5 est une vue en plan à plus grande échelle de la partie de substrat isolant représentée sur la figure 4, ce substrat n'étant toutefois pas encore muni d'éléments de détection La figure 6 est une coupe transversale suivant le plan VI-VI sur la figure 5. La figure 7 est une vue en plan qui correspond à celle constituant la figure 5 et quimlontre ladite partie de substrat dans un stade ultérieur du procédé conforme à l'invention et après le montage des éléments sur ce substrat. La figure 8 est une coupe transversale suivant le plan VIII VIII sur la figure 7. La figure 9 est une vue en plan qui correspond à celle constituant les figures 5 et 7 et qui illustre un stade ultérieur du procédé conforme à l'invention, et après la formation des interconnexions entre d'une part les couches de contact sur les éléments et d'autre part les 'conducteurs de sortie de la configuration sur le substrat isolant. La figure 10 est une coupe transversale suivant la pla;i X-X sur la figure 9. La figure il est une vue en plan d'une partie de substrat dans un autre stade du procédé conforme à l'invention. La figure 12 est une coupe transversale suivant le plan XII- Ul sur la figure 11. La figure 13 est une vue en plan d'une partie de substrat dans un stade suivant du procédé conforme à l'invention. La figure 14 est une coupe transversale suivant le plan XIV XI sur la figure 13. La figure 15 est une vue en plan d'une partie de substrat dans un stade, ultérieur encore, du procédé conforme à l'invention. La figure 16 est une coupe transversale suivant le plan XVI-XVI sur la figure 15. La figure 17 est une vue en plan d'une partie d'un autre détecteur à plusieurs éléments de détection de rayonnement infrarouge, obtenu par la mise en oeuvre d'un procédé conforme à l'invention. La figure 18 est une vue en plan d'un substrat isolant muni d'une configuration conductrice de conducteurs de sortie et d'un seul élément de détection de rayonnement infrarouge qui a cinq zones de surface actives fixées au substrat. La figure 19 est une vue en plan à plus grande échelle d'une partie du détecteur représenté sur la figure 15, et cela dans un stade de fabrication suivant la formation des interconnexions conductrices entre ledit élément et la configuration conductrice. La figure 20 est une coupe transversale suivant le plan XXLJtX sur la figure 19. Sur les figures en question, des dimensions n'ont pas été reproduites à la même échelle, de sorte que les proportions entre les dimensions n'ont pas été respectées ; dans un dispositif réalisé en pratique, particalièrement les épaisseurs des diverses couches en relation avec les dimensions latérales de celles-ci sont beaucoup plus petites que celles reproduites sur les figures. Les différents modes de mise enoeuvre du procédé à décrire en référence aux figures 4 à 16 et à la figure 17, concernent la fabrication d'un détecteur à plusieurs éléments de détection de rayonnement infrarouge qui forment une série linéaire et qui sont réalisés en tellurure double de cadmium et de mercure.Pour ces modes de mise en oeuvre, la composition du matériau utilisé, c'est-à-dire le rapport entre les poids atomiques de cadmium et de mercure est telle que la longueur d'onde de coupure est de l'ordre de 12/u. Suivant le premier mode à décrire en référence aux figures 4 à 16, chacun des éléments de détection de rayonnement infrarouge affecte la forme illustrée sur les figures 1 2 et 3. Chaque élément 1 a une surface rectangulaire mesurant 50/u x 50/u, l'épaisseur maximale d'un tel élément étant égale à environ 9/u. Une des surfaces principales, à savoir la surface supérieure sur les figures, comporte une zone de surface active 2 définie entre deux couches de contact électriquement conductrices 3 et 4 qui sont séparées d'une certaine distance sur ladite surface et qui sté- tendent au-dessus de deux bords incurvés opposés 5 et 6 de ladite surface principale. Pour ce mode de réalisation, la zone de surface active définie entre les couches de contact 3 et 4 mesure 50/u x 50/u. Ces couches 3 et 4 sont en or.Dans la pratique, l'épaisseur de la couche 4 est pratiquement constante et égale à 025/us cependant que l'épaisseur d'une partie de la couche 3 est égale à 0,51u, l'épaisseur de l'autre partie de cette couche 3 étant égale à 1/u. Cette "asymétrie" dans l'épaisseur des couches de contact 3 et 4 est le résultat du procédé mis en oeuvre pour la fabrication de l'élément, et à cet égard, on est prié de se référer à notre demande de brevet 10 30800.75, déjà citée. Etant donné que cette asymétrie ne joue pas de rôle important dans le procédé conforme à l'invention, et dans le but de simplifier les figures, les couches de contact 3 et 4 ont la même épaisseur sur les figures intéressées. La zone de surface active 2 comporte une mince couche de passivation 7. La couche 7 se situe égalenent sur les surfaces latérales exposées de chaque élément. La surface inférieure de chaque élément porte une mince couche d'oxyde 8. La figure 4 est la vue en plan de la partie centrale d'un détecteur de rayonnement infrarouge obtenu par la mise en oeuvre d'un procédé conforme à l'invention. Ce dispositif comporte un substrat isolant 10 qui affecte la forme d'un disque en oxyde d'aluminium (val203) de forte densité, le diamètre de ce disque étant égal à 7,5 mm et son épaisseur étant égale à 0,5 mm.Sur la surface supérieure de ce substrat 10 on a façonné une configuration conductrice de conducteurs de sortie dans une couche formée par dépôt de nichrome et d'or, l'épaisseur totale de cette couche étant D,81u. Le long d'un diamètre sur la surface du substrat-disque 10, on la aménagé trente Fler;ents 1 tels que l'elén.ent illustré sur les figures 1, 2 et 3.Ces éléments 1 sont aménagés suivant une ligne, et la géométrie de la configuration conducbrice des conducteurs de sortie est telle que les éléments sont divisés en déux groupes comportant cr.acun quinze éléments.Par conséquent, pour chaque groupe d'elenents, la configuration conductrice comporte d'une part quinze condusteurs de sortie 12 qui, à une extrémité, ont des parties parallèles en forme de bande qui avoisinent les couches de contact d'un côté des éléments, et d'autre part un conducteur de sortie commun 13 qui avoisine les couches de contact de l'autre côté des éléments.Les deux groupes de quinze martien parallèles en forme#de bande (appelées par la suite "parties de bande") des conducteurs de sortie qui sont combinés avec les deux groupes d'élénents sont situées de part et d'autre des éléments, et se terminent dans des zones de contact plus larges réparties environ autour de la moitié de la circonférence du disque ; à noter que la figure 4 ne montre que la partie centrale du disque. Dans le but de ne pas compliquer les figures, les interconnexions entre les éléments et les conducteurs de sortie 12 n'ont pas été représentées sur la figure 4, celle-ci correspondant donc a un stade de fabrication qui suit le stade de fixation des éléments au substrat mais qui précède celui de la formation desdites interconnexions. Celles-ci sont formées par le dépôt de parties de couches conductrices en or qui s'étendent sur les couches de contact 3 et 4 sur les éléments ainsi que sur les surfaces avoi si;nt les extrémités des conducteurs de sortie.Les interconnexions qui sont situées du côté des éléments qui avoisine les extrémités en forme de bande des conducteurs de sortie 12, sont fornées par des bandes qui ont pratiquement la meme largeur que les extrémités des conducteurs de sortie. Par contre, les interconnexions qui sont situées du côté des éléments qui avoisine l'extrémité du conducteur de sortie commun 13 sont formées par une interconnexion commune qui est transversale a la largeur totale des quinze éléments dlun groupe et qui couvre cette largeur. Une explication plus détaillée de ces interconnexions est donnée dans la description suivante d'un procédé de fabrication du dispositif représenté sur la. figure 4, ce procédé étant décrit en différence aux figures 5 à 16. La figure 5 est une vue en plan de la partie de substrat sur laquelle se situent les extrémités des conducteurs de sortie devant être combinées avec un groupe de quinze éléments. Chacune des extrémités des conducteurs de soitie 12 affecte la forme d'une bande dont la largeur est égale à 45/u. Le pas entre ces bandes est égal à 6#,51u, 11 écartement entre deux bandes voisines étant égal à 17,5/u. La largeur de l'extrémité du conducteur de sortie commun 13 est égale à environ 930/u.La distance entre les bords opposés des extrémités des conducteurs de sortie 12 et 13 correspond à la dimension que présente, dans ladite direction, la zone de surface active de chaque éliment 1 à monter ultérieureneat, cette dimension étant notamment égale à 50/u. Les portions 14 et 15 des extrémités des conducteurs de sortie 12 et 13 ont une moins grande épaisseur, obtenue lors du décapage sélectif de ces portions de conducteurs de sortie.Dans le présent cas, l'épaisseur des portions 14 et 15 est égale à environ 50 nm, tandis que dans une direction perpendiculaire à la ligne centrale dans laquelle il faut situer les zones de surface actives des éléments, lesdites portions 14 et 15 couvrent une longueur de conducteur égale à 75/u. La portion 15 de l'extrémité du conducteur de sortie 13 présente des dents 16, dont la longueur est égale à 17S5/u et qui contribuent au montage correct subséquent des éléments et à l'alignement convenable de leurs zones de surface actives. Lors du pontage des éléments 1 sur le substrat, le premier stade est 11 élaboration d'une résine d'époxy adhésive sur le substrat, et cela sélectivenent le long d'une bande linéaire comportant une fente située entre les extrémités des conducteurs de sortie et les portions 14 et 15, à épaisseur réduite, de ces conducteurs de sortie.On applique une goutte de résine qui ensuite est étalée dans le Out d'obtenir une bande de résine dont l'épaisseur est égale à environ 2ju. Avant le durcissement de la résine, les éléments 1 sont placés dans les endroits corrects sur le substrat, les zones de surface actives des éléments se situant directement par-dessus l'intervalle entre les parties d'extrémité des conducteurs de sortie situés de art et d'autre et les couches de contact 3 et 4 sur les éléments, situées au-dessus les portions 14 et 15 à épaisseur réduite (voir les figures 7 et 8) des c#nducteurs de sortie 12 et 13. Cette opération a lieu manuelleJ.ent, le substrat étant à cette occasion observé à l'aide d'un microscope.Par suite de la présence de la couche de passivation 7 entre les couches de contact 3 et 4, la zone de surface active peut facilement être identifiée visuellement, et la configuration en or que forent les conducteurs de sortie sur le substrat est identifiée facilement aussi. La géométrie décrite en ce qui concerne la configuration des conducteurs de sortie et combinée avec la facilité d'identifier les zones de surface actives des éléments, percet de réaliser de façon plecise le positionnement et l'alignement les éléments. Les figures 7 et 8 montrent le substrat avec les éléments 1 fixés à celui-ci à l'aide de la résine époxy 17.La coupe transversale que constitue la figure 8 permet de constater que la bande en résine époxy 17 sert à isoler électriquement la face inférieure de l'élément 1 par rapport aux portions 14 et 15 à épaisseur réduite, des extrémités des conducteurs de sortie. De plus, les deux figures 7 et 8 permettent de se rendre compte que les éléments sont situés uniquement audessus desdites portions 14 et 15 des extrémités des conducteurs de sortie et non pas au-dessus des parties voisinantes plus épaisses de ces extrémités. Dans la vue en plan que constitue la figure 7, lesdites portions 14 et 15 sont représentées en pointillé à l'endroit où elles sont couvertes des éléments, tandis que dans le but de ne pas compliquer les figures, les extrémités opposées desdites portions 14 et 15 sont représentées en pointillé sur la figure 7, ainsi que sur les vues en plan que constituent les figures 9 11, 13 et 15, alors qu'en pratique, ces extrémités coïncideront avec les lignes qui montrent les extrémités opposées situées au dessus et appartenant aux couches de contact 3 et 4 sur les éléments. Après avoir fixé les éléments au substrat, on enlève l'ex- cédent de résine époxy à l'aide d'un agent solvant adéquat, alors que les parties de couche subsistantes en résine époxy 17 sont séchées par cuisson dans un four durant environ une heure. Ensuite, par pulvérisation, une couche en photorésist dont l'épaisseur est égale à environ 8/u, est formée sur la surface supérieure exposée du substrat, y compris les conducteurs de sortie 12 et 13 et les éléments 1 ayant les couches de contact au-dessus. En donnant à cette couche en photorésist ladite épaisseur, on obtient que le niveau du photorésist sur les zones à l'extérieur des éléments correspnnd pratiquement au niveau des éléments et que les éléments et les espaces entre les éléments avoisinants 1 sont pratiquement remplis.Cela permet de procéder efficacement à une opération ultérieure de photomasquage et de développement au cours de laquelle des ouvertures sont formees dans la couche en photorésist au-dessus des couches de contact 3 et 4 sur les éléments ainsi qutau-dessus des portions adjacentes des extrémités des conducteurs de sortie 12 et 13. Du côté des éléments où se situent les couches de contact 3 et les conducteurs de sortie 12, les ouvertures en question affectent une forme rectangulaire dont la largeur est égale à 45-/u alors que leur longueur est égale à 1301u. Dans la direction de la largeur desdites ouvertures, on a respecté pratiquement l'alignement avec les parties sous-jacentes 14 des extrémités des conducteurs de sortie, la largeur de ces portions 14 étant égale aussi à 45#u. Dans la direction- de leur longueur, ces ouvertures découvrent sur 30/u les couches de contact 3, et découvrent sur 100/u les extrémités des conducteurs de sortie. 12. Par conséquent, les ouvertures laissent ainsi à découvert les parties plus épaisses des conducteurs 12.Du côté opposé des éléments, où se trouvent les couches de contact 4 et le conducteur de sortie commun 13. L'ouverture affecte la forme d'une seule bande mesurant , 30/u x 130/u et s1 étendant transversalement aux couches de contact 4 et aux parties avoisinantes dudit conducteur commun 15. Dans la direction perpendiculaire à la ligne dans laquelle se situent les zones de surface actives des éléments, ladite unique ouverture en forme de bande pratiquée dans la couche en photorésist couvre 301u par-dessus les couches de contact 4 et couvre 100 u par-desus l'extrémité du conducteur de sortie commun 13. Par conséquent, cette ouverture laisse ainsi à découvert la partie plus épaisse de ce conducteur 13. Alors que les portions subsistantes de la couche en photorésist restent en place, de même que les portions discrètes s'étendant par-dessus l'ensemble des zones de surface actives 2 des éléments 1, on dépose par pulvérisation cathodique une couche en or dcnt l'épaisseur est égale à 0,5 p. Ensuite, on procède à un dorage dans le but de porter à 1,51u l'épais- seur de ladite couche en or. Puis, les portions résiduelles de la couche en photorésist sont dissoutes à l'aide d'un agent solvant adéquat et de cette façon, l'or déposé sur cette couche est enlevé par une technique dite de "soulèvement".Dans la partie de substrat illustrée sur la figure, il subsiste ainsi d'une part un groupe de quinze interconnexions 18, formées des couches en or (figure 9 et 10), ces interconnexions mesurant 130/u les situées sur les couches de contact 3 d'un côté des éléments, et formant une connexion électrique entre ces couches 3 et les extrémités avoisinantes des conducteurs de sortie distincts 12, et d'autre part une interconnexion 19 forme par une couche en or (figures 9 et 10). Cette interconnexion mesurant 130/u x 930/ut étant située sur les couches de contact 4 du côté oppose des éléments et formant des connexions électriques entre ces couches 4 et les extrémités avoisinantes du conducteur de sortie commun 13.Du fait d'avoir réalisé les bords incurvés des éléments 1 et d'avoir respecté la position décrite en ce qui concerne les éléments 1 sur les parties, à épaisseur réduite, des extrémités des conducteurs de sortie 12 et 13, il ne se forme pas de gradins larges ou de discontinuités dans les couches d'interconnexion 18 et 19, de tels gradins étant de nature à provoquer un défaut électrique. Les figures 9 et 10 montrent des intercon nexions élaborées de la sorte et formées par les couches 18 et 19, en or. Le stade suivant de la fabrication d'un détecteur est le montage et la connexion ultérieure du substrat 10 sur lesquels sont fixés les élé- men s et leurs interconnexions. Pour un exemple de réalisation, suivant lequel le dispositif est placé dans un vase de Dewar, le substrat 10 est monté, à l'aide d'un agent adhésif adéquat, à la surface d'extrémité du récipient intérieur en verre dudit vase.Par thermocompressi#n devant conduire a la liaison de fils en or, on établit des connexions entre d'une part les parties extérieures des conducteurs de sortie 12 et 13, aménagées autour de la circonférence du disque, et d'autre part les sorties de fils noyés dans le verre de la paroi du récipient intérieur du vase et sortant à la circontérence extérieure de la surface d'extréité de ce récipient intérieur.Pour la description détaillez précisant une forme d'un tel récipient intérieur en verre appartenant q un vase de Dewar et muni de conducteurs en fil noyés dans la paroi en verre de ce récipient, on est prié de se référer au Drevet britannique N0 1.401.434. Lorsque toutes les connexions indispensables sont terminées, l'introduction du dispositif dans son enveloppe est obtenue du fait que le récipient extérieur du vase de Dewar est scellé à son récipient intérieur. Si le dispositif doit opérer à des températures faibles, on pratique un degré de vide adéquat à l'intérieur des deux récipients en question. Ensuite, on procède à des contrôles électriques et dans ce but, on établit la connexion électrique avec les conducteurs en fil associés aux éléments distincts. Ces centrales comportent la mesure de plusieurs paramètres, par exemple la réponse, la longueur d'onde de coupure, la constante de temps, et le pouvoir de détection Dx A cette occasion, tout élément 1 qui s'avère défectueux dans la série d'éléments et qui ne répond donc pas aux exigences de contrôle est identifié.Le vase de Dewar est alors ouvert, et le substrat 10, avec les éléments fixés sur celui-ci, est retiré de la surface du récipient intérieur en verre après l'enlèvement des fils de connexion entre les parties extérieures des conducteurs de sortie 12, 13, et les sorties. L'élément unique ou chaque élément distinct défectueux est alors enlevé des substrats 10 par des moyens mécaniques, dans cet exem- ple à l'aide alune étroite lame tenue à la main. La figure Il montre une petite partie de la série représentée dans les figures précédentes 5, 7 et 9, cette partie montrant quatre éléments parmi lesquels un élément a été enlevé de la façon décrite ci-dessus. L'enlèvem.ent de cet élément a eu lieu sans enlèvement des portions 14 et 15, auparavant sous-jacentes et à épaisseur réduite, des extrémités des conducteurs de sortie. La figure 12 permet de constater que les parties extérieures des couches conductrices d'interconnexion 18 et 19 restent en place. A 11 endroit où, de la surface du substrat, on a enlevé un élément, on applique ensuite de nouveau une couche en résine époxy 22 (figure 14), après quoi un autre élément est fixé au substrat de la même façon que décrite plus haut. Les figures 13 et 14 montrent un tel élément de remplacement 23 qui, à l'aide d'une couche 22 en résine époxy, est fixé sur lten- droit occupé anciennement par l'élément défectueux 1. Après avoir enlevé tout excédent de résine époxy par pulvérisation d'un solvant adéquat, et après la cuisson indispensable pour enlever les derniers restes de la résine époxy, on élabore une autre couche en photorésist dont l'épaisseur est égale à environ 8 u, cette couche étant formée sur la totalité de la surface supérieure du substrat et des éléments. Ensuite on effectue un photomasquage et un développement pour lesquels on utilise le même masque que celui utilisé auparavant, et cela dans le but de former dans ladite couche en poctcrésist les ouvertures nécessaires ayant exactement la même forme et les mêmes positions de zones que dans le stade précédent où les ouvertures étaient définies dans la couche en photorésist.Par conséquent, dans les positions où se situent les éléments 1 formés en premier lieu, ce sont seulement les couches conductrices dtinterconnexion 1B et 19 qui sont exposées, mais dans une position ou se trouve un élément de remplacement 23, certaines portions des surfaces de contact 3 et 4 sur cet élément sont exposées, de meme que des portions adjacentes des extrémités des conducteurs de sortie 12 et 13. Pour obtenir une couche en or dont l'épaisseur est égale à 0,5/ut on procède à un nouveau dépôt d'or par pulvêaisation cathodique. Le substrat est alors monté sur un support adéquat, tandis qu'un dorage est effectué sur la couche d'or déposée auparavant dans le but de porter son épaisseur à 1#5/u Les portions de couche en photorésist qui subsistent sont ensuite dissoutes, et ltor déposé sur ces portions est ainsi enlevé par une technique dite de "soulèvement". De cette façon, on obtient d'autres couches d'interconnexion 28 et 29. (figures 15 et i6).Dans la position où se trouve l'élément de remplacement 23, les nouvelles. couches d'interconnexion contactent directement certaines parties des couches de contact 3 et 4 et s1 étendent également au-dessus des parties résiduelles des couches d'in- terconnexion élaborées anciennement auparavant 18 et 19, endroits où les couches 18 et 19 s'étendent au-dessus des portions plus épaisses des extrémités des conducteurs de sortie 12 et 13. Dans les positions où se trouvent les éléments formés en premier lieu, les nouvelles couches d'interconnexion 28 et 29 servent uniquement à augmenter l'épaisseur des anciennes couches d'interconnexion conductrices 18 et 19, étant donné que les nouvelles couches d'interconnexion so#nt formées directement sur les anciennes. Après lesdits élaboration et façonnage de la deuxième couche dtinterconnexion en or, le substrat 10 avec les bons éléments fixés sur celui-ci et avec l'élément de remplacement, est de nouveau monté sur la surface d'extrémité du récipient intérieur du vase de Dewar, alors que des fils de connexion sont posés entre les conducteurs de sortie 12, 13 et les sorties. Le vase de Dewar ayant été scellé, au besoin, après avoir pratiqué un degré de vide adéquat dans ce vase, un autre contrôle a lieu comme décrit précédemment. Si, parmi les éléments élaborés en premier lieu, un élément quelconque, ou si mêmes les éléments de remplacement ne devait (devaient) pas répondre aux exigences de contrôles le vase de Dewar est ouvert de nouveau, et on procède de nouveau à un remplacement d'élément tout en effectuant de nouveau une interconnexion exactement de la façon décrite ci-dessus, et cela en utilisant le même masque pour façonner les ouvertures dans la nouvelle couche en photorésist. Dans ce contexte, il est précisé que dans le cas où le nombre d'éléments est par exemple égale à 200, on a pu constate# qu'il est possible de renouveler 5 fois cette opération, ce qui signifie au total six opérations distinctes de photomasquage et de développement pour ltélaboration des couches-dtinterconnexion conductrices. En se référant à la figure 17, on décrit ci-après en bref un autre détecteur qui est obtenu par la mise en oeuvre d'un procédé conforme à l'invention. Dans ce détecteur, on utilise 192 éléments de détection formant une série linéaire sur un substrat isolant. Les 192 éléments forment trois groupes, à savoir un groupe intérieur de 96 éléments, et deux groupes extérieurs dont chacun comporte 48 éléments. La figure 17 représente deux parties du groupe intérieur de 96 éléments, ceux-ci étant indiqués par la référence 31 ainsi que des parties des deux autres groupes extérieurs comportant chacun 48 éléments, avoisinant directement et de part et d'autre le groupe intérieur, les éléments des groupes extérieurs étant indiqués par la référence 32.Les dimensions, la configuration et l'écartement des éléments intérieurs 31 correspondent aux paramètres correspondants précisés pour le mode de réalisation décrit précédemment, lesdites dimensions étant donc 200 x 50 , la zone de surface active mesurant 50 x 50 , et le pas entre les éléments étant égal à 625/u. Les éléments extérieurs 32 mesurent 200 x 200 , et ont une zone de surface active mesurant 50 x 50/us le pas entre les éléments étant égal à 180/u. La surface du substrat isolant est munie d'une configuration de conducteurs de sortie. Les conducteurs de sortie associés aux 96 éléments intérieurs 31 comportent un groupe de 96 conducteurs 33 dont les extrémités intérieures sont formées par des bandes dont la largeur est égale à 45/us ainsi qu'un conducteur commun 34. Comme dans le mode de réalisation décrit précédemment, les extrémités des conducteurs 33 et 34 définissent un écartement de 50/u qui correspond à la dimension que présentent dans cette direction les zones de surface actives des éléments 31. De plus, les dlé- ments 31 sont montés au-dessus de portions à épaisseur réduite des extrémités desdits conducteurs de sortie 33 et 34.Les conducteurs de sortie asso oies. à chaque groupe de 48 éléments extérieurs 32 comportent un groupe de 48 conducteurs 37 dont les extrémités intérieures sont formées par des bandes dont la largeur est égale à 90/us ainsi qu'un conducteur commun 38. Toujours comme dans le mode de réalisation décrit précédemment, les parties des conducteurs 37 et 38 définissent un écartement de 50/u qui correspond à la dimension que présentent dans cette direction les zones de surface actives des éléments 32. De plus, les éléments 32 sont montés au-dessus de portions à épaisseur réduite des extrémités desdits conducteurs de sortie 37 et 38. De la façon -déjà décrite pour le mode de réalisation pré cédent, on réalise des interconnexions entre d'une part les couches de contact s'étendant au-dessus les bords incurvés des éléments 31, 32 et d'autre part les conducteurs de sortie 33, 34, 37 38.Par conséquentf d'un caté des éléments, l'interconnexion entre les conducteurs 33 et 34 et les couches de contact sur les éléments 31 est réalisée par l'intermédiaire de plusieurs bandes de couche conductrice 35 mesurant 30p x 45/us tandis que de l'autre côté des éléments, ladite interconnexion est réalisée par l'intermédiaire- d'une couche conductrice commune 36 mesurant 130/u x 1,0 mm. D'un coté des éléments, l'interconnexion entre les conducteurs de sortie 37 et 38 et les couches de contact sur les éléments 32 dans chaque groupe extérieur desdits éléments 32 est établie par l'intermédiaire de plusieurs bandes de couche conductrice 39 mesurant 130/u x 90/u tandis que de l'autre côté des éléments, ladite interconnexion est réalisée par l'intermédiaire d'une partie de couche conductrice commune 40 mesurant 130/u x 2,88 mm. La formation des interconnexions 35, 36, 39, 40 a lieu de la façon décrite au sujet du mode de réalisation précédent, tandis que le contrôle, l'enlèvement d'déments défectueux suivi par leur remplacement et la réalisation dtautres interconnexions par l'emploi du flasque dé3à utilisé pour la définition des ouvertures dans une couche en photorésist dans le stade initial de formation des interoonexions, correspondent également à ce qui a été décrit dans ledit mode de réalisation précédent. La figure 18 est une vue en plan d'une partie drun autre détecteur de rayonnenent infrarouge parvenu à un stade de fabrication correspondant au procédé conforme à l'lnvenUion. Ce dispositif comporte un substrat isolant 40 sur lequel se trouve une configuration conductrice de conducteurs de sortie 47-52 qui sert à l'établissement de la connexion électrique avec un corps élémentaire 41 d'un détecteur à élément unique, ce corps 41 ayant cinq zones de surface activés 42-46. La figure 18 montre le corps 41 fixé au substrat 40 nais avant l'élaboration des couches d'in- terconnexion conductrice entre les extrémités des conducteurs de sortie 47-52 et les couches de contact conductrices sur ledit corps élémentaire 41. Ce corps élémentaire 41 est en tellurure double de cadmium et de mercure et mesure hors tout 825 /u x 525ju tout en ayant une épaisseur égale à 8/u. Ledit corps 41 a été décapé de façon à affecter la forne d'un peigne pour former ainsi cinq portions digitales dans lesquelles les zones de surface actives 42-46 soft façonnées, chaque zone de surface active mesurant 125/u x 125/u. Dans le corps 41, la largeur des canaux entre lesdites portions digitales est égale à 50/u. Du côté supérieur du corps les bords longitudinaux qui sont parallèles à des faces opposées des zones de surface actives qui se situent sur ces faces. sont arrondis et portent des couches de- contact. La figure 19 montre à plus grande échelle ledit corps élé dentaire 41 et la configuration conductrice sur le substrat après la formation des interconnexions entre dtune part les couches de contact sur l'élément, et d'autre part les extrémités des conducteurs de sortie 4732 de la configuration, la figure 20 étant une coupe transversale suivant le plan XX-XX sur ladite figure 19, cette coupe passant par la zone de surface active 44.Le corps élémentaire 41 qui affecte la forme d'un peigne a une couche de contact commun 53 du côte de la base, et cinq couches de contact distinctes 54-58 associées respectivement aux parties en forme de bande du corps dans lesquelles les zones de surface actives 42-46 sont définies entre les bords opposés de la couche de contact commune 53 d'une part et des couches de contact 54-58 d'autre part. L'extrémité du conducteur de sortie 47 de la configuration comporte une portion dont ltépaisseur est plus petite dont le bord comporte quatre petites dents, ces dents devant correspondre aux canaux entre les portions en forme de bande du corps élémentaire 41, en forne de peigne. L'endroit où l'extrémité du conducteur de sortie 47 se raccorde à la portion plus épaisse de cette extrémité est indiqué en pointillé sur la figure 19. Les extrémités des cinq conducteurs de sortie 4852 comportent également des portions à épaisseur plus faible. Ces portions réduites en épaisseur affectent la forme de bande dont la largeur est égale à 125/u et qui sont sepa- rées par une distance étale à 50/u. Les limites desdites portions réduites en épaisseur et appartenant aux extrémités des conducteurs de sortie 48- 52 sont indiquées également en pointillé sur la figure 19. Entre les bords opposés de l'extrémité. du conducteur de sortie 47 et les extrémités des conducteurs de sortie 48-52, la distance est égale à 125/u.Par conséquent la configuration de conducteurs de sortie doit définir le positionnement des zones de surface actives du corps élémentaire 41. Sur la figure 19, on a représenté ledit corps présentant lesdites zones e surface actives. Pour la clarté de la figure, bien que lts bords des couches de contact 53-58 sur le corps coïncident pratiquement avec les bords sous-4acents des extrémités des conducteurs de sortie, lesdits bords cités en premier lieu et les bords sous-uacents ont été représentés les uns décalés Eaar sppsrt autres sur la figure 19. Sur celle-ci, les bords longitudinaux parallèles du corps élémen- taire 41 sont indiqués par des lignes en pointillé et en croix. L'interconnexion entre la couche de contact 53 d'un côté des zones de surface actives dans le corps élonentaire et l'extrémité du condouteur de sortie 47 est établie à l'aide d'une couche conductrice 61 à sur face rectangulaire. L'interconnexionentre les couches de contact 54-58, de l'autre côté des zones de surface actives, et les extrémités des conducteurs de sortie 48-52 est établie à l'aide de couches conductrices 62-66 dont chacune affecte la forme d'une bande dont la largeur est égale à 125 . Les couches d'interconnexionconductrices 61-66 sont formées en définissant en premier lieu quelques ouvertures dans une couche en photorésist, en déposant ensuite del'or et en enlevant enfin l'excédent d'or sur le photorésist par une technique dite de "soulèven.ent" comme décrit pour le mode de réalisation décrit en premier lieu. Cet exemple illustre l'emploi du mode de contactage avec un corps élémentaire simple dans lequel sont définies plusieurs zones de surface actives. Il est évidemnent possiole de changer ce mode de réalisation dans le but de former, dans un corps élérrentaire simple, des zones de surface actives dont les dimensions sont différeates, les écartements entre ces zones pouvant différer aussi. On notera que plusieurs variantes sont possibles tout en restant dans le cadre de l'invention. Le procédé peut être mis en oeuvre aussi pour fabriquer des détecteurs à élément unique ou des détecteurs à plusieurs éléments formant une rangée linéaire, comme décrit dans les exemples menti on nés dans cet exposé, pour fabriquer des détecteurs dans lesquels la configuration d'élément de détection et/ou l'agencement d'élément sont réalisés d'une autre façon, des éléments rectangulaires suivant par exemple une ligne brisée et en forme d'escalier, ou encore la fabrication de détecteurs à élément unique ou à plusieurs éléments dans lesquels la forme des éléments n1 est pas rectangulaire, mais par exemple annulaire.Le procédé peut etre mis en oeuvre également pour la fabrication de détecteurs dans lesquels l'élément unique ou chaque élément distinct est constitué d'un matériau autre que le tellurure double de cadmium et de mercure, et dans lesquels également la zone de surface active unique ou chaque zone de surface active distincte comporte une jonction p-n utilisée pour la détection d'un rayonnement infrarouge. En guise de matériau formant le substrat isolant qui porte la configuration de conducteurs de sortie, on peut utiliser des matériaux autres que ltoxyde d'aluminium, les ubstrats étant par exemple en silicium, en saphir, ou en oxyde de béryllium Les couches conductrices formant les interconnexions ne doivent pas être nécessairement en or, et sont alors par exemple en aluminium ou en argent. Dans tous les exemples décrits dans le présent exposé, les couches d'interconnexion conductrices sont formées par dépôt d'un métal dans des ouvertures pratiquées dans une couche de photorésist qui, ensuite, est éloignée en meme temps que l'excédent de métal. Toutefois, tout en restant dans le cadre de l'invention, il existe encore d'autres procédés pour l'élaboration d'un matériau conducteur devant former les interconnexions, une autre possibilité étant par exemple la formation d'une couche en résine époxy conductrice à partir d'une seule goutte de cette matière, cette formation ayant lieu avec ou sans couche masquante. Le procédé décrit en dernier lieu peut être utilisé avantageusement pour des dispositifs dans lesquels les dimensions de l'élément unique ou de chaque élément distinct sont raisonnablement grandes. Ce procédé a été mis en oeuvre avec succès sans emploi de couches masquantes utilisées comme moyens de l'élaboration des couches d'interconnexion conductrices entre un élément de remplacement et les extrémités avoisinantes des conducteurs de sortie dans un dispositif comportant plusieurs éléments de détection REVENDICATIONS 1. Procédé permettant la fabrication d'un détecteur de rayonnement infrarouge, ce procédé étant caractérisé en ce qu'il comporte l'élaboration d'au moins un élément de détection qui est réalisé en matériau sensible au rayonnement infrarouge et dont au moins une surface principale comporte au moins une zone de surface active définie entre deux couches de contact électriquement conductrices séparées par une certaine distance sur la surface et s'étendant au-dessus de deux bords incurvés opposés de ladite face principale, la fixation de la surface principale opposée de l'élément ou de chaque élément distinct à un substrat isolant dont une surface est munie d'une configuration électriquement conductrice de conducteurs de sortie, lesdits bords incurvés opposés de l'élément ou de chaque élément distinct étant situés dans le voisinage d'extrémités opposées desdits conducteurs de sortie, ainsi que l'élaboration d'un ma tériau électriquement conducteur dans le but de former des interconnexions entre d'une part les couches de contact sur chaque élément ou sur chaque élément distinct et d'autre part les extrémités adjacentes des conducteurs de sortie, lesdites interconnexions s'étendant, sous forme de couches conductrices, sur la surface supérieure des conducteurs de sortie et sur au moins les parties de couches de contact de l'élément ou de chaque élément distinct qui sont situés au-dessus desdits bords incurvés de la face principale citée en premier lieu. 2. Procédé selon la revendication l, caractérisé en ce que la configuration électriquement conductrice que forment les conducteurs de sortie est telle que pour le montage de l'élément unique ou de chaque élément distinct, dans une direction perpendiculaire auxdits bords incurvés opposés de l'élé- ment, la distance entre les extrémités opposées des conducteurs de sortie correspondants est pratiquement égale à la dimension entre les deux couches de contact, dans ladite direction, de la zone de surface active de l'élément, l'élément unique ou chaque élément distinct étant monté sur le substrat de façon que la zone de surface active se situe au-dessus de endroit séparant lesdites extrémités des conducteurs de sortie et que les couches de contact se situent au-dessus desdites extrémités. 3. Procédé selon la revendication 2, caraçtérisé en ce que l'épaisseur des ex#trémités est plus petite au moins sur la longueur de ces extrémités au-dessus laquelle un élément est positionné. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que les interconnexions sont réalisées sous forme de couches conductrices qui, sur les conducteurs de sortie, s'étendent au-delà des parties à épaisseur plus faible de ceux-ci. 5. Procédé selon l'une des revendications l à 3, caractérisé ence que l'élément unique ou chaque élément distinct affecte la forme d'une bande de surface pratiquement rectangulaire, les deux couches de contact et la zone de surface active en#tre celles-ci s'étendant transversalement à la longueur de la bande. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'extrémité du conducteur de sortie et la couche d'interconnexion conductrice au moins d'un côté de la zone de surface active de l'élément unique ou de chaque élément distinct affectent toutes les deux la forme de bandes métalliques qui sont pratiquement parallèles à l'élément. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le détecteur comporte au moins un groupe d'éléments de détection dont les zones de surface actives sont aménagées suivant une ligne pratiquement droite, les extrémités des conducteurs de sortie étant couvertes de couches de contact qui avoisinent un bord du groupe d'éléments situés sur la surface du substrat isolant sous forme de plusieurs bandes pratiquement parallèles qui sont pratiquement perpendiculaires à ladite ligne droite et dont le pas correspond pratiquement au pas désiré entre les éléments. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que pour la connexion aux couches de contact s'étendant sur les autres bords du groupe d'éléments, le substrat isolant porte un conducteur de sortie commun, le bord longitudinal de l'extrémité de ce conducteur commun étant couvert desdites couches de contact pratiquement parallèles à ladite ligne droite. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que le détecteur comporte plusieurs groupes d'éléments de détection, et de chaque côté ou de part et d'autre de la ligne suivant laquelle il y a leu d'aligner les zones de surface actives des éléments de détection, les conducteurs de sortie situés sur la surface du substrat sont présents alternativement comme une pluralité de bandes combinées avec un groupe d'éléments de détection à réaliser et comme un conducteur de sortie commun combiné avec le groupe adjacent le plus proche d'éléments de détection à réaliser. 10. Procédé selon l'une des revendications 7 à 9, caractérisé en ce que dans le détecteur, le pas entre deux éléments voisins d'un premier groupe d'éléments de détection du détecteur diffère du pas entre deux éléments voisins d'un deuxième groupe d'éléments de détection du dispositif, ladite différence entre les pas étant compensée par l'élaboration de conducteurs de sortie sur le substrat isolant, ces conducteurs ayant des extrémités affectant la forme de bandes entre lesquelles le pas n'est pas le même partout. tl. Procédé selon l'une des revendications 7 à 10, caractérisé en ce que les zones actives des éléments du détecteur sont au moins de deux surfaces diff#rentes. 12. Procédé selon la revendication Il pour autant que celle-ci se rapporte à la revendication 10, caractérisé en ce que dans la direction qui est perpendiculaire aux bords incurvés opposés, tous les éléments ont la même dimension alors que la surface de la zone active de chacun des premiers éléments de détection diffère de celle de la zone active de chacun des deuxièmes éléments de détection, ladite différence des surfaces des zones actives étant fournie par une dimension transversale différente. 13. Procédé selon l'une des revendications l à 12, caractérisé en ce qu'après la formation des interconnexions entre d'unepart les couches- de contact sur l'élément unique ou sur chaque élément distinct et d-'autre part les conducteurs de sortie, il est procédé au contrôle dudit élément unique ou de chaque élément distinct, tout élément s'avérant défectueux étant enlevé mécaniquement du substrat isolant et remplacé par un autre en fixant cet autre élément dans la position devenue dispo nible sur la surface dudit substrat isolant, puis qu'un nouveau dépôt de matériau conducteur a lieu dans le but de former des interconnexions au moins entre d'une part les couches de contact sur l'élément unique substitué ou chaque élément distinct substitué et d'autre part les extrémités adjacentes de la configuration de conducteurs de sortie. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la réalisation des interconnexions formées en premier lieu entre les couches de contact sur l'élément unique ou sur chaque élément distinct et les conducteurs de sortie, et la réalisation des interconnexions correspondantes formées par la suite et conduisant à l'élément remplacé ou aux éléments remplacés, ont lieu toutes les deux à l'aide d'un même photomasque. 15. Procédé selon l'une des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que l'élaboration du matériau conducteur devant former les interconnexions a lieu par dépôt de ce matériau sur des portions d'une couche en photorésist définie par voie de photolithographie, lesdites portions servant en masquer des parties de surface sur l'élément unique ou sur chaque élément distinct, ainsi que les endroits de substrat où il n'est pas nécessaire de déposer du matériau, le matériau déposé sur les portions de couche en photorésist étant ensuite enlevées par dissolution de ce matériau. 16. Procédé selon l'une des revendications l à 15, caractérisé en ce que chaque élément est fixé au substrat isolant à l'aide d'une résine époxy adhésive.