FR 2379840 A1 19780901 FR 7703108 A 19770204 La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un objet au cours duquel est effectué au moins un bombardement localisé de particules sur au moins une plage d'une face active dudit objet. La présente invention concerne également l'application de ce procédé a la localisation de la détérioration d'un réseau cristallin par un bombardement de particules chargées énergétiques. La présente invention concerne également les objets obtenus par ce procédé. On sait que le bombardement de particules, positives, négatives ou neutres est de plus en plus utilisé dans des buts divers. On emploie notamment le bombardement d'électrons en vue de chauffage localisé et l'implantation d'ions notamment de protons et celle de feutrons. Par exemple, dans l'industrie des semiconducteurs, en dehors de l'implantatinn d'ions à basse énergie en vue de l'inclusion d'impuretés dites dopantes, on utilise également des ions à haute énergie, c'est-à-dire dont l'énergie est par exemple comprise entre 0,4 et 1,5 MeV, notamment pour modifier le réseau cristallin. Par exemple, pour faire des diodes couplées à des fibres optiques ou à des mèches de fibres optiques, on souhaite localiser, dans des jonctions épitaxiques qui donnent des diodes d'une plus grande rapidité et d'une plus grande efficacité que des jonctions diffusées, une portion ayant l'aire adéquate, par exemple de l'ordre de 100 pm de diamètre, et détruire au moins une partie du reste de la jonction, et on souhaite effectuer cela en bombardant le matériau semicnnducteur avec des protons ou avec de l'oxygêne, ce qui le rend isolant. Ce procédé est utilisé pour faire des diodes lasers dont la région électroluminescente est voisine de la surface que l'on bombarde. Dans le cas des diodes à confinement de porteurs au Gardas, on souhaite, pour pouvoir les fabriquer en série, que l'épaisseur de la couche superficielle transparente soit, par exemple, de 5 à 10 pm, la jonction électroluminescente étant a une profondeur de 6 11 pm. Pour atteindre une telle profondeur, il faut utiliser des protons de 500 keV à 1 MeV, et pour protéger la région active que l'on-#e##tt-conserver contre ce bombardement, il est nécessaire de disposer de masques opaques à celui-ci. On a déjà utilisé des masques métalliques, par exemple en Kovar.Mais ces masques doivent être fabriqués préalablement et mis en place manuellement ce qui est coûteux, peu commode et, du fait de la possibilité d'erreurs de position, entraine des déchets. Ces masques, ne permettent pas la réalisation de petits motifs d'un diamètre voisin de 100 Um et, de plus, ces masques sont parfois poreux ce qui engendre des défauts. On a également proposé d'utiliser comme masques des résines organiques, notamment le corps vendu dans le commerce sous le nom de "Riston11, disponible en feuilles composées généralement de trois lits, un lit de photorésist entre deux lits de protection. Le premier lit de protection étant enlevé, le Riston est plaqué sur le substrat par laminage entre deux rouleaux chauffants, l'adhérence augmentant en fonction du temps ; il est alors nécessaire de laisser-reposer les substrats ainsi recouverts, parfois pendant 4 a 5 heures. Il faut ensuite éliminer excès de Riston en découpant autour des substrats, par exemple au rasoir, opération délicate si l'adhérence du film n'est pas très bonne sur les bords.Pour obtenir un talus de bonne qualité il faut une grande puissance d'éclairement et déterminer avec soin et précision la durée de l'exposition. On doit alors enlever le second lit de protection, et développer le résist en éliminant les parties non désirées. Ce procédé comporte de multiples inconvénients. L'empilement est complexe#, difficile à déposer ; la sous-gravure est importante ; le film, après insolation, est cassant et rend les manipulations délicates. De plus, il est peu compatible avec les autres technologies utilisées pour la fabrication des semiconducteurs. On a également utilisé comme masques de protection des laques photosensibles, mais on ne peut guère obtenir avec ces laques qu'une épaisseur finale de l'ordre de 2 à 3 micromètres alors qu'une épaisseur de 20 micromètres serait nécessaire pour arrêter des protons de 1 MeV. De plus, les laques photosensibles connues ne supportent pas sans se décomposer une élévation de température au-delà de 200 OC entrainée par une forte dose de bombardement. On a également essayé d'utiliser dans le même but des couches diélectriques en oxyde ou en nitrure de silicium, mais l'expE- rience montre que, pour des épaisseurs supérieures a 1 pu, des craquelures apparaissent dans ces couches. La présente invention apporte une solution a ces problèmes. Elle prend en considération les propriétés de certains polymères organiques dont la Demanderesse a étudié la stabilité sous l'im-- pact d'ions de grande énergie, et l'aptitude à la gravure. La présente invention résulte également d'études de la Demanderesse concernant le pelliculage de ces polymères Ces études ont notamment montré que, dans certaines conditions, des lits de grande planéité et d'une grande uniformité pouvaient être obtenus, que, moyennant certains traitements, plusieurs lits adhérant les uns aux autres, déposés successivement, pouvaient constituer une couche plane, homogène, d'une épaisseur suffisante pour constituer le masque désiré. La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un objet au cours duquel est effectué au moins un bombardement localisé de particules sur au moins une plage d'une face active notamment dudit objet remarquableXen ce que l'on crée sur ladite face active une couche constituée principalement d'un corps choisi parmi les polyimides, les polyamides-imides, les polyimides modifiés par un amide, les acides polyamides, les polyaminoimides, ladite couche ayant l'épaisseur nécessaire pour arrêter ledit bombardement, -en ce que l'on élabore sur cette couche une préforme compor tant des ouvertures sur lesdites plages, -en ce que, par lesdites ouvertures de ladite préforme, on élabore des fenêtres dans ladite couche pour constituer un masque, -en ce que l'on effectue ledit bombardement, -en ce que l'on achève ledit objet. Le terme particule s'entend ici au sens de la physique et comprend notamment, des particules chargées ou non, les neutrons, les électrons, les ions, les protons. L'invention présente de nombreux avantages. En effet, les corps déterminés par la Demanderesse supportent l'impact de particules énergétiques, notamment l'impact des protons d'une énergie inférieure à 100 MeV. Ils supportent également les températures de 200 OC et jus qu'à #450 OC et, pour certains corps, 600 OC, que cette température résulte de la chaleur dégagée par ces impacts ou qu'elle résulte d'un chauffage délibéré de l'objet pendant l'implantation destiné à éviter un traitement thermique ultérieur -ce qui n'est pas le cas des laques photosensibles. On peut les disposer en couches d'épaisseur constante adhérant au substrat ce qui permet la gravure. Ces couches sont dépourvues de porosités, ce qui n'est pas le cas des couches d'oxyde ou de nitrure de silicium. On peut donner à ces couches une épaisseur suffisante, par exemple de 5 à 20 vm, pour que ces couches soient opaques à des protons de 1,5 MeV, ce qui n'est pas le cas des laques photosensibles ou ce qui est beaucoup plus difficile avec ces laques à moins que celles-ci ne soient assez visqueuses. De plus, ces couches sont stables aux rayonnements lumineux, infra-rouge et ultra-violet, ce qui n'est pas non plus le cas des laques photosensibles. La couche obtenue est gravable par deux procédés différents au moins, entre lesquels on peut choisir suivant le substrat. L'un de ces procédés est une attaque chimique par une base forte (NaOH, KOH) très diluée ou par une base faible, notamment par l'hydrate d'hydrazine et peut être réalisé avec une préforme en laque photosensible. Si cette laque est une laque positive, les ouvertures de la préforme et les fenêtres de la couche peuvent être obtenues en une seule opération. Le second procédé de gra vure est celui de l'attaque par plasma d'oxygène. De préférence, on le met en oeuvre avec une préforme créée dans une pellicule métallique.On peut également le mettre en oeuvre avec une préforme créée dans une pellicule d'un composé déposé à basse tem notamment pérature,/ ans une pe~ la pellicule d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium obtenue par la technique dite de "déposition par plasma" Ces deux procédés de gravure constituent deux modes de mise en oeuvre de la présente invention. On sait que certains des corps déterminés par la Demanderesse ont déjà été utilisés notamment dans l'industrie des semiconducteurs comme agents de passivation et comme revêtements protecteurs de dispositifs terminés, ainsi que comme couches isolantes entre des nappes de contacts. De telles applications sont décrites notamment dans le brevet français 2 022 876 et dans la demande française 2 209 218. Il est très clair que l'application faite de ces corps dans la présente invention est tout à fait différente ; elle prend pour point de départ des propriétés différentes de ces corps et aboutit à des résultats différents particulièrement avantageux. On sait aussi que l'utilisation de certains des corps déterminés par la Demanderesse comme adhésifs, en liaison avec des feuilles en matériau thermoplastique, notamment en "Kapton", pour assurer l'isolement entre dynodes est décrite dans la demande française enregistrée sous le numéro 76 02 578. Il est également clair que l'application faite de ces corps dans la présente invention est tout à fait différente. La description qui va suivre en regard des dessins annexés, permet de mieux comprendre les avantages de la présente invention ainsi que ses modes de mise en oeuvre. Les figure 1 à 7 représentent les différentes phases d'élaboration d'un dispositif réalisable par le procédé selon la présente invention. Les figures 3a à 6a illustrent le premier mode de mise en oeuvre du procédé. Les figures 3b à 6b illustrent le second mode de mise en oeuvre du procédé. Il est à remarquer que, pour rendre les figures plus claires, les proportions ne sont pas conservées. Sur la figure 1 on a représenté une plaquette 1 constituée notamment d'un substrat 10 portant une couche 2 en arséniure de gallium aluminium à 30% d'aluminium, de type N dopée par exemple à l'étain, d'une épaisseur de l'ordre de 15 micromètres. Cette couche 2 porte une couche mince 3 d'arséniure de gallium aluminium à 10% d'aluminium de type P dopdeau germanium d'une épaisseur de l'ordre de 1 micromètre et cette couche 3 porte elle-m#me une couche 4 d'arséniure de gallium aluminium à 30% d'aluminium de type P dopée au germanium de 5 à 10 micromètres d'épaisseur par exemple. La jonction 5 entre les couches de types opposés 2 et 3 est une jonction électroluminescente et l'ensemble constitue un émetteur de lumière. La composition des couches 2 et 3 est favorable à un haut rendement d'émission lumineuse de la jonction 5 et la composition de la couche 4 est particulièrement favorable à la sortie de la lumière ainsi engendrée. Par ailleurs, on sait que la qualité d'une telle jonction 5 réaliséee par épitaxie est très supérieure à la qualité d'une jonction équivalente obtenue par diffusion. Toutefois dans la réalisation par épitaxie, la jonction électroluminescente 5 occupe toute la surface de la plaquette ; pour éviter de multiplier les inconvénients et notamment un gaspillage d'énergie, il importe de la localiser. Dans la réalisation par épitaxie, il est également commode de donner, comme indiqué cidessus, à la couche 3 d'arséniure de gallium-aluminium une épaisseur de l'ordre de 1 micromètrq et à la couche 4 d'arséniure de gallium-aluminium une épaisseur de 5 à 10 micromètres par exemple. La présente invention permet de localiser la diode dans ces conditions. On a représenté également sur cette figure I un anneau 8 et une couche 9 de contact par exemple en or ou en un alliage à base d'or d'une épaisseur de 0,8 micromètre. L'anneau 8 a été obtenu par exemple par gravure d'une couche déposée sur toute la surface. Sur la figure 2 on a représenté en 6 une couche d'un des corps déterminés selon l'invention. Cette couche est composée de trois lits 6a, 6b, 6c, selon ce qui est décrit plus loin dans ce mémoire. Pour des raisons de simplification, ces trois lits ne sont pas représentés séparément sur les autres figures. Cette couche peut être constituée principalement d'un acide polyamide c'est-à-dire d'un corps ayant une structure comportant la répétition de l'élément structural dans lequel - o représente une isomérie, Q1 est un radical or- ganique tétravalent contenant au moins deux atomes de carbone, un maximum de deux groupes carbonyles dans chaque élément structural étant rattaché à un atome de carbone quelconque dudit radical tétravalent, et D1 est un radical divalent contenant au moins deux atomes de carbone, les groupes amides de liaison entre des elé- ments structuraux adjacents étant fixés à des atomes de carbone séparés dudit radical tétravalent et dans lequel nl est un nombre entier suffisamment élevé pour que ledit acide polyamide ait une viscosité au moins égale à 0,1 centipoise et de préférence comprise entre 0,3 et 30 centipoises dans un solvant convenable. Par traitement thermique ou chimique de tels polyacides peuvent donner le polyimide correspondant, c'est-à-dire des corps ayant une formule comportant la répétition de l'élément structural: dans lequel pa, D2 et n2 ont les mêmes caractéristiques que Q11 nl, D1 ci-dessus. Des polyimides correspondant à une telle formule peuvent constituer ladite couche, soit qu'ils soient créés, à partir de l'acide polyamide correspondant, par élimination d'une molécule d'eau soit par tout autre moyen, notamment par réaction d'au moins une diamine sur un dianhydride d'acide tétracarboxylique. Avantageusement, pour une plus grande stabilité thermique, le radical tétravalent Q2 contient au moins un cycle non saturé de six atomes de carbone de type benzénique, les quatre radicaux carbonyles étant unis directement à des atomes de carbone distincts d'un cycle benzénique hexagonal du radical Q2 et les deux autres radicaux carbonyles de chaque paire étant unis à des atomes de carbone adjacents d'un cycle du radical Q2. Notamment Q2 est un cycle benzénique (dianhydride pyroméllitique et D2 un oxydiphényle de De tels polyimides et notamment le polyimide représenté par la formule lia sont obtenus en général en deux phases. On crée d'abord, par polycondensation d'une diamine et d'un dianhydride d'un acide tétravalent en solution dans un solvant polaire, un acide polyamide de formule I. La solution de cet acide polyamide dans un solvant polaire constitue un prépolymère. De tels prépolymères seront désignés par P1 dans la suite de ce mémoire. Ultérieurement, dans une seconde phase, par chauffage, on chasse de cette solution le solvant polaire et on élimine des molécules d'eau dudit acide polyamide pour obtenir le polyimide. Dans l'application selon la présente invention, le dépôt de la couche ou celui des lits la composant éventuellement peut, avantageusement, être effectué avec ledit prépolymère et la seconde phase est accomplie par chauffage du dépôt sur l'objet. Cette couche peut être constituée par un polyimide modifié par un amide comprenant notamment la répétition de l'élément structural: où n3 est un nombre entier d'au moins 5, D3 est un radical divalent amide comprenant toujours au moins le radical divalent et Q3 représente un radical tétravalent comportant au moins un noyau benzénique. Q3 peut également être un cyclohexane, le radical D3 étant notamment identique à R3. La couche 6 peut également comporter des polyamides imides de formule générale dans laquelle D4 désigne la liaison de valence simple ou un radical organique divalent comportant de 1 à 24 atomes d signe un radical tétravalent de formule générale dont les deux atomes de carbone sont reliés d'une part, chacun à l'un des deux radicaux carbonyles de la fonction imide par l'intermédiaire des radicaux R4 et R'4 et dont l'un est d'autre part relié l'atome d'hydrogène et l'autre à la fonction amide.Les radicaux R4 et R'4 sont identiques ou différents et représentent H, C ou Cl et sont reliés à l'atome d'hydrogène et l'autre à la fonction amide. D r 4 désigne un radical organique divalent pos sédant au moins deux atomes de carbone, n4 peut être nul ou représenter un nombre de 1 à 12, E et E' peuvent être identiques ou dif férents et représenter un radical de formule générale Q4, D4, R4, Rl4 ayant la même contiennent de 0,5 à 50 radica ci-dessus et qui r radical D4. La couche 6 peut également être constituée de polyamines à groupements imides et notamment de polyamines à groupements imides répondant essentiellement à la formule générale dans laquelle -les groupements Q5 sont reliés aux groupements NH , a et b sont des nombres allant de 2 à 6 environ, c et d représentent chacun un nombre égal à 1, la somme c + d ne dépassant pas 6 environ, n5 est un nombre de 1 à 12 environ, n'5 est nul ou est un nombre inférieur à 11 environ, n"5 est un nombre compris entre 2 et 50. De plus, les nombre a, b, c, d, n5, n'5, n"5 sont tels que an5 = bn'5 + cn"5 et que le rapport soit supérieur à 1 et ne dépasse pas 2. le radical désigne l'un des radicaux de formules Dans lesquels R"5 ou R"'5 identiques ou différents représentent H, CH3 ou Cl. R'5 désigne un radical organique de valence a dérivant d'un polyimide insaturé de formule générale R5 désigne un radical organique de valence b dérivant d'un- polyamide de formule générale R5 (NH2)b, R5 et R'5 peuvent notamment représenter un radical divalent tel qu'un radical alcoylène linéaire ou ramifié, ou un radical aromatique tel qu t un radical phénylène, cyclohexylène, etc. La couche 6 peut également être constituée principalement de polyamides imides comportant la répétition de l'élément structural dans lequel T1 représente un radical organique trivalent comportant au moins deux atomes de carbone et D6 représente un radical divalent ne comprenant que des atomes d'hydrogène, de carbone, d'azote, de soufre et d'oxygène. Il contient au moins deux atomes de carbone et peut être alicyclique, aromatique ou hétérocyclique. Plus particulièrement, D6 peut être un radical cycloalcoylène à 5 ou 6 atomes de carbone dans le cycle, un radical hétérocyclique divalent contenant au moins un des atomes 0, N, S, un radical benzénique ou aromatique polycyclique, ces radicaux peuvent porter des substituants. D4 peut également comprendre plusieurs radicaux benzéniques ou alycycliques liés directement ou par un atome ou groupement divalent. Avantageusement, T1 est un noyau benzénique. Tl peut également comporter deux noyaux benzéniques réunis par un radical carbonyle. Avantageusement, D6 comporte au moins un noyau benzénique et préférentiellement est le radical divalent dans lequel R6 représente le radical méthylène ou un atome d'oxygène et n6 est un entier de 40 à 15 000. La couche 6 peut également être constituée par des polyimides obtenus à partir d'au moins un NN' bisimide d'un acide dicarboxylique non saturé de formule générale dans lequel B et BT sont des radicaux organiques divalents et B contient au moins une double liaison carbone carbone. Ces polyimides peuvent résulter de l'action d'un tel bisimide ou d'un mélange de tels bisimides sur des cyclopentadiénones ou/ et des alphapyrones ; le radical B est alors préférentiellement le radical méléique. Ces polyimides peuvent résulter également simplement du chauffage d'un tel NN' bisimide d'un acide dicarboxylique non saturé de formule I ou d'un mélange de tels bisimides dont le radical B' comprend plusieurs atomes de carbone et peut être un radical alco ylène substitué ou non, un radical arylène substitué ou non, hydrogéné ou non, ou des radicaux aryles substitués ou non, hydrogénés ou non, liés par au moins un des radicaux suivants CHL, S02, et O et dans lequel B a de préférence pour formule où R7 à R sont des hydrogènes ou des radicaux alcoylenes sub stitués ou non, ces radicaux comprenant un ou plusieurs atomes de carbone. Ces polyimides peuvent résulter également d'une réaction comportant au moins l'action d'au moins un NN' bisimide d'un acide dicarboxylique non saturé de formule VII sur au moins une diamine primaire de formule générale H2N -A1 N NH2 (VIII) le radical B étant un radical éthylénique divalent comportant entre deux atomes de carbone adjacents une double liaison carbone carbone et dérivant d'un anhydride éthylénique de formule générale les deux valences étant donc portées par les deux dits atomes de carbone adjacents, par exemple les radicaux R8 et R'8 comprenant au moins un atome de carbone et le radical R"8 comportant au moins un cycle comportant au moins 4 atomes de carbone. Les radicaux A1 et B peuvent être identiques ou différents et représentent de préférence un radical alcoylène linéaire ou ramifié ayant environ moins de 13 atomes de carbone, un radical cycloalcoyi:è:e à 5 ou 6 atomes de carbone dans le cycle, un radical hétérocyclique contenant au moins un des atomes 0, N et S, un radical benzénique ou aromatique polycyclique, substitués ou non, un ensemble de plusieurs radicaux benzéniques ou alicycliques reliés directement par un atome ou par un groupement divalent. D'une manière générale le radical divalent A1 ne possède pas plus de 30 atomes de carbone. On peut notamment utiliser les polyaminobismaléimides de formule générale dans laquelle B1 est un radical divalent constitué de deux cycles benzéniques reliés par le radical CH, qui résulte de la réaction d'une diamine primaire sur le NN' bisimide de l'acide maléique, notamment en présence d'un excès de diamine. Ladite réaction comprend plusieurs phases : la première est la préparation par mélange intime dudit bisimide et de ladite diamine d'un prépolymère désigné par P2 ci-dessous dans ce mémoire. Cette préparation est suivie d'un chauffage qui peut s'effectuer ou non au sein d'un solvant dipolaire inerte qui permet d'obtenir le polymère de départ. Ultérieurement, on élimine par chauffage le solvant et on achève ainsi le durcissage des polyimides. Dans l'application selon la présente invention, le dépôt de la couche ou celui des lits la composant éventuellement peut, avantageusement, être effectué avec ce polymère de départ, l'éli- mination du solvant et le durcissage des polyimides étant accomplis par chauffage du dépôt sur l'objet. Ces polyimides peuvent également résulter de l'addition au prépolymère P2 d'un polyesther insaturé et la diamine primaire peut être remplacée par une polyamide de formule générale A2 (NH2)x (X) x étant un nombre supérieur à 2 et A2 un radical organique de valence 2, comportant de préférence 3 à 5 groupements NH2 par molécule, ces groupements pouvant être portés par noyau benzénique substitué ou non par plusieurs noyaux benzéniques reliés entre eux par un lien valentiel ou par un atome ou groupement inerte. où y représente un nombre allant de 0,1 à 2 environ, le symbole R10 désignant un radical hydrocarboné divalent qui dérive d'un corps ayant une fonction cétone ou une fonction aldéhyde de formule générale R10 O dans laquelle l'atome d'oxygène est lié à un atome de carbone du radical R10. Ces polyimides peuvent résulter d'une réaction entre au moins un desdits NN' bisimide d'un acide dicarboxylique non saturé de formule générale I et au moins une diamine primaire de formule VIII et/ou au moins une polyamine de formule générale X définis comme ci-dessus. Ces polyimides peuvent résulter également d'une réaction entre au moins un desdits NN' bisimide d'un acide dicarboxylique non saturé de formule générale VII et au moins une diamine primaire de formule VIII et/ou au moins une polyamine de formule générale X définis comme ci-dessus et au moins un monomère autre qu'un bisimide de formule VII comportant une double liaison carbone-carbone polymérisable, notamment des monomères possédant au moins un groupement polymérisable de type vinylique, maléique et allylique et qui peuvent être des esters, des éthers, des hydrocarbures, des hétérocycles substitués des composés organométalliques ou organométalloidiques. Ces polyimides peuvent résulter également d'une réaction entre au moins un desdits NN' bisimides d'un acide dicarboxylique non saturé de formule I, préférentiellement une dimaléimide, une polyamine ayant au moins deux groupes amino primaires et au moins un produit réagissant amine choisi dans le groupe comprenant 1) des polyamines ayant au moins un groupe amino secondaire et un total d'au moins deux groupes amino primaire et secondaire, 2) des monoamines primaires, etl 3) des groupes amino secondaires. Par ailleurs, des polyimides permettant de réaliser l'invention peuvent résulter aussi de la réaction entre d'une part, au moins un oligomère à groupements imides de formule générale dans laquelle 3 représente un nombre allant de 0,1 à 2 environ, le symbole R11 désignant un radical hydrocarboné divalent ayant de l à 8 atomes de carbone qui dérive d'un corps ayant une fonction cétone ou une fonction aldéhyde de formule générale R11 O dans laquelle l'atome d'oxygène est lié à un atome de carbone du radical Rll ; le symbole B11 représente un radical éthylénique divalent possédant de 2 à 24 atomes de carbone et comportant entre deux atomes de carbone adjacents une double liaison et dont les deux valences sont portées par les deux dits atomes de carbone adjacents par exemple les radicaux R'll et R"11 comprenant au moins un atome de carbone et le radical Rtll comportant au moins un cycle comprenant au moins 5 atomes de carbone et, d'autre part, une polyamine pouvant être représentée par la formule générale donnée ci-dessus (X). Des informations sur ces différents corps et sur la manière de les préparer sont données dans les brevets américains numéros 3 179 614, 3 i79 634,et 3 179 635, et aussi dans les brevets ou demandes françaisWs) numéros 1 455 514, 1 555 564, 1 188 634, 2 022 609, 2 022 876, 2 041 296, 2 058 452, 2 094 607, 2 102 878, 2 142 741, 2 142 742, 2 142 743, 2 142 744, 2 156 424, 2 207 160. Des polyimides permettant de réaliser l'invention peuvent résulter de la condensation de monomères contenant des noyaux aromatiques liés entre eux par des enchainements carbinols libres ou substitués, lesdits monomères possédant à la fois des fonctions amines libres ou acylées et des centres fonctionnels acide o dicarboxylique, anhydride o dicarboxylique, o carboxyester ou o diester, susceptibles de réagir sur les aminés pour donner des cycles imides. Ces corps sont obtenus à partir de monomères di fonctionnels dont la formule générale est représentée en XIIIa et XIIIb ci dans laquelle Y représente un atome d'hydrogène ou un atome d'hydrogène plus un hydracide ou encore un radical acyle, R12 est un atome d'hydrogène, un reste alcoyle, alcoylcarbonyle, aryle, arylcarbonyle, alcoyle ou arylimino carbonyle, triméthyl silyle etc., R' et R" 2 sont des atomes d'hydrogène, des radicaux alcoyles, 12 12 alcoxyalcoyles, hydroalcoyles, aryles, etc. est un radical aromatique divalent, homocyclique ou hétéro cyclique, les deux valences étant situées sur des atomes de carbone distincts en position quelconque l'un par rapport à l'autre. T2 représente un radical . aromatique trivalent homocyclique ou hétérocyclique, les trois valences étant situées sur des atomes de carbone distincts, deux de ces valences étant obligatoirement en position ortho l'une par rapport à l'autre. La synthèse des monomères est effectuée par l'une ou l'autre des méthodes connues, utilisées habituellement dans la préparation du benzhydrol ou de ses dérivés. Le groupe hydroxyle peut rester libre ou être engagé dans une réaction pour donner un éther, un ester, un uréthane, un siloxane. Des informations sur ces corps et sur la manière de les obtenir sont données dans le brevet français 1 601 091. Une fois les monomères obtenus, le choix des conditions de polycondensation dépend de la nature des groupes fonctionnels fixés sur la molécule du monomère. On peut notamment utiliser le mélange des monoesters isomères; amino-3', carboy-3 méthdxy carbonyl-4 benzhydrol et amino-3' carboxy-4 méthoxy carbonyl-3 benzhydrol. Les corps cités ci-dessus présentent une bonne adhérence aux plaquettes 1, notamment aux éléments semiconducteurs et aux substances de recouvrement, oxyde de silicium et nitrure de silicium, habituellement utilisées. Les couches obtenues à partir de ces corps ont, après des recuits adéquats de bonnes qualités de stabilité à l'humiditié et à la chaleur tout en restant gravables par attaque plasma et, le plus souvent, par une solution très diluée de base forte (soude, potasse), ou par une solution d'une base faible, par exemple d'hydrate d'hydrazine. Elles ont des qualités suffisantes d'opacité aux particules, notamment aux ions et protons et surtout la possibilité d'être étalées en lits assez épais adhérant les uns aux autres pour former des couches suffisamment épaisses (facilement 15 pm) , tout en conservant une planéité suffisante. L'épaisseur obtenue pour chaque lit est fonction notamment de la Viscosité du produit de départ et celle-ci est ajustable. Ces corps peuvent recevoir une charge qui permet, par exemple d'augmenter leur opacité aux ions. La concentration de la charge en volume est avantageusement de 5 à 50%. La substance destinée à la charge est réduite en poudre de dimensions adéquates, par exemple de l'ordre de 1 à quelques mi cromètres. Cette charge peut être constituée de poudres métalliques (aluminium, fer, étain, zinc, bismuth, etc.) d'oxydes (alumine, magnésie, chaux, baryte, oxyde de chrome, etc.), de tétraoxychromate de zinc, de sulfures, de sulfates, de silicates, d'autres sels, par exemple de bismuth, d'amiante, etc. La charge peut être également constituée par d'autres résines ou par tout corps susceptible d'augmenter la tenue ou l'opacité au bombardement et/ou la stabilité à la chaleur. Un certain nombre des essais de la Demanderesse qui ont donné des résultats favorables, ont été effectués avec du monoester méthylique de l'acide aminobenzhydrol dicarboxylique de formule corps qui appartient à la famille des corps de formule XIII mentionnés ci-dessus et peut être obtenu dans le commerce sous la forme d'une solution à environ 60% dans un mélange de M-Méthyl pyrrolidone (désignée ci-dessous par N.M.P.) et de méthanol (80/ 20) sous le nom de Nolimid 605. Dans la solution ainsi fournie, la polycondensation est partiellement effectuée de manière que la viscosité à 200 soit de l'ordre de 40 poises. Le corps mentionné ci-dessus est désigné ci-dessous dans ce mémoire par "corps de base A" et ladite solution par "solution de base A".On pourrait également utiliser une solution de ce corps dans d'autres solvants polaires mais avec moins de succès. La polycondensation est ache#vée ultérieurement in situ. Ce polyimide permet d'obtenir un produit de transformation analogue à celui des duromères courantes sans avoir recours à une réaction chimique de dernière heure. Les soutiolsde dépôt sont obtenues en provoquant une agita tion vigoureuse. l'expérience a montré à la Demanderesse' que, pour obtenir des couches très uniformes avec ledit corps de base A et ladite solution de base A, il était difficile d'utiliser comme diluant un mélange de N méthylpyrolîdone (NMP), solvant polaire, et de cétone, par exemple l'acétone, la mêthyléthylcétone, la méthyl isobutylcétone qui améliorent la qualité filmogène de la solution, et qu'il fallait utiliser des solutions récemment préparées. La Demanderesse a obtenu des résultats particulièrement favorables avec l'acétone. La viscosité décroit avec l'augmentation de la quantité d'acétone dans la solution mais, contrairement à ce que l'on pourrait penser à priori, l'épaisseur des lits obtenus ne dépend de la proportion d'acétone ou de la viscosité que d'une manière assez complexe. Les tableaux I et Il présentent la synthèse d'un certain n#ombre d'essais. Le tableau I concerne la proportion de NMP et d'acétone dans un certain nombre de diluants qui ont donné des résultats favo Rabes. Le tableau Il concerne le nombre de parties de diluant utilise pour une quantité donnée de solution de base A, la viscosité en centipoises de la solution obtenue et l'épaisseur en micromètre s des lits obtenus par le procédé à la tournette décrit cidessous. L'épaisseur donnée dans ce tableau est celle d'un seul lit après recuit obtenu comme indiqué plus loin dans ce mémoire. Mélanges diluants de la solution de base A Nombre de parties Appellation NMP Acétone C2 1 1 C3 1 2 C9 f 1 9 TABLEAU I Couches obtenues avec solutions du corps de base A Diluant Nombre de parties viscosité Epaisseur Appellatwn utilisé Diluant solution de base A en cp S1 C2 1 1 18 1 s2 C3 1 1 15 1,5 S3 C9 1 1 9 4,5 S4 C9 2 1 4 2,5 TABLEAU Il Plutôt que d'obtenir en une seule manipulation des lits de 4 ou 5 m d'épaisseur, la Demanderesse a préféré jusqu'à présent créer des lits de 2,5 micrometres tout en utilisant de faibles viscosités notamment en raison du fait que, sous de telles épais leur, le séchage est facile. Les lits et les couches obtenus par le procédé décrit cidessous avec les solutions des tableaux I et Il sont d'excellente qualité ; le recouvrement est complet, sans trous ni cratères, de qualité homogène, sans grains noirs ni cristaux. Une fois un lit déposé, le solvant peut être évaporé au cours d'un recuit sous gaz neutre. Ce recuit peut avantageusement être effectué en deux temps ; le premier, d'une durée de 30 minutes à une température de 85 OC, pour évacuer les cétones, et le second, à une température de 150 C, pendant 30 minutes, pour éliminer le reste du solvant. Dans l'un et l'autre cas, on peut déposer un second lit qui subit le même traitement, adhère parfaitement au premier et ainsi de suite. D'autres essais de la Demanderesse qui ont donné des résultats également favorables ont utilise au départ une solution d'un prépolymère de type P1 résultant de la polycondensation d'une solution de diamine diphênyl éther et de dianhydride pyromélitique dans le N méthyl pyrolidone ou, mieux, dans un mélange de toluène ou d'un autre hydrocarbure et de N méthylpyrolidone. De telles solutions auxquelles on a ajouté un agent mouillant peuvent être obtenues dans le commerce sous de nom de Pyre ML. Ce corps est désigné ci-dessous dans ce mémoire par "corps de base B" et ladite solution par "solution de base B". La Demanderesse a notamment eu de bons résultats avec les Pyre ML PC 5057 et RC 5044 qui contiennent environ de 16 à 17% en poids de polymère solides dont la viscosité est de l'ordre de 50 & 70 poises. La Demanderesse a également observé qu'avec de telles solu tisons il était, préférable d'utiliser comme diluants des mélanges de NMP et dexylène. Le tableau III donne la composition des diluants utilisés pour la réalisation des solutions dont le résultat est donné dans le tableau rv. On remarque que la viscosité de ces solutions adhéquates pour obtenir les épaisseurs désirées est de llordre de 1000 à 2000 centipoises et treks différente de celle qui était nécessaire avec les solutions du corps de base A, pour obtenir les épaisseurs désirées. Les solutions S10, 813, S14, S15, ont donné des résultats excellents, supérieurs à ceux donnés par les autres solutions. Le recouvrement est complet, homogène, sans trous, cratères, ni grains. Une fois le lit déposé, le solvant peut également être évaporé au cours d'un recuit sous azote à une température inférieure à 175 OC, par exemple de 60 minutes à 100 OC ou mieux de 30 minutes à 150 C. On peut alors déposer un second lit qui adhère parfaitement au premier et ainsi de suite. Mélanges diluants du corps de base Il Appellation Nombre de parties Solution NMP Xylène B2 1 1 B3 1 1 2 B4 1 4 TABLEAU III Couches obtenues avec solution du corps de base II Appellation Type Diluant Nombre de parties Viscosité Epaisseur Solution Pyre ML utilisé Diluant Pyre ML brut en cp en m S5 RC 5Q44 B2 1 1 85 1,10 S6 1 2 270 1,35 87 1 4 1070 1,50 X8 B3 1 1 120 1,25 S9 1 Z 450 1,50 810 1 4 1350 1,65 811 B4 1 1 155 1,45 512 I 2 600 1,70 F13 i 4 1900 1,95 S14 C 5057 B2 1 4 1,60 815 B3 1 4 1,95 S16 B4 1 4 2,05 TABLEAU 1V Dans le présent exemple l'invention est mise en oeuvre en nettoyant préalablement des plaquettes circulaires d'un diamètre de 50 mm environ par un recuit à l'air sec ou sous azote sec d'une durée de 30 minutes à 200 OC. Ce recuit assure le nettoyage de surface nécessaire à une bonne adhérence sur la plaquette semiconductrice de la couche dans laquelle doit être créé le masque. Il est a remarquer que la Demanderesse a étudié l'adhérence des deux corps cités en exemple dans ce mémoire et qu'elle a observé que celle-ci était excellente sur les métaux, notamment sur l'aluminium et sur l'or et qu'elle était bonne sur le silicium et que, sur le nitrure de silicium et sur la silice, I'adhérence du corps de base A était meilleure que celle du corps de base B. La Demanderesse a observé également qu'il était important d'éliminer toute trace d'eau. Le recuit préconisé ci-dessus peut avantageusement être porté à une heure si nécessaire. L'adhérence s'améliore progressivement lors des différents traitements thermiques. L'adhérence du corps de base B sur l'oxyde de silicium devient bonne après un recuit prolongé à 400 OC. On crée ensuite séquentiellement une série de lits dont l'empilement constitue la couche dans laquelle est créé le masque. Comme il a déjà été dit ci-dessus, le dépôt s'effectue sur une tournette, appareil bien connu dans l'industrie des semiconducteurs ou il est généralement utilisé pour le dépôt des laques photosensibles. La plaquette qui doit recevoir le dépôt est fixée sur la tournette, par exemple par dépression. La Demanderesse a observé qu'il était préférable d'effectuer un dépôt de polymère sur la plaque en rotation lente (RL) de 500 à 1000 tours minute et de stabiliser ensuite le lit déposé par une rotation rapide (RR) de 2000 à 6000 tours minute.On verse donc d'abord une quantité suffisante de solution (ou plutôt un excès de celle-ci) que l'on laisse s'étaler sur la plaque en rotation lente (RL) pendant un temps suffisamment long (30 s) de façon à ce que la plaque soit recouverte d'une couche uniforme de polymère, puis on accé ibère progressivement la rotation et on laisse celle-ci se poursuivre pendant 1 minute et 30 secondes. L'excès de solution est éliminé par la force centrifuge à l'extérieur de la plaquette. Ce temps total de pelliculage est relativement long mais utile pour obtenir un lit homogène et stable qui permet de stocker la plaque avant le premier recuit Il est clair que c'est la conjonction de la valeur de la vis cosité et de la vitesse de rotation de la tournette, notamment quand celle-ci est en rotation rapide qui, pour un produit donné, règle l'épaisseur du lit déposé. Ceci n'est pas vrai d'un produit à un autre du fait des différences de polymérisation. Par exemple, pour une vitesse RL de 1000 tours minute, les épaisseurs en micromètres des lits déposés par les solutions S1 et S13 sont données pour une vitesse RL de 1000 tours minute et pour diverses valeurs de la vitesse RR, dans le tableau V cidessous. RR en tours 1800 2000 2800 4000 5000 6000 7000 minutes S1 2,8 2,5 2,3 S13 3,5 2,5 1,9 1,75 1,60 1,55 TABLEAU V On recuit alors sous azote la plaquette comme il a été dit ci-dessus de manière à éliminer le solvant du lit qui vient d'être ainsi créé. On crée alors de la même manière un second, un troisième, un quatrième et, éventuellement un cinquième lit par centrifugation et recuit. Ces lits adhèrent parfaitement au précédent et au suivant. C'est très précisément cette technologie qui donne la possi bilité d'obtenir des couches de plusieurs microns d'épaisseur qui procurent une solution satisfaisante au problème du masquage des particules énergétiques. L'épaisseur ainsi obtenue peut être sans difficulté de 10 micromètres et même de 20 micromètres. Ceci permet de faire des masques adéquats pour un bombardement de protons de 500 KeV à 1 MeV et même à 1,1 MeV. La profondeur de pénétration de tels protons dans ces corps est de l'ordre de 10 à 15 micromètres. Les épaisseurs qu'il est possible d'obtenir rendent ces masques suffisamment opaques et les corps considérés peuvent supporter les impacts d'un tel bombardement et la chaleur éventuelle que provoque un tel bombardement à fort flux sans se décomposer de ma nière catastrophique. Du fait que ces corps supportent des températures de 500 à 600 OC, on peut effectuer des bombardement et notamment des implantations à température élevée en chauffant le substrat.Ceci est vrai surtout Si le masque selon l'invention est utilisé uniquement pour llimplantation ou le bombardement. Par contre, si au cours des opérations, on veut ultérieurement utiliser le m#me masque pour d'autres opérations plus délicates, par exemple une opération de gravure que l'on souhaite fine, il est bon de se limiter à des températures de 300 à 400 OC par exemple, encore beaucoup plus élevées que celles que suppor tent. les laques photosensibles. Une fois déposés les lits en nombre suffisant pour constituer une couche de l'épaisseur désirée et une fois le dernier lit séché comme indiqué ci-dessus, on effectue la polymérisation par un recuit à une température plus élevée que celles qui ont pré cédemment été utilisées pour le séchage desdits lits. La polymérisation débute vers 180 OC pour le corps de base B (PML), vers 165 OC d'une façon moins nette pour le corps de base A (Nolimid). Pour le corps B on peut monter jusqu'à 400 OC ; pour le corps A la polymérisation n'est vraiment complète qu'à partir de 300 OC, La Demanderesse a observé qu'il était préférable d'effectuer cette polymérisation en deux étapes : une première étape de prépolymérisation et une seconde étape de polymérisation totale. La prépolymérisation peut s'effectuer à 200 OC ou 250 OC. Pour le corps A, la Demanderesse a finalement préféré au couple 200 OC pendant 120 minutes, le couple 250 OC pendant 60 minutes. Pour le corps B la réaction de polymérisation étant relativement rapide un recuit d'une heure à 250 OC ne se justifie éventuellement que par des raisons d'adhérence, La polymérisation totale et définitive a pour but de donner à la couche un état stable face à d'autres traitements éventuels et à l'agression possible d'agents chimiques. Le corps B étant très stable jusqu'à 400 OC, on peut utiliser la température de 400 OC pendant 30 minutes (la perte d'épaisseur est alors de 12%) ce qui est plus pratique que 350 OC pendant une heure. Pour le corps A, la plus grande stabilité se situe vers 350 OC et les meilleures conditions sont 350 OC pendant une heure. Tous ces recuits s'effectuent sous balayage d'azote sec. Les balayages utilisés ont été notamment de l'ordre de 3 1 minute pour le séchage, de 7 1 minute pour la prépolymérisation, de 5 1 minute pour la polymérisation. Selon le premier mode de réalisation de la présente invention, ladite couche 6 est gravée par attaque d'une solution diluée de base forte, soude ou potasse, ou par de l'hydrate d'hydrazine. L'hydrate d'hydrazine attaque à température ambiante les corps de base A et B mentionnés ci-dessus à la vitesse de 0,25 micromètre à la minute s'ils sont recuits à 250 OC, ce qui correspond à un temps de 8 à 10 minutes pour une épaisseur de 2 micromètres, et de 40 minutes à 1 heure pour une épaisseur de 10 micromètres. Cette vitesse est plus faible pour les polymères qui ont été recuits à 400 OC. Avec l'hydrate d'hydrazine, on utilise pour créer la couche de laque photosensible 7 représentée en figure 3a, une laque photosensible dite négative (c'est-à-dire une laque qui se polymérise sous l'influence des ultra-violets et dont on élimine la partie non exposée) plutôt qu'une laque positive (c'est-à-dire une laque qui se dépolymérise sous ltinfluence des ultra-violets et dont élimine la partie exposée), celle-ci étant attaquée par llhy- drate d'hydrazine ; les laques négatives résistent d'autant mieux à l'hydrate d'hydrazine qu'elles sont plus visqueuses : par exemple les laques Waycoat SC 180 et SC 450 bien connues pour la fabrication des semiconducteurs résistent convenablement, mais leur viscosité même empêche leur utilisation pour les géométries fines. Le pelliculage de la laque photosensible doit se faire sur polyimide sec sortant du traitement thermique ci-dessus ou d'un recuit de 30 mn. à 200 OC sous N2 sec. Pour le délaquage, il faut éviter les délaquages à base d'acide nitrique fumant ou de plasma d'oxygène car ils détruisent le polyimide. On utilise donc les solutions de délaquage douces bien connues de l'homme de l'art des semiconducteurs, à base de phénol et de perchloroéthylène, par exemple le 1,Micro-Strip" de chez Hunt Chemical, qui n'attaque pas le polyimide recuit à 200 OC. Le traitement bien connu consiste en une immersion de 10 minutes dans le "Micro-strip" à 90 - 5 OC. Avec une solution de soude tamponnée contenant 3 grammes de soude plus 30 grammes de phosphate de sodium (Na3P04, 12H20) dissous dans 1 litre d'eau, la vitesse d'attaque est relativement rapide, environ 4 micromètres par minute ; les laques peuvent être positives ou négatives. Par exemple, avec la laque positive AZ 1350 H, bien connue dans l'art des semiconducteurs et commercialisée par Schipley, et avec la laque négative Waycoat IC de 60 CP, également bien connue dans l'art des semiconducteurs et vendue par Hunt Chemical, de faibles viscosités, il est possible de réaliser des photos de géométrie assez fine. On ne peut employer avec ces laques les techniques classiques de délaquage à base d'acide nitrique fumant ou de plasma d'oxygène. On peut employer l'acétone pour la laque AZ 1350 OH et le "Microgtrip" pour la laque Waycoat. Puisque la composition de la solution de gravure ci-dessus est voisine de celle du révélateur de la laque positive déjà citee AZ 1350 H, il est commode d'utiliser une laque positive et d'effectuer en une seule opération la révélation de la laque et la gravure, ce qui réduit le nombre des opérations. Toutefois, si la couche 4 sous-jacente à la couche 6 est attaquable par la solution de gravure de soude tamponnée au phosphate de soude, il est nécessaire de veiller à ne pas dépasser le temps de gravure pour éviter la sous-gravure. On peut également tamponner la solution de soude avec du carbonate de sodium :l'attaque est plus lente, donc plus reproductible. Le dispositif avant gravure est représenté fig. 4a, l'éten- due 7a de la couche de laque 7 délimitant la nappe de la couche 6 à protéger pour constituer le masque. Ladite étendue 7a est disposée de manière adéquate par rapport à l'anneau 8 pour obtenir le résultat désiré décrit ci-dessous de répartition de l'anneau 8 sur la zone active et les zones détruites. Le dispositif après gravure est représenté figure Sa, la nappe 6d de la couche 6 constituant le masque. La figure 6a représente le dispositif après décapage lors du bombardement de protons représenté par les flèches F. Etant donné que des protons de 100 KeV pénètrent à une profondeur d'environ 1 iim, suivant l'epaisseur de la couche 4 comprise entre 5 et 10 micromètres, à laquelle il faut ajouter l'épaisseur de la couche 3, on utilise des protons d'une énergie comprise entre 500 KeV et 1,1 MeV. Le bombardement détériore le matériau des nappes 4a et 4b de la couche 4 et des nappes 3a et 3b de la couche 3, les rendant isolantes. Le masque 6d selon l'invention, d'une épaisseur de 15 à 18 micromètres protège totalement la nappe 3c de la couche 3 et la nappe 4c de la couche 4 à la surface de laquelle il repose. Par exemple, pour obtenir l'effet recherché il faut une dose de 1015 protons par cm2, ce qui peut s'obtenir au moyen d'un courant de 500 nanoamperes pendant 40 minutes Le masque en polyimide selon l'invention peut supporter cette dose sans subir grand dommage. Il est à remarquer que cette destruction pourrait être obtenue avec un bombardement d'ions oxygène. Après bombardement, le masque de polyimide 6d est éliminé par attaque au plasma d'oxygène. Dans la diode électroluminescente ainsi formée, représentée sur la figure 7, le courant ne pouvant traverser les nappes 3a et 3b de la couche 3, et 4a et 4b de la couche 4 devenues isolantes, la partie Sa de la jonction 5 au droit du masque 6d en polyimide est la seule active ; il n'y a donc aucune énergie perdue dans des régions dont la production lumineuse ne serait pas utilisée. On donne à cette partie Sa la dimension que l'on souhaite compte tenu de l'application envisagée pour la diode ainsi créée. Par exemple, si l'on veut adapter à cette diode une fibre optique de 100 micromètres de diamètre de coeur, on donne cette dimension au diamètre intérieur de l'anneau 8. Il est à remarquer que, dans l'exemple cité, on dispose le masque 6d de manière à ce qu'il déborde légèrement de l'anneau de contact 8. Ainsi, l'anneau 8 que la technologie actuelle ne permet pas de rendre aussi étroit qu'on le voudrait, repose en grande partie sur les nappes 4a et 4b de la couche 4. Seule la bande 8a, d'une largeur juste nécessaire pour assurer le contact, repose sur la nappe utile 4c de la couche 4 ; l'occultation de la lumière émise qu'il provoque est donc minimale et le rendement lumineux par rapport à l'énergie dépensée maximale. De plus, la destruction du réseau cristallin dans les régions des nappes 3a, 3b et 4a, 4b entrainant une certaine opacité ou au moins une diminution de la transparence de ces régions, introduit une meilleure localisation de la région luminescente. On a représenté sur la figure 7 la diode dlectroluminescente obtenue ; elle est rapide et efficace car elle est obtenue à partir d'une jonction épitaxique et non d'une jonction diffusée ; elle est localisée par le procédé selon l'invention. Dans le dispositif choisi comme exemple, l'injection est une injection d'électrons de la région 2 de type N dans la région 3 de type P de composition Ga 0,9 Al 0,1 As et la longueur d'onde de l'émission émise se situe pour les applications de transmission par fibres optiques dans la principale fenêtre de transparence des fibres (0,80-0,85 p) et pour les photocoupleurs correspond à une meilleure sensibilité des photorécepteurs en silicium épitaxial. La présence de deux réginns 4 et 2 à fort taux d'aluminium (30%), plus élevé que le taux d'aluminium (10%) de la couche 3, ce qui entraine une largeur de bande interdite de ces deux régions plus élevée que celle de la couche 3, confinant les porteurs dans cette couche 3, conduit à un rendement optimal d'électrolumines- cence. Le procédé selon l'invention permet de donner à l'ensemble des couches 3 et 4 une forte épaisseur de 10 à 15 vm, qui permet elle-même des fabrications de série. En effet, la dispersion d'épaisseur sur une couche épitaxiée est de l'ordre du micromètre si les couches utilisées ont elles-mêmes une épaisseur de l'ordre du micromètre, la variation relative d'épaisseur rend impossible toute fabrication de série. Par contre, si les couches utilisées ont elles-mêmes une épaisseur de l'ordre de 10 à 15 micromètres, la variation relative d'épaisseur est sans inconvénient et une fabrication de série devient possible. Avant la présente invention, le fait que l'épaisseur du masque était limitée, limitait l'épaisseur de la couche que l'on pouvait traiter par bombardement, et empêchait toute fabrication de série. Sur cette figure 7, on n'a pas tracé dans les régions 4c et 3c les hachures présentes sur les autres figures de manière à pouvoir y figurer des lignes de courant 13 partant de la partie 8a de contact de l'anneau 8 et s'épanouissant vers la région électroluminescente. On sait que le contact à une diode électroluminescente du côté où l'on extrait la lumière doit être petit pour éviter l'occultation En permettant de faire une région active plus éloignée de cette surface et des contacts par où l'on injecte le courant électrique la présente invention permet une meilleure répartition des lignes de courant dans les régions 3c et 4c, donc une homogénéité d'émission lumineuse (flèches L) accrue. Selon un second mode de réalisation de la présente invention, on effectue la gravure par plasma d'oxygene à travers une préforme métallique préalablement photogravée. Sur la figure 3b on a représenté en 12 la couche métallique dans laquelle est créée la préforme et en 17 la couche de laque photosensible permettant la création de cette préforme. Il est clair que la fonction de la couche de laque photosensible 7 utilisée dans le premier mode de réalisation dans lequel elle constitue la préforme elle-même, est différente de la fonction de la couche de laque photosensible 17 du second mode de réalisation où elle est utilisée comme intermédiaire en vue de la gravure de la préforme métallique 12d L'intérêt de ce mode de réalisation est dans la possibilité qu'il offre de permettre la gravure du polyimide complètement polymérisé après recuit à 400 OC, de pouvoir réaliser des ouver-tures très petites et de ne pas nécessiter de traitement thermique ultérieur. Il est applicable à tous les corps mentionnés dans ce mémoire comme constituants éventuels de la couche 6. Si l'on n'est pas gêné par la présence d'un réseau d'aluminium destiné à d'autres usages, on peut utiliser une préforme en aluminium. On attaque celle-ci avec de l'acide phosphorique chauffé à 40 OC qui n'attaque pas le polyimide recuit à 400 OC. La Demanderesse a établi qu'il était préférable d'utiliser une couche métallique constituée de plusieurs lits mEtall5igEeF superposés. Elle a notamment utilisé des couches constitu###s d'un premier lit 12a en chrome qui adhère au polyimide, suivi d'un lit 12b en nickel qui sert de lit intermédiaire et, enfin, d'un lit 12c en or qui résiste bien au plasma d'oxygène ce qui n'est le~ cas ni du chrome, ni du nickel. En effet, l'adhérence de > le polyimide peut être qualifiée de moyenne alors que celLe-du chrome est très bonne et celle du nickel est bonne. Ces trois lits représentés sur la figure 3b ne le sont pas sur les figures suivantes dans un but de simplification. Ces différents lits sont avantageusement déposes par évapora tion sous vide, le chrome étant chauffé par effet Joule et le nickel et l'or par bombardement électronique. Dans des expériences conduites par la Demanderesse, l'épaisseur du lit de chrome était de 0,1 micromètre, celle du nickel de 0,3 micromètre et celle de l'or de 0,1 micromètre. On peut passer du chrome au nickel progressivement, les deux lits de chrome et de nickel étant séparé s par un lit comportant à la fois du chrome et du nickel dans une proportion progressivement variable. On peut effectuer l'attaque de l'or avec une solution à base d'iode et d'acide borique, celle du nickel avec une solution à base d'acide nitrique et d'eau oxygénée et celle du chrome avec une solution à base d'acide sulfurique et de sulfate crique. La première et la troisième de ces solutions présentent vis-à-vis du polyimide une bonne inertie (ce qui est particulièrement important en ce qui concerne la troisème qui repose sur le polyimide) ; l'inertie vis-à-vis du polyimide de la solution d'attaque du nickel est passable. Il est à remarquer également que ces trois solutions (surtout la première et la troisième) possèdent vis-à-vis de l'aluminium une bonne inertie ce qui est important en raison de l'emploi de ce métal comme chemin de conduction et comme contact dans l'industrie des semiconducteurs. L'aluminium lui-mBme présentant une adhérence moyenne sur le polyimide, une bonne inertie au plasma d'oxygène et pouvant être gravé avec de l'acide phosphorique à 40 OC, acide qui présente une bonne inertie vis-à-vis du polyimide, peut être utilisé dans les cas où il n'est pas employé par ailleurs sur le même dispositif. Il est clair que d'autres métaux ou d'autres groupes de métaux présentant les qualités adéquates d'adhérence au polyimide, d'adhérence l'un à l'autre, d'inertie vis-à-vis du plasma d'oxy gene, d'inertie d'une solution de gravure vis-à-vis du polyimide et, éventuellement, d'un autre métal, notamment de l'aluminium, peuvent être utilisés. La figure 4b représente le dispositif après création par gravure de la couche 12, de la préforme 12d. Une fois cette préforme 12d créée, on effectue avec un plasma d'oxygène, la gravure du masque selon la présente invention. Pour mettre ce procédé en oeuvre, la Demanderesse a utilisé un appareil produit par la firme "International Plasma Corporation" dans lequel elle a établi une pression d'oxygène d'environ 7,5 X 10 3 Newton/m2. La vitesse d'attaque dépend des recuits qu'a subi le polyimide et de la puissance développée dans l'appareil ; elle est beaucoup plus grande pour le corps de base A que pour le corps de base B. A 300 W on élimine une épaisseur d'environ 4,5 micromètres en 5 minutes du corps de base A, et une épaisseur d'environ 2 micromètres du corps de base B en 20 minutes, ces deux corps ayant été recuits à 400 OC sous N2 pendant 30 minutes. A 500 W on élimine une épaisseur de 2 micromètres du corps de base B en 12 ou 13 minutes. Le plasma d'oxygène n'attaque ni l'arséniure de gallium, ni l'arséniure de gallium et d'aluminium et recouvre simplement les chemins d'aluminium d'une mince couche d'alumine qui s'élimine très facilement. La figure 5b représente le dispositif apres gravure dans la couche 6 de la nappe 6d qui constitue le masque selon la présente invention. Pendant l'opération de bombardement représentée figure 6b on peut avantageusement laisser subsister la préforme 12d. On peut aussi l'éliminer avant ,'opération de bombardement. On dissout la préforme 12d par les attaques chimiques déjà citées en veillant à ne pas détruire l'anneau métallique 8. Le masque 6d est ensuite éliminé comme il a été décrit cidessus par plasma d'oxygène. On obtient le dispositif représenté sur la figure 7 et décrit ci-dessus. Il est à remarquer que l'exemple décrit ci-dessus n'est en rien limité au GaAlAs et GaAs et que la présente invention s'applique en particulier chaque fois que l'on veut détruire ou détériorer la qualité d'un réseau cristallin notamment celle du réseau cristallin d'une couche épitaxique dans le but de localiser dans cette couche, une partie active. Cette invention est notamment applicable à l'émission lumineuse des semiconducteurs de type dit III-V dont de nombreux exemples existent. A titre d'autre exemple non exhaustif, on aurait pu avoir en 2 une couche de GaAlAs8b, en 3 une couche de GaAsSb et en 4 une couche de GaAlAs8b qui émet dans l'infra-rouge lointain. - REVENDICATIONS 1.- Procédé de réalisation d'un objet au cours duquel est effectué au moins un bombardement localisé de particules sur au moins une plage d'une face active dudit objet, caractérisé en ce que l'on cree sur ladite face active une couche constituée principalement d'un corps choisi parmi les polyimides, les polyamides imides, les polyimides modifiés par un amide, les acides polyamides, les polyamino-imides, ladite couche ayant l'épaisseur nécessaire pour arrêter ledit bombardement, en ce que l'on élabore sur cette couche une préforme comportant des ouvertures sur lesdites plages, en ce que, par lesdites ouvertures de ladite préforme, on élabore des fenêtres dans ladite couche pour constituer un masque, en ce que l'on effectue ledit bombardement, et en ce que l'on achève ledit objet. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit corps est un acide polyamide comportant la répétition de l'élément structural dans lequel - représente une isomérie, Q1 est un radical organique tétravalent contenant au moins deux atomes de carbone, un maximum de deux groupes carbonyles dans chaque élément structural étant rattaché à un atome de carbone quelconque dudit radical tétravalent, et D1 est un radical divalent contenant au moins deux atomes de carbone, les groupes amides de liaison entre des éléments structuraux adjacents étant fixés à des atomes de carbone séparés dudit radical tétravalent et dans lequel nl est un nombre entier suffisamment élevé pour que ledit acide polyamide ait une viscosité au moins égale à 0,1 et de préférence comprise entre 0,3 et 30 dans un solvant convenable. 3.- Procédé selon la revendication I, caractérisé en ce que ledit corps est un polyimide ayant une formule comportant la répétition de l'élément structural dans lequel w représente une isomérie, Q2 est un radical organique tétravalent contenant au moins deux atomes de carbone, un maximum de deux groupes carbonyles dans chaque élément struc tural etant rattaché à un atome de carbone quelconque dudit radical tétravalent et D2 est un radical divalent contenant au moins deux atomes de carbone. 4.- Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le radical Q2 contient au moins un cycle non saturé de six atomes de carbone de type benzénique, les quatre radicaux carbonyles étant unis directement à des atomes de carbone distincts d'un cycle benzénique hexagonal du radical Q2 et les deux autres radicaux carbonyles de chaque paire étant unis à des atomes de carbone adjacents d'un cycle du radical Q2. 5.- Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que Q2 est un cycle benzénique et D2 un oxydiphényle de formule 6.- Procédé selon l'une des revendications 3, 4 et 5, carac terse en ce que, à partir d'un prépolymère constitué à partir d'une solution d'un desdits acides polyamides dans un solvant polaire on crée au moins partiellement ladite couche et en ce que ultérieurement, par chauffage, on chasse le solvant polaire et on élimine des molécules d'eau dudit acide polyamide pour obtenir le polyimide. 7.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en-ce que ce corps est un polyimide modifié par un amide comprenant notamment la répétition de l'élément structural n3 est un nombre entier d'au moins 5, D3 est un radical divalent amide comprenant toujours au moins le radical Q3 représente un radical tétravalent comportant au moins un noyau benzénique. 8.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ce corps est un polyimide modifié par un amide comprenant notamment la répétition de l'élément structural n3 est un nombre entier d'au moins 5, Q3 est un cyclohexane, D3 est le radical 9.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ce corps comporte des polyamides imides de formule générale dans laquelle :D4 désigne la liaison de valence simple ou un radical organique divalent comportant de 1 à 24 atomes de carbone, Q4 désigne un radical tétravalent de formule générale dont les deux atomes de carbone sont reliés d'une part, chacun à l'un des deux radicaux carbonyles de la fonction imide par l'intermédiaire des radicaux R4 et R4, l'un desdits atomes étant de carbone,d'autre part, relié à l'atome d'hydrogène et l'autre desdits atomes de carbone étant relié à la fonction amide, lesdits radicaux R4 et R4 représentant H, CH3, ou Cl et étant reliés l'un à l'atome d'hydrogène et l'autre à la fonction amide, D4 désigne un radical organique divalent possédant au moins deux atomes de carbone, n4 peut représenter un nombre de zéro à 12, E et E' identiques ou différents représentent un radical de formule ou encore et qui contiennent de 0,5 à 50 radicaux cal D4. par radi 10.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ce corps comporte des polyamines à groupements imides et notamment de polyamines à groupements imides répondant essentiellement à la formule générale dans laquelle les groupements Q5 sont reliés aux groupements NH, a et b sont des nombres allant de 2 à 6 environ, c et d représentent chacun un nombre égal à 1, la somme c + d ne dépassant pas 6 environ, n5 est un nombre de 1 à 12 environ, n'5 est nulou festin nombre inférieur à Il environ, n"5 est un nombre compris entre 2 et 50, les nombres a, b, c, d, n5, n'5, n"5 étant tels que an5 = bn'5 + cng et que le rapport rieur à 1 et ne dépasse pas 2, soit supé R'5 désigne un radical organique de valence a dérivant d'un polyimide insaturé de formule générale : R5 désigne un radical organique de valence b dérivant d'un#poly- amide de formule générale R5 (NH2)b, R5 et R'5 pouvant notamment représenter un radical divalent tel qu t un radical alcoylène linéaire ou ramifié, ou un radical aromatique tel qulun radical phénylène ou cyclohexylène, et dans laquelle formules désigne l'un des radicaux de dans lesquels R"5 ou R5'''représentent H, CH3 ou Cl. 11.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche est constituée principalement de polyamides imides comportant la répétition de l'élément structural dans lequel T1 représente un radical organique trivalent comportant au moins deux atomes de carbone et D6 représente un radical divalent ne comprenant que des atomes d'hydrogène de carbone, d'azote, de soufre et d'oxygène contenant au moins deux atomes de carbone, et n6 est un entier de 40 à 50 000. 12.- Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ledit radical D6 est le radical divalent dans lequel R6 représente le radical méthylène - CH2 - ou un atome d'oxygène et n6 est un entier compris entre 40 et 15 000. 13.- Procédé selon l'une des revendications 11 et 12, caractérisé en ce que T1 est un noyau benzénique, les deux groupes carbonyles étant en position ortho l'un par rapport à l'autre. 14.- Procédé selon l'une des revendications 11 et 12, caractérisé en ce que T1 comporte deux noyaux benzéniques réunis par un radical carbonyle 15.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche est constituée par des polyimides obtenus à partir d'au moins un NN' bisimide d'un acide dicarboxylique non saturé de formule générale dans lequel B et B' sont des radicaux organiques divalents et B contient au moins une double liaison carbone-carbone. 16.- Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que ledit radical B est le radical maléique. 17.- Procédé selon l'une des revendications 15 et 16, caractérisé en ce que le radical B' comprend plusieurs atomes de carbone, et en ce que lesdits polyimides résultent d'un chauffage dudit bisimide dudit acide dicarboxylique non sature. 18.- Procédé selon l'une des revendications 15 et 16, caractérisé en ce que ledit polyimide résulte d'une réaction comportant au moins l'action d'au moins un desdits NN' bisimides d'un acide dicarboxylique non saturé sur au moins une diamine primaire de formule générale H2N - Ai - NH2 A1 étant un radical divalent ne possédant pas plus de 30 atomes de carbone. 19.- Procédé selon au moins l'une des revendications 15, 16 et 17, caractérisé en ce que ledit corps est un polyaminobismaléimide de formule générale dans laquelle B1 est un radical bivalent constitué de deux cycles benzéniques reliés par le radical CH2 qui résulte de l'action d'une diamine primaire sur le NN' bisimide de l'acide maléique, notamment en présence d'un excès de diamine. 20.- Procédé selon l'une des revendications 18 et 19, caractérisé en ce que, à partir d'un polymère de départ obtenu par chauffage d'un prépolymère résultant du mélange dudit bisimide et de ladite diamine, dans un solvant on crée, au moins partiellement, ladite couche, et en ce que, ultérieurement, par chauffage, on chasse le solvant et on achève le durcissage des polyimides. 21.- Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que ledit polyimide résulte d'une action comportant au moins l'action d'au moins un desdits NN' bisimides d'un acide dicarboxylique non saturé sur au moins une polyamine de formule générale A2(NH2)x, x étant un nombre supérieur à 2, A2 étant un radical organique de valence 2 comportant 3 à 5 groupements NH2 par molécule, porté par au moins un noyau benzénique et en ce que l'on ajoute au mélange intime dudit bisimide et de ladite polyamine un polyesther insaturé avant de procéder au chauffage. 22.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits polyimides résultant d'une action entre une d'une part des oligomères à groupements imides de formule générale dans laquelle 3 représente un nombre allant de 0,1 à 2 environ1 R11 désigne un radical hydrocarboné divalent ayant de 1 à 8 atomes de carbone qui dérive d'un corps ayant une fonction cétone ou une fonction aldhyde de formule générale R11 = O dans laquelle l'atome d'oxygène est lié à un atome de carbone du radical R11, B11 est un radical éthylénique divalent et d'autre part, au moins une polyamine de formule générale A2(NH2)x, x étant un nombre supe- rieur à 2 et A2 un radical organique de valence 2 comportant de préférence 3 à#5 groupements NH2 par mô#lécule, porté par aumôins un noyau benzénique. 23.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits polyimides résultent de la condensation de monomères contenant des moyaux aromatiques liés entre eux par des enchaînements carbinols libres ou substitués, lesdits monomères possédant à la fois des fonctions amines libres ou acylées et des centres fonctionnels acide o dicarboxylique, anhydride o dicarboxylique, o carboxyesther ou o diester susceptibles de réagir sur les aminés pour donner des cycles imides. 24.- Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce que ces corps sont obtenus à partir de monomères difonctionnels dont la formule générale est dans lequel Y représente un atome d'hydrogène ou un atome d'hydrogène plus un hydracide ou encore un radical acyle, R12 est un atome d'hydrogène un reste alcoyle, acoylcarbonyle, aryle, arylcarbonyle, alcoyle arylimino carbonyle ou triméthyl silyle, R'12 et R"12 sont des atomes d'hydrogène, des radicaux alcoyles, alcoxy-alcoyles, hydroalcoyles ou aryles, B2 est un radical aromatique divalent, homocyclique ou hétérocyclique, les deux valences étant situées sur des atomes de carbone distincts, T2 représente un radical aromatique trivalent homocyclique ou hétérocyclique, les trois valences étant situées sur des atomes de carbone distincts deux de ces valences étant obligatoirement en position ortho l'une par rapport à l'autre. 25.- Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce que ces corps sont obtenus à partir des monomères difonctionnels dont la formule générale est dans lequel Y, B2, T2 et R12 ont la même signification que dans la revendication 24. 26.- Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce que ce corps est obtenu à partir du monoesther méthylique de l'acide aminobenzhydrol dicarboxylique de formule 27.- Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que la polycondensation est partiellement effectuée avant le dépôt et en ce qu'elle est achevée ultérieurement par chauffage de la couche déposée. 28.- Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que ce corps est utilisé sous forme de solution dans la N-méthyl pyrrolidone. 29.- Procédé selon la revendication 28, caractérisé en ce que ladite solution est diluée avec une cétone. 30.- Procédé selon la revendication 29, caractérisé en ce que ladite cétone est de l'acétone. 31.- Procédé selon les revendications 5 et 6, caractérisé en ce que ledit corps est en solution dans un mélange de N-méthyl pyrrolidone et d'un hydrocarbure. 32.- Procédé selon la revendication 31, caractérisé en ce que ledit hydrocarbure est du toluène. 33.- Procédé selon l'une des revendications 31 et 32, caractérisé en ce que on ajoute à ladite solution du xylène en tant que diluant. 34.- Procédé selon l'une des. revendications 6, 20 et 27, carac térisé en ce que ledit chauffage est effectué en deux temps, le premier temps étant à une température inférieure à celle du second temps. 35.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 34, caracteri- se en ce que ladite couche est composée de plusieurs lits déposés successivement, chaque lit étant traité par chauffage avant le dépôt du lit suivant. 36.- Procédé selon l'unè des revendications 1 à 35, caractérise en ce que le dépôt de chaque lit est effectué par centrifugation sur une tournette. 37.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 36, caractérise en ce que ladite préforme est une laque photosensible. 38.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 36, caractérise en ce que ladite préforme est métallique. 39.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 36, caractérise en ce que ladite préforme est un composé déposé à basse température. 40.- Procédé selon l'une des revendications 37 à 39, caractérisé en ce que la gravure est effectuée par attaque chimique par une solution basique. 41.- Procédé selon l'une des revendications 38 et 39, caractérisé en ce que la gravure est effectuée par attaque par plasma d'oxygène. 42.- Procédé selon la revendication 38, caractérisé en ce que la solution basique est une solution diluée d'une base forte. 43.- Procédé selon la revendication 38, caractérisé en ce que la solution basique est une solution concentrée d'hydrate d'hydrazine. 44.- Procédé selon la revendication 37, caractérisé en ce que ladite préforme est en une laque positive et en ce que la gravure de la préforme et la gravure dudit masque dans ladite couche sont effectues en une seule opération avec une solution de base forte transparente. 45.- Procédé selon l'une des revendications précédentes, carac térisé en ce que lesdites particules sont des ions. 46.- Procédé selon la revendication 45, caractérisé en ce que lesdites particules sont des protons. 47.- Procédé selon l'une des revendications précédentes, carac térisé en ce que ledit objet est chauffé pendant ledit bombardement. 48.- Procédé selon l'une des revendications précédentes, carac térisé en ce que ledit bombardement est #constitué de protons d'une énergie comprise entre 0,1 et 1,5 MeV. 49.- Objet, caractérisé en ce que, au cours de sa fabrication, une de ses faces actives a subi un bombardement de particules localisé par un masque constitué principalement d'un corps choisi parmi les polyimides, les polyamides imides, les polyimides modifiés par un amide, les acides polyamides, les polyaminoimides selon au moins l'une des revendications 1 à 45. 50.- Objet selon la revendication 49, caractérisé en ce que il comporte des régions dont la structure cristalline a été modifiée par ledit bombardement alors que au moins une autre région était protégée par ledit masque 51.- Dispositif semiconducteur monocristallin selon la revendication 50, caractérisé en ce qu'il est électroluminescent de type épitaxique, et en ce que ladite région protégée est la région électroluminescente. 52.- Dispositif électroluminescent selon la revendication 47, caractérisé en ce que ladite région luminescente est à une distance de la face active supérieure à 2 micromètres.