FR 2375718 A1 19780721 FR 7639159 A 19761227 La présente invention concerne un dispositif semiconducteur à réseau d'interconnexions multicouche comprenant,#disposées successivement sur la face active d'une plaquette semiconductrice, une première couche en une substance isolante, une première nappe de bandes conductrices, une deuxième couche en une substance isolante, puis une deuxième nappe de bandes conductrices, des bandes conductrices de ladite deuxième nappe venant en contact localement avec des bandes conductrices de ladite première nappe selon des plages de contact s'étendant dans des ouvertures pratiquées dans ladite deuxième couche. L'invention concerne essentiellement la réalisation de réseaux d'interconnexions dans des circuits intégrés. La grande densité des-zones de contact présentes sur la face active d'une plaquette de circuit intégré, liée au grand nombre d'éléments actifs et passifs créés dans une telle plaquette, oblige parfois, pour pouvoir réaliser toutes les liaisons nécessaires entre lesdites zones de contact et aussi toutes les sorties nécessaires vers ltextérieur, à constituer un réseau d'interconnexions multicouche; un tel réseau comprend, le plus souvent, deux nappes de bandes conductrices, une nappe inférieure et une nappe supérieure, par exemple en aluminium,- superposées sur la face active de la plaquette en partie protégée (sauf en regard des zones de contact) par une première couche de substance isolante, par exemple une couche d'oxyde de silicium, ou de nitrure de sili sium, ou bien encore d'alumine, lesdites nappes étant séparées l'une de 11 autre par une deuxième couche en cette même substance isolante. Des contacts sont établis, ici et là, entre des bandes conductrices appartenant chacune des deux nappes, ceci à travers des ouvertures gravées dans la couche isolante qui les sépare. Ces ouvertures, en langage technique spécifique, sont désignées sous l'appellation de "vias". L'établissement de contacts électriques entre les bandes conductrices des deux nappes paraît être chose simple, en première analyse. Il suffit, en effet#, de graver des ouvertures dans la deuxième couche isolante en des endroits prévus situés au-dessus de bandes conductrices de-la nappe inférieure, de faire un dépôt métallique sur l'ensemble de ladite deuxième couche isolante et dans lesdites ouvertures, eta enfin, de graver dans ce dépôt les bandes conductrices formant la nappe supérieure, certaines de ces bandes pénétrant dans les ouvertures et établissant ainsi des contacts électriques avec les bandes sous-jacentes.Soit donc un ensemble d'opérations mettant en jeu des techniques de réalisation de masques, de gravure à travers ces masques, de dépôt, qui sont maintenant bien maîtrisées, et qui ne devraient pas,semble-t-il, causer de difficultés. De fait, les difficultés sont minimes dans la mesure où les bandes conductrices sont relativement larges par rapport aux dimensions des ouvertures. Dans ce cas, une ouverture, même décentrée par rapport à la surface en regard de deux bandes conductrices qu'elle met en contact, reste inscrite intégralement dans cette surface. Pour parvenir plus aisément à ce résultat il est même prévu, dans certains circuits intégrés à relativement faible densité d'occupation des surfaces disponibles, d'accroître la largeur des bandes conductrices aux endroits des ouvertures en créant des plages de recouvrement. Les difficultés deviennent sérieuses, au contraire, lorsque, par suite de la densification toujours plus poussée des circuits intégrés, le nombre des bandes conductrices par unité de surface des plaquettes doit s'élever, ce qui conduit à réduire la largeur et-le pas de répartition desdites bandes dans chaque nappe. En effet, on ne peut réduire proportionnellement les dimensions des ouvertures > et le centrage desdites ouvertures devient de plus en plus aléatoire.Pratiquement, on constate qu'il n'est pas possible industriellement, c'est-à-dire de façon reproductible et par les moyens ordinaires de la photogravure chimique , de graver dans une couche isolante de 0,5 à 1 pm d'épaisseur, des ouvertures dont les cotés ou bien les diamètres, en supposant que ces ouvertures aient une forme, ou sensiblement carrée ou-sensiblement circulaire, soient plus petits que 5 à 6 Vm. Avec des bandes conductrices d'une largeur comprise entre 6 et 8 pm - ce qui tend devenir le cas - il est clair que les ouvertures risquent alors d'être décalées, pour la plupart, par rapport, -soit aux unes, soit aux autres, des bandes conductrices dont elles doivent permettre le contact, soit, le plus souvent, par rapport aux unes et aux autres; ceci étant lié aux incertitudes inévitables de réalisation et de positionnement des masques utilisés pour les gravures, de la deuxième couche isolante d'une part, des dépôts métalliques dans lesquels sont découpées les bandes conductrices des deux nappes d'autre part. Dans l'hypothèse où, par exemple~ une ouverture, correctement située à l'intérieur des limites de largeur d'une bande conductrice de la première nappe, se trouve en partie décalée-par rapport à l'emplacement futur d'une bande conductrice de la deuxième nappe devant pénétrer dans ladite ouverture, on ne peut éviter, lors de la gravure du dépôt métallique dans lequel sont découpées les bandes conductrices de ladite deuxième nappe, d'attaquer en même temps ladite bande conductrice de la première nappe et de provoquer peut-être ainsi sa coupure, au moins partielle. Dans une autre hypothèse où, par exemple, l'emplacement d'une ouverture, sur le masque utilisé pour la gravure de la deuxième couche isolante, est décalé transversalement par rapport# à la bande conductrice sous-jacentè et, de ce fait, déborde des limites de largeur de ladite bande, on risque, durant la gravure de cette ouverture, d'attaquer également la première couche isolante, deréduire ainsi ltépaisseur de cette couche isolante, d'aller même jusqu'à dénuder localement la plaquette; ce qui entraîne soit une diminution de la qualité de l'isolement entre ladite plaquette et la bande conductrice de la deuxième nappe appelée à pénétrer ultérieurement dans l'ouverture, soit un court-circuit entre ces deux derniers éléments.De plus, une a#ttaque locale de la première couche isolante entraîne une dénivellation importante sur le parcours de ladite bande conductrice de la deuxième nappe qui peut causer une rupture de cette dernière. L'hypothèse n'est pas à écarter, bien entendu, de conditions particulièrement défavorables où les deux types de décalages signalés précédemment sont réunis à l'endroit d'une même ouverture. Les bandes conductrices de la première nappe sont alors vulnérables sur leur tranche et subissent une dégradation accélérée favorisant leur coupure. Dans le cas extrême où la largeur des b-andes conductrices serait réduite au point que cette largeur serait systématiquement inférieure aux dimensions des ouvertures - ceci en raison d'un nouveau pas possible dans le sens d'une densification des circuits intégrés - il est clair qu'il y aurait risque de mauvais isolement, de court-circuit et de coupure, tels que vu ci-dessus, à ltendroit de chaque ouverture, même si ces ouvertures étaient parfaitement situées par rapport aux bandes conductrices. La présente invention a notamment pour but d'éviter que des mauvais isolements, des court-circuits, des coupures de circuits, prennent naissance a la faveur de l'établissement de contacts entre bandes conductrices de dispositifs semiconducteurs à réseaux d'interconnexions multicouches. L'invention vise en cela à faciliter la réalisation de eircuits intégrés à forte densité d'intégration. Selon l'invention, un dispositif semiconducteur à réseau a' interconnexions multicouche comprenant, disposées successivement sur la face active d'une plaquette semiconductrice, une première couche en une substance isolante, une première nappe de bandes conductrices, une deuxième couche en une substance isolante, puis une deuxième nappe de bandes conductrices, des bandes conductrices de ladite deuxième nappe venant en contact localement avec des bandes conductrices de ladite première nappe selon des plages de contact s'étendant dans des ouvertures pratiquées dans ladite deuxième couche, est notamment remarquable en ce que, d'une part l'une au moins desdites plages de contact a une aire inférieure à l'aire de l'ouverture correspondante, d'autre part les bandes conductrices de ladite deuxième nappe sont, au moins superficiellement, sur leur face tournée en regard de ladite plaquette semiconductrice, en un matériau qu'il est possible d'éliminer sélectivement par rapport aux bandes conductrices de ladite première nappe, enfin lesdites substances isolantes sont choisies telles que ladite deuxième couche peut être éliminée sélectivement par rapport à ladite première couche L'invention procure deux avantages importants. D'abord, elle permet de simplifier la fabrication du réseau d'interconnexions multicouche, en rendant les tolérances de positionnement des masques de gravure moins étroites et le respect des temps de gravure moins strict, tout en accroissant les chances d'obtenir des rendements de fabrication intéressants.D'autre part et surtout, elle permet-de réduire la largeur des bandes conductrices en-deçà de celle des ouvertures, d'où la possibilité de réduire également le pas de répartition desdites bandes conductrices et d'augmenter ainsi très efficacement la densité de répartition des circuits dans les limites données d'une plaquette semiconductrice. La disposition prévue par l'invention, concernant les matériaux constitutifs des bandes conductrices, permet d'écarter tout risque de coupure ou de dégradåtion~de bandes conductrices de la première nappe durant la gravure des bandes conductrices de la deuxième nappe aux endroits des ouvertures. Ceci, dans le cas d'imperfection(s) de réalisation ou de mise en place, soit du-masque utilisé précédemment lors de la gravure desdites ouvertures, soit du masque de gravure desdites bandes conductrices de la deuxième nappe; dans le cas, aussi, où les ouvertures sont systématiquement plus larges que les bandes conductrices. Dans ces deuxcas, les aires des plages de contact entre bandes conductrices sont obligatoirement inférieures à celles des ouvertures correspondantes, comme il est envisagé dans l'invention. La disposition dont il est question sous-entend, en effet, que l'agent de gravure mis en oeuvre pour éliminer les lits profonds du dépôt métallique dans lequel sont créées les bandes conductrices de la deuxième nappe est pratiquement sans action sur les bandes conductrices de la première nappe. Aussi, ces dernières restent-elles indemnes, mème si le temps- imparti pour la gravure desdites bandes conductrices de la deuxième nappe est incidemment dépassé; d'où l'avantage supplémentaire d'une surveillance moins étroite de l'opération de gravure et, corrélativement, une fabrication plus aisée du dispositif. Cette première disposition prévue par l'invention est d'une grande souplesse d'application. Il est, en effet, permis un large choix parmi les matériaux susceptibles dtetre utilisés pour constituer chaque nappe de bandes conductrices, tout en respectant les exigences de propriétés m#écaniques, électriques et chimiques indispensables à l'établissement et à la conservation de bons contacts et de bonnes liaisons électriques. Par exemple, les matériaux retenus pour former les bandes conductrices, tant de la première nappe que de la deuxième nappe, peuvent être des éléments simples sur 21' entière épaisseur desdites bandes. Ce peut être aussi des alliages. On peut choisir également des couches de métallisatien à plusieurs niveaux, formées de dépôts successifs de métaux simples pris isolément, ou encore par couples. Quelle que soit la solution retenue, il faut, pour satisfaire. à l'invention, que le métal ou les métaux présents superficiellement sur la face tournée vers la plaquette des bandes conductrices dé la deuxième nappe - c'est-à-dire le métal ou les métaux elimi- nés en dernier lieu lors de la gravure du dépôt métallique dans lequel sont découpées les bandes conductrices de la deuxième nappe ne figurent pas dans l'épaisseur des bandes conductrices de la première nappe, sauf peut-être sous une forme alliée leur conférant une certaine immunité vis-à-vis de l t agent de gravure alors utilisé. De façon préférentielle, pour un dispositif élaboré sur une plaquette de silicium, il est souhaitable d'utiliser l'aluminium, ou l'alliage aluminium-silicium, ou encore l'alliage aluminiumsilicium-cuivre, comme matériau unique constitutif des bandes conductrices de la première nappe. Ce métal ou ces alliages, entre autres qualités bien connues, absorbent, en effet, plus aisément que d'autres métaux ou alliages, les contraintes mécaniques qui apparaissent dans les réseaux d'interconnexions multicouche. Pour matériau de la deuxième nappe de bandes conductrices, on choisit alors, avantageusement, une couche de métallisation à plusieurs niveaux, soit, par exemple, une couche formée, à partir de la base, de dépôts successifs de titane, de platine et d'or (Ti-Pt- Au).Il est connu que, dans une telle couche de métallisation, le titane joue le rôle d'élément de liaison avec les surfaces conductrices et isolantes sous-jacentes (en l'occurrence les surfaces en aluminium ou en un alliage d'aluminium dans les ouvertures, et la surface de la deuxième couche isolante, par exemple en oxyde de silicium ou en nitrure de silicium, sur laquelle reposent les bandes conductrices de la deuxième nappe), le platine est l'élément intermédiaire isolant le titane de l'or afin d'éviter la formation d'un composé entre ces deux derniers métaux, et ltor est l'élément assurant la conduction électrique, sur lequel on peut souder des connexions extérieures. Il est d observer que l'or et le platine peuvent être attaqués sélectivement par rapport au titane. Durant la gravure de l'or et du platine du dépôt à trois niveaux de Ti-Pt-Au, le titane forme un écran de protection devant l'aluminium éventuellement vulnérable dans les ouvertures pratiquées dans la deuxième couche isolante. Le titane peut être ensuite éliminé sélectivement par rapport à l'aluminium, donc sans danger pour ce dernier. Le métal, ou l'un des métaux présents dans les bandes conductrices de la première nappe peut être aussi présent dans la couche de métallisation à plusieurs niveaux constituant les bandes conductrices de la deuxième nappe, à condition que, dans ladite deuxième nappe, il ne soit pas.en contact direct de ladite première nappe. Ainsi#, par exemple, les bandes conductrices de la première nappe étant en aluminium (ou en des alliages soit Al/Si, soit -Al/Si/Cu) la couche de métallisation des bandes c#nductrices#de la deuxième nappe peut être formée, en partant de la base-, d'un lit en un alliage de titane et de tungstène,- puis d'un lit d'aluminium. En effet, lorsque l'aluminium de cette couche est attaqué, l'aluminium des bandes conductrices de la première nappe est alors protégé de l'agent de gravure par un écran de titane/tungstène. La disposition selon l'invention, qui prévoit la possibilité d'éliminer sélectivement la deuxième couche en une substance isolante sans toucher à la première couche également en une subs- tance isolante, a pour objectif d'écarter tout-risque de dégradation de ladite première couche aux endroits des ouvertures pratiquées dans la deuxième couche, durant la gravure desdites ouvertures. On a vu, en effet, que la première couphe peut alors se trouver découverte, soit accidentellement, en raison d'imperfec- tions dans la réalisation ou le positionnement de masques concourant à l'élaboration de la structure, soit inévitablement, s'il n'est pas possible de faire que les ouvertures aient une largeur inférieure à celle des bandes conductrices.Si lesdites substances isolantes sont choisies telles que l'agent- de gravure de.la deuxième couche ne puisse attaquer la première couche, on est assuré que la plaquette semiconductrice demeurera bien protégée par la première couche en une substance isolante et qu'il ne pourra se produire de contact indésirable entre ladite plaquette et les bandes conductrices de la deuxième nappe lors la création de ces dernières. La première couche en une substance isolante est faite, par exemple, d'oxyde de silicium, tandis que la deuxième couche est faite de nitrure de silicium, ou inversement. La description qui va suivre en regard des dessins annexés, fera mieux comprendre la nature du perfectionnement apporté par l'invention à la réalisation de dispositifs semiconducteurs à réseaux d'interconnexions multicouches. La figure 1 représente, vu en élévation, un fragment d'un réseau d'interconnexions à deux nappes de bandes conductrices, réseau dans lequel apparaissent des décalages de positionnement entre lesdites bandes conductrices et des ouvertures destinées à permettre des contacts entre certaines de ces bandes conductrices. La figure 2 est une vue en coupe transversale selon la ligne Il-Il de la figure 1. La figure 3 montrej selon une vue en élévation, la région d'un contact entre deux bandes conductrices d'un réseau d'interconnexions à deux nappes, la largeur desdites bandes conductrices étant inférieure à celle de l'ouverture de contact. La figure 4a est une vue en coupe transversale, selon la ligne IV-IV de la figure 3, qui met en lumière un premier défaut susceptible d'affecter une structure multicouche à l'endroit des ouvertures de contact dans le cas où celle-ci est réalisée selon l'art antérieur. La figure 4b montre, selon une vue en coupe transversale également définie par la ligne IV-IV de la figure 3, comment ledit premier défaut est évité dans le cas où ladite structure multicouche est réalisée conformément à l'invention. La figure 5a est une vue en coupe transversale, selon la ligne V-V de la figure 3, qui souligne un second défaut susceptible d'affecter une structure multicouche à l'endroit des ouvertures de contact, dans le cas où cette structure multicouche est réalisée selon l'art antérieur. La figure 5b montre, selon une vue en coupe transversale également définie par la ligne V-V de la figure 3, comment ledit second défaut est évité dans le cas où ladite structure multicouche est réalisée conformément à l'invention. Il est à noter que, sur les figures, les proportions dimen sionnelles correspondant à la réalité ne sont pas respectées; notamment les épaisseurs des différentes couches ont été volontairement exagérées, ceci dans le but de faciliter la lecture des dessins. Sur la face active 10a d'une plaquette semiconductrice dont une partie 10 est représentée#sur la figure 1-- plaquette dans laquelle ont été créés, par exemple, des éléments actifs et passifs d'un circuit intégré, non dessinés sur la figures - a été constitué un réseau d'interconnexions multicouche dont huit des bandes conductrices apparaissent sur ladite figure 1. Une première nappe de bandes conductrices, située à un premier niveau de hauteur par rapport à la plaquette, comprend notamment les bandes conductrices 11, 12; 13 et 14. Une deuxième nappe de bandes conductrices, située à un deuxième niveau de hauteur plus élevé que ledit premier niveau par rapport à la plaquette, comprend notamment les bandes conductrices 15, 16, 17 et 18. Lesdites bandes conductrices sont disposées, à chaque niveau, parallèlement les unes aux autres. Par ailleurs, les bandes conductrices de la première nappe et celles de la deuxième nappe sont sensiblement perpendiculaires les unes aux autres. Une telle disposition générale n'est pas strictement obligatoire, mais elle correspond au type de structure ~ le plus souvent réalisé en ce domaine. La première nappe de bandes conductrices - en particulier, les bandes conductrices 11, 12, 15 et 14 - repose sur une première couche 19 en une substance isolante (voir fig. 2). Dans cette couche 19 sont prévues des ouvertures (dont aucune n'a été dessinée afin de ne pas compliquer inutilement les figures), par lesquelles les bandes conductrices de la première nappe assurent des prises de contacts sur les éléments actifs et passifs du circuit intégré sous-jacent. Les bandes conductrices de la première nappe sont isolées des bandes conductrices de la deuxième nappe, sau#f aux endroits prévus pour des liaisons entre bandes de ces deux nappes, par une deuxième couche 20 en une substance isolante. Dans la deuxième couche 20 en une substance isolante ont été creusées des ouvertures au travers desquelles des bandes conductrices de la deuxième nappe viennent prendre contact sur des bandes conductrices de la première nappe. Quatre de ces ouvertures, 21, 22, 23 et 24 ont été dessinées sur la figure 1 (leur contour est tracé en trait tireté court). Ces ouvertures sont supposées avoir une forme sensiblement carrée, bien qu'une telle forme car rée n'ait rien d'impératif. Sur ladite figure 1, on voit que la surface de chacune des ouvertures 21 à 24 est seulement un peu inférieure à celle de la surface en regard de deux bandes conductrices des première et deuxième nappes qui se croisent. Comme il a été signalé dans la première partie du présent mémoire, cette situation est liée à une augmenta#tion toujours plus poussée de la densité d'intégration dans les circuits intégrés, qui fait que la largeur des bandes conductrices tend à devenir du même ordre et même plus petite que celle des ouvertures de contact. Aussi, estil impossible d'obtenir - compte tenu des: inévitables erreurs liées à la réalisation et au positionnement des masques de gravure - que toutes les ouvertures se situent intégrlement à l'intérieur des surfaces respectives de croisement des bandes conductrices concernées.Des décalages peuvent se produire, dont les cas types ont été réuni adans les exemples que montre la figure 1 - l'ouverture 21, à titre de référence, donne l'image du cas idéal où l'ouverture est correctement centrée dans les limi tes de la surface de croisement des bandes conductrices 11 et 17. L'aire de la plage de contact entre ces deux bandes 11 et 17 est égale à celle de l'ouverture 21. - l'ouverture 22 est correctement située entre les limites de largeur de la bande conductrice 14 de la nappe inférieure; par contre, elle est décalée par rapport à la bande conduc trice 18 de la nappe supérieure. - l'ouverture 23 est correctement située par rapport à la ban de conductrice 16 de la nappe supérieure et elle est décalée par rapport à la bande conductrice 12 de la nappe inférieure - l'ouverture 24 correspond au cas particulièrement défavora ble où les deux décalages observés ci-dessus apparaissent simultanément. Les aires des ouvertures 22, 23, 24 sont supérieures aux aires de contact respectivement des bandes conductrices 14 et 18, 12 et 16, 13 et 15. Il est à noter que les chances sont très faibles de trouver ces différents cas types de décalages réunis sur une même plaquette, surtout en une région très localisée de la plaquette; généralement, il est rencontré un seul type de décalage, qui affecte une partie seulement de la plaquette, mais qui constitue néanmoins une source importante de déchets de fabrication. Dans l'hypothèse où la largeur des bandes conductrices est inférieure à celle des-ouvertures de contact, (voir fig. 3) on retrouve inévitablement, pour chaque ouverture, même si ces ouvertures sont parfaitement centrées par rapport aux bandes conductrices qu'elles mettent en relation, la situation particulièrement défavorable observée sur l'ouverture 24 de la figure 1. Aussi, est-ce dans une telle hypothèse que la Demanderesse a choisi, en regard des figures 4b et 5b, de montrer l'intérêt des dispositions prévues par l'invention, par comparaison avec les dispositions mises en oeuvre dans l'art antérieur et qui sont illustrées, en correspondance desdites figures 4b et 5b, sur les figures 4a et 5a. Pour l'ensemble des figures 3, 4 et 5, la représentation a été limitée à la région d'une seule ouverture de contact. Sur ces figures, on retrouve le type de structure multicouche décrit précédemment en regard des figures 1 et 2, dans une réalisation comportant notamment une plaquette semiconductrice 30,. une première couche 31 en une substance isolante, des bandes conductrices 32 et 33 appartenant à une première nappe de ban#des conductrices, une deuxième couche 34 en une substance isolante, des bandes-conductri- ces 35, 36 et 37, appartenant à-une deuxième nappe de bandes conductrices.Une ouverture 40, délimitée par un tracé en trait pointillé court sur la figure 3 et par deux traits verticaux sur les figures 4 et 5, a été creusée dans la couche isolante 34, afin de permettre l'établissement d'une liaison électrique entre les deux bandes conductrices 33 et 36. L'ouverture 40 a, par exemple, une forme sensiblement carrée.~ La largeur des bandes conductrices de la structure est inférieure au côté de ladite ouverture 40. Aussi, celle-ci déborde-t-elle des bandes conductrices 33 et 36. Dans le cas de la figure 3, le tracé de l'ouverture 40 est, de plus, décentré par' rapport à la surface en regard des bandes conductrices 33 et 36, comme il peut se produire fréquemment dans la réalité Il y a lieu de noter que si l'ouverture 40 était, au contraire, parfaitement centrée, elle déborderait également desdites bandes 33 et 36 (on observerait une zone de débordement en chacun des quatre angles de l'ouverture). Donc, quelle que puisse être la position relative de 1' ouverture 40 par rapport aux bandes conductrices 33 et 36, l'aire de la plage de contact entre lesdites bandes conductrices est touåours inférieure à l'-aire de ladite ouverture. Sur la figure 3, l'aire de la plage de contact est définie par le rectangle ABCD. Dans une structure multicouche où les bandes conductrices ont systématiquement une largeur inférieure à celle des ouvertures de contact, les bandes conductrices de la première nappe peuvent subir des dommages notables lors de la gravure des bandes conductrices de la deuxième nappe si, comme il est d'usage selon l'art-antérieur, les matériaux sont identiques pour les deux nappes (en aluminium, par exemple). Ceci est montré clairement sur la figure 4a. Sur ladite figure 4a, on a représente, en plus des couches isolantes et des bandes conductrices,des éléments du masque de gravure 38 du dépôt d'-aluminium-dans lequel ont été découpées les bandes# eonductrices de la deuxième nappe; ce sont les éléments 381, 382 et 383, qui surmontent respectivement les bandes conductrices 35, 36 et 37. On voit que la bande eonductrice 33, dans la partie 401 de l'ouverture 40 (rectangle DCEF sur la figure 3)- se trouvait dépourvue de toute protection contre l'agent. de gravure dudit dépôt d'aluminium.Dès lors, la gravure, au lieu d'être limitée à ce seul dépôt d'aluminium, s'est poursuivie, à l'emplacement de ladite partie 401,, aux dépens de la bande conductrice 33; ceci a été visualisé, sur le dessin de la figure ha, par une importante réduction de ltépaisseur de la bande conductrice 33, réduite à la plage pelliculaire 331 audit emplacement 401.Il est compréhensi- ble que, suivant les circonstances dans lesquelles s'effectue la gravure, la réduction d'épaisseur d'une bande conductrice de la première nappe localement découverte comme l'était la bande conductrice 33, p#ourrait être, ou moins accusée qu'il ne l'est indiqué sur la figure 4a ou, au contraire, plus marquée encore, ce qui risquerait de provoquer, dans cette dernière hypothèse, la quasi ~rUpture de ladite bande conductrice. Sur la figure 4b, il est montré comment, par la mise en oeuvre d'une des dispositions prévues par 11 invention, tout risque de dommage des bandes conductrices de la première nappe est écarté. Entre les figures 4e et 4b, qui correspondent à la même ligne de coupe IV-IV de la figure 3, les repères d'identification entre parties ou emplacements analogues ont été pris les mêmes. On voit, sur la figure 4b , que la bande conductrice 33 est représentée indemne. Ce résultat a #pu être atteint en raison de ce que, dans ce cas, et suivant l'une des modalités de l'invention, les bandes conductrices de la deuxième nappe - en particulier la bande conductrice 36 - sont, au moins superficiellement , sur leur face tournée en regard de la plaquette semiconductrice 30 - c'està-dire sur l'épaisseur du lit 361 pour la bande conductrice 36 -, en un matériau qu'il est possible d'éliminer sélectivement par rapport aux bandes conductrices de ladite première nappe, en particulier par rapport à la bande conductrice 33. Ainsi, les bandes conductrices de la première nappe ne risquent-elles aucun préjudice dans le cas où le temps de gravure des bandes conductrices de la deuxième nappe se prolongerait au-delà du temps strictement nécessaire pour cette opération. La disposition que prévoit l'invention n'exclut nullement la présence, dans l'épaisseur des bandes conductrices telles que les bandes 35, 36 et 3T de la deuxième nappe, d'un matériau présent dans les bandes conductrices telles que les bandes 32 et 33 de la première nappe, à condition que ce matériau soit exclu des lits 351, 361 et 371 desdites bandes 35, 36 et 37. Avantageusement, ainsi qu'il a été indiqué précédemment, pour un dispositif élaboré sur une plaquette de silicium#, les bandes conductrices de la première nappe, soit les bandes 32 et 33 sur la figure 4b, sont soit en aluminium, soit en un alliage d'aluminium et de silicium (Al: 98%, #Si: 2%), soit encore en un alliage d'aluminium, de silicium et de cuivre (Al: 94%, Si: 2%, Ou: 4%), tandis que les bandes conductrices de la deuxième nappe, soit les bandes conductrices 35, 36 et 37 sur cette même figure-4b, sont formées en une couche de métallisation à trois niveaux comportant, à la base (lits 351, 361, 3.71) du titane, en lit intermédiaire du platine et en lit supérieur de l'or.En variante, les lits de titane et de platine# peuvent être remplacés par un alliage de titane et de tungstène (Ti: 10%, W: 90%), tandis que l'aluminium peut être substitué à l'or. Pour ne pas nuire à la clarté de la figure 4b, seuls les lits inférieurs ont fait l'objet d'une distinction (lits 351, 361 et 371) dans 11 épaisseur de chacune des bandes 35, 36 et 37. il y a lieu d'observer que le problème de la préservation des bandes conductrices de la première nappe durant la gravure des bandes conductrices de la deuxième nappe, tel qu'il se posait dans le cas de ltouverture 40 plus large que les bandes conduùtrices 33 et 36 (fig. 3), se poserait de façon identique dans le cas de ltouverture 22 (fi#g. 1), plus étroite que les bandes conductrices 14 et 18, mais décalée par rapport S ladite bande conductrice 18 de la nappe supérieure, et, bien sur, -de;l'ouverture 24 (fig. 1). L'invention s'applique, comme décrit ci-dessus, à ces deux cas. Sur la figure 5a, il est montré que la première couche en une substance isolante peut être attaquée, au niveau des ouvertures de contact si, comme le prévoit 11 art antérieur, cette substance isolante est de la même nature que celle de la deuxième couche dans laquelle sont creusées lesdites ouvertures. En effet, imagent de gravure utilisé pour creuser la couche 34 peut, si ltattaque n'est pas stoppée en temps utile, poursuivre son chemin dans la couche 31 à l'emplacement de la partie 402 de l'ouverture 40 (rectangle ADGH de la figure 3) etentamer plus ou moins profondément ladite couche 31, ainsi qu'il est indiqué sous le repère 311 de la figure 5a.A la limite, la couche 31 pourrait etre entièrement éliminée, d'où le risque ultérieur d'un court-cireuit entre la bande conductrice 36 et la plaquette 30. De plus, on a inévitablement une sous-gravure de la couche 31 sous la bande conductrice 33, (repère 312) qui pourrait être à l'origine d'une fissure dans la bande conductrice 36, fissure dont l'amorce 362 a été mentionnée sur la figure 5a. Le risque d'une attaque de la première couche en une substance isolante 31 durant la gravure de la deuxième couche en une substance isolante 34 est totalement évité par la mise en oeuvre de la disposition selon l'invention qui prévoit que lesdites substances isolantes sont choisies telles que ladite deuxième couche peut être éliminée sélectivement par rapport à ladite première couche". Si cette disposition est respectée, on a alors une structure qui se présente comme il est représenté sur la figure 5b: la couche 31 est restée indemne sous l'attaque de l'agent de gravure de la couche 34, et la sous-gravure 312 ainsi que l'amorce de fissure 362 qui apparaissaient sur la figure 5a ont disparu sur ladite figure 5b. Il va sans dire que les substances isolantes des couches 31 et 34 doivent pouvoir résister aux agents de gravure mis en oeuvre pour créer les bandes conductrices des deux nappes. La couche 31 est, par exemple en oxyde de silicium, tandis que la couche 34 est, par exemple, en nitrure de silicium, ou l'inverse. On remarquera que le problème de la préservation de la première couche en une substance isolante durant la gravure d'ouvertures de contact dans la deuxième couche isolante, tel qu'il se posait dans le cas de 1' ouverture 40 plus large que les bandes conductrices 33 et 36 (fig. 3), se poserait de façon identique dans le cas de l'ouverture 23 (fig. 1), plus étroite que les bandes conductrices 12 et 16, mais décalée par rapport à ladite bande conductrice 12 de la nappe inférieure et, bien sur, de l'ouverture 24 (fig. 1). L'invention s'applique, comme décrit ci-dessus, à ces deux cas. En ce qui concerne la partie 403 (surface DFJG) de l'ouverture 40, bien que cette partie 403 soit située hors des trajets des bandes conductrices 33 et 36, il est cependant important que la couche 31 y soit préservée, car il serait nuisible que la surface de la plaquette 30 fût dénudée, même ponctuellement; l'invention permet d'éviter une pareille mise à nu. A titre d'exemple de mode de réalisation du réseau d'interconnexions multicouche d'un dispositif semiconducteur conforme à l'invention, il est examiné ci-après le cas d'une structure dans laquelle la première couche 31 en une substance isolante' est faite d'oxyde de silicium, la premlère nappe de bandes conductrices est en alliage draluminium-silicium (AI: 98%, Si: 2%) sur toute son épaisseur, la deuxième couche 34 en une substance isolante est faite de nitrure de silicium, et la deuxième nappe de bandes conductrices comporte, depuis sa base vers son sommet, un lit inférieur en un alliage titane et de tungstène (Ti: 10%, W: 90%) et un lit supérieur en aluminium. L'oxyde de silicium de la couche 31 est gravé, de façon connue, avec une solution d'acide fluorhydrique et de fluorure d'ammonium dans de l'eau à une température de 20 à 250C, afin d'ouvrir dans-eette couche des fenêtres par lesquelles les bandes conductrices de la première nappe viennent prendre des contacts sur les éléments créés au sein de la plaquette 30. Le dépôt d'aluminium-silicium réalisé par évaporation sous vide dans lequel sont créées les bandes conduetriees.telles les bandes 32 et 33 de la première nappe est gravé, de façon classique, par l'aetion ehimique d'une solution d'acide phosphorique, d'acide acétique et d'acide nitrique dans de l'eau employée à la température de 55 OC. Le nitrure de silicium de la couche 34 est obtenu par un dépôt sous plasma, à la température de 30000, l'agent gazeux utilisé étant un mélange-de silane et d'ammoniac. Les ouvertures de contact telles que ltouverture 40 sont creusées dans la couche 34, par le procédé de gravure sous plasma, l'agent gazeux mis en oeuvre étant constitué par un mélange de tétrachlorure de carbone et d'oxygène#. Le lit supérieur en aluminium du dépôt métallique à deux niveaux, dans lequel sont gravées les bandes conductrices de la deuxième nappe, telles que les bandes 35, 36 et 37, lit réalisé par évaporation sous vide, est attaqué chimiquement, comme pour l'aluminium-silicium des bandes conductrices de la première nappe à l'aide d'une solution d'acides phosphorique, acétique et nitrique dans de l'eau. La gravure du lit inférieur en un alliage de titane et de tungstène, lit obtenu par svaporation sous vide ou par pulvérisation cathodique, est faite à l'aide d'eau oxygénée à 650C. On pourrait#, en. variante du cas précédent et tout en conservant les mêmes matériaux, prendre du-nitrure de silicium comme substance de la couche 31, tandis que la couche 34 serait alors faite d'oxyde de silicium. - REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur à réseau d'interconnexions multicouche comprenant, disposées successivement sur la face active d'une plaquette semiconductrice, une première couche en une substance isolante, une première nappe de bandes conductrices, une deuxième couche en une substance isolante, puis une deuxième nappe de bandes conduetrices, des bandes conductrices de ladite deuxième nappe venant en contact localement avec des bandes conductrices de ladite première nappe selon des plages de contact s'étendant dans des ouvertures pratiquées dans ladite deuxième couche, caractérisé en ce que, d'une part 11 une au moins desdites plages de contact a une aire inférieure à l'aire de l'ouverture correspondante, d'autre part les bandes conductrices de ladite deuxième nappe sont, au moins superficiellement, sur leur face tournée en regard de ladite plaquette semiconductrice, en un matériau qu'il est possible d'éliminer sélectivement par rapport aux bandes conductrices de ladite première nappe, enfin lesdites substances isolantes sont choisies telles que ladite deuxième couche peut être éliminée sélectivement par rapport à ladite première couche. 2.- Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite ouverture dont l'aire est supérieure à celle de ladite plage de contact s'ouvre tout entière sur la bande conductrice sous-jacente de la nappe inférieure mais déborde des limites de largeur de la bande conductrice correspondante de la nappe supérieure. 3.- Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite ouverture dont l'aire est supérieure à celle de ladite plage de contact déborde des limites de largeur de la bande conductrice sous-jacente de la nappe inférieure mais est intégralement recouverte par la bande conductrice correspondante de la nappe supérieure. 4.- Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, carac térise en ce que ladite ouverture dont l'aire est supérieure à celle de ladite plage de contact déborde des limites de largeur tant de la bande conductrice sous-jacente de la nappe inférieure que de la bande conductrice correspondante de la nappe supérieure. 5.- Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les bandes conductrices de la première nappe sont réalisées en. un même matériau sur leur entière épaisseur. 6.- Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les bandes conductrices de la première nappe comportent au moins deux lits superposés en des matériaux différents. 7.- Dispositif semiconducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit matériau est un élément simple. 8.- Dispositif semiconducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit matériau est un alliage. 9.- Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que les bandes conductrices de la deuxième nappe sont réalisées en un même matériau sur leur entière épaisseur. 10.- Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que les bandes conductrices de -la deuxième nappe comportent au moins deux lits superposés en des maté- riaux différents. 11.- Dispositif semiconducteur selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit matériau est un élément simple. 12.- Dispositif semiconducteur selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit matériau est un alliage. 13.- Dispositif semiconducteur selon l'ensemble des revendications 7 et 10, caractériséen ce que les bandes conductrices de la première nappe sont en aluminium, et les bandes conductrices de la deuxième nappe sont en une couche à triple niveau comportant successivement, depuis sa base vers son sommet, un lit de titane, un lit de platine et un lit d'or. 14.- Dispositif semiconducteur selon l'ensemble.des revendications 7 et 10, caractérisé en ce que les bandes conductrices de la première nappe sont en aluminium, et les bandes conductrices de la deuxième nappe sont en une couche à double niveau comportant successivement, depuis sa base vers son sommet, un lit en un alliage de titane et de tungstène (Ti: 10%, W: 90%) puis un lit en aluminium. 15.- Dispositif semiconducteur selon l'ensemble des revendications 7 et 10, caractérisé en ce que les bandes conductrices de la première nappe sont en un alliage d'aluminium et de silicium (Al: 98%, Si: 2%), et les bandes conductrices de la deuxième nappe sont en une couche à triple niveau c-omportant successivement,depuls sa base vers son sommet, un lit de titane, un lit de platine et un lit d'or. 16.- Dispositif semiconducteur selon l'ensemble des revendications 7 et 10, caractérisé en ce que les bandes conductrices de la première nappe sont en un alliage d'aluminium et de silicium (Al: 98%, Si: 2%), et les bandes conductrices de la deuxième nappe sont en une couche à double niveau comportant successivement, depuis sa base vers son sommet, un lit en un alliage de titane et de tungstène (Ti: 10%, W: 90%) puis un lit en aluminium. 17.- Dispositif semiconducteur selon l'une des revendic#ations précédentes, caractérisé en ce que lesdites couches en une substance isolante sont telles que l'une est en nitrure de silicium si l'autre est en oxyde de silicium, et inversement.