FR 2373849 A1 19780707 FR 7737014 A 19771208 la p#résente invention concerne les dispositifs d'affichage à cristaux liquides et plus précisément une plaquette semiconductrice à surface régulière destinée à de tels dispositifs. L'invention convient aux panneaux et dispositif,d'af- fichage à cristaux liquides par exemple du type décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n0 3 862 360. Bien que ces dispositifs comprennent une couche diélectrique séparant les électrodes métalliques de la plaquette semi-conductrice placée audessus, ils ne montent nullement l'avantage de l'utilisatian d'une couche diélectrique constituant une base régulière et lisse pour le dépôt d'électrodes plates, afin que le rapport de contraste optique soit accru.Certaines techniques de fabrication permet- tant le dépôt d'une telle couche de régularisation ont déjà été utilisées dans la technique de réalisation de connexions à couches multiples dans les paillettes de circuit intégré à granche échelle, comme décrit par exemple dans l'article de K. Sato et coll. A Novel Planar Multilevel Interconnection Technology Utilizing Polyimide the IEES transactions on parts, hybrids and packaging, vol PHP-9, n0 3', septembre 1973, p. 176-180. Cependant, on n'a pas encore utilisé de plaquette portant un arrangement d'électrodes et ayant des électrodes réfléchissantes lisses ou régulières, convenant à la formation d'un dispositif optique. La réalisation satisfaisante d'un tel dispositif nécessite la satisfaction simultanée de critères portant sur l'obtention des résultats optiques voulus sans perturbation du fonctionnement électrique de la plaquette et sans réaction chimique avec la matière à cristaux liquides. Dans les dispositifs couramment utilisés d'affichage d'images à cristaux liquides ? le rapport de contraste est limité par le niveau lumineux du fond qui provient lui-meme de la lumière incidente réfléchie au niveau des variations nettes du profil de la surface de la plaquette qui porte l'arrangement d'électrodes. L'invention concerne la fabrication et l'utilisation d'une plaquette portant-un-arrangement d'électrodes ayant une surface lisse, si bien que les réflexions parasites sont réduites d'au moins dix fois, et le rapport -de contraste du dispositif d'affichage d'images à cristaux liquides est accru de façon considérable. Plus précisément, selon l'invention, une cellule d'affichage d'images à cristaux liquides est montée par disposition d'une couche mince d'une matière à cristaux liquides entre une plaque transparente et conductrice formant un couvercle, constituant 11 électrode auxiliaire, et un arrangement matriciel d'électrodes réfléchissantes, commandées électroniquement et appartenant à la plaquette portant l'arrangement d'électrodes. Dans les plaquettes et paillettes actuellement utilisées, il existe des réflexions indésirables au niveau des irrégularités de la surface de l'arrangement d'électrodes, formé lors de la mise en oeuvre des techniques classiques de traitement de circuitsintégrésà grande échelle. Les réflexions doivent être limitées à celles qui sont dues aux parties plates de la plaquette afin que le fonctionnement du dispositif d'affichage soit satisfaisant. la formation d'une surface dépourvue d'irrégularités indésirables comprend la disposition d'une couche diélectrique épaisse et lisse à la surface de la plaquette afin que les irrégularités de celle-ci soient remplies et qu'une surface supérieure lisse soit formée avant le dépôt des électrodes réfléchissantes. La régularisation peut etre obtenue de diverses manières décrites en détail dans la suite, notamment l'aplanissement et le polissage donnant le résultat voulu. Le rapport de contraste de l'affichage d'images à cristaux liquides est le rapport de la lumière diffusée par la matière cristalline liquide lorsque l'affichage est sous tension, à la lumière du fond diffusée par toutes les autres sources lorsque le dispositif d'affichage n'est pas sous tension. L'affichage parait sombre lorsqu'il n'est pas soue tension étant donné que la cellule d'affichage constitue normalement un piège à lumière. La source principale de lumière diffusée par le fond est la lumière d'éclairement réfléchie par les irrégularités nettes de la surface de la plaquette. C'est l'angle qui est le facteur important, plus que la hauteur du gradin ou de l'irrégularité. On peut obtenir ~une amélioration notable du rapport de contraste par aplanissement des irrégularités nettes de surface même sans que cette dernière soit parfaitement optiquement plane. L'invention concerne un dispositif d'affichage à cristaux liquidesfonctionnant par réflexion, commandé par un arrange ment matriciel ayant une surface aplanie supportant les électrodes, si bien que le rapport de contraste optique du dispositif est élevé. D'#autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels les références identiques désignent des éléments analogues et sur lesquels les figures t, 2 et 3 sont des reproductions des figures 1, 2 et 3 du brevet précité des Etats-Unis d'Amérique n0 3 862 360 et elles permettent la description du problème posé par ce type de dispositif connu auquel l'invention s'applique la figure 4 est une perspective montrant un type de boîtier permettant le logemement de ces dispositifs la figure 5 est un schéma électrique d'un exemple de circuit de commande d'une cellule d'arrangements en mosalque de ces dispositifs les figures 6, 7, 8 et 9 sont des coupes schématiques partielles illustrant la réalisation d'un premier mode de réalisation de dispositif selon l'invention la figure 10 est une coupe analogue d'un second mode de réalisation de l'invention les figures 11a, 11b, 11c et îîd sont des coupes analogues représentant les diverses étapes d'un procédé de réalisation du dispositif de la figure 10 ; et les figures 12a, 12b, 12c et 12d sont des coupes analogues, illustrant la mise en oeuvre d'un second procédé de réalisation du dispositif de la figure 10. Les panneaux d'affichage à cristaux liquides du type auquel se rapporte l'invention comprennent un mince film d'une matière à cristaux liquids placé entre une plaque transparente et conductrice formant couvercle qui constitue une électrode auxiliaire, et un arrangement matriciel d'électrodes réfléchissantes commandées électroniquement et appelé dans la suite "arrangement d'électrodes". Comme indiqué sur les figures 1 à 5, un tel panneau 26 d'affichage est formé par disposition d'une mince couche de matière 28 à cristaux liquides entre une plaque 30 de verre qui a une électrode auxiliaire transparente 32 sur une de ses faces, et une plaque arrière 34 ou de support qui porte un arrangement matriciel d'électrodes réfléchissantes 36 formées à sa surface.Les circuits individuels d'adressage et de mémorisation de chaque cellule sont du type représenté sur le schéma de la figure 5 et sont formés physiquement afin qu'ils soient contigus aux électrodes réfléchissantes 36. Le brevet précité des Etats-Unis d'Amérique n0 3 862 360 dont les figures 1, 2 et 3 sont tirées, et sont représentées avec les mêmes caractères décrit plus en détail la réalisation de telles cellules, de manière connue. La figure 5 indique que le circuit de pilotage de chaque électrode réfléchissante comprend de façon générale un transistor# 22 à effet de champ dont une électrode est reliée à une ligne commune d'excitation. Une ligne commune d'excitation orthogonale, et la combinaison en parallèle d'un condensateur 24 de mémorisation et de l'élément 28 formant la cellule à cristaux liquides sont reliées aux autres électrodes. Ce circuit et son fonctionnement sont décrit en détail dans le brevet précité. En particulier, la partie de ce brevet commençant à la ligne 13 de la colonne 7 indique comment le condensateur 24 est formé sous l'électrode réfléchissante 36, comme indiqué clairement sur les figures 1 et 2 sur lesquelles la ligne 66 représente la limite du condensateur 24. Comme indiqué dans le brevet, chaque condensateur 24 comprend une électrode métallique 36 séparée d'une région semi-conductrice dopée 15 (mise à la masse) formée sur le substrat 66 de silicium dans une plaque 34 de support, par une couche diélectrique 68. Lors de la fabrication d'un tel dispositif, on note que la couche diélectrique permet le logement des divers élements du circuit de pilotage qui ont été formés dans le substrat semi-conducteur et n'a donc pas une surface supérieure lisse.En conséquence, les électrodes réfléchissantes 36 n1 ont pas une face supérieure lisse puisqu'elles sont déposées directement sur la couche diélectrique. Les techniques classiques de traitement de circuit intégré à grande échelle, utilisées pour la fabrication du dispositif, conduisent à l'obtention d'une section du type représenté sur la figure 2, donnant des réflexions indésirables par les irrégularités de surface des électrodes réfléchissantes. Les réflexions de la lumière parvenant à travers la plaque transparente 30 et la matière 28 à cristaux liquides doivent être limitées à celles qui proviennent des parties plates des électrodes réfléchissantes 36 afin que le fonctionnement du dispositif d'affichage soit satisfaisant. Une couche épaisse et lisse 71 (figure 6) remplaçant la couche 68 est placée à la surface de la plaquette semi-conductrice avant le dépôt des électrodes réfléchissantes, selon l'invention, afin que la surface ne possède pas d'irrégularités. Comme indiqué précédemment, le rapport de contraste du dispositif d'affichage d'images à cristaux liquides est le rapport de la lumière diffusée par la matière 28 à cristaux liquides lorsque l'affichage est sous-tension à la lumière parasite diffusée par toute les autres sources lorsque le dispositif d'affichage n'est pas sous-tension. Le dispositif d'affichage paraît sombre lorsqu'vil n'est pas sous-tension car, dans les réalisations pratiques, la cellule d'affichage constitue un piège à lumière lorsqu'elle n'est pas sous-tension. La source principale de lumière parasite diffusée est la réflexion de la lumière d'éclairement par les gradins nets de la surface de la plaquette, ces gradins étant suivis par l'électrode dans le dispositif des figures 1 à 5. Le facteur le plus important est l'angle du gradin plutôt que sa hauteur.On peut obtenir un perfectionnement important par aplanissement des irrégularités nettes de la surface au niveau de l'électrode 36. Il n'est pas nécessaire que#la surface soit optiquement plate pour que l'amélioration du rapport de contraste atteigne un facteur de 4 ou 8. Les opérations d'aplanissement ou de régularisation sont réalisées après traitement de la plaquette jusqu'au moment où le niveau conducteur délimite les transistors, les condensateurs et les lignes communes d'électrodes, mais avant le dépôt de la structure formée par les électrodes réfléchissantes 36 et de la couche sous-jacente d'isolement. Le schéma en coupe de la figure 6 indique pa#r la référence 70 la partie analogue à celle de la figure 2 (mais non reprise identiquement) qui a été terminée avant le déport de la couche isolante 68 qui, selon les techniques connues, a les irrégularités du substrat 70. L'opération suivante est l'application d'une couche 71 de régularisation ou d'aplanissement (qui remplace la couche 68 d'isolement) sur une épaisseur qui suffit au remplissage de toutes les irrégularités de la surface de la structure 70. La matière utilisée pour la couche d'aplanissement doit de préférence avoir des propriétés de tension superficielle qui assurent son aplanissement autonome. D'autres matières peuvent être utiliséeslorsqu'elles sont polies après leur application. La matière d'aplanissement doit être diélectrique afin qu'elle ne perturbe pas le fonctionnement des circuits électriques formés à la surface de la plaquette 70. En outre, lorsque la matière d'aplanissement nécessite un traitement à température élevée, il ne faut pas qu'elle contienne des ions lourds qui pourraient migrer dans la plaquette semi-conductrice au cours du traitement. Lorsque la matière d'aplanissement a été appliquée et polie le cas échéant, des trous de contact ou transversaux 72, du type représenté sur la figure 7, doivent être formés. Ces trous sont destinés à la formation de trajets conducteurs entre les électrodes elémentaires qui doivent être formées à la surface de la plaquette lisse et les circuits électroniques sousjacents du substrat 70. Par exemple, ces trous de contact transversaux sont formés par les techniques classiques de la photogravure. La séquence exacte d'étape dépend de la matière d'aplanissement qui est utilisée. Il est nécessaire que des précautions soient prises afin que les trous soient formés sur toute l'épaisseur, jusqu'à la couche sous-jacente de silicium polycristallin, sans affouillement excessif. Enfin, un métal est déposé à la surface de la matière d'aplanissement comme indiqué sur la figure 8, afin qu'il forme des électrodes réfléchissantes plates 73, par mise en oeuvre des techniques classiques de dépôt en phase vapeur. Le métal choisi doit avoir un pouvoir réflecteur optique élevé, une densité optique supérieure à 4 et des propriétés permettant une protection du circuit sous-jacent contre la lumière qui éclaire le dispositif d'affichage, et en outre, elle doit être compatible électrochimiquement avec la matière à cristaux liquides, elle doit adhérer à la surface d'aplanissement et elle doit présenter un contact ohmique avec la couche de silicium polycristallin à la partie inférieure du trou de contact. Cette combinaison de propriétés peut être obtenue par exemple par dépôt de rhodium ou de chrome et d'argent en couches successives.Le procédé de dépôt doit être tel qu'il assure une couverture convenable sans fissuration du métal à la partie supérieure du trou de contact. L'opération peut être réalisée par rotation des plaquettes au cours de l'opération de dépôt, à l'aide d'un outillage rotatif. La dernière étape est la délimitation dans la couche métallique des électrodes réfléchissantes individuelles 73a et 73b, par mise en oeuvre des techniques classiques de photogravure, avec retrait d'une partie du métal et délimitation dlun -espace ou d'une séparation 74 entre les éléments séparés d'électrodes 73avec 73b.-Evidemment, les espaces forment une grille orthogonale afin que les électrodes séparées donnent un dessin d'échiquier.La figure 9 est une coupe d'une petite partie d'une plaquette avec des électrodes séparées 73a et 73b qui sont délimitées. es électrodes délimitées sont isolées électriquement les unes par rapport aux autres par le petit espace 74 qui a une dimension de l'ordre de 15 microns. 1 500 électrodes élémentaires individuelles sont formées par centimètre carré de plaquettes couramment fabriquées. Deux catégories de matières qui conviennent pour la formation de la couche 71 d'aplanissement sont les verres et les polymères. Ces deux catégories ont chacune un procédé particulier d'application qui doit être suivi de façon très stricte afin que les résultats soient satisfaisants. Les procédés qui peuvent être utilisés pour l'application de revëtements de verre à des épaisseurs qui suffisent au remplissage des irrégularités comprennent 1) l'application par sérigraphie et la cuisson de la feuille de verre, 2) l'application de la fritte par centrifugation, puis la cuisson, et 5) l'application du verre à l'aide d'un film liquide de silice, avant chauffage. Lors de la préparation d'une fritte de verre convenant à la sérigraphie et à la cuisson, une fritte de dimension particulaire inférieure ou égale à 5 microns est mise sous forme d'une suspension dans un véhicule convenable qui peut ëtre chassé par cuisson sans résidu. La température à laquelle le véhicule est chassé est inférieure d'une certaine quantité à la température de dévitrification du verre. Cette suspension peut alors être imprimée sur la plaquette, par mise en oeuvre des-techniques classiques de sérigraphie. La plaquette peut alors être cuite afin que le véhicule soit chassé et que le verre soit dévitrifié, avec les précautions convenables pour l'utilisation d'un cycle adéquat de cuisson. Lors de l'application de la fritte de verre par centrifugation, la fritte ayant la dimension particulaire convenable (5 microns ou moins) peut être appliquée à la surface de la plaquette au cours d'une opération de centrifugation. Une suspension de la fritte de verre dans un alcool est mise dans un récipient convenable, la plaquette étant montée à la partie inférieure. La fritte de verre est alors chassée de la solution par centrifugation afin qu'elle recouvre totalement la plaquette d'un revêtement dense de fritte. La cuisson du verre est alors réalisée dans un four convenable qui provoque la dévitrification du verre. Lors de l'application du verre à l'aide d'un "film de silice", ce film est obtenu dans le commerce sous forme d'un composé de verre à l'état liquide qui peut être appliqué par des opérations classiques à la tournette. Plusieurs couches sont nécessaires à l'obtention de l'épaisseur convenable. Une cuisson intermédiaire du film de silice est nécessaire à des températures pouvant atteindre 90000. Plus la température est élevée et plus le film obtenu est dense. Au cours de procédés d'application de la couche d'aplanissement à l'aide d'un polymère, la matière utilisée peut être un polyimide, les caractéristiques électriques d'une telle matière étant comparables à celles du verre. Le remplacement de la matière diélectrique classique (habituellement un verre déposé thermochimiquement) par cette matière peut être réalisé sans effets nuisibles sur le fonctionnement du dispositif. Les techniques d'application peuvent comprendre par exemple les opérations suivantes 1) l'application à la tournette, 2) l'application au pistolet pneumatique, et 5) l'application par revêtement au rouleau. Lors de l'application du polyimide à la tournette, la matière de viscosité convenable peut être appliquée sur la plaquette, par mise en oeuvre des opérations classiques d'utilisation d'une tournette. Les caractéristiques électriques optimales sont obtenues lorsque la matière subit un cycle de durcissement thermique. L'inertie chimique de la matière totalement polymérisée rend obligatoire la formation des trous de contact dans la matière après une cuisson préalable à température réduite. Les matières qui conviennent pour l'attaque sont des matières alcalines telles qu'une solution à 10 ffi d'hydroxyde de sodium. Une polymérisation complète peut être obtenue après formation des trous de contact. la même te#chnique peut être utilisée pour la formation des trous de contact et d'autres dispositifs d'application sont utilisés. Lors de l'application du polyimide au pistolet pneumatique, la même matière peut être appliquée. La viscosité de la matière doit être mise à une valeur convenable afin que l'application au pistolet soit possible. Des matières qui peuvent être utilisées comme solvants qui diluent ces polyimides sont la N-méthylpyrrolidone diluée par le diméthylformamide. Expérimentalement, on peut obtenir de cette manière des épaisseurs convenables et le revêtement peut être ensuite traité comme décrit précédemment en référence à l'application à la tournette. On peut aussi appliquer des polyimides avec l'épaisseur convenable sur la plaquette à l'aide d'une technique de revêtement au rouleau. Des rouleaux manuels ou déplacés mécaniquement conviennent à cet effet. Le rouleau doit avoir des propriétés convenables de porosité et de retenue de polyimide. Ce dernier est alors appliqué au rouleau sur la plaquette. Les propriétés d'aplanissement automatique de la matière assurent la formation d'une couche continue qui supprime toutes les irrégularités. Un traitement supplémentaire peut être utilisé comme décrit en référence à l'application -à la tournette. Le traitement de la manière décrite en référence aux figures 6, 7, 8 et 9 améliore beaucoup le rapport de contraste dans les dispositifs ayant des électrodes lisses, mais laisse encore des cavités au niveau des trous 72 de contact. L'élimination de ces cavités afin que l'électrode soit totalement lisse améliore encore le rapport disponible de contraste dans un plus grand champ de vision et peut se justifier économiquement lorsque de tels rapports élevés de contraste sont nécessaires. La figure 10 représente une structure dans laquelle le substrat 70 a une couche 71 d'aplanissement déposée sur elle. Une première électrode 73a des électrodes matricielles est représentée avec un fragment de l'électrode adjacente 73b. les deux électrodes sont délimitées par une séparation 74 formée par attaque d'une partie du métal après son dépôt initial. Sur la figure 10, on note que la matière de l'électrode remplit le trou de contact totalement si bien que l'électrode 73a a une surface supérieure totalement plate. Deux techniques peuvent être utilisées pour la formation de l'arrangement d'électrodes à surface totalement lisse du type représenté sur la figure 10. La première technique comprend l'utilisation de l'électrodéposition d'une matière conductrice dans les trous de contact alors que la seconde technique comprend le dépôt de la matière diélectrique autour d'un arrangement déjà formé par des montants conducteurs. le premier de ces procédés de fabrication est illustré sur les figures lia, 11b et ilc, alors que le second procédé est illustré par les figures 12a, 12b et 12c. Dans les schémas des figures Ila, llb et lic, le substrat 70 est représenté avec dépôt initial de la matière 71 d'aplanissement, suivant les techniques décrites précédemment, après le traitement du substrat ou de la plaquette conduisant à la formation des circuits sous-jacents (qui ne sont pas représentés sur ces schémas). Ensuite, les trous de contact 72 sont formes par attag* chimique, comme décrit précédemment et comme représenté sur la figure lia. Comme indiqué sur la figure llb, les montants métal,,,, liques ou plots 77 sont alors déposés sur la plaquette par éleq trodéposition. Ces plots peuvent être en un métal tel que le cuivre, l'argent ou le platine. Le courant de dépôt est facileX établi par connexion électrique du substrat de silicium semiconducteur. La polarité du courant de dépôt est telle que les jonctions des diodes des circuits sont toutes polarisées dans le sens direct par rapport au substrat semi-conducteur. La plaquette est ainsi la cathode dans la solution d'électrodéposition.Ensuite, comme indiqué sur la figure lic, l'excès de métal électrodéposé est retiré par polissage jusqu a un niveau qui correspond à la partie supérieure de la couche diélectrique 71 d'aplanissement. L'opération peut être réalisée à la main car le métal électrodéposé est très mou il reste les plots polis 77a et 77b. Ensuite, comme indiqué sur la figure laid, la couche métallique réfléchissante dlélectrodes est déposée, surmontée d'un cache et attaquée afin que les électrodes séparées 73a et 73b soient formées, au contact des plots 77a et 77b préalablement réalisés. #ette électrode métallique réfléchissante doit satisfaire aux critères indiqués précédemment.L'argent, le rhodium et le cuivre sont des matières ou des combinaisons de matières qui conviennent à cet effet. Lors de la mise en oeuvre du procédé de fabrication correspondant aux figures I2a, 12b et 12c, le substrat 70 subit d'abord un traitement qui assure la formation de tous les circuits décrits précédemment, et une couche 79 de réserve photographique est alors déposée. Cette couche est exposée à l'aide d'un cache délimitant les trous de contact, puis elle est développée. Le développement retire la réserve aux emplacements auxquels les trous de contact doivent être formés. Ensuite, un métal est électrodéposé sur la plaquette, essentiellement de la manière décrite précédemment. Lorsque la réserve est dissoute, la matière indésirable est retirée, et les plots 78a et 78b de contact restent en position sur le substrat 70 comme indiqué schématiquement sur la figure 12b.Ensuite, la matière d'aplanissement telle que le polyimide 71, est appliquée et la plaquette est polie mécaniquement afin que les plots 78a et 78b et la couche 71 aient le même niveau. Ensuite, comme indiqué sur la figure 12d, des électrodes métalliques réfléchissantes sont déposées à l'aide de métaux tels que le chrome, l'argent et le rhodium. La couche réfléchissante est alors cachée et attaquée afin que les électrodes réfléchissantes individuelles 73a et 7Db soient formées. Les dispositifs réalisés selon l'invention sont destinés à constituer des dispositifs d'affichage directement vus dans les installations à cockpit ouvert, sous forme de dispositifs de formation d'images de collimateursde pilotage ou de dispositifs montés sur des casques, aux installations de traitement optique, ou dans d'autres dispositifs d'affichage utilisables sur place. De façon générale, ce type de dispositif peut remplacer le tube à rayons cathodiques pour l'affichage d'une information de télévision ou d'un radar, pour l'affichage d'image, de symboles ou de graphismes dans des applications générales. Les techniques décrites améliorent considérablement les rapports minimaux de contraste; sur des champs de vision très agrandis, dans de telles applications. EEVEND ICAT IONS 1. Plaquette semi-conductrice de circuit intégré à grande échelle, comprenant un arrangement matriciel de circuits à transistor et supportant un arrangement matriciel d'électrodes réfléchissantes reliées électriquement aux circuits à transistor qui sont destinés à la commande d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides, ladite plaquette étant caractérisée en ce qu'elle comprend une couche d'aplànissement formée d'une matière diélectrique et placée entre la plaquette semi-conductrice et l'arrangement matriciel d'électrodes réfléchissantes, cette couche remplissant les irrégularités de la surface supérieure de la plaquette et ayant elle-même une face supérieure plane supportant les électrodes, une couche lisse d'électrodes réfléchissantes, placée sur la matière diélectrique et divisée en plusieurs électrodes séparées qui forment l'arrangement matriciel d'électrodes, au moins un trou de contact formé dans la couche d'aplanissement et associé à chacune des électrodes et à chacun des circuits à transistor, et un dispositif de connexion électrique de l'une des électrodes à l'un des circuits à transistor par un trou de contact. 2. Plaquette selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche lisse des électrodes réfléchissantes est formée d'un métal choisi dans le groupe qui comprend le chrome, l'argent et le rhodium. 3. Plaquette selon la revendication 1, caractérisée en ce que la matière diélectrique placée entre la plaquette et l'arrangement matriciel des électrodes réfléchissantes est un verre. 4. Plaquette selon la revendication 1, caractérisée en ce que la matière diélectrique placée entre la plaquette et l'arrangement matriciel des électrodes réfléchissantes est un polyimide. 5. Plaquette selon la revendication 1, caractérisée en ce que le dispositif de connexion électrique de l'une des électrodes à l'un des circuits à transistor par un trou de contact comprend une partie de la couche d'électrode qui prolonge la couche lisse d'électrodes réfléchissantes le long des côtés du trou de contact et jusqu'à la plaquette, la totalité de la couche conductrice étant formée après la réalisation du trou de contact dans la couche diélectrique. 6. Plaquette selon la revendication 1, caractérisée en ce que le dispositif de connexion électrique de l'une des électrodes à l'un des circuits à transistor par un trou de contact comprend un organe métallique plein remplissant le trou de contact et ayant une face supérieure qui se trouve au niveau de la face supérieure de l'électrode réfléchissante lisse, sa face inférieure étant en contact électrique avec la plaquette semi-conductrice. 7. Plaquette selon la revendication 5, caractérisée en ce que la couche des électrodes réfléchissantes est déposée en phase vapeur sur la couche diélectrique lisse et sur les côtés et le fond des trous de contact. 8. Plaquette selon la revendication 7, caractérisée en ce que l'électrode réfléchissante comprend une première couche de chrome et une seconde couche d'argent, déposées successivement en phase vapeur sur la couche diélectrique lisse et le trou de contact de cette couche. 9. Plaquette selon la revendication 6, caractérisée en ce que l'organe métallique plein qui remplit le trou de contact est formé par électrodéposition d'une matière conductrice de l'électricité, dans le trou, après formation du trou de contact dans la couche diélectrique. 10. Plaquette selon la revendication 6, caractérisée en ce que l'organe métallique plein qui remplit le trou de contact est formé avant dépôt de la couche diélectrique sur la plaquette, par exposition d'une couche de réserve photographique à l'aide d'un cache délimitant des zones de trous de contact, par développement de la réserve photographique afin qu'elle soit retirée aux emplacements auxquels les trous de contact doivent être formés, et par électrodéposition d'un métal sur la plaquette à ces emplacements, puis la dissolution de la réserve photographique et le dépôt de la couche diélectrique autour des plots métalliques afin que cette couche diélectrique supporte l'électrode réfléchissante qui est déposée sur la couche diélectrique et sur les plots métalliques formés précédemment.