FR 2336828 A1 19770722 FR 7638923 A 19761223 La présente invention concerne un montage pour la commutation de la gamme de fréquences par mise en ou hors circuit d'une impédance, de préférence dans un eircuit oscillant, à l'aide d'une diode de commutation et pour l'application d'une tension de service à des transistors amplificateurs et/ou oscillateurs. Dans le cas des blocs d'entrée de téléviseurs, il est connu d'effectuer la commutation de la gamme de fréquences a l'aide de diodes. Une diode de commutation est alors prévue par position. La commutation d'un circuit de la bande I vHF sur la bande III VHF exige par suite deux diodes, fonctionnant à l'étant bloqué ou passant, par application d'une tension de commutation selon les exigences. Dans le cas d'une autre gamme de fréquences, telle que la gamme UHF des téléviseurs, des commutateurs ou diodes de commutation sont en outre prévus, qui permettent de brancher ou de couper la tension de service des divers transistors amplificateurs, oscillateurs et le cas échéant FI utilisés dans les diverses gammes de fréquences VHF ou UHF. L'invention a pour objet de simplifier et de rationaliser la commutation des circuits oscillants ainsi que le branchement et la coupure de la tension de service des transistors. Selon une caractéristique essentielle de l'invention, une diode de commutation unique est en parallèle avec l'impédance à court-circuiter en haute fréquence pour la gamme inférieure; et la tension de commutation est applicable sous forme de tension de service à la cathode de la diode de commutation ainsi qu'au(x) transistor(s) pour la réception de la gamme inférieure et à l'anode de la diode de commutation ainsi que, par l'intermédiaire de cette dernière, au(x) transistor(s) pour la réception de la gamme supérieure. L'invention permet d'effectuer les commutations mentionnées à l'aide d'une seule diode. I1 en résulte une constitution simple et economique du montage, sans réduction des valeurs électriques du bloc complet. D'autres caracteristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à l'aide de la description détaillée ci-dessous et du dessin annexe, sur lequel la figure unique représente le schéma d'un exemple de réalisation. Le montage comporte un oscillateur syntonisable sur deux gammes de fréquences à l'aide d'une varicap 1. La tension UD d'accord de la diode est appliquée a. un point de connexion entre la varicap 1 et un conden sateur 2. Ce dernier est relié au collecteur 3 d'un transistor oscillateur 4. La varicap 1 et le condensateur 2 sont en parallèle avec le couplage en série des deux inductances 5 et 6 de circuit oscillant; l'inductance 5 reliée au collecteur 3 est dimensionnée pour une gamme de fréquences supérieure, telle que la bande III VHF, tandis que l'inductance 6 reliée à la masse est dimensionnée avec l'inductance 5 pour une gamme inférieure, telle que la bande I VHF. L'inductance 6 est en parallèle avec le couplage en série de deux condensateurs 7 et 8, entre lesquels est insérée une diode de commutation 9. Les condensateurs 7 et 8 bloquent la tension continue de commutation U5. Une self 11 est branchée entre le point 10 de connexion condensateur 7-diode de commutation 9 et la base 12 du transistor 4. Elle bloque la haute fréquence apparaissant à la fréquence inférieure, car l'extrémité supérieure de l'inductance 6 constitue pratiquement déjà le point haut pour la gamme inférieure. En l'absence de cette self, les résistances 13 et 14, constituant un diviseur de tension de base, atténueraient trop fortement l'énergie HF, de sorte que l'oscillateur ne fonctionnerait plus. Le fonctionnement de ce montage est le suivant. Lorsque la tension de commutation +US est appliquée à la borne "bande I", elle est transmise par les résistances 15, 13 à la base 12, sous forme de tension de service, par la résistance 16 à l'émetteur 17 et sous forme de tension inverse à la cathode de la diode de commutation 9. Le couplage en série des inductances 5 et 6 est ainsi actif dans le circuit oscillant et l'application d'une tension d'accord UD à la varicap 1 permet de syntoniser l'oscillateur dans la gamme de frequences inférieure. La coupure de la tension de commutation Us sur la borne "bande I" et son application à la borne "bande III" commandent la diode de commutation 9 dans le sens direct. L'inductance 6 est ainsi mise à la masse en haute fréquence, c'est-à-dire court-circuitée, et l'inductance 5 insérée pour la détermination de la fréquence. La tension de commutation est transmise simultanément à la base du transistor 4, par la self 11 et la résistance du diviseur de base 13, et à l'émetteur 17 par les résistances additionnelles 15, 16. L'utilisation selon l'invention du courant direct comme courant de service du transistor 4 reduit la consommation, car dans les montages usuels, la diode de commutation est simplement connectée à la masse, de sorte que le courant direct doit être fourni en plus. L'invention ne se limite pas aux oscillateurs, mais peut etre avantageusement appliquée aussi aux circuits d'entrée, filtres de bande en liaison avec des étages amplificateurs. D'autres éléments amplificateurs sont également utilisables à la place des transistors. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art aux dispositifs qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemples non limitatifs, sans sortir du cadre de l'invention. Revendications 1. Montage pour la commutation de la gamme de fréquences par mise en ou hors circuit d'une impédance, de préférence dans un circuit oscillant, à l'aide d'une diode de commutation et pour l'application d'une tension de service à des transistors amplificateurs ou/et oscillateurs, ledit montage étant caractérisé en ce qu'une diode de commutation unique est en parallèle avec l'impédance à court-circuiter en haute fréquence pour la gamme inférieure; et la tension de commutation est appliquée sous forme. de tension de service à la cathode de la diode de commutation ainsi qu'au(x) transistor(s) pour la réception de la gamme inférieure et à l'anode de la diode de commutation ainsi que, par l'intermédiaire de cette dernière au(x) transistor(s) pour la réception de la gamme supérieure. 2. Montage selon revendication 1, caractérisé en ce que l'impédance à court-circuiter est en parallèle avec le couplage en série de deux capacités entre lesquelles est insérée la diode de commutation. 3. Montage selon une des revendications 1 et 2, caractérisé par une self, reliant directement ou non la cathode de la diode de commutation à la base et à l'émetteur du transistor. 4. Montage selon une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'impédance est constituée par une première inductance, active pour une gamme de fréquences inférieure et en série avec une seconde inductance, active dans une gamme superieure quand la première inductance est court-circuitée.