FR 2337358 A1 19770729 FR 7636405 A 19761129 La présente invention concerne des procédés de revêtement de produits divers, et, plus particulièrement, l'utilisation d'un revêtement de masquage. Le revêtement est forme sous vide par pulvérisation ou par dépôt. Cette invention concerne aussi des masques pour le dépit de films minces soit par depôt sous vide, soit par pulvérisation sur différents substrats. Les masques peuvent être obtenus par déport électrolytique, par dépôt chimique, ou autre. On annrécie fortement les surplombs dans des structures semiconductrices. ils sont utilisés comme masoues nour le dénot sous vide de sorte au'une couche d'un matériau est déposée à travers couverture définie Dar lesdits surplombs. Le surplomb assure la séparation des parties de la couche métallique déposées au fond de l'ouverture avec celles qui demeurent sur le surplomb. La publication "Lift-Off-Mask" de Bohg et al dans l'IBM TDB Journal, Vol. 16, No.12, mai 1974, représente un masque de décapage avec surplomb qui présente l'avantage de ne pas comporter de photo-resistant et qui est composé d'oxydes de silicium obtenus par procédé pyrolytique. L'oxyde de silicium est obtenu par croissance a une température comprise entre 3000C et 5000C qui est ensuite augmentee progressivement pour fournir une vitesse de décapage variable de l'oxyde de silicium et faciliter la création d'un surplomb. Une couche photorésistante est utilisée pour servir de masque temporaire contre l'acide fluorhydrique. Ensuite, le photorésistant est enlevé, et un mince film de métal est déposé par évaporation sur le substrat à travers le masque. L'oxyde de silicium est alors décapé.L'ordre de grandeur de l'épaisseur la plus pratique de ce matériau est de 1 a 3 microns. Avec des épaisseurs supérieures, il peut se produire des cassures ou des fentes. Dans la demande de brevet Français No. 74 21949 déposée en France par la demanderesse le 12 juin 1974, il est représenté un substrat recouvert d'un matériau photorésistant. Au-dessus de la couche de matériau résistant est déposée une couche métallique qui surplombe le matériau photorésistant à la suite de la surexposition du matériau photorésistant au travers d'une ouverture ménagée dans la couche métallique. L'utilisation du matériau photorésistant a été critiquée à cause de sa tendance à fondre lorsqu'il est chauffé a des températures élevées nécessitées par l'étape de revêtement sous vide. Lorsque le matériau photorésistant est très épais, de l'ordre de 7 microns, après exposition à travers un masque à une radiation et dévelop- pement, l'ouverture obtenue est conique, telle que représentée sur la figure 1E de ce brevet, ce qui tend à annuler la valeur du surplomb. Le résultat est que l'ouverture d'une fente très étroite d'environ 7 microns de profondeur est trop faible pour avoir une valeur pratique, parce que l'inclinaison est trop grande pour un tel matériau résistant très épais. En conséquence, un objet de cette invention consiste à proposer un masque pour l'élimination par soulèvement dans lequel les parois permettent d'obtenir une ouverture à la surface supérieure du masque qui est environ de la même taille ou inférieure à l'ouverture qui se trouve sur la partie inférieure du masque de façon à permettre un bon accès au matériau de décapage pendant l'étape d'élimination par soulèvement (lift-off). On peut ainsi obtenir des configurations de lignes plus étroites. La présente invention diffère des procédés d'élimination de l'art antérieur par le fait qu'il est prévu une couche métallique qui fournit des bords en surplomb qui ne sont pas supportés par le photorésistant (ou un materiau identique), qui résiste à des températures élevées et qui peut être enlevée de la surface du substrat par l'intermédiaire d'une technique de décapage. Le procédé additif qui consiste à réaliser un masque grâce à un procédé électrolythique est de même, différent du procédé de l'art antérieur. En fait, c'est exactement l'opposé de la technique suggérée dans l'art antérieur qui utilise une technique d'élimination par soulèvement pour réaliser le surplomb du photorésistant ou des structures de verre avec ou sans couches métalliques au-dessus. Conformément à cette invention, il est prévu un procédé permettant de réaliser une structure de film mince par dépôt d'un matériau sous vide. Une matrice est appliquée sur un substrat. Une configuration d'ouvertures est réalisée dans la matrice. Ensuite, un matériau de masquage est déposé dans les ouvertures de la matrice. Le dépôt présente une largeur de surplomb plus importante sur la partie supérieure que sur la partie inférieure. Ensuite, le reste de la matrice est enlevé. Ultérieu- rement, un matériau approprié est déposé sous vide sur le produit obtenu à l'étape précédente avec une épaisseur bien inférieure à celle de la première couche, de façon à permettre l'exposition des parois latérales du matériau de masquage. Finalement, le matériau de masquage et le matériau déposé ultérieurement au-dessus sont éliminés en traitant le produit de la dernière étape par une solution chimique efficace pour éliminer le matériau de masquage par décapage ou par un autre procédé. D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront mieux de l'exposé qui suit, fait en référence aux dessins annexés à ce texte qui représentent un mode de réalisation préféré de celle-ci-. Les figures 1A à 1G représentent les différentes étapes pour obtenir un film par l'intermédiaire d'un procédé d'élimination conforme à cette invention; le surplomb obtenu par le procédé électrolytique a une profondeur supérieure à l'épaisseur du matériau résistant. Les figures 2A à 21 représentent les différentes étapes d'un second procédé conforme à cette invention, similaires aux étapes représentées sur les figures 1A à 1G. Les figures 3A 3C représentent les étapes d'un troisième procédé conforme à la présente invention, comportant des ouvertures coniques en matériau photorésistant entratnant la formation de surplombs dans le matériau de masquage. Les figures 4A à 4C représentent les étapes d'un troisième procédé conforme à cette invention, les ouvertures côniques ménagées dans le résistant consistituant un surplomb dans le matériau de masquage. Les figures SA à SE représentent un procédé pour réaliser un surplomb amélioré en faisant chauffer un matériau résistant du genre de celui mis en oeuvre à l'occasion de la description des figures 3A, 4A et SA pour obtenir une courbure de bords du matériau résistant, ce qui permet en effet d'obtenir un surplomb plus important. Les figures SA à 6D représentent une technique permettant d'obtenir un surplomb à l'aide de deux matériaux résistants Un substrat 10 représenté sur les figures 1A à 1G est recouvert d'une couche métallique Il qui renforce l'adhérence au substrat 10 et aussi servira d'électrode pour le dépôt par procédé électrolytique. Lorsqu'un métal tel que Fe, Ni, Cr ou Cd est appliqué à une température élevée sur un substrat 10, il assure à la fois l'adhérence et joue le rôle d'une base électrolytique sans nécessiter une couche d'adhésion intermédiaire. Cependant, si Au, Cu, Pd, ou Pt peuvent être appliqués à une température quelconque ou si Co ou NiFe doivent être appliqués à la température ambiante, comme base électrolytique, alors une couche d'adhésion intermédiaire d'un métal réactif tel que Ti, Ta, Al ou Cr est nécessaire et doit être appliqué sur le substrat avant l'application de la couche de base électrolytique ou électrode. Au-dessus de la couche 11 est déposée une couche 12 de matériau résistant organique sensible aux radiations qui a été exposée en utilisant une radiation U.V, un faisceau d'électrons ou des rayons X puis développée pour obtenir des ouvertures 14 et 15 qui sont composées de fentes s'étendant en longueur vers la partie arrière du substrat 10. Les fentes 14 et 15 jouent le rôle de frontières pour une configuration telle que des conducteurs etestriquesw Sur la IBl,'les fentes 14 et 15 ont été remplies par un matériau 25 par procécé électrolytique qui constituent les éléments 16 et 17 sous la forme de bandes qui présentent des bords en surplomb qui s'étendent au-delà des fentes 14 et 15 à la fois verticalement et horizontalement. On notera que les fentes 14 et 15 et ainsi les élements 16 et 17 peuvent être plus larges ou plus étroits si on le désire.Pour obtenir des vitesses d'élimination plus satisfaisantes, il est souhaitable que le rapport des largeurs entre les zones étroites et larges à décaper soit inférieur à environ 25:1. Ceci aide à obtenir une élimination uniforme des couches 25 et 19 telles que représentees entre les figures 1B et 1D. Sur la figure 1C, le matériau résistant 12 a été éliminé pour laisser seulement les éléments 16 et 17 du masque électrolytique qui présentent des bords en surplomb 18. Le photorésistant est éliminé en utilisant les procédés classiques: solvants organiques ou une exposition développement, combustion dans un plasma, etc. . Le métal obtenu par électrolyse doit être déposé uniformément. La puissance de projection mesure les degrés d'uniformité du dépôt électrolytique. De même, on-peut utiliser un dépôt chimique. Le métal obtenu par procédé électrolytique doit résister à la température de dépôt de la configuration principale qui est de l'ordre de 50 à 7000C.La configuration des éléments 16 et 17 obtenue par procédé électrolytique devra avoir un surplomb uniforme (environ 0,1 micron à 5 microns) (chapeau de champignon). La taille du surplomb dépend principalement des dimensions latérales et de l'épaisseur de la configuration finale que l'on désire obtenir par ce procédé de décapage. On notera que l'on choisit l'épaisseur de la couche résistante 12 de façon qu'elle soit au minimum de l'ordre de 20% plus épaisse (ou au moins 0,25 micron plus épaisse lorsqu'on utilise des films épais) que l'épaisseur désirée du matériau à déposer pendant l'étape suivante telle que représentée sur la figure 1D.Pour des éléments très petits, le surplomb (0) et la projection (P) représentés sur la figure 1C du matériau obtenu par dépôt électrolytique au-dessus du plan supérieur du résistant 12 seront d'environ 5-10% de l'épaisseur du matériau résistant, et les valeurs de O et de P devront être pratiquement égales. Une fois que le matériau résistant 12 a été enlevé, la couche il peut être enlevée aux endroits ou les éléments 16 et 17, etc. sont absents, par pulvérisation, par décapage chimique, par décapage dans un plasma réactif ou par tout autre procédé adéquat. Sur la figure 1D, les éléments 16 et 17 sont utilisés comme des masques pour l'évaporation ou la pulvérisation d'une couche de matériau de revêtement 19 tel qu'un métal ou diélectrique qui est déposé audessus de la couche 11 et des éléments 16 et 17. Les surplombs 18 laissent les parois latérales 20 des éléments 16 et 17 exposées parce qu'elles ne sont pas revêtues par le matériau 19. Le métal obtenu par dépôt électrolytique constituant des éléments 16 et 17 est alors décapé de façon sélective (figure 1E) par un procédé chimique, électrochimique, ou par plama ionique réactif, ou encore en utilisant d'autres procédés après dépôt du matériau 19 pour constituer la configuration principale désirée, avec attaque minimale sur la configuration principale. Ainsi, le métal non désiré des éléments 16 et 17 est "élimine" de la couche 11. Dans les cas ou l'on doit réaliser des bandes étroites, ou dans les cas ou l'on doit enlever certaines portions du matériau 19, on dépose une couche 20' de matériau résistant qui, après exposition et développement (figure 1F) permet l'exposition d'une portion désirée 21 du matériau 19 qui pourra être ensuite éliminé (figure 1G) par une technique de décapage soustractif tel que par un décapant chimique ou par tout autre procédé à sec tel qu'un décapage par pulvérisation, un décapage par pulvérisation réactive, un laminage ionique, un décapage par plasma ou par tout autre procédé adéquat. A titre d'exemple, les métaux déposés par électrolyse peuvent être (a) Au, Pt, Pd, Ag, ou (b) Cu, Zn, Ni, Co, Fe, Cr, Sn, W ou tout alliage binaire, ternaire et même quaternaire de n'importe lesquels des éléments cités ci-dessus ou n'importe lequel des éléments cités ci-dessus avec n'importe quel autre élément. Les métaux du groupe (a) sont utilisés principalement en cas de décapage de configurations métalliques ou non métalliques lorsque la configuration a été réalisée à l'aide d'un métal plus noble ou d'un métal qui peut être décapé ou détruit de façon sélective par tout autre moyen tel que par la chaleur, par réaction chimique, etc. . Les métaux du groupe (b) sont plus universels parce qu'ils sont moins nobles. Ils peuvent être utilisés pour des masques d'élimination réalisés à partir de diélectriques et à partir d'une variété de métaux plus nobles. Bien que seulement quelques exemples choisis des structures soient représentés ici, la technique peut être utilisée dans la fabrication de tous les types de structures magnétiques, tous les types de structures semi-conductrices, tels que des circuits intégrés, des structures optiques et electro-optiques, et beaucoup d'autres structures. Si c'est un diélectrique qui constitue la configuration principale 19, il peut être souhaitable d'introduire une étape d'élimination de la métallisation (par décapage par pulvérisation, fraisage par ion, décapage par plasma ou par procédé chimique) avant le dépôt de la configuration principale. Bien que la technique soit très générale et a un champ d'application très large, elle convient particulièrement à la réalisation de structures de permalloy stratifiées composées de verre de Schott, de SiO2, de Si, Ti ou Cr avec une perméabilité haute fréquence utilisée dans des têtes inductives, des écrans de tête magnétique et des écrans employés dans d'autres buts etc . Dans ce cas, comme représenté sur les figures 2A à 21, une structure obtenue par électrolyse peut être une trame très étroite qui est formée par procédé électrolytique en utilisant un bain de cuivre.Dans ce cas, bien que le Cu puisse être décapé de façon sélective en présence de Fe, NiFe, NiFeCr, NiFePd, etc. en utilisant du persulfate d'ammonium, la couche finale est du verre de Schott qui fournit une protection supplémentaire de la structure principale. Si on le désire, la structure principale ou première est déposée de telle façon que les bords de la structure principale soient inclinés (côniques) permettant la séparation facile des connexions de conducteurs dans la fabrication ultérieure. Ceci est réalisé en utilisant un dépôt par pulvérisation plutôt que par évaporation d'une couche relativement épaisse ou par évaporation tout en basculant l'échantillon d'une façon appropriée. Un autre procédé décrit dans cette invention est représenté sur les figures 2A a 21 utilisant un procédé à sec pour obtenir des structures de Permalloy, c'est-a-dire, une structure sous forme de laminés: permalloy/verre de Schott/Permalloy avec une support composé d'un matériau minéral. Sur la figure 2A au-dessus du substrat de verre 10, le film métallisé 11 est recouvert d'une couche 12 d'un matériau résistant du genre de ceux fabriqués par Shipley qui a un micron d'épaisseur de plus que la dernière couche laminée de Permalloy et de verre. Le matériau résistant est exposé à une radiation et développé tel que représenté sur la figure 2B montrant la présence de fentes 24 ménagées dans le matériau résistant 12, ayant de préférence les dimensions suivantes: 0,2 à 0,4 micron de large et 4 à 6 microns d'épaisseur. Sur la figure 2C, on a représenté le résultat obtenu après dépôt électrolytique d'éléments métalliques 25 dans les fentes 24. Le métal choisi doit être facilement décapé de façon sélective en présence de Permalloy. Le cuivre est satisfaisant et peut être décapé avec du persulfate d'ammonium (pH élevé peu différent de 7 - 9) dans lequel Ni-Fe est insoluble. D'autres métaux tels que Cr, Zn, Cd et Sn conviennent aussi pour réaliser l'opération d'électrolyse. Le métal est déposé par électrolyse jusqu'a une profondeur de l'ordre de 3-7 microns de façon à donner en coupe un élément ayant la forme d'un champignon avec un surplomb qui de préférence est de l'ordre de 0,25 à 3 microns. Le matériau résistant est éliminé par un solvant (acétone pour le matériau Shipley) et on obtient le dispositif représenté sur la figure 2D. Ensuite, sur la figure 2E les éléments 25 et les surfaces exposées 11 sont représentés recouverts d'une couche de permalloy 19, d'une couche de verre de Schott 29, et d'une couche de permalloy 39 ayant une épaisseur totale de 2 a 3 microns. De préférence, une couche supplémentaire de verre de Schott (non représentée) est déposée de façon a protéger la couche de permalloy 39 contre les attaques extérieures. Différents alliages W, Cr, Pd ou Mo avec du permalloy et SiFe peuvent aussi être utilises. Des sandwiches de différentes couches peuvent être réalisés tels que représenté sur le tableau I suivant: W-Permalloy Mo-Permalloy Pd-Permalloy 1 SiFe Si02 ou W Si02 ou W SiO2 ou W SiO2 W-Permalloy Mo-Permalloy Pd-Permalloy 3% SiFe Si02 ou W SiO2 ou Mo Si02 ou Mo SiO2 De même, du Sendust (compose de 9,6% de Si, 85% de Fe, 5,4% de AI (%en poids)) peut être pulvérisé que ce soit sous forme laminée ou non. La figure 2F représente le résultat obtenu après décapage des éléments 25 dans lequel le sandwich de permalloy placé au-dessus de ces éléments est éliminé du substrat. Lorsque les éléments sont composés de cuivre, ils sont décapés de la même façon que décrite ci-dessus. Avec Zn, on utilisera comme décapant du sulfite d'ammonium (pH peu différent de 7 - 9). Lorsque les éléments 25 sont composés de Cr, le décapant est du Aloi3 plus Zn (tout autre décapant adéquat de Cr peut être utilise). Sur la figure 2G, un résistant fabriqué par Shipley 20' a été appliqué pour recouvrir les ouvertures 40 et 42 aussi bien que la bande 41 placée entre elles, de façon à protéger le segment intermédiaire de Permalloy qui comportera la bobine de déviation de la tête. Les parties 43 et 44 sont éliminées par décapage en utilisant séparément du FeCl3 et HF ou un mélange de HF plus FeCl3 pour donner le dispositif représenté sur la figure 2H. Le matériau resistant est éliminé de façon à laisser la structure de désirée représentée sur la figure 21, qui constitue la configuration principale. Il y a des cas ou des structures parasites n'ont pas besoin d'être eliminees, parce qu'elles peuvent être conservées sans endommager le produit. Par ailleurs, dDifferentes techniques peuvent être utilisées pour obtenir une configuration telle que celle représentée sur la figure 3A avec des rainures 50 présentant des parois latérales en pente à la suite de l'application de radiations 52 à travers un masque 53 sur un matériau résistant de type positif. Des matériaux résistants qui peuvent être utilisés sont les photorésistants Shipley, Kodak (KTFR), et le PMMA. La figure 3A est une représentation classique de différentes étapes allant de l'exposition jusqu'au développement. Dans le cas du PMMA, on obtient la configuration lorsque la radiation 52 est un faisceau électronique de faible intensité et que le temps de développement est long et/ou que la concentration du révélateur est élevée. Le métal 25 est déposé sur la figure 3B. Ensuite, le matériau résistant 12 est éliminé et le métal 19 est déposé sous vide (figure 3C). Des éléments 25 sont éliminés par décapage de la façon classique bien qu'elle ne soit pas représentée. Avec des photorésistants de type négatif de telles configurations de bord en pente peuvent être également obtenues en réglant l'intensité du faisceau électronique et le temps de développement. Dans le cas du PMMA et des copolymères du PMMA, par modulation (intensité) adéquate du faisceau électronique et un développement adéquat, une pente exactement opposée peut être obtenue telle que celle représentée sur la figure 4A. Comme on peut le voir à partir des schémas des figures 3B et 3C.et des figures 4B et 4C, les deux formes de pente sont utiles dans la réalisation d'une configuration adéquate utilisée pour obtenir un masque minéral à température élevé utilise pour le procédé d'élimina- tion, permettant d'obtenir les ouvertures 50 ou 60. Dans le cas de matériau résistant positif de type Shipley ou autre, les parois latérales inclinées telles (figure 3A) peuvent être obtenues par: 1. Variation de la mise au point de la lumière ultra-violette. 2. Suppression du contact étroit entre le masque et le matériau résistant. 3. Utilisation d'un matériau résistant très épais, c'est-à-dire d'une épaisseur supérieure à environ 2 microns même lorsque le faisceau lumineux n'a pas besoin d'être mis au point et même lorsque le contact masque-materiau résistant est bon. 4. Utilisation d'une source lumineuse de dispersion (non collimatee). 5. Utilisation d'une combinaison des procédés (1), (2), et/ou (3) et (4) combinés. Dans le cas d'un matériau résistant de type négatif tel que le KFFR, le KOR (Matériaux résistants de Eastman Kodak) aussi bien que d'autres, les techniques (1) à (5) ou toute combinaison de ces techniques peuvent être utilises pour réaliser des parois latérales en pente de façon similaire à celles réalisées sur les figures 3B et 3C et sur les figures 4B et 4C. Une fois qu'on a obtenu de telles configurations de matériaux résistants avec des bords en pente, tels que représentés sur les figures 3A-3C et 4A-4C, les ouvertures ménagées dans le matériau résistant sont remplies par un procédé de dépôt adéquat tel que dépôt par électrolyse, dépôt chimique; évaporation, pulvérisation, etc. . Le métal déposé 25 ou matériau (diélectrique) peut atteindre une épaisseur égale à environ 2/3 de la couche de dépôt finale désirée après élimination ou environ 0,25 micron à partir du sommet dans les dépôts épais. Ce métal (ou diélectrique), Cu, Zn, Sn, Al, etc. a une forme trapézofdale inversée tel que représenté sur la figure 3B et sur la figure 4B.Lorsqu'on a obtenu des parois latérales en pente, il n'est pas nécessaire de continuer le dépôt électrolytique du métal ou du diélectrique 25#jusqu'à ce que soit réalisé au-dessus du matériau résistant un dépôt ayant la forme d'un chapeau de champignon. Selon la forme trapézo#dale inversée de l'ouverture 50 ou 60, on peut ou on ne peut pas avoir besoin d'une configuration ayant la forme d'un chapeau de champignon pour réaliser le décapage. Après suppression du matériau résistant, la couche métallique désirée, la couche magnétique laminée diélectrique, ou une couche diélectrique est déposée par évaporation, par électrolyse par canon ionique et/ou pulvérisation, etc; . Le procédé d'élimination peut maintenant être réalisé de la même façon que décrit sur la figure 2E-2I ou lD-lG. La seule condition nécessaire est que le choix du matériau minéral soit tel qu'il puisse être dissout, attaqué ou décapé de façon sélective sans qu'il y ait attaque de la configuration finale désirée par le procédé de décapage à température élevée. On a représenté sur les figures SA a 5E, une configuration de matériau résistant 12 (marques Shipley, et Kodak KTFR, polyméthacralate de methyl iPMMAi, d'un copolymère du PMMA ou tout autre polymère déformable par la chaleur) (obtenue par exposition et développement ou par décapage (par plasma réactif ou par procédé chimique, etc. )). La configuration est ultérieurement chauffée a une température qui est suffisamment élevée pour entraîner l'écoulement du polymère 12 (deformation due aux contraintes des tensions de surface) et obtenir les formes représentées sur la figure 5B.Pour le résistant de marque Shipley, ceci peut être réalisé par un chauffage et un refroidissement rapide de l'échantillon à environ 1500 à 1600C ou par chauffage lent d'environ 1000C à 1300C suivi d'un refroidissement lent (en prenant le facteur temps x température approprié qui rend ledit résistant de marque Shipley facilement enlevable). Le ma tériau résistant de type Shipley est éliminé grâce à des procédés classiques tels que l'utilisatin d'acétone ou l'exposition à de la lumière ultraviolette suivie par le développement en utilisant des révélateurs des matériaux résistants Shipley classiques.On peut voir que le chauffage permet d'obtenir la forme désirée du matériau résistant ce qui est utile pour l'obtention de parois latérales en pente et même d'un surplomb léger dans le masque minéral (figure 5d). Les étapes restantes ont été décrites précédemment pour les figures 1B-1G ou 2C-2I. L'arrondi des bords latéraux ou des bords en pente peut être obtenu par une courte exposition du matériau résistant organique au plasma réactif et/ou au décapage par pulvérisation. Dans le procédé décrit sur les figures 6A à 6D, on utilise deux matériaux résistants de sensibilités différentes. Le matériau résistant de sensibilité la plus élevée 70 au sommet est un matériau résistant de type positif et en bas on utilise le matériau résistant 12 de type négatif. La couche résistante inférieure 12 est de l'ordre de 25% plus épaisse que celle du matériau obtenu par la technique d'élimination par soulèvement (voir figure 6A). Après exposition a la lumière ultraviolettte, ou à un faisceau d'électron ou a une source de rayons X et après deve loppement, on obtient la forme représentée sur la figure 6B. Après dépôt électrolytique ou dépôt chimique, on obtient un masque minéral présentant un surplomb bien défini tel que celui représenté sur la figure 6C. Sur la figure 6D, le matériau 19 est déposé une fois que les couches résistantes 12 et 70 ont été éliminées. Le reste du procédé a été décrit précédemment. De même, un matériau résistant de type négatif peut être utilise avec le matériau résistant le plus sensible placé sur la partie inférieure. Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur les dessins, les caractéristiques essentielles de l'invention appliquées à un mode de réalisation préféré de celle-ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles, sans pour autant sortir du cadre de ladite invention. REVENDICATIONS 1.- Procédé de réalisation d'une structure de film mince par dépôt d'un matériau sous vide caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: a) l'application d'une matrice selon une configuration désirée sur un substrat, b) le dépôt d'un matériau de masquage dans lesdites ouvertures permettant d'obtenir des éléments présentant un surplomb au sommet desdites ouvertures, c) l'élimination de ladite matrice, d) le dépôt d'un matériau de revêtement sous vide présentant une épaisseur plus petite que celle de ladite première couche, et e) l'élimination dudit matériau de masquage; 2.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que ladite matrice comprend un matériau résistant, et que le matériau de masquage est formé par électrolyse à travers ladite matrice. 3.- Procédé selon la revendication 1 ou 2 caractérisé en ce que ledit matériau de masquage déposé par électrolyse sur ledit substrat présente une épaisseur beaucoup plus grande que celle de ladite matrice, ce qui permet d'obtenir des bords en surplomb dans la configuration du matériau de masquage. 4.- Procédé selon la revendication 1, 2 ou 3 caractérisé en ce que après l'étape d'élimination, un matériau résistant est appliqué à des parties dudit matériau de revêtement et que certaines portions de ce dernier sont éliminées. 5.- Procédé selon la revendication 1, 2, 3 ou 4 caractérisé en ce que ledit matériau de recouvrement comprend un laminé de plusieurs matériaux. 6.- Procédé selon la revendication 1, 2, 3, 4 ou 5 caractérisé en ce que ladite matrice comprend un matériau résistant exposé et développé de faç#on a donner des parois coniques auxdites ouvertures dans le sens inverse du surplomb, grace a quoi ledit matériau de masquage présente un surplomb lorsqu'il est déposé a l'intérieur desdites ouvertures. 7.- Procédé selon la revendication 6 caractérisé en ce que ladite matrice munie d'ouvertures comprend un matériau déformable thermiquement, et que sous l'effet d'une étape supplémentaire de chauffage il se produit un écoulement des bords de celle-ci arrondissant. lesdits bords, avant l'étape de dépôt dudit matériau de masquage. 8.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que ladite matrice se compose de plusieurs couches de matériaux résistants présentant des degrés différents de sensibilité à la radiation et l'étape permettant d'obtenir des ouvertures dans ladite matrice en ménageant ces ouvertures sur la couche supérieure avec une profondeur qui ne va pas au-delà de celle de la couche inférieure.