FR 2353880 A1 19771230 FR 7716189 A 19770526 La présente invention concerne un nouveau matériau de création d'images ayant une excellente stabilité d'image0 Plus particulièrement, la présente invention concerne un nouveau matériau de création d'images comprenant un substrat et une couche de création d images composite formée sur ledit substrat et co;pre- nant une couche de création d'images par dispersion et une couche anti-oxydante. Dans la plupart des. matériaux de création d'images conventionnels, à la suite de 1 'exposition de l'image à la lumière d'un matériau de création d'images, il est obligatoire de 80UmCt- tre le matériau exposé à des opérations de développement et de fixation. En plus, une telle exposition de l'image à la lumière, de telles opérations de développement et de fixation sont nécessairement conduites dans des conditions limitées, par exemple dans une chambre noire.En vue d'éviter les inconvénients provoqués par les procédés compliqués et les conditions limitées mentionnés ci-dessus et en vue de fournir un matériau de création d'images qui puisse btre manipulé d'une manière simplifiée, des études approfondies ont été réalisées. Comme résultat, il a Jusqu'à présent été proposé divers types de matériaux de création daima- ges qui rendent possible d'éliminer au moins quelques-uns des inconvénients inévitables dans de tels matériaux de création d'images conventionnels. Par exemple, dans la demande de brevet japonais publiée No 19.303/1973 correspondant à la demande de brevet britannique N 1.402.760, il est proposé un nouveau procédé de production d'images dans lequel procédé non seulement l'exposition de l'i- mage à la lumière d'un matériau de création d'images peut astre conduite dans une chambre éclairée mais également des opérations de développement et de fixation du matériau de création d'images exposé ne sont pas nécessaires. C'est-à-dire, selon le procédé proposé comme mentionné ci-dessus, l'image peut autre simplement produite seulement par l'exposition d'un matériau de création d'images à la lumière à travers un masque de création d'images pour provoquer ou occasionner la "dispersion* dans une couche de création d'images par dispersion, par exemple, une couche cOmpo- sée d'un métal ayant un point de fusion relativement faible, tel que le bismuth ou le tellurium. Cependant, le matériau de création d'images du type par dispersion ainsi appelé employé dans le procédé proposé comme mentionné ci-dessus, possède un inconvenient tel qu'il tend à store facilement oxydé dans la couche de création d'images par dispersion sous l'influence de l'oxygène, de l'eau et/ou analogue, en conduisant à une diminution de la densité optique, un mauvais contraste d'une image à obtenir ou déjà obtenue, etc.Mentionné de manière différente, avec le matériau de création d'images du type par dispersion employé, on ne peut pas obtenir une stabilité de l'image suffisante. En conséquence, le matériau est encore insuffisant comme matériau de création d'images. Ainsi, un objet de la présente invention consiste à résoudre le problème difficile accompagnant le matériau de création d'images du type par dispersion conventionnel, en fournissant ainsi un matériau de création d'images ayant une stabilité dsima- ge excellente. Un autre objet de la présente invention consiste à fournir un matériau de création d'images du type précité, qui est également excellent dans la sensibilité et la résolution, et, si l'on veut, excellent dans les caractéristiques de qualité. Encore un autre objet de la présente invention consiste à fournir un matériau de création d'images comme décrit précédemment, qui possède une structure de couche de création d'images relativement simple et qui puisse entre aisément manipulé pour donner une excellente image. D'autres buts, caractéristiques et avantages de la présente invention apparattront plus clairement à l'aide de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins annexés représentant plusieurs modes de réalisation d'un matériau de création d'images de l'invention actuellement préférés et qui ne sont donnés qu'à titre d'exemple0 Dans les dessins z - la figure 1 est une vue en coupe verticale d'un mode de réalisation d'un matériau de création d'images selon la présente invention, montrant une structure de couche de création d'images composite de la présente invention t - la figure 2 est une vue similaire d'un autre mode de réalisation d'un matériau de création d'images selon la présente invention g - la figure 3 est une vue semblable d'encore un autre mode de réalisation d'un matériau de création d'images selon la présente invention s - la figure 4 est une vue semblable d'un autre mode de réalisation d'un matériau de création d'images selon la présente invention - la figure 5 est une vue semblable d'encore un autre mode de réalisation d'un matériau de création d'images selon la présente invention S et - la figure 6 est une vue semblable d'encore un autre mode de réalisation d'un matériau de création d'images selon la présente invention Dans l'un des aspects et notamment dans le principal aspect de la présente invention, on fournit un matériau de création dai- mages comprenant un substrat et une couche de création d'images composite formée sur ledit substrat, ladite couche de création d'images composite comprenant au moins une couche de création d'images par dispersion et au moins une couche anti-oxydante ayant un point de fusion supérieur à celui de la couche de création d'images par dispersion et disposée sur au moins un côté de la couche de création d'images par dispersion, la couche de création d'images par dispersion étant partiellement oxydée. Selon un autre aspect de la présente invention, on fournit un matériau de création d'images comprenant un substrat, une couche de création d'images composite formée sur ledit substrat, ladite couche de création d'images composite comprenant au moins une couche de création d'images par dispersion et au moins une couche anti-oxydante ayant un point de fusion supérieur à celui de la couche de création d'images par dispersion et disposée sur au moins un côté de la couche de création d'images, la couche de création d'images par dispersion étant partiellement oxydée, et une couche de protection composée d'une substance comprenant un polymère et pourvue sur la surface de ladite couche de création d'images composite, la stabilité de l'image étant ainsi encore améliorée. Encore selon la présente invention, le matériau de création d'images est également amélioré dans la sensibilité et la résolution par rapport au matériau de création d'images p3r dispersion conventionnel0 On doit encore noter que le matériau de création d'images de la présente invention peut donner une image ayant une excellente qualité ou pureté. La raison pour laquelle le matériau de création d'images de la présente invention possède une stabilité d'image spécialement excellente n'est pas exactement connue en détail. Mais, en vue du fait que dans un matériau de création d'images ayant une couche de création d'images par dispersion mais pas de couche anti-c&num;xydante, mme dans le cas où la couche de création images par dispersion est partiellement oxydée, il est difficile d'obtenir une image pratiquement stable et également il se produit ; e diminution de la résolutknà cause d'une telle oxy- dation partielle, on pense que la raison est la suivante. Premièrement, lorsqu'une couche anti-oxydante est pourvue sur le bord inférieur d'une couche de création d'images par dispersion, c'est a-dire, entre un substrat et la couche de création d'images par dispersion, on ne peut pas obtenir une capacité anti-oxydante pratique à moins qu'une oxydation partielle de la couche de création d'images par dispersion soit ensuite effectuée, En tout cas, cependant, on croit que par la présence de la couche anti-oxydante, la formation et la croissance de germes ou noyaux, par exemple pendant le cours de la formation de la couche de création d'images par dispersion sur la couche anti-oxydante > sont contrôlées de façon que la couche de création d'images par dispersion formée puisse entre entraînée ou contrainte à avoir une structure dans laquelle la couche de création d'images par dispersion est difficilement oxydée et meme lorsque la couche de création d'images par dispersion est partiellement oxydée selon la présente invention, le matériau de création d'images résultant puisse donner une image d'une bonne résolution. Il est reconnu que le degré de modification ou changement structurel varie selon la substance de la couche anti oxydante.Mais, en général, lorsqu'unie épaisseur de la couche o anti-oxydante est de 50 A ou davantage, l'effet anti-oxydant devient manifeste. Deuxièmement, lorsqu'une couche anti-oxydante est pourvue sur le côté supérieur d'une couche de création d'images par dispersion, bien que dans des conditions spéciales comme il sera mentionné plus tard, on suscite ou provoque également une structure de la couche de création d'images par dispersion à se modifier ou changer pendant le cours de formation de la couche anti-oxydante, on croit généralement que la couche anti oxydante pourvue sur le côté supérieur de la couche de création d'images par dispersion agit pour protéger celle-ci de l'oxyder tion.Ainsi, on note qu'une capacité antidxydante suffisante n'est pas obtenue seulement en fournissant sur la couche de création d'images par dispersion la couche anti-oxydante ayant une épaisseur du domaine dans lequel une bonne productivité du matériau de création d'images est atteinte. Cependant, lorsque la couche de création d'images par dispersion est partiellement oxydée, on obtient de manière surprenante un matériau de création d'images ayant une bonne résolution et une capacité antioxydante pratique . On croit que la couche anti-oxydante sur le côté supérieur agit pour faciliter la dispersion de la couche de création d'images par dispersion, en conduisant à une amélioration de la résolution. Comme décrit précédemment, selon la présente invention, on obtient un matériau de création d'images ayant une excellente stabilité d'image en fournissant une couche anti-oxydante en plus d'une couche de création d'images par dispersion et en oxydant partiellement la couche de création d'images par dispersion. On peut fournir la couche anti-oxydante en une seule couche ou en plusieurs couches soit sur le côté inférieur soit sur le coté supérieur de la couche de création d'images par dispersion, et éventuellement, elle peut autre prévue en une couche unique ou en plusieurs couches à la fois sur le coté inférieur et le côté supérieur de la couche de création d'images par dispersion. La couche de création d'images par dispersion peut également btre prévue ou fournie en une couche unique ou en plusieurs couches. Les manières de combinaisons d'une ou plusieurs couches de création d'images par dispersion et d'une ou plusieurs couches antioxydantes peuvent entre arbitraires comme il sera expliqué plus tard par rapport aux dessins annexés. L'oxydation partielle de la couche de création d'images par dispersion peut autre accomplie sous toute forme, par exemple, sous forme d'une couche, sous forme d'une dispersion ou sous la forme d'une combinaison de celles-ci.Ainsi, on fournit le matériau de création d'images comprenant un substrat et une couche de création d'images compo site formée sur le substrat et comprenant au moins une couche de création d'images par dispersion partiellement oxydée et au moins une couche anti-oxydante disposée sur un côté ou à la fois sur les deux côtés de la couche de création d'images par dispersion partiellement oxydée. Une couche de protection composée d'une substance compre- nant un polymère, comme il sera expliqué par la suite, peut entre prévue et pourvue sur la surface de la couche de création d'images composite mentionnée ci-dessus. Un matériau de création d'images selon la présente invention peut terre de n'importe laquelle de diverses structures com me il est apparent à partir de la description précédente. Des exemples représentatifs des structures sont ceux montrés dans les dessins annexés. Dans les figures 1 à 6, le nombre de référence 1 représente un substrat, les nombres de référence 2, 2a et 2b représentent des couches de création d'images par dispersion, les nombres de référence 3, 3a, 3b et 3c représentent des couches anti-oxydantes, et le nombre de référence 4 représente une couche de protection.La figure 1 montre une vue en coupe verticale du matériau de création d'images de la structure qui montre qu'une couche anti-oxydante 3 est pourvue sur un substrat 1 et une couche 2 de création d'images par dispersion est pourvue sur le substrat pour former une couche de création d'images composite, et une couche 4 de protection est de plus pourvue ou agencée sur la surface de la couche de création d'images composite selon nécessités. Dans la structure du matériau de création d'images montrée à la figure 2, l'ordre d'agencement de la couche 2 de création d'images par dispersion et de la couche antioxydante 3 de la figure 1 est inversé. Les figures 3 à 5 montrent des vues en coupe verticale des matériaux de création d'images de diverses structures de couche. Lorsqu'unie pluralité de couches de création d'images par dispersion sont prévues, elles peuvent entre en une substance identique ou différente. De manière semblable, on peut prévoir ou fournir une pluralité de couches anti-oxydantes faites en substances identiques ou différentes. Dans une structure de couche de création d'images composite composée d'au moins une couche de création d'images par dispersion et d'au moins une couche anti-oxydante, les couches peuvent entre identiques ou différentes dans l'épaisseur de la couche, le procédé de formation de la couche et analogues.Selon les modifications ou variations mentionnées ci-dessus, on peut atteindre divers buts et objets. La figure 6 montre une vue en coupe verticale du matériau de création d'images de la structure selon laquelle sur la couche 3b anti-oxydante la plus externe de la structure composée des deux structures de couche de la figure 2 est de plus prévue ou agencée une couche 3c antioxydante différente dans le type de substance de la couche 3b anti-oxydante, et y est également de plus prévue une couche de protection selon nécessités. Une couche de création d'images par dispersion ayant sur ses deux côtés à la fois des couches antioxydantes disposées d'une manière analogue à un sandwich possède la capacité la plus élevée anti-oxydante.Le matériau de création d'images de la présente invention peut autre efficacement imparti avec une qualité remarquablement élevée en prévoyant des couches de création d'images par dispersion du type multicouches, par exemple, comme montré dans les figures 4 à 6. Le matériau de création d'images de la présente nvitInpeutda nemuneimEge,par application correspondante, d'un modèle ou schéma prédéterminé, d'une énergie à une quantité égale ou supérieu-- re à une certaine valeur de seuil critique pour la fusion ou le ramollissement de la couche de création d'images par dispersion. Comme types d'énergies à appliquer au matériau de creation d'images de la présente invention, on peut mentionner des énergies par rayonnement, des énergies par faisceau de particules et analogues. L'énergie peut entre soit d'un type continu ou d'un type à impulsions.Comme source d'énergie, on peut employer une lampe flash, une lampe infrarouge, un laser, un générateur de faisceau d'électrons ou analogues. LorSqu'on tient compte d'une résolution désirée de l'image et d'un endommagement possible du substrat, le temps d'application de l'énergie devrait tre aussi court que possible, et l'énergie peut être appliquée de préférence sous la forme d'une exposition de plusieurs millisecondes ou moins, avantageusement d'une picoseconde à une milliseconde. Plus le temps de la durée d'application est court, plus la résolution de l'image est améliorée ou accrue et plus l'endommagement du substrat est réduit. L'endommagenent du substrat peut être nul en dernier lieu. Le terme wdispersion comme employé dans la description et les revendications signifie un phénomène consistant en ce qu'un film solide mince, continu, d'une substance ou matériau devient discontinu lorsque l'énergie absorbée dans le matériau ou la substance excède une certaine valeur de seuil critique par application de l'énergie. En conséquence, le terme "couche de création d'images par dispsrsionn sert à signifier une couche composée d'une substance capable de provoquer ou occasionner la "dispersion" définie ci-dessus. Dans un mode de réalisation préférable de l'opération de formation d'images d'un matériau de création d'images selon la présente invention, la couche de création d'images par dispersion est soumise à l'application d'une énergie suffisante, c'està-dire, l'énergie d'une certaine valeur de seuil critique ou davantage. Par application de l'énergie, la substance de la couche de création d'images par dispersion est fondue ou ramollie dans un état fluide uniforme, et ensuite provoquée, entraînée ou contrainte à former des grains ou structures extrêmement fins ou petits qui n'interfèrent pas avec la transmission ou la refle- xion de la lumière normale du substrat ou d'une autre couche ou d'autres couches, en donnant ainsi une image ayant un contraste élevé.L'énergie peut astre appliquée sur le côté de la couche de création d'images par dispersion ou sur le côté du substrat sur une base de cas par cas selon le mode de réalisation de lsopéra- tion de formation d'images. Des substances à employer pour la formation d'une couche de création d'images par dispersion dans la présente invention sont choisies à partir de la classe de substances généralement dénommées comme semi-conducteurs électriques, c' est-à-dire1 des métaux ayant une conductivité électrique de 10-13 à 103 ohm-1. ohm cm 1. Pour Autre utile comme substance pour la couche de créa- tion d'images par dispersion, une substance doit avoir un point de fusion ou de ramollissement relativement faible, qui est assez faible pour permettre temporairement la fusion ou au moins le ramollissement de la substance sous l'effet de la source d'énergie disponible. L'énergie nécessitée pour la fusion ou le ramollissement temporaire et la dispersion du matériau de la couche de création d'images par dispersion ne doit pas être plus grande que celle qui peut être acceptée ou accommodée par le substrat sur lequel est pourvue la couche de création d'images par dispersion.Egalement une substance pour la couche de création d'images par dispersion doit avoir à la température de formation d'images par dispersion une viscosité qui est assez faible pour permettre à la substance de s'écouler à le fois en des grains si fins qu'ils n'interfèrent pas avec la formation des aires ou domaines de transmission choisis. Une autre pnoprié- té souhaitable d'une substance préférée pour la couche de création d'images par dispersion consiste en ce qu'elle possède une conductivité thermique relativement faible comme cela est trouvé dans les substances semi-conductrices mentionnées ci-dessus.Des images produites avec des matériaux de création d'images ayant la couche de création d'images par dispersion composée d'une substance ayant une conductivité thermique faible sont plus nettes, précises, marquées ou constrastées et fournissent une résolution supérieure. De manière générale, ces substances, qui possèdent un point de fusion ou de ramollissement dans le domaine allant de 100 à 1000 C, une viscosité de ou supérieure au point de fusion ou de ramollissement dans le domaine allant de 1o2 à 10-5 poises, une conductivité thermique dans le domaine allant de 10-4 à 10 1 cal.cm/cm2 s.oC et une tension superficielle à l'état ramolli ou fondu dans le domaine allant de 50 à 1000 dynes/cm, sont préférables et appropriées carne substances de couche de création d'images par dispersion. De nombreuses substances qui peuvent être employées comme substances d'une couche de création d'images par dispersion dans la présente invention sont décrites dans la demande de brevet japonais mentionnée précédemment ouverte au public NO 19.303/ 1973. Des exemples spécifiques de telles substances incluent le bismuth, l'antimoine, l'étain, l'aluminiwn, la cadmium, le cuivre, le nickel, le zinc, le plomb, le sélénium, l'indium, le tellurium, des alliages contenant le composant ou les composants mentionnés ci-dessus, diverses compositions contenant un ou des éléments chalcophiles ou chalcogénels sauf l'oxygène, et analogues. Comme substance de couche de création d'images par dispersion ayant une valeur de seuil faible, le bismuth et le tel curium sont spécialement préférés et appropriés. La couche de création d'images par dispersion peut être formée par tout moyen convenable, par exemple par évaporationdéposition sous vide, par projection ou crépitement, par revate- ment par ions et analogue. L'épaisseur d'une couche de création images par dispersion peut être dans le domaine allant de 50 o à 5000 A, de préférence dans le domaine allant de 100 à 1000 A. Comme procédé d'oxydation partielle de la couche de création d'images par dispersion d'un matériau de création d'images de la présente invention, on peut mentionner divers procédés. L'un de ces procédés consiste dans l'emploi d'une évaporationdéposition réactive sous vide, d'une projection réactive ou analogue en formant la couche de création d'images par dispersion en employant les substances mentionnées ci-dessus. Mentionné de manière illustrative, un gaz réactif, c'est-à-dire, de l'oxygène ou analogue dans la présente invention, est introduit dans l'atmosphère de travail, et l'évaporation-déposition sous vide, la projection ou analogue est conduite en présence du gaz réactif sous pression de, par exempleolO à 10 Torr, de sorte que la formation de la couche de création d'images par dispersion et l'oxydation partielle puissent btre ainsi accomplies de manière simultanée.Le degré souhaité d'oxydation peut être obtenu en contrôlant la quantité d'oxygène à introduire et/ou d'autres conditions. La distribution d'oxydation dans la couche de création d'images par dispersion peut être faite soit uniforme soit modifiée continuellement. Comme autre procédé d'oxydation, il y a un procédé dans lequel après la formation de la couche de création d'images par dispersion, on oxyde partiellement la couche par tout procédé approprié. Par exemple, on peut mentionner des procédés dsoxyda- tion par le traitement avec de l'air ou l'oxygène à la température ambiante ou par chauffage, avec de l'eau ou de la vapeur ou avec un agent d'oxydation tel que le péroxyde d'hydrogène ou analogue ; par une irradiation de lumière en présence de l'air ou d'oxygène ; par oxydation anodique ; et par charge ou décharge électrique en présence de l'air ou de l'oxygène ; et d'autres procédés d'oxydation analogues disponibles.Alternativement, l'oxydation partielle de la couche de création d'images par dispersion peut être réalisée en traitant, par exemple, en chauffant le matériau après que la couche de protection soit pourvue comme couche la plus externe du matériau de création d'images comme montré dans la figure 1, dans la figure 2, etc. On croit plausible que l'oxydation procède par l'action de l'oxygène présent entre les couches respectives ou présent localement dans la couche de création d'images par dispersion elle-mkne. Comme résultat de l'oxydation partielle mentionnée cidessus de la couche de création d'images par dispersion, on observe la diminution de la densité optique. Dans la description, la densité optique (D.O.) est représentée par la formule générale suivante intensité de la lumière transmise D . = -log intensité de la lumière incidente En conséquence, la conversion de l'oxydation peut bere exprimée en termes de la diminution de la densité optique qui est représentée par la formule générale suivante X D.O. après oxydation Diminution de D.O. = 100 - x 100 (%) D.O. avant oxydation Une diminution préférée de la densité optique dans la couche de création d'images par dispersion d'un matériau de création d'images selon la présente invention est de 80% ou moins, plus avantageusement de 50% ou moins. Lorsque la diminution de la densité optique est excessivement importante, une oxydation uniforme est considérée pour btre difficile à obtenir. En conséquence, on ne préfère pas une diminution excessive de la densité optique. De façon qu'un matériau de création d'images de la présente invention montre une capacité anti-oxydante efficace, la diminution de la densité optique est de manière désirable d'au moins 0,5%, et de manièreplusavantageuse de 2% ou davantage.On a trouvé que lorsque la couche de création d'images par dispersion est oxydée à la proportion de 3% ou davantage, de préférence 5% ou davantage en termes de diminution de la densité cp- tique, le matériau de création d'images de la présente invention montre une qualité excellente méme dans de cas où le matériau de création d'images a seulement une couche de création d'images par dispersion. La diminutionla plus adéquate de la densité optique doit être déterminée en relation avec la couche antioxydante. Une substance à employer pour la formation d'une couche anti-oxydante dans la présente invention doit avoir un point de fusion ou de ramollissement plus élevé que celui de la substance de la couche de création d'images par dispersion à employer. En d'autres termes, ces substances qui ne sont pas fondues ou ramollies par l'énergie appliquée par la formation de l'image par dispersion, sont préférées. Habituellement, une substance ayant un point de ramollissement ou de fusion de 300oC ou davantage est employée de préférence. La couche anti-oxydante doit apparemment btre faite d'une substance ou matériau qui n'interfère pas avec caractérisation à travers celle-ci d'une image formée dans la couche de création d'images par dispersion.De plus, la substance ce de la couche anti-oxydante n'est pas seulement requise pour ne pas se décomposer ou se dégénérer facilement pendant sa formation de couche, mais est également de préférence requise dans la plupart des cas pour ne pas réagir facilement avec la substance de la couche de création d'images par dispersion. Au vue de ces points, on peut employer les composés suivants eomme substance de la couche anti-oxydante. Généralament, on peut mentionner des oxydes, des halogénures, des sulfures, des hydroxydes, d'autres sels et analogues de métaux, le silicium ou analogue.Des exemples spécifiques de substances de couche anti-oxydante de préférence à employer incluent des oxydes tels que des oxydes de bismuth, des oxydes d'aluminium, des oxydes de zinc1 des oxydes d'indium, des oxydes d'étain, des oxydes de titane, des oxydes de beryllium, des oxydes de tantale, des oxydes de silicium, des dioxydes de silicium et analogues t des halogénures tels que le fluorure de magnésium, le fluorure de calcium, le fluorure de lithium, des chlorures de plomb, le bromure de potassium et analogues t des sulfures tels que le sulfure de zinc et analogue s des hydroxydes tels que l'hydroxyde d'aluminium, l'hydroxyde de bismuth et analogues ; le sulfate de calcium et analogue. Ils peuvent titre employés seuls ou en mélange. Parmi ces composés, on préfère spécialement l'oxyde d'aluminium, le mcnooxyde de silicium et le dioxyde de silicium puisqu'ils donnent ou communiquent une stabilité d'image élevée à un matériau de création d'images de la présente invention. En employant les substances mentionnées ci-dessus, on forme une couche anti-oxydante par évaporation-déposition sous vide, par projection, par revêtement par ions et etc... Dans le cas où deux ou plusieurs types de substances sont employés en mélange pour former une couche anti-oxydante, on peut adopter une co-évaporation et co-déposition sous vide, une co-proj ection ou analogues. L'épaisseur d'une couche anti-oxydante peut varier selon la substance et l'emploi désiré, mais habituellement est dans dans le domaine allant de 10 à 2000 A, de préférence dans le do- maine allant de 20 à 500 , spécialement de préférence dans le domaine allant de 50 à 300 .Dans le cas où on combine la formation de couches, en employant l'une des substances mentionnées ci-dessus, par évaporation-déposition sous vide, la substance souvent se décompose partiellement à cause de son point de fusion élevé, mais la décomposition partielle ne procure pas spécialement des perturbations au matériau de création d'images de la présente invention. D'autre part, la substance évaporée dans le procédé d' évaporation-déposition sous vide possède une énergie calorifique élevée.En conséquence, lorsqu'on dépose la substance de la couche anti-oxydante par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur la couche de création d'images par dispersion, l'énergie calorifique agit pour créer la couche de création d'images par dispersion sur sa partie superficielle pour supporter la modification de structure, par exemple, la couche de création d'images par dispersion est rendue non uniforme et etc ... Cette modification de structure a une possibilité de donner ou d'accrottre une qualité de l'image. Dans le cas où une substance ayant une conductivité thermique faible est employée pour former la couche anti-oxydante, son effet dtisolation thermique donne une sensibilité et une résolution excellentes au matériau de création d'images. Un substrat à employer dans la présente invention peut entre soit légèrement transparent soit permettant une légère réflexion. Le choix de la substance entre un substrat transparent et un substrat permettant une réflexion est fait selon l'emploi prévu ou souhaité d'un matériau de création d'images à produire. Mentionné de manière illustrative, le type de substance est déterminé selon la manière lecture, c'est-à-dire si une image à enregistrer est lue par transmission avec des yeux ou par réflexion avec des yeux, ou si oui ou non elle est lue en employant un appareil de lecture optique ou électrique autre que des yeux. D'autre part, dans le cas où un matériau de création d'images à produire est employé comme plaque ip un matériau d'lmpression pour la production d'une partie électrique, on peut choisir un substrat spécifique. En général, comme substance pour un substrat à employer dans la présente invention, on peut employer de préférence du verre, de la céramique, un métal, du mica, un papier, une subs tanceenQi pellicule ou analogues. Ces substances peuvent également entre soumises à divers pré-traitements de façon qu'elles puissent btra adaptées pour divers buts ou objets. Parmi des substances appropriées comme décrit ci-dessus, des substances en film ou en pellicule organique sont davantage préférables et appropriées pour la plupart des buts d'application.Les avantages de ltemploi de matériaux ou substances en film organique sont des substances telles que celles disponibles sous la forme d'un rouleau à cause de leur bonne flexibilité et parce qu'elles ont une conductivité thermique faible qui est une propriété préférable pour le substrat du matériau de création d'images de la présente invention. Des exemples spécifiques des substances en film ou pellicule organique incluent des films de polyester, de polyamide, d'acétate de cellulose, de polystyrène, de polyéthylène, de polypropylène, des copolymères de monomères des polymères mentionnés ci-dessus et analogues. Dans le cas où la transparence et la résistance à la chaleur sont particulièrement souhaitées, on emploie de manière avantageuse un film de polyester ou un film d'acétate de cellulose. Une couche de protection de la présente invention peut entre faite d'un polymère ou d'une substance composée principalement d'un polymère. Comme polymère, des substances de polymère organique sont préférées. Généralement, de nombreuses substances de polymère organique sont excellentes dans diverses caractéristiques telles que la résistance à l'abrasion, la résistance par perméation à un gaz, la flexibilité et analogues, et sorrtfacilement disponibles. On souhaite la flexibilité de façon que la substance fonctionne efficacement comme couche de protection contre une force externe telle qu'une flexion ou analogue, et en conséquence, on a besoin de la flexibilité pour de nombreuses applications du matériau de création d'images de la présente invention.Une autre propriété éventuellement souhaitée pour les substancese la couche de protection est une bonne transmissivité d'une énergie a appliquer pour la formation d'une image, c' est-à-dire, lorsqutune énergie par rayonnement pour la formation d'image est appliquée sur le côté de la couche de protection, on souhaite que la substance de la couche de protection ait une bonne transmissivité à l'énergie.De plus, mentionné de manière générale, il est également important que la substance de la couche de protection ait une propriété telle qu'elle n'inter- fère pas avec la lecture d'une image à imprimer sur le matériau de création d'images. Des exemples spécifiques de polymères à employer de préférence pour la formation d'une couche de protection du matériau de création d'images de la présente invention incluent le polyacrylonitrile, le chlorure de polyvinylidène, le chlorure de polyvinyle, l'acétate de polyvinyle, le polyvinylealcool, le polyvinyl e-butyral, le polytétra iluoroéthyl ène, le fluorure de polyvinylidène, le cinnamate de polyvinyle, le polychloroprène, le polybutadiène, un copolymère de chlorure de vinylidène et d'acétate de vinyle, un copolymère de chlorure de vinylidène et d'acrylonitrile, un copolymère de chlorure de vinylidène et do chlorure de vinyle, un copolymère de fluorure de vinylidène et d'hexafluorure de propylène, un copolymère de styrène et d'acrylonitrile, un copolymère de styrène, d' acrylo- nitrile et de butadiène, le polyuréthane, les polyamides, les polyesters, les polycarbonates, de l'acétate de cellulose, les résines époxy et analogues. Ils peuvent btre employés seuls ou en mélange. Parmi ces polymères, on préfère spécialement le polyuréthane, le chlorure de polyvinylidène, le fluorure de polyvinylidène et le cinnamate de polyvinyle. La couche de protection peut contenir un agent anti-blocage, un agent de couplage de silane, un agent anti-statique et/ou analogues. De plus, ils peuvent contenir dans la couche de protection un monomère ou prepolymère de réticulation, un agent photosensible et/ou ana logue avec le but de donner une fonction supplémentaire comme photo-résistance. Les substances mentionnées ci-dessus de la couche de protection peuvent Store dissoutes ou dispersées dans un solvant approprié et enrobées. De manière alternative, les films faits de telles substances peuvent entre laminés. L'épaisseur de la couche de protection peut entre dans le domaine allant de 0,1 à 10 microns. Des agents photorésistants disponibles dans le marché peuvent également autre employés comme substance de la couche de protection du matériau de création d'images de la présente invention. Des agents photo-résistants à la fois du type négatif et du type positif sont disponibles. Mais des agents photorésistants du type négatif sont de préférence employés dans la présente invention.Des exemples spécifiques des agents photorésistants du type négatif disponibles sur le marché incluent le KPR (dénomination commerciale d'un agent photo-résistant du type cinnamate de polyvinyle fabriqué et vendu par Eastman Kodak Co., U.S.A.), le KTFR (dénomination commerciale d'un agent photorésistant du type bisazide-caoutchouc fabriqué et vendu par Eastman KodaK Co., U.S.A.), le TPR (dénomination commerciale d'un agent photo-résistant du type cinnamate de polyvinyle fabri qué et vendu par Tokyo Oka Kogyo K.K., Japon), 1 'oe d'un agent photo-résistant du type bisazidecaoutchouc fabriqué et vendu par Tokyo Oka Kogyo X.K., Japon), le Riston (dénominination commerciale d'un agent photo-résistant du type ester de l'acide acrylique fabriqué et vendu par Du Pont CO., U.S.A.) et analogues. Ces agents photo-résistants sont dissous dans un solvant approprié et enrobés, et leur épaisseur après séchage est de préférence dans le domaine allant de O, 1 à 10 microns. Eventuellement, on peut y ajouter un agent antiblocage. On peut utiliser un matériau de création d'images de la présente invention pour la formation d'images dans divers domaines de micro-images, de plaques d'impression offset, de panneaux ou plaquesde circuit imprimé et analogues. La présente invention sera maintenant illustrée en référonce a des exemples donnés sans caractère exhaustif et qui ne pauvt en aucun cas limiter la portée de la présente invention. Les propxiétés décrites dans les exemples sont mesurées et Ava- luées selon les procédés suivants. (1)Denité optique s On mesure la densité optique en employant un densimètre de transmission Macbeth TD-50O (dénomination commerciale d'un densimètre fabriqué selon les règles de ASA-PH 2,19-1959 et vendu par Macbeth CO., U.S.A.). (2) Rétention de la densité optique On estime la stabilité de l'image en termes de rétention de la densité optique d'un matériau de création d'images. On représente la rétention de la densité optique par la formule suivante: D.O. après stockage du matériau de création d'images Rétention de D.O. = - - - - x 100 (%) D.O. juste après production du matériau de création d'images La rétention de la densité optique d'un matériau de création d'images doit etre de 90% ou davantage de façon qu'il puisse avoir un emploi pratique. (3) Résolution Un masque de film diazo,sur lequel un diagramme ou graphique d'essai de résolution 1010 en accord avec NBS est photographié, est placé en contact proche avec un matériau de création dsima- ges. On expose le matériau de création d'images à travers le masque à un flash. On observe l'image obtenue en employant un microscope optique de type BHC-312-M (dénomination commerciale d'un microscope optique fabriqué et vendu par Olympus Kogaku Kogyo K.K., Japon) et on mesure la résolution. (4) Qualité Un masque d'argent anhydre N 7842 (dénomination commerciale d'un film photosensible du type sel d'argent anhydre fabriqué et vendu par Minesota Mining and Manufacturing Company, U.S.A.) ayant une image d'un tableau d'échelle 8 (fabriqué et vendu par Eastman Kodak Co., U.S.A.) qui y est photographiée est placé en contact proche avec un matériau de création d'images. Le tableau possède l'image dans laquelle la densité optique est modifiée par étapes pour la mesure de la qualité.On expose le matériau de création d'images à travers le masque à un flash à 600 volts d'une lampe à flash au xénon (fabriquée et vendue par EG & G, Inc., U.S.A.) ayant une période de pulsations de 50 microsecondes et une capacité de condensateur de 120 microfarads, laquelle lampe est placée à une distance de 10 mm à partir de la surface du matériau de création d'images. Les densités optiques dans toutes les étapes de l'image du tableau photographiée sur le matériau de création d'images sont répertoriées selon les densités optiques dans les étapes correspondantes de l'image du tableau photographiée sur le masque, pour former un graphe ayant une ordonnée représentant la densité optique de l'image sur le matériau de création d'images et une abscisse représentant la densité optique de l'image sur le masque. La qualité est estimée en termes de l'inclinaison de la ligne droite du graphe. On référence l'inclinaison comme valeur T . Plus la valeur t est faible, plus la qualité est élevée. Les exemples suivants illustrent la présente invention plus en détail de manière à clarifier davantage le mode de réalisation de celle-ci, mais ne sont pas mentionnés de manière à limiter la portée de la présente invention car de nombreuses modifications et variations de celle-ci sont possibles. Exemple 1 On dépose un film de dioxyde de silicium de 50 A d'épaisseur par une technique de projection sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur de 100 icrons et on dépose un film de pismuth d'épaisseur de 550 par une technique d'évaporationdéposition sous vide sur la couche de dioxyde de silicium. La densité optique du matériau de création d'images obtenue est de 1,7. On soumet la couche de bismuth à un traitement avec une solution de péroxyde d'hydrogène aqueuse à 8,6 % en poids pendant 20 minutes, en oxydant ainsi partiellement la couche de bismuth à une étendue telle que la densité optique est réduite à 1,3. On laisse le matériau de création d'images ainsi obtenu rester à une température de 600C à une relative humidité de 65% pendant un mois. La rétention de densité optique est de 95%. D'autre part, on place le mbme masque de film diazo imagé décrit ci-dessus par rapport au procédé de mesure de résolution, en contact proche avec la couche de bismuth partiellement oxydée du matériau de création d'images0 On expose le matériau de création d'images à travers le masque à un flash à 600 volts d'une lampe à flash au xénon (fabriquée et vendue par EG & G, Inc., U.S.A.) ayant une période de pulsations de 50 microsecondes et de capacité de condensateur de 120 microfarads, laquelle lampe est placée à une distance de 10 mm à partir de la surface du matériau de création d'images. On obtient une image claire ayant une résolution de 200 lignes/mm. Par comparaison, on dépose seulement un film de bismuth d'épaisseur de 550 A par une technique d'évaporetion-déposition sous vide sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épais- seur de 100 microns. Pour la production d'une image sur le matériau de création d'images ainsi obtenu, on a besoin de 800 volts avec la mbme lampe à flash au xénon comme celle employée cidessus. La résolution est de 80 lignes/mm. D'autre part, on laisse le matériau de création d'images obtenu précédemment rester pendant un mois dans les mimes conditions que décrites précédemment. La rétention de la densité optique est de 55 %. Exemple 2 On dépose un film de moncGxydc de silicium d'épaisseur de 200 A par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur de 100 microns et on dépose un film de téllurium d'épaisseur 350 A par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur la couche de rnonocayde de silicium. Ultérieurement, on enrobe une solution de Saran 6904 à 5X en poids de tétrahydrofuranl; (dénomination commerciale d'une résine de type de chlorure de polyvinylidène fabriquée et vendue par Asahi Dow Ltd., Japon) par une technique de revFtement en barre sur la couche de téllurium et on sèche pour donner une couche de protection d'épaisseur 1 micron.On chauffe le matériau obtenu à 70-C pendant 20 minutes pour oxyder partiellement la couche de téllurium à une étendue telle que la densité optique est réduite de 1,3 à 1,2. On laisse le matériau de création d'images ainsi obtenu rester à une température de 60C à une humidité relative de 65% pendant un mois. La rétention de la densité optique est de 94eS; Pour comparaison, on dépose seulement un film de téllurium o d'épaisseur 350 A par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 100 microns. On laisse le matériau de création d'images obtenu rester pendant un mois dans les mes conditions comme décrites cidessus. La rétention de la densité optique est de 75. Exemple 3 On dépose un film d'oxyde d'aluminium d'épaisseur 200 A par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 125 microns et on dépose un film d'un alliage de 50 parties atomiques de bismuth et 50 parties atomiques de zinc d'épaisseur 600 A par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur la couche d'oxyde d'aluminium. Ultérieurement, on enrobe une solution de Saran 310 à 5% en poids de méthyléthylcétone (dénomination commerciale d'une résine de type chlorure de polyvinylidène fabriquée et vendue par Asahi Dow Ltd., Japon) par une technique de revete- ment en barre sur la couche d'alliage et on sèche pour donner une couche de protection d'épaisseur 1,3 micron.On expose le matériau obtenu à une atmosphère ayant une température de 500c et une humidité relative de 80% pendant 20 minutes pour oxyder partiellement la couche d'alliage de bismuth et de zinc à une étendue telle que la densité optique est réduite de 1,7 à 1,5. On laisse le matériau de création d'images ainsi obtenu rester à une température de 600 C à une humidité relative de 65% pendant un mois. La rétention de la densité optique est de 96%. Pour comparaison, on dépose seulement un film de l'alliage de 50 parties atomiques de bismuth et de 50 parties atomiques de zinc d'épaisseur 600 A par une technique d' évaporation-déposition sous vide sur un film de téréphtalate de polyéthylène dtkpais- seur 125 microns. On laisse le matériau de création d'images obtenu rester pendant un mois dans les mimes conditions comme décrit ci-dessus. La rétention de la densité optique est de 33%. Exemple 4 On dépose un film de fluorure de magnésium d'épaisseur 200 par une technique d'evaporation-déposition sous vide sur un film d'acétate de cellulose d'épaisseur 150 microns et on dépose un film de plomb d'épaisseur 530 A par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur la couche de fluorure de magnésium. Le matériau obtenu est chauffé à 100oC pendant 5 minutes pour oxyder partiellement la couche de plomb à une étendue telle que la densité optique est réduite de 1,45 à 1,4. Ultérieurement, on enrobe une solution d'Estane 5715 à 5X en poids de méthyléthyl cétone (dénomination commerciale d'une résine de polyuréthane fabriquée et vendue par B.F. Goodrich, oye., Ltd., U.S.A) par une technique do revietement en barre sur la couche de plomb partiellement oxydée et on sèche pour donner une couche de protection de 0,8 microns d'épaisseur. On laisse le matériau de création d'images ainsi obtenu rester à une température de 600C à une humidité relative de 65% pendant un mois. La rétention de la densité optique est de 94%. Pour comparaison, on dépose seulement un film de plomb d'épaisseur 530 A par une technique daévaporation-déposition sous vide sur un film d'acétate de cellulose d'épaisseur 150 microns. On laisse le matériau de création d'images obtenu rester pendant un mois dans les mimes conditions que décrit précédemment. La rétention de la densité optique est de 65%. Exemple 5 On dépose un film d'oxyde d'aluminium d'épaisseur 100 par une technique de projection sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 100 microns et on dépose un film de o bismuth d'épaisseur 600 A par une technique d'évaporationdéposition sous vide sur la couche d'oxyde d'aluminium. La couche de bismuth est partiellement oxydée par un traitement avec une solution de péroxyde d'hydrogène aqueuse à 5% en poids pendant 50 minutes à un degré ou une étendue tel que la densité optique est réduite de 2,0 à 1,1.Ultérieurement, on enrobe une solution de TPR (dénomination commerciale d'un agent photo-résistant du type cinnamate de polyvinyle fabriqué et vendu par Tokyo Oka Kogyo, K.K., Japon) à 5% en poids de méthyléthylcétone-acétate de cellosolve (1:1) par une technique de revvetement sur la couche de bismuth partiellement oxydée et on sèche pour donner une couche de protection dsepaisseur 1 micron. On durcit ensuite la couche de TPR par exposition pendant 5 minutes à la lumière d'une lampe à mercure de 3 KW du type P-802-1 (dénomination commerciale d'une lampe à mercure fabriquée et vendue par Dainippon Screen Mfg., oo., Ltd., Japon) qui y est placée à une distance de 80 cm à partir de la surface de la couche de TPR. On laisse le matériau de création d'images ainsi obtenu rester à une température de 60C à une humidité relative de 65% pendant un mois. La rétention de la densité optique est de 96%. Exemple 6 o On dépose un film de bismuth d'épaisseur 350 A par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 100 microns et on dépose un film film d'oxyde d'aluminium d'épaisseur loo A par une technique de projection sur la couche de bismuth. La couche de bismuth est partiellement oxydée par un traitement avec une solution de péroxyde d'hydrogène aqueuse à 8,6% en poids pendant 10 minutes à un degré ou une étendue tel que la densité optique est réduite de 1,3 à 1,1. On laisse le matériau de création d'images ainsi obtenu rester à une température de 600C à une humidité relative de 65X pendant un mois. La rétention de la densité optique est de 95%. D'autre part, on place un masque de chrome ayant une image donnée en contact proche ou près de la couche d'oxyde d'aluminium du matériau de création d'images. On expose le matériau de création d'images à travers le masque à un flash à 600 volts de la lampe flash au xénon ayant une période de pulsations de 50 microsecondes et une capacité de condensateur de 120 microfarads, laquelle lampe est placée à une distance de 10 mm à partir de la surface du matériau de création d'images. On obtient une image claire. Exemple 7 On dépose un film d'épaisseur 274 d'un alliage de 56,5 parties atomiques de bismuth et de 43,5 parties atomiques de plomb par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 100 microns et on dépose un film de monooxyde de silicium d'épaisseur 300 par une technique d' évaporation-déposition sous vide sur la couche d'alliage. Ultérieurement, on enrobe une solution de Saran 6904 à 5% en poids de tétrahydrofurane par une technique de re vttement en barre sur la couche de monouxyde de silicium et on sèche pour donner une couche de protection d'épaisseur 1 micron. On chauffe le matériau obtenu à 700C pendant 20 minutes pour oxyder partiellement la couche d'alliage de bismuth et de plomb à un degré tel que la densité optique est réduite de 1,1 à 1,0. On laisse le matériau de création d'images ainsi obtenu rester à une température de 600C à une humidité relative de 65% pendant un mois. La rétention de densité optique est de 94%. Exemple 8 o On dépose un film d'épaisseur 500 A d'un alliage de 50 parties atomiques de bismuth et de 50 parties atomiques de zinc par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 125 microns et on dépose un film d'épaisseur 50 de fluorure de calcium par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur la couche d'alliage. Subséquemment, on enrobe une solution de Saran 310 à 5% en poids de méthyléthylcétone par une technique de revêtement en barre sur la couche de fluorure de calcium et on sèche pour obtenir une couche de protection d'épaisseur de 2,0 microns.On expose le matériau obtenu à une atmosphère ayant une température de 500C à une humidité relative de 80% pendant 50 minutes pour oxyder partiellement la couche d'alliage de bismuth et de zinc à un degré tel que la densité optique est réduite de 1,5 à 1,1. On laisse le matériau de création d'images ainsi obtenu rester à une température de 600C à une humidité relative de 65% pendant un mois. La rétention de densité optique est de 96%. Exemple .9 On dépose un film d'épaisseur 500 A de plomb par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur un film d'acétate de cellulose d'épaisseur 150 microns. On chauffe le matériau obtenu à 100OC pendant 20 minutes pour oxyder partiellement la couche de plomb à un degré tel que la densité optique est réduite de 1,4 à 1,2, On dépose ensuite un film de dioxyde de silicium d'épaisseur 100 par une technique de projection sur la couche de plomb partiellement oxydée. Subséquemment, on enrobe une solution d'Estane 5715 à 5% en poids de méthyléthylcétone par une technique de revêtement en barre sur la couche de dioxyde de silicium et on sèche pour donner une couche de protection d'épaisseur 1,5 micron.On laisse le matériau de création daima- ges ainsi obtenu rester à une température de 600C à une humidité relative de 65% pendant un mois. La rétention de la densité optique est de 96%. Exemple 10 On dépose un film d'épaisseur 300 de bismuth par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 100 microns. On oxyde partiellement ensuite la couche de bismuth par un traitement de 10 minutes avec une solution de péroxyde d'hydrogène aqueuse à 5% en poids à un degré tel que la densité optique est réduite de 1j2 à 1,1. On dépose un film d'oxyde de bismuth d'épaisseur de 200 A par une technique de projection sur la couche de bismuth partiellement oxydée.Ultérieurement, on enrobe une solution de TPR à 5% en poids de méthyléthylcétone-acétate de cellosolve (1:1) par urje technique de revêtement en barre sur la couche d'oxyde de bismuth et on sèche pour donner une couche de protection d'épaisseur 1 micron. On durcit ensuite la couche de TPR par une exposition de 5 minutes à la lumière d'une lampe au mercure de 3 KW qui est placée à une distance de 80 cm à partir de la surface de la couche de TPR. On laisse le matériau de création d'images ainsi obtenu rester à une température de 600e à une humidité relative de 65% pendant un mois. La rétention de densité optique est de 95%. Exemple 11 On dépose un film d'épaisseur 50 d'oxyde d'aluminium par une technique de projection sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 100 microns, on dépose un film de bis o muth d'épaisseur 350 A par une technique d'évaporationdéposition sous vide sur la couche d'oxyde d'aluminium et on dépose ensuite un film d'oxyde d'aluminium d'épaisseur 100 par une technique de projection sur la couche de bismuth. On oxyde ensuite partiellement la couche de bismuth par un traitement de 5 minutes avec une solution de péroxyde d'hydrogène aqueuse à 8,6% en poids à un degré tel que la densité optique est réduite de 1,3 à 1,2. On laisse le matériau de création dxi- mages ainsi obtenu rester à une température de 600C à une humidité relative de 65X pendant un mois. La rétention de densité optique est de 99%. D'autre part, on place un masque de film diazo ayant une image donnée en contact proche ou près de la couche d'oxyde d'aluminium du matériau de création d'images. On expose le matériau de création d'images à travers le masque à un flash à 600 volts de la lampe flash au xénon ayant une période de pulsations de 50 microsecondes et une capacité de condensateur de 120 microfarads, laquelle lampe est placée à une distance de 10 mm à partir de la surface du matériau de création d'images. On obtient une image claire. Exemple 12 On dépose un film de monooxyde de silicium d'épaisseur 200 par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 100 microns, on dépose un film d'épaisseur 325 A d'un alliage de 56,5 parties atomiques de bismuth et de 43,5 parties atomiques de plomb par une technique d' évaporation-déposition sous vide sur la couche de monooxyde de silicium et on dépose ensuite un film de monooxyde de silicium d'épaisseur 300 A par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur la couche d'alliage.Subséquemment, on enrobe une solution de Technoflon T (dénomination commerciale d'une résine de type fluorure de polyvinylidène fabriquée et vendue par Toray K.K., Japon) à 5% en poids de méthyléthylcétone par une technique de revêtement en barre sur la couche de monooxyde de silicium et on sèche pour donner une couche de protection d'épaisseur 1 micron. On chauffe le matériau obtenu à 700C pendant 10 minutes pour partiellement oxyder la couche d'alliage de bismuth et de plomb à un degré tel que la densité optique est réduite de 1,25 à 1,2. On laisse le matériau de création d'images ainsi obtenu rester à une température de 600C à une humidité relative de 65% pendant un mois. La rétention de la densité optique est de 100 %. Exemple 13 o On dépose un film d'épaisseur 200 A d'oxyde d'aluminium par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 125 microns, on dépose un film d'épaisseur 500 d'un alliage de 50 parties atomiques de bismuth et de 50 parties atomiques de zinc par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur la couche d'oxyde d'aluminium et on dépose ensuite un film de 50 A d'épaisseur d'oxyde d'aluminium par une technique d'évaporationdéposition sous vide sur la couche d'alliage. Subséquemment, on enrobe une solution de Technoflon T à 5% en poids de méthyléthylcétone par une technique de revêtement en barre sur la couche d'oxyde d'aluminium et on sèche pour donner une couche de protection d'épaisseur 1 micron.On expose le matériau obtenu à une atmosphère ayant une teMpérature de 500C et une humidité relative de 80% pendant 5 minutes pour oxyder partiellement la couche d'alliage de bismuth et de zinc à un degré tel que la densité optique est réduite de 1,50 à 1,48. On laisse le matériau de création d'images ainsi obtenu rester à une température de 600C à une humidité relative de 65% pendant un mois. La rétention de 3 a densité optique est de 100%. Exemple 14 On dépose un film d'épaisseur 200 de fluorure de magnésium par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur un film d'acétate de cellulose d'épaisseur 150 microns, on dépo se un film de plomb d'épaisseur 500 par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur la couche de fluorure de magnésium et on dépose ensuite un film de dioxyde de silicium d'épaisseur 200 par une technique de projection sur la couche de plomb. On chauffe le matériau obtenu à 1000C pendant 10 minutes pour oxyder partiellement la couche de plomb à un degré tel que la densité optique est réduite de 1,4 à 1,3. Subséquemment, on enrobe une solution d'Estane 5715 à 5% en poids de méthyléthylcétone par une technique de revêtement en barre sur la couche de dioxyde de silicium et on sèche pour donner une couche de protection d'épaisseur 1 micron.On laisse le matériau de création d'images ainsi obtenu rester à une température de 600C à une humidité relative de 65% pendant un mois. La rétention de la densité optique est de 99%. Exemple 15 On dépose un film d'oxyde d'aluminium d'épaisseur 100 par une technique de projection sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 100 microns, on dépose un film de bismuth d'épaisseur 300 A par une technique d'évaporationdéposition sous vide sur la couche d'oxyde d'aluminium et on dépose ensuite un film d'oxyde de bismuth d'épaisseur 50 A par une technique de projection sur la couche de bismuth. On oxyde ensuite partiellement la couche de bismuth par un traitement de 5 minutes avec une solution de péroxyde d'hydrogène aqueuse à 5% en poids à un degré tel que la densité optique est réduite de i,2 à 1, 15.Subséquemment, on enrobe une solution de TPR à 5% en poids de méthyléthylcétone-acétate de cellosolve (irai) par une technique de revêtement en barre sur la couche d'oxyde de bismuth et on sèche pour donner une couche de protection d'épaisseur 1 micron. On durcit ensuite la couche de TPR par une exposition de 5 minutes à la lumière d'une lampe au mercure de 3 KW qui est placée à une distance de 80 cm à partir de la surface de la couche de TPR. On laisse le matériau de création d'images ainsi obtenu rester à une température de 600C à une humidité relative de 65% pendant un mois, La rétention de la densité optique est de 100%. Exemple 16 o On dépose un film de bismuth d'épaisseur 450 A par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 100 microns et on dépose un film d'oxyde d'aluminium d'épaisseur 200 par une technique d' évaporation-déposition sous vide sur la couche de bismuth. On oxyde ensuite partiellement la couche de bismuth par un traitement de 20 minutes avec une solution de péroxyde d'hydrogène aqueuse à 5% en poids à un degré tel que la densité optique est réduite de 1,5 à 1,2. Subséquemment, on enrobe une solution de Saran 6904 à 5% en poids de tétrahydrofurane par une technique de revêtement en barre sur la couche d'oxyde d'aluminium et on sèche pour donner une couche de protection d' é- paisseur 1 micron. On laisse le matériau de création d'images ainsi obtenu rester à une température de 600C à une humidité relative de 65% pendant un mois. La rétention de la densité optique est de 95%. D'autre part, un masque d'argent anhydre No 842.(dénomi- nation commerciale d'un film photosensible du type sel d'argent anhydre fabriqué et vendu par Minesota Mining and Manufacturing Cômpany, U.S.A.) ayant une image d'un tableau d'échelle 8 (fabriquée et vendue par Eastman Kodak Co., Ltd., U.S.A.) qui y est photographiée est placée en contact proche ou près de la couche de Saran 6904. Le matériau de création d'images est ensuite exposé à travers le masque à un flash à 600 volts de la lampe flash au xénon ayant une période de pulsations de 50 microsecondes et une capacité de condensateur de 120 microfarads, laquelle lampe est placée à une distance de 10 mm à partir de la surface du matériau de création d'images.On obtient une image ayant une excellente reproductibilité et une bonne qualité. La valeur g est égale à S. Pour comparaison, on dépose seulement un film de bismuth d'épaisseur 450 par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épais- seur 100 microns. On expose le matériau de création d'images obtenu à un flash à 600 volts de la lampe flash au xénon de la mbme manière que décrit ci-dessus, et on n'obtient pas d'image. Lorsqu'on expose le matériau de création d'images à un flash à 800 volts de la lampe flash au xénon d'une manière dans laquelle d'autres conditions que le voltage de la lampe flash au xénon étaient les mimes que décrit précédemment, on obtient une image, mais on ne reconnait aucune qualité de l'image. Exemple 17 On dépose un film de dioxyde de silicium d'épaisseur 200 A par une technique de projection sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 125 microns, on dépose un film de plomb d'épaisseur 500 par une technique d'évaporationdéposition sous vide sur la couche de dioxyde de silicium et on dépose ensuite un film de monooxyde de silicium d'épaisseur 100 par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur la couche de plomb. Subséquemment, on enrobe une solution de Technoflon T à 5% en poids de méthyléthylcétone par une technique de revttement en barre sur la couche de monooxyde de silicium et on sèche pour donner une couche de protection d'épaisseur 1 micron.On chauffe le matériau obtenu à 700C pendant 20 minutes pour oxyder pertiellement la couche de plomb à un degré tel que la densité optique est réduite de 1,4 à 1,3. On laisse le matériau de création d'images ainsi obtenu rester à une température de 600C à une humidité relative de 65% pendant un mois. La rétention de la densité optique est de 99%. D'autre part, on expose le matériau de création d'images à un flash de la mE,e manière que décrite dans l'exemple 1. On obtient une image ayant une excellente qualité. On examine la qualité. La valeur T est égale à 5. Exemple 18 o On dépose un film d'oxyde d'aluminium d'épaisseur 100 A par une technique de projection sur un film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 100 microns, on dépose un film de bismuth d'épaisseur 350 A par une technique d'évaporationdéposition sous vide sur la couche d'oxyde d'aluminium et on dépose ensuite um film d'oxyde d'aluminium d'épaisseur 50 par une technique d'évaporation-déposition sous vide sur la couche de bismuth. On oxyde ensuite partiellement la couche de bismuth par un traitement de 5 minutes avec une solution de péroxyde d'hydrogène aqueuse à 5% en poids à un degré tel que la densité optique est réduite de 1,3 à 1,25. On laisse le matériau de création d'images ainsi obtenu rester à une température de 60'C à une humidité relative de 65% pendant un mois.La rétention de la densité optique est de 99 D'autre part, on place un masque d'argent anhydre NO 7842 ayant une image photographiée en contact proche ou près de la couche d'oxyde d'aluminium du matériau de création d'images. On expose le matériau de création d'images à travers le masque à un flash d'une manière dans laquelle d'autres conditions que le masque sont les mimes que décrit dans l'exemple 1. On obtient une image photographiée ayant une excellente reproductibilité. On examine la qualité. La valeur Y est égale à 5. Exemples 19 à 22 et Exemples comparatifs 1 à 4 On produit divers matériaux de création d'images en employant un,film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 100 microns comme substrat et on laisse rester à une température de 600C à une humidité relative de 65% pendant un mois. Les rétentions de la densité optique sont montrées dans le tableau 1. Dans le tableau 1, on conduit l'oxydation par un traitement de 10 minutes avec une solution de H202 aqueuse à 8,6% en poids à un degré tel que la densité optique de chaque matériau de création d'images est réduite de 1,3 à 1,1. Tableau 1 Couche anti- Couche de création Couche anti- Couche de Oxydation Réten oxydante infé- d'images par dis- oxydante supé- protection rieure ( ) persion ( ) rieure ( ) ( ) tion (SiO, formé par (Bi, formé par (SiO, formé par (Saran 310, de D.O. évaporation- évaporation- évaporation- formé par déposition soius déposition sous déposition revêtment (%) vide) vide) sous vide) en barre) -------------------------------------------------------------------------------------------- Exemple comparatif 1 0 350 0 réalisée 0 70 2 0 350 0 réalisée 1 80 non 3 200 350 0 réalisée 1 85 4 0 350 200 réalisée 1 81 Exemple 19 200 350 0 réalisée 1 95 20 0 350 200 réalisée 1 94 21 200 350 200 réalisée 0 98 22 200 350 200 réalisée 1 100 Nota : 1) "Couche anti-oxydante inférieure" signifie une couche anti-oxydante formée sur le côté inférieur de la couche de création d'images par dispersion. 2) "Couche anti-oxydante supérieure" signifie une couche anti-oxydante formée sur le côté supérieur de la couche de création d'images par dispersion. Exemples 23 à 26 On produit quatre types de matériaux respectivement ayant des structures de couche comme montré ci-dessous. On chauffe chacun des matériaux dans de l'oxygène à 1000C pendant 20 minutes pour oxyder partiellement leurs couches de bismuth à un degré tel que leurs densités optiques étaient chacune réduite de 1,3 à 1,2. On laisse les matériaux de création d'images ainsi obtenus rester à une température de 600C à une humidité relative de 65% pendant un mois. Les rétentions de densité optique sont montrées dans le tableau 2. On examine les qualités des matériaux de création d'images obtenus, et on montre également les résultats en termes de valeur Y dans le tableau 2.Les structures de couche des matériaux sont les suivantes : Structures de couche des matériaux Dans 1' exemple 23, la structure de couche est montrée à la figure 4 : 1 s film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 100 mi crons 3a s film d'oxyde d'aluminium d'épaisseur 50 A formé par une technique de projection 2a : film de bismuth d'épaisseur 170 A formé par une technique d'évaporation-déposition sous vide 3b : film d'oxyde d'aluminium d'épaisseur 50 A formé par une technique de projection 2b : film de bismuth d'épaisseur 170 A formé par une technique d' évaporation-déposition sous vide 3c : film d'oxyde d'aluminium d'épaisseur 50 A formé par une technique de projection 4 : film de Technoflon T d'épaisseur 1 micron formé par une technique de revêtement en barre. Dans 1 'exemple 24, la structure de couche est montrée à la figure 5 s 1 : film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 100 microns 3a : film d'oxyde d'aluminium d'épaisseur 50 formé par une technique de projection o 2a s film de bismuth d'épaisseur 170 A formé par une technique d'évaporation-déposition sous vide 3b : film d'oxyde d'aluminium d'épaiseur 50 formé par une technique de projection 2b : film de bismuth d'épaisseur 170 formé par une technique d'évaporation-déposition sous vide 4 : film de Technoflon T d'épaisseur 1 micron formé par une technique de revêtement en barre Dans l'exemple 25, la structure de couche est montrée à la figure 6 : 1 : film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 100 microns 2a : film de bismuth d'épaisseur 170 A formé par une technique d'évaporation-déposition sous vide o 3a : film d'oxyde d'aluminium d'épaisseur 50 A formé par une technique de projection 2b : film de bismuth d'épaisseur 170 A formé par une technique d'évaporation-déposition sous vide o 3b : film d'oxyde d'aluminium d'épaisseur 50 A formé par une technique de projection 3c : film de dioxyde de silicium d'épaisseur 50 formé par une technique de projection 4 s film de Technoflon T d'épaisseur 1 micron formé par une technique de revêtement en barre. Dans l'exemple 26, la structure de couche est comme montré à la figure 3 1 : film de téréphtalate de polyéthylène d'épaisseur 100 microns 3a : film d'oxyde d'aluminium d'épaisseur 50 formé par une technique de projection 2 : film de bismuth d'épaisseur 350 fromé par une technique d'évaporation-déposition sous vide 3b : film d'épaisseur 100 d'oxyde d'aluminium et de dioxyde de silicium (1:1 en poids) formé par une technique de co projection 4 s film de Technoflon T d'épaisseur 1 micron formé par une technique de revêtement en barre Tableau 2 Rétention de D. O. Exemple 23 100 2 Exemple 24 96 2 Exemple 25 95 2 Exemple 26 100 5 Comme il est clair à partir des exemples, un matériau de création d'images selon la présente invention montre une stabilité d'image excellente. Egalement, bien que des résultats de sensibilité ne soient pas décrits dans les exemples et des résultats de résolution ne soient pas décrits dans les exemples sauf pour l'exemple 1, les matériaux de création d'images produits dans les exemples sauf dans les exemples comparatifs montrent de bonnes sensibilités et de bonnes résolutions. Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée aux modes de réalisation décrits et représentés qui n'ont été donnés qu'à titre d'exemple. En particulier, l'invention comprend tous les moyens constituant des équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons, si celles-ci sont effectuées suivant son esprit et dans le cadre des revendications qui suivent. REVENDICATIONS 1. Matériau de création d'images, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat et une couche de création d'images composite formée sur ledit substrat, ladite couche de création dai- mages composite comprenant au moins une couche de création d'images par dispersion et au moins une couche anti-oxydante ayant un point de fusion supérieur à celui de la couche de création d'images par dispersion et disposée sur au moins un côté de la couche de création d'images par dispersion, la couche de création d'images par dispersion étant partiellement oxydée. 2. Matériau selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de création d'images par dispersion est composée d'un membre choisi parmi le groupe consistant du bismuth, du tellurium et des alliages contenant le bismuth et/ou le tellurium. 3. Matériau selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que la couche anti-oxydante précitée est composée d'au moins un membre choisi parmi le groupe consistant de l'oxyde d'aluminium, du monooxyde de silicium, du dioxyde de silicium et de leurs mélanges. 4. Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le degré de l'oxydation partielle de la couche de création d'images par dispersion est de 0,5 à 80% en termes de diminution de la densité optique. 5. Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que ledit substrat est composé d'un membre choisi parmi le groupe consistant de téréphtalate de polyéthylène et d'acétate de cellulose. 6. Matériau de création d'images, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat, une couche de création d'images composite formée sur ledit substrat, la dite couche de création d'images composite comprenant au moins une couche de création d'images par dispersion et au moins une couche anti-oxydante ayant un point de fusion supérieur à celui de la couche de création d'images par dispersion et disposée sur au moins un côté de la couche de création d'images par dispersion, la couche de création d'images par dispersion étant partiellement oxydée, et une couche de protection composée d'une substance comprenant un polymère et pourvue sur la surface de ladit couche de création d'images composite. 7. Matériau selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite couche de protection est composée d'au moins un membre choisi parmi le groupe consistant de polyuréthane, de chlorure de polyvinylidène, de fluorure de polyvinylidène, de cinnamate de polyvinyle et de leurs mélanges. 8. Matériau selon la revendication 1 ou la revendication 6, caractérisé en ce que chaque couche anti-oxydante est disposée sur les deux côtés à la fois de chaque couche de création d'images par dispersion. 9. Matériau de création d'images selon les revendications 1, 3, 6 ou 8, caractérisé en ce que l'épaisseur de chaque couche anti-oxydante est comprise dans le domaine allant de 10 à 2000 .