FR 2337891 A1 19770805 FR 7600542 A 19760112 La présente invention concerne des matériaux sensibles a' l'action extérieure et plus précisément des matérwux sensibles au rayonnement électromagnétique et corpusculaire (radiation actinique) et des procédés pour leur préparation. Un tel matériau peut trouver une application pratique pour l'enregistrement d'inror- mations aussi bien par un procédé photographique classique que par un procédé holographique, y compris les systèmes de mémoire optique, ainsi que dans la technique électronique, la technique optique, l'iniprimèrie et dans d'autres domaines. On connaît actuellement un matériau sensible au rayonnement électromagnétique contenant une couche métallique et une couche de matière minérale susceptible d'entrer, sous l'influence du rayonnement électromagnétique, en réaction chimique avec la couche métallique, d'où il résulte la formation des produits d'interaction ayant les propriétés chimiques et physiques qui sont différentes des propriétes chimiques et physiques de la couche métallique et de la couche de matière minérale. Comme matière constituant la couche métallique on utilise Ag ou Cu, Zn et d'autres métaux et la couche de matière minérale (de semi-conducteur) est constituée par As2S3 ou par As2S3 As 2Se3, Sb2S3 et d'autres composés semi-conducteurs. De même, on connaît un matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire analogue au matériau susmentionné où la couche métallique est constituée par Ag ou Cu, Pb, Cd, Zn, Re, Sn, As, Bi, Co, Ce, Mg, Hg, Ni, Se, Si, Te, TI et V, tandis que la couche de matière minérale est réalisée à base de S ou de Se, des composés ou mélanges M - X et des composés ou mélanges M - X - Y, où M est un métal choisi parmi As ou Sb, Bi, Se, Cu, Zn, Cd, Hg, Pb, Cr, Ga,#In, T1, Ce, Sn, Fe, Co, Ni et Ag, et X, Y sont les éléments choisis du groupe composé des halogénures, du soufre, du sélénium et du tellure. Les matériaux connus sensibles au rayonnement électromagnétique et corpusculaire ont généralement une faible sensibilité au rayonnement fourni par les zones rouge et infrarouge du spectre ou bien une instabilité chimique dans le temps. Par exemple, les matériaux où la couche métallique est constituée par un des métaux énumérés ci-dessus, sauf Ag ou Cu, ont une sensibilité tout à fait faible, d'où il résulte que l'enregistrement, par exemple, d'une image holographique de dimensions suffisantes (par exemple 60 x 90 mm2) sur un tel matériau même en utilisant un laser à puissance renforcée est difficile à réaliser pratiquement. Les matériaux constitués par une couche d'argent et une couche de matière minérale qui contient du soufre, un halogène ou du soufre et un halogène possèdent une bonne sensibilité et sont suffisamment stables dans le temps dans le cas où la couche de ma titre minérale est constituée par des composés déterminés (par exemple, tels que As2S3, As2S5, GeS2, PbI2 et d'autres). Cependant, ces composés ont généralement une largeur de la bande interdite qui dépasse 2 eV (Qlectron-volt) et les composés contenant les halogènes ont une largeur de la bande interdite encore plus grande, d'où il résulte que les matér-iaux à base de ces composés ne sont sensibles que dans les parties verte, bleue et ultraviolette du spectre. Dans les parties rouge et infrarouge ils sont pratiquement insensibles. Les matériaux contenant une couche métallique réalisée à partir de l'argent et du cuivre et une couche de matière minérale constituée par un composé contenant le sélénium ou le sélénium et un halogène (par exemple, AsSe3, As - Se - I) ont une haute sensibilité dans les parties ultraviolettes, bleue, verte, rouge et même dans la partie infrarouge proche du spectre, mais ces matériaux sont très instables dans le temps, ce qui est la conséquence d'une interaction chimique intense de la couche métallique et de la couche de matière minérale qui commence à se produire même a' des températures ambiantes et en absence du rayonnement électromagnétique ou corpusculaire, d'où il résulte que le matériau perd sa sensibilité en un temps qui est bref (durant 5 à 20 mn). Les matériaux constitués par une couche métallique et une couche de matière minérale qui contient le tellure ou le tellure et un halogène ont une sensibilité plus faible par rapport aux matériaux susmentionnés. Le but de la présente invention est d'obtenir un matériau sensible au rayonnement électromagnétique ou corpusculaire ayant une bonne stabilité chimique dans le temps et une haute sensibilité non seulement dans les parties verte, bleue et ultraviolet te du spectre, mais aussi dans les parties rouge et infrarouge proche du spectre et de fournir un procédé de préparation d'un el matériau qui serait simple et n'exigerait pas un équipement trop cher. Le but visé est atteint par le fait que le matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire qui comprend une couche métallique et une couche de matière minérale susceptible d'entrer, sous l'action du rayonnement électromagnétique ou corpusculaire en réaction chimique avec la couche métallique, en formant des produits d'intéraction ayant des propriétés chimiques et physiques différentes de celles de la couche métallique et de la couche de matière minérale, contient encore, selon l'invention, une couche d'arret, située entre la couche métallique et la couche de matière minérale et réalisée a' partir d'une matière qui est différente de celles de la couche métallique et de la couche de matiere minérale et qui est inerte par rapport à la couche métallique et à la couche de matière minérale lorsque le rayonnement électromagnétique et corpusculaire est absent, l'épaisseur de la couche d'arrê-t étant choisie de façon à être suffisante pour prévenir une interaction chimique de la couche métallique et de la couche de matière sinérale en absence du rayonnement et pour assurer cette interaction chimique lorsque le matériau est soumis à 11 influence du rayonnement électromagnétique ou corpusculaire. Comme matière constituant la couche d'arrêt il est avantageux de choisir une matière minérale. Dans plusieurs cas c'est commode puisquton peut appliquer toutes les couches du matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire par un même procédé. Il est possible de former la couche d'arrêt en utilisant une matière organique. Un tel choix est avantageux lorsqufon a besoin de simplifier le procédé dt-application de la couche d'ar- rêt Il est préférable que la matière constituant la couche d'arrêt soit choisie de façon à être susceptible d'entrer, sous l'influence du rayonnement électromagnétique et corpusc#ulaire, en réaction chimique avec la couche métallique et, par conséquent,de former des produits dérivés de l'interaction. Cela est commode lorsqu'on a besoin d'obtenir un matériau ayant une très haute sensibilité.Au début, 11 interaction chimique survient à la jonction entre la couche métallique et celle d'arrêt, ce qui rend plus facile la naissance de l'interaction chimique de la couche de matière minérale et de la couche métallique. Comme matière constituant la couche d'arrêt il est avantageux de choisir une substance susceptible d'entrer, sous l'influence du rayonnement électromagnétique et corpusculaire, en réaction chimique avec la couche de matière minérale en formant des produits dtintéraction. Cela est avantageux dans les cas où l'on a besoin d'obtenir un matériau ayant une haute sensibilité. Dans ce cas l'interaction chimique prend naissance à la jonction formée par la couche d'arrêt et la couche de matière minérale ce qui a pour conséquence la création des conditions plus favorables pour l1intérac- tion chimique de la couche métallique et de la couche de matière minérale. Dans certains cas, il est avantageux de choisir comme matière constituant la couche d'arrêt une substance qui-, sous l'influence du rayonnement électromagnétique et corpusculaire; reste inerte par rapport à la couche métallique et à la couche de matière minérale. Cela est avantageux dans le cas où on a besoin obtenir un matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire et ayant une haute stabilité dans le temps. L'introduction de la couche d'arrêt entre la couche métallique et la couche de matière minérale a pour conséquence un affaiblissement général de la sensibilité du matériau. Cependant, il y a lieu de remarquer que l'épaisseur de la couche d'arrêt y est un paramètre particulièrement important. Elle doit être suffisante pour prévenir une interaction chimique de la couche métallique et de la couche; de matière minérale lorsque la radiation électromagnétique et corpusculaire est absente, c'est-à-dire elle doit faire augmenter la stabilité chimique du matériau dans le temps, mais le matériau doit conserver une sensibilité suffisamment élevée. De préférence, on choisitune épaisseur de la couche d'arrêt qui se o situe entre 30 et 150 A. Il est avantageux d'utiliser un matériau sensible au rayonnement électromagné#tique et corpusculaire dans laquelle la couche de matière minérale se trouve à ltétat solide. Un tel maté riau est commode pour l'enregistrement des images holographiques. Il est avantageux d'utiliser aussi un matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire dont la couche de matière minérale se trouve à 1V état liquide ou gazeux. Dans ces cas les images obtenues sur un tel matériau peuvent être conservées pendant une longue période et l'on n'a pas besoin d'avoir recours au traitement chimique spécial du matériau, il ne faut qu'é- liminer la base contenant l'image à partir du milieu liquide ou gazeux. Il est préférable que la matière constituant la couche d'arrêt soit Au et/ou Zn, Cd, Mg, Al, Ga, In, T1, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Mo, W, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Ag, ainsi que les oxydes, sulfures, tellurures et halogénures de ces éléments. Si la couche métallique est formée d'argent et la cou che de matière minérale est constituée par Bi2S3 et/ou As2Se3, Sb2Se3, Bi2Se3, As - Se - C1, As - Se - Br, As - Se - I, Sb - Se I, Bi - Se - I - GeSe, GeSe2, KAsSe2, NaAsSe2, In2Se3, alors il est préférable que la couche de barrière soit formée de As2S2 et/ou As2S3, As2S5 - Sb2S3, GeS2.C'est commode puisqu'au cours du traite ment du matériau après l'irradiation, il est facile de choisir les agents de décapage éliminant en même temps la couche de matière mi- nérale et la couche d'arrêt aux endroits où elles non pas subi l'effet du ayonnement électromagnétique et corpusculaire. Lorsque la couche métallique est réalisée en cuivre et fa couche de matière minérale en As2S2 et/ou As2S3, As2S5, GeS2, il est préférable que la couche d'arrêt soit faite en argent. C'est pratique pour le traitement du matériau après l'irradiation, car les couches d' argent et de cuivre peuvent être éliminées chimique ment an yen d'un même agent de décapage chimique. il est souhaitable que l'une des couches extrêmes du matériau ait une épaisseur suffisante pour être utilisée comme sup port. Le but de la présente invention est aussi atteint par le fait que dans le procédé de préparation du matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire consistant en ce que sur le support sontappliquées par n'importe quel procédé connu une couche métallique et une couche de matière minérale, selon l'inven- tion, avant appliquer la couche de matière minérale sur la couche métallique, on applique une couche d'arrêt. Les procédés d'applica tion de la couche d'arrêt peuvent être les plus variés (application sous vide dépôt chimique, immersion dans la solution, arrosage, fusion et d'autres). Si la couche métallique et la couche de matière minérale sont appliquées sous vide, il est préférable que la couche d'arrêt soit aussi appliquée sous vide. Dans ce cas toutes les opérations de l'application de la couche métallique, de la couche d'arrêt et de la couche de matière minérale sur le support peuvent être réalisées successivement sans casser le vide. Une telle application assure ltobtention d'un matériau sensible de haute qualité. Si comme couche métallique est choisie une feuille mince (plaque) métallique, cette dernière sert en même temps de support. Dans ce cas, sur la feuille métallique ou la plaque ou applique d'abord la couche d'arrêt et ensuite on applique la couche de matière minérale. Si la couche de matière minérale est constituée par une plaque découpée à partir d'un bloc massif de substance minérale, cette plaque sert aussi de support. Dans ce cas, sur la plaque est tout d'abord appliquée la couche d'arrêt et ensuite la couche métallique. Le matériau obtenu selon la présente invention, a une stabilité chimique dans le temps plus élevée en comparaison des matériaux de type similaire, mais sans couche d'arrêt, possède une sensibilité plus élevée non seulement dans les parties ultraviolette, bleue et verte du spectre, mais aussi dans les parties rouge et proche infrarouge du spectre, et est caractérisé en ce que la couche de matière minérale peut être constituée par toute une série de matières qui sans application de la couche d'arrêt dans la composition ne pourraient pas être utilisées puisqu'elles entrent d'une mani ère intense en réaction chimique avec la couche métallique même en absence du rayonnement électromagnétique, et, par conséquent, provoquent une perte rapide de sensibilité par le matériau. Le procédé de préparation du matériau suivant l'invention est assez simple à réaliser et n'exige pas un équipement compliqué et coûteux. Dans l'exposé ci-après, l'invention est illustrée par les exemples de sa réalisation et par les dessins annexés dont - la Fig. 1 est une vue en coupe du matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire appliqué. sur-un support; - la Fig. 2 représente le matériau sensible au rayon neme t--életromagnétique et corpusculaire et la plaque-cliché à travers laquelle on effectue l'irradiation du matériau susmentionné; - la Fig. 3 représente le matériau sensible au rayon nement electromagnétique et corpusculaire après son irradiation à travers la plaque cliché; - la Fig. 4 représente le matériau sensible au rayon nement électromagnétique et corpusculaire et son irradiation à travers la plaque cliché ayant une transparence différente en des points divers;; - la Fig. 5 représente le matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire après son irradiation à travers la plaque-cliché représentée sur la figure 4; - la Fig. 6 représente un matériau sensible au rayonnement électrognétique et corpusculaire dans lequel la couche de matière minéale se trouve à l'état gazeux; - la Fig 7 représente un matériau sensible au rayonnement @ electromagnétique et corpusculaire dans lequel la couche de matière minérale se trouve à l'état liquide. Sur la Fig. 1 est représentée la vue en coupe du ma- tériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire appliqué sur le support 1 qui peut être constitué par des diélectriques (verre, quartz, mica, céramique et d'autres), par des métaux (Cu, Zn, Ti et d'autres) et leurs alliages, par des pellicules or ganiques (par exemple, Lavsan, Teflon), par du papier etc..Le maté riat sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire comprend une ouche métallique 2 fixée rigidement à une couche d'arrêt 3, qui est à son tour fixée d'une manière rigide à une couche 4 de matière minérale. Les couches 2, 3 et 4 se trouvent a 11 état solide. Comme couche 2 peuvent être utilisés les métaux, par exemple, tels que Ag, Cu et d'autres métaux susceptibles d'entrer en réaction chi tique avec la couche 4 de matière minérale lorsque le rayonnement électromagnétique et corpusculaire est absent. L'épaisseur de la cou che metallique 2 peut aller de quelques dizaines d'angstroems à quelques millimètres. De préférence, on choisit une épaisseur de la couche 2 qui est située entre 100 et 2000 . La couche d'arrêt 3 peut être constituéepar les matières miner es-telles que Au et/ou Zn, Cd, Mg, Al, Ga, In, T1, Si, Ge, Sn, Ph, As, Sb, Bi, Ti, V, Cr, Mn, Fe,Co, Ni, Mo, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Ag et les oxydes, sulfures, tellurures et halogénures de ces éléments. A titre d'exemple des composés complexes on peut citer les composéstels que SiO2, Sb2O3, Bi2O3, BaO, ZnS, CdS, As2S2, aussi utiliser les matières organiques, par exemple, telles que polyéthylène, polystyrène, polypropylène, polycarbonates, polychlo rure de vinyle, acétates de polyvinyle, polytétrafluoro-étylène, anthracène, résines époxydes, celophane at d'autres.Selon l'inven- tion, les exigences essentielles auxquelles doivent satisfaire la matière de la couche d'arrêt 3 consistent en ce que cette dernière doit être inerte par rapport à la couche métallique 2 et à la couche 4 de matière minérale dans le cas où le rayonnement électromagnétique est absent, et qu'elle peut être appliquée sur les couches 2 et 4 de préférence en forme d'une couche solide. Il est naturel que l'introduction entre la couche métallique 2 et la couche 4 de matière minérale de la couche d'arrêt 3 provoque un affaiblissement général de la sensibilité de la composition. Dans ce cas, l'épaisseur de la couche d'arrêt 3 représente un paramètre particulièrement important. Elle doit être suffisante pour prévenir une intéraction chimique entre la couche mé- tallique 2 et la couche 4 de matière minérale en absence du rayonnement électromagné#tique et corpusculaire et pour ne permettre une telle intéraction que sous l'influence, sur le matériau, du rayonnement électromagnétique ou corpusculaire. En d'autres termes, l'introduction de la couche d'arrêt 3 doit avoir pour conséquence l'augmentation de la stabilité chimique du matériau dans le temps au rayonnement électromagnétique et corpusculaire et la conservation par le matériau d'une sensibilité-assez élevée. L'épaisseur de la o couche d'arrêt 3 peut être choisie entre 20 et 300 A.Il est préfe- rable de choisir une épaisseur de la couche d'arrêt 3 égale à 30 o à 150 A. La couche 4 de matière minérale peut être constituée par Bi2S3 et/ou As2Se3, Sb2Se3, As - Se - C1, As - Se -Br, As - Se -I Sb - Se - I, Bi - Se - I - GeSe, GeSe2, KAsSe2, NaAsSe2, S, Se et d'autres matières susceptibles d'entrer en réaction chimique avec la couche métallique 2, lorsque le rayonnement électromagnétique et corpusculaire est absent. Les exigences auxquelles doit répondre l'épaisseur de la couche 4 de matière minérale sont moins sévères que celles aux quelles doit satisfaire 1V épaisseur de la couche d'arrêt 3. L'épais seur-de la-couche 4 de matière minérale peut être choisie dans les limites de quelques dizaines d'angstroems & quelques millimètres. Dans le cas où la composition représentée sur la fig.l est soumise à l'irradiation du côté de la couche 4 de matière minérale il est préférable de choisir une épaisseur de la couche 4 située entre 300 et 1000 pour que la radiation puisse atteindre la jonction des couches 4 et 3. Dans le cas où la couche métallique 2 est réalisée en argent et la couche 4 de matière minérale, à partir de Bi2S3 e-t/ou As2Se3, Xb2Se3, As - Se - As - Se - Br, As - Se - I, Sb Se -- I- Bi - Se - I, GeSe, GeSe2, KAsSeO, NaAdcSe2 il y a lieu d'utiliser une couche d'arret 3 de As2S2 et/ou As2S3, As2S5, SbS3, GeS. Cela permet, lors du traitement du matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire, après lexposi- tion- de ce dernier, de trouver sans difficulté les agents de décapage au moyen desquels on élimine simultanément la couche 4 de ma tière#-m-inérale et la couche d'arrêt 3 aux endroits qui n'ont pas été sousis au rayonnement électromagnétique et corpusculaire. Lorsque la couche métallique 2 est en cuivre et la couche 4 de matière minérale est formée par As2S2 et/ou As2S3, As2S5,- CeS2 il y a lieu d'utiliser une couche d'arrêt en argent.C'est plus commode pour le traitement du matériau après l'exposition de ce dernier, car la couche d'argent et la couche de cuivre peuvent être chimiquement éliminées par la suite au moyen d'un meme agent de décapage. Les procédés de fabrication du matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire représenté sur la fig.-l~pe~vent être les plus variés (application sous vide, dépôt chimique, immersion dans une solution, fusion, arrosage et d'autres) Si la couche métallique 2 et la couche 4 de matière minérale sont appliquées sous vide, il est préférable que la couche d'arrêt 3 soit aussi appliquée sous vide. Dans ce cas, toutes les opérations, relatives à l'application de la couche métallique 2, de la couche d' arrêt 3 et de la couche 4 de matière minérale sur le support, peuvent être effectuées successivement et sans casser le vide. Une tel le application assure l'obtention de la composition sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire de haute qualité. En général, les différentes couches peuvent être appliquées par des procédés variés (par exemple, la-couche métallique 2 peut, être appliquée par dépôt chimique, tandis que la couche d'arrêt 3 et la couche 4 de matière minérale peuvent être appliquées par application sous vide, etc...). Dans le cas où la couche d'arrêt 3 est constituée par une-matière organique, l'application de la couche d'arrêt 3 peut etre alors réalisée par l'immersion du support 1 sur lequel est appliquée la couche métallique 2 dans une solution organique contenant la matière de la couche d'arret 3.Par exemple, la colophane peut être dissoute dans l'alcool ou dans l'acétone, le polyéthylène dans le benzène ou le tétrachlorure de carbone et le polystyrène dans l'éther.- Etant donné que l'épaisseur de la couche d'arrêt 3 doit être faible, on prépare les solutions qui sont aussi pauvres en matières organiques. L'immersion du support 1 portant la couche métallique 2 dans la solution organique étant faite, on retire rapidement l'échantillon hors de la solution et on le sèche. Le solvant tel que, par exemple, l'alcool, l'éther étant volatilisé de la surface de ltéchantillon, sur la couche métallique 2 il reste une pellicule de matière organique qui est utilisée par la suite comme la couche d'arrêt 3.En faisant varier la concentration de la matière organique- dans la solution on peu-t faire varier l'épaisseur de la couche d'arrêt 3 obtenue de la manière susmentionnée. En principe, la couche arrêt 3 réalisée à partir d'une matière organique peut être appliquée aussi par d'autres procédés (par exemple, à partir d'un produit fondu par un procédé de pulvérisation à la flamme ou tourbillonaire). Le matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire représenté sur la fig.l peut admettre aussi la disposition des couches dans l'ordre inverse. Tout d'abord, on applique sur le support de la couche 4 de matière minérale,-ensuite, est appliquée la couche dtarrêt 3 et on finitpar l'application de la couche métallique 2. La composition représentée sur la fig.l peut être aussi utilisée sans support 1. Cela-est possible lorsque comme couche métallique 2 est choisie une feuille métallique (plaque) suffisamment épaisse et rigide qui peut servir en même temps dé support pour le matériau.Dans le cas~où la couche 4 de matière minérale est constituée par la plaque découpée d'un bloc massif de matière minérale, cette plaque peut être en même temps utilisée com me support. Dans ce cas, sur la plaque est appliquée d'abord la couche d'arrêt 3 et, ensuite, la couche métallique. Sur la Fig. 2 sont représentées une vue en coupe du matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire qui est identique à celui représenté sur la fig.l et la plaque-cliché 5 a travers laquelle la composition est irradiée. La plaque-cliché 5 est composée des zones 6 opaques au rayonnement électromagnétique et corpusculaire et des zones transparentes 7. A travers la plaqùe-cliché -le matériau est irradié par le rayonnement électromagnétique et corpusculaire, qui est représenté sur la fig.2 par les flèches 8. Sur cette figure est représentée la structure du maté rizu dont l'irradiation s'effectue du côté de la couche 4 de matière minérale.En principe, l'irradiation du matériau par le rayonnement électromagnétique et corpusculaire peut être aussi réalisée du câté de la couche métallique 2. A cet effet, il faut choisir le support 1 en une matière qui est transparente au rayonnement électromagnétique donné et appliquer sur ce support la couche métallique 2 semi-transparente à ce même rayonnement. Cette opération peut être facilement réalisée lorsque'en qualité du support 1 est choisie une matière telle que, par exemple le verre, le quartz ou le mica, la couche métallique 2 a une épaisseur comprise entre 100 et o 500 A et le rayonnement électromagnétique est une lumière visible. Sur la Fig. 3 est représenté le même matériau que sur les figures 1 et 2 après son irradiation par le rayonnement électromagnétique et corpusculaire à travers la plaque-cliché 5 (fig.2). Aux endroits où le matériau est irradié, la couche 4 de matière ni- nérale est entrée en réaction chimique avec la couche métallique 2 en formant les produits d'interaction 9. En fonction de ltép isseur de la couche métallique 2 et de la couche 4 de matière minérale de même que de valeur de l'exposition, les produits d'interaction 9 peuvent s'étendre sur toute ltépaisseur des couches 2, 3 et 4 ou sur toute l'épaisseur de la couche 3 et sur une partie de l'épais- seur des couches 2 et 4, comme c'est illustré sur la figure 3. E- tant donné que les produits d'interaction 9 ont les propriétés chimiques et physiques qui sont différentes de celles des couches 2 et 4, il devient possible d'obtenir les images visibles directement au cours du procédé d'exposition nême, ce qui permet d'eviter un déve- loppement chimique quelconque afin d'obtenir les images. Comme les produits d'interaction 9 comprennent la matière de la couche d'arrêt 3, il est préférable de choisir dans certains cas (par exemple, pour obtenir une composition de haute sensibilité, -pou r rendre plus simple le traitement chimique ultérieur de la composition etc...) une matière constituant la couche d'arrêt 3 de façon que cette matière puisse entrer sous l'influence du rayonnement électromagnétique et corpusculaire en réaction chimique avec la couche métallique 2 ou avec la couche 4 de matière minérale.Dans ces cas, on est en présence des conditions plus favorables pour l'interaction chimique de la couche métallique 2 et de la couche 4 de matière minérale car sous l'influence du rayonnement électromagnétique et corpusculaire la couche d'arrêt 3 entre aussi en réaction chimique avec les couches 2 ou X en formant les produits d'interaction et, par conséquent, les centres complémen- taires qui contribuent & l'interaction chimique des couches 2 et 4. A titre d'exemple, on peut citer un matériau dont la couche métallique 2 est réalisée en argent, la couche d'arrêt 3 en As2S3 et la couche 4 de matière minérale en As2Se3. Etant donné que As2S3 et As2Se3 entrent, sous l'influence du rayonnement électromagnétique et corpusculaire, en réaction chimique avec la couche d'argent, il#devient possible d'obtenir une composition ayant une sensibilité élevée. Un autre exemple qu'on peut citer se rapporte à un matériau où la couche métallique 2 est réalisée en cuivre, la couche d'arrêt 3, en argent et la couche 4 de matière minérale, en As2S3. Etant donné que As2S3 entre, sous l'influence du rayonnement électromagnétique et corpusculaire en réaction chimique avec la couche d'argent et la couche de cuivre, il devient possible d'obtenir une composition de haute sensibilité. Dans les cas oh l'on a besoin d'obtenir un matériau ayant une stabilité élevée dans le temps, la valeur de la sensibilité étant moins importante, il y a lieu de réaliser la couche d'arrêt 3 à partir d'une matière qui reste, sous l'action du rayonnement électromagnétique et corpusculaire inerte par rapport à la couche métallique 2 et à la couche 4 de matière- minérale. A titre d'exemple, on peut citer un matériau où la couche métallique 2 est réalisée en argent, la couche d'arrêt 3, en chrome et la couche 4 de .matière minérale en As2Se3. Sur la Fig. 4 est représente un matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire, identique à celui représenté sur la figure 1 et irradié à travers la plaque-cliché 5', qui comprend des zones opaques 6, des zones transparentes 7, des zones 10 à transparence variable et des zones semi-transparentes 11 Un tel matériau permet au cours d'une meme opération d'obtenir des produi#ts d'interaction 9 d'épaisseur variable. Sur la Fig. 5 est représenté un matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire après son irradiation a travers la plaque-cliché 5' (Fig.4). Les produits d'interaction (Fig.5) ont dans les divers points une forme et une épaisseur différentes qui correspondent aux variations de transparence des zones 7, 10 et Il de la plaque-cliché 5 (Fig.?). Sur la Fig. 6 est représenté- un matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire dont la couche métallique 2 et la couche d'arrêt 3 sont appliquées sur le support 1 et la couche 12 de matière minérale se trouve à l'état gazeux en contact avec la couche d'arrêt 3. Ici aussi est représentée la plaquecliché 5st ayant des zones 7, qui sont transparentes au rayonnement électromagnétique et corpusculaire. Sous l'influence du rayonnement électromagnétique et corpusculaire qui a traversé les zones transparentes 7 de la plaque-cliché 5" la couche 12 de matière minérale se trouvant a l'état gazeux entre en réaction chimique avec la couche métallique 2 en formant les produits d'interaction 13 aux endroits irradiés.En l'absence du rayonnement électromagnétique et corpusculaire la couche d'arrêt 3 empêche l'interaction chimique de la couche 12 de matière minérale se trouvant à l'état gazeux et de la couche métallique 2. L'irradiation étant terminée, on retire l'é- chantillon hors du milieu gazeux; le fixage des images dans ce cas n'est pas indispensable. La fabrication d'un tel matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire peut être réalisée de la façon suivante. Sur le support 1 constitué, par exemple, de quartz sont appliquées successivement sous vide la couche métallique 2 réalisée en cuivre, dont l'épaisseur se situe entre 1000 et o 2000 A, et ensuite la couche d'arrêt 3 en Or ayant une épaisseur de o 50 et 80 A .Ensuite, le support 1 portant ces couches est mis dans un récipient de quartz contenant les vapeurs de As2S3 à la temperature d'ordre de 250 OC à 260 OC et à la pression atmosphérique. Sous l'action du rayonnement électromagnétique et corpusculaire As2S3 gazeux entre en réaction chimique avec la couche de cuivre, ce qui a pour conséquence la formation des produits d'interaction 13. Sur la Fig.7 est représenté un matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire dont la couche métallique 2 et la couche d'arrêt 3 sont appliquées sur le support 1 tandis que la couche 14 de matière minérale se trouve à l'état liquide. Le matériau même-se trouve dans le bain 15. Sur cette figure est aussi représentée la plaque-cliché 5 à travers laquelle on irradie le matériau. Sous l'influence du rayonnement électromagnéti que et corpusculaire, qui a traversé les zones transparentes 7 de la plaque-cliché 5, la couche la de matière minérale se trouvant à l'état liquide entre en réaction avec la couche métallique 2, d'où il résulte la formation des produits d'interaction 16. En absence du rayonnement électromagnétique et corpusculaire la couche d'arrêt 3 empêche l'interaction chimique des couches 14 et 2. L'irradiation étant terminée, on retire l'échantillon du milieu liquide et on secoue les restes de liquide; le fixage des images dans ce cas n'est pas indispensable. La fabrication d'un tel matériau peut être réalisée de la façon suivante. Sur le support 1 de quartz sont appliquées successivement la couche métallique 2 constituée par de l'argent et ayant une épaisseur de 2000 et la couche d'arrêt 3 constituée par du chrome d'une épaisseur de 50 . Ensuite, le support 1 portant les couches 2 et 3 est mis dans un bain de quartz 15, et la surface de la couche d'arrêt 3 est alors couverte d'une poudre affinée de As2Se3. Finalement, le support 1 portant les couches 2 et 3 est réchauffé (en chauffant le bain 15) jusqu'à la température de fusion de As2Se3 (jusqu'-à la température de 360 OC) et, par suite, As2Se3 se fond et se répan#d ensuite sur la surface de la couche d'arrêt 3. Ce matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire ainsi obtenu est prêt pour l'utilisation. Afin de faire mieux comprendre l'invention proposée, ci-dessous sont décrits des exemples concrets du matériau selon l'invention ainsi que leurs procédés de fabrication. Exemple 1 Sur un support de quartz ont été appliquées successivement par évaporation sous vide (1.10-5 torr) une couche métalli que 2 en argent et d'une épaisseur de 2000 A, une couche dfarret 3 o en Or d'une épaisseur de 30 Aet une couche 4 de matière minérale constituée par As2Se3 d'une épaisseur de 400 A. Ce matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire ainsi obtenu a été soumis à l'irradiation par parties à travers la plaque-cliché 5 à l'aide d'une lampe au xénon, d'une puissance de 1000 W disposée à une distance de 40 cm par rapport & échantillon.Une partie de l'échantillon a été irradiée immédiatement après la fabrication, l'autre partie a été irradiée 30 min après la fabrication de la com position, la troisième, dans une heure et la quatrième partie 2 heures après la fabrication. L'exposition a duré de 30 à 40 secondes. Durant 11 exposition on pouvait bien observer visuellement l'image de la plaque-cliché 5 apparue sur le matériall. On étudiait la stabilité chimique de la composition dans le temps qui se caractéri sait par la conservation de la sensibilité et par l'absence du voile due à l'interaction chimique de la couche d'argent et de la couche de As2Se3 en absence du rayonnement électromagnétique et corpusculaire. Les résultats de ces études ont été comparés avec les résultats obtenus lors des études d'un matériau comprenant une couche d' argent et une couche de As2Se3, mais dépourvu de la couche dtar ret 3.On a constaté que la stabilité chimique d'un matériau ayant une couche d'arrêt 3 est environ 10 fois plus élevée, tandis que la sensibilité est seulement 3 fois plus faible par rapport au ma teriau Ag-As2-Se3 dépourvu de couche d'arrêt. Exemple 2 Sur un support 1 céramique poli ont été appliquées successivement par évaporation sous vide (1.10-5 torr) une couche métallique 2 en cuivre ayant une épaisseur de 1500 , une couche d'arrêt 3 en argent d'une épaisseur de 60 et une couche 4 de matière minérale constituée par As2S3 ayant une épaisseur de 500 . L'irradiation du matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire et les études de la stabilité chimique dans le temps de ce dernier ont été réalisées de la même façon qu'à l'exemple 1. L'exposition a duré de 1,5 à 2 minutes. On a constaté que la sta bilité chimique dans le temps d'un tel matériau est de 40 fois environ plus élevée tandis que la sensibilité n'est qu'environ 5 fois plus faible par rapport au matériau Cu-As2S3 dépourvu de couche d'arrêt. Exemple 3 Sur un support 1 fabriqué en granite poli ont été appliquées successivement par évaporation sous vide (l ,10-5 torr) une couche métallique 2 en argent d'une épaisseur de 1500 A, une couche d'arrêt 3 en As2S3 ayant une épaisseur de 60 et une couche 4 de matière minérale en As2Se3 d'une épaisseur de 700 . L'irradiation du matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire ainsi obtenu a été effectuée de la même façon que dans ltexem. pie 1. L'exposition a duré de 15 à 20-secondes. On a constaté que la stabilité chimique d'un tel matériau est environ 8 fois plus élevée tandis que l'affaiblissement de la sensibilité a été insignifiant par rapport au matériau Ag-As2Se3 dépourvu de couche d'arrêt. Exemple 4 Sur un support 1 en verre poli préalablement nettoyé ont été appliquées successivement par évaporation sous vide (l.10-' torr) une couche métallique 2 en argent d'une épaisseur de 2500 une couche d'arrêt 3 en As2S3 ayant une épaisseur de 50 A et une couche 4 de matière minérale réalisée en As2Se3 d'une épaisseur de o 800 A.Ensuite, sur le matériau sensible au rayonnement électroma- gnétique et corpusculaire ainsi obtenu a été projetée une image #' interférence formée par deux faisceaux cohérents de lumière fournie par un laser & mélange de néon et d'hélium ( A /-6328 ). A la puis sance du rayonnement de laser tombant sur la surface du matériau égale à 8 .10-4 W/cm2, la durée de l'exposition qui est nécessaire pour obtenir un noircissement correspondant à ltefficacité de diffraction maximale a été égale à 30 à 40 secondes.Une fois le matériau exposé, il a été immergé dans une solutior. aqueuse d'hydroxyde de potassium d'une concentration de 5 à 10 X, afin d'éliminer les parties de la couche 4 et de la couche d'arrêt 3, qui ne sont pas entrées sous l'influence du rayonnement de laser en réaction chimique avec la couche 2 constituée par l'argent. On a obtenu ainsi sur la couche d'argent une image en relief composée des produits d'interaction.Si cela est nécessaire on élimine la couche d'argent aux points non protégés par les produits d'interaction au moyen d'une solution aqueuse de K2Cr 203 d'une concentra,tion de 20 S dans H2 S04 De plus, sur le matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire, obtenu comme il est décrit dans cet exemple, ont été enregistrés les hologrammes de différents objets. On a obtenu les images holographiques d'une qualité suffisamment élevée des objets ayant un volume, qui pouvaient être restituées aussi bien en utilisant le rayonnement de laser qu'en ayant recours au rayonnement émis par les lampes à mercure à travers des filtres.Le matériau Ag-As2Se3 dépourvu de la couche d'arrêt 3 est pratiquement inutilisable pour atteindre ces buts ce qui est la conséquence d'une interaction chimique intensifiée de la couche d'argent et de la couche de As2Se3, qui prend naissance en l'absence du rayonnement électromagnétique et corpusculaire, étant donné que cette interaction provoque la naissance du voile et la perte rapide de la sensibilité par le matériau. Exemple 5 Sur un support 1 a été appliquée par dépôt chimique une une couche 2 de cuivre d'une épaisseur de 5000 A et on a immergé ensuite ce support dans une solution de colophane d'une concentra- tion de 0,1 ffi dans de l'alcool et après l'avoir retiré on la séché. On a ainsi obtenu une pellicule mince de colophane appliquée sur la couche métallique 2 qui a été utilisée ultérieurement comme couche d'arrêt 3. Enfin, en utilisant le procédé par évaporation sous vide (I , -10 5-b-5 torr) on a appliqué sur la couche d'arrêt 3 une couche 4 de matière minérale composée de As-Se-I. L'irradiation du matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire ainsi obtenu et les études de sa stabilité chimique dans le temps ont été réalisées de la même façon qutà l'exemple 1 L'exposition a duré de 2 à 3 minutes. On a constaté que la stabilité chimique d'un tel matériau est environ 50 fois plus élevée tandis que sa sensibilité n'est que 8 fois plus faible par rapport au matériau Cu -(As - Se I) dépourvu de la couche d'arrêt. Exemple 6 Sur un support 1 en papier ont été appliquées successivement par évaporation sous vide (1 , 10-5 torr) une couche métallique 2 constituée par de l'argent d'une épaisseur de 1800 ; une couche d'arrêt 3 en chrome ayant une épaisseur de 30 et une conche 4 de matière minérale constituée par Bi2S3 d'une épaisseur de o 600 A. Les conditions dans lesquelles s'est effectuée l'irradiation étaient analogues à celles de l'exemple 1. L'exposition a duré de 2 â 3 minutes. On a constaté que la stabilité chimique d'un tel matériau est 12 fois plus élevée tandis que sa stabilité n'est que 3 fois plus faible par rapport au matériau Ag-Bi2S3 sans couche d'arrêt. Exemple 7 Sur un support 1 en Lavsan ont été appliquées successivement par évaporation sous vide (1 v 10-5 torr) une couche métal o lique 2 constituégpar de l'argent d'une épaisseur de 1500 A, une couche d'arrêt 3 de SiO d'une épaisseur de 50 A et une couche 4 de matière minérale constituée de GeSe2. Les conditions dans lesquelles stest effectuée l'irradiation du matériau étaient analogues à celles de l'exemple 1. L'exposition a duré de 3 à 4 minutes. On a constaté que la stabilité chimique d'un tel matériau est environ 15 fois plus élevée tandis que sa sensibilité est environ 3 fois plus faible par rapport au matériau Ag - CeS2 dépourvu de la couche d'arrêt. Exemple 8 Sur un support 1 en quartz ont été appliquées successivement par évaporation sous vide ( 1 . 10-5 torr) une couche métallique 2 constituée par du cuivre d'une épaisseur de 3000 et une couche d'arret 3 en Or Ensuite on a mis le support 1 portant les couches 2 et 3 dans un récipient de quar1;zConten#ant des vapeurs de As2S3 la température étant d'ordre de 250 0C à 260 OC et la pression étant égale à la pression atmosphérique, Le matériau sensible au rayonnement électromagnétique obtenu de cette manière a été irradié par la lumière de la lampe à mercure à haute pression (puissance égale à 250 W) disposée à une distance de 25 cm par rapport à la surface de la couche d'arrêt 3. La durée de l'irradiation était comprise entre 30 et 60 secondes. On a constaté que la stabilité chimique d'un tel matériau est environ 50 fois plus élevée tandis que sa sensibilité n'est environ que 10 fois plus faible par rapport au matériau dépourvu de la couche d'arrêt. Le fixage des images s'est fait en retirant l'échantillon hors du milieu gazeux. Exemple 9 Sur une plaque polie en argent, dont l'épaisseur était égale à 1 mm et les dimensions étaient de 5 x 5 mm2 a été appliquée par évaporation sous vide (1.10-5 torr) une couche d'arrêt 3 en nickel et ayant une épaisseur de 50 . Puis la plaque portant la couche d'arrêt 3 a été mise dans le bain de quartz 15 et la surfa ce de la couche d'arrêt 3 a été couverte d'une couche mince constituée par la poudre affinée de As2Se3. La plaque portant les couches a été réchauffée par l'intermédiaire du chauffage du bain 15 dans une atmosphère d'argon jusqu'à la température de fusion de As2Se3 (jusqu'a' 360 OC). Au cours du chauffage As2Se3 fondait et s'étant dait sur la surface de la couche d'arrêt 3. La composition sensible au'rayonnement électromagnétique et corpusculaire ainsi obtenue a été irradiée de la même manière qu'à 11exemple 8. L'irradiation a duré de 30 à 50 secondes. On a constaté que la stabilité chimique d'un tel matériau est environ 30 fois plus élevée tandis que sa sensibilité n'est que 5 fois plus faible par rapport au matériau dépourvu de la-couche d'arrêt. REVENDICATIONS l. Matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire, comprenant une couche métallique et une couche de matière minérale susceptible d'entrer sous l'influence du rayonnement électromagnétique ou corpusculaire en réaction chimique avec la couche métallique en formant des produits d'interaction, qui ont des propriétés chimiques et physiques différentes de celles de la couche métallique et de la couche de matière minérale, caractérisé en ce qu'il contient une couche d'arrêt, disposée éntre la couche métallique et la couche de matière minérale et réalisée à partir d' une matière, qui est différente de celles constituant la couche métal lique et la couche de matière minérale et inerte aussi par rapport à la couche métallique et à la couche de matière minérale en absence du rayonnement électromagnétique et corpusculaire, l'épaisseur de la couche d'arrêt étant choisie de façon à-etre suffisante pour prévenir une interaction chimique de la couche métallique et de la couche de matière minérale en absence du rayonnement et pour assurer l'interaction de ces couches lorsque le matériau est soumis à l'influence du rayonnement électromagnétique et corpusculaire. 2. Matériau suivant la revendication 1 caractérisé en ce que la couche d'arrêt est constituée par une matière minérale. 3. Matériau suivant la revendication l caractérisé en ce que la couc-he d'arrêt est constituée par une matière organique. 4. Matériau suivant la revendication 2 ou la revendication 3 caractérisé en ce que la matière constituant la couche d'arrêt est susceptible d'entrer, sous l'influence du rayonnement électromagnétique et corpusculaire, en réaction chimique avec la couche métallique en formant des produits d'interaction. 5. Matériau su#ivant la revendication 2 ou la revendica-# tion 3 caractérisé en ce que la matière constituant la couche d'arrêt est susceptible d'entrer, sous l'influence du rayonnement électromagnétique et corpusculaire, en réaction chimique avec la couche de matière minérale en formant des produits d'interaction. 6. Matériau suivant la revendication 2 ou la revendication 3 caractérisé en ce que la matière constituant la couche d'arrêt est inerte par rapport à la couche métallique et à la couche de matière minérale lorsque le matériau est soumis à l'influence du rayonnement électromagnétique et corpusculaire. 7. Matériau suivant la revendication I caractérisé en ce que ltépaisseur de la couche d'arrêt est comprise entre 20 et 300 . 8. Matériau suivant la revendication 1 caractérisé en ce que la couche de matière minérale se trouve à 11 état solide. 9. Matériau suivant la revendication l caractérisé en ce que la couche de matière minérale se trouve à 11 état liquide. 10 . Matériau suivant la revendication 1 caractérisé en ce que la couche de matière minérale se trouve à l'état gazeux. 11. Matériau suivant la revendication 2 caractérisé en ce que la couche d'arrêt est constituée par Au et/ou Zn, Cd, Mg, A1, Ga, In, TI, Si, Ce, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Tif V, Cr; Mn, e, Co, Ni, Mo, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Ag et/ou par oxydes, sulfures, tellurures et halogénures de ces éléments. 12. Matériau suivant la revendication 2 caractérisé en ce que la eouche métallique est formée d?argent, la couche de matière re minérale est formée de Bi2S3 et/ou As2Se3, Sb2Se3, Bi2Se3, As Se - #I, As - Se - Br, As-Se-I; Sb-Se-I, Bi-Se-I, GeSe, GeSe2, KAsSe2, NaAsSe2 et la couche d'arrêt est formée de As2S2 et/ou As2S3, As2S5, Sb2S3 et GeSe2. 13. Matériau suivant la revendication 2 caractérisé en ce que la-couche métallique est faite en cuivre, la couche de matière inorganique est formée de As2S2 et/ou As2S3, As2S3, CeS2 et la couche d'arrêt est en argent. 14. Matériau suivant la revendication 1 caractérisé en ce que une des couches extrêmes a une épaisseur suffisante pour servir de support. 15. Procédé de préparation d'un matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire suivant la revendication l, dans lequel sur un support sont appliquées successivement une couche métallique et une couche de matière minérale, ce procédé étant caractérisé en ce qu'avant d'appliquer sur la couche métallique une couche de matière minérale on applique préalablement une couche d'arrêt. 16. Procédé de préparation d'un matériau sensible au rayonnement électromagnétique et corpusculaire suivant la revendication 13 caractérisé en ce que comme support est utilisée une des couches extrême du matériau dont l'épaisseur est choisie de façon à être suffisante pour assurer la rigidité requise.