FR 2350032 A1 19771125 FR 7613024 A 19760430 La présente invention concerne un dispositif chauffant, et plus particulièrement une structure pour un dispositif chauffant utilisant un semiconducteur à coefficient de température positif, ou en abrégé SCTP. L'invention porte sur le même domaine que la demande de brevet Française déposée par la demanderesse le 50 Avril 1976, sous le titre "Elément chauffant à semiconducteur à coefficient de température positif". On a réalisé dans l'art antérieur de nombreux dispositifs chauffants utilisant un élément'chauffant à SCTP, sous une forme ou une autre. Sur les figures 1 et 2, ia référence A désigne un dispositif chauffant à SCTP de type classique comportant des électrodes b et c, disposées entièrement sur des fastes planes parallèles et opposées d'un corps SCTP portant la référence d, consistant par exemple en une thermistance. Un corps chauffant d muni d'électrodes b et c sera désigné ci-après de façon générale par le terme "élément chauffant à SCTP".Le dispositif chauffant à SCTP portant la référence A comporte n outre} una plaque de transmission de la chaleur e,et une plaque d 'émission de la chaleur f, fixées successivement dans cet ordre sur l'une des électrodes. La surface libre f' de la plaque d'émission de la chaleur f est fixée à un objet (non représenté) devant être chauffé. Lorsqutune tension appropriée est appliquée entre les élec'trodes b et css f-e corps SCTP d engendre de l'énergie thermique qui est transmise à la plaque d'émission de la chaleur f à travers la plaque-de trtansmission de la chaleur e, et qui est égaiement transmise à l'atmosphère par la surface munie de l'électrode b. TJn dispositif chauffant classique de c'e'type peut être muni d'un couvercle simple (non représenté) pour l1 isoler de l'atmosphère extérieure, ou peut ne comporter aucun couvercle, auquel cas une partie notable de la chaleur produite dans le corps SCTP est perdue dans l'atmosphère. De plus, le corps ou l'élément SCTPpermhse détacher du dispositif à la suite d'un impact ou d'un choc sur le dispositif, puisqu ils sont simplement collés à la plaque et que la chaleur peut affaiblir la force d'adhérence. Outre les inconvénients ci-dessus, les dispositifs chauffants classiques du type qui vient d'être décrit présentent 1' in convénient ci-après. En se reportant aux figures 1 et 2, on voit que lorsque la tension est appliquée au corps SCTP d dans la direction de son épaisseur, la chaleur est engendrée de façon pratiquement uniforme dans le corps d. On peut donc considérer que la chaleur est produite en un point de génération de chaleur x situé au centre du corps d. Cependant, la chaleur transmise entre le point x et la plaque d'émission de chaleur (point y) n'est pas exactement égale à la chaleur engendrée dans le corps d, car un certain pourcentage de cette chaleur est perdu dans la plaque de transmission de chaleur e, ainsi que dans le corps d.Ces pertes de chaleur sont causées par une résistance thermique R qui est donnée par l'équation D R=a . (1) K S dans laquelle a est une constante, D est la distance entre le point de génération de chaleur et la surface d'émission de chialeur, K est la conductivité thermique et S est l'aire efficace d'émission de chaleur. Lorsqu'on applique 11 équation ci-dessus au dispositif chauffant classique A, sa résistance thermique R est donnée par l'équation D1 + D2 R=a . (2 (2) KAS dans laquelle nl est la distance entre le point x et l'électrode c, et D2 est l'épaisseur de la plaque de transmission de chaleur e. On voit clairement qu'un dispositif chauffant possèdant une résistance R de faible valeur transmet mieux la chaleur vers l'objet à chauffer. En eonsidérant l'équation (2), on voit que la résistance thermique R peut être diminuée en diminuant le terme (D1+D2), ou en augmentant l'aire efficace dtémission de de chaleur S. Divers perfectionnements de l'élément chauffant à SCTP ont été proposés pour réduire la résistance thermique R. On a par exemple proposé d'augmenter ltaire efficace d'émission de chaleur S en agrandissant le corps SCTP d, ou en réduisant son épaisseur, de façon à amener le point x près de la surface contre laquelle se trouve l'électrode c.Cependant, cet agrandissement du corps d conduit à des dispositifs chauffants de grandes dimensions, si l'on ne veut pas dégrader les caractéristiques diélectriques du corps d au point qutil ne puisse plus supporter les tensions élevées que l'on rencontre en pratique. Un autre type classique d'élément chauffant à SCTP compor- te une paire d'électrodes opposées disposées sur l'une des faces opposées du corps SOLO, et séparées l'une de 11 autre par une distance prédéterminée.Dans ce type d'élement chauffant à SCTP, le point de génération de chaleur x est proche de ladite surface du corps SCTP, mais n'est cependant pas exactement à la surface. Du fait qu'une paire de bornes servant au raccordemenv à la source d'alimentation sont connectées sur l'autre surface du corps, le courant peut circuler dans la direction de l'épaisseur, et une certaine quantité de chaleur est engendrée à l'intérieur d coups SCTP d.Plus précisément, du fait que les bornes entourant une partie du corps SCTP ont normalement une aire relativement élevée pour permettre des connexions faciles et sûres avec le conducteur d'alimentation ou la pièce de maccordement, une quantité de chaleur considérable est engendrée de façon parasite dans l'épaisseur u corps, en particulier au niveau de la partie du corps entouré par les bornes, alors que cette chaleur devrait être répartie sur la surface totale du corps SCT? pour produire une émission de chaleur efficace à partir de cette surface. Un objet important de l'invention porte donc sur un dispositif chauffant à SCTP de type perfectionné engendrant de la chaleur de façon efficace à partir d'une plaque d'émission de chaleur. L'invention a également pour objet l'emploi dans le dispositif chauffant à SCTP d'un élément chauffant à SCTP qui engendre de la chaleur de façon efficace à partir de l'une au moins de deux faces planes opposées, c'est-à-dire qu'un point de Génération de chaleur x est placé sur l'une au moins des faces opposées de ltélé- ment SCTP. L'invention a également pour objet un dispositif chauffant à SCTP de type perfectionné et du genre décrit ci-dessus, dans lequel la chaleur engendrée par l'élément chauffant à scrP est conduite efficacement vers la plaque d'émission de chaleur, et dans lequel l'émission de chaleur est pratiquement uniforme en tous points de cette plaque. L'invention a également pour objet un élément chauffant à SCTP de type pemfectionné, du genre décrit ci-dessus dans lequel le corps SCTP faisant partie du dispositif ne peut pas être détaché facilement par un choc ou un impact. L'invention a également pour objet un dispositif chauffant à SCTP de type perfectlonné, du gense décrit ci-dessus, qui est de structure simple et de fabrication facile. Le dispositif chauffant à SCTP de l'invention comprend un élément chauffant à SCTP entouré par un matériau électriquement isolant ayant une bonne conductivité thermique ; une plaque démission de chaleur sur laquelle est placé 11 élément chauffant à SCTP ; et un bottier enfermant complètement l'élément chauffant à SCTP, en association avec la plaque démission de chaleur.Cet élément chauffant à SCTP comprend: a) un corps SCTP ayant deux faces planes opposées paralpèles ; b) une première électrode possèdant plusieurs bandes en pellicule métalliques connectées électriquement les unes aux autres à une première extrémité et séparées les unes des autres sur leur longueur, 1' une au moins de ces bandes étant plus courte que les autres, et cette première électrode étant disposée sur celle des deux faces du corps SCTP qui constitue la face supérieure;; c) une seconde électrode comportant plusieurs bandes en pellicule métallique connectées électriquement les unes aux autres à une première extrémité, et séparées les unes des autres sur leur longueur, l'une au moins de ces bandes étant plus courte que les autres, et cette seconde électrode étant disposée sur ladite face supérieure du corps de manière à ce que les bandes des électrodes opposées soient disposées alternativement sur cette face supérieure, afin que les bandes voisines d'une bande quelconque appartiennent à l'électrode opposée ;; d) Une première borne appartenant à une première paire de bornes servant % appliquer une tension prédéterminée, cette première borne étant connectée électriquement à la première électrode et placée sur celle des faces du corps SCTP qui constitue la face in inférieure, en une position telle que cette première borne ne chevauche aucune des bandes de la seconde électrode, à travers le corps SCTP ; et e) Une seconde borne appartenant à ladite paire de bornes, cette seconde borne étant connectée électriquement à la seconde électrode et disposée sur ladite face inférieure, en une position telle qu'elle ne chevauche aucune des bandes de la première électro dess à travers le corps SCTP. Plus précisément, l'élément chauffant à SCTP décrit cidessus comporte un corps SCTP ayant deux faces planes opposées et deux électrodes opposées disposées de façon alternée , les deux électrodes étant placées sur l'une des faces planes du corps. Chaque électrode comporte plusieurs bandes formant une structure en peigne, et chaque bande est disposée de façon à ce que les bandes voisines appartiennent à l'autre des deux électrodes. Pour chaque électrode, la pellicule métallique qui sert de borne électrique est disposée sur l'autre face plane du corps SGTP, de manière à ce que les bandes en peigne des électrodes opposées ne chevauchent pas la pellicule métallique servant de borne , à travers le corps SCTP.Lorsque l'élément chauffant à SCTP est alimenté par une tension appropriée, le courant électrique qui circule dans le corps SCTP tend à circuler essentiellement au voisinage de la surface du -corps, entre les bandes voisines, ce qui fait que seule une région périphérique du corps SCTP, entre les deux électrodes opposées, joue le rôle de région de génération d'énergie thermique, ce qui donne une réponse thermique rapide par rapport au courant circulant dans le corps. De ce fait, on peut considérer que le point de génération de chaleur x se trouve sur ladite surface portant les deux électrodes opposées . On notera que cette surface fait face à la plaque d'émission de chaleur. Le dispositif chauffant à SCTP de l'invention comprend en outre une paire de pièces de connexion en L, et chacune de ces pièces de connexion est placée sur l'une des bornes de l'élément à SGTP, et s'étend vers l'extérieur du dispositif chauffant à SCTP, à travers une ouverture du boltier. Lorsqu'une tension d'alimentation appropriée est appliquée entre les pièces de connexion, la chaleur engendrée dans le corps SCTP est transmise essentiellement vers la plaque d'émission de chaleur, à travers le matériau électriquement isolant, et une partie de cette chaleur est transmise vers le bolier. Du fait que le bottier et la plaque d'émission de chaleur sont fixés soliaement l'un à vautre par un rebord ou une bride du boiter, la chaleur transmise au boiter peut être aisément conduite vers la plaque d'émission de chaleur, et vers ltobJet à chauffer. D'autres caractéristiques et avantages de ltinvention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'exemples de réalisation et en se référant aux dessins annexez sur lesquels -La figure 3 est une vue en plan de dessus du dispositif chauffant à SCTP de l'invention -La figure 4 est une coupe selon la ligne IV-IV de la figure ) -La figure 5 est une vue éclatée du dispositif chauffant à SCTP de la figure 3 ; -Les figures 6 et 7 sont des vues en plan, de dessus et de dessous, de 11 élément chauffant à SCTP utilisé dans le dispositif chauffant à SCTP de la figure 3 -La figure 8 est une vue en perspective de la plaque d'isolation électrique ;; -La figure 9 est une vue similaire à la figure 8, mais montrant une modification de celle-ci -La figure 10 est une vue en perspective de la pièce de connexion ; -La figure 11 est une vue similaire à la figure 10, mais montrant une modification de celle-ci ; -La figure 12 est une vue similaire à la figure 4, mais montrant une modification de celle-ci -La figure 13 est une vue en perspectivedMne dalEleUtfl séedans le dispositif chauffant à SCTP de la figure S2 ; -La figure 14 est une vue similaire à la figure 4, mais montrant une autre modification de celle-ci ; -La figure 15 est une vue similaire à la figure 4, mais montrant une autre modification de celle-ci ; ; -La figure 16 est une vue similaire à la figure 4, mais montrant encore une autre modification de celle-ci s -La figure 17 est une vue similaire à la figure 3, mais montrant une modification de celle-ci ; -La figure 18 est une coupe selon la ligne XVIII-XVTII de la figure 17 = et -La figure 19 est une vue éclatée du dispositif chauffant à SCTP de la figure 17. Avant de continuer la description de l'invention, on notera que les éléments analogues des différentes figures sont désignes par les mêmes numéros de référence sur toutes les figures. Sur les figures 3, 4 et 5, la référence la désigne un dispositif chauffant à semiconducteur à coefficient de température positif (ou en abrégé dispositif chauffant à SOT?), correspondant à l'invention. Ce dispositif comprend un élément chauffant à SOT?, 2y des plaques d'isolation supérieure et inférieure 3 sont 4 entre lesquelles l'élément chauffant 2 est monté en sandvi-iich, une plaque d 'émission de chaleur 5 sur laquelle est monté l'élément chauffant à SCTP 2, muni des plaques dtisolation 5 et 4, et un boîtier 6 recouvrant entièrement les couches de ltelément chauffant à SCTP 2 et des plaques d'isolation 5 et 4. Chaque élément constituant le dispositif chauffant à SGliP la est décrit en détail ci-après. . En considérant plus particulièrement les figures 6 et 7, on voit que le dispositif chauffant à SCTP 2 qui est utilisé dans ce dispositif chauSSant est formé par un corps SCTP 21, de forme rectangulaire, avec deux faces planes parallèles et opposées 2a et 25. La face 2a qui se trouve du côté de la plaque d'isolation inférieure 4 comporte une paire d'électrodes 10 et Il constituées par une pellicule métallique. Chaque électrode comporte plusieurs bandes, formant une structure en peigne, et chaque bande est disposée de façon à ce que les bandes voisines appartiennent à l'électrode opposée, et l'une au moins des bandes de chaque électrode est plus courte que les autres.La face 2D comporte une paire de bornes 12 et 13 connectées électriquement aux électrodes 10 et 11 respectives. Du fait que l'une au moins des bandes est moins longue que les autres, la borne relative à une électrode ne chevauche, à travers le corps SCTP 2', cune bande appartenant à l'autre électrode, ce qui empêche la circulation du courant électrique dans la direction de ltépaisseur CiU corps. L'élément chauffant à S;TP 2 du type décrit ci-dessus convient particulièrement ben pour proQuirc de la chaleur dir te- ment à partir de la face plane 2a, avec une répartition de tempé- rature uniforme. En retournant à la figure 5, on voit que la plaque d'iso- lation inférieure 4 a une configuration similaire à celle de l'élé- ment chauffant à SCTP 2, et a une taille égale ou supérieure à celle de cet élément. La plaque 4 est constituée par un matériau -qui est un isolant électrique et un très bon conducteur thermique, comme l'alumine, la porcelaine à l'oxyde de berylliza, ou une résine synthétique, de préférence élastique, afin d'iouler l'une de l'autre les électrodes opposées 10 et 11, tout en transmettant efficacement la chaleur vers la plaque d'émission d chaleur 5. La plaque d'isolation supérieure 5 a étalement une confi giration similaire à celle de l'élément chauffant . SGT? 2, et a une taille egale ou supérieure à celle de cet élément. La plaque 5 est en un matériau qui est un isolant électrique et un très bon conducteur thermique, comme la plaque d'isolation 4, mais comporte une paire de logements de profil courbe 14 et 15, placés dans des positions correspondant aux deux bornes se trouvant sur la face 2D de l'élément chauffant à SCTP 2. Chaque logement comporte en outre une ouverture 16, en une position approximativement centrale. Chaque logement reçoit une pièce de connexion 20, constituée par une embase rectangulaire plane 21 et par une tige 22, ne formant qu'une seule pièce avec l'embase 21 et dirigée perpendiculairement à cette dernière. Lorsqu'on disoose la pièce de connexion 20 dans le dispositif chauffant à SCTP, on doit fixer embase 21 sur ia borne correspondante, tandis que la tige 22 doit etre introduite dans l'ouverture 16 correspondante, et doit traverser la placé dtisolation supérieure 3. Du fait que la forme du logement coïncide avec celle de l'embase 21, la plaque d'isolation supérieure 5 peut s'appliquer contre l'élément chauffant à SbTP 2, sans laisser d' interstices. La plaque d' émission de chaleur 5 est placée sous la plaque dtisolation inférieure 4, et est constituée par un matériau qui est un bon conducteur thermique. La plaque démission 5 est par exemple constituée par une plaque métallique de forme rectan6uiaire, Le boltier 6, placé sur la plaque d'isolation supérieure 3, est réalisé par exemple par emboutissage d'une plaque métallique, et comporte une grande cavité rectangulaire 7 qui recouvre complètement les couches de la plaque d'isolation inférieure 4, de l'élé- ment chauffant à SCTP 2, et de la plaque d'isolation supérieure 3. La périphérie de la cavité 7 est entourée par une bride 8 qui coïncide exactement avec la partie périphérique de la plaque démission de chaleur 5, de façon à entourer complètement les couches mentionnées ci-dessus. Deux ouvertures de faibles dimensions, 9, sont disposées au fond de la cavité 7 pour permettre ltinsertion des tiges 22 des pièces de connexion 20. On notera que les surfaces des plaques d'isolation supérieure et inférieure, 3 et 4, et de la plaque d'émission de chaleur 5 font objet d'une 'finition par polissage, ou rodage, afin que leurs faces coïncident exactement, pour assurer une bonne transmission de la chaleur entre ces plaques. Lorsqu'on monte ensemble les composants décrits cidessus, les différentes couches et la plaque d'émission de chaleur 5 sont fixées fermement les unes aux autres à laide d'un adhésif approprié, tandis que les embases 21 des pièces de connexion 20 sont fixées fermement sur les bornes correspondantes de l'élément chauffant à SCTP 2, en utilisant une 'soudure ou un adhésif conducteur de l'électricité. Le bottier 6 est fixé sur la plaque d'émission de chaleur 5 à l'aide de vis de fixation appropriées placées à chaque coin de ce bottier, ou de tout autre moyen. ae fixation. On notera que l'épaisseur de ces couches est approximativement égale à la profondeur de la cavité 7, si bien que le boltier 6 peut recouvrir exactement les couches, ce qui fait que lrélément chauffant à SCTP utilisé dans le dispositif chauffant est bloqué à l'intérieur de ce dernier. Lorsqu'on applique une tension appropriée entre les tiges 22 des pièces de connexion 20, le courant circule entre les bandes des électrodes opposées et traverse essentiellement le corps SCTP 2' dans la région voisine de la face 2a, ce qui engendre de la chaleur au niveau de cette face. La majeure partie de la chaleur engendrée est transmise par conduction à la plaque d'émission de chaleur 5, à travers la plaque d'isolation inférieure 4, puis est ensuite transmise à l'objet à chauffer (non représenté), Cependant, une certaine fraction de la chaleur est transmise à la face opposée 2b de ltélément chauffant à SCTP 2, et au bottier 6, à travers la couche d'isolation supérieure 3.Si le boltier 6 n'est en contact avec aucun objet, la chaleur reçue par ce boiter eQt transmise à la plaque d'émission de chaleur 5, par 11 accouplement entre la bride 8 et la plaque d'émission de chaleur 5. Ainsi, la chaleur produite dans l'élément chauffant à SCTP 2 est conduite efficacement et rapidement à la plaque d'émission de de chaleur 5, ce qui permet de transmettre très rapidement la chaleur à l'objet à l'objet à chauffeur. De plus, la chaleur qui est émise ou transmise à partir dé la plaque d'émission 5 est répartie uniformément sur cette plaque. Ainsi, lorsque l'élément chauffantàSGT? de l'invention est appliqué sur un objet, par exemple pour maintenir sa température à une valeur prédéterminée, la transmission rapide de chaleur maintient la température de l'objet dans une plage de fluctuation très étroite par rapport à la température prédéterminée, tout en assurant une réponse très rapide aux variations de la température ambiante. Autrement dit, une variation de la température ambiante agit sur l'élément chauffant à SCTP 2 qui répond très rapidement en modifiant son point de fonctionnement et la'puissance électrique consommée, ce qui maintient de façon sûre la température de 1' objet à la valeur prédéterminée. On considèrera maintenant les figures 8 et 9 qui représentent des modifications de la plaque d'isolation 3. Au lieu de donner azlogements 14 et 15 de cette plaque un profil incurvé vers l'intérieur, on peut leur donner toute autre forme. Par exemple, on peut utiliser des logements rectangulaires (figure 8), ou des logements en escalier (voir figure 9). De plus, l'ouverture 16 formée dans le logement peut etre en forme d'eneoche, comme il est représenté sur la figure 9. On se reportera maintenant aux figures 10 et Il qui montrent des modifications de la pièce de connexion 20. On a indiqué précédemment que l'embase 21 de cette pièce de connexion a une forme plane rectangulaire, et cette embase peut comporter en outre une ou plusieurs ouvertures 23 (trois ouvertures dans le cas de la figure 10) permettant l'écoulement de ltadhésif ou de la soudure en excès lorsquton fixe la pièce de connexion 20 sur la borne correspondante, 12 ou 13. La figure ll représente une autre modification dans laquelle l'embase 21' est courbée de façon à donner naissance à une force élastique assurant la connexion entre la pièce de connexion 20 et l'embase correspondante 12 ou 13, lorsque la plaque d'isolation supérieure 3 est appliquée exactement sur l'élément chauffant à SCTP 2. Sur la figure 12, la référence lb représente un dispositif chauffant à SCTP correspondant à un autre mode de réalisation du dispositif chauffant la décrit précédemment. Dans le dispositif chauffant lb de ce mode de réalisation de ltinvention, la plaque d'isolation supérieure 3 est remplacée par deux douilles 25,.en un matériau isolant comme du caoutchouc dur, de la porcelaine ou une résine synthétique, qui servent à positionner et à fixer la pièce de connexion 20, ainsi qu'à isoler l'élément chauffant à SCTP 2 par rapport au bottier 6.Comme il apparat clairement sur la figure 13, chaque douille 25 comporte un socle 26 dont le fond est muni d'un logement (non visible sur la figure 13), recevant ltema2se 21 de la pièce de connexion 20, et une partie en saillie 2'7, réalisée en une seule pièce avec le socle 26, et percée de part en part par un trou permettant le passage de la tige 22.Dans ce mode ae réalisation, les deux trous 9' du boiter 6 sont suffisammen grands pour permettre le passage de la partie en saillie 27 de la douille 15, si bien que lorsque le boîtier est appliqué exactement sur la plaque d'émission de chaleur 5, il vient en contact avec l'épaulement 28 de la douille 15 et applique les couches de ltélé- ment chauffant à SCTP 2 et la plaque d'isolation inférieure 4 contre la plaque d'émission de chaleur 5, comme il est représenté sur la figure 12. La figure 14 représente un dispositif chauffant à SCTP, portant la référence lc, qui constitue un autre mode de réalisation de l'invention, et dans lequel un matériau 30 est injecté dans la cavité formée par le boîtier 6 et la plaque d'émission de chaleur 5, de façon à appliquer les unes contre les autres et à maintenir en position les couches de l'élément chauffant à SCTP 2 et la plaque d'isolation inférieure 4. Le matériau 30 peut être constitué par exemple par une résine thermodurcissable qui est injectée dans la cavité par une ouverture appropriée (non représentée) ménagée dans le boîtier 6. On se reportera maintenant i la figure 15 qui représente un dispositif chauffant à SCTP, portant la référence ld, qui constitue un autre mode de réalisation de L'invention, Dans ce cas, les douilles 25 qui étaient utilisées pour positionner et fixer les pièces de connexion 20 dans un mode de réalisation prGcésenfi sont remplacées par le matériau injecté 30. Ceci simplifie la fablicaw tion et réduit le coût du dispositif. La figure 16 représente-un dispositif chauffant à SwiP, portant la référence le, qui constitue un autre mode de réalisation de ltinvention. Alors que dans les modes de réalisation précédents les pièces de connexion 20 sortaient du dispositif cilaurfant à SCTP par le sommet de celui-ci, ces pièces sortent ici du dispositif sur les côtés du boltier 6, si bien que les tiges 22 ne sont pas gênantes en cas de présence d'un objet voisin (non représenté). Les figures 17, 18 et 19 représentent un dispositif chauffant à SCTP portant la référence If qui constitue encore un autre mode de réalisation de l'invention. Le dispositif chauffant îr comporte un bottier 6' en un matériau électriquement isolant et bon conducteur de la chaleur, comme par exemple en porcelaine à l'alumine, à la place du boîtier métallique 6 des modes ce rea- l station précédents.Dans ce cas, le boîtier 6' est directement placé sur l'élément chauffant à SCTP 2, du fait qu'il est en un matériau électriquement isolant, ce qui maintient en position fixe les couches de l'élément chauffant à STP 2 et la plaque d'isolation inférieure, entre le boîtier 6' et la plaque d'émission de chaleur 5, La pièce de connexion 50 connectée à la borne correspondante vient en contact avec l'épaulement formé dans le trou 9", qui la maintient en position, tandis que embase 21 de cette pièce est connectée électriquement à la borne à l'aide d'wn ressort approprié assurant le contact entre ces éléments.On peut également fixer embase 21 sur la borne en la soudant ou. en iiWilisant un adhésif conducteur de l'électricité. Le dispositif chauffant à SCTP 1f comporte moins de composants que les dispositifs des modes de réalisation décrus précédemment, ce qui simplifie sa fabrication et réduit son coût. On notera que dans les modes de réalisation décrits précédemment, l'élément chauffant à SCTP 2 muni d'électrodes en bandes sur la face 2a peut également etre muni d'électrodes e bandes supplémentaires sur la face 2b, disposées de façon simIlaire à celles de la face 2a, afin d'engendrer de la chaleur par les deux faces 2a et 2b.Du fait quc les bandes des mêmes électrodes sont disposées face à face, il ne peut pratiquement pas circuler de courant électrique dans la direction de l'épalsseui du corps SGTP 2t, et la chaleur n'est donc pas engendrée dans la région intérieure du corps, mais seulement dans les régions poches des faces opposées 2a et 2b, entre les électrodes opposées, si bien que la chaleur engendrée est émise rapidement à partir des faces 2a et 2b, tandis que le corps SCTP 2' eut se présenter sous la forme d'une couche relativement mince. I1 faut également noter que les couches constituées par la plaque d'émission de chaleur 5, la plaque d'isolation inférieure re 4, l'élément chauffant à SCTP 2, la plaque d'isolation supérieure 3, lorsqu'elle existe, et le boîtier 6 ou 6', peuvent en outre être munies de couches d'un matériau de très forte conducti vité thermique, comme du caoutchouc aux silicones ou de la graisse aux silicones. Du fait que le dispositif chauffant à SGTP de l'invention utilise l'élément chauffant à SCTP 2, produisant de la chaleur avec un bon rendement, et du fait que la chaleur engendrée par cet élément peut ëtre transmise rapidement à la plaque dtémis- sion de chaleur 5, ltobjet à chauffer reçoit la chaleur avec un bon rendement. De plus, les couches'faisant partie du dispositif chauffant à SCTP, à savoir la plaque d'isolation supérieure 3, 11 élément chauffant à SCTP 2 et la plaque d'isolation inférieure 4, sont bloquées par la douille 25 et/ou le matériau injecté 30, si bien que ces couches peuvent difficilement se séparer les unes des autres sous Iteffet d'un choc ou d'un impact. Bien entendu diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art aux dispositifs ou procédés qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemples non limitatifs sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS -1. Dispositif chauffant à semiconducteui à coefficient de température positif, caractérisé en ce qu'il comprenci élément chauffant à semiconducteur à coefficient de température positif ayant deux faces planes opposées et parallèles munies d'électrodes et de bornes de façon à engendrer de la chaleur à partir de ces surfaces ; des moyens d'isolation inférieurs placés sur celle des deux faces dudit élément chauffant qui constitue la face inférieure, de façon à établir une isolation électrique de ces électrodes ; une plaque métallique d'émission de chaleur placée directement sous les moyens d'isolation inférieurs de façon à émettre la chaleur provenant de l'élément chauffant par l'inter- médiaire des moyens d'isolation inférieurs ; un boitier constitué par un matériau électriquement isolant destiné à entourer entièrement l'élément chauffant et les moyens d'isolation inférieurs, en association avec ladite plaque d'émission de chaleur ; et une paire de pièces de connexion comportant chacune une embase destinée à être connectée électriquement à la borne correspondante, et une tige sortant du boîtier pour permettre la connexion d'une alimentation électrique. -2. Dispositif chauffant à semiconducteur à coefficient de température positif, caractérisé en ce quais comprend : un élément chauffant à semiconducteur à coefficient de température positif ayant deux faces planes parallèles et opposées munies d'électrodes et de bornes de façon à engendrer de la chaleur à partir de ces surfaces ; des moyens d'isolation inférieurs placés sur celle des deux faces de l'élément chauffant qui constitue la face inférieure, afin d'isoler électriquement ces électrodes ; des moyens dtisolation supérieurs disposés sur celle des deux faces de l'élément chauffant qui constitue'la face supérieure, pour isoler électriquement ces bornes ; une plaque métallique d'émission de chaleur disposée directement sous les moyens d'isolation inférieurs, de façon à émettre la chaleur provenant de l'élément chauffant par l'intermédiaire desdits moyens d'isolation inférieurs; un boîtier métallique entourant entièrement l'élément chauffant 'et les moyens d'isolation supérieurs et inférieurs, en associa tion avec la plaque d'émission de de chaleur ; et une paire de pièces de connexion ayant chacune une embase destinée à être connectée électriquement avec la borne correspondante, et une tige sortant du bottier en traversant lesdits moyens d'isolation superieurs, pour permettre la connexion d'une alimentation électrique. -3. Dispositif chauffant selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit élément chauf- fant comprend : un corps semiconducteur à coefficient de température positif ayant deux faces planes parallèles et opposées ; une première électrode comportant plusieurs bandes en pellicule métallique connectées électriquement les unes aux autres à rule première extrémité, et séparées les unes des autres sur leur longueur, l'une au moins de ces bandes étant plus courte que les autres, et cette première électrode étant placée sur celle des deux faces dudit corps qui constitue la face inférieure ; une seconde électrode comportant plusieurs bandes en pellicule métalli- que connectées électriquement les unes aux autres a e première extrémité, et séparées les unes des autres sur leur longueur, au au moins de ces bandes étant plus courte que les autres, et cette seconde électrode étant disposée sur ladite face inférieure du corps de manière à ce que les bandes correspondant aux deux électrodes opposées soient disposées de façon alternée ur ladite face inSérieure, afin que les bandes voisines d'une mande quelconque appartiennent à l'électrode opposée ; une première borne appartenant à une première paire de bornes servant à appliquer une tension prédétermhnée, cette première or étant connec- tée électriquement à la première électrode et disposée sur celle des deux faces dudit corps qui constitue la face superieure > en une position telle que cette borne ne chevauche aucune des bandes de la seconde électrode, à travers ledit corps, et une seconde borne appartenant à ladite paire de bornes, cette seconde borne étant connectée électriquement à la seconde électrode et disposée sur ladite face supérieure, en une position telle qu'elle ne chevauche aucune des bandes de la première électrode, à travers ledit corps. -4. Dispositif chauffant selon les revendications 2 et 3 > caractérisé en ce que lesdits moyens d'isolation inférieurs sont constitués par une plaque en un matériau électriquement isolant et de conductivité thermique élevée. -5. Dispositif cllat ant selon la revendication 4, carac térisé en ce que lesdits moyens d'isolation supérieurs sont constitués par une plaque en un matériau électriquement isolant et de conductivité thermique élevée. -6. Dispositif chauffant selon la revendication 4, caractérisé en ce que lesdits moyens d'isolation supérieurs sont constitués par une paire de douilles, chaque douille étant disposée autour de la tige de une desdites pièces de connexion, et compor- tant un épaulement venant en contact avec le bottier, de façon à maintenir un espace prédéterminé entre le boîtier et l'élément chauffant. -, Dispositif chauffant selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comporte un matériau électriquement isolant qui est injecté dans ledit espace par une ouverture appropriée ménagée dans le boiter. -8. Dispositif chauffant selon la revendlca'ion 4, caractérisé en ce que lesdits moyens d'isolation supérieurs sont constitués par un matériau inSecté par une ouverture appropriée ménagée dans le boîtier.