FR 2335044 A1 19770708 FR 7637217 A 19761210 La présente invention concerne, d'une manière générale, les éléments semi-conducteurs et, plus particulièrement, un moyen permettant de maîtriser les états de surface et de régler la charge de surface de ces éléments. La passivation et la protection des jonctions P-N à nu à la surface des éléments semi-conducteurs continuent de présenter de 11 intérêt pour 11 industrie, en particulier dans le cas des dispositifs semi-conducteurs fonctionnant sous une tension élevée, tels que, par exemple, les thyristors, les diodes, etc. Dans ces dispositifs, il est extrêmement important de maîtriser les états de surface et la charge de surface de l'élément semi-conducteur car ces facteurs déterminent habituellement la tension de rupture du dispositif.Ceci est du au fait que ces dispositifs fonctionnant sous une tension élevée ont tendance à être limités par leurs propriétés superficielles, autrement dit, la rupture superficielle se produit avant la rupture dans la masse du dispositif où les fuites superficielles deviennent suffisamment importante pour que l'utilisation du dispositif s'en trouve limitée. Pour éviter les limitations indiquées ci-dessus, il est courant de régler la charge de surface d'une manière favorable, si cela est possible, et/ou de réduire le champ électrique superficiel en donnant des formes choisies à la surface de l'élément. A titre d'exemple, un procédé antérieurement connu consiste à utiliser un matériau en verre spécial pour passiver le silicium de type N légèrement dopé dans les dispositifs de puissance. La forte charge négative existant dans le verre spécial à tendance à épuiser la surface en porteurs majoritaires. Ce procédé de passivation affecte la couche se trouvant au voisinage de la surface, affaiblit le champ électrique superficiel et a tendance à supprimer la rupture su,ericille. be plus grand volume de zone d'épuisement au voisinage de la surface crée en conséquence plus de centres de géné#ation-réarran- qement augmentant ainsi les fuites superficielles, ce qui est indésirables. En raison de l'importance de la charge négative qui existe dans le verre spécial, ce dernier n'est pas considéré comme étant utilisable pour le silicium de t'îpe P légèrement dopé. Par suite, cette approche du problème posé, à savoir maîtriser la charge dans les éléments semi-conducteurs employés dans les thyristors fonctionnant sous une tension élevée n'est pas du tout exploitable. Dans le cas des thyristors fonctionnant sous une tension élevée, les jonctions P-N se font entre du silicium de conductivité de types N et P faiblement dopé.Un état de charge superficielle élevée qui aurait tendance à favoriser l'un des cotés de la jonction P-N pourrait faciliter la rupture de l'autre côte. Dans ce type de dispositif, le meilleur procédé est de réduire autant que possible la charge superficielle. La présente invention a donc pour but de créer un élément semi-conducteur nouveau et perfectionné, convenant pour l'utilisation dans des dispositifs semi-conducteurs fonctionnant sous des tensions élevées et qui ne présente pas les inconvénients des élé- ments connus. Un autre but de l'invention est d'apporter un élément semiconducteur nouveau et perfectionné qui ait un niveau prédéterminé de charge superficielle. L'invention a encore pour but d'apporter un élément semi-conducteur nouveau et amélioré utilisant un copolymère polyimidesilicone convenable permettant de régler la charge superficielle de l'élément et qui constitue simultanément, un revêtement protecteur. On réalise selon la présente invention, un élément semi-conducteur ayant au moins deux régions de conductivité de types opposés. Une jonction P-N se trouve entre chaque paire de régions de con ductilité de types opposés et est formée par les surfaces en contact de ces paires de régions. Une partie terminale d'au moins une jonction P-N est à nu à la surface de l'élément. On applique une couche d'un matériau polymère convenable capable de former une membrane de perméabilité variable, sur la zone choisie de la surface de l'élément et la partie terminale d'au moins une jonction P-N à nu sur cette surface. Le matériau polymère présente la caractéristique inhérente d'être sensiblement imperméable au milieu ambiant aux températures de fonctionnement normal de l'élément. De plus, le matériau polymère à une température de transition vitreuse à laquelle il devient perméable à un groupe déterminé de gaz, cette température étant plus élevée que la température de fonctionnement normale. Comme matériau convenable comportant des motifs siloxane, on peut utiliser un produit issu de la réaction d'une diamine organique dépourvue de silicium, d'un dianhydride d'acide organique tétracarboxylique et d'un polysiloxane, ces produits comportant des motifs répétitifs de formule et 5 à 50 % en moledemotifs intercondensés de formule formules dans lesquelles - R est un radical hydrocarboné divalent, - R' est un radical hydrocarboné monovalent, - R" est un radical organique tétravalent, - Q est un radical organique divalent dépourvu d'atome de silicium et dérivant d'une diamine organique, - x est un nombre entier supérieur à O, et - m et n sont des nombres entiers supérieurs à 1 et pouvant être égaux entre eux Un matériau que l'on recommande est le produit issu de la réaction de la méthylène-dianiline, du dianhydride de 11 acide benzo phénone-tétracarboxylique et du bis (X-aminopropyl) tétraméthyl- disiloxane. On préfère que le rapport molaire entre la méthylènedianiline et le bis (X-aminopropyl) tétraméthyldisiloxane soit de 70 : 30 et que la modification des charges superficielles d'un élément de silicium dans un milieu convenable soit accomplie à une température d'environ 450 + 1000C. Dans les dessins annexés, les figures 1 et 2 sont, chacune des vues de cette, partiellement en coupe transversale, d'un élément semi-conducteur réalisé selon l'invention. Si l'on se réfère à la figure 1, on a représenté un élément semi-conducteur 10 constitué d'un corps 12 de matériau semi-conducteur. Ce corps 12 est préparé par des moyens convenables tels que, par exemple, par polissage et abrasage jusqu'à obtenir le parallèlisme des deux surfaces opposées 14 et 16. Le corps 12 comporte deux régions ou plus de conductivité de types opposés et une jonction P-N est formée par les surfaces en contact de chaque paire de régions de conductivité de types opposés. La partie terminale d'au moins une jonction P-N est à nu à la surface du corps 12. Le corps 12 est constitué d'un matériau semi-conducteur convenable tel que, par exemple, le silicium, le carbure de silicium, le germanium, les composés des éléments du groupe Il et du goupe VI et les composés des éléments du groupe III et du groupe V. Dans le but de décrire plus complétement l'invention, et à nulle autre fin, on décrira le corps 12 comme étant constitué d'un semi-conducteur en silicium ayant cinq régions de conductivité et quatre jonctions P-N. Un élément 10 ayant une telle structure peut être utilisé comme thyristor. Ainsi, le corps 12 comporte deux régions 18 et 20 de conductivité de type P, une région 19 de con ductivité de type P et trois régions 22, 24 et 26 de conductivité de type N. Les jonctions P-N 28, 30, 32 et 34 sont formées par les surfaces en contact des paires respectives de régions 18 et 22, 22 et 20, 20 et 24 et 20 et 26 de conductivité de types opposés. Un procédé aidant à la maîtrise du champ superficiel sur un tel redresseur est de donner une forme choisie à la surface latérale 36 après avoir solidarisé le corps 12 partiellement traité à une électrode 38 offrant une grande zone de contact ou de support, à l'aide d'une couche 40 de soudure conductrice. Les contacts électriques 42 et 44 sont fixés respectivement aux régions 24 et 26. Comme il est illustré, l'opération de conformation de la surface 36 crée une surfacs bien connue sous le nom de "surface à double pente". Si l'on se réfère maintenant à la figure 2, on a représenté un élément semi-conducteur 50 utilisant une disposition à double pente à angle positif pour régler le champ superficiel. On a utilisé, dans les figures 1 et 2e les mêmes références pour désigner les mêmes composants fonctionnant de la même façon. L'élément 50, dans la structure représentée, fonctionne comme un thyristor. Indépendamment du procédé utilisé pour régler le champ -super ficiel, certaines parties terminales d'au moins quelques jonctions P-N sont à nu, à la surface du corps 12. Il est donc nécessaire d'appliquer un matériau convenable pour protéger ces parties terminales à nu. On dispose une couche 46 de matériau protecteur au moins sur la surface 36 et au moins sur la partie terminale à nu des jonctions P-N 28 et 30. Il est souhaitable que le matériau de la couche 46 adhère à la surface 36 et à la matière de la couche 44 ainsi qu'à l'électrode de contact ou de support 38. Le matériau de la couche 46 doit se comporter comme un matériau de perméabilité variable de façon à être capable de résister à une température élevée pendant les périodes de temps prolongées qui sont nécessaires pour traiter sélectivement des zones superficielles de l'élément 10 avec un gaz particulier.En outre, le matériau de la couche doit être perméable, à température élevée au gaz utilisé pour le traitement, c'est-à-dire qu'il doit se comporter comme une membrane et permettre le passage de gaz choisis au travers de la couche 46 vers les surfaces de l'élément 10 et au travers de la couche 46 depuis ces surfaces. De plus, le matériau de la couche 46 doit être suffisamment poreux à température élevée pour permettre aux autres produits gazeux de passer au travers de la couche 46 vers le milieu ambiant. Lors du refroidissement à la température ambiante, le matériau de la couche 46 doit redevenir sensiblement imperméable au milieu ambiant, formant ainsi une couche sensiblement étanche isolant la surface sur laquelle elle est appllquee. En d'autres termes, le milieu ambiant n'aura pas d'effet nuisible sur la charge superficielle de la surface revêtue. On a constaté qu'un matériau de revêtement protecteur tel que, par exemple, un copolymère polyimide-silicone répond aux exigences indiquées ci-dessus lorsqu'il est appliqué au moins sur la surface 36 et au moins sur la partie terminale à nu des jonctions P-N 28 et 30. On peut appliquer le matériau de revêtement protecteur sur la surface 36 sous la forme d'un précurseur de polymère dissous dans un solvant convenable. Lors du chauffage, ou par suite de l'éva- poration se produisant à la température ambiante, le matériau de revêtement protecteur de la couche 46 polymérise in situ sur la surface 36 et sur la partie terminale d'au moins une jonction P-N. De préférence, on applique le matériau de la couche 46 sur une zone prédéterminée de la surface 36 du corps 12 sous la forme d'une solution d'un intermédiaire conduisant au polymère. L'application de ce matériau au moins sur la surface 36 du corps 12 peut être accomplie par tout moyen convenable tel que par pulvérisation, par centrifugation, étalement au pinceau, etc. On chauffe ensuite le corps 12 avec son application de matériau de revêtement protecteur pour transformer l'intermédiaire de polymère soluble et résineux à l'état de matériau durci, solide et sélectivement insoluble. Comme matériau de revêtement protecteur pour la couche 46, on recommande un matériau qui, à l'état durci, adhère bien à la surface 36. De plus, le matériau doit présenter une bonne résistance à l'abrasion et aux réactifs chimiques utilisés pour parfaire la fabrication de l'élément 10. En outre, le matériau doit offrir une bonne résistance à la chaleur car il sera soumis à des tempé- ratures élevées pour régler et maîtriser l'état de surface et la charge superficielle de l'élément 10. Le matériau de la couche 46 doit, encore, de préférence, posséder la propriété intrinséque de ne pas dégager de gaz pendant le traitement thermique. Un matériau qui répond aux exigences ci-dessus et qui convient pour la réalisation de la couche 46 est le produit issu de la réaction d'une diamine organique dépourvue d'atome de silicium, d'un dianhydride d'acide organique tétracarboxylique et d'une polysiloxane diamine et qui constitue un précurseur de polymère soluble dans un solvant organique convenable.Lors du durcissement, ce précurseur donne un copolymère comportant des motifs de base de formule et 5 à 50 % en mole de motifs intercondensés de formule formules dans lesquelles - R est un radical hydrocarboné divalent, - R' est un radical hydrocarboné monovalent, - R" est un radical organique tétravalent, - Q 3est un radical organique divalent dépourvu d'atome de silicium et dérivant d'une diamine organique, - x est un nombre entier compris entre 1 et 1000 ou plus, - m et n sont des nombres entiers identiques ou différents supé- rieurs à 1, et compris de préférence, entre 10 et 10.0~0 ou plus On peut préparer les copolymères séquencés précités en faisant réagir, dans des proportions molaires convenables, un mélange de composants formé d'un diaminosiloxane de formule générale d'un composé diamino dépourvu d'atome de silicium et répondant à la formule IV. NH2 Q ~ NH2 et d'un dianhydride d'acide tétracarboxylique de formule : formules dans lesquelles R, R', R", Q et x ont la signification indiquée plus haut. On comprendra que la composition de polyimide-siloxane utilisée pour la mise en oeuvre de l'invention sera composée essentiellement des structures imido apparaissant dans les formules I et Il. Cependant, les matériaux précurseurs réels résultant de la réaction du diaminosiloxane, de la diamine organique dépourvue d'atome de silicium et du dianhydride d'acide tétracarboxylique revêtira, à l'origine, la forme d'une structure d'acide polyamique composé de motifs de formules dans lesquelles R, R', R", Q, x, m et n ont la signification indiquée plus haut. Comme diamino-siloxanes de formule III pouvant être utilisés, pour la mise en oeuvre de l'invention, on peut avoir recours aux composés qui répondent aux formules suivantes Les diamines de formule IV sont décrites dans la littérature de spécialité et, pour un grand nombre d'entre elles, sont disponibles dans le commerce. Comme exemples caractéristiques de telles diamines à partir desquelles on peut préparer le prépolymère, on peut citer les suivantes - la m- phénylènediamine - la p-phénylènediamine - le diamino-4,4' diphénylpropane - le diamino-4,4' diphénylméthane (appelé dans la suite méthylène dianiline" - la benzidine - le diamino-4,4' diphényl sulfure ; - la diamino-4,4' diphényl sulfone - le diamino-4,4' diphényl éther - le diamino-1,5 naphtalène ; ; - la diméthyl-3,3' benzidine - la diméthoxy-3,3' benzidine - le bis(ss-amino-t-butyl)-2,4 toluène - le bis(p-#-amino-t-butylphényI) éther - le bis(p-$-méthyl-o-aminopentyl) benzène - le diamino-1,3 isopropyl-4 benzène - le bis(amino-3 propoxy)-1,2 éthane - la m-xylylènediamine - la p-xylylènediamine - le bis(amino-4 cyclohexyl) méthane - la décaméthylènediamine ; - la méthyl-3 heptaméthylènediamine ; - le diméthyl-4,4 heptaméthylènediamine - le diamino-2,11 dodécane - la diméthyl-2,2 propylènediamine - l'octaméthylenediamine ;; - la méthoxy-3 hexaméthylènediamine - la diméthyl-2,5 hexaméthylènediamine - la diméthyl-2,5 heptaméthylènediamine - la méthyl-3 heptaméthylènediamine - la méthyl-5 nonaméthylènediamine - le diamino-1,4 cyclohexane - le diamino-1,12 octadécane - le bis(amino-3 propyl) sulfure - la N-méthyl bis(amino-3 propyl) amine - l'hexaméthylènediamine - l'heptaméthylènedîamine - la nonaméthylènediamine et les mélanges de ces composés On doit noter que ces diamines ne sont citées qu'à titre d'exemples et qu'il ne s'agit pas d'une liste exhaustive. L'homme de métier sait quelles autres diamines non mentionnées peuvent être utilisées. On peut encore définir les dianydrides d'acides tétracarboxyliques de formule V en indiquant que le radical R" est un radical tétravalent, c'est-à-dire un radical dérivant d'un groupe aromatique, ou comportant un tel groupe, contenant au moins 6 atomes de carbone se caractérisant par une insaturation du type benzenolde, chacun des quatre s groupes carbonyle étant fixé à un atome de carbone distinct du radical tétravalent, les groupes carbonyle étant par paires, chaque élément de la paire étant fixé à des atomes de carbone voisin du radical R ou à des atomes de carbone du radical R dont il manque, au plus un atome de carbone, pour former des cycles à 5 chaînons ou 6 chaînons, comme suit Comme exemples de dianhydrides convenant à la mise en oeuvre de l'invention, on peut citer les composés suivants (leur appellation abrégée étant indiquée entre paranthèses) : - le dianhydride pyrromellitique (PMDA) de l'acide naphtalène tétracarboxylique-2:3, 6:7 ; de l'acide diphényl tétracarboxylique-3:3', 4:4' de l'acide naphtalène tetracarboxylique-1:2, 5:6 de l'acide diphényl tétracarboxylique-2::#', 3,3' ; du bis(dicarboxy-3,4 phényl)-2,2 propane de la bis(dicarboxy-3#4 phényl) sulfone ; - " du bis t(dicarboxy-3,4 phénoxy)-4 phényl#-2,2 propane , (dianhydride de BPA) ; - " du bis(dicarboxy-2,3 phénoxy)-4 phenyl]-2,2 propane de l'acide benzophénone tétracarboxylique (BPDA) ; - " de l'acide perylène tétracarboxylique-l:2, 7:8 ; du bis(dicarboxy-3,4 phényl) éther, et - " du bis(dicarboxy-3,4 phényl) méthane ; et les anhydrides aliphatiques et cycloaliphatiques, tels que - le dianhydride de l'acide cyclopentane tétracarboxylique ; de l'acide cyclohexane tétracarboxylique de l'acide butane tetracarboxylique, etc. L'incorporation d'autres anhydrides, tels que l'anhydride trix mellitique, pour la préparation des polymères amide-imide-siloxane n'est pas exclue. On peut appliquer les copolymères séquencés ou les mélanges de ces polymères dans un solvant convenable (notamment, par exemple la N-méthylpyrrolidoné, la N-N-diméthylacétamide, le N,N-diméthyl- formamide) seul ou combiné avec des non-solvants, sur le support, par tous moyens convenables, tels que trempage, pulvérisation, étalement au pinceau, centrifugation, etc. On peut sècher les copolymères séquencés ou les mélanges de polymères au cours d'une étape de chauffage initial à des températures comprises entre environ 75 et 1500C pendant une durée suffisante, souvant sous pression réduite, pour chasser le solvant.On transforme ensuite l'acide polyamique en polyimide siloxane correspondant par chauffage à des températures d'environ 1500C-3000C pendant une durée suffisante pour accomplir-la transformation voulue et aboutir à la structure de polyimide attendue et au durcissement final. Le cycle de durcissement des matériaux répondant à la formule ci-dessus peut, de préférence, être le suivant (a) de 15 à 30 mn à une température comprise entre 135 et 1500C, dans l'azote anhydre, (b) de 15 à 60 mn à environ 185 +#100C dans l'azote anhydre, (c) de 1 à 3 heures à environ 2250C sous vide. En variante, on a constaté que l'on pouvait durcir le matériau de revêtement dans d'autres atmosphères telles que, par exemple, l'air pour des raisons de facilités pour les applications commerciales de l'invention. On prépare un matériau convenable sous forme d'une solution d'un précurseur de polymère, à partir d'un acide polyamique dissous dans de la N-méthylpyrrolidone-2 contenant 25 % de solides en poids. On applique la solution sur la surface du corps dans la zone où se trouvent des parties terminales de jonctions P-N, en utilisant tous moyens convenables tels que par exemple par étalement au pinceau ou centrifugation. On prépare une solution de précurseur de polymère particulier en faisant réagir le dianhydride de l'acide benzophénone-tétracarboxylique avec de la méthylène dianiline et du bis(X-aminopropyl) tétraméthyldisiloxane, les deux diamines étant présentes dans le rapport molaire 70:30. On accomplit la réaction à une tem pérature inférieure à 500C, en utilisant des matériaux convenablement purifiés et séchés pour favoriser l'obtention d'un polymère de masse molaire élevée. En particulier, on prépare une solution de précurseur de polymère sous la forme de l'acide polyamique dissous dans le N-méthyl-2 pyrrolidone contenant 258 de solides en poids, en procédant comme suit Dans un réacteur balayé par un courant d'azote, on introduit les composés chimiques suivants - 401,26 g de N-méthyl-2-pyrrolidone, - 18,6 g de bis (#-aminopropyl) -1,3 tétraméthyldisiloxane, - 34,65 g de méthylène-4,4' dianiline. On agite le mélange réactionnel jusqu'à obtenir une homogénéité raisonnable. Au mélange r#ésultant, on ajoute 80,50 g de dianhydride d'acide benzophénone tétracarboxylique, en agitant continuellement. On poursuit l'agitation pendant environ 5 heures pour obtenir un fluide homogène. Le fluide est très résineux et la longueur du temps d'agitation permet à la réaction de se terminer entre les composés chimiques. On applique suffisamment de matériau sur la surface 36 pour créer une couche 46 dont l'épaisseur varie entre 1 et 100 microns. L'épaisseur minimale doit être telle que le matériau durci ne donne pas lieu à une rupture électrique pour le champ électrique maximum dans les conditions de blocage en tension directe ou en tension inverse. Les brevets des Etats Unis n0 3.325.450, 3.553.282, 3.598.784 et 3.740.305 décrivent d'autres matériaux de revêtement protecteur en polyimides, polyamides, polyimide-polyamides ainsi que leurs procédés de fabrication. On soumet ensuite l'élément revêtu 10 à une atmosphère humide réductrice ou à une atmosphère ambiante inerte pour réduire les densités d'états de surface sur les zones superficielles du corps traité 12. On chauffe l'élément revêtu 10 à une température d'approximativement 4500C + 250C pendant environ 30 mn dans un milieu tel que, par exemple, l'azote, l'oxygène, l'argon, le méthane, l'hydrogène, etc. Le milieu peut renfermer de la vapeur d'eau ou non. De préférence, on utilise de l'azote contenant d'environ 1 à environ 3% en volume de vapeur d'eau pour régler le nombre d'états de surface actifs. On a maintenant découvert que le matériau de la couche 46 forme une couche sensiblement étanche isolant l'élément 10 du milieu dans lequel il fonctionne. Cependant, lorsque l'on chauffe à des températures élevées d'environ 4500C, le matériau devient perméable aux gaz employés pour régler les densités d'états de surface de la zone superficielle de l'élément 10. Le gaz constituant ce milieu, y compris la vapeur d'eau le cas échéant, peut passer librement de l'extérieur au travers du matériau de la couche 46 vers la surface du corps 12. Après la réaction sur la surface du corps 12, le produit de réaction du gaz et les matériaux présents à la surface du corps 12 peuvent passer depuis la surface, au travers du polymère# polyimide-silicone durci, vers le milieu extérieur.Parmi les produits qui s'échappent de la surface sous traitement, il y a les produits qui sont apparus pendant le traitement précédent du corps 12. Le matériau de la couche 46 a tendance à se comporter comme une membrane de perméabilité variable dont la perméabilité est commandée par la température. Une fois le traitement thermique terminé, on refroidit l'élément revêtu à la température ambiante. Le matériau de la couche 46 retrouve ses propriétés d'origine en formant une couche sensiblement étanche isolant la surface sur laquelle elle est appliquée. Le matériau n'est plus perméable et les états de charges super ficielles sont conservés. On pense que l'efficacité de ce traitement tient au fait que la charge superficielle existant sur l'élément 10 se présente, pour une grande partie, sous forme d'états d'interface. Une fraction plus petite en proportions des états de surface est une charge fixée. Ainsi, le matériau de la couche 46 forme un excellent revêtement de passivation pour les éléments semi-conducteurs ainsi qu'un excellent moyen pour maitriser les états de surface de ces derniers. Le matériau et le procédé conviennent particulièrement pour les dispositifs semi-conducteurs de haute puissance, fonctionnant sous des tensions élevées et dont les fuites en tension inverse doivent être faibles. En outre, le matériau et le procédé conviennent également pour les opérations de fabrication de transistors et de circuits intégrés. REVENDICATIONS 1 - Elément semi-conducteur caractérisé en ce qu'il est cons titué par un corps de matériau semi-conducteur ayant au moins deux régions de conductivité de types opposés et une jonction P-N entre ces deux régions, cette jonction étant formée par les surfaces en contact de chaque paire de régions de conductivité opposée, une partie terminale de l'une au moins des-jonctions P-N à nu à la surface du corps, une couche de matériau polymère formant membrane de perméa bilité variable, disposée sur des zones de surface choisies de l'élément, et sur la partie terminale à nu de l'une au moins des jonctions P-N, le matériau polymère contenant des groupes siloxanes ayant la caractéristique d'être sensiblement imperméable au milieu ambiant aux températures de fonctionnement normales et d'être perméable à un groupe choisi de gaz à des températures élevées supérieures aux températures de fonctionnement normal 2 - Element semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche de matériau polymère contenant des motifs siloxane est d'au moins 1 micron. 3 - Elément semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau polymère contenant des motifs siloxane est un copolymère qui est le produit de la réaction d'une diamine organique dépourvue de silicium, d'un dianhydride organique d'acide tétracarboxylique et d'un polysiloxane, ce produit de réaction ayant des motifs répétitifs de formule et 5 à 50 % en mole de motifs intercondensé de formule formules dans lesquelles - R est un radical hydrocarboné divalent, - R' est un radical hydrocarboné monovalent, - R" est un radical organique tétravalent, - Q est un radical organique divalent dépourvu d'atome de silicium et dérivant d'une diamine organique, - x est un nombre entier compris entre 1 et 1000 ou plus, - m et n sont des nombres entiers identiques ou différents supe- rieurs à 1. 4 - Elément semi-conducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que m et n-sont chacun des nombres entiers compris entre 70 et 10.000. 5 - Elément semi-conducteur selon la revendication 4, carac térisé en ce que le matériau semi-conducteur est du silicium. 6 - Elément semi-conducteur selon la revendication 3, carac térisé en ce que m et n sont chacun des nombres entiers supérieurs à 10.000. 7 - Element semi-conducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que le produit de la réaction dérive du dianhydride de l'acide benzophénone tétracarboxylique, par réaction avec la méthylène dianiline et le bis (X-aminopropyl) tétraméthyldisiloxane. 8 - Element semi-conducteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que le matériau semi-conducteur est le silicium. 9 - Elément semi-conducteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que le rapport molaire entre la méthylène dianiline et le bis Ï#-aminopropyl) tétraméthyldisiloxane est de 70:30. 10 - Elément semi-conducteur selon la revendication 9, caractérisé en ce que le matériau semi-conducteur est le silicium.