FR 2350731 A1 19771202 FR 7613260 A 19760504 La présente invention concerne un procédé destiné à éviter d'une part l'emballement thermique dlun amplificateur de puissance à transistor et, d'autre part, le réglage classique final, après montage d'un tel amplificateur. On sait que les amplificateurs de puissance à tran sistor connus à ce jour voient leur fiabilité et leur précision limitées du fait de l'influence des variations de la température et de la tension d'alimentation . L'échauffement d'un transistor "driver" de l'amplificateur a pour effet des modifications du point de fonctionnement statique de ce transistor et peut provoquer un emballement thermique conduisant à la destruction du ou des transistors "driver" de I'amplifieater.De ce fait,ces amplificateurs ne présentent pas le degré de fiabilité souhai table pour de tels appareils.D'autre part, il est nécessaire, une fois que l'amplificateur est monté , de procéder à un réglage final de l'amplificateur pour tenir compte de la tension d'ali mentation réelle qui sera appliquée à cet amplificateur. La né cessité de ce réglage final a comme première conséquence llem- ploi de personnel qualifié , une perte de temps et des investi s- sements en matériel considérables qui grèvent le coût de l'am plificateur. Une deuxième conséquence est que l'amplificateur , s 'il est parfaitement adapté à une tension d'alimentation bien définie, n'est pas adapté en revanche à d'autres tensions d'ali mentation.Cet inconvénient est tout à la fois gênant pour l'u tilisateur qui doit éventuellement procéder au réglage de l'am plificateur et pour le fabricant qui est amené à fabriquer une large gamme d'amplificateurs en fonction des besoins. L'invention vise à remédier à ces inconvénients et, à cet effet, elle propose un procédé destiné, en premier lieu, à éviter d'une part l'emballement thermique d'un amplifi cateur de puissance à transistor et , d'autre part, le réglage final de cet amplificateur en fonction de la tension d'alimen tation et permettant, en second lieu, une utilisation parfaite de l'amplificateur quelle que soit la tension d'alimentation, caractérise par le fait que l'on interpose , en série , dans le circuit reliant la base du transistor "driver" de l'am plificateur et la borne de sortie de cet amplificateur une diode disposée de manière que l'on traverse la jonction qu'elle cons titue, à partir de la base du transistor "driver" dans le ses NP si le transistor "driver" est du type NPN et, au contraire,dans le sens PN si le transistor "driver" est du type PNP. L'invention sera bien comprise grâce à la description qui suivra en référence aux dessins annexés dans lesquels: Les figures 1, 2, 3 et 4 sont des schémas simplifiés de quatre variantes possibles d'amplificateurs suivant l'invention. Sur la figure 1, est représenté le schéma simplifié d'un amplificateur comprenant une alimentation continue 1 ayant une borne positive la et une borne négative lb entre lesquelles sont branchés respectivement d'une part le collecteur 2 et, d'autre part, l'émetteur 3 d'un transistor NPN 4. Une résistance 5 est branchée en série entre l'émetteur 3 et la borne lb. La base 6 du transistor 4 est branchée à l'émetteur 7 d'un second transistor NPN 8 dit transistor driver". Le collecteur 9 du second transistor 8 est branché au collecteur 2 du premier transistor 4. Une résistance 10 est interposée sur la liaison entre la base 6 du premier transistor 4, et l'émetteur 7, du second transistor8 d'une part et la liaison Il entre la borne lb et la résistance 5, d'autre part. Les bornes de sortie 12a, 12b de l'amplificateur sont reliées respectivement a la base 13 du premier transistor 4 par l'intermédiaire d'une liaison 14 et à la liaison 11. Sur la liaison 14 est interposée en série une résistance 15. Suivant la caractéristique essentielle de l'invention, il est interposé en série dans la liaison 14, une diode 16. Le sens de branchement de la diode 16 est tel que, en parcourant la liaison 14 à partir de la borne 12a vers la base 13, on traverse la jonction formée par la diode 16 dans le sens PN. Sur la figure 2, est représenté un autre schéma simplifié d'amplificateur présentant les caractéristiques générales du schéma représenté sur la figure 1 avec les différences suivantes - Le premier transistor 4 est remplacé par un transistor PNP 17; Le second transistor 8 est remplacé par un transistor PNP 18. La borne 18 est une borne de polarité négative et la borne lb une borne de polarité positive. -La diode 19 interposée sur la liaison 14 est placée de manière que, en parcourant la liaison 14 à partir de la borne de sortie 1-2a vers la base 13 du second transistor 18, dit transistor "driver", on traverse la jonction de la diode 19 vers le sens-NP. Sur la figure 3 est représenté un schéma plus complexe comprenant une alimentation 1 ayant une borne positive 20a et une borne négative 20b; un premier transistor NPN 21 dont le collecteur 22 est relié à la borne 20a, dont l'émetteur 23 est relié à l'émetteur 24 d'un autre transistor PNP 25. Le collecteur 26 du transistor 25 est relié à la borne 2Gb. La base 27 du transistor NPS 21 est reliée à l'émetteur 28 d'un troisième transistor NPS 29, dit transistor "driver". Le collecteur 30 du transistor 29 est branché sur la liaison 31 reliant le collecteur 22 et la borne 20jazz Une résistance 32 est interposée entre la liaison 33 émetteur 28-base 27 et la base 34 du transistor 25.L'émetteur 35 d'un quatrième transistor PNP 36, dit également transistor "driver" est branché à la base 34 du transistor 25. Le collecteur 37 du transistor 35 est branché sur la liaison 38 collecteur 26-borne 2Gb. Les bornes de sortie 12a, 12b de l'amplificateur sont respectivement reliées, aux moyens de liaisons 39,40 aux bases 41,42 des transistors 29,36. Des résistances 43,44 sont interposées,en série sur les liaisons 39,40. Suivant l'invention, deux diodes 45,56 sont interposées en série respectivement sur les liaisons 39 et 40. En parcourant la liaison 39 à partir de la borne 12a jusqu'à la base 41 du transistor 29, on traverse la jonction formée par la diode 45 dans le sens PN. Au contraire, en parcourant la liaison 40 à partir de la borne 12b vers la base 42 du transistor 36 on traverse la jonction formée par la diode 46 dans le sens NP. Sur la figure 4 est représenté le schéma d'un circuit d'un amplificateur comprenant une alimentation continue I ayant une borne positive la et une borne négative lb. Un premier transistor NPN 47 de l'amplificateur comporte un collecteur 48 relié à la borne la et un émetteur 49 relié à une ligne médiane 50 par l'intermédiaire d'une résistance 51. Cette ligne médiane 50 est reliée par l'intermédiaire d'une capacité 52 à une première borne 53de la sortie 54 de l'amplificateur, la seconde borne 55 de cette sortie étant reliée à la borne négative lb. Le premier transistor NPN 47 comporte également une base 56 reliée par une résistance 57 à la ligne médiane 50 et directement à l'émetteur 58 d'un second transistor NPN 59, le collecteur 60 de celui-ci étant relié également à la borne la.La base 61 de ce deuxième transistor NPN 59 est reliée par trois résistances en série 62, 63, 64 à la borne la. Une liaison 65 prises entre les deux dernières résistances 63,64 relie ces résistances par l'intermédiaire d'une capacité 66 à la ligne médiane 50. Le circuit de cet amplificateur comporte également un troisième transistor NPN 67 , dont le collecteur 68 est relié par l'intermédiaire d'une résistance 69 à la ligne médiane 50, l'emet- teur 70 est relié à la borne négative lb et la base 71 par l'intermédiaire d'une résistance 72 également à la borne négative lb. Le circuit amplificateur comporte également un quatrième transistor PNP 73 "driver" dont l'émetteur 74 est relié au collecteur 68 du troisième transistor NPN 67, le collecteur 75 est relié à la base 71 du même troisième transistor NPN 67 et la base 76 par une liaison 77 et une résistance 78 à la première borne 12a de l'entrée de l'amplificateur, dont la seconde borne 12b est reliée à la borne négative lb. Deux diodes 79,80 sont reliées en série entre les deux premières résistances 62,63 et à la première borne 12a de l'entrée de l'amplificateur par l'intermédiaire d'une résistance 81. Suivant la présente invention, une diode 82 est interposée en série sur la liaison 77 et reliée à la base 76 du quatrième transistor PNP 73, de manière qu'en parcourant la liaison 77 à partir de -la borne 12a vers la base 76 du quatrième transistor PNP 73 driver", on traverse la jonction formée par la diode 82 dans le sens NP. Naturellement, il est clair que les schémas qui viennentd'être donnés l'ont été uniquement à titre d'exemples indicatifs et nullement limitatifs de la présente invention. Celle-ci peut faire l'objet d'un très grand nombre de variantes en fonction du schéma de l'amplificateur qui est adopté. REVENDICATIONS 1. Procédé destiné, en premier lieu, à éviter d'une part l'emballement thermique d'un amplificateur de puissance à transistor et, d'autre part, le réglage final de cet amplificateur en fonction de la tension d'alimentation, et permettant, en second lieu, une utilisation parfaite de l'amplificateur quelle que soit la tension d'alimentation, caractérisé parle fait que l'on interpose, en série, dans le circuit reliant la base d'un transistor "driver" de l'amplificateur et la borne de sortie de cet amplificateur une diode disposée de manière que l'on traverse la jonction qu'elle constitue, à partir de la base du transistor "driver" dans le sens NP, si le transistor "driver" est du type NPN, et, au contraire, dans le sens PN, si le transistor -'driver" est du type PNP. 2-. Amplificateur obtenu par la mise en oeuvre du procédé suivant la revendication 1, caracterise par le fait qu'il comporte une diode interposée en série dans le circuit branché à la base d'un transistor "driver', de telle manière que l'on traverse la jonction formée par cette diode dans le sens NP, si le transistor "driver" est du type NPN, et, au contraire, dans le sens PN, si le transistor "driver" est du type PNP.