FR 2312114 A1 19761217 FR 7610361 A 19760401 La présente invention concerne d'une manière générale l'attaque de matériaux par ions réactifs. La présente invention concerne en particulier l'attaque et plus particulièrement un procédé de décapage sélectif par ions réactifs d'un substrat de silicium, ce procédé étant utile dans la fabrication des dispositifs semi-conducteurs a circuits intégrés. La présente invention est relative aussi a l'attaque par pulvérisation, et se rapporte plus particulièrement a un procédé de décapage par ions réactifs d'un film d'aluminium supporté par un support, typiquement: un corps semi-conducteur. Dans la fabrication des dispositifs semi-conducteurs à circuits intégrés, il est fréquemment nécessaire ou souhaitable d'éliminer de façon sélective du silicium d'un substrat de silicium pour réaliser des dentelures et/ou des trous dans le substrat. Par exemple, dans la réalisation de régions encastrées d'isolation en oxyde telle que décrit dans le brevet des E.U.A No. 3 648 125, on oxyde des régions choisies d'un substrat de silicium de façon a constituer des parois d'isolation diélectriques encastrées.Puisque le silicium oxydé occupe un volume plus important que le corps de silicium initial, on éliminera une partie du silicium avant l'opération d'oxydation du silicium de façon a préserver la planéité des structures résultantes, c'est- -dire, permettre a la surface supérieure des régions oxydées de se trouver dans le même plan que la surface supérieure du silicium initial. On peut éliminer le silicium par différentes techniques. La technique d'élimination la~plus courante est celle qui consiste a décaper le silicium, a travers un masque, par un décapant chimique. Le décapant décape alors de façon sélective le silicium.Cependant, comme cela est le cas pour toutes les techniques utilisant un décapant chimique, le décapant agit a la fois vers le bas et sur les côtés. Il ie produit ainsi un décapage latéral sous le masque. En outre, les parois latérales ne sont pas perpendiculaires a la surface. Les parois en pente entraient l'utilisation d'une surface plus importante du corps de silicium pour la réalisation des régions d'oxyde encastrées a cause de la configuration en général trapézoTdale ou section verticale de ces régions. Un corps de silicium ou tout autre matériau peut être éliminé d'un substrat par une technique bien connue qui est la technique de décapage par pulvérisation. Cette technique est décrite dans les brevets des E.U.A No. 3 271 286, 3 474 021 et 3 598 710. Par cette technique, il est 'possible d'éliminer le diélectrique ou d'autres matériaux de telle sorte que les dentelures ainsi formées aient des parois latérales droites et présentent un décapage latéral peu important. Cependant, si l'on élimine un matériau a travers un masque par cette technique, on rencontre un certain nombre d'inconvénients. La vitesse d'élimination du silicium dans une atmosphère d'argon ou une atmosphère similaire est relativement lente, de l'ordre de 40 à 200A par minute.Bien que la vitesse de décapage puisse être augmentée quelque peu en augmentant la puissance de la source d'alimentation à haute fréquence, il y a une limite. L'augmentation de la puissance est accompagnée par une température de substrat plus élevée qui peut endommager les dispositifs de façon importante. Un autre inconvénient est l'apparition d'une nouvelle pulvérisation, c'est-adire le dépôt a nouveau du matériau initial déjà pulvérisé. Ce matériau pulvérisé une nouvelle fois qui peut être mélangé a d'autres matériaux est une source de contamination. En outre, la vitesse de décapage du silicium n'est pas très différente de celle du masque. En conséquence, le masque se dégrade au fur et à mesure qu'on élimine le silicium. Le maintien de l'intégrité du masque pose un problème important lorsqu'on désire éliminer une grande quantité de silicium. Les techniques de décapage par pulvérisation susmentionnées sont réalisées dans une atmosphère qui renferme principalement un gaz inerte, tel que l'argon, le néon ou un gaz similaire. Le décapage se produit par un réel bombardement ionique du substrat par déplacement d'ions a la suite de l'application d'un champ électrique. Le matériau est ainsi éliminé litéralement par l'explosion du matériau du substrat par le déplacement rapide des ions. Des techniques de décapage par plasma isotropique sont connues dans lesquelles une espèce active d'ions ou d'atomes d'un plasma induit a haute fréquence réagit de façon sélective sur le matériau a décaper. Des exemples de décapage par plasma sont décrits dans les brevets des E.U.A No. 3 816 198 et 3 806 365.Les techniques de décapage connues concernent principalement l'élimination des matériaux organiques tels que les photo-résistants etc. Ce qui est nécessaire dans la technologie de fabrication des semiconducteurs c'est un procédé permettant d'abord d'éliminer le silicium à une vitesse de décapage rapide, sans chauffer de façon importante le substrat ou sans entraîner une nouvelle pulvérisation sur les matériaux initiaux, puis dans lequel les dentelures dans le silicium présentent des parois latérales droites indépendantes de l'orientation cristalline et enfin dans lequel le décapage latéral sous le masque est insignifiant. Des circuits intégrés à haute densité exigent aussi des systèmes d'interconnexion métalliques dotés d'une capacité de transport de courant suffisante pour résister & 'électro-migration sous les charges de courant. De toute nécessité, les lignes doivent être étroitement espacées, afin d'obtenir la densité de configuration désirée. Les lignes doivent être relativement épaisses pour atteindre les surfaces désirées en section transversale. La nécessité de configuration d'interconnexionrelativement épaisse est particulièrement affirmée lorsque le métal d'interconnexion est l'aluminium. Si le volume des bandes de la configuration de métallurgie n'est pas suffisamment important, l'échauffement et les problèmes consécutifs de l'électromigration peuvent apparaitre. Jadis, les configurations de métallurgie étaient obtenues en déposant une couche de couverture métallique, en masquant le métal avec une couche photorésistante, en développant la couche photorésistante puis en attaquant ensuite les portions exposées de la couche métallique avec un décapant approprié. Cependant, dans les circuits intégrés haute densité comportant une couche de métal relativement épaisse, la surface de section transversale exigée pour une bonne aptitude au transport du courant ne pouvait pas être obtenue par l'attaque soustractive habituelle. Dans ces techniques d'attaque, le décapant attaque horizontalement aussi bien que verticalement. Ceci se traduisait par des parois latérales en pente, sur la configuration métallurgique, ce qui réduit matériellement la surface de la section transversale et, partant, le volume de la bande métallique. En outre, l'attaque horizontale limite la largeur minimum d'une ligne qui peut être gravée avant que l'attaque horizontale ait provoqué un détachement de la couche de masque du métal. D'autres techniques de fabrication pour éviter le problème qui vient d'être mentionné ont été proposées. Une solution possible consistait a utiliser un procédé qui consiste à fabriquer la configuration métallurgique, selon la technique, suivante: une couche photorésistante est déposée sur la couche isolante, sur un support de silicium, la configuration inversée est exposez sot déveIoppêe#dans le photorésistant, et, ensuite, une couche de couverture métallique est déposée sur le résistant. Lorsque le résistant est enlevé a l'aide d'un décapant approprié, la configuration métallique couvrante est éliminée, laissant la configuration désirée qui adhère a la couche isolante. Cependant, ce procédé est complexe, il impose une limitation de température dans le dépôt du métal fonctionnel, et il est exposé a des problèmes de résidus qui contribuent a la résistance de contact entre les couches métalliques. Une autre technique de fabrication de configuration de métallurgie d'interconnexions est l'attaque par pulvérisation. Des procédés et appareils d'attaque par pulvérisation sont décrits dans le brevet des É.U.A No. 3 598 710, déja cité, dans le brevet des E.U.A No. 3 617 463 et dans le "IBM Technical Disclosure Bulletin" Vol .7; No.4 d'octobre 1974 pages 364 à 366. Dans l'attaque par pulvérisation, il est possible d'obtenir des parois verticales des bandes de la métallurgie. Ce procédé, a la différence de l'attaque soustractive ou l'on obtient des parois évasées, peut être utilisé pour obtenir une fine définition de la configuration. Le procédé s'applique très bien a de nombreux types de métaux conducteurs. Cependant, l'utilisation de l'attaque par pulvérisation, en général, n'est pas satisfaisante pour le métal aluminium, car ce métal se pulvérise très lentement. Cette faible vitesse de pulvérisation fait perdre du temps, est coûteuse, et implique d'épaisses couches de masque. L'avantage gagné par les configurations à paroi droite obtenues par pulvérisation est fréquemment perdu a cause du manque de définition des configurations de masque, du fait de l'épaisseur exigée pour qu'elles soient efficaces. En général, les techniques d'attaque par pulvérisation utilisent une ambiance de gaz inerte. Cependant, l'attaque par ions réactifs a été suggérée pour l'enlèvement des matériaux photorésistants, par exemple dans le brevet des E.U.A No. 3 806 365.-Dans cette technique suggérée, un mélange de deux organo-halogénures au moins, pour constituer l'environnement de pulvérisation, est suggéré. Cependant, ces organo-halogénures suggérés ne sont pas efficaces pour l'attaque réactive de l'aluminium. On constate les mémes vitesses relativement faibles qu'avec l'utilisation d'un gaz inerte. Un objet de cette invention consiste a proposer un procédé de décapage dans lequel on utilise une nouvelle atmosphère gazeuse pour le décapage du silicium par ions réactifs. Un autre objet de cette invention consiste a proposer un procédé de décapage du silicium a des vitesses de décapage relativement élevées. Un autre objet de cette invention consiste a proposer un procédé de décapage du silicium dans lequel les parois latérales des dentelures résultantes sont pratiquement perpendiculaires a la surface du corps de silicium et dans lequel le décapage latéral sous la couche de masquage est réduit au minimum ou éliminé. Un autre objet de l'invention est, en conséquence, de fournir un procédé de pulvérisation dans lequel un nouvel environnement gazeux est utilisé pour l'attaque par ions réactifs de l'aluminium. Un autre objet de l'invention est de fournir un procédé pour attaquer l'aluminium å des vitesses d'attaque par ions réactifs relativement élevées. Conformément aux objets sus-mentionnés, on propose un procédé de décapage réactif du matériau de silicium en réalisant une couche de masquage sur laquelle sont ménagées des ouvertures, cette couche de masquage étant placée au-dessus de la surface du substrat de silicium décaper, et ensuite en exposant le substrat masqué un plasma gazeux induit à haute fréquence obtenu en établissant une tension & haute fréquence entre deux électrodes dans une atmosphère basse pression qui renferme au moins un gaz qui se dissocie de façon à donner sous forme activée du chlore, du brome, de l'iode et/ou des radicaux qui renferment de tels halogenures. De même, un procédé de gravure par ions réactifs de l'aluminium est présenté, procédé dans lequel une couche masquée d'aluminium portée sur un support est exposée à un plasma a haute fréquence (RF) formé en appliquant une tension a haute fréquence (RF) a au moins deux électrodes écartées, dans un environnement gazeux composé d'un gaz inerte et d'un gaz choisi dans le groupe représenté par CCl41 Cul21 Br2 et HCl. D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront mieux de l'exposé qui suit, fait en référence aux dessins annexés a ce texte, qui représentent un mode de réalisation préféré de celle-ci. La figure 1 est une vue en section transversale, en élévation, d'un appareil d'attaque par ions réactifs permettant d'appliquer le procédé de l'invention. Les figures 2, 3 et 4 représentent une séquence de coupe concernant un substrat de silicium et un masque qui représente le procédé de la présente invention. La figure 5 est une vue en élévation, en section discontinue, représentant un dispositif semi-conducteur doté d'une couche d'aluminium qui est partiellement gravée par le procédé de la présente invention. Les systèmes de pulvérisation a haute fréquence (RF) profitent, a la fois pour le dépôt des films et pour l'attaque d'objets et de films, de la différence caractéristique entre la mobilité des électrons et des ions. La fréquence du potentiel a haute fréquence (RF) appliquée est plus grande que la fréquence de résonance ionique du plasma dans l'espace de décharge, et plus petite que la fréquence de résonance des électrons du plasma. Des gaines d'ions, communément dénomées Uespa sombres se forment a proximité des électrodes. Selon une première approximation, l'espace de décharge est a un potentiel uniforme et les diffé- rences de potentiel entre les électrodes sont prises a travers les espaoes sombres.En outre, l'espa de décharge de la décharge est relié de manière capacitive travers les espaces sombres aux électrodes et il est toujours plus positif, en potentiel, que l'une ou l'autre des surfaces des électrodes. De la sorte, dans le dépôt par pulvérisation, pendant la portion du cycle ou l'électrode de cible est polarisée négativement, des ions positifs sont attirés a travers l'espace sombre adjacent à la cible, pour bombarder la cible. Les ions provoquent l'éjection d'atomes de la cible, lesquels se déposent sur les surfaces avoisinantes en particulier sur l'élément & revêtir, qui est supporté auprès de la cible. Dans l'attaque par pulvérisation, pendant la portion du cycle ou l'elec- trode qui supporte l'objet à attaquer est polarisée négativement > des ions positifs sont attirés a travers l'espace sombre voisin de l'électrode afin de bombarder l'objet et de provoquer son érosion par des collisions massiques. Dans la seconde portion du cycle, les électrons sont attirés vers la cible ou l'objet a attaquer, respectivement, afin de neutraliser toute constitution de charge. En faisant varier l'agencement physique de la source de haute fréquence et des électrodes, l'espacement et les dimensions de l'électrode, il est possible de provoquer l'apparition du phénomène désiré et de l'améliorer au maximum, ce phénomene étant en l'occurence le dépôt ou l'attaque. Dans la présente invention qui concerne le décapage par ions réactifs, le silicium est éliminé par formation d'un plasma induit a haute fréquence dans une atmosphère a basse pression qui comporte un corps activé renfermant du chlore, du brome ou de l'iode. Le plasma renfermant des atomes, des ions ou des radicaux est dans un état très réactif et réagit chimiquement avec le silicium exposé et donne un chlorure de silicium, un bromure de silicium ou un iodure de silicium, tous volatils. Ces matériaux sont suffisamment volatils aux conditions de température et de pression existantes à l'intérieur de la cellule, pour être éliminés. Les produits volatils sont éliminés de la cellule de décapage par le système d'évacuation classique adopté.En consequence, la~réaction ainsi que le procédé de décapage subséquent ont lieu a une vitesse rapide, beaucoup plus grande que celle que l'on obtenait par le procédé de pulvérisation par bombardement ionique utilisant une atmosphère ne renfermant qu'un gas inerte. En outre, puisque le sous produit est un gaz, il ne se produit pas un nouveau dépôt qui entraînerait autrement une contamination. Le plasma dans la réalisation preferee, est obtenu entre deux électrodes, dont l'une supporte le substrat a décaper. Le champ résultant qui donne la direction de déplacement des corps actifs dans le plasma, est perpendiculaire å la surface du substrat. Par conséquent, à cause de cette direction de déplacement des particules réactives, les dentelures résultantes présentent des parois latérales droites et ne présentent pas un décapage latéral sous le masque important. Tout matériau qui n'est que légèrement affecte par le chlore, le brome ou l'iode réactif dans le plasma induit a haute fréquence peut être utilise dans la fabrication des masques. On préfera utiliser des masques de SiO2 et de Si3N4. En consequence, la dégradation du masque est minimale. Un aspect important du procédé consiste å exclure les atomes ou radicaux renfermant du flore dans l'atmosphère & basse pression. Le fluore dégrade les couches du masque. L'atmosphère renfermée dans le dispositif de décapage par ions réactifs a haute fréquence peut présenter n'importe quelle pression adequate, de préférence de l'ordre de 5 x à 300 x 10 3 millimetre de Mercure, et si possible de 10 a 40 x millimètre de Mercure. Les gaz présents dans l'atmosphère qui fournissent les corps activés dans le plasma peuvent aussi être combinés a un gaz inerte adéquat tel que de l'argon ou de l'hélium. L'on sait, en déposant des films, fournir, dans l'ambiance de pulvérisation, des elements qui réagissent avec le matériau de la cathode pour former des composés qui peuvent être déposés sur des supports strategiquement disposés dans l'appareil de pulvérisation. Grâce a cette technique, des films diélectriques peuvent être déposés a des vitesses rapides d'une manière significative et selon des compositions plus uniformes. La gravure par ions réactifs a été utilisée pour attaquer sélectivement certains matériaux, telle que, par exemple, pour l'attaque de matééres organiques, ainsi que le révèle le brevet des E.U.A No. 3 816 198. Dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, un métal très apprécié pour former les systèmes de métallurgie d'interconnexion et l'aluminium. L'aluminium possède une pluralité d'avantages; en l'occurrence, il adhère directement a la plupart des matériaux diélectriques, il forme directement un contact ohmique avec le silicium ou d'autres matériaux semi-conducteurs, et il est facile a déposer et relativement peu coûteux. Cependant, l'aluminium possède un inconvénient en ce que, sous une forte charge de courant, ce métal est enclin a l'électromigration. L'utilisation d'alliage d'aluninium, tel AlCu, a réduit ce problème dans une certaine mesure. En consequence, lorsque l'on utilise l'aluminium, il importe que la métallurgie possède une section transversale efficace pour evite l'échauffement. Dans les applications de circuits intégrés a haute densité, afin d'utiliser la surface du dispositif a son maximum, la bande métal lurgique est de préférence formée suivant une épaisseur de l'ordre de 5000 a 30 ODOA.Dans les applications a haute densité, il est important que les bandes soient espacées aussi étroitement que possible, l'espacement étant fréquemment de l'ordre de 1,25p a 12,5p. L'utilisation de l'attaque chimique soustractive se traduit par des bandes de métallurgie qui sont dotées de parois latérales en biais. Du fait de ces parois en biais la surface de la section transversale de la bande est d'une manière significative plus faible que si les bandes avaient des parois latérales verticales. En outre, l'attaque horizontale limite le rapport maximum épaisseur/largeur qui peut être obtenu avant que l'attaque horizontale provoque un détachement de la couche de masque, du métal. Un procédé pour obtenir des parois latérales verticales et l'attaque par pulvérisation. Cependant, l'attaque par pulvérisation habituelle de l'aluminium sous une atmosphère de gaz inerte prend du temps et est coûteuse, du fait que l'aluminium se pulvérise & très faible vitesse (de l'ordre de 15A par minute, pour une densité de puissance de 0,2W/cm2), lorsqu'on accroît la densité de puissance la vitesse d'attaque par pulvérisation est accrue, mais la température du support s'accroît aussi. Ceci impose une limite supérieure de vitesse d'attaque du fait que la température du support ne peut dépasser la température de fusion de l'aluminium. En outre, une limite encore inférieure de température est aussi imposée par l'utilisation de masques organiques qui se dégradent à des températures relativement basses. Dans cette opération d'attaque par ions réactifs, un gaz, introduit, constitue une espèce d'ions réactifs qui sont alors dirigés sur le support où ils réagissent avec la couche d'aluminium afin de former un composé volatil ou facilement pulvérisé. Ce procédé d'attaque implique une réaction chimique qui se traduit par une vitesse d'attaque accélérée, mais comme ce procédé dépend de la direction des ions sous l'effet du champ électrique, l'attaque latérale sous le masque est minime et des marches d'attaque quasi verticales sont obtenues. Du fait qu'un nombre de réactions complexes et concurrentes peuvent se produire dans le plasma à haute énergie qui entoure les échantillons à attaquer, l'attaque par ions réactifs représente un processus complexe.Dans la présente invention, l'atmosphère de l'appareil d'attaque par pulvérisation est ainsi conçu, qu'une réaction se produit entre les ions et le matériau a attaquer. Dans l'attaque de l'aluminium, il a été découvert que si l'atmosphère contient des ions de chlore ou de brome, ou des ions halogénures complexes, des composés de chlorure ou de bromure d'aluminium vont se former et les composés ayant subi la réaction sont volatiles aux températures et aux pressions impliquées par le procédé d'attaque par ions réactifs. La figure 1 & laquelle on se référera maintenant, représente, sous une forme quelque peu schématique, un appareil d'attaque ionique préféré, 10, destiné a appliquer le procédé faisant l'objetvde l'invention. L'appareil 10 comprend une chambre dans laquelle une électrode de support 12 est destinée a porter les supports & attaquer. La chambre proprement dite consiste en une plaque de base 16 en matériau conducteur, une paroi cylindrique 18 portée par la plaque 16 et faite de verre ou de métal, et une plaque supérieure 20 qui peut être continue avec la paroi 18, ou constituer une unité Séparée. De préférence, 20 est supportée par les parois 18 et est faite d'un matériau conducteur.Les joints 22 garantissent une jonction hennétique entre la plaque 16, la paroi 18 et la plaque 20. Soit la plaque 20, soit la plaque 16, soit les deux, est ou sont munies d'une mise la masse appropriée 21. L'électrode 12 est de type habituelle et est constitue par un élément d'électrode 24, d'un matériau conducteur approprié, et par l'élément isolant annulaire 26, d'un matériau diélectrique approprié qui supporte l'élément d'électrode 24 et l'isole de la plaque de base 16 et du blindage 28.Si on le désire, l'élément 24 peut être muni d'un moyen de refroidissement fluide approprié qui comprend un tube disposé conoentriquement 29 dans la tige creuse, lequel introduit ou extrait un fluide de refroidissement dans la portion creuse de 1 1élément 24 quiest sous-jaoente a la face supérieure. Ainsi que l'indique les flèches 30 et 31, on peut faire circuler le fluide de refroidissement pour assurer le refroidissement. En outre, si on le désire, l'électrode 12 peut être Munie d'un moyen de réchauffement en disposant des résistances chauffantes appropriées près du dos des électrodes. Le chauffage est avantageux pour l'attaque des alliages d'aluminium. Les supports N511 reposent sur une plaque de verre ou d'un autre diélectrique 32, supporté a son tour par la face supérieure de lterode 24. La source de puissance RF 34 est reliée a l'élément d'électrode 24 par l'in- termédfaire d'une capacité 35. La capacité 35 bloque le passage du courant continu mais ne gêne pas le courant alternatif de la fréquence produite par la source 34. La plaque 16 et toute autre surface conductrice au potentiel de masse servent de seconde électrode dans la chambre. La chambre 10 est évacuée par la pompe à vide 36. Les gaz sont introduits dans la chambre par les trous d'admission 38 et 43.Les sources de gaz 40 et 42 sont reliées par les conduits et les vannes appropriés, 38 et 43, la chambre 10. Les figures 2, 3 et 4, représentent de façon détaillée le procédé de la présente invention permettant l'élimination sélective du silicium. Dans le procédé, on dépose ou on réalise sur le substrat de silicium 52 une couche de masquage 5Q. On comprendra que le substrat de silicium 52 peut renfermer différentes régions et une structure de dispositif commune pour des dispositifs semi-conducteurs a circuits Intégrés qui ne sont pas représentés sur les dessins. La couche de masquage 50 peut être composée de n'importe quel type de matériau, de préférence Si02 ou Si3N4 ou une couche composite de deux ou de plusieurs types de matériaux. Une couche préférée se composera d'une couche inférieure 53 relativement mince de Si02 et une couche supérieure 54 de Si3N4. Une couche photorésistante 56 est déposée sur la couche de masquage 50, exposée et développée de façon & constituer une configuration adéquate qui définira les cavités ou trous des dentelures réaliser dans le substrat 52. La configuration est représentée sur la figure 2 par la référence 58. Les parties exposées de la couche de masquage 50 sont alors éliminées par un procédé de décapage soustractif classique et la couche photo-résistante 56 est éliminée tel qu'indiqué sur la figure 3.Le substrat masqué 52 est alors placé sur une électrode, par exemple l'électrode 12 représentée sur la figure 1, un gaz renfermant de préférence du chlore, du brome ou de l'iode est introduit dans la cellule 18, et la source de puissance a haute fréquence 34 est excitée. Sous ces conditions, la surface exposée du substrat 52 sera bombardée par les corps réactifs qui réagiront avec le silicium entraînant la formation de cavités 60 présentant des parois latérales relativement droites et un décapage latéral sous la couche de masquage 50 pratiquement insignifiant. Lorsqu'on utilise le procédé pour réaliser des cavités lors de la fabrication de régions encastrées d'isolation d'oxyde, le substrat 52 est alors exposé une atmosphère oxydante dans laquelle le silicium exposé réagira avec l'oxygène. La couche de masquage choisie dans ce but, empêchera l'oxydation des parties du substrat 52 qui sont recouvertes. Ainsi, on réalisera dans le substrat 52 des réglons d'oxyde encastrées adéquates pour l'isolation diélectrique. Cependant, le procédé de cette invention peut être utilise pour toute application adéquate dans lesquelles des dentelures doivent être réalisées dans un corps semi-conducteur de silicium. Par exemple, le procédé peut être utilise dans le cas du remplissage de cavités par un matériau diélectrique de façon a constituer une isolation diélectrique ou pour éliminer des parties choisies des couches de silicium polycristallin utilisées pour réaliser les régions de conduction de métallurgie ou comme masque pour l'implantation ionique a la surface d'un corps semi-conducteur, ou pour réaliser des trous de connexion dans le substrat.En outre, le procédé de décapage de la présente invention présente l'avantage de ne pas être soumis au décapage directionnel dû å l'orientation cristalline, qui existe dans les techniques de décapage par procédé chimique. EXEMPLE 1 Un ensemble de tranches de silicium monocristallines présentant une orientation cristallographique selon le plan est oxydé de façon à obtenir la formation d'une couche d'oxyde de silicium ayant une épaisseur de SOOOA, cette épaisseur étant vérifiée par spectrophotométrie. On ménage plusieurs ouvertures dans l'oxyde en utilisant des techniques classiques de masquage, décapage et photolithographie. L'ensemble des tranches est alors placé dans un dispositif de décapage par ions réactifs du type décrit dans les dessins et somis à un plasma gazeux. L'atmosphère réactive est une combinaison d'argon et de CC14 dans laquelle la pression de l'argon était de 10 microns, la pression de CCl4 de 5 microns, avec une pression totale de 15 microns. Une puissance de 200 watts est appliquée par la source de tension à haute fréquence. La densité de puissance calculée est de 0,33 watts/cm2.L'opération de décapage par ions réactifs se poursuit pendant 25 minutes, après quoi on enlève les tranches et on mesure la profondeur de l'enfoncement dans le silicium, aussi bien que la profondeur restante de la couche de masquage de Si 02. On mesure et on enregistre la profondeur de l'enfoncement. On réalise aussi sur les spécimens semiconducteurs, une photographie au microscope a balayage électronique. La vitesse moyenne de décapage du silicium obtenue par le calcul est de 1100A/mn et la vitesse d'érosion du masque obtenue par le calcul est de 180A/mn. Il ne se produit pas de biais de paroi latérale ou de décapage latéral du masque tel qu'indiqué par la photo au microscope à balayage électronique. Les vitesses de décapage relatives du silicium et du masque de SiO2 indiquent que le procédé convient tout à fait pour l'élimination du silicium des parties choisies des tranches de silicium monocristallin. EXEMPLE Il On réalise le même procédé que celui décrit dans l'exemple I excepté le fait que la puissance totale est augmentée jusqu'à 260 watts ce qui donne une densité de puissance de 0,43 watts/cm2. On détermine que la vitesse de décapage du silicium augmente jusqu'à 16002/mon. La vitesse d'érosion du masque est approximativement de 200A/mn. EXEMPLE III On choisit et oxyde de la même façon que celle décrite dans l'exemple I, un ensemble de tranches de silicium monocristallin. L'atmosphère réactive est cependant, de l'acide chlorhydrique anhydre à une pression de 30 microns. La puissance est augmentée jusqu'à 400 watts donnant une densité de puissance de 0,66 watts/cm2. L'opération de décapage par ions réactifs se poursuit pendant 20 minutes. La vitesse de décapage du silicium dans le plasma réalisée dans l'atmosphère d'acide chlorhydrique est déterminée comme étant de 1900A/mn. La vitesse d'érosion du masque de SiO2 est approximativement d'un ordre de grandeur inférieur à celle du silicium. EXEMPLE IV On choisit et on masque de la façon décrite dans l'exemple I, deux ensembles distincts de tranches de silicium. Chacun des ensembles est décapé dans la même atmosphère, c'est-à-dire, de 5 microns de CCl4 et 10 microns d'argon. Chaque ensemble de tranches est décapé à des taux de puissance à haute fréquence différentes et les vitesses de décapage du silicium sont alors déterminées. Les résultats sont reportés dans le tableau suivant. Puissance Densité de Vitesse de décapage Puissance du silicium en A/mn. 180 watts 0,30W/cm2 1100 360 watts 0,59W/cm2 2400 Des atmosphères autres que celles décrites dans les exemples sont adéquates, par exemple Cl2 qui peut réagir dans le plasma de la façon suivante: Si + ?Cl2 + SiC14 + Les atmosphères de Br2, I2, et les composés à base de brome et d'iode qui sont analogues aux composés à base de chlore conviennent tout à fait pour des atmosphères de décapage par ions réactifs puisque le mécanisme de réaction est le même, c'est-à-dire:: Si + 2Br2 SiBr4 Cependant, dans le cas de composés à base de brome et d'iode, l'électrode cible doit être chauffée puisque, tandis que le point d'ébullition de SiCl4 est de 58 C, celui de SiBr4 est de 1530C et celui de SiI4 est de 290 C. Le procédé d'enlèvement sélectif d'aluminium selon l'invention est représenté dans la figure 5. Dans ce procédé, une couche de masquage 150 est déposée sur la surface de la couche d'aluminium 152. La couche d'aluminium 152 est plaquée par vaporisation, par dépôt par pulvérisation, ou toute autre technique appropriée, sur la surface d'un support. Il est bien entendu que l'aluminium évoqué dans cette description comprend les alliages d'aluminium qui peuvent être utilisés pour améliorer les caractéristiques de la métallurgie. C'est ainsi que le cuivre, dans des proportions de 1 a -8% a été ajoute à l'aluminium pour accroitre sa résistance & l'électromigration. De même, le silicium en petites quantités a été ajouté pour s'opposer & l'apauvrissement du silicium des jonctions de faible profondeur.Ly support est, comme a l'habitude, un support semi-conducteur monocristallin 154 muni d'une couche diélectrique de recouvrement 156. Dans la fabrication des dispositifs semi-conducteurs a circuits intégrés, le support 154 comportera l'incorporation de divers dispositifs actifs et passifs qui ne sont pas représentés dans la figure 5 puisqu'ils ne font pas partie de l'invention. La surface du semi-conducteur est recouverte d'une couche 156, au moins, d'un matériau diélectrique doté d'ouvertures de passages assurant des contacts avec des dispositifs précédemment mentionnés du support. La couche de masquage 150 est habituellement formée a l'aide de techniques photolithographiques afin de delimiter, ou de recouvrir la configuration de métallurgie désirée à former dans la couche 152.La couche de masquage 150 peut être une couche de photorésistant, ou, selon une autre possibilité, des couches d'un diélectrique tel que SiO2, Al203 > Si3N4, et autres corps similaires. La couche de masquage 150 doit avoir une résistance significative au plasma resultant forme dans l'appareil de décapage par ions réactifs pendant le processus de décapage par ions réactifs. Les supports 154 sont disposés dans l'appareil de la façon indiquée dans la figure 1 et désignée par "S". Une atmosphère de pulvérisation est ensuite formée dans la chambre de l'appareil 10 laquelle atmosphère comprend des gaz tels que Cl14, iCl, Cl2, Cor4, HBr, Br2 ou 12. Dans la chambre le gaz a une pression relativement faible, typiquement de l'ordre de 5 å 50mm de Mercure. L'atmosphère peut être constituée par 100% des gaz mer#iannés ci-dessus, ou seulement par une portion de ces gaz, le restant étant un gaz~inerte. De préférence, la pression partielle des gaz chlorure et bromure ne sera pas inférieure å 10% de la pression totale. Un ordre de pression préférée du gaz réactif va de 10 a 85X de la pression totale. La pression absolument préférée et 20X. Une décharge luminescente est provoquée dans la chambre contenant l'atmosphère de décapage ionique, par l'application d'une tension RF issue d'une source d'alimentation RF 34.Bien que le décapage ionique puisse être pratiqué a l'aide d'une source de courant continue, a condition que le film conducteur 152 soit relié & l'électrode, une source de puissance RF est préférée. La puissance appliquée a l'électrode doit être suffisamment élevée pour que la température du support maintienne la pression de la vapeur de chlorure, de bromure ou d'iodure d'aluminium & ou au-dessus de leurs pressions respectives de sublimation, ainsi qu'il sera expliqué. La densité de puissance est, en générale de l'ordre de 0,1 å 2W/cm2, et, de préférence, de l'ordre de Q,2 a Q,4W/cmA de la surface de l'électrode. Pendant le processus d'attaque, l'électrode 12 et les éléments qui lui sont associés sont tous bombardés par des ions positifs. Dans le processus, les ions réactifs réagissent aussi avec les portions non masquées et exposées de la couche 152. Dans le voisinage immédiat du support, il existe des ions fortement excités de chlore, de brome ou d'iode, ou des ions complexes de ces éléments, selon la nature du gaz réactif. L'aluminium et les ions de chlore de brome, ou d'iode, réagissent entre eux pour former un chlorure, un bromure ou un iodure d'aluminium. Comme la pression de la vapeur de ces composés particuliers dépasse leur pression de sublimation respective, les composés sont vaporisés sous forme de gaz qui peuvent être évacués de façon appropriée. Ceci laisse la surface relativement libre de matériaux qui pourrait, autrement entraver le bombardement. De la sorte, les vitesses d'attaque par ions réactifs sont accrues de manière significative par rapport à celles de la pulvérisation dans une atmosphère inerte. En outre, ainsi que l'indique la figure 5, les parois latérales des bandes 158, représentées partielle ment gravées, sont verticales. Des vitesses d'attaque par ions réactifs de l'ordre de 6000A par minute ont été obtenues sur des films d'aluminium, sous une atmosphère dont la pression totale était de 20mon de Mercure, et qui était composée de 80% d'argon et de 20% de CCl4, avec une densité de puissance de 0,4W/cm2. Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur les dessins les caractéristiques essentielles de l'invention appliquées à un mode de réalisation préféré de celle-ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles, sans pour autant sortir du cadre de ladite invention. REVENDICATIONS 1.- Procédé pour l'attaque sélective d'un matériau caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: formation d'une couche de masque sur la surface du matériau, exposition du matériau masqué & une décharge dans une atmosphère à faible pression qui comprend au moins un gaz consistant d'un composé de chlore, brome ou iode. 2.- Procédé selon la revendication 1 de décapage par ions réactifs d'un matériau de silicium de façon a réaliser des dentelures ayant des parois latérales verticales, dans lequel le décapage latéral et la corrosion du masque sont insignifiants, caractérisé en ce qu'il comprend: la réalisation sur la surface du substrat de silicium a décaper, d'une couche de masquage dans laquelle on a ménagé des ouvertures, cette couche renfermant au moins un matériau choisi dans le groupe se composant de SiO2, Si3N4, ou une combinaison de ces corps, l'exposition du substrat masqué a un plasma gazeux induit a haute fréquence obtenu en imposant une tension a haute fréquence entre deux électrodes dans une atmosphère a base pression qui renferme au moins un gaz a une pression au moins de 5 x 10 3mm de mercure, ledit gaz étant choisi dans le groupe se composant de HX, CX4, CHX3, CH2X2, CH3X, C2H5X, X2, C2H4X2 > C2H3X3 ou X est un atome de chlore, de brome ou d'iode. 3.- Procédé selon la revendication 2 caractérisé en ce que ledit plasma est obtenu par application d'une tension à haute fréquence appliqué a travers deux électrodes dans une chambre renfermant ledit plasma, ledit substrat masqué étant placé sur l'une desdites électrodes. 4.- Procédé selon l'une des revendications 2 ou 3 caractérisé en ce que ledit matériau de ladite couche de masquage est de l'oxyde de silicium. 5.- Procédé selon l'une des revendications 2 ou 3 caractérisé en ce que ladite couche de masquage est composée d'une couche inférieure de Si02 en contact étroit avec ledit substrat de silicium, et d'une couche supérieure de Si3N4 placée sur la couche de Six2. 6.- Procédé selon l'une des revendications 2 a 5 caractérisé en ce que la pression de ladite atmosphère est de l'ordre de 10 & 40 x-10 3mm de mercu re. 7.- Procédé selon la revendication 1 pour l'enlèvement sélectif d'aluminium de la surface d'un support revêtu d'un revêtement diélectrique et d'une couche de couverture en aluminium, caractérisé en ce qu'il comprend: la formation, sur ladite couche d'aluminium, d'une couche de masque qui laisse exposées des zones sélectionnées de ladite couche d'aluminium, l'exposition dudit support masqué à une décharge luminescente dans une atmosphère & faible pression qui comprend au moins un gaz choisi dans le groupe représenté par CC14, HCl, Cl2, CBr4, HBr, Br2, CI4 et 12 et leurs mélanges. 8.- Procédé selon la revendication 7 caractérisé en ce que ladite décharge luminescente est générée par une source de puissance haute fréquence. 9.- Procédé selon l'une des revendications 7 ou 8 caractérisé en ce que la densité de la puissance déployée pour la génération de ladite décharge luminescente est de l'ordre de 0,1 à 2W/cm2 dudit support. 10.- Procédé selon la revendication 9 caractérisé en ce que la densité de la puissance déployée pour la génération de ladite décharge luminescente est de l'ordre de 0,2 à 0,4W/cm2 dudit support. 11.- Procédé selon l'une des revendications 7 à 1Q dans lequel ladite pression totale de ladite atmosphère est de l'ordre de 5 à 25 x 10 3mm de mercure. 12.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 11 caractérisé en ce que ledit gaz est du CCl4. 13.- Procédé selon l'une des revendications 1 à 12 caractérisé en ce que ladite atmosphère renferme en outre un gaz inerte. 14.- Procédé selon la revendication 13 caractérisé en ce que ledit gaz inerte est de l'argon. 15.- Procédé selon l'une des revendications 7 a 12 caractérisé en ce que atmosphère comprend en outre un gaz inerte choisi dans le groupe comprenant He et Ar sous une pression partielle de 10 & 85% de la pression totale. 16.- Procédé selon l'une des revendications 7 & 13 caractérise en ce que gaz inerte de ladite atmosphère est a une pression partielle de l'ordre de O & 90% de la pression totale. 17.- Procédé selon l'une des revendications 7 à 13 caractérisé en ce que atmosphère est constituée d'argon et de CCl4 sous une pression de l'ordre de 5 a 50 x 10-3 mm de mercure, le rapport de la pression partielle d'argon et de la pression partielle de CCl4 étant de l'ordre de O à 90,