FR 2311383 A1 19761210 FR 7614370 A 19760513 La présente demande de brevet est apparentée à une autre demande de brevet France N déposée ce même jour par la présente demanderesse. La présente invention concerne les mémoires à noyaux magnétiques et, plus particulièrement, des mémoires traversées par des conducteurs réalisés sous la forme de conducteurs imprimé s sur des substrats plans. Les mémoires à noyaux sont bien connues et comprennent généralement une pluralité de noyaux magnétiques élémentaires toriques ou "tores" définissant un parcours de flux magnétique fermé autour d'une ouverture centrale et qui sont disposés en une matrice de lignes et colonnes. Des courants de sélection partielle traversent une unique ligne et une unique colonne pour former un courant de sélection totale propre à commuter un noyau à l'intersection de cette ligne et de cette colonne.Des fils, conducteurs, ou lignes de lecture-inhibition traversent une pluralité de noyaux dans une pluralité de lignes et une pluralité de colonnes pour transmettre un signal de commutation de noyau au cours de la lecture, et un courant dtinhibition de polarité inverse au cours de l'écriture, afin d'annuler sélectivement une fraction d'un courant d'écriture totale apparaissant sur un noyau choisi, pour empêcher la commutation de celui-ci. Une configuration de câblage couramment utilisée est connue sous le nom de "montage en double-chevron à sélection 3D sur trois fils'1.1)ans cette configuration,les noyaux sont disposés en une matrice rectangulaire,les noyaux de deux colonnes adjacentes quelconques étant orientés de la même manière pour former une paire de colonnes et les noyaux de deux paires adjacentes quelconques de colonnes étant orientés en opposition.Des fils d'excitation de colon ne, ou "Y",souvent désignés également sous le nom de fils de sélection,ou fils d'adressage,passent le long des colonnes individuelles de noyaux,et des fils analogues d'excitation de ligne,ou "X",pasyst le long des lignes individuelles de noyaux.Une paire de lignes de lecture-inhibition traverse la matrice parallèlement aux fils Y, chaque fil de lecture-inhibition traversant les noyaux de l'une des colonnes de chaque paire de colonnes. Les fils de lectureinhibition passent dans la colonne opposée d'une paire de colonnes sensiblement au milieu de la matrice pour assurer une suppression de bruit améliore. Les autres montages de mémoire comportent une sélection 5D sur quatre fils, 3D sur cinq fils, fD sur six fils, 2D sur deux fils,(sélection linéaire), ou 2,5D sur deux fils. Toutes ces dispositions exigent le passage de fils discrets à travers chaque ligne séparée et chaque colonne séparée pour les fils d'excitation "X" et "Y" et la plupart d'entre elles exigent 1 passage de fils de lecture-inhibition discrets à travers une matrice suivant une configuration qui dépend du montage de mémoire à noyaux particulier. Dans certains montages de mémoire, des fils de lecture et des fils d'inhibition séparés sont utilisés et l'on peut utiliser également des fils séparés pour chacune des polarités du courant d'excitation X et Y. Les fils sont, par exemple, enfilés à travers les noyaux au moyen d'une aiguille et connectés par soudage à un montage extérieur.En raison de la petite dimension des noyaux qui ont, par exemple, un diamètre extérieur de 0,33 ; 0,46 ; ou 0,56 mm, l'enfilage des fils d'excitation et de lecture est une opération qui demande beaucoup de temps et les noyaux de la mémoire peuvent être endommagés par les aiguilles et les fils qui les traversent. Une mémoire à noyaux est généralement assemblée en plaçant une pluralité de noyaux sur l'un des côtés d'une plaque perforée vibrante, sur le côté opposé de laquelle règne un vide partiel. Les ouvertures de la plaque perforée sont disposées d'une manière correspondant à une configuration d'orientation désirée des noyaux et lorsque les vibrations de la plaque entraînent les noyaux vers des ouvertures, le vide partiel les aspire et les maintient dans celles-ci. Après ce positionnement préalable des noyaux sur une plaque perforée, un substrat dont l'une des surfaces est revêtue d'un adhésif est mis en contact avec les noyaux, et ceux-ci sont soulevés au-dessus de la plaque perforée, cependant que l'adhésif les maintient suivant la configuration précédemment établie. Les divers fils d'excitation et de lecture sont ensuite enfilés à travers les noyaux, cependant que ceux-ci sont maintenus en place par l'adhésif.Le substrat peut porter des circuits imprimés permettant de coupler les fils d'excitation et de lecture avec un montage extérieur, et peut supporter en permanence la matrice de noyaux ainsi que le montage d'excitation et de lecture associé. Une mémoire magnétique suivant l'invention comprend une pluralité de noyaux élémentaires ou autres éléments magnétiques de mémoire discrets qui sont commutables entre des états d'aimantation différents définissant un parcours de flux magnétique continu fermé autour d'une ouverture centrale. Les éléments de mémoire sont couplés inductivement par des conducteurs disposés en relation ae juxtaposition fixe et prédéterminée les uns par rapport aux autres.Les conducteurs comprennent, au moins, un premier élément de circuit mince de forme générale plane percé d'une pluralité d' ouvertures recevant chacune un noyau élémentaire et, au moins, un second élément de circuit dans lequel sont pratiquées une pluralité d'ouvertures destinées à recevoir des noyaux élémentaires et qui porte une pluralité de languettes en porte-à-faux à bout non supporté définissant une portion de la périphérie de chaque ouverture, le second élément de circuit étant disposé en relation de confrontation et de proximité avec le premier élément de circuit, tandis qu'une languette traverse une ouverture centrale de chaque élément de mémoire.Des conducteurs formés sur les premier et second éléments de circuit constituent des fils d'excitation X et Y continus ainsi que des fils de lecture-inhibition pour former une configuration de mémoire à noyaux en double-chevron à sélection 3D sur trois fils. Les languettes du second élément de circuit portent les conducteurs à travers les ouvertures centrales des éléments de mémoire. Plus précisément, le premier élément de circuit est un élément plan mince d'une épaisseur d'environ 25 microns sur lequel sont formés des conducteurs. Pour permettre des croisements, des conducteurs peuvent être formés sur les deux côtés du premier élément de circuit et être sélectivement interconnectés par de petits trous intermédiaires traversant l'élément de circuit. Les trous intermédiaires ainsi que les ouvertures de dimensions et d'orientation convenables destinées à recevoir une matrice de noyaux de mémoire peuvent être pratiqués dans le premier élément de circuit par perforation ou par gravure. D'une manière analogue, le second élément de circuit comprend un substrat plan mince d'une épaisseur d'environ 25 microns, sur au moins l'un des côtés duquel sont formés des conducteurs. Des conducteurs peuvent également être formés sur les deux côtés du second élément de circuit et être sélectivement interconnectés par des trous intermédiaires. Dans l'une des dispositi)ns possibles, les ouvertures de réception de noyaux sont formées dans le second élément de circuit sous la forme d'un H asymétrique. La barre transversale de 1'H sert d'alvéole récepteur de noyaux une languette longue et une languette courte formant la périphérie de l'alvéole sur les côtés opposés de celui-ci. La configuration d'ouverture en forme d'H peut également être considérée comme étant constituée par deux configurations d'ouverture en forme d'U dots à dos avec une barre transversale inférieure commune.Deux noyaux sont chargés à travers chaque alvéole, un par un, le second élément de circuit subissant une translation sélective tout en restant en relation de proximité, de parallélisme et d'opposition avec le premier élément de circuit pour traverser l'ouverture centrale du premier noyau et faire passer la languette courte à travers l'ouverture centrale du second noyau. Dans une autre disposition du second élément de circuit, les ouvertures définissent une forme d'U, la barre transversale inférieure rectangulaire de 1'U définissant une ouverture réceptrice de noyaux et les branches de 1'U recevant la circonférence des noyaux lorsque l'extrémité non supportée de la languette en porte-à-faux intermédiaire est passée à travers l'ouverture centrale du noyau.Deux premiers éléments de circuit supérieur et inférieur sont utilisés avec un second élément de circuit ayant la configuration en forme d'U pris en sandwich entre eux, tandis qu'un unique premier élément de circuit inférieur est utilisé con jointeent à un second élément de circuit ayant une configuration en forme d'. Dans les deux cas, on peut faire passer une pluralité de languettes du second élément de circuit simultanément à travers une pluralité d'ouvertures de noyaux en une unique opération de positionnement. La nécessité de fils discrets individuellement enfilés à travers les noyaux est ainsi complètement éliminée. On peut fabriquer une mémoire magnétique suivant l'invention en plaçant des premier et second éléments de circuit face à face et à proximité l'un de l'autre avec leurs ouvertures de réception de noyaux alignées en relation de conjugaison et de coterminaison, en chargeant des noyaux ou autres éléments de mémoire dans les ouvertures destinées à les recevoir, en déplaçant en translation le second élément de circuit par rapport aux éléments de mémoire et au premier élément de circuit pour faire passer une languette portant des conducteurs préformes à travers une pluralité d'ouvertures centrales d'él#nents de mémoire et en liant des conducteurs de l'une de faces du second élément de circuit avec des conducteurs '-cnJu7s S d'une face conjuguée du premier élément de circuit. La vison peut s'effectuer classiquement par thermocompression ou 1r refusif de soudure. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui suit et à l'examen des dessins joints qui en représentent, à titre d'exemple non limitatif, un mode de réalisation. Sur ces dessins - la figure 1 est un schéma de câblage simplifié d'une mémoire magnétique en double-chevron à sélection 3D sur trois fils suivant l'invention - la figure 2 est une représentation en coupe fragmentaire de la structure feuilletée multicouche d'une mémoire magnétique suivant 11 invention - la figure 3 est une vue en perspective éclatée fragmentaire représentant la mémoire de la figure 1 à un stade initial de son assemblage final - la figure 4 est une vue en perspective fragmentaire de la mémoire représentée sur la figure 3 à un stade ultérieur de son assemblage final - la figure 5 est une vue/perspen stade fragmentaire de la mé- moire représentée sur la figure 4 à un stade ultérieur d'assembla- ge final - la figure 6 est une vue en perspective fragmentaire d'une mémoire magnétique telle que représentée sur la figure 5 à un stade ultérieur d'assemblage final - la figure 7 est une vue en perspective fragmentaire d'une mémoire magnétique telle que représentée sur la figure 6 au dernier stade de son assemblage final - la figure 8 est une vue en plan de dessus du côté supérieur d'un élément de circuit supérieur de la mémoire magnétique représentée sur la figure 1 - la figure 9 est une vue en plan prise au-dessus du côté inférieur de 1' élément de circuit supérieur représenté sur la figure 8 - la figure 10 est une vue en plan prise au-dessus du côté supérieur d'un élément de circuit inférieur de la mémoire magnétique représentée sur la figure 1 - la figure 11 est une vue en plan prise au-dessus du côté inférieur de l'élément de circuit inférieur représenté sur la figure 10 - la figure 12 est une vue latérale en coupe fragmentaire représentant la structure feuilletée multicouche d'un mode de réali sation de variante d'une mémoire magnétique suivant l'invention - la figure 13 est une vue en plan fragmentaire prise au dessus du côté inférieur d'un élément de circuit supérieur à plaque à alvéoles pour le montage de mémoire représenté sur la figure 12 - la figure 14 est une vue en plan fragmentaire prise audessus du côté supérieur d'un élément de circuit central porteur de languettes pour le montage de mémoire magnétique représenté sur la figure 12 - la figure 15 est une vue en plan fragmentaire prise audessus du côté inférieur de élément de circuit central porteur de languettes représenté sur la figure 14 - la figure 16 est une vue en plan fragmentaire prise audessus du côté supérieur d'un élément de circuit inférieur à plaque à alvéoles pour le montage de mémoire magnétique représenté sur la figure 12. - la figure 17 est une vue en plan fragmentaire prise audessus du côté inférieur de l'élément de circuit inférieur à plaque à alvéoles représenté sur la figure 16 - la figure 18 est une vue en plan d'un appareil de montage utilisé pour assembler des mémoires magnétiques suivant l'invention - la figure 19 est une vue en élévation latérale en coupe de l'appareil de montage représenté sur la figure 18, prise dans le plan 19-19 - la figure 20 est une vue en plan fragmentaire représentant un trou intermédiaire traversant un substrat suivant l'invention - la figure 21 est une vue en élévation latérale en coupe du substrat représenté sur la figure 20, prise dans le plan 21-21; ; - la figure 22 est une vue en élévation latérale en coupe du substrat représenté sur la figure 21, à un stade de traitement ultérieur - la figure 23 est une vue en élévation latérale en coupe du substrat représenté sur la figure 22 à un stade de traitement ultérieur - la figure 24 est une vue en élévation latérale en coupe d' un substrat d'élément de circuit suivant l'invention représentant un procédé de fabrication de ce substrat - la figure 25 est une vue en élévation latérale en coupe du substrat représenté sur la figure 24 à un stade de traitement ultérieur - la figure 26 est une vue en élévation latérale en coupe du substrat représenté sur la figure 25 à un stade de traitement ultérieur - la figure 27 est une vue en plan d'un gabarit à dépression ou à vide pour l'assemblage de mémoire magnétiques suivant l'invention - la figure 28 est une vue en élévation latérale en coupe du gabarit à dépression représenté sur la figure 27, prise dans le plan 28-28 - la figure 29 est une vue en plan fragmentaire prise audessus d'une mémoire magnétique telle que représentée sur la figure 1 au dernier stade de son assemblage final - la figure 30 est une vue en élévation latérale en coupe d' un appareil de liaison utilisé dans la fabrication de mémoires magnétiques suivant l'invention. Dans l'exemple représenté sur la figure 1, une mémoire magnétique 10 suivant l'invention comprend une pluralité d'éléments magnétiques de mémoire, tels que des tores de ferrite 12 formant un parcours de flux magnétique fermé continu autour d'un axe central et disposés en une matrice orthogonale 14. La matrice 14 comprend 256 tores 12 disposés en seize lignes et seize colonnes, mais il va de soi que, comme il apparaîtra plus loin, d'autres configurations de matrice peuvent être utilisées suivant l'invention. Les axes centraux respectifs traversant chacun l'ouverture centrale de l'un des tores sont alignés coaxialement dans chaque colonne de tores 12.Les tores sont câblés suivant une configuration classique en double-chevron à sélection fD sur trois fils, un fil d' excitation Y traversant les ouvertures centrales respectives de tous les tores de chaque colonne. Les fils d'excitation Y respectifs de deux colonnes adjacentes sont polarisés dans le même sens, tandis que les paires successives de fils d'excitation Y sont alternativement polarisées dans un sens et dans l'autre.Par exemple les fils d'excitation Y, YO et Y1 ont leur extrémité d'application de courant, dite ci-après "extrémité d'entrée", au sommet ae la matrice et traversent celle-ci de façon sensiblement rectiligne jusqu'à leurs extrémités de dissipation de courant respectives PO et 7, dites ci-aprs "extré.ités de sortie situes à la base de la matrice.La paire adjacente de fils d'excitation Y, Yv et Y3, est polarisée en sens inverse, ctest-à-dine oue les extrémités d' entrée respectives de ces fils Y2, Y3 sont disposées à la base de la matrice 14 et leurs extr-^-.ités de sortie respectives YR eU Y5, au sommet de la matrice 14. Chacun des seize fils d'excitation Y, YO-Y15, couple ainsi inductivement tous les tores 12 de l'une des colonnes de 1 + atrice 14 et chaque tore 12 de la matrice 14 est inductivement couplé par un seul fil d'excitation Y. Les fils d'excitation X s'étendent le long des lignes de tores 12 et leurs extrémités d'entrée et de sortie sont désignées d'une manière analogue par X et Y respectivement. Toutefois, les emplacements respectifs des extrémités d'entrée et de sortie des fils d'excitation X alternent à chaque ligne et non plus à chaque paire comme dans le cas des fils d'excitation Y. Par exemple, le fil d'excitation XO commence au bord gauche de la matrice 14 et sort de celle-ci par son extrémité sur le bord droit de ladite matrice. Le fil d'excitation X1 est orienté de façon opposée, c'est à-dire que son extrémité d'entrée est située sur le bord droit et son extrémité de sortie sur le bord gauche.Si l'on considère le sens allant de l'extrémité d'entrée vers l'extrémité de sortie comme étant le sens avant, les fils d'excitation X traversent 1' ouverture centrale de chaque tore 12 dans le même sens que les fils d'excitation Y de sorte que deux courants de même polarité s' ajoutent dans un même tore. Par exemple, les fils d'excitation XO et YO traversent tous deux le tore situé dans le coin gauche supérieur de la matrice 14 de haut en bas. Dans le coin droit supérieur de la matrice 14, où le fil d'excitation Y15 a une polarité inversée, le fil d'excitation XO a également une polarité inversée et ces deux fils traversent le tore de bas en haut. Pour faciliter la formation de conducteurs imprimés, les fils d'excitation X traversent chacun des tores couplés inductivement appartenant alternativement aux deux lignes d'une paire de lignes adjacentes en passant le long des colonnes adjacentes successives. Les fils d'excitation X forment ainsi des lignes électriques d'un réseau ou matrice électrique 16 qui sont légèrement différentes des lignes matérielles de la matrice matérielle 14. Néanmoins, chaque fil d'excitation X couple inductivement l'un des tores de chaque colonne, et les seize tores de chaque colonne sont inductivement couplés chacun par l'un des seize conducteurs d'excitation X. ci l'on digne les positions matérielles des tores de la matrice 14 par les positions matérielles des lignes et des colonnes auxquelles chacun de ces tores appartient, le tore du coin gauche supérieur étant désigné par 0,0 ; le tore du coin gauche inférieur, par 15,0, letcre t czr.dnit supérieur par 0,15, et le tore du coin droit inférieur, par 15,15, on peut voir que le conducteur d'excitation XO passe au travers de la matrice 14 en traversant successivement le tore 0,0 vers le bas, le tore 1,1 vers le bas, le tore 1,2 vers le haut, le tore 0,3 vers le haut, etc. en continuant à coupler alternativement les lignes 0 et 1 cependant qu'il poursuit sa progression à travers les colonnes 4-15. Chacun des fils d'excitation X suit donc un chemin en forme de grecque en empruntant alternativement les deux lignes matérielles d'une paire et en traversant les tores verticalement alternativement dans un sens et dans l'autre, chaque changement de sens correspondant au passage d'une paire de positions de colonne à la suivante.Les fils X de numéro impair de paires alternées de lignes traversent les tores qui ne sont pas inductivement couplés par le conducteur de ligne X portant le numéro immédiatement inférieur. Par exemple, les conducteurs de ligne XO et X1 couplent inductivement tous les tores des lignes 0 et 1, tandis que les conducteurs de ligne X2 et X3 couplent inductivement tous les tores des lignes 2 et 3, et ainsi de suite. Les changements de sens matériel sont coordonnés de telle manière que, dans un même tore, des courants d'excitation X et Y de même polarité soient toujours additifs. Une paire de conducteurs de lecture-inhibition respectivement désignés par SI et rI traversent tous les tores des matrices 14, 16 sensiblement parallèlement aux fils d'excitation Y.Par exemple, le conducteur de lectureinhibition SI part du coin gauche inférieur de la matrice 14, traverse vers le haut les tores de la colonne 0 jusqu'à la ligne 8, passe dans la colonne 1 et continue vers le haut jusqu'à l'extrémi- té supérieure de la matrice 14. Le conducteur SI est ensuite retourné pour s'étendre vers le bas le long de la colonne 3 jusqu'à la ligne 7 après laquelle il passe dans la colonne 4, qu'il suit jusqu'en bas pour sortir à la base de la matrice à l'extrémité inférieure de la colonne 4. Le conducteur SI traverse ensuite tout le reste de la matrice 14 avec cette même configuration.D'une manière analogue, le conducteur de lecture-inhibition SI traverse la matrice parallèlement au conducteur SI en suivant à chaque instant celle des colonnes d'une paire qui n'est pas couplée par le conducteur SI. Les conducteurs de lecture-inhibition peuvent être couplés avec un montage externe (non représenté) qui peut fonctionner d'une manière classique pour permettre aux conducteurs de lecture-inhibition de transmettre des signaux de commutation de tore au cours d'une opération de lecture de la mémoire et de transmet tre sélectivement des courants d'inhibition de polarité opposée au cours d'une opération d'écriture dans la mémoire de manière à annuler les courants d'écriture partielle transmis par les fils d'excitation X et Y afin d'empêcher la commutation d'un tore choisi dans la matrice au cours de l'écriture. On peut voir que trois fils exactement traversent chaque tore 12. Ces fils sont représentés dans le schéma électrique de la figure 1 avec la même orientation de position que dans la réalisation matérielle effective. Les fils d'excitation Y ou fils de colonne traversent les tores sur la gauche, les conducteurs de lecture-inhibition traversent les tores sur la droite et le conducteur central traversant les tores est un fil d'excitation X ou de ligne. On comprendra mieux l'agencement matériel de la mémoire 10 en se référant aux figures 2-7. Les conducteurs d'excitation X, les conducteurs d'excitation Y et les conducteurs de lectureinhibition sont formés sur les deux côtés d'un élément de circuit inférieur 30 et d'un élément de circuit supérieur 32, tous deux en Kapton (nom commercial), de 25 microns d'épaisseur environ chacun.La figure 2 représente la structure feuilletée des éléments plans, des conducteurs et des tores de la mémoire 10 sous la forme d'une vue en coupe transversale imaginaire qui représente les couches de la mémoire sans tenir compte d'aucune configuration ou position de conducteurs particulières à l'intérieur de la mémoire. Une plaque à alvéoles 34 est formée de trois couches d'environ 25 microns d'épaisseur chacune feuilles de cuivre 36a, 36b et 36c assemblées entre elles par deux couches intermédiaires d'adhésif 38a, 38b d'environ 19 microns d'épaisseur chacune. La plaque à alvéoles 34 assure la résistance et le support matériels de la mémoire 10 et la structure feuilletée contribue à empêcher le gauchissement tout en facilitant la gravure des ouvertures 40 destinées à recevoir les tores 12. L'élément de circuit inférieur 30 et l'élément de circuit supérieur 32 sont des éléments souples, minces, plats et plans d'une épaisseur d'environ 25 microns chacun, qui sont fabriqués en Kapton ou en un autre matériau convenable. Des configurations de conducteurs de cuivre imprimées 42, 44 sont respectivement formées sur les côtés inférIeur et supérieur de l'élément de circuit inférieur 30, tandis que des configurations de conducteurs de cuivre 46, 48 sont formées sur les côtés inférieur et supérieur respectiveinent de l'élément de circuit supérieur 32. Les conducteurs des configurations 42, 44, 46 et 48 ont approximativement 48 microns d'épaisseur et sont formés par des techniques photolithographiques. Ils sont formés sélectivement et sont interconnectés de manière à définir les fils d'excitation X, les fils d'excitation Y et les conducteurs de lecture-inhibition traversant les tores 12 de la mémoire 10. Les conducteurs 42 et 44 peuvent être interconnectés par de petits trous intermédiaires (non représentés) à travers 1' élément de circuit inférieur 30, tandis que les conducteurs 46 et 48 peuvent être interconnectés d'une manière analogue par de petits trous intermédiaires (non représentés) à travers l'élément de circuit supérieur 32. De la soudure 50 peut être déposée électrolytiquement sur les conducteurs 44 pour permettre une liaison sélective entre les conducteurs 46 et les conducteurs 44.Selon une variante, les conducteurs 44 et 46 peuvent être revêtus d'une mince couche d'or et être liés entre eux par application de secousses suivant un procédé de liaison par thermocompression classique, (dénommé en anglais : "gold and wobble"). L'élément de circuit inférieur 30 est lié à la plaque à alvéoles 34 par une couche d'adhésif 52 d'environ 19 microns d'épaisseur qui sert également de barrière diélectrique pour empêcher la plaque à alvéoles conductrice 34 de court-circuiter les conducteurs 42. On comprendra mieux la structure matérielle du dispositif suivant l'invention en se référant aux figures 3-11. Les éléments de circuit 30, 32 sont représentés sous forme de fragments sur les figures 3-7 et dans leur ensemble sur les figures 8-11. La figure 8 représente l'élément de circuit supérieur 32 vu de dessus, sur le coté supérieur duquel les conducteurs 48 sont formés, tandis que la figure 9 représente le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 sur lesquels les conducteurs 46 sont formés, mais vu de dessus. En conséquence, le coin gauche inférieur de la figure 8 correspond au coin gauche inférieur de la figure 9, et les autres éléments de positions respectives analogues des figures 8 et 9 sont également en correspondance. On va tout d'abord se référer à la figure 3 sur laquelle on peut voir que élément de circuit supérieur 32 présente une pluralité d'ouvertures 54 qui y sont pratiquées sous la forme d'un H asymétrique. La barre transversale 56 de chaque ouverture en forme d'H constitue un alvéole dont les dimensions et la forme conviennent pour recevoir un tore 12. La périphérie de chaque alvéole 56 est limitée sur l'un de ses côtés par l'extrémité non supportée d' une languette en porte-à-faux 58 relativement courte et sur son côté opposé par l'extrémité non supportée d'une languette en porte-à-faux 60 relativement longue.Les languettes 58, 60 ont une largeur inférieure au diamètre intérieur d'un tore 12 et une longueur s'étendant le long des branches "verticales" 62, 64 de ltouverture en forme d'H suffisante pour laisser passer un tore 12 orienté dans une direction parallèle à un axe central 66. L'élément de circuit inférieur 30 présente une série d'ouvertures rectangulaires 80 de dimensions et de forme convenant pour recevoir les tores 12. Les figures 10 et 11 représentent l'élément de circuit inférieur 30 complet, la figure 10 représentant le côté supérieur sur lequel les conducteurs 44 sont formés vu de dessus, et la figure 11 représentant le côté inférieur sur lequel les conducteurs 42 sont formés, mais également vu du dessus. Les figures 8-11 sont ainsi toutes convenablement alignées avec l'orien- tation dans laquelle elles sont représentées. Si l'on se réfère maintenant plus particulièrement à la figure 4, on voit que les éléments de circuit inférieur et supérieur 30, 32 sont disposés dans une première position de chargement en rela-tion de proximité et face à face, le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 étant adjacent au côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32. Les éléments de circuit 30, 32 sont alignés, les alvéoles de barre transversale 56 de l'élément de circuit supérieur 32 étant en relation de conjugaison et de co terminaison avec les alvéoles 80 de lignes de numéro pair alternées de l'élément de circuit inférieur 30.Les éléments de circuit 30, 32 étant dans cette relation d'alignemnt, les tores 12 sont chargés dans les lignes de numéro pair d'une manière classique en appliquant une dépression ou vide au côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30, cependant que les tores sont chargés à travers le côté supérieur de l'élément de circuit supérieur 32. Après le chargement de tores 12 dans les positions de ligne de numéro paIr, l'élément de circuit supérieur 32 est translaté vers le bas par rapport à l'élément de circuit inférieur 30 et aux tores 12 (vers la gauche dans l'orientation représentée sur les figures 3-7) comme représenté sur la figure 5. Pendant cette trans lation de l'élément de circuit supérieur 32, les languettes longues 60 traversent les ouvertures centrales des tores.On continue à déplacer l'élénent de circuit supérieur 32 jusqu a ce que celuici soit aligné dans une seconde position de chargement dans la quelle les languettes longues 60 traversent les tores 12 et dans laquelle les alvéoles 56 des barres transversales des H sont alignés en relation de conjugaison et de co-terminaison avec les alvéoles 80 de l'élément de circuit inférieur 30 correspondant aux lignes de numéro impair. Dans cette position, les périphéries des tores 12 qui ont été précédemment chargés dans les positions de ligne de numéro pair sont engagées dans les branches verticales 62, 64 des ouvertures en forme d'H 54 chacune au voisinage de 1' extrémité fixée de la languette en porte-à-faux 60 relativement longue associée. Les éléments de circuit inférieur et supérieur 30, 32 sont fixés dans cette seconde position alignée de chargement cependant qu'ils sont soumis à des vibrations pour charger les tores 12 à travers le côté supérieur de l'élément de circuit supérieur 32 dans les lignes de numéro impair d'alvéoles 80, tandis qu'une dépression est appliquée au côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30. La mémoire est représentée sur la figure 6 avec tous les tores 12 chargés dans les positions de ligne de numéro impair et de numéro pair.L'élément de circuit supérieur 32 est alors à nouveau aligné par translation vers le haut par rapport à l'élément de circuit inférieur 30 et aux tores 12 (vers la droite dans l'orientation représentée sur les figure 3-7) jusqu'à une position d'alignement final à laquelle les languettes relativement longues 60 traversent les tores des lignes de numéro pair, tandis que les languettes plus courtes 58 traversent les tores des lignes de numéro impair. Les languettes courtes et longues 58, 60 couvrent toute la largeur des alvéoles 56 en traversant les ouvertures centrales des tores 12 pour permettre aux conducteurs 46 formés sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 d'établir des chemins conducteurs à travers les centres des tores 12 et entre les côtés opposés des alvéoles 56 sur l'élément de circuit inférieur 30.Après l'alignement final représenté sur la figure 7, les conducteurs 46 déposés sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 peuvent être liés aux conducteurs 44 déposés sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30, soit par un procédé de refusion de soudure, soit par liaison par thermocompression. Une matrice de mémoire complète est ainsi formée, moyennant un petit nombre de mouvements simples de l'élément de circuit supérieur 32 avec enfilage simultané de plusieurs conducteurs à tra vers un grand nombre d'ouvertures de tores pour former une matrice de mémoire entièrement câblée. Si on le désire, les joints entre les conducteurs peuvent être métallisés par un processus de déposition électrolytique pour augmenter la résistance mécanique et la fiabilité, mais on a constaté qu'on peut obtenir des joints robustes et fiables sans cette métallisation. Les éléments de circuit inférieur et supérieur 30 et 32 peuvent être formés en utilisant des processus de gravure et de déposition photolithographiques essentiellement classiques. Les substrats plans des éléments de circuit 30 et 32 peuvent être en Kapton de 25 microns d'épaisseur environ commercialement disponible chez duPont de Nemours.Ce matériau convient idéalement pour l'application envisagée ici, étant donne qu'il fournit un substrat mince, mais néanmoins cohérent et continu, suffisamment souple pour pouvoir être aisément manipulé sans risque de bris, tout en restant suffisamment rigide pour que sa forme plane et lisse soit maintenue pendant la transletion de l'élément de circuit supérieur 32 par rapport à élément de circuit inférieur 30 et llergagement des extrémités non supportées des languettes à travers les ouvertures centrales des tores. Comme indiqué sur la figure 10, des repères d'alignement 90, 92 sont formés sur les côtés gauche et droit respectivement des configurations conductrices et des ensembles d'ouvertures pour permettre un alignement précis des configurations de masquage photolithographique successives au cours des opérations successives. Les repères 90 et 92 sont éventuellement gravés le long des limites du cercle de grand diamètre qui y est représenté pour former des trous traversant de part en part l'élément de circuit inférieur 30 et destinés à recevoir des broches d'outil d'alignement pour permettre un alignement précis de l'élément de circuit inférieur 30 avec la plaque à alvéoles 34 au cours de l'assemblage. Les conducteurs d'excitation Y suivent un parcours relativement rectiligne à travers la matrice de tores 14 comme représenté sur la figure 1. En suivant une colonne, chaque conducteur Y passe alternativement sur la face supérieure de l'élément de circuit inférieur 30 et sur la face inférieure conjuguée de l'élément de circuit supérieur 32. Par exemple, le conducteur de colonne YO part de la portion gauche supérieure de la face supérieure de 1' élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10. Le conducteur YO peut etre connecté à son extrémité terminale d' entrée 100 à un montage d'excitation externe classique et s'étend tout d'abord vers le bas le long du bord gauche de la première colonne de tores jusqu'à la limite supérieure de l'alvéole 102 de la position de tore 0,0, limite qu'il atteint au point 104. Le point 104 est relié à un point 106 d'un conducteur 108 sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 9, conducteur qui s'étend verticalement vers le bas à travers les ouvertures centrales des tores 0,0 et 1,0 jusqu'en un point 110. Le point 110 est couplé avec un point 112 situé sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10, ledit point 112 étant adjacent au bord inférieur d'un alvéole 114.De cette manière, les divers conducteurs d'excitation Y s'étendent le long des colonnes de la matrice, celui des trois conducteurs qui traverse un tore quelconque et qui est situé le plus à gauche dans ce tore étant toujours un conducteur d'excitation Y. Les configurations de conducteurs formant les lignes de lecture-inhibition SI et hI sont analogues aux configurations formant les conducteurs Y à cela près qu'elles sont légèrement compliquées par des croisements entre la ligne 7 et la ligne 8 par des retournements au sommet et à la base de la matrice 14. Le conducteur SI présente un point terminal 120 dans la portion gauche inférieure de la matrice, point qui peut être convenablement connecté à un pontage de lecture-inhibition classique. Le conducteur SI s'étend verticalement vers le haut du point 120 jusqu'à un point 122 situé sur le bord inférieur d'une ouverture d'alvéole 124 à la position 15,0 sur la face supérieure de l'élément de circuit inférieur 30, comme représenté sur la figure 10. Le point 122 est couplé avec un point 124 situé sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 9. A partir du point 124 le conducteur SI s'étend verticalement vers le haut sous la forme d'un conducteur 126 jusqu'en un point 128. Le point 128 est couplé avec un point 120 situé sur le bord supérieur d'une ouverture d' alvéole 132 à la position 14,1 sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10. De cette manière, le conducteur de lecture-inhibition SI suit une configuration identique à celle d'une ligne d'excitation Y jusqu'en un point 136 situé sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 entre les lignes 7 et 8.Un trou intermédiaire conducteur pratiqué à travers l'c'le'ment de circuit inférieur jO connecte le point 136 à un point 138 situé sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 11. Un conducteur 140 s'étend latéralement vers la droite entre le point 138 et un point 142. Un trou intermédiaire métallisé s'étend à partir du point 142 à travers l'élément de circuit inférieur 30 jusqu'au côté supérieur de celui-ci au point 144 comme représenté sur la figure 10. A partir du point 144, le conducteur SI s'étend verticalement vers le haut d'une manière rectiligne en passant alternativement sur la surface supérieure de l'élément de circuit inférieur 30 et sur la surface inférieure de l'élément de circuit supérieur 32. Le conducteur SI sort de la matrice au point 146 sur la surface supérieure de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10, point à partir duquel un trou intermédiaire établit un chemin conducteur à travers l'élément de circuit inférieur 30 jusqu'en un point 148 du côté inférieur de cet élément comme représenté sur la figure 11. A partir du point 148, un conducteur 150 s'étend latéralement vers la droite jusqu'au point 152. Un trou intermédiaire conducteur traverse l'élément de circuit inférieur 30 pour coupler le point 152 avec un point 154 du côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10. A partir du point 154, le conducteur SI s'étend verticalement vers le bas le long de la colonne 3, puis de la colonne 2 pour continuer sa configuration préalablement établie à travers la matrice. D'une manière analogue, le conducteur de lectureinhibition ZI peut être connecté à un montage externe en un point 160 situé dans le coin fauche inférieur de la matrice immédiatement au-dessous de la colonne 1 sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10.A partir du point 10.le conducteur ti s'étend verticalement vers le haut alternativement sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 et sur. le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 jusqu'au point 162 comme représenté sur la figure 10, point qui est situé sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 à une courte distance au-dessus de la position d'alvéole de tore 7, 1. A partir du point 162, le conducteur SI traverse un trou intermédiaire pour passer sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30 à un point 164 comme représenté sur la figure 11.A partir du point 164 un conducteur 166 prévu sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30 prolon ge le conducteur SI vers la gauche Jusqu'en un point 168 situé à une courte distance au-dessus de l'alvéole de tore 8,0. Un trou intermédiaire couple le point 168 à travers l'élément de circuit inférieur 30 avec un point 170 du côté supérieur de cet élément comme représenté sur la figure 10.A partir du point 170, le conducteur mI s'étend vers le haut le long de la colonne 0 à travers la matrice 14 alternativement sur la surface supérieure de l'élément de circuit inférieur 30 et sur la surface inférieurS de l'élé- ment de circuit supérieur 32 d'une manière rectiligne jusqu'à un point 172 de la surface supérieure de l'élément de circuit inférieur 30, point qui est situé à une courte distance au-dessus de l'alvéole de tore 0,0, comme représenté sur la figure 10. Un trou intermédiaire couple le point 172 avec un segment de conducteur 174 disposé sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 11 et qui prolonge le conducteur SI vers la droite jusqu'en un point 176 situé à une courte distance au-dessus de l'alvéole de tore 0,3.Un trou intermédiaire couple le point 176 avec un point 178 de la surface supérieure de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10, point 178 à partir duquel le conducteur RI s'étend verticalement vers le bas le long de la position de colonne 2 à travers la matrice 14 jusqu'au point de croisement entre les lignes 7 et 8. Les conducteurs SI et SI traversent donc la matrice 14 sous la forme de paires de fils adjacentes parallèles avec un croisement des fils de chaque paire qui se produit entre les lignes 7 et 8 comme représenté sur les figures 1 et 7-11. Les parcours des conducteurs d'excitation X sont les plus complexes, en ce sens qu'ils utilisent les quatre plans de conducteurs 42, 44, 46 et 48 en traversant la matrice 14. A titre d'exem ple, on va décrire de façon détaillée les parcours des conducteurs d'excitation X, X2 et X3. Comme représenté sur la figure 11, 1' extrémité d'entrée du conducteur X2 peut être connectée en un point 180 situé sur le bord gauche de la matrice 14 et sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30. A partir du point 180 un premier segment de conducteur 182 du conducteur d'excitation X2 s'étend vers la droite jusqu'au point 184 qui est centré à une courte distance au-dessus de la position d'alvéole de tore 2,0.Un trou intermédiaire couple le point 184 avec un point 186 du côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10. A partir du point 186 un segment de conducteur 188 s'étend verticalement vers le bas jusqu'à la limite supérieure de la position d'alvéole de tore 2,0 et est en outre couplé avec un segment de conducteur 190 disposé sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 9. Le segment 190 prolonge le conducteur d'excitation Z2 à travers l'ouverture centrale d'un tore disposé à la position 2,0 jusqu'à un point 192 qui est centré à une courte distance audessous de la position de tore 2,0. Un trou intermédiaire couple le point 192 avec un point 194 de la surface supérieure de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 8.A partir du point 194 un segment de conducteur 196 prolonge le conducteur d'excitation X2 latéralement vers la droite jusqu'au point 198 qui est centré à une courte distance au-dessus de la position de tore 3,2. A partir du point 198, un trou intermédiaire traverse l'élé- ment de circuit supérieur 32 pour aboutir à un point 200 du côté inférieur de cet élément, comme représenté sur la figure 9, point 200 à partir duquel un segment de conducteur 202 prolonge le conducteur d'excitation X2 à travers la position de tore 3,2 jusqu' au point 204 qui est centré à une courte distance au-dessous de cette position. Le point 204 est couplé avec un segment de conducteur 206 du côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10.Le segment du conducteur 206 se termine à un point 208 centré à une courte distance au-dessous de la position de tore 3,2, tandis qLtun trou intermédiaire couple le point 208 avec un point 210 du côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 11. A partir du point 210 situé immédiatement au-dessous du point 208, un segment de conducteur 212 prolonge le conducteur d'excitation X2 la latéralement vers la droite jusqu'au point 214 qui est centré à une courte distance au-dessous de la position de tore 3,2. Un trou in termédiaire couple le point 214 avec un point 216 d'un segment de conducteur 218 prévu sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10. Le segment de conducteur 218 est couplé avec un segment de conducteur 220 situé sur côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 9. Le segment de conducteur 220 prolonge le conducteur d'excitation X2 vers le haut à travers l'ouverture centrale de la position de tore 3,2 jusqu'en un point 222 qui est centré à une courte distance au-dessus de la position de tore 3,2. Un trou intermédiaire couple le point 222 avec un point 224 du côté supérieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 8. le point 224 forme l'extrémité de gauche d' un segment de conducteur 226 qui prolonge le conducteur d'excitation X2 latéralement vers la droite Jusqu'en un point 228 qui est centré à une courte distance au-dessous de la position de tore 2,3. Un trou intermédiaire couple le point 228 avec un point 230 d'un segment de conducteur 232 du côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 9. Le segment de conducteur 232 prolonge le conducteur d'excitation X2 vers le haut à travers l'ouverture centrale de la position de tore 2,3 Jusqu a un point 234 qui est centré à une courte distance audessus de la position de tore 2,3.Près du point 234, le segment de conducteur 232 est couplé avec un segment de conducteur 236 prévu sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10. Un trou intermédiaire couple un point 238 de l'extrémité supérieure du segment de conducteur 236 avec un point 240 de l'extrémité de gauche d'un segment de conducteur 242 prévu sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 11. Le segment de conducteur 242 s'étend latéralement vers la droite jusqu'au point 244 qui est centré à une courte distance au-dessus de la position de tore 2,4. Le point 244 correspond au point 184 et à partir du point 244 la configuration du conducteur d'excitation X2 comprise entre les points 184 et 244 est successivement répétée Jusqu a ce que le conducteur X2 sorte sur le côté de lnatrice 14 en un point 246 auquel l'extrémité de sortie du conducteur d'excitation X2 peut être couplée avec un montage externe. Bien que le conducteur d'excitation X3 traverse en fait la matrice 14 dans le sens allant de la droite vers la gauche, il sera décrit dans le sens allant de la gauche vers la droite pour permettre une comparaison plus facile avec le parcours complémentaire du conducteur d'excitation X2 oui présente une symétrie optique avec rotation de 1800 autour d'un axe parallèle à la direction des lignes, par rapport au conducteur X3, de part et d'autre d'un plan équidistant de deux paires de lignes adjacentes. Si l'on se réfère maintenant à la figure 11, on voit que l'extrémité de sortie du conducteur d'excitation X3 peut être couplée avec un montage externe en un point 250 situé sur le bord gauche de la matrice 14 en regard de la ligne 3.A partir du point 250, un premier segment de conducteur 252 du conducteur d'excitation X3 s'étend vers la droite jusqu'au point 254 qui est centré à une courte distance au-dessous de la position d'alvéole de tore 3,0. Un trou intermédiaire couple le point 254 avec un point 256 d'un segment de conducteur 258 qui s'étend vers le haut jusqu'au bord inférieur de la position d'alvéole de tore 3,0 sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10. Le segment de conducteur 258 est couplé avec un point 260 d'un conducteur 262 qui s'étend vers le haut à travers l'ouverture centrale de la position de tore 3,0 jusqu'en un point 264 qui est centré à une courte distance au-dessus de cette position de tore comme représenté sur la figure 9. Un trou intermédiaire couple le point 264 avec un point 266 de l'extrémité de gauche d'un segment de conducteur 268 s'étendant sur le côté supérieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 8.Le segment de conducteur 268 prolonge le conducteur d1 excitation X3 latéralement vers la droite jusqu'au point 270 qui est couplé par un trou intermédiaire avec un point 272 du côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 9. A partir du point 272 un segment de conducteur 274 traverse verticalement de bas en haut l'ouverture centrale de la position de tore 2,1 jusqu'au point 276 qui est centré à une courte distance au-dessus de la position de tore 2,1. Au point 276, le segment de conducteur 274 est couplé avec un segment de conducteur 278 qui s'étend sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10.En un point 280 du conducteur 278, un trou intermédiaire assure une connexion électrique avec un point 282 d'un conducteur 284 s'étendant sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure jl. Le segment de conducteur 284 s'étend latéralement vers la droite jusqu'en un point 288 où un trou intermédiaire assure une connexion électrique avec un point 290 d'un segment de conducteur 292 s'étendant sur le côté supérieur de 1' élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 10. Le conducteur 292 est couplé avec un segment de conducteur 294 s étendant sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 9. Le segment de conducteur 294 traverse verticalement vers le bas la position de tore 2,2 jusqu' en un point 296 où un trou intermédiaire assure une connexion élec trique avec un point 298 du côté supérieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 8. A partir du point 298 un segment de conducteur 300 assure une communication électrique avec un point 302 qui est centré à une courte distance au-dessus de la position de tore 3,3. Un trou intermédiaire couple le point 302 avec un point 304 de 11 extrémité supérieure d'un segment de conducteur 306 s'étendant sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 9, segment qui traverse verticalement vers le bas l'ouverture centrale de la position de tore 3,3 jusqu'au point 308. Le point 308 est couplé avec un segment de conducteur 310 s'étendant sur le côté supérieur de l'élément de circuit supérieur 32 comme représenté sur la figure 10. Un trou intermédiaire couple l'extrémité inférieure 312 du segment de conducteur 310 avec un point 314 d'un segment de conducteur 316 s' étendant sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 30 comme représenté sur la figure 11.A partir du point 314, le segment de conducteur 316 s'étend latéralement vers la droite jus quSu point 318 qui est centré à une courte distance au-dessous de la position-d'alvéole de tore 3,4. Le point 318 correspond au point 254 et à partir du point 318 la configuration de conducteur comprise entre le point 254 et le point 318 se répète successivement jusqu'à ce que le conducteur d'excitation X3 aboutisse sur le côté droit de la matrice 14 en vue de sa connexion avec un montage d'excitation externe au point 320. Bien que tous les parcours de circuit traversant la matrice 14 n'aient pas été spécifiquement décrite et suivis ci-dessus, on comprendra aisément que les autres configurations des conducteurs X, Y et de lecture-inhibition sont de simples répétitions de celles qui ont été décrites de façon détaillée et que toutes les configurations de circuit peuvent être déterminées par extrapolation à partir des cycles de configuration complets qui ont été décrits. On comprendra en outre que des trous intermédiaires doivent être pratiqués à travers les éléments de circuit inférieur et supérieur 30, 32 en tous les points correspondant à des emplacements auxquels des trous intermédiaires ont été décrits comme étant présentes. En raison de leurs petites dimensions et de leur chevauchement avec des segments de conducteur, les trous intermédiaires ne sont pas explicitament représentés suries dessins. Toutefois, on peut re marquer qu'ils sont toujours disposés aux terminaisons extrêmes des segments de conducteur auxquels ils sont connectés. Un plan de mémoire à tores à conducteurs imprimés suivant l'invention peut être fabriqué de manière à présenter l'une quel conque de nombreuses configurations différentes. Dans l'une des variantes possibles représentée sur les figures 12-17, les configurations de conducteurs sont imprimées sur trois substrats en Kapton 352, 354 et 356 qui sont à leur tour montés sur une plaque à alvéoles feuilletée 358 pratiquement identique à la plaque à alvéoles 34 à cela près que les ouvertures des alvéoles de tore sont espacées d'une distance légèrement plus grande dans la direction verticale ou direction des colonnes.Une configuration de conducteurs 360 est formée sur le côté inférieur du substrat en Kapton 352 et est liée avec le côté supérieur de la plaque à alvéoles 358 par une couche adhésive 362 qui isole électriquement la configuration de conducteurs 360 de la plaque à alvéoles conductrice 358. Une configuration de conducteurs 364 est formée sur le côté supérieur du substrat 352 pour complèter la formation d'un élément de circuit inférieur 366 à plaque à alvéoles. La configuration de conducteurs 564 est sé lectivement couplée par des joints de soudure 370 avec une configuration de conducteurs 372 formée sur le côté inférieur du substrat en Kapton 354. Une configuration conductrice 374 est formée sur le côté supérieur du substrat 354 pour complèter la formation d'un élément de circuit central 376 porteur de languettes.L'élément de circuit central 376 porteur de languettes présente un ensemble de configurations en forme d'U sous forme d'ouvertures qui y sont dropées, La branche transversale inférieure de 1'U forme un alvéole de tore pour recevoir des tores ou éléments de mémoire et les deux branches de 1'U reçoivent la partie pleine d'un tore lors de la translation de élément de circuit central 376 porteur de languettes, translation qui est destinée à faire passer une languette en porte-à-faux s'étendant entre lesdites branches à travers l'ouverture centrale d'un tore. Après le montage de l'élément de circuit inférieur 360 à plaque à alvéoles sur la plaque à alvéoles 358, l'élément de circuit central 376 est aligné face à face et en relation de proximité avec l'élerlaent de circuit inférieur 366 à plaque à alvéoles, les alvéoles récepteurs de tore des branches transversales inférieures étant mis en relation de conjugaison et de co-terminaison avec les alvéoles récepteurs de tore de l'élément de circuit inférieur 366 à plaque à alvéoles.Les éléments de circuit inférieur et central 366 et 376 étant fixés dans cette position d'alignement, on fait vibrer l'ensemble cependant que des tores sont chargés à travers te côté supérieur de l'élément de circuit central 376 et cependant gii'une dépression est appliquée au côté inférieur de la plaque à alvéoles 358. Tous les tores sont chargés en une seule et même opération, puis l'élément de circuit central 376 est translaté par rapport aux brevet à l'élément de circuit inférieur 366 à plaque à alvéoles pour enfiler les languettes en porte-à-faux à travers les ouvertures centrales des tores. De la chaleur est ensuite appliquée aux Joints de soudure 370 pour établir une forte liaison entre des points de jonction appropriés des configurations conductrices 364 et 372.Selon une variante, les points de connexion peuvent être fixés par liaison sous application de secousses au lieu de soudage par refusion. Après la formation de liaisons conductrices entre les configurations de circuit 364 et 372, un élément de circuit supérieur 380 à plaque à alvéoles, comprenant un substrat en Kapton 356 et des conducteurs imprimés 382 qui sont formés sur son côté inférieur est disposé en relation de proximité et face à face avec le côté supérieur de l'élément de circuit central 376, les alvéoles à tores de élément de circuit supérieur 380 à plaque à alvéoles recevant la portion supérieure des tores 12. Des plages de soudure, qui peuvent être sélectivement formées sur le côté supérieur de la configuration de conducteurs 374, peuvent alors être chauffées pour assurer une liaison de soudure par refusion entre la configuration de conducteurs 374 et la configuration de conducteurs 378 aux emplacements appropriés.Une liaison par thermocompression ou d'autres techniques de liaison peuvent être utilisées. Les cinq configurations de conducteurs 360, 364, 374 et 382 constituent les configurations de conducteurs nécessaires pour câbler une matrice 350 suivant un montage en double-chevron à sélection 3D sur trois fils. A titre d'exemple, les figures 13-17 représentent des vues fragmentaires de quelques tores choisis au centre de la matrice 350 entre les lignes 7 et 8 pour montrer la manière dont les conducteurs X, Y et de lecture-inhibition sont formés par les configurations conductrices qui sont imprimées sur les trois substrats en Xapton 352, 354 et 356. Les conducteurs d'excitation X traversent la matrice 350 d' une manière assez rectiligne suivant une alternance entre la configuration de conducteurs 382 formée sur le côté inférieur de 1' élément de circuit supérieur 380 plaque à alvéoles comme représenté sur la figure 13 et la configuration conductrice 374 formée sur le c8té supérieur de 1'élément'de circuit central 376 porteur de languettes. Les conducteurs X sortent de laXatrice 350 en vue de leur connexion à un montage externe sur le côté supérieur de élément de circuit supérieur 380 à plaque à alvéoles comme représenté sur la figure 13. En partant du bord de droite du fragment représenté de la matrice, un conducteur 400 s'étend latéralement vers la gauche, puis fait un coude de 90 , après quoi il s'étend vers le bas le long de la colonne 9 jusqu'au point 402 qui est centré sur le bord supérieur de la position d'alvéole à tore 7,9. Le point 402 est couplé avec un point 404 de l'extrémité supérieure d'un conducteur 406 s'étendant sur le côté supérieur de l'élément de circuit central 376 comme représenté sur la figure 14.Le conducteur 406 prolonge le conducteur d'excitation X7 à travers l'ouverture centrale du tore occupant la position 7, 9 jusqu'au point 408 qui est disposé centralement au voisinage immédiat du côté inférieur de la position de tore 7, 9. Au point 408, le segment de conducteur 406 est couplé avec un point 410 d'un segment de conaucteur 412 s'étendant sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 380 à plaque à alvéoles comme représenté sur la figure 13. Le segment de conducteur 412 prolonge le conducteur d'excitation X7 latéralement vers la gauche puis verticalement vers le haut entre les positions de tore 7, 8 et 7,9, puis jusqu'en un point 414 qui est disposé centralement le long du bord supérieur de la position de tore 7, 8. Le point 414 correspond au point 402 et cette configuration de chemin conducteur assez direct, passant alternativement sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 380 à plaque à alvéoles et sur le côté supérieur de l'élément de circuit central 376 porteur de languettes, se répète le long de chaque ligne de tores pour chaque conducteur d'excitation X deSa matrice 350. On renarquera que, par suite de la configuration de mémoire en double-chevron, le sens dans lequel les conducteurs X traversent les tores est alterné pour des paires alternées de colonnes. A l'exception des croisements des conducteurs de lectureinhibition entre les lignes 7 et 8, les conducteurs d'excitation Y et les conducteurs de lecture-inhibition traversent la matrice 350 ensemble de façon rectiligne en relation de parallélisme et d'espacement. Les conducteurs Y et les conducteurs de lectureinhibition traversent la matrice 350 verticalement et sont couplés avec un montage externe au sommet et à 1a,'base de la matrice sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 366 à plaque à alvéoles comme représenté sur la figure 16. Ces conducteurs passent entre des positions de tore adjacentes sous la forme de segments de conducteur qui sont formés sur le côté supérieur de 1' élément de circuit inférieur 366 à plaque à alvéoles.Pour traverser les ouvertures centrales des tores, les conducteurs du coté supérieur de l'élément de circuit inférieur 366 à plaque à alvéoles sont couplés avec des circuits formés sur le côté inférieur de l'élément de cIrcuit central 376 porteur de languettes, où ils traversent les tores le long du côté inférieur des languettes, les conducteurs d'excitation Y étant disposés sur la moitié gauche des languettes et les conducteurs de lecture-inhibition sur leur moitier droite. Après avoir traversé les tores, les conducteurs portés par les languettes sur le tôté inférieur de l'élément de circuit central 376 porteur de languettes sont à nouveau couplés avec des conducteurs disposés sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 366 à plaque à alvéoles pour assurer une communication entre les positions de tore.On assure les croisements entre les lignes 7 et 8 et aux points de retournement au sommet et à la base de la matrice 350 pour les conducteurs de lectureinhibition en formant des trous intermédiaires à travers le substrat 352jusqu'aux configurations de conducteurs 360 formées sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 366 à plaque à alvéoles. En particulier, un segment de conducteur 420 prolonge le conducteur SI verticalement de bas en haut jusqu'en un point 422 adjacent au bord inférieur d'un alvéole 424 associé à la position de tore 8,8 sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 366 à plaque à alvéoles comme représenté sur la figure 16. Le point 422 est couplé avec un segment de conducteur 426 en un point 428 du côté inférieur de l'élément de circuit central 376 porteur de languettes comme représenté sur la figurgl5. Un segment de conducteur 426 prolonge le conducteur SI verticaleinent de bas en haut à travers l'ouverture centrale du tore situé à la position 8,8 jusqu en un point 430 situé à une courte distance au-dessus de cette posi tion.Au point 430, le conducteur 426 est couplé avec le conducteur 432 en un point 434 du côté supérieur de ltélément de cir cult inférieur 366 à plaque à alvéoles comme représenté sur la figure 18. Le conducteur 432 se termine en un point 436 juste audessous du coin droit inférieur de l'alvéole de tore 438 associé à la position 7,8. Un trou intermédiaire 440 couple le point 436 avec un segment de conducteur 442 sur le côté inférieur de l'élément de circuit inférieur 366 à plaque à alvéoles comme représenté sur la figure 17.Le segment de conducteur 442 s'étend latéralement vers la droite jusqu'en un point 444 où un trou intermédiaire 446 couple le segment de conducteur 442 avec un segment de conducteur 448 sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 366 à plaque à alvéoles comme représenté sur la figure 16. Le segment de conducteur 448 est couplé avec l'extrémité inférieure 450 d'un segment de conducteur 452 sur le côté inférieur de 1' élément de circuit central 376 porteur de languettes comme représenté sur la figure 15. Le segment de conducteur 452 s'étend à travers l'ouverture centrale d'un tore situé à la position 7,9jus qu'en un point 454 situé à une courte distance au-dessus de cette position. A partir de ce point, le conducteur SI s'étend en relation de parallélisme et d'espacement avec le conducteur d'excitation Y, Y9, cependant que ces deux conducteurs passent alternativement le long du côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 366 à plaque à alvéoles et le long du côté inférieur de 1'élé- ment de circuit central v porteur de languettes. Bien cue les éléments de circuit puissent être formés par un procédé convenable quelconque permettant de former simultanément des configurations de segments de conducteur multiples et des configurations de trous d'ouverture multiples, on a mis au point un procédé particulier qui assure d'excellents résultats. Ce procédé va maintenant être décrit, mais il doit être bien entendu que de nombreux autres procédés peuvent convenir pour atteindre les buts de l'invention. On fabrique la plaque à alvéoles 34 par gravure photolithographique des configurations d'alvéoles recevant les tores élémentaires et d'une configuration de trous de réception d'outil d'ali gaiement comprenant un trou circulaire de chaque côté de l'ensemble d'alvéoles sensiblement à mi-distance entre le sommet et la base de chacune de trois plaques de cuivre de 25 microns d'épaisseur environ. Après la gravure photolithographique des configurations de trous, on élimine tout le vernis photosensible du type à "photoréserve11 et l'on dépose électrolytiquement une couche d'or, ou de préférence de nickel, de 0,125 microns environ sur toutes les surfaces des plaques de cuivre pour former une barrière d' oxyde.Deux couches d'adhésif thermodurcissable sont ensuite prises en sandwich entre les trois plaques de cuivre pour assurer la liaison de celles-ci en une plaque à alvéoles monolithique. La plaque à alvéoles 34 peut être aisément assemblée dans un appareil de montage 470 représenté sur les figures 18 et 19. L'appareil de montage 470 comprend une plaque de base plane et plate 472 qui supporte des broches d'outil d'alignement 474, 476 et des potelets de guidage 478, 480 s'étendant verticalement. Une plaque supérieure plane et plate 482 est supportée de manière à pouvoir se déplacer exclusivement verticalement par rapport à la plaque de base 472 par des paliers de coulissement enforme de manchon 484, 486 qui reçoivent respectivement les potelets de guidage 478 et 480. La plaque supérieure 482 présente en outre des alésages 488, 490 s'étendant verticalement destinés à recevoir les broches d'outil d'alignement 474, 476 respectivement. Après avoir placé des couches alternées de plaques de cuivre 36 et de plaques d'adhésif 38 de 19 microns d'épaisseur environ dans l'appareil de montage 470 sur les broches d'outil d'alignement 474, 476 pour assurer l'alignement convenable de ces couches, on déplace la plaque supérieure 482 verticalement vers le bas pour l'amener en contact avec la plaque de cuivre supérieure 36c afin d'assurer une pression de liaison. I1 est à noter que les plaques d'adhésif 38 sont préalablement estampées avec un jeu appréciable autour de la périphérie de la plaque à alvéoles 34 et des trous qui reçoivent les broches d'outil d'alignement 474, 476 de manière à ménager un jeu appréciable autour des bords périphériques de la plaque à alvéoles afin d'éviter que l'adhésif n'atteigne ces bords en cas d'écoulement au cours de la liaison. Après chargement de la plaque à alvéoles 34 dans l'appareil de montage 470 (de nombreuses plaques à alvéoles peuvent d'ailleurs être chargées simultanément) on place cet appareil de montage dans une presse hydraulique à température contrôlée. La plaque à alvéoles est maintenue à la température ambiante sous une pression d' environ 70 bars pendant 15 minutes, puis on la chauffe rapidement à un peu plus de 175 C en moins de 23 minutes. Ce chauffage rapide permet à l'adhésif thermodurcissable de s'écouler rapidement et d' établir une bonne liaison avant d'être polymérisé. La température et la pression sont maintenues pendant environ 1 heure, puis on retire la plaque à alvéoles 34 de l'appareil de montage 470 et de la presse hydraulique après refroidissement. Après ce retrait de l'appareil de montage 470, on grave les trous des alvéoles dans le matériau adhésif en utilisant les trous d'alvéole préalablement gravés dans les plaques de cuivre comme masque. Après cette opération de gravure, les plaques d'adhésif et de cuivre sont revêtues d'une couche de 0,125 micron environ d'un matériau conducteur tel que du cuivre par un procédé sans courant ("electroless). Cette couche conductrice est ensuite utilisée pour assurer l'application, par un procédé dlectrolytique, d'une couche de 0,25 micron environ d'un matériau dur qui donne une bonne résistance mécanique à la plaque à alvéoles 34. Des matériaux convenant à cet effet comprennent le nickel, l'étain, le phosphore-nickel et le rhodium. Ceci complète la fabrication des plaques à alvéoles. La partie suivante du procédé qui va maintenant être décrite est la fabrication des éléments de circuit. Bien que les configurations et les',nombres d'éléments de circuit varient quelque peu suivant la configuration de mémoire particulière choisie, les processus peuvent, dans leur majeure partie, rester les mêmes. Dans la partie de la description qui va suivre, on supposera que les éléments de circuit sont fabriqués pour le montage de mémoire à configurations en H représenté sur les figure 1-11.Etant donné que les processus de fabrication de l'élément de circuit inférieur 30 et de l'élément de circuit supérieur 32 sont sensiblement identiques, on supposera dans la description du processus de fabrication que ces deux éléments sont fabriqués par le même procédé, les différences nécessaires éventuelles étant indiquées aux endroits appropriés. I1 est bien entendu nécessaire de choisir des configurations de masquage correspondant à l'élément de circuit particulier à fabriquer. I1 est à présumer que les substrats en Kapton de 25 microns d'épaisseur environ peuvent être façonnés sous la forme d'un rouleau continu, puis découpés aux dimensions voulues pour permettre une production commerciale en grande série. Toutefois, le procédé sera décrit sous la forme d'un processus de fabrication par lots, pour faciliter la description. Les substrats en Kapton sont tout d'abord nettoyés et séchés puis on dépose sur eux par bombardement de métallisation une couche de Permalloy (nom commercial) de 1000 angströms d'épaisseur. Le Permalloy assure une liaison adhésive avec le Kapton, mais d' autres matériaux tels que du chrome ou du titane pourraient être substitués à cet alliage. Une couche de titane de liaison de ;200 à 500 angstroms d'épaisseur peut alors être déposée par évaporation sous vide sur les deux côtés du substrat revêtu de Permalloy. Après le dépôt de la couche de titane, on dépose une couche de cuivre de 3000 angströms d'épaisseur sur les deux côtés du substrat pour assurer une bonne conductivité en vue d'un processus d' électrodéposition ultérieur. Le substrat est ensuite entièrement revêtu d'une barrière anti-oxyde de 50 angströms, par exemple en nickel. Ces couches successives de Permalloy, de titane, de cuivre et de nickel seront désignées ci-après dans leur ensemble sous le nom de couche d'activation. Le dépôt d'une couche d'activation sur le substrat en Kapton est répété ultérieurement. Ensuite, on pratique des trous intermédiaires à travers le substrat en Kapton pour permettre une connexion électrique appropriée de circuits situés sur l'un de ses côtés à des circuits situés sur son côté opposé. Une photoréserve est appliquée sur les deux surfaces du substrat revêtu d'une couche d'activation, puis exposée à de la lumière ultraviolette collimatée et, ensuite, sélectivement éliminée pour exposer le revêtement métallique du substrat à travers des ouvertures de 6,45.10 mm2 traversant la photoréserve à tous les emplacements où des trous intermédiaires doivent être situés. La structure multicouche résultante est représentée sur la vue fragmentaire des figures 20 et 21.La photoréserve est ensuite utilisée comme masque pour graver les couches métalliques multiples jusqu'au niveau du substrat en Kapton. Etant donné que des métaux différentes sont impliqués, des opérations de gravure différentes effectuées avec des corrosifs différents peuvent être nécessaires pour éliminer tous les différents matériaux. Une fois que la surface du Kapton est exposée au voisinage des trous intermédiaires, on élimine le reste de la photoréserve et 1' on utilise la couche d'activation comme masque cependant que le substrat en Kapton est simultanément gravé à partir de ses deux côtés avec de lthydrazine comme représenté sur la figure 21. En raison de l'affouillement qui se produit au-dessous du revêtement métallique, une configuration en forme de coin 500 est formée dans le substrat en Kapton, la section minimale du trou intermédiaire correspondant au point 502 de la configuration en forme de coin 00, point qui est sensiblement équidistant des côtés du substrat. On continue à graver le Kapton jusqu'à ce que le point 502 du coin 500 soit sensiblement aligné avec la périphérie de l'ouverture de 6,45.10 I mm traversant le revêtement métallique multicouche. Etant donné que l'affouillement pourrait entraîner une adhérence médiocre de la couche d'activation et des couches ultérieures au Kapton, la couche d'activation est entièrement retirée puis réappliquée. Lors de sa seconde application, la couche d'activation tend à suivre la forme du coin 500 à l'intérieur des ouvertures des trous interrédiaires à travers le Kapton. On applique alors par électrodéposition une couche additionnelle de cuivre relativement épaisse de 2,5 microns environ sur le revêtement métallique multicouche pour assurer une bonne interconnexion métallique électriquement conductrice à travers les trous intermédiaires comme représenté sur la figure 23. Cette couche de cuivre de 2,5 microns environ ne remplit pas complètement les trous intermédiaires.Ensuite, les trous de grande section tels que les trous des alvéoles et les trous des broches d'outil d'alignement de la plaque à alvéoles ainsi que de la configuration en H ou de la configuration en U de l'élément de circuit porteur de languettes sont gravés sous forme de configurations dans la couche d'activation et dans la couche de cuivre de 2,5 microns environ mais non dans le substrat en Kapton lui-7iên:e. La configuration d'ouvertures de grande section doit être alignée trrs soigneusement avec la configuration de trous intermédiaires et des repères d'alignement tels que ceux qui sont couramlment utilisés dans l'industrie des semi-conducteurs peuvent être employés à cet effet. Ensuite, le Kapton e.t revêtu d'une photoréserve constituée par du Piston (nom cornmercial) et la configuration de conducteurs désirée est forne sur les eux cotés. La photoréserve est éliminée dans une configuration de masquage à tous les emplacements où des conducteurs doivent apparaitre, tandis qu'elle subsiste dans les ragions comprises entre les conducteurs adjacents. Pour assurer un bon isolement électrique 7 un espacement d'au moins 38 microns doit être prévu entre les conducteurs adjacents les plus rapprochés. Comme représenté sur la figure 24, en utilisant la photoréserve comme masque, on applique du cuivre par électrodéposition sur les deux côtés du substrat jusqu'à concurrence d'une épaisseur d'envi ron 43 microns dans un bain nivelant. I1 s'est avéré désirable d'utiliser tout d'abord une amorce de cuivre pour produire une couche de 1000 à 3000 angströms, puis de terminer la déposition dans un bain nivelant. Le procédé de déposition tend alors à remplir les trous intermédiaires et à produire des conducteurs présentant des côtés légèrement inclinés 510 comme représenté sur la figure 18. Si l'on doit utiliser une liaison par thermocompression, les conducteurs sont ensuite revêtus d'une couche d'or de 0,25 micron environ.Si l'on doit employer une liaison par refusion de soudure, seuls les conducteurs opposés à ceux sur lesquels de la soudure doit être déposée, tels que les conducteurs du côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32, sont revêtus d'or jus- qu'à concurrence d'une épaisseur d'environ 0,125 micron. Après la formation des configurations de conducteurs sur les deux côtés du substrat, toute la photoréserve est éliminée et des configurations de trous de grande section sont gravées à travers le substrat en Kapton lui-même en utilisant les configurations de trous précédemment définies dans la couche d'activation comme masque. Ensuite, les configurations de conducteurs sont électriquement isolées comme représenté sur la figure 25. On se rappellera que la couche d'activation s'étend encore entre les parcours de conducteurs adjacents et établit une communication électrique entre eux. Une photoréserve est appliquée le long des configurations de conducteurs par un processus de masquage réalisé de telle manière que la photoréserve s'étende environ 6,35 microns au-delà de la base des conducteurs de chaque côté de celle-ci. La photoréserve est sélectivement éliminée entre les conducteurs. Avec un espacement minimal de 38 microns entre les bases des conducteurs eux-mêmes, un intervalle minimal de 25 microns environ est maintenant formé dans la photoréserve entre les conducteurs adjacents. La photoréserve est utilisée comme masque pour éliminer la couche d'activation entre les conducteurs, puis toute la photoréserve est retirée du substrat. Le traitement des substrats en Kapton est maintenant terminé si l'on désire utiliser une liaison par therrlocompression. Par contre, pour une liaison par refusion de soudure les substrats doivent être soumis à des opérations supplémentaires pour permettre l'application de la soudure.Comme représenté sur la figure 26, une photoréserve est appliquée au substrat, puis on procède à un traitement photolithographique pour éliminer la photoréserve le long des surfaces supérieures ou extérieures des conducteurs où de la soudure doit être appliquée. La-photoréserve doit être retirée le long d'une configuration plus étroite que les surfaces supérieur res des conducteurs, pour permettre à la photoréserve résiduelle de chevaucher les bords supérieurs extérieurs des conducteurs à raison d'environ 6,35 microns comme indiqué à tire d'exemple dans les régions 512 et 514 sur la figure 26. En utilisant la photoréserve comme masque, la soudure est alors électrodéposée ou déposée par impulsions sur les conducteurs jusqu'à concurrence d'une épaisseur d'environ 23 microns.En raison des petites dimensions impliquées, il s'est avéré convenable de revêtir de soudure tous les conducteurs sur une surface de liaison par refusion de soudure. Toutefois, on comprendra aisément que seules les portions qui doivent être liées avec d'autres conducteurs ont besoin d'être revêtues de cette manière.Il est désirable de faire fondre la soudure en plongeant rapidement l'élément de circuit dans des bains de'plues en plus chauds jusqu'à concurrence d'une température inférieure d' environ 140C à la température eutectique,puis en les plongeant rapidement dans des bains d'huile de plus en plus froids.En ce qui concerne la configuration des ouvertures en H des figures l-ll,on applique de la soudure aux conducteurs 44 sur la surface supérieure de l'élément de circuit inférieur 30.En ce qui concerne la configuration d'ouvertures en U des figures 12-17,il est nécessaire d' appliquer de la soudure aux conducteurs 364 sur la surface supérieure de l'élément de circuit inférieur 366 à plaque à alvéoles ainsi qu'aux conducteurs 374 sur la surface supérieure de l'élément de circuit central 376 porteur de languettes.Après électrodéposition de la soudure à travers le masque de photoréserve,la photoréserve est éliminée et les conducteurs de cuivre sur lesquels la soudure est appliquée sont exposés à un chromate à la température ambiante pour former un revêtement de conversion sur les parois latérales de ces conducteurs afin d'empêcher la soudure de mouiller ces parois latérales et de s'écouler le long de celles-ci Ceci termine la fabrication ce la plaque à alvéoles 34 et des éléments de circuit 30, 32 qyli doivent ensuite être assemblés en une mémoire. Pour l'assemblage final, la plaque à alvéoles 34 et l'élément de circuit inférieur 30 sont placés dans l'appareil de montage 470 représenté sur les figures 18 et 19 avec la feuille d'adhésif thermodurcissable 52 (figure 2) prise en sandwich entre eux. Les bro ches d'outil d'alignement 474, 476 assurent un alignement précis entre la plaque à alvéoles 34 et l'élément de circuit inférieur 30.Une feuille de caoutchouc aux silicones de 1 à 1,5 mm d'épaisseur environ est placée entre la surface supérieure de la plaque à alvéoles 34 et la plaque supérieure 482 de l'appareil de montage 470 pour protéger les conducteurs 44 formés sur la surface supérieure et l'ensemble est ensuite chauffé sous pression pour lier la plaque à alvéoles 34 à l'élément de circuit inférieur 30 d'une manière sensiblement identique au processus de liaison des trois plaques élémentaires individuelles 36a, 36b et 36c de la plaque à alvéoles 34. L'élément de circuit inférieur 30 et la plaque à alvéoles 34 ainsi liés ensemble sont ensuite retirés de l'appareil de montage 470 et placés dans un gabarit à dépression 550, tel que représenté sur les figures 27 et 28. Le gabarit 550 comprend une plaque de base rigide 552 qui présente des éléments latéraux espacés s'étendant verticalement 554, 556 se terminant à leur extrémité supérieure le long de surfaces lisses et plates de palier à air 558, 560, respectivement. Une ouverture centrale 562 s'étend verticalement à travers le centre de la plaque de base 552 pour communiquer avec une source de vide sur son côté inférieur. Un vibrateur 564 est mécaniquement accouplé de manière à appliquer des vibrations hautefréquence au gabarit d'assemblage par dépression 550.Des broches d'outil d'alignement 568, 570 s'étendant verticalement sont disposées de part et d'autre de l'ouverture centrale 562 pour recevoir les trous d'alignement de la plaque à alvéoles 34 et de l'élément de circuit inférieur 30 liés ensemble et qui, dans ce qui va suivre, seront désignés conjointement sous le nom de substrat fixe 572. Des surfaces de palier à air 576, 578 chargées par des ressorts sont disposées face à face et en opposition avec les surfaces de palier à air 558, 560 respectivement et sont sollicitées élastiquement vers une position de contact avec ces dernières surfaces. Un mandrin à dépression ou à vide 580 présentant une configuration en forme d'U est suspendu à une mince plaque métallique coulissante 582 entre les parois de support sétendat verticalement 554, 556, la plaque coulissante 582 s'étendant latéralement vers l'extérieur sur ses deux côtés de manière à passer entre les surfaces de palier à air 558, 576 et 560, 578. Le mandrin à vide 580 supporte sur son côté inférieur un élément de circuit supérieur 32 et la plaque coulissante 582 présente une ouverture centrale épousant sensiblement la forme du mandrin à vide 580 pour permettre d'accéder au côté supérieur de l'élément de circuit supérieur 32.Lorsque les paliers à air du gabarit à dépression ou à vide 550 sont activés, l'élément de circuit supérieur 32 est supporté sur la surface supérieure de l'élément de circuit inférieur 30 avec tout au plus un très léger contact entre eux. Les paliers à air étant activés, le mandrin à vide 580 peut être déplacé aisément et de façon précise pour positionner avec précision l'élément de circuit supérieur 32 par rapport à l'élément de circuit inférieur 30. Lorsque les paliers à air sont désactivés, leurs surfaces 558, 576 et 5O0, 578 s'appliquent fortement et avec frottement contre la plaque coulissante 582 pour maintenir le mandrin à vide 580 dans une position relative fixe par rapport au gabarit à vide 550. Dans cette position de serrage, l'élément de circuit supérieur 32 est maintenu fortement en contact avec l'élément fixe 572. Lors du chargement des tores, les paliers à air sont activés cependant que les ouvertures de réception de tores de l'élément de circuit supérieur (barres transversales des configurations d'ouverture en forme d'H) sont alignées de façon précise en relation de conjugaison et de coterminaison avec les lignes de numéro pair d'alvéoles de réception de tores de l'élément de circuit inférieur 50. Après l'alignement les paliers à air sont désactivés pour serrer-l'élément de circuit supérieur 32 en position correcte et le t,ab;irit à vide 550 est soumis à des vibrations cependant que les tores sont chargés à la surface supérieure de l'élément de circuit supérieur 32 et qu'une dépression est appliquée à la surface inférieure de la plaque à alvéoles.L'effet combiné de la vibration et de la dépression assure le chargement des tores dans leurs alvéoles de réception d'une manière classique. Les paliers à air sont alors activés et l'élément de circuit supérieur 32 est translaté par rapport aux tores et à l'élément de circuit inférieur 30, les longues languettes en porte-à-faux définies entre les branches verticales des configurations en H asymétrique de l'élément de circuit supérieur 32 traversant les tores chargés jusqu'à ce que les alvéoles de réception de tores formés par les barres transversales des configurations d'ouverture en forme d'H de l'éléinont de circuit supérieur 32 soient alignés en relation de conjugaison et de coterminaison avec les alvéoles de réception de tores des lignes de numéro impair de l'élément de circuit inférieur 30.Les paliers à air sont alors désactivés et les tores restants sont chargés dans les alvéoles de réception de tores des lignes de nu méro impair cependant que le gabarit 550 est soumis à des vibrations et qu'une dépression est appliquée à la surface inférieure de la plaque à alvéoles 34. Les paliers à air sont ensuite réactivés et l'élément de circuit supérieur 32 est translaté en sens inverse pour faire passer les courtes languettes en porte-à-faux qui sont définies entre les branches verticales des configurations d' ouverture en forme d' à travers les tores des lignes de numéro pair. Dans le cas où l'on utilise la disposition en forme d'U représentée sur les figures 12-17, tous les tores peuvent être chargés en une seule et même opération. La configuration résultante est telle que représentée sur la vue fragmentaire de la figure 29 où l'on peut voir que les languettes longue 590 traversent les tores 592 des lignes de numéro pair 594 tandis que les languettes courtes 596 traversent les tores 598 des lignes de numéro impair 600. Les conducteurs disposés sur les bouts non supportés 602, 604 des languettes longues 590 et des languettes courtes 596, respectivement, doivent être liés aux conducteurs de la surface supérieure de l'élément de circuit inférieur 30.On peut utiliser à cet effet une liaison par thermocompressiôn et, par exemple, un procédé de liaison par application de secousses dans lequel chaque jeu de conducteurs porté par un bout de languette 602 ou 604 est individuellement lié à un jeu conjugué de conducteurs situé au-dessous ou dans lequel tous les joints sont liés simultanément.Pour une liaison par thermocompression, les bouts de languette 602, 604 du substrat en Kapton peuvent être raccourcis par corrosion sur une distance de 25 ou 50 microns environ dans le cadre du traitement du substrat 32 antérieurement à l'assemblage final pour permettre aux trois conducteurs qui sont supportés sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 de s'étendre sur une distance de 25 ou 50 microns environ audelà des bouts de languette 602, 604 en porte-à-faux de m- nière à permettre un contact direct entre les conducteurs et un dispositif de liaison par thermocompression. La gravure des bouts de languette peut être prévue (mais non obligatoirement) lorsqu'une refusion de soudure doit être utilisée pour la liaison. Pour la liaison par refusion de soudure ou par thermocompression simultanée de tous les joints une nervure de liaison telle qu'elle est indiquée en 610 est disposée le long d'une ligne d' ouvertures de barre transversale de configuration en H, cette nervure étant d'une largeur suffisante pour chevaucher les bouts de languette 602, 604 de 25 ou 50 microns environ pour chacun d'eux. Si le substrat en Kapton était précédernment gravé à partir des bouts de languette, la nervure de liaison 610 chevaucherait les conducteurs en porte-à-faux de 25 ou 50 microns environ et serait légèrement plus étroite que les bouts de languette du substrat en Kapton pour permettre à cette nervure d'être effectivement en contact avec les conducteurs en porte-à-faux sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32. Sur la figure 29, les bouts de languette sont représentés à l'état non gravé. Après alignement d'une nervure de liaison 610 le long d'une ligne d'ouverture de barre transversale'de configuration en , ladite nervure est chauffée, par eei;iple en faisant passer un courant à travers un élément chauffant à résistance électrique contenu dans cette nervure, tout en maintenant une pression modérée sur les bouts de languette 602, 604 de manière à provoquer une refusion de soudure et à établir une liaison solide entre les conducteurs du côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32 et les conducteurs du côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30. Pour la configuration d'ouverture en forme d'U représentée sur les figures 12-17, la liaison doit s'effectuer entre deux paires de plans disposées face à face.En conséquence, il est nécessaire de lier des conducteurs du côté inférieur de l'élément de circuit central 376 porteur de languettes avec des conducteurs du côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 366 à plaque à alvéoles, puis de placer l'élément de circuit supérieur 380 à plaque à alvéoles sur le dessus de l'élément de circuit central 376 porteur de languettes, les alvéoles de l'élément de circuit supérieur 380 à plaque à alvéoles étant alignés de manière à recevoir les tores précédemment chargés. Les conducteurs de la surface supérieure de l'élément de circuit supérieur 380 à plaque à alvéoles sont alors liés à des conducteurs de la surface supérieure de l'élément de circuit central 376 porteur de languettes. Un appareil de montage, destiné à supporter un grand nombre de nervures de liaison 610 en vue de former simultanément toutes les liaisons d'une mémoire à tores au cours d'un processus de refusion de soudure, est représenté sur la figure 30. L'appareil de montage G50 comprend un élément de base rigide 652 avec des broches d'outil d'alignement 654, 656 s'étendant verticalement et des bro ches de guidage 658, 660 s'étendant vers le haut à partir de cet élément. L'appareil de montage 650 est analogue à l'appareil de montage 470 représenté sur les figures 18 et 19 à cela près qu'une plaque de liaison 662 est substituée à la plaque supérieure 482 de l'appareil de montage 470.La mémoire à tores précédemment assemblée est placée dans l'appareil de montage 650, les broches outil d'alignement 654, 656 étant reçues dans les trous d'alignement de l'élément fixe 572 qui comprend la plaque à alvéoles 34 et l'élément de circuit inférieur 30, de manière à positionner de façon précise l'élément fixe 572 au-dessous des nervures de liaison saillantes 610 de la plaque de liaison 662. L'élément de circuit supérieur 32.est posé sur l'élément fixe 572, tous les tores étant chargés et l'élément de circuit supérieur étant aligné en vue de la liaison finale. La plaque de liaison 662 peut être réalisée sous la forme de deux plaques élémentaires séparées supérieure et inférieure 664, 666, respectivement, avec des bobines chauffantes 668 disposées entre elles. Les nervures de liaison 610 peuvent être formées sur le côté inférieur de la plaque inférieure 666 par un procédé convenable, par exemple par fraisage. On met en oeuvre le procédé de liaison par refusion de soudure en chauffant la plaque de liaison 662 et en la déplaçant verticalement vers le bas avec une force appréciable pour amener les nervures de liaison 610 en contact sous pression avec les bouts de languette 602, 604. Pour éviter tout endonmagement des conducteurs liés entre eux, un abaissement contrôlé est assuré par des butées 670 qui limitent la course vers îe,'bas de la plaque de liaison 662 à une hauteur pour laquelle une séparation d'environ 14 microns est maintenue entre les sommets des conducteurs présents sur le côté supérieur de l'élément de circuit inférieur 30 et les bases ou surfaces étendues des conducteurs sur le côté inférieur de l'élément de circuit supérieur 32.Bien entendu, la soudure refondue remplit les interstices intermédiaires. Après achèvement du processus de liaison, la mémoire 10 peut être retirée de l'appareil de montage 650 et est prête pour le couplage des conducteurs d'excitation et de lecture avec un montage externe classique (non représenté) permettant de commuter sélectivement les éléments de mémoire par coïncidence de courants et de lire des éléments de mémoire choisis ou d'inhiber la commutation d'éléments de mémoire choisis. Bien qu'on ait représenté et décrit ci-dessus des dispositions particulières d'une mémoire magnétique comportant des conducteurs formés sur un substrat mince dans une juxtaposition fixe et prédéterminée pour permettre à un spécialiste la mise en oeuvre et l'utilisation de l'invention, on comprendra aisément que celle-ci n'est nullement limitée à ces dispositions particulières. En conséquence et bien entendu, l'invention n'est nullement limite au mode de réalisation particulier représenté et décrit ; elle est susceptible de nombreuses variantes sans qu'on s'écarte pour autant de l'esprit ni du domaine de l'invention. REVENDICATIONS 1. Mémoire magnétique, caractérisée en ce qu'elle comprend une pluralité d'éléments magnétiques de mémoire traversés chacun dtune ouverture centrale et qui sont commutables entre des états d'aimantation différents et une pluralité de conducteurs pour commuter sélectivement des éléments de mémoire entre deux états d'aimantation stables, et pour détecter leur commutation, ces conducteurs comprenant une pluralité de segments de conducteur pénétrant chacun dans l'ouverture centrale d'un élément de mémoire différent et disposés sur un seulet même substrat dans une position relative fixe et prédéterminée par rapport aux autres segments de conducteur présents sur le substrat. 2. Mémoire magnétique suivant la revendication 1, caractérisée en ce que chaque élément de mémoire forme un parcours de flux fermé continu autour d'une ouverture centrale. 3. Mémoire magnétique suivant la revendication 1, caractérisée en ce que chaque élément de mémoire présente la forme d'un tore. 4. Mémoire magnétique suivant la revendication 1, caractérisée en ce que les segments de conducteur comprennent des segments de conducteurs disposés sur au moins deux substrats différents présentant des ouvertures de réception d'éléments de mémoire et des segments de conducteur disposés de manière à recevoir des éléments de mémoire lorsque les substrats sont dans une première position dsalignement en relation d'opposition, de parallélisme et de proximité, et à établir une configuration de câblage dans laquelle les segments de conducteur définissent au moins deux parcours de circuit électrique différents traversant chacun les ouvertures centrales d'au moins trois éléments de mémoire différents sans interruption électrique. 5. Mémoire magnétique suivant la revendication 4, caractérisée en ce qu'au moins un premier substrat présente une configuration d' ouvertures destinée à recevoir des éléments de mémoire, en ce qù' au moins un second substrat présente une configuration d'ouvertures en forme d'U et des segments de conducteur s'étendant le long d'une languette formée entre les branches verticales opposées de chaque U et présentant des dimensions et une forme appropriées pour pouvoir traverser l'ouverture centrale d'un élement de mémoire, ces premier et second substrats pouvant être alignés dans une première pqsition en relation de proximité, de parallélisme et d' opposition pour recevoir dans leurs ouvertures des éléments magnétiques de mémoire, et pouvant être translatés l'un par rapport à l'autre tout en restant en relation d'opposition, de parallélisme et de proximité jusqu au moins une seconde position dans laquelle les languettes du second substrat traversent les ouvertures centrales respectives d'éléments magnétiques de mémoire. 6. mémoire magnétique, caractérisée en ce qu'elle comprend une pluralité de noyaux magnétiques de mémoire présentant chacun une ouverture centrale et un ensemble d'éléments de circuit comportant un premier substrat ayant des première et seconde surfaces sensiblement planes opposées et présentant une pluralité d'ouvertures recevant la pluralité de noyaux magnétiques et un second substrat ayant des première et seconde surfaces essentiellement planes opposées, présentant une pluralité d'ouvertures recevant la pluralité de noyaux et dans lequel sont formées une pluralité de languettes traversant les ouvertures centrales respectives des noyaux magnétiques, le second substrat ayant sa seconde surface disposée en relation d'opposition, de parallélisme et de proximité avec la première surface du premier substrat, ledit ensemble d' éléments de circuit comprenant en outre des conducteurs disposés en une configuration fixe etbrédéterminée sur les surfaces des substrats inclus dans ledit ensemble et formant des conducteurs qui traversent les ouvertures centrales de noyaux pour amener dans ceux-cies courants propres à assurer leur commutation sélective. 7. Mémoire magnétique suivant la revendication 6, caractérirée en ce que les conducteurs sont disposés sur le second côté du second substrat et en ce que des conducteurs sont disposés sur le premier côté du premier substrat et sont électriquement connectés à des conducteurs disposés sur le second côté du second substrat. 8. mémoire magnétique suivant la revendication 7, caractérisée en ce que des conducteurs sont disposés sur le premier coté du second substrat et sont électriquement connectés à des conducteurs disposés sur le second côté du premier substrat. 9. mémoire magnétique suivant la revendication 8, caractérisée en ce que l'ensemble d'éléments de circuit comprend en outre un troisième substrat ayant des premier et second côtés sensiblement plans, ce troisième substrat portant des conducteurs disposés sur son second côté et électriquement connectés à des conducteurs disposés sur le premier côté du second substrat. 1C. iwiemoire magnétique suivant la revendication 9, caractéri sée en cé que, dans le second substrat, sont formées une pluralité d'ouvertures en forme d'U recevant la pluralité de noyaux. 11. Mémoire magnétique suivant la revendication 10, caractérisée en ce que les languettes traversant les noyaux sont formées entre les branches verticales des configurations en forme d'U. 12. moire magnétique suivant la revendication 10, caractérisée en ce que le second substrat a une épaisseur d'environ 25 microns. 13. Mémoire magnétique suivant la revendication 6, caractérisée en ce que les ouvertures des premier et second substrats sont disposées de manière à permettre le chargement de la pluralité des noyaux dans ces ouvertures alors que les premier et second substrats sont dans une première position relative dans laquelle la seconde surface du second substrat est en relation d'opposition, de parallélisme et de proximité avec la première surface du premier substrat et de manière à permettre au moins un mouvement relatif entre les premier et second substrats jusqu'à une seconde position relative différente de la première, mouvement pendant lequel la seconde surface du second substrat et la première surface du premier substrat restent en relation d'opposition, de parallélisme et de proximité. 14. Mémoire magnétique suivant la revendication 7, caractérisée en ce qu'un Jeu de fils d'excitation de sélection partielle, traversant les ouvertures centrales respectives des noyaux pour amener dans celles-ci des courants propres à les commuter sélectivement, est formé par des segments de conducteur électriquement connectés alternativement disposés sur deux surfaces voisines et disposées face à face, de substrats inclus dans l'ensemble d'éléments de circuit. 15. Mémoire magnétique, caractérisée en ce qu'elle comprend une pluralité d'éléments magnétiques de mémoire discrets commutables entre des états d'aimantation différents avec lesquels une pluralité de conducteurs sont inductivement couplés, ces conducteurs étant disposés en juxtaposition fixe et prédéterminée. 16. mémoire à noyaux, caractérisée en ce qu'elle comprend une pluralité de noyaux magnétiques de mémoire discrets commutables entre des états d'aimantation différents et avec lesquels des conducteurs sont inductiverent couplés pour assurer leur commutation sélective et pour détecter cette commutation, au moins une partie de ces conducteurs étant disposés en juxtaposition fixe et prédé terminée. 17. mémoire à noyaux suivant la revendication 16, caractérisée en ce que les conducteurs couplent inductivement les noyaux suivant une configuration de sélection 3D sur trois fils. 18. mémoire à noyaux suivant 1 revendIcation 17, carctéri- se en ce que les conducteurs couplent inductivement les noyaux suivant une configuration en double-chevron. 19. mémoire à noyaux, caractérisée en ce qu'elle comprend un premier substrat présentant une pluralité d'ouvertures pour recevoir des noyaux de mémoire et portant une configuration de conducteurs et une pluralité de noyaux magnétiques de mémoire présentant chacun une ouverture centrale, ces noyaux étant disposés dans les ouvertures du premier substrat, et au moins un second substrat dans lequel sont formées une pluralité d'ouvertures destinées à recevoir des noyaux de mémoire et une pluralité de languettes, chaque languette pénétrant dans l'ouverture centrale d'un noyau de mémoire et le second substrat ayant des conducteurs formés sur lui, destinés à coopérer avec des conducteurs formés sur le premier substrat pour transmettre des signaux électriques de commande du fonctionnement de la mémoire à noyaux. 20. Mémoire magnétique à noyaux, caractérisée en ce qu'elle comprend une pluralité de noyaux de mémoire et un réseau de conducteurs électriques disposés de manière à coupler inductivement des signaux électriques de commutation sélective des noyaux, ces conducteurs étant formés sur une pluralité de substrats. 21. mémoire suivant la revendication 20, caractérisée en ce que des conducteurs formes sur des substrats différents sont sélectivement interconnectés de manière à former au moins deux conducteurs traversant l'ouverture centrale de chaque noyau, une combinaison particulière quelconque de deux conducteurs n'étant pas couplée inductivement avec plus de deux noyaux. 22. Mémoire magnétique à noyaux, caractérisée en ce qu'elle comprend une pluralité de noyaux magnétique de mémoire commutables entre des états d'aimantation différents, chaque noyau étant traversé d'une ouverture centrale, au moins un élément de circuit d' un premier type présentant une pluralité d'ouvertures recevant des noyaux magnétiques de mémoire, au moins un élément de circuit d'un second type comportant en partie intégrante une pluralité de lan guettes qui traversent des ouvertures centrales respectives de noyaux mastiques de mémoire, les premier et second éléments de circuit portant des conducteurs électriques formés sur eux et interconnectés pour établir des parcours conducteurs à travers des ouvertures de noyau pour assurer la commutation sélective de noyaux magnétiques. 23. Mémoire magnétique à noyaux suivant la revendication 22, caractérisée en ce que le ou les éléments de circuit du second type présente ou présentent une pluralité d'ouvertures destinées à recevoir des noyaux magnétiques de mémoire et disposées de ma- nitre à pouvoir être alignées simultanément avec des ouvertures du ou des éléments de,circuit du premier type, chaque ouverture d' un élément de circuit de second type comportant un bout d'une languette qui forme une partie de la limite de cette ouverture. 24. Mémoire magnétique à noyaux suivant la revendication 22, caractérisée en ce que les noyaux magnétiques de mémoire sont des tores ayant chacun un diamètre intérieur et un diamètre extérieur et en ce que les éléments de circuit sont des éléments plans ayant une épaisseur inférieure au diamètre intérieur de ces tores de mémoire. 25. Mémoire magnétique à noyaux suivant la revendication 23, caractérisé en ce que l'élément de circuit du premier type ou chacun des éléments de circuit du premier type comprend ou comprennent des éléments de circuit du premier type supérieur et inférieur entre lesquels est pris en sandwich au moins un élément de circuit du second type, des surfaces confrontées des éléments de circuit supérieur et inférieur et d'au moins un élément de circuit du second type portant des conducteurs électriques formés sur elles et interconnectés pour coupler électriquement la pluralité de noyaux de mémoire en une matrice formée de lignes et colonnes de noyaux de mémoire, chaque ligne de noyaux étant traversée par un parcours conducteur de ligne différent et chaque colonne de noyaux de mémoire étant traversée par un parcours conducteur de colonne différent. 26. Mémoire magnétique suivant la revenaication 25, caractérisée en ce que les conducteurs fors sur les éléments de circuit du premier type et du second type définissent en outre des conducteurs de lecture-inhibition traversant une pluralité de noyaux formant plus de deux lignes et plus de deux colonnes de noyaux de mémoire. 27. mémoire suivant la revendication 26, caractérisée en ce que des conducteurs de ligne sont formes sur une première surface d'un second type d'élément de circuit dans la partie où ils traversent des noyaux de mémoire sur des languettes de cet élément et sont formés sur une surface conjuguée d'un premier type d'élément de circuit dans la partie où ils passent entre des noyaux adjacents d'une ligne, et en ce que des conducteurs de colonne et de lecture-inhibition sont formés sur une seconde surface d'un second type d'élément de circuit opposée à la première sur une languette de cet élément dans la partie où ils traversent des noyaux et sont formés sur une surface conjuguée d'un premier type d'élément de circuit dans la partie où ils passent entre des noyaux, des croisements de conducteurs étant formés par des conducteurs disposés sur une surface d'un premier type d'élément de circuit opposée à une surface conjuguée et par l'intermédiaire de conducteurs s'étendant entre des conducteurs formés sur des surfaces d' un premier type d'élément de circuit conjuguées et opposées. 28. Mémoire magnétique, caractérisée en ce qu'elle comprend une pluralité de noyaux magnétiques de mémoire commutables entre des états d'aimantation différents, et formant chacun un parcours de flux magnétique continu qui se ferme autour d'une ouverture et une pluralité d'éléments de circuit comprenant un premier élément de circuit dans lequel sont pratiquées une pluralité d'ouvertures pour recevoir des noyaux magnétiques de mémoire et un second élément de circuit présentant une pluralité de languettes traversant des ouvertures de noyau magnétique, les éléments de circuit portant des conducteurs électriques qui sont formés sur eux et qui sont interconnectés pour commuter sélectivesent les états d'aimantation de noyaux magnétiques. 29. Procédé de fabrication d'une mémoire à noyaux, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations consistant à former un premier substrat portant une configuration de conducteurs prédéterminée et présentant une pluralité d'ouvertures pour recevoir des noyaux de mémoire, à former un second substrat portant une configuration de conducteurs prédétermince et présentant une pluralité d'ouvertures pour recevcir des noyaux de mémoire, un bout d'une languette étant adjacent à chaque ouverture, à placer les premier et second subs trats en relation de confrontation et de proximité et de façon que les ouvertures de réception de noyaux soient alignées en relation de coterminaison, à charger des noyaux de mémoire présentant chacun une ouverture centrale dans les ouvertures de réception de noyaux des premier et second substrats et à déplacer par transla tion le second substrat par rapport au premier après le chareet des noyaux de mémoire pour faire pénétrer des languettes du second substrat dans des ouvertures centrales respectives de noyau de mémoire, cependant que les premier et second substrats restent en relation d'opposition et de proximité. 30. Procédé de fabrication suivant la revendication 29, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les opérations consistant à former un troisième substrat portant une configuration de conducteurs prédéterminée et présentant une pluralité d'ouvertures pour recevoir des noyaux de mémoire et, après avoir déplacé par translation le second substrat par rapport au premier, à placer le troisième substrat en relation de confrontation et de proximité avec le second substrat, les ouvertures du troisième substrat recevant des noyaux de mémoire et le second substrat étant pris en sandwich entre les premier et troisième substrats. 31. Procédé de fabrication suivant la revendication 29, caractérisé en ce qu'il comprend en outre ure opération consistant à lier des conducteurs du second substrat avec des conducteur du premier. 32. Procédé de fabrication suivant la revendication 30, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une opération consistant à lier des conducteurs du troisième substrat avec des conducteurs du second. 33. Procédé de fabrication d'une moire à partir d'une pluralité d'éléments de mémoire magnétiques formant un parcours de flux fermé autour d'une ouverture centrale, à partir d'au moins une plaque à alvéoles élémentaire présentant une pluralité d'ouvertures et portant une pluralité de conducteurs électriques et à partir d' au moins un élément de circuit présentant une pluralité d'ouvertures qui y sont disposées de manière à pouvoir être alignées avec des ouvertures de la plaque à alvéoles, présentant en outre une pluralité de languettes ayant une extrémité non fixée qui forme une portion oe la périphérie des ouvertures et présentant enfin une pluralité de conducteurs formés s sur lui pour établir des parcours conducteurs à travers les élérents de mémoire conjointenent aux parcours conducteurs de ladite plaque à alvéoles Élémentaires, lorsque l'élément de circuit est disposé en relation ce conugal- son avec ladite plaque, cependant que des languîtes traversent les éléments de mémoire, ledit procédé étant caractrisé en ce qu' il comprend les opérations consistant à disposer la plaque à alvé oles et l'élément de circuit en relation de confrontation et de proximité, leurs ouvertures étant mutuellement alignées, à charger une pluralité d'éléments de mémoire dans la pluralité d'ouvertures et à déplacer l'élément de circuit par rapport aux éléments de mémoire pour faire passer simultanément une pluralité de languettes à travers les ouvertures centrales respectives d'une pluralité d' éléments de mémoire. 34. Procédé suivant la revendication 33, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une opération consistant à coupler des conducteurs de l'élément de circuit en communication électrique avec des conducteurs de la plaque à alvéoles élémentaire pour former des parcours conducteurs capables de faire passer à travers des éléments de mémoire choisis des courais propres à assurer une comunutation sélective de leurs états de mémoire. 35. Procédé suivant la revendication 33, caractérisé en ce qutil comprend en outre les opérations consistant à disposer une seconde plaque à alvéoles élémentaire en relation de confrontation et de proximité avec l'élément de circuit, celui-ci étant disposé entre la première plaque à alvéoles élémentaire mentionnée et la seconde plaque à alvéoles élémentaire, et la pluralité d'ouvertures de la seconde plaque à alvéoles élémentaire recevant la pluralité de noyaux chargés. 36. Procédé suivant la revendication 35, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les opérations consistant à lier des conducteurs de la première plaque à alvéoles élémentaire mentionnée avec des conducteurs de l'élément de circuit et à lier des conducteurs de la seconde plaque à électrodes élémentaire à des conducteurs de l'élément de circuit. 37. Procédé suivant la revendication 33, caractérisé en ce que le chargement précité comprend une opération consistant à charger tous les éléments de la mémoire dans la pluralité d'ouvertures sans mouvement relatif entre la plaque à alvéoles élémentaire et l'élément de circuit.