FR 2331862 A1 19770610 FR 7521542 A 19750709 La présente invention concerne une matrice à diodes composée de deux ensembles de conducteurs imprimés parallèles entre eux, ces ensembles étant situés dans deux plans différents, certains des conducteurs imprimes des deux ensembles de conducteurs imprimés étant reliés entre eux par l'inter -médîaire -dE-d iodes-#disp scês en fonction d'un #f#Çcodècode~déterminé. En règle générale, on connatt deux techniques de fabrication de matrices à diodes. Dans le premier cas, les deux ensembles de conducteurs imprimés, séparés par un intervalle, sont isoles électriquement et des diodes sont soudées entre ces deux ensembles à certains points de croisement. La seconde solution consiste à utiliser la technique connue des circuits intégrés, et à réaliser des transistors utilises comme diodes et obtenus au cours d'un processus de diffusion. De tels types de matrices à diodes peuvent etre utilises, par exemple, comme-mémoires permanentes câblées, connues aussi sous le nom de mémoires mortes. Ces deux techniques ont des avantages et des inconvénients. Ainsi, dans le cas d'une matrice à diodes comportant des composants discrets, on peut réaliser un nombre quelconque de connexions en sortant de la matrice chacun des conducteurs imprimés. Cependant, on considère comme un inconvénient le fait que chaque diode doive etre soudée individuellement car il en résulte des couts importants. D'autre part, dans la technique des circuits intégrés, des structures peuvent etre disposées sur de très petites surfaces mais la réalisation en est egalement coûteuse. Dans ce cas, on considère comme un inconvénient le fait que le nombre de connexions extérieures possibles est très réduit, de telle sorte qu'il est difficile -d'utiliser la réalisation sous forme de circuits intégrés dans de nombreux domaines. Dans -certaines circonstances, il est nécessaire d'avoir des codeurs externes et des décodeurs internes pour pouvoir s'adapter au petit nombre de broches de connexion des circuits intègres. L'objet de la presente invention est de concevoir une matrice à diodes aussi facile à réaliser au point de vue de la technique de fabrication qu'a utiliser dans les circuits. A cette fin, l'invention prévoit qu'aux points de croisement des deux ensembles de conducteurs imprimés, déterminés par le code, des éléments au sélénium soient déposés, par évaporation, à travers un masque, sur les conducteurs imprimes. Ces éléments au sélénium éloignent l'un de l'autre les deux ensembles séparant ainsi leurs conducteurs imprimés. Les avantages de l'invention résident dans le fait que, pour le fabricant, il est possible de modifier le code offert par le codeur par simple modification du type de masque. Selon le domaine d'application, l'utilisateur peut employer toutes les techniques adéquates de connexion, par exemple, des connecteurs, des soudures ou des connexions enroulées. En outre, en utilisant cette matrice à diodes, comme mémoire morte, on peut réaliser selon la meme faon~les~-codeurs et les décodeurs suppiermentaires. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, en se reportant à la figure annexée qui représente un exemple de réalisation d'une matrice à diodes conforme à l'invention. La matrice à diodes se compose de deux ensembles 11 et 12 de conducteurs imprimés; les conducteurs imprimés 13 ou 14 sont déposés respectivement sur un support plat en matière isolante. Les conducteurs imprimes parallèles 13 et 14 de chacun des ensembles 11 et 12 se présentent, dans ce cas, comme des bandes rectilignes parallèles entre elles et respectivement disposées de façon orthogonale. Cependant, d'autres configurations sont possible. En se référant à l'exemple donné, l'ensemble 12 de conducteurs imprimés est représenté dans une coupe partiellement arrachée et on voit que des points recouverus de sélénium#sont déposés sur les conducteurs imprimés 13 de l'ensemble 11 selon un certain ordre. Ces éléments au sélénium 15 font des petites saillies de telle sorte que, en superposant les deux ensembles de conducteurs imprimés, les éléments au sélénium serviront seulement de points de contact.S'il est nécessaire, on pourra établir des isolements entre les conducteurs imprimés aux points de croisement sans éléments au sélénium 15. Au point de vue de la réalisation technique, il est beaucoup plus simple et plus avantageux que les éléments au sélénium soient déposés par évaporation à travers un masque à trous sur les circuits imprimés 13 ou 14, conformément à un code donné. En principe, il est aussi possible de déposer le sélénium sous forme de petites pastilles. Comme on le voit sur la figure, la matrice est connectée extérieurement par les liaisons 16 qui sont raccordées aux extrémités des conducteurs imprimes. Si le second ensemble 12 de conducteurs imprimés est relié au premier ensemble 11 de telle façon que les conducteurs imprimés 14 soient réalisés, après l'evaporation des éléments au sélénium sur le premier ensemble 11 de conducteurs imprimes, au cours d'un autre processus d'évaporation, on assure que les contacts établis entre les conducteurs imprimés et les éléments au sélénium sont fiables et qu'ils n'ont pas été initialement produits par pression mécanique. REVENDICATIONS 1. Matrice d diodes comprenant deux ensembles de conducteurs imprimes parallèles entre eux, les deux ensembles étant situés dans deux plans différents, certains des conducteurs des deux ensembles étant reliés entre eux par ltintermédiaire de diodes selon un code déterminé, ladite matrice à diodes étant caractérisée par le fait qu'aux points de croisement formés par les deux ensembles de conducteurs imprimés et déterminés par ledit code, des éléments au sélénium sont déposés à travers un masque selon un procédé par évaporation sur lesdits conducteurs imprimés, lesdits éléments au sélénium déterminant un intervalle qui sépare les deux ensembles #e conducteurs imprimes. 2. Matrice à diodes conforme à la revendication 1, caractérisée par le fait que ledit second ensemble de conducteurs imprimés est déposé au cours dtun second processus d'évaporation, après ltévaporation desdits éléments au sélénium sur ledit premier ensemble de conducteurs imprimés.