FR 2320361 A1 19770304 FR 7524882 A 19750808 L'invention concerne un procédé de métallisation des deux faces d'un meme support polyimide, ce support ayant été initialement sensibilisé à l'aide d'une solution d'ions stanneux, -puis de nitrate d'argent et activé à l'aide d'une solution d'ions palladium, ledit support devant etre finalement recouvert par une couche de nickel. De tels circuits métallisés sur les deux faces sont parfaitement réalisables sur des matériaux, tels que le verre ou le mylar. Un procédé permettant d'appliquer des couches métalliques adhérentes sur de tels matériaux est décrit dans le brevet délivré en FRANCE sous le numéro 2 179 107. Dans le cas d'un matériau comme le polyimide, il n'est pas possible de métalliser les deux faces par ce procédé, car la présence d'veau dans le support empêche une bonne adhérence de la couche superficielle, cette couche superficielle se décolant lors des traitements ultérieurs. Cependant il est connu de la technique de réaliser des circuits métallisés sur une seule face d'un support polyimide, l'eau contenue dans ledit support pouvant alors s'évaporer par l'autre face. L'invention vise à fournir un procédé de métallisation des deux faces d'un même support polyimide. Conformément à l'invention, ce procédé est caractérisé en ce que ledit support polyimide est soumis ensuite à un premier traitement thermique à une température voisine de 100au, pendant quelques minutes, de manière à éliminer une grande partie de l'eau contenue dans le support polyimide, à un dépôt de nickel en une couche suffisamment mince pour être poreuse, et à un deuxième traitement thermique, à une température comprise entre 1500C à 25O0C pendant une durée d'au moins une heure, l'ensemble de ces traitements permettant de déposer une couche métallique, par exemple d'or ou de cuivre, en une épaisseur qui peut atteindre plusieurs microns, sur les deux faces du support polyimide ainsi traité. Ce procédé est aussi caractérisé en ce que ledit support polyimide a été initialement percé par une solution de potasse et d'alcool, par exemple du propanediol 1-2, à travers un masque de laque photosensible, de manière à obtenir la répartition de trous souhaitée. La description suivante, en regard des dessins annexés, le tout donné à titre d'exemple non limitatif, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La figure 1 représente un circuit d'adressage, vu de dessus, réalisé suivant le procédé de l'invention. La figure 2 représente une coupe du circuit d'adressage de la figure précédente, suivant l'axe ss ss . Le polyimide se présente initialement sous la forme d'une couche mince de 25 à 50 microns. Après un nettoyage chimique initical, par exemple avec une solution de soude-phénol de manière à le rendre hydrophile en surface, le perçage des trous de connexion, dont le diamètre dans un cas de réalisation pratique était voisin de 80 microns, s'effectue à l'aide d'une solution chimique de potasse et d'alcool (par exemple du propanédiol 1-2), à travers un masque d'une laque photosensible donnant la répartition de trous souhaitée. Après un nettoyage chimique classique de manière à retirer la laque, le support polyimide est sensibilisé successivement dans un bain de chlorure stanneux, de nitrate d'argent et enfin dans une solution d'ions palladium. Conformément à l'invention, le support polyimide est alors soumis à un premier traitement athermique, consistant essentiellement en un chauffage de 100C à 1200C pendant dix minutes, ce qui permet d'éliminer une grande partie de l'eau contenue dans le support polyimide. Ledit support polyimide est ensuite trempé dans un bain classique de nickel chimique, de manière à déposer une couche de faio ble épaisseur, de tordre par exemple de 1000 A,qui rend possible du fait de sa porosité un deuxième traitement thermique de séchage, qui consiste essentiellement en un chauffage à une température comprise entre 1500 C et 2500 C, pendant une durée d'au moins une heure, de manière à éliminer complètement l'eau contenue dans le support polyi mide. L'ensemble de ces traitements permet alors de déposer électrolytiquement une couche métallique, par exemple d'or ou de cuivre, suffisamment conductrice qui peut atteindre plusieurs microns. il est donc possible de réaliser, à partir du support métallisé sur ses deux faces, des circuits, suivant une méthode classique, commençant par un masquage des surfaces à l'aide d'une laque photosensible qui laisse découverts les emplacements prévus des conducteurs. Les trous de connexion, initialement percés, se situent généralement aux intersections des conducteurs, situés sur la face inférieure et supérieure. Sur les emplacements non recouverts par la laque, de l'or (ou du cuivre) est déposé généralement par galvanoplastie, ltépaisseur de cette couche d'or (ou de cuivre) pouvant atteindre quelques microns. Les opérations suivantes consistent essentiellement en un retrait du masque de laque et en une attaque par un acide, généralement de l'acide nitrique dilué, qui laisse uniquement les surfaces recouvertes d'or (ou de cuivre). Les memes opérations sont réalisées simultanément sur l'autre face du support polyi mide, selon une orientation qui peut être différente, et les contacts désirés entre les deux réseaux de conducteurs sont réalisés à travers les trous initialement percés et métallisés. Le circuit selon la figure 1 est une vue de dessus d'un circuit d'adressage réalisé selon le procédé décrit ci-dessus. Le support polyimide est recouvert sur ses faces supérieure et inférieure par des rubans d'or conducteurs, respectivement 2 et 3, alors que des trous de connexion 4 et 5 permettent de réaliser des contacts entre les conducteurs choisis. Le circuit selon la figure 2, est une vue en coupe suivant l'axe A A de la figure précédente. Les références sont identiques sur les deux figures. REVENDICATIONS 1. Procédé de métallisation des deux faces d'un même support polyimide, ce support ayant été-initialement sensibilisé à l'aide d'une solution d'ions stanneux, puis de nitrate d'argent et activé à l'aide d'une solution d'ions palladium, ledit support devant être finalement recouvert par une couche de métal, caractérisé en ce que ledit support polyimide est soumis ensuite à un premier traitement thermique à une température voisine de 1000 C, pendant quelques minutes, de manière à éliminer une grande partie de l'eau contenue dans le support polyimide, à un dépôt de nickel en une couche suffisamment mince pour être poreuse, et à un deuxième traitement thermique, à une température comprise entre 1500 C à 2500 C pendant une durée d'au moins une heure, l'ensemble de ces traitements permettant de déposer une couche métallique, par exemple d'or ou de cuivre, en une épaisseur qui peut atteindre plusieurs microns, sur les deux fa- ces du support polyimide ainsi traité. 2. Procédé de métallisation selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit support polyimide a été initialement percé par une solution de potasse et d'alcool, par exemple du propanediol 1-2, à travers un masque de laque photosensible, de manière à obtenir la répartition de trous souhaitée, ce traitement étant compatible avec ledit procédé de métallisation. 3. Dispositif obtenu par la mise en oeuvre de l'un des procédés décrits dans la revendication 1 ou 2. 4. Dispositif obtenu par la mise en oeuvre du procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce qu'un réseau de conducteurs est réalisé sur chaque face du support polyimide, alors que des contacts sont réalisés à travers les trous initialement percés, ces contacts permettant une interconnexion entre des conducteurs situés sur des faces différentes. 5. Dispositif suivant la revendication 4, caractérisé en ce que lesdits conducteurs sont des rubans rectilignes, et parallèles entre eux, pour des conducteurs situés sur une meme face, alors que les deux-réseaux de conducteurs, situés sur des faces différentes, sont perpendiculaires entre eux. 6. Application d'un dispositif selon la revendication 3 ou 4, à la constitution d'un circuit d'adressage d'informations.