FR 2311102 A1 19761210 FR 7614037 A 19760511 La présente invention se rapporte à un procédé de formation d'un dépôt d'un métal et d'une substance de résine synthétique sur un substrat. Un procédé selon l'invention consiste à a) Introduire le substrat dans une chambre à vide, dans laquelle sont prévues l'anode et la cathode dsun circuit en courant continu à haute tension ; puis b) faire le vide dans la chambre et y introduire ungaz ionisable ; puis c) mettre sous tension ledit circuit, de façon à ioniser ledit gaz et à purifier la surface du substrat au moins à l'endroit où le dépôt doit être formé ; puis d) introduire dans la chambre une vapeur contenant ledit métal, afin de déposer le métal sur le substrat ; et e) introduire dans la chambre une vapeur contenant un monomère de ladite substance de résine synthétique, afin de déposer sur le substrat la substance de résine synthétique polymérisée. De préférence, l'opération (e) est effectuée après l'opération (d), de sorte que la substance de résine synthétique est déposée par-dessus le dépôt de métal. De préférence, après l'opération (e), le procédé inclut l'opération supplémentaire consistant à mettre à nouveau sous tension ledit circuit afin d'ioniser un gaz ionisable reçu à l'intérieur de la chambre. De préférence, le gaz ionisé durant ladite opération supplémentaire, est introduit dans la chambre après l'opération (e), le gaz ionisé durant l'opération (c) ayant été, préalablement aux opérations (d) et (e), éliminé de la chambre en faisant le vide. De préférence, ledit circuit est également mis sous tension durant l'opération (e). De préférence, ledit substrat est le corps d'un réflecteur de lampe, ledit métal est de l'aluminium, ladite substance de résine synthétique est du polydiméthyldisiloxane, et ledit monomère est de l'hexamethyldisiloxane. L'invention réside aussi dans un procédé de fabrication d'une lampe, comprenant les opérations suivantes effectuées dans l'ordre indiqué a) partir d'un corps de réflecteur de lampe et introduire le corps dans une chambre à vide, dans laquelle sont prévues l'anode et la cathode d'un circuit en courant continu à haute tension b) faire le vide dans la chambre et y introduire un gaz ionisable c) mettre sous tension ledit circuit, de manière à ioniser ledit gaz et à purifier la surface du corps au moins à l'endroit où le dépot doit être formé d) introduire dans la chambre une vapeur contenant de l'aluminium, afin de déposer de l'aluminium sur le corps e) introduire dans la chambre une vapeur contenant un monomère d'une substance de résine synthétique, afin de déposer la substance de résine synthétique polymérisée par-dessus le dépôt d'aluminium, ladite substance étant disposée de manière à produire par-dessus l'aluminium un revêtement transparent, résistant à l'oxydation f) mettre à nouveau sous tension ledit circuit, afin d'ioniser un gaz ionisable reçu à l'intérieur de la chambre et g) assujettir avec un adhésif une lentille au corps par l'intermédiaire du revêtement de résine synthétique. De préférence, ledit circuit est également mis sous tension durant l'opération (e). Le dessin ci-joint est une représentation schématique d'un appareil pour mettre en oeuvre un procédé selon un exemple de l'invention. En examinant les dessins dans l'exemple représenté, on cherche à fabriquer des lampes de véhicules routiers incluant une lentille (non représentée) assujettie à un réflecteur bombé, ce dernier étant sous la forme d'un corps 10, en métal ou en résine synthétique, revêtu au moins sur sa surface concave d'une couche réfléchissante, en aluminium. I1 est indispensable de protéger la couche d'aluminium avec un revêtement de résine synthétique, transparent, résistant à l'oxydation, et le rôle de l'appareil représenté consiste d'abord à recouvrir d'aluminium les corps 10 du réflecteur, puis à produire pardessus chaque couche d'aluminium le revêtement protecteur voulu. La substance de résine synthétique employée en tant que revêtement protecteur est normalement du polydimêthylsiloxane. L'appareil comprend une chambre 11, dans laquelle on fait le vide au moyen d'une pompe à diffusion et d'un compresseur Rootes qui sont indiqués collectivement en 12. Placée à l'intérieur de la chambre 11, se trouve la cathode 13 d'un circuit en courant continu à haute tension (3kV) ayant son alimentation 14 placée en dehors de la chambre 11 et connectée électriquement aux parois de la chambre ; ces parois sont mises à la terre afin de déterminer l'anode du circuit. Egalement placés dans la chambre 11 et installés au voisinage de la cathode 13, se trouvent une série de filaments résistifs 15, revêtus d'aluminium, qui sont connectés à une alimentation électrique convenable de façon à pouvoir être parcourus par un courant de chauffage afin d'introduire par évaporation de l'aluminium dans l'espace autour de la cathode 13.En service, les-corps 10 sont portés dans la chambre 11 par un support 9, qui peut être mis en rotation au moyen drun moteur électrique 8. En outre, la chambre 11 est reliée par l'intermédiaire d'une vanne de soutirage 16 à une source 17 d'hexaméthyldisiloxane, un monomère du polyméthyldisiloxane, et par l'intermédiaire d'une autre vanne de soutirage (non représentée) à une source d'un gaz ionisable qui sera normalement de l'argon. On décrira maintenant le fonctionnement-de l'appareil ci-dessus en se référant à la fabrication, en partant des corps 10, de lampes de véhicules routiers équipées de réflecteurs ayant une surface réfléchissante globale de 650 cm2. On enduitt d'abord les corps 10 de deux couches d'une laque, avantageusement celle qu'on peut se procurer auprès de Pinchin & Johnson sous la dénomination Highbuild 0301 C8004, chaque couche de laque étant étuvez pendant 6 minutes à 1900C. Puis, on charge les corps laqués dans la chambre 11 sur un support tournant (non représenté), après quoi on met sous tension la pompe à diffusion et la rotation du support commence. Quand le vide dans la chambre est inférieur à 10 4 torr, on ferme la vanne de commande de la pompe à diffusion, on branche le compresseur Rootes, et on ouvre la vanne de soutirage d'argon (non représentée) afin de fournir de l'argon a la chambre.On laisse la pression d'argon atteindre une valeur entre 30 et 40 microns de mércure, après quoi on connecte l'alimentation 14 de manière à produire une décharge luminescente autour de la cathode 13. Les surfaces des corps laqués 10 sont de ce fait bombardées avec des particules ionisées positives d'argon, dont le ralle est de purifier les surfaces. On laisse cette opération se poursuivre pendant 2 minutes, et, durant ce laps de temps, on contrôle la pression d'argon dans la chambre afin d'entretenir un courant de décharge de 90 mA. On déconnecte ensuite l'alimentation 14 pour éteindre la décharge luminescente, après quoi on ferme la vanne de soutirage d'argon et la vanne au compresseur Rootes. Lorsque l'opération de purification est achevée, on met à nouveau sous tension la pompe de diffusion afin d'abaisser la pression dans la chambre 11 au-dessous de 10 4 torr, après quoi on fait passer dans les filaments 15 le courant de chauffage pour introduire par évaporation de l'aluminium dans la chambre. La vapeur d'aluminium se dépose alors sur les surfaces purifiées des corps laqués 10, le courant de chauffage des filaments restant appliqué jusqu'à ce qu'une couche d'aluminium d'apaisseur entre 500 et 1000 2 se soit déposée sur chaque corps. Quand le revêtement désiré d'aluminium a été obtenu, on ferme de nouveau la vanne de commande de la pompe à diffusion, tandis qu'on ouvre la vanne au compresseur Rootes et la vanne de soutirage 16 d'hexaméthyldisiloxane. De l'hexaméthyldisiloxane entre de ce fait dans la chambre 11, la vanne 16 étant réglée de manière à ce que le débit de l'hexaméthyldisiloxane soit suffisant pour entretenir une pression entre 50 et 80 microns de mercure.A ce stade, on connecte à nouveau l'alimentation 14 de manière à produire une décharge luminescente autour de la cathode 13, grâce à laquelle l'hexaméthyldisiloxane se dépose en tant que polymère du polyméthyldisiloxane sur la couche d'aluminium de chaque corps 10. On maintient le courant de décharge de 90 mA durant la formation du dépôt, cette derniere étant achevée au bout de 5 minutes, au moment où on déconnecte l'alimentation 14 et on ferme la vanne 16. I1 serait possible, à ce stade, de retirer de la chambre 11 les corps 10 revêtus et, ensuite, d'assujettir une lentille à chaque corps afin de produire les lampes désirées. Toutefois, il a été trouvé que cette façon de faire posait un problème en ce sens qu'il était alors difficile d'obtenir un assemblage satisfaisant entre la lentille et le corps de lampe. C'est pourquoi, dans le but de supprimer cette difficulté, lorsque la formation du dépôt de polymère est achevée, au lieu de retirer de la chambre 11 les corps 10, on laisse marche le compresseur Rootes afin d'abaisser la pression de la chambre à moins dé 5 microns de mercure.Ensuite, on ouvre à nouveau la vanne de soutirage d'argon et, lorsque la pression d'argon a atteint une valeur stable entre 30 et 40 microns de mercure, on connecte à nouveau l'alimentation 14 afin de produire une décharge luminescente supplémentaire autour de la cathode 13. On poursuit cette décharge pendant 5 minutes supplémentaires, à nouveau à un courant de 90 mA, après quoi on déconnecte l'alimentation 14 et on ferme les vannes au compresseur Rootes et à la source d'argon. On arrête ensuite la rotation des corps 10 de sorte que, après avoir mis à l'air libre la chambre 11, on peut retirer les corps 10. I1 a été constate qu'en utilisant un adhésif il était possible de réaliser un assemblage satisfaisant entre chaque corps 10 et sa lentille associée. Un adhésif convenant à cet effet est la résine époxy en deux parties en poids fournie par Ashead et Radccliff sous la dénomination Type 226/210. REVENDICATIONS 1. Procédé de formation d'un dépôt d'un métal et d'une substance de résine synthétique sur un substrat, consistant à a) introduire le substrat dans une chambre à vide, dans laquelle sont prévues l'anode et la cathode d'un circuit en courant continu à haute tension ; puis b) faire le vide dans la chambre et y introduire un gaz ionisable ; puis c) mettre sous tension ledit circuit, de façon à ioniser ledit gaz et à purifier la surface du substrat, au moins à l'endroit où le dépôt doit être formé ; puis d) introduire dans la chambre une vapeur contenant ledit métal, afin de déposer le métal sur le substrat ; et e) introduire dans la chambre une vapeur contenant un monomère de ladite substance de résine synthétique, afin de déposer sur le substrat la substance de résine synthétique polymérisée. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en cé que l'opération (e) est effectuée après l'opération (d), de sorte que la substance de résine synthétique est déposée par-dessus le dépôt de métal. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce aue, après l'opération (e), le procédé inclut l'opération supplémentaire de mettre à nouveau sous tension ledit circuit afin d'ioniser un gaz ionisable reçu à l'intérieur de la chambre. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le gaz ionisé durant ladite opération supplémentaire, est introduit dans la chambre après l'opération (e), le gaz ionisé durant l'opération (c), ayant été, préalablement aux opérations (d) et (e), éliminé de la chambre en faisant le vide. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit circuit est également mis sous tension durant l'opération (e). 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit substrat est le corps d'un réflecteur de lampe, ledit métal est de l'aluminium, ladite substance de résine synthétique est du polyméthylsiloxane, et ledit monomère est de l'hexaméthyldisiloxane. 7. Procédé de fabrication d'une lampe, comprenant les opérations suivantes effectuées dans l'ordre indiqué a) partir d'un corps de réflecteur de lampe et introduire le corps dans une chambre à vide, dans laquelle sont prévues l'anode et la cathode d'un circuit en courant continu à haute tension; b) faire le vide dans la chambre et y introduire un gaz ionisable; c) mettre sous tension ledit circuit, de manière ioniser ledit gaz et à purifier la surface du corps au moins à 11 endroit où le dépôt doit être formé; d) introduire dans la chambre une vapeur contenant de l'aluminium, afin de déposer de l'aluminium sur le corps; e) introduire dans la chambre une vapeur contenant un monomère d'une substance de résine synthétique, afin de déposer la substance de résine synthétique polymérisée par-dessus le dépôt d'aluminium, ladite substance étant choisie de manière à produire pardessus l'aluminium un revêtement transparent, résistant à l'oxydation; f) mettre à nouveau sous tension ledit circuit, afin d'ioniser -un gaz ionisable reçu à l'intérieur de la chambre; et g) assujettir avec un adhésif une lentille au corps par l'interme- diaire d'un revêtement de résine synthétique. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que ledit métal est de l'aluminium, ladite substance de résine synthétique est du polydiméthyldisiloxane, et ledit monomère est de l'hexamethyldisiloxane. 9. Substrat sur lequel un métal et une substance de résine synthétique sont déposés en mettant en oeuvre un procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6. 10. Lampe fabriquée en mettant en oeuvre un procédé selon la revendication 7 ou la revendication 8.