FR 2334202 A1 19770701 FR 7635592 A 19761125 La présente invention concerne un procédé d-e préparation de matériaux a distribution de composition en volume prédéterminée et un dispositif de réalisation de ce procédé. Elle concerne notamment un procédé de préparation de structures a semi-conducteurs mésa et tridimensionnelles à hétérogénéité locale de composition et un dispositif de réalisation de ce procédé. L'invention peut entre utilisée en électronique des semiconducteurs, en optique, en optb-électronique, et intégration. On connaît largement le procédé de croissance épitaxiale d'éléments semi-conducteurs. Ledit procédé consiste en ce que lton transfère et on dépose une matière par réaction chimique de transfert en phase gazeuse, la source de matière et le substrat sur lequel on transfère la matière de la source étant disposés faible distance l'un de l'autre. Dans ledit procédé, on utilise comme source un lit comportant des sones, sous forme de pastilles de matière, qui diffèrent par leur type de onduction-cu par le degré de dopage dt au lit principal ambiant de la source. Les zones locales de la source dont la composition diffère de la composition de la substance environnante de la source ont des dimensions relativement importantes. Cela s'explique par la difficulté d'organiser une source à partir d'éléments semi-conducteurs isolés de compositions différentes lorsque lesdits éléments ont de perites dimensions. En outre, la fabrication desdits éléments de normes et de dimensions prédéterminees est un problème compliqué. On connaît également un procédé de préparation de structures a semi-conducteurs mésa et tridimensionnelles a hétérogénéité locale de composition qui consiste en ce que, par transfert e déport de matière au moyen de réactions chimiques de transfert #ì phase gazeuse, on fait croître sélectivement une couche de phosphure de gallium sur un support de silicium. A la surface de la plaque principale de silicium, on forme des zones locales de configuration prédéterminée par dépôt~ d'un masque protecteur en SiO trous, a la surface desquelles on produit la croissance d'une couche a partir de la matière d'une plaque-auxiliaire de phosphure de gallium. La plaque principale et la plaque auxiliaire sont disposées a proximité immédiate l'une de l'autre et de façon que leurs surfaces soient parallèles. Ce procédé est coûteux et compliqué, -car il prévoit le dépôt de masques sur des substrats-plaques principales et l'ouverture dans les masques de trous de formes et de dimensions prédéterminées, opération qu'il est indispensable d'effectuer pour chaque substrat-plaque principale séparément. Au cas où il-importe de pratiquer une croissance sélective multiple sur un même substrat-plaque principale, il est indispensable de répéter le même nombre d'opérations de dépôt de masques et d'ouverture de trous dans les masques. Pour refaire les opérations susdites, il faut interrompre la croissance, afin de décharger le réacteur de croissance épitaxiale, enlever l'ancien masque, appliquer un masque nouveau et remettre en place le substrat dans le réacteur de croissance épitaxiale. Ainsi, ce procédé n'est pas commode pour former de grandes structures tridimensionnelles à cause de son faible rendement et de son coût élevé. Ledit procédé permet également de réaliser, au moyen d'une réaction chimique de transfert en phase gazeuse, un enlèvement local de la matière de la plaque principale servant de substrat par variation du sens du gradient de température entre la plaque auxiliaire et le substrat-plaque principale. Dans l'exposé qui suit, cette opération sera appelée "gravure" et les creux ainsi obtenus "creux gravés". Toutefois, pour effectuer des gravures locales multiples d'une structure à traiter il est également indispensable d'appliquer plusieurs fois des masques et d'y pratiquer des trous. En outre, il est pratiquement impossible de régler le profil des zones en cas de croissance et de gravure locales, étant donné que la croissance et la gravure se déroulent-en règle générale de façon à obtenir une structure planar, à l'exception des couches qui présentent des défauts de structure consistant en l'apparition de figures dues a la croissance ou gravées. Ur inconvénient commun aux procédés indiqués tient également à la succession des opérations- qui visent à réaliser la croissance sélective. On rapproche l'un de l'autre, à froid, un substrat-plaque principale, revêtu d'un masque à trous ouverts, et une source-plaque auxiliaire en les plaçant dans un réacteur qui n'est pas étanche. Une fois créé dans le réacteur un milieu permettant de chauffer les deux plaques, on porte la plaque principale et la plaque auxiliaire à des températures permettant d'effectuer le transfert et le dépit de la matière de l'une des plaques sur l'autre et d'introduire un réactif véhicule. Une telle suite d'opérations ne permet pas d'aboutir à une épaisseur précise pour la couche obtenue par croissance, surtout lorsque cette épaisseur est très faible, par exemple de 0,3 à 3 microns. Cela est dû à une croissance non contrôle qui intervient pendant qu'on crée les conditions destinées à permettre le déroulement des réactions chimiques de transfert en phase ga#zeuse, c'est-à-dire pendant le laps de temps nécessaire, soit au remplissage du réacteur par le véhicule, soit au chauffage de la plaque principale et de la plaque auxiliaire jusqu'aux températures requises. On connaît d'autre part un dispositif destiné à la préparation des structures à semi-conducteurs mésa et tridimensionnelles qui permet de réaliser le procédé susdit, par transfert et dépit de matière avec mise en oeuvre de réactions chimiques de transfert en phase gazeuse, alors que la plaque principale et la plaque auxiliaire se trouvent à faible distance. Ledit dispositif #comprend un réacteur et des porte-plaques pour plaque principale et pour plaque auxiliaire disposées de manière que les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire soient parallèles et se trouvent à faible distance l'une de l'autre. Chaque porte-plaque est muni d'un élément chauffant destiné à créer la différence de température requise entre la plaque principale et la plaque auxiliaire. L'invention vise à mettre au point un procédé dont les opérations permettent de contrôler le profil des structures, d'utiliser une croissance et une gravure consécutives multiples dans un processus ininterrompu, et à réaliser ledit procédé dans un dispositif dont les éléments constructifs permettent de contrôler le profil des structures et d'utiliser une croissance et une gravure multiples et consécutives dans un processus unique. Dans le procédé de préparation de structures à semi-conducteurs tridimensionnelles et mésa par des réactions chimiques de transfert en phase gazeuse avec transfert et dépôt de matière, les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire sont disposées parallèlement et à proximité immédiate l'une de l'autre, l'une desdites plaques ayant une surface localement heterogène en composition, s-uivant l'invention Pour assurer le transfert et le dépat de matière par réaction chimique de transfert en phase gazeuse, on chauffe la plaque principale et la plaque auxiliaire en créant entre elles une différence de température qui assure le transfert de matière de l'une des plaques dans le sens requis, on remplit l'espace réactionnel avec un réactif véhicule gazeux, on réalise au moins un rapprochement de la plaque principale et de la plaque auxiliaire et un déplacement relatif de la plaque principale et de la plaque auxiliaire, de façon à amener en cotncidence au moins une fois des zones prédéterminées de la plaque principale avec des zones prédéterminées de la plaque auxiliaire qui forment des émissions de matière gazeuse dont le sens, la section droite et la composition sont ceux requis pour le transfert de matière d'une plaque à l'autre. La distance entre les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire est inférieure à la dimension minimale de la zone de composition homogène se trouvant à la surface de la plaque auxiliaire. Il est avantageux, suivant l'invention, pour préparer des structures à semi-conducteurs compliquées, telles que des jonctions homogènes du type p-n, non f et des jonctions hétérogènes variées, que les zones prédéterminées de la plaque principale et de la plaque auxiliaire amenées III V en coïncidence soient réalisées en Ge ou Si, ou en composés A B, ou en solutions solides de composés A111 BV, ou en composés Ail B#-, ou an Il Vi solutions solides de composés#A BV il est judicieux, suivant l'invention, pour obtenir une structure tridimensionnelle comportant une couche de composition déterminée, que la surface de la plaque auxiliaire entourant lesdites zones prédéterminées soit réalisée en Si02, ou en quartz, ou en Al2O3, ou en saphir. Il est rationnel, suivant l'invention, de faire en sorte, pour obtenir une structure mésa ou une structure tridimensionnelle de forme prédéterminée, que les zones prédéterminées de la plaque principale et de la plaque auxiliaire amenées en cotncidence aient une forme définie par la forme de l'hétérogénéité locale de la structure à obtenir. Il est avantageux également, suivant l'invention, pour obtenir une distance minimale entre les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire, à laquelle on réalise un profil plus précis de la structure, que les zones prédéterminées de la plaque auxiliaire, qui forment les émissions de matière ayant un sens, une section droite et une composition déterminés lors du transfert de matière d'une plaque à l'autre, soient approfondies au préalable par rapport à la surface restante de plus de 2 microns. Il est avantageux, suivant l'invention, pour produire une croissance et une gravure chimique consécutives dans un seul processus, sans traitement complémentaire de la surface de la plaque principale, des prendre au moins une plaque auxiliaire supplémentaire et dreffectuer le transfert et le dépôt de matière par des réactions chimiques de transfert en phase gazeuse en faisant alterner les plaques auxiliaires dans un ordre donné. Le dispositif destiné à la préparation des structures mésa et tridimensionnelles à hétérogénéité de composition, réalisant le procédé susdit, comporte un réacteur logeant une plaque principale et une plaque auxiliaire, qui sont munies chacune d'un élément chauffant et sont respectivement disposées sur la table du porte-plaque principal et sur la table du porte-plaque auxiliaire Le dispositif comporte, suivant l'invention, un mécanisme destiné àdéplacer l'une des plaques dans le plan horizontal, ledit mécanisme étant mécaniquement lié au porte-plaque correspondant, un autre mécanisme destiné à déplacer l'autre plaque dans les directions horizontale et verticale, mécaniquement lié au porte-plaque -correspondant, et un moyen de contrôle de la distance de séparation entre les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire qui a été réglée par le mécanisme-de déplacement de. l'une des plaques dans le plan horizontal et le mécanisme de déplacement de l'autre F-^que dans les directions horizontale et verticale La plaque principale et la ~aque auxiliaire: ainsi que leurs porte-plaques, ont des repères qui servent, lors du déplacement de la plaque principale et de la plaque auxiliaire l'une par rapport à L'autre, à orienter réciproquement ladite plaque principale et ladite plaque auxiliaire par rapport à leurs porte-plaques respectifs et les porte-plaques l'un par rapport à l'autre, ainsi qu'à amener en cotncidence les zones prédeterminées de la plaque principale et de la plaque auxiliaire. Il est avantageux, suivant l'invention, que le moyen destiné à contrôler la distance entre les surfaces de la plaque principale et de la p#laque auxiliaire comporte un cathétomètre disposé en dehors du corps du réacteur, dans lequel est pratiquée une fenêtre en un matériau optiquement transparent Il est extrsemement commode, suivant l'invention, de faire en sorte que, pour la réalisation du contrôle visuel de la distance entre les surfaces de La plaque principale et de la plaque auxiliaire, la fenêtre du corps de réacteur exécutée en un matériau optiquement transparent soit disposée en face de la plaque principale et de la plaque auxiliaire. Il est rationnel de faire en sorte, suivant l'invention, afin d'augmenter la précision du contrôle de la distance entre les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire, que le dispositif comporte additionnellement des repères respectivement disposés sur les tiges des porte-plaques pour plaque principale et pour plaque auxiliaire dont la position mutuelle permette de déterminer la distance entre les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire, ainsi qu'une fenetre pratiquée dans le corps du réacteur et exécutée en un matériau optiquement transparent, se trouvant en face des repères de niveau. Il est avantageux, suivant l'invention, pour obtenir des structures mésa et des structures tridimensionnelles à zones d'hétérogénéité locale de compositions différentes, que le dispositif ait au moins une plaque auxiliaire supplémentaire disposée sur la table du porte-plaque de la plaque auxiliaire. Il est avantageux, suivant l'invention, que la table du porteplaque de la plaque auxiliaire soit réalisée sous forme de disque. Il est également commode, suivant l'invention, que la table du porte-plaque de la plaque auxiliaire soit réalisée sous forme d'une table allongée. Il est judicieux, suivant l'invention, pour- augmenter la précision e la cotncidence entre les zones prédéterminées de la plaque principale et de la plaque auxiliaire, que ledit dispositif ait un moyen de contrôle de la cotncidence des repères de la plaque principale et de la plaque auxiliaire permettant d'orienter réciproquement la plaque principale et la plaque auxiliaire. Il est tout-à fait rationnel, suivant l'invention, que le moyen de contrôle de la cotncidence des repères de la plaque principale et de la plaque auxiliaire comporte une source de lumière et un récepteur de lumière, que, dans chacune des tables des porte-plaques. pour plaque principale et pour plaque auxiliaire, soit pratiqué au moins un orifice et que la source de lumière et le récepteur de lumière soient mutuellement disposés de façon que, lors de la mise en cotncidence des orifices des tables des porte-plaques de la plaque principale et de la plaque auxiliaire, la source de lumière, lesdits orifices et ledit récepteur de lumière se trouvent alignés sur un même axe. Il est avantageux, suivant l'invention, pour améliorer la précision du contrôle de la cotncidence des repères de la plaque principale et de la plaque auxiliaire, que chacune des tables principales des porteplaques de la plaque principale et de la plaque auxiliaire ait additionnellement une table complémentaire dont les repères sont mutuellement orientés relativement aux repères de la table principale associée, les tables complémentaires étant respectivement solidaires des tables principales de la plaque principale et de la plaque auxiliaire et étant disposées hors du corps du réacteur, afin de servir de moyen de contrôle de cotncidence des repères de la plaque principale et de la plaque auxiliaire. Il est commode, suivant l'invention, pour réaliser le contrôle direct de la cotncidence des zones prédéterminées de la plaque principale avec les zones prédéterminées de# chacune des plaques auxiliaires, que le dispositif ait des caches photographiques qui sont fixés sur les tables auxiliaires des porte-plaques de la plaque principale et de la plaque auxiliaire, et dont la disposition et le dessin correspondent à la disposition, la configuration et la répartition des hétérogénéités locales de la plaque correspondante. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description détaillée du procédé de préparation des structures à semi-conducteurs mésa et tridimensionnelles à hétérogénéité locale de composition, de plusieurs exemples de réalisation dudit procédé, du dispositif destiné à la préparation des structures mésa et tridimensionnelles permettant de réaliser ledit procédé et en se référant aux dessins annexés dans lesquels - la figure 1 représente une plaque principale et une plaque auxiliaire à surface hétérogène, caractérisant le procédé de préparation d'une structure à semi-conducteurs mésa, suivant l'invention (en axonométrie) - - la figure 2 représente une plaque principale et une plaque auxiliaire avant le transfert et le dépôt de la matière d'une des plaques à la surface de l'autre, caractérisant le procédé de préparation d'une structure à semi-conducteurs mésa, suivant l'invention (coupe longitudinale) - la figure 3 représente une autre version de la disposition de la plaque principale et de la plaque auxiliaire avant le transfert et le dépôt de la matière de l'une des plaques à la surface de l'autre, caractérisant le procédé de préparation d'une structure à semi-conducteurs mésa, suivant l'invention (coupe longitudinale) - la figure 4 représente une plaque principale et une plaque auxiliaire pendant le transfert et le dépôt de matière, caractérisant le procédé de préparation d'une structure obtenue par croissance épitaxiale, suivant l'invention (coupe longitudinale) ;; - la figure 5 représente une plaque principale et une plaque auxiliaire pendant le transfert et le dépôt de matière, caractérisant le procédé de gravure par transfert de matière d'un creux, suivant l'invention (coupe longitudinale)~; - la figure 6 représente une partie de plaque auxiliaire sur laquelle la zone formant une émission de matière gazeuse d'une des plaques, émission de sens et de section droite déterminés, est approfondie par rapport à la surface restante de la plaque auxiliaire, suivant l'invention (coupe longitudinale) ;; - la figure 7 représente une plaque auxiliaire en quartz poli à zones condensant les produits gazeux de la plaque principale, suivant l'invention (en axonômétrique) - la figure 8 représente une plaque principale et trois positions d'une plaque auxiliaire, caractérisant le procédé de contrôle du relief de la couche obtenue par croissance épitaxiale par déplacement relatif de la plaque principale et de la plaque auxiliaire dans la direction perpendiculaire à la surface de la plaque principale, suivant l'invention (coupe longitudinale) - la figure 9 représente une plaque principale portant une couche obtenue par croissance épitaxiale sous forme d'une lentille convexe, suivant l'invention (coupe longitudinale) - la figure 10 représente une plaque-principale et trois positions d'une plaque auxiliaire, caractérisant le procédé de contrôle du relief du creux gravé par déplacement relatif de la plaque principale et de la plaque auxiliaire dans la direction perpendiculaire à la surface de la plaque principale, suivant l'invention (coupe longitudinale) - la figure il représente une plaque principale à creux d'attaque gravé en forme de lentille concave, suivant l'invention (coupe longitudinale) - la figure 12 représente une plaque auxiliaire à la surface de laquelle a été déposé un masque protecteur à trous de formes variées, suivant l'invention (en axonométrie) ;; - la figure 13 représente une plaque principale et une plaque auxiliaire, caractérisant le procédé de préparation de couches allongées obtenues par croissance épitaxiale de relief prédéterminé, réalisées par déplacement relatif de la plaque principale et de la plaqu#e auxiliaire le long de la surface de la plaque principale en présence de trous ouverts de forme appropriée dans le masque protecteur de la surface de la plaque auxiliaire, suivant l'invention (e#n axonométrie) - la figure 14 représente une plaque principale avec des creux gravés allongés ayant des reliefs négatifs variés, obtenus par déplacement relatif de la plaque principale et de la plaque auxiliaire le long de la surface de la plaque principale en présence de zones de forme appropriée pouvant condenser les produits gazeux de la plaque principale à la surface de la plaque auxiliaire, suivant l'invention (en axonométrie) - la figure 15 représente une plaque principale et un masque protecteur à trou porté par la plaque auxiliaire, caractérisant le procédé de préparation de couches de croissance de hauteur variable le long de la couche par déplacement relatif de la plaque principale et de la plaque auxiliaire dont la surface porte un masque protecteur à trou rectangulaire, suivant l'invention (en axonométrie) - la figure 16 représente un graphique indiquant les variations de la vitesse #de déplacement du trou pratique dans le masque protecteur de la plaque auxiliaire par# rapport -à la surface de la plaque principale en fonction de la distance entre la projection dudit trou sur la surface de la plaque principale et un point conventionnellement choisi à sa surface, suivant l'invention ;; - la f#igure 17 représente une plaque principale portant une couche de croissance épitaxiale d'une hauteur variable selon sa longueur, suivant l'invention (en axonométrie) - la figure 18 représente un graphique des variations de la vitesse de déplacement d'un trou du masque protecteur de la plaque auxiliaire par rapport à la surface de la plaque principale, en fonction de la distance entre la projection dudit trou sur la surface de la plaque principale et un point conventionnellement choisi à sa surface, suivant l'invention ;; - la figure 19 représente une plaque principale & creux gravé allongé de profondeur variable selon la longueur dudit creux, suivant l'invention ten axonométrie avec coupe partielle) - la figure 20 représente une plaque principale et une plaque auxiliaire composée de deux matériaux semi-conducteu#rs différents pour le cas de préparation d'une couche de croissance de composition homogène, suivant l'invention (coupe longitudinale) - la figure 21 représente une plaque principale et une plaque auxiliaire composée de deux matériaux semi-conducteurs différents, caractérisant le procédé de préparation de couches de croissance de composition hétérogène à sa surface, suivant l'invention (coupe longitudinale) - la figure 22 représente une plaque principale et une plaque auxiliaire composée de deux matériaux semi-conducteurs différents, caractérisant le procédé de préparation d'une couche de croissance d'une composition homogène, suivant l'invention (coupe longitudinale) - la figure 23 représente une plaque principale et une plaque auxiliaire composée de deux matériaux semi-conducteurs différents, caracté risant le procédé de préparation d'une couche de croissance nouvelle à hétérogénéité locale de composition, suivant l'invention (coupe longitudinale) - la figure 24 représente une plaque principale et une plaque auxiliaire composée de deux matériaux semi-conducteurs différents en cas de préparation d'une seconde couche de croissance a hétérogéndité locale de composition, suivant l'invention (coupe longitudinale) f - la figure 25 représente une plaque auxiliaire composée de deux matériaux semi-conducteurs différents et une plaque principale à couche de croissance comportant une ligne de raccordement dont la composition diffère de la composition de ladite couche, suivant l'invention. (coupe longitudinale) - la figure 26 représente une plaque auxiliaire avec une zone d'hétérogénéité locale permettant d'obtenir une couche de croissance épitaxiale avec une ligne de raccordement sous forme de spirale, suivant l'invention (coupe longitudinale) -- la figure 27 représente une plaque principale avec une couche de croissance et une plaque auxiliaire avec une zone d'hétérogénéité locale, caractérisant le procédé de préparation d'une couche de croissance épitaxiale avec une ligne de raccordement sous forme de spirale, suivant l'invention (coupe longitudinale) - la figure 28 représente une plaque auxiliaire avec trois zones dthétérogénéité locale permettant d'obtenir une couche de croissance épitaxiale avec trois lignes de raccordement sous forme de spirales coaxiales de diamètres de spires différents suivant l'invention (vue de dessous);; - la figure 29 représente une plaque auxiliaire avec trois zones d'hétérogénéité locale permettant d'obtenir une couche de croissance épitaxiale avec trois lignes de raccordement ne se coupant pas, sous- forme de spirales -coaxiales de diamètres de spires égaux, suivant l'invention (vue de dessous) - la figure~30 représente une partie de plaque auxiliaire avec deux zones d'hétérogénéité locale permettant d'obtenir une couche de croissance épitaxiale avec deux lignes de raccordement sous forme de spirales à centres différents d'une forme identique de spires, suivant l'invention (vue de dessous) - la figure 31 représente une plaque prin#cipale à couche de croissance épitaxiale et une plaque auxiliaire avec une zone d'hétérogénéité locale, caractérisant le procédé de préparation d'une couche de croissance épitaxiale avec deux lignes de raccordement sous forme de spirales à centres différents d'une forme identique de spires, suivant l'invention (vue langitudinalet la la figure 32 représente une plaque principale caractérisant le premier stade du procédé de préparation d'une couche de croissance épitaxiale à l'aide de deux plaques auxiliaires, suivant l'invention (en axonométrie) ;; - la figure 33 représente une plaque principale caractérisant le second stade du procédé de préparation d'une couche de croissance épitaxiale à l'aide de deux plaques auxiliaires, suivant l'invention (en axonométrie) ; - la figure 34 représente une plaque principale à couches de croissance épitaxiale sous forme de bandes, caractérisant le premier stade du procédé de préparation d'une matrice de diodes à l'aide de deux plaques auxiliaires; suivant L'invention-(en axonométrie) - la figure 35 représente une plaque principale à couches de croissance épitaxiale de différents types de conduction sous forme de bandes, caracterisant le second stade du procédé de préparation d'une matrice de diodes à l'aide de deux plaques auxiliaires, suivant l'invention (en axonométrie) -- la figure 36 représente une plaque principale et une première plaque auxiliaire, caractérisant le premier stade de préparation d'une couche de croissance épitaxialesous forme d'une structure à deux couches à relief de surface prédéterminé, à l'aide de trois plaques auxiliaires, suivant l'invention (coupe longitudinale) - la figure 37 représente une plaque principale et une seconde plaque auxiliaire, caractérisant le second stade du procédé de préparation d'une couche de croissance épitaxiale sous forme d'une structure à deux couches à relief de surface prédéterminé à l'aide de trois plaques auxiliaires, suivant l'invention (coupe longitudinale) - la figure 38 représente une plaque principale et une troisième plaque auxiliaire, caractérisant le troisième stade d'un procédé de préparation d'une couche de croissance épitaxiale sous forme d'une structure à deux couches à relief de surface prédéterminé à l'aide de trois plaques auxiliaires, suivant l'invention (coupe longitudinale) ;; - la figure 39 représente une première plaque auxiliaire composée de deux matériaux semi-conducteurs permettant d'obtenir une couche de croissance épitaxiale au sein de laquelle est inclus un capteur de Hall à couches multiples, suivant l'invention (vue de dessous) ; - la figure 40 représente une seconde plaque auxiliaire organisée à base de deux matériaux semi-conducteurs permettant d'obtenir une couche de croissance epitaxiale au sein de laquelle est inclus un capteur de Hall à couches multiples, suivant l'invention (vue de dessous) - la figure 41 représente une plaque principale et une première plaque auxiliaire, caractérisant le premier stade du procédé de préparation d'une couche de croissance épitaxiale au sein de laquelle est inclus un capteur de Hall à couches multiples, suivant l'invention (coupe longitudinale) ;; - la figure 42 représente une plaque principale et une seconde plaque auxiliaire, caractérisant le second stade du procédé de préparation d'une couche de croissance épitaxiale au sein de laquelle est; inclus un capteur de Hall à couches multiples, suivant l'invention (coupe longitudinale a-a par la zone centrale d'hétérogénéité locale) - la figure 43 représente une plaque principale et une première plaque auxiliaire, caractérisant le troisième stade du procédé de préparation d'une couche réalisée par croissance épitaxiale au sein de laquelle est inclus un capteur de Hall à couches multiples, suivant l'invention (coupe longitudinale) ;; - la figure 44 représente une plaque principale et une seconde plaque auxiliaire, caractérisant le sixième stade du procédé de préparation d'une couche de croissance épitaxiale au sein de laquelle est inclus un capteur. de Hall à couches multiples, suivant l'invention (coupe longitudinale par la zone centrale d'hêtérogénéité locale) - la figure 45 représente une plaque principale caractérisant le sixième stade du procédé de préparation d'une couche de croissance épitaxiale au sein de laquelle est inclus un capteur de Hall à couches multiples, suivant l'invention (vue en coupe longitudinale b-b par la zone périphérique dthétérogénéité locale) - la figure 46 représente le schéma de principe d'un capteur de Hall à quatre couches inclus au sein d'une couche de croissance épitaxiale et obtenu à l'aide de deux plaques auxiliaires, suivant l'invention (en axonométrie) ~ la figure 47 représente un dispositif permettant d'obtenir une structure à semi-conducteurs mésa et tridimensionnelle a hétérogénéité locale, suivant l'invention (coupe longitudinale) ; - la figure 48 représente une channe cinématique d'-un mécanisme permettant le déplacement de l'une des plaques dans un plan horizontal, suivant .l?invention - la figure 49 représente une chaine cinématique d'un autre mécanisme destiné au déplacement de l'autre plaque dans les directions horizontale et verticale, suivant l'invention ;; - la figure 50 représente une table de porte#-plaque portant une plaque principale, suivant l'invention (vue de dessus) - la figure 51 représente ufie table de porte-plaque pour plaques. auxiliaires, réalisée sous forme d'un disque sur lequel sont placées quatre plaques auxiliaires, suivant l'invention (vue de dessous) - la figure 52 représente une vue d'ensemble du dispositif dans lequel la table de porte-plaque Les pI###as auxiliaires est rectangulaire, suivant ltinvention (coupe longitudinale) - la figure 53 représente la table allongée de porte-plaque pour plaques auxiliaires portant deux plaques auxiliaires, suivant-l'invention (en axonométrie) ; et - la figure 54 représente une autre variante de réalisation du dispositif suivant l'invention (en axonométrie). Suivant l'invention, le procédé de préparation de structures a semi-conducteurs mésa et tridimensionnelles à hétérogénéité locale de composition repose sur le transfert et le dépôt de matière par réaction de transfert chimique en phase gazeuse, 9lors que les surfaces d'une plaque principale 1 (figure i) et d'une plaque auxiliaire 2 sont disposées parallèlement entre elles et à proximité immédiate ( une distance inférieure å 2 mm). Au préalable, on crée a la surface de la plaque auxiliaire 2 des zones formant des émissions gazeuses de section droite déterminée.A cet effet, on applique à la surface de la plaque auxiliaire 2, réalisée en une matière nécessaire à la croissance sélective sur la plaque principale, un masque protecteur qui ne réagit pas avec le réactif véhicule gazeux. On pratiqu#e ensuite dans le masque protecteur 3, par un procédé connu de photolithographie, des trous 4 de forme déterminée qui constituent lesdites zones déterminées. On traite la plaque principale 1 de manière que sa surface supérieure se prete à l'exécution de la croissance-- épitaxiale. On place dans un espace réactionnel la plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 2 préparées et on les dispose à une distance supérieure à la dimension de la plaque principale 1 (figure 2). On peut aussi disposer la plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 2 de manière que la surface de la plaque principale 1 (figure 3) ne soit pas recouverte par la surface de la plaque auxiliaire 2, la distance entre les plans dans lesquels se trouvent les surfaces de la plaque principale L et de la plaque auxiliaire 2 étant inférieure à 1/5 de la dimension de la plaque principale. Une telle disposition de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 permet de prévenir un dépôt non contrôle de la matière de l'une des plaques à la surface de l'autre plaque en absence de conditions indispensables au transfert et au dépôt de la matière. Puis on remplit l'espace réactionnel d'un gaz inerte ou d'hydrogène. On chauffe ensuite la plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 2 en créant entre elles une différence de température qui permet de réaliser, àl'aide d'un réactif véhicule, le transfert de la matière de l'une des plaques à la surface de l'autre plaque. En présence d'une différence de température assurant le transfert de la matière de la plaque auxiliaire 2 à la surface de la plaque principale 1, il y a croissance épitaxiale sur la plaque principale 1.En présence d'une différence de température assurant le transfert de la matière de la plaque principale 1 vers la surface de la plaque auxiliaire 2, il y a un phénomène de gravure de la plaque principale 1. Après avoir obtenu la différence de température requise, on introduit dans l'espace réactionnel un réactif véhicule gazeux. On peut également remplir le volume réactionnel avec le réactif véhicule en mame temps qu'on commence le chauffage. A titre de réactif véhicule, on utilise les corps gazeux suivants H20, HC1, HI, I2, H2. Après avoir réuni les conditions permettant de réaliser le transfert de matière de la plaque auxiliaire 2 depuis les zones ouvertes (non protégées) de sa surface à la surface de la plaque principale 1, on rapproche la plaque principale 1 de la plaque auxiliaire 2 et on amène en cotncidence les trous 4 du masque protecteur 3 avec les zones prédéterminées de la surface de la plaque principale 1 sur lesquelles il faut produire la croissance sélective. Les zones prédéterminées de la surface de la plaque principale 1, dans le cas où la plaque entière a une composition homogène, sont représentées par la surface totale, et la venue an coincidence consiste en ce que la plaque auxiliaire 2 se trouve entièrement au-dessus-de la surface de#la plaque principale 1 et que les trous 4 sont disposés à une distance déterminée du bord de la plaque principale 1. Dans les cas où les zones de croissance sélective de la surface de la plaque prin#cipale 1 sont nettement définies, on les amène en coincidence avec les zones prédéterminées de la surface de la plaque auxiliaire. On dispose les surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 parallèlement l'une à Autre et à une distance inférieure à la dimension minimale séparant la zone de composition homogène de la surface de la plaque auxiliaire 2 (figure 4). Ce peut être une zone-ou une partie du trou 4 de la plaque auxiliaire 2 ainsi qu'une partie de surface du masque protecteur 3.Une telle distance entre les surfaces de la plaque principale I et de la plaque auxiliaire 2 permet de réaliser une bonne sélectivité de la croissance de la matière constituant la plaque auxiliaire 2 et de l'attaque, étant donné #que l'émission des produits gazeux depuis les parties ouvertes de la surface de la plaque auxiliaire 2 ne subit qu'un faible étalement dû à la diffusion en phase gazeuse. D'ailieurs, plus la distance entre les surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 est faible, meilleure est la conformité de la configuration de la couche 5 de croissance à la forme du trou 4 du masque protecteur 3 qui est à la surface de la plaque auxiliaire 2. On utilise la plaque auxiliaire 2 revêtue d'un masque protecteur 3 à trous ouverts 4 pour 10 à 30 opérations de croissance sélective. Pour réaliser la gravure locale de la matière de la plaque principale 1, on crée à la surface de la plaque auxiliaire 2 des zones capables de condenser la matière de la plaque principale l et qui forment des émissions de matière gazeuse d'une section déterminée, lors du transfert de la matière de la plaque principale I sur la plaque auxiliaire 2. Dans ce cas, tout aussi bien que dans celui de la croissance sélective, on applique à la surface de la plaque auxiliaire 2, exécutée en une matière capable de condens#er la matière de la plaque principale I, un masque protecteur 3, -notamrnent#en Si3N4 > Si02, AI203 > qui ne peut pas condenser la matière de la plaque principale 1 pendant le déroulement des réactions chimiques de transfert en phase gazeuse. Ensuite, on pratique dans le masque protecteur 3 des trous 4 de forme déterminée. Le forme de ces trous 4 doit correspondre à la forme des zones de gravure locale dans la plaque principale 1. De mEme que pour la croissance sélective, on place la plaque principale l et la plaque auxiliaire 2 dans l'espace réactionnel et on crée des conditions permettant le transfert et le dépôt de la matière de la plaque principale 1 sur la surface de la plaque auxiliaire 2, c'est-à-dire la différence de température nécessaire entre la plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 2, ainsi que la présence d'un réactif véhicule gazeux. Après avoir réalisé des conditions de ce type, on rapproche la plaque principale 1 de la plaque auxiliaire 2 et on amène en cotncidence les zones prédéterminées de la plaque auxiliaire 2, soit, dans le cas considéré, les trous 4 du masque protecteur 3 et les zones de surface de la plaque principale 1 où doit s'effectuer la gravure. Il se forme à la surface de la plaque principale 1 des creux 6 gravés (figure 5). Dans ce cas, tout comme pour le cas de la croissance sélective, la distance entre les surfaces de la plaque principale I et de la plaque auxiliaire 2 doit être inférieure à la dimension minimale de la zone à composition homogène de la surface de la plaque auxiliaire 2, et les surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 doivent être parallèles entre elles.Pareille distance permet d'obtenir une bonne sélectivité de gravure, étant donné que l'étalement par diffusion dé l'émission gazeuse depuis les zones de.la surface de la plaque principale 1 est peu important. L'absence d'enlèvement par gravure de la matière de la plaque principale 1 aux endroits recouverts par la surface de la plaque auxiliaire 2 revêtue d'un masque protecteur 3 s'explique par le fait que, sur le masque protecteur 3, il n'y a pas de dépit de matière de la plaque principale 1 et, par conséquent, il n'y a pas de conditions nécessaires à la marche des réactions de transfert en phase gazeuse réversibles. La matière de la plaque principale 1 ne se dépose que sur les trous 4 dans le masque 3 de la plaque auxiliaire 2, et il s'y forme alors une couche 7 composée de matière de la plaque principale 1. Les zones prédéterminées à superposer de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 sont réalisées en Ge, ou en Si, ou bien en composés A111 B, ou bien en solutions solides des composés A BV, ou en composés Ail lIV, ou en solutions solides des composés A gVI La surface de la plaque auxiliaire 2 entourant lesdites zones prédéterminées est réalisée en Six2, ou en quartz, ou en Au203, ou en saphir. Pour améliorer le pouvoir séparateur de la croissance sélective et de la gravure, on rend la distance entre Ies-surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire la plus petite possible. Toutefois, dans ce cas, la morphologie des couches de croissance sélective et la planéité de gravure se détériorent. Pour pallier à cet inconvénient, lorsqu'on cherche à obtenir une configuration précise des couches de crois sance et des creux gravés, on approfondit au préalable de plus de 2 microns par rapport à la surface restante, les zones prédéterminées 8 (figure 6) de la plaque auxiliaire 2 qui forment les émissions de matière ayant un sens, une section droite et une composition déterminés lors du transfert de la matière d'une plaque à l'autre. On procède à cet approfondissement soit à l'aide de réactifs chimiques d'attaque avant la mise en place dans le réacteur, soit par attaque gazeuse dans le réacteur immédiatement avant de produire la croissance ou la gravure sélective. Pour augmenter la durée et le nombre des utilisations du matériau de la plaque auxiliaire 2 (figure 7) possédant des zones prédéterminées qui forment les émissions de matière gazeuse ayant un sens, une section droite et une composition déterminés lors du transfert de matière d'une plaque à l'autre et qui peuvent condenser les produits gazeux de la plaque principale l, on réalise également la plaque auxiliaire 2 en matière chimiquement stable ne réagissant pas avec le réactif véhicule gazeux, et on réalise les zones qui provoquent l'émission des produits gazeux de la plaque principale L en une matière pouvant condenser les produits gazeux de la plaqu#e principale I que l'on dépose à la surface 10 de la plaque auxiliaire 2. C'est ainsi que l'on dépose par vaporisation8 la surface polie 10 de la plaque 2 en quartz des zones locales 9, notamment en or ou en graphite, d'une épaisseur de 500 à 1000- A. Pour obtenir le relief nécessaire de la couche de croissance2 lors d'une ctoissance selective, et du creux gravé, en cas de gravure, on effectue un déplacement relatif de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 dans une direction perpendiculaire à la surface de la plaque principale 1, ainsi que le long de la surface de la plaque principale 1. Quand on effectue le déplacement relatif de la plaque principale et de la plaque auxiliaire 2 dans une direction perpendiculaire à la surface de la plaque principale l, on contrôle le relief de la couche de croissance, en cas de croissance sélective, et du creux gravé, en cas de gravure, en utilisant la relation entre, d'une part, l'étalement par diffusion de l'émission gazeuse dirigée à partir des zones prédéterminées de la plaque auxiliaire 2, en cas de croissance sélective, et vers les zones prédéter- minées de la plaque auxiliaire 2, en cas de gravure, et, d'autre part, la distance entre les surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2.Lorsque cette distance diminue, on réduit le domaine vers lequel on transporte la matière de la plaque auxiliaire 2 par le trou 4 pratiqué dans le masque protecteur 3. ta figure 8 représente trois positions 3', 3", 3"' du masque protecteur 3 de la plaque auxiliaire 2 et, respectivement, les positions du trou 4 par lequel arrive la matière de la plaque auxiliaire 2 à la surface de la plaque principale 1. Lorsqu'on crée des conditions assurant le transfert de matière de la plaque auxiliaire 2 sur la plaque principale 1, si la plaque auxiliaire 2 occupe la position 3', il se forme à la surface de la plaque principale 1 une couche de croissance 11. Si la plaque auxiliaire 2 occupe la position 3" , il se forme à la surface de la plaque principale 1 une couche de croissance 11' et, si la plaque auxiliaire 2 occupe la position 3"'; il se forme à la surface de la plaque principale 1 une couche de croissance 11". Ainsi, pour obtenir un îlot mésa 12 (figure .9) sous forme d'une lentille convexe, on déplace la plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 2 à la rencontre l'une de l'autre dans une direction perpendiculaire à la surface de la plaque principale 1. Lorsqu'on crée des conditions permettant d'effectuer le transfert de la matière de la plaque principale 1 à la surface de la plaque auxiliaire 2, on règle également le relief du creux gravé. Dans ce cas, on utilise la relation entre la superficie de gravure de la plaque principale 1 et la distance entre la superficie de la plaque principale 1 et le trou 4 de la surface de la plaque auxiliaire 2. La figure 10 représente les trois positions 3', 3", 3"'# du masque-protecteur 3 de la plaque auxiliaire 2. Si la plaque auxiliaire 2 occupe la position 3', il se forme à la surface de la plaque principale 1 une zone de gravure 13. Si la plaque auxiliaire 2 occupe la position 3", il se forme àla surface de la plaque principale 1 une zone de gravure 13' et, si la plaque auxiliaire 2 occupe la position 3", il se forme à la surface de la plaque 1 une zone de gravure 13". Ainsi, pour obtenir un creux gravé 14 (figure 2) en forme de lentille concave, on déplace la plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 2 à la rencontre l'une de l'autre dans une direction perpendiculaire à la surface de la plaque principale 1. En déplaçant la plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 2 parallèlement l'une à l'autre, on crée le relief prédéterminé de la couche de croissance, en cas de croissance sélective, et de la zone de gravure, en cas de gravure, exécutées sous forme d'plots allongés en cas de la croissance sélective et sous-forme de creux en cas de gravure. Pour obtenir la forme requise de la section droite d'un ilot allongé en cas de croissance sélective, on pratique dans le masque protecteur 3 (figure 12) de la plaque auxiliaire 2 des trous 15, 16, 17 de forme appropriée à travers lesquels 11 émission gazeuse de la matière de la plaque auxiliaire 2 parvient à La surface de la plaque principale 1. On rend la distance entre Les surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 la plus petite possible pour qu'on puisse réaliser librement le déplacement relatif des plaques l'une par rapport à l'autre. La création d'une forme de section droite nécessaire d'un pilot allongé, en cas de croissance sélective, dépend du réglage de la durée de séjour des zones correspondantes, limitées par les trous 15, 16, 17 du masque protecteur 3 de la plaque auxiliaire 2, dont la matière est transférée à la surface de la plaque principale 1, au voisinage des zones correspondantes de la surface de la plaque principale 1.On y parvient grâce à la~forme déterminée des trous 15, 16, 17 pratiqués dans le masque protecteur 3, ainsi que par la direction du déplacement de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 l'une par rapport a l'autre. Quand on utilise une plaque auxiliaire 2 ayant à sa surface, dans le masque protecteur 3, un trou 15 rectangulaire et que l'on déplace la plaque auxiliaire 2 relativement à la plaque principale 1 le long d'un des c#tés-du rectangle, il se forme par croissance sélective un ilot allongé 18 (figure: 13) de section droite rectangulaire. Lorsqu'on utilise une plaque auxiliaire 2 ayant un trou 16 de forme circulaire dans sa surface (figure 12), il se forme dans le masque protecteur 3 un tlot allongé 19 (figure 13) en ~forme de segment cylindrique. Pareille forme de section s'obtient pour toute direction des déplacements relatifs de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 le long de la surface de la plaque principale. Forsquton utilise une plaque auxiliaire 2 ayant un trou 17 (figure 12) de forme triangulaire à sa surface dans le masque protecteur 3, il se forme un îlot allongé 20 (figure 13) de-section droite .triangulaire. Par un choix approprié de la direction de déplacement de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 l'une par rapport à l'autre et par celui de la forme du trou du masque protecteur 3 réalisé à la surface de la plaque auxiliaire 2, on crée un îlot allongé de section droite plus compliquée lors de lacroissance sélective. Pour obtenir un relief déterminé ou une forme de section déterminée du creux gravé allongé, on crée entre la plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 2 la différence de température nécessaire au transfert de la matière de la plaque principale 1 à la surface de. la plaque auxiliaire 2. On crée à la surface de la plaque auxiliaire 2, par l'un des procédés indiqués ci-dessous, des zones pouvant condenser les produits gazeux de la matière de la plaque principale 1. Tout comme dans le cas de l'obtention des ilots allongés en cas de croissance sélective, on crée une forme de section imposée du creux gravé, en choisissant la forme des zones condensant les produits gazeux de la matière de la plaque principale 1 et la direction de déplacement de la plaque principale 1 par rapport à la plaque auxiliaire 2. On prend la plus petite distance possible entre les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire, par exemple de 1 à 5 microns. Quand on utilise une plaque auxiliaire 2 sur laquelle a été exécutée une zone prédéterminée de forme rectangulaire condensant la matière gazeuse de la plaque principale 1 et lorsqu'on effectue le déplacement relatif de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2, il se forme le long de l'un des côtés du rectangle un creux gravé allongé 21 (figure 14) de section droite rectangulaire. Quand on utilise une plaque auxiliaire 2 portant à sa surface une zone en forme de cercle pouvant condenser la matière gazeuse de la plaque principale I, il se forme un creux gravé 22 allongé dont la section droite est un segment cylindrique. La direction du déplacement relatif de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 le long de la surface de la pIaque# principale 1 peut être dans ce cas quelconque. Quand on utilise une plaque auxiliaire 2 portant à sa surface une zone de forme triangulaire pouvant condenser la matière gazeuse de la plaque principale 1, il se forme un creux gravé allongé 23 dont la section droite est triangulaire. La forme triangulaire de la section droite du creux gravé allongé 23 est définie aussi bien par la forme du triangle placé à la surface de la plaque auxiliaire 2 que par la direction du déplacement relatif de la plaque principale L et de la plaque auxiliaire 2. En sélec-tionnant de façon appropriée la forme des zones de la surface de la plaque auxiliaire 2 qui peuvent condenser la matière gazeuse de la plaque principale I, et la direction du déplacement relatif de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2, on crée un creux de section droite plus compliquée. En déplaçant La plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 2 l'une par rapport à l'autre lorsque la surface de la plaque auxiliaire est recouverte d'un masque protecteur 3 à trous ouverts, on crée de même, en cas de croissance sélective, des ilots allongés dont la hauteur est variable dans lrune des directions. La figure 15 représente la disposition de la plaque principale 1 et du masque 3 avec un trou 24 ouvert formé dans la surface de la plaque auxiliaire. En cas de croissance sélective, on crée une différence de température entre la plaque principale let la plaque auxiliaire Z qui assure le transfert sur la plaque principale 1 de la matière de la plaque auxiliaire 2, dont la surface porte le masque 3 doté du trou ouvert 24. Ensuite, on déplace la plaque auxiliaire 2 et la plaque principale# 1 l'une par rapport à l'autre d'après une loi définie par le graphique de la vitesse de déplacement de la plaque auxiliaíre 2 par rapport à la surface de la plaque principale 1 en fonction de la position du trou 24 à la surface de la plaque auxiliaire 2. Ce graphique est représenté sur la figure 16 où l'on a porte en ordonnées la vitesse des déplacements de la plaque auxiliaire 2 par rapport à la surface de la plaque principale 1, tandis qu'en abscisses on a porté la distance entre le trou 24 et un point conventionnellement choisi de la plaque principale 1. Lorsque la vitesse de déplacement de la plaque auxiliaire 2 par rapport à la surface de la plaque principale I varie d'après cette loi, il se forme à la surface de la plaque principale I une couche de croissance 25 (figure -17) caractérisée par une hauteur variable suivant la longueur de la couche. Ainsi, la vitesse de déplacement de la plaque auxiliaire 2 relativement à la surface de la plaque principale 1 d'après une loi donnée permet de régler la hauteur de la couche de croissance suivant sa longueur. Quand on forme une différence de température entre la plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 2 qui assure le transfert de la matière de la plaque principale 1 à la surface de la plaque auxiliaire 2, on crée, par déplacement de la plaque auxiliaire 2 portant le trou 24 à sa surface dans le masque protecteur 3 et de la plaque principale 1 l'une par rapport à l'autre, un creux gravé ayant un relief négatif prédéterminé. La profondeur du creux gravé à la surface de la plaque principale 1 est proportionnelle à la durée de séjour du trou 24 au voisinage du site dudit creux et, par conséquent, inversement proportionnelle à la vitesse de déplacement du trou 24 relativement à la surface de la plaque principale L. La plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 2 se déplacent l'une'par rapport à l'autre d'après une loi définie par le graphique de la vitesse V des déplacements de la plaque auxiliaire 2 par rapport à la surface de la plaque principale 1 en fonction de la position du trou 24 pratique à la surface de la plaque auxiliaire 2. Ce graphique est représenté sur Z figure 18 où l'on apporté en ordonnées la vitesse V des déplacements de la plaque auxiliaire 2 relativement à la surface de la plaque principale 1 et, en abscisses, la distance entre le trou 24 et un point conventionnellement choisi à la surface de la plaque principale 1.Lorsque des variations de la vitesse des déplacements de la plaque auxiliaire 2 relativement à la surface de lsvplaque principale 1 ont lieu suivant la loi susdite, il se forme à la surface de la plaque principale 1 un creux gravé 26 (figure 19) de profondeur variable suivant sa longueur. Ainsi, par un choix approprié de la forme du trou pratiqué dans le masque protecteur et par variation de la vitesse de déplacement relatif dudit trou le long de la surface de la plaque principale 1, on crée n'importe quel relief négatif de creux gravé à la surface de la plaque principale 1. Pour créer des structures à semi-conducteurs planars et tridimensionnelles, on utilise également à titre de plaques auxiliaires des plaques composées en matériaux semi-conducteurs variés. Ceci permet de réaliser une croissance épitaxiale simultanée d'une couche continue en deux matériaux semi-conducteurs différents, ou davantage, à zones d'hétérogénéité de configurations variées sur 'la surface totale de la plaque principale ou sur une de ses parties. Dans ce cas, l'émission de matière gazeuse dirigée depuis la totalité de la surface de la plaque auxiliaire composée est constituée d'émissions isolées dont la composition et la section droite sont définies par la composition et la forme des zones déterminées de la surface de la plaque auxiliaire.Quand on utilise des plaques auxiliaires composées de matériaux semi-conducteurs variés, la croissance épitaxiale à la surface de la plaque principale se produit sur la totalité de sa surface recouverte par la surface de la plaque auxiliaire. Pour obtenir une couche de croissance à la surface de la plaque principales dans laquelle la répartition de la composition -doit correspondre à la répartition de la composition à la surfaCe de la plaque auxiliaire, on maintient la distance entre les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire à une valeur inférieure à la dimension minimale de la zone d'une même composition de la surface de la plaque auxiliaire.Plus cette distance est faible, mieux on arrivez reproduire dans la couche obtenue par croissance épitaxiale la loi de variation de composition de la surface de la plaque auxiliaire. On effectue la préparation de la plaque auxiliaire à surface hétérogène en composition par assemblage mécanique. On effectue ledit assemblage en matériaux semi-conducteurs qui se distinguent par leur composition, par leur degré de dopage, par leur type de conduction, par leur conductibilité électrique. On assemble mécaniquement les plaques auxiliaires à partir d'ébauches de forme et de composition-adequates; réalise une telle composition avec des dimensions d'ébauches au moins égales à 500 à 1000 microns. L'assemblage d'ébauches de dimensions moindres demande beaucoup de travail et n'est pas avantageux. On peut effectuer la préparation d'une plaque auxiliaire à surface de composition hétérogène en pratiquant également la croissance sélective d'un matériau semi-conducteur à la surface d'un autre.On utilise ce procédé dans le cas où il est indispensable d'assembler des plaques auxiliaires d'une configuration compliquée#'hétérogénéités locales ou d'une hétérogénéité locale inférieure à 500 microns. S'il s'agit de créer une plaque auxiliaire composée de plus de deux matériaux semiconducteurs, on procède à la croissance sélective de chacun des matériaux susdits. En utilisant une plaque auxiliaire assemblée de matériaux semiconducteurs différents, on obtient des couches de croissance ayant une structure tridimensionnelle. A cet effet, on déplace la plaque principale et la plaque auxiliaire aussi bien dans une direction perpendiculaire à la surface de la plaque principale que parallèlement ltune à l'autre. Au cours du déplacement mutuel de la plaque principale et de la plaque auxiliaire, on maintient pendant un certain laps de temps la distance entre les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire à une valeur inférieure à la dimension minimale d'une zone d'une certaine composition de la surface de la plaque auxiliaire. On amène dans ce cas en cotncidence les zones déterminées de la plaque auxiliaire avec les zones déterminées de la plaque principale. Par rapprochement périodique de la plaque principale et de la plaque auxiliaire dans une direction perpendiculaire à la surface de la plaque principale, on obtient une structure tridimensionnelle dans laquelle se répètent périodiquement, dans le sens de la croissance, les couches dont la répartition d'hétérogénéités locales est analogue à la répartition des hétérogénéités locales de la surface de la plaque auxiliaire. Pour obtenir une couche de croissance ayant une telle structure, on assemble la plaque auxiliaire 2 (figure 20) à partir de deux matériaux semi-conducteurs différents. C'est ainsi que la plaque-àuxiliaire 2 exécutée en un matériau semi-conducteur, notamment en arséniure de gallium du type de conduction n ou p, a des zones 27 d'hétérogénéités locales réalisées en un autre matériau semi-conducteur, par exemple en une solution solide GaP AsI x du type n ou p, x-étant la part molaire. Lorsque la distance entre la plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 2 est supérieure à la dimension maximale de la zone d'une même composition de la surface de la plaque auxiliaire 2, on obtient une couche de composition homogène réalisée par croissance épitaxiale 28. L'homogénéité de la composition est due à la diffusion et au mélange des émissions gazeuses orientées depuis les zones des surfaces de compositions différentes, Lorsqu on rapproche les surfaces de la plaque principale 1 (figure 21) et de la plaque auxiliaire 2 à une distance inférieure la dimension. minimale de la zone d'une même composition à la surface de la plaque auxiliaire 2, on obtient sur la plaque principale 1 une couche de croissance 29 où la répartition à la surface des zones d'une même composition ainsi que la forme desdites zones sont identiques à celles de la surface de la plaque auxiliaire 2. Après l'obtention d'une couche de croissance 29 d'une épaisseur prédéterminée, on augmente la distance entre les surfaces de la plaque auxiliaire 2 (figure 22) et de la plaque principale 1 en la rendant identique à celle du cas correspondant à la figure 20. Pour cette distance, on obtient une seconde fois une couche de croissance 28 (figure 22) de composition homogène. En rapprochant et en éloignant périodiquement les surfaces de la plaque auxiliaire 2 de la plaque principale 1, comme indiqué sur les figures 20 et 21, on fait croître la structure tri dimensionnelle dans laquelle on fait alterner périodiquement les couches 28 et 29- dans la direction de la croissance, chacune des couches 29 ayant également une répartition de l'hétérogénéité dans la direction perpendi culaire à la direction de croissance. Pour obtenir des structures de croissance épitaxiale dans lesquelles les zones de composition identique sont disposées sous un certain angle par rapport à la direction de croissance# et ne cotncident pas avec la direction de croissance, on déplace la plaque auxiliaire 2 composée de deux matériaux semi-conducteurs le long de la surface de croissance. C'est ainsi que la plaque auxiliaire 2 (figure 23) exécutée en un seul matériau semi-conducteur, par exemple en arséniure de gallium du type n ou p, a des zones 30#d'hétérogénéités locales réalisées en un autre matériau semi-conducteur, par exemple en une solution solide GaP As du type de conduction n ou p. Dans ce cas, on rend la distance entre les surfaces de la plaque #principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 inférieure à la dimension minimale de la zone 30 d'hétérogénéité locale de la surface de la plaque auxiliaire 2. Si, au cours de leur déplacement, la plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 2 sont~dispasées l'une par rapport à l'autre de la manière indiquée sur la figure 23, on obtient une couche de croissance 31 qui est une réplique de la surface de la plaque auxiliaire 2 et qui se compose du matériau semi-conducteur de la plaque auxiliaire proprement dite 2 avec une zone 30' d'hétérogénéité locale. Après l'obtention de la couche de croissance 31, on décale la plaque auxiliaire 2 le long de la surface de la plaque princi pale 1 d'une# distance inférieure à la dimension de la zone 30 à la surface de la plaque auxiliaire 2, comme c#'est indiqué sur la figure 24.Il se forme en conséquence à la surface de la plaque principale 1 une couche de crois sance 32 qui est également une réplique de la surface de la plaque auxiliaire 2 et qui se compose du matériau semi-conducteur de-la plaque auxiliaire 2 proprement dite avec une zone 3Ott d'hétérogénéité locale. En effectuant des déplacements multiples de ta plaque auxiliaire 2 le long de la surface de la plaque principale 1 dans une même. direction, on obtient une couche de croissance épitaxiale 33 (figure 25) qui se compose du matériau semi-conducteur constituant la plaque auxiliaire 2 proprement dite et au sein de laquelle sont disposées l'une au-dessus de l'autre les zones d'hétérogénéités locales 30', 30", 30"' .. . 30n. Au total, les zones d'hétérogénéités locales 30', 30tut, 30"' .... 30n forment une zone 34 en matériau semi-conducteur d'une même composition, disposée sous un certain angle par rapport à la direction de croissance épitaxiale de la couche 33. Pour éliminer une variation de composition échelonnée suivant la longueur de l'hétérogénéité locale, on déplace en continu et à une vitesse déterminée la plaque auxiliaire 2 le long de la surface de la plaque principale 1. La zone 34 en matériau semi-conducteur d'une même composition est une ligne de raccordement au sein du matériau semi-conducteur qui constitue la plaque auxiliaire 2. Les lignes de raccordement peuvent avoir d'ailleurs une configuration plus compliquée, ce qui permet de les utiliser pour la commutation électrique et optique des diverses zones dans le volume de la structure de croissance épitaxiale. On peut obtenir ainsi une ligne de raccordement sous forme d'une spirale continue réalisée en un matériau semi-conducteur et placée au sein d'un autre matériau semi-conducteur. A cet effet, on utilise une plaque auxiliaire 2 réalisée en arséniure de gallium du type n dopé au tellure avec une zone 35 d'hétérogénéité locale (figure 26) réalisée en arséniure de gallium du type p dopé au germanium. On fait tourner la plaque auxiliaire 2 autour d'un axe 36 qui ne doit pas traverser la zone 35 d'hétérogénéité locale, à la suite de quoi on obtient à la surface de la plaque principale 1 une couche de croissance épitaxiale 37 (figure 27) en matériau semi-conducteur de la plaque auxiliaire 2 proprement dite au sein de laquelle une zone dthétérogéndité locale 38 réalisée en un autre matériau semi-conducteur est répartie sous forme d'une ligne-spirale continue. Le nombre de spires de ladite spirale est égal au nombre de tours de la plaque auxiliaire 2 relativement à la surface de la plaque principale 1. Pour obtenir plusieurs lignes spirales coaxiales continues de diamètres différents, exécutées en un matériau semi-conducteur, on utilise une plaque auxiliaire 2 avec plusieurs zones d'hétérogénéités locales. Pour obtenir trois lignes spirales continues de diamètres différents, on utilise une plaque auxiliaire 2 (figure 28) réalisée en un même matériau semi-conducteur dans laquelle des zones 39', 39", 39"' d'hétérogénéités locales sont réalisées en un autre matériau. Chacune des zones 39', 39", 39"' est disposée ê une distance adéquate par rapport à l'axe de rotation 36 de la plaque auxiliaire 2. Pour obtenir plusieurs lignes spirales coaxiales continues ne se coupant pas, d'une même diamètre, réalisées en un même matériau semiconducteur, on-utilise une plaque auxiliaire 2 (figure 29) composée de la manière suivante : la plaque auxiliaire 2 proprement dite est réalisée en un matériau semi-conducteur au aein duquel sont disposées à égale distance par rapport à l'axe de rotation 36 des la plaque auxiliaire 2 les n zones d'hétérogénéités locales 40', 40", 40"'... 40. On peut obtenir également plusieurs-lignes spirales non coaxiales continues qui ne se coupent pas, d'une forme identique et d'une même dimension de spires, réalisées en un matériau semí-conducteur et logées au sein d'un autre matériau semi-conducteur. C'est ainsi que, pour obtenir deux lignes spirales non coaxiales continues de même forme et de même dimension de spires, on compose la plaque auxiliaire 2 de la manière suivante : la plaque auxiliaire 2 proprement dite est en un matériau semi-conducteur au sein duquel se situent des zones 41' et 41" (figure 30) dlhetérogenéités locales réalisées en un autre matériau semi-conducteur. Au cours de la croissanc#e, on déplace la plaque auxiliaire 2 relativement à la surface de la plaque principale l, dé manière que les zones 41' et 41" d'hétérogénéités locales se déplacent suivant une trajectoire carrée.A la suite d'un tel déplacement, il se forme à la surface de la plaque principale l une couche de croissance épitaxiale 42 (figure 31) réalisée en matériau semi-conducteur de la plaque auxiliaire 2 proprement dite au sein de laquelle une zone d'hétérogénéité locale 43, réalisée en un autre matériau semi-conducteur, est répartie sous forme d'une ligne spirale continue#. Lorsque la conductibilité électrique du matériau semi-conducteur à partir duquel sont réalisées les zones 41' et 4111 dépasse d'au moins 4 à 5 ordres de g#randeur la conductibilité du matériau semi-conducteur à partir duquel est réalisée la plaque auxiliaire 2 proprement dite, on obtient des inductances qui sont utilisées dans des circuits intégrés. Par utilisation de plusieurs plaques auxiliaires réalisées en matériaux semi-conducteurs variés et comportant des masques protecteurs à trous de configurations variées, on obtient des structures tridimensionnelles. A cet effet, on amène successivement dans un ordre déterminé à la surface de la plaque principale des plaques auxiliaires sur lesquelles sont réalisées des zones permettant l'émission de la matière d'une des plaques dans une direction déterminée. Pour une croissance sélective, on amende à la surface de la plaque principale une plaque auxiliaire à une température qui permette de réaliser la différence de températures entre la plaque principale et la plaque auxiliaire à la surface de la plaque principale. Pour réaliser une gravure sélective, on amène à la surface de la plaque principale une plaque auxiliaire dont la #température permet de créer la différence de température entre la plaque principale et la plaque auxiliaire indispensable au transfert de la matière de la plaque principale à la surface de la plaque auxiliaire. Pour obtenir une structure déterminée composée de plusieurs zones sélectives isolées, on rapproche chaque plaque auxiliaire de la surface de la plaque principale et on fait coïncider les zones déterminées de la surface de la plaque auxiliaire (trous dans le masque## protecteur) avec les zones prédéterminées de la surface de la plaque principale qui sont les couches épitaxiales de configuration déterminée, obtenues au moyen de la plaque auxiliaire précédente. En cas d'une corncidence de ce genre, on maintient la distance entre la surface de la plaque principale et celle de la plaque auxiliaire inférieure à la dimension minimale de la zone d'une même composition de la surface de la plaque auxiliaire. Cette distance minimale est soit la dimension minimale du trou pratiqué dans le masque protecteur, soit la distance minimale entre les trous. Les figures 32 et 33 indiquent deux stades de croissance sélective avec utilisation de deux plaques auxiliaires. Une couche de croissance épitaxiale 44 à la surface de la plaque principale 1. s'obtient par utilisation d'une plaque auxiliaire à masque protecteur dont la forme de trous correspond à la forme de la couche 44.Après avoir obtenu la couche de croissance épitaxiale 44, on éloigne la première plaque auxiliaire et on amène à la surface de la pla#que principale une seconde plaque auxiliaire, dont le masque protecteur a des trous de forme et de distribution voulues, à la surface de la plaque guxiliaire. Il s'ensuit qu'on obtient à la surface de la plaque principale une couche de croissance épitaxiale 45 dont les zones sont disposées en fonction de la disposition des trous du masque protecteur de la seconde plaque auxiliaire et dont la forme répond à la forme des trous du masque. Les couches de croissance épitaxiale 44 et 45 constituent dans leur ensemble une structure à deux couches obtenue par croissance à la surface de la plaque principale 1. Au moyen de plaques auxiliai-res interchangeables dont l'une est réalisée en un matériau semi-conducteur permettant d'obtenir une couche de croissance épitaxiale du type de conduction n et dont l'autre permet d'obtenir une couche de croissance épitaxiale du type de conduction p, on peut obtenir une matrice de diodes. On réalise la croissance à la surface d'une plaque principale qui est un support isolant ou semi-isolant. A la surface des deux plaques auxiliaires, on applique des masques protecteurs dans lesquels on pratique des trous sous forme de bandes longitudinales. Tout d'abord, en utilisant la première plaque auxiliaire, on fait croître à la surface de la plaque principale I (figure 34) une couche épitaxiale 46 sous forme de bandes longitudinales réalisées en un matériau semi-conducteur du type de conduction n. Ensuite, au voisinage de la surface de la plaque principale, on remplace la première plaque auxiliaire au moyen de laquelle on a fait crotte la couche épitaxiale 46 du type de conduction n par une seconde plaque- auxiliaire, Dans ce cas, on dispose les trous du masque protecteur de la seconde plaque auxiliaire transversalement aux bandes #de la couche de croissance épitaxiale 46. A partir du matériau semi-conducteur de la seconde plaque auxiliaire, on fait croître une couche épitaxiale 47 (figure 35) sous forme de bandes transversales réalisée en un matériau semi-conducteur du type p. Les bandes de la couche de croissance épitaxiale 46 en matériau semi-conducteur du type de conduction n et les bandes de la couche de croissance épitaxiale 47 en matériau semi-conducteur du type p forment des intersections où sont constituées des jonctions p - n. En faisant crotte ensuite sur la structure épitaxiale composée de couches épitaxiales 46 et 47 une couche épitaxiale en matériau semi-isolant, on peut successivement former par croissance les couches 46 et 47.- Par répétition desdites opérations, on obtient une matrice de diodes tridimensionnelle. On réalise la croissance de structures à deux couches et à couches multiples d'un relief déterminé en faisant alterner la croissance et la gravure sélectives. A cet effet, on emploie plusieurs plaques auxiliaires que l'on amène successivement vers la surface de la plaque principale. Tout d'abord, on approche une première plaque auxiliaire 48- (figure 36) dont la surface porte un masque protecteur 49 avec un trou 50 de forme déterminée et on établit une différence de temp-érature entre la plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 48 qui permet de réaliser la croissance à la surface de la plaque principale I de la matière dont est faite la plaque auxiliaire 48. il se forme donc à la surface de la plaque principale 1 une couche de croissance sélective 51 dont la forme répond à celle d'un trou 50 d'un masque protecteur 49 placé à la surface de la couche auxiliaire 48. Après l'obtention d'une couche de croissance 51 de l'épaisseur requise, on écarte la plaque auxiliaire 48, on amène à la surface de la plaque principale 1 une autre plaque-auxiliaire 52 (figure 37) dont la surface porte un masque protecteur 53 doté de trous 54 de forme déterminée, et on établit une différence de température entre la plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 52 qui permet d'organiser la gravure par transfert de matière de la plaque principale 1 à la surface de la plaque auxiliaire 52. En amenant en cotncidence les trous 54 pratiqués dans le masque protecteur 53 de la surface de la plaque auxiliaire 52 avec les zones prédéterminées de la couche de croissance sélective 51 sur lesquelles il y a lieu d'effectuer l'attaque sélective, on élimine par transfert de matière une partie du matériau de la couche de croissance 51 en obtenant à la surface de la couche de croissance 51 des creux gravés 55. Après l'obtention d'une couche de croissance 51 d'un relief déterminé et comportant des creux gravés 55 de profondeur requise, on écarte la plaque auxiliaire 52, on amène à la surface de la plaque principale 1 une troisième plaque auxiliaire 56 (figure 38) qui est une plaque semi-conductrice à une seule phase dont la composition diffère de celle de la première plaque auxiliaire 48 (figure 36). Ensuite, on établit une différence de température entre la plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 56 (figure 38) qui permet de réaliser la croissance à la surface de la plaque auxiliaire 1 de la matière dont est faite la plaque auxiliaire 56. I1 s'ensuit qu'à la surface de la couche de croissance sélective 51 il se forme une couche de croissance 57.Ainsi, on obtient à la surface de la plaque principale 1 une structure tridimensionnelle 58 de formeret de composition requises. te nombre de plaques auxiliaires et l'ordre de ;Leur rapprochement de la plaque principale sont définis dans chaque cas pour résoudre un problème concret. Pour obtenir plusieurs structures à semi-conducteurs tridimensionnelles, on utilise également plusieurs plaques auxiliaires dont chacune est composée de matériaux semi-conducteurs différents à zones d'hétérogénéités locales de configurations différentes. Pareille structure se compose de plusieurs couches planes isolées avec zones d'hétérogénéités locales. On réalise la liaison électrique et optique entre les zones d'hétérogénéités locales des différentes couches planes en choisissant une distribution déterminée de zones locales de composition déterminée à la surface de chacuné des plaques auxiliaires interchangeables et en amenant successivement en cotncidence lesdites zones avec des zones prédéterminées de la surface de la plaque principale où la répartition de composition, en cas de changement de plaques auxiliaires, correspond à la répartition de composition de la surface de la plaque auxiliaire à partir de laquelle on a réalisé la croissance de la couche précédente. Pour la croissance des structures épitaxiales tridimensionnelles, on utilise des combinaisons de différentes variantes indiquées précédemment. C'est ainsi que, pour obtenir une -couche de croissance épitaxiale au sein de laquelle est inclus un capteur de Hall totalisant la force électromotrice de Hall, on utilise deux plaques auxiliaires : une plaque auxiliaire 59 (figure 39) composée de zones 60 réalisées en un matériau semi-conducteur et d'une zone 61 réalisée en un autre matériau semi-conducteur, et une autre plaque auxiliaire 62 (figure 40) composée d'une zone 6.3 réalisée en un matériau semi-conducteur et de zones 64', 64", 64"' réalisées en un autre matériau semiconducteur.Le matériau semi-conducteur ayant servi à l'exécution des zones 60 de la plaque auxiliaire 59 et de la zone 63 de la plaque auxiliaire 62 doit être un matériau à haute résistivité, et le matériau ayant servi à l'exécution de la zone 61 de la plaque auxiliaire 59 doit être un matériau du type de conduction n à grande mobilité des porteurs majoritaires de courant, alors que le matériau ayant servi à ltexécution des zones 64', 64" et 64'ru de la plaque auxiliaire 62 doit être un matériau semi-conducteur du type de conduction n à conductibilité électrique élevée. La plaque principale 1 est réalisée en matériau à haute résistivité. Tout d'abord, on amène à la surface de la plaque principale 1 (figure 41) une plaque auxiliaire 59 et on obtient une couche de croissance 65 ayant une zone 66 d'hétérogénéité locale.Après la formation d'une couche de croissance 65 d'une épaisseur déterminée, on écarte la plaque auxiliaire 59 de la surface de la plaque principale 1 et on approche une autre plaque auxiliaire 62 (figure 42). Dans ce cas, la zone centrale 64' de la plaque auxiliaire 62 est superposée à la partie droite extrême de la zone 66 dthétérogénéité locale de la couche de croissance épitaxiale 65. Lors de la superposition, on règle la distance entre les surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 62 de façon qu'elle soit inférieure -à la dimension minimale de la zone 64' du matériau semi-conducteur de la surface de la plaque auxiliaire 2. Pendant la croissance épitaxiale, on déplace la plaque auxiliaire 62 le long de la surface de la plaque principale 1 en maintenant la couche de croissance 65, de manière que la zone 64' de la plaque auxiliaire 62 se déplace en droite ligne du centre de la partie droite extrême de la zone 66 de la couche de croissance 65 jusqu'au centre de la partie gauche extrême de ladite zone 66. A la suite d'un tel déplacement, il se forme une couche de croissance 67 formée du matériau de la plaque auxiliaire 62 au sein#de laquelle passe une ligne de raccordement 68 en matériau semi-conducteur 64' d'hétérogénéité locale. Après l'obtention de la couche de croissance 67, on écarte la plaque auxiliaire 62 et on approche à nouveau de la surface de-la plaque principale I la plaque auxiliaire 59 (figure 43) composée de zones 60 réalisées en un matériau semi-conducteur et d'une zone 61 réalisée en un autre matériau semiconducteur. On obtient en définitive une couche de croissance 65' ayant une zone dthétérogénéité locale 66'.En amenant successivement à la surface de la plaque principale 1 les plaques auxiliaires 62 et 59, on obtient une structure 69 (figure 44) dans laquelle se suivent les couches de croissance 65, 67, 65', 67', 65", 67" ... 65n, 67n Dans ladite structure 69-, toutes les n zones 65, 65' ... 65n sont raccordées en série entre elles par des lignes de raccordement 67, 67' ... 67n-1 . Les zones 66, 66' ... 66 sont des capteurs de Hall, la partie centrale de chacun des côtés longs des zones 66, 66' ... 66n sont des contacts de Hall, alors que les petits côtés des zones 66, 66' ... 66n sont des contacts de courant. Les lignes de raccordement 68, 68' ... 68n-1 relient entre eux en série les contacts de Hall des capteurs monocouches. Au cours de la préparation de la structure 69, lorsqu'on approche les plaques auxiliaires 59 et 62, il y a également croissance à la périphérie de la plaque principale 1 où la structure épit?xiale.à couches multiples 69 comporte les couches de croissance 65, 65', 65" (figure 45 dotées des zones d'hétérogénéités locales 66, 66', 66", car des couches de croissance 70, 70', 70" sont réalisées à partir du matériau semi-conducteur dont sont faites les zones 64 des hétérogénéités locales de la plaque auxiliaire 62. Les contacts de courant de chaque capteur monocouche sont reliés entre eux par des couches 70, 70', 70". Dans ce cas, les capteurs de Hall formés par les zones 66, 66', 66", 66"' sont reliés entre eux en parallèle au moyen des couches 70, 70', 70" et, en série, par des lignes -de raccordement 68, 68', 68". Le schéma de principe d'un capteur de Hall à couches multiples est représenté sur la figure 46. Le capteur de Hall à couches multiples est constitué par l'ensemble de la structure 69. I1 comporte deux sorties de courant 71 et 72 qui sont reliées aux- contacts de courant de toutes les co#uches, et deux sorties de Hall 73 et 74 dont l'une est reliée aux contacts de Hall du capteur de Hall monocouche inférieur formé par le domaine 66 (figure 44) de l'hétérogénéité locale de la couche de croissance 65 et l'autre est reliez aux contacts de Hall du capteur monocouche supérieur de Hall formé par le domaine d'hétérogénéité locale 66"' de la couche de croissance 65"'. Les sorties 71 et 72 sont reliées à une source de courant (non représentée sur la figure), alors -que les sorties 73 et 74 sont reliées à un instrument (non représenté sur la figure) enregistrant la force électromotrice de Hall. Le procédé revendiqué de préparation de structures à semiconducteurs mésa et tridimensionnelles est expliqué par les exemples suivants. EXEMPLE I On utilise comme plaque principale une plaque de germanium du type de conduction p, de 30 mm de diamètre, alors qutau titre de plaque auxiliaire, on utilise une plaque de germanium du type n de 35 mm de diamètre. On applique à la surface de la plaque auxiliaire un masque protecteur en SiOZ dans lequel on ménage des trous. La dimension minimale des trous est de 500 microns et la distance minimale entre les trous est également de 500 microns. On place la plaque principale en germanium du type p et la plaque auxiliaire en germanium du type n portant le masque protecteur dans un réacteur où on Les dispose sur les tables de porte-plaques appropriés de façon que les surfaces des deux plaques ne se recouvrent pas mutuellement. Ensuite, on rend étanche le réacteur et on y insuffle de l'hydrogène sec.Après remplissage du réacteur par l'hy- drogène sec, on porte, au moyen d'éléments chauffants appropriés, la table portant la plaque principale à 8000C et la table de la plaque auxiliaire à 850"C, Pendant le chauffage, quand la température de la plaque principale atteint une valeur de 10 % inférieure à la température requise, on introduit dans le réacteur contenant l'hydrogène de la vapeur d' eau en y établissant une pression partielle de vapeur d'eau de 5 mm Hg.Après les tables des porte-plaques de la plaque principale et des la plaque auxiliaire ont respectivement atteint des températures égales -80Q G et 8500 C, on rapproche les plaques de façon qu'elles soient disposées l'une en face de l'autre, que la distance entre les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire soit de 150 microns, et que la surface de la plaque auxiliaire recouvre entièrement la surface de la plaque principale. On maintient les deux plaques dans cette position pendant trois minutes, après quoi, on ramène la plaque auxiliaire dans sa position initiale. I1 se. forme sur la plaque principale du type p des flots mésa en germanium du type n d'une hauteur de 1 à 1,5 micron dont. la forme correspond à la forme des trous opposés# du masque protecteur S la surface de la plaque auxiliaire. EXEMPLE 2 Les matériaux de la plaque principale et de la plaque auxiliaire sont les mêmes que dans l'exemple 1. la distance minimale entre les trous du masque protecteur place à la surface de la plaque auxiliaire est de 100 microns. Le déroulement des opérations et les paramètres technologiques du processus sont les mêmes que ceux qui ont été décrits dans l'exemple 1. La distance établie entre les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire pour la croissance sélective, lors du rapprochement des plaques, est égale à 50 microns. EXEMPLE 3 Les matériaux de la plaque principale et de la plaque auxiliaire, le déroulement des opérations et les paramètres technologiques du processus sont les mêmes que ceux qui ont été décrits dans l'exemple 1. A la surface de la plaque auxiliaire, la dimension minimale d'un trou dans le masque protecteur est de 20 microns, alors que la distance minimale entre les trous est de 100 microns. De ce fait, la distance de réglage qui doit séparer les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire dans leur position rapprochée est égale à 10 microns. EXEMPLE 4 Le matériau de la plaque principale et de la plaque auxiliaire est du germanium du type n. On dépose à la surface de la plaque auxiliaire un masque protecteur de SiO2 dans lequel on ménage des trous dont la dimension minimale est de 20 microns, et la distance minimale entre eux est de 100 microns. La suite des opérations est la même que celle qui a été décrite dans l'exemple 1. La différence ne tient qu'à ce qu'on porte la plaque principale à 8500C et la plaque auxiliaire à 7800 C. On maintient les plaques au voisinage l'une de l'autre à une distance de séparation entre leurs surfaces de 10 microns pendant trois minutes. Pendant ce laps de temps, il se forme à la surface de la plaque principale des creux gravés de 3 microns de profondeur dont la forme correspond à celle des trous du masque protecteur placé à la surface de la plaque auxiliaire. EXEMPLE 5 On utilise comme plaque principale une plaque en arséniure de gallium du type p et comme plaque auxiliaire une plaque en arséniure de gallium du type de conduction n. On applique à la surface de la plaque auxiliaire un masque protecteur en SiQ2 dans lequel on ménage un trou en forme de triangle équilatéral, de 400 microns de cité. Le déroulement des opérations jusqu'à l'instant de rapprochement de la plaque principale et de la plaque auxiliaire est le même que celui qui a été décrit dans l'exemple 1. Ensuite, après le rapprochement des plaques, on fixe la distance de séparation entre leurs surfaces à 10 microns et on déplace la plaque auxiliaire en ligne droite le long de la surface de la plaque principale de manière que la bissectrice de l'un des angles du triangle soit parallèle à la direction de ce déplacement.La vitesse de déplacement est de 100 microns/mn. On déplace la plaque auxiliaire pendant 30 minutes. Il se forme pendant ce laps de temps une couche de croissance épitaxiale sous forme d'une bande de 3.000 microns de longueur et de 400 microns de largeur. La section de la couche obtenue par croissance épitaxiale a une forme voisine de celle d'un triangle isocèle de 400 microns de base et de 5 microns de hauteur. EXEMPLE 6 Les matériaux de la plaque principale et de la plaque auxiliaire, le déroulement des opérations et les paramètres technologiques du processus sont les mêmes que ceux décrits dans l'exemple 5. ta différence ne tient qu'à ce qu'on utilise A1203 comme matériau du masque protecteur de la surface de la plaque auxiliaire. EXEMPLE 7 Le matériau de la plaque principale et de la plaque auxiliaire, la forme du trou dans le masque protecteur et le déroulement des opérations sont les mêmes que ceux qui ont été décrits dans l'exemple 5. La différence ne tient qu'à ce qu'on porte la plaque principale à 8500C et la plaque auxiliaire à 8000 C. Il se forme à la surface de la plaque principale un creux gravé de 3.000 microns de longueur et de 400 microns de largeur dont la section droite est voisine d'un triangle isocèle de 400 microns de base et de 6 microns de hauteur. EXEMPLE 8 On utilise comme plaque principale une plaque d'ar séniure de gallium du type de conductionp, d'orientation (lil)B et d'une coupe de base par 110, tandis qu'au titre de plaque auxiliaire, on prend une plaque en solution solide Cap0, 2As00, 8 On applique à la surface de la plaque auxiliaire un masque protecteur en SiO,, dans lequel on ménage un trou rectangulaire de 500 x 2.000 microns. Le déroulement des opérations jusqu'à l'instant de rapprochement est le même que celui qui a été décrit dans l'exemple I. La différence tient a ce qu'on porte la plaque principale à 9400C et la plaque auxiliaire à 9800C, et on établit une pression partielle de vapeur d'eau dans le réacteur égale 8 1 mm Hg. Après rapprochement des plaques, la distance entre leurs surfaces devient égale à 90 microns et l'on oriente le trou ménagé dans le masque protecteur de la plaque auxiliaire de manière que son cache de 2.000 microns de longueur soit parallèle à la coupe de-base, le long de la surface de la plaque principale. On déplace ensuite la plaque principale dans une direction parallèle à la coupe de base, le long de la surface de la plaque auxiliaire. On fait varier progressivement pendant le déplacement la vitesse entre 200 microns/mn et 1.000 microns/mn.On poursuit le déplacement pendant 20 minutes il se forme à la surface de la plaque principale une couche de croissance épitaxiale sous forme d'une bandelette de 500 microns de largeur le long de laquelle, dans la partie centrale de la bandelette de 8 mm de longueur, l'épaisseur varie entre 10 microns et 2 microns. EXEMPLE 9 On utilise comme plaque principale une plaque en arséniure de gallium du type de conduction n de 25 mm de diamètre, alors qu'à titre de plaque auxiliaire, on utilise une plaque en arséniure de gallium, à la surface de laquelle on a appliqué un masque protecteur de SiO2. On ménage dans le masque protecteur un trou rectangulaire de 500 x 1.000 microns. La suite des opérations jusqu'à l'instant du rapprochement est la même que celle qui a été décrite dans l'exemple 1. La différence tient à ce que l'on porte la plaque principale à 8700C et la plaque auxiliaire à 800 C. La pression partielle de vapeur d'eau est réglée à 5 mm Hg. Après le rapprochement de la plaque principale et de la plaque auxiliaire, la distance entre leurs surfaces devient égale à 20 microns, le trou rectangulaire dans le masque protecteur ne devant pas couvrir la surface de la plaque principale, alors que son côté de 500 microns doit se trouver au bord de la plaque principale. On déplace ensuite la plaque auxiliaire de manière que le trou du masque protecteur se déplace le long de la surface de la plaque principale suivant le diamètre d'un de ses bords å l'autre. La vitesse initiale de déplacement est de- 600 microns/mn.Pendant le déplacement, on réduit la vitesse de 100 microns/mn à chaque intervalle de 5 mm. On obtient à La surface de la plaque principale un creux gravé allongé avec c#inq zones consécutives de dLf#férentes profondeurs 1,5; 2; 2,5; 3,3; 5,0 microns. EXEMPLE 10 On utilise comme plaque principale une plaque en arséniure de gallium du type de conduction n, de 25 microns de diamètre, d'orientation (lll)B-, et comme plaque auxiliaire, une plaque composée de deux matériaux. L'un des matériaux est l'arséniure de gallium du type de conduction n, dopé au germanium, d'une concentration en porteurs de -3 courant de 2 x 1018 cm . L'autre matériau est l'arséniure de gallium du type de conduction n, d'une concentration en porteurs de courant de 3 x 1018 cl , dopé au tellure.L'arséniure de gallium dopé au germanium est pris sous forme d'une plaque circulaire au centre de laquelle on pratique un orifice de 3 mm de diametre.-On place dans cet orifice une tablette d'arséniure de gallium dopé au tellure d'un diamètre égal à 3 mm. La suite des opérations jusqu-'à l'instant de rapprochement est la même que celle qui est décrite dans l'exemple 1-. La seule différence tient au fait que l'on porte la plaque principale à une température de 9700C et la plaque auxiliaire à une température de l-.OOO0C, la pression partielle de vapeur d'eau étant prise égale à 1 mm Hg. Ensuite, on rapproche l'une de L'autre la plaque principale et la plaque auxiliaire et on établit entre leurs surfaces une distance égale à 30 microns. Dans ce cas, on dispose la zone de surface de la plaque composée, réalisée en arséniure de gallium dopé au tellure, d'une façon telle que ladite zone se trouve en face de la partie périphérique de la surface de la plaque principale. Puis, on déplace la plaque auxiliaire le long de la surface de la plaque principale à une vitesse de 1.000 microns/mn de façon que la section d'arséniure de gallium dopé au tellure se déplace le long du diamètre de la plaque principale jusqu'à son bord opposé. Il se forme en conséquence une couche de croissance épitaxiale en arséniure de gallium de type de conduction p, d'une épaisseur de 15-microns. Le domaine périphérique local de la surface de cette couche de 2 mm de diamètre présente une conduction du type n. Ce domaine de type de conduction n est réuni à la partie diamétralement opposée du substrat par une partie du volume de la couche formant. une ligne également du type de conduction n, passant par un volume de la couche du type de conduction p. EXEMPLE ll Le déroulement des opérations est le même que celui qui aété décrit dans l'exemple 10. Toutefois, dans la partie centrale de la plaque auxiliaire en arséniure de- gallium, on a introduit dans un orifice de 3 mm de diamètre une pastille de solution solide GaPO 3AsO 7, du type de conduction n, de 3 mm de diamètre. Il se forme de cette manière une couche de croissance épitaxiale en arséniure de gallium du type de conduction p au sein de laquelle la ligne de raccordement est composée d'une solution solide GaP0,2#s0,75. EXEMPLE 12 On prend comme plaque principale une plaque en arséniure de gallium du type de conduction p, d'orientation (lll)B et comme plaque-auxiliaire une plaque composée de vingt barrettes rectangulaires de dimension 500 x 500 x 15.000 microns chacune, dont les unes sont exécutées en arséniure de gallium du type de conduction n et les autres en solution solide CaP6,#s0,8, également du type de conduction n. Dans l'assemblage, les barrettes de différentes compositions alternent et sont en contact les unes avec les autres par leurs faces longues.Le déroulement des opérations jusqu'au rapprochement de la plaque principale et de la plaque auxiliaire est le même que celui qui a été décrit dans l'exemple 1. ta différence ne tient qu'a ce qu'on porte la plaque principale à 9400C, la plaque auxiliaire à 9700cet qu'on établit la pression partielle de vapeur d'eau dans le milieu d'hydrogène égale à 1 mm Hg. Ensuite, en rapprochawt les plaques, on établit un écart de 600 microns et on maintient les plaques dans cette position pendant 4 minutes. Pendant ce laps de temps, on forme par croissance une couche d'une solution solide homogène GaP, 1AS0,9 d'une. épaisseur de 2,5 microns. Ensuite, on réduit la distance entre les surfaces des plaques jusqu'à 30 microns en déplaçant la plaque principale vers la plaque auxiliaire dans une direction perpendiculaire à la surface de la plaque principale. On maintient les plaques dans cette position pendant 30 sec#ondes. Il se dépose par croissance sur la couche de solution solide CaR As une couche de 0,5 micron d'épaisseur dans laquelle, le long 0,1 0,9 de La surface, la composition varie périodiquement entre celle de la solution solide GaP As et celle de la solution solide GaP As. 0,02 0,98 0,18 0,82 L'intervalle périodique de variation de la composition est de 1.080 microns pour une largeur des bandelettes de chaque composition de 500 microns. Ensuite, on établit à nouveau une distance de séparation entre les surfaces des plaques à 600 microns et on maintient à nouveau les plaques dans cette position pendant 4 minutes. En faisant alterner cinq fois la position des plaques avec un écart entre les surfaces égal à 4.600 microns et 3Q microns, on fait croître une couche épitaxiale de 15 microns d'épaisseur dans laquelle on modifie périodiquement la composition aussi bien dans la direction de croissance (intervalle périodique 3 microns) que dans une direction perpendiculaire (intervalle périodique 1.000 microns). EXEMPLE 13 On prend comme plaque principale une plaque en silicium du type de conduction p et comme plaque auxiliaire une plaque en silicium du type de conduction n. On revêt la surface de la plaque auxiliaire d'un masque protecteur en SiQ2 dans lequel on pratique des trous circulaires de 500 microns de diamètre, avec une distance minimale entre les trous égale A 50 microns. On place la plaque principale et la plaque auxiliaire dans un réacteur et on prépare le- réacteur au chauffage de la façon décrite dans l'exemple 1. Ensuite, on porte-la table portant la plaque principale à I.200tC et la table portant la plaque auxiliaire à 1.250 C. Pendant le chauffage, quand la température du support de la plaque principale atteint I.OOOOC, on introduit dans le réacteur un mélange gazeux de HC1 et de R2 d'une concentration en HCl de 0,4 7#mole, et, pendant le processus qui suit, on souffle ce mélange par le réacteur. Une fois que les tables des supports atteignent respectivement les températures de l.2000C et de 1.2500 C, on rapproche la plaque principale de la plaque auxiliaire et on les dispose de façon que leurs surfaces soient parallèles, leur distance étant de 10 microns, et que les lucarnes pratiquées dans le masque protecteur à la surface de la plaque auxiliaire recouvrent les zones de la surface de la plaque principale dans lesquelles il est indispensable d'effectuer la croissance de silicium du type de conduction n. On poursuit la croissance sélective de silicium du type de conduction n pendant 3 minutes. Pendan#t ce laps de temps, on a fait croitre sur la plaque de silicium du type de conduction p des îlots mésa du type de conduction n d'une hauteur de 10 microns. EXEMPLE 14 Le déroulement des opérations et les paramètres technologiques du processus-#sont les mêmes que ceux qui ont été décrits dans S'exemple 13. La différence ne tient qu'à ce que, avant de la charger dans le réacteur, on soumet la plaque auxiliaire portant le masque protecteur à une attaque approfondissant la surface des trous ouverts de 20 microns par rapport à la surface protégée par le masque. EXEMPLE 15 Le déroulement des opérations et les paramètres technologiques de la croissance sont les mêmes que ceux décrits dans l'exemple 13. La différence tient à ce qu'on applique à la surface de la plaque auxiliaire un masque protecteur dz Si3N4. EXEMPLE 16 On prend comme plaque principale une plaque de silicium du type de conduction p, tandis qu'au titre de plaque auxiliaire, on prend une plaque en phosphure de gallium du type de-conduction n. Les diamètres de la plaque principale et de la plaque auxiliaire. sont respectivement égaux à 30 et à 20 mm. A la surface de la plaque auxiliaire, est appliqué un masque protecteur de SiO2 dans lequel on pratique des trous carrés de 500 x 500 microns, la distance entre les trous étant de 100 microns. La disposition relative de la plaque principale et de la plaque auxiliaire ainsi que la préparation du réacteur au chauffage desdites plaques sont les mêmes que celles qui ont été indiquées dans l'exemple 1. On chauffe la table portant la plaque principale à 9500C et la table portant la plaque auxiliaire-à une température de 1.0000 C Pendant le chauffage, quand la température de la plaque principale atteint 8500 C, on introduit dans le réacteur du chlorure d'hydrogène dont on porte la pression partielle à 1 mm Hg.Ensuite, lorsque les températures de la plaque principale et de la plaque auxiliaire atteignent respectivement 950 et 1.0000C, on rapproche les plaques et on les dispose de manière que le centre de la plaque auxiliaire vienne coincider avec le centre de la plaque principale, les surfaces de plaques étant parallèles. La distance entre les surfaces est alors égale à 50 microns. On produit la croissance des plots mésa de phosphure de gallium pendant 15 minutes, à la suite de quoi, il s'est formé dans une partie centrale de 20 mm de diamètre de la surface de la plaque de silicium des ilots mésa en forme de carrés de 500 microns de côté. La hauteur des ilots est de 8 microns. EXEMPLE 17 On prend comme plaque principale une plaque en ZnSe de 1 mm d4épaisseur et de 20 ma de diamètre, et comme plaque auxiliaire une plaque en solution solide de ZnTe Se de 1,5 mm dtépaisseur 0,5 0,5 et de 35 mn de diamètre ayant un orifice circulaire central de 33 mmde diamètre. On introduit dans cet orifice une pastille ronde de ZnSe de 3 mn de-diametre et de 1,5 rnta de de hauteur. Le déroulement des opérations jusqu'au rapprochement de la plaque prin#cipale et de la plaque auxiliaire est le même que celui qui a été décrit dans l'exemple I. La différence tient à ce qu'on porte, respectivement, à 7000C et à 750 C la plaque principale et la plaque auxiliaire dans un milieu d'hydrogène.Après avoir obtenu lesdites températures, on rapproche la plaque principale de la plaque auxiliaire sans modifier la composition du milieu gazeux et on les dispose de façon que le centre de la zone de surface de la plaque auxiliaire, où se trouve la pastille de ZnSe, soit å mn du bord de la plaque principale et que les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire soient parallèles et se trouvent à une distance de 30 microns l'une de l'autre. Ensuite, on déplace uniformément la plaque auxiliaire de maniée que la zone de sa surface qui se compose de ZnSe se déplace à une vitesse de 0,5 mm/mn le long de la surface de la plaque principale en suivant une droite de sa périphérie au centre.Ensuite, on maintient la plaque principale et la plaque auxiliaire à l'état fixe pendant encore 15 minutes. On écarte la plaque principale et la plaque auxiliaire jusqu'à leurs positions initiales. Le déroulement des opérations indiquées précédemment aboutit à la formation sur la plaque ep ZnSe d'une couche épitaxiale de solution solide ZnTe Se, dans laquelle une ligne de raccordement 0,5 0,5 en ZnSe passe d'abord, sous un certain angle par rapport à la surface de la plaque principale, de la périphérie de la plaque principale à son centre, sous forme d'une couche de 10 microns d'épaisseur, puis, dans la partie centrale de la couche épitaxiale, suivant une direction perpendiculaire à la surface de la plaque principale, sous forme d'une couche également de 10 microns d'épaisseur, en formant une ligne brisée. EXEMPLE 18 On prend comme plaque principale une plaque en arséniure de gallium, de 30 mn de diamètre, et comme plaque auxiliaire une plaque# circulaire en quartz poli de 35 mn de diamètre à la surface de laquelle on a déposé au préalable une mince couche de molybdène (d'environ 1.000 ) sous forme de deux bandes de- 250 microns de largeur qui se coupent sous un angle d#e 900, écartées entre elles de 1.000 microns. Le déroulement des opérations avant rapprochement est le même que celui qui a été décrit dans l'exemple 1.La différence tient à ce qu'on porte la plaque principale à 8500C et la plaque auxiliaire à 7800C. Après avoir obtenu lesdites températures et après établissement dans le réacteur d'un milieu d'hydrogène humidifié d'une pression partielle de vapeur d'eau de 5 mm Hg, on -rapproche les plaques et on les maintient rapprochées pendant 10 minutes en superposant les centres des deux plaques, la distance entre les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire étant de 20 microns. Ensuite, on écarte les plaques jusqu'à leur position initiale. En dix minutes, on a gravé à la surface de la plaque principale des flots mésa sous forme de carrés de 100 microns de coté et d'une hauteur de 15 microns distants de 250 microns l'un de l'autre. EXEMPLE 19 La succession dans l'exécution des opérations et les paramètres technologiques du processus sont les mêmes que ceux qui ont été décrits dans l'exemple 18. La différence ne tient qu'à ce qu'on prend comme plaque auxiliaire une plaque de saphir à surface polie sur laquelle on applique des bandelettes en or qui se coupent. EXEMPLE 20 On prend comme plaque principale une plaque carrée en arséniure de gallium dont le côté est égal à 30 ma. Les plaques auxiliaires sont deux plaques de même forme et de mêmes dimensions que la plaque principale. L'une d'elles est faite en arséniure de gallium dopé au au germanium d'une concentration en porteurs de courant de 2 x 1018 cm A la surface de ladite plaque, on applique des bandelettes parallèles d'un masque protecteur en Si0 de 400 microns de largeur, la distance les séparant étant également de 400 microns. On prend à titre d'une autre plaque auxiliaire une plaque carrée en arséniure de gallium d'une concentration en porteurs de courant de 3 x 1017 dopée au tellure. A la surface de cette plaque, on applique des bandelettes identiques d'un masque protecteur en SiO2. On place la plaque principale et les deux plaques auxiliaires dans le réacteur, dans des sites appropriés des tables des porte-plaques, de façon qu'aucune des plaques auxiliaires ne recouvre la surface de la plaque principale. Après avoir rempli le réacteur d'hydro- gène sec, on chauffe la table portant la plaque principale à 9750C,, la table du porte-plaque sur lequel est disposée la plaque auxiliaire dopée au germanium à une température égale à l.0000C et la table portant la pl#aque auxiliaire dopée au tellure, à 980CC-. Après avoir obtenu sur les tables-respectives les températures indiquées ci-dessus, on crée par introduction de vapeur d'eau dans le réacteur un milieu d'hydrogène humidifié d'une pression partielle de vapeur d'eau de 5 mm Hg. Ensuite, on rapproche la plaque principale en arséniure de gallium de la plaque auxiliaire dopée au germanium de manière que les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire soient parallèles et que la distance entre leurs surfaces soit égale à 20 microns. Dans ce cas, on fait coïncider les coins de la plaque principale et de la plaque auxiliaire.Au bout de 5 minutes, on écarte la plaque prin-cipale, qui porte maintenant des couches de croissance sous forme de bandes d'arséniure de gallium du type de conduction p, de 400 microns d'épaisseur et de 4 microns de hauteur, de la plaque auxiliaire dopée au germanium, on la refroidit jusqu une température de 9600C et on l'approche de la seconde plaque auxiliaire dopée au tellure. la distance entre les surfaces de la pl#aque principale et de la seconde plaque auxiliaire est égale à 20 microns. On dispose les bandes du masque protecteur en Si02 de manière qu'elles soient perpendiculaires aux bandes obtenues par croissance d'arséniure de gallium du type de conduction p et-on fait coïncider les- coins de la plaque principale et de la plaque auxiliaire. Cinq minutes après le rapprochement, on écarte la plaque principale dela deuxième plaque auxiliaire. Pendant ce laps de temps, il s'est formé à la surface de la plaque principale des bandelettes d'arséniure de gallium du type de conduction n, de 5 microns de hauteur. On obtient à la surface de la plaque principale des couches de croissance se cbupant sous forme de bandes de conductions différentes. Il s'est formé à l'intersection des bandes des jonctions p-n, de sorte que toute la structure obtenue par croissance épitaxiale est une matrice de diodes. EXEMPLE 21 On prend comme plaque principale une plaque de GaAs d'un type de conduction n, de 35 mm de diamètre. Une plaque auxiliaire est faite en arséniure de gallium dopé au germanium, à la surface de laquelle est déposé un masque protecteur de SiO2 dans lequel son pratiqués des trous carrés de 250 microns de c8té, la distance entre les trous étant de 150 microns. Le diamètre de cette plaque est égal à 35 mm. Une autre plaque auxiliaire, également de 35 mm de diamètre, est réalisée en solution solide CaP As, du type de conduction n, dopée au tellure. Sa 0,1 0,9 surface est également revêtue d'un masque protecteur de Si02 à trous pratiqués sous forme de cercles de 100 microns de diamètre.Les centres des trous circulaires du masque protecteur sont distants l'un de l'autre dans deux directions orthogonales de 400 microns. On dispose la plaque principale et les deux plaques auxiliaires sur les tables appropriées des porte-plaques, tout comme cela a été décrit dans l'exemple 20. Après remplissage du réacteur par l'hydro- gène, on porte la table sur laquelle est disposée la plaque auxiliaire réalisée en arséniure de gallium à 9900C et on porte la table sur laquelle est disposée la plaque en solution solide de GaPO lAsO 9 à une température de 9700 C. On porte la table sur laquelle est disposée la plaque principale å 9750 C. Au cours du chauffage, on établit dans le réacteur une pression partielle de vapeur d'eau de 2 mm Hg. D'abord, on rapproche la plaque principale de la plaque auxiliaire en arséniure de gallium.On dispose dans ce cas les plaques de façon que la surface de la plaque auxiliaire recouvre complètement la surface de la plaque principale, la distance entre les surfaces des plaques étant de 30 microns. On maintient dans cette position les deux plaques pendant 2 minutes. Ensuite, on écarte la table portant la plaque principale de la table portant la première plaque auxiliaire et on refroidit la table portant la plaque principale jusqulà une température de 955 C. Après avoir obtenu cette température, on rapproche la plaque principale de la deuxième plaque auxiliaire.En établissant une distance entre les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire égale à 30 microns, on les dispose de façon que la surface de la plaque auxiliaire recouvre entièrement la surface de la plaque principale, et on amène en coincidence les centres des trous circulaires du masque protecteur placé à la surface de la plaque auxiliaire avec les centres des couches de croissance locale de la plaque principale obtenues au moyen de la première plaque auxiliaire.On maintient dans cette position la plaque principale et la deuxième plaque auxiliaire pendant 8 minutes, après quoi, on les écarte l'une de l'autre. On obtient finalement, à la surface de la plaque en arséniure de gallium du type n, des flots mésa d'une structure à couches doubles dont chacun se compose drune couche du type de conduction p en forme de carré d'une épaisseur de 2 microns, à la surface de laquelle est obtenue par croissance une couche de solution solide GaPO gAso L en forme d'un cercle de 7 microns d'épaisseur. Le procédé susdit est réalisé dans le dispositif selon l-'invention pour la préparation des structures à semi-conducteurs mésa et trimidimensionnelles. Le dispositif comporte un corps 75 de réacteur réalisé en quartz (figure 47). Souvent,- on utilise des corps de réacteurs utilisés en métal, notamment en acier inoxydable, refroidis à l'eau. Le corps 75 du réacteur a un raccord 76 destiné à l'introduction du gaz. Le corps 75 du réacteur est réuni de façon étanche à une bride 77 dans laquelle sont pratiqués un raccord 78 destiné à évacuer le gaz du corps 75 du réacteur, et des orifices 79 et 80. Dans le corps 75 du réacteur sont disposés un porte-plaque 81 qui se compose d'une tige creuse 82 et d'une table 83 à la surface supérieure de laquelle est fixée la plaque principale 1 et un porte-plaque 84 qui se compose également d'une tige 85 et d'une table 86 à la surface inférieure de - laquelle est fixée la plaque auxiliaire 2 La tige 82 du porte-plaque 81 traverse l'orifice 79 de la bride 77. Elle est rendue étanche au moyen d'un soufflet 87. A la partie supérieure de la tige creuse82, est monté un corps creux 88,- du même matériau que la tige 82, à l'intérieur duquel est logé un élément chauffant 89 destiné à chauffer la table 83 et la plaque principale 1. Les sorties électriques 90 de l'élément chauffant 89 sont reliées à travers la tige creuse 82 à une source de tension (non représenté sur la figure) disposée en dehors du corps 75 du réacteur. La tige 85 du porte-plaque 84 traverse l'orifice 80 de la bride 77-; elle est rendue étanche au moyen d'un presse-étoupe 91. Au voisinage de la surface supérieure de la table 86, dans sa partie surplombant la table 83, est logé un co#rps 92 d'un élément chauffant 93. Le corps 92 est réuni de façon étanche au corps 75 du réacteur de façon que son volume soit isolé de l'interieur du corps 75 du réacteur. Des sorties 94 de l'élément chauffant 93 logé à l'intérieur du corps 92 sont réunies à la source de tension (non représentée sur la figure) disposée en dehors du corps 75 du réacteur. Le dispositif contient également, dans un corps 95, un mécanisme 96 destine au déplacement de la plaque principale 1 dans le plan horizontal mecaniquement lié au porte-plaque 81 de la plaque principale I par la tige 82, et un mécanisme 97 destiné au déplacement de la plaque auxiliaire 2 dans les directions horizontale et verticale, mécaniquement lié au porte-plaque 84 de la plaque auxiliaire 2 au moyen de la tige 85. Le mécanilkie 96 destiné au déplacement de la plaque principale dans le plan horizontal comporte une embase 98 (figure 48) se situant dans un plan horizontal et réunie à la tige 82 du porte-plaque 81. L'embase 98 est embrassée par un cadre 99 qui assure le déplacement de l'embase 98 dans un sens du plan horizontal et par un cadre 100 qui assure les déplacements de l'embase 98 dans une direction orthogonale 8 la direction des déplacements de l'embase 98 assurée par le cadre 99. Le cadre 99 est lié par une tige 101 à un mécanisme d'avance à vis sans fin 102 qui est mécaniquement lié à une commande électrique 103. Le cadre 100 est lié par une tige 104 à un mécanisme d'avance 105 qui est mécaniquement accouplé à une commande électrique 106. Les deux côtés opposés du cadre 99 touchent les deux surfaces latérales de l'embase 98 et servent à transmettre le mouvement de la tige 101 à l'embase 98 dans une direction et forment des guides pour le déplacement de l'embase dans une autre direction orthogonale à la première. L'embase 98 est également guidée par le cadre 100. Les deux côtés opposés du cadre 100 viennent en contact avec les deux autres surfaces latérales de l'embase 98 et servent à transmettre le mouvement de la tige 104 à l'embase 98 le long de cette tige. Ils forment des guides pour le déplacement de l'embase dans une autre direction, orthogonale à la première. La présence des deux cadres 99 et 100 permet de réaliser le déplacement de l'embase 98 suivant une trajectoire quelconque dans le plan horizontal. Pour réaliser les déplacements de la plaque auxiliaire 2 dans des directions horizontale et verticale, on se sert du mécanisme 97 (figure 49). Ce mécanisme comporte un réducteur 107 mécaniquement lié à la tige 85 et à une commande électrique 108 assurant la rotation de la table 86 du porte-plaque 84 de la plaque auxiliaire. La tige 85 du porteplaque 84 pour la plaque auxiliaire est également reliée à un mécanisme d'avance à vis sans fin 109 qui est mécaniquement accouplé à une commande électrique 110 et assure les déplacements de la table 86 du porte-plaque 84 de la plaque auxiliaire dans la direction verticale. Pour permettre l'orientation mutuelle de-la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2, relativement à leurs porte-plaques, ainsi que des porte-plaques l'un par rapport à l'autre et pour réaliser la superposition des zones prédéterminées de la plaque principale 1 avec les zones prédéterminées de la plaque auxiliaire 2, la plaque principale 1 comporte quatre repères lil (figure 50) qui se trouvent sur des droites se coupant deux à deux orthogonalement. La table 3 du porte-plaque 81 de-la plaque principale porte quatre repères 112 qui sont placés également sur des droites se coupant deux à deux orthogonalement.On immobilise la plaque principale 1 sur la table 83, de manière que les droites orthogonales passant par les repères 111 et les droites orthogonales passant par les repères 112 colacident. A la surface de la plaque auxiliaire 2 (figure 51) sont exécutés quatre repères 113 qui se trouvent sur des droites orthogonales. Sur la table 865 autour du site de fixation de la plaque auxiliaire 2, sont ménagés quatre repères 114 disposés sur des droites orthogonales. On fixe la plaque auxiliaire 2 sur la table 86 de façon que les droits orthogonales passant par les repères 113 à la surface de la plaque auxiliaire 2 coïncident avec Les droites orthogonales passant par les repères 114 de la table 86. La distance entre chaque couple de repères 112 de la table 83 qui se trouvent sur une même droite est égale aux distances correspondantes entre chaque couple de repères 114 de la table 86. Pour permettre de former des structures épitaxiales à couches multiples de compositions différentes, le dispositif comporte encore au moins une plaque auxiliaire 115 placée sur la table 86. La table 86 peut porter plusieurs plaques auxiliaires. C'est ainsi que pour produire une structure épitaxiale à couches multiples comportant quatre variétés de couches différentes par la composition et par la configuration des zones d'hétérogénéités locales, la table 86 porte des plaques auxi liaires 2, 115, 116, 117. Pour orienter les plaques auxiliaires 115, 116, 117 l'une par rapport à l'autre sur la table 86, on a ménagé à la surface de chacune des plaques auxiliaires quatre repères 113', 113", 113 g f qui se trouvent sur des droites qui se coupent orthogonalement. Sur la table 86, autour du site de fixation de chacune des plaques auxiliaires 115, 116, 117, sont exécutés des repères 114', 114", 114"' qui se trouvent sur des droites qui se coupent orthogonalement. Les plaques auxiliaires 115, 116, 117 sont disposées sur la table 86 de manière que les droites orthogonales, passant par les repères 113', 113", 113''' de chacune des plaques auxiliaires 115, 116, 117 et les droites orthogonales passant par les repères 114', 114", 114 " ' de la table 85 coYncident respectivement entre elles. La distance entre chaque couple de repères 114', 114", 114"' de la table 86 disposés sur une même droite est égale respectivement aux distances entre chaque couple de repères 112 de la table 83 qui se trouvent sur une même droite. Pour permettre le changement de la plaque auxiliaire qui est au voisinage de la plaque principale 1, la table 86 est réalisée sous la forme d'un disque, comme représenté sur la figure 51. Pareille exécution de la table 86 permet de changer les plaques auxiliaires en faisant tourner la table 86 autour de son axe. S'il s'agit d'utiliser un grand nombre de plaques auxiliaires (au nombre de 10 à 20), la table 86 est réalisée sous la forme d'une table rectangulaire 118 (figure 52), à la surface de laquelle on dispose des plaques auxiliaires 119, 120. La table rectangul#aire 118 est mécaniquement liée au mécanisme 96 qui assure les translations de la table rectangulaire 118 le long de la table 83. du porte-plaque 81 portant la plaque principale 1. Si la table 86 est réalisée sous forme d'une table rectangulaire, on utilise un corps 121 de réacteur comportant un tube vertical 122 traversé- par la tige 82 du porte-plaque 81 portant la plaque principale 1. Un élément chauffant 123 destiné à chauffer une partie de la table rectangulaire 118 disposée au-dessus de la table 83 du porteplaque 81 de la plaque principale est placé en dehors du corps horizontal 121 du réacteur.Dans ce cas, le porte-plaque 81 est lié par la tige 82 au mécanisme 97 (figure 49) qui permet de réaliser les mouvements alternatifs de la table 83 dans la direction verticale. Les plaques auxilaires 2, 119, 120 (figure 532 sont disposées suivant la longueur de la table rectangulaire 118. Autour de l'emplacement de fixation de chaque plaque auxiliaire, sont ménagés quatre repères 124, 124', 124" qui sont disposés sur des droites qui se coupent orthogonalement. Le dispositif comporte également un moyen 125 (figure 54) destiné à-contr#1er la distance entre les surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 respectivement fixées par le mécanisme 96 destiné à déplacer la plaque principale 1 dans le plan horizontal et par le mécanisme 97 destiné à déplacer la plaque auxiliaire dans les directions horizontale et verticale. Le moyen 125 (figure 54) destiné à contrôler la distance entre les surfaces de la plaque prin#cipale 1 et de la plaque auxiliaire 2 comporte un cathétomètre 126 installé en dehors du corps 75 du réacteur en face de l'espace de séparation des surfaces de la plaque principale L et de la plaque auxiliaire 2. Dans la paroi du corps 75 du réacteur, en face de l'espace de séparation entre la plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 2 est pratiquée une fenêtre 127 en matériau optique transparent, notamment en verre ou en quartz. Au cas où le corps entier 75 du réacteur est réalisé en quartz optiquement transparent, il n'y a pas besoin de pratiquer une telle fenêtre. Pour contrôler la distance entre les surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2, le dispositif comporte auxiliairement un repère 128 de niveau sur la tige 82 du porte-plaque pour plaque principale et un repère 129 de niveau sur la tige 85 du porteplaque 84 pour plaqu#es auxiliaires. D 'après leur position relative, on détermine la distance entre les surfaces de ta plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2. Cela permet de séparer le contrôle de la distance entre les surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 de la zone de hautes températures où interviennent les réactions chimiques de transfert en phase gazeuse, en le déportant dans la zone froide du corps 75 du réacteur. Les repères 128 et 129 du niveau sont exécutés sous forme de plaquettes.Dans ce cas, une fenêtre 130 exécutée en un matériau optiquement transparent est disposéedans le corps 75 du réacteur en face des repères de niveau 128 et 129. A travers la fenêtre 130, on effectue au moyen du cathétomètre 126 le contrôle et la mesure des distances entre les repères de niveau 128 et 129. Pour améliorer la précision de contrôle et de mesure de la distance entre les surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2, dans le cas de contrôle direct et de mesure de la distance entre la plaque principale 1 et la plaque auxiliaire 2, on a pratiqué dans la paroi du corps 75 du réacteur en face de la fenêtre 127 une autre fenêtre 131 en matériau optiquement transparent, à travers laquelle on illumine par une source de lumière (non repré#s#entée sur la figure) l'espace de séparation des surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2. Si l'on contrôle et qu'on mesure la distance entre les surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 au moyen des repères de niveau 128 et 129, il est pratiqué dans la paroi du corps 75 du réacteur en face de la fenêtre 130, une fenêtre 132 en un matériau optiquement transparent à travers laquelle la source de lumière (non représentée sur la figure) illumine l'espace-de séparation des repères de niveau 128 et 129. Si le corps 75 du réacteur est exécuté en un matériau optiquement transparent, il n'y a pas besoin de pratiquer des fenêtres 130, 131, 132. Pour amener en comcidence les sections prédéterminées de la plaque principale 1 avec les sections déterminées de la plaque auxiliaire 2, le dispositif comporte un moyen 133 de contrôle de la comci- dence des repères de la plaque principale et de la plaque auxiliaire servant à l'orientation mutuelle de la plaque principale et de la plaque auxiliaire. Le moyen 133 comporte une source 134 de lumière et un récepteur de lumière 135. Dans la table 83 du porte-plaque 81 de la plaque principale, est ménagé un orifice 136, alors que, dans la table 86 du porte-plaque 84 des plaques auxiliaires, il est ménagé un orifice 137. La source de lumière 134 et le récepteur de lumière 135 sont réciproquement disposés de manière qu'en cas de coincidence respective des orifices 136 et 137 des tables 83 et 86 des porte-plaques 81 et 84, lesdits orifices viennent se placer sur la ligne imaginaire reliant la source de lumière 134 et le récepteur de lumière 135, ligne qui est perpendiculaire à la surface de la plaque principale.Pour le passage d'un rayon de lumière de la source de lumière 134 au récepteur de lumière 135, il est pratiqué dans la bride 77 une fenêtre L38 en matériau optiquement transparent, disposée en face de la source de lumière L34, alors que, dans le corps 75 du réacteur, il est ménagé une fenêtre 139 en matériau optiquement transparent, disposée en face du récepteur de lumière 135. Si la plaque principale 1 se déplace suivant une trajectoire compliquée par rapport à la plaque auxiliaire 2, on ménage dans la table 83 du porte-plaque 81 de la plaque principale un autre orifice 140, alors que, dans la table 86 du porte-plaque 84-des plaques auxiliaires,iî est pratiqué encore un orifice 141. La distance entre les orifices 136 et 140 sur la table 83 est égale à la distance entre les orifices 137 et 141 de la table 86. Pour le passage d'un rayon de lumière à travers les orifices 140 et 141 lors de leur coincidence, on a pratiqué dans la bride 77 une fenêtre 142 en matériau optiquement transparent, et, dans le corps 75 du réacteur, il est ménagé une fenêtre 143 en matériau optiquement transparent.Si le corps 75 du réacteur est réalisé en un matériau optiquement transparent, la fenêtre 143 est superflue. Pour améliorer la précision de contrôle de la colncidence des zones prédéterminées de la plaque principale 1 et des zones déterminées de la plaque auxiliaire 2, le porte-plaque 81 de la plaque principale a une table complémentaire 144 rendue solidaire de la table 83 et disposée en dehors du corps 75 du réacteur. La table complémentaire 144 est fixée à l'autre extrémité de la tige 82 du porte-plaque 81 de la plaque principale. Des repères 145 sont pratiqués sur la table complémentaire 144. La disposition des repères 145 répète celle des repères 112 sur la table 83, dont deux peuvent coincider avec les orifices 136 et 140.Cette répétition de la disposition des repères 145 s'obtient par le fait que l'on dispose chaque couple de repères 112 et 145 (lesdits couples étant au nombre de quatre) sur un même axe passant par le repère 112 et perpendiculaire à la surface de la table 83 du porte-plaque 81 de la plaque principale. Le --porte-plaque 84 des plaques auxiliaires a également une table complémentaire i46 solidaire de la table 86 et disposée en dehors du corps 75 du réacteur. La table complémentaire 146 est fixée à l'autre extrémité de.latige 85 du porte-plaque 84 des plaques auxiliaires. Dans la table complémentai-re 146, sont pratiqués les repères 147 et 147". La disposition des repères 147 répète la disposition des repères 114 de la table 86 dont deux peuvent colncider avec les orifices 137 et 141, alors que la disposition des repères 147" répète la disposition des repères 114't de la table 86.Les repères 147 et 147" de la table complémentaire 146 sont disposés sur les axes passant respectivement par les repères 114 et 114" de la table 86 du porte-plaque 84 des plaques auxiliaires perpendiculairement à la surface de la table 86 sur laquelle se trouvent les plaques auxiliaires 2 et 116. Les tables complémentaires 144 et 146 peuvent être réalisées en un matériau optiquement transparent. Dans ce cas, les repères 145, 147 et 147" sont opaques. Cela permet de contrôler visuellement ou au moyen d'instruments d'optique la colncidence des repères 145 et 147 ou des repères 145 et 147". On peut réaliser des tables complémentaires 144 et 146 en un matériau optiquement opaque; dans ce cas, les repères 145, 147 et 147" doivent être transparents ou exécutés sous forme d'orifices. Le contrôle de la colncidence des repères sur les tables complémentaires 144 et 146 dans ce cas aussi se fait visuellement ou bien au moyen d'instruments d'optique.Pour réaliser le contrôle visuel de la colncidence des zones prédéterminées de la plaque principale 1 avec les zones déterminées de la plaque-auxiliaire 2, on fixe sur la table complémentaire 144 du porte-plaque 81 pour plaque principale un cache photographique 148. La disposition du cache photographique 148 relativement aux repères 145 de la table complémentaire 144 est identique à celle de la plaque principale 1 relativement aux repères 112 de la table 83. Le dessin du cache photographique colncide avec la configuration et la distribution desdites zones prédéterminées à la surface de la plaque principale 1. On fixe également sur la table complémentaire 146 du porte-plaque 84 des caches photographiques 149 et 150 dont la disposition relativement aux repères correspondants 147 et 147" répète celle des plaques auxiliaires 2 et 117 relativement aux repères correspondants 114 et 114" de la table 86 du porte-plaque 84. Les dessins des chaches photographiques 149 et 150 coTncident respectivement avec la configuration et la distribution des zones déterminées de la surface des plaques auxiliaires 2. et 117. Le dispositif destiné à la préparation des structures à semi-conducteurs mésa et tridimensionnelles fonctionne de la manière suivante. Initialement, dans sa position de départ, la table 83 (figure 47) du support 81 et la table 86 du support 84 sont logées de manière que les surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 ne se recouvrent pas. Ensuite, le corps 75 du réacteur est réuni hermétiquement à la bride 77. Par le raccord 76, on introduit dans le corps 75 du réacteur l'hydrogène purifié, et, par le raccord 78, on évacue les produits gazeux hors de l'intérieur du réacteur. Après le balayage du corps 75 du réacteur à l'hydrogène, on branche les sorties 90 de l'élément chauffant 89, qui se trouve dans le corps 88 du porte-plaque 81 pour plaque principale, sur la source de tension (non représentée sur la figure) et l'on procède au chauffage de la plaque principale 1 par chauffage de la table 83 disposée à proximité immédiate de l'élément ~chauffant 89. Simultanément, on branche les sorties 94 de l'élément chauffant 93, qui se trouve dans le corps 92, B la source de tension et l'on effectue le chauffage de la moitié de la table 86 du porte-plaque 84 de la plaque auxiliaire qui est disposée au-dessus de la plaque principale 1. Au moment où les tables 83 et 86 seront portées à une température de 10 à 15 % inférieure aux valeurs imposées, on introduit dans le corps 75 du réacteur par le raccord 76, en même temps que l'hydro- gène, un réactif vecteur gazeux nécessaire pour effectuer le transfert et le dépôt de la matière de l'une des plaques (principale ou auxiliaire) sur I'autre. Après qu'une pression partielle imposée du réactif véhicule se sera établie dans la capacité du corps 75 de réacteur et qu'on aura atteint les températures nécessaires de la table 83 et de la table 86 (d'une partie de la table 86, disposée au-dessus de la plaque principale), la commande électrique 108 (figure 49) du mécanisme 97 est mise en marche et la table 86 tourne.Cette table 86 est reliée par la tige 85 du porteplaque 84 pour plaque auxiliaire par l'intermédiaire du réducteur 107 è la commande électrique 108. La rotation de la table 86 entraine le rapprochement de la plaque auxiliaire 2 de la plaque principale 1. A l'instant où la plaque auxiliaire 2 sera disposée au-dessus de la plaque principale 1, la commande électrique 107 (figure 49) sera débranchée et les commandes électriques 103 et 106 du mécanisme 96 (figure 48) seront mises en marche pour déplacer la plaque principale dans le plan horizontal. Le déplacement de la table 83 du porte-plaque 8L de la plaque principale est réalisé par le mécanisme 96.Le déplacement de l'embase 98 dans le plan horizontal est transmis par la tige 82 à la table 83 du porte-plaque 81 de la plaque principale La rotation des moteurs électriques 103 et 105 du mécanisme 96 est transmise aux mécanismes d'avance 102 et 105, qui transforment la rotation des moteurs électriques 103 et 106 en un mouvement de translation des tiges 101 et 104. La tige 101 assure le déplacement du cadre 99 dans une direction parallèle-au mouvement de la tige 101. Le déplacement de l'embase 98 dans la même direction est obtenu par le fait que les deux côtés opposés du cadre 100 paralLèLes au déplacement de la tige 101 servent de guides aux déplacements de l'embase 98. La tige 104 assure le déplacement du cadre 100 dans une direction parallèle à la direction du mouvement de la tige 104.Le déplacement de l'embase 98 dans cette même direction s'obtient par le fait que les deux côtés opposés du cadre 99 parallèles à la direction de déplacement de la tige 101 servent de guides au déplacement de l'embase 98. S'il s'avère indispensable de déplacer l'embase 98 et, solidairement avec elle, la table 83 du porte-plaque 81 de la plaque principale liée à l'embase 98, dans une direction qui ne coincide pas avec celle des déplacements de la tige 101 ni de la tige 104, on enclenche simuItan#ément les deux commandes électriques 103 et 106 du mécanisme 96. Du fait du déplacement de la plaque principale dans le plan horizontal, on réalise l'entrée en coincidence des quatres repères 111 (figure 50) de la plaque principale 1 etsdes quatre repères 113 (figure 51) de la plaque auxiliaire 2. Cela équivaut à faire colncider les repères 112 (figure 50) de la table 83 qui. loge la plaque principale 1 avec les repères 114 (figure 51) de la table 86 sur laquelle est placée la plaque auxiliaire 2. On entend par coincidence (alignement) des repères leur disposition colinéaire sur-un même axe perpendiculaire à la surface de la plaque principale. Après la mise en coincidence des repères 111 de la plaque principale 1 et des repères 113 de la plaque auxiliaire 2 qui correspond à l'entrée en colncidence des zones prédéterminées de la surface de la plaque principale 1 avec des zones déterminées de la surface de la plaque auxiliaire 2, on débranche les commandes électriques 103 et 106 (figure 48) du mécanisme 96 destiné à déplacer la plaque principale dans le plan horizontal. Ensuite, on enclenche la commande électrique 110 (figure 49) du mécanisme 97 (figures 47 et 49) destiné à déplacer la plaque auxiliaire dans les directions horizontale et verticale et on réalise le déplaçement vertical de la table 86 du porte-plaque 84 de la plaque auxiliaire en déplaçant verticalement la tige 85 par le réducteur à vis sans fin 109. On contrôle au moyen du cathétomètre 126 (figure 54), à travers la fenêtre 127 pratiquée dans le corps 75 du réacteur, la distance entre les surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2. Lorsque cette distance est égale à la distance requise, la commande électrique 110 (figure 49) du mécanisme 97 est débranchée. Cette distance entre les surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 se maintient pendant un temps déterminé, défini dans chaque cas par la structure concrète nécessaire. Dans les cas où pour créer une structure déterminée, il faut réaliser un déplacement relatif de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 dans un-plan parallèle à la surface de la plaque principale 1, après l'établissement de la distance imposée entre les surfaces de la plaque principale l et de la plaque auxiliaire 2, on envoie aux moteurs électriques 103 et 106, suivant un programme déterminé, des signaux électriques appropriés qui permettent de réaliser la vitesse de rotation déterminée et la durée de fonctionnement de chacun des moteurs électriques. Après la croissance de la structure#épitaxiale prédéterminée, on ramène la plaque auxiliaire 2 dans sa position initiale. On y parvient en enclenchant successivement les commandes électriques 110 et 108 (figure 49) du mécanisme 98 destiné à déplacer la plaque auxiliaire dans le plan horizontal et dans le plan vertical. Ensuite, on déconnecte les sorties 90 (figure 47) de l'élément chauffant 89 et les sorties 94 de ltelément chauffant 93 des sources de tension (non représenté sur la figure). Simultanément, on cesse l'admission dans le corps 75 du réacteur du réactif-véhicule gazeux. Après le refroidissement des tables 83 et 86 (figure 47), on détache le corps 75 du réacteur de la bride 77 et on retire la plaque principale I ayant la structure épitaxiale obtenue de la table 83 du porte-plaque 81 de la plaque principale. S'il s'agit de préparer une structure à couches multiples mésa ou tridimensionnelle par utilisation successive de plusieurs plaques auxiliaires 2, 115, 116, 117 (figure 51), on donne à la table 86 du porte-plaque 84 des plaques auxiliaires la forme d'un disque, à la périphérie duquel on dispose dans un ordre déterminé les plaques auxiliaires 2, 115, 116, 117.En cas de rotation de la table 86, les plaques auxiliaires 2, 115, 116, 117 se rapprochent, par enclenchement de la commande électrique 108 (figure 49) du mécanisme 97 destiné au déplacement des plaques auxiliaires dans une direction horizontale et dans une direction verticale dans un ordre déterminé, de la plaque principale l (figure 47), Après Le rapprochement de chacune des plaques auxiliaires 2, 115, 116, 117 (figure 51) de la plaque principale 1, on amène en colacidence les repères 111 (figure 50) de la plaque principale avec les repères 113, 113', 113", 113 " ' de chacune des plaques auxiliaires 2, 115, 116, 117. Cela permet~ de faire coincider les zones prédéterminées de la plaque principale I successivement avec les zones déterminées des plaques auxiliaires 2, 115, 116, 117. La superposition de ces zones, tout comme dans le cas d'utilisation d'une seule plaque auxiliaire, se fait par déplacement de la plaque principale dans le plan horizontal. Ce déplacement est réalisé par le fonctionnement du mécanisme 96 (figure 48). Ensuite, en s'aidant du mécanisme 97 (figure 49), on établit la distance requise entre les surfaces de la plaque principale 1 et celles des plaques auxiliaires qui se trouvent au voisinage de la plaque principale 1. Lorsque le nombre de plaques auxiliaires-utilisées dans un même procédé technologique est supérieur à 10, - le table du porte-plaque 84 de plaques auxiliaires est réalisée sous forme d'une table allongée 118 (figure 52) sur laquelle, dans un ordre déterminé, sont logées en longueur les plaques auxiliaires #, 119, 120. Les -plaques auxiliaires 2, 119, 120 sont logées sur la face de la table allongée 118 qui est orientée vers la table 83. L'échauffement de chacune des plaques auxiliaires 2, 119, 120 disposée en face de la plaque principale 1 s'effectue par chauffage de la partie de la table allongée 118 disposée en face de la table 83 du porte-plaque 81 de la plaque principale au moyen de l'élément chauffant 123. L'élément chauffant 123 est logé en dehors du corps 121 du réacteur. On change une plaque auxiliaire disposée en face de la plaque principale 1 pour une autre plaque auxiliaire en déplaçant la table allongée 118 le long du corps horizontal 131 du réacteur au moyen du mécanisme 97 (figure 49) destiné à déplacer les plaques auxiliaires dans les directions horizontale et verticale, ce qui permet de déplacer la table allongée 118 dans une direction coincidant avec celle de la tige 85. On amène en coïncidence les repères 111 (figure 50) de la plaque principale 1 et les repères 124, 124', 124" (figure 53) des plaques auxiliaire logées sur la table allongée 118 au moyen du mécanisme 96 (figure 48) destiné à déplacer la plaque principale dans le plan horizontal. La distance entre les surfaces de la plaque principale 1 (figure 54) et des plaques auxiliaires 2, 119, 120 pendant l'exécution des opérations est contrôlée et mesurée par le moyen de contrôle de la distance entre les surfaces de la plaque principale-et de la-plaque auxiliaire 125. Le contrôle et les mesures se font par le cathétomètre 126 à travers la fenêtre 127 pratiquée dans le corps 79 et disposée en face de l'espace de séparation entre les surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2. Pour observer et mesurer l'écart entre les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire à travers la fenêtre 131 dans le corps 75 du réacteur disposé en face de la fenêtre 127, on fait passer un rayon de lumière (non représenté sur la figure). La distance entre les surfaces de la plaque principale 1 et de la plaque auxiliaire 2 peut être contrôlée et mesurée au moyen du repère de niveau 128 porté par la tige 82 du porte-plaque 81 de la plaque principale et du repère de niveau 129 porté par la tige 85 du porteplaque 84 des plaques auxiliaires. A cet effet, on déplace le cathétomètre 126 vers la fenêtre 130 pratiquée dans le corps 75 du réacteur qui est disposée en face des repères 128 et 129 du niveau. Pendant ce temps, on fait passer par- la fenêtre 132, ménagée dans le corps 75 du réacteur et disposée en face de la fenêtre 130, la lumière venant de la source de lumière (non représentée sur la figure). Pour faire coiRncider les repères 1.11 (figure 50) de la plaque principale L et les repères 113 (figure 51) de-la plaque auxiliaire 2, on fait tourner la table 86 (figure 47) en forme de disque du porte-plaque 84 de la plaque auxiliaire d'un angle requis, défini#par- la position initiale de la plaque auxiliaire 2 relativement à la plaque principale 1. Si l'on donne à la table du porte-plaque des plaques auxiliaires la forme de la table allongée 118 (figure 52), on réalise la mise en coincidence des repères 111 de. la plaque principale 1 avec les repères 113 de la plaque auxiliaire 2 par tre slation de la table allongée 118 d'une distance imposée définie également pa la position initiale de la plaque auxiliaire 2 relativement à la plaque principale 1. lorsqu'on change les plaques auxiliaires 2, Il9, 120, on effectue la mise en coincidence successive des repères 111 de la plaque principale 1 avec les repères 113, - 113'-, 113" en déplaçant la table allongée 118 d'une distance égale à la distance séparant les plaques auxiliaires 2, 119, 120. Pour contrôler la coincidence des zones prédéterminées de la p#laque principale 1- et de la plaque auxiliaire 2, on contrôle la coincidence des repères 112 de la table 83 du porte-plaque 81 de la plaque principale avec les repères 114 de la table 86 du porte-plaque 84 des plaques auxitliaires qui sont réciproquement -rientés par rapport aux repères 111 de la plaque principale et aux repères 113 de la plaque auxiliaire. A cet effet, on aligne les orifices 136 et 140 de la table 83 du porte-plaque 81 qui coincident avec les deux repères opposés 112 de la table 83, avec les orifices 137 et 141 de la table 86 du porte-plaque 84 qui colncident avec les deux repères opposés 114 de la plaque 86. On contrôle l'alignement des orifices 136 et 137 au moyen de la source de lumière 134 et du récepteur de lumière 135. On fait passer un rayon de lumière venant de la source de lumière 134 à travers la fenêtre 138 pratiquée dans la bride 77 du réacteur. Ainsi, lorsque les orifices 136 et 137 sont alignés, le rayon lumineux pénètre par la fenêtre 139 du corps 75 du réacteur dans le récepteur de lumière 135 qui fixe le moment d'alignement des orifices 136, 137. D'une façon analogue, on contrôle l'alignement de l'orifice 140 de la table 83 du porte-plaque 81 de la plaque principale avec l'orifice 141 de la table 86 du porte-plaque 84 des plaques auxiliaires. A cet effet, on fait passer un rayon lumineux venant de la source de lumière L34 à travers la fenêtre 142 ménagée dans la bride du réacteur. On fixe le moment d'alignement des orifices 140 et 141 au moyen du récepteur de lumière 135 qui est dispose en face de la fe#nêtre#l43 pratiquée dans le corps 75 du réacteur. Dans les cas où, pour la préparation des structures mésa ou tridimensionnelles, on n'utilise pas le déplacement de la plaque principale 1 dans le plan horizontal, il suffit d'amener en coincidence deux orifices seulement, l'orifice 136 de la table 83 du porte-plaque 81 et- l'orifice 137 de la table 86 du porte plaque 84, pour amener successivement en coincidence les zones prédéterminées de la plaque principale 1 avec les zones déterminées de l'une des plaques auxiliaires 2, 115, 116, 117, suivant une disposition identique des plaques auxiliaires sur la table 86 du porte-plaque 84 par rapport à l'arbre de rotation. Pour réaliser un contrôle visuel et un contrôle plus précis de l'alignement des repères 111 (figure 50) de la plaque principale 1 avec les repères 113 de la plaque auxiliaire, on effectue le contrôle de la coincidence des repères 145 de la table complémentaire 144 du porte-plaque 81 de la plaque principale avec l'un des repères 147 de la table complémentaire 146 du porte-plaque 84 des plaques auxiliaires. Pour vérifier la coincidence desdits repères, on peut utiliser des instruments d'optique, par exemple un microscope. Dans le cas où la table complémentaire 144 du porteplaque 81 de la plaque principale porte un cache photographique 148 dont le dessin répète la disposition des zones prédéterminées de la surface de la plaque principale I disposée sur la table 83 du porte-plaque 81 de la plaque principale et où, sur la table complémentaire 146 du porteplaque 84 des plaques auxiliaires, sont disposés des caches photographiques 149 et 150 dont les dessins répètent respectivement la disposition des zones déterminées à la surface des plaques auxiliaires 2 et 116 logées sur la table 86 du porte-plaque 84 des plaques auxiliaires, on réalise le contrôle visuel de la colncidence des zones prédéterminées à la surface de la plaque principale 1 avec les zones déterminées à la surface de la plaque auxiliaire 2. Bien entendu, l'homme de l'art peut apporter diverses modifications au dispositif et au procédé qui viennent d'être décrits sous forme d'exemples non limitatifs, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATiONS l Procédé de préparation de structures à semiconducteurs mésa et tridimensionnelles à hétérogénéité locale de composition, par transfert et dépôt de matière par réactions chimiques de transfert en phase gazeuse entre les surfaces d'une plaque principale et d'une plaque auxiliaire disposées parallèlement et å proximité immédiate l'une de l'autre, l'une desdites plaques ayant une surface localement hétérogène en composition, le procédé étant caractérisé en ce qu'on réalise le transfert et le dépôt de matière par réactions chimiques de transfert en phase gazeuse par chauffage de la plaque principale et de la plaque auxiliaire en créant entre elles une différence de température qui garantit le transfert de matière de l'une des plaques dans le sens requis et en remplissant l'espace réactionnel de réactif véhicule gazeux, en rapprochant au moins une fois la plaque principale et la plaque auxiliaire l'une de l'autre et en déplaçant la plaque principale et la plaque auxiliaire l'une par rapport à l'autre de façon à faire coïncider au moins une fois dés- zones prédéterminées de la plaque principale avec des zones déterminées de la plaque auxiliaire qui forment des émissions de matière gazeuse ayant un sens, une section droite et une composition déterminés lors du transfert de matière d'une plaque sur l'autre, la distance entre les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire étant inférieure à la dimension minimale d'une zone de composition homogène de la surface de la. plaque auxiliaire. 2. Procédé de préparation de structures à semiconducteurs mésa et tridimensionnelles suivant lá revendication 1, caractérisé en ce que les zones prédéterminées de la plaque principale et de la plaque auxiliaire amenées en colncidence sont réalisées en Ce, ou en Si, III V III V ou en composésA B ou en solutions solides des composésA B, ou en composés AII"VI ou en solutions solides des composés AIIB I. 3. Procédé de préparation de structures à semiconducteurs mésa et tridimensionnelles suivant la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la surface de la plaque auxiliaire entourant les zones déterminées est réalisée en SiO2, ou en quartz, ou en A1203, ou - en saphir. 4. Procédé de préparation de structures à semiconducteurs mésa et tridimensionnelles suivant l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les zones déterminees dé la plaque principale et de la plaque auxiliaire amenées en corncidence ont une forme déterminée par la forme de l'hétérogénéité locale dans la structure. 5. Procédé de préparation de structures à semiconducteurs mésa ou tridimensionneles suivant l'une quelconques des revendications 1 à 4, caractérisé- en ce- que l'on approfondit au préalable par rapport à la surface restante, sur une profondeur supérieure à deux microns, les zones déterminées de la plaque auxiliaire qui forment les émissions de matière de sens, de section droite et de composition déterminés lors du transfert de la matière d'une plaque sur l'autre. 6. Procédé de préparation de structures à semiconducteurs mésa et tridimensionncîles suivant l'une quelconques des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'on prend au moins une plaque auxiliaire supplémentaire et que l'on effectue le transfert et le dépôt de matière par réactions chimiques de transfert en phase gazeuse en faisant alterner les plaques auxiliaires dans un ordre donné. 7. Dispositif de préparation de structures à semiconducteurs mésa et tridimensionnelles mettant en oeuvre le procédé de la revendication 1, comportant un corps de réacteur logeant une plaque principale et une plaque auxiliaire qui sont chacune dotées d'élément chauffant et sont respectivement disposées sur des tables de porte-plaques pour plaque principale et pour plaque auxiliaire, le dispositif étant caractérisé en ce qu'il est muni d'un mécanisme assurant le déplacement de l'une des plaques dans un plan horizontal, mécaniquement lié à l'un desdits porte-plaques, d'un autre mécanisme assurant le déplacement de l'autre plaque dans une direction horizontale-et une direction verticale, mécaniquement lié au porte-plaque correspondant, et d'un moyen de contrôle de la distance séparant les surfaces de la plaq#ue principale et de la plaque auxiliaire qui est réglée au moyen du mécanisme de déplacement de l'une des plaques dans le plan horizontal et du mécanisme de déplacement de l'autre plaque dans# une direction horizontale et une direction verticale, la plaque principale et la plaque auxiliaire, ainsi que leurs porte-plaques, ayant des repères au moyen desquels, par suite du déplacement de la plaque principale et de la plaque auxiliaire l'une par rapport à l'autre, la plaque principale et la plaque auxiliaire sont orientées réciproquement, relativement à leurs porte-plaques, et les ~porte-plaques sont orientés- l'un par rapport à l'autre et au moyen desquels est donc réalisée la coincidence des zones déterminées de la plaque principale avec les zones déterminées de la plaque auxiliaire. 8. Dispositif suivant la revendication 7, caractérisé en ce que le moyen de contrôle de la distance entre les surfaces de la plaque principale et de la plaque auxiliaire comporte un cathétomètre disposé en dehors du corps du réacteur, dans lequel est pratiquée une fenêtre en matériau optiquement transparent. 9. Dispositif suivant la revendication 8, caractérisé en ce que la fenetre ménagde dans le corps du réacteur, exécutée en un matériau optiquement transparent, est disposée en face de la plaque principale et de la plaque auxiliaire. 10. Dispositif suivant la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comporte additionnellement des repères respectivement exécutés sur la tige du porte-plaque pour plaque principale et sur la tige du porteplaque pour plaque auxiliaire, la position réciproque# desdits repères servant à déterminer la distance entre les surfaces de laps asque principale et de la plaque auxiliaire, alors que la rentre dans le corps du réacteur exécutée en un matériau optiquement transparent est disposée en face des repères 11. Dispositif suivant l'une quelconque des revendications 7 à 10, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une plaque auxiliaire supplémentaire placée sur la table du porte-plaque pour plaque auxiliaire 12.Dispositif suivant ltune quelconque des revendications 7 à ll, caractérisé en ce que la table du porte-plaque pour plaque auxiliaire est réalisée sous forme d'un disque. 13. D4srositif - : u--.#e quelconque des revendications. 7 à 11, caractérisé en ce que la Elle du porte-plaque pour plaque auxiliaire est de forme allongée. 14. Dispositif suivant l'une quelconque des revendications 7 à #I3, caractérisé en ce qu'il comporte un moyen de contrôle de la coincidence des repères de la plaque principale et de la plaque auxiliaire permettant l'orientation réciproque de la plaque principale et de la plaque auxiliaire. 15. Dispositif suivant la revendication 14, caractérisé en ce que le moyen de contrôle de coincidence des repères de la plaque principale et de la plaque auxiliaire comporte une source de lumière et un récepteur de lumière, alors que, dans chacune des tables des porte-plaques pour plaque principale et pour plaque auxiliaire, il est pratiqué au moins un orifice, la source de lumière et le récepteur de lumière étant mutuellement disposés de manière que, lors de la coincidence des orifices des tables des porte-plaques pour plaque principale et pour plaque auxiliaire, la source de lumière, lesdits orifices et le récepteur de lumière soient alignés. 16. Dispositif suivant la revendication L4, caractérisé en ce que chacune des tables (dites tables principales) des porte-plaques pour plaque principale et pour plaque auxiliaire comporte une table complémentaire ayant des repères mutuellement orientés par rapport aux repères de la table principale, ladite table complémentaire étant solidaire de la table principale associée du porte-plaque pour plaque principale et du porte-plaque pour plaque auxiliaire~ et étant disposée en dehors du corps du réacteur afin de servir de moyen de vérification de la colncidence des repères de la plaque principale et de la plaque auxiliaire. 17. Dispositif suivant la revendication 16, caractérisé en ce que, sur les tables complémentaires des porte-plaques pour plaque auxiliaire et pour plaque principale, sont fixés des caches photographiques dont la disposition et le dessin correspondent à la disposition, la configuration et la distribution des hétérogénéités locales des plaques associées, ce qui permet de vérifier la coincidence, des repères de la plaque principale et de la plaque auxiliaire, ainsi que la confidence des zones déterminées des plaques principale et auxiliaire.