FR 2319926 A1 19770225 FR 7622830 A 19760727 La présente invention concerne un procédé de formation d'un dessin particulièrement dlun dessin minuscule, nécessaire pour les opérations de gravure, d'évaporation, de diffusion, etc... dans le domaine des semi-conducteurs, et pour des réseaux, des disques d'enregistrement d'images, etc... Il est bien connu que des substances photo-sensibles sont utilisées pour des opérations de gravure, d'évaporation, de diffusion, etc... dans le domaine des semi-conducteurs et pour les disques d'enregistrement d'images. Autrement dit, dans le domaine des semi-conducteurs, un dessin de substance photo-sensible est formé sur un substrat semi-conducteur en appliquant une substance photo-sensible sur le substrat, en exposant certaines parties de la couche photo-sensible à un faisceau lumineux, et en éliminant das parties ess- poséesou non exposées de la couche photo-sensible au moyen d'un révélateur, de manière à mettre à nu certaines parties de la surface du substrat correspondant aux parties exposées ou non exposées de la couche photo-sensible ; des impuretés sont ensuite introduites dans le substrat à travers les parties exposées de sa surface ; certaines matières sont évaporées sur les parties exposées de la surface du substrat ; ou les parties exposées de la surface du substrat sont gravées ; et, dans le domaine des disques d'enregistrement d'images, un dessin de substance photo-sensible correspondant à un signal d'information est formé sur un support de verre par des opérations similaires à celles décrites ci-dessus. Mais ces dessins de substance photo-sensible ne conviennent pas pour des traitements de très petites dimensions et pour des enregistrements de forte densité, car la substance photo-sensible est un polymere élevé dans lequel existent des macro-molécules et par conséquent, les extrémités de deux dessins opposés l'un à l'autre ne peuvent pas etre maintenues à une distance inférieure à 600 . En outre, étant donné que la substance photo-sensible doit être développée afin d'éliminer ces parties exposées ou non exposées, c'est à dire qu'un traitement par voie humide doit être utilisé pour former le dessin , les dispositifs exposés à un faisceau lumineux et qui doivent être développés doivent être maintenus dans une atmosphère exempte de poussière, et également le révélateur doit être conservé avec beaucoup de soins. L'invention concerne donc un procédé de fabrication d'un dessin sur un substrat, grâce auquel les inconvénients précités sont éliminés. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un dessin minuscule sur un substrat ; l'invention concerne aussi un procédé de fabrication d'un dessin dans lequel aucun traitement par voie humide n'est utilisé c est à dire qui repose uniquement sur des traitements à sec. Ces objets sont obtenus grâce à un procédé qui consiste essentiellement à former une couche d'halogénure métallique sur la surface d'un substrat, à irradier une partie de cette couche d'halogénure métallique avec un faisceau d'énergie, dont l'énergie est supérieure à celle correspondant à l'intervalle de bande interdit de l'halogénure métallique, et d'une intensité d'excitation supérieure à celle qui autorise un dixième d'un constituant moléculaire de l'halogénure métallique à être excité, de maniere à former un dessin de cet halogénure métallique. Il est préférable selon l'invention, de choisir l'halogénure métallique dans le groupe comprenant PbI2, BiI3, GeI2, SnI2, AsI3; SbI3, HgI2, TII, PbC12, SnBr2, SnCI2, HgC12, PbBr2 et BiBr3. il est en outre préférable, selon l'invention, que l'intensité d'excitation du faisceau d'énergie soit supérieure à IOmJ/cm2, 7mJ/cm , 6#I/cm2, iOmJ/cm2 9mJ/cm2, 9mJ/cm2, 9mJ/cm2, 11mJ/cm2, 15mJ/cm 2 15mJ/cm 2; 15mJ/cm 2 9#I/cm , 9mj/cm,9mj/cm,9mjcm,11mjcm, pour 11mj2, 15mJ/cm ; 15mJ/cm 13mJ/cm , 10mJ/cm et 11mJ/cm pour PbI2, BiI3, GeI2, SnI2, AsI3 SbI3, HgI2, TII, SnC1, PbC12, HgC12, SnBr2, PbBr2 et BiBr3. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront au cours de la description qui va suivre. Aux dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemplesnullement limitatifs la figure 1 est une courbe montrant la relation entre l'énergie d'un photon du faisceau d'énergie et la profondeur des trous formés dans une couche d'halogénure métallique de PbI2 par irradiation avec le faisceau, la figure 2 est un ensemble de courbe montrant la relation entre 1 intensité d'excitation du faisceau d'énergie et la profondeur des trous formés dans des couches d'halogénure métallique par irradiation avec le faisceau, les figures 3a à 3c sont des coupes destinées à expliquer un mode de fonctionnement de l'invention, les figures 4a, 4c et 4d sont des coupes schématiques destinées à expliquer un autre mode de réalisation de l'invention, la figure 4b est une courbe de la distribution de température dans un tube à réaction représenté sur la figure 4a, les figures 5a à 5c sont des coupes schématiques destinées à expliquer un autre mode encore de réalisation de l'invention, les figures 6a et 6b sont des vues schématiques en perspective destinées à expliquer un autre mode encore de réalisation de l'invention, et les figures 7a à 7d, 8a à 8e, et 9a à 9c sont des coupes schématiques destinées à expliquer d'autres modes de réalisation de l'invention. Comme cela a été mentionné ci-dessus, l'invention se caractérise par le fait qu'une couche d'halogénure métallique est formée sur une surface d'un substrat, et qu'un faisceau d'énergie dont l'énergie est supérieure à celle correspondant a l'intervalle de bande interdit de l'halogénure métallique, et dont l'intensité d'excitation est supérieure à celle qui autorise l'excitation d'un dixième d'un constituant moléculaire de lthalogenure métallique, est dirigé sur des parties prédéterminées de la couche d'halogénure, de manière à former le dessin voulu d'halogénure métallique sur la surface du substrat. L'état des liaisons de l'halogénure métallique est généralement un mélange de liaisons covalentes et de liaisons ioniques, et la solidité des liaisons est inférieure à celle d'une matière à l'état de liaisons covalentes. Par conséquent, lorsque l'halogénure métallique est irradiée avec un faisceau d'énergie supérieure à celle correspondant à l'intervalle de bande interdit de l'halogénure métallique et dont l'intensité d'excitation est supérieure à celle qui autorise l'excitation d'un dixième d'un constituant moléculaire de l'halo- génure, c'est à dire à une intensité seuil d'excitation, le constituant moléculaire est composé en les éléments qui constituent l'halogénure métallique, et ces éléments sont dispersés. Bien qu'il soit possible d'utiliser toute sorte d'halogénure métallique telle que des iodures, des chlorures, des bromures ou des fluorures comme halogénures métalliques selon l'invention, il est préférable d'utiliser des iodures, des chlorures et des bromures, et de préférence encore, PbI2, BiI3, GeI2, SnI2, AsI3, SbI3, HgI2, TITI, SnC12, Pic12, HgC12, SnBr2, PbBr2 et BiBr3 Une couche d'halogénure métallique peut être formée sur un substrat, tel que des semi-conducteurs, des isolants ou des conducteurs, selon un procédé d'évaporation, de dépôt de vapeur ou autre procédé de revêtement. Selon l'invention, pour le faisceau d'énergie, des faisceaux de photons comprenant les rayons X, les rayons Gamma, etc... et des faisceaux de particules chargées peuvent convenir. De préférence, les faisceaux d'énergie sont des faisceaux de laser, des faisceaux d'électrons et des faisceaux de rayons X obtenus par exemple selon l'article de David J. Johnson intitulé " Study of the x-ray production mechanism of a dense plasma focus ", publié en mars 1974 dans Journal of Applied Physics, Vol. 45, No 3, pages 1147 à 1153. 2 d'excitation seui est 2 L'intensité d'excitation seuil est de l'ordre de 10mJ/cm , 7mJ/cm 6mJ/cm2, IOmJ/cm2 > 9mJ/cm2, 9mJ/cm2, IImJ/cm2, 15mJ/cm2, 15mJ/cm2, 15mJ/cm2, 13mJ/cm , 10mJ/cm et 11mJ/cm ., respectivement pour les halogénures métalli- ques PbI2, BiI3, GeI2, SnI2, AsI3, SbI3, HgI2, TII, SnC12, PbC12, HgC12, SnBr2, PbBr2 et BiBr3. L'énergie et l'intensité seuil d'excitation du faisceau sont expliquées plus en détails ci-après en regard des figures 1 et 2 montrant les relations entre l'énergie d'un photon (eV) d'une intensité d'excitation de 11,5mJ/cm~ correspondant à l'énergie du faisceau, et la profondeur en A des trous formés dans une couche d'halogénure métallique de PbI2 par irradiation avec le faisceau pendant 100 nanosecondes, et entre l'intensité en mJ/cm2 d'un laser à l'argon d'une énergie de photon de 2,8 eV correspondant à l'intensité de l'excitation du faisceau, et la profondeur ( ) des trous formés dans des couches d'halogénures métalliques de BiT3(courbe a) HgT2(courbe b), PbI2 (courbe c), SnI2 ( courbe d), BiBr3( courbe e ), SnBr3 (courbe f) et PbC12 (courbe g) par irradiation avec le laser à l'argon pendant 100 nanosecondes. Comme cela ressort de la figure 1, des trous ne sont pas formés dans les halogénures métalliques de PbI2 par un faisceau d'énergie dont l'énergie des photons est inférieure à 2,3 eV correspondant à l'intervalle de bande interdit de PbI2, mais par un faisceau d'énergie dont l'énergie des photons est supérieure à 2,3 eV. Autrement dit, pour former des trous dans la couche d'halogénure métallique, l'énergie du faisceau doit être supérieure à celle qui correspond à l'intervalle de bande interdit de l'halogénure métallique à traiter. Si l'énergie de photon est comprise entre 2,6 eV et 3,5 eV, des trous sont formés dans une couche de PbI2, et si l'énergie des photons est comprise entre 2,8 eV et 3,0 eV, des trous sont formés dans cette couche de façon plus efficace. La figure 2 montre qu'il existe une intensité seuil d'excitation pour former des trous dans des couches d'halogénure métallique. Autrement dit, pour PiI3, HgI2, PbI2, SnI2, BiBr3, SnBr3 et et2PbCl2, les intensités seuil d'excita 2 sont 2 l'ordre 2 7mT/#2, 9mj/cm2 2 10mj/cm2, Ilmf/cm, 13mJ/cm, 2 tion sont de l'ordre de 7mJ/cm, 9mJ/cm , 10mJ/cm , 10mJ/cm , 11mJ/cm , 13mJ/cm et 15mJ/cm , respectivement. Des expériences ont montré que ces intensités seuil d'excitation du faisceau d'énergie correspondent à des intensités d'excitation autorisant l'excitation d'un dixième d'un constituant moléculaire des halogénures métal- liques respectifs. Il résulte des explications données ci-dessus, que, selon l'invention, le faisceau d'énergie destiné à former des trous dans la couche d'halogénure métallique doit avoir une intensité d'excitation supérieure à l'intensité seuil d'excitation, c'est à dire à l'intensité d'excitation qui autorise l'excitation d'un dixième d'un constituant moléculaire de l'halogénure métallique, en plus d'une énergie supérieure à celle qui correspond à l'intervalle de bande interdit de cet halogénure. Un premier mode de réalisation sera maintenant décrit en regard des figures 3a, 3b et 3c. De la poudre 10 dePbI2, formée par réaction de Pb et I2, est placée dans une nacelle Il afin de s'évaporer et se déposer sur un substrat 12 de si. Un courant électrique de 75 Ampères est appliqué à la nacelle 11 par une source 13 de courant électrique, sous un degré de vide de 5x10 Torr pendant 30 secondes, de manière à former une couche 14 de PbI2 d'une épaisseur de 250 sur la surface du substrat 12 au silicium, figure 3a. Des parties prédéterminées de la couche 14 sont ensuite irradiées avec des faisceaux 15 et 16 d'un laser à l'argon, chacun d'une longueur d'onde o 2 de 4880 A et d'une intensité d'excitation de 12 mJ/cm ; ces faisceaux sont produits par des laser à l'argon 17 et 18, pendant 100 nanosecondes, figure 3b, de manière que les parties irradiées de la couche 14 soient complètement éliminées et que les parties de surface 19 et 20 du substrat 12 correspondant aux parties irradiées soient mises à nu, comme le montre la figure 3c. Un dessin prédéterminé de la couche de PbI2 est ainsi réalise. Un second mode de réalisation de l'invention sera maintenant décrit en regard des figures 4a à 4d. La formation d'une couche de PbI2 sur un substrat de verre, selon un procédé de dépôt de vapeur, sera expliquée en regard des figures 4a et 4b. Dans un tube à réaction 21, une nacelle 22 qui contient de la poudre 23 de PbI2 formée par réaction de Pb et I2, et un substrat de verre 24 sont disposés dans des parties différentes. De l'hydrogène est introduit dans le tube à réaction 22, dans la direction de la flèche 25, avec un débit d'environ 100 cclmin, et ensuite, le tube à réaction 21 est chauffé au moyen de radiateur 35 de manière à présenter une distribution de température représentée sur la figure 4b, c'est à dire que les parties du tube à réaction 21 contenant la nacelle 22 et le substrat 24 se trouvent respectivement à des températures de 4000c et 1500C. Si cette distribution de température est maintenue pendant une heure, une couche 26 de PbI2 d'une épaisseur de 1 micron est formée sur le substrat de verre 24. Un masque 27 comportant des trous 28 et 29 qui correspondent à un dessin prédéterminé, est disposé au-dessus de la couche 26 de Fbi2 sur le substrat de verre 24, comme le montre la figure 4c, et un faisceau d'électrons 30 dont l'énergie est 5OOkeV et l'intensité de crête 104 A, produit par un générateur de faisceau électronique, non représenté, à savoir un PULSERAD 105 diffusé par Physics International, est dirigé vers la couche 26 à travers le masque 27 pendant 10 nanosecondes.Des parties de la couche 26 correspondant aux trous 28 et 29 sont irradiées par le faisceau 30 et, comme le montre la figure 4d, ces parties de la couche 26 sont complètement éliminées et par consé- quent, les parties de surface 31 et 32 du substrat de verre 24 correspondant aux parties irradiées de la couche 26 sont exposées, de sorte que le dessin prédéterminé du masque 27 est reproduit sur le substrat de verre 24. Un troisième mode de réalisation sera maintenant décrit en regard des figures Sa à 5c. Une couche de PbI2 d'une épaisseur de 2000 est formée sur un substrat de verre selon le procédé d'evaporation décrit en regard du premier mode de réalisation. Des faisceaux de laser à l'argon, chacun d'une longueur d'onde de 9 2 4880 A et d'une intensité d'excitation de 12,4 m;/cm , sont dirigés sur certaines parties de la couche de PbI2 de manière à former un dessin négatif de Pub2, comme le montre la figure Sa. Sur ce dessin femelle, une couche 33 d'aluminium d'une épaisseur de 1000 A est formée, comme le montre la figure 5b, selon un procédé classique par évaporation. Le dispositif obtenu est ensuite plongé dans de l'eau distillée pendant quelques minutes, de manière que les parties de la couche d'aluminium 33 sur la couche de PbI2 soient éliminées avec cette dernière couche. Un dessin positif d'aluminium est ainsi forme sur le substrat de verre, comme le montre la figure 5c. Selon un quatrième mode de réalisation, une couche de BiT3 d'une épaisseur de 2000 A est formée par un procédé d'évaporation similaire à celui décrit en regard du premier mode de réalisation, sur un substrat de silicium. Un faisceau de laser à l'argon d'une longueur d'onde de 4880 A et une intensité d'excitation de 10 mJ/cm2 est dirigé sur la couche de BiI3, de maniere à frapper des parties prédéterminées de cette couche, en y formant un dessin négatif. Une couche d'aluminium d'une épaisseur de 1000 A est formée sur le dessin négatif selon un procédé classique par évaporation. Le dispositif résultant est ensuite chauffé à une température de 7000G pendant une minute, sous un vide de 10 7Torr, de sorte que la couche de BiI3 s'évapore avec des parties de la couche d'aluminium qui se trouve au-dessus, en formant ainsi un dessin positif d'aluminium sur le substrat de silicium. Selon un cinquième mode de réalisation, une couche de HgI2 d'une épaisseur de 1000 A est formée sur un substrat de silicium, selon un procédé d'évaporation similaire à celui décrit en regard du premier mode de réalisation. Un faisceau de laser à l'argon d'une longueur d'onde de 4880 A et une intensité d'excitation de 10,4 mJ/cm2 est dirigé sur la couche de HgI2 de mani ère à rencontrer des parties predeterminzeés de cette couche en y formant un dessin négatif. Une couche de SiO2 d'une épaisseur de 1000 A est formée sur le dessin négatif, selon un procédé classique de dépôt de vapeur chimique. Ensuite, le dispositif obtenu est chauffé à une température de 700du pendant une minute, sous un vide de 10 7 7 Torr de manière à éliminer les parties de la couche de SiO2 qui se trouvent sur la couche de Hot2, avec cette dernière. Un dessin positif de HgI2 est ainsi formé sur le substrat de silicium. Selon un sixième mode de réalisation, une couche de PbC12 d'une épaisseur de 2000 A est formée sur un substrat de silicium, selon un procédé de dépôt de vapeur similaire à celui décrit en regard du second mode de réalisation. Un faisceau de laser à l'argon d'une longueur d'onde de 4880 A et d'une intensité d'excitation de 17,6 mJ/cm2 est dirigé sur une partie prédéterminée de la couche de FbCl2, de manière à y former un dessin négatif. Une couche de Zn est formée sùr ce dessin négatif, selon un procédé classique de dépôt de vapeur. Les parties de la couche de Zn se trouvant sur la couche de PbCl2 sont ensuite éliminées en plongeant le dispositif obtenu dans de l'eau distillée pendant plusieurs minutes, en formant ainsi un dessin positif de Zn. Ce dispositif est chauffé dans une atmosphère d'argon, en formant ainsi un dessin positif de Zn diffusé dans le substrat de silicium. De préférence, si Zn est diffusé dans le substrat de silicium, une couche de SiO2 est ensuite formée sur le dessin positif de Zn et sur les parties de surface exposées du substrat de silicium. Selon un septième mode de réalisation, une couche 41 de PbI2 d'une épaisseur de 1000 est formée sur un cristal 42 de Pb-Sn-Te du type N, selon le procédé de dépôt de vapeur décrit en regard du premier mode de réalisation, et comme le montre la figure 6a. Un dessin négatif de PbI2 est formé sur le cristal 42 en dirigeant un faisceau de laser à l'argon-néon d'une longueur d'onde de 4880 A et dlune intensite d'excitation de 12 mJ/cm , sur certaines parties de la couche 41, figure 6a. Le dispositif obtenu est chauffé dans une atmosphère d'oxygène, à une-température de 1800C pendant 5 minutes, afin d'oxyder les parties exposees du cristal. Ensuite, la couche 41 de PbI2 est complètement eliminee en chauffant le dispositif à une température de 2500C pendant 10 minutes, sous un vide de 10 Torr, et ce dispositif traité thermiquement est ensuite chauffé dans une atmosphère d'hydrogène à une température de 4000G pendant 5 minutes, de manière que l'oxygène des parties oxydées diffuse dans le cristal de Pb-Sn Te ; des régions~43 de Pb-Sn-Te du type P sont ainsi formées, selon un dessin positif, dans le cristal 42. Des jonctions Pn sont formées entre les régions 43 et le cristal 42. Selon un huitième mode de réalisation, une couche 46 de PbI2 d'une épaisseur de 2500 A est formée sur un substrat de verre 45, comme le montre la figure 7a. Des faisceaux de laser à l'argon 47, chacun d'une longueur d'onde de 4880 et une intensité d'excitation de 13 mJ/cm , sont dirigés vers la couche 46 de PbI2, comme le montre la figure 7b, afin d'éliminer les parties irradiées de cette couche et d'exposer les parties de surface 47, 48 et 49 du substrat de verre 45, figure 7c. Ce qui reste de la couche de PbI2 est ensuite chauffé à une température de l'ordre de 2000C, et elle est irradiée avec un faisceau de lumière blanche 51 pendant 5 minutes, figure 7c, afin de décomposer PbI2 en Pb et I2. L'iode se disperse et le plomb reste en place. Un dessin 52 de plomb est donc formé sur le substrat de verre 45, comme le montre la figure 7d. Selon un neuvième mode de réalisation, un substrat de verre est utilisé et reçoit une couche de SiO2. Comme le montre la figure 8a, une couche 57 de PbI2 d'une épaisseur o 2 de 1000 A est formée sur la couche de SiO2 56, formée sur le support de verre 55 par un procédé d'évaporation similaire à celui décrit en regard du premier mode de réalisation. Un faisceau de laser à l'argon d'une longueur d'onde de 4880 A et d'une 2 énergie d'excitation de 11,4 mJ/cm est dirigé sur la couche 57 de PbI2 afin d'en éliminer les parties irradiées et d'exposer les parties de surface de la couche 56 de SiO2 correspondant à ces parties irradiées, figure 8b. Ensuite , comme le montre la figure 8c, une couche 58 d'or d'une épaisseur de 1000 est formée selon un procédé classique par évaporation. Le dispositif obtenu est plongé dans de l'eau distillée pendant quelques minutes de manière que des parties de la couche d'or 58 soient éliminées avec la couche 57 de Put2, et des parties de la surface de la couche 56 sont mises à nu, figure 8d. Un produit d'attaque, par exemple de l'acide fluorhydrique, est mis en contact avec les parties exposées de la surface de la couche 56 de manière à les éliminer, en mettant ainsi à nu des parties de la surface du substrat de verre 55, figure 8e. Un dixième mode de réalisation s'applique particulièrement à la fabrication des disques d'enregistrement d'images bien connus. Il faut noter que l'épaisseur d'une matière destinée à mémoriser des informations est de l'ordre de la moitié ou du quart de la longueur d'onde de la lumière de reproduction des informations sur le disque lorsque ces informations sont lues, comme cela est bien connu dans le domaine de l'optique. Autrement dit, si un faisceau de laser à ltheliumrneon d'une longueur d'onde de 6328 est utilisé pour reproduire les informations, l'épaisseur de la matière de mémorisation doit être de l'ordre de 3000 A ou de l'ordre de 1500 . Une couche de PbI2 d'une épaisseur de 1500 A est formée sur un substrat de verre, au moyen d'un courant électrique de 75 Ampères, sous un vide de 5x10 ' Torr, et pendant une période d'évaporation de 20 secondes, dans le dispositif de la figure 3a. Un faisceau de laser à l'argon d'une longueur d'onde de 4880 A et d'une intensité d'excitation de 12 mJ/cm2 est dirigé vers la couche de PbI2 avec une modulation par les signaux d'information à mémoriser, de la manière bien connue dans le domaine des disques d'enregistrement d'images, afin d'éliminer les parties irradiées de la couche de PbI2 et de mettre à nu les parties de la surface du support de verre qui correspondent à ces signaux. Des disques d'enregistrement d'images sont ainsi fabriqués de cette manière simple. Selon un onzième mode de réalisation, qui sera décrit en regard des figures 9a à 9c, une couche 61 de BiT3 d'une épaisseur de 3000 A est formée sur un substrat de verre 60 selon un procédé d'évaporation similaire à celui décrit en regard du premier mode de réalisation, et comme le montre la figure 9a. Un faisceau 62 de laser à l'argon d'une longueur d'onde de 4880 A et d'une intensité d'excitation de 8,5 mJ/cm2; et un faisceau 63 de laser à l'argon d'une longueur d'onde de 4880 A et d'une intensité d'excitation de 11,5 mJ/cm2 sont dirigés sur la couche 61, figure 9b, de maniere à former respectivement au moyen de ces faisceaux, un trou 64 d'une profondeur de 1000 et un trou 65 qui traverse la couche. Selon l'invention, des dessins dont les extrémités opposées l'une à l'autre peuvent etre maintenus à une distance de l'ordre de 20 A sont formés en des temps très courts, et selon un procédé à sec. Bien que plusieurs modes de réalisation aient été décrits ci-dessus à titre d'exemples, il est évident que de nombreuses modifications peuvent y être apportées sans sortir du cadre ni de l'esprit de l'invention. REVENDTCATTONS 1 - Procédé de réalisation d'un dessin sur un substrat, caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement à former une couche d'halogénure métallique sur la surface dudit substrat et à irradier une partie de ladite couche d'halogénure métallique avec un faisceau d'énergie dont l'énergie est supérieure à celle qui correspond à l'intervalle de bande d'interdit dudit halogénure métallique et dont l'intensité d'excitation est supérieure à celle qui autorise l'excitation d'un dixième d'un constituant moléculaire dudit halogénure métallique, de manière à former ainsi le dessin d'halogénure métallique. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit halogénure métallique est choisi dans le groupe comprenant PbI2, BiI3, GeI2, SnI2, AsI2, SbI3, HgI2, TII, SnCl2, FbCl2, HgCl2, SnBr2, PbBr2 et BiBr3. - 3 - Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'intensité d'excitation dudit faisceau d'énergie est supérieure à 10 sJ/cm2 7 mJ/cm2 2 6 mJ/cm , mJ/cm , 9 mJ/cm , 9 mJ/cm , 11 mJ/cm , 15 mJ/cm 15 mJ/cm2, 15 mJ/cm2, 13 mJ/cm2, 10 mJ/cm2 et 11 mJ/cm pour PbI2, BiI3, GeI2, 8nI2, AsI3, SbI3, HgI2, Tînt, SnCl2, FbCl2, HgCl2, SnBr2, PbBr2 et BiBr3. 4 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite partie de ladite couche d'halogénure métallique est complètement éliminée de sorte que la surface du substrat correspondant à la partie irradiée de ladite couche d'halogénure métallique est mise à nue. 5 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite partie de ladite couche d'halogénure métallique est partiellement éliminée de manière que la partie irradiée de ladite couche d'halogénure métallique soit plus mince que sa partie non irradiée. 6 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat est choisi dans le groupe comprenant les matières semi-conductrices, les matières isolantes et les matières conductrices. 7 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat est choisi dans le groupe comprenant le silicium, le verre, et le silicium ainsi que l'oxyde de silicium déposé sur du silicium. 8 - Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il consiste en outre à former une couche métallique sur la surface mise à nue du substrat et sur la partie restante de la couche d'halogénure métallique, et à éliminer la partie restante de la couche d'halogénure métallique avec la couche métallique formée sur elle, de manière à conserver la couche métallique formée sur la surface exposée du substrat. 9 - Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il consiste en outre à former une couche d'oxyde de silicium sur la surface mise a nue du substrat et la partie qui reste de la couche d'halogénure métallique, et à éliminer la partie qui reste de la couche d'halogénure métallique avec la couche d'oxyde de silicium formée sur elle, de manière à conserver la couche d'oxyde de silicium formée sur la surface exposée du substrat. 10 - Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il consiste en outre à irradier le reste de la couche d'halogénure métallique avec un faisceau d'énergie, de manière à convertir la partie irradiée de la couche d'halogénure métallique en une couche métallique. 11 - Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit halogénure métallique est du PbI2 qui est converti en Pb. 12 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit halogénure métallique est PhI2, ledit faisceau d'énergie étant un faisceau de laser dont ltenergie est supérieure à 2,5 eV. 13 - Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'énergie dudit faisceau de laser est comprise entre 2,6 eV et 3,5 eV. 14 - Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'énergie dudit faisceau de laser est comprise entre 2,8 eV et 3,0 eV.