FR 2306528 A1 19761029 FR 7609283 A 19760331 La présente invention concerne d'une manière générale, un procédé de liaison d'une pastille semi-conductrice a un élément thermiquement conducteur, et elle a trait, plus particulièrement, à un procédé pour lier du silicium à un métal en utilisant du plomb pur comme matériau de liaison et du titane ou un métal re- fractaire similaire tel que du zirconium, de l'hafnium, etc., comme agent mouillant. La formation d'une liaison satisfaisante entre un dispositif semi-conducteur et un support métallique pose plusieurs problèmes. Il est souhaitable d'obtenir à la fois une faible résistivité thermique et une faible résistivité électrique dans la liaison. En outre, si les coefficients de dilatation thermique du silicium et du métal sont dissemblables, il est nécessaire de fournir une liaison qui ne soit pas totalement rigide et qui par conséquent fournisse une interface qui codera plutt que d'appli- quer des contraintes de cisaillement ou de flexion à la pastille semi-conductrice. De même, il est souhaitable de fournir une liaison qui ne se dégradera pas lors de cycles thermiques répétés comme on peut s'y attendre lorsque le dispositif est chauffé et refroidi.Les composés de soudure, plomb-étain, sont tout spécia- lement susceptibles d'une telle recristallisation lors de conditions de chauffage et de refroidissement répétées. Brièvement, selon la présente invention, on a mis au point un procédé pour lier un semi-conducteur à un métal qui comprend le revêtement des surfaces à lier avec du titane ou avec un autre métal réfractaire similaire, la prévision d'une source de plomb pur ou autre matériau de liaison approprié entre les surfaces et le chauffage de la liaison à une température suffisante pour tout d'abord fondre le matériau de liaison, et deuxièmement l'obliger à mouiller les surfaces du semi-conducteur et du métal. La suite de la description se réfère aux figures annexées qui représentent respectivement Figure I, un diagramme des étapes nécessaires pour la formation d'une liaison semi-conducteur-métal selon un aspect de la présente invention, Figure 2, un diagramme similaire montrant les étapes pour la liaison selon une autre réalisation de l'invention, Figure 3, un autre procédé pour l'introduction de plomb de liaison dans la structure, et Figure 4, un dispositif destiné à être utilisé dans les étapes à haute température du procédé selon la présente invention. Sur la figure 1, on a représenté un diagramme des étapes nécessaires pour créer une liaison entre une pastille semi-conductrice 10 et un support métallique 11. Dans des buts d'illustration, on supposera que la pastille semi-conductrice est une pastille de silicium et que le métal est un métal réfractaire par exemple du molybdène. Il faut noter toutefois que cette invention n'est pas limitée à ces seuls matériaux et que d'autres matériaux semi-conducteurs, tels que le germanium ou les matériaux semi-conducteurs des groupes III-V, tels que l'arséniure de gallium, de même que d'autres métaux, comme par exemple le tungstène, le tantale et le niobium peuvent être utilisés selon la présente invention. On peut également utiliser d'autres métaux réfractaires le cas échéant et par conséquent, la présente invention ne se limite pas aux métaux particuliers indiqués ici.Il faut en outre noter que dans les buts d'illustrer la mise en pratique de la présente invention, on a choisi le plomb comme matériau de liaison, mais que l'invention ne se limite pas à la seule utilisation de plomb. Par exemple, on peut utiliser à la place du plomb de l'étain pur, de l'indium ou du bismuth. Les caractéristiques importantes que l'on doit prendre en considération pour le choix d'un matériau de liaison approprié sont le point de fusion et la ductilité. Il est nécessaire que le matériau choisi soit solide à la température de fonctionnement du dispositif, et en outre,il est souhaitable que le point de fusion soit aussi bas que possible.Ce bas point de fusion n'est souhaitable pour autant que la déformation résiduelle dans le joint soit liée directement à la différence de température entre la température ambiante et le point de fusion du matériau de liaison. Il est recommandé que le matériau de liaison choisi ait un point de fusion compris entre 150 et 3500C. Il faut noter que le cadmium, bien qu'ayant un point de fusion approprié ne convient pas car c'est un matériau très volatile et un poison. Il faut également noter que, bien que l'on ait indiqué le titane comme agent mouillant dans l'exemple de réalisation de la présente invention, l'invention ne se limite pas à ce seul matériau comme agent mouillant et que l'on peut employer d'autres métaux réfractaires. Par exemple, on peut utiliser du zirconium et de l'hafnium selon la présente invention. Avant de commencer à former la liaison, il est nécessaire de nettoyer les surfaces du semi-conducteur et du métal que l'on doit lier. De préfèrence, on doit débarrasser les surfaces le plus possible de la graisse et/où des oxydes superficiels. On a trouvé qu'un rinçage dans un solvant organique, tel que l'acétone ou le méthanol suivi par une attaque chimique au moyen d'un mélange comprenant approximativement des quantités égales d'acides nitrique et fluorohydrique, fournit un dégraissage approprié de la plupart des semi-conducteurs et métaux. Aucun procédé particulier de dégraissage n'est nécessaire dans la mise en pratique de l'invention et on peut utiliser tout procédé bien connu de dégraissage des métaux et/ou des semi-conducteurs. Après avoir préparé les surfaces comme indiqué cidessus, il est nécessaire de déposer sur ces surfaces un mince revêtement de titane finement dispersé. On a trouvé qu'il était commode d'utiliser l'hydrure de titane comme source de titane. De Hydrure de titane finement divisé , dispersé dans de l'acétate d'amyle avec le cas échéant un liant de nitrocellulose, fournit une source de titane appliquée aisément, par exemple par pulvérisation ou au pinceau sur des surfaces du semi-conducteur et du métal.On recommande selon la présente invention que, quel que soit le milieu choisi pour fournir le revêtement de titane, on obtienne une couche d'une épaisseur d'environ 1 à 3 particules sur chaque surface Il faut noter que le support (acétate d'amyle) et/ou le liant ne sont pas critiques dans l'invention et fournissent simplement un moyen pour retenir le titane sur les surfaces du semiconducteur et du métal à lier. En outre, comme on l'indiquera cidessous, du titane pur ou une combinaison de titane et d'hydrure de titane assureront la fonction nécessaire. Des pastilles 10 et 11 ayant maintenant un revêtement d'hydrure de titane 13 sur leurs surfaces destinées a former la liaison sont placées l'une contre l'autre avec une source de plomb 15 intercalée.La structure résultante comprend une pastille semiconductrice 10, une mince couche d'hydrure de titane 13, une feuille de plomb 15 et une seconde couche mince d'hydrure de titane 13 et finalement la pastille métallique. Le procédé destine à fournir le plomb qui en fait formera la source de plomb n'est pas critique dans la mise en pratique de la présente invention. La mise en place d'une mince feuille de plomb entre le métal et le semi-conducteur à lier est un exemple seulement et en fait on décrira une variante ci-dessous.Le procédé fournissant la source de plomb comme par exemple les procédés utilisés auparavant dans toute technique de soudage bien connue est acceptable. Il est seulement souhaitable que le procédé fournissant une source de plomb de liaison n'introduise aucune tendance aux imperfections dans la liaison. Par exemple, il est bien évidemment néfaste de fournir une source de plomb qui aurait pour résultat des poches de gaz piégées ou autres liaisons non uniformes. On soumet maintenant la structure en sandwich formée cidessus à une température croissante dans une atmosphère inerte ou pratiquement inerte. Par exemple, on peut utiliser une chambre sous vide 17 pour entourer la structure tandis qu'on élève la température. En variante, on peut utiliser une atmosphère inerte comme de l'argon ou de l'azote afin de réduire les exigences concernant le vide. Il faut noter que tout procédé qui empêche la formation d'oxyde durant les parties à température élevée du procédé de liaison convient selon la présente invention. Par exemple l'azote ou l'argon fournissent une atmosphère acceptable. Il faut noter cependant que si le gaz inerte utilisé comprend des impuretés comme c'est généralement le cas ces impuretés peuvent dégrader le caractère de la liaison formée.Il est préférable par conséquent, que lorsqu'on utilise un environnement de gaz inerte, il soit de la qualité la plus élevée. Dans cet environnement sous vide ou de gaz inerte, on accroit alors la température jusqu'à un niveau suffisant pour fondre le plomb et former la liaison. Il est bien connu que le plomb fond à une température d'environ 3270C. L'hydrure de titane de décompose à une température d'environ 4000C, dégageant de l'hydrogène. Le mouillage n'apparait pas jusqu'au moment où la température atteint approximativement 5500C. On a trouvé par conséquent qu'il était préférable d'accroitre la température jusqu'à approximativement 600 C, pour s'assurer que l'on formera dans tous les cas une liaison satisfaisante.Il est recommandé selon la présente invention d'appliquer une certaine pression à la structure semi-conducteur-méta1 durant le chauffage pour assurer le formation d'une liaison satisfaisante. Après que le mouillage des surfaces des semi-conducteurs et du métal aient eu lieu, on peut refroidir la structure. On a trouvé qu'il est souhaitable que le refroidissement ait lieu rapidement afin de réduire la déformation résiduelle dans la structure.Comme cela est bien connue, la déformation résiduelle s'accroit lorsque la température de solidification croit, et par conséquent, pendant la durée où la structure reste à une température élevée, le plomb et le silicium peuvent interagir et en outre puisque la combinaison plomb-silicium a un point de fusion plus élevé que le plomb pur, un temps de refroidissement relativement long produirait une liaison ayant une déformation résiduelle plus importante qu'un temps de refroidissement court. Un aspect supplémentaire de la présente invention est que la présence d'un film de titane qui réduit de façon importante l'interaction entre le plomb et le silicium empêchera l'élèvation du point de fusion et produira ainsi une liaison ayant une déformation résiduelle nettement inférieure à celle possible auparavant. La figure 2 représente un diagramme schématique d'un autre procédé de formation d'une liaison entre un semi-conducteur et d'un métal selon la présente invention. Comme décrit ci-dessus en référence à la figure 1, il est nécessaire avant d'amorcer les étapes indiquées sur la figure 2 d'obtenir une surface propre sur chacun des éléments à lier. On suppose que cette étape a été effectuée avant la première étape représentée sur la figure 2. Une fois que les surfaces du semi-conducteur et du métal que l'on doit lier sont propres, on pulvérise une mince couche de titane sur ces .~surfaces. Cette pulvérisation s'effectue sous faible pression d'argon comme indiqué ici par la chambre à vide 17 dans laquelle on a placé le matériau semi-conducteur 10 et la pastille métallique 11.Ces deux matériaux sont disposés avec leurssurfacesquine sont pas destinées à être liées, en contact avec une électrode non réactive 19 d'une manière qui fournit un bon contact électrique entre chacune des pastilles de semi-conducteur et de métal et des électrodes. On prévoit une seconde électrode 21 dans la chambre sous vide et une source de tension 23 qui est reliée entre les deux électrodes. Cette source de tension est de préférence une source de courant électrique de haute fréquence, par exemple, une source de fréquence radio de 13,5 MHz.L'électrode 21 est une électrode de titane qui pendant ce procédé de pulvérisation fournit la source de titane à déposer sur les surfaces de semi-conducteur et de métal à lier.Durant le procédé de pulvérisation, on introduit un gaz inerte, par exemple de l'argon dans la chambre sous vide qui fournit les particules énergétiques nécessaires pour extraire des quantités infimes de titane de l'électrode 21 qui seront accélérées par la source de tension 23 et qui se déposeront sur des pastilles de semi-conducteur et de métal 10 et 11. Ce procédé de pulvérisation crée de minces couches 26 et 27 de titane sur les surfaces à lier. On doit noter que ce procédé fournit des couches de titane pratiquement pur plutôt que des revêtements d'hydrure de titane comme c'est le cas de la réalisation de cette invention indiquée ci-dessus en référence à la figure 1. L'utilisation de couches d'hydrure de titane finement dispersé ou l'utilisation de couches de titane pur sur les surfaces à lier fournissent toutes les deux des caractéristiques souhaitables.Par exemple, l'hydrure de titane particulaire fournit un certain nettoyage lorsque de l'hydrogène se dégage de l'hydrure de'titane lors du chauffage. L'hydrure de titane particulaire n'empêche pas cependant une interaction entre le silicium et le plomb, mais dissout l'oxygène qui autrement contribuerait à la formation d'oxyde sur les surfaces à lier. Le titane pratiquement pur empêche l'interaction entre le silicium et le plomb, ayant ainsi pour résultat une liaison ayant une déformation résiduelle inférieure, mais ne fournit pas du tout d'hydrogène et par conséquent n'assure pas la fonction de nettoyage de l'hydrure de titane particulaire qui peut être souhaitable dans certain cas. Lorsque l'on souhaite obtenir les avantages du titane pur et de l'hydrure de titane , il est recommandé selon la présente invention de réaliser une mine couche de titane pur sur les surfaces à lier, puis d'exposer ces couches à une atmosphère d'hydrogène de sorte qu'une partie ou la totalité du titane pur soit transformer en hydrure de titane. La concentration de l'hydrogène et la durée de l'exposition à l'atmosphère d'hydrogène détermineront l'étendue de la couche de titane pur qui sera transformée en hydrure de titane. De cette manière, on peut former une couche uniforme d'hydrure de titane ou une couche uniforme de titane pur recouverte d'hydrure de titane.Après avoir pulvérisé sur les surfaces à lier les couches de titane 26 et 27, on interpose une source de plomb comme par exemple une mince feuille de plomb 15 entre les pastilles de semi-conducteur et de métal 10 et 11 ayant des couches de titane 26 et 27 sur leurs surfaces. On forme ainsi une structure de type sandwich comprenant du matériau semi-conducteur 10, une couche de titane 26, une feuille de plomb 15, une couche de titane 26 et une pastille métallique 11 dans l'ordre indiqué. On chauffe alors la structure de type sandwich sous vide ou dans une atmosphère inerte comme décrit ci-dessus en référence à la figure 1, jusqu'à une température d'approximativement 600au, cette température étant suffisamment élevée pour d'abord fondre le plomb et ensuite permettre au plomb de mouiller les surfaces du métal et du semi-conducteur recouvert de titane. On doit noter que la température à laquelle la structure de type sandwich doit être portée peut varier quelque peu de celle indiquée ici selon le métal et le semi-conducteur particulier utilisés.L'observation du processus thermique indiquera aisément quand a eu lieu le mouillage pour autant que l'angle de contact du plomb avec le semi-conducteur et le métal varie lors du chauffage jusqu a ce qu'ait lieu le mouillage lorsqu'il s'écoule sur la surface d'une manière similaire à celle bien connue dans les procédés de soudage classiques. Une fois que le mouillage a eu lieu, on refroidira la structure comme indiqué ci-dessus. La figure 3 représente un autre procédé pour fournir le plomb de liaison nécessaire au procédé selon l'invention et tel que représenté sur les figures 1 et 2. On suppose que l'emploi de ce procédé pour fournir le plomb de liaison tel que représenté sur la figure 3 suit l'application des revêtements de titane ou d'hydrure de titane'au moyen soit des procédés représentés sur les figures 1 et 2 ou soit d'un autre procédé quelconque. On insère un tube 30 dans un orifice 32 ménagé dans la pastille métallique 11. On prévoit un réservoir de plomb à l'intérieur du tube 30.On place alors la pastille métallique 11 et le matériau semi-conducteur 10 à proximité étroite l'un de l'autre et on l'échauffe sous vide ou sous atmosphère inerte comme décrit ci-dessus.Au fur et à mesure que le plomb contenu dans le réservoir fond, le plomb s'écoule du tube 30 dans l'espace 35 entre l'élément métallique 11 St le semi-conducteur 10. Ce procédé que l'on peut utilisé comme décrit ci-dessus en relation avec les procédés des figures 1 et 2, a l'avantage de réduire de façon importante l'introduction d'oxyde de plomb dans l'intervalle existant entre le semi-conducteur et le métal. On peut voir que au fur et à mesure que le plomb fond et commence à s'écouler du tube vers l'espace 35 entre le métal et le semi-conducteur, il laisse l'oxyde de plomb derrière dans le tube.En outre, seule la surface supérieure 37 du réservoir de plomb est exposée à l'atmosphère environnante dans laquelle on forme la liaison. On notera par conséquent, que la grande surface qui serait présente là où la mince feuille de liaison 15 est fournie entre le semi-conducteur et le métal, comme par exemple indiqué ci-dessus en relation avec les figures 1 et 2, surface qui serait susceptible de présenter une formation dioxyde, se trouve éliminée et que la liaison formée est de qualité supérieure. La figure 4 illustre un procédé selon la présente invention pour réaliser l'étape de chauffage des figures 1 et 2 dans une atmosphère inerte, tel qu'un four à bandes convoyeuses. On prévoit une nacelle de graphite 40 ayant un puit 42 de taille suffisante pour contenir la structure de type sandwich de métal et semi-conducteur particulaire que l'on souhaite lier. On place la structure de type sandwich au fond du puits et on place un élément de maintient en graphite 44 sur le dessus de la structure de façon à assurer une force suffisante pour maintenir la relation de position voulue entre les pastilles de semi-conducteur et de métal. Une mince feuille de titane 46 recouvre l'intérieur du puits 42 entourant la structure de type sandwich 48 et le bloc 44 de graphite. La nacelle 40 est chauffée de façon commode dans un four qui peut, le cas échéant être fragmenté en compartiment au moyen desquels on peut régler de façon précise la température des étapes. Cette structure représentée à la figure 4 présente l'avantage que si des impuretés, comme par exemple principalement l'oxygène sont présentes dans le gaz inerte ou l'atmosphère environnante sous vide dans laquelle on doit former la liaison, ces impuretés tendent à réagir, tout d'abord avec le graphite pour former par exemple du dioxyde de carbone volatile qui est éliminé par le gaz vecteur présent dans le four et également avec la feuille de titane 46 qui recouvre le puits 42 et qui dissout l'oxygène. Ainsi, on empêche pratiquement l'oxygène d'atteindre la liaison au fur et à mesure qu'elle se forme et on obtient une liaison de qualité supérieure. Le procédé de liaison d'un semi-conducteur à un métal décrit ci-dessus fournit une liaison ayant des caractéristiques améliorées comparées à celles obtenues jusqu'à présent. Bien que l'on ait décrit plusieurs techniques particulières pour la formation d'une liaison en utilisant du plomb pratiquement pur en même temps que du titane selon une de ses nombreuses formes comme agent mouillant, il faut bien noter que la présente invention ne se limite pas à une forme particulière ou à un procédé particulier pour former une liaison. Par exemple, on a indiqué hydrure de titane comme un composé permettant de fournir une source de titane pendant la partie de chauffage à température élevée du procédé de liaison.Comme on l'a noté, le procédé s'applique à un grand nombre de métaux que l'on a indiqué ci-dessus, mais n'est pas limité à ceux-ci pour autant que le métal est connu comme étant un métal réfractaire, c'est-à-dire que l'on peut utiliser pour former la liaison tout métal qui ne se dégradera pas sous l'effet des chaleurs nécessaires pour former la liaison. Il est nécessaire bien sur, que le métal soit mouillé par le plomb en présence de titane. En outre, on a trouvé que l'hydrure de zirconium peut se substituer jusqu'à un certain point au titane le cas échéant. Le titane, cependant est le métal que l'on recommande, en ce sens qu'il produit une liaison de qualité supérieure. On a décrit deux procédés particuliers pour fournir un revêtement de titane, mais l'invention ne se limite pas à un procédé particulier d'obtention du revêtement de titane et d'autres procédés comme par l'exemple l'évaporation conviennent également. Le procédé particulier choisi étant déterminé par l'équipement disponible pour effectuer les étapes de traitement nécessaires. Quel que soit le procédé choisi pour obtenir un revêtement de titane ou autres avant la liaison, on recommande de former une couche d'environ 300 A à 25,4 microns d'épaisseur et en aucun cas supérieur à 0,25 mm. Une épaisseur de o 5000 A donne de bons résultats. REVENDICATIONS 1 - Procédé pour former une liaison entre un métal approprié et un semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il consiste à revêtir les surfaces à lier d'une mince couche d'un agent mouillant formé par un métal choisi parmi le titane, le zirconium et l'hafnium, à fournir une source de métal de liaison choisi dans le groupe comprenant le plomb, l'étain, le bismuth et l'indium, entre les surfaces revêtues et à chauffer le métal de liaison et les surfaces à lier à une température suffisamment élevée pour provoquer la fusion du métal de liaison et le mouillage des surfaces par ce métal de liaison en présence de l'agent mouillant formé de métal réfractaire. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le revêtement des surfaces à lier avec une mince couche d'agent mouillant formée de métal réfractaire consiste à revêtir les surfaces avec du métal finement divisé. 3 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le revêtement des surfaces à lier avec une mince couche d'agent mouillant formée de métal réfractaire consiste à pluvériser le métal réfractaire sur les surfaces. 4 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le revêtement des surfaces avec l'agent mouillant formé de métal réfractaire consiste à évaporer le métal sur les surfaces. 5 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la fourniture d'une source de métal de liaison consiste à déposer une mince feuille de métal de liaison entre les surfaces. 6 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la fourniture d'une source de métal de liaison consiste à insérer un tube rempli de métal à travers une des surfaces de sorte que lors de la fusion, le métal s'écoule entre les surfaces. 7 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de chauffage, consiste à chauffer à une température supérieure à 5500C. 8 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de chauffage consiste à chauffer à une température comprise entre 5000 et 7000C. 9 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de chauffage comprend la mise en place du semi-conducteur revêtu de métal réfractaire et du métal revêtu de métal réfractaire en même temps que le métal de liaison dans une nacelle de graphite et à chauffer la nacelle. 10 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal approprié est choisi dans le groupe comprenant le tungstène, le molybdène, le tantale et le niobium. 11 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de chauffage consiste à chauffer sous vide. 12 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de chauffage consiste à chauffer dans un gaz inerte. 13 - Procédé pour former une liaison au plomb entre un métal approprié et un semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il consiste à revêtir les surfaces à lier avec une mince couche de titane, à fournir une couche de plomb entre les surfaces revêtues de titane età chauffer le plomb et les surfaces à lier à une température suffisamment élevée pour provoquer la fusion du plomb et le mouillage des surfaces par le plomb en présence de titane. 14 - Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le revêtement des surfaces à lier avec unè mince couche de titane consiste à revêtir ces surfaces avec de l'hydrure de titane finement divisée. 15 - Procédé selon la rvendication 14, caractérisé en ce que l'hydrure de titane finement divisée est transportée par de l'acétate d' amyle. 16 - Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que l'hydrure de titane finement divisée comporte en outre un liant de nitrocellulose. 17 - Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le revêtement des surfaces avec une mince couche de titane consiste à pulvériser du titane sur les surfaces. 18 - Procédé selon la revendication 13,caractérisé en ce que le revêtement des surfaces avec du titane consiste à évaporer du titane sur les surfaces. 19 - Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la fourniture d'une source de plomb consiste à déposer une mince feuille de plomb entre les surfaces. 20 - Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la fourniture d'une source de plomb consiste à insérer un tube rempli de plomb à travers une des surfaces de sorte que lors de la fusion, le plomb s'écoule entre les surfaces. 21 - Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'étape de chauffage consiste à chauffer à une température supérieure à 5500C. 22 - Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'étape de chauffage consiste à chauffer à une température comprise entre 500 et 7000C. 23 - Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'étape de chauffage consiste à placer le semi-conducteur et le métal revêtu de titane en même temps que du plomb dans une nacelle de graphite et à chauffer la nacelle. 24 - Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le semi-conducteur est du silicium. 25 - Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le métal approprié est choisi dans le groupe comprenant le tungstène, le molybdène, le tantale et le niobium. 26 - Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'étape de chauffage consiste à chauffer sous vide. 27 - Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'étape de chauffage consiste à chauffer dans un gaz inerte. 28 - Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le revêtement des surfaces à lier avec une mince couche de titane consiste à revêtir les surfaces avec une couche d'hydrure de titane recouvrant une couche de titane pratiquement pur. 29 - Procédé selon la revendication 28, caractérisé en ce que le revêtement des surfaces à lier avec une mine couche d'hydure de titane recouvrant une couche de titane pratiquement pur, consiste à revêtir les surfaces avec une couche de titane pratiquement pur et à exposer les surfaces à une atmosphère d'hydrogène de sorte qu'au moins une partie du titane pratiquement pur se trouve transformée en hydrure de titane.