FR 2301927 A1 19760917 FR 7505674 A 19750224 L'invention se rapporte à un procédé de réalisation d'une diode semiconductrice, formée à partir d'un cristal en un matériau semiconducteur et comportant essentiellement trois régions distinctes, une première région obtenue par le dépôt sur ledit cristal d'une première couche semiconductrice d'un premier type de conduction, une deuxième région obtenue par le dépôt sur ledit cristal d'une deuxième couche semiconductrice du second type de conduction opposé au précédent, et une troisième région, intrinsèque, intermédiaire entre les première et deuxième régions précitées. L'invention concerne principalement la fabrication de diodes détectrices à jonctions destinées à l'équipement de dispositifs d'analyse et de dosimétrie de rayonnements d'origine nucléaire. Une qualité primordiale d'une diode détectrice est sa linéarité de réponse au flux de rayonnement qui la frappe, autrement dit sa régularité de sensibilité quelle que soit la densité du flux incident. Il est admis que pour effectuer l'analyse correcte d'un rayonnement, la sensibilité d'une diode détectrice ne doit pas varier de plus de 1 à 2%. On sait que la sensibilité S est liée directement au volume v (S = kV) de la région intrinsèque intermédiaire de la diode et à la capacité C de ladite diode, mesurée entre les deux régions extrêmes de type de conduction opposé de cette diode. Le volume V de la région intrinsèque est égal au produit S.e d'un terme S à dimension de surface (dont la valeur, définie et stable, découle, à un facteur correctif près, variable selon la structure de la diode, de l'aire du contact existant entre les régions extremes et ladite région intrinsèque de la diode) par un terme e, à dimension de longueur, représentant ltépaisseur de la région intrinsèque mesurée entre les deux régions extremes. Par ailleurs, la capacité C est de la forme -, L représen e tant, de façon connue, une constante diélectrique caractéristique du matériau de la région intrinsèque. De la formule initiale S = kV, dans laquelle on remplace S C- e par la valeur S = C'e tirée de l'expression ci-dessus de la capa Ce k cité C, on déduit que S = k wCceoe = -'C.e2. Cette dernière expres- sion montre que la sensibilité S varie comme l'épaisseur e de la région intrinsèque de la diode (non comme e2 étant donné que C est inversement proportionnel à e): si e augmente, la sensibilité augmente (tandis que la capacité C diminue), et inversement. Or, la valeur de e est influencée par la tension présente aux bornes de la diode et cette tension varie considérablement entre le régime au repos et le régime en fonctionnement: dans le cas, par exemple, d'une diode alimentée au repos sous une tension continue de 1000 V et dont la résistance de charge a une valeur de 50 Q, la tension en fonctionnement, sous une impulsion de courant de 10 A, n'est plus que de 1000 V -(50 Q x 10 A) = 500 V#en toute rigueur, il faudrait tenir compte également de la résistance propre de la diode). Le problème de la réalisation d'une diode détectrice à réponse linéaire revient donc, fondamentalement, à faire que l'épaisseur de la région intrinsèque de cette diode soit sensiblement stable, quelles que soient les amplitudes des variations de tension auxquelles doit être soumise ladite diode. Selon l'art antérieur, les régions extrêmes de type de conduction opposé des diodes détectrices à jonctions sont souvent obtenues par un processus de diffusion. Il n'est pas rare d'observer, avec de telles diodes, des variations de sensibilité de 3% et plus entre des points de fonctionnement correspondant, d'une part, au seuil de tension admissible aux bornes de ces diodes, d'autre part, à des tensions voisines de la tension d'alimentation de base.De semblables variations de sensibilité peuvent s'expliquer par une extension plus ou moins prononcée de la région intrinsèque dans les régions extrêmes P+ et N+, suivant les niveaux de tension existant aux bornes des diodes; elles sont d'autant-plus accusées que les jonctions sont plus graduelles; elles sont d'autant plus éloignées d'une diode à une autre de structure en principe identique que les processus de diffusion ayant conduit à la formation desdites régions P+ et N+ ont été moins bien maltrisés; elles sont d'autant moins contrôlables que les profils de diffusion sont moins bien connus. Pour obtenir des jonctions abruptes et un meilleur groupement des performances on peut songer à constituer les régions extrêmes P etet N+ d'une diode détectrice par la voie de dépôts effectués sur un cristal semiconducteur de bonne pureté, par exemple par épitaxie. Le procédé d'épitaxie, employé sans précautions autres que celles habituellement mises en pratique dans cette technique, n'apporte pas d'améliorations caractéristiques par rapport au procédé de diffusion, en ce qui concerne la linéarité des diodes obtenues. Ceci est compréhensible. On sait, en effet, que durant la croissance d'un dépôt épitaxial il se produit une diffusion inévitable des impuretés du dépôt en cours d'élaboration dans le substrat sous-jacent (et/ou inversement). Il se forme donc, dans les lits superficiels dudit substrat, une couche parasite à gradient de concentration en impuretés (diffusées depuis le dépôt épitaxial) décroissant en direction du coeur de ce substrat. Dans une diode détectrice dont les régions extrêmes sont obtenues par épitaxie, il y a donc, dans le cristal intrinsèque sous-jacent, une couche parasite de type P à la jonction de ce cristal et de la région de type P+ et une autre couche parasite de type N à la jonction dudit cristal et de la région de type N Ces deux couches parasites constituent des zones d'extension de la région intrinsèque; la région intrinsèque mord d'autant plus dans les couches parasites que la tension aux bornes de la diode est plus élevée. Par ailleurs, dans les diodes réalisées selon les techniques de l'art antérieur, la possibilité d'extension de la région intrinsèque vers les régions extrêmes - que les diodes aient été élaborées par diffusion ou par épitaxie - entraîne souvent le défaut dit de "post-impulsion". Ce défaut est dû à la présence, dans les régions extrêmes et dans lesdites couches parasites, de centres pièges(liés, par exemple, à des irrégularités cristallines du matériau, ou consécutifs aux diffusions des impuretés de dopage) qui se chargent sous l'influence du rayonnement, (ctest-à-dire à des instants où le courant dans la diode étant important, la tension à ses bornes est relativement faible et l'épaisseur de la région intrinsèque est minimum) et qui ne se déchargent qu'ultérieurement, lorsque, le rayonnement cessant, le courant s'annule, la tension aux bornes de la diode remonte et la région intrinsèque s'étend sur les couches parasites. Les centres pièges situés dans les couches parasites libèrent alors leurs charges et provoquent un courant secondaire, déphasé dans le temps par rapport au courant initial, dont l'effet se traduit par une impulsion parasite, ou "post-impulsion", en retard sur l'impulsion première. L'amplitude de l'impulsion résultante est inférieure à celle enregistrée en l'absence de post#impulsion et le temps de descente se trouve considérablement accru. Le but du procédé selon l'invention est la réalisation de diodes semiconductrices à région intermédiaire intrinsèque, particulièrement de diodes à jonctions détectrices de rayonnements, dans lesquelles les caractéristiques géométriques de ladite région intermédiaire intrinsèque soient strictement déterminées et pratiquement invariables. L'invention prend notamment en considération les différences significatives de vitesse de diffusion d'éléments distincts susceptibles de diffuser dans un même substrat. Selon l'invention, un procédé de réalisation d'une diode semiconductrice, formée à partir d'un cristal en un matériau semiconducteur et comportant essentiellement trois régions distinctes, une première région obtenue par le dépôt sur ledit cristal d'une première couche semiconductrice d'un premier type de conduction, une deuxième région obtenue par le dépôt sur ledit cristal d'une deuxième couche semiconductrice du second type de conduction opposé au précédent, et une troisième région, intrinsèque, intermédiaire entre les première et deuxième régions précitées, est notamment remarquable en ce que le dépôt de chacune desdites première et deuxième couches est précédé, au moins dans les limites d'assise de ces couches, d'une opération d'inclusion d'au moins une impureté dans les lits superficiels correspondants dudit cristal, conférant provisoirement auxdits lits superficiels le type de conduction opposé de celui de la couche qui doit ensuite les recouvrir. Ainsi, le procédé selon l'invention consiste à créer volontairement, dans les lits superficiels du cristal, des couches pièges dont les impuretés,apportées par exemple soit par diffusion soit par implantation ionique, aient un rôle compensateur vis-àvis des impuretés parasites devant apparaître ultérieurement et inévitablement lors des dépôts des couches des première et deuxième régions. Les conditions de diffusion ou d'implantation des couches pièges (choix de l'élément ou des éléments de dopage, température et durée des processus de diffusion, dose et énergie d'implantation, conditions des recuits) doivent bien entendu être préétudiées en fonction des profils selon lesquels se distribuent dans le cristal lesdites impuretés parasites. L'utilisation du procédé selon l'invention a pour avantage majeur de permettre la réalisation de diodes dans lesquelles l'épaisseur de la région intrinsèque demeure très sensiblement constante, quelle que soit la tension appliquée aux bornes de ces diodes (dans la mesure où cette tension est supérieure à une tension de seuil dite "tension de désertion"). Les zones frontières entre les régions extrêmes et la région intermédiaire, zones de dopage et d'épaisseur incertains dans les diodes selon l'art antérieur et, de ce fait, plus ou moins incorporées dans ladite région intermédiaire suivant les tensions existant aux bornes des diodes, sont, dans les diodes selon l'invention, intégrées en permanence dans la région intermédiaire, du fait de leur nature électrique intrinsèque puisque très sensiblement compensée. La mise en oeuvre conjuguée du procédé selon l'invention et de la technique de dépôt des régions extrêmes par épitaxie permet, d'autre part, de créer des jonctions très abruptes entre lesdites régions extrêmes et la région intermédiaire, ce qui contribue encore à contenir cette région intermédiaire dans des limites d'épaisseur bien définies. La région intermédiaire ayant dès lors une épaisseur fixe, aisément contrôlable dans les diodes à structure géométrique simple , la sensibilité de telles diodes est invariable. Pratiquement, dans les diodes détectrices à jonctions obtenues par le procédé selon l'invention, la sensibilité varie au plus de 0,5 % pour la plage maximum de tension admissible aux bornes de ces diodes: la Demanderesse a pu même réaliser des diodes dans lesquelles cette sensibilité varie seulement de 0,1 à 0,2%. De tels résultats témoignent à l'avantage du procédé selon l'invention. La stricte localisation de la région intermédiaire dans les diodes élaborées par le procédé selon l'invention a permis, par ailleurs, d'éliminer totalement le défaut précédemment évoqué de "post-impulsion". Une telle amélioration est particulièrement intéressante. Selon une forme de mise en oeuvre du procédé selon l'invention, étudiée pour la réalisation d'une diode détectrice à jonctions de structure classique comportant une couche de type N et une couche de type P+ déposées respectivement sur l'une et l'autre face d'une plaquette semiconductrice de haute résistivité, on commence par soumettre une première face de la plaquette par exemple à une diffusion de type P (dans le cas où la diffusion toucherait également la seconde face, on procéderait ultérieurement à un décapage de cette seconde face). Ainsi crée-t-on fans les lits superficiels de la première face de la plaquette une première couche piège, de niveau de dopage et d'épaisseur bien déterminés.On procède ensuite sur la couche piège précédemment diffusée au dépôt, par épitaxie, d'une couche de type N+ afin de constituer une des régions extrêmes de la diode. Durant le dépôt de cette couche N des impuretés de ce type diffusent dans la couche P sous-jacente et il commence à s'établir un début de compensation dans ladite + couche P . Ensuidtiflaicouche N epitaxiale étant protégée par un masque, on crée /dans les lits superficiels de la deuxième face de la plaquette convenablement préparée, une deuxième couche piège de type N+. Sur cette deuxième couche piège on fait croître, par épitaxie, une couche de type P afin de former la seconde des couches extrêmes de la diode.De même que précédemment, il se fait une migration des impuretés de la couche épitaxiale dans la couche diffusée sous-jacente et il s'établit une compensation dans les lits de cette couche diffusée qui tend à remener la conduction à un niveau intrinsèque dans la zone correspondante de la plaquette. Durant la diffusion de la couche N+ et la croissance épitaxiale de la couche PS, la compensation déjà commencée se poursuit dans les lits superficiels de la première face de la plaquette et il y a donc lieu de faire en sorte qu'à l'issue du dépôt de la couche P la compensation soit-pratiquement totale au niveau de chacune des faces initiales de la plaquette. Ceci implique qu'il faille tenir compte de l'ensemble des paramètres mis en jeu (et notamment, des températures des diffusions et des dépôtsépitaxiaux, des durées des opérations à température élevée, des vitesses de diffusion des impuretés employées). Des corrections ou des aménagements visant à la précision peuvent être apportés, par exemple à l'issue de la diffusion d'une des deux couches pièges, en procédant à un décapage léger de la plaquette sur l'aire de diffusion, ce qui a pour effet d'éliminer les lits diffusés supérieurs à forte concentration. A la technique de diffusion mise en oeuvré pour la création des deux couches pièges peut être substituée, partiellement ou entièrement, la technique de l'implantation ionique. Il est entendu que la présente invention d'un procédé de réalisation de diodes semiconductrices à région intermédiaire intrinsèque s'étend aux diodes obtenues par la mise en oeuvre de ce procédé. La description qui va suivre en regard des dessins annexés, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La figure 1 représente, pour mémoire, la courbe de variation de la capacité d'une diode détectrice à jonctions en fonction de la tension appliquée aux bornes de cette diode. Les figures 2a à 2d représentent une diode détectrice à jonctions aux stades principaux de sa réalisation, conduite suivant le procédé de l'invention. Il a été souligné dans la première partie du présent mémoire, que la linéarité d'une diode détectrice à jonctions était notamment liée à la capacité de cette diode (qui dépend elle-même de l'épaisseur de sa région intrinsèque), mesurée entre ses deux régions extrêmes de type de conduction opposé. Le graphique de la figure 1 rend compte, en rappel et d'un point de vue général, des variations de la capacité C d'une telle diode en fonction de la tension inverse V présente à ses bornes, les coordonnées de la courbe 10 étant logarithmiques tant en ce qui concerne la capacité que la tension. Il apparaît que la courbe 10 se différencie en deux branches 10a et lOb sensiblement rectilignes, de pente nettement distincte, dont le point commun Il correspond à une valeur Vd de la tension. La tension Vd est connue sous le nom de "tension de désertion c'est la tension à partir de laquelle la région intermédiaire de la diode, délaissée par les porteurs de charge, peut être considérée comme réellement intrinsèque. On sait, en effet, que les matériaux semiconducteurs ne peuvent être parfaitement débarrassés de leurs impuretés, quelles que soient les précautions prises lors de leur élaboration. Si épurés soient-ils, ils demeurent toujours légèrement soit de type P, soit de type N, ce qui explique la nécessité d'une tension auxiliaire pour les rendre assimilables à des matériaux strictement intrinsèques. La tension Vd sus-mentionnée constitue un seuil caractéristique d'une diode donnée réalisée à partir d'un matériau donné; Vd est d'autant plus faible que le matériau de la région intrinsèque est, à l'origine, plus pur. La plage utile de fonctionnement d'une diode détectrice correspond à des tensions supérieures à Vd sur le graphique de la figure 1, mais qui ne peuvent en aucun cas excéder la tension de claquage V caractéristique de cette diode. c Le problème, pour une diode détectrice de rayonnements, consiste à obtenir une sensibilité la plus stable possible entre les points de fonctionnement extrêmes que figurent les tensions Vd et V. c Les variations de la capacité C entre les points de fonction nement Vd et Vc sont, en général, faibles: la capacité faiblit c quand la tension monte du fait de l'augmentation de l'épaisseur e de la région intrinsèque de la diode, comme il a été expliqué auparavant (ce que traduit la pente négative de la branche 10b de la courbe 10). Le problème consiste à tendre vers lthorizontalité de la branche 10b. Avec les diodes réalisées selon le procédé de l'invention, ce but est pratiquement atteint grâce à une localisation très étroite de la région intrinsèque de ces diodes. Une diode détectrice à jonctions répondant aux critères de linéarité souhaités, peut être réalisée, suivant l'invention, ainsi qu'il va être décrit en concordance des figures 2a à 2d. Sur ces figures, les dimensions relatives des différents dépôts et couches ne sont pas respectées; ceci afin de clafifier la représentation. Le matériau de départ est une plaquette 20 en un matériau semiconducteur monocristallin dont les faces opposées et parallèles 20a et 20b ont été convenablement rodées et décapées. Ce matériau est à degré de pureté le plus élevé possible; il conserve cependant un caractère de conduction bien défini que l'on suppose être, par exemple, du type P. La première opération (voir fig. 2a) consiste, en l'inclusion (par exemple, par diffusion) dans les lits superficiels de la plaquette 20, d'une impureté (ou d'un groupe d'impuretés) conférant au matériau semiconducteur, en cette zone de surface, un type de conduction N ou P d'un degré nettement élevé par rapport à celui dudit matériau. On crée ainsi une première couche piège 21, par exemple de type de conduction P, à partir de la face 20a de la plaquette 20. Durant cette diffusion on peut, soit protéger la face 20b de la plaquette, soit laisser aussi une couche 22 analogue à la couche 21 se créer à partir de ladite face 20b, couche 22 que l'on décapera ultérieurement. La couche 21 de type P étant élaborée, on procède au dépôt sus-jacent d'une couche épitaxiale 23, à forte concentration en une impureté de type N (voir fig. 2b). Durant le dépôt de la couche 23, des impuretés en provenance de cette couche migrent dans la couche 21 et une compensation commence à s'opérer au sein de ladite couche 21 entre l'impureté (ou les impuretés) conférant le type de conduction P, présente dans cette couche 21, et l'impureté (ou les impuretés) conférant le type de conduction N venant de la couche 23. A l'opération de dépôt de la couche 23 succède une deuxième opération de diffusion dans les lits superficiels de la plaquette 20, du côté de la face 20b de cette plaquette (voir fig. 2c). La plaquette 20 est préalablement décapée afin d'éliminer la couche 22 diffusée antérieurement. La deuxième opération de diffusion engendre la deuxième couche piège 24, de type de conduction N opposé à celui de la première couche piège 21. Pendant cette opération de diffusion, la couche 23 est protégée par un masque non représenté sur la figure. On recouvre ensuite la couche piège 24 d'un dépôt épitaxial 25 à forte concentration en une impureté de type P (voir fig. 2d). Durant la diffusion de la couche piège 24, puis, ensuite, durant le dépôt de la couche épitaxiale 25, la compensation amorcée initialement au sein de la couche piège 21 se poursuit et s'achève. Une compensation similaire dans la couche piège 24, des impuretés de type P en provenance de la couche épitaxiale 25, a lieu durant le dépôt même de ladite couche 25 (seulement durant ce dépôt, ou bien la compensation complète peut être obtenue par un recuit ultérieur). Les conditions opératoires doivent être étudiées avec soin, aux différentes étapes du processus de fabrication, afin que les compensations aux niveaux des couches diffusées 21 et 24 soient obtenues les meilleures possibles à la fin du dépôt de la couche 25 (ou à l'issue du recuit final). La mise au point d'un tel processus de fabrication impose notamment de déterminer judicieusement, dans chaque cas particulier, les impuretés convenables à mettre en jeu. La diode terminée telle que représentée sur la figure 2d (hormis ses contacts) comprend trois régions distinctes: deux régions extrêmes correspondant aux couches 23, de type de conduction N, et 25, de type de conduction P, et une région intermédiaire formée par la plaquette 20 y compris les lits superficiels occupés précédemment en 21 et 24 par les deux couches pièges au sein desquelles se sont effectuées les compensations indispensables (couches rappelées en trait pointillé sur la figure 2d). Dans la mesure où les concentrations en impuretés N et P dans les dépôts respectifs 23 et 25 sont élevées, les limites de la région intermédiaire sont strictement définies par les bases de chacun de ces deux dépôts. Une diode détectrice à jonctions selon une structure conforme à la figure 2d peut être, par exemple et à titre indicatif, réalisée dans les conditions suivantes: on part d'une plaquette 20 de silicium, épaisse de 250 pm, de type de conduction P, dans laquelle la concentration en impuretés est limitée à 2.1012 atomes/cm3. La résistivité d'un tel matériau se situe entre 4000 et 5000 Qcm. La plaquette ayant été préparée de façon appropriée et connue il y est diffusé du bore (couche 21) sous une épaisseur de 2 um (1,5 à 2,5 pm), la concentration en surface atteignant 1019 atomes/ cm3. L'opération est faite à une température de 10800C (1000 à 11000C) et dure entre 1 et 2 heures. Sur la couche piège 21 dopée au bore, on dépose une couche épitaxiale 23 de silicium de type N, dopée au phosphore sous une concentration constante de 1019 atomes/cm3. L'opération, effectuée par la technique d'épitaxie en phase vapeur, est conduite à une température de 10400C (1000 à 11000C); elle dure 30 minutes et la couche épitaxiale engendrée a une épaisseur de 25 um (20 à 30 pm). La couche 23 étant masquée (masque de bioxyde de silicium), on décape la plaquette 20 du côté de sa face 20b afin d'éliminer les couches contaminées par le bore de la diffusion de départ, puis, on soumet cette plaquette à une diffusion de phosphore pour y former, dans les lits superficiels parallèles à ladite face 20b, une couche piège 24 d'une épaisseur de 1 pm (0,8 à 1,2 pm), la concentration en surface étant de 1020 atomes/cm3. Cette seconde opération de diffusion a lieu à la température de 9300C (900 à 1000 C); elle dure entre 30 et 60 minutes. On procède alors à un nouveau décapage léger (sur une épaisseur comprise entre 0,3 et 0,6 um), du côté de la face 20b de la plaquette, afin de ramener la concentration de phosphore en surface 3 ce à 10 atomes/cm Sur la couche piège 24 décapée on dépose, par épitaxie vapeur, une couche de silicium 25 dopée au bore sous une concentration constante de 1019 atomes/cm3 constante de ayant atomes/cm3, ltopération ayant lieu à la tempéra- ture de 10400C (1000 à 11000C) et se poursuivant pendant 30 minutes à l'issue desquelles ladite couche 25 atteint l'épaisseur de 25 um (20 à 30 #m). Enfin, on constitue les plages métallisées de contact, de préférence par un dépôt de nickel Brenner (ces plages de contact n'ont pas été représentées sur la figure 2d). L'épaisseur de la région intermédiaire d'une diode ainsi réalisée, compte-tenu des épaisseurs des zones compensées qui la bordent, est et demeure, quelle que soit la valeur de la tension présente à ses bornes, sensiblement égale(à l'épaisseur près des décapages effectués) à l'épaisseur de la plaquette de silicium de départ. - REVENDICATIONS 1.- Procédé de réalisation d'une diode semiconductrice, formée à partir d'un cristal en un matériau semiconducteur et comportant essentiellement trois régions distinctes, une première région obtenue par le dépôt sur ledit cristal d'une première couche semiconductrice d'un premier type de conduction, une deuxième région obtenue par le dépôt sur ledit cristal d'une deuxième couche semiconductrice du second type de conduction opposé au précédent, et une troisième région, intrinsèque, intermédiaire entre les première et deuxième régions précitées, caractérisé en ce que le dépôt de chacune desdites première et deuxième couches est précédé, au moins dans les limites d'assise de ces couches, d'une opération d'inclusion d'au moins une impureté dans les lits superficiels correspondants dudit cristal, conférant provisoirement auxdits lits superficiels le type de conduction opposé de celui de la couche qui doit ensuite les recouvrir. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites opérations d'inclusion et de dépôt sont prévues telles que le matériau semiconducteur soit finalement sensiblement intrinsèque aux plans successifs desdits lits superficiels. 3.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'au moins l'une des opérations de dépôt précitées est précédée d'une séquence de décapage partiel desdits lits superficiels sur lesquels doit reposer ledit dépôt. 4.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits dépôts sont obtenus par la technique d'épitaxie en phase vapeur. 5.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites inclusions des impuretés sont obtenues par la technique de diffusion. 6.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites inclusions des impuretés sont obtenues par la technique de l'implantation ionique. 7.- Procédé de réalisation d'une diode semiconductrice à jonctions détectrice de rayonnements selon l'une des revendications 1 à 5 ,constituée sur une pastille de silicium de type de conduction P (p compris entre 4000 et 5000 S.cm) formant la région intrinsèque de la diode, caractérisé en ce que, par l'une des faces de ladite pastille, on diffuse du bore dans les lits superficiels de silicium correspondants à ladite face, la température de diffusion étant fixée à 10800C (1000 à 11000C), la concentration atteinte en surface étant de 1019 atomes/cm3 et la profondeur de diffusion étant de 2 pm (1,5 à 2,5 pm), puis on procède sur ladite face au dépôt d'une couche épitaxiale de silicium dopée au phosphore sous une concentration de 1019 atomes/cm3, d'une épaisseur de 25 pm (20 à 30 #m), l'opération étant conduite à la température de 10400C (1000 à 11000C), en ce que, ensuite, par la seconde face préalablement décapée de ladite pastille, on diffuse du phosphore dans les lits superficiels de silicium correspondants de cette pastille, la température de diffusion étant choisie de 9300C (900 à 1000 C), la concentration atteinte en surface étant de 102 atomes/ cm3 et la profondeur de diffusion étant de 1 pm (0,8 à 1,2 um), puis, après avoir décapé la pastille du côté de sa seconde face sùr une épaisseur de 0,3 à 0,6 pm afin de ramener la concentration de phosphore en surface à 1016 atomes/cm3, on procède, sur ladite seconde face, au dépôt d'une couche épitaxiale de silicium dopée au bore sous une concentration de 1019 atomes/cm3, d'une épaisseur de 25 pm (20 à 30 pm), l'opération étant conduite à la température de 104000 (1000 à 110000), en ce que, enfin, on constitue les zones de contact. 8.- Diode semiconductrice comportant essentiellement trois régions distinctes, une première région d'un premier type de conduction, une deuxième région du second type de conduction opposé au précédent, et une troisième région, intrinsèque, intermédiaire entre les première et deuxième régions précitées, caractérisée en ce qu'elle est obtenue par le procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 à 6. 9.- Diode semiconductrice selon la revendication 8, caractérisée en ce que lesdits lits superficiels dudit cristal, dans la profondeur desquels il est procédé auxdites opérations d'inclusion d'impuretés, font strictement partie de ladite région intrinsèque. 10.- Diode semiconductrice selon l'ensemble des revendications 8 et 9, du type diode à jonctions détectrice de rayonnements, caractérisée en ce qu'elle est réalisée sur une plaquette semiconductrice et en ce que lesdites couches des première et deuxième régions sont situées respectivement sur l'une et l'autre face de ladite plaquette.