FR 2292333 A1 19760618 FR 7535846 A 19751124 la présente invention se rapporte aux procédés de fabrication des dispositifs à semi-conducteurs et peut s'appliquer en particulier à la réalisation de structures de transistors et des circuits intégrés ayant des zones dopées disposées d'une manière strictement prédéterminée l'une par rapport à l'autre, et dont les dimensions s'expriment en microns et même par des valeurs moindres. Il est connu que les caractéristiques de base des dispositifs à semi-conducteurs sont fonction de leurs configuration et dimensions. la géométrie optimale pour plusieurs dispositifs à semi-conducteurs est celle qui comprend une surie de zones étroites étendues dont les caractéristiques électriques sont différentes. Par exemple, les zones de l'émetteur et du collecteur d'un transistor à effet de champ représentent deux zones étroites étendues sortant en surface et ayant le même type de conductibilité électrique, entre lesquelles sont disposés la zone du canal et le contact de la fermeture. Une réduction de la distance entre l'émetteur et le collecteur rend l'augmentation de la fréquence limite plus facile.Dans le cas des dispositifs bipolaires à fonctionnement rapide, afin d'obtenir un courant de fonctionnement déterminé et de hautes caractéristiques de fréquence, il est préférable d'avoir un rapport élevé entre la longueur de l'émetteur et sa surface, et par conséquent on donne à l'émetteur la forme d'un évidement long et de largeur minimale. Pour assurer en méme temps une faible résistance de la base et une capacité réduite entre la base et le collecteur, il est nécessaire de réduire la distance entre l'émetteur et la fenêtre de contact de la base et de diminuer la largeur totale de la base. Ce sont les limitations connues des possibilités de photolithographie classique et les erreus de colncidence des photo-gabarits au cours de la formation successive des structures qui emp8chent la réduction ultérieure des dimensions des zones élémentaires. La pratique montre que les possibilités de photolithographie se limitent à 1 à 2 9 et la réserve de cofncidence est estimée comme ayant ces mêmes valeurs. Actuellement on connait des procédés de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs (brevet français na 2133908, cl. H 01 1 7/00 et brevets des Etats-Unis d'amérique n0 38391047, ci. 148/188 et n0 3847687, cl. 148/187) dans lesqlels on a partiellement réussi à diminuer la réserve de coïncidence et à assurer une distance strictement prédéterminée entre les menues structures, grtce au transfert des plus petites structures, telles que, par exemple, la fenêtre pour la diffusion de l'émetteur et la entre de contact de la base, sur un seliLphotogabarit, et à la réalisation d'un dessin correspondant dans la couche de masquage au-dessus de la zone de base. Ensuite, on recouvre une partie des fenêtres formées par des couches de masquage ayant des caractéristiques d'attaque différentes, et l'on procède à la diffusion de l'émetteur et des zones p et à l'ouverture des fenêtres de contact au moyen d'agents d'attaque sélectif. Cepdndant, dans ce cas, les dimensions des plus petites structures de m#me que les distances entre elles sont fonction des possibilités de la photolithographie et de la réserve de colncidence du dessin à menues structures avec la zone de la base. On sart aussi qu'il est possible de créer de petites structures ayant une largeur de l'ordre de 1yU et moins, par l'intermédiaire d'une attaque transversale des revêtements locaux h deux couches ou plus, possédant des caractéristiques d'attaque différentes relatives à l'attaque chimique par les agents d'attaque sélectifs (brevets des Etats-Unis d'Amérique n0 3753807, cl. 148/188 et n0 3764410 cl. 148/187).Dans ce cas, la dimension transversale de la structure est fonction de la durée du processus d'attaque chimique, et par conséquent, la dimension minimale de la structure est limitée non pas par la dimension de la figure sur le photogabarit, mais seulement par le degré de précision des processus chimiques. Par exemple, le procédé de réalisation de structures de transistors décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n0 3764410 prévoit l'application sur le support du premier type de conductibilité de couches de dopage et de masquage, la création d'un dessin de résistance photosensible, la formation d'une structure technologique à deux couches au moyen d'agents d'attaque sélectifs, le dépôt sur le support d'une couche isolante appliquée autour de la structure formée, et la création dans le support d'une zone du deuxième type de conductibilité, ce qui s'obtient par voie de diffusion de l'impureté à partir de la couche de dopage de la structure technologique.L'ouverture des fenêtres disposées dans les limites de la zone dopée et la réalisation de la diffusion de l'impureté du premier type de conductibilité dans une fenêtre ouverte permettent de créer une zone de ltémetteur d'une largeur de l'ordre de i et d'assurer une coincidence automatique de l'émetteur avec la partie étroits de la zone de base. Dans le cadre de la présente invention on s'est proposé de créer un procédé de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs qui assurerait une amélioration des paramètres principaux des dispositifs à semi-conducteurs au moyen d'une réduction des dimensions des zones de diffusion, de la largeur des fen8tres pour la diffusion et des zones de connexion des contacts, et d'une réduction des distances entre les limites des zones de diffusion et les fenêtres, de même que des distances entre les fen4tres des dispositifs précités. le but de la présente invention est d'améliorer les paramètres principaux des dispositifs à semi-conducteurs au moyen de la réduction des dimensions des zones de diffusion, de la largeur des fen#tres, des distances entre les limites de la zone de diffusion et les fenetrès et de la distance entre les fenêtres mêmes. Un autre but de la présente invention est la réduction des dimensions des zones de diffusion des dispositifs à semisonductFurs. Encore un but de la présente invention est la réduction de la largeur des fenêtres à ouvrir dans la couche isolante. En outre, le but de la présente invention est de réduire la distance entre les fenQtres à ouvrir dans la couche isolante. le but suivant de la présente invention est de créer un procédé de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs pourvus d'éléments de structure à coïncidence automatique de petites dimensions avec emploi d'un revêtement orienté. le but de la présente invention est aussi la réalisation d'un procédé de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs pourvus d'éléments de structure à colncidence automatique de petites dimensions avec oxydation locale. En outre, le but de la présente invention est de réaliser la formation d'un verre d'impureté hétérogène ayant une épaisseur inférieure au micron et possédant les propriétés qui sont indispensables pour la réalisation de structures semi-conductrices de bonne qualité. Encore un but de la présente invention est la création d'une structure technologique à partir d'un verre d'impureté hétérogène permettant d'obtenir dans la couche isolante des fenêtres à coincidence automatique de grandeur prédéterminée. Un autre but de la présente invention est de réaliser une couche de protection d'une perméabilité predéterminée. Ce problème est résolu grâce à un procédé de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs, consistant en ce que sur un support fabriqué à partir d'un matériau semi-conducteur du premier type de conductibilité on applique au moins deux couches dont l'une est une couche de dopage, et l'autre, une couche de masquage, on réalise sur la dernière de ces couches un dessin de résistance photosensible, on forme une structure technologique en enlevant une partie des couches appliquées, jusqu a la mise à nu du support, on dépose autour de ladite structure une couche isolante, ensuite, en recourant à la diffusion de l'impureté à partir de la couche de dopage, on crée dans le support semi-conducteur une zone du deuxième type de conductibilité, on ouvre des fenêtres dans les limites de la structure technologique, on réalise la diffusion de l'impureté dans au moins une fenêtre et l'on procède à la réalisation d'un dessin de cémentation métallique, ledit procéda étant caractérisé, suivant l'invention en ce qu'on ouvre les fenêtres par élimination, jusqu'à mise à nu du support, d'au moins deux zones de la structure technologique suivant le périmètre de cette denière. Il est possible d'appliquer partiellement la deuxième couche de masquage sur la structure technologique ou bien sur le support semi-conducteur se trouvant au-dessous d'une partie de la structure technologique, et de limiter au moyen de ladite couche de masquage le nombre de fenêtres à ouvrir et leur longueur. La couche isolante peut être formée autour de la structure technologique par une méthode de déposition par pulvérisation. Il est préférable d'appliquer sur la couche de dopage une couche de blindage et de former autour de la structure technologique une couche isolante réalisée par oxydation du support semi-conducteur. Il est préférable de choisir comme matériau constituant la couche de dopage un verre borosilicaté, et un verre alumosilicaté ou du nitrure de silicium en tant que matériau constituant la couche de masquage, tandis que la structure technologique est préférablement formée par élimination d'une partie des couches de dopage et de masquage déposées au moyen d'un agent d'attaque décapant la couche de dopage plus vite que la couche de masquage. Il est désirable d'appliquer suvla première couche de masquage une couche de masquage supplémentaire, réalisée, par exemple, à partir de molybdène. Dans ce cas, à la formation de la structure technologique la zone de la couche de masquage supplémentaire qui n'est pas recouverte par la résistance photosensible peut être éliminée à l'aide d'un agent d'attaque qui n'attaque pas la première couche de masquage. Afin de former la structure technologique il est possible que la partie de la première couche de masquage qui est éliminée de dessus la couche de blindage suivant le périmètre de cette dernière corresponde à la largeur requise des fenêtres à ouvrir au moyen d'un agent d'attaque attaquant la couche de dopage et la première couche de masquage avec une vitesse à peu près égale, et la couche de blindage, avec une vitesse plus faible, tandis que les fenêtres peuvent Qtre ouvertes par attaque sélective des zones non recouvertes des couches de blindage et de dopage. Il est préférable de choisir comme matériau constituant la couche de dopage de verre borosilicaté contenant 0,5 à 5 en poids d'oxyde de bore, comme matériau constituant la couche de blindage, le verre alumosilicaté contenant 30 à 95% en poids d'oxyde d'aluminium, et en tant que matériau constituant la première couche de masquage, l'oxyde de silicium. les couches déposées sont décapées par un agent d'attaque contenant 1 à 7 parties en volume d'acide fluorhydrique, 1 à 3 parties en volume d'acide acétique glacial, 5 à 10 parties en volume d'une solution d'acide oxalique d'une concentration de 1, et 2 à 4 parties en volume d'acide orthophosphorique. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, de plusieurs modes de réalisation non limitatifs, illustrés par les dessins annexés dans lesquels - les figures la, b et c montrent l'ordre des opérations visant à former une structure technologique suivant un exemple de réalisation de l'invention - la figure 2 illustre l'opération d'application d'une couche de masquage, selon l'invention ; ; - la figure 3 représente un support comportant la structure technologique après la diffusion et l'oxydation thermique, selon l'invention - la figure 4 illustre le déroulement d'une opération de limitation du positionnement des fenêtres à ouvrir (coupe transversale) - la figure 5 représente la même opération de limitation que celle illustrée sur la figure 4 (vue de dessus) - la figure 6 illustre l'élimination d'une partie de la structure technologique, selon l'invention - la figure 7 représente une opération visant à ouvrir deux fenêtres, suivant l'invention - la figure 8 montre un support comportant la structure technologique après la réalisation de l'opération de diffusion dans les fenêtres ouvertes, selon l'invention - la figure 9 représente une structure de transistor avec les fenêtres de contact ouvertes (coupe transversale) ; - la figure 10 est une vue de dessus de la structure représentée sur la figure 9 - la figure 1 1 représente la structure de transistor après sa cémentation métallique ; - les figures 12a, b, c, et d illustrent une autre exemple de formation de la structure technologique, selon 1'imre::tion - la figure 13 représente une plaquette comportant une couche de masquage (vue de dessus), créée avant la formation de la structure technologique, selon un autre exemple de réalisation de l'invention ; - la figure 14 représente la même plaquette que celle montrée sur la figure 13, mais en coupe transversale - la figure 15 montre un support comportant la structure technologique se trouvant sur la couche de masquage (vue de dessus ) ;; - la figure 16 est une coupe suant XVI-XVI de la figure 15 - la figure 17 est une coupe suivant X\TII-XVTI de la figure 15 5 - la figure 18 représente une coupe de la structure de transistor formée suivant ltexeWe précité - la figure 19 est une vue de dessus de la même structure que celle représentée sur la figure 18 ; - les figures 20a, b, et c illustrent encore une variante de farmàtiOn de la structure technologique, selon l'invention - la figure 21 illustre l'opération de formation de la couche isolante, selon l'invention ; - la figure 22 montre l'élimination d'une partie de la structure technologique ;; - la figure 23 illustre- I'ouverture des fenevtres suivant l'exemple précité - les figures 24a, b, et c illustrent une autre variante de formation de la structure technologique, selon l'invention - la figure 25 illustre la formation de la couche isolante - la figure 26 illustre l'opération d'ouverture des fenêtres au moyen d'agents d'attaque sélectifs selon l'exemple considéré de réalisation de l'invention. Le procédé de fabrication des dispositifs à semiconducteurs consiste à former sur un support semi-conducteur du premier type de conductibilité, à l'aide d'un photogabarit des structures technologiques contenant l'impureté de dopage du deuxième type de conductibilité et caractérisées par une vitesse élevée de décapage au moyen d'un agent d'attaque déterminé dans le sens transversal et par une faible vitesse de décapage dans le sens perpendiculaire au support. Une partie considérable du périmètre des structures technologiques est constituée par les lignes droites ou courbes disposées l'une par rapport à l'autre à une distance proche de la limite des possibilités de la photolithographie.Sur le support semi-conducteur, atur des structures technologiques, on crée une couche isolante et, au moyen de la diffusion de l'impureté de dopage à partir des structures mentionnées on forme dans le support précité une zone du deuxième type de conductibilité, ensuite dans les limites de chaque zone dopée on ouvre au moins deux fenêtres en éliminant les régions de structures technologiques suivant le périmètre de ces dernières. La largeur des fenêtres est fonction de la durée du processus de décapage, tandis que la longueur et le nombre de fenêtres sont déterminées par la couche de masquage supplémentaire. Ensuite, on forme une structure semi-conductrice du type requis par voie de diffusion des impuretés de dopage dans au moins une partie des fenêtres ouvertes. les fenêtres de contact sont ouvertes par élimination des impureté de verre à l'aide d'agents d'attaque sélectifs. Il existe plusieurs variantes concrètes de réalisation pratique de ce procédé sans pour autant sortir du cadre de la présente invention. Ces variantes de réalisation du procédé sont exposées ci-après. Selon l'une de ces variantes, la couche de masquage supplémentaire avec un dessin déterminé limitant la longueur des fenêtres à ouvrir est disposée sur la structure technologique. Dans ce cas, les fenêtres s'ouvrent suivant le périmètre de la structure technologique dans les zones qui ne sont pas couvertes par la couche de masquage. Selon une autre variante de réalisation de l'invention, la couche de masquage supplémentaire est disposée entre le support semi-conducteur et la structure technologique. Dans ce cas, on élimine une bandelette de la structure technologique suivant tout son périmètre et on ménage un accès au support aux endroits qui ne sont pas recouverts par la couche de masquage supplémentaire. la couche isolante déposée autour de la structure technologique est réalisée par oxydation thermique du support, la structure technologitue devant posséder des propriétés de protection contre la pénétration des oxydants. Selon une autre variante, la couche isolante est formée par application orientée du matériau isolant, par exemple par pulvérmsation de haute fréquence ; dans ce cas, la structure technologique doit avoir une épaisseur déterminée et un angle d' inclinai son des parois latérales égal à 900 environ. la possibilité du dopage, de l'attaque chimique transversale et de la protection contre les oxydants, s'il y a lieu, ne peut être assurée le plus facilement que dans les structures non égales d'après leur épaisseur. En principe, il est possible de créer une structure technologique ayant une constitution et des propriétés qui varient d'une manière régulière, mais plus avantageuse du point de vue technologique est la réalisation de structures non uniformes en morceaux, ctest-à-dire de structures à plusieurs couches. Alors la différence des vitesses de l'attaque chimique des couches par un agent d'attaque homogène rend possible l'attaque chimique transversale, et chaque couche prise à part joue un rôle déterminé ; par exemple, elle sert de source d'impureté de dopage ou d'écran protecteur contre la pénétration des oxydants, ou bien elle remplit plusieurs fonctions en meme temps. Suivant l'une des variante de réalisation du procédé de l'invention, la structure technologique est formée à partir des couches de dopage et de masquage, la couche de dopage étant décapée en suivant le dessin de résistance photosensible jusqu'à l'élimination de la zone non recouverte et d'une partie de la zone recouverte, tandis que la couche de masquage est formée par application orientée, par exemple par pulvérisation de haute fréquence, la partie de ladite couche qui est disposée sur le support jouant le rôle d'une couche isolante, et une autre partie, se trouvant sur la couche de dopage, permettant d'ouvrir des fenêtres suivant le périmètre de la structure par attaque chimique transversale de la couche de dopage Srès la réalisation de l'opération de diffusion.Dans ladite variante, pour la réalisation de structures bipolaires de transistors en silicium du type n- p - n, on utilisé le verre borosilicaté contenant 0,5 à 5 en poids d'oxyde de bore, déposé à partir d'une solution, tandis que les couches de masquage et isolante sont constituées par du nitrure de silicium appliqué par pulvdrisation réactive. Une autre variante de r technologique est formée suivant le dessin de la résistance photosensible à partir des couches de dopage et de masquage, tandis que la couche isolante est appliquée par pulvérisation de haute fréquence. Dans d'autres variantes de réalisation de l'invention, entre les couches de dopage et de masquage est disposée une couche de blindage, tandis que la couche isolant! est formée autour de la structure technologique par oxydation du support. La structure technologique est formée par un agent d'attaque, qui attaque chimiquement la couche de blindage plus lentement que les couches de dopage et de masquage. Par un choix approprié des matériaux et de l'agent d'attaque, on assure un rétrécissement de la couche de masquage suivant le périmètre de la couche de blindage d'une valeur correspondant à la largeur requise de la fenêtre. Après la réalisation de la diffusion à partir de la couche de dopage, les fenêtres sont ouvertes par élimination sélective des zones non protégées des couches de blindage et de dopage.Une autre variante de réalisation de l'invention réside dans le fait que, en vue d'obtenir une précision élevée du dessin sur la première couche de masquage, on applique une deuxième couche de masquage adhérant bien à la première couche de masquage, on élimine les zones de la deuxième couche de masquage non protégées par la résistance photosensible en faisant usage d'un agent d'attaque qui ne décape pas la première couche de masquage, tandis que les couches sous-jacentes sont attaquées par un agent d'attaque ne décapant pas la deuxième couche de masquage.Pour la réalisation des transistors bipolaires en silicium on utilise de préférence le verre borosilicaté en tant que couche de dopage, le verre alumosilicaté contenant 30 à 95 en poids d'oxyde d'aluminium, en tant que couche de blindage, l'oxyde de silicium, en tant que matériau constituant la première couche de masquage, et le molybdène en tant que matériau constituant la deuxième couche de masquage. En variant le pourcentage du verre alumosilicaté on peut varier la perméabilité et la vitesse de l'attaque chimique de la couche de blindage. En cas d'application, à partir d'une solution, des couches de dopage et de blindage de meme que de la première couche de masquage constituées par les matériaux mentionnés, en tant qu'agent d'attaque attaquant la couche de blindage plus lentement que les deux autres couches on utilise un agent d'attaque contenant 1 à 7 parties en volume d'acide fluorhydrique, 1 à 3 parties en volume d'acide acétique glacial, 5 à 10 parties en volume d'une solution à 1# d'acide oxalique, et 2 à 4 parties en volume d'acide orthophosphorique. En cas d'augmentation du pourcentage d'acide orthophosphorique la vitesse de decapage du verre alumosilicaté augmente, la bandelette suivant le périmètre de ce dernier non recouverte par la couche de masquage se rétrécit, et la largeur de la fenêtre à ouvrir diminue.Une augmentation du porcentage d'acide fluorhydrique provoque, au contraire, une augmentation de la largeur de la entre. le procédé proposé de réalisation des structures de transistors par décapage de la couche de dopage lors de la formation des structures technologiques assure l'obtention des dimensions requises de la zone dopée du deuxième type de conductibilité, par exemple de la zone de base d'un transistor bipolaire. En recourant à une attaque transversale des structures technologiques après la diffusion et la formation du revêtement isolant on réussit à former des fensstres d'une largeur exprimée en microns et m#me par des valeurs moindres, qui coïncident automatiquement avec la zone de diffusion.La largeur des fenttres et la distance entre elles ne dépendent pas des possibilités limites de la photolithographie, mais de la précision des processus chimiques, grâce à laquelle est aussi assurée une petite distance entre la entre et la limite de la zone dopée. Des exemples concrets mais non limitatifs de réalisation du procédé selon l'invention vont maintenant être décrits avec références aux dessins annexés. EXEMPLE 1. les figures 1 à il illustrent un exemple de réalisation pratique du procédé proposé, dans lequel la structure technologicue est composée de quatre couches, la longueur des fenêtres est limitée à l'aide d'une couche de masquage supplémentaire, appliquée sur la structure technologique, et la couche isolante est formée par oxydation thermique du support. Sur un support semi-conducteur 1 (figure la) représentant une plaquette en silicium monocristallin, comportant une couche épitaxiale du type "n", dont la résistance spécifi- que se trouve entre 1,0 et 1,5 ohm/cm, on applique une couche de dopage 2 constituée de verre borosilicaté contenant environ 3 en poids d'oxyde de bore et ayant une épaisseur 0,13 t, environ, à partir d'une solution, ladite application étant suivie d'un grillage dans un milieu d'argon à une température de 7000C environ, qui dure 10 min.Au-dessus de la couche de dopage 2 on applique une couche de blindage 3 en verre alumosilicaté ayant une épaisseur de 0,1 environ et contenant 75# en poids d'oxyde d'aluminium, une première couche de masquage 4 en oxyde de silicium d'une épaisseur de 0,15 + et une deuxième couche de masquage 5 en molybdène et épaisse de 0,15 e les couches 3 et 4 sont appliquées à partir d'une solution d'une manière analogue à celle de la couche 2, tandis que la couche 5 est appliquée par évaporation sous vide. Ensuite on applique une couche 6 de résistance photosensible.En recoui#it - à la technique connue de l'exposition, du développement et du tannage, à partir de la résistance photosensible 6 on forme un dessin qui correspond à la zone de dopage à obtenir, comme montré en coupe sur la figure lb, de préférence en forme d'une bandelette étroite de largeur XI Au moyen d'un agent d'attaque contenant 3 parties en volume d'acide acétique glacial, 5 parties en volume d'acide phosphorique, une partie en volume d'eau désionisée et 7 parties en volume d'acide nitrique on élimine la zone de la couche 5 non protégée par la résistance photosensible 6, ensuite on procède au décapage des couches sous-jacentes jusqu'à la mise à nu de la plaquette semiconductrice au moyen d'un agent d'attaque contenant une partie en volume d'acide fluorhydrique, une partie en volume d'acide acétique glacial, 9 parties en volume d'une solution à 1# d'acide oxalique et 3 parties en volume d'acide orthophospho risque, en formant ainsi une structure technologique 7, comme montré sur la figure le. Entant donné que le deuxième agent d'attaque décape la premièce couche de masquage 4 plus vite que la couche de blindage 3 et n'attaque pas la couche 5, lors du décapage de la couche 3 la couche 4 est attaquée dans le sens transversal, d'où il résulte la formation d'une bandelette 3a de la couche de blindage 3, non protégée par la couche de masquage 4. la largeur de la bandelette est de environ. Ensuite, en recourant à des méthodes connues, on élimine la résistance photosensible 6 et la deuxième couche de masquage 5 et sur le support 1 comportant la structure technologique 7 on applique, par une méthode de pulvérisation de haute fréquence, une couche de masquage supplémentaire 8 (figure 2) en bioxyde de silicium épaisse de 0,1 y# environ. Puis on procède au traitement thermique à une température égale à 1100oC environ dans un milieu d'argon durant 10 minutes, et ensuite durant 50 minutes dans une atmosphère de vapeur d'eau. la diffusion du bore à partir de la couche de dopage 2 dans le support 1 a pour conséquence la formation de la zone 9 du deuxième type de conductibilité, tandis que l'action de l'atmosphère oxydante s'exerçant sur les surfaces non protégées par la couche de blindage 3 conduit à la formation d'une couche isolante 10 (figure 3) constituée de bioxyde de silicium thermique d'une épaisseur de 0,6yA environ.~ Le bioxyde de silicium thermique se forme aussi au-dessous de l'extrémité de la couche de blindage 3 sur une largeur à peu près égale à l'épaisseur de la couche 10.Ensuite on procède à l'opération d'ouverture de la fenêtre 11 (figure 4) dans la couche de masquage supplémentaire 8, de façon à ouvrir toute la partie médiane de la structure technologique 7 et à laisser fermées les extrémités de la structure 7 comme montré sur les figures 4 et 5. Cette opération a pour conséquence l'ouverture de deux bandelettes 3a et 3b de la couche d'écran 3, non protégées par la première couche de masquage 4. ladite opération n'est pas critique en ce qui concerne la coïncidence, étant donné que la largeur de la entre 11 dépasse considérablement la largeur de la structure technologique 7, et ce qui est essentiellement exigé c'est une co#ncidence suivant la longueur de la structure 7.Ensuite, par décapage dans l'acide orthophosphorique à une température de 1800C, on élimine les zones non protégées de la couche de blindage 3, comme montré sur la figure 6, et par décapage au moyen d'un agent d'attaque contenant 19 parties en volume d'acide orthophosphorique et 4 parties en volume d'acide fluorhydrique on enlève les zones non protégées de la couche de dopage en y formant ainsi deux fenêtres 12s et 12b (figure 7). la largeur des fenêtres au niveau du support 1 est de 1,5 # environ. Pour la réalisation d'un transistor bipolaire, une des fenêtres, par exemple la fenêtre 12a, est utilisée pour effectuer ltopération de diffusion de l'émetteur, tandis que l'autre, 12b, est utilisée comme fenêtre de contact de la base. A cet effet, sur le support avec les fenêtres ouvertes on applique une couche 13 (figure 8) fortement dopée par l'impureté au deuxième type de conductibilité, par exemple une couche de verre borosilicaté contenant 10 à 50 en poids d'oxyde de bore (20% en poids dans l'exemple considéré épaisse de 0,15 # environ, on enlève par photolithographie la couche précitée 13 à partir de la fenêtre 12a et l'on applique une couche 14 fortement dopée par une impureté du deuxième type de conductibilité, telle que, par exemple du verre phosphorosilicaté contenant environ 50% en poids d'oxyde de phosphore. L'#paisseur de la couche 14 est de 0,15# environ. Ensuite on procède au traitement thermique dans une atmosphère d'argon pendant 20 minutes à une température de 9500C environ. La diffusion des impuretées dans le support 1 a pour conséquence la formation de la zone 15 (figure 9) de l'émetteur et de la zone 16 de la base ayant une conductibilité élevée ("base enhancement région"). Après le traitement thermique on enlève la couche 14 au moyen d'un agent d'attaque "P" contenant 3 parties en volume#d'acide fluorhydrique, 2 parties en volume d'acide nitrique et 60 parties en volume d'eau désionisée, on recouvre la fenêtre 12a (figure 7) par une résistance photosensible et on enlève la couche 13 à l'aide d'un agent d'attaque contenant 19 parties en volume d'acide orthophosphorique et 4 parties en volume d'acide fluorhydrique, en formant ainsi la structure représentée en coupe sur la figure 9 et en plan sur la figure 10.Après cela, on réalise, par une méthode connue, le dessin 17 de cémentation métallique, comme montré sur la figure 11. EXE#iPLE 2. Les figures 12a à 12d illustrent la formation d'une source d'impureté ayant une épaisseur de couche de blindage identique suivant toute la structure. Sur le support 1 on forme un revêtement non uniforme, composé des couches 2, 3, 4 et 5 (figure 12a), et un dessin à partir de la résistance photosensible 6, au moyen des mêmes matériaux et par les mêmes méthodes que dans le premier exemple illustré sur les figures la et ib. A l'aide de l'agent d'attaque décrit dans l'exemple 1, on élimine la couche de molybdène 5 ron protégée par la résistance photosensible 6, ensuite on procède au décapage des couches sous-jacentes 3 et 4 (figure 12a) jusqu'à la mise à nu de la couche de dopage 2 en utilisant un agent d'attaque composé d'une partie en volume d'acide fluorhydrique, de 3 parties en volume d'acide acétique et 25 parties en volume d'une solution aqueuse à 1% d'acide oxyalique. tant donné que l'agent d'attaque mentionné attaque la première couche de masquage 4 et la couche de blindage 3 avec une vitesse à peu près égale, on obtient une structure comme celle montrée sur la figure 12a. les opérations qui suivent consistent à décaper la couche 5 de molybdène au moyen de l'agent d'attaque décrit dans l'exemple 1 dans le sens transversal jusqu'à l'obtention de dimensions prédéterminées (figure 12b). En recourant à l'une des méthodes connues e soi, on élimine la résistance photosensible C, ensuite on enlève les parties non protégées de la couche de dopage 2 au moyen de l'agent d'attaque "P", dont la composition est indiquée dans l'exemple 1, jusqu'à mise à nu du support 1 ; étant donné que l'agent d'attaque "P" décape la couche de dopage 2 et la première couche de masquage 4 à une même vitesse, la partie de la première couche de masquage 4 qui test pas recouverte par la deuxième couche de masquage 5 est décapée au cours de l'enlèvement de la couche de dopage 2 (figure 12c). Ensuite, i l'aide d'un agent d'attaque n'attaquant pas les autres couches, on élimine la deuxième couche de masquage 5 et on obtient la structure de la figure 12d. Dans l'exemple décrit, la largeur de la bandelette 1 de la couche de blindage 3 est fonction de la durée de décapage transversal de la deuxième couche de masquage 5.Par la suite, en réalisant les opérations d'application de la couche de masquage supplémentaire, de diffusion, d'oxydation et de décapage sélectif d'une manière analogue au premier exemple, on obtient la structure de transistor montrée en coupe sur la figure 9 et en plan sur la figure 10. EX 13 3. Les figures 13 à 19 illustrent une partit des opérations dans lesquelles la couche de masquage limitant la longueur des fenêtres à ouvrir est disposée au-dessous de la structure technologique. Sur le support semi-conducteur 1 constitué par une plaquette en silicium comportant une couche épitaxiale du type "n" appliquée sur cette plaquette, on applique par pulvérisation à haute fréquence une couche de masquage 18 en bioxyde de silicium, épaisse de 0,3)1 environ. Dans cette couche, par une méthode connue en soi, on ouvre une fenêtre 19 (figure 13 et figure 14). Ensuite, sur la plaquette portant la couche de masquage on forme une structure technologique 20, comme montré sur la figure 1 5, en faisant usage des me'mes matériaux et en recourant aux mimes méthodes que dans le premier exemple illustré sur la figure 1. La structure technologique 20 est disposée par rapport à la fenêtre 19 de façon que ses extrémités soient disposées sur la couche de masquage 18 (figure 17) et que le reste de son périmètre se trouve sur le support 1 à l'intérieur de la fenêtre 19. Par la suite, en réalisant les opérations de diffusion, d'oxydation et de décapage sélectif d'une manière analogue à celle décrite dans le premier exemple, on forme la structure technologique 22 représentée sur les figures 18 et 19.Contrairement à la structure représentée sur les figures 9 et 10, dans la section de -la structure obtenue par le procédé selon l'exemple 3 (figure 18) on constate la présence d'un saut d'épaisseur du revêtement isolant 21 sur la limite de la Fenêtre 19, dA à l'action de protection de la couche 18, tandis que la longueur de la zone de base 9 est fonction non pas de la longueur de la structure technologique 20, mais de la longueur de la entre 19 dans la couche de masquage 18. EXEI#PLE 4. Les figures 20 à 23 illustrent une partie du processus de préparation d'une structure de transistor, lorsque la couche isolante est formée non pas par oxydation thermiques mais par application orientée. Sur la plaquette semi-conductrice 1 (figure 20a) est appliquée la couche de dopage 2 en verre borosilicaté à partir d'une solution, avec grillage ultérieur dans un milieu d'argon à une température de 7000C environ durant 10 minutes. L'épaisseur de la couche 2 est de 0,3 r environ. Au-dessus de la couche de dopage 2 on applique une couche de masquage 3 de verre alumosilicaté, épaisse de 0,1 J'l environ, puis on applique la couche de résistance photosensible 6.Ensuite, par exposition, développement et tannage, on forme à partir de la résistance photosensible 6 le dessin de protection de la zone de dopage à obtenir (figure 20b), après quoi, en effectuant l'opération de décapage au moyen d'un agent d'attaque composé d'une partie en volume d'acide fluorhydrique, d'une partie en volume d'acide acétique glacial, 3 parties en volume d'acide orthophosphorique et 9 parties en volume d'une solution aqueuse à 1,8 d'acide o:zsslique on forme la structure 23 (figure 20.c) à partir des couches de dopage 2 et de masquage 3. En recourant à une méthode d'application orientée, par exemple par pulvérisation à haute fréquence de quartz, on dépose une couche isolante 24 (figure 21) en bioxyde de silicium. La couche isolante 24 se-rompt aux extrémités de la structure technologique 23, car l'angle d'attaque de ladite structure est de 900 environ. L'épaisseur de la couche isolante 2r, ne doit pas dépasser l'épaisseur de la couche de dopage 2. Après cela, dans l'acide orthophosphorique à une température de 1800C on décape transversalement la couche de masquage 3 suivant les extrémités de la structure, en mettant à nu la couche de dopage 2. la largeur "1" de la bandelette (figure 22) de la couche de dopage qui s'ouvre dépend de la durée de décapage transversal.Après cela, on réalise la diffusion de l'impureté de dopage dans une atmosphère inerte et par un agent d'attaque composé de 4 parties en volume d'acide orthophosphorique et d'une partie en volume d'acide fluorhydrique, et on décape les zone de la couche de dopage 2 non recouvertes par la couche de masquage 3, en ouvrant ainsi une fenêtre disposée suivant le périmètre de la structure technologique 23 (figure 23). Ensuite on dépose une couche de masquage supplémentaire, on ouvre la fenêtre dans la couche de masquage supplémentaire de telle sorte que toute la partie médiane de la structure tèchnologique s'ouvre en formant deux fenêtres dans la couche isolante et tue les ex##nités de la structure restent fermées.En cas de fabrication d'un transistor bipolaire, une des fenêtres est utilisée pour réaliser la diffusion de l'émetteur, et l'autre est utilisée comme fenêtre de contact de la base. EXLE 5. Sur les figures 24, 25 et 26 sont montrées une partie des opérations dans lesquelles, en vue d'ouvrir les fenêtres donnant accès à l'émetteur et au contact de la base, on utilise une structure à une couche. Sur le support semiconducteur 1 (figure 24a) on applique la couche de dopage 2, par exemple en verre borosilicaté, déposée å partir d'une solution. L'épaisseur de la couche de dopage est de 0,25,M environ. Au-dessus de la couche de dopage on applique la résistance photosensible 6 (figure 24a) et par exposition, développement et tannage on forme à partir de la résistance photosensible 6 un relief de protection du dessin requis (figure 24b). En utilisant un agent d'attaque contenant 10 parties en volume d'une solution aqueuse à 40% de fluorure d'ammonium et une partie en volume d'acide fluorhydrique, on décape la couche 2 jusqu'à mise à nu du support semiconducteur 1 et l'on procède à un décapage transversal de la couche 2 durant 10 à 15 secondes en vue d'obtenir un angle d'attaque égal à environ 900. On élimine la résistance photosensible et, par une méthode d'application orientée, on recouvre la surface d'une couche isolante 25 (figure 25), par exemple de nitrure de silicium. L'épaisseur de la couche de nitrure de silicium doit être plus petite que celle de la couche en verre borosilicaté.La couche isolante se rompt près de 11 extrémité de la structure technologique, ce qui est dû à l'angle d'attaque de la structure technologique, égal à environ 900. Après cela, on réalise la diffusion de l'impureté de dopage dans le support semi-conducteur 1 et l'on décape le verre borosilicaté par un agent d'attaque composé de 4 parties en volume d'acide orthophosphorique et d'une partie en volume d'acide fluorhydrique, åsuqutà mise à nu du support semiconducteur, en ouvrant ainsi des fenstres 26 (figure 26) disposées suivant le périmètre de la structure technologique. la largeur de la fenêtre dépend de la durée de décapage de la couche de dopage 2. les opérations suivantes sont analogues à celles décrites dans le premier exemple. Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée aux modes de réalisation décrits et représentés qui n'ont été donnés qu'à titre d'exemple. En particulier, elle comprend tous les moyens constituant des équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons, si celles-ci sont exécutées suivant son esprit et mises en oeuvre dans le cadre des revendications qui suivent. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication de dispositifs à semiconducteurs, du type consistant à déposer sur un support en matériau semi-conducteur d'un premier type de conductibilité électrique, au moins deux couches dont l'une est une couche de dopage, et l'autre une couche de masquage, à réaliser sur la dernière de ces couches un dessin de résistance photosensible, à former une structure technologique en enlevant une partie des couches déposées jusqu'à la mise à nu du support, à déposer autour de ladite structure technologique une couche isolante, à créer dans le support semi-conducteur une zone d'un deuxième type de conductibilité par diffusion d'impureté à partir de la couche de dopage, à ouvrir des fenêtres dans les limites de la structure technologique, à réaliser une diffusion d'impureté dans au moins une fenêtre, et à réaliser ensuite un dessin de cémentation métallique, caractérisé en ce que l'on ouvre lesdites fenêtres par élimination, jusqu'à mise à nu du support, d'au moins deux zones de la structure technologique suivant le périmètre de cette dernière. 2. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'on dépose partiellement une deuxième couche de masquage sur la structure technologique ou sur le support semi-conducteur se trouvant au-dessous d'une partie de la structure technologique, et on limite au moyen de ladite couche de masquage le nombre de fenêtres à ouvrir et leur longueur. 3. Procédé suivant l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la couche isolante est formée autour de la structure technologique par pulvérisation. 4. Procédé suivant l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que sur la couche de dopage on applique une couche de blindage et on forme autour de la structure technologique une couche isolante par oxydation du support semi-conducteur. 5. Procédé suivant l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'on utilise comme matériau de couche de dopage du verre borosilicaté, et comme matériau de couche de masquage, du verre alumosilicaté ou du nitrure de silicium, et qu'on forme la structure technologique par élimination d'une partie des couches de dopage et de masquage déposées, au moyen d'un agent d'attaque chimique décapant la couche de dopage plus vite que la couche de masquage. 6. Procédé suivant la revendication 4, caractérisé en ce que sur la première couche de masquage on applique une couche de masquage supplémentaire. 7. Procédé suivant la revendication 6, caractérisé en ce que, lors de la formation de la structure technologique, la zone de la couche de masquage supplémentaire qui n'est pas recouverte par la résistance photosensible est éliminée à l'aide d'un agent d'attaque ne décapant pas la première couche de masquage. 8. Procédé suivant l'une des revendications 6 et 7, caractérisé en ce qu'on utilise le molybdène en tant que matériau de couche de masquage supplémentaire. 9. Procédé suivant l'une des revendications 4, 6 et 7, caractérisé en ce que pour former la structure technologique on élimine de la couche de blindage, suivant le périmètre de celle-ci, une partie de la première couche de masquage, l'importance de cette partie éliminée correspondant à la largeur requise des fenêtres à ouvrir, et qu'on utilise pour ladite élimination, un agent d'attaque chimique attaquant la couche de dopage et la première couche de masquage à peu près à la même vitesse, et la couche de blindage, à une vitesse inférieure, tandis que les fenêtres sont ouvertes par décapage sélectif des zones non recouvertes des couches de blindage et de dopage. 10. Procéde suivant la revendication 9, caractérisé en ce que, en tant que matériau de couche de dopage, on utilise du verre borosilicaté contenant 0,5 à 5 en poids d'oxyde de bore, en tant que matériau de couche de dopage, on utilise du verre alumosilicaté contenant 30 à 95 en poids d'oxyde d'aluminium, en tant que matériau de couche de blindage, et en tant que matériau de première couche de masquage, de l'oxyde de silicium, et en ce qu'on décape les couches déposées à l'aide d'un agent d'attaque contenant 1 à 7 parties en volume d'acide fluorhydrique, 1 à 3 parties en volume d'acide acétique glacial, 5 à 10 parties en volume d'une solution à 1% d'acide oxalique, et 2 à 4 parties en volume d'acide orthophosphorique. 11. Dispositifs à semi-conducteurs caractérisés en ce qu'ils sont obtenus conformément au procédé faisant l'objet de l'une des revendications 1 à 10.