FR 2292262 A1 19760618 FR 7438146 A 19741120 La présente invention concerne un procédé de pré paration de sulfure de cadmium utilisé comme matiere photoconductrice en électrophotographie et plus précisément, un tel procédé destiné à la préparation de sulfure de cadmium dopé par une impureté du type donneur du groupe IIIa ou IIIb de la Classification Périodique des Eléments,..sans utilise sation d'un fondant. On sait que le sulfure de cadmium présente des pro priétés de photoconductivité et on l'utilise comme cellule photoélectrique ou comme matière photosensible en électro photographie. Cependant, lorsque le sulfure de cadmium est sous forme d'une structure cristalline parfaite, la photo conductivité est faible et on sait que celle-ci augmente lorsque l'imperfection cristalline du sulfure de cadmium augmente. Cette imperfection cristalline du sulfure de cadmium est provoquée par la contamination par une impureté, les caractéristiques résultantes de photoconductivité dépendant de l'état de mélange de l'impureté. Il existe deux types d'impuretés, celle du type donneur et celle du type accepteur, des exemples du premier type étant les éléments des groupes III et VII, et ceux du second type étant des éléments du groupe I de la Classification Périodique des Eléments.Ces impuretés sont habituellement introduites dans le" are -de- cadmium par calcination ou cuisson Le sulfure de cadmium utilisé pour la réalisation de cellules photoélectriques et son procédé de préparation sont fondamentalement différents de la matière photosensible et de son procédé de préparation utilisés en électrophotographie. Dans le premier cas, le sulfure de cadmium est fritté à tempé rature élevée après introduction de l'impurete de manière qu'il se forme des cristaux grossiers, car une cellule photo électrique doit transmettre un courant electrique important. Au contraire, dans le second cas, la dimension particulaire du sulfure de cadmium lui-même impose la résolution des images latentes électrostatiques si bien qu'une calcination à tempé rature élevée du type utilisé pour les cellules photoélectri- ques ne convient pas.-En-conséquence, le dopage par une impure té supprimant la croissance cristalline est nécessaire, mais ce dopage ne peut pas entre effectué par cuisscn ou calcination à basse température, si bien qu'on utilise un fondant tel que CdCl2.La cuisson ou calcination avec un fondant à basse température assure efficacement la suppression de la formation des cristaux grossiers dans une certaine mesure mais les cristaux croissent cependant Jusqufà une dimension cristalline supérieure à plusieurs microns. En conséquence, méme lors de l'utilisation d'un fondant, la température de cuis-son est maintenue à une valeur aussi faible que possible, la quantité de fondant est réduite, un agent inhibant la croissance de-s cristaux est mélangé à la matière, la période de diftfusion est raccourcie et le sulfure de cadmium de départ a une faible dimension particulaire. Un procédé de préparation de sulfure de cadmium activé et dépourvu de cristaux grossiers, ne mettant pas en oeuvre un fondant, est donc très souhaitable étant donné les inconvénients précités. Un tel procédé est décrit dans la demande de brevet des Etats-Unis dlAmérique n0476 093 déposée le 3 juin 1974 par Hirokuni Kawashima et Kiyoshi Suzuki. Dans le procédé de la demande précitée, un composé halogéné tel que CdCl2 est utilisé comme matière de départ et le chlore lui-mweme constitue une impureté du type donneur si bien qu'un fondant ntest pas nécessaire. En conséquence, ce procédé est très efficace Cependant, la quantité de chlore qui constitue des impuretés du type donneur ne peut pas entre conservée à une valeur constante apres lavage. Ce phénomène semble du au fait que le chlore qui a diffusé dans CdS est entraîné avec la liqueur de lavage. En conséquence, un autre dispositif de traitement est nécessaire de manière qu'une certaine quantité des impuretés du type donneur soit conservée dans CdS sous forme diffusée. Comme décrit précédemment,. on sait utiliser un élément du groupe III ou VII de la Classification Périodique des Eléments, mais de tels éléments ne sont incorporés de façon relativement facile qu'aulx seules particules relativement grosses telles que les particules utilisées dans une cellule photoélectrique, alors que ltincorpo- ration aux fines particules, par exemple du type utilisé dans une matière photosensible d'éiectrophotographie, est difficile.En d'autres termes, comme décrit précédemment, les particules grossières sont frittées à température élevée, et cette cuisson à température élevée permet la diffusion simple d 'une impureté du type donneur dans CdS alors que la température de diffusion et la quantité de fondant sont limitées dans le cas des fines particules si bien que la diffusion de l'impureté du type donneur est très difficile. L'invention concerne un procédé de préparation de CdS pour electrophotographie, comprenant d'une part la mise en contact d'ions sulfure avec des ions cadmium et une impureté du type donneur du groupe IIIa ou IIIb de la Classification Périodique des Eléments, de manière qutil se forme CdS contenant une impureté, puis la cuisson de CdS, une impureté du type accepteur étant ajoutéedans 1 'une des deux phases du procédé Ainsi, l'invention concerne un procédé de préparation de CdS pour électrophotographie, permettant le réglage quantitatif de la quantité d'impuretés de dopage. Un tel procédé ne nécessite pas l'utilisation dtun fondant.Ce procédé conduit à la formation d'une poudre de CdS qui permet la réalisation de couches photoconductrices. L'invention concerne aussi une plaque photosensible ayant une telle couche photoconductrice. DXautres caractéristiques et avantages de lsinven- tion ressortiront mieux de la description qui va suivre faite en référence au dessin annexé sur lequel la figure unique représente les variations de la conductivité électrique, portée en ordonnées, dtune liqueur usée de lavage, et le nombre de lavages, porté en abscisses, dans le cas de sulfure de cadmium obtenu par mise en oeuvre drun procédé classique, comme indiqué par la courbe 1, et par mise en oeuvre du procédé de l'invention, comme indiqué par la courbe 2, l'origine des ordonnées correspondant à la conductivité de l'eau pure. Au cours de la première phase de mise en oeuvre du procédé de I!invention, une impureté du type donneur du groupeIIIa'ou IIIb, de préférence sous forme ionique, des ions cadmium et des ions sulfure sont mis en contact mutuel en solution aqueuse de manière qui ils forment du sulfure de cadmium contenant ltimpureté du type donneur. Une impureté du type accepteur peut entre ajoutée dans la première phase ou dans la seconde, car l'impureté de type accepteur peut être facilement incorporée à CdS après cuisson. Dans la seconde phase, Se sulfure de cadmium contenant les impuretés de types donneur et accepteur, ajoutes après la première phase, ou le sulfure de cadmium contenant des impuretés de types donneur et accepteur ajoutées dans la première phase, subit la cuisson. Selon ltinventZon, l'impureté de type donneur est incorporée au sulfure de cadmium dans la première phase, et, lorsqu'elle est ainsi incorporée à CdS, elle est diffi -cilement perdue au cours de la mise en oeuvre du procédé si bien que la quantité d'impuretés de type donneur restant dans le produit final peut entre prévue d'après la quantité ajoutée initialement. En d'autres termes, la quantité d'impuretés de type donneur peut étre réglée quantitativement. De plus, la seconde phase peut étre réalisée en présence d'impuretés de type donneur, si bien qu'un fondant ntest pas nécessaire. En conséquence, la croissance de la dimension particulaire de CdS est difficile si bien que la plage de températures convenables de cuisson est plus large que la plage utilisée de façon classique, et la dimension particulaire peut entre réglée d'après les conditions réactionnelles utilisées au cours de la première phase. La réaction mise en oeuvre au cours de la-première phase steffectue suivant l'équation Cd2++ M + CdS (&alpha;M) dans laquelle M est une impureté et o(M indique que la forme ous laquelle M est présent dans CdS nrest pas évidente et que la quantité de M est très faible. La réaction est de préférence réalisée en solution aqueuse d'acide sulfurique. Les ions Cd2+ peuvent entre obtenus de toute manière appropriée. Par exemple, on les obtient par dissolution de cadmium métallique dans de l'acide sulfurique contenant de ltacide nitrique, ou par dissolution de CdSO dans de l'eau. 4 La quantité de Cd2+ est choisie de manière que la réaction progresse efficacement. Lorsque la quantité de ces ions est trop faible, la réaction avec S2 est difficile et un temps relativement long est nécessaire pour que la réaction soit terminée, la dimension particulaire de CdS résultant étant beaucoup trop faible. Au contraire, lorsque la quantité de Cd2+ est trop importante, la dimension particulaire du sulfure de cadmium obtenu est supérieure à 10 microns et ne convient pas pour ltélectrophotographie. La quantité de Cd2+ dans les systèmes réactionnels est de préférence comprise entre 0,5 M et 1,5 M, exprimée sous forte d'une concentration de CdS04. dans la formule précédente, peut ventre obtenu à partir d'un sulfure hydrosoluble, mais le réglage de la réaction n'est pas commode et le cation du sulfure est incorporé au sulfure de cadmium résultant. En conséquence, l'hydrogène sulfuré est préférable car le réglage de la réaction est facile et l'effet indésirable du cation est négligeable. L'impureté de type donneur est choisie parmi les éléments des groupes IIIa et IIIb de la Classification Périodique des Eléments. De préférence, on utilise AI, In, Ga et Sc qui ont un niveau de donneur relativement peu profond. Dans le système réactionnel, ils doivent entre présents sous forme ionique. En conséquence, les métaux sont habituellement dissous dans un acide ou les sels hydrosolubles, par exemple les sulfates tels que AI2(SO4)3, In2(SO4)3, Ga2(S04)3, Sc2(S04)3 et analogues, et les nitrates sont dissous dans le système réactionnel de manière qu'ils forment les ions métalliques respectifs. La quantité d'impuretés de type donneur influe directement sur la sensibilité.CdS ne contenant qu'une faible quantité d'impuretés de type donneur a une faible sensibilité en électrophotographie et donne des images voilées. Au contraire, CdS contenant une grande quantité d'impuretés de type donneur présente une forte décroissance à l'obscurité et donne une faible résistance apparente si bien que l'image obtenue est extrtmement pAle et en conséquence, une telle qualité de CdS ne convient pas en électrophotogra phie. Des quantités avantageuses de donneur sont comprises entre 0,5.10-3 et 6.10 3 mole sous forme ionique par mole de CdS. L'impureté de type accepteur est de préférence un élément du groupe Ib de la Classification Périodique des Eléments. Par exemple, lorsque ltaccepteur est ajouté dans le première étape, Cu, Ag ou Au peut etre'dissous en solution aqueuse et ajouté, ou un sel hydrosoluble tel que CuSO4, AgNO3, Au(CN)3.3H20 ou analogue peut entre directement dissous dans le système réactionnel, Lorsque l'accepteur est ajouté dans la seconde phase, il peut entre ajouté comme décrit précédemment. La quantité d'accepteur est avantageusement comprise entre 1.10-4 et 20.10 4 mole sous forme d'ions par mole de CdS. Il est avantageux que de acide sulfurique soit présent dans le système réactionnel car il peut empocher la redissolution de CdS et régler la dimension particulaire. Celle-ci dépend de la concentration de l'acide sulfurique dans le système réactionnel. Pour une concentration en acide sulfurique inférieure à 1N, la dimension particulaire de CdS' est très faible alors que, pour une concentration supérieure à 4N, cette dimension particulaire devient indésirablement élevée. En conséquence, la concentration de l'acide sulfurique dans le système réactionnel est de préférence comprise entre IN et 4N lors de lsobtention de la dimension particulaire avantageuse comprise entre 1 et quelques microns. La température réactionnelle du système réactionnel est aussi un parametre important pour le réglage de la vitesse de la réaction et de la dimension particulaire de CdS. Aux températures inférieures à 400C, la réaction est très lente lors de la formation de petites particules alors qu'aulx températures supérieures à 800C, la réaction est très rapide et forme de grosses particules, les particules résultantes étant sous forme de plaquettes. En conséquence, la température réactionnelle est avantageusement comprise entre 40 et 800C. De plus, il est avantageux que le système réactionnel soit agité après soufflage d'hydrogène sulfuré, de manière que la réaction progresse efficacement. Cette agitation conduit à des particules de CdS ayant une répartition uniforme de dimensions particulaires. Le sulfure de cadmium résultant, contenant les impuretés de type donneur et de type accepteur, ou le sulfure de cadmium contenant une impureté de type donneur obtenu dans la première phase est lavé et séché puis soumis à la seconde phase. Dans la seconde phase, lorsque le sulfure de cadmium ne contient pas déjà l'impureté de type accepteur, celle-ci est ajoutée à CdS. Le sulfure de cadmium qui contient les impuretés des deux types est cuit en atmosphère de gaz inerte de manière qu'il soit dopé par les impuretés. La cuisson est réalisée à des températures qui ne provoquent pas le frittage mais qui assurent le dopage par les impuretés. Selon l'invention, la limite supérieure de la température de cuisson est élevée car aucun fondant n'est nécessaire mais la limite inférieure est presque la méme que selon le procédé connu. Après cuisson, le sulfure de cadmium dopé est lavé puis séché et donne le produit final. Lors du lavage, la conductivité de l'eau usée de lavage, après plusieurs lavages, est réduite et devient presque égale à celle de l'eau originale de lavage. Au contraire, après lavage du sulfure de cadmium préparé par mise en oéuvre du procédé classique, la conductivité de l'eau de lavage, méme après plusieurs lavages, ntest pas réduite. Ce comportement apparatt sur la figure unique.Ce phénomène indique que les impuretés de dopage utilisées selon l'invention ne sont pas perdues lors du lavage alors que celles qui sont introduites de manière classique sont constamment perdues dans l'eau de lavage lors de cette opération. il est clair dtaprès la description qui précède que la quantité d'impuretés peut ètre facilement réglée par addition drune quantité convenable, au début de la mise en oeuvre du procédé selon l'invention. Le sulfure de cadmium préparé par le procédé de l'invention peut entre préparé dans une résine formant un liant, puis revêtu sur un substrat conducteur qui forme une plaque photo sensible à deux couches qui peut être utilisée pour la mise en oeuvre du procédé "Carlson" de formation dtimage. Le cas échéant, une couche isolante peut recouvrir la plaque photosensible précitée à deux couches, si bien que celle-ci forme une flaque à trois couches. Lorsque celleci est chargée à +6 kV, avec une exposition de formation image réalisée simultanément à une charge alternative à 6 kV et avec une exposition de toute la surface, limage formée est claire et nette et a un contraste supérieur à 500 V, dépourvu de voile, avec une sensiblité inférieure à 3,5 lux/s. On considère maintenant à titre purement illustratif quelques exemples de mise en oeuvre de l'invention. EXEMPLE 1 On fait barboter de l'hydrogène sulfuré dans 2 1 d'une solution aqueuse diacide sulfurique contenant une mole de cadmium, i0-3 mole de sulfate d'indium et 5.10-4 4 mole de sulfate cuivrique, en agitant à 600C, le barbotage correspondant à 1 l/mn et étant réalisé pendant 100 mn. Le sulfate de cadmium qui précipite subit un lavage, un séchage et est placé dans un tube de quartz,puis cuit en atmosphère d'azote à 5000C pendant 60 mn. Le produit cuit subit alors un lavage et un séchage et donne du sulfure de cadmium final, présentant une reproductibilité quantitative excellente. On disperse le sulfure de cadmium dans un liant à base d'un copolymère de chlorure et d'acétate de vinyle, pour former une couche photosensible et on colle un film isolant à la surface de la couche, de manière que la plaque photosensible ait une structure à trois couches. Cette plaque subit une charge à 6 kV, une charge alternative à 6 kV simultanée à une exposition à de la lumière formant une image, et des radiations appliquées uniformément, si bien que le contraste est égal à 700 V et la sensibilité à 2,5 lux/s. Ainsi, on obtient des images claires de contraste élevé et ne présentant pas de voile. EXEMPLES 2 A 13 On met en oeuvre le procédé de l'invention comme dé crit dans exemple 1, en modifiant les conditions indiquées dans le tableau qui suit, et on obtient les résultats indiqués. EXEMPLE 14 On fait barboter de l'hydrogène sulfuré dans 2 1 d'une solution aqueuse d'acide sulfurique 2N contenant une mole de sulfate de cadmium, 5.10 mole de sulfate d'aluminium et 5.10-4 mole de sulfate cuivrique, à raison de 1 l/mn pendant 100 mn à 400C, sous agitation, et on obtient un pré cipité de sulfure de cadmium contenant de l'aluminium et du cuivre. On lave à l'eau, on filtre, on sèche et on place dans un tube de quartz le précipité ainsi obtenu, puis on le cuit à 5000C pendant 60 mn, en atmosphère d'azote de manière qu2il soit dopé par l'aluminium et le cuivre. Le sulfure de cadmium ainsi dopé subit un lavage qui retire les impuretés superflues, puis un séchage. Le sulfure résultant de cadmium est mis sous forme d'une plaque photosensible, comme décrit dans l'exemple 1, et on utilise au cours dgun procédé électrophotographique comme décrit dans exemple 1 pour la formation d'images claires de contraste élevé et ne présentant pas de voile. Le contraste correspond à 670 V et la sensibilité à 2,5 luxes. EXEMPLE 15 On fait barboter de l'hydrogène sulfuré dans 2 1 d'une solution aqueuse d'acide sulfurique 2N contenant une mole de sulfate de cadmium, 3.10 mole de sulfate de gallium et 5.10 4 mole de sulfate cuivrique à raison de 1 l/mn pendant 3 mn à 500C, sous agitation, et le sulfure de cadmium est précipité et contient du gallium et du cuivre. On lave le précipité à l'eau, on le filtre, on le sèche, on le place dans un tube de quartz et on le cuit à 5000C pendant 60 mn en atmosphère d'azote de manière qu'il soit dopé par le gallium et le cuivre. Le sulfure de cadmium ainsi dopé subit alors un lavage qui retire les impuretés superflues puis un séchage. Le sulfure de cadmium résultant est mis sous forme d'une plaque photosensible, comme décrit dans l'exemple 1, puis est utilisé au cours d'un procédé électrophotographique comme dé Exemple CdSO4 In2(SO4)3 Ions Cu Normalité Température Température Contraste Sensibilité n mole 10-3 mole 10-4 N de la ré- de cuisson V lux.s action, C C 2 1 1,0 5 1 80 500 600 3,5 3 1 1,0 5 4 40 500 550 3,5 4 1 1,0 5 1 60 520 640 3,0 5 1 1,0 5 4 60 480 600 3,5 6 1 2,0 8 2 70 450 580 2,8 7 1 3,0 1 3 50 550 540 3,0 8 1 0,5 5 2 60 590 600 2,8 9 1 1,5 6 2 60 500 680 2,2 10 3 1,0 5 2 60 500 640 3,3 11 2 1,0 5 2 60 520 660 3,0 12 1 0,25 10 2 70 560 550 3,8 13 1 2,0 20 2 65 500 600 3,0 crit dans l'exemple 1 et donne alors des images claires de contraste élevé et dépourvues de voile. Le contraste est égal à 620 V et la sensibilité à 3,0 lux.s. EXEMPLE 16 On fait barboter de l'hydrogène sulfuré dans 2 I d'une solution aqueuse 2N d'acide sulfurique contenant une mole de sulfate de cadmium, 2.10 5 mole de sulfate d'indium et 10 4 mole de nitrate d'argent à raison de 1 l/mn pendant 100 mn à 600C, sous agitation, et on précipite du sulfure de cadmium contenant de l'indium et de l'argent. On lave le précipité à l'eau, on le filtre, on le sèche, on le place dans un tube de quartz et on le cuit à 600C pendant 60 mn en atmosphère azote de manière qu'il soit dopé par de l'indium et par de lrargent. Le sulfure de cadmium ainsi dopé subit un lavage qui retire les impuretés superflues, puis un séchage. Le sulfure résultant de cadmium est mis sous forme d'une plaque photosensible, comme décrit dans l'exemple 1 et est utilisé dans un procédé électrophotographique analogue à celui de exemple 1 de manière qu'il donne des images claires ayant un contraste élevé et ne présentant pas de voile. Le contraste correspond à 650 V et la sensibilité à 2,7 lux.s. EXEMPLE 17 On fait barboter de l'hydrogène sulfuré dans 2 1 d'une solution aqueuse 3N d'acide sulfurique contenant 1 mole de sulfate de cadmium et 10 mole de sulfate d'indium à raison de 1 l/mn pendant 100 mn à 600C, sous agitation, et on fait précipiter du sulfure de cadmium contenant de l'indium. On lave à l'eau ce précipité, on le filtre, on le sèche, on le place dans un tube de quartz avec 10 mole de sulfate cui- vrique, et on le cuit à 5000C pendant 60 mn, en atmosphère azote assurant le dopage par l'indium et le cuivre. Le sulfure de cadmium ainsi dopé subit un lavage qui retire les impuretés nécessaires puis un séchage. La dispersion de CdS résultant dans un liant contenant un copolymère de chlorure et d'acétate de vinyle permet la formation d'une couche photoconductrice, et un film isolant est collé à la surface de la couche de manière que ltensemble forme une plaque photosensible à trois couches. Cette plaque est soumise à une charge de +6 kV, à une charge alternative à 6 kV simultanée à une exposition par une image et à une exposition à des radiations uniformes de manière que le contraste atteigne 650 V et la sensibilité 2,8 lux.s. Ainsi, les images formées sont claires et présentent un contraste élevé, sans voile. EXEMPLE 18 On dissout totalement 100 g de cadmium métallique, 0,017 g de poudre de cuivre et 0,01 g de poudre d'aluminium dans 1,5 1 d'une solution aqueuse 2N acide sulfurique contenant de l'acide nitrique. On fait barboter de l'hydrogène sulfuré dans la solution aqueuse résultante à raison de 1 l/mn pendant 100 mn à 600C, en agitant, de manière que de fins cristaux précipitent. Ces fins cristaux subissent une filtration, un lavage, un séchage, puis une cuisson à 5500C pendant 60 mn de manière qu'ils soient dopés par le cuivre et l'aluminium. Le sulfure de cadmium ainsi dopé subit un lavage qui retire les impuretés superflues puis un séchage. Le sulfure de cadmium résultant est mis sous forme d'une plaque photosensible comme décrit dans l'exemple 1 et est utilisé au cours d'un procédé d'électrophotographie comme décrit dans exemple 1, les images obtenues étant claires et ayant un contraste élevé sans voile. Le contraste correspond à 600 V et la sensibilité à 3,8 lux.s. EXEMPLE 19 On fait barboter de l'hydrogène sulfuré dans 2 1 d'une solution aqueuse 2N d'acide sulfurique contenant une mole de sulfate de cadmium, 10 3 mole de sulfate de scandium et 5.10 4 mole de sulfate cuivrique, à raison de 1 l/mn pen- dant 100 mn à 600C sous agitation, et on fait précipiter du sulfure de cadmium contenant du scandium et du cuivre. Ce précipité subit un lavage à l'eau, une filtration, un séchage, et il est placé dans un tube de quartz puis cuit à 5000C pendant 60 mn en atmosphère d'azote de manière qu'il soit dopé par le scandium et le cuivre. Le sulfure de cadmium ainsi dopé subit un lavage qui retire les impuretés superflues, puis un séchage. Le sulfure de cadmium résultant est mis sous forme dtune plaque photosensible comme décrit dans l'exemple 1 puis utilisé dans un procédé électrophotographique comme décrit dans l'exemple 1, les images obtenues étant claires et ayant un contraste élevé sans voile. Le contraste est de 550 V et la sensibilité de 3,5 lux.s. fl est bien entendu que l'invention n'a été décrite et représentée qu'à titre d'exemple préférentiel et qu'on pourra apporter toute équivalence technique dans ses éléments constitutifs sans pour autant sortir de son cadre, qui est défini dans les revendications annexées. REVENDICATIONS 1. Procédé de préparation de CdS pour électrophotogra phie, caractérisé en ce qu'il comprend une première phase de mise en contact d'ions sulfure avec des ions cadmium et une impureté de type donneur du groupe IIIa ou IIIb de la Classification Périodique des Eléments, de manière que CdS contenant une impureté soit formé, puis une seconde phase de cuisson de CdS, une impureté de type accepteur étant ajoutée au cours de l'une des deux phases. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les ions cadmium proviennent de CdS04. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les ions cadmium sont obtenus par dissolution de cadmium métallique dans un milieu réactionnel au cours de la première phase. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé-en ce que l'impureté de type accepteur est ajoutée lors de la première phase. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'impureté de type accepteur est ajoutée lors de la phase de cuisson. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une matière formant des ions cadmium, l'impureté de type donneur et l'impureté de type accepteur sont dissoutes dans une solution aqueuse d'acide sulfurique et régissent avec H2S à température convenable, sous agitation, le sulfure de cadmium obtenu subissant ensuite une cuisson. 7. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'une matière formant des ions cadmium et l'impureté de type donneur sont dissoutes dans une solution aqueuse d'acide sulfurique et réagissent avec H2S à température appropriée sous agitation, le sulfure de cadmium obtenu étant cuit. 8. Procédé selon l'une des revendications 6 et 7, caractérisé en ce que la concentration des ions cadmium est comprise entre 0,5 Met 1,5 M, calculée sous forme CdS04, la quantité d'impuretés de type donneur est comprise entre et 3 et 6.10 3 mole sous forme ionique par mole de CdS et la quantité d'impuretés de type accepteur est comprise en tre 1.10-4 et 20.10 4 mole sous forme d'ions par mole de CdS. 9. Procédé selon l'une des revendications 6 et 7, caractérisé en ce que la concentration de la solution aqueuse d'acide sulfurique est comprise entre 1 N et 4 N 10. Procédé selon l'une des revendications 6 et 7, caractérisé en ce que la température réactionnelle est comprise entre 40 et 800C. 11. Procédé selon l'une des revendications 6 et 7, caractérisé en ce que la température de cuisson est comprise entre 400 et 6000C. 12. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'impureté de type donneur est choisie parmi les sulfates d'indium, d'aluminium, de gallium et de scandium. 13. Poudre de sulfure de cadmium, caractérisée en ce qu'elle est préparée par mise en contact d'ions sulfure avec une matière de départ contenant des-ions cadmium et une impureté de type donneur du groupe ilia ou IIIb de la Classification Périodique des Eléments, avec formation de CaS puis cuisson du sulfure de cadmium et dopage par une impureté du type accepteur, dans une phase appropriée. 14. Couche photoconductrice, caractérisée en ce qu'elle est formée par dispersion de poudre de sulfure de cadmium selon la revendication 13. 15. Plaque photosensible, caractérisée en ce qu'elle porte une couche photosensible suivant la revendication 14. 16. Plaque photosensible, caractérisée en ce qu'elle comprend une couche de support, une couche photosensible selon la revendication 14 et une couche isolante, dans l'ordre indiqué. 17. Procédé de préparation de sulfure de cadmium pour électrophotographie, caractérisé en ce qu'il comprend une première phase de mise en contact d'ions sulfure provenant dthydrogène sulfuré avec des ions cadmium à une concentration comprise entre 0,5 et 1,5 M, calculée sous forme CdS04, et des ions d'impureté de type donneur, choisies parmi AI, In, Ga et Sc, en quantité comprise entre 0,5.10 et 6.10 mole sous forme ionique par mole de CdS, en solution aqueuse 1 N à 4 N diacide sulfurique, à 40-800C, sous agitation, de manière qu'il se forme du sulfure de cadmium contenant des impuretés, puis une seconde phase de cuisson du sulfure de cadmium entre 400 et 600 C, une impureté de type accepteur, choisie par Cu, Ag et Au, en quantité comprise entre 1.10 4 et 20.10 mole sous forme d'ions par mole de CdS étant ajoutée dans la première ou dans la seconde phase.