FR 2264359 A1 19751010 FR 7440275 A 19741209 la présente invention concerne un procédé pour une mise en mémoire réversible d'informations. Il est connu d'utiliser un grand nombre d'effets physiques de base pour la mémorisation réversible d'informa- tions. Ceci conduit à des milieux de mémorisation et à des solutions techniques différents pour obtenir des dispositifs permettant l'utilisation de ces milieux de mémorisation. Un ensemble à mémoire composé d'un milieu de mémorisation et du dispositif associé peur 11 introduction, la lecture et l'effacement, doit satisfaire à des exigences diverses t'es dernières sont surtout 'me densité de mémoire élevée, un temps d'accès court, la possibilité de pouvoir procéder à un accès sélectif et naturellement ltexigence de la réversibilité. Il s'ajoute les exigences économiques, comme par exemple, une technologie de fabrication simple et un faible prix de revient par bit. Aucun système 4 mémoire connu à ce jour satisfait à l'ensemble de ces exigences. La présente inventien a pour objet de créer UQ procé- dé pour la mise en mémoire réversible d'information; qui ,tout en utilisant un effet physique,permet de satisfaire à toutes les exigences demandées à un tel procédé. Conformément à l'invention ce résultat est obtenu par un procédé de mémorisation réversible d'informations du fait que la mise en mémoire s'effectue dans une mince couche isolante se trouvant sur un support conducteur et servant de milieu de mémoire, l'enregistrement s'effectuant par le bom- barrement du milieu avec les électrons d'une énergie E2, que la lecture des informations est obtenue au moyen des électrons d'une énergie E1 et que les#informations sont effacées par les électrons de 11 énergie E2, uz champ d'aspiration d'électrons qui se trouve devant la couche isolante étant mis hors service pendant les procédés d'enregistrement et de lecture. Le procédé, suivant l'invention, pour la mémorisation réversible d'informations utilise pour l'enregistrement, l'effacement et la lecture un faisceau d' électrons en ne nécessitant que deux énergies. Le milieu à mémoire est constitué par une couche isolante mince et à grande surface placée sur un support conducteur. Une forme de réalisation pour la mise en oeuvre du procédé de l'invention est représentée, à titre d'exemple non limitatif au dessin annexé et décrite en détail ci-après. La figo 1 montre un dispositif permettant la mise en oeuvre du procédé suivant l'invention. La fig. 2 représente la caractéristique courant-tension pouvant être obtenue au moyen du dispositif de la fig. 1, et dans laquelle est représenté le courant traversant la couche isolante en fonction de l'énergie d'impact des électrons. Le procédé repose sur le fait que,lors du bombarde- ment d'une couche isolante mince se trouvant sur un support conducteur, le courant qui traverse cette couche présente la caractéristique illustrée à la fig. 2. UE et BE symbolisent les deux énergies d'impact des électrons et 2 le courant p émanant du support conducteur et Ip- le courant s'écoulant vers le support conducteur. Par le choix de la grandeur de tension d'aspiration UÂ, déterminée par la substance du milieu à mémoire et par son épaisseur, ~n peut régler à une valeur optimale l'hystérésis se créant. Lorsqu'il s'agit de couches homogènes,chacun des endroits du milieu constituant la mémoire frappés par une déviation définie des faisceaux donne la mtne caractéristique. Les va leurs de UE et de UE ainsi que celles de Lp +et de 1p dépen 1 2 p dent de la nature du milieu et de l'épaisseur de sa couche. Les valeurs des courants Ip+ et Ip peuvent présenter une différence pouvant atteindre plusieurs puissances de dix. La raison de l'apparition de l'hystérésis est la création de structures de charge d'espace par suite du bombardement électronique. Le caractère isolant du milieu constituant la mémoire empoche une égalisation de charges ce qui garantit des temps de mémorisation longs. L'introduction des informations est obtenue en bombardant les endroits où on veut enregistrer un "L" avec des électrons de l'énergie UE . Les endroits correspondant à un "O" ne sont pas bombardés. Au cours de l'enregistrement la tension d'aspiration est appliquée au milieu à mémoire. Pour la lecture on utilise un faisceau électronique de l'énergie Us , la même tension d'aspiration étant appliquée au milieu constituant la mémoire. Aux endroits précédemment bombardés par des électrons de l'énergie Us et qui présentent de ce fait un bit "L", le courant Ip s'écoule en dirS^ction du support conducteur lors de l'impact du faisceau de lecture. Les endroits n'ayant pas subi le bombardement et contenant un bit "O", présentent le courant Ip+ s'écoulant dans la direction opposée au Bupport conducteur. Le processus de lecture peut entre répété à volonté étant donné que l'information qui est présente sous forme des structures de charge d'espace existantes ou non-existantes, n'est pas effacée lors de la lecture. Vu que les courants Ipq et Ip ont une différence de puissance de dix on obtient une lecture store. Lors de l'effacement le support conducteurzdu milieu constituant la mémoire est court-circuité par un diaphragme à travers lequel le faisceau électronique frappe le milieu à mémoire et l'endroit à effacer est en mtme temps bombé avec des électrons de l'énergie UE . De cette manière on peut procéder aussi bien à un effaceme i d'un seul bit qu'à un effacement d'unités plus grandes. Le dispositif représenté à la fig. 1 qui se compose d'un canon électronique 1 et d'un diaphragme 2, est particulièrement avantageux pour la mise en oeuvre du procédé. En traversant le diaphragme 2 les électrons frappent une couche isolante 3 qui se trouve sur un support conducteur 4. Une source de tension 5 permet l'application d'une tension d'aspiration au milieu à mémoire. Tout le dispositif est placé dans un ballon à vide. T'accès.lors des processus de lecture, d'enregistrement et d'effacement peut s'effectuer sélectivement. Des bonnes couches isolantes, comme milieu à mémoire, permettent une mémorisation des informations pendant longtemps sous une température ambiante. Lors d'une valeur bit de 5 x 5 et un intervalle de 5 entre deux bits on obtient pour une surface de mémoire de 10 x 10 cm une capacité de mémorisation de 108bits. REVEN# I CÂT IOi# Procède pour la mémorisation réversible d'informa- tions, caractérise en ce que la mise en mémoire s'effectue dans une mince couche isolante se trouvant sur un support conducteur et servant de milieu de mémoire, l'enregistrement s'effectuant par le bombardement du milieu avec les électrons d'une énergie E2, et que la lecture. des informations est obtenue au moyen des électrons d'une énergie E1, et que les informations sont effacées par les électrons de l'énergie E2 un champ d'aspiration d'électrons qui se trouve devant la couche isolante étant mis hors service pendant les procédés d'enregistrement et de lecture.