FR 2250725 A1 19750606 FR 7437032 A 19741108 La présente invention concerne les matières et structures de propagation de domaines magnétiques normaux, notamment destinés à la mise en oeuvre de manipulations numériques logiques par mise en mémoire ou propagation de domaines magnétiques cylindriques normaux dans de minces couches monocristallines de matières ferrimagnétiques. Les domaines magnétiques normaux de configuration sensiblement cylindrique sont facilement formés à l'état isolé dans des plaques relativement minces de certaines matières anisotropes uniaxes telles que les ferrites et les grenats, et on leur fait subir des manipulations de manière qu'ils remplissent des fonctions logiques habituellement nécessaires dans les dispositifs de traitement numérique tels que les fonctions de mémoire, les fonctions logiques et les fonctions de transfert de données. La matière sous forme d'une plaque mince présente en général des axes d'aimantation facile et difficile et une anisotropie uniaxe perpendiculaire au plan de la plaque.Les domaines cylindriques normaux se comportent comme des volumes isolés dans lesquels la polarisation magnétique de la matière ferrimagnétique de l'intérieur des domaines est inversée par rapport au sens de l'aimantation du reste de la matière, les vecteurs aimantation étant orientés de préférence perpendiculairement au plan de la plaque. Les domaines cylindriques normaux ont de façon caractéristique une stabilité dimensionnelle de valeur utile dans certains cas, et, en dehors des conditions de stabilité, les domaines se compriment ou se dilatent de façon incontrlée,Ies domaines les plus petits ayant tendance à s'affaisser sur eux-mmes puis à disparattre.Dans une plaque d'épaisseur optimale, un champ magnétique prédéterminé de polarisation favorise la présence de domaines stables et de petit diamètre qui sont souhaitables et qui peuvent étre considérés de manière générale comme des domaines normaux. Comme les domaines magnétiques normaux ont, dans des conditions convenables, une stabilité de position et de dimension, Xls peuvent remplir facilement des fonctions de stockage de données. Dans le cas des domaines normaux de petit diamètre, la conservation de bits avec une densité élevée est facile. D'autres fonctions telles qu'une transmis d on rapide d'un bit de données, peuvent autre mises en oeuvre par exemple par déplacement d'un domaine d'une première position à une seconde après excitation pendant un temps court dtune boucle magnétique dwemplacement convenable par exemple Ainsi, on réalise des registres à décalage et d'autres circuits logiques numériques. Contrairement aux domaines magnétiques normaux de type sensiblement cylindrique, des domaines indésirables appelés domaines ndursl' ou anormaux ont été déterminés, et on décrit aussi des domaines durs et 1,intermédiaires1' qui sont des entitées isomères, présentant des caractères distinctifs fondamentaux qui permettent leur séparation, dans la littérature. Ces deux types de domaines indésirables se caractérisent en réalité de façon très nette et ils coexistent dans de nombreuses matières connues à domaines magnétiques avec les domaines normaux. De nombreuses expériences publiées indiquent que les domaines anormaux peuvent étre facilement distingués des domaines normaux par certaines propriétés statiques et dynamiques indésirables.En particulier, les domaines anormaux se comportent différemment des domaines normaux dans un gradient de champ magnétique, les domaines anormaux se déplaçant à une vitesse bien plus faible que les domaines normaux, et suivant une direction faisant un angle important avec le gradient. Ces caractéristiques suggèrent que la création et la propagation des domaines anormaux dans un appareil utilisable en pratique doivent être évitées car par exemple, ces domaines ne peuvent pas étire facilement dirigés entre des points formant un trajet voulu de propagation qui doit être parcouru par un domaine normal, à partir d'un dispositif d'excitation de domaines JUSqU'à un détecteur de domaines magnétiques. De plus, les domaines anormaux présentent d'autres inconvénients, car ils slaffaissent pour des champs magnétiques de polarisation bien supérieurs à ceux des domaines normaux, et ils ont tendance à avoir une dimension qui varie de façon aléatoire. Les dispositifs à domaines magnétiques normaux comprennent une couche de matière de grenat déposée sur un substrat non magnétique. Des films utiles de grenat ayant une anisotropie uniaxe induite par des contraintes ou en cours de croissance peuvent être déposés directement sur le substrat non magnétique, par épitaxie en phase liquide ou par dépôt à partir d'une vapeur. On a étudié deux procédés différents pour la préparation des matières ne permettant pas la création des domaines magnétiques anormaux. Selon un de ces procédés, on a réalisé des films épitaxiques de grenat à deux et trois couches, par exemple, une couche de matière magnétique étant placée entre le substrat non magnétique et la couche active de propagation de domaines.Bien qu'on ait réalisé de façon satisfaisante des dispositifs ne créant pas de domaines anormaux à l'aide de tels films multiples, le procédé de réalisation est compliqué et en conséquence coûteux, car il impose la croissance de plusieurs films. Un autre procédé utilisé avec un certain succès est l'implantation d'ions (par exemple d'ions hydrogène) selon lequel l'effet général du bombardement ionique est la dilatation du réseau du grenat. Ia couche implantée qui est maintenue par les couches associées, peut se dilater librement uniquement dans une direction si bien que la couche est par ailleurs en compression. Etant donné cette caractéristique, le procédé dsimplantation ionique ne convient qu'aux grenats magnétiques présentant une magnétostriction négative et ce procédé n'est donc pas utile dans tous les cas ; ainsi, l'implantation ionique présente l1inconvénient de ne convenir qu'aux matières dont la magnétostriction a l'amplitude et le signe qui conviennent.De plus, ce procédé présente d1autres inconvénients, en plus de la phase supplémentaire dtimplantation ionique nécessaire à la fabrication. Selon un mode de réalisation, l'invention concerne une matière composite ou structure de propagation de domaines magnétiques normaux, inhibant la création de domaines magnétiques anormaux et comprenant un substrat d'une matière non magnétique de formule Gd3 Ga5 012, et une couche d'un grenat destiné à la formation de domaines magnétiques normaux et formée par croissance épitaxique sur une face du substrat nonmagnétique, ce grenat étant représenté par la formule Yx Gdy R 3-x-y Fez X5z- 0i 2 dans laquelle R est Yb, Tm, Er ou Bu, X étant Ga ou Al ou un- mélange de ces deux éléments, et 0,9 0,0 4,1 Selon un autre mode de réalisation, l'invention concerne une matière composite ou structure de propagation de domaines magnétiques normaux inhibant la création des domaines magnétiques anormaux et comprenant un substrat de matière non magnétique de formule Gd3 Ga5 12 et une couche d'un grenat destinée à la formation de domaines magnétiques normaux et formée par croissance épitaxique sur une surface du substrat non-magnétique, ce grenat ayant sensiblement la formule Y2 Tini GaO,g Fe4,1 012. L'invention concerne donc des matières composites ou structures à domaines magnétiques, mettant en oeuvre de nouvelles matières de propagation des domaines magnétiques cylindriques normaux,destinés à des calculateurs numériques et à des appareils de traitement de données. Les matières sont utilisées sous forme de minces couches monocristallines formées par croissance épitaxique sur les substrats non magnétiques, et elles sont telles qu'elles inhibent la création des domaines magnétiques anormaux indésirables. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre d'une structure de propagation de domaines magnétiques, faite en référence à titre illustratif au dessin annexé sur lequel la figure unique représente un dispositif, correspondant à une structure selon ltinvention. La figure représente un dispositif de traitement de données ayant une couche 1 formant un substrat et une couche active 2 de translation et de stockage de domaines magnétiques, délimitant une interface commune 3, chacune des couches 1 et 2 ayant des caractéristiques particulières, les couches présentant entre elles certaines relations décrites dans la suite. La couche 2 a une face supérieure 4 (opposée à l'interface 3) qui est normalement associée à certains éléments classiques d'excitation et de détection de domaines. La couche 2 peut être de manière générale le lieu de diverses opérations numériques logiques précitées, décrites dans divers brevets et dans la littérature technique. On peut par exemple se référer à la demande de brevet britannique n0 45 452/731 La figure représente un dispositif intéressant de façon générale et ayant une configuration très simple, sous forme d'un fragment d'un ensemble de réseaux de dimensions normales importantes, comprenant une couche active 2 de translation et de stockage de domaines magnétiques et divers éléments classiques d'excitation, de translation et de détection de domaines magnétiques.On peut considérer que la figure représente un registre 5 à décalage ayant une- couche 2 de matière magnétique disposée de manière que la direction d'aimantation facile de la couche 2 soit perpendiculaire à la surface 4. L'état général'd'aimantation de la couche 2 est indiqué par les signes moins indiquant des lignes de flux magnétique dirigées vers l'intérieur au niveau de la surface 4. Les lignes de flux magnétique à ltintérieur des domaines qui sont en conséquence de sens opposé, sont représentées par des signes plus, par exemple le signe +6 disposé dans les boucles conductrices 7 et 8. Des conducteurs 12, 13 et 14 commandés par le dispositif 9 de translation de domaines, peuvent autre fixés à la surface 4 ou peuvent être mis près de celle-ci de manière classique. Les conducteurs 12, 13 et 14 sont reliés respectivement à des triades successives de boucles conductrices, par exemple les boucles 8, 8a, 8b d'une première triade, etc. Un réseau de lignes et de colonnes de telles dispositions à nombreuses boucles est souvent utilisé, dans les mémoires. Le champ de polarisation est appliqué de manière classique, par exemple par une ou plusieurs bobines classiques (non représentées) entourant la configuration à deux couches ou à l'aide d'aimants permanents disposés de manière connue. La dimension particulière des chaque boucle 8, 8a ou 8b correspond de façon avantageuse sensiblement à la section du domaine magnétique cylindrique normal stable dans des conditions d1utilisation, de manière que tout domaine fixe soit largement entouré par une boucle associée 8, 8a, bb. Lors du fonctionnement, les domaines magnétiques normaux sont créés ou excités par uhndispos4tif classique dxexcitation représenté par le dispositif 20 associé à la boucle 7 qui est pratiquement coaxiale à la boucle 8. Un domaine magnétique cylindrique stable tel que le domaine représenté par le signe + 6,lorsqu'il a été formé de manière classique par le dispositif 20 et la boucle 7, peut étre déplacé par paliers élémentaires à partir de 11 emplacement de la boucle 8 vers celui de la boucle Ba puis vers celui de la boucle 8b et ainsi de suite, par excitation successive des conducteurs 12, 13, 14,-etc, sous la commande du dispositif 9 de translation. Lorsque le domaine magnétique qui se propage atteint la boucle 8n, il peut être lu par cette boucle sous la commande du détecteur 21 de domaines et de la boucle 10, de manière classique. il faut noter que autres fonctions logiques numériques sont facilement remplies par mise en oeuvre des techniques décrites dans 25exemple du registre 5 à décalage. Une plaquette polie, découpée dans un monocristal non magnétique, forme la couche non magnétique 1 constituant le substrat sur lequel la couche active en grenat est créée sous forme souhaitable d'un grand monocristal ayant une anisotropie magnétique et une perfection cristalline utiles. Od3Ga5012 est une matière avantageuse pour la formation du substrat non magnétique, bien que d'autres matières analogues telles que (DyGd)3Ga5012 puissent étre utilisées de façon avantageuse. ta très mince couche active monocristalline 2 peut autre préparée de cemanière et elle peut subir un traitement mécanique sans risque important de détérioration car elle est supportée par un substrat non magnétique 1 relativement épais lors des opérations que doit subir la surface active 4. Le substrat I en grenat non magnétique-ne participe pas directement à la fonction de propagation-de domaines de la couche 2 et elle peut donc etre relativement épaisse et mécaniquement robuste. Les monocristaux destinés à former les plaquettes non magnétiques sont préparés par croissance à partir d'une solution fondue par mise en oeuvre du procédé classique de tirage direct à partir de matières fondues de Czochralski, à l'aide d'un petit germe monocristallin de matière voulue, de préférence découpé suivant l'orientation cristallographique r117. Le procédé conduit à la formation d'une boule qu'on découpe alors en plaquettes en fonction de l'orientation Jii7, avec des épaisseurs comprises en général entre environ 0,25 et 1,25 mm, à l'aide d'une scie diamantée ou à fil de type classique. L'orientation cristallographique est déterminée par mise en oeuvre du procédé classique d'analyse par réflexion des rayons X par la méthode de Von Laue.L'orientation cristallographique jlLi7est préférable pour le substrat 1, car elle détermine l'orientation du réseau et l'anisotropie uniaxe voulues pour la matière de la couche active 2. D'autres orientations conviennent dans certains cas. La plaquette formant le substrat est alors polie de manière que les rayures et les détériorations de la couche superficielle, créées par l'opération de sciage, soient retirées, à l'aide de poudresde plus en plus finesde suspensions de matières abrasives, par exemple de grains de diamant, d'alumine ou analogue, avec un polissage final classique à l'aide de silice colloïdale très fine, le diamètre particula ire étant inférieur à 500 . Les plaquettes polies sont alors nettoyées à l'aide des solvants habituels, séchés et conservés dans des récipients à l'abri de la poussière. La couche 2 est formée sur la couche 1 par croissance épitaxique en phase liquide, par trempage d'une telle plaquette polie en Gd3Ga5012 ou autre formant le substrat 1 dans une solution fondue convenable, comme décrit dans la demande britannique précitée n0 45 452/73. Les procédés classiques de dépôt épitaxique par trempage,tels que décrits dans les brevets et la littérature, conviennent aussi. Lorsque la composition utilisée de soluté et de solvant,la température initiale de trempage et le cycle de refroidissement sont convenablement réglés lorsque le substrat 1 est immergé dans la matière fondue, une mince couche magnétique 2 ayant les caractéristiques souhaitables se dépose par croissance épitaxi- que à l'interface 3.La couche non magnétique durable formant le substrat non seulement résout le problème posé par la fragilité des minces films magnétiques non supportés, maisinduit aussi la cristallisation épitaxique de la matière de la couche magnétique qui constitue un prolongement ordonné du réseau ayant une structure identique ou presque à celle du substrat 1. Le résultat voulu est obtenu lorsque la matière de la couche 2 a pratiquement la même constante de réseau et les mimes propriétés thermiques que celles de la matière de la couche 1. EXEMPLE 1 On prépare une famille de matières qui ne permet pas avantageusement la création des domaines magnétiques anormaux indésirables au voisinage de la température ambiante. On pèse les produits chimiques formant le soluté et le solvant pour former la couche épitaxique active 2, avec les proportions appropriées, lorsque la composition et la pureté des produits de départ se sont révélées satisfaisantes.Dans un exemple, lors de la formation de Y0,9Gd1,5Yb0,6Fe4,5Al0,O12, on utilise les matières suivantes - 2,01 g Y203 (oxyde d'yttrium) - 5,36 g Gd203 (sesquioxyde de gadolinium) - 2,33 g Yb203 (oxyde d'ytterbium) - 1,35 g A1203 (oxyde d'aluminium) - 35,51 g Fe203 (oxyde de fer) - 480,00 g PbO (oxyde de plomb) - 17,30 g B203 (oxyde de bore) Les divers ingrédients sont fondus après broyage de routine au broyeur à boulets et calcination dans un creuset en platine de 100 cm3, maintenu à 9750C pendant le trempage du substrat dans le mélange fondu tendant 3 mn environ, le substrat tournant de préférence à 60 tr/mn environ alors que la surface est immergée dans la matière fondue. L'oxyde borique et l'oxyde de plomb constituent un fondant ou solvant. On choisit de manière générale des matières de qualité chimiquement-pure. Certains ions indésirables doivent autre absents méme à l'état de traces des produits utilisés, par exemple le silicium dans l'oxyde de plomb ou le cobalt dans l'oxyde de fer. De telles substances indésirables telles que les ions des métaux de transition du groupe III--d de la Classification Périodique des Eléments ou des éléments des terres rares magnétiques actifs autres que ceux de la formule, réduisent de façon importante les caractéristiques de mobilité des domaines de la couche 2. Lors de la pesée, l'humidité est soigneusement retirée et évitée.Comme décrit dans la suite, l'absence de domaines magnétiques anormaux au voisinage de la température ambiante est aussi observée dans les compositions qui diffèrent dans une certaine mesure de celles dont les proportions correspondent à la formule indiquée. EXEMPLE 2 On peut préparer d'autres exemples de compositions permettant la formation de la couche épitaxique voulue 2, suivant la formule Y0, 9Gd1 ,20, 9Fe4, 60 , 1Ga0,3012, à l'aide des ingrédients suivants - 1,02 g Y203 - 2,19 g Gd203 - 1,76 g Tm203 - 1,50 g Ga2O3 - 0,23 g Al2O3 - 33,19 g Fi203 - 480,00 g PbO - 9,00 g B203 Les modes opératoires et les précautions peuvent être analogues à ceux qu'on a cités dans l t exemple 1. EXEMPLE 3 Une autre matière qui ne présente pas de domaines anormaux au voisinage de la température ambiante a une formule qui est sans doute Y1,0Gd1,0Er1,0Fe4,5Al0,1Ga0,4O12, et elle peut être préparée à partir des ingrédients suivants - 2,24 g Y203 - 3,57 g Gd203 - 3,79 g Er203 - 2,11 g Ga203 - 0,45 g Al203 - 34,72 g Fe203 - 480,00 g PbO - 17,30 g B203 Comme dans les exemples 1 et 2, une certaine variation des proportions des ingrédients utilisés et des modes opératoires de fusion et de trempage conduit aussi à des matières actives satisfaisantes ne présentant pas de domaines anormaux au voivinage de la température ambiante. EXEMPLE 4 Une autre matière souhaitable à domaines magnétiques selon llinvention peut Qtre représentée approximativement par la formule : Y1,5Gd0,75Eu0,75Fe4,4Al0,5Ga0,1 012. On la pré pare à partir d'un mélange contenant pratiquement les ingré- dients suivants - 3,36 g Y203 - 2,68 g Gd2O3 - 2,61 g Eu203 - 0,48 g Ga2O3 - 1,75 g Al2O3 - 34,00 g Fe2O3 - 480,00 g PbO - 17,30 g B293 Les matières des exemples i à 4 peuvent etre représentées par la formule générale YxGdxR3-x-yFe7X5-7O12 dans laquelle R est choisi parmi les éléments des terres rares Yb, Tm, Er et Bu, et X est choisi parmi Al et Ga ainsi que leurs mélanges. De plus, on note que 0,9 0,75 4,4 EXEMPLE 5 Un autre exemple avantageux est une matière qui a pratiquement la formule Y2Tm1Ga0,9Fe4,1O12 et qui est formée a partir des ingrédients suivants - 4,47 g Y203 - 3,80 g Tm2O3 - 5,75 g Ga203 - 29,98 g Fe203 - 480,00 g PbO - 17,30 g B203 La préparation peut être réalisée par mise en oeuvre de procédés analogues à ceux qu'on a décrits en référence aux matières déjà indiquées- ; la matière de l'exemple 5 peut etre préparée par croissance épitaxique sur un substrat non magnétique, par exemple par mise en oeuvre du procédé général décrit dans l'exemple 1. PROPRIETES DES FILMS DE GRENAT EPITAXIQUES NE PRESENTANT PAS DE DOMAINES MAGNETIQUES ANORMAUX a h 1 4#Ms Hk q ( ) ( ) ( ) (G) (10 A.tr/m) (m/s.A.tr) I - Y0,9Gd1,5Yb0,6Fe4,5Al0,5O12 +0,0038 8,6 0,43 208 33,4 160 0,75 II - Y0,9Gd1,2Tm0,9Fe4,6Al0,1Ga0,3O12 -0,0065 5,6 0,29 264 34,2 130 3,4 III - Y1,0Gd1,0Er1,0Fe4,5Al0,1Ga0,4O12 5,3 0,44 223 51,8 230 0,56 IV - Y1,5Gd0,75Eu0,75Fe4,4Al0,5Ga0,1O12 +0,020 7,6 0,22 357 111 310 1,26 V - Y2,0Tm1,0Ga0,9Fe4O12 -0,0054 9,0 4,4 244 63,5 260 1,58 Le tableau précédent indique les propriétés importantes des matières à domaines magnétiques du type précité, contribuant à l'absence de création de domaines magnéti- ques anormaux. Ces propriétés sont propres aux compositions indiquées et ne nécessitent pas un traitement supplémentaire par exemple un bombardement ionique.Il faut noter que les données du tableau sont présentées pour des matières actives de propagation de domaines formés par épitaxie sur des substrat en Gd3Ga5012 à l'exception de l'exemple 5 dans lequel le substrat en Gd3 5 12 est substitué par du dysprosium Dy. La quantité lia est exprimée en angstroms et il s'agit d'un facteur classique indiquant l'importance du désaccord entre les réseaux du substrat 1 et de la couche 2, les nombres po- sitifs indiquant que la couche 2 est en tension. La détermination expérimentale de ta ayant une valeur absolue inférieure à 0,0025 A est difficile si bien qu'on n'a pas indiqué cette valeur pour Exemple 3.L'épaisseur h de la couche 2 est exprimée en microns et le moment magnétique 4t Ms (M5 étant l'aimantation à saturation) en gauss sont des valeurs classiques mesurées de manière classique. La quantité l, mesurée en microns, est une valeur caractéristique normalisée de longueur caractérisant un domaine magnétique particulier. Bien que cette valeur soit déterminée par des techniques norma lisées, elle est sensiblement égale à # #/4#Ms2. Dans cette expression de 1, w est la mesure classique de la densité d'énergie aux parois du domaine et elle est de façon générale indépendante de l'orientation de la paroi et de sa courbure. La quantité Hk et les procédés de mesure de cette valeur sont particulièrement intéressants, comme décrit par exemple dans l'article A.J! Kurtzig et F.B. Hagedom, I.E.E.E. TRANSACTIONS ON MAGNETICS, MAG-7, 473, 1971, ainsi que dans d'autres articles. Des procédés de mesure plus perfectionnés que ceux qui sont décrits dans cet article sont décrits dans un article paru dans A.I.P. CONFERENCE PROCEEDINGS, 10,309, 1972. De manière générale, Hk est le champ qui doit autre appliqué dans le plan de la couche 2 de manière que les bandes de domaines observées dans un film désaimanté soient supprimées. Une fois connu 4S et Hk, cette dernière valeur étant norma lement exprimée sous forme du champ dtanjsotropie en 103 Xtrsm, le rapport q qui est le rapport 1ik/4Ms peut être obtenu. La quantité utilisée de manière classique, appelée mobilité des domaines magnétiques, est intéressante et elle est mesurée car les matières de mobilité élevée sont avantageuses pour les calculateurs travaillant à grande vitesse. Il faut noter que les matières du type de celles du tableau présentent les propriétés qu'on considère comme normalement souhaitables dans les dispositifs à domaines magnétiques. En particulier, ces matières présentent des mobiliés tout à fait élevées par rapport à celles des compositions habituelles ; les compositions II, IV et V par exemple ont des mobilités égales ou supérieures à i,26 m2/s.A.tr ou plus, la matière de exemple 2 ayant une valeur inhabituellement élevée de 3,4 m2/s..tr. De plus, la caractéristique commune aux matières du tableau est que les valeurs du rapport q sont toutes inférieures à 320.En d'autres termes, leur champ efficace Hk d'anisotropie est faible en comparaison du moment magnétique 4a Ms Par exemple, lorsque la composition de l'exemple 1 est modifiée de Y0 9Gd1 5Yb0 6Al0 5Fe4 5O12 à Y0 9Gd1 4Yb0 7Al0 6Fe4 4O12, la valeur de q passe de 160 à 440, et il apparatt des domaines anormaux au voisinage de la température ambiante. Lorsque la composition de ltexemple 3 est modifiée de la formule Y0 9Gd1 2Tm0 9Ga0 3Al0 1Fe4 6O12 à la Y0 9Gd1 3Tm0 9Ga0 4Al0 1Fe4 5O12, le rapport q passe de 130 à 450 et il apparat des domaines anormaux. Dans exemple 3, lorsque la composition de formule: Y1 9Gd1 9Er1 9Ga0 4Al0 1Fe4 5O12, est transformée et devisent: Y1 9Gd1 9Er1 9Ga0 5Al0 1Fe4 4O12, le rapport q passe rapidement de 230 à 970. De manière analogue, lorsque la composition de l'exemple 4 est modifiée de la formule Yi ,5Gd0,75Eu,75Al0,5Ga0,1Fe4,4012 à la formule Yi,5Gd0,8Eu0,7A10,6Ga0,iFe4,3012, le rapport q passe de 310 à 650 et il apparat aussi les domaines anormaux indésirables.Ainsi, on note dans l'exemple 1 qu'un changement de 0,1 dans l'indice de Fe, compensé par un changement en sens inverse sur Al, et un changement de 0,1 unité de l'indice de Gd, accompagné d'un changement inverse de 0,1 unité sur Yb conduisent à la formation de domaines anormaux indésirables. Dans l'exemple 2, un changement de 0,1 unité de l'indice de Fe et en sens inverse, de l'indice de Ga, conduit à des domaines anormaux alors que dans l'exemple 3, la variation de 0,1 unité porte sur le fer et le gadolinium. Dans l'exemple 4, la variation de 0,1 unité en sens inverses sur le fer et l'aluminium avec une variation de 0,05 unité sur l'europium et le gadolinium conduisent à l'apparition de domaines anormaux. Cependant, la théorie, vérifiée par l'expérience, indique que de légères variations peuvent être réalisées dans les divers exemples sans perturbation des propriétés essentielles et sans augmentation du rapport q au-dessus de 320. Ce critère fixant une valeur de q inférieure à 320 est imposé par la suppression des domaines anormaux. Les critères classiques qui concernent les matières utiles à domaines magnétiques, plus précisément la stoechiométrie chimique, les constantes de réseau et l'aimantation, doivent évidemment etre aussi satisfaits. Le critère imposé à la constante de réseau repose sur le fait expérimental qu'un film satisfaisant ne peut pas être formé par croissance à moins que la condition suivante soit satisfaite -0,015 (as - aÉ meme variation de la proportion d'un autre élément. Cependant, ces variations de la constante du réseau peuvent être facilement prévues à partir des résultats expérimentaux obtenus, à l'aide de la loi de Vegard. Le critère d'aimantation est aussi relié à la composition et dépend notamment de la quantité de fer présente dans le grenat, la quantité 4 5 Ms augmentant d'environ 140 gauss pour chaque augmentation de O,1 de 1'indice du fer dans la formule. Cependant, la valeur 47ru5 dépend aussi de la concentration des ions des terres rares dans le grenat, la contribution de chacun de ces ions s'opposant à l'aimantation résultante du fer. En conséquence, une augmentation de la contribution des terres rares réduit l'aimantation observée de la matière, de manière connue. La valeur optimale de l'aimantation dépend. de l'application prévue pour le dispositif particulier à domaines magnétiques et elle est normalement comprise entre 100 et 600 gauss.Cependant, on utilise des valeurs plus importantes lorsque les domaines magnétiques doivent être très petits. En résumé, les compositions sont particulièrement dépourvues des domaines magnétiques anormaux indésirables aux températures normales de fonctionnement et présentent toutes les autres propriétés souhaitables nécessaires aux matières de propagation de domaines. Des variations nominales des proportions indiquées dans les divers exemples sont possibles lorsque (a) q (b) -0,010 A (as a f) (c) 50 Lorsque la relation (a) n'est pas satisfaite, il se forme des domaines anormaux ; lorsque la relation (b) n'est pas satisfaite, les films formés ne peuvent pas avoir une bonne qualité. Lorsque la relation (c) n'est pas satisfaite, le dispositif a des propriétés indésirables. Il est bien entendu que l'invention nta été décrite et représentée qu'à titre d'exemple préférentiel et qu'on pourra apporter toute équivalence technique dans ses éléments constitutifs sans pour autant sortir de son cadre, qui est défini dans les revendications annexées. REVENDICATIONS 1. Matière composite de propagation de domaines magnétiques normaux, empêchant la création de domaines magnétiques anormaux, caractérisée en ce qu'elle comprend un substrat en matière non magnétique de formule Gd3Ga5012, et une couche d'un grenat favorisant les domaines magnétiques normaux et formée par croissance épitaxique sur une surface du substrat non magnétique, le grenat étant représenté par la formule YxGdyR3-x-yFezX5-zO12 dans laquelle R est Yb, Tm, Er ou Eu, et X est Ga, Al ou un mélange de ces deux éléments, et 0,9 0,0 4,1 Y0 9Gd1 5Yb0 6Fe4 5Al0 5O12, 3.Matière selon la revendication 1, caractérisée en ce que la formule du grenat est sensiblement Y0,9Gd1,2Tm0,9Fe4,6AI0,1Ga0,3012. 4. Matière selon la revendication 1, caractérisée en ce que la formule du grenat est sensiblement : Y1 9Gd1 9Er1 9Fe4 5Al0 1Ga0 4O12, 5. Matière selon la revendication 1, caractérisée en ce que la formule du grenat est sensiblement Y1 5Gd0 75Eu0 75Fe4 4Al0 5Ga0 1O12, 6. Matière composite destinée à la propagation de domaines magnétiques normaux et inhibant la création de domaines magnétiques anormaux, caractérisée en ce qu'elle comprend un substrat en matière non magnétique de formule Gd3Ga5012, et une couche d'un grenat favorisant les domaines magnétiques normaux et formée par croissance épitaxique sur une surface du substrat non magnétique, le grenat ayant-sensiblement la formule Y2Tm1Ga0 9Fe4 1O12