FR 2262863 A1 19750926 FR 7423822 A 19740709 Les cellules photovoltaTques à pellicules minces et à hété- rojonctions, qu'on connatt dans la technique, comprennent normalement deux pellicules minces formant une Jonction barrière pho tovoltaTque, la première pellicule étant en chalcogénure de cadmium, la seconde étant en chalcogénure de cuivre et chaque pellicule comportant sa propre électrode en contact ohmique avec elle. Le perfectionnement qui fait l'objet de la présente invention consiste à utiliser une électrode ayant une surface en aluminium (de préférence en aluminium sensiblement pur) dans la zone du contact ohmique avec le chalcogénure de cadmium. Un substrat sous forme d'une mince feuille d'aluminium ou un substrat dont le coefficient de dilatation thermique est sensiblement analogue à celui du chalcogénure de cadmium présente un intérêt particulier en qualité d'électrode. Plus précisément, l'invention a pour objet un perfectionnement apporté à une cellule photovoltaTque connue comprenant un substrat, une première couche de sulfure de cadmium ou de séléniure de cadmium en contact intime avec le substrat et adhérant à celui-ci, une seconde couche de sulfure de cuivre ou de séléniure de cuivre formant une jonction-barrière avec la première couche et une électrode maintenant un contact ohmique avec la seconde couche, perfectionnement selon lequel le substrat présente une surface en aluminium avec laquelle la première couche est en contact ohmique. D'une façon particulièrement avantageuse, la première couche est en sulfure de cadmium ayant une épaisseur inférieure à environ 20 microns, alors que la seconde couche est en sulfure de cuivre. Comme substrat, convient particulièrement une mince feuille d'une matière ayant un coefficient de dilatation thermique sensiblement similaire à celui de la première couche ou une mince feuille d'aluminium. De préférence, la surface d'aluminium sur le substrat est en aluminium sensiblement pur. On connatt un procédé de fabrication d'une cellule photovoltalque qui consiste à former un substrat, à établir sur ce substrat une première couche d'un chalcogénure de cadmium, à établir sur la première couche une seconde couche en chalcogénure de cuivre afin de former une jonction-barrière photovoltaTque et à fixer une électrode à cette seconde couche. Le perfectionnement que l'invention apporte à un tel procédé consiste à utiliser un substrat ayant une surface en aluminium, de préférence en aluminium sensiblement pur et à établir la première couche sur la surface d'aluminium. De préférence, le substrat est une mince couche d'une matière ayant un coefficient de dilatation thermique sensiblement le m#me que celui de la première couche, ou ce substrat est une mince feuille en aluminium ou aluminisée.I1 est spécialement souhaitable de déposer l'aluminium sur le substrat, par exemple par une technique de dépôt sous vide. En général, la première couche est en sulfure de cadmium (de préférence d'une épaisseur inférieure à environ 20 microns) alors que la seconde couche est en sulfure de cuivre. Un procédé remarquablement approprié pour l'établissement de la seconde couche consiste à mettre en contact la première couche-avec une solution aqueuse d'un halogénure de cuivre, par exemple de chlorure cuivreux, pendant une durée suffisante pour déposer la seconde couche. D'autres buts, caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée qui va en être faite ci-après en se référant aux dessins annexés, sur lesquels la figure 1 est une coupe transversale d'une partie d'une cellule solaire construite conformément à la technique antérieure, la figure 2 est une coupe transversale d'une partie d'une cellule solaire construite selon le proeédé selon l'invention, la figure 3 est une vue schématique d'un procédé continu par lequel on peut mettre en oeuvre l'invention dans des conditions avantageuses de manière à obtenir des cellules solaires d'une longue durée de service et -d'un rendement élevé, la figure 4 est une vue schématique du procédé d'abrasion et de décapage du sulfure de cadmium conformément à la présente invention, et la figure 5 est une vue à plus grande échelle de la couche de sulfure de cadmium dans la cellule photovoltafque selon l'invention. Comme on l'a déjà dit, les cellules photovoltaTques connues comprennent deux pellicules minces, par exemple en chalcogénure de cadmium et en chalcogénure de cuivre, formant une jonction barrièreset des électrodes associées séparément et de façon conductrice avec chaque pellicule. Sur la figure 1, on a représenté une cellule typique de la technique antérieure.Cette cellulecomprend un substrat 10, normalement en une matière plastique ou en verre, une électrode 11 habituellement en argent portant un enrobage de zinc 12., une couche de sulfure de cadmium 13, une couche-barrière 14 en sulfure de cuivre et une grille en cuivre rev~etue d'or 15 liée au sulfure de cuivre à l'aide d'un enduit ou couche de liaison 24 contenant de l'or. te "sandwich" tout entier constituant la cellule peut être recouvert d'un revetement de protection convenable 16 en une matière plastique durable, de préférence transparente, par exemple en "Mylar" (marque déposée de du Pont de Nemours pour des pellicules en téréphtalate de polyéthylène). Eventuellement, on peut supprimer ce revAetement protecteur sur 1' envers de la cellule indiqué par la référence 16a. Les cristallites individuels . 17 constituant la couche en sulfure de cadmium du type n ont fréquemment des régions-frontières profondes 18 qui ont tendance à être revêtues par la couchebarrière de sulfure de cuivre.Quand ces frontières se rapprochent de 11 électrode en argent, il en résulte des zones chaudes et des courts-circuits électriques ayant pour effet de réduire la durée en service de la cellule, Le perfectionnement qui fait l'objet de l'invention consiste à utiliser un substrat présentant une surface en aluminium qui vient en contact ohmique avec la pellicule de chalcogénure de cadmluzn. Bien qu'on préfère utiliser de l'aluminium sensiblement pur pour former cette surface, d'autres substances peuvent être présentes dans la matière à la condition de ne pas gêner notablement le contact ohmique, e'est-8-di#e un écoulement sans entrave des électrons ou des trous entre la surface d'aluminium et le chalcogénure de cadmium.Cependant, la surface d'aluminium doit Aetre pratiquement exempte de toute substance capable de rendre non efficace le contact ohmique, par exemple une couche isolante en oxyde d'aluminium. Plus précisément1 et en se référant à la figure 2, une cellule selon l'invention comprend un substrat 19 procurant un support struetural à la cellule, ce substrat étant également conducteur d'élgctricité. C'est ainsi que le substrat pourrait Aetre une mince pellicule conductrice ou une pellicule plus mince portant un enduit adhérent d'une- matière conductrice. De préférence, le substrat est en une matière flexible facilitant le cintrage ou le pliage, qu'on peut fabriquer facilement en grande série et qui est capable de supporter des contraintes mécaniques d'une certaine importance et d offrir la protection voulue à la cellule contre les éléments extérieurs tels que l'air, la vapeur d'eau, etc.Certaines matières qui conviennent sur le plan structural pour de telles applications sont notamment des feuilles en un polyamide plastique, vendues sous la dénomination commerciale nKaptonl' par du Pont de Nemours. On peut également utiliser d'autres matières plastiques convenables, parmi lesquelles on citera des polyamides, des hydrocarbures fluorés et d'autres matières du même type. Ces matières plastiques sont habituellement revêtues avec de-la pyrite d'argent ou des substances métalliques évaporées pour assurer la conductivité électrique nécessaire. En variante, le substrat 19 peut être une plaque de verre conductrice bien que ce matériau ne soit pas spécialement recommandé en raison de son manque de flexibilité.D'autres substrats appropriés comprennent des feuilles de cuivre, de quartz ou d'une matière céramique ayant subi un traitement approprié pour les rendre conductrices. On préfère tout particulièrement pour le substrat une matière dont le coefficient de dilatation thermique est sensiblement le même (e'est-à-dire + 50 %) que celui du chalcogénure de cadmium. Par exemple, on peut utiliser un clinquant métallique stratifié en un alliage de fer contenant normalement du nickel et éventuellement du cobalt. On citera à titre d'exemple le matériau "Fernico" dont le coefficient de dilatation thermique est de 5 x 10 6 (OÇ ), c 'est-à-dire sensiblement égal au coefficient de dilatation dans le sens perpendiculaire à 1'axe C du sulfure de cadmium qui est de 6,5 x 10 6 selon l'American Institute of Physios Handbock (1957). Le substrat est en contact intime avec une mince couche d'aluminium 20 et y adhère.L'épaisseur de la couche d'aluminium 20 est beaucoup plus faible que celle du substrat 19 pour éviter un cintrage marqué du clinquant lorsqu'on le chauffe à 200 C. Normalement, l'épaisseur du clinquant métallique se situe entre environ 25 et 100 microns alors que l'épaisseur de la couche d'aluminium peut être inférieure à 1 % de cette valeur. Suivant un autre mode de réalisation préféré, le substrat. peut être une mince feuille d'aluminium ou une mince feuille revêtue d'aluminium. On préfère tout particulièrement pour le substrat une feuille entièrement en aluminium en raison de son caractère trivalent et de son excellente conductivité permettant la production de cellules comportant des substrats minces et un rendement élevé de conversion de l'énergie solaire, c'est-àdire un rendement de 4 % et plus. Ruand on utilise une seule feuille ou clinquant d'aluminium, l'envers de ce clinquant peut porter une pellicule protectrice ou peut être soumis à un traitement anodique pour le protéger de l'action du bain de chlorure de cuivre au cours du traitement.La surface antérieure du substrat en aluminium ou en clinquant aluminisé 20, qu'on trouve dans le commerce, porte normalement une mince couche d'oxyde dtaluminium 21. Cette couche d'oxyde empêche un bon contact ohmique avec le chalcogénure de cadmium qui est déposé sur 1 1aluminium. A chaque fois que cela est possible, la couche d'oxyde protecteur doit être à peu près entièrement enlevée pour exposer l'aluminium sousjacent qui forme ainsi la surface venant en contact ohmique avec la couche de chalcogénure de cadmium.Cependant, en raison des difficultés techniques qu'implique un tel traitement (par exemple la nécessité d'un traitement d'abrasion en atmosphère inerte pour empêcher la couche d'oxyde de se reformer) il est préférable de déposer une couche d'aluminium pur sur la surface de la feuille d'aluminium, Préalablement au dépôt de 1 aluminium, il est préférable de soumettre la feuille d'aluminium à un traitement d'abrasion pour amincir la couche d'oxyde et rehausser L'adhérence du chalcogénure de cadmium. On effectue une inactivation électrique de la couche d'oxyde, c'est-à-dire qu'on réduit son effet isolant (par l'intermédiaire de lteffet-tunnel du support) en effectuant le dépôt sous vide d'une couche d'aluminium 22 sur la couche d'oxyde d'aluminium amincie 21.Que la couche d'aluminium soit déposée sur une feuille d'aluminium ou sur un autre substrat parmi ceux qui ont été énumérés, cette couche est avantageusement de l'aluminium sensiblement pur et son épaisseur est comprise entre 100 et 1000 (0,01 à 0,1 micron). L'utilisation d'une feuille d'aluminium comme substrat exige le dépit ultérieur du chalcogénure de cadmium à une température plus basse ou 1 'utili- sation d'un substrat précontraint. La couche suivante de la cellule est la couche de chalcogénure de cadmium 13 en contact ohmique avec la couche d'aluminium 22. Bien que la couche 13 puisse être un composé de cadmium choisi parmi le sulfure et le séléniure de cadmfumlet bien que les composés puissent etre sensiblement purs ou dopés pour en améliorer les propriétés, on utilisera dans un but de simplification le terme général "sulfure de cadmium" pour indiquer indifféremment l'un ou autre des composés en question, à l'état pur ou dopé. Cette couche de sulfure de cadmium 13 est constituée par une série de cristallites individuels 17 séparés par des frontières cristallines 42. La jonction p-n est formée entre cette couche 13 et la couche 14 en sulfure de cuivre qui peut être déposée par des moyens familiers aux spécialistes. Cette jonction permet la conversion de lténergie solaire en énergie électrique conformément aux critères théoriques connus. D'autre part, pour assurer un bon contact ohmique, on fait adhérer une grille-électrode usuelle 23 à la couche de sulfure de cuivre 14, en utilisant par exemple une couche intercalaire à base de métal 24 qui peut être une matière liante appropriée telle qu une résine époxy contenant une charge de particules métalliques de conductivité appropriée, le métal de charge pouvant être l'or, l'argent, le cuivre etc. Dans un mode de réalisation préféré, le métal de charge peut astre une poudre de cuivre fratohement réduite, ayant subi un traitement en atmosphère inerte, par exemple sous azote ou argon.La matière liante peut être un enduit élastique pour réduire les contraintes qui seraient autrement inEvi- tables entre la grille et le sulfure de cuivre en raison des différences entre les coefficients de dilatation thermique, lteffet d'une telle contrainte étant d'ébranler la grille au cours de son utilisation. La couche intercalaire 24 peut d'ailleurs etre supprimée. Finalement, on dispose un revêtement protecteur 25 sur la couche 14 de sulfure de cuivre et sur la grille-électrode 23. Ce revêtement protecteur doit laisser passer la lumière et peut être@tre être@tre en une matière appropriée telle que "Mylart, "Kapton", un oxyde de silicium, une résine époxy, le verre, le quartz, etc.Le revêtement de la paroi postérieure 25a qu'on applique habituellement pendant le traitement comme on le verra plus loin, peut lui aussi être en une matière similaire mais il peut être opaque tout en offrant la protection nécessaire contre les acides et les autres produits liquides qu'on utilise pendant l'établissement de la couche de sulfure de cuivre 14. Les cellules ayant la structure décrite et dont la couche 22 en aluminium pur est en contact avec le sulfure de cadmium, sont plus stables que les cellules de la technique antérieure et as suent nt les mêmes rendements ou des rendements supérieurs de conversion de l'énergie solaire. La cellule à rendement élevé, dont le prix de fabrication est relativement modique, est produite par le procédé selon l'in- vention qui va maintenant être décrit. On sait en général quespour fabriquer une cellule photovol talque, on forme une jonotion-barrière avec deux pellicules minces, par exemple en sulfure de cadmium et en sulfure de cuivre, et on dispose des électrodes individuelles appropriées en contact ohmique avec chacune des pellicules. Le procédé qui fait 11 objet de l'invention constitue un perfectionnement consistant à munir l'une des électrodes d'une surface d aluminium qui vient en contact ohmique avec la pellicule de sulfure de cadmium. Comme il a été stipulé lors de l'étude de la cellule photovoltalque, on préfère que cette surface d'aluminium venant en contact avec le sulfure de cadmium soit en aluminium sensiblement pur. Plus précisément, le procédé connu de préparation d'une cellule photovoltalque consiste en général à former un substrats à établir une première couche comprenant un chalcogénure de cadmium sur ce substrat, à établir une seconde couche comprenant un chalcogénure de cuivre sur la première couche afin de former une jonction-barrière photovoltalque et à fixer une électrode à la seconde couche. Le perfectionnement qui fait l'objet de l'invention consiste à former un substrat ayant une surface en aluminium et à établir la première couche sur cette surface d'aluminium. On conçoit que chaque couche doit venir en contact intime et adhérer avec l'autre couche et, respectivement, avec le substrat ou l'électrode, si l'on veut que la cellule fonctionne efficacement. On va décrire plus en détail le procédé de l'invention en se référant à la figure 3. Etant donné que le substrat flexible peut Aetre fabriqué en l'une quelconque des matières indiquées, on supposera dans un but de simplcité que le substrat est une feuille métallique flexible revêtue d'aluminium (références 19 et 20 sur la figure 2) portant un dépit d'oxyde d'aluminium 21 (au203). La feuille toute entière peut avoir, par exemple, 10 à 100 microns d'épaisseur et 15 à 120 cm de largeur. On dispose un rouleau d'une telle matière flexible de manière à permettre une alimentation continue vers les stades de traitement selon le procédé de l'invention. Sur la figure 3, la feuille est distribuée de manière à ce que la face d'aluminium 20 (portant la couche 21 en A1203) soit orientée vers le bas.La feuille passe par un premier Poste I où la surface de dessous de la feuille 19, 20, subit un traitement lui conférant de la rugosité. Le but de ce traitement est d'amincir la couche de Al O et de créer des rainures microscopiques qui facilitent l'adhérence du sulfure de cadmium au clinquant et qui, le cas échéant, facilitent la formation des noyaux. Pour rendre rugueuse la surface d'aluminium, on peut faire appel à plusieurs techniques parmi lesquelles les procédés connus de micro-abrasion, tels que le sablage en utilisant du sable à grains fins et une vitesse appropriée du jet d'air. De préférence, l'abrasion se produit dans une direction transversale par rapport à la progression de la feuille, en général perpendiculairement à ce sens de progression, bien qu'on puisse tolérer des angles d'inclinaison aussi faibles que 600. En variante, on peut utiliser une courroie en matériau abrasif bien qu'une telle technique se révèle parfois plus difficile surtout pour traiter des feuilles minces d'aluminium. L'appareil d'abrasion est représenté sur le dessin par l'ajutage 26. Bien que cela ne soit pas représenté, la surface de l'aluminium peut également subir un décapage pour faire disparattre une partie de la couche d'oxyde surtout si 1'aluminium a été soumis délibérément à un traitement anodique. Le décapage peut enlever la majeure partie de la couche d'oxyde de la surface de dessous. On obtient une nouvelle réduction de l'épaisseur de la couche d'oxyde par une décharge gazeuse, en utilisant de préféré rence une atmosphère de gaz inerte (par exemple d'argon comme on le voit sur la figure 3) dans l'une des chambres à vapeur, pendant que la feuille métallique 19, 20 passe par une série de telles chambres à vapeur 27 avant de pénétrer dans une chambre sous vide poussé 28. Le stade suivant du procédé est indiqué au Poste Il. Ce stade a lieu au sein d'une chambre d'évaporation sous vide poussé 28. Au cours de la première étape du traitement au Poste Il, une mince couche d'aluminium (normalement d'une épaisseur de 100 à o 1000 A) est déposée sous vide sur la surface exposée de la feuille 19, 20. On a représenté en 29 un appareil approprié d'évaporation d'aluminium. Cette évaporation doit normalement avoir lieu sous -6 une pression de 10 6 torr. La couche supplémentaire d'aluminium 22 (figure 2) qui est ainsi déposée sur la feuille d'aluminium 20 procure un excellent contact ohmique avec le substrat 19, 20, car elle permet un effet-tunnel des électrons à travers le restant éventuel d'oxyde 21. Alors que la feuille progresse continuellement suivant le trajet prescrit, aussitôt après le dépôt d'aluminium et sans exposition à 11 atmosphère, une couche de sulfure de cadmium est déposée par évaporation continue, pendant que la feuille 19, 20 passe sur un écran séparateur 30 entre la source d'aluminium 29 et la source de sulfure de cadmium 31. De préférence, le sulfure de cadmium pour ce dépôt est évaporé à partir d'une ou plusieurs sources usuelles d'évaporation munies de chicanes comme il est indiqué en 31. Le taux d'évaporation à ce stade du procédé est déterminé de manière à effectuer des dépôts à une vitesse régu hère sur toute la largeur de la feuille 19, 20 à raison d'une épaisseur d'environ 20 à 10 000 A et, de préférence, 100 à 5000 A par seconde.La feuille 19, 20 est chauffée par un appareil de chauffage 33 à une température homogène comprise entre environ 100 et 2200C, de préférence d'environ 1900C, sur toutes les régions recevant le sulfure de cadmium évaporé. Alors que la feuille 19, 20 progresse vers la droite, (en observant le dessin), la couche 14 de sulfure de cadmium est progressivement établie. Pour maintenir l'enceinte sous vide à labri des gaz actifs (surtout l'oxygène), on peut utiliser un getter de titane en plus des pompes à vide faisant partie de l'installation. D'autre part, le système peut zetre balayé par des gaz neutres à travers les chambres à vapeur. En quittant le Poste Il et en passant à travers une autre série de bouchons de vapeur, le produit arrive au Poste III (Fig. 4) dans lequel la couche de sulfure de cadmium est soumise à un traitement lui conférant une rugosité microscopique et à un décapage. En ce qui concerne le traitement de rugosité, on peut l'effectuer par bombardement ionique en utilisant des techniques bien connues ou on peut faire appel à des procédés de micro-abrasion du type qu'on décrira plus loin, les opérations de ce stade étant effectuées par un dispositif représenté comme étant l'aju- tage 35. Normalement, le traitement de rugosité de la surface peut enlever jusqu'à 10 % de la couche supérieure de crflstaux, comme on peut le voir sur la vue à plus grande échelle de cristallites de sulfure de cadmium 50 sur la figure 5. Sur cette figure, le trait interrompu 51 indique la surface supérieure initiale des cristallites, surface qui est dépouillée jusqu'au niveau indiqué par les lignes 52 par des procédés de micro-abrasion. Ce traitement perturbe grandement les faces des cristaux et se traduit par l'apparition de nombreuses ruptures ou solutions de continuité microscopiques 53. Bien que 10 % constituent le pourcentage préféré d'enlèvement par le traitement de rugosité microscopique, cette opération peut effectuer l'enlèvement d'une couche d'environ 1 à 80 % de l'épaisseur totale des cristallites. Après le traitement de rugosité superficielle, on effectue un décapage de la surface du sulfure de cadmium à 1 'aide d'un acide pulvérisé sur la surface de dessous de la feuille 19, 20 à travers un ajutage 36. Le décapage a lieu d'une façon connue et on utilise une solution d'acide convenable, le traitement étant poursuivi normalement Jusqu'à 1 t enlèvement seulement de la partie de la surface rugueuse de sulfure de cadmium contenant les solutions de continuité 53. On obtient ainsi une nouvelle surface 54 des cristaux (figure 5), surface qui ne présente pratiquement aucune discontinuité mais qui est microscopiquement rugueuse (figure 5).Les nouvelles surfaces 54 sont constituées par une multitude de surfaces cristallines irrégulières très variées dont la présence contribue notablement à améliorer le rendement de conversion de la cellule solaire, probablement par une amélioration de la jonction et par une diminution du pouvoir réfléchissant de la surface externe de la cellule. Cependant, les nouvelles surfaces 54 ne contiennent pas de frontières cristallines ouvertes et profondes comme tétait le cas dans la technique antérieure (voir figure 1). Il est très important que le traitement de décapage ne soit que d'une durée limitée pour éviter une large ouverture des frontières profondes entre les grains.Il est seulement souhaitable que les régions perturbées, proches de la surface ayant été soumise à l'abrasion, soient enlevées par décapage pour permettre une bonne rugosité microscopique. La profondeur des régions perturbées dépend du procédé de traitement conférant la rugosité microscopique et peut se situer entre 0,01 et 5 microns. Pour un sablage sous un petit angle d'inclinaison par rapport au plan de la surface, la profondeur est voisine de 1 micron et cette couche est dissoute plus facilement dans le bain acide que la partie inférieure non perturbée de la couche de sulfure de cadmium 13. Une autre particularité très importante à ce stade-de traitement de décapage au Poste III, qui est indiqué sur la figure 4, est que la feuill & 9, 20, doit passer sur un rouleau 37a qui est maintenu de préférence à une température d'environ 60 à 10000, de préférence d'environ 950C, pour assurer un minimum de contrainte thermique du sulfure de cadmium pendant le processus de décapage. La feuille est cintrée autour du rouleau et celui-oi doit avoir. un rayon qui correspond à la tendance naturelle au cintrage de la feuille 19, 20 (qui présente à ce stade plusieurs couches) principalement par suite des différences entre les coefficients de dilatation thermique de la couche de sulfure de cadmium et de la feuille revêtue d'aluminium. Ce cintrage est da à la différence entre la température établie lors du dépôt du sulfure de cadmium et la température pendant le décapage, étant donné que les coefficients de dilatation du substrat métallique et du sulfure de cadmium ne sont pas exactement les mêmes. Pour provoquer une légère ondulation vers le haut, on préfère que le substrat 19 ait un coefficient de dilatation thermique un peu plus élevé (c'est-à-dire celui de l'aluminium) que le sulfure de cadmium.En quittant le Poste II, la feuille 19, 20 est admise à se refroidir avant d'atteindre une température d'environ 90 0C sur le rouleau 37a. Ce cintrage naturel facilité par la rugosité transversale initiale au Poste I de la bande d'aluminium ou de la bande aluminisée est alors admis à se développer jusqu'à la courbure naturelle et, une fois que cette dernière est atteinte, on effectue le décapage. Il en résulte une réduction au minimum de la contrainte thermique surtout à proximité des frontières entre les cristaux. Une contrainte excessive aurait été à l'origine d'un décapage également excessif surtout à ltemplacement des frontières entre les grains, ainsi que d'un risque de courts-circuits électriques.Dans les cas où le coefficient de dilatation thermique du substrat concorde de suffisamment près avec celui du sulfure de cadmium, le rouleau 37a peut être supprimé comme on peut le voir sur la figure 3. La pulvérisation à l'acide 36 est suivie d'un lavage à l'eau qui est indiqué sur la figure 4 comme étant effectué à l'aide d'un ajutage 36a. Ainsi les durées pendant lesquelles le décapant acide peut agir sur la surface de sulfure de cadmium sont déterminées par la vitesse de progression de la feuille 19, 20 sur les rouleaux 37 et par la distance entre les ajutages 36 et 36a. Pour le décapage, on peut utiliser des acides variés, par exemple un acide ha logenhydrique, l'acide sulfurique, nitrique, phosphorique ou similaire, capable de dissoudre le sulfure de cadmium.De préférence, l'aJutage de décapage est orienté suivant un certain angle directement dans le sens du mouvement, c 'est-à-dire que cet angle est inférieur à 900 par rapport à la surface de la feuille 19,20. Un tel agencement permet de mettre en route la pulvérisation par l'acide suivant une ligne relativement droite perpendiculaire au trajet de la feuille 19, 20 et on obtient une ligne de décapage bien définie. Si l'on utilise un acide halogenhydrique, on le dilue normalement dans un rapport d'environ 1 à 4 à partir de son état concentré et on l'utilise pendant une durée d'exposition de 0,5 à 5 secondes, le plus souvent environ 1 seconde, pour assurer le décapage désiré. quand on utilise l'acide sulfurique, il est de préférence utilisé à une concentration supérieure à 70 #. En effet, l'acide sulfurique agit plus lentement qu'un acide halogenhydrique et, pour empêcher ltendommagement par la chaleur produite lors de l'application de 11 eau, il est recommandé d'incorporer dans l'installation un ajutage de pulvérisation supplémentaire qui envoie de l'acide sulfurique dilué avant la pulvérisation à l'eau. Cet ajutage supplémentaire n'est pas représenté pour ne pas compliquer inutilement le dessin. On va maintenant se référer aux figures 3 et 4. La feuille 19, 20 ayant reçu la couche de sulfure de cadmium 13, comme décrit précédemment, passe sur un rouleau 38 et arrive ensuite au Poste IV où une couche de sulfure de cuivre est déposée par une réaction d'échange ionique. Au Poste IV, la feuille vient en contact avec une solution d'un halogénure de cuivre, de préférence par immersion de la feuille, la couche de sulfure de cadmium étant orientée vers le bas, dans une solution aqueuse d'un halogénure de cuivre, comme précédemment décrit, de préférence une solution de chlorure cuivreux à concentration totale, comme cela se pratique normalement. La solution de chlorure de cuivre 39 est disposée dans une cuve 40 et elle agit sur la couche de sulfure de cadmium d'une façon connue pour provoquer une réaction d'échange d'ions avec la couche de sulfure de cuivre. Normalement, la solution 39 est maintenue à une température entre 85 et 1000C, de préférence à environ#980C. La durée d'immersion est déterminée par la vitesse de la feuille. Etant donné que la vitesse de la feuille est fixe, on change la température de la solution pour contrer I'épaisseur de la couche produite de sulfure de cuivre. On utilise des températures plus élevées de la solution pour provoquer des réactions chimiques plus rapides et établir des couches plus épaisses. Dans un mode de mise en oeuvre préféré de l'invention, la durée d'immersion est de 10 secondes. Il convient également de remarquer que la solution aqueuse de chlorure de cuivre doit être exempte d'oxygène.Dans ce but, on peut faire barboter à travers la solution de 11 argon ou de l'azote exempt d'oxygène. Il convient également de remarquer que des températures plus élevées et des durées d'immersion un peu plus longues que celles indiquées dans le brevet E.U.A. NQ 3.416.956, peuvent être mises en oeuvre tout en utilisant des proportions plus petites de chlorure d'ammonium (moins de 10 et, le plus souvent, environ 5 g par litre) en qualité d'agent complexant ou solubilisant. Plus précisément, la durée d'immersion et la température de la solution doivent être maintenues en excès par rapport à une ligne d'un diagramme semi-logarithmiq#e (temps logarithmique en fonction de la température) qui relie le point de 7Q minutes et 1000 avec le point de 6 secondes et 9700. On enlève ensuite la feuille portant les couches de sulfure de cadmium et de sulfure de cuivre de la solution et on applique une pulvérisation d'eau 41 pour laver et rincer. Après ce stade, on procède à un traitement thermique final à l'air (non représen té > àune température d'environ 180 à 25000, de préférence à environ 220 CC, pendant 2 à 35 minutes, de préférence pendant 10 minutes. En quittant le Poste IY, la cellule ainsi formée peut subir les traitements usuels. Ces traitements usuels comprennent ltap- plication de la grille-électrode 23. Selon l'invention, on préfère utiliser une matière de liaison élastique contenant un métal 24 mais cela n'est pas indispensable. Finalement, on applique un revêtement protecteur 25 par des procédés connus. Pour empêcher la solution de chlorure de cuivre d'attaquer l'envers de la feuille 19, 20, on préfère recouvrir cette feuille d'un revdetementrev@tement revdetementrev@tement protecteur 25a avant son admission dans le bain de chlorure de cuivre. Ce revêtement protecteur est obligatoire si lton utilise comme substrat une feuille d'aluminium non anodisé ou un alliage contenant des métaux de transition, par exemple du fer et du nickel.On peut appliquer cette couche protectrice par stratification sur l'envers de la feuille métallique avec un macropolymere sous forme d'une feuille, en chauffant (ce qui n'est pas représenté pour ne pas compliquer le dessin) ou par un autre procédé classique de stratification qui protège l'envers, les côtés et les bords de la feuille 19, 20 de l'action du bain de chlorure de cuivre. Bien que le procédé ait été décrit à propos d'une opération en continu, il est évident que chacun des stades pourrait être exécuté manuellement, ou bien on peut grouper plusieurs stades selon les facilités dont on dispose à l'atelier. Ainsi au lieu de commencer le procédé à partir d'un rouleau d'une matière flexible formant substrat, on peut faire passer des feuilles relativement rigides individuellement par les stades successifs du procédé. Avec une telle technique, le stade final d'immersion peut se faire à la main. Le dépôt d'aluminium qui précède 11 évaporation du sulfure de cadmium et cette évaporation peuvent être réalisés à partir d'une source chauffée pendant le traitement, à la condition d'incorporer un volet mobile pour isoler la source d'aluminium pendant l'ouverture et le fonctionnement de la source de sulfure de cadmium. On a ainsi décrit une cellule photovoltaïque à pellicules minces, d'un type relativement simple et pourtant très efficace. La cellule comprend une couche d'aluminium pur formant l'électro- de sur un côté de la couche de sulfure de cadmium. La couchebarrière est en sulfure de cuivre. D'autre part, le substrat pour la couche d'aluminium est une feuille d'un métal ayant sensiblement le mAeme coefficient de dilatation thermique que le sulfure de cadmium. Finalement, on utilise des techniques d'abrasion pour rendre rugueuse la surface du substrat. On utilise un décapage acide avant le dépôt du sulfure de cuivre. Avec les procédés décrits, on peut produire des cellules solaires à pellicules minces ayant un rendement de conversion de plus de 7 %. Il va de soi qu'on peut apporter diverses modifications aux modes de réalisation qui ont été décrits et qui sont représentés sur les dessins sans sortir pour cela du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Cellule photovoltaTque comprenant un substrat, une première couche de sulfure de cadmium ou de séléniure de cadmium en contact intime avec et adhérant audit substrat, une seconde couche de sulfure de cuivre ou de séléniure de cuivre formant une jonction-barrière avec la première couche et une électrode maintenant un contact ohmique avec la seconde couche, caractérisée en ce que le substrat présente une surface en aluminium avec laquelle ladite première couche est en contact ohmique. 2. Cellule selon la revendication 1, caractérisée en ce que le coefficient de dilatation thermique du substrat est sensiblement similaire à celui de la première couche. 3. Cellule selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit substrat est une feuille mince en aluminium ou une feuille recouverte d1 aluminium. 4. Procédé de fabrication d'une cellule photovoltalque consistant à former un substrat, à former sur ledit substrat une première couche deux ou de séléniure de cadmium, à former une seconde couche de sulfure de cuivre ou de séléniure de cuivre sur la première couche pour former une jonction-barrière photovoltaïque et à fixer une électrode à ladite seconde couche, caractérisé en ce qu on munit ledit substrat d'une surface d'alunium et en ce qu'on forme ladite première couche sur ladite surface d'aluminium. 5 Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le substrat est flexible et son coefficient de dilatation thermique est sensiblement le meme que celui de la première couche. 6. Procédé selon larevendication 4, caractérisé en ce que le substrat est une feuille d'aluminium flexible. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu après le dépôt de la première couche sur le substrat, on soumet la surface de la première couche à un traitement pour la rendre rugueuse en enlevant environ 1 à 80 % de ladite première couche, puis on décape à l'acide ladite surface rugueuse, ledit décapage ayant lieu dans des conditions d'un minimum de contrainte thermique du sulfure de cadmium. 8. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu' après le dépôt de la première couche sur le substrat, on soumet la surface de cette couche à un traitement pour la rendre rugueuse en enlevant environ 1 à 80 % de ladite couche, puis on décape à l'acide cette surface rugueuse.