FR 2237203 A1 19750207 FR 7325757 A 19730713 La présente invention se rapporte a un procédé pour mesurer 11 intensité d'un champ magnétique et, en particulier, concerne un système de détection magnétique à polarisation alternative extrêmement sensible qui peut détecter et mesurer des champs magnétiques très faibles (inférieurs à 10 7 gauss) et peut déterminer leur polarité Les systèmes de détection magnétiques utilisés dans les appa relIs-de mesure classiques des champs magnétiques utilisent une bobine exploratrice, un élément de Hall, un circuit à induction, un élément oscillant doubleur de fréquence ou analogue.Dans tous ces systèmes (sauf dans celui utilisant la bobine exploratrice), la sensibilité maximale est déterminée par les caractéristiques magnétiques de la matière constituant l'élément de détection, par exemple, -par la constante de Hall de l'élément de Hall, par les caractéristiques du noyau magnétique utilisé dans le système à induction ou par la valeur du flux dû à la-rémanence de l'élément d'oscillation doubleur de fréquence. En conséquence, sans dévelop- per la matière qui convient le mieux pour chaque système, il est impossible d'améliorer la sensibilité.C'est ainsi, par exemple, qu'en ce qui concerne l'élément d'oscillation doubleur de fréquence, on a noté la valeur minimale du flux du à la rémanence suivant l'axe de magnétisation dur d'une mince pellicule magnétique, et une solution à ce défaut a été cherchée, mais il est très difficile de fabriquer une matière magnétique dont la rémanence est presque nulle, de sorte qu'il n'existe pas de solution décisive. Le but de la présente invention est de fournir un système de détection magnétique à polarisation alternative dans lequel la courbe caractéristique de phase de la tension de résonance d'un circuit oscillant associé est utilisée, indépendamment des caractéristiques magnétiques, et en particulier, de la valeur du flux du à la rémanence de la matière magnétique qui compose le noyau magnétique. Un autre but de l'invention est de fournir un dispositif pour mesurer l'intensité d'un champ magnétique dans lequel est prévu un circuit oscillant doubleur de fréquence pour engendrer des signaux dont la fréquence est le double de celle d'un courant d'excitation alternatif Le système conforme à la présente invention mesure le champ magnétique à détecter avec une très grande sensibilité, gr ce à un circuit de polarisation alternatif ssocié à un noyau magnétique qui comporte une mince pellicule magnétique et en prévoyant des moyens pour appliquer un champ magnétique alternatif entre les bornes de ce circuit.Ce circuit élimine les difficultés que soulève la détection d'un champ magnétique extrêmement faible, correspondant à la rémanence ou à la largeur de I 'hystérésis du circuit résonnant. Une particularité du système selon l'invention est qu'il peut détecter l'intensité du champ magnétique et, notamment, qu'il peut mesurer 1 'intensité et la polarité du champ magnétique avec une très grande sensibilité. Ceci est réalisé en prévoyant un circuit de polarisation alternatif associé à un noyau magnétique qui utilise une mince pellicule magnétique et en prévoyant des moyens pour appliquer un champ magnétique de polarisation alternatif entre les bornes de ce circuit, en superposant un- courant de rétroaction inversé correspondant à un champ magnétique externe, à ce champ magnétique de polarisation alternatif et en appliquant un courant de rétroaction inversé suffisamment intense pour ré-inverser la phase du courant de rétroaction inversé à sa phase initiale. Ces inversions de phase sont répétées afin de développer un courant correspondant au champ magnétique externe à partir de la cofr posante alternative d'inversion incluse dans le courant de rétroaction inversé. D'autres caractéristiques et avantages de l1invdntion ressortiront de la description qui va suivre donnée uniquement à titre d'exemple nullement limitatif, en référence au dessin annexé, dans lequel : - la Fig 1 est une vue schématique illustrant les principes dé la construction des éléments de détection màgnétiques utilisés dans le système conforme à l'invention. - les Fig. 2a et 2b montrent la construction du noyau magai5ti- que utilisé pour les éléments de la Fig. 1. - les Fig. 3a, 3b, 3c sont des graphiques montrant les courbes caractéristiques de phase de la tension d'un circuit résonnant. - la Fig. 4 est un diagramme explicatif montrant la relation entre la courbe caractéristique de phase et un champ magnétique de polarisation ' àlternatif. - la Fig. 5 est une courbe caractéristique de phase obtenue en appliquant un champ magnétique de polarisation alternatif. - les Fig. 6 à 8 sont des exemples montrant différentes manig- res de superposer sur le champ magnétique alternatif de polarisation appliqué au noyau magnétique dans les modes de réalisation des Fig. I à 5, - le courant de rétroaction inversé correspondant au champ magnétique externe, la Fig. Ga montrant plus particulièrement la construction d'un élément de détection magnétique utilisant un noyau formé en revêtant un conducteur d'une substance magnétique, les Fig 6b et Gc montrant la construction-d'un élément de détec tion magnétique utilisant un noyau formé en enroulant un enroule ment d1excitation sur une substance magnétique, les Fig. 7a et 7b étant des vues de détail de la construction des noyaux magnétiques représentés sur les Fig. Gb et 6c, tandis que la Fig. 8 montre la courbe caractérIstique de phase de tension du circuit résonnant. - la-Fig. 9 est un graphique montrant l'allure des tensions de résonance; et, - les Fig. lGa à lOd sont des schémas par blocs montrant diffé rents modes de réalisation d'un dispositif de mesure de champ ma magnétique, les Fig. l0a et lOb illustrent un dispositif de mesure utilisant un circuit de polarisation alternatif bouclé, tandus que les Fg. lOc et lod montrent un dispositif de mesure dechamp ma gnétique comportant un circuit de polarisation alternatif en bou cle ouverte. En se référant à la Fig. , on voit un élement de détection ma gnétique conforme à l'invention dont les bornes 1 et 2 aboutissent à un circuit d'excitation destiné à appliquer un champ magnétique alternatif à un noyau magnétique 3. Comme le montrent les Fig. 2a et 2b, le noyau magnétique 3 se compose d'un conducteur 4 terminé par les bornes 1 et 2, et qui est couvert d'une substance magné tique 5 Sur la Fig. -2a, la substance magnétique 5, qui peut être du permalloy, a été appliquée autour de la surface périphérique du conducteur 4, qui peut être un fil de cuivre, par un procédé d'electro-déposition ou autre. En varIante, une ou plusieurs min ces pellicules d'une substance magnétique pourraient etre enrou lées autour du conducteur 4. La Fig. 2b illustre un autre procédé de construction du noyau qui consiste a appliquer un isolant 6, par exemple, du verre autour de la surface périphérique du conducteur 4, puis à appliquer la substance magnétique 5 autour de la surfacé Sériphérique de la couche isolante par un procédé analo gue a celui indiqué ci-dessus.En variante, le noyau pourrait être produit en appliguant a substance magnétique autour de la surface extérieure d'un isolant, par exemple, autour d'un tube de verre cylindrique, de la manière décrite ci-dessus, puis en y introduisant le conducteur, par exemple, un fil de cuivre. Dans mes modes de réalisation ci-dessus, le conducteur occupe une position centrale, mais le noyau magnétique 3 pourrait, tout aussi bien, remplir sa fonction en intervertissant les positions du conducteur et de la substance magnétique. Toutefois, une telle disposition est évidente sans autre explication, de sorte qu'on ne s'y étendra pas davantage. La présente invention peut aussi être réalisée avec un donduc- teur et une substance magnétique ou avec un conducteur, un isolant et une substance magnétique ayant une forme plane, prtsiatique, cylindrique ou analogue et en déposant ces éléments en une seule couche ou en plusieurs couches superposées. I1 est bien évident que la configuration du noyau magnétique 3 n'est limitée à aucune forme particulière et que le circuit magne tique peut être un circuit ouvert ou fermé. De plus, la substance magnétique peut être une substance anisotrope ou isotrope, et la direction d'anisotropie n'a pas d'importance. De plus, la substance magnétique du noyau n'est pas lizai'tée à une mince pellicule, mais peut se présenter sous la forme dune certaine masse et sa composition n t est également pas limitée à une matière magnétique quelconque.De plus, la configuration 6oq6tri- que du noyau magnétique n1 est pas limitée à une plaquette plane, à une bande, à un polygone, à un anneau, à une spirale, à une tige ou à une forme non-poreuse, mono-poreuse, poreuse ou autre, paisque le même résultat peut être atteint par un montage 3udicioas da circuit et, notamment, par un choix approprié de la position de la bobine et de l'état des enroulements. Sur la Fig. 1, des bobines ou des enroulements 7 et 8 sont tés en série autour du noyau magnétique 3, une borne on une prise 9 étant prévue entre ces enroulements. Le noyau et l'enroulement 8 peuvent aussi être réalisés de manière que le champ magnétique alternatif ne soit pas couplé à 1' enroulement 8, c1 est-à-dire, que la direction de ce courant alternatif soit perpendiculaire à13en- roulement 8. En plus du procédé direct de bobinage des enrouTe- ment s autour du pourtour extérieur du noyau magnétique 3 décrit ci-dessus, il est également possible d'enrouler indirectement, les bobinages autour du pourtour extérieur du noyau magnétique 3 C'est ainsi, par exemple, que les enroulements 7 et 8 pourraient être bobinés autour de la périphérie extérieure d'un tube de verre et que le noyau magnétique 3 préalablement préparé pourrait y être introduit. En utilisant ce procédé, la fabrication-des éléments de détection peut être réalísée dans des conditions plus économiques qu'avec le procédé consistant à bobiner directement les enroulements 7 et 8 sur le noyau magnétique 3. - En effet, si l'on utilise le procédé direct et si le circuit ainsi obtenu 'est pas satisfaisant, la substance magnétique constutuant le noyau 3 et les-enroulements 7- et-B sont perdus. Par-c6ntre, avec le procédé indirect utilisant un tube, les -enroulements 7 et 8 peuvent effectivement être utilisés avec d'autres noyaux magnétiques; Ainsi donc, il est clair qu'il n'est pas seulement économique mais aussi avantageux de détecter les caractéristiques du noyau magnétique au moment de la fabrication de la substance magnétique. Un condensateur 12 est branché entre les bornes 10 et 13 d'un élément à inductance non-linéaire 8 composé, comme décrit ci-dessus, afin de former un circuit oscillant doubleur de fréquence. ce circuit engendre un signal dont la fréquence est le double de celle du courant d'excitation les éléments 14 et 15 ont une impé- dance suffisante pour empêcher un courant de résonance 1fr de circuler dans ledit circuit oscillant, Be fonctionnement d'un montage- conforme à la présente invention va être expliqué ci-après On applique un courant alternatif d'excitation if1 entre les bornes 1 et 2. La forme de l'enveloppe de ce courant n'est pas limitée à une onde continue ou à une onde modulée en amplitude, celui ci pouvant prendre pratiquement n'importe quelle forme à condition d'exciter à la résonance,-à une fréquence f , Le circuit oscillant formé par ledit élément à inductance non-linéaire et par le condensateur 12. Les phases de la tension de résonance err engendrée dans le circuit oscillant sont 0 et # et le maximum de la tension de résonance déterminé par la polarité du champ magnétique appli qué dans la direction de 1lJaxe de détection magnétique peut être l'un des suivants : une valeur maximale changeant en rapport avec l'intensité dudit champ magnétique (ce qui sera qualifié ci-apres de " mode de modulation "), une valeur constante indépendante de l'intensité dudit champ magnétique (ce qui sera qualifié ci-après de " mode oscillant l) ou une valeur intermédiaire entre ces deux modes (qui sera qualifiée ci-après de mode mixte }. Ces procédés se rapportent à des courbes caractéri-stiques de la -phase de la tension de résonance du circuit oscillant~en fonction de la grandeur du courant d'excitation. La Fig. 3 montre les courbes caractéristiques de phase de la tension de résonance dans chacun des cas décrits ci-dessus qui sont sur la Fig. a le mode de modulation, sur la Fig. b, le mode oscillant et sur la Fig. c le mode mixte. Sur la Fig. 3, on voit que la tension de résonance efr a une phase qui change avec le champ magnétique externe. Quand on utilise le mode de modulation, l'intensité du champ magnétique externe peut être détectez par la valeur maximale de la tension de résonance efr. Lorsqu'on utilise le mode oscillant, l'intensité peut être détectée en utilisant adroitement le phénomène selon lequel la valeur du champ magnétique au point d'inversion de la phase entre les deux états "O" et " 1I de la courbe caractéristique de la tension d'oscillation est fonction du champ magnétique externe. En utilisant le mode mixte, l'intensité peut être détectée en adoptant l'un ou l'autre ou encore, une combinaison des deux modes ci-dessus. En ce qui concerne la sensibilité de détection, on remarque que dans le mode de modulation de la Fig. 3a, la courbe caractéristique de phase de la:tension ne-présente pas de phénomène d'hystérésis, de sorte que la polarité et l'intensité d'un champ micromagnétique aRex peuvent être détectées. Par contre, dans le cas des circuits oscillants correspondant aux courbes dephase des Fig. 3b et 3c, qui présentent le phénomène d'hystérésis, il n'est pratiquement pas possible de détecter des champs magnétiques dont l'intensité est inférieure au champ micromagnétique 2 a correspondant à la rémanence, de sorte que c'est cette rémanence, c'est-à-dire la largeur de l'hystérésis, qui détermine la sensibilité magnétique maximale. La présente invention prévoit, pour résoudre ce problème, un circuit de polarisation alternatif ou un moyen pour appliquer une onde de polarisation alternative continue if2 au noyau magnétique. C'est ainsi, par exemple, que sur la Fig. 1 le circuit de polarisation'peut être constitué par l'enroulement 8, le condensateur 12 et un intégrateur (non-représenté) connecté aux bornes 18 et 19. Le circuit de polarisation alternatif peut aussi être constitué par un réseau oscillant bouclé, de sorte qu'une onde de polarisation alternative if2 est constamment appliquée au circuit doubleur de fréquence. De cette manière, le champ magnétique peut être détecté avec une très grande sensibilité. La Fig. 4 montre la-relation entre la courbe de phase de la tension présentant un phénomène d'hystérésis et un champ magnétieue Hf2 correspondant au courant de polarisation alternatif if2. Le courant if2 n'est limité à aucune forme dtonde particulière, mais doit être un courant alternatif, On va examiner maintenant ce qui se passe quand la tension de résonance du circuit oscillant est, d'abord, à la- phase # et quand le champ magnétique Hif2 correspondant à la valeur maximale if2 dudit courant de polarisation alternatif if2 est plus petit que le champ magnétique ABh correspondant à la moitié de la largeur de l'hystérésis, c'est-à-dire, dans le cas où : #Hh-HIf2 # 0. On voit clairement sur la Fig. 4 que la tension de résonance demeure dans la phase # lorsque le champ magnétique EIf2 correspondant à la valeur maximale If2 du courant de polarisation alternatif if2 satisfait à la relation # Wh > Vif2.On suppose ici que seul le champ magnétique : H'ex = #ex + #ex est appliqué, en tant que champ magnétique externe plus grand que #Hh-HIf2 dans la direction axiale de l'élément de détection magnétique -et -qu-'un courant est nécessaire pour engendrer le champ magnétique destiné à compenser le champ H'ex et il est appliqué à l'élément de détection magnétique, par exemple entre les bornes 18 et 19 L'é- quation : Rh # à la phase O et, etant donné que #wh HIf2 + #Hex est établi, la tension de résonance est maintenue à la phase t. Ton- tefois, même si elle devient t Eex-O par un tel état, la phase O est néanmoins maintenue, comme il ressort de l'observation précé- dente. Ensuite, dans un tel état, si le champ magnétique externe passe a : H =R' - #Hex', il s'établit une relation - Df > -Hif2- bEex et la tension de résonance est transférée réciproquement de la phase 0 à la phase # Ce qui précède signifie que quand le champ magnétique de polarisation est réglé de façon à établir la relation #Hh=HIf2, la phase de la tension de résonance observée à partir d'un champ magnéticue externe constituant le champ magnétique à détecté, se présente comme une courbe caractéristique de phase de tension exempte d'hysterésis comme le montre la Fig. 5. Ainsi donc, n'importe quelle courbe caractéristique de phase de tension ayant une certaine hystérésis peut etre élaborée par un circuit de façon à constituer une courbe de phase de tension sans hystérésis. Ainsi, une détection magnétique extrêmement sensible devient possible par discrimination de la valeur ic du courant et gracie à la polarité correspondant au champ magnétique externe. On va considérer le cas où le circuit oscillant résonne à une certaine phase, par exemple, à la phase O par l'addition du champ magnétique externe. Tout d'abord, quand le champ magnétique nécessaire pour inverser cette phase, c'est-à-dire, quand un courant de rétroaction inversé correspondant au champ magnétique externe, circule dans l'élément de détection magnétique, la tension prend la phase Ir, mais il est alors à nouveau nécessaire d'appliquer le courant de rétroaction inversé qui change immédiatement la phase de la ten en enO quand elle devient r . En conséquence, on utilise un moyen pour répéter cette inversion de phase, à partir de la composante alternative d'inversion incluse dans le courant de rétroaction inversé et dans le courant. correspondant au champ magnétique externe1 de sorte que 1 'inten- sité et la polarité du champ magnétique peuvent être détectée avec une très grande sensibilité à partir de l'intensité et de la polarité du courant. Ceci est réalisé en faisant passer le courant de rétroaction inversé dans le circuit par les bornes 18, 19 ou 16, 17. I1 ressort clairement de l'examen de la courbe caractéristique de phase illustrant l'absence d'hystérésis que la composante ss- ternative incluse dans le courant de rétroaction inversé est si faible gu'elle peut être négligée. De plus, il est possible de mesurer l'intensité et la polarité du champ magnétique en surexcitant le courant de polarisation alternatif if2, c'est-à-dire; en utilisant pour l'excitation une valeur maximale If2 satisfaisant à la relation suivante b Hh I Hex j Pour obtenir ce résultat, on n'utilise pas un procédé pour détecter le champ magnétique à partir de la phase et de la différence de temps en utilisant un moyen pour produire une différence dans le temps de la durée des phases, c'est-à-dire pour modifier la phase O et la phase ff de la tension de résonance proportionnel- liement à la polarité et à l'intensité du champ magnétique externe H , On utilise plut8t un procédé pour mesurer le champ magnétique en faisant passer le courant de rétroaction inversé entre les bornes 18-et 19 par un procédé manuel et en faisant la durée de la phase O et de la phase égales, et en mesutant la grandeur du courant de rétroaction inversé. De plus, quand -la moindre variation d'un champ magnétique externe important doit être détectée, la maJeure partie de- ce champ peut être annulée en appliquant un champ magnétique inverse de sorte que la moindre variation du champ magnétique externe peut être détectée avec une grande sensibilité Dans ce cas, le courant destiné à annuler le grand champ magnétique externe pasee par le circuit 16-14-7-8-19 représenté sur la Fig. 1. On va décrire maintenant un autre exemple d'un système pour détecter l'intensité et la polarité dtun champ magnétique à partir de l'intensité et de la polarité d'un courant avec une très grande sensibilité. Ceci est accompli en superposant et en appliquant un champ de rétroaction inverse correspondant au champ magnétique externe sur- le champ magnétique de polarisation alternatif appliqué entre les bornes du circuit de polarisation alternatif décrit cidessus ce champ de rétroaction inversé est suffisant pour ré- inverser sa phase, en rétablissant la phase initial-e, et en répétant ces inversions de façon à- développer un courant correspondant au champ magnétique externe à partir de la composante alternative d'inversion incluse dans le courant de rétroaction inversé.Ceci va être expliqué plus en détail en se référant à l'appareil de détection magnétique représenté sur les Fig. 6 à 10. Sur la Fig. 6a, le noyau magnétique 3 est constitué par un conducteur et'par-une substance magnétique et est construit-de la même manière que le premier mode de réalisation représenté sur les Fig. 1 et 3. Sur les Fig. Gb et 6c, on utilise un noyau magnétique 3' comportant un enroulement dtexcitation 21 bobiné sur une substance magnétique 20 en forme de plaquette. Le noyau magnétique 3' a la construction représentée sur la Fig. 7a ou 7b, selon le mode de bobinage de l'enroulement d'excitation 23.Plus précisément, afin de ne pas induire de tension dans les enroúlements 23 et 23', l'enroulement d'excitation 21 a été divisé, sur- la Fig. 7a, en deux parties qui sont bobinées en sens opposés. - Sur la Fig. 7b, par contre, l'enroulement d'excitation 21 est bobiné dans une certaine direction et, comme le montre la Fig. 6c, l'enroulement de sortie 23 est divisé en deux parties bobinées à l'opposé. Sur les Fig. 6a à 6c, un condensateur 22 est branché entre les bornes 24 et 25 de l'enroulement de sortie 23 de façon à former un circuit accordé sur une fréquence double avec-celui-ci. L ' élément 26 a une impédance suffisante pour arrêter le courant de résonance ifr et le circuit compris entre les bornes 27 et 28 est le circuit de rétroaction et d'inversion dans lequel passe un courant destiné à compenser le champ magnétique externe. Les éléments utilisés dans l'appareil de détection magnétique de la présente invention sont composés comme il a été décrit cidessus, mais la même fonction peut être remplie en utilisant plusieurs noyaux magnétiques. De plus, dans les éléments de détection magnétiques utilisés dans cet appareil, le courant d'excitation alternatif appliqué entre les bornes 1 et 2 n'est limité à aucune forme d'onde particulière, à condition qu'un circuit oscillant soit formé par ledit élément à inductance non-linéaire et par le condensateur 22. Les phases de la tension de résonance efr engendrées dans ce circuit oscillant sont 0 et t et sont déterminées par la polarité du champ magnétique à détecter, appliqué dans la direction axiale de détection. Comme le circuit résonnant oscille, la relation~entre l'intensi- té du champ magnétique H et la tension de résonance efr peut être exprimée par la courbe de la Fig. 8. On voit que cette courbe présente un phénomène d'hystérésis, de' sorte qu'il est difficile de détecter un champ magnétique dont l'intensité est inférieure à 2 4 Hh, correspondant à la rémanence, c'est-à-dire, à la largeur d'hystérésis et, de ce fait, c'est cette grandeur 2 # Hh qui dé- termine la sensibilité de détection maximale. En conséquence, pour résoudre ce problème, l'invention pré- voit un système comportant un moyen- pour appliquer un champ magnétique à détecter et pour appliquer également un courant de rétroaction inversé (correspondant au champ magnétique alternatif ayant une valeur maximale de ss mi). Ce système est ainsi à même de détecter le champ magnétique avec une très grande sensibilité, comme il a été décrit plus haut. On va expliquer maintenant la construction et le fonctionnement de l'appareil de détection magnétique conforme à la présente invention en se référant aux Fig. 10a à lord. Sur la Fig. l0a, l'élé- ment 30 est une source électrique alternative d'excitation, l'élément 31 est un amplificateur, l'élément 32 un élément de détection magnétique, l'élément 33 un généraJceur de phase de référence, tel au t un doubleur-de fréquence, l'élément 34 un comparateur de phases, l'élément 35 un intégrateur et amplificateur et l'élément 36 un indicateur Dans cet appareil, lorsque la source électrique 30 engendre~un courant d'excitation alternatif if. de fréquence f1 et si-l'on applique ce courant if1 entre lesbornes-l et 2 de-l'élément de détection magnétique 32, après l'avoir amplifié dans l'amplifíca- teur 31, une tension de résonance efr dont la fréquence est le double de celle du courant d'excitation apparaît entre les bornes 28 et 29 dudit circuit oscillant, c'est-à-dire, du circuit doubleur de fréquence. En conséquence, Si lton compare la phase de la tension de référence du générateur 33 avec la phase de l'onde de sortie efr de l'élément de détection magnétique 32 au moyen du comparateur de phases -34, on obtient un signal de sortie proportionnel à la phase de la tension de résonance. Ce signal de sortie est intégré et amplifié à l'intégrateur et amplificateur 35 et est envoyé à l'indicateur 36, d'une part, et-est, d'autre part, appliqué à l'élément 32 en tant que courant de rétroaction inversé pour compenser le champ magnétique à détecter, comme représenté sur la Fig. îOa. Le courant de rétroaction inversé et appliqué aux circuits os- cillants doubleurs de fréquence 8 et 12 en tant que courant de polarisation alternatif. Un circuit de polarisation alternatif destiné à -engendrer le courant ae rétroaction inversé comprend un réseau auto-oscilîantbouclé incluant les circuits 8 et 12, le xcomparateur de phases 34 et l'intégrateur et amplificateur 35. En conséquence, un courant de polarisation alternatif constitué par une onde continue est appliqué en permanence au circuit oscillant doubleur de fréquence, de sorte que tout autre source de courant de polarisation alternatif est inutile. On suppose que la phase de la tension de résonance est f?. Dans ce cas, le-courant de-rétroaction inversé est appliqué entre les bornes 27 et 28 pour compenser le champ magnétique externe l'ex Ainsi, l'effet du champ magnétique Hex appliqué' à l'élément de détection magnétique est annulé. Toutefois, comme il ressort de lacourbe caractéristique de la Fig. 8, la phase nest pas changée. Toutefois, lorsqu'on augmente davantage d'intensité du courant de rétroaction inversé, un champ magnétique ayant une polarité oppo sée à celle du champ magnétique à détecter est appliqué à l'élé- ment de détection, de sorte que la phase de la tension de résonance passe à O sous l'action du champ magnétique de compensation et, en conséquence, l'intensité du courant de rétroaction inversé est ensuite réduite. Si-la phase O est maintenue pendant une certaine période de temps, le courant de rétroaction inversé diminue progressivement et la tension de résonance revient à son état de phase Ir initial. Ainsi donc, le signal de sortie du comparateur de phases 34 a une polarité correspondant à sa phase et augmente ou diminue proportionnellement à la durée et à la polarité de cette phase. Le signal de sortie de l'intégrateur et amplificateur 35 devient, puisqu'il forme le circuit de rétroaction, un courant de rétroaction inversé contenant la composante alternative ayant l'intensité maximale correspondant à A mi et 1 'intensité correspondant au champ magnétique à mesurer. En conséquence, lorsque le courant correspondant au champ magnétique à détecter provient d'un moyen (tel qu'un filtre ou un circuit dtintégration) qui sépare la composante alternative et les bruits dudit courant de rétroaction inversé et si l'intensité de ce courant et sa polarité sont réglées au champ magnétique de référence, alors la détection magnétique devient possible. Le mode de réalisation représenté sur la Fig. lOb est identique à celui de la Fig. l0a, sauf que le générateur de phase de référence 33 a été supprimé et que l'amplitude du signal de sortie asymétrique (Fig. 9) du circuit oscillant doubleur de fréquence est détectée-par le circuit 34'. En ce qui concerne l'indicateur 36, il doit être conçu pour mesurer le courant correspondant au champ magnétique à détecter à partir du courant de rétroaction inversé, comme décrit ci-dessus. C'est ainsi, par exemple, que le courant de sortie de l'amplificateur et intégrateur 35 est appliqué à l'élément de détection magnétique en tant que courant de rétroaction inversé, tandis qu 'une partie de celui-ci est intégrée et amplifiée, puis sa composante alternative est séparée. L'intensité du courant et la polarité correspondant au champ magnétique à mesurer sont ensuite affichées par un galvanomètre ou un système d'affichage digital. De plus, il est indifférent que le circuit résonnant opère dans le mode oscillant, de modulation ou mixte.C'est ainsi, par exemple, que dans le mode de modulation, la courbe caractéristique de phase de la tension ne présente pas d'hystérésis, de sorte que la composante alternative ne circule pas, comme dans le mode oscillant, sous la forme d'un courant de rétroaction inversé, tandis que le courant correspondant au champ magnétique externe circule. Comme il a été décrit ci-dessus, les Fig. lOa et lOb montrent des circuits bouclés pour appliquer la polarisation alternative, tandis que les Fig. lOc et lOd montrent des exemples de circuits en boucle ouverte pour appliquer cette polarisation. Autrement dit, ourla Fig. lOc, le champ magnétique de polarisation alterna- tif est appliqué aux bornes d'entrée la (ou 27) et 19 (ou 28) de l'élément à inductance non-linéaire.La source électrique 36" produisant la polarisation alternative est constituée par un oscillateur surexcité, de sorte que le-circuit indicateur ne produit aucune réaction. L'amplitude-du sigaal~de sortie apparaissant entre les bornes lus (ou 29) -et 19 (ou 28) du circuit résonnant c'est-àdire, du circuit doubleur de- fréquence, est détectée par le circuit 34' et son signal de sortie est-appliqué à l'indicateur 36' par-l'intégrateur et amplificateur 35. Le circuit indicateur-36' réalise un affichage analogique commun. La Fig. lOd montre un exemple analogue à celui de lafFig. l0c, mais qui présente une différence en cequi concerne le point de détection de la phase du signal dè sortie apparaissant entre les bornes 17 (ou 29) et 19 (ou 28) du doubleur de fréquence par le détecteur de phase 34. Il ressort de l'exposé précédent que, conformément à la présente invention, la courbe caractéristique de phase de tension de résonance est adroitement utilisée du point de vue de la construction du circuit, indépendamment de ses caractéristiques magnétiques (et, en particulier, du flux dû à la rémanence ou à des propriétés analogues de la matière magnétiqrregui. compose le noyau) et indépendamment du fait que le circuit résonnant opère dans le mode de modulation, d'oscillation àu mixte, de sorte que l1intensité et la polarité d'un champ micromagnétique peuvent être détectées avec une très grande sensibilité dans le composant axial de l'élément de détection magnétique. REVEETDICA-IONS 1 - Système de détection ou de mesure magnétique à polarisation alternative qui comprend un circuit résonnant comprenant un enroulement bobiné autour d'un noyau magnétique et, au moins, un condendateur branché entre les bornes de sortie de cet enroulement, des moyens pour faire osciller ledit circuit résonnant à une fréquence qui le double de celle d'un courant d'excitation, ce qui fait que ce circuit résonnant opère comme un circuit paramétrique présentant une caractéristique d'hystérésis; des moyens pour appliquer un champ magnétique de polarisation alternatif au noyau magnétique et des moyens pour mesurer la polarité et l'intensité d'un champ magnétique externe à détecter à partir de la différence de durée entre les phases 0 et de la tension de sortie du circuit résonnant. 2 - Dispositif de mesure de champ magnétique qui comprend une source électrique d'excitation alternative pour engendrer un courant d'excitation alternatif; un noyau de détection magnétique, des moyens pour appliquer ledit courant d'excitation alternatif ou un champ magnétique alternatif audit noyau de détection; un circuit oscillant doubleur de fréquence couplé audit noyau et comprenant un élément à-inductance non-linéaire et un condensateur; des moyens pour appliquer un courant de rétroaction inversé provenant de la sortie du circuit d'oscillation doubleur de fréquence, en tant que polarisation alternative à l'élément à inductance non-linéaire afin d'inverser la phase d'oscillation, de manière à réduire l'hystérésis dans la courbe caractéristique de phase de la tension de sortie du circuit oscillant en présence d'un champ magnétique externe; des moyens pour développer un courant correspondant au champ magnétique à partir d'un courant de rétroaction inversé; et des moyens d'indication pour afficher le courant correspondant à 1 'in- tensité et à la polarité du champ magnétique à détecter ou à me suret 3 - Dispositif pour mesurer un champ magnétique, selon la revendication 2 caractérisé en ce que les moyens pour engendrer le courant de polarisation alternatif pour appliquer le courant de rétroaction inversé en tant que courant alternatif de polarisation au circuit oscillant doubleur de fréquence comprennent le circuit oscillant doubleur de fréquence; un circuit détecteur de phase connecté aux bornes de sortie du circuit oscillant doubleur de fréquence et un générateur de phase de référence connecté à la source électrique alternative d'excitation; un amplificateur connecte a a sortie du détecteur de phase pour former sa tension de sortie; et un circuit d'in-tégrat~on ayant une borne cl'entrée connectée audit amplificateur et une borne de sortie connectée-à une borne d enL-rée au cIrcuIt oscillant doubleur de fréquence à travers les moyens dindication 4 - Dispos-Jc, pour mesurer un champ magnétique selon la reven diction 2 caractérisé en ce que les moyens pour engendrer un cou rant de polarisation alternatif afin d'appliquer un courant de ré rétroaction inversé an tant que poîariation alternative au circuit oscillant doubleur de fréquence comprennent le circuit oscillant doubleur de fréquence, un circuit de détection d'amplitude connecté à la borne de sortie de ce circuit d'oscillation doubleur de fréquence afin-de détecter la forme asymétricue de la tension de sortie; un amplificateur connecté à la sortie dudit circuit de détection pour mettre en forme sa tension de sortie et un circuit d'intégration ayant une borne d'entrée reliée audit amplificateur et une borne de sortie connectée à une borne d'entrée du circuit oscillant doubleur de fréquence à travers les moyens indicateurs, 5 - Dispositif de mesure de champ magnétique qui comprend une source électrique pour engendrer un courant d'excitation alternatif; un noyau de détection magnétique; des moyens pour appliquer ledit courant d'excitation alternatif ou un champ magnétique alternatif audit noyau de détection magnétique, un circuit d'oscillation doubleur de fréquence couplé audit noyau et comprenant un élément à inductance non-linéaire et un condensateur; une source électrique pour appliquer un champ magnétique alternatif de polarisation audit élément à inductance non-linéaire afin d'inverseur la phase de la tension d'oscillation du circuit oscillant doubleur de fréquence; un circuit de détection pour détecter le signal de sortie dudit circuit oscillant doubleur de fréquence; un amplificateur pour former la tension de sortie détectée dudit circuit de détection; un circuit d'intégration connecté à la sortie dudit amplificateur; un circuit indicateur comprenant un filtre passé 5as et dn indicateur; et des moyens pour mesurer la polarité-et l'intensite du champ magnétique externe à détecter à partir de la différence de durée entre les phases O et tr' de la tension de sortie du circuit oscillant doubleur de fréquence, telle qu'elle est affichée par l'indicateur. G - Dispositif de mesure de champ magnétique -selon la revendi- cation 5 caractérisé en ce que le circuit de détection est un dé tecteur d'amplitude pour détecter la forme asymétríque de la tension de sortie du circuit oscillant doubleur de fréquence. 7 - Dispositif de mesure de champ magnétique selon la revendication 5 caractérisé en ce que le circuit de détection est un détecteur de phase connecté à la borne de sortie du circuit oscillant doubleur de fréquence et au générateur de phase de référence