FR 2243527 A1 19750404 FR 7332850 A 19730912 Cette invention concerne, d'une façon générale, des structures à transistors semiconducteurs et, plus particulièrement, elle a trait à une structure à transistors bipolaires pouvant être réalisée en application de la technique par diffusion. La vitesse d'opération des transistors modernes dépend, en partie, du choix de circuits appropriés et en partie de la densité avec laquelle ces transistors peuvent être disposés dans une intégration à grande échelle. Cette vitesse, évidemment, minimisera le temps de transit des signaux d'un transistor au suivant, ce qui facilitera- également l'intégration à grande échelle. De plus, il est primordial que les exigences en énergie soient très faibles afin de donner un circuit à haut rendement, et afin de minimiser # réchauffement. Pour obtenir tous ces objectifs, il est nécessaire que les structures à transistors soient bien isolées les unes des autres, de manière qu'elles puissent être disposées très près les unes des autres sans risque de couplage parasite entre, par exemple, les électrodes de transistors voisins. Une autre considération importante consiste à réduire le temps de commutation d'un transistor qui peut être provoqué par des porteurs minoritaires en excès dans le collecteur. En conséquence, un but de la présente invention est de prévoir une structure à transistors bipolairesqui soit facile à réaliser, qui présente un bon rendement, et dont les composants, y compris les transistors, soient automatiquement isolés les uns des autres. Un autre but de la présente invention est de prévoir une telle structure à transistors bipolaires, dans laquelle les composants des circuits sont très petits, permettant ainsi une intégration à grande échelle, et dans laquelle le temps de commutation des transistors est réduit. Un nouveau but de l'invention est de prévoir une structure à transistors bipolaires du type décrit ci-dessus et présentant des électrodes fusionnées et pouvant fonctionner sous le mode logique à charge d'émetteur. Enfin, un nouveau but de la présente invention est de prévoir une structure à transistors bipolaires pouvant être réalisée par triple diffusion, et qui demande une très faible quantité d'énergie pour commuter un transistor d'un état à un autre. Une structure à transistors bipolaires selon la présente invention est constituée par un corps semiconducteur. Ce corps comprend un substrat ayant une conductibilité d'un premier type qui sera, par exemple, du type p. Une première région ou zone d'un second type de conductibilité opposée au premier est disposée à l'intérieur du corps semiconducteur. La première région s'étend à partir du substrat et constitue une face essentiellement plane du corps. Ainsi, la première région peut être du type n. On peut maintenant prévoir une seconde et une troisième régions espacées l'une de l'autre, et disposées à l'intérieur de la première région pour créer ainsi deux régions du type p. Enfin, une quatrième région du type n est disposée à l'intérieur de la seconde région du type p. Les seconde, troisième et quatrième régions se terminent toutes par une surface plane. Enfin, des moyens sont prévus pour former,sur la première face, un contact métallique ohmique sur la seconde, la troisième et la quatrième régions. Un contact ohmique peut également être formé sur la première région entre la seconde et la troisième régions. Enfin, un contact ohmique est prévu pour le substrat sur la face opposée à la première face pour former un collecteur. Les autres contacts ohmiques forment respectivement la base, l'émet- teur et le collecteur du transistor npn. Le contact de collecteur du transistor npn constitue un seul bloc ou est fusionné avec le contact de base du transistor pnp. On prévoit également un contact émetteur pour le transistor pnp. Il est également possible de prévoir une cinquième région du type P enrobée dans la première région et adjacente à la troisième région pour former un passage résistant dans cette première région au voisinage ou au-dessous de la cinquième région. Un contact ohmique peut être prévu sur cette cinquième région pour fournir une connexion de sortie du passage résistant. L'invention, qu'il s'agisse de sa réalisation ou du mode de fonctionnement, ainsi que les avantages qu'elle procure, seront mieux compris à la lecture de la description détaillée de deux de ses modes de réalisation, pris à titre illustratif sans aucun caractère limitatif, ainsi que de ses possibilités non limitatives de montage, qui va en être faite ci-dessous à l'aide des dessins ci-annexés, qui représentent la figure 1 une vue en coupe transversale d'une structure à transistors bipolaires comportant une résistance intégrée, ensemble constituant une réalisation de la présente invention. La figure 2 une vue en plan par-dessus-de la structure de la figure 1, comportant les conducteurs de sortie des électrodes respectives des deux transistors et d'une résistance. La figure 3 un schéma de montage d'un verrou ou bascule bistable à couplage direct, qui p#eut etre réalisé en mettant en jeu deux structures du type illustré dans les figures 1 et 2. La figure 4 une vue en plan par-dessus d'une partie d'une structure à transistors obtenue par intégration à grande échelle, en accord avec la présente invention, et comportant deux transistors bipolaires, l'un d'entre eux ayant deux émetteurs et deux résistances associées. La figure 5 une vue en coupe transversale selon 5-5 de la figur#e 4. La figure 6 un schéma de montage correspondant à la structure des figures 4 et 5, et comprenant les électrodes de sortie de deux transistors bipolaires. La figure 7 est un schéma de circuit équivalent au circuit de la figure 6 et montrant trois transistors. En se-référant maintenant aux dessins et, plus particulièrement aux figures 1 et 2, on voit une structure à transistors bipolaires Selon la présente invention Cette structure représente la combinaison de trois composants, c'est-à-dire un transistor npn, un transistor pnp et une résistance, tous composants qui sont réalisés simultanément. De préférence, la structure est obtenue par triple diffusion, procédé connu par le brevet des Etats-Unis d1Amérique délivré au nom de James L. Buie, le ler novembre 1#6,sous le n0 3 283 170. Comme le montre plus particulièrement la figure t, la structure à transistors comprend un corps semiconducteur globalement désigné par 10, et qui peut, par exemple, etre en silicium. Ce corps 10 comprend un substrat 11. Comme le montre la figure 1, ce substrat Il peut être constitué par un matériau ayant une conductibilité du type p. De préférence, bien que ce ne soit pas obligatoire, le substrat 11 peut etre divisé en deux zones ou régions 12 et 14, la zone 12 ayant une conductibilité du type p*, alors que la zone 14 est du type p. Le symbole p+ indique un corps semiconducteur d'une conductibilité du type p qui est plus lourdement dopé que ne l'est la zone de type p 14. Il en résulte que la résistivité de la zone * 12 est inférieure à celle de la zone de type 2 14. En conséquence, cette zone 12 peut être considérée comme un plan commun à la masse en raison de sa faible résistance relative. L'impureté active qui convertit le corps semiconducteur 10 en un substrat de type p peut être du bore. Le substrat Il présente une face plane 15 et peut comporter un contact ohmique 16 qui lui est fixé. Le conducteur de sortie est désigné par 17. Le substrat ll est maintenant converti en une structure à transistors désirée par une première phase de diffusion qui crée une région 18 de type n disposée à l'intérieur du corps semiconducteur 10, et s'étendant à partir du substrat Il jusqu'à une surface généralement plane 20 qui se trouve à l'opposé de la face 15. La zone 18 de type n peut être réalisée, par exemple, soit par diffusion thermique d'arsenic dans le corps semiconduc- teur 10, ou en implantant des ions de phosphore dans ce corps, les atomes d'impuretés étant ensuite répartis dans la masse par la chaleur. Le procédé d'implantation d'ions présente certains avantages résidant en ce que la concentration des impuretés est plus uniforme dans la région concernée et, de plus, mieux réglable. La phase suivante du procédé consiste à convertir une partie de la région de type n en plusieurs régions de type g par exemple par diffusion thermique d'atomes de tore. Ceci crée une région 22 de type E, une région 23 de type P séparée de la première et une troisième région 24 de type g dont le but sera expliqué ci-après. Il est parfois désirable d'exécuter cette même opération de diffusion dans une région 39 entourant la région 18 de type n. Enfin, une région de type n+ désignée par 25 est créée de la manière précédemment expliquée à l'intérieur de la région 22 de type p. En même temps, de préférence mais non obligatoirement, deux régions supplémentaires de type ns 26 et 27 peuvent être créées dans la première région de type n. Ces régions 25, 26 et 27 de type n+ sont plus lourdement dopées avec de l'arsenic ou du phosphore que ne l'est la première région 18 de type n. La structure des figures l et 2 fournit donc un transistor npn et un transistor pnp, aussi bien qu'une résistance, comme on va le décrire ci-après. La région 22 de type p constitue la base du transistor npn. En conséquence, un contact ohmique 30 formé sur la surface 20 dans la région 22 de type p constitue le contact de base du tran sistor npn, contact qui peut être appelé Bnpn. L'émetteur du npn transistor npn est constitué par la région 25 de type n+. En conséquence, un contact ohmi#que 31 constitue le contact E . La npn première région 18 de type n constitue simultanément le collecteur du transistor npn et la base du transistor pnp. En conséquence, un-contact#ohmique 32 est formé sur la surface 20 dans la première région 18 de type n, c'est-à-dire plus précisément sur la région 26 de type n+.Ceci donne, comme on le voit, les contacts Cnpn et Bpnp. Le contact ohmique 16 constitue le contact Cpnp. Enfin, un contact ohmique 33, disposé sur la surface 20 dans la région 23 de type p, constitue le contact Epnp. Ceci fait, par conséquent, un total de six électrodes pour deux transistors d'un type de conductibilité opposée Enfin, Une résistance est formée dans la région 18 de type n au-dessous de la région 24 de type k En réalité, cette résistance peut être considérée comme s'étendant du contact 32 Cnpn ou B de la région 26 de type n+ à la région 27 de type n+.Un pnp contact ohmique peut, par conséquent, être assuré, par exemple, à côté de la région 24 de typeS dans la région 27 de type n+, comme on le voit sur la figure. Ce contact est désigné par R pour matérialiser une résistance. Il est évidemment-bien entendu, comme on va l'expliquer plus en détail ci-après, en relation avec les figures 4 et 5, que la résistance peut s'étendre dans neim- porte quelle direction appropriée à partir de la structure à transistors bipolaires Il est également bien entendu que cette résistance peut être omise lorsqueelle n'est pas nécessaire, comme l'indique le tracé en tirets 35 des figures 1 et 2, ctest-à- Fire que la partie droite de la structure peut être simplement supprimée. De préférence, une couche isolante 37 est disposée sur la face plane 20 de la structure selon l'invention et ce sur la totalité de cette face. Une telle couche isolante peut avan tageusemerit être constituée par du bioxyde de silicium (SiO2) obtenue en oxydant le silicium du corps semiconducteur 10. Ceci peut, par exemple, être réalisé en oxydant d'abord le corps semiconducteur 10 pour former une couche isolante sur la totalité de sa face 20. Ensuite, certaines parties de cette couche peuvent être enlevées par attaque chimique de manière à ménager la place nécessaire aux contacts ohmiques 30 à 34. Le rôle de la région 39 de type ps est d'améliorer l'iso lation au travers et au-dessous de la face 20 en éliminant les canaux de surface. Les conducteurs de connexion pour les contacts ohmiques respectifs peuvent s#implement être réalisés pour s'étendre audessus de la couche isolante 37. Ainsi, le conducteur 40 s'étendant à la gauche de la figure 2 peut consister, comme on l'a représenté, en une bande métallique qui, à son tour, constitue un contact ohmique avec le contact 30. Un autre conducteur 41, qui peut être disposé à angle droit par rapport au conducteur 40, éta blit la connexion avec le contact E . D'une façon semblable, npn les conducteurs 42 et 43 peuvent contacter respectivement le contact base-collecteur fusionné et le contact émetteur du transistor pnp. Enfin, le conducteur 44 s'étend à partir du contact de résistance 34. La structure des figures 1 et 2 se prête bien au mode logique à charge d'émetteur. Ce mode peut être constitué par une série de transistors npn ou pnp opérant en cascade et qui sont interconnectés pour constituer les charges d'émetteur. Comme on l'a antérieurement expliqué, ce montage particulier de transistor a un collecteur commun avec le signal d'entrée appliqué à la base, le signal de sortie étant dérivé de l'émetteur. C'est la raison pour laquelle il est possible d'unir ou d'intégrer les contacts C et Bpnp. Dans certains cas, il peut ne pas être nécessaire npn pnp de prévoir un contact physique à la connexion Cnpn et Bpnp, mais de compter seulement sur le contact de résistance comme seule connexion de sortie requise.Puisque le mode logique à charge d'émetteur est bien connu, il n'est pas nécessaire d'exposer plus avant les avantages de cette configuration de circuit. Comme on l'a indiqué ci-dessus, le procédé de diffusion thermique ne peut donner une concentration homogène des impuretés. Au contraire, ces impuretés sont réparties en accord avec une distribution normale de Gauss. Cependant, il est possible de déterminer la profondeur de la jonction par rapport à la surface, la résistivité ou conductivité moyenne des régions respectives, aussi bien que la concentration en surface des impuretés. A titre d'exemple, la résistivité, la profondeur de jonction et les concentrations d'impuretés en surface pour les différentes régions vont être données pour une structure particulière qui a été réalisée. Ces valeurs peuvent, évidemment, varier en fonction des structures réalisées pour des buts différents. Ainsi, la résistivité du substrat Il est de 3 chms-cm, correspondant à une concentration d'atomes d'ímpuretés de bore de 2 x 1015/cm3. La première région de type n a une profondeur de jonction avec la région 14 de type p à partir de la surface 20 égale à 4,2 x 10 cm. La résistance superficielle de la région 18 de type n est de 88 ohms par carré avec une concentration en sur face face de 1,8 x 1018 atomes d'impureté par cm . Pour la seconde diffusion, la résistance superficielle des régions 22, 23, 24 de type D est de 116 ohms par carré, et la profondeur de la jonction à la région 18 de type n à partir de la surface est de 1,9 -x 10-4 cm. La concentration en surface est de 1,5 x 1019 atomes de bore par cm3 Enfin, pour la troisième diffusion qui crée la région 25 de type-nç et les régions 26 et 27 de type t+, la résistance superficielle est de 4,2 ohms par carré. La profondeur de la jonction à partir de la surface 20 est de 1,4 x 10 4 cm et la concentration en atomes d'impureté telle que le phosphore par cm3 est de 1,5 x 1021. L'épaisseur de la couche de bioxyde de silicium 37 est comprise entre 4.000 et 6.000 A (unités angströms). Les conducteurs tels que ceux désignés par 40 et 44 consistent en une couche métallique de titane qui a une épaisseur de 500 A revêtue d'une couche d'aluminium ayant une épaisseur de 8.000 A ou, à titre de variante, ils peuvent être constitués entièrement d'une couche d'aluminium ayant une épaisseur de 8.000 A. L'épaisseur entre la base et Itélectrode émetteur pour le transistor npn, c'est-à-dire la distance entre les jonctions des régions 25 et 22 est de 0,4 x 10 cm. D'autre part, la distance entre les jonctions du collecteur et des électrodes de bore du transistor pnp, c'est-à-dire entre la première région 18 et la face 15 du substrat 11, est de 2,3 x 10 -4 cm. Il est bien entendu que pour la structure des figures t et 2, les régions de type k et n peuvent être échangées, de sorte que la structure peut fournir un transistor pnp du côté gauche de la figure, suivi d'un transistor npn du côté droit. Les régions 26 et 27 de type ns servent généralement comme contacts à faible résistance. En outre, elles minimisent ou suppriment tout couplage entre Epnp et Bnpn. En d'autres termes, elles minimisent tout couplage entre les régions 22 et 23 de type g. Comme an l'a indiqué ci-dessus, le passage résistant qui constitue la résistance prétend de Cnpn ou Bpnp au contact de résis tance 34. Autrement dit, le passage résistant s'étend au travers de la première région 18 de type n au-dessous des deux régions 23 et 24 de type k Du fait que les régions 26 et 27 de type n+ assurent une très bonne isolation des composants; la structure entière peut être extrêmement compacte.A#insi, la largeur de la première région 18 de type n peut être de 33 microns et sa longueur peut être de 48 microns. La largeur de la région 24 de type P avec sa région 27 de type n+ peut atteindre 16 microns, et sa longueur, y compris le contact de résistance 34, peut donner un total de 57 microns. Le passage résistif peut donner une résistance égale à 10.000 ohms. La superficie totale d'un transistor npn peut être, par exemple de 2,46 square mils ( 1580 microns carrés), et celle de la résistance peut être de 1,0 square mils (645 microns carrés). En général, pour l'intégration à grande échelle, la su perficietotale pour chaque dispositif peut atteindre 10 square mils (6450 microns carrés), ou même une superficie plusieurs fois plus petite selon l'habileté du dessinateur et du réalisateur. Un circuit tel, par exemple, qu'une bascule bistable ou à verrouillage peut être commuté d'un état à un autre avec un minimum d'énergie. Cette dernière se monte approximativement à 5 à 15 picowatts-seconde qui correspond aux picojòules. Ceci est un chiffre significatif qui peut être interprété pour indiquer parmi d'autres facteurs, l'énergie nécessitée pour provoquer la transition d'un transistor d'un état à l'autre, c'est-à-dire de l'état noneconducteur à l'état saturé ou vice-versa. La structure-des figures 1 et 2 présente un très haut rendement de fabrication qui peut atteindre 15% dans les cas où chaque circuit comprend 4.800 dispositifs. Référence est maintenant faite à la figure 3 qui est un schéma de montage d'une bascule bistable à verrouillage,directement couplée,utilisant deux structures à transistors bipolaires conformes aux figures 1 et 2. Le circuit de la figure 3 comprend un premier transistor npn 50 et un second transistor npn 51. Les signaux de sortie sont recueillis sur un premier transistor DnP 52 et un second transistor guP 53, respectivement. La bascule bistable est directement couplée par des résistances. En conséquence, une résistance 54 relie le collecteur du transistor 50 à la base du transistor 51. D'une manière similaire, une résistance 55 relie le collecteur du transistor 51 à la base du transistor 50. Une source de tension positive, indiquée en 56, est connectée par des résistances respectivement 57 et 58 aux deux collecteurs des deux transistors 50 et 51. La base du transistor de sortie 52 est connectée au collecteur du transistor 50. D'une façon similaire, la base du transistor de sortie 53 est connectée au collecteur du transistor 51. Les signaux d'entrée R et S, qui sont les signaux de remise à O et de mise à "1", sont appliqués aux bases des deux transistors 50 et 51 par l'intermédiaire des résistances 60 et 61. Comme l'indiquent les tracés en trait interrompu 62 et en 63, le circuit de la figure 3 peut être en grande partie remplacé par deux structures analogues à celles des figures 1 et 2. Ainsi, les deux transistors 50 et 52 de polarité opposée peuvent être obtenus par la structure des figures 1 et 2 avec la résis tance 57 connectée directement aux électrodes unies Cnpn et B pnp La même chose est vraie pour les deux transistors 51 et 53 avec la résistance 58. Le circuit de la figure 3 est appelé verrou, car il se verrouille lui-même sur l'un de ses états. Dans l'un de ces derniers, l'un des deux transistors 50 et 51 est amené à saturation. Le mode logique utilisé est le mode logique appelé positif, parce que le caractère 1 est représenté par une tension positive élevée et le caractère "0" est représenté par une tension positive très basse à peu près nulle. Le fonctionnement du circuit 3 va maintenant être décrit Le signal Q est celui obtenu par l'application des signaux d'entrée R et S, alors que 5 est son complément. Le signal Qt indique le signal existant avant que l'un quelconque des signaux R ou S soit appliqué. On suppose maintenant que Q = O. Pour cette condition, il est nécessaire que le transistor 50 soit conducteur ou saturé. Pour le mode logique positif, le "O" est représenté par un signal de 0,2 volt, qui est la tension de saturation du transistor. L'état logique 1 est approximativement représenté par la tension + 1,1 volt. indique le signal Q après qu'un signal d'entrée R et S est appliqué. Il est évident maintenant que si Qt est égal à 'Qt+1 ne peut devenir "1" que lorsqu'un signal d'entrée S est appliqué au transistor 51, de manière à amener ce dernier à saturation. Aussi longtemps que le signal d'entrée R est "1", il ne peut pas changer l'état de la bascule bistable, car le transistor 50 est déjà conducteur. Le résultat de cette condition est donné dans la table de vérité suivante R S Q t 0 0 O 0 1 0 1 1 0 0 0 1 1 O indéterminé O . I 1 0 1 1 1 1 O 1 0 1 1 1 indéterminé Il convient de noter que si S et R sont tous deux à# l'état '1", le résultat est indéterminé et, par conséquent, de tels signaux doivent être prohibés. Il est bien entendu que la table de vérité ci-dessus montre seulement l'état du signal Q celui du signal 5 étant complémentaire. Il faut noter que les signaux R et S représentent un courant plus important que celui qui s'écoule dans chacune des résistances 57 ou 58. C'est pourquoi il peut être nécessaire d'amplifier le courant de signal Q par un transistor de sortie pour lui permettre de commander un étage suivant du circuit tel, par exemple, qu'un autre "verrou". En se référant maintenant aux figures 4 et 5, on voit une structure à transistors bipolaires plus complexe et plus élaborée. Cette structure est caractérisée par deux transistors bipolaires dont l'un a deux émetteurs, aussi bien que deux résistances, tous ces éléments étant formés simultanément. Puisque l'un des transistors a deux émetteurs, il peut être considéré comme étant équivalent à deux transistors ayant des bases et des collecteurs interconnectés, mais avec des émetteurs séparés. La structure représentée sur les figures 4 et 5 peut être réalisée de la même manière que celle des figures 1 et 2 et avec les mêmes matériaux. C'est pourquoi les phases de diffusion ne seront pas décrites à nouveau, pas plus-que ne seront données les dimensions des différentes régions. La structure des figures 4 et 5 comprend un corps semiconducteur 70 comportant un substrat 71 de type p. Bien qu'on ne le montre pas, le substrat 71 de type k peut à nouveau être divisé en deux zones de conductibilités respectives p+ et k Le substrat 71 présente une face plane 72. Une première région 73 de type n est formée dans le corps semrconducteur 70 et définit une face plane 74 qui se trouve à l'opposé de la surface 72. Sous l'effet de la phase de diffusion suivante, plusieurs régions de type k sont formées dans la première région 73 de type n. Ces régions de type k sont les régions 75, 76, 77, 78 et 80. Comme on le voit, elles sont séparées les unes des autres. Leurs fonctions seront décrites plus loin. Une région supplémentaire p+ (non montrée),telle que la région 39 en fig. 1, peut être prévue pour entourer la région 73 de type n. Par la phase de diffusion suivante, la région 81 de type n est formée dans la région 76 de type p.-De préférence, mais non obligatoirement, les régions 82, 83 et 84 de type n peuvent être en même temps formées pour entourer respectivement les régions 75 à 78 et 80 de type k Cette structure forme un transistor npn ayant une électrode émetteur Snpns qui est reliée par un-contact ohmique 86 à la région 81 de type n et une électrode de base Bnpn qui est formée sur la région 76 de type k pour fournir le contact npn La structure ainsi formée n'a pas de contact soit avec le collecteur du transistor npn, soit avec la base du transistor pnp.En d'autres termes, ces deux électrodes, non seulement ne sont pas unies, mais n'ont pas de connexion extérieure. Le transistor Pnp a une connexion de collecteur formée par le contact ohmique 88 sur le substrat 71 de type k à la sur face 72. Il a également deux électrodes émetteurs montrées en E et formées par les contacts ohmiques 90 et 91 réalisés à pnp la surface 74 sur les deux régions 77 et 78 de type k Enfin, les passages résistants formés au-dessous des régions respectives 75 et 80 de type-P ont des connexions de sortie constituées par les contacts ohmiques 92 et 93, disposés dans la région 73 de type n au voisinage des régions respectives 75 et 80 de type g. Comme on le voit clairement en figure 4, les deux rés-istances sont disposées à angle droit, l'une par rapport-à l'autre.Cependant, ces résistancés peuvent s'étendre dans une direction quelconque convenant d la fabrication du circuit concerné Il convient de noter que, par souci de simplification, les parties de surface isolées et les conducteurs ou les connexions métalliques des contacts ohmiques respectifs ont été omis. Les régions 82, 83 et 84 de type n+ remplissent les mêmes fonc tions que celles des régions correspondantes 26 et 27 de la figure 1. Le circuit équivalent de la structure des figures 4 et 5 est représenté sur les figures 6 et 7. Comme on le voit sur la figure-6, la structure comprend un transistor npn 100 et un transistor pnp 101. Le transistor npn a deux conducteurs de sortie, à savoir la base 102 et l'émetteur 103. Il n'y a pas de connexion directe sur le collecteur du transistor npn 100,.pas plus que sur la base du transistor pnp 101. Au lieu de cela, on trouve des connexion#s de sortie sur les deux résistances 104 et 105, chacune étant connectée à la jonction intégrée ou fusionnée du collecteur du transistor npn 100 et de la base du transistor pnp 101. Ce transistor pnp 101 est pourvu d'un collecteur 106-et de deux émetteurs 107 et 108. Les structures à transistor du type pnp lOl,avec deux ou plus de deux électrodes d'émetteur, ont été décrites et expliquées dans le brevet auquel on s'est référé précédemment. Une telle structure est évidemment équivalente à deux transistors tels qu'ils sont représentés sur la figure 7. Ici, l'unique transistor pnp 101 a été remplacé par les deux transistors pnp 110 et 111. Les deux transistors 110 et 111 ont leurs bases connectées ensemble, ainsi que leurs deux collecteurs qui ont une sortie commune représentée en 106. Cependant, le transistor 110 a un émetteur 107, alors que l'autre transistor 111 a un autre émetteur 108. Ainsi, en ajoutant simplement un contact supplémentaire tel qu'une région 78 de type p avec son contact ohmique 91, l'équivalent d'un second transistor pnp peut être obtenu. Différents circuits peuvent être construits à partir des structures représentées sur les figures 1 et 2, et sur les figures 4 et 5, de sorte qu'un seul circuit peut comporter 5.000 transistors et autres composants ou davantage. Ainsi, il vient d'être décrit une structure à transistors bipolaires à laquelle on a pu intégrer une ou plusieurs résistances. Cette structure a comme caractéristique deux électrodes de transistor fusionnées qui peuvent même ne pas requérir de contact extérieur. Cette structure à transistors bipolaires est particulièrement utile dans le mode logique à charge d'émetteur. Elle permet un fonctionnement nettement plus rapide de la densité et le temps de commutation est réduit en raison de la réduction des porteurs minoritaires en excès dans le npn saturé. De plus, du fait que les composants sont bien isolés les uns des autres, et du fait que les couplages parasites entre électrodes sont minimisés sinon annulés, des économies de place et d'espace peuvent être réalisées Le rendement en fabrication d'une telle structure est très élevé. D'un autre côté, l'énergie nécessitée pour amener la transition d'un élément tel que, par exemple une bascule bistable, est extrêmement faible. Cependant, cette structure peut être facilement fabriquée par le procédé de triple diffusion, c'est-à-dire avec un minimum de phases de fabrication. Le substrat de la structure peut être constitué par deux zones de manière que la zone extérieure ait une conductivité relativement élevée pour fonctionner en tant que platine commune de mise à la masse ou à la terre. Comme il va de soi,- et -comme il résulte d'ailleurs déjà de ce qui précède, l'invention ne se limite nullement à ceux de ses modes d'application, non plus qu'à ceux des modes de réalisation de ses diverses parties, ayant été plus spécialement envisagés elle en embrasse, au contraire, toutes les variantes, REVENDICATIONS 1. Structure à transistors bipolaires, caractérisée en ce qu'elle comprend a) un corps semiconducteur, b) ledit corps comportant un substrat ayant un premier type de conductibilité, c) une première région ayant un second type de conductibilité opposée audit premier type, disposée à l'intérieur dudit corps et s'étendant à partir dudit substrat pour former une première face substantiellement plane dudit corps, d) une seconde et une troisième régions espacées l'une de l'autre, et disposées à l'intérieur de ladite première région et étant dudit premier type de conductibilité, e) une quatrième région disposée à l'intérieur de ladite seconde région et étant dudit second type de conductibilité, lesdites seconde, troisième et quatrième régions se terminant dans ladite première face, et f) des moyens pour assurer sur ladite première face un contact ohmique sur ladite seconde, ladite troisième et ladite quatrième régions, et pour ladite première région intermédiaire entre ladite seconde et ladite troisième régions, et pour assurer un contact ohmique pour ledit substrat sur la face opposée à ladite première face, afin de produire, d'une part, un contact de base, un contact d'émetteur et un contact de collecteur pour un transistor ayant un premier type de conductibilité, ledit contact de collecteur étant fusionné ou formant bloc avec le contact de base d'un transistor ayant une conductibilité du type opposé et, d'autre part, un contact d'émetteur pour ledit transistor du type de conductibilité opposée, le contact ohmique pour ledit substrat formant le collecteur du transistor du type de conductibilité opposée, ladite première région entourant et isolant lesdites seconde, troisième et quatrième régions. 2. Structure à transistors selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'une cinquième région dudit premier type de conductibilité est enrobée dans ladite première région pour se terminer à ladite première face, de sorte qu'un passage résistant est formé dans ladite première région au-dessous de ladite cinquième région, un contact ohmique étant disposé sur ladite première région au voisinage de ladite cinquième région pour fournir une connexion audit passage résistant. 3. Structure à transistors selon la revendication 2, caractérisée en ce qu'une sixième région dudit premier type de conductibilité est enrobée dans ladite première région pour se terminer à ladite première face, de sorte qu'un passage résistant~ supplémentaire est formé dans ladite première région au-dessous de ladite sixième région, et un contact ohmique additionnel étant disposé sur ladite première région au voisinage de ladite sixième région pour fournir une connexion audit passage résistant sup pl émentaire. 4. Structure à transistors selon la revendication 1, caractérisée en ce que les régions additionnelles dudit second type de conductibilité et d'une résistivité plus faible que celle de ladite première région sont disposées adjacentes et autour desdites seconde et troisième#régions, afin de miniminer les couplages parasites entre l'électrode de base dudit transistor dudit -premier type de conductibilité'et l'électrode de l'émetteur du transistor dudit type de conductibilité opposée. 5. Structure à transistors selon la revendication 2, caractérisée en ce que des régions additionnelles dudit second type de conductibilité et de plus faible réslstivité que celle de ladite premiere région sont# prévues adjacentes auxdites seconde, troisième et cinquième régions, afin de minimiser l'étalement latéral des porteurs de charges minoritaires entre les électrodes. 6. Structure à transistors selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit substrat consiste en une première partie s'étendant jusqu'à une seconde face opposée à ladite première face ayant une réSistivité plus faible queficelle d'une seconde par tie dudit substrat disposée entre ladite première partie et ladite première région. 7. Structure à transistors selon la revendication 1, caractérisée en ce que que ladite première face est complètement revêtue d'une couche isolante en oxyde du matériau semiconducteur à l'exception desdits contacts ohmiques. 8. Structure à transistors bipolaires caractérisée en ce qu'elle comprend a) un corps semi-conducteur, b) ledit corps contenant un substrat d'un premier type de conductibilité, c) une première région d'un second type de conductibilité opposée, disposée à l'intérieur dudit corps et s'étendant à partir dudit substrat pour former une première face substantiellement plane dudit corps, d) une seconde et une troisième régions espacées l'une de l'autre et disposées à l'intérieur de ladite première région et étant dudit premier type de conductibilité, e) une quatrième région disposée à l'intérieur de ladite seconde région et étant dudit second type de conductibilité, lesdites seconde, troisième et quatrième régions se terminant à ladite première face, f) une cinquième région dudit premier type de conductibilité enrobée dans ladite première région et se terminant à ladite première face pour former un passage résistant dans ladite première région, et g) des moyens pour assurer sur ladite première face un contact ohmique sur lesdites seconde, troisième et quatrième régions et sur ladite première région adjacente à ladite cinquième région, afin de produire un contact d'émetteur et un contact de base pour un transistor ayant un premier type de conductibilité, un contact émetteur pour un transistor ayant un type de conductibilité opposée, et un contact ohmique pour ledit passage résistant, lesdits moyens comprenant égalementxun contact ohmique pour ledit substrat formant le collecteur dudit transistor dudit type de conductibilité opposée. 9. Transistor selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit substrat consiste en une première partie formant une seconde face substantiellement opposée à ladite première face, et une seconde partie disposée entre ladite première partie et ladite première région, ladite seconde partie ayant une résistivité plus élevée que celle de ladite première partie. 10. Structure à transistors selon la revendication 8, caractérisée en ce que des régions additionnelles dudit second type de conductibîlité sont prévues adjacentes auxdites seconde, troisième et quatrième régions, lesdites régions additionnelles ayant une résistivité plus faible que celle de ladite première région, afin de minimiser tout couplage entre les électrodes desdits transistors du premier type de conductibilité et du type de con ductibilité opposée.