FR 2248153 A1 19750516 FR 7337610 A 19731022 La présente invention se rapporte à la fabrication des éle'm nts de commutation pour appareillages radioélectriques et électroniques et concerne, plus précisément, les structures multicouches, notamment les plaquettes à cablages imprimés, les grands circuits intégrés, les boucles, les tétons, etc., ainsi que les procr'-dés de formation des jonctions intercouches ans les structures à couches multiples. On connaît déjà des structures qui se composent de couches alternees métalliques et diélectriques, les couches métalliques étant relies entre elles par des jonctions métalliques exécutées en forme de films métalliques déposés sur les bouts émergents (extrémités) des couches diélectriques et métalliques d'une structure à couches multiples. Dans ces structures connues, les jonctions métalliques intercouches sont exécutées sous forme de films métalliques dont la densité et la conauctibilité électrique au droit de leurs contacts avec les couches métalliques ne rappellent qu'apnroximtiveent les blêmes caractéristiques des films métalliques. On sait que les jonctions métalliques intercouches sont séparées des couches rétalliques de la structure multicouche par des couches intercalaires(couches interfaces) dont la résistance est supérieure à celle du métal des couches métalliques, notamment par des couches d'oxydes ou de vernis conducteurs.On aboutit ainsi à une résistance electrique accrue entre les couches métalliques de la structure et à une résistance -mécanique réduite de la structure qui comporte des jonctions intercouches connectant les couches de métal. La présence des couches intercalaires indiquées résulte des procédés connus de création des jonctions intercouches. On connaît déjà un procédé de création de jonctions métalliques intercouches dans une structure constituée de couches alternées de metal et de diélectrique par formation d'un film auxiliaire électroconducteur à la surface des couches de dirlectrique et de métal à m-"talliser, par dépôt électrolytique d'un film métallique.Ce procédé connu consiste essentiellement à déposer sans passage de courant, un film de métal à partir de solutions contenant un réducteur, sur les surfaces des couches de diélectrique et de. métal à métalliser, et à y appliquer ensuite un film métallique par électrolysEt. (joncs John Haskoll, "Plating process for printed circuit board", brevet des Etats-Unis n0 3 433 #i9, classe 04-15 (G23n), #6.#1.i965 - 18.03.1969). Le plus souvent on utilise à cet effet un film auxiliaire de cuivre déposé à partir de solutions alcalines de sels complexes de cuivre contenant le formaldéhyde en tant que réducteur. Plus rarement on applique des films auxiliaires de nickel ou de cobalt contenant du phosphore, notamment à partir de solutions acides des sels de ces métaux, par précipitation du métal à lthypophosphite. Plus rarement encore, on utilise un film auxiliaire d'argent, un film auxiliaire de palladium, etc., obtenus par précipitation, sans passage de courant électrique, à partir des solutions de sels de ces métaux, ces solutions contenant des réducteurs dissous. On connaît également des procédés de formation de films auxiliaires électroconducteurs par application, à la surface des couches du diélectrique et du métal à métalliser, de colles et de vernis électroconducteurs. Quand on applique des films auxiliaires électroconduc- teurs à partir de solutions-alcalines contenant des sels de métaux et un réducteur, tels que les films de cuivre, d'argent déposés, sans passage de courant, sur une structure composée de couches alternées de diélectriaue et d'un métal n'appartenant pas au groupe de métaux nobles, par exemple de cuivre, le traitement de la structure par une solution alcaline conduit inévitablement à l'oxydation des couches de métal qui précède le dépôt, sans passage de courant électrique, d'un film électroconducteur auxiliaire.Dans ces cas, une composante des jonctions métalliques intercouches, de pair avec le film électroconducteur auxiliaire, est aussi un film d'oxydes qui sépare les couches métalliques de la structure du film auxiliaire électroconducteur. On connaît djà des procédés de création de jonctions métalliques intercouches dans une structure multicouche qui se compose de couches alternees de cuivre et de diélectrique par formation de ces jonctions à partir de solutions alcalines de cuivrage sans passage de courant, en couche épaisse, comprenant dans certains cas le dépôt électrolytique dtun film métallique (cf.A.Adler, "New approaches to printed circuit fabrication", "Electronic Sackaming and Production", 1969, 9, n0 9). Dans tous les procordés indiqués, le film auxiliaire électroconducteur est utilisé pour créer des jonctions intercouches métalliques dans une structure multicouche formées par dépôt-électrolytique d'un film métallique. Ce film constitue une partie intégrante des jonctions métalliques intercouches qui servent de mai'.'on intermédiaire entre le métal des couches et le film métallique déposé par électrolyse. Tous les procédés énumérés de formation d'un film auxiliaire électroconducteur prévoient soit la mise en oeuvre de solutions onéreuses qui perdent plus ou moins leur stabilité après l'introduction en leur sein de réducteurs, soit l'emploi de colles et de vernis électroconducteurs onéreux. le but de l'invention est de crier une structure multicouche exempte des disfauts indiqués. Un autre but consiste à créer un procédé de formation de jonctions intercouches dans une structure multicouche, ce procédé n'étant pas entaché des inconvénients cités. On stest donc proposé de créer une structure composée de couches alternées de métal et de diélectriuue comportant des jonctions pour la connexion des couches de métal possédant une résistance minimale stable entre les couches métalliques de la structure et une résistance mécanique maximale d'aboutement des jonctions intercouches avec les bouts des couches du métal de la structure multicouches. On s'est également proposé d'élaborer un procédé de formation des jonctions intercouches dans la structure indiquée avec la mise en oeuvre de solutions stables et peu onéreuses de métallisation pour l'obtention de films auxiliaires électroconducteurs métalliques sous forme d'assemblages insolubles électroconducteurs de métaux aux bouts des couches diélectriques d'une structure multicouche de façon que les films auxiliaires électroconducteurs permettent de réaliser le dépôt électrolytique du métal directement aux bouts des couches métalliques de la structure. On a résolu ce problème grâce à une structure constit*1ee de couches multiples alternées de métal et de diélectrique comportant des jonctions entre les couches de film de métal déposé électrolytiquenent, dans laquelle les jonctions intercouches sont réalisées, suivant l'invention, solidairement avec les bouts des couches de métal. Il est souhaitable de diviser les bouts des couches de di lectrique revêtues de jonctions intercouches au moyen de couches complfnentaires de métal disposées parallèlement aux couches de la structure en sections approximativement égales en épaisseur à la couche la plus mince de dirlectrique. Le problème posé est aussi résolu grâce à un procédé de création de jonctions intercouches pour une structure multicouche par formation d'un film auxiliaire électroconducteur sur les faces des couches de diélectrique à métalliser au moyen d'un dépôt électrolytique d'un film de métal, procédé dans lequel, selon ltinvention, on forme un tel film auxiliaire de métal en trempant la structure multicouche dans une solution qui contient des ions de métal plus électropositif dans la série des forces électromotrices des éléments que le métal des couches métalliques, en maintenant la structure dans cette solution jusqu'à la formation d'un film électroconducteur continu en métal aontles ions se trouvent en solution sur 1'ensemble de la surface à métalliser, ce film ayant une structure monolithe dans les sections diélectriques de cette surface et une structure poreuse dans les sections métalliques, et en traitant ensuite la structure par une solution qui réagit sélectivement avec le métal des couches métalliques ou avec le métal des couches métalliques et avec les sections poreuses du film continu électroconducteur en vue d'éliminer des couches métalliques des# sections de film électroconducteur continu qui ont une structure poreuse. Il est avantageux, avant de former le film auxiliaire, de traiter les bouts des couches de diélectrique de la structure multicouches par une solution de sensibilisateur. On résout aussi ledit problème du fait que dans un procédé de création de jonctions intercouches pour les structures multicouches par formation d'un film électroconducteur auxiliaire sur les faces des couches diélectriques à métalliser au moyen d'un dépôt électrolytique de film métallique, selon l'invention on forme ce film auxiliaire en immergeant la structure multicouche dans une solution contenant des sels complexes solubles, des sels de métaux, des additions pour le réglage du pH et des chalcogênants, en maintenant la structure dans cette solution jusqu'à la formation d'un film continu e'Ir#trocon-1ucteur de chalcogénures de métaux sur toute la surface à niétalliser, et en traitant ensuite la structure par une solution qui réagit sélectivement avec le métal des couches métalliques ou avec le métal des couches métalliques et avec les sections du film de chalcogenures de métaux aux bouts des couches de métal en vue d'éliminer ces parties. Il est avantageux, dans ce cas, avant de former le film auxiliaire, de traiter les bouts des couches de di lectrique de la structure riulticouche par une solution contenant des ions de métaux ayant une valence de transition. il est avantageux en outre, avant dtimmerger la structure dans une solution qui élimine sélectivement les sections de film continu électroconducteur depuis les bouts des couches de métal, de soumettre cette structure à un traitement thermique à une temporature de 350 à 40000, ou bien de soumettre cette structure, après la formation d'un film auxiliaire électroconducteur, à un traitement thermique à une température de 350 à 40000. Dans les deux procédés proposés de création des jonctions intercouches il est souhaitable de former un film continu électroconducteur dans un champ électrique alternatif. Pour créer un champ électrique alternatif on peut appliquer une tension alternative aux couches métalliques de la structure. On peut créer également un champ électrique en appliquant une tension alternative à des électrodes autonomes placées dans #la solution pour la formation d'un film continu électroconducteur et disposées de part et d'autre de la structure. Dans l'un comme dans l'autre procédé proposé de création des jonctions intercouches, la formation d'un film auxiliaire électroconducteur peut se faire dans un champ ultrasonore. il est avantageux, dans le procédé de création des jonctions intercouches, de former le film continu électroconducteur en mentaux plus électropositifs, dans la série de forces électromotrices des déments, que le métal des couches métalliques, dans une solution contenant un sel de palladium de 0,0005 à 0,5 mole/l un sel de cuivre de 0,0005 à 0,5 mole/l un acide minéral de 0,001 à 1,0 moles ou bien dans une solution contenant un sel d'argent de 0,0005 à 0,5 mole/l NH, OH de 0,1 à 2,5 mole1'l. il est avantageux, dans le procédé de création des jonctions intercouches et de formation d'un film continu électroconducteur en chalcogénures de métaux, d'utiliser une solution contenant un sel complexe de plomb 10-3 -3 à 10-1 mole/l une base 10 10-2 à S mole la thio-urée 10 à 1 mole/l. ou bien de réaliser la formation dtun tel film dans une solution contenant un sel de cuivre à 10#1 moleÀl l'acétate de sodium 10-1 à 5 mole/l la thio-urée 10-3 à 1 mole/l. La structure multicouche proposée, qui se compose de couches alternées de métal et de diélectrique comportant des jonctions intercouches pour la connexion des couches de métal-, qui sont des films de métal déposé par électrolyse, dont les transitions intercouches sont réalisées solidairement avec les bouts des couches de métal, présente une résistance mécanique exceptionnellement élevée et une résistance électrique stable minimale des jonctions intercouches.L'une des variantes de la structure multicouche dans laquelle les bouts des couches de diélectrique portant les jonctions intercouches sont divisés par des couches métalliques additionnelles qui sont disposées parallèlement aux couches de la structure en sections d'épaisseur approximativement égale à celle de la couche dè dielectrique la plus mince, présente de l'intérêt du fait que, les jonctions intercouches étant réalisées solidairement avec les bouts des couches de métal, la structure multicouche acquiert une tenue compl-mentaire à la séparation des couches diélectriques et des couches maniques dans des conditions sévères d'exploitation. Les procédés de création des jonctions intercouches qui sont des films de métal déposé électrolytiquement, directement reliés aux bouts des couches de la structure, réalisés selon ltinvention, présentent les avantages suivants. Ces procédés permettant de former un film auxiliaire glectroconducteur uniquement sur les faces des couches de diélectrique à métalliser, il devient possible de déposer directement un film formé par électrolyse de métal aux bouts des couches de métal de la structure multicouche. Au cours de la formation d'un film continu électroconducteur en métal plus électropositif que le métal des couches mntalliques, la consommation de métal qui sert à former le film électrocondleteur continu est insignifiante étant donné la faible épaisseur du film continu électroconducteur et la localisation du film continu électroconducteur de préférence à la surface à métalliser. La eonsommation en solutions est elle-aussi insignifiante.Au cours de la formation d'un film continu électroconducteur en chalcogénures de métaux, on utilise, en tant que constituants, des solutions de sels solubles facilement disponibles de cuivre, de plomb, de nickel et d'autres métaux formant des complexes avec des ligandS tels que l'ion hydroxyle, l'ion acétate, etc., et des composés solubles (facilement disponibles et peu onéreux) du Groupe Vi de la classification périodique, tels que le sulfure d'hydrogène, le sulfure de sodium, le thiosulfate, le sélénosulfate, la thio-urée, la séléno-urée, la thiosemicarbazide et d'autres composés qui, en réagissant avec lesdits sels complexes de métaux en solution, forment des films continus électroconducteurs de sels difficilement solubles sur l'ensemble de la surface à métalliser. Les avantages des procédés cités tiennent également à leur simplicité, à l'utilisation rationnelle des constituants des solutions et à la haute reproductibilité des résultats dans la fabrication en grande série de structures à couches multiples comportant des jonctions intercouches pour la connexion des couches du métal. Le principal avantage des procédés proposés tient également à la création de structures multicouches ayant des jonctions intercouches qui sont des films de métal déposé électrolytiquement, exécutées solidairement avec les bouts des couches de métal ce qui témoigne des hautes caractéristiques mécaniques et électriques des structures multicouches proposées. D'autres caractéristiques et avantages de l'invantion apparaîtront à la lecture de la description, qui va suivre, de plusieurs exemples de réalisation non limitatifs, illustrés par les dessins annexés dans lesquels - la figure 1 représente une vue isométrique, en coupe, d'une structure multicouche selon l'invention - la figure 2 représente l'une des versions de la structure multicouche selon l'invention (vue isométrique en coupe: - les figures 3a, b, c, d reprnsentent les différents stades de création des jonctions intercouches selon l'invention ~ - les figures 4a, b, c, d représentent les stades d'une autre version de création des jonctions intercouches. la structure multicouche représentée sur la figure n se compose : de couches mntalliques 1 séparées par des couches diélectriques ?, d'un film auxiliaire électroconducteur 3 et d'une jonction intercouche 4 constituée d'un film de métal déposé par électrolyse et réalisé solidairement avec les bouts des couches 1 du métal de la structure multicouche;; La figure 2 représente une structure multicouche dans laquelle, à 11 encontre de la structure multicouche représentée sur la figure 1, les bouts des couches 2 de diélectrique portant des jonctions intercouches 4 sont divisés par des couches métalliques additionnelles 1',# disposées parallèlement aux couches 1 et 2 de la structure, en sections approximativement jugales en épaisseur à la couche la plus mince 2' du diélectrique. En tant que métal des couches métalliques 1 ' et 1 de la structure multicoucqe représentée sur la figure 1 et la figure 2 on peut utiliser un métal du groupe suivant : Cu, Ag, an, Al, Pb, Sn, Ti, Fe, Ni. La couche additionnelle métallique 1' peut être exécutée sous la forme d'une section non li e à la couche métallique 1 dans le même plan horizontal de la structure multicouche. Les figures 3a, b, e, d représentent les stades du procédé de création des jonctions intercouches 4 lors de la formation d'un film continu lectroconducteur 5 en métaux plus électropositifs, dans la série des forces électromotrices des éléments, que le métal des couches métalliques t de la structure. Les figures 4a, b, c, d représentent les stades d'une autre version du procéda de création des jonctions intercouches 4 lors de la formation d'un film continu électroconducteur 6 en chalcogénures de métaux. La première version du procédé de création des jonctions intercouches métalliques dans la structure multicouche consiste en ce qui suit. On immerge la structure multicouche représentée sur la figure 3a dans un bain de solution contenant des ions d'un métal plus électropositif, dans la série des forces électromotrices des éléments, que le métal des couches métalliques. On utilise en tant que solution de ce genre une solution contenant AgNO3 0,0005 à 0,5 mole NH40H 0,1 à 12,5 mole/l ou bien une solution contenant PdCl2 0,0005 à 0,5 mole/l CuOl2 0,0005 à 0,5 mole/l H2SO4 o,OOi à 1 mole/l ou une solution contenant PdS04 0,0005 à 0,5 mole/l HCl O,001 à 1 mole/l. On maintient la structure dans ladite solution jusqutå la formation d'un film continu électroconducteur 5 (figure 3b) en argent ou en palladium. le film en argent ou en palladium se forme aussi bien aux bouts des couches métalliques, qu'aux bouts des couches diélectriques 2 de la structure multicouche ; aux bouts des couches dilectriques 2 ce film a une structure monolithe, alors qu'aux bouts des couches mÉtalliques 1 il a une structure poreuse. Il est souhaitable, avant d'immerger la structure multicouche dans l'une des solutions indiques s, de traiter cette structure par une solution connue de sensibilisateur contenant notamment des ions Sn+2 ou Ti+3. Cette opération accélère et égalise considérablement le processus de formation d'un film continu électroconducteur. Parfois la formation d'un film continu électroconducteur s'opère dans un champ électrique alternatif. A cet effet on applique une tension alternative aux couches métalliques extérieures de la structure multicouche, ou bien on introduit dans un bain de solution des électrodes autonomes et on dispose la structure multicouche entre elles. Quand on conduit les opérations dans un champ électrique alternatif, la formation du film continu électroconducteur est sensiblement accélérée. L'utilisation, en tant qu'électrodes, des couches métalliques extérieures de la structure contribue au réchauffage du système par dégagement de chaleur lors du passage du courant à travers la solution.Pour supprimer ce phénomène, on emploie dans certains cas des électrodes autonomes que l'on- introduit dans la solution, ces électrodes étant isolées électriquement de la solution de façon à ne pas provoquer son échauffement par suite de la résistance active de la solution. La vitesse de formation d'un film continu électroconducteur dans ces solutions est fonction également de la température des solutions : l'élr"vation de la température stimule le processus. On forme parfois un film continu électroconducteur en appliquant à la solution et à la structure immergée dans cette solution un champ ultrasonore. Ensuite on immerge la structure multicouche avec un film continu électroconducteur 5 formé aux bouts des couches 1 et 2 de métal et de dielectrique respectivement, dans une solution qui ne réagit sélectivement qu'avec le métal des couches métalliques 1. On utilise, comme solution de ce genre en cas d'utilisation du cuivre en tant que métal des couches métalliques 1, une solution contenant : CuCl# .2H0 IO -3 à 1,8 moles/l HCI 10-' ###2 à 3 moles/l ou bien une solution contenant (NH4)2S2O8 0,005 à 2,5 moles/l H2S04 0,01 à 1 mole/l ou bien une solution contenant Oro3 0,005 à 1 mole/l H?S04 0,01 à j mole/l ou bien une solution contenant NH40H O,QZ à 9 moles/l (NH)2C03 0,01 à 1 mole/l (NH4)23208 0,005 à 2,5 moles Bu fait d'un tel traitement, les sections poreuses du film continu électroconducteur 5 sont éliminées des bouts des couches métalliques 1, tandis que les parties monolithes aux bouts des couches diélectriques sont conservées, ce qui conduit à la formation d'un film auxiliaire électroconducteur 3, comme représenté sur la figure 3c. Dans certains cas, la suppression des parties spongieuses du film continu électroconducteur 5 s'opère en appliquant à l'une desdites solutions et à la structure immergée un champ ultrasonore. Dans une autre version du meme procédé, on forme le film électroconducteur-3 dans une solution qui réagit sélectivement avec le métal des couches métalliques I et avec les sections poreuses du film continu électroconducteur-5. En tant que solution de ce genre on utilise une solution contenant HOo 3.10-4 à 9 moles/l H2S04 10-4 à 2 moles/l ou une solution contenant H20t 3.10 -4 à 9 moles (NH4)2Soc8 0,005à 2,5 moles/l HCl 0,003 à 3 moles ou une solution contenant H202 3.10 4 à 9 moles HCl 0,003 à 3 moles versène-T 0,0004 à 0,3 moles Ensuite on extrait la structure de cette solution, on la lave à l'eau et on la décape par une solution d'acides, notamment par une solution à 10 o/a de H9SO4. Un tel traitement aboutit à une élimination complète, aux bouts des couches métalliques 1 de la structure, des sections poreuses du film continu électroconducteur 5. Ensuite on immerge la structure, avec le film auxiliaire électroconducteur 3 ainsi formé , dans un électrolyte quelconque pour l'application d'un film métallique d'épaisseur requise par voie électrolytique, ce qui entraîne la formation d'une jonction intercouche métallique formée solidairement avec les bouts des couches métalliques 1 de la structure multicouche. Le procédé de création des jonctions intercouches peut aussi être mis en oeuvre de la façon suivante. On immerge la structure multicouche représentée sur la figure 4a dans une solution contenant des sels complexes solubles des métaux des groupes I à VIII de la Classification périodique, des additions pour le réglage de la valeur du pH et des chaicogénants, c'est-à-dire des composés contenant des éléments du Groupe VI b. En tant que solution de ce genre on emploie une solution contenant Pb(CH3C00)2 10-3 à 10-1 1 mole/l KOH 10-2 à 5 moles/l Cs(NH2)2 10-3 à 1 mole/l ou une solution contenant : CuSOt . 5H20 10 à à mole/I NaCH3 C00 0 à 5 moles Cs(NH9)9 à 1 mole-/l. On maintient la structure dans cette solution pendant 5 à 60 minutes jusqu a la formation d'un film électroconducteur continu 6 (figure 4b) qui se compose de sulfure de plomb ou de sulfure de cuivre . ans ce cas, au cours de la formation du film de chalcogénure d'un métal différent de celui des couches métalliques i aux bouts des couches diélectriques 2, il se forme un chalcogénure de métal dont les ions se trouvent en solution, tandis qu'aux bouts des couches métalliques 1 il se forme principalement un film de chalcogénure du métal des couches métalliques 1 de la structure. Parfois on effectue la formation du filmwde chalcogénure aux bouts de la structure en faisant agir un champ électrique alternatif ou en appliquant un champ ultrasonore à la solution et à la structure multicouche placée dans cette solution, comme cela a fte décrit plus haut. Ensuite on extrait la structure de la solution, on la lave et on la sèche à l'air. Dans certains cas, après son extraction de la solution, on so#umet la structure, avec le film continu lectroconducteur de chalcogênure 6 deposé dessus, à un traitement thermique à une température de 350G à 4000C pendant 10 à 90 minutes. la température et le temps de maintien dépendent des caractéristiques du film 6 et des propriétés du mat riau des couches diélectriques 2. On immerge ensuite la structure dans une solution qui réagit sélectivement avec le métal des couches métalliques. On prend comme solution de ce genre, quand on utilise le cuivre comme métal des couches métalliques i, une solution qui contient CuOl2 . oH2 10 à a 18 moles/1 HCÏ 3.102 à 3 moles/l. On applique le traitement à une température-de 950 à 300C pendant 5 à 30 secondes. Dans ce cas on n'élimine les sections du film de chalcogénure 6 que des bouts des couches métalliques 1, tandis que les sections de film de chalcogenure 6 aux bouts des couches di lectriques 2 demeurent, ce qui se traduit par la formation d'un film auxiliaire fElectroconduc- teur 3 constitué de chalcogénure et disposé uniquement aux bouts des couches diélectriques 2 de la structure. Pour une elimination plus régulière et de meilleure qualité du chalcogénure des bouts des couches métalliques lors du dépôt d'un chalcogénure de métal différent du métal des couches métalliques, on utilise une solution qui réagit sélectivement avec le métal des couches métalliques 1 et avec les sections du film de chalcogénure 5 disposé aux bouts des couches métalliques 1 de la structure. C'est ainsi que dans le cas de la formation d'un film aux bouts d'une structure dans laquelle le métal des couches métalliques 1 est le cuivre, une solution de ce genre peut contenir. (NH4)2S? 8 4.1-0 3 à o moles/l i##2 à 1 mole/I (NH4)2C03 -2 NH40H 3.10 -2 à 3 moles/l NH4Cl 2.1O2 à 10 moles/l. On applique le traitement à une température de 200 à 3000 pendant 5 à 60 secondes. Le traitement indiqué libère entièrement les bouts des couches mrtalliques du chalcogénure et aboutit à la formation d'un film auxiliaire électroconducteur 3 disposé uniquement aux bouts des couches diélectriques 2. Ensuite on lave la structure, on la décape et on la sèche à l'air. Parfois on effectue le traitement thermique de la structure, avec le. film auxiliaire électroconducteur déposé dessus, à une température de 350 à 40000 pendant 10 à 90 minutes. On plonge la structure dans un bain électrolytique où l'on dépose, par passage d'un courant électrique, un film de revêtement électrolytique d'-épaisseur requise. Il se forme alors des jonctions métalliques intercouches qui sont constituées d'un métal déposé par électrolyse et appliqué directement aux bouts dénudés des couches métalliques 1 de la structure. En d'autres mots, il y a formation de jonctions intercouches faisant corps avec les bouts des couches métalliques 1 de la structure. On trouvera ci-après plusieurs exemples non limitatifs de mise en oeuvre concrète des procédas proposés de création de jonctions intercouches dans une structure multicouche. Ces jonctions font corps avec les bouts des couches métalliques de la structure. Dans les exemples qui vont suivre, on considère des structures multicouches destines à être utilisées en tant que plaquettes imprimes avec des trous pour jonctions intercouches. Ce sont, en effet, les exemples les plus typiques de structures composées de couches multiples diélectriques et métalliques alternes. EE,EPE 1. On considère une structure de 900 x 300 ma et d'environ t,6 mm d'épaisseur, compose de 4 couches de cuivre et de 3 couches de diélectrique époxydes-verre ; ltépaisseur des couches de cuivre dans tolites les couches est identique et égale à 0,035 mm, tandis que l'épaisseur des couches de diélectrique verre-époxyde dans toutes les couches est différente et égale respectivement à 0,4 mm, 0,5 mm, 0,8 mm. Cette structure est percée de 1000 trous traversants de 1 de diamètre, dont les parois sont constituoes par une alternance (un empilement) de couches des cuivre et de verre-époxyde. Les faces ext rieures des couches extérieures de cuivre sont revêtues d'une couche de vernis nitrocellulosique protecteur. On plonge la structure qui vient d'être décrite dans une solution contenant PdC12 5.10 3 mole/l CuCl2 . 5H20 5.10 -2 moleXl HS04 1,9 . 1Q 1 mole à la température de 250C, et on la maintient dans cette solution pendant 10 minutes jusqu'à la formation d'un film continu électroconducteur en palladium métallique à structure poreuse aux bouts des couches de cuivre et à structure monolithe aux bouts du diélectrique verre-époxydes. L'épaisseur du film monolithe de palladium sur le diélectrique ne dépasse pas 200 nm. On extrait de ladite solution la structure traitée de cette manière, on la lave à l'eau courante froide pendant une minute, après quoi on l'immerge dans une solution contenant. H202 4 moles/l H2S0 nole/î mol à la température de 300C, et on traite la structure pendant 20 secondes jusqu'à ltélimination complète des sections de film de palladium électroconducteur continu qui ont une structure poreuse. On forme, par un tel traitement, un film électroconducteur auxiliaire de palladium par suppression partielle du film de palladium uniquement aux bouts des couches de cuivre de la structure, le film de palladium demeurant intact aux bouts des couches verre-époxydes. Après le traitement indiqué, la conductibilité électrique transversale des parois des trous était conservée. On rince la structure multicouche, traitée de la manière indiquée, à l'eau courant pendant 2 minutes, on la libère de la couche de vernis protecteur, on la prépare à la métallisation nlectrolytique par grattage des surfaces extérieures de la structure, on les décape avec une solution d'acide sulfurique à 10 %, on lave à l'eau et on immerge en présence d'un courant dans un bain d'acide borofluorhydrique de cuivrage électrolytique, où l'on maintient la structure sous une densité cathodique de courant Dc = 3 A/dm? pendant 45 minutes. Le traitement appliqué aboutit à la formation, dans tous les trous de la structure multicouche,#de jonctions intercouches en cuivre qui sont constituces par un film de cuivre électrolytique d'une épaisseur de'0,045 mm non-linéaire, appliqué directement sur les bouts des couches de cuivre de ladite structure et lie aux bouts du diélectrique verreépoxydes par un film auxiliaire de palladium. EXFIJPLE 2. On traite la structure multicouche décrite dans l'exemple 1, avant de. l'immerger dans la solution pour l'appliea- tion d'un film continu électroconducteur, par une solution de sensibilisateur qui contient SnCl20 #H#0 3.#0##mole/l HCL 1 mole, à une température ae 250C pendant 2 minutes. Le traitement indiqué accélère d'environ 10 fois la formation d'un film e palladium continu. Toutes les opérations suivantes se font comme dans l'exemple 1. EXEMPLE 3. On considère une plaquette imprimée de 480 x 320 ma, d'une épaisseur de 3,5 mm environ, constituée de 16 couches d'un circuit ayant 3000 trous de 0,8 mm Le diamètre, dans laquelle les parois des différents trous comportent des quantit snon uniformes, distribuées non uniformoment suivant l "paisseur de la plaquette, de sorties en bout du circuit. Les trous de cette plaquette comportent aussi des bouts de couches de cuivre non reliés au circuit et exécutas sous forme de zones de contact additionnelles non liées au circuit dans toutes les couches de la plaquette, de manière que les parois des trous se présentent sous forme d'alternances régulières de bouts de cuivre d'une épaisseur de 0,035 ma et de bouts de diélectrique verre-époxyde d'une épaisseur de 0,5 mm.On traite cette plaquette dans une solution de sensibilisateur comme décrit dans l'exemple 2, après quoi on lave la plaquette à l'eau courante et on l'immerge dans une solution contenant : AgN03 5.10-2 -2 mole/i NH40H 7 moles/l, à la température de 2 & C, où on la maintient jusqu la formation d'un film d'argent ayant une structure poreuse aux bouts du cuivre et une structure monolithe aux bouts du diélectrique. ensuite on extrait la plaquette de ladite solution, on la lave et on l'immerge dans une solution contenant CuCl2.2H30 1,5 moles/l HCl 1 mole/l à la température de ?50C, et on la traite dans cette solution pendqnt 25 secondes. Le-tr?itement indiqué aboutitau dépôt, dans chaque trou, atun film électroconducteur auxiliaire d'argent sous la forme d'un film monolithe en argent aux bouts du diélectrique.On obtient ce résultat grâce au fait qu'on n'a éliminé que les parties poreuses du film d'argent continu des bouts des couches de cuivre des parois des trous. On maintient alors la conductibilité électrique transversale des parois des trous, grâce à quoi on réussit à déposer électrolytiquement le cuivre comme indiqué dans l'exemple 1, de façon que les jonctions intercouches constitues par des films de cuivre déposé psr électrolyse fassent corps avec tous les bouts en cuivre des parois des trous de la plaquette. Aussi l'ensemble de la plaquette est-il additionnellement assemblé par des transitions nervurées intercouches pour toutes les couches et pour l'ensemble du champ de la plaquette. EXEMPLE 4. On considère une plaquette imprimée de 200 x 200 mm, d'une épaisseur environ égale à 2,2 mm, composée de 10 couches de circuit et comportant 800 trous de 1 mm de diamètre dont les parois se composent de bouts alternants de cuivre et de diélectrique à base de polyimides. On la plonge dans une solution contenant Pb(CH COO) lo mole/l KOH 3 2 1 mole/l CS(NH2)2 5.50 1 mole,/l à la température de 250C, et on l'y maintient pendant 30 minutes. Après ce traitement, les bouts du diélectrique des parois des trous se recouvrent d'un film électroconducteur de sulfure de plomb d'une épaisseur de 200 nm, alors que les bouts des couches en cuivre se recouvrent essentiellement d'un film de polysuslfure de cuivre. On lave ensuite la plaquette et on la plonge dans une solution contenant CuCl2. 2H#0 i ,8 moles/l HOl 2 moles et on la maintient à la température de 2500 dans ladite solution pendant 10 secondes. Le traitement indiqué ne nettoie que les bouts des couches de cuivre dans les parois des trous. Au cours de cette opération il se forme un film auxiliaire électroconducteur composé de sulfure de plomb aux bouts des couches de diélectrique polS mide. On lave ensuite la plaquette à l'eau courante, on la décape avec une solution à 10 % d'acide sulfurique et on l'immerge, avec passage d'un courant électrique, dans un électrolyte d'acide fluosilicique de cuivrage, à Dc = 3 A/am2, pendant un intervalle de temps de 50-minutes. Le traitement ainsi effectué aboutit à la formation de jonctions intercouches de cuivre reposé par electrolyse, qui sont indissolublement lires aux bouts des couches du circuit. EXEMPLE 5. On traite la plaquette multicouche indiquée dans l'exemple 3 dans une solution de sensibilisateur indique dans l'exemple 2, après quoi on l'immerge dans une solution contenant CS(NH2)2 t mole/l KOH 10-2moles à la température de 25 C, et on la maintient dans cette solution pendant 30 minutes. Ensuite on lave la plaquette à l'eau courante et on l'immerge dans une solution contenant CuS04.5H20 2 -2 mole/l NaCH3C0O 1 mole/l CS(NH2)2 10-1 1 mole à la temperature de 54 C, et on la maintient dans cette solution pendant 56 minutes. Au bout de ce traitement il se forme sur les parois des trous un film continu électroconducteur constitué de sulfure de cuivre de 150 nm d'épaisseur, d'une résistivité de 500 ohms/cm2. Ensuite on lave la plaquette à l'eau courante, on la sèc#he à l'air pendant 15 minutes et on la place dans une étuve où on la maintient à la température de 800O pendant 60 minutes. Le traitement thermique indiqué réduit la résistivité du film de sulfure de cuivre jusqu'à 100 ohms/cm. On plonge ensuite la plaquette dans une solution contenant (NH4)2S208 1-0 2mole/l (NH4)2CO3 2 mole/l NH40H 10 1 mole NH4Cl -2 mole/l à la température de -250C, et on l'y maintient pendant 10 secondes. Le sulfure de cuivre n'est éliminé qu'aux bouts des couches de cuivre du fait de l'attaque du cuivre par la solution indique. On soumet ensuite au décapage la plaquette, portant le film auxiliaire rlectroconducteur, par une solution à 10 #o d'acide sulfurique, et on l'immerge, avec passage d'un courant, dans un bain d'acide borofluorEydrique de cuivrage électrolytique à Dc = 2 A/dm2, et on l' maintient pendant 50 minutes. Le traitement indiqué forme des jonctions intercouches qui sont des films de cuivre électrolytique déposé directement aux bouts des couches métalliques de la plaquette multicouche. EXEMPLE 6. On immerge la structure multicouche décrite dans l'exemple 1 dans un bain contenant une solution pour l'application d'un film continu de palladium indiqué dans l'exemple 1. On crée dans le bain, au moyen d'un appareil à magnétostriction, un champ ultrasonore, et on applique un film continu de palladium dans un champ ultrasonore sous les régimes suivants : fréquence d'oscillations du champ 18 kHz courant d'aimantation de l'appareil de magnetostriction 18 A tension à l'anode 4,5 kV tension de sortie 250 à 280 V. Le traitement qui vient d'être décrit aboutit à la formation uniforme d'un film continu électroconducteur sur les parois des trous, la durée de formation dudit film étant la même que dans l'exemple 1, l'épaisseur rotant réduite dans un rapport d'environ 1 : 5. Ensuite on traite la structure suivant les régimes décrits dans l'exemple 1. EXEMPT2 7. On immerge la structure multicouche décrite dans l'exemple 1, avec un film continu lectroconducteur de palladium appliqué aux bouts des couches métalliques et dielectriques, dans une solution contenant (NH4)2S2 8 t mol H2S04 10 mole/l et placée dans un bain ultra-sonore fonctionnant au régime indiqué dans l'exemple 6. Un tel traitement libère uniformément les bouts des couches de cuivre des sections spongieuses du film de palladium continu, la durée du nettoyage des bouts de cuivre tant réduite à 5 secondes. Le dépôt subséquent du revêtement électrolytique s'effectue comme décrit dans ltexemple 1. EM:LPTLE 8 8. On considère une structure de 100 x 100 mm composée de 5 couches alternes de cuivre de 0,035 mm d'épaisseur et de 4 couches d'un diélectrique céramique de 1 ma d'épaisseur ayant #0 trous traversants de 1 mm de diamètre, dont les deux couches de cuivre extérieures sont vernies et branchées sur une source de courant alternatif.On immerge cette structure dans une solution contenant PdS04 5.10-3 3 mole HCl 10-2 mole/l, et on l'y traite par un champ électrique alternatif de caractéristiques suivantes fréquence 50 Hz tension 2,5 V courant 1 A à la température de- 300C, Le traitement indiqué aboutit, en 2 minutes, à la formation d'un film continu lectroconducteur en palladium de 100 nm d'épaisseur. Ensuite on lave la structure à l'eau, on élimine les sections spongieuses de palladium des bouts des couches de cuivre, et on applique le revêtement électrolytique comme indiqué dans l'exemple 1. EXEMPLE 9. On place la structure multicouche décrite dans l'exemple 1 dans une solution pour dépôt d'un film continu électroconducteur de palladium indiqué dans l'exemple 1, entre deux électrodes en toile de cuivre dorée de 200 x 300 mm branchées sur une source de courant alternatif. On dispose la structure parallèlement aux électrodes autonomes à une distance de 20 mm de chacune d'elles. On applique aux électrodes autonomes un courant alternatif de 4,5 ampères sous une tension de 4,8 volts et on maintient la structure dans la solution à 20 C.Ce traitement entraîne une élévation de la tenip-rature de la solution et aboutit, en 3,5 minutes, à la formation uniforme d'un film continu électroco'ucteur de palladium sur les parois des trous de 200 nz; d'épaisseur. On traite ensuite la structure suivant les régimes indiqués dans l'exemple 1. ER MPLw 10. On place la plaquette imprimée décrite dans l'exemple 4 dans une solution pour l'application dtun 1un film continu de palladium décrit dans l'exemple 1, entre deux électrodes autonomes en toile de cuivre vernie disposées parallèlement à proximité immédiate desdites électrodes en toile de cuivre. On applique aux toiles autonomes, isolées de la solution par le vernis, une tension alter#native de 500 V et on maintient la plaquette dans les conditions indiquées à la température de 2500. Ce traitement aboutit, en 4,7 minutes, à la formation sur les parois des trous de la plaquette d'un film de palladium d'une épaisseur uniforme de 200 nn. Le traitement ultérieur de la plaquette et la formation des jonctions intercouches se font de la même manière que dans l'exemple 1. Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée aux modes de réalisation décrits et représente qui n'ont été donnés qu'à titre d'exemple. En particulier, elle comprend tous les moyens constituants des équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons, si celles-ci sont exécutées suivant son esprit et mises en oeuvre dans le cadre des revendications qui suivent. REVENDICATIONS 1. Structure multicouche constituée de couches alternées de métal et de diélectrique et comportant des jonctions intercouches pour la connexion des couches de métal formées de films de métal déposé. par voie électrolytique, caractérisée en ce que les jonctions intercouches font corps avec les bouts des-couches de métal. 2. Structure multicouche suivant la revendication 1, caractérisée en ce que les bouts des couches de di électrique portant les jonctions intercouches sont divisés, par des couches additionnelles de métal disposées parallèlement aux couches de ladite structure, en parties approximativement égales en épaisseur à la couche de diélectrique la plus mince. 3. Procédé de formation de jonctions intercouches dans une structure multicouche suivant l'une des revendications 1 ou 2, par constitution d'un film électroconducteur auxiliaire sur les surfaces des couches ('ede électrique à métalliser par dépôt électrolytique d'un film de métal, caractérisé en ce que l'on forme le film auxiliaire en immergeant la structure multicouche dans une solution contenant des ions d'un métal plus électropositif, dans la série des forces électromotrices des éléments, que le métal des couches métalliques, en maintenant ladite structure dans cette solution jusqu'à la formation, sur toute la surface à m taltiser, d'un film électroconducteur continu du métal dont les ions se trouvent dans la solution, ledit film ayant une structure monolithe sur les parties dielectriques de ladite surface et une structure poreuse sur ses parties métalliques, et en traitant ensuite ladite structure par une solution rPagissant s~lectivement avec le métal des couches métalliques ou bien avec le métal des couches métalliques et les parties poreuses du film électroconducteur continu, en vue d'éliminer des couches m galliques les parties du film électroconducteur continu qui ont une structure poreuse. 4. Procédé de formation de jonctions intercouches suivant la revendication 3, caractérisé en ce que, avant de former le film auxiliaire, on traite les bouts des couches de diélectrique de la structure multicouche par une solution d'agent de sensibilisation. 5. Procédé de formation de jonctions intercouches dans les structures multicouches suivant l'une des revendications 1 ou 2, par constitution d'un film électroconducteur auxiliaire sur les surfaces des couches diélectriques ù métalliser par dépôt électrolytique d'un film métallique, caractérisé en ce que l'on forme le film auxiliaire en immergeant ladite structure multicouche dans une solution contenant des sels complexes solubles, des sels de métaux, des additifs pour l'ajustement du pH et des chalcogénants, on maintient ladite structure dans ladite solution jusqu'à la formation d'un film électroconducteur continu de chalcogénures de métaux sur toute la surface à métalliser, et on traite ensuite ladite structure par une solution qui réagit sélectivement avec le métal des couches métalliques ou bien avec le métal des couches métalliques et les parties du film de chalcogénures de métaux se trouvant sur les bouts des couches de métal, afin d'éliminer ces parties. 6. Procédé de formation de jonctions intercouches suivant la revendication- 5, caractÉrisé en ce qu'avant la constitution du film auxiliaire on traite les bouts des couches de diflectrique de la structure multicouche par une solution contenant des ions de m taux ayant une valence de transition. 7. Procédé de formation de jonctions intercouches suivant l'une des revendications 5 et 6, caractérisé en ce qu'avant d'immerger la structure multicouche dans la solution destinée à éliminer sélectivement les parties du film électroconducteur continu se trouvant sur les bouts des couches de métal, on la soumet à un traitement thermique à une température de 350 à 400oC. 8. Proctde- de formation de jonctions intercouches selon l'une des revendications 5 et 6, caractérisé en ce que, après la constitution du film électroconducteur auxiliaire, on soumet la structure multicouche à un traitement thermique à une température de 350 à 4000C. 9. Procédé de formation de jonctions intercoixehes suivant l'une des revendications 3 ou 5, caractérisé en ce que l'on procède à la formation du film électroconducteur continu dans un champ électrique alternatif. 10. Procédé de formation de jonctions intercouches suivant la revendication 9, caractérisé en ce que l'on crée le champ électrique alternatif en appliquant une tension alternative aux couches métalliques de ladite structure. 11. Procédé de formation de jonctions intercouches suivant la revendication 9, caractrisé en ce que l'on crée un champ électrique alternatif -en appliquant une tension alternative à des électrodes autonomes placées au sein d'une solution pour la constitution d'un film électroconducteur continu et disposées de part et d'autre de ladite structure. 12. Procédé de formation de jonctions intercouches suivant l'une des revendications 3 ou 5, caractérisé en ce que l'on procède à la formation du film électroconducteur auxiliaire dans un champ ultrasonore. 13. Procédé de formation de jonctions intercouches suivant l'une des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que l'on procède à la formation du film électroconducteur continu dans une solution contenant : un sel de palladium 0,0005 à 0,5 mole/i un sel de cuivre 0,0005 à 0,5 mole un acide minnral 0,001 à 1,0 molefi t4. Procédé de formation de jonctions intercouches suivant l'une des revendications 3 et 4, caract risé en ce que l'on procède à la formation du film électroconducteur continu dans une solution contenant un sel d'argent 0,0005 à 0,5 mole NH, OK 0,1 à 12,5 moles 15. Procédé de formation de jonctions intercouches suivant l'une des revendications 5 et 6, caractérisé en ce que pour la constitution du film électroconducteur continu on utilise une solution contenant un sel complexe de plomb 10 à à 10 1 mole/l un alcali 10-2 à 5 moles la thio-urée 10 -3 à 1 mole/i. 16. Procédé de formation de jonctions intercouches suivant l'une des revendications 5 ou 6., caractérisé en ce que l'on procède à la formation du film électroconducteur continu d#ans une solution contenant un sel de cuivre 10-3 à 10-1 mole l'acétate de sodium 10 à 5 moles la thio-urée 1f0 -3 à 1 mole/l.