FR 2209974 A1 19740705 FR 7341139 A 19731119 La présente invention est relative à la technique de calcul, et concerne notamment un masque destiné à la fabrication de matrices de mémoire. Elle peut être appliquée pour l'enfilage des matrices de mémoire, dans lesquelles tous les noyaux magnétiques sont disposés dans le mème sens et suivant la diaaonale, les noyaux magnétiques toroïdaux de toutes dimensions possibles y compris des noyaux superminiatures de diamètre extérieur atteignant 0,5 mm étant alors utilisés. On connaît un masque pour la fabrication de matrices de mémoire, faisant partie par exemple d'un "Dispositif pour passer un fil dans les tores d'une matrice" (Brevet des Etats-Unis d'Amérique NO 3 561 088). Le masque utilisé dans ce dispositif est constitué par une plaque sur laquelle des logements prévus pour l'emplacement des tores magnétiques sont disposés suivant des rangées parallèles entre elles qui se croisent sous un angle droit avec d'autres rangées parallèles entre elles. Après le remplissage de ces logements par des tores, ce qui est réalisé en faisant subir une vibration au masque, on passe-des des fils à travers les trous des tores magnétiques suivant les directions perpendiculaires entre elles correspondant aux directions de croisement des rangées de logements destinés à recevoir les tores magnétiques. Le masque permet de monter les matrices de mémoire à tores magnétiques ayant un diamètre extérieur jusqu'à 0,5 mm, le nombre total de tores de la matrice de mémoire étant alors de 1000, et permet d'enfiler rapidement et de façon fiable jusqu'à 4 fils traversant les tores magnétiques. L'inconvénient dlun masque connu utilisé pour la fabrication des matrices de mémoire réside en ce que les axes des tores magnétiques placés dans les logements sont disposés sous un angle de 450 par rapport aux directions des rangées de logements et aux directions des fils traversant les tores, de sorte que les tores magnétiques présentent une ouverture de faible section pour le passage des fils les traversant. Une faible section de l'ouverture d'un tore magnétique, lorsque l'axe de celui-ci fait un angle de 450 avec un fil le traversant constitue l'inconvénient principal du masque connu, et provoque une baisse du rendement en ce qui concerne l'enfilage desumatrices de mémoire, un endommagement inacceptable aussi bien des tores magnétiques mêmes que de l'isolement des fils traver sant ces derniers, ainsi qu'une réduction de la section des fils en comparaison avec la section maximale que l'on pourrait introduire dans l'ouverture du tore magnétique en vue d'assurer un libre déplacement d'un fil au cours de l'enfilage. Les fils d'enfilage de diamètre inférieur rendent plus mauvaise la qualité d'une matrice, et réduit en particulier ses paramètres électriques et sa résistance mécanique dans les conditions de surchage. Le but de l'invention est de remédier aux inconvénients précités. L'invention vise à mettre au point un tel masque pour la fabrication de matrices de mémoire qui serait simple et commode et qui permetterait d'augmenter le rendement grâce à une diminution des efforts demandés aux yeux de l'opérateur, en évitant des ébréchures des tores magnétiques et en conservant l'isolement des fils traversant les tores, et qui permettrait également d'augmenter le diamètre des fils. Elle a donc pour objet un masque destiné à être utilisé pour la fabrication de matrices de mémoire et réalisé sous forme d'une plaque sur laquelle des logements prévus pour l'emplacement des noyaux magnétiques sous forme de tores sont disposés suivant des rangées parallèles entre elles se croisant avec d'autres rangées parallèles entre elles, caractérisé en ce que les rangées parallèles entre elles sont réalisées se croisant avec d'autres rangées parallèles entre elles sous un angle qui diffère de l'angle droit , les rangées qui se croisent formant des parallélogrammes dans les sommets desquels les logements sont disposés de telle façon que l'axe de symétrie de chacun des noyaux magnétiques à placer dans ces logements suive la direction des bissectrices des angles algus des parallélogrammes. Une telle réalisation du masque pour la fabrication des matrices de mémoire rend moins onéreuse la production d'une matrice et améliore sa qualité du fait de l'amélioration de ses caractéristiques électriques et de sa résistance mécanique. L'invention est expliquée ci-après dans la description d'un exemple de sa mise en oeuvre, en se référant aux dessins annexés, sur lesquels la Fig. 1 est une vue d'ensemble du masque pour la fabrication des matrices de mémoire selon l'invention ; la Fig. 2 illustre la position d'un tore magnétique par rapport aux fils le traversant dans un dispositif connu la Fig. 3 explique comment on arrive à une augmentation de la section de l'ouverture d'un tore magnétique selon l'invention. Le masque pour la fabrication des matrices de mémoire est constitué par une plaque 1 (Fig. 1) sur laquelle suivant des rangées 2 parallèles entre elles et suivant des rangées 3 également parallèles entre elles et se croisant avec les premières sous un angle différent de l'angle droit sont ménagés des logements 4 prévus pour recevoir des noyaux magnétiques 5. Les noyaux magnétiques 5 sont de forme toroïdale. Les logements 4 sont des ouvertures pratiquées dans la plaque 1 et dont les contours sont identiques au profil des tores magnétiques 5, ou des alvéoles ayant un rayon correspondant au diamètre extérieur des tores magnétiques 5, ou encore des creux. Les rangées 2 et 3 de logement forment en -se croisant des parallélogrammes, dans le cas présent, des losanges. Les logements 4 sont disposés dans les sommets de ces parallélogrammes de façon que l'axe de chacun des tores magnétiques 5 à placer dans les logements 4 soit dans la direction des bissectrices 6 des angles aigus 7 des parallélogrammes. Il est souhaitable que l'angle aigu 7 ou bien, ce qui est la même chose, l'angle de croisement des rangées 2 parallèles entre elles avec les rangées 3 parallèles entre elles soit réalisé lé plus aigu possible. Cet angle est cependant limité par les dimensions des tores magnétiques 5 logés dans les sommets des angles obtus des parallélogrammes. Ces tores magnétiques 5 situés dans les sommets des angles obtus d'un parallélogramme ne doivent pas etre en contact, et, de plus les logements 4, lorsqu'ils sont réalisés sous forme d'ouvertures dans la plaque 1 du masque, doivent être disposés l'un par rapport à l'autre de manière à ne pas détériorer la résistance mécanique du masque. Pour une telle disposition des tores magnétiques 5 dans le masque, avant l'enfilage des tores, les axes des tores magnétiques 5 font un angle inférieur à 450 tant avec une direction des fils traversant les tores, cette direction étant par exemple parallèle aux rangées 2, qu'avec l'autre direction des fils traversant les noyaux, laquelle est parallèle aux rangées 3. La Fig. 2 montre la section 8 de l'ouverture du tore magnétique 5 lorsque l'axe de celui-ci fait un angle de 450 avec les fils travErsant les tores. La Fig. 3 montre la section 8 de l'ouverture du tore magnétique 5 lorsque l'axe de celui-ci fait un angle inférieur à 450 avec ces fils. Lorsque l'axe du tore ma gnétique 5 fait un angle inférieur à 450 avec la direction des fils traversant les tores, la section 8 de l'ouverture du tore magnétique 5 est accrue ce qui rend beaucoup plus efficace les conditions d'enfilage des matrices de mémoire. On va décrire ci-après la fabrication des matrices de mémoire à l'aide du masque proposé pour la fabrication des matrices de mémoire. Le remplissage des logements 4 (Fig. 1) du masque avec des tores magnétiques s'effectue à l'aide de vibrations qu'on fait subir au masque. Puis on fait passer les fils traversant les tores magnétiques 5 (comme celà est fait dans le masque connu) dans les directions des rangées 2 et 3. Comme indiqué précédemment, le masque proposé se distingue par a construction qui permet une disposition des tores magnétiques 5 dans les logements 4 telle que les axes des tores magnétiques 5 font un angle inférieur à 450 de la moitié de la différence entre l'angle droit et l'angle aigu 7 d'un parallélogramme, avec les fils traversant les tores tant de l'une, que de l'autre directions. La matrice étant traversée par tous les fils nécessaires à son schéma, on la transfère à partir du masque sur un cadre de travail de la matrice, et on redresse la matrice tressée obliquement jusqu'à l'obtention d'une intersection orthogonale de ses fils d'enfilage. Ces derniers ne subissent alors aucun déplacement, leurs points d'intersection restent inchangés, et c'est seulement l'angle d'intersection de ces fils qui varie en ces points. L'invention permet d'utiliser pour la fabrication des matrices de mémoire des fils traversant les tores ayant une section maximale possible afin de remplir complètement la section 8 (Fig. 2) des ouvertures des tores magnétiques 5. L'invention rend aussi notablement plus facile l'opération d'enfilage des matrices de mémoire et diminue l'effort demandé aux yeux de l'opérateur, tout en assurant une amélioration de la qualité des matrices de mémoire. REVENDICATION Itasque pour la fabrication de matrices de mémoire réalisé sous forme d'une plaque sur laquelle des logements prévus pour l'emplåcement des noyaux magnétiques de forme toroïdale sont disposés en rangées parallèles entre elles et se croisant avec d'autres rangées parallèles entre elles, caractérisé en ce que les rangées parallèles entre elles sont réalisées se croisant avec les autres rangées parallèles entre elles sous un angle différent de l'angle droit, lesdites rangées qui se croisent formant des parallélogrammes, les logements dans les sommets de ces derniers étant situés de telle façon que l'axe de chacun des noyaux magnétiques placés dans ces logements soit dirigé suivant les bissectrices des angles aigus des parallélogrammes.