FR 2210873 A1 19740712 FR 7245169 A 19721219 La présente invention concerne un perfectionnement des dispositifs d'analyse de forme d'image fondées sur la transformation de la forme d'une image en système de coefficients d'une série de Fourier suivant un système des fonctions à deux dimensions, et elle peut s'appliquer par exemple pour la reconnaissance d'une forme, la révélation d'une image sur fond de bruits, le codage, la photométrie. Il est connu, que toute image peut être représentée sous la forme d'une série de Fourier dont les coefficients, qui caractérisent de façon univoque l'image, forment le spectre de l'image conformément à des fréquences spatiales. Ce sont les fonctions sinusoldales et cosinusoidales qu'on utilise généralement en qualité de système des fonctions orthogonales, suivant lequel est réalisé le développement de Fourier. En tant que système de base des fonctions peuvent cependant être utilisés les polynomes de Tchébychev, les fonctions de Wallsh, de Bessel, ou tout autre système de fonctions orthogonales complet.Des opérations réalisées avec les spectres de fréquences spatiales, à la différence de celles traitant directement une image, ouvrent de larges perspectives en ce qui concerne la possibilité de la transformation d'une image, la comparaison de l'image complète ou de sa partie avec des étalons, l'effacement des parties redondantes de l'image, l'identification, etc... Ordinairement la décomposition d'une image optique en série de Fourier suivant les fonctions orthogonales en vue de réaliser ensuite une analyse s'effectue par modulation mécanique d'une image au moyen de masques dont la forme géométrique correspond aux fonctions mentionnées. Il est possible de trouver les coefficients de Fourier en faisant usage des dispositifs optoélectroniques pour analyser la forme d'image. Est largement connu par exemple un dispositif comprenant un moyen de reproduction optique de l'image à analvser, comportant une source de lumière créant à l'aide d'une lentille un faisceau de rayons parallèles, dans lequel est placé un diaphragme délimitant le champ d'image. te diaphragme est suivi d'un film photographique portant l'image à analyser et d'un film photographique comprenant une composition de masques optiques introduits à tour de rôle dans le champ d'image et représentant une composition de portions de film transparentes et opaques dont la répartition des groupes suit la loi déterminée par le système des fonctions à deux dimensions. L'introduction des masques dans le champ d'image se fait grâce à un entrainement mécanique. Un flux lumineux, qui a traversé l'image et le masque, se trouve concentré à l'aide de la lentille sur un récepteur de lumière. Selon le coefficient de la série de Fourier, qu'on doit obtenir en analysant l'image, tel ou tel masque de la composition citée est introduit dans le champ d'image. Par un masque successif de l'image suivant la loi prédéterminée décrite par la composition de fonctions à deux dimensions, on obtient à la sortie du récepteur une suite dans le temps de signaux électriques proportionnels aux valeurs intégrées des flux lumineux provenant du champ d'image en entier, qui ont traversé le masque, et donc proportionnels aux coefficients de la série de Fourier. Les signaux de sortie du photorécepteur peuvent ensuite être traités par exemple dans un calculateur. t'inconvénient essentiel du dispositif décrit réside dans une vitesse de changement de masques limitée, ce qui est dû à l'utilisation d'un entraînement mécanique. Enplus, l'ensemble de masques est-bien déterminé pour un film donné et reste invariable, ce qui diminue la rapidité de fonctionnement du dispositif en cas de passage de l'analyse d'image suivant un système des fonctions à l'analyse d'image suivant d'un autre système des fonctions, ou en cas de variations de ltordre de succession de ces systèmes. L'inconvénient du dispositif décrit plus haut consiste encore en ce qu'en cas de changement mécanique de masques un positionnement précis de ceux-ci dans le champ d'image entraîne une difficulté notable. Enfin, l'inconvénient de la construction décrite est son grand encombrement. On connait aussi un dispositif permettant d'éviter l'opération de masquage. Dans un tel dispositif l'image est explorée.en trame, et l'on obtient une séquence temporelle des signaux électriques correspondant à la luminosité de différentes zones dans le champ d'image. Ces signaux sont à injecter dans un calculateur, où en utilisant des algorithmes "accélérés" l'on obtient les coefficients de la série de Fourier, lesquels caractérisent de façon univoque l'image à analyser. Le temps (D) nécessaire pour obtenir les coefficients de la série de Fourier est déterminé par le nombre de points de trame et est proportionnel à celui-ci: T r > ,NM log NM, où NM est le nombre de points dans la trame.Le nombre de points de trame étant plus grand, le temps de traitement représente quelques minutes, ce qui n'est pas toujours acceptable. te but de la présente invention est d'augmenter la rapidité d'analyse d'image. Un autre but de la présente invention est d'augmenter la vitesse de changement de masques en cas d'analyse suivant une des fonctions prédonnées. Un autre but de la présente invention est d'augmenter la vitesse de changement de masques en cas de passage de l'ex- ploration de l'image à analyser réalisée suivant un système des fonctions à l'exploration de la même image réalisée suivant un autre système des fonctions. Enfin, le but de l'invention est d'éviter l'ajustage au cours de changement de masques, ainsi que de réduire les encombrements du dispositif. L'invention vise la mise au point d'un dispositif d'analyse d'image dans lequel le masquage de cette image-ne serait réalisé qu'à l'aide de signaux électriques sans avoir recours à des moyens mécaniques, ce qui permettrait d'augmenter aussi bien la rapidité d'analyse d'une image, que la vitesse de changement de masques, et en même temps d'éviter l'ajustage et de réduire les encombrements du dispositif. te problème est résolu par le fait que dans un dispositif d'analyse d'image comprenant un moyen optique de reproduction de l'image dont le rayonnement est masqué suivant la loi donnée décrite par l'ensemble de fonctions à deux dimensions, afin de séparer les rayonnements provenant de différentes zones d'image à des moments différents, et un récepteur enregistrant et transformant le rayonnement lumineux masqué en une succession dans le temps des impulsions électriques, qui sont proportionnelles aux valeurs intégrées des flux lumineux émis par le champ d'image, ces flux-lumineux correspondant à chaque fonction bidimensionnelle et transportant l'information concernant la forme d'image, selon l'invention, le récepteur représente une matrice à cellules photosensibles placée dans le champ dtimage, ces cellules photosensibles présentant sous l'action d'une illumination lumineuse des caractéristiques courant-tension symétrique avec des parties correspondant à la saturation, et l'on prévoit un système de barres orthogonales entre elles, aux intersections desquelles sont insérées les cellules photosensibles alors que ces barres sont branchées individuellement sur un générateur de tension, qui est conçu de telle façon qu'aux instants donnés ils passe sur les barres une tension faisant passer les cellules à leurs états sensible et insensible à la lumière par groupes répartis dans l'espace sur la surface de la matrice suivant une des fonctions bidimensionnelles prédéterminées de la composition, par suite de quoi le récepteur de lumière réalise à la fois le masquage et l'enregistrement du rayonnement lumineux, la somme des valeurs absolues des photocourants, qui correspond aux coefficients de la fonction bidimensionnelle prédéterminée du masque, étant alors proportionnelle à la valeur intégrée du flux lumineux attaquant le groupe de cellules sensible à la lumière. Dans un tel mode de réalisation le masque est formé par les photocellules de la matrice, et la rapidité de masquage est définie par la vitesse de passage 'des photocellules de l'état sensible à la lumière à l'état insensible à celle-ci. Cela peut met d'augmenter de façon notable aussi bien la vitesse-de changement de masques, que la vitesse de passage dlune composition de masques à une autre, car la commande du masquage- n'est effectuée dans le dispositif proposé qu'à l'aide de signaux électriques. En tant que matrice on peut utiliser un scanistor représentant une structure à semi-conducteurs photosensibles avec des jonctions de type p-n sous forme de bandes possédant les m8- mes efficacités de séparation des porteurs minoritaires de charge apparaissant dans la structure sous l'influence d'une illumination, et se situant dans deux plans parallèles à la surface de la structure, qui doit subir l'action d'un rayonnement lumineux les bandes des jonctions p-n disposées dans les plans du même nom sont géométriquement parallèles, électriquement isolées entre elles, et orthogonales par rapport à celles des jonctions p-n d'un autre plan, ce qui permet d'obtenir à l'endroit de croisement des bandes une structure à trois couches qui présente une caractéristique courant-tension symétrique à-l'état illuminé ; et chaque bande des jonctions p-n est dotée d'une barre individuelle, l'ensemble de celles-ci constituant un système de barres orthogonales entre elles et branchées sur le générateur de tension. Une telle réalisation de la matrice permet de simplifier la conception du dispositif en réduisant le nombre de con nexions électriques entre des éléments de la matrice, ainsi que d'augmenter le nombre total d'éléments de la matrice sans augmenter les dimensions de celle-ci, d'améliorer le pouvoir de ré- solution et le coefficient de remplissage de la surface utile avec des cellules photosensibles. En qualité de matrice on peut aussi utiliser un scanistor discret ou discontinu dont chacune des cellules photosensibles présente deux jonctions p-n possédant les mêmes efficacités de séparation dés porteurs minoritaires de courant apparaissant dans les cellules photosensibles de la matrice sous l'action de la lumière et situées sur la surface extérieure de la matrice symétriquement par rapport à une zone de base les séparant, dans le plan qui doit subir un rayonnement lumineux incident, chaque cellule photosensible étant alors insérée dans lten- trecroisement respectif du système de barres orthogonales par ses zones de même type de conduction. Une telle conception de la matrice permet de la fabriquer en utilisant une technologie simple et d'assurer un pouvoir de résolution élevé. En tant que cellule photosensible de la matrice on peut utiliser une structure à semi-conducteurs à cinq couches avec quatre jonctions p-n dont deux jonctions internes sont alternativement les jonctions collectrices selon la polarité de tension et présentent les mêmes efficacités de séparation des porteurs minoritaires de courant apparaissant dans la matrice illuminée, et dont les deux autres jonctions sont émettrices et assurent la présence d'un morceau de la caractéristique couranttension correspondant à la résistancenégative, de sorte que de ce fait la structure semi-conductrice possède la propriété de mémoire. En qualité de moyen de reproduction optique d'une image a analyser il peut être utilisé une matrice à diodes électroluminescentes à injection dont chacune est à rigidement réunir à l'une des cellules photosensibles de manière que l'émission lumineuse de cette diode atteigne la zone photosensible de la cellule respective. L'invention sera expliquée dans la descr#iption qui va suivre des exemples de réalisation du dispositif, faite en regard des dessins annexés, où la Fig. 1 représente un schéma synoptique du disposi tif, selon l'invention la Fig. 2 représente le schéma électrique de la matrice photosensible la ig. 3 représente la caractéristique couranttension d'une cellule photosensible de la matrice la Fig. 4 donne le diagramme du système des fonctions bidimensionnelles de Wallsh la Fig. 5 représente les épures des tensions attaquant le système de barres orthogonales en vue de masquer une image suivant le système des fonctions de Wallsh la Fig. 6 représente la matrice photosensible sous forme de scanistor la Fig. 7 représente la coupe suivant VII-VII de la fig. 6 la Fig. 8 représente la matrice photosensible sous forme de scanistor discret la Fig. 9 représente la structure photosensible à cinq couches (photosymistor) la Fig. 10 représente la caractéristique couranttension du photosymistor la Fig. 11 représente le schéma électrique équivalent du branchement des photosymistors sur le sys-tème de barres. Le dispositif d'analyse d'image comprend un moyen de reproduction optique d'une image, composé d'une source lumineuse 1 (Fig. 1) avec un diaphragme 2 et un support 3 qui renferme un film contenant l'image à analyser, une matrice 4 à cellules photosensibles- (matrice photosensible), des générateurs 5 et 6 de tension et un intégrateur 7 de courants issus des cellules photosensibles (non représentées sur la Fig. 1). Chacune de telles cellules peut être composée de deux photodiodes montées tete bêche (non représentées sur la Fig. 1). Ces deux photodiodes doi- vent être orientées avec leurs surfaces photosensibles dirigées vers. l'image à analyser. L'alimentation en énergie électrique des cellules 'se fait à partir des générateurs 5 et 6 de tension par l'interme- diaire du système de barres horizontales et verticales X et Y qui sont orthogonales entre elles. Les cellules photosensibles constituées par deux photodiodes sont branchées sur l'endroit de croisement des barres X et Y. Le schéma électrique équivalent de la matrice 4 est représenté sur la Fig. 2, où chaque cellule 8 est branchée sur le croisement respectif. Les photosensibilités des photodiodes étant identiques, de telles cellules doivent présenter des caractéristiques courant-tension symétriques avec des parties de saturation. On entend par une caractéristique courant-tension un groupe de courbes représentant la relation entre le courant traversant une cellule et la tension, à éclairement différent. La caractéristique courant-tension symétrique de la cellule photosensible est donnée sur la Fig. 3, où l'axe des ordonnées contient les valeurs de courant et l'axe des abscisses les valeurs de tension, la courbe 9 correspondant à une plus grande intensité de lumière et la courbe 9 à une plus petite intensité. En tant que générateurs 5 et 6 de tension peuvent être utilisés des générateurs d'impulsions rectangulaires à plusieurs canaux connus, le nombre de sorties de chaque générateur étant égal au nombre de barres branchées sur ce dernier. Il est à prévoir dans ces générateurs 5 et 6 la possibilité de variation des intervalfes de temps séparant les impulsions électriques. Ces impulsions font apparaître dans les barre-s des tensions qui provoquent le passage des cellules 8 aux états sensible et insensible à la lumière par groupes dont la répartition spatiale sur la surface de la matrice correspond à la loi de masquage donnée définie par la composition de fonctions bidimensionnelles.En inversant la polarité des tensions de sortie des générateurs 5 et 6 on peut obtenir toute combinaison dans la répartition des cellules 8 par groupes mentionnés, et donc réaliser le masquage de l'image à analyser suivant n'importe quelle loi. Ainsi, dans le dispositif proposé le masque est formé par la matrice photosensible et le passage des cellules photosensibles aux états sensible et insensible à la lumière constitue le masquage. L'entrée de l'intégrateur 7 est reliée à toutes les barres X et Y de telle façon que l'intégrateur 7 additionne les valeurs absolues des courants provenant des cellules photosensibles et traversant ces barres. Ainsi, un signal électrique disponible à la sortie de l'intégrateur 7 est proportionnel å la valeur intégrée du flux lumineux irradiant un groupe de cellules sensibles à la lumière, et correspondant à la fonction de masquage prédéterminée, et donc contient l'information recherchée concernant l'image à analyser. La sortie de l'intégrateur 7 peut être reliée par exemple à un calculateur, afin de réaliser ensuite une reconnaissance d'image, une filtration ou d'autres opérations d'analyse. Dans certains cas il peut être suffisant d'enregistrer le signal de sortie de l'intégrateur 7 pour réaliser les opérations d'analyse. Considérons le fonctionnement du dispositif proposé en l'appliquant pour transformation d'une image (non représenté sur la figure) à l'aide des fonctions à deux dimensions de Wallsh. La représentation graphique du système des fonctions à deux dimensions de Wallsh est donnée sur la Fig. 4. Pour réaliser ces fonctions à l'aide d'une matrice on doit effectuer-le masquage de cette dernière de manière à faire passer aux intervalles de temps déterminés les cellules de la matrice à l'état insensible à la lumière par groupes, en composant des configurations spatiales correspondant aux zones obscurcies de la Fig. 4, tandis que d'autres restent à leur état sensible à la lumière. Dans le dispositif proposé une telle commutation est réalisée à l'aide des générateurs 5 et 6 de tension et du système de barres orthogonales X et Y. Supposons que la tension à toutes les-sorties des générateurs 5 et 6 est la même à un instant initial et est égale - U0 par exemple à 2 (- U0 étant la tension de polarisation 2 des cellules 8). La chute de tension est alors nulle à l'endroit de croisement des barres X et Y (Fig. 2), et le courant ne circule pas dans les cellules 8 indépendamment de ce que celles-ci sont éclairées ou non. Cette propriété des cellules 8 est due à leurs caractéristiques courant-tension symétriques par rapport au zéro des tensions. Un tel état des cellules est maintenu pendant l'intervalle de temps 111 (Fig. 5) et correspond à la durée d'existence d'un premier masque, S11: la matrice est complètement insensible à la lumière.Pendant l'intervalle de temps 212 qui suif et qui correspond à la durée d'existence d'un masque S12 la tension devient - UO sur les barres X1,X2,X3,X4,Y3,Y4, et 2 sur les barres Y1 et Y2, donc l'on obtient la polarisa 2 tion nulle aux endroits de croisement des barres Y3 et Y4 avec toutes les barres X, et une chute de tension de valeur absolue UO aux endroits de croisement des barres Y1 et Y2 avec toutes les barres X.Grâce à une telle application des polarisations la moitié inférieure de la matrice n'est pas sensible à la lumière et la moitié supérieure l'est. Lorsqu'on néglige le courant d'obscurité (ils? des photodiodes comparativement avec le courant de lumière (if) le courant surgi dans les diodes sensibles à la lumière de chaque cellule est proportionnel à la valeur du flux lumineux atteignant la cellule donnée. Ces courants viennent à l'intégrateur 7, où ils s'additionnent, et l'on obtient à la sortie de l'intégrateur un signal électrique proportionnel à la somme de courants provenant des cellules 8 restant à l'état sensible à la lumière correspondant au masque Spi2. Ainsi, il apparaît un des signes, coefficient C12, qui caractérise la forme. On va maintenant examiner l'intervalle de temps T22 correspondant à un masque S22. Les tensions de sortie des générateurs 5 et 6 assurent une polarisation nulle sur les cellules 8 branchées sur les croisements des barres Xi et Y3, X2 et Y4, 3 et Y1, 14 et Y2, une polarisation égale à + U sur les celluo les branchées sur les croisements des barres Xi et Y1, X2 et Y2, et une polarisation égale à -UO, sur les cellules branchées sur le croisement des barres X3 et Y3, X4 et Y4.Ainsi, lorsque ce sont les cellules polarisées avec + UO qui se trouvent illuminées, les courants dans les barres respectives valent +ifS et lorsque ce sont les cellules polarisées avec -UO qui se trouvent illuminées, les courants valent -if. Ces courants arrivent à l'intégrateur 7, où ils s'ådditionnent en valeur absolue, par suite de quoi il sort de l'intégrateur 7 un signal électrique proportionnel à la somme de photocourants issus des cellules 8 éclairées en état de sensibilité à la lumière formant une configuration correspondant au masque S22. Il apparaît donc encore un signal, coefficient C22 qui caractérise la forme. En commutant progressivement les barres pendant l'intervalle de temps onformément aux épures des tensions de la Fig. 5, on obtient une composition complète. de et respectivement une composition de coefficients (i=1, 2, 3 .... M, j=1, 2, 3 ... N, où M est le nombre d'éléments de la matrice dans le sels horizontal, N le nombre d'éléments de la matrice dans le sens vertical). La composition de coefficients Ci caractérise de fa çon univoque la forme avec une précision définie par les dimensions de la matrice I4N et résulte de la décomposition de cette forme en spectre spacial selon des fonctions de Wallsh. Cette décomposition est réalisée pendant le temps Tk=DiåN.M. lie choix de l'intervalle minimum Ti dépend de la rapidité de fonctionnement des éléments photosensibles, car pour la commutation des photodiodes de l'état de polarisation négative à l'état de polarisation positive c'est la durée de vie des porteurs minoritaires de courant dans la zone de base d'un appareil semi-conducteur qui peut être inférieur à 10 7 sec., et par con- séquent le temps nécessaire pour la formation d'un seul coefficient est de l'ordre de 10 7Su indépendamment de la valeur NM. En réalisant des masques à deux gradations la valeur uo doit être (selon la caractéristique courant-tension) supérieure et d'élec q, où TO est la température en OC, q, la a constante de Boltzmann. La décomposition peut en principe être réalisée suivant n'importe quelles -fonctions orthogonales et non pas dans le code binaire, mais par exemple suivant les fonctions trigonométriques exp (jwt). Dans ce cas, la gamme des tensions de fonctionnement pour le masquage doit se placer dans l'intervalle#U (Fig. 3), ce dernier pouvant être artificiellement étendu jusqu'aux unités de volts en connectant une résistance ohmique successivement à chaque cellule photosensible. On vient de décrire plus haut une matrice photosensible dont les cellules sont composées d'une paire de photodiodes montées tête-bêche. L'inconvénient d'une telle matrice peut résider dans toute une série de cas dans son faible pouvoir de résolution, ses dimensions considérables et une utilisation inc-omplè te de sa surface. Ces défauts peuvent être atténués en appliquant-une matrice représentant une composition de scanistors (Fig. 6) réalisés sur la base d'une lame de semi-conducteur 10, par exemple une lame au silicium à conduction n. Dans la lame 10, à ses faces opposées, est diffusé par exemple du bore, afin d'obtenir les couches Il et 12 (Fig. 7) à conduction p entre lesquelles est comprise la couche 13 à conduction n. tes couches 11 et 12 à conduction p doivent être disposées de manière à constituer les jonctions p-n 14 et 15 sous forme de bandes se trouvant dans les plans parallèles à cette face de la lame qui doit capter le rayonnement lumineux (h?) ce qui est montré par des flèches. tes jonctions p-n situées dans les plans de même nom doivent être parallèles au point de vue géométrie et électriquement isolées entre elles. L'isolation électrique des bandes p-n est réalisée en diminuant d'une façon artificielle la durée de vie des porteurs minoritaires dans la couche 13 en y injectant des impuretés d'or, ce qui permet de réduire à quelques microns l'espacement entre les bandes comprises dans le même plan. tes bandes des jonctions p-n situées dans les plans différents sont orthogonales entre elles. Ainsi, aux endroits de croisement des bandes on obtient une structure à trois couches p-n-p (Fig. 7) dont la couche p 11 absorbe faiblement la lumière de longueur d'onde prédéterminée. La symétrie de la caractéristique courant-tension de la structure à trois couches est assurée par le rapport des profondeurs de gisement des jonctions 14 et 15. Pour la longueur d'onde donnée de la lumière le rapport de ces profondeurs est choisi tel que les deux jonctions p-n 14 et 15 présenteront les mêmes efficacités de séparation des porteurs minoritaires de courant surgissant dans une matrice illuminée, c'est-à-dire que la séparation des porteurs minoritaires de courant sera réalisée à un degré égal par les deux jonctions p-n 14 et 15, lors de l'application des tensions de polarisation à ces dernières. Chaque bande de jonctions p-n est munie d'une barre individuelle Xi et Yi, ces barres constituant dans leur ensemble i I un système de barres orthogonales. Chaque structure à trois couches constitue une cellule photosensible de la matrice et correspond en principe à une paire de photodiodes montées tête-bêche ; de ce fait son schéma de branchement équivalent correspond à celui de la Fig. 2. Toutes les cellules étant réalisées sur une lame unique, elles ont une zone de base commune. Pour que la liaison entre les cellules individuelles ne soit pas effectuée par la zone dé base commune, cette dernière est à haute résistivité ; lorsque par exemple la structure entière est formée à partir d'une plaque de silicium 10, la zone de base 13 peut être alliée d'or, afin de compenser de faibles impuretés et d'obtenir une résistivité proche de sa propre résistivité. Dans une telle structure à paramètres répartis les dimensions d'une cellule élémentaire sont fonc tion de la longueur du déplacement par diffusion des Worteurs de courant créés par la lumière et des profondeurs de gisement des jonctions p-n 14 et 15.Ces dimensions peuvent être limitées à 100 m x 100 m. ta largeur d'une bande des jonctions p-n et l'espacement entre les bandes sont définis par les possibilités présentées par la photogravure et constituent environ 100p m et moins jusqu'à quelques microns. te principe de fonctionnement d'une telle matrice est tout à fait identique à celui de la matrice décrite plus haut. Dans un autre mode de mise en oeuvre la matrice photosensible peut représenter un scanistor discret réalisé sur la base d'une lame de silicium 16 (Fig. 8) à conduction n ayant une durée de vie réduite des porteurs minoritaires. -Sur la surface extérieure de cette lame sont créées par diffusion du phosphore des zones 17 à conduction n+ sous forme de rectangles ou de figures complexes qui sont isolés les uns des autres par des zones 18 en matériau initial.Chaque zone à conduction n+ comprend une paire de zones 19 à conduction p, et les jonctions p-n+ 20 se placent donc directement sur la surface extérieure de la lame 16 qui doit être orientée vers le rayonnement lumineux pendant le#fonc- tionnement. tes zones à conduction p 19 doivent -être disposées symétriquement par rapport à la zone 21 à conduction n + les séparant, cette zone 21 étant celle de base. tes extrémités des zones de type p orientées l'une vers l'autre doivent se trouver à une distance qui ne dépasse pas le parcours de diffusion des porteurs dans la zone de type n+. -On obtient ainsi une structure qui est en principe é-quivalente à une structure à trois couches. -Pendant l'utilisation de la matrice décrite, le flux lumineux doit surtout arriver dans la zone de base 21, ce qui assure à un degré égal la séparation des porteurs minoritaires par les deux jonctions 20 de type p-n et donc la symétrie de la caractéristique courant-tension d'une cellule illuminée. Sur les portions 18 de type n isolant électriquement les cellules photosensibles est déposé par vaporisation de l'or en vue de constituer un système de barres orthogonales X et Y, qui sont isolées entre elles aux endroits de leur croisement. tes zones de type p de chaque cellule sont reliées par l'intermédiaire des électrodes 22 au croisement correspondant à cette cellule dans le système de barres mentionné. ta matrice décrite présente le schéma électrique équivalent, analogue à celui de la Fig. 2 et fonctionne conformément à ce qui a été écrit plus haut. Lorsqu'on fait usage d'une matrice réalisée sur la base d'un scanistor discret, il est avantageux d'appliquer une matrice (non représentée sur la Fig.) à diodes électroluminescentes à injection comme moyen de reproduction optique de l'image à analyser. Chaque diode électroluminescente est collée dans la base de la cellule photosensible respective grâce à quoi l'on assure aussi bien la symétrie de la caractéristique courant-tension, que l'utilisation la plus #complète possible du flux lumineux. Dans les cas où il est nécessaire, outre le masquage et la transformation du flux lumineux en signaux électriques, de stocker l'image optique il est avantageux d'utiliser comme cellules photose-nsibles des structures photosensibles à cinq couches qui sont connues sous le nom de photosymistors et qui présentent une caractéristique courant-tension symétrique ayant des parties correspondant à une saturation et à une résistance inverse négative. Une telle caractéristique courant-tension permet de réaliser deux états discrets sur chaque branche de la caractéristique courant-tension : "branché" et "débranché" dont le premier correspond à l'état sensible à la lumière des cellules, et le second à l'é- tat insensible à la lumière. Ainsi, toutes les cellules de la matrice, qui sont à l'état sensible à la lumière, fonctionnent de la même façon indépendamment de la valeur du flux lumineux qui les attaque, ce qui permet de rendre moins sévères les exigences relatives à la symétrie des caractéristiques courant-tension des cellules photosensibles. te photosymistor 23 (Fig. 9) représente une structure à cinq couches à base de silicium de type n composée de couches alternées n-p-np-n 24, 25, 26, 27 et 28. tes jonctions internes de type p-n 29 et 30 sont alternativement collectrices et émettrices, selon la polarité de tension appliquée. Ces jonctions en état fermé présentent les mêmes efficacités de #séparation des paires de porteurs minoritaires de courant créés par la lumière. Il est connu qu'une telle structure permet, grâce à la présence des jonctions émettrices externes 31 et 32, d'obtenir des parties sur la caractéristique courant-tension correspondant à la résistance inverse négative. La caractéristique courant-tension d'un photosymistor est donnée sur la Fig. 10. Elle a une partie qui définit la zone d'insensibilité, deux portions de saturation (une ligne pleine montre les portions de saturation en absence de flux lumineux, une ligne en pointillés, en présence de celui-ci), deux parties de croissance linéaire du courant direct. A l'application de la tension + UO amenant le passage d'une cellule en état sensible à la lumière et en absence de lumière la structure est traversée par un courant conforme à la partie de saturation sur la caractéristique courant-tension io. A l'application de la même tension et en présence de la lumière, par la structure passe un courant I0 # i0, qui, comme on le sait, dépend non pas de l'intensité du flux lumineux, mais seulement de la tension appliquée. Etant donné que la caractéristique courant-tension a une partie correspondant à la résistance négative, le courant Ji continue de passer après la suppression de l'illumination jusqu'au moment de coupure de la tension de polarisation. On réalise ainsi le stockage de l'information. Comme 1o n'est pas fonction de l'intensité du flux lumineux, on rend moins sévères les exigences relatives à la symétrie de la caractéristique courant-tension d'une cellule. Les couches externes 24 et 25 qui doivent, en fonctionnement, être dirigées vers l'image à analyser, absorbent peu la lumière pour une longueur d'onde donnée.- Le branchement électrique du photosymistor à un croisement du système de barres orthogonales se fait par l'intermédiaire de zones à même type de conduction au moyen des contacts ohmiques 33 et 34. L'utilisation du photosymistor permet de simplifier le moyen de reproduction optique de l'image à analyser, ce moyen pouvant être réalisé sous forme d'une matrice à éléments électroluminescents par exemple à diodes élec troluminescentes à injection. Chaque diode électroluminescente 35 est alors collée sur le photosymistor.La diode électr9lumines- cente est composée de couches 36, 37 à conduction respective p et n, ces couches étant munies de contacts ohmiques 38 et 39, selon la Fig. 9. La matrice à diodes électroluminescentes est dotée de son propre système de barres orthogonales, sur les croisements desquelles sont connectées les diodes# électroluminescentes précitées. Une tension étant appliquée à ces barres, la matrice électroluminescente reproduit une image lumineuse à analyser. Le schéma électrique du branchement des photosymistors sur le système de barres est donnée sur la Fig. 11, où chaque photosymistor 23 est représenté sous forme de deux photothyristors 40 montés en opposition-parallèle; cette figure représente le schéma électrique d'une matrice à diodes électroluminescentes, où chaque diode électroluminescente 35 est montrée comme deux diodes électroluminescentes 41 en série. On va examiner ci-dessous le mécanisme de formation des coefficients de la série de Fourier au cours de l'analyse d'une image. En supposant que les barres d'une matrice électroluminescente sont attaquées par un signal électrique permettant de reproduire une image de configuration donnée pendant un intervalle T11. En supposant aussi que c'est le masque Sil qui est synthétisé sur la matrice photosensible. Au cours du deuxième intervalle T12 est réalisée de nouveau la même configuration électroluminescente qui correspond au signal à analyser, et l'on synthétise un nouveau masque S12, etc, en conformité de ce qui a été déjà décrit. Comme chaque cellule fonctionne selon la description ci-dessus, le résultat de chaque masquage peut être stocké dans la matrice. Comme la valeur du courant 1o n'est pas fonction de celle du flux-lumineux, on arrive à une plus haute précision pour la détermination des coefficients C dont chacun représente la somme des valeurs absolues des courants issus des cellules illuminées dans les zones photosensibles du masque. L'application de l'invention proposée permet de reproduire sur les matrices composées de 256 x 256 éléments, 256 x 256 coefficients de développement de Fourier pendant un intervalle de temps de 0,05-0,06 sec, alors que l'utilisation des algo-. rythmes "accélérés" pour décomposer une image en série de Fourier pour un calculateur exige environ 2-4 min. La matrice photosensible peut être réalisée à partir d'un unique monocristal et avoir les dimensions linéaires de 0,1 x 0,1 cm, ce qui permet de réduire de façon considérable les encombrements du dispositif en entier surtout en ayant recours aux matrices à diodes électroluminescentes en qualité de moyen de reproduction optique de l'image à analyser. REVENDICATIONS 1.- Dispositif d'analyse de forme d'image comprenant un moyen de reproduction optique de l'image à analyser dont l'é- mission est masquée à des instants donnes suivant la loi prédéterminée décrite par la composition de fonctions bidimensionnelles afin d'extraire l'émission provenant de différpntes zones d'image aux différents restants, et un récepteur de lumière enregistrant et transformant le rayonnement lumineux masqué en une succession dans le temps d'impulsions électriques, qui sont proportionnelles aux valeurs intégrées des flux lumineux issus du champ d'image, ces flux correspondant à chaque fonction bidimensionnelle, et qui transportent l'information sur la forme d'image, caractérisé en ce que le récepteur de lumière représente une matrice à cellules photosensibles placée dans le champ d'image, ces cellules présentant à l'état éclairé des caractéristiques couranttension symétriques ayant des parties de saturation, et il est prévu un système de barres orthogonales entre elles (X et Y), aux intersections desquelles sont connectées les cellules photosensibles citées, les barres étant individuellement branchées sur un générateur de tension conçu de telle façon qu'aux instants donnés il surgit sur les barres une tension qui fait passer les cellules aux états sensible et insensible à la lumière par groupes répartis dans l'espace sur la surface de la matrice conformément à une des fonctions bidimensionnelles de la composition de fonctions, par suite de quoi la matrice réalise à la fois le masquage et ltenre- gistrement du rayonnement lumineux masqué, la somme des valeurs absolues des photocourants issus des cellules, qui correspond à la fonction bidimensionnelle donnée du masquage se trouvant -alors en proportion avec la valeur intégrée du flux lumineux agissant sur le groupe de cellules sensibles à la lumière. 2.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on utilise en qualité de matrice une composition de scanistors représentant une structure semi-conductrice photosensible à jonctions p-n (14 et 15) sous forme de bandes qui ont les mêmes efficacités de séparation des porteurs minoritaires de courant apparaissant dans la structure sous l'action d'une illumination, et qui se trouvent dans deux plans parallèles à la surface de structure à exposer au rayonnement lumineux incident, les bandes des jonctions p-n situées dans les plans du même nom étant alors parallèles au point de vue géométrie, électriquement isolées entre elles et orthogonales par rapport à celles des jonctions p-n d'un autre plan, par suite de quoi on obtient aux intersections des bandes une structure présentant à l'état illuminé une caractéristique courant-tension symétrique, et chaque bande des jonctions p-n étant munie de sa barre individuelle dont l'ensemble constitue un système de barres orthogonales entre elles branchées sur un générateur de tension. 3.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on utilise en qualité de matrice un scanistor discret dont chacune des cellules photosensibles a deux jonctions p-n qui présentent des efficacités de séparation identiques des porteurs minoritaires de courant apparaissant dans les cellules photosensibles de la matrice sous l'action de la lumière, et qui se trouvent sur la surface extérieure des cellules symétriquenent par rapport à une zone de base commune les séparant et exposée au rayonnement lumineux incident, chaque cellule photosensible étant alors connectée sur l'intersection respective du système de barres orthogonales par des régions de conduction identiques. 4.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on utilise en qualité de cellule de matrice une structure semi-conductrice à cinq couches ayant quatre jonctions p-n dont deux internes sont alternativement collectrices selon la polarité de tension et présentent les mêmes efficacités de séparation des porteurs minoritaires de courant apparaissant dans la matrice sous l'action d'une illumination lumineuse, et les deux autres jonctions sont émettrices, et elles assurent une partie de résistance négative sur la caractéristique courant-tension par suite de quoi la structure semi-conductrice possède une propriété de stockage. 5.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'on utilise qualité de moyen de reproduction optique de l'image à analyser une matrice à diodes électroluminescentes à infection dont chacune est réunie rigidement à l'une des cellules photosensibles de telle façon que son émission agit sur la zone photosensible de la cellule respective.