FR 2227639 A1 19741122 FR 7314900 A 19730425 La présente invention concerne, d'une manière générale,les dispositifs photoconducteurs et, plus particulièrement, un procé ne de fabrication d'un élément piiotoconducteur fritté, procédé qui permet de contrôler de fanon précise et de choisir avec un haut degré de fiabilité les caractéristiques photoconductrices dudit élément. Les dispositifs photoconducteurs sont, essentiellement,cons titués par un élément en matériau photoconducteur pris en sandwich entre deux électrodes et ont, notamment, pour caractéristiques que, lorsqu'une tension est appliquée entre se électrodes, le disposi- tif présente une réduction de résistance électrique proportionnelle a l'intensité du rayonnement inciaent. Dans des dispositifs analogues utilisés en xérographie et autres systèmes de production d'i- mage électrostatique, toutefois, une unique électrode est, généralement, utilisée et l'image électrostatique se forme sur une surface opposée de l'élément.Dans tous les cas, la auantité de cou rant traversant le dispositif est fonction de la résistance électrique de élément photoconducteur et, à son tour, la résistance électrique dudit élément est fonction du rayonnement incident, en raison des caractéristiques du matériau pnotoconductducteur. Le photoconducteur idéal présenterait, par conséquent, une résistance infinie en l'absence de lumière et serait bon conducteur en présence d'une intensité maximale de la lumière à laquelle il est sensible. Mais dans la pratique, un disposition photoconducteur se comporte comme un conducteur de résistance élevée lorsque la lu mièvre à laquelle il est sensible est absente et comme un conducteur de résistance plus faible lorsque la lumière à laquelle il est sen siole est présente.Le courant que laisse passer le dispositif dans l'obscurité, est généralement dénommé "courant d'obscurité" tandis que le courant, qui passe lorsQue le dispositif est irradié, est dénommé "courant d'éclairement1,. La différence entre le courant d'éelairement et le courant d'obscurité est, généralement dénommée "courant photo-électrique". -ien qu'il existe plusieurs types de dispositifs photoconducteurs qui présentent les caractéristiques mentionnées ci-dessus, un type particulièrement intéressant dans le domaine de l'électro- hotographie est le photoconducteur fritté.Comme décrit dans le brevet des @tats-Unis d'Amérique N 2 765 385, on réalise, généralement, de telles couches photoconductrices en formant une strate comprenant des particules d'un matériau choisi dans le groupe com posé des sulfures, séléniures, et sulfoséléniures de cadmium, en recristallisant le matériau dans un solvant fondu jusqu'à obtention d'une gamme désirée de grosseurs de particules, en incorporant au matériau recristallisé des doses dopantes d'un halogénure et; des doses dopantes d'un métal choisi dans le groupe comprenant le cuivre et l'argent, puis en faisant évaporer le solvant fondu pour produire une couche pratiquement continue de cristaux, étroitement imbriaués les uns dans les autres, de matériau photoconduc teur.Dans de tels procédés, la volatilité des constituants est utilisée pour éliminer les ions donneurs en excès jusqu a ce qu'on obtienne des quantités sensiblement égales entre elles d'ions donneurs et accepteursO I1 est bien connu que l'un des facteurs décisifs dans la détermination des conductivités d'éclairement et d'obscurité d'éléments photoconducteurs est le rapport atomique ions donneurs/ions accepteurs de l'élément et qu'un matériau présentant un rapport donneurs/accepteurs élevé convient mieux pour des applications comportant une vitesse photographique rapide, mme s'il présente une forte conductivité d'obscurité.Par contre, un matériau présentant un faible rapport donneurs/accepteurs convient mieux pour des applications impliquant une vitesse photographique lente, étant donné qu'il présente une faible conductivité åtobscurité. Si la caractéristique conductivité d' éclairement/conductivité d'obscurité,pour des valeurs extrêmes de rapport, c'est-à-dire pour des rapports supérieurs à 4 et pour des rapports inférieurs à l'unité, varie relativement peu en présence de variations du rapport donneurs/accep- teurs, il existe, par cotre, une gamme de rapports (rapports compris entre 1 et 4) dans laquelle il se produit une transition plus rapide de la conductivité d'obscurité que de la conductivité d'éclairement et la possibilité de controler les rapports compris dans cette bande permet de fabriquer des photoconducteurs à caractéristiques variables#à volonté qui couvrent sensiblement le spectre des caractéristiques photoconductrices. Malheureusement, jusqu'à présent, il n'a pas été possible de réaliser un contrez fiable des rapports dans cette bande. Dans des procédés tels que décrits dans le document antérieur précité, la volatilité du constituant est utilisée pour éliminer les ions donneurs en excès jusqu'à ce qu'on obtienne des proportions égales entre elles d'ions donneurs et accepteurs. O'- est là un procédé relativement direct étant tonné +e des ions don neurs peuvent être libérés assez aisément jusqu'à ce que leur proportion soit égale à celle des ions accepteurs (rapport de 1) et, en pratique, la volatilisation cesse lorsque ce niveau est atteint. L'utilisation de ce type de procédé pour obtenir un rapport donneurs/accepteurs supérieur à l'unité est très peu fiable étant donné que sa précision dépend largement d'une cessation de la volatilisation à un certain stade précis du processus qui ne peut entre, essentiellement, déterminé que par tâtonnements. I1 est également avantageux de disposer d'un procédé permettant d'obtenir des rapports donneurs/accepteurs inférieurs à l'u- nité, étant donné que, pour de tels rapports, on obtient une oa- ractristique de très faible courant d'obscurité. Des caractéristiques de très faible courant d'obscurité sont désirables pour les applications électrophotographiques exigeant de faibles niveaux d1 éclairement et de longs temps d'exposition.Les procédés de la technique antérieure ne permettent pas d'obtenir un rapport notablement inférieur à l'unité étant donné que, comme précédemment décrit, la présence de l'ion accepteur, au cours de la volatilisation du donneur, tend à empêcher la libération d'ions donneurs une fois qu'un état d'équilibre est établi. Compte tenu de ce qui précède, l'invention a notamment pour objet de créer un procédé de fabrication d'un élément photoconducteur permettant un contre précis de la concentration en donneurs et du rapport donneurs/accepteurs et, par conséquent, un contrôle précis des caractéristiques photoconductrices dudit élément. Dans ses grandes lignes, le procédé suivant l'invention consiste à chauffer un composé d'éléments choisis dans les groupes II et VI du tableau périodique de Mendeleiev dans un gaz contenant un élément donneur halogène de manière à provoquer la croissance de cristaux dopés avec des donneurs, à analyser ces cristaux dopés avec des donneurs pour déterminer le contenu quantitatif de l'élément donneur halogène, à mélanger une quantité choisie dtun métal accepteur tel que du cuivre, de l'argent, ou de l'or, avec les cristaux dopés avec des donneurs, cette quantité étant suffisante pour produire le rapport atomique --ddnneurs/accepteurs désiré puis à fritter le mélange pour former l'élément photoconducteur fritté0 Parmi les principaux avantages de l'invention, on peut mentionner le fait que les quantités respectives d'éléments donneurs et accepteurs peuvent être adaptées sélectivement et de façon précise, c' est-à-dire que le rapport atomique donneurs/accepteurs peut être étroitement contrôlé et que, par conséquent, des caractéristiques de conductivité d'obscurité et d'éclairement particulières peuvent être obtenues avec une reproductibilité fiable dans un grand nombre de dispositifs photoconducteurs. Un autre avantage de l'invention réside en ee qu'elle permet -un contrôle précis de la concentration en matériaut donneur et accepteur dans un élément photoconducteur particulier0 L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui suit et à 1' examen du dessin joint qui en représente, à titre exemple non limitatif, un mode de rdalisationO Sur ce dessin: - La figure 1 est une courbe logarithmique de la conductivité en fonction du rapport donneurs/accepteurs pour des éléments photoconducteurs frittés; - la figure 2 est une courbe de la concentration en chlore en fonction du débit de gaz chlorhydrique tel qu'il est utilisé suivant l'invention. Comme précédemment décrit, un dispositif photosconducteur présente une résistance donnée sous un éclairement intense et une autre résistance dans l'obscurité (plus de résistance dans l'obs- curité et moins de résistance sous éclairement), et en contrôlant le rapport atomique donneurs/accepteurs du matériau photoconduo- teur, on peut choisir les conductivités relatives d'éclairement et d'obscurité ou inversement, on peut choisir les résistivités relatives d'éclairement et d'obscurité avec un haut degré d-e précision. Si un matériauphRoconducteur donné contient des ions donneurs en excès, ce matériau présente une bonne- conductivité aussi bien d'éclairement que d'obscurité; par contre, Stil y a des ions accepteurs en excès, les conductivités d'éclairement et d'obscurité sont toutes deux réduites, mais la conductivité d'obscurité est notablement plus réduite que la conductivité d'éclairement. Ceci est indiqué par le graphique représenté par la figure lo Sur la figure 1, on a représenté une courbe de conductivité d'éclairement et une courbe de conductivité d'obscurité qui mettent essentiellement, en évidence, respectivement, la conductivité d'éclairement saturée et la conductivité d'obscurité d'un type particulier d'élément photoconducteur en fonction du rapport atomique ions donneurs/ions accepteurs de ce type d'élément.On remarquera que, bien que les conductivités d'éclairement et d'obscurité dé croissent toutes deux lorsque le rapport donneurs/accepteurs diminue, il existe une gamme particulière R de rapports dans laauelle la conductivité d'obscurité décroît notablement plus vite que la conductivité d'éclairement. Ce diagramme de rapport conductivité/ dopage suggère clairement que, pour obtenir une sélectivité des caraetéristiques photoconductrices et une reproductibilité fiable de la fabrication il y a. lieu d'utiliser un procédé dans leauel le rapport donneurs/accepteurs peut être étroitement contrôlé.Un tel procédé permettrait la -sroduction sélective de dispositifs photoconducteurs présentant des caractéristiales particulières convenant à des applications particulières Par exemple, pour des applications électrophotographiques à grande vitesse, la caractéristique de conductivité d'obscurité n'a que peu d'importance mais l'on désire obtenir une conductivité dl éclairement maximale et, par conséquent, on utilise, de préférence, une couche photoconductrice correspondant à l'extrémité rapports élevés (rapports # 2) de la gamme X, étant donné que la conductivité d'éclairement est plus grande à cette extrémité de ladite gamme. Par contre, pour des applications électrophotographiques à faible vitesse, dans lesquelles de longs temps d'exposition sont nécessai reb, il est préférable utiliser un rapport donneurs/accepteurs situé vers l'extrémité faibles rapports (rapports = 1) de la gamme R, de manière à éviter un "voile" ou "bruit" excessif de l'image. En d'autres termes, le côté droit de la gamme R peut être considéré comme ayant un rapport signaljbruit élevé tandis que son côté gauche peut etre corsidêré comme ayant un faible rapport signal/bruit. son général, lorsqu'on réduit le rapport donneurs/accepteurs, le temps nécessaire au photoconducteur pour répondre à la lumière, croït. Cette caractéristique de ralentissement ae réponse est généralement indésirable, étant donné qu'on obtient un fonctionnement optimal avec le rapport donneurs/accepteurs le plus élevé possible compatible avec un niveau de "voile" ou de "bruit" admissible. Toutefois, il y a lieu de souligner également, cue pour certaines applications électrophotographiques à vitesse très lente il est désirable d'utiliser des photoconducteurs ayant un rapport donneurs/accepteurs notablement inférieur à l'unité. De tels rapports étaient très difficiles à obtenir en utilisant les méthodes de la technique antérieure, étant donné que la présence des ions accepteurs empêche la perte en ions donneurs par volatilisation audessous alun rapport égal à l'unité.La différenee entre les carac téristiques de conductivité d'un élément photoconducteur ayant un rapport égal à l'unité et d'un let ayant un rapport très inférieur à l'unité peut être mise en évidence (voir figure l) en comparant la réduction A de conductivité d'éclairement (au-dessous du niveau situé à l'extrémité forts rapports du spectre) et la réduction B de conductivité d'obscurité pour un rapport égal à l'unité, avec la réduction C de conductivité d'éclairement et la réduction D de conductivité d'obscurité pour un rapport très inférieur à l'- unité.En d'autres termes, le rapport signal/bruit d'un photoconducteur ayant un rapport donneurs/accepteurs de 1 peut être exprimé par A/B et le rapport sigral/bruit d'un photoconducteur ayant un rapport donneurs/accepteurs plus faible (très inférieur à 1) peut être exprimé par C/D.La différence est très nette L'invention vise un procédé, dans lequel un ion donneur tel que du chlore (Cl) est introduit sous contre dans un réseau cristallin en état de croissance ou ae recristallisation, tel que celui du sulfure de cadmium (CdS), au cours d'une première phase et dans lequel, après une détermination chimique quantitative réelle du niveau de donneurs des cristaux résultants, on mélange la quan- tité précise d'un matériau contenant un ion accepteur tel que du cuivre (Cu), nécessaire pour produire un rapport atomique donneurs/ accepteurs choisi (capable d'assurer la réponse photoélectrique désirée) avec les cristaux dopés avec des donneurs.Les ions aonneurs de la couche résultante font passer des électrons à travers le réseau conducteur, électrons qui sont électriquemelt compensés par des ions accepteurs ultérieurement ajoutés. me mélange est ensuite pulvérisé, disposé sur un substrat convenable par badigeonnage ou pulvérisation et ultérieurement fritté sans solvant (frittage sans solvant) pour produire une couche plus dense que celle qu'on obtenait avec le "frittage avec solvant" de la technique antérieure. Les avantages de ce frittage plus dense comprennent 1) une nécessité moins impérative de protéger ou d'encapsuler la surface et 2) une structure plus efficace pour certaines applications. alors que, dans le technique antérieure, un composé contre nant l'ion donneur était mélangé avec un composé contenant l'ion accepteur, par exemple, en introduisant du chlore sous fore de chlorure de cuivre, ?ar contre suivant l'invention, l'ion donneur est introduit dans le sulfure de cadmium (ou outre composé) en phase gazeuse et l'ion accepteur est ajouté ultérieuement une fois qu'on connaît de façon précise la quantité d'ions donneurs présents. Etant donné que la quantité d'ions donneurs est déterminée tout d'abord, on peut déterminer de façon très précise la quantité d'ions accepteurs qui doivent être ajoutés pour obtenir un rapport donneurs/accepteurs particulier. En outre, étant donné que la quantité d' ions donneurs présents dans élément résultant est indépendante des ions accepteurs ultérieurement ajoutés, on peut obtenir tout rapport désiré, voire même des rapports inférieurs à l'unité. Le fait que le cristal soit soumis à un processus de croissance (ou de recristallisation) dans la vapeur des ions donneurs assure, non seulement la présence de ceux-ci en une certaine quantité, mais encore leur répartition uniforme à travers tout le réseau cristallin. L'une des caractéristiques essentielles de l'invention est donc la croissance des cristaux photoconducteurs dans la vapeur contenant des ions donneurs et qui assure l'apparition de ceux-ci à l'intérieur de la structure cristalline au lieu de leur association avec la surface des très fines poudres produites. Dans la couche dopée au chlorure de cuivre précitée, les molécules de chlore semblent, soit prendre la place d'un atome de soufre dans le réseau (disposition de substitution), soit être dispersées entre les atomes de soufre (disposition intersoticielle). On va décrire ci-après un exemple particulier plus précis de mise en oeuvre de l'inventionO EtEMPZ Introduction des donneurs.- On place 100 grammes de sulfure de cadmium (CdS), dans une nacelle en quartz, dans un tube de quartz de 86,2 mm de diamètre intérieur et l'on fait passer initialement de l'argon à travers le tube avec un débit de 500 cm3 par minute pour purger le tube des autres gaz qu'il peut contenir à l'origine. Sans interrompre cette circulation de gaz argon, on introduit alors du gaz chlorhydrique (hot) à raison de 60 cm3 par minute puis l'on chauffe le tube jusqu'à 12000C en 1,5 heure, on le maintient à cette température pendant 3 heures, puis on le refroidit jusqu'à la température ambiante en maintenant la circulation de gaz argon et de gaz chlorhydrique.Pendant la phase de maintien à 12000 C, une sublimation du sulfure de cadmium se produit, ce qui provoque une croissance des cristaux de sulfure de cadmium dopé au chlore. Les cristaux dopés avec des donneurs (chlore) pratiquement saturés sont ensuite retirés du tube et pulvéri sés par broyage au boulets Mesure des donneurs On détermine la teneur en donneurs du. sulfure de cadmium dopé en mesurant la turbidité produite lorsqu'- on ajoute une solution de AgNO3 à un échantillon de cristaux pulvérisés qui a été dissous dans du HNO3. Introduction des accenteurs.-les cristaux pulvérisés sont ensuite traités avec une quantité prédéterminée (celle qui est né- cessaire pour produire le rapport donneurs/accepteurs désiré) de matériau accepteur (cru) par suspension dans de l'eau contenant la quantité voulue de cuivre sous forme de CuSO4.5H2. Un matériauliant, tel que du verre de soudure (Corning 7570), est alors ajouté en quantité équivalant à 20 grammes de verre pour 100 grammes de sulfure de cadmium. Préparation de la couche et frittage-Le mélange est ensuite à nouveau broyé au boulet, une couche du mélange broyé est applL- quée par pulvérisation sur une glace polie en Pyrex portant un revêtement superficiel électriquement conducteur d'oxyde d'étain et la couche est alors frittée par cuisson pendant 35 minutes à 550?O. Bien que cela ne soit pas indispensable, un traitement de "vieillissement" par post-cuisson à 800C pendant 60 heures est utile pour produire un photoconducteur stable. Cette température relativement élevée, met rapidement les surfaces des cristaux en d- quilibre avec la température et l'air ambiants. Ce processus de vieillissement est courant dans la technique des photoconducteurs (voir le Brevet des Etats-Unis d'Amérique NO 3 288 604). Sur la figure 2, on a présenté une relation graphique entre le débit de gaz chlorhydrique et la concentration en chlore, qui peut être utilisée comme guide pour contrôler la concentration en chlore dans les cristaux en croissance. Bien que cette relation soit valable d'une manière très générale, on comprendra aisément que les grandeurs absolues varient avec les conditions et les appareils de traitement utilisés. toutefois, le diagramme indique clairement que pour un appareil et un ensemble de conditions donnés, la concentration en chlore établie dans le cristal en croissance peut être contrôlée par sélection du débit d'acide chlorhydrique. La température de 12000C est utilisée dans l'exemple ci-dessus de telle façon que le cristal soit transporté (ou sublimé) le long du tube en croissance sous forme vaporisée jusqu a un point de température inférieure où le sulfure de cadmium se condense et se recristallise, le réseau cristallin résultant contenant le chlore. Le chlore a, également, été introduit à des températures de recristallisation plus basses (par exemple de 9500 C) sans sublimation avec obtention de résultats analogues. Les avantages relatifs de la gamme de température n'ont donc pas été confirmés jusqu là présent. Les températures et les temps utilisés pour la phase de frittage sont compris dans la gamme de 525 à 650 C, pour des périodes de 6O à 10 minutes, Bien auton utilise du sulfure de cadmium dans l'exemple décrit ci-dessus, on peut substituer en tout ou partie au cadmium et au soufre, du zinc, du sélénium, du tellure et, éventuellement, d' autres éléments des groupes II et VI du tableau périodique de Men- deleiev sans que les résultats soient notablement modifiés, les conditions optimales de température, de temps et de rapport donneurs/ accepteurs pouvant cependant varier. Les éléments chlore et cuivre utilisés dans l'exemple ci-dessus sont préférables comme éléments donneur et accepteur.Toutefois, on a également utilisé l'iode et il est bien connu dans cette technique que le fluorure et le brome sont, également, des donneurs efficaces et que ltargent et l'or sont également, des accepteurs efficaces. Pour mettre en évidence les résultats obtenus en utilisant le procédé décrit ci-dessus, trois échantillons de sulfure de cadmium dopé avec des donneurs ont été sélectivement dopés dans différentes proportions,avec l'accepteur Cu pour obtenir des couches frittées présentant des rapports CljCu différents. Ces rapports et les proportions relatives de chlore et de cuivre des écnantillons sont indilués dans le tableau I. TABLEAU I Echantillons HCl cm3/mn Atomes-grammes Atomes-grammes Rapport de Cl/gramme de Cu/gramme Cl/Cu de CdS de CdS A 55 9,7 3,0 3,18 1 B 55 9,7 3,9 2,47 C 55 9,7 - 4,8 2,00 D 55 9,7 9t7 1,00 A 45 6,1 3,0 2,02 2 B 45 6,1 3,2 1,87 C 45 6,1 4,4 1,37 D 45 6,1 6,1 1,00 TABLEAU I (Suite) Echantillons ECl cm3mn Atomes-grammes Atomes-grammes Rapport de Cl/gramme de Cu/gramme Cl/Cu de CdS de CdS A 24 3,5 3,0 1,14 3 B 24 3,5 11,8 0,30 C 24 3,5 170 0,21 D 24 3,5 29,0 0,12 Les réponses photo-électriques de ces couches frittées sont ensuite déterminées en utilisant une source de lumière à l'iodure de quartz non filtrée.Les données résultantes sont données dans le tableau II. Le flux lumineux utilisé est de 3,6 x 1016 photons/ cm2/sec. TABLEAU II Exemple Cl/Cu IL ID A 3,18 1,9 x 10-5 2,5 x 10-8 B 2,47 6,1 x 10-6 6,0 x 10-9 1 C 2,00 2,8 x 10-6 2,1 x 10-9 D 1,00 5,1 x 10-7 4,0 x 10-10 A 2,02 1,5 x 10-5 1,5 x 10-8 B 1,87 5,7 x 10-6 5,0 x 10-9 2 C 1,37 1,8 x 10-6 3,1 x 10-9 D 1,00 4,7 x 10-7 ' 3,0 x î01O A 1,14 3,2 x 10-6 1,5 x 3 B 0,30 4,2 x 10-7 1,2 x 10-10 C 0,21 1p2 X 10-7 8,0 x 10 11 D 0,12 2,4 x 10-7 1,1 x 10-10 Les données du-tableau Il confirment la validité de la courbe représentée sur la figure 1 et indiquent qu'aux faibles rapports donneurs/accepteurs, la réponse photo-électrique est indépendante des concentrations en donneurs et accepteurs effectives dans une gamme relativement large. Bien qu'un exemple particulier comprenant certaine opérations élémentairss et certains matérlaux spécifiques ait été décrit ci deseus à titre d'illustration non limitative bien entendu, l'invention n'est nullement limitée au mode de réalisation déorit;elle est susceptible de nombreuses variantes, selon les applications envisagées, sans qu'on s'écarte pour autant du domaine de l'invention. REVENDICATIONS 1.- Procédé de fabrication d'un élément photoconducteur fritté, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations consistant à chauffer un composé constitué par des éléments choisis dans les groupes II et IV du tableau périodique de Mendeletev en présence d'un gaz contenant un élément donneur choisi dans le groupe com- prenant le fluor, le chlore, le brome et l'iode pour former des cristaux dopés avec des donneurs pratiquement saturés de ce composé, à pulvériser ces cristaux dopés avec des donneurs, à déterminer la teneur quantitative dudit élément donneur dans les cristaux dopés avec des donneurs et, par conséquent, le niveau de donneurs du cristal, à mélanger une quantité mesurée dwun élément accepteur choisi dans le groupe comprenant le cuivre, l'argent et l'or avec les cristaux dopés avec des donneurs pulvérisés, ladite quantité mesurée étant déterminée de manière à former dans les cristaux un niveau d'accepteurs assurant l'obtention d'un rapport atomique donneurs-accepteurs choisi, et à fritter le mélange résultant pour obtenir l'élément photoconducteur fritté. 2.- Procédé de fabrication d'un élément photoconducteur fritté suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ledit composé comprend des éléments choisis dans le groupe constitué par le zinc, le cadmium, le soufre, le sélénium et le tellure0 3.- Procédé de fabrication d'un élément photoconducteur fritté, caractérisé en ce qutil comprend les opérations consistant à assurer la croissance de cristaux dopés avec des donneurs pratiquement saturés d'un composé constitué par des éléments choisis dans les groupes II et VI du tableau périodique de MendeleSev en présence d'un gaz contenant un élément donneur choisi dans le groupe comprenant le fluor, le chlore, le brome et l'iode, à pulvériser et à mélanger ces cristaux dopés avec des donneurs avec une certaine quantité d'un élément accepteur choisi dans le groupe comprenant le cuivre, l'argent et l'or, ladite quantité d'élément accepteur représentant un pourcentage déterminé de la quantité d'élément donneur contenue dans les cristaux dopés avec des donneurs, et à fritter le mélange pour former l'élément photoconducteur fritté. 4.- procédé de fabrication dsun élément photoconducteur fritté suivant la revendication 3, caractérisé en ce que ledit composé comprend des éléments choisis dans le groupe constitué par le zinc, le cadmium, le soufre, le sélénium et le tellure. So Procédé de fabrication d'un élément photoconducteur fritté suivant la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend, en outre, une opération consistant à déterminer la quantité d'élément donneur contenue dans les cristaux dopés avec des donneurs avant de choisir la quantité d'accepteur à mélanger avec les cristaux dopés avec des donneurs0 60- Procédé de fabrication d'un élément photoconducteur fritté suivant la revendication 4, caractérisé en ce que, pendant I' opération de croissance, le composé est chauffé jusqu'à une température inférieure à son point de sublimation, mais suffisante pour provoquer sa recristallisatiqn. 7.- Procédé de fabrication d'un élément photo conducteur frit t & suivant la revendication 4, caractérisé en ce que le mélange est fritté par cuisson à une température comprise dans la gamme de 525 à 6500C pendant une période de temps comprise dans la gamme de 60 à 10 minutes. 80- Procéda de fabrication d'un élément photoconducteur fritté en un composé connu pour présenter des effets photoconducteurs, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les opérations consistant à choisir un rapport atomique donneurs/accepteurs en fonction d'un ensemble choisi de caractéristiques de conductivités d'éclairement et d'obscurité pour un composé photoconducteur particulier, à doper une quantité déterminée de ce composé avec une quantité connue de matériau contenant des donneurs pour former un composé dopé avec des donneurs pratiquement saturé et à doper ultérieurement ce composé dopé avec des donneurs au moyen d'une quantité d'un matériau contenant des accepteurs compatible avec le rapport atomique choisi. 9.- Procédé de fabrication d'un élément photoconducteur fritté suivant la revendication 8, caractérisé en ce que l'opéra- tion de dopage avec des donneurs comprend le chauffage du composé jusqu'à une température prédéterminée en présence d'un matériau gazeux contenant des donneurs. 10.- Procédé de fabrication d'un élément photoconducteur fritté suivant la revendication 8, caractérisé en ce que l'opéra- tion de dopage avec des accepteurs comprend un mélange du matériau contenant les accepteurs avec le composé dopé par des donneurs et un frittage du mélange résultant. 11.- Procédé de fabrication d'un élément photoconducteur fritté en un composé connu pour présenter des effets photoconduc teurs une fois dopé avec des donneurs et des accepteurs, ledit procédé comprenant les opérations consistant à former des cristaux dopés avec des donneurs pratiquement saturés du composé en l'absence de l'accepteur et à fritter les cristaux dopés avec des donneurs en présence dune quantité mesurée d'un accepteur choisie en fonction de la quantité de donneurs contenue dans le cristal dopé et d'un rapport choisi entre le niveau de donneurs et le niveau d' accepteurs0