FR 2211755 A1 19740719 FR 7346208 A 19731226 La présente invention a trait aux contacts à barrière de Schottky et à un procédé permettant de régler la hauteur de barrière de ces contacts. Les contacts à barrière de Schottky, c'est-à-dire les contacts métal-semi-conducteur et les contacts composé métallîque-semi- conducteur, sont utilisés dans les composants à semi-conducteurs pour réaliser des caractéristiques courant-tension du type redresseur ou non-redresseur. Le semi-conducteur peut être un matériau comme le silicium, et l'élément conducteur un métal ou un composé métallique comme le siliciure de platine.Les caractéristiques de type redresseur ou non-redresseur des contacts à barrière de Schottky dépendent toutes deux de la hauteur de la barrière de potentiel XB bien que, dans le cas des contacts non-redresseurs, la composante du courant traversant le contact par effet tunnel soit grande par rapport à la composante du courant due à l'émis- sion thermo-ionique passant par-dessus la barrière. Dans un contact redresseur à barrière de Schottky, la chute de tension directe décrit et le courant inverse croit, quand la hauteur de la barrière de potentiel diminue. La conception d'un composant redresseur à semi-conducteur comportant ce type de contacts doit réaliser un compromis entre une chute de tension directe faible et un courant inverse peu élevé pour obtenir un élément redresseur de performances optimales. Les compromis réalisables étaient très limités par les matériaux disponibles, du fait que la hauteur de la barrière est une caractéristique des matériaux utilisés. On utilise normalement un semi-conducteur de type N pour réaliser les contacts redresseurs a barrière de Schottky, car les hauteurs des barrières de potentiel des contacts métal-semi-conducteur sont nettement plus grandes que pour un semi-conducteur de type P. Quand on réalise un contact conducteur-semi-conducteur avec un semi-conducteur de type P, on forme aussi une barrière de Schottky, mais dont la hauteur est en gros la différence entre l'énergie de la bande interdite du semi-conducteur et la hauteur de la barrière pour le silicium de type N.Comme les contacts à barrière de Schottky classiques, constitués de siliciure de platine sur du silicium de type N, ont une hauteur nominale de barrière de 0,85 eV (électron-volt), ces contacts réalisés sur du silicium de type P auraient une hauteur de barrière de l'ordre de 0,25 eV, ne bloqueraient pas efficacement les courants inverses et ne constitueraient donc pas de très bons contacts redresseurs. Cependant, quand ces contacts sont formés sur un matériau semi-conducteur à concentration élevée en impuretés d'activation (par exemple supérieure à environ 1019.atomes par cm ) , la conduction du courant à travers la jonction, dépend principalement de l'émission de champ (pénétration de la barrière de potentiel) et non de l'émission thermo-ionique, et il en résulte des contacts non-redresseurs ou ohmiques.La résistance de contact, c'est-à-dire la pente de la caractéristique V(I) du contact, est aussi fonction de la hauteur de la barrière. Un abaissement de la barrière de l'ordre de 0,1 eV peut produire une diminution de plusieurs ordres de grandeur de la résistance dusc tact. (voir l'article de C.Y. Chang, Y.K. Fang et S.M./dans Solid State Electronics, Juillet 1971, "Specific contact resistance of Metal, semi-conductor Barriers", et en particulier la figure 7). On a découvert que, pour les corps simples semi-conducteurs, la hauteur de la barrière métal-semi-conducteur dépendait de l'orientation cristallographique de la face du semi-conducteur sur laquelle on réalisait le contact à barrière de Schottky. La présente invention a pour but de régler, pour une combinaison donnée de matériaux, la hauteur de la barrière de contact. L'une des applications de ces contacts à hauteur de barrière prédéterminée est d'offrir pour la conception des circuits de nouvelles valeurs de la hauteur de barrière elle-même, ainsi que de nouvelles valeurs dans une combinaison donnée de matériaux, afin de réaliser un composant semi-conducteur dont les caractéristiques se rapprochent plus des caractéristiques optimales. Pour réaliser la présente invention appliquée à une combinaison donnée de matériaux, à savoir des contacts siliciure de platine-silicium, on prend une pastille de silicium de type N, ayant une couche-substrat de faible résistivité, sur laquelle on dépose par croissance épitaxiale une couche mince de haute résistivité, la face apparente étant parallèle au plan cristallographique donne une hauteur de barrière de 0,85 eV. Le mème procédé appliqué à un corps de silicium ayant une face apparente parallèle au plan cristallographique donne une hauteur de barrière de 0,90 eV. La suite de la description se réfère aux dessins annexés qui représentent respectivement figure 1, une vue de dessus d'un dispositif selon la présente invention; figure 2, une vue de face du composant de la figure 1; figure 3, un schéma de l'appareil à pulvérisation triode utilisé pour mettre en oeuvre le procédé constituant la présente invention et pour réaliser les contacts à barrière de Schottky selon la présente invention. Les figures i et 2 représentent un dispositif redresseur ou diode 10 selon la présente invention, comprenant une pastille 11 ayant une couche-substrat de silicium de type N de faible résis tivité, par exemple 0,002 ohm.cm, et une couche 13 de silicium de type N de résistivité nettement plus élevée, par exemple 1 ohm.cm déposé par croissance épitaxiale sur le substrat. Les techniques de dépôt par croissance épitaxiale de couches de matériaux semi-conducteurs comme le silicium, sur des substrats semi-conducteurs adéquats, avec des concentrations données en impuretés d'activation ou impuretés, sont bien connues des spécia liantes. La couche épitaxiale 13 a deux faces principales opposées 14 et 15. Un élément conducteur 22 en siliciure de platine, réalisé sur la face 14 comme indiqué plus loin, constitue une barrière de Schottky avec la surface de silicium sous-jacente. La surface, ou face 14, de la couche 13, est parallèle à un plan cristallographique donné qui a été choisi pour la surface du substrat. Le plan cristallographique adopté détermine la hauteur de barrière du contact à barrière de Schottky réalisé. Le choix du plan cristallographique est déterminé par la hauteur de barrière souhaitée. Le substrat 12 forme un contact non-redresseur avec la couche épitaxiale 13 suivant la face 15. Un film mince 16 d'un métal comme le molybdène, déposé sur le substrat, fournit une borne à contact non-redresseur pour le substrat et donc pour la couche épitaxiale 13. La couche 13 a été attaquée pour obtenir une zone superficielle 17 de rayon relativement grand assurant que, lorsque la diode fonctionne dans des conditions de polarisation inverse, il ne se produise pas de claquage électrique à sa périphérie.Une couche relativement épaisse de dioxyde de silicium 18recouvre la partie attaquée, son rôle n'est pas seulement de protéger la surface de la couche 13 : elle sert aussi, avec un film métallique 21 forme d'un métal tel le molybdène recouvrant la couche d'oxyde 18, à étaler les lignes de force du champ électrique pour éviter là encore la présence de champs électriques de grande intensité dans les zones périphériques de la diode. Les couches métalliques 16 et 21 constituent des bornes pour le branchement de la diode à une embase ou à un dispositif de montage approprié pour l'utilisation (non montré ici).Plusieurs diodes semblables à celles des figures 1 et 2 peuvent être aisément réalisées sur une grande pastille de silicium comprenant une couche substrat de faible résistivité, sur laquelle on a déposé par croissance épitaxiale une couche de résistivité beaucoup plus élevée de silicium s-e prêtant aux applications pour laquelle la diode est prévue. Le substrat peut avoir une épaisseur de 0,254mm et la couche épitaxiale être de l'ordre de 10 microns, cette valeur dependant des caractéristiques voulues.On nettoie d'abord la pastille, puis on l'oxyde de façon à former sur la face apparente de la couche épitaxiale une couche mince de dioxyde de silicium, d'épaisseur 400 angströms par exemple, dont le rôle est d'éviter que la surface du silicium ne soit endommagée par une couche de nitrure de silicium qu'on dépose- ensuite sous une épaisseur d'environ 2000 angströms. On utilise ensuite le dioxyde de silicium comme masque de transfert pour graver un motif dansla couche de nitrure de silicium afin de former un certain nombre de zones où seront réalisés des contacts à surface de barrière comme le contact 22. Les parties de la surface du silicium situées à la périphérie de ces zones sont éliminées jusqu'à une certaine épaisseur pour former un certain nombre de structures mésa reliées par des régions de surface de grand rayon comme la région de surface 17.On fait croître une autre couche d'oxyde, d'épaisseur 5000 angströms par exemple, sur les zones périphériques, cette couche constituant la couche d'oxyde 18 de la figure 2, qui joue le rôle d'oxyde final isolant et passivant sur la surface de la couche de silicium 13. On fait ensuite se former du siliciure de platine sur la face apparente du silicium par pulvérisation de platine sur la surface 14 dans un appareil approprié tel que celui qu'on va décrire en relation avec la figure 3; pendant la pulvérisation, on maintient la pastille 11 à haute température, en-dessous d'environ 7000C, mais au-dessus de 4000C pendant un certain temps, par exemple plusieurs minutes, afin de former en surface une couche de siliciure de platine d'environ 600 angströms; on laisse ensuite la pastille revenir à la température ambiante. On élimine le platine en excès et l'on réalise les films métalliques finaux 21 et 16. La pastille traitée est alors découpée et les éléments -sont montés sur des embases appropriées pour leur utilisation. Jusqu'à présent, pour réaliser des contacts de siliciure de platine sur du silicium, on commençait par déposer du platine sur une portion de surface apparente d'un substrat de silicium, puis on chauffait pendant un certain temps à une température inférieure à 7000C pour realiser la barrière siliciure de platine-silicium. On obtenait par ce procédé des hauteurs de barrière d'environ 0,85 eV pour les contacts à barrière de Schottky de siliciure de platine formé sur du silicium de type N à haute résistivité. On connaît un procédé de réalisation de contacts à barrière de Schottky, procédé dans lequel le dépôt de platine s'effectue tandis qu'on maintient le substrat de silicium à une température fixe comprise entre 4000C et 7000C. Dans ce procédé, le siliciure de platine se forme au cours même du dépôt du platine. Les contacts ainsi réalisés présentent une bonne idéalité n (valeurs de n voisines de 1, où n est un facteur de pente empirique dans l'équation du courant direct du contact à barrière de Schottky) avec un bon rendement. En outre, le choix de l'orientation de la face apparente sur laquelle on forme le siliciure de platine permet d'obtenir des contacts de hauteurs de barrières très différentes, ainsi qu'on va le décrire ci-dessous. La figure 3 représente un appareil à pulvérisation triode classique 25 permettant de réaliser des contacts à barrières de Schottky suivant un aspect de la présente invention. L'appareil comporte généralement une chambre à vide 30, habituellement de forme cylindrique, avec une base circulaire 31 munie d'un système d'étanchéité approprié, comme un joint 32, entre le bas de la chambre à vide 30 et la base circulaire 31, assurant l'isolement de la chambre avec l'extérieur. Le pompage de la chambre s'effectue à travers une ouverture 33 située approximativement au centre de la base 31 et reliée à un système à vide 34 par une pompe aspirante et un piège à azote liquide afin d'éviter la contamination de la chambre 30 par retour dans les lignes de pompage pendant la mise sous vide de la chambre 30.Une seconde ouverture 38, ménagée dans la base 31, permet d'introduire dans la chambre 30 un gaz inerte, comme l'argon, à travers une conduite 39 et une vanne appropriée 40, par exemple une vanne doseuse actionnée par un moteur, afin de maintenir continuellement la pression du gaz dans la chambre à la valeur voulue. A l'intérieur de la chambre à vide 30 se trouve une tablette support 41, réalisée en un métal comme le molybdène, qui repose sur la base 31. Une grande pastille de silicium 42, comportant une couche substrat de faible résistivité sur laquelle on a déposé par croissance épitaxiale une couche de silicium de résistivité beaucoup plus élevée, est placée sur la tablette support, Cette grande pastille a été traitée comme indiqué ci-dessus jusqu'-au stade précédant le dépôt de platine sur les faces 14 des couches 13.Une électrode porte-cathode est placée au-dessus de la pastille de silicium et bien alignée avec elle; cette électrode peut par exemple comporter une base circulaire 43 avec une tige de cathode axiale 44 partant du centre de la base circulaire et traversant le haut de la chambre 30 pour permettre le branchement à une alimentation pouvant par exemple, fournir une tension variable entre 0 et 5 kilovolts. Un bloc ou un disque 56 du matériau à pulvériser, comme le platine, est fixé à la base 43 par exemple par les brides 54 et 55, et joue le rôle de cathode. La base 43 et la tige 44 sont entourées par un écran électrostatique 45 faisant toute la longueur de la tige, et se terminant suivant un plan généralement parallèle à la surface de la base 43. La tige 44 et l'écran électrostatique 45 sont supportés en haut de la chambre 30 par une pièce annulaire 46, qui a à la fois un rôle d'isolant électrique vis-à-vis de la chambre à vide 30, et de pièce d'étanchéité pour maintenir le vide dans la chambre. La tige 44 est isolée électriquement de écran 45 par des pièces-isolantes analogues 47 et 48 disposées le long de la tige 44. L'écran électrostatique 45 et la tablette support 41 sont mis à la masse du point de vue électrique. Le système à pulvérisation triode de la figure 3 utilise aussi un générateur de plasma électronique, comprenant deux filaments 50 et 51 situés généralement aux deux extrémités de la tablette support 41 et entre la pastille 42 et la cathode 56. Les filaments 50 et 51 sont enfermés dans des écrans 52 et 53 comportant une ouverture, et qui sont aussi mis à la masse On peut chauffer les filaments à l'aide d'une source de-tension, comme une batterie ou une alimentation alternative, et les polariser négati vement par rapport à la masse, à -30 volts par exemple. L'application de ces potentiels aux filaments et aux écrans 52 et 53 s'accompagne de la formation d'un plasma d'électrons et d'ions à l'intérieur des écrans.Certains des électrons et des ions ainsi formés traversent les ouvertures de chaque écran, et apparaissent dans la région située entre la cathode 56 et la plaquette 42, où ils sont confinés généralement dans un plan parallèle à la surface de la cathode 56 et de la pastille 22 par un champ magnétique symbolisé par la lettre H, et dont la direction est indiquée par la flèche 49. Un élément chauffant 57 fixé à la tablette 41 sert à chauffer cette tablette, qui, à son tour, chauffe le pastille 42. L'élément chauffant est branché à une alimentation 58. Un système de mesure de température à thermocouple 59, fixé à la tablette 41 et relié au galvanomètre 60, indique la température de la tablette 41. Pour mettre en oeuvre le procédé de la présente invention, on dispose sur la tablette support 41 une pastille appropriée 42, telle que la grande pastille décrite ci-dessus en relation# avec les figures 1 et 2, et sur laquelle on a effectué les opérations précédant la formation des contacts de siliciure de platine selon la présente invention. La cathode de platine 56 est placée à une distance appropriée, par exemple 2 à 4 cm, du substrat 42. On dégaze alors la chambre jusqu'à une pression relativement basse, environ 1.10-6 6 Torr. Une fois la chambre dégazée, on y introduit un gaz inerte comme l'argon. On chauffe la tablette par l'intermédiaire de l'élément chauffant 57 jusqu'à une température suffisamment élevée, mais pas assez pour que la face 14 de la couche 13 dépasse 7000C.Un potentiel de -30 V appliqué aux filaments 50 et 51 par rapport aux écrans 50 et 53i un potentiel d'environ -500 Volts appliqué à la cathode de platine par rapport à la tablette, et un champ magnétique de- 100 gauss environ appliqué, comme nous l'avons indiqué, produisent, une fois les filaments 50et 51 alimentés, la formation d'un plasma d'électron et d'ions positifs comme indiqué ci-dessus, et son confinement par le champ magnétique H dans un plan parallèle à la cathode de platine 56 et au substrat, et situé entre les deux éléments. La cathode de platine étant à un potentiel négatif de 500 volts par rapport à la masse, les ions positifs du plasma sont attirés vers la cathode de platine 56. Les ions positifs bombardent la cathode de platine 56 et y libèrent des atomes, qui quittent la cathode et viennent se déposer sur le substrat 42.La pastille étant chauffée, on laisse le platine se déposer pendant quelques minutes,# jusqu'ce qu'un film mince, ou une couche de siliciure de platine, d'épaisseur 600 angströms par exemple, se soit formé sur les faces apparentes 14 de la grande pastille. On laisse ensuite la pastille revenir à la température ambiante. Dans ce procédé, une grande partie des atomes du platine pulvérisé arrivant sur la surface exposée de la pastille y réagissent immédiatement avec les atomes de silicium pour donner du siliciure de platine. Cette manière de former le siliciure de platine sur la pastille de silicium présente les avantages que nous avons indiqués ci-dessus et que nous allons développer plus bas.Dans ce procédé, et contrairement a ce qui se passe dans le procédé classique de réalisation des contacts siliciure de platine-silicium (où l'on commence par déposer le platine sous-la forme d'une couche de platine sur la pastille, et où l'on chauffe ensuite la pastille pour former les contacts de siliciure de platine), la réaction entre le platine et le silicium s'effectue en grande partie au cours même du dépôt du platine. Conformément à l'un des aspects de la présente invention, si la surface apparente de la pastille est une face cristallographique et qu'on la maintient à une température de 5000C, la hauteur de barrière du contact est de 0,78 eV. Si la surface apparente de la pastille sur laquelle on réalise le dépôt de platine a une orientation cristallographique s110 > , on obtient une hauteur de barrière de 0,85 eV. Et si la surface apparente de la pastille sur laquelle on dépose le platine a une orientation cristallogra- phique , on obtient une hauteur de barrière de 0,90 eV. Le procédé de la présente invention permet donc d'obtenir de nouveaux contacts#, ayant des hauteurs de barrière très diverses, pour une combinaison donnée de matériaux.En outre, les caractéristiques donnant, Le courant direct des diodes en fonction de la #ension appliquée ont des facteurs d'idéalité (n) voisins de l'unité, avec seulement de très faibles écarts par rapport à cette valeur (moins de 58). Les exemples particuliers suivants vont illustrer le procédé de l'invention et certains des contacts qu'elle permet de réaliser. EXEMPLE 1 On dispose d'une grande pastille de silicium comportant une couche substrat de type N d'épaisseur 0,254 mm environ et de résistivité 0,002 ohm.cm environ et une couche épitaxiale de silicium de type N, d'épaisseur 10 microns environ et de résistivité 1 ohm.cm environ; la surface apparente de la couche épitaxiale est parallèle au plan cristallographique de la pastille. On place la pastille sur la tablette support de l'appareil de la figure 3, la surface apparente dirigée vers le haut, on fixe un bloc de platine à l'électrode porte-cathode de l'appareil et à une distance de la pastille d'environ 3 cm.On fait ensuite le vide dans la chambre jusqu a une pression d'environ 1.10 6 Torr et l'on introduit de l-'argon dans la chambre à une pression d'environ 3.10 3 Torr. On chauffe la pastille à une température d'environ 5000C à l'aide de l'élément chauffant 57. La température de la pastille est contrôlée par le thermocouple 59 relié à la tablette 41. On estime à 200 C la chute de température entre la tablette et la pastille. La température de la tablette est donc ajustée à 7000C environ pour obtenir une température de la pastille de 5000C environ. Les filaments 50 et 51 sont alimentés et polarisés å -30 volts par rapport aux écrans 52 et 53, afin de créer un plasma entre la cathode de platine et le substrat. On applique un champ magnétique de-100 gauss comme indiqué sur la figure 3, et on applique à la cathode un potentiel d'environ -500 volts par rapport à la tablette. On règle la tension du filament pour obtenir une densité de courant cathodique d'environ 0,5 mA/cm2. On laisse le platine se déposer et la réaction se produire pendant 4 minutes environ, pour obtenir un film ou une couche de siliciure de platine ayant une épaisseur de l'ordre de 600 angstroms. Après refroidissement, on découpe la pastille pour obtenir un certain nombre de contacts qui peuvent être assemblés à volonté dans des dispositifs redresseurs à diode. On a effectué des mesures électriques sur ces éléments, et tous présentaient des hauteurs de barrière de -0,775+0,005 eV, avec un facteur d'idéalité n de 1,03+0,025. EXEMPLE 2 On réalise une grande pastille de silicium identique à celle de l'exemple 1, sauf que la surface apparente de la couche épitaxiale de la pasti#lle est formée de façon à être parallèle au plan cristallographique de la structure cristalline de la pastille. On soumet cette grande pastille à un traitement identique à celui auquel on a soumis la pastille de l'exemple 1. On effectue des mesures électriques sur chacun des éléments et tous indiquent des hauteurs de barrière de 0,855+0,005 eV avec un facteur d'idéa- lité n de 1,05+0,01. EXEMPLE 3 On réalise une grande pastille de silicium identique à celle de l'exemple l,sauf que la surface apparente de la couche épitaxiale de la pastille est formée de façon à être parallèle au plan cristallographique de la pastille. On soumet cette grande pastille à un traitement identique à celui auquel on a soumis la pastille de l'exemple 1. Des mesures électriques effectuées sur chacun des éléments indiquent des hauteurs de barrière de 0,90+#0,005 eV avec un facteur d'idéalité de 1,015+0,1. EXEMPLE 4 On réalise une grande pastille de silicium comportant# un substrat de type N d'épaisseur 0,254 mm environ, de résistivité 0,002 ohm.cm et une couche épitaxiale de silicium N d'épaisseur 10 microns environ et de résistivité 1 ohm.cm environ; la surface apparente de la couche épitaxiale est parallèle au plan cristallographique de la pastille. On place la pastille sur la tablette support de l'appareil de la figure3, la surface apparente dirigée vers le haut. On fixe un bloc d'aluminium à l'élec- trode porte-cathode de l'appareil et à une distance de la pastille d'environ 3 cm. On fait ensuite le vide dans la chambre jusqu'à une pression d'environ 1.10 6 Torr et l'on introduit de l'argon dans la chambre Ciune pression d'environ 3.10 3 Torr.Les fila- ments 50 et 51 sont alimentés et polarisés à -30 volts par rapport aux écrans 52 et 53 afin de créer un plasma entre la cathode d'aluminium et le substrat. On applique un champ magnétique de 100 gauss comme indiqué sur la figure 3 et on applique à la cathode un potentiel d'environ -3000 volts par rapport à la tablette. On règle la tension du filament pour obtenir une densité de courant cathodique d'environ 1,5 mA/cm2. On laisse le dépôt s'effectuer pendant approximativement 10 minutes pour obtenir un film ou une couche d'aluminium d'environ 2000 angstroms. La pastille est ensuite chauffée sous argon 'à environ 5000C pendant 15 minutes. Après refroidissement, on découpe la pastille pour obtenir un certain nombre de contacts qui peuvent être assemblés à volonté dans des composants redresseurs à diode.On a effectué des mesures électriques sur ces éléments et toutes indiquèrent des hauteurs de barrière de 0,72+0,01 avec n = 1,03+0,02. EXEMPLE 5 On réalise une grande pastille de silicium identique à celle de l'exemple 4, sauf que la surface apparente de la couche épita siale de la pastille est formée de façon.à être parallèle au plan cristallographique de la structure cristalline de la pastille. On soumet cette grande pastille à un traitement identique à celui auquel on a soumis la pastille de l'exemple 4. Des mesures électriques effectuées sur chacun des éléments indiquent des hauteurs de'barrière'de 0,i60+0,005 eV avec n = 1,03+0,03. EXEMPLE 6 On réalise une grande pastille de silicium identique à celle de l'exemple 4, sauf que la surface apparente de la couche épitaxiale est formée de façon à être parallèle au plan cristallographique de la structure cristalline de la pastille. On soumet cette grande pastille à un traitement identique à celui auquel on a soumis la pastille de l'exemple 4. Des mesures électriques effectuées sur chacun de ces éléments indiquent des hauteurs de barriere de 0,765±0,05 eV avec n = 1,02+0,02. On a décrit l'invention en se limitant à deux combinaisons de matériaux, à savoir un composé de platine et de silicium et du silicium dans le premier cast de l'aluminium et du silicium dans le second cas, mais on peut l'appliquer à beaucoup d'autres combinaisons de matériaux. Les combinaisons peuvent comporter comme premier composant des matériaux métalliques comme le tung stène, le molybdène, le rhodium, le palladium, le chrome, le rhénium, le zirconium, le cobalt, le titane, l'or, l'argent, ainsi que les siliciures métalliques et autres, et comme second composant des corps simples semi-conducteurs comme le germanium et le diamant. En outre, bien que dans les-exemples d'application de l'invention on se soit limité à des pastilles semi-conductrices de type N et de résistivité relativement élevée, aptes à donner des caractéristiques du type redresseur, l'invention peut aussi s'appliquer à des contacts comportant un matériau- semi-conducteur de type P de forte ou de faible résistivité, pour obtenir des-carac- téristiques I (V) du type redresseur ou non-redresseur. Pour réaliser des caractéristiques du type non-redresseur, on utilise un matériau à faible résistivité, de préférence inférieure à Q,06 ohm.cm, correspondant à une concentration totale en impuretés d'activation supérieure à 1018 atomes par cm3, avec un contact donnant une hauteur de barrière peu importante, par exemple une pastille de matériau semi-conducteur en siliciure de type P ayant une surface cristallographique sur laquelle on forme du siliciure de platine. REVENDICATIONS 1.- Procédé permettant de régler la hauteur de barrière dans toute une gamme de valeurs dans un contact d'un élément conducteur avec un substrat en corps simple semi-conducteur, caractérisé en ce qu'on laisse apparente une surface dudit. sub- strat parallèle à un plan cristallographique prédéterminé de ce substrat; en ce qu'on réalise ledit élément conducteur sur ladite surface apparente; en ce que ledit plan cristallographique prédéterminé est un plan cristallographique dudit substrat, ce qui produit une hauteur de barrière prédéterminée dans ladite gamme de hauteurs de barrière. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau conducteur est du silicium. 3.- Procédé selon la revendication I ou 2, caractérisé en ce que ledit élément conducteur est un composé de platine et de silicium. 4.- Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit élément conducteur est constitué d'aluminium. 5.- Procédé selon l-'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit matériau semi-conducteur est de type N. o.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit siliciure de platine est formé par dépôt de platine sur ladite surface en maintenant ladite pastille de matériau semi-conducteur en silicium à une température com prise entre environ 4avec et 700"C.