FR 2172913 A1 19731005 FR 7206602 A 19720225 La présente invention concerne de nouvelles gemmes de corindon synthétiques à astérisine, par exemple des saphirs et des rubis étoilés de synthèse et d'autres cristaux de corindon colorés à astérisme, ainsi qu'un procédé et un dispositif de réalisation de telles gemmes. Le brevet des Etats-Unis dtAmérique no 2 488 507 décrit un procédé de production d'astérisme dans des cristaux de corindon synthétique . Selon ce brevet, lorsqu'un cristal de synthese de rubis ou de saphir grossit lors de la mise en oeuvre du procédé Verneuil à partir d'une poudre d'alumine contenant environ 0,1 à 0,3 ffi dioxyde de titane et est alors chauffée à une température comprise entre 1100 et 1500OC, un composé du titane, qu'on pense être oxyde, précipite de la solution so- lide et forme un précipité nuageux et soyeux.Les rubis et saphirs étoilés de synthèse sont taillés en cabochon dans le cristal, c'est-à-dire qu'ils ont une face convexe opposée à une face plane, l'axe c du cristal étant perpendiculaire å la base et passant verticalement par le centre de la partie convexe. De telles gemmes présentent une étoile à six branches centrée au sommet de la pierre. Les saphirs et rubis étoilés de synthèse de ce type se distinguent des pierres naturelles correspondantes en ce qu'ils comprennent des lignes courbes de croissance, dues à la formation d'un interface convexe de croissance cristalline lors de la mise en oeuvre du procédé Verneuil, alors que les cristaux naturels présentent en général des plans de croissance. Le brevet des Etats-Unis d'Amérique no 2 690 062 décrit un procédé perfectionné de croissance de cristal supprimant une tendance de l'oxyde de titane à se concentrer dans une zone périphérique étroite autour du cristal au cours de la croissance normale selon le procédé de Verneuil.Suivant ce brevet, on fait crotte des cristaux de corindon synthétique en faisant passer des constituants en poudre du cristal, contenant de l'alumine en poudre avec 0,1 à 0,3 % environ en poids d'oxyde de titane et des autres agents de coloration le cas échéant, dans une flamme qui fond les constituants, ceux-ci s'accumulant et se cristallisant sur un germe, des conditions thermiques variables étant maintenues autour du cristal de ma nière que celui-ci croisse en formant une série de fines couches convexes transversales réparties sur la longueur du cristal, des couches comportant de oxyde de titane réparti en solution solide sur toute leur largeur, des couches alternées ayant de l'oxyde de titane concentré au voisinage de leur périphérie, mais en étant pratiquement dépourvues vérs leur centre. Lorsqu'un cristal synthétique de corindon croit comme décrit et, avec une orientation pour l'axe c d'environ 00 par rapport à l'axe longitudinal de croissance du cristal, de préférence, il est possible de découper une gemme en cabochon à partir du cristal à astérisme, de manière que la partie convexe du cabochon ait la même courbure que les couches courbes qui comprennent de l'oxyde de titane réparti sur toute leur largeur. Le cabochon ainsi obtenu paratt avoir une coloration uniforme et homogène sur sa partie convexe et les six branches de l'étoile se prolongent également sur les cotés de la gemme, vers sa base. On constate cependant qu'on rencontre d'importants problèmes lors de la fabrication des gemmes à partir de tels cristaux à couches. Par exemple, si le cristal croît lors du procédé Verneuil, avec des fluctuations thermiques qui assurent la formation des couches voulues, mais avec une orientation pour l'axe c autre Rue Oo, par exemple une orientation de 90Q, le cabochon découpé dans/tel cristal présente une partie convexe dont la courbure recoupe les couches alternées à teneur variable en oxyde de titane, si bien qu'il parait avoir des bandes lui donnant un aspect peu esthétique.En conséquence, il est en général nécessaire de faire crotte de tels cristaux avec une orientation telle que l'axe c fait un angle voisin de OQ, si bien qu'il est nécessaire de régler avec précision les divers paramètres du procédé. De plus, comme les couches convexes ayant de l'oxyde de titane réparti dans leur masse sont disposées perpendiculairement à la largeur du cristal et comme la partie convexe-de la gemme doit suivre la courbure de la couche riche en oxyde de titane, il n'est en général possible de découper qu'un seul cabochon dans chaque ébauche ou un seul disque dans un cristal, par deux découpes distantes normales à l'axe du cristal. Ces ébauches peuvent entre découpées de manière que la gemme à for mer ait les proportions convenables, c'est-à-dire une largeur de base à peu près égale au double de la hauteur du cabochon, si bien que le cristal de Yerneuil,qui a grossièrement une forme normalement conique, doit être découpé en une série d'ébauches de hauteurs différentes pour être transformé en gemmes en cabochon de dimensions diverses.La nécessité de donner de telles proportions à chaque cristal de Verneuil et les restrictions de disponibilité de certaines dimensions de cabochon, du fait des dimensions et de la structure interne du cristal de Verneuil, imposent des dépenses et des déchets importants. L'invention concerne un corps cristallin en corindon synthétique, dont le composé d'astérisme, ainsi que tous les agents de coloration qutil peut comprendre, sont répartis de façon pratiquement uniforme dans toute la masse, si bien qu'on peut réaliser des cabochons dans toute coupe du corps cristal lin, avec n'importe quelle dimension voulue compatible avec le fait que le plan de la base du cabochon doit être normal à l'axe c du cristal, si bien qu'il est possible d'obtenir un effet étoilé entièrement développé. Les cristaux synthétiques de corindon obtenugselon ltin- vention ont une coloration homogène et une répartition prati quement uniforme du composé d'astérisme, sans couches transver sales convexes ayant des teneurs variables en oxyde de titane. Chaque gemme présente une étoile à six branches bien délimitée dont toutes les branches descendent également sur les coAtés de la pierre vers sa base, le cabochon étant dépourvu des bandes qui caractérisent les pierres découpées dans un cristal formé de-couches. Plus précisément, l'invention concerne un procédé de production d'un cristal de corindon de synthèse dans lequel un composé du titane d'astérisme est uniformément réparti dans le cristal, ledit procédé consistant à établir une matière fondue composée d'alumine et d'oxyde de titane, ce dernier étant pré sent en quantité comprise entre environ 1 et 3 % en poids de la matière fondue, à établir à la surface de cette matière fon due une région à température convenant 'a la croissance cristalline, à tremper un germe cristallin dans la matière fondue et à tirer ce germe de la matière lorsque la croissance cristalline avance.Un corps cristallin tiré comme décrit dune matière fondue contenant de l'alumine et de l'oxyde de titane, ce dernier étant présent par exemple à raison de 1,5 % en poids de la matière fondue, a lui-meme une concentration d'environ 0,15 % en poids d'oxyde de titane en solution solide, réparti uniformément dans la masse cristalline. Celle-ci peut présenter un astérisme homogène dans toute la masse, après traitement thermique à une température comprise entre 1100 et 1500OC pendant un temps suffisant pour assurer la formation de l'astérisme. Une gemme est alors découpée en cabochon dans le corps cristallin, le plan de base étant normal à l'axe c du cristal. On observe que la gemme présente une étoile symétrique à six branches, chacune de celles-ci descendant également sur les coAtés du cabochon vers sa base, le cabochon étant dépourvu de toute présence de bande, quelle que soit la manière dont il est découpé dans le cristal. De plus, on peut réaliser des gemmes synthétiques colorées à astérisme, par exemple des saphirs bleus et des rubis, en ajoutant à la matière fondue contenant de l'alumine et du titane une quantité d'un composé fournissant des ions d'éléments capables de pénétrer dans le réseau cristallin de l'alumine en solution solide et de provoquer une absorption sélective de la lumière dans le spectre visible, en donnant ainsi au cristal une coloration.De tels cristaux colorés ont une coloration homogène du fait de la répartition uniforme des ions de coloration, même lorsqu'il s'agit de cristaux de corindon colorés, par exemple de saphirs bleus, qu'on ne peut pas obtenir par le procédé de Verneuil sans structure à couches. Dans un.mode de réalisation préféré, le procédé de l1in- vention de tirage d'un cristal de corindon synthétique à partir d'une matière fondue de constituant, selon lequel le soluté d'oxyde de titane qui produit l'astérisme est en quantité comprise entre 0,1 et 0,3 % environ en poids est uniformément réparti dans le cristal tiré, consiste à établir et à maintenir par chauffage une matière fondue composée d'alumine et d'oxyde de titane, celui-ci étant présent dans la matière fondue en quantité comprise entre environ 1 et 3 % en poids de cette matière ayant un coefficient de répartition à l'équilibre de 0,1 par rapport à la matière fondue, un cristal croissant à partir de cette matière provoquant ainsi un rejet du soluté d'oxyde de titane du cristal avec une augmentation résultante dé la concentration du soluté dans une couche de la matière fondue voisine de l'interface, cette concentration en excès étant transportable par l'intermédiaire de la couche voisine de l'interface et de la matière fondue pendant un temps qui dépend du mécanisme de diffusion et qui impose ainsi une vitesse maximale de traction pour le retrait du cristal de la matière fondue, sans incorporation dans le cristal de parties de cette matière contenant des concentrations excessives de soluté d'oxyde de titane, le procédé consistant de plus à tremper un germe dans une région localise de la surface de la matière fondue, à déelencher la croissance cristalline à partir de ce germe, à retirer le cristal croissant de la matière fondue avec une vitesse de tirage dépassant la vitesse maximale imposée par la concentration du titane en excès à l'interface de croissance, et à empêcher l'incorporation dans le cristal de parties contenant du soluté en excès par maintien de la région localisée à une température favorisant la croissance du cristal tout en réduisant la perte de chaleur par radiation à partir des régions de la matière fondue qui entourent la région localisée de manière à maintenir un gradient de température dans la couche de diffusion dans la matière fondue elle-meame supérieure au gradient de température qui existe normalement si une telle perte de chaleur des régions voisines n > est-pas limitée, si bien que des parties du liquide contenant du soluté en excès ne sont pas piégées et solidifiées dans le cristal en cours de croissance, grâce à la grande différence de température existant dans la couche de diffusion. Plus précisément, l'invention concerne un procédé de production d'un cristal de corindon de synthèse, selon lequel un composé du titane, provoquant l'astérisme, est uniformément réparti dans le cristal, ledit procédé consistant à établir une matière fondue composée d'alumine et dioxyde de titane, ce der nier étant présent en quantité comprise entre 1 et 3 % environ en poids de la matière fondue, à établir une région localisée à la surface de la matière fondue, à une température convenant à la croissance cristalline tout en maintenant des régions adjacentes de ladite région localisée à une température ne favorisant pas la croissance cristalline par chauffage de la matière fondue,l'irradiation vers le haut d'énergie thermique à partir de la région localisée n'étant pas limitée alors que la perte de chaleur par radiations est limitée dans les régions environnantes, à tremper un germe dans la matière fondue dans la région localisée, et à tirer le germe verticalement de la matière fondue lors de la croissance en formant un cristal de forme conique ayant un diamètre croissant, puis à poursuivre le retrait de chaleur de la région localisée principalement par radiation non limitée depuis ladite région et dans une moindre mesure par conduction et radiation vers le haut dans la masse cristalline conique jusqu'à ce que le diamètre du corps cristallin atteigne une valeur voulue, puis par poursuite de la traction du corps cristallin de diamètre voulu hors de la matière fondue avec retrait de chaleur de la région localisée essentiellement par conduction et radiation dans le cristal. L'invention concerne aussi un appareil destiné à la mise en oeuvre des procédés décrit comprenant un creuset de section circulaire et entouré sur ses côtés par au moins un organe cylindrique d'isolation, un enroulement de chauffage par induction de section circulaire et disposé symétriquement autour de l'organe d'isolation et du creuset, et destiné à induire un courant de chauffage dans le creuset, un couvercle placé sur orifice du creuset et ayant un orifice circulaire central de diamètre légèrement supérieur au diamètre maximal du cristal à tirer, de manière qu'il permette le retrait d'un cristal d'une matière fondue contenue dans le creuset et la radiation non limitée vers le haut de l'énergie thermique depuis une partie centrale localisée de la surface d'une matière fondue contenue dans le creuset au cours des phases initiales de l'opération de tirage du cristal, et un organe d'isolation disposé transversalement au-dessus du couvercle du creuset et ayant un orifice central circulaire de diamètre supérieur au diamètre de l'orifice du couvercle et délimitant avec celuici une zone de conservation de chaleur et de surchauffe, les bords de l'orifice du couvercle et ceux de l'orifice de l'or- gane d'isolation qui le recouvre délimitant chacun avec un sommet commun placé sur l'axe vertical du creuset un cône inversé, l'angle du clone délimité par le sommet et l'orifice du couvercle étant compris entre 100 et 140ou et 11 angle du cône formé par le sommet et l'orifice de l'organe d'isolation étant compris entre 45 et 650, si bien que, lorsqu'une matière fondue est placée dans le creuset, avec sa surface au niveau du sommet, la région localisée autour du sommet peut irradier de l'énergie thermique vers le haut par la zone conique d'angle au sommet compris entre 100 et 1400, alors que les radiations thermiques provenant des régions de la surface entourant ladite région localisée sont limitées à un angle plus faible, seule la partie des radiations passant dans le cône d'angle au sommet compris entre 45 et 65 s'échappant par orifice de l'organe d'isolation, le reste des radiations étant conservé dans la région comprise entre le couvercle et l'organe d'isolation. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels la figure 1 représente schématiquement une opération de tirage de cristal la figure 2 est un diagramme représentant la concentration du soluté dans le liquide fondu, à une distance donnée depuis l'interface de croissance, pour deux vitesses différentes de croissance la figure 3 est un diagramme donnant la température de liquidus correspondant aux concentrations de soluté représentées sur la figure 2 pour deux vitesses de croissance, ainsi que les gradients thermiques réels existant dans la matière fondue dans de telles conditions la figure 4 est une coupe, qui n'est pas forcément à llé- chelle, d'un appareil destiné à mettre en oeuvre le procédé de l'invention et à former le cristal de corindon synthétique de l'invention, ayant une coloration homogène et une répartition uniforme du composé d1astérisme la figure 5 est une élévation, en coupe partielle, d'un cristal de corindon synthétique obtenu par mise en oeuvre du procédé de l'invention ; et la figure 6 est une élévation en coupe partielle d'un cristal de corindon synthétique obtenu par mise en oeuvre du procédé de Verneuil. La figure 1 illustre schématiquement une opération de tirage à partir d'une matière fondue, l'appareil comprenant un creuset 10 contenant une matière fondue 11 formée par les constituants de cristal. Un germe 12 a été introduit initialement dans la matière fondue et retiré au fur et à mesure de la progression de la croissance du cristal, sous forme d'un corps monocristallin 13 partiellement formé. La tige portant le germe et le cristal qui croît tournent en général, lors du tirage, de manière à-former un corps cristallin de section circulaire. Autrement, le cristal aurait une forme polygonale, du fait de la tendance du cristal à former des faces d'équilibre correspondant à l'énergie libre la plus faible en surface. La partie 14 orientée vers le haut et ayant la forme d'un cône se forme au cours de la phase critique de l'opération de croissance dans laquelle le cristal croit sur lui-même, avec un diamètre croissant progressivement, jusqu'à ce qu'il atteigne le diamètre voulu D. Le cristal est ensuite tiré de la matière fondue et forme une boule allongée ayant un diamètre plus ou moins constant D et la longueur voulue. Dans le procédé de croissance de cristal de l'invention, la composition de la matière fondue à partir de laquelle est tiré le cristal contient de l'alumine Al203 et de l'oxyde de titane TiO2, celui-ci étant en quantité comprise entre 1 et 3 % environ en poids, ainsi que diverses quantités de composés destinés à donner une coloration voulue au cristal. Ainsi, si on veut former un saphir étoilé bleu, il est nécessaire d'ajouter à la matière fondue, en plus de l'oxyde de titane, une quantité d'oxyde ferrique Fe203 comprise entre environ 0,9 et 1,5 % en poids.Par exemple, si la matière fondue contient 1 0 en poids d'oxyde de titane, 1,5 % en poids d'oxyde ferrique et le reste d'alumine, le cristal d'alumine ou de corindon tiré contient environ 0,1 ffi en poids d'oxyde de titane et environ 0,05 % en poids d'oxyde ferrique. La coloration bleue de la pierre étoilée est supposée due au remplacement de l'ion AL par des ions Ti et Fe+2 dans le réseau de corindon, l'astérisme étant dû à la DréciDitation aDrès traitement thermique d'un titanate composé du titane sous forme d'aiguilles, qu'on pense autre un/ complexe d'aluminium.La présence d'une coloration convenable dans le cristal nécessite une quantité suffisante de matières de dopage ayant ltétat de valence convenable ; ltobtention de l'astérisme nécessite la présence dans le cristal d'uneAuanti- té suffisante de titane dans l'état de valence convenable.Pour un saphir étoilé bleu, il faut que les quantités de titane et de fer, présentes dans le cristal, lorsqu'on les analyse en teneur en poids sous forme d'oxyde de titane et d'oxyde ferrique, soient comprises entre 0,1 et 0,3 % pour l'oxyde de titane et entre 0,03 et 0,05 % environ pour oxyde ferrique.0n constate que, pour que la teneur mesurée en oxyde de titane soit comprise entre environ 0,1 et 0,3 % en poids de la masse du cristal, il est nécessaire que la matière fondue ait une concentration à peu près dix fois supérieure à cette concentration voulue, c'est-à-dire comprise entre environ 1 et 3 % en poids. Ceci est dû à un coefficient efficace de répartition, c'est-àdire le rapport de la concentration du soluté dans le cristal au rapport de la concentration du soluté dans la matière fondue, d'environ 0,1 pour le système TiO2-Al203. Le coefficient efficace de répartition dans le cas de l'oxyde ferrique dans l'alumine est de façon analogue à peu près égal à 0,1 (il est nécessaire d'ajouter cependant des quantités plus grandes d'oxyde de ferrique à la matière fondue, c'est-à-dire entre environ 0,9 et environ 1,5 % en poids, du fait de la perte par évaporation à partir de la matière fondue, correspondant à peu près aux deux tiers-de la quantité ajoutée d'oxyde ferrique). On rencontre d'importants problèmes posés par la croissance du cristal du fait des faibles coefficients de répartition de ces solutés, et en particulier en ce qui concerne l'incorporation de quantités suffisantes d'oxyde de titane dans le cristal. On peut former des cristaux de couleurs choisies, autres que bleue, en utilisant des composés qui ont des coefficients efficaces de répartition proches de l'unité, par exemple de l'oxyde chromique utilisé pour la réalisation de rubis ou de corindon rouge ; cependant, la production dXastérisme dans un de ces cristaux de corindon nécessite I'incorporation d'oxyde de titane dans les quantités spécifiées. Un coefficient de répartition inférieur à l'unité implique un rejet du soluté par le cristal au niveau de l'interface de croissance, si bien qu'il existe une concentration accrue du soluté dans le liquide, et plus précisément dans une zone étroite voisine de l'interface solidus-liquidus. Dans la figure 1, cette zone constitue la couche 15 de diffusion, puisque la vitesse du liquide est alors nulle, même lorsque la matière fondue est agitée, et puisque le transport essentiel du soluté en excès dans cette couche vers la masse de la matière fondue est un phénomène de diffusion, qui est une réaction dépendant du temps.Si le cristal 14 comprend des parties de la matière fondue contenant une concentration en soluté dépassant celle qui existe dans le cristal et qui se solidifie ultérieurement, il se forme des inclusions dans le cristal, ayant une composition et des propriétés de réfraction différentes de cel- les de la masse du cristal. La croissance, dans le procédé de tirage à partir d'une matière fondue, dépend du retrait de chaleur par conduction et radiation vers le haut par llintermé- diaire du cristal qui grossit, et toutes variations de ce trans et fert thermique dues aux inclusions/ aux discontinuités dans le cristal influent sur la croissance convenable du cristal.Ceci est un problème particulièrement important en ce qui concerne la phase initiale de tirage du cristal, lorsque le corps 14 est amené à son diamètre maximal D. Lorsque cette partie initiale 14 de la masse du cristal n'atteint pas un état de perfection élevé, il est extremement difficile de réaliser un cristal parfait au point de vue optique, de la concentration uniforme en matière de dopage et de la rectilinéarité. Comme le soluté en excès dans la couche de fiffusion diffuse avec le temps dans cette couche en pénétrant dans la masse de la matière fondue, il est parfois possible d'empecher lsincorporation de ces phases secondaires en cristal par réduc tion de la vitesse de croissance, c'est-à-dire par réduction de la vitesse de tirage. La figure 2 représente la concentration du soluté dans le liquide à une distance donnée de l'in de terfaceleroissance pour deux vitesses différentes de tirage R et R', R' étant inférieur à R.C représente la concentration o moyenne du soluté, c'est-à-dire de oxyde de titane, en dehors de la couche de diffusion, dans la matière fondue ellemême, cette concentration en soluté étant pratiquement uniforme du fait de ltagitation par convexion de la matière fondue. CL et CL' représentent la concentration en soluté dans la couche de diffusion à llinterface de croissance pour les deux vites ses R et R'. C et C ' représentent la concentration du soluté s s dans le cristal solidifié pour les deux vitesses R et R1. La constante de répartition à 11 équilibre Ko est déterminée par l'équation Ko = C s/CL et elle est déterminée par le diagramme de phase oxyde de titane-alumine, mais elle n'est pas nécessairement constante.La constante efficace de répartition Ke est déterminée par la formule suivante Ke = C IC s o et elle dépend des conditions dans lesquelles a lieu la solidification. La figure 3 représente les courbes de température de liquidus à ltéquilibre pour les deux concentrations C et C '. s s La courbe T TL représente la courbe de liquidus correspondant o à la concentration Cs résultant de llutilisation de la vitesse s rapide R de tirage et la courbe ToTLî représente la courbe de liquidus correspondant à la concentration inférieure C ' prove s nant de l'utilisation de la faible vitesse R' de tirage. Les gradients réels de température dans le liquide, à distance de l'interface, sont aussi représentés sous forme des droites TLTao pour la vitesse R et TL '-T ao pour la vitesse R' (les courbes de gradient de température sont supposées être des droites).La surface hachurée S placée sous la courbe de liquidus correspondant à la vitesse R représente une région dans laquelle peut se produire une surfusion à la vitesse rapide de tirage, si bien que toute instabilité ou discontinuité qui se produit à l'interface de croissance se propage, si bien que la région voisine de liquide a une concentration en soluté qui augmente et reste sous forme d'un liquide qui est éventuellement piégé dans le monocristal solide et qui se solidifie lorsque la concentration est suffisamment élevée et la température suffisamment faible pour qu'il se forme une seconde phase. Lorsque la solidification totale a lieu, il se forme un vide du fait de la différence de volume entre le liquide et le solide.De tels vides ou de telles discontinuités influent sur le passage de la chaleur qui remonte dans le cristal, et modifient les conditions d'équilibre nécessaires à la croissance de qualité élevée du cristal. De plus, ces vides apparaissent à la surface des cristaux polis sous forme de piquage et réduisent la valeur des cristaux. Ce problème posé par la surfusion peut parfois être évité par une réduction de la vitesse de tirage, par exemple à R', si bien que la concentra tion en soluté à l'interface C ' est abaissée et que le gra s dient de température TL '-T est élevé au-dessus de la courbe ao de liquidus pour cette concentration en soluté, si bien qu'il nty a habituellement pas de surfusion.Cependant, il n'est pas toujours souhaitable d'abaisser la vitesse de tirage du cristal pour des raisons économiques et aussi car il est préférable de tirer le cristal de la matière fondue avec une vitesse aussi élevée que cela est possible en pratique pour terminer le travail en une courte période au cours de laquelle les conditions et l'atmosphère de croissance peuvent être maintenues uniformes de façon raisonnable. De plus, du fait du faible coefficient efficace de répartition du système oxyde de titane-alumine et de la grande quantité d'oxyde de titane qutil faut introduire dans le cristal pour obtenir l'astérisme, la vitesse de tirage nécessaire à l'obtention du résultat voulu doit être très faible et difficile à régler dans le cas des teneurs élevées en oxyde de titane. On préfère donc selon l'invention mettre en oeuvre le procédé de tirage de cristal à une vitesse élevée R de tirage, si bien qutil existe à l'interface une concentration accrue en soluté C et qu'il peut se produire une surfusion de constitu s tion, mais, selon l'invention, on modifie le système de manière à accroStre le gradient de température dans le liquide depuis l'interface, de manière que la surfusion de constitution ne puisse se produire. Ce gradient accru est représenté sur la figure 3 par la ligne T,-T .L'effet de l'utilisation du gra oa dient de température T -T est que toute instabilité ou toute L oa discontinuité qui peut se produire à l'interface de croissance, du fait des fluctuations mineures et inévitables des conditions, ne pénètre pas profondément dans la région S où peut se produire la surfusion, mais est supprimée et, dans le cas de solidification, éventuellement refondue du fait des conditions élevées de température qui règnent dans la couche de diffusion. Un germe peut être introduit dans une matière fondue maintenue dans ces conditions et peut 8tre retiré avec une vitesse de tirage supérieure à celle que permet notamment la concentration en soluté de la matière fondue, et le risque est faible d'une surfusion ou de la formation d'inclusions d'une seconde phase, de vide ou de discontinuité dans le cristal. Cette protection contre la formation d'inclusions d'une seconde phase, de vide ou de discontinuité est particulièrement avantageuse dans la phase initiale de la croissance, car le cristal qui constitue le germe peut être rapidement tiré de la matière fondue, si bien que le cristal grossit sur lui-même de façon très parfaite.Lorsque le reste du cristal croit à partir de cette partie initiale conique, il a la meAme perfection et la même concentration uniforme en soluté, la même qualité optique élevée et la meme rectilinéarité, qui sont nécessaires à l'obtention d'un cristal terminé de la meilleure qualité. De plus, grâce à la mise en oeuvre du procédé de l'invention, il est possible de retirer les cristaux à des vitesses de l'ordre de 0,508 cm/h, alors qu'autrement, il faut utiliser des vitesses de tirage au maximum égales à 0,318 cm/h, suivant la teneur en soluté de la matière fondue. La figure 4 représente un appareil destiné à la mise en oeuvre du procédé de l'invention et comprenant un creuset 16 de section circulaire. Ce creuset est en métal réfractaire dont la température de fusion est supérieure à celle de l'alumine contenant l'oxyde de titane (de l'ordre de 2040OC). il doit aussi astre pratiquement inerte pour l'alumine fondue. Le tungstène et l'iridium sont des exemples de matières qui conviennent pour la réalisation de creusets. Le creuset 16 est monté à l'intérieur d'un ensemble cylindrique 17 constitué de matières d'isolation, par exemple d'alumine, de silice, de zircone, etc. Un exemple de tels ensembles convenables d'isolation comprend un manchon cylindrique externe 18 reposant sur une plate-forme 19. Un manchon cylindrique interne 20 entoure le creuset et repose sur la plateforme 19. De la matière réfractaire 21 en grain est tassée dans ltespace compris entre les manchons. Un autre manchon cylindrique 22, de diamètre inférieur à celui du creuset, repose sur la plate-forme 19 et supporte le creuset 16 au-dessus de cette plate-forme 19.Une matière granulaire 23 d'isolation est tassée dans l'espace annulaire compris entre ce manchon 22 de petit diamètre et le manchon interne ; une matières réfractaire sous forme de morceaux de plus grande dimension, par exemple des copeaux 24, est disposée . sans tassement dans le manchon 22 et au-dessus de la plate-forme 19. Un orifice 25 de petit diamètre existe au centre de la plaque formant la plate-forme 19, qui repose elle-meme sur un organe cylindrique 26 de support. Un enroulement 27 de chauffage haute fréquence est disposé autour de l'ensemble cylindrique d'isolation. Un courant électrique circule dans l'enroulement et induit la circulation d'un courant dans le creuset 16 qui constitue un induit, et qui est ainsi chauffé à température élevée. La chaleur est transférée par conduction des parois du creuset à la charge des constituants présents dans le creuset, assurant ainsi la formation et le maintien de la matière fondue. Un couvercle annulaire 28 est placé sur l'orifice du creuset. il comprend un orifice central circulaire de diamètre dL qui est supérieur au diamètre maximal du cristal destiné à entre tiré de la matière fondue. Un organe annulaire 29 d'isolation est placé à une certaine distance Li au-dessus du couvercle 28 en étant par exemple supporté par le manchon 20. Lut espace 30 compris entre l'or- gane 29, le couvercle 28 et l'organe 20 constitue une zone de conservation de chaleur et de surchauffe, comme expliqué dans la suite. Cet organe 29 comprend un orifice central di concentrique à l'orifice du couvercle et de diamètre supérieur à celui de l'orifice du couvercle.L'organe d'isolation est disposé de manière à former une zone conique d'accès direct au point central de la surface de la matière fondue, en délimitant un angle compris entre 45 et 65 . Comme le montre la figure 4, cet angle est déterminé par les facteurs suivants : le diamètre d de l'orifice de l'organe d'isolation et la distance entre la surface de la matière fondue et cet organe d'isolation, qui est égalera la somme de la distance L1 de la surface de la matière fondue au couvercle 2 et de la distance Li du couvercle 28 à l'organe 29.Un autre clone d'angle au sommet égal à 0, compris entre 100 et 1400 , est délimité par le point central de la surface de la matière fondue et les bords internes du couvercle 28, les radiations comprises dans 55 à 75 de cet angle venant heurter organe 28 et la partie supérieure du cylindre 20 en chauffant ces organes et en formant entre eux une région qui délimite une zone de conservation de chaleur et de surchauffe. L'axe vertical F du creuset divise les deux angles et 0. Les sommets des deux cônes se trouvent au même point A auquel l'axe vertical du creuset recoupe un plan horizontal représenté par la ligne m-m, placé à une distance L1 au-dessous du couvercle dans le creuset.Ce dernier est de préférence rempli des constituants fondus du cristal, jusqupau niveau de la ligne m-m. Pour provoquer la mise en route de la croissance, on plonge un germe cristallin suivant I1 axe vertical dans la matière fondue, au point A. La région de croissance est limitée initialement au voisinage du point A. Les radiations thermiques de cette région de croissance peuvent quitter le creuset par le cône d'angle O compris entre 100 et 140O, suivant le diamètre du couvercle 28 et la distance L1 comprise entre le couvercle et la surface de la matière fondue. Les pertes par radiation thermique à partir des autres points de la surface de la matière re fondue, à partir des points G et H, sont limitées du fait de l'interférence de ces radiations avec le couvercle 28. Les pertes par radiation depuis un point tel que G, en dehors de la région de croissance localisée, centrée autour du point A, sont limitées à un angle plus faible que l'angle 0, et la plupart des radiations provenant du point H sont réfléchies vers la matière fondue par le couvercle 28. Du fait de cette disposition du couvercle 28 au-dessus de la surface de la matière fondue, une plus grande quantité de chaleur est retirée de la région localisée de croissance voisine du point A à la surface de la matière fondue que des régions voisines de la surface. Comme la région localisée doit être maintenue à une température TL assurant la croissance du cristal, on doit chauffer plus la matière fondue pour compenser la perte accrue de chaleur dans la région centrale localisée. Les régions environnantes doivent être maintenues à une température plus élevée que dans le cas où il n'y aurait pas un tel retrait efficace de chaleur dans la région centrale localisée, c'est-à-dire si l'angle O du cône de radiation illimitée était bien inférieur à 100 . Le gradient de température, dans la région allant de l'interface de croissance à la matière fondue qui l'entoure, est donc accru. Ce gradient accru dans la zone de diffusion permet une croissance rapide du cristal, c'est-àdire une vitesse de tirage accrue, sans surfusion de constitution. Le fait qu'il soit nécessaire de maintenir la matière fondue à une température élevée de manière à compenser la perte accrue de chaleur dans la région localisée de croissance nécessite la fourniture de chaleur supplémentaire à la matière fondue par les parois du creuset. Une quantité accrue d'énergie électrique doit être fournie au creuset par l'enroulement de manière qu'il fournisse cette chaleur. L'isolation thermique entourant le creuset doit conserver convenablement la chaleur dans la matière fondue de manière que le creuset n'ait pas à être maintenu à une température excessivement élevée, qui pourrait provoquer la fusion du creuset.L'organe 29 réduit les pertes de chaleur du creuset/du couvercle 28, et maintient la chaleur dans la zone 30 au-dessus du couvercle, sans réduire les pertes par radiation depuis la région localisée de croissance à la surface de la matière fondue. La zone 30 est délimitée par le couvercle 28 et les organes 20 et 29 d'isolation. Une partie des radiations thermiques qui s'échappent dans le cône d'angle O, par l'orifice du couvercle, est interceptée par les parois de l'organe 20 et la partie annulaire de la face inférieure de l'organe 29. Seule la partie des radiations provenant du point A qui est le sommet des deux cônes, et qui irradie dans l'angle compris entre 45 et 650, s'é- chappe par l'orifice de ltorgane 29. Le reste des radiations représenté par la différence entre les cônes d'angle o et > , c'est-à-dire correspondant à un angle de 55 à 75Q de l'angle 0, est intercepté et conservé dans la zone 30.Grâce à la conservation de chaleur du creuset et de la matière fondue dans cette zone 30, il est possible de maintenir un gradient thermique élevé dans la matière fondue, qui est nécessaire à la croissance convenable du cristal sans consommation excessive d'énergie provenant de l'enroulement 27 dans le creuset, car une telle consommation excessive peut provoquer la défaillance des parois du creuset et leur fusion. Simultanément, la zone 30 forme une région de surchauffe ou de chauffage au-dessus de la matière fondue, si bien que le cristal tiré de cette matière n'est pas immédiatement soumis à une atmosphère froide. Ltor- gane 32 réduit aussi la perte de chaleur provenant de ltappa reil de croissance. L'effet combiné du refroidissement efficace de la région localisée de la surface de la matière fondue et du chaufface supplémentaire fourni à la matière fondue pour compenser la perte thermique en surface assure une agitation très efficace de la matière, si bien que la matière fondue chauffée à une température élevée sur les côtés du creuset remonte vers la surface puis se déplace radialement au niveau de cette surface vers la région localisée de basse température, ce courant de matière fondue redescendant dans la matière fondue vers le fond du creuset. Cette agitation est accrue par le refroidissement du fond du creuset par les morceaux isolants 24 de grande dimension, qui permettent le passage par le fond du creuset d'une quantité de radiations/supérieure à celle que laisseraient passer des granulés de petite dimension qui seraient placés sous le creuset.L'orifice 25 de la plaque permet d'avoir accès au compartiment rempli par les morceaux isolants et de permettre un retrait suPPlémentaire de chaleur. L'agitation très ef Dlus, ficace réalisée dans le dispositif décrit assure un déplacement/ rapide de la matière fondue à l'interface de croissance du cris tal et réduit la largeur de la couche de diffusion ainsi que la concentration excessive du soluté dans cette couche. Un exemple d'appareil convenant à la réalisation des conditions décrites dans le présent mémoire pour la croissance d'un cristal comprend un creuset de 8,9 cm de hauteur, et de section circulaire de diamètre égal à 6,35 cm. Le couvercle placé sur la bouche du creuset a un orifice circulaire central d'environ 3,18 cm. Organe annulaire d'isolation est disposé à environ 3,75 cm au-dessus du couvercle et comprend un orifice central circulaire d'environ 5 cm de diamètre.L'angle du cône formé par une génératrice tangente au bord de 11 orifice du couvercle et passant par le point central de la surface de la matière fondue est d'environ 1019, c > est-à-dire dans la plage précisée, et l'angle délimité par une génératrice passant par les bords internes de-l'organe 29 et le point central de la surface de la matière fondue est égal à 52 , et se trouve ainsi dans la plage précisée. Le sommet du cône se trouve au centre du creuset à environ 1,27 cm au-dessous du couvercle. Lors de la mise en oeuvre du procédé, le creuset est rempli d'une matière fondue formée des constituants du cristal, jusqu'à un niveau représenté par la ligne m-m de la figure 4, qui, dans le cas décrit, se trouve à 1,27 cm au-dessous du couvercle. La matière fondue est amené-e à une température convenant à la croissance du cristal dans la région centrale localisée, et un germe cristallin d'orientation voulue est plongé dans la matière fondue au centre de cette région. Le germe peut être une tige monocristalline d'alumine d'environ 0,32 cm de diamètre, supportée par au-dessus par un dispositif assurant une rotation et un retrait de la tige hors de la matière fondue. Lorsque la croissance a lieu sur le germe, celui-ci est retiré de la matière avec une vitesse de tirage à environ 0,508 cm/h. Au cours de cette phase de mise en oeuvre du procédé, lorsque la matière cristalline se forme sur elle-m8me en prenant une configuration conique de diamètre croissant, le mécanisme principal de dissipation de chaleur de la région localisée de croissance est constitué par la radiation vers le haut depuis la matière fondue, par les zones coniques formées par les orifices du couvercle et de organe isolant, et dans une moindre mesure par conduction et radiation par la masse du cristal transparent et le germe. Lorsque le diamètre du cristal atteint sa valeur maximale et que sa longueur augmente, une quantité de chaleur de plus en plus importante est retirée du cristal lui-même.Lorsque celui-ci croit, le niveau de la matière fondue diminue, et l'énergie qui peut s'échapper par radiation hors du creuset para zone conique d'accès direct à l'extérieur du creuset et qui est formée par les orifices du couvercle et de l'organe d'isolation diminue. Ceci est dû à ce que la région de croissance localisée de la matière fondue, qui se trouve maintenant à un niveau relativement bas dans le creuset, délimite avec l'orifice du couvercle un angle O diminué. Seule une partie des radiations fournies par la région localisée peut maintenant s'échapper du creuset par l'orifice du couvercle, le reste étant réfléchi par la base du couvercle et renvoyé dans le creuset.Cependant, dans cette phase du tirage du cristal, ce dernier a grossi et a été partiellement tiré du creuset, si bien qu'une quantité considérable de chaleur s'échappe de la région localisée par conduction et radiation dans le cristal,en plus des radiations quittant la surface de la matière fondue. De plus, la chaleur fournie au creuset est réduite à ce moment environ. La phase critique de la croissance est maintenant dépassée, c'est-à-dire celle pendant laquelle la partie initiale du cristal est amenée au diamètre maximal dans les conditions de gradient élevé de température, les parties initiales du- cristal ayant alors une perfection et une uniformité élevées, et ne comprenant ni d'inclusion ni d'autres défauts. L'obtention de cette perfection au cours de la phase initiale du fonctionnement favorise la production d'un cristal de meme qualité. Les cristaux de corindon synthétiques produits par mise en oeuvre du procédé de l'invention possèdent des caractéristiques permettant la fabrication deigemses à astérisme de qualité élevée. Ces cristaux ne compeennent pas les couches qui caractérisent les cristaux obtenus par mise en oeuvre du procédé Verneuil. Les cristaux obtenus ont une coloration homogène et une répartition pratiquement uniforme du composé d'astérisme, si bien qu'ils permettent la fabrication de cabochons à partir d'une section quelconque du cristal. La figure 5 représente une coupe d'un cristal obtenu par mise en oeuvre du procédé de l'invention et la figure 6 une coupe d'un cristal réalisée suivant le procédé Verneuil. Le cristal 33 du procédé Verneuil a une répartition non uniforme et par couches du composé dtas- térisme.Des couches 34 alternées comprennent du titane sur toute leur largeur, alors que le reste des couches contient du titane concentré seulement à la périphérie. La fabrication d'une gemme étoilée 35 à partir d'un tel cristal nécessite en général la croissance de la boule avec son axe c parallèle à la direction de tirage, c'est-à-dire concidant avec l'axe longitudinal du cristal. Le cabochon est en général découpé dans le cristal de manière que sa partie convexe 36 ait à peu près la même courbure que les couches courbes 34. La gemme ainsi découpée a une répartition de la coloration qui est en apparence continue, et présente une étoile dont les six branches descendent également sur les cotés du cabochon.Cependant, la nécessité de découper le cabochon avec une surface externe de meme courbure que les couches impose des restrictions sévères à l'utilisation qu'on peut faire d'un cristal. Le cristal 37 obtenu par mise en oeuvre du procédé de l'invention a une répartition pratiquement uniforme des ions de coloration et du composé d'astérisme, et il est dépourvu de toute structure en couches du type de Verneuil. Le cristal peut être réalisé avec une orientation quelconque voulue de l'axe c, et on peut découper des cabochons dans n'importe quelle partie du cristal le cas échéant, pourvu que l'orientation soit telle que l'axe c est normal à la base du cabochon. Le cristal représenté sur la figure 5 a son axe c parallèle à l'axe de croissance, de manière qu'on puisse/comparer au cristal de Verneuil.Comme le montre la figure 5, on peut découper dans ce cristal des cabochons de dimensions diverses. Par exemple, on peut découper plusieurs petits cabochons dans une partie du cristal, car l'oxyde de titane est uniformément réparti dans le cristal. Des cabochons 38 et 39 représentent deux de quatre cabochons qu'on peut découper dans une section en forme de disque tirée du cristal, un des cabochons étant découpé dans chaque quadrant du disque. On peut aussi découper le cas échéant des cabochons de grande dimension, par exemple des cabochons 40, dans d'autres sections du cristal. La croissance de celui-ci avec son axe c ayant d'autres orientations, par exemple l'axe c étant normal à l'axe de croissance ou faisant un angle de O à 90" avec lui, il est possible de découper des cabochons de dimension accrue. Les cristaux obtenus par mise en oeuvre du procédé de l'invention, ainsi que les gemmes en cabochons découpées dans ces cristaux, présentent d'autres caractéristiques qui les distinguent des cristaux obtenus par le procédé de Verneuil et des gemmes découpées dans ces cristaux. Bien que ce soit l'absence de couches ayant des concentrations alternées élevées et faibles en oxyde de titane qui distinguen-4les cristaux produits selon le procédé de l'invention des cristauxproduits par mise en oeuvre du procédé de Verneuil, il existe une autre caractéristique permettant d'identifier les cristaux et les gemmes de ltinvention. Sur la figure 5, on voit que le cristal comprend de faibles "lignes de croissance" 41 réparties suivant l'axe longitudinal et qui se distinguent des lignes de croissance observées dans un cristal obtenu par mise en oeuvre du procédé Verneuil.L'expresion "lignes de croissance" utilisée dans le présent mémoire désigne toutes les inhomogénéités optiques qui peuvent être produites à l'interface de croissance du fait des légères variations de la vitesse de croissance dues aux variations de la température de la matière fondue ou de la vitesse de tirage, étant donné les variations localisées des concentrations de matière de dopage ou dtimpuretés observées au cours de la croissance, du fait des variations de la température ou de la vitesse de tirage ainsi que des bulles ou des déformations du réseau provenant de ces variations des concentrations en matière de dopage ou en impuretés, ou des variations des conditions de la croissance. Ces lignes de croissance sont très faibles et on les a représentées sous forme de lignes épaisses sur la figure 5 pour les mettre en évidence. Elles représentent des couches ayant des teneurs variables en oxyde de titane ou en autre soluté et correspondent à des inhomogénéités optiques dues à la diffé rence d'absorption provoquée par de faibles différences de concentration en soluté. Ces couches sont différentes des couches de la matière obtenue par mise en oeuvre du procédé de Verneuil, dans la mesure où elles ne sont pas saillantes dans la gemme terminée, après astérisme, comme elles le sont dans les gemmes à couches de Verneuil.En règlant convenablement la croissance du cristal, on peut maintenir ces lignes de croissance à une valeur minimale, mais, lorsqu'elles apparaissent dans les cristaux réalisés par mise en oeuvre du procédé de l'invention, elles sont sous forme de lignes en V. Les variations réelles des conditions de croissance provoquant la formation de ces lignes sont disposées dans le cristal suivant l'interface conique de croissance. Une découpe longitudinale, passant par l'axe central du cristal tel que représenté sur la figure 5, montre ces variations sous forme d'une série de lignes en V très proches, descendant vers l'axe longitudinal du cristal. Une découpe transversale du cristal montre ces variations sous forme d'une série de faibles cercles concentriques. On constate qutil existe une concentration légèrement en excès de solutés dans une partie centrale 42 du cristal avec quelques prolongements 43 de concentration relativement élevée en solutés, le long des lignes de croissance. Cette concentration plus élevée centrale ou suivant les lignes de croissance est due à des conditions relativement stables de la matière fondue, qui règnenuau bout de l'interface conique de croissance. Les cabochons ntapparaissent pas comme étant rayés, mais présentent simplement des régions de couleur légèrement plus sombre. On peut supprimer ce phénomène en utilisant des vitesses de retrait légèrement réduites ou des variations d'autres conditions de croissance.L'expression "répartition pratiquement uniforme" de l'oxyde de titane et des ions de coloration, utilisée dans le présent mémoire, signifie qu'il existe une répartition uniforme de telles matières de dopage dans toute la masse du cristal, mise à part une légère concentration en excès dans la partie centrale où se recoupent les lignes de croissance. Dans les cristaubtenus par mise en oeuvre du procédé de Verneuil, des lignes de croissance sont en général cachées par les couches concentrées à teneurs alternées faible et élevée en oxyde de titane. Les lignes de croissance ont cependant la m8me courbure que les couches formées dans le cristal de Yerneuil. Ces lignes de croissance sont représentées sous forme de lignes courbes lorsque le cristal est découpé longitudinalement par son axe central, comme représenté sur la figure 6, le plan de découpe recoupant les surfaces convexes correspondant à la croissance du cristal dans le procédé de Verneuil. Une coupe transversale du cristal présente ces lignes de croissance sous forme d'une série de cercles concentriques dans le cas où le cristal crott dans une direction parallèle à l'axe c. Si le cristal croit dans une direction autre que celle de l'axe c, la base ne présente pas des cercles concentriques, mais des parties de surfaces coniques de croissance qui sont réellement exposées par le plan de découpe délimitant la base du cabochon. Les cristaux de corindon synthétiques réalisés par mise en oeuvre du procédé de l'invention ainsi que les cabochons découpés dans ceux-ci se distinguent des cristaux naturels de corindon à astéris,ne, par exemple des rubis et saphirs étoilés naturels, car les cristaux naturels ont une disposition différente des lignes de croissance. Dans un rubis ou un saphir étoilé naturel, les plans de croissance sont en général des surfaces planes qui, lorsquton les observe en coupe, ont une structure pratiquement hexagonale, montrant la structure hexagonale du corindon.La base du cabochon d'un saphir étoilé naturel présente une série d'hexagones concentriques, alors que les cabochons synthétiques préparés à partir de cristaux produits par mise en oeuvre du procédé de l'invention présentent une série de cercles concentriques, du fait de l'interface de croissance en forme de conne. Le cristal,-une fois réalisé, doit etre soumis à un traitement thermique de formation d'astérisme qui développe l'effet d'étoile. Au cours de la croissance du cristal, des oxydes de titane, notamment TiO2, sont inclus dans le réseau de l'alumine en solution solide.Le traitement thermique d'astérisme comprend le maintien du cristal à une température comprise entre environ 1100 à 150000, pour laquelle la solubilité de TiO2 est dépassée, pendant un temps suffisant pour qutait lieu une précipitation d'un composé du titane, qu'on pense être un titanate complexe d'aluminium. Dans certains cas, il peut être souhaitable de soumettre le cristal brut à un traitement de recuit à température élevée en atmosphère oxydante, de manière que des quantités supplémentaires dioxyde de titane soient transformées en TiO2, de manière que le précipité produit soit important. On peut réaliser par mise en oeuvre du procédé de l'invention du corindon synthétique à astérisme de diverses couleurs. On obtient des cristaux ayant une couleur blanche en ajoutant seulement de l'oxyde de titane à la matière fondue à base d'alumine, en quantité comprise entre environ 1 et environ 3 % en poids. On obtient des saphirs bleus à astérisme à partir de cristaux obtenus à l'aide de matière fondue contenant environ 1 à environ 3 % en poids dioxyde de titane auquel on a ajouté environ 0,9 à environ 1,5 % en poids d'oxyde ferrique.On obtient des rubis rouges à astérisme à partir de cristaux obtenus à l'aide de matière fondue contenant en plus des quantités citées d'oxyde de titane, une quantité d'oxyde de chrome Cor203 pouvant atteindre environ 0,5 % en poids, suivant 11 intensité de la coloration rouge voulue. Les saphirs noirs étoilés sont obtenus à partir de cristaux réalisés à l'aide de matière fondue contenant en plus des quantités citées dioxyde de titane, une quantité d'oxyde de vanadium V203 comprise entre environ i et environ 1,5 % en poids. On peut obtenir des cristaux de corindon synthétiques à astérisme d'autres couleurs à partir de cristaux réalisés de manière à contenir les ions de dopage qui donnent une coloration donnée voulue dans le cristal. On ajoute des composés de ces ions de dopage à la matière fondue à partir de laquelle on réalise le cristal, avec oxyde de titane dans les quantités indiquées de manière à obtenir l'effet d'astérisme. il est bien entendu que l'invention n'a été décrite et représentée qu'à titre d'exemple préférentiel et qu'on pourra apporter toute équivalence technique dans ses éléments constitutifs sans pour autant sortir du cadre de l'invention, qui est défini dans les revendications annexées. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation de corindon synthétique dans lequel est uniformément réparti un composé du titane d1astéris- me, caractérisé en ce qu'il consiste à établir une matière fondue composée d'alumine et d'oxyde de titane, ce dernier étant présent en quantité comprise entre 1 et 3 % environ en poids de la matière fondue, à établir une région de la surface de la matière fondue à une température convenant à la croissance du cristal, à tremper un germe cristallin dans la matière fondue et à tirer ce germe de la matière fondue au fur et à mesure de la croissance du cristal. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le coefficient efficace de répartition du soluté d'oxyde de titane dans la matière fondue et le cristal est de 0,1, si bien qu'il existe un rejet du soluté d'oxyde de titane du cristal avec une élévation résultante de la concentration en soluté d'oxyde de titane dans une étroite couche de diffusion de la matière fondue voisine de l'interface du cristal, la concentration en excès étant mobile dans la couche vers la matière fondue elle-même uniquement par un mécanisme de diffusion dépendant du temps et imposant ainsi une vitesse maximale de tirage du cristal hors de la matière fondue sans incorporation dans le cristal de parties de cette matière contenant des concentrations excessives de soluté d'oxyde de titane, et en ce que le procédé comprend un trempage d'un germe cristallin dans une région localisée de la surface de la matière fondue, de manière à déclencher la croissance cristalline sur le germe, et le retrait du cristal de la matière fondue avec une vitesse de tirage dépassant la vitesse maximale imposée par la concentration en excès d'oxyde de titane à I > interface, l'incorporation dans le cristal de parties de la matière fondue contenant du soluté en exces étant évitée par maintien de ladite région localisée à une température favorisant la croissance cristalline tout en réduisant la perte de chaleur par radiation depuis les régions entourant ladite région localisée de manière qu'il existe dans la couche de diffusion vers la matière fondue elle-meme un gradient de température supérieur à celui qui existe normalement lorsque les pertes de chaleur des régions environnantes ne sont pas réduites, si bien que des parties du liquide contenant du soluté en excès ne sont pas piégées et solidifiées dans le cristal, du fait du gradient élevé de température existant dans la couche de diffusion. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière fondue contient des composés d'éléments de coloration. 4. Procédé de réalisation de corindon synthétique dans lequel est uniformément réparti un composé du titane d'astérisme, caractérisé en ce qutil consiste à établir une matière fondue composée d'alumine et d'oxyde de titane, ce dernier étant présent en quantité comprise entre environ 1 et 3 % en poids de la matière fondue, à établir une région localisée à la surface de la matière fondue, à une température convenant à la croissance cristalline, tout en maintenant les régions adjacentes à ladite région localisée à une température ne favorisant pas la croissance du cristal par chauffage de la matière fondue en laissant la dissipation d'énergie thermique vers le haut sans restriction depuis ladite région localisée,et en réduisant la perte de chaleur par radiation à partir des régions environnantes, ledit procédé consistant de plus à tremper un germe cristallin dans la matière fondue dans la région localisée et à tirer le germe verticalement depuis la matière fondue au'fur et à mesure de la croissance du cristal en formant un corps conique de diamètre croissant progressivement, puis à continuer à retirer de la chaleur de la région localisée principalement par radiation non limitée depuis ladite région et dans une moindre mesure par conduction et radiation vers le haut dans le corps cristallin de forme conique, jusqu'à ce que le diamètre du corps atteigne une valeur voulue, puis ensuite à continuer à tirer le corps cristallin de diamètre voulu hors de la matière fondue, tout en retirant de la chaleur de ladite région localisée essentiellement par conduction et radiation dans le corps cristallin. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que la matière fondue contient de plus 0,9 à 1,5 % environ en poids d'oxyde ferrique. 6. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que la matière fondue contient de plus environ I à 1,5 % d'oxyde de vanadium. 7. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que la matière fondue contient de plus de l'oxyde de chrome en quantité pouvant atteindre environ 0,5 ffi en poids. 8. Dispositif de croissance de cristal, destiné'à la formation de cristaux synthétiques, caractérisé en ce qu'il comprend un creuset de section circulaire, entouré sur ses cô- tés par au moins un organe cylindrique d'isolation, un enroulement de chauffage par induction ayant une section circulaire et disposé symétriquement autour d'un organe d'isolation et du creuset de manière à induire un courant de chauffage dans le creuset, un couvercle placé sur l'orifice du creuset et comprenant un orifice circulaire central de diamètre légèrement supérieur au diamètre maximal du cristal à tirer, de manière à permettre le retrait d'un cristal à partir d'une matière fondue contenue dans le creuset et le passage de radiation thermique remontant depuis la partie centrale localisée de la surface de la matière fondue contenue dans le creuset au cours des phases initiales de l'opération de tirage du cristal, et un organe isolant disposé transversalement au-dessus du couvercle du creuset et comprenant un orifice central circulaire de diamètre supérieur à celui de orifice du couvercle et délimitant avec ce dernier une zone de conservation de chaleur et de surchauffe, les bords de l'orifice du couvercle et ceux de orifice de l'organe supérieur d'isolation délimitant avec un sommet commun placé dans le creuset, sur l'axe vertical de celui-ci, deux cônes inversés, l'angle du coAne formé par le sommet et l'ori- fice du couvercle étant compris entre 100 et 1400 et l'angle du coAne formé par le sommet et l'orifice de l'organe d'isolation étant compris entre 45 et 65 , la matière fondue étant contenue dans le creuset avec sa surface au niveau du sommet, la région localisée entourant le sommet dirigeant des radiations thermiques vers le haut dans la zone conique d'angle solide compris entre 100 et 140 , les radiations thermiques provenant des régions de la surface de la matière fondue entourant ladite région localisée ne pouvant s'échapper que dans un angle solide inférieur à l'angle solide compris entre 100 et 1400, une partie seulement de l'énergie thermique irradiée dans la zone conique d'angle solide compris entre 45 et 65 passant par l'orifice de l'organe d'isolation, le reste étant conservé dans la région comprise entre le couvercle et 11 organe d'isolation, 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'angle solide de la zone conique formée par les bords de l'orifice du couvercle et le sommet est evir d'environ 100 , et en ce que l'angle solide de la zone conique formée par les bords de 11 orifice de l'organe d'isolation et le sommet est d'environ 50 . 10. Cristal brut allongé en monocristal de corindon synthétique, caractérisé en ce qu'il comprend un composé d'astérisme réparti de façon pratiquement uniforme dans sa masse, le cristal formant une série de surfaces coniques de croissance logées les unes dans les autres et placées symétriquement par rapport à l'axe longitudinal du cristal, le sommet de chaque surface conique de croissance étant placé sur l'axe longitudinal du cristal. 11. Cristal selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'un composé d'un élément de coloration est réparti de façon pratiquement uniforme dans la masse du cristal. 12. Cabochon de monocristal de corindon synthétique à astérisme, caractérisé en ce qu1il comprend une surface convexe opposée à une surface plane et comprend un précipité d'astéris- me réparti de façon pratiquement uniforme dans la masse du cristal du cabochon, le cristal étant formé d'une série de surfaces coniques de croissance logées les unes dans les autres, les sommets de toutes les surfaces coniques étant disposés sur une seule ligne.