FR 2182208 A1 19731207 FR 7315458 A 19730427 73 15458 1 2182208 L'invention concerne un procédé pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur comportant un corps semiconducteur dont une surface est munie d'une couche isolante dans une ouverture de laquelle une zone semiconductrice affleure 5 la surface semiconductrice, ledit corps semiconducteur étant mu ni d'une configuration de conducteurs qui s'étend sur la couche isolante et qui, à travers de ladite ouverture de celle-ci, est raccordé à ladite zone semiconductrice, procédé suivant lequel est élaborée sur la surface dudit corps une couche auxiliaire ÎO qui est formé par un matériau outre que celui constituant la configuration et qui comporte au moins un évidement affertant la forme de celle-ci, après quoi, sur ladite surface, sur la couche auxiliaire ainsi que dans la partie évidée, est élaborée une couche en matériau conducteur, alors que du fait d'éliminer 15 la couche auxiliaire ainsi que la partie de couche conductrice située sur celle-ci, il subsiste, comme configuration de conducteurs sur le corps en question, la partie de couche conductrice qui est situé dans la partie évidée de la couche auxiliaire L'invention concerne également des dis-20 positifs obtenus par la mise en oeuvre d'un tel procédé . Pour réaliser le contact avec la zone de base et la zone d'émetteur d'un transistor, il a déjà été préconisé de maintenir en place la configuration photolithographique utilisée comme masque lors du décapage des ouvertures de contact 25 nécessaire dans la couche de bioxyde de silicium située sur la surface semiconductrice, après ce décapage et de déposer par évaporation sur ce masque une couche de palladium ainsi qu'une couche d'or. Les parties superflues de ces couches sont éliminées par la dissolution de la configuration de couche de pho-30 tolaque . En raison de ce que suivant ce procédé les contacts métalliques qui en résultent ne se situent que dans les ouvertures de contact pratiquées dans la couche d'oxyde sur la surface semiconductrice, ce procédé ne convient pas 35 pour être utilisé dans le cas de transistors haute fréquence. En effet, pour ces transistors, les dimensions de la zone de base et de la zone d'émetteur, et par conséquent également 73 15458 2 2182208 les dimensions des ouvertures de contact correspondantes, sont très petites » C'est ainsi qu'à partir des ouvertures de contact, les contacts métalliques doivent s'étendre plus loin sur la couche isolante afin que dans la phase finale du montage, il soit 5 possible de fixer d'autres conducteurs à ces contacts . Egalement lorsqu'il s'agit de circuits intégrés, les pistes conductrices ( les conducteurs ) doivent non seulement se situer dans des ouvertures de contact, mais également se trouver sur la couche isolante . 10 Les besoins en circuits intégrés et en composants tels que des transistors fonctionnant à des fréquences de plus en plus élevées, posent des exigences de plus en plus sévères aux méthodes disponibles pour l'élaboration de configuration de conducteurs ( pistes conductrices ) de très faible largeur. 15 Dans ce cas, il est rare qu'il s'agisse exclusivement d'une réduction plus poussée des détails de la configuration. Le choix des matériaux à utiliser est soumis à des restrictions résultant par exemple de l'adhérence requise de la configuration à une couche de fond, des densités de courant qui existent au cours du 20 fonctionnement du dispositif, de la résistance série électrique encore admissible, des propriétés électriques des contacts des composants, ainsi que de la stabilité et de la résistance à la corrosion que l'on désire voir respectées par le système utilisé. Par ailleurs, en relation avec la façon dont a lieu l'élaboration 25 de la configuration de conducteurs pour laquelle on procède souvent à au moins un décapage, il est indispensable que les divers matériaux utilisés soient décapables convenablement et sélectivement les uns par rapport aux autres . Un matériau que l'on utilise souvent pour 30 former la configuration de conducteurs de dispositifs semiconducteurs est l'aluminium qui, outre l'avantage de pouvoir être décapé convenablement, adhère convenablement à la surface semi-conductrice ainsi qu'aux couches isolantes usuelles que l'on utilise pour l'isolation et pour la passivation, et qui a une 35 résistivité relativement faible . Bien qu'à beaucoup d'égards, des configurations de conducteurs en l'aluminium satisfont aux exigences imposées, on peut toutefois être confronté avec des 73 15458 3 2182208 problèmes sérieux . Un des problèmes les plus connus est en relation avec la connexion de la configuration au reste du dispositif, cette connexion nécessitant pratiquement toujours une jonction entre les matériaux aluminium et or. L'aluminium et l'or forment 5 facilement des composés intermétalliques, ce qui a comme résultat que, souvent, les jonctions aluminium-or ne sont pas suffisamment stables . En outre, lorsqu'il s'agit de fortes densités de coursait, une migration d'aluminium ( électro-migration ) a lieu, ce qui peut donner lieu à des interruptions dans les conducteurs lO constituant la configuration . De plus, surtout à une température un peu plus élevée, l'aluminium se dissout facilement dans le silicium, de sorte que, en particulier lors de l'établissement des contacts avec des zones semiconductrices très peu profondes appartenant par exemple à des transistors haute fréquence en 15 silicium, les jonctions p-n situées peu profondément sous la surface semiconductrice peuvent être facilement endommagées . Pour résoudre les problèmes tels que précisés ci-dessus, il a déjà été préconisé d'utiliser des configurations de conducteurs formées pair des couches en métaux diffé-20 rents . On connaît par exemple les configurations formées par des couches superposées en titane et en or, ou en titane, en platine et en or. Cette combinaison de titane, de platine et d'or est utilisée lorsqu'on réalise des connecteurs ( que l'on appelle des " beam leads " ) c'est-à-dire des parties en or à épaisseur 25 renforcée qui appartiennent à une configuration de conducteurs et qui latéralement sortent du corps semiconducteur et servent à la connexion électrique . A la lecture de ce qui précède et ce qui du reste n'est nullement complet en ce qui concerne les exigences 30 à imposer à la configuration de conducteurs et les difficultés qui surviennent lors de l'élaboration de cette configuration, il découle néanmoins clairement qu'il s'agit ici d'un problème extrênement important qui, par ses nombreux paramètres, est compliqué et joue un rôle important dans la technique des semiconducteurs. 35 II en découle également qu'un comprémis distinct constitue la base de chacune des solutions connue, compromis en présence duquel les matériaux utilisés pour chacune de ces méthodes, 73 15458 4 2182208 ainsi que les opérations auxquelles ces matériaux sont soumis, constituent un ensemble cohérent dont les constituants s'accordent soigneusement . Tant pour des configurations de conducteurs 5 formées par une couche simple par exemple en aluminium que pour des configurations formées par plusieurs couches métalliques, le procédé habituel pour élaborer la configuration est celui suivant lequel on dépose par évaporation sur la surface en question une couche conductrice continue qui ensuite est façonnée de façon 10 à acquérir la forme de configuration désirée à l'aide d'un photomasque élaboré d'une manière connue par voie photolithographique. Abstraction faite des restrictions qui sont imposées par la reproduction optique nécessaire dans ce cas et par les procédés photochimiques, ce sont le degré et la reproductibilité du sous-15 décapage par rapport au masque qui définissent la dimension la plus faible susceptible d'être réalisée dans la configuration. Ce sous-décapage dépend entre autres de la qualité de l'adhérence de la couche conductrice à sa bas. et au masque, ainsi que du degré de sélectivité que l'agent décapant la couche conductrice 20 présente par rapport aux autres matériaux qui sont soumis simultanément à l'influence de cet agent . Par ailleurs, lorsqu'il s'agit d'une couche conductrice composée formée par des couches de matériaux différents, après décapage de la couche métallique supérieure, cette couche servira de masque pour la couche métal-25 lique suivante, ce qui à nouveau donne lieu à un certain sous-décapage . Le but de l'invention est d'indiquer un nouveau procédé qui permet l'élaboration de conducteurs et suivant lequel l'influence que le sous-décapage exerce sur les 30 dimensions de la configuration de conducteurs est moins grande, ledit procédé permettant aussi de réaliser plus facilement des détails fins dans la configuration qui, en outre, peut être formée entièrement ou en partie par des matériaux dont le décapage est difficile ou dont le décapage sélectif est difficile . 35 L'invention repose entre autres sur la con sidération que lors de l'élaboration de configurations de conducteurs fins à l'aide d'une couche, auxiliaire dans laquelle on réalise le négatif de la configuration désirée, il importe de veiller spécialement à l'établissement d'une séparation con 73 15458 5 2182208 venable entre la partie de couche conductrice située sur la couche auxiliaire, et la partie de couche conductrice située dans les évidements . A cet effet, aux bords des évidements de la couche auxiliaire, la couche conductrice doit être au moins 5 très mince pour obtenir la rupture facile à ses bords . De préférence toutefois, les deux parties précitées de la couche conductrice doivent déjà rester séparées l'une de l'autre lors de l'élaboration de cette couche conductrice . L'invention repose encore sur la considération que le façonnage de la couche auxi-10 liàire doit pouvoir avoir lieu d'une façon précise et que son élimination doit en outre être possible convenablement après l'élaboration de la couche conductrice . Conformément à l'invention, un procédé du genre mentionné dans le préambule est remarquable en ce que, 15 la couche auxiliaire comporte des première et deuxième couches le matériau constituant la première couche différant de celui constituant la deuxième couche, alors qu'en guise de première couche auxiliaire, on utilise une couche métallique qui est située entre la surface semiconductrice et la deuxième couche 20 auxiliaire et dont la dissolution est possible pratiquement sans attaque du matériau conducteur constituant la configuration, tandis que lors de la formation des évidements de la couche auxiliaire, les évidements de la première couche auxiliaire deviennent plus grands que ceux de la deuxième couche auxiliaire 25 par suite d'un sous-décapage , Par ce sous-décapage, le bord de la deuxième couche auxiliaire fait saillie par dessus le bord de la première couche auxilaire, de sorte que les bords montants des évidements des couches auxiliaires acquièrent une forme qui entrave sérieu-30 sement ou rend même quasi impossible la liaison entre la partie de couche conductrice située sur la couche auxiliaire et celle située dans les évidements . Ce qui est important, c'est que l'on utilise une première couche auxiliaire formée par un métal. Un grand nombre de métaux sont disponibles sous forme suffisam-35 ment pure pour satisfaire les exigences sévères qui, dans la technique des semiconducteurs, sont posées pour éviter toute souillure . En outre, les métaux en question peuvent souvent 73 15458 6 2182208 être élaborés assez facilement et présenter une épaisseur arrêtée d'avance, par exemple par dépôt par évaporation ou par pulvérisation cathodique, tandis qu'également dans le cas où ils se trouvent dans une enceinte à uide, lesdits métaux ne 5 posent généralement aucun problème, par exemple par dégazage ou par dissociation . Par ailleurs, pour un grand nombre de métaux, y compris des alliages, on dispose d'agents décapants sélectifs permettant le façonnage d'une couche continue et/ou 10 l'élimination d'une telle couche . Pour façonner la couche continue de façon à lui donner la configuration désirée, on peut utiliser les couches masquantes photolithographiques connues . Lors du dépôt par évaporation de la couche 15 conductrice devant être façonnée de façon à devenir la configuration de conducteurs désirée, il est possible d'utiliser sans inconvénient une température de substrat plus élevée . A cette température plus élevée, souvent indispensable pour améliorer l'adhérence de la configuration à la couche de fond, 20 la première couche auxiliaire métallique conserve sa forme, est stable et n'a pratiquement jamais tendance par exemple à fissurer et/ou à devenir cassante . De plus, un avantage important du procédé conforme à l'invention est que ce procédé permet, surtout dans 25 le cas où la deuxième couche auxiliaire est une couche métallique, une plus grande liberté du choix de la température de subs trat au cours de l'élaboration de la couche conductrice devant former plus tard la configuration de conducteurs. Cette température de substrat influence fortement 1'adhérence de la con-30 figuration à la couche isolante et dans les ouvertures de contact sur la couche semiconductrice, et est en outre importante pour les propriétés électriques désirées de la face limite métal semiconducteur . Lors de la mise en oeuvre du procédé usuel, la température de substrat que l'on a choisie est souvent un 35 compromis qui est déterminé par l'influence exercée sur l'adhérence à la couche isolante . Cette adhérence ne peut notamment pas être aussi bonne que lors du décapage devant transformer 73 15458 7 2182208 la couche conductrice en configuration désirée, l'élimination complète des parties superflues de cette couche conductrice devient trop difficile, voire même impossible . De préférence, avant d'élaborer la couche 5 auxiliaire métallique, on met à découvert certaines parties de la couche semiconductrice à l'intérieur d'ouvertures pratiquées dans la couche isolante . Lors de la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention, le contact entre la couche conductrice et la 10 surface semiconductrice et la couche isolante n'a lieu qu'aux endroits où finalement la configuration de conducteurs est désirée . Lors de l'élimination, l'adhérence de la couche conductrice à la couche auxiliaire est sans grande importance, puisque cette élimination n'a pas lieu par décapage de la couche conduc-15 trice, mais par la dissolution de la couche auxiliaire située sous cette couche conductrice . Lors de l'élaboration de la couche auxiliaire, le plus souvent, on peut se contenter d'une plus faible température de substrat, étant donné que l'exigence la plus importance que l'on pose à l'adhérence de la couche 20 auxiliaire à la couche isolante est que cette adhérence soit suffisante pour donner à la couche auxiliaire exactement la forme de la configuration désirée . Bien qu'au moins en grande partie la couche auxiliaire soit recouverte de la couche conductrice, la disso-25 lution de la couche auxiliaire peut avoir lieu relativement rapidement, puisque pour le choix de l'agent dissolvant 5 il ne faut pas tenir compte ni de l'adhérence d'un masque de décapage ( photolithographique ) ni du maintien en état du degré de sous-décapage, de sorte que, dans ce cas, il est possible d'utiliser 30 un agent décapant à action rapide . En outre, un élément galvanique peut se former facilement lorsque les matériaux qui constituent les couches auxiliaires sont conducteurs du fait que les couches et la couche conductrice sont simultanément en contact électrique direct dans l'agent dissolvant . Lorsqu'on choisit 35 judicieusement les matériaux, on peut de ce fait accélérer considérablement la dissolution de la première et/ou deuxième couches auxiliaires . 73 15458 8 2182208 Lors de la mise en oeuvre du procédé connu jusqu'à présent, ce même effet de dissolution accélerée grâce à la formation d'un élément galvanique se produit lorsqu'on utilise des configurations de conducteurs formées par une couche 5 composée . Dans ce cas, le décapage de la couche métallique inférieure est facile et le sous-décapage progresse rapidement trop loin, ce qui peut conduire à des difficultés sérieuses lorsqu'il s'agit de fines configurations de conducteurs . Du fait que généralement la couche métallique inférieure est recouverte d'une ÎO couche non transparente, le degré de sous-décapage n'est pas visible, et il est donc pratiquement impossible de se fier au sous-décapage . La production donne donc lieu à un déchet important . En outre, la couche métallique inférieure doit empêcher le plus souvai t un contact direct entre d'une part la 15 couche métallique située sur la couche métallique inférieure et d'autre part la surface semiconductrice . C'est pourquoi il est moins souhaitable que les dimensions latérales de la couche métallique inférieure soient plus petites que celles de la couche métallique située sur cette couche inférieure . 20 Lors de la mise en oeuvre du procédé confor me à l'invention, le façonnage de la couche conductrice n'ayant pas lieu par décapage, on n'est donc pas confronté avec les problèmes provoqués par sous-décapage . C'est pourquoi l'application de l'invention est surtout avantageuse lorsqu'il s'agit 25 de configurations de conducteurs qui sont formées par plusieurs couches ; par conséquent, un mode de réalisation préféré important du procédé conforme à l'invention est remarquable en ce que la surface de corps portant la couche auxiliaire façonnée dé façon à constituer la configuration désirée est munie d'une couche con-30 ductrice composée du fait que successivement, on élabore au moins deux couches dont les matériaux diffèrent . De préférence, parmi lesdites couches, la couche inférieur e qui se situe le plus près de la surface du corps est en titane, en chrome, en rhodium, en zirconium, en 35 cobalt, en tungstène ou en tantale .La couche supérieure est de préférence en or . Des contacts métal-semiconducteur de bonne qualité sont obtenus si on utilise du titane, du chrome, du 73 15458 9 2182208 tungstène et du tantale, surtout lorsque ces métaux sont élaborés à température de substrat plus élevée , Les matériaux précités adhérent en outre convenablement aux couches isolantes usuelles, par exemple en bioxyde de silicium et/ou en nitrure de silicium. 5 En outre, si l'épaisseur d'une telle couche est suffisante, celle-ci constitue un blindage convenable entre la couche d'or et la surface semiconductrice . Suivant un autre mode de réalisation préféré du procédé conforme à l'invention, avant de procéder à l'é-ÎO laboration de la couche d'or, mais après l'élaboration d'une couche de titane, d'une couche de chrome, ou d'une couche de zir-conium, on élabore une couche de platine ou une couche de rhodium . Grâce à l'invention, l'emploi de platine est très simplifié, notamment au fait que la couche de platine ne doit pas 15 être soufliise à décapage. Jusqu'à présent, l'emploi pratique de platine dans des configurations de conducteurs a été contrecarré principalement par le manque d'agents décapants sélectifs adéquats et le fait que la mise en oeuvre d'une pulvérisation cathodique effectuée en sens inverse, rencontre souvent des in-20 convénients . En outre, un avantage importait en rapport avec 1'invention est que le platine et le rhodium formant pour l'or une barrière qui est meilleure que celle formée par le titane ou par le chrome, de sorte que comparée à une couche de 25 titane ou de chrome, une couche de platine ou de rhodium beaucoup plus mince est à même de garantir un blindage entre l'or et la surface semiconductrice . Dans ce cas, la couche de titane ou la couche de chrome sert de couche adhésive pour le platine ou le rhodium . Lorsqu'on utilise une couche intermédiaire en 30 platine, l'épaisseur totale de la couche conductrice composée peut être inférieure à celle d'une couche formée par du titane et de l'or ou à celle d'une couche formée par du chrome et de l'or, et dans la suite de l'exposé, on explique encore plus en détail que cela permet la réalisation de détail plus fins 35 dans la configuration de conducteurs . D'autres barrières de diffusion de qualité convenable pour le blindage de la couche d'or par rapport à la 73 15458 10 2182208 surface semiconductrice sont formées par le molybdène, le zir-conium, le cobalt, le tungstène et le tantale, et parmi ces métaux, c'est surtout le tantale qui adhère convenablement aux couches isolantes usuelles, de sorte qu'il n'est pas nécessaire 5 alors d'utiliser une couche adhésive . De Préférence, lors de l'élaboration de la couche conductrice, on utilise une source de matériau locale, par exemple une source utilisée lors d'un dépôt par évaporation ou lors d'une pulvérisation cathodique, la position que cette 10 source occupe, par rapport à la surface munie de la couche auxiliaire façonnée en configuration étant telle qu'au cours de l'élaboration, le transport du matériau entre la source et le corps ait principalement lieu quasi perpendiculairement à la surface. Lors de l'élaboration d'une couche conduc-15 trice composée, il est avantageux que la position occupée par la source locale fournissant le matériau à élaborer ne change pratiquement pas par rapport à la surface munie de la couche auxiliaire transformée en configuration, au cours de l'élaboration des diverses couches formant la couche composée. De cette 20 façon, les bords des évidements pratiqués dans la couche auxiliaire sont reproduits aussi nets et aussi égaux que possible dans les couches successives formant la couche conductrice composée . Un autre mode de réalisation préféré du 25 procédé conforme à l'invention est remarquable en que l'épaisseur de la couche auxiliaire est au moins égale à celle de la couche conductrice . De préférence, l'épaisseur de la couche auxiliaire est plus grande que celle de la couche conductrice. De cette façon, à l'endroit des bords des évidements de la cou-30 che auxiliaire, la couche conductrice est aussi mince que possible et est même interrompue entièrement dans la plupart des cas, de sorte que l'élimination des parties superflues de la couche conductrice devient plus facile , Suivant un mode de réalisation préféré 35 important du procédé conforme à l'invention, l'épaisseur de la deuxième couche auxiliaire est inférieure à celle de la première couche auxiliaire . Plus l'épaisseur de c$tte deuxième couche 73 15458 ii 2182208 auxiliaire est faible, plus les évidements à pratiquer dans cette couche peuvent être réalisés de façon précise et avec des détails fins . Le fait qu'un certain sous-décapage se produit lors du décapage de la première couche auxiliaire sous-jacente est moins 5 important ici, étant donné que la limitation de la partie de couche conductrice située dans l'évidement, c'est-à-dire la limitation de la configuration de conducteurs, est définie par effet d'ombre principalement par le bord de l'ouverture pratiqué dans la deuxième couche auxiliaire, à condition évidemment que l'é-lO paisseur de la deuxième couche auxiliaire ne soit pas tellement faible qu'elle conduit à l'incurvation du bord saillant . C'est pourquoi, lors de l'emploi d'une deuxième couche auxiliaire métallique, l'épaisseur de celle-ci est au moins égale à environ 500 nm. 3_g La description suivante, en regard des des sins annexés, le tout donné à titre d'exemple, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée . Les figures 1, 2 et 3 sont trois coupes transversales d'un dispositif semiconducteur représenté dans des 2o stades différents de sa fabrication . La figure 4 est une vue en plan d'un autre dispositif semiconducteur conforme à l'invention . Les figures 5,6,7 et 8 sont quatre coupes transversales du dispositif selon la figure 4, représenté dans 25 des stades différents de sa fabrication . Toutes les figures sont schématiques . Ci-après, en référence aux figures 1 à 3, on décrit en premier lieu, la fabrication d'un transistor . La figure 1 montre une partie d'un corps semiconducteur 1 dans 3Q lequel s'étendent deux zones de surfaces 2 et 3 . Le type de conduction du corps 1 et de la zone 3 est opposé à celui de la zone 2 . Le corps 1 appartient au collecteur d'un transistor bipolaire, tandis que les aanes 2 et 3 appartiennent à la base et à l'émetteur de ce transistor bipolaire . De plus, le corps 1 35 et les zones 2 et 3 affleurent une couche isolante passive 4. Le corps, semiconducteur décrit jusqi'ici peut être fabriqué d'une façon usuelle par laquelle il est possible d'utiliser les techniques de dopage usuelles, par exemple 73 15458 12 2182208 les techniques de diffusion et implantations d'ions, et de mettre en oeuvre les techniques habituelles de photodécapage et de masquage . La zone d'émetteur 3 et la zone de base 2 5 doivent être munies d'une connexion électrique, et à cet effet, on élabore généralement une configuration de conducteurs . La figure 1 montre que sur une surface du corps 1, 2, 3, 4, on a élaboré une première couche auxiliaire métallique 5 dans laquelle on pratique des évidements par exemple à l'aide d'une configurait) tion de photolaque 6 et par décapage . La forme des évidements 7 ( fig. 2 ) que l'on pratiquevîls première ( 5 ) et deuxième ( 6) couches auxiliaires correspond à celle de la configuration de conducteurs finalement désirée, ce qui signifie que, dans la couche 5, 6, on réalise le négatif de cette configuration. 15 Ensuite, sur la couche auxiliaire 5,6, à laquelle on a donné la forme de configuration désirée, on élabore une couche conductrice 8. Celle-ci couvre donc la couche auxiliaire 5,6 et se situe également dans les évidements 7. Les parties superflues de 3a couche con-20 ductrice 8, c'est-à-dire les parties qui se situent sur la couche auxiliaire 5,6 sont éliminée par dissolution de la couche auxiliaire 5 dans un bain dans lequel le matériau constituant cette couche 5 se dissout convenablement, alors que le matériau constituant la couche conductrice 8 ne s'y dissout pratiquement pas . Tout 25 comme les parties superflues de la couche conductrice 8, également la deuxième couche auxiliaire 6 disparait aussi . Après cette opération, les parties 8a de la couche conductrice 8 qui subsistent forment ensemble la configuration de conducteurs désirée sur la surface du corps (Figure 3). 30 Ce qui importe, c'est que l'élaboration des couches auxiliaires soit facile et que, dans ces couches, il Soit possible de pratiquer des évidements pouvant être définis convenablement d'une manière simple, tandis qu'au cours des diverses opérations de la fabrication, les couches auxiliaires res-35 tent convenablement définies et ne soulèvent aucun problème . Ce sont les métaux purs ainsi que leurs alliages qui présentent généralement dans une forte mesure les propriétés requises à cet 73 15458 13 2182208 égard. Généralement, les matériaux constituant ce groupe peuvent être élaborés facilement, par exemple par dépôt par évaporation ou par pulvérisation cathodique, tandis qu'en outre, pratiquement dans tous les cas, on dispose d'agents décapants connus 5 sélectifs susceptibles d'être utilisés pour le façonnage de la configuration et pour la dissolution finale . En outre,la pureté de ces matériaux peut être très grande, de sorte qu'ils comportent peu ou pas d'impuretés du tout, ce qui peut être indispensable notamment lors de la fabrication de dispositifs 10 semiconducteurs . Par ailleurs, ces matériaux permettent la formation de couches stables convenablement définies qui résistent convenablement aux variations de température afin de garder ainsi leur forme également lorsque la température est plus élevéç, ces matériaux ne présentant pas non plus des phénomènes de dis-15 sociation et ne soulevant généralement pas de problèmes lorsqu'ils sont utilisés dans une enceinte à vide . Le procédé conforme à l'invention peut être utilisé pour la fabrication de différentes sortes de dispositifs semiconducteurs, par exemple des diodes, des transistors 20 et des circuits intégrés, pour lesquels on utilise une configuration de conducteurs pour la connexion et ou l'interconnexion des divers composants . Lors de la fabrication de dispositifs semiconducteurs, le fait d'élaborer la configuration de la manière précisée jusqu'à présent, conduit à des problèmes surtout 25 lorsque cette configuration comporte des conducteurs ayant la largeur minimale réalisable . De telles conducteurs sont indispensables par exemple dans des dispositifs semiconducteurs pour des applications haute fréquence , et, exception faite de leur comportement en fréquence , également par exemple dans des cir-30 cuits intégrés, en rapport avec l'espace disponible à la surface . En ce qui concerne l'exemple, on a pratiqué dans la couche isolante 4 quelques ouvertures 9 dans lesquelles les sones semiconductrices 2 et 3 affleurent la surface et 35 à travers desquelles la configuration finale 8a est connectée à ces zones 2,3 . Au moins dans une direction, les dimensions des ouvertures 9 sont plus petites que les évidements de la couche 73 15458 14 2182208 auxiliaire 5,6, de sorte qu'à partir des ouvertures 9, la configuration finale 8a s'étend plus loin sur la couche isolante 4. Par ailleurs, l'élaboration des ouvertures 9 peut avoir lieu après que la surface ait été munie d'une couche 5 auxiliaire 5,6 transformée en configuration, mais il est avantageux que les ouvertures 9 soient élaborées avant la fermation de la première couche auxiliaire 5« Au besoin, après avoir donné à la couche auxiliaire 5,6 la forme de la configuration désirée, et avant de procéder à l'élaboration de la couche conductrice 9, 10 un décapage de courte durée, qui généralement ne nécessite pas de masque spécial, peut être effectué pour nettoyer convenablement les ouvertures 9 et pour éliminer par exemple un film d'oxyde encore présent dans les ouvertures . Ce film a généralement une épaisseur qui est beaucoup plus faible que celle de la couche 15 isolante 4, ce qui en particulier est indispensable lorsqu'on procède à un décapage sans masque et à l'aide d'un agent décapant qui dlssoul^galement le matériau constituant la couche isolante 4. Avant d'élaborer la couche auxiliaire, on peut par exemple ouvrir l'ouverture 9 au-dessus de la zone de base 2, après quoi, 2o lors du décapage de courte durée, l'ouverture 9 se forme au- dessus de la aone d'émetteur du fait de mettre à nouveau à découvert l'ouverture par l'intermédiaire de laquelle on a procédé au dopage de la zone d'émetteur . De ce qui précède, il découle clairement 25 que, pour éliminer les parties superflues de la couche conductrice 8, une séparation est indispensable entre ces parties et la configuration de conducteurs 8a, cette séparation devant suivre autant que possible les bords des évidements 7 . Lorsque la . couche conductrice 8 est suffisamment mince et/ou suffisamment 30 cassante et que la distance entre les conducteurs de la configuration n'est pas trop faible, ladite séparation peut résulter d'une rupture effectuée au cours et/ou après l'élimination de la couche auxiliaire 5,6 alors qu'il est possible d'utiliser à cet effet des vibrations ultrasoniques . 35 Surtout lorsque la couche conductrice est élaborée par exemple par dépôt par évaporation ou par pulvérisation cathodique, on peut faire en sorte qu'à l'endroit des bords des évidements 7, la couche conductrice â ait une faible 73 .15458 15 2182208 épaisseur ou soit même interrompue entièrement . A cet égard, il est recommandable aussi, et cela surtout lorsqu'il s'agit de configurations de conducteurs de faibles dimensions, par exemple une configuration dans laquelle la largeur des conducteurs est 5 de quelques ^u alors qu'une distance de même ordre existe entre les conducteurs, d'utiliser une couche auxiliaire 5,6 dont l'épaisseur est au moins égale à celle de la couche conductrice 8. Lorsque, entièrement ou en partie, la couche conductrice 8 est formée par des matériaux très ductiles, 10 pa* exemple de l'or, on peut rendre ceux-ci plus cassants du fait d'y ajouter de faibles quantités d'autres substances, ceci ayant lieu par exemple au cours du dépôt par évaporation . Dans ce but, à l'or par exemple, on peut ajouter des traces d'arsénium, de bore ou de nickel . 15 Dans le cas envisagé, la couche isolante 4 est en bioxyde de silicium et/ou en nitrure de silicium . Comme matériau constituant la première couche auxiliaire 5, on peut utiliser le cuivre ou l'argent, l'adhérence entre une telle . couche auxiliaire 5 et la couche isolante 4 pouvant être amé-20 liorée si l'on élabore en premier lieu une mince couche adhésive par exemple en titane, en chrome ou, comme c'est le cas ici, en aluminium . De préférence, l'épaisseur d'une telle couche adhésive est comprise entre environ OjOl^u et environ 0,15 ^.u . Au besoin, cette couche adhésive peut être éliminé hors des évi-25 dements 7 avant de procéder à l'élaboration de la couche conductrice 8, dans ce cas également en aluminium . Ensuite, on peut dissoudre la première couche auxiliaire 5 dans un bain d'acide nitrique, la couche adhésive située sous cette couche auxiliaire pouvant dans ce cas 30 être éliminée par exemple sous l'effet d'une oxydation ou d'une dissolution . L'épaisseur de la couche adhésive en aluminium est comprise par exemple entre environ 30 nm et 50 nui, l'épaisseur de la première couche auxiliaire est égale par exemple à environ 1,5^u tandis que l'épaisseur de la couche conductrice est par 35 exemple environ 1 ^.u . Le deuxième exemple de réalisation concerne la fabrication d'un transistor planaire haute fréquence dont la figure 4 constitue la vue en plan schématique . Ce transistor 73 15458 16 2182208 a une zone de collecteur 21, une zone de base 22 et deux zones d'émetteur 23. Par des traits en pointillé, on a indiqué éga-lemErt une configuration de conducteurs 24 qui comporte des faces de contact 25 et 26 auxquelles on fixe des conducteurs par la 5 connexion de l'émetteur et de la base , ces faces de contact ayant chacune plusieurs prolongements ou doigts 27, 28 qui sont raccordés aux zones d'émetteur 23 et à la zone de base 22. Sous les doigts 25 conduisant à la base, il se situe dans le corps semiconducteur quelques zones de contact 29 qui appartiennent à la zone de base 22 et qui servent entre autres à réduire la résistance série de base . Les zones d'émetteur mesurent par exemple environ 40 ^u et 1,5 yii . Les dimensions de la zone de base sont par exemple environ 45 yU et 31,5 yU . Les.zones de contact 29 j_5 ont comme dimensions par exemple 40 ^u et 5 ^u , La largeur des doigts 27 et 28 est d'environ 2 ^u , tandis que la distance entre deux doigts voisins 27 et 28 est environ 4 y\i . Dans la coupe constituant la figure 5, on a indiqué que la zone de collecteur 21 comporte un substrat 20 peu ohmique 21b, et une couche épitaxiale fortement ohmique 21a de même type de conduction . A partir de la surface semiconductrice 30, les zones de contact pénètrent sur une profondeur d'environ 1yU . L'épaisseur du reste de la zone de base 22 est égale à 25 environ 0,3 yU. Les zones d'émetteur 23 se situent dans la partie mince de la zone de base 22, la profondeur de pénétration de chaque zone d'émetteur 23 étant environ 0,15^,u . La surface semiconductrice porte une couche isolante 31 qui est munie d'ouverture 32 et 33 mesurant environ 30 et l,5yU, ces ouvertures étant destinées à l'établissement du contact avec la zone de base et la zone d'émetteur . Dans ce cas également, la structure telle que décrite jusqu'ici peut être obtenue par la mise en oeuvre de tenhniques tout à fait courantes . 35 Pour la clarté de l'exposé, on a repré senté sur la figure 6 à plus grande échelle une partie de la coupe constituant la figure 5. Conformément à l'invention, on a élaborée sur la surface une première couche auxiliaire 34 qui, 73 15458 17 2182208 dans ce cas, est une couche d'alumini. um dont l'épaisseur est d'environ l^u . Sur cette première couche auxiliaire 34, on a élaboré une deuxième couche auxiliaire 35, qui est en chrome et dont l'épaisseur est comprise entre 0,l^,u et 0,2^,u . Sur cette 5 deuxième couche auxiliaire 35, on a élaboré une couche de photolaque 86 qui permet l'obtention d'un négatif précis de la configuration de conducteurs désirée dans la couche de chrome 35, La minceur dë la deuxième couche auxiliaire 35 est telle qu'elle ne nécessite qu'un faible sous-décapage, de sorte que les ou-10 vertures décapées dans cette couche sont exactement définies et que leurs dimens ions ne diffèrent pratiquement pas de celles des ouvertures pratiquées dans la couche 86 . Ensuite, on décape la première couche auxiliaire 34, et pour ce faire, on utilise comme masque la deuxième 15 couche auxiliaire 35 traitée de façon à avoir la forme désirée. Au cours de cette opération, il se produit un sous-décapage très perceptible, car l'épaisseur de la première couche auxiliaire 34 est considérablement plus forte que celle de la deuxième couche auxiliaire 35, ( Figure 7 ). L'épaisseur de cette deuxième 20 couche doit être telle qu'elle évite pratiquement l'incurvation des bords saillants; c'est pourquoi l'épaisseur de cette couche est de préférence égale à au moins O,l^u . Dès-à-présent, les bords montants des ouvertures pratiquées dans les couches auxiliaires 34, 35 ont un profil plus ow moins en forme de U qui au 25 besoin peut être approfondi en prolongeant le décapage de la couche auxiliaire 34 pour augmenter le degré de sous-décapage . Après décapage de la deuxième couche auxiliaire 35 ou après décapage de la première couche auxiliaire 35 et de préférence avant le dépôt de la couche conductrice, on peut 30 éliminer complètement la couche de photolaque 38. Dans le dernier cas, sur la surface, il ne subsiste pas de résidus organiques dont on sait qu'ils sont à même de poser des problèmes d'adhérence et qui parfois peuvent influencer défavorablement les propriétés électriques de faces limites métal-semiconducteur . 35 Avant de procéder à la métallisation défi nitive, on peut nettoyer les ouvertures 32 et 33 de la couche isolante 34. Pendant quelques secondes, on procède par exemple 73 15458 18 2182208 à un décapage dans une solution tampon HF-(NH4) F en vue d'éloigner un film d'oxyde éventuel hors de ces ouvertures. Au cours de cette opération qui ne nécessite pas l'emploi d'un masque, il est possible aussi d'éliminer hors desdites fenêtres 5 le film d'oxyde qui, au cours de la diffusion des zones d'émetteur 23, s'est formé dans les fenêtres de diffusion . Dans ce cas, les ouvertures 33 utilisées pour contacter les zones d'émetteur 3 correspondent pratiquement aux fenêtres de diffusion utilisées pour ces zones 23 . lO Ensuite, on élabore une couche 36, en titane. De préférence, cette opération a lieu sous pression plus réduite, la couche étant formée par dépôt par évaporation ou par pulvérisation cathodique . Au cours de cette formation, le corps semiconducteur est porté à une température d'environ 300°C afin de 15 garantir l'adhérence convenable entre le titane, d'une part la surface semiconductrice et la couche isolante 31, d'autre part, L'épaisseur de la couche de titane 36 atteint environ 0,4^u . De la même façon, on élabore sur la couche de titane 36 une couche d'or 37 dont l'épaisseur est égale à 20 environ 0,8^u. Pour dissoudre la couche d'aluminium 34, le corps est plongé pendant quelques minutes dans une solution contenant par exemple les substances HC1 et FeCl^. Dans ce cas, il est possible d'utilisêr un agent décapant à action rapide, .25 étant donné qu'il n'y a pas lieu de procéder au décapage d'une configuration de conducteurs . En effet, s'il en était ainsi, le décapage devrait être contrôlé convenablement à cause du sous-décapage, et le décapage devrait donc avoir lieu lentement. Ensuite, on peut nettoyer le corps dans un jet d'eau. Dès-à-30 présent, les parties situées initialement sur la couche d'aluminium 34 et appartenant aux couches 35, 36 et 37 sont éliminées et sur le corps ne subsistent que les parties de cette couche conductrice composée 36, 37, situées dans les évidements des couches auxiliaires 34 et 35. La figure 8 est une coupe trans-35 versale du dispositif illustré dans ce stade de sa fabrication, et il s'agit d'une coupe suivant le plan VIII-VIII sur.la figure 4. 73 15458 19 2182208 D'une meulière connue, on peut continuer le traitement du dispositif semiconducteur, terminer son montage et le munir d'une enveloppe . Les faces de contact 25 et 26 peuvent être munies de fils d'or associés pour l'émetteur et 5 pour la base . La zone de collecteur 21a, 21b peut être contactée à sa face inférieure, par exemple par un dépôt par soudure sur un fond conducteur ou sur une fiche de l'enveloppe . Il a déjà été mentionné que particulièrement dans le cas où il s'agit de configurations de conduc-10 teurs de faibles dimensions, l'épaisseur de la couche conductrice élaborée à l'endroit des bords des évidements est très faible, cette couche étant même de préférence discontinue . Dans cette ordre d'idéesj la couche conductrice est élaborée de préférence à partir de la phase gaseuse sous pression réduite et par l'em-15 ploi d'une source de matériau locale, l'élaboration ayant lieu par exemple par dépôt par évaporation ou par pulvérisation cathodique . Surtout dans le cas où le transport du matériau au cours de l'élaboration de la couche conductrice a lieu principalement dans une direction qui est pratiquement perpendiculaire 20 à la surface à recouvrir, les évidements de la couche auxiliaire sont reproduits convenablement dans la couche conductrice et du fait que la deuxième couche auxiliaire fait saillie , l'épaisseur de la couche conductrice est extrêmement petite, à l'endroit des bords des évidements, cette couche pouvant même être inter-25 rompue tout à fait audit endroit . On a constaté qu'à cet égard, il est avantageux également d'utiliser une première couche auxiliaire ou des couches auxiliaires dont l'épaisseur totale est pratiquement égale ou est supérieure à l'épaisseur de la couche conductrice. 30 Lorsqu'on utilise une couche conductrice composée, la position que la source de matériau occupe par rapport à la surface recouvrir est de préférence la même pour les diverses couches à élaborer, ce qui fournit l'avantage que l'effet d'ombre des bords des évidements de la couche auxiliaire est 35 pratiquement le même pour ces différentes couches, que la configuration de conducteurs acquiert des bords très rigides, les dimensions latérales et la position des diverses couches de ladite 73 15458 20 2182208 configuration étant identiques et que sur la surface, du moin® les projections perpendiculaires de couches plus éloignées de la surface, ne tombent pas en dehors de la projection de la couche inférieure, la plus proche de la surface , 5 On conçoit aisémexit qu'à mesure d'une in terruption plus complète de la couche conductrice sur les bords de la configuration dans la couche auxiliaire, la dissolution de la couche auxiliaire a lieu plus facilement . À cet égard, le profil en forme de U des bords montants de la couche auxiliaire, ob-ÎO tenu avec une première couche auxiliaire à l'épaisseur relativement forte et une deuxième couche auxiliaire relativement mince qui sert de masque pour la première couche auxiliaire, fournit un effet particulièrement favorable . Une autre possibilité est d'élaborer les évidements par pulvérisation cathodique effectuée en sens 15 inverse . On sait que lors de cette opération, il ne se produit pas de sous-décapage ou tout au plus un sous-décapage beaucoup moins prononcé que dans le cas d'emploi d'un liquide décapant . Ce dernier point aussi constitue un avantage dans le cadre de l'invention, notamment lorsque la distance entre des parties voi-20 sines de la configuration de conducteurs est relativement faible. Cet avantage sera encore expliqué plus en détail ci-après . Lors du décapage par pulvérisation cathodique, en sens inverse, on peut utiliser en guise de couche de masquage une couche de photolaque . Celle-ci est chauffée sous 25 l'effet du décapage . Au cours des métallisations usuelles, ce chauffage de couches de photôlaque est défavorable, car on sait que de telles couches sont alors encore plus difficiles à éliminer. Dans le cadre de l'invention, la pulvérisation cathodique en sens inverse est utilisé pour obtenir le façonnage de la couche auxi-30 liaire . Après cette opération, les parties superflues de la couche de photolaque se situent donc sur la couche auxiliaire, ce qui permet donc un enlèvement facile par dissolution de la couche auxiliaire simultanément avec les parties superflues de la couche conductrice . Un autre point important est que l'aluminium par 35 exemple se prête mieux à une telle pulvérisation que ne le fort le titane et le platine . Un autre inconvénient d'une pulvérisation 73 15458 21 2182208 cathodique en sens inverse remplaçant un décapage chimique dans les métallisations usuelles est que le décapage des parties superflues de la couche conductrice doit avoir lieu jusque sur la couche isolante . De ce fait, cette couche isolante peut être 5 endommagée facilement, tandis qu'il est possible en outre qu'une certaine charge soit établie dans cette couche, les propriétés électriques de ce dispositif peuvent aussi facilement se dégrader . Lorsque dans le cadre de l'invention on lO procède à la pulvérisation cathodique en sens inverse, les effets défavorable cités ci-dessus peuvent être évités facilement lorsqu'on arrête cette opération avant gUe soient terminés les évidements de la couche auxiliaire . Par la suite, les évidements peuvent être complétés sous l'effet d'un décapage chimi-15 que . Il se produit alors le sous-décapage désiré de la première couche auxiliaire par rapport à la deuxième . De cette façon, les bords montants également donc acquièrent un profil plus ou moins en forme de U qui influence favorablement la situation à 11 égard de 1'interruption de la couche conductrice . Par 20 l'emploi de ladite pulvérisation cathodique, on peut donc réaliser des distances faibles entre les conducteurs de la configuration, également lorsqu'on utilise une couche auxiliaire dont l'épaisseur est relativement forte . Pour faciliter davantage la dissolution 25 de la couche auxiliaire, on peut, si l'espace disponible le permet, pratiquer dans la couche auxiliaire encore plus d'évidements que le nombre d'évidements absolument nécessaires pour la configuration . Une autre possibilité est de blinder localement, à l'aide d'un masque, la couche auxiliaire façonnée lors de l'é-30 laboration de la couche conductrice, de sorte qu'une partie de la couche auxiliaire reste découverte . Au cours de la dissolution de la couche auxiliaire, les différents métaux constituant la couche auxiliaire et la couche conductrice peuvent être directement en 35 contact électrique dans le bain utilisé . Dans ce cas, la dissolution de la couche auxiliaire peut avoir lieu très rapidement sous l'influence de l'élément galvanique qui se forme par la 73 15458 22 2182208 présente de ces différents métaux « Lors de la mise en oeuvre du procédé comme utilisé jusqu'à présent, cet effet se produit également lorsqu'on utilise des configurations de conducteurs formées par des couches composées, et dans ce cas, cet effet 5 est très défavorable car il accélère et rend incontrôlable le sous-décapage des couches sous-jacentes de la configuration. Il a déjà été précisé que, de préférence, l'épaisseur de la couche auxiliaire est au moins égale à celle de la couche conductrice . Toutefois, lorsqu'on pratique les lO évidements dans la couche auxiliaire, le sous-décapage augmente avec l'épaisseur de la couche auxiliaire , Dans le deuxième exemple, on a décrit la façon dont l'emploi d'une deuxième couche auxiliaire relativement mince permet de supprimer l'influence de ce décapage sur les dimensions des conducteurs de la confi-15 guration .Dans ce cas, il faut toutefois encore tenir compte que ce sous-décapage impose une limite inférieure à l'écart mutuel minimal réalisable entre les conducteurs voisins de la configuration . En effet, entre le doigt de base 28 et les doigts d'émetteur voisins 27, certaines parties de la couche auxiliaire 20 34 doivent subsister . ( Figure 7 ). C'est pourquoi il importe, et cela surtout lorsque la distance entre les conducteurs est faible, que l'épaisseur de la couche auxiliaire ne dépasse pas la valeur réellement nécessaire . Ceci signifie qu'il importe aussi de réduire,de préférence autant que possible, l'épaisseur de la 25 couche conductrice . Ces considérations sont valables également bien que dans une mesure moindre dans le cas où la couche auxiliaire est façonnée par pulvérisation cathodique en sens inverse, étant donné qu'elle donne lieu à un sous-décapage moins prononcé. Quand au deuxième exemple, - l'épaisseur de la 30 couche de titane 36 est égale à environ 0,4^u « Le fait qu'entre autres cette couche sert de barrière entre le matériau semiconducteur et la coudhe d'or 37 joue également un certain rôle . Le platine forme une barrière de qualité bien meilleure . Toutefois, le platine n'est pratiquement pas décapable sélectivement, 35 et n'est donc pas bien utilisable pour le procédé connu habituel. Or, la présence invention fournit un procédé intéressant facile à exécuter qui lui permet 1'emploi de platine comme barrière . 73 15458 23 2182208 En outre, dans le cadre de l'invention, l'emploi de platine fournit l'avantage de permettre une plus faible épaisseur totale de la couche conductrice . La couche titane -or décrite dans le deuxième exemple peut être remplacée par exemple par une couche 5 conductrice composée formée par une couche de titane dont l'épaisseur est d'environ 30 nm et qui sert de couche adhésive, par une couche de platine dont l'épaisseur est d'environ 150 nm et qui constitue la barrière indispensable, ainsi que par une couche d'or dont l'épaisseur atteint environ 0,8 ^u . Ainsi, au lieu 10 d'une épaisseur d'environ 1,2 ^u, l'épaisseur totale de la couche conductrice devient inférieure à 1 yU , Lorsqu'on utilise une barrière en tantale, il n'est pas nécessaire d'utiliser une couche adhésive, de sorte que la couche de titane peut être omise . Le titane convient en 15 outre très bien comme barrière , car tout comme c'était le cas du platine, déjà une très mince couche de tantale suffit pour empêcher que par diffusion, dans ledit trajet de température désiré, l'or puisse traverser la couche de tantale et atteindre le matériau semiconducteur et influencer ainsi défavorablement 20 les propriétés électriques du dispositif . En outre, le tantale résiste bien à la corrosion . Le métal rhôdium peut être utilisé tant en guise de barrière qu'en guise de conducteur, et dans le cas où l'épaisseur du rhodium est suffisante, une très mince couche 25 d'or convient, celle-ci n'étant utilisée que pour faciliter l'établissement d'autres connexions par exemple lors du montage, final. Une couche conductrice composée comporte par exemple une couche en çfcLtane à épaisseur d'environ 0,l^u , une couche en rhodium à épaisseur comprise entre environ 0,5 yU et 0,6^u , et 30 une couche en or à épaisseur d'environ 0,05 yxx. . D'ailleurs, l'adhérence du rhodium auccouches isolantes usuelles est de loin meilleure que celle du platine par exemple, de sorte qu'au besoin, lors de l'emploi de rhodium en guise, de barrière et/ou en guise de " conducteur ", il est possible d'omettre la couche en titane. 35 Un autre avantage de l'invention est lié au fait qu'à partir d'une même plaque semiconductrice, on réalise généralement simultanément plusieurs dispositifs semiconducteurs, 73 15458 24 2182208 dams un des derniers stades de la fabrication, ladite plaque est divisée en dispositifs individuels par entaillage et par rupture. Dabs ce cas, à l'endroit des entailles, également la couche isolante est éliminée au plus tard au cours de l'ouverture des fe-5 nêtres de contact, en vue de contrecarrer ainsi l'usure rapide de l'outil utilisé pour pratiquer les entailles . Lorsque la métallisation est réalisée d'une manière habituelle, la couche titane-or vient en contact avec la surface semiconductrice également dans lesdites entailles et s'y allie avec le coips semi-10 conducteur tout comme elle le fait dans les ouvertures de contact à établir sur les zones à contacter . Du fait de cet alliage, dans lesdites ouvertures, d'une part, il se produit des jonctions métal-semiconducteur de bonne qualité, tandis que, d'autre part, l'enlèvement du métal dans l'entaille devient tellement difficile 15 qu'il est pratiquement impossible d'éviter une usure supplémentaire du burin . Lorsque l'invention est mise à profit, le trajet d'entaille peut être revêtu simplement de la couche auxiliaire, de sorte que la couche conductrice n'y contacte pas la surface semiconductrice . Ce contact se fait notamment si, avant d'éla-20 borer une couche auxiliaire sur la surface, on pratique les ouvertures dans la couche isolante . Au besoin, l'adhérence des diverses couches utilisées peut être améliorée par l'interposition d'une mince couche adhésive par exemple en aluminium, en titane ou en chrome. 25 Lors du contactage de dispositifs semiconducteurs, on peut également élaborer sous la couche conductrice une mince couche supplémentaire appelée à améliorer les propriétés de contact. Dans les ouvertures de contact 9 de la couche isolante 4 ( figure 3), il est possible par exemple d'élaborer une couche de siliciure 30 de platine, de silicium de palladium ou de silicittiee de cobalt, avant de procéder à élaboration de la couche conductrice 8a. Le siliciure de palladium et le siliciure de cobalt sont élaborés par exemple par pulvérisation cathodique, effectuée directement avant l'élaboration de la couche conductrice . 35 Au-dessous d'une couche conductrice titane- or ou titane-platine-or, on peut utiliser par exemple une mince couche d'aluminium dont l'épaisseur est comprise entre lO nm et 73 15458 25 2182208 100 nm. Dans ce cas, lors de l'emploi d'une couche auxiliaire en aluminium, un certain sous-décapage de la mince coucha de contact en aluminium est possible . Ce sous-décapage peut être évité si, par exemple à une température de substrat comprise entre 5 200°C et 300°C, on élabore successivement de 1'aluminium, du titane et de l'or, l'épaisseur de l'aluminium étant comprise entre 10 nm et 30 nm, après quoi on effectue un post-chauffage à une température comprise entre environ 300°C et 4ÛO°C maintenue par exemple pendant une demi-heure environ . Lors du décapage de la lO couche auxiliaire en aluminium dans une solution de HC1 et de FeCl^, la couche conductrice obtenue de la sorte n'est pratiquement pas attaquée . L'élimination de la couche d'aluminium peut avoir lieu également par un décapage dans un bain caustique, en 15 particulier un bain de sodium . La dissolution de la couche auxiliaire peut être accélérée lorsque localement, par exemple au bord, cette couche auxiliaire reste à découvert ou si, avant le traitement, la couche conductrice est éliminée partiellement à l'aide d'une solution caustique par exemple . 20 Bien que l'invention soit décrite à l'aide de formes de réalisation et d'application déterminées, le technicien pourra en réaliser de nombreuses variantes sans sortir du cadre de l'invention . Lors de l'emploi par exemple d'une couche conductrice composée dans des dispositifs semiconducteurs, 25 la surface à revêtir pendant l'élaboration d'au moins une couche de la couche conductrice peut être protégée en partie à 1'aide d'un masque, de sorte que la configuration de conducteurs est formée par exemple en partie par une couche simple et en partie par plusieurs couches . Il est en outre possible d'utiliser des 30 matériaux autres que ceux préconisés dans cet exposé. Pour la (première) couche auxiliaire, outre les matériaux aluminium, cuivre et argent déjà cités, on peut utiliser aussi les matériaux magnésium, manganèse, plomb et indium . Pour la deuxième couche auxiliaire, outre une photolaque ou du chrome, il est 35 par exemple possible d'utiliser du molybdène, du tungstène, du palladium ou du nickel . Généralement, la deuxième couche auxiliaire sert surtout à l'obtention de bords convenablement définis 73 15458 26 2182208 des évidements de la couche auxiliaire, tandis que plus en particulier, avec l'épaisseur de la première couche auxiliaire, il est possible d'adapter l'épaisseur de la couche auxiliaire à l'épaisseur de la configuration à réaliser „ Lorsqu'en guise 5 de deuxième couche auxiliaire, on utilise une couche de photolaque, la stabilité de forme désirée peut être influencée avantageusement si, entre cette couche et la première couche auxi** liaire, on élabore encore une minie couche métallique, dont l'épaisseur est égale à au moins 0,l^u . Pour éliminer la partie 10 de couche conductrice située sur la couche auxiliaire, on dissout de préférence la couche auxiliaire la plus épaisse, donc le plus souvent la première couche auxiliaire . Dans le même but, il est toutefois possible de dissoudre la deuxième couche ou du moins une des autres couches auxiliaires . Ensuite, on peut éliminer 15 par décapage le reste de la couche auxiliaire, ce qui, au choix, peut avoir lieu à l'aide d'un décapant à action rapide ou à action lente, puisque ce reste est alors entièrement dénudé et peut être éliminé sous l'effet du décapant agissant sur la totalité de la surface .Comme matériaux conducteurs devant consti-20 tuter la couche conductrice, on utilise généralement des métaux et/ou leurs oxydes conducteurs et/ou des alliages de ces substances» Dans une couche conductrice composée, le matériau constituant la première couche est par exemple du chrome, du titane, du tantale, du molybdène,du zirconium, du rhodium, du tungstène, 25 du vanadium ou du cobalt . La deuxième couche est par exemple en aluminium, en or, en platine, en tantale, en molybdène, en palladium, en zirconium, en rhodium, en tungstène, en vanadium, en cobalt, en nickel, en chrome ou en nickel-chrome, tandis qu'au besoin il est possible d'utiliser une troisième couche, par exemple 30 en nickel ou en or . En référence aux données et aux exemples de cet exposé, le technicien est à même de former d'une manière simple une combinaison adéquate à partir des groupes précités de matériaux en fonction des propriétés qu'il veut donœr à la configuration de conducteurs . 35 Lorsqu'on utilise une couche conductrice composée, on peut, par exemple dans le cas où l'épaisseur de cette couche est telle que sa rupture ou son interruption sur les 73 15458 27 2182208 bords des évidements se fait un peu plus difficilement que l'on l'avait escompté, élaborer la (les) couche (s) supérieure(s) de la couche conductrice sur la totalité de leur épaisseur ou sur une partie de leur épaisseur à l'aide d'un autre masque . Les di-5 verses couches ne doivent pas être élaborées nécessairement par dépôt par évaporation ou par pulvérisation cathodique, car on peut procéder aussi par voie électro-chimiquej s'il en est ainsi, par précipitation en l'absence de courant, on peut par exemple renforcer davantage la configuration de conducteurs après la 10 dissolution de la couche auxiliaire, et/ou élaborer au moins une autre couche en un autre matériau conducteur . 73 15458 28 2182208 EEVEHDICATIONS : 1. Procédé pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur comportant un corps semiconducteùr dont une surface est munie d'une couche isolante dans une ouverture de la-5 quelle une zone semiconductrice affleure la surface semiconductrice, ledit corps semiconducteur étant muni d'une configuration de conducteurs qui s'étend sur la couche isolante et qui, à travers de ladite ouverture de celle-ci, est raccordé à ladite zone semiconductrice, procédé suivant lequel est élaboré sur 10 la surface dudit corps une couche auxiliaire qui est formée par un matériau autre que celui constituant la configuration et qui comporte au moins un évidement affectant la forme de celle-ci, après quoi, sur ladite surface, sur la couche auxiliaire ainsi .que dans la partie évidée est élaborée une cou-15 che en matériau conducteur, alors que du fait d'éliminer la couche auxiliaire ainsi que la partie de couche conductrice située sur celle-ci, il subsiste, comme configuration de conducteurs sur le corps en question, la partie de couche conductrice qui est située dans la partie évidée de la couche au-20 xiliaire, caractérisé en ce que la couche auxiliaire comporte des première et deuxième couches, le matériau constituant la première couche différant de celui constituant la deuxième couche, alors qu'en guise de première couche auxiliaire, on utilise une couche métallique qui est située entre la surface semicon- 25 ductrice et la deuxième couche auxiliaire et dont la dissolution est possible pratiquement sans attaque du matériau conducteur constituant la configuration, tandis que lors de la formation des évidements de la couche auxiliaire, les évidements de la première couche auxiliaire deviennent plus grands que ceux 30 de la deuxième couche auxiliaire par suite d'un sous-décapage» 2. Procédé selon la revendication 1, caracté risé en ce qu"avant d'élaborer la couche auxiliaire métallique, on met à découvert certaines parties de la couche semiconductrice à l'intérieur d'ouvertures pratiquées dans la couche 35 isolante. 3* Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la surface de corps portant la \ 7f 15458 29 2182208 couche auxiliaire façonnée de façon à constituer la configuration désirée est munie d'une couche conductrice composée du fait que successivement, on élabore au moins deux couches dont les matériaux diffèrent. 5 4-. Procédé selon la revendication 3, caracté risé en ce que parmi lesdites couches, la couche inférieure qui se situe le plus près de la surface du corps est en titane en chrome, en rhodium, en zirconium, en cobalt, en tungstène ou en tantale. 10 5» Procédé selon l'une des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que la couche supérieure de la couche conductrice composée est en or. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'avant de procéder à l'élaboration de la couche 15 d'or mais après l'élaboration d'une couche de chrome ou d'une couche de titane, on élabore une couche de platine ou une couche de rhodium. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'élaboration de la couche conduc- 20 trice à lieu à partir de la phase gazeuse et sous pression réduite, alors que l'on utilise une source de matériau locale, la position que cette source occupe, par rapport à la surface munie de la couche auxiliaire façonnée en configuration étant telle qu'au cours de l'élaboration le transport du matériau 25 entre la source et le corps ^.it principalement lieu quasi perpendiculairement à la surface. 8. Procédé selon l'une des revendications 3 à 7, caractérisé en ce que les diverses couches de la couche conductrice composée sont élaborées chacune à l'aide d'une 30 source locale dont la position occupée par rapport à la surface munie de la couche auxiliaire transformée en configuration est pratiquement la même pour chacune de ces élaborations successives. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 35 à 8, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche auxiliaire est au moins égale à celle de la couche conductrice. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 73 15458 30 2182208 à 9, caractérisé en ce qu'en guise de deuxième couche auxiliaire, on élabore une couche métallique dont le matériau diffère de celui constituant la première couche auxiliaire, alors que pour l'élaboration des évidements de la couche auxiliaire, 5 la deuxième couche auxiliaire sert de masque pour la première couche auxiliaire située sous ladite deuxième couche. 11. Procédé selon la revendication 10, carac térisé en ce que l'épaisseur de la deuxième couche auxiliaire est inférieure à celle de la première couche auxiliaire. 10 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce qu'en guise de première couche auxiliaire, on élabore une couche en aluminium, en cuivre, en argent ou en magnésium. 13* Procédé selon l'une des revendications 10 15 à 12, caractérisé en ce qu'en guise de deuxième couche auxiliaire, on élabore une couche en chrome, en palladium, en molybdène, en tungstène, en tantale ou en nickel. 14. Dispositif obtenu par la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications 1 à 13. 20 15. Dispositif semiconducteur comportant un corps semiconducteur muni d'une zone de surface de premier type de conduction qui affleure une surface du corps et qui dans ledit corps est limitrophe d'une région de l'autre type de conduction et est entourée pratiquement par cette région, alors que 25 ladite surface porte une couche isolante qui est munie d'une ouverture qui se trouve au-dessus de ladite zone de surface et dans laquelle cette zone de surface est raccordée à une couche conductrice, composée formée par plusieurs couches, caractérisé en ce qu'à partir de ladite ouverture, la couche conduc-30 trice composée s'étend plus loin par-dessus la couche isolante, les dimensions des différentes couches constituant la couche composée étant pratiquement égales suivant la direction de la couche de sorte que la projection perpendiculaire des bords de ces couches coïncident pratiquement sur la surface. . -