FR 2198320 A1 19740329 FR 7331274 A 19730829 La présente invention concerne un montage à faculté de mémorisation permanente, pour circuits de bascule bistables, ce montage comportant une mémoire constituée dtun noyau magnétique à houcle d'hystérésis rectangulaire, dont chacune des deux conditions de rémanence possibles correspond à un état déterminé du circuit de bascule bistable. Dans un montage connu de ce genre (brevet R. F. A. nr 1 171 o60), le noyau magnétique comporte un enroulement de magnétisation et un enroulement de lecture, l'enroulement de magnétisation étant raccordé, par l'intermédiaire d'un amplificateur de découplage, à la sortie de la bascule bistable, tandis que l'enroulement de lecture est relié, par l'intermédiaire d'un conformateur d'impulsions, à l'entrée de la bascule bistable. L'étage de mise en forme d'impulsions fournit alors toujours un signal lorsque le noyau passe d'une condition de rémanence à l'autre. Le parfait fonctionnement de ce montage connu n'est toutefois assuré que si les applications ou coupures de la tension d'alimentation sont définies dans le temps. La présente invention a pour but de perfectionner un montage du type précité de façon que les coupures ou rétablissements de la tension d'alimentation n'aient plus à être définis dans le temps. De plus, ce montage doit être réalisé de façon qu'un seul enroulement suffise pour assurer le changement d'état et I'interroation de la mémoire, et de façon que l'interrogation de cette dernière puisse être répétée sans pour autant modifier l'état initial d'aimantation du noyau. Selon l'invention, ces résultats sont atteints par le fait que l'enroulement de magnétisation du noyau magnétique est branché entre les émetteurs de transistors qui sont montés à émetteur commun, transistors dont les bases sont commandées par le circuit de bascule bistahle, ceci par l'intermédiaire d'étages de commande, de façon telle qu'en fonctionnement normal les deux transistors oprent eux aussi comme un montage de bascule histable, par le fait que la commande des deux transistors, lors du retour de la tension d'alimentation, apurés une défaillance de cette derni re, peut être inhibée pa une entrée d'inhibition commune aux deux étayes de commande, et par le fait que lorsque la tension d'alimentation a atteint sa valeur maximale, une impulsion définie peut être appliquée, par l'intermédiaire de l'un des étages de commande, pour interroger l'enroulement de magné tisation, laquelle impulsion ne provoque - aux bornes d'une résistance raccordée à l'émetteur du transistor qui est associe à l'autre étage de commande - une impulsion de tension capable de provoquer le changement d'état du circuit bistable que si ledit noyau se trouve dans un état de rémanence bien déterminé. D autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaltront à la lecture de l'exemple non limitatif suivant décrit en se référant au dessin annexé dans lequel la figure unique représente le schéma de réalisation d'un dispositif selon l'invention. Le dispositif comporte, comme composant essentiel, un noyau magnétique 1 dont la boucle d'hystérésis est pratiquement rectangulaire, ce noyau étant pourvu d'un enroulement de magnétisation 2. Par ses deux extrémités, cet enroulement 2 de magnétisation est relié aux émetteurs de deux transistors 3 et 4. Ces transistors sont branchés selon le montage "à émetteur commun", tandis que leurs bases respectives sont reliées aux étages de commande correspondants @ et 6, lesquels sont, par l'intermédiaire d'une entrée de commande 7, reliés au circuit bistable qu'il s'agit de contrôler. L'étage de commande @ comporte deux portes ET NON 8 et 9, tandis que ltétage de commande 6 présente une porte ET repérée par la référence 10.Comme les deux transistors 3 et 2T fonctionnent en "suiveurs de tension" (montage à émetteur commun), il en résulte que les étages , et 6 doivent fournir des tensions de sortie définies, si l'on désire que le courant atteigne la valeur nécessaire à la magnétisation du noyau magnétique 1. Pour cette raison, les deux portes 9 et 10 sont réalisées sous la forme de circuits intégrés numériques à collecteurs ouverts, puisqu'alors, moyennant le branchement de résistances 11 et 12, les tensions de sortie des étages de commande , et 6 correspondent à la tension d'alimentation laquelle est généralement stabilisée. Le noyau 1 servant de mémoire peut donc, selon lTétat des étages de commande , et 6, être amené, par les transistors 3 et 4, à l'état de saturation positive ou négative. La valeur du courant de magnétisation est fixée par les valeurs des résistances 13, 14 et l. Le signal présent à l'entrée de commande 7 est transmis, par l'intermédiaire d'une porte inverseuse 16, à l'entrée de l'étage de commande . Au lieu d'être transmis par l'intermédiaire de la porte inverseuse, le signal destiné à l'entrée de l'étau de commande @ pourrait aussi être prélevé directement à la sortie complémentaire du circuit de bascule bistable à contrôler.La référence 17 désigne une entrée d'inhibition al-issant sur les entrées des deux portes S et 10. De plus, la porte 9 ET NON présente une entrée d'interrogation. Ce dispositif fonctionne comme suit li l'entrée de commande 7 est, par exemple, le siège d'un signal, il y a alors aussi présence d'un signal à la sortie de la porte 10 qui est une porte ET, puisque l'entrée d'inhibition amène aussi un signal. Par suite de l'interposition de la porte inverseuse 16, c'est un signal "zéro" qui est présent à l'entrée de la porte ET NON repérée par la référence 8, de sorte que la sortie de cette dernière est alors le siège d'un signal quelle que soit la valeur du signal présent à l'entrée d'inhibition. Comme il y a également un signal à l'entrée d'interrogation 18, il en résulte que la sortie de la porte 9 (qui est une porte ET NON) présente un signal zéro, de sorte que le transistor 3 se trouve bloqué, et le transistor 4 ouvert. La borne d'alimentation UB fournit un courant qui s'écoule par le transistor 4, 1 'enrou- lement de magnétisation 2 et la résistance 13, de sorte que le noyau magnétique 1 est amené à une condition déterminée de rémanence.Si le signal appliqué à l'entrée de commande 7 disparalt, le signal présent à la sortie de l'étage de commande 6 disparalt alors lui aussi, de sorte que le transistor 4 devient non passant ("bloqué"). L'entrée de la porte 8 ST NON reçoit alors, par l'intermédiaire de la porte NON 16, un signal, et, comme l'entrée d'inhibition amène un signal, il en résulte la disparition du signal à la sortie de la porte U ET NON. Ceci provoque, à la sortie de la porte 9 ET T NON, l'apparition d'un signal de sortie qui ouvre le transistor 3 (ctest-à-dire qui le rend passant) de sorte que le courant de magnétisation s'écoule alors par le transistor 3, l'enroulement 2 et les résistances 14 et 17. Le noyau magnétique se trouve alors amené à son autre condition de rémanence. On va maintenant supposer qu'il se produit, dans cet état, une défaillance de la tension d'alimentation. Le courant traversant le transistor 3 décroît alors, tandis que le transistor l; continue à n'être le si e d'aucun courant. La ma gnétisation du noyau ne peut plus être changée, même en présence de conditions défavorables de disparition de la tension (par exemple : fausses impulsions" à l'entrée 7 de signal). L'inten- cité qui serait-nécessaire pour provoquer ce changement de magné- tisaticn n'est jamais atteinte, puisque la tension d'alimentation est, selon lthypothèse, en train de décroître. Tors du retour de la tension d'alimentation, l'entrée d'inhibition 1 empêche d'abord la commande des transistors 7 et , ceci afin d'éviter tout changement de magnétisation sous l'effet de "faux signaux" de commande. Ce résultat s'obtient, par exemple, en amenant avec un certain retard la tension de signal à l'entrée d'inhibition 17. Lorsque la tension d'alimentation prescrite est atteinte, la bascule bistable à contrôler est, de façon connue en soi, amenée à une position définie (position de zéro). Après cela, une impulsion d'interrogation engendrée parvient, par l'entrée 18 de l'étage de commande , à l'émetteur du transistor 3.C'est selon la direction que le signal de commande avait avant la défaillance de la tension d'alimentation que le noyau magnétique 1 se trouve aimanté dans la direction qui correspond à l'existence d'une interrogation, ou dans la direction opposée. Si l'état antérieur d'aimantation du noyau correspond à la direction de l'impulsion d'interrogation, l'enroulement de magnétisation 2 se présente alors avec une faible impédance, puisque l'impulsion d'interrogation agit alors dans un sens qui correspond au renforcement de la saturation du noyau aimanté 1, l'inductance apparaissant alors comme faible. Dans ce cas, on peut alors prélever une impulsion aux bornes de la résistance 15, par un fil 19. Cette impulsion permet alors de "positionner" convenablement la bascule bistable à contrôler. Si, par contre, l'aimantation du noyau magnétique 1 est dirigée en sens inverse, l'enroulement 2 de magnétisation présente une impédance élevée, puisque l'impulsion d'interrogation tend à inverser l'aimantation du noyau et qu'ainsi l'inductance de l'enroulement de magnétisation 2 s'accroit. La durée de l'impulsion d'interrogation est choisie de façon que la magnétisation du noyau magnétique ne puisse pas être inversée. La résistance 1 n'est alors le siège d'aucune impulsion de changement d'état, c'est-àdire que le circuit reste dans l'état correspondant à zéro. Moyennant un dimensionnement approprié de l'impulsion de commande de lecture, on peut effectuer une interrogation ou lecture répétée, sans pour autant modifier i'état d'aimantation du noyau. Dès que l'interrogation est terminée, on applique un signal à l'entrée d'inhibition 17, ce qui a pour effet de libérer les étages de commande 5 et 6. L'aimantation du noyau 1 dépend alors de la tension du signal présent à l'entrée 7. @ N D I C A T I C @ S 1. @onta de à caractéristique de mémorisation perma @ents, pour @l@@uits de lascule @ista@les, ce monta@e comportant une mémoire consti@@ée d'un n@yau ma nétique à @oucle d'hystérésis rectan ulalre, don@ cha@une des deux con@itions de rémanence possi les correspon@ à un état déterminé du circuit de @ascule bis te le, caractérisé par le lait aue l'enroulement de magnétisation du noyau magnétique est branché entre les émetteurs de transistors qui sont montés a émetteur commun, transistors dont les bases sont commandées par le circuit de bascule bistable, cecl par l'intermédiaire d'étages de de commande, de façon telle que les deux transistors opèrent eux aussi, en fonctionnement normal, comme un montage de bascule bistable, par le fait que la commande des deux transistors, lors du retour de la tension d'alimentation, après une défaillance de cette dernière, peut être inhibée, par une entrée d'inhi bition commune aux ueux étages de commande, et par le fait que lorsque la tension d'alimentation a atteint sa valeur maximale, une impulsion définie peut etre appliquée, par l'intermédiaire de l'un des étages de commande, pour interroger l'enroulement de ma@nétisation, laquelle imnulsion ne provoque, aux bornes d'une résistance raccordée a l'émetteur du transistor oui est associé 1 l'autre étage fie commande, une impulsion de tension capahle de provoquer le changement d'état du circuit de bascule bistable que si ledit noyau se trouve dans un état de rémanence bien déterminé. p. @ontage selon la revendication 1, caractérisé par le fait que les étages le commande comportent des circuits inté @rés numériques à collecteurs ouverts.