FR 2134553 A1 19721208 FR 7214881 A 19720426 72 14881 2134553 La présente invention concerne généralement et a essentiellement pour objet un dispositif formant transistor à miero-pavéa ou à micropiliers du type connu sous le nom de flip-chip. ou analogu-, à reflux de soudure •„+ à grande dissipation de chaleur et un procédé, basé sur cette te clinique, de connexion d'une plaquette ou pastille de dispositif semiconducteur à mie configuration formant dessin ou réseau de conducteurs électriques, ainsi que les diverses applications et utilisations résultant de sa mise en oeuvre et les systèmes, ensembles, appareils, machines, équipements et installations pourvus de tels dispositifs. En fabriquant des circuits intégrés dit hybrides, des dispositifs semiconducteurs et autres éléments composants diserts, séparés, individuels ou isolés doivent être être montés sur des parties terminales ou extrêmes de trajets ou chemins conducteurs imprimés dans un substrat isolant. Le montage exact ou précis et économique de dispositifs tels que des transistors a constitué ur nroblème. Les premières formes d'exécution de ces circuits hybrides utilisaient des fils métalliques pour connecter les électrodes des dispositifs saux conducteurs terminaux corrects sur le substrat. Hais ce type de liaison nécessite un travail soigné individuel effectué par un opérateur entraîné ou exercé et ajoute fortement à la dépense du produit. Plus tard, plusieurs procédés de liaison de dispositifs à circuits hybrides furent conçus pour supprimer la liaison ou jonction des fils métalliques et permettre à une plaquette ou pastille de dispositif semiconducteur d'être liée directement de façon adhérente aux conducteurs terminaux prévus sur le substrat en utilisant une opération de brasage ou de soudage» ' L'un de ceux-ci est le procédé dit "flip-chip" ou à micropavés ou niieropiliers qui implique la. formation de bossage gjde soudure saillants ou de protubérancesanalogues en relief, électriquement connectés aux électrodes et aux bornes correspondantes, mouillables par la soudure du dispositif, prévue-s sur le réseau ou dessin de conducteurs du substrat. Une machine ou un opérateur met en place la plaquette ou pastille du dispositif avec les 72 14881 2 213^553 bossages de soudure positionnés de façon précise sur les portions terminales formant "bornes mouillables par la soudurc^t ensuite de la chaleur est appliquée pour fondre la soudure et réunir ou assembler en permanence le dispositif au substrat. Il a été constaté par expérience que, d'un point de vue de montage mécanique, le meilleur emplacement pour les bossages de soudure est aux coins ou angles de la pastille ou plaquette de dispositif puisque ceci procure le plus de tolérance dans le positionnement du dispositif par rapport aux bornes du substrat» Cependant, des dispositifs tels que des transistors ont habituellement leurs régions d'émetteur et par conséquent leurs jonctions entre émetteur et base situées dans la zone centrale de la plaquette ou pastille. Dans un transistor, la plus grande partie de la chaleur est engendrée dans la jonction entre collecteur et base en dessous des régions d'émetteur et il est désirable de réaliser un bon trajet thermique pour conduire la chaleur de façon à l'évacuer rapidement de cette partie du dispositif quand il est en fonctionnement, le seul contact métallique court et direct, entre la plaquette de dispositif et les conducteurs du substrat, étant aux coins ou angles de la plaquette, un trajet thermique très peu satisfaisant en résulte pour la chaleur engendrée en dessous de la région (ou des régions) d'émetteur . Il n'est pas pratique d'accroître les surfaces des bossa,ges de soudure à prendre dans la partie centrale de la plaquette ainsi qu'aux coins en utilisant la sorte de pastilles circulaires de liaison adhérente de soudure antérieurement connues. Conformément à cette invention, un dispositif semiconducteur tel qu'un transistor comprend une plaquette de matière semi-conductrice ayant -une surface principale ou grande surface et des régions de dispositif dans ladite plaquette, chaque région de dispositif ayant une partie s'étendant jusqu'à la grande surface de la plaquette et exposée ou découverte à celle-ci. Des connexions métallisées d'électrode sont prévues sur chacune des 72 14881 2134553 portions do dispositif précitées exposées à la grande surface vie la plaquette. Une mince couche protectrice en verre, recouvrant la grande surface de la plaquette et les connexions métallisées de 1'électrode est prévue avec des orifices s'ouvrant vers 5 chacune des connexions d'électrode . Sur la couche de verre sont placées des pastilles de contact métallisées, chaque pastille .ayant du métal s'étendant à travers l'un des orifices prévu dans la couche de verre. Chaque pastille comprend une première portion de dimensions relativement 10 larges destinée à loger une couche de soudure fondue relativement épaisse et librement debout au voisinage des coins ou angles de la plaquette. Chaque pastille comporte également une seconde portion superposée à une portion génératrice de chaleur relativement grande du dispositif et destinée à 15 recevoir une couche de soudure fondue relativement mince, librement deboit. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement à la lecture de la description explicative 20 qui va suivre en se reportant aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemples non limitatifs illustrant divers modes de réalisation de l'invention et dans lesquels : - la figure 1 est une vue en plan d'un^laquette de dispositif à transistor à un premier stade de fabrication d'un dispositif 25 conformément à la présente invention ; - la figure 2 est une vue en coupe transversale effectuée le long de la ligne 2-2 de la figure 1 ; - la figure 3 est une vue en plan du transistor des figures 1 et 2 au stade où les régions d'émetteur ont été 30 diffusées dans la région de base ; - la figure 4 est une vue en coupe transversale effectuée le long de la ligne 4-4 de la figure 3 ; - la figure 5 est une vue en plan du dispositif des figures précédentes, montrant le dispositif recouvert d'un masque 35 de diffusion ayant des orifices dans celui-ci pour la déposition de contacts métalliques d'électrode ; 72 14881 2134553 - la figure 6 est une vue en coupe transversale effectuée le long de la ligne 6-6 de la figure 5 ; - la figure 7 est une vue en plan semblable à celle de la figure 5, avec des contacts métalliques d'électrode déposés ; 5 - la figure 8 est une vue en coupe transversale effectuée le long de la ligne 8-8 de la figure 7 ; - la figure 9 est une vue en coupe transversale semblable à celle de la figure 8 avec une couche protectrice en verre recouvrant le dispositif ; 10 - la figure 10 est une vue en plan analogue à celles des figures précédentes et montrant des pastilles de liaison adhérente en place ; - la figure 11 est une vue en coupe transversale effectuée le long de la ligne 11-11 de la figure 10 ; 15 - la figure 12 est une vue en plan semblable à celle de la figure 11 montrant seulement les pastilles de liaison avec la soudure déposée sur celles-ci ; - la figure 13 est une vue en coupe effectuée le long de la ligne 13-13 de la figure 12 ; 20 - la figure 14 est une vue en plan d'une configuration formant dessin ou réseau de bornes de conducteurs destinées à recevoir le dispositif des figures précédentes ; et - la figure 15 est une vue en coupe du dispositif monté. EXEMPLE 25 Un mode de réalisation préféré d'un dispositif conforme à l'invention et un procédé de fabrication conforme à l'invention seront maintenant décrits. Le procédé sera expliqué en corrélation avec la fabrication d'un transistor bipolaire ayant une pluralité de régions d'émetteur isolées diffusées dans une 30 région de base, mais il pourrait tout aussi bien s'appliquer à un transistor ayant une grande région d'émetteur unique. Le transistor est à monter sur des bornes de conducteurs ou oonducteurs terminaux mouillables par de la soudure qui ont été imprimés par sérigraphie, c'est-à-dire au pochoir, à 35 l'écran ou à la trame, sur un substrat en céramique. Comme cela est représenté sur les figures 1 et 2, le dispositif semiconducteur comprend une pastille ou plaquette de 5 2134553 72 14881 silicium P do cond-activité du type !T ayant une région de base 4 ountralc-nioiit pincée et diffusée dans celle-ci. On comprendra que- cotte plaquette est en réalité une partie d'une tranche ou d'un morceau détaché beaucoup. plus grand à ce stade de la 5 fabrication et que plusieurs centaines de telles plaquettes ou pastilles de dispositif seront traitées simultanément. La surface de sommet 6 de la plaquette comporte un revêtement passivant 8 en bioxyde de silicium ou silice le recouvrant, excepté là où la région de base 4 est formée par diffusion 10 d'impuretés du type P dans la plaquette^ du type ÎJ. Le transistor comporte également ime région de collecteur 5 du type KL. L'étape ou phase opératoire suivante du procédé consiste à diffuser une pluralité de régions d'émetteur dans la région de base. Ceci est effectué en faisant d'abord croître ou pousser de 15 nouveau et en redéposant un revêtement passivant formant couche de silicium 8' (figure 4) sur la surface entière 6 de la plaquette ot ensuite, par des techniques classique de photomasquage et d'attaque, de gravure ou de corrosion chimique, en ouvrant des orifices dans le revêtement en bioxyde de silicum ou silice 20 8' pour diffuser des impuretés dans la plaquette. Gomme cela est indiqué sur les figures 3 et 4, le revêtement de bioxyde de silicium ou silice 8' comporte des orifices 10a, 10b, 10c et 1Od dans lesquels des impuretés du type F sont diffusées pour former des régions isolées d'émetteur 12a, 12b, 12c et I2d. Dans 25 ce dispositif, les régions dJémetteur prennent la forme grossièrement de croissants ou de lunules, bien que d'autres configurations géométriques puissent être utilisées.Autour de la périphérie de la plaquette 2, une ouverture annulaire 14 est réalisée dans le revêtement en bioxyde de silicium ou silice 8' et un anneau ou 30 une couromie d'impuretés 16 du type II est diffusé à travers cette ouverture dans les régions de collecteur 5 pour former un contact 17- de région de collecteur. L'étape ou phase opératoire suivante consiste à faire croître ou pousser de nouveau la couche passivante en bioxyde de silicium 35 ou en silice mie fois de plus en formant un revêtement 8" et ensuite en réalisant des ouvertures dans celui-ci, de façon que des métallisations de contact respectivement émetteur, de. base 6 Z 1J H 'J JJ 72 14881 et de collecteur puissent être déposées. Comme cela est indiqué sur les figures 5 et 6, des orifices de contact d'émetteur 18a, 18b, 18c, 18d correspondent aux régions d'émetteur 1 2a., 12b, 12c et I2d. l'orifice de contact de base 20 comprend une fente 5 qui expose ou découvre une portion étroite de la région de base près de sa périphérie et suit également les contours des quatre régions isolées d'émetteur 12a à I2d. Il y a aussi un orifice de contact de collecteur 14' qui expose ou découvre une partie du contact N+ de collecteur 16. 10 L'étapeou phase opératoire suivante consiste à déposer des métallisations de contact respectivement d'émetteur, de base et de collecteur à travers les/5rifices qui' ont été décrits ci-dessus. Ceci est effectué en déposant par évaporatirai une couche d'aluminium sur la surface supérieure entière de la plaquette et ensuite, 15 par des techniques de masquage et de gravure d'attaque ou de corrosion chimique en enlevant tout le métal à l'exception des parties nécessaires pour faire des contacts et des connexions. En se référant maintenant aux figures 7 et 8, des couches d'aluminium 22a à 22d sont en contact respectivement avec les 20 régions d'émetteur 1 2a à I2d. Afin de connecter ensemble la totalité des régions isolées d'émetteur, une bande connectrice d'aluminium 24 est déposée sur le dessus de la couche de bioxyde de silicium ou silice 8" et cette bande connectrice 24 comporte des portions coudées de raccordement formant cols 25 connectées aux couches de contact d'émetteur 22a à 22d. A la connexion métallique de région de base 26 dans la fente 20 est connecté un bras métallique 28 qui s'étend sur le dessus du revêtement en bioxyde de silicium ou en silice 8" jusqu'au centre de la plaquette. Une couronne annulaire de métal 30 30 (aluminium déposé par évaporation sous vide) entoure la bande de contact connectrice d'émetteur 24 et réalise le contact avec la région de contact de collecteur 16 du type IT+. Une partie de la couche métallique de contact de collecteur 30 repose sur le sommet de la couche de bioxyde de silicium ou silice 8". 35 Une surface ouverte 31 subsiste autour de la périphérie du dispositif, de sorte que les plaquettes de dispositif individuel peuvent être séparées plus tard de chaque tranche sur laquelle 72 14881 7 2134553 des centaines de dispositifs individuels sont réalisées simultanément. Gomme cela est indiqué sur la figure 9? une mince couche de verre y2 est aisulte déposée sur la surface entière de la 5 plaquette. Le verre peut être un verre du type à borosilicate déposé en faisant passer un mélange de diborane et de silane, dilué avec de l'argon, sur la surface chauffée de la plaquette de dispositif. La couche de verre 32 peut être d'environ 2,0 à 7 microns d'épaisseur. Le verre procure une bonne protection 10 contre l'humidité en employant des couches relativement minces. P'autres types de verre peuvent être employés, tels qu'un verre au plomb. Afin de réaliser le contact électrique avec les régions respectivement d'émetteur, de base et de collecteur du dis-15 positif, des ouvertures sont réalisées par gravure , attaque ou corrosion chimique à travers la couche de verre en utilisant une solution de gravure ou d'attaque chimique qui peut comprendre de l'acide fluorhydrique (à 48>S de HP), à raison de 300 ml par litre et du lauryl-sulfate de sodium (un agent mouillant) à 20 raison de 5 gouttes par litre. A cette solution d'attaque ou de gravure chimique est ajouté un composé soluble d'un métal qui se déposera, sur la surface d'aluminium des contacts métalliques suffisamment vite pour empêcher l'oxyde d'aluminium ou alumine de se former. Ce métal peut être du sulfate de zinc sous la forme 25 de .r:n30,.6H^0 à une concentration de 170 g/l. Si on laisse une "t couche mince d'oxyde d'aluminium ou d'alumine se former sur le métal de contact en aluminium pendant l'opération de gravure ou d'attaque chimique, il est difficile de réaliser une bonne connexion métallique à basse résistance avec leg/contacts métallo liques respectivement d'émetteur, de base et de collecteur. Il est désirable d'avoir mie solution d'attaque ou de gravure chimique à acide fluorhydrique suffisamment concentrée pour graver ou attaquer chimiquement le verre à une vitesse d'environ 0 0 " I00 A à 200 k par seconde et d'inclure un composé soluble d'un 35 métal ayant un potentiel d'électrode Inférieur à celui de l'aluminium dans les séries électrochimiques. La concentration du composé métallique doit être suffisamment élevée pour forcer 72 14881 8 2134553 le métal à se déposer plus vite qu'il n'est dissous. Par cette méthode de gravure ou d'attaque chimique (figure 10), des ouvertures 34 et 38 sont réalisées par gravure ou attaque chimique à travers la couche de verre 32 au voisinage 5 de coins eu angles opposés de la plaquette pour former des orifices ie contact de collecteur menant b la lande de métal 30 et un orifice 36 est réalisé par gravure ou attaque chimique à travers la couche 32 près d'un coin ou angle intermédiaire de là plaquette pour former un orifice de contact d'émetteur 10 menant à la bande connectrice d'émetteur 24. Un orifice 40, réalisé à travers la couche 32 au centre de la plaquette, constitue une ouverture menant au contact de base 28. l'opération suivante consiste à déposer des pastilles de contact respectivement d'émtteur, de base et de collecteur 15 sur la surface de la couche de verre 32, une certaine quantité du métal étant déposée dans les orifices réalisés par gravure ou attaque chimique pour faire contact avec les régions respectivement d'émetteur, de base et de collecteur. Comme cela est indiqué sur la figure 10, ces pastilles de contact 20 métalliques ont une forme particulière qui est importante pour les principes de la présente invention. Tout d'abord, une couche d'aluminium est déposée par évaporation sur la surface entière du verre et ensuite, par des techniques classiques de photomasquage et de gravure ou d'attaque chimique , la 25 totalité de l'aluminium est éliminée à l'exception des portions nécessaires pour les pastilles de contact„ L'une de ces pastilles 42 comporte une portion 44 de dimensions relativement larges pour recevoir un monticule formant bossage ou protubérance de soudure qui sera relativement haut. La pastille de contact 42 ccm-30 parte aussi une autre portion 46/ie dimensions relativement étroites et superposée à la région d'émetteur 12a. Cette portion recevra seulement une mince couche de soudure. La pastille de contact 42 comporte également une autre portion circulaire 48 qui est simplement un prolongement pour inclure l'orifice 34 réalisé 35 par gravure ou attaque chimique, à travers lequel le contact est réalisé avec la bande métallique de contact de collecteur 30 „ La pastille de contact 42 est disposée dans un coin ou angle ^ i i l ' 72 14881 9 2134553 de la plaquette de dispositif. Dans un angle ou coin opposé de la plaquette de dispositif se trouve une pastille de contact similaire 56 ayant une portion de dimension relativement larges 58, une portion de 5 dimensions relativement étroites, superposée à la région d'émetteur 12c et un prolongement circulaire 62 qui comprend l'orifice 38 réalisé par gravure ou attaque chimique et faisant également contact avec la bande de contact de collecteur 30. Dans un autre coin ou angle de la plaquette se trouve une 10 troisième pastille de contact 50 ayant une portion de dimension relativement large 52 et une portion de dimension relativement étroite 54, superposée à la région d'émetteur 12b. Cette pastille réalise le contact avec la. métallisation connectrice d'émetteur à travers l'orifice 36 dans la couche de verre 32. 15 Une quatrième pastille de contact 64 est disposée dans l'angle ou le coin de la plaquette qui est opposé à la pastille de coniact d'émetteur 50. La pastille de contact 64 comporte une portion de dimension relativement large 66 adjacente à l'angle ou au coin de la plaquette et une autre portion de dimension 20 relativement étroite 68 qui recouvre la zone d'émetteur 12d. La portion 68 est également connectée à un ruban de métal 70 ayant une partie extrême élargie 72 qui surmonte l'orifice 40 dans la couche de verre 32. le métal s'étend à travers l'orifice 40 en réalisant le contact avec le bras de métallisation de 25 base 28 sur la couche nétalisée en dessous du verre. Chacune des pastilles de contact métalliques 42, 50, 56 et 64 revêtue d'un autre métal qui la rend nouillable à. la soudure. Ceci peut être effectué d'une façon classique par exemple en déposant, d'abord une mince couche de zinc par 30 déplacement chimique et. ensuite une mince couche de nickel par déposition suivant le procédé sans électrodes, la couche composée étant désignée par 74a, 74b, 74c et 74d (figures 12 et 13) dans les pastilles de contact respectives 42, 50, 56 et 64. On donne ensuite un revêtement de soudure aux pastilles 35 de contact métalliques. Ceci peut être effectué en trempant la plaquette entière dans un bain de soudure fondue. Une mince couche de soudure adhère à toutes les surfaces revêtues de nickel mais b 10 2134553 72 14881 n'adhère pas à la surface en verre. Des billes ou boules de soudure sont ensuite placées à raison d'une sur chacune des surfaces 44, 52, 58 et 66 et la soudure est fondue et peut s'écouler autour des zones métallisées. Cette opération 5 constitue des couches de soudure 76a, 76b, 76c et 76d respectivement sur les pastilles métallisées 42, 50, 56 et 64-Comme cela est indiqué sur la figure 13, des bosses ou monticules de soudure relativement élevés se forment sur les portions 44, 52, 58 et 66 des pastilles de contacts métalliques. Mais 10 à cause de leurs dimensions étroites, la couche de soudure reste relativement mince sur les portions 46, 54, 60 et 68 superposées aux régions d'émetteur. La soudure reste également relativement mince sur les zones 48, 62, 70 et 72 des pastilles de contact métalliques. 15 Le tronçon ou la tranche semiconducteur est maintenant divisé en des plaquettes séparées et chaque plaquette est prête à être montée sur les extrémités terminales appropriées des conducteurs sur le substrat du circuit. Une petite partie d'un substrat de circuit imprimé est représentée sur la figure 14. Celle-ci com-20 prend un substrat en céramique 86 ayant les conducteurs 88, 90, 92 et 94 déposés sur celui-ci. Ces conducteurs peuvent comprendre des rubans plats d'une composition de conducteur en cermet (céramique-métal) déposée par impression sérigraphique ou à la trame ou à l'écran ou analogue. Les portions extrêmes 25 de ces conducteurs peuvent être revêtues respectivement d'une mince couche de nickel 96, 98, 100 et 102 pour les rendre mouillables par la soudure . Pour monter la plaquette sur le circuit, elle est placée avec sa face tournée vers le bas, de façon que chacune des 30 pastilles de contact 42, 50, 56 at 64 soit en contact respectivement avec l'une des portions extrêmes métallisées 98, 96, 102 et 100 (figure 15). L'ensemble est ensuite élevé jusqu'à une température suffisamment haute pour fondre la soudure. Comme les extérmités des conducteurs ont des surfaces mouillables 35 par la soudure, qui sont quelque peu plus grandes que les surfaces soudées des pastilles de contact métalliques, quand la soudure fond, les grosses bosses ou monticules de soudure n 2134553 72 14881 s'effondrent ou s'affaissent et s'écoulent par-dessus les surfaces métallisées des conducteurs du substrat et de ceci résulte qu'on a une mince couche uniforme de soudure entre les pastilles métallisées de contact sur la plaquette et les 5 extrémités terminales métallisées sur le substrat, la soudure est un conducteur de chaleur relativement médiocre et, comme la couche de soudure entre les deux parties est mince, un bon trajet thermique existe entre les zones d'émetteur et le substrat. Ceci réalise des propriétés de conduction de chaleur 10 fortement améliorées depuis l'émetteur jusqu'au substrat en comparaison avec des types antérieurement connus de connexions par micropavés ou par micropiliers ou analogues. Il n'y a aucun besoin de conduire la chaleur de façon à l'évacuer rapidement depuis les zones métallisées 70 et 72, de sorte que rien 15 n'est prévu pour que la soudure sur ces zones soit en contact avec des zones mouillables par la soudure sur les conducteurs du substrat. Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée aux modes de réalisation décrits et représentés qui n'ont été 20 donnés qu'à titre d'exemple. En particulier, elle comprend tous les moyens constituant des équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons si celles-ci sont exécutées selon l'esprit de l'invention. 72 14881 2134553 REVENDICATIONS 1. Dispositif semiconducteur destiné à Ôtre monté par soudure sur des zones métallisées sur un substrat isolant, du type comprenant une plaquette de matière semiconductrice ayant une grande surface, des régions de dispositif dans ladite 5 plaquette, chaque région comportant une portion s'étendant jusqu'à la surface de ladite plaquette et exposée à celle-ci, lesdites régions incluant au moins une portion qui engendrera une quantité relativement grande de chaleur quand le dispositif est en cours de fonctionnement, des connexions métallisées 10 d'électrode sur chacune desdites portions de région exposées à ladite surface de plaquette, une mince couche protectrice en verre recouvrant ladite surface de plaquette et lesdites connexions métallisées d'électrode et des orifices traversant ladite couche de verre pour parvenir à chacune desdites 15 connexions d'électrode, caractérisé par des pastilles métallisées de contact sur ladite couche de verre, chaque pastille ayant une première portion de dimensions relativement larges destinée à recevoir une couche de soudure fondue relativement épaisse et librement debout au voisinage des coins ou angles de ladite 20 plaquette, chaque pastille comportant une seconde portion superposée à une portion génératrice de chaleur relativement grande dudit dispositif et destinée à recevoir une couche de soudure fondue relativement mince et librement debout, et chacune desdites pastilles ayant du métal s'étendant à travers 25 l'un, desdits orifices. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la portion génératrice de chaleur précitée relativement grande est située en dessous d'une région d'émetteur d'un transistor. 30 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la région d'émetteur précitée est divisée en une pluralité de sections isolées. 4. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il forme un transistor destiné à être monté par micropavés ou 72 14361 2134553 micropilic-rc sur des sonos métallisées sur un substrat isolant, ledit transistor comprenant une plnquette de matière semi-c-or/iuetriee forme généra len--nt roctr^igulaire ayant une grande surface. la,aite pluquitte uyun. une région de collecteur d'un type- conluctivité comportent une portion s'étendant jusqu'à 1-idit- • surf- à sa périphérie et exposée à celle-ci, une cO:2i 5. Frocédé dit "flip-chip" ou à micropavés ou micropiliers, de connexion d'une plaquette de dispositif semiconducteur selon l'une des revendications précédentes, ayant des régions de dispositif et une portion génératrice de chaleur-, avec un réseau ou dessin de conducteurs électriques prévu sur un substrat isolant, ledit procédé étant du type consistant à munir ledit. 72 14881 i- 2±3^t>55 dispositif d'une mince couche isolante de verre recouvrant la surface dudit dispositif qui doit faire face auxdits conducteurs, ladite couche comportant des orifices dans celle-ci menant auxdites régions de dispositif ; à réaliser des pastilles 5 de liaison mouillables par de la soudure sur ladite couche de verre qui sont - électriquement connectées"auxdites régions de dispositif à travers lesdits orifices, lesdites pastilles de liaison comportant des portions de dimensions relativement larges disposées au voisinage des coins ou angles de ladite 10 plaquette et d'autres portions de dimensions relativement étroites disposées par-dessus ladite portion génératrice de chaleur, caractérisé en ce qu'il consiste : à appliquer de la soudure auxdites pastilles de liaison, de façon que des monticules relativement hauts de soudure soientmaintenus sur 15 lesdites portions de dimension relativement large et que des couches minces de soudure soient maintenues sur lesdites portions de dimension étroite ; à munir ledit réseau ou dessin de conducteurs de surfaces mouillables par la soudure et plus grandes que les surfaces contenant la soudure sur ladite 20 plaquette ; à placer ladite plaquette avec la face vers le bas sur ledit substrat de façon que lesdits monticules relativement hauts de soudure de ladite plaquette soient en contact avec les surfaces mouillables par la soudure desdits conducteurs ; et à chauffer de façon à refiridifier ou à écouler de nouveau 25 par reflux ladite soudure, de manière que lesdits mont cules relativement hauts de soudure s'effondrent ou s'affaissent et que lesdites couches minces de soudure viennent en bon contact conducteur d'électricité et de chaleur avec lesdites surfaces mouillables par la soudure sur lesdits conducteurs. 30 6. Produit industriel formant dispositif semiconducteur, caractérisé en ce qu'il est obtenu par l'exécution du procédé selon la revendication 5.