FR 2135072 A1 19721215 FR 7116139 A 19710505 Le présent brevet d'invention est relatif à la structure particulière d'une mémoire à couches minces magnétiques. Lesdites mémoires sont habituellement constituées par des dépits d'une mince couche ferromagnétique sur un support en verre, entouré de deux réseaux orthogonaux de lignes, réseau de lignes de mot et réseau de lignes dtinformation et de lecture. Associées aux lignes de mot, les lignes d'information permettent l'orientation du vecteur aimantation diurne zone de la couche ferromagnétique et, les lignes de lecture permettent le prélèvement du signal de lecture dû au basculement du vecteur dlaimantation orienté. De nombreux perfectionnements ont déjà été apportés à de telles mémoires, en particulier le brevet français nO 2 038 457 décrit un dispositif d'élimination des signaux parasites par couplage capacitif dans une telle mémoire. Ledit dispositif nécessite l'utilisation de deux spots par mot, lesdits spots formant deux couches minces ferromagnétiques parallèles. Il est également-connu que -les performances d'une mémoire à couches minces sont améliorées lorsque les faces externes de ladite mémoire sont recouvertes par des plaques de ferrite. Ces plaques assurent, d'une part, un blindage magnétique et, d'autre part, une fermeture des flux magnétiques des lignes d'accès vis-àvis des couches ferromagnétiques et vice-versa. De plus, les plaques de ferrites permettent de diminuer le champ démagnétisant de la couche, donc d'augmenter l'efficacité des champs de commande. Les effets bénéfiques des plaques de ferrite seront d'autant augmentés, qu'elles sont plus intimement couplées aux lignes d'accès et aux couches minces ferromagnétiques. L'effet du couplage serait accru si la zone séparant ladite couche de la plaque de ferrite, et qui constitue en fait un entrefer entre ladite couche et ladite plaque, était remplie par une matière ayant un coefficient de perméabilité magnétique adéquat. La mémoire selon la présente invention a été conçue pour répondre à cet objectif. Ladite mémoire, à deux couches minces ferromagnétiques parallèles, est caractérisée par le fait qu'un shunt magnétique en ferrite flexible enrobe complètement les re- seaux de lignes d'accès et réalise la fermeture du flux de commande avec la couche magnétique et vice-versa du flux de la couche, lors du basculement du vecteur aimantation, avec les lignes de prélèvement de lecture. La ferrite flexible est obtenue en mélangeant une ferrite réduite en poudre à une colle polymère. A titre d'exemple non limitatif, des grains de ferrite de l'ordre de 20 il sont mélangés à du silastène dans les proportions de poids deux tiers, un tiers. Après polymérisation du mélange, la ferrite flexible obtenue a une perméabilité magnétique de l'ordre de 10 et une résistivité électrique d'environ 30 kQ cm, caractéristiques adaptées à la réalisation de la mémoire selon l'invention. Les deux couches magnétiques de ladite mémoire sont couplées d'une façon anti-parallèle et le flux magnétique engendré par la rotation des deux vecteurs aimantation d'un m8me mot est fermé par les shunts en ferrite flexible. Cette structure selon l'invention a pour principal avantage une réduction du champ démagnétisant des couches, donc une diminution non négligeable des champs de commande et par suite, des courants de commande. La structure selon l'invention permet d'augmenter la densité de la mémoire. En effet, la marge de reptation des couches 8t avère considérablement augmentée. par suite de la limitation du domaine de fermeture du flux par la zone d'intersection des lignes de mot et d' information.. ?'autres caractéristiques et d'autres avantages de la mémoire selon l'invention apparaitront dans la description qui suit, laquel le sera mieux comprise en se reportant aux figures données en annexe. La figure 1 représente deux vues en coupe orthogonales l'une à l'autre, de la mémoire réalisée selon l'invention. La figure 2 représente à titre de rappel le schéma des lignes d'accès à la mémoire. La figure~3 représente le sshéma de fermeture du flux magnétique pour une mémoire à deux couches antiparallèles. La vue en coupe de la mémoire selon l'invention, représentée sur la figure 1-A, est la vue en coupe dite selon l'axe facile de la mémoire. Sur cette figure est représentée la superposition des différentes couches formant la mémoire. On trouve successivement en partant du centre de la mémoire, en 1 une couche de mylar recouverte sur l'une de ses faces par les lignes de lecture 2 et, sur l'autre par les lignes d'information 3. Par l'intermédiaire d'une couche de colle 4 sont fixées deux couches continues de ferro-nickel 5; viennent ensuite deux plaques de verre 6 supportant les lignes de mot 7, enrobées dans deux couches de ferrite flexible 8, elles-m & es retenues entre deux plaques de ferrite dur ou mumétal 9. La figure 1-b représente la meme mémoire suivant une coupe orthogonale à celle représentée par la figure 1-a. Sur cette figure où les mêmes couches sont repérées par les mêmes chiffres, les lignes de lecture et d'informations 2 et 3 sont vues en section droite de telle sorte que la couche discontinue 10 de ferrite flexible qui enrobe lesdites lignes, est visible. Un rappel de la disposition relative des différentes lignes d'accès à la mémoire est donnée par la figure 2. Un générateur bipolaire 11 alimente les lignes d'informations 12. Les lignes de lecture 13 sont anti-inductées par rapport aux lignes d'information 12. Les deux spots d'un même mot sont écrits au moyen des lignes de mots 14 avec deux polarités opposées et l'amplificateur différentiel 15 amplifie les signaux de lecture en mode différentiel et élimine les signaux parasites en mode commun. La figure 3 représente un détail-de la vue en coupe de la mémoire selontinvention représentée par la figure 1-b, détail sur lequel est tracé le schéma de fermeture du flux magnétique. Sur cette figureisont représentésen 16 et t7 les deux vecteurs aimantation figurant l'orientation que prennent les couches ferromagnétiques 5, sous l'influence du parcours par un courant convenable de la ligne d'information correspondante. Selon l'invention, la couche de mylar 1 supportant les lignes de lecture 2. et d'information 3 est discontinue et des masses de ferrite flexible 10 remplissent les interlignes et permettent au flux magnétique de se refermer suivant le tracé 18. Pour chaque mot, les deux vecteurs d'aimantation antiparallèles introduisent,par le circuit magnétique fermé à travers le-shunt magnétique en ferrite flexible,une variation de flux créant dans la ligne de prélèvement de lecture enrobée par ledit shunt magnétique une force électromotrice qui constitue le signal de lecture. La mémoire selon l'invention se présente donc avec une structure quasi-fermée se rapprochant de la structure cylindrique des mémoires à fils. La mémoire selon l'invention allie de cette façon les avantages d'utilisation des mémoires à structure cylindrique, tels que commande an moyen de courant faible, avec les avantages de réalisation des mémoires à couches minces. REVENDICATION Mémoire à deux couches minces ferromagnétiques parallèles caractérisée en ce qu'un shunt magnétique en ferrite flexible enrobe les lignes d'accès à la mémoire et réalise la fermeture du flux de commande avec la couche magnétique et vice-versa du flux de la couche, lors du basculement du vecteur aimantation, avec les lignes de prélèvement de lecture.