FR 2148314 A1 19730311 FR 7228827 A 19720726 Cette invention concerne les supports d'enregistremant à domaines magnétiques cylindriques à bass de grenats [domainss sous forme de "bulles1) et vise plus particulièrement les supports utilisant des compositions de grenat comportant un seul élément de terre rare, présentant une anisotropie unidirectionesîla due aux contraintes, avec l'axe magnétique dû "facile" perpendiculaire au film. Les dispositifs utilisant des domaines magnétiques cylindriques ou à bulles sont connus, ainsi qu'on peut le constater en se référant au brevet américain N 3.460.116. De tels dispositifs présentent la propriété que les domaines magnétiques cylindriques peuvent être créés sélectivement et déplacés dans le film magnétique qui les renferme. Si les domaines sont représentatifs d'une information binaire, ils peuvent être écrits, propagés, lus et détectés, toutes ces fonctions étant celles utilisées dans les systèmes de traitement des données. Les films magnétiques qui renferment les domaines sont choisis parmi les orthoferrites, les magnétoplombites, les grenats, etc... En particulier, les grenats ont été proposés pour constituer des matières à domaines magnétiques comme on peut le constater dans la littérature des domaines magnétiques. On a utilisé par exemple des cristaux de grenat en blocs contenant dss éléments de terres rares mélangés. Ces compositions sont caractérisées par une anisotropie unidirectionnelle due à la croissance des cristaux. Oans ces compositions, l'anisotropie due à la croissance peut exister dans le film seul, sans qu'il y ait besoin d'un substrat. En conséquence, les problèmes de correspondance des réseaux (adaptation) entre le film magnétique et un substrat ne sont pas critiques, quand il existe un mécanisme de croissance pour induire l'anisotropie unidirectionnelle. On a décrit des compositions de grenat à terres rares mélangés qui comportent plusieurs éléments de terres rares, dans lesquels un élément de terre rare tAl a un coefficient magnétostrictif hA qui est positif tandis que l'autre élément de terre rare B a un coefficient magnétostrictif h8 qui est négatif. En conséquence, la magnétostriction résultante est apparoximativement égale à zéro. On a aussi utilisé des compositions de grenat appropriées pour être utilisées dans la technologie des domaines magnétiques cylindriques, qui sont obtenues par croissance épitaxiale sur des substrats spéciaux comportant un malange de terres rares. Ces substrats sont difficiles à faire croître avec un degré élevé de psrfection st ne sont pas, de ce feit, souhaitables pour obtenir de façon reproductible des films magnétiques de bonne qualité. Les films magnétiques précédemment décrits, tout en convenant à une utilisation pour les dispositifs à domaines magnétiques, n'offrent pas la gamme complète des qualités souhaitables. Afin d'obtenir ces qualités, l'invention propose d'utiliser des compositions de grenat utilisant seulement un élément de terre rare, en plus de l'Yttrium. Les pourcentages des composants de ces compositions sont compris dans une gamme particulière qui n'est pas suggérée par la technique antérieure. En addition, au lieu d'utiliser une anisotropie unidirectionnelle due à la croissance des cristaux, ces films ont une anisotropie unidirectionnelle due aux contraintes. Ces contraintes sont soigneusement choisies de façon qu'elles soient suffisamment importantes pour provoquer l'anisotropie désirée, tout en ne causant pas des défaillances mécaniques du film, telles que, par exemple, des fissures.En outre, ces films magnétiques peuvent être obtenus par croissance épitaxiale sur des substrats simples et fournissent une mobilité élevée des domaines. Cette mobilité existe dans toute la gamme des champs magnétiques de commande appliqués utilisés pour commander la propagation des domaines. Oe même, ces films magnétiques peuvent être réalisés avec des valeurs différentes de magnétisation M et d'anisotropie unioirectionnelle s K . En conséquence, des densités élevées de bits sont possibles dans les films u de grenat6 stables. En conséquence, l'un des objets principaux de la présente invention est un support d'enregistrement comportant des compositions perfectionnées de films magnétiques qui servent de support à la propagation de domaines magnétiques. Un autre objet de cette invention est de réaliser un support d'enregistrement comprenant des films de grenat. que l'on peut faire croitre sur des substrats à un simple composé et qui assurent un accroissement de la vitesse de propagation des domaines magnétiques cylindriques, à l'intérieur d'une gamme de champs magnétiques appliqués. Un autre objet encore de cette invention est de réaliser des films de grenat que l'on peut faire croitre sur des substrats à un simple composé et qui présentent une anisotropie unidirectionnelle due aux contraintes Les compositions de grenat de l'invention sont particulièrement appropriées pour une utilisation, à la température ambiante, dans les dispositifs à bulles magnétiques. Elles constituent des films magnétiques présentant une anisotropie unidirectionnelle due aux contraintes (axe magnétique "facile" perpendiculaire au plan du film) la contrainte étant soit une contrainte de tension, soit de compression, selon les composants présents dans le film. Le pourcentage de défaut de concordance des réseaux entre le film de grenat et son substrat est compris dans une gmme allant de 0,02 à 0.16.Les films comportent un élément de terre rare dans une quantité suffisante pour produire ce défaut de concordance des réseaux. Les compositions de grenat de l'invention sont caractérisées en ce qu'elles ont la formule générale RE Y3 V Fe Ga 0 dans laquelle y est habituellement y 3-y 5- x compris entre 0,1 et 0,-S inclusivement, et x est compris entre 0,9 et 1,2 inclusivement . RE est un élément de terre rare (Gd, Eu, Tb, Dy, Sm, Ge, etc.) tandis que Y est de l'Yttrium. Afin d'obtenir la valeur désirée de contrainte et 4rM compris entre 100 et 300 gauss1 la valeur de y peut dépasser la gamme s habituelle, selon la nature du substrat. Ces films de grenat de l'invention ont une épaisseur comprise généralement entre 1 et 10 microns et sont obtenus par croissance épitaxiale sur des substrats à un seul composé, qui peuvent être des grenats de terres rares (tels que Gd3 Ga5 012) ou d'autres substrats isolants tels que MgO, le saphir et les spinelles. Les substrats sont choisis de façon à fournir le défaut de concordance convenable avec le film magnétique et également en fonction de leur facilité de fabrication ainsi que de leur uniformité. Bien que les films magnétiques aient en général un axe magnétique "facile" perpendiculaire au plan t111) du cristal1 de telles orientations ne sont pas les seules possibles, mais certaines orientations, telles que l'orientation (111), sont en général préférées pour des raisons relatives à la croissance du film et aux conditions d'anisotropie. Les grenats croissent plus rapidement dans le plan t111) et l'anisotropie unidirectionnelle est préférable dans une direction perpendiculaire à ce plan que dans d'autres directions.Les substrats sont fabriqués par des techniques connues, telles que la technique de Czochralski, tandis que les films magnétiques peuvent être réalisés par croissance épitaxiale en utilisant des techniques telles que l'épitaxie en phase liquide (EPL)1 le dépôt en phase valeur (OVC), la pulvérisation et la centrifugation. L'emploi de compositions de grenat utilisant seulement un élément de terre rare, en combinaison avec l'Yttrium, conduit à des films présentant une mobilité extrêmement élevée. Ceci est principalement dû au faible coefficient d'amortissement (a) qui en résulte. Les films ont des vitesses de propagation des domaines magnétiques qui sont supérieures à ceux des films magnétiques antérieurement connus, à l'intérieur de l'ensemble de la gamme des champs magnétiques de propagation appliqués pour déplacer les domaines. En outre, l'utilisation d'un nombre minimal de composants chimiques conduit à un système simple à fabriquer et à reproduire, par opposition aux grenats à terres rares mélangées plus compliqués, de la technique antérieure. En particulier Gdy Y3-y Fe5-x GaxO12et Euy Y3-y Fe5-x GaxO12, dans les proportions convenables selon cette invention, fournissent une matière à mobilité très élevée. Ces compositions présentent un avantage supplémentaire en ce qu'il est possible de les faire croitre sur des substrats comportant un seul composé. Pour faciliter au maximum la fabrication de films minces (qui sont nécessaires pour les petits domaines de bulles) il est nécessaire d'utiliser un substrat de bonne qualité. Le substrat doit être un substrat ayant des propriétés bien contrôlées, facile de mettre en forme et uniforme et présentant également la constante de réseau convenable. Le choix d'un substrat simple, en ce qui concerne ses composants chimiques, remplit ces exigences. Les compositions de films magnétiques proposées par l'invention peuvent être utilisées avec des substrats simples et en conséquence, un avantage supplémentaire est obtenu. Etant donné que les grenats sont des cristaux cubiques, une anisotropie unidirectionnelle doit être provoquée dans ces cristaux. La technique choisie dans l'art est celle de l'anisotropie due à la croissance des cristaux. Cependant, des matières ayant ce type d'anisotropie ont en général des coefficients élevés d'amortissement et, en conséquence, une faible mobilité des domaines. Dans les compositions de grenats proposées par l'invention, une anisotropie due aux Contraintes est utilisée et une très grande mobilité des domaines est obtenue. Ce qui est encore plus important. on obtient une vitesse très élevée des domaines avec les champs de propagation magnétique appliqués. De même, les films résultats ont une contrainte très soigneusement réglée de sorte qu'il ne se produit pas de fissures. La magnétisation de saturation M et l'anisotropie K sont réglables s u dans ces films de grenat. Elles sont réglables en faisant varier les gammes de composition des composants présents et en soumettant les films à un recuit. I1 est possible d'obtenir une gamme plus grande de variations que lorsqu'on utilise des films de grenat ne contenant pas d'élément de terre rare. Les objets qui précèdent, ainsi que d'autres objets, avantages et caractéristiques de l'invention apparaitront plus clairement à la lecture de la description plus détaillée qui suit. Dans les dessins annexés donnés à titre d'exemple: la figure 1 est une courbe du système EuyY3-yFe5-xGaxO12 pour diverses valeurs de la constante de réseau a et de la magnétisation 4 o s La figure 2 est une courbe du système Gd Y Fe5xGa 0 pour diverses y y 3-y x 12 valeurs de la constante de réseau ao et de la magnétisation 4#ms. La figure 3 est une courbe de la magnétisation 4*M par rapport à la s température pour deux compositions choisies parmi les systemes illustrés sur les figures I et 2. La figure 4 est une courbe de la vitesse de domaines magnétiques par rapport au champ magnétique appliqué, pour les compositions de grenat de l'invention ainsi que pour des compositions de la technique antérieure. Les grenats de fer et terres rares de l'invention ont la formule générale REyY3-yFe5-xGaxO12 dans laquelle RE est un élément de terre rare tel que Gd, Eu, Tb, Sm, Dy et Ce. Les gammes des composants sont habituellement: 0,9 S x S 1,2 0,1 s y 4 0,9 On fait croître les films de grenat sous forme de couches épitaxiales sur un substrat qui est, en général, un grenat de terre rare ou un autre substrat isolant, tel que le MgO, le saphir, et les spinelles.L'orientation cristallographique du film magnétique est en général (111) bien que d'autres orientations soient possibles. Les filmes sont caractérisés en ce qu'ils sont une anisotropie provoquée par une contrainte mécanique qui peut être de tension ou de compression. L'axe magnétique "facile" est perpendiculaire au plan du film. Dans le réseau cristallographique, le gallium (Ga) est substitué au Fer (Fe) et occupe les mêmes sites que le Fer. Le gallium a une préférence pour les sites tétraédriques. Au lieu du gallium, on peut utiliser l'aluminium. Cependant, le gallium est préféré, car il permet une meilleure commande de la constante de réseau. Ces remplacements des atomes de Fer permettent un réglage de la magnétisation de saturation. Les ions de terre rare occupent les sites dodécaédriques dans le réseau cristallographique. Les substitutions de terre rare ont une influence sur les coefficients magnétostrictifs du film. Comme précédemment indiqué, la formule générale des films de grenat de l'invention est REyY3-yFe5-xGaxO12 dans laquelle RE est l'élément de terre rare; y est compris généralement entre 0,1 et 0,9 inclusivement, tandis que x est compris entre 0,9 et 1,2 inclusivement. Généralement, il est préférable de faire varier ces quantités en fonction des matières utilisées. Par exemple, dans le cas du gadolinium (Gd) il est préférable que y soit compris entre 0,1 et 0,5 tandis que x est compris entre 0,9 et 1,2. Cependant, dans le cas où Eu (Europium) est l'élément de terre rare, y est de préférence plus grand à savoir compris entre 0,2 et 0,9 tandis que x est compris entre 0,9 et 1,2. Ces gammes préférées sont comprises dans la gamme générale donnée ci-dessus et sont choisies pour rendre maximales les propriétés magnétiques correspondantes pour chaque élément de terre rare particulier. L'accroissement de la quantité y de l'ion RE accroit en général la constante de réseau du film et fait décroitre M . L'accroissement de la s quantité x de l'ion Ga présent fait décroitre en général la constante de réseau ainsi que M . Ainsi, en équilibrant x et y, il est possible d'ajuster s la constante de réseau et M aux valeurs désirées.En général, les gammes de s la composition sont 0,9 $ x É 1,2 et 0,1 S y S 0,9. Ces gammes donnent de bons résultats avec un substrat tel que Gd3 Ga5 O12 et permettent de réaliser des films pour lesquels 4#Ms est compris entre 100 et 300 gauss et le défaut de concordance des réseaux est correct. Cependant, dans certains substrats, la constante de réseau ao du substrat peut être très grande, ce qui a pour conséquence qu'il est nécessaire que la quantité d'élément de terre rare dans le film de grenats soit supérieure à y = 0,9.Par exemple, lorsqu'on doit faire croitre un film de Gdy Y3-y Fe5-x Gax O12 sur Sm3 Ga5 O12, la quantité de Gd présente doit être accrue pour donner le pourcentage convenable de défaut de concordance des réseaux (0,02 à 0,16] et la valeur convenable de 4sM (100 à 300 gausse. s Une quantité convenable est y = 1,8 environ, comme on peut le voir à l'examen du tableau présenté ultérieurement. Des grenats de fer et terres rares représentatifs conformes à la présente invention sont illustrés sur les figures 1 et 2. La figure 1 représente le système de grenats de fer et l'Europium, tandis que la figure 2 représente le système de grenats de fer et gadolinium selon la présente invention. Ces dessins montrent la gamme des divers composants présents pour différents paramètres de réseaux de substrats et différentes magnétisations 4#Ms@ Le système Euy Y3-y Fe5-x Gax O12 est représenté en détail sur la figure 1. Sur cette figure les lignes allant de gauche à droite en travers du graphique correspondent à la courbe des compositions ayant la constante de réseau indiquée a . Par exemple, la ligne a = 12,384 A comprend toutes les compositions de o o Euy Y3-yFe5-x Gax O12 ayant cette constante de réseau.Les compositions suivant la ligne a = 12,384 A présentent une concordance parfaite avec un substrat o ayant cette constante de réseau. Dans ce cas, un substrat de Gd3 Ga5 012 que lton a fait croRtre suivant la technique de Czochrolski a cette constante de réseau. La ligne mentionnée a = 12,437 A représente la composition de o Euy Y3-y Fe5-x Gax O12 ayant cette constante de réseau. Dans ce cas, le substrat est un cristal de Sm3 Ga5 012 que l'on a fait croitre par la technique du flux ou par la technique de Czochrolski. Les lignes diagonales partant de la partie inférieure du graphique jusqu'à sa partie droite supérieure donnent les courbes des compositions ayant les valeurs 4nM indiquées. Les lignes représentées correspondent à des valeurs s de 4nN comprises entre O et 300. En pratique, il est souhaitable que 4nM s s soit compris entre 11001 et 13001 inclusivement afin d'obtenir des films de qualité convenable pour les domaines de bulles magnétiques. L'abscisse du graphique de la figure 1 donne la teneur en Ga, Fe constituant le complément pour donner (Fe, Ga)5. L'ordonnée donne la teneur en Y, Eu constituant le complément pour donner (Eu, Y)3. Pour obtenir une anisotropie due aux contraintes de tension, des compositions de films magnétiques au-dessus d'uné ligne de substrat a désirée sont choisies Réciproquement, pour obtenir o des compositions de film présentant une anisotropie due aux contraintes de compression, on choisit des compositions, ayant des constantes de réseau audessous de la ligne de substrat ao désirée, En d'autres termes, la constante de réseau du film est inférieure à celle du substrat, pour une anisotropie due à une tension et la situation est inverse dans le cas d'une anisotropie due à une compression.Si la contribution nette au coefficient magnétostrictif de l'ion de terre rare et de l'ion de fer est positive, une contrainte planaire de compression est utilisée dans le grenat. Par contre, si le coefficient magnétostrictif net est négatif, une contrainte planaire de tension est utilisée dans la composition de grenat. Une contrainte planaire est celle qui existe dens le plan du film magnétique. Etant donné que la quantité 4nM détermine le diamètre du domaine de bulle, s il est souhaitable que cette quantité soit comprise entre 100 et 300 gauss ou entre (-100) et (-300) gauss. En conséquence, selon le substrat choisi, la gamme de Ca et de Y est choisie de façon que la composition se trouve entre les lignes diagonales 4wM 3 100 et 4rM = 300. En outre, étant donné que les compositions B s de la figure 1 sont destinés à avoir des tension de compression, on fait varier les compositions pour que le a du film magnétique soit supérieure au a du o o substrat. La figure 2 illustre le système de grenats représentéspar la formule générale Gdy Y3-y Fe5-x Gax O12. Sur ce graphique, l'ordonnée représente la teneur en Y, Gd représentant le complément pour donner (Gd,YZ3 tandis que l'abscisse représente la teneur en Ga,Fe représentant le complément pour donner (Fe, Ga)5. Egalement sur cette figure, des lignes diagonales pour diverses constantes de réseau a de substrat ont été tracées tandis que sont tracées o également d'autres lignes de la constante 4#Ms. Sur la figure 2, le substrat ayant une constante de réseau a = 12,376 A est de préférence du cristal de o Gd3 Ca5 012 que l'on a fait croître par la technique du flux. Dans le cas des grenats de fer Gd-Y, le coefficient magnétostrictif net est négatif et en conséquence, une constante planaire de tension est utilisée pour provoquer une anisotropie unidirectionnelle. Comme indiqué précédemment, la quantité 4xM est choisiede façon à être comprise entre 100 et 300 gauss s afin de fournir des matières convenables pour les dispositifs à domaines de bulles. Des films utilisables de grenat de fer Gd-Y sont choisis de façon à avoir une constante de réseau a qui est inférieure à la constante de réseau o du substrat, et pour lesquelles la quantité 4sM est comprise entre 100 et s 300. L'anisotropie de ces films est créée par le défaut de concordant des réseaux entre le film et le substrat. Des défauts de concordance allant jusqu'à un pour 500 ont été observés et le défaut de concordance est en général choisi pour être d'environ un pour 1200. La figure 3 représente la courbe de la magnétisation, par rapport à la température, d'échantillons représent tifs choisis parmi les systèmes des figures 1 et 2. Les compositions représentatives ont des points de Curie bien au-dessus de la température ambiante. La longueur caractéristique (Q1 du film dépend de la constante A d'échange magnétique, de l'anisotropie unidirectionnelle K et de la magnétisation de saturation M . Afin de maintenir cette longueur u s (t) constante et pour maintenir ainsi le diamètre du domaine constant avec la température, le coefficient de température de la magnétisation du film doit être légèrement négatif, comme représenté sur la figure 3.Ceci compense le fait que le coefficient de température de K est en général légèrement néga u tif et que la température réduit l'efficacité des forces d'échange magnétique représentées par A. Les orientations des films sont en général (111) bien que d'autres orientations soient possibles. L'orientation t111) par exemple, est préférée pour des questions de croissance et de cinditions d'anisotropie. Par exemple, tant les films de grenat que les substrats de grenat ont tendance à croître plus rapidement dans le plan t111). De même, l'anisotropie unidirectionnelle préfère certaines orientations à d'autres, et l'axe magnétique "facile" est, de préférence, perpendiculaire au plan (111). Pour les films Y-Fe-Ga-O dopés au Sm et Eu. des orientations (100) peuvent également convenir. En général, l'orientation dépend du susbtrat choisi et de la croissance préférentielle des films de grenat sur le substrat. Le choix de l'orientation est laissé au praticien. Les compositions de grenats de l'invention peuvent être préparées sous forme de films épitaxiaux sur des substrats, par n'importe quelle méthode classique pour le dépit ou la croissance épitaxiale de films. Par exemple, l'épitaxie en phase liquide (EPL), le dépôt en phase vapeur tCVD], la pulvérisation et la centrifugation sont des procédés appropriés. En particulier, un grand nombre des compositions de l'invention ont été préparés par épitaxie en phase liquide sur des substrats de grenats au Gallium, en utilisant des bains fondus avec un flux de : PbO-B203 par la technique de "basculage" (R.C. LINAIRES, Journal of Applied Physic, p. 2884 t1965) et la technique plus simple "d'immersion" . On a fait croitre les films ovec le bain fondu au flux PbO-P203 dans une gamme de températures située entre 8000C et 8500C. On a fait croitre la plupart des films sur des substrats Gd3 Ca 0 à orientation t111] afin de limiter le nombre des variables à 5 12 prendre en considération. Comme on le constatera ultérieurement un nombre quelconque de substrats peut être utilisé. Si le dépôt en phase vapeur (CVD) est utilisé, les halogénures sont des agents de transport appropriés. Dans ce cas, un procédé tel que celui décrit dans l'article de J.E. MEE IEEE Transactions on Magnetics Mag-5 p. 717 t19691 est un procédé convenable. La centrifugation et la cuisson de solutions de nitrate-alcool est un autre procédé utilisable pour la fabrication de ces films de grenat. Par exemple, on se référera à ce sujet à un article de E.A. GIESS, publié dans le IBM Technical Disclosure Bulletin 9, p. 960 (1967). Un autre exemple d'un procédé de centrifugation pour le dépdt de films de grenat épitaxiaux est décrit dans le brevet français 70 32 138 déposé le 10 Août 1970 par la demanderesse. A titre d'exemple d'un procédé de pulvérisation pour le dépit de films constitués par un cristal de grenat unique, on se référera au brevet français 69 30681 déposée le 2 Saptembre 1969 par la demanderesse. Selon cette demande, des films de grenat de fer aux terres rares, constitués par un cristal unique @ont déposés sur des substrats de grenat ayant une orientation (111). Comme on l'a indiqué précédemment, il est souhaitable d'utiliser des substrats de bonne qualité dont les propriétés sont bien contrélées, qui peuvent Btre facilement mis en for-, qui sont uniformes et qui ont les constantes de réseau convana@les selon la composition particulière du grenat destinée à être utilisée.Il est en outre souhaitable d'utiliser conte substrats des matiè- res qui se fondent de façon congruents. Cette expression signifie que les composants de même phase' sont présents dans les sites quantités lorsque le substrat est solidifié que lorsqu'il est dans le bain fondu. Ceci garantit qu'il n'y a pas de changement de constants de réseau dans le substrat ce qui, à @on tour, garantit que: les contraintes provoquées dans le film de grenat megnétique sont undformes. Des composés purs fournissent des substrats qui conviennent parfaitement. Usa exemples de ces substrats sont les compositions de grenat ou au Gallium représentées par la formule générale RE3 Ga5 O12 dans laquelle RE est un élément de terre rare tel que Gd, Dy, Si, Nd, etc... ou l'Yttrium. Des compositions autres que des grenats peuvent tre également utilisées pour les substrats. Il est seulement nécessaire que les substrats présentent des propriétés convenables uniforees et la contrainte de réseau appropriée, en fonction du fil. de grenat qui doit être utilisé. Des exemples pasticulisrs sont le MgO et les spinelles. Les substrats peuvent être préparés par des procédés connus tels que la croissance par la technique utilisant un flux au par la croissance selon la technique de Czochralski. Dans certains cas, la constante de réseau ao du substrat est légèrement différente selon que l'on a fait croitre le substrat @@lon la technique du flux ou selon la technique de Czochralski. Un phénomène d'ordre - désordre peut être responsable de cette différence dans la constante de réseau, du fait que des variations de la constante de réseau sont observées, après les traitements de recuit à hauts température. En particulier, on a fait croître des substrats de grenat à élément de terre rare constitué par du gallium, par le procédé de Czochralski dans des creusets d'irridium chauffés par induction. Les conditions de croissance du cristal du substrat ont été essentiellement les mêmes que celles employées par R.C. LINARES "Solid State Comm", 2 p. 224 (1964) sauf en ce que l'atmosphère a été composée de 1% 2 - 99% N2. Les "boules" orientées ont été découpées au diamant en tranches d'environ 1mm d'épaisseur. Un fini de la surface de la tranche de bonne qualité est nécessaire pour obtenir une croissance réussie du film.Pour cette raison, les dommages provoqués par la scie ont été éliminés par du étapes successives de polissage grossier successivement avec des pou dres de diamant de 3 p puis de 9 puis de 3p. Une étape de polissage chimioméca nique avec une formule de silice colloïdale dans un milieu alcalin a été uti lisé@ pour éliminer les dernières traces de dommages de surface. Les substrats polis @nt été ensuite recuits dans l'air à 1250 C pendant 4 heures. Les substrats peuvent également être préparés par les procédés standard de croissance au flux. Par exemple, les composants du cristal sont dissous à haute température puis lentement refroidis pour former un bain de fusion saturé. On fait oroître les cristaux dans un creuset ferré en platine. Pour une des cription plus complète d'un procédé de croissance au flux, on se réfèrera à J/W/ NTELSON J. Appl. Phys, 31, 51 S (1960). Exemples de film de grenat appropriés Dans cette partie de la desoription, on examinere certaines compositions de gr@nat particulières de formule générale REy Y3-x Fa5-x GaxO12 0,1 C@@ compositions donnent des films de grenat à cristal unique sur des substrats tels que précédemment cités. Avant d'énumérer des composition particulières d'échantillon on se réfèrera à la figure 4 qui montre l'une des propriétés les plus significatives de ces c@mpositions. Cette figure représente la courbe de la vitesse de propa gation des domaines en fonction du champ magnétique d de commande appliqué qui est utilisé pour commander la propagation des domaines quand des éléments de recouvrement magnétiques "doux" sont utilisés pour constituer les moyens dt propagation.Par exeppla des barres on, T de permalloy, qui sont bien connues dns la technique, peuvent être utilisées pour commander la propagation des domaines lorsqu'un champ magnétique tournant Hda dans le plan du film, est appliqué au film magnétique. Sur la figure 4, la mobilité p de la matière est le rapport entre la vitesse de la paroi du domaine et le champ de propagation Hd Trois courbes sont tracées sur cette figures une courbe est représentative des compositions de grenat préférées décrit@s ici, tandis que les deux autres courbes sont re présentatives des matières pour domaines de la technique antérieure.La courbe mentionnée Rey Y3-y Fe5-x Gax O12 est la courbe corraspondant aux compositions de grenat préférées décrites dans la présente demande, la courbe mentionnée Y3 (Fe, Gal 012 est représentative d'une matière de la technique antérieure st la courbe mentionnée (REA REB)(Fe Ga)5 012 est représentative d'autres compositions de la technique antérieure, telles que décrites dans les documents 1 et 3 précédemment cités. Comme on le remarquera sur la figure 4, les compositions de l'invention décrites ici ont non seulement une plus grande mobilité p que les compositions de la technique antérieure, mais également une plus grande vitesse de la paroi dss domaines à l'intérieur de gammes étendues de champ de propagation Hd, que les compositions de la technique antérieure. Dans la fabrication de dispositifs utilisables en pratique ceci est particulièrement important, étant donné que la vitesse de la paroi des domaines en fonction du champ de commande appliqué est plus importante que la mobilité en elle-même. En fait, des vitesses des parois de domaines supérieures à 4.000 cm/sec. ont été mesurées dans un film de Gdy Y5-y Fe5-x Gax O12 .Les vitesses de propagation des domaines élevés sont importantes lorsque des taux de données d'au moins 106 bits/sec. sont nécessaires. Le tableau ci-après donne des compositions d'échantillons selon la présente invention et énumère certaines données caractéristiques de ces échantillons. On a fait rostre tous les échantillons en utilisant la technique d'éépitaxie en phase liquide précédemment décrite, en utilisant un flux de PbO-B203. en On a fait croitre des substrats de Gd3 Ga5 012 constitués par des cristaux (GGG), à orientation (111) sauf indication contraire, par la technique de Czochralski. Dans ce tableau le diamètre des domaines de bulles tDia.] est en microns (p). La quantité 4pM est en Gauss (G.). La quantité (H A -4 Ms) est en oersteds (de). HA est le champ d'anisotropie qui est le champ nécessaire pour faire commuter les films de la direction facile à la direction magnétique difficile. Si la quantité (H A - 4 Ms) est négative, il n'existe pas d'anisotro- pie unidirectionnelle.Si le chiffre de la colonne (H A - 4 Ms)est suivi de R cela signifie que l'échantillon a été recuit (à 12200C dans l'air pendant 3 heures) afin de fournir l'anisotropie nécessaire. La quantité H b est le champ de polarisation existant en travers des films magnétiques, également mesurée en oersteds (De) l'épaisseur du film est donnée en microns ( ). Les orientations du substrat sont données en utilisant la notation de Miller (hkl). On a donné également la quantité a en angstroms. Cette quantité est une indication de la différence entra les constantes de réseau du substrat et du film, après croissance du film et recuit. Plus simplement, cette quantité est la constante de réseau du substrat moins la constante de réseau du film.En conséquence, si la quantité h a est positive, cela signifie que le film est o soumis à une contrainte de tension. TABLEAU Données sur les films de grenat Composition ( ) (G) (Oe) (Oe) ( ) ( ) dia 4# Ms HA -4#Ms Hb épaisseur orienta- #aO de tion pellicule (hkl) GGG Gd0,2Y2,5Fe4,0Ga1,0O12 3 215 -26 125 3 111 +0,008 Gd0,5Y2,5Fe4,05Ga0,95O12 -360 111 0,0 +150(A) Gd1,8Y1,2Fe4,05Ga0,95O12 2 150 +540(A) 120 SGG111 +0,008 Eu0,2Y2,8Fa3,9Ga1,1O12 2 380 +210 250 4 111 -0,003 Eu0,45Y2,55Fe4Ga1O12 3 560 +1100 355 3 111 -0,003 Eu0,6Y2,5Fe4Ga1O12 3 490 +1020 310 4 111 Eu0,6Y2,4Fe3,95Ga1,05O12 2 510 +1230 340 #12 111 -0,015 +270 (R) +0,003 Eu0,6Y2,4Fe3,85Ga1,15O12 4 280 +2200 130 4 111 -0,015 +320 (R) +0,002 Eu0,7Y2,3Fe3,8Ga1,2O12 5 125 +2000 45 6 111 0,014 Eu0,9Y2,1Fe4,05Ga0,95O12 3 300 +1280 80 8 111 -0,021 Tb0,6Y2,4Fe3,95Ga1,05O12 4 200 +800 100 6 111 #aO négatif (aO substr. -aO 3 est obtenu lorsqu'un film est soumis à une contrainte de compression. GGG t Substr. de Gd3Ga5012 SGG - Substr. de Sm3Ga5012 R signifie = recuit à 12200C pendant 3 heures dans l'air. On a décrit ci-dessus de nouvelles compositions de grenat comportant un seul élément de terre rare, qui présentent une anisotropie unidirectionnelle due aux contraintes. Ces films permettent obtenir des densités de bits de domaines de bulles d'au minium 1,5.105/cm2 et des taux de données d'au moins 106/sec.En outre, ces compositions de grenat sont faciles à faire croître par un grand nombre de techniques classiques et peuvent être obtenues par croissance épitaxiale sur des substrats à composé pur au lieu de substrats mélangés comple- xes. Bien que des compositions de grenat soient déjà connues pour l'application aux domaines de bulles, la découverte qui est à l'origine de l'invention a été de trouver que ces compositions particulières produisent des avantages uni ques dans la technologie des domaines de bulles et offrent des propriétés qui ne pauvent être obtenues par les films de la technique antérieure. Il est intéressant en outre de noter que ces propriétés sont obtenues avec des compositions de grenat comportant un nombre minimal de composants compris dans une très large g-us d'éléments chimiques. Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur les dessins les caractéristiques essentielles de l'invention appliquées à un mode do rsali- sation préférée de celle-ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles sans pour autant sortir du cadre et de la portée de ladite invention. REVENDICATIONS 1.- Support d'enregistrement à domaines magnétiques cylindriques comprenant un substrat recouvert par un film de grenat, caractérisé en ce que ledit film contient de l'Yttrium ainsi qu'une seule autre terre rare, et présente une anisotropie unidirectionnelle due aux contraintes. 2.- Support selon la revendication 1 caractérisé en ce que ledit film et ledit substrat présentent un pourcentage de défaut de concordance de réseaux compris entre 0,02 et 0,16. 3.- Support selon la revendication 1 ou 2 caractérisé en ce que ledit grenat a pour formule REy Y3-yFe5-xGaxO12 dans laquelle RE est une terre rare, 0.9 # x # 1,2 et 0,1 # y # 0,9. 4.- Support selon la revendication 2 ou 3 caractérisé en ce que ledit substrat est un substrat de grenat de terra rare. 5. - Support selon la revendication Z ou 3 caractérisé en ce que le matériau dudit substrat est chaisi parmi le groupe consistant en spinelles, saphir, MgO. 6,- Support selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que la terre rare du grenat dudit film est choisie parmi le groupe consistant en Gd, Eu. Th, Dy, Sm, Ce, Nd et Er. 7.- Support selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit film de grenat a une magnétisation de saturation 4#Ms entre 1(10 et 300 gausse 8.@ Support selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que ledit film est un film épitaxial à cristal unique dont l'épaisseur est comprise Entre 1 et 10 microns. 9.- Support selon l'une quelconqua des revendications 4, 5. 6, 7 ou 8 caractérisé en ce que ledit substrat est un substrat de grenat terre raregallium.