FR 2131969 A1 19721117 FR 7206139 A 19720223 72 06139 - 1 - 2131969 La présente invention concerne les varactors et, plus particulièrement, un procédé amélioré de réalisation d'un varactor obtenu par micro-alliage, ayant un facteur O de valeur élevée en haute fréquence, et présentant une jonction 5 PN abrupte dans une région épitaxiale mince. Les moyens jusqu'à présent employés pour produire des varactors à jonction PN réalisent la jonction soit par diffusion, soit par alliage. Les jonctions formées par alliage 10 sont considérées dans le domaine de l'art comme des jonctions "abruptes", en raison du brusque changement dans le dosage des impuretés de part et d'autre de la jonction. Une caractéristique importante d'un varactor ayant une jonction abrupte est qu'il permet un changement important de capacité pour un changement 15 donné de la tension de polarisation (changement supérieur à celui que l'on obtiendrait dans un dispositif ayant une jonction formée par diffusion). On sait que la capacité C d'un varactor à jonction abrupte est proportionnelle à la tension de polarisation V élevée à la puissance -1/2 ; on a donc la relation : 20 C = kV~ où k est une constante ; dans le cas d'un varactor —1/3 à jonction formée par diffusion, on a la relation : C = où k2 est aussi une constante. Comme une jonction abrupte peut difficilement être réalisée par diffusion, on choisit plutôt les varactors ayant des jonctions formées par alliage de préférence 25 à ceux ayant des jonctions formées par diffusion. On souhaite également que les varactors soient caractérisés par un facteur Q de valeur élevée en haute fréquence. Cependant, pour des raisons qui seront indiquées plus loin, les procédés connus jusqu'à présent ne permettent pas de 30 réaliser des varactors à jonction formée par alliage qui aient un facteur Q de valeur élevée. D'autre part, on ne connait pas jusqu'à présent de procédé permettant de réaliser des varactors à jonction formée par diffusion qui aient un facteur Q de valeur élevée. Cependant, avoir recours à une jonction obtenue par 35 diffusion afin d'obtenir une valeur élevée du facteur Q exclut nécessairement la possibilité d'avoir, comme dans le cas d'une jonction formée par alliage, la caractéristique souhaitée de jonction abrupte, à savoir la loi en -1/2 de la relation entre capacité et tension de polarisation. 40 Dans le varactor dit "hyper-abrupt", 17 06139 - 2 - 2131969 la variation de capacité en fonction de la variation de tension de polarisation est même plus grande que celle obtenue avec une jonction abrupte. Cette grande sensibilité est obtenus en diffusant les impuretés de dopage elles-mêmes dans la région épitaxiale, 5 avant formation de la jonction. Cependant, la valeur du facteur Q obtenue dans les dispositifs hyper-abrupts réalisés par les procédés existant est relativement basse. Il fallait donc, jusqu'à présent, choisir entre avoir un facteur Q élevé ou avoir une grande variation de la capacité en fonction des variations de la tension 10 de polarisation. La présente invention rend pour la première fois possible dans un même varactor l'obtention simultanée d'un facteur Q élevé et d'une caractéristique capacité-tension de polarisation qui est celle d'une jonction abrupte. Dans les varactors à jonction PN 15 formée par alliage, la parfaite régularité de la région P, obtenue par croissance, de la jonction PN est d'une importance capitale pour l'obtention de valeurs élevées du facteur Q. Quelle que soit la fréquence, le facteur Q d'un varactor a une valeur inversement proportionnelle à sa résistance série (celle-ci Valant la somme de 20 la résistance de toute la région épitaxiale et de la résistance de la région qui n'est pas modifiée). Lorsque l'épaisseur de la région épitaxiale augmente, la résistance série augmente de même, ce qui entraîne une décroissance proportionnelle du facteur Q. Si la région P obtenue par croissance est irrégulière, c'est-à-dire 25 s'il y a des parties qui pointent et/ou font saillie assez loin dans la région épitaxiale de conductivité de type N, la région épitaxiale doit alors être suffisamment épaisse pour empêcher le perçage de la base et pour maintenir une valeur raisonnable de tension de claquage. 30 Comme on l'a vu ci-dessus, la valeur du facteur Q est d'autant plus faible que l'épaisseur de la région épitaxiale est plus grande. On peut donc obtenir une valeur élevée du facteur Q si la jonction PN est obtenue par croissance dans une région épitaxiale mince. Pour parvenir à cela sans diminuer la 35 tension de claquage du dispositif et sans encourir le risque de perçage de la base, il faut que la région P obtenue par croissance soit d'une très grande régularité. On voit donc maintenant pourquoi l'obtention d'un varactor à jonction PN formée par alliage et à facteur Q élevé est étroitement liée à la possibilité d'obtenir 40 une région P (obtenue par croissance) absolument régulière. 72 06139 - 3 - 2131969 Les précédents procédés qui se proposaient de produire par croissance des régions P absolument uniformes ont échoué. Dans les réalisations précédents, il se produit en effet une trop importante croissance par alliage, due à la 5 répartition tout-à-fait aléatoire de points d'énergie élevée à l'intérieur de l'alliage, due aussi à la tension de surface et à la tendance de la région obtenue par croissance à entrer en ébul-lition. Ceci fait apparaître dans la région P des pointes et/ou des saillies qui pénètrent assez loin à l'intérieur de la région 10 épitaxiale de type N. Si la région épitaxiale est mince, il se produit une diminution importante de la tension de claquage du dispositif. Dans l'hypothèse la plus défavorable, une des pointes peut même percer la région épitaxiale jusqu'au support principal, rendant le dispositif inutilisable. 15 Pour éviter de telles conséquences, les varactors produits suivant les procédés connus sont des dispositifs relativement importants, ayant des régions épitaxiales épaisses. On tempère ainsi les effets de cette absence de régularité de la région O obtenue par croissance, c'est-à-dire les 20 effets des pointes et saillies. Cependant, comme on l'a vu ci-dessus, cette façon de remédier aux limitations des dispositifs antérieurs est incompatible avec des valeurs élevées pour le facteur Q. La présente invention remédie à 25 cette insuffisance des dispositifs antérieurs par un nouveau procédé d'obtention par alliage d'une jonction abrupte PN ayant une région P, obtenue par croissance dans une région épitaxiale mince, d'une très grande régularité. Ce procédé est caractérisé par l'introduction d'une nouvelle phase dite d'agglomération 30 du dispositif semiconducteur avant d'entreprendre la phase de croissance par alliage. Pendant ce processus d'agglomération, il se forme entre la région épitaxiale et une couché méta-liique (d'aluminium) déposée dessus un très grand nombre de ggnes microscopiques uniformément réparties de conductivité de .type.P. Il ne 35 faut pas qu'il y ait de croissance par alliage pendant cètte phase d'agglomération, car elle ne serait pas régulière, comme dans le cas des réalisations précédentes. Afin donc d'empêcher toute croiss-ance par alliage, la phase d'agglomération est réalisée à une température inférieure à celle qui est nécessaire pour que la 40 croissance par alliage soit possible. 72 06139 - 4 - 2131969 Pendant la phase suivante de croissance par alliage, chaque zone microscopique de conductivité de type P se conduit comme une zone de croissance par alliage. Comme ces zones microscopiques sont uniformément réparties et qu'elles 5 croissent sensiblement à la même cadence, une croissance par alliage présentant une très grande régularité est rendue possible. Cette régularité de la région P obtenue par croissance permet de former la jonction par croissance dans une région épitaxiale mince, ce qui donne au facteur Q des dispositifs une valeur jamais obtenue 10 jusqu'ici dans les dispositifs à jonction formée par alliage. Dans la présente invention, la région épitaxiale peut être aussi mince que possible, à cette seule restriction près qu'elle doit être assez épaisse et avoir une résistivité suffisante pour qu'elle supporte la tension maximale qui doit être appliquée à ses bornes. 15 L'impossibilité de commander la crois sance par alliage dans les dispositifs antérieurs, et donc d'obtenir par croissance des régions P très régulières, a conduit à réaliser des dispositifs à jonction plus importants et ayant de grandes régions épitaxiales pour tempérer les effets nuisibles des 20 régions P (obtenues par croissance) non régulières. Ces dispositifs importants ont des capacités de l'ordre de 100 picofarads et des valeurs du facteur Q nettement inférieures à 50 à la fréquence de 1 GHz. La présente invention rend maintenant possible la réalisation de varactors formés par micro-alliage, ayant des capacités 25 de 10 picofarads et des valeurs du facteur Q comprises entre 50 et 100 à 1 GHz. Il est manifeste que le nouveau dispositif décrit ici permettant d'obtenir par croissance des régions P de très grande régularité, trouve une application très intéres-30 santé dans la production de varactors à jonction hyper-abrupte. Jusqu'à présent, des varactors à jonction hyper-abrupte ont été réalisés en diffusant les impuretés de dopage elles-mêmes dans la région épitaxiale, après quoi la jonction est formée. En raison de l'impossibilité de commander la croissance par alliage, et en 35 raison du fait qu'il en résulte des régions P (formées par croissance) irrégulières, les jonctions de tels dispositifs hyper-abrupts n'ont pas été formées par alliage, mais par diffusion. Cependant, les températures nécessaires pour la diffusion des jonctions (entre 1100° et 1200° C) sont celles qui sont également 40 nécessaires lors de la diffusion précédente des impuretés de do- 72 06139 - 5 - 2131969 page dans la région épitaxiale. Il s'ensuit que la répartition des impuretés de dopage qui s'était établie dans la région épitaxiale en est perturbée et que la relation souhaitée entre les variations de capacité et les variations de tension de polarisa-5 tion en est affectée dans un sens défavorable. D'autre part, la formation de jonctions par alliage est réalisée à des températures (environ 850°C) qui ne perturbent pas la répartition des impuretés de dopage dans la région épitaxiale. Comme on l'a fait remarquer plus haut, les 10 jonctions des varactors à jonction hyperabrupte n'ont pas, jusqu'à présent, été formées par alliage, en raison de la difficulté d'une commande efficace de la croissance par alliage. Cependant, la méthode qui fait l'objet de la présente invention rend maintenant possible l'utilisation de jonctions formées par alliage dans 15 de tels varactors, ce qui évite la perturbation nuisible de la répartition des impuretés de dopage dûes à l'épitaxie qui se produit dans le cas d'une jonction formée par diffusion. Il est également manifeste que le procédé qui fait l'objet de la présente invention trouve une appli-2C cation intéressante dans d'autres dispositifs semiconducteurs, par exemple un transistor PNP, car elle rend possible l'utilisation de jonctions formées par alliage dans des cas où jusqu'à présent elles ne pouvaient être utilisées en raison de la difficulté d'une commande efficace de la croissance de la région P. 25 L'intérêt de l'application de la présente invention réside dans le fait que c'est une température assez basse qui est nécessaire pour former la jonction par alliage, ce qui conduit donc à une plus faible perturbation de la répartition des impuretés de dopage des autres jonctions. 3C La présente invention préconise la formati'on de la structure mesa par attaque chimique de la région épitaxiale après la phase d'agglomération et avant la croissance par alliage. Procéder ainsi assure une croissance par alliage plus régulière, en réduisant nettement la quantité de matière ëpita-35 xiale (du silicium ici) qui est entraînée des bords vers l'intérieur de la région P formée par croissance (phénomène qui est responsable de l'irrégularité de la croissance par alliage). Dans les réalisations précédentes, l'attaque chimique de la structure mesa était effectuée après la croissance de la région P, et non 40 avant comme on l'indique ici. 72 06139 - 6 - 2131969 La structure mesa de la présente invention a en outre l'avantage d'erftpêcher l'établissement de champs électriques de surface élevés. Ces champs de surface peuvent entraîner un claquage par tension à la surface du dispositif, pour 5 des valeurs de tension inférieures à celles que le dispositif peut normalement supporter aux bornes de sa région épitaxiale. Ainsi, l'élimination des champs de surface élevés permet d'utiliser le dispositif dans toute la gamme de tension pour laquelle il est fait, la seule limitation étant due à la tension de rupture de 10 sa région épitaxiale sous la jonction. Les varactors réalisés suivant le procédé de la présente invention sont également caractérisés par l'amélioration de certaines propriétés concernant le fonctionnement par rapport aux varactors réalisés auparavant. Ces améliorations 15 sont dues à la nouvelle phase assurant un deuxième chauffage qui suit la phase de réalisation par alliage de la jonction. Les caractéristiques qui sont améliorées comprennent : (1) un courant' inverse plus faible, (2) un bruit extrêmement faible, (3) une meilleure régulation, (4) une zone de rupture plus nette, et (5) 20 un coude de rupture plus aigu. La phase, indiquée ci-dessus, du deuxième chauffage présente l'avantage supplémentaire de rendre encore plus régulière la région P obtenue par croissance, car elle prolonge un peu cette croissance de la région P. Bien que 25 cette prolongation de la croissance de la région P tende à faire diminuer l'épaisseur de la région épitaxiale sous la jonction, il n'en résulte qu'une faible diminution de la valeur de la tension de claquage, inconvénient qui est largement compensé par les améliorations indiquées par ailleurs. 3 0 La présente invention concerne donc un varactor haute fréquence à facteur O élevé, obtenu par microalliage et épitaxie, et concerne également sa méthode de fabrication. Sa jonction abrupte PN formée par alliage présente une région P (obtenue par croissance) d'une très grande régularité; 35 elle est réalisée dans une couche épitaxiale mince de conductivité de type N. Les caractéristiques les plus remarquables de ce varactor sont : (1) une valeur du facteur Q comprise, à la fréquence de 1 GHz, entre 5 0 et 100 ; 40 (2) exposant -1/2 pour la loi de pro- 72 06139 - 7,- 2131969 portionalité entre capacité et tension de polarisation ; (3) capacités allant jusqu'à 10 picofarads ; " (4) caractéristique de tension qui 5 présente une zone de rupture "plus nette et un coude de rupture plus aigu ; (5) microstructure mesa ; (6) courant inverse faible, de quelques picoampères à 10 volts ; 10 (7) très faible bruit de fond ; (8) meilleure régulation ; C'est en décrivant sa méthode de production que l'on comprendra le mieux comment est réalisée la présente invention. 15 Une région mince, en silicium par exemple, de conductivité de type N, est déposée par épitaxie à la surface supérieure d'une pastille d'origine de faible rësistivité et de conductivité de type N+. La pastille d'origine et la région épitaxiale sont dopées, par les méthodes classiques, de façon à 20 obtenir les caractéristiques particulières souhaitées. Une mince couche métallique, de l'aluminium par exemple, est ensuite déposée par évaporation sur toute la surface supérieure de la région épitaxiale. Les techniques utilisant des éléments photorésistants sont appliquées ici à la production, à partir de la fine couche d'alu-25 minium , de toute une série de petits points d'aluminium. Le dispositif semiconducteur est ensuite aggloméré dans une atmosphère inerte, par exemple de l'azote, ce qui aboutit à la formation, entre la surface inférieure de chaque point d'aluminium et la partie supérieure de la région 30 épitaxiale, d'un très grand nombre de zones microscopiques uniformément réparties de conductivité de type P. Pendant la phase d'agglomération, la température est inférieure à celle nécessaire pour la croissance par alliage; il ne se produit donc aucune croissance par alliage pendant la phase d'agglomération. Empêcher la crois-35 sance par alliage pendant la phase d'agglomération est nécessaire, car toute croissance à ce moment de régions P ne serait pas régulière en raison de points d'énergie élevée localisés dans cette région, en raison aussi de la tension de surface et de la tendance de la région formée par croissance à entrer en ébullition. 4 0 Après la phase d'agglomération, une 72 06139 - 8 - 2131969 partie de la région épitaxiale, située dans l'espace compris entre les points d'aluminium, est retirée par attaque chimique en utilisant les points d'aluminium comme masques. Cette attaque chimique permet de délimiter toute une série de microstructures 5 mesa. La structure mesa présente l'avantage de permettre une croissance par alliage uniforme et d'empêcher l'établissement de champs de surface élevés au cours du fonctionnement du varactor complet. Le dispositif complet est ensuite 10 chauffé dans une atmosphère inerte (de l'azote), puis refroidi dans une atmosphère également inerte, et enfin refroidi par air jusqu'à la température ambiente. Pendant cette phase du premier chauffage, chacune des zones microscopiques de conductivité de type P se conduit comme une zone de croissance par alliage. Comme 15 ces zones microscopiques sont uniformément réparties et qu'elles croissent sensiblement à la même cadence, il se forme dans la région épitaxiale mince située sous les points d'aluminium une région, obtenue par croissance, de type P, d'une très grande régularité. En outre, pendant cette phase de chauffage, les 20 points d'aluminium deviennent des points de mélange eutectique aluminium + silicium. Après formation de la jonction, au moins une phase supplémentaire d'attaque chimique est nécessaire afin de (1) "soulager" la jonction, (2) préparer sa surface 25 pour la passivation, et (3) obtenir la capacité de jonction souhaitée pour des niveaux suffisants de tension inverse. (L'opération (1) ci-dessus réduit le courant inverse du dispositif terminé) Pendant la phase d'attaque chimique de-la région épitaxiale entre les points, il y a cependant un peu de la région P '30 obtenue par croissance et un peu de la région épitaxiale située sous les points qui sont aussi attaquées chimiquement; il en résulte que les points sont en surplomb par rapport aux régions plus basses. Cette partie en surplomb des points de mélange eutectique aluminium + silicium est retirée en soumettant le dis-35 positif à l'attaque chimique d'un fluide, par exemple de l'acide fluorhydrique, et/ou à des vibrations ultrasoniques. Une phase de deuxième chauffage est ensuite réalisée dans une atmosphère inerte (de l'azote). Ce deuxième chauffage rend plus régulières encore les régions P 40 formées par croissance, améliore la caractéristique de tension de 72 06139 - 9 - 2131969 rupture, diminue le courant inverse, et rend bien plus faible le niveau de bruit des dispositifs réalisés. La surface du dispositif est ensuite soumise à la passivation, et des bornes de sortie sont reliées à 5 chaque jonction. Le dispositif est ensuite traité par les méthodes habituelles pour obtenir des varactors à jonction simple ou multiple. Le branchement pour obtenir des jonctions multiples assure une capacité plus élevée sans effet nuisible sur la valeur du facteur Q. En fait, il en résulte même un accroissement de la 1C valeur du facteur Q. La présente invention a pour but de réaliser un procédé de formation par croissance d'une région de conductivité de type P de grande régularité et particulièrement d 1 obtenirun varactor réalisé par microalliage ayant une jonc-1? tion abrupte PN dans une région épitaxiale mince. Un tel varactor possède une jonction formée par alliage et une microstructure mesa. La présente invention a pour but de fournir un varactor réalisé par microalliage, ayant un facteur Q de valeur élevée en haute fréquence, et elle s'étend à la méthode 2C de fabrication de ce varactor. Le varactor de l'invention à jonction formée par alliage présente un courant inverse faible, un bruit de fond nettement réduit et une meilleure régulation. Le varactor à jonction formée par alliage possède une caractéristique de tension de rupture améliorée et des caractéristiques de 25 surface stables, invariantes. La présente invention est décrite plus en détail ci-après à l'aide d'un mode de réalisation représenté schématiquement et à titre d'exemple dans les dessins annexés dans lesquels : 3G - La figure 1 est une vue en coupe d'un élément semiconducteur montrant, au-dessus de la pastille d'origine, une mince couche épitaxiale ; - La figure 2 est une vue en coupe de la figure 1, après qu'une fine couche d'aluminium a été 35 déposée à la surface supérieure de la région épitaxiale ; - La figure 3 est une vue en coupe de la figure 2, après qu'une partie de la couche d'aluminium a été masquée et supprimée, de façon à ce qu'il reste toute une série de points d'aluminium ; 40 - La figure 4 est une vue en coupe 72 06139 10 - 2131969 de la figure 3, après la phase d'agglomération du dispositif semiconducteur ; - La figure 5 est une vue en coupe de la figure 4, après une première attaque chimique de la partie de 7 la région épitaxiale située entre les points d'aluminium ; - La figure 6 est une vue en coupe de la figure 5, montrant les jonctions obtenues par alliage après chauffage du dispositif semiconducteur ; - La figure 7 est une vue en coupe 10 de l'une des structures mesa de la figure 6, après une nouvelle attaque chimique de la partie de la région épitaxiale située entre les points d'aluminium ; ~ La figure 8 est une vue en coupe de la figure 7, après que la structure mesa en question a été 15 passivée ; - La figure 9 est une vue en coupe de la figure 8, après qu'un trou a été percé dans les substances utilisées pour la passivation ; - La figure 10 est une vue en coupe 20 de la figure 9, après qu'une couche d'aluminium a été déposée, par évaporation, sur toute la surface de la structure mesa et dans le trou ; - La figure 11 est une vue en coupe de la figure 10, après que, par action chimique, la couche super- 25 ficielle d'aluminium a été retirée partout sauf au voisinage du trou. La première phase du procédé consiste à faire croître par épitaxie une couche 1,0, mince, de conductivité de type N, sur la surface supérieure 12 d'une pastille d'origine 30 14 de faible résistivité et de conductivité de type N+. La structure qui en résulte est représentée sur la figure 1. La région épitaxiale 10 est une région en silicium dopé ayant une épaisseur et une résistivité suffisantes pour qu'elle puisse supporter la tension maximum qu'on doit appliquer à ses bornes. Dans le mode 35 de réalisation ici choisi, la région épitaxiale 10 a une épaisseur de 6 à 8 microns et a une résistivité de 0,5 à 1,4 ohm x centimètre. On notera que, dans d'autres modes de réalisation de la présente invention, les régions épitaxiales 10 pourront être plus minces, conformément à la méthode évoquée pour assurer une crois-40 sance tout à fait régulière de la région 2 6 de type P formée par 72 06139 - 11 - 2131969 croissance. L'épaisseur de la région épitaxiale 10 n'a pas à être, comme auparavant, au moins l'épaisseur nécessaire pour empêcher le perçage de la base. La pastille d'origine 14 est de 5 préférence un élément plan monocristallin en silicium dopé avec de l'arsenic; elle présente une surface lisse 12, et sa résistivité est de l'ordre de 0,001 ohm x centimètre. L'épaisseur de la pastille d'origine 14 est environ 0,254 mm. La croissance par épitaxie de la région 10 en silicium à la partie supérieure de 10 la pastille d'origine 14 est réalisée à l'aide des techniques connues dans ce domaine de l'art et ne sera donc pas décrite ici. La deuxième phase consiste à déposer par évaporation une fine couche 16 métallique, de préférence de l'aluminium, sur toute la surface supérieure 18 de la région épi-15 taxiale 10. La structure qui en résulte est décrite sur la figure 2. L'épaisseur de la couche d'aluminium est de 2 à 3 microns. Les techniques de dépôt d'aluminium sur une surface, et de la commande de l'épaisseur de cette surface, sont connues dans le domaine de 1'art. 20 La troisième phase consiste à employer les techniques habituelles utilisant un élément photo-résistant pour obtenir, comme le montre la figure 3, toute une série de points d'aluminium 20 à partir de la couche initiale 16 d'aluminium. Selon les caractéristiques plus particuliërementsouhaitées, 25 le diamètre des points 20 varie entre 76,2 microns (0,0762 mm) et 381 microns (0,381 mm). La quatrième phase est, pour l'élément semiconducteur complet représenté sur la figure 3, une phase dite d'agglomération, qui s'effectue dans une atmosphère constituée par 30 un gaz inerte (de l'azote), à une température comprise dans la gamme 690°-710°C (température nominale 700°C) et pendant un intervalle de temps égal à 30 + 5 minutes. Pendant cette phase d'agglomération, il se forme, entre la surface inférieure de chaque point d'aluminium 20 et la partie supérieure de la région ëpita-35 xiale 10, un très grand nombre de zones microscopiques uniformément réparties, dont la conductivité est de type P. Une nouvelle croissance par alliage n'est pas souhaitable pendant cette phase d'agglomération, parce qu'à ce moment la croissance des régions P ne serait pas uniforme, en raison de localisations d'énergie en 40 des points distribués de façon aléatoire, en raison aussi de la 72 06139 - 12 - 2131969 tension de surface et de la tendance de la région où a lieu la croissance à entrer en ébullition. Afin d'empêcher la croissance par alliage, 1'.agglomération est réalisée à la température de 700°C qui est inférieure à celle nécessaire pour réaliser la 5 croissance par alliage. La cinquième phase du procédé consiste à retirer par action chimique environ 5 microns de la région 10 épitaxiale, dans la zone comprise entre les points d'aluminium 20; on forme ainsi les micro-structures mesa M représentées sur la 10 figure 5. Les points d'aluminium 20 servent de masques pendant cette phase d'attaque chimique. Une mince couche 24 d'oxyde d'aluminium se forme au-dessus des points d'aluminium 20 et évite l'attaque chimique de l'aluminium lui-même.Pendant la phase d'attaque chimique, il faut éviter tout mouvement du dispositif, afin 15 d'empêcher que la couche 24 d'oxyde d'aluminium ne se détache et ne rende ainsi les points d'aluminium 20 directement exposés à l'action chimique du fluide choisi.Le fluide choisi pour l'action chimique sera de préférence le mélange suivant : 1 à 2 parties d'acide (HF) fluorhydrique pour 5 à 15 parties d'acide nitrique 20 (HN03) et 2 à 5 parties d'acide acétique (CH3 C02 H). La structure mesa assure l'uniformité de la nouvelle croissance et empêche l'existence de champs de surface élevés pendant le fonctionnement du varactor. La sixième phase consiste à chauffer 25 le dispositif semiconducteur de la figure 5 à une température comprise entre 845° C et 855° C (température nominale 850°C) dans un four enfermant une atmosphère constituée par un gaz inerte (de préférence de l'azote) pendant 15+5 minutes. Pendant cette phase de chauffage, chaque zone 22 microscopique de conductivité 30 de type P agit comme une région de croissance par alliage. Ces zones 2 2 sont uniformément réparties, sous chaque point d'aluminium 20, et la croissance se produit à une cadence identique pour toutes. De nouvelles régions 26,.de croissance absolument uniforme, de conductivité de type P, et d'épaisseur 2 à 3 microns, sont donc 35 obtenues par croissance dans les minces régions 10 épitaxiales, de conductivité de type N, situées sous les points d'aluminium 20; on obtient ainsi des jonctions PN abruptes 28, formées par alliage. Dans ce mode de réalisation, après croissance des régions 26 de type P, l'épaisseur restante des régions 10 épitaxiales sous les 40 jonctions 2 8 varie entre 3 et 6 microns. 72 06139 - 13 - 2131969 Dans d'autres modes de réalisation, les régions 26 de type P peuvent être réalisées par croissance dans des régions 10 épitaxiales encore plus minces que les 6 à 8 microns indiqués pour le présent mode de réalisation, ce qui aboutit même 5 à des facteurs Q plus élevés. Une autre conséquence de la phase de chauffage est de transformer les points d'aluminium 20 en des points 20' constitués d'un mélange eutectique comprenant aluminium et silicium. Une fois les 15 minutes de chauffage indiquées ci-dessus écoulées, l'élément semiconducteur de la figure 6 est placé 10 dans une atmosphère d'azote, à une température comprise entre 395°C et 405°C (température nominale 400°C), pendant environ trois minutes; il est ensuite retiré et refroidi par air jusqu'à la température ambiante. La septième phase consite en une 15 nouvelle attaque chimique de l'élément représenté sut la figure 6,elle aussi est à réaliser en évitant tout mouvement; les points 20' du mélange eutectique aluminium-silicium servent de masques. Cette phase de la deuxième attaque chimique retire pratiquement toute la couche 10 épitaxiale restante, entre les microstructures mesa 20 M. De cette façon, les microstructures mesa M sont bien définies et délimitées. Le fluide choisi pour l'attaque chimique est le même mélange de 1 à 2 parties d'acide fluorhydrique HF pour 5 à 15 parties d'acide nitrique HN03 et 2 à 5 parties d'acide acétique. La mince couche 24 d'oxyde d'aluminium qui recouvre les points 20' 25 du mélange eutectique aluminium-silicium empêche . ces derniers d'être attaqués par le fluide. Cette phase de la deuxième attaque chimique agit sur la jonction 28, de façon à favoriser une diminution du courant inverse du dispositif dans son état primitif. Elle permet également de rendre les surfaces qui entourent la 30 jonction 28 prêtes pour la passivation, et agit sur la jonction 2 8 de façon à ce qu'elle ait la valeur de capacité souhaitée, pour des niveaux suffisants de tension inverse. La huitième phase du procédé de réalisation de la présente invention consiste à chauffer à nouveau 35 l'élément représenté sur la figure 7, dans une atmosphère inerte (de l'azote), à une température comprise entre 895°C et 905°C (température nominale 9000C),pendant 15+5 minutes. L'élément est ensuite refroidi dans une atmosphère d'azote de température comprise entre 400°C et 450°C, ceci pendant 3+1 minute, puis 40 refroidi par air jusqu'à la température ambiante» Cette phase 72 06139 14 - 2131969 du deuxième chauffage entraîne une croissance plus uniforme des régions 2 6 de type P; en outre, elle améliore les caractéristiques en matière de tension de rupture, fait diminuer le courant inverse du varactor, ec en réduit le niveau de bruit. 5 La neuvième phase consiste en une troisième attaque chimique, elle aussi à réaliser en évitant tout mouvement de l'élément représenté sur la figure 6; les points 20' du mélange eutectique aluminium-silicium servent de masques. Cette attaque chimique retire toute la couche épitaxiale 10 comprise 10 entre les microstructures mesa M, découvrant ainsi la surface supérieure 12 de la pastille d'origine, et délimitant encore mieux les microstructures mesa M. Le fluide choisi pour l'attaque chimique est à nouveau constitué de 1 à 2 parties d'acide fluorhydrique HF pour 5 à 15 parties d'acide nitrique et 2 à 5 parties d'acide acé-15 tique. Comme dans les précédentes phases d'attaque chimique, la mince couche 24 d'oxyde d'aluminium empêche le mélange eutectique 20' comprenant aluminium et silicium d'être attaqué chimiquement par le fluide. L'attaque chimique est terminée lorsque le courant inverse est devenu suffisamment faible, que les surfaces entourant 20 la jonction 28 sont prêtes pour être passivées, et que l'on a obtenu la valeur de capacité souhaitée pour des niveaux suffisants de tension inverse. Mais d'autres phases d'attaque chimique peuvent être jugées nécessaires. D'autre part, on notera que, bien que la méthode qu'on décrit ici indique deux (ou plus) attaques chimiques 25 après la formation de la jonction 28, dlautres méthodes de mise en oeuvre de la présente invention, utilisant seulement une attaque chimique après formation de la jonction 28, restent absolument dans le cadre de la présente invention, les phases d'attaque chimique après formation de la jonction 28 s'ajoutent évidemment à la phase 30 d'attaque chimique déjà nécessaire pour réaliser la jonction 28. Pendant l'attaque chimique de la région épitaxiale 10 située entre les microstructures mesa M, une partie des régions 26 de type P formées par croissance et une partie de la couche épitaxiale 10 située sous les points 20' formés d'alu-35 minium et de silicium (le long des parois verticales des microstructures mesa M) disparaissent également sous cette action chimique. Il en résulte l'apparition de parties 30 en surplomb, sur tout le pourtour des points 20' du mélange eutectique aluminium-silicium (comme le montre la figure 7). La dixième phase consiste 40 à supprimer ces parties en surplomb en exposant l'élément de la figure 7 à l'action chimique d'un fluide, par exemple de l'acide 72 06139 - 15 - 2131969 fluorhydrique HF, et/ou à des vibrations de nature ultrasonique, dont la fréquence et l'énergie sont suffisantes pour faire disparaître les parties 30 en surplomb des microstructures mesa M. La onzième phase consiste en la 5 passivation des surfaces des microstructures mesa M. La méthode choisie pour la passivation consiste en une réaction permettant le dépôt de trois couches 32, 34 et 36 respectivement de bioxyde de silicium, d'oxynitrure de silicium et de bioxyde de silicium, elle est connue en soi. La structure qui en résulte est représentée 10 sur la figure 8. L'épaisseur choisie pour chaque couche 32, 34 et 36 est environ 6.000 angstroems. La douzième phase consiste, comme le montre la figure 8, à déposer une couche de verre 38, d'une épaisseur de 2 à 6 microns, enveloppant tout le dispositif semi-15 conducteur. Cette phase est réalisée d'abord en déposant par cen-trifugation une solution colloïdale de verre pulvérisé, puis en assurant, par un chauffage à une température d'environ 550°C, la fusion de cette couche 38 de verre sur la surface supérieure de la couche 36 de bioxyde de silicium. Dans la méthode ici décrite 20 on a choisi de déposer cette couche 38 en verre; cependant, elle n'est pas conseillée dans les petits varactors, ceux de faible capacité, car elle ajoute une capacité parasite d'environ 1 pico-farad. La figure 9 montre un trou 40 percé 25 à travers les couches 32, 34, 36 et 38 en utilisant à la température ambiante une solution de glycol et d'acide fluorhydrique HF (ou en utilisant n'importe quelle autre technique actuellement connue). Le trou 40 rend possible l'établissement d'un contact électrique avec la jonction 28. 30 Si l'on effectue le dépôt d'une couche 38 de verre, on installera également un contact électrique 42' de la façon suivante : par le procédé d'évaporation bien connu, on dépose une couche 42 d'aluminium sur toute la surface supérieure 44 de la couche 38 de verre et dans le trou 40 (l'épaisseur donnée 35 à la couche 42 d'aluminium située au-dessus de la surface 44 est environ 3 microns), puis la couche 42 d'aluminium est retirée par les moyens chimiques habituels, sauf au voisinage du trou 40 ce qui permet d'établir, comme le montre la figure 11, un contact électrique 42'. Si l'on n'utilise pas de couche 38 en verre, alors 40 on établit un contact électrique 42' posé, après découpage du dis 72 06139 - 16 - 2131969 positif, en utilisant le procédé habituel consistant à fixer le fil de connexion par chauffage et compression. L'élément semiconducteur représenté sur la figure 11 est ensuite recuit dans une atmosphère inerte 5 (de l'azote de préférence), à une température comprise entre 598°C et 602°C (température nominale 600°C), pendant 5+0,5 minutes; il est ensuite refroidi dans une atmosphère d'azote, à une température comprise entre 400°C et 450°C, pendant 5+2 minutes, puis refroidi par air jusqu'à la température ambiante. 10 Lorsque l'élément a été recuit, la pastille d'origine 14 qui présente sur sa surface supérieure toute une série de structures comme celle représentée sur la figure 11, est traitée par les méthodes bien connues dans le domaine de l'art, de façon à obtenir toute une série de varactors 15 à jonction simple ou multiple. Les méthodes bien connues en question consistent à : roder la surface inférieure de la pastille d'origine 14 jusqu'à ce qu'elle n'ait plus qu'une épaisseur de 0,127 mm. ; déposer, par évaporation, de l'or sur la surface inférieure de la pastille d'origine 14 ; réaliser l'agglomération 20 dans une atmosphère d'azote et à environ 400°C; réaliser le traçage, le découpage, et enfin nettoyer pour pouvoir placer des contacts ohmiques sur les surfaces recouvertes d'or des varactors. Les opérations de traçage et de découpage de la pastille d'origine 14 sont réalisées de façon à obtenir une série de dispositifs 25 à jonction dont les jonctions sont ensuite reliées pour fournir une capacité plus élevée sans pour autant affecter la valeur du facteur Q. Un autre mode de réalisation de la présente invention consiste à obtenir un varactor à jonction 3 0 hyper-abrupte en diffusant les substances de dopage elles-mêmes dans la région épitaxiale avant formation de la jonction par alliage. La formation de la jonction par alliage, procédé indiqué plus haut, est réalisée à des températures qui n'affectent pas la répartition des impuretés (de dopage) obtenue dans la région épi-35 taxiale, et, de ce fait, n'affecte pas non plus la caractéristique hyperabrupte de la jonction. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ci-dessus décrits et représentés, à partir desquels on pourra prévoir d'autres formes et 40 d'autres modes ,de réalisation, sans pour cela sortir du cadre de 1'invention, 72 06139 - 17 - 2131969 REVENDICATIONS 1°) Elément semiconducteur caractérisé par une partie principale semiconductrice comprenant une première région d'un type de conductivité donné et une deuxième région si-5 tuée au-dessus de la première, du même type de conductivité, mais ayant une résistivité plus élevée, une troisième région semicon-ductrice au-dessus de la deuxième, du type de conductivité opposé à celui de la deuxième, formant une jonction avec celle-ci, et ayant une épaisseur constante, au moins une couche de substance 10 servant à la passivation, recouvrant les première, deuxième et troisième régions au voisinage de ladite jonction, des bornes de sortie fixées respectivement sur la première et la troisième régions. 2°) Elément semiconducteur suivant 15 la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend : une partie principale semiconductrice comprenant une première région d'un type de conductivité donné et une deuxième région située au-dessus de ladite première région, ladite deuxième région étant du même type de conductivité, mais ayant une résistivité plus élevée que 20 la première région, et ayant une épaisseur qui assure au facteur Q une valeur relativement élevée; une troisième région semicon-ductrice située au-dessus de la deuxième région, du type de conductivité opposé à celui de ladeuxième région, formant une jonction avec celle-ci et ayant une épaisseur constante ; une quatrième 25 région conductrice de l'électricité, située au-dessus de la troisième région, et en contact électrique avec elle ; au moins une couche de substance servant à la passivation, recouvrant les première, deuxième, troisième et quatrième régions au voisinage de ladite jonction ; ladite couche de passivation comportant une 30 ouverture destinée à rendre accessible une partie de la quatrième région ; une première borne de sortie fixée sur la quatrième région à travers l'ouverture pratiquée dans la couche de passivation ; une deuxième borne de sortie fixée sur la première région et en contact électrique avec elle. 35 3°) Elément conforme à la revendication 2, caractérisé en ce que la première région est en silicium de conductivité de type N+ et la deuxième région est une couche de silicium de conductivité de type N déposé par épitaxie. 4°) Elément conforme à la revendication 40 3, caractérisé en ce que la résistivité de la deuxième région est 72 06139 - 18 - 2131969 comprise entre 0,5 et 1,4 ohm x centimètre. 5°) Elément conforme à la revendication 3, caractérisé en ce que l'épaisseur de la deuxième région est comprise entre 3 et 6 microns. 5 6°) Elément conforme à la revendi cation 2, caractérisé en ce que la troisième région est en silicium de conductivité de type P et a une largeur qui, vue en coupe, est plus faible que celle de la deuxième région. 7°) Elément conforme à la revendi-10 cation 6, caractérisé en ce que l'épaisseur de la troisième région est comprise entre 2 et 3 microns. 8°) Elément conforme à la revendication 2, caractérisé en ce que la quatrième région est un mélange eutectique formé d'aluminium et de silicium, dont l'épaisseur 15 est comprise entre 2 et 3 microns. 9°) Elément conforme à la revendication 2, caractérisé en ce que la deuxième et la troisième région sont disposées et réalisées de telle façon que leurs surfaces en regard constituent une jonction PN abrupte. 20 10) Elément conforme à la revendi cation 2, caractérisé en ce que la deuxième région est dopée de telle façon qu'elle constitue avec la troisième région une jonction PN hyper-abrupte. 11) Elément conforme à la revendi-25 cation 2, caractérisé en ce qu'il comprend une première couche, située la plus à l'intérieur, de substance servant à la passivation; au-dessus de la première couche, une deuxième couche de substance servant à la passivation; et le plus à l'éxtérieur et au-dessus de ladite deuxième couche, une troisième couche de 30 substance servant à la passivation. 12) Elément conforme à la revendication 11, caractérisé en ce que la première couche, située le plus à l'intérieur, de substance servant à la passivation est en bioxyde de silicium, la deuxième couche de substance Servant à la 35 passivation est est oxynitrure dë silicium, et la troisième couche, située le plus à l'extérieur (des trois), de substance servant à la passivation est en bioxyde de^ silicium» 13) Elément conforme à la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend une couche en verre 40 déposée par fusion au dessus de la troisième substance servant à la passivation. 72 06139 - 19 - 2131969 14°) Procédé de fabrication d'un élément semiconducteur conforme à l'une des revendications 1 à 13, caractérisé en ce qu'il comprend les phases suivantes : fournir une partie principale semiconductrice comprenant une première et 5 une deuxième régions (réparties sous forme de couches) ayant le même type de conductivité, la deuxième région étant située au-dessus de la première région et ayant une résistivité plus élevée que celle de la première région ; déposer (également sous forme de couche) une troisième région, conductrice de l'électricité, 10 sur la surface supérieure de la deuxième région ; retirer une partie de la troisième région, ce qui isole donc toute une série de zones séparées de la troisième région ; réaliser l'agglomération de la partie principale semiconductrice dans une atmosphère inerte, ce qui entraîne la formation, entre la deuxième région et chacune 15 des zones de la troisième région, d'un très grand nombre de zones microscopiques ayant un type de conductivité différent de celui de la partie principale semiconductrice ; retirer une partie de la deuxième région dans l'espace situé entre lesdites zones de la troisième région, ce qui entraîne que ces zones et les parties de 20 la deuxième région situées sous elles constituent toute une série de microstructures mesa ; assurer un premier chauffage de la partie principale semiconductrice dans une atmosphère inerte, ce qui aboutit à la formation de quatrièmes régions (elles aussi sous forme de couche) situées entre la deuxième région et chacune 25 des zones de la troisième région, chacune de ces quatrièmes régions ayant un type de conductivité différent de celui de la deuxième région et ayant une épaisseur constante ; assurer un premier refroidissement dans une atmosphère inerte de la partie principale semiconductrice ; assurer un deuxième chauffage dans 30 une atmosphère inerte de la partie principale semiconductrice ; assurer un deuxième refroidissement dans une atmosphère inerte de la partie principale semiconductrice ; retirer les parties des zones de la troisième région qui dépassent en largeur les bords des quatrième et deuxième régions; réaliser la passivation 35 de la surface supérieure de la partie principale semiconductrice et des surfaces apparentes des première, deuxième, troisième et quatrième régions, en recouvrant ces surfaces d'au moins une couche de substance servant à la passivation, cette couche comportant une ouverture destinée à rendre accessible une partie de la 40 .troisième région ; fixer une connexion conductrice de l'électri 72 06139 - 20 - 2131969 cité en contact avec chacune des zones de la troisième région ; recuire dans une atmosphère inerte la partie principale semi-conductrice ; déposer une substance conductrice de l'électricité sur la surface inférieure de la première région ; et découper la 5 partie principale semiconductrice en éléments absolument distincts chacun comprenant au moins l'une des microstructures mesa. 15°) Procédé conforme à la revendication 14, caractérisé en ce que la phase d'agglomération est réalisée dans une atmosphère d'azote, à une température comprise 10 entre 690°C et 710°C pendant 30+5 minutes. 16°) Procédé conforme à la revendication 14, caractérisé en ce que la partie de la deuxième région est retirée par attaque chimique en au moins une phase avant la phase du premier chauffage et en au moins une phase après la phase du 15 premier chauffage, les zones de la troisième région servant de masques et cette attaque chimique étant réalisée en évitant le plus possible tout mouvement de la deuxième partie semiconductrice 17°) Procédé conforme à la revendication 16, caractérisé en ce que le fluide qui effectue l'attaque 20 chimique comprend 1 à 2 parties d'acide fluorhydrique pour 5 à 15 parties d'acide nitrique et 2 à 5 parties d'acide acétique. 18°) Procédé conforme à la revendication 14, caractérisé en ce que la phase du premier chauffage de la partie principale semiconductrice est réalisée dans une atmos-25 phère d'azote, à une température comprise entre 845°C et 855°C, pendant 15+5 minutes. 19°) Procédé conforme à la revendication 14, caractérisé en ce que la phase du premier refroidissement de la partie principale semiconductrice est réalisée dans une 30 atmosphère d'azote, à une température comprise entre 395°C et 405°C, pendant environ 3 minutes, et suivie d'un refroidissement par air jusqu'à la température ambiante. 20°) Procédé conforme à la revendication 14, caractérisé en ce que les parties de la troisième région 35 qui dépassent en largeur les bords des quatrième et deuxième régions sont retirées par attaque chimique avec de l'acide fluorhydrique . 21°) Procédé conforme à la revendication 14, caractérisé en ce que les parties de la troisième région 40 qui dépassent en largeur les bords des quatrième et deuxième 72 06139 - 21 - 2131969 régions sont retirées en soumettant la partie principale semi-conductrice à des vibrations ultrasoniques. 22°) Procédé conforme à la revendication 14, caractérisé en ce que la phase du deuxième chauffage de 5 la partie principale semiconductrice est réalisée dans une atmosphère d'azote, à une température comprise entre 895°C et 905°C, pendant 15+5 minutes. 23°) Procédé conforme à la revendication 14, caractérisé en ce que la phase du deuxième refroidisse-10 ment de la partie principale semiconductrice est réalisée dans une atmosphère d'azote, à une température comprise entre 400°C et 450°C, pendant environ 3+1 minutes, et est suivie d'un refroidissement par air jusqu'à la température ambiante. 24°) Procédé conforme à la revendica-15 tion 14, caractérisé en ce que la passivation de la surface de la partie principale semiconductrice est réalisée par une réaction permettant le dépôt de trois couches de substance servant à la passivation sur cette surface. 25°) Procédé conforme à la revendica-20 tion 24, caractérisé en ce qu'il comprend également une phase consistant à déposer par centrifugation, sur la troisième couche de substance servant à la passivation, une couche de verre formée d'une solution colloïdale de verre pulvérisé, ladite couche de verre étant ensuite chauffée à environ 550°C pour assurer sa 25 fusion sur la troisième couche de substance servant à la passivation. 26°) Procédé conforme à la revendication 25, caractérisé en ce qu'il comprend également une phase consistant à rendre apparente une partie de la surface supérieure 30 de chacune des zones de la troisième région en retirant une partie de chacune des couches de substance servant à la passivation et une partie de la couche de verre située au-dessus de ces surfaces supérieures des zones, par masquage et attaque chimique avec une solution de glycol et d'acide fluorhydrique. 35 27°) Procédé conforme à la revendica tion 26, caractérisé en ce que les connexions conductrices de l'électricité qui sont en contact avec les surfaces supérieures des zones de la troisième région sont réalisées en déposant d'abord, par évaporation, une couche métallique conductrice de 40 l'électricité sur les surfaces supérieures et sur la couche de 72 06139 - 22 - 2131969 verre, et en retirant ensuite par attaque chimique la partie de la couche métallique qui ne se trouve pas directement au-dessus des surfaces supérieures. 28°) Procédé conforme à la revendica-5 tion 14, caractérisé en ce que la partie principale semiconductrice est recuite par un premier chauffage dans une atmosphère d'azote, à une température comprise entre 598°C et 602°C, pendant 5+0,5 minutes, cette phase étant suivie d'un refroidissement dans une atmosphère d'azote, à une température comprise entre 400°C et 450°C 10 pendant 5+2 minutes, puis d'un refroidissement par air jusqu'à la température ambiante. 29°) Varactor avec semiconducteur conforme à l'une des revendications 1 à 13, caractérisé en ce qu'il comprend une première région en silicium de conductivité de 15 type N+, ayant une résistivité d'environ 0,001 ohm x centimètre et une épaisseur d'environ 0,254 mm ; une deuxième région en silicium de conductivité de type N formée par croissance par ëpitaxie à la surface supérieure de la première région, et ayant une résistivité comprise entre 0,5 et 1,4 ohm x centimètre et une 20 épaisseur comprise entre 3 et 6 microns ; une troisième région en silicium de conductivité de type P, située au-dessus de la deuxième région et formant avec elle une jonction PN abrupte, cette troisième région ayant une épaisseur constante comprise entre 2 et 3 microns et une largeur qui, vue en coupe, est plus 25 faible que celle de la deuxième région ; une quatrième région, située au-dessus de la troisième région, constituée d'un mélange eutectique d'aluminium et de silicium dont l'épaisseur est comprise entre 2 et 3 microns ; une première couche en bioxyde de silicium, située le plus à l'intérieur ; au-dessus de ladite 30 première couche en bioxyde de silicium, une couche en oxynitrure de silicium ; au-dessus de ladite couche en oxynitrure de silicium, une deuxième couche en bioxyde de silicium ; et, au-dessus de cette deuxième couche en bioxyde de silicium et donc le plus à l'extérieur, une couche en verre obtenue par fusion sur la deu-35 xième couche en bioxyde de silicium? les première et deuxième couches en bioxyde de silicium, la couche en oxynitr.ixre de silicium et la couche en verre recouvrant les première, deuxième, troisième et quatrième régions au voisinage de la jonction et comportant une ouverture destinée à rendre accessible une partie de la sur-40 face supérieure de la quatrième région ; une borne de sortie en 72 06139 - 23 - 2131969 aluminium placée à l'intérieur de l'ouverture pratiquée dans les couches en bioxyde de silicium, en oxynitrure de silicium et en verre, ladite borne de sortie en aluminium étant montée sur la quatrième région et en contact électrique avec elle ; et une 5 borne de sortie, en or, fixée sur la surface inférieure de la première région et en contact électrique avec elle. 30°) Procédé de fabrication d'un varactor à semiconducteur, conforme à la revendication 29, caractérisé en ce qu'il comprend les phases suivantes : réaliser une 10 partie principale semiconductrice comprenant une première et une deuxième régions (réparties sous forme de couches) de conductivités de type N+ et N respectivement, la deuxième région étant formée par croissance par épitaxie à la surface supérieure de la première région et ayant une résistivité plus grande que celle de la 15 première région ; déposer à la surface supérieure de la deuxième région une troisième région, qui est une couche métallique déposée par évaporation ; retirer une partie de la troisième région par des techniques utilisant des éléments photorésistants, ce qui aboutit à la formation de toute une série de zones séparées de 20 ladite troisième région ; réaliser l'agglomération de la partie principale semiconductrice dans une atmosphère inerte, à une température comprise entre 690°C et 710°C, pendant 30+5 minutes, ladite phase d'agglomération entraînant la formation,entre la deuxième région et chacune des zones de la troisième région, d'un 25 très grand nombre de zones microscopiques de conductivité de type P ; retirer une première partie de la deuxième région, sur une profondeur d'environ 5 microns, dans l'espace situé entre les zones de la troisième région, par attaque chimique à l'aide d'un fluide comprenant 1 à 2 parties d'acide fluorhydrique pour 5 à 15 30 parties d'acide nitrique et 2 à 5 parties d'acide acétique, ladite attaque chimique étant réalisée en évitant le plus possible tout mouvement de la partie principale semiconductrice, et les zones de la troisième région servant de masques ; de sorte que les zones de la troisième région et les parties de la deuxième 35 région situées sous elles constituent toute une série de microstructures mesa ; assurer un premier chauffage de la partie principale semiconductrice, dans une atmosphère d'azote, à une température comprise entre 845°C et 855°C, pendant 15+5 minutes, ce qui aboutit à la formation de quatrièmes régions (elles aussi 40 sous forme de couche) situées entre la deuxième région et chacune 72 06139 - 24 - 2131969 des zones de la troisième région, chacune desdites quatrièmes régions étant d'une conductivité de type P et ayant une épaisseur constante ; assurer un premier refroidissement de la partie principale semiconductrice, dans une atmosphère d'azote, à une 5 température comprise entre 395°C et 405"C, pendant environ 3 minutes, lui-même suivi d'un refroidissement par air jusqu'à la température ambiante ; retirer une deuxième partie de la deuxième région dans l'espace situé entre les zones de la troisième région, par attaque chimique à l'aide d'un fluide comprenant 1 à 2 parties 10 d'acide fluorhydrique pour 5 à 15 parties d'acide nitrique et 2 à 5 parties d'acide acétique, ladite attaque chimique étant réalisée en évitant le plus possible tout mouvement de la partie principale semiconductrice, et les zones de ladite troisième région servant de masques ; de sorte que lesdites zones de la 15 troisième région et les quatrième et deuxième régions situées sous elles délimitent encore plus nettement la série de microstructures mesa ; assurer un deuxième chauffage de la partie principale semi-conductrice, dans une atmosphère d'azote, à une température comprise entre 895°C et 905°C, pendant 15+5 minutes ; assurer 20 un deuxième refroidissement de la partie principale semiconductrice, dans une atmosphère d'azote , à une température comprise entre 400°C et 450°C, pendant 3+1 minutes, lui-même suivi d'un refroidissement par air jusqu'à la température ambiante ; retirer une troisième partie de la deuxième région, partie située 25 sur la surface supérieure de la première région dans l'espace situé entre les zones de la troisième région, par attaque chimique à l'aide d'un fluide comprenant 1 à 2 parties d'acide fluorhydrique pour 5 à 15 parties d'acide nitrique, et 2 à 5 parties d'acide acétique, ladite attaque chimique étant réalisée en évi-30 tant le plus possible tout mouvement de la partie principale semiconductrice, et les zones de la troisième région servant de masques ; de sorte que les zones de la troisième région et les quatrième et deuxième régions situées sous elles délimitent encore mieux la série de microstructures mesa ; retirer les par-35 ties des zones de la troisième région qui dépassent en largeur les bords des quatrième et deuxième régions, en soumettant la partie principale semiconductrice à des vibrations ultrasoniques ; réaliser la passivation de la surface supérieure de la partie principale semiconductrice et des surfaces apparentes des pre-40 mière , deuxième, troisième et quatrième régions, en suscitant 72 06139 - 25 - 2131969 une réaction permettant le dépôt sur la surface de trois couches de substance servant à la passivation ; déposer par centrifugation sur la troisième couche de substance servant à la passivation une couche de verre formée d'une solution colloïdale de verre pulvë-5 risé, ladite couche de verre étant ensuite chauffée à environ 550°C pour assurer sa fusion sur la troisième couche de substance servant à la passivation ; rendre apparente une partie de la surface supérieure de chacune des zones de la troisième région en retirant une partie de chacune des couches de substance ser-10 vant à la passivation et une partie de la couche de verre située au-dessus des surfaces supérieures des zones, par masquage et attaque chimique avec une solution de glycol et d'acide fluorhydrique ; placer en contact avec les surfaces supérieures des zones de la troisième région des connexions conductrices de l'ëlectri-15 cité en déposant d'abord, par ëvaporation, une couche métallique conductrice de l'électricité sur les surfaces supérieures et sur la couche de verre, et ensuite en retirant par attaque chimique la partie de la couche métallique qui ne se trouve pas directement au-dessus des surfaces supérieures ; recuire la partie prin-20 cipale semiconductrice dans une atmosphère d'azote, à une température comprise entre 598°C et 602°C, pendant 5 + 0,5 minutes, puis assurer un refroidissement dans une atmosphère d'azote, à une température comprise entre 400°C et 450°C, pendant 5+2 minutes, lui-même suivi d'un refroidissement par air jusqu'à la température 25 ambiante ; déposer une substance conductrice de l'électricité sur la surface inférieure de la première région ; et découper la partie principale sani-conductrice de façon à disposer . de varactors distincts, chacun comprenant au moins l'une des microstructures mesa.