FR 2128235 A1 19721020 FR 7108818 A 19710312 La présente invention concerne les dispositifs semiconducteurs redresseurs du type "thyristor" à électrode de commande ayant des capacités supérieures de commutation. Ainsi qu'il est connu, la vitesse d'augmentation de la conduction du courant, habituellement désignée di/dt, d'un thyristor à électrode de commande est limitée. I1 a été noté aussi que la valeur maximale de di/dt pouvant être utilisée avec sécurité pour un thyristor donné est fonction directe de la valeur du signal de commande utilisé pour commander le thyristor. L'invention a pour objet un thyristor à électrode de commande d'une structure nouvelle permettant l'augmentation de la valeur acceptable de di/dt et permettant par suite l'utilisation de signaux de commande plus faibles pour obtenir une vitesse donnée de fermeture. De plus, suivant un aspect, l'invention a pour objet une structure de thyristor à électrode de commande dans laquelle les valeurs acceptables de di/dt sont augmentées aussi bien quand le dispositif subit la commutation à la conduction par un signal sur l'électrode de commande que lorsque le passage à la conduction résulte des tensions appliquées aux bornes principales. Suivant un autre aspect, l'invention a pour objet un dispositif pouvant comporter des résistances latérales pour aider à la distribution de "fermeture" ou passage à la conduction. Suivant une caractéristique, l'invention concerne un thyristor comprenant un élément en cristal semiconducteur comportant cinq couches de conductivités de types opposés entre deux surf" ces principales opposées. Les couches sont interposées, les couches voisines ayant des conductivités de types opposés pour former plusieurs jonctions P-N. Ces couches comportent une première couche d'extrémité et une première couche intermédiaire immédiatement voisine de cette couche d'extrémité. La première couche intermédiaire comporte une zone principale et une zone auxiliaire, la première couche d'extrémité étant située entre ces deux zones, et une zone d'injection unissant de façon intégrante la zone principale et la zone auxiliaire. Un premier contact principal est associé de façon ohmique à la zone principale. Un second contact principal est associé de façon ohmique à l'autre couche d'extrémité. Un contact d'électrode de commande est associé de façon ohmique à une couche intermédiaire autre que la première couche intermédiaire et un dispositif forme un trajet conducteur court-circuitant la jonction entre la zone auxiliaire et la premiere couche d'extrémité. Suivant une autre caractéristique, l'invention concerne un commutateur semiconducteur comportant un seul cristal semiconducteur dans lequel est intégré une partie de cristal formant un thyristor principal porteur de courant à électrode de commande distante pour le passage du courant principal et une partie de cristal formant un thyristor auxiliaire. Le thyristor principal à électrode de commande distante comporte une couche d'électrode de commande, une première couche "émetteur", une première couche "base", une seconde couche "base" et une seconde couche "émetteur" séquentiellement, les couches voisines étant de conductivités de types opposes et formant entre elles des jonctions P-N.Le thyristor auxiliaire comprend une première couche "émetteur", une première couche "base" une seconde couche "base" et une seconde couche "émetteur" séquentiellement, les couches voisines étant de conductivités de types opposés et formant entre elles des Jonctions P-N. Les couches correspondantes du thyristor principal et du thyristor auxiliaire sont unitaires, la couche d'électrode de commande étant t voisine de la zone de liaison entre les deux thyristors. Un dispositif Je commande est associé à l'une des couches base du thyristor auxiliaire et une borne commune de passage du courant est associée à la seconde couche emetteur du thyristor. Des dispositifs forment des bornes séparées pour chaque partie de la première couche émetteur du thyristor et sont espacés latéralement par rapport à la couche d'électrode de commande.Un dispositif forme un trajet conducteur entre la borne séparée du thyristor auxiliaire et un bord de la couche d'électrode de commande voisin du thyristor auxiliaire pour polariser latéralement la couche d'électrode de commande en réponse à un signal appliqué au dispositif d'électrode de commande, de façon que des électrons soient injectés préférentiellement par la couche d'électrode de commande dans la première couche base le long d'un bord le plus voisin de la borne associée à la première couche émetteur du thyristor principal. Les caractéristiques de l'invention ressortiront plus particulièrement de la description suivante, donnée à titre d'exemple et faite en se référant aux dessins annexés sur lesquels - la figure 1 est une coupe verticale d'un thyristor à électrode de commande selon un mode de mise en oeuvre de l'invention; - la figure 2 est une coupe plus détaillée d'une partie du thyristor de la figure 1; - la figure 3 est une coupe d'une partie d'un thyristor selon un autre mode de mise en oeuvre de l'invention; - les figures 4 et 5 sont des coupes d'un thyristor selon un autre mode de mise en oeuvre de l'invention;; les figures boa et 6B sont des vues en plan de l'élément semiconducteur, des contacts et des couches de conduction du thyristor des figures 4 et , la figure 6A étant une vue en plan de la première surface principale et la figure 6B étant une vue en plan de la seconde surface principale, et - la figure 7 est une coupe semblable à celle de la figure 2 montrant un thyristor selon un autre mode de mise en oeuvre de l'invention. Les éléments semiconducteurs, les contacts et les couches de conduction sont tous symétriques autour de l'axe central pour toutes les figures. Les lignes de coupe ne sont pas utilisées pour ne pas surcharger les dessins. Les épaisseurs des éléments semiconducteurs sont exagérées sur les dessin pour rendre la représentation plus claire. La figure 1 représente un redresseur commandé ou "thyristor" 10u qui colporte un élément semicnducteur 200. Ainsi qu'il apparait plus particulièrement sur la figure 2, l'élément semiconducteur en monocristal 200 comporte une première surface principale 202 et une seconde surface principale 204 qui sont reliées par des surfaces périphériques en chanfreins 206 et 208. L'elément semiconducteur est formé d'un monocristal semiconducteur unique, de préférence un cristal de silicium, en cinq couches ou zones successives 210, 212, 214, 216 et 218 Les couches voisines ont des conductivités de types opposés, autrement dit les couches d'un premier type de conductivité sont interposées entre des couches du type opposé de conductivité, de sorte que plusieurs jonctions 220, 222, 224 et 226 sont formées entre les couches voisines. La première couche 210, qui est appelée la couche d'électrode de commande, est située à côté de la première surface principale, et elle forme une jonction 220 avec la couche intermédiaire 212 immédiatement voisine, cette couche étant appelée la première couche "émetteur". Une première couche "base" 214 forme avec la première couche "émetteur" une première jonction "émetteur" 222 et forme avec une seconde couche "base" 216 une jonction "base" 224. La seconde couche "base" forme avec la seconde couche "émetteur" 218 une seconde jonction "émetteur" 226. Suivant un mode de réalisation préféré, l'électrode de commande, la première base et le second émetteur sont des couches de conductivité type N et le premier émetteur et la seconde base sont des couches de conductivité type P. Bien entendu, les types de conductivité peuvent être inversés, auquel cas le thyristor obtenu est un thyristor compléîieiiLa ir e du premier. Suivant des techniques courantes de fabrication, il est connu que la première couche base a la résistivité la plus élevée, le premier émetteur et la seconde base,une résistivité intermédiaire, et l'électrode de commande et le second émetteur. une résistivité plus faible, parce que le cristal semiconducteur peut avoir initialement des caractéristiques correspondant à celles de la première base, tandis que les couches pour le premier émetteur et la seconde base peuvent être formées par une première diffusion d'impureté et la couche pour 1 'electrode de commande et la couche pour le second émetteur peuvent être formees par une ou plut sieurs diffusions consécutives Par suite, la surface périphérique en chanfrein 206 forme en général un angle de chanfrein positif à son intersection au bord avec la première jonction émetteur, tandis que la surface périphérique en chanfrein 208 forme un angle de chanfrein négatif avec ta jonction base 224. Bien que les surfaces périphériques en chanfreins ne soient pas essentielles pour un semiconducteur selon 1 'invention, il est préférable de former un angle de chanfrein positif avec la première jonction émetteur de moins de 90 , et normalement de moins de 45 , étant à noter que la capacité de blocage de la tension superficielle sur cette jonction est d'autant plus élevée que l'angle entre la surface en chanfrein 206 et la première jonction émetteur est plus aigu L'angle de chanfrein aigu négatif entre la jonction base et la surface en chanfrein 208 est de préférence choisi entre 4e et 200 et mieux entre 4 et 90 I1 est normalement préférable de choisir les angles des chanfreins de façon que la capacité de blocage des tensions superficielles de jonction soient supérieures aux capacités de tension de claquage avalanche.Dans ces conditions, si des différences de potentiel excessives (ou des vitesses excessives d'augmentation de la tension) sont imposées entre les surfaces principales de l'élément semiconducteur pour provoquer la conduction de l'élément semiconducteur sans un signal sur l'électrode de commande, il se produira un passage à la conduction non destructif du dispositif au lieu d'une conduction destructive de courant superficiel Il sera reconnu que le choix de surfaces en chanfrein pour permettre le claquage avalanche d'un dispositif semiconducteur est classique et qu'il ne fait partie de la présente invention que par sa combinaison avec les autres caractéristiques de structure décrites ci-après. Il sera noté que la couche d'électrode de commande est située entre une zone principale 228 et une zone auxiliaire 230 de la première couche émetteur, ces zones étant unies solidairement par une zone d'injection 232. I1 sera noté aussi que la seconde couche base s'étend jusqu'à la seconde surface principale de l'élément semiconducteur dans la partie centrale de la seconde couche émetteur. De plus, la seconde couche base est représentée avec un certain nombre de points de court-circuit 234 qui s'étendent jusqu'à la seconde surface principale à travers les ouvertures de la seconde couche émetteur Ces points de court-circuit sont d'une façon générale distribués uniformément sur toute la superficie de la seconde couche émetteur, sauf que les points de court-circuit sont de préférence espacés vers l'extérieur du bord intérieur de la seconde couche émetteur d'une distance suffisante pour éviter une perte indésirable de sélectivité de l'électrode de commande. Typiquement, le point de court-circuit le plus rapproché du bord intérieur de la seconde couche émetteur est espacé au moins de 380 microns de ce bord. Pour analyser le comportement de l'élément semiconducteur, la première et la seconde base et le second émetteur peuvent être considérés comme étant formés de parties principales unies de façon intégrante se trouvant à l'extérieur par rapport au bord intérieur de la couche d'électrode de commande et de parties auxiliaires se trouvant à l'intérieur par rapport à cette couche Un dépot metallique formé par métallisation 102 comme plot d'électrode de commande est situé dans la partie centrale de la seconde surface principale de l'élément semiconducteur.Typiquement ce dépôt métallique de l'électrode de commande a une étendue latérale limitée, et il sert seulement à établir un trajet de conduction ohmique de faible impédance entre le -conducteur d'électrode de commande 104 et la seconde couche base Une couche de conduction ohmique 106 est associée à la partie centrale de la première couche émetteur entourant toute la zone auxiliaire de cette couche et en dépassant latéralement pour couvrir le bord intérieur de la couche d'électrode de commande La couche de conduction 106 sert ainsi à court-circuiter la jonction 220 à son intersection avec la première surface principale. Un premier contact principal 108 est associé ohmiquement à la première surface principale de l'élément semiconducteur en couvrant pratiquement toute la zone principale de la première couche émetteur mais en restant espacée du bord extérieur de la jonction 220 pour ne pas courtcircuiter cette jonction Un second contact principal 110 est associé oh miquement à la seconde surface principale.Le second contact principal est espacé vers l'extérieur du bord intérieur de la seconde jonction émetteur 226 pour éviter le court-circuit de cette jonction à côté de son intersection intérieure avec la seconde surface principale. Cependant, le second contact principal court-circuite la jonction 226 aux endroits où ele forme le pourtour des points de court-circuit.Comme le montre la figure 2, le second contact principal s'étend latéralement au-delà de la seconde couche émetteur, et il court-circuite le pourtour extérieur de la seconde jonction émetteur. Bien que pour simplifierle dépôt métallique d'électrode de commande la couche de conduction et le premier et le second contact principaux soient représentés sous la forme de couches métalliques unitaires, il sera noté que ces éléments peuvent être formés d'une ou plusieurs couches de dépôt semblables ou différents, d'une façon connue. I1 est préférable que ces éléments soient plaques ou liés autrement directement sur les surfaces principales opposées de j 'élément semiconducteur avant son association aux autres éléments du dispositif semiconducteur afin que ces éléments forment un interface de faible impédance avec l'élément semiconducteur. Il sera noté que la couche de conduction 106 et la zone auxiliaire 230 sont toutes deux associées à une partie de la première surface principale de l'élément semiconducteur qui est en relation de recouvrement avec une partie de la seconde surface principale associée à la partie auxiliaire de la seconde couche émetteur et une partie du second contact principal 110. Autrement dit, immédiatement latéralement à l'intérieur de la couche d'électrode de commande, la couche de conduction, la zone auxiliaire, les parties auxiliaires de la première et de la seconde base,, la seconde couche émetteur et le second contact principal sont successivement disposés dans une direction perpendiculaire aux surfaces principales de l'élément semiconducteur. Il existe ainsi une succession PNPN de couches semiconductrices.De façon similaire, la zone principale de la première couche émetteur et le premier contact principal sont associés à une partie de la première surface principale venant à recouvrement par rapport à une partie de la seconde surface principale à laquelle sont associés la seconde couche émetteur et le second contact principal, ne seconde succession PNPN de couches semiconductrices existe ainsi espacée latéralement de la première combinaison. Des plaques annulaires d'appui 112, 114 sont associées aux contacts principaux. Ces plaques sont représentées avec des extensions latérales correspondant à celles des contacts principaux Quand l'élément semiconducteur est un cristal de silicium, il est préférable d'utiliser un métal tel que le tungstène, le molybdène ou le tantale ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur à 10 5 cm/cm par OC et de préférence inférieur à 0,5 x 10 Scm/cm par OC. L'une de ces plaques ou les deux peuvent être directement liées aux contacts principaux ou être seulement associées physiquement à ces contacts, sans liaison directe. Les surfaces principales extérieures de ces plaques sont couvertes de couches 116 et 118 de métal conducteur malléable, tel que l'argent ou 1 'or. Selon un procédé préféré d'assemblage, la plaque d'appui 112 est unie à l'élément semiconducteur après application des couches métalliques 102, 106, 108 et 110 pour former un sous-ensemble. Une pièce diélectrique 120 en matière de passivationest moulée autour du pourtour du sous-ensemble. Le diélectrique de passivation est choisi de façon qu'il ait une résistance d'isolement et une résistivité diélectrique relativement élevées et aussi pour être pratiquement impermeable aux contaminants éventuels des jonctions. I1 est préférable d'utiliser une matière ayant une résistivité diélectrique d'au moins 4 V par micron et une resistance d'isolement d'au moins 10 ohm-cm. Différents caoutchoucs de silicone disponibles commercialement répondent à ces conditions électriques. I1 est possible aussi selon l'invention d'interposer entre le diélectrique moulé et la surface de l'élément semiconducteur un verre ou une autre matière de passivation. Dans ce cas, il sera remarqué que la fonction de passivation de la jonction et d'isolement de la surface périphérique de l'élément semiconducteur est assurée principalement par la matière de passivation interposée et que les qualités électriques et de passivation du diélectrique moulé peuvent être réduites d'une façon correspondante. Une pièce centrale en diélectrique 122 est placée à l'intérieur de la plaque annulaire 112, et il peut être formé de la même matière de passivation que la pièce 120. En plus de la protection de l'élément semiconducteur aux endroits où les jonctions arrivent à la surface, cette pièce en diélectrique sert aussi à positionner le sousensemble par rapport aux bornes du dispositif. Comme le montre la figure 1, la capsule pour le dispositif semiconducteur est formée d'une première pièce constituant une borne de connexion 124 typiquement en métal bon conductur tel que le-cuivre. Cette pièce de connexion comporte une partie de diamètre plus faible 126 au centre de laquelle est formée une cavité 128. L'anneau en diélectrique 120 coopère avec le pourtour de la partie de diamètre plus faible 126 pour positionner la plaque d'appui inférieure et-l'élément semiconducteur par rapport à la borne 124 La pièce centrale en diélectrique 122 coopère aussi avec la cavité pour positionner ces éléments.Le bord intérieur d'une collerette 130 est fixé au bord extérieur de la borne 124 et le bord extérieur de la collerette est fixé à un isolateur annulaire 132. L'isolateur comporte des ondulations du côté extérieur pour augmenter la distance de contournement le long de sa surface. L'isolateur est espacé de l'élément semiconducteur et de la première borne. Un anneau à bride d'étanchéîté annulaire 134 est fixé à l'extrémité opposée de l'isolateur. Typiquement la première borne, la collerette inférieure l'isolateur annulaire et l'anneau à bride sont unis pour constituer un sous-ensemble recevant ensuite le sous-ensemble formé par l'élément semiconducteur la plaque d'appui inférieure. les couches formées par métallisation et fixées à l'élément semiconducteur et les pièces diélec triques en matière de passivation moulée.La couche malléable 116 appliquée sur la surface principale extérieure de la plaque d'appui inférieure à cóté de la partie de diamètre réduit de la borne 124 assure un contact intime thermique et électrique de faible impédance entre la première borne et l'élé- ment semiconducteur. Une douille conductrice 136 fermée à l'extrémité extérieure traverse de façon étanche l'isolateur annulaire et elle sert comme borne d'électrode de commande pour le dispositif. Une extrémité d'un conducteur élastique 104 est engagée dans l'extrémité intérieure de la douille, et l'autre extrémité est placée sur le dépôt métallique de l'électrode de commande. L'élasticité du conducteur de l'électrode de commande assure le maintien d'une pression convenable sur le contact métallique 102 pour permettre une connexion de faible impédance entre le conducteur de l'électrode de commande et la seconde couche base à travers les surfaces de contact du conducteur et de la douille et du conducteur et du contact ou plot de contact 102, Pour positionner latéralement la plaque d'appui supérieure 114 par rapport au second contact principal 110 quand la plaque 114 n'est pas liée directement à celuici mais est seulement en contact physique avec le contact, une rondelle isolante percée 138 est placée dans l'ouverture de la plaque d'appui supérieure et elle est traversée par le conducteur 104. Une seconde pièce formant une borne 140 peut étire d'une façon générale identique à la première borne. mais cependant avec une fente diamétrale dans la partie de diamètre plus réduit, la fente dépassant dans la partie de diamètre supérieur de la façon représentée. Cette fente permet un jeu entre le conducteur d'électrode de commande et la seconde borne. Un isolant en gouttière 146 est placé dans cette fente afin que le conducteur 106 reste toujours isolé électriquement de la seconde borne. Une bride annulaire d'étanchéité 148 est fixée autour de la seconde borne pour pouvoir être fixée de façon étanche à l'anneau à bride 134. Le dispositif est assemblé en formant d'abord la capsule en deux sous-ensembles séparés, l'un comprenant la seconde borne et la bride d'étanchéité. Les autres éléments de la capsule forment le sous-ensemble considéré ci-dessus. Le sous-ensemble décrit ci-dessus comprenant l'élément semiconducteur et la plaque d'appui inférieure est ensuite placé sur la partie de diamètre réduit de la première borne. La plaque d'appui supérieure et la rondelle isolante 138 peuvent être ensuite mises en place, après quoi le conducteur de l'électrode de commande est rr.is en place. Le sous-ensemble supérieur est ensuite placé sur la plaque d'appui supérieure, après quoi la bride de la seconde borne Et la bride de l'anneau sont fixées l'une à l'autre, par exemple par soudage, pour terminer le dispositif.La capsule enferme de préférence de façon hermétique l'élément semiconducteur. Le fonctionnent du dispositif semiconducteur 100 peut être facilement expliqué en considérant la couche d'électrode de commande 210, la première couche base 214 ct la seconde couche émetteur 218 en matière de conductivité N, et la première couche émetteur 212 et la seconde couche base 216 de conductivité du type P i), Da-s ce cas, la première borne 124 du dispositif est l'anode et la seconde borne 140 ia cathode. Le conducteur d'électrode de commande 104 est référencé au potentiel de la cathode d'après la pratique habituelle pour I'utilisatin des thyristors.Ainsi qui est connu, quand la première bo'.qeou anode est --Z n potentiel négatif par rapport à celui de la seconde borne ou cath Je, le dispositif est sur le mode bloquant ou inverse et il ne passe pas de orant sppréciable à travers le dispositif. Le passage du courant à travers l'elément semiconducteur est effectivement bloqué par la polarisation dans le sens inverse de la jonction anode-émetteur 222.Le passage du courant entre la cathode Et l'anode autour du bord périphérique de l'élément semiconducteur est empêché par le bord en chanfrein 206 de l'élément semiconducteur qui réduit le gradient de tension superficielle le long de la jonction anode-émetteur, ainsi que par la pièce en diélectrique 120 en matière de passivation. En cas de polarisation dans le sens direct du dispositif semiconducteur en l'absence d'un signal de commande, le courant à travers l'élément semiconducteur est bloqué par la jonction base 224. Le bord en chanfrein 208 et la pièce diélectrique 120 En matière de passivation empêchent efficacement le passage du courant le long de la jonction base à la surface de l'élément semiconducteur. Quand le dispositif est polarisé dans le sens direct, l'anode est à un potentiel positif par rapport à celui de la cathode. Pour faire passer le dispositif semiconducteur à La conduction pendant qu'il est polarisé dans le sens direct, la borne 136 de I'électrode de commande est portée à un potentiel positif par rapport à celui de la cathode ou seconde borne 140. De ce fait, des électrons sont injectés à partir de la seconde couche émetteur à travers la jonction base pour faire passer la partie centrale de l'element semiconducteur à l'état conducteur Cela peut être facilement compris en considérant que la partie centrale de l'élément semiconducteur correspond approxtmativement à un thyristor auxiliaire intégré dans un thyristor environn,ant principal pour la conduction du courant. La zone auxiliaire 230 de la première couche émetteur 212 ainsi que les parties de la première base, de la seconde base et du second émetteur situées dans la partie centrale par rapport au bord intérieur de la couche d'électrode de commande 210 et de la jonction d'injection 220 forment ensemble une suoees- sion PNPN de zones qui deviennent conductrices comme un thyristor. Sous ce rapport, il sera noté que la conduction du courant de la seconde couche émetteur 218 à la seconde borne ou cathode a lieu à travers le second contact principal 110, la seconde plaque d'appui 114 et la couche conductrice 118. Bien que la couche de conduction 106 poisse être considérée comme l'anode du thyristor auxiliaire, une caractéristique particulière de l'invention est l'isolement de la couche de conduction par rapport à l'anode ou première borne 124, sauf à travers l'élément semiconducteur. L'élément diélectrique centrai 122 ontribue à maintenir cette relation. Pour obtenir la conduction de l'anode du dispositif semiconducteur à la couche de conduction, celle-ci est étendue latéralemeit de façon à couvrir le bord intérieur de la couche d'électrode de commande 210 et pour court-circuiter la jonction 220.Le courant circule ainsi de l'anode à travers la couche de métal 116, la plaque d'appui 112, le premier contact principal 108, la première couche émetteur 2.2 et la couche d'électrode de commande 210 pour atteindre le bord extérieur de la couche de conduction. La résistance dans le sens latéral au passage du courant dans la couche d'électrode de commande provoque le développement d'une différence de potentiel entre le bord intérieur et le bord extérieur de cette couche, de sorte que des électrons sont injectés dans la première couche émetteur à partir de la couche d'électrode de commande le long du bord extérieur de celle-ci Ces électrons injectés sont collectés par la première jonction émetteur et ils servent à démarrer la conduction à travers la jonction base, la conduction progressant du pourtour extérieur de la couche d'électrode de commande vers l'extérieur pour provoquer la commutation du reste de l'élément semiconducteur. Le passage à la conduction ou "ouverture" de l'élément semiconducteur peut être considéré comme l'analogue du passage à la conduction d'un thyristor auxiliaire central dont le courant est utilisé pour provoquer la conduction d'un thyristor annulaire concentrique extérieur pour le passage du courant principal, distant de l'électrode de commande. Le passage du dispositif semiconducteur de son état à impédance élevée à polarisation dans le sens direct à son état de conduction à impédance faible est assez rapide parce que le signal sortant du thyristor auxiliaire sert comme signal de commande amplifié entrainant le thyristor principal à la conduction. Cette augmentation de la vitesse de commutation est une amélioration de la vitesse d'augmentation du courant di/dt pouvant être tolérée par le dispositif sans qu'il en résulte de surchauffage ou d'endommagement localisé. En même temps, comme le signal sortant du thyristor auxiliaire est effectivement utilisé pour la commande du déclenchement du thyristor principal distant de l'électrode de commande il est facile de voir qu'il suffit que le signal de commande pour démarrer a conduction ait la force suffisante pour entraîner le thyristor auxiliaire à la conduction, et qu'il n'est pas nécessaire que ce signal soit suffisamment tort pour entraîner directement à la conduction le thyristor principal sans amplification intermédiaire. Une caractéristique particulière de l'invention est le démarrage de l'écoulement du cour-ant latéral à partir du premier contact principal latéralement à partir de a première couche émetteur, à travers la jonction d'injection 220 latéralement à travers la couche d'électrode de commande et latéralement à traveis le bord extérieur de la couche de conduction pour une conduction supplémentaire a travers la zone auxiliaire de la première couche émetteur, la première couche base, la seconde couche base et la seconde couche émetteur pour la conduction finale à la cathode du dispositif.Comme il a été noté ci-dessus, il doit être considéré que la conception consistant à laisser flottante la couche de conduction, c'est-à-dire exempte de connexions ohmiques extérieures, par exemple à une borne cathodique, est nouvelle. De plus, il doit être noté que la couche de conduction couvre de préférence seulement le bord intérieur de la couche d'électrode de commande Cela accentue la chute de potentiel dans la conduction latérale à travers la couche d'électrode de commande, et déplace l'injection des électrons vers le pourtour extérieur de la couche d'électrode de commande plus nettement que dans le cas observé normalement pour le déclenchement d'un thyristor à électrode de commande distante, et améliore le rendement de l'injection des électrons de la couche d'électrode de commande.Une autre caractéristique importante de l'invention est l'espacement entre le pourtour extérieur de la jonction d'injection et le pourtour intérieur du premier contact principal En supposant une uniformité absolue de l'espacement, le courant passant de l'anode à la couche de conduction à travers la jonction d'injection est uniformément distribué périphériquement, même en l'absence d'une résistance latérale à l'écoulement du courant présentée par la première couche émetteur Dans la pratique, il existe toujours une certaine irrégularité d'espacement, de sorte qu'il existe une tendance à la conduction à travers la jonction d'injection à l'endroit le plus voisin du premier contact principal.Une zaractiristique de l'invention est la compensation de cette tendance pour assurer des conductions périphériques uniformes à travers la jonction d'injection par déplacement latéral de la couche d'électrode de commande à partir du bord intérieur du premier contact principal d'une distance suffisante pour permettre une résistance latérale appréciable dans la partie de la première couche émetteur servant comme trajet dé conduction du courant entre ces deux parties Cela constitue par suite une résistance en série avec toute partie conductrice de la jonction d'injection, et agit de plus périphérlquement pour distribuer la conduction du courant au lieu de permettre la csncentration d courant, comme cela aurait lieu autrement. La résistance laterale est choisie pour provoquer dans la première couche émetteur entre la jonction d'injection et le premier contact principal, une différence de potentiel au moins égale à la moitié de la valeur de la tension de contact de la jonction d'injection a figure 3 représente d'une façon semblable à la figure 2 un dispositif selon un autre mode de mise en oeuvre de l'invention.Sauf quand spécifié, .- élément de a figure 3 peuvent être identiques à ceux du dispositif sen,icr.nducteur 100 La couche ou plot de métal déposé par métallisation 102, le conducteur 104 de l'électrode de commande, 13 couche de conduction 106, le premier contact principal 108, la plaque d'appui inférieure 112, la couche de métal 110, la couche ou anneau en diélectrique 120 et la première borne 124 sont les mêmes que dans le cas précédent. L'élément semiconducteur 300 comporte une première surface principale 302 et une seconde surface principale 304 qui sont reliées par un bord annulaire en chanfrein positif 30o et par un bord annulaire en chanfrein négatif 308 qui peuvent être identiques aux bords 206 et 208.L'élément semiconducteur comporte une couche d'électrode de commande 310, une première couche émetteur 312, une première couche base 314, une seconde couche base 316 et une seconde couche émetteur 318 Comme les couches sont des zones interposées de types de conductivité opposés, une jonction d'injection 320 est formée entre la couche d'électrode de commande et la première couche émetteur, une première jonction émetteur 322 est formée entre la première couche émetteur et la première couche base, une jonction base 324 est formée entre la première et la seconde base et une seconde Jonction émetteur 326 est formée entre la seconde couche base et la seconde couche émetteur Le premier énetteur comprend une zone principale 328 et une zone auxiliaire 330 qui sont unies de façon intégrante par une zone d'injection 332 Des points de court-circuit 334 s'étendent de la seconde base à la seconde surir ce principale dans des positions espacées. Il est facile de voir que la couche d'électrode de commande, la première couche émetteur, la première couche base, la jonction d'injection, la première jonction émetteur et la jonction base sont identiques aux couches correspondantes de l'élément semiconducteur 200, et par suite il n'est pas nécessaire de les décrire à nouveau. L'élément semiconducteur 300 est différent du fait de la configuration de la seconde couche émetteur qui est divisée par une partie intermédiaire 336 de la seconde couche base pour former un segment auxiliaire central 338 et un segment principal 340. Il sera noté aussi que le bord extérieur de la jonction d'injection et la couche d'électrode de commande sont situés à proximité latéralement du bord intérieur du segment principal. Suivant une forme préférée, le contour extérieur de la couche d'électrode de commande et le pourtour intérieur du segment principal se trouve le long d'une fr-ontière annulaire commune tracée perpendiculairement aux surfaces principales de l'élément semiconducteur. I1 sera noté qu'un léger chevauchement latéral du segment principal et de la couche d'électrode de commande peut être acceptable du moment que le voisinage latéral est maintenu. Le segment auxiliaire du second émetteur est indiqué espacé vers l'intérieur par rapport au bord extérieur de la couche d'électrode de commande de la largeur radiale de la partie intermédiaire. Le bord intérieur du segment auxiliaire se trouve vers l'intérieur au-delàde la position du-bord intérieur de la couche d'âec- trode de commande.Une couche de conduction métallique 150 ouvre la seconde surface principale de l'élément semiconducteur à partir d'un emplacement couvrant la partie intermédiaire de séparation de la seconde -base, mais espacé latéralement vers l'intérieur à partir du segment principal, à un emplacement espacé latéralement vers l'intérieur par rapport au bord intérieur de la jonction d'injection, mais latéralement vers l'intérieur par rapport au bord inférieur du segment auxiliaire. I1 sera noté que la couche de conduction métallique établit un trajet conducteur de faible impédance du segment auxiliaire à la partie intermédiaire de la seconde base en passant sur le bord extérieur de la partie de la seconde jonction émetteur associée. En analysant la construction de l'élément semiconducteur 300, il sera noté que la zone auxiliaire de la première couche émetteur et la couche de conduction 106 sont associées à une partie de la première surface prin cipale venant à recouvrement par rapport à une partie de la seconde surface principale associée au segment auxiliaire -de la seconde couche émetteur et à la couche de conduction 150 Par suite, à l'intérieur par rapport à la couche de l'électrode de commande, il existe une succession PNPN de zones qui peuvent être considérées comme un thyristor auxiliaire pour lequel la couche de conduction 106 peut servir comme anode et la couche de conduction 150 comme cathode quand la première couche émetteur est de conductivité du type P. I1 sera noté que le second contact principal IîOa la plaque d'appui supérieure lî4a et la couche de métal 118a sont modifiés du fait qu'ils ne s'étendent pas vers l'intérieur au-delà du bord intérieur du segment principal de la seconde couche émetteur, et qu'ils sont espacés légèrement vers l'extérieur à partir de ce bord. Le séparateur ou rondelle isolante 138a est positionné par rapport à la plaque d'appui supérieure et au conducteur 104 de l'électrode de commande de la même façon que la rondelle 138.Comme dans le cas de l'élément semiconducteur 200, le premier contact principal et la zone principale du premier émetteur sont associés à une partie de la première surface principale venant à recouvrement par rapport à une partie de la seconde surface principale associée au segment principal du second émetteur et du second contact principal. Ainsi, la partie de l'élément semiconducteur 300 se trouvant à l'extérieur par rapport au bord intérieur de ia couche 'électrode de commande peut être considérée comme analogue d'un thyristor à électrode de commande distante faisant passer le courant principal. Dans le dispositif de la figure 3, le passage du courant est bloqué en cas de polarisation inverse et en cas de polarisation directe en l'absence d'un signal de commande sur l'électrode de commande d'une façon similaire à celle décrite pour le cas des figures 1 et 2. Cependant, le dispositif de la figure 3 est différent du point de vue de sa caractéristique de commutation du mode bloquant à po-larisation directe-au mode conducteur. En supposant-à titre d'exemple que le premier émetteur est du type de conductivité P, de sorte que la première-borne sert comme anode-, l'augmentation de la tension positive sur la borne de l'électrode de commande par rapport à la cathode provoque le passage à la conduction de la partie formant le thyristor auxiliaire à l'intérieur par rapport au bord intérieur de la couche d'électrode de commande.Dans ce cas, le courant passe du premier contact principal latéralement à travers la première couche émetteur, latéralement à travers la couche d'électrode de commande, à travers la couche de conduction 106, à travers la zone auxiliaire, à travers les parties centrales des couches bases, à travers le segment auxiliaire de la seconde couche émetteur, à travers la couche-de condrction-l50, à travers-la partie de séparation de la seconde couche base et à travers le segment principal de la seconde couche émetteur vers le second contact principal ou cathode du dispositif. Comme dans le cas de l'élément semiconducteur 200, la chute de potentiel provoquée par le courant latéral à travers la couche d'électrode de commande provoque l'injection d'électrons à partir de la couche d'électrode de commande dans la seconde couche base pour supprimer l'épuisement de la couche associée à la jonction base En même temps, une chute de potentiel est provoquée par le courantlatéral au bord intérieur du segment principal de la seconde couche émetteur.L'injection d'électrons est ainsi provoquée à partir du bord intérieur du segment principal dans la seconde couche base pour le claquage de ia cruche d'épuisement associée à la jonction base L'efficacité de la partie formant le thyristor auxiliaire pour la commutation de la partie formant le thyristor principal pour le passage du courant principal est par suite nettement améliorée car l'injection des charges dans la jonction base bloquante a lieu simultanément par les deux côtesde celle-ci De pius, les charges frappent sur ce qui peut être considéré comme des partie, périphériques identiquement voisines ou très voisine ae la jonction nae. Il en résulte une augmentation considérable de la vitesse et de la jreré avec lesquelles le dispositif semiconducteur peut subir la commutation au mode conducteur. I1 sera noté que !es deux couches de conduction 106 et 150 n'ont pas d'association conducrrice directe avec les bornes du dispositif semiconducteur, en dehors de la commutation à travers l'élément semiconducteur. La pièce en diélectrique 122a est représentée couvrant la couche de conduction 106 à l'intérieur de la plaque d'appui inférieure 112. I1 sera noté que le diélectrique central suivant ce mode de réalisation ne s'étend pas dans la cavité 128 de la première borne 124. Cette disposition est avantageuse parce que la plaque d'appui inférieure peut se avoir après fixationà la ~première surface principale de l'élément semiconducteur comme-seu1 moyen de retenue pour le diélectrique central pendant la formation. Dans ce cas, la cavité de la borne peut être complètement supprimée.Si désiré, une pièce similaire en matière diélectrique peut être formée pour couvrir la couche de conduction 150 et la seconde surface principale de l'élément semiconducteur dans la partie située dans l'ouverture centrale de la plaque d'appui supérieure ll4a. Cette pièce en diélectrique peut être facilement consolidée par la rondelle de centrage 138a Une caractéristique du dispositif selon l'invention est que les deux couches de conduction 106 et 150 sont laissée flottantes, c'està-dire sans association ohmique conductrice directe av les bornes du dispositif, bien que des conducteurs de sortie puissent être connectés à ces couches, si cela est désiré. Par exemple, du courant peut être envoyé à travers un tel conducteur pour déclencher un ou plusieurs thyristors supplémentaires.Comme il a été indiqué, la distance entre la couche d'électrode de commande et le bord intérieur du premier contact principal est choisie pour que la première couche émetteur se trouvant entre les deux présente une résistance suffisante au passage du courant à travers le thyristor auxiliaire pour établir une différence de potentiel d'au moins la moitié de la tension de contact de la jonction d'injection pour assurer que l'écoulement du courant vers le thyristor auxiliaire soit uniformément distribué sur le tour du bord extérieur de la couche de conduction 106. De façon similaire, la distance entre le b,rd extérieur de la couche de conduction 150 et le bord intérieur du segment principal du second émetteur est choisie pour établir à travers ia partie intermédiaire de la seconde base une résistancE latérale suffisante pour obtenir une différence de potentiel en série avec le bord inférieur de la seconde jonction émetteur d'au moins la moitié de la tension de contact de cette jonction. Cela assure que le courant dans le thyristor auxiliaire s'écoule uniformément du bord extérieurde la couche de conduction 150 au bora intérieur de la seconde couche d'injection sans concentration du courant en un point de distance minimale entre les deux. Les figures 4, 5, 6A et 6B représentent un dispositif selon un autre mode de mise en oeuvre de l'invention. Les parties de ce dispositif nécessaires pour former le dispositif semiconducteur complet non représentées ou non décrites spécifiquement peuvent être identiques aux parties correspondantes du dispositif semiconducteur 100, et elles ne sont pas expliquées car elles ne sont pas nécessaires à la compréhension de l'in vention L'élément semiconducteur 400 comporte une première surface principale 402 et une seconde surface principale 404 reliées par un bord en chanfrein positif 406 et un bord en chanfrein négatif 408. L'élément semiconducteur comporte cinq couches successives entre les surfaces principales opposées Une première couche d'extrémité ou couche d'électrode de commande 410 est située à coté de la première surface principale.Une couche intermédiaire voisine ou première couche émetteur 412 est aussi située à côté de la première surface principale Une première couche base 414 est située à côté de la première couche émetteur, et une seconde couche base 416 est située entre la première couche base et la seconde couche émetteur 418 qui est la seconde couche d'extrémité à côté de la seconde surface principale Les couches voisines sont de conductivités de types opposés, de sorte que des jonctions sont formées entre les couches. Une jonction d'injection 420 est située entre la couche d'électrode de commande et la première couche émetteur. Une première jonction émetteur 422 est située entre la première couche émetteur et la première couche base.Une jonction base 424 est située entre la première et la seconde couche base, et une seconde jonction émetteur 426 est située entre la seconde couche base et la seconde couche émetteur. Il sera noté que la couche d'électrode de commande comporte une partie annulaire active intérieure 410a et une partie annulaire active extérieure 410b espacée latéralement de la première. La partie active intérieure et la partie active extérieure sont reliées de façon intégrante par des doigts radiaux ou rayons 410cl La couche d'électrode de commande forme dans la première couche émetteur plusieurs zones principales 412a, une première zone auxiliaire 412b se trouvant à l'intérieur de la partie intérieure de la couche d'électrode de commande et une seconde zone auxiliaire 412c se trouvant à l'extérieur de la partie extérieure de la couche d'électrode de commande Une zone d'injection 412d unit de façon intégrante les zones principales et les zones auxiliaires.Une couche de conduction 106a couvre toute la première zone auxiliaire 412b à coté de la première surface principale, et couvre le bord intérieur de la jonction d'injection 420. Une seconde couche de conduction 106b couvre la partie intérieure de la seconde zone auxiliaire 412c et la partie périphérique extérieure de la jonction d'injection. Plusieurs couches de conduction 106c s'étendent entre la première et la seconde couche de conduction pour les régler de façon intégranite Les couches de conduction 106c couvrent les parties en rayons de la couche d'électrode de commande et elles sont espacées de la jonction d'injection. I1 sera noté que les parties radiales 410c de la couche d'électrode de commande et les couches de conduction 106c sont associées à la première surface principale de l'élément semiconducteur se trouvant en face d'une partie de la seconde surface principale associée aux parties 438c du segment auxiliaire de la seconde couche émetteur et aux parties 150c de la couche de conduction correspondante Autrement dit, les rayons associés aux surfaces principales opposées de l'élément semiconducteur sont alignés dans une direction perpendiculaire aux surfaces princi-pales .De même, la partie de couche de conduction 106a et la zone auxiliaire 412b sont associées à une partie de la première surface principale se trouvant en face de la partie de la seconde surface principale associée à la partie 438e du segment auxiliaire et à la partie 150a de la couche de conductinn. De façon similaire, la partie de couche de conduction 106b est associée à la zone auxiliaire 412c sur la partie de la première surface principale se trouvant en face d'une partie de la seconde surface principale associée à la partie de segment auxiliaire 438b et à la partie de couche de conduction 150b.L'élément semiconducteur peut ainsi être considéré comme formant une partie de thyristor auxiliaire central se trouvant à l'intérieur du pourtour intérieur de la jonction d'injection, et une partie de thyristor auxiliaire périphérique se trouvant à l'extérieur du pourtour extérieur de la jonction d'insection. Ces deux parties du thyristor auxiliaire sont reliées de façon ohmique par les parties radiales 106c et 150c des couches de conduction. La seconde couche émetteur est divisée en un segment auxiliaire 438 et plusieurs segments principaux 440. Le segment auxiliaire comprend une partie centrale de segment auxiliaire 438e de forme annulaire et une partie de segment auxiliaire extérieure 438b qui aussi est annulaire. Ces parties annulaires du segment auxiliaire sont reliées de façon intégrante par plusieurs parties radiales 438c du segment auxiliaire. Une première partie de couche de conduction 150e couvre la partie de segment auxiliaire 438e et dépasse vers l'extérieur du pourtour de cette partie pour être en contact avec une partie de la seconde base voisine de la seconde surface principale entre la première partie annulaire du segment auxiliaire et le pourtour intérieur des segments principaux. La partie de couche de conduction 1505 est espacée latéralement vers l'intérieur à partir du bord inférieur des segments principaux.La partie de couche de conduction 150e couvre la partie annulaire 438b du segment auxiliaire et elle s'étend de façon similaire vers l'intérieur pour venir en contact avec une partie de la seconde base voisine de la seconde surface principale entre la partie annulaire 438b et les bords extérieurs des segments principaux. La partie de couche de conduction 150b est espacée latéralement des bords des segments principaux. Les parties 15-, ECb et 150c de la couche de conduction couTt-circuitent le bord de la jonction du second émetteur du segment auxiliaire le plus voisin des segments principaux. Les parties de couche de conduction 150a et 150e sont unies de façon intégrante par les parties radiales 150c de la couche de conduction couvrant les parties 438c du segment auxiliaire qui s'étendent radialement. Les parties du thyristor principal de l'élément semiconducteur se trouvent entre la partie intérieure et la partie extérieure du thyristor auxiliaire et entre les parties radiales connectant les deux parties du thyristor auxiliaire. Un premier contact principal est formé de plusieurs segments 108a associés aux zones principales 412e de la première couche émetteur. Un second contact principal est formé de plusieurs segments 110e associés aux parties de la seconde surface principale formée par les segments principaux 440. Les segments du second contact principal se trouvent à l'intérieur du pourtour des segments principaux.Les segments 108e du premier contact principal sont associés aux zones de conduction de la première couche émetteur sur les parties de la première surface principale se trouvant en face des parties de la seconde surface principale associées aux segments principaux de la seconde couche émetteur et aux segments du second contact principal. Plusieurs parties de thyristor principal sont ainsi formées. Pour éviter le contact accidentel des plaques d'appui 112e et 114~avec les parties 106c et 150c des couches de conduction, ces plaques d'appui comportent des rainures 152 et 152e sur les faces intérieures. Comme les surfaces principales extérieures des plaques d'appui ne sont pas modifiées, les couches de métal 116e et 118b peuvent être pratiquement identiques aux couches 116 et 118 des cas précédents. Le dépôt du plot d'électrode de commande formé par métallisation 102 peut aussi être identique à ceux des cas précédents. Une pièce annulaire en diélectrique 120e peut être formée de façon similaire à la pièce en diélectrique 120.La pièce en diélectrique 122b est formée d'un verre de passivation appliqué à la première surface principale de l'élément semiconducteur avant son association avec la plaque d'appui inférieure 112a. - Le dispositif selon l'invention représenté sur les figures 4, 5, 6A et 6B est analogue à celui de la figure 3 en ce qui concerne ses caractéristiques générales de foncti-nnnement,-meis il possède des avantages de commutation en plus de ceux déjà décrits. Pendant le passage à la conduction en polarisation directe et du fait d'un signal de commande, la partie centrale du thyristor auxiliaire de l'élément semiconducteur 400 a un comportement général semblable à celui du thyristor auxiliaire de l'élément semiconducteur 300.Cependant, une partie du courant passant par les couches de conduction 106c et 150e est de plus shuntée latéralement par les parties de conduction 106c et 150c vers les parties annulaires extérieures 106b et 150e de ces couches de conduction. I1 en résulte le passage à la conduction de la partie extérieure annulaire du thyristor auxiliaire de l'élément semiconducteur.Le claquage de la jonction base par l'injection des charges dans les couches par les côtés opposés de cellestci étale latéralement-vers l-'extérieur le passage à la conduction des parties du thyristor priciprl, mais aussi la couche d'épuisement de la jonction base subit le claquage à côté des bords extérieurs des segments principaux et les passages à la conduction progressent aussi vers l'intérieur. La vitesse de passage à la conduction du dispositif global est augmentée du fait du passage à la conduction progressant vers l'intérieur et vers l'extérieur simultanément des parties du thyristor principal. Un autre avantage particulier de l'élément semiconducteur 400 peut être apprécié en considérant la possibilité de passage à la conduction du dispositif du fait de courants superficiels avec une vitesse élevée d'accroissement de la tension de l'avalanche provoquée par une différence du potentiel extrêmement élevée appliquée aux bornes principales de passage du courant, c'est-à-dire des mécanismes de passage à conduction provoqués par des moyens autres qu'un signal appliqué à l'électrode de commande. Par exemple, en considérant le cas où élément semiconducteur n'est pas convenablement chanfreiné ou passivé sur un pourtour extérieur, il est facile de voir qu'une tension transitoire peut provoquer le passage à la conduction du dispositif à coté de son pourtour e-xtérieur.Dans un thyristor classique, la densité importante de courant résultant d'un passage à la conduction de cette façon provoque le surchauffage localisé et la destruction de l'élément semiconducteur. Même dans un dispositif selon l'invention, la partie centrale du thyristor extérieur étant éloignée du pourtour de l'élément semiconducteur est inefficace pour protéger le dispositif contre une valeur excessive localisée de di/dt à coté du bord extérieur du dispositif. Cependant, la partie annulaire extérieure du transistor auxiliaire est facilement rendue conductrice par le courant périphérique et elle permet la protection du dispositif contre la destruction par passage localisé à la conduction au bord ou près du bord de l'élément semiconducteur.Même si l'élément semiconducteur est convenablement chanfreiné et passivé, pour empêcher que des courants superficiels provoquent la conduction de l'élément semiconducteur, le passage de la conduction du dispositif dans une zone localisée du fait de l'avalanche à travers la masse de l'élément semiconducteur peut cependant avoir lieu, et le dispositif peut être détruit à moins que la densité de courant soit maintenue à une valeur faible par l'étalement rapide du courant. En distribuant les parties du transistor auxiliaires de façon qu'elles se trouvent dans la partie centrale ainsi que sur le pourtour extérieur de l'élément semiconducteur, la possibilité de passage à la conduction d'une partie du thyristor auxiliaire et l'accélération de l'étalement du courant avant l'endom- magement de l'élément semiconducteur sont augmentées. La figure 7 représente un dispositif selon l'invention d'une façon générale semblable à celui de la figure 3 mais qui comporte un nouveau dispositif ballast. La structure de l'élément semiconducteur et les couches de conduction sont seules décrites en détail, parce que les autres parties du dispositif peuvent être identiques à celles décrites par rapport à la figure 3. L'élément semiconducteur 500 comporte une première surface principale 502 et une seconde surface principale 504 reliées par une surface périphérique en chanfrein positif 506 et une surface périphérique en chanfrein négatif 508. Une couche d'électrode de commande ou d'extrémité et divisée en un segment extérieur actif 510e et un segment intérieur ballast 510b. Une première couche émetteur 512 est située immédiatement à côté de la couche d'électrode de commande. Après la première couche émetteur,est est formée une première couche base 514 suivie d'une seconde couche base 516. Une seconde couche -émetteur 518 est formée à côté de la- seconde surface principale. Les couches voisines on des conductivités de types opposés de sorte qu'une jonction d'injection 520 est formée entre la couche d'électrode de commande et la première couche émetteur, une première jonction émetteur 522 est formée entre la première couche émetteur et la première couche base, une jonctinn base 524 est formée entre les couches bases, et une seconde jonc tion émetteur 526est située entre la seconde couche base et la seconde couche émetteur. La seconde couche émetteur est divisée en deux segments auxiliaires 538a et 538b le segment 538a étant le segment auxiliaire actif et le segment 538b le segment auxiliaire ballast. La seconde couche émetteur comporte de plus un segment principal 540. Les caractéristiques de blocage de la tension de 1 'élément semiconducteur 500 peuvent être identiques à celles de l'élément semiconducteur 300. Quand la première couche émetteur est de conductivité type P et quand le premier contact principal associé å cette couche est à un potentiel positif par rapport au potentiel du second contact principal, l'élément semiconducteur 500 peut être rendu conducteur en rendant la borne d'électrode de commande du dispositif positive par rapport à la borne formant la cathode du dispositif. Cela provoque la conduction de la partie formant le thyristor auxiliaire se trouvant latéralement à l'intérieur du segment extérieur 510e de la couche d'électrode de commande. L'anode du thyristor-auxiliaire est formée par une couche de conduction annulaire 154 et la cathode est formée par la couche de conduction annulaire 156.La couche émetteur oala cathode du thyristor auxiliaire est formée par le segment auxiliaire 538å I1 sera noté que la couche de conduction 154 est décalée latéralement-par rapport au segment auxiliaire 538e. Le passage du courant dans le thyristor auxiliaire a lieu à partir du premier contact -principal latéralement à travers la première couche émetteur vers le segment extérieur de la couche d'électrode de commande, latéralement à travers le segment extérieur de la couche d'électrode de commande vers la couche de conduction 153, de la couche de conduction 154 à travers la première couche émetteur et les couches bases vers le segment auxiliaire intérieur 538e de la seconde coche émetteur, latéralement à travers la couche de conduction 156 et latéralement à travers la seconde couche base vers le bord intérieur du segment principal de la seconde couche émetteur vers le second contact principal Normalement, aucune partie appréciable du courant ne passe à travers le segment intérieur de la couche d'électrode de commande ni à travers le segment auxiliaire extérieur de la seconde couche émetteur. La conduction de la partie formant le thyristor principal de l'élément semiconducteur 500, identique à la partie correspondante de l'élément semiconducteur 300, est provoquée par injection simultanée d'électrons à partir du bord extérieur de la couche d'électrode de commande et du bord intérieur du segment principal de la seconde couche émetteur. L'avantage de la disposition de l'élément semiconducteur 500 est l'assurance que l'injection des charges ait lieu sur tout le pourtour in térieur du segment principal de la seconde couche émetteur et sur tout le pourtour extérieur de la couche d'électrode de commande au lieu d'avoir lieu seulement en un point localisé. Pour les modes de réalisation précédents, il doit être noté qu'il est considéré une résistance minimale pour la partie de la première couche émetteur faisant passer le courant au thyristor auxiliaire à partir-du premier contact principal. Dans le cas de la figure 7, une résistance série est formée par le décalage latéral de la couche de conduction 154 par rapport au segment auxiliaire intérieur de la seconde couche émetteur.Le segment intérieur de la couche d'électrode de commande contribue aussi à la valeur de la résistance série en réduisant la largeur de la première couche émetteur disponible pour le passage du courant. Un passage uniforme à la conduction du bord intérieur du segment principal du second émetteur est assuré par l'effet croissant de résistance série du segment auxiliaire extérieur de la seconde couche émetteur, ce segment n'étant pas disponible pour le passage du courent, ce qui réduit la largeur de la seconde couche base disponible pour le passage du courant. Bien que l'invention soit décrite ci-dessus en considérant plusieurs modes de mise en oeuvre préférés, il doit être noté que de nombreuses variantes sont possibles. Par exemple, bien que la capsule ou enveloppe de la figure 1 soit préférable, il est évident que de nombreuses autres formes de capsules ou d'enveloppes sont possibles ou connues et peuvent remplacer la capsule de la figure 1 en totalité ou partiellement. I1 n'est pas nécessaire que la capsule soit scellée hermétiquement, mais quand elle est scellée hermétiquement, la pièce en diélectrique 120 peut être supprimée. Bien que le fonctionnement soit décrit ci-dessus en considérant la première couche émetteur comme une couche de conductivité type P et la première borne comme une anode, il doit être noté que la première couche émetteur peut être de conductivité type N, la première borne pouvant servir comme cathode. De même, bien que l'invention soit décrite ci-dessus en considérant un élément semiconducteur à électrode de commande centrale, un dispositif selon l'invention peut comporter une électrode de commande périphérique, une électrodede commande positionnée latéralement, une électrode de commande distribuée ou d'autres combinaisons géométriques courantes pour les thyristors. Le conducteur de l'électrode de commande n'a pas besoin d'être associé à la seconde couche base, et il peut être associé à la première couche base si cela est désiré. Par exemple, en supposant une électrode de commande périphérique distribuée, la fixation du conducteur d'électrode de commande pour un dispositif du type des figures 4, S, 6A et 6B peut être faite périphériquement à l'extérieur de la seconde couche émetteur. Dans ce cas, le segment auxiliaire intérieur de la seconde couche émetteur peut être supprimé, bien que cela ne soit pas nécessaire, et il en est de même de la partie intérieure de la couche d'électrode de commande. Avec l'électrode de commande centrale, la partie extérieure de la couche d'électrode de commande ou la partie extérieure du segment auxiliaire de la seconde couche émetteur peut être supprimée sans perte de l'aptitude au passage à la conduction du dispositif du fait de couratit non engendré par l'électrode de commande. Les rayons du segment auxiliaire peuvent être conservés même si les parties extérieures ou intérieures du segment auxiliaire sont supprimées, car il sera noté que ces rayons du segment auxiliaire sont actifs pendant le passage à la conduction du dispositif.Le nombre de parties radiales ou de rayons associés à la première surface principale et à la-seconde surface principale n'a pas une importance critique, le nombre de quatre étant donné seulement à titre d'exemple La formation de rainures dans les plaques d'appui pour éviter le contact avec les parties radiales des couches de conduction n'est pasessentielle Ces parties radiales peuvent être couvertes par une couche mince isolante ou bien peuvent être suffisamment minces par comparaison à l'épaisseur des contacts principaux pour que les plaques d'appui ne touchent pasrces couches. En variante, les parties de couches de conduction s'étendant radialement peuvent être associées à des parties de l'élément semiconducteur creusé par gravure sur les surfaces principales pour qu'il existe un jeu entre les couches de conduction et les plaques d'appui. I1 sera remarqué que les parties s'étendant radialement du segment auxiliaire et de la couche d'électrode de commande peuvent être complètement supprimées quand les parties radiales des couches de conduction sont supprimées. Dans ce cas, la connexion shunt de conduction entre les parties annulaires intérieures et extérieures des couches de conduction peut être formée par des fils shunt séparés, conve- nablement isolés, ou par d'autres moyens séparés de connexion.Suivant un mode de réalisation, les parties s'étendant radialement des couches de conduction peuvent être isolées electriquement des surfaces principales de l'élé- ment semiconducteur tout en étant supportées par celui-ci. Dans ce cas aussi, les parties radiales du segment de l'électrode de commande et du segment auxiliaire peuvent être supprimées. Cela a l'avantage de permettre la formation unitaire de ia partie forant le thyristor principal au lieu que cette partie soit subdivisée en secteurs de cercles de la façon représentée. La résistance entre le bord extérieur de la couche d'électrode de commande et le bord intérieur du premier contact principal peut être augmentée par gravure de l'élément semiconducteur à partir de sa première surface principale. De même, la résistance entre le bord extérieur de la couche de conduction et le bord intérieur du segment principal du second émetteur peut être augmentée par gravure de l'élément semiconducteur à partir de sa seconde surface principale. Aucune de ces approximations n'est cependant aussi désirable que l'incorporation de segments diffusés de la façon représentée sur la figure 5 parce que la profondeur de diffusion peut être commandée avec une plus grande précision que la profondeur de gravure. En plus de la connexion en court-circuit de la seconde base au second contact principal de la façon représentée, la première base peut être connectée en court-circuit au premier contact principal d'une façon analogue. Bien que cela soit préférable pour la stabilité du dispositif d'une façon connue, la connexion en courS circuit de l'une ou l'autre ou des deux bases aux contacts principaux n'est pas nécessaire. Bien entendu, la description qui précède n'est pas limitative et l'invention peut être mise en oeuvre suivant d'autres variantes sans que l'on sorte de son cadre. REVENDICATIONS 1. Redresseur commandé du type "thyristor", caractérisé par un élément semiconducteur comportant cinq couches de conductivités de types opposés, ces couches étant interposées de façon que les couches voisines aient des conductivités de types opposés pour former des jonctions P-N, ces couches comportant une première couche d'extrémité et une première couche intermédiaire immédiatement voisine de la couche d'extrémité, la première couche intermédiaire comportant une zone principale et une zone auxiliaire, la première couche d'extrémité étant interposée entre ces deux zones, et une zone d'injection unissant de façon intégrante la zone principale à la zone auxiliaire, un premier contact principal associé ohmiquement à la zone principale, un second contact principal associé à une autre couche d'extrémité, un contact d'électrode de commande associé ohmiquement à une couche intermédiaire autre que la première couche intermédiaire, et un dispositif pour établir un trajet conducteur formant un pont court-circuitant la jonction entre la zone auxiliaire et la première couche d'extrémité. 2. Redresseur selon la revendication 1, caractérisé par un dispositif isolant le dispositif formant le trajet conducteur court-circuitant la jonction contre l'association conductrice avec les contacts principaux en dehors de la conduction à travers l'élément semiconducteurv 3. Redresseur selon la revendication 1, caractérisé par un élément diélectrique situé à côté d'une partie de l'élément semiconducteur décalé latéralement du premier contact principal et couvrant la première couche d'extrémité et le dispositif formant le trajet conducteur court-circuitant la jonction. 4. Redresseur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'électrode de commande est associée à une partie centrale de la seconde surface principale de I'élément semiconducteur et la première couche d'extrémité est annulaire et espacée à l'extérieur de ltelectrode de commande. 5. Redresseur selon la revendication 1, caractérisé par une résistance série associée à la première couche intermédiaire pour assurer un passage uniforme à la conduction périphérique de la zone principale. 6. Redresseur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche d'extrémité est divisée en un premier segment fixe voisin de la zone principale et servant comme source d'injection de charges, et un second segment espacé latéralement et espacé de la zone principale par le premier segment, le second segment réduisant la largeur de la première couche intermédiaire voisine afin d'augmenter la résistance latérale de cette première couche intermédiaire. 7, Redresseur selon la revendication 1, caractérisé par un dispositif associé au pourtour de l'élément semiconducteur pour réduire les courants superficiels. 8 Redresseur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche d'extrémité est située latéralement à l'intérieur de la zone principale, l'élément semiconducteur comportant un bord périphérique en cbanfrein pour réduire les gradients de tension superficielle. 9. Redresseur selon la revendication 1, caractérisé par un dispositif formant une borne pour le passage du courant principal, une plaque cnnductrice entre cette borne et le premier contact principal et un dispositif en diélectri- que associé à l'élément semiconducteur et positionnant la plaque par rapport à la borne. 10. Redresseur commandé du type thyristor, caractérisé par un élément semiconducteur comportant cinq couches de conductivités de types opposés entre deux surfaces principales opposées, ces couches étant interposées de façon que les couches voisines aient des conductivités de types opposés pour former plusieurs jonctions P-N, les couches comportant une première couche d'extrémité et une première couche intermédiaire voisine de la première couche d'extrémité, la première couche intermédiaire comportant une zone principale et une zone auxiliaire, la première couche d'extrémité étant interposée entre ces deux zones et une zone d'injection unissant de façon intégrante la zone principale et la zone auxiliaire, un premier contact principal associé ohi!* ement à la première zone principale, un dispositif formant un trajet conducteur formant un pont court-circuitant la jonction entre la zone auxiliaire et la première couche d'extrémité, un second contact principal associé ohmiquement à une seconde couche d'extrémité, cette seconde couche d'extrémité comportant une partie principale et une partie auxiliaire, le premier contact principal, le second contact principal, la partie principale et la zone principale étant associés à des zones se trouvant face à face des surfaces principales opposées, le second contact principal, la partie auxiliaire, la zone auxiliaire et le dispositif formant le trajet conducteur étant associés à des zones face à face des surfaces principales opposées, et un contact d'électrode de commande associé ohmiquement à une couche intermédiaire autre que la première couche intermédiaire dans une position décalée latéralement de la zone principale par la zone d'injection. 11. Redresseur commandé du type thyristor, caractérisé par un élément semiconducteur comportant cinq couches de conductivités de types opposés entre deux surfaces principales opposées, les couches étant interposées de façon que les couches voisines aient des conductivités de types opposés et forment plusieurs jonctions P-N, ces couches comportant un première couche d'extrémité et une première couche intermédiaire immédiatement voisine de la première couche d'extrémité, la première couche d'extrémité comportant une zone principale et une zone auxiliaire, la première couche d'extrémité étant interposée entre ces deux zones, et une zone d'injection unissant de façon intégrante la zone principale et la zone auxiliaire, une seconde couche d'extrémité divisée par une seconde couche inrermédiaire voisine en un segment auxiliaire et un segment principal, un premier dispositif formant un trajet conducteur constituant un pont court-circuitant la jonction entre la zone auxiliaire et la première couche d'extrémité, un second dispositif formant un trajet conducteur formant un pont court-circuitant la jonction entre le segment auxiliaire et une partie de la seconde couche intermédiaire voisine du segment principal, un premier contact principal associé ohmiquement à la zone principale, un second contact principal associé ohmiquement au segment principal, le premier contact principal, le second contact principal, la zone principale et le segment principal étant associés à des zones face à face des surfaces principales opposées, le premier dispositif formant un trajet conducteur, la zone auxiliaire et le segment auxiliaire étant associés à des zones face à face des surfaces principales opposé-es, la première couche d'extrémité étant située latéralement à proximité du segment principal, et un contact d'électrode de commande associé ohmiquement à une couche intermédiaire autre que la première couche intermédiaire en une position décalée de la zone principale de conduction par la zone d'injection. 12. Redresseur selon la revendication 11, caractérisé en ce que le segment auxiliaire de la seconde couche d'extrémité est divisé en un premier segment auxiliaire et en un second segment auxiliaire espacés latéralement, le premier segment auxiliaire étant associé au second dispositif établissant un trajet conducteur et le second segment auxiliaire étant espacé latéralement du premier segment auxiliaire et étant inte'rposé entre le premier segment auxiliaire et le segment principal en réduisant la largeur de la seconde couche intermédiaire voisine pour augmenter la résistance latérale de la seconde couche intermédiaire. 13. Redresseur commandé du type thyristor, caractérisé par un élément semiconducteur comportant,cinq couches de conductivités de types opposés entre des surfaces principales opposées, ces couches étant interposées de façon que les couches voisines aient des conductivités de types opposés pour former plusieurs jonctions P-N, ces couches comprenant une première couche d'extrémité et une première couche intermédiaire voisine de cette première couche d'extrémité, la première couche d'extrémité étant formée de plusieurs premiers segments espacés latéralement, la première couche intermédiaire comprenant une zone principale entre les premiers segments espacés latéralement, une zone auxiliaire séparée de la zone principale par l'un des premiers segments et plusieurs zones d'injection se trouvant à l'intérieur par rapport aux premiers segments, les zones étant unies les unes aux autres de façon intégrante, un premier contact principal associé ohmiquement à la zone principale, un dispositif formant un trajet conducteur formant un pont court-circuitant la jonction entre la zone auxiliaire et plusieurs des premiers segments, un dispositif de contact supplémentaire associé ohmiquement à une seconde couche d'extrémité comportant une partie principale et une partie auxiliaire, la partie auxiliaire, la zone auxiliaire, le dispositif formant le trajet conducteur et le dispositif de contact supplémentaire étant associés à des zones face à face des surfaces principales opposées, le premier contact principal, la partie principale, la zone principale et le dispositif de contact supplémentaire étant associés à des zones face à face des surfaces principales opposées, et un contact d'électrode de commande associé à une couche intermédiaire autre que la première couche intermédiaire en une position décalée de la zone principale par l'une des zones d'injection. 14. Redresseur selon la revendication 13, caractérisé par une seconde couche intermédiaire voisine de la seconde couche d'extrémité et séparant la partie principale et la partie auxiliaire en les espaçant latéralement; le dispositif de contact supplémentaire comportant un second contact principal associé à la partie principale, et un dispositif formant un trajet conducteur formant un pont court-circuitant la jonction entre la partie auxiliaire et une partie de la seconde couche intermédiaire séparant la partie principale de la partie intermédiaire. 15. Redresseur selon la revendication 13, caractérisé en ce que les segments auxiliaires sont unis de façon intégrante. 16. Redresseur selon la revendication 13, caractérisé en ce que les segments auxiliaires sont unis de façon intégrante et le dispositif formant des trajets conducteurs comprend un dispositif de conduction associé ohmiquement à l'élément semiconducteur à la jonction intégrante des segments auxiliaires. 17. Redresseur selon la revendication 13, caractérisé en ce que les segments auxiliaires sont si tués à côté de parties espacées du bord de la zone principale et les segments auxiliaires comportent des dispositifs d'înterconnaxion. 18. Redresseur selon la revendication 13, caractérisé par plusieurs zones auxiliaires, chacune séparée de la zone principale par l'un des segments auxiliaires. 19. Redresseur commandé du type thyristor, caractérisé par un cristal semiconducteur comportant cinq couches de conductivités de types opposés entre les surfaces principales opposées, ces couches étant Interposées de façon que les couches voisines aient des conductivités de types opposés pour former plusieurs jonctions P-N, ces couches comprenant une première couche d'extrémité et une première couche intermédiaire immédiatement voisine de la première couche d'extrémité, la première couche d'extrémité étant formée par plusieurs parties actives espacées latéralement, la première couche intermédiaire comprenant une zone principale s'étendant entre les parties actives espacées latéralement, plusieurs zones auxiliaires, chacune séparée de la zone principale par l'une des parties actives, et une zone d'injection située directement à l'intérieur par rapport à la première couche d'extrémité et unissant de façon intégrante les zones, un premier contact principal associé ohmiquement à la zone principale, un premier dispositif formant un trajet conducteur formant un pont court-circuitant la jonction entre chaque bord auxiliaire et la partie active voisine, une seconde couche d'extrémité divisée par une seconde couche intermédiaire voisine ne en un segment principal et un segment auxiliaire comprenant des parties auxiliaires actives espacées, un second dispositif formant un trajet conducteur formant un pont court-circuitant la jonction entre les parties auxiliaires actives espacées et la seconde couche intermédiaire voisine du segment principal, un second contact principal associé ohmiquement au segment principal, le premier contact principal, le second contact principal, la zone principale et tSr segment principal étant associés à des zones face à face des surfaces principales opposées, le premier dispositif de trajet conducteur, les zones auxiliaires et le segment auxiliaire étant associés à des zones face à face des surfaces principales opposées, les parties actives ayant un bord latéralement à proximité du segment principal, et un contact d'électrode de commande associé ohmiquement à une couche intermédiaire autre que la première couche intermédiaire en un emplacement décalé latéralement de la zone principale de conduction par l'une des zones d'injection. 20. Commutateur semiconducteur, caractérisé par un cristal semi conducteur unique comportant intégrées une partie de cristal de thyristor principal à électrode de commande distante et une partie de cristal formant un thyristor auxiliaire, chaque partie de cristal formant un thyristor compre nant une première couché émetteur, une première couche base, une seconde couche base et une seconde couche émetteur séquentiellement, les couches voisines ayant des conductivités de types opposés et formant entre elles plusieurs jonctions P-N, les couches correspondantes du thyristor principal et du thyristor auxiliaire étant unies de façon intégrante, la partie de cristal formant le thyristor principal comportant de plus une couche d'électrode de commande formant unt couche d'extrémité adjacente à la première couche émetteur et se trouvant à côté de la jonction entre les parties du cristal formant les thyristors, un dispositif formant une électrode de commande associé à l'une des couches bases du thyristor auxiliaire, un dispositif formant un trajet conducteur formant un pont court-circuitant la jonction entre la première couche émetteur auxiliaire et la couche principale d'électrode de commande, un contact principal pour le pa-ssage du courant associé ohmiquement à la première couche émetteur du thyristor-principat; et un dispositif de contact suppIémentaire associé ohmiquement aux secondes couches émetteurs. 21. Commutateur semiconducteur caractérisé par un cristal semiconduc teur unique dans lequel sont intégrées une partie de cristal formant un thyristor principal à électrode de commande distante et une partie de cristal formant un thyristor auxiliaire la partie de cristal formant le-thyristor principal -comportant une couche d'électrode-de commande, une première couche émetteur, une première couche base, une seconde couche base et une seconde couche émetteur séquentiellement, les couches voisines ayant des conductivités de types opposés, et formant entre elles des jonctions P-N, la partie de cristal, formant le thy ristor auxiliaire contenant une première couche émetteur, une première couche base, une seconde couche base, et une seconde couche émetteur séquentiellement, les couches voisines ayant des conductivités de types opposés et formant entre elles plusieurs jonctions P-N, les couches correspondantes du thyristor principal et du thyristor auxiliaire étant unies de façon intégrante, la couche d'électrode de commande se trouvant à côté de la jonction des thyristors, un dispositif for mant une électrode de commande associé à l'une des couches bases du thyristor auxiliaire, une borne commune associée aux secondes couches émetteurs des thyris- tors, des dispositifs formant des bornes pour le passage du courant associés sépa rément chacune des premières couches émetteurs de transistors et espacés latéra lement de la couche d'électrode de commande, et un dispositif établissant un trajet conducteur entre le dispositif formant la borne séparée du thyristor auxiliaire et un bord de la couche d'électrode de commande voisin du thyristor auxiliaire pour polariser latéralement la couche d'électrode de commande en réponse à un signal appliqué à l'électrode de commande, de façon que l'injection des charges par la couche d'électrode de commande dans la couche de base formant une anode ait lieu préférentiellement le long d'un bord le plus voisin du dispositif formant la borne de passage de courant associée à la première couche émetteur du thyristor principal. 22. Commutateur semiconducteur selon la revendication 21, caractérisé en ce que le dispositif formant le thyristor auxiliaire est situé à côté des extrémités latérales opposées du disposvitif formant le thyristor principal 23. Commutateur semiconducteur selon la revendication 21, caractérisé par un dispositif isolant le dispositif formant le trajet conducteur formant un pont court-circuitant la jonction contre l'association conductrice avec le dispositif formant la borne de passage du courant autre qu'à travers le cristal semiconducteur. 24. Commutateur semiconducteur caractérisé par un cristal semiconducteur unique dans lequel sont intégrées une partie de cristal formant un thyristor principal à électrode de commande distante et une partie de cristal formant un thyristor auxiliaire, chaque partie de cristal formant un thyristor comprenant une première couche émetteur, une première couche base, une seconde couche base, et une secnnde couche émetteur séquentiellement, les couches voisines ayant des conductivités de types opposés et formant entre elles plusieurs jonctions P-N, la partie de cristal formant le thyristor principal comprenant de plus une couche d'électrode de commande constituant une couche d'extrémité voisine de la première couche émetteur et se trouvant à coté de la jonction entre les parties du cristal formant les thyristors, les premières couches émetteurs et les couches bases du cristal étant unies de façon intégrante et les secondes couches émetteurs du thyristor principal et du thyristor auxiliaire étant espacées latéralement, un dispositif formant une électrode de commande associée à l'une des couches bases du thyristor auxiliaire, un premier dispositif formant un trajet conducteur formant un pont court-circuitant la jonction entre la première couche auxiliaire ét la couche d'électrode de commande principale, un second dispositif formant un trajet conducteur formant un pont court-circuitant la jonction entre la seconde couche émetteur auxiliaire et une partie de la seconde couche base voisine de la seconde couche émetteur, et des contacts principaux associés ohmiquement aux couches émetteurs principales.