FR 2132866 A1 19721124 FR 7212721 A 19720412 72 12721 1 2132866 Les systèmes hyperfréquences utilisant des propriétés de masse Se semi-conducteurs et/ou des caractéristiques de Jonction telles que les diodes à avalanche, les diodes à effet de masse ou les diodes Gunn peuvent être agencés de manière à fonctionner ^ 5 des fréquences largement supérieures.à celles qu'on peut obtenir économiquement ..ou pratiquement dans le cas, des transistors. Toutefois, ces dispositifs engendrent des -quantités de chaleur considérables dans l'élément semi-conducteur et leur puissance de sortie moyejme est limitée par la vitesse a laquelle on peut éliminer cette 10 chaleur. - L'invention permet d'augmenter la puissance de sortie et/ou le rendement de dispositifs semi-conducteurs hyperfréquence en abaissant la résistance thermique entre la source de chaleur situéedans la région semi-conductrice d'un dispositif semi-conduc-15 teur à jonction et un dissipateur de chaleur :présentant une conduc-tivité thermique plus grande que celle de ladite région semi-conductrice. L'expression "dispositif semi-conducteur à jonction" - dans soq acception utilisée ici est destinée à couvrir tous les dispositifs* dans lesquels un écart énergétique existe entre deux 20 régions adjacentes. Etant donné que la puissance de sortie de tels dispositifs*est limitée par la puissance d'entrée maximale qui peut leur être appliquée sans échauffement excessif., toute accélération de ltéva'cua%ion de la chaleur hors de la région semi-conductrice qui la produit augmenté la puissaneë d'entrée maximale moyenne et, 25 par conséquent, également la puissance de sortie moyenne maximale. ■ En outre, dans certains dispositifs" semi-conducteurs à jonction tels que certains dispositifs s avalanche fonctionnant suivant le'mode d'oscillation "TRAPATT", une telle augmentation de puissance.permet une augmentation de rendement étant donné que ^0 les densités de courant nécessaires pour assurer un rendement maximal, qui .peut dépasser 40 %, exigeaient jusqu'à présent un fonctionnement (intermittent ou puisé tandis qu'en améliorant la dissipation dè la chaleur, on peut rendre les impulsions plus longues ou même si ôn le désire, de tels dispositifs à mode "TRAPATT" peu-35 vent être agencés de manière à fonctionner efficacement comme des dispositifs à ondes pratiquement non amorties. Plus précisément, l'invention prévoit l'utilisation de jonctions très allongées dans lesquelles une dimension transversale particulière qu'on peut désigner sous le nom de "largeur" A 72 12721 2 2132866 de la région active dite "région d'avalanche" où la majeure partie de la chaleur est engendrée., est choisie largement inférieure à dix f ois ' 1 répa.isseur de ladite région. La jonction adjacente à la région d'avalanche est disposée en contact thermique intime avec un dissipateur de chaleur cui se prolonge largement au de ladite reglcn active ou est considérablement plus large que celle-ci. En outre, la Demanderesse a trouvé que la résistance thermique peut e'tre considérablement réduite si 1 en forme une jonction avec-une mince couche de matériau en contact avec un élément -lq semi-conducteur- Or. peut utiliser, a cet effet, une couche de métal, d'un matériau semi-conducteur du rousse r ype eue celui dudit élément ou ri'un type différent, .et/ou d'un autre «lat-ériau désiré quelconque capable de former une jonction av°e ledit élénent et avec lequel on peut établir une bonne liaison On .forme un dissipa it: tenr de chaleur en dé pesant sur ladite touche nir.ee. i-n' matériau d'une conductivité thermioue plue grands que celle de ladite couche étant donné aue certains métaux tels nue l'or se comportant comme de bons conducteurs de la chaleur peuvent, à des températures élevées, diffuser dans l'élément semi-eord'ioteur, la mince couche de 20 matériau utilisée pour former la jonction peut également être utilisée comme barrière de diffusion. Par exemple, si l'élément semiconducteur est en arséniure de gallium du type N dopé, par exemple, au soufre ou au tellure., la couche formant barrière de diffusion peut être du platine. 2^ L'invention prévoit encore la formation du .dispositif par croissance épitaxiale d'une couche de matériau.semi-conducteur sur un substrat' semi-conducteur, de manière à former une jonction de barrière, plaquage d'un dissipateur de chaleur d'une épaisseur suffisante pour établir un parcours de- dissipation de chaleur à jC faible résistance thermique jusqu'à la couche formant barrière et élimination du matériau semi-conducteur sur le coté opposé de la jonction pour réduire l-épaisseur de l'élément semi-conducteur de façon que la majeure partie de celui-ci soit utilisée comme région active ou d'avalanche. La surface de l'élément semi-conducteur op--ztjposée à celle qui est utilisée pour former la jonction barrière est ~alors revêtue de métal et des parties choisies de ce métal et de l'élément semi-conducteur aous-jacent adjacentes à3a légion active sont alors éliminées par corrosion. Cette couche de métal peut être une cniche d'or évaporée déposée sur une couche de platine évaporée et iinqui forme une ionction barrière avec l'arséniure de gallium si la D ORIGINAL 72 12721 3 2132866 totalité de 1'élément en arséniure de gallium est dopée avec une impureté du type N. Toutefois, cette jonction est normalement polarisée dans le sens direct et présente, par conséquent, une faible résis-5 tance au cours du fonctionnement du système. L'invention prévoit également que la résistance à travers l'élément en arséniure de gallium, qui réduit le gain et le rendement peut être abaissée en utilisant une région fortement dopée ou région N + sur le côté de la région d'avalanche de l'élé-10 ment semi-conducteur opposé à celui qui est adjacent au dissipateur de chaleur plaqué. Etant donné que la région N + est d'une faible résistance, son épaisseur est moins critiaue que celle de la région N - ou région d'avalanche. En conséquence, l'invention prévoit qu'on peut contrôler de façon précise l'épaisseur de la 15 couche N- par croissance épitaxiale de cette couche sur un substra t de matériau N+. La couche N- présente une épaisseur et une densité de porteurs suffisants pour donner lieu à un ohénomène d'avalanche lorsqu'une tension de polarisation inverse est appliquée à la jonction formée avec cette région N- sans que les régions d'aooauvris-20 sement pénètrent jusque dans la région N+. Un potentiel de courant continu est maintenu entre les couches métalliques de part et d'autre du matériau semi-conducteur, ce potentiel étant d'une polarité propre à polariser en inverse la jonction adjacente au dissipateur de chaleur et à provoquer un 25 transfert de la charge d'espace de la jonction polarisée en inverse jusque dans l'élément semi-conducteur. Ce potentiel est, de préférence, fourni par an générateur de courant constant tel aue la polarisation inverse de tension appliquée à la jonction croisse jusqu'à ce que l'avalanche et l'amplification se produisent. La région d'ava-30 lanche peut amplifier un signal d'entrée provenant d'une source hyperfréquence extérieure si le dispositif est utilisé comme amplificateur de signaux extérieurs ou comme oscillateur. Etant donné oue de tels dispositifs ont une impédance relativement faible aux hyperfréauences, il est désirable que les 35 couches métalliques opoosées, qui peuvent être considérées comme une capacité entre plaques parallèles, soient maintenues au minimum nécessaire pour entretenir le champ de courant continu à l'intérieur de l'élément semi-conducteur en éliminant les régions inutilisées du matériau semi-conducteur. 40 D'autres caractéristiaues de l'invention apparaîtront 2132866 au cours de la description qui va suivre. Aux"dessins annexés donnés uniquement à titre d'exemple : la Fig. 1 est une vue en plan du dessus d'un dispositif semi-conducteur suivant l'invention ; 5 la Pig. 2 est une vue en coupe transversale du dispositif représenté sur la Fig. 1, suivant la ligne 2-2 de cette figure ; la Fig. 3 est une vue étalée de l'une des régions de jonction de la Fig. 2 ; la Fig. 4 représente un mode de réalisation de l'inven-10 tion montrant le dispositif des Fig.l, 2 et 3 monté en oscillateur couplé avec une charge, et la Fig. 5 représente un mode de réalisation de l'invention incorporé à un système d'amplification de signaux hyperfré-quence extérieurs. 15 On va tout d'abord examiner les Fig. 1 à 3 sur lesquelles est représentée une mince plaquette 10 qui peut être, par exemple, en un matériau de bonne conductivité thermique quelconque tel que de l'or. Pour ^n dispositif d'une puissance de sortie de quelques watts, la plaquette 10 peut être, par exemple, d'une épaisseur de 20 0,175 à 0,25 mm et peut présenter, par exemple, la forme d'un carré de 1,65 mm de côté. La plaquette 10 porte un élément semi-conducteur 11 qui peut être en un matériau désiré quelconque tel que de 1'arséniure de gallium, du silicium ou du phosphure d'indium. Dans l'exemple considéré ici, l'élément semi-conducteur 11 présente une 25 épaisseur de l'ordre de 10 microns et une dimension transversale minimale au niveau de la plaquette dissipatrice de- chaleur 10 ou "largeur au dissipateur de chaleur" d'environ 50 microns. Entre l'élément semi-conducteur 11 et le dissipateur de chaleur.10 est disposée une mince couché de métal 12 qui forme une jonction de bap-30 rière de Schottky avec l'élément semi-conducteur 11. De nombreux matériaux peuvent être utilisés pour la couche 12, le matériau spécifique décrit ici a titre d'exemple seulement étant du platine d'une épaisseur d'environ 0,4 micron. La région de l'élément semi-conducteur 11 adjacente au 35 dissipateur de chaleur 12 est une région N- de forte résistivité, 14 17 par exemple de 10 à 5 x 10 porteurs par centimètre cube obtenue en dopant l'élément semi-conducteur avec une impureté du type N. Cette région peut être, par exemple, d'une épaisseur de 5 à 10 mi-, crons, selon la concentration des porteurs, et est, de préférence, ^0 choisie suffisamment épaisse pour qu'un phénomène d'avalanche se 72 12721 • J-ï .V • 72 12721 5 2132866 , produise dans cette région sans aue la charge d'espace produite par un potentiel de polarisation inverse appliqué à la jonction s'étende à: l'extérieur de la région N-. Sur le côté de la région N- opposé à la couche de platine 12 s'étend une région N+ d'une -rg 5 concentration en porteurs de l'ordre de 10 porteurs par centimètre cube ou plus. La région N+ porte une couche 13 de platine, par exemple, de 0,3 micron d'épaisseur, qui forme une jonction avec la région N+. Toutefois, cette jonction est normalement d'une faible résis-10 tande étant donné qu'elle est polarisée dans le sens direct en service. Sur la couche 13 est formée une couche 14, qui peut être par exemple une couche d'or, par exemple d'une épaisseur de 0,6 micron. Lès couchés"de platine 12 et 13 empêchent la diffusion de l'or de la plaquette 10 ou de la couche 14 dans l'élément en arséniure 15 de gallium 11. L'élément 11 est représenté ici à titre d'exemple seulement comme ayant une configuration formée de deux séries de quatre régions allongées se coupant entre elles dans' des directions orthogonales, chaque région présentant une largeur de l'ordre de 50 M-20 crons et une longueur de l'ordre de 1,25 mm, de sorte qu'un faible pourcentagè seulement de la superficie totale de la plaquette 10 est couvert par le matériau semi-conducteur. En raison de la configuration allongée, la chaleur, qui autrement s'écoulerait dans une proportion appréciable de sa quasi-totalité dans une direction nor-25 malè à là surface de la plaquette 10, s'écoule dans des directions présentant des composantes parallèles à ladite plaquette, ce qui augmente le flux de chaleur total pour un gradient de température donné entre l'élément 11 et la plaquette 10. On peut, si l'on veut, considérer cette particularité comme réduisant la résistance ther-30 mique entre la source "de chaleur présente dans la régi oh N- de l'élément semi-conducteur et la plaquette 10 à travers laquelle la ehaleur est extraite du dispositif au lieu d'être dissipée par rayonnement dans l'air ou par contact avec un dissipateur de chaleur solide ou un fluide. 35 La plaquette 10' est montée sur une embàèe d'encapsulage 17, de préférence eri métal, sur laquelle est scellée une enveloppe lB oui peut être en verre ou en matière céramique.-L'enveloppe l8 est traversée par un élément métallique tubulaire 19 à" travers lequel un cpnductèur d'alimentation 15 amène le courant d'entrée sur 4-0 la couche'i4. " On obture le module èn scellant le conducteur 15 sur l'élément ,19 au moyen d'un joint de soudure 20 à l'extrémité exté 72 12721 6 2132866 rieure rîudit élément. Ce module r'îs*: représenté ou'; titre rie simple exemple et 'an autre dispositif .. rencctpsaia.;-:e clafaôin-ie désiré quelconque pourrait également etrs utilico. On va maintenant do ?ri re le procédo .le fôDrica-lon du dispositif suivant l'invention dans " -r rr-r •:& ie"réalisai ion i .ré- f"o v»o On scie une pastille d'ars-^r ivre de çallitim de oueloues dizibmeo de micron d'épaisseur dans un crist1 d'arséniure rie ;jal-liURî obtenu par croissance et' dopé aj crufre jusqu'à obtention d'une concentration en porteurs de l'ordre de 10 norteurs r-ar centimètre cube, désigné ci-après sous 1? ^ctn de "matériau N+". Une couche d'arséniure de pjalliur dopée au rollure jusqu'à obtention l'une concentration en porteur? comprise dans La gamme de 14 l7 "3 ^ x î.0 1 porteurs par centi.^-i:re ruoa est formée par croissance ^pitaxiale sur l'une des surfacc j de La tranche N+ nar dss procédas épitaxiaux désire? cuelccn-u^j do ranière \ obtenir une touche N- d'une résistance notablemeni plus grande eue celle ne la couche N+ et d'une épaisseur de 5 à i-"1 lierons. L'épaisseur et la N concentration en porteurs de la couche N- sont choisies conformément h la pratique bien connue compte cenu de la tension de service et de la gamme de fréquence désirées du dispositif utilisé en tant qu'amplificateur ou oscillateur hyperfréquenee. En général, la gamme de fréquence est d'autant plus élevée que le nombre de porteurs est plus petit., et la région M- doit présenter l'épaisseur critique suffisante pour que soit appliquée à la jonction formée avec la couche N- une polarisation inverse assez élevée pour produire le phénomène d'avalanche sans que la couche d'appauvrissement pénètre dans la couche N+. La surface N- est ensuite revêtue d'une couche de platine par exposition à une source de platine chauffée sous vide, conformément à la pratique bien connue, de manière à produire un dépôt an phase vapeur du platine sur la surface de la couche N-. L'épaisseur de la couche de platine est contrôlée par la durée du temps d'exposition à la source de platine chauffée et est,' de préférence, de l'ordre de 0,4 micron. Des couches plus minces pourraient présenter des oiqûres, tandis oue des couches plus épaisses entraîneraient une augmentation de la résistance thermique a travers elles. On plaque ensuite le dissipateur de chaleur 10 sur la Surface du platine en immergeant la pastille dans une solution de bad original 72 12721 2132866 plaauage d'or classique désirée quelconque et en appliquant une tension appropriée entre la couche de platine 12 et une électrode immergée dans la solution, suivant la pratique bien connue. Le dissipateur de chaleur 10 peut être d'une épaisseur désirée auel-5 conque et sera considéré ici à titre d'exemple comme ayant une épaisseur de 0,175 à 0,25 mm. Dans son acception utilisée dans la présente description et dans les revendications, l'expression "dissipateur de chaleur" désigne les régions solides du matériau présentant une conductivité thermique plus élevée que la région 10 semi-conductrice et à travers lesquelles la chaleur engendrée au cours du fonctionnement du dispositif est évacuée de la région semi-conductrice. Une partie de la pastille, sur son côté opposé au dissipateur de chaleur 10, est éliminée par rodage ou corrosion, par exemple 15 avec une solution de H^SO^H^O,, et H^O pour amincir la pastille étant donné que celle-ci est à l'origine suffisamment épaisse pour qu'elle ne risque pas dêtre brisée pendant le traitement initial décrit ci-dessus, tandis que l'épaisseur finale de sa région N+ doit être aussi faible que pratiquement possible de manière à réduire 20 sa résistance et, par conséquent, à augmenter le rendement et le gain du dispositif. Dans le mode de réalisation représenté ici, l'épaisseur de l'élément semi-conducteur 11 n'est guère supérieure à 10 microns, mais l'utilisation d'autres matériaux ou d'autres concentrations en porteurs pourraient se traduire par une épais-25 seur plus grande ou moins optimale de l'élément 11. La surface N+ de la pastille est ensuite revêtue d'une couche de platine par un processus analogue à la formation de la couche 12. L'épaisseur de la couche de platine 13 peut être légèrement inférieure à celle de la couche 12, étant donné que ses 30 caractéristiques de jonction sont notablement moins importantes, bien qu'il soit désirable que la couche 13 ne présente pas de piqûres et que son épaisseur soit, de préférence, de l'ordre de 0,3 micron. Une couche d'or d'une épaisseur d'environ 0,5 micron est déposée sur la couche de platine 13 par un procédé de dépôt sous 35 vide analogue à celui qui est utilisé pour former les couches 12 et 13- La couche d'or 14, ainsi que le dissipateur de chaleur 10, assure une bonne distribution électrique de la tension d'alimentation de courant continu dans l'élément semi-conducteur lors du fonctionnement du dispositif. 40 Un masque est formé sur la couche 14 par des techniques classiques faisant appel à une "réserve" de photogravure, pour ex 72 12721 8 2132866 poser les zones dans lequelles le matériau de l'élément 11, et les couches 12, 13 et l4 doivent être éliminées. Ces couches sont ensuite éliminées en soumettant la pastille successivement à l'action de corrosifs appropriés qui corrodent les matériaux eorrespon-5 dants suivant la pratique bien connue. Le masque est ensuite retiré et la pastille est découpée en dés pour former un certain nombre de structures individuelles analogues à celle qui est représentée sur la Fig. 1. Un contact électrique est établi avec l'une des ré-10 gions de la couche 14 par exercise comme représenté au moyen du fil 15- Le dissipateur de chaleur/fest fixé à une embase 17, de préférence en métal, à laquelle est scellée une enveloppe l8 en verre ou en matière céramique que le fil 15 traverse dans un élément métallique d'entrée 19- L'élément d'entrée 19 peut être, par exemple, 15 un tube à travers lequel on fait passer le fil 15 qu'on fixe à son extrémité extérieure, par exemple, par un joint de soudure 20. On va maintenant examiner la Fig.4, sur laquelle est représenté un système dans lequel le dispositif des Fig. 1 à 3 N peut être utilisé. Le guide d'ondes 21 contient un dispositif 22 20 qui peut être du type représenté sur les Fig.l, 2 et 3- L'embase 17 du dispositif 2>2 est fixée à la paroi inférieure 23 du guide d'ondes et l'élément d'entrée de courant 19 est connecté à un conducteur 24 qui traverse un piège hyperfréquence 25 encastré dans une plaque terminale 26 du guide' dfondes 21, de manière à former 25 un parcours d'application de courant d'entrée à partir d'une source de courant continu 29- La source 29 est, de préférence, du type à ocu-rant constant ajustable, ce qui permet de régler le niveau d'énergie d'alimentation du dispositif.- La source 29 peut être, si on le désire, un générateur de courant intermittent ou puisé, de manière à 30 assurer la production d'une énergie de sortie hyperfréquence puisée par le dispositif. L'autre extrémité du guide d'ondes 21 comporte une structure de couplage hyperfréquence telle que, par exemple, un diaphragme 27 qui couple le guide d'ondes 21 avec une charge 28. 35 La charge 28 peut être, par exemple, une structure d'antenne ou l'intérieur d'une cavité destinée à être alimentée en énergie hyperfréquence pour chauffer un élément qui y est disposé. L'espacement entre le dispositif 22 et la plaque ter- -minale 26, est déterminé par les impédances relatives.de la source ^•0 hyperfréquence 22 et de la charge 28 avec laquelle le dispositif 22 est couplé. Le dispositif 22 présente une impédance de l'ordre i-, 72 12721 9 2132866 de 10 ohms inférieure à celle de la plupart, des types de charges 28. En conséquence, le dispositif 22 est espacé de la plaque terminale 26 d'une distance notablement inférieure s 1/4 de longueur d'onde à la fréquence de fonctionnement du système, tandis aue la 5- charge 28, qui présente normalement une impédance plus élevée aue le dispositif 22, est espacée de la plaque, terminale 26 drune distance plus grande c 7.e le dispositif 22 mais, de nréférence, également inférieure à 1/4 de longueur, d'onde. Il est prévu de substituer éventuellement une structure d'adantaticn d'impédance désirée aueIconque telle.qu'une structure d'adaptation d'impédance h large bande à la structure d'adaptation d'impédance représentée ici. On va maintenant examiner la Fig.5 sur laquelle est représenté un amplificateur suivant 1'invention dans lequel un cir-culateur classioue 30 à trois bornes comporte une entrée de signal 31 couplée avec une première borne, une charge de signal 32 couplée avec une seconde borne et un dispositif 33 du type représenté sur les Fig. 1 à 3-couplé, par l'intermédiaire d'une structure d'adaptation d'impédance désirée quelconoue, avec une troisième borne. Un signal provenant de la borne d'entrée 31 est transmis à la borne 33, amplifié, par le dispositif semi-conducteur et transmis à la charge de.signal de sortie 32 tandis que de faibles réflexions de signaux quelconaues par la charge 32 en raison, par exemple, d'un défaut d'ajustement de l'adaptation d'impédance de la charge 32 avec le circulateur 30 sont renvoyées à l'entrée de signal à impédance adaptée 31 et sont absorbées par celle-ci. Un courant est appliqué- au dispositif 33 par une source d'alimentation en courant variable 34 et, de préférence, le courant est ajusté à un niveau juste inférieur à celui auquel des oscillations se produiraient en l'absence d'un signal d'entrée, de manière à assurer une amplification maximale des signaux d'entrée. Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée au mode de réalisation décrit, elle est susceptible de nombreuses variantes dans s'écarter pour autant de son cadre ou de son esprit. Par exemple, on peut utiliser le dissipateur de chaleur décrit pour des amplificateurs ou des oscillateurs du type Gunn. --- --Hi 72 12721 10 2132866 R S V E S E I C A I 3 » S 1. Composant semi -tondustscaractérisé en ce qu*il comprend un élément en matériau sesii-o-oiià-aeteur comportant- une région allongée pour produire mie multiplication des porteurs de charge ou une variation de densité, la largeur de ladite région 5 dans une direction sensiblement transversale à la direction moyenne du mouvement desdits porteurs étant inférieure à dix fois l'épaisseur de ladite région,. et un dissipateur de chaleur tliermi-quement couplé avec ladite région, 2. Composant semi-conducteur suivant la revendication XO 1> caractérisé en ce qu'une tension est appliquée à une Jonction adjacente à ladite région, dans la s.ëïis inversa cette tension étant d"une grandeur suffisante pour produire une multiplication des porteurs dans ladite région- ssmi-jonduct-rioe-. 3„ Composant semi-renduesuivant la revendication Xj 2, caractérisé en ce que ladite Jonouioû est formée par un contact métallique avec le matériau semi-conducteur. 4. Composant seai-conducteur suivant la revendication 3, caractérisé en ce que le matériau- âé«rei--_onducteur srétend au moins dans une direction le long de ladite jonetlon sur une dis- 20 tance sensiblement supérieure à dis fois l'épaisseur* de ladite région. 5. Composant seroi-eonductear suivant la revendication b, caractérisé en ce que le dissipateur de chaleur est formé dfun élément dont la majeure partie présente une con-ductlvité thermique 25 plus élévee que celle du métal.formant ladite Jonction. 6. Composant semi-conducteur suivant l'une quelconque des revendicationsprécédentes, caractérisé en ce que le matériau semi-conducteur est de l'arséniure de gallium. 7. Composant semi-conducteur suivant la revendication 30 caractérisé en ce que le métal formant la jonction avec lrarséniure de gallium est du platine. 8. Composant semi-conducteur suivant la revendication 7, caractérisé en ce que la région de multiplication des porteurs présente une concentration en porteurs comprise dans la gamme 10^ 17 35 à 5 x 10 porteurs par centimètre cube. 9' Composant semi-conducteur suivant lrune quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le dissipateur de chaleur est en or. 10. Composant semi-conducteur suivant l'une quelconque bad oriqsnal ^ 72 12721 ii 2132866 des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend en outra, des moyens pour extraire par couplage de l'énergie hyperfréquence de ladite région. 11. Composant semi-conducteur suivant l'une quelcon— 5 que des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que les oscillations produites par la multiplication des porteurs de charge sont transmises à une charge. 12. Composant semi-conducteur suivant l'une quelconque des revendication là 11, caractérisé en ce qu 'un signal à am- 10 plifier est introduit dans la région semi-conductrice à travers un cirûulateur. 13. Composant semi-conducteur suivant la revendication 12, caractérisé en ce que le signal amplifié est extrait de la région -semi-conductrice à travers ledit circulateur. 15 14. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-con- . ducteur hyperfréquence, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations consistant à former un élément comprenant une région semi-coïiductrice et une jonction, l'un au moins des côtés de cette jonction comprenant ladite région semi-conductrice, à former un 20 dissipateur de chaleur métallique sur ledit élément, en contact thérmique intime avec ladite jonction, et à éliminer des parties du métériau semi-conducteur dans des régions.adjacentes au dissipateur de chaleur pour produire un dispositif dans lequel ledit matériau semi-conducteur s'étend, dans au moins une direction para-25 llèle â ladite jonction, sur une distance notablement supérieure à dix fois l'épaisseur de ladite région semi-conductrice. 15. Procédé suivant la revendication 14, caractérisé en ce que le matériau semi-conducteur est éliminé par décapage . 16. Procédé suivant la revendication 15, caractérisé 30 en ce que le dissipateur de chaleur est formé par plaquage. 17. Procédé suivant la revendication 16, caractérisé en ce que la jonction est formée par des opération comprenant le dépôt en phase vapeur d'un métal. 18. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 35 14 à 17, caractérisé en ce que le matériau semi-conducteur est de l'arséniure de gallium. 19. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 14 à 18, caractérisé en ce que le métal formant ladite jonction est du platine. 72 12721 12 2132866 20. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 14 à 19 .caractérisé en ce que le dissipateur de chaleur est er>or.