FR 2144581 A1 19730216 FR 7124728 A 19710706 La présente invention se rapporte à des dispositifs semi-conducteurs incorporant plusieurs thyristors, et en particulier, elle concerne un dispositif semi-conducteur incorporant au noirs deux thyristors sous forme d'un montage amplificateur dont les caractéristiques de fonctionnement sont améliorées de façon importante, lors du retournement par dépassement de la tension de claquage directe, même lorsque la rampe de courant suivant cet amorçage présente un di/dt important. On sait que l'amorçage d'un thyristor peut s'effectuer de différentes façons : amorçage par impulsion de commande sur l'électrode de gâchette ; amorçage par application d'une croissance rapide de tension directe (dV/dt) entre anode et cathode ; amorçage par dépassement de la tension directe de claquage entre anode et cathode (retournement VBo) Ce dernier cas d'amorçage 'accompagne souvent de la destruction du dispositif et est généralement déconseillé bien qu'il puisse présenter certains avantages pour l'utilisateur. En effet, comme indiqué schématiquement dans la figure 1, ce type d'amorçage (du point 1 au point 3) entraîne, lors du passage par le point 2 une énergie dissipée importante. De plus, généralement ce claquage est ponctuel et l'énergie engendrée localement provoque une importante élévation de température en ce point dit "point chaud".Par ailleurs, si la vitesse de croissance du courant principal (di/dt) lors de cet amorçage est importante, la zone de conduction primaire ne s'étale que très peu audelà de ce point chaud et provoque un échauffement supplémentaire qui peut entratner une fusion locale du matériau semi-conducteur et par-là ême une destruction du thyristor. En conséquence, ctest donc un des principaux objets de la présente invention de fournir un dispositif semi-conducteur sous forme d'un montage amplificateur incorporant au moins deux thyristors agencés de manière à ce que l'un des thyristors s 'amor- ce en premier par retournement et que le courant de gâchette de l'autre thyristor soit fourni par le courant principal. C'est un autre objet de la présente invention, de fournir une auto-protection d'un tel dispositif contre les surtensions directes, c1est-à-dire contre le dépassement de la tension de cla quage directe. Selon l'invention, un tel dispositif semi-conducteur incorporant au moins deux thyristors, est caractérisé en ce que le premier des thyristors est choisi pour posséder une tension de claquage direc-te supérieure à celle du second thyristor, ces thyristors étant connectés entre eux de manière que pour une augmentation de la tension dans le sens direct aux bornes des électrodes du premier thyristor, le second thyristor atteigne le preniier sa tension de claquage::en direct, ce qui engendrera une augmentation de courant de son contact de cathode, et que ce courant puisse circuler dans la diode d'entrée du premier thyristor, de la m8me manière qu'un courant de gâchette lors d'un amorçage classique commandé,afin que lorsque ce courant sera suffisant ce premier thyristor s'amorce en minimisant ainsi le courant traversant le second thyristor par sa propre conduction, et en limitant ainsi la puissance dans celui-ci, en même temps que la tension entre les bornes des électrodes de ce premier thyristor diminuera. Selon l'invention, ce dispositif semi-conducteur peut également incorporer deux thyristors dont les tensions de claquage sont identiques, mais dont les courants de saturation sont différents, le courant de saturation IS dudit premier thyristor étant plus fort que celui dudit second thyristor de manière que celui-ci s'amorce le premier. D'autre part, on doit noter que ledit premier thyristor peut être du type à amplification de gâchettes par exemple tel que le dispositif décrit dans le brevet français n0 1557614. #Par ailleurs, ce dispositif semi-conducteur peut être conçu sous forme d'un assemblage de dispositifs discrets, ou d'un montage de pastilles élémentaires de thyristors assemblés dans un unique bottier, ou d'un ensemble intégré sur une même pastille semi-conductrice. Dans le cas d'un tel ensemble intégré, la pastille semiconductrice comporte comme pour un thyristor classique quatre couches de conductivités différentes npnp, conçues et agencées de la manière suivante a) le noyau central de ces couches correspond audit second thyristor et la partie concentrique à ce noyau correspond audit premier thyristor, ces couches formant un ensemble continu et faisant apparaA1tre# entre elles des jonctions semi-conductrices ; b) la quatrième couche supérieure du second thyristor est sous forme d'un anneau intégré dans la troisième couche de celuici, alors que celle du premier thyristor est constituée d'une seule couronne percée de trous et diffusée dans cette troisième couche commune ;; c) les prises de contact d'anode des- thyristors sont com munes et solidaires de la première couche inférieure ; d) le contact de cathode du second thyristor et de lten- semble intégré est solidaire de la troisième couche et de la couronne foirant la quatrième couche du premier thyristor ; e) le contact de gâchette du second thyristor et de lten- semble intégré est solidaire de la troisième couche de ce second thyristor et situé au centre de celle-ci et de l'anneau formant sa quatrième couche ;et enfin f) un contact est prévu pour servir de liaison entre la quatrième couche annulaire ou cathode du second thyristor et la partie concentrique voisine de la troisième couche du premier thyristor, servant de gâchette à celui-ci. De manière plus spécifique, dans un tel ensemble intégré, afin d'instituer des modes de claquage différents entre les deux thyristors, on peut adopter l'une des structures suivantes 10) l'épaisseur de la troisième couche du second thyristor sous sa quatrième couche annulaire est prévue plus faible que l'épaisseur de la troisième couche du premier thyristor sous les anneaux concentriques formant la quatrième couche de celui-ci, afin que la tension de claquage directe du second thyristor soit atteinte avant celle du premier thyristor et qu'ainsi le second thyristor s'amorçant en premier lieu, commande par l'intermédiaire dudit contact servant de liaison, la g chette du premier thyristor;; 20) l'épaisseur de la deuxième couche du second thyristor est prévue plus faible que celle de la deuxième couche du premier thyristor de telle manière que la zone déserte atteigne la première couche inférieure du second thyristor avant d'atteindre la première couche inférieure du premier thyristor et amorce ainsi d'abord le second thyristor. On doit noter par ailleurs que la présente invention peut être aussi appliquée à la construction d'un dispositif semi-conducteur à trois thyristors intégrés sur une même pastille semi-conductrice. Dans un tel dispositif, l'un des thyristors ou premier thyristor est conçu pour avoir la tension de claquage directe la plus faible et agencé pour commander les deux autres thyristors de manière que lorsqu'il s'amorce par retournement quand la tension directe sera suffisante, son courant principal serve alors de courant de gSchette au second thyristor qui s'amorcera et servira d'ampli fication de gftchette pour le troisième thyristor, l'ensemble du dispositif étant commandé de façon classique par la gâchette du second thyristor.On doit remarquer toutefois que dans cette forme d'ensemb'.e intégré, la pastille semi-conductrice comporte quatre couches continues de conductivités différentes npnp faisant apparattre entre elles des jonctions semi-conductrices, le premier thyristor occupant la partie centrale de la pastille et ayant sa quatrième couche supérieure sous forme d'un disque intégré dans sa troisième couche, le second thyristor occupant la partie concentrique adjacente à ce premier thyristor et ayant sa quatrième couche supérieure sous forme d'un anneau intégré dans sa troisième couche situé à distance du bord du disque, le troisième thyristor occupant la partie concentrique de la pastille, extérieure au second thyristor, et ayant sa quatrième couche sous forme d'une seule couronne percée de trous et diffusée dans sa troisième couche ; le contact de cathode de l'ensemble intégré est solidaire de la troisième couche et de la couronne formant la quatrième couche du troisième thyristor ; le contact de gâchette des premier et second thyristors, ainsi que de l'ensemble, est solidaire de la quatrième couche du premier thyristor et de la partie avoisinante de la troisième couche du second thyristor au moyen d'une liaison ; la partie de gâchette du troisième thyristor est reliée par un contact à la quatrième couche annulaire du second thyristor ; le contact d'anode de l'ensemble est commun aux trois thyristors et solidaire du dessous de leur première couche commune. De manière plus spécifique et selon l'invention, la troisième couche de chacun des trois thyristors, tout en étant commune a sensiblement la mtme épaisseur sous chacune des quatrièmes couches, et la seconde couche du premier thyristor a une épaisseur inférieure à celle des second et troisième thyristors de manière que la zone déserte atteigne la première couche inférieure du premier thyristor avant d'atteindre celle des second et troisième thyristors et amorce ainsi d'abord le premier thyristor. D'autres caractéristiques et objets de la présente invention apparattront de la description suivante d'exemples de réalisation faite en relation avec les dessins ci-joints dans lesquels La figure 1 est un diagramme de l'amorçage d'un thyristor par dépassement de la tension directe de claquage entre anode et cathode (retournement VBO). La figure 2 est un schéma du montage amplificateur incorporant deux thyristors, objet de la présente invention. Les figures 3, 4a et 4b, représentent respectivement en coupe trois exemples de réalisation du montage de la figure 2, sous forme d'un ensemble intégré sur une pastille semi-conductrice. La figure 5 est un schéma d'un montage amplificateur à trois thyristors incorporant le montage de la figure 2. La figure 6 est une coupe sur un exemple de réalisation du montage de la figure 5, sous forme d'un ensemble intégré sur une même pastille semi-conductrice. Comme montré dans la figure 1, l'amorçage d'un thyristor par dépassement de la tension directe de claquage entre anode et cathode (retournement VBo) du point 1 au point 3, entrasse lors du passage par le point 2, une énergie dissipée importante. De plus, généralement, ce claquage est ponctuel et l'énergie engendrée localiement provoque une élévation importante de température (point chaud). Si la vitesse de croissance du courant principal (di/dt) lors de cet amorçage est importante, la zone de conduction primaire ne s'étale que très peu au-delà de ce point chaud et provoque un échauffement supplémentaire qui peut entraîner une fusion locale du matériau semi-conducteur, c'est-à-dire la destruction du dispositif. La présente invention, par contre, comme énoncé précédemment, prévoit un montage amplificateur à deux thyristors, tel que représenté dans son principe dans la figure 2, qui améliore le fonctionnement d'un thyristor lors du retournement par dépassement de la tension de claquage directe, même lorsque la rampe de courant suivant cet amorçage, présente un di/dt important. On doit noter à ce sujet que la réalisation d'un tel montage peut être effectuée soit à partir de deux thyristors discrets assemblés conformément à l'invention, soit à partir de deux pastilles élémentaires de thyristors encapsulés dans un même bottier, soit au moyen de l'intégration de deux thyristors sur une meme pastille semi-conductrice mais que, dans un premier temps pour faciliter la compréhension on se reportera à la figure 2. Les thyristors th100 et tu?00, dénommés précédemment respectivement premier et second thyristors, sont caractérisés par leur tension de claquage directe VBO. Le thyristor 200 présente la particularité de posséder une tension de claquage directe inférieure à celle du thyristor 100, si bien que lorsque la tension va s'accrortre dans le sens direct aux bornes des électrodes 102 et 103 le dispositif 200 va atteindre le premier sa tension de claquage en direct. Ce phénomène va engendrer une augmentation du courant en 202 (contact de cathode du thyristor 200). Ce courant circulera dans la diode d'entrée du thyristor 100 de la même manière qu'un courant de gâchette lors d'un amorçage classique commandé. Lorsque ce courant sera suffisant (avant ou après retournement du thyristor 200), le thyristor 100 s'amorcera. Le thyristor 200 verra ainsi une puissance limitée, car le thyristor 100 s'amorce çant, minimisera le courant traversant le thyristor 200 par sa propre conduction et fera rapidement décrotte la tension entre les bornes 102 et 105. D'autre part, le thyristor 100 sera commandé classiquement par la gâchette, avec tous les avantages que présente ce mode de déclenchement (par exemple : bonne tenue en dI/dt, etc...). Il apparatt de plus, à la description du mode du fonctionnement précédent, que des résultats analogues peuvent être atteints sans que les tensions de claquage des deux thyristors 100 et 200 soient différentes, par exemple : si les tensions de claquage des thyristors 100 et 200 sont identiques, il suffit que les courants de saturation des deux thyristors soient différents (point 2 figure 1), le courant de saturation I5 du thyristor 200 étant plus faible que celui du thyristor 100 de telle façon que le thyristor 200 s'amorce le premier. Dans les figures 3, 4a et 4b, on a représenté en coupe trois modes de réalisation (non limitatifs) du dispositif semi-oon- ducteur à deux thyristors sous forme chacun d'un ensemble intégré sur une même pastille semi-conductrice. Comme pour un thyristor classique on retrouve les quatre couches de conductivité différentes npnp 204-205-206-207 pour le thyristor th200, 104 - 105 - 106 107 pour le thyristor th100. La séparation de ces deux thyristors sur les figures (trait pointillé) est arbitraire et ne se justifie que pour une meilleure compréhension de l'invention. Les couches 104 et 204 sont du même type de conductivité et il en est de même pour les couches 205 et 105 - 206 et 106 - 207 et 107. Ces couches forment un ensemble continu, sont successivement de types différents et font apparattre entre elles des jonctions semi-conductrices. Les prises de contact 108 et 208 sont communes et représentent le contact d'anode de l'ensemble intégré. Le contact 102 est le contact de cathode du thyristor th100 et de l'ensemble in intégré. Le contact 201 est le contact de gSchette du thyristor th200 et de l'ensemble intégré (l'ensemble pouvant être déclenché aussi par la gâchette). Ces contacts 108-208, 102 et 201 sont accessibles à l'extérieur du bottier du dispositif terminé et forment respectivement les prises de cathode, d'anode et de gâchette de l'ensemble. Le contact 202 sert de liaison entre la cathode 204 du thyristor th200 et la portion 101 de la couche 105 servant de gâ cette au thyristor 100. On doit noter que les trois ensembles intégrés représentés dans les figures 3 - 4a et 4b présentent des variantes de l1in- vention et sont caractérisées par des modes de claquage différents entre les thyristors th200 et thlOO. Dans la figure 3, l'épaisseur "a" de 205 est plus faible que l'épaisseur "b" de 105 de telle facon que la tension de claquage directe du thyristor 200 soit atteinte avant celle du thyristor 100. Ainsi le thyristor 200 s'amorce çant en premier lieu, commande, par l'intermédiaire du contact 202, la gâchette 101 du thyristor 100. Dans les figures 4a et 4b l'épaisseur "d" de la couche 206 est inférieure à l'épaisseur "C" de la couche 106 de telle mainfère que la zone déserte atteigne 207 avant d'atteindre 107 et amorce ainsi d'abord le thyristor 200. Dans la figure 5, un autre mode de réalisation de l'invention est représenté comportant trois thyristors, c'est-à-dire incorporant le montage amplificateur de la figure 2 auquel est connecté un autre thyristor. Comme on le remarque, le thyristor thl s'amorce par retournement lorsque la tension directe est suffisante. Son courant principal sert alors de courant de g#chette au thyristor th2 qui s'amorce et sert ainsi d'amplification de gE- chette pour le thyristor th3. L'ensemble peut aussi être amorcé par la gâchette. Pour ce faire, on peut utiliser les gâchettes G1 ou G2 et, dans ce cas, le dispositif fonctionne suivant le mode d'amplification de gâchette classique. La figure 6 présente un exemple de réalisation par intégration de l'ensemble sur une même pastille semi-conductrice. Dans cet ensemble, l'amélioration de la tenue en retournement par dépassement de la tension de claquage directe est obtenue par l'interiédiaire du thyristor thl, dont la tension de claquage directe est la plus faible, commandant les thyristors th2 et th3. L'ensemble peut être commandé de façon classique par la gâchette (gfichette de th2 en 1'occurence). Comme on le remarque dans cet ensemble intégré de la figure 6, la pastille semi-conductrice comporte quatre couches de conductivités différentes npnp, 304 - 305 - 306 - 307 pour le thyristor thl, 404 - 405 , 406, 407 pour le thyristor th2 et, 504 505 - 506 - 507 pour le thyristor th3. Les séparations de ces trois thyristors (traitspointillés) sont arbitraires et ne se justifient que pour une meilleure compréhension de l'invention. Les couches 304 - 404 - 504 sont du même type de conductivité et il en est de meme pour les couches 305 - 405 - 505, 306 - 406 - 506 et 307 407 - 507. Ces couches forment un ensemble continu, sont successivement de types différents et font apparattre entre elles des jonctions semi-conductrices.Les prises de contact 308 - 408 - 508 sont connues et représentent le contact d'anode A de l'ensemble intégré. Le contact 502 est le contact de cathode C du thyristor th3 et de l'ensemble intégré. Le contact 301 est le contact de gâchette G2 du thyristor th2 et de l'ensemble intégré. Le contact 302 sert de liaison entre la cathode 304 du thyristor thl et la portion 401 de la couche 405 servant de gâchette au thyristor th2. Le contact 402 sert de liaison entre la cathode 404 du thyristor th2 et la portion 501 de la couche 505 servant de gâchette au thyristor th3.On doit noter que ltépaisseur el de la couche 305 est sensiblement identique à celles e2 et e3 des couches 405 et 505, mais que par contre l'épaisseur dl de la couche 306 est inférieure aux épaisseurs d2 et d3, qui sont identiques, des couches 406 et 506 de telle manière que la zone déserte atteigne 307 avant d'atteindre 4C7 puis 507 et amorce ainsi d'abord le thyristor thl. A la suite de cette description, on doit comprendre que 1 ) le premier intérêt de l'invention est une auto-protection du dispositif contre les surtensions directes (dépassement de la tension de claquage directe) ; 20) lors de montages série de thyristors classiques amorcés par la gâchette, les difficultés d'équilibrage des temps d'amor çage sont importantes, et de ce fait, si ces temps sont trop différents certains thyristors peuvent retourner par dépassement de la tension directe et risquent ainsi d'être détruits. La présente invention pallie donc cet inconvénient et de plus, lors du montage en série des dispositifs, elle n'exige plus un circuit d'amorçage indépendant pour chaque gâchette et il est possible dans un tel montage de n'amorcer volontairement qu'un seul dispositif, les autres s'amorçant par retournement. La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'être décrits, elle est au contraire susceptible de variantes et de modifications qui apparattront à l'homme de l'art. REVENDICATIONS 1 - Dispositif semi-conducteur incorporant au moins deux thyristors assemblés sous forme d'un montage amplificateur, caractérisé par le fait que les thyristors sont interconnectés de manière que l'un des thyristors, dit "second thyristor", s'amorce le premier par retournement et que le courant principal serve de courant de gâchette à l'autre thyristor dit "premier thyristor". 2 - Dispositif semi-conducteur, selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit premier thyristor est choisi pour posséder une tension de claquage directe supérieure à celle du second thyristor, ces thyristors étant connectés entre eux de manière que pour une augmentation de la tension dans le sens direct aux bornes des électrodes du premier thyristor, le second thyristor atteigne le premier sa tension de claquage en direct, ce qui engendrera une augmentation de courant de son contact de cathode, et que ce courant puisse circuler dans la diode d'entrée du premier thyristor, de la même manière qu'un courant de gâchette lors d'un amorçage classique commandé, afin que lorsque ce courant sera suffisant ce premier thyristor s'amorce en minimisant ainsi le courant traversant le second thyristor par sa propre conduction et en limitant ainsi la puissance dans celui-ci, en même temps que la tension entre les bornes des électrodes de ce premier thyristor diminuera. 3 - Dispositif semi-conducteur, selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit second thyristor est choisi pour avoir une tension de claquage identique à celle dudit premier thyristor, mais un courant de saturation plus faible que celui de ce premier thyristor. 4 - Dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit premier thyristor alimenté par le courant principal est du type à amplification de gâchette. 5 - Dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il est conçu sous forme d'un assemblage de dispositifs discrets. 6 - Dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il est conçu sous forme d'un montage de pastilles élémentaires de thyristors assemblées dans un même bottier. 7 - Dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il est conçu sous forme d'un ensemble intégré sur une même pastille semi-conductrice. 8 - Dispositif semi-conducteur sous forme d'un ensemble intégré sur une pastille semi-conductrice selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, et selon la revendication 7, caractérisé en ce que la pastille semi-conductrice comporte comme pour un thyristor classique quatre couches de conductivités différentes npnp, conçues et agencées de la manière suivante a) le noyau central de ces couches correspond audit second thyristor et la partie concentrique à ce noyau correspond audit premier thyristor, ces couches formant un ensemble continu et faisant apparattre entre elles des jonctions semi-conductrices ; b) la quatrième couche supérieure du second thyristor est sous forme d'un anneau intégré dans la troisième couche de celuici, alors que celle du premier thyristor est constituée d'une seule couronne percée de trous et diffusée dans cette troisième couche commune ;; c) les prises de contact d'anode des thyristors sont communes et solidaires de la première couche inférieure d) le contact de cathode du second thyristor et de lten- semble intégré est solidaire de la troisième couche et de la couronne formant la quatrième couche du premier thyristor ; e) le contact de gâchette du second thyristor et de l'ensemble intégré est solidaire de la troisième couche. de ce second thyristor et situé au centre de celle-cl et de l'anneau formant sa quatrième couche ; et enfin f) un contact est prévu pour servir de liaison entre la quatrième couche annulaire ou cathode du second thyristor et la partie concentrique voisine de la troisième couche du premier thyristor, servant de gâchette à celui-ci. 9 - Dispositif semi-conducteur selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'épaisseur de la troisième couche du second thyristor sous sa quatrième couche annulaire est prévue plus faible que l'épaisseur de la troisième couche du premier thyristor sous la couronne percée de trous formant la quatrième couche fie celui-ci, afin que la tension de claquage directe du second thyristor soit atteinte avant celle du premier thyristor et qu'ainsi le second thyristor s'amorçant en premier lieu, commande par l'intermédiaire dudit contact servant de liaison, la gâchette du premier thyristor. 10 - Dispositif semi-conducteur selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'épaisseur de la deuxième couche du second thyristor est prévue plus faible que celle de la deuxième couche du premier thyristor de telle manière que la zone déserte atteigne la première couche inférieure du second thyristor avant d'atteindre la première couche inférieure du premier thyristor et amorce ainsi d'abord le second thyristor. 11 - Dispositif semi-conducteur incorporant trois thyristors et appliquant la disposition de base du dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé par le fait que l'un des thyristors ou premier thyristor est conçu pour avoir la tension de claquage directe la plus faible et agencé pour commander les deux autres thyristors de manière que lorsqu'il s'amorce par retournement quand la tension directe sera suffisante, son courant principal serve alors de courant de gâchette au second thyristor qui s'amorcera et servira d'amplification de gâchette pour le troisième thyristor, l'ensemble du dispositif étant commandé de façon classique par la gâchette du second thyristor. 12 - Dispositif semi-conducteur selon la revendication 11, incorporant trois thyristors intégrés sur une pastille semi-conductrice, caractérisé par le fait que la pastille semi-conductrice comporte quatre couches continues de conductivités différentes npnp faisant apparattre entre elles des jonctions semi-conductrices, le premier thyristor occupant la partie centrale de la pastille et ayant sa quatrième couche supérieure sous forme d'un disque intégré dans sa troisième couche, le second thyristor occupant la partie concentrique adjacente à ce premier thyristor et ayant sa quatrième couche supérieure sous forme d'un anneau intégré dans sa troisième couche situé à distance du bord du disque, le troisième thyristor occupant la partie concentrique de la pastille, extérieure au second thyristor, et ayant sa quatrième couche sous forme d'une seule couronne percée de trous et diffusée dans sa troisième couche ; le contact de cathode de l'ensemble intégré est solidaire de la troisième couche et des anneaux formant la quatrième couche du troisième thyristor ; le contact de gâchette des premier et second thyristors, ainsi que de l'ensemble, est solidaire de la quatrième couche du premier thyristor et de la partie avoisinante de la troisième couche du second thyristor au moyen d'une liaison ; la partie de gâchette du troisième thyristor est reliée par un contact à la quatrième couche annulaire du second thyristor ; le contact d'anode de l'ensemble est commun aux trois thyristors et solidaire du dessous de leur première couche commune. 13 - Dispositif semi-conducteur selon la revendication 12, caractérisé par le fait que la troisième couche de chacun des trois thyristors tout en étant commune a sensiblement la même épaisseur sous chacune des quatrièmes couches, et la seconde couche du premier thyristor a une épaisseur inférieure à celle des second et troisième thyristors de manière que la zone déserte atteigne la première couche inférieure du premier thyristor avant d'atteindre celle des second et troisième thyristors et amorce ainsi d'abord le premier thyristor.