FR 2150462 A1 19730406 FR 7230055 A 19720823 La présente invention a pour objet un dispositif de jonction PN possédant une jonction pT du type hyper abrupt, et plus particulièrement, @@ dispositif de jonction ET possédant un facteur de qualit6 Q élevé, une résistance en série faible et une ralation tension/capaeitance réglée ; elle a aussi pour objet son procédé de fabrication. Il existe plusieurs types classiques de dispositifs de jonction PN hyper abrupte fabriqués par un procédé de diffusion utilisant une source d'impuretés gazeuses. Cependant5 dans une telle méthode, la concentration d'impuretés a la surface semi-conductrice atteint jusqu à 1019 à 1021 atomes/cm3. D'autre part, une concentration faible d'impuretés de 1015 à 1018 atomes/bm3 à une position de jonction PN est nécessaire dans le cas d'une Jonction PN hyper abrupte.Il est classiquement difficile d'obtenu la concentration d'impuretés requise et déterminée à la position de jone- tion PN, et par suite d'une telle concentration d'impuretés indéterminée, un dispositif de jonction du type PN hyper abrupt possède une relation tension/capacitance indéterminée. De plus, il est désirable d'augmenter le facteur de qualité R du dispositif de jonction PN pour les applications dans la gamme des hautes fréquences. C'est pourquoi un objet de la présente invention est de procurer un dispositif de jonction PN original et perfectionné qui possède une relation tension/capacitance déterminée et un facteur de qualité Q élevé. Le dispositif de jonction PN selon les caracté ristiques de la présente invention comprend donc une pastille semiconductrice contenant des éléments d'impuretés de type P et N, un desdits éléments d'impuretés possédant une constante de diffusion qui est supérieure à celle de l'autre élément d'impuretés5 la concentration de l'un desdits éléments d'impuretés étant inférieure à celle dudit autre élément d'impuretés, et une couche semi-conductrice étant déposée sur ladite pastille semi-conductrice5 lesdits éléments d'impuretés de type p et N étant diffusés dans ladite couche semi-conductrice à partir de ladite pastille semi-conductrice, et ladite couche semi-conductrice possédant une même earactéristique de conduction que celle de l'un desdits éléments d'impuretés. L'objet et les autres caractéristiques de la présente invention apparaîtront dans la description détaillée suivante, con- jointement avec les dessins qui l'accompagne, dans lesquels Les figures I à à 3 et 7 sont des ;rues en coupe des dispositifs de Jonction PN réalisés selon les caractéristiques de la présente invention, et Les figures 4 à 6 sont des vues en coupe d'un dispositif de jonction PN, qui est en cours de fabrication, selon les caractéristiques de la présente invention. Les figures 1 à 5 et 7 représentent un dispositif de jonction PN selon les caractéristiques de la présente invention comprenant une couche semi-conductrice 2 et une pastille semi-conductrice 1 contenant des éléments d'impuretés de type P et N. Un de ces éléments d'impuretés possède une constante de diffusion supérieure à celle de l'autre élément d'impuretés et sa concentration est inférieure à celle de l'autre élément d'impuretés. La couche semi-conductrice possède la même caractéristique de conduction que celle de l'un desdits éléments d'impuretés, et ces éléments d'impuretés de type P et N sont diffusés dans ladite couche semi-conductrice à partir de la pastille semi-conductrice. Le dispositif de jonction PN qui fait l'objet des caractéristiques de la présente invention est obtenu en déposant une couche semi-conductrice sur une pastille semi-conductrice contenant des éléments d'impuretés de type P et N. L'un de ces éléments d'impuretés possède une constante de diffusion supérieure à celle de l'autre élément d'impuretés et sa concentration est inférieure à celle de autre élément d'impuretés, conformément à la description ci-dessus. D'habitudes un facteur de qualité Q d'un dispositif de jonction PN s' exprime approximativement par l'équation suivante 1 Q tJCRS où t' > représente la fréquence angulaire d'un signal appliqué au dis- positif de jonction PN et où C et R5 représentent respectivement la capacitance et une résistance en série du dispositif. Comme la pastille 1 possède une résistivité très faible (g 0,1 #cm), la valeur de R5 dépend principalement de la résistance de la couche 2. La résistance de la couche 2 dépend de l'exigence de la relation tension/capacitance de la jonction PN, et l'épaisseur mi animale irréductible de la couche 2 dépend des exigences de capacitance minimale de la jonction PN. Cependant l'épaisseur de la couche 2 est habituellement supérieure à celle de l'épaisseur minimale irréductible, à cause de la difficulté de réduction de l'épaisseur de la couche semi-conductrice par attaque chimique ou par abrasion mécanique. Cette épais seur minimale irréductible de la couche 2 est habituellement de 1 à 10 P m, et une méthode de croissance épitaxiale est efficace pour réaliser une telle couche mince. Le dispositif de jonction PN selon les caractéristiques de la présente invention utilise la couche 2 semi-conductrice déposée par une méthode de croissance épita xiale, et en conséquence, l'épaisseur de la couche semi-conductrice peut être réduite essentiellement à une valeur minimale irréductible.Un dispositif de jonction PN possédant une résistance en série faible et un bon facteur de qualité Q peut donc être fabriqué. Un tel dispositif de jonction PN peut être appliqué dans la gamme tmP. Dans la structure du dispositif de jonction PN décrit c4- dessus, la couche 2 déposée possède une conductivité d'un type différent de celle de la pastille semi-conductrice 1 de façon à obtenir une jonction PN entre la pastille 1 et la couche 2. La pastille 1 semi-conductrice est préparée à partir d'un matériau semiconducteur à l'état de cristal simple contenant des éléments d'impuretés de type P et N. Un tel matériau semi-conducteur à l'état de cristal simple est habituellement déposé par fusion de zones, par croissance cristalline épitaxiale ou croissance selon la méthode de Czochralski, avec insertion d'éléments d'impuretés.De plus, l'insertion d'éléments d'impuretés dans ladite pastille semi-conductrice peut astre effectuée par implantation d'ions sur un élément d'impureté d'un type de conduction dans un support semi-conducteur à cristal simple contenant un autre élément d'impureté d'un type de conduction'opposé au type de conduction de l'autre élément. La concentration d'un élément d'impuretés possédant une constante de diffusion supérieure à celle de l'autre élément d'impuretés dans la pastille semi-conductrice 1 est nécessaire pour être inférieure à la concentration de l'autre élément d'impuretés. Un type de conduction de pastille semi-conductrice 1 est considéré comme étant le même qu'un type d'élément d'impuretés dont la concentration est la plus forte dans ladite pastille semi-conductrice, c'est-à-dire l'autre élément d'impuretés. C'est pourquoi, un type de conduction de la couche 2 est le-même que celui d'un elément d'impuretés de concentration plus faible dans ladite pastille semiconductrice, c'est-à-dire le premier élément d'impuretés possédant une constante de diffusion supérieure à celle de l'autre élément d'impuretés. Dans la figure 1, les éléments d'impuretés dans la pas tille semi-conductrice 1 sent diffusés dans une partie 5 de la cour che 2. La concentration des éléments d'impuretés diffusés de la pastille semi-conductrice 1 dans la partie de diffusion 5 décrit au fur et à mesure qu augmente la distance à partir de ladite pastille 1 semi-conductrice.La concentration d'un élément d'impuretés dont la concentration est plus élevée dans ladite pastille semiconductrice 1 devient plus faible, au fur et à mesure la distance de la diffusion dans ladite couche semi-conductrice, que celle d'un élément d'impuretés dont la concentration est plus faible dans ladite pastille seml-conductrice 1; C'est pourquoi, il se forme une Jonction PN qui est ainsi appelée une Jonction du type PN hyper abrupt. Dans la figure 2, la couche semi-conductrice 2 se compose de deux parties 6 et 9, la partie 6 possédant une résistivité plus faible que celle de l'autre partie 9. De manière classique, dans une Jonction FN du type hyper abrupt, la couche 2 possède une résistivité supérieure due à ltexigence d'une relation tension/ca pacitance > par conséquent il est difficile de former une électrode à contact ohmique de résistance de contact faible sur une telle couche. D'autre part, il est facile de former une telle électrode sur La partie de faible résistivité 6. C'est pourquoi, dans ce dispositif, une électrode 3 de résistance de contact faible peut être facilement obtenue.Dans la figure 3, une pastille semi-conductrice 1 se compose d'une couche 10 déposée sur une base ll par une technique de croissance épitaxiale ou dans cette pastille semiconductrice 1 par une technique d'implantation d'ions. Ladite couche 10 comprend des éléments d'impuretés de type P et N. Il est difficile d'obtenir une répartition égale des éléments d'impuretés de type P et N dans la pastille semi-conductrice 1 qui est fabriquée à partir d'un matériau semi-conducteur à l'état de cristal simple dont la croissance a été obtenue par la méthode de Czochrals- ki. D'autre part, il est facile d'obtenir une répartition égale desdits éléments d'impuretés en dopant lesdits éléments d'impuretés lorsque ladite couche 10 est formée par une. technique de croissance épitaxiale ou par une technique d'implantation d'ions. Généralement, les concentrations de ces éléments dtimpu- retés diffusés à partir d'une source de diffusion gazeuse d'impuretés sont élevées (1019 à 1021 atome s/cm5) sur une surface semiconductrice. La concentration d'éléments d'impuretés nécessaire pour former une jonction du type FN hyper abrupt par diffusion doit être faible (1015 à 10l7 atomes/cm3) à l'endroit de la jonction PN comme il a été décrit ci-avant. La pastille semi-conductrice 1 contenant des éléments d'impuretés convient comme source de diffusion d'éléments d'impuretés de faible concentration.Dans le cas utilisant la pastille semi-conductrice comme source de diffusion, la concentration des éléments d'impuretés à la surface de la couche 2 semi-conductrice, là où la pastille semi-conductrice 1 est en contact avec la couche semi-conductrice 2, est sensiblement égale à la faible concentration des éléments d'impuretés dans la source de diffusion, c'est-à-dire la pastille semi-conductrice l. Les concentrations des éléments d'impuretés dans la pastille semi-conductrice 1 peuvent être réglées à une valeur faible, spécialement dans le cas de la pastille semi-conductrice 1 obtenue à partir d'un matériau semi-conducteur fabriqué par un procédé de fusion de zones dans le cas de la pastille semi-conductrice dont la couche est formée par la technique de croissance épitaxiale ou par la technique d'implantation d ions. D'autres concentrations des éléments d'impuretés dans la pastille semi-conductrice 1 sont réglées avec précision comme il est décrit ci-avant. Par conséquent, le dispositif de jonction PN selon des caractéristiques de la présente invention possède une relation tension/capacitance contrôlée. Un exemple illustratif de réalisation du dispositif de jonction PN selon des caractéristiques de la présente invention est décrit dans les exemples suivants, avec référence aux figures 1 à y. EXEMPLE 1 Dans la figure 1, une couche de silicium de type P de 2,5 # # m d'épaisseur et d'une résistivité de 0,7 cm a été déposée sur une pastille 1 de silicium du type N de 150 # # m d'épaisseur, qui contient une concentration d'aluminium de 2 x 1017 atomes/cm3 et une concentration d'antimoine de 6 x 1018 atomes/cm 3, le dépôt ayant été obtenu par une méthode de croissance épitaxiale de décomposition de SiH4 à 850 C, Ensuite, une couche d'aluminium 5 a été déposée sur la couche de silicium 2, formant électrode, et une couche d'or 4 contenant de l'antimoine à la concentration d'environ 5 ,J en atomes a été déposée sur la pastille de silicium 1, formant l'autre électrode. On a ainsi fabriqué un dispositif de jonction PN. Lorsque la pastille 1 de silicium possède une surface étendue, un tel dispositif de jonction HT est appelé feuille de dispositif de jonction PN. Toute la surface de l'électrode 4 et certaines parties de la petite surface de l'électrode 3 sur la feuille de dispositif de jonction PN ont été revêtues d'un masque 7 qui résiste à une solution d'attaque chimique du silicium, comme l'indique la figure 5, par une technique bien connue. La feuille a été plongée pendant 2 minutes dans la solution d'attaque du silicium, par exemple un composé de HNO3, HF et CHDCOOH dans un rapport de volume de 4:1:1 à 200C. Les parties de l'électrode 3, la couche de silicium 2 et la pastille 1 laisses à découvert par le masque 7 ont été dissoutes, et la feuille de dispositif de jonction PN présente une mue en coupe comme représente our la figure 5.Un dispositif de jonction PN de faible surface, représenté à la figure o, a été dcoup dans une feuille de dispositif de jonction PH possédant plusieurs jonctions PH de faible surface. Lorsque la couche de silicium 2 a été dpo- sée, l'aluminium a été diffusée à partir de la pastille de silicium 1 dans la couche de silicium 2 sur une longue distance lorsque l'on compare avec l'antimoine, et ensuite, le dispositif de jonc- tion PN résultant possédait une jonction PN de type hyper abrupt. La capacitance d'un dispositif de jonction PN résultant obtenu à partir d'une feuille de dispositif de jonction H était de 4 x 104 pP/cm2 - 20 % à 2,3 volts, et la résistance en série maximum d'un dispositif de jonction PN de capacitance égale à 15 pF à 2,3 volts était de 0,6 ohm f 30 . EXEMPLE 2 Dans la figure 1, une feuille de dispositif de jonction PN qui a été fabriquée comme il est décrit dans l'exemple I et sans électrode a été chauffée à 1.000 C pendant 20 minutes, de fa çon que l'aluminium et l'antimoine présents dans la pastille de silicium 1 diffusent dans la couche de silicium 2 sur une distance plus longue que celle de l'exemple 1 et une partie de diffusion 5 a été formée. Alors que la croissance épitaxiale utilisant des décompositions de SiII4 dans l'exemple 1 a été effectuée à une température considérablement basse, 850 C, selon les caractéristiques du traitement thermique à 1.000 C dans ce cas, il a été possible de régler la longueur de diffusion de l'impureté. Les électrodes 3 et 4 ont été formées sur la feuille, et ensuite, un dispositif de jonction PH de faible superficie a été fabriqué de la même ma nièce que dans l'exemple 1. La conce--tration à la position de 0,3 # m de profondeur de la ligne séparant la pastille de silicium 1 et la couche de si silicium 2 était environ 1,5 x 1017 atomes par cm3. La capacitance d'un dispositif de Jonction PN résultant, fabriqué à partir d'une feuille de dispositif de Jonction PN était de 6,5 x 104 pF/cm2 à 2,3 volts et de 8 x 103 pF/cm2 à 30 volts, chaque capacitance étant donnée dans les limites de t 10 %, et une résistance en série maximale d'un dispositif de Jonction PN de capacitance égale à 15 pF à 2,3 volts était de 0,5 ohm t 20 %. Comme il est indiqué, la déviation de la capacitance du dispositif de jonction PN était inférieure à celle de l'exemple 1. EXEMPLE 3 Dans la figure 3, une couche de silicium 2 de 1,8 #m d'épaisseur, dont la conduction est du type P et dont la résistivité e8t de 0,7 ohm/cm, a été déposée sur la pastille de silicium 1 comme décrit dans l'exemple 1, et une autre couche de silicium 2 do faible résistivité, dont la conductivité est de type P, dont l'impureté est le bore et dont la résistance est inférieure à 0,02 ohm/cm, a été déposée sur une épaisseur de 2 #m sur la couche de silicium 2 par la technique de croissance épitaxiale. Ensuite, suivant le procédé décrit dans l'exemple 2, un dispositif de Jonction PI z été fabriqué. Dans l'exemple présent, la résistance de contact de l'é- électrode 3 et la résistance en série du corps étaient inférieures å celles de l'exemple 2. La résistance en série maximale d'un dispositif de Jonction PN résultant, dont la capacitance est de 15 pF à 2,3 volts, fabriqué à partir d'une feuille de dispositif de Jonction PN était de 0,45 ohm # 10 %. Comme indiqué, la résistance en série du dispositif de Jonction PN était inférieure à celle de l'exemple 2. EXEMPLE 4 En utilisant une pastille semi-conductrice 1 de 100 d'épaisseur, dont la conduction est du type N et contenant une con centratlon de bore de 3 x 107 atomes/cm3 et une concentration d'antimoine de 2 x 1018 atomes/cm3, un dispositif de jonction PN a été fabriqué de la même manière que celle de l'exemple 2, et la Jonction PN résultante est devenue une Jonction du type hyper abrupt. La capacitance d'un dispositif de Jonction PN résultant obtenue à partir d'une feuille de dispositif de Jonction PN était de 2 x 104 pF/cm2 t 15 à la tension zéro. EXEMPLE 5 En utilisant le même procédé que dans l'exemple 1, une couche de silicium 2 de 5 # m d'épaisseur dont la conduction est du type N, contenant de l'arsenic et dont la résistivité est de 0,25 ohm/cm a été déposée sur la surface polie d'une pastille de silicium 1 de 150 # m d'épaisseur dont la conduction est du type P et contenant une concentration de phosphore de 2 x 1017 atomes/cm3 et une concentration de bore de 2 x 1019 atomes/cm3, Une électrode 3 de couche d'or dont la concentration en antimoine est d'environ 5 ss en atomes et une électrode 4 de couche d'aluminium ont été formées respectivement sur la couche de silicium 2 et sur la pastille de silicium 1.Le dispositif de jonction PN résultant présentait une jonction du type hyper abrupt. La déviation de la capacitance d'un dispositif de jonction PN entre les feuilles de jonction PN était inférieure à 25 , ce qui représente une valeur inférieure à celle de exemple 2. La résistance en série du dispositif de jonction PN était aussi inférieure à celle de l'exemple 3. EXEMPLE 6 Dans la figure 3, une pastille semi-conductrice 1 a été fabriquée en formant une couche de silicium 10 par croissance épitaxiale, de 4 pm d'épaisseur sur une pastille de silicium 11 de type P par une méthode de croissance épitaxiale de décomposition de SiH4 à 1.000 C. La conduction de ladite couche de silicium était du type P et la concentration de phosphore contenue était de 2 x 1017 atomes/cm3 et la concentration de bore de 1 x 1018 atomes/cm3. Ladite pastille de silicium de type P avait 150 t,m d'épaisseur et possédait une résistivité de 0,03 ohm/cm. En utilisant cette pastille semi-conductrice et le même procédé que celui utilisé dans l'exemple 5, on a fabriqué un dispositif de jonction PN du type hyper-abrupt. La déviation de la capacitance d'un dispositif de jonction PN résultant à la tension zéro dans une feuille de dispositif de jonction PN était inférieure à 10 , et la déviation de la capacitance du dispositif de jonction PN entre les feuilles de dispositif de jonction PN était inférieure à 20 , valeur qui était inférieure à celle de l'exemple 2. EXEMPLE 7 Une pastille semi-conductrice I a été fabriquée de la fa çon suivante : du bore à la concentration de 1 x 1014 atomes/cm2 a été déposé par la technique d'implantation d'ions sur une surface polie de pastille de silicium de 150 P m d'épaisseur, dont la conduction était de type N, contenant de l'antimoine et dont la résis tivité était de 0,006 ohm/cm. Après recuit pendant 2 heures à 1.200 C de la pastille ayant subi l'implantation par ions de bore, la surface de la pastille a été attaquée sur une profondeur d'en viron 1 # m. En utilisant cette pastille semi-conductrice et le même procédé que celui de l'exemple 2, un dispositif de jonction PN du type hyper abrupt a été fabriqué.La déviation de la capacitance d'un dispositif résultant de jonction PN à la tension zéro dans une feuille de dispositif de jonction PN et entre les feuilles de dispositif de jonction PN était similaire à celle de l'exemple 6. EXEMPLE 8 Dans la figure 7, une couche d'isolant 12, par exemple une couche de bioxyde de silicium, a été déposée sur une pastille de silicium 1 du type N de 150 t)m d'épaisseur, dont la concentration en aluminium était de 2 x 1017 atomes/cm3 et la concentration en antimoine de 6 x 1018 atome s/cm3, par le procédé bien connu, et une partie de la couche 12 de bioxyde de silicium a été enlevée par la technique bien connue de photo-incision. Ensuite, une couche de silicium 2 de type P de 2,5 #m d'épaisseur et dont la résistivité était de 0,7 ohmXcm a été déposée sur la pastille de silicium 1 et la couche de bioxyde de silicium 12, corne indiqué à la figure 7. Une couche d'aluminium 3 a été déposée sur la couche de silicium 2, formant électrode, et une couche d'or 4 dont la concentration en antimoine était d'environ 5 % en atomes a été déposée sur la pastille de silicium 1, formant l'autre électrode. On a ainsi fabriqué un dispositif de jonction PN du type hyper abrupt. Dans ce dispositif de jonction PN, il était facile de régler une surface de jonction FN et ensuite la jonction FN a été protégée contre l'humidité et d'autres contaminations par la couche de bioxyde de silicium 12. Comme l'indiquent les exemples 1 à 8, les dispositifs de jonction PN, fabriqués par une technique de diffusion utilisant une pastille de silicium 1 contenant des éléments d'impuretés de type P et N et une combinaison de ladite pastille ser-li-conductrice et d'une technique de croissance épitaxiale pour former la couche semi-conductrice, possèdent une résistance en série faible, un facteur de qualité Q élevé et une relation tension/capacitance contrô idée. La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'être décrits, elle est au contraire susceptible de variantes et de modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. REVENDICATIONS 1 - Dispositif de jonction FN, caractérisé en ce qu'il comprend une pastille semi-conductrice contenant des éléments d'impuretés de type P et i, l'un desdits éléments d'impuretés possédant une constante de diffusion qui est supérieure à celle de l'autre élément dtimpuretés et et la concentration du premier de ces éléments d'impuretés étant inférieure à celle de l'autre élément d'impuretés, et une couche semi-conductrice formée sur ladite pastille semi-conductrice, lesdits éléments d'impuretés P et N étant diffusés dans ladite couche semi-conductrice à partir de ladite pastille semi-conductrice et ladite couche semi-conductrice possédant un type de conduction semblable à celui dudit élément d'impuretés. 2 - Dispositif de jonction FN selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche semi-conductrice comprend deux parties et en ce que l'une de ces deux parties possède une résistivité inférieure à celle de l'autre partie. 3 - Dispositif de jonction PN selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite pastille semi-conductrice comprend une base et une couche formée sur ladite base, ladite couche possédant le même type de conduction que celui de ladite base et contenant des éléments d'impuretés de type P et N. 4 - Dispositif de Jonction PN selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une partie de ladite couche semi-conductrice est formée sur un isolant prévu sur ladite pastille semi-conductrice en partie. 5 - Dispositif de Jonction PN selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche semi-conductrice a la forme d'une couche à croissance épitaxiale déposée sur ladite pastille semi-conductrice. 6 - Procédé de fabrication d'un dispositif de jonction PN comprenant une étape de croissance d'une couche semi-conductrice sur une pastille semi-conductrice comprenant des éléments dtim- puretés de type P et N, un desdits éléments d'impuretés possédant une constante de diffusion supérieure à celle de l'autre élément d'impuretés et la concentration du premier de ces éléments d'impuretés étant inférieure à celle de l'autre élément d'impuretés, caractérisé en ce que lesdits éléments d'impuretés de type P et N sont diffusés dans ladite couche semi-conductrice, et en ce que ladite couche semi-conductrice a un type de conduction semblable à celui du premier élément d'impuretés. 7 - Procédé de fabrication d'un dispositif de jonction PN selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend de plus un stade de croissance d'une autre couche, de'résistivité inférieure à celle de ladite couche semi-conductrice, sur ladite couche semi-conductrice par une technique de croissanee épitaxiale. 8 - Procédé de fabrication d'un dispositif de jonction PN selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend de plus un stade de formation d'une autre couche, de résistivité inférieure à celle de ladite couche semi-conductrice, à l'intérieur de ladite couche semi-conductrice par une technique d'implantation d'ions et/ou de diffusion thermique. 9 - Procédé de fabrication d'un dispositif de jonction PN selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite pastille semi-conductrice est fabriquée par la croissance d'une couche sur une base par la technique de croissance épitaxiale, ladite couche et ladite base possédant chacune les mêmes types de conduction que l'autre et ladite couche contenant des éléments d'impuretés du type P et N. 10 - Procédé de fabrication d'un dispositif de Jonction PN selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite pastille semi-conductrice est fabriquée par formation d'une couche possédant un type de conduction identique à celui de ladite pastille semiconductrice, à l'intérieur de ladite pastille semi-conductrice par implantation d'ions d'un élément d'impuretés dont le type de conduction est différent de celui de ladite pastille semi-conductrice, la concentration dudit élément d'impuretés dans ladite couche étant inférieure à celle de l'autre élément d'impuretés dans ladite pastille semi-conductrice. 11 - Procédé de fabrication d'un dispositif de jonction PN selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite pastille semi-conductrice est fabriquée en formant une couche, dont le type de conduction est le même que celui de ladite pastille semiconductrice, à l'intérieur de ladite pastille semi-conductrice par implantation d'ions et diffusion thermique d'un élément d'impuretés possédant un type de conduction différent de celui de ladite pastille semi-conductrice, la concentration dudit élément d'impuretés dans ladite couche étant inférieure à celle de l'autre élément d'impuretés dans ladite pastille semi-conductrice. 12 - Procédé de fabrication d'un dispositif de jonction PN selon la revendication G, caractérisé en ce qu T une couche isolante est formée sur une partie de ladite pastille semi-conductrice et ladite couche semi-conductrice étant déposée sur ladite pastille semi-conductrice et ladite couche isolante. 13 - Procédé de fabrication d'un dispositif de jonction PN selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite couche semi-conductrice est formée sur ladite pastille semi-conductrice par une technique de croissance épitaxiale utilisant la décomposition de SiH4.