FR 2165721 A1 19730810 FR 7146725 A 19711227 La présente invention concerne des# perfectionnements aux dispositifs de sélection d'un des circuits d'un groupe de circuits arrangés suivant une matrice, notammnBt aux mémoires telles que les mémoires dites "semi-permanentes~t qui utilisent des agencements matriciels de ce genre. On connaît déjà des dispositifs de ce genre dont, pour la clarté, un exemple général est schématiquement illustré sous forme très simplifiée sur la figure 1. La matrice de sélection MS est constituée par un réseau croisé de conducteurs verticaux b et de conducteurs )qtizontaux c pouvant individuellement etre alimentés par une de tension G, grâce aux sélecteurs d'adresses B et C respectivement. A chaque croisement d'un fil b et d'un fil c existe * iple P assurant une liaison entre ces deux fils, liaison Wt peut, en outre, etre subordonnée 3 d'autres paramètres, par exemple une entrée de masse de référence M ou une autre condition ou "dimension" de sélection schématisée par un fil dk en l'espèce. Ainsi, l'adresse Aij se décompose en une adresse de fil vertical b. et une de fil horizontal cz, adresses choisies I 3 respectivement entre m fils verticaux et n fils horizontaux. La matrice a ainsi une capacité de m x n "mots". Les organes de commande convenables ayant été actionnés dans les sélecteurs d'adresses B et C, le multipsle Pij entre en action et un signal est dirigé sur la ligne de sélection choisie S reliée à un montage d'exploitation de ce signal schéma tisé, pour le multipôle Pij, par le rectangle E.. qui fait partie 13 d'un ensemble SE dont la capacité est également m x n mots. En règle générale, et surtout dans le cas où les deux fils de la ligne S correspondent a une excitation symétrique d'un élément Eij, électriquement isolé, on est amené, par des impératifs d'ordre physique, 3 établir entre la matrice de sélec- tion MS et l'ensemble des éléments E. le découplage le plus 13 élevé possible sur les plans électrostatique et électromagnétique. A cette fin, le multipôle PiJ est souvent terminé par un transformateur T de caractéristiques appropriées qui, en particulier, évite de transmettre un signal dissymétrique non désiré ayant une composante dite "en mode commun" (ctest-a-dire la meme composante sur les deux fils de La ligne S) dont I'effet peut être perturbateur sur l'élément Eij. Outre son effet de découplage, ce transformateur présente l'avantage d'assurer l'adaptation d'impédance, c'est-a- dire d'ajuster le niveau du courant secondaire à l'impédance du circuit qu'il alimente. Il a, par contre, l'inconvénient d'entraîner un prix de revient élevé car m x n transformateurs sont nécessaires et chacun comporte quatre soudures. De plus, le transformateur est l'élément le plus encombrant des composants de la ligne S. Le multipôle Pij peut d'ailleurs être réduit au seul transformateur T associé à une diode anti-retour D. Quoi qu'il en soit, l'ensemble ainsi défini ne peut fonctionner correctement, en particulier avec un rapport acceptable du signal au bruit, que si la résultante des couplages parasites de l'élément sélectionné E.. avec les autres éléments 13 de l'ensemble est suffisamment faible. Parmi les réalisations connues, l'élément E.. peut 13 être un circuit d'interrogation d'une mémoire semi-permanente d'un type connu, comme les mémoires à écrans perforés ou les mémoires à boucles inductives. De telles mémoires à boucles inductives sont déjà connues, en particulier par les brevets français de la Demanderesse n0 1.769.170, 1.769.171, 69.33272, 69.37698 et 69.45396. Dans de telles mémoires, les sélecteurs d'adresses B et C sont constitués par des jeux d'interrupteurs, constitués en général, par des transistors commandés par la base, tandis que le générateur G est un générateur à impulsions. En outre, dans ces mémoires, la ligne de sélection S qu'alimente le secondaire du transformateur T est une ligne d'interrogation qui correspond ainsi à un mot parmi les n x m mots possibles. Chaque ligne d'interrogation croise autant de lignes de lecture qu'il y a d'éléments binaires#d#ns chacun des mots. Au croisement d'une ligne d'interrogation et d'une ligne de lecture, existe ou n'existe pas un élément de couplage une boucle inductive par exemple, qui, fermée sur elle-même, permet à l'impulsion de courant circulant dans la ligne d'tinter rogation d'induire une impulsion dans chaque ligne de lecture qui la croise. Ces impulsions induites sont alors dirigées, pour leur lecture, vers un amplificateur à seuil. Au repos, les diodes D sont rendues non conductrices par des tensions permanentes appliquées à chaque conducteur de la matrice MS à travers des résistances dites de butée ou de rappel, tensions telles que leur différence maintienne chaque diode D en état de polarisation inverse. Dans ces réalisations de mémoire, l'obtention d'un bon rapport du signal au bruit est rendue difficile par le fait même que le rapport de la puissance recueillie dans une ligne de lecture n'est qu'une très faible partie de la puissance dépensée dans la ligne d'interrogation, ceci d'autant plus que, pour des raisons de compacité de réalisation, les lignes de lecture, le plus souvent repliées sur elles-mêmes et imbriquées les unes dans les autres, comportent des trajets parallèles à ceux d'un des jeux de lignes de la matrice de sélection. En outre, l'induction résultant de la surface de la boucle que forment les fils mis en service dans la matrice de sélection accrort ce couplage. Par ailleurs, il faut compter avec les capacités parasites existant entre chaque ligne de lecture, d'une part, l'élément de couplage, la masse, la matrice de sélection, d'autre part, et même avec l'effet de capacité parasite des diodes antiretour. La présente invention a pour objet de diminuer ces divers couplages parasites d'une manière telle que le rendement des dispositifs matriciels, et spécialement des mémoires connues, se trouve accru, mais qu'en outre il devient possible de supprimer le transformateur intermédiaire, c'est-à-dire de renoncer, sans inconvénient, au découplage et à l'adaptation d'impédance qu'il apporte. Selon une particularité de l'invention, les circuits associés à chaque ligne de sélection comportant des conducteurs parallèles à l'un des jeux de conducteurs de la matrice, les conducteurs de ce jeu sont fractionnés en un certain nombre de parties égales, chaque partie étant connectée sensiblement en son milieu à une porte d'adresse. On limite ainsi la longueur de conducteurs parallé- les parcourus par le courant et, par conséquent, les effets inductifs et capacitifs de transmission d'énergie de l'un à I'autre, Si, par exemple, les conducteurs d'un des jeux sont partagés seulement en deux parties égales avec une alimentation centrale de chacune des deux parties, et si l'autre jeu comporte aussi une alimentation centrale, la surface maximale de boucle inductive de la matrice de sélection n'est plus que le huitième de ce qu'elle serait, dans le cas le plus défavorable, si les alimentations étaient assurées en bout de chacun des conducteurs. Selon une autre particularité de l'invention, les portes des deux jeux de conducteurs de la matrice sont des transistors à fort courant et faible tension de déchet dont les trajets émetteurs-collecteurs sont directement montés en série d'un conducteur d'un jeu de la matrice de sélection à un conducteur de l'autre jeu, conducteurs directement alimentés dans ce circuit en série par une tension stabilisée et polarisée par des tensions de butée à travers de faibles résistances, lesdits transistors étant commandés par des impulsions appliquées sur leurs bases. Il est ainsi possible de faire évoluer le montage de sélection à l'intérieur de la plus faible gamme possible de tension compatible avec les tensions de déchet des transistors (c'est-à-dire la tension émetteur-collecteur que présente ce transistor à l'état saturé). ènvlroN On peut ainsi limiter à quatre voltsztexcursion totale de tension dans un circuit de la matrice de sélection. En conséquence, les tensions transitoires parasites génératrices de bruit par induction mutuelle ou effet capacitif sont réduites au minimum, tandis que, par la réduction des impédances, le niveau des courants utilisables pour les effets utiles d'induction est augmenté. De plus, les tensions de butée sont limitées à deux ou trois volts en fonction de l'échelonnement des tensions de déchet, ce qui permet de les appliquer par l'intermédiaire de faibles résistances, des résistances normalisées de 47D par exemple, ou même des resistances plus faibles. En raison des faibles niveaux de tension mis en oeuvre et du caractère selfique des circuits alimentés, les montées en tension sont relativement lentes et, comme indiqué précédemment, les courants transitoires sont limités. De plus, comme ces tensions sont appliquées à des éléments (notamment des transistors) dont les caractéristiques ont une faible dispersion, il est possible de supprimer les générateurs spéciaux d'impulsions alimentant usuellement les matrices de sélection et d'utiliser simplement des signaux logiques pour rendre passants les transistors en les commandant par la base. Ainsi, outre la suppression des transformateurs, l'invention permet la suppression des générateurs d'impulsions qui, jusqu'ici, étaient nécessaires pour l'alimentation des matrices, spécialement des matrices de mémoire semi-permanentes. Selon une autre particularitE de l'invention, dans les réalisations, telles que les mémoires, comportant des lignes bifilaires de lecture repliées sur elles-mêmes et reliées à des amplificateurs, les sorties de ces lignes vers lesdits amplificateurs sont situées vers le milieu de ces lignes et tant lesdites sorties que les extrémités de ces lignes sont situées du même côté du bloc mémoire formé par l'ensemble des lignes, ces extrémités étant fermées par leurs résistances caractéristiques et les points milieu de ces résistances étant reliés au même point d'une masse commune. De préférence, les lignes de lecture aboutissent ainsi alternativement, suivant leur parité, a un côté ou à l'autre du bloc. Ainsi, une différence de potentiel transitoire apparaissant entre ces deux points milieu ne peut entraîner un courant causant une influence parasite dans une ligne de lecture. De préférence, d la même masse, sont reliés, en outre, des écrans conducteurs, connus en soi, disposés entre les plis des lignes de lecture, ainsi que la gaine conductrice du conducteur de liaison a l'amplificateur de lecture. Toutes ces masses sont reliées entre elles, chaque extrémité du bloc, dans deux plans perpendiculaires a l'ensemble des lignes de lecture. Dans de tels "plans de masses, en raison de leur situation et de leur orientation, tous les courants susceptibles d'augmenter le niveau de bruit dans une ligne de lecture se trouvent neutralisés. Finalement, par l'application simultanée de ces diverses dispositions aux mémoires semi-permanentes a boucles inductives, il devisent possible d'y supprimer les transformateurs de couplage, ce qui en diminue le prix et la consommation de courant tout enaugwtant la fiabilité et en facilitant la réalisation, notamment en X, qui concerne le montage des diodes anti-retour qui peuvent être aisément sorties des cartes porteuses de lignes d'interrogation. La description qui va suivre en regard des dessins annexés fera bien comprendre comment l'invention peut être mise en oeuvre. La figure 1, déjà décrite, est le schéma d'un système matriciel, sous sa forme générale. La figure 2 est le schéma d'une mémoire à boucles inductives et à matrice sélective comportant les perfectionnements de l'invention qui permettent la suppression des transformateurs de couplage. La figure 3 est une représentation en perspective simplifiée et agrandie de deux niveaux successifs de cette mémoire. La figure 4 est un schéma d'ensemble en perspective d'un exemple simplifié de mémoire selon l'invention. La figure 5 est le schéma des interconnexions de masses d'une telle mémoire. La figure 6 est le schéma électrique correspondant à la figure 5. La figure 7 montre une variante de réalisation de mémoire. Sur le schéma de la figure 2, la matrice est constituée par un réseau rectangulaire de conducteurs x1, x2, xa, x4 ...et Y1 Y2, Y3 y4 A chaque croisement de conducteurs, x3 et y3 par exemple, ces conducteurs sont reliés par une boucle d'interrogation 13,3 en série avec une diode anti-retour d3 3. Chaque ligne d'interrogation I croise un nombre de lignes de lecture égal au nombre maximal possible d'éléments binaires dans les mots identifiés par leur adresse dans la matrice xy, lignes de lecture dont une seule LP est figurée. A chaque croisement d'une ligne de lecture et d'une ligne d'interrogation, de manière connue en soi, existe ou n'existe pas une boucle inductive de couplage C3 3 p qui, lorsqu'elle est présente et active, permet à une impulsion de la ligne d'interrogation d'etre transmise à la ligne de lecture. L'impulsion induite peut etre transmise par la ligne bifilaire DP comportant une gaine conductrice gP à l'amplificateur AP par l'intermédiaire du transformateur TP. Il n'existe pas de découplage entre la matrice et les lignes d'interrogation, seuls les transformateurs tels que TP (en nombre égal à celui des lignes de lecture, c'est-à-dire bien inférieur au nombre des transformateurs de découplage utilisés usuellement dans la matrice) séparent électriquement les circuits générateurs d'impulsions des amplificateurs de lecture. Il convient, pour qu'un tel schéma fonctionne, de limiter tous les couplages parasites des circuits, les causes d'inductions de courants parasites, spécialement de courants transitoires, et les conséquences de ces derniers courants. A ces fins, diverses précautions sont prises. Les conducteurs x ... xn et les conducteurs Y1 e Yn sont alimentés directement en courant continu entre une faible tension positive stabilisée VO et la masse, à travers les trajets émetteurs-collecteurs de transistors Xî q Xm et Y1 ... Yn montés en série, qui constituent les portes de chacun des circuits possibles. Les transistors, du type a fort courant et faible tension de déchet, sont commandés par la base au moyen d'impulsions positives, soit directement comme c'est le cas sur la figure pour les transistors X, soit par un transformateur intermédiaire tr, comme représenté pour les transistors Y. Par les résistances Rx et Ry respectivement, les y transistors et les diodes anti-retour sont polarisés de manière à être maintenus, au repos, à l'état non conducteur, ctest-3- dire en l'absence d'impulsions de déblocage appliquées à leur base. Lorsque ces impulsions sont appliquées pendant un temps qui correspond au chevauchement de deux impulsions appliquées en X et Y, un courant important estxdébité dans le circuit comprenant les conducteurs x et y choisis et la boucle I correspondante. Le temps de montée de ce courant n'est toutefois pas négligeable a cause du caractère selfique de ce circuit en boucle. Cependant, du fait que les tensions mises en jeu sont faibles, qu'il n'existe aucune résistance ou autre impédance de charge dans le circuit, l'impulsion de courant qui passe dans la ligne d'interrogation n'est pas accompagnée de parasites ou de transitoires et ne provoque, par inductance mutuelle ou capacité, que des courants négligeables dans les lignes voisines. Alors que dans les dispositifs matriciels connus, ce résultat n'est obtenu qu'au moyen de générateurs de courant particuliers engendrant des impulsions dont les fronts ont la pente convenable, le résultat est ici obtenu par la simplification du circuit en utilisant des tensions appropriées. Un fonctionnement correct est alors obtenu au moyen de circuits logiques (non représentés) destinés à rendre passants les transistors au moment opportun. On montrera dans la suite cependant comment l'inven- tion permet de minimiser l'influence des courants parasites induits, notamment en explicitant les mises à la masse illustrées sur la figure 2 aux extrémités de la ligne LP, à la gaine de la ligne DP et à l'amplificateur AP. Les figures 3, 4 et 5 illustrent une réalisation pratique du schéma montré sur la figure 2. De manière en soi connue, la matrice de sélection est réalisée sur une des faces d'un bloc parallélépipédique 1 (figures 4 et 5) constitué de plans superposés d'interrogation, de lecture, d'écran et de cartes de mémoire porteuses de boucles de couplage. Ces plans sont explicités sur la figure 3. Deux conducteurs de matrice horizontaux yj et Yj+1 croisent un conducteur vertical xi. Les conducteurs y sont disposés en bordure de pla ques isolantes PI. et PI respectivement qui portent seulement 3 3 les lignes dtinterrogation et constituent les plans d'interrogation. L'une des extrémités de chaque ligne d'interrogation est reliée au conducteur y correspondant, l'autre au conducteur x par l'intermédiaire d'une diode di j ou di,j+î pour les lignes d'interrogation Ii j et I. i,j+1 Etant donné le repliement en zigzag des lignes de lecture, le sens des courants d'interrogation est inversé d'un niveau à l'autre, sauf entre les deux niveaux où la connexion à l'amplificateur de lecture est effectuée (voir DP sur la figure 4). Les lignes de lecture, LP par exemple, sont repliées à leurs extrémités et portées par les cartes PL., PL. qui 3 3+1 constituent les plans de lecture. Entre un plan de lecture et un plan d'interrogation, s intercale, de façon amovible, une carte de mémoire (PM. et PMj+1) qui porte les boucles de couplage C. j Ci,j+î,P etc... qui correspondent à tous les points de croisement mais que l'on peut rendre inactives par coupure au moyen d'une perforation de la carte. Enfin, chaque niveau comprenant un plan d'interrogation, un plan de carte de mémoire et un plan de lecture, est séparé du niveau voisin par un écran métallique PEj, PEj+1 En pratique, ces écrans, situés entre deux faces libres de cartes porteuses de lignes, sont accolés à l'une d'entre elles. On remarquera immédiatement que, dans la réalisation selon l'invention, les cartes d'interrogation ne portent pratiquement que les lignes d'interrogation et les conducteurs Yj qui, en variante, peuvent aussi être réalisés sous la forme d'une bande de circuit imprimé le long du bord de ces cartes. Sur la figure 4, on a représenté seulement pour la clarté huit lignes verticales x (x1 à x8), quatre-lignes horizontales y, deux lignes de lecture LP et LQ, quatre lignes d'interrogation associées au conducteur x1 et quatre diodes associées à ce meme conducteur. On notera que ces diodes prennent place contre la face arrière du bloc 1 tournée vers l'observateur et sont branchées conformément aux règles de connexion précédemment indiquées. Suivant une particularité de l'invention, les conducteurs y, qui s'étendent parallèlement aux lignes de lecture et sont donc susceptibles d'induire des courants parasites dans celles-ci, sont fractionnés, en l'espèce coupés en deux parties égales,largement séparées pour la clarté sur la figure 4. Chacune des parties de conducteurs y est alimentée par une porte Y. Les deux jeux de portes Y1 - Y4 et Y'1 - Y'4 commandées en parallèle sont portés par des cartes 2 et 3 respectivement qui permettent l'alimentation des tronçons de conducteurs y vers leur milieu. Ainsi, la fraction de conducteur y, dans laquelle passe une impulsion de courant lors d'une interrogation, est réduite au quart de la longueur géométrique totale de ce conducteur dans la matrice. D'autre part, les portes X (X1 a X8) sont également portées par une carte 4 représentée pour la clartée écartés du bloc 1 qui permet 1'alimentation des conducteurs (xs ... x8) par leur milieu. Ainsi, la boucle de courant génératrice d'un champ dont les lignes de force coupent les lignes de lecture a-t-elle au plus pour étendue un huitième de la surface de matrice. Sur la figure 4, les deux lignes de lecture LP et LQ, supposées de parité différente, sont disposées de façon symétrique dans le bloc 1, c'est-à-dire que leurs extrémités, respectivement fermées par les résistances caractéristiques R1P, R2P et R1Q et RSQ respectivement, sont situées du même côté du bloc 1 pour la même ligne de lecture, ces deux côtés étant opposés pour les deux lignes de lecture. De plus, la ligne DP qui conduit a l'amplificateur AP via le transformateur TP est aussi située du même côté que les résistances de ligne correspondante. Les amplificateurs AP et les transformateurs associés sont, pour chaque côté, portés par une carte respectivement 6 et 7 qui prend place sur la face supérieure du bloc 1. Dans cet agencement (figure 5), les connexions de masse suivantes sont réalisées. Les différents plans d'écran PE ... PE4 sont reliés entre eux en chaîne à leur quatre angles par des conducteurs 8. Les points milieu de résistances d'adaptation R1P, R2P par exemple sont reliés, par des conducteurs 9 et 10, à une masse commune M prise au bord de l'écran médian situé de leur côté. La gaine gP est reliée aussi, par un conducteur Il aboutissant en M, à ce bord d'écran. Enfin, un blindage isolé, formé de quatre feuilles de cuivre B1 à B4 assemblées entoure le bloc des lignes d'interrogation et de lecture. Les feuilles d'extrémité B2 et B4 sont traversées par les gaines isolées des lignes telles que DP ou DQ. On a vu qu'une impulsion étant simultanément appliquée à une porte X et à une porte Y, une ligne d'interrogation se trouve parcourue par un signal qui, par l'intermédiaire des boucles de couplage actives C, induit un signal unitaire dans un certain nombre de lignes de lecture, la ligne LP par exemple. Ce signal se propage dans cette ligne, des deux côtés de celle-ci, et une partie en est captée par la ligne DP qui le dirige vers l'amplificateur AP. Aux deux extrémités de la ligne, le signal s'amortit dans les résistances d'adaptation R1P et R2P. En outre, le long des deux conducteurs de la ligne à la fois ont pu se propager, en mode commun, des signaux parasites. Il peut donc apparaître, aux points milieu des résistances d'adaptation R1P et R2P des potentiels différents. Ces potentiels ne peuvent provoquer que des courants passant par les conducteurs 9 et 10, c'est-à-dire des courants ayant une influence minimale sur les boucles d'interrogation et de lecture qui sont perpendiculaires à la direction de ces courants. Ces courants pourraient toutefois induire des courants parasites dans les conducteurs de la ligne DP. Ceci est évité tant par la liaison au point M de la gaine gP que par les écrans B1 à B4 entourant l'ensemble du bloc. On remarquera, en outre, que toutes les boucles d'interrogation I, sauf la seule qui est active, sont effectivement interrompues en service par défaut de conduction des portes X et Y. En conséquence, lorsque, à partir de la ligne d'interrogation active, un signal parvient dans une ligne de lecture par une boucle de couplage et qu'il se propage dans cette ligne, il induit bien des courants dans les boucles de couplage associées aux autres lignes d'interrogation qu'il rencontre, mais n'en induit pas dans ces lignes elles-memes. Comme les boucles de couplage sont en court-circuit, les courants ainsi induits n'entraînent pas d'affaiblissement dudit signal. Au contraire, dans les réalisations connues de mémoire comportant des transformateurs T tels que montré sur la figure 1, toutes les lignes d'interrogation sont fermées sur elles-mêmes par les secondaires de ces transformateurs, de sorte que, par la voie des boucles de couplage rencontrées, des courants parasites en retour circulent dans une grande partie des lignes d'interrogation lorsqu'un signal est présent dans une ligne de lecture. Il en résulte évidemment l'affaiblissement du signal utile et l'apparition d'un grand nombre de signaux parasites très gênants car, dans de tels montages inductifs qui ne cc'#.#ûr- tent pas de masse magnétique et sont donc de réponse rigoureu sement linéaire, aucun effet de seuil ne peut être utilisé pour limiter de tels signaux. Les plans des lignes d'interrogation ne contenant plus pratiquement que ces lignes, certaines facilités de montage des mémoires deviennent possibles ; l'une d'elles est montrée sur la figure 7. Les conducteurs x1, x2, x3 sont disposés chacun à la surface de cartes souples 151, 152 ... qui supportent également les diodes dl1 ...dl4, d21 ... d2W, etc..., et le transistor X correspondant. Ces cartes viennent se disposer de part et d'autre des cartes 2 ou 3 portant les portes Y. On obtient ainsi une réalisation particulièrement favorable à la surveillance, aux échanges d'éléments et au refroidissement des composants en cas d'utilisation intensive. La disposition des amplificateurs et transformateurs sur des plaques telles que 6 et 7 au-dessus du bloc 1 facilite aussi la surveillance et les réparations en dégageant les faces latérales du bloc. A titre d'exemple d'application, une mémoire à boucles inductives de ce genre, réalisée industriellement par la Demanderesse, comporte 2.016 mots de chacun 36 éléments binaires. A l'intérieur du bloc 1, la densité des éléments binaires atteint 10 par centimètre cube. L'invention s'applique aux dispositifs à sélection matricielle et spécialement aux mémoires semi-permanentes dans lesquelles les couplages entre lignes d'interrogation et lignes de lecture sont assurés au moyen de cartes amovibles. REVENDICATIONS 1. Dispositif matriciel de sélection, notamment mémoire semi-permanente comprenant une matrice de sélection à deux jeux de conducteurs croisés, chacun commandé par un jeu de portes d'adresse, un multipôle de couplage entre chaque point de croisement de la matrice et une ligne bifilaire de sélection associée à un élément d'exploitation du signal résultant de la mise en activité dudit point de croisement, caractérisé en ce que les conducteurs du jeu de conducteurs de la matrice, orientés parallèlement à des conducteurs de l'élément d'exploitation, sont fractionnés en un certain nombre de parties égales, chacun des jeux de parties égales étant connecté, sensiblement en son milieu, à un jeu de portes d'adresse, les différents jeux de portes étant eux-mêmes connectés en parallèle. 2. Dispositif matriciel selon la revendication 1, caractérisé en ce que les portes d'adresse des deux jeux sont des transistors à fort courant et faible tension de déchet dont les trajets émetteur-collecteur sont montés en série avec les conducteurs de chaque jeu et directement alimentés par des tensions continues stabilisées, ces transistors étant normalement maintenus bloqués par des tensions de butée appliquées à travers de faibles résistances et rendus conducteurs par deux impulsions simultanées appliquées respectivement aux bases de transistors commandant deux conducteurs appartenant chacun à un des jeux. 3. Dispositif selon les revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la ligne de sélection est, au croisement de deux conducteurs, directement connectée, avec insertion d'une diode anti-retour, à chacun de ces conducteurs. 4. Dispositif selon les revendications 1 ou 3, dans lequel la ligne de sélection est une ligne d'interrogation et l'élément d'exploitation est un nombre déterminé de lignes de lecture croisées par cette ligne d'interrogation, un couplage mutuel à chaque croisement pouvant être établi par l'intermédiaire d'un élément approprié porté par une carte de mémoire, lesdites lignes de lecture étant pliées en zigzag et disposées dans des plans superposés formant un bloc parallélépipédique et les sorties de ces lignes de lecture étant disposées vers le milieu de ces lignes d'un des côtés du bloc, caractérisé en ce que lesdites sorties et les extrémités de ces lignes sont situées du même côté du bloc, lesdites extrémités de lignes étant fermées par la résistance caractéristique de ces lignes et les points milieu de ces résistances reliés à une masse commune située sur ledit côté de bloc. 5. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel les plis successifs des lignes de lecture sont, dans le bloc, séparés par des écrans conducteurs rectangulaires, caractérisé en ce que la masse commune est constituée par les bords des écrans situés du même côté du bloc, ces bords étant reliés en chaîne par des conducteurs reliant, de préférence, les angles superposés de ces écrans. 6. Dispositif selon les revendications 4 et 5, caractérisé en ce que les sorties des lignes de lecture sont des lignes bifilaires enfermées chacune dans une gaine conductrice, lesdites gaines étant reliées à la masse commune du côté correspondant du bloc mémoire. 7. Dispositif selon la revendication 6, dans lequel les lignes bifilaires conduisent à un amplificateur, caractérisé en ce que la liaison est assurée par l'intermédiaire d'un transformateur de couplage. 8. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que les lignes de sélection reliées à l'un des conducteurs d'un des jeux sont portées par une même carte de circuit imprimé qui porte aussi ce conducteur, tandis que les conducteurs de l'autre jeu s'étendant transversalement face aux conducteurs du premier jeu mentionné, les diodes sont individuellement soudées respectivement, d'une part, à un desdits conducteurs de l'autre jeu, d'autre part, à l'extrémité libre de chaque ligne de sélection. 9. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que les lignes de sélection reliées à l'un des conducteurs d'un des jeux étant portées par une même carte de circuit imprimé qui porte aussi ce conducteur, chaque conducteur de l'autre jeu, ainsi que la porte qui le commande sont portés par une carte de circuit imprimé transversale à la superposition des premières cartes, carte qui porte, en outre, les diodes de liaison de ces derniers conducteurs aux extrémités libres des lignes de sélec- tion superposées. 10. Dispositif selon les revendications 6 et 7, caractérisé en ce que les amplificateurs et les transformateurs de liaison sont placés sur la face supérieure du bloc, les lignes bifilaires sous gaine étant disposées perpendiculairement à cette face. 11. Dispositif selon les revendications 6 et 10, caractérisé en ce que le bloc mémoire est entouré d'un écran isolé couvrant les faces d'extrémité et les faces supérieure et inférieure, écran traversé par les gaines des lignes bifilaires.