FR 2154479 A1 19730511 FR 7231798 A 19720907 Ta présente invention concerne un procédé de fabrication de semi-conducteurs et de circuits imprimés selon un procédé de technique planar en utilisant des couches isolantes dopées formant des sources de diffusion. Actuellement pour fabriquer des éléments semi-conducteurs planar et des circuits imprimés, on fait diffuser dans une plaquette monocristalline semi-conductrice ou dans une couche épitaxiale prévue sur une telle plaquette, des accepteurs et des donneurs d'un certain type de conductibilité, avec des concentrations différentes et une répartition chrono logiq~s différente, de façon b former sous la surface supérieure des zones b dopages différents ayant des dimensions géométriques déterminées. Pour cela, on part d'une plaquette semi-conductrice recouverte d'une couche d'oxyde non dopée. Dans cette couche d'oxyde on forme une entre par attaque ou corrosion chimique, en utilisant un procédé photolithographique.Les atomes des donneurs pénbtrent par cette feutre au cours de la diffusion. Puis on ferme de nouveau les fenttres pratiquées dans la couche d'oxyde à l'aide d'une couche d'oxyde ou de silicate. On répète ce cycle autant de fois que l'on veut réaliser des zones dopées contenant des types de dopants différents, des profondeurs de pénétration différentes ou des concentrations de surface superficielle différentes, pour la fabrication du produit final. On connais en outre des procédés pour la fabrication de transistors , selon lesquels on utilise, comme sources de diffusion, des couches d'oxyde dopées, qui sont déposées sur une couche d'oxyde non dopée munie de fe natures. Dans ce cas, on répète également plusieurs fois la mise en place des masques, le dépôt de la couche d'oxyde dopée et la diffusion, dans l'ordre indiqué. Belon un autre procédé, on utilise comme sources de diffusion des couches d'oxyde, doublement dopées et, à l'aide de celles-ci, on réalise au cours d'une mtine diffusion, deux Jonctions pn b des profondeurs différentes par rapport à la surface supérieure. l'es inconvénients des procédés ónnuB résident dans le fait que l'on effectue plusieurs diffu siorEsucesssives sur la mOrne surface supérieure du semi-conducteur, et ces diffusions sont entâchées de tolérances considéra,- bles. Avant chaque diffusion, on effectue un masquage. Du fait de l'élévation des températures de diffusion, les installations de diffusion et celles permettant de faire le masquage ne sont pas compatibles, ce qui signifie qu'il est difficile de les com- biner sous la forme d'une installation fermée ayant un micro-climat interne.Un autre inconvénient réside dans le fait que la couche d'oxyde ou de silicate qui recouvre la surface supérieure du semi-conducteur présente des différences d'épaisseur ou de composition chimique. Cela entrain que pour dégager la entre de contact au-dessus des zones à dopages différents, il faut ef- fectuer plusieurs mises en place de masques. En outre, la couche d'oxyde ou de silicate présente des gradins de hauteurs différen- tes qui entraient facilement la rupture des conducteurs d'alumi- nium. La présente invention a pour but de réduire les risques d'erreurs dans la fabrication de circuits intégrés, et d'améliorer les påramètres électriques ainsi que le rendement de la fabrication. La présente invention a pour but de réduire le nombre des opérations à haute température, c 'est#-dire des opérations de diffusion et de réaliser toutes les zones à dopages différents et qui se trouvent sous la même surface supérieure du semi-conducteur, au cours d'une même dopée ration de diffusion. En outre, on se propose d'avoir une épais- seur uniforme de la couche de silicate pour toutes les fenêtres de contact, et de réduire la hauteur des gradins dans la couche d'oxyde ou de silicate. Â cet effet, la présente invention concerne un procédé du type indiqué ci-dessus caractérisé en ce que sur la surface supérieure du substrat nu (plaquette monocristalline semi-conductrice) on dépose une première couche isolante dopée d'un premier type de dopant à une concentration déterminée, et avec une épaisseur déterminée, puis on revêt cette première couche d'une couche de transfert fermée. La couche de transfert doit pouvoir Entre corrodée sélectivement, ctest-i-dire qu'au cours de sa structuration, la couche isolante dopée ne doit pas être attaquée ou ne l'être que très peu, et inversement. En outre, au cours du dépôt des autres couches isolantes dopées cette première couche ne doit pas autre modifiée ou ne doit pas réagir avec d'autres produits. -Des couches de molybdène tungstène, titane ou Si3N4 satisfont à ces exigences. On réalise la structure de la couche de transfert à l'aide d'un procédé utilisant un vernis photosensible et une attaque chimique. Cette couche de transfert sert de masque de transfert pour réaliser la structure de la première couche isolante dopée, recouverte par le masque. Ainsi lors de l'attaque de la couche isolante dopée, on transfère la structure représentée par le masque de transfert sur cette couche isolante dopée. Cela signifie qu'à la surface supérieure du substrat, on forme de petits flots d'isolants dopés, ayant des dimensions prédéterminées, une position prédéterminée sur la surface du substrat et qui sont recouverts par le masque de transfert qui les protège. Ces flots agissent dans leur totalité au cours de la diffusion ultérieure, comme masque de diffusion actif. Au cours de l'opération suivante, on dépose une seconde couche isolante, qui contient par exemple un second dopant ayant une concentration déterminée ou encore le mOrne que la première couche, mais avec une autre concentration. Cette seconde couche isolante dopée est revêtue d'une seconde couche de revêtement de transfert sur laquelle on réalise une structure comme précédemment et qui sert de masque de trans fert pour réaliser la structure de la seconde couche isolante dopée. Lorsqu'on attaque la seconde couche isolante dopée, les zones recouvertes par le premier masque de transfert et faisant partie de la première couche isolante dopée, restent inchangées. De façon globale, à la surface supérieure du substrat, on obtient des flots ayant des dopages de types différents ou de concentra tionss différentes. le cycle opératoire consistant à déposer une couche isolante dopée, à déposer et à structurer une couche de revêtement de transfert, puis à structurer la couche isolante dopée, se répète aussi souvent qu'il faut avoir de zones de dopages différents, sur le substrat. Après enlèvement des masques de transfert, on procède à la diffusion thermique à haute température, les divers flots isolants dopés, servant de sources de diffusion, c 'est-à-dire constituant des masques de diffusion actifs.Au cours de ce traitement thermique, on réalise simultané ment toutes les zones de diffusion dans le substrat, et les répartitions des dopants, c'est-8-dire le profil des impuretés est déterminé par la concentration des dopants respectifs dans les diverses couches d'isolants, par les coefficients de diffusion et de ségrégation des dopants ainsi qu'en fonction de la temps rature et de la durée du traitement thermique. Pour protéger la surface supé- rieure du substrat selon les caractéristiques générales de la technique planar, on revit avant le traitement thermique, toute la surface supérieure d'une couche passive par exemple d'une couche isolante non dopée. En utilisant des substrats de silicium on peut faire une passivation de la surface supérieure du substrat, en chauffant en milieu oxydant. Au cours de ce traitement, on obtient, en tous les points de la surface supérieure du subs- trat où ne se trouvent pas dttlots isolants, du Silo2 par oxydation à chaud, alors qu'aux endroits des flots isolants dopés, l'oxydation ne se fait que très lentement. Pour réaliser des transistors ayant deux Jonctions pn successives dans la direction de la diffusion, on utilise de façon connue des couches isolantes comprenant deux dopants à savoir un accepteur et un donneur. Les divers flots isolants à dosages différents peuvent être totalement séparés ou se recouvrir partiellement ou totalement. Dans les zones de recouvrement, on peut conserver la couche de transfert de la couche d'oxyde dopée, déposée la première, comme couche séparatrice, ou encore l'enlever par rongeage avant de déposer la couche d'oxyde à dopages différents qui est posée ensuite. Il est préférable de déposer toutes les couches d'isolants avec une m#me épaisseur, la concentration des dopants et leur type étant déterminés par la concentration de surface et la profondeur de pénétration ainsi que le type de conductibilité nécessaire pour l'élément semiconducteur. Pour tenir compte des comportements différents au rongeage des diverses couches isolantes dopées, et pour éviter un rongeage trop réduit du masque-protecteur quand on ronge la fenêtre de contact, on peut donner aux couches isolantes des épaisseurs diverses. Dans ce cas, en tenant compte des vitesses de corrosion différentes des couches, on choisit les épaisseurs de couche de façon que toutes les fenttres de contact nécessitent sensiblement le mSme temps pour être reongées. Ce procédé permet la fabrication de circuits intégrés suivant une technique planar#épitaxiale, avec seulement une ou deux opérations de diffusion, suivant qu'il y a une zone de collecteurs enfoncée à faible résistance ohmique ou non. Âa cours de l'opération de diffusion, les concentrations de surface supérieure dépassent à peine les valeurs correspondant à l'effet final En conséquence, on élimine tous les effets gênants qui se présentent au cours des procédés de diffusion à deux phases classiques, comprenant une diffusion préalable et une diffusion en profondeur, et qui reposent sur l'effet de saturation. On peut ainsi s'attendre à avoir lors de la fabrication de circuits intégrés, des tolérances plus étroites ainsi que des rendements plus élevés et une sécurité plus grande. Le procédé selon la présente invention sera décrit plus en détail à l'aide de divers modes de mise en oeuvre représentés dans les dessins annexés dans les quels : - la figure 1 représente de façon générale la mise en place des masses et des structures d'une couche isolante dopée, pour la fabrication d'un masque de diffusion actif. - la figure 2 représente de façon générale la fabrication de masques de diffusion, actifs, dopés de façon différente, à la surface supérieure d'un semiconducteur. - la figure 3 représente le schéma de la fabrication d'un transistor intégré avec zone de connecteur enfoncée, et diffusion unilatérale du cadre d'isolation. - la figure 4 représente le schéma de la fabrication d'un transistor intégré avec zone de connecteur enfoncé et diffusion bilatérale du cadre d'isolation et de la connexion de collecteur. - la figure 5 représente le recouvrement complet de deux couches isolantes, dopées diffé remmena. - la figure 6 représente le recouvrement partiel de deux couches d'isolant dopées différemment. - la figure 7 représente un procédé simplifié pour la fabrication de masques de diffusion, actifs, dopés de façon différente. Selon la figure 1, pour fabriquer un flot d'isolant positionné et formé de façon précise, à la surface supérieure du substrat 1, on dépose tout d'abord une couche isolante dopée 2, puis au-dessus de celle-ci une couche de revêtement de transfert 4. On revêt l'ensemble d'un vernis photosensible 6 figure la).Après exposition du vernis photosensible en utilisant un négatif photographique, on obtient le masque 7 adhérent en vernis photosensible (figure lob). Ce masque sert, lors de 1 1opération d'attaque chimique, pour la structuration de la couche de revêtement de transfert 5 et sa transformation en un masque de transfert 4 (figure 1c). Après enlève ment du masque de vernis 7 (figure Id), on attaque chimiquement la structure de la couche isolante dopée 2, la protection étant assurée par le masque de transfert 4.On obtient alors le masque de diffusion actif, 3 (figure le) qui sert de source de diffusion au cours du processus de diffusion ultérieure0 Ba figure 2 montre comment, en utilisant le procédé de structuration représenté à la figure 1, on forme des flots isolants dopés de façon différente à la surface supérieure du substrat 1. Ces flots isolants servent de source de diffusion pour la fabrication d'éléments semi-conducteurs et de circuits intégrés. Sur le substrat 1 on dépose une première couche isolante 2 comportant un dopant du premier type, suivant le procédé déjà décrit, en masquant avec le masque de transfert 41 (figure 2a) et en utilisant un rongeant adéquat. On obtient ainsi le masque de diffusion actif, 31 qui reste recouvert par le masque de transfert 41 en étant protégé par ce masque (figure 2b). Puis sur toute la surface supérieure, on applique une seconde couche isolante 22, comportant un deuxième dopant et on réalise un second masque de transfert 42 (figure 2c). Par une seconde attaque chimique, on enlève la seconde couche isolante dopée 22, partout où cette couche n'est pas protégée par le masque de transfert 42, c'est-à-dire même aux endroits ou' se trouvent déjà les flots du masque de diffusion actif 31 protégés par le masque de transfert 41. On a ainsi en plus du premier masque de diffusion actif 31, un second masque 32 (figure 2d). Par un procédé analogue, après dépôt d'une troisième couche d'isolant 23 comportant un troisième dopant, et d'un troisième masque de transfert 43 (figure 2e), on obtient par corrosion un troisième masque de diffusion actif 33 (figure 2f). On peut répéter ce pro cossus de façon quelconque. Pour le dernier masque de diffusion actif réalisé, il n'est pas nécessaire d'avoir un masque de trans fert, il suffit d'avoir un simple masque photo-sensible pour la mise en place de la structure. Il est à remarquer que les couches isolantes dopages 21, 22, 23 ou les masques de diffusion actifs 31, 32, 33 ne contiennent pas nécessairement des dopants différents.Dans le cas où ils contiennent le même type de dopant, ces masques peuvent également se distinguer, par leur concentration en dopant. Puis on enlève les masques de transfert 41, 42 et 43 et on recouvre la surface supérieure d'une couche de passivation 8, par exemple une couche de SiO2 non dopée (figure 2h). Cette couche évite la diffusion des dopants vers ltextérieur, vers l'atmosphère gazeuse ambiante, ou encore une pénétration par diffusion dans les zones de la surface supérieure du substrat, non protégées par les flots de Si020 Il est également possible de supprimer la couche de passivation 8 et d'effectuer le processus de diffusion sous atmosphère oxydante auquel cas il se forme une couche oxydée 9 dans les zones de la surface supérieure du substrat, non recouvertes.Cette couche oxydée peut avoir le mOrne rtle que la couche de passivation 8 (figure 2J). A la figure 2j, on a également représenté les zones de diffusion qui se forment au cours du processus de diffusion. La fabrication de circuits intégrés utilisant les procédés généraux selon les figures 1 et 2, eat représentée à la figure 3. Sur un substrat 1 de type p doté d'accepteurs, et qui est dans l'exemple choisi un élément en silice, on forme un masque de diffusion actif 34 dopé par de l'arsenic ou de l'antimoine (figure 3a) . Au cours du processus thermique ultérieur, en milieu oxydant, on fait diffuser l'arsenic de oxyde dans le silicium, et on forme la couche préalable pour la zone de collecteur 51 enfoncée à faible résistance ohmi- que (figure 3v). Sur les zones de la surface de silicium, non recouvertes par le masque de diffusion actif 34, il se forme une couche oxydée à chaud 25. Puis on enlève complètement oxyde thermique 25 et le masque de diffusion actif 34 de l'élément de silicium et on dépose une couche épitaxiale 10 de conductibilité n. Comme on consomme du silicium du substrat 1 pour former la couche d'oxyde thermique 25, la zone diffusée 27 s'élève d'un degré par rapport aux parties environnantes.Ce degré augmente avec la couche épitaxiale 10 et sert à la mise en place des masques de diffusion actifs qui sont à réaliser à la surface supérieure de la couche épitaxiale, pour obtenir les zones 27 à la surface limite entre le substrat et la couche épitaxiale. A la surface supérieure de la couche épitaxiale, on réalise successivement le masque de diffusion actif 35 dopé par une forte concentration de bore, pour réaliser le cadre isolant, le masque de diffusion 36 dopé par une forte concentration de phosphore pour réaliser le puits du collecteur, le masque de diffusion actif 37 dopé par une faible concentration de bore et une forte concentration d'arsenic ou d'antimoine, pour former la zone de l'émetteur et de la base, ainsi que le masque de diffusion actif 38 dopé par une faible concentration de bore, pour la connexion de la base (figure 3d). La répartition et la structuration des divers masques de diffusion actifs 37 et 38 qui se recouvrentpartiellement ,seront décrites plus en détails à l'aide des figures 5 et 6. Au cours du traitement thermique en milieu oxydant suivant, la couche d'oxyde 26 se développe sur les zones de la surface supérieure de la couche épitaxiale, non recouvertes par les masques de diffusion actifs (figure 3e). En outre, les dopants diffusent des masques de diffusion actifs 35,36, 37 et 38, dans la couche épitaxiale et y forment le cadre isolant 12, le puits de collecteur 13, la zone d'émetteur 14, la zone de base 15, et le connecteur de base 16. En même temps, la couche préalable 51 se développe pour donner une zone de collecteur il enfoncée, à faible résistance ohmique. On peut réduire la durée de la seconde opération thermique et réduire ainsi les contraintes thermiques s'exercent sur l'élément traité, si on forme sur le substrat 1 non seulement une couche préalable 51 pour la zone de collecteur 11, enfoncée, à faible résistance ohmique, mais (comme le représente la figure 4), également des couches préalables pour le cadre isolant et le puits de collecteur. Dans ce cas, selon la figure 4a, on réalise sur le substrat 1 successivement le masque de diffusion actif 34 dopé par de l'arsenic, le masque de diffusion 39 actif, dopé par du bore et le masque de diffusion actif 40 dopé par du phosphore. Dans les trois masques de diffusion, on a une forte concentration en dopants. Au cours de l'opération thermique suivante, qui s'effectue de nouveau dans un milieu oxydant, il se forme des couches préalables 51 pour la zone de collecteur enfoncée à faible résis- tance ohmique, une couche 28 pour le cadre isolant et une couche 29 pour le puits de collecteur ainsi qu'une couche oxydée à chaud 25 (figure 4b). Après avoir enlevé tout l'oxyde du substrat 1 et après dépôt de la couche épitaxiale 10 (figure 4c) on réalise les masques de diffusion actifs 35, 36, 37 et 38 (figure 4d) comme cela a déjà été décrit ci-dessus, de façon analogue à l'opération illustrée à la figure 3d. Au cours des deux opérations thermiques suivantes, il se forme le cadre isolant et le puits de collecteur, par diffusion à partir des masques de diffusion actifs 35, 36 et par diffusion extérieure à partir des couches préalables 28 et 29. Ces éléments sont ainsi constitués par les zones diffusées 12, 13 à partir de la surface limite entre la couche épitaxiale et la couche d'isolants ainsi que par les zones diffusées 17 et 18 de la surface limite entre la couche épitaxiale et le substrat 1. Aux figures 5 et 6, on a représenté la structuration la plus avantageuse des masques de diffusion actifs, qui se recouvrent partiellement par leurs bords. Dans ce cas, on réalise tout d'abord le masque de diffusion actif 31 sur la couche épitaxiale 11 (ou également sur le substrat 1) et dans ce cas seuls les bords qui doivent autre recouverts par la seconde couche isolante dopée occupent les positions définitives (figure 5a) . les autres bords sont séparés de la distance 2 & ar rapport à la position définitive, vers ltexté- rieur, & représentant la tolérance de mise en place de deux masques. la structuration du masque de diffusion actif 31 se fait sans utiliser de masque de revêtement 41, c1est-à-dire simplement à l'aide d'un masque de vernis. Après cela, on dépose la couche d'isolant dopée 22 (figure 5b) et on réalise à partir de cette couche la structure du masque de diffusion actif 32. Au cours de cette opération on enlève en même temps la surface excédentaire du masque de diffusion actif 31 (figure 5c). il est évident que la position du bord séparateur entre les couches d'isolants dopées 31 et 32 sur la couche épitaxiale 11 présente une tolérance qui n'est pas représentée et que l'on n? examinera pas ici. Il est plus avantageux dans cette variante, de déposer comme première couche (couche inférieure) celle des couches d'isolant dopées qui présente la plus grande vitesse de corrosion. L'inconvénient est qu'il se forme une double couche d'o yde, qui peut entrarner des difficultés lors du dégagement de la fenêtre du contact et lors de la fabrication des circuits métalliques conducteurs. Selon une seconde variante représentée à la figure 6, on dépose d'abord sur la couche épitaxiale 11 ou sur le substrat 1, la couche d'isolant dopée ayant la vitesse de corrosion la plus faible et on réalise à partir de là le masque de diffusion actif 31 aux dimensions définitives (figure 6a). La structure se fait de nouveau en utilisant un masque de vernis. Ensuite, on dépose la seconde couche d'isolant dopée 22 ayant la vitesse de corrosion la plus élevée (figure 6b). Au cours du processus de structuration suivant, il se forme le masque de diffusion actif 32 (figure 5c). Pour éviter un contact des deux couches d'oxyde dopées, malgré les tolérances de mise en place, et ainsi un contact des zones dopées, formées ultérieurement dans le cristal semi-conducteur, il faut tenir compte de la tolérance lorsquton réalise le négatif photographique du modèle pour former le masque de diffusion actif 32 (ou également 31). Au cours du rongeage pour la réalisation de la structure du masque de diffusion actif 31, on ne modifie que faiblement l'épaisseur du masque de diffusion actif 31 du fait des vitesses de corrosion différentes. En outre, on peut tenir compte de cette légère attaque déjà lors du dépôt de la couche. Sour avoir une faible résistance de base, il est avantageux que la zone de connexion de base 16 entoure de tous côtés la zone de l'émetteur 14. A cet effet, on réalise le masque de diffusion actif 32 de façon à dépasser de tous côtés le masque de diffusion actif 31 qui correspond dans ce cas au masque de diffusion actif 37 doublement dopé (figure 6d). Dans ce cas, les différences de vitesse de corrosion sont sans importance. Toutefois, la suite chronologique des dépôts reste fixée. La figure 7 montre un procédé de fabrication de masques de diffusion actifs, comprenant un nombre plus réduit de phases opératoires que le procédé décrit en relation avec la figure 2. Le procédé selon la figure 7 peut 8 t appliquer pour tout élément semi-conducteur. Pour la mise en oeuvre de ce procédé, on suppose que les couches d'isolant 21, 22, etc.. déposées successivement, ont des vitesses de rongeage différentes. Cette condition est plus ou moins remplie en fonction des conditions de dépôt des couches et des produits chimique rongeants utilisés pour les couches d'isolant dopées différemment. On dépose tout d'abord sur le substrat 1, la couche d'isolant dopée 21 ayant la vitesse de corrosion la plus faible et on recouvre cette couche d'un masque de vernis 19, c 'est-à-dire sans utiliser de masque de revêtement 41 (figure 7a). Par rongeage, on obtient le masque de diffusion actif 31 (figure 7b) et on enlève le masque de vernis 19 (figure 7c), puis on réalise la seconde couche isolante dopée, dont la vitesse de corrosion est la plus grande, en surdimensionnant, et on la masque avec un vernis 20 (figure 7d). Or, on a supposé que la vitesse de corrosion de la couche isolante 22 est notablement supérieure à celle de la couche 21. Au cours du second rongeage, on peut alors réaliser le masque de diffusion actif 32 sans que cette attaque modifie de façon importante les dimensiens latérales et l'épaisseur du masque de diffusion actif 31. Comme ce procédé ne peut s'appliquer dans le cas où les vitesses de corrosion de deux couches ne sont pas suffisamment différenciées, il faut combiner ce procédé avec celui de la figure 2. Dans ce cas, il est avantageux de réaliser tout d'abord les masques de diffusion avec un masque de revetement, puis celle colon la figure 7, avec un simple masque de vernis. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ci-dessus décrits et représentés, à partir desquels on pourra prévoir d'autres modes et d'autres formes de réalisation, sans pour cela sortir du cadre de l'invention. R E V E N D I C A T I O 101 Procédé pour la fabrication d'éléments semi-conducteurs et de circuits imprimés en technique planar, en utilisant des couches isolantes à dopage simple et double comme source de diffusion, procédé caractérisé en ce que sur un cristal semi-conducteur 1 ou une couche épitaxiale (10) formant le substrat, on dépose une couche isolante (2, 21) dopée et sur celle-ci une couche de revêtement formant masque (5), on recouvre cette couche (5) à son tour d'un masque de vernis (7) et on la transforme par attaque sélective en un masque de revêtement (4, 41) pour masquer la couche isolante dopée (2, 21), puis après enlèvement du vernis formant masque (7), on effectue un second rongeage pour structurer la couche isolante dopée (2, 21) qui forme un masque de diffusion actif (3, 31) et qu'on utilise comme source de dopage au cours d'une diffusion ultérieure, et sur le masque de diffusion actif (31), qui est encore recouvert par le masque de revêtement (4, 41), on dépose une seconde couche isolante dopée (22), et on la structure de la même façon, à l'aide d'un second masque de vernis et d'un second masque de revêtement (42), pour transformer cette seconde couche isolante en un second masque de diffusion actif (32), et on répète ce cycle opératoire consistant en un dépôt d'une couche isolante dopée et d'une couche de revêtement formant masque, puis d'un masque à l'a'de d'un vernis et d'une structure du masque de revêtement et du masque de diffusion actif, autant de fois qu'il faut former des zones de diffusion à dopages différents à la surface d'un cristal, après quoi on enlève les masques de revêtement (41, 42), etc.. et on recouvre toute la surface de la plaquette du cristal semi-conducteur (1), y compris les masques de diffusion actifs (31, 32 etc..), à l'aide d'une couche passive (8), et enfin on effectue un traitement thermique en atmosphère inerte ou oxydante, de façon que les dopages des masques de diffusion actifs à dopages différents, diffusent dans le mono cristal semi-conducteur et forment les zones à concentration en dopants différentes. 20/ Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que pour la fabrication des masques de revêtement (41, 42), on utilise des couches métalliques telles que du tungstène, du molybdène et du titane, qui ne réagissent ni avec les couches isolantes dopées (22, 23) au cours de leur dépôt, ni avec le semi-conducteur (1, 10) ni non plus ne modifient leur dimension géométrique, et qui se distinguent des couches isolantes dopées par leurs propriétés chimiques, de façon telle qutau cours de leur structure obtenue à l'aide de produits corrosifs, les couches isolantes dopées ne soient Pas attaques ou ne le soient que de façon négligeable et, inversement. 30/ Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que les couches isolantes dopées sont de préférence en SiO2 ou Sien, et sont déposées à partir d'une phase-vapeur ou par pulvérisation à pression gazeuse faible. 40/ Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le masque diffusion actif définitif, est constitué de plusieurs masques de diffusion actifs, (31, 32, 33 etc..) à dopages dif férents et réalisés successivement, le type et la concentration des dopants des couches isolantes correspondant au type de conductivité recherché et au profil de concentration des zones cristallines dopées. 50/ Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'après l'obtention des masques de diffusion actifs (31, 32 etc..) et après enlèvement des masques de revêtement (41, 42 etc..) on effectue un traitement thermique en milieu oxydant pour former les zones cristallines diffusées, si bien que sur les sections de la surface supérieure du cristal, non recouvertes par le masque de diffusion actif, il se forme une couche d'oxyde thermique (9, 25, 26). 60/ Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 3 et 4, caractérisé en ce qu'on réalise les masques de diffusion actifs (3) sans utiliser de masque de recouvrement (4) en tirant parti des vitesses d'attaque différentes des diverses couches isolantes dopées, on dépose sur le substrat (1) une couche isolante dopée (21) que l'on masque par un masque de vernis photosensible (19), puis on transforme par attaque, cette couche en un masque de diffusion actif (31), puis après enlèvement du vernis photosensible (19), on dépose une seconde couche isolante (22) à dopages différents de la première, en étalant cette couche sur toute la surface, puis on masque avec une seconde couche de vernis photosensible (20) et on ronge de façon qu'à côté du premier masque de diffusion actif (31) on obtienne un second masque de diffusion actif (32), et on répète ces opérations aussi souvent qu'il faut de couches isolantes dopées, ayant des vitesses de rongeage suffisamment différentes, la première couche isolante dopée (21) étant toujours celle dont la vitesse de rongeage est la plus faible, puis on dépose les couches isolantes dopées en fonction de leurs vitesses de rongeage croissantes. 70/ Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les couches isolantes dopées sont en SiO2 et les masques de recouvrement sont en Sidi4.