FR 2169753 A1 19730914 FR 7203192 A 19720131 L'invention concerne un mémoire à cristal liquide, utilisant les propriétés d'un cristal en phase smectique C. Elle concerne, également, un dispositif utilisant cette mémoire et des procédés pour construire et faire fonctionner une mémoire de ce type. L'invention est basée sur un principe nouveau pour le stockage des informations qui ne semble pas être encore connu. En conséquence, on présente es références suivantes dans un but de définition et d'information générale seulement. H. Sackman et D. Demus, Molecular Orystals Vol. 2, page 81 (1966) A. Saupef Monocular Crystals ana liquid crystals Vol. 7, page 59 (1969) La memoir i cristal liquide suivant l'invention comprend une couche de cristal liquide en phase mectique C, entre deux surfaces transparentes qui la contie.=nent , surfaces qui ont subi un traitement de surface pour assurer que les couches moléculaires du cristal seront parallèles aux surfaces, et que ltorienta- tion des grands axes des molécules du cristal sera sollicitée uniformément, pour prendre l'une des deux directions stables auxquelles on se reférera ici par les termes de première et de seconde orientation des axes moléculaires. On a constaté que, ai les surfaces contenant le cristal liquide en phase smectique C sont traitées de façon appropriée, comme il sera examiné en détail plus loin, les grands axes des molécules du cristal seront alors amenés à prendre ce que l'on appellera un angle normal d'inclinaison par rapport à une surface les contenant qui se trouve dans un état stable, et ce qu'on appellera un angle complémentaire dtinclinaison par rapport à la surface qui se trouve dans un second état stable.On a constaté que les axes moléculaires de beaucoup de composés smectiques C ont des angles d'inclinaison normale d'environ 450, de sorte que 11 angle complémentaire d'inclinaison est de 1350, puisqu'il est tourné dans l'espace d'environ 900 par rapport à l'angle d'inclinaison normal. Comme composés de ce type, on peut citer la bis-(4.' -n-décyl-oxybenzal)-2-chloro-1 ,4-phénylènediamine, 1' aci- de 4-n-nonyloxybenzoSque, et le 4,4' -di-n-heptyloxyazoxybenzène. On comprendra facilement, naturellement, qu'il n'est pas nécessaire dans la mise en pratique de lt- invention, que l'angle normal d'inclinaison soit limité exactement à 450, bien que, comme on le verra, ce chiffre assure le meilleur mode de fonctionnement. Afin de simplifier l'explication de l'invention, dans ce qui suit, on supposera que l'angle normal d'inclinaison est de 450 et que l'angle complémentaire d'inclinaison est tourné de 900 par rapport au premier. On suppose aussi que le premier état stable se produit quand les axes moléculaires d'un élément de stockage sont alignés le long de l'angle d'inclinaison de 450 et que cet état stable apparat après effacement et représente une condition "OUI" ou un zéro binaire.Ain si avec cette convention, le second état stable devient celui au cours duquel les axes moléculaires d'un élément de stockage choisi sont alignés le long de l'angle complémentaire d'inclinaison0 On supposera, par pure convention, que le second état se produit dans un élément de stockage choisi qui est. soumis à l'énergie d'écriture, et l'on supposes que cet état représente l'état "NON", ou I1 état binaire nin, On supposera aussi que l'énergie demandée pour provoquer la rotation du premier-état stable vers le second état stable- est l'énergie d'écriture, et que l'énergie nécessaire pour provoquer la rotation du second état stable au premier état stable est l'énergie d'effacement.Cette terminologie est choisie d'une façon tout à fait arbitraire, puisque l'invention peut être appliquée de façon à utiliser 11 énergie d'effacement pour atteindre le second état stable plutôt que le premier, et l'énergie d'écriture pour atteindre le premier état stable plu tot que le second. Pour la lecture de l'état des éléments de mémoire, on utilise la caractéristique biréfringente de la couche de cristal liquide. Suivant le principe optique de la biréfringence, Si les molécules d'un groupe moléculaire particulier ont leurs axes parallèles au plan de polarisation de faible intensité lumineuse (choisie telle qu'elle ne change pas l'état d'énergie de la molécule), la polarisation de la lumière tourne d'un certain angle qui dépend de l'amplitude de la biréfringence et d'autres facteurs quand elle traverse ce groupe moléculaire particulier, pendant qu'il ne se produit aucune rotation quand les axes moléculaires du groupe sont perpendiculaires au plan de polarisation. La façon dont on utilise l'effet de biréfringence se comprendra plus complètement lors de la description détaillée de l'invention ci-après.Le point important à noter est que si les grands axes d'un groupe moléculaire choisi ont été tournés, au moyen de l'énergie d'écriture, pour s'aligner avec l'orientation des axes moléculaires du second état stable, une lumière de lecture de faible intensité traverse, sans rotation, le groupe moléculaire choisi pendant que, si l'énergie d'effacement amène un groupe ou tous les groupes moléculaires choisis au premier é tat stable, la lumière de lecture à faible intensité est tournée. Du point de vue de la lecture, on peut dire que les deux états d'information sont représentés par le fait que le cristal liquide provoque ou non une rotation, biréfringente ou non, sur un point particulier de l'élément de mémoire ou dans un groupe particulier de molécules. L'état de tous les groupes moléculaires peut alors être observé et détecté électriquement par la vision de la lumière qui traverse tous les éléc ment s de mémoire et traverse aussi un second plan de polarisation qui est parallèle au premier. La polarisation de ce second plan de polarisation est croisée ou tournée de 900 par rapport à la polarisation du premier plan. Ainsi, les éléments de mémoire qui sont dans le premier état stable, faisant preuve de biréfringence, feront tourner la lumière polarisée reçue de façon qu'elle soit vue, à travers le second polariseur qui est croisé, sous la forme d'un spot lumineux correspondant, pendant que les éléments de mémoire qui sont dans le second état stable et qui ne sont pas biréfringents, ne provoqueront pas de rotation de la lumière de lecture, et, par suite, apparaitront comme des points obscurs si on regarde à travers le second polariseur. il est facile de comprendre que la convention sur 1' état de représentation peut être changée de telle sorte que les points lumineux et foncés correspondent aux états 1NON" et "OUI" de 1' élément de mémoire, simplement en consi- dérant que l'énergie d'écriture et l'énergie d'effacement sont interverties dans la définition. Afin d'éviter toute confusion dans ce qui suit, la convention adoptée est telle que l'état "NON" d'un élément de mémoire existe quand les axes sont alignés avec l'axe du second état stable et qu'il n'y a pas de biréfringence, de sorte que la lecture se fait sur un point foncé, et que l'état "OUI" existe quand les axes sont alignés avec l'axe du premier état stable et qu'il se produit une biréfringence qui a pour résultat la lecture d'un point lumineux0 D'invention peut trouver un champ étendu d'application.L'utilisation de cristal liquide en phase smectique C donne une densité de stockage d'information très importante qui est, théoriquement, de 11 ordre de 1012 bits d'information pour 6,5 cm2. Cette importance de stockage rend possible en principe le stockage de nombreux volumes de littérature sur 6,5 cm2 de cristal.On peut considérer qu'une mémoire à cristal liquide comprend environ un million de lignes qui contiennent chacune environ un million de bits d'information0 Un marquage op tique approprié peut alors être ajouté à la mémoire pour désigner des segments de mémoire plus petits ayant, par exemple, une capacité de stockage de l'information de l'ordre de grandeur d'une page d'un livre où chaque ligne imprimée est supposée avoir plus de 120 caractères, chacun de ceux-ci étant représenté par plus de 100 points ou bits.Ainsi, Si l'on suppose qu'une ligne d'une page demande pour sa représentation un nombre de l'ordre de 12.000 bits, et si l'on suppose, d'autre part, que la page comprend plus de 100 lignes, on se rend compte qu'un nombre de l'ordre de 100.000 bits pourra donner-une représentation convenable d'une page de littérature vraiment très serrée. En admettant ce qui précède, on peut se rendre compte ensuite que l'on peut stocker une quantité de l'ordre de 10 pages de littérature sur une ligne de mémoire à cristal, suivant l'invention, et qu'avec un million de lignes disponibles la capacité de la mémoire en termes de pages est de dix millions de pages par mémoire. la description ci-après et les dessins annexés se rapportent à is exemplesde réalisation de l'invention dessine dans lesquels : - la figure 1 montre une mémoire à cristal liquide construite suivant l'invention, - les fifres 2A et 2B montrent comment les surfaces qui contiennent la mémoire de la figure 1 sont préparées pour assurer l'homogénéité optique appropriée, - la figure 3 montre une variante de la mémoire à cristal liquide utilisant un prisme pour éviter une courbure de la lumière, - la figure 4 montre un groupe moléculaire sorti de la couche de cristal liquide utilisé dans la mémoire des figures 1 ou 3, illustrant la formation des couches moléculaires, - les figures SA et 5B sont des vues prises suivant la ligne V-V de la figure 4, montrant comment les axes moléculaires du groupe de l'élément de mémoire sont alignés pour la première et pour la seconde direction stable d'orientation, respectivement. - la figure 6 illustre une vue en perspective de la couche mémoire et des différents plans de polarisation avec référence aux procédés de lecture, écriture et effacement de l'invention. - la figure 7 est un diagramme d'ensemble d'un dispositif optique de mémoire utilisant la mémoire à cristal liquide suivant l'invention. La figure 1 représente un modèle de mémoire à cristal liquide construit suivant l'invention. On notera qu'une couche de cristal liquide en phase smectique C est contenue entre deux plaquettes transparentes 2 et 3. Comme le montrent les figures 2A et 23, les surfaces internes 21 et 31 des plaques 2 et 3 ont subi un frottement le long des lignes 23 et 33, respectivement, afin de contraindre les axes moléculaires à prendre la direction voulue de la façon qui est décrite plus complètement avec référence aux figures 4, SA et 53. Les lignes 23 et 33 ne sont pas destinées à signifier que les lignes actuelles seront observées après le traitement des surfaces, mais plutôt, la direction que lton doit suivre pour le frottement pour réaliser l'alignement voulu des axes moléculaires.Pour assurer l'orientation, les plaques 2 et 3 peuvent être en verre traité avec une matière étrangère, telle que par exemple, une solution aqueuse diluée (1 %) d'alcool polyvinylique. La figure 3 montre une autre disposition de la mémoire réalisée suivant l'invention, où l'on emploie, au lieu des plaques 2 et 3, des prismes 5 et 6. Une couche de cristal liquide 1 en phase smectique C est contenue entre les surfaces 51 et 61 des prismes 5 et 6. Les surfaces 51 et 61 sont traitées de la même façon que les surfaces 21 et 31 illustrées dans les figures 2A et 2B. On suppose ici que l'angle normal d'inclinaison est de 450~ Dans la figure 4, une partie 40 de la couche 1 de cristal liquide est illustrée comme ayant une pluralité de couches moléculaires il, qui sont parallèles aux surfaces contenantes 51 et 61 (figure 3). Dans les figures SA et 53, l'orienta- tion des axes moléculaires de la pièce 40 illustrée dans la figure 4 est représentée avec référence à un plan, coupant cette partie perpendiculairement aux surfaces 51 et 61, et parallèlement aux lignes de frottement 23 et 33. L'orientation des axes moléculaires illustrée dans la figure 5A est telle que tous les axes sont parallèles au plan du papier qui est celui qui représente le plan passant par la pièce 40 de la figure 4, et dans ce plan; les axes sont tous parallèles à un vecteur de référence SMO-1 représentant l'orientation du premier ase moléculaire stable mentionné ci-dessus. Dans la figure 5B, les axes moléculaires sont supposés parallèles au plan du papier, et parallèles à l'orientation d'un second axe moléculaire stable, tel que SM0-2. On notera que la direction SMO-1 a un angle d'inclinaison de 450 par rapport à la surface 61s tandis que la direction SMO-2 forme, avec la surface 61, un angle supplémentaire d'inclinaison de 1350. Ainsi, l'angle entre les directions SMO-1 et SMO-2 est de 900. Bien que ce soit là l'orientation préférée des deux orientations moléculaires stables, on comprendra que des modifications essentielles sont possibles sans sortir de l'idée de base de 1'invention. Il est seulement important que les deux orientations moléculaires stables existent et non qu'elles soient tournées de 900 l'une par rapport à l'autre. il existe, toutefois, d'autres considérations qui font que la rotation de 900 est le mode de réalisation préféré de l'invention, comme on le comprendra plus complètement quand on examinera les méthodes d'écriture, dteffa- cement et de lecture. La figure 6 est une illustration en trois dimensions d'une couche 1 d'une mémoire è cristal liquide, où l'on trouve une direction de polarisation WP d'écriture à champ magnétique, une première et une seconde direction d'orientation moléculaire SMO-1 et SMO-2, une première direction de polarisation de lecture, référencée RP-1, une seconde direction de polarisation de lecture, référencée RP-2, une orientation d'effacement par champ magnétique, référencée MEH, et une direction de polarisation de la lumière d'effacement, référencée LEP. Tous les vecteurs de direction se rapportent à un élément de mémoire 65 qui est illustré arbitrairement à peu près au centre de la couche de cristal liquide.On suppose qu'un certain nombre de molécules sont comprises dans l'élément de mémoire 65, et que tous les axes moléculaires du groupe de cet élément de mémoire sont orientés parallèlement à la direction SMO-1, ou parallèlement à la direction SM0-2. En étudiant l'opération d'écriture on suppose que l'élément 65 est dans le premier état stable, les axes moléculaires étant alignés le long du vecteur SMO-l. Un faisceau de lumière à haute intensité, dont l'intensité est de l'ordre de 1 watt/cm2, qui peut être obtenu à partir d'une source laser appropriée est alors dirigé sur l'élément 65 par un dispositif approprié (non figuré) après avoir traversé un polariseur 72 correspondant au plan contenant le vecteur WP du champ électrique d'écriture. Comme il est supposé que le vecteur SMO-I a un angle d'inclinaison avec la couche 1 qui est essentiellement de 450, on doit en inférer que le plan de polarisation con- tenant le vecteur VP est à 450 avec la couche 1.Si l'on utilise la mémoire à prisme de la figure 3, le plan de polarisation d'écriture est parallèle à la surface 35 de ce prisme. L'intensité lumineuse est choisie de façon à être suffisante pour provoquer la rotation de tous les axes moléculaires de l'élément 65 de la première direction stable SMO-1 à la seconde direction stable SMO-2. Comme on le comprendra mieux par la description d'un dispositif utilisant l'invention, tel que celui de la figure 7, le faisceau d'écriture peut être examiné dans différents modes de fonctionnement pour sélectionner une pluralité d'éléments de mémoire tels que l'élément 65 pour stocker 1'information. Au cours du balayage, l'intensité du faisceau est modulée en fonction de l'état "NON-OUIn des bits d'information que l'on doit stocker. Avant de continuer, il est bon d'examiner la façon suivant laquelle 11 orientation moléculaire tourne sous l'effet d'un faisceau lumineux à haute intensité. Comme beaucoup des cristaux liquides connus présentant des phases smectiques en C sont optiquement positifs à certaines fréquences lumineuses, la constante diélectrique est plus grande le long du grand axe moléculaire que le long de l'axe qui lui est perpendiculaire. La lumière à haute intensité convenablement polarisée provoque alors la formation d'un couple qui s1 exerce sur l'élément choisi du cristal ou sur le groupe moléculaire choisi, couple tel qu'il fait tourner l'axe dont la polarisabilité est la plus grande dans la direction du vecteur du champ électrique de la lumière.Ce couple est égal à Ex P, où 2~est le vecteur du champ électrique de la lumière, et P est la polarisabilité. Après que l'on a dirigé le faisceau d'écriture à haute intensité sur l'élément 65 on obtiendra l'état "NON" ou l'état OPOUI" à condition que l'énergie du faisceau lumineux à haute intensité incident soit suffisante pour provoquer la rotation du premier état stable au second état stable. On va examiner maintenant les deux possibilités en se référant au fonctionnement de l'invention dans la lecture de l'information stockée dans l'élément 65. En lecture, on dirige un rayon lumineux de faible intensité, tel qu'on peut l'obtenir d'une lampe à incandescence, sur la mémoire de façon que les rayons lumineux soient parallèles à la direction SMO-2. Ainsi, le plan contenant la première direction de polarisation de lecture RP-1 est supposé être perpendiculaire à la direction SMO-2 ou parallèle à la surface 37, si l'on utilise le prisme de la figure 3. On fait passer la lumière à faible intensité par un polariseur parallèle au plan contenant le vecteur RP-1, ce vecteur de polarisation RP-1 étant dirigé pour prendre un angle de 450 par rapport à la ligne PSMO-I qui représente la projection de la direction SMO-1 sur le plan de référence. Si l'élément 65 est resté dans le premier état stable après écriture, au cas où l'intensité du faisceau d'écriture n'est pas suffisante pour provoquer la rotation de la direction du premier état stable à la direction du second état stable, les rayons lumineux de faible intensité verront tourner leur polarisation par biréfringence (qui sera décrite plus complètement ci-dessous). L'angle de 450 entre les directions PSMO-1 et RP-1 est choisi pour permettre que la lumière maimuc de lecture soit amenée à effectuer une rotation ou non. La caractéristique du cristal liquide est telle que la lumière maxi mum passe aux angles de 45, 135, 225 et 3150 entre PSMO-1 et RP-1 ou à tous les écarts de 900 à partir de 450, La lumière minimum passe aux angles de 0, 90, 180 et 2700. L'effet de rotation biréfringente peut entre mieux analysé en termes de transmission de la lumière entre des polariseurs croisés. Cet effet peut être représenté comme s I = 10 Sin2 . 2t .sin2 où : Q est l'angle que fait la direction de l'alignement moléculaire avec l'axe de polarisation du premier molariseur (450 pour don ner le maximum de transmission) t est l'épaisseur des couches de cristal liquide, et (N2 - N1) représente le facteur biréfringent, et est en réalité la différence entre les indices de réfraction parallèle et per pendiculaire à l'alignement moléculaire. D'après l'équation ci-dessus, quand l'alignement particulier du groupe moléculaire est dans l'état 1 (aligné avec SMO-1), N2 - N1 est au maximum, de sorte qu'il passe un maximum de lumière, pendant qu'à l'état 2 (aligné avec SMO-2) N2 - NI est sensiblement égal à zéro, de sorte qu'il ne passe que très peu ou même pas du tout de lumière. L'opération de lecture est complétée en faisant passer la lumière qui traverse l'élément choisi 65, par un second plan de polarisation contenant le vecteur de polarisation RP-2. Ce plan peut être constitué par un second polariseur 77. Ainsi, si l'élément 65 est dans le premier état stable, la lumière à faible intensité passera dans le second plan de polarisation. Par suite, il apparat un point lumineux, correspondant à l'élément 65, si celui-ci est dans le premier état stable. Si, d'autre part, le faisceau lumineux d'écriture provoque la rotation des axes moléculaires de l'élément 65 pour les amener dans la direction du second état stable, la polarisation de la lumière de lecture ne tourne pas, car l'effet biréfringent apparat par les orientations moléculaires qui sont parallèles aux plans de la polarisation de lecture. Par suite, la lumière à à faible intensité qui traverse l'élément 65, voit rester inchangée la direction de son vecteur de polarisation et cette direction reste à angle droit par rapport à la direction de polarisation du second polariseur, et, en conséquence, la lumière ne traverse pas le second polariseur, et l'état stable de l'élément 65 se traduit dans ce cas par un point obscur. On se rend compte maintenant quta- près achèvement de l'écriture dans la couche de mémoire 1 cette couche, comme on le voit, apparat sous la forme de points lumi neux et obscurs représentant les états "NON" et "OUI" des bits d'information. Il importe peu naturellement qu'un point lumineux représente un état "NON", ou "OUI", ou un "1", ou un "O" binaire. Le seul point important est que la variation de l'intensité de la lumière traversant les éléments dans les différents états soit suffisante pour qu'on puisse faire la distinction. Une fois qu'il a été stocké un modèle de points d'information de la façon qui est décrite ci-dessus, les techniques connues procurent des moyens appropriés pour dépouiller l'information stockée afin de transformer cette information en signaux appropriés pour différents applications. Un procédé consiste à faire balayer par un faisceau d'électrons des parties choisies de la mémoire constituant des mots, des lignes, des pages ou autres. La quantité d'information que l'on peut arriver à stocker suivant l'invention est alors une fonction com plexe, dépendant des possibilités de résolution que l'on peut atteindre dans la lecture et dans l'écriture. Deux procédés pour assurer l'effacement sont envisagées suivant l'invention. On peut faire passer un champ magnétique sur la mémoire, le vecteur de champ référen- cé MER dans la figure 6, étant aligné essentiellement avec la direction moléculaire stable SMO-1. Dans ce contexte, il doit a- tre, bien entendu que la définition convenable de toutes les directions que l'on a employée ici a pour but de réaliser le résultat recherché. Ainsi, la direction du vecteur MER est telle qu'elle provoque la rotation de tous les axes moléculaires alignés avec SMO-1 pour provoquer cet alignement.L'autre procédé d'effacement consiste à employer un faisceau de lumière à haute intensité qui, si la dimension de la mémoire est faible, peut être utilisé pour effacer toute la mémoire dans le cas d'effacement par un champ magnétique. L'effacement par faisceau de lumière re ayant une direction de polarisation du champ électrique LEP (figure 6) peut aussi être utilisé pour l'effacement sélectif de certains éléments de mémoire. La figure 7 représente la forme générale d'un dispositif d'application de l'invention. Dans la figure 7, on remarquera qu'une source lumineuse 71, de forte intensité, qui peut être un laser, produit un faisceau qui traverse un polariseur approprié 72, destiné à établir la direction de polarisation du champ électrique d'écriture WP (figure 6), et qui, de là, passe dans des organes de focalisation et de modulation 75 qui répondent aux signaux d'information et produit un faisceau de sortie dont les variations d'intensité correspondent aux informations qui doivent être stockées dans la mémoire. La sortie des organes 73 est envoyée aux organes 74 d'entrée de l'écriture qui reçoivent aussi des signaux donnant l'adresse de l'écriture, représentant l'emplacement de la mémoire qui doit recevoir l'énergie correspondant à l'information qui doit être stockée.Le faisceau d'écriture est dirigé vers des éléments choisis de la mémoire sur la couche 1 qui peut être contenue entre des prismes de la forme qui a été précédemment examinée avec référence à la figure 3. La lumière provenant d'une source de faible intensité 75 est dirigée, en passant par un premier polariseur de lecture 76 approprié, de la manière qui a été examinée précédemment, de façon à éclairer la couche 1. Cette lumière traverse la couche en subissant ou non une rotation biréfringente, suivant la leoture de l'état d'information, et peut être observée à travers un second polariseur de lecture 77. Des organes de sortie 78 de la lecture appropriés sont destinés à recevoir des signaux d'adresse de lecture pour régler le balayage de la surface du polariseur 77.Ces organes 78 peuvent être semblables à des transmetteurs de télévision, où les points lumineux et obscurs sont transformés en modifications correspondantes d'un signal électrique qui constituent les signaux de sortie de l'information. On comprendra facilement, toutefois, qu'un organe quelconque capable de transformer les variations de l'intensité de la lumière observées à travers le polariseur 77, pourra convenir pour l'application de l'invehtion. Les organes d'effacement 79 sont illustrés pour faire passer une énergie appropriée dans la mémoire pour provoquer la rotation des axes moléculaires de l'élément de mémoire de l'état représentant "NON" à l'étant représentant "OUI" comme il a été examiné précédemment.L'organe 79 peut être cons titué par une source magnétique ou par une source lumineuse à grande intensité suivant l'application particulière que l'on désire faire. En cas d'effacement par une lumière de grande intensité, l'organe 79 pourra comprendre un organe approprié pour la sélection de l'adresse, pour permettre l'éffacement sélectif de certains éléments de la mémoire pour permettre la modification de l'état de la mémoire sans effacement total. On suppose, dans le cas où l'on utilise un champ magnétique, que toute la mémoire est effacée. De ce qui précède, il ressort que 1'invention réalise une mémoire à cristal liquide, un procédé utilisant cette mémoire et différents procédés pour utiliser et faire fonctionner cette mémoire. Bien que l'on ait précisé qu'un cristal liquide faisant preuve des caractéristiques voulues en phase smectique C peut être utilisé, conformément à l'idée de base présentée ici, il doit être entendu que tout cristal que l'on peut utiliser pour établir une orientation des axes d'un groupe moléculaire dans deux directions stables peut être utilisé suivant l'invention. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ci-dessus décrits et représentés, à partir desquels on pourra prévoir d'autres modes et d'autres formes de réalisation, sans pour cela sortir du cadre de l'invention. R#VEND I C A T IONS 1.- Némoire caractérisée en ce qu'elle comprend une couche de cristal liquide contenue entre des surfaces transparentes, ce cristal étant sélectionné de façon à présenter une première et une seconde orientation des axes nolé- culaires dont les angles d'inclinaison par rapport aux surfaces précitées sont complémentaires, ces surfaces ayant subi un traitement pour provoquer l'orientation uniforme des grands axes des molécules dans la couche afin d'assurer que ces axes s'alignés ront le long ou d'une première ou d'une seconde orientation moléculaire stable, et étant aussi traitées de façon à assurer que les couches moléculaires qui se trouvent dans le cristal sont es sent ielleme nt parallèles aux surfaces transparentes précitées. 2.- Mémoire suivant la revendication i, caractérisée en ce que l'angle formé entre les deux directions moléculaires stables est essentiellement de 900. 3.- Procédé pour assurer la position de groupes moléculaires choisis de la mémoire suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'on dirige un faisceau lumineux à grande intensité sur des groupes moléculaires choisis représentant des éléments de mémoire, ce faisceau lumineux ayant un vecteur de champ électrique situé sur un plan perpendiculaire à ce faisceau, avec un angle suffisamment grand par rapport à la première direction bistable pour provoquer la rotation des molécules choisies pour qu'elles s'alignent avec la seconde direction stable. 4.- Procédé pour assurer la remise en position de molécules choisies dans la mémoire suivant la revendication I, caractérisé en ce qu'on dirige un faisceau lumineux de grande intensité sur des molécules choisies avec le veo- teur du champ électrique situé dans un plan perpendiculaire au faisceau, et formant un angle avec la seconde des directions stables, ce faisceau ayant une énergie suffisante pour provoquer la rotation des molécules choisies de cette seconde direction stable vers la première direction stable. 5.- Procédé pour assurer la remise en position de groupes moléculaires représentant des éléments de la mémoire de la revendication 1, caractérisé en ce qu'on dirige un champ magnétique essentiellement le long d'un vecteur parallèle à la première direction stable, pour provoquer la rotation des éléments de mémoire qui sont dans la seconde direction stable pour qu'ils reprennent la première direction stable. 6.- Procédé pour la lecture de groupes moléculaires représentant des éléments de mémoire du type défini dans la revendication 1, caractérisé en ce qu'on dirige un rayon lumineux de faible intensité essentiellement le long de l'une des directions stables, on fait passer ce rayon lumineux dans un premier polariseur de lecture dont le plan de polarisation est essentiellement parallèle à l'autre direction moléculaire stable, la direction de polarisation du premier polariseur de lecture formant un angle déterminé avec l'autre direction stable, de façon à provoquer une rotation biréfringente du rayon lumineux à travers ces groupes moléculaires dont les axes sont orientés parallèlement à l'autre direction stable. 7.- Procédé suivant la revendicatioh 6, caractérisé en ce qu'il comprend une phase supplémentaire où le rayon lumineux de faible intensité traverse un second polariseur de lecture après avoir traversé la mémoire, ce second polariseur de lecture présentant un plan de polarisation parallèle à celui du premier polariseur de lecture, et une direction de polarisation croisée par rapport à celle du premier polariseur de lecture. 8.- Procédé suivant la revendication 7, caractérisé en ce que les points lumineux et les points obscurs sont balayés sur la surface du second polariseur de lecture, pour émettre des signaux de sortie d'information correspondant aux états des groupes moléculaires. 9.- Dispositif constituant une mémoire conformément à l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il comprend un élément de mémoire à cristal liquide, traité de façon qu'il s'y développe une homogénéité bistable des axes moléculaires, un organe destiné à produire un faisceau lumineux de grande intensité et à diriger ce faisceau sur des groupes moléculaires choisis constituant des éléments de stockage dans le cristal liquide, ce faisceau lumineux de grande intensité étant polarisé pour établir une intensité de champ électrique dont la direction du vecteur est telle qu'elle provoque la rotation de l'élément de stockage choisi dans la mémoire, et un organe destiné à constituer une source de lumière polarisée de lecture à faible intensité de façon à provoquer une rotation biréfrlngente dans les éléments de stockage dont les axes molé oculaires sont #sctra1l8.tBa au p3.9M de repolarisation.