FR 2128864 A1 19721020 FR 7208535 A 19720310 La présente invention concerne des domaines magnétiques à bulles, les dispositifs contenant des zones localisées de stabilité spatiale des domaines a' bulles et un dispositif de propagation de domaines magnétiques à bulles. On connaît les domaines magnétiques et leur propagation dans une matière magnétique, comme décrit par exemple dans les brevets des Etats-Unis d#Àmérique no 3 460 116, 3 470 546 et 3 508 225. En général ces brevets décrivent le déplacement de domaines à bulles à paroi unique dans un registre à décalage, sous la commande de réseaux métalliques formés de bandes étroites qui commandent la position des bulles. Les procédés décrits dans ces brevets tendent à rendre minimales les forces répulsives ou d'interaction des bulles séparées, par séparation des bulles les unes des autres dune distance correspondant à trois diamètres de domaines ou plus environ. Ces procédés tendent à ltélimination ou à la réduction maximale dans la mesure du possible des forces d'interaction entre bulles. La demande de brevet français no 71.31 543 déposée le 31 août 1971 par la Demanderessev décrit un dispositif à do maintes magnétiques à bulles comprenant un ou plusieurs canaux ou bandes de matière à domaines sur un substrat. Un nombre quelconque de canaux séparés à domaines peuvent être reliés entre eux ou à un canal principal. Le déplacement des domaines dans un canal. ou une bande est affecté par les forces répulsives ou de réaction entre les domaines, qui se trouvent dans un canal lorsqutun domaine se forme ou se propage au voisinage d'un autre domaine. Le déplacement des bulles d'un canal donné à plusieurs canaux voisins possibles sous forme d'une fonction logique peut être commandé par la présence ou l'absence de bulles dans un ou plusieurs canaux de connexion. Cette demande de brevet est incorporee au présent mémoire à titre de référence. Le demande de brevet frPnçPis NO 72.01 291 déposée le 14 ?P-nvier 1972 oer lr Dempnderesse La demande de brevet français déposée ce même jour par la Demanderesse sous le titre "Dispositif à domaines magnétiques à bulles" décrit un dispositif à domaines à bulles ayant des zones localisées de stabilité spatiale pour les domaines. Le dispositif. comprend un fin film de matière formée d'un eris- tai unique sur un substrat formé d'un cristal unique, le film comportant plusieurs parties isolées épaisses entourées par des régions fines. Les domaines à bulles, lorsqu'ils sont formés, se déplacent préférentiellement dans les parties épaisses. Les régions voisines relativement fines de film servent comme barrières au déplacement des domaines et délimitent ceux-ci dans les parties relativement épai#sses. Les domaines peuvent se déplacer entre les parties épaisses dans plusieurs directions. Dans cette dernière demande de brevet, le dispositif décrit permet le déplacement facile des domaines à bulles dans plusieurs directions, avec pratiquement la meme facilité. Un domaine peut se déplacer aussi facilement d'une partie épaispartie se A à une / épaisse B que de la partie épaisse B à la partie épaisse A. Dans certaines applications, il est souhaitable que le déplacement s'effectue de préférence dans un sens, c1est-à- dire qu'il soit plus facile de la partie A à la partie B que de la partie B à la partie A. L'invention concerne donc des dispositifs à domaines magnétiques à bulles dans lesquels les domaines ont des positions prédéterminées. Elle concerne aussi la formation d'un tel dispositif. Elle évite l'utilisation totale de dessins métalliques conducteurs pour la commande de la position des domaines, ces derniers peuvent se déplacer dans plusieurs directions. Le dispositif comprend des zones localisées de sta bilité spatiale des domaines, dans lesquelles ceux-ci ont un déplacement unidirectioniiel préféré. Un tel dispositif peut etre utilisé avec des couches supérieures métalliques. Plus précisément, lsinvention concerne un dispositif à domaines magnétiques à bulles ayant un film mince de matière formée dun crista.l unique déposé sur un substrat formé d'un cristal unique. Le film comprend plusieurs parties épaisses isolées entourées par des parties plus fines. Lorsque les domaines se foncent dans le film, ils se déplacent préférentiel liement dans les parties les plus épaisses. Les parties environnantes relativement fines du film constituent des barrières au déplacement des domaines et délimitent ceux-ci. dans les parties épaisses.Les domaines peuvent se déplacer entre les parties épaisses dans plusieurs directions, par mise en oeuvre du procédé classique de propagation. Elle concerne aussi un dispositif à domaines magnétiques à bulles ayant une couche mince d'une matière formée dsun cristal unique sur un substrat formé dsun cristal unique. Le film comporte plusieurs parties épaisses isolées de forme tronquée, entourées par des parties plus fines. Les parties épaisses ont une forme tronquée délimitée par une extrémité large et une extrémité étroite. Les domaines placés dans les parties épaisses peuvent etre déplacés par un dispositif convenable vers les parties épaisses voisines. Les domaines se déplacent dans une direction préférentielle de déplacement, depuis liex- trémité large d'une partie épaisse jusqu'à l'extrémité étroite d'une autre partie épaisse. Les domaines se déplacent dans la direction non préférentielle depuis l'extrémité étroite de la partie épaisse jusqu'à l'extrémité large d'une autre partie épaisse. Les domaines nécessitent pour leur déplacement une force plus faible dans la direction préférentielle que dans la direction non préférentielle, si bien que le dispositif a une direction préférée de déplacement L'invention concerne aussi un dispositif à domaines magnétiques à bulles dans lequel les canaux de matière de do maille formée d'un film mince déposé sur un substrat de support sont délimités par des gorges pénétrant d'une faible distance dans le film. Les gorges pénètrent dans le film d'une distance correspondant à 1 à 99 ss de l'épaisseur du film. L'énergie d'un domaine est inférieure dans le canal et supé rieure dans le film placé sous la gorge. En conséquence, l'énergie élevée de la matière de domaines sous la gorge agit comme barrière maintenant les bulles dans le canal ou la bande entre les gorges. Dans les dispositifs de la technique ant#rieure, les gorges étaient réalisées par attaque et traversaient la totalité du film, formant ainsi un canal pratiquement isolé, créant une rupture notable du champ présentant certains inconvénients, notamment dans le cas de ltutilisa.tion de couches métalliques superficielles. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels la figure 1 est une vue de dessus montrant les parties épaisses de film entourées par les parties fines dPun'dispo- sitif de l'invention ; la figure 2 est une coupe du dispositif de la figure 1 la figure 3 est une vue de dessus représentant une variante du dispositif de l'invention, ayant des parties épaisses tronquées entourées par des parties minces la figure 4 est une coupe du dispositif de la figure 1 la figure 5 est un diagramme montrant la relation entre l'énergie et la. distance lors du déplacement d'un domaine entre des parties épaisses de film ; et la figure 6 est une coupe dlun dispositif à domaines à bulles comportant des gorges. L'invention concerne de manière générale un dispositif à domaines magnétiques à bulles comprenant plusieurs parties isolées relativement épaisses formées de matière à domaines en couches minces sous forme dtun cristal unique déposée sur un substrat de support formé d'un cristal unique, lesdites parties épaisses étant entourées par des régions de la couche ayant une épaisseur inférieure à celle de ces parties. Les parties épaisses du film représentent des positions à faible énergie pour les domaines, lorsqu#un champ magnétique de polarisation est dirigé perpendiculairement à la surface. Les domaines se placent de préférence eux#meAmes dans les parties épaisses du film qui ont l'énergie la plus faible.Les parties fines du film entourent les parties épaisses et ont une énergie élevée ; elles constituent une barrière au déplacement des domaines, en délimitant ceux-ci dans les parties épaisses. Une force externe est appliquée par des procédés classiques en vue du ffl#éplaceinent d'un domaine à bulles d'une par une tie épaisse NÈutre partie épaisse du film. Un domaine à bulles peut se déplacer dans une direction quelconque dSune pa.r epaisse tie épaisse à une autre. Par exemple, un domaine d'une partie/ peut être déplacé vers le haut, vers le bas, vers la gauche, vers la droite vers une autre partie épaisse. Le domaine à bulles peut aussi se déplacer alternativement entre deux parties épaisses entre un nombre quelconque de parties épaisses. Bien qutun domaine puisse se déplacer dans n'importe quelle direction d'une partie épaisse à une autre partie épaisse, dans le cas où ces parties ont une forme tronquée, le dé placement est de préférence unidirectionnel. Ce déplacement préférentiel se fait de l'extrémité large d'une partie épaisse à l'extrémité étroite d'une autre partie épaisse.Simul tanément, une force relativement importante est nécessaire pour le déplacement d'un domaine dans la direction no 4 réfé- rentielle, csest-à-di.re de l'extrémité étroite d'une partie épaisse à l'extrémité large d'une partie épaisse Le dispositif de lXinvention peut comprendre un ou plusieurs canaux d'une matière à domaines en couches minces pla cees sur un substrat, les canaux sont délimités par des gorges qui pénètrent dans le film sur 1 à 99 % de son épaisseur. De préférence, la profondeur des gorges est égale à 5 - 25 j# de l'épaisseur du film. Comme le montre la figure 6,un substrat monocristallin 10 porte un film mince 12 d'une matière à domaines magnétiques à bulles. De préférence, le film mince 12 est réalisé par dépot chimique en phase vapeur La phase de dépôt est mise en oeuvre par exemple comme décrit dans la demande de brevet des Ltats-Unis d'Amérique no C#33 o687 déposée le 16 juin 1969 par MEE et collaborateurs.Cette demande de brevet est incorporée au présent mémoire à titre de référence Dans le ca du mode de réalisation des figures 1 à 4, le film 12 csl ensuite attaqué dc manière qui on forme plusieurs entourées parties 14 relativement épaisses/par des régions 16 relativement fines. Celles-ci ont une épaisseur inférieure à l1épais- seur des parties 14. La forme des parties 14 est par exemple rectangulaire ou circulaire, mais elles peuvent être tronquées, en comportant une extrémité large et une extrémité étroite comme me décrit plus loin. Elles peuvent aussi avoir une forme quelconque.Les parties relativement épaisses 14 sont isolées l'une de l'autre par des parties 16 relativement fines et paraissent donc comme des îles dans le film 12. De préférence, le substrat 10 est un grenat monocristallin ayant une formule J3Q5 Oîa, J représentant au moins un élément du-groupe formé par le cérium, le praséodyme, le néodyme, le prométhéum, le samarium, l'europium, le gadolinium, le terbium, le dysprosium, l'holmium,l'erbium, le thulium, l'ytterbium,le lutétium, le lanthane, l'yttrium, le calcium et le bismuth, Q de la formule étant au moins un élément du groupe formé par l'indium, le gallium, le scandium, le titane, le vanadium, le chrome, le manganèse, le rhodium, le zirconium, le hafniuin, le niobium, le tantale, l'aluminiwn, le phosphore, l'arsenic et l'antimoine. Des exemples de substrats qui conviennent sont Y0,45Gd2,55Ga5012, D#0,65Gd2,35Ga501# et Sm3Ga5012. La bande ou le ruban 12 de matière à domaines est de préférence un grenat formé d'un cristal unique ayant une formule J3Q5012, J étant au moins un élément du groupe formé par le cérium, le praséodyme, le néodyme, le prométhéum, le samarium, l1europium,le g#dolinium,le terbium, le dysprosium, l'holmium, l'erbium, le thulium, l'ytterbium, le lutétium, le lanthane et l'yttrium et Q étant du fer, du fer et de l'a luminium, du fer et du gallium, du fer et de l'indium, du fer et du scandium, du fer et du titane, du fer et du vanadium, du fer et du chrome ou du fer et du manganèse. Les matières qu'on préfère sont les grenats de fer tels que Y3Ga1,2Fe3,8O12 et Tb3 Fe5O12. La structure composite formée par le substrat et le film de grenat. de fer porte un film qui a une constante donnée de magnétostriction et une différence donnée entre les constantes de réseaux d film et du substrat. Ces conditions sont discutées on détail dans les demandes de brevets français nOS71.47 178, 71.47 179 et 71.47 180 déposées toutes trois par à titre de références la Demanderesse le 28 décembre 1971,et incorporées à ce mémoire/. Bien que les grenats soient des matières qu'on préfère pour le film mince de substrat, on peut utiliser pour celuici d'autres matières à base dioxyde, notamment lorsque le film est une ortiioferrite. Les parties 14, qui sont éventuellement tronquées, sont réalisées de préférence par attaque à l'aide des techniques photolithographiques d'attaque du type qu'on utilise couramment dans l'industrie des semi-conducteurs, et à 19aide produit chimique tel que l'acide phosphorique chaud. Ce dernier attaque les zones dépourvues de cache du film 12 en formant les régions relativement fines 16.La partie cachée du film 12, qui n'est pas attaquée, forme les parties 14 relativement épaisses Bien que l'attaque chimique soit le procédé préféré de foriaat:ion des parties 14, on peut utiliser d'au- tres procédés tels que attaque par.pulvérisation, lsusinage au laser et analogues. La dimension des parties 14, qui sont éventuellement tronquées, ntest pas primordiale pour la mise en oeuvre du procédé de l'invention. Cependant, il faut noter que la dimen sion de la partie 14 doit tre supérieure à celle des domaines formés dans le film particulier. Par exemple, dans un grenat de fer substitué, les domaines ont un diamètre de l'ordre de 7,5 microns. Dans ce cas, le diamètre d'une partie 14 circulaire doit tre de Isordre de 25 microns ou plus, et la longueur de la partie étroite 26 d'une partie 14 doit être de l'ordre de 25 microns ou plus. L'invention ne se limite pas aux parties 14 ayant une dimension suffisante pour délimiter un seul domaine à bulles.Ainsi, le cas échéant, la partie 14 peut comprendre plusieurs domaines à bulles. De préférence, dans de nombreuses applications, il est souhaitable que la partie 14 ait une dimension suffisamment grande pour contenir coimnodément un domaine. Les domaines 18 sont formés de façon classique par application du champ magnétique approprié sur la structure des figures 1 et 2. Les domaines 18 peuvent être réalisés dans une seule partie 14 ou dans plusieurs. Le domaine 18 formé dans le film 12 se trouve dans une partie épaisse 14 du fait que nergie dans cette partie est inférieure à celle qusil faut dans la région environnante 16. Cette dernière a un niveau d'énergie supérieur et agit comme une barrière limitant le déplacement des domaines dvuIze partie épaisse à l'autre. L'im- portance de la restriction apportée par les régions 16 est inversement proportionnelle à leur épaisseur. Plus la région 16 est épaisse et moins la force de retenue est importante. Par exemple, une région 16 ayant une épaisseur correspondant à 90 % de la partie 14 retient moins bien un domaine qu'une région 16 ayant une épaisseur de l'ordre de 50 % de ltépais- seur de cette partie 14. En conséquence, l'importance de la retenue entre parties 14 peut être réglée facilement par le réglage de l'épaisseur de la région 16. Un des avantages principaux de ce type de dispositif à domaines ayant une stabilité spatiale est la possibilité de déplacer une bulle dans deux directions, par exemple dans les directions X et Y. Par exemple, comme le montre la figure 1, un domaine peut être déplacé dans la direction X suivant llune quelconque des rangées, c?est-à-direde de la colonne A la colonne E et de la colonne E à la colonne A. De façon analogue un domaine peut être déplacé dans la direction Y dans l 'une quelconque des colonnes. Par exemple, un domaine de la colonne A peut être déplacé de la rangée 1 à la rangée 5 ou de la rangée 5 à la rangée 1.Les domaines à bulles peuvent être déplacés d'une rangée à l'autre et d'une colonne à l'au- tre, et suivant toute combinaison. Cettegsouplesse est très utile et supprime l'inconvénient des dispositifs de la technique antérieure à déplacement unidirectionnel, cl soit dans la direction X, soit dans la direction Y. Les domaines des parties 14 peuvent se déplacer horizontalement, verticalement et/ou en diagonale le cas échéant.On peut utiliser dans des applications particulières de nombreuses con- figurations pour les parties 14, différentes de celles de la de figure 1 Dans un neutre mode/réplisr#tion,une partie 14 est entourée par plusieurs parties formant un cercle autour de la première. Le nombre de configurations et de dispositions est illimité. La figure 1 représente simplement une configuration préférée comportant plusieurs colonnes et plusieurs rangées. Dans un autre mode de réalisation particulier, une première partie 14 peut être hexagonale et elle est entourée par six autres parties 14 hexagonales uniformément réparties. Un domaine peut se déplacer dans six directions depuis la première partie 14. Dans un autre mode de réalisation, une première partie 14 de forme octogonale est entourée par huit parties 14 de forme orthogonale uniformément réparties. Un domaine peut se déplacer dans huit directions depuis la première partie 14. Dans un autre mode de réalisation représenté sur les figures 3 et 4, les parties 14 ont une forme tronquée et sont disposées en rangées et/ou en colonnes comme représenté sur la figure 3. Les parties 14 ont une extrémité étroite 26 et une extrémité large 22. Elles sont disposées de préférence suivant un dessin symétrique, cPest-à-dlre qutune extrémité large d'une partie 14 est voisine d:une extrémité étroite d'une partie 14 voisine1 Dar exemple l'eiorémité 22 de la partie ~s est voisine de ltextremité étroite 26 de la partie voisine 24. La partie 14 tronquée peut être disposée avec son extrémité étroite tournée vers l'ouest comme représenté sur la figure 3, ou tournée vers le nord, vers l2est ou vers le sud, ou de façon différente. Par e emple, une rangée peut comporter des rangées étroites 26 tournées vers lsest et une seconde rangée dont les extrémités 26 sont tournées vers l'ouest. Les domaines 18 se placent eux-mêmes dans la partie 14, dans la position d'énergie minimale 17 comme représenté sur la figure 3 et illustré par la figure 5. Les domaines peuvent se déplacer d'une partie 14 à une autre voisine. Par exemple, un domaine suit la direction préférentielle de déplacement de l'extrémité 22 de la partie 20 à l'extrémité 26 de la partie 24. Cette direction est appelée direction préférentielle du fait de la force relativement faible nécessaire au déplacement du domaine. Selon l'invention, la direction préférée des déplacements est dans cette direction prele rentielle.Lorsqu'on choisit convenablement 1 amplitude de la force externe, le déplacement des domaines est unidirectionnel dans la direction préférentielle, car le déplacement dans une autre direction nécessite une force plus importante. Cette force est définie par la. variation d'énergie par unité de longueur (F = dE/dX). La force nécessaire an déplacement est représentée sur la figure 5 sous forme de la pente (dE/dX) de la courbe énergie-distance. La force, cest-à-dire la pente de la partie comprise entre les points 28 et 30, est inférieure pour le déplacement dans la direction préférentielle de la. partie 20 à la partie 24 à la force, c2est-à-dire la pente du point 32 au point 30, nécessaire pour le déplacement suivant la direction non préférentielle, de la partie 24 à la partie 20. La direction de déplacement préférentielle peut être disposée comme voulu, suivant la disposition convenable des parties tronquées. L'utilisation de ces parties tronquées et le déplacement des bulles dans la direction préférentielle assure un trajet unidirectionnel pour le déplacement des domaines. Ceux-ci peuvent aussi se déplacer dans la direction non préférentielle, mais elle nécessite une force supérieure à celle qui est nécessaire pour un déplacement dans la direction préférentielle. On va maintenant décrire le mode de réalisation de la figure 6. Des gorges 44, 44A, 44B et 44C sont réalisées dans le film 12, de préférence par attaque chimique. On peut aussi utiliser d'autres procédés tels que l'attaque par pulvérisation et llusinage par laser. Les gorges 44 sont réalisées à une profondeur correspondant à 1 à 99 % de l'épaisseur du film 12. La profondeur préférée pour les gorges est comprise entre 5 et 25 % de 11 épaisseur du film 12. La réduction de liépaisseur du film dans la gorge accroft l'énergie nécessaire pour la présence d'une bulle dans la zone qui se trouve sous la gorge, si bien que la bulle se trouve de préférence dans une zone non attaquée, sans gorge. Les canaux 46, 48, 50, 52 et 54 sint disposés entre les gorges 44. Ce-s canaux ont la géométrie voulue. Un canal peut être totalement isolé des autres ou il peut eAtre associé à un ou plusieurs autres canaux ; par exemple le canal 50 est associé aux canaux 46,;48 et 54. Le niveau d'énergie dans les canaux 46, 48, 50, 52 et 54 est inférieur au niveau d'énergie du filin 12 au-dessous des gorge 44, 4 44B et 44C. Le niveau dsénergie supérieur du film 12 au-dessous de la gorge 44 forme une barrière maintenant les bulles dans les canaux. Le niveau énergie au-des sous de la gorge 44 est inversement proportionnel à l'épais- seur, c'est-à-dire que plus le film est épais sous la gorge 44, plus le niveau énergie est faible.Par exemple, la gor environ ge 44 qui pénètre de 80 %/dans l'épaisseur du film 12, donne à celui-ci sous la gorge un niveau énergie bien supérieur à celui clii film sous la gorge 44A, qui pénètre dans le film 12 de 25 ; environ seulement. Les domaines créés dans les canaux séparés se propagent et se déplacent le long de ces canaux, par mise en oeuvre des pocds classiques. Les bulles peuvent tre déplacées dgun canal à l'autre par liaison des passages ou canaux, le canal 46 pouvant être par exemple relié au canal 48 par interruption de la gorge 44 par un canal reliant les canaux 46 et 48. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les canaux peuvent titre associés par fourniture d'une quantité suffisante d'énergie aux bulles d'un canal, par exemple du canal 48, de manière que leur énergie dépasse le niveau dté- nergie au-dessous de la gorge 44A,les bulles passant alors dans le canal 50. Dans ce mode de réalisation, il est souhaitable que la gorge soit relativement étroite, par exemple du type représenté sous forme de la gorge 44A, la profondeur étant de l'ordre de 5 à 25 % de préférence de l'épaisseur du film 12. La profondeur des gorges 44, 44A, 44B et 44C peut être identique dans toutes les gorges, ou cette profondeur peut varier en fonction de llapplication particulière. Il faut noter que les gorges peuvent traverser totalement le film 12 et atteindre le substrat 10, comme décrit dans la demande de brevet français n 71.31 543 précitée. Exemple. On attaque un film de grenat d'yttrium, de gallium et de fer sur un substrat en grenat de dysprosium,de gadolinium et de gallium qvec de l'acide phosphorique chaud de manière à former deux gorges ayant une épaisseur d'environ 50 % de l'é- paisseur du film. On crée alors des domaines à bulles dans le film. Les gorges agissent comme une barrière et délimitent les bulles dans le canal compris entre les gorges. La souplesse des dispositifs décrits dans lesquels les domaines a bulles ont plusieurs positions préférées ont de nombreuses applications. En plus de leur utilisation dans les registres à décalage, on peut les utiliser dans les dispositifs logiques, dans les dispositifs de commutation, les ca drans téléphoniques et analogues. Il est bien entendu que liinvention nia été décrite et représentée qu'à titre d#exemple préférentiel et qu'on pourra apporter toute équivacence technique dans ses éléments constitutifs sans pour autant sortir du cadre de l'invention, qui est défini dans les revendications annexées. REVENDICATIONS 1. Dispositif à domaines magnétiques à bulles, comportant des zones localisées de stabilité spatiale pour les domaines, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat,et un film mince de matière megndtiquee à domaines à bulles placé sur le substrat, une première partie du film ayant une première épais- seur, la première partie étant entourée par une première région du film ayant une épaisseur inférieure à celle de la première partie, une seconde partie du film ayant une seconde épaisseur, la seconde partie étant entourée par une seconde ré gior. du film ayant une épaisseur inférieure à la seconde partie, cette dernière étant distante de la première partie, un domaine à bulles pouvant etre déplacé de la première à la seconde partie. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qui il comprend plusieurs secondes parties. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'épaisseur de la première partie est pratiquement la meme que celle des secondes parties. 4. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les secondes parties forment un dessin autour de la première partie. 5. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que deux au moins des secondes parties sont disposées de part et d'autre de la première. 6. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que deux au moins des/parWies sont décalées de manière à former un angle d'environ 900 par rapport à la première partie. 7. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la première partie est circulaire. 8. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde partie est distante de la première dans une direction X, et en ce qu'5l comprend une troisième partie de la couche ayant une troisième épaisseur, cette troisième partie étant entourée par une troisième région ayant une épaisseur inférieure à celle de la troisième partie, cette dernière étant distante de la première partie dans une direction Y, si bien qutun domaine à bulle peut être déplacé de la première à la troisième partie. 9. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend une troisième partie du film ayant une troisième épaisseur et entourée par une troisième région du film ayant une épaisseur inférieure à celle de la troisième partie qui se trouve à distance de la première partie, si bien qu'un domaine peut se déplacer de la première à la troisième partie, une quatrième partie du film ayant une quatrième épaisseur et entourée par une quatrième région de film ayant une épaisseur inférieure à celle de la quatrième partie qui est distante de la première, si bien qu'un domaine peut se déplacer de la première à la quatrième partie, et une cinquième partie de film ayant une cinquième épaisseur et entourée par une cinquième région du film ayant une épaisseur inférieure à celle de la cinquième partie qui est distante de la première partie, si bien qu'un domaine peut eAtre déplacé de la première à la cinquième partie. 10. Domaine selon la revendication 1, ayant une sta bilité favorisant le déplacement unidirectionnel préférentiel des domaines, caractérisé en ce que la première partie a une forme tronquée comprenant une extrémité étroite et une extrémité large, si bien qu'un domaine peut se déplacer de la première partie à la seconde partie par la partie large de la première partie puis la partie étroite de la seconde. 11. Dispositif selon la revendication 2, assurant un déplacement unidirectionnel préférentiel pour les domaines, caractérisé en ce que la première partie a une forme tronquée ayant une extrémité étroite et une extrémité large, les secondes parties ont une forme tronquée comprenant une extrémité étroite et une extrémité large, si bien que les extrémités étroites sont disposées uniformément et symétriquement les unes par rapport aux autres. 12. Dispositif à domaines magnétiques à bulles, caractérisé en ce qusil comprend un substrat, un film mince de matière magnétique à domaines à bulles disposé sur le substrat, et au moins un canal réalisé dans la couche et délimité par au moins une gorge pénétrant au moins en partie dans le film vers la surface du substrat, de manière qu'une pre mi or bulle' introduit dalls le canal en un point donné déplace une seconde bulle placé au vo#sinage du point donné d'une distance d'équilibre entre les deux bulles. 13. Dispositif selon la revendication 12, caractérise en ce que le canal est délimité par deux gorges pénétrant dans le film. 14. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que la gorge pénètre dans le film sur 1 à 99 et de pré- férence 5 à 25 % de son épaisseur. 15. Dispositif à domaines magnétiques à bulles, caractérisé en ce quîil. comprend un substrat, un film mince de ma -li ère à donìaines macnétiques placé sur le substrat, un premier canal réalisé dans le filin et délimité par au moins une gorge T.énétrant au moins en partie dans le film vers la surface du substrat et un second canal réalisé dans le film et délimité par au moins une gorge pénétrant au moins en partie dans le film vers la surface du substrat et relié au premier canal, le déplacemen#d1'un domaine,tans le second canal modifiant le sens de déplacement d'un domaine provenant du premier canal. 16. Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'il comprend de plus un dispositif associé au premier canal et destiné à dévier le déplacement d'un domaine dans le premier canal en fonction du déplacement d'un domaine dans le second canal. 17. Dispositif selon la revendication 16-, caractérisé en ce que le dispositif supplémentaire est formé par des dispositifs de commutation magnétiques. 18. Procédé de commande de la stabilité spatiale de domaines à bulles dans un dispositif en comportant, ayant un film de matière à domaines à bulles associé à un substrat, caractérisé en ce qu'on forme plusieurs parties distinctes dans le film, ayant une première épaisseur et entourées par une région du film ayant une épaisseur inférieure à ladite partie, les domaines étant délimités dans lesdites parties par lesdites régions. 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que lesdites parties sont formées par attaque du film. 20. Procédé de localisation de zones de stabilité spatiale de domaines à bulles destinées à un registre à dé- calage à positions multiples, ce dernier comprenant un film de matière à domaines à bulles associe au substrat, caractérisé en ce qu'on forme au moins deux parties dans le film, ayant une première épaisseur et entourées par des régions du film ayant une épaisseur inférieure à celle desdites parties, de manière que les domaines à bulles soient maintenus dans lesdites parties par lesdites régions. 21. Procédé de déplacement unidirectionel de domaines à bulles d'un dispositif en comportant et ayant des zones localisées de stabilité spatiale pour les domaines, caractérisé en ce qu'on forme plusieurs parties distinctes épaisses de film de matière de domaines à bulles, disposées à distance, de façon symétrique et suivant des ligules, lesdites parties ayant une fornle tronquée et étant entourées par une région du filin ayant une épaisseur inférieure à celle desdites parties, les domaines se déplaçant plus facilement dans une direction que dans les autres.