FR 2098403 A1 19720310 FR 7117987 A 19710518 71 17987 1 2098403 la présente invention concerne un semi-conducteur plus particulièrement destiné à fonctionner à hautes fréquences. l'utilisation des dispositifs semi-conducteurs 5 pour des applications à hautes fréquences soulève certaines difficultés du fait que,dans ces applications, la dissipation de chaleur, la taille et d'autres caractéristiques du dispositif exigent le respect de critères très stricts. Le terme de "hautes fréquences" utilisé ici doit être compris dsns ce qui suit comme 10 désignant des fréquences contenues typiquement dans la gamme d'environ deux à quatre gigacycles et plvs haut. En plus des caractéristiques physiques du dispositif semi-conducteur, les dispositifs décrits dans la technique antérieure présentent des caractéristiques électriques qui s'opposent à un fonctionnement conve-15 nable en haute fréquence. Des exemples de difficultés lors du fonctionnement de ces dispositifs décrits dans la technique antérieure sont typiquement des oscillations parasites ou fausses, de la diaphonie entre éléments et de la distorsion harmonique. Dans le fonc-20 tionnement à hautes fréquences, les problèmes posés par ces dispositifs décrits dans la technique antérieure peuvent être en partie résolus par un conditionnement physique approprié du dispositif ainsi que par la géométrie topologique des éléments semiconducteurs contenus. 25 Le bôitier conforme à la présente invention est caractérisé sa ce que une disposition stratifiée c'omprend, sur un support métallique encapsulé, une pastille de semi-conducteur à régions actives intérieures interdigitales, montée sur une première pièce céramique métallisée à conductibilité thermique, une 30 pièce électriquement conductrice disposée sur la pièce de céramique métallisée et isolée de celle-ci par une seconde pièce de céramique, les régions actives de l'élément étant connectées par des liaisons entrelacées dont les contacts sont réalisés par soudage par point. ✓v 35 ■ Le boitier de dispositif semi-conducteur haute fréquence de la présente invention résout pratiquement tous ces problèmes qui se posent dans les dispositifs décrits par la technique antérieure. Des oscillations intempestives ou parasites peuvent prendre naissance car une certaine partie du signal de 40 sortie du dispositif se trouve par inadvertance réinjectée à 71 17987 2 2098403 l'entrée. Cette réaction peut se faire par l'intermédiaire de capacités entre conducteurs, par inductance de conducteur excessive, par inductance et capacité de fuite du circuit, etc, le trajet exact étant souvent difficile à déterminer. 5 les dispositifs semi-conducteurs décrits par la technique antérieure utilisent typiquement un conducteur de base qui, du fait du bôitier, est de longueur excessiveé Lorsque le dispositif était conditionné de façon à se monter sur une autre structure, la région de base du dispo-10 sitif semi-conducteur était câblée à un élément de substrat conducteur sur une distance qui pouvait. donner naissance à des oscillations parasites dues aux inductances des conducteurs, aux capar* cités entre conducteurs, etc. Le boitier de dispositif semi-conducteur haute 15 fréquence de la présente invention résout essentiellement le problème de la longueur excessive d© conducteur et réduit par conséquent l'inductance des conducteurs par une construction appropriée de ceux-ci. Les pièces de céramiques métallisée conductrices thermiquement sont conçues de manière à fournir des parties 20 destinées au montage du dispositif semi-conducteur, ainsi qu'à réduire la distance entre les régions actives et les surfaces de contact. Bn outre, pour l'élimination des oscillations parasites et la naissance de signaux harÉontques indésirables, 25 le boitier de semiconducteur haute fréquence de la présente invention assure l'élimination effective des effets nocifs produits par les champs magnétiques engendrés par les courants dans les conducteurs allant ou partant des régions actives) du dispositif semi-conducteur. 30 Bn Combinant une géométrie topologiquement inter digitale du dispositif semi-conducteur avec une orientation convenable des pièces de céramique métallisées theimiquement conductrices, les fils conducteurs reliant les régions actives du dispositif semi-conducteur aux éléments de contact se trouvent entre-35 mêlés de manière à annuler les champs magnétiques et électriques opposés. L'annulation effective des champs opposés conduit à un dispositif qui réduit au minimum les oscillations intempestives ou parasites ainsi que la production de distorsion harmonique indésirable. 40 Le boitier de semi-conducteur de l'invention a 71 17987 3 2098403 l'avantage de réduire 1'inductance des conducteurs et de présenter des niveaux plus faibles d'oscillation parasite et de distorsion harmonique» le boitier de dispositif semi-conducteur haute 5 fréquence de la présente invention est constitué par une série d'éléments stratifiés destinés à s'adapter à la structure du boîtier final afin de réduire au minimum la longueur de conducteur, de réduire par conséquent les oscillations parasites et la distorsion harmonique indésirable. 10 Un support de cuivre est prévu avec une cavité pour le montage du dispositif semi-conducteur. Une pièce de céramique métallisée conductrice de la chaleur est montée à l'intérieur de la cavité. la pièce de céramique est totalement métallisée 15 sur sa surface du bas qui est en contact avec le support de cuivre. la surface de dessus est métallisée en deux parties, la première étant une partie en forme de U et la seconde une partie en forme de T, la partie perpendiculaire de la partie en forme de T s'insérant dans l'ouverture de la partie en forme de U. Les bran-20 ches parallèles de la partie en forme de U possèdent des ouvertures percées à l'intérieur depuis la face supérieure jusqu'à la surface inférieure de la pièce de céramique, les ouvertures étant métallisées de manière à foxirnir ainsi un chemin conducteur vers le support de cuivre. 25 Une pièce de céramique métallisée, en forme de U, et conductrice de la chaleur est montée sur la partie métallisée en forme de U sur la surface de dessus de la première pièce de céramique, la seconde pièce étant métallisée uniquement sur les surfaces de dessus et de dessous et se trouvant légèrement plus 30 petite que la partie en forme de U sur laquelle elle est montée. Comme la seconde pièce de céramique est plus petite que la partie métallisée sur laquelle elle est montée, une zone de contact se trouve ménagée sur la partie métallisée en forme de U.. Une pastille de semi-conducteur, typiquement un 35 transistor, est montée sur le morceau perpendiculaire de la partie métallisée en forme de T sur la pièce de céramique métallisée. La pastille de transistor utilise une géométrie topologiquement interdigitale peur les régions de base et d'émetteur. Les régions actives sont connectées aux surfaces de contact par des techni-40 ques de fixation par points grâce à quoi les conducteurs se trou 71 17987 4 2098403 vent entremêlés. L•entremêlement des conducteurs annule les champs électrique et magnétique opposés engendrés par les fils conducteurs de colorant du dispositif semi-conducteur. Les longueurs de fil sont réduites au minimum par l'orientation des pièces de cé-5 ramique métallisées conductrices de la chaleur ce qui a pour effet de réduire les oscillations intempestives ou parasites et la naissance de distorsion harmonique indésirable» La description ci-après se rapporte à des exemples de réalisation représentés aux dessins dans lesquels s 10 - la figure 1 est une vue en perspective d'un dispositif semi-conducteur pourvu d'un boitier suivant la présente invention. - la figure 2 est une vue en plan de dessus d'un boitier de semi-conducteur suivant la présente invention. 15 - la figure 3 est une vue en coupe faite suivant la ligne 3-3 de la figure 2f d'un dispositif semi-conducteur suivant la présente invention. - la figure 4 est une vue agrandie, en coupe, suivant la ligne 4-4 de la figure 2, d'une forme du boitier de 20 la présente invention. - les figures 5a et 5b sont des vues de dessus et de côté d'une{pastille de transistor utilisée avec une forme de boitier-suivant la présente invention. - la figure 6 est une vue en coupe, agrandie, 25 d'une pastille de transistor montée sur le boitier représenté sur la figure 4. - la figure 7 est une vue d'ensemble éclatée d'un boitier dev semi-conducteur suivant la présente invention. La figure 1 représente un boitier assemblé de 30 semi-conducteur correspondant à la présente invention, le bcfitier étant désigné d'une façon générale par le chiffre de référence 10. Le support de métal 11 qui sert de socle au boîtier est composé de trois parties, deux parties extérieures 12 et une partie de cavité 13-qui est séparée des parties extérieures 12 par des 35 parois verticales parallèles 14 qui servent d'extrémités exté» rieures pour encapsuler le dispositif semi-conducteur monté. La pastille de semi-conducteur 15 est montée sur une pièce de céramique métallisée 16 conductrice de la chaleur. Des cosses de contact coplanaires 17 et 18 sont fixées au boitier 40 de manière à faire contact avec les régions actives de la pastille 71 17987 5 2098403 de semi-conducteur 15« les parties extérieures 12 du support de métal possèdent des trous 19 percés de part en part qui permettent le montage du support 11 dans un ensemble plus grand. Le support 11 est de préférence construit en 5 cuivre de haute conductivîté exempt d5oxygènea L'utilisation de cuivre haute conductivîté sans oxygène est préférable car la fabrication des dispositifs semi-conducteurs haute fréquence de la présente invention est faite en utilisant un processus de brasure dans une atmosphère réductrice ou une atmosphère de gaz en train 10 de se former.» Si de l'oxygène était présent dans le cuivre au moment de la brasure j, il pourrait se produire une réaction ayant pour résultat de faire se gor.fler le cuivre et de produire des vides de brasure dans le support de cuivre 11 ce qui aurait pour résultat de dégrader les propriétés thermiques et électriques du 15 produit terminée La pastille de semi-conducteur 15 peut être n'importe quel élément semi-conducteur classique destiné à fonctionner à hautes fréquencess le type particulier de semi-conducteur utilisé ne faisant pas partie de la présente invention. 20 Bn se reportant maintenant à la figure 2 on peut mieux voir la mise en place de la pastille de transistor 15 à l'intérieur du boitier 10 de la présente invention» Le transistor 15 est monté sur une couche métallisée 25 de la pièce de céramique métallisée 16 conductrice de la chaleurB 25 La couche métallisée 25 présente la forme géné rale d:-.jri ,Hr:cs la partie perpendiculaire 26 de celle-ci fournissant la zone de montage de la pastille de transistor 15» La coupe transversale 27 de la couche métallisée 25 fournit la zone de montage de la cosse de contact 18» La surfaee supérieure de la 30 pièce de céramique métallisée conductrice de chaleur 16 porte également sur elle une couche métallisée 280 Ce revêtement métallisé 28 sert à fournir un moyen de réduire la longueur de conducteur depuis une région active de la pastille de transistor 15? ce qui permet ainsi de réduire l'inductance des fils et les caracté» 35 ristiques électriques indésirables qui seraient présentes sans cette réduction de la longueur des conducteurs* Dans la construction représentée sur- la figure 2 la région active représentant l'émetteur de la pastille de transistor 15 est branchée à la cosse de contact 17;, la région active 40 représentant la base de la pastille de transistor 15 étant branciiée 71 17987 6 2098403 à la couche métallisée 28. La région active représentant le collecteur de la pastille de transistor 15 est branchée à la cosse de contact 18. La manière suivant laquelle les connexions sont faites à la pastille de transistor 15 sera plus complètement dé-5 crite dans ce qui suit. Les éléments nouveaux du boitier de dispositif semi-conducteur haute fréquence de la présente invention pourront être mieux vus en se référant à la figure 4. La cavité 13 du support de cuivre 12 est utilisée pour contenir les éléments mis en 10 boitier. La figure^ 4 représente une vue en coupe faite suivant la ligne 4-4 de la figure 2. Dans un but de clarté, la figure 4 sera décrite en se référant à la fabrication du boitier lui-même et à la figure 7 en ce qui concerne les éléments spécifiques constituant l'en-15 semble. La pièce préformée eutectique 35 est placée sur la cavité 13 du support de cuivre 12. La dimension transversale de cette pièce eutectique 35 laisse des intervalles 36 entre ses bords 35 et les parois 14. Les intervalles 36 laissent un volume 20 suffisant pour une encapsulation ultérieure du dispositif semiconducteur. La pièce eutectique 35 peut être un matériau eutectique classique, mais c'est, de préférence, un eutectique or-sili-cium comprenant approximativement 72% d'argent et 28% de cuivre, la composition spécifique pouvait se trouver dans le commerce sous 25 la désignation de feuille BT. La pièce de céramique métallisée conductrice de la chaleur 16 est placée sur la pièce eutectique 35. La pièce de céramique 16 est métallisée sur les faces de dessus et de dessous comme cela est représenté sur la figure 4. La couche métallisée 30 37 sur la face de dessous de la pièce de céramique 16 est disposée sur la totalité de la surface de dessous de la couche de céramique 16, faisant ainsi contact par toute sa surface avec la pièce e ttectique 35. La métallisation de la surface de dessus de la pièce de céramique 16 peut être mieux vue en se référant à la 35 figure 7. La couche métallisée sur la surface de dessus de la pièce de céramique 16 comprend deux parties, la partie 28 sensiblement en forme de U et la partie 25 sensiblement en forme de T. Le long des parties d'ailes parallèles de la couche métallisée 28 en forme de U, sont disposées des ouvertures 38 s*étendant du 40 dessus au dessous des pièces de céramique 16. Une couche métallisée 71 17987 7 2098403 39 est disposée sur les parties de paroi des ouvertures 38 fournissant ainsi un contact électrique entre la couche métallisée 28 et la couche métallisée 37. la partie métallisée en forme de T 25 comprend deux parties, l'élément perpendiculaire 26 et la 5 partie transversale 27. La partie perpendiculaire 26 entre dans l'ouverture de la couche métallisée en forme de U 28, mais reste isolée par rapport à celle-ci. La partie transversale 27 va au-delà des limites intérieures des ailes parallèles de la couche métallisée 10 en forme de U 28 et, comme c'est le cas pour la partie perpendiculaire 26, elle est isolée de la couche métallisée 28. Les couches métallisées 25, 28, 37 et 39 peuvent être fabriquées en n'importe quel métal de contact classique, mais elles sont de préférence fabriquées en or. La pièce de céramique métallisée 15 conductrice de la chaleur 16 est fabriquée de préférence en oxyde de beiyllium (Be 0), mais la pièce de céramique 16 pourrait aussi être ±abriquée en oxyde d'aluminium (AlgO^)» Be 0 a de meilleures propriétés de conduction thermique et il est donc mieux adapté aux dispositifs nécessitant des caractéristiques de dissipation 20 de chaleur élevées. Il faut prendre des précautions en manipulant et en traitant Be 0. Be 0 peut être nocif pour le système respiratoire humain quand il est sous forme de poudre. Par suite, si la pièce de Be 0 doit être usinée ou moulue, il faut prendre soin d'avoir l'équipement convenable pour s'assurer qu'on ne fait pas 25 de contacts incorrects. Pour assurer le contact électrique des régions actives restantes de la pastille de transistor 15, la pièce eutectique 40 est placée sur la, couche métallisée 28 de la pièce de céramique 16. La pièce ei&ectique 40 a très sensiblement la 30 même forme que la couche métallisée 28, mais la distance transversale entre chacune de ses branches est plus petite que celle de la couche métallisée 28. La plus petite distance transversale entre la pièce eutectique 40 et la couche métallisée 28 laisse exposée une partie 41 de chacune des tranches de la couche métal-35 lisée 28. Les parties exposées 41 sont utilisées pour faire contact avec l'une des régions actives de la pastille de transistor 15. La pièce eutectique 40 peut être fabriquée en matériaux eutectiques classiques, mais elle est de^préférence du même ma-40 tériau que cèlui utilisé pour la pièce eutectique 35, c'est-à-d&e 71 17987 8 2098403 la feuille BT en or et silicium. lia pièce de céramique métallisée 42 conductrice de la chaleur est placée au-dessus et alignée avec la pièce eutectique 40. Bn se référant à la figure 7, la pièce de cérami» 5 que 42 possède des surfaces métallisées 43 et 44 disposées respectivement sur les faces de dessus et de dessous, la surface métallisée 44 étant en contact étroit avec la pièce eutectique 40. Les couches métallisées 43i et 44 sont isolées l'une de l'autre en ne métallisant pas exprès les parois de côté 45 des pièces de cé-10 ramique métallisées 42. Les couches métallisées 43 et 44 peuvent être fabriquées en métaux de contact classiques, mais elles sont de préférence en or. La pièce de céramique métallisée 42 est fabriquée en des céramiques conductrices de chaleur classiques, telles que l'oxyde de béryllium ou l'oxyde d'aluminium, mais, étant 15 donné que les besoins de dissipation de chaleur sont moindres dans cette zone du boitier, la facilité de traitement et le prix de revient moins élevé recommandent de choisir de préférence une pièce de céramique métallisée 42 en oxyde d'aluminium. Pour assurer le contact électrique avec les ré-20 gions actives de la pastille de transistor 15, il faut prévoir la fixation de la cosse de contact 17. Pour connecter la cosse de contact 17 au boitier de la présente invention, la pièce eutectique 45 est placéè au-dessus et alignée avec la couche métallisée 43 de la pièce de céramique 42. La pièce eutectique 45 a très 25 sensiblement la môme forme de U que la pièce de céramique 42, la distance transversale entre chacune des branches de la pièce eutectique 45 étant légèrement plus petite que celle de la pièce de céramique 42. La cosse de contact 17 est placée au-dessus et alignée avec la pièce eutectique 45. La pièce eutectique 45 peut 30 être en matériau eutectique classique, mais elle est de préféren= ce en feuille BT à base d'argent et de cuivre, comme on l'a décrit ci-dessus. La cosse de contact 17 est fabriquée en un matériau de contact classique capable d'être fixé à la pièce e tee-tique 45. 35 Pour donner une base à la pastille de transistor 15, la pièce eutectique 46 est disposée au-dessua et alignée avec la couche métallisée 25. La pièce eutectique 46 a très sensiblement la même forme en T que la couche métallisée 25, et possède une partie perpendiculaire 47 et une partie transversale supé-40 rieure 48. 71 17987 9 2098403 Comme dans le cas des autres pièces e^tectiques 35t 40 et 45f la pièce eutectique 46 est légèrement plus petite que la couche métallisée 25 pour permettre la dilatation pendant l'opération de fixation, la cosse de contact 18 est montée au-5 dessus et alignée avec la partie transversale supérieure 48 de la pièce 46. La cosse de contact 18 peut être fabriquée en un métal de contact classique afin d'être fixée à la pièce 46, Comme dans le cas des autres pièces eufcec tiques, la pièce 46 peut être fabriquée en matériaux eutectiques elassi-10 ques, mais elle est de préférence constituée par une feuille BT, composée d'argent et de cuivre j, comme décrit plus haut, La manière suivant laquelle la pastille de transistor 15 est montée à l'intéiieur du boitier de la présente invention est expliquée en se référant à la figure 6» 15 Pour atteindre les objectifs de la présente in vention la pastille de transistor 15 utilise une géométrie tope-logique qu'on verra mieux en se reportant aux figures j|a et ,5b. La pastille de transistor 15 est fabriquée à partir d'une pastille de semi-conducteur qui est typiquement du silicium de type de 20 conductivité N. La région de base 50 est formée dans la pastille de semi-conducteur, la région d'émetteur 51 étant disposée à l'intérieur de la région de base 50, de façon à créer la disposition interdigitale des régions de base et d'émetteur. Les régions interdigitales de base et d'éraett-eur 25 50 et 51 sont formées par des méthodes classiques et ne font pas partie de la présente invention. Les contacts électriques avec les régions actives de la pastille de transistor 15 sont ofctenus en disposant des couches métallisées 52 et 53î respectivement sur les régions en forme de doigt de base et d'émetteur 50 et- 51 » les 30 couches métalliques 52 et 53 sont en métaux de ocaitact classiques « Les couches métalliques 52 et 53 sont disposées sav les régions actives 50 et 51 par des procédés classiques? t-sls que 1!éyapo« ration s eu h vide. Bn se référant ras in tenant à Izi frisure 6.- la pastille de transistor 15 est montée sur i.\ partis pc-rper-ïicu*-35 laire 47 de la pièce eusectique 46. Te ooll^-teur 34 -sain- tenant Stre en contact électrique avec la c-25 et la cosse de contact 18, Pour obtenir le contact él?.c=triçue a-r$c les régions actives 50 et 51 dè la pastille ds transistor 4 5 on utilise 40 ies techniques de fixation par points dans Isîqu-f-J >-?- fils 71 17987 10 2098403 conducteurs vont, depuis les positions interdigitées le long des couches de métal 52 et 53» jusqu'aux positions de contact convenables. Pour obtenir le contact électrique avec la région de base 50, les fils conducteurs 55 vont d'une position sur la couche 5 métallique 52 aux parties exposées 41 de la couche métallisée 28. La région de base 50 se trouve ainsi en contact électrique avec le support de cuivre 11 par la connexion totale des couches mé-tallisées 28, 29 et 37. Le contact électrique avec la région d'émetteur 10 51 est réalisé en reliant les fils conducteurs 56 venant des positions interdigitées convenables sur la couche de métal 53 à chacune des parties en forme de U le long de la cosse de contact 17. Les contacts électriques avec les régions de base 15 et d'émetteur 50 et 51 sont réalisés de façon alternée, de manière à entrelacer ainsi les fils conducteurs 55 et 56. L'entrelacement ou la fixation par points des fils conducteurs 55 et 56 a pour résultat d'annuler les champs magnétiques et électriques dus à l'existence de courants dans les fils conducteurs 55 et 56. 20 L'annulation des champs opposés réduit les oscillations intempestives ou parasites, tout en aidant à lutter contre une distorsion harmonique.indésirable. Les fils conducteurs 55 et 56 peuvent être fabriqués en des matériaux pour connexions classiquesç mais ils sont de préférence en or. 25 Quand la pastille de transistor 15 est montée à l'intérieur du boitier de dispositif semi-conducteur haute fréquence de la présente invention, les objectifs qui consistent à réduire au minimum les longueurs de conducteurs et à réduire considérablement les oscillations parasites et la distorsion har-30 monique sont atteints. Comme on peut le voir sur la figura 6, la stra» tification formée par les pièces de céramique 16 et 42 permet de connecter la région d'émetteur 51 à la cosse de contact d'émetteur 17 par les conducteurs courts 56. De plus, la stratification de 35 la présente invention associée aux ouvertures métallisées 38 de la pièce de céramique 16 permet de connecter la région de base 50 au support de cuivre 11 par l'intermédiaire de conducteurs de contact courts 55. Bn combinant la structure représentée sur la fi-40 gure 6 avec la géométrie topologique représentée sur les figures 71 17987 n 2098403 5a et jjbt, on utilise des techniques de fixation par points pour annuler les champs opposés engendrés par les courants dans les fils conducteurs reliés aux régions actives de la pastille de transistor 15. ? La manière selon laquelle le boitier de disposi= tif semi-conducteur haute fréquence est assemblé est visible dans la figure 7S dans laquelle se trouve représentée une vue explosée de l'ensemble de boitier de la présente invention. Il est prévu un support de cuivre 11 en cuivre sans oxygène à haute 10 conductibilité. Il est préférable que le support de cuivre 11 soit sans oxygène car le boitier doit être soumis à un processus de brasure réalisé sous une atmosphère réductrice ou une atmosphère de gaz naissant. Si le support de cuivre 11 n'était pas pratiquement exempt d'oxygène il se produirait une réaction dans 15 laquelle le cuivre se boursouflerait en créant des vides de brasure qui dégraderaient nécessairement les propriétés thermiques et électriques du produit terminé. Le support de cuivre 11 est dégraissé et placé dans une atmosphère réductrice pour éliminer l'oxygène piégé en 20 surface. La pièce eutectique 35 est placée sur la cavité 13 du support de cuivre 11. Gomme cela a été décrit plus hauts cette pièce 35 peut être en matériau eutectique classiquep mais c'est de préférence un eiutectique comprenant approximativement 72fo d'argent et 28$ de cuivre. La dimension transversale de la piè~ 25 ce er^tectique 35 est légèrement plus petite que la distance entre les parois 14» les intervalles étant destinés à permettre à 1'eutectique de s'étaler au moment du chauffage. La pièce de céramique métallisée conductrice de la chaleur 16 est placée sur la pièce eutectique 35s la couche 30 métallisée 37 étant en contact étroit et alignée avec la pièce euïectique 35. Comme on l'a indiqué dans ce qui précède^ la pièce de céramique 16 est de préférence en Be 0o La pièce eiîtectique 40 est placée au-dessus et alignée avec la partie métallisée en forme de U 28 placée sur la face de dessus de la pièce de cérami= 35 que 16. La pièce eutectique 40 est légèrement plus petite que la partie métallisée 28, la réduction de taille permettant à 1'eutectique de s'étaler sous 13effet de la chaleur» La pièce de céramique métallisée conductrice de la chaleur 42 est placée au-dessus et alignée avec la pièce eutectique 40s la couche métalli*= 40 sée 44 sur la face de dessous de la pièce de céramique 42 étant 71 17987 12 2098403 en contact étroit avec la pièce eutectique 40. la pièce euiectique 45 est placée au-dessus et alignée avec la pièce de céramique 42» cette pièce eutectique 45 étant en contact étroit avec la couche métallisée 43 sur la surface de dessus de la pièce de céramique 42. 5 La cosse de contact d'émetteur 17 est placée sur la pièce eutectique 45» la partie en forme de U de la cosse d'émetteur 17 étant alignée avec la partie en forme de U de la pièce eiztectique 45 et la pièce de céramique 42 située en-dessous. La pièce eutectique 46 est disposée au-dessus et placée en contact avec la couche mé-10 tallisée en forme de T 25 placée sur la face de dessus de la pièce de céramique 16. La cosse de contact de collecteur 18 est placée au-dessus et en contact étroit avec la partie 48 de la pièce eutectique en forme de T 46, la cosse de contact de collecteur 18 étant très sensiblement dans le même plan que la cosse de contact 15 d'émetteur 17. Les éléments décrits dans ce qui précède sont placés dans un crible de brasage et lestés pour maintenir l'alignement de tous les éléments. Le système utilisé pour lester les éléments pendant qu'ils sont dans le crible de brasage est fabri-20 qué en un matériau inerte, tel que du carbone, une céramique ou de l'acier inoxydable. Les poids inertes doivent empêcher toute réaction avec le boitier en cours d'assemblage. Les éléments lestés sont placés dans un four à atmosphère sans oxygène, l'atmosphère à l'intérieur du four étant 25 soit de l'hydrogène, soit un gaz de formation classique. La température du four doit être plus élevée que la température d'eutectique du matériau particulier utilisé pour fabriquer les pièces eutectiques 35, 40» 45 et 46. Dans le cas où ces pièces eutecti-ques 35» 40, 45 et 46 sont composées d'un alliage de 12% d'argent 30 et 28$ de cuivre, la température d'eiitectique est d'environ 779°C. Quand on est dans ce cas, la température du four doit être maintenue typiquement à une température de 820°C. L'ensemble traverse le four à une vitesse d'en-viron 5 centimètres par minute, la durée totale de séjour dans 35 le four étant comprise entre une demi-heure et deux heures. La durée à l'intérieur du four et la vitesse à laquelle il le traverse dépendent du type de four utilisé. Le boitier une fois assemblé doit pouvoir refroidir jusqu'à la température de la pièce à l'intérieur du four» le four étant maintenu dans les mêmes con-40 ditions d'atmosphère que celles qui existaient pendant la brasuie. 71 17987 13 2098403 Cet environnement doit être, soit une atmosphère réductrice s sox"3 une atmosphère classique de formation de gaz* le fait de laisser le boitier assemblé refroidir dans Tin tel environnement empêche l'oxydation du support de cuivre 110 5 L'étape suivante de préparation du dispositif semi-conducteur complet est le montage de la pastille de transistor 15» La pastille est montée sur une préforme de soudure et placée sur la partie perpendiculaire 47 de ce qui était la préforme eutectique 46 0 L'ensemble est plaôé dans une atmosphère 10 inerte et chauffé à une température d'environ 4000Co Cela doit assurer le contact électrique entre la région de collecteur 54 du transistor 15 et la couche métallisée 27 de la pièce de cé~ ramique 16. Pour terminer le montage, les régions respectif 15 ves 50 et 51 de base et d'émetteur doivent être connectées aux contacts électriques appropriés. La région d'émetteur 51 est connectée à la cosse de contact d'émetteur 179 la région de base 50 étant connectée à des parties 41 de couche métallisée 28 sur la face de dessus de la pièce de céramique 16. Les fils de contaeè 20 sont fixés aux régions actives 50 et 51 de la pastille de tran Comme indiqué dans ce qui précède5 lea fils con= ducteurs 55 et 56 sont entrelacés dans une technique de soudage 30 par points. La manière de connecter les fils conducteurs à par-= tir de chaque partie de doigt interdigitée des couches métallisées 52 et 53 sur la face de dessus de la pastille de transistor 15 est indiquée dans la figure 2. Les fils conducteurs 55 connectés à la couche métallisée 52 sur la région de base 50 sont connectés 35 à la partie 41 sur la couche métallisée 28. Les fils conducteurs 56 vont de la couche métallisée 53 sur la région d'émette-ttr 51 à la cosse de contact 17. Le branchement alterné des fils conducteurs donne une configuration entrelacée. A la figure 3 on y représente une coupe transver-40 sale du produit terminé de la présente invention,, Le produit une 71 17987 H 2098403 fois assemblé est monté et fixé à l'intérieur de la cavité 13 du support de cuivre 11. Afin de protéger l'ensemble contre des conditions d'environnement adverses ion revêtement approprié de matière plastique ou autre matière de transfert est placé sur l'en-5 semble à l'intérieur des parois 14 du support de cuivre 11. De cette façon l'ensemble complet comprenant le transistor 15 et le câblage associé se trouve scellé et mis à l'abri des conditions d'environnement adverses. Le boitier de semi-conducteur haute fréquence de 10 la présente invention donne un dispositif qui réduit considérablement les oscillations intempestives ou parasites et évite la naissance de, distorsion hamonique indésirable. De plus, le boitiar de la présente invention fonctionne à des fréquences plus élevées» conduit à une bande passante plus grande et fournit une plus 15 grande puissance de sortie que les dispositifs décrits dans la technique antérieure. Bien entendu l'invention n'est pas limitée aux exemples de'réalisation ci-dessus décrits et représentés» à par-tii}' desquels on pourra prévoir d'autres modes et d'autres formes 20 de réalisation, sans pour cela sortir du cadre de l'invention. 71 17987 15 2098403 REVENDICATIONS 1°- Boitier d'élément semi-conducteur caractérisé par une disposition stratifiée qui comprend, sur un support métallique encapsulé, une pastille de semi-conducteur à régions 5 actives intérieures interdigitales, montée sur une première pièce céramique métallisée à conductibilité thermique, une pièce électriquement conductrice disposée sur la pièce de céramique métallisée et isolée de celle-ci par une seconde pièce de céramique, les régions actives de l'élément étant connectées par des liai-10 sons entrelacées dont les contacts sont réalisés par soudage par points. 2°- Boitier suivant la revendication 1 caractérisé en ce qu'il comprend un support de métal,possédant une partie de cavité permettant de former un contact thermique et élec-15 trique avec elle, sur lequel est placée la première pièce de céramique métallisée percée d'ouvertures allant de la surface de dessus à la surface de dessous et comprenant une couche métallique sur la surface de dessous et une couche métallique sur la surface de dessus, la couche métallique de dessus comprenant une première 20 et une seconde partie séparées l'une de l'autre, la première partie comprenant les dites ouvertures grâce à quoi elle est reliée électriquement à la couche métallique de dessous qui est connectée à la cavité du support de métal, la seconde pièce de céramique métallisée, très sensiblement de môme forme que la première 25 partie de la couche métallique de dessus de la première pièce de céramique, comprenant une couche métallique de dessus , la surface de dessous de la seconde pièce de céramique métallisée étant connectée à une partie, mais non la première partie, de la couche métallique de dessus de la dite première pièce de céramique, 30 tin premier et tin second système de contact destinés à faire contact avec eux étant reliés respectivement à la couche métallique de dessus de la seconde pièce de céramique et à la seconde partie de la couche métallique de dessus de la première pièce de céramique métallisée. 35 3°- Boitier suivant l'une quelconque des revendi cations 1 et 2, caractérisé en ce que la pastille de semi-eonduc-teur, possédant au moins deux régions actives à l'intérieur, est connectée à la seconde partie de la couche métallique de dessous de la première pièce de céramique métallisée, un système de con-40 ducteurs étant prévu pour connecter les régions actives de ladite 71 17987 16 2098403 pastille de semi-conducteur au premier système de contact et à la première partie de la couche métallique de dessus de la première pièce de céramique, grâce à quoi les champs magnétique et électrique sont pratiquement annulés. 5 4°- Boitier suivant la revendication 3, caractéri sé en ce que la pastille de semi-conducteur est une pastille de transistor . 5°- Boitier suivant la revendication 3, caractérisé en ce que le système de conducteurs entrelacés comprend, 10 d'une part, des premiers conducteurs métalliques reliant des parties de la région de base de la pastille de transistor à la première partie de., la couche métallique de dessus de la première pièce de céramique et, d'autre part, des seconds conducteurs métalliques entrelacés avec les premiers conducteurs métalliques, reliant 15 des parties de la région d'émetteur de la pastille de transistor au premier système de contact. 6°- Boitier suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la première et la seconde pièce de céramique métallisée sont de types de céramique différents. 20 7°- Boitier suivant la revendication 6, caracté risé en ce que la première pièce de céramique métallisée est en Be 0 et la seconde pièce céramique en oxyde d'aluminium. 8°- Boitier suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le support de métal est en cuivre exempt d'oxygène 25 à haute conductibilité. 9°- Boitier suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la surface de dessous de la seconde pièce de céramique est métallisée. 10°- Boitier suivant la revendipation 3, caracté-30 risé en ce que le système de conducteurs est un système entrelacé. 11°- Boitier de dispositif semi-conducteur destiné à améliorer le fonctionnement en haute fréquence, suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend un support de cuivre comprenant une première, une seconde et une troisième par-35 tie, la seconde partie étant séparée de la première et de la troisième par des parois séparées et destinée à recevoir une surface de contact électrique, une première pièce de céramique métallisée possédant des surfaces de dessus, de dessous et de côté destinées à être reçues par la seconde partie dudit support de 40 cuivre et des ouvertures percées dans ladite première pièce de 71 17987 17 2098403 céramique métallisée allant de la surface de dessus à la surface de dessous, comprenant une première couche de métal disposée sur la surface de dessous reliée audit support de cuivre et une seconde et troisième couches de métal disposées sur la surface 5 de dessus» la seconde couche de métal comprenant les dites ou-vertures grâce à quoi la seconde couche de métal est connectée électriquement à la première couche de métalj une seconde pièce de céramique métallisée possédant des surfaces de dessus» de dessous et de côté comprenant une quatrième et une cinquième cou-10 ches de métal respectivement disposées sur les surfaces de dessus et de dessous» la cinquième couche métallique étant reliée à une partie, mais pas à la totalité» de la seconde couche de métal? une pastille de semi-conducteur possédant au moins trois régions actives à l'intérieur, fixée à la troisième couche de métal grâce 15 à quoi l'une des régions actives est en contact électrique avec ladite troisième couche métallique; un premier système de contacte pour faire contact électrique avec lui, relié à la troisième cou-che de métal; un second système de contacts pour faire contact électrique avec lui, relié à la quatrième couche de métal; un 20 premier système de conducteurs pour relier la seconde des dites régions actives audit second système de contacts; et un second système de conducteurs entrelacé avec ledit premier système de conducteurs pour relier la troisième des dites régions actives à la partie de la seconde couche de métal qui n'est pas connectée 25 à la cinquième couche de métal. 12°- Boitier de semi-conducteur suivant la revendication 11, caractérisé en ce que la seconde couche de métal comprend une première partie alignée avec une surface de côté de ladite première pièce de céramique métallisée et une seconde et 30 troisième parties séparées parallèles» allant des extrémités transversales de ladite première partie» les dites seconde et troisième parties faisant chacune corps avec et étant disposées à l'intérieur des dites ouvertures» grâce à quoi les dites première et seconde couches de métal et les dites ouvertures sont en 35 contact électrique continu. 13°- Boitier de semi-conducteur suivant la re-vendication 12» dans lequel ladite troisième couche de métal est très sensiblement en forme de T et comprend une première partie disposée entre les seconde et troisième parties de ladite seconde 40 couche de métal» et une partie transversale venant buter contre 71 17987 18 2098403 une extrémité de ladite première partie, et située transversalement sensiblement à égale distance des côtés opposés de ladite première partie. 14°= Boitier de semi-conducteur suivant la reven-5 dication 13 caractérisé en ce que la dite pastille de semi=con-ducteur est montée sur la première partie de ladite troisième couche de métal. 15°- fioitier de semi-conducteur suivant la revendication 11, dans lequel les dits premier et second systèmes de 10 conducteurs sont des conducteurs métalliques entrelacés et fixés par points. 16°- Boitier suivant l'une quelconque des revendications 1 à 15 caractérisé en ce qu'il comprend un support de cuivre pratiquement sans oxygène possédant à l'intérieur une ca-15 vité destinée à recevoir une surface de contact électrique et un dispositif de montage dudit support de cuivre; une première pièce de céramique métallisée possédant des surfaces de dessus, de dessous et de côté et des ouvertures allant des surfaces de dessus aux surfaces de dessous, et possédant une première couche de 20 métal disposée sur la surface de dessous reliée à ladite cavité et des seconde et troisième couches de métal sur la surface de dessus, la seconde couche de métal étant très sensiblement en forme de U et faisant corps avec et autour des dites ouvertures grâce à quoi les dites première et seconde couches de métal sont 25 en contact électrique continu, ladite troisième couche de métal étant très sensiblement en forme de T et possédant des parties perpendiculaire et transversale en relation avec, mais isolées, v de ladite seconde couche de métal; une seconde pièce de céramique métallisée très sensiblement en forme de U, possédant des surfa-30 ces de dessus, de dessous et de côté et une quatrième et une cinquième couches de métal disposées sur les surfaces respectivement de dessus et de dessous, ladite cinquième couche de métal n'étant reliée seulement qu'à une première partie de ladite seconde couche de métal en laissant une seconde partie de celle-ci 35 découverte? un premier contact métallique possédant des parties séparées parallèles qui s'étendent à leurs extrémités, les dites parties étendues étant reliées à la quatrième couche métallique grâce à quoi les dites parties étendues sont sur les côtés opposés de la partie perpendiculaire de ladite troisième couche métal-40 lique; un second contact métallique relié à la troisième couche 71 17987 19 2098403 métalliques une pastille de transistor possédant un corps qui constitue sa région de collecteur et des régions de base et d°é~ metteur qui sont en positions interdigitées l5une par rapport à l'autre et travaillent ensemble, ladite région de collecteur étant 5 reliée à ladite troisième couche métallique! des premiers conduc-teurs métalliques reliant les doigts de la région d5émetteur in~ terdigitée à chacune des parties étendues dudit premier contact métallique? des seconds conducteurs métalliques reliant les deigfe de la région de base interdigitée à la seconde partie découverte 10 de ladite seconde couche métallique j et une enveloppe pour encapsuler ladite cavité.