FR 2072116 A1 19710924 FR 7044225 A 19701119 70 44225 1 2072116 La présente invention concerne les aispositifssemi-concucteurs utilisant les propriétés de rectification c'une barrière de Schottky» c'est-à-dire d'une jonction métal-semi-conaucteur. elle concerne également les transistors dans lesquels une couche métallique possèoe des interfaces avec deux couches 5 semi-conductrices ce résistivités différentes, le semi-conducteur de basse résistivité produisant un contact ohmique pour le dispositif. L'invention concerne également les techniques relatives à la fabrication de tels dispositifs. ' Les dispositifs semi-conducteurs tels que les transistors typiques à 10 jonction sont constitués par un corps semi-conducteur monocristallin possédant une première région d'un type de conductivité donné intercalée entra aeux régions d'un type de conductivité opposé, les interfaces de la région intermédiaire ou base avec les aeux autres régions constituant les jonctions base-émetteur et base-collecteur. 15 Le rendement au transistor à jonction en ce qui concerne la réponse en fréquence est fonction ae l'efficacité du rassemblement des porteurs de charge injectés dans la base et du temps qu'il faut à ces porteurs pour traverser celle-ci. En général, une base mince est utilisée de manière à réduire au minimum le temps qu'il faut aux porteurs ne charge pour la traverser. 20 Toutefois, les difficultés que présente la réalisation de pellicules excessivement minces limitent en pratique l'utilisation de cette méthode. Un autre type de transistor à jonction qui a été utilisé est le transistor à barrière de surface dans lequel des électrodes métalliques de grande surface entrent en contact avec un corps semi-conducteur,. Les transistors de 25 ce type ne sont pas particulièrement efficaces et les tentatives faites pour en améliorer l'efficacité ont consisté notamment à allier le matériau dont les électrodes sont faites au matériau semi-conducteur afin de faire pénétrer l'émetteur et le collecteur plus profondément dans le corps semi-conducteur. Toutefois, cette modification ce l'approche par électrode de surface tend 30 à créer de nouveaux problèmes. line modification du type de transistor à barrière de surface ci-dessus mentionné est décrite par Atalla dans le brevet américain n° 3 121 B09 délivré le 18 février 1964. Atalla reconnaît que l'efficacité de l'injection de porteurs minoritaires dans un semi-conducteur à partir d'une barrière métal/ 35 semi-conaucteur est marginale parce que la plus grande partie du courant qui traverse cette barrière est transportée par les porteurs majoritaires circulant vers le métal semi-conducteur.En réalisant un transistor comprenant une base métallique mince intercalés entre un émetteur et un collecteur en matériau semi-conducteur, on tire parti ce l'injection de porteurs majoritai-40 res énergiques dans la base métallique à partir de l'émetteur semi-conducteur «AD OP"*«*IAp 70 4422S 2 2072116 pour obtenir un captage par le collecteur semi-conaucteur. Toutefois» les possibilités d'utilisation pratique des transistors "ae ce t'ypé'sont assez limitées en- raison es difficultés qùe présente le dépôt de "la base métallique sur l'électrode collecteur» puis le positionnement en contact intime du cristal 5 émetteur avec la bâse métallique, tout en laissant une partie de la base exposée afin que des connexions externes puissent être faites à celle-ci. : Le-,transistor du type collecteur à barrière -ae Schottky, ainsi appelé parce que la jonctiûn base-collecteur est une barrière ae Schottky utilisant le côté métallique en tarit que région collecteur, présente l'avantage d'avoir 10 un temps d'emmagasinage pratiquement nul et une résistance en série collecteur -pratiquement nulle."De plus, un grand nombre de méthodes de fabrication et de matériaux sont disponibles pour réaliser le collecteur.Les principes de fonctionhement de ces dispositifs sont décrits par G. A;. May dans "Solid State Electronics" vol. XI,pages 613 à 619 [1968). Les structures spécifi-15 ques décrites'dans cette publication possèdent des contacts externes aux régions base et collecteur sur 1a surface supérieure, et en contact émetteur sur la surface opposée. Il est plus difficile d'interconnecter des circuits intégrés- lorsque tous les contacts externes ne sont pas établis "à travers la même surface du dispositif. La suppression de l'obligation d'établir des 20 contacts' avec différentes surfaces du"transistor simplifierait la fabrication de celui-ci et permettrait l'utilisation -d'un vaste choix de méthodes et de matériaux. Ï1 serait donc souhaitable de disposer d'une structure de transistor possédant les avantages fonctionnels du transistor du type collecteur à barrière de Schottky et dont tous les conducteurs externes partiraient d'une 25 même surface du transistor.- - L'un des objets de la présente invention est de fournir de tels transistors améliorés du type collecteur à barrière de Schottky. Sous l'un de ses aspects, la présente invention est basée sur la reconnaissance au fait que certains métaux forment un contact de Schottky avec 30 des matériaux semi-conducteurs légèrement dopés et un contact ohmique avec des matériaux semi-conducteurs fortement dopés. L'application de ce phénomène à la fabrication de transistors conduit à des dispositifs originaux dans lesquels la barrière de Schottky est intercalée entre deux matériaux semi-conducteurs, et non sur une surface du dispositif comme cela était né-35 cessaire dans l'art antérieure Plus précisément, les transistors réalisés selon la présente invention possèdent une couche métallique intercalée entre un semi-conducteur légèrement dopé de conductivité de type N faisant fonction de région base du transistor, et un-semi-conducteur -fortement iapé de conductivité de type iM lui-mime contigu à une région constituée par un semi-40 conducteur de conductivité de type P, la jonction-résultante étant la jonction bad original 70 44225 3 2072116 émetteur-base du transistor. L'interface entre la région semi-conductrice légèrement dopée et la couche métallique constitue une barrière de Schottky qui est la jonction base-collecteur. Un tel dispositif peut être fabriqué selon la présente invention sui-5 vant des techniques classiques de plaquage, de croissance cristallins et de diffusion. Un substrat de silicium monocristallin fortement dopé et contenant une impureté de type N peut être utilisé comme matériau de départ. Sur la surface supérieure du corps semi-conducteur, des régions espacées de siliciure de platine et d'un matériau semi-conducteur de type P + sont formées à l'aide 10 de techniques connues de métallisation, de masquage et de diffusion. Du silicium monocristallin de type M est déposé par croissance épitaxiale sur le siliciure de platine et les régions P +. La silice est ensuite déposée par croissance ou selon un autre procédé sur la couche épitaxiale, et des fenêtres sont découpées au-oessus des blocs de siliciure de platine et l'impureté 15 de type P diffusée dans celles-ci. Des fenêtres sont ouvertes afin de permettre des contacts à la couche de silicium de type N. Une métallisation des régions semi-conductrices exposées P+ et N fournit respectivement les contacts émetteur et base. Le contact collecteur peut être réalisé par métallisation de la surface inférieure du matériau de départ en silicium N+. 20 Bien que la présente invention comporte la configuration dans laquelle des contacts externes sont réalisés sur les surfaces opposées d'un transistor, elle peut aussi être avantageusement utilisée pour fabriquer des dispositifs dans lesquels les contacts externes se trouvent sur une surface unique. Par exemple, de tels dispositifs peuvent être réalisés en diffusant une impureté 25 de type P dans un substrat de silicium de type w et en déposant un bloc en siliciure de platine dans la région résultante P+, La croissance épitaxiale d'une région de type N et la diffusion P+ dans celle-ci au-dessus du contact en siliciure de platine jusqu'à la profondeur requise pour l'ajustement approprié de la largeur de la base fournissent respectivement les régions 30 base et émetteur. La diffusion P+ à travers la région épitaxiale de type N dans la région P+ entourant le bloc en siliciure de platine fournit l'accès au collecteur sur la même surface que les contacts des régions émetteur et base. Dans un tel dispositif, bien que la région P+ soit en contact avec la région base ainsi qu'avec le collecteur métallique, la conduction se concen-35 tre à travers l'interface entre métal et semi-conducteur puisque le champ y est plus élevé que dans l'interface entre semi-conducteur et semi-conducteur. Le choix des matériaux servant à fabriquer les dispositifs de la présente invention n'est pas dicté par des exigences particulières. Les matériaux semi-conducteurs utilisés pour réaliser la région base, doivent avoir une 40 conductivité de type N. La région semi-conductrice formant le contact ohmique 70 44225 4 2072116 à la région métallique collecteur peut être d'un type quelconque de conducti-. vite st doit être plus fortement dopée que le semi-conducteur de la région base. Le collecteur métallique devrait être mince de manière à permettre le dépôt par croissance épitaxiale ou par un autre procédé de silicium monocris-5 tallin de conductivité de type N. De plus, tout alliage ou composé que forme le métal avec le substrat semi-conducteur devrait être stable dans les conditions requises pour la diffusion du dopant de type P requis pour la région émetteur. C'est le platine qui répond le mieux aux exigences de la présente invention. Le molybdène, qui constitue également une barrière de Schottky et 10 un composé inter-métallique avec le silicium, peut aussi être employé mais le siliciure de molybdène ne présente pas tout à fait le même degré de stabilité à la chaleur que le siliciure de platine et par conséquent n'est pas aussi utile dans la présente invention. D'autres métaux tels que l'aluminium, qui constituent des barrières de Schottky ne forment pas des siliciures 15 inter-métalliques mais donnent plutôt des alliages. Ces alliages ne sont pas stables à la chaleur et ont tendance à migrer aux hautes températures qui sont nécessaires lors des étapes ultérieures de diffusion. Cette migration modifie les caractéristiques de conductivité de la barrière de Schottky et porte atteinte à la qualité et à l'uniformité du produit. 20 Le matériau semi-conducteur utilisé pour constituer le contact ohmique à la région métallique collecteur peut avoir une conductivité de n'importe quel type mais devrait être très conducteur. Sa résistivité devrait être inférieure à environ 0,02 ohm-cm et se trouver de préférence dans la gamme de 0,002 à 0,01 ohm-cm. Dans le cas du substrat semi-conducteur a conductivité élevée, 25 qui est utilisé pour former le contact ohmique au collecteur métallique, la 20 concentration des atomes de l'impureté devrait etre d'au moins 10 atomes par cc environ. La limite inférieure de concentration des atomes de l'impureté est déterminée par la résistivité relative de la région base. Comme indiqué ci-dessus; le semi-conducteur utilisé dans la région ohmique devrait être 30 beaucoup plus conducteur que celui utilisé dans la région base. Toutefois, il n'est pas critique d'utiliser des semi-conducteurs de types de conductivité différents. Par exemple, tous deux peuvent être des semi-conducteurs de conductivité de type N, la région ohmique ayant toutefois une grande concentration d'atomes d'impureté. 35 En pratique, la région base doit être constituée par un semi-oonducteur de conductivité de type N. Le germanium ou le silicium avec une impureté quelconque de type N telle que le phosphore à une concentration relativement 17 faible (c'est-à-dire inférieure àenviron 10 atomes par cc), fournit la résistivité désirée, dans une gamme de 0,07 à 5,0 ohm-cm. La région ohmique 40 peut être constituée de façon similaire,c'est-à-dire qu'elle peut se composer -34225 2072116 soit ae germanium, soit de silicium dopé avec une imnureté Quelconque de type i d N, mais à une concentration superieureà 10 atomes par cc, de telle sorte que cette région soit relativement concuctrice. ... Les dispositifs oe la présenta invention sont réalisés à l'aide des tech-5 niques classiques. Par exemple, un métal tel que ie platine est déposé sur la. surface d'un corps semi-conducteur fortement dopé et le dépôt est diffusé à l'intérieur ou euros en le chauffant à une température ce l'ordre d'environ 400 à 500°L. Si le-corps semi-conducteur est eu silicium, la diffusion se traouit per la formation.de siliciure métallique, ùe même, si le corps 10 semi-conducteur est ou germanium, on obtient du germaniciure.La couche de ■semi-conoucteur de type N est ensuite déposée sur le dépôt métallique pour fournir la région base. Une région émetteur de type P est ensuite formée, par exemple, par diffusion d'une impureté ce type P cans la base de type i\i ou par dépôt c'un semi-conoucteur monocristallin .contenant l'impureté ce type 15 P. La région ce type P devient l'émetteur eu transistor. La structure peut également contenir un mur d'isoleme.nt P+ entourant la couche métallique pour isoler le transistor des autres parties du cispositif semi-conducteur, ce qui Dermet ce fabriouer le cispositif en combinaison avec d'autres fonctions en tant que circuit intégré. 20 . Cautres oDjets, caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront mieux de la description qui suit, faite en référence aux dessins annexés à ce texte, d'un mode de réalisation préféré oe celle-ci. La figure 1 représente un dispositif semi-conducteur illustrant un transistor bi-planaire conforme à la présente invention. 25 La figure 2 représente un.transistor à plan unique conforme à la présente invention, dont, les contacts externes peuvent être atteints à travers une seule surface, et qui peut facilement être intégré à d'autres composants oe circuit. Les figures 3 et 4 représentent des étapes successives de la fabrication 30 ou dispositif oe la figure 2. Seuls des circuits partiellement intégrés sont représentes dans les oessins ouisaue les dispositifs peuvent être utilisés en conjonction avec des éléments supplémentaires, ces derniers pouvant être nécessaires pour réaliser c'autres fonctions électroniques. 35 Le transistor bi-olanaire oe la figure 1 représente- une version de la présente invention. Le dispositif 1 se compose d'un corps semi-conoucteur 2 de basse résistivité et d'un type oe conductivité prédéterminé. Dans cet exemple, le corps 2 est du silicium de conductivité oe type M du fait de 1,'inclusion d'arsenic ou de phosphore en tant ou'impureté de dopage, et 40 possède une résistance inférieure à 0,01 ohm-cm. Des régions semi-conductrices BAD ORK?,niAI* 70 44225 6 2072116 3 et des régions métalliques 4 sont, espacées sur la surface supéricurecie ce corps. Dans le présent exemple, une région 3 est ootenue par diffusion c'une impureté ."donneur" telle aue de l'arsenic dans, la surface du cprps 2, et la région métallique 4 à. l aide de techniques ce dépôt- par évaporation ou pul- 5 vérisation cathodique» un masque étant utilisé pour.recouvrir les régions P+. Le métal» du olatine dans le cas present, peut être converti.en un composé cristallin» le siliciure, en le chauffant dans de. l'azote à 40û--ëUû°C pendant 20 minutes environ. L'exces. ce métal.peut être retiré.avec ce l'eau régale chaude. La région Pt Si est en contact - ohmique. avec.- le corps 2 à 10 l'interface 5. La. région base, b de conductivité ce type w est ensuite aéDosée par croissance épitaxiale sur les régions espacées 3 et.4.. La conductivité est ajustée à l'aiae a'une quantité prédéterminée d'impureté, à une valeur inférieure, à celle de la région 2. La-concentration d'atomes d'impureté 14 17 devrait etre comprise dans la gamme de 1Û à 2 x 10 atomes par cc afin 15. d'obtenir une valeur de résistivité variant entre, u,07 et 5,0 ohm-cm, La 4 jonction 7 des régions et 6 constitue la barrière de Schottky qui sert de collecteur dans le dispositif.. La région 3 P+j qui sépare les régions 2 et fa N+ et i\l permet. de. diminuer l'effet de bord et d'augmenter la capacité de tension inverse,, établissant ainsi.le canal conducteur à travers la barrière de 20 Schottky 4. La diffusion P+ sur une profondeur prédéterminée fournit la région émetteur fi et la jonction basé-émetteur 9. La profondeur de la région diffusée détermine la distance (c'est-à-dire Ew] entre la jonction émetteur-base 9 et la jonction collecteur-base 7. Plus Bw est petit» plus faibles sont la résistance en série base et le temps de transit du porteur de charge. 25 Le seul inconvénient présenté par la réduction de Bw est que la.tension de fonctionnement maximum du collecteur à L'émetteur est simultanément limitée par le percement de la base et par la rupture de la jonction collecteur. La diffusion i\i+ donne un contact oase 10 de faible résistance. La couche de silice 11 est déposée par croissance et pourvue des fenêtres 12 et 13 se rapportant 30 respectivement aux contacts émetteur et base 14 et 15. Le contact collecteur 16 peut être appliqué à l'aiae de techniques appropriées» Le dispositif représenté par la figure 2 présente la particularité fort appréciable d'avoir des conducteurs.externes qui tous partent d'une même surface.. Ce dispositif, globalement référencé 101, possède un substrat 102 35 de silicium monocristallin ainsi qu'une région de diffusion P + 103 de haute conductivité qui s'étend sur une profondeur prédéterminée à partir de la surface supérieure de 102. La région P+ 103 comprend la couche métallique 104 qui s'étend également vers le bas à partir de la surfacs supérieure du substrat 102 mais moins, profoncément que la région P-> 103, en zcï: da. la concentra-40 tion élevée du dopant contenu dans la région 10"-. 1 •• s h 9 n-étallique 104 as bad original 70 44225 7 2072116 trouve on contact ohmique avec cette région au niveau de l'interface 105. Le matériau conducteur 106 de type N, de conductivité inférieure à celle de la région P+ 103, et disposé sur la surface supérieure du substrat 102, possède un mur d'isolement P+ 107 et un accès collecteur 108 formés de manière à 5 pénétrer dans la région P+ 103 à travers la base 106. La région émetteur P+ 109, disposée au-dessus de la couche métallique 104, et la région de contact base N+ 110 qui ne pénètre qu'en partie dans la base 106, sont obtenues à l'aide de techniques de diffusion appropriées. Une couche d'isolement 111 en oxyde possédant des fenêtres 112, 113 et 114 sur 109, 110 et 103, respecti-10 vement, fournit un accès au conducteur émetteur 115, au conducteur base 116 et au conducteur collecteur 117. Le dispositif de la figure 2 possède une barrière 'de Schottky à la jonction de la couche métallique 104 et de la région 106 de conductivité de type N. De ce fait, la région de type P+ 10S et la région de type N 106 constituent 15 respectivement les régions émetteur et base, d'un transistor dans lequel le collecteur est une barrière de Schottky. La région P+ 103 qui entoure la couche métallique joue un double rôle. Elle fournit un moyen de définir les limites du dispositif étant donné qu'elle forme un ensemble continu avec les murs d'isolement 107 et 1DB. Elle fournit d'autre part la voie de conductivité 20 élevée par laquelle le contact ohmique peut commodément être établi avec la barrière de Schottky par l'intermédiaire de l'accès P+ 106. Le fonctionnement au dispositif de la figure 2 est décrit ci-après. L'application d'un potentiel+V^ au contact 117 fournit une polarisation inverse à la jonction collecteur et crée un champ électrique qui attire les trous 25 injectés par l'émetteur dans la base. Ceci est le mode de fonctionnement du dispositif. Si le potentiel V1 est changé* en une tension négative, aucun trou n'est injecté du métal dans la base. Etant donné que la durée de vie des porteurs de charge dans le collecteur métallique est extrêmement courte, — i 4 c'est-à-dire 1ù secondes ou moins, il n'y a pratiquement pas d'emmagasi-30 nage de charge dans le collecteur métallique. De ce fait, le temps de réponse est extrêmement court. Le procédé qui peut être employé pour fabriquer la structure représentée par la figure 2 est décrit ci-après à l'aide des figures 3 et 4, qui représentent les dispositifs à des étapes successives de leur fabrication. 35 La figure 3 représente un substrat de conductivité de type N après dif fusion P+ 103 sur sa surface supérieure et formation de la couche métallique 104 sur une partie de la surface définie par la région de diffusion P+. Le substrat est en silicium monocristallin, mais ce dernier peut être remplacé par du germanium. La diffusion P+ est commodément effectuée de façon sélective 40 en déposant l'impureté P+, à l'aide de techniques connues de masquage par oxyde, 70 44225 b 2072116 et en la redistribuant dans le substrat par chauffage. La profondeur de la zone diffusée n'est pas critique mais la concentration des atomes d'impureté dans 20 cette région doit être d'au moins 10 atomes/cc environ afin de fournir une voie de conductivité élevée. La couche métallique 104 est obtenue par évapo-5 ration ou pulvérisation d'une couche de 400-600 angstroms d'un métal tel que le platine ou le molybdène sur une partie de la surface définie par la région P+ 103, en utilisant des techniques de masquage appropriées pour protéger le reste de la surface du substrat. On fait réagir le métal avec du silicium pour former un siliciure par chauffage dans un gaz inerte pendant 20 minutes à 10 5QQ-600°C, et l'excédent de métal est ensuite retiré. La figure 4 représente la structure après formation par croissance épitaxiale d'une couche semi-conductrice 106 de type N, les murs d'isolement P+ 107 et 108 traversant cette couche et pénétrant dans la région P+ 103, la région émetteur P+ 109, et le contact base N+ 110. Une unique opération de diffusion 15 est utilisée pour introduire l'impureté du type "donneur" dans les régions 107, 108, et 109. L'impureté du type "accepteur" pour le contact base 110 peut être introduite séparément mais redistribuée ainsi que l'impureté P+ dans le même cycle de chauffage. La profondeur sur laquelle l'impureté P+ est diffusée et l'épaisseur de la^ couche épitaxiale 106 déterminent la lar-20 geur de la base du dispositif. En général, si la couche épitaxiale 10.6 a une épaisseur de 2 - 4 microns» et si l'impureté P+ est diffusée sur une profondeur de 0,5 à 2,5 microns, on obtient une largeur de base d'environ 1,5 micron. Les distances optimum dépendent en partie de la concentration d'impureté dans la région base. Comme mentionné ci-dessus, la concentration 17 25 d'impurete doit être suffisamment faible, c'est-à-dire inférieure à 10 atomes par cc, de telle sorte que le semi-conducteur offre une résistance relativement élevée, c'est-à-dire d'au moins 0,07 ohm-cm environ. La réponse en fréquence réduite qu'entraine la résistance élevée de la base peut être partiellement évitée en réduisant la largeur de la base et en diminuant le temps 30 de transit des porteurs. Les valeurs particulières de résistivité, les semi-conducteurs, les impuretés, et la présentation des dispositifs décrits ci-dessus sont choisis en fonction des caractéristiques désirées des dispositifs définitifs et de l'utilisation qui sera faite ce ces derniers. De plus, les dispositifs, bien 35 qu'ils soient représentés sur une unique pastille, peuvent être fabriqués sur une large tranche de matériau semi-conducteur monocristallin qui est ensuite divisée de façon à obtenir des dispositifs séparés. Les contacts et les connecteurs à fils peuvent être réalisés à l'aide de n'importe quelle technique de plaquage et de liaison ou de thermo-compression. 40 On a décrit ci-dessus un transistor du type collecteur à barrière de Schottky Bad original 70 44225 S 20721 16 dans lequel le contact externe au collecteur s'effectue à travers un semiconducteur de conductivité élevée et, si désiré, tous les conducteurs externes peuvent partir d'une seule et même surface au dispositif. bien que l'un ait décrit dans ce qui précède et représenté sur les dessins les caractéristiques essentielles ce l'invention appliquées à un mode ae réalisation préférée de celle-ci, ilest évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes moaifications ae forme ou de détail qu'il juge utiles sans pour autant sortir du cadre de ladite invention. &AP ORDINAL 70 44225 " 2072116 REVENDICATIONS 1. Dispositif semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend : ta] une premiere zone de matériau semi-conducteur contenant des atomes d'impureté du type "accepteur", (b] une seconde zone contigue.de matériau semi-conducteur contenant une faible concentration prédéterminée d'atomes d'impureté du type "donneur", (c]une couche métallique ayant un interface avec ladite seconde zone, et, (d] une troisième zone de matériau semi-conducteur oe conductivité relativement élevée en contact avec ladite couche métallique et contenant une concentration élevée d'atomes d'impureté du type soit "donneur", soit "accepteur". 2. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite troisième zone contient des atomes d'impureté du type "donneur". 3. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les dites seconde et troisième zones sont composées de matériaux de types de conductivité identiques. 4. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les dites seconde et troisième zones sont composées de matériaux de types de conductivité différents. 5. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur,caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : Ca) fournir un corps d'un premier matériau semi-conducteur ayant une concentration prédéterminée d'atomes d'impureté, former une couche métallique sur une partie d'une surface importante dudit corps, former une couche d'un second matériau semi-conducteur en contact avec ladite couche métallique et ayant une plus faible concentration d'atomes d'impureté que le premier matériau semi-conducteur, former une région d'un troisième matériau semi-conducteur en contact avec ledit second matériau semi-conducteur et de conductivité de type différent, et [b] fournir des conducteurs externes à au moins deux des dits matériaux semi-conducteurs. 6. Dispositif ou procédé selon la revendication 1 ou 5, caractérisé en ce que le métal constituant la couche métallique est du platine ou du molybdène. bad original 70 44225 n 2072116 7. Dispositif ou procédé selon l'une des revendications 1, 5 ou 6 caractérisé -2 en ce que la troisième zone a une résistivité inférieure a 2 x 10 ohm-cm. 6. Dispositif ou procédé selon l'une des revendications 1,5 ou 6 caractérisé en 17 ce que la seconde zone possède moins d'environ 10 atomes d'impurete par cc, 5 et une résistivité d'environ 0,07 à 5 ohm-cm. 9. Dispositif ou procédé selon la revendication 1,5 ou G, caractérisé en ce que des contacts externes sont établis aux dites première, seconde et troisième zones. 10. Dispositif ou procédé selon la revendication 6 ou 9, caractérisé en ce 10 oue tous les contacts externes partent d'une surface unique du dispositif. BAD ORIGNAL