FR 2103427 A1 19720414 FR 7130302 A 19710819 la présente invention concerne un transistor à effet de champ et un procédé pour le former Un transistor à effet de champ comporte fondamentalement une électrode de commande conductrice espacée par une couche mince de matière diélectrique de la surface d'un corps en semiconducteur convenablement dopé d'un premier type de conducti- vité, et une région source et une région drain définies par des parties espacées de la surface dans le corps semiconducteur et de type de conductivité opposée Des champs électriques engen- drés par les tensions appliquées à l'électrode de commande modulent la densité des porteurs le long de la surface ou du canal de conduction du semi-conducteur et de ce fait la conduc- tion a lieu entre la source.et le drain Des contacts électriques sont fixés à la région source et à la région drain pour permettre l'entrée et la sortie des signaux entre la source et le drain Le transistor à effet de champ étant un dispositif à commande par la tension est de plus près l'équivalent d'une triode à tube à vide que d'un transistor classique Normalement, un transistor à effet de champ à canal g est formé pour opérer sur le mode à épuisement, c'est-à-dire qu'un courant sourcedrain ISd substantiel passe pour la polarisation zéro de l'électrode de commande Par contre, un transistor effet de champ à canal P est formé pour fonctionner sur le mode à renforcement, c'est-à-dire qu'une polarisation négative de leélectrode de commande est nécessaire pour l'établissement d'un courant sourcedrain 1sd substantiel.Par suite, un transistor à effet de champ à canal P est un dispositif normalement ouvert Les dispositifs à épuisement et à renforcement sont idenç tifiés par des mesures du courant effectuées en supprimant l'oxyde de l'électrode de commnnde et la matière de l'électrode de commande de la surface du dispositif Un dispositif fonctionnant sur le mode à épuisement est normalement ouvert parce que pendant les mesures du courant aucun courant ne passe entre la source et le drain parce qu'il n'existe pas de canal Un dispositif fonctionnant sur le mode à renforcement est normalement conducteur parce que pendant la mesure du courant le courant passe entre la source et le drain parce qu'un canal existe normalement entre la source et le drain Selon la présente inven tion un dispositif à canal N possède à la fois les caractéris tiques d'un dispositif à épuisement et d'un dispositif à renfor- cement quand lteiectrode de commande est dopée a un niveau P+ de concentration de l'impureté.Quand l'oxyde de l'électrode de commande et la matière de î'-électrode de commande-sont enlevés le dispositif. est un dispositif onctiounant sur le mode à épuiserment Avec le niveau de dopage p+ dans la matière de l'électro- de de commanhde, la fonction de travail est réduite dans une mesure telle que la conduction de la source au drain a toujours lieu. Dans ces conditions, le dispositif fonctionne sur le mode à renforcement0 Selon l'invention, ce dispositif est appelé un -di.spositif fonctionnant sur le mode à renforcement à autopolarisation De plus, tous les transistors à effet de champ formés sur une pastille de silicium ont sensiblement la meme tension de seuil VT.Dans un transistor à canal N le courant passe entre le drain et la source quand les deux conditions suivantes sont satisfaites. En premier lieu quand le drain est à un-potentiel positif par rapport à la source, et en second lieu quand la tension de la sourie au substrat est positive et la tension de l'électrode de commande- au substrat dépasse une certaine tension appelée la tension de seuil de ce dispositif à canal N Le transistor à canal P fonctionne sensiblement de la meme façon que le transistor à canal N. Ce transistor est conducteur entre la source et le drain quand les conditions suivantes sont satisfaites.En premier lieu, quand le drain est à un potentiel négatif par rapport à la source et en second lieu quand l'élec- trode de commande est à un potentiel negatif.par rapport au substrat et quand la tension entre l'électrode de commande et le substrat dépasse en valeur une certaine tension appelée ten- sion de seuil de ce dispositif. La tendance actuelle pour la fabrication par tranche séparées, en partie basée sur la technique connue de la fabrication des semi-conducteurs, envisage la formation simultanée d'un grand nombre de transistors à effet de champ à canal P ou à canal N sur un corps en semi-c-onduct.eur, par. exemple sur une pastille de silicium0 La pastille de silicium forme une partie de .chague transistor à effet de champ, c'est-à-dire définit le canal de conduction, et aussi constitue un support approprié pour les transistors, Cependant, il existe certaines limitations inhérentes aux techniques actuelles de fabrication Par exemple, les transistors à effet de champ formés simultanément sur une même pastille de silicium ont sensiblement la même tension de seuil Par suite, aussi bien pour les transistors à canal N que pour les transistors à canal P la tension des seuil doit être déplacée dans la direction de la polarité voulue pour que le dispositif soit conducteur La conduction dans un dispositif à canal N nécessite une tension positive de commande supérieure à la tension de seuil du dispositif à canal N et la conduction d'un dispositif à canal P nécessite une tension de commande négative supérieure à la tension de-seuil du dispositif à canal P0 La tension de seuil VT d'un transistor à effet de champ est la tension appliquée à l'électrode de commande nécessaire pour provoquer une inversion forte à la surface dusubstrat situé en dessous La tension de seuil peut être représentée par la formule suivante dans laquelle Q est une densité de charge superficielle efficace par unité de surface, C est la capacité de l'isolant de l'électrode de commande par unité de surface, #ms est la tension à travers l'isolateur de l'électrode de commande du fait-de la différence des fonctions de travail entre l'électrode de commande ayant une fonction de tra@ail. #m et le substrat ayant une fonction de travail ss 2 b 2F est-la tens'on néoessaire pour amener la tension de la surface dune bande plate à une inversion forte, K est la constante diélectrique du substrat, e est la permittivité de l'espace libre, N est la concentration des impuretés dans l.slbstrat et q est la charge d'un électron. La somme des deux premiers termes est appelée leitension de bande plate Le signe plus est utilisé pour un dispositif à canal N et le signe moins. pour un dispositif à canal P. Il est de pratique courante d'obtenir la tension de seuil désirée VT en modifiant la concentration des impuretés dans le substrat et/ou la capacité de l'électrode de commande C. D ns un circuit intégré comportant plus d'un transistor à effet de champ à électrode dé commande isolée, la tension de seuil de ces transistors à effet de champ à électrodes de commande isolées est habituellement la même parce que la concentration des impuretés dans le substrat et la capacité des élec- trodes de commande sont les mêmes pour tous les transistorsO La modification de la concentration des impuretés dans le substrat, par exemple, modifie la tension de seuil de la même quantité pour tous les transistors formés sur ce substrat De façon similaire, en supposant que le type et les dimensions de l'isolateur des électrodes de commande soient les mêmes pour deux transistors, le changement de la tension de seuil sera le même Si les deux électrodes de commande sont modifiées de la meme façon La présente invention a pour objet un procédé permettant d'obtenir la tension de seuil désirée dans un transistor à effet de champ à électrode de commande en silicium L'intention a aussi pour objet un procédé pour modifier la tension de bande plate d'un dispositif à effet de champ ayant une électrode en semi-conducteur L'invention a aussi pour objet un transistor à effet de champ à électrode de commande en semi-conducteur perfectionné L'invention a aussi pour objet un dispositif semi-conduc- teur perfectionné comportant plusieurs transistors à effet de champ à électrodes de commande en semi-conductèur L'invention a aussi pour objet un dispositif semi-conducteur comportant plusieurs transistors à effet de champ à électrodes de commande en semi-c-onducteur dans lequel les transis-- tors ont différentes tensions de seuil L'invention a aussi pour objet un dispositif semi-conducteur comportant plusieurs transistors à effet de champ et à électrodes de commande en semi-conducteur et ayant la souplesse de trois ou plus de trois niveaux logiques Les caractéristiques de l'invention re.ssortiront plus particulièrement de la description suivante, donnée à titre d'exemple, et faite en se référant aux dessins annexés sur lesquels:: La figure 1 représente schématiquement en. coupe un drain sistor à effet de champ à électrodes de commande en silicium d'un type antérieur, La figure 2 représente une électrode de commandeen.sili- cium ayant une conductivité opposée à celle de la source et du drain, l'électrode de commande étant du type de conductivité P+ selon un mode de mise en oeuvre de l'invention, La figure 3 représente une électrode de commande en silicium ayant une conductivité opposée à celle de la source et du drain, l'électrode de commande étant du type de conductivité N+ selon un autre mode de mise en oeuvre de l'invention, Les figures 4A à 4E montrent les étapes principales de la formation d'un transistor à effet de champ à électrode de commande isolée ayant un type de conductivité pour l'électrode de commande et/ou une concentration opposée ou différente du type de conductivité ou de la concentration des régions source et drain associées, et Les figures 5A à 5J montrent les étapes principales de la formation de plusieurs transistors à effet de champ à électrodes de commande isolées, au moins l'une des électrodes de commande ayant un type de conductivité et/ou un niveau de concentration opposé ou différent du type de conductivité ou du niveau de concentration des régions source et drain isolées, cette électrode de commande ayant un type de conductivité et/ou un niveau de concentration oppose ou différent du type de conductivité ou du niveau de concentration d'une seconde électrode de commande formée sur le même substrat Conformément à l'invention, la concentration des impuretés dans la matière de l'électrode de commande en silicium polycristallin est à un niveau différent de celui de la concentration des impuretés dans les régions source et drain du substrat. La tension de seuil VT est directement affectée par la différence des niveaux d'impuretés entre le silicium polycrista.llin et l'électrode de commande et le substrat La diffusion sélective des impuretés dans l'électrode de commande en silicium à un niveau différent de la diffusion de la source et du drain permet à la différence des fonctions de travail #ms d'être une contri- bution,.variée. facilement, à l-.a tension de- seuil Une diffusion d'impuretés dans une première électrode de commandTe en slicium est d'un niveau différent de celui de la diffusion de la source et du drain; quand l'électrode de commande est dgun type de conductivité opposée et/pu a un niveau de dopage inférieur ou supérieur au niveau de dopage des régions source et drain, --'-r r Suivant un second mode de mise en oeuvre de l'invention, dans un dispositif semi-conducteur comportant plusieurs tran- sistors à effet de champ à -électrodes de commande en semi eonducs teur, la concentration en impuretés dans la matière d'une pre- mière électrode de commande en semi-conducteur est à un niveau différent de la concentration en impuretés dans la matière d'une seconde électrode de- commande en semi-conducteur Comme la tension de seuil VU est affectée directement par la diffé- rence des niveaux des impuretés de la matière des électrodes de commande en semi-conducteur et du support commun, et comme les différences des impuretés sont différentes pour les deux tran- sistors, la tension VT est différente pour les deux transis- tors à effet de champ Un exemple de dispositif formé selon l'invention est un circuit intégré formé sur un. support en silicium de conductivité type P Sur la surface du support ou sub- strat en silicium sont formées une région source et une région drain de conductiVité type N+ pour un premier transistor à effet de champ à électrode de commande en silicium polycristallin et des régions source et drain de conductivité type N+ pour un second transistor à effet de champ à électrodes en silicium polycristallin La première électrode de commande en silicium polycristallin est du type de conductivité P+ et la seconde élec- trode de commande en silicium polycristallin est du type de con ductivité N+ Les deux transistors à effet de champ à électrodes de commande en silicium polycristallin ont des tensions de seuil différentes permettant ainsi trois niveaux logiques L'invention peut aussi être utilisée pour des-dispositifs semi-conducteurs ayant plusieurs condensateurs-d'electrodes en semi-conducteur. Un ou plusieurs de ces condensateurs peuvent être utilisés en combinaison avec un ou plusieurs transistors à effet de champ à électrodes de commande en-semi-conducteur. La figure 1 représente un transistor à effet des champ à électrodes de commande en silicium d'un type antérieur. Ce transistor à effet de champ 10 comporte un support ou substrat en silicium 12 d'un--type de conductivité, par exemple du type P#. Le transistor 10 comporte une région source 15 et une région drain- -14 d'un type de conductivité, par exemple N+, oppose à celui du substrat. Une couche d'oxyde de silicium 16 qui est l'oxyde de l'électrode de commande, sépare l'électrode de commande en silicium polycristallin 17 du substrat 12. la conductivité de l'électrode de commande en silicium polycristallin 17 est du type N+, c'est-à-dire du même type que la conductivité des régions source et drain 14 et 15 Suivant la technique antérieure, il est de pratique courante d'obtenir une concentration donnée d'impuretés dans toutes les zones exposées de silicium par diffusion dans les régions sources et drain 14 et 15 et dans l'électrode de commande en silicium polycristallin 17 en même temps, afin d'obtenir le même type de conductivité et-le même niveau de concentration dans l'électrode de commande en silicium polycristallin et dans les régions source et drain. Le dispositif 10 est muni d'une couche de réserve en oxyde de silicium 18o Les figures 2 et 3 représentent des transistors à effet de champ à électrodes de.commande en silicium selon l'invention, chacun comportant une électrode de commande en silicium polycristallin ayant une concentration en impuretés différente de la concentration en impuretés de la région source et drain, Le transistor à effet de champ à électrode de commande en silicium 20 représenté sur la figure 2 comporte un support ou substrat en silicium 22 de conductivité type P 0 Cependant, le support 22 peut être en n importe quelle matière semiconductrice telle que du silicium, du germanium ou autre, Ce transistor comporte une région source 24 et une région drain 25 de conductivité type N+, ces régions étant situées dans le substrat 22 Une couche d'oxyde de silicium 26 est située sur la surface supérieure du substrat 22 entre les régions source et drain 24 et 25o la couche 26 peut être en n'importe quelle matière de réserve isolante telle que de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, de l'alumine ou une autre couche isolante0 Une couche de matière semi-conductrice quelconque, par exemple en silicium polycristallin 27 est appliquée sur la couche d'oxyde de silicium 26 Des matières au germanium et autres peuvent aussi convenir, La couche 28 est une réserve de diffus sion de préférence en oxyde de silicium,. mais pouvant être aussi en nitrure de silicium, en alumine ou autre0 La couche 29 est une réserve isolante de diffusion, de préférence en oxyde de silicium, mais pouvant aussi être en nitrure dë sili- cium, en alumine ou en une autre matière appropriée Conformément à l'invention, la concentration- en impuretés dans la couche de silicium polycristallin 27S par exemple de conductivité type P#, est différente de la concentration en impuretés des régions source et drain qui sont du type N+ suivant l'exemple considéré Le réglage du niveau d'impuretés de la couche de silicium polycristallin 27 pour qu'il soit différent de ceux des régions source et drain 24 et 25 modifie la tension à travers lgisolateur résultant de la différence de fonction de travail #ms entre l'électrode de commande et le substrat, Le changement de la valeur de # ms change la tension de bande plate qui à son tour change la tension de seuil Voe de la façon indiquée par la formule donnée ci-dessus.La tension de seuil VU est modifiee selon l'invention en établissant un type de conductivité et/ou un niveau de concentration des impuretés dans la couche de silicium polycristallin 27 opposé ou différent du type de conductivité ou du niveau de concentration des régions source et drain 24 et 25 associées0 Ce procédé pour modifier la tension de-seuil-est différent des procédés antérieurs qui changent la tension de seuil en changeant la concentration en impuretés du substrat et/ou les paramètres de capacité de l'électrode de commande, La présente invention.c.onserve les, avantages -des techniques de formation d'électrodes de commande en silicium, tels que 1'auto-al.igaement des électrodes de commande et les capacités parasite-s plus faible-s, et elle apporte un procédé perfectionné pour modifier la tension de seuil Une modification de. la tension de seuil est observée dire ce tement par comparaison de transistors à effet de champ à électrodes de commande en silicium ayant différents taux de concentration en impuretés dans l'électrode de commande, De plus, il est constaté des tensions de bande plate différentes correspondant aux différents taux d'impuretés dans l'élêctrode en stlicium polycristallin.Il est constate que des transistors à effet de champ à électrodes de commande en silicium ont une tension de seuil supérieure de 2,0 V à celle d'un transistor à effet-de champ similaire à électrode de commande en silicium formé par un procédé antérieur suivant lequel la couche de silicium polycristallin 17 a la même concentration en impuretés que les régions source et drain 14 et 15 Différents condensateurs ont été formés avec des niveaux différents dimpuretés dans la couche de silicium polycristallin séparée du substrat en silicium par une couche d'oxyde de sili clum, Les caractéristiques électriques de ces condensateurs indiquent qu'une différence d'environ 3 V pour la tension de bande plate peut être facilement obtenue en modifiant le taux d'impuretés dans la couche de silicium polycristallin La figure 3 représente un transistor selon un autre mode de mise en oeuvre de l'invention suivant lequel le transistor à effet de champ à électrode de commande en silicium 30 comporte un substrat 32 de conductivité type N0 Une région source 34 et une région drain 35 sont situées dans le substrat 32 La région source 34 et la région drain 35 ont des conductivités du type P+ Une couche 36 en oxyde de silicium est située sur le substrat 32 entre la source et le drain0 Une couche de silicium polycristallin 37 de conductivité type N+ est située sur la couche d'oxyde de silicium 369 Les couches d'oxyde de silicium 38 et 39 constituent une couche de réserve ou de passivation0 Dans ce cas aussi, conformément à linvention la couche de silicium polycristallin 37 a une conductivité type N+ différente des conductivités des régions source et drain 34 et 35 qui sont du type P Les figures 4A à 4E illustrent les étapes principales de la fabrication d'un dispositif selon l'inventione Ainsi que le montre la figure 4Â, un support ou substrat semi-conducteur 10 en silicium, en germanium, en composés des groupes II-Va, en composés des groupes IZ-V, ou en une autre matière ayant n'importe quelle orientation est utilisé comme structure de départ, De préférence, la résistivité du substrat 10 est d'environ 1 a- 10,ohm-cm et le substrat a par exemple une conductivité type P 0 Cependant le substrat peut être d'un autre type de conductivité0 Une couche relativemento épaisse de réserve pour la gravure et la diffusion 12 est formée sur le substrat 10 par des procédés connus l.dxyde de silicium est la matière préférée pour la couche;;129 mais.cependatt du nitrure de silicium, de l'alumine et d'autres matières convenables peuvent être utilises, l'épaisseur de la couche 12 est d environ 3.000 à 10.000 # et de préférence de 4.000 à 6.000 #. La couche 12 est gravée par des procedés photolithographiques courants pour former une ouverture 14. Comme le montre la figure 4B une couche d'isolant pour l'électrode de commande 16 est formée dans l'ouverture 14 avec une épaisseur d'environ 100 à 2.000 # et de préférence de l'ordre de 1.000 à 1.200 #. L'oxyde de silicium est la matière préferée pour la couche 16 bien que di@niturure de silicium, de l'alumine et des matières équivalentes puissent être utilisées Une couche 18 de silicium polycristallin est déposée sur la couche d'oxyde de silicium 12 et la couche d'oxyde de silicium 16 La couche de silicium polycristallin 18 est formée de préférence par dépôt à partir d'une vapeur de silane à une température élevée, bien qu'elle puisse être formée par d'autres procé- dés connus L'épaisseur de la couche de silicium polycristallin 18 est d'environ 1.000 à 10.000 , l'épaisseur préférée étant d'environ 4.000 à 6.000 XO la couche 18 a une conductivité type P+ qui est obtenue par introduction d'un dopant tel que du bore, par exemple, dans la couche de silicium polycristallin. Bien entendu, d'autres dopants type-P peuvent être utilisés.Le dopant peut être introduit pendant le dépôt de la couche 18 ou par difo fusion consécutive0 Le silicium polycristallin est la matière préférée pour la couche 18 bien que d'autres matières sem- conductrices telles que le germanium, les composés des groupes III-V, les composés des-groupes II-VI et des matières semblables polycristallines puissent être utilisées Comme le montre la figure 4C une partie de la couche de silicium polycristallin 18 située dans l'ouverture 14 est munie d'une réserve de gravure et -de -diffusion 20 qui peut être en oxyde de silicium, en nitrure de silicium, en-alumine ou en une matière équivalente. La réserve 20 est formée par des techniques classiques photolithographiques et de dépôt.L'épaisseur de la couche 20 est d'environ 1.000 à 6.000 #. L'oxyde de silicium est la matière préférée pour la couche 20 et l'épaisseur préférée est d'environ 4.000 #. Comme le montre la figure 4D la couche de silicium polycristallin 18 est supprimée par gravure sauf denslapartie 18A située directement en dessous de la réserve en oxyde de silicium 20. La couche d'oxyde de silicium 16 est aussi supprimée par gravure sauf dans la partie 16A située directement en dessous de la couche de silicium polycristallin 18A et de la réserve en oxyde de silicium 20.Comme l'épaisseur de la couche 16 est comprise entre 1.000 et 1,200 # tandis que l'épaisseur préférée pour la couche 20 est de 4.000 #, la couche 16 est enlevée avant la couche 20 et le reste de l'épaisseur de la couche 20 constitue une réserve pour la diffusion de la source et du drain0 Comme le montre la figure 4E les régions source et drain 22 et 24 sont formées par diffusion d'un dopant type N, par exemple de phosphore, à travers les ouvertures non protégées0 L'épaisseur des régions source et drain 22 et 24 est comprise o entre environ 1.000 À et une profondeur indéfinie d'après les conditions nécessaires pour le dispositif, Une profondeur préférée pour les régions source et drain 22 et 24 est de 4o000 à o 6.000 À. L'invention est illustrée plus particulièrement par l'exemple suivant. EXEMPLE le procédé tel qu'illustre par les figures 4A à 4E est utilisé pour former la structure représentée sur la figure 4E. Le substrat est en silicium type P ayant une résistivité-d'environ 3 ohm-cm et une orientation (100). La couche de réserve (12 sur la figure 4A) est une couche d'oxyde de silicium d'une épaisseur de 6.000 #. L'épaisseur de la couche d'oxude de silicium de l'électrode de commande (16 sur la figure 4B) est de 1.100 # 100 #. 5.000 + 1.000 #. Du bore est diffusé dans le silicium polycristal L'épaisseur de la couche. de silicium polycristallin 18 est de lin pour établir une conductivité @+ avec une teneur d'environ lin pour établir une conductivité P avec une teneur d'environ i.o20 atomes par centimètre cube, Les régions source et drain 'aont,dopées par du phosphore pour établir une conductivité N+ avec environ 1021 atomes par centimètre cubez la profondeur des régions source et drain est de 5o000 + 1o000 #. L'épaisseur de la couche de silicium 20 située sur le silicim polycristallin est de 4o000 À Le transistor à effet de champ résultant a une tension de seuil de 2,4 V contrairement à 0,4 V pour un autre transistor à effet de champ semblable mais, dans lequel. la concentration des impuretés de l'éiectrode de commande en silicium est la même que pour les régions source et drain Les figures 5A à 5J representent les étapes successives de la formation d'un dispositif selon un autre mode de mise en oeuvre de l'invention Comme le montre la figure 5A, la structure en semi-conduc- teur 110, telle qu'un circuit intégré, comporte un support ou substrat en semi-conducteur 112 de conductivité type P#. , Cependant, le substrat 112 peut être en n'importe quelle matière semiconductrice, telle que du silicium, du germanium, des composés des groupes III-V, des composés des groupes II-VI et des matières analogues. Suivant le mode deréalisation-preféré, le substrat 112 est en silicium, de préférence ayant une résistivité d'envi ron 1 à 10 ohm cm, et suivant exemple considéré sa-conducti- vité est du type P Cependant, d'autres types de conductivités peuvent être utilisés.Une couche de réserve de gravure et de diffusion relativement épaisse 114 est formée sur le substrat par un procédé classique L'oxyde de silicium est la matière préférée pour la couche 114, mais cependant du nitrure de silicium, de l'alumine et des matières analogues ou des combinaisons de ces matières peuvent aussi être utilisées L'épaisseur de la couche 114 est d'environ 3.000 à 10.000 #, 1? épaisseur préférée étant de 4o000 à 6,oOOO #. La couche 114 est gravée par un procédé photolithographique courant pour former des ouvertures 116 et 118. Comme le montre la figure- 5B, des couches d'isolant pour les électrodes de commande 120 et 122 sont formées dans les o ouvertures 116 et 118 à une épaisseur d'environ 100 à 2.000 A, l'épaisseur préférée étant de l'ordre de 1.000 à 1.200 #. L'oxyde de silicium est la matière préférée pour les couches 120 et 122, mais cependant du nitrure de silicium, de l'alumine, des matières analogues et des combinaisons de ces matières peuvent être uti lisées. Une couche 124, par exemple en silicium polycristallin, en germanium polycristailin ou en composés des groupes, III-V et II-VI seminconducteurs, est déposée sur la couche 114 et sur les couches isolantes 120 et 122. Le silicium polycristallin, est la matière préférée pour la couche 124, et il est formé par dépit à partir de vapeur de silane à une température élevée, bien quoll puisse être formé par d'autres procédés connus. L'épaisseur de la couche de silicium polycristallin 124 est d'environ 1.000 à 10.000 #, l'épaisseur préférée étant d'environ 4.000 à 6.000 #. Une couche de réserve 126 est formée sur la couche 124 et elle est gravée par un procédé photolithographique pour former l'ouverture 128 L'oxyde de silicium est la matière de réserve préférée pour la couche 126, mais cependant le nitrure de silicium, l'alumine et des matières analogues peuvent être utilisés.L'épaisseur de la couche 126 est de 1.000 à 4.000 #, l'épaisseur préférée étant de l'ordre de 2.000 à 3.000 #. Une diffusion est faite ensuite à travers l'ouverture 128 avec un dopant type -P, par exemple du bore, pour que la condiictivité du silicium polycristallin de la couche 124 exposé par l'ouver- ture 128 soit du type P+ Cependant, d'autres dopants type P peuvent être utilisés Ainsi que le montre la figure 5C une couche de réserve 130 est formée sur la couche de silicium polycristallin 124.La couche 130 est du même type que la couche 126 considérée cidessus La couche 126 peut être supprimée cu non Comme le montre la figure 5D, la couche 130 est gravée par un procédé lithophotographique pour obtenir la partie de réserve 132 dans l'ouverture 128 stir la- région dopée P+ de la couche de silicium polycristallin 124 Comme le montre la figure 5E une autre couche de réserve 134 similaire aux couches 130 et 126, est déposée sur la couche 124 et sur la partie de réserve 132 Comme le montre la figure SP, la couche 134 est gravée par un procédé lithophotographique pour former la partie de réserve 136 directement sur la partie de réserve 132, et une partie de réserve 138 est positionnée sur de la couche de silicium polycristallin dans l'ouverture 118 Comme le montre la figure 5G, la couche 124 est gravée par un procédé connu pourenlever cette couche, sauf la partie -140 située sous les réserves 136 et 132 dans l'ouverture 16 et -la partie 142 couverte par la partie de réserve 138 dans l'ou- verture 1180 Comme le montre la figure 511 les parties de réserve 136 et 138 aont supprimées par un procédé de gravure connu Les couches isolantes 120 et 122 des électrodes de commande sont aussi gra- vélos sauf dans les parties 144-et 146 situées dans les ouvertures 116 et 118 qui sont protégées respectivement par les parties en silicium polycristallin 140 et 142. Comme le montre la figure 5H la partie en silicium polycristallin 140 est dopée pour une conductivité P+ et elle est couverte par la partie de réserve 132 La partie en silicium polycristallin 142 située dans l'ouverture 118 n'est pas dopée à ce moment et ne porte pas de partie de réserve Comme le montre la figure 51, une diffusion est effectuée avec un dopant type N, par exemple du phosphore, pour former les régions source et drain 148 et 150 dans le substrat 112, à travers l'ouverture 116 non couverte par l'isolant 144 de la porte Des régions source et drain 152 et 154 soLt.formées à travers ltouD verture 118 non couverte par liisolant 146 de l'autre électrode .de commande, Les régions source et drain 148, 150, 152 et 154 ont une conductivité type N+ du fait de la diffusion la figure 5J représente la-structure résultante selon l'in- vention..dans laquelle la partie de réserve 132 au-dessus de la partie en silicium polycristallin 140 de conductivité P a été supprinié. La structure résultante comporte une électrode de commande en silicium polycristallin 140 de conductivité P±et une électrode de commande en silicium polycristallin 142 de conductivité N+.Les tensions. de seuil de ces deux transistors à effet de champ à électrodes de commande isolées sont différentes en raison de la différence des fonctions de travail des matières des électrodes de commande et du substrat, qui sont différentes pour les deux transistors Du fait que la tension de seuil Voe est différente pour les deux transistors, le circuit intégré comportant ces deux transistors est caractérisé par des vitesses supérieures de commutation, -l'immunité contre des bruits sélectionnés et la souplesse de plus de deux niveaux logiques Des contacts pour les électrodes de commande, les sources et les drains peuvent être formés par des techniques connues, et de même, une passivation de la surface peut être effectuée pour compléter le dispositif. La technique décrite ci-dessus peut aussi être utilisée pour produire des dispositifs semi-conducteurs ayant plusieurs condensateurs d'électrodes en semi-conducteur En supposant que la région 142 de la figure 5G a un niveau de dopage- N+, les éléments comprenant les couches 140, 144, 112 et 14?, 122, 112 forment une paire de condensateurs sur un substrat commun avec des électrodes de commande en silicium, Ces condensateurs sont caractérisés par des tensions différentes de bande plate Ces éléments peuvent être utiles pour les applications de commuta tion, par exemple pour la fabrication de registres à décalage et pour des cellules de mémoires à å-recirculation-O Bien entendu, ces condensateurs peuvent être formés conjointement avec les transistors à effet des champ à électrodes de commande en semiconducteur. Bien entendu, la description qui précède n'.est pas.limitative, et l'invention peut entre mise en oeuvre suivant dlauw tres variantes, sans que l'on sorte de son cadre REVENDICATIONS 10 Dispositif semi-conducteur à effet de champ caractérisé par un corps en matière semi-conductrice dun premier type de conductivité ayant une première résistivité et une première surface principale, des régions source et drain espacées dans ce corps, s'étendant à partir de la premièresurface principale et étant de conductivité du type opposé, ayant-une résistivité inférieure à celle du corps, et définissant un canal entre la région source et la région drain le long de la surface princi- pal du corps, et une électrode de commande au-dessus du canal et deux parties des régions source et drain et ayant un niveau de concentration en impuretés différent de celui des régions source et drain 2o Dispositif semi-conducteur à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'électrode de commande comporte des impuretés du type de conductivité opposé à celui des impuretés des régions source et drain 3 Dispositif semi-conducteur à effet de champ selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'électrode de commande est en semi-conducteur polycristallin et contient des impuretés sous la forme d'une concentration d'impuretés N 4o Dispositif semi-conducteur à effet de champ selon la revendication 1 caractérisé en ce.que la région source et la région drain sont formées avec une concentration d'impuretés P+0 50 Dispositif semi-conducteur à effet de champ selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'électrode de commande est formée avec une concentration d'impuretés P 6o Dispositif semi-conducteur à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé par plusieurs constituants dRelec- trodes de commande sur un substrat commun, le dispositif com-- portant une première électrode de commande en semi-conducteur ayant une concentration donnée d'impuretés et une seconde élec- trode en semi-conducteur ayant une concentration en impuretés différente de celle de la première electrode en semi-conducteur, le dispositif comportant- des régions source et drain pour chaque électrode de commande 70 Dispositif semi-conducteur à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé par plusieurs constituants dsselec- trodes -de commande, le - dispositif comportant une première électrode de commande ayant une concentration donnée d'impuretés et une seconde électrode de commande ayant une concentration d'impuretés du type opposé à celui de la premiere electrode de commande et le dispositif comportant des régions source et drain pour chaque électrode de commande 8.Dispositif semi-conducteur à effet de champ caractérisé par plusieurs transistors à effet de champ à électrodes de commande en semi-conducteur sur un corps formant un substrat commun et portant une première électrode de commande en semiconducteur ayant une concentration et/ou un type donné d'împure- tés pour polariser le dispositif de façon qu une conduction appréciable de canal ait lieu quand une différence de potentiel existe entre les premières régions source et drain, même en l'absence d'une tension appliquée de l'extérieur entre l'élec- trode de commande et le substrat, et une seconde électrode de commande en semi-conducteur ayant une concentration en impuretés inférieure ou un type d'impuretés différent de la première élec- trode de commande en semi-conducteur pour polariser le dispositif de façon qu'aucune conduction appréciable de canal n'ait lieu entre les secondes régions source et drain quand une différence de potentiel existe entre la source et le drain-jusquQà l'appli- cation à l'électrode de commande d'une tension de polarisation suffisante pour faire passer la matière du canal à un état d'inversion forte, 9.Dispositif semi-conducteur à effet de champ -selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'électrode de commande en-semi-conducteur est formée en matière du groupe constitué par le silicium polycristallin le germanium polycristallin, ls composés des groupes III-V et les composés des groupes II-VI. 10. Dispositif semi-conducteur à effet de champ selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'électrode de commande en semi-conducteur est en silicium polycristallin. Il Dispositif semi-conducteur -à effet de champ selon la revendication 10 caractérisé en ce que la première électrode de commande -em semi-conducteurest du type dé conductivité N 120 Dispositif semi-coducteur a, effet de.ehamp -selon la revendication 11 caractérisé en ce que la seconde électrode de commande en semi-conducteur est du type de conductivité P+ 13.Procédé pour former un dispositif smi-conducteur effet de champ selon la revendication 1 caractérisé par la modification de la tension de bande plate apparaissant, normale niveau de concentration d'impuretés et une électrode en semi.- conducteur séparée de oe corps par une couche de matière diélec- trique, par ffusion dans l'électrode en semi-conducteur d'une impureté désirée d'un niveau de concentration différent du niveau de concentration des impuretés dans le corps et/ou de type opposé à celui des impuretés du corps afin oFe la tension de bande plate soit modifiée pour obtenir l'induction du canal avec une tension supérieure 14. Procédé selon la revendication 13 caractérisé par la diffusion dans l'électrode de commande d'impuretés à un niveau de concentration inférieur au niveau de concentratiçn des impuretés dans le corps 15.Procédé selon la revendication 13 caractérisé par la diffusion-dans l'électrode de commande d'impuretés déterminant le type de conductivité du type oppose à celui de l'impureté diffusée dans le corps 16. Procédé, pour modifier la tension de seuil d'un dispositif à effet de champ à électrode de commande en semi-conduc- teur selon la revendication 1 caractérisé par la formation d'un corps en semi-conducteur d'un premier type de conductivité et d'une première résistivité et ayant une première surface principale, la formation d'une électrode de commande en semi-conduc- teur au-dessus de la partie formant le canal de la première surface principale du corps, cette électrode étant du même type de conductivité que le corps, et la formation d'une région source et d'une région drain dans la face, principale du corps, ces régions avant des concentrations d'impuretés différentes de la concentration des impuretés de l'électrçde de commande, et la région source et la région drain étant séparées l'une de l'autre par l'électrode de commande en semi-conducteur 17.Procédéselon la revendication 16 caractérisé par la formation d'une couche de réserve sur la première surface principale du corps, la formation d'une ouverture dans cette couche de réserve pour exposer une partie de la surface principale du corps, la formation d'une couche diélectrique sur la surface principale exposée pour constituer la couche diélectrique du transistor à effet de champ à électrode de commande en semis conducteur, la formation d'une couche en semi-conducteur au dessus au moins de la couche diélectrique et lXintroduction dans cette couche d'impuretés déterminant le type de conductivité du meme type de conductivité que le corps et avec un premier niveau de concentration, la formation d'une seconde couche de réserve au-dessus d'au moins une partie de cette couche en semi-conducteur couvrant à son-tour une partie de la couche diélectrique pour définir l'emplacement de-l1électrode de commande en semi-conducteur, la suppression des parties non protégées de la couche en semi-conducteur pour exposer les parties de la couche diélectrique non protégées par la couche en semiconducteur subsistant, et l'enlèvement des parties exposées de la couche diélectrique et l'exposition de-parties de la-surface principale du corps afin que ces parties exposées de la surface principale soient séparées par un élément en sandwich formé de la couche diélectrique, du corps en semi-conducteur dopé et de la couche de réserve0 18. Procédé selon la revendication 17 caractérisé en ce que l'introduction des impuretés déterminant le type de conduc tivité dans la couche en semi-conducteur est effectuée pendant l'établissement de cette couche en semi-conducteur0 19. Procédé selon la revendication 17 caractérisé en ce que l'introduction des impuretés déterminant le type de conductivité dans la couche en semi-conducteur est effectuée après la fia de ltétablissement de la couche en semi-,conducteur 20. Procédé selon la revendication 18 caractérisé par la formation d'une région source et duune région drain par introduction d'impuretés déterminant le type de conductivité dans la région source et la région drain, ces impuretés étant du type de conductivité opposé à celui du corps 21 Procédé selon la revendication 20 caractérisé en ce que la formation de la région source et de la région drain comporte de plus l'introduction d'impuretés déterminant le type de conductivité dans la région source et la région drain avec un niveau de concentration différent du niveau de concentration dans la couche en semi-conducteur0 22o Procédé pour former plusieurs dispositifs semi-conducteurs selon l'une des revendicatiqns 6, 7 et 9 dans lesquels le type de conductivité et/ou le niveau de concentration d'une première électrode de commande en semi-conducteur est opposé au type de conductivité et/ou différent du type de conductivité ou du niveau de concentration d'une seconde électrode de commande en semi-conducteur, caractérisé par la formation d'un corps en matière semi-conductrice ayant une première résistivité et un premier type de conductivité, la formation d'une couche isolante sur cette première surface du corps en semi-conducteur, la formation dans cette première couche isolante d'ouvertures pour exposer plusieurs zones sélectionnées de la surface du corps en semi-conducteur, comprenant au moins une première zone et une seconde zone, la formation d'une couche diélectrique pour électrodes de commande au moins sur la première zone exposée et la seconde zone exposée, la formation d'une couche de semi-conducteur polycristallin au moins sur cette couche diélectrique, la diffusion d'impuretés déterminant le premier type de conductivité dans une première zone de la couche en semi-conducteur polycristallin au-dessus de la couche diélectrique de la première zone, la formation d'une troisième couche diélectrique sur la couche en semi-conducteur polycristallin, la formation d'une première partie de réserve à partir de la troisième couche diélectrique au-dessus d'au moins une partie de la couche en semi-conducteur polycristallin contenant les impuretés déterminant le premier type de conductivité, la formation d'une quatrième couche isolante sur la première zone de réserve et la couche de semi-conducteur polycristallin, la formation de plusieurs secondes réserves à partir de la quatrième couche isolante, l'une au-dessus d'au moins la première couche de réserve précédemment formée et une seconde au-dessus d'une partie supplémentaire de la seconde zone, la suppression de la couche en semi-conducteur polycristallin alibsistant non protégée par les secondes réserves, la suppression de la couche di électrique non couverte par la couche en semiconducteur polycristallin, la suppression des secondes réserves, et la diffusion d'impuretés déterminant le type de conductivité opposé dans les zones exposées de la surface du corps en semi conducteur et dans la couche en semi-conducteur polycristallin recouvrant cette seconde zone, 23 Procédé selon la revendication 22 caractérisé par l'enlèvement de la première partie de réserve