FR 2098321 A1 19720310 FR 7125295 A 19710709 71 25295 -1- 2098321 L'invention concerne un procédé permettant la fabrication d'un dispositif semiconducteur dont le corps semiconducteur comporte au moins un composant semiconducteur, une zone de surface du corps étant dopée à l'aide d'activants, alors 5 que du fait d'oxyder au moins localement une partie de cette zone de surface, on élabore une configuration d'oxyde qui au moins sur une partie de son épaisseur est noyée dans le corps semiconducteur. L'invention concerne également un dispositif semicon-10 ducteur obtenu par la mise en oeuvre de ce procédé. Par "activants", il y a lieu d'entendre ici, outre des donneurs et des accepteurs, également des matériaux déterminant d'autres propriétés électriques du matériau semiconducteur, par exemple la durée de vie de porteurs de charge minoritaires. 15 Les procédés au cours de la mise en oeuvre desquels une oxydation locale d'une surface semiconductrice permet l'élaboration d'une configuration d'oxyde noyée au moins en partie dans le corps semiconducteur sont connus et mis à profit pour différents buts dans la technique des semiconducteurs. Il est connu 20 également de doper à l'aide de donneurs ou d'accepteurs la surface semiconductrice couverte de la configuration d'oxyde, ce dopage ayant lieu par exemple par diffusion. Toutefois, dans la pratique, on est souvent confronté avec des inconvénients lors de l'emploi de configurations 25 d'oxyde associées à une surface conductrice limitrophe entièrement dopée du fait de l'incorporation des donneurs ou des accepteurs. La zone de surface dopée s'étend par exemple jusqu'à une autre couche fortement dopée du dispositif et peut de ce fait réduire par exemple la tension de claquage d'une jonction p-n. 30 il se peut également que, localement, cette zone de surface c±>nne lieu à un trajet de courant indésirable convenablement conducteur, susceptible de causer un court-circuit ou d'autres phénomènes désavantageux dans le dispositif semiconducteur. C'est entre autres pour ces raisons que dans la prati-35 que, on désire souvent que la surface semiconductrice couverte d'une configuration d'oxyde noyée ne soit pas dopée entièrement par un activant d'un genre déterminé, mais qu'elle ne le soit que localement. Dans ce qui suit, il est expliqué plus en détail que l'on obtient ainsi des structures qui dans la technologie ^0 des semiconducteurs offrent la possibilité de nombreuses appli 71 25295 2098321 cations intéressantes et importantes. Du fait que généralement, une telle structure ne peut être réalisée sans stades de fabrication supplémentaire, par exemple des masquages et alignements additionnels, l'applica-5 tion.de ces structures rencontre souvent des inconvénients importants lors.de la fabrication de dispositifs semiconducteurs, réalisés ou non sous forme de circuits intégrés. Il est bien connu que des masquages additiameJs diminuent le rendement et augmentent les frais, donc devraient être évitées si possible. 10 Un des buts de cette invention est d'indiquer un procédé permettant d'une part d'obtenir de façon- simple une structure ayant une configuration d'oxyde noyée limitée par au moins une seule zone de surface qui n'est dopée que localement par incorporation d'activants, et d'autre part d'éviter les inconvénients précités 15 ou du moins de les réduire dans une mesure considérable. Par ailleurs, l'invention repose entre autres sur l'idée que ce dopage local peut être établi sans alignement additionnel grâce à l'emploi efficace d'un bord saillant librementj appartenant à un masque et déjà obtenu lors d'un stade de fabrication antérieur 20 A cet effet, conformément à l'invention, un procédé du genre mentionné dans le préambule est remarquable en ce que sur une surface du corps, on forme d'abord un premier masque, qu'ensuite, dans la partie de surface non couverte de ce masque, on forme un creux par enlèvement de matériau cette opération 25 donnant lieu également àl'enlèvement de matériau sous le bord du masque de sorte que ce bord fait librement saillie, qu'ensuite, du fait d'utiliser comme masque les parties du bord précitées, on dope localement à l'aide d'activants une zone de surface affleurant la surface dudit creux, et que la configuration d'oxyde 30 est établie du fait que l'on oxyde au moins la surface semi- conductrice non couverte, le creux précité étant au moins rempli partiellement d'oxyde. Lors dé la mise en oeuvre du procédé conforme à 1'invention, le fait que l'on utilise comme masque les parties dudit 35-bord de masque obtenu par l'enlèvement de matériau, a permis de réaliser le dopage local désiré sans qu'il ait été nécessaire de procéder à un alignement additionnel. Par ailleurs, le rôle de masque rempli par le bord de masque saillant librement peut être mis à profit de plusieurs ^0 façons. 71 25295 -3- 2098321 En premier lieu, le bord en question peut être utilisé directement comme masquage contre des activants, par exemple lorsque ces activants sont élaborés par bombardement d'ions ou par dépôt par évaporation, et d'une façon générale, lors de la 5 mise en oeuvre de tous les procédés de dopage au cours desquels les activants sont fournis suivant un courant ou jet dirigé quasi transversalement au masque. Dans cet ordre d'idees, un mode de réalisation préféré important conforme à l'invention est remarquable en ce que la surface du creux est dopée localement 10 sous l'effet d'un courant d'activants frappant transversalement le premier masque, les parties de surface, situées sous le bord saillant du premier masque, étant masquées contre le dopage. Toutefois, l'effet de masquage du bord de masque saillant librement peut également être mis à profit indirectement avant 15 l'établissement d'un dopage local, et cela notamment du fait qu'en premier lieu, en mettant à profit cet effet de masquage, on forme un deuxième masque, par exemple un masque d'oxyde, assurant le masquage contre les activants, alors qu'ensuite, on utilise ce deuxième masque pour l'établissement du dopage local. 20 A cet effet, suivant un autre mode de réalisation préféré important, en utilisant comme masque les parties du premier masque, qui appartiennent audit bord saillant, on élabore sur la surface du creux un deuxième masque dont la projection du pourtour dans le creux coïncide pratiquement avec le pourtour du premier 25 masque, après quoi on dope à l'aide d'activants les parties non masquées de la surface du creux. Par ailleurs, un autre mode de réalisation préféré important est remarquable en ce qu'après l'enlèvement de matériau, on élabore un deuxième masque sur les parties de surface du 30 creux, situées sous le bord saillant du premier masque, après quoi, à l'aide d'activant on dope les parties de surface non couvertes du creux, qui ne sont pas situées sous le bord saillant. Dans ce cas, on ne dope donc pas les parties de la surface semi-conductrice, situées sous le bord saillant du premier masque, ou 35 du moins, on ne les dope que dans une mesure considérablement plus faible que le reste. Inversement, un mode de réalisation préféré suivant conforme à l'invention est remarquable en ce qu'après l'enlèvement de matériau, on élabore, par exemple par dépôt par évaporation, kO un deuxième masque sur la surface du creux, exception faite des 71 25295 2098321 parties de surface situées sous le bord saillant du premier masque, après quoi, à l'aide d'un activant, on dope les parties de surface du creux, non couvertes du deuxième masque, On obtient ainsi un deuxième masque qui est complémentaire du précédent. 5 Pour obtenir la profondeur voulue, on soumet parfois avantageusement à un décapage subséquent les parties du corps semiconducteur, couvertes du deuxième masque, ce décapage ayant lieu après l'élaboration du deuxième masque et avant de procédér au dopage. ^ Dans tous ces cas, le deuxième masque peut être mis en place de plusieurs façons. Une réalisation préférée très efficace et en outre très simple, pouvant être utilisée avantageusement pour la fabrication des deux formes complémentaires précitées du deuxième masque, est remarquable en ce qu'on élabore un premier 15 masque assurant le masquage contre une irradiation à laquelle est sensible un vernis photosensible, qu'après l'enlèvement de matériau,on élabore une couche de masquage au moins sur la surface entière du creux, que, pour former le deuxième masque, on couvre entièrement au moins cette couche de masquage de vernis 20 photosensible expose ensuite à travers le premier masque, de sorte que par suite du masquage assuré par le bord saillant du premier masque, une partie du vernis photosensible est devenue soluble après l'exposition tandis qu'une autre partie est inso-25 lubie dans un liquide développeur, après quoi on enlève la partie de vernis solubl'e alors que par décapage otia éliminé la couche de masquage sur les endroits non recouverts de vernis, tandis qu'ensuite on éliminé le vernis résiduel, les parties subsistantes de la couche de masquage constituant le deuxième masque. Suivant que 30 pour ce mode de réalisation on utilise un vernis photosensible positif ou négatif, on obtient l'un ou l'autre desdits deuxièmes masques complémentaires. Il est avantageux lorsque, pour élaborer le deuxième masque, on élabore, après l'enlèvement de matériau, sur la sur-35 face entière du creux une première couche établissant tan masquage contre les activants, qu'ensuite, à partir d'une direction transversale au premier masque, on élabore, par exemple par pulvérisation cathodique ou par dépôt par évaporation, une deuxième couche de masquage contre décapage sur les parties de la première couche 40 non masquées par les parties du bord saillant du premier masque, alors qu'ensuite, par décapage,on enlève les parties de la 71 25295 -5- 20^8321 première couche non couvertes de la deuxième couche, les parties non couvertes de la surface du creux étant dopées à l'aide d'activants. Parfois, les modes de réalisation préférés cité peuvent 5 être combinés avantageusement si uniquement les parties de surface du creux, situées sous le bord saillant du premier masque, sont dopées à l'aide d'un activant par exemple d'abord suivant un des procédés cités, ce dopage ayant lieu par exemple.par diffusion d'un donneur, après quoi, subséquemment à l'enlèvement 10 du masque de diffusion utilisé à cet effet, on incorpore dans la surface du creux un autre activant, exception faite des parties situées sous le bord du premier masque, cette dernière opération ayant lieu par exemple par dépôt par évaporation d'un accepteur. Au besoin, la surface entière du creux peut ainsi 15 être occupée pour ces régions dopées différemment. L'enlèvement de matériau donnant lieu à la formation du creux comportant le bord de masque saillant librement, peut se faire de plusieurs façons. Pour enlever le matériau, on peut par exemple élaborer un premier masque établissant un masquage 20 contre l'oxydation, et procéder ensuite à l'oxydation de la surface non couverte de ce premier masque, après quoi l'oxyde formé est enlevé par décapage. Au cours de cette oxydation, il se produit également une oxydation de parties semiconductrices situées sous le bord du premier masque, ce qui après le décapage 25 sélectif, donne lieu à la formation du bord de masque saillant librement. De préférence toutefois, l'enlèvement de matériau a lieu par décapage de la surface semiconductrice non couverte du. pre-» mier masque. Ceci peut avoir lieu par des décapants liquides ou 30 gazeux, le bord de masque saillant librement étant formé par décapage sous-jacent. Dans tous ces cas, le creux formé peut être rempli partiellement par oxydation. De préférence toutefois, pour obtenir un corps semiconducteur ayant une surface pratiquement plane, le 35 creux formé est rempli quasi entièrement d'oxyde. Le dopage peut avoir lieu suivant différents procédés connus, par exemple par diffusion, combinée ou non avec un dépôt par évaporation. Suivant un mode de réalisation préféré très important, le dopage a lieu par implantation d'ions. Ce procédé 40 mérite notamment la préférence dans tous les cas où le bord 71 25295 -6- 2098321 saillant du premier masque est mis directement à profit comme masque contre le Courant de donneurs ou d'accepteurs frappant le corps semiconducteur. Ainsi une couche d'oxyde dopée sur la surf» ce semiconductrice peut être utilisée comme source, en combinai-5 son avec diffusion et/ou implantation d'ions. * Dans bon nombre de cas, il est préférable qu'avant de procéder au dopage, la couche assurant le masquage contre le dopage soit munie d'une couche métallique, le masquage devenant ainsi encore plus efficace. Ceci est particulièrement important 10 lorsque le dopage a lieu par implantation d'ions. Dans ce cas, les ions peuvent être implantés assez profondément, tandis que l'on obtient néanmoins un masquage efficace. Suivant la variante correspondante du procédé, la structure que l'on obtient par la mise en oeuvre du procédé connu 15 peut être utilisée pour plusieurs applications importantes. Dans cet ordre d'idées, une procédé très important conforme à 1 ' in-^ vention est remarquable en ce qu'on élabore un creux annulaire entourant entièrement une région en forme de caisson du coi*ps semiconducteur, et que dans cette région, on élabore entièrement 20 ou en partie au moins un composant semiconducteur. Par "creux annulaire'1 on entend ici d'une façon générale un creux fermé en lui même qui, évidement, n'a pas besoin d'être sous forme de cercle. £ La structure obtenue par la mise en oeuvre de procédé 25 peut être utilisée de plusieurs façons pour l'isolation électrique de composants semiconducteurs entre eux, situés dans un même corps semiconducteur. Suivant un mode de réalisation préféré important, ladite zone de surface du creux est dopée à l'aide d'un activant 30 établissant le même type de conduction que celui de la région limitrophe du corps semiconducteur. Dans ce cas, cette zone de surface peut servir par exemple à empêcher la formation éventuelle d'un canal d'inversion sous la configuration d'oxyde. . Suivant un autre mode de réalisation préféré, le creux 35 est pratiqué dans une couche épitaxiale élaborée sur un substrat. Ce mode de réalisation est très important pour la fabrication de structures intégrées. Ladite zone de surface du creux est alors avantageusement dopée à l'aide d'un activant établissant le type de conduction opposé à celui de la couche épitaxiale. 4-0 Selon un mode de réalisation préféré important le creux 71 25295 -7- 2098321 est pratiqué dans une couche épitaxiale de premier type de conduction, élaborée sur un substrat de deuxième type de conduction, alors que ladite zone de surface (qui dans ce cas est donc du deuxième type de conduction) est élaborée sur une profondeur 5 telle que la zone de surface se raccorde au substrat. De cette façon, on obtient un isolement de caisson analogue»à celui établi à l'aide de la diffusion de séparation couramment utilisée dans les circuits infégrés, alors que dans ce cas toutefois, pnur réaliser la zone dopée, il n'est pas nécessaire de procéder 10 à un masquage et aligaament additionnels sous l'oxyde. Une toute autre façon d'établir l'isolation est obtenue avec un autre mode de réalisation préféré très important de l'invention. Ce mode est remarquable en ce que le creux est pratiqué dans une couche épitaxiale de premier type de conduction, 15 formée sur un substrat de premier type de conduction, alors qu' entre cette couche épitaxiale et le substrat se situe une couche enterrée de deuxième type de conduction, qui s'étend du moins sous ladite région en forme de caisson, et que ladite zone de surface est élaborée.sur une profondeur telle que cette zone 20 de surface est raccordée à la couche enterrée. Dans ce cas, on utilise une couche épitaxiale dont le type de conduction correspond Il celui du substrat, l'isolation étant établie par la couche enterrée et les zones dopées se raccordant à la couche enterrée et limitrophes de la configuration d'oxyde. 25 La configuration d'oxyde peut avantageusement être mise à profit pourpassiver des jonctions p-n à leur ligne d'intersection avec la surface semiconductrice. A cet effet, un autre mode de réalisation préféré est remarquable en ce qu'on élabore un composant semiconducteur ayant au moins une jonction p-n pra-30 tiquement parallèle à la surface semiconductrice située à l'extérieur du creux, et que la configuration d'oxyde est élaborée au moins sur la ligne suivant laquelle cette jonction p-n coupe la surface du creux. L'invention concerne également un dispositif semiconduc-35 teur, obtenu par la mise en oeuvre du procédé décrit ci-dessus. La description suivante, en regard des dessins annexés, le tout donné à tilre d'exemple, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La fig. 1 est une vue en plan d'une partie d'un premier ■to dispositif semiconducteur, obtenu par la mise en oeuvre du 71 25295 -8- 2098321 procédé conforme à l'invention. La fig. 2 est une coupe transversale suivant le plan II-II sur la fig. 1. Les figures 3 à 8 sont des coupes transversales du dis-5 positif suivant les figures 1 et 2, représenté dans des stades successifs de sa fabrication. La fig. 9 est une vue en plan d'une partie d'un deuxième dispositif semiconducteur obtenu par la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention. 10 La fig. 10 est une coupe transversale suivant le plan X-X sur la fig. 9. Les figures 11 à 16 sont des coupes transversales du dispositif suivant les figures 9 et 10, représenté dans des stades successifs de sa fabrication. 15 La fig. 17 est une coupe transversale d'un troisème dispositif semiconducteur obtenu par la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention. Les figures 18 à 22 sont des coupes transversales du dispositif sêlon la fig. 17» représenté dans des stades successif 20 de sa fabrication. La fig. 23 est une coupe transversale d'un quatrième dispositif semiconducteur conforme à l'invention. Les figures 2k à 28 sont des coupes transversales du dispositif selon la fig. 23» représenté dans des stades succes-25sifs de sa fabrication. Les figures 29 à 31 sont trois coupes transversales d'autres dispositifs obtenus par la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention. Toutes les figures sont schématiques, alors que toutes 30 les dimensions n'ont pas été représentées à la même échelle. Les parties qui correspondent sur les figures ont été indiquées par les mêmes repères. Les figures 1 et 2 représentent une cible utilisée pour convertir un rayonnement électromagnétique en signaux électri-35 ques et destinée à des tubes d'enregistrement équipant par exemple des caméras de télévision. Sur ces figures 1 et 2, on voit que cette cible est formée par une plaquette 1 en silicium de type de conduction n, ayant une résistivité de 8 Ohms.cm, une face de cible étant munie de diodes en forme de plateau, présen-40 tant des jonctions p—n 2 situées entre la plaquette 1 en une 71 2S295 -9- 2098321 couche 3i de type de conduction £, diffusée dans' cette plaquette, Les rainures 4 situées entre les plateaux sont couvertes d'une couche 5 en oxyde de silicium, qui dans le fond des rainures est continué à une zone de surface 6 en'silicium de type de conduc-5 tion n, plus fortement dopé que la plaquette ]. Par cette zone de surface 6, on limite considérablement la possibilité que les couches dé désertion des diodes voisines entrent l'une ën contact avec l'autre, et on contrecarre également la formation d'une couche d'inversion ayant comme conséquence une connexion élec— trique indésirable entre des diodes adjacentes. De plus, par la différence des concentrations de dopage de la zone 6 et de la plaquette 1, il se forme un champ de propagation qui empêche les condensateurs de charge, générés localement sous l'influence d'un rayonnement incident, de se déplacer vers une diode autre 15 que la diode la plus proche. La zone 6 de type de conduction n n'est donc pas contiguë à la cuuche 3 de type de conduction mais en est séparée par le matériau de la plaquette 1, de type de conduction n. De manière connue, cette cible peut être montée dans un 20 tube enregistreur. Le rayonnement frappe alors par exemple la face de plaquette située à l'opposé de la couche 3 et suit la direction des flèches sur la fig. 2, tandis que du côté de la couche 3, la plaquette est explorée par un faisceau électronique, une partie de la surface frappée par le rayonnement étant 25 munie d'un contact de connexion 17 qui de préférence couvre la longueur entière du bord de la plaquette. Pour connaître les détails se rapportant au positionnement et au fonctionnement d'une telle cible, voir par exemple la publication "Bell System Technical Journal", Volume 48, pages 1481 à 1528, parue en 1969. 30 Par la présence de la zone fortement dopée 6, de type de conduction n, on empêche des connexions électriques indésirables entre les diodes. Ce résultat est obtenu également si sur l'entière surface du creux, les zones 6 de type de conduction n s'étendent jusqu'à la couche 3» de type de conduction £. Comparé 35 avec un dispositif ainsi conçu, le dispositif illustré sur la fig. 2 a toutefois l'avantage important que la tension de claquage des diodes est considérablement plus élevée, et la capacité des diodes considérablement plus petite. Conformément à l'invention, le dispositif décrit peut 40 être réalisé de façon simple. ("Voir les figures 3 à 8). 71 25295 -10- 2098321 On part d'une plaquette monocristalline 1, orientée suivant la direction cristallographique (111), en siliciumde type de conduction n et présentant une résistivité de 8 Ohms.cm, un diamètre de 25 mm et une épaisseur de 250 Une surface 7 de 5 cette plaquette est polie, après quoi du bore est diffusé dans cette surface. On obtient ainsi une couche de surface 3 de type de conduction £, ayant une épaisseur de 0,5 /U et une concentra- r 19 / « tion de surface égale à 10 atomes d'accepteur cm . Voir la fig. 3. 10 Ensuite, d'une manière connue, on élabore sur la surface une couche 8 en nitrure de silicium, ayant une épaisseur de 0,15 ju* par chauffage dans une atmosphère comportant du SiH^ et du NH^ à une température d'environ 1000°C. Sur cette couche 8, on forme ensuite une couche 9 en oxyde de silicium, ayant une 15 épaisseur de 0,8 ai, par chauffage dans une atmosphère comportant du SiH^, du CO^ et du H^. Pour tous les détails des techniques à mettre à profit pour l'élaboration des couches d'oxyde de sili- , tfï • cium et de nitrure de silicium, citees dans cet exemple ainsi que dans les exemples suivants, et pour le décapage de ces 20 couches, on est prié de se référer à la publication "Philips Research Reports", pages 118 à 132, parue en avril 1970, cette publication donnant toutes les informations indispensables pour le technicien. En mettant à profit des procédés de photoréservation 25 utilisés généralement dans la technique des semiconducteurs, à partir de l'ensemble formé par ces couches de nitrure de silicium et d'oxyde de silicium, on forme un premier masque constitué de caissons carrés 10 mesurant 17 yU x 17 /u» le pas (distance d'axe en axe), entre ces caissons étant égal à 22 yu. 30 On obtient ainsi la structure illustrée sur la fig. 5« A l'aide d'un liquide décapant, formé par 170 cm3 de HNO^ à 60%, 280 cm3 de HNO^ formant, 110 cm3 de HF à 40$, et 440 cm3 d'acide acétique glacique, la surface 7 de la plaquette est ensuite décapée à une' température de 2°C pendant 1 minute, 35 le reste de la plaquette est couvert d'une laque résistant au décapant utilisé. Dans la partie de la surface 7» non couverte du masque formé par les caissons 10, on décape ainsi un creux formé par des rainures 4 (voir la fig. 6) à profondeur de 5 /Um Au cours de ce décapage, on enlève également du matériau se 40 trouvant sous le bord des caissons 10, de sorte que le bord 11 71 25295 -11- 2098321 du masque 10 fait librement saillie sur une largeur d'environ 3 ^/U. Voir la fig. 6. Ensuite, en utilisant comme masque les parties du masque 10 qui appartiennent aux bord saillant 11, on dope localement 5 une zone de surface 6 affleurant la surface 12 des rainures 4, ce dopage ayant lieu par implantation d'ions de phosphore. Voir la fig. 7. A cet effet, la plaquette est placée dans un dispositif d'implantation d'ions et soumise à un courant d'ions de phosphore qui, dans le sens des flèches but la fig. 7» frappent 10 quasi transversalement le masque 10, alors que les parties de la surface 12, situées sous le bord saillant 11 du masque 10 sont masquées contre ce dopage. L'énergie dont sont nantis des 4 ions de phosphore incidents est 'égale à 2.10 eV, alors que la * ~ * l h- densité des ions de phosphore implantés est égale à 10 ions 15 par cm2. Ensuite, de manière connue, l'épaisse couche d'oxyde 9 appartenant au masque 10 est éloignée par décapage dans une solution tampon comportant du NH^F, après quoi, pendant 4 heures, la plaquette subit une oxydation â une température de 1000°C 20 dans une atmosphère de vapeur d'eau saturée à 95°C. Au cours de cette oxydation, les rainures 4 sont remplies partiellement d'oxyde de silicium 5« La couche de nitrure de silicium 8 protège contre l'oxydation le silicium se trouvant sous ce masque, de sorte que la configuration d'oxyde 5 ne se forme que dans 25 les rainures 4. Entretemps, la zone 6 de type de conduction n se diffuse plus loin dans le silicium, jusqu'à une profondeur d'environ 1,5 yti sous l'oxyde 5» On obtient ainsi la structure illustrée sur la fig. 8. La couche de nitrure de silicium 8, oxydée superficielle-30 ment au cours de cette opération, est ensuite enlevée à l'aide d'acide phosphorique à une température de 180°C. Ensuite, on réduit par décapage l'épaisseur de la plaquette qui acquiert ainsi une épaisseur d'environ 30 yu, alors que du côté des diodes, la plaquette est éventuellement munie encore d'autres 35 couches devant perfectionner le fonctionnement de la cible.(A cet effet, voir par exemple le même article de la publication déjà citée "Bell System Technical Journal"). Ensuite, de manière connue,la plaquette-cible est munie d'un contact 17 (voir la fig 2) et montée dans un tube enregistreur. 40 La structure décrite et sa fabrication peuvent se 71 25295 -12- 2098321 présenter en plusieurs variantes. Il est par exemple possible aussi de poursuivre l'oxydation aussi longtemps que l'oxyde 5 remplit entièrement les rainures 4, de sorte que l'on obtient une surface moins accidentée. Le dopage des zones 6, effectué 5 ici par implantation d'ions, peut être établi aussi par un dépôt par évaporation de donneurs, cette opération étant effectuée suivant les flèches sur la fig. 7* Par ailleurs, la couche d'oxyde 9» qui doit perfectionner le masquage contre l'implantation d'ions, peut être remplacée par une autre couche, par 10 exemple une couche métallique. Sur la fig. 9 qui est une vue en plan, ainsi que sur la fig. 10 qui est une vue en coupe transversale suivant le plan X-X sur la fig. 9, il s'agit d'un transistor à effet de champ à électrode-porte isolée, dans ce cas un transistor MOS, fabriqué 15 par la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention. Le dispositif (voir la fig. 10) comporte une plaquette de silicium 21, de type de conduction p, orientée suivant la direction cristallo-graphique ( 1 11 ) et à résistivité de 1 ohm.cm., une zone de source 22 et une zone de drain 23, toutes deux de type de conduction n, 20 auxquelles se raccordent des couches métalliques Zk et 25, ainsi qu'une électrode-porte ayant la forme d'une couche métallique 26 qui par une couche d'oxyde de silicium 27 est séparée de.'la plaquette 21 de type de conduction p. Le dispositif comporte également une zone de surface 28, de type de conduction p, dont 25 la dopage est élevé..au point d'empêcher la formation d'une couche d'inversion dans cette zone au cours du fonctionnement normal du dispositif. Cette zone de surface 28 est contiguë à une configuration 29 en oxyde de silicium, noyé - dans le silicium. Par les zones 28 dont le pourtour est indiqué en poin-30 tillé sur la fig. 9, on empêche la formation de connexions électriques indésirables entre d'une part la zone de source et/ou la zone de drain et d'autre part d'autres parties de la plaquette semiconductrice dans laquelle d'autres composants peuvent éventuellement se trouver. 35 Conformément à l'invention, la fabrication du disposi-tS" a lieu de la façon suivante. (Voir les figures 11 à 16). On part d'une plaquette 27 en silicium de type de conduction jd, orientée suivant la direction cristallographique (111), et présentant une résistivité de 1 Ohm.cm. Comme dans l'exemple précédent, on 40 élabore sur cette plaquette 21 une couche de nitrure de silicium 71 25295 -13- 2098321 30, ayant une épaisseur de 0,15 /U, ainsi qu'une couche d'oxyde de silicium 31, ayant une épaisseur de 0,8 yu, ces couches affectant la forme d'un rectangle mesurant 100 yU x 200 yU et étant obtenues par la mise en oeuvre de techniques de photo-5 réservation connues. On obtient ainsi la section transversale illustrée sur la fig. 11. Ce rectangle, formé par les couches 30 et 31, constitue le premier masque. Ensuite, les régions de silicium non couvertes de ce masque subissent un décapage résultant en un creux ayant une profondeur d'environ 2 yU, et 10 en un bord de masque 32 saillant librement (voir la fig. 12) et ayant une largeur de 1 yU, ce décapage ayant lieu par exemple dans une solution saturée à l'aide d*isopropanol et comportant 85O cm3 de HgO et 250 g de K0H, à une température de 85°C. De la même façon que dans l'exemple précédent, par implantation 15 d'ions de bore, effectuée suivant les flèches sur la fig. 12, et k caractérisée par une énergie d'ions de 2.10 eV et une densité de 10^ ions/cm2, on obtient une zone de surface 28, de type de conduction jd, située dans les régions de silicium non situées sous le masque (30, 31). Voir la fig. 12. Ensuite, à l'aide d'une solution aqueuse de HF, on élimine l'oxyde 31, tandis que par chauffage à 1000°C pendant 10 minutes dans une atmosphère d'oxygène sec, pendant 1 heure dans une atmosphère d'azote sec, et pendant 16 heures dans une atmosphère de vapeur d'eau saturée à 95°G, le creux, obtenu par décapage dans la plaquette de silicium, est quasi entièrement rempli d'oxyde de silicium 29 (voir la fig. 13), cependant que par diffusion, la zone 28 acquiert une épaisséur totale de 1,2 yU. Par un procédé de photoréservation, la couche de nitrure 30 est ensuite décapée partiellement, de sorte, que sub-30 sLste une bande 33 mesurant 10 yU x 200 yU. (Voir la fig. 14). Cette bande 33 est maintenant utilisée comme masque pour une diffusion d'arsénium, suivie d'une oxydation à 1000°C dans une atmosphère de vapeur d'eau saturée à 95°, de sorte que finalement, on a obtenu la structure illustrée sur la fig. 15j cette struc-35 ture comporte des zones de source et de drain 22 et 23, de type de conduction n, obtenues par diffusion et couvertes d'une couche d'oxyde 3k se raccordant à l'oxyde noyé 29. Dans un bain d'oxyde phosphorique à une température de 180°C, la bande ou couche de nitrure 33 est ensuite eliminée, 40 alors que par une nouvelle oxydation à une temperature de 1000°C, 20 25 71 25295 -14- 2098321 on élabore une couche d'oxyde 27» d'une épaisseur de 0,2 yU, sur le silicium situé entre les zones de source et de drain 22 et 23- (Voir la fig. 16). Ensuite, on pratique des fenêtres de contact et on élabore les couches métalliques 24, 25 et 26 5 par la mise en oeuvre de techniques généralement connues. Des deux côtés, la couche 26 constituant l'électrode-porte s'étend jusqu'au-dessus des zones 28, de type de conduction p+. On obtient ainsi la structure illustrée sur las figures 9 et 10. Un troisième dispositif pouvant être fabriqué avan-10 tageusement par la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention et ne nécessitant qu'un nombre de stades de masquage et d'aligranent aussi réduit que possible, a été représenté en coupe transversale sur la fig. 17. Il s'agit d'une configuration noyée annulaire 43» en oxyde de silicium, qui entoure entièrement une 15 région 42 en forme de caisson, appartenant à une couche de silicium épitaxiale de type de conduction n, élaborée sur un substrat 41, de type de conduction ]D. La configuration d'oxyde 43 est contiguë à une zone de surface 44, de type de cçmduction jd, qui s'étend jusque dans le substrat 41. La région 42 en forme 20 de caisson contient un transistor ayant une zone de base 45 de type de conduction jd, une zone d'émetteur 46 de type de conduction n, et une zone de collecteur 47» de type de conduction n. Le contact avec ces zones est établi par des couches métalli-qies 48, 49 et 50 à travers des fenêtres de contact pratiquées 25 dans une couche d'oxyde de silicium 51• La configuration d'oxyde annulaire 43 et les zones 44 de type de conduction £ remplacent dans cet exemple le domaine de diffusion de séparation assurant l'isolation électrique de certaines parties du circuit, s'étendant sur la totalité de 30 l'épaisseur de la couche épitaxiale 42 et utilisé couramment dans les circuits intégrés monolithiques. Dans ce cas, un avantage important est qu'au moins une seule zone appartenant à un composant, par exemple Ja zone de base 45 du transistor sur la fig. 17» peut être posée contre l'oxyde 43» ce qui réduit 35 considérablement l'encombrement nécessaire. Ceci n'est pas possible dans le cas où l'isolation est établie par diffusion de séparation. Grâce à la présence de la configuration d'oxyde 43» également les capacités parasites entre les couches métalliques 49 et 50 d'une part et le matériau semiconducteur sous-Zj.Q jacent d'autre part sont considérablement inférieures à celles 71 25295 -15- 2098321 éxistant dans le cas de l'établissement d'un domaine de diffusion de séparation. Par la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention, la structure illustrée sur la fig. 17 peut être fabriquée 5 comme suit. (Voir les figures 18 à 22). On part d'une plaquette de silicium 41, de type de conduction £, orientée suivant la direction cristallographique (111) et présentant une résistivité de 5 Ohms.cm. A l'aide de procédés habituels de la technique des semiconducteurs, on élabore sur la plaquette une couche 10 épitaxiale h2, ayant une résistivité de 1 Ohm.cm et une épaisseur de 3 yU. De la même façon que dans les exemples précédents, on élabore sur cette couche b2 une couche de nitrure de silicium 52 (voir la fig. 18) ayant une épaisseur de 0,15 y-u. Toutefois, sur cette couche 52 on dépose par évaporation non pas une 15 couche d'oxyde mais une couche de chrome 53» épaisse de 0,4 yu, alors qu'ensuite, par décapage, on pratique une ouverture annulaire dans cet ensemble formé par les couches de chrome et de nitrure. Le chrome peut être décapé à l'aide d'une solution contenant des quantités volumétriques égales de HG1 à 40 $ 20 et d'eau, le décapage du nitrure de silicium ayant lieu avec de l'acide phosphorique à 180°C. Le silicium non masqué dans l'ouverture annulaire est ensuite décapé jusqu'à ce que par décapage, sousjacent, l'on obtienne un bord saillant 54 (voir la fig. 18) du masque de chrome et de nitrure (le premier 25 masque), le bord ayant une largeur de 1 yu.^Dans la rainure 55 résultant du décapage, on élabore ensuite, sur l'entière surface décapée, une couche d'oxyde 56 ayant une épaisseur de 0,2 yU, par chauffage dans une atmosphère comportant du SiH^ et de la vapeur d'eau à 400°C, de sorte que l'on obtient la struc-30 ture illustrée sur la fig. 18. Au cours de cette opération, il se forme sur le masque (52,53) également de l'oxyde que l'on n'a pas représenté sur les figures pour la clarté de celles-ci et qui lors de la fabrication ne joue plus aucun rôle. Dans cet exemple, ladite couche d'oxyde 56 joue le rôle de couche de 35 masquage pour l'obtention des zones dopées 44, de type de conduction £. (Voir la fig. 17)• Ensuite, (Voir la fig. 19)» sur l'entière surface de la plaquette, on élabore une couche 57 d'un vernis photosensible positif, qui dans le commerce est connu sous le nom 40 "Kalle-Kopierlack". Par vernis photosensible positif, il y a 71 25295 -16- 2098321 lieu d'entendre, comme d'habitude, une laque photosensible résistant au décapage et qui du fait de l'irradiation devient soluble dans un liquide développeur associé à cette laque, et qui dans ce liquide est insoluble lorsqu'elle n'est pas irra-5 diée. Lorsqu'il n'est pas irradié, un vernis photosensible négatif est soluble, mais devient insoluble dans un liquide développeur après irradiation. La couche 57 est ensuite irradiée suivant les flèches sur la fig. 19• Pour ce feire, on met à profit l'effet de mas-10 quage du bord de masque saillant 54 qui par la présence de la couche de chrome 53 assure le masquage contre l'irradiation. Après le développement, la couqhe 57 ne subsiste donc qu'au-dessous du bord 54. Sous l'effet d'un décapage avec une solution de HF à tampon de NH^F, on enlève l'oxyde 56 des régions 15 ne se trouvant pas sous le bord 54, de sorte qu'on obtient la structure illustrée sur la fig. 20. La couche 57 et la couche de chrome 53 sont ensuite enlevées par voie chimique à l'aide de moyens connus. Voir la fig. 21. On a donc obtenu maintenant un masque d'oxyde, à savoir 20 le deuxième masque, dont la projection du contour dans la rainure 55 coïncide pratiquement avec le pourtour du premier masque. Ensuite, pendant 10 minutes et à une température de 950°C, on diffuse du bore,.dé façon que l'on forme des zones 44, de type de conduction £+, (fig. 21), puis on procède à un 25 chauffage à 1000°C pendant 1 heure dans une atmosphère d'azote et pendant 16 heures dans une atmosphère de vapeur d'eau saturée à 95°C. On forme ainsi la structure illustrée sur la fig. 22, le creux 55 en forme de rainure, obtenu par le décapage du silicium, étant entièrement rempli d'oxyde 43. On a formé ainsi ■ 30 une région 42 en forme de caisson, de type de conduction n, qui, par l'oxyde 43 et la jonction p-n bloquée pendant le fonctionnement et située entre la région 42 d'une part et les régions 41 et 44 d'autre part, est isolée électriquement du reste du corps semiconducteur. Ensuite, de façon habituelle lors 35 de la fabrication de circuits intégrés monolithiques, on peut, après décapage de la couche de nitrure 52, diffuser dans le caisson 42 des zones de type de conduction p et n pour former au moins un composant, comme cela a été décrit en référence à la fig. 17* 40 La fig. 23 est une coupe transversale d'un quatrième 71 25295 -17- 2098321 dispositif comme semiconducteur qui, du point de vue technologique, est très important et qui peut être obtenu avantageusement aussi par la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention. Ce dispositif comporte un substrat de silicium 61, de type de 5 conduction £, orienté suivant la direction cristallographique (100); sur ce substrat, on a formé épitaxialement une couche 62, de type de conduction n, présentant une épaisseur de 3 yU et une résistivité de 1 Ohm.cm. Entre la couche 62 et le substrat 61 se trouvent quelques couches 63 de type de conduction n , 1q auxquelles se raccordent des zones de surface diffusées 64, de type de conduction n, qui entourent la région 62 en forme de caisson et qui sont contigues à la configuration 65 en oxyde de silicium, noyé dans le silicium. Dans cette région 62 se trouve une zone d'émetteur 66, de type de conduction n, affleurant la -15 surface de la région 62 et constituant un transistor dont la zone de base est la région 62 et dont la zone de collecteur est formée par les régions 63 et 64. Ce transistor (66, 62, 63/64) est isolé du reste du corps de silicium ainsi que d'autres composants éventuels élaborés dans ce corps de silicium, 20 par une jonction p—n qui pendant le fonctionnement est bloquée et qui se trouve entre les régions 63 et 64 de type de conduction n d'une part et la région 61 de type de conduction £ d'autre part. L'isolation électrique établie ici pour le transistor 25 (66, 62, 63/64) présente une certaine analogie avec celle décrite par Murphy et autres dans la .publication "Proceedings I.E.E.E.", pages 1523 à 1528, parue en septembre 1969. Comparée à la structure de transistor décrite dans cette publication, la structure illustrée sur la fig. 23 offre toutefois l'avantage d'un impor-30 tant gain d'encombrement, étant donné que la configuration d'oxyde 65 et les zones contiguës 64 nécessitent moins d'en— de combrement que celui nécessité pour deux domaines/ diffusion de séparation adjacents qui pour la réalisation de la structure suivant la publication indiquée ci-dessus, afin de séparer élec-35 triquement les transistors distincts. En outre, la capacité collecteur-substrat, ainsi que celle existant entre le câblage (62, 68, 69) et le corps semiconducteur sous-jacent sont réduites par la configuration 65 en oxyde relativement épais. La structure illustrée sur la fig. 23 peut être réali-40 sée de la façon suivante. Voir les figures 24 à 28. On part 71 25295 -18- 2098321 d'une plaquette de silicium 61, de type de conduction jd, orientée suivant la direction cristallographique (100) et présentant une résistivité de 1 Ohm.cm. Ensuite, par des techniques couramment utilisées de diffusion et de croissance épitaxiale 5 sans importance pour l'invention et non traitées plus en détail on élabore localement des couches enterrées 63 présentant une épaisseur de 2 yU et une concentration d'arséniUm de l'ordre de 10^ atomes/cm3 . Sur ces couches 63, on forme épitaxialement une couche 62, de type de conduction n, ayant une résistivité 10 de 1 Ohm.cm; sur la surface, on forme ensuite une couche de nitrure de silicium 70, ayant une épaisseur de 0,15 yU. Dans cette couche 70, on décape une ouverture annulaire 71 par la mise en oeuvre d'un procédé de photoréseryation habituel. On obtient ainsi la structure illustrée sur la fig. 2k. 15 Ensuite, la surface portant la couche de nitrure de silicium 70 est soumise à un décapage qui tout en attaquant le silicium, n'attaque pas le nitrure de silicium, un tel produit décapant étant par exemple ion mélange de HF, de HNO^ et d'acide acétique. 20 Le décapage du silicium est poursuivi jusqu'à avoir donné lieu à un décapage sous-jacent Ensuite, dans une direction transversale au masque • 30 de nitrure 72, on dépose par évaporation une deuxième couche ayant la forme d'une couche de chrome 76 ayant une épaisseur de 0,15 yU. Par l'effet de masquage des bords 72 du masque de nitrure, les parties de la couche d'oxyde 75» situées sous ces bords, restent exemptes de chrome. Ensuite, on éloigne par 35 décapage -l'oxyde non couvert de chrome, puis on décape sur une profondeur d'environ 1 yU la partie dénudée de la surface de silicium 73» de sorte que l'on obtient les creux 77 illustrés sur la fig. 27. Par le décapage des creux 77» la diffusion de phosphore décrite ci-après doit pouvoir être effectuée le 4o plus près possible de là couche enterrée 63. Ce décapage peut 71 25295 -19- 2098321 au besoin, être omis si la profondeur de cette diffusion de phosphore le permet. Puis, on enlève le chrome, par exemple par chauffage dans une solution d'acide sulfurique dilué, après quoi on 5 procède à la diffusion de ^phosphore, de sorte qu'à l'endroit des creux non masqués 77» on obtient des zones 64 de type de conduction n. Puis, tout comme dans les exemples précédents, on procède à une oxydation que l'on poursuit jusqu'à ce que la rainure annulaire 74 soit entièrement remplie d'oxyde; pendant 10 cette opération, la zone 64 se diffuse dans le silicium au point que la zone se raccorde à la couche enterrée 63, voir la fig. 28. Après l'enlèvement de la couche de nitrure 70 et l'élaboration d'une autre couche d'oxyde 78 (voir la fig.23), on diffuse simultanément, de manière connue, la zone d'émetteur 66, 15 de type de conduction n, et la zone de contact de collecteur 79 de type de conduction n, et on forme les conducteurs de connexion 67, 68 et 69, sous forme de couches d'aluminium déposées par évaporation. Dans l'exemple cité ci—dessus, suivant une autre 20 variante, on peut aussi, après le décapage de la rainure 74, établir directement le masque de diffusion du fait que l'on dépose par évaporation par exemple du SiO, ce matériau n'étant pas précipité sous le bord 72 du masque de nitrure. Outre pour la fabrication du dispositif illustré sur 25 la fig. 23, le procédé conforme à l'invention, suivant lequel une configuration d'oxyde noyé n'est contiguë d'une zone dopée que par le bord d'oxyde, peut être avantageux lors de la fabrication de nombreuses autres structures. A titre d'exemple, la fig. 29 est une coupe transversale d'une diode de Schottky 30 à anneau de garde, dans laquelle une couche de platine 92 est élaborée sur une plaquette de silicium 91 de type de conduction n et forme avec celle-ci une jonction redresseuse métal-semi-conducteur. Une configuration d'oxyde noyé 93, et une zone diffusée 93 de type de conduction jd sont élaborées suivant une 35 des manières décrites ci-dessus, la zone 93 formant un anneau de garde présentant une très faible capacité. Un autre exemple est illustré en coupe transversale sur la fig. 30 qui permet de se rendre compte qu'un transistor muni d'une zone de collecteur 101 de type de conduction n,d'une 40 zone de hase 102 de type de conduction £ et d'une zone 71 25295 -20- 2098321 d'émetteur 103cfe type de conduction n, peut être construit de façon à n'occuper qu'un encombrement minimal si tant la jonction émetteur-base que la jonction collecteur-base se situent contre la configuration d'oxyde 105. Par ailleurs, dans le plan de 5 séparation 106 entre l'oxyde 105 et le silicium, grâce à la présence d'une zone diffusée 1Ok de type de conduction £, la distance entre ces deux jonctions est tellement élevée qu'il n'existe aucun risque de court-circuit à ce plan de séparation 106, tandis que néanmoins, l'épaisseur de base peut être très 10 réduite dans la région active du transistor. Enfin, par la combinaison de deux procédés de masquage complémentaires, il est possible d'obtenir la structure illustrée sur la fig. 31, où une configuration d'oxyde 111, noyée par exemple dans un matériau semiconducteur 110 de type de conduction n, est limitée par une zone de surface 111, de type ^5 de conduction £, et par line zone de surface 113» de type de conduction n, ces zones 112 et 113 couvrant ensemble la surface entière 114. Bien que l'invention soit décrite à l'aide de formes de réalisation èt d'application déterminées, le technicien 20 pourra en réaliser de nombreuses variantes sans sortir du cadre de l'invention. Ainsi l'utilisation d'autres méthodes de dôpage. comme l'implantation ionique ou bien le dôpage à partir d'une source d'oxyde dôpé sur la surface sémiconductrice en combinaison avec diffusion et/ou implantation d'ions peut être envisagé. 25 Au lieu du silicium, il est par exemple, possible d'utiliser d'autres matériaux semiconducteurs qui par oxydation sont capables de former une configuration d'oxyde utilisable, un tel matériau étant par exemple le carbure de silicium. Au lieu d'utiliser des couches en nitrure de silicium ou des ensembles 30 formés par des couches en nitrure et en oxyde de silicium, il est parfois possible d'utiliser également d'autres couches assurant une protection contre l'oxydation. En outre, lors de l'emploi d'une implantation d'ions comme décrit en référence aux figures 7 à 12, les couches d'oxyde 9 et 31 peuvent être 35 couvertes d'une couche conductrice, par exemple une couche métallique, afin d'empêcher le transfert d'une charge à l'oxyde, tandis qu{il est possible aussi d'utiliser des ions nantis d'une énergie plus élevée en vue d'obtenir des zones implantées ko présentant une plus forte épaisseur. Dans les exemples se 71 25295 -21- 2098321 rapportant aux figures 10, 17» 23, 29 et 30, les configurations d'oxyde 29, 43, 65, 94 et 105 ne doivent pas remplir entièrement les creux dans lesquels ces configurations sont élaborées. De plus, les combinaisons - obtenues sur les figures 23» 29 et 5 30 - de zones dopées couvertes de configurations d'oxyde peuvent par exemple être obtenues également du fait qu'après le décapage du creux et le recouvrement de la surface de ce creux par une couche d'oxyde, on utilise le traitement déjà décrit en référence aux figures 19 à 21, cette fois-ci toutefois en utilisant 10 simultanément un vernis photosensible négatif au lieu d'un tel vernis positif. 71 25295 -22- 2098321 REVENDICATIONS : 1 . Procédé permettant la fabrication d'un dispositif semiconducteur dont le corps semiconducteur comporte au moins un composant semiconducteur, une zone de surface du corps étant 5 dopée à l'aide d'activants, alors que du fait d'oxyder au moins localement une partie de cette zone de surface, on élabore une configuration d'oxyde qui au moins sur une partie de son épaisseur est noyée dans le corps semiconducteur, caractérisé en ce que sur une surface du corps, on forme d'abord un premier 10 masque, alors qu'ensuite, dans la partie de surface non couverte de ce masque, on forme un creux par enlèvement de matériau, cette opération donnant lieu également à enlèvement de matériau sous le bord du masque de sorte que ce bord fait librement saillie, qu'ensuite, du fait d'utiliser comme masque les parties ^ du bord précitées, on dope localement à l'aide d'activants une zone de surface affleurant la surface dudit creux,et que la configuration d'oxyde est établie du fait que l'on oxyde au moins la surface semiconductrice non couverte, le creux précité étant au moins rempli partiellement d'oxyde. 20 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le creux est quasi entièrement rempli d'oxyde. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la surface du creux est dopée localement sous l'effet d'un courant d'activants frappant transversalement le premier 25 masque, les parties de surface, situées sous le bord saillant du premier masque, étant masquées contre le dopage. 4. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'en utilisant comme masque les parties du premier masque, qui appartiennent au-bord saillant, on élabore sur la sur- 30 face du creux un deuxième masque, dont la projection du pourtour dans le creux coïncide pratiquement avec le pourtour du premier masque, après quoi on dope à l'aide d'activants les parties non masquées de la surface du creux. 5- Procédé selon la revendication k, caractérisé en 35 ce qu'après l'enlèvement de matériau, on élabore un deuxième masque sur les parties de surface du creux, situées sous le bord saillant du premier masque, après quoi, à l'aide d'un activant, on dope les parties de surface non couvertes du creux, qui ne sont pas situées sous le bord. kO 6. Procédé selon la revendication k, caractérisé en ce 71 25295 -23- 2098321 qu'après l'enlèvement de matériau, on élabore un deuxième masque sur la surface du creux, exception faite des parties de surface situées sous le bord saillant du premier masque, après quoi, à l'aide d'un activant, on dope les parties de surface du creux, 5 non couvertes du deuxième masque. 7. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'on élabore un premier masque assurant le masquage contre une irradiation à laquelle est sensible un vernis photosensible, qu'après l'enlèvement de matériau, on élabore une couche de 10 masquage au moins sur l'entière surface du creux, que, pour former le deuxième masque, on couvre entièrement au moins cette couche de masquage de vernis photosensible exposé ensuite à travers le premier masque, de sorte que par suite du masquage assuré par le bord saillant du premier masque, une partie du 15 vernis photosensible est devenue soluble après l'exposition tandis qu'une autre partie est insoluble dans un liquide développeur, après quoi on enlève la partie de vernis soluble alors que par décapage on élimine la couche de masquage sur les endroits non recouverts de vernis, tandis qu'ensuite on élimine 2q le vernis résiduel, les parties subsistantes de la couche de masquage constituant le deuxième masque. 8. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'après l'enlèvement de matériau on élabore sur la surface entière du creux, une première couche établissant un masquage 25 contre les activants, qu'ensuite, à partir d'une direction transversale au premier masque, on élabore, par exemple par pulvérisation cathodique ou par dépôt par évaporation, une deuxième couche de masquage contre décapage sur les parties de la première couche non masquées par les parties du bord saillant du pre- N 30 mier masque, alors qu'ensuite, par décapage, on enleve les parties de la première couche non couvertes de la deuxième couche, les parties non couvertes de la surface du creux étant dopées à l'aide d'activants. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications h à 35 8, caractérisé en ce qu'après l'élaboration du deuxième masque et avant de procéder au dopage, on soumet à un décapage subséquent les parties du corps semiconducteur non couvertes du deuxième masque. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à UO 9, caractérisé en ce que l'enlèvement de matériau a lieu par 71 25295 -2k- 2098321 décapage de la surface non couverte du premier masque. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que le dopage a lieu par implantation d'ions. 5 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce qu'avant de procéder au dopage, le masque assurant la protection contre le dopage est muni d'une couche métallique. 13• Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 T2, caractérisé en ce qu'on élabore un creux annulaire entourant entièrement une région en forme de caisson du corps semiconducteur, et que dans cette région, on élabore entièrement ou en partie au moins un composant semiconducteur. 14. Procédé selon l'une quelconque des% revendications 1 à 15 13» caractérisé en ce que ladite zone de surface du creux est dopée à l'aide d'un activant établissant le même type de conduction que celui de la région limitrophe du corps semiconducteur . 15• Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 20 14, caractérisé en ce que le creux est pratiqué dans une couche épitaxiale formée sur un substrat. 16. Procédé selon la revendication 15» caractérisé en ce que la zone de surface du creux est dopée à l'aide d'un activant établissant le type de conduction opposé à celui de la 25 couche épitaxiale. 17• Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que le creux est pratiqué dans une couche épitaxiale de premier type de conduction, élaborée sur un substrat de deuxième type de conduction, alors que ladite zone de surface est élaborée sur' 30 tme profondeur telle que la zone de surface se raccorde au substrat. 18. Procédé selon les revendications 6 et 13» caractérisé en ce que le creux est pratiqué dans une couche épitaxiale de premier type de conduction, formée sur un substrat de premier 35 type de conduction, alors qu'entre cetbe couche épitaxiale et le substrat se situe une couche enterrée de deuxième type de conduction, qui s'étend du moins sous ladite région en forme de caisson, et que ladite zone de surface est élaborée sur une profondeur telle que la zone de surface se raccorde à la couche llQ enterrée. 1 25295 -25- 2098321 19. Procédé selon la revendication 13» caractérisé en ce que qu'on élabore un composant semiconductetir ayant au moins une jonction p-n pratiquement parallèle à la surface semi-conductrice située à l'extérieur du creux, et que la configuration d'oxyde est élaborée au moins sur la ligne suivant laquelle cette jonction p—n coupe la surface du creux. 20. Dispositif semiconducteur, obtenu par la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications 1 à 19*