FR 2120560 A1 19720818 FR 7100491 A 19710108 La présente invention se rapporte à un procédé de traitement de supports de films ferromagnétiques minces, et plus particulièrement à un procédé Dour obtenir, sur un support de film ferromagnétique mince, un état de surface ayant pour effet, d'une part d'améliorer les propriétés de lecture non destructive de ce film, ou de lui donner ces propriétés s'il ne les possède pas, d'autre part d'augmenter le champ coercitif de déplacement des parois. Pour réaliser des mémoires à films magnétiques minces permettant la lecture non destructive des informations enregistrées on a utilisé, dans | 'art antérieur, divers artifices technologiques tels que, par exemple, l'association de deux films magnétiques minces servant l'un au stockage et l'autre à la lecture de l'information enregistrée, ou encore l'interposition d'un écran métallique non magnétique entre le film de stockage et le film de lecture. L'emploi de ces artifices a cependant pour inconvénients, non seuiement de rendre la fabrication de ces mémoires particulièrement complexe et coûteuse, mais également d'augmenter le cycle de fonctionnement ce ces memoires, ce qui fait perdre en partie l'avantage de la commutation rapide des films magnétiques minces. On connais un procédé qui évite de recourir à ces artifices et qui permet de réaliser un film possédant des propriétés de lecture non destruct,ive et ;eu sensible aux perturbations provoquées par les clamps magnétiques de dispersion. Ce procédé consiste à déposer un film magnétique sur un support conducteur, en utilisant une solution électrolyti rue aqueuse contenant, en plus des ions nickel et des ions fer, des agents c:rimiques capables de former, avec le nickel et le fer, un complexe stable et soluble dans I 'eau, ces agents comprenant au moins un radical amine, imine, carboxy ou hydroxy. Mais ce procédé, qui peut donner des résultats satisfaisants, est complexe et d'application délicate pour obtenir des films magnétiques dort les propriétés magnétiques sont pratiquement identiques d'un échantillon à I autre. Dans la demande de brevet N 6917172 qui. a été déposée en France par la Société Industrielle BULL-GENERAL ELECTRIC, le 27 mai 1969, sous le titre: "Procédé de traitement de support de films ferromagnétiques minces;', on a décrit un procédé permettant d'obtenir. sur un support de film magnétique mince, un état de surface tel que le film qui est déposé ensuite sur ce support possède des propriétés de lecture non estructive. Selon ce procédé le support, qu | est en cuivre, est immergé d s une solution aqueuse d'acide chlorhydrique dont la concentration reste comprise entre 5 5 et 45 %, à la température ambiante ét pendant un temps de i'ordre de 1 minute. et, le support étant utilisé comme électrode, l'attaque de ce support dans le bain est réglée oar une densité de courant constante de valeur déterminée. La principale difficulté de mise en oeuvre de ce procédé réside dans le fait que, même lorsqu'on opère avec une densité de courant constante, le degré d'attaque du support dans ie bain varie généralement au cours du temps, par suite aes modifications des conditions d'attaque provoquées, en Darticulier, par le passage de cuivre à l'état d'ions cuivre dans la solution. On peut remédier en partie à cet inconvénient en ajoutant dans le bain, au départ, un sel de cuivre soluble, en une quantité telle que la concentration initiale en ions cuivre, résultant de l'incorporation de ce sel, soit élevée par rapport à celle oui serait atteinte, au bout d'un certain temps, par le passage, à l'état ionique dans la solution, du cuivre attaqué. Mais cet artifice a pour inconvénient de réduire considérablement ia durée d'utilisation du bain. On sait, en effet, pue 'attaque du support se trouve diautant plus renforcée que la concentration en ions cuivre dans le bain augmente. II existe même une valeur limite de cette concentration au-dessus de laquelle cette attaque est si forte qu'elle @e termet plus de donner au support un état de surface compatible avec I 'ob- tention de propriétés de lecture non destructive d'un film déposé ultérieurement sur ce support. Avec un bain dont la concentration initiale en ions cuivue est élevée, cette valeur limite est atteinte assez rapidement, si bien que ce bain ne peut être utilisé que pendant un temps relativement court. II est nécessaire, dans ces conditions, de changer fréquemment le bain servant à l'attaque du support. a présente invention remédie aux inconvénients de la technique an @@@@@ @t @@opose un procédé de traitement de supports de films magnétiques @@@s @@@ @er l'emploi d'un bain dont les caractéristiques de fonctionnement @@st@nt c@@ @ntes pendant un temps d'utilisation très long, permet d'obtenir un état de surface identique sur un très grand nombre de supports de même nature. ces -;ta- de sur --De étant tel que les films magnétiques de même épaisseuret de même composition qui sont déposés ensuite sur ces supports possèdent des caractéristiques magnétiques pratiquement identiques d'un échantilon ci 1 'eutre et, plus particulièrement, des propriétés de lecture non destructive sensiblement égales. Un objet de l'invention concerne, c'ans un procécé pour fabriquer ur éléments de mémoire constitué par un support en cuivre recouvert d'un film magnétique mince présentant une anisotropie uniaxiale, un traitement du support n vue du revêtement du film magnétique, ce traitement consistant à m- merger support dans une solution acide, à une température constante et pendant un temps de l'ordre de 1 minute, et, ledit support étant utilisé comme électrode à régler l'attaque de ce support dans la solution par une densité de courant constante dent la valeur eSt choisie en relation avec les courbes représentant cur la concentration On acide choisie les variations du seuil de lecture non destructive et du seuitétte rotation cohérente en fonction de la densité de courant cette valeur sur lesdites courpes étant telle que le seuil de lecture non destructive soit aussi eéleve que possible et que la différence entre le seuil de rotation cohérente et le seul de lecture non destructive soit minimum, ledit traitement étant caractéris @ ce que la solution acide utilisée pour traiter le support est une solution aqueuse d'acide sulfurique, la concen tration en acide dans cette solution étant égale à une valeur déterminé compris @tre 10 et 100 grammes d'acide sulfurique à 66 Baumé par @@re de solution. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaînont dans la description suivante, donnée à titre d'exemple, et en se référant aux dessins annexés qui montrent: Figure i une série de courbes illustrant le seuii de rotation cohérente en différents points et le seuil critique de destruction de l'information dar.s un film magnétique mince sensible aux perturbations Figure 2 une série de courbes illustrant le seul de rotation copérente en différents points et le seuil critique de destruction de information dans un film magnétique mince déposé sur un support qui a été sou mis au traitement selon l'invention. Avant d'exposer le procédé de traitement qui constitue l'objet de @@@ vention, on va d'abord rappeler brièvement les notions fondamentales du mécanisme de commutation des films magnétiques minces. - 'invention ce l'ai- mantation d'un élément de film magnétique mince peut être exp iqu e e à à 'aide de la figure 1. Les vecteurs Hx et Hy qui ont été traces sur cette figure représentent les composantes, suivant les directions des axes de facile aiman- tation FA et de difficile aimantation DA, d'un champ magnétique de commande appliqué au dit élément. On sait que, tant que l'extrémité du vecteur représen- tatif de ce champ de commande reste dans une zone qui sur la figure 1, est repérée par l'indice I, l'aimantation du film tourne à partir de If ure de ses deux positions stables possibles sur l'axe facile FA, pour s'aligner suivant la direction du champ magnétique appliqué, et, après la disparition de ce cIna,mp de commande, elle revient dans sa position de départ. L'aimantation du film varie dans ces conditions, de façon réversible. La rotation de l'aimantation du film est toujours reversible lorsque l'extrémité du vecteur représentatif du champ de commande se trouve dans la zone Lorsque le champ magnétique de commande dépasse, P en intensité et en direction une valeur critique correspondant à la courbe SC qui limite la zone I, l'aimantation du film peut être inversée en total té ou en partie par ces déplacements des parois des domaines magnétiques. C 'est ainsi que 'aiman- tation du film sera partiellement ou totalement inversée si, la composante Hx du champ de commande étant orientée en sens inverse de celui de l'aimantation du film sur l'axe facile, l'extrémité du vecteur représentatif de ce champ de commande se trouve e7 dehors de la zone I. Deux cas peuvent alors se présenter, selon que l'extrémité de ce vecteur se trouve dans la zone qui est indiquée par 1 indice Il sur la figure 1, ou qu'elle se trouve dans la zone qui est indiquée par l'incide III sur cette figure. Si l'extrémité de ce Secteur se trouve dans a zone il autrement dit s@ la valeur critique correspondant à la courbe S @'est d passée que de cea, il se produit une "reptation" des parois des domaines magrétiques. On sait en effet que, lorsqu'on applique et qu'on supprimeur grand nombre de fois un champ magnétique de valeur telle que l'extrémité du vecteur représentatif de ce champ se trouve dans la zone II, les parois se déplacent. Le déplacement étant dû au fait que, à l'intérieur ces limites d'un point mémoire, les domaines d'amimantation qui sont saturés en sens inverse ce celui de d'information enregistrée s'accroissent sous l'action répétée du champ magnétique appliqué. Cette croissance qui s'effectue généralement à partir de domaines existant à la périphérie du point mémoire conduit donc, à la î;mîte, à la destruction de l'information contenue dans ce point mémoire. ai maintenant, la composante Hx du champ de commande étant encore orientée en sens inverse de celui de l'aimantation du film sur I'axe facile, l'etrémité du vecteur représentatif de ce champ se trouve dans la zone Il, l'aimantation du fil tourne, lors de l'application du champ, à partir de sa position sur l'axe facile, pour s'aligner suivant la direction du champ appliqué. vals, cette rotation étant irréversible, l'aimantation du film se trouve inver- sée lorsque le champ de commande disparaît, c'est-à-dire qu'elle revient sur l'axe facile le après ia disparition du champ. mais en sens inverse à celui qu'el le avait avant l'application du champ. La zone Il qui est apoelée la zone de rotation cohérente est séparée de la zone II par une courbe SR qui constitue le seuil de rotation cohérente, c'est-à-dire la limite inférieure de l'intensité du champ de commande pour la rotation cohérente de l'aimantation du film. Dans le cas alun film idéal, c'est-à-dire à magnétisation uniforme; cette courbe SR est ure nypocycloide à quatre rebroussements définie par l'équation Hx2/3 + Hy2/3 = Hk2/3 où Hk désigne le champ d'anisotropie. n @ sait encore que la lecture de l'information enregistrée dans un point mémoire est réalisée en amenant l'aimantation du film dans la direction de défficile aimantation DA et en observant le sens de ia tension induite par cette rotation dans un conducteur placé parallèlement à l axe difficile. Pour effectuer cette lecture, on applique un champ magnétique orienté suivant la direction ce 'axe difficile du film à interroger en faisant passer une impul - sion ne courant de lecture dans un conducteur, dénommé conducteur de "mot", placé parailèlement à l'axe facile. La polarité de la tension induite dépend du sens de rotation du vecteur aimantation du film et permet de déterminer laquelle des informations binaires "1" ou "O" était enregistrée dans le point mémoire. Pour provoquer la rotation du vecteur aimantation, il est cependant nécessaire d'envoyer, dans le conducteur de "mot", des impulsions de courant d'intensité suffisante. Si, ainsi qu'on l'a indiqué plus haut l'extrémité du vecteur représentatif du champ de commande produit par ces impulsions se trouve dans la zone I, l'aimantation du film n'est pas inversée lorsque ce champ est supprimé, alors que, si cette extrémité se trouve dans la zone Il. l'aimantation du film se morcelle, après la disparition du champ, en des domaines d'aimantations opposées. Dans le premier cas, I'opération de lecture que l'on réalise est appelée une opération de lecture non destructive, ou NDRO. Dans le second cas, l'opération de lecture est dite destructive, ou DRO. II est donc souhaitable que la zone I, que l'on appelle aussi parfois zone NDRO, soit suffisamment grande pour que, même en utilisant pour la lecture des impulsions de courant d'intensité relativement élevée, ou puisse réaliser une opération de lecture non destructive. Cette condition est rarement satisfaite en pratique. car les impulsions de courant que l'on utilise habituellement et qui sont capables de provoquer la rotation du vecteur aimantation du film, créent des champs magnétiques d'amplitude telle que llextrémi- té du vecteur représentatif de ces champs dépasse généralement une valeur limite HD le long de l'axe difficile, au-dessus de laquelle la lecture est destructive. Pour réaliser la condition de lecture non destructive, il faut donc que la courbe SC qui constitue la frontière entre les zones I et Il et qui représente la limite supérieure de ltintensité du champ compatible avec une opération de lecture non destructive, se trouve rapprochée le plus possible de la courbe SR, comme le montre la figure 2. En comparant les figures 1 et 2, on peut voir que ce déplacement de la COurbe SC entratvne une augmentation très grande de la valeur limite HD, au-dessus de laquelle la lecture est destructive. On peut remarquer encore que, par suite de ce déplacement, le champ corecitif de déplacement des parois HC, qui correspond au point où la courbe SC rencontre l'axe facile, se trouve augmenté, ce qui se traduit par une amélioration des propriétés rémanentes du film Le but visé est donc, d'une part d'améliorer les propriétés de lecture non destructive des films magnétiques minces, ou de leur donner ces propriétés s'ils ne les possèdent pas, diaùtre part d'augmenter le champ coercitif de déplacement des parois. Ce but est atteint dans lQnvention, en soumettant le support en cuivre à un traitement chimique, avant de le recouvrir d'une fine pellicule de matière magnétique. Dans l'exemple décrit, ce support est constitué par un fil cylindrique de faible diamètre, mats il faut signaler cependant que le traitement chimique que l'on va maintenant décrire est également applicable à des supports de forme différente, tels que, par exemple, des supports plans. Le fil conducteur qui, dans l'exemple décrit, sert de support au film magnétique mince, est constitué, de préférence, par un fil cylindrique de cuivre au béryllium, revêtu d'une couche de cuivre de quelques milliers diangstroëms à une centaine de microns d'épaisseur. Ce fil, de 130 microns de diamètre, traverse de part en part une cuve à électrolyse contenant une solution acide qui sera définie un peu plus loin, et subit au cours de son passage dans cette cuve un traitelTsent de surface tel que l'alliage magnétique qui sera déposé ultérieurement sur ce fil présentera les propriétés cherchées. L'entraî- nement du fil à travers la cuve s'effectue à une vitesse constante qui dans l'exemple décrit, est de l'ordre de dix mètres à l'heure. Cet entraînement est assuré par un mécanisme dientraiMement de type connu qui permet de tirer le fil, au travers de la cuve, sous une tension mécanique très faible. Au cours de son passage dans la cuve, le fil est complétement immergé dans la solution acide. La longueur du fil qui se trouve ainsi immergée est, dans l'exemple décrit, sensiblement égale à quinze centimètres, ce qui permet, compte tenu de la vitesse de déplacement du fil, de traiter la surface du fil pendant environ 1 minute. II faut signaler cependant que, dans le cas où on entrathe- rait le fil à une vitesse différente, on pourrait maintenir le temps de traitement à une valeur sensiblement égale à celle qui vient d'être indiquée, en modifialt les dimensions de la cuve de façon à augmenter ou à réduire la lonqueur immergée du fil. La solution acide qui est utilisée pour traiter le fil est une solution aqueuse d'acide sulfurique, la concentration en acide dans la solution étant égale à une valeur déterminée comprise entre 10 et 100 grammes d'acide sulfurique à 660 Baumé par litre de solution. Le traitement est effectué à une température constante qui, dans l'exemple décrit, est de l'ordre de 300 C, I'attaque du fil dans la solution étant réglée par une densité de courant constante dont la valeur est déterminée d'une manier qui sera indiquée plus loin dans la description. Afin de permettre le passage du courant, une électrode en or est plongée dans le bain, cette électrode ayant une forme et une disposition établies pour assurer une densité de courant pratiquement constante sur toute ia longueur immergée du fil. Dans le cas où on désire favoriser I'attaque du fil, cette électrode est utilisée en tant que cathode, le fil de cuivre servant alors d'anode. Le courant qui est ainsi établi est un courant de "dissolution arodique". On peut, au contraire bloquer partiellement l'attaque du fil en utilisant électrode ci-dessus comme anode, le fil de cuivre servant alors de cathode de façon à maintenir, au voisinage du fil, une surconcentration d'ions cuivre qui déplace luilibre de dissolution dans le sens du ra @lentissement. en particulier, cette seconde manière de faire doit être employée lorsquòn utilise une solution dont le concentration en acide sulfurique est relativement élevée, c'est-à-dire lorsqu'elle supérieure à 80 grammes par titre, afin de freiner une attaque qui, en l'absence de courant de contrôle, se@@it trop marquée et ne permettrait plus au film, dépos, @térieure- ment sur le @@@, de présenter les propriétés magnétiques dési@@@s. @ co@ @@@t de signater à ce sujet que ces propriétés ne peuvent plus être ont@@@es, même en freinant l'attaque à l'aide d'un courant de contrôle, si on utilise une solution dont la concentration en acide sulfurique dépasse une certaine de grammes ner tre. A titre d'exemple, on a réalisé une solution convenable pour traiter la surface @ fil, en utilisant une solution aqueuse contenant 50 grammes d'aci- de sulfurique à 66 Baumé par litre de solution. Les propriétés rechenchées ont été obtenues en soumettant la surface du fil à l'action de cette section en opérant à une température constante de l'ordre de 30 C, pendant un temps de 1 minute environ, l'attaque étant réglée à l'aide d'un léger courant de dissolution, de densité comprise entre 6, 5 et 7 milliampères par centimetre carré. Après avoir subi ce traitement, fil qui sont de la cuve subit un rinçage et pénètre ensuite dans une autre cuve dans laquelle e est soumis à l'action d'une solution aqueuse contenant du chlorure de palladium Pd Cl2. Ce traitement a notamment été décrit dans la demande de brevet et N 69 19286 qui a été déposée en France par la Société Industriel le B@@@-GENERAL ELECTRIC, le 11 juin 1969, sous le titre : "Traitement de soupports de films ferromagnétiques minces, en vue de réduire la dispersion angulaire magnétique des films déposés sur ces supports". Le fil sortent de cette cuve subi alors un nouveau rinçage, puis traverse une cuve à électrolyse contenant un bain susceptible de déposer sur lui une pellicule mince de matière magnéti- que. Afin d'induire une direction de facile aimantation, le dépôt de cette matière magnétique se fait en présence d'un champ magnétique, ce champ litant orienté, dans l 'exemple décrit, de façon que la direction l'aimantation facile présentée par la couche magnétique déposée sur le fi! soi. circulaire et et coaxiale à l'axe du fil. Les propriétés de cette couche magnétique peuvent ersuite être diées au moyen du dispositif de mesure qui a déjà été décrit et représent dans la demande de brevet susmentionnée n 69 17172. Pour les d Sel 's de constitution et de fonctionnement de ce dispositif, on pou@@a s@@@éfé@@@ à cette demande, il est utile cependant de rappeler ici que ce dispositif compor te un oscillographe à rayons cathodiques sur l'écran duque apra@@@@, au au cours du fonctionnement, une courbe dont l'aspect dépend des propriété magnétiques de da couche qui a été déposée sur le fil. D'après cette courbe qui est connue sous le nom de cycle de Belson, on pCct réduire les valeurs des différents seuils de champs, c'est-à-dire du seuil de lecture non destructive HBR du seul de rotation schérente HB et du champ coercitif de déplacement des pa @o@s @ @ @@@@ @ signater cependant, comme or peut d'ai'leurs le voir sur les figures 1 et 2, que des valeurs de HB et de HB que l'on obtient ainsi, dépen se @e @'amplitude de la composante Hy, suivant l'axe diffiche DA, du champ de commande applique. Afin d'éviter toute ambiquité, on considérera que les @@ur@ de HB et de HB dont on parle dans la suite de la description sont celles que @on détermine en utilisant un champ de commande dont la composante Hy a une amplitude sensiblement égale à celle des champs de @mots@ qui sont habituellement utilisés lors du fonctionnement de la mémoire, c'est-à-dire une amplitude sensiblement égale à 8 oersteds. mour rue le film magnétique qui est déposé sur le fil soit insensible à l'action ces champs magnétiques parasites et présente les propriétés de lectare non destructive recnerchées, il faut comme on peut sèn rendre compte en se référant aux figures 1 et 2, non seulement que la valeur HBR du seuil de lecture non destructive soit suffisamment élevée, mais aussi que la différence HB - HBR entre la valeur du seuil de rotation cohérente et la valeur du sec: de lecture non destructive, soit aussi petite que possible. On a trou- vé que, pour qu'un matériau présente, dans ses conditions normales d'emploi des propriétés de lecture non destructive, il suffisait que son seuil de champ HBR soit supérieur à une valeur minimum, égale à 115 millioersteds environ. Il est alors possible, en utilisant, pour traiter le support, une solution aqueuse d'acide sulfurique de concentration donnée, de déterminer les vaqueurs de n densité de courant qu'il faut utiliser lors du traitement pour que e @ im qui est déposé ensuite sur ee support présente les propriétés magnétiques désirées. Pour cela, on effectue une première expérience de traitement 50 un un premier échantillon de suite, en opérant avec une première valeur constante de la densité de courant; et, après avoir déposé sur cet échantillon une fixe pellicule de matière magnétique, on détermine, par la méthode du cycle de Belson, les valeurs des seuils HB, HBR et HC de la couche magnétique ains déposée. On effectue ensuite une seconde expérience de traitement sur un second échantillon de support, de même nature et de même dimensions que ie renier, en opérant avec comme solution, mais avec une autre valeur Je ta densité de courant. Après a;- - déposé sur ce second chantillon une fine pellicule de matière magnétique, on détermine, par la même méthode, les valeurs des seuils HB HBR et H de cette nouvel le couche En effectuant ainsi une série d'expériences, en opérant à chaque fois avec une valeur dif férente de la densité de courant, mois avec le meme bain, on peut déterminer les valeurs de HBR de H B et de HC qui correspondent à chaque valeur de la densité de courant. On peut alors tracer, point par point, les différentes courbes qui représentent les variations respectives de HB, de HBF) de HB - - HBR' et de H C' en fonction de la densité de courant. Ces courbes ont sensiblement la même paliure que celle qui a été représentée. S titre d'exemple sur la figure 6 de la demande de brevet susmentionnée, et pour cette raison on n'a pas jugé utile d'en donner le tracé dans les figures annexees. A partir de ces courbes, on peut déterminer les valeurs de la densité de cour demande de brevet susmentionnée, le bain qui sert au traitement du support selon l'invention se révèle d'une plus grande stabilité et d'une plus grande durée d'utilisation. De ce fait, ce bain permet d'obtenir un état de surface identicue sur un très grand nornbre de supports de même nature. Il en résulte que les filrr,s magnétiques, de même épaisseur et de même composition, qui sont déposés ensuite sur ces supports possèdent des caractéristiques magnétiques pratiquement identiques d'un échantillon à I'autre. P E V E @ D I C A T i O c S 1. - Dans un procédé pour fabriquer un ément de mémoire constitué par un support en culvre recouvent d'un film magnétique mince presentant une an@sotrople @iaxa@e, un traitement du support en vue du revêtement du film magnétique, de traitement consistant à imme@ger le support dans are so u tior a@ de, à une température constante et pendant un temps de l'ordre de @ minute, et edit support étant utilisé comme électrode, à regler attaque de ce support dans la solution par une densite de sourant constante dont la vapeur est croisie en celation avec les courbes représentant, pour a concentration en acide enoisie, les variations du seuil de lecture non destructive et du seuil de rotation cohérente en fonction de la densité de ocurant, cette va cer sur lesdites courbes étant telle que le seuil de lecture non destructive soit aussi @e@ que possible et que la différera entre le seuil ce rotation cohérente et le seuil de lecture non destructive soit monimum, ledit traitement etant caractérisé en ce que la solution acide utilisée pour traiter le support est une solution aqueuse d'acide sulfurique, ia concentration e acide dans cette solution étant égale à une valeur déterminer comprise entre C et 100 grammes d'acide sulfurique à 660 Baumé par litre de solution. 2. - Un traitement du support selon revendication 1, caractérisé en ce que la solution d'acide sulfurique est maintenue à une température constante ce l'ordre de 30 C. 3. - Un traitement du support selon revendication 1, caractérisé en ce que la solution acide convient 50 grammes d'acide sulfurique à 6Q3 Baumé par litre de solution. 4. - Un traitement du support selon revendication 3, caractérisé en ce que la solution d'acide sulfurique est maintenue à une température constante de l'ordre de 30 C et en ce que te support est utilise comme anode pour permettre au courant de favoriser l'attaque du support. 5. - Un traitement du support selon revendication 3 caractérisé en ce que la solution d'acide sulfurique est maintenue à une température constante Je l'ordre de 30 C, et en ce que l'attaque du support est réglée par une densité de courant constante, comprise entre 6 5 et 7 milliampères par centimetre carr, ledit support étant utilisé comme anode pour permettre au cou ant de favoriser l'attaque du suppOrt.