FR 2066947 A1 19710813 FR 7039096 A 19701029 70 39096 1 2066947 La présente invention concerne et a essentiellement pour objet la métallisation de dispositifgàsemi-condueteurs. Plus particulièrement, l'invention concerne un procédé pour l'établissement de contacteohmiques directs sur un semi-conducteur, sans 5 frittage du métal après son dépôt ; et présente me utilité particulière dans les circuits intégrés à grande échelle qui nécessitent des structures métallisées à plusieurs niveaux. Certaines caractéristiques sont nécessaires pour obtenir une métallisation convenable du dispositif à semi-conducteur 10 lorsqu'on doit établir des contacts ohmiques. D'abord le métal doit être un bon conducteur électrique. En outre, il doit 'constituer un contact ohmique de faible résistance avec le matériau semi-conducteur. Egalement, le film métallique doit être déposé de façon uniforme, et de façon à adhérer aux 15 contours de surface du dispositif. Si le dispositif comprend une couche de passivation à base de bioxyde de silicium, comportant des ouvertures, pour faire diffuser les impuretés et pour établir un contact sur le corps semi-conducteur, le métal doit former un dépôt uniforme sur les bords abrupts 20 de ces ouvertures. De plus, le dépôt métallique doit être stable dans le temps, et conserver les caractéristiques précitées dans divers états électriques et d'environnement. Jusqu'à présent, afin d'obtenir un contact ohmique entre un métal et un semi-conducteur, le dépôt métallique devait 25 être fritté. 1® dispositifs à semi-conducteuis en silicium présentaient de façon inhérente une couche mince de bioxyde de silicium restant au fond des ouvertures formant contact avec le semi conducteur, et il était nécessaire de chauffer, les. dispositifs jusqu'à une température vraiment élevée pour faire 30 pénétrer le métal dans l'oxyde, afin de former une solution solide avec le Semi-conducteur se trouvant en dessous. En particulier, la plupart des dispositifs à semi-conducteuis étaient métallisés par vaporisation d'un fil d'aluminium sur la surface du dispositif, puis par frittage à une température 35 comprise entre 250°0 et 550°C pour former le contact ohmique nécessaire entre le métal et le semi-conducteur. Le chauffage du dispositif étai^iiuisible pour le métal, et il était particulièrement nuisible pour les métaux tels 70 39096 2 2066947 que l'aluminium, qui recristallisenb aux-faibles températures. Dans ces dispositifs., l'aluminium recristallise complètement car l'aluminium commence à recristalliser à une température de 150°C qui est sensiblement plus faible que la température 5 de frittage. le frittage à des températures supérieures- à la température de recristallisation du métal présente un certain nombre d'effets très, défavorables. D'abord la taille des grains de cristallites qui constituent le film, s'accroît de façon significative. A son tour, ce fait provoque -l'apparition de 10 circuits ouverts dans ces régions. Cet état est encore agravé par la nécessité de définir ensuite des motifs, dans le métal, par les techniques bien-connues de photorésistance et d'attaque chimique. Pour des grains de grande tai-l-le- en porte à faux sur les bords abrupts , la protection par photorésistance . 15 est faible, si bien que les agents chimiques d'attaque suintent sous la pho.torésistancë , et de plus corrodent l'aluminium à partir des bords abrupts . . Deuxièmement, la résistivité du métal s'accroît de façon significative, lorsque le métal est exposé à un environnement 20 oxydant, les limites des grains du film d'aluminium s'oxydent facilement. Egalement, les grains de grande taille sont ordonnés de façon médiocre» Donc, la résistivité des films peut être supérieure à la résistivité apparente de l'aluminium pur, suivant un facteur de 3 à 8 fois. 25 Troisièmement, la-recristallisation du métal se traduit par une croissance de petits monticules, l'éclatement des bords des grains en surface, et des saillies morphologiques analogues à la surface du dispositif. Les petits monticules et les autres saillies superficielles rendent particulièrement 30 la métallisation à plusieurs niveaux extrêmement difficile. Egalement, la métallisation à plusiêurs niveaux par l'aluminium est encore gênée car la première couche de métal présente toujours une mince pellicule d'oxyde d'aluminium croissant thermiquement à sa surface. Ceci implique que la couche métallique, suivante 35 doit être frittée pour établir des contacts ohmiques entre les couches métalliques. Ainsi , l'étape suivante de frittage fait encore recristalliser..le métal, et aggrave les effets nuisibles précités. 70 39096 3 2066947 Dans la présente invention, la surface du dispositif à semi-conducteur est attaquée par "bombardement à l'aide d'une décharge luminescente H.E., pour éliminer les impuretés de la surface du dispositif. Tout en maintenant la décharge luminescente, 5 on vaporise alors un film métallique sur la surface purifiée, si bien que le métal forme une solution solide avec le semiconducteur, pour établir un contact ohmique direct avec ce dernier. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, 10 caractéristiques et avantages de celle-ci apparaîtront au cours de la description explicative qui va suivre, en se reportant aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant un mode de réalisation de l'invention et dans lesquels 15 - la figure 1 est une vue en section transversale illustrant le dispositif utilisé dans la présente invention; - les figures 2 à 4 sont des vues représentant une partie d'un dispositif semi-conducteur typique, de diverses étapes de fabrication, conformément au procédé de la présente 20 invention; - la figure 5 est un graphique représentant les valeurs de la résistance de contact en fonction du courant, pour les procédés de métallisation de l'art antérieur et de la présente invention; 25 - la figure 6 est un graphique illustrant la chute de tension directe pour un contact d'aluminium de la présente invention, en fonction de la polarisation de décharge luminescente fournie à la surface du dispositif; - la figure 7 est un diagramme schématique illustrant 30 le champ électrique autour d'un bord abrupt , à la surface d'un dispositif à semi-conducteur. Exemple 1 La figure 1 est une vue en section transversale du dispositif typique pouvant être utilisé pour le procédé de 35 métallisation conforme à la présente invention. La métallisation s'effectue dans un dispositif sous vide 10' qui comprend une cloche à vide 12 montée sur une plaque de base 14. On fait le vide dans la cloche à vide 12, au moyen d'une ouverture à 70 39096 4 2066947 rebord 16 dans la plaque de base 14» reliée à un dispositif ou pompe à vide 18. Un passage pour H.Ï1 . 19 pénètre dans le dispositif sous vide 10 par l'intermédiaire de la plaque de base 14. Le passage 19 est maintenu en place à l'aide d'un isolateur 20 en pierre de savon vernissée qui constitue un ensemble étanche au vide avec la plaque de base 14. le passage 19 est une broche métallique de configuration irrégulière présentant une extrémité supérieure élargie, sur laquelle est montée une anti-électrode 22 formant cible, venant en contact électrique avec celle-ci. L'anti-électrode 22 peut être obtenus à. partir d'une grande variété de matériaux, selon les conditions de métallisation qui seront discutées ci-dessous; toutefois, cette anti-électrode est généralement en un métal réfractaire noble, le dispositif à semi-conducteur 24 présente une surface exposée 25 au centre de 1'antiélectrode 22. le passage 19 est relié électriquement à un générateur-H.F.26. A l'intérieur de la cloche à vide 12, on trouve également un filament 28 pour vaporisation qui est suspendu au dessus de 1'anti-électrode 22 formant cible, au moyen d'une paire de pinces électriques (non représentées sur le dessin). On a fixé un volet obturateur 30 sur un support rotatif 32 en va et vient, de façon à ce que le volet obturateur 30 puisse être interposé entre le filament 28 et la cible 22. On peut placer autour de la cloche à vide 12, une bobine 34 -à champ magnétique, pour favoriser l'ionisation du . métal vaporisé et/ou pour accroître la densité des ions de la décharge de luminescence H.F. On a placé autour du passage 19? un écran 36 à la terre, ainsi que 1'anti-électrode 22 pour éviter que la décharge luminescente n'arrive dans ces zones. le filament nu 28 est d'abord chauffé sous vide pour supprimer la contamination superficielle, le filament 28 est alors enroulé dr une longueur de fil fixe (non représenté sur la figure 1) de n'importe quel métal ou substance choisie pour la métallisation. Dans la plupart des dispositifs à semi-conducteurs on choisit une métallisation à l'aluminium, et le fil est en aluminium ou en un de ces alliages par exemple 98^ d'aluminium et 2fo de silicium. Le filament 28 est alors placé à l'intérieur de la cloche à vide 12 à l'aide d'une paiie de pinces électriques 70 39096 5 2066947 (non représentées sur la figure 1). On peut utiliser plus d'un filament. Le ou les filaments ne sont pas nécessairement disposés verticalement au dessus des substrats (comme le montre la figure 1) ; mais peuvent être placés de n'importe quelle 5 manière appropriée, par exemple suivant une rangée circulaire autour des arêtes de la cible 22. Les figures 2 à 4 sont des vues schématiques d'une partie du dispositif à semi-conducteur typique 24, lors de diverses étapes de sa fabrication. La figure 2 est une vue 10 en section transversale du dispositif 24 avant sa métallisation. Le dispositif 24 comporte un transistor NPN 40 comprenant des - régions semi-conductrices 42, 44 et 46, et une couche de bioxyde de silicium 48 sur la surface 25 de celles-ci. La couche d'oxyde 48 a été attaquée sélectivement , pour constituer des 15 ouvertures de contact 50, 52 et 54 sur les régions 42, 44 et 46 du transistor 40. D'abord, le dispositif à semi-conducteur 24 de la figure 2 est nettoyé et. placé sur l'anti-électrode 22. Plus précisément, le dispositif à semi-conducteur 24 est .nettoyé 20 par ultra sors dans l'alcool méthylique, séché par rotation, puis placé sur 1'anti-électrode 22. On fait le vide dans le dispositif sous vide 10 à l'aide du dispositif 18 ou pompe à vide. De préférence, la mise sous vide du dispositif 10 se fait, jusqu'à une pression 25 inférieure à 6,65 10-^ bar, pour obtenir une atmosphère suffisamment purifiée, pour la métallisation suivante. Le volet 50 est alors fermé afin d'isoler le dispositif 24 du filament 28. Le filament 28 est alors chauffé pour faire fondre le fil (non représenté)'sur le filament 28. Pour s'assurer de 30 la pureté de la vaporisation consécutive,ou fait fondre le fil sur le filament 28 à une température supérieure à celle qui sera utilisée lors de la vaporisation. Le filament 28 est isolé aussitôt que le' fil est suffisamment fondu sur le filament 28. On admet alors dans le dispositif sous vide 10, une 35 pression d'un gaz de bombardement. De préférence, on utilise un gaz inerte ; et en particulier on peut utiliser del'argon. La pression du gaz doifc être telle qu'elle puisse donner lieu 70 39096 6 2066947 à une décharge luminescente. G-.eneralement, la pression est —7 —7 comprise entre 6,65 10 "bar et 665 10 bar ; et en particulier on a trouvé qu'on obtenait des résultats optima avec une pression d'environ 3,32 10 ^bar. 5 Ensuite, on établit une décharge luminescente H. E. la surface 25 du dispositif 24 représentant la cible de la décharge luminescente, -si bien que la surface 25 .est attaquée-par bombardement par-la décharge luminescente pour en éliminer les -impuretés , La décharge luminescente est établie, en reliant le dispositif 10 24 au génétateur H.E. 26, pour fournir un potentiel négatif sur la surface 25 du dispositif 24 pendant plus d'une moitié de cycle du générateur 26. La valeur moyenne du potentiel négatif appliqué sur la surface 25 est appelée polarisation de décharge luminescente. La décharge luminescente est formée par l'ionisation 15 du gaz de bombardement, grâce à quoi les ions chargés positivement sont accélérés vers la surface 25 du dispositif à semi-conducteur 24tant qu'elle est chargée négativement. Aussi, plus la surface 25 du dispositif reste négative en durée plus la surface 25 est bombardée par ions par la décharge luminescente. Les résultats 20 optima sont obtenus par couplage capacitif de la surface 25 du dispositif 24 en série avec le générateur 26, en vue.d'obtenir une durée maximale de potentiel négatif stir la surface 25 du dispositif... Il existe plusieurs façons de coupler de façon capacitive le générateur 26 et la surface 25? selon le type du, 25 dispositif 24-et l'anti-électrode 22. Dans cet exemple, on place en série, un condensateur (non.représenté) avec le générateur 26 et le passage 19- ? et 1'anti-électrode est en méiaL. La valeur du- condensateur n'est pas. particulièrement critique. Le condensateur est habituellement utilisé également 30 pour adapter l'impédance du générateur 26 à la charge électrique présentée par l'ensemble formant cible et la déchar^ luminescente. Dans cet exemple* le condensateur présente une valeur d'environ 500 picofarads. Alternativement, l'électrode 22 peut être unisolant tel que du bioxyde desilioaum auquaL cas, ilne serait pas né^ssaiie d'avcdr un 35 condensateur distinct;toutefois, une telte anti-électrode n'est pas si souhaitable, pour des raisons- qui seront discutées ci-dessous. Alors que les ions bombardent la surface 25, ils attaquent 70 39096 7 2066947 par bombardement la surface 25 et en élimine les impuretés. Généralement-, ces impuretés correspondent à une contamination organique, telle que de la graisse,de la poussière et des empreintes digitales, et en particulier on trouve des couches 5 résiduelles d'oxyde qui restent dans les ouvertures 50, 52 et 54 formant contacte avec le semi-conducteur. La décharge luminescente est maintenue pendant une durée de temps suffisante pour l'élimination des impuretés'et des couches résiduelles d'oxyde, si bien que la surface 25 est purifiée, et les ouvertures 10 52, 54 et 56 formant contacte sont exemptes de n'importe quel oxyde résiduel .Dans cet exemple, l'attaque par bombardement est maintenu pendant une durée de 5 à 10 minutes selon les caractéristiques particulières du dispositif 24. Le temps n'est pas particulièrement critique, car'une attaque additionnelle 15 par bombardement,va poursuivre la purification et l'élimination lente des impuretés de la surface 25. Le fi-lament 28 est alors rechauffé et une quantité de métal est vaporisé sur la surface 25 du dispositif, tout en conservant la décharge luminescente. Comme le représente la 20 figure 3, le métal vaporisé forme un film métallique 50 sur la surface 25 du dispositif 24. Une partie du métal vaporisé est ionisé par la décharge luminescente formant des ions métalliques chargés positivement,et ces ions métalliques sont également accélérés en direction de la surface 25 du dispositif. Par 25 conséquent un pourcentage de métal vient frapper la surface 25 du dispositif, avec une énergie proportionnelle au potentiel de polarisation négative de la surface 25 du dispositif comme le détermine le générateur H. P. 26. Ainsi, un pourcentage de métal vient frapper la surface 25 avec une énergie suffisante 30 pour pénétrer dans la surface 25, suivant quelques dixième. d ' Angstr En maintenant la décharge luminescente tout au cours du procédé de vaporisation, les ouvertures 50, 52 et 54 formant des contacts sur le semi-conducteur, restent exemptes d'oxydes 35 thermiques résiduels qui sinon seraient inévitablement présents, permettant ainsi- au métal de pénétrer dans le semi-conducteur, et de constituer une solution solide avec le semi-conducteur, 70 39096 8 2066947 pour établir un contact ohmique direct avec ce dernier. l'attaque par bombardement apporte également un. avantage supplémentaire d'épuration de la surface 25 du dispositif, durant des étapes critiques de "dépôt:les étapes 5 de formation de germes et de croissance initiale du film métallique, par conséquent, une substance à liaison lâche arrivant sur la surface 25 du dispositif, est renvoyée pour donner un film présentant une bonne adhérence et une faible I! densité de trous fins. Cette épuration par ions" se poursuit "10 pendant la durée de croissance du film, les mêmes avantages, ne faisant'que croître. le filament 28 est réglé âupréalable à la température convenable (courant de filament) pendant une durée de ,temps nécessaire pour permettre le dépôt d'un film 60 d'épaisseur ^5 convenable sur la surface 25 du dispositif situé au dessous. " Aprèsle dépôt désiré, le volet 30 est fermé, et le filament 28 est isolé . la décharge luminescente est conservé jusqu'après la fin de la vaporisation si bien que la surface 25 du dispositif continue d'être purifiée jusqu'après 1' achèvement du procédé 20 de métallisation. Le film métallique 60 déposé sur la surface 25, est alors sélectivement attaqué pour constituer des conducteurs .. métalliques 62,64 et66, tout comme le montre la figure 4. l'attaque peut être effectuée par les techniques de photorésis-25 tance bien connuœ;dans cet exemple on dépose une photorésistance sur le métal 60, puis on la retire sélectivement pour exposer certaines parties du métal 60. La surface du métal 60 est significativement plus lisse et de grain plus fin , que celles de métaux déposés par les procédés de l'art antérieur, et par 50 conséquent, la photorésistance peut être-déposée et retirée sélectivement, avec une protection du revêtement, beaucoup plus grande et avec plus de précision. En particulier la photorésistance recouvre bien les ouvertures formant contacte et les bords abrupts du'contour de la surface. On applique alors: 35 un. agent chimique d'attaque sur la surface 25 pour éliminer le métal exposé 60, qui nfest pas recouvert par la photorésistance En résultat de la précision et de la protection du 70 39096 9 2066947 revêtement accrues de la photorésistance, l'agent, d'attaque ne suinte pas sous la photorésistance et dans les ouvertures formant contacte, et ainsi n'entraîne pas des circuits ouverts et des interconnexions électriques médiocres. 5 Les couches métalliques de la présente invention se sont révélées former des films très adhérents qui établissent des contacts ohmiques directs, dp faible résistance sur le semi-conducteur sous-jacent. La figure 5 est un graphique-comparant la résistance des contacts qui est une fonction du 10 courant, pour les contacts d'aluminium 70 de la présente invention, et pour les contacts d'aluminium analogues 80, formés par "vaporisation- thermique et frittage. En particulier, le graphique indique la chute de tension directe de la jonction base-émetteur du transistor 40. Gomme 15 le montre la figure 5? les contacts d'aluminium 70 de la présente invention sont au moins aussi bons que les contacts frittés 80 de l'art antérieur, pour des courants élevés, et ils sont significativement supérieurs aux contacts frittés 80 de l'art antérieur, pour des faibles courants. Ceci voudrait dire que 20 l'absence de couche d'oxyde résiduel non seulement permet la formation directe d'une solution solide et d'un contact ohmique avec, le semi-conducteur, mais également réduit la-résistivité du contact, puisqu'il n'exxste pas d'atomes d'oxygène imbriqués dans la solution solide à l'interface métal-^5 semi-conducteur. De plus, comme il a été mentionné ci-dessus, les contacts de la présente invention évitent tous les problèmes d'insécurité provenant de la recristallisation du métal lorsqu'il est fritté sur le semi-conducteur sous-jacent. La figure 6 est un graphique illustrant la résistance 30 ohmique pour une autre série de contact d'aluminium en fonction de la polarisation de décharge luminescente fourni^sur la surface 25 du dispositif. Pour un courant de conduction de 10 milliampères , la chute de tension directe pour une ouverture formant contact de grande surface était comprise 35 entre 0,75 et 0,73 volts; et les résultats optima ont été obtenus entre 400 et 600 volts, auquel cas la chute de tension directe étant de 0,73 volts. L'intervalle de valeurspour la 70 39096 10 2066947 polarisation de décharge luminescente qui se traduit par un contact ohmique optimal dépend de la géométrie du contact, de la géométrie de la cible H. 3?. et de certaines conditions régnant.dans la décharge luminescente, par exemple, le 5 champ magnétique appliqué (s1, il-existe) et la pression du gaz de décharge. la polarisation de décharge luminescente- possède un effet significatif sur la morphologie superficielle de la métallisation. Comme il a été mentionné ci-dessus, la 10 polarisation de décharge luminescente provoque l'accélération d'un pourcentage du métal vaporisé et sa pénétration dans la surface 25 sur quelques dixièmes d'Angtr'dms. les films obtenus sont de grain fin, lisse, et très adhérent, toutefois pour de faibles valeurs de polarisation, on observe manifestement la . 15 formation de petits monticules naissants, et de quelques petits trous microscopiques. Lorsqu'on augmente la valeur de la polarisation, l'implantation s'accroît s et les défauts deviennent moins évidents. Les films les plus lisses ont été déposés à une polarisation de -400 volts| et au-dessus de cette"" 20 tension, la surface commence, à redevenir rugueuse lorsque se produit la croissance des grains. la métallisation recouvre les bprdsabrupts du contour superficiel, tout comme les zones plates» Comme le représente la figure 7, le bord d'un contour superficiel abrupt représente 25 un point de champ élevé dans la décharge luminescente et la courbure des lignes équipotentielles sux ce bord se traduit par une décharge de densité de courant, supérieure dans cette région à ce qu'elle est sur la surface plane du dispositif. D'une. part , la densité supérieure du courant sur le bord implique 30 une plus grande attaque par bombardements,, et un film métallique plus fin, toutefois d'autre part, la* densité de courant des ions aluminium est également acrue déposant ainsi un film plus épais pour compenser l'effet de l'attaque par bombardement. En outre, les ions d'aluminium sont accélérés^en direction du bord 35 entraînant une implantation de llaluminium, et 'se traduisant par un film métallique très adhérent et: exempt de trous fins» De plus,- une partie du métal arrivant; sur les surfaces plates dans 70 39096 n 2066947 un état de liaison lâche est renvoyée suivant un petit angle, et se redépose sur les parois verticales, la pression du gaz doit être suffisante pour créer une "bonne décharge luminescente mais elle ne doit pas être trop importante afin d1 éviter le 5 piégeage des bulles gazeuses lors de la métallisation, ce qu entraînerait une adhérence médiocre et la formation de petits trous résultant du dégonflement, des bulles gazeuses dans le film métallique. En comparaison, les métallisations de l'art antérieur qui n'ont pas été attaquées par bombardement H31 . 10 durant le dépôt de la.métallisation, présentaient un revêtement très médiocre des bords abrupts et le frittage ainsi que la recristallisation consécutif de ces films corrodent encore le revêtement des bords abrupts . Exemple II 15 Oet exemple est sensiblement le même que l'exemple 1, avec l'addition d'un champ magnétique appliqué à la décharge luminescente. Le champ magnétique est fourni par la bobine 34 à champ magnétique, pour établir un champ magnétique essentiellement perpendiculaire à la surface 25 du dispositif. Le but de ce 20 champ magnétique est d'accroître la densité ionique de la décharge luminescente, et de limiter"la décharge à la zone correspondant à la cible. Le champ magnétique entraîne les électrons de la décharge à suivre un trajet hélicoïdal au lieu d'une ligne droite, jusqu'au point le plus proche à 25 la terre; et en résultat, accroît la longueur d'acheminement des électrons et fait croître ainsi le nombre de collisions entre les électrons et les atomes du métal vaporisé et du gaz de bombardement. G-râce à l'accroissement du nombre d'atomes de métal vaporisé qui sont ionisés par les collisions des électrons, 30 un pourcentage supérieur de métal vaporisé est accéléré et implanté dans la surface 25; de cette façon, on obtient un accroissement de l'adhérence du métal, et une amélioration des cnntacts ohmiques. La valeur du champ magnétique est inversement proportionnelle 35 au rayon de 1'anti-électrode 22,plus la cible est petite plus le champ magnétique est grand pour limiter de façon suffisante la décharge luminescente et le métal ionisé. Dans le dispositif sous vide 10 de la présente invention, on utilise un champ 70 39096 12 2066947 magnétique de 25 'Gauss pour une anti-électrode" 22 de 15,24 centimètres de diamètre, et on utilise un champ magnétique de 50 Gausspour une-anti-électrode 22 de 7,62 cm de diamètre. Exemple III 5 Cet exemple est également analogue à l'exemple 1 mais on porte une attention particulière au type et à la configuration de 1'anti-électrode 22 formant cible. L'anti- électrode 22 est sensiblement plus grande que le dispositif 24 de façon 10 à ce que 1'anti-électrode 22 soit également attaquée par bombardement, par la décharge luminescente. En conséquence, une partie de la substance attaquée par bombardement à partir de 1'anti-électrode est réfléchie sur la surface 25, en raison des collisions avec les atomes de gaz dans la décharge luminescente. 15 Ainsi, on dépose par bombardement une autre substance sur la surface 25 du dispositif, à partir de 1'anti-électrode 22. la substance bombardée est déposée sur la surface 25 dans tous les angles; et par conséquent, ceci favorise le revetement uniforme de la surface 25 y compris les bords abrupts et les 20 zones qui ne sont pas directement exposées au filament 28. Pour obtenir les résultats optima,1'anti-électrode 22 est en une substance qui est compatible à la fois avec les substances:de métallisation, et du'semi-conducteur, teJfeque par exemple, un métal noble réfractaire. Dans le mode de. réalisation 25 préféré de la présente invention, 1'anti-électrode peut être soit en palladium, soit en iridium, soit en rhénium; bien qu'on ■ puisse utiliser d'autre métaux et certains alliages, comme par exemple de l'aluminium pur ou un alliage composé de 98fo d'aluminium et de 2fo de silicium. 30 le procédé de métallisation de la présente invention présente une utilité particulière pour les circuits intégrés à grande échelle, qui exigent une métallisation à plusieurs niveaux. En utilisant le procédé de métallisation conforme à la présente invention , on obtieni^n certain nombre d'avantages. 35 D'abord la couche métallique de fond constitue un film lisse et adhérent établissant un contact ohmique direct sur le semiconducteur, sans frittage. Deuxièmement, on peut facilement déposer une couche 70 39096 13 2066947 isolante sur la première couche métallique, la couche isolante peut être d'épaisseur raisonnable,de l'ordre de un micron sans avoir à se soucier des petits monticules ou d'autres saillies de 3 ou 6 microns pénétrant dans la couche isolante 5 ou créant des points de champ élevé qui se briseront ensuite. . A son tour, la couche isolante peut facilement être attaquée par des techniques standards de photorésistance pour permettre / le dépôt des couches métalliques suivantes. Troisièmement, on peut déposer d'autres couches 10 métalliques et former des contacts ohmiques 'directs sur la couche métallique de ford sans frittage puisque les couches . d'oxyde inévitables sur la couche métallique de fond sont attaquées par bombardement de la même façon que les couches d'oxyde sont éliminées des ouvertures formant contacis sur le 15 semi-conducteur. De plus, les caractéristiques de la couche de fond tout comme'celles de la couche de dessus, sont conservées puisqu'aucune des couches ne doit être frittée après son dépôt. Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée 20 aux modes de réalisation décrits et représentés qui n'ont été donnés qu'à titre d'exemple. En particulier, elle comprend tous les moyens constituant des équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons, si celles-ci sont exécutées selon l'esprit de l'invention. 70 39096 14 2066947 R E 7 E g D 1 C'A T I QI S 1- Procédé de métallisation de la surface d'un dispositif à semi~conducteur comprenant l'attaque par "bombardement de ladit.è surface, ' à l'aide d'une décharge luminescente H. P. , pour 5 en éliminer les impuretés^caractérisé en/ce quril consiste: à déposer une quantité d'un métal sur la surface purifiée tout en maintenant ladite décharge luminescente,pour former un contact ohmique direct entre le métal et le semi-conducteur. 2- Procédé de métallisation de la surface d'un dispositif 10 à semi-conducteur comprenant 1'établissmment d'une décharge luminescente H.F. , dans un dispositif sous vide, ladite surface dudit dispositif représentant la cible de ladite décharge luminescente de façon à ce que ladite surface soit attaquée par bombardement, par ladite décharge luminescente,pour en 15 éliminer les impuretés,caractérisé en ce qu'il consiste à vaporiser une quantité de métal sur ladite'surface purifiée, tout en maintenant ladite décharge luminescente, si bien que le métal est partiellement ionisé et accéléré vers, ladite surface purifiée , formant ainsi une solution solide avec 20 ledit semi-conducteur pour établir un contact ohmique direct avec ce dernier. 3- Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit métal vaporisé est 11 aluminium.■ 4- Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce 25 qu'on applique un champ magnétique sur ladite décharge luminescente, pour favoriser l'ionisation dudit métal vaporisé. 5- Procédé selon la revendication 2 caractérisé en ce que ladite décharge luminescente est établie, par admission d'une pression partielle d'un gaz de bombardement, et par connexion 30 dudit dispositif à un générateur H.F*, pour produire un potentiel négatif sur ladite surface, pendant plus de la moitié du cycle dudit générateur. 6- Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit dispositif est relié"audit générateur, par couplage 35 capacitif de ladite surface dudit dispositif au générateur H.E. 7- Procédé selon la' revendication 5 caractérisé en ce que ledit gaz de bombardement est un gaz- inerte. 70 39096 15 2066947 8- Procédé-de métallisation de la surface d'un dispositif à semi-conducteur comprenant l'attaque par "bombardement H.P. de la surface dudit dispositifr dans un dispositif sous vide, pendant une durée de temps suffisante 5 pur en éliminer les couches d'oxyde résiduel , caractérisé-en ce qu'il consiste à vaporiser une quantité de métal sur ladite surface exempte d'oxyde tout en poursuivant l'attaque par bombardement de ladite surface et à attaquer par bombardement simultané , une anti-électrode formant cible, en contact 10 électrique avec ledit dispositif si bien que ladite substance bombardée à partir de ladite anti-électrode se dépose sur ladite surface dudit dispositif. 9- Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite substance de l'anti-électoode, est un métal noble. 15 10 - Procédé de métallisation de la surface d'un dispositif à semi-conducteur, dans lequel on établit des contacts ohmiques sur la surface d'un corps semi-conducteur, présentant un revêtement en une substance de passivation sur ladite surface et sur des ouvertures dans ledit revêtement» comprenant : 20 11établissemait d'une décharge luminescente H.P. dans un dispositif sous vide, ladite surface dudit dispositif représentant la cible de ladite décharge luminescente , si bien que ladite surface est attaquée par bombardement par ladite décharge luminescente pour en éliminer les impuretésf caractérisé eh 25 ce qu'il consiste;à vaporiser une quantité d'un métal sur ladite surface purifiée'tout en maintenant ladite décharge luminescente, si bien que ledit métal est partiellement ionisé et accéléré, vers ladite surface purifiée formant ainsi une solution solide avec ledit semi-conducteur, pour'établir 30 un contact ohmique direct avec ce dernier, ledit métal étant également déposé sur les bords desdites ouvertures, et sur la surface dudit revêtement de passivation, et à éliminer des portions dudit métal pour définir des conducteurs d'électrode dudit dispositif. 35 11- Dispositif à semi conducteur caractérisé en ce qu'il est obtenu par le procédé suivant l'une des revendications précédentes.