FR 2079345 A1 19711112 FR 7104219 A 19710209 71 èk219 1 2079345 L'invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré à couche mince comprenant un substrat, une résistance et un condensateur, ladite résistance et ledit condensateur étant formés sur ledit substrat en utilisant des composés 5 du tantale, et elle concerne plus particulièrement un procédé de fabrication d'un circuit intégré à courbe mince au tantale, caractérisé par le fait qu'il consiste à revêtir la surface du nitrure de tantale avec un pentoxyde de tantale afin de protéger ce nitrure du liquide décapant, utilisé pour attaquer une couche 10 de tantale pour réaliser un condensateur après la réalisation d'une résistance. Un circuit hybride peut être fabriqué en utilisant un élément de couche passif d'une couche mince ou d'une couche épaisse et un élément actif tel qu'une diode ou un transistor ou 15 une pastille de circuit intégré. Un élément de couche passif, de grande stabilité, peut être fabriqué en utilisant un composé du tantale. Un condensateur en pentoxyde de tantale est décrit dans le brevet américain 2 993 266 et une résistance en niture de tantale est décrite dans le brevet américain 3 242 006. Selon la 20 technique antérieure, le circuit intégré mentionné ci-dessus est fabriqué en réalisant premièrement un substrat, muni d'une ou plusieurs résistances, distinct d'un autre substrat muni d'un ou plusieurs condensateurs, et ensuite en assemblant ces deux substrats. Les deux substrats doivent être réalisés séparément car, 25 si les condensateurs et les résistances sont formés sur le même substrat, une interférence mutuelle apparaît qui entraîne une modification des caractéristiques et conduisant à un mauvais fonctionnement du dispositif. On a trouvé que si on réalise d'abord un conden-30 sateur sur un substrat et ensuite une résistance sur le même substrat, le pentoxyde de tantale qui est un diélectrique est affecté par la chaleur, par des ions ayant une énergie élevée, par une atmosphère créée au cours du dépôt d'un nitrure de tantale pour la réalisation de la résistance et par le liquide décapant 35 servant à tracer le dessin de la résistance sur la couche de nitrure de tantale ; si d'autre part on réalise d'abord une résistance sur un substrat et ensuite un condensateur sur le même substrat, le nitrure de tantale servant à réaliser la résistance est attaqué par le liquide décapant (mélange d'acide fluorhydri-40 que et d'acide nitrique) qui sert à tracer le dessin du condensa- 71 04219 2 2079345 teur. Selon une autre technique antérieure, les couches de tantale et de composés de tantale utilisées sont déposées de façon continue et laminées sur un substrat unique et 5 l'élément est ensuite formé par des attaques sélectives. Ce circuit intégré contenant des composés du tantale multicouche est décrit dans les brevets américains 3 387 952 et 3 406 043. Dans ce circuit intégré, une couche de séparation en pentoxyde de tantale ou en aluminium, est nécessaire afin d'éviter l'attaque simul-10 tanée du tantale et du nitrure de tantale. La présence de pentoxyde de tantale qui est ordinairement un isolant dans une piste conductrice augmente les pertes du circuit et détériore la caractéristique haute fréquence alors que la présence de l'aluminium modifie la carac-téristique du circuit intégré et en diminue la stabilité thermique, en raison de la propriété fortement oxydante et du faible point de fusion de l'aluminium. Comme ceci est bien connu à ceux qui sont familiarisés avec cette technique, le dépôt de l'aluminium par 20 évaporation n'est pas une opération facile et il est difficile de réaliser une épaisseur de dépôt très uniforme. Du point de vue de la technique de fabrication de condensateurs au tantale et de résistances au tantale, il est souhaitable de fabriquer un condensateur au tantale et une résis-25 tance au tantale l'un à la suite de l'autre, afin d'éviter l'interférence mutuelle mentionnée ci-dessus et, d'achever ensuite le circuit à couche mince au tantale. L'invention a donc pour objet un procédé de fabrication de circuits intégrés à couche mince de haute qualité, 30 permettant de fabriquer successivement un condensateur au tantale et une résistance au tantale sur un même substrat. Un autre objet de l'invention concerne un procédé de fabrication de circuits intégrés à couche mince au tantale, dans lequel la face supérieure de la couche en nitrure de tantale est revêtue par du 35 pentoxyde de tantale,afin de protéger le niture de tantale contre le liquide décapant qui sert à attaquer la couche de tantale pour réaliser le condensateur qui est réalisé ensuite. D'autres objets et avantages de l'invention deviendront évidents à la suite des'explications suivantes. 40 Suivant la présente invention, on forme en CQPY 71 04219 3 2079345 premier une résistance au nitrure de tantale sur un substrat isolant et ensuite un condensateur sur le même substrat, le diélec-triaue utilisé pour ledit condensateur étant le pentoxyde de tantale, 5 Ceci minimisera l'influence néfaste qui résulte rait de la réalisation du condensateur en premier. On a vu jusqu'ici qu'une couche d'oxyde, formée par oxydation anodioue du nitrure de tantale, présentait une propriété résistante à l'acide fluorhydrique mais, comme cela est décrit ci-dessus et 10 comme cela sera décrit ci-dessous avec plus de détails, une telle couche d'oxyde est aussi réellement attaquée comme le nitrure de tantale et, on a trouvé que, plus le deqré de nitruration du nitrure de tantale était élevé, plus grande devenait la vitesse de l'attaoue. 15 Lors d'une première phase opératoire pour pro téger le nitrure de tantale centre le liquide décapant utilisé pour la gravure du tantale, on prévoit une couche mince de tantale au moins sur la partie du trajet conducteur, ayant la prooriété résistance, du nitrure de tantale, qui ne sera pas recouverte. 20 par le métal de l'électrode, une fois achevé le circuit intéqré à couche mince. La couche de tantale devra avoir une épaisseur telle qu'elle puisse réellement empêcher la variation de la résistance du nitrure de tantale au cours de la qravure de la couche de tantale utilisée pour la réalisation du condensateur et qu'elle 25 permette le déroulement du processus d'oxydation anodique décrit ci-dessous ; cette épaisseur sera de préférence comprise entre 100 et 500 Â . Il n'est pas nécessaire que la couche de protection de tantale recouvre la surface entière du trajet conducteur 30 résistant en nitrure de tantale et cette couche peut être formée sur la surface supérieure de la couche de nitrure de tantale. La raison est que la largeur du trajet de la résistance est ordi- O nairement supérieur à 50 p et l'épaisseur de l'ordre de 1000 A de sorte que l'érosion du nitrure de tantale dans la direction 35 latérale est négligeable. Par conséouent, la couche de protection en tantale pourra être formée facilement sur le trajet conducteur résistant en nitrure de tantale. Une couche de nitrure de tantale est d'abord formée sur toute la surface du substrat isolant par le procédé bien connu de pulvérisation cathodique dans une atmos-40 phère contenant de l'azote, et une couche de tantale est ensuite CQPY 71 04219 4 2079345 formée sur toute la surface de ladite couche de nitrure de tantale par pulvérisation cathodique dans une atmosphère pure d'argon ne contenant pas d'azote. Cette double couche est attaquée par photogravure afin de former une résistance correspondant à un tracé 5 prédéterminé. Le tantale et le nitrure de tantale peuvent être attaqués par un mélange d'acide fluorhydrique et nitrique. La deuxième phase opératoire pour la protection du nitrure de tantale contre le liquide décapant utilisé pour la gravure du tantale, est constitué par une oxydation anodique. Un 30 liquide de formation est appliqué à la double couche sur le substrat isolant pour effectuer l'oxydation anodique, la double couche étant l'anode et le liquide de formation étant la cathode. L'oxydation anodique est poursuivie jusqu'à ce que la couche supérieure du tantale soit complètement oxydée et qu'au 15 moins une partie de la couche de nitrure de tantale soit oxydée. La valeur de la résistance peut être ajustée par oxydation partielle du nitrure de tantale. C'est la raison pour laquelle la valeur de la résistance correspondant au dessin prédéterminé est toujours maintenue inférieure à la valeur souhaitée. 20 Le but de cette oxydation anodique est de former une couche mince de protection recouvrant le pourtour du nitrure de tantale et d'ajuster la valeur de la résistance, la couche su- -périaure du tantale étant alors complètement oxydée. Par cette oxydation anodique, la couche supérieure 25 de tantale est transformée en pentoxyde de tantale. La partie latérale de la couche de nitrure de tantale est aussi oxydée et, cet oxyde et la couche supérieure en pentoxyde de tantale protègent le nitrure de tantale contre l'air. Ainsi, le nitrure de tantale est recouvert par une couche mince de protection réalisant ainsi 30 une protection efficace du nitrure de tantale contre le liquide - décapant servant à "l'attaque du tantale. Ensuite, on forme selon la présente invention, une couche de tantale pur pour un condensateur. Cette couche de tantale pur peut être formée par le procédé, bièn connu et cité 35 plus haut, de pulvérisation cathodique et peut être formée sur toute la surface du substrat, sans utilisation d'un masque. Une zone de la surface du substrat est réservée à la formation du condensateur et elle est séparée de celle réservée à la résistance fabriquée antérieurement. Un produit résistant à l'attaque tel qu'une résine 71 04219 5 2079345 est déposé au moins sur la partie de la couche pure de tantale correspondant à ladite zone mentionnée ci-dessus, puis le substrat est immergé dans un liquide décapant. Le liquide décapant utilisé pour la gravure du 5 tantale est, comme il est bien connu, le mélange d'acide nitrique et d'acide fluorhydrique (HF = HNO^) et ce liquide décapant attaque et enlève la partie de la couche de tantale pure non recouverte par la résine. La couche de tantale déposée sur la résistance en nitrure de tantale est aussi enlevée par ce liquide déca-10 pant mais la face supérieure du nitrure de tantale n'est pas attaquée, étant donné qu'elle est recouverte par du pentoxyde de tantale. La partie latérale de la couche de nitrure de tantale est recouverte d'un oxyde du nitrure de tantale et cet oxyde n'a pas de propriété résistante à l'acide fluorhydrique, mais comme 15 l'épaisseur du nitrure de tantale est, comme il est décrit ci- dessus très faible par rapport à la largeur, l'érosion du nitrure de tantale dans la direction latérale est négligeable. Ainsi, la couche de tantale pour la formation du condensateur peut être gravée sélectivement sans qu'il y ait une gravure effective du 2D nitrure de tantale. La couche de tantale laissée sur ladite zone est oxydée par le traitement d'oxydation anodique, bien connu et cité plus haut, afin de former la couche diélectrique en pentoxyde de tantale du condensateur. Après la formation de la cou-25 che diélectrique du condensateur, la contre électrode du condensateur est fixée à la couche diélectrique et le condensateur est connecté à la résistance par une liaison conductrice réalisée par une couche mince métallique. La contre électrode et la liaison conductrice peuvent être formées avec une couche métallique mince 30 unique. Une couche mince en métal présentant une stabilité chimique et une conductivité électrique élevée, tel que l'or, est déposée sur toute la surface du substrat muni du condensateur et de la résistance, et cette couche mince métallique est gravée par photogravure dans le but d'obtenir le dessin souhaité. Ainsi 35 un circuit intégré RC peut être fabriqué. Lorsque ceci est nécessaire, une pastille de circuit intégré semi-conducteur monolithique est fixée à ce substrat afin d'obtenir un circuit hybride. Selon la présente invention une pluralité de condensateurs au tantale et une pluralité de résistances au tantale peuvent être 40 réalisés sur un seul substrat. 71 04219 6 2079345 A titre d'exemple on a décrit ci-dessous et représenté au dessin annexé une forme de réalisation de l'objet de l'invention. La figure 1 montre la relation qui existe entre 5 le temps d'immersion dans le mélange d'acide nitrique et d'acide fluorhydrique et le facteur de variation de la résistance d'une résistance courante au tantale ayant une couche mince d'oxyde de O 500 A, formée par oxydation anodique d'une couche de nitrure de tantale de 1000 A à 120 V. 10 La figure 2 est une vue de dessus de l'agencement du circuit intégré R-C réalisé selon la procédé de la présente invention. Les figures 3 à 12 sont des vues en coupe d'un substrat revêtu, exposant le processus de réalisation du circuit 15 intégré de la figure 2 ; et la figure 13 montre la relation qui existe entre le temps d'immersion dans le mélange d'acide nitrique et d'acide fluorhydrique et le facteur de variation de la résistance qui est représentée dans la figure 6. 20 ' En se référant maintenant à la figure 1, le fac- tfiur de variation de la résistance ar est le rapport entre d'une part la différence entre la valeur initiale de la résistance et sa valeur après avoir été immergée dans le liquide décapant, et d'autre part la valeur initiale de cette résistance, et comme cela 25 ressort de la courbe, la valeur de la résistance devient infinie lorsque le nitrure de tantale est complètement attaqué et cela au bout d'environ 5s. On a montré ainsi qu'une couche mince en nitrure de tantale ne présente pas une des propriétés résistances à 30 l'acide fluorhydrique comme on le croyait jusqu'alors. Ainsi, comme la résistance en nitrure de tantale est gravée par le liquide décapant utilisé pour la gravure de la couche de tantale déposée sur la résistance, il est pratiquement impossible, suivant la technique antérieure, de réaliser le con-35 densateur après la résistance. La figure 2 est une vue de dessus du circuit intégré RC réalisé selon le procédé de fabrication explicité à l'aide des figures 3 à 12. Le substrat 10 que l'on utilise pour cette 40 invention peut être une plaque en verre ou en céramique ou en un BAD ORIGINAL 71 04219 7 2079345 autre matériau analogue couramment utilisé dans cette technique, et ceci n'entre pas dans le cadre de l'invention. Une céramique en alumine émaillé convient pour le substrat 10 et son utilisation est aussi bien connue. Le subs-5 trat 10 doit être nettoyé proprement afin d'enlever tous les contaminants organiques avant qu'il soit placé dans le dispositif de pulvérisation cathodique. La résistance 11 en nitrure de tantale, ayant une couche de protection en surface, faite avec du pentoxyde de tantale, est munie d'électrodes en or 12 et 13 à ses 10 extrémités, ladite électrode 13 servant aussi de contre-électrode pour le condensateur au tantale 14 dont la réalisation suit celle de la résistance 11. Le condensateur au tantale 14 comporte une électrode 15 en tantale, un diélectrique en pentoxyde de tantale 16, formé pour oxydation anodique du tantale, et une contre 15 électrode 13. Pour simplifier l'explication, les figures 3 à 12 montrent des vues en coupe prises le long de la liqne X-X' du circuit intégré à couche mince au tantale de la figure 2. Dans la figure 3 la couche de tantale 17 est dépo- O 20 sée sur le substrat 10 sur une épaisseur d'environ 500 A. La couche de tantale 17 est transformée en pentoxyde de tantale à la suite d'un traitement thermique dans l'air à 500 °, pendant 5 heures. Le substrat 10 peut être protégé par cette couche de pentoxyde de tantale du décapant utilisé pour la gravure du nitru-25 re de tantale servant à la formation des trajets de la résistance. Le but et l'utilité de cette couche d'oxyde de protection sur le substrat 10 sont décrits en détail dans le brevet américain n° 3 220 938. Le substrat 10 revêtu par la couche d'oxyde de 30 protection est ensuite placé par exemple dans un dispositif de pulvérisation et, comme cela est représenté sur la figure 4, la O couche de nitrure de tantale 18 d'épaisseur 1000 A est déposée sur la couche d'oxyde de protection par pulvériqation réactive dans une atmosphère d'argon, la pression partielle de l'azote 35 étant comprise entre 5 et 20 x 10~4 torr ; de plus une couche O de tantale pur 19 d'une épaisseur de 300 A est déposée sur la couche 18 en nitrure de tantale par pulvérisation cathodique dans l'argon pur. La couche de nitrure de tantale est ordinairement o o déposée sur une épaisseur comprise entre 500 A et 2000 A. Dans 40 la présente invention l'épaisseur de la couche de tantale 19 joue 71 04219 8 2079345 un rôle très important. Si la couche de tantale est trop mince, le rôle protecteur du pentoxyde de tantale, obtenu à partir du tantale, pour la protection du nitrure de tantale, dans la présente invention, n'est plus satisfaisant. 5 D'autre part, si la couche de tantale est trop épaisse, l'oxydation anodique de toute la couche de tantale devient alors impossible. Une partie au moins de la couche de nitrure de tantale sous-jacente doit aussi être oxydée de sorte que la limite supérieure de l'épaisseur de la couche de tantale 19 est 500 &. 10 La limite inférieure de l'épaisseur de la couche de tantale 19 o est 100 A pour la raison décrite ci-dessus. L'épaisseur la plus souhaitable pour la couche de tantale est comprise entre 200 et 300 A. Une résine organique est déposée sur la couche de tantale 19 en suivant le dessin prédéterminé des trajets de la résistance. 15 Le substrat est plongé dans un mélange d'acide nitrique et d'acide fluorhydrique (2 parties en poids de HF ayant une concentration de 45% et 5 parties en poids de HNO^ ayant une concentration de 60%) et la double couche de tantale et de nitrure de tantale est attaquée pour former le dessin donné dans la figure 5. Pour faci-20 liter le traitement suivant d'oxydation anodique, il est intéressant de laisser un trajet conducteur 20 servant à l'opération de formation, constitué par ladite double couche et dont une extrémité est connectée au trajet de la résistance et dont l'autre arrive à la partie périphérique du substrat. 25 L'oxydation anodique est réalisée afin d'obtenir un trajet pour la résistance d'une longueur correspondant à celle donnant la valeur souhaitée pour la résistance. Pour cette raison, l'autre partie de la double couche (celle qui n'a pas une longueur spécifique) et la plus 30 grande partie du trajet conducteur 20 sont recouvertes par une résine organique. La partie du trajet conducteur 20 non recouverte par la résine est connectée à l'anode de la source de puissance et le substrat est plongé dans une solution à 0,01 % d'acide citrique dans l'eau. Le liquide servant à réaliser l'opération 35 de formation du dispositif est connecté à la cathode de la source de puissance. La tension d'alimentation est élevée jusqu'à 120 V O lorsque l'épaisseur de la couche de tantale est de 300 A. La profondeur de l'oxydation de la couche de tantale et de la couche du composé de tantale au cours de ce traitement d'oxydation anodi-40 que est déterminée par la tension. 71 04219 9 2079345 Une tension de 120 V peut oxyder la couche de tantale 19 complètement et peut aussi oxyder une partie de la couche sous-jacente de nitrure de tantale 18. Au cours de ce traitement d'oxydation anodique la 5 valeur de la résistance peut être ajustée à la valeur souhaitée par oxydation complète de la couche de tantale 19 et par oxydation partielle de la couche de nitrure de tantale 18. La vue en coupe du substrat, sur lequel le traitement d'oxydation anodique a été effectué, est représenté figure 6. La couche mince 21 ainsi 10 formée est composée du pentoxyde de tantale de la couche 19 et de l'oxyde du nitrure de tantale de la couche 18. Le substrat de la figure 6 est placé dans un dispositif de pulvérisation et, comme cela est représenté sur la figure 7 une couche de tantale 22 servant à la réalisation du condensateur est déposée sur toute 15 la surface du substrat. L'épaisseur de cette couche de tantale 22 O est ordinairement comprise entre 5000 et 10 000 A et dans le ^ O present montage l'épaisseur est de 5000 A. La couche de tantale 22 peut être gravée pour former le dessin désiré à l'aide de la technique bien connue de 20 photogravure, mentionnée plus haut, et comme cela est représenté figure 8, le tantale est laissé sur la zone superficielle du substrat sur laquelle le condensateur 14 doit être réalisé. Dans le présent montage, les couches de tantale 23, 24 sont aussi laissées au moins sur les parties terminales non oxydées de la double cou-Z che, en dehors du trajet de la résistance. Les couches de tantale 23 et 24 facilitent la liaison de l'électrode à la résistance et empêche la déconnexion due à la fusion du métal de l'électrode dans la matière à souder au cours de la soudure de la résistance à la borne de l'électrode. 30 En outre, pour faciliter la réalisation du diélec trique du condensateur, il est intéressant de laisser un trajet conducteur en tantale 25, dont une des extrémités est connectée à la couche de tantale, servant à réaliser ce condensateur et dont l'autre extrémité arrive à la partie périphérique du substrat. 35 Au cours de cette photogravure, le mélange d'acide nitrique et fluorhydrique cité plus haut, est utilisé comme liquide décapant et le tantale recouvrant la couche mince 21 est attaqué et enlevé. La couche de tantale 22 d'une épaisseur de 5000 A peut être totalement enlevée avec ce liquide décapant en 45 secondes. Au cours 40 de cette opération de gravure, la résistance est exposée pendant 71 04219 10 2079345 un temps très court à un mélange d'acide nitrique et d'acide fluorhydrique , qui attaque aussi le nitrure de tantale, mais qui n'a pas d'effet sur la résistance . Ceci paraît évident sur la figure 13 qui montre 5 la relation qui existe entre le temps d'immersion dans un acide fluorhydrique et le facteur de variation de la résistance de la figure 6, dont la partie autre que celle correspondant à la cou- ~ che 21 est recouverte par une résine. Il paraît aussi évident, en se référant à la figure 13, que -la résistance peut être 10 protégée, d'une manière satisfaisant contre le liquide décapant par le pentoxyde de tantale obtenu à partir du tantale déposé seulement sur la surface supérieure du nitrure de tantale. Ainsi, la couche de protection en pentoxyde de tantale peut être formée très facilement en déposant du nitrure de tantale sur le substrat, 15 en déposant du tantale sur le nitrure de tantale et ensuite en oxydant anodiquement le substrat, ledit traitement d'oxydation anodique servant aussi à ajuster la valeur de la résistance en nitrure de tantale. Ainsi la valeur de la résistance est a peine modifié au cours de la réalisation du dessin de la couche de 20 tantale 22. Dans le but de réaliser le diélectrique 16 de condensateurs, la couche de tantale 15 est recouverte sélectivement par une résine et le trajet conducteur 25, dans le but de réaliser l'opération de formation, l'est aussi ensuite. 25 L'oxydation anodique est réalisée de la même maniè re que l'oxydation anodique de la résistance. La tension utilisée est comprise entre 200 et 300 V. Comme cela est représenté figure 9, le diélectrique 16 en pentoxyde de tantale est réalisé, par cette oxydation O 30 anodique , l'épaisseur étant comprise entre 3000 et 5000 A. Dans le but de réaliser la contre électrode 13 du condensateur et l'électrode 12, le substrat est placé dans un dispositif d'évaporation sous vide, et, comme cela est représenté figure 10, une couche 26 d'alliage nickel-chrome est formée sur O O 35 une épaisseur comprise entre 200 A et 1000 A et une couche d'or 27 est déposée sur la couche d'alliage avec une épaisseur comprise entre 3000 A et 5000 A. On peut remplacer la couche en alliage nickel-chrome par une couche en titane. Le dessin des électrodes peut 40 être réalisé par photogravure. Une solution d'iode et d'iodure 71 04219 ii 2079345 de potassium dans l'eau peut être utilisée pour la gravure de l'or et l'acide fluorhydrique ou une solution de sulfate cérique et d'acide nitrique dans l'eau peut être utilisée pour la gravure de l'alliage nickel-chrome. 5 Une vue en coupe du substrat, sur lequel les électrodes 12 et 13 ont été formées, est représentée figure 11. Dans une dernière phase d'attaque, les trajets conducteurs 20 et 25, sont attaqués sélectivement et enlevés par emploi d'un mélange d'acide nitrique et fluorhydrique. Une vue 10 en coupe du substrat sur lequel le circuit RC est achevé est représenté figure 12. Dans un dispositif à couche mince, le recuit est particulièrement important et par ce traitement on peut stabiliser les caractéristiques de la résistance et du condensateur. 15 Le recuit réalisé à une température faible ne permet pas d'obtenir pour la résistance des caractéristiques satisfaisantes et le recuit réalisé a une température élevée donne des caractéristiques insatisfaisantes pour la capacité. La température optimale du traitement thermique 20 est comprise entre 20C° et 250°C et sa durée optimale est de l'ordre de quelques heures. Bien que l'invention ait été décrite à l'aide d'un montage particulier pour illustrer, on doit comprendre que l'étendue de l'invention n'est pas limitée à la forme de réalisation 25 décrite qui peut être modifiée sans sortir du cadre de l'invention. 71 04219 12 2079345 - REVENDICATION -1. Procédé de fabrication de circuits intégrés à couche mince caractérisé par les phases opératoires qui consistent à former une couche de nitrure de tantale sur un substrat 5 isolant, à former une première couche de tantale sur ladite couche de nitrure de tantale, à attaquer sélectivement et à enlever ladite couche de nitrure de tantale et ladite première couche de tantale dans le but de former le dessin prédéterminé des trajets de la résistance, à oxyder anodiquement une partie desdits 10 trajets de la résistance, ladite première couche de tantale étant complètement oxydée et au moins une partie de ladite couche de nitrure de tantale étant oxydée à travers la première couche de tantale, à former une deuxième couche de tantale sur toute la surface dudit substrat, et à attaquer sélectivement ladite se-15 conde couche de tantale par un traitement de photogravure afin de laisser subsister une couche de tantale sur une zone superficielle dudit substrat, séparée de l'autre zone superficielle sur laquelle sont formés les trajets de la résistance.