FR 2058192 A1 19710528 FR 7014824 A 19700423 70 14824 i.- 20581-92 La présents invention se rapporte au domaine des dispositifs semi-conducteurs, et plus spécialément à la diffusion de platine dans le corps du dispositif de façon à améliorer ses caractéristiques. 5 L'utilisation courante des semi conducteurs, pour réaliser des ensembles électroniques, surpasse,de loin, l'utilisation des tubes à vide. Les ensembles électroniques modernes, c'est-à-dire les calculateurs numériques et les systèmes télémétriques, exigent des composants qui puissent être utilisés 10 dans de larges gammes de fréquence et de puissance,, Le besoin s3est affirmé de composants qui possèdent des vitesses de commutation élevées et/ou des caractéristiques de gain en courant élevé. Les dispositifs semi-conducteurs au silicium de la. technique antérieure ont donné satisfaction jus-15 qu'à ce que la vitesse, le gain,.et d'entrés exigences électriques imposées par les ensembles électroniques modernes, surpassent l'état alors existant de la technique. Dans le .-as d'une diode au silicium, la vitesse globale dépend, dans une grande mesure, du temps de recouvrement de la diode, lorsque la tension de polarisation aux bor-20 nés de la diode est passée de l'état direct à l'état inverse, c'-eat-à-dire du t«aaps nécessaire pour passe? d© l'état basse impédance à l'état haute impédance. Dans une jonction PNS le temps de recouvrement inverse est fonction de la durée de vie des porteurs minoritaires. Dans -une diode, plus les porteurs minoritaires peuvent 25 être recoabinés rapidement, c'est-à-dire plus la durée de vie est faible, et plus la vitesse de commutation est rapide. Une vitesse de commutation plus rapide est donc synonyme d'un temps de recouvrement inverse plus rapide. La technique antérieure fait appa-30 raître l'emploi de Ieor pour réduire le temps de recouvrement dans les diodes. L'or était diffusé dans tout le corps de.la diode, en provoquant des centres de recombiBaison supplémentaires dans le si-liciua0 I-a recombinaison des porteurs minoritaires étant augmentée, le temps de recouvrement inverse de la diode était diminué* 35 le pr~blè*se laissé sans solutions par la technique antérieiïrs se rapporte à la dégradation des caractéristiques électriques inverses qui accompagne l'emploi de l'or comme réducteur des durées de vie des porteurs minoritaires. Par exemple P la diffusion d© l'or dans tout le corps de la diode a comme ef-40 fet d'augmenter le courant inverse dans la jonction EH polarisée en FBAD ORtGimtj i ?0 1:4324 2- ; 2053192 inverse» La présente invention réspud les problèmes laissés sans solution par la technique antérieure^ en diffusant du platine dans le silicium à la place de l'or. La technique antérieure suggère l'emploi de platine, mais elle n'enseigne pas la manière exacte de l'em-5 ployer pour parvenir aux résultats inconnus et désirés. La technique antérieure ne fait apparaître aucuns moyens grâce auxquels la diffusion d'un matériau réduirait le temps de commutation d'un transistor, sans qu'il y ait dégradation eoneommittant© du gain en courant9 elle ne suggère même 10 pas que cela puisse être réalisé. Puisqu'un transistor est fondamen-talement im dispositif à porteurs minoritaires9 la réduction de la - durée de vie des porteurs minoritaires se fait au détriment du principe d'un gain en courant élevé» Pour illustrer ce principe, quand des porteurs minoritaires sont injectés dans la région de la base 15 à partir de la région émetteur dsua transistor9 plus la recombinai- - son des porteurs minoritaires se fait à une vitesse faible, plus le courant de base nécessaire sera faible <> Pour4 un courant collecteur donné9 plus le codant d® base nécessaire est faible, plus le taux de transfert en courant direct est élevé, c'est encore le gain. Puis-20 que l'or ne permet qu'une reeombinaison aveugle des porteurs minori- - tairas» la diminution du temps de recouvrement inverse se fait au pris d'une dégradation, du gain en courant® La- présente invention ré- - soud ce problème en diffusant du platine d'une manière particulière dans le transistor au silieiumo Le" -platine- agit de façon à réduire 25 le temps de commutation du dispositif, sans qu'il y ait une perte importante du gain en courant qui accompagne généralement un procé-'- dé de diffusion utilisant de l5or0 . ; . > -De pluSp- l'emploi de l'or provoque ra une dégradation des caractéristiques-électriques inverses d'un 30 >: - trangistorey es©st^à , - .• . Se-présents invention a donc pour . 35- '• îwLt" de réaliser" un dispositif semi=conâucteHr qui possède--des vitesses de - commutation améliorées !t®& prévoyant" une jonction PF dans la- - quelle une impureté est injectée de "faç-oâ- à réduire la àurée de vie . des- porteurs.-minoritaires- -sans--- qu* ±1 y ait- "dégradation corresponds^-t® des caractéristiques- électrique s 0- -■-40 - _ - . - L'invention a-pour objet un procé- BAD ORIGINAL 10 14824 3.- 2058192 dé pour fabriquer un dispositif semi-conducteur qui comporte au moins une jonction PN dans un cristal de silicium, procédé caractérisé en ce qu'on diffuse du platine dans le cristal en le chauffant,, en présence de platine à une température comprise entre 925° et / f 5 965°C/pendant un temps suffisant pour diffuser des atomes de platine dans 'le cristal. Ce procédé permet de fabriquer des dispositifs semi-conducteurs ayant des vitesses de commutation éle-vées^sans que les caractéristiques électriques avantageuses soient 10 perdues, et notamment un transistor à gain en courant élevé, ou également des diodes qui possèdent des valeurs uniformes faibles de temps de recouvrement inverse, les caractéristiques électriques directe et inverse étant améliorées de manière correspondante. l'objet principal de cette invention 15 consiste à réaliser un dispositif semi-conducteur qui possède une vitesse de commutation améliorée, sans supporter une sérieuse dégradation des autres caractéristiques électriques, la mesure de la vitesse de commutation se fait grâce au temps de recouvrement inverse ch. dispositif, il convient donc de définir le terme. Une jonction PN^ 20 polarisée en direct, conduira une quantité donnée de courant direct. Si, au moment (tQ),une impulsion polarisée en inverse est appliquée à la jonction PU, le temps entre le début de l'impulsion (tQ) et le temps (t^),quand le courant de polarisation inverse dans la jonction atteint 10 % de sa valeur maximum^est défini comme le temps de recou-25 vrement inverse (trr). En d'autres mots % t SB t4 — t rr 1 o Dans le cas d'une jonction PN (diode), le temps de recouvrement inverse est principalement fonction de la durée de vie des porteurs minoritaires dans le matériau semi-30 conducteur, c'est-à-dire du temps nécessaire pour la recombinaison. la présente invention utilise la diffusion du platine dans le corps du dispositif, la diffusion du platine dans la diode sert à diminuer la durée de vie des porteurs minoritaires, la vitesse obtenue avec du platine diffusé^conformé-35 ment à cette méthode de l'invention, est beaucoup plus rapide que celle obtenue avec de l'or diffusé. De plus, un dispositif avec du platine diffusé, produit conformément à la présente invention, donne des résultats inattendus à la lumière de la technique antérieure. Celle-ci traite de l'emploi du platine, mais, de manière si générale, 40 qu'elle passe sous silence les objectifs recherchés, et qui sont at- 70 14824 4.- 2058192 teints grâce à cette invention. Une diode au silicium diffusée avec du platine possède un courant de fuite plus faible, une vitesse de commutation plus rapide, et une tension de rupture plus élevée qu'un dispositif identique diffusé avec de l'or. 5 Dans le cas d'un transistor, le fait de diffuser du platine dans, le corps du dispositif,, en soumettant le matériau à une température comprise entre 925° et 965°C. Réduira le temps de commutation, sans détruire le gain en courant direct. On suppose qu'il se produit une dichotomie à cause du fait qu'un tran-10 sistor est principalement un dispositif à porteur minoritaire, et que la non-recombinaison des porteurs minoritaires est la base d'un gain en courant élevé. Quoique la raison précise n'ait pas été trouvée, on suppose que le fait de diffuser du platine provoque la recombinaison des trous libres et non celle des électrons libres. Ce ré-'15 sultat permet 5à un transistor où on a diffusé du platine^d'avoir un temps de commutation plus faible qu'un transistor standard, ou bien qu'un transistor diffusé avec de l'or, et de plus, le gain du dispositif est beaucoup plus important que celui d'un dispositif oîi on a diffusé de 1'or. 20 La présente invention peut être uti lisée pour fabriquer en même temps un ou plusieurs transistors pu diodes, elle est donc applicable à la fabrication de circuits intégrés. La description suivante se rapporte, 25 à titre d'exemple, à un mode de réalisation avec référence aux dessins annexés, dans lesquels g - la figure 1 est une vue en coupe d'une jonction PN fabriquée conformément à cette invention, - - la figure 2 est une vue coupe d'- 30 un transistor diffusé fabriqué conformément à cette invention, - la figure 3 est un graphique donnant la probalité statistique des valeurs de temps de recouvrement inverse d'une jonction PN, - la figure 4 est un graphique don-35 nant la probabilité statistique des valeurs de courant inverse d'une jonction PN, - la figure 5 est un graphique donnant la probabilité statistique des valeurs de tension de rupture d'une jonction PN, 40 - la figure 6 est un graphique don 70 14824 2058192 nant la probabilité statistique des valeurs de gain en courant de transistors diffusés avec de l'or ou du platine. Un premier mode de réalisation de 1*invention est illustré dans la figure 1, dans laquelle est repré-5 sentée une diode à titre d'exemple. Une diode, comme celle de la figure 1, consiste par exemple en tua substrat de silicium 10 de conductivité de type Njdans lequel est diffusée une région active 11 de conductivité de type P. Une couche de passivation 129 par exemple du bioxyde de silicium, est disposée sur la surface de la pastille de 10 silicium, et on utilise ensuite les techniques classiques de décapage pour préparer la pastille de silicium en vue du dépôt des contacts métalliques 13 et 14. La méthode de préparation de la diode peut être réalisée par des techniques classiques connues, et ne fait donc pas partie de cette invention. La diode de la figure 1 n'est représentée 15 qu'à titre d'exemple. Une diode .^préparée conformément à cette invention, le sera par des techniques classiques, mais^avant que les contacts métalliques soient déposés^ du platine est diffusé dans toute la pastille de silicium. La surface inférieure 15 et/ou 20 les surfaces latérales 16, sont revêtues d'une mince couche de platine. Le dépôt de platine peut être fait grâce à des méthodes connues, mais il est réalisé de préférence par évaporation ou pulvérisation. La pastille de silicium est alcx°s chauffée a une température comprise entre 925° et 965 °CS pendant un temps qui est adéquat pour 25 diffuser le platine dans tout le corps de la pastille de silicium. Le temps sera compatible avec la température, les résultats désirés consistant en une dispersion absolument uniforme du platine dans la pastille. La technique antérieure laisse brièvement apparaître le platine comme pouvant réduire la durée de vie des porteurs minori-30 taires, mais la gamme de températures envisagée est beaucoup trop large. La température envisagée ici est importante pour obtenir l'objectif qui est la non-dégradation des propriétés électriques» Lorsque le platine a été diffusé dans la pastille de silicium, les contacts métalliques 13 et 14 sont déposés sur la région 11 de conduc— 35 tivité de type P et sur la région 10 de conductivité de type respectivement. Une diode^préparée conformément à cette invention, présentera tin temps de recouvrement inverse plus bas, c'est—à—dire une vitesse de commutation plus élevée, qu'une 40 diode standard ou une diode diffusée avec d© Ieor» De plus, les ca- 2058192 ractéristiques électriques- de là diode seront bien- meilleurés que . celles que laoa trouve airec une diode fabriquée conformément à la technique antérieure0 " Le -teaips de recouvrement Iwerse 5 (t ) âHme diode set déteraiaé aa rassurant le temps dans lequel la joaetioa HT revient dans m état haut® impédance lorsqu'est retiré© l'impulsion -électrique qui soumet la jonction PI à être dans 1®état polarisé ©a inverse* Sa s© référant à la figure 11 si la diode qui y ©8'fe r®prés®nté® était polarisé© en directg les électrons libres 10 b& déplaceraient^ travers la jonction Hl^da la région 10 vers la -région 1ÎS.les trous libres s® déplaçant' de la région 11 vers la région 10c Quand la diode est- polarisé® m îmr@r~m9 pins la eoueïae d®« appsuvrisgeme&t à l'endroit de la joaetioa ES peut être vidée rapidement des porteurs minoritaires, plia® 1© temps de commutation sera-15 rapid®o 1® platine diffusé daaa la diode » eonforméseat à cette iav©atioa& provoquera des centres d® recosabisaisîm q&i réduiront la duré® d© vie des porteurs sîisœ?itair®isg s® §mi assure i@s vtt®®s®g de eesautatioa beaucoup plias rapides© - - 11- ®st Jjô^^:aora|s^ss&--4;g,-- t-g-g^si^isgp âO oix© l'or réduit_1& das porteurs minoritaires dans un® . iiôQgp"sais l'emploi du platine s'avère être bien meilleur» .et d® plus, on obtient d®s résultats inattendus $usqush aujourd'hui., Des expériences accomplies ®ar un® jonction SI ont pemis d'établir qu® 1® temps d® recouvrement lavera® de'ces dispositifs,fabriqués eon» '15 fors&éaeat à cette lavention9 est beaucoup plus faible que celui ©b=» tenu avec des diodes '©& on a'diffusé de l®or0 I®. teeMifûe antérieur re a fait allusion à l'emploi du platine'pour réduir® la durée d® vi® d®s port surs minoritaires^ saie on a négligé ©ompXètassmt d® parvis® sir à obtenir d® bonnes caractéristiques électriques Soutes 1®© ca On a également trouvé qu'avec des température® de diffusion dépassant iOOO^on ob» 35. tenait d®s dispositifs*qui étaient au mieux légèrement améliorée? ®t géalral®a@at d® qualité inférieur® sus dispositifs bbt®sras par procédé d© diffusioa à l8@ro " - Sa figer® 3 représent® ma distri» bution probable des dispositifs ©a ce qui concerne 1® temps de r®c©u«= 4© •srosie-nt laisses® 0 S'ordosasé® ^r&pMqu® est 1© temps d® recouvrement 70 14824 BAD ORIQi""!. U 70 14824 7.- 2058192 inverse mesuré en nanosecondes; l'abcisse représente un certain nombre parmi un échantillonnage complet, soit la quantité mesurée en pour cent de l'échantillonnage complet. Au point A, 50 % des jonctions PN fabriquées conformément à cette invention auront un temps 5 de recouvrement inverse d'environ 6P5 nanosecondes ou moins, tandis que 50 i° des jonctions PN fabriquées avec de l'or diffusé auront un temps de recouvrement inverse d'environ 16 nanosecondes ou moins» La figure 4 représente une distribution probable des jonctions PN en ce qui concerne le courant inver-10 se à travers la jonction. L'ordonnée du graphique est mesurée en microampères, l'abcisse représente la quantité mesurée en pour cent de l'échantillonnage complet» Le courant inverse étant une mesure du courant à travers une jonction polarisée en inverse, il peut y avoir de sérieux problèmes si le nombre est excessif. Au point B, 15 50 io des jonctions PN fabriquées conformément à cette invention auront un courant inverse d'environ 0,025 microampères ou moins, 50 $ des jonctions PN fabriquées avec de l'or diffusé auront un courant inverse d'environ 0,16 microampères ou moins. La plarisation inverse maximale _2Q quJ-nnp jnnntjon PN peut, par exemplev tolérer en toute sécurité, est définie comme laTteàMim-^re--claguage. Il y aura généralement un faible courant de fuite à l'état polarisé eiT~inv^rse-?--à^gËiuse du petit nombre de couples de trous-électrons qui sont produitethermique-ment au voisinage de la jonction. Les charges des atomes donneur et 25 accepteur dans la région d'appauvrissement ,produisent une tension qui est égale et opposée à la tension de polarisation inverse appliquée aux bornes de la jonction. Lorsque cette tension augmente, un point sera atteint où les électrons qui traversent la jonction (colorant de fuite) peuvent acquérir suffisamment d'énergie pour produire des 30 couples supplémentaires de trous-électrons lors de leur collision avec les atomes semi-conducteurs. La tension à laquelle cela sevproduit est la tension de claquage. L'emploi du platine pour réduire la durée de vie des porteurs minoritaires augmente la tezisionnàe claquage de la jonction PN, d'une manière qui est inattendue .d'apuèsi . 35 ce que l'on savait de la technique antérieure. Une.distribution.probable de la tension de claquage des jonctiqns PN seïa mieux es-jïiijiée en se référant à la figure 5» En regardant au point C, 50 $ de l'échantillonnage des jonctions PN/? fabriquée s conformément au procédé -de diffusion par l'or, auront une tension de claquage qui est envi-»r 40 ron de 150 volts ou plus, tandis que 50 de la échantillonnage* vdea ta 70 14824 8.- 2058192 I jonctions PN?fabriquées conformément à cette invention, auront line tension de claquage qu,i est environ de 175 volts ou plus» Les caractéristiques présentées dans les figures 3, 4 et 5 représentent des résultats qui sont to-5 talement inattendus, d'après la technique antérieure. L'expérimenta- . tion a permis d'établir qu'une gamme de température de 925°-965°C est un facteur dominant pour obtenir les résultats que présentent les dispositifs oïi est diffusé du platine. Un autre mode de réalisation de 10 cette invention est représenté à la figure 2, sous la forme d'un transistor» Celui-ci est un transistor diffusé» Une pastille de silicium 20 de conductivité de type N est la matière de départ. Grâce à l'emploi de techniques classiques d'oxydation et de masque, la région base 21 y,et la région émetteur 22, sont diffusées dans la pas-15 tille de silicium 20» La région 21 est de conductivité de type P et utilise des dopants classiques, par exemple du bore» La région 22 est de conductivité de type N et utilise un dopant classique, par exemple du phosphore» A titre d'exemple, la région N+ fortement dopée, 20a, est diffusée dans la pastille de silicium 20. La région 20 N+ 20a facilitera l'amélioration des connexions électriques. La couche de passivation 23 sexa décapée de manière classique, de façon à avoir accès aux régions actives pour y fixer les contacts métalliques 24, 25 et 26. Avant le dépôt ou toute autre fixa-25 tion classique des contacts métalliques 24, 25 et 26, le transistor sera traité conformément à l'invention. Une couche de platine est déposée sur les surfaces latérales 28 et/ou sur la surface inférieure 27,par des moyens classiques, mais, de préférence, par évapora-tion ou pulvérisation. Le transistor au silicium^avec la couche de 30 platine déposée^est alors chauffé entre 925° et 965°C pendant un temps qui est suffisant pour diffuser complètement le platine dans le corps du transistor. Lorsque le platine a été diffusé dans le transistor, les contacts métalliques 24, 25 et 26 sont connectés é-lectriquement aux régions actives 20a, 22 et 21, respectivement» La 35 manière décrite dont le transistor est fabriqué, n'est donnée qu'à titre--à''exemple, et elle n'a pas pour but de fixer aes limites à la présente invention. L'emploi du platine pour réduire la durée de vie de porteurs minoritaires dans un transistorv provo-40 que une dichotomie» Un transistor est un dispositif de gain en cou- 70 14824 9.- 2053192 rant, donc n'importe quel procédé qui détériorerait le gain en courant, même au prix de vitesses de commutation plus rapides, est tout au plus d'un avantage limité. Par exemple, dans le cas d'un transistor. NPN, la jonction base-émetteur est polarisée en direct, avec 5 le résultat que les électrons sont injectés par l'émetteur dans la base. Les électrons diffusent à travers la base et circulent aux bornes de la jonction collecteur. Plus l'efficacité du débit d'électrons qui traversent la base est grande , plus faible est le colorant de base nécessaire pour un courant collecteur donné,' on obtient par 10 suite, un dispositif à gain élevé. Si les porteurs minoritaires sont recombinés sans discrimination, le gain sera diminué, ce qui limite l'efficacité du transistor. Quoiqu'il n'y ait pas d9explication possible connue, on croit que le platine diffusé est un piège à trous et non un piège à électrons, tandis que l'or est un piège indistinct 15 de porteurs minoritaires. Des caractéristiques empiriques obtenues avec des transistors NPH prouvent à l'évidence que le taux de transfert du courant direct d'un transistor diffusé avec du platine, fabriqué conformément à cette invention, sera beaucoup plus 20 grand que celui d'un transistor diffusé avec de l'or. La figure 6 compare la distribution probable du gain en courant d'un transistor fabriqué conformément à cette invention, avec celui d'un transistor fabriqué avec un procédé de diffusion à l'or. L'ordonnée représente le gain en courant direct (b); l'abeisse est calibrée pour mesurer 25 un certain nombre de transistors parmi m échantillonnage complet, ce nombre étant normalisé en pourcentage,, Au point (D), 50 $ des transistors fabriqués conformément à cette invention ont un gain en courant d'environ 50, tandis que 50 fo des transistors diffusés avec de l'or ont un gain en courant d'environ 14 ou moins. 30 Le transistor fabriqué conformément à cette invention aura une vitesse de commutation qui dépasse celle d'un dispositif diffusé avec de l'or, et, de plus, ne verra pas son gain dégradé. Corne exemple de vitesse de commutation, pour un transistor standard, qui a un temps total d.8ouverture et de fermeture d'-35 environ 250 nanosecondes, le dispositif diffusé avec de l'or a un temps total d8ouverlmre-fermeture d5environ 100 nanosecondes, tandis--que celui conforme à cette invention voit son temps total baissé à environ 50 nanosecondes. In corollaire à la vitesse de commutation, un transistor standard, ayant un gain ea courant direct d5 environ 70 49 aura par ©zesapls tm. gain ©a courant d "environ 20 quand de l'or est 70 14824 10- 2058192 diffusé dans le dispositif » La diffusion de platine dans tan dispositif standard abaissera le gain en courant direct jusqu'à environ 60, un nombre qui est bien amélioré sur celui obtenu avec un dispositif diffusé avec de l'or» 5 Le fait de diffuser du platine dans un transistor au silicixm, conformément à cette invention? donne lieu à des caractéristiques électriques qui sont totalement inattendues à la lumière de la technique antérieurea L!emploi d'un transistor avec de 1° or diffusé donnera des caractéristiques de jonction 10 identiques à celles d'une diode9 c9est-=à~dire un courant de fuite en augmentation. La diffusion du platine, conformément à cette invention, fournit un dispositif possédant une vitesse de commutation qui dépasse de beaucoup celle d'un transistor standard„ et qui a d'autres caractéristiques électriques qui ne sont pas tellement dé-15 gradées par rapport à celles d'un, transistor standard. Les caractéristiques données ci-dessous permettent de comparer un échantillonnage statistique de transistors fabriqués conformément à cette invention à un échantillonnage statistique de transistors standard. 20 CARACÏE- y y y T RISTIQUES ce ces ebo cbo 25 CONDITIONS Vce=5V Yce=5V Vce=5V I =100ma I =150ma I =40QmaSat. I =1ma I -ina V ,=75~v w w O -w C D STANDARD 61 65 77 .184 102 6.8 >010 PLATINE DIFFUSE 51 52 55 .35 170 6.8 .019 30 DEGRADATION {io DE STAN- o84 o80 .12 1 DARD) On s'est rendu compte qu'un tran^ 35 sistor diffusé avec de l'or verra ses caractéristiques électriques dégradéesP de plus d'un ordre de grandeurP par rapport à celles d'un transistor standard? par opposition aux nombres donnés ci-dessus pour un dispositif fabriqué conformément à la présente invention* bm original 70 14824 n.- 2058192 Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ci-dessus décrits et représentés, à partir desquels on pourra prévoir d'autres- variantes de réalisation sans pour cela sortir du cadre-.de l'invention. 70 14824 12.- 2058192 REVENDICATIONS 1.- Procédé pour fabriquer un dispositif semi-conducteur qui comporte au moins une jonction PN dans un cristal de silicium, procédé caractérisé en ce qu'on diffuse du 5 platine dans le cristal en le chauffant,en présence de platine,à une température comprise entre 925° et 965°C>1 pendant tin temps suffisant pour diffuser des atomes de platine dans le cristal. 2.- Procédé pour fabriquer une diode au silicium conformément à la revendication 1, caractérisé en ce 10 qu'on réalise un cristal au silicium ayant une jonction PN à l'intérieur, on chauffe ce cristal, en présence de platine, à une température comprise entre 925° et 965°C>pendant un temps suffisant pour diffuser des atomes de platine dans ce cristal. 3.- Un transistor au silicium, con-15 forme à celui obtenupar 3e procédé de larevendication 1 f que l'on peut utiliser comme commutateur rapide, caractérisé en ce qu'il comprend une première région de type de conductivité donné^disposée entre un couple de secondes régions d'un second type de conductivité auxquelles elle est contigtte, du platine étant diffusé dans le cristal de 20 silicium suivant une concentration essentiellement uniforme. 4.- Transistor au silicium suivant la revendication 3f caractérisé en ce que la première région est de conductivité de type P et les secondes régions sont de conductivité de type N. 25 5«- Procédé pour fabriquer un tran sistor suivant la revendication 3, caractérisé en ce qu'on réalise un cristal de silicium avec une première région d'un premier type de conductivité,qui est disposée entre un couple de secondes régions d'un second type de conductivité auxquelles elle est contigfie, 30 • et on diffuse du platine dans ce cristal en chauffant celui-ci en présence de platine,jusqu'à une température comprise entre 925° 965°C pendant un temps suffisant pour diffuser complètement du platine dans le dit cristal. 6.- Procédé suivant la revendica-35 tion 5, caractérisé en ce que le cristal de silicium est réalisé sous forme d'un transistor NPN.