FR 2096801 A1 19720225 FR 7123966 A 19710630 La présente invention est relative à un procédé de montage de dispositifs électroniques et concerne plus particulièrement un procédé de montage de semi-conducteurs sur des éléments métalliques ou céramiques tels que des embases, des puits de chaleur ou analogues, procédé au cours duquel on utilise, soit un alliage ou des couches en aluminium-germanium, soit un alliage aluminium-germanium-zinc. Jusqu'ici, on a utilisé divers procédés pour le montage de dispositifs électroniques. Ainsi, suivant l'un de ces procédés antérieurs, les surfaces correspondantes d'un dispositif semi-conducteur au silicium et d'un élément qui reçoit ce dernier, tel qu'une embase ou analogue, sont revêtues de couches minces en or. Ensuite, les couches d'or sont mises en contact et l'ensemble qui en résulte est chauffé au-dessus de la température eutectique or-silicium, le dispositif semi-conducteur étant frotté contre l'élément de support jusqu a ce qu'un alliage or-silicium soit formé. Des procédés de montage de dispositifs électroniques de ce type sont très coûteux en raison de l'utilisation de l'or.Par ailleurs, l'or a une certaine tendance a s'allier de façon préférentielle, ce qui peut être nuisible dans certains dispositifs. On a également utilisé des alliages en aluminium-germanium pour le montage de dispositifs électroniques. Par exemple, dans l'un de ces procédés, des couches d'aluminium et de germanium sont appliquées aux surfaces correspondantes d'un dispositif semiconducteur et d'un élément de support. Lorsque les couches sont placées en contact et chauffées, il se forme un alliage aluminiumgermanium et l'alliage relie le dispositif semi-conducteur à l'élément de support. On a également réalisé des alliages aluminiumgermanium sous forme d'éléments préformés. Un tel élément préformé est placé entre un dispositif semi-conducteur et un dispositif de support, l'ensemble qui en résulte étant chauffé jusqu'à ce que l'élément préformé fonde, à la suite de quoi une liaison est formée entre le dispositif semi-conducteur et le dispositif de support. Les procédés de montage qui utilisent des alliages aluminiumgermanium sont préférables par rapport à ceux qui utilisent un alliage à l'or, étant donné que les alliages aluminium-germanium sont beaucoup moins coûteux que l'or. De plus, dans les gammes de températures mises en jeu, ni l'aluminium, ni le germanium n'a tendance a former un alliage préférentiel. Malheureusement, les procédés de montage de dispositifs électroniques utilisant l'alliage aluminium-germanium que l'on a mis en oeuvre jusqu'ici, présentent également certains désavantages. Par exemple, en raison des dimensions extrêmement réduites qui sont caractéristiques des dispositifs semi-conducteurs actuels, il est très difficile de positionner de façon précise l'élément préformé par rapport au dispositif semi-conducteur.Par ailleurs, le stade de fabrication utilisé pour réaliser l'élément préformé de l'alliage donne lieu à des couches d'oxyde qui entourent les éléments préformés. Alors, lorsque les éléments préformés sont fondus, la couche d'oxyde forme une poche qui doit être percée avant qu'une liaison adéquate puisse être réalisée. Les procédés antérieurs de montage par alliage aluminiumgermanium qui mettent en jeu des couches séparées d'aluminium et de germanium présentent également certains désavantages. Par exemple, en raison des dimensions mises en jeu, il est très difficile de former une couche métallique sur un dispositif de support dans la position exacte à laquelle le dispositif semi-conducteur doit être placé.De plus, dans la plupart de ces procédés, une couche de germanium est laissée à découvert. Il en résulte la formation d'oxyde de germanium qui est très difficile à percer. Par ailleurs, l'alliage aluminium-germanium fond à 4240c et certains dispositifs électro- niques sont endommagés à des températures situées au-dessus de 4000C.De plus, dans certaines opérations de fabrication, il est souhaitable de monter des sous-ensembles comprenant des composants liés avec l'alliage eutectique aluminium-germanium. Il existe donc un besoin d'un matériau de liaison ayant une température de fusion située dans la gamme de températures aux alentours de 3700C. Pour être acceptable, un tel matériau doit adhérer facilement,# la fois, au dispositif électronique et à l'élément de support, présenter une rigidité mécanique convenable et être adapté à des procédés de fabrication en grande série. Si on se réfère au Tableau Périodique des Eléments, presque tous les éléments peuvent être éliminés comme constituants possibles d'un tel matériau, soit en raison de leur point de fusion élevé, soit en raison du fait qu'ils ont tendance à former des composés à des points de fusion élevés. Les éléments restants, c1est-à-dire ceux qui fondent à une température relativement faible et qui forment des eutectiques binaires, ayant des températures de fusion faibles, sont l'aluminium, le gallium, le germanium, le magnésium, le silicium et le zinc.Des études antérieures d'alliages comprenant ces élément ont donné lieu à des recherches sur les systèmes ternaires suivants aluminium-magnésium-zinc, aluminium-magnésium-s ilicium, aluminium-magnésium-germanium, aluminium-germanium-silicium et aluminium-silicium-zinc. Toutefois, à l'exception de l'eutectique zinc-quantité importante d'aluminium-magnésium-zinc, alliage qui fond à 3430C, aucun de ces systèmes ne constitue un alliage ayant une température de fusion qui est située en-dessous de celle de l'alliage eutectique aluminiumgermanium. L'invention a pour but de fournir un procédé de montage de dispositifs électroniques qui remédie aux désavantages de la technique antérieure. En appliquant l'invention, les conditions de température, c'est-à-dire au-dessus de 4000C, permettent d'appliquer une couche d'alliage d'aluminium-germanium sur un dispositif semiconducteur. Par ce moyen, la couche d'alliage est positionnée par rapport au dispositif semi-conducteur, la nécessité, soit de positionner un élément préformé, soit de placer de façon précise une couche métallique sur un dispositif de support, étant éliminée. Suivant une première caractéristique de l'invention, la couche d'alliage comprend des couches séparées d'aluminium et de germanium. L'oxydation du germanium est empêchée en formant une couche d'aluminium sur la surface de germanium extérieure Pour des conditions de température en-dessous de 4000C, on prévoit un alliage eutectique ternaire comprenant, en pourcentage en poids, 20 % d'aluminium, 23 % de germanium et 57 % de zinc, cet alliage ayant un point de fusion à 3700C et remplissant les autres conditions des matériaux de liaison appropriés pour des dispositifs électroniques ; c'est-àdire : l'alliage terna-ire adhère facilement aussi bien aux dispositifs électroniques qu'aux dispositifs de support, présente une rigidite mécanique convenable et peut être adapté à des processus de fabrication en grande série. D'autres caractéristiques de l'invention apparaîtront au cours de la description qui va suivre, en se référant aux dessins annexés donnés uniquement à titre d'exemple et sur lesquels la Fig. 1 montre un premier mode de réalisation de l'invention ; la Fig. 2 illustre les résultats de la mise en oeuvre de l'invention les Fig. 3 et 4 montrent respectivement un deuxième et un troisième modes de réalisation de l'invention les Fig. 5 et 6 montrent des stades successifs d'un procédé de montage utilisant l'invention la Fig. 7 montre un autre procédé de montage suivant l'invention la Fig. 8 montre encore un autre procédé de montage suivant l'invention la Fig. 9 est un diagramme de phase hypothétique du système ternaire aluminium-germanium-zinc la Fig. 10 montre une famille de courbes de chauffage de divers alliages aluminium-germanium-zinc ;; la Fig. 11 est un diagramme de phase montrant les résultats de l'addition de quantités croissantes de zinc à un alliage eutectique aluminium-germanium ; les Fig. 12, 13 et 14 illustrent divers procédés de liaison mettant en oeuvre l'invention ; la Fig. 15 montre les résultats de la mise en oeuvre du procédé montré sur les Fig. 12, 13 et 14 les Fig. 16 et 17 montrent un autre procédé de liaison mettant en oeuvre l'invention ; et la Fig. 18 montre un procédé de liaison d'un dispositif électronique mettant en oeuvre l'invention. On voit sur la Fig. 1 de ces dessins, un premier mode de réalisation de l'invention consistant en un procédé de montage de dispositifs électroniques. Suivant ce procédé, une couche d'alliage 10 aluminium-germanium est appliquée sur l'une des surfaces d'un dispositif semi-conducteur 12. La couche 10 comprend de préférence un alliage eutectique aluminium-germanium, c' est-à-dire, en pourcentage en poids, 45 % d'aluminium et 55 % de germanium. Elle est appliquée de préférence suivant l'une des diverses techniques de pulvérisation utilisées couramment dans l'industrie de fabrication des dispositifs électroniques. Après la formation de la couche d'alliage 10 sur le dispositif semi-conducteur 12, la couche d'alliage est placée en contact avec un dispositif de support classique, tel qu'une embase métallique ou un puits de chaleur, une embase en céramique, un substrat, etc... L'ensemble qui en résulte est ensuite chauffé jusqu a une température d'approximativement 500C au-dessus de la température de fusion de la couche d'alliage. L'alliage eutectique aluminium-germanium fond à 4240C et ainsi, lorsque la couche d'alliage eutectique 10 est utilisée, l'ensemble est chauffé à une température située entre 4500C et 4750C environ et, de préférence, jusqu'à environ 4600C. Cette température est suffisante pour faire fondre la couche d'alliage rapidement et efficacement, tout en n'étant pas nuisible pour la plupart des dispositifs semi-conducteurs. Dans le cas d'un dispositif de support métallique, le stade de chauffage est réalisé dans une atmosphère non oxydante, telle qu'une atmosphère d'azote sec, afin d'empêcher l'oxydation du dispositif de support métallique. Au cours du chauffage de l'ensemble composé du dispositif semiconducteur, de la couche d'alliage et du dispositif de support, la couche d'alliage fond et le dispositif semi-conducteur est frotté par rapport au dispositif de support. Les couches d'oxyde pouvant se trouver, soit sur la couche d'alliage, soit sur le dispositif de support, sont percées par cette opération de frottement, de sorte que la couche d'alliage fondue s'allie avec le dispositif semiconducteur et avec le dispositif de support pour former une liaison rigide entre eux. Les résultats de la mise en oeuvre de l'invention sont montrés sur la Fig. 2, dans laquelle on voit le dispositif semi-conducteur 12 lié à un dispositif de support 14. Sur la Fig. 3, on voit un procédé de montage de dispositifs électroniques suivant un mode de réalisation préféré de l'invention. Ce mode de réalisation est analogue à celui représenté sur la Fig. 1 en ce sens qu'une couche d'alliage 16 aluminium-germanium est formée sur un dispositif semi-conducteur 18. Il en diffère toutefois en ce que la couche d'alliage 16 comprend des couches séparées d'aluminium et de germanium et est formée par le dépôt d'une couche d'aluminium 16a sur le dispositif semi-conducteur 18, le dépôt d'une couche de germanium 16b sur la couche d'aluminium 16a et le dépôt d'une couche d'aluminium 16c sur la couche de germanium 16b. Ce mode de réalisation de l'invention diffère des processus de liaison an térieurs en ce que la couche de germanium est couverte par une couche d'aluminium.Ceci empêche la formation d'une couche d'oxyde de germanium, ce qui est très souhaitable en raison du fait que l'oxyde de germanium est bien souvent relativement épais et difficile à percer. Par contre, il se forme une couche d'oxyde d'aluminium sur la surface extérieure de la couche d'alliage 16 mais, en raison des caractéristiques inhérentes de l'aluminium, la couche d'oxyde d'aluminium se limite d'elle-même et n'excède pas une épaisseur d'environ 100 angströms. Au cours de la mise en oeuvre du mode de réalisation préféré de l'invention, les épaisseurs des diverses couches de la couche d'alliage 16 sont réglées suivant les proportions relatives d'aluminium et de germanium dans un alliage particulier désiré d'aluminium-germanium. Dans le cas d'un alliage eutectique aluminiumgermanium, l'épaisseur de la couche de germanium 16b est égale à 38 % de l'épaisseur totale de la couche d'alliage 16 et l'épaisseur totale des couches d'aluminium 16a et 16c est égale à 62 % de l'épaisseur totale. Dans le mode de réalisation de la Fig. 3, les couches d'aluminium 16a et 16c ont des épaisseurs égales, bien qu'on puisse utiliser des couches d'aluminium de différentes épaisseurs en mettant en oeuvre ce mode de réalisation de l'invention, si on le souhaite. Après la formation de la couche d'alliage 16 sur le dispositif semi-conducteur 18, la couche d'alliage est mise en contact avec un dispositif classique de support et l'ensemble qui en résulte est chauffé jusqu'à une température située approximativement à 500C au-dessus de la température de fusion de la couche d'alliage. Un aspect intéressant de la présente invention consiste en la température de fusion de la couche d'alliage 16. On a constaté que, bien que la couche 16 comprenne des couches séparées d'aluminium et de germanium, la température de fusion de la couche 16 est identique à la température de fusion de la couche d'alliage comprenant un mélange homogène de tous les matériaux des couches 16a, 16b et 16c. Ainsi, dans le cas d'une couche d'alliage eutectique 16, dans laquelle le matériau des couches d'aluminium 16a et 16c comprend 45 % en poids et le matériau de la couche de germanium 16b comprend 55 % en poids du matériau total de la couche d'alliage, la température de celle-ci est de 424 C. Après la fusion de la couche d'alliage, le dispositif semiconducteur 18 est frotté contre le dispositif de support, de sorte qu'elle s'allie avec le dispositif semi-conducteur et avec le dispositif de support afin de former une liaison rigide avec eux. En raison du fait que la seule couche d'oxyde est celle de l'aluminium, L'opération de frottement peut être nettement moins importante que dans le cas de la présence d'une couche d'oxyde de germanium. L'ensemble résultant,comportant le dispositif semiconducteur, la couche d'alliage et le dispositif de support, est identique en apparence à celui représenté sur la Fig. 2. Suivant un troisième mode de réalisation de l'invention représenté sur la Fig. 4, une couche d'alliage 20 est formée sur un dispositif semi-conducteur 22. La couche d'alliage 20 est analogue à celle représentée sur la Fig. 3, en ce qu'elle comprend des couches d'aluminium et de germanium séparées, c'est-à-dire une couche d'aluminium 20a, une couche de germanium 20b et une couche d'aluminium 20c. Le troisième mode de réalisation diffère du premier en ce que la couche 20 contient un pourcentage plus important de germanium que nécessaire pour former l'alliage désiré aluminium-germanium et en ce que l'aluminium restant nécessaire pour former l'alliage désiré est contenu dans une couche d'aluminium 24 formée sur un dispositif de support de semi-conducteur 26. Après la formation de la couche d'alliage 20 et de la couche d'aluminium 24, celles-ci sont mises en contact et l'ensemble qui en résulte est chauffé à une température de 500C environ supérieure au point de fusion de la couche d'alliage 20 contenant une quantité importante de germanium. Cette température est égale à la température de fusion d'un alliage aluminium-germanium contenant un mélange homogène de tous les composants de la couche 20. Après la fusion de celle-ci, une couche d'oxyde, éventuellement présente sur les couches 20 et 24, est percée en frottant le dispositif semi-conducteur 22 contre le dispositif de support 26. Au cours du frottement du dispositif 22, le matériau de la couche d'alliage 20 se combine avec le matériau de la couche d'aluminium 24 pour former un alliage aluminium-germanium contenant tous les matériaux de la couche 20 et tous les matériaux de la couche 24.A titre d'exemple, la température de fusion de l'alliage obtenu est plus basse que la température de fusion de la couche 20 qui est riche en germanium. Le matériau d'alliage combiné s'allie ensuite avec le dispositif semi-conducteur 22 et avec le dispositif de support 26, pour former un ensemble dispositif semi-conducteur-couche d'alliage-dispositif de support, ensemble qui est en apparence identique à celui de la Fig. 2. Sur les Fig. 5 et 6, on a représenté un procédé de montage suivant l'invention. Comme on le voit le mieux sur la Fig. 5, une tranche semi-conductrice 28 est traitée par des techniques de fabrication classiques des dispositifs électroniques, afin de former une quantité de pastilles semi-conductrices 30 finies. On forme ensuite une couche 32 d'alliage aluminium-germanium sur l'un des côtés de la tranche semi-conductrice 28. Dans le procédé représenté sur les Fig. 5 et 6, la couche 32 est formée suivant le mode de mise en oeuvre de l'invention représenté sur la Fig. 3, mais on comprendra qu'il est possible d'utiliser également, pour former la couche d'alliage 32, les modes de réalisation représentés sur les Fig. 1 et 4. La couche d'alliage comprend, de préférence, un alliage eutectique aluminium-germanium et a, de préférence, une épaisseur totale d'environ 5 microns, bien que d'autres alliages et d'autres épaisseurs puissent être utilisés, si on le souhaite. Après la formation de la couche d'alliage 32, les pastilles 30 constituant la tranche 28 sont séparées les unes des autres suivant une technique classique de séparation de pastilles, par exemple, en les traçant et en les cassant. Ensuite, comme on le voit sur la Fig. 6, l'une ou plusieurs des pastilles individuelles 30 sont placées en contact avec un dispositif classique de support de pastilles 34. En raison du fait que la couche d'alliage 32 est fixée à la pastille 30, elle est positionnée de façon appropriée par rapport au dispositif de support 34, comme l'est d'ailleurs la pastille elle-même. Lorsque la pastille 30 est placée de façon appropriée sur le dispositif de support 34, la température de l'ensemble pastillecouche d'alliage-dispositif de support est augmentée jusqu'à 500C au-dessus de la température de fusion de la couche d'alliage 32. Lorsque la couche d'alliage 32 a complètement fondu, la pastille 30 est frottée par rapport au dispositif de support 34 afin de percer les couches d'oxyde pouvant éventuellement se trouver sur la couche d'alliage et/ou sur le dispositif de support de pastille . Cette opération permet l'alliage du matériau de la couche 32 avec la pastille 30 et avec l'élément de support 34. Ensuite, l'ensemble pastille-couche d'alliage-dispositif de support est refroidi,à la suite de quoi la pastille 30 est montée rigidement sur le dispositif de support 34. La Fig. 7 représente un procédé pour monter des pastilles semi-conductrices sur des dispositifs de support rugueux et poreux. Les techniques de séparation de pastilles actuellement disponibles limitent les épaisseurs des couches d'alliage formées sur les tranches semi-conductrices à environ 5 microns. Toutefois, dans le cas de dispositifs de support rugueux ou poreux, la quantité d'alliage fournie par une couche d'alliage ayant une épaisseur totale de 5 microns peut être insuffisante pour former une liaison appropriée entre la pastille et le dispositif de support. Par conséquent, comme représenté sur la Fig. 7, un élément préformé 36, constitué par un alliage eutectique aluminium-germanium,est placé entre une pastille semi-conductrice 38, comprenant une couche 40 en alliage eutectique qui est formée sur la pastille, et un dispositif de support de pastille semi-conductrice 42, rugueux ou poreux.Au lieu de l'élément préformé 36, on peut utiliser une couche 44 en alliage eutectique aluminium-germanium, formée sur le dispositif de support 42 pu, dans le cas extrême, aussi bien l'élément préformé 36 que la couche 44 peuvent être employés pour fournir un matériau d'alliage suffisant entre la pastille 38 et le dispositif de support 42. L'ensemble qui en résulte est ensuite chauffé à une température située à 500C au-dessus de la température eutectique aluminiumgermanium, de sorte que tout le matériau qui se trouve entre la pastille 38 et le dispositif de support 42 est fondu. Ensuite, la pastille 38 est frottée par rapport au dispositif de support 42, afin de percer les couches d'oxyde pouvant être présentes. L'opération de perçage est facilitée,dans le procédé suivant la Fig. 7, en raison du fait que l'ensemble du matériau d'alliage aluminium-germanium est fondu avant que l'on ne commence l'opération de frottement. Après que les couches d'oxyde ont été percées, la couche d'alliage 40, l'élément préformé 36 et/ou la couche d'alliage 44 se confondent et s'allient avec la pastille 38 et avec le dispositif de support 42, pour former une liaison rigide entre eux. La présente invention peut également être appliquée pour monter des dispositifs autres que des pastilles semi-conductrices. Par exemple, comme le montre la Fig. 8, les couches 46 et 48 en alliage aluminium-germanium peuvent être formées sur une paire d'éléments en céramique 50 et 52, suivant l'un des modes de mise en oeuvre de l'invention illustrés sur les Fig. 1, 3 et 4. Ensuite, les couches 46 et 48 sont mises en contact l'une avec l'autre et l'ensemble qui en résulte est chauffé à une température qui se situe à peu près à 500C au-dessus de la température de fusion des couches d'alliage 46 et 48. Lorsque les couches 46 et 48 sont fondues, les éléments en céramique 50 et 52 sont frottés l'un par rapport à l'autre afin de percer les couches d'oxyde pouvant exister sur les couches d'alliage. Les couches d'alliage 46 et 48 se confondent ensuite et s'allient avec les éléments 50 et 52. Le procédé de montage représenté sur la Fig. 8 est utile par exemple pour la mise sous boîtier de dispositifs électroniques; par exemple, l'élément 52 peut constituer une'partie d'un bottier en céramique qui reçoit et supporte des dispositifs électroniques et l'élément 50 peut former le couvercle du boîtier en céramique. La mise en oeuvre de la présente invention est avantageuse par rapport à la technique antérieure, en ce sens que la couche d'alliage aluminium-germanium est appliquée directement sur un dispositif électronique. Ainsi, on élimine la nécessité, aussi bien de positionner un élément préformé par rapport à un dispositif électronique, que de former une couche d'alliage à un endroit particulier sur un dispositif de support. De même, dans le cas des deuxième et troisième modes de mise en oeuvre, l'utilisation de l'invention facilite la liaison des dispositifs électroniques aux dispositifs de support en empêchant la formation d'oxyde de germanium. En ce qui concerne le deuxième mode de mise en oeuvre préféré pour lequel la température de traitement ne peut excéder 4000C, on se réfère aux Fig. 9 à 18. Un diagramme de phase hypothétique du système ternaire aluminium-germanium-zinc est représenté sur la Fig. 9. Les traits continus du diagramme de phase relèvent de la technique antérieure, le point de fusion d'aluminium pur, de germanium pur et de zinc pur étant respectivement de 6600 C, de 9370C et de 4190C. Dans la technique antérieure, on connaît également divers alliages eutectiques binaires comprenant ces matériaux, tels qu'un alliage comportant 55 % de germanium et 45 % d'aluminium et ayant un point de fusion de 4240C, un alliage comportant 94 % de zinc et 6 % de germanium et ayant un point de fusion de 3980C et un alliage comportant 95 % de zinc et 5 % d'aluminium et ayant un point de fusion de 3820C, les pourcentages étant donnés en poids. Les lignes en pointillés du diagramme de phase représentent "les vallées eutectiques" qui sont caractéristiques des diagrammes de phase ternaires et indiquent également un alliage eutectique ternaire à la jonction des vallées eutectiques. En raison du fait que les alliages eutectiques binaires d'aluminium-zinc et de germanium-zinc comprennent 95 % de zinc et 96 % de zinc respectivement, on a décidé de tenter la localisation de l'alliage eutectique ternaire aluminium-germanium-zinc en additionnant du zinc à l'alliage eutectique aluminium-germanium. Des échantillons ont été préparés en pesant soigneusement les éléments et en les faisant fondre à 9000C dans une atmosphère non oxydante. Les compositions d'alliage résultantes sont ensuite examinées par analyse thermique différentielle, en utilisant un calorimètre d'analyse différentielle du type "Perkin-Elmer". Les résultats de cet examen sont indiqués sur la Fig. 10, dans laquelle la famille de courbes d'analyse thermique différentielle indique le résultat de l'addition de quantités croissantes de zinc à l'alliage eutectique aluminium-germanium. Les pourcentages en poids de zinc indiqués sur la Fig. 10 ont été déterminés par analyse chimique. La courbe inférieure de la Fig. 10 est celle de l'alliage eutectique binaire aluminium-germanium. Cette courbe est caractéristique des alliages eutectiques binaires, en ce sens qu'elle ne comprend qu'un seul point d'inflexion. Lorsque l'on additionne ~des quantités croissantes de zinc à l'alliage eutectique aluminium-germanium, on peut noter un second point d'inflexion à environ 3700C. Lorsque l'on rajoute 57,4 % en poids de zinc à l'alliage eutectique binaire aluminium-germanium, on obtient une courbe d'analyse thermique différentielle comprenant un seul point d'inflexion et indiquant un eutectique ternaire ayant une température de fusion d'environ 3700C (à la pression atmosphérique). L'analyse chimique peut être employée pour établir la composition de l'eutectique ternaire qui s'avère comprendre environ 57 % de zinc, environ 23 % de germanium et environ 20 % d'aluminium les pourcentages étant en poids. La Fig. 11 représente une section plane prise le long d'une ligne qui s'étend entre l'axe de zinc et l'eutectique binaire aluminium-germanium du diagramme de phase ternaire montré sur la Fig. 9. Les points de la courbe indiqués par des repaires circulaires et triangulaires se réfèrent respectivement à des courbes de refroidissement et des courbes de chauffage. Les points expérimentaux établissent un diagramme de phase similaire à celui d'un alliage eutectique binaire et indiquent une composition eutectique comprenant approximativement 57 % de zinc et 43 % d'alliage eutectique d'aluminium-germanium, les pourcentages étant en poids. On a découvert que des alliages ternaires aluminium-germanium sont utiles comme matériaux de liaison. Par exemple, si une quantité d'alliage ternaire est placée entre deux éléments à joindre et si l'ensemble qui en résulte est chauffé au-dessus de la température de fusion de l'alliage, il se forme une liaison rigide entre les deux éléments. Les alliages aluminium-germanium-zinc adhèrent très bien à divers matériaux et ont une rigidité mécanique convenable. Des microphotographies de matériaux de liaison, comprenant 20 % d'aluminium, 23 % de germanium et 57 % de zinc, montrent une microstructure qui est caractéristique des alliages eutectiques. Sur les Fig. 12 et 13, on a représenté divers procédés de liaison. Dans le procédé représenté sur la Fig. 12, une quantité de matériau d'alliage aluminium-germanium-zinc est traitée de façon à former un élément préformé d'alliage 120. Cet élément est placé entre un dispositif semi-conducteur 122 et un dispositif de support 124, tel qu'une embase classique, un puits de chaleur ou analogue. Dans le procédé de liaison représenté sur la Fig. 13, une couche d'alliage 126 d'aluminium-germanium-zinc est déposée sur un dispositif semi-conducteur 128, au moyen de techniques de pulvérisation classiques. Le procédé de la Fig. 13 est à préférer par rapport à celui de la Fig. 12 en raison du fait que, puisque la couche d'alliage est fixée sur le dispositif semi-conducteur, elle est positionnée automatiquement par rapport à ce dernier. Le procédé de liaison représenté sur la Fig. 14 est analogue à celui de la Fig. 13, en ce sens qu'une couche d'alliage 130 est formée sur un dispositif semi-conducteur 132. Il en diffère en ce que la couche d'alliage 130 comprend des couches séparées d'aluminium, de germanium et de zinc, c'est-à-dire une couche d'aluminium 130a déposée sur le dispositif semi-conducteur 132, une couche de germanium 130b déposée sur la couche d'aluminium, une couche de zinc 130c déposée sur la couche de germanium et une couche d'aluminium 130d déposée sur la couche de zinc. Au cours de la mise en oeuvre du procédé de liaison de la Fig. 14, les épaisseurs des diverses couches qui constituent la couche d'alliage 130 sont choisies de façon à fournir une composition totale correspondant à un alliage ternaire aluminium-germaniumzinc désiré. Un aspect intéressant de l'invention consiste en ce que la couche d'alliage 130 a un point de fusion correspondant à celui d'un alliage ternaire comprenant un mélange homogène de tous les matériaux de toutes les couches 130a, 130b, 130c ,et 130d. Dans tous les procédés de liaison précédents, on forme un ensemble comprenant un dispositif semi-conducteur, un corps en matériau d'alliage et un dispositif de support. L'ensemble qui en résulte est ensuite chauffé à une température qui est située audessus de la température de fusion du corps en matériau d'alliage. On a trouvé qu'en chauffant l'ensemble approximativement de 500C au-dessus de la température de fusion du corps en matériau d'alliage, une fusion rapide et efficace de ce corps est assurée. Après la formation du corps en matériau d'alliage, le dispositif semi-conducteur de l'ensemble est frotté par rapport au dispositif de support afin de percer les couches d'oxyde qui peuvent éventuellement être présentes. Alors, le matériau d'alliage fondu s'allie avec le dispositif semi-conducteur et le dispositif de support pour former une liaison rigide entre eux. Les liaisons produites par les procédés des Fig. 12, 13 et 14 sont représentées sur la Fig. 15, sur laquelle un dispositif semi-conducteur 134 est lié à un dispositif de support 136 par une couche d'alliage 138. Sur la Fig. 16, on a représenté un autre procédé de liaison mettant en oeuvre le deuxième mode de réalisation de l'invention. Dans le procédé de la Fig. 16, une couche d'alliage 140 est formée sur un dispositif semi-conducteur 142. La couche d'alliage 140 est similaire à celle qui porte la référence 130 sur la Fig. 14, en ce sens qu'elle comprend une couche d'aluminium 140a formée sur le dispositif semi-conducteur 142, une couche de germanium 140b formée sur la couche d'aluminium, une couche de zinc 140c formée sur la couche de germanium et enfin une couche d'aluminium 140d formée sur la couche de zinc. Le procédé de la Fig. 16 diffère toutefois de celui de la Fig. 14 en ce que la couche d'alliage 140 est riche en zinc et en germanium ; c'est-à-dire que la couche d'alliage 140 contient une quantité de ces matériaux plus importante que nécessaire pour former l'alliage désiré aluminium-germanium-zinc. Suivant le procédé de liaison représenté sur la Fig. 16, l'aluminium restant nécessaire pour former l'alliage ternaire désiré aluminium-germanium-zinc est contenu dans une couche d'aluminium 144 formée sur un dispositif de support 146. Au cours du procédé de liaison, la couche 140 est mise en contact avec la couche 144 et l'ensemble résultant est chauffé à une température au-dessus de la température de fusion de l'alliage ternaire aluminium-germanium-zinc comprenant tous les matériaux de toutes les couches 140a, 140b, 140c et 140d. Lorsque la couche 140 est fondue, le dispositif semi-conducteur 142 est frotté par rapport au dispositif de support 146, à la suite de quoi le matériau de la couche 140 se confond avec le matériau de la couche 144 pour former un alliage aluminium-germanium-zinc ayant la composition désirée. L'alliage ainsi combiné s'allie ensuite avec le dispositif semi-conducteur 142 et avec l'élément de support 146 et se fixe à ces deux dispositifs. Le résultat du procédé de liaison de la Fig. 16 est identique en apparence à celui de la Fig. 15. La Fig. 17 représente encore un autre mode de mise en oeuvre d'un procédé de liaison suivant l'invention Suivant ce procédé, une couche de germanium 148 est formée sur un élément 150 d'une composition quelconque désirée et une couche d'aluminium 152 est formée sur la couche de germanium 148. Ensuite, la couche d'aluminium 152 est mise en contact avec un revêtement de zinc 154 d'un élément galvanisé 156 et L'ensemble qui en résulte est chauffé à une température située au-dessus de la température de fusion de l'alliage binaire aluminium-germanium contenant tout le matériau de la couche 148 et tout le matériau de la couche 152. Lorsque les couches 148 et 152 sont fondues, l'élément 150 est frotté par rapport à l'élément 156, après quoi les couches 148, 152 et 154 se confondent pour former un alliage ternaire aluminiumgermanium-zinc. L'alliage ternaire est ensuite refroidi et il en résulte la formation d'une structure liée qui est, en apparence, similaire à celle représentée sur la Fig. 15. Un autre procédé de liaison pour dispositifs électroniques utilisant l'invention est représenté sur la Fig. 18. Initialement, une tranche en matériau semi-conducteur est fabriquée suivant les techniques de fabrication classiques des dispositifs électroniques, afin de former plusieurs pastilles semiconductrices finies. Ensuite, l'un des côtés de la tranche est revêtu d'une couche d'alliage binaire aluminium-germanium qui comprend de préférence l'alliage eutectique aluminium-germanium. Ces opérations préliminaires donnent naissance à une série de pastilles individuelles semi-conductrices 158, sur chacune desquelles est formée une couche d'alliage binaire aluminium-germanium 160. La couche 160 d'au moins l'une des pastilles 158 est mise en contact avec un substrat 162 destiné à recevoir ces pastilles, ce substrat pouvant être constitué par de l'oxyde d'aluminium métallisé ou d'un autre matériau convenable approprié. Si le sous-ensemble qui en résulte peut être chauffé au-dessus de 4200C sans endommagement, il est chauffé à une température située de 500C au-dessus de la température de fusion (3700C) de la couche d'alliage 160. Lorsque la couche 160 est fondue, la pastille 158 est frottée par rapport au substrat 16Z après quoi la couche d'alliage forme une liaison rigide entre la pastille 158 et le substrat 162. Après la formation du sous-ensemble pastille-substrat, un corps en matériau d'alliage aluminium-germanium-zinc 164 est placé entre le substrat 162 et l'élément de support de substrat 166, cet élément pouvant être constitué par du nickel ou un autre matériau convenable quelconque. L'alliage ternaire du corps 164 est, de préférence, eutectique et peut être formé suivant l'un quelconque des procédés de liaison représentés sur les Fig. 12, 13 et 14.. L'ensemble pastille-substrat-dispositif de support est ensuite chauffé à une température située de 500C au-dessus de la température de fusion du corps en alliage ternaire 164. Si l'alliage eutectique binaire aluminium-germanium est utilisé pour fixer la pastille 158 au substrat 162, la température de fusion de la couche d'alliage 160 est de 4240C. Si, de plus, l'alliage eutectique ternaire aluminium-germanium-zinc est utilisé pour former le corps en alliage ternaire 164, la température de fusion du corps est de 3700C. Il est souhaitable de chauffer la couche d'alliage jusqu'à environ 500C au-dessus de sa température de fusion afin d'assurer sa fusion rapide et efficace. Toutefois, cette condition ne crée aucun problème dans le procédé de liaison représenté sur la Fig. 18, étant donné que le corps en alliage ternaire 164 peut être chauffé jusqu'à 4200C, c'est-à-dire à une température qui est de 500C audessus de sa température de fusion, sans que le matériau de la couche d'alliage 160 ne fonde. Lorsque le corps en matériau d'alliage ternaire 164 est fondu, le substrat 162 est frotté par rapport au dispositif de support 166 afin de percer toute couche d'oxyde susceptible de s'être formée sur le dispositif de support 16 ou sur le corps en alliage ternaire 164. L'alliage ternaire s'allie ansi avec le substrat 162 et avec l'élément de support 166, afin de former une liaison rigide entre eux. L'ensemble qui en résulte est, en apparence, similaire à celui représenté sur la Fig. 15. Suivant le deuxième mode de mise en oeuvre, le matériau de liaison comprend un alliage d'aluminium, de germanium et de zinc. L'utilisation du matériau est avantageux en ce sens que, si l'alliage eutectique ternaire comprend 20 % d'aluminium, 23 % de germanium et 57 % de zinc (pourcentages en poids), la température de fusion est de 3700C ce qui est, la fois, en-dessous de la température de 4000C qui peut être nuisible pour certains dispositifs, qu'en-dessous de 4240C qui est la température de fusion de l'alliage eutectique aluminium-germanium. L'utilisation du matériau est avantageuse également, puisqu'il peut être facilement adapté à des techniques de production en grande série, qu'il adhère facilement à la fois au dispositif semi-conducteur et au dispositif de support et qu'il présente une bonne rigidité mécanique. REVENDICATIONS 1. Procédé pour monter des dispositifs électroniques comprenant deux éléments à lier ensemble par un alliage,caractérisé en ce qu'il consiste à positionner un alliage eutectique d'au moins deux matériaux d'alliage entre les deux éléments à lier ensemble, et à chauffer l'ensemble qui en résulte à une température qui est située au-dessus du point de fusion de l'alliage eutectique. 2. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'alliage eutectique est en aluminium-germanium. 3. Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que l'alliage eutectique aluminium-germanium est chauffé au-dessus de 4240C, après avoir été mis en place entre les deux éléments à lier ensemble. 4. Procédé suivant la revendication 3, caractérisé en ce que l'on chauffe l'ensemble à une température située entre 4500C et 475 C, environ. 5. Procédé suivant la revendication 3, caractérisé en ce que le chauffage est effectué dans une atmosphère non oxydante. 6. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'un des éléments est un corps en matériau semi-conducteur et l'autre élément est un dispositif de support. 7. Procédé suivant la revendication 6, caractérisé en ce qu'il consiste à déposer une couche en matériau d'alliage eutectique aluminium-germanium sur le corps du matériau semi-conducteur. 8. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il consiste à déposer des couches individuelles d'aluminium et de germanium sur le corps en matériau semi-conducteur, la quantité totale d'aluminium et de germanium dans les couches respectives correspondant aux pourcentages d'aluminium et de germanium dans un alliage eutectique comprenant ces deux éléments. 9. Procédé suivant la revendication 8, caractérisé en ce que la couche d'aluminium est formée par-dessus la couche de germanium la plus extérieure, afin d'empêcher la formation d'oxyde de germanium. 10. Procédé suivant la revendication 9, caractérisé en ce qu'il consiste à déposer une couche d'aluminium sur le corps en matériau semi-conducteur, à déposer une couche de qermanium sur la couche d'aluminium et à déposer une couche d'aluminium sur la couche de germanium. 11. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il consiste à déposer une couche de germanium sur l'un des éléments à lier ensemble et à déposer une couche d'aluminium sur la couche de germanium. 12. Procédé suivant la revendication 11, caractérisé en ce qu'il consiste à déposer une couche d'aluminium sur l'autre des deux éléments à lier ensemble. 13. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il consiste à déposer une couche d'aluminium sur l'un des éléments à lier ensemble, à déposer une couche de germanium sur la couche d'aluminium et à déposer une seconde couche d'aluminium sur la couche de germanium. 14. Procédé suivant la revendication 13, caractérisé en ce que le rapport de la quantité totale d'aluminium dans les deux couches et la quantité de germanium dans la couche de germanium correspond au rapport d'aluminium et de germanium dans un alliage eutectique comportant ces deux éléments. 15. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'un des deux éléments étant une tranche semi-conductrice comportant une quantité de dispositifs semi-conducteurs individuels qui sont formés dans cette tranche, il consiste à former une couche d'alliage aluminium-germanium sur la tranche semi-conductrice, a séparer les dispositifs individuels constituant la tranche, à positionner la couche d'alliage d'au moins l'un des dispositifs en contact avec l'autre élément des deux éléments à lier ensemble et à chauffer la couche d'alliage à une température située au-dessus de sa température de fusion. 16. Procédé suivant la revendication 15, caractérisé en ce que la couche d'alliage aluminium-germanium est formée par pulvérisation d'un alliage comprenant ces deux éléments sur la tranche semiconductrice. 17. Procédé suivant la revendication 15, caractérisé en ce que la couche d'alliage est formée en déposant une couche de germanium sur la tranche semi-conductrice et en déposant une couche d'aluminium sur la couche de germanium. 18. Procédé suivant la revendication 17, caractérisé en ce que la couche d'alliage est formée en appliquant une couche d'alliage en aluminium-germanium qui est riche en germanium par rapport à un alliage particulier aluminium-germanium et il consiste à former une couche d'aluminium sur le dispositif de support qui contient de l'aluminium en quantité suffisante pour se combiner avec le matériau de la couche d'alliage aluminium-germanium sur le dispositif pour former l'alliage particulier aluminium-germanium. 19. Procédé suivant la revendication 18, caractérisé en ce que la couche d'alliage est chauffée à une température qui est de 500C supérieure à sa température de fusion. 20. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'alliage eutectique positionné entre les deux éléments à lier ensemble est un alliage aluminium-germanium-zinc. 21. Procédé suivant la revendication 20, caractérisé en ce que la couche d'alliage est positionnée par rapport à l'un des deux éléments en l'appliquant sur ce dernier. 22. Procédé suivant la revendication 20, caractérisé en ce que la couche d'alliage est positionnée en formant des couches individuelles d'aluminium, de germanium et de zinc entre les deux éléments. 23. Procédé suivant les revendications 1 et 20, pr#ises ensemble, caractérisé en ce que l'ensemble est chauffé à une température qui est située de 500C au-dessus de la température de fusion de l'alliage. 24. Procédé suivant les revendications 1 et 20, prises ensemble,# caractérisé en ce que l'opération de positionnement consiste à former une couche d'alliage comprenant en pourcentage en poids environ 20 % d'aluminium, environ 23 W de germanium et environ 57 % de zinc. 25. Procédé suivant la revendication 24, caractérisé en ce qu'on chauffe au moins la couche d'alliage au-dessus de 3700C 26. Procédé suivant les revendications 1 et 20, prises ensemble, caractérisé en ce que l'un des éléments comprend un sousensemble comportant une liaison d'un alliage eutectique aluminiumgermanium. 27. Dispositif obtenu suivant le procédé, suivant l'une quelconque des revendications 1 à 26, caractérisé en ce qu'il comprend deux éléments fixés l'un à l'autre par un alliage eutectique d'aumoins deux matériaux d'alliage qui s'étendent entre les deux éléments et qui forment une liaison entre ceux-ci. 28. Dispositif suivant la revendication 27, caractérisé en ce que le matériau d'alliage eutectique est un alliage aluminiumgermanium-zinc. 29. Dispositif suivant la revendication 28, caractérisé en ce que l'alliage aluminium-germanium-zinc comprend en pourcentage en poids-20 % d'aluminium, 23 % de germanium et 57 % de zinc. 30. Dispositif suivant la revendication 29, caractérisé en ce que l'un des éléments est un dispositif semi-conducteur et l'autre élément est un dispositif de support. 31. Dispositif suivant la revendication 30, caractérisé en ce que l'un des éléments est un sous-ensemble comprenant une liaison par alliage eutectique aluminium-germanium. 32. Dispositif suivant la revendication 27, caractérisé en ce que le matériau d'alliage eutectique est un alliage aluminiumgermanium.