FR 2098404 A1 19720310 FR 7117988 A 19710518 L'utilisation de dispositifs semiconducteurs pour fonctionner à hautes fréquences a beaucoup augmenté au fur et à mesure que la dissipation de chaleur, la taille et d'autres caractéristiques du dispositif se sont trouvées améliorées au point de correspondre aux critères exacts requis pour de telles applications. Le terme de haute fréquence tel qu'il est utilisé ici doit être compris dans ce qui suit comme désignant des fréquences situées typiquement dans la gamme d'approximativement deux à quatre gigacycles et au-dessus. En plus des caractéristiques physiques des dispositifs semi-conducteur décrits dans la technique antérieure, ces dispositifs présentent, également, des propriétés qui sont très défavorables, au fonctionnement convenable à hautes fréquences. Les problèmes types qui se posent dans les dispositifs décrits dans la technique antérieure sont les oscillations intempestives ou parasites, la diaphonie entre les éléments, une distorsion harmonique indésirable et une mauvaise isolation entre les circuits d'entrée et de sortie. En fonctionnement à hautes fréquences, les problèmes posés par ces dispositifs décrits dans la technique antérieure peuvent être pratiquement résolus par des améliorations physiques de la disposition à l'intrieur du bottier, ainsi que par un choix convenable de la géométrie topologique des éléments semi-conducteurs. Un dispositif typique décrit dans la technique antérieure, utilise une pièce de céramique conductrice de la chaleur portant une couche métallisée sur sa surface de dessous afin de servir de plan de terre, et plusieurs couches métallisées sur sa surface de dessus, des ouvertures métallisées allant de la surface de dessus à celle de dessous de la pièce de céramique étant prévues en connectant électriquement un certain nombre de couches métallisées de la surface de dessus de la pièce de céramique avec la couche métallisée placée sur la surface de dessous de celle-ci. Une pastille de semi-conducteur fabriquée comme un transistor est fixée contre l'une des couches métallisées de la surface de dessus qui n'est pas connectée électriquement à la surface de dessous, une région active du transistor étant connectée électriquement à cette couche métallisée, cette région active étant le collecteur. Un cavalier, ou autre pièce de contact, passe par dessus et relie les couches métallisées en contact électrique avec la surface de dessous de la pièce de céramique, la région de base de la pastille de semiconducteur étant reliée à la pièce de contact et, par conséquent, au plan de terre.Les longueurs excessives de conducteurs et la distance au plan de terre ont pour résultat de donner des pro piétés qui dégradent le fonctionnement du dispositif quand celui-ci fonctionne à hautes fréquences. Des oscillations intempestives ou parasites peuvent natte, car une certaine partie du signal de sortie du dispositif se trouve, par inadvertance, réinjectée à l'entrée. La réinjection peut se faire par les capacités entre conducteurs, une inductance de conducteurs excessive, une inducta ce et une capacité de perte du circuit, etc, le trajet exact étant souvent difficile à déterminer.A hautes fréquen- ces, l'énergie à l'entrée et à la sortie du circuit apparaît entre le conducteur et la terre, par conséquent ,dans ces dispositifs décrits dans la technique antérieure, l'entrée est couplée à la sortie par le diélectrique, c'est-à-dire par la pièce de céramique. Le bottier de la présente invention est caractérisé en ce qu'il comprend un support demétal comportant une partie en saillie, des pièces métallisées conductrices de la chaleur disposées de chaque côté de la saillie pour recevoir sur leur surface des fils de contact, une pastille de semiconducteur étant fixée à une des couches métallisée d'un côté de la projection, ses régions actives étant connectées respectivement par soudage par points à un conducteur de contact de la projection. Le bottier à élément semi-conducteur de la présente invention résout essentiellement ces problèmes qui se posent dans les dispositifs décrits par la technique an antérieure. En prévoyant une partie en saillie vers le haut partant du plan de terre, et en utilisant la partie en saillie de la terre pour isoler les circuits d'entrée et de sortie du dispositif semi-conducteur, on obtient une barrière s'opposant au couplage entre les circuits d'entrée et de sortie. Par suite, une plus grande quantité d'énergie est disponible au circuit de sortie, car une source de réaction se trouve éliminée.La longueur excessive des conducteurs et, par suite, l'inductance de ces conducteurs se trouvadréduitesgrâce à la construction du boitier de la présente invention Pour poursuivre l'élimination des oscillations parasites et de la production de signaux harmoniques indésirables9 le boiter de dispositif semi-conducteur de la présente invention assure une élimination très importante des effets néfastes produits par les champs magnétique et électrique engendrés par les courants dans les conducteurs arrivant ou partant des régions actives du dispositif semi-conducteur.En combinant une géométrie topologiquement interdigitale,pour le dispositif semi-conducteur9 avec une orientation convenable des pièces de céramique métallisées conductrices de la chaleur9 les fils conducteurs connectant les régions actives du dispositif semi-conducteur aux systèmes de contact sont entrelacés, de manière à annuler les champs magnétique et électrique opposés. L'annulation très poussée des champs opposés donne un dispositif qui réduit au minimum les oscillations intempestives ou parasites9 ainsi que la production de distorsions harmoniques indésirables. Le bottier d'élément semi-conducteur de l'invention possède une meilleure isolation des circuits d2- entrée et de sortie, et il permet de réduire au minimum l1induc- tance des conducteurs0 Ses caractéristiques d'impédance entréesortie sont améliorées. Le bottier de dispositif semi-conducteur de la présente invention est fabriqué à partir dune série d'éléments qui sont stratifiés de manière à adapter la structure totale pour réduire la longueur des conducteurs au minimum, de manière à créer une barrière de potentiel entre les circuits d- entrée et de sortie, en isolant ainsi ces derniers9 et de manière à égaliser très sensiblement les impédances entre chacun des contacts ventrée et de sortie et le plan de terre. Le boîtier comprend un support de cui vire, ce dernier possédant une partie en saillie dirigée vers le haut et destinée à isoler les circuits entrée et de sortie du dispositif semi-conducteur. Des pièces de céramique métallisées conductrices de la chaleur sont placées de chaque coté de la partie en saillie vers le haut du support de cuivre9 les pièces de céramique étant fixées au support de cuivre, Des fils de contact sont connectés aux couches métallisées sur les surfaces de dessus des deux pièces de céramique, une pastille de semi-conducteur étant fixée à l'un des fils de contact. Quand le corps de la pastille de semiconducteur est une région active de cette pastille, le fil de contact se trouve ainsi en contact électrique avec cette région active, Quand la pastille de semi-conducteur est un transistor9 le corps de la pastille de semiconducteur se trouve être typiquement le collecteur du transistor, La pastille de transistor utilise une géométrie topologiquement interdigitale pour les régions de base et d'émetteur0 Les régions de base et d'émetteur sont connectées à la partie en saillie du support et aux autres fils de contact par des techniques de fixation par point, grâce à quoi les fils se trouvent entrelacés. L'entrelacement des fils annule les champs magnétique et électrique opposés engendrés par les courants circulant dans les fils du dispositif semi-conducteur. Les longueurs de fils conducteurs sont réduites au minimum par l'orientation des pièces de céramique métallisées conductrices de la chaleur, les circuits d'entrée et de sortie étant isolés par la partie en saillie du plan de terre. Les oscillations intempestives ou parasites sont réduites par l'entrelacement des conducteurs0 La description se rapporte à des exemples de réalisation représentés aux dessins dans lesquels la figure 1 est une vue en perspective d'un boiter d'élément semi-conducteur fabriqué suivant la technique antérieure, - la figure 2 est une vue en perspective d'un semi-conducteur fabriqué suivant la présente invention représenté en place avec un tableau de circuit9 - la figure 3a est une vue de dessus d'une pastille de transistor possédant des régions de base et d' émetteur interdigitées. - la figure 3b est une vue en coupe transversale de la géométrie topologiquement interdigitée de la pastille de transistor9 suivant la ligne 3b-3b de la figure 3a, - la figure 4 est une vue de côté agrandie, en élévation et en coupe transversale, d'un boitier de dispositif semi-conducteur correspondant à la présente invention9 suivant la ligne 4-4 de la figure 2, - la figure 5 est une vue d'ensemble éclatée d'un boîtier de dispositif semi-conducteur fabriqué sui vant la présente invention et illustrant les différentes parties composant celui-cl, En se référant tout d abord à la figure 29 on y trouve représenté une vue en perspective d~une forme du boitier de dispositif semi-conducteur de la présente invention, le dispositif étant désigné9 d2une façon générale par la référence 10. Le support de métal 11 qui fournit la base du bot- tier se compose de trois parties, deux parties extérieures 12 et une partie centrale s' étendant longitudinalement le long du support de métal 119 la distance de celle-ci étant définie par une partie en saillie 139 située longitudinalement et dirigée vers le haut, disposée entre les parties extérieures 12. La projection en saillie 13 est une partie s'étendant vers le haut du support de métal 11, les sections transversales du support de métal 11 de chaque côté de la projection 13 étant inégales.Les pièces métallisées conductrices de la chaleur 14 et 15 sont disposées sur les sections du support de métal Il et alignées transversalement avec la projection 13. Bien que les pièces conductrices de chaleur 14 et 15 puissent être des éléments conducteurs de chaleur classiques, ce sont, de préférence, des pièces de céramique conductrice de chaleur, La pièce de céramique 14 est plus grande que la pièce de céramique 15 et elle est reçue par la plus grande section alignée transversalement du support de métal 11. Le fil de contact 16 est placé sur et fixé à une première partie de la couche de métal 17 sur la surface de dessus de la pièce de céramique métallisée conductrice de la chaleur 149 la pastille de semi-conducteur 18 étant disposée et fixée contre une seconde partie de la couche de métal 17. Le fil de contact 19 est disposé sur et fixé à la couche de métal 20 sur la surface de dessus de la pièce de céramique métallisée conductrice thermiquement 15. Les fils de contact 16 et 19 sont sensiblement dans le même plan et sont destinés à faire contact avec les régions actives de la pastille de semi-conducteur 18 et un tableau de circuit, Comme le fil de contact 16 est fixé à la couche métallisée 179 il se trouve connecté à la même région active de la pastille de semi-conducteur 18 que celle qui comprend le corps de la pastille de semi-conducteur 18. Les autres régions actives de la pas tille de semi-conducteur 18 sont connectées à la projection 13 et au fil de contact 19,respectivement par les fils de contact 21 et 229 les régions actives de la pastille de semi-conducteur 18 étant connectées à la projection 13 et au fil de contact 19, de façon entrelacée, Les parties extérieures 12 du support de métal il sont percées d'ouvertures 23 allant de la face de dessus à la face de dessous de celui-ci9 afin de fournir un moyen de monter le support de métal 11 dans un ensemble plus grand. Le support Il est, de préférence, construit en cuivre exempt d'oxygène à haute conductibilité0 L'utilisation de cuivre exempt oxygène à haute conductibilité est préférée9 car la fabrication du bottier de dispositif semi-conducteur de la présente invention est faite typiquement en utilisant un processus de brasure sous une atmosphère réductrice ou une atmosphère classique de gaz en formation0 S'il y avait de l'oxygène présent dans le cuivre au moment de la brasures il pourrait se produire une réaction amenant le cuivre à se boursoufler et à produire ainsi des vides de brasure à l'intérieur.La présence de vides ou défauts de brasure à l'intérieur du support de cuivre 11 aurait pour résultat de dégrader les propriétés thermiques et électriques du produit terminé0 Bien que la pastille de semi-conducteur 18 puisse être de n'importe quel type classique de dispositif semiconducteur, la pastille de semi-conducteur 18 est, de préféren- ce9 fabriquée pour faire un transistor.Pour utiliser les possibilités du boîtier de dispositif semi-conducteur de la présente invention9 le corps de la pastille de transistor 18 est, de pré férence, la région de collecteur de celui-ci, les régions de base et d'émetteur de la pastille de transistor 18 étant disposées à l'intérieur par des méthodes dissiquess telles que la diffusion ou la croissance épitaxiale. La pastille de transistor 18 est, de préférence, fabriquée en silicium, mais elle pourrait être fabriquée dans d'autres matériaux,semi-conducteurs classiques, tels que le germanium. Pour comprendre complètement les caractéristiques améliorées présentées par le boîtier de dispositif semi-conducteur de la présente invention, on se référera à la figure 1 dans laquelle se trouve représentée une illustration d'un dispositif décrit par la technique antérieure, le dis positif étant désigné d'une façon générale par le chiffre de référence 30o Le dispositif 30 est construit autour d'une pièce de céramique conductrice de la chaleur 31 possédant une couche métallisée 32 sur sa surface de dessous et des couches métalliques 33, 549 35 et 36 disposées sur sa surface de dessus. Des ouvertures 37 sont prévues dans les couches métalliques 33 et 34 et vont de la surface de dessus à la surface de dessous de la pièce de céramique 31, ces ouvertures étant métallisées pour permettre le contact électrique entre les couches métalliques 33 et 34 et la couche métallique 32 de la surface de dessous de la pièce de céramique 31. La couche métallique 32 est constituée par le plan de terre du circuit et, par conséquent, les couches métalliques 33 et 34 sont des extensions du plan de terre ou de masse, via les ouvertures métallisées 37. La pastille de semi-conducteur 38 est disposée sur et fixée à la couche métallisée 369 étant constituée par un transistor, Le cavaler de connexion 39 est branché entre des parties des couches métallisées 33 et 349 amenant ainsi une extension de la masse au voisinage de la pastille de transistor 28. La région de base de la pastille de transistor 38 est reliée au cavalier de connexion 39, la région d'émetteur de la pastille de transistor 38 étant connectée à la couche métallisée 35. Les déficiences présentées par le dispositif 30 sont bien illustrées par la distance excessive qui existe entre la région de base de la pastille de transistor 38 et la masse comprenant la couche métallisée 32.De plus, les champs magnétique et électrique opposés. engendrés par les courants dans les conducteurs connectés aux régions actives de la pastille de transistor 38S ont pour résultat de produire une réinjection entre les circuits d'entrée et de sortie, ce qui conduit à des oscillations intempestives, à une distorsion harmonique indésirable et à une perte de puissance de sortie disponible. La constt'#tutlcn du bottier de dispositif semi-conducteur de la présente lnvention possédant une isolation entrée-sortie améliorée dans un assemblage de circuits plus grand, est expliquée ci-après en se référant à la figure 4, dans laquelle est représentée une vue agrandie en coupe trans versable du dispositif 10o Le support de cuivre 11 est disposé longitudinalement à l'intérieur de l'ouverture du tableau de circuit 459 étant fixé au tableau de circuit 45 grâce à lwutili- sation des ouvertures 23 ménagées dans la partie extérieure # 129 non représentée sur la figure 4. Le support de cuivre il est dirigé vers le haut de manière à former la projection 13 qui slé- tend longitudinalement le long du support de cuivre 11.La projection 13 est alignée transversalement sur le support de cuivre 119 de telle manière que les surfaces réceptrices de dessus 46 et 47 sont inégales, la surface réceptrice 46 étant plus grande que la surface réceptrice 47. La pièce de céramique métallisée conductrice de la chaleur 14 possède une couche métallisée 17 sur sa surface de dessus et une couche métallisée 48 sur sa surface de dessous, la surface métallisée 48 étant disposée sur et fisée à la surface réceptrice 46. La pièce de céramique métallisée conductrice de la chaleur 15 possède une couche métallisée 20 sur sa surface de dessus et une couche métallisée 49 sur sa surface de dessous, la couche métallisée 49 étant disposée sur et fixée à la surface réceptrice 47 du support de cuivre 11. La pastille de transistor 18 est disposée sur, et fixée à une première partie de la couche métallisée 17, le fil de contact 16 étant fixé à une seconde partie de la couche mdtallisée 17e Bien qu'on ait représenté une pastille de transistor 18 sur la figure 4, celle-ci n'est donnée qu'à seule fin d'illustration, car la pastille 18 pourrait aussi bien être n'importe quel dispositif semi-conducteur classique susceptible d'être utilisé à l'intérieur du boiter de dispositif semi-conducteur de la présente invention. Dans la forme préférée de la présente invention, le corps de la pastille de transistor 18 est le collecteur de celui-ci, Par suite, le fil de contact 16 est le fil de collecteur menant au dispositif semi conducteur. Le fil de contact 19 est disposé sur et fixé à la couche métallisée 20 située sur la pièce de céramique 15e Les pièces de céramique métallisées conductrices de la chaleur 14 et 15 sont, de préférence, fabriquées en oxyde de beryllium (Bc0)9 mais elles peuvent être également fabriquées en oxyde d'aluminium (li203)0 BeO présente de meilleures propriétés de conduction et se trouve, par conséquent, beaucoup mieux adapté aux dispositifs nécessitant des caractéristiques de conduction de chaleur élevées. il faut prendre des précautions dans la manipulation et le traitement de 13eOG BeO peut être nocif pour le système respiratoire humain quand il est sous forme de pou durez par suite, Si des pièces de BeO doivent etre usinées ou moulues, il faut s?assurer qu'on a lgéquipement convenable afin qui aucun contact intempestif avec elles ne se produise0 Pour réaliser le contact électrique avec les régions actives restantes de la pastille de transistor 18, la région de base de celle-ci est connectée à la projection 13 du support de cuivre Il et la région émetteur de la pastille de transistor 18 est connectée au fil de contact 190 Les connexions aux régions de base et d'émetteur sont faites en utilisant des techniques de soudage par points, comme cela sera plus complètement décrit dans ce qui suit. La largeur de la projection 15 du support de cuivre 11 peut s'étendre sur n'importe quelle distance convenable, mais celle-ci est, de préférence, juste assez large pour fournir une surface suffisante à laquelle on puisse fixer les fils de contact 21. Les fils de contact 21 et 22 peuvent être fabriqués dans n'importe quel métal de contact classique, tel que l'aluminium, mais ils sont, de préférence, fabriqués en or. Pour réaliser les buts de la présente invention, la pastille de transistor 18 utilise la géométrie topologique qu'on voit le mieux en se reportant aux figures 3a et Dbo La pastille de transistor 18 est fabriquée à partir d'une pastille de semi-conducteur qui est typiquement du silicium de type de conductibilité N, mais d'autres matériaux semi-conducteurs et dopage classiques peuvent être utilisés. La région de base 60 est formée dans la pastille de transistor 18 avec les régions d'émetteur placées à l'intérieur de la région de base 609 de manière à obtenir les régions de base et d'émetteur interdigitées représentées sur la figure 3aO Les régions interdigitées de base et d'émetteur 60 et 61 sont formées par des procédés classiques, les procédés de formation de celles ci ne faisant pas partie de la présente invention, Les contacts électriques avec les régions actives de la pastille de transistor 18 sont obtenus en disposant les couches métallisées 62 et 63 respectivement sur les régions en forme de doigt de base et émetteur 60 et 61. Les couches métalliques 62 et 63 sont faites en métaux de contact classiques. Les couches métalliques 62 et 63 sont déposées sur les régions actives 60 et 61 par des méthodes classiques, telles que l'évaporation sous vide. L'un des buts de la présente invention est de rendre maximale la puissance quton peut tirer d'un dispositif semi-conducteur. Quand un dispositif semi-conducteur utilisant des conducteurs de contact en microbandes est mis en oeuvre à hautes fréquences, la plus grande partie de l'énergie disponible se trouve entre le conducteur microbande et la masse. Dans les dispositifs décrits par la technique antérieure, le diélectrique situé entre la masse et les conducteurs microbandea a pour effet de coupler les circuits d'entrée et de sortie, en produisant ainsi une source de contre réaction. et, par suite, une perte de puissance de sortie disponible.La projection 13 du sup port de cuivre Il sert de barrière de potentiel pour l'énergie radiofréquence et sert ainsi à contrôler le couplage d'énergie entre l'entrée et la sortie du dispositif semi-conducteur. En imposant physiquement la projection 13 du support de cuivre Il entre les contacts d'émetteur et de collecteur, le potentiel de masse du support de cuivre Il sert à faire obstacle à la dégradation de transmission d'énergie entre le collecteur et l'émet- teur. La réduction de contreréattion et l'augmentation de couplage émetteur-base et de couplage collecteur-base augmentent la puissance disponible à la sortie du circuit.Etant donné que le dispositif semi-conducteur utilisé avec le bottier de la présente invention est utilisé typiquement dans les circuits ampli iicateursu la réduction de réaction diminue les chances d'oscillation du circuit. En se reportant de nouveau à la figure 4, la structure du boiter de dispositif semi-conducteur améliore les caractéristiques d'adaptation d'impédance des circuits d'entrée et de sortie. L'impédance d'un circuit de coupe transversale microbande est basée sur la largeur et l'épaisseur des fils de contact microbande et sur la distance entre les fils de contact microbande et la masse. Comme on peut le voir sur la figure 4, les fils de contact 16 et 19 sont très sensiblement dans le même plan horizontal et sont, par conséquent, dans la même disposition par rapport à la masse représentée par la base du support de cuivre 11. Comme la projection 13 change la section transversale d'impédance en un endroit seulement, lVadaptation d'impédance avec les circuits extérieurs est facilitée. Comme lXun des problèmes posés par les dispositifs décrits dans la technique antérieure était la longueur excessive des conducteurs, le bottier de dispositif semi-conducteur de la présente invention résout essentiellement ce problème en réduisant la longueur des conducteurs, La surface de réception 46 du support de cuivre il est plus grande que la surface réceptrice 47 d'une valeur correspondant à la largeur de la pastille de transistor 18. La largeur des surfaces réceptrices de collecteur et d'émetteur est rendue aussi petite que possibles car, aux fréquences considérées, la largeur du conducteur d'émetteur devient un facteur plus important étant donné que cette distance devient une partie plus importante de la longueur d'onde. La manière selon laquelle est assemblé le bottier de dispositif semi-conducteur de la présente invention est montrée dans la figure 5s dans laquelle est représentée une vue d'ensemble éclatée du bottier de la présente invention. Par souci de clartés les mêmes éléments représentés sur la figure 5 porteront les mêmes numéros de référence que ceux indiqués précédemment0 Comme on l'a indiqué dans ce qui précèdes le support de cuivre 11 est, de préférence, en cuivre, exempt d'oxygène à haute conductibilité. La nécessité de l'absence d'oxygène et de la haute conductibilité du cuivre intervient du fait que le boîtier doit être soumis à une opération de brasage effectuée sous une atmosphère réductrice ou une atmosphère classique de gaz en formation.Si le support de cuivre Il n'était pas pratiquement exempt d'oxygène il pourrait se produire une réaction dans laquelle le cuivre se boursouflerait en créant des vides de brasure à lsintérieurO Les vides ou défauts de brasure dégraderaient nécessairement les propriétés thermiques et électriques des produits terminés, Â cet effet, le support de cuivre 11 est dégraissé et placé dans une atmosphère réductrice pour éliminer 1oxygène pilez en surface. Les pièces préformées eutectiques 71 et 72 sont disposées sur les surfaces réceptrices 46 et 47 respectivement du support de cuivre 11, très sensiblement à côtd de la projection 13 et sur les côtés opposés de celle-ci. Les pièces préformées eutectiques 71 et 72 peuvent être fabriquées dans des matériaux classiques eutectiques ou de brasure9 mais elles sont, de préférence, faites d'un matériau eutectique comprenant approximativement 72 % d'argent et 28 % de cuivre, la composition particulière indiquée étant commercialisée sous la désignation de feuille BT, Les dimensions des pièces préformées eutectiques 71 et 72 situées entre la projection 13 et les bords longitudinaux du support de cuivre 11 sont légèrement plus faibles que la distance entre la projection 13 et les bords du support de cuivre il, les intervalles étant là pour permettre au matériau eutectique de se dilater sous l'action du chauffage. Les pièces de céramique métallisées conductrices de la chaleur 14 et 15 sont placées sur les pièces préformées eutectiques 71 et 72 respectivement9 'la couche métallisée 48 étant en contact étroit et alignée avec la préforme entectique 72. Les pièces préformées etttectiquee 73 et 74 sont placées respectivement sur les couches métallisées 17 et 20 des pièces de céramique 14 et 15. Les pièces préformées e"tectiques 73 et 74 peuvent être des matériaux eutectiques ou des matériaux de brasure classiques, mais elles sont, de préfé renés fabriquées dans les matériaux décrits à propos des pièces préformées entectiques 71 et 72. Le fil de contact de collecteur 16 est placé sur une première partie de la pièce préformée eutectique 739 la seconde partie de celle-ci étant destinée à recevoir la pastille de transistor 18. Le fil de contact d'émetteur 19 est placé sur et aligné avec la pièce préformée eutectique 74. Le fil de contact de collecteur 16 et le fil de contact d'émetteur 19 sont très sensiblement dans le même plan horizontal qui contiento également9 la surface de dessus de la projection 13 du support de cuivre 11. Bien que les éléments stratifiés décrits dans ce qu#i précède puissent être fixés par n'importe quelle méthode convenable, ils sont, de préférence, reliés entre eux en les plaçant dans un crible de brasure et en les lestant afin de maintenir ltalignement de tous les éléments. Les moyens utilisés pour lester les éléments pendant qu'ils sont dans le crible de brasure sont constitués par des matériaux inertes, tels que du carbones de la céramique ou de l'acier inoxydable. Les poids de lestage inertes empêchent toute réaction avec le boiter en cours d'assemblage. Les éléments lestés sont placés dans un four à atmosphère exempt d'oxygène et montés à une température supérieure à la température dentectique ou de brasure du matériau particulier qu'on utilise. Dans le cas où les pièces préformées eutectiques 71, 72, 73 et 74 sont composées d'un alliage eutectique de 72 % d'argent et 28 % de cuivre, la température d'eutectique est d'environ 779 Co Une fois que le bottier a été refroi dig l'étape suivante de préparation de l'assemblage final est le montage de la pastille de transistor 18 sur une seconde partie de ce qui était la préforme eutectique 73.Une méthode typique de montage de la pastille de transistor 18 nécessite que la pastille de transistor 18 soit montée sur une pièce préformée de soudure et placée sur ce qui était la seconde partie de la pièce préformée eutectique 73. L'ensemble est placé dans une atmosphère interte et chauffé Jusqu'à une température d'environ 4000C. Cela assure le contact électrique entre la région de collecteur de la pastille de transistor 18 et la couche métallisée 17 de la pièce de céramique 14. Pour terminer complètement le montage du boftier de la présente invention, les régions de base et d'émetteur respectivement 60 et 61 doivent être connectées aux contacts électriques appropriés. La région d'émetteur 61 est connectée au fil de contact d'émetteur 19, la région de base 60 étant connectée à la surface de dessus de la projection 13 en reliant ainsi la région de base 60 à la masse. Comme on peut le voir sur la figure 49 les fils de contact 21 relient la région de base 60 à la projection 13 et les fils de contact 22 relient la région d'émetteur 61 au fil de contact d'émetteur 190 Les connexions entre les régions actives de la pastille de transistor 18 et les contacts appropriés sont réalisées par des procédés classiques, tels que le soudage par thermo-compression ou le soudage par ultrasons. Les fils de contact 21 et 22 sont, de préférence, fabriqués en or, mais ils peuvent être des fils de contact classi quels, par exemple en aluminium. Les contacts électriques avec les régions de base et dgémetteur 60 et 61 et les contacts appropriés utilisent donc la géométrie topologiquement interdigitale de la pastille de transistor 18. Les contacts électriques avec les régions actives et les points de sortie appropriés sont réalisés d'une autre manière, en entrelaçant les fils de contact 21 et 22, comme on peut le voir en se reportant à la figure 2. L'entrelacement ou le soudage par points des fils de contact 21 et 22 a pour résultat d'annuler les champs magnétique et électrique créés par l'existence de courants dans les fils de contact 21 et 22. L'annulation des champs opposés réduit les oscillations intempestives ou parasites, tout en contribuant à éviter l'appa- rition de distorsion harmonique indésirable. Le bottier de dispositif semi-conducteur haute fréquence de la présente inventiongavec son couplage entrée-sortie améliorés donne un dispositif qui augmente considérablement la puissance de sortie qu'on peut tirer du disposi ti; réduit les oscillations intempestives ou parasites, évite la naissance de distorsion harmonique indésirable et améliore considérablement les problèmes d'adaptation d'impédance. En améliorant les caractéristiques électriques du dispositif semi-conducteur le bottier de la présente invention permet au dispositif de fonctionner à des fréquences plus élevées, dans des bandes passantes plus grandes et dans des conditions qui nécessitent une plus grande conduction de chaleur que les dispositifs décrits par la technique antérieure. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ci-dessus décrits et repré sentés à partir desquels on pourra prévoir d'autres modes et d'autres formes de réalisation, sans pour cela sortir du cadre de Isinvehtion, R E V E N D I C A T I O N S 1. - Boîtier d' élément semi-conducteur pour hautes fréquences, caractérisé en ce qu'il comprend un sup- port de métal comportant une partie en saillie, des pièces métallisées conductrices de la chaleur disposées de chaque coté de la saillie pour recevoir sur leur surface des fils de contacts, une pastille de semi-conducteur étant fixée à une des couches métallisée d'un côté de la projectionS ses régions actives étant connectées respectivement par soudage par points à un conducteur de contact de la projection. 2.- Boîtier suivant la revendication g comportant une pastille de semiconducteur possédant des régions actives caractérisé en ce qu9il comprend un support de métal muni d'une projection en saillie dirigée vers le haut, une première et une seconde pièces de céramique métallisées conductrices de la chaleur destinées à conduire la chaleur et recouvertes chacune, sur des parties de celle-ci9 dgune première et d'une seconde couches métallisées, les premières couches métallisées de ces pièces étant fixées au support de métal très sensiblement adjacent à ladite projection en saillie et sur les côtés opposés de celle-ci9 et une partie de la seconde couche métallisée de l'une des pièces métallisées conductrices de la chaleur étant fixées à la pastille de semiconducteur9 à une région active de celle-ci, des dispositifs de contacts étant prévus pour assurer le contact électrique avec les régions actives de la pastille de semiconducteur. 3.- Un bottier suivant la revendication 29 caractérisé en ce que la pastille de semi-conducteur est une pastille de transistor, 4.- Bottier suivant l'une des revendications 2 et 39 caractérisé en ce que le dispositif de contact comprend un dispositif destiné à connecter la région de base de la pastille de transistor à la projection du support de métal. 5.- sortie suivant la revendication 4, caractérisé en ce que le dispositif de contacts comprend des fils de contact plaralres fixés à chacune des secondes couches métallisées ce à ~#u#i le contact électrique est assuré avec les régions d' émetteur et de collecteur de la pastille de tran sistor 6.- Bottier suivant la revendication ls caractérisé en ce que les pièces conductrices de la chaleur sont des pièces de céramique0 7.- Bottier suivant la revendication 6, caractérisé en ce que les pièces de céramique sont fabriquées en BeO. 8o Boiter suivant la revendication ls caractérisé en ce quels support de métal est constitué en cuivre exempt d'oxygène, à haute conductibilité. 9.- Bottier de jonction à semi-ôonduc- teur, destiné à être utilisé avec une pastille de semi-conducteur comprenant, à l'intérieur au moins trois régions actives travaillant en coordination, caractérisé en ce qulil comprend un support de métal possédant des surfaces de dessus et de dessous et une projection longitudinale en saillie vers le haut à partir de la surface de dessus dudit support de métal des pièces de céra- mique métallisées conductrices de la chaleur possédant des couches métallisées sur leurs parties de dessus et de dessous, disposées sur le dit support de métal très sensiblement adjacentes à et sur les côtés opposés de la dite projection, lesdites couches de métal sur les parties de dessous étant en contact étroit avec et fixées audit support de métal, la pastille de semi-con- ducteur et une première région active de celui-ci étant fixées à une partie plus petite que la totalité dune couche métallisée sur la surface de dessus d'une des pièces de céramique des fils de contact planaires fixés aux dites couches métalliques sur les surfaces de dessus des dites pièces de céramique un premier dispositif de contacts destiné à connecter la seconde des régions actives à'ladite projection, et un second dispositif de contacts entrelacé avec le premier dispositif de conducteurs de contact, destiné à connecter la troisième des régions actives au conducteur de contact disposé de autre coté de la pastille de semiconducteur. 100^ Bottier suivant la revendication 9, cstractérisé en ce que la pastille de semi-conducteur est une pastille de transistor. ilo Bottier suivant la revendication 10, caractérisé en ce que le premier dispositif de contactscon necte la région de base du transistor à ladite projection0 12o Bottier suivant la revendication 9, caractérisé en ce que le premier dispositif de contact et le second dispositif de contacts soht des fils de contact entrelacés, soudés par points, 13* Boîtier de jonction suivant lti une quelconque des revendications 1 à 12 destiné à être utilisé avec des dispositifs semi#conducteurs9 possédant au moins trois régions actives destinées à fonctionner à hautes fréquences, caractérisé en ce qusil comprend un support de métal possédant une surface de dessus et une surface de dessous et une projection longitudinale en saillie vers le haut à partir de la surface de dessus, définissant transversalement une première et une seconde parties réceptrices sur la surface de dessus dudit sup- port de métal, une première et une seconde pièces de céramique métallisées conductrices de la chaleur possédant chacune des couches métallisées sur leurs surfaces de dessus et de dessous disposées respectivement sur lesdites première et seconde parties réceptrices très sensiblement adjacentes et de part et d'autre de ladite projection, les couches métallisées sur les surfaces de dessous étant en contact intime et fixées aux parties réceptrices du support de métal, le dispositif semi-conducteur et une première région active de celui-ci étant fixés à une partie plus petite que la totalité de la couche métallisée sur la surface de dessus de la première pièce de céramique, un premier fil de contact fixé à une partie restante de la couche métallique sur la surface de dessus de la première pièce de céramique, un second fil de contact en relation planaire avec le premier conducteur de contact fixé à la couche métallique sur la surface de dessus de la seconde pièce de céramique, un premier dispositif de contacts destiné à connecter une seconde des régions actives du dispositif semi-conducteur à la projection, et un second dispositif de contacts entrelacé avec le premier dispositif de contacts, destiné à connecter une troisième des régions actives du dispositif semi-conducteur au second fil de contact. 14o Bottier de jonction suivant l'- une des revendications 1 à 12, pour le fonctionnement de dispositifs semi-conducteurs à hautes fréquences, caractérisé en ce qugil comprend un support de cuivre pratiquement exempt d1oxygè- ne, possédant des surfaces de dessus et de dessous et une projection longitudinale en saillie vers le haut à partir de la surface de dessus, ladite projection définissant une première et une seconde parties de la surface de dessus, une première et une seconde pièces de céramique conductrices de la chaleur possédant chacune une première couche métallique sur sa surface supérieure et une seconde couche métallique sur sa surface de dessous, les dites première et seconde pièces de céramique étant disposées respectivement sur les dites première et seconde parties réceptrices sensiblement adjacentes et de chaque coté de ladite projection9 les dites secondes couches métalliques étant en contact étroit avec et fixées aux dites parties réceptrices dudit support de cuivre , une pastille de transistor possédant un corps qui constitue sa région de collecteur et des régions de base et d 'émetteur qui sont en relation de coopération, interdi gitées l'une avec l'autre, la région de collecteur étant connectée à une partie plus petite que la totalité de la première couche métallique sur la première pièce de céramique, un premier fil de contact fixé à la première couche métallique sur la première pièce de céramique, ledit premier fil de contact étant en contact électrique avec le collecteur de la pastille de transistor, un second fil de contact, en relation planaire avec le premier fil de contact, étant fixé à la première couche métallique sur la seconde pièce de céramique9 des premiers fils de contact connectant la région interdigitée d'émetteur au second fil de contact, et des seconds fils de contact entrelacés avec les premiers fils de contact, connectant la région interdigitée de base de la pastille de transistor à la projection.