FR 2099615 A1 19720317 FR 7127378 A 19710726 71 27378 1 2099615 La présente invention se rapporte à des redresseurs semiconducteurs intégrés, en particulier des ponts redresseurs de puissance, et à leur procédé de fabrication. On s?.it que des redresseurs multiples peuvent être réalisés sous forme de circuits intégrés dans un seul élément semiconducteur. Des redresseurs multiples sont couramment incorporés à des circuits intérrés par des procédés généralement compatibles avec le traitement d'autres éléments semiconducteurs actifs. Par exemple des redresseurs intégrés sont couranment formés clans des circuits de transmission de signaux par des techniques de diffusion planaire Lorsqu'on utilise un traitement de circuits intégrés tel nn'ur.e diffusion planaire, les redresseurs intégrés ne possèdent pas les caractéristiques appropriées de blocage .de tension pour la plupart des applications de traitement de courants. Egalement des -certes internes de puissance excessives peuvent introduire des difficultés en ce qui concerne l'évacuation de la chaleur et/ou l'observation de critères de polarisation directe. Bien que des conceptions particulières aient été proposées pour des redresseurs de puissance intégrés, elles nécessitent une manipulation et un traitement individuels de chaque unité à redresseurs intégrés. Bien que le traitement d'une unité è redresseurs intégrés puisse constituer dans des circonstances appropriées un progrès par rapport au traitement de redresseurs distincts, on n'a pas réalisé les économies important f?S G_UC l'on peut obtenir en traitant un grand nombre c'urites, ultérieurement séparables, simultanément d-^ns une seule plaquette, comme cela est courant dans la. fabrication de dispositifs de traitement de signaux. L'invention a en conséquence pour but de fournir un procédé de fabrication d'une unité à redresseurs intégrés, en particulier d'un pont redresseur intégré, à partir d'une seule pastille semi-conductrice • L'invention a ég?lerent pour but de fournir une unité s redresseurs intégrés, en particulier un pont s redresseurs intégrés qui puisse être utilisée efficacement -dans des apr-lie- tiens de traitement de courants. Ce problème est résolu sv-iv nt l'invention par un procédé de fabrication BAD ORIGINAL 71 27378 2 2099615 bandes d'un premier type de conductivité espacées régulièrement et séparées par des bandes de conductivité de type opposé» On forme sur une seconde grande face opposée de la "pastille plusieurs bsnâen du rre: ier type de conductivité espacées régulièrement et 5 oér-rcec par ces brades de conductivité de type opposé. Des bandes du premier type de conductivité- de la prerière grande face sont alignées avec des bandes de conductivité de type opposé de la seconde grande face afin qu'une jonction redresseuse soit formée p"r les b--'ndes dnns la pastille entre chaque paire de bandes 10 opposées. Des raiiures sont ménagées dans la première grande fzce sur une profondeur suffisante pour couper les 1onctions redresseuses. les rainures sont placées à l'intersection de bandes adjacentes ♦ Des rrinures sont formées dpns la seconde grande face sur une profondeur suffisante pour couper les jonctions redresseuses. 15 les rainures sont réparties en rangées latéralement espacées et elles divisent au moins une partie des bandes de la seconde grande f-'Ce en plusieurs segments espacés latéralement. On découpe la pastille le long des rainures de façon à former des unités semi-conductrices. 20 L'invention concerne également un élément semiconducteur mono cristallin comportant des première et seconde grandes faces opposées, une rainure pratiquée dans la première grande face et une prerière zone d'un premier type de conductivité s'étendant le long de ls première grande face et délimitée sur un bord par la rainure. 25 ï-ne seconde sone d'un second type de conductivité s'étend le long de la première grande face et elle est séparée de la première zone par la rainure- T"ne troisième zone du second tvpe de conductivité est placée au dessus de la première zone et forme avec elle une jonction redresseuse tandis qu'une quatrième zone du premier type 30 de conductivité est placée au dessus de la seconde zone et forme avec elle une jonction redresseuse « D'autres avantages et caractéristiques de l'invention seront mis en évidence dans la suite de la description, donnée à titre d'exemple non limitatif, en référence aux dessins annexés dans 35 lesorels : la ?ig. 1 est une vue latérale d'une pastille utilisée comme élément de départ dr.ns la mise en pratique du procédé de l'invention la Fig. 2 est une vue latérale de la pastille de la Fia. 1 après -lA*f if BAD ORIGINAL 71 27378 3 2099615 diffusion ; les Fig. 3 et 4 sont des vues en élévation des grandes faces opposées de la pastille de la Fig. 2 ; la Fig. 5 est une vue latérale de la pastille de la Fig. 2 après 5 rainurage ; les Fig. 6 et 7 sont des vues en élévation des grandes f'-ces opposées de la pastille de la Fig. 5 ; la Fig. 6 est une vue en perspective d'un élément semiconducteur formé suivant le procédé de l'invention ; 10 la Fig. 9 est une vue en plan d'un module semiconducteur formé par le procédé de l'invention ; les Fig. 10 et 11 sont des coupes faites suivant les lignes 10-10 et 11-11 de la Fig. 9. Sur les dessins, les éléments semiconducteurs n'ont pas été 15 représentés en coupe pour éviter une complication des figures. En outre, pour améliorer la représentation, l'épaisseur des pastilles et des éléments semiconducteurs a été fortement exagérée par comparaison à leurs longueurs et à leurs largeurs• Comme élément de départ pour la mise en pratique de l'inven-20 tion, il est préférable d'utiliser une pastille semiconductrice. Des pastilles semiconductrices sont constituées par des tranches minces de matière semiconductrice monocristalline présentant des dimensions latérales qui sont grandes par compar' ison à leur épaisseur* Une pastille semiconductrice a en particulier une 25 dimension la.térale maximale comprise entre 12,5 et 50 mm, en fonction des dimensions du cristal à partir duquel la pastille est formée* L'épaisseur de la pastille est comprise entre une valeur minimale permettant une manipulation pratique en cours de traitement sans risque excessif de rupture et,de préférence inférieure à 30 0,12 mm, et une valeur maximale d'environ C,5 mm, qui est déterminée principalement par la capacité de blocage de tension maximale qu'on désire finalement obtenir. La pastille utilisée comme élément de départ présente dans la plupart des cas une faible concentration en impuretés de caractéristique résultante de t"~pe ^ ou F. Bien 35 qu'il soit théoriquement préférable d'utiliser comme élément de départ une pastille formée d'une matière semiconductrice intrinsèque, on choisit la pastille, dans des applications.pratiques,, seulement de façon à se rapprocher d'une matière semiconductrice BAD OWGlHM. 71 27378 4 2099615 10 15 20 25 30 35 intrinsèque du degré nécessaire pour obtenir les caractéristiques électriques désirées. Dans la plupart des application de traitement de courants, il est préférable que la pastille soit formée de silicium mais l'invention est aussi applicable à des matières semiconouctrices monocristallines. A titre d'exemple, la pastille 100 de la fig. 1 présente une faible teneur en impuretés de caractéristique de type N. la pastille 100 a été représentée sur les Fig. 2 à 4 comme elle apparait après diffusion d'impuretés de type K et P pour former plusieurs bandes adjacentes aux grandes faces opposées 102 et 104. Sur chaque grande face, les bandes de conductivité de type P alternent avec des bandes de conductivité de type ÎT+. Des bandes de conductivité de type P de chaque grande face sont alignées avec des bandes de conductivité de type îl+ de la grande face orposée. Fn conséquence, une jonction redresseuse est située entre chaque bande et la "bande alignée avec elle sur la grande face opposée. Les bandes peuvent être formées par masquage des faces opposées de la pastille de façon à la,isser découvertes des bandes espacées latéralement. On peut alors faire diffuser une impureté d'un premier type de conductivité dans la pastille de façon à former des bande's de conductivité correspondante dans celle-ci. Ensuite les zones de pastille initialement découvertes peuvent être masquées et les zones de pastille initialement masquées renvent être découvertes. Une seconde phase de diffusion avec une impureté de conductivité de type opposé termine la fabrication de la pastille comme indiqué sur les Fig. 2 à 4- Les 4- deux bandes de conductivités de types ÎT et P peuvent être formées simultanément en utilisant une source d'impuretés telle que de l'arséniure de gallium. Ainsi il est possible en utilisant des techniques connues de pourvoir la pastille de bandes de conductivités de types N+et P comme indiqué sur- les Fig. 2 à 4 simplement en utilisant une seule phase de masquage et une seule phase de diffusion. Apres diffusion, la pastille 100 est pourvue de rainures en vue d'isoler latéralement des bandes ou zones adjacentes le long d'une grande face et de diviser les bandes ou zones en segments le long d'une grande face opposée.Comme indiqué sur la Fig. 6, des rainures parallèles et espacées latéralement 106 sont pratiquées bad original 71 27378 5 2099615 dans-la grande face de la pastille de manière à diviser les "bandes ou zones de conductivités de t,rpe I et T,+ de cette grande face en serrent s latéralement es'ccés. Les rainures 106 ont une. r-rofon— d.er.r suffisante Tour isoler les ,1 onctions redresseuses ^rpartenant 5 à c'-'-^ue rangée 10c de se^ents contigus des jonctions redresser.— rangées latér" le' ent °d i-ncnnt6S • Cela sjÊ-pnifie que les rainures 106 pénètrent Après formation des rainures, la. pastille peut être découpée le long des rainures de façon à constituer plusieurs unités semi-conductrices- Les plus petits éléments redresseurs intégrés 35 suiv-nt l'invention sont formés par découpage de 1? pastille le long de toutes les rainures 1^6 et le long de rainures alternées 110. Pour former des ponts redresseurs intégrés, la. pastille peut être décounée a la fois le long de rainures alternées 106 et le BÀD OP.IC 71 27378 6 2099615 long de rainures alternées 110. Pour former des ponts redresseurs intégres triphasés, la pastille peut être découpée le long de rainures alternées 110 et le long d'une rainure 106 sur trois. Sur la i'ig. 8, on a représenté un pont redresseur 2C0 oui est fonte de la partie de pastille 100 représentée sur la Fig. 6 oui est délir.itée par la lisière A. Le pont est réalisé sous forre d'un seul élément semiconducteur monocristallin• Une première zone 202 s'étend le long de la grande face 104 et elle est séparée latéralement d'une seconde zone 204 par une partie de la rainure 110 pratiquée dans cette grande face- la première zone a une conductivité de t^pe L'"1" et la seconde zone une conductivité de tvpe P. Une troisième zone de conductivité de tvpe P est divisée par une partie de rairure 106 pratiquée dans la grande face 102, en un premier segment 206 A et en un second segment 206 S espacés latérale! ent. One quatrième zone de conductivité 1: est divisée par la rainure 106 en un prer. ier segment 2OSA et .en un second segment 2083. les parties de rainures 106 et 110 se courent de façon à former une ouverture 210 au centre de l'unité. Puisque les segments superposés de prer/ière et de troisième zone ont des conductivités de types opposés, des jonctions redresseuses sont forcées entre chacun des segments de troisième zone et la première zone. De façon similaire, des jonctions redresseuses sont formées entre chacun des segments de quatrième zone et la seconde zone sous-jacente. On a représenté sur la Fig. 8 un axe X disposé dans le creux correspondant à la partie de rainure 110 et un axe Y disposé dans le creux correspondant à la partie de rainure 106. On voit facilement qu'une partie redresseuse séparée du pont est située dans cK-cun des qivtre quadrants déllrr-'tés par les axes A et Yqui se coupent. Chne partie redresseuse comporte une jonction redresseuse séparée. Il est à noter que le pont redresseur pourrait le cas écréant être découpé le long de l'axe Y de façon s forrrer deux redresseurs intégrés identiques suivant l'invention. Les deux redresseurs intégrés pourraient être utilisés ensemble afin de rerplir la rêne fonction que le pent redresseur nais il va de soi que. dans la plupart des aprliceticns, il est avantareux de traiter et d'utiliser le ^ont redresseur corre un élérf nt unitaire et non p»s comme deux éléments • Lors c 'applic tiens du tyrie bad 71 27378 7 2099615 triphasé, le pont redresseur peut être agrandi en déplaçant la lisière de l'unité subdivisée dans la pastille le long de la ligne en tirets C corne indiqué sur la Fig- 6. Dans ce cas, le pont redresseur triphasé a l'aspect de la Fig. 5 aais la troisième et la 5 quatrième zone sont divisées chacune en segments par deux parties de rainures 106 au lieu d'être divisées en deux segments par une partie de rainure 106, comme représenté- Four obtenir un redressement polyphasé, il suffit de prévoir des segments supplémentaires dans les troisième et quatrième zones-10 Un nodule semicorducteur construit suivant l'invention a été représenté srr les Fig. 9 à 11 incluse. Le module semiconducteur 300 comporte un élément semiconducteur monocristallin 302 qui est un pont redresseur intégré et triphasé construit corne décrit plus haut - 1'élément 302 comprend une première zone 304 de conductivité 15 de type N+, adjacente à une première grande face 306. Une reconde zone 3C6 de conductivité de type F est espacée latéralement de la. première zone par une rainure 310 pratiquée dans la première grande face. Une troisième zone 312 de conductivité de t^pe P est placée sur la première zone- La troisième zone est subdivisée par des 20 rainures 31^, 3l6 espacées latéralement, en trois segments 312A, 312B, 312C espacés latéralement- La troisième zone s'étend le long d'une seconde grande face 51^.'Une quatrième sone 320 est placée au dessus de la seconde zone et elle est subdivisée par les rainures 314 et 316 en trois segments espacés latéralement, comme 25 pour la troisième zone- Une jonction redresseuse séparée est formée entre chaque segment de la troisième zone et la première zone- De même une jonction redresseuse séparée est formée entre chaque segment de la quatrième zone et la seconde zone. Four évacuer la chaleur de l'élurent semiconducteur, il est 30 prévu un substrat 322 qui est à la foi? électriquement et thermi-auement conducteur- "in particulier ce substrat 322 est formé de cuivre ou d'un métal de grande conductivité thermique- Une grande face du substrat est liée à une couche 324 d'une matière électriquement isol'-nte et therniquerent conductrice telle que du r-itrure 35 d'aluirinirr., de l'onde de ber-'llirr, de 1 ''-lur.ine, du ritrure de bore, etc- Lorsque la couche 524 est rssez mince, c'est è dire d'une épaisseur inférieure à C,12 mrr, elle peut être for-née de résines synthétiques, telles que du " 'Jeflcn ", du "I-.ylar ", etc. 3AD >jP.K5:NAL 71 27378 8 2099615 qui sont connues pour avoir de "bonnes propriétés d'isolement électrique• Il est prévu un premier et un second contact 326, 328 espacés latéralement de façon à établir une connexion thermiquement et 5 électriquement conductrice de faible impédance respectivement avec la première et la seconde zone» le premier et le second contact créent en outre une voie thermiquement conductrice et de faible impé^mce assurant la liaison avec la couche 324* Le premier et le second contact servent de contacts de sortie du module de pont. 10 Un premier, un second et un troisième contact d'entrée 330,332 et 334 sont reliés respectivement au premier, second et troisième segment des troisième et quatrième zones. Chacun des contacts d'entrée est placé au dessus de segments contigus des troisième et quatrième zones. Un passivant de protection 336 est placé dans 15 les rainures et il entoure periphéricuement l'élément semiconducteur de manière b être situé au dessus des jonctions redresseuses, à leurs intersections avec les faces de l'élément. Dans un mode préféré de réalisation de l'invention, le passivant est formé d'une ratière telle que du verre qui peut servir d'enveloppe 20 isolante pour le module. Dans la forme représentée, on voit que le passivant et les contacts réalisent ensemble l'enveloppe de l'élément conducteur. Il est è noter que d'autres passiv-;nts connus tels que des oxydes, des nitrures, des vernis et des caoutchoucs aux silicones, des résines époxy, etc. peuvent être 25 utilisés à la place du verre comme passivant et que ces substances peuvent être employées avec d'autres dispositions d'enveloppes connues telles que des boitiers en matière plastique moulée, des conteneurs métalliques hermétiquement scellés, etc. ; lors de l'utilisation du module 300 , le substrat 322 est fixé sur le corps 30 de réception de chaleur qui peut être un échangeur de chaleur ou un cMssis* L'élément semiconducteur 302, tout en étant relié therniquement au substrat par l'intermédiaire du premier et du second contact 326, 328, est électriquement isolé du substrat* Dans une application typique, les trois fils d'une source de 35 courant alternatif triphasé peuvent être fixés respectivement sur chacun des contacts d'entrée 330, 332, 334. Le premier et le second contact servent de fils de sortie de courant continu pour le module- Les fils de réception de courant continu peuvent être 71 27378 9 2099615 * fixés sur les parties du premier et du second contact nui dépassent latéralement de l'élément semiconducteur* L'éléir.ent seri-conducteur, bien que monobloc, remplit 2s. même fonction électrique que six diodes distinctes dans un pont redresseur triphasé en 5 double "ltemance • ir. c.-tre, en utilisant du verre è la fois corme parsiv'nt et comme matière d 'er/v pe isol- nte, on peut protéger les jonctions r«dresseuses situées dan? l'élément semiconducteur contre des rr dier.ts de surface excessifs de sorte qu'elles "euv°nt absorber des tensions inverses appréciables* 10 Eien qu'on ait représenté le module 300 sous forme d'un pont triphasé, il est à noter que ce module pourrait être ^is-'r.ent converti en un pent monophasé seulement en remplaçant 1 * élément semiconducteur 302 par l'élément semiconducteur 20C. En vrriante, un module comportant un élément redresseur ir_té~ré pourrait être 15 formé en utilisant seulement la p- rtie de l'élément semiconducteur 200 qui est située à p-r.che de 1 'axe Y sur 1- -Fi-r. £. lier, -u'on ait représenté les contacts de sortie corme fortrnt une voie thermiquement conductrice aboutissant au substrat, il va de soi que l'élément semiconducteur pourrait être inverse de m/nière que 20 les contacts d'entrée forment la voie therr/iquement conductrice aboutissant au substrat. 1our de nombreuses applic tions du module, le substrat 522 peut être complètement supprimé et la couche 324 fixée directement sur m c:""scis ou un écvangeur de chaleur. Bien que les contacts aient été représentés pour simplifier sous forme 25 de couches métalliques uniques, il va de soi cu'on peut employer des contacts à couche unique ou multiple. Au lieu d'utiliser une pastille sensiblement intrinsèque comme élément de déport, cette pnstille peut être initialement depée uniformément jusqu'au niveau désiré s l'aide d'impuretés de type P ou T. et on peut 30 ensuite effectuer une diffusion le long- de V-ndes en utilisant seulement l'impureté de conductivité de t-pe opposé. Au lieu de faire diffuser une impureté dans la pastille pour former les bandes ou sones, celles-ci peuvent être réalisées tsar ^llioce. 71 27378 2099615 r5vei;dic;.tioks 1. Proche de fabrication de dispositifs semiconducteurs, caractérisé en ce "u'on forme g- ns une pastille semiconductrice sur une prerière grande face plusieurs bandes d'un premier type de condirctivité régulièrement espacées et séparées par des bandes d'une conductivité de tvpe opposé, en ce nu"on forme dans la Pastille série-réductrice sur une seconde fr-mde face opposée plusieurs bandes du premier twpe de conductivité régulièrement espacées et réparées par des bandes de conductivité de tvpe oppose, les b- ndes du. premier type de conductivité de la première grande face ét'-nt ^lignées avec les landes de conductivité de tvpe opposé de la seconde grande face de telle manière qu'une jonction redresseuse est formée dans 1--- pastille entre chaque pa.ire de bandes opposées, en ce nu1 on forme dans la première grande face è l'intersection de landes adjacentes des rainures ayant une profondeur suffisante pour couper les jonctions redresseuses, en ce qu'on forme dr ns la seconde grande face des rainures ayant une profondeur suffisante rour couper les jonctions redresseuses, réparties en rangées latéralement espacées et divisant au moins une partie des bandes d.f la seconde grande face en plusieurs segments espacés latérale: ert pt" en ce qu'on découpe la pastille le long des rainure? de f^con à former dans celle-ci des dispositifs semiconducteurs . 2. Procédé suivant la revendic tion 1, caractérisé en ce que les bandes du rrcr:ier t"pe de conductivité sont simultanément formées le long des dites première et seconde faces par masquage de la pastille le long de b: ndes régulièrement espacées sur les dites pre: ière et seconde faces, les b-'-ndes des faces opposées n'étant pas alignas, et en ce qu'en fait ensuite diffuser une impureté du pre. ier tT-pe de conductivité dans les parties de p' stille non masquées• 3. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'on crée des contacts par métallisution sur la première et la seconde grande face avant la formation des rainures» 4. Procédé suivant la revendic=tion 1, caractérisé en ce qu'on crée des contacts p-r métallis tion sur au moins une des grandes faces sous forme de bandes latéralement espacées, les bandes métallisées étant utilisées comme masques pour la formation des bad original 71 27378 11 2099615 rainures. 5. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce aue la pastille est découpée de manière qu'au moins une des sous-unités semiconductrices soit délimitée par des parties de surface de rainures initialement non adjacentes le long de bords opposés et comprenne un segment de rainure non modifié à l'intérieur de sa périphérie. 6. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la .pastille est découpée de manière qu'au moins une des sous-unités semiconductrices soit délimitée sur tous ses bords opposés nar des parties de surface de rainures initialement non adjacentes et comprenne des segments de rainure non modifiés è l'intérieur de sa. périphérie le long de sa première et de. sa seconde grande face. 7. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'un passivant de protection est déposé sur les rainures avant le découpage de la pastille. 6. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce eue des parties des sous-unités, le long des dites première et seconde grand.es faces, sont pourvues de contacts et en ce que les surfaces restantes des sous-unités sont protégées par un passivant diélectrique • 9. Elément semiconducteur mono cristallin conraort"-nt des première et seconde grandes faces opposées et une rainure pratiquée dans la première grande fa.ee, caractérise en ce ou'il comprend une pre; ière zone d'un prer- i°r t-pe de conductivité le long de la première grande face et délimitée sur un bord" par 1" rf inure, une seconde zone d'un second tirpe de conductivité le long de la prer ière grande face et séparée de la première zone par la rainure, une troisième zone du second type de conductivité placée au dessus de la première zone et formant avec elle une jonction redresseuse et une quatrième zone du premier type de conductivité située au dessus de la seconde zone et formant avec elle une jonction redresseuse. 10. Elément semiconducteur monocristallin comportant des première. et seconde grandes faces opposées et pourvu d'une pre}.1ère rainure pratiquée dans la prer.ière grande face, d'une seconde rainure pratiquée d^ns la seconde grande face et d.'une ouverture située à l'intersection des rainures, caractérisé en ce qu'il comprend une BAD OFUGiNAI 71 27378 12 2099615 première zone d'un premier type de conductivité le long de la première grande face et délimitée sur un""bord par la première rainure, une seconde zone d'un second tape de conductivité le long de la première f rende fr-ce et séparée de la première zone par la 5 première rainure, une troisième zone du second t-~pe de conductivité située au dessus de la xv mière zone de façon à former avec elle une jonction redresseuse et divisée par la seconde rainure en deux segments espacés latéralement, et une quatrième zone du premier type ce conductivité située au dessus de la seconde zone de façon 10 à former avec elle une jonction redresseu.se et divisée par la seconde rainure en deux segments espacés latéralement. 11. Elément semiconducteur monocristallin comportant des première et seconde grandes faces opposées et pourvu d'une première rainure pratiquée dans la première grande face, d'une seconde et 15 d'une troisième rainure espacées latéralement pratiquées dans la seconde grande face, et de deux ouvertures situées aux intersections de la première rainure avec la seconde et la troisième rainure, caractérisé en ce qu'il comprend une première zone d'un premier type de conductivité le long de la première grande face et kO délimitée sur un bord par la première rainure, une seconde zone d'un second t^pe de conductivité le long de la première grande face et séparée de lr- première zone par la première rainure, une troisième zone du second tT_pe de conductivité située au dessus de la première zone de façon à former avec elle une jonction redres--5 seuse et divisée par la seconde et la troisième rainure en trois segments espacés latéralement et une quatrième zone du premier type de conductivité située au dessus de la seconde zone de façon à former avec elle une jonction redresseuse et divisée par la seconde et la troisième rainure en trois segments espacés latérale-30 ment. 12. Dispositif semiconducteur comprenant un élément semiconducteur monocristallin suivant la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comporte des premier, second, troisième et quatrième organes de contact reliés électriquement aux dites première, seconde, 35 troisième et quatrième zones respectivement et des moyens passivants de protection associés au dit élér ont semiconducteur et coopérant avec les dits organes de contact pour former l'enveloppe du dit élément semiconducteur. BAD ORIGINAL 71 27378 2099615 13. Dispositif comprenant un élément semiconducteur monocristallin suivant la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comporte des premier et second organes de contact reliés électriquement aux dites première et seconde zones respectivement, des troisième et 5 quatrième orfpn.es de contact reliés chacun électriquement à l'un *• des dite segments des dites troisième et quatrième sones, les segments associés à chacun des dits troisième et quatrième organes de contact étant contigus, et des moyens passivants de protection associés au dit élément semiconducteur et coopérant avec les 10 organes de contact pour former l'enveloppe du dit élénent semiconducteur. 14. Ensemble comprenant un élément semiconducteur mono cristallin suivant la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comporte des premier et second organes de contact reliés électriquement aux 15 dites première et seconde sones respectivement, des troisième, quatrième et cinquième organes de contact reliés chacun électriquement à l'un des dits serments des dites troisième et quatrième zones, les dits segments associés à chacun des dits troisième, quatrième et cinquième organes de contact étant contigus, et des 20 moyens pascivants de protection associés au. dit élément ser^conducteur et coopérant avec les orge nés de contact pour fermer l'enveloppe de l'élément semiconducteur. 15. I odule semiconducteur caractérisé en ce qu'il comprend un substrat thermiquement conducteur pourvu d'"né grande face é-lec- 25 tricuer Pnt isolante, un premier et un second organe de sortie électrirv?rent conducteurs, espacés latéralement, des organes d'entrée disposés au dessus des deux organes de sortie et espacés de ceux-ci, un élément semiconducteur mono cristallin suivnt la. revendication. S', d^ns lequel la première zone est reliée éleetri-30 qver.ent au premier organe de sortie tandis que la seconde sone est reliée électriquement au second organe bad or!®? 71 27378 14 2099615 16. î'odule semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat thermicuement conducteur comportant une grande face électriquement isolante, un premier et un second organe de sortie électrique::.ent conducteurs espacés latéralement, un premier et un 5 second or~ane d'entrée électriquement conducteurs et latéralement espacés, les deux organes d'entrée ét*?nt disposés au dessus des deux organes de sortie et étant espacés de ceux-ci, un élément semiconducteur jnonocristallin suivant 1° revndic- tion 10, dans lequel la dite première zone est reliée électriquement eu premier. 10 org'-ne de sortie, le seconde zone est reliée électriquement au second org'-ne de sortie, une p'-ire de segments contigus des dites troisième et quatrième zones est reliée électriquement au dit r>rr:;-,ier organe d'entrée et une paire restante de segments contigus des troisième et quatrième zones est reliée électriquement au dit 15 second org ne d'entrée, en ce qu'un des dits organes d'entrée et de sortie est interposé entre l'élément semiconducteur et le substrat et établit entre ceux-ci une voie thermiquement conductrice et en ce qu'il est prévu des moyens passivants de protection associés à l'élément semiconducteur et coopérant avec les dits 20 orr-.nes d'entrée et de sortie pour former l'enveloppe du dit élément -"=ri conducteur. 17. I odule semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat thermiquement conducteur comportant une grande face électriquement isolante, des premier et second organes de sortie élec- ^5 trio v-cm ent conducteurs , espacés latéralement, des premier , second et troisième organes d'entrée électriquement conducteurs, espacés latér lerent, chacun des organes d'entrée étant disposés au dessus des deux org'-nés de sortie et étant espacés de ceux-ci, un élément semiconducteur monocristallin suivant 1- revendication 11, d'jns 50 lequel la première zone est reliée électriquement au premier organe de sortie, la seconde zone eet reliée électriquement au second org- ne de sortie, une paire de segments contigus des dites troi— ~i'-me et quatrième zones est reliée électriquement au' dit premier organe d'entrée, rne paire adjacente de segments contigus des 35 dites troisième et eu tr:'.; mes zones est reliée électriquement au dit second organe de sortie et une troisième paire de segments contigus des dites troisième et quatrième zones est reliée électriquement au troisième organe de sortie, en ce qu'un des dits 8AD ORIG/NAL * 71 27378 15 2099615 organes de sortie est interposé entre le dit élément semiconducteur et le substrat et établit entre ceux-ci une voie thermieue-ment conductrice et en ce qu'il est prévu des moyens passivants de -protection associés ^u dit élér.ent semiconducteur et coopèrent avec les dits organes d'entrée et de sortie pour former l'enveloppe du dit élér.ent semiconducteur.