FR 2047946 A1 19710319 FR 7023639 A 19700625 70 23639 1 2047946 L'invention a pour objet des perfectionnements dans le domaine de la technologis dss semi-conducteurs et plus particulièrement un procédé pour produire de la matière par dépôt épi-taxique au moyen d'un processus de transport au moyen d'iode. 5 La croissance d'un matériau semi-conducteur à cristal unique ou polycristallin, tel que le silicium ou le germanium, sur la surface d'un support semi-conducteur suivant un processus épitaxique est bien connue dans la technique. De fait, il est connu d'amener le silicium, formé par croissance épitaxique à des 10 niveaux de résistivité désirés par dopage avec des impuretés de type "n" ou de type "p" en vue de produire des dispositifs semiconducteurs comportant différents arrangements de jonction "p-n". En général, on réalise la croissance ou couche épitaxique par réduction de tétrachlorure de silicium à l'aide d'hydrogène. Sui-15 vant une technique antérieure, on a la possibilité d'amener l'épi-taxie par transport au moyen d'iode à rechercher et à remplir de petits trous dans des masques recouvrant un support semiconducteur qui peut servir à propager la croissance de plaquettes à cristal unique, de dispositifs à cristal unique sur des supports 20 isolants ou de dispositifs à cristal unique dans des régions choisies d'un support isolant. Le but de l'invention consiste à décrire un procédé pour faire croître des cristaux uniques de matériaux semi-conducteurs, tels que le silicium, au moyen du processus susindiqué de trans-25 port par l'iode, selon lequel la croissance d'un cristal unique se propage à travers une multitude de petits trous dans une plaquette relativement épaisse ou un masque qui peut présenter des propriétés isolantes ou conductrices et qui se trouve initialement en contact avec un support utilisé pour la nucléation du 30 cristal qui croît de façon désirée. Du fait que les sites utilisés pour la nucléation sont très petits et présentent une faible résistance mécanique, quand le matériau semi-conducteur a atteint l'épaisseur voulue, le masque avec ses cristaux nouvellement formés se sépare du support et on obtient ainsi des cristaux uniques 35 dans un masque isolant ou conducteur. Suivant une variante, une couche de cristaux peut être formée par-dessus la surface du masque par suite d'une continuation de la croissance au-dessus des trous. De plus, le masque peut être pourvu d'évidements comportant, dans leurs fonds, des trous dans lesquels, par le pro-40 cessus de transport au moyen d'iode, du matériau semi-conducteur 70 23639 2 2047946 est déposé avec formation de cette façon de régions isolées de cristaux uniques. Brièvement, selon l'une des réalisations de l'invention, on obtient la propagation d'une structure de cristal unique en 5 masquant par oxydation ou d'une autre façon la surface d'un support cristallin utilisé pour la nucléation, en formant de très petits trous à travers le masque suivant des rangées convenablement espacées et en remplissant les trous au moyen du processus épitaxique de transport par l'iode, propageant ainsi la crois-10 sance du cristal unique dans chaque trou. L'orientation cristalline du cristal nouvellement formé est entièrement contrôlée par la structure du cristal utilisé pour la nucléation qui se trouve en dessous du masque. Selon une autre réalisation de l'invention, on prévoit un masque mince comportant de petits trous convenable-15 ment espacés et se trouvant en contact intime avec un support en silicium utilisé pour la nucléation, lequel support est soumis au processus épitaxique de transport par l'iode de manière que les trous se remplissent et on laisse le processus épitaxique se poursuivre jusqu'à ce qu'une plaquette constituée par un cristal uni-20 que présentant l'épaisseur voulue soit formée au-dessus de toute la surface du masque isolant. On sépare ensuite le masque et la plaquette constituée par le cristal, déposé de façon épitaxique, du cristal formant le support, par exemple par clivage. Selon encore une autre réalisation de l'invention, le masque peut être 25 pourvu d'évidements dans le fond desquels sont pratiqués des trous de telle manière que la croissance épitaxique au moyen du processus de transport par l'iode remplit les trous et évidements avec du silicium nucléé par le germe du cristal qui se trouve en dessous du masque. 30 Bien que l'invention soit décrite ici dans son application à la croissance épitaxique de silicium au moyen du processus du transport par l'iode, il va de soi que le procédé selon l'invention permet de déposer, sur des modèles choisis, également d'autres matériaux semi-conducteurs monoatomiques, tels que le germa-35 nium, ou d'autres matériaux semi-conducteurs combinés, tels que 1'antimoniure d'indium, l'arséniure de gallium et des composés analogues suivant la technique de croissance épitaxique, conformément au principe exposé plus haut. L'invention, ses objectifs et ses avantages sont décrits 40 ci-après, à titre illustratif, mais nullement limitatif, d'une 70 23639 3 2047946 façon plus détaillée avec référence aux dessins annexés, sur lesquels : - la figure 1 représente, en coupe, la forme d'un appareil utilisable pour la réalisation du procédé selon l'invention, 5 - la figure 2 représente, sur une plus grande échelle, un détail en coupe d'une partie de la structure de la figure 1, et — les figures 3 à 9 représentent, sur une échelle qui, pour des raisons de clarté, a été choisie plus grande, des coupes 10 de parties de l'ensemble semi-conducteur lors des différents stades de fabrication du dispositif selon l'invention. Conformément à la figure 1, une enceinte 10 pouvant être mise sous vide est constituée, par exemple, par un récipient à réaction 11 fabriqué à partir d'un matériau résistant à la chaleur 15 et non reactif, tel que le quartz. Un tuyau d'échappement 12 relie le réacteur 11 à un système de pompe à vide 13 par l'intermédiaire d'une soupape d'échappement 14. Un tuyau d'amenée de vapeur d'iode 15 relie le réacteur 11 par 1'intermédiaire d'une soupape d'alimentation en iode 16 à la chambre 17 qui constitue 20 une source de vapeur d'iode. La source de vapeur d'iode contient des cristaux d'iode 18 dont la sublimation est assurée par des moyens de chauffage appropriés, tels qu'un ruban chauffant 19 enroulé autour de la chambre à iode 17 et alimenté par un dispositif de réglage de température 20. Des corps semi-conducteurs 21 25 disposés dans un réacteur sont supportés par un plateau 22 en matière non réactive telle que le quartz. En dessous du plateau 22 est disposée une résistance électrique chauffante 23 destinée à régler la température dans le réacteur. Des écrans thermiques 24 et 25 constitués par une feuille de tantale ou d'une matière 30 semblable et pourvus d'orifices 26 forment, à une certaine distance, une ceinture autour de l'élément chauffant 23 et du plateau support 22. La figure 2 représente une vue agrandie du corps semiconducteur 21 comprenant un élément 32 qui peut consister, par 35 exemple, en un matériau semi-conducteur monocristallin et qui est destiné à servir de support pour la nucléation pour la croissance épitaxique selon l'invention. Le support 32, sur lequel est appliqué un masque 34 pourvu d'orifices, est disposé dans le réacteur 11 sur le plateau support 22 en face d'un corps qui cons-40 titue une source de silicium 42 et parallèlement à cette source. 70 23639 4 2047946 La source de silicium 42 consiste en un matériau semi-conducteur qui n'est pas nécessairement monocristallin, mais qui contient les impuretés en une concentration désirée pour la couche à former sur le support 32 par dépôt épitaxique. La distance entre 5 la source 42 et le support 32 est de préférence, par exemple, approximativement de 0,1 à 2,0 mm et cette distance peut être réalisée au moyen d'un anneau de séparation 50 en quartz ou en un autre matériau non réactif et résistant aux températures mises en jeu. L'anneau, c'est-à-dire la rondelle d'espacement, repose sur 10 le plateau support 22 avec lequel il forme l'enceinte du support 32 et il peut comporter sur son pourtour ou présenter d'une autre façon un grand nombre de petites ouvertures, telles qu'on peut les voir en 52, qui permettent l'entrée d'une quantité suffisante de vapeur d'iode dans l'espace entre le support 32 et la source 15 42, tout en réduisant le plus possible la turbulence de la vapeur qu'on laisse entrer. Sur la figure 3 est représenté le support 32 qui peut consister, par exemple, en un matériau semi-conducteur monocristallin homogène, tel que le silicium, contenant une quantité 20 prédéterminée et uniformément répartie dans toute la masse d'impuretés du type,de celles qui déterminent la conductivité. Comme on le voit sur la figure 4, le support 32 est couvert sur au moins l'une de ses surfaces, qui doit servir à la croissance épitaxique, d'un masque 34 en un matériau masquant tel qu'une matière cérami-25 que, le verre, le quartz, le saphir, un matériau semi-conducteur, des métaux ou des oxydes de métaux tels que le molybdène, le tantale, le tungstène ou d'autres métaux réfractaires, des oxydes de silicium, le nitrure de silicium, le carbure de silicium ou le molybdène revêtu de nitrure de silicium pour n'en citer que 30 quelques uns. L'épaisseur de la couche qui constitue le masque 34 n'est pas critique, mais elle peut être, à titre d'exemple, O de l'ordre de 5000 A à 1,25 mm. Les trous 35 sont pratiqués dans des portions dhoisies de la couche qui constitue le masque 34, comme on le voit sur la figure 4, par une technique appropriée 35 quelconque telle que l'attaque photolithographique ou l'une des autres techniques bien connues. Les trous 35 peuvent être de section circulaire ou rectangulaire et présentent des dimensions de diamètre ou de côté allant de l'ordre du micron jusqu'à 0,25 mm et au-delà si on le désire. Il s'ensuit que la couche 34 pourvue 40 sélectivement de trous constitue un masque dont les trous expo 70 23639 5 2047946 sent des portions.choisies du support sous-jacent 32 délimitées par des séparations prédéterminées nettement définies. Un ou plusieurs des corps 21 ainsi préparés sont ensuite disposés dans le réacteur 11, comme on peut le voir sur la figure 1. 5 Le réacteur 11 est ensuite purgé au moyen d'un gaz appro prié, tel que l'argon, puis évacué à l'aide du système de pompe à vide 13 jusqu'à une pression d'environ 10~^ mm de Hg. Ensuite, l'élément chauffant 23 est mis en marche et le support est chauffé jusqu'à une température de l'ordre de 800 à 1400°C. La subs-10 tance servant de source 42 est maintenue de préférence à une température inférieure d'environ 100°C à celle du support, la différence de température étant réalisée, par exemple, par un dépôt appropriée des écrans 25. La croissance épitaxique commence avec l'introduction de 15 la vapeur d'iode dans le réacteur 11. La pression de la vapeur d'iode est maintenue entre 3 et 100 mm de Hg. Sans limiter le procédé selon l'invention par une théorie particulière de l'opération, on peut considérer que la vapeur d'iode entre en contact avec la source 42 moins chaude et réagit avec les molécules de 20 silicium pour former un ou plusieurs iodures de silicium. Le composé résultant diffuse rapidement vers la surface adjacente au support 32 où l'iodure se décompose sous l'effet de la température plus élevée du support, en libérant l'iode qui retourne vers la source pour participer à une nouvelle opération de trans-25 port. Au moment de la décomposition de l'iodure, de la matière semi-conductrice provenant de la source 42 est déposéê sur les surfaces exposées du support 32, comme on peut le voir en 36 sur la figure 5. Le transport de matière semi-conductrice de la source 42 vers le support 32 fait que la matière semi-conductrice 30 .est enlevée de la source 42 d'une manière uniforme. Par conséquent, la concentration de l'impureté de la source sera transférée avec une très grande précision dans la couche 36 déposée de façon épitaxique sur le support 32. De plus, du fait que le corps 21 se trouve enfermé, la turbulence entre la source 42 et le 35 support 32 est réduite à un minimum et le dépôt épitaxique peut s'effectuer avec un haut degré d'uniformité à la fois quant à l'épaisseur et quant à la résistivité à travers les portions choisies de la surface du support. Selon le processus de transport décrit ci-dessus, le 40 dépôt ou croissance épitaxique du matériau transféré de la 70 23639 6 2047946 source sur le support se produit à des vitesses de croissance donnant une épaisseur de 2 à 10 microns par minute- Le matériau 36 déposé de façon épitaxique constitue une continuation de la structure du réseau cristallin du support originel, mais seulement 5 aux endroits 36 de la surface où le support est exposé au processus de transport. Lorsque, par exemple, la couche de support présente une configuration de réseau de cristal unique, la croissance du matériau semi-conducteur 36 aura également la configuration de réseau de cristal unique. De même, lorsque le matériau du 10 substrat présente une configuration poiy cristalline, le matériau 36 déposé de façon épitaxique présente également une configuration pol_ycristalline. La figure 5 montre, d'une façon exagérée, que, lorsque la croissance épitaxique se développe au-delà des limites de la 15 couche constituant le masque 34, la croissance du cristal a tendance à s'effectuer suivant un plan horizontal le long de la surface cfe la couche masquante 34. Si l'on désire créer des structures de cristal unique, comme on peut le voir sur la figure 5, on peut, quand l'épaisseur de la couche épitaxique 36 a atteint la dimen-20 sion voulue, interrompre le processus de transport par l'iode. On retire alors les plaquettes 21 du réacteur et, dans le cas où la couche masquante 34 consiste en un oxyde, on peut l'enlever par une attaque chimique et séparer les cristaux, formés de façon épitaxique, du support des plaquettes. Dans le cas où le masque 25 34 est constitué par une matière céramique, du quartz, un métal ou une autre matière dans laquelle on désire retenir chacun des cristaux en forme de tablette, on peut séparer la couche qui constitue le masque 34 toute entière du support 32, par exemple par clivage. Cette opération s'effectue facilement, car les trous 30 35 sont très petits et présentent une faible résistance mécanique en comparaison avec la totalité de surface couverte par le masque 34. Le masque 34 peut donc être facilement enlevé avec ses tablettes semi-conductrices 36 du support 32, les tablettes restant intactes après le clivage. Cette possibilité est illustrée sur 35 la figure 6. Le matériau constituant le masque 34 avec ses tablettes semi-conductrices 36 peut ensuite être utilisé pour la fabrication de diodes, de transistors, de circuits intégrés, de lecteurs optiques et pour de nombreuses autres applications. Après clivage et repolissage, le support 32 peut être 40 utilisé à nouveau. Cette propriété est particulièrement désirable, 70 23639 7 2047946 non seulement parce qu'elle réduit le coût de la fabrication, mais aussi parce qu'elle permet la fabrication de nombreux cristaux en forme de tablettes ayant exactement la même structure cristalline. Comme il a été indiqué plus haut, la croissance épi-5 taxique du matériau semi-conducteur, une fois dépassée l'épaisseur de la couche qui constitue le masque 34, se poursuit le long d'un plan parallèle à la surface de cette couche. De ce fait, il est possible de produire, en laissant la croissance épitaxique se poursuivre, une tablette semi-conductrice de l'épaisseur désirée 10 s'étendant sur toute la surface de la couche qui constitue le masque 34. Cette possibilité est illustrée par la figure 7. Du fait que le processus de transport par l'iode produit une croissance uniforme à partir de chaque emplacement générateur de germes et que l'orientation de la structure cristalline est déterminée 15 par le matériau constituant le support semi-conducteur 32, la couche 38 en forme de recouvrement s'aligne rapidement spontanément de manière à présenter une épaisseur et une orientation cristalline uniformes. Comme il ressort de la figure 8, la couche de recouvre-20 ment 38 et la couche qui constitue le masque 34 peuvent être séparées du support 32 par clivage ou par d'autres moyens,de sorte qu'on peut ainsi obtenir une plaquette semi-conductrice d'épaisseur et d'orientation cristalline uniformes qui peut ser-• vir à la fabrication d'autres dispositifs semi-conducteurs. 25 Une autre réalisation selon l'invention, illustrée par la figure 9, consiste à utiliser comme masque une feuille 34 pourvue d'évidements 40 dont chacun comporte au fond un petit trou de manière à former un site de nucléation pour la croissance de cristaux à partir du support semi-conducteur 32. Les évidements 30 40 peuvent avoir n'importe quelle profondeur ou configuration désirables, imposées par les exigences d'une application particulière. Il peut, par exemple, être désirable de prévoir des évidements circulaires, lorsqu'on y forme une tablette semi-conductrice destinée finalement à servir de structure de diode. 35 On peut fabriquer évidemment encore d'autres configurations telles des tablettes à section carrée ou rectangulaire ou encore des rubans pour n'en citer que quelques unes. Comme il a été décrit plus haut, la couche qui .constitue le masque 34 peut être séparée du support 32 par clivage pour être utilisée dans la 40 fabrication de divers dispositifs semi-conducteurs. 70 23639 8 2047946 Exemple 1.- On peut fabriquer le dispositif représenté' sur la figure 6, conformément aux principes de 1'invention, de la façon suivante : on met en oeuvre un appareil du type illustré par la figure 1 et un support de tablettes 32 consistant, par exemple, 5 en silicium monocristallin essentiellement non dopé et présentant un diamètre approximativement de 2,54 cm et une épaisseur d'environ 0,175 mm. On dispose sur le support 32, de la façon indiquée sur la figure 4, une couche constituant un masque 34 constituée par du quartz, du molybdène, du tantale, du tungstène 10 ou par n'importe quel autre matériau réfractaire capable de résister aux températures mises en jeu et comportant le nombre de trous désiré. La feuille constituant le masque 34 peut avoir une épaisseur d'environ 0,012 mm et comporter environ 2000 ouvertures circulaires de 0,12 mm de diamètre. On dispose le support avec son 15 masque sur le plateau 22 du réacteur 11, comme on le voit sur les figures 1 et 2. Sur le support annulaire 50 qui le maintient à distance du plateau support 32, on dispose la plaquette 42 servant de source, laquelle plaquette d'un diamètre d'environ 25,4 mm et d'une épaisseur de quelques mm est p-dopée avec du bore jusqu'à 20 une résistivité de 5 ohm centimètres. On purge ensuite le réacteur en y faisant passer un courant d'argon durant environ 5 minutes, on l'évacué jusqu'à une pression de ÎO-^ mm de Hg et on coupe la communication avec le système de pompe à vide 13 en fermant la soupape 14. On met ensuite en marche la résistance chauffante 23 25 pour amener le support à la température de 1050°C, puis o*i met en marche l'élément chauffant 19 pour amener la source d'iode 18 à une température d'environ 55°C ; on laisse alors pénétrer la vapeur d'iode dans le réacteur 11 jusqu'à ce que la pression de vapeur d'iode"dans le réacteur atteigne la valeur de 3 mm de Hg. 30 Le transport de silicium au moyen de l'iode à partir de la source 42 vers le support 32 commence alors et, au bout de 15 minutes, on arrête lé transfert, en coupant le courant de l'élément chauffant 23, en fermant la soupape 16 sur le tuyau d'amenée d'iode et en purgeant le réacteur avec de l'argon. On constate qu'il s'est 35 formé sur chacun des emplacements choisis du support qui était exposé à travers le masque 34 une structure épitaxique 36 d'environ 0,075 mm d'épaisseur. Chaque structure ainsi produite présente une orientation cristalline semblable à celle du support,32. On retire la feuille formant le masque 34 de la couche du support 32, 40 comme on peut le voir sur la figure 6, de façon à obtenir une 70 23639 9 2047946 rangée de structures cristallines dans la feuille 34. La feuille 34 avec ses tablettes semi-conductrices 36 peut ensuite être traitée suivant des techniques connues, qui ne font pas l'objet de l'invention, en vue de fabriquer des dispo-5 sitifs semi-conducteurs. Exemple 2.- La figure 7 illustre la condition dans laquelle le procédé décrit ci-dessus avec référence à l'exemple 1 est utilisé; toutefois, la feuille constituant le masque 34 est formée ou d'un métal ou d'un oxyde de molybdène, présente une épaisseur de 10 0,012 mm et comporte des trous de 3 microns de diamètre dont les centres sont distants de 10 microns. Dans ce cas, on laisse le processus épitaxique se poursuivre jusqu'à ce qu'une couche de recouvrement 38 de l'épaisseur désirée soit formée. Lorsqu'on laisse le processus se poursuivre, par exemple durant 15 minutes, 15 on constate qu51s'est formé une couche 38 qui constitue au-dessus de la surface du masque 34 un recouvrement d'une épaisseur d'environ 0,075 mm. L'orientation cristalline de cette couche de recouvrement 38 est identique à celle du cristal de support 32. On peut ensuite séparer la feuille constituant le masque 34 du sup-20 port 32 et enlever la feuille formant le masque de la couche formant le recouvrement 38 et obtenir ainsi une plaquette de 0,075 mm d'épaisseur utilisable dans la fabrication de dispositifs semiconducteurs. Cette réalisation est représentée sur la figure 8. Exemple 3.- On peut mettre en évidence les nombreuses possibili-25 tés offertes par le procédé selon l'invention, en fabriquant à l'aide de l'appareil représenté sur la figure 1 des structures cristallines semblables à celle représentée sur la figure 9. A cet effet, on choisit, par exemple, comme support pour la nucléation 32, un support en silicium monocristallin essentiellement 30 non dopé d'un diamètre d'environ 25,4 mm et d'une épaisseur d'environ 0,175 mm. On recouvre le support avec un masque en molybdène, revêtu de nitrure de silicium, d'une épaisseur d'environ 0,05 mm ; le masque comporte une rangée d'évidements dont les fonds sont pourvus de petits trous, comme il ressort de la figure 35 9. La dimension et la densité des évidements et des trous sont fonction, en dernier lieu, de l'application à laquelle sont destinées les structures formées. On dispose le support avec son masque sur le plateau support 22 et,sur un support annulaire 50, on place en face du support de plaquettes 32, comme source de 40 silicium, une plaquette de silicium 42 d'environ 25,4 mm de dia 70 23639 10 2047946 mètre et de plusieurs mm d'épaisseur, n-dopé avec du phosphore jusqu'à une résistivité de 3 ohm centimètres et présentant un axe principal perpendiculaire au plan III conformément à la définition suivant les indices Miller. On fait agir alors le pro-5 cessus épitaxique susindiqué durant 5 minutes et il se forme dans chacun des trous une structure de silicium n-dopé de 0,025mm d'épaisseur. On enlève ensuite la source 42 n-dopée et on la remplace par une source de silicium p-dopée avec du bore jusqu'à une résistivité de 5 ohm centimètres. On fait agir à nouveau le 10 processus épitaxique durant 5 minutes, au bout desquelles il s'est formé dans les évidements une structure de silicium p-dopé de 0,025 mm d'épaisseur de sorte qu'il s'est produit maintenant une rangée de p-n-jonctions. On retire ensuite le support 32, par exemple par polissage, en taillant ou par rodage et on obtient 15 une rangée de diodes dans un masque isolant qu'on peut utiliser dans le domaine des microcircuits comme accumulatrice de documentations ou d'informations. Dans une variante, on peut appliquer la rangée de diodes sur un support conducteur et 1'utiliser comme dispositif de lecture optique et d'enregistrement. Afin d'éviter 20 le besoin d'un support conducteur séparé, le support originel 32 utilisé pour la nucléation peut être dopé à dégénérescence pour produire un support à forte conductivité par interconnexion de chacune des diodes. Comme il va de soi et comme il résulte d'ailleurs déjà 25 de ce qui précède, l'invention ne se limite nullement à ceux de ses modes d'application,non plus qu'à ceux des modes de réalisation de ses diverses parties ayant été plus spécialement indiqués elle en embrasse, au contraire, toutes les variantes. 70 23639 ii 2047946 REVENDICATIONS 1. Procédé de croissance épitaxique de dispositifs semiconducteurs, lequel procédé est caractérisé par le fait que : on masque au moins une surface d'un support semi-conducteur avec 5 un masque pourvu de trous, on dépose de façon épitaxique du matériau semi-conducteur à travers les trous du masque par un processus de transport au moyen-d'iode à partir d'un corps constituant la source et disposé en face du support et parallèlement à lui et on enlève le matériau semi-conducteur, déposé oq de façon épitaxique, de la surface du support. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'on poursuit le dépôt épitaxique de matériau semiconducteur à travers les trous prévus dans le masque jusqu'à ce qu'il se soit formé une couche de matériau semi-conducteur au- 15 dessus de la surface du masque. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'on enlève du support par clivage le matériau semiconducteur déposé de façon épitaxique. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le 2o fait que le masque pourvu de trous est constitué par un matériau choisi dans le groupe comprenant le verre, le quartz, le saphir, une matière céramique, des oxydes de silicium, du nitrure de silicium ou du carbure de silicium. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé par le 25 fait que le masque pourvu de trous comporte une rangée d'évide- ments rapprochés dont le fond présente des trous. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le dépôt épitaxiquede matériau semi-conducteur comprend la croissance épitaxique d'un matériau semi-conducteur 30 présentant un premier type de conductivité dans les trous sus-indiqués et ensuite le dépôt épitaxique d'un matériau semiconducteur présentant un second type de conductivité par-dessus le matériau du premier type de conductivité pour former ainsi une jonction entre les deux. 35 7. Procédé selon la revendication 2, caractérisé par le fait qu'on sépare du masque la couche formée par croissance épitaxique. 8. Procédé selon la revendication 6, caractérisé par le fait qu'en enlevant le matériau semi-conducteur déposé de façon 40 épitaxique de son support, on produit une rangée de dispositifs 70 23639 12 2047946 semi-conducteurs réunis sur un support membre. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le support semi-conducteur susindiquë et le matériau susindiquë déposé de façon épitaxique consistent en silicium. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé par le fait que le masque pourvu de trous est constitué par un matériau choisi dans le groupe comprenant le molybdène, le tungstène, le tantale, le rhénium ou les oxydes de ces éléments.. 11. Dispositif semi-conducteur obtenu par un procédé de croissance épitaxique selon l'une quelconque des précédentes revendications. 12. Masque troué dont les trous sont remplis au moins en partie d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 11.