FR 2117855 A1 19720728 FR 7139294 A 19711026 La présente invention concerne un procédé de dépôt sélectif en phase vapeur et plus particulièrement, un procédé de dépôt sélectif en phase vapeur d'un métal, sur un substrat. Dans beaucoup de cas, il est souhaitable de déposer sur un substrat un métal selon une configuration donnée. En particulier, dans la fabrication des circuits monolithiques. il peut être souhaitable de déposer une configuration de lignes de transmission d'un métal réfractaire particulier. Jus qutà présent, pour réaliser de telles configurations en métal réfractaires, il a été nécessaire d'utiliser des techniques compliquées, telles que des techniques d'évaporation à étapes multiples et un décapage ultérieur utilisant dss techniques photolithographiques. Par exemple, les lignes de brut rapport hauteur par rapport à largeur, ne peuvent pas être obtenues par les procédés connus de formation de configuration métallique réfractaires.Un recouvrement total des structures par un métal réfractaire ne peut pas aussi être réalisé par des procédés connus. En conséquence, un premier objet de la présente invention, consiste à proposer un procédé de dépôt sélectif d'un métal. Un autre objet de la présente invention est de proposer en particulier, un procédé simple perfectionné de réalisation d'une couche métallique réfractaire selon une configuration choisie sur un substrat. Un autre objet est de proposer un procédé simple pour obtenir le recouvrement total d'une structure par une couche métallique réfractaire. Un autre objet est de proposer un procédé, permettant de déposer sélectivement en phase vapeur le métal réfractaire soit salon configuration désirée soit totalement. ne façon générale et conformément à la présente invention, ilest prévu un procédé de dépôt d'un métal sur la surface d'un substrat selon une configuration choisie. Dans une première réalisation le métal qui est utilisé, est un métal qui est capable de donner un composé chimique gazeux ou à pression de vapeur relativement élevée, qui peut être réduit dans une atmosphère réductrice avec formation d'un sous produit corrosif. Le matériau du substrat qui est utilisé est un matériau qui est capable de donner une réaction chimique avec le composé métallique gazeux ou à pression de vapeur élevée mais également avec le sous produit. Lors de la réalisation de l'invention, il est prévu dans la configuration choisie mentionnée ci-dessus, une couche de protection qui est pratiquement inerte chimiquement avec le composé métallique gazeux ou à pression de vapeur élevée et avec le sous produit; le but de cette couche de protection est de fournir une surface de nucléation sur laquelle se dépose le métal. Le composé métallique est réduit donnant le métal et le sous produit dans une atmosphère réductrice dans un récipient renfermant le substrat sur lequel se dépose le métal sur la surface de la couche protectrice selon la configuration désirée. La partie de la surface du substrat qui n'est pas recouverte d'une couche de protection est détruite par sa réaction chimique avec le composé métallique et le sous produit.Le métal peut être un métal réfractaire capable de donner un composé gazeux ou un composé à pression de vapeur élevée à une température allant de la température ambiante jusqu'à environ 7000C et qui peut être choisi dans le groupe comprenant le tungstène, le molybdène, le tantale, l'hafnium, le zirconium et le rhénium. Les composés métalliques adéquats gazeux ou à pression de vapeur élevée sont les fluorures et chlorures de ces métaux. Le matériau du substrat peut être de la chaux sodée, du borosilicate. un boroalumino-silicate, ou un verre de phospho-alumine-silicate ou un verre de phospho-silicate.La couche de rotection peut être un matériau choisi dans la famille du chrome, du tunsgtène, du molybdène, du cuivre, de l'aluminium, du dioxyde de silicium, du silicium, de l'oxyde d'aluminium, du nitrure de silicium, etc.. ou une couche composée de cuivre-chrome, chromecuivre-chrome, ou un composé identique. L'atmosphère réductrice peut être de l'hydrogène. Bien que ce procédé que l'on vient de décrite soit efficace avec des métaux tels que le tungstène et le molybdène qui forment des composés à l'état gazeux ou avec une tension de vapeur appropriée, à des températures de réaction qui sont accessibles (4000C par exemple), et pour lequel les produits métalliques et produits de réaction de la réduction présentent des réactivités chimiques dissemblables vis-à-vis de la surface de fixation et de la surface du support qui est exposée, il ne peut être utilisé pour déposer des métaux dont les composés, à l'état gazeux ou dont la tension de vapeur est appropriée, et les produits de réaction de leur réduction ne réagissent pas différemment vis-à-vis des surfaces de fixation et de la surface exposée et pour lesquels il se produit un dépôt de métal réduit sur les deux surfaces.Il est alors intéressant de prévoir dans une seconde réalisation, une extension dudit procédé afin de permettre le dépôt chimique sélectif en phase vapeur de métaux qui ne répondent pas aux exigences imposées ci-dessus, par exemple le cuivre. l'argent, l'or l'aluminium, le chrome etc... qui sont particulièrement intéressants. En conséquence. la présente invention a pour objet le plus général un procédé de dépôt en phase vapeur permettant d'obtenir un métal, pas nécessairement réfractaire. selon un motif donné sur un support. Aussi dans un second mode de réalisation, on dispose d'un procédé permettant de déposer le métal selon le motif désiré sur un substrat constitué d'un matériau choisi. Le procédé implique: d'abord un métal tel qu'il forme, à une température choisie, un composé à l'état gazeux ou à tension TTnflt de vapeur relative élevée, ce composé pouvant être réduit en métal: puis une substance corrosive qui est à l'état gazeux à la température choisie et qui réagit de manière effective avec la matière du substrat, et enfin sur la surface de celui-ci est disposée selon le motif désiré une substance protectrice qui ne réagit pas avec la substance corrosive.Le composé métallique est réduit en un métal dans une atmosphère réductrice dans un récipient contenant le substrat recouvert de la couche protectrice et le récipient contient en outre la substance corrosive de sorte que la surface de la couche protectrice constitue une surface de fixation sur laquelle le métal se dépose, la portion du substrat qui n'est pas recouverte par la couche protectrice est simultanément corrodée pendant la réduction et le dépôt du métal. Dans ce procédé le substrat peut être également constitué d'un verre, au borosilicate ou à la chaux sodée. La substance protectrice peut être du chrome, du tungstène, du silicium, de la silice, du nitrure de silicium du molybdène, du cuivre chromé ou du chrome cuivre-chrome. La substance corrosive peut être alors de l'héxafluorure de soufre, de l'héxachlorure de soufre, du fluorure d'hydrogène ou du chlorure d'hydrogène. L'atmosphère réductrice peut être encore constituée d'hydrogène. Les composés métalliques à l'état gazeux ou à tension de vapeur relativement élevée peuvent être de l'héxafluorureacétonate du métal. La température de réaction peut être choisie entre la température ambiante et 7000C. D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront mieux de l'exposé qui suit, fait en référence aux dessins annexés à ce texte, qui représentent un mode de réalisation préféré de celle-ci. La figure 1 est une description schématique du dispositif permettant de réaliser le procédé conformément à la présente invention selon le premier mode de réalisation; La figure 2 est une vue en coupe d'un substrat avant le dépôt sélectif en phase vapeur chimique; La figure 3 est une vue similaire à celle de la figure 2 mais après le dépot sélectif en phase vapeur; La figure 4 est une vue en perspective représentant un dispositif sur lequel le mode de recouvrement du procédé est aopliqué avant le dépôt sélectif en phase vapeur; La figure 5 est une vue similaire à celle de la figure 4 mais réalisée après le dépôt sélectif en phase vapeur; La figure 6 est une vue en perspective représentant un dispositif sur lequel le mode de croissance du procédé est appliqué de façon adéquate avant le dépôt sélectif en phase vapeur;; La figure 7 est une vue sirrlaire è celle de la figure 6 mais après le dépôt sélectif en phase vapes ; La figure 8 est un modèle de la concentration emphase vapeur entourant une zone de nucléation; La figure 9 est une vue schématique d'une piste de microsonde électronique d'une ligne sur un substrat après dépôt sélectif en phase vapeur; La figure 10 représente un schéma de l'appareillage permettant d'appliquer le procédé conforme à la présente invention selon le second mode de réalisation. La figure 11 représente encore une coupe du substrat avant l'opération de dépôt chimique sélectif de vapeur. La figure 12 représente une coupe analogue à la figure 11 mais après l'opération de dépôt chimique sélectif en phase vapeur sur le substrat et enfin La figure 13 représente une coupe analogue à celle des figures 11 et 12 après que l'on ait enlevé la substance de fixation et le métal déposé. Dans un premier mode de réalisation et conformément à la présente invention, on doit remarquer que les propriétés du tungstène telles que son point de fusion élevé, sa température de recristallisation élevée, son coëfficient de dilatation faible, sa résistivité électrique faible, son caractère de barrière de diffusion pour les métaux nobles, et son coefficient de dilatation thermique faible le rendent tout à fait adéquat comme matériau de fabrication. Le dépôt chimique en phase vapeur du tunsgtène par réduction par l'hydrogène de l'héxafluorure de tunsgtène possède un certains nombres d'avantages tels que des vitesses de dépôt rapides, de faibles températures de fonctionnement, des dépôts à degré de pûreté élevé et la formation de sous produits seulement gazeux. Le tungstène, déposé à partir de l'héxafluorure, a été utilisé avec succès dans un certains nombres de cas tels, que par exemple, dans la fabrication des creusets de tungstène et la préparation de monocristaux. Conformément à l'invention, et au contraire du procédé de dépôt chimique en phase vapeur, pour un métal tel que du tunsgtène, dans lequel le dépôt a lieu sur toutes les zones qui ont un excès d'énergie d'activation thermique, le procédé de dépôt sélectif en phase vapeur dépose le métal, par exemple, le tungstène, sur des zones de configuration distinctes désirées. Les configurations désirées agissent comme des sites de nucléation pour le tungstène tandis que les zones sans configurations, c'est-à-dire, les surfaces exposées du substrat, ne permettent pas la nucléation du tungstène, mais bien au contraire sont éliminées chimiquement.Le procédé de l'invention dépend de la présence ou de l'absence de surfaces à réactivités chimiques différentes de telle que le dépôt ait lieu sur une zone et non sur l'autre bien que les surfaces aient un excès d'énergie d'activation pour le procédé de dépôt. On peut sans doute expliquer le mécanisme de l'invention par le fait que la surface supprimée, présente une suite de de réactions chimiques différentes pour les produits entrant en réaction et que la nucléation du métal ne peut pas se produire puisque cette suite ou parcours de réaction de réduction du métal se poursuit sur la surface de nucléation. Dans la figure 1, il est représenté un appareil adéquat, permettant de réaliser le procédé de l'invention. L'appareil est essentiellement fabriqué en acier inoxydable à l'exception de la cellule de réaction qui est fabriquée en quartz. Dans cet appareil, un récipient en acier inoxydable 10 renfermant de l'hydrogène purifié au préalable fournit une source de gaz qui circule continuellement à travers le système. Le gaz hydrogène circule à travers des bains de palladium décrits par le bloc 12, à travers un tamis moléculaire 14, une valve d'écoulement 16. un débitmètre 18, et s'écoule dans une cellule de mélange en acier inoxydable 20. Un récipient en acier inoxydable 22 renferme de l'hexafluorure de tungs- tène gazeux. Ce gaz s'écoule du récipient 2? à travers les valves d'écoulement étalonnées 24 dans la cellule demélange 20. Le mélange d'hydrogène et d'héxafluorure de tungstène passe à travers un soufflet 26 dans un tube à réaction à quartz 28 qui est chauffé par une bobine à haute fréquence 30. Les gaz, après le tube à réaction 28 sont dirigés à travers un alambic 29, pour empêcher une diffusion en sens inverse des gaz ambiants, avant d'être rejetés dans la hotte à fumée (non représentée) à grande vitesse. Par mesure de précaution, une pression différentielle peut être établie dans la hotte de sorte que lors d'une chute de puissance, ou d'une panne de la hotte, le dispositif de détection excite une valve normalement ouverte qui submerge d'azote le trou d'aération et la hotte.L'héxafluorure de tungstène possède un degré de pûreté élevé il est enfermé dans des récipients d'acier inoxydable pré-nettoyés et soigneusement contrôlé. Les substrats, sous la forme de lamelles de verre sont fabriqués avec du borosilicate, de la chaux sodée, ou d'autres verres similaires, sur lesquels sont déposées ou formés. par des techniques de photogravure des configurations de matériaux de protection de nucléation 34. Avant de réaliser des configurations sur les substrats, ces derniers sont nettoyés par ultrasons dans un détergent et ensuite chauffés dans une solution d'acide sulfurique-dichromique. Ils sont alors rincés dans de l'eau déionisée, dans de l'alcool et finalement dans des vapeurs de fréon. Des revêtements de nucléation 34 sous forme de configurations sur le verre sont préparés par évaporation par faisceau électronique ou par pulvérisation à haute fréquence. Les substrats ainsi préparés sont placés sur un suscepteur de graphite recouvert ds tungstène 36 qui peut être sur un support de quartz (non représentél. On purge ensuite le système avec de l'hydrogène pendant une heure avec un débit de 15 litres d'hydrogène par minute.Le suscepteur est ensuite chauffé de façon inductive jusqu'à 4000C et la température est détectée par un thermocouple (non représenté) encastré dans le suscepteur. Après environ 10 minutes, à la température de 400 C, l'héxafluorure de tungstène est introduit et mesuré dans le système. Comme il est mentionné ci-dessus, le revêtement 34 de nucléation sous forme de configurations peut être composé de chrome, de molybdène, de tungstène, de cuivre, d'aluminium, de silicium, de dioxyde de silicium, de nitrure de silicium, d'oxyde d'aluminium, ou d'une couche composée de cuivre-chrome ou chrome-cuivre-chkrome. Dans les conditions précédentes de fonctionnement précédentes. le tungstène se dépose seulement sur les zones de configuration et les zones de verre exposées sont quelque peu éliminées. La figure 2 représente le substrat 32 recouvert d'un matériau de surface de nucléation 34. La figure 3 représente ce que l'on obtient après le dépôt. On peut voir que le métal s'accumule sur la zone de nucléation et que du verre est éliminé de la zone de non nucléation. Deux modes de dépôt sélectif en phase vapeur peuvent être réalisés par le procédé de la présente invention, soit les modes "de recouvrement" soit le mode "de croissance Dans le mode de "recouvrement", le dépôt sélectif en phase vapeur se produit lorsque la couche de nucléation est essentiellement à trois dimensions. Ainsi, comme représenté dans la figure 4, la surface de nucléation est réalisée par la ligne de transmission de cuivre 42 avec une base de chrome sur un substrat de borosilicate, la figure 4 représente ce que l'on obtient avant la dépôt sélectif en phase vapeur. La figure 5 représente les résultats que l'on obtient après l'application du procédé de dépôt sélectif en phase vapeur en utilisant l'héxafluorure de tungstène. Le tungstène recouvre entièrement les lignes de transmission 42 et il n'y a aucun dépôt sur les zones de non nucléation du verre exposé entre les lignes, qui sont éliminées chimiquement. Le mode de "croissance"- par dépôt sélectif en phase vapeur se distingue du mode de "recouvrement" en ce que la surface de nucléation possède essentiellement une forme à deux dimensions qui est développée dans une structure à trois dimensions. Par exemple, des structure métalliques à trois dimensions de tungstène, peuvent être obtenues par croissance sélective sur des films minces de matériau de nucléation préparés sur une surface de non nucléation. Ainsi, dans la figure 6, il est représentée une configuration de matériau de nucléation déposé 46 sur un substrat de verre 32. La figure 7 représente ce que l'on obtient après dépot sélectif an phase vapeur. Le métal déposé croit sur las surfaces de nucléation. Un film mince 48 de l'ordre de quelques centaines d'angstroms d'épaisseur, peut être obtenu par croissance dans une structure de plusieurs microns d'épaisseur tout en gardant sa forme, c'est-à-dire, avec une légère croissance latérale. Dans le tableau 1, on trouvera quelques résultats du recouvrement ou revêtement de lignes de transmission électriques. Les échantillons utilisés pendant ces expériences sont composés de lignes chrome-cuivre ou chromecuivre-chrome de 10 microns d'épaisseur sur du verre de borosilicate (7070 Corning) de 0,0254mon d'épaisseur qui est cuit sur un substrat d'alumine. On remarquera que l'épaisseur totale change une fois que le dépôt de tungstène provient de l'accumulation de tungstène sur la ligne et l'élimination chimique dab surface de verre exposée adjacente. TABLEAU 1 Echantil- Epais- Epais- Varia- Tempéra- Vitesse lon saur seur tion ture Temps approxi différent Initia- finale totale du en mative le substrat minute de dépôt (microns) (microns) (microns) en OC seconde 1 10,5 16,5 6,0 400 3 200 2 " 24.4 16,9 405 5 200 3 " 19.6 9,1 400 1 200-400 4 " 15,3 4,8 390 2 150 5 " 19,9 8,4 398 4 150 6 1000 24,7 24,7 420 12 50 En réalisant l'invention, la température de réaction peut être réalisée de façon adéquate de la température ambiante jusqu'à 7000. Un ordre de grandeur adéquat des rapports de la vitesse d'écoulement de l'héxafluorure de tungstène par rapport à l'hydrogène est de 0,0001 à 0,1, de façon classique environ 0,2. Ainsi. une vitesse d'écoulement adéquate dans la cellule à réaction est de l'ordre de 0,3 litre/minute d'héxafluorure de tungstène avec un écoulement simultané de l'ordre de 15 litres/minute pour l'hydrogène. Dans le procédé de dépôt sélectif en phase vapeur, des structures de tungstène ont été obtenues par croissance sur des films très minces préparés par photolithographie. Un ensemble de configurations de points et de lignes conductrices d'épaisseur de 50 A agit comme site de nucléation pour la croissance du tungstène. Le tableau 2 qui suit représente les matériaux de nucléa tion qui ont été utilisés. L'épaisseur "d" de le croissance de tungstène sur cas surfaces est telle que O,ted TABLEAU 2 Matériau épaisseur Ei Epaisseur de la de passeur Procédé de couche de du du nucléa- film dépôt croissance du tion film tungstène Cr 50 Evaporisation au 4 microns canon électronique Pulvérisation à haute fréquence o Al 2000 A Evaporation 4 microns Mo 1000 A Pulvérisation à 4 microns haute fréquence o W 50 A Evaporation au 3 à 6 microns canon électronique Pulvérisation à haute fréquence Z 3 750 A Pulvérisation à 2 à 4 microns haute fréquence SiO2 1500 A Pulvérisation à 1.5 microns haute fréquence o Cr-Cu 1500 A Evaporation au 2 à 10 microns canon électronique En considérant le mécanisme du procédé de la présente invention, les réactions de dépôt et les réactions de corrosion se développant simultanément à proximité en sont un élément essentiel.Ainsi, la surface de nucléation peut être considérée comme une couche protectrice relative à l'attaque du fluorure d'hydrogène et du composé de fluorure métallique, le fluorure d'hydrogène résultant de la réaction suivante en utilisant l'héxafluorure de tungstène par exemple. WF6 + + 3H2 + - > W + 6HFf Les matériaux de protection qui sont adaptés pour donner des surfaces de nucléation soit ne réagissent pas au fluorure d'hydrogène et aux composés métalliques, soit la vitesse d'attaque du fluorure d'hydrogène est suffisamment lente de sorte qu'une quantité suffisante de tungstène peut s'accumuler sur la surface de nucléation. La caractéristique de la surface éliminée, c'est-à-dire, la surface exposée du substrat de verre, est qu'elle tend à être plus facilement attaquée par le fluorure d'hydrogène et le composé métallique. La composition générale des exemples de matériaux qui peuvent être ainsi supprimés est représentée dans le tableau 3 sous le titre "verre mou" et "verre du"r. Le verre mou, connu aussi comme verre de chaux sodée est composé principalement de SiD2 et de Na20. Le verre dur du type borosilicate est en général un composé de SiO2 et de 8203 A la fois l'aluminium et le barium sont souvent des composants importants du point de vue chimique en vue de la détermination des propriétés de ces verres. Le silice dans les deux cas représente approximativement de 50 à 70% du poids. Un mécanisme permettant la suppression à vitesse rapide du SiO2 dans de tels matériaux peut être modelé sur le mécanisme de corrosion par solution du verra.La réaction sur les éléments les plus réactifs du verre conduirait à découvrir un réseau ouvert de SiO2 présentant une grande surface spécifique. La vitesse de réaction d'une surface de cette nature dépasse largement celle qui correspond à une surface cohérente telle que celle du quartz fondu. TABLE 3 POURCENTAGE APPROXIMATIF D'OXYDES CONSTITUANTS (pourcentage en poids) Classe Type SiO2 Na2O K2O CaO MgO B2O3 A12O3 BaO Verre Chaux- 70,1 16,8 0,3 5,4 3,6 0,8 2,6 mou sodée Verre Borosi- 65,5 4,3 3,1 1,0 --- 16,0 5,5 2,5 dur licate 70,0 ~~~ 0,5 0,1 0,2 28,0 1,1 50,2 --- ~~~ ~~~ ~~~ 13,8 10,7 25,0 La forme de la croissance métallique, par exemple, du tungstène est affectée par l'environnement, c'est-à-dire Dar la vitesse d'écoulement de l'hydrogène, la vitesse de dépôt du tungstène, la température du substrat, et autres facteurs. La figure 8 en représente un modèle. On voit dans la figure 8, qu'en recherchant une concentration de phase arbitraire, d'héxafluorure de tungstène, le long de la surface d'un substrat, un appauvrissement important se produit près de la surface isolante puisque le tungstène se dépose à cet endroit là. Simultanément, après examen de la concentration du fluorure d'hydrogène, on remarque une croissance élevée dans cette concentration dès qu'apparalt un sous produit de l'action de réduction. La zone d'érosion intensive entourant immédiatement les zones de nucléation résulte de la présence d'une quantité excessive de fluorure d'hydrogène. La figure 9 est un schéma représentant une piste d'une microsonde électronique d'une ligne formée sur un verre de borosilicate après dépôt sélectif en phase vapeur du tungstène. Les numéros de position sont à partir du tableau suivant. La position 3 représente la zone de corrosion intensive. INTENSITE DE RAYONS-X x 1000 Position Si W F 1 0,3 128,0 0,3 2 1,3 126,0 0,3 3 40,3 1,0 0,6 4 11,0 15,0 13,0 5 35,0 4,5 4,5 En considérant ce qui précède, on réalisera que le critère de sélectivité pour le procédé de dépôt sélectif en phase vapeur est la ligne de démarquation qui se forme entre la zone éliminée où se produit la corrosion chimique et la zone de nucléation sur laquelle se produit la réduction chimique de l'héxafluorure de tungstène. On décrira maintenant certaines applications dans lesquelles le procédé de la présente invention peut être utilisé soit dans le mode de recouvrement, soit dans le mode de croissanse. Le revêtement total des lignes métalliques a une application importante dans le traitement des dispositifs électroniques. Par exemple, il peut être utilisé pour réduire l'électromigration dans les métaux, pour réduire également les problèmes de corrosion dans les métaux, en adaptant les coëfficients de dilatation thermique, en égalisant leur dûreté, pour améliorer l'adhésion et enfin comme barrière chimique ou barrière de diffusion. La croissance des lignes métalliques à partir de films essentiellement à deux dimensions est efficace dans l'amélioration sélective des conductivités de zones spécifiques et dans la croissance de coneexions des lignes de conduction. Oes exemples classiques d'applications sont les suivants: 1.- Dépôt de tungstène sur une configuration de matériau de protection formée sur du verre 7070 de borosilicate. a. Verre sur oxyde d'aluminium. b. Dioxyde de silicium, oxyde d'aluminium, silicium, nitrure de silicium ou autre matériau de protection adéquat, (comme détaillé ci-dessus) selon une configuration désirée sur le verre. c. Tungstène déposé de façon sélective sur ladite configuration du matériau de protection et non sur les zones de verre exposées à partir de la réduction de l'héxafluorure de tungstène par l'hydrogène. 2.- Enrobage des lignes métalliques. a. Verre 7070 de borosilicate sur de l'oxyde d'aluminium. b. Couche de chrome-cuivre ou autre matériau de protection sur la surface de verre. c. Dépôt d'une configuration de photorésist sur la couche protec trice. d. Dépôt de cuivre électroformé ou équivalent. e. Elimination du photorésist et de la couche exposée. f. Dépot sélectif du tungstène sur le matériau électroformé par réduction de l'héxafluorure de tungstène par l'hydrogène. Le matériau est par ce moyen enrobé. 3.- La même chose qu'en 2.- excepté que les lignes de cuivre sont produites par décapage plutôt que par dépôt électroformage. 4. Utilisation de verre au borosilicate partiellement cuit comme revêtement chimique susceptible d'être corrodé. a. La même chose qu'en 1, 2 et 3 b. Remplissage avec du verre et cuisson partielle. c. Réalisation d'une configuration d'une couche de protection sur ou dans des trous dans du verre oartiellement cuit. d. Dépôt sélectif de tungstène en phase vapeur. e. Suppression du remplissage de verre non corrodé et cuisson à la température de frittage. Conformément à la présente invention la méthode de dépôt chimique sélectif de la vapeur permet de déposer le métal, le cuivre par exemple, sur des zones discrètes disposées selon une configuration [ou motif) déterminée. Les surfaces de ladite configuration jouent le rôle de zones de fixation pour le cuivre alors qu'en dehors du motif les surfaces exposées du support ne fixent pas le cuivre mais sont par contre attaquées chimiquement (corrodées). Le procédé de la présente invention tire partie de la présence de surfaces dont les réactivités chimiques sont différentes de manière que le dépôt s'effectue sur une zone et non sur une autre bien que les surfaces présentent un excès d'énergie d'activation pour le procédé de dépôt. On pense que l'explication du mécanisme de la présente invention est la suivante: la surface à corroder présente un cheminement différent de réaction chimique pour les corps réagissants en présence d'adjuvants et la fixation ou nucléation du métal ne se produit pas tandis que la réaction de réduction est entreprise sur la surface de nucléation. On voit sur la figure 10 un appareillage permettant d'appliquer le procédé de la présente invention selon le second mode de réalisation. L'appa reil est construit sssentielleri-nN er scier inoxydable à 'exception de la chambre de réaction que l'on T,tjt realiser n quartz. Dans cet appareil on admet H 'ijorogène et du fluorure d'hydrogène (ou de l'hexachlorure de soufre) de,^ 'e tube de réaction en quartz 114 en faisant passer les gaz par des débitmètres 110 et 112. Le tube de réaction 114 peut être chauffé par une bobine HF 116 reliée à un générateur haute fréquence. Dans le tube 114, on a disposé un suscepteur en carbone 118 sur lequel est posé le substrat 120 portant le motif et constitué d'un verre approprié, tel que du borosilicate de la chaux sodée etc...Le motif porté par le substrat 120 est constitué d'une matière telle que du chrome, du tungstène, du molybdène, du cuivre, de l'aluminium, du silicium, de la silice, de l'alumine, du nitrure de silicium ou autres matériaux analogues ou d'une couche composite de chrome cuivre ou chrome cuivre chrome ou autres. Une source d'un composé métallique à l'état gazeux ou d'une tension de vapeur suffisamment élevée, est placée dans un récipient 122, le composé étant par exemple de l'hexafluoracétylacétonate de cuivre qui est une forme de source de cuivre gazeux à une température relativement basse. Le récipient 122 est placé dans une enceinte 124 qui est portée à une température de l'ordre de 130 à 1500C. On peut disposer un ventilateur 126 dans la chambre afin d'assurer une distribution uniforme de la chaleur dans l'enceinte. Une source d'argon 128 ou de tout autre gaz inerte aoproprié sert à entraîner le composé cuivré. Les gaz sortant du tube à réaction 114 sont évacués dans une hotte à grande vitesse (non figurée). Avant d'appliquer le motif ou la configuration désirée, on peut nettoyer le substrat aux ultrasons dans un détergent puis dans une solution chaude d'acide sulfurique et dichromique. On peut le rincer ensuite dans de l'eau déionisée, de l'alcool et finalement dans la vapeur de fréon ainsi qu'on la déjà vu dans le premier mode de réalisation. Le revêtement de fixation cons tituant le motif peut être appliqué sur le substrat 120 par des techniques photolithographiques, par évaporation cathodique ou par bombardement électro nique. Dans l'application de la présente invention, la plage de temoérature à laquelle on maintient l'héxafluoroacétylacétonate de cuivre est de l'ordre de 130 à 1500C. Le débit de l'argon et du gaz d'entraInement inerte varie 3 de 100 à 1000 cm par minute. Le rapport de débit du fluorure d'hydrogène et d'hydrogène est de l'ordre de 0,01 à 0,1. Des débits de 1 litre de fluorure d'hydrogène à la minute et de 10 litres d'hydrogène à la minute représente des valeurs caractéristiques. Selon la présente invention, les composés métalliques contenant du gaz, c'est-à-dire, l'héxafluoroacétylacétonate de cuivre est réduit par l'hydrogène an cuivre qui se dépose et croit sur la surface du module. Le fluorure d'hydrogène ou l'héxafluorure de soufre réagit avec les surfaces exposées du support de verre, il ne se produit pas de fixation ou nucléation de métal sur les surfaces qui sont corrodées.Bien que l'on ait adopté à titre d'exemple un composé de cuivre, contenant du gaz ou une tension de vapeur élavée, le procédé est applicable à tous les composés métalliques contenant du gaz ou à tension de vapeur élevée, en utilisant du bore qui réagit chimiquement avec le fluorure d'hydrogène et l'hexafluorura de soufre, ou toute autre substance gazeuse avec laquelle le verre réagit, des chlorures de ces substances par exemple. Comme mentionné ci-dessus, la matière du motif sur le substrat fonctionne comme un agent de fixation du métal réduit. Il ne réagit pratiquement pas avec le fluorure d'hydrogène et l'hexafluorure de soufre ou tout autre agent réactif gazeux. Ainsi qu'on l'a vu le procédé de la présente invention permet le dépôt chimique sélectif de la vapeur de deux manières différentes à savoir par "revêtement" et par "croissance". Ici on considère toujours que les réactions de dépôt et les réactions simultanées de corrosion qui s'effectuent très près l'une de l'autre constituent un élément essentiel du procédé. A cet égard on peut considérer les surfaces de fixation comme une couche de protection contre l'action de la substance gazeuse réactive, c'est-à-dire le fluorure d'hydrogène ou I'hexafluorure de soufre par exemple. Les substances protectrices qui conviennent pour constituer des surfaces de fixation sont insensibles à l'action du fluorure d'hydrogène et de l'hexafluorure de soufre etc... ou bien la vitesse d'attaque est suffisamment faible pour qu'une quantité suffisante de métal puisse s'accumuler sur la surface de fixation. Le trait caractéristique du substrat de verre correspond au fait qu'il est plus facilement attaqué par la substance corrosive. Le tableau 3 indiquait les compositions de matériaux que l'on pouvait corroder, données à titre d'exemple que l'on avait classé en verre tendre et verre dur. La figure 11 montre le support 112 sur lequel est appliquée la surface de fixation ou de nucléation. La figure 12 représente le résultat obtenu après le dépôt chimique sélectif de la vapeur. On constate que le métal s'accumula sur la surface de fixation et qu'une certaine quantité de verre a été corrodée sur les surfaces qui ne conduisaient pas à la fixation du métal. Lorsque l'on attaque le verre par les techniques classiques, il se produit généralement une corrosion excessive sous les surfaces protégées lorsque l'attaque est poursuivie sur une profondeur relativement importante. Si par contre on adopte la technique de dépôt chimique sélectif de la vapeur conforme à la présente invention, et que l'on élimine les substances de fixation et le métal déposé du substrat, le verre est corrodé conformément aux dessins de la couche de fixation. On le constate sur la figure 13. Une méthode efficace de l'élimination consiste à enlever le cuivre déposé à l'aide d'acide nitrique puis à enlever la surface de fixation, en tungstène par exemple avec une solution de Comme on le voit sur la figure 13, le verre corrodé présente une forme pyramidale en forme de plateau analogue aux transistors mesa. Le rapport longueur sur profondeur (ou rapport d'aspect) est extrêmement intéressant. Par exemple on a pu obtenir des points de 600 microns en attaquant sur une profondeur de 500 microns en conservant parfaitement la forme et sans variations importantes du diamètre. Un avantage important du présent procédé réside dans la vitesse d'érosion du verre que l'on peut atteindre. On est parvenu à des vitesses de l'ordre de 5 à 10 microns à la minute. Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur les dessins les caractéristiques essentielles de l'invention appliquées à un mode de réalisation préféré de celle-ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles, sans pour autant sortir du cadre de ladite invention. REVENDICATIONS 1.- Procédé de dépôt d'un métal selon une configuration choisie sur la surface d'un substrat caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: l'utilisation d'un métal qui peut donner un composé métallique gazeux ou à pression de vapeur relativement élevée à une température désirée, ledit composé étant susceptible d'être réduit pour fournir ledit métal dans une atmosphère réductrice avec obtention d'un sous produit: l'utilisation comme substrat, d'un matériau qui est chimiquement réactif avec ledit composé métallique et ledit sous produit: la formation à la surface dudit substrat selon ladite configuration choisie, d'une couche d'un matériau de protection qui est non réactif avec ledit composé métallique et ledit sous produit; et la réduction dudit composé métallique pour fournir ledit métal et formation dudit sous-produit dans une atmosphère réductrice dans un récipient renfermant ledit substrat recouvert de ladite couche de matériau de protection selon une certaine configuration, la surface de ladite couche formant une surface de nucléation sur laquelle ledit métal se déposa, la partie exposée de la surface dudit substrat qui n'est pas recouverte d'un matériau de protection, étant simultanément et au moins superficiellement éliminée pendant ladite réduction et ledit dépôt métallique. 2.- Procédé de dépôt d'un métal selon une configuration choisie sur la surface d'un substrat caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: l'utilisation d'un métal qui peut donner un composé métallique gazeux ou à pression de vapeur relativement élevée, à une température désirée, ledit composé étant susceptible d'être réduit pour fournir ledit métal, l'utilisation comme substrat d'un matériau chimiquement réactif avec un matériau de corrosion ce dernier se présent à l'état gazeux à ladite température, la formation à la surface dudit substrat selon ladite configuration choisie d'une couche d'un matériau de protection qui est chimiquement non réactif avec ledit matériau de corrosion, la réduction dudit composé métallique pour fournir ledit métal dans une atmosphère réductrice, dans un récipient renfermant ledit substrat recouvert de ladite couche de matériau de protection selon une certaine configuration tandis que l'on introduit ledit matériau de corrosion à la surface de ladite couche formant une surface de nucléation sur laquelle ledit métal se déposa, la partie exposée de la surface dudit substrat qui n'est pas recouverte d'un matériau de protection, étant simultanément et au moins superficiellemont éliminée pendant ladite réduction t ledit dépôt métallique. 3.- Procédé selon la revendicat 1 ou 2 caractérisé en ce que ledit métal est un métal qui est capable de donner un composé gazeux ou à pression vapeur relativement élevée à une température allant de la température ambiante jusqu'à 7000C. 4.- Procédé selon l'une quelconque des revendications ci-dessus caractérisé en ce que le matériau du substrat est choisi dans la famille des verres de chaux-sodée, de borosilicate, de bore-alumine-silicate, de phospho-alumino silicate et de phospho-silicate. 5.-- Procédé selon l'une quelconque des revendications ci-dessus, caractérisé en ce que ledit matériau de protection est choisi dans le groupe comprenant du chrome, le tungstène, le molybdène, le cuivre, l'aluminium, le dioxyde de silicium, le silicium, l'oxyde d'aluminiur;, le nitrure de silidum et les couches composées cuivre-chrome et chrome-cuivre-chrome. 6.- Procédé selon l'une quelconque des revendications ci-dessus caractérisé en ce que ledit métal est choisi dans le groupe comprenant le tungstène, le molybdène, le tantale, l'hafnium, le zirconium, le rhénium et le silicium. 7.- Procédé selon l'une quelconque des revendications ci-dessus caractérisé en ce que l'atmosphère réductrice est une atmosphère d'hydrogène. 8.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 3, 4, 5, 6 et 7 caractérisé en ce que les composés métalliques gazeux et à pression de vapeur dudit métal sont choisis dans la famille des fluorures et des chlorures de ces dits métaux. 9.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 2, 3, 4, 5, 6 et 7 dans lequel ledit matériau de corrosion est choisi dans le groupe comprenant: le fluorure d'hydrogène, le chlorure d'hydrogène, l'héxafluorure de soufre et l'héeachlorure de soufre. 10.- Procédé de réalisation d'un dépôt de tungstène selon une configuration choisie sur un substrat isolant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: formation de ladite configuration sur une surface dudit substrat, le matériau composant ledit substrat étant un verre choisi dans une famille comprenant: le verre de chaux sodée, les borosilicates, las boroaluminosilicates, les phosphoalumino-silicatas, et les phospho-silicates. à partir d'une couche de protection d'un matériau choisi dans une famille comprenant le chrome, le tungstène, le molybdène, le cuivre, l'aluminium, le dioxyde de silicium, le silicium, le nitrure de silicium et des couches composées de cuivre-chrome et chrome-cuivra-chrome;; réduction de l'héxaflucrure de tungstène dans une atmosphère d'hydrogène dans un récipient renfermant ledit substrat en verre recouvert d'une couche d'un matériau de protection selon ladite configuration sur lequel le métal résultant de ladite réduction se dépose tandis que simultanément l'héxafluorure de tungstène et le fluorure d'hydrogène résultatt également de ladite réduction entraînent l'élimination de la partie dudit substrat de verre qui n'est pas protégée par ladite couche de protection. 11.- Procédé de réalisation d'un dépot de cuivre selon une configuration choisie sur un substrat isolant, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: formation de ladite configuration sur une surface dudit substrat, à partir d'une couche de protection d'un matériau choisi dans une famille comprenant: le chrome, le tungstène, le molybdène, le cuivre, l'aluminium, le dioxyde de silicium, le silicium, l'oxyde d'aluminium, le nitrure de silicium et les couches composées de cuivre-chrome et chrome-cuivre-chrome la réduction dans une atmosphère d'hydrogène d'une quantité appropriée d'héxafluorure d'acétylacétonate de cuivre où ledit substrat préalablement revêtu de ladite couche de protection a été placé, dans un récipient à une température d'environ 1500C, tandis que, on fournit simultanément dans ledit récipient du fluorure d'hydrogène; ainsi le cuivre. réduit se dépose sur ladite couche de protection, alors que simultanément les surfaces dudit substrat qui sant exposées sont corrodées par ledit fluorure d'hydrogène.