FR 2083357 A1 19711217 FR 7109393 A 19710317 L'invention est relative à la fabrication de transistors à effet de champ à électrode de commande isolée, convenant à la fabrication de circuits intégrées, et, plus particulièrement, à la fabrication de transistors à effet de champ métaloxyde-semiconducteur utilisant un métal réfractaire ou une autre couche métallique mince comme masque de diffusion. Pour la fabrication de transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (connus sous la désignation de transistors MOS) ordinaires (du type non réfractaires) pour circuits intégrés monolithiques, il est usuel au cours de la séquence de fabrication, à la suite de la diffusion d'une impureté activatrice à l'intérieur de la pastille de silicium, de former les électrodes : source et collecteur, d'enlever les couches antérieurement déposées recouvrant la région de ltélectrode de commande et de régénérer par croissance la couche isolante qui sert à isoler l'électrode de commande dans le dispositif fini.D'une manière plus détaillée, une séquence standard de fabrication comporte les phases opératoires suivantes : production par croissance d'une mince couche de dioxyde de silicium à la surface d'une pastille de silicium ou d'un support d'un type de conductivité donné, realisation d'une ouverture dans la couche mince passivante dans les régions de la source et du collecteur, et diffusion thermique d'une impureté activatrice à travers ces fenêtres,- pour former des régions de source et d'émetteur de conductivites opposées dans la surface, et au voisinage immédiat de la surface, de la pastille.Ensuite, une couche de champ épaisse de dioxyde de silicium est déposée ou formée par croissance sur la totalité de la surface de la pastille ainsi préparée et à la fois la mincie couche d'oxyde et la couche épaisse d'oxyde qui la recouvrent sont enlevées jusqu'à la surface de la pastille dans la région de l'é- lectrode de commande et dans les régions des contacts de la source et du collecteur. Une seconde couche mince de dioxyde de silicium, constituant l'isolation de l'électrode de commande, est alors régénérée par croissance dans l'ouverture de l'électrode de commande.Ce processus est achevé par la réalisation des trous, pour les contacts, traversant la mince couche d'oxyde de l'électrode de commande jusqu'à la source et au collecteur et en déposant des métallisations constituant ces contacts sur ces électrodes, aussi bien que sur l'isolant de l'électrode de commande pour former l'électrode de commande. L'utilisation d'un masque de métal réfractaire, tel que du moybdêne ou du tungstène, pour l'opération de diffusion, conduit à un transistor à effet de champ connu sous le nom de transistor RMOS. Pour la fabrication de ces derniers transistors, comme dans celle des transistors NOS décrite précédemment, il est également usuel d'enlever une couche d'isolation, déposée initialement, de la région de l'électrode de commande avant de produire ensuite par croissance la couche d'isolation de l'élec- trode de commande.Une séquence de fabrication comporte le dépôt par voie pyrolytique d'une couche épaisse de dioxyde de silicium sur toute la surface de la pastille de silicium, la production par attaque chimique d'une ouverture pour les régions de l'électrode de commande, de la source et de l'émetteur, et la production par croissance d'une mince couche de silicium dans l'ouverture.Après dépôt et formation selon un modèle d'un revêtement adhérent de métal réfractaire recouvrant l'isolation de l'électrode de commande, une diffusion thermique à travers la mince couche d'oxyde sur les régions de la source et du collecteur entraîne l'impureté activatrice à l'intérieur de la surface sousjacente de la pastille. I1 ne se produit aucune diffusion à travers le masque de métal réfractaire, qui en outre ne doit pas réagir avec l'isolant de l'électrode de commande aux températures de diffusion. Comme précédemment, des trous pour les contacts sont découpés et des métallisations y sont déposées, pour former ces contacts.Bien qu'on connaisse au moins un procédé pour la fabrication de transistors RMOS, dans lequel la couche d'oxyde constituant l'électrode de commande n'est pas régénérée par croissance, le transistor fabriqué selon ce procédé était dépourvu du revetement de champ épais d'oxyde qui est nécessaire pour les circuits intégrés. La fonction de la couche épaisse d'oxyde dans un circuit intégré monolithique est de supporter les dessins métalliques d'interconnexion nécessaires pour le branchement du transistor dans un circuit, sans qu'il se produise d'interactio électrique entre les connexions et le dispositif. En conséquence, un but de l'invention est de fournir un procédé perfectionné pour la fabrication de transistors à effet de champ à électrode de commande isolée, pour circuits intégrés, du type utilisant une couche de métal réfractaire comme masque de diffusion et recouvert d'une couche de champ épaisse d'oxyde faisant partie intégrante de la structure du transistor. Un autre objet de l'invention est un procédé optimisé, de bas prix de revient, pour la fabrication de tels transistors à effet de champ munis pour l'isolation de l'électrode de commande d'une couche d'oxyde qui évite la phase opératoire délicate de régénération par croissance de l'oxyde de l'électrode de commande. Conformément à l'invention, un procédé pour la fabrication de transistors à effet de champ à électrode de commande isolée, pour circuits intégrés, comporte les phases opératoires de dépôt sur une surface d'un support semi-conducteur d'un type de conductivité donné d'une ou plusieurs couches minces d'isolation de l'électrode de commande et d'une couche épaisse de recouvrement d'isolant de champ. Les isolants préférentiels sont constitués par un feuilletage, obtenu par croissance thermique, de dioxyde de silicium et de nitrure de silicium et d'une couche épaisse de dioxyde de silicium déposée par voie pyrolytique. Une ouverture unique pour les régions de la source, de l'électrode de commande et du collecteur est réalisée à travers l'isolant de champ épais jusqu'à la couche d'isolation de l'électrode de commande, c'est-à-dire la couche de nitrure de silicium.Une couche métallique mince, de préférence un molybdène-métal réfractaire, est ensuite déposée sur la partie découverte de l'isolant de 1 'é- lectrode de commande et d'autres parties de l'isolant de champ épais. Le traitement qui suit du transistor est effectué sans enlever l'isolation de l'électrode de commande dans la région de cette électrode. Ce traitement comprend la formation des ouvertures de la source et du collecteur à travers la couche métallique et la couche d'isolation de l'électrode de commande, le dépôt d'un revêtement de verre dopé par un élément activateur, l'utilisation d'une couche métallique dessinée comme masque de diffusion, la diffusion de l'impureté activatrice à l'intérieur du support semi-conducteur pour former des électrodes de la source et de l'émetteur de type de conductivité opposé, la formation des trous pour les contacts et le dépôt des métallisations constituant ces contacts. Les buts précités, et d'autres buts, caractéristiques et avantages de l'invention, ressortiront mieux de la description ci-dessous d'un mode de réalisation préférentiel de l'invention, pris à titre illustratif mais nullement limitatif, effectuée en se référant aux dessins annexés dans lesquels - la figure 1 est un schéma synoptique illustrant les principales phases du procédé de fabrication de transistors à effet de champ réfractaires, du type métal-oxyde-semiconducteur, conformes à l'invention, - les figures 2a à 2f montrent en coupe un tel dispositif semiconducteur au cours des diverses phases de mise en oeuvre du procédé illustré par le schéma synoptique de la figure 1, et - la figure 3 est une vue en perspective du transistor à effet de champ réalisé selon le procédé de la fig.1 du type réfractaire pour circuit intégré monolithique, complètement achevé. La technique de fabrication d'un dispositif semiconducteur, que l'on va décrire, peut être utilisée pour la fabrication de transistors à effet de champ à électrode de commande isolée, aussi bien à canAl de type n que de type p, soit du type à enrichissement, soit du type à appauvrissement. Les restrictions, déjà exposées, sont que les transistors constituent des éléments de circuits intégrés et qu'ils utilisent un métal réfractaire ou une autre couche métallique comme masque de diffusion au cours de leur fabrication. A titre illustratif, on exposera la fabrication d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur au silicium, à canal de type p, du type à enrichissement. Il va de soi toutefois que, bien que l'isolant de l'électrode de commande comporte habituellement une couche d'oxyde, ceci n'est pas essentiel pour la mise en oeuvre de l'invention, du fait que l'isolant de l'électrode de commande peut, si on le désire, être entièrement constitué d'autres isolants. L'invention est applicable d'autre part à des semi-conducteurs autres que le silicium, par exemple au germanium et à l'arséniere de gallium. Enfin, on décrit ici la fabrication d'un seul tel dispositif, mais, dans la pratique, on fabriquera simultanément toute une rangée de tels transistors pour circuits intégrés monolithiques. On se reportera tout d'abord au schéma synoptique de la fig.1 et aux stades correspondants de fabrication du dispositif semi-conducteur représentés par les fig.2a à 2f qui sont effectués sur l'une des surfaces d'un support 10 de silicium de type n. On n'a représenté qu'une petite partie du support 10 qui est, d'une manière classique, une pastille plane et mince de silicium d'une épaisseur de 0,15 à 0,30 mm et d'un diamètre de 25,4 à 38,1 mm. La première phase de la séquence de fabrication (fig. 2a) consiste à déposer sur une surface d'un support 10 une mince couche 11, obtenue par croissance thermique, de dioxyde de silicium (SiO2). Sur la surface supérieure de cette couche d'oxyde 11 obtenue par croissance on dépose une mince couche 12 de nitrure de silicium (Si3N4), ou d'un autre isolant approprié tel que l'oxynitrure de silicium ou l'oxyde d'aluminium (Al203). Ainsi qu'on va maintenant l'expliquer, il est indispensable que la couche d'isolant de champ 13, déposée ensuite, puisse être sélectivement attaquée chimiquement, relativement à l'isolant de l'électrode de commande sur lequel elle est déposée.Bien qu'il soit possible d'utiliser une unique couche d'isolant d'électrode de commande constituée entièrement de dioxyde de silicium ou de nitrure de silicium obtenus par croissance, ou de tout autre dépôt isolant approprié, ou d'un feuilletage contenant plus de deux couches, le mode de réalisation préférentiel de l'invention est un feuilletage constitué par une mince couche de nitrure de silicium déposée sur une couche de dioxyde de silicium obtenue par croissance thermique. Sur la surface supérieure de ce feuilletage, qui sert d'isolant d'électrode de commande dans le dispositif complet, on dépose la couche épaisse d'isolant de champ 13 constituée de préférence de dioxyde de silicium déposée par voie pyrolytique. Le traitement qui suit pour obtenir le dispositif achevé est effectué sans perturber le diélectrique, initialement formé, de l'électrode de commande.L'utilisation de nitrure de silicium dans le processus de fabrication est avantageux, comme on le verra, du fait que cette matière isolante est extrêmement dense, est imperméable à la contamination ionique et n'est pas attaquée ou l'est lentement par les produits d'attaque chimique habituellement utilisés pour la préparation de dispositifs semi-conducteurs. Par exemple, l'épaisseur des couches déposées de dioxyde de silicium et de nitrure de silicium, constituant l'isolation de l'électrode o de commande, est de 1.000 A environ, ou moins, tandis que celle de la couche épaisse d'oxyde de champ est d'environ 10.000 à 15.000 A. On utilise des techniques classiques pour le dépôt des diverses couches. La phase opératoire suivante de la séquence du procédé (voir fig.2b) consiste à réaliser une ouverture unique 14 dans la couche d'oxyde de champ 13 jusqu'à la couche de nitrure de silicium 12, pour les électrodes de source, de commande et de collecteur du transistor à effet de champ. Habituellement ceci est obtenu en revêtant la surface supérieure de la couche éa:s-;e d'oxyde 13 d'une couche mince d'une substance photorésistante, en impressionnant selon un modèle cette couche photorésistante et en attaquant chimiquement la partie de la couche épaisse d'oxyde de champ correspondant à l'ouverture désirée, qui n'est pas protégée par la couche photorésistante formée. On utilise n'importe quelle substance photorésistante connue dans la technique. L'agent d'attaque chimique choisi est évidemment un de ceux qui enlève la couche d'oxyde de champ mais ne réagit pratiquement pas avec la couche de nitrure de silicium. Un agent d'attaque chimique approprié par exemple est un hydrofluorure tamponné contenant approximativement, en volume, une partie d'acide fluorhydrique pour 10 parties de fluorure d'ammonium. On arrache ensuite la couche photorésistante qui subsiste. On dépose ensuite une mince couche adhérente de métal réfractaire 15, de molybdène, sur la surface précédemment traitée, y compris les parois et le fond de l'ouverture 14. Les principales caractéristiques exigées du métal réfractaire utilisé sont d'être adhérent, sans réagir pratiquement avec les couches sous-jacentes aux températures de diffusion d'environ 1.oxo à 1 .5000C, d'être conducteur et d'être chimiquement attaquable. Une fois formée d'une manière appropriée selon un modèle, la couche de molybdène 15 sert de masque de diffusion au cours de la formation des régions, de conductivité modifiée, du collecteur et de la source à la surface et au voisinage immédiat de la surface du support de silicium 10. Une description plus complète de masques de diffusion pour la préparation de dispositifs semiconducteurs est donnée dans la demande de brevet Ètats-Unis n" 761.389 de Dale M Brown et Marvin Garfinkle déposée le 16 Août 1968 au nom du même déposant, dont le contenu est incorporé au présent brevet à titre de référence. Grâce à l'utilisation d'une couche photorésistante formée selon un modèle, ainsi qu'on l'a exposé précédemment, la région 16 destinée à former l'électrode de commande 16 (fige 2d) est protégée de l'attaque chimique, tandis que les régions destinées à constituer la source et le collecteur, de chaque côté de la précédente, ne sont pas protégées pour faciliter l'attaque des ouvertures 17 et 18 jusqu'à la surface de la pastille de silicium 10. Pour réaliser par attaque chimique les ouvertures de la source 17 et du collecteur 18, il est nécessaire ordinairement d'utiliser différents produits d'attaque pour la couche de molybdène 15, pour la couche de nitrure de silicium 12 et pour la couche mince isolante de dioxyde de silicium 11 . Des exemples de produits d'attaque chimique que l'on peut utiliser seront donnés ci-après. La phase opératoire suivante de la séquence du procédé consiste à revêtir la pastille ainsi préparée d'un verre dopé par un agent activateur contenant une très faible quantité d'une impureté du type donneur ou accepteur. Pour former des électrodes de source et de collecteur du type p, comme c'est le cas ici, on dépose du Si02 dopé à environ li de bore sur la pastille traitée, masquée par une couche métallique, et à l'intérieur des ouvertures 17 et 18 du masque métallique. Pour former des diffusions du type n, on utilise habituellement un verre dopé au phosphore et d'autres impuretés activatrices du type donneur ou accepteur ou des produits dopants constitués par des éléments du groupe III ou du groupe V, d'une ma nière bien connue dans la technique.La pastille revêtue de verre est ensuite chauffée pendant un temps convenable et à une température convenable pour obliger les atomes activeurs à diffuser à l'intérieur de la surface du support 10 pour former les électrodes de source 19 et de collecteur 20, de type p. Il se produit une certaine diffusion latérale, il y a lieu de le noter, pu-delà des limites des ouvertures de la source 17 et du collecteur 18, de sorte que les électrodes de source 19 et de collecteur 20 s'étendent en partie en dessous de la région de l'électrode de commande 16. Au cours des phases opératoires finales (voir figure 27), on ouvre trois trous, pour les contacts, dans le verre dopé 21 et on applique des métallisations 22-24, constituant des contacts par des techniques de dépôt ou de pulvérisation sous vide classiques sur la couche de molybdène recouvrant respectivement les régions de l'électrode de commande 16 et des électrodes de source 19 et de collecteur 20. De préférence, on utilise deux phases de masquage par couches photorésistantes, l'une pour le tracé des trous des contacts, l'autre pour former les métallisations constituant les contacts.En se reportant à la figure 3, on voit que cette dernie- re phase opératoire est effectuée, d'une manière plus avantageuse, en revêtant la totalité de la surface de la pastille, préalablement traitée, d'une mince couche de métal, par exemple d'aluminium ou de molybdène, et en formant ensuite par attaque chimique deux fentes de chaque côté de l'électrode de commande pour séparer les métallisations en trois régions distinctes, isolées électriquement. La figure 3 représente aussi, d'une manière schématique, la géométrie préférentielle, suivant une forme rectangulaire, du dispositif fini. Ainsi qu'on l'a mentionné, on fabrique simultanément une rangée de dispositifs semi-conducteurs identiques à celui représenté sur cette figure. Pour faciliter le contact avec les électrodes du transistor et les interconnexions entre les divers dispositifs et les autres éléments de circuit de la plaquette de circuits intégrés monolithiques, il est souhaitable d'utiliser le modèle de métallisation de la figure 3, du fait que les plots de contact 25 - 27 sont formés en même temps que les métallisations constituant des contacts 22-24, mentionnés antérieurement.Les dessins d'interconnexion, il y a lieu de le noter, sont déposés à la surface de la couche épaisse d'oxyde de champ 13 et de la couche de verre dopé 21, en dessus du niveau des dispositifs actifs, où il ne peut se produire d'interactions électriques avec eux. Des dimensions caractéristiques pour le transistor à effet de champ réfractaire du type métal-oxyde-semiconducteur représenté sur la figure 3 sont une longueur d'environ 0,014 à 0,019 mm pour les électrodes de source et d'émetteur, tandis que le canal du type p 28 formé entre ces électrodes présente,lorsqu'une-tension de polarité et d'amplitude appropriées est appliquée à l'électrode de commande, une longueur d'environ 0,006 à 0,020 mm. La dimension, selon la largeur, considérée perpendiculairement, du canal 28 du type p et de tout le dispositif est d'environ 0,0076 à 0,0254 mm. Les dimensions effectives d'un dispositif particulier dépendent de son application dans un circuit. En fonctionnement, en supposant qu'une tension continue de polarité appropriée est appliquée entre les contacts de source 23 et de collecteur 24, le dispositif passe de son état non conducteur à son état conducteur lorsqu'on applique au contact de l'électrode de commande 22 une tension négative dépassant la tension de seuil. Un champ électrique est créé dans les couches d'isolation 11, 12 de l'électrode de commande et la fraction du champ électrique qui existe dans le support 10 attire les trous de la masse du support vers sa surface, créant un canal 28 du type p par le processus d'inversion. La configuration antérieure p-n-p est transformée en une-configuration p-p-p, et un courant passe entre les électrodes de la source 19 et du collecteur 20.Lorsque l'amplitude de la tension appliquée à l'électrode de commande augmente, la conductance du canal augmente. Une caractéristique importante de cette séquence du procédé de fabrication de transistor à effet de champ, du type réfractaire, à l'électrode de commande isolée est que, du fait que les couches de dioxyde de silicium 11 et de nitrure de silicium 12 constituant l'isolation de l'électrode de commande sont déposées au cours de la première phase opératoire et que l'on dépose immédiatement par dessus la couche de champ de dioxyde de silicium 13, le traitement ultérieur pour achever la fabrication du dispositif est effectuée sans perturber l'isolation, initialement formée, de l'électrode de commande.Du fait que la couche délicate de dioxyde de silicium de l'électrode de commande est obtenue par croissance au cours de la première phase opératoire et n'est plus jamais perturbée, il n'est nécessaire de mettre en oeuvre qu'une seule fois les procédés optimaux de nettoyage de la surface de la pastille de silicium 10. Dans cette séquence du procédé, les couches de champ épaisses de dioxyde de silicium sont déposées par voie pyrolytique sans qu'on se heurte aux médiocres caractéristiques d'interface habituellement rencontrées pour le dépôt d'oxydes. Ceci provient du fait que la couche sous-jacente d'oxyde de l'électrode de commande, obtenue par croissance thermique, ainsi que la couche de nitrure de silicium, sont responsables des caractéristiques de l'inter surface.La couche de champ épaisse d'oxyde peut, d'une manière avantageuse, être déposée à la surface supérieure de la couche de nitrure de silicium qui agit à la manière d'une barrière au cours de la suite du processus de fabrication. Cette séquence du procédé élimine les phases opératoires de la technique antérieure consistant à découper la surface de la pastille de silicium et à régé nérer par croissance le dioxyde de silicium constituant l'isolation de l'électrode de commande.Le reste des phases opératoires sont choisies de manière à donner lieu à une séquence de procédé opti male,. de bas prix de revient, pour appliquer le dispositif à un ensemble de circuits intégrés monolithiques, où une couche de champ épaisse d'oxyde est nécessaire, la technique, universellement connue, de fabrication de transistors à effet de champ à électrode de commande isolée utilisant un masque de métal réfractaire comme masque de diffusion. Les caractéristiques électriques des dispositifs fabriqués de la manière indiquée ici sont analogues à celles des dispositifs réalisés selon les procédés de la technique antérieure. Ainsi qu'on l'a précisé, chaque opération élémentaire du traitement du semi-conducteur peut être effectuée selon kas procédés connus en l'état actuel de la technique classique. L'invention est fondée sur la séquence particulière de phases opératoires destinée à fournir un procédé de fabrication et un dispositif optimisé et de bas prix de revient. Par exemple la fabrication d'un transistor à effet de champ à métal-oxyde-semiconducteur à canal du type p, du type à enrichissement, va être décrite avec plus de détails que ci-dessus et d'autres informations relatives à divers ses opérations du procédé pourront être extraites de la demande de brevet E.U.A. nO 761.389 mentionnée ci-dessus.La couche de dioxyde de silicium 11, servant d'isolation à l'électrode de commande, obtenue par croissance thermique, représentée par la figu o re 2a, a une épaisseur de 700 A et est obtenue par croissance dans un four à atmosphère d'oxygène à une température d'environ 1.2000C. La couche de nitrure de silicium est déposée sous une épaisseur d'environ 500 dans un réacteur en y faisant réagir du silane avec de l'ammoniac. La couche de champ épaisse de dioxyde de silicium est ensuite déposée par voie pyrolytique dans un four à une température d'environ 8000C, pendant 40 minutes, sous une une épaisseur d'environ 12.000 A. L'ouverture unique 14 de la source, de l'électrode de commande et du collecteur est dessinée (figure 2b) en utilisant un composant photorésistant approprié, dont un grand nombre sont disponibles et bien connus dans la technique. Une substance photorésistante convenant particulièrement bien est commercialisée aux Etats-Unis sous le nom de marque KMER par la Société Eastman Kodak Company de Rochester (New York). Après exposition et développement de la couche photorésistante, l'ouverture 14 est ménagée par attaque chimique avec l'acide fluorhydrique tamponné en utilisant une couche de nitrure de silicium pour arrêter cette attaque. Une mince couche de molybdène est déposée sous une épaisseur d'envi- ron 5.000 A par un procédé classique d'évaporation ou de pulvérisation sous vide.Un second masque photorésistant est dessiné sur la surface du molybdène (figure 2d) pour protéger la région de l'électrode de commande 16 tout en fournissant le tracé des ouvertures de la source 17 et du collecteur 18. La couche de molybdène 15 est ensuite attaquée chimiquement à l'aide d'un agent d'attaque de l'aluminium ou du molybdène comportant, par exemple, 16 parties d'acide phosphorique pour une partie d'acide nitrique, 1 partie d'acide acétique et deux parties d'eau. Cet agent d'attaque chimique attaque la couche de molybdène recouvrant les ouvertures de la source 17 et du collecteur 18, mais ne réagit pratiquement pas avec le nitrure dè silicium. La couche de nitrure de silicium 12, à son tour, est attaquée chimiquement à l'acide phosphorique qui n'attaque pas le molybdène.Le reste de la couche de dioxyde de silicium li obtenue par croissance thermique est attaqué par le produit d'attaque chimique à base d'acide fluorhydrique tamponné antérieurement décrit. Pour former les électrodes de source 19 et de collecteur 20, du type p, fortement dopées, un verre "dopé" comportant du dioxyde de silicium SiO2 dopé avec environ li de bore, est déposé sur les parties masquées par le métal réfractaire de la pastille traitée et à l'intérieur des ouvertures de la source 17 et du collecteur 18, et est ensuite chauffé pendant environ une heure à une température d'environ 1.1500C, pour obliger les atomes activateurs à diffuser à l'intérieur des régions, situées au voisinage immédiat de la surface du support en silicium de type n 10. L'épaisseur de la couche de verre "dopé" 21 peut aller de 4.000 à 6.000 A.D'une manière connue dans la technique, la température et le temps de diffusion varient en fonction de facteurs tels que l'épaisseur de la couche dopée, la profondeur de pénétration désirée et l'orientation cristalline. La phase opératoire suivante du procédé consiste à appliquer un troisième masque photorésistant sur la surface supérieure de la couche de verre "dopé" 21 et à exposer la matière photorésistante suivant un modèle de dessin délimitant les trous destinés aux métallisations 22 - 24 constituant les contacts (figure 2f). L'acide fluorhydrique tamponné standard est utilisé pour découper les trous des contacts. Une couche mincie de métal aluminium est alors déposée par évaporation ou pulverisaticr. sous vide sur la totalité de la surface de la pastille traitée. Un quatrième masque photorésistant est déposé sur la surface supérieure de la couche d'aluminium et exposé pour définir les dessins interconnectant les contacts et le métal. En résumé, la fabrication d'un transistor à effet de champ à électrode de commande isolée,-du type comportant un masque de diffusion en métal réfractaire, comporte le dépôt sur une pastille de silicium, à titre de premières phases opératoires du procédé, de la couche ou des couches d'isolation de l'électrode de commande et d'un revêtement de recouvrement, d'un isolant épais de champ. Les matériaux préférentiels sont constitués par un isolant d'électrode de commande feuilleté comportant des couches minces de dioxyde de silicium et de nitrure de silicium obtenues par croissance thermique et une couche epaisse de dioxyde de silicium de champ déposée par voie pyrolytique. Après dessin d'une large ouverture unique à travers l'isolant de champ, un métal réfractaire, tel que du molybdène, est déposé sur l'isolant de l'électrode de commande.La suite du procédé, pour former les ouvertures de la source et du collecteur à travers les couches d'isolation de l'électro- de de commande, le dépôt de verre dopé à l'aide d'une impureté, la diffusion de l'impureté activatrice pour former les régions de la source et du collecteur de la pastille de silicium, et les ouvertures des trous des contacts ainsi que le dépôt des métallisations constituant ces contacts, sont tous effectués sans perturber le diélectrique de l'électrode de commande initialement formé. Le procédé convient à la fabrication à bas prix de revient de rangées de transistors à effet de champ à électrode de commande isolée, du type réfractaire, pour circuits intégrés monolithiques. De telles rangées sont utilisées par exemple dans divers types de circuits digitaux. Comme il va de soi, et comme il résulte d'ailleurs déjà de ce qui précède, l'invention ne se limite nullement à ceux de ses modes d'application, non plus qu'à ceux des modes de réalisation, de ses diverses parties, ayant été plus spécialement envisagés ; elle en embrasse, au contraire, toutes les variantes. REVEND ICAT IONS 1 - Procédé pour la fabrication de transistors à effet de champ à électrode de commande isolée, du type utilisant un masque de diffusion en métal réfractaire, pour circuits intégrés, lequel procédé est caractérisé en ce qu'il comporte les opérations suivantes - dépôt sur une surface d'une pastille de silicium, d'un type de conductivité donnée, de couches minces d'isolation de l'électrode de commande de dioxyde de silicium et de nitrure de silicium obtenues par croissance thermique et d'une couche de recouvrement épaisse d'isolant de champ, - formation d'une ouverture unique à travers la couche épaisse d'isolant de champ jusqu'à la couche de nitrure de silicium pour constituer les régions de la source, de l'électrode de commande et du collecteur du transistor, - dépôt d'une couche mince de métal réfractaire sur la couche de nitrure de silicium découverte et d'autres parties de la couche épaisse d'isolant de champ, - formation des ouvertures de la source et du collecteur à travers la couche de métal réfractaire et les couches minces d'isolation de l'électrode de commande, - dépôt d'un verre dopé à l'aide d'une impureté activatrice, recouvrant la totalité de la surface de la pastille traitée et diffusion de cette impureté activatrice à l'intérieur de la pastille de silicium pour former les régions, de type de conductivité opposé, de la source et du collecteur, - formation des trous destinés aux contacts à travers le revêtement de verre et - dépôt de métallisations constituant les contacts. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de métal réfractaire comporte du molybdène. 3 - Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche épaisse d'isolant de champ comporte du dioxyde de silicium déposé par voie pyrolytique. 4 - Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le transistor a une topographie de structure rectiligne. 5 - Dispositif semi-conducteur fabriqué selon l'une quelconque des revendications précédentes.