FR 2103607 A1 19720414 FR 7131003 A 19710826 , 1 2103607 71 31003 L'invention concerne un dispositif semiconducteur comportant un corps semiconducteur ainsi qu'une couche métallique formant un contact redresseur métal-semiconducteur (contact de Schottky) avec le corps semiconducteur. 5 L'invention concerne également un procédé permettant la fabrication d'un tel dispositif. On connaît différents modes de réalisation de ce genre de dispositifs semiconducteurs; il peut s'agir par exemple d'une diode de Schottky. Par ailleurs, dans de tels dispositifs connus, la 10 couche métallique qui forme le contact redresseur métal-semiconducteur, est limitée à la surface de ce contact, celle-ci s'étendant généralement pratiquement jusqu'au "bord du corps semiconducteur. Non seulement des diodes de Schottky, mais également d'autres dispositifs semiconducteurs qui, en plus dudit contact de Schottky, comportent également d'autres 15 jonctions, redresseuses ou non, appartenant par exemple à des transistors à. des thyristors, etc..., peuvent être conçus de la même façon. Dans ces structures connues, la tension de claquage de la jonction métal-semiconducteur est souvent difficilement reproductible, et inférieure à la valeur pouvant être escomptée sur bases de 20 considérations théoriques. Cet état de choses est dû au fait qu'également par suite des procédés de fabrication mis en oeuvre, la couche métallique fait souvent partiellement défaut au bord du corps semiconducteur. Ceci a comme conséquence que des intensités de champ très élevées peuvent se former localement au bord du contact métal-semiconducteur, la tension de 25 claquage de ce contact étant ainsi réduite de manière non reproductible. Une cause importante de ces défauts, réside dans le décapage sous-jacent de la couche métallique pendant la fabrication, par lequel des parties de couche métallique, sises près du bord semiconducteur disparaissent. Par ce décapage sous-jacent, lorsque le dispositif, avec le contact métal-30 semiconducteur, est élaboré sur un support, on peut être confronté avec des problèmes mécaniques qui, parfois, sont de nature à empêcher l'établissement d'un contact thermiquement et électriquement convenable entre le support et la couche métallique. L'invention veut entre autres indiquer une nouvelle 35 structure d'un tel dispositif semiconducteur, cette structure empêchant ou diminuant du moins dans une mesure considérable les inconvénients avec lesquels on est confronté pour les dispositifs connus. Un autre but de l'invention est d'indiquer un nouveau procédé très simple et efficace permettant la fabrication d'un tel 40 dispositif. * 2 2103607 71 31003 L'invention respose entre autres sur l'idée que les propriétés électriques, thermiques et mécaniques du dispositif peuvent être améliorées considérablement si la couche métallique devant former le contact redresseur métal-semiconducteur est élaborée de façon â se 5 situer non seulement sur le contact métal-semiconducteur, mais également en dehors de ce contact et en outre en dehors du corps semiconducteur. Par conséquent, conformément à l'invention, un dispositif semiconducteur du genre mentionné dans le préambule est remarquable en ce que la couche métallique comporte une première partie dont 10 la surface entière constitue ledit contact métal-semiconducteur, ainsi qu'une deuxième partie qui fait saillie en dehors du corps semiconducteur et qui est contiguë à ce contact le long de la longueur complète du bord de celui-ci. Par î!couche métallique", il y a lieu d'entendre ici 15 non seulement une couche métallique homogène constituée d'un seul matériau, mais également une couche métallique composée, formée par plusieurs couches de matériaux différents, une face de cette couche formant, avec le corps semiconducteur, un contact redresseur métal-semiconducteur. Dans le dispositif conforme à l'invention, le bord 20 de la couche métallique ne coïncide pas avec le bord du contact métal-ssmiconducteur et ne se situe pas non plus dans le voisinage immédiat du bord du corps semiconducteur. De ce fait, au bord du contact métal-semiconducteur, des irrégularités susceptibles d'influencer défavorablement la tension de claquage de ce contact sont inexistantes. De plus, dans le 25 cas où le corps semiconducteur, avec le contact métal-semiconducteur, est élaboré sur un support, l'obtention d'un contact électriquement et thermiquement convenable entre le contact métal-semiconducteur et le support est facilité, un contact direct entre le matériau semiconducteur et le support étant exclu. En outre, un avantage important dont on profite 30 lorsqu'il s'agit de dispositifs devant fonctionner â. des fréquences très élevées et munis d'un corps semiconducteur relativement très petit, est que la partie de couche métallique faisant saillie en dehors du corps améliore la maniabilité du dispositif surtout au cours du montage final, tandis qu'au besoin, il est possible d'élaborer un conducteur de conne -35 xi on sur cette partie de couche métallique. Le corps semiconducteur peut présenter des formas très différentes, mais est généralement sous forme de plaque. Dans bon nombre de cas,, afin de faire valoir convenablement les avantages précités, il est préférable que la deuxième partie saillante de la couche mé-40 tallique ne soit pas trop petite. Dans cet ordre d'idées, un mode de réa- * 5 2103607 71 31003 lisation préféré conforme à l'invention et le corps semiconducteur étant en forme de plaque, est remarquable en ce que partout, la deuxième partie de la couche métallique fait saillie en dehors du contact métal-semiconducteur sur une distance qui est au moins égale à l'épaisseur du corps 5 semiconducteur. Pour l'établissement d'une tension de claquage aussi élevée que possible, il faut que particulièrement au bord du contact métal-semiconducteur, les intensités de champ qui se produisent soient réduites aux valeurs maximales possibles. C'est pourquoi un autre mode de 10 réalisation préféré important est remarquable en ce que la section du corps semiconducteur, calculée à partir du contact métal-semiconducteur décroît sur au moins une partie de l'épaisseur du corps. On obtient ici une structure â plateau nantie d'un bord chanfreiné au point qu'au bord de la jonction de Schottky, l'intensité du champ se trouve considérable-15 ment réduite. Bien que l'invention fournisse d'importants avantages pour un grand nombre de divers dispositifs semiconducteurs, parmi lesquels se situent par exemple, outre les diodes, également des transistors et des thyristors de puissance élevée ou non, l'invention est 20 particulièrement signifiante dans le cas où le dispositif est une diode à avalanche, appelée â engendrer et/ou à amplifier des oscillations électromagnétiques haute fréquence. De telles diodes ont une dissipation relativement forte et de très petites dimensions, de sorte que dans leur forme habituelle, ces diodes sont difficilement maniables, surtout au 25 cours du montage final, tandis que souvent, on est confronté avec certains problèmes se rapportant au refroidissement efficace des diodes. Par l'emploi de la structure conforme à l'invention, ces problèmes sont contournés ou du moins résolus en grande partie. En rapport avec les très bonnes propriétés électri-ques obtenues, au moins la région du corps semiconducteur, contactant la couche métallique, est de préférence en silicium (ou en arséniure de gallium), alors qu'au moins la région de la couche métallique, contactant la région citée en premier lieu, est en palladium.(ou en titane). Au besoin, le corps semiconducteur et la couche mé-35 tallique élaborée sur ce corps et formant le contact redresseur métal-semiconducteur, peuvent être réalisés de façon à former un ensemble en porte-à-faux, l'épaisseur de la couche métallique pouvant au besoin être choisie suffisamment forte pour que cette couche même soit utilisée également comme conducteur de connexion, en analogie avec des éléments dont 40 les conducteurs de connexion ne se trouvent pas entièrement sur le semi 71 31003 4 2103607 conducteur lui-même, mais en sorte partiellement sous forme de petits barreaux, ("team lead semiconductors"). Dans bon nombre de cas toutefois, entre autres pour augmenter la solidité mécanique, le dispositif est conçu de préférence pour qu'au moins la première partie de la couche mé-5 tallique (cette partie formant le contact redresseur métal-semiconductair) se situe sur un support dont l'épaisseur est plus forte, généralement plus de dix fois, que l'épaisseur de la couche métallique. Dans ce cas, de préférence, tant la première partie de la couche métallique que sa deuxième partie (faisant saillie en dehors du corps semiconducteur) sont 10 situées sur le support, la couche métallique s'étendant partout au moins jusqu'au bord du support. Etant donné que le refroidissement est le plus effectif dans le voisinage immédiat du contact métal-semiconducteur où a lieu la production de la chaleur, le support est avantageusement formé par un matériau de très bonne conductibilité thermique et de préférence 15 par au moins un des métaux appartenant au groupe comportant le cuivre., l'argent et l'aluminium, bien qu'il soit également possible d'utiliser des matériaux isolants à bonne conductibilité thermique, par exemple l'oxyde de berryllium. La présente invention repose également sur l'idée 20 que le dispositif décrit peut être obtenu par la mise en oeuvre d'un procédé très simple et efficace au cours duquel on ne court pas le risque d^rwtr* se produire un déiiapage sous-jacent de la couche métallique, ce qui est le cas lors de la mise en oeuvre des procédés connus. Dans cet ordre d'idées, conformément à l'invention, un procédé permettant la fa-25 brication d'un dispositif semiconducteur du genre décrit ci-dessus est remarquable en ce que sur une face d'une couche semiconductrice, on élabore une couche métallique formant avec la couche semiconductrice un contact redresseur métal-semiconducteur, qu'on divise en régions en forme de caisson la couche semiconductrice par le décapage de rainures partant 30 de la face opposée de la couche semiconductrice, effectué à l'aide d'un produit décapant n'attaquant pratiquement pas la couche métallique, et qu'on interrompt la liaison qui, entre lesdites régions en forme de caisson, existe en dehors du matériau semiconducteur, alors que subsistent ainsi des parties de couche métallique qui entourent entièrement la face 35 de contact entre chaque région en forme de caisson et la couche métallique. Suivant un mode de réalisation préféré très important, après l'élaboration de la couche métallique et avant le décapage des rainures, on élabore sur la couche métallique encore une couche de matériau de support, de préférence formée par précipitation d'un composé 40 métallique comportant au moins un des métaux appartenant au groupe com- 7131003 ' 2,03607 portant le cuivre, l'argent et l'aluminium. Cette opération peut avoir lieu par exemple par dépôt par évaporation ou par voie chimique, mais de préférence par précipitation électrolytique. Ce faisant, on n'empêche pas seulement le décapage sous-jacent de la couche métallique de Schottky 5 mais on établit également un très bon contact thermique et électrique entre la couche métallique et le support. L'invention concerne également un dispositif semiconducteur obtenu par la mise en oeuvre du procédé décrit. La description suivante, en regard des dessins an-10 nexés, le tout donné â titre d'exemple, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La fig. 1 est une coupe transversale d'un dispositif conforme à l'invention. La fig. 2 est une vue en plan d'une partie du dispo-15 sitif représenté sur la fig. 1. Les figures 3 à 9 sont des coupes transversales du dispositif suivant les figures 1 et 2, illustré dans des stades successifs de sa fabrication. La fig. 10 est une coupe transversale d'un dispositif 20 conforme à l'invention, dépourvu de support. Toutes les figures sont schématiques, et leurs dimensions n'ont pas été reproduites à la même échelle. Il en est ainsi surtout en ce qui concerne les épaisseurs. Les éléments qui correspondent sur les différentes 25 figures sont indiqués par les mêmes repères. La fig. 1 est une coupe transversale suivant le plan I-I sur la fig. 2 qui est une vue en plan d'une partie d'un dispositif conforme â l'invention. Sur ces figures 1 et 2, il s'agit d'une diode à caractère d'avalanche, appelée â engendrer ou à amplifier des oscilla- 10 30 tions électromagnétiques ayant une fréquence d'environ 10 Hz (10 GHz). La diode a un corps semiconducteur 1 en silicium, formé par une région de substrat 2, peu ohmique et de type de conduction n, la résistivité de cette région étant d'environ 0,008 Ohm.cm. Sur cette région 2, on a élaboré une couche épitaxiale 3 de type de conduction n, ayant une épaisseur 35 de 7 microns et une résistivité de 0,8 Ohm.cm. Le dispositif comporte également une couche métallique (-5» 6), formée par une couche 5 en palladium, ayant une épaisseur de 0,1 micron, et par une couche 6 en or, ayant une épaisseur de 0,5 micron. L'ensemble formé par ces couches 5 et 6 forme, par sa couche de palladium 5» un contact redresseur métal-semicon-40 ducteur (contact de Schottky) avec la couche épitaxiale 3 du corps de 71 31003 ' J,03W" silicium 1, tandis que par sa couche d'or 6, ledit ensemble 5» 6 est entièrement en contact avec la surface d'un support 4 ÇLui est une couche de cuivre présentant une épaisseur de 100 microns. Le contact métal-semiconducteur est limité par le bord circulaire 8. Voir également la 5 fig. 2. Conformément à l'invention, l'ensemble formé par les couches 5» 6 comporte une première partie A (voir la fig. 1), limitée par le bord 8, la surface entière de cette partie A formant le contact métal-semiconducteur. Ledit ensemble 5» 6 comporte aussi une deuxième 10 partie B faisant saillie en dehors du corps 1, et limitée par le bord 8 du contact de Schottky ainsi que par le bord 9 du support 4. Sur toute la longueur de son bord 8, le contact de Schottky est contigU.e à cette partie B. Ceci apparaît clairement sur la fig. 2 qui est une vue en plan schématique du support 4, du corps de silicium 1, ainsi que de l'ensemble 15 intermédiaire formé par les couches 5» 6. Sur la région de substrat 2, on a élaboré une couche de palladium 10, présentant une épaisseur de 0,1 micron, ainsi qu'une couche d'or 11, présentant une épaisseur de 0,5 micron (voir la fig. 1). Ces couches métalliques constituent un contact pratiquement ohmique sur la région de substrat 2, fortement dopée. 20 Le diamètre du cercle formé par le bord 8 est égal â 120 microns, l'épaisseur du corps semiconducteur en forme de plaque est égale à 50 microns, tandis que la distance minimale a entre le cercle formé par le bord 8 d'une part, et le bord 9 d'autre part, (voir la fig.2) est égale à 190 microns, de sorte que partout, l'ensemble formé par les 25 couches 5» 6 s'étend en dehors du contact métal-semiconducteur sur une distance supérieure au triple de 1'-épaisseur du corps semiconducteur. Le diamètre b (fig. 2) est égal à 80 microns. Comme le montre la fig. 1, le bord de la plaque en silicium est chanfreiné, de sorte qu'à partir du contact métal-semicon-30 ducteur, la section de la plaque diminue. Au bord dudit contact, on établit ainsi une répartition de champ aussi favorable que possible dans le silicium 5» 6, on applique un potentiel négatif par rapport au contact ohmique (10, 11). On obtient ainsi une tension de claquage relativement élevée (environ 70 volts) de la diode. 35 Ensuite, on termine le montage de la diode, le sup port 4 étant à cet effet fixé sur le fond 13 d'une enveloppe par l'intermédiaire d'une couche de soudure 12 très mince (épaisseur environ 5^u) et de ce fait convenablement conductrice; une paroi isolante 14 en matériau céramique isole le fond 13 par rapport à une plaque métallique 15 40 qui contacte un fil d'or 16 qui par thermocompression est fixé sur la couche 71 31003 7 2103607 métallique (10, 11). L'ensemble formé par les couches 5» 6 forme, sur la surface entière du cercle formé par le bord 8, un contact homogène avec la couche épitaxiale 3» et cela sans discontinuité sur le bord 8 ou à 5 proximité de celui-ci. Par rapport aux constructions connues, on perfectionne ainsi considérablement la reproductibilité et les propriétés électriques et thermiques de la diode. En outre, malgré les faibles dimensions du corps semiconducteur, la diode est très maniable pendant le montage, grâce aux dimensions relativement grandes (500 x 500 microns) de l'en-10 semble (5, 6)et le support 4* La fabrication du dispositif semiconducteur décrit peut avoir lieu de manière simple et est décrite ci-après. Voir les figures 3 à. 9» On part d'une plaquette de silicium devant servir à 15 la fabrication d'un grand nombre de diodes identiques. Cette plaquette comporte une région de substrat 2 de type de conduction n, orientée dans la direction cristallographique (111 ). La résistivité de la région 2 est égale â 0,008 ohm.cm alors que sur cette région 2, présentant une épaisseur de 200 microns, on a formé par voie d'épitaxie une couche 3 de type 20 de conduction n, présentant une résistivité de 0,8 ohm.cm et une épaisseur de 7 microns.(Voir la fig. 3). Sur cette couche 3» la mise en oeuvre de techniques habituelles permet ensuite l'élaboration d'une couche de palladium 5 présentant une épaisseur de 0,1 micron, et une couche d'or 6 présentant une épaisseur de 0,5 micron. Voir la fig. 4« L'ensemble formé 25 par ces couches 5» 6 forme un contact redresseur métal-semiconducteur avec la couche de silicium 3« Sur la couche d'or 6 de l'ensemble formé par les couches 5» 6, on précipite ensuite par voie électrolytique une couche de cuivre 4 servant de support et présentant une épaisseur de 100 microns. 30 Pour ce faire, on utilise un bain de sulfate de cuivre. On obtient ainsi la structure illustrée sur la fig. 5« Puis, la région de substrat 2 est décapée partiellement à l'aide d'un liquide décapant formé par 1250 cm3 de HNO^ à 50$, 250 cm3 de HNOj fumant à $6%, 500 cm3 d'acide acétique à 98$ et 200 cm3 35 de HP à 50$. Le décapage a lieu â une température comprise entre 0 et 2*C et est poursuivi jusqu'à l'obtention d'une couche de silicium d'épaisseur 50 microns (voir la fig. 6). Ensuite, sur la région de substrat 2, on dépose par évaporation une couche de palladium 10 prése'ntant une épaisseur de 0,1 40 micron, ainsi qu'une couche d'or 11 présentant une épaisseur de 0,5 micrcn. 71 31003 _ 2103607 Sur la couche d'or 11, on place ensuite un masque photosensible 12 (voir la fig. 7) P&r 1& mise en oeuvre de procédés de masquage et l'emploi de matériaux généralement utilisés dans la technique des semiconducteurs. Puis, les parties non masquées de l'ensemble formé par les couches 10 et 5 11 sont décapées à l'aide d'une solution contenant 100 g de KJ, 50 g de J2 et 1000 g de H^O à la température ambiante, après quoi le silicium sous-jacent 2, 3 est décapé à l'aide d'une solution qui, volumétriquement, est formée par une partie de HF à 50$ et 10 parties de HNO^ â 65$. Pour ce faire, on utilise comme masque les parties non décapées de l'ensemble 10 des couches 10, 11. Pendant ce décapage, au cours duquel le liquide décapant utilisé n'attaque pas l'ensemble des couches 5» 6, il se forme des rainures 13 (voir la fig. 8) qui divisent le silicium 2, 3 en régions en forme de caisson dont la section, calculée â partir de l'ensemble d.es couches 5» 6 est décroissante vers le haut par suite du décapage sous-15 jacent qui éloigne également une certaine quantité de silicium sous le bord des parties de couches masquante 10, 11. On obtient ainsi la structure illustrée sur la fig. 8. A l'extérieur du silicium, lesdites régions en forme de caisson sont liées par la couche métallique 5» 6 et le matériau de 20 support, dans ce cas le cuivre de la couche 4« On interrompt ensuite ces liasons du fait qu'on les coupe à l'aide d'un rasoir, et on obtient ainsi des diodes distinctes. Ce faisant, on maintient certaines parties de la couche métallique 5» 6, qui entourent entièrement la face de contact entre chaque région en forme de caisson 2, 3 et cette couche métallique. 25 A l'aide d'air comprimé, on éloigne les parties saillantes des couches 10, 11, de sorte que l'on obtient la structure illustrée sur la fig. 9« Ensuite, comme le montre la fig. 1, chaque diode peut être placée dans une enveloppe adéquate. L'élaboration de la couche de cuivre 4 (support) 30 avant le décapage des rainures 13 garantit un très bon contact électrique et thermique entre le- support 4 et la couche métallique 5» 6, ce qui n'était pas le cas lors des procédés habituels suivant lesquels les caissons en silicium, dont chacun est muni de son contact de Schottky, sont d'abord réalisés séparément et fixés ensuite sur un support, des 35 particules de poussièrepar exemple, pouvant se trouver entre la couche métallique de Schottky et le support, cette situation pouvant se combiner avec une mauvaise liaison par soudure. On conçoit aisément que l'invention n'est pas limièé tée à l'exemple de réalisation donné à titre illustratif, mais que dans 40 le cadre de l'invention, le technicien peut réaliser de nombreuses 71 31003 9 2103607 variantes. Ainsi, l'ensemble formé par les couches métalliques 5» 6 peut être une couche simple de composition homogène, par exemple une couche de palladium, une couche de nickel ou une couche d'un autre matériau approprié susceptible de former un contact de Schottky avec le corps semicon-5 ducteur. Par-ailleurs, le matériau semiconducteur de silicium peut être remplacé par un autre matériau semiconducteur, par exemple l'arséniure de gallium, auquel cas la partie de l'ensemble formé par les couches métalliques 5» 6, qui contacte l'arséniure de gallium, est de préférence en titane. Il se peut également qu'au lieu d'être formé par des régions 10 dopées différemment, le corps semiconducteur soit homogène et est par exemple une mince couche présentant une épaisseur de quelques microns. Par ailleurs, outre le cuivre, le support peut être, réalisé également en argent ou en aluminium ou des alliages de ces deux éléments, ainsi qu'en d'autres métauat ou non métaux convenablement ther-15 miquement conducteurs, par exemple l'oxyde de béryllium. Dans ce dernier cas, on peut avantageusement fixer un conducteur de connexion sur la partie B de l'ensemble formé par les couches 5» 6. Comme cela a été décrit en référence aux figures 8 et 9, la rupture des liaisons entre des dispositifs distincts réalisés à 20 partir d'une même plaquette semiconductrice peut avoir lieu par coupage, mais également par la mise en oeuvre d'autres procédés, tant mécaniques (entaillage, rupture, sciage) que chimiques (décapage), auquel cas il faut toutefois procéder à un masquage additionnel. De plus, au lieu d'une diode, le dispositif semiconducteur peut être également un transistor, 25 par exemple un transistor â collecteur de Schottky, un thyristor ou un autre dispositif muni d'un contact redresseur métal-semiconducteur. Il n'est pas indispensable non plus que, comme c'est le cas dans l'exemple décrit, le corps semiconducteur soit muni d'un bord qui est chanfreiné sur l'épaisseur totale. Parfois, on peut omettre ce chanfrein dans une 30 partie de corps non contiguë au contact de Schottky, ou omettre au besoin entièrement ce chanfrein. Pour terminer, on attire encore l'attention sur le fait que parfois le dispositif conforme à l'invention peut être réalisé et utilisé sans support. Voir par exemple la coupe transversale consti-35 tuant la fig. 10. La couche de Schottky formée par les couches 5» 6 peut alors avoir une épaisseur telle que la couche puisse également servir de conducteur de connexion de la même façon que dans les "beam lead semi-conductors", dont il a été question précédemment. 71 31003 10 2103607 REVENDICATIONSi 1. Dispositif semiconducteur comportant un corps semi conducteur ainsi qu'une couche métallique formant un contact redresseur métal-semiconducteur (contact de Schottky) avec le corps semiconducteur, 5 caractérisé en ce que la couche métallique comporte une première partie dont la surface entière constitue ledit contact métal-semiconducteur, ainsi qu'une deuxième partie qui fait saillie en dehors du corps semiconducteur et qui est contiguë à ce contact le long de la longueur complète du bord de celui-ci. 10 2. Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, le corps semiconducteur étant en forme de plaque, caractérisé en ce que partout, la deuxième partie de la couche métallique fait saillie en dehoœ du contact métal-semiconducteur sur une distance qui est au moins égale à l'épaisseur du corps semiconducteur. 15 3« Dispositif semiconducteur selon la revendication 1 bu 2, caractérisé en ce que la section du corps semiconducteur, calculée à partir du contact métal-semiconducteur, décroît sur au moins une partie de l'épaisseur du corps. 4. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendica-20 tions 1 à 3» caractérisé en ce que le dispositif est une diode à avalanche, appelée à engendrer et/ou à amplifier des oscillations électromagnétiques haute fréquence. 5. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 4» caractérisé en ce qu'au moins la région du corps semiconduc- 25 teur, connectant la couche métallique, est en silicium, alors qu'au moins la région de la couche métallique, contactant la région citée en premier lieu, est en palladium. 6. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 4» caractérisé en ce qu'au moins la région du corps semiconduc- 30 teur, connectant la couche métallique, est en arséniure de gallium, alors qu'au moins la région de la couche métallique, contactant la région citée en premier lieu, est en titane. 7. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'au moins la première partie de la couche 35 métallique est située sur un support dont l'épaisseur est supérieure â celle de la couche métallique. 8. Dispositif semiconducteur selon la revendication 7» caractérisé en ce que tant la première partie de la couche métallique que sa deuxième partie sont situées sur le support, la couche métallique 40 s'étendant partout au moins jusqu'au bord du support. 11 2103607 71 31003 9. Dispositif semiconducteur selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce que le support est constitué par un matériau de très bonne conductibilité thermique. 5 caractérisé en ce que le support est formé par au moins un métal appartenant au groupe comportant le cuivre, l'argent et l'aluminium. semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que sur une face d'une couche semiconductrice, on élabore une couche mé-10 tallique avec la couche semiconductrice un contact redresseur métal-semiconducteur, qu'on divise en régions en forme de caisson la couche semiconductrice par le décapage de rainures partant de la face opposée de la couche semiconductrice, effectué à l'aide d'un produit décapant n'attaquant pratiquement pas la couche métallique, et qu'on interrompt 15 la liaison qui, entre' lesdites régions en forme de caisson, existe en dehors du matériau semiconducteur, alors que subsistent ainsi des parties de couche métallique qui entourent entièrement la face de contact entre chaque région en forme de caisson et la couche métallique. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en 20 ce qu'après l'élaboration de la couche métallique et avant le décapage des rainures, on élabore sur la couche métallique une couche de matériau de support. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que le matériau de support est précipité par voie électrolytique sur la 25 couche métallique. 14- Procédé selon la revendication 12 ou 13» caractérisé qui ^ ' en ce qu'on élabore un matériau de support/contient au moins un des létaux appartenant au groupe comportant le cuivre, l'argent et l'aluminium. 15. Dispositif semiconducteur obtenu par la mise en 30 oeuvre d'un procédé selon l'une des revendications 11 à 14. 10. Dispositif semiconducteur selon la revendication 9» 11. Procédé permettant la fabrication d'un dispositif