FR 2108881 A1 19720526 FR 7037207 A 19701015 La présente invention concerne les mémoires magnétiques d'informations binaires réalisées en couches minces pour le stoo kage des éléments d'information en des couches magnétiques ani- sotropes. Elle concerne plus particulièrement celles de ces mé- moires qui présentent une grande capacité d'information, de l'ordre de 107 chiffres binaires et plus et ont un temps de cycle opératoire raisonnablement court, de l'ordre de quelques microsecondes par exemple. Pour rendre la réalisation de ces mémoires et leur exploitation particulièrement avantageuses, il est préférable de les établir sous la forme d'une pluralité de modules, ayant chacun par exemple une capacité de l'ordre de 105 chiffres binaires au moins, pourvu que ces modules puissent entre aisément interconnectables entre eux, il est également désirable que la lecture d'éléments d'information, effectuée le plus souvent par mot-s en ce genre de mémoire, ne soit pas destructrice de l';;nforma- tion aux points de mémoire fl1usfl0 Il est de plus souhaitable que cette lecture, aussi bien que toute écriture en mémoire, puissent s'effectuer en n'ayant recours qu'à des courants suffisam- ment faibles pour permettre la réalisation des circuits d1 envi- ronnement immédiat des modules, affectés à ces opérations, en employant des circuits intégrés d'usage courant, tout en conservant un rapport sigaal/bruit thermique convenablement élevé, e but de l'invention est de prévoir une structure et une organisation de mémoire de grande capacité et, additionnellemenX de haute densité d'information, qui satisfassent à de tels desi debata. Gne mémoire établie en conformité de la présente invention se caractérise essentiellement par la combinaison à une structu- re incorporant au moins une couche magnétique anisotrope associée à une pluralité de lignes de mot à haute densité géométrique orientées parallèlement à l'axe de facile aimantation du matériau de la couche et à une pluralité de lignes de lecture et (ou) information orientées selon la direction de difficile anmantation de ce matériau, d'une organisation d'interrogation pour l'activa- tion sélective des lignes de mot par des trains d'impulsions unar polaires haute fréquence qui, en l'absence d'excitation des li giries d'information, basculent temporairement à la dite fréquence le vecteur aimantation de tout point de mémoire associé à la li gae de mot sélectivement activée, et induisent donc dans les lignes de lecture des courants unipolaires haute fréquence significatifs des contenus de ces points de mémoire, d'une organisation d'exploitation des courants de lecture incorporant par r ligne ou groupe de lignes de lecture un système amplificateur-détecteur à bande passante étroite vis à vis de la largeur de bande des trains d'impulsions d1 interrogation, de préférence accordé sur l'harmonique deux de la fréquence des impulsions en ces trains, et d'une organisation complémentaire à celle d'interrogation qui, à toute opération d'écriture, applique sur les lignes d'information des points de mémoire associés aux lignes de mot activées, des courants de polarités définies recouvrant en durée celle des dits trains d 'impulsions d'interrogation. Belon une autre caractéristique de l'invention, la dite structure de mémoire est établie avec une fermeture du flux émanant des points de mémoire selon la direction de difficile ai mantstiog du matériau de sa couche magnétique anissotrope, Tette mémoire se caractérise complémentairement en ce que pour la réalisation d'une telle fermeture de flux, elle incorpo- re une double couche magnétique enserrant les lignes de mot et couplée à des lignes de lecture. ettou) information dont chacone suit un trajet en U sur le plan de mémoire, chaque élément d'information étant donc enregistré an deux points de mémoire voisins sous des orientatlass complémentaires du vecteur aimantation en ces deux points. ralle se caractérise complémentairement encore en ce que, la dite structure - étant subdivisée en modules, chacun des ces modules porte, outre les plans de mémoire magnétique, les conducteurs de mot y afférent et au moins un multi-couche d'interconnexion aux dit es lignes de mot établi pour la fixatiai. directe par soudure d'unités de circuits intégrés de présélection de ces lignes de mot, et en ce qu'un réseau de lignes d'iniSormatiom et(ou) lecture est rapporté sur la structure pour autre commun à une pluralité de tels modules disposés cote à côte; - plusieurs ensemble identiques peuvent entre superposés si de besoin. des caractéristiques, ainsi que d'autres encore venant en renforcer les effets, vont entre exposées dans le détail en se reportant aux figures jointes qui en donnent, à simple titre illustratif, un exemple d'exécution pratique dont peuvent se déduire, sans plus, toutes variantes entrant dans le cadre de l'in vention ::- iiigol une vue partielle en perspective cavalière d'une structure de mémoire exploitée dans les réalisations de l'invention; iig.2, une vue partielle agrandie d'une telle structure vue de dessus et montrant des confi urations typiques des conditions du matériau magnétique dans la couche 13 de la " ol pour une représentation des chiffres binaires "w" et "1"; Fig.3, un ensemble de courbes critiques de fonctionnement pour la réalisation et l'exploitation d'une mémoire selon l'invention; pilg 4, un exemple de forme d'onde des impulsions unipolaires des trains appliqués sur les lignes de mot de la mémoire;; Fig.5, des graphiques de signaux utiles pour 11 exposé des opérations d'écriture et de lecture en mémoire; 'ig.by un exemple d'implantation possible d'une telle mémoire; Fig.7, un exemple d'implantation possible pour un module constitutif de la mémoire de la big.u; et, Fig.8, un exemple purement illustratif d'un circuit d'am- plificabeur-démodulateur de phase dans l'organisation de lecture d'une telle mémoire. tTne structure de plan de mémoire entrant en jeu dans l'invention car présentant une caractéristique intrinsèque particu- lièrement avantageuse pour la mise en pratique de l'inventiai à savoir que le flux des points de mémoire est fermé selon la direction de difficile aimantation du matériau aniso-srope en lequel sont formés les dits points de mémoire, peut être telle que représentée sur la vue partielle en coupe de la Pig.l::- sur un substrat 1, diélectrique par exemple, sont déposées des bandes composites comportant des conducteurs plats ll destinés à servir de lignes de mot dans l'organisation de la mémoire, enrobés d'un matériau magnétique anisotrope dont l'axe je facile aimantation est orienté selon la longueur de ces conducteurs 11. Pour mieux préciser la mémorisation, on a désigné par 12 les faces inférieures de ces enrobages au contact du substrat lu et par 13 leurs faces supérieures, étant entendu que le matériau magnétique des enrobages recouvre également et sans discontinuités les "faces" latérales des conducteurs llo La représentation de la ig.l n'est bien entendu pas quantitative. A titre indicatif, cette structure de bandes composites sur un substrat peut entre réalisée comme suit:- on prépare par frittage sous vi.e une poudre comportant environ 3% de fer, 47% de nicjel et 50% de cobalt. un recouvre ensuite la surface du substrat, verre haute température par exemple, par évaporation directe de ce mélange jusqu'à une épaisseur de, par exemple 8uO o angströms environ, en présence d'lm champ magnétique orientateur de l'ordre de luu oersteds par exemple encore. un obtient ainsi une couche mince, ou film, de champ coercitif Hc et de champ d'anisotropie Hk ayant des valeurs de l'ordre de 20 Oe. ija dispersion d'anisotropie sur l'axe difficile &alpha;#90 est in férieure ou au plus égale à l,50o On revit ce film d'un flash de o cuivre, d'une épaisseur de l'ordre de 200 A par évaporation puis on procède par voie électrolytique usuelle à un épaississement du cuivre jusqu'à une épaisseur de l'ordre de 3 à 5 microns par exemple.Ce revêtement composite est alors soumis à une gravure classique en soi, pour la découper en bandes orientées parallèlement à l'axe de facile aimantation du film 12 à raison, par exemple, de 200 bandes environ au centimètre, chacune d'environ 25 microns de largeur à un pas de l'ordre de 5Q/u. un procède alors, par dépôt chimique du type dit "electroless" au revete- ment des bandes, faces supérieures et flancs des lignes de cuivre, par un second film magnétique de préférence de même composition que le premier et sensiblement de mdme épaisseur et sous le meme champ magnétique d'orientation de l'axe de facile aiman station. Les directions des axes de facile aimantation des faces supérieures et inférieures des bandes composites sont montrées en nr sur la Fig.1. Des lignes de cuivre 14 sont par ailleurs formées sur une feuille isolante mince 16 par tout procédé connu de fabrication de circuits imprimés. Ces lignes, d'une épaisseur de l'ordre de 15 à 20 microns, peuvent avoir une largeur de, par exemple, 200 microns. Elles sont en "épingles" ou en U et le pas de ces pingles peut entre de l'ordre de 5u0 microns, Ce réseau de lignes qui sert à la fois à l'inSormation et à la lecture dans l'exem- ple décrit, est appliqué avec un intercalaire isolant 15 sur le réseau de conducteurs composites avec les conducteurs 14 ortho gonaux par rapport aux dites bandes composites. un peut, si désiré, séparer les fonctions en établissant deux réseaux de conducteurs 14 par impression en double-face sur la feuille 16. ijne seule feuille portant les lignes 14 peut sistre associée à plusieurs modules de mémoire dont chacun est constitué d'un substrat portant le réseau à haute densité des bandes composites et des moyens d'implantation de circuits intégrés de 'tpré-sélec- tion des lignes de mot.Un exemple d'une telle.dispositiom est représenté sur la Fig.6 et on peut en noter ici deux avantsges:- le premier concerne la production des mémoires car il est évidem- ment plus facile de produire des modules de dimensions-raisonna- blement limitées plutôt que des plans de mémoire de surfaces beaucoup plus importantes. le second avantage est de faciliter l'implantation de circuits intégrés de présélection des lignes de mot sur les substrats des modules, d'où une meilleure possibilité d'établissement des interconnexions entre circuits de sélection externe et lignes de mot. Le choix d'une structure à fermeture du flux selon la direction de l'axe de aifficile aimantation permet d'arriver à une haute densité des lignes de mot et permet aussi de fonctionner avec des courants d'activation de ces lignes de mot de valeurs raisonnablement restreintes. le choix, dans une telle structure, d'une cellule de mémorisation double, c'est à dire comportant deux éléments ou joints de mémoire dont les orientations des ve teurs aimantation sont contraires, est particulièrement avantageuse pour le processus d'écriture qui peut, aloses, avoir recours selon une carac > -ristique de l'invention, au phénomène de reptation des parois des domaines d'aimantation dans le matériau anisotrope, phénombne considéré jusqu'à présent uniquement sous son aspect nuisible en de tels matériaux anisotropes. L'organisation des lignes de mot est telle qu'une ligne sélectionnée reçoit un train d'impulsions unipolaires de haute fréquence, lu à 2u rtHZ par exemple et à simple titre illustratit La valeur du courant dans une ligne de mot est établie pour produire sur chacun des éléments de mémoire associés à cette ligne un champ transitoire nw, voir ttig.3, produit par le courant il, voir Hig.5a qui, à chaque impulsion, entratne un basculement temporaire du vecteur aimantation dans ces éléments de mémoire hors de la direction de l'axe de facile aimantatiai du matériau, ce basculement n'atteignant toutefois pas 900, La xlig.3 montre qualitativement trois courbes A, n et C, utiles pour préciser le fonctionnement d'une mémoire selon la présente invention. Les champs orientés dans la direction de dif- ficile aimantation du matériau anisotrope de mémorisation sont portés suivant l'axe des ordonnées, fi # .Ceux orientés dans la direction de facile aimantation sont portés suivant l'axe des abscisses, fi ji. Le champ d'anisotropie d'un matériau est, par exemple, indiqué en Hk, et son champ coercitif est, par exemple, indiqué en HCs inférieur à Hk . En Hp est indiquée toujours à titre d'exemple, la valeur mesurée du champ parasite en un point de mémoire, c'est à dire la somme des composantes parasites orientées selon l'axe de facile aimantation, tant d'origine interne (champs dus aux points de mémoire voisins) que d'origine externe (champs magnétiques d'environnement et de commandes des lectures et écritures en mémoire.) . Au point de vue du fonctionnement, le champ Hp se retranche du champ coercitif H c et la valeur d'un champ d'information appliqué à l'écriture (sur les points associés à une ligne de mot excitée,par les conducteurs 14) ne doit pas dépasser la valeur (hc a ) Sous peine de perdre le convenu c p des points de mémoire non sélectionnésO La courbe A est la courbe de délimitation de la zone en laquelle se produira un basculement qui pourra dépasser 900 du vecteur aimantation pour une impulsion appliquée selon l'axe de difficile aimantation et concomitamment un champ appliqué selon l'axe de facile aimantation. Ce basculement se produit au delà de la courbe A par rapport à l'origine du plan.Une telle courbe peut être tracée expérimentalement pour un matériau défini con sidéré dans une géométrie de mémoire également définie, ainsi d'ailleurs que les deux autres courbes B et O. La courbe 13 est la courbe délimitant de la meme manière une zone dans laquelle, pour l'écriture, le vecteur aimantation du point de mémoire basculera lors d'une application simultanée, dans la ligne de mot, d'un train d'impulsions de sélection à nombre limité d'impulsi- ons, seize par exemple, voir en Iw sur la Fig.5, et, dans la ligne d'information, d'un courant d'écriture Id, d'un sens pour écure un "1", voir E(1), P'ig,5S du sens contraire pour l'écriture d'un W, voir E(0), même figure. Cette zone de basculement se situe au dessus de la courbe B. rour toute application simultanée sur un point de mémoire d'un champ de mot nW et d'un champ d'information Hd tels que le point résultant se situe au dessus de la courbe ir, il y aura soit confirmation d'orientation, soit réorientation du vecteur aimantation selon la direction de l'axe de facile aimantation du matériau suivant la "polarité" du champ hd et l'état antérieur du point de mémoire.La courbe Ç est la courbe qui délimite, en dessous d'elle, une zone en laquelle le vecteur aimantation, en la seule présence du champ parasite np et en l'absence de tout champ d'écriture lid, ne peut être décalé en dehors de la direction de l'axe de facile aimaLtation du matériau anisotrope de plus de, par exemple, 10 et ceci pour un nombre d'impulsions beaucoup plus grand que celui appliqué pour un seul cycle d'écriture ou de lecture.La Fig.5 ne considère illustrativement que des cycles de lecture unitaires, autrement dits non répétitifs. lais on doit comprendre qu'après un cycle écriture en mémoire, l'exploitation de cette donnée peut nécessiter des relectures multiples et, souvent, séquentielles. il ne faut pas qu'une telle lecture répétée puisse entraSner un effacement de la donnée par désorientations aléatoires (dépendant du champ parasite np) , ce qui serait le cas si la composition des champs définissait un point de fonctionnement situé ai dessus de la courbe G. La zone en dessous de o est également celle en laquelle doivent se situer les valeurs du champ d'interrogation et du champ de mot parasite créé lors de l'écriture en des éléments situés sous des lignes de mot adjacentes à la ligne de mot s électionnée en cette écriture. tour lire dans une mémoire structurée et organisée selon la présente invention, on voit donc qu'il y a en fait une limite supérieure à la valeur possible du champ nW à appliquer sur les points de mémoire, celle corressondant au point D d'intersection entre la courbe t et la droite np. rour toute valeur inférieure, telle qu'indiquée par exemple en "w, on a une lecture non-des- tructive, le point G se situant en dessous de-la courbe C.Ce fait est d'un avantage particulier car la dSte organisation ne fait alors rappel qu'à des courants de mot suffisamment faibles pour pouvoir entre transférés à travers des circuits de commutation à diodes ou transistors de types intégrés bien connus, commercialement disponibles donc peu motteux et permettant de plus un certain degré ',d'intégration11 aux structures des modules ainsi qu'on le détaillera plus loin.Bien en-tendu, une telle limita tion des valeurs des courants d'interrogation se traduit par une limitation équivalente des signaux de lecture proprement dits, apparaissant dans les conducteurs 14. une telle limitation n'est toutefois pas rédhibitoire dans un système selon l'invention où la discrimination des valeurs des chiffrés binaires en ces signaux s'effectue à partir de leurs phases relatives vis à vis de celle des impulsions des trains d'interrogation qui créent le dit champ de lecture Ew. Pour que le système fonctionne correctement et de façon économique, il est nécessaire que les valeurs des champs de sélection de mot, telles que ew, soient compatibles avec toute opération d'écriture, en fait qu'une seule valeur de nw puisse être exploitée à la lecture et à l'écriture dans une mémoire.Un examen de la Fig.3 permet de constater que, pour une valeur du champ de sélection de mot limitée à- une valeur maximum lii, cette compatibilité existe:- pour l'écriture, on doit atteinire un point situé au dessus de la courbe B et pouvant même se situer au dessus de la courbe A en dessous de la ligne E-j, d'ordonnée HW, E et i étant les intersections de HW avec la courbe B et 2a droits d'abscisse (lic - Hp): on peut évidemment choisir une valeur de champ d'information Hd inférieure à (nc - np) mais supérieure à la valeur de l'abscisse du point s qui, par sa composition avec nv, établisse le point de fonctionnement dans la zone hachurée sur la Fig.3.Le point représenté n'est bien entendu qu'illustratif. Une opération d'écriture s'effectue en fait par une commande de reptation des parois d'un domaine magnétique sous l'action des champs développés par les courants coincidents de mot et d'information. L'adoption d'un point de mémoire double, tel que sus-décrit, autorise cette écriture par déplacements de parois de domaines magnétiques quelle que puisse être la configuration magnétique qui doit représenter la configurati numérique d'un mot à éléments binaires à écrire en mémoire.Ceci résulte du fait qu'en un élément de mémoire double, voir par exemple en 2ü sur la Fig.2, il existe toujours, que le chiffre représenté soit "1" ou "u", deux domaines magnétiques dont les orientations de vecteur magnétique sont contraires d'un élément à l'autre du point de mémoire, une paroi de domaine magnétique délimitant ces deux domaines à l'intérieur du point. À titre illustratif, on a conventionnellement représenté sur la blig.2, quatre paires de points de mémoire doubles, chaque paire faisant partie dtun mot distinct et correspondant aux "mots élémentaires n NllN, "0-1", O-l" et "u-0" , de gauche à droi- te et de haut en bas. un peut noter que l'application dtimpulsions unipolaires en tant que signaux de sélection a l'avantage de réduire la vitesse de reptation naturelle des parois des domaines, d'où une plus grande sécurité dans les opérations de lecture, en particulier lorsque l'existence d'une suite "1-1".. ou "0-0".. le long d'une. ligne de mot conuit, comme évident dans la structure de mémoire, à l'existence de parois entre deux points de mémoire consécutifs. Lors d'un cycle de lecture, les courants développés dans les conducteurs 14, qui représentent les signaux utiles, sont appliqués sur autant d'amplificateurs-démodulateurs de phases suivis de détecteurs et de comparateurs. La bande passante de ces champ nes de traitement des signaux est établie étroite vis à vis de celle des impulsions d'interrogation Lw. Si, par exemple et illus- trativement, la fréquence des trains d'impulsions d'interrogation est de l'ordre de lu à 2u ss, la bande passante de ces circuits sera prise de l'ordre du ssségahertz. De plus le système de démodulation est prévu calé sur l'harmonique 2 de la fréquence d'inter- rogation.L'établissement des courants d'interrogation sous la forme d'impulsions unipolaires présente à cet effet un avantage particulier, celui de permèttre une optimisation de la tension V(2P), composante de l'harmonique 2 dans les signaix- de lecture, par ajustement de la forme d'onde meme des impulsions des trains d'interrogation. En se reportant à la Fig.4, la fréquence i est égale à 1/iL, il étant la période de récurrence des impulsions. Chaque impulsion présente un front montant, de durée a, un palier, de durée b et un front descendant c, de durée égale ou inférieure à a. La valeur de V(2X) est fonction de T, a et b. En intercalant un circuit modeleur de la forme d'onde des impulsions entre le générateur de base des trains et les circuits ai guilleurs vers les lignes de mot, on peut exploiter des formes d'impulsions qui conduisent à une réponse optimale pour le second harmonique dans les signaux prélevés sur les lignes 14 lors d'une interrogation de la mémoire, et dans les signaux résultant de leur traitement dans les démodulateurs de phases tels que 23, igs.t et 8.A titre indicatif, le dit circuit modeleur peut assurer au front montant a de la forme d'onde trapezoldale souhaitable, une durée de l'ordre de lvi de la périoae ni et au palier b, une durée de l'ordre de 14,5 % de cette période en un exemple de mise en pratique dans lequel T était pris environ égal à 800 ns. En se référant à l'exemple d'organisation d'une mémoire selon l'invention représenté sur la Pig.b, le générateur des trains d'impulsions est indiqué en 21 et peut consister en un relaxateur, synchronisé par une base de temps si désiré, opérant à une fréquence choisie dans une gamme entre 10 et 20 x;Ez environ. la sortie de ce générateur 21 passe par le circuit modeleur 22. Une sortie du circuit 22 envoie les trains d'impulsions modelées sur les circuits d'aiguillage 29 vers les lignes de mot de la structure de mémoire, aiguillage commande à partir du registre d'adresse de mot 28. une autre sortie, à fréquence double alors, du circuit 22 est dirigée sur les amplificateurs-démodulateurs de phases relatives 23 recevant les signaux issus des conducteurs 14.Les sorties des amplificateurs 23 sont redressées entes dé Secteurs 24 et les sorties des circuits 24 sont appliquées sur des étages correspondants 25 qui reçoivent, pour échantillonnage, à des temps définis par une base de temps, noii figurée, une tension de référence issue, par exemple, d'un circuit 26 activé à ces temps d'échantillonnage.A titre illustratif, la pig.5 montre, en Y;iD, une forme d'onde de tension issue d'un des circuits 24 et, en 'vk, après échantillonnage, la tension qui est ainsi appliquée à l'entrée d'un étage correspondant d'un registre de mé mémorisation temporaire 27, r'ig.b, des résultats d'une lecture en mémoire. Sur la Fig.8 est indiqué, à titre illustratif, un schéma d'un amplificateur-démodulateur 23. Le secondaire 50 d'un transformateur dont l'un des primaires 51 et 52 voit se développer à ses bornes une tension significative de valeur de chiffrebinai- re "lu" en un élément de mémoire associé à l'une des lignes 14A 14b, par activation d'un conducteur de mot, non fi0uré, applique une tension significative de valeur de chiffre binaire sur la base d'un transistor 5; dont la sortie collecteur attaque l'émetteur d'uL transistor amplificateur 54, accordé en 55 sur l'harmonique 2 de la fréquence des trains d'impulsions d'activation des lignes de mot.La sortie collecteur 56 de ce transistor serait sans plus la reproduction amplifiée de cette composante harmonique, mais le gain de 54 est aiito-natiquement commandé nar la tension de référence issue de la sortie à fréquence doublée du circuit 22 de la ig.o. bette tension a une phase fixe, bien entendu, et le montage applique la dite référence par le transistor 57 pour commander le gain de l'amplificateur et, simultanément assurer la conversion de la modulation de phase en une modulation d'amBlitude::- selon la phase relative du signal pro- venant de la ligne de mot, la tension modulée en amplitude en 56 sera d'un niveau bas ou d'un niveau haut et donc, après redressement la tension échantillonnée indiquera si le chiffre lu est un ou ou un "1". Bien entendu, d'autres schémas de circuits, éga- lement usuels dans la technologie des circuits intégrés et aisément adaptable aux fins particulières ci-dessus, peuvent atre substitués au schéma qui vient d'être décrit. rour l'écriture, les tensions significatives des valeurs des chiffres binaires à mémoriser sont appliquées sur les ligules 14 par l'intermédiaire d'un transformateur d'attaque 5ss;monté en série entre les lignes est indiqué un potentiomètre 59 pour permettre, quand de besoin, un équilibrage des paires de lignes après la fabrication et le montage de la structure de mémoire. La commande d'activation des lies d'information 14 à l'é- criture est indiquée sur la pig.6 comme comportant une pluralité de circuits-portes 33, dont la sélection est placée sous la commande d'un registre d'information 32 et l'alimentation en tensions continues de l'une ou l'autre polarité est assurée à partir d'un circuit 31 délivrant de telles tensions (en fait chaque porte est double et un seul de ses éléments est rendu passant selon que l'étage correspondant du registre 32 est significatif dtun "I" ou d'un "v11). Les sorties de 33 sont distribuées sur les lignes d'information de la structure de mémoire par un distributeur 34 qui contient également les conducteurs reliant ces lignes aux entrées des ampliIicateurs-démodulateurs 23 pour la lecture. Ce distributeur )3 consiste, en fait, en une double matrice de transformateurs d'attaque et de prélèvement des lignes 14. L'organisation de la structure de mémoire est avantageusement réalisée en modules, comme dit. L'exemple de la Fig.6 comporte deux groupes de, par exemple, quatre modules gt, un seul de ces groupes étant complètement représenté et l'autre groupe étant symétrique par rapport au distributeur 54, d'où la disposition des lignes 14 par paires comme indiauée sur la Fig.8. tette disposition permet de réduire suffisamment les tensi ons parasites à l'entrée des amplificateurs-démodulateurs 23 lors de l'activation des circuits 33 au moment de l'écriture, tout en autorisant l'écriture et la lecture d'un grand nombre de points de mémoire, par exemple et illusbrativement 8192, à ltai- de de chaque paire de lignes telles que 14A et 14B. Chaque module comporte, illustrativement, 1@24 mots, donc 1W24 lignes de mot. il est avantageux d'intégrer à chaque module une organisation de sélection en au moins un étage, en sorte que les liaisons matérielles entre chaque module et les circuits extérieurs de commande de ces lignes de mot soient convenablement réduites en nombre pour faciliter véritablement une implantation des interconnexions pour cette commande. L1 n1 existe en fait pas de problème pour l'implantation des lignes d'information imprimées sur un plan isolant bu, Fig.6, qui couvre la totalité des modules et sont raccordées aux organes extérieurs par l'intermédiaire du distributeur )4 muni à cet effet des connecteurs idoines et d'ailleurs connus en eux-memes tour l'établissement de liaisons entre "plots" terminaux de conducteurs imprimés et conducteurs normaux (fils isolés). En chaque module, les lignes de mot proprement dites, à haute te densité de couverture du plan, ne couvrent qu'une partie 63 du substrat espacée des bords d'attaaue par des zones respectives b2 contenant les organes de "présélection" (en fait d'une sélection à un niveau secondaire, le niveau de sélection primaire étant situé en 29) reliés aux bornes d?interconnexion telles que b4, Xiig.7, par un circuit multi-couches 61. our fixer les idées, on peut considérer qu'il y a, par module, 1024 conducteurs de lignes de mot formant soixante quatre groupes de seize conducteurs chacun.Les organes de présélectian de chacune des zones (62), voir la vue partielle de la Fig.7, sont des plaquettes ou pastilles de circuits intégrés comportant chacune seize transistors de commutation. Chaque plaquette est à seize sorties reliées aux conducteurs d'un groupe et présente deux fois quatre entrées, (43) pour l'excitation sélective des bases et (4E) pour l'excitation sélective des émetteurs en supposant que les lignes de mot sont reliées aux collecteurs de ces transistors. Les seize conducteurs de mot de chaque groupe sont, par construction, reliés à un fil commun 66 à leurs ext reAmi tés opposées à celles connectées aux sorties des plaquettes. Vers chacun des bords du module, on trouve donc en alternance une plaquette b5 et un fil commun 66, ce dernier destiné à l'application de la masse sur ces extrémités de lignes de mot. louis les fils communs 66 d'un bord du module sont reliés à une borne particulière 6T parmi les bornes d'interconnexion (b4) pour l'application-de cette masse à travers cette borne. uutre les trente-deux conducteurs 66, il apparait donc en chaque zone (62) du substrat du module trente-deux fois huit, soit donc deux cent crnii'quante-six conducteurs tels que (4b) et (43). Dans la zone (61) est implanté un circuit multi-couches constitué d'une trame de base d'au moins quarante-neuf conducteurs orthogonaux aux conducteurs 66, (4B) et (+.n.) et raccordant ces derniers aux bornes ou plots du groupe (64) de façon que les conducteurs 66 atteignent la borne o7 et que les conducteurs (4m) et (4E) soient sélectivement connectés aux quarante-huit autres plots 68 de ce groupe::- trente-deux de ces plots 68 sont reliés à seize bases de transistor et seize de ces plots sont reliés à trente-deux émetteurs de transistor. les pastilles 65 sont rapportées sur le module par une technique de soudure telle que celle connue sous la dénomination technologique de "flipchip". Les cinq cent douze transistors des pastilles ó5 sont ainsi connectés en une matrice permettant l'activation de l'un d'eux parmi les cinq cent douze par l'excitatioa sélective d'un conducteur de base parmi trente-deux et d'un conducteur d'émetteur parmi seize.La disposition est identique ffloour l'autre bord d'attaque du module et les 1W24 lignes de mot du module sont donc raccordées aux circuits extérieurs par l'interm diaire de quarante-neuf plots par bord d'attaque, donc par l'intermédiaire de quatre-vingt dix huit bornes de connexion par module. À titre illustratif, si les bornes de sortie du module sont réalisées à un pas, usuel en technologie, de 1,27 mm, la largeur du module dans la direction perpendiculaire aux lignes de mot est au moins de 63,5 mm; par exemple cette largeur sera prise égale à 65 mm et les lignes de mot implantées au pas de 63,5 donc à une haute densité convenable pour la mise en pratique de 1' inventiai. outre structure de module peut être complétée, si désiré, par l'application au dessus des lignes d'information d'une plaque ou couche mince d'un matériau magnétique à haute perméabilie té, un tel "keeper" assurant comme connu une fermeture de ,lux magnétique selon l'axe de facile aimantation du matériau anisotrope. De plus, une mémoire peut, si désiré, comporter un em,?.itage de plusieurs ensembles tels que celui de la pig.6. R E V E N D I C A T I O N S 1. mémoire magnétique d'informations binaires caractéri- sée par la cozlbinaison à une structure incoroporant au moins une couche magnétique anisotrope associée à une pluralité de lignes de mot à haute densité géométrique orientées parallèlement à l'axe de facile aimantation du matériau de la couche et à une pluralité de lignes de lecture et(ou) information orientées selon la direction ae dif-Licile aimantation de ce matériau, d'une organisation d'interrogation pour l'activation sélective des lignes de mot par des trains dtinpulsions unipolaires haute fréquence qui, en l'absence d'excitation des lignes d'information, basculent temporairement à la dite fréquence le vecteur aimantation de tout point de mémoire associé à la ligne de mot sélec tiver.lent activée, et induisent donc dans les lignes de lecture des courants unipolaires haute fréquence significatits des contenus de ces points de mémoire, d'une organisatial d'exploitation des courants de lecture incorporant par ligne ai groupe de lignes de lecture un système am-::liicateur-détecteur de phases relatives à bande passante étroite vis à vis de la largeur de bande des trains d'impulsions d'interrogation, et d'une organisation complémentaire à celle d'interrogation qui, à toute opération d'écriture, applique sur les lignes d'information des points de mémoire associés aux lignes de mot activés, des courants coincidents recouvrant en durée celle des dits trains d'impulsions d'interrogation pour commander en ces points de mémoire des reptations de parois de domaines magnétique confirmant l'orientation ou re-orientant les vecteurs aimantation de ces points de mémoire0 2. - mémoire magnétique selon la revendicatiol 1, caractérisée en ce les dits systèmes amplificateurs-détecteurs de phases relatives sont accordés sur l'harmonique deux de la fréquence ce des dits trains d'impulsions et les impulsions de ces trains modelées pour renforcer ledit harmonique dans les signaux engendrés dans les lignes de lecture en réponse à ces trains. 3. --=.émoire magnétique selon la revenoication 1, caractérisée en ce que la dite structure de mémoire est établie avec une fermeture du flux émanant des points de mémoire selon la direction de difficile aimantation du matériau de sa couche ma gnétique anisotrope de mémorisation. 4. - mémoire magnétique selon la revendication 5, caractérisée en ce que, pour une telle fermeture de flux, claque conducteur plat de ligne de mot est rev8tu sur ses deux faces et ses bords latéraux du matériau magnétique anisotrope de mémori- sation et les lignes d'information et(ou) lecture ayant chaune une forme en ti sont appliquées par dessus le réseau de conducteurs composites de mot et mémorisatial et transversalement à ces conducteurs, chaque élément d'information étant donc enregistré en deux points de mémoire voisins sous des orientations inverses du vecteur aimantation en ces deux points dont les domaines magnétiques sont séparés par une paroi, 5. - mémoire magnétique selon la revelidication 4, caractérisé en ce que, la structure de mémoire étant subdivisée en modules portant chacun, sur un substrat distinct, au moins une même pluralité te tels conducteurs composites, et étant alignés dans un plan, les lignes d'information et(ou) lecture sont formées sur un support mince indépendant des dits substrats et qui couvre la totalité des modules alignés en ce plan. 6. - mémoire magnétique selon la revendicatiom 5, caractérisé en ce que chaque substrat de module porte, outre les dits conductelzs composites de motet mémorisation, au moins un multicouche d'interconnexion entre un nombre de bornes d'accès relativement réduit par rapport au nombre de tels conducteurs et un ensemble d'unités de circuits intégrés de préselection des lignes de mot du module fixés sur ce multicouche et reliés aux dites lignes de mot. 7. - mémoire magnétique selon la revendicatic1 6, caractérisé en ce que les dites bornes d'accès sont réprties sur deux bords opposés du substrat du module et les lignes de mat. groupées en faisceaux alternativ,ement connectés aux deux ensembles de présélection également disposés, par des mul-i-couches distincts, vers les deux bords opposés de ce substrat.