FR 2090275 A1 19720114 FR 7118895 A 19710525 La présente invention se rapporte à des dispositifs semiconducteurs et elle a trait plus particulièrement à un procédé de fabrication de transistors à effet de champ à réglage sélectif du seuil de commande. La fabrication de transistors à effet de champ du type métal oxyde semiconducteur à canal P fonctionnant suivant le mode d'appauvrissement présente des difficultés considérables. La tendance naturelle des surfaces de silicium de type P à se transformer en silicium de type N aprés oxydation pose un problème majeur. Ce phénomène est dû principalement à l'appauvrissement de la surface en substances de dopage en accepteurs pendant la formation du bioxyde de silicium ainsi qu'à la charge positive que tend à acquérir l'oxyde au contact du semiconducteur.La fabrication de transistors à effet de champ à canal P est de ce fait rendue très difficile puisque le silicium de type P qui rentre dans la composition du canal existant entre la source et le drain a tendance à se transformer en silicium de type N et à donner alors un transistor à effet de champ fonctionnant par enrichissement et non appauvrissement. L'invention a pour but de fournir un procédé perfectionné de fabrication de transistors à effet de champ à canal P et à grille isolée. L'invention a également pour but de fournir un procédé de fabrication de transistors à effet de champ à canal P et à grille isolée permettant un réglage sélectif du seuil de commande. L'invention a en outre pour but de fournir un procédé de fabrication de transistors à effet de champ à grille isolée et à canal P fonctionnant suivant le mode d'appauvrissement et de transistors à effet de champ à faible seuil fonctionnant suivant le mode d'enrichissement sur des substrats semiconducteurs de type N. L'invention a enfin pour but de fournir un procédé de fabrication de transistors à effet de champ fonctionnant suivant le mode d'enrichissement et d'appauvrissement et ayant une tension de commande variable en utilisant les propriétés d'obstruction partielle de diffusion de pellicules conductrices. Ces objectifs sont atteints à l'aide d'un procédé consistant à ménager des trous de source et de drain dans une pelliculle conductrice, elle-même déposée sur une pellicule isolante qui repose sur un substrat semiconducteur de type N, puis à faire diffuser simultanément des impuretés au travers des trous de source et de drain de manière à former dans le substrat semiconducteur des régions de source et de drain de conductivités opposées et au travers des pellicules conductrice et isolante de façon à former une région de canal adjacente à la surface et de conductivité modifiée entre les régions de source et de drain. La fabrication d'un transistor à effet de champ à canal P comportant des niveaux de seuil variables et compris entre les valeurs correspondant au mode d'enrichissement et au mode d'appauvrissement est réalisée en agissant sélectivement sur les paramètres du processus de diffusion et l'épaisseur de la pellicule conductrice et de la pellicule isolante sousjacente de manière que ces couches conductrice et isolante puissent servir de masques de diffusion partielle pour les impuretés de modification de conductivité. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention seront mis en évidence dans la suite de la description, donnée à titre d'exemple non limitatif, en référence aux dessins annexés dans lesquels La figure 1 est un schéma synoptique du déroulement du procédé de fabrication de transistors à effet de champ suivant un mode d'exécution de l'invention La figure 2 représente une série de coupes verticales schématiques d'une pastille semiconductrice, chaque coupe montrant le résultat d'une des phases du procédé de fabrication représenté par la figure 1 La figure 3 est une section droite schématique d'un transistor à effet de champ à canal P fonctionnant suivant le mode d'enrichissement ;; La figure 4 est un graphique donnant l'intensité du courant source-drain en fonction de la tension du courant grille-source pour la transistor à effet de champ de la figure 3 La figure 5 est une section droite schématique d'un transistor à effet de champ à canal P fonctionnant suivant le mode d'enrichissement, fabriqué selon le procédé de la figure 1 et avec seuil de tension grille-source réduit La figure 6 est un graphique donnant le niveau de seuil réduit du transistor à effet de champ de la figure 5 La figure 7 est une section droite schématique d'un transistor à effet de champ à canal P fonctionnant par appauvrissement et fabriqué selon le procédé de la figure 1 La figure 8 est un graphique représentant l'intensité du courant source-drain en fonction de la tension du courant grillesource pour le dispositif de la figure 7 La figure 9 est un schéma électrique d'un transistor à effet de champ à canal P fonctionnant suivant le mode d'enrichissement et le mode d'appauvrissement et formant un interrupteur semiconducteur La figure 10 est un graphiaue donnant la variation de la tension de seuil en fonction de la concentration nette en donneurs d'un substrat semiconducteur La figure 11 est un graphique donnant la variation de la concentration en accepteurs en fonction du temps de diffusion pour une température de diffusion constante de 1080O C La figure 12 est une section droite schématicue de transistors à effet de champ à canal P, séparés par une couche épaisse d'oxyde. La figure 1 est un diagramme du déroulement du procédé de fabrication selon un mode de réalisation de l'invention. Sur cette figure les rectangles l à 5 représentent les phases successives du procédé, soit respectivement 1 - Formation d'une pellicule isolante sur le substrat semiconducteur de type N 2 - Formation d'une pellicule conductrice présentant un motif donné sur la pellicule isolante 3 - Dépôt d'une couche de verre dopé en accepteurs sur la pellicule conductrice à motif 4 - Formation de régions de source, de drain et de canal par diffusion à partir du verre dopé en accepteurs 5 - Formation de trous par gravure dans les régions de source, de drain et de grille et mise en place d'électrodes sur ces régions et sur une région du substrat. Dans le mode de réalisation de l'invention représenté sur les figures 1 et 2, un substrat 10 en silicium préparé de façon appropriée et d'une résistivité de 1 ohm-cm par exemple est recouvert d'une pellicule isolante 11 de bioxyde de silicium par exemple. Ce résultat peut être obtenu en introduisant le substrat 10 dans une chambre de réaction et en le portant à une température de 1000 à 12000 C pendant environ deux heures dans une atmosphère d'oxygène pur et sec afin de former par voie thermique une pellicule de bioxyde de silicium d'environ 1000 angstroms d'épaisseur. Aprés formation thermique de la couche d'oxyde, elle peut être recuite dans une atmosphère inerte d'hélium par exemple pour améliorer l'interface oxyde-silicium. Bien que pour plus de commodité on ait décrit la formation d'un oxyde produit par croissance thermique, il va de soi qu'on peut utiliser d'autres pellicules isolantes. Par exemple, il est possible d'employer dans la mise en pratique de l'invention une pellicule de nitrure de silicium, d'oxynitrure de silicium ou une autre pellicule isolante ou combinaison de pellicules présentant les caractéristiques définies ci-dessous. De façon similaire, bien que l'invention soit décrite en référence à la fabrication de transistors à effet de champ sur un substrat en silicium, on peut également employer d'autres semiconducteurs tels que du germanium ou de l'arseniure de gallium etc.-.. Aprés formation de la pellicule isolante de bioxyde de silicium 11, la surface externe de la pellicule 11 est recouverte d'une pellicule conductrice 12 présentant de bonnes caractéristiques d'adhérence sur le bioxyde de silicium, chimiquement inerte en présence de la pellicule isolante de bioxyde de silicium à des températures de diffusion comprises entre 1000 et 12000C et agissant comme un masque partiel s'opposant à la diffusion d'impuretés modificatrices de conductivité du type accepteur. Cette pellicule conductrice est de préférence formée de molybdène, de silicium ou de tungstène ; cependant on peut également employer d'autres matières présentant les caractéristiques mentionnées plus haut. Une pellicule conductrice 12 de molybdène peut par exemple être formée sur la surface du bioxyde de silicium par dépôt pyrolitique de molybdène à partir de pentachlorure de molybdène (MoC15) dans une atmosphère d'hydrogène ou bien par bombardement d'une cible en molybdène. L'épaisseur de la pellicule conductrice est d'une grande importance dans la mise en pratique de l'invention et la relation entre ce paramètre et d'autres paramètres opératoires sera précisée en détail dans la suite. Cependant, d'une façon gé nérale, des pellicules conductrices de molybdène ayant des épaisseurs comprises entre 200 et 10 000 angstroms et des pellicules de silicium d'épaisseurs comprises entre 500 et 10 000 angstroms conviennent parfaitement pour la mise en pratique de l'invention.En outre, on peut utiliser des pellicules isolantes de bioxyde de silicium ayant des épaisseurs comprises entre 200 et 2000 angstroms. Aprés formation de la pellicule conductrice 12, un motif approprié est formé dans celle-ci par gravure sélective de zones à l'aide d'un produit de gravure qui réagit sur la pellicule conductrice pour la dissoudre mais qui n'a aucun effet sur la pellicule isolante sousjacente 11. Pour obtenir ce résultat, on emploie des techniques classiques de masquage et de gravure photolithographique. On peut utiliset de5 ^substtances photosensibles connues, par exemple le produit connu sous le nom KPR et fabriqué par la Société EASTMAN KODAK COMPANY. Des techniques appropriées de gravure photolithographique de la pellicule métallique 12 sont décrites dans le document publié en 1962 par la Société EASTMAN KODAK et intitulé "Photosensitive resists for Industrie. La figure 2b montre plus spécifiquement la formation du motif de trous de source et de drain 13 et 14 par les techniques précitées de masquage et de gravure photolithographique. Aprés formation du motif approprié dans la pellicule conductrice 12, une couche appropriée de verre dopé en accepteurs 15, ayant la propriété d'établir une conductivité de type P dans le substrat de type N, est déposée sur la pellicule conductrice à motif. Par exemple une couche de bioxyde de silicium dope en trioxyde de bore peut être déposée en faisant réagir du silane, SiH4 et du diborane B2H6, avec de l'oxygène à une température comprise entre 200 et 5000C pour produire du bioxyde de silicium et du trioxyde de bore. En réglant la quantité de diborane intervenant dans la réaction, on peut commodément déterminer la concentration du trioxyde de bore dans la pellicule de verre.On peut également adopter d'autres techniques pour déposer le bioxyde de silicium dopé en accepteurs. Par exemple la pellicule dopée en accepteurs 15 peut être formée par dépôt pyrolytique à partir d'un mélange d'argon saturé en orthosilicate d'éthyle et une petite quantité de borate de trièthyle. Quelle que soit la technique utilisée, on fait intervenir dans la mise en pratique de l'invention une pellicule d'une épaisseur comprise entre environ 2000 et 5000 angstroms. Aprés la formation de la pellicule dopée en accepteurs 15, des régions de diffusion de source et de drain 16 et 17, de conductivité de type P sont formées dans le substrat 10 de type N comme indiqué sur la figure 2d. Ces régions 16 et 17 sont formées en chauffant le substrat à une température d'environ 11000C pendant environ deux heures afin de faire diffuser le trioxyde de bore au travers de la pellicule isolante 11 et de faire diffuser des atomes de bore libres dans le substrat en silicium 10. Pendant la formation des régions de diffusion de source et de drain 16 et 17, une région de canal peu profonde 18 est formée entre les dites régions 16 et 17 par suite du masquage partiel du substrat 10 par les pellicules conductrice 12 et isolante 11, c'est à dire que le taux de diffusion d'impuretés du type accepteur au travers de la pellicule de bioxyde de silicium 11 dans les régions des trous de source et de drain est supérieur au taux de diffusion au travers de la pellicule conductrice 12 et de la pellicule de bioxyde de silicium 11.En agissant sur les épaisseurs des pellicules conductrice 11 et isolante 12, sur les durées et les températures des processus de diffusion et/ou sur la concentration du trioxyde de bore dans la pellicule 15 de bioxyde de silicium dopé en bore, d'une manière qui sera décrite dans la suite, on peut modifier la concentration en impuretés actives du type donneur dans la région de canal 18. Par exemple la présence d'impuretés de type accepteur N A dans la région du canal 18 de type N compense l'existence d'impuretés de type donneur ND et produit par conséquent une région présentant une concentration nette en impuretés de type donneur (ND N NA) moins grande dans la région adjacente à la surface du substrat semiconducteur 10.En agissant sur les paramètres précités, on peut régler le degré de compensation et par conséquent la concentration nette en impuretés. Puisque le substrat semiconducteur 10 est d'une conductivité de type N, le type et la quantité d'impuretés dans la région de canal peuvent etre modifiés de façon à passer de la conductivité initiale de type N à une conductivité de type P par l'intermédiaire d'une conductivité de type Nlpour arriver finalement à une conductivité de type P. Comme le montre la figure 2e, des trous sont formés par qra- vur dans les pellicules 11 et 15 afin de pouvoir créer un contact sur les régions de source et de drain. Egalement un trou est gravé dans la pellicule 15 dans la zone située au dessus de l'éiec- trode de commande ou grille 19 afin de permettre l'établissement d'un contact avec celle-ci. Une pellicule conductrice 20 peut également être déposée sur la surface inférieure du substrat 10 afin d'établir un contact avec ce dernier. Les procédés permettant de réaliser de tels contacts sont bien connus. La figure 3 représente un transistor à effet de champ et à canal P fonctionnant suivant le mode d'enrichissement. La caractéristique de transfert de ce transistor a été représentée sur la figure 4 qui montre que, pour une tension drain-source constante VDS' il ne passe aucun courant source-drain ISD jusqu'à ce que la tension grille-source VGS atteigne environ 2 volts. Cette caractéristique de transfert est courante dans la plupart des transistors à effet de champ à canal P. La figure 5 représente sensiblement le même dispositif fabriqué par le procédé décrit plus haut en référence aux figures 1 et 2. Plus particulièrement, la figure 5 représente une région de canal de conductivité modifiée, étroite, adjacente à la surface et située entre les régions de source et de drain de conductivité N-. Cette région de canal de conductivité modifiée résulte, comme décrit précédemment, du masquage partiel du substrat par la pellicule conductrice empêchant la pénétration d'impuretés de type accepteur. L'effet de la région de conductivité modifiée est de produire une zone d'appauvrissement entre les régions de source et de drain et par conséquent de réduire le nombre d'électrons disponibles pour la conduction par porteurs majoritaires. La figure 6 montre l'effet de la région d'appauvrissement sur la courbe caractéristique de transfert du dispositif de la figure 5. Plus particulièrement, la figure 6 montre la réduction du niveau de seuil grille-source pour établir une conduction entre les régions de source et de drain. Alors que la caractéristique de transfert de la figure 4 présente un niveau de seuil d'environ 2 volts, celui de la figure 6 est seulement d'une fraction de volt. En conséquence, la technique du masquage partiel par la pellicule isolante et la pellicule conductrice de la manière décrite plus haut permet de produire des transistors à effet de champ présentant un niveau de seuil sélectivement réglable. En augmentant encore la concentration en substances de dopage en accepteurs dans la région de canal adjacente à la surface et située entre les régions de source et de drain, la conductivité peut être modifiée pour passer au type P et par conséquent pour produire un transistor à effet de champ à canal P fonctionnant suivant le mode d'appauvrissement. La figure 7 représente un tel dispositif tandis que la figure 8 donne sa caractéristique de transfert ; On voit que pour une tension nulle entre la grille et la source, il passe un courant d'intensité élevée entre les régions de source et de drain. Un courant d'intensité encore plus forte passe lorsque la tension entre la grille et la source devient négative alors que l'intensité du courant diminue lorsque la tension grillesource est positive.Des transistors à effet de champ présentant les caractéristiques précitées sont utilisables en particulier dans des amplificateurs de la classe A où le courant passant entre les régions de source et de drain peut être modulé par de très petites tensions appliquées entre les régions de grille et de source. Un autre avantage de dispositifs à canal P fonctionnant suivant le mode d'appauvrissement est qu'ils peuvent être utilisés avec des dispositifs à canal P fonctionnant suivant le mode d'enrichissement de manière à produire des commutateurs semiconducteurs présentant une importante excursion de tension et des caractéristiques de coupure et de rétablissement de courant sensiblement égales. La figure 9 montre schématiquement un dispositif 25 à canal P fonctionnant suivant le mode d'enrichissement qui est relié à un dispositif 26 à canal P fonctionnant suivant le mode d'appauvrissement de façon à produire un commutateur semiconducteur.Une telle structure est particulièrement avantageuse puisqu'il n'est pas nécessaire d'appliquer des tensions de polarisation additionnelles au dispositif fonctionnant suivant le mode d'enrichissement comme celà est en général imposé lorsqu'on emploie un dispositif à canal N fonctionnant suivant le mode d'appauvrissement. Bien que la figure 9 représente un commutateur semiconducteur composé de dispositifs distincts, il va de soi que les dispositifs peuvent être fabriqués sur la même pastille semiconductrice et qu'en outre ils peuvent être reliés entre eux d'autres manière et en fonction des impératifs particuliers de circuits intégrés. Pour mieux faire ressortir d'autres avantages de l'invention, la figure 10 montre l'effet d'une variation de la concentration résultante en donneurs sur la tension de seuil grille-source VGT pour des transistors à effet de champ à canal P fonctionnant suivant le mode d'enrichissement et présentant une épaisseur de couche d'oxyde de grille tc0 de 1000 angstroms. La courbe montre que la tension de seuil VGT varie d'environ 0,5 volt pour des concentrations résultantes en donneurs de 1014 jusqu'à environ 5 volts pour des concentrations d'environ 5 x 1016 atomes / cm3. Pour des transistors à effet de champ fonctionnant suivant le mode d'enrichissement et ayant des épaisseurs de couches d'oxyde supérieures à 1000 angstroms, la tension de seuil est supérieure alors qu'elle diminue pour des couches d'oxyde plus minces. I1 est clair que l'invention utilise avantageusement la perméabilité partielle des pellicules conductrice et isolante à des impuretés du type accepteur pour former la région de canal adjacente à la surface et de conductivité modifiée et par conséquent pour produire des transistors à effet de champ à tensions de seuil variables. Cependant il est à noter que ces mêmes pellicules peuvent être utilisées comme masques de diffusion. Par exemple, on a déjà proposé de fabriquer des transistors à effet de champ à auto coincidence en utilisant les pellicules définies plus haut comme masques de diffusion. Suivant l'invention, on essaie d'améliorer le domaine d'utilisation de telles couches en les appliquant à la fabrication de transistors à effet de champ à canal P et à grille isolée.Plus particulièrement, alors qu'on a proposé de fabriquer des transistors à effet de champ et a modes complémentaires en faisant diffuser des impuretés du type accepteur au travers d'une pellicule en métal réfractaire et d'une pellicule isolante pour former une région de diffusion de conductivité de type opposé dans le substrat semiconducteur sousjacent à partir d'une couche isolante dopée en accepteurs, ces régions de diffusion sont généralement très profondes (c'est à dire de préférence d'une profondeur supérieure à 10 microns) pour de faibles niveaux de concentration en accepteurs. En outre ces régions sont produites en utilisant des concentrations de source assez faibles et en choisissant des périodes de diffusion assez longues, par exemple de 20 heures ou plus. Au contraire l'invention utilise de courtes périodes de diffusion (c'est à dire inférieures à 6 heures) et de fortes concentrations en impuretés de type accepteur (c'est à dire de 20 à 50 molaires) pour produire des régions de diffusion peu profondes (c'est à dire inférieures à 5000 angstroms) de manière à pouvoir modifier la con ductivité de la région de canal adjacente à la surface du dispositif semiconducteur. Pour obtenir à partir d'une couche fortement dopée en accepteurs des régions de diffusion peu profondes et des modifications de conductivité de la région de canal adjacente à la surface, on doit agir sur la durée et la température de diffusions sur l'épais- seur de la couche conductrice et de la pellicule isolante et également sur la concentration de la couche fortement dopée en accepteurs. La figure li donne plusieurs combinaisons d'épaisseurs de pellicule de bioxyde de silicium et de pellicule de molybdène qui peuvent être utilisées pour obtenir les concentrations désires en impuretés dans la fabrication d'un transistor à effet de champ particulier. Ainsi la figure 11 met en évidence la variation de la concentration en accepteurs en fonction du temps de diffusion pour différentes épaisseurs des pellicules d'oxyde et conductrice.Dans chaque cas, la température de diffusion est de 10800C et le pourcentage de trioxyde de bore dans la pellicule de bioxyde de silicium est de 20 %. I1 va de soi su'il existe des courbes similaires de concentrations en accepteurs et également d'autres courbes correspondant rades combinaisons différentes de pellicules isolante et conductrice pour d'autres températures de diffusion. Dans la mise en pratique de l'invention, il est par conséquent préférable d'employer des pellicules conductrices de molybdène ayant par exemple des épaisseurs comprises entre 200 et 10 000 angstroms et des pellicules de silicium d'épaisseurs comprises entre 500 et 10 000 angstroms. En outre, il est approprié d'utiliser des pellicules isolantes de bioxyde de silicium ayant par exemple des épaisseurs comprises entre 200 et 2000 angstroms. Egalement, il est préférable que le verre dopé en impuretés contienne entre 20 et 50 % molaires en poids d'impuretés et que les temps de diffusion soient inférieurs à environ 6 heures pour une température comprise entre 900 et 12000C. Les paramètres indiqués plus haut correspondent cependant à des domaines préférentiels d'utilisation des semiconducteurs et il va de soi qu'on peut sortir de ces domaines sans s' écarter du cadre de l'invention. Bien que la description faite ci-dessus soit centré princi palement sur la fabrication de transistors à effet de champ distincts placés sur une pastille semiconductrice, il va de soi que de tels dispositifs peuvent être également utilisés dans des circuits intégrés. Dans ce cas, on doit prendre en considération certains autres facteurs. En particulier puisque les fils de transmission de signaux de commande et de signaux de puissance sont généralement formés sur la surface d'une couche isolante, par exemple du bioxyde de silicium épais, il est nécessaire de tenir compte des effets de champs électriques extérieurs sur le substrat sousjacent.Par exemple si l'épaisseur de la couche d'oxyde n'est pas suffisante pour empêcher le conducteur d'application de tension d'engendrer un champ activant le substrat semiconducteur, il peut se produire des effets indésirables et perturbateurs, par exemple la connexion de dispositifs isolés par formation de canaux superficiels parasites en dessous des conducteurs de liaison. A cet égard, on peut se référer à la figure 10 qui donne la variation de la tension VFT, c'est à dire la tension de seuil à laquelle le substrat semiconducteur situé en dessous de la couche d'oxyde devient actif. Une couche d'oxyde d'une épaisseur de 15 000 angstroms a une tension de seuil qui varie entre environ 2 volts pour un substrat semiconducteur d'une résistivité d'environ 50 ohms-cm et environ 50 volts pour un substrat d'une résistivité 0,2 ohm-cm.Une grande variation de la tension de seuil en question peut poser de sérieux problèmes dans la fabrication de circuits intégrés à semiconducteurs. La figure 12 représente une partie d'un circuit intégré 29 comportant un substrat semiconducteur 30 en silicium de conductivité de type N et comportant une couche épaisse 31 d'oxyde isolant qui peut par exemple être constitué de bioxyde de silicium formé par croissance thermique sur une grande face du substrat La couche épaisse d'oxyde est gravée dans des zones sélectionnées et une mince couche d'oxyde 32 d'épaisseur appropriée (par exemple de 1000 angstroms) est formée par croissance thermiaue dans les ré de clille gions gravées. Dans la région de la couche d'oxyde/32, on dépose de façon appropriée une électrode de commande conductrice 38 et l'ensemble de la surface du dispositif gravé est recouverte d'une couche 34 de bioxyde de silicium dopé en bore.Des régions de source et de drain 35 et 36 sont formées par diffusion dans le substrat de type N, de la manière décrite plus haut. Des trous sont ensuite formés par gravure du verre dopé en bore au voisinage de l'élec- trode de commande 38 afin qu'un contact puisse être établi avec celle-ci par un conducteur d'interconnexion 37, qui peut être en particulier formé par une pellicule d'aluminium gravée. Les procédés de dépôt et de gravure de telles pellicules d'interconnexion sont connus. Comme indiqué sur la figure 12, l'épaisseur de la couche de champ d'oxyde/31 dans la zone située entre les deux transistors à effet de champ est bien plus épaisse que celle de la région de grille des transistors. Cette épaisseur additionnelle de la couche d'oxyde est nécessaire pour que le substrat 30 de type N existant entre les deux transistors ne soit pas influencé par un champ électrique qui pourrait être créé par la présence d'une tension dans le conducteur 37. La figure 10 montre qu'on peut tolérer des tensions de valeurs appropriées pour une couche d'oxyde tFo ayant une épaisseur de 15 000 angstroms et déposée sur un substrat de résistivité particulière. I1 est évident que des couches d'oxvde plus épaisses augmentent les tensions de seuil et inversement. Suivant une autre caractéristique de l'invention, en utilisant un substrat semiconducteur de type N et de faible résistivité et en réduisant de façon appropriée la concentration résultante en impuretés de type donneur (ND N NA) seulement dans les régions actives du substrat tout en établissant encore une faible résistivité dans les régions passives de ce dernier, on peut maintenir dans ces régions passives une forte tension de seuil. Cette caractéristiaue est particulièrement importante puisque, pour une épaisseur donnée de la couche d'oxyde, on obtient un seuil maximal de tension de champ VFT pour des substrats de faible résistivité. Cette caractéristique permet en conséquence de fabriquer des transistors à effet de champ présentant par exemple des seuils de tension de champ élevés et des seuils de tension de grille faibles.Par exemple si un circuit intégré similaire à celui de la figure 12 est réalisé sur un substrat en silicium d'une résistivité de 0,5 ohm-cm présentant une couche d'oxyde de champ de 15 000 angstroms d'épaisseur et une couche d'oxyde de grille de 1000 angstroms d'épaisseur, le seuil de tension de champ est d'environ 25 volts et le seuil de tension de grille est d'environ 2 volts. En modifiant la concentration résultante en donneurs dans les régions actives du dispositif, comme décrit plus haut, le seuil de tension de grille peut être réduit à environ 0,5 volt sans affecter le seuil de tension de champ. De cette manière, il est possible d'avoir à la fois des seuils élevés de tension de champ et des seuils faibles de tension de grille. On va donner dans la suite quelques exemples particuliers pour montrer la mise en pratique de l'invention, les dits exemples n'étant absolument pas limitatifs de la portée de l'invention. Exemple 1 - Un transistor à effet de champ à canal P et à faible seuil de tension a été fabriqué en formant thermiquement une couche d'oxyde sur un substrat en silicium de type N d'orientation (100), présehtant une résistivité d'environ 1 ohm-cm. L'oxyde a été formé en chauffant la pastille à environ 10000C dans une atmosphère d'oxygène pur et sec pendant environ deux heures de manière à produire une épaisseur d'oxyde d'environ 1000 angstroms. Une pellicule de molybdène de 2000 angstroms d'épaisseur a été formée sur la couche d'oxyde par dépôt pyrolytique de molybdène à partir de pentachlorure de molybdène en opérant dans une atmosphère d'hydrogène et à une température de substrat d'environ 6000C.Une couche d'une substance photosensible du type KPR a été déposée sur la surface de la pellicule de molybdène et un masque présentant un motif correspondant aux trous de diffusion de source et de drain a été placé sur la pastille puis la substance photosensible a été irradiée à l'aide d'une lumière ultraviolette. Aprés irradiation, la pastille a été trempée dans un réVélateur qui a enlevé la partie non irradiée de la substancé photosensible. Les parties irradiées de la pellicule métallique ont été ensuite gravées de manière à produire des trous de diffusion de source et de drain. Une couche de bioxyde de silicium dopé en bore a été ensuite formée sur la pastille en faisant réagir du silane avec du diborane dans une atmosphère d'oxygène et à une température de substrat de 5000C. Au bout d'environ 12 minutes, une pellicule de bioxyde de silicium dopé en bore de 4000 angstroms d'épaisseur a été formée sur la pellicule de molybdène à motif. La pastille a été ensuite placée dans une chambre de diffusion à une température de 10500C pendant environ 1 heure 1/2 de manière à produire des régions de diffusion de source et de drain de type P et une région de canal adjacente à la surface et de conductivité modifiée. Des contacts ont été ensuite établis avec la source, le drain, la grille et le substrat par gravure de petit trous dans la pellicule dopée en activateur et dans la pellicule de bioxyde de silicium et une couche d'aluminium a été oflÀée par évaporation.La couche d'aluminium a été masquée et gravée d:une manière classique de façon à former des contacts d'électrodes. Des connexions électriques ont été établies avec ces contacts par compression thermique. On a obtenu un transistor à effet-de champ à canal P présentant un niveau de seuil d'environ 0,5 volt. Exemple 2 - Un transistor à effet de champ à canal P fonctionnant suivant le mode d'appauvrissement a été fabriqué suivant le processus de l'exemple 1, excepté qu'on a augmenté le temps de diffusion à 3 heures de manière à convertir la région de canal adjacente à la surface du substrat en une conductivité de type P. Ce dispositif a présenté une caractéristique de transfert telle que, pour une tension de grille nulle, on a enregistré le passage d'un courant source-drain d'une intensité d'l milli-ampère sous une tension de 10 volts entre la source et le drain. Exemple 3 - Un transistor à effet de champ à canal P et à faible seuil a été fabriqué conformément au processus décrit dans l'exemple 1, excepté qu'au lieu de déposer une pellicule de molybdène sur la couche d'oxyde, on a utilisé une pellicule de silicium d'une épaisseur d'environ 5000 angstroms. te dispositif résultant a présenté des caractéristiques sensiblement similaires à celles de l'exemple 1. Exemple 4 - Un transistor à effet de champ à canal P fonctionnant suivant le mode d'appauvrissement a été fabriqué suivant le processus de l'exemple 2, excepté qu'on a utilisé une pellicule métallique en silicium à la place du molybdène. La description et les exemples de fabrication de dispositifs semiconducteurs donnés plus haut montrent qu'on obtient une nouvelle famille de transistors à effet de champ à canal P et à niveaux de seuil de tension réglables. En utilisant les capacités de masquage par-tiel de la pellicule métallique pour entraver la diffusion d'impuretés, il est maintenant possible de produire des transistors à effet de champ à canal P présentant des caractéristiques absolument nouvelles. Bien entendu, l'invention n' est nullement limitée aux modes de réalisation décrits et représentés, elle est susceptible de nombreuses variation accessibles à l'homme de l'art, suivant les applications envisagées et sans s'écarter pour celà de l'esprit de l'invention. par exemple, on peut adopter le cas échéant vautres types de processus de diffusion, par exemple une diffusion en "tube ouvert" à partir de gaz, de liquides ou de substances solides. REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à canal P caractérisé en ce qu'on forme une pellicule conductrice sur une pellicule isolante placée sur un substrat semiconducteur de conductivité de type N, en ce qu'on forme dans la pellicule conductrice un motif de trous de source et de drain, en ce qu'on fait diffuser des impuretés de type accepteur dans les trous de source et de drain pour former des régions de source et de drain de con ductivité de type P dans le substrat semiconducteur et en ce au'on fait diffuser partiellement des impuretés de type accepteur au travers des pellicules conductrice et isolante pour former une région de canal adjacente à la surface, de conductivité modifiée et située entre les régions de source et de drain. 2 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les phases de diffusion sont réalisées sensiblement simulta nément. 3 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la pellicule conductrice est formée de molybdène et a une epaisseur comprise entre 200 et 10 000 angstroms. 4 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la pellicule conductrice est formée de silicium et a une épaisseur comprise entre 500 et 10 000 angstroms. 5 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce aue la région de canal adjacente à la surface et de conductivité modifiée a une conductivité comprise entre celles du substrat de type N et des régions de diffusion de source et de drain de type P. 6 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les régions de source et de drain de conductivité de type P et la région de canal adjacente à la surface et de conductivité mo difiée sont formées par diffusion à partir d'une pellicule isolante dopée en accepteurs et recouvrant la pellicule conductrice. 7 - Procédé suivant la revendication 6, caractérisé en ce que la pellicule isolante dopée en accepteurs est formée de bioxyde de silicium dopé en bore 8 - Procédé suivant la revendication 7, caractérisé en ce que la pellicule conductrice est formée de molybdène. 9 - Procédé suivant la revendication 6, caractérisé en ce que la pellicule conductrice forme un masque partiel s'opposant à la diffusion des atomes de bore dans le substrat. 10 - Procédé suivant la revendication 6, caractérisé en ce que la dite région de canal adjacente à la surface et de conductivité modifiée a une concentration résultante en impuretés actives de type donneur inférieure à celle du substrat.