FR 2117975 A1 19720728 FR 7144220 A 19711209 71 44220 1 2117975 L'invention concerne un procédé permettant la fabrication d'un dispositif semiconducteur muni d'un corps semiconducteur comportant une première région de surface, d'un premier type de conduction, affleurant -une surface du 5 corps, ainsi qu'une deuxième région de surface de type de conduction opposé, qui au moins à la surface est entourée de ladite première région. L'invention concerne également un dispositif semiconducteur obtenu par la mise en oeuvre d'un tel procédé. 10 Lors de la fabrication d'un dispositif semi conducteur, il est souvent indispensable d'élaborer, dans un corps semiconducteur, -une première région de surface du corps> celle-ci ayant un premier type de conduction, ainsi qu'une deuxième région de surface du corps, celle-ci ayant le type 15 de conduction opposé, alors qu'au moins à la surface du corps, cette deuxième région est entourée de la première région. On y parvient souvent en faisant pénétrer des atomes de dopage, du premier type de conduction, dans une partie de surface du corps, et en réalisant ensuite une plus forte 20 concentration en atomes de dopage, de type de conduction opposé, dans une portion de ladite partie de surface pour modifier le type de conduction de cette portion en vue de la formation de ladite deuxième région de surface de type de conduction opposé, cependant que le portion environnante 25 de la partie de surface est masquée contre l'effet de ce dopage et forme la première région de surface, du premier type de conduction. Dans la première région de surface qui entoure la deuxième, il est souvent nécessaire d'établir une concen-30 tration de dopage relativement forte â« premier type de conduction, par exemple dans le cas où ladite première région est la partie périphérique de la zone de base d'un transistor bipolaire, celle-ci entourant une zone d'émetteur de type de conduction opposé. S'il en est ainsi, cette concentration de dopage 35 relativement forte de premier type de conduction existe également dans toute la deuxième région de surface de type de conduction opposé, cette situation étant pourtant souvent ni désirable ni indispensable. Pour la fonction de la ✓ - deuxième région de surface de type de conduction opposé, 40 il faut établir dans ladite partie du cor~: vne plu-s forte OOPV 71 44220 2 2117975 concentration de dopage de type de conduction opposé. Ceci peut obliger à établir de très fortes concentrations de dopage de type de conduction opposé, qui autrement ne sont pas nécessaires, ou peut même signifier qu'une limite supé-5 rieure est imposée à la concentration de dopage de premier type de conduction, ce qui peut être indésirable à l'égard d'autres considérations. En outre, la première région de surface est à même de former avec la deuxième région une jonction p-n qui 10 se termine à la même surface semiconductrice sous une couche isolante et passivante, alors qu'une éléctrode constituée par me couche métallique peut contacter la deuxième région de surface à l'endroit d'une ouverture de la couche isolante. Dans ce cas, il est souvent désirable de pouvoir déterminer 15 la distance entre la jonction p-n et le bord de l'ouverture, sans que cela nécessite une opération additionnelle de masquage et d'ajustage. On y parvient souvent en imposant à la couche isolante le rôle de masque de diffusion, en établissant dans le corps semiconducteur, par diffusion thermique, la 20 plus forte concentration en atomes de dopage de type de conduction opposé à travers l'ouverture pour former ainsi la deuxième région de surface, et en utilisant ensuite la même ouverture comme fenêtre de contact pour le contact de l'électrode-couche métallique. Cette situation peut être très 25 avantageuse lorsque la région de surface, contactée par l'électrode, est très peu étendue. Par suite de la dispersion latérale que les atomes de dopage diffusés présentent sous le bord de la couche de masquage isolante à l'endroit de l'ouverture, la jonction p-n formée se termine généralement 30 à la surface du corps semiconducteur sous la couche isolante. La distance latérale entre la jonction p-n et le bord de l'ouverture dépend toutefois de la profondeur de diffusion et par conséquent de la profondeur de la région de surface formée par diffusion. Lorsque de cette façon il se forme une 35 région de surface peu profonde, ladite distance latérale est très petite, ce qui augmente le risque d'un court-circuit de la jonction par l'électrode-couche métallique. Pour former la première région de surface de premier type de conduction, il est souvent avantageux que les 40 atomes de dopage de premier type de conduction soient implantés 71 44220 3 2117975 dans le corps semiconducteur sur la surface du corps semiconducteur à travers une couche isolante. Dans ce cas, cette couche isolante sert souvent de masque lors de la formation de la deuxième région de surface et comporte une ouverture 5 à travers laquelle les atomes de dopage établissant le deuxième type de conduction sont introduits dans le corps semiconducteur en vue de la formation de la deuxième région de surface. L'implantation est masquée en partie par une telle couche isolante, ce qui fournit une structure caractérisée par 10 une plus faible profondeur de pénétration des atomes de dopage implantés dans le corps sous la couche isolante à l'endroit de l'ouverture où la deuxième région de surface est - ou doit être - élaborée. Une telle structure est souvent indésirable. Par conséquent, dans le cas où la pre-15 mière région de surface est par exemple une zone de base d'un transistor bipolaire, et où ladite deuxième région de surface est une zone d'émetteur, il est souvent souhaitable que par sa partie périphérique autour de la zone d'émetteur, la zone de base pénètre plus profondément que par sa partie active 20 sous la zone d'émetteur en vue de réduire la résistance de base; en outre, si ladite partie périphérique de la zone de base pénètre moins profondément que la partie active, on obtient une structure indésirable dans laquelle l'épaisseur de la zone de base active entre l'émetteur et le collecteur 25 est plus petite autour du bord de la zone d'émetteur que directement sous celle-ci. Conformément à l'invention, un procédé tel que mentionné dans le préambule est remarquable en ce qu'une couche isolante est élaborée sur une surface du corps semi-50 conducteur, en ce que, par une méthode auto-coïncidente, vin masque - formé par une couche métallique - est élaboré sur la surface de corps semiconducteur située à l'endroit de l'ouverture de la couche isolante ainsi que sur le bord de la couche isolante à l'endroit de l'ouverture, et en ce que par 35 implantation d'ions à travers la partie de la couche isolante autour du masque-couche métallique, des atomes de dopage qui définissent le premier type de conduction sont introduits dans le corps semiconducteur, alors que la composition et l'épaisseur dudit masque-couche métallique sont telles que celui-ci 40 exerce vis-à-vis de ladite implantation un effet de masquage plus prononcé que la partie de couche isolante autour du masque, 71 44220 4 2117975 de sorte qu'en majeure partie, la concentration de dopage définissant le type de conduction d'une première région de surface du corps, située autour de l'ouverture, est établie par les atomes de dopage qui sont Implantés autour du masque-5 couche métallique, tandis que le type de conduction de la deuxième région de surface du corps à l'endroit de l'ouverture est déterminé par une concentration de dopage de l'autre type de conduction, établie dans cette région. De préférence, le masque-couche métallique 10 est élaboré de préférence par voie auto-coïncidente, c'est-à-dire par "la mise en oeuvre d'une série d'opérations parmi lesquelles aucune n'exige l'ajustage d'une configuration par rapport à une configuration élaborée précédemment". La couche métallique constituant le masque 15 ne doit masquer qu'en partie la partie sous-jacente du corps semiconducteur contre ladite implantation d'ions, de sorte que le dopage établi par implantation pénètre bel et bien dans le corps semiconducteur sous le masque, mais que cette profondeur de pénétration est plus petite que celle sous 20 lesdites parties de la couche isolante, situées autour du masque. Dans ce cas, la première région de surface appartient à une région de premier type de conduction, qui peut s'étendre tant autour de l'ouverture que sous la deuxième région de surface de type de conduction opposé, formée à l'endroit 25 de 1'ouverture,.et qui de ce fait peut pénétrer, autour de la deuxième région de surface, plus profondément dans le corps que directement sous cette deuxième région. En outre, la concentration de dopage de premier type de conduction, établie à l'endroit où la deuxième région de surface est formée ou 30 doit l'être, est inférieure à la concentration de dopage établie autour de cette région; il est ainsi possible de former une structure dans laquelle la première région de surface, à l'endroit où elle s'étend autour de l'ouverture, a une concentration de dopage du premier type de conduction 35 qui est plus forte que la concentration de dopage du type de conduction opposé d'une partie contiguë de ladite deuxième région de surface. Toutefois, la composition et l'épaisseur du masque-couche métallique peuvent être telles que celui-ci 40 masque quasi entièrement la partie sous-jacente du corps semiconducteur contre ladite implantation d'ions, de sorte 71 44220 5 2117975 qu'en pratique, les ions de dopage ne pénètrent pas dans le corps semiconducteur sous le masque. Un tel procédé peut être intéressant lors de la fabrication de certaines structures pour lesquelles il est souhaitable que les concentrations de 5 dopage établies ou à établir soient définies indépendamment l'une de l'autre dans les deux régions. Ce sont les atomes de dopage qui sont implantés autour du masque qui fournissent la majeure partie de la concentration de dopage définissant le type de conduction 10 de la première région de surface, cette partie se situant autour de l'ouverture, et latéralement, ces atomes ne se dispersent que très faiblement sous le bord du masque. De cette façon, le bord intérieur de la première région de surface de premier type de conduction, située autour de 15 l'ouverture, est défini de manière exacte par le bord du masque. L'élaboration d'un masque par voie auto-coïncidente à l'endroit de l'ouverture de la couche isolante garantit convenablement la position du bord de l'ouverture par rapport audit bord intérieur de la première région de surface. Ce bord 20 intérieur a la même configuration que le bord du masque, et cette configuration correspond à celle de l'ouverture de la couche isolante, mais est un peu plus grande que cette configuration. La distance latérale entre le bord intérieur de la première région de surface d'une part et le bord de la 25 couche isolante à l'endroit de l'ouverture d'autre part est définie par l'étendue du masque sur le bord de la couche isolante à l'endroit de l'ouverture; cette étendue est déterminée par le procédé que l'on met en oeuvre pour l'enregistrement par voie auto-coïncidente du masque et peut, dans 30 des cas déterminés, être très faible. Suivant un premier mode de réalisation, le masque formé par une couche métallique est obtenu en précipitant un métal sur la couche isolante à l'endroit de l'ouverture, et en soumettant le corps à des vibrations acoustiques 35 haute fréquence pour éliminer le métal de la couche isolante, sauf à l'endroit de l'ouverture où le métal reste adhérent à la partie de surface du corps semiconducteur pour la formation du masque. Grâce à ce mode de réalisation, l'étalement latéral de la couche métallique sur la couche isolante est 40 limité à un faible étalement latéral sur une partie péri 71 44220 6 2117975 phérique dans l'ouverture. Suivant un autre mode de réalisation, le masque formé par une couche métallique est obtenu par dépôt électrolytique d'un métal sur la partie de surface du 5 corps semiconducteur à l'endroit de l'ouverture de la couche isolante, ce métal s'étendant latéralement sur une partie périphérique contiguë de la couche isolante. Par ce procédé, l'étendue latérale du masque aur la couche isolante est fonction de l'épaisseur du masque formé, et est petite si 10 l'épaisseur du masque doit être faible au point de n'exercer qu'en partie un effet de masquage contre l'implantation. Suivant encore un autre mode de réalisation, l'ouverture de la couche isolante est élaborée par masquage et décapage photolithographiques, une même ouverture de 15 la configuration de photorésist ainsi formée étant utilisée pour définir l'ouverture de la couche isolante et le masque-couche métallique. Lorsqu'on utilise un tel procédé, un métal, provenant par exemple d'une source multiple de dépôt par évaporation, peut, après l'élaboration de l'ouverture de 20 la couche isolante, être précipité sur la configuration de photorésist sur la couche isolante et à l'endroit de l'ouverture, après quoi la configuration de photorésist, et le métal précipité sur celle-ci, sont éliminés, de sorte que ledit masque subsiste à l'endroit de l'ouverture de la couche iso -25 lante et .sur le bord de la couche isolante à l'endroit de l'ouverture; lorsqu'on procède de la sorte, l'étalement latéral du masque sur la couche isolante n'est qu'un faible étalement latéral sur une partie périphérique dans l'ouverture. Un autre procédé préféré est remarquable en ce que 30 sur 3a couche isolante est élaborée une première couche métallique, en ce que sur celle-ci est formée la configuration de photorésist, en ce que,à travers l'ouverture de cette configuration une ouverture est décapée dans la première couche métallique, après quoi, à travers cette ouverture, 35 une ouverture est décapée dans la couche isolante, et en ce qu'ensuite le métal déposé en premier lieu subit un décapage latéral de façon qu'une certaine distance est formée entre le bord de l'ouverture pratiquée dans le premier métal et le bord de l'ouverture de la couche isolante, en ce qu'ensuite 40 la configuration de photorésist est éliminée et en ce qu'une 71 44220 7 2117975 deuxième couche métallique est précipitée sur le premier métal ainsi que dans l'ouverture formée dans ce métal, après quoi le premier métal ainsi que les parties de deuxième couche métallique situées sur ce premier métal sont éliminées,de 5 sorte que le masque subsiste à l'endroit de l'ouverture de la couche isolante et sur la partie contiguë de la couche isolante autour du bord de 1'ouverture. En faisant de la sorte, on obtient que l'étendue latérale du masque sur la couche isolante est déterminée par 10 le décapage latéral du premier métal en vue d'établir une certaine distance entre le bord de l'ouverture pratiquée dans le métal déposé en premier lieu et le bord de l'ouverture de la couche isolante; s'il en est ainsi, ladite dispersion latérale peut au besoin être relativement grande et est in-15 dépendante de l'épaisseur que doit présenter le masque-couche métallique. Avant de procéder à ladite implantation d'ions, une couche de surface ayant ledit type de conduction opposé peut être élaborée à l'endroit où il y a lieu de former la 20 deuxième région de surface et la partie contiguë de la première région de surface, tandis qu'ensuite, sous l'effet de ladite implantation, on peut, dans la couche de surface à l'endroit où il y a lieu de former lesdites parties contiguës de la première région de surface, établir une concentration de dopage 25 de premier type de conduction qui est supérieure à celle correspondant au type de conduction opposé qui y existe, alors que la partie de couche de surface où il y a lieu de former la deuxième région de surface, est masquée au moins suffisamment par le masque contre ladite implantation d'ions pour conserver ainsi ledit 30 type de conduction opposé. Dans ce cas, la partie masquée de la couche de surface ayant le type de conduction opposé peut fournir la concentration en impuretés établissant ce type de conduction opposé de la deuxième région de surface au moins à proximité de la première région de surface formée du premier type de conduc-35 tion, de sorte que tant l'étendue latérale de la deuxième région de surface que la position de la jonction p-n formée à la surface sont déterminées par l'implantation d'ions et, par conséquent, par l'étendue latérale du masque. En outre, une concentration de dopage ainsi établie et définissant ledit 40 type de conduction opposé de la deuxième région de surface 71 44220 8 2117975 à proximité de la première région de surface est inférieure à la concentration de dopage régissant le premier type de conduction dans cette première région de surface au moins à proximité de la deuxième région de surface, tandis qu'à l'endroit de la jonction p-n, le gradient de concentration 5 régissant ledit type de conduction opposé est plus prononcé que celui régissant ledit premier type de conduction. Comme déjà préconisé ci-dessus, le bord de l'ouverture ainsi que ledit bord intérieur de la première région formée sont ajustés convenablement l'un par rapport 10 à l'autre, tant en ce qui concerne leur configuration que la distance latérale entre ces bords. La deuxième région de surface de type de conduction opposé est formée à l'endroit de l'ouverture de la couche isolante. De ce fait, cette ouverture peut avantageusement être mise à profit pour 15 contacter la deuxième région de surface ou pour établir au moins une partie de la concentration de dopage définissant le type de conduction de cette deuxième région. Avec la deuxième région de surface, la première région de surface peut former une jonction p-n qui se 20 terminé à la surface du corps semiconducteur sous la couche isolante, l'ouverture de la couche isolante pouvant être utilisée pour réaliser le contact entre une électrode réalisée sous forme de couche métallique et la deuxième région de surface. Dans ce cas, l'endroit que la jonction p-n 25 occupe à la surface peut être déterminée de manière excellente par rapport de l'électrode élaborée à l'endroit de l'ouverture. On peut ainsi empêcher le court-circuitage de la jonction p-n par cette électrode, tandis que la résistance série dans ladite deuxième région de surface entre l'électrode-30 couche métallique et la ligne suivant la jonction p-n et la surface se coupent, est définie convenablement. A l'endroit de l'ouverture de la partie du corps semiconducteur, les atomes de dopage établissant le type de conduction opposé peuvent être introduits par 35 diffusion thermique soit avant l'élaboration soit après l'élimination du masque à l'endroit de l'ouverture de la couche isolante, la couche isolante masquant la partie sous-jacente du corps semiconducteur contre ce dopage. Un dopage effectué de la sorte est à même d'augmenter la concentration 71 44220 2117975 de dopage définissant le type de conduction de la partie de ladite deuxième région, contiguë à l'ouverture, ou est à même de fournir, dans toute la deuxième région de surface, la majeure partie de cette concentration de dopage. Dans le 5 premier cas (augmentation de la concentration de dopage), cette plus forte concentration près de l'ouverture favorise la formation d'un contact à faible valeur ohmique à l'endroit de l'ouverture. Dans l'autre cas cité ci-devant, l'étendue latérale de ladite deuxième région de surface peut être déter-10 minée par ce dopage. Une jonction p-n peut être formée par la deuxième région de surface de type de conduction opposé et une autre région de surface du premier type de conduction entourant cette deuxième région et ayant une plus faible concentration de dopage, définissant son type de conduction 15 et étant à la surface entourée elle-même de ladite première région de surface ayant une forte concentration en impuretés établissant le premier type de conduction. La structure ainsi formée est par exemple une diode p-n dont les électrodes se trouvent sur la première région et sur ladite 20 autre région de surface. Le dispositif semiconducteur fabriqué est par exemple un transistor bipolaire haute fréquence ou un circuit intégré comportant un tel transistor, alors que la première région de surface s'étendant autour de 1'ouver-25 ture, constitue la région périphérique de la zone de base, tandis que ladite deuxième région de surface à l'endroit de 1'ouverture constitué la zone d'émetteur. Dans cet ordre, d'idées, on peut également consulter la demande de brevet français N° 71.44221 déposée ce jour au nom de la 30 Demanderesse pour Procédé pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur comportant un transistor bipolaire et dispositif semiconducteur ainsi obtenii', et donnant la description de dispositifs semiconducteurs dont le corps semiconducteur comporte des zones d'émetteur et 35 de collecteur de premier type de conduction qui appartiennent à un transistor bipolaire, et une zone de base, de type de conduction opposé de ce transistor, ladite demande donnant également des descriptions de prooëdés permettant la fabrication de ce genre de dispositifs seraiconducteurs. 40 La description suivante, en regard des 71 44220 io 2117975 dessins annexés, le tout donné à titre d'exemple, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. Les figures 1 à 5 sont des coupes transversales schématiques d'un corps semiconducteur illustré en 5 différents stades de la fabrication d'un transistor bipolaire. La figure 6 est une vue en plan schématique du corps semiconducteur arrivé dans le stade de fabrication illustré sur la figure 4. La figure 7 est une coupe transversale sché-10 matique d'un corps semiconducteur illustré dans un stade de la fabrication d'un transistor bipolaire. Les figures 8 à 13 sont des coupes transversales schématiques d'une partie du corps semiconducteur représenté sur la figure 7, et illustré en différents 15 stades de la fabrication dudit transistor bipolaire. En ce qui concerne le procédé décrit en regard des figures 1 à 6, le dispositif semiconducteur fabriqué comporte un transistor bipolaire. Pour la fabrication, on part d'un corps 20 en silicium monocristallin de type de conduction n, formé par un substrat 1, de type de conduction n, ayant une résistivité de 0,01 ohm. cm et une épaisseur d'environ 200 microns. Par croissance épitaxiale, on forme sur ce substrat 1 une couche épitaxiale 2 de type de conduction n, 25 qui a une résistivité comprise entre 0,5 et 1 ohm.cm, et une épaisseur de 3 microns. Les faces principales de -ce corps en silicium sont perpendiculaires à la direction . cristallographique (111). Généralement, plusieurs transistors bipo-30 laires distincts sont fabriqués à partir d'une plaquette semiconductrice commune en réalisant simultanément une série de transistors et en divisant ensuite la plaquette en morceaux, de sorte que pour chaque transistor distinct, on obtient un corps semiconducteur qui lui est destiné. Le procédé 35 décrit ci-dessus en référence aux figures 1 à 6 concerne toutefois le corps semiconducteur destiné à un seul transistor, et ne concerne donc pas toute la plaquette semi-conductrice. Il est évident qu'aux endroits où dans le texte ci-après il est question d'opérations telles que des 40 techniques photolithographiques, des décapages, des diffusions., 71 44220 11 2117975 des implantations et des recuits, ces opérations sont effectuées soit simultanément en un certain nombre d'endroits de la plaquette soit sur la totalité de celle-ci, de sorte que l'on obtient plusieurs transistors qui, au cours d'un 5 stade ultérieur de la fabrication, sont séparés l'un de l'autre du fait que la plaquette est découpée en morceaux. Sur la surface 3 de la couche épitaxiale 2, on forme une couche en oxyde de silicium présentant une épaisseur d'environ 0,6 micron en portant le corps à une 10 température de 1200°C dans un courant d'oxygène humide. Par décapage photolithographique, on forme dans ladite couche d'oxyde en silicium une ouverture rectangulaire mesurant environ 30 x 40 microns, de sorte que l'on a mis à découvert une partie de surface de la couche épitaxiale sous-jacente 15 2 de type de conduction n, et que l'on forme une épaisse couche 4 en bioxyde de silicium qui ensuite termine à la surface 3 la jonction p-n collecteur-base du transistor. Sur la partie de surface de corps ainsi dénudée, on élabore de manière connue une couche 5' en bioxyde 20 de silicium ayant une épaisseur de 0,2 micron à l'endroit de l'ouverture de l'épaisse couche 4. Pendant cette opération, l'épaisseur de cette couche 4 augmente, et il se forme une bordure entre cette couche 4 en bioxyde de silicium et la couche 5' en bioxyde de silicium également, mais ayant £5 une épaisseur de 0,2 micron seulement. La structure ainsi obtenue est représentée sur la figure 1. Par décapage photolithographique, la couche 5' en bioxyde de silicium est munie d'une ouverture qui doit constituer l'ouverture de contact d'émetteur 7« Ceci 30 a lieu de la manière connue suivante. Une couche photosensible de photorésist est élaborée sur l'épaisse couche 4 en bioxyde de silicium, ainsi que sur la couche plus mince 5', également en bioxyde de silicium; la couche photosensible est soumise à l'influence d'une lumière ultraviolette à 35 travers un photomasque pour former ainsi dans ladite couche une configuration de photorésist polymérisé dur . Ensuite, on dissout les autres parties de la couche photosensible, de sorte que sur les couches 4 et 5* en bioxyde de silicium, subsiste la configuration de photorésist polymérisé dur 8. 40 Cette configuration 8 comporte une ouverture 9 qui correspond 71 44220 12 2117975 à l'ouverture 7 de la couche 5' en bioxyde de silicium, et dans laquelle ce matériau de la couche 5' a été mis à découvert . Sous l'effet d'un décapage courant, lors duquel la configuration 8 est utilisée comme masque, on pratique l'ouverture 7 dans 5 la couche 5'. De cette façon, une couche plus mince 5 en bioxyde de silicium présentant une ouverture 7 est élaborée à la surface 3 du corps. La structure ainsi obtenue est représentée sur la figure 2. Ensuite, par voie auto-coïncidente, un 10 masque 10 - formé par une couche métallique 10 - est élaboré à 1 ' endroit de l'ouverture 7 de la couche 5 en bioxyde de silicium, ainsi que sur la partie périphérique contiguë de cette couche 5 à l'endroit de cette ouverte 7• A cet effet, on peut mettre en oeuvre différents procédés. 15 Suivant un premier procédé, avant d'éliminer la configuration de photorésist 8, on précipite sur celle-ci et à l'endroit de l'ouverture 9.» un métal fourni par une source multiple de dépôt par évaporation, cette opération ayant lieu dans une enceinte dans laquelle règne un certain 20 degré de vide. Le métal précipité de la sorte forme une très mince couche d'un alliage de nickel et de chrome, cette couche ayant une épaisseur d'environ 20 nm, alors qu'ensuite, pour augmenter l'épaisseur de la couche de métal, on dépose par évaporation de l'or, ladite épaisseur étant 25 ainsi augmentée jusqu'à environ 0,1 micron. Ensuite, sous l'effet d'une cuisson dans un bain d'acétone on élimine de la configuration 8 la partie de couche métallique, de sorte que le masque 10 subsiste à l'endroit de l'ouverture 7 de la couche 5 en bioxyde de silicium, ainsi que sur le 30 bord de cette couche 5 à l'endroit de cette ouverture 7. Suivant un autre procédé, après avoir éliminé la configuration de photorésist 8, le masque-couche métallique 10 est formé en déposant par voie électrolytique du nickel jusqu'à une épaisseur d'au moins environ 0,15 micron 35 sur la partie de surface dénudée du corps de silicium à 1'endroit de 1'ouverture 7 de la couche 5 en bioxyde de silicium. Au cours de ce dépôt, le corps en silicium de type de conduction n sert de cathode. Le nickel ainsi déposé s'étend latéralement sur le bord de la couche 5 en bioxyde 40 de silicium à l'endroit de l'ouverture 7. 71 44220 2117975 Suivant un troisième procédé, après avoir éliminé la configuration de photorésist 8, un métal est précipité sur les couches 4 et 5 en bioxyde de silicium ainsi que sur la partie de surface de corps en silicium 5 dénudée à l'endroit de l'ouverture 7 de la couche 5, cette opération ayant lieu dans une enceinte dans laquelle règne un certain degré de vide. Le métal déposé est par exemple du nickel et forme une couche métallique ayant une épaisseur d'au moins environ 0,15 micron. La structure ainsi obtenue 10 est portée à une température d'environ 300°C dans me atmosphère comportant un mélange d'azote et d'hydrogène, ce qui doit garantir une adhérence convenable entre la couche métallique et la partie de surface du corps de silicium à l'endroit de l'ouverture T. Dans un bain d'eau, la structure 15 est ensuite soumise à des vibrations ultrasoniques pour éliminer le métal sur les couches 4 et 5 en bioxyde de silicium, sauf à l'endroit de l'ouverture 7 de la couche 5 où le métal subsiste sur la partie de surface du corps de silicium pour former le masque 10. On a constaté que sous 20 l'effet desdites vibrations, l'élimination du métal commence près des bords aigus des couches 4 et 5 en bioxyde de silicium. Puis, le corps est placé dans la chambre d'impact d'un appareil de bombardement d'ions, et est, comme le montrent 25 les flèches sur la figure 3* soumis à un bombardement d'ions de bore nantis d'une énergie d'environ 100 keV. Le corps est orienté de façon qu'un angle de 7° existe entre l'axe du faisceau ionique et la direction cristallographique (lll). Les ions de bore ne sont pas à même de-traverser 30 l'épaisse couche 4 en bioxyde de silicium, la partie sous-jacente du corps en silicium étant ainsi masquée contre l'implantation. Par l'intermédiaire de la partie de la couche 5 en bioxyde de silicium, située autour du masque 10, des ions de bore sont implantés dans le corps semiconducteur. 35 La composition et l'épaisseur du masque 10 sont telles que lors du masquage du corps de silicium sous-jacent contre l'implantation d'ions de bore, l'effet de masquage du masque 10 est plus grand que l'effet de masquage de la mince couche 5 en bioxyde de silicium, de sorte que les atomes de bore 40 implantés autour du masque 10 fournissent la concentration en 71 44220 « 2117975 accepteurs de la première région de surface du corps, cette région s'étendant autour de l'ouverture 7 et formant le bord ++ ++ p de la zone de base p du transistor dans le dispositif prêt à l'emploi. 5 Sur la figure 3, la partie de corps dans laquelle les ions de bore implantés exercent un effet prépondérant a été indiquée par des pointillés. Comme le montre cette figure 3j le masque 10 ne protège que partiellement contre l'implantation la partie sous-jacente du corps semi-10 conducteur; des ions de bore implantés pénètrent bel et bien dans le corps semiconducteur sous le masque 10, mais pas aussi fortement que sous la couche 5 en bioxyde de Si autour du masque 10, de sorte.que dans la partie sous le masque 10, la concentration de bore est inférieure à celle 15 sous ladite couche 5 autour du masque 10. Ladite région de surface formée p++ est donc une partie d'une région de type de conduction p, qui s'étend aussi bien autour que sous l'ouverture 7. Par décapage, on élimine entièrement le masque 20 10 afin de dénuder à nouveau la partie de surface du corps semiconducteur, située à l'endroit de l'ouverture 7 de la couche 5 en bioxyde de silicium. Le corps ayant été placé dans un four de diffusion, de l'arsenic ou du phosphore est diffusé dans le corps à sa surface dénudée à l'endroit de 25 l'ouverture 7, les couches 4 et 5 en bioxyde de Si servant de masque. De cette façon, on établit près de l'ouverture 7 une concentration en donneurs qui ne pénètre pas profondément, cette concentration étant plus forte que la concentration en accepteurs qui a été établie sur ladite surface dénudée 30 par la pénétration d'ions de bore par l'intermédiaire du masque 10. De cette façon, à l'endroit de l'ouverture 7> on a formé une région de surface diffusée de type de conduction n, qui forme la zone d'émetteur n++ du trasistor. La région environnante de type de conduction p forme la zone de base. 35 La structure ainsi obtenue est représentée sur les figures 4 et 6. La concentration de bore qui par implantation avait été établie autour du masque 10, forme le bord extérieur de la zone de base, ce bord entourant la zone d'émetteur n++ à la surface 3- La zone de base active de type de conduction p, 40 située sous la zone d'émetteur n++ est élaborée par la concentration de bore qui a été établie à travers le masque 10. i 71 44220 2117975 Si, dans la zone de base active de type de conduction p, l'on désire établir une concentration en accepteurs mieux définie, celle-ci s'obtient par exemple par une nouvelle implantation d'ions accepteurs après l'élimination du masque 10 ainsi 5 qu'après ou avant la diffusion établissant la concentration de la zone d'émetteur n++. S'il en est ainsi, l'épaisseur du masque 10 peut être suffisante pour masquer quasi entièrement le corps semiconducteur contre l'implantation. Ladite nouvelle implantation peut également avoir lieu à l'endroit des 10 ouvertures de contact de base 11, pratiquées dans la couche 5 en bioxyde de silicium et à l'endroit de l'ouverture 7. En procédant de la sorte, on obtient pour le bord de base une concentration en accepteurs qui est même plus forte à l'endroit où ce bord doit être contacté. 15 Pendant la diffusion conduisant à la formation de l'émetteur, il se produit un certain recuit et une légère diffusion des ions implantés. La concentration de bore qui par implantation est établie dans des sites substitutionnels du réseau cristallin, ainsi que l'endroit de la jonction p-n 20 qui a été formée entre la région de type de conduction p et la partie environnante de type de conduction p de la couche épitaxiale 2, sont déterminés par le degré du recuit se produisant pendant cette diffusion. Au cours de la diffusion d'arsenic ou de phos-25 phore, une mince couche de verre est formée sur la partie de surface du corps en silicium à l'endroit de l'ouverture 7. Ensuite, par décapage photolithographique, on pratique dans la couche 5 en bioxyde de Si quelques ouvertures de contact de base, et on élimine la mince couche de verre par un. 30 léger décapage. Ensuite, on précipite de l'aluminium et on définit la structure pour la formation des électrodes de contact d'émetteur et de base 12 et 13. La structure ainsi obtenue est représentée sur la figure 5. Les jonctions p-n émetteur-base et collecteur-base se terminent à la surface 35 3 sous les couches respectives 5 et 4 en bioxyde de silicium. Sur la figure 6, les limites de ces jonctions sont indiquées en pointillé. En ce qui concerne la fabrication d'un autre transistor bipolaire qui ci-après est décrit en référence 40 aux figures 7 à 13, le masque- formé par une couche .métallique 71 44220 i6 et élaboré par voie auto-coïncidente à l'endroit d'une ouverture de contact d'émetteur dans une couche isolante sur une surface du corps semiconducteur - a une composition et une épaisseur qui sont suffisantes pour masquer contre 5 l'implantation d'ions toute la partie sous-jacente du corps semiconducteur lors de la formation d'une zone périphérique de base. Pour cette implantation, les concentrations de dopage de la zone d'émetteur et de la zone de base active sont telles que celles-ci affectent la forme de couches qui 10 latéralement s'étendent sur la région entière où il y a lieu de constituer la zone de base. Pour la fabrication, on part d'un corps en silicium monocristallin de type de conduction n, qui est pratiquement identique au corps suivant la figure 1 et qui 15 est formé par un substrat 21, de type de conduction n, sur lequel on a élaboré une couche épitaxiale 22, de type de conduction n. La surface 23 de cette couche 22 est perpendiculaire à la direction cristallographique (111). Généralement, comme c'était le cas lors du 20 procédé se rapportant aux figures 1 à 6, plusieurs transistors bipolaires distincts sont fabriqués à partir d'une plaquette semiconductrice commune en formant simultanément une série de transistors, la plaquette étant ensuite divisée en morceaux pour former ainsi pour chaque transistor distinct le corps 25 semiconducteur qui lui est destiné. Toutefois, le procédé décrit ci-après en référence aux figures 7 à 13 concerne le corps semiconducteur d'un seul transistor, et non pas toute la plaquette semiconductrice. En plaçant le corps dans un courant d'oxygène 30 humide à une température de 1200°C, on forme sur la surface 23 de la couche épitaxiale 22 une couche d'oxyde de silicium ayant une épaisseur d'environ 0,6 micron. Par un décapage photolithographique, une ouverture rectangulaire 24 mesurant environ 30 x 40 microns est pratiquée dans ladite couche 35 d'oxyde de silicium pour mettre à découvert ainsi une partie de surface de la couche épitaxiale sous-jacente 22 de type de conduction n, et pour former une épaisse couche 25 en bioxyde de silicium, celle-ci terminant ensuite la jonction p-n collecteur-base du transistor à la surface 23. 40 Après avoir été placé dans la chambre d'impact 71 44220 " 2117975 d'un appareil de bombardement d'ions, le corps est, comme le montrent les flèches sur la figure 7, soumis à un bombardement d'ions de bore nantis d'une énergie d'environ 70 keV, ce bombardement étant suivi d'un bombardement d'ions de phosphore nantis 5 d'une énergie d'environ 100 keV. L'orientation du corps est telle qu'un angle de 7° existe entre l'axe du faisceau ionique et la direction cristallographique (111). Pour imposer aux ions de phosphore une réduction de leur tendance à former un canal, un bombardement d'ions neutres a pu avoir lieu préalablement. 10 Ni les ions de bore, ni les ions de phosphore ne sont à même de traverser l'épaisse couche 25 en bioxyde de silicium. Par conséquent, l'implantation des ions de bore et de phosphore dans le corps est sélective et a lieu à l'endroit de l'ouverture 24 de ladite couche 25. On effectue l'implantation de 15 façon qu'un recuit, effectué subséquemment, confère aux ions de phosphore implantés une concentration maximale d'environ 5 x 10^ atomes par cm^, aux ions de bore implantés plus profondément dans 17 la couche épitaxiale une concentration maximale de 2 xlO atomes par cm-^ et qu'une distance d'environ 0,2 micron existe entre la 20 jonction p-n intermédiaire formée et la surface 23. Les figures 8 à 13 montrent, dans des stades successifs de la fabrication, uniquement la partie de corps qui sur la figure 7 est indiquée par la ligne de pourtour 26. La concentration d'atomes de dopage implantés 25 dans des sites substitutionnels du réseau cristallin et la position occupée par la jonction p-n sont déterminées par un recuit subséquent. Dans cet exemple, le recuit est effectué au cours d'un stade ultérieur de la fabrication du dispositif. Sur les figures 7 à 12, l'étendue des régions dans lesquelles 30 les concentrations des ions de phosphore et de bore implantés sont prépondérantes est représentée par une ligne de pourtour en pointillé, ces régions étant indiquées par les références n+ et p. La région p affecte la forme d'une couche enterrée de type de conduction p, qui, du coté situé à l'opposé de la 35 surface 23, a une concentration de bore maximale et qui latéralement s'étend plus loin que la zone de base active à former. La région n+ a la forme d'une couche peu profonde de type de conduction n, qui affleure la surface 3 à l'endroit de la partie de la surface de corps où il y a lieu de former 71 44220 is 2117975 la zone d'émetteur, ainsi qu'à l'endroit de la partie contiguë de la surface de corps, située autour de cette partie de la surface d'émetteur. Par un procédé de précipitation habituel, une 5 couche 27 en bioxyde de silicium présentant une épaisseur de 0,15 micron est élaborée sur toute la partie dénudée de la surface du corps à l'endroit de l'ouverture 24 de l'épaisse couche 25 en bioxyde de silicium. Pendant cette opération, l'épaisseur de cette couche 25 augmente; à l'endroit de la 10 première ouverture 24, cette épaisse couche 25 et la couche 27 en bioxyde de silicium, présentant une épaisseur de 0,15 micron, forment une bordure. Par décapage photolithographique, on pratique dans la couche 27 une ouverture qui doit "constituer l'ouverture 15 de contact d'émetteur 28. Cette opération a lieu comme suit. Sur l'épaisse couche 25 ainsi que sur la mince couche 27, toutes les deux en bioxyde de silicium, on précipite un premier métal, par exemple de 1'aluminium, pour former ainsi ■une première couche métallique continue. Une couche 20 photosensible en photorésist est élaborée sur cette première couche métallique et est soumise à une lumière ultraviolette par l'intermédiaire d'un photomasque, en vue de former ainsi une configuration de photorésist polymérisé dur dans la couche photosensible. Ensuite, les autres parties de la couche 25 photosensible sont dissoutes, de sorte que la configuration de photorésist polymérisé dur 29 subsiste sur la première couche métallique. Cette configuration 29 comporte une ouverture 30 qui correspond à l'ouverture 23 à pratiquer dans la couche 27 en bioxyde de silicium. A l'endroit de cette 30 ouverture 30, on dénude la première couche métallique. Par un décapage courant au cours duquel la configuration 29 sert de masque, on forme dans la première couche métallique 31 une ouverture 32 qui correspond à l'ouverture 30 de la configuration 29 et qui met à découvert la couche 27 en bioxyde de 35 silicium, voir la figure 9» Ensuite, par décapage à l'endroit de l'ouverture 32 de la première couche métallique 31, on définit l'ouverture 28 de la couche 27 en bioxyde de silicium, le décapant utilisé ne pouvant pas attaquer d'une manière perceptible ni la configuration 29 ni ladite première couche 40 métallique 31. 71 44220 i9 Puis, par voie auto-coïncidente, -un masque ayant la forme d'une couche métallique est élaboré à l'endroit de l'ouverture de contact d'émetteur 28 dans la couche 27 en bioxyde de silicium, ainsi que sur les parties périphériques 5 contiguës de cette couche 27 à l'endroit de ladite ouverture 28. Cette opération a lieu comme suit. A l'endroit de l'ouverture 30 de la configuration de photorésist 29, la première couche métallique 31 subit un décapage additionnel latéral en vue d'augmenter d'environ 0,6 micron la largeur de l'ou-10 verture de cette couche 31. Pour ce faire, on utilise un décapant qui n'attaque pas d'une manière perceptible ni la configuration 29 ni la couche 27. L'ouverture ainsi agrandie de la première couche métallique 31 est indiquée par la référence 32 sur les figures 10 et 11. De cette façon, une 15 distance d'environ 0,3 micron existe entre d'une part le bord de l'ouverture 23, formé dans la première couche métallique 31 sur la couche 27 en bioxyde de silicium, et d'autre part le bord de l'ouverture de contact d'émetteur 28 de ladite couche 27- On élimine la configuration de photorésist 29 et 20 on précipite un deuxième métal, par exemple de l'or, en vue de former me deuxième couche métallique 33 qui se trouve sur la première couche métallique 31, sur la partie dénudée de la couche en bioxyde de silicium à l'endroit de l'ouverture 32 de la première couche métallique 31, ainsi que sur la partie cfe 25 surface dénudée en silicium à l'endroit de l'ouverture 28 de la couche 27 en bioxyde de silicium. La structure ainsi obtenue est représentée sur la figure 11. Ensuite, on éloigne entièrement la première couche métallique 31 à l'aide d'un décapant qui n'attaque pas perceptiblement ni la deuxième 30 couche métallique 33 ni la couche 27 en bioxyde de Si. En éliminant la première couche métallique 31, on a éliminé également les parties de la deuxième couche métallique 33, situées sur cette couche 31, les parties de la deuxième couche métallique qui subsistent se trouvent à l'endroit de l'ou-35 verture 28 de la couche 27 en bioxyde de silicium et sur la partie périphérique contiguë de cette coviche 27 autour du bord de l'ouverture 28. Cette partie subsistante de la deuxième couche métallique 33 forme le masque qui sur la figure 12 est indiqué par la référence 34. La distance latérale d entre 40 ce masque 34 sur la couche 27 en bioxyde de Si et le bord 71 44220 2° 2117975 de l'ouverture 28 est d'environ 0,3 micron et est déterminée par la distance entre le bord de l'ouverture 28 et l'ouverture 32 formée dans la première couche métallique 31" Ensuite, le corps est de nquveau placé dans 5 la chambre d'impact de l'appareil de bombardement d'ions, et, comme le montrent les flèches sur la figure 12, soumis à un bombardement d'ions de bore nantis d'une énergie d'environ 15 100 keV et établissant une intensité de rayonnement de 5 x 10 O ions par cm . Pour ce faire, le corps a été orienté de la 10 façon déjà préconisée. Les ions de bore ne sont pas à même de traverser ni l'épaisse couche 25 en bioxyde de silicium ni le masque-couche métallique 34, mais peuvent par contre traverser la mince couche 27 en bioxyde de silicium. La partie de 15 surface située sous le masque 34 est protégée contre cette implantation, et la partie de la couche de surface ainsi masquée, de type de conduction n+, garde sa conduction n et définit l'étendue latérale de la zone d'émetteur 35 du transistor. Les ions de bore qui ont été implantés à travers 20 les parties de la couche 27, situées autour du masque 34, établissent une concentration en accepteurs dans les parties de la couche peu profonde de type de conduction n situées autour de la partie masquée : l'implantation est effectuée de façon que cette concentration en accepteurs dépasse con-25 sidérablement la concentration en donneurs correspondante qui y existe pour modifier le type de conduction de cette partie de la couche peu profonde n en vue d établir la majeure partie de la concentration en accepteurs d'une zone périphérique de base p++ et de former une paroi de jonction émetteur-30 base 36 ayant la concentration en donneurs de la partie masquée de la couche peu profonde n . Après avoir éliminé le masque 34, le corps est soumis à un bombardement d'ions de phosphore nantis d'une énergie d'environ 20 keV et établissant une intensité de 15 2 35 rayonnement de 2 x 10 ions par cm . Ces ions de phosphore, nantis de cette énergie faible, ne sont pas à même de traverser les couches 27 et 25 en bioxyde de silicium, mais sont par contre,, à l'endroit de l'ouverture de contact d'émetteur 28, introduits dans la partie appartenant à 71 44220 2117975 l'émetteur n+ et affleurant la surface, et en augmentant -J-+ localement la conduction pour former un contact n de la zone d'émetteur 35. A ce stade de fabrication, on procède au recuit 5 de toute la structure implantée, à savoir les régions n++, n , p et p , ce recuit ayant lieu à une température d'environ 800°C. A cette température, la diffusions d'atomes de dopage implantés qui se produit n'est pas perceptible. Après avoir procédé au recuit de la structure 10 représentée sur la figure 13, on continue le procédé de la façon décrite pour le procédé en référence à la figure 5- D'une manière habituelle, on décape des ouvertures de contact de base dans la couche 27 en bioxyde de silicium. On précipite de l'aluminium pour former une couche métallique sur les cou-15 ches 27 et 25 en bioxyde de silicium, ainsi que sur les parties de surface dénudées en silicium dans les ouvertures de contact d'émetteur et de base. Par décapage photolithographique, la couche d'aluminium est ensuite définie en vue de la formation des électrodes de contact d'émetteur et de base. Ensuite, on 20 termine le montage du corps et on le fixe dans une enveloppe appropriée. 71 44220 22 2117975 REVENDICATIONS 1. Procédé permettant la fabrication d'un dispositif semiconducteur muni d'un corps semiconducteur comportant une première région de surface, d'un premier type de conduc- 5 tion, affleurant une surface du corps, ainsi qu'une deuxième région de surface de type de conduction opposé, qui au moins à la surface est entourée de ladite première région, caractérisé en ce qu'une couche isolante est élaborée sur une surface du corps semiconducteur, en ce que, par voie auto-coïncid.ente, 10 un masque - formé par une couche métallique - est élaboré sur la surface de corps semiconducteur située à l'endroit de l'ouverture de la couche isolante ainsi que sur le bord de la couche isolante à l'endroit de l'ouverture, -et en ce que par implantation d'ions à travers la partie de la couche isolante 15 autour du masque-couche métallique, des atomes de dopage qui définissent le premier type de conduction sont introduits dans le corps semiconducteur, alors que la composition et l'épaisseur dudit masque-couche métallique sont telles que celui-ci exerce vis-à-vis de ladite implantation un effet de masquage plus 20 prononcé que la partie de couche isolante autour du masque, de sorte qu'en majeure partie, la concentration de dopage définissant le type de conduction d'une première région de surface du corps, située autour de l'ouverture, est établie par les atomes de dopage qui sont implantés autour du masque-25 couche métallique, tandis que le type de conduction de la deuxième région de surface du corps à l'endroit de l'ouverture est déterminé par ure concentration de dopage de l'autre type de conduction, établie dans cette région. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé 30 en ce que le masque formé par une couche métallique est obtenu par dépôt éleetrolytique d'un métal sur la partie de surface du corps semiconducteur à l'endroit de l'ouverture de la couche isolante, ce métal s'étendant latéralement sur une partie périphérique contiguë de la couche isolante. 35 3- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le masque formé par une couche métallique est obtenu en déposant un métal sur la couche isolante à l'endroit de l'ouverture, et en soumettant le corps à des vibrations acoustiques haute fréquence pour éliminer le métal de la couche 40 isolante, sauf à l'endroit de l'ouverture où le métal reste 71 44220 23 2117975 adhérent à la partie de surface du corps semiconducteur pour la formation du masque. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'ouverture de la couche isolante est élaborée par 5 masquage et décapage photolithographiques, une même ouverture de la configuration de photorésist ainsi formée étant utilisée pour définir l'ouverture de la couche isolante et le masque-couche métallique. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé 10 en ce qu'après avoir élaboré l'ouverture de la couche isolante, un métal est précipité sur la configuration de photorésist sur la couche isolante et à l'endroit de l'ouverture, après quoi la configuration de photorésist, et le métal précipité sur celle-ci, sont éliminés, de sorte que ledit masque sub-15 siste à l'endroit de l'ouverture de la couche isolante et sur le bord de la couche isolante à l'endroit de l'ouverture. 6. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'on élabore sur la couche isolante une première couche métallique, en ce que sur celle-ci est formée la configuration 20 de photorésist, en ce que à travers l'ouverture de cette configuration une ouverture est décapée dans la première couche métallique, après quoi, à travers cette ouverture, une ouverture est dé.capée dans la couche isolante, et en ce qu'ensuite le métal déposé en premier lieu subit un décapage latéral de façon 25 qu'une certaine distance est formée entre le bord de l'ouverture pratiquée dans le premier métal et le bord de l'ouverture de la couche isolante, en ce qu'ensuite la configuration de photorésist est éliminée et en ce qu'une deuxième couche métallique est déposée sur le premier métal ainsi que dans l'ouverture 30 formée dans ce métal, après quoi le premier métal ainsi que les parties de deuxième couche métallique situées sur ce premier métal sont éliminés, de sorte que le masque subsiste à l'endroit de l'ouverture de la couche isolante et sur la partie contiguë de la couche isolante autour du bord de l'ouverture. 35 7.Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'avant de procéder à l'implantation d'ions, une couche de surface ayant ledit type de conduction opposé est élaborée à l'endroit où il y a lieu de former la deuxième couche de surface et la partie contiguë de la première région 40 de surface, tandis qu'ensuite, sous l'effet de l'implantation, on 71 kk22° 24 2117975 établit dans la couche de surface à l'endroit où il y a lieu de former lesdites parties contigu'és de la première région, une concentration de dopage du premier type de conduction qui est supérieure à celle correspondant au type de conduction oppo-5 sé qui y existe, alors que la partie de couche de surface où il y a lieu de former la deuxième région de surface, est masquée au moins suffisamment par le masque contre ladite implantation d'ions pour conserver ainsi ledit type de conduction opposé. 10 8.Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 caractérisé en ce que les première et deuxième régions de surface forment une jonction p-n qui se termine à la surface du corps semiconducteur sous la couche isolante, l'ouverture de la couche isolante étant utilisée pour réaliser le contact 15 entre une électrode réalisée sous forme de couche métallique et la deuxième région de surface. 9.Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8 caractérisé en ce que à l'endroit de l'ouverture de la partie du "orps semiconducteur, les atomes de dopage établissant le type 20 de conduction opposé sont introduits soit avant l'élaboration soit après 1'éloignement du masque à l'endroit de l'ouverture de la couche isolante, la couche is olante masquant la partie sous-jacente du corps semiconducteur contre ce dopage. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé 25 en ce que l'introduction des atomes de dopage établissant le type de conduction opposé a lieu par diffusion. 11. Dispositif semiconducteur, obtenu par la mise en oeuvre d'un procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10.