FR 2111771 A1 19720609 FR 7137912 A 19711021 La présente invention concerne un dispositif de transfert de charges du type propre à stocker et à transférer série des porteurs de chargea le long d'un milieu de stockage a proprié grace à lVapplication séquentielle de plusieurs potentiels différents à des parties successives de la surface dudit milieu. Un type de dispositif de transfert de charges app dispositif à charges couplées a été décrit dans l'article inti lé "Charge coupled semiconductor devices' par W.S. Boyle et J. Smith, publié dans Bell System Technical Journal, vol. 49, n0 avril 1970. Dans ce type de dispositifs l'information est repr sentée par des signaux électroniques se présentant sous la for de paquets de porteurs de charges localisés par des minima d'é gie de potentiel induit dans un milieu de stockage convenable aucun semi-conducteur, un semi-conducteur semi-isolant et un i lant. L'article précité décrit principalement le fonctionnemen d'un registre 4 décalage dans lequel l'information se propage dans le matériau par transfert séquentiel des paquets de porte de charges d'un puits de potentiel au suivant. Parmi les autre applications, on peut citer les dispositifs images, les dispos tifs d'affichage ou de visualisation, et les dispositifs de lo que. Dans un autre type de dispositifs de transfert de charge, des paquets de porteurs de charges se trouvent dirigés séquentiellement d'une zone à 19autre le long de la surface d' corps de semi-conducteur comprenant un substrat ayant#-un premi type de semiçconductxvité et plusieurs zones localisées ayant l'autre type de semawconductivité. Dans ces dispositifs, chaqu zone joue le rôle d'un puits de potentiel, dont les limites so déterminées par la jonction PN qui'délimite la zone. Un problème avec lequel on a été confronté dès le début d e la technique des dispositifs de transfert de charge est celui selon lequel une petite fraction de la charge de cha paquet se trouve abandonnée chaque fois qu'un paquet est trans d'un puits de potentiel à l'autre. Etant donné que cette perte charge donne lieu à une dégradation du signal, il est nécessai de prévoir une certaine forme de régénération et/ou amplificat contrôlée de la charge Si l'on doit stocker et traiter de très longues channes d'informatIons. Bien sûr, o n désire obtenir d'autres modes d fonctionnement, tels que, par exemple,des séries complètes de fonctions logiques combinatoires. L s fonctions logiques numériques qui sont peutçêtre les plus fondamentales sont la complémentation ou inversion, et la régénération de bit. Etant données ces deux fonctions de base il est connu que l'on en dérive toutes les autres fonctions logiques de combinaisons telles que fonctions ET, OU, NON-ET, NI, etc. L'invention a pour objet des moyens pour assurer la régénération contrôlée des charges dans les dispositifs de transfert de charges. Elle a encore pour objet des moyens pour exécuter des fonctions logiques numériques dans lesdispositifsde transfert de charges. le dispositif selon l'invention comprend des moyens pour disposer des porteurs de charges à un emplacement de stockage prédéterminé après qu'ils aient été détectés, des moyens pour injecter un nombre contrôlé de porteurs de charges en un autre emplacement de la surface du milieu de propagation, et des moyens portes connectés aux moyens de détection et situés à proximité des moyens dVinjection afin de contrôler le transfert des porteurs de charges nouvellement injectés à partir des moyens d'injection en réponse à la détection de la charge stockée à ltemplacement de stockage prédéterminé. Ce dispositif assure de façon aisée la régénération des charges et, partant, la régénération des signaux. La fonction dpinversion est réalisée selon l'invention en agençant un moyen à déclenchement par seuil en sorte telle que la quantité de charge transférée à partir des moyens de génération varie en raison inverse de la quantité de charge détectée. Dans une forme de réalisation, une paire d'électrodes du type n?etal-isolant-se mi#onducteur, électriquement flottantes, se trouvent connectées ensemble, lvune d'elles assurant la fonction de lecture ou détection, l'autre assurant la fonction de porte. Dans une autre forme de réalisation, une zone semiconductrice localisée, électriquement flottante, et située dans - le dispositif de transfert de charges, assure la fonction de lecture ou détection. La tension induite sur cette zone flottante est connectée à une électrode du type métal-isolant-sem'. conducteur qui assure la fonction de porte. Dans une forme de réalisation préférée, le dispositif selon 19invention comprend un milieu de stockage à semi-conduct trois zones semi-conductrices localisées, et deux électrodes localisées qui coopèrent en sorte de détecter la charge stockée dans le dispositif et de contrôler le déplacement d'une quantit de charge fixe à partir doune source indépendante.On remarquer que la différence principale entre les formes de réalisation pr cédentes et celle-ci est que, dans les premières, l'organe de d tection est toujours recouvert par une électrode en sorte que s potentiel soit plus élevé et influencé principalement par celui de l'électrode, alors que, dans la seconde, l'organe de détecti n'est jamais recouvert par une électrode de sorte que son poten tiel, avant réception doun paquet de charges, se trouve toujours établi A un potentiel fixe avant une opération de détection. D'une façon plus spécifique, une première des trois zones semi-conductrices est agencée en sorte de détecter les bi devant être régénérés et, comme telle1 elle se trouve disposée da le canal d9information du dispositif de transfert de charges. Cette première zone est connectée électriquement à une première électrode localisée qui, à son tour, est agencée en sorte de cc trôler le transfert de charge à partir de la source indépendant La tension de la première zone est périodiquement rétablie à un niveau de prépolarisation avant chaque opération de détection F couplage à une deuxième zone connectée à une source de tension. Ce couplage se fait en reliant les deux zones par une deuxième électrode localisée qui se trouve connectée à une des lignes de signaux-dthorloge du dispositif. La troisième zone est connecté à la même ligne de signaux d9horloge ou, facultativement, à un générateur d'impulsions indépendant synchronisé avec l9horloge, et elle sert comme source indépendante de nouveaux porteurs de charges. Dans ces formes de réalisation une barrière redresses polarisée en inverse peut être utilisée comme collecteur de por teurs de charges. Lsinjection de nouveaux porteurs de charges peut être réalisée de plusieurs manières, une manière convenabl étant de les extraire d'une zone semi-conductrice localisée aya le type de semi-conductivité approprié,ou d'un contact d'inject convenable. Dans autres formes de réalisation , l'étaiement logique de sortie est effectué en connectant un moyen de détection à chacun de plusieurs dispositifs portes qui contrôlent le transfert de charge à partir de l'un de plusieurs moyens de génération. La fonction logique NI est réalisée en disposant un moyen de détection séparé dans chacun de plusieurs canaux d'information et en couplant séparément les moyens de détection à des dispositifs portes correspondants disposés en série avec un moyen d'injection. Les dispositifs portes sont agencés en sorte que la charge puisse être transférée à partir du moyen d'injection uniquement si moins d'une quantité de charge prédéterminée existe simultanément en chacun des emplacements de stockage détectés le long des canaux. La fonction logique NON-ET est réalisée en disposant un moyen de détection séparé dans chacun de plusieurs canaux dinformation et en couplant séparément les moyens de détection à des dispositifs portes correspondants disposés en parallèle avec un moyen d'injection. Les dispositifs portes sont agencés en sorte que la charge soit empêchée d'être transférée à partir du moyen d'injection uniquement si plus d'une quantité de charge prédéterminée existe simultanément en chacun des emplacements de stockage détectés le long des canaux. On ne décrira pas en détails la réalisation d'autres fonctions logiques, mais lthomme de l'art verra comment toutes les autres fonctions logiques peuvent être dérivées en combinant celles qui ont été décrites ci dessus ou en réalisant de façon similaire un dispositif fonctionnel unique dans le même esprit que celui qui a conduit#aux.dispositifs décrits plus haut. L'invention apparaîtra plus clairement à la lecture de la description qui va suivre, faite en regard des dessins joints sur lesquels la figure 1 est une vue isométrique en coupe transversale d'une structure fondamentale d'un dispositif à charges couplées agencé principalement pour un fonctionnement à trois Dhases: les figures 2 à 4 sont des coupes transversales schématiques d'un montage linéaire de dispositifs à charges couplées selon la fyprel; la figure 5 est une vue en coupe transversale d'un dispositif à chargescouplees agencé en sorte de fonctionner en un cycle à deux phases: la figure 6 est une vue en coupe transversale d'un dispositif propre à introduire une quantité contrôlée de charge dans un canal de dispositif à charges couplées: la figure 7 et 8 sont des vues isométriques en coupe traversa de dispositifs-inverseurs-régénérateurs selon l'invention; les figures 9 à 12 sont des vues en plan schématiques d'autres mes de réalisation de dispositifs inverseurs-régénérateurs sel l'invention; les figures 13 à 16 sont des vues en plan schématiques de diapo: tifs de logique utilisant des dispositifs inverseurs-régénéra teurs selon l'invention; la figure 17 est une vue en coupe transversale schématique d'u: dispositif dans lequel le transfert de charge se fait d'une zo: à l'autre, ce dispositif incorporant un dispositif inverseurwr nérateur de base suivant une autre forme de réalisation de lvi: vention; la figure 18 est une vue en coupe transversale d'un dispositif à chargescoupléesprévu pour un fonctionnement à deux phases: la figure 19 est une vue en plan schématique d'un dispositif tel que représenté à la figure l8: la figure 20 est une vue en plan schématique d'un dispositif à charges couplées utilisant un dispositif inverseur-régénérateur suivant une première forme de réalisation de l'invention; la figure 21 est une vue en coupe transversale suivant la lign A-.Q sur la figure 20; la figure 22 est une vue en plan schématique d'un dispositif s lon la figure 20, modifié en sorte d'accroître le signal de so tie du dispcsitif in#rseur-régénérateur: la figure 23 est une vue en plan schématique dune autre forme réalisation d'un dispositif de transfert de charges utilisant u dispositif inverseur régénérateur suivant une autre forme de réalisation de l'invention; la figure 24 est une vue en coupe transversale prise selon la ligne > ~ > sur la figure 23. On rernarqLera que les dessins ne sont pas réalisés à l'échelle, ceci afin de sauvegarder la simplicité et la clarté de l9axpose. Sur les différentes figures, certaines références numériques ont été répétées le cas échéant afin d'identifier d organes correspondants. Pour faire mieux comprendre l'invention, on considéra d'abord les structures représentatives et les modes de fonction nement représentatifs du type de dispositif à charges couplées. Dans ce type de dispositif, l'information numérique est représentée par la présence ou 19absente d'un paquet de porteursde chargealocaliséadans des zones d'énergie de potentiel minimum induit artificiellement et couplé électrostatiquement à de telles zones, par exemple des puits de potentiel, souvent adjacents à la surface dvun milieu d9emmagasinage approprié.Les puits de potentiel sont avantageusement formés et contrôlés par l'application de tensions à des électrodes du type utilisé traditionnellement dans la technologie des dispositifs métal-isolantsemiconducteur, appelés plus simplement structuresMIS. Cette technologie étant bien établie et bien connue, il n'a pas été jugé nécessaire d'en décrire les procédés de fabrication en détail dans le présent mémoire. La figure 1 est une vue isométrîque an coupe transversale doune structure. 20 de dispositif à chargescoupléesagencé principalement pour un fonctionnement en trois phases. La structure 20 comprend un substrat semi-conducteur 21, de type Mpur 1 e q uel se trouve une couche isolante relativement mince 22. La couche 22 porte plusieurs électrodes 24-26 disposées en série, rapprochées l'une de autre et connectées par des contacts à des sources de potentiel -Vl, , -V2 et -V3, respectivement. Les potentiels V. sont des valeurs positives et V3 est plus grand que V2, lequel est à son tour plus grand que Vl. Le potentiel V1 est plus grand que VT, où VT est la tension de seuil pour produire une inversion de la surface du semi-conducteur dans des conditions d'état permanent. La ligne en pointillé 27 représente schématiquement le potentiel superficiel (profondeur des puits de potentiel) à proximité de la surface. Lorsque le milieu est semi-conducteur comme c'est le cas dans l'exemple représenté, la ligne 27 peut également être considérée comme représentant schématiquement les limites des régions de déplétion formées par les tensions appliquées aux électrcdes. Les porteurs de charges, an l'occurrence des trous, sont représentés schématiquement par des signas plus dans les puits de potentiel. Etant donné que des trous tendent à se diriger vers des points de potentiel plus négatif, on voit aisément que les trous emmagasines sous l'électrode 25 sur la figure 1 se trouvent transférés dans le puits de potentiel situé sous l'éle trode 26 jusqutà ce que tous les trous aient été transférés ou jusqu?à ce que des trous suffisants aient été transférés en sor que les potentiels superficiels sous les électrodes 25 et 26 de viennent égaux, selon c e île fe ces deux conditions qui se ré se la première.En fonctionnement, bien sûr, tous les trous doi vent évidemment être transférés en théorie pour éviter une pert d'information mais cette condition nvest en fait guère réalisée normalement. Les figures 2 à 4 illustrent schématiquement en cc pe transversale un réseau linéaire de dispositi#du type représ té à la figure 1. Chaque troisième électrode est connectée à une ligne d'horloge commune 41 43. Etant donné que les électrodes fonctionnent en triplets, elles sont identifiées par des référé ces numériques 21,-26 affectées de suffixes alphabétiques A, B, La figure 2 illustre un état initial lorsque le pc tentiel -V2 se trouve appliqué aux électrodes 24 et lorsqu'un potentiel -V1 se trouve appliqué aux autres électrodes 25 et 26 Sur cette figure et sur les suivantes, le substrat semi-conduct est supposé maintenu à un potentiel zéro.Pour les besoins de 1 description, on suppose qu'il existe à peu près des quantités égales de charges positives (trous) sous les électrodes 24A et 2L quvaucune charge ne se trouve sous l'électrode 24B. Ceci peut être évidemment considéré comme un "un" logique emmagasiné sous les électrodes 24A et 24C et comme un "zéro't logique emmagasine sous l'électrode 24B. La figure 3 montre 12état de la structure de la i gure 2 après que le potentiel de la ligne d'horloge 42 soit des nu égal à V3* Comme V3 est plus grand que V2, lequel est pl# grana que Vl, la charge (ou l'absence de charge) se trouvant p2 cédemment sous les électrodes 24A, 24B,et 24C se trouve transfo vers la droite dans des puits de potentiel plus profonds situés présent sous les électrodes 25A, 25B, et 25C.La figure 4 montl la même structure à l'état de repos ou de maintien, ctest-à-di ] lorsque le potentiel -V1 est appliqué aux lignes 41 et 43 tandis que le potentiel -V2 se trouve appliqué à la ligne 42, état#prc pre å retenir les états logiques sous les électrodes 24A, 25B, 25C. La structure se trouve ainsi ramenée à l'état représenté i la figure 2 et le cycle peut etre répété de manière à déplacer états logiques sous les électrodes 26A, 26B, et 26C. Dans les structures à chargescoupléescomme illustré à la figure 1 et aux figures 2 à 4, dans lesquelles les électrodes sont en tous points équidistantes d'une surface semi-conductrice dopée relativement uniformément, des puits de potentiel symétriques tendent à se former sous chaque électrode. De ce fait, un fonctionnement en trois phases des électrodes des triplets est avantageux pour assurer une dissymétrie aux puits de potentiel et assurer ainsi un transfert de charge unidirectionnel Tel ##### pas le cas de la structure représentée à la figure 5. Dans cette structure, chacune des électrodes 53 et 54 est formée au-dessus d'un isolant 52 d'épaisseur non uniforme, recouvrant un substrat semi-conducteur 51. Chaque secondeélectrode est connectée à une ligne dthorloge commune 55 ou 56.Ces deux lignes sont excitées par une horloge à deux phases qui applique alternativement un potentiel -V1 et un potentiel -V2. On remarquera que les puits de potentiel dans la structure de la figure 5 sont par essence même dissymétriques et que chaque fois que les potentiels des lignes d'horloge changent, l'état logique emmagasiné se trouve transféré d'un échelon (c'est-à-dire d'une électrode) vers la droite. Que le dispositif à chargescoupléessoit agencé pour un fonctionnement à deux phases, à trois phases ou à quatre phases, il subsiste toujours le problème que normalement une petite fraction de la charge à transférer se trouve abandonnée chaque fois qu'un paquet de porteurs de charges est transféré d'un puits de potentiel au suivant. Pour remédier à ce problème et pour assurer les fonctions logiques de combinaison, une certaine forme de régénération contrôlée de charge s'avère avantageuse. La figure 6 représente un moyen pour introduire une quantité contrôlée de charge dans le canal dtinformation. Dans cette solution partielle, les électrodes 24A-26B représentent un réseau linéaire d'électrodes séparéesdela surface dPun substrat semi-conducteur 61,de type N, par une couche isolante 62. Le substrat 61 contient une zone locale 63, de type P à laquelle un potentiel de polarisation inverse ~Vs se trouve appliqué par l'intermédiaire d'une électrode 64. La ligne en pointillé 65 représente schématiquement la profondeur des puits de potentiel sous les électrodes 24A - 26B, le potentiel superficiel sous les électrodes 24A et 24B étant plus négatif que sous les autres électrodes.Si le potentiel ~Vs est plus négatif que le potentiel superficiel sous ltélectrode 24A, aucun trou ne se trouvera transféré de la zone 63 vers le canal du dispositif à chargescouplées.Si le potentiel ~VS est moins négatif que le potentiel superficiel sous l'électrode 25A, les trous se trouvent transférés dans le canal et emplissent les puits de potentiel jusqu'à ce que le potentiel superficiel le long de l'entièreté du canal ait crû jusqu'à la valeur Vs approximativement. Toutefois, si le potentiel ~Vs est plus négatif que le potentiel superficiel sous l'électrode 25A et moins négatif que le potentiel superficiel sous l'électrode 24A, des trous se trouvent transférés de la zone 63 dans le canal et ils nwemplissent que partiellement le puits de potentiel situé sous l'électrode 24A. Une fois que des trous en nombre suffisant se so nt accu mulés dans le puits de potentiel situé sous l'électrode 24A en sorte que le potentiel superficiel y soit à peu près égal à -Vs, les trous cessent alors de s'écouler dans le canal. Ainsi, en réglant le potentiel VS par rapport aux potentiels Vi appliqués aux électrodes, une quantité contrôlée de charge peut être injectée sélectivement ou n'être pas injectée afin d'engendrer un train de bits numériques se propageant dans un nouveau canal vers la droite en regardant la figure 6. On voit que la zone 63 est agencée en sorte de fonctionner d'une manière similaire à la source d'un transistor à effet de champ à électrode de commande isolée. Si un générateur de bit tel que celui de la figure 6 se trouve combiné et couplé à un détecteur qui détecte les bits qui se trouvent transférés dans un canal du dispositif à chargescou plan le générateur de bit peut être agencé en sorte de régénérer dans un nouveau canal l'informationquiestantrain d'être transférée dans le canal d'entréeen réponse à des signaux provenant du détecteur. Les figures 7 et 8 illustrent deux formes de réalisation de tels générateurs de bit. La structure représentée à la figure 7 comprend un substrat semi-conducteur 71,de type N, recouvert d'une couche isolante 72. Des électrodes disposées en série 26Y, 24Z, 25Z, et 26Z représentent ltextrémité d'un canal de transfert de chargescou pléesdont le train de bits doit être régénéré. Les électrodes disposées en série 34A, 35A, et 36A représentent le début d'un nouveau canal qui doit recevoir le train de bits régénéré. Comme sur les figures 1 à 4, chaque troisième électrode est connectée à une ligne horloge commune, 73, 74, 75. Une paire de zones locale 76 et 77, de type P sont disposées à proximité de la surface du semi-conducteur 71 et sont connectées à des sources de potentiel négatif -VD et -Va, respec tivement,par l'intermédiaire des électrodes 78 et 79. La zone 76 est disposée à proximité de la dernière électrode 26Z dans le canal d'entrée, et le potentiel VD est avantageusement choisi en sorte de maintenir la zone 76 à un potentiel plus négatif que le potentiel superficiel plus négatif induit sous l'électrode 26Z de telle sorte que, à mesure que chaque bit se trouve transféré sous l'électrode 26Z, il soit collecté et détruit, c'est-à-dire acheminé vers la terre.On voit que la zone 76 est ainsi agencée en sorte de fonctionner d'une manière similaire au drain d'un transistor à effet de champ à électrode de commande isolée. La zone 77 est agencée en sorte de fonctionner comme un générateur de bit . En conséquence, le potentiel ~Vs qui lui est appliqué est avantageusement choisi en sorte de maintenir la zone 77 à un potentiel suffisamment négatif p o u r que des trous en nombre suffisant seulement en soient sélectivement extraits afin d'emplir partiellement les puits de potentiel sous ltélec- trode 34A sans s'écouler dans le nouveau canal. Sous l'électrode 25Z se trouve disposée une électrode de détection 80, électriquement flottante, séparée de l'électro- de 25Z et du substrat semi-conducteur 71 par des portions de la couche isolante 72. L'électrode de détection 80 est connectée par un contact 81 à une électrode de comm a n de 82 disposée entre le générateur de bit 77 et la première électrode 34A. La capacité entre les électrodes 25Z et 80 est appelée C1, et la capacité entre l'électrode 40 et le semi-conducteur 71 est appelée C2. La capacité associée à la région de déplétion formée sous les électrodes 25Z et 80 est supposée petite par rapport à C1 et C2. Dans ce cas, la tension induite sur l'électrode 80 est approximativement égale au potentiel de l'impulsion d'horloge appliquée (ml) ai le puits de potentiel situé sous cette électrode est vide (ctest A dire s'il contient un bit "zéro"). Inversement, si le puits de potentiel est à peu près plein sctest, à-dire s'il contient un bit "un") la tension induite sur ltélec- trode 80 est approximativement égale à ml multiplié par le rapport C1/(C1+C2). En se souvenant que Wî est un potentiel négatif et que C1 et C2 sont des nombres positifs, on voit qu'une tension plus négative se trouve induite sur ltélectrode 80 si un "zéro" se trouve emmagasiné sous l'électrode 25Z que s'il sty trouve emmagasiné un bit "un". On remarquera que ces tensions induites sur ltélectrode 80 sont directement appliquées à l'électrode 82 et apparaissent sur celle-ci. On remarquera également que la première électrode 34A est connectée à la même ligne d'horloge que l'électrode 25Z sous laquelle les bits sont détectés.De ce fait, un paquet de trous ( bits "un") est transféré du générateur de bit 77 vers le puits de potentiel situé sous l'électrode 34A si un bit zéro est à ce moment emmagasiné sous l'électrode 252. Inversement, le rapport C1/(C1+C2) et l'écartement entre l'électrode A2 et la surface du semi-conducteur sont réglés en sorte qutaucuntrou (bit "zéro")ne soit transféré du générateur de bit 77 si un bit "un" se trouve à ce moment emmagasiné sous l'électrode 252. Pour ce faire, on règle le rapport des capacités et ltécartement de l'électrode 82 en sorte que si un bit "un" se trouve emmagasiné sous l'électro- de 25%, le potentiel superficiel sous l'électrode 42 est moins négatif que -V5. Dans certaines applications, il peut être souhaitable d'établir une polarisation continue sur l'électrode 42 afin d'assurer un fonctionnement optimal. Cela peut être réalisé aisément en connectant en outre l'électrode 82 à une source de tension continue par l'intermédiaire d'une impédance élevée (non représente). Dans ce cas la constante de temps associée à l'impédance élevée est avantageusement notablement plus grande que l'inverse de la vitesse de transfert des bits dans le canal de telle sorte que les tensions des impulsions induites sur l'électrode 80 peuvent faire varier l'électrode 82 en réponse à ces tensions sans interférence de la tension de polarisation continue. On voit que les électrodes RO et 82 peuvent ainsi toujours être considérées comme électriquement flottantes par rapport aux signaux alternatifs et aux signaux pulsés. La figure 8 représente une autre forme de réalisation qui ne diffère de celle de la figure 7 que par le fait que la fonction de détection est réalisée par une zone locale 90, de type P, électriquement flottante, disposée à proximité de la surface du semi-conducteur sous l'électrode 252. La seule différence entre les figures 7 et t-est que l'électrode 40 sur la figure 7 a été remplacée par la zone 90 sur la figure 8. En raison de ces simili tudes, les mêmes références numériques ont été utilisées sur les deux figures. Dans le montage de la figure A, les tensions sont induites sur la zone de détection 90 et sont couplées directement à l'électrode 82 qui inhibe ou autorise le transfert d'une quantité de charge à partir du générateur de bit 77. La tension sur la zone 90 à un instant quelconque est approximativement égale au potentiel superficiel qui y est induit. Ce potentiel superficiel est approximativement égal à W1 ai un bit "zéro" se trouve sous l'électrode 25Z lorsque l'impulsion ml y est appliquée et il est légèrement plus négatif que Cl si un bit unn sty trouve transféré ré.Si, lorsque W est appliqué, un nombre suffisant de trous se trouve transféré en sorte d'emplir le puits de potentiel, le potentiel superficiel croît jusqutà une certaine valeur maximale inférieure à zéro. Dans des structures typiques, la tension indui- te sur la zone 90 lorsqu'un bit nunn est présent peut être aisément rendue inférieure à un tiers plus négatif que la tension induite lorsqu'un bit "zéro" est présent, et cette différence est suffisante pour provoquer l'action de déclenchement voulue sur l'électrode 82.On remarquera que comme pour la structure de la figure 7, un bit "un" est extrait du générateur de bit 77 sur la figure 6 si un bit "zéro" est emmagasiné sur ltélectrode 25Z et aucun bit 11zéro" est extrait si un bit nun se trouve emmagasiné sous l'électrode 252. On va décrire à présent à l'aide des figures 9 à 16 plusieurs modifications avantageuses et suggestives des diverses applications de dispositifs selon l'invention. Sans pour autant sacrifier le souci d'être complet, les figures 9 à 16 sont des vues en plan légèrement schématiques des structures des types illustrés par les figures I à t. Sur les figures 9 à 16, les traits pleins délimitent des électrodes disposées sur une couche isolante et les traits interrompus délimitent soit des électrodes disposées au sein de l'isolant (telle que 19électrode 80 sur la figure 7), soit des zones locales dans le semi-conducteur (telles que les zones 76, 77, et 90 sur les figures 7 et A) .Ce mode de représentation a été adopté principalement pour des raisons de simplicité, de généralité et d'économie de dessin, comme on le comprendra aisément au cours de la description qui va suivre. La figure 9 est une vue en plan schématique d'un dispositif similaire à ceux des figures 7 et 8. Les références l24Y-l26Z désignant des électrodes à l'extrémité d#un canal de transfert le hargne s dont l'information doit être inversée et régéné- rée, les références 134A-136A désignent des électrodes situées au début d'un nouveau canal propre à recevoir le train de bits nou vellement régénéré. On voit que les électrodes 124Y-126Z et 134A- 136A sont analogues aux électrodes 26Y-26Z et 34A-36A, respectif vement, sur les figures 7 et 8.Comme sur les figures 1 à 4, 7 et , chaque troisième électrode est connectée å àl'##a ct#bgesd'haioge communes 173, 174 175 auxquelles sont appliquée les tensions horloge X (-V1, -V3, et -V2 Sur la figure 9, la ligne en trait interrompu 100, disposée sous l'électrode 124%, est une électrode de détection similaire à l'électrode 80 sur la figure 7 et à l'électrode 90 sur la figure #. Tout comme celles-ci l'électrode 100 n'est pas connectée aux lignes d'horlog mais elle est connectée par un conducteur 141, à l'électrode 182 qui joue le même rôle que l'électrode 82 sur les figures 7 et ta La ligne en trait interrompu 176 délimita une zone locale de type P connectée à une source de tension négative VD, et agencée en sorte de fonctionner comme le drain d'un transistor à effet de champ à électrode de commande isolée, tout comme la zone 76 sur les figures 7 et 8. La ligne en trait interrompu 177 délimite une zone locale de type P connectée à une source de tension négative -VS, et agencée en sorte de fonctionner comme un générateur de bit, tout comme la zone 77 sur les figures 7 et 8. Contrairement aux dispositifs représentés sur les figures 7 et #, la zone de détection 100 sur la figure 9 est disposée sous l'électrode 124Z et elle est séparée du drain 176 par une paire d'électrodes 125Z et 126Z, au lieu d'une. Cette séparation par deux électrodes n'est pas nécessaire pour des questions de fonctionnement mais elle est avantageuse afin de découpler et d'isoler d'une manière plus efficace la zone de détection 100 à l'égard des effets du drain 176. Se reportant à nouveau aux figures 1 à 4, on voit que les paquets de charges représentant l'information sont situés uniquement sous les électrodes auxquelles est appliquée la ten- sion horloge la plus négative -V3. Les deux autres électrodes de chaque triplet servent à séparer chaque paquet de charges des paquets adjacents Ainsi, sur la figure 9, on désire transférer un paquet de charges å partir du générateur de bit 177 uniquement lorsque la tension -V3 est appliquée à l'électrode 124Z (située au-dessus de l'électrode de détection 100) car seulement alors existe un paquet de charges(ou lvabsence dpun paquet de charges représentant l'information à détecter sous l'électrode 124%. Il en résulte que l'électrode située au-dessus de l'électrode de détection est toujours connectée à la même ligne d'horloge que la première électrode qui suit l'électrode porte de telle sorte que ltinformation soit simultanément détectée, inversée, régénérée et transférée vers la première électrode du nouveau canal. Il en résulte également que la tension VS doit être plus grande que V1 et V2,mais plus petite que V3 de telle sorte que ltélec- trode porte 182 permette à la charge d'être transférée à partir du générateur de bit 177 uniquement lorsque simultanément une tension -V3 Ee trouve appliquée à l'électrode 124Z et un bit "zéro' se trouve emmagasiné sous l'électrode 124te La figure 10 est une vue en plan schématique d'un dis positif similaire à celui des figures 7 et 8. Toutefois, le dispositif de la figure 10 est agencé pour un fonctionnement en deux phases.Dans ce but, les électrodes 153Y-154Z renrésentent ltex trémité d'un canal de transfert de charges d o n t linformas tion doit être inversée et régénérée, et les électrodes 253A-254A représentent le début d'un nouveau canal propre à recevoir le train de bits iouvellement régénéré. Afin d'assurer un transfert de charge unidirectionnel, ces électrodes sont avantageusement du type agencé en sorte de produire des puits de potentiel symétriques, comme décrit à propos de la figure 5. Sur la figure 10 chaque seconde électrode est con nectée à une ligne d'horloge commune 155 et 156. En 176 et 177 sont représentés un drain et un générateur de bit, respectivement, q u i sont connectés à des sources de tension appropriées -VD et -Vs. Un organe de détection 100, similaire soit à l'électrode 40 sur la figure 7, soit à l'électrode 90 sur la figure A, est disposé sous l'électrode 153% et est connecté par un conducteur 181 à une électrode porte 182. Lorsqu'on utilise des électrodes du type représenté à la figure 5, l'électrode de détection 100 se trouve avantageusement disposée uniquement sous la partie de l'électrode appropriée (153Z sur la figure 10) qui recouvre le diélectrique le plus mince car c'est là que le paquet de charges se trouve localisé comme on peut le voir sur la figure 5. De cette manière on obtient une tension induite maximale et une capacité parasite minimale. Le fonctionnement du dispositif de la figure 10 est évident à la lumière de la description qui précède. La figure 11 est une vue en plan schématique d'un autre dispositif d'inversion et régénération agencé pour un fonctionnement à deux phases. Ce dispositif diffère de celui de la figure 8 uniquement par le fait que le générateur de bit 177 est connecté à la ligne horloge 156 et que l?électrode de détection 100 est séparée du drain 176 par une paire d'électrodes 1542 et 154ZZ au lieu d'une seule. Comme dans les formes de réalisation à trois phases décrites plus haut, lvélectrode 153Z sous laquelle est disposée Ipélectrode de détection doit être connectée à la même ligne horloge (155 sur la figure 11) que la première électrode (253A sur la figure 11) qui suit l'électrode porte (1#2). Si, comme c'est le cas sur la figure 11, le générateur de bit doit être excité par une ligne d'horloge afin de réduire le nombre de tra- jets de conduction différents requis, le générateur de bit doit être connecté à une autre ligne d'horloge (156 sur la figure 11) que les électrodes 153Z et 253A de manière à réaliser les relations de tension appropriées.Cela apparaîtra plus clairement par la description d'un cycle complet de fonctionnement. On supposera d'abord un demi cycle au cours duquel B = V1 est appliqué à la ligne d'horloge 155 et I2 = -V2 est appliqué à la ligne d'horloge 156, la tension V2 étant supérieure à V1. Durant ce demi-cycle, le bit qui doit être inversé et régénéré ré se trouve emmagasiné sous l'électrode 154Y. Un autre bit qui a été inversé et régénéré se trouve stocké en double, le bit reçu sous l'électrode 154% et le bit inversé et régénéré sous l'électrode-254A.Dans cet état aucun paquet de charges positives ne peut être transféré du générateur de bit 177 à 19électrode 253A quelle que soit la tension sur l'électrode porte 182 car le générateur de bit est plus positif que l'électrode 253A. Supposons à présent que les signaux horloge changent de polarité et que Cl devienne égal à -V2 et que B2 devienne égal à -V1. Lorsque les tensions se trouvent interchangées, chaque paquet de charges se déplace d'un stade (ctest-à;dire d'une électrode) comme indiqué par les flèches 157 et 257 sur la figure il, de la manière décrite à propos de la figure 5.Le bit r e ç u situé sous l'électrode 154Z se trouve transféré vers l'électrode 15422 et injecté dans le drain 176 par la tension VD qui est plus négative que -V: le bit inversé se trouve transféré de l'électrode 251+Avers électrode suivante (non repré- sentée) dans le canal régénéré. On remarquera que ltélectrode 253A est à ce moment plus négative (=V25 que le générateur de bit 177 (-V1) de sorte aucun paquet de chargespositivesse trouve transféré ré vers l'électrode 253A si ce transfert est autorisé par I'élec- trode porte l#2. Lorsque les tensions horloge sont interchangées, le bit entrant se déplace de l'électrode 154Y vers l'électrode 153Z où il se trouve détecté par l'électrode de détection 100. Comme décrit à propos des figures 7 et #, l'électrode de détection 100 et ltélectrode porte 182 sont agencées en sorte qu'un paquet de charges soit autorisé à être transféré du générateur de bit 177 vers l'électrode 253A si l'absence d'un paquet de charges se trouve détectée par l'électrode 100, tandis qu'aucune charge ne peut être transférée si un paquet de charges se trouve détecté par l'électrode 100. En résumé, aucun bit ne peut être transféré vers l'électrode 253A pendant le premier demi cycle en raison des relations de tension existant entre le générateur de bit 177 et l'électrode 253A, et pendant le second demicycle les relations de tension entre le générateur 177 et l'électrode 253A se trouvent inversées de telle sorte aucun bit unn ne puisse être transféré entre ces deux électrodes uniquement si un bit "zéro" se trouve détecté par l'électrode de détection. On remarquera que la dispositif de la figure 10 peut également fonctionner avec le générateur de bit 177 connecté à la ligne horloge 156. Le dispositif à trois phases de la figure 9 peut également fonctionner avec le générateur de bit 177 connecté à la ligne horloge 175 à condition que l'impulsion d'horloge soit convenablement profilée, par exemple qu'elle soit sinusoidale, en sorte que les relations de tension appropriées soient maintenues entre le générateur de bit 177, l'électrode 182, et l'électrode 13kA. La figure 12 est une vue en plan schématique d'un autre dispositif inverseur#régénérateur selon l'invention, agencé pour un fonctionnement à deux phases. Ce dispositif est similaire à celui de la figure 10, sauf en ce qui concerne le moyen de génération des bits On ne décrira par conséquent cette fois que les différen#es qui caractérisent le montage de la figure 12. Comme dans le montage de la figure 10, le dispositif comprend un drain localisé en I76,de type P, connecté à une source de potentiel négati f -VD et une zone localisée 177, de type P, constituant une source de porteurs de charges positifs. Toutefois, contrairement au montage de la figea 10, la source 177 sur la figure 12 est connectée à la terre et elle est séparée de l'élec- trode 182 par une électrode 105 et une zone localisée l7#, , de type P et électriquement flottante. En fonctionnement, les tensions négatives appliquée à l'électrode 253A et les tensions négatives induites sur lVélec trode 182 provoquent le transfert de cnarge depuis la zone 178 vers l'électrode 253A, laquelle, à son tour, induit un potentiel négatif sur la zone 178. La zone 178 é tant ainsi négative tandis que la zone 177 est à la masse, et après que l'électrode porte 182 ait été désexcitée, une impulsion d'amorçage négative PR appliquée à l'électrode 105 pendant un laps de temps donné permet de transférer une quantité de charge poudrant etre déterminée de manière relativement précise depuis la zone 177 vers la zone 178. Cette impulsion est appelée impulsion d'amorçage car elle permet le stockage préliminaire dans la zone 178 d'une quantité de charge relativement précise qui peut être ensuite envoyée à l'électrode 253A sous forme d'un bit 'Fun'9 Cette disponibilité d'une quantité de charge prévisible de façon précise est souhaitable car la marge de bruit d'un système dépend, entre autres choses, de la mesure dans laquelle un bit "un" quelconque est similaire aux autres bits "un" et dans laquelle chaque bit "zéro" "zéro" est similaire aux autres bits eros Les figures 13 à l6 illustrent plusieurs formes de réalisation utilisant les dispositifs inverseurs#régénérateurs décrits plus haut, agencés pour exécuter des fonctions logiques La figure 13 est une vue en plan schématique d'un dispositif agencé en sorte d'exécuter une fonction logique Ni, dont la table de vérité est la suivante:: A B C O G 1 0 1 0 1 O O 1 1 0 La partie supérieure de la figure représente deux canaux A et B connectés à une paire commune de lignes horloge 155 et 156, et sur lesquel s sont propagées des informations symbolisées par les flèches 157A et 157B. Les électrodes 154AY, 153AZ, l54A%, 154BY, 153BZ, et 154BZ sont des électrodes plaque dans 1 e s canaux respectifs, analogues aux électrodes l54Y, 153%, et 154Z sur les figures 10 à 12.La partie inférieure de la figure 13 c'est-à-dire les électrodes 253CA et 253CB, représente le début dvun nouveau canal, appelé C, propre à recevoir les bits régéné rés résultant de la fonction logique NI La ligne 276 délimite une zone localisée de type P connectée à une source de tension négative VD et agencée en sorte de servir de drain, tout comme les zones 76 et 176 sur les figures précédentes. La ligne 277 délimite une zone localisée de type P agencée en sorte de fonctionner comme générateur de bit comme la zone 177 sur la figure 11, et comme telle elle est connectée à la ligne horloge 156. Une paire organes séparés lOOA et lOOB sont disposés sur les électrodes 153AZ et 153BZ dans les canaux A et B. Chacun de ces organes est connecté de la manière décrite précédemment par les conducteurs l#1A et lElB à des électrodes portes séparées 182A et 182B. Comme on le voit sur la figure 13, pour un circuit logique NI les électrodes portes sont disposées en série par rapport au générateur de bit 277 et par rapport à la première électrode 253CA du canal C. En fonctionnement, des trains séparés de bits d'infor mation se trouvent transférés simultanément le long des canaux A et B en réponse à des signaux d'horloge appliqués aux lignes 155 et 156. Les trains de bits sont synchronisés de telle sorte que les bits se déplace n t simultanément sous les électrodes 153AZ et 153BZ. Si ltune quelconque des électrodes de détection lOOA et lOOB détecte un bit "un't, il apparaît sur ltélectrode porte à laquelle est connectée cette électrode de détection, une tension suffisante pour empêcher le transfert de charge sous cette électrode.On peut donc voir que, conformément à la table de vérité de la fonction logique NI, un bit "un" ne sera transferé du générateur de bit 277 à l'électrode 253CA que Si un bit zéro existe sur chacune des électrodes de détection 101 et 102. On remarquera que dans le circuit logique NI schématisé à la figure 13, les électrodes portes 1f2A et l#2B exécutent une fonction logique ET, cVest#à-dire que ce n'est que si un puits de potentiel se trouve induit sous ces deux électrodes aucun paquet de charges peut être transféré du générateur de bit Z77vws ltélectrode 253CA.On voit ainsi que chaque fois qu'une fonction ET est souhaitée dans un système à charges couplées, cette fonction peut être réalisée en partie en disposant plusieurs électrodes portes en série La figure 14 est une vue en plan schématique d'un dis positif agencé en sorte d'exécuter une fonction logique NON-ET, dont la table de vérité est la suivante A ~ B C O O 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 Le dispositif de la figure 14 diffère de celui de la figure 13 par le fait que les électrodes portes 182A et 182B sont disposées en parallèle par rapport au générateur de bit 277 et à l'électrode 253CA. Avec cette disposition des électrodes portes, la charge ne peut être transférée à partir du générateur de bit 277 que si un bit "un" est présent aux deux électrodes de détection lOOA et lOOB. Cela est conforme à le table le vérité ci-dessus. On remarquera que dans le circuit logique NON-ET de la figure 14, les électrodes portes l#2A et 182B exécutent une fonction logique OU, ctest=d dire que si un puits de potentiel se trouve induit sous lvune ou autre de ces électrodes, un paquet de charges peut être transféré du générateur de bit 277 vers l'électrode 253CA. Il est ainsi possible d'obtenir une fonction logique OU en disposant plusieurs électrodes portes en parallèle. La figure 15 est une vue en plan schématique d'un dis positif agencé en sorte d'exécuter une fonction logique d'étale ment de sortie dont la table de vérité est la suivante: A B C O 1 1 1 0 0 La partie supérieure de cette figure représente un canal A connecté à une paire de lignes d'horloge 155 et 156 et ayant une information se propageant dans le sens indiqué par la flèche 157A. Les électrodes 154AY, 153AZ et 154AZ sont des électrodes du canal A, analogues aux électrodes 154Y, 153Z et 154Z sur les figures 10 à 12.La partie inférieure de la figure 15, cpest-à-dire les électrodes 253BA, 254BB, 253CA et 254CB, représentent le début dVune paire de canaux B et C propres à recevoir les bits régénérés résultant de la fonction logique dVétalement. En 276 et 277 se trouvent représentés un drain et un générateur de bits, respectivement, agencés en sorte de fonctionner comme dans les montages des figures 13 et 14. Une électrode de détection 1OOA est disposée sous l'élec- trode 153AZ et est connectée par les conducteurs 11B et lGlC à une paire d'électrodes portes 182B et 1#2C. De la description qui précède, il ressort que chaque fois qu'un bit "zéro't est présent à 19électrode de détection LOOFA, lvélectrode 182B transfère un bit Wun dans le canal B tandis aucun autre bit un se trouve transféré dans le canal C.Inversement, lorsqu'un bit "un" est présent à 1' électrode de détection lOOA, des bits "zéros" se trouvent transférés dans les canaux B et C. La fonction logique d'étalement de sortie peut également être réalisée de d ifférente s manières autres que celle illustrée à la figure 15. Dans de nombreuses applications, par exemple, il peut être avantageux de connecter l'électrode de détection à une seule électrode porte et de combiner les électrodes 253BA et 253CA en une électrode plus grande de manière à minimiser la capacité parasite chargeant l'électrode de détection. Bien que l'invention ait été décrite partiellement sur base de certaines formes de réalisation spécifiques, celles-ci ne sont nullement limitatives de l'invention. L'homme de l'art verra aisément que de nombreuses autres variantes peuvent être apportées à la structure et au mode de fonctionnement tout en restant conforme à 19esprit de l'invention. Par exemple, les types de semi-conductivité peuvent être inversés si on le désire, à condition d'inverser simultanément les polarités des tensions appliquées. De plus, il est évident que les dispositifs représentés sur les figures 13 et 14 ne sont nullement limités à deux canaux d'entrée mais peuvent être également utilisés pour un nombre élevé de canaux d'entrée à condition qu'une électrode de détection soit disposée dans chacun d'eux et que chaque électrode de détection soit connectée à une électrode porte séparée, disposée en série ou en parallèle avec les autres électrodes portes selon la fonction logique voulue. Il est bien évident également que le circuit de la figure 15 nvest nullement limité à deux ca- naux de sortie, mais qu'il peut être utilisé, au contraire, pour un nombre élevé quelconque de canaux. D'autre part, une paire de dispositifs inverseurs#régénè- rateurs tels que décrits plus haut peuvent être connectés en tandem en sorte que ltimpulsion régénérée soit inversée deux fois et par ccnséquent restisuéee La figure 16 illustre un montage dans lequel une telle disposition pourrait être utilisée. Dans ce. montage, les canaux de t r a n s f e r t de charge sont représentés tés en 300 et 301 et les informations se propagent dans ces ca naux dans les sens indiqués par les flèches. Dans le canal 300 une électrode de détection 302 (de l'un ou l'autres des types illustrés aux figures 7 et eS) détecte les signaux e n t r a n t s e t induit une tension correspondante sur ltélectrode porte 303.Après que les signaux entrants aient été détectés, ils se trouvent collectés de la manière décrite plus haut par un drain 304 analogue au drain 76 sur les figures 7 et Ms. Le carré 305 délimite une source cu un générateur de bit analogue au générateur 77 sur les figures 7 et ~t. La combinaison des organes 302, 303, 304 et 305 constitue un dispositif inverseur-régénérateur Les bits engendrés par la source 305 sont transférés par l'électrode 303 à une autre électrode 306.Une autre électrode de détection 357 se trouve connectée à une électrode 30# disposée au début du canal 301. Après que les bits émanant de la source 305 aient été détectés par l'électrode de détection 307, ils sont collectés par un second drain 309. Une seconde source, représentée par le carré 310, sert de générateur de bits, les bits engendrés par celui étant transférés par 1' électrode 30pus dans le canal 301. Bien que cette double inversion soit rare, si toutefois elle est nécessaire, elle peut être souhaitable dans des structures s i n ueuses relativement courtes, si le concepteur du système envisage d'effectuer une double inversion plutôt que de tenir compte d'une seule inversion d'état. On voit également que comme chaque circuit NON-E1 ou NI constitue un circuit logique indépendant, toutes les autres fonctions logiques peuvent être aisément dérivées par combinaison suivant les principes bien connus de la technique de logique. On voit également que les générateurs de bits, les électrodes de détection et les dispositifs inverseurs-régénéra teurs peuvent être aisément combinés conformément à lsesprit de l'invention de nombreuses manières afin de réaliser d'autres fonctions de logique de base qui n'ont pas été décrites de ma nière expresse dans le présent mémoire. Enfin, il est bien évident que les dispositifs inver seurs-régénérateurs décrits plus haut et les diverses formes de réalisation de ces dispositifs peuvent être aisément agencés en sorte d'être utilisés dans les dispositifs de transfert de char gesassurant un transfert d'une zone à l'autre, comme indiqué dans l'introduction de description. Une forme fondamentale d'une telle adaptation est illustrée à la figure 17 que l'on va décrire à présent. La figure 17 est une vue en coupe transversale schématique d'une partie 400 d'un dispositif de transfert de charges utilisant un dispositif inverseur-régénérateur selon une autre forme de réalisation de l'invention. L'élément 400 comprend un substrat semi-conducteur 401, représenté à titre d9exemple comme étant du type N, et plusieurs zones superficielles de type P. Une couche diélectrique 402 est disposée sur la surface du semi conducteur lit1. Au dessus de la couche diélectrique 402 sont disposées plusieurs électrodes en série 401X, 1+02X, 401Y, 402Y, 01Z et 4022 qui, en combinaison avec un ensemble correspondant de zones localisées de type P 4O3X,4O#, 407 403Y, 404Y, 403Z et 76 disposées par dessous et de manière dissymétrique, représentent l'extrémité d'un canal de transfert dont le train de bits doit être inversé et régénéré.D'une manière similaire, les électrodes 4llA, 412A et 411B, disposées en série, forment, en combinaison avec les zones localisées de type P, 1+13A, 414A et L,13B, dispos sées par dessous et de manière dissymétrique, le début d'un nouveau canal de transfert propre à recevoir le train de bits inversé et régénéré. Comme illustré, chaque deuxième électrode est connectée à une ligne d'horloge commune 455 ou 456. On peut voir que le sens préféré de propagation de l'information est déterminé par la dissymétrie avec laquelle chaque paire de zones sous-jacentes est recouverte par les électrodes plaques. Plus spécifiquement, on voit sur la figure 17 que chacune des électrodes précitées recouvre une partie de deux zones sous-jacentes séparées et que dans le canal entrant dont le train de bits doit être régénéré et dans le canal sortant qui reçoit le train de bits inversé et régénéré, le plus grand recouvrement est vers la droite. Cette dissymétrie de recouvrement provoque le sens préférentiel de propagation de l'information en raison de la dissymétrie résultante du couplage capacitif entre les électrodes plaques et les zones sous-jacentes. Les références numériques utilisées sur les figures 7 et A ont été reprises sur la figure 17 lorsque cela stavé justifié. En conséquence, la zone 76, type P, représente une zone drain afin de disposer de bits dégradés après détection; la zone 77, type P, représente une zone source indépendante, ctest-à-dire un générateur de bit, dont sont extraits sélectivement des porteurs de charges mobiles injectés en sorte de produire le train de bits régénéré.On remàrquera que, comme sur la figure Rk, les zones drain 76 et source 77 sont connectées à des sources de potentiel négatif VD et -V5, respectivement, par l'intermédiaire des électrodes 78 et 79, respectivement. Comme dans les dispositifs des figures 7 et 8, le potentiel VD est avantageusement choisi en sorte de maintenir la zone 76, de type P, plus négative que le potentiel superficiel le plus négatif induit sur la zone adjacente 403% de telle sorte que les bits dégradés puissent toujours être transférés de la zone 4032 dans le drain 76 et être collectés et détruits, c#est-à-dire dirigés vers la terre. Quant au potentiel -Vs, il est choisi, comme mentionne précédemment, en sorte de maintenir la zone 77 suffisamment négative pour qu'en soient seulement extraits des trous suffisants pour emplir partiellement les puits de potentiel formés dans la zone 404 sans sgécouler dans le nouveau canal de transfert. En fonctionnement, la zone 404Y joue le rôle d'une zone de détection, et les tensions induites sur cette zone sont appliquées directement à une électrode porte 477 par-l'intermédiaire de l'électrode 405 et du conducteur 406. L'électrode 407 est disposée entre le générateur de bit 77 et la zone 1F08. D'une manière similaire à celle décrite dans le montage de la figure #, la tension sur la zone 404Y à un instant quelconque est approximativement égale au potentiel superficiel induit sur cette zone. Ce potentiel superficiel est approximativement égal à la tension de la ligne horloge (115 Si un bit zéro se trouve transféré dans la zone 404Y lorsque W1 est appliqué à l'électro- de 402Y, et ce potentiel est légèrement plus négatif que W1 si un bit "un" (paquet de trous) se trouve transféré dans cette zone. Le générateur d'horloge 425 est connecté aux lignes 455 et 456. Si, lorsque O1 est appliqué, un nombre suffisant de trous emplit partiellement le puits de potentiel, le potentiel superficiel de la zone 404Y croit jusqusà une certaine valeur maximale plus petite que zéro. Comme dans les formes de réalisation des figures 7 et 8, la tension induite sur la zone de dé tection 404Y lorsqueun bit T' "un" est présent peut être rendue plus négative que le tiers de la tension induite lorsqu'un bit 11zéro't est présent. Cette différence est suffisante pour provoqua l'action de commande voulue à l'électrode 407.Ainsi, d'une manière analogue à celle qui prévaut dans les montages des figures 7 et X, la capacité parasite et l'écartement entre l'électro- de 407 et la surface du semi-conducteur 401 peuvent être réglés en sorte qu'un bit nunn soit transféré par l'électrode 407 vers la zone 408 si un bit "zéro" se trouve dans la zone de détection 404Y, et un bit "zéro" se trouve transféré par l'électrode 407 vers la zone 408 si un bit un se trouve dans la zone de détection 404Y. Comme indiqué plus haut pour les montages des figures 7 et , il peut être souhaitable dans certains cas d'établir une polarisation de courant continu sur l'électrode porte (407 sur la figure 17) et/ou sur l'électrode de détection (404Y sur la figure 17) afin d'assurer un fonctionnement optimal. Cela peut être aisément réalisé en connectant le conducteur 406 à une source de tension continue par l'intermédiaire d'une impédance élevée.C'est ce que représente schématiquement sur la figure 17 la résistance 409 dessinée en pointillé, connectée entre le conducteur 406 et une source de tension continue VB. Comme dans le dispositif de transfert à chargescouplées, la constante de temps associée à l'impédance élevée 409 est avantageusement notablement plus grande que l'inverse de la vitesse de transfert de bits dans le canal de transfert de telle sorte que les tensions des impulsions peuvent faire varier l'électrode porte 407 en réponse à ces tensions sans interférence de la part de la tension continue. On voit que le registre à décalage du type décrit et le dispositif inverseur-régénérateur illustré par la figure 17 peuvent être aisément adaptés pour toutes les applications envisagées pour les montages des figures 9 à 16 et les formes de réalisation des dispositifs de transfert de charges décrits plus haut La figue 1Q, qui est similaire à la figure 5, est une vue en coupe transversale d'une structure de dispositif à charges::ouplées5l0 agencé pour un fonctionnement à deux phases. La structure 510 comprend un substrat semi-conducteur 511, de type N recouverte dpune couche isolante 512 d'épaisseur non uniforme. Sur la couche isolante 512 se trouvent plusieurs électrodes ,13A, 5i4A, 513B, 514B et 513C, rapprochées l'une de l'autre. Chaque électrode comprend une première partie recouvrant une région relativement épaisse de la couche isolante 512 et une seconde partie recouvrant une région relativement mince de la couche isolante. Chaque seconde électrode est connectée à une des lignes d'horloge commune 515 et 516 auxquelles sont appliquées des im- pulsions d'horloge W1 et C2. La figure 1f illustre plus particulièrement l'état de fonctionnement pour lequel l'impulsion W1 est égale au potentiel V1 et l'impulsion B2 est égale au potentiel -V2. Les potentiels V. sont considérés comme nombres positifs, et V2 est plus grand que V1. Le potentiel V1 est plus grand que la tension de seuil VT pour laquelle se produit une inversion de la surface du semi-conducteur dans les conditions de fonctionnement permanent La ligne en pointillé 515 représente schématique ment le potentiel superficiel (profondeur des puits de potentiel de la surface dans les conditions de fonctionnement décrites cidessus.Lorsque le milieu 511 est semi-conducteur, comme ciest le cas dans l'exemple décrit, la ligne 515 peut également être considérée comme représentant schématiquement les limites des régions de déplétion formées par les tensions appliquées aux électrodes. Les porteurs de charges, en l'occurrence les trous, sont représentés schématiquement par des signes plus figurant dans les puits de potentiel.Etant donné que les trous tendent à se diriger vers des points de potentiel plus négatif, on voit aisément que dans cet état de fonctionnement tous les trous libres situés sous l'une ou l'autre des électrodes 513A et 514A se trouvent transférés vers la droite sur la figure 14 jusque dans la partie la plus profonde du puits de potentiel situé sous l'électrode 514A jusqu'à ce que tous les trous aient été transférés ou jusquvà ce qu'un nombre suffisamment de trous ait été transféré en sorte que le potentiel superficiel sous la partie droite de l'électrode 514A soit devenu égal au potentiel su perficiel sous la partie gauche de cette même électrode, d'après elle de ces deux conditions qui se produit la première. Si, après que l'état décrit cisdessus ait été établi, les impulsions d'horloge sont inversées en sorte telle que le potentiel -V1 soit appliqué à la ligne 516 et le potentiel -V2 à la ligne 515, les puits de potentiel sous les électrodes 513A 513Cdeviennentles plus profonds et les puits de potentiel situés sous les électrodes 514A et 514B devienne les puits les moins profonds. A mesure que cette transformation se produit, la charge située sous les électrodes 5l4A et 51413 se trouve transférée vers la droite sous les électrodes 513B et 513C, respectivement. Les charges se trouvent transférées vers la droite plutôt que vers la gauche en raison de la dissymétrie dans la configuration des puits de potentiel par suite de l'épaisseur non uniforme de la couche isolante 512. D'une manière similaire, à chaque inversion des tensions d'horloge appliquées, les paquets de charges ou l'absence de ces paquets) représentant 1V information se trouvent a va n c é s d'un échelon vers la droite. -La figure 19 illustre schématiquement une vue en plan d'un dispositif tel que celui de la figure l#. Les carrés 513A 51413 représentent des électrodes identifiées par les mêmes références numériques que sur la figure 14. Les lignes d'horloge 515 et 516 sont également identifiées comme sur la figure 1#. On va décrire à présent un dispositif inverseur-régéné rateur fondamental suivant une forme de réalisation de l'inven- tion. Une vue en plan schématique du dispositif est montrée à la figure 20 sur laquelle on voit plusieurs électrodes disposées en série 523 A, 52kA, 523bu 524B et 523C qui représentent l'extrémité d'un canal de transfert dont le train de bits doit être inversé et régénéré, et des électrodes disposées en série 533A, 534A, 53313, 534B et 533C et qui représentent le début d'un nouveau canal de transfert propre à recevoir le train de bits inversé et régénéré. Comme on le voit sur la figure 20, chaque seconde électrode est connectée à une ligne d'horloge commune. On supposera en outre que ces électrodes sont disposées de manière dissymétri- que en sorte de provoquer le transfert de l'information vers la droite dans le canal d'entrée (comme l'indique schématiquement la flèche 522) et de provoquer le transfert de l'information vers la gauche dans le canal de sortie (comme l'indique schématiquement la flèche 535) Sur la figure 20, les éléments en trait interrompu 541, 542, et 543 représentent des zones semi bconductrices localisées, de type P, disposées en-dessous de la surface de la cou- che isolante.Les éléments en trait plein 524 et 532 représentés tent des électrodes plaques disposées au-dessus de la couche isolante . Les zones 541 à 543,en combinaison avec les électrodes de commande 524 et 532,représentent le dispositif inverseur-régénérateur selon lvinvention. Comme on le décrira en détails ci-après, la zone 541 est agencée ée en sorte de détecter l'information dans le canal dtentree et, ?n conséquence, elle est disposée à proximité de la dernière électrode (523C) à l'extrémité du canal d'entrée. La zone 542 est séparée de la zone 541 par l'électrode de commande 524 de telle sorte que les zones 542 et 541 puissent effectivement être couplées l'une à l'autre par l'application à l'électrode de 524 d'une tension suffisante pour inverser la surface entre les zones 542 et 541. En fonctionnement, la zone 542 est maintenue à un potentiel négatif fixe indiqué par VR sur la figure 20. La zone 541 sert à détecter les paquets de charges qui sont transférés séquentiellement sous l'électrode 523C, et la tension ainsi induite sur la zone 541 par les paquets de charges entrants est appliquée directement à l'électrode 532 par un conducteur métal lique 544 La zone 543 représente une source de porteurs de charges indépendante. Ces porteurs de charges sont envoyés sous l'électrode 533A ou non selon la tension induite sur l'électrode 532. n'électrode de commande 532 se trouve donc disposée entre la source 543 et l'électrode #3C (c'est-à-dire la première re électrode dans le canalde sortie de telle sorte que la zone 543 peut être effectivement couplée au puits de potentiel situé sous l'électrode 533C en appliquant à l'électrode de commande 532 une tension suffisante pour inverser la surface semi-conductrice sous cette électrode.La source 543 et l'électrode 524 sont connectées ensemble et à la ligne d'horloge 526, c'est-à-dire à l'autre des lignes horloge que celle à laquelle sont connectées les électrodes 523C et 533au Le potentiel XVR est avantageusement choisi en sorte d'être plus négatif que le potentiel le plus négatif (-V2) de la paire de potentiels appliqués alternativement aux lignes horloge. Dans ce cas lorsque le potentiel -V2 est appliqué à la ligne horloge 526 et le potentiel -V1 est appliqué à la ligne d'horloge 525, les paquets de charges dans le canal de transfert se trouvent situés sous les électrodes 524A, 52lob 534A et 53lob Etant donné que l'électrode 524 est connectée à la ligne d'horloge 526 et comme le potentiel -VR est au moins aussi négatif que le potentiel -V2 > un potentiel approximativement égal à SV2 + VT se trouve induit sur la zone de détection flottante 541. Cette même tension est bien-sûr également appliquée à ltélectrode 532. Du point de vue physique, cette tension est induite sur la zone 541 car des porteurs de charges positifs (trous) sont extraits de la zone 541 à travers la région inversée située sous l'électrode 524 et sont introduits dans la zone plus négative 542. On voit que la zone 542 est ainsi agencée en sorte de fonctionner de la même manière qu9un drain dans un transistor à effet de champ à électrode de commande isolée. Dans cet état, une région fortement inversée se trouve formée sous l'électrode 532, mais aucun porteur de charge positif nsest transféré de la source 543 vers 1V électrode 533A car la source 543 est plus négative que cette dernière électrode. Au cours de la deuxième phase du cycle d'horloge (lorsque W1 = -V2 et W2 = V1), ltélectrode de détection 541 est découplée du drain 542 car une tension moins négative se trouve appliquée à l'électrode 524. Un point également important est le fait que la source 543 est à ce moment moins négative que l'électrode 533A de telle sorte que des porteurs de charges positifs peuvent être transférés vers cette dernière électrode à moins qu'ils ne soient inhibés par l'action de l'électrode 532. Lorsque les potentiels d'horloge sont amenés dans ce dernier état, les paquets de charge représentant l'information se trouvent transférés des électrodes 524 et 53h vers les électrodes 523 et 533, respectivement. Si un bit 11111 est transféré de l'électrode 52413 vers l'électrode 523C, la plus grande partie de cette charge est introduite dans la zone 541 et sert à annuler le potentiel négatif qui sty trouve stocké.Le potentiel et l'écartement de l'électrode 532 par rapport à la surface de semiconducteur sont réglés de telle sorte qu'après aucun bit "1" ait été introduit dans la zone de détection 541, la tension existant sur l'électrode 532 ne soit pas suffisamment négative pour permettre un transfert de charge entre la source 543 et l'électrode 533A. Lorsqu'un bit 11111 se trouve donc transféré sous ltélectro- de 523C, un bit 11011 apparaît sous l'électrode 533A. Inversement, si un bit 11011 se trouve transféré sous l'électrode 523C, la tension sur la zone 541 ne se trouve guère déchargée et la tension sur l'électrode de commande 532 reste suffisamment négative pour permettre à un paquet de charges d'être transféré de la source 543 vers 1V électrode 533A. Lorsque un bit "O" se trouve donc transféré sous l'électrode 523C, un bit 11111 apparaît sous l'électrode 533A. Lors de l'inversion suivante des potentiels d'horloge (c'est-à-dire lorsque X V1 et W2 = -V25 toute charge positive en excès est extraite de la zone 541 et introduite dans le drain 542. De cette manière, la tension sur la zone 541 est rétablie à un niveau de polarisation prédéterminé avant de recevoir chaque bit entrant. En raison de cette particularité de rétablissement de la tension de la zone 541 qui provoque le départ des trous de cette zone au même potentiel lorsqu'elle reçoit un bit entrant, le dispositif inverseur-régénérateur selon l'invention possède une sensibilité et un rapport signal bruit améliorés. Pour mieux comprendre la structure du dispositif représenté schématiquement à la figure 20, le lecteur se reporte ra à 3 la figure 21 qui montre une vue en coupe transversale prise d a n s la ligne A A sur la figure 20. Sur la zone 541, de type?, vient en contait électrique une électrode à faible résistance 527 (non représentée sur la figure 20), et sur la zone drain 542 se trouve en contact électrique une électrode à faible résistan- ce 528 (également non représentéesur la figure 20). Les autres dispositions de cette structure apparaîtront clairement par comparaison des figures 20 et 2i. On remarquera que l'électrode de commande 524 est disposée uniquement sur la partie plus mince de la couche diélectrique 512, ctest azdire que l'électrode de commande 524 ne doit pas être disposée de manière dissymétrique comme les électrodes 524B et 524C. D'une manière similaire, l'électrode de commande 532 ne doit pas être disposée de façon dissymétrique, mais au contraire elle est avantageusement disposée sur la partie plus mince de la couche diélectrique 512 entre la zone 543 et l'électrode 533 A. Bien qu'il soit clair qu'une gamme étendue de tensions de fonctionnement puisse être utilisée pour la structure qui vient d'être décrite, on a avantageusement utilisé les tensions suivantes : V1 = 6 volts, V2 = 10 volts, et VR = 12 volts avec une structure dans laquelle la partie mince de la couche diélectrique 512 avait une épaisseur d'environ 0,1 micron.Il n'est pas usuellement avantageux de diminuer la tension V1 en dessous de 6 volts environ, mais le fonctionnement dans certains cas peut être favorisé en augmentant la tension V2 jusqu'à 30 volts et au-delà, auxquels cas la tension VR doit évidemment être augmentée de manière correspondante en sorte d'être légèrement supérieure à V2 La vitesse de transfert de charges entre la zone 543 et l'électrode 533A pour représenter un bit 1 est limitée par la tension qui existe à ce moment sur l'électrode 532. Cette tension peut être inférieure à -VR en raison des effets parasites et parce que chaque bit 11011 détecté par la zone 541 contient une charge plus positive qui sert à annuler partiellement la tension sur cette zone.L'effet net résultant est de provoquer le transfert d'un bit 1 contenant moins de charge que celle qui pourrait être souhaitée dans le puits de potentiel sous l'électrode 533A. La vitesse de transfert de charges entre la zone 543 et l'électrode 533A pour représenter un bit 1 est également limitée par la différence instantanée entre le potentiel sur la zone 543 (source) et le potentiel superficiel sous l'électrode 533A. #4alheureusement, cette différence de potentiel décroît de façon monotonique à mesure que la charge se trouve transférée dans le puits de potentiel situé sous l'électrode 533 A. En raison de cette diminution de la différence de potentiel, la vitesse de transfert de charge diminue également à mesure que la charge se trouve transférée.L'effet net résultant de cette limitation est également de provoquer le transfert d'un bit 1 contenant moins de charge que celle qui pourrait être souhaitée dans le puits de potentiel sous l'électrode 533A. Etant donné que ce sont des limitations de potentiel plutôt que des limitations de la quantité de charge disponible devant être transférée, ces limitations peuvent être évitées en rendant la première électrode qui suit 1V électrode de commande plus large que les autres électrodes. Comme le fonctionnement du transfert par charges couplées est essentiellement un transfert de charge par couplage capaci t if, le potentiel superficiel sous l'électrode la plus grande (capacité la plus grande) diminue moins rapidement que le potentiel superficiel ous une électrode plus petite (capacité plus petite).D'après ce principe, les dimensions de cette première électrode peuvent être ajustées relativement aux dimensions des autres électrodes afin de compenser les limitations de potentiel prévisibleade telle sorte que la quantité de charge voulue soit transférée sur la première électrode et sur les suivantes afin de représenter un bit-11l11. Une telle adaptation est représentée schématiquement à la figure 22 qui illustre un dispositif identique à celui de la figure 21, sauf que l'électrode 533A est deux fois aussi large que les autres électrodes. On peut se rendre aisément compte que le principe appliqué pour obtenir le perfectionnement illustré à la figure 22 n'est nullement limité à des dispositifs,inver- seurs-régénérateur-s, mais qu'il peut être appliqué en général à des dispositifs de transfert de charges conformément à des procédés de répartition de capacités bien connus dans le domaine de l'art. Bien que la description qui précède ait eu trait principalement à un dispositif inverseur-régénérateur utilisé dans des dispositifs de transfert de charges à deux phases, il est clair qu'un dispositif inverseur-régénérateur selon l'invention peut être aisément adapté pour être utilisé dans des dispositifs de transfert de charges à trois phases et à quatre phases,conformément aux principes décrits en rapport à la forme de réalisation à deux phases. De plus, on voit que le dispositif inverseur-régéné rateur décrit ci-dessus peut être aisément agencé pour être utilisé dans des dispositifs de transfert de charges dans lesquels le transfert se fait d'une zone à l'autre. Une forme de réalisation d'une telle adaptation est illustrée aux figures 23 et 24 que l'on va décrire à présent. La figure 23 est une vue en plan schématique d'une partie 550 d'un dispositif de transfert de charges utilisant un dispositif inverseur-régénérateur de base suivant une autre forme de réalisation de l'invention. Des électrodes en série 551A, 552A, 551B 552B et 551C, combinées à plusieurs zones sous-jacentes, de type P, disposées de manière dissymétrique 553A, 554A, 553B et 554B représentent l'extrémité d'un canal de transfert dont le train de bits doit être inversé et régénéré. D'une manière similaire, les électrodes série 561A, 562A, 561B9 562B et 561C, combinées à plusieurs zones sous-jacentes de type P, disposées de manière dissymétrique, 565A, 566A, 565B, 566B et 566C représentent le début d'un nouveau canal de transfert propre à recevoir le train as bits inversé et régénéré. Comme on le voit sur le dessin, chaque seconde électrode est connectée à une ligne d'horloge commune 567 ou 56N, ces deux lignes d'horloge étant connectées à un générateur d'impulsions d'horloge 540. Comme l'indiquent schématiquement les flèches 569 et 570, respectivement, le dispositif est agencé en sorte que l'information soit transférée vers la droite dans le canal d'entrée et vers la gauche dans le canal de sortie. Le sens préféré de propagation de l'information est déterminé par la dissymétrie avec laquelle les zones sous-jacentes sont recouvertes par les électrodes. D'une manière plus spécifique, on remarquera sur la figure 23 que chacune des électrodes susdites recouvre une partie de deux zones sous-jacentes séparées et que dans le canal supérieur le plus grand recouvrement est situé vers la droite tandis que dans le canal inférieur le plus grand recouvrement est situé vers la gauche.Cette dissymétrie de chevauchement détermine le sens préfé renti e 1 de propagation de l'information par suite de la dissymétrie résultante du couplage capacitif entre les électrodes plaques et les zones sous-jacentes. Les organes du dispositif inverseur-régénérateur sur la figure 23 portent les mêmes références que sur la figure 20. En conséquence, sur la figure 23 le carré 541 représente une zone de détection et le rectangle 542 représente la zone de référence à laquelle la zone de détection 541 est couplée afin d'être remise à l'état initial par application d'une tension convenable à l'électrode 524. Le rectangle 543 représente la source indépendante de porteurs de charges qui sont injectés dans le canal inférieur par les tensions induites sur l'électrode 532. On remarquera cependant l'inclusion d'une zone additionnelle 563, de type P, pour coupler l'électrode 532 et l'électrode 561A. En fonctionnement, d'une manière analogue à celle du fonctionnement du montage de la figure 20, la zone 542 est maintenue à un potentiel négatif fixe -VR. La zone 541 détecte les paquets de charges qui sont transférés séquentiellement sous la dernière électrode 551C, et la tension ainsi induite sur la zone 541 par les paquets de charges entrants est appliquée directement à l'électrode de commande 532 par les conducteurs 544A et 544B, reliés entre eux par le conducteur en pointillé 544C, par exemple constitué par couches métalliques. Comme on peut le voir sur la figure, la source 543 et 1' électrode 524 sont connectées ensemble et à la ligne d'horloge 56#, cYest-à dire à la ligne d'horloge autre que celle à laquelle sont connectées les électrodes 551C et 561A. Bien sûr, la source 543 ne doit pas être connectée à une ligne d'horloge, mais elle peut être commandée par un générateur d'impulsions indépendant synchronisé avec les impulsions d'horloge afin de réaliser une plus grande souplesse dans la commande de la source 5l+3, au prix cependant d'une plus grande complexité. Cette option est représentée schématiquement sur la figure 23. La ligne en pointillé 544C indique que l'électrode 524 et la source 543 sont connectées ensemble et à une ligne d'horloge commune 564. Si cette option estnSIisée, la connexion entre les conducteurs 541FA et 54413 ne doit pas être prévue, mais le conducteur 544B sera alors connecté au générateur d'impulsions indépendant 510. On voit que cette option peut également être utilisée dans le dispositif à chargescoupléesdécrit jusqu'à présent. De plus, on voit que si on utilise un fonctionnement à plus de deux phases, par exemple à trois ou à quatre phases, la source 543 ne doit pas être pulsée, mais elle peut être connectée à une source de tension continue. Dans ce cas, l'introduction sélective de bits dans le canal régénéré est effectuée par les électrodes plaques sans qu'il soit nécessaire de prévoir une source pulsée. Le potentiel VP. est avantageusement choisi en sorte d'être plus négatif que le potentiel le plus négatif (-V25 de la paire de tensions alternatives appliquées aux lignes d'horloge. Lorsque le potentiel -V1 est appliqué à la ligne 567 et le potentiel -V2 est appliqué à la ligne 56#, des bits (paquets de charges ou absence de paquets de charges0 dans les canaux de transfert se trouvent localisés dans les zones 554A, 55413, 566A et 566B situées sous les électrodes 552A, 552B, 562A et 56213, respectivement. Comme l'électrode 524 est connectée à la ligne d'horloge 568 et comme le potentiel -V5 est au moins aussi négatif que - V9, un potentiel approximativement égal à -V2 c VT de trouve induite sur la zone de détection flottante 541.Du point de vue physique, cette tension est induite sur la zone 541 car les porteurs de charges positifs (trous) sont extraits de la zone 541 à travers la région inversée située sous l'électrode 524 et ils sont introduits dans la zone plus négative 542. On voit que la zone 542 est ainsi agencée en sorte de fonctionner d'une manière similaire à celle du drain dans un transistor à effet de champ à électrode de commande isolée. En raison du couplage par conduction 544 entre la zone 541 et l'électrode de commande 532, le potentiel de la zone 541 apparaît également sur l'électrode 532. Une région fortement inversée se trouve ainsi formée sous l'électrode 532, mais aucun porteur de charge positif n'est transféré de la source 543 vers la zone 563 sous l'électrode 532 car la source 543 est plus négative que la zone 563 Que la source 543 est plus négative que la zone 563 durant cette moitié du cycle d'horloge, c'est ce qui ressort aisément de la considération suivante. Durant cette moitié du cycle d'horloge, le potentiel plus négatif -V2 est appliqué à la source 543 et le potentiel moins négatif -V1 est appliqué à l'électrode 561A.En raison du chevauchement capacitif entre l'électrode 561A et la zone 565A et par le fait que l'électrode 561A sert à coupler les zones 563 et 565A par une région fortement inversée au cours du demi-cycle d'horloge précédent, le potentiel des zones 563 et 565A est porté à une valeur à peu près égale à -V1 lorsque l'horloge commute et entame ce second demicycle. La source 543 est ainsi plus négative(-V2)que la zone 563 (à peu près au potentiel -V1) durant ce demi-cycle d'horloge. De l'analyse qui précède il ressort que les zones 563 et 565A ne doivent pas être des zones séparées (comme montré sur la figure 23), mais qu'elles peuvent être réunies en une zone commune. Cette réunion peut toutefois constituer un problème dans certaines applications en raison de l'accroissement résultant de la capacité parasite qui est associée à une seule zone plus étendue. Pendant le demi-cycle d'horloge suivant (lorsque B1 = -V2 et W2 = -V1) la zone de détection 541 est découplée du drain 542 par suite de l'existence d'une tension moins négative appliquée à l'électrode de couplage 524. Ce qui est important également est le fait que la source 543 est à ce moment moins négative que les zones 563 et 565A de telle sorte que les porteurs de charges positifs peuvent être transférés vers la zone 565A à moins d'être inhibés par l'action de l'électrode de commande 532. Lorsque les potentiels d'horloge sont commutés dans ce dernier état, les paquets de charges représentant l'information sont transférés des zones 554 et 566 vers les zones 553 et 565, respectivement. Si un bit 1 est transféré de la zone 55413 vers la zone 541, cette charge sert à décharger le potentiel négatif qui s'y trouve emmagasiné. Le potentiel et ltespacement de ltélec- trode 532 par rapport à la surface du semi-conducteur sont agencés en sorte que, après qu'un paquet de charges ait été introduit dans la zone 541 la tension subsistant sur l'électrode de commande 532 ne soit pas suffisamment négative pour permettre le transfert de charges entre la zone 543 et la zone 565A.Lorsqu'un bit 1 est transféré dans la zone de détection 541, un bit 11011 apparaît ainsi dans la zone 565A. Inversement, si un bit 11011 est transféré dans la zone 541, la tension sur celle-ci ne se trouve point déchargée et la tension sur l'électrode de commande 532 reste suffisamment négative pour permettre un transfert d'un paquet de charges de la source 543 vers la zone 563,puis vers la zone 565A. Lorsqu'un bit "O" se trouve ainsi transféré vers la zone 541, un bit 1 apparaît dans la zone 565A. Lors de l'inversion suivante des tensions d'horloge (lorsque Cl = -V1 et W2 = -V2# toute charge positive en excès est extraite de la zone de détection 541 et introduite dans le drain 562. De cette manière, la tension sur la zone 541 se trouve rétablie à un niveau prédéterminé avant de recevoir chaque bit entrant. Par suite de cette faculté de rétablissement qui fait en sorte que la zone de#détection débute toujours au même potentiel lorsqu'elle reçoit un bit entrant, le dispositif inverseurrégénérateur selon l'invention possède une sensibilité et un rapport signallbruit améliorés. La figure 24 est une vue en coupe transversale prise suivant la ligne 13-13 sur la figure 23, qui permettra de mieux comprendre la structure du dispositif que l'on vient de décrire. La zone de détection 541, type P, se trouve en contact électrique avec une électrode à faible résistance 527 (non montrée sur la figure 23), et la zone drain 542 se trouve en contact électrique avec une électrode à faible résistance 52N (également non représentéesur la figure 235. Les autres éléments de la structure apparaissent aisément par comparaison aux figures 23 et 24. Une grande variété de tensions de fonctionnement peut être utilisée dans le dispositif qui vient d'être décrit. On a avantageusement utilisé, à titre d'exemple, les tensions suivantes : V1 = 6 volts, V2 = 10 volts et VR = 12 volts avec une structure dans laquelle la couche diélectrique 12 avait une épaisseur d'environ 0,1 micron. . Il n'est usuellement pas avantageux de diminuer la tension V1 en dessous de 6 volts environ, mais dans certains cas le fonctionnement peut être favorisé en accroissant la tension V1 jusqutà une valeur de 30 volts ou davantage, auxquels cas la tension VR est évidemment augmentée d'une manière correspondante en sorte d'être légèrement supérieure à V2. Il est clair que des diodes d'injection à couches d'arrêt de Schottky et/ou d'autres dispositifs redresseurs à couches d'arrêt peuvent être utilisés en remplacement de l'une ou l'autre ou de toutes les zones dans les dispositifs décrits plus haut afin de constituer un moyen pour assurer la collecte et l'injection des porteurs de charges. Il est clair également que des dispositifs inverseursrégénérateurs selon l'invention peuvent être aisément adaptés pour être utilisés dans des dispositifs de transfert de chargés dans lesquels le milieu d'emmagasinage est de nature autre que semi-conductrice. Dans de tels dispositifs, le milieu d'emmagasinage peut, par exemple, être constitué d'un isolant qui n'est pas caractérisé par un type de conductivité particulier quelconque. Dans certains de ces isolants, des zones convenables pour l'injection et la collecte de porteurs de charges peuvent être formées. Dans d'autres, des zones convenables ne peuvent être aisément formées. Dans ce dernier cas, l'injection et la collecte de porteurs de charges, conformément à l'invention, peuvent être effectués en prévoyant des contacts d'injection. Ces contacts, bien que formés avec la surface d'emmagasinage, peuvent remplacer les zones dans les dispositifs inverseursrégénérateurs suivant des principes bien connus dans le domaine de l'art. Il est bien entendu que les types de semi-conductivité qui ont été mentionnés dans la description qui précède peuvent être inversés sans modifier le fonctionnement des dispositifs décrits, à condition d'inverser également les polarités des tensions appliquées, ainsi qu'il est bien connu dans le domaine de l'art. REVENDICATIONS 1. Dispositif de transfert de charges du type propre à stocker et à transférer des porteurs de charges localisés dans des minima d'énergie de potentiel induit le long d'un milieu de stockage approprié grâce à l'application séquentielle de plusieurs potentiels différents à des parties successives de la surface dudit milieu par l'intermédiaire de plusieurs électrodes, comprenant des moyens disposés sur ledit dispositif pour détecter la quantité de charge emmagasinÉe en un emplacement prédéterminé, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour disposer des porteurs de charges à l'emplacement de stockage prédéterminé après qu'ils aient été détectés, des moyens pour injecter un nombre contrôlé de porteurs de charges en un autre emplacement le long de la surface du milieu d'emmagasinage, et des moyens portes connectés aux moyens de détection situés à proximité des moyens d'injection afin de contrôler le transfert des porteurs de charges nouvellement injectés à partir des moyens dtinjection en réponse à la détection de la charge stockée à l'emplacement de stockage prédéterminé. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le milieu de stockage est un semi-conducteur ayant un premier type de semi-conductivité. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les moyens de détection comprennent une électrode conductrice flottante disposée sur une couche isolante relativement mince, laquelle couche isolante est disposée à son tour sur la surface du corps semi-conducteur. 4. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les moyens de détection comprennent une première zone ayant ln second type de semi-conductivité, disposée dans le corps adjacent à des électrodes afin de détecter le nombre de porteurs de charges existant sous ladite électrode. 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens d'injection comprennent une seconde zone ayant le second type de semi-conductivité, disposée dans le corps semi-conducteur et espacée d'une autre électrode, et en ce que les moyens portes comprennent une électrode de commande disposée sur la surface du semi-conducteur compris dans l'espace entre la seconde zone et ladite autre électrode et connectée à la première zone afin de contrôler le transfert de charges émis par la seconde zone en réponse à la détection des porteurs de charges dans la première zone. 6. Dispositif suivant la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour appliquer un potentiel de polarisation à la seconde zone. 7. Dispositif suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le potentiel de polarisation est un potentiel de pola-. risation de courant continu. Dispositif suivant la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs canaux le long desquels des porteurs de charges sont stockés et transférés en série, chacun des canaux étant déterminé par plusieurs électrodes disposées en série, et des moyens formant une paire de trajets de conduction, chaque seconde électrode dans chaque canal étant connectée à un trajet de conduction commun de ladite paire tandis que les autres électrodes dans les canaux sont connectées à l'autre trajet de conduction de ladite paire. 9. Dispositif suivant la revendication X, caractérisé en ce que l'électrode à proximité de laquelle se trouve la premiè- re zone est disposée dans un des canaux, et en ce que l'autre électrode près de laquelle est située l'électrode porte est disposée dans un autre canal. 10. Dispositif suivant la revendication #, caractérisé en ce que l'électrode à proximité de laquelle se trouve la premitre zone est connectée au même trajet de conduction que l'autre électrode à proximité de laquelle est située l'électrode porte. 11. Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs canaux le long desquels des porteurs de charges sont stockés et transférés en série, chacun des canaux étant déterminé par plusieurs électrodes disposées en série, en ce que les moyens de détection comprennent plusieurs organes de détection séparés, disposés par rapport à chacun des canaux en sorte de détecter les porteurs de charges en un emplacement prédéterminé dans chaque canal, et en ce que les moyens portes comprennent plusieurs dispositifs disposés en série par rapport aux moyens d'injection de telle sorte que les porteurs de charges puissent être transférés à partir des moyens d'injection uniquement s'il existe à chacun des emplacements de détection prédéterminés le long de chacun des canaux, un nombre de porteurs de charges inférieur à un nombre prédéterminé, en sorte de réaliser une fonction logique NI. 12. Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs canaux le long desquels des porteurs de charges sont stockés et transférés en série, chacun des canaux étant déterminé par plusieurs électrodes disposées en série, en ce que les moyens de détection comprennent plusieurs organes de détection séparés disposés par rapport à chacun des canaux en sorte de détecter des porteurs de charges en un emplacement prédéterminé dans chaque canal, et en ce que les moyens portes comprennent plusieurs organes disposés en parallèle par rapport aux moyens d'injection en sorte que des porteurs de charges soient empêchés d'être transférés à partir des moyens d'injection uniquement s'il existe en -chacun des emplacements de détection prédéterminés le long de chacun des canaux, un nombre de porteurs de charges plus grand qu'un nombre prédéterminé, en sorte de réaliser une fonction logique NON-ET. 13. Dispositif suivant la revendication 2, caractérisé en ce que les électrodes sont des électrodes plaques. 14. Dispositif suivant la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs zones localisées espacées ayant le second type de semi-conductivité, disposées à proximité de la surface du corps semi-conducteur et de manière dissymétrique par rapport aux électrodes plaques, en sorte que chaque électrode plaque s'étende au-dessus de l'espace compris entre deux des zones et au-dessus d'une zone de ladite paire plus qu'au-dessus de l'autre zone de ladite paire. 15. Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de détection comprennent un organe électriquement flottant pour détecter le nombre de porteurs de charges existant en un emplacement prédéterminé le long de la surface à un instant prédéterminé. 16. Dispositif suivant la revendication l, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour pré-polariser les moyens de détection à un niveau de référence fixe avant chaque opération de détection de manière à augmenter la sensibilité. 17. Dispositif suivant la revendication 16, caractérisé en ce que le milieu de stockage est constitué d'un semi-conducteur ayant un premier type de semi-conductivité, en ce que les moyens de détection comprennent une première zone ayant un second type de semi-conductivité, disposée dans ledit corps et à proximi té d'une des électrodes plaques afin de détecter le nombre de porteurs de charges existant sous ladite électrode plaque, en ce que les moyens de pré-polarisation comprennent une seconde zone ayant un second type de semi-conductivité, disposée dans ledit corps et distante de la première zone, et une première électrode de commande disposée au-dessus et isolée du matériau semi-conducteur compris dans l'espace situé entre les première et seconde zones, en ce que les moyens d'injection comprennent une troisième zone ayant le second type de semi-conductivité, disposée dans le corps et distante d'une autre électrode plaque, et en ce que les moyens portes comprennent une seconde électrode de commande disposée au-dessus et isolée de la surface du matériau semi-conducteur compris dans l'espace situé entre les moyens d'injection et ladite autre électrode plaque, et étant connectée à la première zone afin de contrôler le transfert de charges à partir de la troisième zone en réponse à un état logique détecté sur la première zone. 18. Dispositif suivant la revendication 16, caractérisé en ce que les électrodes sont des électrodes plaques et le milieu de stockage est un semi-conducteur, les moyens de détection comprennent une première zone électriquement flottante ayant un second type de semi-conductivité, disposée dans le corps et adjacente à une des électrodes plaques afin de détecter le nombre de porteurs de charges existant sous ladite électrode plaque, en ce qu'une seconde zone ayant le second type de semiconductivité est disposée dans le corps et séparée de la première zone, en ce qu'une première électrode de commande est disposée au-dessus et isolée du matériau semi-conducteur compris dans l'espace situé entre les première et seconde zones, en ce qu'une seconde électrode de commande est disposée au-dessus de la surface et adjacente à une autre électrode de commande, et est connectée à la première zone, et en ce qu'une troisième zone ayant le second type de semi-conductivité est disposée dans le corps et adjacente à la seconde électrode de commande. 19. Dispositif suivant la revendication 1R, caractérisé en ce que la troisième zone est connectée par conduction à la première électrode de commande. 20. Dispositif suivant la revendication 1f, caractérisé en ce que la troisième zone est connectée à un générateur d'impulsions séparé. 21. Dispositif suivant la revendication lSt, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour maintenir un potentiel de polarisation (-VR) sur la seconde zone. 22. Dispositif suivant la revendication l#, caractérisé en ce que le potentiel de polarisation est un potentiel de polarisation de courant continu. 23. Dispositif suivant la revendication 21, caractérisé en ce qu'il.comprend des moyens pour appliquer séquentiellement les différents potentiels à la première électrode de commande. 24. Dispositif suivant la revendication 23, caractérisé en ce que les potentiels appliqués à la première électrode de commande sont déphasés par rapport aux potentiels appliqués à ltélectrode adjacente à la première zone. 25. Dispositif suivant la revendication 22, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens séquentiels formant une paire de trajets de conduction, chaque seconde électrode plaque étant connectée à un trajet de conduction commun de ladite paire tandis que les autres électrodes plaques sont connectées à 1 'autre trajet de conduction de ladite paire, la première électrode de commande étant connectée au trajet de conduction autre que celui auquel est connectée l'électrode plaque adjacente à ladite première zone. 26. Dispositif suivant la revendication l#, caractérisé en ce qu'il comprend une électrode plaque réceptrice écartée de la troisième zone en sorte que l'espace compris entre elles soit ponté par la seconde électrode de commande. 27. Dispositif suivant la revendication 26, caractérisé en ce que ladite électrode plaque réceptrice est connectée à l'électrode plaque adjacente à la première zone. 2#. Dispositif suivant la revendication 26, caractérisé en ce que ladite électrode plaque réceptrice est plus grande que les autres électrodes plaques. 29. Dispositif suivant la revendication l#, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs zones localisées espacées ayant un second type de semi-conductivité, disposées à proximité de la surface du corps et de manière dissymétrique par rapport aux électrodes plaques de telle sorte que chaque électrode plaque s'étende au-dessus de l'espace compris entre deux zones et audessus d'une zone de ladite paire plus qutau-dessus de l'autre zone de cette même paire. 30. Dispositif suivant la revendication 1, caractéri sé en ce qu'il comprend une zone additionnelle ayant le second type de semi-conductivité, située entre la troisième zone et ladite autre électrode plaque.