FR 2088478 A1 19720107 FR 7116554 A 19710507 71 1655k 1 2088473 L'invention concerne une mémoire permanente intégrée constituée par un certain nombre d'éléments de mémoire. Les éléments de mémoire connus sont constitués par des diodes semiconductrices bipolaires normales avec une jonction p-n. On peut prévoir deux diodes brancîiées en série et en opposition pour un élément de mémoire. Les différents éléments de mémoire sont agencés sous forme d'une matrice. Dans une mémoire permanente intégrée toutes les liaisons électriques sont disposées en lignes et en colonnes sur une face de l'ensemble du dispositif. Il s'ensuit que, pour éviter les court-circuits les câblages des lignes et des colonnes doivent être réalisés dans deux plans parallèles qui sont séparés l'un de l'autre. Pour séparer ces plans, il est nécessaire de disposer une couche isolante du point de vue électrique entre les deux. Cependant, cela signifie que les fenêtres servant habituellement à l'établissement des contacts doivent être encore ménagées dans cette couche isolante. Au total ce mode de câblage connu des éléments de mémoire nécessite un grand nombre dé phases opératoires. La présente invention se propose de réaliser une mémoire permanente intégrée comportant une matrice de diodes dont les éléments de mémoire sont câblés de façon aussi simple que possible dans des conditions d'encombrement minimal. Ce problème est résolu suivant l'invention par le fait que chaque élément de mémoire est constitué par une diode, en particulier une diode de Schottky, et que des canaux fortement dopés sont prévus dans la zone ^emiconductrice pour alimenter électriquement une zone semiconduetrice des diodes. La présente invention permet d'obtenir un câblage très simple des différents éléments de mémoire. Un groupe de contacts des diodes de la matrice peut être orienté suivant une direction, tandis que les canaux formant les autres contacts des diodes sont par exemple orientés suivant la direction perpendiculaire . En particulier, il est avantageux de câbler des diodes de Schottky de la façon indiquée pour former une matrice de diodes. En effet les diodes de Schottky nécessitent uniquement un corps semiconducteur unipolaire dans lequel sont prévus simultanément les canaux avec des supports de charge 71 16554 2 2088473 du même signe mais seulement plus fortement dopps, Une autre forme de réalisation de l'invention se caractérise par le fait que les canaux fortement dopés se présentent sous la forme de couches enrobées. Les couches enrobées peuvent être réalisées facilement suivant le procédé connu de diffusion. La réalisation de ces couches ne nécessite aucune technologie complexe et coûteuse. Finalement, entre les lignes ou les colonnes des éléments de mémoire, sont prévues des parois isolantes qui isolent électriquement les unes des autres les cathodes d'une colonne ou d'une ligne. Ces parois sont parallèles à la couche enrobée. La présente invention sera mieux comprise à l'aide de la description suivante d'une forme de réalisation donnée à titre d'exemple et représentée au dessin annexé dans lequel La figure 1 est un schéma de principe d'une mémoire permanente à diodes. La figure 2 est une vue en plan d'une mémoire permanente dont le schéma est fourni dans la figure 1. La figure 3 est une vue en coupe suivant la ligne III-III de la figure 2. La figure 4 est une vue en coupe suivant la ligne IV-IV de la figure 2, Dans la figure 1, les références 1, 2, 3, 4 désignent différentes colonnes et les références 5» 6 désignent différentes lignes d'une matrice de mémoire. La programmation de cette matrice est telle que des diodes sont prévues uniquement entre les colonnes 1, 2, 4 et la ligne 5 et entre les colonnes 1, 3 et la ligne 6, tandis qu'il n'existe pas de diodes entre la colonne 3 et la ligne 5 ni entre les colonnes 2, 4 et la ligne 6. Dans la figure 2, des voies conductrices 11, 12, 13, 14, correspondant aux colonnes 1, 2, 3, 4 de la figure 1, sont prévues sur une couche isolante 20 en bioxyde de silicium La voie conductrice 11 est en contact avec une couche épitaxiale semiconductrice 30 de type n (fig.3) par l'intermédiaire des ouvertures 21, 22, permettant l'établissement du contact et qui sont représentées en pointillé dans la figure 2 de sorte que deux diodes de Schottky sont disposées dans les ouvertures 21, 22. De même, des diodes de Shottky sont prévues 71 16554 3 2088478 dans l'ouverture de contact 23 entre la voie conductrice 12 et la couche semiconductrice 30 (figure 4), dans l'ouverture de contact 2k entre la voie conductrice 13 et la couche semi-conductrice 30 (fig.3) et dans l'ouverture de contact 25 entre 5 la voie conductrice 14 et la couche semiconductrice 30. Comme représenté dans les figures 3 et k, des couches enrobées 15» l6 de type n fortement dopées sont disposées sous la couche semiconductrice 30, leur résistance, étant de 20 à 25X1, ces couches enrobées correspondant aux lignes 5» 6 de 10 la figure 1. Parallèlement à ces couches enrobées 15, 16 sont disposées des parois isolantes 31» 32, 33 (i'ig.4) qui sont de type p et divisent la couche semiconductrice 30 en bandes individuelles isolées les unes des autres du point de vue électrique. Les parois isolantes 31» 32, 33 s'étendent à 15 partir de la couche isolante 20 jusqu'à un substrat semiconducteur 35 de type n prévu sous la couche semiconductrice 30. Les parois isolantes 31» 32, 33 et les couches enrobées 15» 16 sont représentées en pointillé dans la figure 2. La programmation de la mémoire permanente est effectuée 20 sur la couche isolante 20 dans■laquelle sont gravées les ouvertures de contact souhaitées, suivant la technique de la photogravure. Une surface rectangulaire de 60 sur 20 est nécessaire pour un élément de mémoire. De ce fait on peut O réaliser environ 80 éléments de memoire sur 1 mrrr . Cette 25 densité importante est permise du fait que toutes les cathodes de toutes les diodes nécessaires pour les éléments de mémoire sont formées globalement pour une ligne par l'intermédiaire d'une couche enrobée. D'autres avantages résident dans le fait qu'il existe la possibilité de réaliser le câblage en 30 une seule couche car les voies conductrices formant les colonnes de la matrice de diodes ne se croisent pas. Enfin l'utilisation de diodes de Schottky permet de réduire encore les phases opératoires nécessaires pour fabriquer la mémoire permanente. 71 16554 k 2088476 REVENDICATIONS 1. Mémoire permanente intégrée constituée par plusieurs éléments de mémoire, caractérisée par le fait que chaque élément de mémoire est constitué par une diode, en particulier une diode de Schottky, et que des canaux fortement dopés sont prévus dans la zone semiconductrice pour alimenter électriquement une zone semiconductrice des diodes» 2. Mémoire suivant la revendication 1, caractérisée par le fait que les canaux fortement dopés sont constitués par des couches enrobées. 3. Mémoire suivant l'une des revendications 1 ou 2, caractérisée par le fait que des parois isolantes sont prévues entre les colonnes ou les lignes d'éléments de mémoire.