FR 2077264 A1 19711022 FR 7047129 A 19701217 70 47129 1 2077264 La présente invention concerne la fabrication de dispositifs semi-conduc-teurs et de circuits intégrés, et plus particulièrement des procédés permettant de diffuser dans des substrats semi-conducteurs desimpuretés déterminant différents types de conductivité. 5 Compte tenu des progrès réalisés dans l'art de la fabrication aes dispo sitifs semi-conducteurs et des circuits intégrés rnicro-miniaturisés, on recherche constamment des améliorations ou des simplifications susceptibles de permettra la suppression de certaines des étapes des procédés classiques de fabrication. L'une des améliorations recherchées consisterait en une techni-10 que de double diffusion simultanée qui serait à la fois efficace et pratique. Par "double diffusion", on entend la diffusion dans une partie d'un substrat semi-conducteur de plus d'une impureté déterminant un type de conductivité. La durée de la diffusion de chacune des impuretés, sa concentration de surface et son taux de diffusion, ainsi que la température à laquelle la diffusion 15 est effectuée, peuvent caractériser les régions du substrat dans lesquelles chacune des différentes impuretés prédominera. Le type de conductivité de chaque région sera déterminé par "l'impureté significative", ou impureté prédominante dans cette région. La double diffusion nécessite généralement deux impuretés, ce qui a pour résultat la formation d'une paire de régions adjacentes 20 et séparées par une jonction. L'une de ces régions est plus éloignée que l'autre de la surface faisant l'objet de la diffusion. Les impuretés peuvent être de types de conductivité apposés, auquel cas une régionP et une région N sont formées et séparées par une jonction redresseuse. Néanmoins, les deux impuretés différenes peuvent être du même type de conductivité, auquel cas, 25 bien que les régions résultantes soient de même type de conductivité, les paramètres de diffusion peuvent être choisis de telle sorte que les régions résultantes aient des niveaux de concentration en impuretés substantiellement différents, par exemple N et N+ ou P et P+. En pareil cas, la jonction n'est pas une jonction redresseuse mais une jonction dans laquelle il existe une 30 modification substantielle du niveau d'impureté Conformément à la quasi-totalité des procédés classiques de double diffusion, la diffusion des deux impuretés ou davantage s'effectue de façon séquentielle. Par exemplej une impureté déterminant un premier type de conductivité est diffusée dans la surface du substrat pendant un cycle temps/tempé-35 rature suffisant pour former dans le substrat une région d'une profondeur donnée ayant ce premier type de conductivité. Une impureté déterminant un type de conductivité opposé est ensuite diffusée à travers la surface du substrat dans ladite région selon une concentration et pendant un .cycle supplémentaire temps/température suffisants pour convertir la partie de la première région 40 qui est la plus proche de la surface en une seconde région de type de conduc- 70 47129 2 2077264 tivité opposé. Il serait avantageux de pouvoir effectuer cette double diffusion simultanément plutôt que de façon séquentielle, et de supprimer ainsi l'un des cycles de diffusion temps/température. On a précédemment tenté de parvenir à ce résultat au moyen d'une diffusion 5 simultanée d'impuretés en phase vapeur comportant l'application d'une source vapeur contenant les deux impuretés ou davantage devant être simultanément diffusées dans le substrat. Bien que prometteuse, cette méthode ne s'est pas jusqu'à présent révélée pleinement satisfaisante, en raison notamment des problèmes de contrôle des concentration en impuretés qui se sont posés. 10 Une autre méthode visant au même résultat que la précédente a consisté à appliquer une couche d'oxyde de silicium contenant un oxyde de l'une des impuretés, telle que du pentoxyde.de phosphore, sur la surface du substrat, puis à diffuser simultanément la seconde impureté, qui est un métal tel que l'aluminium, sous sa forme élémentaire à partir de sa phase vapeur dans le 15 substrat' à travers la couche d'oxyde de silicium. Le principal inconvénient de cette méthode provient de la lenteur relative au franchissement de la couche d'oxyde par la plupart des impuretés élémentaires lors de la pénétration de ces dernières dans le substrat. En fait, seules quelques impuretés telles que le gallium et l'aluminium peuvent traverser la couche d'oxyde à une vites-20 se permettant une utilisation pratique du procédé. Néanmoins même dans le cas du gallium et de l'aluminium, la couche d'oxyde doit être si mince, c'est-à-dire moins de 1000 angstroms, que l'on dépose habituellement par anodisation (brevet des E.U.A. n° 3 303 070) qu'un nouveau problème se pose, à savoir celui de la perte de la première impureté par rétrodiffusion dans l'environ-25 nement depuis la couche d'oxyde. L'un des principaux objets de la présente invention est par conséquent de fournir une méthode pratique de double diffusion simultanée. Un autre objet de la présente invention est de fournir une méthode permettant de diffuser simultanément un certain nombre d'impuretés dans un 30 substrat semi-conducteur. Un autre objet de la présente invention est de fournir une méthode permettant de diffuser différentes impuretés dans un substrat semi-conducteur dans des conditions pouvant être facilement commandées. Un autre objet de l'invention est de fournir une nouvelle structure_ 35 semi-conductrice susceptible d'être utilisée aux fins du procédé de double diffusion de la présente invention. La présente invention fournit une méthode permettant de diffuser simultanément différentes impuretés dans un substrat semi-conducteur pour former dans celui-ci différentes régions, ce qui nécessite en premier lieu la forma-40 tion sur la surface du substrat d'une couche composée d'un oxyde de silicium 70 47129 3 2077264 et des oxydes de différentes impuretés, lesquelles permettront de déterminer la conductivité de chacune des régions formées dans le substrat. Le substrat et son revêtement sont ensuite chauffés au cours d'un cycle temps/température suffisant pour diffuser simultanément les impuretés dans le substrat à partir 5 de ce revêtement. Etant donné que chacune des impuretés est soumise à un même cycle temps/température, la prédominance des impuretés dans les différentes régions du substrat sera essentiellement fonction de la concentration des impuretés et de leurs taux respectifs de diffusibilité. Par suite de cette diffusion simultanée, le substrat semi-conducteur contiendra un certain nombre 10 de régions portant les unes contre les autres et de typœ de conductivité différents, respectivement déterminés par la prédominance de l'une des impuretés dans chacune des régions. L'étagement de ces régions à partir de la surface du substrat est commandée par la concentration et le taux de diffusibilité de chacune des différentes impuretés. 15 Le revêtement d'oxyde de silicium peut consister en une unique couche contenant les oxydes des différentes impuretés, ou encore en plusieurs couches, deux au moins de ces dernières doivent contenir des impuretés différentes. Etant donné que le taux de diffusibilité des oxydes d'impureté est plus élevé que celui des impuretés élémentaires contenues dans les couches d'oxyde 20 de silicium, pratiquement les oxydes de toutes, las ;impuretés connues peuvent être utilisés, que le revêtement se compose d'une seule ou de plusieurs couches. Pendant l'étape de diffusion, les impuretés, contenues dans le revêtement d'oxyde de silicium sous la forme de leurs oxydes respectifs sont diffusées à travers le revêtement en tant qu'oxydes. A l'interface de l'oxyde de sili-25 cium et du matériau semi-conducteur, par exemple du silicium, dans le substrat, on procède à une réduction des oxydes de l'impureté pour libérer l'impureté élémentaire, qui se diffuse ensuite à l'intérieur du matériau semi-conducteur du substrat. D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention 30 ressortiront mieux de l'exposé qui suit fait en référence aux dessins annexés à ce texte, qui représente un mode de réalisation préféré de celle-ci. La figure 1 représente un graphique indiquant les profils de répartition dans le substrat semi-conducteur de deux impurfetés déterminant des types de conductivité différents. 35 La figure 2 représente sous forme de coupes les étapes successives de deux réalisations du procédé selon la présente invention. La figure 3 représente sous forme de coupes les étapes successives d'une autre réalisation du procédé selon la présente invention. On a représenté sur la figure 2,étape 1, une pastille de conductivité 40 de type N ayant une résistivité relativement élevéa de l'ordre de 10 ohm-cm, 70 47129 4 2077264 et d'environ 0,18 à 0,38 mm d'épaisseur, quiest utilisée comme substrat de départ 10. Ce substrat est de préférence une structure de silicium monocristalline fabriquée suivant des techniques classiques, par exemple par tirage de cristaux à partir d'un bain fondu contenant la concentration désirée d'im-5 pureté, puis découpage du cristal en tranches. D'autres substrats semi-conducteurs, tels que le germanium, peuvent être utilisés. Le substrat peut également consister en une couche épitaxiale de matériau semi-conducteur que l'on fait croître sur une surface. Les types de conductivité du substrat et des autres régions représentés 10 à titre d'exemple sur la figure peuvent évidemment être inversés. Un revêtement 11 composé d'un matériau isolant en oxyde de silicium, tel que du dioxyde de silicium, dopé avec tes oxydes d'au moins deux impuretés déterminant des types de conductivité différents, est formé sur la surface du substrat 10. Les oxydes du revêtement 11 peuvent être constitués par n'impor-15 te lesquels des éléments classiques des groupes III et V (impuretés déterminant respectivement des conductivités de type P et de type N) qui sont utilisés lors de diffusionsdans des semi-conducteurs, par exemple du bore, de l'aluminium, du gallium de l'indium, du phosphore, de l'arsenic et de l'antimoine. La couche 11 d'oxyde dopée est de préférence formée à l'aide d'une technique 20 quelconque permettant de former un oxyde de silicium dopé à des températures inférieures à celles auxquelles les impuretés contenues dans la couche d'oxyde diffuseront dans le substrat semi-conducteur. A titre d'exemple, une méthode suivant laquelle du bore est utilisé en tant qu'impureté de type P et de l'arsenic en tant qu'impureté de type N 25 est écrite ci-après. Une couche 11 de dioxyde de silicium, dopée avec des oxydes de bore d'arsenic (As^O^) est formée par dépôt pyrolytique. Le procédé employé pour déposér la couche d'oxyde dopé peut être pratiquement le même que celui décrit dans le brevet des E.U.A. N° 3 200 019, particulièrement dans la figure 1 et les exemples 1 et 2, et dans la publication intitulée 30 "RCA Review" septembre 1965, pages 357-368 (pages359-361 en particulier), à l'exception du fait que, dans la plupart des cas, un certain nombre de dopants sont dissous dans du silicate d'éthyle. Une méthode très commode qui peut être employée pour former une couche de dioxyde de silicium dopée par des oxydes de bore et d'arsenic est la , 35 méthode de dépôt pyrolytique décrite dans un article paru dans la publication intitulée "Journal of the Electrochemical Society", datée de mai 1969, pages 645-648. Le présent procédé peut être virtuellement identique à cette méthode, à cela après que l'on fait barboter le gaz porteur, en l'occurrence de l'argon, non seulement dans 1'orthosilicate de tétraéthyle et dans le borate de 40 tripropyle, mais aussi dans l'arsenate de triéthyte et que l'on mélange les 70 47129 5 2077264 trois vapeurs résultantes. On fait ensuite passer ce mélange sur le substrat de silicium, lequel est maintenu à une température d'environ 690°C à 700°C afin de déposer une couche de dioxyde de silicium, d'une épaisseur de 500Q angstroms, dopée avec du 02^3 ~'',^S203" ^"es vaPeurs sont mélangées oans des proportions 5 telles que la couche 11 ait la composition ci-après : ~ S moles-% As 0 - 15-20 moles-% c, O Si02 - 72-77 moles-% 10 Si l'on utilise un gaz porteur composé d'un mélange d'oxygène et d'argon au lieu d'argon seulement, la température de dépôt peut être abaissée d'environ 700°C à 45Q°C. La couche 11 peut également être formée en deux temps comme l'indique la figure 2, étape 1A. Dans un premier temps, la couche 11b, composée de dioxyde 15 de silicium dopé au est déposée pyrolitiquement suivant la méthode indiquée ci-dessus, en utilisant une combinaison des vapeurs de borate de tripropyle et d'orthosilicate de tétraéthyle seulement. Dans un deuxième temps, la couche 11a, composée de dioxyde de silicium dopé avec de l'As^^, est formée par dépôt pyrolytique préparé de la même façon que ci-dessus à l'exception 20 du fait que l'on utilise un mélange d'arsenate de triéthyle et d'orthosilicate de tétraéthyle. Après l'étape 1 ou 1a ci-dessus, la structure obtenue est ensuite chauffée, pendant l'étape 2, à une température de 1Û50°C pendant 2 à 4 heures pour 25 diffuser l'arsenic et le bore dans le substrat semi-conducteur 10, ce qui permet de former la région de type N 13 dans laquelle l'arsenic est l'impureté prédominante, et la région 12 de type P dans laquelle le bore est l'impureté prédominante. La couche 11 est ensuite retirée et l'on obtient la structure terminée de l'étape 2. Cette dernière structure aura un profil de répartition 30 d'impureté correspondant approximativement à celui représenté sur la figure 1 qui représente la concentration (c) fonction de la distance à partir de la surface (x). L'arsenic dont le taux de diffusibilité dans le substrat de silicium est inférieur à celui du bore, a une concentration initiale, C , à la 21 3 surface du substrat d'environ 2 x 10 at/cm et un profil 14, cependant que le 19 3 35 bore a une concentration initiale, C^ d'environ 6 x 10 at/cm et un profil 15. Entre la surface et le niveau 15 du substrat semi-conducteur, l'arsenic sera donc l'impureté prédominante et la région aura une conductivité de type N (région 13 de la figure 2). Au-dessous du niveau 18, le bore sera l'impureté prédominante et la région 12 aura une conductivité de type P. Le niveau 16 sera la jonction NP représentée sur la figure 2. Après le niveau 17, la concen- 16 17 -3 40 tration du bore tombera au-dessous de 10 à 10 cm , ce qui est le niveau 70 47129 6 2077264 constant d'impureté du substrat 10 de type N. Au-dessous du niveau 17, qui est représenté sur la figure 2 comme étant la jonction PN, le substrat 10 conservera sa conductivité initiale de type N. La couche 11 peut être formée par d'autres méthodes, par exemple, à 5 l'aide de films à peindre qui sont des revêtements composés de dioxyde de silicium et d'un oxyde d'impureté, tel que le contenus dans un liquide volatil approprié. On applique généralement le film à la température ambiante et on laisse le liquide volatil s'évaporer de façon à laisser une couche de dioxyde de silicium contenant l'oxyde de l'impureté. La composition du film 10 ainsi déposé peut être modifiée de façon à ce qu'il comporte un certain nombre d'oxydes d'impuretés différents de même on peut former par peintures succesives deux films contenant respectivement un oxyde d'impureté et une impureté différente. La couche dopée peut également être déposée anodiquement, suivant 15 la méthode décrite dans l'article intitulé "Anodic Oxide Films for Device Fabrication Silicon", par P.F. Schmidt et al, paru dans la publication intitulée "Journal of the Electrochemical Society," datée de juin 1964 pp. 682-685, et décrite également dans un article signé par A.E. Owen etPf. Schmidt paru dans la même publication, en mai 1968, pages 548-553. Etant donné que l'épaisseur des 20 couches déposées anodiquement ne dépasse pas 1000 angstroms, on dépose de préférence une couche d'oxyde de silicium non dopée sur la couche 11 conformément à la méthode décrite dans le dernier article ci-dessus afin de prévenir la perte de dopants par rétrodiffusion dans l'environnement depuis la couche d'oxyde. 25 Les couches d'oxyde de silicium dopées peuvent également être formées en faisant réagir de l'oxygène à un mélange de silane (SiH^) et des hydrides de différentes impuretés. Le silane sera converti en dioxyde de silicium et les hydrides en oxydes de différentes impuretés. Cette méthode est décrite dans la publication intitulée "RCA Review" datée de décembre 1968, pagœ549-556. Le 30 présent procédé utilise les hydrides de différentes impuretés pour former les couches de dioxyde de silicium dopées. Lorsqu'on utilise plusieurs couches d'oxyde de silicium, il n'est pas nécessaire que toutes les couches contiennent du dopant. Par exemple, comme précédemment mentionné, une couche d'oxyde de silicium non dopée peut être 35 utilisée au-dessus des couches dopées pour prévenir une rétrodiffusion dans l'environnement. Une couche non dopée peut également être utilisée entre les couches dopées et le substrat ou entre deux des couches dopées en tant que moyen supplémentaire de commander la diffusion à l'intérieur du substrat. De cette façon, il est possible d'utiliser le taux de diffusibilité d'un ou 40 plusieurs des oxydes d'impureté contenus dans la couche d'oxyde comme moyen 70 47129 7 2077264 de contrôle supplémentaire lors de la formation des régions diffusées dans le substrat. En l'occurrence il ppparaît qua bien que le bore élémentaire ait un taux de diffusibilité (vitesse de diffusion) dans un substrat de silicium plus élevé que l'arsenic élémentaire, l'oxyde de bore a un taux de diffusibilité 5 dans une couche de dioxyde de silicium moins élevé que l'oxyde d'arsenic. Une telle transition des taux de diffusibilité à l'interface entre l'oxyde et le semi-conducteur peut constituer un moyen utile de réaliser des structures diffusées particulières. Lors de la formation de dispositifs particuliers sur des circuits intégrés, il peut être avantageux d'effectuer la diffusion 10 simultanée de diverses impuretés dans une partie d'un substrat semi-conducteur en mime temps que la diffusion d'une autre impureté dans une autre partie du substrat, comme le montre la figure 3. Dans le brevet n° 1 589 396 déposé en France par la demanderesse le 19 mars 1968, on décrit une méthode de réalisation d'une structure planaire de transistor dans laquelle la partie 15 intrinsèque ou active de la base est relativement étroite et possède une résis-tivité élevée, cependant que les parties extrinsèques de la base sur lesquelles les contacts ohmiques doivent être formés sont plus larges plus épais et ont une résistivité moins élevée. La figure 3 montre comment le procédé de la présente invention peut être utilisé pour fabriquer une telle structure de 20 transistor en un seul cycle de diffusion temps/température. Dans l'étape 1, une pastille de silicium de type N ayant une résistivité de l'ordre de 10 ohm-cm et une épaisseur d'environ 0,18 à 0,38 mm est utilisée en tant que substrat de départ 20. Une couche isolante 21 de dioxyde de silicium non dopée est formée suivant une méthode classique quelconque sur la 25 surface du substrat20. Dans le cas présent, étant donné que le substrat 20 est du silicium, la couche isolante 21 peut être formée par oxydation thermique du substrat. Une ouverture 22 est ensuite formée, à l'aide de techniques classiques de décapage par photo-résist et acide, dans la couche 21 (étape 2). L'ouverture 22 a les mêmes dimensions latérales que la région base qui sera 30 ultérieurement formée dans le substrat. La couche 23 composée de dioxyde de silicium dopé au ^2^3 es^ ensu^e formée au-dessus de la structure à l'aide de l'une quelconque des techniques de dépôt précédemment décrites. La couche isolante 21 devrait être suffisamment épaisse pour empêcher toute diffusion du B 0 de la couche 23 dans le substrat 20 pendant le cycle temps/température / «J 35 qui sera utilisé lors de l'étape de diffusion décrite ci-après. Un trou 24 est ensuite décapé suivant des techniques de décapage classiques dans la couche 23 (étape 3). Les dimensions latérales du trou 24 sont celles de la région intrinsèque de base et de la région émetteur qui seront ultérieurement formées dans le substrat. La partie 25 de la couche 23 demeure en contact 40 avec le substrat de silicium 20. La partie 25, dont les dimensions latérales 70 47129 a 2077264 sont celles de la région extrinsèques base qui reste à former dans le substrat, fera fonction de source de dopant pour cette région au cours de l'étape de diffusion ultérieure. Pendant l'étape 4, la couche 26 de dioxyde de silicium dopé avec du ^2^3 5 et de l'As 0 , est déposée suivant l'une quelconque des méthodes précédemment décrites. Les sources de dopant nécessaires pour former le transistor sont alors en contact avec le substrat. La structure est ensuite soumise (étape 5) à un cycle temps/température de 1050°C pendant environ 2 à 4 heures pour former la structure du transistor. 10 Comme précédemment mentionné, le bore diffusé dans le substrat a un taux de diffusibilité dans le silicium plus élevé que l'arsenic. Ainsi, les concentrations d'As^O^ et de dans la couche d'oxyde 26 sont choisies de telle sorte que la double diffusion simultanée depuis la couche d'oxyde 26 ait pour résultat la formation de la région 27 émetteur, dans laquelle l'arsenic prédomine, 15 et de la région 2B intrinsèque base, 28 dans laquelle le bore prédomine. De plus, il est indispensable que la concentration de B2°3 50 plus importante dans la partie 25 de la couche 23 d'oxyde que dans la couche 26 et que cette différence de concentration soit telle qu'elle permette d'obtenir la région 29 extrinsèque base P+ plus épaisse et plus fortement dopée. 20 Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur les dessins les caractéristiques essentielles de l'invention, appliquées à un mods de réalisation préférée de celle-ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles sans pour autant sortir du cadre et de la portée de ladite invention. 70 47129 2077264 REVENDICATIONS 1. Procédé de formation simultanée de plusieurs régions de types de conductivité différents dans un substrat semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend : la formation sur une surface dudit substrat d'une couche composée d'un 5 oxyde de silicium et des oxydes de différentes impuretés ayant des taux de diffusibilité différents dans ledit substrat j et le chauffage dudit substrat après formation de ladite couche afin de diffuser simultanément dans celui-ci les impuretés pour former des régions adjacentes et de types de conductivité différents déterminés respectivement par 10 la prédominance de l'une des dites impuretés dans chacune des dites régions, l'étagement des dites régions par rapport à la surface du substrat étant au moins en partie fonction des taux de diffusibilité respectifs des différentes impuretés. ds 15 2. Procédé de formation simultanée de différentes régions de types conductivité différents dans un substrat semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend : la formation sur une surface dudit substrat d'une première couche composée d'un oxyde de silicium et de l'oxyde d'une première impureté déterminant ' un type donné de conductivité. 20 la formation sur ladite première couche d'au moins une couche supplémentaire composée d'un oxyde de silicium, ladite couche supplémentaire ou au moins une des dites couches supplémentaires contenant l'oxyde d'au moins une impureté supplémentaire déterminant un type donné de conductivité, au moins deux des impuretés contenues dans l'ensemble constitué par la première impureté et par 25 les impuretés supplémentaires ayant des taux de diffusibilité différents dans ledit substrat semi-conducteur j le chauffage du substrat et des dites couches pour diffuser les impuretés déterminant des types donnés de conductivité dans le substrat afin de former diverses régions adjacentes et de conductivités différentes déterminéesù 30 respectivement par la prédominance de l'une des dites impuretés dans chacune des dites régions, l'étagement des dites régions par rapport à la surface du substrat étant au moins en partie fonction des taux de diffusibilité respectifs des impuretés déterminant des types donnés de conductivité. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit substrat 35 semi-conducteur est du silicium. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit oxyde de silicium est du dioxyde de silicium. 70 47129 10 2077264 5. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'une des dites couches supplémentaires contenant l'oxyde d'une seconde impureté déterminant un type donné de conductivité est formée sur ladite première couche, les dites première et deuxième impuretés ayant des taux de diffusibilité différents dans ledit 5 substrat semi-conducteur. 6. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que les dites deux impuretés ayant des taux de diffusibilité différents sont de types de conductivité opposés. 7. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que les dites deux 10 impuretés ayant des taux de diffusibilité différents sont de types de conductivité identiques mais aussi en ce que les régions formées dans le substrat dans lesquelles chacune des deux impuretés prédomine respectivement diffèrent l'une de l'autre par leur niveau de conductivité. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que deux des impuretés 15 déterminant un type donné de conductivité sont de typœ de conductivitésupposés. 9. Structure semi-conductrice caractérisée en ce qu'elle comprend : un substrat semi-conducteur, un revêtement à la surface dudit substrat comportant un oxyde de silicium st les oxydes d'une pluralité d'impuretés différentes, les dites impuretés 20 ayant des taux de diffusibilité différents dans ledit substrat. 10. Structure .semi-conductrice caractérisée en ce qu'elle comprend ; un substrat semi-conducteur, une première couche sur la surface dudit substrat comportant un oxyde de silicium et un oxyde d'une première impureté, 25 au moins une couche supplémentaire comportant un oxyde de silicium, au moins uné des couches supplémentaires ou la couche supplémentaire contenant un oxyde d'autre moins une impureté supplémentaire, enfin la première impureté et au moins une des impuretés supplémentaires ayant des taux de diffusibilité différents dans ledit substrat semi-conducteur.