FR 2068673 A1 19710827 FR 7042583 A 19701126 La présente invention concerne un circuit comportant une pellicule isolante sur le support ou substrat ainsi que son procédé de fabrication et, en particulier, un circuit comportant une pellicule isolante ainsi que son procédé de fabrication, dans lesquels (a) la pellicule est formée à partir de la phase vapeur sur la pellicule de passivation présente sur la surface du substrat d'un dispositif à semiconducteurs ou sous la forme d'un isolant entre des conducteurs destinés à une interconnexion multicouche et (b) la pellicule est en outre soumise à un traitement destiné à diminuer le nombre de pores, traitement que lson appellera par la suite "la densification". Dans un dispositif à semiconducteurs ou un circuit à pellicules minces comportant une structure dtinterconnexion multicouche, il est nécessaire qu'une matière isolante soit déposée à partir de la phase vapeur sur la surface du substrat ou support de façon à former une pellicule isolante. Comme procédé pour former par dépôt une telle pellicule, on connalt déjà, par exemple, le procédé de croissance en phase vapeur, le procédé de décomposition thermique et le procédé d'évaporation sous vide. Toutefois, une pellicule obtenue par dépôt selon ces procédés est généralement poreuse et a une faible résistance à liteau et aux produits chimiques.En conséquence, quand on forme une pellicule métallique, par exemple, sur la surface de la pellicule et qu'on l'élimine par une attaque à l'acide suivant une configuration désirée, les caractéristiques de surface du substrat semiconducteur se trouvent détériorées ou bien les connexions métalliques présentes dans a couche inférieure se trouvent abtmées. Par ailleurs, en plus des inconvénients ci-dessus, la pellicule déposée telle que décrite ci-avant a un caractère tel qu'elle est rapidement attaquée par un réactif corrosif et, en conséquence, ce que l'on appelle les phénomènes de corrosion latérale sont très prononcés, ce qui rend difficile un travail fin sur la pellicule déposée, comme par exemple la formation d'un trou pour une connexion de conducteur.Par ailleurs encore, la pellicule mentionnée ci-dessus présente un autre inconvénient en ce sens que sa résistance mécanique est faible, que des fissures sont produites par les contraintes qui prennent naissance lorsque la pellicule en cours de formation est épaisse et il s'ensuit qu'il est pratiquement impossible de former une pellicule épaisse.De plus, lorsque la pellicule est formée de manière à être adjacente à une couche ayant un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la pellicule, par exemple la couche formant les conducteurs de connexion, les contraintes existantes dans la pellicule elle-même et celles résultant de la différence de coefficient de dilatation thermique entre la pellicule et ladite couche entralnent la formation de fissures-, spécialement dans la région de la pellicule qui est adjacente à la couche formant les conducteurs. Selon la technique antérieure, afin de remédier à ces inconvénients, on a adopté un procédé dans lequel la pellicule isolante déposée est soumise à un traitement thermique sous températures élevées d'environ 800 à 1000 C, de sorte que la structure de la pellicule peut être "densifiée".Toutefois, selon le procédé ci-dessus exigeant le traitement thermique à des températures élevées, des impuretés actives telles que des ions Na+ sont susceptibles d'être introduites dans la pellicule isolante pendant le traitement thermique et, particulièrement lorsque la pellicule est appliquée à un dispositif à semiconducteurs, l'effet de passivation du dispositif à semiconducteurs peut se trouver diminué, En outre, du fait que le traitement thermique à des températures élevées entralne un effet de déformation sur les jonctions P-N formées dans le substrat semiconducteur, les caractéristiques électriques de l'élément semiconducteur peuvent être modifiées de façon nuisible. Par ailleurs, lorsque la pellicule déposée est appliquée à un substrat comprenant un conducteur métallique destiné aux connexions, par exemple, le procédé de la technique antérieure exigeant le traitement thermique à des températures élevées présente un autre inconvénient. Par exemple, lorsque les connexions ou électrodes mentionnées ci-dessus sont formées par un métal ayant un point de fusion relativement bas, par exemple l'aluminium utilisé comme un matériau conducteur le plus courant dans le domaine des dispositifs à semiconducteurs, les connexions peuvent se trouver coupées ou bien leur valeur ohmique peut se trouver accrue du fait d'une fusion ou de réactions, telles qu'une oxydation, etc..., du fait que le substrat est soumis au traitement thermique à des températures élevées qui entraîne des défauts d'une importance capitale. Quand les connexions sont formées par un métal qui se révèle actif vis-à-vis du semiconducteur, le métal peut facilement diffuser dans la couche isolante sous-jacente et dans le subsrat semiconducteur du fait du chauffage, ce qui entraîne une dégradation des caractéristiques des connexions ou de l'élément semiconducteur. Comme autre procédé caractéristique pour former une pellicule isolante par dépôt à partir de la phase vapeur, on connaît le procédé de dépôt par pulvérisation, le procédé de dépôt par décharges luminescentes, le procédé de dépôt par décomposition thermique. Selon ces procédés, on peut obtenir par dépôt une pellicule ayant une structure densifiée à la différence des procédés mentionnés ci-dessus, comme, par exemple le procédé de croissance en phase vapeur. Toutefois, ces procédés présentent l'inconvénient qu'un temps important est nécessaire pour former la pellicule et qu'il faut plus de dix fois le temps nécessaire au procédé de croissance en phase vapeur pour former une pellicule ayant une épaisseur identique. En outre, ces procédés présentent un autre inconvénient en ce sens que l'appareil servant à former la pellicule est compliqué et que 1 on peut difficilement le maintenir exempt d'impuretés, d'où il résulte que des poussières présentes dans cet appareil sont à l'origine de trous minuscules ou "trous d'épingles" présents dans la pellicule déposée.Un autre inconvénient des procédés de formation de pellicules par pulvérisation et par décharges luminescentes réside dans le fait que la surface du substrat subit l'influence de la décharge pendant que la pellicule se forme et, en particulier, lorsqu une pellicule isolante est formée directement sur la surface d'une sous-couche ou substrat semiconducteur comportant des jonctions P-N > les jonctions P-N se trouvent endommagées, ce qui détériore les caractéristiques du circuit. En conséquence, il est pratiquement impossible d'utiliser les procédés de formation de pellicule par pulvérisation et par décharges luminescentes pour former directement une pellicule sur la surface d'un substrat semiconducteur. La présente invention a pour objet un nouveau circuit comportant une pellicule isolante densifiée sur la surface du substrat ainsi que le procédé de fabrication de ce circuit. La présente invention a aussi pour but un nouveau procédé pour former une pellicule isolante, procédé dans lequel la pellicule isolante servant à isoler les couches conductrices les unes des autres, en cas d'une interconnexion multicouche, ne peut pas se fissurer. Un autre but encore de la présente invention réside dans un circuit comportant des pellicules isolantes dont la vitesse à laquelle elles sont attaquées par un agent corrosif, vitesse que l'on appellera vitesse de corrosion est relativement faible et dont la résistance à l'humidité e-st élevée, la présente invention visant également le procédé de fabrication de ce circuit. Un autre but encore de la présente invention réside dans un nouveau procédé pour former une pellicule isolante de grande épaisseur exempte de fissure. Les moyens généraux de la présente invention qui permettent d'obtenir les fins précitées consistent (a) à déposer une pellicule poreuse sur la surface d'un substrat ou support en pré- sente de températures relativement faibles au moyen du procédé par croissance en phase vapeur, du procédé par décomposition thermique ou du procédé par évaporation sous vide et (b) à exposer la surface de la pellicule à un plasma résultant d'une décharge électrique et consistant en des particules possédant une énergie relatiyement faible, de sorte que la structure de la pellicule déposée peut être densifiée au moins partiellement à partir de la surface. On peut obtenir le plasma mentionné ci-dessus en soumettant à une décharge électrique sous une tension comprise entre plusieurs dizaines et plusieurs centaines de volts un gaz inerte, comme l'argon ou le xénon, à une pression comprise entre plusieurs mm et 1 x 10 3mm de Hg, par exemple, et on place le substrat sur la surface duquel a été déposée la pellicule poreuse au voisinage ou bien au sein du plasma de façon à l'exposer aux particules à faible charge énergétique du plasma, cela de manière telle que le plasma puisse continuer à être le siège d'une décharge électrique. Ce procédé sera appelé par la suite "le traitement au plasma Un avantage principal de la présente invention réside. dans le fait qu'il est possible de densifier la pellicule poreuse déposée à une faible température comprise entre la température ambiante et environ 7000C, température qui est sans effet sur la structure du substrat. En d'autres termes, grâce à la présente invention, on peut éliminer la majeure partie des inconvénients que présentaient les procédés antérieurs dans lesquels la densification était effectuée par un traitement sous température élevée. Un autre avantage de la présente invention réside dans le fait qu'il est possible de former par dépôt en un temps très court une pellicule. isolante densifiée. En d'autres termes, grâce à la présente invention, on forme par dépôt une pellicule au moyen d'un procédé demandant un temps de traitement essentiellement court, par exemple le procédé de croissance en phase vapeur, le procédé par décomposition thermique ou le procédé par évaporation sous vide et, ensuite, on soumet la pellicule déposée au traitement au plasma pour densifier la structure de cette pellicule. Le traitement au plasma peut prendre fin, en général après plusieurs dizaines de minutes, bien que le temps exigé dépend de l'énergie des particules chargées du plasma et de l'épaisseur sur laquelle la pellicule déposée doit être densifiée à partir de la surface. Un autre avantage encore de la présente invention réside dans le fait qu'il est possible de former sans apparition de fissures une pellicule isolante de grande épaisseur qu il est impossible de former avec les procédés antérieurs. On obtient ce résultat en appliquant successivement un procédé pour déposer une pellicule poreuse jusqu a une épaisseur n' entraînant pas de fissures et un procédé pour densifier la pellicule poreuse par un traitement au plasma.Par exemple, conformément à la technique antérieure, l'épaisseur de la pellicule est pratiquement limitée à environ 8000 à 10000 A sur une couche d'aluminium tandis que, conformément à la présente invention, on peut facilement former, sans apparition de fissures, une pellicule qui est 1,5 à 2 fois plus épaisse que celle obtenue par la technique antérieure, cela grâce à l'application répétée du traitement de densification.La possibilité de former une pellicule isolante épaisse est avantageuse non seulement parce qu'elle augmente l'effet isolant mais encore parce que, du fait qu'il est possible, par exemple dans un dispositif comportant une interconnexion multicouche, de donner à chaque couche conductrice une épaisseur plus grande que dans la technique antérieure, il est possible d'utiliser le dispositif avec des densités de courant élevées et de réduire la capacité parasite entre la couche conductrice et la pellicule isolante en diminuant la largeur de la couche conductrice. Un autre avantage encore de la présente invention réside dans le fait que l'on obtient une pellicule isolante qui présente des vitesses de corrosion différentes dans la direction perpendiculaire à la surface et à travers laquelle des trous de forme désirable peuvent être pratiqués au moyen d'un réactif corrosif. Un autre avantage encore de la présente invention réside dans le fait qu'on forme par dépôt une pellicule isolante analogue à une couche entre une première couche conductrice et une seconde couche conductrice et qu'on densifie la structure d'au moins la partie de la pellicule qui est adjacente à la surface de la première couche conductrice, grâce à quoi on évite les fissures qui prenaient fâcheusement naissance dans la technique antérieure. En outre, la'effet de densification du traitement au plasma sur une pellicule déposée, cela conformément à laprésente invention, mn seulement ne se limite pas au cas ou la surface de la pellicule est exposée mais est aussi obtenu lorsqu'onforme une pellicule métallique d'environ 300 à 800 A sur la surface de la pellicule déposée. Si une pellicule isolante dont la surface a été précédemment revêtue d'une pellicule métallique e-st soumise au traitement au plasma, la pellicule isolante peut être densifiée sans détérioration du substrat par les particules chargées bombardant la pellicule isolante.Par conséquent, grâce à la présente invention, il est possible de former air un substrat ou support semiconducteur une pellicule isolante densifiée et comportant très peu de trous d'épingle, cela sans détériorer la surface ou corps du substrat. Les caractéristiques et avantages ci-dessus ainsi que d'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront au cours de la description détaillée faite ci-après en référence au dessin annexé sur lequel la fig. 1 illustre un appareil pour créer des plasmas par décharge électrique; la fig. 2 est un graphique illustrant la variation de la vitesse de corrosion des pellicules isolantes, cela pour comparer l'effet dqta présente invention avec celui de la technique antérieure; sur ce graphique la vitesse de corrosion (exprimée en A par minute) est portée en ordonnées et la distance (exprimée en microns) à partir de la surface de la pellicule est portée en abscisses; la fig. 3 est une coupe montrant une pellicule isolante formée conformément à la présente invention et à l'état photogravé; les fig. 4 et 5 sont des coupes d'un mode de réalisation de la présente invention dans lequel la présente invention est appliquée pour former la pellicule de protection de surface d'un dispositif à semiconducteurs; la fig. 6 est une coupe d'un autre mode de réalisation de la présente invention dans lequel la présente invention est appliquée à une structure d'interconnexion multicouche; la fig. 7 est une coupe agrandie d'une partie de la fig. 6; et les fig. 8 et 9 sont des coupes d'un autre mode de réa ~lisation-ncore de la présente invention dans lequel la présente invention est apiquée à une structure d'interconnexion multicouche. Description mode de réalisation 1. La fig. 1 montre la structure générale d'un appareil permettant d'effectuer le traitement au plasma dans le procédé de la présente invention. Sur la fig. 1, la référence 1 désigne un tube en une matière inerte, par exemple du quartz, et capable d'en fermer un gaz, les références 2 et 3 désignent respectivement des électrodes positives et négatives, la référence 4 désigne un support servant au montage d'un échantillon 5 sur ce support, la référence -6 désigne une bobine qui engendre un champ magnétique et qui est placée à l'extérieur du tube 1 pour concentrer le plasma 7 formé entre l'électrode positive 2 et l'électrode négative 3 et pour maintenir constante la formation du plasma. On forme le plasma 7 comme suit.On évacue l'air présent dans le tube 1 au moyen d'une pompe à diffusion 8, on introduit ensuite dans le tube une petite quantité d'argon à partir d'une source 9, de façon que la pression régnant dans le tube 1 puisse être de 1,5 x 10 3 mm de Hg par exemple, et finalement, on applique une tension de décharge prédéterminée à partir d'une source de tension 10 entre l'électrode positive 2 et l'électrode négative 3. De préférence, l'électrode négative 3 est du type cathode chaude et elle est conçue de manière à pouvoir former un plasma à une tension de décharge faible de plusieurs dizaines à plusieurs centaines de volts. L'échantillon 5 comporte, sur sa surface, une pellicule 11 qui y a été déposée, et on le monte sur le dispositif de support 4 de manière que la surface de la pellicule déposée 11 soit parallèle à l'écoulement du plasma 7.Bien que le plasma 7 soit "pincé", c' est-à-dire concentré, par l'action de la bobine 6, créant un champ magnétique, comme représenté sur la fig. 1, on peut utiliser, pour mettre en oeuvre la présente invention, un appareil ne comportant pas la bobine 6. En d'autres termes, le plasma 7 peut former entre l'électrode positive et l'électrode négative 3 sans être concentré à partir de l'extérieur. En outre on peut utiliser un appareil de création de plasma dans lequel on applique une tension haute fréquence entre l'électrode positive 2 et l'électrode négative 3 pour créer la décharge. La fig. 2 est un graphique montrant comment, dans une pellicule obtenue par dépôt, la vitesse de corrosion (portée en ordonnées) varie en fonction de la distance ou épaisseur (portée en abscisses)- à partir de la surface, tant pour un échantillon n'ayant pas été soumis au traitement au- plasma conformément à la technique antérieure que pour des échantillons ayant été soumis au traitement au plasma conformément à la présente invention; cette figure montre l'effet de la densification sur une pellicule formée par dépôt et conforme à la présente invention.Dans ces expériences, les échantillons sont constitués chacun par un substrat en silicium comportant une pellicule de bioxyde de silicium (Si02) de o,8 d'épaisseur formée sur la surface du substrat par le procédé chimique de croissance en phase vapeur dans lequel du monosilane (SiH4) et de l'oxygène (02) sont amenés à réagir directement à une température basse comprise entre 300 et 5000C. Le traitement au plasma décrit ci-dessus a été effectué avec le plasma formé en soumettant de l'argon, enfermé sous une pression de 1,5 xl0-3 mm de Hg, à une décharge électrique au moyen d'une tension de décharge de 50 volts, les échantillons ayant été maintenus à une température inférieure à 3000C. Sur la fig. 2, la lettre A désigne un échantillon obtenu conformément à la technique antérieure, les lettres B et C désignent toutes deux des échantillons obtenus conformément à la présente invention, l'échantillon B ayant été soumis à un traitement au plasma de 30 minutes tandis que l'échantillon C a été soumis à un traitement au plasma d'une heure. La vitesse de corrosion de chaque échantillon est mesurée par rapport à ce qu'on appelle la solution corrosive P, c'est-à-dire un réactif corrosif que l'on obtient en mélangeant ensemble 50% en poids d'acide fluorhydrique, 60% en poids d'acide nitrique et de l'eau dans le rapport de 15:10:300. Comme il est bien connu, plus la pellicule de Si02 est densifiée, plus faible est la vitesse à laquelle cette pellicule est attaquée par la solution corrosive P.Sur la fig. 2, on voit que les échantillons correspondant à B ou-C ont des vitesses de corrosion plus faibles que celle correspondant à A dans la gamme de 0,4 à 0,5p. Ceci revient à dire que la surface de la pellicule a été sans aucun doute densifiée par le traitement au plasma conformément à la présente invention. En outre, si l'on compare la courbe B et la courbe C, il est évident que l'on peut régler le degré de densification par la durée du traitement au plasma. En outre, quand on enferme dans le tube du xénon et non pas de l'argon et que l'on soumet la pellicule de Si02 au traitement de densification au moyen du plasma au xénon formé dans les mêmes conditions que pour l'argon, -on obtient un degré plus élevé de densification. I1 s' ensuit que l'on peut conclure que l'effet de densification sur la pellicule composite croît à mesure que le nombre de masse du gaz enfermé augmente. La fig. 3 montre une pellicule de bioxyde de silicium (silo2) 22 formée par dépôt et à l'état photogravé, cette pellicule ayant été formée sur un substrat de silicium et ayant été soumise au traitement au plasma conformément à la présente invention. La référence 23 désigne une couche de photorésitecomportant une ouverture 24 destinée à permettre d'attaquer localement la pellicule 22 de SiO2.Du fait que la pellicule 22 de SiO2 est densifiée à partir de sa surface par suite du traitement au plasma, comme représenté sur la fig. 2, et que sa structure est telle que la vitesse de corrosion augmente progressivement dans le sens de l'épaisseur de la pellicule, on peut exécuter l'attaque à l'acide de la pellicule de Si02 plus facilement dans la direction de l'épaisseur que le long de la surface 10, d'où il s'ensuit, comme représenté sur la fig. 3, que le phénomène d'attaque latérale se manifeste à peine. Si on n'a pas appliqué le traitement au plasma, la vitesse de corrosion de la pellicule 22 de SiO2 est la même dans le sens de l'épaisseur que le long de la surface et, comme représenté par les traits interrompus 25 sur la fig. 3 il se produit une corrosion latérale sur une distance sensiblement égale à l'épaisseur de la pellicule de SiO2.D'après ce qui précède, il est évident que l'on peut obtenir dans une pellicule ialante un processus d'attaque à l'acide qui est plus précis dans le cas de la présente invention que dans le cas de la technique antérieure. Description du mode de réalisation 2. Comme autre mode de réalisation de la présente invention, on va décrire en se référant aux fig. 4 et 5 un dispositif à semiconducteurs comportant, comme pellicule de protection, une pellicule isolante soumise au traitement au plasma. Dans un dispositif à semiconducteurs, particulièrement celui comportant.des jonctions P-N se terminant à la surface du substrat semiconducteur, par exemple un transistor ou une diode du type planar, des ions actifs, tels que des ions Na > peuvent pénétrer dans une couche isolante, telle qu'une pellicule de Si02, utilisée comme masque, quand des impuretés sont diffusées pour former des jonctions P-N et, par conséquent, lorsque la pellicule reste sur le substrat en tant que pellicule de protection de la surface, il se manifeste certains phénomènes, par exemple ce que l'on appelle la'effet de canal, entraînant une instabilité des caractéristiques du dispositif à semiconducteurs. On connaît un procédé pour stabiliser les caractéristiques de surface d'un tel dispositif à semiconducteurs, procédé dans lequel on enlève complètement, après la formation des jonctions P-N, la pellicule isolante se trouvant sur la surface du substrat semiconducteur et, à la place de -cette pellicule, on forme par dépôt une pellicule isolante pure. Sur la fig. 4, une pellicule 30 formée sur la surface d'un substrat semiconducteur '26 est une pellicule isolante déposée ainsi formée. Le substrat semiconducteur 26 peut être en silicium de type P et comprend une région 27 de type N ainsi qu'une région 28 de type P que l'on obtient par diffusion d'impuretés pour former une diode, par exemple. La pellicule isolante déposée 30 est formée, dans ce cas, par une pellicule de SiO2 d'environ o,6 d'épaisseur obtenue par réaction de monosilane et d'oxygène et par croissance en phase vapeur. Afin de densifier, conformément à la présente invention, la pellicule directement formée par dépôt sur la surface du substrat semiconducteur comprenant des jonctions P-N, cela sans détériorer les caractéristiques de surface du substrat, on peut soumettre la surface de la pellicule 30au traitement au plasma, la surface de cette pellicule étant revêtue d'une mince pellicule métallique 31 d'environ 300 à 800 A d'épaisseur. La pellicule métallique 31 peut être faite d'un métal, tel que l'aluminium ou le molybdène, utilisé habituellement comme pellicule conductrice dans le domaine des dispositifs à semiconducteurs et peut être appliquée à la surface de la pellicule 30 par tout procédé approprié, par exemple par évaporation sous vide.On peut enlever complètement de la surface de la pellicule de Si02 la pellicule métallique 31 après le traitement au plasma destiné à densifier la pellicule de S102 ou bien, au lieu de l'enlever, on peut l'utiliser comme masque pour la photogravure de la pellicule de Si02. La fig. 5 montre une diode fabriquée en effectuant les opérations suivantes. On perfore au moyen de la technique de photogravure la pellicule 30 de SiO2 densifiée comme décrit ci-dessus pour réaliser la région 27 de type N et la région 28 de type P qui se trouve découverte par les ouvertures ainsi pratiquées, on fait alors évaporer l'aluminium de façon qu'il vienne en contact avec les régions 27 et 28 et on effectue une photogravure de manière à former les contacts ohmiques 32a et 32b des électrodes respectives positive et négative de la diode. Les caractéristiques d'une pellicule de Si02 utilisée comme pellicule de protection densifiée par le traitement au plasma, particulièrement ses caractéristiques de résistance à l'humidité, peuvent être mises en évidence comme suit. On prépare deux diodes, l'une étant traitée au plasma conformément à la présente invention tandis que l'autre n'est pas traitée au plasma conformément à la technique antérieure, et on détériore par force ces deux diodes en les traitant avec de la vapeur d'eau sous pression.La demanderesse a cherché a savoir, lorsque les deux diodes telles que décrites ci-dessus sont détériorées par force par un procédé dans lequel on les place d'abord pendant 15 minutes dans de la vapeur d'eau sous une pression de 1,08 kg/cm2 et à une température de 1220C et, ensuite, on les place pendant 15 minutes dans l'atmosphère de façon qu'elles sèchent naturellement puis on réapplique les procédés cidessus, combien de fois il faut soumettre à la vapeur les diodes pour que les caractéristiques inverses tension-courant de ces diodes se détériorent rapidement. Ensuite, on évalue les caractéristiques des diodes par la valeur que présente la tension inverse lorsqu'un courant de 3 x 10-3A circule dans le sens inverse.Les valeurs de tension inverse pour la diode conforme à la présente invention et pour celle conforme à la technique antérieure sont toutes deux de 50 volts avant la détérioration forcée mais, après le quatrième traitement à la vapeur, les caractéristiques de la diode de la technique antérieure se sont détériorées rapidement et la valeur de tension inverse est tombée entre 1 et 2 volts. Par ailleurs, la diode conforme à la présente invention a continué à présenter une tension inverse de 40 à 50 volts et ses caractéristiques se sont à peine détériorées. En conséquence, on peut considérer qu'une pellicule déposée soumise au traitement au plasma conformément à la présente invention présente de toute évidence une résistance accrue à l'humidité. Description du mode de réalisation 3. La fig. 6 montre un autre mode de réalisation encore de la présente invention dans lequel la densification d'une pellicule isolante déposée au moyen du traitement au plasma est appliquée à une pellicule isolante se trouvant entre des couches conductrices dans la structure d' interconnexion multicouche. Dans ce mode de réalisation, un substrat ou support 40 est constitué par un substrat semiconducteur constituant un circuit intégré monolithique et comprend des structures d'éléments de circuit formées par diffusion d'impuretés, par exemple un transistor 41 et une diode 42.La référence 43 désigne une première pellicule isolante de Si02, par exemple, formée sur la surface du- substrat semiconducteur 40, la référence 44 désigne une première couche conductrice appliquée et formée sur la pellicule isolante 43 et se raccordant sélectivement à travers des perforations 43, pratiquées à travers la pellicule, à des régions formant des éléments de circuit dans le substrat semiconducteur. La couche conductrice 44 peut être formée da- luminium déposé. Pour empêcher la formation de fissures, on peut former une seconde pellicule isolante 45 suivant les deux procédés suivantes, par exemple. En premier, on place le substrat 40 dans une chambre de réaction destinée à une oxydation de monosilane, cette chambre étant montée sur une plaque chauffée maintenue à une tempe- rature de 350 à 4500C et tournant avec une vitesse de rotation de 20 à 40 tours par minute, et on introduit au voisinage immédiat du substrat un gaz composé de monosilane (SiH4) dilué (4%) dans de l'azote et de l'oxygène (02) et mélangé suivant un rapport de 0,8 1/minute à 0,5 I/minute. I1 en résulte qu'une pellicule 45a de SiO2 se dépose à une vitesse de croissance de 0,2 à 0,3 minute sur la première couche conductrice 44 et sur la première pellicule découverte 43 de SiO2. Cette pellicule 45a de Si02 a une structure poreuse et a une épaisseur de 0,4 à 0,5 .Ensuite, pour densifier la structure de la pellicule 45a de Si02 et pour augmenter sa résistance mécanique, on expose la surface de la pellicule 45a de Si02 pendant environ 1 heure à un plasma que l'on obtient au moyen de décharges électriques à une tension de décharge de 50 volts dans de l'argon sous une pression de 15 x 10 3 mm de Hg. On nettoie la surface de la pellicule traitée au plasma 45a de SiO2 avec une solution d'un mélange d'acide nitrique (HNO3) et d'acide chlorhydrique (HC1) dans le but d'enlever les impuretés qui, éventuellement, adhèrent à la surface pendant le traitement au plasma. Après cette opération, on place de nouveau le substrat 40 dans la chambre de réaction où est effectuée l'oxydation du monosilane afin de déposer une nouvelle couche de Si02, dans les mêmes conditions que celles décrites précédemment, et il en résulte qu'une pellicule 45b de SiO2 ayant une épaisseur de 0,9 a 1,0 se trouve formée. On perfore alors la seconde pellicule isolante rést tante 45 dont l'épaisseur est de 1,3 et 1,5 au moyen de la technique bien connue de photogravure en utilisant une "photorésiste" de type connu, une seconde couche conductrice 46, raccordée à la première couche conductrice d'une façon prédéterminée, étant formée sur ladite pellicule 45. Dans ce mode de réalisation, en ce qui concerne la seconde pellicule isolante 45, seule la pellicule 45a de SiO2 disposée la première est soumise au traitement au plasma tandis que la pellicule 45b de SiO2 déposée ensuite n'est pas traitée au plasma mais reste poreuse. On opère ainsi pour la raison suivante.Comme représenté sur la fig. 7, quand la pellicule inférieure 45a de Si02 est densifiée alors que la pellicule supérieure 45b de SiO2 reste poreuse, c 'est-à-dire que la-vitesse de corrosion de la pellicule 45a est élevée et celle de la pellicule 45b est faible, et qu'une perforation 47 est pratiquée au moyen de la technique de photogravure, il s'ensuit, du fait de la différence de la vitesse de corrosion, que la paroi intérieure de la perforation 47 présente une légère pente sur la totalité de l'épaisseur de la pellicule supérieure 45b tandis qu'elle présente une pente nulle sur la totalité de la pellicule inférieure 45a, grâce à quoi, quand on fait évaporer la pellicule métallique conductrice 46, cette dernière peut être évaporée sur une grande épaisseur dans la partie supérieure 47a de la perforation, de sorte que la couche conductrice se trouve remarquablement protégée contre toute coupure. Description du mode de réalisation 4. Sur la fig. 8, la référence 50 désigne le substrat d'un circuit intégré semiconducteur constitué par du silicium, par exemple. Le substrat 50 comprend des éléments de circuit 51, tel que des transistors, des diodes ou des résistances obtenues par diffusion d impuretés , et il est revêtu sur sa surface d'une pellicule 52 de SiO2 ayant une épaisseur d'environ 6000 A. La pellicule 52 de SiO2 est formée par chauffage et oxydation du substrat de silicium et, de ce fait, la pellicule 52 a une structure dense et une résistance mécanique élevée. La référence 53 désigne un premier conducteur de connexion et peut être en un métal ayant un point de fusion élevé, tel que l'aluminium, le molybdène, le tungstène, le titane, le tantale, le vanadium ou le chrome, ou bien en métaux nobles en une seule ou plusieurs couches, tels que l'or, l'argent et le platine.On forme par photogravure la première couche conductrice 53 suivant un dessin prédéterminé et on applique et forme une pellicule métallique sur la surface de la pellicule 52 de SiO2 52 après que lton ait enlevé une partie 54 de la pellicule/ de SiO2 par la technique de photogravure, de manière qu'une région prédéterminée du substrat de silicium 50 soit partiellement découverte. La référence 55 est une pellicule de SiO2 déposée de manière à revêtir la première couche conductrice. La pellicule 55 de SiO2 est formée comme suit. On place le substrat de silicium 10 maintenu à une température d'environ 450"C dans un mélange de gaz composé de monosilane (SiH4) que l'on dilue dans de l'azote et de l'oxygène pour le décomposer et l'oxyder.On forme la pellicule 55 de SiO2 en lui donnant une épaisseur de 3000 A, par exemple, et, ensuite, on densifie la structure de la pellicule afin d'augmenter sa résistance mécanique. On peut effectuer une telle densification comme suit. Par exemple, on expose la pellicule 55 de SiO2 pendant environ 1 heure à un plasma de faible énergie obtenu par décharge électrique sous une tension relativement faible d'environ 50 volts dans une atmosphère d'argon enfermé sous une pression de 1,5 x lo 3 mm de Hg. La référence 56 désigne une pellicule de Si02 qui est formée par dépôt de manière à recouvrir la pellicule densifiée 55 de SiO2 et de façon, conjointement avec la pellicule 55, à isoler entièrement les couches conductrices les unes des autres. La pellicule 56 peut être formée par une décomposition et une oxydation de SiH4 exactement comme la pellicule densifiée 55 de SiO2. On forme par exemple la pellicule 56 de SiO2 de façon qu'elle ait une épaisseur d'environ 6000 à 8000 A et, après avoir pratiqué des perforations en vue d'une connexion à la première couche conductrice à travers les pellicules isolantes 55 et 56, on soumet la pellicule 56 de SiO2 au même traitement au plasma que celui décrit ci-dessus pendant environ 20 minutes de façon à densifier sa couche superficielle 57. La référence 58 désigne une seconde couche conductrice qui -est faite d'un dépôt de métal, par exemple de l'aluminium, choisi parmi les métaux mentionnés comme étant ceux convenant pour la première couche conductrice, et on soumet à une photogravure la seconde couche conductrice pour lui donner une configuration prédéterminée. Dans la structure d'interconnexion multicouche ainsi obtenue conformément à la présente invention, du fait que la pellicule isolante 55 adjacente à la première couche conductrice 53 est densifiée dans sa structure de manière que sa résistance mécanique soit augmentée par rapport à celle d'une pellicule déposée de façon classique, la pellicule déposée 56 peut, en outre, être formée sur la pellicule 55 pour augmenter l'épaisseur totale des pellicules isolantes et, de plus, pour empêcher la formation de fissures pouvant prendre naissance en raison du cycle thermique. I1 en résulte que les couches conductrices ne peuvent pas être court-circuitées et que l'on obtient de bons résultats. Description du mode de réalisation 5. La fig. 9 montre une structure modifiée du mode de réalisation représenté sur la fig. 8. De façon plus particulière, une pellicule isolante densifiée 55' > qui est formée de manière à recouvrir la première couche conductrice 53, est limitée aux parties adjacentes de la couche conductrice 53. Une telle structure peut être obtenue comme suit. On forme une première pellicule isolante sur la surface totale d'un substrat de silicium et, après avoir pratiqué des perforations prédéterminées, on dépose une couche conductrice métallique sur laquelle est en outre déposée de façon homogène une seconde couche isolante et, après avoir densifié la seconde pellicule isolante, on élimine par photogravure les parties inutiles de la couche conductrice ainsi que la pellicule isolante qui se trouve sur ces parties. Dans ces modes de réalisation, la présente invention est utilisée pour la structure d'intereonnexion multicouche de dispositifs à circuits intégrés du type monolithique, mais il est évident que le procédé conforme à la présente invention peut éga- lement être appliqué au cas où le substrat est en un autre matériau qu'un semiconducteur, par exemple un matériau isolant tel qu'une céramique. En outre, même lorsqu'unie pellicule isolante est utilisée comme pellicule protectrice recouvrant la couche conductrice supé- rieure extrême par exemple et non pas comme un élément isolant entre les couches conductrices, il est évidemment possible de traiter au plasma la pellicule isolante, conformément à la présente invention, et ses caractéristiques en tant que pellicule protectrice se trouvent améliorées. Dans ce cas, il est en outre possible de densifier totalement la pellicule en répétant successivement le dépôt d'une matière isolante et le traitement au plasma. Les caractéristiques et les résultats du procédé de la présente invention apparaissent dans l'exposé qui précède; toutefois, les effets de la présente invention ne se limi%pas au cas où la pellicule isolante est en bioxyde de silicium obtenu par décomposition thermique et oxydation de monosilane comme décrit ci-dessus à propos des modes de réalisation.En d'autres termes, les ré sultats de la présente invention sont aussi importants que dans les modes de réalisation décrits ci-dessus même lorsque la pellicule isolante n'est pas constituée par le bioxyde de silicium décrit ci-dessus mais est constituée, par exemple, par du bioxyde de silicium formé par d'autres procédés tels que le procédé de décomposition thermique de tétraéthoxysilane (Si(OC2H2)4, du verre phosphosilicaté ou du verre borosilicaté formé par le procédé d'oxydation du monosilane avec de la phosphine (PH3) -ou du diborane (B2H6) dilué dans de l'azote fourni en même temps que du monosilane (pu53 ou bien un autre verre aluminosilicaté, c'est-à-dire même lorsque la pellicule isolante est constituée par une matière poreuse déposée d'un autre genre. Pa conséquent, la présente invention se révèle très avantageuse dans le domaine de fabrication des dispositifs à semiconducteurs et des dispositifs à circuits miniaturisés. I1 est bien entendu que la description qui précède n' a été donnée qu a titre purement illustratif et non limitatif et que des variantes ou des modifications peuvent y être apportées sans sortir pour autant du cadre général de la présente invention. REVENDICATIONS 1. Circuit comportant sur une surface d'un support ou substrat une pellicule isolante formée par dépôt, ce dispositif étant caractérisé par le fait que la pellicule isolante précitée comprend au moins une partie que l'on a densifiée, c'est-à-dire dont on a diminué le nombre de pores en la soumettant à un traitement au plasma dans un gaz inerte. 2. Circuit suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que les pellicules isolantes déposées sur la surface du support sont complètement densifiées par le traitement au plasma. 3. Circuit suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que la partie superficielle de la pellicule isolante formée par dépôt sur la surface du support ou substrat comprend la couche densifiée formée par le traitement au plasma. 4. Circuit suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que la couche densifiée formée par le traitement au plasma se trouve entre les pellicules isolantes formées par départ sur la surface du support ou substrat. 5. Circuit suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que les couches densifiées formées par le traitement au plasma se trouvent sur les surfaces des pellicules isolantes et entre ces pellicules formées par dépôt sur la surface du support ou substrat. 6. Circuit suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que le support ou substrat est en une matière choisie parmi le groupe composé des isolants et des semiconducteurs. 7. Circuit suivant la revendication 6, caractérisé par le fait que le support ou substrat semiconducteur comprend un ou plusieurs éléments de circuit à semiconducteurs tels que des diodes, des transistors ou des résistances. 8. Circuit suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que la pellicule isolante déposée sur la surface du support ou substrat est une pellicule minérale en verre. 9. Circuit suivant la revendication 8, caractérisé par en verre le fait que la pellicule minérale/est choisie parmi le groupe composé des pellicules de bioxyde de silicium, de verre phosphosilicaté (P205/SiO2) et de verre borosilicaté (B20 /SiO2). 10. Circuit à semiconducteurs caractérisé par le fait qu'il comprend au moins un élément de circuit à semiconducteurs tel qu'une diode, un transistor ou une résistance obtenue par diffusion d'lmpuretés dans la surface du substrat ou support semiconducteur, une première pellicule isolante formée par dépôt sur la surface du substrat à l'exception des parties desdits éléments de circuit réservées aux électrodes, et-des éléments métalliques formant électrodes constitués auxdites parties réservées aux électrodes et s'étendant jusqu'à ladite pellicule isolante formée par dépôt, lé circuit à semiconducteurs susvisé étant caractérisé par le fait que la première pellicule isolante formée par dépôt comprend, en partie, une couche densifiée formée en raison du fait que la pellicule isoiante susvisé est soumise à un traitement au plasma dans un gaz inerte. 11. Circuit à semiconducteurs suivant la revendication 10, caractérisé par le fait qu'une seconde pellicule isolante est formée par dépôt sur la première pellicule isolante déposée. 12. Circuit à semiconducteurs suivant la revendication 11, caractérisé par le fait que les première et seconde pellicules isolantes formées par dépôt sont constituées par la même matière isolante. 13. Circuit à semiconducteurs suivant la revendication 10, caractérisé par le fait que la matière constituant la première pellicule isolante formée par dépôt est choisie parmi le groupe comprenant le bioxyde de silicium (SiO2), le phosphosilicate (P205/SiO2) et le borosilicate (B20 /SiO2). 14. Circuit à semiconducteurs suivant la revendication 11, caractérisé par le fait que les première et seconde pellicules isolantes formées par dépôt sont constituées par une matière choisie parmi le groupe comprenant le bioxyde de silicium (Si02), le phosphosilicate (P205/SiO2) et le borosilicate (B20)/SiO2). 15. Circuit à semiconducteurs suivant la revendication 11, caractérisé par le fait que la seconde pellicule isolante formée par dépôt comprend, au moins en partie, une couche densifiée formée par le fait que l'on soumet ladite pellicule à un traitement au plasma dans un gaz inerte. 16. Circuit à semiconducteurs suivant la revendication 11, caractérisé par le fait que la seconde pellicule isolante formée par dépôt comprend, au moins en partie, une couche densifiée formée par le fait que l'on soumet ladite pellicule à un traitement au plasma dans un gaz inerte, une autre couche métallique conductrice étant formée sur ladite seconde pellicule isolante déposée. 17. Circuit à semiconducteurs comprenant ai moins un des éléments d-e circuit à semiconconducteurs tels que des diodes, des transistors ou bien des résistances formées par diffusion d'impuretés dans la surface du substrat ou du support en silicium, une pellicule de SiO2 formée par le fait que l'on oxyde par voie thermique la surface du substrat en silicium à l'exception des parties réservées à la sortie des électrodes, et des électrodes métalliques qui sont formées auxdites parties réservées aux électrodes et qui s'étendent jusque sur ladite pellicule de Si02, le circuit à semiconducteurs susvisé étant caractérisé par le fait qu'il comporte, sur la pellicule de SiO2 précitée, des pellicules isolantes formées par départ et comprenant, en partie, des couches densifiées que l'on forme en soumettant lesdites pellicules isolantes à un traitement au plasma dans du gaz inerte. 18. Circuit à semiconducteurs suivant la revendication 17, caractérisé par le fait que la matière constituant la pellicule isolante formée par dépôt est choisie parmi le groupe comprenant le SiO2, le P205/SiO2 et le B203/SiO2. 19. Circuit à interconnexion multicouche comprenant une première couche conductrice et une seconde couche conductrice sur un substrat ou support isolant et une pellicule isolante formée par dépôt entre lesdites première et seconde couches conductrices et au croisement de ces couches, le circuit susvisé étant caractérisé par le fait que la pellicule isolante formée par dépôt entre lesdites première et seconde couches conductrices comprend, au moins en partie, une couche densifiée que l'on forme en soumettant ladite pellicule isolante à un traitement au plasma dans un gaz inerte. 20. Circuit à interconnexion multicouche suivantla revendication 19, caractérisé par le fait que la couche densifiée est adjacente à la surface de la première couche conductrice. 21. Circuit à interconnexion multicouche suivant la revendication 19 > caractérisé par le fait que la couche densifiée est adeente aux première et seconde couches conductrices. 22. Procédé pour fabriquer un circuit comportant sur la surface du substrat ou support des pellicules isolantes formées par dépôt, ce procédé étant caractérisé par le fait qu'il consiste à préparer un support ou substrat, à déposer une matière isolante à partir d'une phase vapeur sur une surface principale dudit subsrat de manière à y former une pellicule isolante, à placer ledit support au substrat dans un gaz inerte sous faible pression, à produire un plasma au voisinage dudit substrat de façon que les ions de l'élé- ment inerte bombardent et densifient' ladite pellicule isolante formée par dépit. 23. Procédé pour fabriquer un circuit suivant la revendication 22, caractérisé par le fait que pour obtenir le plasma on fait en sorte que le gaz inerte se trouve à une pression de 1 à 1 x long ) mm de Hg, la tension appliquée entreles électrodes posi- tive et négative étant de plusieurs dizaines à plusieurs centaines de volts et le gaz inerte étant choisi parmi le groupe comprenant l'argon et le xénon. 24. Procédé pour fabriquer un circuit suivant la revendication 23, caractérisé par le fait que la pellicule isolante est déposée sur la surface du substrat ou support à une épaisseur inférieure à 8000 . 25. Procédé pour fabriquer un circuit suivant la revendication 22, caractérisé par le fait que l'on règle la couche densifiée dans la pellicule isolante formée par dépôt au moyen de la durée d'exposition dudit substrat au plasma. 26. Procédé pour fabriquer un circuit suivant la revendication 22, caractérisé par le fait que l'on dépose une nouvelle couche isolante sur la couche densifiée résultant du traitement au plasma. 27. Procédé pour fabriquer un circuit comportant sur la surface du substrat ou support des pellicules isolantes formées par dépôt, ce procédé étant caractérisé par le fait que : on prépare un substrat ou support, on dépose sur la surface du substrat une pellicule isolante dont l'épaisseur est inférieure à 8000 A, on dépose sur ladite pellicule isolante une couche métallique d'une épaisseur comprise entre 300 et 800 , on maintient ledit substrat dans un plasma de gaz inerte de manière que ladite pellicule isolante soit au moins soumise en partie à un bombardement d'ions de manière à être densifiée. 28. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs comprenant une pastille semiconductrice dans laquelle sont formées plusieurs régions semiconductrices, une première couche isolante formée sur ladite pastille et comportant des ouvertures communiquant avec lesdites régions, et un premier trajet formé par une couche conductrice formée sur ladite première couche isolante et étant raccordé par l'intermédiaire desdites ouvertures aux régions précitées, le procédé susvisé étant caractérisé par le fait que : on dépose une pellicule isolante sur ladite première couche isolante et sur le premier trajet conducteur précité, on expose ladite pellicule isolante formée par dépôt en partie à un plasma à faible énergie dans un gaz inerte de manière que ladite pellicule isolante formée par dépôt soit au moins partiellement densifiée. 29. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs suivant la revendication 28, caractérisé par le fait qu'après l'opération d'exposition au plasma, on dépose une autre pellicule isolante sur la pellicule isolante densifiée. 30. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs suivant la revendication 29, caractérisé par le fait qu'après avoir déposé une autre pellicule isolante on expose cette pelliculi ai plasma dans un gaz inerte de manière qu'une partie de cette autre pellicule isolante soit densifiée. 31. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs comprenant une pastille de semiconducteur dans laquelle a été formée au moins une région semiconductrice, une première couche isolante étant formée sur ladite pastille et comportant des ouvertures communiquant avec lesdites régions, et une première couche conductrice raccordée à travers lesdites ouvertures aux régions précitées et s'étendant jusqu'à ladite couche isolante, le procédé susvisé étant caractérisé par le fait qu'on dépose une pellicule isolante sur ladite première couche isolante et sur ladite première couche conductrice, on expose la pellicule isolante précitée formée par dépôt en partie à un plasma dans un gaz inerte de manière que ladite pellicule isolante formée par dépôt soit au moins partiellement densifiée, on dépose une seconde couche isolante sur ladite première couche isolante, on perfore lesdites première et seconde couches isolantes de manière qu'une partie de la première couche conductrice précitée se trouve découverte, on forme une seconde couche conductrice raccordée à la surface de ladite première couche conductrice découverte et s'étendant jusque sur ladite seconde couche isolante. 32. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs suivant la revendication 31, caractérisé par le fait qu'après avoir déposé la seconde couche isolante on l'expose à un plasma dans un gaz inerte de manière qu'une partie de cette seconde couche isolante soit densifiée. 33. Procédé pour fabriquer un circuit comportant une interconnexion multicouche, caractérisé par le fait que l'on pré- pare un substrat ou support isolant,.on forme sur ledit substrat une première couche conductrice ayant une configuration désirée, on forme une première pellicule isolante sur ledit substrat et sur ladite première couche conductrice, on expose ladite première pellicule isolante à un plasma dans un gaz inerte, on dépose une seconde pellicule isolante sur ladite première pellicule isolante, on forme une seconde couche conductrice sur ladite seconde pellicule isolante, particulièrement sur au moins une partie de ladite première couche conductrice. 34. Procédé pour fabriquer un circuit suivant la revendication 33, caractérisé par le fait qu' après avoir déposé la seconde couche isolante, on expose- cette seconde pellicule isolante à un plasma à faible énergie dans un gaz inerte. 35. Procédé pour fabriquer un circuit suivant la revendication 33, caractérisé par le fait qu'après avoir exposé la première couche isolante à un plasma dans un gaz inerte, on enlève par attaque à l'acide la partie de ladite première couche isolante qui ne se trouve pas sur la première couche conductrice précitée.