FR 2093967 A1 19720204 FR 7119824 A 19710601 71 19824 3' 2093967 La présente invention est relative 5 teurs externes et à un procédé pour fabriquer de tels dispositifs. L'industrie des semiconducteurs recherche depuis un certain temps des moyens meilleurs et moins coûteux- pour mettre sous boîtier les dispositifs semiconducteurs . jusqû.'à une date récente, la technique la plus largement utilisée pour mettre les dispositifs 10 sous boîtier a consisté à. les monter sur vin support en métal et verre et à les compléter avec un boîtier métallique . L'ensemble de support et de boîtier est extrêmement coûteux . Le coût du boîtier et du support dépasse quelquefois le coût du dispositif semiconducteur lui-même . 15- Il a été suggéré d'utiliser des boîtiers en matière polymère synthétique, ordinairement en- une résine thermodurcissable, pour les semiconducteurs comprenant les transistors, les diodes, les circuits intégrés, etc. L'industrie des seriiiconducteurs a augmenté • régulièrement le volume et la diversité ;des. dispositifs mis sous 20 boîtier ou enrobés dans de la matière plastique . Actuellement, un pourcentage très important de la production totale des circuits intégrés au silicium est revêtue de matière: plastique, ce qui est considérablement' moins couteux que l'ensemble précité de siipport et de boîtier . Par exemple, on utilise des polymères de 25 résine époxy et de silicone p^our enrober dés dispositifs par moulage par transfert . La coulée est également une technique courante . Une technique dont le prix est intermédiaire entre l'ensemble de support et de boîtier et l'enrobage de matière . * . • « t plastique consiste à fixer un boîtier métallique à une embase en 30 matière céramique à l'aide d'un adhésif organique puissant"-tel. qu'une résine époxy . Il est gênsraleirent reconnu que 1! étanchéité obtenue par des procédés autres que celui qui utilise un support et un boîtier n'est pas parfaite dans un transistor mis sous boîtier en métal 35 fct verre . Dans ceux-ci, des fuites de l'ordre de 10-"^cnr^ par seconde ou moins d'hélium sont courantes . Non seulement, la matière plastique présente une perméabilité relativement élevée pour divers gaz ,mais le transfert des gaz ambiants contenant de la vapeur d'eau, le long d^La surface de séparation entre les ko conducteurs métalliques et' la matière plastique dans la direction 71 19824 2' 2093967 du dispositif actif, a posé un problème particulier à l'industrie . La pénétration des gaz ambiants dans les boîtiers semiconducteurs n'est probablement pas un problème sérieux du point 5 de vue de la dégradation possible de la surface du dispositif lui-même . Les problèmes associés à la corrosion des couches métalliques minces utilisées pour former les contacts, les conducteurs et pour interconnecter les diverses régions des dispositifs semiconducteurs sont actuellement notablement plus importants pour 10 l'industrie . Cette corrosion est provoquée par la pénétration dans le boîtier de vapeur d'eau ambiante . La corrosion de ces couches métalliques minces est réduite à une valeur minimale dans les dispositifs individuels en raison de la quantité minimale de pellicules métalliques nécessaires pour former les interconnexions. 15 Le problème se pose de façon plus aigtle dans les dispositifs à composants-multiples tels que les circuits intégrés . Toutefois, même dans les boîtiers de dispositifs individuels, la corrosion peut apparaître au niveau de la liaison des conducteurs et des plots de connexion si des métaux différents sont utilisés . 20 Les dispositifs à circuit intégré peuvent comporter et comportent ordinairement un certain nombre de composants actifs et passifs tels que des transistors, des condensateurs et des résistances qui sont formés par diffusinn en dessous d'une surface ou face principale d'une pastille semi-conductrice . Une couche'-25 'isolante recouvre la face de la pastille et comporte des trous donnant sur la surface'du semiconducteur . Des couches métalliques sont déposées sur la couche isolante . Ces couches métalliques interconnectent, selon un schéma prédéterminé, diverses régions du dispositif semiconducteur par l'intermédiaire des trous •30 ménagés dans la couche isolante .'La longueur de ces couches métalliques minces est ordinairement très grande dans les circuits intégrés en comparaison des dispositifs individuels, en raison des connexions nécessaires entre les différentes régions . Naturellement, le risque de corrosion est d'autant plus élevé que la sur-35 face des couches métalliques d'interconnexion qui est exposée aux gaz ambiants est plus grande . A mesure que la complexité des schémas d'interconnexion augmente, il devient nécessaire de former plusieurs niveaux d'interconnexion métallisés . Les niveaux sont naturellement isolés électriquement par diverses couches de matière 40 isolante aux points de croisement . Bien que les couches inférieures COPY 71 19324 3' 2093967 soient isolées de l'atmosphère ambiante,la couche du dessus ou dernière oouche d'interconnexion est encore exposée ordinairement aux gaz ambiants, ce qui donne naissance à un risque distinct de corrosion des couches métalliques minces ou dispositifs de métal-5 lisation du dessus . L'aluminium et un ensemble or-molybdène à deux couches constituent deux métaux ou ensembles de métallisation qui sont couramment utilisés pour former les conducteurs et.les contacts des semiconducteurs des circuits intégrés . L'aluminium a été 10 très largement utilisé dans les circuits intégrés . Dans les dispositifs*à composants individuels, les plots de liaison sont également fabriqués ordinairement en aluminium . Des fils d'or sont couramment utilisés pour connecter le plot en aluminium à un conducteur qui permet d'établir le contact électrique du dispo-15 sitif mis sous boîtier avec l'extérieur . Toutefois, lorsqu'on utilise de l'aluminium dans un environnement non hermétique, des courants de conduction ionique peuvent s'établir entre les métaux différents, par exemple entre l'aluminium et l'or . Lorsqu'une quantité de vapeur d'eau suffisante est absorbée par la_surface 20 du dispositif pour former un électrolyte d'épaisseur et de conduc-tivité suffisantes le couple aluminium-or est particulièrement actif et s'autopolarise à environ 3 V . Au début de la réaction, l'aluminium, qui est ancdique, s'oxyde en Al^+, tandis qurà la cathode, de l'hydrogène se dégage. 25 L'ion aluminium ainsi libéré réagit immédiatement .avec l'eau, conformément à la réaction : 2 Al^+ + 3 H20 = A1203 + 6 H+ ce qui forme de l'alumine AlgO^ insoluble et isolante . La formation de cette pellicule isolante ralentit naturellement 30 la réaction et tend à protéger l'anode contre une nouvelle dissolution . Malheureusement, 1'oxyde.anodique présente une perméabilité et des imperfections suffisantes pour que l'oxydation se poursuive . Ordinairement, l'attaque a lieu en des points localisés situés près de la cathode, ce qui provoque la formation de 35 piqûres . L'aluminium est évacué sous la forme d'ions AlOg" . La corrosion de l'aluminium s'effectue également d'une manière différente . Comme la solution située près de la cathode devient basique, les régions voisines non polarisées se dissolvent, conformément à la réaction : 2 Al + 2 OH" + 2 H20 = 2 AlOg + 3 H, COPY 71 19824 it. 2093967 Dans ce cas, aucune pellicule de protection ne se forme . Cette réaction se poursuit jusqu'à ce qu'un circuit ouvert soit formé . L'aluminium dissout ne se redépose pas sous la forme de métal au niveau de la cathode du fait que le dégagement d'hydrogène est 5 plus favorable . En appliquant une tension de polarisation externe à 1'ensemble, on provoque l'accélération du dégagement d'hydrogène dans les zones polarisées cathodiquement, tandis que les régions métalliques polarisées négativement ne sont pas corrodées . Les réactions anodiques sont de même accélérées, le dégagement 10 d'oxygène devenant un processus électrolytique concurrent .Une partie de l'oxygène migre vers la cathode au niveau de laquelle il est de nouveau réduit en eau . En utilisant un fil conducteur en aluminium au lieu d'un fil en or> on assure la protection contre la nature autopolarisante ou de cellule galvanique de l'ensemble 15 mais ton conducteur en aluminium peut se corroder lorsqu'une tension de polarisation externe est appliquée . L'ensemble molybdène-or se comporte quelque peu différemment. Comme les oxydes du molybdène sont solubles dans l'eau, (par exemple Mo^Oj.) , le métal ne devient pas passif aussi facilement 20 que l'aluminium . Par conséquent, l'ensemble s'autopolarise et se corrode facilement, le molybdène se dissolvant au niveau de l'anode jusqu'à ce qu'un circuit ouvert soit formé . L'application delà polarisation accélère le processus au niveau des deux électrodes . A moins d'appliquer des tensions de polarisation extrê-25 mement élevées aux électrodes (supérieures à 5 V) , le dégagement d'oxygène ne devient pas notablement concurrentiel du fait que la dissolution du molybdènè est électrochimiquenient plus favorable pour des polarisations externes élevées, la dissolution d'or au niveau des sites anodiques devient également concurrentielle . .30 Mais commé le potentiel d'oxydation dè l'or est très négatif, le dégagement d'oxygène prédomine . Néanmoins, une certaine quantité d'or peut se dissoudre au niveau de l'anode, conformément à la réaction suivante : Au + xHgO = Au (aq) + e~ 35 L'or ne forme pas naturellement d'oxydes stables . L'or qui ne se dissout pas.anodiquement est éliminé uniformément sur la totalité de la zone anodique sans qu'il en résulte de piqûre . L'ion or est transporté dans l'électrolyte jusqu'à la région cathodique la plus proche dans laquelle il se dépose sous la forme de métal. 40 II a été suggéré de remédier à ces problèmes en utilisant 71 1932^4 5. 2093967 des couches métalliques de tungstène ainsi qu'un .métal modificateur présentant une. résistance à la corrosion plus grande que le tungstène . Ces.ensembles de métallisation présentent toutefois certains inconvénients pour la plupart des dispositifs . Comme 5 . le tungstène et un métal modificateur tel que le titane se fractionnent si on utilise des procédés d'évaporation classiques, on ne peut déposer de telles pellicules que par destechniques de pulvérisation, par exemple de pulvérisation à iiaute fréquence. Toutefois, les énergies des atomes métalliques pulvérisés arrivant 10 au niveau du substrat sont très élevés (10 à 100 eV) et les pastilles de silicium sont plongées dans de l'argon.énergétique. De plus, les pastilles ou substrats de silicium sont plongées dans ion plasma énergétique pendant le dépôt des pellicules métalliques . Ce bombardement fortement énergétique peut modifier 15 des substrats semiconducteurs et provoquer l'augmentation de la charge Qss ., La charge Qss est une charge résiduelle qui apparaît . au niveau ou au voisinage de la surface de séparation entre le silicium et la première couche d'oxyde de.silicium . Ceci n'est pas souhaitable du fait que, lorsque la charge Qss dépasse un 20 certain niveau, la tension des seuils nécessaire pour activer un composé donné croît également-au delà d'ion niveau désiré . Les métaux.réfractaires tels que le titane, le tungstène, le molybdène ou leur combinaison ne forment pas un contact ohmique avec le silicium ou d'autres-matériaux semiconduçteurs/aussi bon 25 que l'aluminium . Une condition fondamentale requise d'un ensemble de métallisation .est qu'il forme un. contact ohmique . L'un des rares métaux capable de former un excellent contact ohmique avec les substrats semiconducteurs est l'aluminium . Toutefois, 1'aluminium présente des caractéristiques de corrosion décrites 30 ci-dessus, ce qui le rend moins avantageux dans le cas dos boîtiers non hermétiques . Afin d'obtenir un bon contact ohmique lorsqu'on utilise des contacts comportant des métaux œfractaires tels que les ensembles titane-platine-or, molybdène-or, ou alliage tungstène-titane-or, 35 on doit d'abord former un cnntact en siliciure de plafcine au niveau.des trous d'oxyde dans lesquels le contact avec le silicium doit.'ètr.e établi . Ceci s'effectue en déposant du platine, en frit tant à 650.°C environ et en.enlevant-le platine n'ayant pas .'réagi qui recouvre, la couche d'oxyde de silicium Du siliciure 40 de platine est ainsi formé au niveau des trous de contact . 71 19824 6 2093967 On dépose ensuite les métaux réfractaires sur le siliciure de platine pour obtenir un bon contact ohmique .Ce procédé nécessite le stade supplémentaire de formation de siliciure. de platine . En outre, le frittage à haute température peut détériorer le 5 substrat semiconducteur . Il est donc souhaitable de réaliser un système de métalllsation pour dispositifs de métallisation à niveaux multiples avec conducteurs en forme de lamelles sur circuits intégrés; qui puisse mettre à profit les caractéristiques avantageuses de l'aluminium, 10 qui sont la simplicité du dépôt, la conductibilité élevée, la forte adhérence sur" le bioxyde de silicium, la formation d'un contact ohmique avec le siliciure, la compatibilité avec les systèmes de contacts en siliciure de platine , la.facilité de fabrication des réseaux de métallisation ,etc.. mais qui soit également ca -15 pable de former des mëtallisations non corrodables, aptes à être utilisées pour des dispositifs semi-conducteurs non hermétiques, qui établisse un contact ohmique entre l'aluminium et le substrat semi-conducteur et qui combine la métallisation de premier niveau en aluminium avec un second ensemble de métallisation non corrodable. 20 L'invention a donc pour objet un dispositif semi-conducteur qui comprend une première couche d'aluminium qui est en contact ohmique avec une partie de la surface du dispositif semi-conducteur et forme le premier niveau de métallisation . Le deuxième niveau de métallisation est un système non corrodable comprenant du Au . 25 Le système du deuxième niveau est l'un des suivants : (a) Ti-Pt-Au (b) Ïi-W-Au (c) Mo-AU (d) W -Au 30 L'invention a également pour objet un procédé de fabrication de circuits intégrés en partant d'une pastille de matériau semiconducteur .Ce procédé consiste à former une couche de matière isolante sur une surface d'une pastille de matière semi-conductrice, à éliminer sélectivement la couche isolante , suivant un dessin 35 prédéterminé et à former des composants semi-conducteurs sur la surface exposée à travers les ouvertures qui ont été pratiquées dans la couche par élimination sélective de celle-ci, à établir des contacts ohmiques sur au moins deux des composants,en déposant Une couche d'aluminium sur la couche Isolante et sur la surface - 40 mise à nu et à. éliminer* sélectivement certaines parties de la cou 71. 19824 7 2093967 che d'aluminium pour former un réseau prédéterminé de conducteurs sur la pastille, à former une deuxième couche de matière isolante, à éliminer sélectivement certaines parties de la deuxième couche isolante pour mettre à nu certaines parties de l'aluminium et à 5 déposer un système de métallisation non corrodable sur la deuxième couche isolante et dans lesdites ouvertures . En dehors des caractéristiques de résistance à la corrosion, il est souhaitable que le système de métallisation utilisé pour les interconnexions du circuit intégré soit également compatible 10 avec les procédés appliqués pour former les contacts conducteurs en lamelles qui relient la pastille aux circuits extérieurs . Une technique de formation de conducteurs en lamelles est dé crite dans l'article nBeam Lead Technology " de M.P. Lepselter; paru dans la revue "The Bell System Technieal Journal " Février 15 1966, page 233 et suivantes . Cette structure de conducteurs en lamelles simplifie l'assemblage des circuits à semi-eonducteuis et est compatible avec les techniques .de fabrication discontinues. Pour former les conducteurs en lamelles comme décrit dans l'article de Lepselter mentionné plus haut, on peut utiliser, par 20 exemple, comme matière de départ, une plaquette de-dispositifs "planar" au silicium oxydé classique, présentant des trous de contact formés par décapage dans la couche isolante d'oxyde de silicium. On utilise le siliciure de platine pour former un contact ohmique sur le silicium et une structure stratifiée composite, 25 titane-platine-or ,pour la liaison avee la couch^Lsolante de bioxyde de silicium et avee le siliciure de platine et établit la connexion électrique avec les circuits extérieurs .La structure stratifiée titane-platine-or est nécessaire puisque l'or est une matière métallurgiquement réactive et qu'il réagit chimiquement 30 avec le titane à des températures relativement basses pour former des composés qui n'ont aucune des caractéristiques recherchées des métaux pris isolément . C'est pourquoi, on utilise le platine comme couche protectrice pour séparer, l'or du titane. .Toutefois, le problème que pose le système de métallisation décrit plus haut 35 consiste en ce que le platine est attaqué beaucoup plus lentement que l'or dans toutes les solutions de décapage habituellement utilisées pour décaper le platine . Ceci est particulièrement vrai pour l'eau régale, qui est le décapant normalement employé.C'est pourquoi, dans le système de métallisation titane-platine-or ,1a 40 couche conductrice d'or ne peut pas être déposée tant qua.le pla- 71 19824 8 2093967 tine n'a pas été gravé pour définir le réseau voulu d'interconnexion et de conducteurs en lamelles .11 est ensuite nécessaire de déposer-un dessin de matériau de réserve photographique pour couvrir toutes les régions du titane qui ont été mises à nu .Ce procédé de mas-5 quage doit être extrêmement précis et jlest très fastidieux et coûteux, et ne se prête pas facilement à la formation de géométries compliquées. Les zones de platine découpées du dispositif sont ensuite revêtues d'or jusqu'à une épaisseur appropriée pour établir les interconnexions , le matériau de réserve photographique qui couvre 10 le titane jouant le rôle de masque pour le dépôt et le titane sous-jacent ayant pour fonction de maintenir la continuité électrique sur la pastille . On élimine ensuite le matériau de réserve' photographique et on dépose un troisième dessin pour former les conducteurs en lamelles d'épaisseur voulue . Etant donné que la couche 15 de platine doit tout d'abord être découpée pour former le réseau du dispositif , puis masquéeavec une grande précision avant le dépôt de la couche d'or, le système de métallisation titane-platine-or n'est pas facile à adapter à la production économique en grande série des conducteurs en lamelle résistants à la corrosion . 20 C'est pourquoi, suivant un autre aspect,l'invention à encore pour objet un procédé perfectionné de formation de conducteurs en lamelles résistants à la corrosion sur des dispositifs semi-conducteurs et des circuits intégrés . Plus particulièrement, on utilise un alliage titane-tungstène en vue de la protection contre la cor-25 rosion et pour former un écran protecteur entre la couche d'or conductrice et la matière semi-conductrice . On procède à des opérations de diffusion, d'isolation, d'élimination des oxydes sur les contacts et de production de contacts ohraiques en siliciure dé platine pour former le dispositifcu circuit intégré voulu. On dépose 30 ensuite une couche de titane : tungstène sur le dispositif, puis on dépose une couche d'or . On découpe cette couche d'or pour définir les interconnexions du dispositif et les réseaux de conducteurs en lamelles en utilisant un matériau de réserve photographique et une solution d'attaque de l'or pour mettre à nu diverses 35 zones de la eouche titane :tungstène .On enlève le dessin de matériau de réserve photographique et on dépose un deuxième dessin qui couvre toutes les zones du dispositif, excepté les zones dans lesquelles on veut former les conduuteurs en forme de lamelles .Ces conducteurs en lamelles sont ensuite revêtus d'or avec l'épaisseur 40 voulue , le matériau de réserve photographique jouant le rôle d'é 71 19824 9 .2093967 cran qui .s'oppose au dépôt d'or et la couche de titane ; tungstène établissant la continuité électrique sur la pastille pour effectuer le dépôt .Le dessin de matériau de réserve photographique est .ensuite éliminé et on forme les interconnexions en même temps c; qu'on sépare électriquement les conducteurs en lamelles en attaquant le titane : tungstène dans une solution de décapage gui attaque le titane :tungstène et qui n'attaque pas l'or. Il est préférable aue la solution de décapage ne forme pas de niches au- dessous de la couche d'or même si la durée de contact avec cette solution va jusqu'à atteindre 300$ du temps de décapage nécessaire. ]_0 Comme solution de décapage on peut utiliser le peroxyde d'hydrogène .Lorsqu'il est protégé par des polymères du silicium,le système de métallisation titane : tungstène-or , est aussi résistant à: la cprrosion que le système titane-platine-or et ce procédé apporte un net avantage en ce sens qu'il élimine la phase de dépôt du ma-25 tériau de réserve photographique qui exige un.alignement précis . En outre, étant donné que les dessins d'interconnexion et des conducteurs en lamelles sont définis, par décapage de l'or et non pas par dépôt d'or comme dans la technique antérieure, on peut former des dessins très précis et également compliqués . 20 D'autres caractéristiques et avantages de l'invention appa raîtront au cours de la description „ . . . Aux dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemples : la Fig.l est une vue partielle en plan d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur, qui utilise le système de 25 métallisation suivant l'invention ; la Fig.2 est une vue en coupe du dispositif de la Fig.l, prise suivant la ligne 2-2 > la Fig.3 est une vue partielle en plan d'un semi-conducteur de circuit intégré du type qui exige un système de métallisation 30 à niveaux multiples suivant l'invention ; la Fig.4 est une coupe du semi-conducteur de la Fig.3, prise suivant la ligne 4-4 ; la Fig.5 est une vue partielle en plan d'une pastille de semiconducteur dans laquelle un conducteur en forme de lamelle est con-35 necté à un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur par le procédé suivant l'invention ; les Fig.6 à 9 sont des coupes du dispositif de la Fig.5 prises suivant la ligne A-A' , et qui montrent diverses phases de la fabrication du contact de conducteur en lamelles représenté sur la 40 Fig.5 ; 71 1932k 10 '■ 2093967 la Pig.lO est une vue schématique, en partie en coupe, qui représente un appareil de pulvérisation à haute fréquence approprié pour déposer les couches de titane:tungstène et d'or par le procédé suivant l'invention . 5 On se reportera maintenant aux Pig. 1 et 2 qui représentent un circuit intégré , dont la partie représentée contient un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur dans lequel le système de métallisation suivant l'invention a été utilisé . Dans cette forme de réalisation, une pastille de silicium 50, du type de conductivité N comporte des régions ou éléments 52 et 53 du type P, formés par diffusion par des techniques classiques qui comprennent l'application d'un matériau de réserve photographique et une diffusion . Les techniques classiques de fabrication ne font pas partie de l'invention et sont bien connues dans l'industrie 15 des semi-conducteurs , de sorte que l'homme de l'art connaît la mise en oeuvre de ces procédés . Pour la description complète de ces procédas de fabrication _, on pourra se reporter aux ouvrages "Integrated Circuits-Disign Principals and Fabrication" Raymond M.Warner .Jr et James ,N Fordemwalt,Mc Graw Hill ,(1965),"Silicon 20 Semiconductor Technology" ,Mc Graw Hill (1965), et "Physics and Technology of Semiconductor Devices" ,A.S. Grove, Wylie and Sons (1967).Une couche isolante de bioxyde de silicium a été formée sur la surface supérieure de la pastille 50- Les ouvertures qui formeront la source et la plaque du transistor à effet de champ 25 ont été découpées dans la couche d'oxyde 51 par photogravure .Les régions du type P formées par diffusion constituent les éléments de source et de plaque ,52 et 53 respectivement .Ensuite, on forme une mince couche 5 4- de bioxyde de silicium sur la zone de grille du dispositif en éliminant tout d'abord la couche initiale d'oxyde 3® présente sur la zone de grille et en déposant une mince couche de bioxyde de silicium sur toute la surface de la pastille .Ensuite , on forme des ouvertures 55 et 56 par photogravure dans la nouvelle couche de bioxyde de silicium.On trouvera un résumé de cette technique dans l'article intitulé "Large-Scale Intégration 35 in Electronics" de F»G. Heath,Scientific Américain, Janvier 1970 , pages 28 et 29. La dimension de la pastille semi-conductrice 50 est choisie de façon à faciliter la manipulation et _cette pastille fait normalement partie d'une plaquette de silicium d'environ.38 mm de 40 diamètre-et d'environ 0,25 mm d'épaisseur.Après le .traitement de 71 .19324 ii. 2093967 cette plaquette, on sépare les pastilles en attaquant dans toute son épaisseur le silicium qui reste entre les pastilles. On dépose ensuite une couche 57 d'aluminium sur la surface d'oxyde 51 pour former un contact ohmique avec la source et la 5 plaque 52 et 53 du dispositif semi-conducteur. Pour déposer une couche 57 d'aluminium métallique, on place la pastille 50 qui fait partie d'une grande plaquette de silicium, ainsi qu'un certain nombre d'autres plaquettes, dans une chambre classique de vaporisation. La chambre comprend un porte-pièces ca-10 pable de porter plusieurs plaquettes de silicium dont chacune présente sur sa surface supérieure, non encore divisée, dès douzaines ou des centaines de transistors formés sur des pastilles de silicium 50, comme représenté sur les Fig. 1 et 2. Un enroulement de tungstène est placé au-dessus du porte-pièces pour vaporiser une 15 charge d'aluminium. Pour effectuer"le dépôt, on fait le vide dans la chambre —6 pour ramener la pression à environ 6 x 10 millimètres de mercure. Avant de les introduire dans la chambre de vaporisation on fait subir aux plaquettes un traitement de nettoyage très poussé qui 20 précède le dépôt. Par exemple, on dispose les plaquettes dé silicium sur lesquelles sont formés les transistors ou analogues ainsi que les zones de contact définies dans le revêtement isolant, c'est à-dire la couche de bioxyde de silicium, dans de l'acide sulfurique concentré, à environ 150 à 200°C pendant environ 10 minutes, 25 puis on extrait les plaquettes de l'acide et on les rince à l'eau désionisée. Les plaquettes sont ensuite plongées dans de l'acide nitrique bouillant pendant environ 5 minutes, puis à nouveau rincées à l'eau désionisée. Les plaquettes sont ensuite plongées dans de l'acide fluorhydrique dilué {ou dans une solution à 10% de bi-3 0 fluorure d'ammonium) pendant environ 6 secondes puis rincées dans l'eau désionisée froide pendant environ 20 minutes, rincées dans l'acétone et sëchêes. Ensuite les plaquettes sont immédiatement introduites dans la chambre de vaporisation dans laquelle elles subissent l'action du vide et le dépôt de métal par vaporisation. La 35 fonction de l'acide sulfurique chaud est d'éliminer toutes les matières organiques de la surface libre de silicium ét de bioxyde de silicium. Ces matières organiques peuvent être, entre autres, des résidus du polymère de réserve photographique utilisé pour la formation du ou des transistors. L'acide nitrique élimine les rë-40 sidus de sulfate qui résultent de la phase' précédente. L'acide 71 19824 12. 2093967 10 20 fluorhydrique garantit l'élimination de toutes les particules d'oxyde de la surface de silicium dans les zones de contact. L'immersion dans l'acide fluorhydrique élimine de même une certaine partie du revêtement d'oxyde mais, étant donné que la couche d'oxyde déposée sur la majeure partie du dispositif est beaucoup plus épaisse que le résidu qui reste sur les surfaces de contact, la couche reste pratiquement intacte. L'aluminium est ensuite déposé jusqu'à une épaisseur d'environ 15.000 angstrôms, par excitation de l'enroulement de tungstène qui a pour effet de vaporiser l'aluminium. Lorsqu'on a extrait les plaquettes de la chambre de vaporisation, on élimine les parties en excès du dépôt d'aluminium 57 en soumettant les pastilles de silicium à un masquage sélectif à l'aide de matériau de réserve photographique et à un traitement de décapage (appelé ci-après photodécapage). Un mince revêtement de *5 polymère de réserve photographique, par exemple du KMER de EASTMAN KODAK est appliqué à toute la surface supérieure de la plaquette ou pastille. Ce matériau de réserve photographique classique est exposé à de la lumière ultra-violette à travers un masque qui permet à la lumière d'atteindre les zones dans lesquelles la pellicule d'aluminium doit rester. Le matériau de réserve photographique non exposé est ensuite enlevé par développement dans une solution de développement photographique.' A ce stade une couche de matériau de réserve photographique recouvre la partie du revêtement d'aluminium qui doit former le contact de source, le contact de plaque et la zone de conducteur élargie comme représenté à la Fig. i. La plaquette est ensuite soumise à une solution de décapage pour enlever les parties non désirées de la couche d'aluminium afin de former l'ensemble de conducteurs 59 représentés en traits interrompus a la Fig. 1. Ainsi, un conducteur 60 est formé en contact ohmique avec la région de source 52 et un conducteur 61 est formé en contact ohmique avec la région de plaques 53. En outre, un conducteur 62 est formé en contact avec la région de grilles 67 du transistor à effet de champ. Un exemple de solution de décapage pour enlever l'aluminium 35 indésirable est formé de 70.000 litres d'acide phosphorique, de 15 mml d'acide acétique, de 3 mml d'acide nitrique et de 5 mml d'eau désionisée. Le temps de décapage est bien entendu variable en raison des épaisseurs du métal. Pour des épaisseurs type, le temps de décapage est de l'ordre de 45 à 60 secondes et à une tem-40 pérature d'environ 50 à 70°C. 25 30 71 19324 2093967 Après enlèvement de toute trace de matériau de réserve photographique restant, une seconde couche d'oxyde 63 est déposée sur la couche d'oxyde précédente 51 et sur la partie supérieure du système de métallisation de premier niveau comprenant les conducteurs 5 59. En utilisant à nouveau les techniques de photo-décapage, une ouverture 64 est formée dans la couche d'oxyde 63 pour exposer une partie du conducteur 61. Un conducteur 65 en forme de lamelles en un ensemble de métallisation non corrodable est ensuite formé en contact ohmique avec le conducteur 61 de manière à se prolonger au 10 delà du bord de la pastille 50 de circuit intégré. Divers typés d'ensemble de métallisation non corrodable sont connus. Ils comportent une couche de tungstène modifiée au titane, au tantale, au chrome, au zirconium,à l'hafimium ou au silicium. Parmi ces ensembles un mélange au tungstène modifié au titane 15 s'est avéré particulièrement intéressant. Le processus de dépôt d'une telle couche utilise des techniques classiques de pulvérisation à haute fréquence. Normalement, une première couche 65a (Fig. 1) d'un alliage tungstène modifié au titane et appliquée en utilisant une "techni-20 que de pulvérisation à haute fréquence classique. Un ensemble de supports (non représenté) qui fait partie d'une plaquette de plus grande dimension, est prévue de manière que la couche de métallisation de tungstène-titane qui est déposée sur la couche 63 de dioxy-de de silicium et dans l'ouverture 64 puisse s'étendre au delà du 25 bord 42 de la pastille de silicium 50 et de la couche 63 de bioxyde de silicium. La couche 65a de tungstène-titane est généralement déposée jusqu'à une épaisseur comprise entre 1.000 et 4.000 angs-troms. Ensuite, une couche 65b d'or, généralement de 3.000 à 10.000 angstroms d'épaisseur est déposée par des techniques d'évaporation 30 très semblables à celles décrites ci-dessus. Pour l'aluminium, sur la couche d'alliage tungstène-titane. Le photo-décapage est ensuite utilisé à nouveau pour enlever les portions non désirées de la couche d'or 65b. Un masque photographique est ensuite placé sur la couche de tungstène-titane recouvrant toutes les parties de cette 35 couche à l'exception des zones sur lesquelles subsiste le revêtement d'or. Ensuite, une épaisse couche 65c d'or d'environ 25 microns est déposée sur la couche 65b par des techniques de plaquage classiques. Ces techniques sont bien connues. A cet effet on se référera par exemple à l'article intitulé "BEAM-LEAD TECHNOLOGY" M.P. 40 Lepselter, The BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, p. 233 et suivantes, 71 19324 14. 2093967 Février 1966. Le conducteur en forme de lamelles 65 comportant les couches 65a, 65b et 65c, forment une structure pour la connection entre un ensemble sous capsule et un ensemble de conducteurs (non représenté) . Bien qu'un seul conducteur en forme de lamelles soit décrit, on comprendra que l'ensemble complet nécessite autant de conducteurs en forme de lamelles que nécessaire pour assurer la connexion électrique des dispositifs dans un circuit électrique. D'autres ensembles de métallisation peuvent être utilisés pour la formation des conducteurs. Ces ensembles comportent une première couche déposée de titane correspondant à la couche 63a de titane, une seconde couche déposée de platine correspondant à la couche 63b, et une troisième couche déposée d'or correspondant à la couche plaquée 63c. D'autres ensembles de métallisation pour les conducteurs en forme de lamelles sont constitués dans lesquels le tungstène ou le molybdène est substitué à l'alliage W : Ti. L'ensemble tungstène-titane-or a été décrit en détail étant donné que c'est l'ensemble préféré pour la construction d'un conducteur en lamelles. Une fois que l'ensemble en lamelles 65 est plaqué sur la couche sous-jacente d'or déposée la pastille semi-conductrice et l'ensemble de conducteurs et de couches isolantes associés sont montés dans une capsule convenable. Ces techniques de mise en capsule sont également connues de l'homme de métier et ne seront donc pas décrites en détails. Bien entendu les techniques de mise sous capsule auxquelles la présente invention est particulièrement adaptée sont celles dans lesquelles on désire obtenir un ensemble non hermétique. Les Fig. 3 et 4 montrent un exemple de la présente invention appliquée à un circuit intégré nécessitant deux niveaux de métallisation. De tels systèmes sont bien connus dans la technique. En se référant simultanément à ces deux dernières figures, une pastille 70 de circuit intégré de type N et pourvue de régions diffusées 71 et 7 2 de type P et de type N respectivement- Une couche 73 de bioxyde de silicium est déposée sur la surface supérieure de la pastille 70. Les régions diffusées 71 et 72 sont formées à travers des ouvertures ou fenêtres 74 et 75. Dans cet agencement de circuit, une résistance 76 à couche mince, en Nichrome par exemple est également déposée sur la couche 73 de bioxyde de silicium. Une couche 77 de premier niveau de métallisation en aluminium est déposée sur 71 .19324 15. 2093967 10 la couche d'oxyde 73. La couche d'aluminium est ensuite soumise à un photo-décapage sélectif suivant une configuration prédéterminée pour former le système de conducteurs de premier niveau représenté en 7 9 à la Fig. 3. Ce système de conducteur établit un contact ohmique avec la région de type P 71, la région de type N 72 et avec la résistance 76 à pellicule mince. Une autre couche isolante 80 de bioxyde de silicium est ensuite déposée sur toute la surface de la pastille de silicium, recouvrant ainsi la première couche d'oxyde 73 et le système de conducteur 79, De nouvelles fenêtres ou ouvertures sont ensuite formées dans la seconde couche d'oxyde 80 par photo-décapage. Une première ouverture 81 met à découvert le conducteur 82 du système de métallisation de premier niveau. Une seconde ouverture 83 met à découvert le conducteur 84 du système de métallisation de premier 15 niveau. Ensuite un système de métallisation de second niveau est appliqué. Ce second système est de préférence l'un des systèmes de métallisation non corrodable décrit ci-dessus. Comme représenté, une première couche 85 d'un alliage de tungstène-titane est déposée, suivie d'une seconde couche 86 d4or qui est divisée sélecti-20 vement par des techniques d'auto-décapage. Le système de métallisation de second niveau comporte un conducteur en lamelles 88 et un conducteur d'interconnexion 89. Ainsi qu'on le remarquera il est nécessaire que le conducteur 89 passe par dessus le conducteur 90 du premier niveau de métallisation. Ces conducteurs sont séparés, 25 par une couche d'oxyde 80 empêchant un contact électrique entre eux. Après formation de l'ensemble de conducteurs de second niveau, la pastille de circuit intégré peut être mise sous capsule dans de la matière plastique. Si on le désire, un autre niveau ou couche de bioxyde de silicium peut être déposée, sur le système de mëtallisa-30 tion de second niveau et sur la couche d'oxyde 80. On notera à ce stade que l'on doit choisir avec soins les systèmes de métallisation de second niveau et de liaison de conducteurs afin d'assurer la compatibilité des systèmes d'interconnexion. L'invention permet l'utilisation classique de l'aluminium en 35 tant que système de métallisation de premier niveau avec les systèmes de métallisation de second niveau non corrodable récemment découverts. En se référant aux Fig. 5 et 6, il est représenté un conducteur en forme de lamelle connecté d'après le procédé de fabrication 40 de l'invention à la portion d'un circuit intégré contenant un tran 71 19824 16. 2093967 sistor à effet de champ à grille isolée. Dans ce mode de réalisation une pastille de silicium 10 de type n est utilisée comme matériau de départ. Deux régions de type £ 12 et 14 sont diffusées dans la pastille en utilisant les techniques classiques telles que 5 le masquage photographique et une diffusion ultérieure. On notera bien entendu que les matériaux de type de conduc-tivité opposée à ceux décrits ici peuvent être utilisés suivant 1'invention. Une couche isolante 16 de bioxyde de silicium par exemple 10 est formée sur la surface supérieure 17 de la pastille 10. Des ouvertures sont ménagées par photo-décapage dans la couche externe 16 et des régions de diffusion de type £ sont constituées pour former les éléments de source et de plaques 12 et 14 respectivement d'un transistor à effet de champ. Ensuite une fine couche 22 15 de bioxyde de silicium est formée au dessus de la région de grille du dispositif en enlevant d'abord la couche d'oxyde initiale extérieure recouvrant la région de grille et en redéposant ensuite une fine couche de bioxyde de silicium sur toute la surface de la pastille. Ensuite ces ouvertures 18 et 20 sont formées par photo-déca-20 page dans la nouvelle couche de bioxyde de silicium pour constituer des régions de contact de la source et de la plaque. Afin d'assurer un bon contact ohmique pour la pastille, du siliciure de platine est formé dans les ouvertures ménagées dans l'oxyde, aux endroits où le contact avec le silicium doit être établi. Ceci est réalisé 25 par des dépôts de platiné, frittage à environ 650°C et enlèvement du platine recouvrant la couche de bioxyde de silicium de manière à laisser une région de siliciure de platine dans les ouvertures de contact telles que 18 et 20 de la Fig. 6. Au cours de la phase suivante, une couche 24 d'alliage tita-3 0 ne : tungstène est déposée en utilisant une technique classique de pulvérisation à haute fréquence. Des concentrations en titane en excès d'environ 4% produisent "des pseudo alliages" ou mélanges dans lesquels l'excès de titane n'est pas réellement allié ou dissous dans le tungstène mais le pourcentage accru de titane ne con-35 fère en aucun cas des caractéristiques désirables de résistance à la corrosion au tungstène. Le pourcentage en poids de titane n'est pas critique et les valeurs comprises entre 3% et 60% ou plus peuvent être utilisées. De préférence, on utilise environ 10% à 20% en poids de titane. 40 Un ensemble de support (non représenté) qui fait partie d'une 71 1932'4 17. 2093967 plaquette de silicium de plus grande dimension est prévu de manière que la couche 24 de tungstène : titane qui est déposée sur la couche 16 de bioxyde de silicium et dans les ouvertures 18 et 20 peut s'étendre au delà du bord 15 de la pastille de silicium 10 et 5 de la couche de bioxyde de silicium 16. La couche de tungstène : titane 24 est par exemple déposée de manière à atteindre une épaisseur comprise entre 1000 et 4000 Â. Ensuite une couche 26 d'or d'environ 3000 à 10000 A d'épaisseur est déposée par des techniques d'évaporation sur la couche 24 de Ti : W. 10 La couche Ti : W 24 et la.couche d'or 26 peuvent être dépo sées en utilisant un appareil classique de pulvérisation à haute fréquence tel que celui représenté en 21 à la Fig. 10. En se référant à cette Fig., la plaque de support 19 joue le rôle d'anode dans la cible 27 de pulvérisation à haute fréquence, comprenant 15 -l'alliage Ti : W que l'on veut déposer sur la pastille 10. Il y a autant de cibles que de métaux différents à déposer. La plaque 27 de la cible à haute fréquence peut être facilement formée par des méthodes classiques de la métallurgie des poudres. La cible Ti : W est formée d'un mélange homogène de tungstène et de titane en pou-20 dre ; ainsi il est évident que toute combinaison de-pourcentage désirée peut être facilement obtenue. La plaque de cible 27 est supportée par une plaque de . support 23 qui est connectée électriquement à travers un dispositif de commutation à une source d'énergie à haute fréquence (non représenté). 25 Pour le dépôt de l'or, la cible d'or 29 est placée sur sa plaque de support 25 qui à son tour est également connectée par un dispositif de commutation à une source d'énergie à haute fréquence. Les plaquettes sont placées sur une plaque de support 37 qui peut être à un potentiel flottant, mise à la terre ou polarisée 3 0 selon les besoins. Les pastilles de dispositif semi-conducteur doivent être déposées sur la plaque support de manière à recouvrir une zone inférieure à celle de la cible ou bien la plaque support doit être rotative de sorte que toutes les pastilles sont entraînées également en rotation au-dessus de la source pour obtenir l'uniformi-3 5 té de dépôt. En fonctionnement, de l'argon, par exemple sous une pression d'environ 5 à 15.10 millimètres de mercure est introduit à travers l'orifice 33 dans l'appareil 21 de pulvérisation à haute fréquence. L'énergie à haute fréquence est appliquée entre la plaque support 40 19 et la plaque 27 de cibles en Ti : W à une fréquence de l'ordre 71 19324 18. 2093967 de 15 mégahertz pendant une période suffisante pour former une couche de Ti : W sur la pastille 10, présentant une épaisseur de l'or- tà dre de 2550 A. Lorsqu'on a obtenu l'épaisseur désirée de Ti : W, on interrompt l'alimentation en énergie à haute fréquence et on 5 l'applique à nouveau entre la plaque de support 19 et la plaque 29 de la cible d'or. L'énergie à haute fréquence est appliquée pendant un temps suffisant pour donner une épaisseur d'environ- 10.000 S à la couche d'or déposée sur la couche de Ti : W déposée précédemment. Lorsqu'on a obtenu l'épaisseur d'or désirée, on déconnecte la sour-10 ce d'énergie de l'appareil 21, on interrompt la circulation d'argon et on extrait la pastille 10. La couche Ti : W 24 peut être également déposée par pulvérisation en triode au lieu d'être déposée par la technique de pulvérisation à haute fréquence décrite. La couche d'or peut également être éventuellement déposée par des 15 procédés de vaporisation classiques. Après avoir extrait les plaquettes comprenant la pastille 10 de l'appareil 21, on enlève les parties en excès des couches d'or et de Ti : W, 26 et 24 respectivement, en soumettant les plaquettes de silicium à des traitements sélectifs de masquage par un matériau 20 de réserve photographique et de décapage. Ainsi qu'on l'a représenté sur la Fig. 7, on dépose un mince revêtement 28 d'un polymère de réserve photographique, par exemple du KMER de Eastman Kodak sur toute la surface supérieure de la couche d'or 26. On expose cette matière à la lumière ultra-violette à travers un masque qui laisse 25 la lumière atteindre les zones dans lesquelles on veut conserver les couches d'or et de Ti : W, par exemple sur les zones élargies de contact 32 et 30 sur la Fig. 5, les conducteurs d'interconnexion 33 et les conducteurs en lamelles 34. On élimine ensuite la partie du matériau de réserve photographique qui n'a pas été exposée en 30 développant dans une solution de développement photographique. A ce stade, une couche de matériau de réserve photographique recouvre la partie des couches d'or et de ti : W qui forment les zones élargies de contact, les zones d'interconnexion et les conducteurs en lamelles, comme représenté sur la Fig. 5. 35 On soumet ensuite la plaquette à l'action d'une solution de décapage pour éliminer les parties non masquées de la couche dlor 26. On peut utiliser comme solution d'attaque pour l'or une solution alcoolique d'iode et de iodure de potassium. On soumet l'or à l'action de cette solution pendant un temps suffisant pour éliminer 40 les parties non masquées de la couche d'or et pour former dans la 71.19824 19. 2093967 couche d'or 26 un dessin qui correspond au dessin des conducteurs d'interconnexion et des conducteurs en lamelles qu'on veut obtenir dans le dispositif. La couche 24 de Ti : W reste intacte sous les zones dans lesquelles l'or est éliminé par décapage, puisque la so-5 lution d'attaque de l'or n'attaque pas le Ti : W. En formant un masque 28 et en décapant la couche d'or 26, on peut ainsi former un réseau de circuit de géométrie compliquée. Le réseau d'interconnexion ainsi défini est complet et n'exige aucune phase supplémentaire d'alignement et de traitement du matériau de réserve photogra-10 phique. Cette caractéristique ne se retrouve pas dans le système titane-pla/tine-or dans lequel il est nécessaire de prévoir un masque additionnel exactement centré pour déposer l'or suivant un dessin correspondant au dessin d'interconnexion et de conducteurs en lamelles qu'on veut obtenir dans le dispositif. 15 Au cours de la phase suivante, on élimine la couche 28 de matériau de réserve photographique et on dépose une deuxième couche 29 de ce matériau. La couche 29 couvre toutes les surfaces de la plaquette, sauf les lamelles 34. Ces lamelles sont ensuite revêtues d'une couche d'or d'épaisseur appropriée, au moyen du matériau de 20 réserve photographique 29 qui sert de masque pour le dépôt, et au moyen de la couche de Ti : W qui assure la continuité électrique sur la plaquette. Dans le cas de la Fig. 9, la lamelle 34 peut être réalisée d'une épaisseur d'environ 10.000 S a 100.000 Â, Le dessin 29 du matériau de réserve photographique est ensui-25 te éliminé et on effectue la séparation électrique entre les conducteurs d'interconnexion et les conducteurs en lamelles en décapant la couche 24 de Ti : W au moyen d'une solution d'attaque appropriée, dans les zones telles que, par exemple, les zones 35 et 36 de la Fig. 9. On peut utiliser diversés solutions pour attaquer 30 la couche de Ti : W, par exemple le peroxyde d'hydrogène, le peroxyde de sodium et le ferricyanure de potassium alcalin, suivi de l'acide chlorhydrique. Dans la forme dé réalisation préférée, on utilise le peroxyde d'hydrogène comme agent de décapage. Suivant l'invention, on a constaté que l'on peut obtenir des résultats in-3 5 habituels et avantageux en utilisant le peroxyde d'hydrogène. Tout d'abord, la polarisation des jonctions ne semble'pas affecter la rapidité de l'attaque de Ti : W par le peroxyde d'hydrogène. On peut donc obtenir une attaque de même intensité sur toutes les parties du circuit intégré. Ceci n'est pas le cas lorsqu'on utilise d'au-40 très agents de décapage. Un avantage supplémentaire consiste en ce 71 19824 20 2093967 qu'on n'observe qu'une très faible formation de surplombs lorsqu'on utilise le peroxyde d'hydrogène comme agent de décapage. Par exemple, avec un excès d'attaque de 300%, la formation de surplombs est inférieure à environ 2000 2. La raison de cette réduction des sur-5 plombs n'est pas entièrement expliquée, mais il semble que la présence de l'or, lorsque la lamelle d'or a été dénudée par une phase précédente d'attaque de l'or, établit une polarisation électrochimique qui diminue la vitesse d'attaque du peroxyde d'hydrogène sur le Ti : W situé sous l'or. Un autre avantage que l'on obtient en 10 utilisant le peroxyde d'hydrogène consiste en ce qu'on emploie un agent d'attaque à un seul constituant. On peut se procurer le peroxyde d'hydrogène dans le commerce avec des concentrations de 30 à 35% et cet agent est de préférence utilisé à cette concentration, à la température ambiante. Si l'on utilise une concentration plus 15 faible de peroxyde d'hydrogène, par exemple une concentration de 5%, il est préférable d'utiliser une température comprise entre 50 et 60°C. Si l'on utilise le peroxyde de sodium comme agent d'attaque, il est préférable que la concentration soit comprise entre 1 et 5% 20 et que la température soit maintenue comprise entre la température ambiante et 50°C. A ce stade de la fabrication, le dispositif est tel qu'on le représente sur la Fig. 9. Il sera évident pour l'homme de l'art que l'on procède ensuite aux phases suivantes du traitement de protection du dispositif etc. Ces phases sont bien con-25 nues dans la technique et ne font pas partie de l'invention. Lorsque les contacts des conducteurs en lamelles fabriqués suivant l'invention sont protégés par des polymères aux silicones, ils présentent des caractéristiques de résistance à la corrosion à peu près équivalentes à la résistance à la corrosion du système titane-pla-30 tine-or. En outre, un net avantage qu'on peut obtenir par l'application de ce procédé suivant l'invention consiste en ce qu'on élimine la phase critique de l'application du matériau de réserve photographique qui est nécessaire dans le système titane-platine-or, ce qui simplifie les phases du traitement et permet de fabriquer 35 des dessins plus détaillés. Lorsque là structure en lamelle 34 a été formée par dépôt sur la couche d'or 26 déposée et sous-jacente, on peut monter la pastille de semi conducteur et la structure de conducteurs correspondante ainsi que les couches isolantes, dans une capsule appro-40 priée. Les techniques de mise sous capsule sont également connues 71 .19324 21. 2093967 de l'homme de l'art et il ne sera donc pas nécessaire de les expliquer. Naturellement, les techniques de mise sous capsule auxquelles la présente invention est particulièrement bien adaptée sont celles dans lesquelles on désire obtenir une structure non étanche. 5 En outre, il sera évident pour l'homme de l'art que le pro cédé suivant l'invention peut être utilisé avec un circuit intégré qui exige des niveaux de métallisation multiples. L'invention a donc pour objet un procédé perfectionné de formation de conducteurs en lamelles résistants à la corrosion sur des dispositifs à semi-10 conducteurs et des circuits intégrés, procédé dans lequel on utilise une couche de' Ti : W comme écran entre la matière semi-conductrice et la couche d'or formant les interconnexions. 71 19824 22 2093967 REVENDICATIONS 1 - Dispositif semi-conducteur comprenant ton substrat semiconducteur (10;50; 70), me couche isolante (l6;51;73) recouvrant une surface dudit substrat et ayant au moins une ouverture mettant à découvert une partie prédéterminée (12;52;7l) de ladite surface 5 dudit substrat et une métallisation sur ladite couche isolante s'éten-dant dans ladite ouverture en contact avec la dite partie prédéterminée de ladite surface, caractérisé en ce que ladite métallisation comporte un composant métallique (24;65a;85) résistant à la corrosion et au moins un composant métallique conducteur (26j65b;86) 10 associé audit composant métallique résistant à la corrosion. 2 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication I, caractérisé en ce que ledit composant métallique résistant à la corrosion de ladite métallisation est choisi dans le groupe formé du tungstène, du molybdène, du titane-platine et de l'alliage tungstène: 15 titane. . 3 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 2, caractérisé en ce que ledit composant métallique résistant à la corrosion est un alliage de tungstène-titane. 4 - Dispositif semi-conducteur suivant l'une quelconque des 20 revendications I à 3, caractérisé en ce que ladite métallisation comporte en outre une couche métallique (57;77) recouvrant une portion de ladite couche isolante (5Ij73 et s'étendant dans ledit ori-' fiee en contact ohmique avec ladite portion prédéterminée de ladite sur-f«ee, et ledit composant métallique résistant à la corrosion de 25 ladite métallisation et connecté ohmiqueme'nt à ladite coudre métallique. 5 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comporte une deuxième couche isolante (63 » 80) recouvrant ladite première couche isolante et ladite couche métallique, ladite seconde couche isolante présentant au moins m ori- 30 fice mettant à découvert une portion de eouche métallique à laquelle ledit composant métallique résistant à la corrosion est connecté oh-miquement. 6 - Dispositif semi-conducteur suivant l'une quelconque des revendications 4 ou 5, caractérisé en ce que ledit substrat semi- 35 conducteur est pourvu d'une première et d'une seconde zone de type de conductivités opposées formant une jonction p-n entre-elles qui se termine au niveau de ladite première surface dudit substrat au-des 71.19824 2J 2093967 sous de ladite première couche isolante, et une portion de ladite première zone étant mise à découvert par l'orifice ménagé dans ladite première couche isolante et comportant ladite partie prédéterminée de ladite surface à laquelle ladite couche métallique est con- 5 nectée ohmiquement. 7 - Dispositif semi-conducteur suivant l'une quelconque des revendications 4 à 6, caractérisé en ce que ladite couche métallique est en aluminium. 8 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 7, 10 caractérisé en ce que l'épaisseur de ladite couche d'aluminium est comprise entre 8.000 et 15.000 Angstroms. 9 - Dispositif semi-conducteur suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit composant métallique conducteur associé audit composant métallique résistant 15 à la corrosion est constitué par une couche d'or. 10 - Dispositif semi-conducteur suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit composant métallique résistant à la corrosion et ledit composant' métallique conducteur associé à ce dernier sont disposés de façon conti- 20 gUe l'un par rapport à l'autre, ledit composant métallique résistant à la corrosion étant situé au-dessous dudit composantjfaétallique conducteur pour définir une métallisation résistante à la corrosion. 11 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 10, caractérisé en ce que ladite métallisation résistante à la corrosion 25 s'étend au-delà d'un bord dudit substrat de manière à former un eon-ductéur en forme de lamelles (3^ 65 ; 88) s'étendant à partir du dispositif. 12 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication II, caractérisé en ce que ledit conducteur en forme de lamelle comprend 30 une lamelle métallique conductrice de renforcement (34 ; 65c; 88) connectée ohmiquement à ladite métallisation résistante à la corrosion,. 13 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication II, caractérisé en ce que ledit substrat semi-conducteur est constitué par une pastille de silicium. 35 i4 - Dispositif semi-conducteur suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ces «que la ou lesdites couches isolantes sont constituées en bioxyde de silicium. 71 19824 24 2093967 15 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication I dans lequel ladite couche isolante est pourvue de plusieurs ouvertures mettant à découvert plusieurs parties prédéterminées de ladite surface, caractérisé en ce que ledit composant métallique résistant 5 à la corrosion et ledit au moins un composant métallique conducteur associé à celui-ci contistuent une géométrie d'interconnexion électrique et de conducteurs en lamelles résistante à la corrosion comprenant une couche d'alliage de titane-tungstène (24) recouvrant des parties choisies de ladite couche isolante et des parties pré-10 déterminées à découvert de ladite surface, lesdites parties choisies correspondant à ladite géométrie d'interconnexion et de conducteurs en lamelles, une première couche d'or (26) recouvrant ladite couche d'alliage de titane-tungstène, et une deuxième couche d'or (j54) recouvrant ladite première couche d'or dans des zones où les conduc-15 teurs en lamelle sont nécessaires. 16 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 15, caractérisé en ce que l'épaisseur de ladite couche d'alliage de titane-tungstène est comprise entre 1000 et 4000 AngstrSms. 17 - Dispositif semi-conducteur suivant l'une quelconque des 20 revendications 15 ou 16, caractérisé en ce que l'épaisseur de ladite première couche d'or est comprise entre 3000 et 10.000 Angs-troms, 18 - Dispositif semi-conducteur suivant l'une quelconque des revendications 15 à 17, caractérisé en ce que l'épaisseur de ladite 25 seconde couche d'or est comprise entre 10.000 et 100.000 Angstrums. 19 - Procédé de fabrication d'interconnexions électriques résistantes à la corrosion pour un dispositif semi-conducteur suivant la revendication 15, dans lequel plusieurs composants de circuit sont formés au voisinage d'une surface d'un substrat semi-conducteur • 30 et une couche isolante est formée sur ladite surface et présente ' _ plusieurs ouvertures mettant à découvert des portions des dits composants de circuit, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à déposer une couche d'alliage de titane-tungstène sur ladite couche isolante et les parties à découvert desdits com-35 posants de circuit, à déposer une première couche d'or sur ladite couche d'alliage de titane-tungstène jusqu'à une épaisseur convenable pour des trajets d'interconnexion, à exposer à travers un premier masque des portions choisies de ladite première couche d'or pour définir une géométrie prédéterminée de conducteurs en lamelles 40 et d'interconnexion, à décaper lesdites parties à découvert de la- 71.19324 25 2093967 dite première couche d'or avec un décapant qui attaque sélectivement l'or de manière à mettre à découvert des portions de ladite couche d'alliage de titane-tungstène qui se trouve au-dessous, à former un second masque sur la surface dudit dispositif semi-conducteur pour 5 ne mettre à découvert que la géométrie désirée de conducteurs en lamelles, à disposer une seconde couche d'or sur ladite géométrie de conducteurs en lamelles mise à découvert jusqu'à une épaisseur convenable pour les conducteurs en lamelles, ledit second masque mettant ainsi à découvert des zônes choisies de ladite couche d'al-10 liage de titane-tungstène et à décaper à travers ces zônes à découvert de la couche d'alliage de titane-tungstène, au moyen d'un décapant qui attaque sélectivement seulement l'alliage de titane-tungstène de manière à isoler électriquement les géométries de conducteurs en lamelles et d'interconnexion correspondantes. 15 20 - Procédé suivant la revendication 19, caractérisé en ce que du siliciure de- platine est formé sur les parties à découvert desdits composants de circuit pour établir un contact ohmique avec les composants de circuit à découvert avant la phase de dépôt de la couche d'alliage titane-tungstène. 20 21 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 19 ou 20, caractérisé en ce que le décapant pour attaquer sélectivement seulement l'alliage de titane-tungstène est choisi parmi le groupe comprenant le peroxyde d'hydrogène, le peroxyde de sodium et le ferricyanure de potassium alcalin suivi par de l'acide chlo-25 rhydrique. 22 - Procédé suivant la revendication 21, caractérisé en ce que le décapant pour attaquer sélectivement seulement la" couche d'alliage de titane-tungstène est le peroxyde d'hydrogène ayant une concentration comprise entre 5 % et 35 %> et de préférence entre 30 30 % et 35 %. 23 - Procédé suivant l'une quelconque des revendications 19 à 22, caractérisé en ce que ladite couche d'alliage de titane-tungstène est formée de manière à présenter une épaisseur comprise entre 1000 et 4000 S, ladite première couche d'or étant formée de manière 35 à présenter une épaisseur comprise entre 3000 et 10.000 S, tandis que ladite seconde couche d'or est formée de manière à présenter une épaisseur comprise entre 10.000 et 100.000