FR 2108209 A1 19720519 FR 7131218 A 19710827 Les régions d'émetteur, de base et de collecteur, d'un transistor latéral ne sont pas superposées comme dans un transistor normal, mais disposées côte à cote. Selon une caractéristique essentielle de l'invention, une électrode de commande isolée est disposée sur la partie de la région de base d'un tel transistor latéral comprise entre les régions d'émetteur et de collecteur. Cette électrode de commande isolée recouvre de préférence toute la partie de la région de base comprise entre les régions d'émetteur et de collecteur. L'invention présente l'avantage de permettre l'application à l'électrode de commande isolée, sur la partie de la base comprise entre les régions d'émetteur et de collecteur, d'un potentiel influençant le gain en courant du transistor latéral. La région d'émetteur est utilisée de préférence comme point de référence de ce potentiel, mais il est également possible de choisir la région de base comme point de référence. Une tension continue ou alternative peut titre appliquée à l'électrode de commande isolée. Une tension continue appliquée dépend généralement de la polarité des régions semiconductrices, et notamment de la région de base du transistor latéral. Un potentiel négatif est appliqué de préférence à l'électrode de commande isolée quand la région de base est du type n par exemple, et inversement. La valeur de la tension continue appliquée dépend aussi de l'épaisseur de la couche isolante de l'électrode de commande. Une tension continue de 5 à 10 V est généralement appliquée à l'électrode de commande isolée. La production d'un transistor latéral selon l'invention s'effectue par exemple comme suit : recouvrement par une couche isolante d'une face d'un substrat semiconducteur du mame type que la région de base, ouverture dans cette couche isolante de fenêtres pour la diffusion des régions d'émetteur et de collecteur, diffusion dans le substrat semiconducteur des régions d'émetteur et de collecteur à travers ces fenêtres, dépot d'électrodes sur la région d'émetteur, la région de collecteur et la partie de la couche isolante demeurant entre les fenêtres de diffusion de l'émet- teur et du collecteur. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à l'aide de la description détaillée ci-dessous et du dessin annexé sur lequel : la figure 1 représente le substrat semiconducteur portant une couche isolante; la figure 2 reprsente les fenêtres concentriques de diffusion de l'émet- teur et du collecteur, ouvertes dans la couche isolante; la figure 3 représente les régions concentriques d'émetteur et de collecteur diffusées dans ie substrat; et la figure 4 représente le transistor latéral complet, avec ses diverses électrodes. La production diun transistor latéral selon l'invention se fait par exemple, selon figure 1, à partir d'un substrat semiconducteur 1, du même type que la région de base et dont une face est munie d'une couche isolante 2. Une fenêtre 3 de diffusion d'émetteur et une fenêtre 4 de diffusion de collecteur sont ensuite ouvertes dans la couche isolante 2, qui est par exemple en bioxyde ou nitrure de silicium. Dans l'exemple de réalisation de la figure 2, la fenêtre 4 de diffusion du collecteur est annulaire et entoure la fenêtre 3 de diffusion de l'émetteur. La section de la fenêtre de diffusion e L'émetteur est par contre circulaire de préférence.La région d'émetteur 5 et la région de collecteur 6, diffusées dans le substrat semiconducteur 1, selon figure 3, ont naturellement une forme correspondant à la section des fenêtres de diffusion. Les électrodes suivantes sont déposées selon figure 4 après la réalisation des régions d'émetteur et de collecteur : électrode d'émetteur 7, recouvrant la région d'émetteur dans la zone de la fenêtre 3 de diffusion d'émetteur; électrode de collecteur 8, recouvrant la région de collecteur dans la zone de la fenêtre 4 de diffusion de collecteur; électrode de commande isolée 9, annulaire dans l'exemple de réalisation décrit et recouvrant la partie résiduelle 2', également annulaire, de la couche isolante 2 entre les deux fenêtres de diffusion. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'hpmme de I'art au procédé et au dispositif qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemples non limitatifs, sans sortir du cadre de l'invention. Revendications 1. Transistor latéral caractérisé par une électrode de commande isolée, sur la partie de la région de base située entre les régions d'émetteur et de collecteur. 2. Transistor latéral selon revendication 1, caractérisé en ce que l'électrode de commande isolée recouvre toute la partie de la région de base située entre les régions d'émetteur et de collecteur. 3. Transistor latéral selon revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la région de collecteur annulaire entoure la région d'émetteur et que la partie annulaire de la région de base située entre les régions d'émetteur et de collecteur est recouverte par une couche isolante, également annulaire et sur laquelle est déposée l'électrode de commande isolée du substrat semiconducteur par cette couche. 4. Transistor latéral selon une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche isolante de l'électrode de commande est en bioxyde ou nitrure de silicium. 5. Transistor latéral selon une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé par l'application à l'électrode de commande isolée d'une tension continue ou alternative, dont le point de référence est la région d'émetteur ou de base. 6. Procédé pour la fabrication d'un transistor latéral selon une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé par le recouvrement d'une face d'un substrat semiconducteur du même type que la région de base par une couche isolante, l'ouverture dans cette couche isolante de fenêtres pour la diffusion des régions d'émetteur et de collecteur, la diffusion dans le substrat semiconducteur, par ces fenetres, des régions d'émetteur et de collecteur, et le dépôt d'électrodes sur la région d'émetteur, la région de collecteur et la partie restante de la couche isolante entre les fenêtres de diffusion d'émetteur et de collecteur.