FR 2032272 A1 19701127 FR 6937758 A 19691103 69 37758 1 '2032272 La présente invention concerne des matrices à mémoire dix type qui se compose de plusieurs conducteurs d'axes X et Y formant des rangées et des colonnes de conducteurs destinés à des fins d'écriture (c1 ':st-à-dir-e d'excitation et de désexcitation eu pour 5 écrire "1" et "0" , d'opérations de lecture ainsi que de dispositifs de commutation qui ont une utilité comme éléments d'isolement et à mémoire afin d'emmagasiner des informations binaires codées, etc. La plupart des calculatrices utilisent des matrices à mémoire 10 magnétique à courant à coïncidence où un noyau magnétique ou un autre élément magnétique est disposé à chaque point de croisement. Ces matrices à mémoire sont très répandues en raison de leur grande vitesse d'écriture et de "lecture et de leurs caractéristiques d'accès désordonné. . 15 La matrice à mémoire représentant un aspect de l'invention est une matri ce à mémoire à tension à coïncidence qui est moins coûteuse et plus facile à utiliser que les œ&trices à mémoire magnétiques et les autres matrices à mémoire. A la différence des mémoires à noyau magnétique, la matrice à mémoire de l'invention 20 peut être lue sans destruction (c'est-à-dire sans effacer les parties enregistrées et sans nécessiter une opération de réécriture à chaque fois). A l'heure actuelle, le cycle de lecture classique avec les mémoires magnétiques comporte : la lecture, l'emmagasi-nement temporaire et la'réécriture avant qu'une autre adresse 25 puisse être lue. La matrice à mémoire à tension à coïncidence de l'invention nécessite seulement, une opération à la place des trois opérations dans l'opération de lecture et une routine plus simple pour co mander le cycle de lecture, plutôt que dans les mémoires •magnétiques et la donnée emmagasinée n'est pas exposée à une er-30 reur ou une perte possible pendant la lecture comme dans le cas de mémoires magnétiques. Ces avantages de lecture' sont très importants dans le cas où 1'information emmagasinée doit être conservée pendant des lectures répétées (par exemple des tables de données emmagasinées "ou les opérations de routine d'une calcula-35 trice). Outre les avant?^ges de la vitesse de la lecture et de sa nen destruction, la mémoire à tension à coïncidence de l'invention convient bien pour la co mande de transistors en raison des faibles niveaux de tension de commande et de courant impliqués et du fait 69 37758 2 ■ 2032272 que la lectui*e peut être réalisée sans amplificateurs dç lecture sensibles à plusieurs étages coûteux car le sipnal de lecture peut être à un niveau de tension continue directement compatible avec les circuits logiques à courant continu ne nécessitant pas 5 d'autre amplification. La matrice à. mémoire à tension à coïncidence de l'invention utilise à chaque point de croisement plusieurs circuits qui seront appelés dispositif de commutation à seuil et dispositif de commutation à mémoire, cui sont tous les deux le plus avantageusement 10 sous la forme de pellicules ou de couches déposées en matières isolantes et semi-conductrices, appliquées de préférence par dépô"c sous vide, pulvérisation ou criblage sur des bandes de matière conductrice déposées sur toute base convenable de la matière isolante, .ces bandes de matière conductrices constituant les conducteurs 15*;X et Y de la matrice. Le brevet américain No. 3 271 591 décrit des dispositifs de commutation à mémoire et à seuil qui peuvent être déposés sous la forme de pellicules ou de couches de matière.semi-conductrice. Dans ce brevet, ces dispositifs de commutation sont appelés res-20 pectivement dispositif "à mécanisme" et dispositif "Iîi-Lo". Un aspect spécifique de l'invention consiste à prévoir une réalisation physique améliorée des dispositifs de coin r.utation à mémoire et à seuil, où est déposée une pellicule, qui peuvent être du type décrit dans le brevet mentionné ci-dessus et un autre aspect de 25 -l'invention réside dans la fabrication de circuits complets comportant ces dispositifs de commutation à mémoire et à seuil et des éléments de circuit électrique passifs comme des dépôts de pellicules sur toute base isolante convenable de façon à ce que le circuit, dans son ensemble, puisse être réalisé de manière peu coû-30 teuse, avec une production en série et des techniques de fabrication continue. La fabrication de circuits complets comprenant des dispositifs de commande de courant comme des transistors, des redresseurs commandés- au silicium et des dispositifs analogues en déposant ces éléments .et d'autres éléments de circuits sous la for-35 me de pellicules dans une base isolante commune, a seulement été réalisée jusqu'à présent avec de nombreuses difficultés. Le dispositif de com-iutation de reuil sous la forme d'une pellicule déposée, utilisé dans la matrice à mémoire mentionnée comme dispositif à deux bornes, est formé p^r une couche de r.a- BAD ORIGINAL 69 37758 3 2032272 tière serai-conductrice qui est co mutée à partir d'une condition •' à résistance normalenent élevée vers une condition à résistance faible lorsque la tension appliquée à ses surfaces opposées dopasse une certaine valeur de seuil et est ramené vers 1'état à 5 résistance élevée lorsque le passage du courant tombe en dessous d'une certaine valeur minimale, les dispositifs de commutation à seuil for~snt. des matières semi-conductrices peuvent être du type décrit dans le brevet américain No. 3 271 591• Ces dispositifs de commutation à seuil peuvent être fabriqués avec une:grande sé-10 lection des niveaux de seuil de valeurs modestes (par exemple de 5 à 30 volts) de façon satisfaisante en réglant l'épaisseur des pellicules semi-conductrices impliquées. Le dispositif de commutation à mémoire sous la forme d'une pellicule déposée utilisé dans la matrice à mémoire qui est mentionnée comme un dispositif bi-stable 15 ià deux bornes est formé par une couche de matière semi-conductrice ,qui est amenée dans une condition de résistance faible lorsqu'une tension appliquée aux surfaces opposées de cette couche dépasse une valeur de seuil donnée. La couche semi-conductrice reste ainsi indéfiniment, dans sa condition à résistance faible même lorsque la 20 tension appliquée est retirée, jusqu'à ce qu'apparaisse une désexcitation vers une condition à résistance élevée comme par l'amenée d'un courant de désexcitation relativement important à une tension inférieure à cette valeur de seuil. Les dispositifs de commutation à mémoire formant des matières seni-conductrices peuvent 25 être du type mentionné dans le brevet américain ci-dessus. On suppose que les matières semi-conductrices des dispositifs de commutation à mémoire et à seuil conduisent en général le courant le long d'une trajectoire ou de trajectoires filamenteuses s'étendant entre les surfaces auxquelles la tension est appliquée. Bien qu'à des 30 fins d'illustration, on se rapporte aux dispositifs de commutation du type décrit dans le brevet américain No. 3 271 591, il y a lieu de remarquer que l'on pourrait utiliser dans la matrice de l'invention d'autres dispositifs de commutation ayant respectivement dss caractéristiques de commutation à mémoire et à seuil analogues à 35 celles des dispositifs décrits dans ce brevet. Lorsqu'un dispositif de commutation à seuil est relié en s'^ie avec un dispositif de commutation à mémoire, la combinaison récitante, si les impédances des deux dispositifs sont comparables, résulte en une tension relativement élevée (c'est-à-dire une ten- bad original 69 37758 2032272 sion proche de deux fois les valeurs de seuil inférieures des dispositifs) pour co .muter tant le dispositif de commutation à mémoire que lo dispositif de ccn utation à seuil, à partir de leurs conditions de résistance élevéé vers leurs conditions ds 5 résistance faible. D'autre pe.rt, si les résistances des deux dispositifs sont essentiellement différentes, les deux dispositifs peuvent être co T.andés vers leurs conditions de résistance inférieure par une tension bien inférieure à cette valeur. Une telle 'tension commute tout d'abord l'un des dispositifs dans sa condi-10 tion à résistance faible puis, si la tension appliquée est égale ou- supérieure à la valeur de seuil de l'autre dispositif, commute également ce1} autre dispositif vers sa condition de résistance faible. Dans le cas où les résistances des deux dispositifs sont matériellement différentes, à des fins de sûreté, on a déterminé 15 que la valeur de seuil des dispositifs de commutation à mémoire doit être supérieure à celle des dispositifs de commutation à seuil. Une opération de lecture pour déterminer lequel d'un dispositif 'de commutation à mémoire choisi est dans une condition de résistance élevée ou faible, implique l'alimentation d'une tension 20 aux bornes des conducteurs associés X et Y qui est insuffisante pour déclencher le dispositif de commutation à mémoire impliqué lorsqu'il est dans une condition d-- résistance élevée vers une condition de résistance faible mais est insuffisante pour commander un dispositif de commutation à seuil vers sa condition de 25 -résistance faible lorsqu'il est associé avec un dispositif de commutation à mémoire déjà dans sa condition de résistance faible. Conformément à l'invention, la couche semi-conductrice de l'un des dispositifs de commutation associé avec chaque point de croisement est déposée sur le conducteur X. impliqué dans l'es-30 pace entre le conducteur Y associé et le conducteur immédiatement adjacent Y et la couche semi-conductrice de l'autre dispositif de coa-utation de chaque point de croisement est déposée sur le conducteur Y impliqué dans l'espace entre le conducteur X associé et le conducteur X immédiatement adjacent. De profé-35 rence, les deux dispositifs de commutation sont reliés en série par une bande étroite de matière conductrice reliant les surfaces les plus extérieures des couches déposées de matière semi-cond'ic-trice. Les conducteurs X et Y sont, dans la plupart des cas, déposés par criblage à la soie ou par un autre moyen sur la BAD ORIGINAL 69 37758 5 2032272 surface d'une base de matière isolante avec chaqre point de croisement de chaque conducteur X et' Y isolé électriquement par une petite pièce ou pièce de matière isolante disposée entre eux, la bande de matière conductrice reliant chaque dispositif de com-5 mutation à mémoire et à seuil associé en série étant une couche de matière conductrice déposée sur la base isolante avec leurs extrémités recouvrant et reliant les couches semi-conductrices • préalablement d porses des dispositifs de commutation impliqués. Les conducteurs X et Y et la bande de liaison■mentionnée 10 ci-dessus de la matière conductrice associée avec chaque point de croisement de la matrice peuvent être mis èn contact avec les surfaces opposées des couches associées de la matière semi-conductrice sur une étendue appréciable. Sans ce cas, la trajéctoire ou les trajectoires filamenteuses mentionnées ci-dessus de la 15 conduction du courant à travers chaque couche de matière semi- conductrice peuvent varier essentiellement en position chaque fois que le dispositif impliqué est rendu conducteur et ces variations peuvent modifier d'une façon significative la valeur dé seuil du dispositif. Suivant un autre aspect de l'invention, la trajectoire 20 cLe conduction à travers la couche semi-conductrice de chaque dispositif de commutation à mémoire ou à seuil déposé de la matrice est contrainte de suivre une trajectoire compatible limitée par dépôt sur chaque partie de chaque conducteur X et Y où une .couche semi-conductrice formant le dispositif de commutation à 25 -mémoire ou à seuil doit être déposée sur une partie ou pièce de matière isolante ayant un petit pore, de telle sorte que seulement une petite partie de la surface extérieure de chaque conducteur X ou Y impliqué soit exposée pour l'application de la couche de matière semi-conductrice en question. Ensuite, lorsque la cou-30 che de la matière semi-conductrice formant le dispositif de commutation à mémoire ou à seuil est déposée sur la pièce ou partie de matière isolante impliquée, la matière semi-conductrice pénètre dans le pore de la matière isolante et permet le contact avec le conducteur X ou' Y impliqué sur une très petite étendue. A 35 titre d'exemple, le diamètre de chaque pore et, en conséquence, l'étendue de contact mentionnée, peuvent être compris dans la gamme d'environ 10 à 100 jli dans la forme la plus préférée de l'invention, de "préférence d'environ 10 m, de telle sorte que la trajectoire filamenteuse de la conduction de courant apparaissant 69 37758 6 2032272 dans la couche serai-conductrice soit compatible à travers le mêiT.é corps de matière. L.-s pores peuvent être formés dans la pièce ou partie de matière isolante mentionnée .jîar dépôt d'un "resist" acide photosensible 4ui devient fixé lorsqu'il est soumis à la lu-5 mière sur la surface recevant la pellicule de la base isolante impliquée, en-plaçant un cache à photo-émulsion ayant des étendues transparentes de lumière sur les parties du 'cache qui doivent couvrir les parties du résist qui ne sont pas à éliminer avec le trait en îenc l'icide ou un autre agent- chimique et des étendues 10 opaques de lumière sur la partie du cache qui .doit recouvrir chaque point sur 1'ensemble à éclairer,à développer le résist photosensible expçsé, à effectuer une attaque à l'acide avec les parties non fixes non exposées du résist avec une matière chimique convenable et à retirer ensuite du traitement thermique les parties T5£'-ïixes exposées du résist. Les autres pellicules sur la base isolante peuvent être introduites dans des étendues choisies de la base isolsnte par des i>rocessus sélectifs d'attaque à l'acide comme cela est décrit ou par dépôt à travers des caches ouverts. L'invention est représentée, à titre d'exemples non limita-20 tifs aux dessins annexés. La fig. 1 3st un diagramme d'un dispositif de couplage d'une matrice.à mémoire à tension à laquelle l'invention peut être appliquée et de circuits exemplaires pour des informations d'écriture et de lecture à partir de la matrice. 25 . La fig. 2 est un diagramme simplifié du circuit total associé avec tout point de croisement actif de la matrice. La fig. 3 illustre les tensions qui sont appliquées à un point de croisement choisi de la matrice pour l'exciter (c'es"G-à-dire emmagasiner un "1" binaire au point de croisement), pour dé-30 sexciter le point de croisement particulier de la matrice (c'est-à-dire emmagasiner un "0" binaire au point de croisement), et pour lire le chiffre binaire emmagasiné dans un point de croisement particulier de la matrice. La fig. 4- est un diagramme illustrant les différents courantr 35 qui circulent à travers le point de croisement choisi pendant 1'.excitation, la désexcitation et la lecture d'un "1" binaire à un point de croisement particulier de la matrice. La fig. 5 est une courbe de la caractéristique courant-ter.-sion d'un dispositif de commutation à s'.uil qui peut être utili" 40 à chaque point de croisement de la matrice. BAD ORIGINAL 69 37758 7 2032272 La fig. 6 est une courbe de la caractéristique courant-tension d'un dispositif de commutation à mémoire qui peut être utilisé à chaque poinjb de croisement de la matrice lorsque le dispositif est dans sa condition à résistance élevée. 5 La fig. 7 osv une courbe de la caractéristique courant-ten sion d'un dispositif de commutation à mémoire qui peut être utilisé à chaque point de croisement de la matrice lorsque le dispositif est dsns sa condition à résistance .faible. La fig. S est une vue en plan de la forme de la matrice à 10 mémoire de la fig. 1, cette forme constituant l'un des modes de réalisation de l'invention. La fig. 9 est une coupe de la matrice de la fig. 8 prise suivant la ligne 9-9 'de cette figure. La fig. 10 est une coupe de la matrice de la fig. .8 prise 15 suivant la ligne 10-10 de cette figure. La fig. 11 représente un schéma d'un dispositif de couplage du circuit de commande de base qui peut être réalisé totalement par dépôts de pellicules sur un panneau isolant conforme à l'invention. 20 La fig. 12 illustre un panneau à circuit ayant tous les élé ments du. circuit de la fig. 11 sous la forme de dépôts de pellicules. La fig. 13 est une vue .en plan partiel d'une variante de l'invention. 25 • La fig. 14 est une vue en coupe prise suivant la ligne 14—14 de la fig. 13» A la fig. 3, on a représenté en ordonnée par V la tension et en abscisse V- , V- et Vr, signifient respectivement tension 7 J_» JJ d'excitation, tension de lecture et tension de désexcitation ; à 30 la fig. 4, on a illustré en ordonnée par I l'intensité du courant, en abscisse Ijv , LSC et signifient respectivement inten^ sité d'excitation, lecture si le dispositif à mémoire est conducteur et intensité de désexcitation. A la fig. 1,'on a représenté une matrice à mémoire à tension 35 désignée, dans son ensemble , par 2 qui se compose de plusieurs conducteurs mutuellement perpendiculaires X et Y. identifiés respectivement par X1, X2 Xn et Y1, Y2..-..Yn. Les conducteurs X et Y se croisent les uns avec les autres lorsqu' ils sont vus dahs un plan à deux dimensions mais les conducteurs BAD ORIGINAL 69 37758 8 '2032272 n'ont pas de contact physique. De plus, chaque conducteur X et Y est relie au niveau de son point de croisement ou près de son point de croisement par plusieurs circuits d'un dispositif de commutation à mémoire 4 et d'un dispositif de commutation à seuil 5 6. Comme dans le cas de la plupart des matrices à mémoire, l'information est emmagasinée au niveau de chaque point.de croisement, de préférence, sous la forme d'un "1" ou d'un "0" binaire indiqué pai' l'état ou la condition d'un élément à mémoire. Ainsi, dans les matrices à noyau magnétique, l'état magnétique particu-10 lier d'un noyau détermine lequel des chiffres binaires "1" ou "0" est emmagasiné au niveau d'un point de croisement particulier de la matrieç. Dans l'invention, l'information binaire au niveau de chaque point de croisement est déterminée par le dispositif de commutation à mémoire 4 qui est dans sa condition à résistance • 15 faible que l'on considérera de façon arbitraire comme un état binaire "1", ou une condition à résistance élevée que l'on considérera habituellement comme un état binaire "0". Le dispositif de commutation à seuil 6 isole chaque point de croisement à partir d'autres points de croisement. 20 On prévoit un dispositif de commutation (dont les détails peuvent varier dans un grande mesure) pour relier une ou plusieurs sources de tension entre un conducteur X choisi et un conducteur Y choisi pour exécuter une opération d'excitation, de désexcitation ou de lecture au niveau du point de croisement. Comme 25 .cela est illustré, chaque conducteur X est relié à l'une des extrémités d'un groupe de trois commutateurs parallèles 8, 8' et 8" (ces commutateurs étant identifiés par des chiffres supplémentaires correspondant au nombre assigné au conducteur X impliqué), dont 1er autres extrémités sont reliées respectivement à des con-30 ducteurs d'excitation, de désexcitation et de lecture désignés par 11, 11' et 11to . Le conducteur d'excitation est relié p;;r l'intermédiaire d'une résistance 12 à une borne positive 14 d'une source 16 de tension continue qui produit une sortie de V2 volts. La borne négative 14' de la source de tension continue 35 est reliée à la terre en 20 de telle sorte que la tension de la borne 14 est de + V2 volts. Le conducteur de désexcitation 11' est relif, par l'intermédiaire d'une r'si s tance relativement faibl" 22 à la borne positive 24 d'une source de tension continue £5 dont la borne négative 241 est reliée à là terre en 20. La borne §AD ORIGINAL 69 37758 9 2032272 positive 24 produit une tension de +V1 volt au-desjus de là terre. Le conducteur de lecture 11" est relié par l'intermédiaire d'une résistance 28 à la borne positive 24-. Chaque conducteur Y est relié à l'une des extrémités d'iui grou-5 pe de commutateurs parallèles 10, 10' et 10" qui sont également identifiés par un autre chiffre correspondant au nombre du conducteur X ou Y impiicué. les autres extrémités de ces dommutateurs sont relies * à un conducteur co..mun 30 conduisant à la borne négative 32' d'œo source 34 de tension continue dont la borne positive 32 est reliée 10 à la terre en 20. La borne négative 32' est ainsi à une tension de -V1 volt par rapport à la terre. Les commutateurs 8,8*, 8", IU, 1U1 et 10" peuvent être des commutateurs ou des contacts électroniques à vitesse élevée. 17a--turellement, on préfère des commutateurs électroniques à vitesse .15 élevée. On prévoit des dispositifs de commutation (non représentée) pour fermer les deux commutateurs appropriés destinés à relier les sources de tension positive et négative convenables par rapport aux conducteurs choisis X et Y. . Comae on l'a indiqué précédemment, chaque dispositif de 20 commutation cà seuil 6 ou chaque dispositif de co:.imutation à-mémoire 4 est un dispositif à seuil car, lorsqu'il est dans une condition, à résistance élevée, une tension qui équivaut ou qui dépasse une valeur de seuil donnée peut être appliquée à ses bornes pour le commander ou l'amener dans sa condition à résistance 25 faible. Si la résistance de ces dispositifs dans leurs conditions à résistance élevée est d'une valeur comparable ou'essentiellement égale pour écrire un "1" binaire dans le dispositif de commutation à mémoire à tout point de croisement, cela nécessite l'application d'une tension aux bornes du conducteur X et Y choisi 30 qui équivaut ou qui dépasse deux fois la valeur de seuil la plus basse des dispositifs 4 et 6 reliés en série. Ainsi, par exemple, si le dispositif de commutation à mémoire 4 a une valeur de seuil de 20 volts et le dispositif de commutation à seuil 6 une valeur de seuil de 15 volts, la tension appliquée 35 par la fermeture de la deuxième paire choisie des commutateurs 8 et 10 doit être égale ou doit dépasser de préférence 30 volts. Ceci signifie que la somme des sorties des sources de tension continue 16 et 34 reliées entre les bornes 14 et 32' doit également dépasser 30 volts car les valeurs de la résistance 72 4o (ainsi que des résistances 22 et 2B) sont infinitésimales par - 1 êâd ôriginal 10 '2032272 rapport à la résistance des dispositifs cie commutation 4- et 6 dans leurs conditions à résistance élevée. Toutefois, les résistances des dispositifs de comniut3.tion à mémoire et à seuil sont, de préférence, essentiellement différentes. D'une façon av:ntageu-5 se, l'impédance non conductrice de. chaque dispositif de commutation à seuil 6 est au moins dix fois supérieure et, notamment, cent fois supérieure à celle du dispositif de commutation à mémoire associée. Dans un tel' cas, avec les valeurs de seuil mentionnées ci-dessus, un "1" binaire est écrit en tout point choisi 10 de croisement en appliquant une tension aux bornes des dispositifs de commutation 4 et 6 choisis, reliés en série, légèrement supérieure à 2Q volts, de préférence d'au moins plusieurs volts supérieurs à 20 volts, en vue d'une sécurité maximale (voir fig. 3)« Toutefois, on peut appliquer une tension qui atteint ou qui dépagae 15 la somme du groupe de tension de trois points de croisement car ceci excite simultanément n'importe lequel d'un nombre de trois points de croisement reliés en rérie en parallèle avec le point de croisement choisi. . • Si les valeurs de résistance des dispositifs de commutation à 20 mémoire et à seuil dans leurs conditions à résistance élevée sont essentiellement égales pour désexciter un dispositif de commutation à mémoire en un point de croisement (c'est-à-dire pour le modifier à partir de sa condition à résistance faible vers sa condition à résistance élevée), la tension appliquée entre le conducteur de 25 désexcitation 11' et le conducteur commun 30 doit dépasser la valeur de seuil du dispositif de commutation de seuil choisi 6, car on suppose que la résistance de tout dispositif de commutation à seuil 6 dans sa condition à résistance normalement élevée est de plusieurs centaines ou de plusieurs milliers de fois plus 30 grande que la résistance de la condition à résistance faible de tout dispositif de commutation à mémoire. De même, la tension appliquée doit, en général, être inférieure à la valeur de seuil du dispositif de commutation à mémoire à désexciter comme indiqué à la fig. 3- L'application d'une telle tension entre le conduc-35 teur de désexcitation 11' et le conducteur commun 30 commande le dispositif de commutation à seuil 5 vers sa condition à résistance faible. Ainsi, si la résistance de la source du circuit de désexcitation-est suffisamment faible, de telle sorte qu'un courant de désexcitation au niveau ou au-dessus du niveau L1 69 37758 n ■ 2032272 (fig. ;.) circule à travers le dispositif de commutation à mémoire impliqué, le dispositif sera désexcité vers sa condition à résistance élevée. Par conséquent, la résistance 22 reliée en série avec le conducteur de désexcitation 11' est rendue suffi-5 samment petite peur qu'un courant de désexcit.tion désiré circule à travers le dienôritif de com~utation à mémoire choisi pendant une opération de désexcitation. La résistance 12 en série avec le conducteur d'excitation 11 et la résistance 28 en série avec le conducteur de lecture 11" sont des résistances de lirni-10 tation de courant qui limitent la valeur du courant circulant à travers le dispositif de commutation à mémoire pendant une opération d'excitation ou de. lecture vers une valeur inférieure au niveau du courant de désexcitation L1. Pendant une opération de lecture, une tension est appliquée 15*-'entre le conducteur de lecture 11' et le conducteur commun JC, qui est insuffisamment élevée pour effectuer une commande vers une condition à résistance faible du dispositif de commutation à seuil dans sa condition à résistance élevée en série avec un dispositif de commutation à mémoire dans sa condition à résistance 20 élevée. Dans la forme de l'invention donnée à titre d'exemple et illustrée à la fig. 3, où on suppose que la valeur de seuil de chaque dispositif de comrutaticn à seuil 6 est de 15 vclts, et la valeur de seuil de chaque dispositif de commutation à mémoire est de 20 volts, la tension de lecture doit dépasser 1> volts et 25 être inférieure à 20 volts. Dans l'exemple représenté à la fig. 3, la tension de lecture et la tension de désexcitation sont choisies à mi-chemin entre 15 et 20 volts. A partir du schéma de couplage représenté à la fig. 1, il ressort que la somme des sorties des sources de tension continue 30 26 et 34 qui est de 2 V1, est approximativement de 17,5 volts. Si la somme de la sortie des sources de tension 16 et 3^ pour . une opération d'excitation est supposée être équivalente à 22 volts ceci a pour effet que la sortie de la source de tension 16 est d'environ 13, 25'volts dans le circuit décrit donné à titre 35 d'exemple. Lorsqu'un "1" binaire est emmagasiné dans un dispositif de commutation à mémoire particulier, l'application d'une tension de lecture aux bornes du conducteur X et Y associé qui dépasse le niveau.de seuil de tension du dispositif de commutation bad original 69 37758 12 2032272 à seuil associé entraîne le passage significatif de courant à travers la résistance 28 en série avec le conducteur de lecture 11" . D'autre part/sj le dispositif de commutation à mémoire choisi est dsns une condition à résistance élevée, cette tension 5 de lecture n'est pas assez élevée pour déclencher le dispositif de commutation à-mémoire vers sa condition à résistance faible, essentiellement aucun courant ne circulant à travers la résistance 28. En conséquence, on prévoit un circuit de lecture 40 qui palpe la chute de tension aux bornes de la résistance '28 pour •10 déterminer si oui ou non le point de croisement choisi est dans un état de "1" binaire ou de "0"_binaire. Comme oii l'a indiqué précéde~iaent, bien que le dispositif de commutation à mémoire et à seuil dans la matrice puisse être essentiellement de tout type, on préfère un type qui se compose 15 de dépôts de pellicules sur toute base isolante appropriée car, dans un tel cas, les prix de fabrication snnt réduits et la densité d'emmagasinement peut être maximale. Ces dispositifs de commutation à mémoire et à seuil peuvent être du type décrit dans le brevet américain mentionné ci-dessus ayant le Ko. 3 271 591» Le 20 dispositif de commutation à seuil décrit dans ce brevet comporte une pellicule ou une couche de matière semi-conductrice qui est essentiellement en désordre et une matière généralement amorphe dans les conditions à résistance élevée et à résistance faible.' La matière présente des ordres locaux et des liaisons localisées 25 -et est réalisée de telle sorte que toute tendance pour modifier l'ordre local ou la liaison localisée est réduite lors de modifications entre la condition à résistance élevée et la condition à résistance faible. 'Toutefois, dans certaines circonstances, on peut utiliser des matières semi-conductrices cristallines pour "ces 30 pellicules ou couches. De nombreux exemples de ces matières semi-conductrices sont décrits dans le brevet américain mentionné plus haut. Des caractéristiques typiques courant-tension de ces dispositifs de commutation à seuil sont illustrées à la fig. 5« Le dispositif de commutation à .mémoire qui peut être du type 35 décrit dans le brevet américain mentionné ci-dessus comporte une pellicule ou couche qui est également une substance semi-conductrice généralement amorphe et essentiellement en désordre qui a un ordre local et une liaison localisée dans sa condition à résistance élevée. Toutefois, par contraste avec les substances den BAD ORIGINAL 69 37758 13 2032272 dispositifs de commutation à seuil, la matière du type de commutation à mémoire est réalisée de telle sorte que l'ordre local et sa liaison localisée puissent être modifiés pour établir une trajectoire ou des tra.jectoires conductrices d'une manière quasi 5 permanente. 2n d'autres termes, la conductivité de la matière peut être modifiée sévèrement pour fournir une trajectoire ou des trajectoires dê conduction dans la matière qui est gelée. La trajectoire ou les trajectoires conductrices peuvent être modifiées à nouveau vers les conditions initiales au moyen d'une impulsion de 10 courant. La fig. 6 représente une caractéristique typique courant-tension du dispositif de commutation à mémoire dans sa condition à résistance élevée et la fig. 7 illustre cette caractéristique du dispositif de commutation à mémoire dans sa condition à résistance faible. Les dispositifs de- commutation à seuil et les dispositifs -15 de commutation à mémoire du brevet américain mentionné plus haut ont des caractéristiques de commutation symétriques par rapport à la polarité des tensions appliquées et, par conséquent, ces dispositifs de commutation fonctionnent de la même manière quelle que soit la polarité des tensions appliquées. Toutefois, comme cela 20 est exprimé ci-dessus, d'autres dispositifs de commutation qui n'ont pas des caractéristiques de commutation symétriques, peuvent être utilisés dans la matrice à mémoire de l'invention. Une gamme typique de valeur de résistance faible pour un dispositif de commutation à seuil du type décrit dans le brevet amé-25 ricain indiqué ci-dessus est comprise entre 1 et 1 000 ohms et une gamme typique de valeur de résistance élevée pour un tel dispositif est de 10 à 1 000 mégohms. Une gamme de valeur de résistance faible pour un dispositif de commutation à mémoire du type décrit dans le brevet américain mentionné plus haut est com-50 prise entre 1 et 1 000 ohms et une gamme de valeur de résistance élevée pour un tel dispositif est comprise entre 10 et 1 000 mégohms. Lors du fonctionnement du dispositif de commutation à mémoire et du dispositif de commutation à seuil, la commutation entre les conditions à résistance élevée et à résistance faible et vice-versa est. essentiellement instantanée et apparaît le long d'une trajectoire ou de trajectoires entre les électrodes conductrices appliquées au coté opposé de la pellicule ou couche de la- matière semi-conductrice impliquée. Les matières semi-conductrices décrit en BAD QRIGÏHM. 69-37758 14 2032272 dans le brevet américain No. 3 271 591 sont bidirectionnelles de telle sorte que la commutation se produit indépendamment de la polarité de la. tension appliquée* Il y a lieu de remarquer en examinant les fig. 5 et 7 que, dans la condition à résistance faible 5 du dispositif de commutation à mémoire, la conduction du courant est essentiellement ohmique, de telle sorte ou'il y a une augmentation dansla chute de tension avec un accroissement à ses bornes de la- circulation du courant. Toutefois, dans certains cas, on observe que la conduction du courant du dispositif de commutation 10 à mémoire a lieu avec une chute de tension essentiellement constante aux bornes du dispositif à des niveaux de courant relativement élevés Bien qu'elle soit ohmique à des niveaux de courant faibles. Par contraste avec ceci, dans les dispostifs dè commutation à seuil, la chute de tension aux bornes du dispositif de coamuta-15?-. tion à seuil reste essentiellement constante sur une large gammé de niveaux de courant. La commutation d'un dispositif de commutation à mémoire à partir d'une condition à résistance faible vers une condition à résistance élevée peut être obtenue en appliquant un courant de 20 désexcitation au niveau ou au-dessus du niveau désexcité mentionné ci-dessus L1 à une tension inférieure à la valeur de seuil du dispositif. Comme on l'a indiqué précédemment, tant que le dispositif de commutation à seuil qui reste seulement aussi longtemps que le 25 courant circule dans sa condition \ résistance faible, est au-dessus du niveau de maintien de courant, le dispositif de commutation à mémoire reste indéfiniment dans sa condition à résistance faible même lorsque la circulation de courant est terminée et que la tension appliquée en est retirée. ' 30 Les fig. 8 à 10 montrent la forme la plus préférée de la matrice à mémoire à tension de l'invention. Comme cela est indiqué, le groupe de matrices comporte une base isolante 42 en toute matière isolante appropriée à laquelle sont appliqués par criblage à la sde ou par un autre moyen les conducteux's Y parallèles et 35 espacés. En chaque point le long de chaque conducteur Y qui doit être croisé par un conducteur X, on a déposé une couche 44 en une matière isolante convenable qui s'étend au niveau de toute 1î largeur de chaque conducteur Y impliqué. Les conducteurs Z son;; ensuite déposés par criblage à la soie ou par un moyen analogue BAD ORIGINAL 69 37758 15 2032272 dans les bandes parallèles espacées de telle sortë"âuTïTs"^chevauchent les couches isolantes 44 afin d'éviter le contact élec trique avec les conducteurs Y au niveau des points de croisement. Comme cela est^prssenté dans le mode de réalisation de 1' invention, un dispositif de commutation à mémoire- à chaque point de croiseront est déposé sous la forme d'une pellicule dans l'étendue entrej les conducteurs Y adjacents, et le dispositif de commutation à n.'uil associé est déposé sous la forme d'une pellicule d,:r.s 1 * Jr,e:idug entre les conducteurs X adjacents, (les endroits de ces dispositifs de commutation à mémoire et à seuil en chaque point de croisement peuvent être évidemment inversés). On suppose que la trajectoire du courant circulant à travers un dispositif de commutation à mémoire ou à-seuil apparaît dans une trajectoire limitée ou filament dans le corps de la matière semi-conductrice. Pour assurer des caractéristiques de conduction compatibles dans un tel dispositif, on suppose qu'il est important de limiter le passage de courant à travers la même zone et, de préférence, la même trajectoire ou filament du corps des matières semi-conductrices chaque fois que le dispositif transporte du courant. A cette fin, comme cela est montré aux dessins, une couche 46 de matière isolante est déposée sur chaque conductevir dans la zone entre chaque paire adjacente de conducteurs Y. Chaque couche 46 de matière isolante présente un pore ou un petit .trou 48 de façon à ce que seulement une petite partie de la sur face extérieure de chaque conducteur X soit exposée en vue de l'application d'une pellicule ou couche 49 de matière semi-conductrice qui est déposée dessus et dans chaque pore 48 afin que la matière semi-conductrice puisse faire contact avec le conducteur X sur une très petite étendue. A titre d'exemple, la lar geur de chaque pore 48 et, par conséquent, l'étendue de contact mentionnée peuvent être comprises dans la gamme d'environ . 10 à 100 p.,' notamment on préfère 1Qa. La matière semi-conductrice de chaque dispositif de commutation à mémoire peut être appliquée par pulvérisation, dépôt sous vide ou à l'aide de techniques de criblage à la soie. D'une manière analogue, on dépose une couche 46' de matière isolante sur chaque conducteur Y dans la zone entre chaque paire adjacente de conducteurs X. Cette ccucne 46' de matière isolante est également munie d'un pore ou petit trou 48' BAD ORIGINAL 69 37758 16 '2032272 dans lequel est deposee subsequem-vient une pellicule ou couche 4y' d'une matière semi-conductrice formant un dispositif de commutation a seuil. Les dispositifs associes de commutation ï. mémoire et à seuil sont reliés en série par une couche appropriée 50 5 d'une matière conductrice criblée à la soie ou déposée autrement dans une bande s'étendant entre les surfaces extérieures et exposées des matières semi-conductrices formant chaque paire des dispositifs associds de commutation à mémoire et à seuil. Certains aspects de l'invention peuvent être appliqués dans 10 des circuits autres que des circuits de matrices à mémoire, comme des circuits de matrices de commutation où.il y a seulement'un dispositif dé commutation à seuil à certains points de croisement de la matrice et pas de dispositifs de comautation à d'autres points de croisement. De même, certains modes de réalisation de 15 l'invention peuvent être appliqués à des circuits imprimés, généralement, comme illustré aux fig. 11 et 12 auxquelles on se référera maintenant. La fig. 11 est un diagramme schématique du circuit 53 représenté à la fig. 12 déposé sous la forme d'une pellicule. Le circuit est ur. circuit bistable comprenant deux 20" dispositifs de commutation à seuil 6a - 6b reliés en série entre la borne 55 et une extrémité d'une résistance 57 dont l'autre extrémité est reliée à une borne 58. Deux résistances 59 et 61 sont reliées respectivement aux bornes des dispositifs de commutation à seuil 6a - 6b . Une borne d'entrée d'un signal 25 6q estroliée à la jonction du dispositif de commutation à seuil 6a - 6b . Le circuit 53 comporte, de plus, une autre paire de dispositifs de commutation à seuil 6a' - 6b* qui sont reliés en série entre la borne 55 et une extrémité d'une résistance 57' dont l'autre extrémité est reliée à la borne 58. Les résistances 30 59« et 61' sont reliées respectivement aux bornes des dispositifs de commutation à seuil 6a' - 6b1 près des résistances 57-57'. Les bornes de sortie 62 et 62' sont reliées respectivement aux jonctions des dispositifs de commutation à seuil 6a -6a' et aux résistances. 57-57*. Les bornes d'une source de tension 35 continue 63 sont reliées par l'intermédiaire d'un commutateur marche-arrêt 6 5 quelles que soient les liaisons de polarité aux bornes 55 et 58. Dans le circuit 53, la valeur de ten^icn de seuil de chaque dispositif de commutation à seuil 6a - ca' 6b - 6b1 est comprise dans la gamme d 'environ 6 à 1U volts et BAB-ORIGINAL 69 37758 17 •2032272 la sortie de la source de tension continue 63 est comprise dans la gamme d'environ 8 à 15 volts. La tension apparaissant au niveau des bornes de l'un quelconque des dispositifs de consultation à seuil en l'absence d'une tension de signal externe est 5 insuffisante pour commander des dispositifs de commutation à seuil vers une condition à résistance faible. Une pairs choisie de dispositifs de commutation à seuil est commandée vers un état conducteur par l'amenée d'une tension entre l'une des bornes d'entrée de signaux 6l> ou 60' et la borne 10 55 qui dépanse sa valeur de tension de seuil pour commander le dispositif de commutation à seuil 6b ou 6b' dans sa condition à résistance faible. La valeur des résistances 59-61 et 59L611 est, de préférence, dix fois supérieure ou plus à la valeur des .. résistances 57 et 57' de telle sorte que 1'excitation du dispo-• 15vsitif de commutation à seuil 6^b ou 6b' entraîne la présence ■ d'essentiellement toute la sortie de la source de tension continue 62 au niveau du dispositif de commutation à seuil associé 6a ou 6a' pour coinmander celui-ci vers sa condition à résistance faible. La paire de dispositifs de commutation à seuil impli-qués est commandée pratiquement instantanément vers les états conducteurs pour provoquer soudainement une réduction aiguë de tension à la borne de sortie associée 62 ou 62'. Une partie de la chute soudaine de tension est reliée par l'intermédiaire d'une •résistance 63 et d'un condensateur 65 à une autre paire de 25- dispositifs de commutation à seuil qui, s'ils sont toujours dans leurs conditions à résistance faible, sont commandés vers leurs conditions à résistance élevée. Les états de conduction des paires de dispositifs de commutation à seuil peuvent ainsi être inversés par l'amenée d'une tension d'excitation à la borne d'en-3u trée de signaux 6u ou 60' associée avec la paire de dispositifs de commutation à seuil qui est dans une condition à résistance élevée à tout moment. A la fig. 12, tous les éléments du circuit entourés par les lignes 68 en trai-ts interrompus à la fig. 11, à savoir tous les 35 éléments du circuit sauf le commutateur de marche-arrêt 65 et la source .e courant continu t>3, sont représentés sous la forma dedépots de pellicules sur une base isolante 70. La dimension du circuit ay "nt -une pellicule déposée représentée à la fig. 12 est fortement agrandie. A titre d'exemple, la dimension-de la BAD ORIGINAL • 69 37758 18 2032272 base isolante 7u peut être de l'ordre de IbO mziz ou moins. L.;s divers ele~ient3 du circuit déposés sous la forme d'une pellicule a la fig. 12 sont identifies pai* les mêmes références numériques utilisées pour les désigner à la fig. 11. Chacun des dispositifs 5 de coiBmUta'sion u. seuil 6a , 6b, 6a' , 6î)r* , peut être une série de couches de substances conductrices et semi-conductrices essentiellement identique à celle des dispositifs de commutation à seuil 6 représentés aux fig. 8 à 10 et une description détaillée de ces couches n'est pas indiquée maintenant. L'électrode supé-10 rieure des dispositifs de commutation à seuil 6a et 6b est formée par un prolongement 72a1 de la couche 72 de matière très conductrice qui relie également les dispositifs de commutation à seuil 6a - 6b en série. La couche 72 de matière con-... duc tri ce présente un autre prolongement 72b qui peut former la y. -- * 15 .borne d'entrée à signaux, mentionnée ci-dessus 60. On prévoit une couche 72' de matière très conductrice ayant un prolonge-ment intérieur 72a1 qui forme les électrodes extérieures pour les dispositifs de commutation à seuil 6a' - 6b* et qui les relie en série ainsi qu'un prolongement extérieur 72' qui forme 20 la borne d'entrée à signaux ,60'. L'électrode de base du dispositif de commutation à seuil 6a est formée par le prolongement 75a d'une couche 75 de matière conductrice. La couche de matière conductrice 75 recouvre une des extrémités des dépôts 'formant des résistances constituant les résistances 57, 59 et 25 63. Les résistances 57 et 63 (ainsi que la résistance 57') peuvent avoir une valeur relativement petite (par exemple 1 500 ohms) et sont ainsi représentées sous la forme de dépôts rectangulaires d'une matière formant résistance tandis que la résistance 59 et les autres résistances 61, 59' et 61' ont des 30 valeurs de résistance bien supérieures à cette valeur-(par exemple de 100 000 ohms) et sont, par conséquent, représentées sous la forme de dépôts en zig-zag étroits de la matière formant résistance. L'autre extrémité du dépôt formant résistance qui constitue la résistance 59 est recouverte par une partie de la cou-35 che 72 de la matière conductrice. L'autre extrémité du dépôt formant résistance constituant la résistance 57 est recouverte par un prolongement 73a d'une couche 78 formant barre-omnibus de la matière très conductrice. L'électrode de base du dispositif de commutation à seuil "1 BAD ORIGINAL ■ 69 37758 19 2032272 6a1 est formée par un prolongement 75a' d'une couclie 75' d'une substance conductrice qui recouvre également une extrémité d'un dépôt rectangulaire d'une matière formant résistance constituant .la résistance 57'. L'autre extrémité de la résistance 5 57 ' est recouverte par un prolongement 78b de la couche 7S de matière conductrice. Le prolongement 75a' de la couche 75' de matière "conductrice recouvre également une ect rémité d'un dépôt en zig-zag étroit d'une matière formant résistance constituant la résisfcance 59'. L'autre extrémité de la résistance 59* 10 est recouverte par la couche 72* de matière conductrice. La couche 75' de matière conductrice formant l'électrode de base du dispositif de commutation à seuil 6a' présente un prolongement 75^' peuvent être constituées par toute partie des couchas 78 et 84 des matières conductrices auxquelles des liaisons extérieur?" r-euvent être convenablement effectuées. Les bornes de sortie 62 et 62' peuvent être formées par toute partie de la couche 69 37753 20 2032272 75 — 75* de matière conductrice à laquelle des liaisons extérieures peuvent être avantageusement réalisées. Aux fig. 13 et 14, on e représenté une variante, do la réalisation de ratrices de commutation utilisant les concepts de 5 l'invention. Sans ces firures, le conducteur de l'axe Y reçoit une pellicule ou couche déposée 9u de matière semi—conductrice du type à mémoire ...entionné ci -des s vis . Un isolateur ouvert 91 est déposé sur la couche 90 et entoure de .préférence eu recouvre le s trois côtés de la couche 90 sauf dans la zone de 10 l'ouverture. Une pellicule ou couche 92 de matière semi-conductrice du type à comnrutation de seuil mentionné ci-dessus est déposée sur l^isolateur 91 et a ses parties s'étendant à travers l'ouverture dans l'isolateur 91 en contact avec la couche 90. ...... ^e conducteur d'axe X est ensuite déposé'en contact avec la 15. couche 92 pour terminer la réalisation du circuit à la jonction des conducteurs d'axes X et Y. le réseau de la matrice de commutation tout entier peut être effectué d'une manière analogue. Il ressort que l'invention permet de réaliser des circuits totaux, par exemple par simples dépôts de pellicules sur un 20 côté d'une hase de matière isolante de telle sorte que des circuits entiers peuvent être effectués simplement at économiquenont par des machines de production de séries automatiques. ' L'invention n'est pas limitée à la forme de réalisation re-" présentée et décrite en détail car diverses modifications peuvent 25 y être apportées sans sortir de son cadre. BAD ORIGINAL 69 37758 21 2032272 REVENDICATIONS 1 - Dispositif de couplage électrique, caractérisé en ce qu'il comporte des éléments formant des circuits comprenant mie base isolante d'un circuit électrique qui y est déposé, des dé- 5 pots formant conducteur sur cette base isolante s'étendant vers les dépôts formant éléments des circuits, un dispositif de commutation à semi-conducteur comprenant une couche de matière semi- conductrice déposée sur cette base isolante et reliée à au moins l'un des dépôts formant conducteur ainsi qu'un autre conducteur 10 s'étendant vers la couche déposée de matière. semi-conductrice, cette couche de matière semi-conductrice étant dans une condition de résistance relativement élevée qui est commutée vers uns condition de résistance relativement faible lorsque la valeur instantanée de la tension appliquée atteint un niveau de seuil de 15 tension, les dépôts formant éléments de circuits étant des éléments de circuits passifs. 2 - Dispositif de couplage électrique suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de matière semi-conductrice est déposée sur les dépôts foimant conducteurs de manière 20 à être en contact électrique direct avec eux, la couche de matière semi-conductrice étant commutée par rapport à une condition de résistance relativement faible lorsque la valeur de la tension appliquée atteint ce niveau de seuil de tension, cette condition de résistance faible restant jusqu'à ce que la valeur du courant 25 tombe en dessous de la valeur de maintien donnée. 3 - Dispositif de couplage électrique suivant l'une des revendications 1 et 2 caractérisé en ce que la couche de matière semi-conductrice est amenée vers une condition stable à résistance relativement faible lorsque la valeur de la tension appli- 30 quée dépasse un niveau de seuil de tension et cette condition reste dans cet état à résistance faible indépendamment de la présence ou de l'absence d'une "tension appliquée jusqu'à la désexcitation vers une condition à résistance élevée par l'amenée d'une impulsion de courant de désexcitation donnée. 35 4 - Matrice de commutation, caractérisée en ce qu'elle com porte une base isolante, des bandes de conducteurs d'axes X et Y déposées sur un côté de cette base isolante suivant des rangées et des colonnes croisées avec une couche de matière isolante interposée entre les conducteurs d'axes X et Y à chaque point 69 37758 22 2032272 de croisement pour les isoler, ainsi au moins un dispositif de * commutation à semi-conducteur déposé est relié entre les conducteurs d'axes X et Y de chaque point de croisement actif et comprend une première couche déposée de matière semi-conductrice 5 ayant une condition de résistance relativement élevée qui est commutée vers une condition de résistance relativement faible lorsque la valeur instantanée de la tension appliquée atteint un niveau de seuil de tension. 5 - Matrice de commutation suivant la revendication 4, ca-10 ractérisée en ce que les dispositifs de commutation sont des dispositifs bidirectionnels qui conduisent le courant dans l'une ou l'autre^ direction et en ce que le niveau de seuil de tension est indépendant de la polarité de la tension appliquée ou de la direction du passage du courant. 15 6 - Matrice de commutation suivant l'une des revendications 4 et 5, caractérisée en ce qu'on prévoit un deuxième dispositif de commutation relié en série avec le premier dispositif de commutation entre les conducteurs d'axes X et Y de chaque point de croisement actif, le deuxième dispositif de commutation asso-20 cié avec chaque point de croisement comprenant une couche déposée de matière semi-conductrice, la couche déposée de matière semi-conductrice de l'un des dispositifs de commutation associé avec chaque point de croisement étant une matière formant dispositif de commutation à seuil ayant une condition de résistance 25 relativement élevée lorsque la valeur de la tension appliquée est inférieure au premier niveau de seuil de tension et est commutée vers une condition de résistance relativement faible lorsque la valeur de la tension appliquée atteint ce premier niveau de seuil de tension, cette condition de résistance faible res-30 tant jusqu'à ce que la valeur du courant baisse en dessous d'une valeur de maintien donnée, la couche déposée de matière semi-conductrice de l'autre dispositif de commutation associé avec chaque point de croisement étant une matière formant dispositif de commutation à mémoire qui est déclenchée vers une condition 35 stable de résistance relativement faible lorsque la valeur de la tension appliquée dépasse un deuxième niveau de seuil de tension et cette condition reste dans cet état à résistance faible indépendamment de la présence ou de l'absence d'une tension appliquée jusqu'à la désexcitation vers une condition à résistance 69 37759 23 2032272 élevée par l'amenée d'une impulsion de courant désexcité donnée. 7 - Matrice de commutation suivant l'une des revendications 4 à 6, caractérisée en ce que le courant désexcité de chacun des dispositifs de commutation à mémoire est une impulsion de cou- 5 rant dépassant une valeur donnée, les dispositifs de commutation à mémoire et à seuil étant des dispositifs 'bidirectionnels qui conduisent le courant dans l'une ou l'autre direction et en ce que les niveaux de tension de seuil et l'impulsion de courant désexcitée sont indépendants de la polarité de la tension appli-10 quée ou de la direction du passage du courant. 8 - Matrice de commutation suivant l'une des revendications 4 à 7, caractérisée en ce qu'on prévoit un moyen d'excitation pour appliquer entre chaque conducteur d'axe choisi X et chaque conducteur d'axe choisi Y d'un point de croisement actif 15 une tension d'excitation qui commande tant le dispositif de commutation de seuil que le dispositif de commutation à mémoire associés avec le point de croisement choisi dans leurs conditions de résistance faible, un moyen de désexcitation pour appliquer entre chaque conducteur d'axe choisi X et chaque conducteur 20 d'axe choisi Y d'un.point de croisement actif une tension de désexcitation qui commande le dispositif de commutation de seuil associé avec le point de croisement choisi vers sa condition de résistance inférieure lorsque le dispositif de commutation à mémoire associée est dans sa condition de résistance faible et ali-25 mente une impulsion de courant de désexcitation à travers le dispositif de commutation à mémoire, ainsi qu'un moyen de lecture pour appliquer entre chaque conducteur d'axe choisi X et chaque conducteur d'axe choisi Y une tension de lecture qui dépasse le niveau de seuil du dispositif de commutation de seuil 3-0 associé et qui est d'une valeur seulement suffisante pour commander le dispositif de commutation de seuil associé vers sa condition de résistance faible si le dispositif de commutation à mémoire associé est dans sa condition de résistance faible pour produire un passage du courant différent de l'impulsion de cou-35 rant de désexcitation. 9 - Matrice de commutation suivant l'une des revendications 4 à 8, caractérisée en ce que la tension de lecture appliquée pour une opération de lecture est effectuée à une grandeur donnée indépendante de sa polarité, les dispositifs de commutation 69 37758 24 2032272 associés avec chaque point de croisement des conducteurs d'axes X et Y étant déposés les uns au-dessus des autres. 10 - Matrice de commutation suivant l'une des revendications 4 à 9, caractérisée en ce qu'elle comporte des isolateurs ou- 5 verts déposés entre chacune des paires associées des dispositifs de commutation, de telle sorte qu'un contact électrique soit réalisé entre chacun des dispositifs de commutation associés à travers l'ouverture formée dans leur isolateur associé, chaque couche déposée de matière semi-conductrice étant déposée sur la 10 partie du conducteur d'axe X ou Y impliqué entre le conducteur d'axe Y ou X associé et immédiatement adjacent au conductem* d1 axe Y ou X impliqué• 11 - Matrice de commutation suivant l'une des revendications 4 à 10, caractérisée en ce que chaque couche déposée de matière 15 semi-conductrice reste dans sa condition à résistance faible jusqu'à ce que la valeur du courant baisse en dessous d'une valeur de courant de maintien donnée, l'un des dispositifs de commutation associé avec chaque point de croisement des conducteurs d'axes X et Y étant déposé sur le conducteur d'axe Y associé 20 et l'autre dispositif de commutation associé avec le point de croisement de chaque conducteur d'axe X et Y étant déposé sur le dispositif de commutation associé, le conducteur d'axe associé étant déposé sur l'autre dispositif de commutation associé.. 12 - Matrice de commutation suivant l'une des revendications 25 4 à 11, caractérisée en ce qu'elle comporte un isolateur ouvert déposé entre chaque couche de matière semi-conductrice d'un dispositif de commutation de chaque point de croisement des conducteurs d'axes X et Y et la couche de matière semi-conductrice de l'autre dispositif de commutation associé de telle sorte 30 qu'un contact électrique soit réalisé entre chacune des couches à travers l'ouverture formée dans leurs isolateurs associés. 13 - Procédé de fabrication d'un dispositif de couplage électrique comprenant un ou plusieurs éléments de circuit passifs et au moins un dispositif de commande de courari à semi- 35 conducteur qui peut être rendu conducteur lorsqu'une tension y est appliquée et dépasse un niveau de tension de seuil donné, caractérisé en ce qu'il consiste à déposer sur une base isolante des matières conductrices formant les éléments passifs du circuit électrique et des conducteurs qui s'y étendent, et à dépoBAD ORIGINAL 69 37758 25 2032272 ser sur cette base isolante au moins une couche de matière semi-conductrice formant ce dispositif à semi-conducteur qui est relié électriquement avec au moins l'un de ces conducteurs. 14 - Procédé de fabrication d'un dispositif de couplage 5 électrique suivant la revendication 13, caractérisé en ce que la couche de matière semi-conductrice formant le dispositif à semi-conducteur est déposée sur l'un des dépôts de matière conductrice sur cette base isolante, le procédé consistant à déposer ensuite un conducteur sur la surface extérieure de cette 10 couche déposée de la matière semi-conductrice.