FR 2003347 A1 19691107 FR 6906255 A 19690306 L'invention trait à des thyristors et pLus particulièrement à des thyristors de blocage commandés par une électrode de cor*mande, appelés aussi commutateurs commandés. Pendant le blocage par 11 électrode de commande d'un commutateur commandé de type connu, des porteurs sont initialement éliminés des zones du dispositif contigu aux contacts de commande. La partie centrale du dispositif continue à être conductrice pendant le temps fini nécessaire pour éliminer les porteurs de la zone la plus voisine des contacts de commande. Ainsi, le blocage ou la non conduction démarre au bord de l'émetteur contigu à l'électrode de commande et se déplace vers le centre de ltémetteur. La partie centrale du dispositif reste conductrice jus que ce que la zone conductrice soit suffisamment petite pour que les porteurs puissent autre éliminés par le courant latéral de conrinande. Jusque à ce que cette condition soit réalisée, le courant est commandé par le circuit extérieur. Le temps qui s'écoule entre le début du courant de commande et le début du blocage de la zone la plus intérieure de la cathode s'appelle la durée de commutation du dispositif. La durée de commutation d'un commutateur commandé par une électrode de commande dépend de la largeur de bande de l'é- metteur disposé latéralement par rapport à ltélectrode de commande, cet émetteur étant appelé également ci-apres le premier émetteur. Un effet encore plus important que celui du à la largeur de la bande de émetteur sur la durée de commutation est celui dû au courant qui peut être commandé. Le courant de blocage doit circuler dans la partie non modulée de la base, voisine du premier émetteur, qui a déjà été bloquée. L'intensité du courant de base qui peut être utilisé pour obtenir le blocage multiplié par la résistance de base non modulée ne peut pas eAtre supérieure à la tension de coupure inverse de la jonction entre le premier émetteur et la zone de base continue, appelée ci-après première zone de base. La grandeur ou l'intensité du courant de puissance pouvant être commandé est inversement proportionnelle à la première puissance de la largeur de la bande d'émetteur. D'une façon caractéristique, en ce qui concerne la fabrication d'un commutateur commandé à fort courant, l'intensité du courant qui peut être commandé est directement en rapport avec la première puissance de la longueur de la bande d'émetteur. Conre un comrnutateur commandé à fort courant doit de préférence fonctionner avec un faible gain de commutation dans le but de permettre une Col.z.utation rapide, un problème essentiel dans un tel commutateur dans lequel toutes les caractéristiques désirables doivent être incorporées est celui de savoir comment disposer les contacts électriques du dispositif. Le premier émetteur doit comprendre une zône de dimension suffisante pour permettre de fixer un conducteur électrique capable de supporter des courants électriques importants0 Pendant le blocage, ce courant d'émetteur en éme temps doit autre capable d'être canalisé dans une zone de dimension suffisante qui à son tour exige une forte résistance de la base contigae et par suite qui limite le courant qui pourrait autre commandé, ce qui augmente la durée de commutation entre la conduction et le blocage, Un but de la présente invention consiste à mettre en oeuvre un thyristor commandé capable de supporter un courant élevé et capable autre commuté et amené au blocage avec un courant de grande puissance, A cet effet, l'invention résidë dans un thyristor comman idé par une électrode de commande comprenant un bloc semi conducteur ayant une première zone de base d'un premier type de-conductimilité se terminant sur la première grande face du bloc, une première zône d'émetteur du type opposé ou deuxième type de conductibilité placé à l'intérieur de la première zône et se terminant sur cette première grande face, une deuxième zone d'émetteur du premier type de conductibilité se terminant sur la grande face opposée ou deuxième face du bloc, et une deuxième zône de base du deuxième type de conductibilité placé entre la première zône de base et la deuxième zone d'émetteur, une première et une deuxième électrode en bons contacts thermique et électrique avec la première et la deuxième zône d'émetteurs placées respectivement sur la première et la deuxième grande face du bloc, et une électrode de commande placée sur la première grande face en contact avec la première zone de base, caractérisé par une première zône partant de la première grande face du bloc et traversant la erre zone d'émetteur au moins jusqué dans la première zone de base et chargée par un élément de charge réduisant la durée de vie des porteurs minoritaires tel que l'or, le nickel, le cuivre, le fer, le manganèse et le bore quand la première zone de base est du type-p de conductibilité, ou le phosphore quand la première zône de base est du type-n de conductibilité ; et par une deuxième zône partant de la deuxième grande face et traversant la deuxieme zône d'émetteur jusqu'à la deuxième zone de base chargée par un élément tel que l'or, le nickel, le cuivre, le fer, et le manganèse ; de telle sorte que les concentrations de la première et de la deuxième zane et leur distance soient telles que les facteurs de transports des porteurs minoritaires, comme définis ci-apers, de la première et de la deuxième zone de base, à l'intérieur d'une surface délimitée par la projecticn verticale de la première zone sur la deuxième zone, soient inférieurs à ltunitéO L'invention sera mieux comprise en se référant à la description qui va suivre et aux dessins annexés sur lesquels La figure 1 est une vue d'en haut d'un thyristor commandé à fort courant selon l'invention. Les figures 2 à 5 sont des vues coupées en section droite d'un bloc d'un matériau semi-conducteur traité selon l'inventif de façon à créer un thyristor. La Figure 6 est une vue coupée en section droite d'un semi bloc d'un matériau/conducteur traité d'une autre manière selon l'invention de façon à créer un thyristor. La figure 7 est un profil d'impuretés d'un thyristor commandé à fort courant selon l'invention. Sur la figure 1 on a représenté un commutateur commandé par son électrode de commande à fort courant 10. Ce commutateur comprend un bloc 12 d'un matériau semi-conducteur, un contact d'émetteur 14 et un contact de commande 16. La configuration des contacts 14 et 16 forme une structure en peigne. Le contact d'émetteur 14 comporte une partie intérieure 18 et une série de doigts 20 dirigés vers l'extérieur à partir de la partie 18. La partie 18 fournit la zone large nécessaire à laquelle un conducteur pouvant supporter un fort courant peut être fixé comme cela est exigé dans les commutateurs commandés à fort courant, Le contact de commande 16 comprend une pièce annulaire 22 qui est disposée autour de la périphérie du contact de l'émet- teur 14 et qui est séparée de celui-ci. Une série de doigts 24 partent vers l'intérieur à partir de la partie 22 et sont disposés entre des paires contigus de doigts 20 du contact d'émetteur 14, tout en étant séparés de ces doigts. Dans les thyristors connus, la partie de surface importante du bloc 12 située en dessous de la partie intérieure 18 tend à limiter leurs caractéristiques de blocage. Cette difficulté peut autre supprirnée en commandant sélectivement la durée de vie des porteurs minoritaires dans la partie du bloc 12 située en dessous de la partie 18 de l'electrode ou contact 14 du premier émetteur. Une commande sélective de la durée de vie des porteurs minoritaires peut être efrectuée en diffusant sélectivement dans le bloc 12 une impureté qui réduit la durée de vie normale de ces porteurs. Une telle impureté peut autre de ltor, -du nickel, du cuivre, du fer ou du manganèse. Une autre technique consiste à établir un profil d'impuretés déterminé à ltinté- rieur de parties sélectionnées du bloc 12 par une diffusion com mandée des impuretés nécessaires pour former la première zone de base 28 (Figures 2, 3 et 4), par exemple du bore si la zone 28 est du type-p de conductibilité ou du phosphore si elle est du type-n. En outre, on a trouvé que la somme des facteurs de transport des porteurs minoritaires dans ces parties des deux zônes de base, à l'intérieur de la surface délimitée par la projection verticale de ladite première zone sur la deuxième zone, était inférieure à ltunité. Le facteur de transport des porteurs mino- ritaires d'une zône se.-ai-conducteur est la sécante hypebolique du rapport de épaisseur de la zone en question à la longueur de diffusion des porteurs minoritaires. Dans le but de mieux comprendre l'invention, on indiquera ci après le mode de fabrication et la structure d'un thyristor de 50 ampères selon l'invention. Le bloc 12 est préparé à partir d'un bloc semi-conducteur qui est poli et décapé de façon à avoir une épaisseur comprise entre 0,175 et 0,5 mi suivant la tension de blocage désirée. O @ de @@ @@@ @ @@ @@ @@@@tre @ @t@ial po @@ tateur @ @@ @@ 30 @re est compris entre 15 @@,@ . @ @@@ @@ @@ @@@@@ de conductibilité et il a une résisitivité comprise entre 15 et 25 ohms centimètres et une durée de vie minimale comprsce entre 75 et 100 microsecondes. Sur la figure 2, le bloc 12 a été traité d'une façon convenable pour fermer deux zônes 26 et 28. De préférence, les zônes 26 et 28 ont une faible résistance pelliculaire, de l'ordre de 5 à 20 ohms/carré. Les zônes 26 et 28 peuvent étre formées par une diffusion de bore à deux phases ef--ectuée dans un four à tube ouvert. Le bloc 12 est chauffé à 1100 C. La source du matériau est constituée par le composé B2O3 et elle est chauffée à une température comprise entre 850 C et 950 C. Un gaz porteur, de grande pureté, par exemple de l'azote, avec un débit d'environ 700 cm par minute, est envoyé dans la source de B203 et par suite sur les faces du bloc 12 jusqu'à ce que suffisamment de bore ait été déposé en formant une jonction à environ 6 microns de profon deur avec une concentra on de surface de 2 à 4x1019 atomes de bore par centii'ètre cube. Le bore prédéposé est alors diffusé dans le bloc 12 jusqu'à une profondeur prédéterminée. Simultanément, de l'aluminium est diffusé à travers les mêmes sur-aces que le bore dans le bloc 12 de façon à obtenir les jonctions de blocage désiré, De l'aluminium est préférable pour obtenir une tension de coupure élevée des jonctions p - n. La diffusion de l'aluminium et du bore est effectuée dans un tube scellé sous une pression résiduelle d'environ 10 @mm de mercure. La diffusion de l'aluminium et la commande par le bore sont effectuées de préférence à une température co:iprise entre 1200 C et 1210 C, en créant des zones de type -p 26 et 28 de 40 à 45 microns d'épaisseur. Les surfaces de séparation entre les zones 26 et 28 et la zone restante 30 du type-n de conductibilité sont respectivement des jonctions p-n 32 et 34. Sur la figure 3, une couche 36 d'oxyde de silicium a été formée sur le bloc 12 de silicium par un moyen convenable, par example en plaçant le bloc 12 dans une atmosphère d'argon humide à environ 1200 C pendant environ 4 heures. Cette opération d'oxydation forme une couche ayant une épaisseur d'environ 17.000 Des aires ectionnées de la couche @'@@@@@ 3b et alors éliminées par une technique connue de photo-résistance et de décapage, l'aire restante 3c de la couche 36 délimitant un masque de diffusion d'impureté laissant la partie 40 de la surface du bloc 12 découverte. Une impure té du type-n, par exemple du phosphore est alors déposée sur la surface 40 du bloc 12. Ce phosphore es-t déposé par un moyen convenable quelconque, par exemple en utili- sant un four à tube ouvert à deux zones dans lequel le corps est est une source. La température de cette source est éyale à 240 C environ et le bloc 12 est chaulfé à une température élevée d'environ 1100 C de façon à effectuer une diffusion préalable. Un gaz porteur utilisé dans le Iour est de l'azote ayant un débit d'environ 120 cm /mn. Lors de la iin du dépôt de l'impureté, le bloc 12 est décapé dans de l'acide fluorhydrique à 10% pendant 30 secondes de façon à éliminer les phosphosilicates forrnés sur la surface 40 pendant l'opération de dépôt. Le bloc 12 est alors rincé dans de l'eau désionisé, séché, et placé dans un four de façon à effectuer une opération de redistribution de l'impureté déposée. Un four à sône unique chauffé à une température d'environ 120000 est employé. Une couche 42 d'oxyde de silicium dtenviron 5000 angstroms d'épaisseur est dépo-sée par croissance à la surface 40 du bloc 12 pendant les premières 15 minutes de cette opération de redistribution L'oxyde est formée par un moyen convenable par exemple en faisant barboter l'atmosphère gazeuse du four, par exemple de l'azote, dans de l'eau chauffée à environ 97 C. Le débit d'azote est d'environ 200 cm par minute. Après la fin de ces 15 minutes, l'opération de redistribution continue dans une atmosphère d'azote sec, de façon à former une zone 44 du type-n de conductibilité dans la zone 28. Le temps total nécessaire pour cette opération de redistribution dépend de la fabrication du commutateur et de ses paramètres électriques souhaités. Une durée de trois heures crée le plus fréquemment une jonction d'émetteur p-n 46 à une profondeur d'environ 10 à 12 microns avec une résistivité pelliculaire d'environ 0,7 ohms/carré où l'impure té est du phosphore qui a été déposé à l'avance de façon à constituer une onction à une profondeur d'environ 3,9 microns et ayant une résistance pelliculaire d'environ 1,45 ohms/carré. Après la redistribution de cette impureté, une impureté qui diminue la durée de vie des porteurs minoritaires dans le silicium est sélectivement diffusée dans le bloc 12. LDans ce but, la couche d'oxyde de silicium 36 est éliminée de la grande face 48 de la zone 26 dans une partie sélectionnée de la couche 42 de façon e découvrir cette face 48 et une partie de la surface 40 de la zone 44, après quoi une impureté réduisant la durée de vie des porteurs minoritaires constituée par au moins un des éléments du groupe comprenait le nickel le cuivre, le fer, le manganèse et de préférence l'or, est diffusée dans le bloc simultanément dans les laces découvertes 40 et 48. La orolsondeur à laquelle l'or doit être diliusé est déterminée par les caractéristiques souhaitées du dispositif terminé. La diffusion de l'or peut s'effectuer en plaçant le bloc 12 comme représenté sur la Figure 3 dans une capsule de quartz avec du chlorure d'or en quantité suffisante pour obtenir la profondeur voulue de diffusion de cet or avec la concentration d'impureté cherchée. Le tube est alors scellé et placé dans un tour préchauffé à environ 8500C pendant un temps suffisant pour obtenir la profondeur cherchée de diffu- sion de l'or. Les couches d'oxyde 42 et 36 empêchent la diffusion de l'or dans les zones où elle n'est pas prévue. La structure résultante est représentée sur la Figure 4 dans laquelle les deux zones 50 et 52 sounises à une diffusion d'or ont été formées dans le bloc 12. Comme représenté sur la figure 4, la diffusion de l'or n'est pas limitée à une zone seulement. Comme le but de la diffusion est d'augmenter le courant de maintien et de diminuer le facteur de transport dans la zone de base sous jacente 28 du type-p, et aussi dans la zone 30 du type-n, (appelée ci-après deuxième zone de base pour la distinguer de la première zone de base 28), les zones 52 et 5C soumises à une diffusion par de l'or doivent necessairement traverser les jonctions p-n 32 et 46. Comme le phosphore tend à retarder la diffusion de l'or, la zone 50 ne peut pas tcujours traverser la jonction p-n 34 quand la zone 44 du type-n est une zone chargée par du phosphore. Une extension de la zone 50 au deLà de la jonction p-n 34 (ligne en traits interrompus A-A, figure 4) peut autre obtenue plus facilement en chargeant la zone 44 d'une autre impureté du type-n, par exemple de ltarsenicO Des fenêtres sont formées dans les parties restantes des couches d'oxyde 38 et 42 à l'aide d'une technique classique de photorésistance et de décapage, comme indiqué ci-dessusO Ces fenêtres ont une configuration qui correspond à celle des électrodes de contacts 14 et 16 de la figure lo La surface de la fenêtre de la partie intérieure 18 de la première électrode d'émetteur 14 coricide sensiblement avec la surface découverte de la zone 50 dans laquelle de l'or a été diffusé. Le matériau de contact électrique nécessaire est déposé en même temps pour les électrodes d'émetteur et de commande 14 et 16. Un matériau convenant pour ces électrodes et permettant d'établir un bon contact électrique avec la zone d'émetteur relativement peu profonde 44 du type-n (de 10 à 13 microns d'épaisseur), sans pénétrer complè- tement dans cette dernière, consiste en une combinaison d'aluminium et d'argent, une telle combinaison permettant également de placer un contact de grande surface avec un conducteur convenable constituant une électrode0 L'aluminium fournit un bon contact électrique à faible résistance avec la zone de commande 28 et avec la zone d'émetteur fortement chargée 44, l'argent déposé sur l'aluminium permettant d'établir facilement un bon contact électrique avec le conducteur constituant une borne de l'électrode de commande et du premier émetteur. Les électrodes de contacts constitués par de l'aluminium et de l'argent peuvent autre préparées par des techniques de dépôt de vapeur bien connues. Une électrode métallique 60, constituée par exemple par du molybdène, du tungstène, du tantale, ou leurs alliages contenant un ou plusieurs des métaux en question, est alors fixée par exemple par alliage sur la surface 48 du bloc 12. L'alliage de cette électrode métall-ique peut s'effectuer en même temps que l'al- liage des couches d'aluminium déposées avec les zones sous jacentes 28 et 44. L'aluminium et l'argent indésirables sont éliminés du bloc 12 et particulièrement entre les fenêtres de contact en utiliçant une technique de photorésistance suivie d'un décapage sélectir. Le revêtement protecteur est alors éliminé, puis le bord latéral du bloc est décapé de façon à isoler les jonctions p-n 32 et 34 l'une de l'autre. Sure la figure b, on a représenté un thyristor 10 comman dé par une électrode de commande ayant un fort courant suivant l'invention. Dans ce mode de réalisation, les parties de la couche d'aluminium 54 sont disposées sur les zones respectives 28 et 44 et sont alliées à ces zones. Des parties de la couche 56 contenant a' la fois de l'aluminium et de 11 argent sont déposées sur des parties 54 de la couche d'aluminium et des parties de la couche d'argent 58 sont déposées sur es parties de la couche 56. L'électrode métallique 60 est fixée à la surface 48 du bloc 12, au moyen par exemple d'une couche 62 d'un alliage aluminium-silicium. La structure complète comprend des électrodes (non représentées) en bon contact électrique et thermique respectivement avec l'électrode métallique 60 et avec les parties 58 et de la couche d'argent respectivement en contact avec la première zone d'émetteur 44 et avec la première zone de base 28. Un tel contact peut être effectué à l'aide d'un dispositif à pression amenant les électrodes constituant les bornes en contact intime avec les électrodes métalliques respectives et avec les parties de la couche d'argent, ou bien à l'aide de fixations permanentes. Le dispositif ainsi fabriqué est capable d'engendrer un thyristor commandé par une électrode de commande, å très bonne performance. Sa structure est suffisamment simple pour permettre à des conducteurs capables de transporter un courant important de lui être soudés, quand cela est necessaire. Elle est également moins complexe et moins coûteuse qu'une série de ponts qui seraient autrement nécessaire pour des thyristors à grande puissance, Le dispositif de la figure 5 est un thyristor à quatre zones et trois jonctions dans lequel la zone 26 du type, la zone 30 du type-n, la zone 28 du type-p et la zone 44 du type-n Jouent le roule respectivement d'émetteur ou d'anode, de deuxième base, de première base, et d'émetteur ou de cathode, l'électrode 60 et les parties couches Al-Ag 54, 66 et 68 en contacts respectifs avec la pre @ère zone de base et la première zone d'émetteur servant respectivement d'électrode, d'anode de commande et de cathode, les électrodes de commande e-:- de cathode ayant respectivement les conri- gurations 16 et 14 de la figure 1. Bien que le dispositif représenté sur la figure 5 comporte des zones 50 et 52 de différentes profondeurs et de différentes dimensions latérales, ces zones peuvent avoir la même profondeur et les mêmes dimensions latérales. Un thyristor de blocage qui fonctionne de façon analogue au dispositif 10 'peut également être constitué en utilisant une double diffusion de bore. Dans ce cas, le dispositif a une structure analogue à celle représentée sur les figures 1 et 5, mais le procédé de fabrication est un peu différent En se réfé- rant à la figure 6, un bloc de silicium 112 du type-n est prévu avec une couche d'oxyde de silicium 114 dans laquelle une fenêtre de diffusion est constituée par des techniques classiques de masquage et de décapage, cette fenêtre coïncidant sensiblement avec la partie intérieure de grande surface 18 de l'électrode de contact 14. Du bore est prédéposé sur la partie découverte de la face supérieure 116 du bloc' 112 de la meme façon que précédemment décrit. Pour fabriquer un dispositif de 50 ampères, ce prédépôt de bore doit produire une jonction prédéposée à 6 microns de profondeur avec une concentration de surface comprise entre 1019 et 1021 atomes par cm3. Le bore est alors diffusé dans le bloc de silicium jusqu'à une profondeur comprise entre 10 et 15 microns0 La couche 114 d'oxyde de silicium est alors éliminée du bloc 1124 Le bloc 112 est alors traité de la même façon que précédemment décrit pour le bloc 12, en partant du prédépôt de bore ou de gallium de façon à constituer les deux zones 26 et 28 dutype-p de conductibilité. Un transistor selon cette modification comporte une zone 26 de 40 microns dtépaisseur, d'une zone 30 de 150 microns d'épaisseur et ayant une résistivité de 20 ohms-centimètre, une zone 28 de 25 microns d'épaisseur et une zone 44 de 12 microns d'épaisseur. Par opposition avec le mode de réalisation des ligures 1 à 5, la zone 50, ayant une épaisseur d'envi- ron 3G microns, contient du bore comme impureté de réduction de la durée de vie des porteurs minoritaires, la présence supplémentaire d'une autre impureté de réduction de cette durée de vie, par exemple de l'or, pouvant autre prévue dans la zone 50 avec une concentration de surface de 4x1014 atomes par cm3. L'impureté de réduction de la durée de vie, par exemple de l'or, est diffusée à travers la surface 48 jusqu'à une profondeur d'environ 0,075 mm avec une concentration de surface de 4x1014 atomes par cm3. Le profil de diffusion, sans l'or, est représenté sur la figure 7q Le thyristor en question est capable d'entre bloqué pour des courants dépassant 50 ampères en 5 microsecondes. Le gain de blocage dépasse 10c Pour fabriquer un thyristor de blocage à fort courant, il est souhaitable d'empêcher l'établissement, sur la jonction d'émetteur de cathode 46, d'une trop forte concentration d'impureté, par exemple de bore, de la première zone de base, sinon les caractéristiques de comrautation pourraient autre affectées défavorablement. Une impureté à forte concentration déterminant le type de conductibilité de la première zone de base dans la partie de cette zone commune avec la zone 50, au lieu d'une autre impureté réduisant la durée de vie, ou bien ajoutée à cette autre impureté, présente l'avantage par rapport à une diffusion unique d'or dans la zone 50 que la réduction de la durée de vie peut autre plus facilement limitée à la première zone de base, ce qui réduit les fuites inverses de la jonction de blocage direct( jonction 34) de la structure. REVENDICATIONS 1. - Thyristor de blocage commandé par son électrode de commande comprenant un oloc seri-coaductiur ayant une première zone de base d1un premier type de conductibilité se terminant sur la première grande face du bloc, une première zone d'émetteur du type opposé ou deuxième type de conductibilité placée à l'inté- rieur de la première zone et se tcrrlinant sur ladite première grande face, une deuxième zone d'émetteur du premier type de con ductiblîlté se terminant sur la grande face opposée ou deuxième grande race du bloc, et une deuxième zone de- base du deuxième type de conductibilité lacée entre la première zone de base et la deuxième zone d'émetteur, une première et une deuxième électrode en bons contacts thermique et électrique avec la première et la deuxième zone d'émetteur placées: respectivement sur la première et la deuxième grande face du bloc, et une électrode de comrnan- de placée sur la première grande face en contact avec la première zone de base ; thyristor caractérisé par une première zone partant de la première grande face et traversant la première zone d'émetteur au moins jusqu'à la premier zone de base et chargée par au moins un élérnent réduisant la durée de vie des porteurs minori- taires appartenant au groupe constitué par l'or, le nickel, le cuivre, le fer, le manganèse et le bore, quand la première zone de base est du type-p de conductibilité, ou le phosphore quand la première zone de base du type-n de conductibilité ; et par une deuxième zone partant de la deuxième grande face et traver sant la deuxième zone émetteur jusqu'à la deuxième zone de base et chargée par au noins un des éléments appartenant au groupe comprenant l'or, le nickel, le cuivre, le fer et le rnanganèse en sorte que les concentrations de charge de la première et de la deuxième zone et leurs distances soient telles que les facteurs de transports des porteurs minoritaires (comme ci-dessus définis) desdites premières et deuxierne zones de base, a' l'intérieur d'une surf ace dèlirritée par la projection verticale de la première zone sur la deuxième zone soient inférieurs à 11 unité. 2. - Thyristor selon revendication 1 dans lequel la première zone d'émetteur, la première zone de base, la deuxième zone de base et la deuxième zone d'émetteur sont respectivement du type -n, du type-p, du type-n et du type-p de conductibilité, la première zone de base et la deuxième zone d'émetteur étant chargées par'au moins un des éléments appartenant au groupe comprenantl'aluminium, le bore et le galium. 3.- Thyristor selon revendication 2 dans lequel 'au moins la première zone d'émetteur et la deuxième zone de base sont chargées par du phosphore. 4.- Thyristor selon revendications 2 ou 3 dans lequel la première zone de base et la deuxième zone d'émetteur sont chargées à la fois par du bore et de l'aluminium, la deuxième zone étant chargée par de l'or et la première zone étant chargée par du bore ou de I'or, 5.- Thyristor selon revendication 4 dans lequel la première zone est chargée par de l'or et s'détend au dela de la jonction p-n délimitée entre la première et la deuxième zone de base. 6.- Thyristor sElon une des revendications précédentes dans lequel la première électrode de contact comprend une zone de grande surface alignée sur la première zone et en contact direct avec elle, et des doigts s'étendant latéralement à partir de cette zone ou partie de grande surface et étant en contact direct avec la première zone d'émetteur.