FR 2025862 A1 19700911 FR 6942419 A 19691209 69 42419 1 2025862 La présente invention concerne des dispositifs semiconducteurs comportant des régions de..-forte, résistance électrique et, plus particulièrement, un dispositif semi-conducteur comportant plusieurs régions isolées électriquement icmées dans un 5~ corps de seci-ccnducteur cionobloc afin de constitue!1 des éléments de circuit, la présente invention ayant trait également au procédé de fabrication- de'tels dispositifs semi-conducteur II. est "bien connu g.u'une jonction PIï forcée dans un corps de seni-conducteur par introduction d'uhe impureté déter-tO minant le type de conductivité présente une impédance élevée en présence de conditions de polarisation inverse. Il est bien connu aussi qu'un élément à résistance négative du type régulé en tension, utilisant lleffet tunnel de la mécanique quantique (élément c ■ e l'en appelle souvent diode tunnel) peut êtrs obte-15 nu par introduction (dopage) d'une grande quantité d'impuretés dans un corps de semi-eonducteur. Par-ailleurs, on connaît-aussi des éléments tels qu'un élément PHPÏf et une diode à base double, lesquels présentent une résistance négative du type régulé. -Dans des dispositifs semi-conducteurs à circuits inté-20 grés, la fabrication de plusieurs régions d'éléments de circuit d'une façon individuelle dans un corps de semi-conducteur nécessite l'isolement de chaque élément de circuit afin d'empêcher . une interférence électrique des autres éléments. L'un des artifices les plus classiques pour isoler des éléments dans un corps 25 de semi-conducteur est celui qui utilise des jonctions PK. De façon plus particulière, une région d'un second type de conductivité se trouve entre les régions d'éléments de circuit du premier type de conductivité. On connaît également drautres procédés, par exemple l'isolation par un diélectrique et l'isolation 30 par un intervalle d'air. Toutefois, ces procédés d'isolation nécessitent plus d'une opération de traitement sélectif par diffusion ou bien un traitement sélectif d'attaque à l'acide pour un corps de semiconducteur et ces traitements doivent être effectués avec une 35 précision élevée. De ce fait, ces procédés sont peut commodes dans la pratique. Par ailleurs, les régions d'isolement pour isoler des éléments de circuit nécessitent une surface importante, ce qui diminue la densité d'intégration et l'utilité d'un corps de semi-conducteur. Ils présentent aussi, l'inconvénient 40 prix de revient élevés du fait des processus compliqués de BAD ORIGINAL 69 42419 202S862 fabrication. La présente invention vise ur dispositif à impédance élevée. Elle s trait également à un pei-fecticnnement aux techniques d'isolation. Selon une de ses carictéristiques1b présente inven-5 tion permet d'obtenir un dispositif à résistance négative du type régulé en courant. Selon une autre de ses caractéristiques, la présente invention permet d'obtenir, d'une part, un dispositif semi-conducteur à cireuits intégrés comprenant plusieurs éléments de 10 circuit formés de manière à faire partie intégrante d'un corps de semi-conducteur, suivant une densité élevée, et, d'autre part, un procédé pour fabriquer ce dispositif. Conformément à un mode de réalisation de 1'inventiez on obtient le dispositif semi-conducteur .en formant des régie; 15 monocristalline et polyeristalline d'un second type de conductivité sur un corps ou masse de semi-conducteur d'un premier pe de conductivité ou sur un isolant comportant une pellic . partiellement formée d'oxyde de silicium, ou analogue et en i -troduisant une impureté à diffusion profonde (impureté forma.-20 un niveau profond), comme par exemple de l'or ou un mélange i' telle impureté, et une impureté à diffusion à faible profonde.. (impureté formant un niveau peu profond) qui détermine le premier type de conductivité. Les caractéristiques et les avantages de la présente invention apparaîtront au cours de la descrip-25 tion qui va suivre faite en référence au dessin annexé sur lequel : les figures 1a à 1^ montrent en coupe comment apparaît une pastille de semi-conducteur au. cours des. différentes opérations de fabrication d'un mode de réalisation de l'inventic; 30 les figures 2a à 2c montrent en coupe comment appa raît une. pastille de semi-conducteur au cours des diverses opérations de fabrication d'un eircuit semi-conducteur intégré d'un autre mode de réalisation de l'invention. ; . la figure 3 est une vue en plan de âsssus de la pastil-35 le de semi-conducteur, la coupe la - la étant représentée sur la figure 1a ; ^ la figure 4 est une courbe de la caractéristique de tension-courant détectée entre une région monocristalline de silicium et une région adjacente polycristalline de silicium j 40 la figure 5 est une courbe de la 'caractéristique ten- BAD ORIGINAL 69 42419: 3 2025862 sion-courant d'une jonction PN polarisée en sens inverse ; les figures '6 et 7 sont des courbes de la caractéristique tension-courant de circuits intégrés semi-conducteurs d'autrës modes de réalisation conformas à la présente invention ; 5 les figures 8' et "9 sont des courbes de la caractéris tique tension-courant de dispositifs semi-conducteurs comprenant une région monocristalline semi-conductrice et une région adjacente polyeristalline-sémi-conductrice, comprenant de l'or, d'autres modes de réalisation conformes à l'invention. 10' Afin de résoudre les problèmes que pose l'isolation de régions semi-conductrices darfs un circuit intégré, on a proposé un procédé décrit dans la demande de brevet U.S. N°662 646 déposée au nom de la demanderesse, ce procédé servant à séparer une région épitaxiale en plusieurs" régions, cela en utilisant, 15 d'une part, le fait que lorsqu'un monocristal épitaxial croît sur un corps semi-conducteur partiellement recouvert par une pellicule d'oxyde de silicium, il se forme un polybristal sur ladite pellicule d'oxyde de silicium, et d'autre part, le fait que la vitesse de diffusion d'une impureté dans un tel poly-20 cristal est beaucoup plus grande*" que celle dans un' monocristal, le procédé susvisé consistant à introduire dans ces régions poly-cristallines une impureté d'un type de conductivité opposé à celui de ce monocristal épitaxial. Dans ce cas, il se forme une jonction PU à un endroit de la région monocristalline,situé au 25 voisinage de la région polycristalline. Cette jonction PN présente la courbe tension-courant de la figure 5 en présence de conditions de polarisation négative. A la suite d'autres recherches, la demanderesse a découvert que l'on peut obtenir une résistance plus élevée, une tension de claquage supérieure et une 30 résistance négative du type régulé' en tènsion entre une région monocristalline et une région polycristalline adjacente si l'on introduit seulement une impureté a diffusion' profonde, comme par exemple de l'or, dans la région polycristalline et que l'on peut obtenir une tension de claquage encore plus élevée si l'on in-35 troduit une impureté de détermination de type "de conductivité dans la région polycristalline dopée avec une impureté à diffusion profonde, comme par exemple del'or. Divers modes de réalisation de l'invention sont basés sur cette découverte. Mode 'de réalisation I 40 Les figures 1a à 1e montrent un exemple typè des phases BAD ORIGINAL 69 42419 de fabrication d'un dispositif semi-conducteur de l'invention. En premier lieu, on forme une pellicule- 22 d'oxyde de silicium selon une configuration.- en réseau -sur une surface principale se trouvant dans un. plan .cristallin- (.d'orientation. _111 ) d'une souc-5 couche semi-conductrice 21 constituée, par exemple, par une sous-couche en-silicium de type p. de .200 jn d'épaisseur et ayant une résistance spécifique de 10 ohms-cm,: cela comme, on peut le voir sur la figure la. La figure 3 est une "vue en plan de dessus de cette pastille. Cette pellicule 22 d'cxyde de silicium a une 10 épaisseur de 0,7 p. et une largeur de 20 ji, et elle est. formée -, de manière à avoir la forme d'un réseau ayant des mailles carrées de 124JJl de côté. Ensuite, on forme sur la sous-couche 21 une couche épitaxiale 23, comme représenté sur la figure 1b. Au cours de 15 cette opération, on chauffe la sous-couche 21 jusqu'à une température de 1 200°C pendant 10 minutes pour-former une couche épitaxiale 23 de silicium ayant une épaisseur d'environ 10^, par la décomposition -thermique de monosilane. On introduit dans la couche épitaxiale 23 une." impureté sous la forme de phosphore, 20 de manière à lui donner une conductivité de type ÏT d'une résistance spécifique de 1 ohm-cm. la couche épitaxiale 23 comprend les régions monocristallines 24a_ et 24b. de silicium formées par croissance directement sur la sous-couche monocristalline 21 de silicium, et une région polycristalline 24c, formée par croissance 25 sur l'a pellicule 22. d'oxyde de silicium. Quand on. mesure la caractéristique tension-courant .entre une région monocristalline 24a de silicium et la région adjacente polycristalline 24c, on obtient la caractéristique représentée sur la figure 4 dans la plupart des parties de la région polycristalline et on ne cons-30 tate aucune impédance élevée. On forme alors une pellicule 25 d'oxyde de silicium . sur la .surface de la c.ouche épitaxiale 23, comme représenté sur la figure Te.. On chauffe la sous-rcouche 21 et la couche épitaxiale 23 (ces deux éléments étant appelés par la suite "le sup-35 port" 20) jusqu'à une température de 1 200°C de manière à former, par voie thermique, une pellicule d'oxyde de 251 JQ- d'épaisseur sur la couche épitaxiale 23. On dépose ensuite de l'or sur l'autre surface princi-'pa'le de la sous-couche 21 jusqu'à ce que l'on obtienne une cou- 0 „ 40 ■ che de 5 000 A d'épaisseur : et on chauffe le surpport 20 jusqu'à BAD ORIGINAL 69 42419. 5 2025862 une température comprise entre 900 et 1 200°G et, de préférence, jusqu'à 1 200°C pendant 40 minutes pour que'l'or diffuse dans le support 20. Aù cours de cette opération, l'or est introduit de préférence suivant une concentration d'environ 10^ à 10^ 5 atomes/cm^. Quand on relève avec un traceur de courbe la caractéristique tension-courant entre les régions monocristallines 24a, 24b et la région polycristalline 24ç, c'est-à-dire entre les bornes 26, 28 et 27 du dispositif" de la figure te, on cons-10 tate une résistance élevée et une tension de claquage importante d'environ 100 volts lorsque l'on applique une tension positive à la région monocristalline de type N, 24a ou 24b,, comme représenté dans le troisième cadran de la figure 6. Quand on inverse la polarité de la tension appliquée, cette caractéristique ten-15 sion-courant présente aussi une résistance élevée et une tension de claquage d'environ 80 volts, comme représenté dans le premier cadran de la figure 6, ce qui montre une résistance négative (voir partie 61, ce fait étant décrit plus clairement à propos des figures 8 et 9). Cette caractéristique présente, 20 grosso modo, des propriétés similaires dans les deux sens, et une résistance élevée dans les deux sens indique que la région polycristalline et la région monocristalline sont isolées, quel que soit le sens de la polarisation. De ce fait, la région polycristalline 24ç fonctionne 25 pratiquement comme une région de résistance élevée de façon à isoler électriquement l'une de l'autre les régiona monocristallines 24a^ et 24b. On peut former des éléments de- circuit respectifs, par exemple des transistors, dans ces régions monocristallines isolées 24a et 24b. 30 Mode de réalisation II ' Un autre mode de fabrication d'un dispositif semiconducteur de l'invention est représenté sur les figures 2a à 2ç sur lesquelles des références identiques indiquent des parties analogues. En premier lieu, on effectue les traitements 35 représentés sur les figures la à 1c sur une sous-couche semi-conductrice 21 „ On énlève alors partiellement la pellicule 25 d'oxyde de silicium, de façon à découvrir la surface de la couche épitaxiale 23, comme représenté sur la figure 2a. Ensuite, on dé-40 pose du bore sur la surface découverte de la couche épitaxiale BAD ORIGINAL 69 42419. 6 2025862 23, cela à une température de 950° C pendant 35 minutes. On dé- pose alors une couche d'or 26 de 5 000 A sur l'autre surface principale de la sous-couche 21. Ensuite, on chauffe le support 20 jusqu'à une tempé-5 rature de 1 200°C pendant 40 minutes, de façon à diffuser simultanément dans le support 20 le "bore et l'or déposés. Etant donné que le bore a un coefficient de diffusion très grand dans le silicium, il diffuse dans la totalité de la sous-couche. Mais le bore ne diffuse seulement que dans la partie où la pellicule 10 d'oxyde de silicium. 25 a été enlevée ainsi que dans son voisinage jusqu'à une profondeur de 3 microns. Cependant, le bore a une vitesse de diffusion plus élevée dans un polyeristal, de sorte qu'il diffuse dans la totalité de la région polycristalline 24ç_ puis dans les régions 15 monocristallines 24a. et 24b, de manière à former les jonctions PN respectives 28a et 28b, tandis que la région 27 de type P """ Ift 2 (densité en surface = 5 x 10 atomes/cm ) formée par la diffusion du bore dans les régions monocristallines 24a et 24b a une profondeur de diffusion de 3 ju. seulement. 20 Quand on mesure avec un traceur de courbe dans ces conditions la caractéristique tension-courant entre les régions monocristallines 24a, 24b et la région polycristalline 24c (qui présente une tendance de type P du fait de la diffusion du bore), on obtient la courbe de la figure 7. De ce fait, on constate que 25 la tension de polarisation en sens direct est d'environ 50 volts et que la tension de claquage en sens inverse est d'environ 230 volts. Ensuite, on fait diffuser sélectivement du phosphore dans la région 27 (base) de type P dans laquelle a été diffusé 30 du bore, de manière à obtenir une région dfémetteur de type H. De ce fait, on forme des transistors KPN dans les régions monocristallines 24a et 24b isolées par une région polycristalline 24c. On ne détecte aucune résistance électrique notable entre, d'une part, la région polycristalline 34ç comprenant 35 une impureté du type "donneur" et formée sur la pellicule 22 d'oxyde de silicium et, d'autre part, la région monocristalline 24a qui lui est adjacente, mais une résistance de grande valeur se manifeste quand on fait diffuser de l'or dans-le support 20. En outre, la tension de claquage inverse augmente considéra-40 biement du fait de la diffusion du bore dans la région poly- BAD ORIGINAL 69 42419 7 2025862 cristalline 24. Dans le cas où l'on fait diffuser des impuretés du type "accepteur" dans une région polycristalline, on ne détecte aucune résistance négative ni dans le sens direct ni dans le sens inverse. 5 Un avantage de la technique de séparation précitée réside dans le fait.que l'on peut effectuer l'isolation électrique des éléments respectifs de circuit simultanément avec la diffusion d'une impureté diffusant à grande profondeur, comme par exemple l'or, qui se comporte comme un élément d'anihilation 10 de temps de vie des porteurs pour diminuer l'effet d'emmagasinage de porteurs minoritaires dans le cas d'un circuit logique (par exemple un circuit logique transistor-transistor). Ceci a pour effet de rendre inutile le traitement de diffusion (isolation par diffusion) d'une impureté déterminant le type de con-15 ductivité en vue d'une isolation exigée dans la technique classique, ce qui favorise la production en grande série d'un circuit logique intégré. La figure 8 montre la caractéristique tension-courant détectée aux bornes 26 et 28 du dispositif du premier mode de 20 réalisation représenté sur la figure 1^. Comme on le voit sur cette figure, une résistance élevée apparaît entre ces-bornes 26 et 28, une résistance négative du type régulé en courant apparaît (voir parties 81 et 82) et ces résistances élevées et ces résistances négatives apparaissent dans les deux sens. 25 L'existence d'une résistance élevée indique que les régions 24a et 24b sont pratiquement isolées électriquement. On peut utiliser la résistance négative pour la formation d'un générateur. De plus, la résistance élevée dans les deux sens indique que les régions 24a et 24b sont isolées, quel que soit le sens de 30 la polarisation. Ceci se compare avantageusement avec l'isolation classique d'une jonction PN dans laquelle un seul sens de polarisation est permis. La figure 9 représente la caractéristique tension-courant d'un autre mode de réalisation similaire au premier 35 mode de réalisation mais modifié en ce sens que les opérations des figures 1a à 1_e sont effectuées sur une sous-couche ou support comportant une surface principale ayant une orientation cristalline de surface (100) et qu'une couche épitaxiale 23 est amenée à croître à une température comprise entre 900 et 1 000°C 40 pendant 30 minutes. D'une façon similaire au cas de la figure 8, BAD ORIG,NAL 69 42419, zuiaooz on détecte cette caractéristique aux bornes constituées sur les régions monocristallines adjacentes entre lesquelles se trouve une région polycristalline. On détecte une résistance élevée et une résistance négative dans les deux sens comme dans le cas de la figure 8. En outre, une région polycristalline qui croît 5 sur une pellicule d'oxyde de silicium a une dimension légèrement croissante à mesure que la distance à partir de la pellicule d'oxyde augmente. Par exemple, quand une pellicule d'oxyde de silicium 22 a une largeur de 20 p, la largeur de la surface supérieure de la région polycristalline 24o prend une valeur de 10 25 à 30 p. dans le premier mode de réalisation et 20 à 21 ^ dans le cas de l'orientation de surface de cristal (100). De plus, la faible largeur de la région d'isolement polycristalline 24c, par exemple 5 p, peut être déterminée quand la largeur de la pellicule d'oxyde de siliaum 22 est d'environ 5 )i. Conformément 15 à la technique classique d'isolation avec une jonction PN ou un traitement d'attaque à l'acide, il faut une largeur d'au moins 20 p. pour une région d'isolement. De ce fait, la largeur d'une région d'isolement nécessaire dans la présente invention est beaucoup plus faible que la largeur classique et la présente 20 invention est très efficace pour augmenter la densité d'intégration. En particulier, l'orientation de surface de (100) est très efficace pour améliorer la densité d'intégration. Etant donné que la tension de claquage inverse entre la sous-couche ou support et une région monocristalline est 25 d'environ 300 volts, on considère que les courbes de caractéristiques. représentées sur les figures 8 et 9 montrent la tension de claquage inverse entre une région monocristalline et une région polycristalline. En outre, les caractéristiques de claquage représen-30 tées sur les figures 6,7, 8 et 9 présentent un potentiel de récupération et il a été confirmé qu'un claquage thermique ne se produit pas lors du passage d'un courant d'environ 200 à 300 mA. On admet que la raison de l'apparition d'une résistance élevée réside dans le fait que l'or se concentre dans*la région 35 polycristalline 24 de manière à amener cette dernière à se comporter comme une région de résistance élevée. Entre autres, l'or se comporte à la fois comme une impureté du type accepteur et une impureté du type donneur et 40 réagit de façon très sensible, à la fois avec les types N et P, BAD ORIGINAL 42419 9 2025862 étant donné que le niveau accepteur se trouve à 0,54 eV sous la bande de conduction et que le niveau donneur se trouve à 0,35 eV au-dessus du niveau occupé, c'est-à-dire rempli. De ce fait, le niveau de Ferrai d'un cristal de sili-5 ciurn de type K qui n'est dopé qu'avec une impureté de type H à faible niveau,, par exemple du phosphore, se situe au voisinage de la partie inférieure de la bande de conduction en présence de température normale, lôrsqu'en outre on dope le cristal de silicium avec de l'or, les électrons libres tombent jusqu'au 10 niveau accepteur de.l'or et le nombre d'électrons libres excités jusqu'à la bande de conduction diminue. Lorsque la concentration des pièges d'atomes d'or devient égale à la concentration des donneurs à faible niveau, la densité des électrons libres diminue rapidement de manière à augmenter rapidement la 15 résistance à mesure que le niveau de Fermi se rapproche du niveau de Fermi intrinsèque,» Lorsque, le dopage d'or augmente considérablement, la concentration d'électrons libres continue de diminuer et le niveau de Fermi s'établit sous le niveau de Fermi intrinsèque. La résistance présente sa valeur maximale quand les 20 électrons et les trous sont répartis d'une manière telle que n jie = p (n étant le nombre d'électrons, £ étant le nombre de trous, )ie étant la mobilité d'un électron et étant la mobilité d'un trou). Quand on augmente le dopage d'or, le silicium de type N se transforme en un silicium de type P et la résistan-25 ce diminue jusqu'à la valeur qu'elle prend normalement lorsque l'or constitue l'impureté dominante. On comprendra d'après l'exposé qui précède que lorsque la couche épitaxiale déposée est du type N, la concentration de If-or de dopage est, de préférence, égale ou supérieure à la concentration d'une impureté de 30 type N dans la région polycristalline. Etant donné que l'or a une vitesse de diffusion remarquablement plus grande dans une région polycristalline que dans une région monocristalline et qu'il présente une tendance à la ségrégation, il se concentre dans la région polycristalline de manière à communiquer une cer-35 taine influence, particulièrement à cette région polycristalline. Par conséquent, il n'est pas nécessaire que le dopage d'or soit effectué sélectivement dans la région polycristalline mais il peut être effectué à partir de la surface inférieure complète de la sous-couche semi-conductrice ou à partir de la surface 40 complète en partant d'une phase vapeur. 69 42419 10 2025862 Bien que d'ans les modes de réalisation précédents l'or ait été pris comme exemple, oh peut également utiliser du zinc, du fer, du cuivre, du nickel, etc..» capables de former un- niveau profond. 5 Par ailleurs, si on effectue un dopage de "bore dans les régions polycristallines, comme c'est le cas dans le second mode de réalisation, des jonctions PN se forment dans les régions polycristallines 24ç ou dans les régions monocristallines 24a et 24b, au voisinage de la région polycristalline 24c. On 10 considère que ces jonctions PU contribuent à augmenter la tension de claquage avec l'effet de dopage de l'or. A titre d'impureté de détermination du type de conductivité et de formation de niveau peu- profond, impureté qui forme une jonction PN, on peut utiliser du gallium etc... aussi 15 bien que du bore comme impureté de type P et du phosphore, de l'arsenic, de l'antimoine etc... comme impureté de type N. En outre,- des matières telles que du nitrure de silicium, de l'oxyde d'aluminium, etc... sur lesquelles un semiconducteur ne croît pas sous "une forme monocristalline peuvent 20 aussi être utilisées comme pellicule isolante 22 et à la place de l'oxyde de silicium. On peut aussi modifier" de façon appropriée l'épaisseur, la largeur et les autres dimensions de la pellicule isolante. En outre, pour former une couche polycristalline, on peut aussi avoir recours à d'autres procédés de for-25 mation de germes pour obtenir un polycristal. Par exemple, on peut soumettre partiellement à un jet de sable la surface d'un monocristal. Il n'est pas nécessaire que la sous-couche 21 soit un semi-conducteur mais elle peut être une matière isolante, par exemple du saphir, si un semi-conducteur monocristallin y est 30 formé épitaxialement par croissance. Conformément à un autre exemple, on forme "d'abord des régions monocristallines et polycristallines sur une sous-couche puis on y dépose un revêtement épais de 'matière isolante, par exemple du verre, et, finalement, on enlève la première sous-couche pour utiliser la matière iso-35 lante comme sous-couche de support.- Il est bien entendu que la description qui précède n'a été donnée qu'à titre purement illustratif et non limitatif et que des variantes ou modifications peuvent" y être apportées sans sortir pour autant du cadre général dé la présente invention. 69 42419 n 2025862 ^ REVENDICATIONS 1°) Dispositif semi-conducteur comprenant une région semi-conductrice monocristalline et une région semi-conductrice polycristalline directement contigué à ladite région monocristal-5 line et dopée avec une impureté qui y forme un niveau profond. 2°) Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que le-semi-conducteur est constitué par au moins un matériau choisi parmi le groupe comprenant l'or, le zinc, le fer, le cuivre et le nickel. 10 3°) Dispositif semi-conducteur suivant la revendica tion 1, caractérisé par le fait que ladite région monocristalline est dopée avec une première impureté déterminant le type de conductivité et de l'or et par le fait que la région polycristalline précitée est dopée avec de l'or et une seconde impu-15 reté déterminant le type de conductivité. 4°) Dispositif semi-conducteur présentant une résistance négative dans les deux sens et comprenant : deux régions semi-conductrices monocristallines ; une région semi-conductrice polycristalline directement contigué auxdites régions monocris-20 tallines et située entre ces deux régions et dopée avec de l'or ï deux "bornes disposées respectivement sur lesdites régions monocristallines. 5°) Dispositif semi-conducteur comprenant : une sous-couche semi-conductrice monocristalline comportant une surface 25 principale, une région semi-conductrice monocristalline formée par croissance épitaxiale sur ladite surface principale ; une région semi-conductrice, polycristalline formée sur ladite surface principale de la sous-couche semi-conductrice de manière à être directement contigué à la région monocristalline précitée 30 et à l'enfermer, ladite région semi-conductrice polycristalline étant dopée avec une impureté de formation de niveau profond. 6°) Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 5, caractérisé par le fait qu' il comprend en outre une pellicule isolante située ôntre ladite région polycristalline 35 et ladite sous-couche semi-conductrice., 7°) Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 5, caractérisé par le fait que ladite sous-couche semi-conductrice monocristalline comprend une première impureté déterminant un type de conductivité, lesdites régions semi-conduc-40 trices monocristalline et polycristalline étant dopées avec une 42419 ,w 2025862 seconde impureté déterminant un type de conductivité, et par le fait que ladite région polycristalline comprend'de l'or destiné à surpasser ladite .seconde impureté déterminant un type de conductivité. 8°) Dispositif- semi-conducteur suivant la revendication 6, caractérisé par le fait que ladite sous-couche, la région monocristalline et la. région polycristalline précitées sont constituées essentiellement- par du silicium, ladite couche isolante étant formée par au moins un matériau- choisi parmi le groupe comprenant l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium et l'oxyde d'aluminium, l'impureté formant un niveau profond étant de l'or. 9°) Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 7} caractérisé par le fait que ladite région semi-conductrice polycristalline est dopée avec la première impureté déterminant un type de conductivité. 10°) Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 8, caractérisé par le fait que la concentration d'or est de 10^ à 1015 atom.es/cm3. 11°) Procédé pour fabriquer un dispositif semi-conducteur consistant à préparer une sous-couche semi-conductrice d'un premier type de conductivité et comportant une surface principale; à former des germes pour obtenir un polycristal sur ladite surface principale dans la partie renfermant une région prédéterminée ; à déposer un semi-conducteur comprenant une seconde impureté de détermination de type de conductivité à partir d'une phase vapeur sur ladite surface principale pour former respectivement une région monocristalline d'un second type de conductivité sur la région prédéterminée précitée et une région semi-conductrice polycristalliné comprenant la seconde impureté/determination de type de conductivité sur les germes précités destinés à former un polycristal ; et à doper au moyen d'une impureté de formation de niveau profond au moins ladite région semi-conductrice polycristalline jusqu'à ce que l'on obtienne une concentration égale au moins à celle de la seconde impureté de détermination de type de conductivité qui y est incluse. "2°) Procédé suivant la revendication 11, caractérisé par le fait que l'impureté précitée formant un niveau profond est constituée par au moins l'un des métaux choisis parmi le groupe comprenant l'or, le zinc, le fer, le cuivre et le nickel. 13°) Procédé suivant la revendication 11, caractérisé 69 42419 13 2025862 par le fait qu'il consiste en outre à doper avec la première impureté de détermination de type de conductivité ladite région semi-conductrice polycristalline. 14°) Procédé suivant la revendication 11, caractérisé 5 par le fait que l'on constitue les germes précités destinés à l'obtention d'un polycristal en formant une pellicule isolante constituée par au moins une des matières choisies parmi le groupe comprenant l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium et l'alumine. COPY