FR 2019397 A1 19700703 FR 6929910 A 19690902 69 29910 1 2019397 l'invention concerne des dispositifs à semi-conducteur et en particulier, un procédé visant à placer simultanément de multiples patins de liaison sur une matrice de semi-conducteur contenant de multiples éléments semi-conducteurs. 5 Un circuit intégré comporte un grand nombre d'élé ments reliés entre eus; tels que transistors, diodes, résistances et condensateurs, sur une tranciie de matière semi-conductrice, en principe du silicium. Pour assurer le contact électrique avec ces éléments, on fixe de nombreux contacts métalli-10 ques à ces éléments ou, dans le cas de transistors et de diodes, aux diverses régions P et S de ces éléments. Ces couch.es métalliques de contact, tout en étant reliées entre elles sélectivement pour assurer le fonctionnement désiré du circuit intégré, sont en général séparées -pur un isolant, les unes des autres et du reste des élément» portés par la tranche de semi-15 conducteur. Cette tranche de aemi-condueteur, avec les couches d'isolant et contaets métalliques qui la recouvrent, est appelée ci-après une "matrice". Dans la fabrication de circuits intégrés, on traite habituellement un grand nombre de matrices qui font partie 20 d'une même "galette" de matière semi-conductrice. Une fois que l'on a formé les circuits intégrés désirés sur les diverses matrices contenues dans la galette, on coupe la galette en ses matrices constituantes. Il faut alors relier le ou les circuits intégrés d'une matrice aux autres circuits situés hors de la 25 matrice et avec lesquels ils sont destinés à fonctionner. En principe, on y procède en liant des contacts métalliques choisis de la matrice à des eouehes métalliques de contact portées par une surface d'un substrat servant de support. Cette liaison, qu'elle soit assurée par des techniques ultrasoniques ou de 30 soudage par thermocompression, s'effectue habituellement conducteur par conducteur et par suite, elle est longue et coûtuuse» Pour remplacer ces fils conducteurs, la technique antérieure a mis au point une technique utilisant des boutons de soudure. Pour former ces boutons de soudure - que l'on 35 réalise en principe avant de couper la galette en matrices - on dépose une couche de verre sur les minces films métalliques de contact fixés aux éléments que porte chaque matrice de la galet1 BADORfGfNAL 'r J t 69 29910 2019397 te. On forme par corrosion des fenêtres dans là couche de verre pour atteindre le métal sous-jacent puis on forme par évapora-tion, sur la couche de verre et les fenêtres, des couches d'un métal mouillable approprié tel qu'un alliage chrome-cuivre ou 5 chrome-nickel. On élimine alors sélectivement -le métal de toutes les zones sauf au-dessus des fenêtres de la couche de verre de manière à forme dés patins métalliques par dessus ces zones « Ensuite, on plonge la galette dans un bain de soudure.fondue qui mouille les zones de patin et forme les boutons de soudure. 10 Une fois la galette coupée en matrices, on effectue la liaison en plaçant chaque matrice la face en bas sur un substrat approprié et en appliquant de la chaleur et de la pression* les matrices ainsi liées sont appelées matrices liées. Malheureusement, cette technique donne souvent des 15 liaisons peu sûres parce que les métaux étrangers - comme le chrome ou le nickel - employés dans la fabrication de ees boutons de soudure peuvent facilement consommer l.es minees contacts métalliques sous-jacents et causer une dégradation mécanique ou électrique de ces contacta. 20 Par contre, l'invention surmonte ces inconvénients des techniques antérieures de réalisation de contacts électriques sur des circuits intégrés, les boutons de soudure ou patins de liaison de 1*invention sont formés de façon telle qu'ils ont une grande longévité et de bonnes propriétés électriques et mécaniques. En outre, le procédé de l'invention permet de placer simultanément des patins de liaison en toute disposition géométrique sur des zones soigneusement déterminées d'une matrice de circuit intégré pendant que la matrice fait encore partie d'une galette. Etant donné que la technique de l'invention donne des boutons de soudure qui nécessitent de faibles forces de liaison et de basses températures de liaison de l'ordre de 316-343°G» soit environ 55°G en-dessous des températures nécessaires pour lier par thermocompression des matrices liées, le degré gradation de la fiabilité du circuit intégré sous l'effet des/ températures de liaison est réduit relativement à ce qui se passe aux températures de liaison plus élevées de la technique antérieure. En outre, étant donné que les boutons de soudure formés selon l'invention fondent et "coulent" pendant le processus de liaison pour compenser les inégalités de surface du BAD ORIGINAL i 69 299îC substrat sous-.jacent, cette inégalité a peu d'effet sur la fiabilité du processus de liaison. Ainsi, on peut former un grand nombre de patins par matrice sans se soucier de la plané té du substrat ni de la rupture des matrices. Enfin, les boutons 5 de soudure de l'invention adhèrent à la matière sous-gacente de la matrice en perdant peu de leur solidité avec le temps. Pour former les boutons de soudure de l'invention, on prend une galette contenant plusieurs matrices dont chacune est recouverte à la fois par un isolant at par une ou des couches 10 de métal de contact tel que l'aluminium et on la recouvre d'une deuxième eoucîie isolante, par exemple de silice. On forme par corrosion des fenêtres appropriées dans cette deuxième couche isolante. Puis on place sur la galette une couche épaisse de métal conducteur tel que 1*aluminium, en principe de 6-10 15 microns d'épaisseur, immédiatement suivie d'une couche de nickel. Habituellement, ces deux couches sont déposées sous vide sur la galette. On place alors un eache photosensible par-dessus la couche de nickel en laissant non masquées les régions du nickel où doivent se placer les boutons de soudure. Après avoir net-20 toyé soigneusement, on plaee par-dessus cette couche de nickel « de multiples couches de métaux choisis, y compris de la soudure. En principe, ces couches sont constituées par une épaisse couche de barrière formée de nickel, suivie de couches d'or, à'étain et d'or mais, comme indiqué plus loin, on peut aussi utiliser 25 d'autres soudures. Selon un mode d'exécution de l'invention, on applique ces multiples couches sur le nickel par dépôt galvanique. Finalement, on élimine le cache photosensible et les portions de la première couche de nickel déposée et de la couche épaisse de métal conducteur, pour former la structure désirée 30 de bouton de soudure. La technique de 1'invention permet de fabriquer avec précision de nombreux boutons de soudure à la fois. La eouehe épaisse d * aluminium déposée sous vide diminue la dégradation électrique et mécanique du bouton de soudure avee le temps sous 35 l'effet de la migration du niekel à travers l'aluminium tandis que la couche de nickel de barrière empêche la formation de composés or-aluminium. Les boutons de l'invention sont plus coûteux à fabriquer que les contaets de la technique antérieure BAD ORIGINAL f î 29910 2019397 Biais ils sont beaucoup moins coûteux à lier au câblage extérieur pe les fils conducteurs de la technique antérieure et plus fiables que les boutons antérieurs. Bien que l'on effectue le processus de liaison à des températures de l'ordre de 316-343°C, on forme une liaison capable de résister à de telles températures parce que les boutons de soudure, une fois fondus, forment un alliage présentant une température de refonte beaucoup plus élevée. Une variante de procédé de formation de boutons de soudure sur une matriee de eircuit intégré utilise des techniques d'évaporation. Des métaux choisis, évaporés successivement d'une petite source, passent à travers des fenêtres soigneusement définies dans un cache en feuille de métal* Immédiatement derrière le cache se trouve la matrice. Ainsi, les métaux évaporés se déposent en couches sur les régions de la matriee qui sont définies par les fenêtres du caehe, formant ainsi les boutons de soudure désirés. On comprendra plus complètement l'invention à l'aide de la description détaillée ei-après, considérée parallèlement aux dessins annexés sur lesquels ; - la figure 1 montre une portion d'une galette type de semi-conducteur portant des couches superposées d'isolant et d'aluminium ; - la figure 2 montre la galette de la figure 1 portant une couche diélectrique supplémentaire j - la figure 3 montre la galette de la figure 2 sur laquelle on a formé par évaporation une couche épaisse d'aluminium et une couche de nickel ; - la figure 4 montre la galette de la figure 3 portant un eaehe photosensible placé suivant une configuration choisie par-dessus la couche de nickel ; - la figure 5 montre la galette de la figure 4 sur laquelle on appliqué galvaniquement, dans l'ordre, des couches de n±ck«l, d'or? d1étain et d'or par-dessus les fenêtres ménagées dans le cache photosensible ; et - la figure 6 montre la galette de la figure 5 après que l'on ait éliïei&é le cache photosensible et des• couches choisies d'aluminium et de nickel. "■* BAD ORIGINAL 29910 5 2019397 On décrira à propos des figures 1-6 un mode d'exécution de l'invention. On décrit ce procédé à propos de boutons de soudure or-étain placés sur une galette de silicium recouverte d'une couche de silice et d'une couche d'aluminium mais il est stendu que l'on peut aussi utiliser d'autres systèmes de soudure et de semi-conducteur en appliquant les principes de l'invention. Oes autres systèmes pourraient comporter par exemple une soudure or-germanium par-dessus une barrière de germanium sur des contacts épais d'aluminium. En outre, si l'on a seulement représenté pour plus de simplicité une portion d'une galette de semi-conducteur portant un seul bouton de soudure, au lieu d'une galette entière, il est entendu que dans la mise en oeuvre de l'invention, on place de multiples boutons de soudure sur chaque matrice d'une galette à traiter, et non pas un seul bouton de soudure• La figure 1 montre une portion d'une galette 10 formée de silicium et portant une couche isolante 12 de silice. Une couche 13 d'aluminium, par exemple de 1 micron d'épaisseur, recouvre la silice. La couche 13, composée de nombreuses régions d'aluminium isolées électriquement, établit un contact électrique choisi avec les éléments ou avec les régions P et S des transistors et diodes (non représentés) formés préalablement au sein du silicium 11. La galette 10 est d'un type bien connu dans la technique des semi-conducteurs et habituellement, elle contient de nombreuses matrices de circuit intégré. Gomme le montre la figure 2, on dépose ensuite sur la galette 10 une deuxième couche isolante 14, en principe en verre d'environ 1 micron d'épaisseur. On forme par corrosion dans cette couche des fenêtres telles que 23, par des techniques bien connues, pour découvrir l'aluminium 13. Ensuite, comme le montre la figure 3, on forme par évaporation sur la galette 10 une couche épaisse d'aluminium 15, par exemple de 6-10 microns d'épaisseur. Immédiatement après, on forme par évaporation, sur la couche d'aluminium 15, une couche 16 de nickel. La couche 16 a par exemple 0,3 micron d'épaisseur. En évaporant le nickel immédiatement après avoir évaporé l'alu- 6 —7 minium sur la galette, sous un vide d'environ 10- à 10"' torr, on ne rencontre aucune résistance électrique gênante entre BAD ORIGINAL 69 29910 S 2019397 l'aluminium et le nickel par oxydation de la couche d'aluminium 15. Cela assure que la résistivité de la région de contact entre la couche d'alumiiiium 15 et la couche de nickel 16 reste négligeable. Avant le processus d'évaporation5 on nettoie la galet-5 te pendant environ 10 secondes à 60°C dans une solution de H~PQ^, on la rince dans de l'eau désionisée et on la sèche, le HjPO^ nettoie la surface découverte d'aluminium de la eouche 13 et améliore ainsi l'adhérence de la eouohe d'aluminium 15 à la couche 13 3ans attaquer la couche isolante 14. 10 1!évaporation de métaux sous vida est bien connue dans la technique des semi-conduoteurs et on ne la décrira pas ici en détail. Toutefois, un point important est de maintenir la surface de la galette entre 100 et 300°0S de préférence au voisinage de 200°C, pour obtenir une bonne adhérence des couches 15 d'aluminium et de nickel 15 et 16 à la couche d'aluminium et entre elles, sans formation d'alliage. Pour définir les régions sur lesquelles il faut placer les boutons de soudure, on place un caehe photosensible, 17 sur la couche de nickel 16 comme le montre la figure 4. Ce cache 20 est en principe mais non nécessairement du type négatif, par exemple le cache en film mince de Kodak, et on l'applique par des techniques bien connues sur des régions choisies de la couche de nickel 16 pour définir les régions de la couche 16 où doivent être placés les boutons de soudure. Etant donné que les 25 fenêtres du cache 17 peuvent être définies avec une précision de +5 microns, l'emplacement des boutons de soudure peut également être défini avec une précision similaire. Toutefois, avant d'appliquer le cache 17, on nettoie la galette 10 en la plongeant pendant 10 secondes dans du HHO^ à 10$ à 25°C, en rinçant 30 à l'eau désionisée et en séchant. Ce nettoyage améliore l'adhérence du cache 17 à la surface de nickel 16. Ensuite, on applique galvani^uement une eouche 18 (figure 5) de nickel de 8-10 microns d'épaisseur par-dessus les zones de la couche de nickel 16 qui sont découvertes par les 35 fenêtres du cache 17. Comme on l'expliquera brièvement, on prépare soigneusement la surface de la couche de nickel 16 avant ce revêtement galvanique pour assurer une liaison nette à faible résistance entre les couches de nickel déposée sous vide et SAD ORIGINAL 69 29910 2019397 10 20 déposée gaivaniqueutent. Puis on applique galvaniquement, pardessus la couche de nickel 18, des couches 19» 20 et 21 formées respectivement d'or, d'étain et d'or0 les couches 19» 20 et 21 ont par exemple une 4>aisseur respective de 1,25^a.» 5 et 2,5 La couche de nickel 18 sert de socle dur et de "barrière de diffusion entre les couches d'or, d'étain et d'or 19» 20 et 21 et la couche d1aluminium 15. Enfin, comme le montre la figure 6, on élimine par corrosion le cache 17 et des portions choisies de l'aluminium 15 et du nickel 16. La structure obtenue, représentée par la figure 6, est le "bouton de soudure désiré. Les techniques de dépôt galvanique utilisées dans l'invention sont "basées sur des pratiques bien établies capables de donner des revêtements métalliques stables et adhérents - voir ^ pour la description de ces pratiques A.K. Graham, "Electropla-ting Engineering Handbook", édité par Reinhold Publishing Oo., ITew York 1955 - mais la préparation de la surface de la couche de nickel 16 en vue d'assurer un dépôt uniforme et de haute qualité de la couche supplémentaire cLe nickel 18 est un processus compliqué. Avant de commencer le dépôt galvanique, on applique un cache organique par-dessus les bords et le verso de la galette 10 pour éviter de revêtir ces surfaces pendant le dépôt galvanique des boutons de soudure sur le recto de la galette. Ensuite, on nettoie soigneusement la couche 16. Ce nettoyage élimine toute contamination par le cache photosensible, toutes impuretés organiques ou atmosphériques et toute oxydation de surface. Dans ce nettoyage, on commence par plonger la galette 10 pendant environ 5 secondes dans une solution alcaline de nettoyage contenant tin détergent alcalin à un pH d'environ 13-14. Cette solution de nettoyage à environ 43°C élimine les composés organiques. On rince alors la galette 10 à l'eau du robinet pendant environ 5 secondes et la plonge environ 5 secondes dans une solution d'acide chlorhydrique à 10# à environ 25°C. 0e bain d'acide élimine toutes impuretés ^ déposées pendant l'opération de nettoyage alcalin ou laissées après eette opération. Après un rinçage à l'eau désionisée, on plonge alors la galette 10 dans une solution d'acide nitrique à 10io à 25 °C pendant environ 5 secondes pour nettoyer la surfa BAD ORIGINAL 30 69 29910 a 2019397 ce découverte de la couche de nickel 16. l'acide nitrique corrode en fait cette surface et assure ainsi la présence de nickel pur à la surface de la couche 16 avant le dépôt galvanique. Puis, on répète ce processus de nettoyage, en commeçant par le netto-5 yage alcalin mais en omettant le nettoyage à l'acide nitrique,, Mais cette deuxième fois, le nettoyage alcalin est électrolytique, le nickel étant cathodique. On applique ensuite un bain électrolytique activé au nickel pour assurer que la surface du nickel soit absolument 10 propre. Pendant ce bain, la surface du nickel est rendue cathodique par branchement sur une source de courant de 3 V. On utilise pendant ce bain une anode d'acier ou de nickel. Le nickel utilisé eomme activeur réduit en fait toutes régions oxydées de la surface découverte de la couche de nickel 16. Ce bain 15 dure 15 secondes. La solution activante est en principe une solution de désignation commerciale "G-12" (Millhorn Chemical and Supply Go.), solution bien eonnue dans la technique du dépôt électrolytique. On examine la galette pendant qu'elle se trouve dans le bain activant pour assurer la propeté en observant la 20 formation d'hydrogène sur les surfaces de nickel découvertes de la couche 16. Une formation non uniforme de gaz sur ces surfaces indique une contamination de la surface de nickel, ce qui donnerait un défaut d'adhérence. Quand on observe cette formation non uniforme de gaz, on débazrasse la galette du cache 17 021 lui 25 applique comme indiqué plus haut un nouveau cache photosensible» Après le bain activant, la surface de la couche de nickel 16 est presque réceptive au dépôt galvanique. Mais d'aboiî, on plonge la galette 10 dans une solution d'acide sulfurique à 2# pendant environ 5 secondes pour éliminer toutes impuretés 30 alcalines déposées par le nickel activeur électrolytique. A la sortie de ce bain, on rince la galette par arrosage à l'eau désionisée pendant environ 5 secondes, la surface de la couche de nickel 16 est maintenant prête au dépôt électrolytique. On place alors la galette 10 dans l'une des diverses 35 solutions de dépôt électrolytique de nickel. On pourrait utiliser par exemple ime solution de sulfamate de nickel. Pendant tout le dépôt él eetrolytiq;.ie, la couche de micfcel 16 conduit le courant. On assure le contact électrique avec cette couche BAD ORIGINAL i 69 29910 9 2019397 en perçant le cache 17 (figure 4) avec un conducteur. Quand on a appliqué la couche de nickel 16 jusqu'à l'épaisseur désirée, on retire la galette 10 de la solution de dépôt électrolytique et on le rince par arrosage à l'eau àésio-5 nisée pendant environ 5 secondes. On plonge alors la galette 10 dans une solution d'acide chlorydrique à 10# à 25 °C pendant environ 5 secondes pour éliminer toutes impuretés alcalines déposées pendant le dépôt électrolytique. Après ce "bain, on rince à nouveau la galette par arrosage à l'eau désionisée pen-10 dant environ 5 secondes. Puis on applique immédiatement par électrolyse, sur la surface nettoyée de la couche de nickel 18, pendant environ 20 secondes, un revêtement d'or de 24. carats. On utilise pour ce revêtement une solution d'amorçage acide d'or à environ 49°0. Après un rinçage de 5 secondes par arro-15 sage à l'eau désionisée, on continue l'application de la eouche d'or 19 (figure 5) en utilisant comme solution de dépSt un or aeide de grande pureté d'un type communément utilisé dans l'industrie électronique pour le revêtement de composants électroniques. Quand le dépôt de la eouche 19 est achevé, on rince 20 à nouveau la galette à l'eau désionisée pendant environ 5 secondes puis on la plonge pendant environ 5 secondes dans une solution d'aeide sulfurique à 20# à environ 25°0. 0e bain d'acide sulfurique élimine tous mouillants,agents de brillantage ou stabilisants déposés antérieurement sur la galette par la solu-25 tion de revêtement électrolytique. Après ce bain d'acide sulfurique, on applique un rinçage de 5 secondes par arrosage à l'eau désionisée. Pour appliquer électrolytiquement sur la galette la couche d'étain 20, on utilise une solution acide de dépôt 30 d'étain communément employée dans l'industrie électronique. Quand cette couche est achevée, on rince à nouveau la galette pendant 5 secondes par arrosage à l'eau désionisée et on la plonge, aussi pendant 5 secondes, dans une solution d'acide sulfurique à 20#. Ce bain d'acide élimine à nouveau les mouil-35 lants, agents de brillantage ou stabilisants qui relent du dépôt électrolytique. Ensuite vient à nouveau un rinçage de 5 secondes par arrosage à l'eau désionisée. Immédiatement après ce rinçage, on place la galette 10 dans une solution de revêtement éleetrolytique formée de cyanure d'or à environ 25°c, BAD ORIGINAL Y5*. 69 29910 If 2019397 pendant 30 secondes pour appliquer un dépôt amorce. On assure ainsi que la couche suivante d'or soit déposée sur une surface propre. L'étain, métal actif, n'est pas facile à déposer élec-trolytiquement et ainsi, ce bain d'amorçage est essentiel pour 5 couvrir l'étain pendant qu'il est propre. Après ce bain d'amorçage à l'or, on rince à nouveau la galette pendant 5 secondes environ par arrosage à l'eau désionisée puis on la place dans une solution ordinaire de dépôt électrolytique d'or pour déposer le reste de la couche d'or 21. Quand la co-ache 21 est ache-10 vée, on rince la galette 10 par arrosage pendant 10 secondes dans de l'eau désionisée et on la sèche dans de l'azote. Toutes les étapes du processus décrit ci-dessus qui comportent le passage d'un courant à travers la galette s'effectuent avec tua. potentiel électrique appliqué entre l'anode et la cathode aussi pendant l'immersion que pendant que l'on retirs 15 la galette de la solution d'électrolyse. Gela réduit au minimum le passage d'impuretés dans les solutions de dépôt électrolytique et empêche une perte d'adhérence du bouton. A l'achèvament du revêtement électrolytique, on retire, le cache 17 et on élimine sélectivement par corrosion des por-20 tions des couches respectives 15 et 16 d'aluminium et de nickel® Il faut effectuer cette corrosion soigneusement pour assurer le minimuni de dépouillement de la couche de nickel 18 et des couches de soudure 19 à 21» Il faut utiliser un agent de eorrosion frais et régler avec précision la température de celui-ci et le 25 temps de corrosion pour éviter un dépouillement. En principe, on utilise un agent de corrosion acide pour corroder la eouche de nickel 16 et un agent de eorrosion alcalin pour enlever la couche d'aluminium 15. Toutefois, on pourrait aussi utiliser l'agent acide pour enlever la couche d'aluminium 15 si on le 30 désirait. L'enlèvement par corrosion de portions choisies des couehes de nickel et d'aluminium 16 et 15 se fait sans dépouillement notable de la eouche de nickel 18 ni des couches de soudure 19 à 21. Par suite, le bouton de soudure ressemble dans une certaine mesure à un champignon présentant un sommet de 35 plus grand diamètre que sa tige. Dans tout le traitement ei-dessus, le silicium ne risque guère d'être contaminé par des impuretés alcalines ou BAD OR/G^al t 69 29910 2019397 autres, étant donné les couches épaisses d'aluminium et de silice qui séparent les solutions de traitement et l'interface de silicium. lorsqu'on place du niekel directement sur de l'alumi-5 nium comme le représentant les couches 16 et 15 sur la figure 3, bien que ce soit nécessaire pour former une surface appropriée au dépôt électrolytique et pour empêcher l'oxydation de 1'aluminium, cela entraîne une diffusion du nickel dans l'aluminium avec formation de composés tels que NiAl et Ui^Al» Oes 10 composés pénètrent dans l'aluminium et lorsqu'ils atteignent la couche de silice 12 située en-dessous de la eouehe d'aluminium 13, ils dégradent aussi bien les propriétés électriques que les propriétés mécaniques de la liataon aluminium—silice 0 Aussi, selon l'invention, on rend très épaisse la eouehe d'alu-15 minium 15 pour augmenter le temps nécessaire au nickel pour diffuser à travers 1'aluminium et augmenter ainsi la longévité de la lia*on d'aluminium. D'autre part, la couche épaisse de niekel 18 est nécessaire pour empêcher l'aluminium 15 de former immédiatement 20 des composés avec la soudure. Bien que la soudure utilisée dans les boutons décrits ci-dessus soit une soudure or-étain, elle est formée d'une couche d'étain interposée entre deux couehes d'or et non pas simplement d'une couche d'or et d'une couche d'étain. la première eouche d'or est nécessaire paree que Iv>é~ 25 tain n'adhère pas au nickel mais adhère à l'or, la deuxième couche d'or empêche l'oxydation de l*étain. Cette soudure comprend essentiellement 40-50# d'étain et 60-50# d'or en poids. Une soudure ayant cette composition JTond à environ 338°C et se lie entre 316 et 343°C. Une fois liée la soudure refond à une 30 température beaucoup plus élevée parce que lors de la métalli-sation du substrat l'or se dissout dans la soudure, élevant ainsi son point de fusion. Etant donné que les boutons de soudure sont flexibles au chauffage et qu'ils contiennent une grande quantité de ma-35 tière dans leurs sommets en champignons, ces boutpns contiennent suffisamment de matière pour couler et épouser des substrats irréguliers, ce qui élimine ou réduit la rupture des matrices pendant la liaison sous pression de matrices à des substrats ■ -r"* BAD ORIGINAL 69 29910 2019397 irréguliers On à décrit l'invention dans le cas où l'on utilise 10 xme soudure or-étain-or mais on peut aussi utiliser d'autres soudures si on le désire. Par exemple, on peut utiliser, au lieu de la soudure or-étain-or, une soudure formée de ploab, d'étain et d'or, par exemple en couches d'une épaisseur respective de 5 jl, 5 Ji et 2,5 De même, on peut aussi utiliser une 15 soudure or-indium-or présentant des couches d'une épaisseur respective de 1,25 ^a, 5 ^ja. et 2,5 jn ou bien une soudure zina-or présentant des couehes de zinc et d'or qui ont xme épaisseur respective de 10 et de 2,5^.. On place toutes ces soudures sur un minee socle d'aluminium ce qui augmente le temps aéeeo-20 saire pour que le nickel de recouvrement émigré à travers l'aluminium et une couche épaisse de nickel de barrière qui empêche la soudure placés par-dessus de former immédiatement des composés avec le socle d'aluminium. On applique toutes ees soudures galvaniquement sur la 25 couche de nickel de barrière. Les techniques de dépôt électroly-tiques en elles-mêmes sont bien connues. Toutefois, comme dans le proeédé décrit ci-dessus et servant à appliquer galvaniquement une soudure or-étain-or sur du niekel, il faut dans chaque cas nettoyer convenablement la galette avant le dépôt pour 30 assurer des propriétés mécaniques et électriques acceptables des boutons de soudure formés. Avec chacun des soudures ci-dessus s la eouehe de nickel est nécessaire pour former une surface •sur laquelle sa. puisse appliquer la soudure. Toutefois, avec une préparation spéciale de la surface de aluminium, on paivfc appli-35 qr-ST- dix'eet&œeîii; dépôt électrolytique de sins sur l'aluminium sgiiiîi interiBs-îifc.irs .de nickel c- Un au.re procédé de formation des boutons de soudure ©AD OPÎC'NAL 69 29910 13 2019397 de l'invention utilise des techniques de dépôt sous vide. On utilise un cache métallique "bloqué sur la galette pour définir des zones de la galette sur lesquelles il faut déposer des "boutons de soudure. Le cache est habituellement une feuille de 5 métal, par exemple de "Kovar", d'une épaisseur de 50-75 microns. On place la galette munie du cache dans une chambre d1évaporation et on place dans des creusets contenus dans la chambre les métaux qu'il s'agit d'évaporer sur la galette. On chauffe chaque creuset à son tour pour fondre le métal qu'il contient. c mn 10 Avec un vide de 10~ à 10" torr, le métal fondu se dépose rapidement par évaporation sur la galette à travers les fenêtres du cache, en formant les couches de métal désirées. Un procédé type d'évaporation pouvant servir dans l'invention est décrit dans "ïhin Film Microelectronics", publié sous la 15 direction de L. Holland en 1965 par John Wiley dans Sons, Inc., pages 171-173. BAD ORIGINAL t 69 29910 14 2019397 - REVENDICATIONS - 1. Boutons de soudure convenant pour fixer une galette de semi-conducteur à des conducteurs électriques, chaque bouton de soudure étant placé sur une portion correspondante d'une couche métallique de contact fixée à la galette de matière semi- 5 conductrice, chaque bouton de soudure étant caractérisé par le fait qu'une couche de métal conducteur est placée sur une zone choisie de la couche métallique de contact, qu'urne première couche de nickel est placée par-dessus la couche de métal conducteur et que plusieurs métaux choisis 30.vrfc placés par-des-10 sus la première couche de nickel, ua nombre choisi ds ess multiples couches constituant la soudure. 2. Procédé de fabrication des boutons de soudure selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'on dépose sous vide la couche de métal conducteur sur la zone choisie de 15 la eouehe métallique de contact, qu'immédiatement après on dépose sous vide la première eouche de nickel par-dessus la couche de métal conducteur de manière à former une liaison entre la première couche de métal conducteur et la première eouehe de niekel, la liaison présentant une faible résistance électrique, 20 que l'on nettoie la eouehe de nickel et que sur cette première couche de niekel déposée sous vide et nettoyée, on applique par dépôt électrolytique les multiples couches de métaux choisisa BAD ORIGINAL f ■