FR 2040474 A1 19710122 FR 7015795 A 19700429 70 15795 i 2040474 Les modules hyperfréquences sont utilisés comme supports de composants hyperfréquences, tels que des transistors ou analogues, et pour établir des bornes aisément accessibles en vue d'une connexion avec d'autres composants. 5 II est souvent nécessaire de protéger des composants contre Hacticm de diverses conditions ambiantes qui pourraient modifier les caractéristiques et le rendement initiaux ou provoquer leur endopmagement . En outre, dans le cas de composants de puissance, une conductibilité thermique convenable est nécessaire 10 pour assurer un fonctionnement normal à des niveaux de sortie nominaux sans élévation de température excessive. Dans de nombreuses applications, il est important de réduire les couplages parasites èntre l'es circuits d'entrée et de sortie dans toute la mesure du possible, de manière à éviter des pertes et 15 à réduire-des effets de réaction indésirables susceptibles de nuire au rendement. Ce point est particulièrement important avec les dispositifs à trois bornes portant des bornes drentrée et de sortie et une borne commune aux circuits d'entrée et de sortie. Aux hyperfréquences, il est courant d'utiliser des lignes 20 de transmission pour l'établissement des connexions d'entrée et de sortie, et souvent, pour interconnecter les composants et même pour former ces derniers. L'utilisation de circuits à lignes de transmission au lieu de circuits à constante localisée facilite considérablement la construction et la prévision des performances, 25 en particulier aux fréquences les plus élevées. Un type particulier de lignes de transmission est la "ligne de bandé"', dans laquelle un conducteur est supporté au-dessus d'une surface conductrice étendue formant un plan de masse,ou bien est supporté à égale distance de deux plans de masse étendus. L'isolement entre le conducteur d'une 30 part et le ou les plans de masse d'autre part peut être de l'air ou un diélectrique solide. L'invention vise un module hyperfréquences, qui peut être hermétiquement scellé après la mise en place du composant, qui assure une bonne conductibilité thermique vers l'extérieur, de sorte 35 qu'on peut aisément fixer des dissipateurs de chaleur, qui éliminent les couplages parasites entre les circuits d'entrée et de sortie dans une large mesure et qui comportent un agencement de borne à 70 15795 -2- 2040474 plan multiple, ce qui facilite son utilisation avec une ligne de "bande de transmission, ce module pouvant en outre "être conçu de manière à permettre une adaptation d'impédance entre"le dispositif hyperfréquences et des circuits extérieurs.' ' : 5 Le module hyperfréquences suivant l'invention comprend un élément de support ou substrat de base, sur lequel est mônté un élément d'espacement, celui-ci présentant une ouverture destinée à recevoir un dispositif hyperfréquences."Des zones conductrices isolées et espacées forment sur la surface supérieure de l'élément 10 d'espacement des régions de bornes d'entrée et de sortie. Une zone conductrice est formée entre le substrat de base et l'élément d'espacement, cette zone s'étendant sous les régions de bornes d'entrée et de sortie. Une zone conductrice de blindage est prévue sur la paroi de l'ouverture pratiquée dans l'élément d'espacement au voi-15 sinage immédiat de l'une des régions de borneq,mais avec isolement par rapport à celle-ci, et cette zone conductrice s'étend autour de la paroi,latéralement par rapport à ladite région de borne. Cette zone de blindage est connectée à la zone conductrice prévue entre l'élément d'espacement et le substrat de base, et cette zone con-20 ductrice est prolongée vers le bas au-delà du bord extérieur du substrat de base, puis sur le fond de ce dernier, de manière à faire partie de la borne commune. De cette manière, lès régions de bornes d'entrée et de sortie sont isolées l'une de l'autre par la zone de borne commune qui est généralement un plan de masse. 25 Avantageusement, une zone conductrice intérieure est formée 'sur le substrat de base au fond de l'ouverture et est connectée à l'une des régions de bornes d'entrée et de sortie par une zone conductrice prévue sur la paroi de l'ouverture qui est isolée de la zone de blindage de cette paroi. La zone conductrice prévue entre 30 ltélément d'espacement et le substrat cle base encercle ainsi la zone conductrice intérieure. De cette manière, les pàrcours parasites partant de la borne connectée à la zone conductrice intérieure sont largement confinés dans la zone conductrice commune adjacente et sont isolés de l'autre région de "borne. 35 De préférence, le substrat de base' est en un matériau ther- miquement. très conducteur, mais électriquement isolant, et un élément de refroidissement en matériau thermiquement et électriquement 70 15795 . 2040474 . -3- ■■■■■•. conducteur est fixé sous le substrat de base pour faciliter la fixation au plan de masse d'une ligne de bande de transmission. S'il y a lieu, un dissipateur de chaleur peut être, à son tour, fixé à l'élément de refroidissement. 5 Après l'insertion d'un dispositif hyperfréquences dans 1s compartiment formé par l'ouverture de l'élément d'espacement et le sommet du substrat de base, et l'établissement de connexions appropriées T une capsule est scellée au-dessus de l'ouverture pour obturer hermétiquement le dispositif. Cette capsule peut être en maté-1Q riau isolant et suffit pour de nombreuses applications» Toutefois, pour améliorer encore l'isolement des connexions d'entrée et de sortie, cette capsule est avantageusement conductrice et connectée à la borne commune, mais isolée des régions de bornes d'entrée et de sortie. 15 Bien que le module suivant l'invention soit particulièrement conçu et adapté en vue du montage d'une pastille de transistor, il peut également être utilisé pour lo^er d'autres composants actifs ou passifs, suivant les besoins. Dans, ce qui va suivre, on désignera par l'expression générique "dispositif hyperfréquences" tout élément 20 ou ensemble d'éléments, tel que pastille de transistor, composant actif ou passif ou ensemble de composants actifs, ou passifs destinés à être insérés dans le module. Dans le cas d'un transistor dont la surface inférieure forme la borne de collecteur,comme c'est souvent le cas, cette borne peut 25 être connectée thermiquement ou par ultra-sons, ou d'une autre manière appropriée quelconque, à la zone conductrice intérieure du substrat de base, ce qui facilite la dissipation de chaleur à travers ce dernier vers l'élément de refroidissement et vers un dissipateur de chaleur éventuellement fixé à celui-ci. 30 Le module suivant l'invention est particulièrement utile à des fréquences supérieures à 1 gigahertz environ, auxquelles des lignes de transmission sont largement utilisées. Toutefois, ce module peut également être utilisé à des fréquences de l'crdre de quelques centaines de mégahertz ou moins, lorsque les avantages 35 justifient le prix de revient. Il va de soi que ces diverses fréquences sont toutes incluses dans le terme "hyperfréquences'' tel qu'il est utilisé ici. Bien qu'il soit particulièrement conçu pour 70 15795 -4- 2040474 une ligne de bande de transmission, le module peut également servir, si on le désire, avec d'autres types de lignes de transmission et dans des circuits à constante.localisée. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention res-5 sortiront de la description qui va suivre, faite en regard des dessins annexés sur lesquels : la figure 1 est une vue en perspective d'un module hyperfréquences suivant l'invention ; les figures 2 et 3 sont des vues en coupe suivant les lignes 10 2-2 et 3-3 de la figure 1, respectivement ; la figure 4 est une vue du dessus de l'élément de support sous sa forme initiale ; les figures 5 et 6 sont des vues, respectivement du dessus et du dessous, de l'élément d'espacement sous sa forme initiale ; 15 - les figures 7 et 8 sont des vues en perspective supérieure et inférieure d'une ligne de bande de transmission, dans laquelle le module hyperfréquences de la figure 1 est inséré ; la figure 9 représente un dissipateur de chaleur pour le module ; 20 la figure 10 est .une vue en perspective représentant le mon tage d'une pastille de transistor dans le compartiment du module hyperfréquences ; la figure 11 est une vue en perspective représentant le montage de composants de circuit imprimé a l'intérieur du module ; et 25 la figure 12 est un schémg/du circuit de la figure 11 . Sur les dessins, le module hyperfréquences est représenté à grande échelle pour rendre l'examen plus commode. On comprendra aisément que, pour de nombreuses utilisations, ce module est très petit, ses dimensions pouvant parfois être de l'ordre de quelques 30 millimètres, les revêtements conducteurs sont représentés par des doubles traits., mais bien entendu, ils peuvent être extrêmement minces et formés par des techniques de circuit imprimé. Les termes "supérieur", 'inférieur", "dessus", "dessous", etc., seront utilisés par commodité dans la description et dans les revendications ; ils 35 se réfèrent tous à l'orientation représentée sur les dessins. Bien entendu, en service, le module peut être monté dans toute orientation désirée. 70 15795 -5- 2040474 Comme on peut le voir sur les figures 1 à 6, le module hyperfréquences est composé d'un certain nombre de pièces individuelles qui sont formées et métallisées séparément, de manière à permettre leur assemblage satisfaisant, en dépit des faibles di-5 mensions du module. Dans l'exemple particulier représenté, le module comprend un élément de refroidissement 10, un élément de support ou substrat de base 11, un élément d'espacement 12, une bague d'étanchéité 13, une rondelle d'étanchéité 14 et une capsule 15. Un dispositif hyperfréquences est normalement monté dans le module 10 avant la fixation de la capsule, mais il est omis sur les dessins pour permettre une représentation plus claire de la structure du module. l'élément de refroidissement 10 est représenté sous la forme d'une plaque dans laquelle sont pratiqués des trous permettant la 15 fixation commode au plan de masse d'une ligne de bande de transmission. Une rainure de dégagement 16 est prévue pour éviter un endommageaient possible du bord adjacent de l'élément de support 11 pendant l'assemblage. Avantageusement, l'élément de refroidissement 10 est thermiquement et électriquement très conducteur aux hyperfré-20 quences. Pour la plupart des applications, il' doit en outre être non magnétique, et l'on peut utiliser du cuivre. Au lieu de se présenter sous la forme d'une plaque, l'élément de refroidissement pourrait être une rondelle, une tige ou tout autre élément convenant pour l'application prévue. L'élément de refroidissement sert 25 de borne extérieure commune commode au module. Lorsqu'un tel élément de refroidissement est inutile pour le montage, il peut être éliminé, et le revêtement conducteur 18" de l'élément de support 11 est alors utilise comme borne extérieure commune. L'élément de support ou substrat de base 11 est avantageu-30 sement en un matériau thermiquement conducteur, mais électriquement isolant, tel que de l'oxyde de béryllium (BeO). A la surface supérieure, comme représenté sur la figure 4, le substrat de base comporte une zone "conductrice intérieure 17 encerclée par une zone conductrice extérieure 18. Comme on peut le voir sur ies figures % 2 35 et 3, la zone conductrice 18 est prolongée vers le bas le long du bord de l'élément 11, puis s'étend sous celui-ci, comme indiqué en 18* et 18". De préférence, la zone 18' s'étend sur toute la péri 70 15795 -6- 2040474 phérie du substrat de base et la zone 18" "s'étend sous toute la face inférieure de celui-ci." Fendant l'assemblage, la zone inférieure 18" est brasée sur l'élément de refroidissement 10. En conséquence, la borne commune, en général un pian de masse, est prolongée jus-5 qu'à la zone conductrice 18 de la surface supérieure du substrat de base. La zone conductrice intérieure 17 est connectée à l'une des bornes d'entrée et de sortie, comme décrit plus loin. Dans le cas d'un transistor ou analogue, la corne de collecteur de la pastille peut être connectée à la zone intérieure 17. En raison de la 10 forte conductibilité thermique du substrat de base et de l'élément de refroidissement, la chaleur est efficacement évacuée du transistor au cours du fonctionnement, et un dissipateur de chaleur peut être fixé à l'élément de refroidissement s'il y a lieu. L'élément d'espacement 12 est avantageusement en un diélec-15 trique convenable, tel que de l'oxyde de béryllium ou de l'alumine (A^O^) et présente une ouverture 19 au-dessus de la zone conductrice intérieure 17, ce qui forme un compartiment destiné à recevoir un dispositif hyperfréquences. L'élément d'espacement est muni de dessins métallisés prédéterminés sur ses différentes surfaces. 20 Comme représenté sur la figure 5, la surface supérieure de l'élément d'espacement' est munie de zones de bornes conductrices d'entrée et de sortie 21 et 22. La paroi de l'ouverture est métallisée au voisinage immédiat de la zone de borne 21 et s'étend 1s té raie me rit-autour d'une majeure partie de la paroi, comme indiqué en 23. La 25 métallisatiôn 23 de la paroi est isolée de la zone de borne 21 ainsi que dë la zone de borne 22, et se prolonge jusqu'au revêtement conducteur 26 (figure 6) prévu sur la surface inférieure de l'élément d1 espacement. Des zones conductrices 24, 241 sont connectées à la zone 30 "conductrice de paroi 23 et s'étendent vers le bas le long des côtés de l'élément d'espacement, comme indiqué en 25 et 251 sur les figures 1, 2 et 6. Les zones 25, 25' sont connectées au revêtement ocn-ducteur 26 de la surface inférieure de 1*élément d'espacement. Ce dernier est brasé ou fixé d'une autre manière sur la zone conduc-35 trice extérieure 18 du substrat de base 11, ce qui prolonge la borne commune où plan de masse jusqu'à la' métallisatiôn 23 ce la parni de l'ouverture qui sert à isoler les 'zones de bornes d'entrée et de 70 15795 -7- 2040474 sortie l'une de l'autre, les zones 24,.24' forment des points de fixation pour la connexion commune du dispositif hyperfréquences lorsque celui-ci est inséré dans le module. La zone de borne 22 s'étend vers le bas le long d'une par-5 tie de la paroi de l'ouverture, comme indiqué en 27,. puis légèrement sur la surface inférieure, comme indiqué en 28. La zone 28 est brasée ou reliée d'une autre manière à la zone conductrice intérieure 17. La bague d'étanchéité 13, par exemple en verre convenable 10 résistant aux températures élevées, est fusionnée avec la surface supérieure de .l'élément d'espacement 12. Si on le désire, on peut appliquer sur les zones de bornes 21 et 22 un revêtement d'argent, après la mise en place de la bague de fusionnement 13, pour augmenter la conductivité électrique et pour permettre une fixation 15 commode de fils sur ces zones. La rondelle d'étanchéité 14 peut alors être mise en position au-dessus de la bague 13 et scellée en place. Si on le désire, on peut appliquer un placage sur d'autres zones conductrices, après la métallisatiôn initiale. Avant de mettre en place la capsule, on insère le disposi-20 tif hyperfréquences dans le compartiment 19 et l'on fixe les fils en des points convenables. Ces opérations seront décrites plus loin. Après le montage du dispositif hyperfréquences, la capsule 15 est mise en place au-dessus de la rondelle d'étanchéité 14 et est scellée. Après cette opération, le dispositif hyperfréquences est herméti-25 quement scellé à l'intérieur du module. La capsule 15 peut être en un matériau isolant, tel qu'une matière céramique ou en un matériau conducteur, selon l'application envisagée. Dans l'exemple particulier représenté, la capsule 15 est en un matériau conducteur et la rondelle d'étanchéité 14 est un disque de matière céramique dont 30 toute la surface supérieure est revêtue d'une couche conductrice métallisée, et qui s'étend vers le bas le long de la paroi en des régions espacées 31, 31'.coïncidant avec les zones conductrices 24, 24' de la surface supérieure de l'élément d'espacement .12. Après la fixation de la capsule 15, on met en place des barrettes 32 pour 35 connecter électriquement les zones 31, 31.' et la capsule 15 aux zones.de bornes communes qui s'étendent vers le bas Jusqu'à la surface inférieure du substrat de base en 18". En conséquence, le com 70 15795 -8- 2040474 partiment contenant le dispositif hyperfréquences est preque entièrement entouré par la borne commune ou plan de masse. Des conducteurs d'entrée et de sortie 33 et 34 peuvent être fixés aux zones de bornes 21 et 22, respectivement, pour permettre 5 l'établissement d'une liaison commode avec des circuits extérieurs, la largeur des bandes de bornes et des zones conductrices peut être choisie de manière à donner des impédances convenables au dispositif hyperfréquences avec lequel le module est destiné à être utilisé . 10 L'assemblage, du module hyperfréquences peut s'effectuer suivant des techniques pratiques connues. L'un des procédés possibles consiste à assembler tout d'abord l'élément de refroidissement préalablement plaqué 10, le substrat de base 11, l'élément d'espa- bague cernent 12 sur lequel est fusionnee la/d'étanchéité 13. (les zones été 15 conductrices de l'élément 12 ayant/plaquées après la mise en place de la bague de fusionnement 13), la rondelle d'étanchéité 14 et les conducteurs 33, 34, en utilisant une opération de brasage ou de cuisson à haute température. Le dispositif hyperfréquences peut alors être inséré et les connexions peuvent être établies à l'inté-20 rieur de la.rondelle d'étanchéité, suivant les besoins. Des exemples particuliers seront décrits plus loin. La capsule 15 peut être ensuite placée dans la position voulue et scellée en place dans une atmosphère.inerte. Selon une variante, on peut utiliser une fritte de verre à basse température pour sceller la rondelle 14 sur la ba-25 gue 13. La capsule 15 peut être brasée sur la surface supérieure métallisée de la rondelle. Les barrettes 32 peuvent également être „ brasées. Si l'on utilise une capsule en matière céramique, elle peut être scellée sur la rondelle 14 à l'aide d'une fritte de verre à 30 basse température,ou.bien la rondelle peut être partie intégrante de la capsule. Etant donné qu'avec une capsule en matière céramique il est inutile de prévoir une connexion avec le plan de masse, les revêtements conducteurs 31, 311 de la rondelle et des.barrettes 32 peuvent être omis. En outre, les zones de mise à la masse 24, 24T 35 peuvent dépasser la paroi de l'ouverture dans une. mesure juste suffisante pour permettre d'y fixer des conducteurs, d'une manière commode, le reste de ces zones ainsi que les zones. 25, 25' étant alors omis. 70 15795 -9- 2040474 les matériaux suggérés pour les divers organes peuvent être modifiés pour tenir compte des exigences de chaque application particulière, le processus d'étanchéisation étant alors également modifié suivant les besoins. 5 On va maintenant examiner les figures 7 à 10 où le module hyperfréquences est représenté inséré dans un circuit à ligne de bande de transmission, la ligne de bande de transmission est du type comportant une couche de diélectrique solide 41, dont la face inférieure est munie d'un revêtement conducteur 42 formant un plan 10 de masse. Sur la face supérieure sont représentées des zones conductrices 43 et 44 offrant une configuration choisie de manière désirable pour former un circuit hyperfréquences. Un trou 45 reçoit la partie du module située au-dessus de l'élément de refroidissement 10. Des conducteurs d'entrée et de sortie 33, 34 sont 15 soudés ou fixés d'une autre manière aux tronçons de la ligne de transmission, l'élément de refroidissement 10 peut être vissé sous la ligne de transmission en contact avec le plan de masse 42 ou bien, comme dans l'exemple représenté, on peut placer un dissipateur de chaleur 46 sur l'élément de refroidissement 10 et le visser 20 en place. la figure 10 montre les connexions internes d'une pastille de transistor 47. On a supposé que la surface inférieure de cette pastille est le collecteur et est liée directement à la zone conductrice 17 et, par conséquent, connectée à la zone de borne de 25 sortie 22. Pour réaliser un montage à émetteur commun, on connecte l'émetteur du transistor aux zones de mise à la masse 24, 24', et la borne de base à la zone de borne d'entrée 21. Comme exposé ci-dessus, la capsule est ainsi hermétiquement scellée en place. On remarquera qu'en amenant la surface de montage 17 et le plan de 30 masse adjacent 18 au-dessus du plan de montage de l'élément de refroidissement (figures 2 et 3) et en disposant des zones de masse 24, 24' au voisinage immédiat, du compartiment, on peut maintenir très courts les fils partant de la pastille de transistor, de manière à réduire au minimum les effets d'inductance et'de capacité 35 de ces fils. Si l'on' considère maintenant les aspects électriques du module, il faut remarquer, d'après la figure 3r que les zones de 70 15795 -10- 2040474 bornes d'entrée et de sortie 21, 22 ont une configuration de ligne de bande de transmission par rapport au plan de masse qui s'étend jusqu'au plan de la zone conductrice 18. Les impédancës caractéristiques d'entrée et de sortie sont déterminées par l'espacement 5 des zones de bornes par rapport à la surface 18, les-largeurs de ces zones, le diélectrique utilisé, etc., et'peuvent être choisies de manière à assurer une adaptation d'impédance convenable entre les circuits d'entrée et de sortie du dispositif hyperfréquen,ces inséré dans le module et les connexions avec les circuits exté-10 rieurs. Différentes largeurs des conducteurs 33 et 34 et des zones associées des bornes 21 et 22 sont représentées sur les figures 1 et 5 pour donner des exemples de différentes impédances d'entrée et de sortie. Etant donné que le dispositif hyperfréquences est étroitement adjacent, l'adaptation d'impédance peut s'effectuer 15 près du dispositif. Dans les dispositifs hyperfréquences, il est généralement important de réduire le couplage mutuel entre les circuits d'entrée et de sortie dans toute la mesure du possible. Les couplages par capacités parasites sont largement évités dans le module suivant 20 l'invention. Sur la figure 3, les capacités en traits interrompus 35 et 36 représentent les capacités réparties entre les zones de bornes et de sortie 21, 22 et le plan de masse adjacent 18. On peut voir que ces éléments font partie des tronçons de la ligne de bande de transmission et peuvent être traités en conséquence. Le plan de 25 masse 18 entoure la zone conductrice 17 (figure 4)r de sorte que, lorsqu'une borne du dispositif hyperfréquences est connectée en 17» la proximité immédiate du plan 18 réduit les effets parasites entre électrodes dans cette région. L'effet de blindage de la zone conductrice 23 de la paroi de l'ouverture élimine, dans une large mesure, 30 les couplages capacitifs directs entre les conducteurs d'entrée et de sortie à travers l'ouverture 19» Les capacités en traits interrompus 37 et 38 entre les zones de bornes et la capsule 15 sont essentiellement à la masse et, par conséquent, tout couplage entrce-sortie à travers la capsule est évité. 70 15795 n 2040474 Il est également désirable d'éviter tout couplage entre les circuits d'entrée et de sortie par l'intermédiaire de la connexion commune dont l'inductance, bien qu'elle soit faible en valeur absolue, peut devenir appréciable aux hyperfréquences. le courant 5 pénétrant dans le module en un point quelconque tend à suivre le trajet le plus court possible pour fermer le circuit, étant donné que ce trajet correspond au parcours de plus faible impédance. En supposant qu'il s'agit d'un montage de transistor , tel que représenté sur la figure 10, dans lequel l'émetteur est commun 10 aux circuits d'entrée et de sortie, on peut voir d'après la figure 3 que les parcours d'entrée et de sortie entre l'émetteur et le plan de masse sont largement séparés sur la majeure partie de leur longueur. En conséquence, la partie circuit d'entrée du courant d'émetteur (courant de base) passe largement dans la partie de 15 gauche de la zone conductrice 18 et descend le long du côté adjacent 18' de l'élément de support jusqu'à l'élément de refroidissement 10, tandis que la partie circuit de sortie du courant d'émetteur (courant de collecteur) passe largement dans les parties de droite correspondantes, étant donné que celles-ci offrent les 20 trajets les plus courts aux circuits d'entrée et de sortie respectifs. Dans la zone de paroi 23 qui transmet-le courant d'émetteur à la zone mise à la masse 18, la partie de circuit d'entrée du courant d'émetteur a également tendance à passer dans la partie située vers la zone de borne d'entrée 21, tandis que la partie 25 circuit de sortie du courant d'émetteur a tendance à passer dans la partie située vers la zone de borne de; sortie 22. Ces particularités, conjointement à la faible longueur du parcours descendant le long de la paroi, maintiennent le couplage très faible. En conséquence, les parcours sont largement séparés jusqu'aux fils de 30 liaison du- transistor, et ces fils peuvent être maintenus courts. la figure 11 représente un dispositif hyperfréquences à circuit imprimé passif inséré dans le module. Ce dispositif est fabriqué sur un substrat isolé et son circuit électrique équivalent est représenté sur la figure 12. Une inductance de circuit imprimé 51 35 a l'une de ses bornes connectée.à la zone de borne d'entrée 21 et son autre borne reliée à une seconde inductance 52 dont le conducteur de sortie est connecté à la zone de borne 22. les arma 70 15795 12 2040474 tures supérieures des condensateurs 53 sont connectées aux inductances et leurs armatures inférieures sont reliées aux zoneséle mise à 24, la masse/24'. l'encapsulage dans le module réduit au minimum l'écart par rapport aux valeurs nominales dues aux; réactances parasites et 5 l'obturation hermétique assure une protection contre l'action des conditions ambiantes. Etant donné qu'aucune dissipation d'énergie n'est nécessaire, il est inutile de prévoir un dissipateur de chaleur. Dans ce cas, la zone conductrice intérieure 17 (figures 3 et 10 4) n'est pas utilisée comme connexion. Elle peut être omise si on le désire. Toutefois, eUe peut également rester en place, à condition d'être isolée des surfaces inférieures des condensateurs 53 et dans ce cas, elle participe aussi à l'isolement des circuits d'entrée et de sortie. Si elle est supprimée, le plan de masse 18 15 (figure 4) peut être prolongé sur toute la surface du substrat de base 11. Avec une ligne de bande de transmission comportant deux plans de masse entre lesquels le conducteur est supporté, on peut encore utiliser le dispositif de montage des figures 7 à 9. le plan de 20 masse supplémentaire situé au-dessus des zones conductrices 43, 44 est généralement connecté au plan de masse inférieur 42, ou bien est excité de telle façon que les deux plans de masse soient au même potentiel. Eventuellement, on pourrait interconnecter les plans de masse à l'aide de vis traversant les trous de l'élément 25 de refroidissement 10 ou du dissipateur de chaleur 46. Par ailleurs, on pourrait utiliser un bouchon conducteur dans le plan de masse supérieur pour rapprocher celui-ci du module hyperfréquences, de manière à adapter l'espacement entre le plan de masse 18 (figure 2) et le plan de masse inférieur. 30 Pour certaines applications, il se peui/^u'on ne désire pas utiliser l'élément de refroidissement 10 comme connexion commune avec le plan de masse d'une ligne de bande de transmission ou avec d'autres composants, ou bien il peut être désirable d'isoler électriquement un dissipateur de chaleur de la connexion commune. 35 Dans ce cas, on peut supprimer le revêtement conducteur 18' du bord de l'élément de support 11. Des conducteurs peuvent être fixés aux rebords exposés du revêtement 18 (figure 1) de la même manière que 70 15795 13 2040474 des conducteurs 33 et 34 sont fixés aux zones de "borne d'entrée et de sortie pour permettre l'établissement d'une, liaison commode avec des circuits extérieurs. Un goujon fileté peut être fixé sous l'élément de support 10 pour permettre la mise en place commode 5 d'un dissipateur de chaleur,si on le désire. Bien que le blindage assuré par Iq^evêtement conducteur 23 de la paroi de l'ouverture 19 soit considéré comme extrêmement avantageux, on peut, si on le désire,modifier, ou même éliminer ce revêtement, tout en conservant d'autres caractéristiques de 10 l'invention. Par exemple, on peut utiliser seulement les parties du revêtement 23 reliant les zones conductrices 24, 24r à la zone commune ou de plan de masse 18, ou bien éliminer complètement le revêtement 23 et utiliser les zones conductrices 25,. 25' des bords extérieurs pour la connexion commune, en particulier si la capsule 15 15 est métallique et/connectée au plan de masse, comme déjà décrit. Si cette dernière connexion est inutile, on peut laisser les zones 24, 24' isolées du plan de masse-18 et établir des connexions communes avec elles à l'extérieur de la bague d'étanchéité 13. le plan de masse 18 peut alors être séparément connecté à la ligne de trans-20 mission ou aux autres composants avec lesquels le module est utilisé. Selon une variante, les zones 24, 241 peuvent également être omises, la zone de plan de masse ou zone commune 18 étant alors légèrement prolongée à l'intérieur de l'ouverture 19 pour permettre d'y connecter des conducteurs. Dans toutes ces variantes, les connexions 25 partant du dispositif hyperfréquencegèt aboutissant aux bornes du module peuvent être effectuées à l'intérieur du compartiment formé par l'élément de support 11, l'ouverture 19 et l'ensemble comprenant la capsule et la bague d'étanchéité 13 avant la fixation étanche de la capsule ; on peut alors obtenir un joint hermétique 30 après fixation de la capsule. Les tronçons d'entrée et de sortie présentent alors encore la configuration d'une ligne de bande. Toutefois, la zone de borne de sortie 17 est alors sur un plan différent de celui de la zone de borne d'entrée 21 et est encerclée . commune - paDjla zone/de plan de masse 18, de sorte qu'on conserve encore 35 certains des avantages d'isolement du module plus particulièrement décrit. Enfin, bien entendu, 1'invention n'est nullement limitée aux formes de réalisation décrites, et on pourra y apporter toutes modifications désiréegèans sortir de son cadre et de son esprit. 70 15795 H 2040474 BBVBHDICATIOMS t. Module hyperfréquences/destiné à supporter un^dis^iogitif hyperfréquences/et comportant des bornes d'entrée et de sortie /Sommu-ne auxquellegles bornes respectives du dispositif- hyperfréquences 5 sont destinées à être connectées, ledit module étant caractérisé en ce qu'il comprend un élément de support, un élément d'espacement monté sur cet élément de support et présentant une ouverture destinée à recevoir le dispositif hyperfréquences,des zones conductrices espacées sur la surface de l'élément d'espacement en regard 10 de l'élément de support et formant des zones de bornes d'entrée et de sortie, une zone conductrice de blindage sur la paroi de l'ouverture au voisinage immédiat de l'une des zones de bornes, cette zone conductrice de blindage étarrtyisolée des zones de bornes , une zone conductrice.intermédiaire entre les éléments de support 15 et d'espacement s'étendant sous les zones de bornes d'entrée et de sortie, et connectée à la zone conductrice de blindage de la paroi de l'ouverture et des moyens conducteurs connectés à la zone conductrice intermédiaire pour former la borne commune précitée du module. 20 2.» Module hyperfréquence.^suivant la revendication 1, carac térisé en ce que la zone conductrice intermédiaire s'étend vers le bas le long du bord de l'élément de support en vue de sa connexion avec l'a' borne commune du module. 3. Module hyperfréquence^estiné à supporter un dispositif , , borne pQmmune, . 25 hyperfrequencesyet comportant des bornes d'entreeet de sortne et une/ auxquelles/bornes respectives du dispositif hyperfréquences/sont destinées à être connectées, ledit module comprenant un élément de support présentant sur sa face supérieure une zone conductrice intérieure et une zone conductrice extérieure isolées entre, elles, 30 un élément d'espacement monté sur ladite surface supérieure de l'élément de support et présentant une ouverture au-dessus de la zone conductrice intérieure de manière à pouvoir recevoir le dispositif hyperfréquencee/des zones conductrices,espacées sur la surface supérieure de l'élément d'espacement , - formant des zones 35 de bornes d'entrée et de sortie, " des - conducteurs connectant l'une de ces zones de bornes à la zpne. conductrice intérieure, étant prevue une zone conductrice de blindage/sur la paroi de l'ouverture au 70 15795 15 2040474 voisinage immédiat de l'autre zone de bornes,cette zone conductrice de blindage étant connectée à la zone conductrice extérieure de l'élément de support et étant isolée desdites zones de bornes et des .conducteurs étant connectés à la zone conductrice extérieure 5 pour former la borne commune du module. 4. Module hyperfréquenceg&uivant la revendication 3, caractérisé en ce que la zone conductrice de blindage s'étend vers le bas sur toute la hauteur de la paroi de l'ouverture et rejoint la zone conductrice extérieure de l'élément de support. 10 5. Module hyperfréquences/suivant la revendication 4, carac térisé en ce que la zone conductrice extérieure s'étend vers le bas sur toute la hauteur de l'élément de support en vue de sa connexion avec la borne commune du module. 6. Module hyperfréquenceg/destiné à supporter un dispositif et une borne 15 hyperfréquence^et comportant des bornes d'entrée efcde sortie/commune lôS auxquelles/ bornes respectives du dispositif hyperfréquenceg/sont destinées à être connectées, ledit module étant caractérisé en ce qu'il comprend un élément de support en matériau électriquement isolant mais thermiquement cord.ucteur, présentant sur sa surface 20 supérieure une zone conductrice intérieure et une zone conductrice extérieure encerclant pratiquement ladite zone intérieure et isolée de celle-ci, un élément d'espacement en matériau isolant étant scellé à la surface supérieure de l'élément de support et traversé d'une ouverture au-dessus de la zone conductrice intérieure, de 25 manière à pouvoir-recevoir le dispositif hyperfréquence^ des zones conductrices,espacées sur la surface supérieure de l'élément d'espacement, formant des zones de bornes d'entrée et de sortie, une réalisée zone conductrice de connexion/sur une partie de la paroi de l'ou- • v.erture,au voisinage immédiat de l'une desdites zones de bornes, étant , v relier 30 destinee a./ celle-ci la zone conductrice intérieure, une zone realisee conductrice de blindage/sur la pazoi de l'ouverture au voisinage immédiat de l'autre zone de bornes , s'étendant autour d'une majeure partie de ladite paroi entre ladite autre zone de bornes et ladite zone conductrice de connexion, la zone conductrice de 35 blindage s'étendant vers le bas jusqu'à la zone conductrice extérieure de l'élément de support à laquelle elle est connectée et étant isolée desdites zones de bornes, des conducteurs étant 70 15795 16 2040474 connectés à la zone conductrice extérieure pour former la borne commune du module. 7. Module hyperfréquencegêuivant la revendication 6, caractérisé en ce que la zone conductrice extérieure s'étend vers le 5- bas sur le bord de l'élément de support,au moins dans les régions marginales situées au-dessous des zones de bornes d'entrée et de sortie et sur la surface inférieure de l'élément de support. 8. Module ' suivant la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend un dispositif hypërfréquence^éionté dans l1.ouverture 10 précitée et une capsule hermétiquement scellée sur l'élément d'espacement au-dessus de ladite ouverture. 9. Module suivant la revendication 8, caractérisé en ce que la capsule est électriquement conductrice et est isolée des zones de bornes d'entrée et de sortie, des conducteurs connectant 15 ladite capsule à la borne commune du module. 10. Module hyperfréquence^éuivant la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend un élément de refroidissement et de montage électriquement et thermiquement conducteur, assemblé avec 20 l'élément de support sur la face inférieure précitée de celui-ci. 11. Module hyperfréquencegêuivant la revendication 6, caractérisé en ce que la zone conductrice de blindage s'étend sur le bord de l'ouverture jusqu'à la surface supérieure de l'élément d'espacement dans une région comprise entre les zones de bornes et 25 isolée de celle-ei. 12. Module hyperfréquencegéuivant la revendication 7, caractérisé en ce que les zones de bornes sont disposées de part et d'autre de l'ouverture et en ce que la zone conductric§&e blindage s'étend sur le bord de l'ouverture jusqu'à la surface supérieure de l'élément 30 d'espacement dans des régions situées de part et d'autre, de l'ouverture s'étendant entre les zones de bornes et isolées de celles- ci. 13. Module hyperfréquencegéuivant la revendication 12, caractérisé en ce que la zone conductrice extérieure s'étend jusqu'en 35" bas du bord de l'élément de support, pratiquement sur toute. la: périphérie de celui-ci. 14. Module hyperfréquence^èuivant la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend un élément de refroidissement et de 70 15795 17 2040474 montage électriquement et thermiquement conducteur assemblé avec l'élément de support sur la face inférieure précitée de celui-ci. 15. Module - suivant la revendication 13^ caractérisé en ce qu'il comprend un dispositif hyperfréquences/aonté dans l'ouverture 5 précitée et une capsule hermétiquement scellée sur l'élément d'espacement au-dessus de cette ouverture. 16. .Module . suivant la revendication 15, caractérisé en ce que la capsule est électriquement conductrice et est isolée des zones de bornes d'entrée et de sortie précitées, ledit appa- 10 reil comprenant en outre des moyens conducteurs connectant cette capsule à la borne commune du module» 17. -Module " suivant la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comprend un élément de refroidissement et de montage électriquement et thermiquement conducteur, assemblé avec 1'élément 15 de support sur la face inférieure précitée de celui-ci. 18. Module hyperfréquences/éelon la revendication t, caractérisé en ce que les zones de borne d'entrée et de sortie et la zone conductrice intermédiaire forment des tronçons respectifs d'une ligne de bande de transmission. - 20 19. Module hyperfréquenceSuivant la revendication 6, carac térisé en ce que les zones de bornes d'entrée et de sortie et la zone conductrice extérieure forment des tronçons respectifs d'une ligne de bande de transmission, les largeurs de ces zones de bornes et la constante diélectrique ainsi que l'épaisseur de l'élément 25 d'espacement étant choisies de manière à conférer des valeurs d'impédance prédéterminées à ces tronçons. 20. Module hyperfréquence^àestiné à supporter un dispositif hyperfréquence^et comportant des bornes d'entrée, de sortie/commune auxquelles les bornes respectives du dispositif hyperfréquences 30 sont destinées à être connectées, ledit module étant caractérisé en ce qu'il comprend un élément de support, un élément d'espacement monté sur cet élément de support et présentant une ouverture destinée à recevoir le dispositif d'hyperfréquences, des zones conductrices espacées sur la surface de l'élément d?espacement en 35 regard de l'élément de support, ces zones formant des régions de bornes d'entrée et de sortie, une zone conductrice intérieure sur la surface supérieure de l'élément de support.à l'intérieur de l'ou 70 15795 ,8 2040474 verture et une zone conductrice sur la paroi de 1'ouverture au voisinage immédiat de l'une des régions de "bornes, cette zone conductrice de la paroi connectant la zone conductrice intérieure à ladite région de bornes, une zone conductrice intérmédiaire entre 5 les éléments de support et d'espacement et s'étendant sous les régions de "bornes d'entrée et de sortie et des moyens conducteurs connectés à la zone conductrice intermédiaire pour former une borne commune du module. 21 . Module hyperfréquence géuivant la revendication 20, carac-10 térisé en ce que la zone conductrice intermédiaire s'étend jusqu'à l'intérieur de l'ouverture, 22. Module hyperfréquenceg/suivant la revendication 20, caractérisé en ce qu'il comprend une bague d'étanchéité fixée sur le dessus de l'élément d'espacement et encerclant l'ouverture, les 15 zones ou régions de bornes d'entrée et de sortie précitées s'étendant à l'intérieur de cette bague d'étanchéité, une capsule ou analogues pouvant s'appliquer de façon étanche sur ladite bague d'étanchéité après le montage d'un dispositif hyperfréquence^dans le module, l'élément de support, l'ouverture et la capsule formant 20 un compartiment pour le dispositif hyperfréquences/et une zone conductrice à l'intérieur de ce compartiment et s'étendant jusqu'à l'extérieur de celui-ci pour former une borne commune du module. 23. Module hyperfréquence^suivant la revendication 22, caractérisé en ce que la dernière zone conductrice mentionnée 25 est connectée à la zone conductrice intermédiaire.