FR 2015910 A1 19700430 FR 6928248 A 19690818 69 28248 2015910 La présente invention se rapporte à un dispositif semiconducteur présentant au moins une "barrière de Schottky formée entre un semi-conducteur et une couche métallique, et concerne aussi un procédé pour la réalisation d'un tel dispositif semi-5 conducteur. De façon plus particulière, la présente invention concerne un dispositif semi-conducteur présentant une tension de rupture inverse valant jusqu'au double, environ, de celle d'un dispositif conventionnel, ainsi qu'un procédé pour sa réalisation. 10 On sait qu'il est possible de réaliser des dispositifs semi conducteurs, tels que diode ou transistor, en y formant une ou plusieurs barrières de Schottky. Un tel dispositif est décrit par l'étude de la figure 1, laquelle montre une vue en coupe verticale du dispositif. Une couche isolante 2, telle que de l'oxyde 15 de silicium, est formée à la surface d'une couche 1' de type n, à croissance épitaxiale, d'un substrat de silicium 1. A travers une ouverture 3 ménagée dans la couche isolante 2, est déposée une couche 4 d'un métal comme le molybdène, de façon à former une barrière dé Schottky 6 entre la couche métallique 4 et la surfa-20 ce de la couche à croissance épitaxiale 1'. Pour un dispositif semi-conducteur conventionnel présentant une telle barrière de Schottky, la tension de rupture inverse est habituellement plus faible que celle que permet d'attendre la théorie. En fait, dans un dispositif constitué comme il est mentionné plus haut, où le 25 substrat semi-conducteur est un substrat de silicium présentant une région 1' de type n, à croissance épitaxiale, de 1 micron d'épaisseur et de 0,5/l-em de résistivité, la tension de rupture inverse que l'on peut attendre d'après la théorie est de 20 Volts, et la tension de rupture inverse réellement obtenue est aussi bas-30 se que 5 à 10 Yolts. La raison d'une telle diminution de la tension de rupture inverse, par rapport à sa valeur théorique, est expliquée par l'étude de la figure 2, qui est une vue en coupe verticale du dispositif illustré dans la figure 1. Hans un tel dispositif à barrière de Schottky, la formation d'une couche ac-35 cumulatrice de charges électriques dans une partie du substrat semi-conducteur 1 immédiatement en dessous de la couche isolante 2 a pour conséquence un courant de fuite depuis la couche métallique 4 vers la couche accumulatrice 5 - les flèches r et r indiquant le passage de ce courant. C'est un tel courant de fuite 40 qui est responsable de la décroissance de la tension de rupture 69 28248 2 2015910 inverse. Dans le but d'améliorer les caractéristiques d'un tel dispositif, on a proposé de former une jonction p-n de forme circulaire ou ce qu'on a nommé "un anneau de garde", entre la 5 couche métallique, et la partie de substrat semi-conducteur où la couche accumulatrice est susceptible de se former. Bien qu'efficace pour l'amélioration des caractéristiques, la formation de cette jonction circulaire présente l'inconvénient d'être onéreuse à la fabrication, et par conséquent, elle n'est pas d'une 10 utilisation pratique. Compte tenu de ce qui précède, c'est un des principaux obr. jets de la présente invention, de fournir un dispositif semiconducteur amélioré, ainsi qu'un procédé pour sa réalisation. De façon plus particulière, un autre objet de la présente 15 invention est de fournir un dispositif semi-conducteur à barrière de Schottky amélioré présentant une tension de rupture inverse valant jusqu'au double ,environ, de celle des dispositifs semi-conducteurs à barrière de Schottky conventionnels. Le dispositif semi-conducteur selon, la présente invention 20 comprend un substrat semi-conducteur présentant une cavité formée dans une région déterminée, une couche isolante recouvrant la"plus grande surface du substrat semi-conducteur mais laissant voir par son ouverture la plus grande partie de la cavité de façon telle qu'un espace de séparation décapé latéralement au-25 tour de la cavité s'étende en dessous de la couche isolante, une couche métallique déposée de façon à recouvrir la cavité et la couche isolante qui l'entoure en laissant libre l'espace de séparation décapé latéralement de telle sorte que sôit formée dans la cavité une barrière de Siîhottky entourée par l'espace de 30 séparation. Le dispositif semi-conducteur selon la présente invention constitue un dispositif semi-conducteur d'une construction de type planaire. La couche métallique déposée à la surface évidée de la région de type n du substrat semi-conducteùr y forme une 35 barrière redresseuse de Schottky. L'espace de séparation, resté libre, qui a été décapé latéralement, en dessous de la couche isolante, et qui entoure la couche de métal déposée dans ladite surface évidée, sert à isoler lst barrière de Schottky de la couche ac'eumulàtricé de chargés électriqués, de manière à éliminer 40 le courant inversé de fuite, indésirable, et par conséquent, à 69 28248 3 2015910 améliorer la tension de rupture inverse du dispositif. Une compréhension plus complète de l'invention apparaîtra de la description détaillée suivante, d'exemples de réalisation montrés dans les dessins ci-joints dans lesquels : 5 - la figure 3 est une vue en coupe verticale d'une diode semi-conductrice conforme à la présente invention. - La figure 4 est un diagramme caractéristique, montrant la relation existant, sur l'exemple de diode montré dans la figure 3, entre la tension inverse et le courant inverse. 10 - La figure 5 est une vue en coupe verticale d'un transistor conforme à la présente invention. - La figure 6 est une vue en perspective, avec coupe partielle , d'un autre transistor conforme à la présente invention et, - La figure 7 est une vue en coupe verticale du transistor 15 illustré dans la figure 6. En ce qui concerne, tout d'abord, la figure 3> une couche isolante 12 est formée à la surface d'une région 11' de type n réalisée par croissance épitaxiale sur un substrat de silicium 11. Puis, on forme, par un procédé connu de photogravure, une ou-20 verture 13 de façon à laisser voir une partie préalablement choisie de la surface de la région à croissance épitaxiale 11'. Puis, cette surface de la région 11' qui a été dégagée par l'ouverture 13 est soumise à une attaque chimique par l'ouverture 13 , grâce à une immersion dans un bain que l'on a préparé en mélangeant de 25 l'acide nitrique, de l'acide fluorique et de l'acide acétique dans un rapport de volumes de 6/1/2, la couche isolante servant de masque d'attaque. Au cours de l'attaque chimique mentionnée plus haut, la région à croissance épitaxiale 11' se trouve décapée à la fois per-30 pendiculairement, c'est-à-dire vers le bas, et horizontalement, " c'est-à-dire de manière radiale. Cette attaque horizontale, c'est-à-dire radiale, est dénommée "décapage latéral". On a trouvé, expérimentalement, que le front d'attaque en dessous de la couche isolante 12 dans le sens horizontal, c'est-à-dire radial, 35 progresse à une vitesse qui est le tiers de sa valeur dans le sens perpendiculaire, c'est-à-dire vers le bas. Cette attaque chimique a pour effet de créer une cavité 14 dans la région à croissance épitaxiale 11' d'une façon telle que le bord de la cavité due à l'attaque chimique, se trouve en-40 dessous de la couche isolante 12 et au-delà de la limite de l'ou 69 28248 4 2015910 verture 13, compte tenu du décapage latéral. Par conséquent se trouve créé, autour de la cavité 14 et en dessous de la couche isolante 12, un espace de séparation circulaire 16 dû à un décapage latéral. La largeur "W" indiquée figure 3, de l'espace de 5 réparation dû à un décapage latéral, peut avoir de préférence, O une valeur d'au moins 1000 A, et, en accord avec çe qui précède, O la profondeur "d" de la cavité est de préférence de 3000 i. au moins pour que s'améliore suffisamment la tension de rupture inverse. 10 Par la suite, une couche 15 b d'un métal tel que le molyb-." dène où le tungstène se trouve déposée par un procédé de dépôt sous vide où uii procédé de pulvérisation, sur le fond de la cavité 14 en passant par l'ouverture 13, d'une telle façon que l'espace de séparation dtî au décapage latéral, ou espace de 15 garde.16 demeure libre en dessoub de la couche isolante 12. Une barrière redresseuse de Schottky se forme entre la couche de métal 15 b et la surface évidée 14 de la couche à croissance épitaxiale 11*. Puis une couche protectrice 15 a d'un métal tel que l'or est déposée sur la couche métallique 15 b. Une cou-20 che 17 d'un métal, tel ope de l'or contenant 3 d'antimoine, est déposée sur la surface opposée du substrat semi-conducteur 11, de façon à obtenir un contact ohmique entre le substrat 11 et la couche métallique terminale 18 déposée à sa surface. Dans le dispositif eemi-conducteur défini plus haut, l'espa-25 ce de séparation décapé latéralement - ou "espace de garde" 11 sert à isoler la couche métallique 15 b de la couche accumulatri-ce de charges électriques qui se forme dans une portion de la région •11' à croissance épitaxiale, située immédiatement sous la couche isolante 12. Il en résulte, une élimination suffisante 30 d'un courant inverse de fuite, indésirable, dû à la fuite des charges électriques depuis la couche accumulatrice vers la couche métallique ; il n'existe alors dans ce dispositif aucun courant inverse nettement sensible, ce qui entraîne un accord satisfaisant des caractéristiques de rupture inverse avec les 35 valeurs théoriques. Les particularités de l'exemple illustré par la figure 3 sont les suivantes : - Le substrat semi-conducteur 11 est un substrat de silicium de type n ayant une forte concentration, d'au moins 10^ atomes/c»? 40 - La couche 11' à croissance épitaxiale est une couche de si 69 2824S 5 2015910 licium de type n ayant une résistivité de 0,5 XI -cm et une épaisseur de 1,5 microns. - la couche isolante 12 est une couche de bioxyde de silicium o de 5000 A d'épaisseur. 5 - 1'ouverture 13 a un diamètre de 25 microns0 - l'attaque de la couche 11' à croissance épitaxiale est mè-née de façon à atteindre une profondeur de décapage "d" de o ■*" O 5000 A et une largeur de décapage latéral "W" de 1600 A. - la couche métallique 15 est formée par une pulvérisation O 10 de molybdène jusqu'à présenter une épaisseur de 5000 A et un rayon de 50 microns. - La couche métallique 15 a est formée par un dépôt d'or sous O vide, jusqu'à présenter une épaisseur de 5000 A et un rayon de 50 microns. 15 - la couche métallique inférieure 17 est formée par un dépôt sous vide,, d'or contenante # d'antimaine, et l.a couche métallir-. que terminale 18, constituée d'étain, est formée -par dessus, les courbes caractéristiques de l'exemple précédent sont repré- -sentées par la figure 4, sur laquelle sont portées, en ordonnées 20 les intensités du courant inverse en microampères , et en abscisses les tensions inverses en volts ; la courbe a donne la courbe caractéristique du dispositif défini ci-dessus, et la courbe b celle d'un dispositif à barrière de Schottky conventionnel. 25 Comme le montre et permet de le comprendre la figure 4, le dispositif défini ci-dessus^., conformément à la présente invention, possède une tension de rupture inverse qui atteint le double ou plus, de celle du dispositif conventionnel et. qui.se montre ainsi en accord.satisfaisant avec la valeur théorique. 50 Comme on le comprend de la description qui précède, le dis- • positif selon la présente invention est d'une réalisation aisée puisque la création de l'espace de garde, ou espace de séparation décapé latéralement, peut s'effectuer par une simple attaque chimique en utilisant la couche isolante comme masque d'attaque. 55 Les possibilités d'application de l'invention ne-se limitent pas à la diode que montre l'exemple précédent ; 1-'invention est également applicable aux transistors à barrière de Schottky, aux transistors à effet de champ ou aux circuits intégrés comprenant un élément à barrière de Schottky. 40 Un exemple de transistor comportant des barrières de Schot- 2824$ 6 2015910 tky en tant que jonction émetteur-base, se trouve décrit ci-dessous, en relation avec la figure 5. Une région 22 qui est la base de type p a été réalisée par un procédé de diffusion ou par un procédé de croissance épitaxiale, à la surface d'un subs-5 trat en silicium de type n, 21 , et deux régions de type p de grande concentration, 23 et 23,ont été réalisées par un procédé de diffusion de façon à former dès contacts ohmiques avec la région-base 22. On forme ensuite, à la surface du substrat 11, une couche isolante 27, telle qu'en oxyde de silicium ou en nitrure 10 de silicium. Puis on réalisé sur la couche isolante 27 une ouverture 29, ronde de préférence, par l'emploi d'un-procédé connti, la photogravure par exemple, de façon à laisser voir la surface de la région-base 22. La surface ainsi exposée de la région-base 22 est ensuite attaquée chimiquement selon un procédé connu - par 15 exemple, l'immersion dans un bain que l'on a préparé en mélan-■ géant de l'acide nitrique, de l'acide fluorique et de l'acide acétique dans un rapport de volumes de 6/1/2, en se servant de la couche isolante 27 comme masque d'attaque. Au cours de l'attaque chimique définie ci-dessus -, la ré-20 gion-base 22 se trouve entaillée à la fois perpendiculairement, c'est-à-dire vers le bas, et horizontalement, c'est-à-dire de manière radiale. Cette attaque chimique a pour conséquence la formation d'une cavité 30 dans la région-base 22, d '.une façon telle que le bord 25 de la caVité soumise à l'attaque chimique se trouve en dessous de la couche isolante 27 et au-delà dès limites de l'ouverture 29, compte tenu du décapage latéral. Ainsi se trouve formé autour de la cavité 30 et au—dessous de la couche isolante 27 un espace de séparation circulaire dû au décapage latéral. La largeur de l'es- 30 pace de séparation décapé latéralement, 28, peut avoir de préfé- O rence une valeur d'au moins 1000 A, et la profondeur de la cavité O 30 vaut de préférence au. moins 3000 A. Par la suite, on'dépose sur la surface inférieure de la cavité 30, une couche 24 contituant l'électrode émettrice, d'un mé-35 tal tel que le molybdène, le tungstène, l'or* le platine ou le palladium, en utilisant un procédé de dépôt sous vide ou bien un procédé de: pulvérisation, et d'une manière telle que l'espace de séparation décapé latéralement ou espace de garde 28 demeure lii-bre au-dessous de la couche isolante 27. Une barrière de Schottky 4-0 se forme entre la couche métallique 24 et la surface évidée 30 69 28248 7 2015910 de la région-base 22. Dans le transistor à barrière de Schottky défini ci-dessus, l'espace de séparation décapé latéralement ou espace de garde 24 sert à isoler la barrière de Schottky de la couche accumula-5 trice de charges électriques qui se forme au niveau de la surface dans une portion de la région base 22 située en dessous de la couche isolante 27. Par conséquent, le dispositif de l'invention présente a très peu de parasites dans les audiofréquences. On peut réaliser facilement une électrode-base en déposant simple-10 ment des couches 25 et 25 d'un métal tel que le molybdène, le tungstène, etc... ces couches pouvant être déposées en même temps que la couche 24, à travers des ouvertures 271 et 27', à la surface des régions fortement dopées 23 et 23, puisque les régions 18 23 et 23 sont dopées jusqu'à des concentrations excédant 10 15 atomes/cm , si bien qu'on peut obtenir à l'inter-face un bon contact ohmique. Une couche 26 d'un métal tel que de l'or contenant 3 $> d'antimoine, est obtenue par dépôt sur la surface opposée du substrat semi-conducteur 21, de telle sorte qu'un contact ohmique soit 20 réalisé entre le substrat 21 et l'électrode collectrice 26. Le transistor, constitué comme il est établi plus haut, fonctionne en transistor à barrière de Schottky lorsque, dans un circuit, la couche 26 est connectée de façon à travailler comme électrode collectrice, les couches 25 et 25 cdmme électrode de base / 25 et la couche 24 comme électrode émettrice. Si l'exemple précédent concerne un transistor qui présente une barrière de Schottky jouant le rôle de jonction base-émetteur, on peut créer d'autres exemples de réalisations pratiques de la présente invention. Par, exemple, un transistor qui présente une barrière de Schottky jou-30 ant le rôle de jonction base-collecteur, ou bien un transistor qui présente deux barrières de Schottky jouant le rôle de jonc-c' tions base-émetteur et base-collëcteur. Dans les transistors, ainsi constitués, qui présentent au moins une barrière de Schottky, cette dernière est efficacement 35 isolée de la couche accumulatrice de charges électriques, et par suite l'influence néfaste d'une couche accumulatrice incontrôlable peut se trouver éliminée de façon substantielle, ce qui améliore suffisamment les caractéristiques de bruit du transistor. De plus, les caractéristiques aux hautes fréquences du tran-40 sistor peuvent également être améliorées, puisque l'épaisseur de 69 28248 8 2015910 la région "base est diminuée par suite de l'attaque chimique. Cette invention est également applicable à la fabrication d'un transistor à effet de champ ayant une grille à barrière de Schottky. 5 Le transistor conventionnel à effet de champ, du type à barrière de Schottky, présente l'inconvénient que le courant de grille n'est pas négligeable à cause du niveau de la surface ou de la couche accumulatrice de charges électriques. L'application de la présente invention peut éliminer un tel inconvénient. 10 Un exemple de transistor à effet de champ du type à barrière de Schottky se trouve décrit ci-dessous par référence à la figure 6. Ainsi qu'il est indiqué dans la figure 6, un tel transistor à effet de champ comprend un substrat semi-conducteur 30 présentant une cavité formée dans une région à croissance épitaxiale 31. 15 Une couche isolante 36 recouvre la plus grande surface de ladite région 31, mais laisse voir, par son ouverture de grille 37 la , plus grande partie de la cavité, de telle façon qu'un espace de séparation 38, décapé latéralement, existe autour de la cavité, en dessous de la couche isolante 36. Une électrode de grille 35 20 est déposée de façon à recouvrir la cavité et la couche isolante qui l'entoure en gardant libre l'espace de séparation 38 décapé latéralement. De cette façon, une barrière de Schottky de grille 34, entourée de l'espace de séparation, se trouve formée dans la cavité.Des ouvertures 32 et 33 ménagées des deux côtés de 25 l'électrode de grille 35 dans la couche isolante 36, sont garnies respectivement d'une électrode d'alimentation ou de source 39 et d'une électrode d'utilisation ou de drain 40. La fabrication d'un tel dispositif suit les étapes suivantes On forme tout d'abord une couche isolante 36 en oxyde de silicium, 30 sur la plus grande surface d'une couche à croissance épitaxiale 31 de grande résistivité, qui a elle-même été créée sur un substrat 30 de silicium de moindre résistivité. On réalise ensuite l'ouverture de grille 37, au moyen d'un procédé connu de photogravure, de façon à laisser voir la surface de la couche à crois-35 sance épitaxiale 31 sus-nommée. Cette surface exposée est scùmise'à une attaque chimique verticalement vers le bas et horizontalement sous la couche isolante 36, cette attaque chimique utilisant la couche isolante 36 comme un masque, de façon à former une cavité dans l'ouverture 37 ainsi qu'un espace de séparation 38 40 décapé latéralement, s'étendant autour de la cavité. On forme 69 28248 9 2015910 ensuite une électrode de grille 35 en déposant une couche d'un métal tel que du molybdène ou du tungstène de façon à recouvrir la cavité et la partie avoisinante de la couche isolante 36 tout en laissant libre l'espace de séparation 38 décapé latéralement; 5 il se forme ainsi dans la cavité, entre la région à croissance épitaxiale 31 et la couche métallique, une barrière de Schottky entourée par l'espace de séparation 38. On réalise une électrode d'alimentation ou de source 39 et une électrode d'utilisation ou de drain 40 en déposant sous vide de l'or contenant 3 i° d'anti-r TO moine, dans les ouvertures 32 et 33 respectivement que l'on a ménagées dans la couche isolante 36 selon un procédé connu. Ainsi que l'illustre la figure 7, dans le transistor à effet de champ décrit ci-dessus, l'espace de séparation 38 décapé latéralement isole la barrière de Schottky 34 située sous l'électrode 15 de grille 35, de la couche accumulatrice de charges électriques 41 ; on peut ainsi éliminer de façon substantielle un courant de fuite qui s'établit lorsqu'une tension inverse est appliquée entre la substrat de silicium 30 et l'électrode de grille 35. Il a été expérimentalement démontré que la largeur du décapée 20 latéral de l'espace de séparation 38 est environ le tiers de la profondeur d'attaque de l'espace de séparation 38, c'est-à-dire la profondeur d'attaque de la cavité, et aussi que cette profondeur O d'attaque vaut de préférence au moins 3000 A. Un exemple du transistor à effet de champ de la présente 25 invention a été réalisé avec les caractéristiques suivantes : - le substrat semi-conducteur 30 est un substrat de silicium "type p, d'une résistivité de 10 il-cm, et portant une couche à croissance épitaxiale de type n, 31, d'une épaisseur de 1,5 mi-, crons et d'une résistivité de 0,5 XI-cm. 30 - I"& couche isolante 36 est une couche de bioxyde de sili- O ■cium de 5000 A d'épaisseur. - l'électrode de grille 35 est formée par pulvérisation de mo-r lybdène dans la cavité. - la profondeur de la cavité ainsi que de l'espace de sépara- O 35 tion 38 décapé latéralement est de 3000 A, et la largeur de l'es- O pace de séparation 38 est de 1000 A. - l'électrode d'alimentation 32 et l'électrode d'utilisation 33-sont toutes deux créées en déposant sous vide une couche d'or contenant 3 $ d'antimoine, de façon à réaliser des contacts oh- 40 miques avec la couche à croissance épitaxiale 31. 69 28248 10 10 15 2015910 20 Le tableau suivant indique les caractéristiques du transistor à effet de champ défini plus haut : Courant d'utilisation (pour une tension alimentation-utilisation de 10 "Volts et une tension grille-alimentation de 0 Volt) Tension de coupure (pour un courant d'utilisation de 50 |4 Ampères) Courant de fuite à la grille (pour une tension grille-alimentation de 10 Volts et une tension alimenta-tion-utilisation de 0 Volt) Conduêtance de transfert (pour une -tension alimentation-utilisation de 10 Volts, un courant d'utilisation de 5 milliampères, et une fréquence de 455 kilo Hz) Capacité d'entrée (pour une tension alimentation-utilisation de 0 Volt, et une fréquence de 455 kilo Hz) 25 Tension d'utilisation maximale Courant d'utilisation maximal Tension de grille maximale 10 Milliampères -5 Volts 100 Milliampères 5 à 10Mmi-mho 5 Piçofarads 20 Volts 15 Milliampères 15 Volts La présente invention n'est pas limitée aux exemples de 30 réalisation qui viénnent d'être décrits, elle est au contraire susceptible de variantes et dé modifications qui apparaîtront à l'hommé de l'art. 69 2824S 11 2015910 REVENDICATIONS 1- Dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu!,il comprend un substrat semi-conducteur présentant une cavité formée dans une région déterminée, une couche isolante recou- 5 vrant la plus grande surface du substrat semi-conducteur, mais laissant voir par son ouverture la plus grande partie de la cavité, d'une façon telle qu'un espace de séparation décapé latéralement s'étende autour de la cavité, au-dessous de la couche isolante, une couche métallique, déposée de façon à recouvrir la 10 cavité et la couche isolante qui l'entoure en laissant.libre l'espace de séparation décapé latéralement, de telle façon qu'il se forme dans la cavité une barrière de Schottky entourée par l'espace de séparation. 2- Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, 15 caractérisé en ce que la largeur de l'espace de séparation déca- O pé latéralement est au moins de 1000 A. 3- Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce-que le substrat semi-conducteur est constitué de silicium, la couche isolante est constituée de bioxyde de si- 20 licium, et la couche métallique est une couche de molybdène. 4- Procédé pour la réalisation d'un dispositif semi-conducteur à barrière de Schottky, caractérisé en ce qu'il consiste à. former une couche isolante sur la plus grande surface d'une certaine région du substrat semi-conducteur, à créer line ouver-25 ture dans la couche isolante de façon à laisser voir une partie prédéterminée de ladite surface, à décaper cette surface à travers l'ouverture en utilisant la couche isolante en tant que masque, ce décapage étant exercé perpendiculairement vers le bas et horizontalement sous la couche isolante, de façon à créer 30 une cavité dans l'ouverture,ainsi qu'un espace de séparation décapé latéralement et s'étendant autour de la cavité, et enfin à former une couche métallique de façon à recouvrir la cavité et la couche isolante qui l'entoure ea laissant libre l'espace de séparation décapé latéralement et de ce fait, il se forme ainsi 35 dans la cavité une barrière de Schottky entourée par l'espace de séparation. 5- Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le décapage de la surface est poursuivi jusqu'à ce que la largeur de l'espace de séparation décapé latéralement atteigne au moins 1000 A. 69 28248 12 2015910 6- Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le substrat senji-conducteur est constitué de silicium» la couche isolante est constituée de bioxyde de silicium, et la couche métallique est une couche de molybdène. 5 7- Transistor du type à barrière de Schottky, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat semi-conducteur présentant une cavité formée dans une région-base, une couche isolante recouvrant la plus grande surfâee 8- Transistor du type à barrière de Schottky selon la revendication 7, caractérisé en ce que la largeur de l'espace de sé- O paration décapé latéralement est au moins de 1000 A. 25 9- Transistor du type à barrière de Schottky selon la reven dication 7, caractérisé en ce que la couche isolante est constituée de bioxyde de silicium, et la première couche métallique est une couche de molybdène. 10- Procédé de réalisation d'un transistor du type à barrière 30 de Schottky, caractérisé en ce qu'il consiste à former une cotiche isolante sur la plus grande surface d'une région-base d'un substrat semi-conducteur, à créer une couverture dans la couche isolante, de façon à laisser voir une partie prédéterminée de ladite surface, à décaper cette surface à travers l'ouverture, en utili-35 sant la couche isolante en tant que masque, ce décapage étant exercé perpendiculairement vers le bas et horizontalement en dessous de la couche isolante, de façon à créer une cavité dans l'ouverture ainsi qu'un espace de séparation décapé latéralement et s'étendant autour de la cavité, à former une couche métalli-que de façon à recouvrir la cavité et la couche isolante qui 69 28248 13 2015910 l'entoure, en laissant libre l'espace de séparation décapé latéralement, et, de ce fait, il se forme ainsi dans la cavité une barrière de Schottky, entourée par l'espace de séparation, à former une autre couche métallique, que l'on dépose à travers 5 un trou ménagé dans la couche isolante, de façon à réaliser un contact ohmique avec la région-base, et enfin à former une autre couche, que l'on dépose sur la partie du substrat qui n'en n'est pas la région-base, de façon à réaliser un contact ohmique avec cette partie. 10 11- Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'étape de décapage de la surface est poursuivie jusqu'à ce que la largeur de l'espace de séparation décapé latéralement atteigne au O moins 1.000 A. 12- Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que 15 la couche isolante est constituée de bioxyde de silicium, et la première couche métallique est une couche de molybdènei 13- Transistor à effet de champ, caractérisé en ce qu'il eom-prènd un substrat semi-conducteur présentant une cavité formée sur sa plus grande surface, une couche isolante recouvrant la plus gran-de surface du substrat semi-conducteur, mais laissant voir par son ouverture la plus grande partie de la cavité, de telle sorte qu'un espace de séparation décapé latéralement s'étende autour de la cavité en dessous de la couche isolante,une couche jouant le rôle d* électrode de grille, déposée de façon à recouvrir la cavité et la 25 couche isolante qui l'entoure, en laissant libre l'espace de séparation décapé latéralement, de telle sorte.qu'il se forme dans la cavité une barrière de Schottky entourée par l'espace de séparation et, enfin, une couche jouant le rôle d'électrode d'alimentation ou de source et line couche jouant le rôle d'électrode d'utilisation, 30 ou de drain,déposées à travers des trous que l'on a ménagés pourcha-.cune d'elles dans la couche isolante, et situées de part et d'autre de l'électrode de grille, de façon à réaliser un contact ohmique avec le substrat 14- Transistor à effet de champ selon la revendication 13, 35 caractérisé en ce que la largeur de l'espace de séparation décapé latéralement est au moins de 1.000 A, 15- Transistor à effet de champ selon la revendication 13, caractérisé en ce que la couche isolante est constituée de bioxyde de silicium, et la couche jouant le rôle d'électrode de gril- 40 le est une couche de molybdène. 16 - Procédé de réalisation d'un transistor à effet de champ 69 28248 H 2015910 comprenant une barrière de Schottky, caractérisé en ce qu'il consiste, à former une couche isolante sur la plus grande surface d'un substrat semi-conducteur, à créer une ouverture dans la couche isolante de façon à laisser voir une partie prédéter-5 minée de la plus grande surface, à décaper cette plus grande surface à travers l'ouverture en utilisant la couche isolante en tant que masque, ce décapage s'exerçant perpendiculairement vers le bas et horizontalement sous la couche isolante de façon à former une cavité dans l'ouverture, ainsi qu'un espace de sépara-10 tion décapé latéralement et s'étendant autour de la cavité, à former une couche métallique de façon à recouvrir la cavité et la. couche isolante qui l'entoure en laissant libre l'espace de séparation décapé latéralement, de telle sorte qu'il se forme dans la cavité une barrière de Schottky entourée par l'espa-15 ce de séparation, à former une couche jouant le rôle d'électrode d'alimentation ou de source, et d'une couche jouant le rôle d'électrode d'utilisation ou de drain, que l'on dépose à travers des trous que l'on a ménagés pour chacune d'elles dans la couche isolante, qui sont situées de part et d'autre de l'électrode de 20 grille, et qui sont destinées à réaliser un contact ohmique avec le substrat. 17- Procédé de réalisation d'un transistor à effet de champ, selon la revendication 16, caractérisé en ce que le décapage de la plus grande surface est poursuivi jusqu'à ce que la largeur 25 de l'espace de séparation décapé latéralement atteigne au moins 1000 A. 18- Procédé de réalisation d'un transistor à effet de champ, selon la revendication 16, caractérisé en ce que la couche isolante est constituée de bioxyde de silicium, et la couche jou-. 30 ant le rôle d'électrode de grille est une couche de molybdène.