FR 2037252 A1 19701231 FR 7010532 A 19700324 70 10532 1 2037252 L'invention concerne un dispositif semiconducteur dont le corps est muni d'une première zone d'un premier type de conduction, qui affleure une surface pratiquement plane du corps, d'une seconde zone du second type de conduction, qui affleure aussi ladite surface et qui, dans le corps semiconducteur, est entièrement entourée de la première zone, la jonction p-n entre ces zones se terminant à ladite surface, et d'au moins une autre zone du second type de conduction, située à côté de la seconde zone et affleurant ladite surface et qui, dans le corps semiconducteur, est entièrement entourée de la première zone, la jonction p-n entre la première et l'autre zone se terminant à ladite surface, et l'autre zone entourant la seconde zone, alors que sur ladite surface plane est appliquée une couche isolante, munie d'une ouverture dans laquelle est appliquée une couche de contact sur la seconde zone. Un tel dispositif semiconducteur est décrit par exemple dans le brevet français No. 1.421.136. Dans ce dispositif, la seconde zone est entourée d'au moins une autre zone, alors que chaque autre zone suivante entoure la seconde zone et toutes les autres zones précédentes. Par l'emploi de telles autres zones, du second type de conduction, on a pu augmenter considérablement la tension de claquage entre la première et la seconde zone, par la diminution de l'influence que subit ce claquage de la part des conditions de surface. Toutefois, on a constaté que les dispositifs de ce genre sont parfois instables du fait que pendant leur fonctionnement, la jonction p-n entre la première et la seconde zone étant polarisée dans le sens de blocage, la couche isolante subit une charge électrique et tend à acquérir le potentiel de la couche de contact. Une couche superficielle, du second type de conduction, appelée couche d'inversion, peut de ce fait être induite dans la première zone; cette couche d'inversion relie les autres zones entre elles aussi qu'à la seconde zone, de sorte que l'action desdites autres zones est éliminée et que la tension de claquage entre la première et la seconde zone diminue. L'instabilité et la diminution de la tension de claquage peuvent être causées également du fait que les jonctions entre des régions de types de conduction p et n sont affectées par des imperfec-* tions cristallines, susceptibles de donner lieu à une diminution de l'intensité du champ de claquage des jonctions p-n présentés. L'invention vise entre autres à éliminer, ou à diminuer dans une mesure considérable, lesdits inconvénients se produisant dans les dispositifs connus. L'invention repose sur l'idée que les propriétés 70 10532 2037252 électriques du dispositif peuvent être améliorées considérablement si au moins une desdites autres zones est connectée à une couche métallique, située sur la couche isolante. Conformément à l'invention, un dispositif du genre 5 mentionné dans le préambule est donc remarquable en ce que la couche isolante porte au moins une couche conductrice entourant quasi entièrement la couche de contact et reliée à une partie superficielle d'une autre zone à travers une ouverture de la couche isolante, cette partie superficielle se trouvant à une certaine distance du pourtour extérieur 10 de cette autre zone, alors que la partie de la couche conductrice, située sur la couche isolante, s'étend pratiquement le long du pourtour intérieur complet et/ou pratiquement le long du pourtour extérieur complet de l'autre zone jusqu'au dessus de la première zone. Par l'application d'une couche conductrice conforme 15 à l'invention, la tension de claquage entre la première et la seconde zone et la stabilité du dispositif peuvent être augmentées dans une mesure considérable, comme cela sera expliqué plus en détail dans ce qui suit. Pour cette explication, il est important de se ren-20 dre compte que le courant qui, lors du fonctionnement, s'écoule dans le sens de blocage à travers la jonction p-n entre la première et la seconde zone le long de la surface semiconductrice, est la cause que, intérieurement, c'est-à-dire du côté de la seconde zone, la jonction entre une "autre zone et la première zone est polarisée dans le sens de conduc-25 tion, tandis qu'extérieurement, cette jonction p-n est polarisée dans le sens de blocage. De ce fait, l'intensité du champ électrique qui, du côté intérieur de cette jonction p-n entre cette autre zone 'et la première zone, règne sur la couche de désertion, devient pratiquement égale à zéro, alors que la couche conductrice, raccordée à cette autre 30 zone, acquiert pratiquement le potentiel de la partie de première zone, limitrophe du côté intérieur de l'autre zone. En rapport avec ce qui précède, un mode de réalisation important du dispositif conforme à l'invention est remarquable en ce que la distance, mesurée parallèlement à la surface entre la couche de 35 contact et la couche conductrice est inférieure à la distance entre ladite couche de contact et l'autre zone, et inférieure à la distance entre la couche de contact et ladite ouverture. Dans ce dispositif préféré, la couche conductrice qui, suivant ce qui précède, est pratiquement au potentiel de la partie de première zone, limitrophe du pourtour in-40 térieur de l'autre zone, s'étend, sur ledit pourtour intérieur, jusqu'au- 70 10532 2037252 dessus de la première zone. Cette couche conductrice peut de ce fait agir comme électrode de correction de champ, alors que sur la couche isolante, ladite couche conductrice donne lieu à une répartition de champ qui est telle que la formation d'une couche d'inversion soit con-5 trecarrée, ou,, si une telle couche d'inversion devait déjà exister en l'absence de tensions, que l'extension d'une telle couche soit empêchée. Toutefois, étant donné qu'extérieurement, également la jonction p-n entre l'autre zone et la première zone est polarisée dans le sens de blocage, la tension de blocage totale entre la première et la seconde 10 zone se répartira à la surface sur les autres zones existantes, alors que la tension entre une couche conductrice et la première respectivement la seconde zone reste relativement faible. On obtient ainsi un accroissement très important de la tension de claquage et de la tension de régime admissible. 15 Dans la couche isolante, l'ouverture à travers la quelle la couche conductrice est raccordée à l'autre zone, peut au besoin s'étendre également sur une partie de la première zone, de sorte que la jonction p-n entre l'autre zone et la première zone est court-circuitée au pourtour intérieur de l'autre zone par la couche conduc-20 trice. Ladite partie superficielle appartenant à l'autre zone et à laquelle est reliée la couche conductrice, entoure de préférence quasi entièrement la couche de contact. Une couche d'inversion éventuelle qui se forme à 25 l'extérieur de l'autre zone extérieure, pourra néanmoins donner lieu à un claquage en surface, bien qu'entre la première et la seconde zone, cela se produise à des tensions beaucoup plus élevées qu'en l'absence desdites autres zones. Pour éviter cet inconvénient, suivant un autre mode de réalisation préféré important, la couche isolante porte une au-30 tre couche conductrice, entourant quasi entièrement lesdites couches conductrices et reliée électriquement à une partie superficielle de la première zone à travers une ouverture de la couche isolante, alors que, mesurée parallèlement à la surface, la distance entre la couche de contact et ladite autre couche conductrice est inférieure à ia distance en-35 tre ladite couche de contact et ladite partie superficielle, qui, de préférence, entoure quasi entièrement les autres zones. Cette autre couche conductrice peut dé nouveau faire office d'électrode de correction de champ, et contrecarrer ainsi la formation d'une couche d'inversion, tandis que du côté extérieur de cette autre couche conductrice, 2.0 aucun canal d'inversion n'est formé. 70 10532 2037252 De préférence, pour obtenir un contact électrique convenable avec la première zone, l'autre couche conductrice est reliée à une zone de contact du premier type de conduction, affleurant la surface et élaborée dans la première zone, cette zone de contact ayant une résistivité inférieure à celle de la première zone et entourant quasi entièrement lesdites autres zones. Pour éviter une capacité indésirable entre la seconde zone et les couches conductrices, un autre mode de réalisation préféré conforme à l'invention est remarquable en ce que la couche conductrice (ou les couches conductrices) entoure(nt) la seconde zone et ne s'étende (s'étendent) qu'à l'extérieur de celle-ci. Un autre mode de réalisation préféré important conforme à l'invention est remarquable en ce que pour au moins une couche conductrice, la distance, mesurée parallèlement à la surface et existant entre la couche de contact et le pourtour extérieur de cette couche conductrice est supérieure à la distance entre ladite couche de contact et le pourtour extérieur de l'autre zone reliée à cette couche conductrice. Dans ce cas, cette couche conductrice s'étend donc, vu à partir de la seconde zone, à l'extérieur de ladite autre zone. Etant donné que du côté extérieur de l'autre zone, la jonction p-n entre l'autre zone et la première zone est, pendant le fonctionnement, polarisée dans le sens de blocage? la partie appartenant à la couche conductrice et s'étendant à 1'extérisui* de l'autre zone, peut induire une couche d'inversion dans la région sous-jacente de la première zone, ou du moins causer une répartition de chasip qui est telle qu'à la surface, l'intensité de champ maximale se produise à une certaine distance de la jonction entre l'autre zone et la première zone, cette jonction étant générale* ment affectée de défauts cristallins susceptibles de donner lieu à une diminution de l'intensité du champ de claquage. De préférence, vu à partir de la seconde zone, toutes les couches conductrices s'étendent à l'extérieur de l'autre zone à laquelle elles sont reliées. En outre, la première couche de contact est avantageusement choisie de façon à s'étendre jusqu'au-dessus de la première zone. De ce fait, également pour la jonction p-n entre la première et la seconde zone, l'emplacement caractérisé par l'intensité de champ la plus élevée à la surface est déplacée jusqu'à une certaine distance de la jonction p-n, ce qui procure les avantages décrits ci-dessus. A l'aide des mesures décrites ci-dessus, il sera possible d'obtenir une valeur très élevée de la tension de claquage entre la première et la seconde zone, cette tension étant déterminée quasi uni— 70 10532 5 2037252 quement par le dopage du matériau semiconducteur, si du moins à la surface semiconductrice, il ne se forme pas une couche d'inversion spontanée, existant également en l'absence de tensions appliquées. Par contre, lorsqu'il existe une telle couche d'in-5 version spontanée, les couches conductrices, raccordées aux aiires zones, ne sont pas à même d'interrompre efficacement les trajets de fuite formés par les canaux d'inversion. Pour cette raison, un autre mode de réalisation préféré important conforme à l'invention est remarquable en ce que pour interrompre un tel trajet de fuite, il existe, à côté d'au 10 moins .une autre zone, du côté de la couche de contact, une zone superficielle du premier type de conduction et à résistivité inférieure à celle de la première zone, cette zone superficielle entourant quasi entièrement la couche de contact, tandis que la distance, mesurée parallèlement à la surface et existant entre la couche de contact et la couche 15 conductrice reliée à l'autre zone, est inférieure à la distance entre ladite couche de contact et la zone superficielle. Cette zone superficielle, du premier type de conduction, peut être élaborée à une certaine distance de l'autre zone. De préférence toutefois, la zone superficielle sera limitrophe de l'autre zone. Par ailleurs, suivant un mode de ré-20 alisation préféré important, la jonction p-n entre la zone superficielle et l'autre zone est âu moins., ancpartie reôouverte à la surface par la couche conductrice reliée à ladite autre zone, et pratiquement court-circuitée par cette couche. les modes de réalisation préférés cités en dernier 25 lieu présentent un intérêt particulier dans le cas où la première zone est en silicium de type de conduction p, étant donné que sur ce matériau, la formation de couches d'inversion spontanées est facile, par exemple par suite d'une oxydation thermique, habituelle lors de la fabrication de structures planaires. 30 L'invention est également d,une importance particulière pour un dispositif dans lequel la première zone constitue le collecteur, et la seconde zone la base d'un transistor haute tension. L'invention concerne également un dispositif semiconducteur comme décrit ci-dessus, comportant des moyens pour porter la 35 première et la seconde zone à des potentiels tels que la jonction p-n entre ces zones soit polarisée au moins temporairement dans le sens de blocage. La description suivante, en regard des dessins annexé^ fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. 40 La fig. 1 est une vue en élévation d'un dispositif 70 10532 6 2037252 semiconducteur conforme à l'invention. La figure 2 est une coupe transversale suivant le plan II-II de la fig. 1. Les figures 3 et 4 sont des coupes transversales 5 illustrant deux autres dispositifs conformes à l'invention. La fig. 5 est une vue en plan montrant la forme particulière que peut avoir la couche (20) élaborée dans le dispositif représenté sur les figures 1 et 2. Ces figures sont schématiques et les dimensions ne 10 sont pas représentées à la même échelle, surtout les épaisseurs étant représentées exagérément grandes pour la clarté du dessin. Dans les vues en plan (figures 1 et 5)» les couches métalliques sont hachurées. Les parties qui sur les différentes figures se correspondent, ont été repérées par les mêmes références. 15 Sur la fig. 1, il s'agit d'un dispositif à symétrie de révolution autour de l'axe M-M de la fig. 2. Ce dispositif, dans le cas présent un transistor, comporte un corps semiconducteur en silicium (voir la fig. 2), présentant une surface (2) pratiquement plane. A cette surface (2) affleurent une première zone (3), de type de conduction n, 20 ainsi qu'une seconde zone (4)» de type de conduction p, qui dans le corps semiconducteur est entourée entièrement de la zone (3)* La jonction p-n (5) entre les zones (3) et (4) se termine à la surface (2). La surface plane (2) porte une couche isolante (6) en oxyde de silicium, munie d'une fenêtre de contact (7) dans laquelle 25 une couche de contact (s) en aluminium repose sur la seconde zone (4)* Le dispositif comporte également une zone (9), de type de Conduction n, qui à travers une ouverture dans la couche d'oxyde (6), est reliée à une couche d'aluminium (10). La zone (9) forme l'émetteur, d'un transistor, alors que la zone (4) et la zone (3) forment-30 respectivement la base et le collecteur de ce transistor. Une couche métallique (30) assure un contact pratiquement ohmique avec la zone (3)« Pendant le fonctionnement, comme l'indique schématiquement la fig. 2, la jonction p-n (5) entre les zones (3) et (4) est polarisée dans le sens de blocage, alors que la jonction p-n (11) entre les zones (4) et (9) 35 est polarisée dans le sens de conduction. Entre les bornes (12) et (13) peut être appliqué à l'émetteur un signal U, pouvant être prélevé amplifié, sur le collecteur, par exemple à travers la résistance (14). Pour augmenter la tension de claquage du collecteur, le dispositif comporte aussi deux autres zones (15) et (16), de type de 40 conduction p, affleurant la surface (2) et situées à côté de la seconde 70 10532 2037252 " zone (4)» chacune des zones (15) et (16) étant dans le corps semiconducteur entièrement entourée de la première zone (3)» Les jonctions p-n (17) et (18) entre la zone (3) et les zones (15) et (16) se terminent également à la surface (2). Les zones (15) et (16) entourent la seconde 5 zone (4). En pratique, on constate que la tension de claquage de collecteur du transistor ainsi formé est instable, du fait que pendant le fonctionnement, la couche d'oxyde (6) subit une charge électrique. De ce fait, il se peut que dans la zone (3)1 de type de conduction 10 n, soit formée à la surface une couche conductrice de type de conduction p, dénommée couche d'inversion, aSemectsnt- 3œs asnçe {fi) pfc{,l6^ntre elles ainsi qu'à la seconde zone (4)» L'action des zones (15) et (16) est ainsi éliminée, de sorte que la tension de claquage entre les zones (3) et (4) diminue. 15 Conformément à l'invention, pour empêcher cette dimi nution de la tension de claquage de collecteur, la couche d'oxyde (6) est munie de deux couches conductrices (19) et (20) en aluminium, séparées l'une de l'autre; ces couches (19) et (20) entourent la couche de contact (8) et sont, à travers les ouvertures (21) et (22) dans la couche 20 d'oxyde (6), reliées à des parties superficielles (23) et (24) desdites autres zones (15) et (16); ces parties superficielles entourent la couche de contact (8) et se trouvent à une certaine distance du pourtour extérieur des zones (15) et (16). La distance, mesurée parallèlement à la surface (2) et existant entre la couche de contact (8) et la couche 25 conductrice (19)» est inférieure à la distance entre ladite couche de contact (8) et la zone (15)» et également inférieure à la distance entre ladite couche de contact (8) et l'ouverture (21). La même chose est valable en ce qui concerne les distances se rapjjortant à la couche de contact (8), la couche conductrice (20), la zone (16) et l'ouverture 30 (22). Du fait que pendant le fonctionnement, un courant de blocage d'une certaine intensité s'écoule le long de la surface (2) à travers le corps semiconducteur ( courant qui dans le sens conventionnel se dirige de la zone (3) vers la zone (4) )> chacune des jonctions 35 p-n (17) et (18) est, du côté intérieur des zones correspondantes (15) et (16), polarisée dans le sens de conduction, tandis que du côté extérieur desdites zones (15) et (16), chaque jonction est polarisée dans le sens de blocage. Les couches (19) et (20) acquièrent ainsi pratiquement le potentiel des parties sous-jacentes de la zone (3)» limitrophes du 40 côté iintérieur des zones (15) et (16). De ce fait, les couches conduc 70 10532 2037252 trices (19) et (20) donnent sur la couche isolante lieu à une répartition de champ qui est telle que la formation d'une couche d'inversion, telle que décrite ci-dessus, soit contrecarrée. Eh plus de son applicationaur la jonction p-n (5)» la tension de blocage totale entre les zones (3) et (4) peut alors se repartir entre les .jonctions p-n (17) et (18) qui,, à l'extérieur, sont polarisées dans le sens de blocage. Par cette répartition de tension, l'intensité de champ maximale à la surface est maintenue relativement faible, tandis qu'également la différence de potentiel entre les couches (19) et (20) et les zones (3) et (4) reste relativement petite. Il en résulte que la tension de claquage entre les zones (3) et (4), donc la tension de collecteur admissible, est très é-levée. Dans cet exemple, les ouvertures (21) et (22) à travers lesquelles les couches (19) et (20) sont reliées aux zones (15) et (16) sont situées entièrement dans les limites de ces zones. Etant donné que pendant le fonctionnement, les jonctions p-n (17) et (18) sont, du côté intérieur des zones (15) et (16), polarisées dans le sens de conduction, lesdites ouvertures (21) et (22) peuvent au besoin s'étendre également jusqu'au delà du pourtour intérieur des zones (15) et (16), de sorte que de ce côté, les jonctions p-n (17) et (18) sont court-circuitées par les couches (19) et (20). La couche d'oxyde (6) porte également une autre couche conductrice, ayant la forme d'une couche d'aluminium (25) en entourant les couches conductrices (19) et (20); à travers une ouverture (26) dans la couche d'oxyde (6), cette autre couche (25) est raccordée électriquement à une zone de contact diffusée (27), de type de conduction n, appartenant a la zone (3) et présentant une résistivité inférieure à celle de cette zone (3)« En outre, la distance, mesurée parallèlement à la surface (2) et existant entre la couche de contact (8) et ladite autre couche conductrice (25) est inférieure à la distance entre ladite couche de contact (8) et la zone diffusée (27) entourant entièrement les zones (15) et (16). De plus, la couche (25) peut, comme les couches (19) et (20) du côté intérieur des zones (15) et (16), agir comme électrode de correction de champ, et contrecarrer ainsi la formation d'une couche d'inversion à la surface semiconductrice sous-jacente. La zone de contact (27), plus fortement dopée que le reste de la zone (3)» empêche en outre la formation d'un canal d'inversion à l'extérieur de la couche (25) et sert d'interrupteur de canal. Du fait que les couches (19) et (20) ne s'étendent pas au-dessus de la zone (4)» on évite des capacités indésirables et 70 10532 5 2037252 des écarts de tension trop élevés sur la couche d'oxyde (6). Du coté extérieur des zones (15) et (16), les couches conductrices (19) et (20) s'étendent jusqu'au-dessus de la zone (j), la couche de contact (8) faisant de même. De ce fait, pour la polarisation 5 précitée, il se peut qu'uie couche d'inversion (28) (en pointillé sur la fig. 2) soit induite dans la région sous-jacente de la zone (3) sous les parties appartenant aux couches (8), (19) et (20) et s'étendant au des» sus de la zone (3)» ou que du moins soit occasionnée une répartition de champ de façon qu'à la surface, l'intensité de champ maximale se pro-10 duise à une certaine distance des jonctions p-n (5), (17) et (18), où existent généralement des imperfections cristallines susceptibles de diminuer la tension de claquage. Comme déjà mentionné, le dispositif est à symétrie de révolution autour d« l*axe M-M. Les dimensions du dispositif sont les 15 suivantes t Rayon pourtour intérieur Rayon pourtour extérieur Zone 15 190 yum 220 yum 16 310 340 27 430 460 20 Couche 8 60 150 19 170 270 20 290 390 25 410 4p0 La ione (4) a tn diamètre de 200ya., et la zone (9) un cBamétrjfe^de 100yu. La zone (4) & une résistivité de 35 ohm.cm. Les zpnes 25 (4)» (15) et (16) ont une épaisseur d'environ 10 yu , une concentration superficielle de 10^® atomes/cm8, et sont obtenues simultanément par diffusion de bore. Les zones (9) et (27) ont une épaisseur d'environ 6 ai, P0 une concentration superficielle de 10" atomes/cms , et sont obtenues simultanément par diffusion de phosphore, L'épaisseur de la couche d'oxyde 30 (6) est environ égale à 1yu, celle des couches d'aluminium étant d'environ 0,5 yu.. Il est évident qu'il n'est pas indispensable que le dispositif conforme à l'invention soit à symétrie de révolution. Une ou ]3uipieurs zones ou couches métalliques peuvent présenter par exemple 35 une forme carrée, rectangulaire, ovale, etc., alors que de préférence, les interstices'entre les différentes couches métalliques et la distance entre les zones sont choisies égales le long de leur pourtour complet. Il h'est pas indispensable non plus que les dopages et les épaisseurs des zones de même type de conduction soient les mêmes. Au besoin, on 40 peut également élaborer des zones d'émetteur et de base ayant la forme 70 10532 2037252 de deux peignes, "dont les dents s'adaptent les unes dans les autres. Le transistor représenté sur les figures. 1 et 2 est caractérisé par une tension élevée de claquage collecteur-base, qui, en théorie, est limitée uniquement par le dopage de la zone (3)» correspondant à une tension de claquage d1 environ 1000 volts. Les figures 3 et 4 illustrent deux autres dispositifs semiconducteurs conformes à l'invention. Comparés aux dispositifs des figures 1 et 2, ceux des figures 3 et 4 diffèrent en plusieurs points. Sur ces figures 3 et 4» en premier lieu, il n'existe que la zone (15)» la zone (16) faisant défa.ut, de sorte que le nombre d'étages sur lesquels la tension de blocage totale est répartie, a diminué d'une unité. En deuxième lieu, les types de conduction des différentes zones ont été inversés, ce qui veut dire que les zones (3)» (9) et (27) ont maintenant le type de conduction p, et les zones (4) et (15) le type de conduction n. Tandis qu'à la face limite entre la zone ^3) et la couche d'oxyde (6), il ne se forme généralement pas spontanément un canal d'inversion lorsque la zone (3) est de type de conduction n, un tel canal peut par contre être formé à la surface de la zone (3) de type de conduction * n, pour un dispositif répondant aux figures 3 et 4. Un tel canal d'inversion, existant également en l'absence de tension de polarisation, ne peut généralement pas être éliminé entièrement par la couche d'aluminium (19). Pour cette raison, dans les. dispositifs illustrés sur les figures 3 et 4» on & élaboré une zone superficielle diffusée (41)» de type de conduction p, limitrophe du côté intérieur de la zone (15) et présentant une résistivité inférieure à celle de la zone (3). Comme le dispositif illustré sur les figures 1 et 2, les dispositifs illustrés sur les figures 3 et 4 sont à symétrie de révolution autour de l'axe M-M, de sorte que la zone diffusée (41 ) entoure la couche de contact (8). Cette zone ,(41) fait office d'interrupteur de canal, alors que la partie appartenant à la couche (19) et située au-dessus de la zone (.3) et du côté de la couche de contact (8), agit comme élèctrode de correction de champ et assure que la couche d'inversion (42) (en pointillé) ne soit pas renforcée davantage sous l'influence des déplacements de charge dans la couche d'oxyde (6) ou à proximité de" celle-ci. Sur la fig. 4» on remarque que la jonction p-n (43) entre les zones (15) et (41) est court-circuitée par la couche (1'9)» de sorte qulun écart de potentiel indésirable sur la jonction (42) est exclu, tandis qu'enoutre on utilise le plus efficacement possible la place disponi— bie. . \ ' • - ; Dans les dispositifs décrits ci-dessùs, de grandes 70 10532 2037252 parties de la surface sont recouvertes de métal.. E.u égard aux petits trous (pinholes) existant parfois dans la couche d'oxyde, ledit métal peut parfois constituer un risque de courls-circuits indésirables avec les régions semiconductrices sous-jacentes. Ce risque peut être forte-5 ment diminué si les couches métalliques sont munies d'ouvertures ou d'évidements se trouvant en des endroits, choisis pour garder l'effet des couches conductrices. A titre d'exemple, la fig. 5 illustre un tel mode de réalisation de la couche conductrice (20). (cfr. fig. 1). Dans sa partie la plus rapprochée du centre, la couche (20) présente des 10 ouvertures (50). De préférence, le reste de la surface de la couche (20) ne présente pas d'ouvertures, afin de maintenir partout les canaux induits (28). (voir la fig. 2). On conçoit aisément que l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation décrits. L'invention n'est notamment pas li-15 mitée à des transistors, mais peut aussi bien être utilisée pour augmenter la tension de claquage de jonctions p-n dans d'autres dispositifs semiconducteurs. Par omission de la zone (9) et de la couche de contact (10), on obtient par exemple une diode conforme à l'invention. Par ailleurs, le dispositif illustré sur les figures 20 3 et 4 peut être utilisé avantageusement aussi si les zones (3), (9) et (27) sont de type de conduction n, et les zones (4) et (15) de type de conduction p. Au besoin, une ou plusieurs des couches conductrices peuvent s'étendre seulement le long du pourtour extérieur de l'autre zone correspondante jusqu'au dessus de la première zone. Le matériau semi-25 conducteur utilisé peut être autre que le silicium, par exemple le germanium ou des composés ATjjBy. Au lieu de l'oxyde de silicium pour former la couche isolante (6), on peut utiliser d'autres matériaux, par exemple le nitrure de silicium, cette couche isolante pouvant être formée aussi par plusieurs couches superposées de matériaux différents. 30 L'aluminium qui, dans cet exposé, est utilisé pour les couches métalliques peut être remplacé par d'autres métaux. Au besoin, la zone (41) peut être élaborée à une certaine distance de la zone (15)« Sans sortir du cadre de' l'invention, on peut changer la forme' et les dimensions du dispositif, ainsi que les dopages utilisés. En inversant les tensions 35 de polarisation appliquées, on peut notamment remplacer le type de conduction des différentes zones par les types de conduction opposés. cotfj 70 10532 12 2037252 Revendicationsi 1. Dispositif semiconducteur dont le corps est muni d'une première zone d'un premier type de conduction, qui affleure une surface pratiquement plane du corps, d'uhe seconde zone du second type de conduction, qui affleure aussi ladite surface et qui, dans le corps semiconducteur, est entièrement entourée de la première zone, la jonction p-n entre ces zones se terminant à ladite surface, et d'au moins une autre zone du second type de conduction, située à côté de la seconde zone et affleurant ladite surface et qui, dans le corps semiconducteur, est entièrement entourée de la première zone, la jonction p-n entre la première et l'autre zone se terminant à ladite surface, et l'autre zone entourant la seconde zone, alors que sur ladite surface plane est appliquée une couche isolante, munie d'une ouverture dans laquelle est appliquée une couche de contact sur la seconde zone, caractérisé en ce que la couche isolante porte au moins une couche conductrice entourant quasi entièrement la couche de contact et reliée à une partie superficielle d'une autre zone à travers une ouverture de la couche isolante, cette partie superficielle se trouvant à une certaine distance du pourtour extérieur de cette autre zone, alors que la partie de la couche conductrice, située sur la couche isolante, s'étend pratiquement le long du pourtour intérieur complet et/ou pratiquement le long du pourtour extérieur complet de l'autre zone jusqu'au-dessus de la première zone. 2. Dispositif semiconducteur selon la revendication 1f caractérisé en ce que la distance, mesurée parallèlement & la surface entre la couche de contact el la couche conductrice est inférieure à la distance entre ladite couche de contact et l'autre zone, et. inférieure à la distance entre la couche de contact et ladite ouverture. 5» Dispositif semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite partie superficielle de l'autre zone entoure quasi entièrement la couche de contact. 4« Dispositif semiconducteur selon l'une des revendi cations 1 à J, caractérisé en ce que la couche isolante porte une autre couche conductrice, entourant quasi entièrement lesdites couches conductrices et reliée électriquement à une partie superficielle de la première zone à travers une ouverture de la couche isolante, alors que, mesurée parallèlement à la surface, la distance entre la couche de contact et ladite autre couche conductrice est inférieure S la distance entre ladite couche de contact et ladite partie superficielle. 5» Dispositif semiconducteur selon la revendication 4» 70 1053/2 13 2037252 caractérisé en ce que ladite partie superficielle de la première zone tions 4 ou 5» caractérisé en ce que l'autre couche conductrice est reliâr à une zone de contact du premier type de conduction, affleurant la surface et élaborée dans la première zone, cette zone de contact ayant une résistivité inférieure à celle de la première zone et entourant quasi entièrement lesdites autres zones. 7. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'une couche conductrice entoure la seconde zone et ne s'étend qu'à l'extérieur de celle-ci. 8. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 2 à 7, caractérisé en ce que pour au moins une couche conductrice, la distance, mesurée parallèlement, à la surface et existant entre la couche de contact et le pourtour extérieur de cette couche conductrice est supérieure à la distance entre ladite souche de contact et le pourtour extérieur de l'autre zone reliée à cette couche conductrice. 9. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 8,, caractérisé en ce que la couche de contact s'étend jusqu'au dessus de la première zone. 10. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 2 à 9, caractérisé en ce qu'à côté d'au moins une autre zone, il existe, du côté de la couche de contact, une zone superficielle du premier type de conduction et à résistivité inférieure à celle de la première zone, cette zone superficielle entourant quasi entièrement la couche de contact, tandis que la distance, mesurée parallèlement à la surface et existant entre la couche de contact et la couch» conductrice reliée à l'autre zone, est inférieure à la distance entre ladite "couche de contact et la zone superficielle. 11. Dispositif semiconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que ladite zone superficielle, de premier type de conduction, est limitrpphe de l'autre zone. 12. Dispositif semiconducteur selon l'une des revmdicatinsîO ou 11, caractérisé en ce que la jonction p-n entre la zone superficielle et l'autre zone est àu.moins en.partie recouverte à la surface par la couche conductrice reliée à ladite autre zone, et pratiquement court-circuitée par cette couche. 1J. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendi cations 10 à 12, caractérisé en ce que la première zone est en silicium de type de conduction p. entoure quasi entièrement les autres zones. 6. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendica- 70 10532 2037252 14* Dispositif semiconducteur selon l'une des revendica tions 1 à 13, caractérisé en ce que la première zone est le collecteur, et la deuxième zone la base d'un transistor. 15. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendica tions 1 à 14» caractérisé en ce que le dispositif comporte des moyens pour porter la première et la seconde zone à des potentiels tels que la jonction p—n entre ces zones soit polarisée du moins temporairement dans le sens de blocage.