FR 2028146 A1 19701009 FR 7000260 A 19700106 00260 1 2028146 L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comportant un substrat semi-conducteur d'un type de conduction, sur une surface duquel est appliquée une couche semi-conductrice épitaxiale de l'autre type de conduction, couche qui est subdivisée en plusieurs parties, 5 appelées par la suite "caissons", de l'autre type de conduction par des zones séparatrices d'un type de conduction s'étendant sur toute l'épaisseur de la couche épitaxiale, alors que dans au moins un caisson est appliqué un, transistor latéral, dont les zones émettrice et collectrice sont situées l'une â côté de l'autre et contiennent des zones superfi-10 cielles d'un type de conduction etqitre couche enfoncée de l'autre type de conduction se trouve près de la jonction entre un caisson et le substrat. Un tel dispositif semi-conducteur est décrit dans l'article de D.F. Hilbiber dans "IEEE Transactions on Electron Devices", ED-14, N°7, juillet 1967* pages 381 à 385. 15 Des transistors latéraux sont importants pour des cir cuits semi-conducteurs intégrés et permettent d'insérer dans ces circuits, outre les transistors verticaux n-p-n ou p-n-p usuels des transistors p-n-p ou n-p-n. Des couches enfoncées peuvent s'obtenir par "diffusion d'une impureté dans le substrat avant l'application de la couche épitaxiale. 20 Ladite couche enfoncée présente le même type de conduction que les caissons. Une telle couche enfoncée présente une résistivité plus basse, c'est-à-dire un dopage plus élevé que les caissons et est incorporée dans un dispositif que concerne la présente invention, afin de réduire la ï>é*-> sistance de base et pour diminuer l'injection verticale du transistor la-25 téral. La zone émettrice d'un transistor latéral injecte des porteurs de charge, tant dans les directions latérales, c'est-à-dire vers la zone collectrice, que dans la direction verticale, c'est-à-dire vers la couche enfoncée. Pour obtenir de bonnes propriétés électriques du tran-30 sistor latéral, il est nécessaire que l'injection verticale soit petite. On peut obtenir une petite injection verticale en réalisant la zone émettrice comme une très petite zone superficielle. Toutefois, dans ce cas, la zone émettrice doit être tellement petite qu'elle s'avère irréalisable avec les techniques actuelles usuelles pour la réa-33 lisation de circuits semi-conducteurs intégrés. De plus, il est possible que les zones émettrice et collectrice constituent des zones superficielles d'une épaisseur si grande qu'elles atteignent la couche enfoncée. In dispositif comportant de telles zone émettrice-et collectrice se réalise de façon simple et la réalisation 40 du transistor latéral ne requiert pas un sérieux progrès dans la fabrica 70 00260 2 2028146 tion. Les zones émettrice et collectrice peuvent être réalisées simultanément. L'injection verticale de la zone émettrice est petite, par suite du fait que la zone émettrice s'étend jusqu'à la couche enfoncée à dopage élevé. La tension de claquage collecteur-base est cependant basse, par 5 suite du fait que la zone collectrice atteint également la zone enterrée à dopage élevé. Le susdit article propose de munir la couche enfoncée d'un épaississensnt-s'étendant au-dessous de la zone émettrice. Dans ce cas, les zones émettrice et collectrice peuvent être réalisées simultanément 10 et seule la zone émettrice atteint la couche enfoncée, il est vrai, mais la réalisation de 1'épaississement nécessite un traitement de photoréservation et de diffusion additionnel. L'invention vise entre autres à obvier aux inconvénients inhérents aux dispositifs décrits ci-dessus et à fournir un dispositif 15 semi-conducteur comportant un transistor latéral, l'injection verticale de la zone émettrice étant petite et la tension de claquage de la zone collectrice étant élevée, alors que la réalisation ne requiert aucune opération additionnelle. L'invention est entre autres basée sur l'idée que tout 20 en évitant une opération additionnelle dans le processus pour réaliser un dispositif semi-conducteur comportant un transistor latéral, on peut réaliser une zone émettrice, qui est plus épaisse que la zone collectrice de façon que seule la zone émettrice atteigne la couche enfoncée. ïïn dispositif semi-conducteur conforme à 1'invention 25 comportant un transistor latéral du genre mentionné dans le préambule est caractérisé en ce qu'à partir de la surface d'un caisson, la zone émettrice s'étend plus profondément dans ces caissons que la -zone collectrice et atteint la couche enfoncée, ceci à l'opposé de la zone collectrice. L'injection verticale de la zone émettrice est petite du fait que cette der-30 nière atteint la couche enfoncée, mais la tension de claquage base-collecteur est élevée par suite du fait que la zone collectrice n'atteint pas la couche enfoncée. Comme il sera expliqué en détail ci-après, la zone émettrice peut, être réalisée au moins partiellement simultanément, de sorte que la. réalisafcdondes zones émettrice et collectrice, -présentant 35. une épaisseur différente ne .nécessite aucune opération additionnelle. ïïne forme de réalisation importante d^un dispositif semiconducteur conforme, à l'invention est caractérisée en ce que la zone émettrice est constituée par deux zones partielles qui se raccordent l'une â l'autre, dont une seule atteint la couche enfoncée, alors que- l'autre, qui 40 constitue une zone superficielle de même épaisseur que la zone collectrice,. 70 00260 3 2028146 est située à plus courte distance de la zone collectrice que la première zone partielle. L'autre zone partielle de la zone émettrice et la zone collectrice peuvent être réalisées simultanément par un seul traitement est de diffusion et un seul traitement de photoréservation y/lié, ce qui per— 5 met de déterminer très rigoureusement leur distance mutuelle, c'est-â-dire la distance comprise entre les zones émettrice et collectrice. Cela serait le cas dans une moindre mesure, si les zones émettrice et collectrice ne peuvent être appliquées que par des traitements de diffusion et de photoréservation différents. 10 L'une des zones partielles, aussi bien que l'autre, peu vent constituer des zones superficielles De plus, l'une des zones partielles peut constituer une couche enfoncée d'un type de conduction. L'invention concerne en outre un procédé pour réaliser 15 un dispositif semi-conducteur conforme à l'invention caractérisé en ce que dans une partie d'une surface d'un substrat semi-conducteur d'un type de conduction est diffusée une impureté provoquant l'autre type de conduction, sur ladite surface est appliquée une couche semi-conductrice épitaxiale de l'autre type de conduction et que la couche enfoncée de l'autre 20 type de conduction s'obtient par diffusion de ladite impureté dans la couche épitaxiale et le substrat, que les zones séparatrices divisant la couche épitaxiale en caissons s'obtiennent par diffusion locale dans la couche épitaxiale d'une impureté provoquant un type de conduction, la couche enterrée se trouvant près de la .jonction entre un des. caissons et 25 le substrat, alors qu'une zone partielle de la zone émettrice du transistor latéral, zone partielle qui joint au moins la couche enfoncée, est réalisée simultanément avec les zones séparatrices par diffusion locale dans un caisson d'une impureté provoquant un type de conduction, caisson dans lequel est réalisé la zone collectrice du transistor latéral sous 30 forme d'une zone superficielle diffusée. Une forme de réalisation préférée d'un procédé conforme â 1'invention est caractérisée en ce que les zones séparatrices et au moins une zone partielle de la zone émettrice joignant la couche enfoncée s'obtiennent simultanément par diffusion locale d'une impureté provoquant 35 un type de conduction S partir de la surface de la couche épitaxiale. Une autre forme de réalisation d'un procédé conforme à l'invention est caractérisée en ce qu'au moins les parties des zones séparatrices voisines du substrat et au moins la zone partielle de la zone émettrice joignant la couche enfoncée s'obtiennent par diffusion locale 40 d'une impureté provoquant un type de conduction,à partir du substrat,dans 70 00260 4 2028146 la couche épitaxiale, cette impureté êanfc appliquée avant l'ap plication de la couche épitaxiale- par diffusion locale dans le substrat, impureté qui présente un plus grand coefficient de diffusion et qui est diffusée avecune moindre concentration dans la couche épitaxiale que 5 l'impureté provoquant l'autre type de conduction, avec laquelle est réalisée la couche enfoncée de l'autre type de conduction. h& zone émettrice acquiert" de ce fait une forme plus avantageuse .que la forme de réalisation préférée précédente. Une forme de.réalisation préférée très importante d'un. 10 procédé conforme à l'invention est caractérisée en.ce qu'on réalise une zone émettrice constituée par deux zones partielles qui se raccordent l'une à l'autre, dont l'une joint-la couche enfoncée.et dont l'autre est aussi épaisse que la zone collectrice et est située à plus courte distance de la zone collectrice que ,1a première zone partielle, alors que__l' autre 15 zone partielle et la zone collectrice sont simultanément réalisées sous forme de zones superficielles diffusées dans un caisson. Comme il y a déjà été expliqué ci-dessus, il en résulte que la distance comprise entre les zones émettrice et collectrice peut être déterminée très rigoureusement. 20 Si les parties des zones séparatrices joignant le substrat sont réalisées par diffusion d'une impureté à partir, du substrat dans la couche épitaxiale, les parties des zones séparatrices voisines de la surface de la couche épitaxiale, c'est-à-dire l'autre zone partielle de la zone émettrice et la zone collectrice, sont de préférence-simultanément 25 réalisées par diffusion locale d'une impureté provoquant un type de conduction dans la surface de la couche épitaxiale. De plus, il y a lieu de noter que. 'la couche émettrice, d'un transistor latéral d'un dispositif semi7Conducteur conforme à l'invention présente une plus basse résistance que la zone émettrice d'un transistor 30 latéral, dont les zones émettrice et collectrice ne sont obtenues qu'à partir des zones superficielles diffusées .simultanément obtenues. La description ci-après, en se. référant au dessin annexé, fera bien comprendre comment l'invention peut .êtr.e réalisée. La fig. ■ 1. montre^sclîématiquenent une. vue en plan d'une 35 partie d'un exemple de réalisation d!un- dispositif semi-conducteur conforme à. 1» invention", V - : . , ( : La fig. 2 montre.schématiquement une section suivant le plan II-II de ïa~-fig. 1. • . - " ' ; Les figures 3 5 montrent.-schématiquement des sections ij-0 du corps sémi-oonducteur' du dispositif sejsi-conducteur représenté sur les - 7000260 5 2028146 figures 1 et 2 dans plusieurs stades de leur fabrication, La fig. 6 montre schématiquement une section d'une partie d'un exemple de réalisation qui diffère légèrement de celui représenté sur les figures 1 à 5. 5 La fig. 7 montre le corps semi-conducteur de l'exemple de réalisation représenté sur la fig. 6 dans l'un de ses stades de fabrication. L'exemple de réalisation d'un dispositif semi-conducteur conforme à l'invention représenté sur les figures 1 et 2 comporte un corps 10 semi-conducteur (1) muni d'un substrat semi-conducteur (2) d'un type de conduction, sur une surface (3) duquel est appliquée une couche semi-conductrice épitaxiale (4) de l'autre type de conduction. La couche (4) est subdivisée en plusieurs parties (5) â (13)* parties qui sont appelées par la- suite des caissons, de l'autre type de conduction,par des zones 15 séparatrices ( 14) d'un type de conduction, qui s'étendent sur toute l'épaisseur de la couche épitaxiale (4). Le caisson (5) comporte un transistor latéral, dont la zone émettrice (15)» (16) et la zone collectrice (17) sont situées l'une à côté de l'autre et contiennent des eones superficielles d'un type de conduction. ïïne couche enfoncée (18) de l'autre 20 type de conduction se trouve dans la proximité de la jonction entre le caisson (5) et le substrat (2). Conformément à l'invention, la zone émettrice (15)» 0*>) s'étend à partir de la surface (19) du caisson (5) plus profondément dans ce caisson que la zone collectrice (17) et atteint la couche enfoncée 25 (18)» ceci à l'opposé de la zone collectricè (17). La zone de base du transistor latéral est constituée par le caisson (5) et la couche enfoncée (18). Dans le caisson (5) est a— ménagée une zone de contact de base sous forme d'une zone superficielle à basse valeur ohmique (20) de l'autre type de conduction. 30 L'injection verticale de la zone émettrice ( 15)» 00 est petite, du fait qu'elle s'étend jusqu'à la couche enfoncée (18)^ dont ■le do-page est plus élevé'que le caisson (5). La tension de claquage collecteur-base est élevée, du fait que la zone collectrice ne s'étend pas jusqu'à' la couche enfoncée (1*8)', 35 réalisation de la zone émettrice (15)» .06)» qui s'étend jusqu'à là couche enfoncée (I8)*ne nécessite pas une opération additionnelle. La'z'one partielle (I5)'de la zone émettrice (15)» 0^) peut être réalisée simultanément et de la1 même façon-que les zones séparatrices (14) et la zone- partièlle' (16) peut être réalisée simultané-40 ment et de la même façon que .la zone collectrice (17).--' 7 copV 70 00260 6 2028146 La zone, émettrice peut être constituée uniquemeirfcparia zone .partielle (15)♦ Du fait que cette zone partielle (15) est plus épaisse que la zone collectrice (1?), il est impossible de la réaliser simultanément et de la même façon. De ce fait, une détermination très 5 rigoureuse de la distance comprise entre les zones émettrice et collectrice pendant la fabrication s'avère très compliquée. C'est pour cette raison que la zone émettrice est de préférence constituée par deux zones partielles (15), (16), qui se raccordent l'une â l'autre et dont seule la zone (15) joint la zone .enfoncée (18), alors que la zone (16), qui cons-10 titue une zone superficielle de la même épaisseur que la zone collectrice (17), est située à plus courte distance de la zone collectrice que la zone partielle (15). La distance comprise entre les. zones émettrice et collectrice constitue alors la distance comprise entre les zones (16), (17)» qui peuvent être réalisées simultanément et de façon analogue. De préfé-15 rence, la zone partielle (16) chevauche la zone partielle (15) aussi peu que possible. Dans le présent exemple.de réalisation, une zone partielle (15)» aussi bien que l'autre zone partielle (-16) constituent une zone superficielle. 20 Les figures 1 et 2 mentionnent en outre un caisson (16) dans lequel est appliqué un transistor vertical usuel. La zone collectrice de ce transistor est constituée par le caisson ( 6) et la couche enfoncée (21) de l'autre type de conduction, la zone de base par la zone superficielle (22) de l'autre typç de conduction,réalisée dans le caisson (16) 25 et la zone émettrice par la zone superficielle (23) de l'autre type de conduction réalisée dans la zone de base (22). De plus, dans La couche épitaxiale (4) est recouverte de façon usuelle 30 d'une couche isolante (;25)* munie d'ouvertures dans lesquelles sont appliquées les. couches de contact (26) â (31). Le dispositif semi-conducteur selon les figures .1 et 2 peut être réalisé de la façon suivante. Dans une partie d'une surface (3) d'un substrat de sili-35 cium (2) de type p (voir la fig. 3) d'une épaisseur d'environ 120^um et d'une résistivité d'environ 5 ohms.cm est diffusée, de façon usuelle, une impureté provoquant une conduption de type n, par "exemple de l'arsenic ou de l'antimoine. De ce fait, on obtient les minces zones superficielles (30), qui contiennent de l'arsenic. Sur la surface (5 ) est appliquée 40 d'une façon usuelle une couche de silicium épitaxiale de type n (4) (voir 70 00260 7 2028146 la fig. 4) â'une épaisseur d'environ 1Cyum et d'une résistivité comprise entre 1 et 5 ohms.cm. Les couches enfoncées n+ (18), (21) s'obtiennent par diffusion de l'arsenic dans la couche épitaxiale (4) et dans le substrat (2). Les zones séparatrices de type p (14) (voir la fig. 5) s'ob-5 tiennent par diffusion locale d'une impureté provoquant une conduction de type j), telle que du bore, dans la couche épitaxiale (4). Ces zones séparatrices (14) divisent la couche épitaxiale en caissons de type n, la couche enfoncée n+ (18) se trouvant dans la proximité de la jonction entre le caisson (5) et le substrat (2) et la couche enfoncée n+ (21) 10 dans la proximité de la jonction entre le caisson (6) et le substrat (2). La zone partielle (15-) de la zone émettrice du transistor latéral voisine de la couche enfoncée (18) est réalisée dans le caisson (5) simultanément avec les zones séparatrices (14)« La diffusion de bore afin d'obtenir les zones sépara-15 trices (14) et la zone partielle (15) s'effectue de façon usuelle à partir de la surface (19) de la couche épitaxiale (4) à l'aide d'un masque de diffusion usuel appliqué sur la surface (19)» masque qui peut être constitué par de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium. La fig. 4 ne montre pas le masque de diffusion afin de faciliter la compréhension. 20 Puis, on réalise simultanément de façon usuelle par diffusion par exemple de bore, la zone collectrice de type p (17) (voir les figures 1 et 2) et la zone partielle de type p (16) sous forme des zones superficielles diffusées. La zone de base de type _£ (22) du transistor vertical 25 peut être réalisée simultanément avec les zones (16), (1?). Les zones de contact n+ (20), (24) et la zone émettrice n+ (23) du transistor vertical sont réalisées de façon usuelle par diffusion par exemple de phosphore. ^ La couche épitaxiale (4) est recouverte de façon usuelle 30 d'une couche isolante (25), qui peut être constituée par de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium et qui est munie d'ouvertures dans lesquelles sont appliquées les couches de contact (26) à (31)» qui sont par exemple en aluminium. Les couches de contact (26) à (31) peuvent être mises en 35 contact de façon usuelle avec des connexions électriques. Les couches enfoncées (18), (21) ont une épaisseur d'environ 7yum, les zones (16), (17), (22) d'environ 3^/um et les zones (20), (23), (24) d'environ 2yum. Dans la vue en plan que représente la fig. 1, la zone 40 (15) présente un diamètre d'environ 30yum et la zone (16) un diamètre 70 00260 8 2028146 d'environ 32 à 34/um, La distance comprise entre les zones (16), (17) est d'environ 4/um, la largeur de la zone collectrice annulaire environ 20^ub et la distance laphs courbe- comprise entre les zones 07 ), (20) environ 10yum. Les zones du transistor vertical présentent]es dimensions usuelles 5 pour un transistor de ce genre. Le dispositif décrit ci-dessus comporte un transistor latéral p-n-p et un transistor vertical n-p-n. La résistance de l'émetteirr est petite par suite des deux zones partielles (15)» (16). La fig. 6 montre une partie d'un dispositif semi-conduc-10 teur conforme à l'invention munie d'un transistor latéral qui diffère légèrement de celui représenté dans l'exemple de réalisation précédent. Tout comme dans l'exemple de réalisation précédent, la zone émettrice est constituée par deux zones partielles (15)» (16) qui se raccordent l'une â l'autre. La zone partielle (15)» qui joint la couche 15 enfoncée (18), ne constitue cependant par une zone superficielle mais une couche enfoncée. La fcffcme de la zone émettrice (15), (16) est de ce fait quelque peu plus avantageuse que celle de la zone émettrice mentionnée dans l'exemple de réalisation précédent. Lors de la fabrication, les parties (40) des zones sépa-20 ratrices (14) joignant le substrat (2), ainsi que la zone partielle (-15) de la zone émettrice (15)» (16) joignant la couche enfoncée (18) sont obtenues par diffusion locale d'une impureté provoquant une conduction du type p â partir du substrat (2) dans la couche épitaxiale (4). Cette impureté est appliquée avant l'application de la couche épitaxiale (4) 25 par diffusion locale dans le substrat (2) dans les zones superficielles (42) (fig. ?)• L'impureté doit avoir un plus grand coefficient de diffusion que l'impureté constituée par de l'arsenic dans la couche superficielle (30) â l'aide de laquelle est formée la couche enfoncée (18). De plus, cette impureté doit être diffusée avec une plus petite concentration 30 dans la couche épitaxiale que l'arsenic. L'impureté peut être constituée par du bore. Après l'application de la couche épitaxiale, les parties (41) des zones séparatrices (40) joignant la surface (19) de la couche épitaxiale (4), la zone partielle (16) de la zone émettrice (15)» (16) et 35 la zone collectrice (17) sont simultanément réalisées par diffusion locale d'une impureté provoquant une conduction de type p, telle que du bore, dans la surface (19) de^la couche épitaxiale (4). Pour le reste, la fabrication s'effectue de la façon décrite dans l'exemple de réalisation précédent. Les dimensions et les matériaux 40 peuvent être les mêmes que ceux utilisés dans l'exemple de réalisation 70 00260 9 2028146 précédent. Il est évident que l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation décrits ci-dessus et que le technicien pourra en réaliser de nombreuses "variantes sans sortir du cadre de 1' invention. 5 C'est ainsi que le corps semi-conducteur peut être constitué par des matériaux semi-conducteurs autres que le silicium, par exemple du germanium ou un composé III-V. Les types de conduction peuvent être alternés de façon qu'un dispositif semi-conducteur conforme â l'invention contienne un transistor latéral n-p-n. La forme peut être autre que celle mentionnée 10 dans les figures. C'est ainsi que dans la vue en plan représentée sur la fig. 1, les zones (15)» (16) et (17) peuvent être rectangulaires et que la zone (20) peut entourer la zone (17). Un dispositif semi-conducteur peut contenir plus de composants semi-conducteurs que ceux montrés sur le dessin. Outre un transistor latéral, il peut contenir par exemple des tran-15 sistors verticaux, des transistors â effet de champ, des diodes, des condensateurs et des résistances. Les composants peuvent être interconnectés â l'aide de conducteurs appliqués sur la couche isolante. 70 00260 10 2028146 1. Dispositif semiconducteur contenant tin substrat semiconducteur d'un type de conduction sur une surface duquel est appliquée une couche semiconductrice épitaxiale de l'autre type de 5 conduction, couche qui est divisée en plusieurs parties, de l'autre type de conduction, appelées par la suite des caissons, par des zones séparatrices d'un type de conduction qui s'étendent sur toute l'épaisseur de la couche épitaxiale, alors que dans au moins un caisson est réalisé un transistor latéral, dont les zones 10 émettrice et collectrice sont voisines et qui contiennent des zones superficielles d'un type de conduction et qu'une couche enfoncée de l'autre type de conduction se trouve dans la proximité de la jonction entre un caisson et le substrat, ce dispositif semiconducteur étant caractérisé en ce que la zone émettrice s'é- 15 tend à partir de la surface d'un caisson plus profondément dans ce caisson que la zone collectrice et atteint la couche enfoncée, ceci à l'opposé de la zone collectrice. 2. Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la zone émettrice est constituée par deux 20 zones partielles qui se raccordent l'une à l'autre, dont une seule joint la couche enfoncée, alors que l'autre, qui est constituée par une zone superficielle de la même épaisseur que la zone collectrice, est située à plus courte distance de la zone collectrice que la première zone partielle. 25 3. Dispositif semiconducteur selon la revendication 2, ca ractérisé en ce que la zone partielle joignant la couche enfoncée est constituée par une zone superficielle» 4. Dispositif semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que la zone partielle joignant la couche enfoncée est 30 constituée par une couche enfoncée d'un type de conduction. 5. Procédé permettant de réaliser un dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en.ce que dans une partie d'une surface d'un substrat semiconducteur d'un type de conduction est diffusée une impureté provoquant l'autre 35 type de conduction, sur ladite surface est appliquée une couche semiconductrice épitaxiale de l'autre type de conduction et la couche enfoncée de 1 ' autre-, type de conduction est obtenue par diffusion de ladite impureté dans la couche épitaxiale et le substrat, que les zones séparatrices divisant la couche épitaxia- 40 le en caissons sont obtenues par diffusion locale d'une impureté 70 00260 n 2028146 provoquant un type de conduction dans la couche épitaxiale, la couche enfoncée se trouvant dans la proximité de la jonction entre un caisson et le substrat, alors qu'au moins une zone partielle de la zone émettrice du transistor latéral qui joint la 5 couche enfoncée est obtenue simultanément avec les zones séparatrices par diffusion locale d'une impureté provoquant un type de conduction, dans un caisson, caisson dans lequel est appliquée la zone collectrice du transistor latéral sous forme d'une zone superficielle diffusée. 10 Procédé selon la revendication 5* caractérisé en ce que les zones séparatrices et au moins une zone partielle de la zone émettrice joignant la couche enfoncée sont obtenues par diffusion locale d'une impureté provoquant un type de conduction à partir de la surface de la couche épitaxiale. 15 7. Procédé selon la revendication 5» caractérisé en ce qu'au moins les parties des zones séparatrices voisines du substrat et au moins une zone partielle de la zone émettrice joignant la couche enfoncée s'obtiennent par diffusion locale d'une impureté provoquant un type de conduction, à partir du substrat, dans la 20 couche épitaxiale, cette impureté étant'appliquée avant l'application de la couche épitaxiale, par diffusion locale dans le substrat, cette impureté présentant un plus grand coefficient de diffusion et étant diffusée avec une plus faible concentration dans la couche épitaxiale que l'impureté provoquant l'autre type 25 de conduction à l'aide de laquelle est réalisée la couche enfoncée de l'autre type de conduction. 8. Procédé selon l'une des revendications 5 à 7» caractérisé en ce qu'on réalise une zone émettrice constituée par 4leux zones partielles qui se raccordent l'une à l'autre de façon que seule 30 line zone partielle joigne la couche enfoncée et que l'autre soit aussi épaisse que la zone collectrice et soit située à plus courte distance de la zone collectrice que la première zone partielle, alors que 1'autre zone partielle et la zone collectrice sont réalisées simultanément dans un caisson sous forme de zones super-35 ficielles diffusées* 9. Procédé selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce que les parties des zones séparatrices atteignent la surface de la couche épitaxiale, l'autre zone partielle de la zone émettrice et la zone collectrice sont réalisées simultanément par diffusion