FR 2000604 A1 19690912 FR 6901160 A 19690122 69 0 i i o U t 2000604 La présente invention a essentiellement pour objet un semiconducteur et plus particulièrement l'amélioration des moyens permettant de maintenir en place une rondelle d'un semi-conducteur comportant au moins une jonction P-N. 5 Les semi-conducteurs de puissance du type classique comportent^ dans la plupart des cas, une rondelle avec une couche d'alliage agencée en contact non redresseur sur au moins une des surfaces opposées et solidement reliée à une plaque support métallique, dont le coefficient de dilatation thermique est voisin de celui du tO matériau utilisé pour le semi-conducteur en vue d'éviter la fatigue thermique du matériau utilisé. La rondelle du semi-conducteur étant par exemple, du silicium, la plaque support pourrait être exécutée en molybdène, tungstène ou un matériau analogue et le matériau d'alliage et de liaison dénommé brasure pourra être de 15 l'aluminium, de l'alliage en or et en bore, des alliage d'or et d'antimoine, des alliages d'argent de plomb et d'antimoine, etc... en forme de feuille mince . Le coefficient de dilatation thermique de ces brasures diffère sensiblement de celui du matériau formant le semi-conducteur et c'est pourquoi „ce dernier se déforme et 20 se craquelle considérablement pendant le processus d'alliage et de jonction. Pour empêcher l'apparition de ces déformations et fentes, le matériau choisi pour la plaque support présentait des propriétés de dilatation analogues au matériau utilisé pour le semi-conducteur. En raison de l'exigence récente visant à augmenter la capaci-25 té et la rigidité diélectrique du semi-conducteur, le rayon et l'épaisseur des rondelles utilisées sont devenus de plus en plus grands. Cet accroissement du rayon de la rondelle de semi-conductim a entraîné une augmentation du rayon de la plaque support associée parce que celle-ci doit recouvrir entièrement la face de la 30 rondelle. En superposant la rondelle du semi-conducteur sur la plaque support, une couche de brasure se trouvant intercalée entre les deux,et; en les reliant en un ensemble unitaire, la flexion de la rondelle et de la plaque provoque des contraintes dans les matériaux de ces éléments.En admettant que la rondelle du semi-conducteur est 35 circulaire, son taux de flexion est directement proportionnel au carré du rayon et inversement proportionnel à l'épaisseur. D'autre part, la contrainte provoquée dans le matériau du semi-conducteur qui résulte du processus d'alliage et de liaison est non seulement directement proportionnelle à la flexion, mais elle au^paeate avec le réyon et l'épaisseur de la rondelle. On a donc supposé qu'un L.-.D ORIGINAL 69 01160 2 2000604 effort de cisaillement sur la parti© périphérique de la rondelle peut atteindre plusieurs fois le taux moyen de contraintes exercées sur cette partie. La flexion de la rondelle du semiconducteur décrite précédemment influe sensiblement sur les 5 caractéristiques du semi-conducteur et notamment sur la jonction P.N. constituée dans la rondelle. En outre, la répétition des cycles thermiques est susceptible d ' endommager et/ou entraîner la rupture de la rondelle- du a ©ai-coiidue t eur pendant le fonctionnement<> 10 On se rend clairement ©capte que si sa essaie d'augmenter le diamètre et l'épaisseur do la rondelle du semi-conducteur en vue d'accroître sa capacité ©t sa rigidité.diélectrique, il sera difficile de réaliser un eeni-conduotsur qui soit satisfaisant du point de vue électrique et mécanique * semi-conducteur du type £5 dans lequel la rondelle est soudée jpœ alliage à la plaque support au moyen d'une brasure», à soins que l'on ait les moyens permettant de supprimer l°aiigffi®sitation des tensions et des efforts dans la rondelle utilisé© apparaissant avec l'augmentation de son diaiaètrefst de son épaisseur® Les moyens envisagégfcâsant 20 à supprimer 1'augmentation des contraintes sur le semi-conducteur peuvent consister à utiliser une plaque support avec un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique approximatif à celui du matériau du semi-conducteur par rapport air matériaux classiques utilisés pour la plaque. Actuellement, ces matériaux sont diffici-25 les à obtenir dans le commenceo C'est pourquoi il est effectivement impossible de réaliser les saai-eonducteurs décrits précédemment en se basant sur la production industrielle. La présente invention a pour objet de fournir un nouveau support amélioré pour vsa® rondelle à® semi-conducteur de manière 50 à empêcher l'apparition d'une contrainte élevée dans le matériau, même si 1® s?ay©a et 1 * épaisseiH? de la rondelle devaient augmeater» Soloa la présente inventica, le eemi—conducteur comporte une roaàeXX® avec deux faces opposées parallèles et au moins une ✓5 joaeiîoa ïJ»s des moyens permettant de maintenir la rondelle en place sou® pression caractérisée en ce que chaque face de la roMell® ceapor-t® un contact ©hmiqos et qu'elle est essentiellement constituée par vm. des éléments choisi dans 1© groupe comprenant l*aIœai&li2B» 1?osp» l'argent et le niokgi et des moyens constitués 40 .paî^@i3S supports plats permettant d'enserrer la rondelle du-semi- bad original 69 01160 3 2000604 conducteur entre les deux éléments pour établir le glissement des contacts ohmiques et des moyens de pression permettant d'appliquer les plaques supports l'une contre l'autre, la rondelle étant maintenue de manière élastique entre ces deux éléments» 5 la plaque support est de préférence réalisée dans un maté riau ayant un coefficient de dilatation thermique voisin de celui du semi-conducteur. les dèux plaques supports doivent de préférence présenter des zones de contact égales pour permettre d'établir un contact 10 entre les plaques et les contacts ohmiques de la rondelle et de les superposer l'un à l'autre, la rondelle du semi-conducteur étant intercalée entre les plaques supports. l'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques et avantagesde celle-ci apparaîtront au cours de la 15 description explicative qui va suivre, en se reportant aux dessins schématiques annexés, donnés uniquement à titre d'exemple illustrant deux modes de réalisation de l'invention et dans lesquels ï - la figure 1 est un relevé graphique de la caractéristique 20 inverse tension courant d'un semi-conducteur selon la présente invention par rapport à l'art antérieur; - la figure 2 est une vue de côté éclatée partiellement en coupe d'un semi-conducteur selon la présente invention; - la figure 3 est une vue de côté partiellement en coupe 25 d'un autre mode de réalisation de la présente invention. les semi-conducteurs classiques comportent une rondelle avec deux faces opposées et une plaque support soudée sur chacune des surfaces de la rondelle au moyen d'une couche de brasure, l'opération de brasage provoquant la flexion de la rondelle etvde la 30 plaque comme décrit précédemment. La flexion de la rondelle et de la plaque augmente avec l&ccroissèment de leursdiamètre et épaisseur. u Une rondelle au silicium par exemple, d'un diamètre de 38 mm, d'une épaisseur de 0,51 mm et comportant une jonction P.N. possédait 35 sur l'une de ses surfaces une feuille en aluminium d'une épaisseur de 0,05 mm avec un diamètre correspondant à celui de la rondelle. Une plaque support en tungstène d'une épaisseur de 2 mm et ayant un diamètre égal à celui de la rondelle est appliquée sur la feuille en aluminium; L'assemblage ainsi formé fut placé dans un 40 gabarit en graphite et chauffé à 700°0 sous vide pour être réuni 69 01160 4 2000604 en un ensemble unifié» Pendant l'opération de chauffage» l'assemblage formé par la rondelle et la plaque subit une flexion de telle façon que la surface exposée de la plaque devint concave. C'est ainsi qu'au centre de la surface exposée de la rondelle, la 5 flexion s'élevait à environ 25 microns. On a donc constaté que la rondelle concave du semi-conducteur avait une force de cisaillement considérable qui s'exerçait sur la partie périphérique, la flexion de la rondelle au silicium affectera négativement les caractéristiques électriques de la jonction P.N. et provoquera 10 notamment une élévation du courant de fuite dans la direction inverse. Pour démontrer expérimentalement cette augmentation du courant; de fuite dans la direction inverse, le bord de la rondelle fixée sur la plaque comme décrit précédemment fut soumis à un procédé 15 de sablage de façon à couper la collerette d'une largeur de 0,5 mm à un angle de 40° environ par rapport à l'horizon en vue d'obtenir une surface chanfreinée, tandis que la jonction P.N. restaitexposée, la surface de la rondelle fut totalement recouverte par tin produit anti-corrosif à l'exception de l'extrémité exposée 20 de la jonction P.N. et la partie de la surface adjacente à la jonction, la rondelle fut finalement décapée dans un mélange d'acide nitrique et d'acide fluorhydrique après quoi on a mesuré à une température de 150°C la caractéristique inverse du dispositif. 25 1® résultat des âiesures est représenté par la courbe I sur la figure 1, l'axe des abscisses représentant une tension inverse en volts passant par la jonction P.N. et l'axe des ordonnées indiquant un courant de fuite en milliampères traversant la jonction P.N, En vue de vérifier cette expérience, une rondelle au 30 silicium identique à la rondelle décrite précédemment comportant une couche en aluminium d'une épaisseur de 10 microns environ déposée par évaporation sur l'une de ses faces et finalement agglomérée à environ 600°c* fut soumise à la même opération et mesurée de la même manière que décrite précédemment, le résultat 35 des mesures est illustré par la courbe II sur la figure 1j en comparant la courbe I à la courbe II il ressort que le montage rondelle-plaque présente des courants de fuitqlbeaucoup plus élevés. 69 01160 5 2000604 En se basant sur un articles Monsieur N. Klein intitulé "Contraintes et fatigue thermiques sur les redresseurs de puissance au silicium" et publié dans Â.I.E.E., Communication and Electronics, vol, 71 1964, page 208, on a calculé l'effort de 5 compression sur la rondelle au silicium comprenant la jonction P.N. Les résultats obtenus ont montré que la contrainte s'élevait à environ 1.427 kg/cm2 à -30°C • On estime donc que sur la rondelle avec un diamètre de 38 mm comme dans l'exemple précité, le bord aurait exercé une force de cisaillement égale en deux ou 10 trois fois la contrainte moyenne, cette forcedépassant la limite supérieure de la résistance maximunjdu silicium. Les résultats de l'expérience ont montré que les rondelles de semi-conducteur qui ont différentes impuretés diffusées par chaleur à l'intérieur des matériaux et qui sont réunies à une plaque support comme 15 décrit précédemment ont été brisées par endroit à -40°C. La présente invention a pour but d'éliminer les défauts précités. Un mode de réalisation préférentiel étant illustré sur la figure 2, un semi-conducteur généralement désigné par le repère 20 10 comporte une rondelle fabriquée à partir d'un matériau de semi- conduction approprié. La rondelle représentée qui était du silicium du type n avait la forme d'un disque d'un diamètre de 38 mm et d'une épaisseur de 0,5 mm, mais il va de soi que cet élément peut avoir n'importe quelle autre forme et que ses dimen- 25 sions peuvent être différentes de ceiles indiquées précédemment. Fuis on a diffusé du gallium sur l'une des faces opposées de la rondelle 12 de manière à obtenir une couche de diffusion 14 du type j> permettant de délimiter une jonction P.N® 16 entre cette dernière et le substrat 18 du type n . Ensuite, on a fortement 30 doper l'autre surface de la rondelle 12 au phosphore de manière 20 à obtenir une concentration de 1 x 10 atomes environ par centimètre cube qui forme une couche de diffusion 20 du type n+ déterminant une jonction 22 N-N+ entre cette dernière et lé substrat 18. Il va de soi qu'on peut utiliser des matériaux appro-35 priés contenant des impuretés autres que le gallium et le phosphore. Puis on dépose par évaporation sur les faces opposées de la rondelle 12 à l'exception des zones périphériques de mine©s couches circulaires en aluminium 24 et 26 d'une épaisseur de 5 à 10 microns. 40 Après avoir été agglomérées» les deux couches 24 et 26 sont placées BAP ORIGINAL 69 01160 6 2000604 en contact ohmique avec les faces principales de la rondelle. Une collerette 28 réalisée à partir d'un matériau identique à celui du matériau utilisé pour la rondelle 12 et comportant une feuille circulaire 30 en aluminium fiit placée sur la surface exposée de la 5 couche de diffusion 14 du type £ ou dans la zone périphérique de la face de la rondelle adjacente à la jonction 16 P.N. qui ne comporte pas de dépôt en aluminium. Ces éléments sont chauffés à envirdta. 660°C de manière & former un assemblage unifié. Dans ce mode de réalisation qui est illustré» la collerette 28 est en 10 silicium at a un diamètre extérieur de 40 mms un diamètre intérieur de 34 am et une épaisseur de 0,80 mm, alors que la feuille en aluminium 30 avait un diamètre extérieur de 38 mm, un diamètre intérieur de 34 mm et une épaisseur de 0,02 mm„ Le pourtour de la rondelle 12 et la partie adjacente de la 15 collerette 28 sont soumis à une opération de sablage de manière à obtenir un cône tronqué dont l'extrémité fermée se trouve du côté de l'élément 10. Pour rendre la surface périphérique de la rondelle 12 inactive, on utilise un procédé de décapage classique. Un bloc annulaire 32 constitué en un matériau de protection 20 approprié tel que de la résine de silicone est adapté sur la rondelle 12 et la partie adjacente de la collerette au silicium 28 de manière à compléter le semi-conducteur 10, alors que les couches 24 et 26 en aluminium constituent respectivement une anode et une cathode. Le semi-conducteur 10 est une diode 25 redresseur. La collerette 28 comporte à l'intérieur une plaque support 34 de forme complémentaire et dont le diamètre axial est légèrement supérieur à ledit intérieur® La surface de la plaque support 34 en relation avec le contact ohmique 24 de la rondelle 12 comporte 30 une couche mince 36 d'un métal approprié et de préférence identi^ que au matériau formant le contact ohmique 24. La plaque 34 est placée dans la collerette 28 sous une pression appropriée. Dans l'exemple indiqué, la plaque support 14 a été constitué en tungstène et placée dans un anneau ayant un diamètre de 33,5 mm et une 35 épaisseur de 1 mm, les surfaces opposées se terminant en plans parallèles. Une autre plaque support 38 analogue à la plaque 34 étant disposée sous «ne pression appropriée dans tm bloc annulaire 32, comporte une mince couche 40 en un métal approprié permettant 40 d'établir le contact avec le contact ohmique 26 sur la rondelle BAD ORIGINAL 69 01160 7 2000604 12. le matériau utilisé pour la couche 40 est de préférence identique à celui du contact ohmique 26. Dans l'exemple indiqué la dimension et le matériau utilisé pour la plaque support 28 était identique à ceux de la plaque support 34. 5 les plaques supports 34 et 38 sont superposées, la rondelle 12 se trouvant placée entre les deux éléments, et sont maintenues de manière élastique avec l'élément 10 au moyen de ressorts, ceux-ci notant pas représentés sur la figure 2. Cette disposition permet à chacune des plaques supports 34 et 38 de coulisser par 10 rapport à l'élément 10. les éléments décrits précédemment sont assemblés de manière à former un ensemble comme indiqué sur la figure 3, les repères numériques désignant les éléments correspondants indiqués sur la figure 2. 15 Un assemblage indiqué sur la figure 3 comprend un bloc scellé désigné par le repère 50 sur le côté de la cathode, le bloc 50 comporte tin élément cylindrique creux 32 constitué dans un matériau approprié en céramique, avec une arête vive 54 sur la zone périphérique, et un élément cylindrique 56 réalisé dans un 20 matériau approprié présentant des propriétés de conductibilité électriques telles que le cuivre, permettant de fixer une plaque support 38 sur le semi-conducteur 10 du côté de la cathode. 1*élément 56 comporte sur le côté orienté vers la plaque support 38 une rainure 58 qui est suffisante pour assembler fixement ces 25 deux éléments. La bride 58 de la cathode qui est réalisée dans un ■étal approprié tel que le kovar est brasé sur celui des côtés distante de l'élément 10 de la partie cylindrique56 et de l'extrémité adjacente à l'élément céramique 52 au moyen d'une soudure d'argent 60. L'élément en céramique 52 comporte également 30 une bride d'étanchéité 62 en kovar brasé qur l'extrémité opposée au moyen d'une brasure d'argent 60«. Un élément cylindrique creux 64 Jbéalisé dâns un matériau approprié isolant à l'électricité est adapté sur l'élément cylindrique 56 dans le but de maintenir l'élément 10 en place dans 35 l'élément cylindrique creux 52. Sur cette extrémité, l'élément isolant 64 possède un diamètre intérieur suffisant pour y fixer l'élément 10; Finalement la plaque support 38 est logée dans la rainure 58 de l'éléaent métallique 56, puis 1'élément 10 et une plaque support 34 sont disposés sur la plaque 38 dans l'ordre 40 indiqué. 69 01160 8 2000604 En admettant que le semi-conducteur 10 et les éléments associés ont des dimensions correspondant à celles indiquées précédemment, la rainure 58 sur la cathode 56 a un diamètre de 33,6 mm, une profondeur de 0,5 mm et un fond plat uniforme, un 5 disque en argent de 32 mm de diamètre et d'une épaisseur de 0,2 mm étant brasé dans la rainure. La surface du disque en argent présentait une rugosité d'environ 5 microns au moins. L'élément isolant 64 avait un diamètre intérieur de 41 mm. Une plaque 68 isolante à l'électricité sur laquelle se 10 trouve un bloc métallique étanche 70 est disposés sur la plaque support 34 du côté de l'anode du semi-conducteur 10. Le bloc 70 qui a la forme d'un cylindre est muni d'un corps circulaire et d'une bride anode 72 de coupe transversale en forme de S qui est brasée à une extrémité sur l'épaulement 'extérieur du 15 rebord au moyen d'une brasure 62" et fixée à l'autre extrémité sur le côté libre de la bride 62 par soudure à l'arc avec de l'argon 74. Il y a lieu de remarquer que le semi-conducteur 10 comprenant une jonction P.B. est entièrement isolé de l'atmosphère et 20 maintenu de manière élastique entre les blocs 50 et 70 grâce & l'action des ressorts assurée par la bride d'étanchéité 72 ayant une coupe transversale en forme de S . Du fait que les plaques support 34 et 38 sont disposées entre la rondelle 12 et les éléments 56 et 70 par des moyens mécaniques 25 plutôt que par brasage ou soudage utilisés antérieurement, le problème de la fatigue thermique apparaissant dans le montage est complètement éliminé. En outre, même si des dilatations et contractions thermiques devaient apparaître en différents degrés dans les matériaux des éléments 56 et 70, ces dilatations et 30 contractions seraient absorbées par ui/coulissement sur les faces de la rondelle et de la plaque support,ce qui aura pour résultat de réduire la flexion et l'effort de cisaillement apparaissant sur le matériau de la rondelle du semi-conducteur à un point signifiant. Ainsi, la rondelle est effectivement dans l'impossibi-35 lité de provoquer la fatigue theradque pendant le service. Pourtant la pression appliquée sur le semi-conducteur 10 par la bride élastique 72 à travers le bloc d'étanchéité 70 peut être insuffisante pour garantir un bon fonctionaement du semi-conducteur 10. Pour assurer le bon fonctionnement du semi-conducteur 10, il 40 sera nécessaire de placer des ressorts puissants à l'extérieur de 69 01160 9 ?nOO604 de l'assemblage indiqué sur la figure 3, de manière qu'une forte O ' application de 100 à 300 kg/cm soit exercée sur les surfaces conjointes de la rondelle du semi-conducteur. Cette mesure a pour but d'assurer un bon ciontact électrique et mécanique entre chaque 5 plaque support et le contact ohmique adjacent sur chacun des côtés de la rondelle. Il est rappelé que l'aluminium qui a un coefficient élastique faible et une grande ductilité a été déposé et aggloméré sur les surfaces de la rondelle 12 du semi-conducteur de manière à former 10 les couches 24 et 26 qui servent de contacts ohmiques à l'élément. De ce fait, la rondelle 12 n'est soumise à aucune flexion ni à aucune force de cisaillement à la suite de la formation des contacts ohmiques sur les surfaces. Ceux-oi£ontribuent ave oie s plaques Y supports34 et 38 disposées entre la rondelle 12 et les éléments 15 56 et 70 à empêcher les contraintes thermiques brutales sur les éléments d'étanchéification, d'être directement transmise sur la rondelle 12. Ceci est dû au fait que la plaque support est constituée dans un métal approprié tel que le tungstène dont le coefficient de dilatation thermique est analogue à celui du matériau 20 de la rondelle qui est dans ce cas du silicium et possède un coefficient élastique très élevé. Il est en outre rappelé que le semi-conducteur 10 a seulement été constitué par la rondelle et les collerettes 12 et 28, chacune ces éléments étant fabriqués à partir d'un matériau analogue. 25 Pendant le décapage, la rondelle est efficacement protégée contre toute contamination par un matériau différent. Par contre, on a essayé antérieurement d'utiliser des matériaux dissemblables pour réaliser ces rondelles et collerettes. Par exemple une collerette en tungstène ou en molybdène pouvait être brasée ou soudée sur une 30 rondelle au silicium d'un semi-conducteur. Pendant le décapage le tungstène ou le molybdène était dissous dans une solution décapante entraînant une contamination de la rondelle, de sorte que les propriétés électriques du semi-conducteur terminé étaient affectées négativement. 35 Dans les exemples illustrés les plaques supports 34 et 38 ont été réalisées au tungstène. Il ressort que ces éléments sont formés par un métal approprié dont le coefficient de dilatation thermique est voisin de celui du silicium. Outre le silicium, les matériaux tels que le germanium, le molybdène, le tantale, le 40 kovar, etc... peuvent être combinés aux rondelles au silicium. 69 01160 10 2C00604 Gomme dans l'exemple indiqué, on peut avec la rondelle au'silicium utiliser des plaques supports fabriquées à partir du même matériau. Dans ce dernier cas, la rondelle du semi-conducteur a un coefficient de dilatation thermique et par conséquent des degrés de 5 dilatation et d'expansion thermiques identiques aux plaques supports,ce qui réduit en outre la tension qui peut apparaître dans le matériau de la rondelle. Il y a lieu de noter que la rondelle au silicium du semiconducteur devrait être formée avec du silicium présentant un 10 degré de pureté très élevé, tandis que les plaques supports peuvent être formées avec du silicium ayant un degré de pureté faible. lorsqu'on utilise des rondelles au germanium, les plaques supports sont de préférence réalisées avec du germanium, du tungstène, du molybdène, du tantale ou du kovar. 15 II y a également lieu de rappeler que dans le mode de réali sation indiqué, les deux plaques supports sont en contact avec les faces adjacentes de la rondelle dont les parties circulaires sont du même diamètre. Cette mesure permet d'appliquer des pressions uniformes et normales sur les faces respectives de la 20 rondelle, tandis que la construction des éléments associée pourrait être simplifiée et leur interchangeabilité accrue. la couche d'aluMnium 36 ou 40 sur chacune des plaques supporte 34 ou 38 sert à maintenir cette plaque en contact intime avec la smrface correspondante de la rondelle et permet de diminuer la 25 résistance de contact et d'assurer le coulissement entre ces faces. On peut également supprimer la couche en aluminium. Parmi les métaux susceptibles d'être utilisés pour les contacts ohmiques 24 et 26 précités, on peut citer outre l'aluminium, l'or, l'argent, le nickel, etc... Chacun de ces métaux 30 pourrait être avantageusement déposé ou placé en plaque sur les faces de la rondelle. Alors que la description de la présente invention concerne une diode au silicium comprenant une jonction P.N., il est bien entendu que cette application concerne également les diodes de 35 semi-conducteurs constituées par exemple en germanium, de composés III-V ou analogues. Il est également entendu que la présente invention peut également s'appliquer à une variété de semiconducteurs, tels que des thyristors, transistors, etc... 69 01160 11 2000604 Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée aux modes de réalisation décrits et représentés qui n'ont été donnés qu'à titre d'exemple. En particulier, elle comprend tous les moyens constituant des équivalents techniques des moyens décrits ainsi 5 que leurs combinaisons, si celles-ci sont exécutées dans l'esprit de l'invention. 69 01160 12 2000604 aBVEUPIOAI-IOHS 1Un semi-conducteur comportant une rondelle réalisée dans un matériau de semi-conduction ayant deux surfaces opposées parallèles et au moins une jonction P.N., et des moyens destinés à maintenir la rondelle en place par pression, caractérisé en ce 5 que chacune des faces de la rondelle comporte un contact ohmique et qu'elle est essentiellement constituée par l'un des métaux choisis dans le groupe comprenant l'aluminium, l'or, l'argent et le nickel, et que lesdits supports sont constitués par deux plaques planes permettant d'enserrer ladite rondelle entre leurs 10 surfaces pour établir un contact de glissement sur lesdits contacts ohmiques et des moyens de pression permettant d'appliquer lesdites plaques supports l'une contre l'autre en vue de maintenir d'une manière élastique ladite rondelle placée entre leurs surfaces. 15 2.- Un semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite plaque support est constituée dans un métal dont le coefficient de dilatation thermique est substantiellement voisin de celui du matériau formant la rondelle. 3.- Un semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé 20 en ce que ladite plaque support est exécutée dans un matériau identique à celui utilisé pour la rondelle du semi-conducteur. 4.- Un semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite rondelle est formée de silicium et que ladite plaque support est exécutée dans un matériau choisi dans le groupe 25 comprenant le silicium, le germanium, le tungstène, le molybdène le tantale et le kovar. 5.- Un semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite rondelle est réalisée en germanium, et que ladite plaque support est exécutée dans un métal choisi dans le groupe 30 comprenant le silicium, le germanium, le tungstène, le molybdène, le tantale et le kovar. 6.- Un semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites plaques support sont superposées, ladite rondells du semi-conducteur se trouvant placée en sandwich entre les deux, 35 alors que lesdites plaques supports ont la même surface dont chacune est en contact avec le contact ohmique afférent de ladite rondelle. 69 01160 13 2000604 7.-Un semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que chacune des plaques supports possède une surface plate qui est pourvue d'une mince couche de métal identique à celui du 5 contact ohmique et permettant d'établir un contact avec le contact ohmique adjacent.