FR 2015224 A1 19700424 FR 6927068 A 19690806 69 27068 1 2015224 L'invention concerne d'une manière générale les transducteurs électromécaniques et plus particulièrement un ensemble transducteur dans lequel une jonction semi-conductrice est mise sous contrainte par une entrée mécanique. 5 On connaît de nombreux types de transducteurs de pression qui ont pour but de transformer un signal mécanique en un signal électrique. Ces transducteurs sont basés sur des principes nombreux et divers, tels que la modification des propriétés électriques d'un conducteur, les variations de capacité résultant d'un dépla-1o cernent mécanique et les effets piézo-électriques ou de magnétostriction. Divers types de tels transducteurs se sont révélés utiles dans des milieux spécifiques et dans des intervalles particuliers de pression ou de force. On a proposé récemment un autre type de transducteur qui 15 utilise la contrainte anisotropique dans une jonction semi- conductrice comme base de la traduction d'une force mécanique en un signal électrique. Dans ce type de transducteur, une pression localisée sur une surface semi-conductrice parallèle au plan d'une jonction entre deux aires ayant des types de conductivité diffé-20 rents, produit des changements importants et réversibles des caractéristiques de la jonction. Des transducteurs utilisant cet effet sont décrits dans de nombreux brevets américains comprenant notamment les brevets ET0 3.339.085, 3-283.271 et 3-270.555- 0e transducteur s'est révélé très utile en raison de sa haute 25 sensibilité, d'un intervalle dynamique étendu (intervalle des forces agissantes), de sa linéarité, de la hauteur du signal produit et de sa stabilité, et ce, dans des conditions très diverses d'environnement. En outre, il se prête lui-même naturellement à la miniaturisation et à l'association ou combinaison avec des 30 micro-circuits. Un ensemble comprenant un tel transducteur est par exemple décrit dans la demande de brevet américain IsT0 501.254, dont un mode de réalisation est reproduit, en coupe verticale axiale, sur la figure 1 des dessins de la présente demande. Selon ce mode de construction du transducteur à jonction 35 piézo-électrique, l'extrémité pointue d'un stylet 13 est pressée sur l'aimant semi-conducteur en forme de petite plaquette comprenant une région d'un premier type de conductivité 18 séparée par 4 69 27068 2 2015224 ■une jonction plane 16 d'une région d'un second type de conductivité 20. la plaquette semi-conductrice est montée sur un socle 10 tandis qu'un petit anneau cylindrique 12 est aussi monté sur le socle de façon à entourer la plaquette précitée. Une membrane ou diaphragme métallique 26 est fixée en travers de l'extrémité ouverte du cylindre et l'extrémité émoussée du stylet pointu 13 est fixée,1d'une manière typique,au moyen d'une résine époxy 19, dans la région centrale dudit diaphragme, le socle peut être pourvu d'ouvertures 14 de sorte que la pression exercée sur la face externe du socle puisse être transmise à la face interne du diaphragme; le boîtier peut, être aussi scellé en vue de la mesure de la pression absolue. La connexion électrique du semiconducteur à la région 18 peut être faite au moyen d'un conducteur isolé 15 et à la région 16 par l'intermédiaire d'un téton 17 et du socle 10. Dans le cas de dispositifs à jonctions multiples, tels que des transistors, des conducteurs supplémentaires, similaires au conducteur 15 sont prévus. La pression exercée sur chaque côté du diaphragme produit un changement de la force exercée par la pointe du stylet 13 sur la surface semi-conductrice et la jonction sous-jacente. En raison de l'effet de contrainte anisotropique, une modification de la contrainte au niveau de la jonction produit un changement des caractéristiques de la jonction et, par là, une modification du signal électrique. Puisqu'une 'force de compression initiale nette doit être exercée sur le stylet pour permettre au transducteur de fonctionner dans les deux sens, une force de polarisation est requise. Cette force ou précharge est obtenue par la déflection ou déformation du diaphragme (précontrainte) au cours de la construction, de sorte que, lorsque l'ensemble est terminé, le point de charge nulle du dispositif se situe approximativement au milieu de la portion linéaire de la caractéristique tension-pression. En pratique,- on a trouvé que ce type d'ensemble transducteur était limité à l'utilisation pour un intervalle de pression diffé-tielle maximal d'environ 0,07 kg/cm2. A des pressions inférieures, à cette valeur,, il convient d'utiliser un diaphragme de résistance à la déformation relativement élevé . D'une façon typique, le 69 27068 3 2015224 diaphragme 26 peut être obtenu à partir d'une feuille d'alliage béryllium-cuivre de 0,038 mm d'épaisseur montée sur m anneau 12 en Kovar de 0,18 mm d'épaisseur, la résistance à la déformation de ce diaphragme doit être beaucoup plus élevée que celle de n'importe quelle autre partie de l'ensemble. Afin de polariser 5 le dispositif comme décrit ci-dessus, le centre du diaphragme doit être défléchi d'environ 7,6 microns. Des variations de température provoquent de petites modifications dimensionnelles de toutes les parties constitutives. Par exemple, le changement de dimension axiale de la résine époxy 19 est d'environ 0,076 10 micron pour une variation de température de 50°C, ce qui est une fraction non négligeable ou significative de la déflection de précharge du diaphragme, et par conséquent produit un changement important de la force de polarisation et de la mise à zéro résultante du dispositif, les changements dimensionnels, induits 15 par voie thermique, des autres parties de 1'ensemble sont également significatifs. Si l'on essaye de faire décroître la sensibilité en utilisant un diaphragme plus rigide, les modifications dimensionnelles induites thermiquement deviennent même beaucoup plus significati-20 ves, puisque la déflection ou déviation d'un tel diaphragme, nécessaire pour obtenir la polarisation correcte devient plus petite et puisque, par conséquent, les changements dimensionnels induits thermiquement deviennent proportionnellement plus grands et peuvent effectivement dépasser la déflection de polarisation, 25 même pour de petits changements de température, qui font qu'un tel arrangement perd son utilité pratique. Ainsi, la méthode de modification de la sensibilité, bien connue dans la technique des transducteurs, ne s'est pas révélée appropriée pour les dispositifs de piezo-jonction, dont l'utilisation a par conséquent été 30 limitée à fonctionner dans le cas d'intërvalles de pression différentielle très faibles. l'invention sera maintenant illustrée en référence aux dessins annexés, dans lesquels : - la figure 1, est une vue en coupe axiale d'un ensemble 35 transducteur de type connu; - la figure 2 est une vue en coupe axiale d'un ensemble 69 27068 4 2015224 transducteur mettant en oeuvre les caractéristiques de la présente invention; - les figures 3a, 3a1, 3b, 3b', 3c et 3c', sont des vues schématiques des modèles des constantes de compression et des diagrammes de forces, correspondant à l'application de la force 5 en différents points de l'ensemble de la figure 1; - la figure 4 est une vue en plan de l'ensemble de la figure 2; . - la figure 5 est une vue en plan d'un ensemble transducteur selon un second mode de réalisation de la présente invention; 10 - la figure 6 est une vue en coupe axiale d'un ensemble transducteur selon encore un autre mode de réalisation de la présente invention; - la figure 6a est une vue en plan de l'ensemble de la figure g; ^ 15 - la figure 7 est Un' schéma de la configuration d'un circuit typique ; - la figure 8 est une représentation graphique des caractéristiques tension-pression d'une part d'un ensémble transducteur de type connu et d'autre part d'un ensemble transducteur conforme 20 à la présente invention; et - la figure 9 est une-vue axiale d'un ensemble transducteur selon un autre .mode de réalisation de la présente invention. D'une façon générale, le transducteur de la présente invention est formé par addition au diaphragme d'un ensemble de type 25 connu, d'un élément structural qui transmet la force ou pression externe appliquée sur le diaphragme, à de nombreux points distribuée de façon discontinue en fonction de la position du stylet. Cet élément structural est constitué soit de façon à être suffisamment rigide et à posséder un jeu suffisant vis-à-vis du 30 diaphragme, dans la direction axiale, pour prévenir tous changements de la position du contact avec le diaphragme lorsque la charge est appliquée, soit, dans un mode de réalisation différent de l'invention, construit intentionnellement pour que sa forme soit modifiée et par conséquent son contact avec le 35 diaphragme lorsque la charge mécanique est appliquée, de façon à modifier les relations entre l'entrée mécanique et-le signal électrique de sortie. 69 27068 5 2015224 Un élément approprié du premier type est constitué par un dôme ou coupole convexe qui est fixé au diaphragme concave seulement au niveau de la périphérie dudit dôme, le diamètre de ce dôme peut être aussi large ou plus large que le diamètre du 5 "diaphragme. Avec cette coœtruction, la charge mécanique est répartie proportionnellement entre le stylet et l'anneau de support. Lorsque le diamètre du dôme est accru, l'anneau est constitué de façon à supporter une plus grande portion de la charge mécanique totale, tandis que la charge appliquée au stylet décroît. La 1o charge totale à laquelle le transducteur est sensible est par conséquent accrue, c'est-à-dire que la sensibilité du transducteur décroît à volonté. Cependant, la résistance à la déformation du diaphragme est seulement légèrement réduite par l'addition du dôme, et, par conséquent, le degré de déflection du diaphragme 15 nécessaire à la polarisation reste approximativement le même que dans le cas des ensembles de haute sensibilité de l'art antérieur; ainsi, l'ensemble de la présente invention n'est pas., de façon significative ou importante, plus sensible que les dispositifs de l'art antérieur, vis-à-vis des modifications induites 20 thermiquement. Afin d'obtenir la réponse symétrique et le rejet ou refoulement de pression élevé de type usuel, souhaitable aussi bien dans le cas des transducteurs de pression différentielle 'que dans le cas des transducteurs de force, le diaphragme principal doit 25 posséder au moins une ouverture dans la zone du dôme de façon à permettre à la pression interne (pression de référence) de s'exercer sur la surface interne du dôme, tandis que la seconde pression appliquée s'exerce contre la surface opposée (surface externe) du sôme. 30 Lorsque le transducteur doit être utilisé pour la mesure des pressions, le contact entre le dôme et le diaphragme doit être continu et fournir un joint étanche entre les volumes interne et externe. Dans le cas de la mesure d'une force ou charge, le dôme et le diaphragme n'ont pas besoin d'être constitués par 35 des surfaces continues et il n'est pas nécessaire non plus, que le contact entre le dôme ou autre élément structurel similaire de l'invention, et le diaphragme, soit continu et forme un joint étanche. 69 27068 6 2015224 En se référant à la figure 2, on voit un ensemble transducteur conforme à la présente invention. Un semi-conducteur 30 est monté sur un socle 31 et un anneau cylindrique à section circulaire 32 de .support est aussi monté sur ce socle. Un 5 stylet 34 possède une extrémité appuyée contre la surface du semi-conducteur, tandis que l'autre extrémité de ce stylet est fixée au moyen d'une résine époxy 35, approximativement au centre d'un diaphragme 38, ce dernier étant fixé-, de façon-typique par soudure, à l'anneau 32. 10 le diaphragme 38 est percé d'ouvertures 40. Un dôme ou disque additionnel 45 est fixé par sa périphérie au diaphragme 38. Ainsi qu'on le voit plus clairement sur la figure 4» le dôme 45 est de diamètre égal à, ou plus petit que, celui de l'anneau de support 32. la plaquette semi-conductrice peut être 15 de toute configuration appropriée, et comporter typiquement au moins une jonction P-N 'parallèle à et s'étendant en dessous et à proximité de la surface sur laquelle porte le stylet. Un semiconducteur typique est constitué par un transistor plan UEd au silicium, avec le stylet pressant la jonction emetteur-base. Les ' 20 connexions électriques à ce semi-conducteur sont obtenues par l'intermédiaire des contacts 46 et 47 et 49- L'ensemble de base peut être formé en utilisant des matériaux en nombre et/ou dimensions quelconques: Le critère principal est que les résistances à la déformation par compression de l'anneau 32, du stylet 25 34, du semi-conducteur 30 et du socle 31 soient substantiellement inférieures à celle du diaphragme 38. L'alliage Eovar s'est révélé un matériau approprié à la fois pour constituer le socle et l'anneau de support. Les dimënsions typiques pour le diamètre interne de l'anneau sont de 4,2 mm pour-une paroi dê 0,18 mm 30 d'épaisseur. Le stylet 34 peut être constitué soit d'un matériau uniformément dur, soit d'un matériau moyennement dur, tel que -l'acier, et être alors muni d'une pointe en diamant, la résine époxy utilisée pour fixer le stylet 34 et le dôme 45 au diaphragme 38 est de tout type en soi connu. 35 Une configuration typique de circuit utilisable avec le transducteur 47 décrit ci-dessus est montrée dans la figure 7-Une source de tension 50, qui peut fournir, de façon typique, 69 27068 7 2015224 une tension de 10 volts, donne la tension au collecteur par l'intermédiaire de la résistance 51 du collecteur ainsi que la tension de polarisation de la base, par l'intermédiaire du potentiomètre 52 et de la résistance 53. le potentiomètre 52 et les résistances 5 51 et 53 sont typiquement de 10^ ohms chacun . la caractéristique de tension collecteur-émetteur en fonction de la pression de l'ensemble de la figure 2, dans le circuit de la figure 7, en l'absence du dôme de modification 45, est représentée sous la forme de la courbe A de la figure 8. D ans cet 10 ensemble, le diaphragme 38 était constitué par un élément en alliage béryllium-cuivre de 0,038 mm d'épaisseur et de 4,7 mm de diamètre. Comme représenté, la sensibilité de cet ensemble est d'environ 100 volts/kg/cm2 dans un intervalle linéaire de fonctionnement. 15 Dans l'ensemble de la présente invention, on fixe au diaphrag me 38 un dôme de nickel de 0,127 mm d'épaisseur et de 3,05 mm de diamètre et 1'on pratique des ouvertures 40 à travers le diaphragme 38 afin de permettre l'application directe de la pression sur la face inférieure du dôme 45- la caractéristique de tension collecteur-20 émetteur en fonction de la pressinn pour cet ensemble modifié comme illustré sur la figure 2, est donnée sous forme graphique par la courbe B de la figure 7- la sensibilité dans cet exemple est de 0,8 volt dans un intervalle de fonctionnement linéaire, la réduction de sensibilité étant presque dans le rapport de 9 à 1. 25 La base théorique sur laquelle reposent les changements de sensibilité obtenus au moyen du dispositif décrit ci-dessus peut être mieux comprise en référence aux modèles équivalents des figures 3a, 3b et 3c, et aux diagrammes de forces des figures 3a' 3b' et 3c'. Dans ces modèles et diagrammes, les résistances à la 30 déformation des éléments sont représentés sous la forme de constantes de compression. Dans tous les cas, on admet que le diaphragme est simplement supporté le long des bords du socle. Les figures 3a et 3a' montrent le modèle équivalent et le diagramme de force pour une force ponctuelle appliquée au centre du diaphragme, directement 35 au-dessus du stylet. La résistance à la déformation du stylet agit en série avec la résistance à la déformation du socle et cette 69 27068 8 2015224 association en série est disposée en parallèle avec une seconde association en série réalisée entre la résistance à la déformation du diaphragme et là résistance à la déformation de l'anneau. Lorsque le diaphragme 38 possède une résistance à la déformation 5 élevée, il peut être considéré comme un équivalent d'un ressort faible monté entre le point d'application de la force et le support. En conséquence, le chemin de force dominante passe par le stylet et le socle et aucune fraction substantielle de la force appliquée n'est transmise par le diaphragme et l'anneau. 10 Les figures 3b et 3b' montrent le modèle équivalent et le diagramme de force pour force appliquée à la périphérie du diaphragme 38, directement au-dessus de l'anneau 32. Dans cet exemple, toutes les constantes de compression ont lès mêmes valeurs que celles indiquées dans les figures 3a et 3a', mais 15 maintenant les constantes de compression du diaphragme, du stylet et du socle sont en série entre le point d'application de la force et le support, et seulement la constante de compression de l'anneau est en parallèle avec celles-ci. A nouveau, lorsque le diaphragme a une résistance à la déformation relativement élevée 20 par rapport à celle de l'anneau 32, le chemin de force passant, de façon directe, à travers 1'anneau, est prédominant et substantiellement aucune force n'est transmise le long du chemin passant par le diaphragme et le stylet pour aller au socle. Les figures 3c et 3c' montrent le modèle équivalemt et le 25 diagramme de force dans le cas où la force est appliquée à un endroit quelconque entre le centre du diaphragme et la périphérie. Dans ces conditions-, le chemin de force* est une association en^ série des constantes de compression du socle, du stylet et de la portion du diagramme qui s'étend entre le point-d'application de 30 la force et le stylet. En parallèle avec cette-association, est disposé le chemin de force qui comprend les constantes de comprès-sion de l'anneau et de la partie du diaphragme qui s'étend entre le point d'application de la force et la périphérie..du diagramme. Dans l'état illustré sur les figures 3c et 3c', la force est 35 distribuée entre deux chemins en fonction de la résistance à la * déformation relative . En d'autres termes, la .distribution de la : ; "' force appliquée entre le stylet et l'anneau dépend de.la .'position 69 27068 9 2015224 de la zone d'application de la force le long du rayon du diaphragme. Ainsi, si l'on ajoute le dôme 45 et si l'on applique une pression extern^ûniforme sur le dispositif, le dôme produit une force, au niveau de sa zone de contact avec le diaphragme, qui 5 équivaut à la somme des forces agissant sur sa surface entière. Cette distribution de forces est très semblable à celle représentée sur la figure 3c, compte tenu toutefois d'une petite force additionnelle produite par la pression agissante sur la partie encore exposée du diaphragme. La somme nette de ces forces 10 détermine la sensibilité du dispositif. Il résulte de la description ci-dessus, que si le dôme est plus grand, une portion plus importante de la force totale appliquée fait l'objet d'une réaction de la part de l'anneau, et que le transducteur peut, par conséquent tolérer une charge 15 totale plus élevée qtiand les forces transmises à la jonction par le stylet restent inchangées. Il peut être plus approprié de mettre en oeuvre la configuration montrée en plan sur la figure 5, pour détecter une force plutôt qu'une pression. Dans le mode de réalisation de la figure 5, 20 on a fixé au diaphragme 38 un dôme 48 de structure évidée pour distribuer la force qui serait alors directement couplée à cette structure évidée. Ce mode de réalisation fonctionne, à tous autres égards, de la même façon que celui représenté sur la figure 4. D ans la configuration représentée sur les figures 2 et 5, la force 25 est appliquée en une série de points formant une ligne qui correspond à la périphérie du dôme. L'élément de couplage peut, cependant, être fixé seulement à un ou plusieurs points spécifiques, selon certains arrangements. Une telle construction est illustrée par les figures 6 et 6a dans lesquelles un second diaphragme 55 30 est supporté, en trois points espacés 56, 57 et 58, par le diaphragme 38. Selon cette configuration, la force appliquée est "aussi distribuée entre le stylet et l'anneau en fonctionde la position des points de contact. Dans les modes de réalisation préférés, le dôme est de 35 configuration circulaire; cependant, d'autres configurations géométriques peuvent être mises en oeuvre. D'une façon analogue, lé diaphragme principal peut être de structure évidée ou de forme 69 27068 10 "2015224 non circulaire. Dans les modes de réalisation illustrés, la plaquette semi-conductrice a été montrée montée sur le socle avec le stylet fixé au diaphragme, la pointe dudit stylet pressant sur la 5 surface du semi-conducteur près de la jonction. Cette partie fondamentale de l'ensemble peut être modifiée sans sortir du cadre de la présente invention. Par exemple, la jonction plane peut être contrainte par levage au-dessus de la surface, de façon à réaliser tuie configuration "en table", • f tandis qu'un 10 stylet émoussé presse directement sur ladite surface, le dispositif peut être aussi construit avec le semi-conducteur fixé sur le diaphragme et l'extrémité émoussée du stylet fixée sur le socle. Dans n'importe laquelle de ces variantes, l'addition d'un élément structurel au diaphragme produit une diminution de la 15 sensibilité. L'addition d'un dôme, comme illustré dans les modes de réalisation ci-dessus, donne des transducteurs convenant à un fonctionnement dans l'intervalle de 0,07 à 7 kg/cm2 . La" figure 9 illustre encore un autre mode de réalisation de 20 l'invention. Dans ce mode de réalisation, un dôme 61 est fixé, par sa périphérie, à la périphérie du diaphragme 38. Le dôme 61 comporte des ondulations ou rides, formant saillies, 62 et 63, situées selon un diamètre inférieur au diamètre le plus grand du dôme. Une paire de tétons 56 et 57 sont placés sur le diaphrag-25 me 38 de façon à venir au contact des ondulations 62 et 63, quand le dôme 61 est suffisamment fléchi. Selon cet arrangement, la charge est distribuée sur le diamètre externe jusqu'à ce que la force de ladite charge devienne Suffisante pour fléchir le dôme 61 , de telle sorte que les ondulations 62 et 63 viennent en 30 contact avec les té.tons 56 et 57. Lorsqu'on maintient cette charge ou une charge plus élevée, la distribution de la charge entre le stylet 34 et l'anneau 32 est contrôlée par la position des té.t.ons, ce qui augmente la sensibilité, tandis que pour des valeurs plus faibles de la charge, la distribution de la charge 35 est contrôlé par le diamètre externe du dôme 61, le transducteur étant alors moins sensible. 69 27068 2015224 Bien entendu, la présente invention n'est nullement limitée aux modes de réalisation décrits et représentés qui n'ont été donnés qu'à titre d'exemple. En particulier, elle comprend tous les moyens constituant des équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons, si celles-ci sont exécutées selon l'esprit de l'invention. 69 27068 12 2015224 ISÎÏIDICitlOJS 1Ensemble transducteur pour la production d'un signal électrique dû à 1'application d' une charge mécanique, cet ensemble transducteur comprenant un élément transducteur incluant un semi-conducteur formé par une région d'un premier type de 5 conductivité, une région d'un second type de conductivité et une jonction P-ÏT entre ces deux régions, et un stylet ayant une /extrémité appuyée sur une surface dudit semi-conducteur, dans une région proche de cette jonction, un élément formant socle, un élément de support rigide monté sur cet élément formant socle, un 1 o premier diaphragme fixé à cet élément de support, ledit ensemble transducteur étant caractérisé en ce que ledit premier diaphragme possède une résistance à la déformation relativement élevée, ledit élément de support possède une résistance à la déformation relativement faible, et cet élément transducteur est monté entre ledit 1 5 .élémat fermant socUe et une zone spécifique sur ledit premier diaphragme, cet élément transducteur étant relié mécaniquement audit élément formant socle et ^_eetté zone spécifique dudit premier diaphragme, cet ensemble transducteur comprenant en outre un élément.de couplage réalisant le couplage entre ladite charge 20 mécanique et ledit diaphragme, en des points distincts, selon des quantités discrètes, de la zonte où ledit élément transducteur est relié audit diaphragme. ■2.- Ensemble transducteur selon la revendication 1y caractérisé en ce que ledit élément de couplage est un dôme fixé si sa 25 périphérie audit premier diaphragme, ce dôme ayant un diamètre au plus égal au diamètre dudit premier diaphragme. 3.- Ensemble transducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite charge mécanique consiste en une pression exercée sur substantiellement la surface entière de cet élément 30 de couplage et la zone apposée dudit premier diaphragme et en ce que ledit élément formant socle et ledit élément de support sont reliés de façon étanche audit premier diaphragme, ce dernier ayant des ouvertures qui le traversent au niveau de la portion sous-jacenté .-au dôme précité, de façon à créer un volume ayant une 69 27068 13 2015224 pression statique de référence. 4.- Ensemble transducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que le dôme précité est de structure évidée et en ce que la charge mécanique précitée est une force directement 5 appliquée sur ce dôme évidé. 5.- Ensemble transducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément transducteur précité est monté de telle sorte que le semi-conducteur précité soit fixé à l'élément formant socle et que l'extrémité du stylet précité qui ne presse pas sur 1o la surface dudit semi-conducteur soit fixée audit premier diaphragme, au voisinage du centre de celui-ci. 6.- Ensemble transducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit élément de couplage est fixé audit premier-diaphragme, en différents points répartis de façon discontinue, 15 ne formant pas une ligne continue, 7.- Ensemble transducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que le semi-conducteur précité est un transistor plan NTN au silicium, ledit premier diaphragme étant formé par une épaisseur de 0,038 mm d'alliage béryllium-cuivre et ledit dôme par 20 une épaisseur de 0,127 mm de nickel. 8.- Ensemble transducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit élément de couplage,vient au contact dudit premier diaphragme en des zones dont la position varie en fonction - de l'action de la charge mécanique. 25 9.- Ensemble transducteur selon la revendication 8, caracté risé en ce que ledit élément de couplage vient en contact avec ledit premier diaphragme en une première série de points pour des charges inférieures à une charge spécifique et 5 a près la réalisation du contact, modifié les conditions de contact en venant au contact dudit diaphragme au niveau d'une nouvelle série de points.