FR 2039343 A1 19710115 FR 7013787 A 19700416 70 13787 1 2.039343 La présente invention concerne un composant à "serai-conducteurs comportant au moins une jonction pn, qui est réalisée à l'aide dlune zone d'un premier type de conductivité, obtenue par diffusion, dans un corps semi-conducteur d'un second type de con-5 ductivité. Comme il ressort de la revue Siemens-rZeitschrift 1967, cahier 4, des composants à semi-conducteurs peuvent être stabilisés par les mesures suivantes : a) réalisation d'un anneau de protection autour de la jonc-.10 tion pn avec une diffusion supplémentaire; b) mise en place d'une électrode de champ sur l'anneau de protection de sorte que cette électrode recouvre également des parties de l'isolant. Ces mesures peuvent être utilisées avantageusement aussi 15 bien séparément qu'ensemble. En outre, la passivation de surface de couches isolantes est connue en soi dans la technologie des composants planar. On a également déjà proposé de réaliser les contacts des électrodes de sorte que le métal émerge de l'isolant par la fenêtre de diffu-20 sion et recouvre des parties de ce dernier. On réalise de ce fait la destruction d'une zone de charges d'espace enrichie dans le corps semi-conducteur. L'électrode de champ interdit une séparation des porteurs de charges à la surface de.-lJdâolant tandis que l'anneau de protection sertd^si^r-fa"eë^dê^ contact non redresseur 25 pour 1 adit eé lect r od£.---4^-iras s i vat ion de surface réduit par effet de getter le nombre des charges dans l'isolant. Cela provoque un accroissement de la tension inverse. La présente invention a pour but de créer, à l'aide d'une combinaison appro^sriiedes mesures indiquées plus haut^un compo-30 sant dont la stabilité est^ffieilleure que celle des composants connus jusqu'à maintenant. Ce problème est résolu conformément à l^ïîHcention par le fait qu'un premier contact métallique de la zone d ' unpïëfS-igi' type de conductivité recouvre partiellement une couche isolante 35 située à la surface du corps semi-conducteur, que cette zone d'un premier type de conductivité est entourée à une certaine distance par une zone fortement dopée d'un second type de conductivité et agissant comme un anneau de protection, que cette seconde zone est pourvue d'un second contact métallique recouvrant partielle-40 ment la couche .isolante, mais étant électriquement séparé du 70 13787 2 2039343 premier contact métallique, et que la couche isolante comporte une couche de passivation. La présente invention nermet de fabriquer de façon simple des composants à semi-conducteurs très stables. S A titre d'exemple., on a décrit ci-dessous et. illustré schématiquement au dessin annexé une forme de réalisation du dispositif suivant l'invention. La figure représente une coupe d'un composant à semiconducteurs. Dans le cas présent, il s'agit d'un transistor 10 planar constitué par un émetteur 1 dopé du type n, une base 2 dopée du type p et un collecteur 3 dopé du type n. A la surface du transistor se trouve une couche isolante 6, constituée par du bioxyde de silicium, dont la zone de charges d'espace est) conformément à 1'invention,une couche de passivation 9, cons-15 tituée par du bioxyde de silicium, dope par du pentoxyde de phosphore et provoquant la passivation de surface. La base 2 est entourée à une certaine distance par une zone 7, dopée du type n et agissant comme un anneau de protection. La base 2 et la zone 7 sont munies de contacts métalliques 4 et 8 qui recou-20 vrent également partiellement la couche isolante 6, mais sont disposés à un certain intervalle l'un de l'autre. Le repère 5 désigne un contact du collecteur. On va expliquer plus en détails ci-dessous le mode de fonctionnement du dispositif suivant l'invention : 25 Le contact métallique 4, situé au-dessus de la couche iso lante 6, empêche la formation d'une zone de charges d'espace enrichie. Le contact métallique 8 fonctionne de sorte qu'aucune séparation des porteurs de charges ne se produit sur la surface de la couche isolante. L'anneau de protection 7 sert de surface 30 de contact non redresseur pour le contact métallique 8. La couche de passivation 9 abaisse par effet de getter le nombre des charges dans la couche isolante 6. BAD ORIGINAL 70 13787 3 2039343 R Z V r N I) I C A T I 0 M S 1 - Composant à semi-conducteurs comportant au moins une jonction pn, qui est réalisé par une zone d'un -premier type de conductivité, obtenue par diffusion, dans un corps semi-5 conducteur d'un second type de conductivité, caractérisé par le fait qu'un premier contact métallique de la zone d'un premier type de conductivité recouvre partiellement une couche isolante située à la surface du corps semi-conducteur, que la zone du premier type de conductivité est entourée à une certaine 10 distance par une zone fortement dopée d'un second type de conductivité et agissant comme un anneau de protection, que cette dernière zone est munie d'un second contact métallique qui recouvre partiellement la couche isolante tout en étant séparée électriquement du premier contact métallique, et que la 15 couche isolante comporte une couche de passivation. 2 - Composant à semi-conducteurs suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que la couche de passivation est constituée par du bioxyde de silicium dopé par du pentoxyde de phosphore. 8A0 original '