FR 2025717 A1 19700911 FR 6942565 A 19691209 69 42565 1 2025717 L'invention concerne des perfectionnements apportés à des composants semiconducteurs à jonction comprenant un corps de matériau semiconducteur enfermé dans une enveloppe moulée. L'invention a particulièrement trait à.des modèles robustes 5 et bon marché de transistors, de thyristors et de redresseurs. On connaît des composants semiconducteurs dans lesquels une pastille de matériau semiconducteur est montée sur ,un organe métallique qui peut constituer, en totalité ou en partie, le connecteur électrique ou conducteur extérieur à partir 10 de l'une des régions fonctiozmellement significatives du transistor, c'est-à-dire la région émetteur, la région base ou la région collecteur. D'autres connecteurs électriques, par exemple des fils ou d'autres éléments conducteurs, sont connectés aux autres régions fonctionnellement significatives de la 15 pastille et, à leur tour, ils peuvent être fixés à d'autres conducteurs extérieurs du dispositif ou constituer par eux-mêmes ces conducteurs. Dans les transistors de ce genre, l'ensemble constitué par la pastille et une partie au moins des connecteurs électriques qui s'y rattachent est engainé ou 20 enrobé dans un matériau d'isolation électrique approprié, par exemple une résine époxy, une résine silicone ou une résine phénolique, sur lequel font saillie les parties externes des conducteurs extérieurs. En outre, les conducteurs extérieurs peuvent traverser un support eh un matériau d'isolation élec-25 trique tel qu'une résine phénolique, qui sert à supporter, à écarter et à orienter ces conducteurs, et il est préférable que le matériau d'enrobage s'étende jusqu'à ce support et forme une enveloppe qui se raccorde d'un seul tenant à celui-ci. Les composants semiconducteurs dans lesquels une envelop-30 pe rigide est moulée directement sur l'élément semiconducteur, sur l'organe de support métallique et sur les conducteurs n'ont pas fourni le degré voulu de protection de l'élément semiconducteur contre la contamination chimique, les efforts par tension thermique et les chocs mécaniques. Un élément *semi-35 conducteur est typiquement constitué par une plaquette mince et fragile en un matériau semiconducteur tel que le silicium, le germanium, etc. Un élément semiconducteur pour un thyristor peut par exemple présenter une épaisseur qui ne dépasse pas un cinquième environ de celle d'une pièce de dix centimes. Les 40 chocs mécaniques transmis par l'organe de support métallique 69 42565 2 2025717 conducteur ou par l'enveloppe rigide peuvent briser l'élément semiconducteur. Lorsque l'élément semiconducteur est fixé directement à l'organe de support métallique, les efforts par tension thermique peuvent provoquer une rupture de la pastille. 5 les éléments semiconducteurs sont particulièrement vulné rables aux contaminants chimiques au niveau de l'intersection périphérique de leurs régions de jonction. Il s'est avéré que. les enveloppes moulées étaient dépourvues de l'imperméabilité aux fluides nécessaire pour éviter la contamination périphéri-10 que des jonctions. Par ailleurs, dans beaucoup de composants semiconducteurs, il se développe, dans les zones de jonction» de fortes intensités de champ auxquelles les matériaux couramment utilisés pour les enveloppes moulées ne peuvent pas résister. Dans certaines circonstances, lelb divergences de dilata— 15 tion thermique entre un organe de support métallique et une enveloppe moulée donnent lieu au développement d'une ligne de séparation au niveau de leur intersection, fournissant an fluide un accès direct au composant semiconducteur. Il aété antérieurement proposé d'utiliser des matériaux tels qneîie 20 caoutchouc silicone et des oxydes terreux , tels que le:-feldspath, la bentonite, etc., comme couche intermédiaire entre l'élément semiconducteur et l'enveloppe, mais il jusqu'ici été décrit aucun.composant semiconducteur quieffit protégé, dans la mesure voulue, à la fois contre les risqtbea 25 d'efforts par tension thermique, de choc ménaniqtie et de- ; contamination chimique que l'on rencontre dans l'utilisation pratique des composants semiconducteurs à enveloppe moulé®*. L'invention a pour but de fournir un composant semiconducteur à enveloppe moulée qui offre un degré supérieur de 30 protection de l'élément semiconducteur contre les efforts par tension thermique, les chpcs mécaniques et la contamination chimique. Selon l'un des aspects de l'invention, ces buts sont atteints, ainsi que d'autres, dans un composant semiconducteur 35 constitué par un cristal semiconducteur qui présente une première et une seconde surfaces principales opposées et, en position intermédiaire, au moins une jonction. Un premier et un second systèmes de contact sont associés à la première et à la seconde surfaces principales. Des moyens sont prévus 40 pour assurer une protection au moins partielle du cristal BAD ORIGINAL 69 42565 3 2025717 semiconducteur contre la contamination, constitués par une couche de passivation vitreuse fixée à la périphérie du cristal semiconducteur à proximité de la jonction et présentant, par rapport au cristal semiconducteur, une différence 5 de dilatation thermique spécifique inférieure à 5 x 10~"^, une • rigidité diélectrique de 38-500 Y/mm au moins et une résis- 12 tance d'isolation de 10 ohms-cm au moins. Des moyens souples, relativement imperméables aux fluides, engainent de façon étanche les moyens protecteurs pour compléter la protection 10 à la contamination par les fluides du cristal semiconducteur fournie par les moyens protecteurs, et pour constituer une enveloppe absorbant les chocs autour du cristal semiconducteur et de la couche vitreuse. Les moyens imperméables aux fluides présentent une rigidité diélectrique de 20-000 Y/mm au moins 12 15 et une résistance d'isolation de 10 ohms-cm au moins. Une enveloppe moulée entoure les moyens souples. On comprendra mieux l'invention en se référant à la description détaillée suivante, considérée en liaison avec les dessina annexés. ^ 20 La fig. 1 est une coupe verticale d'un composant semi conducteur selon l'invention. ' La fig. 2 est une vue détaillée en coupe d'un élément semiconducteur monté entre des connecteurs électriques, un système de contact et des moyens absorbeurs d'efforts étant 25 contigus à ses faces opposées. Les fig. 3 et 4 sont respectivement unœ vue en plan et une vue de dessous d'un élément semiconducteur pour un redresseur commandé, les zones de contact étant représentées en traits discontinus. 30 La fig. 5 est line coupe passant par la ligne 5-5 de la fig. 3» avec représentation schématique du système dé contact fixé à l'élément semiconducteur0 Les fig. 6 et 7 sont respectivement une vue en plan et une vue de dessous d'un élément semiconducteur pour un triac, 35 les surfaces de contact étant indiquées par des traits discontinus. La fig. 8 est une coupe passant par la ligne 8-8 de la fig. 6, représentant schématiquement le système de contact fixé à l'élément semiconducteur» 40 La fig. 9 est une vue isométrique d'une partie du 69 42565 4 2025717 composant semiconducteur ayant son assemblage définitif. Les fig. 10 et 11 enfin sont des ru.es de détail en coupe d'éléments semiconducteurs avant le fractionnement en pastilles, respectivement avant et après la cuisson des couches de 5 verre de passivation. Le composant semiconducteur 100 représenté sur ia fig.1 comporte un élément semiconducteur monocristallin 1 à jonction, fixé à un dissipateur thermique 3. et à un connecteur électriques par des ensembles de liaison 7 et 9 respectivement. Comme 10 on peut le voir sur la fig. 2, chacun des ensembles de liaison est constitué par un système de contact 11 et une couche 13 d'absorption des efforts. Selon un mode préféré de réalisation de l'invention, chaque système de contact est constitué par une couche 15 de chrome, directement unie à la surface 15 de l'élément semiconducteur et sur laquelle est fixée directement une couche 17 de nickel. La couche de nickel est protégée contre la formation d'un revêtement d'oxyde par une couche d'argent 19 qui s'y raccorde. Selon un mode de réalisation .préféré, les couches d'absorption des chocs sont for-20 mées d'une soudure tendre capable de s'allier à l'argent. Dans le cadre de la présente description, le terme "sou&nre tendre" désigne des soudures dont le module d'élasticité, dans lea c o conditions ambiantes, est inférieur à 7»7 x 10 kg/cm • Dé telles soudures sont suffisamment souples pour absorber sans 25 rupture les chocs dus aux manipulations et les différences entre les taux de dilatation thermique des surfaces auxquelles elles adhèrent. Il est préférable d'utiliser des soudures tendres qui soient capables, à l'état fondu, de s'allier à l'argent, notamment le plomb-étain, le plomb-étain-inditua, le 30 plomb-étain-argent, le plomb-antimoine, etc. Des soudures largement utilisées et préférées sont composées en majeure partie de plomb et/ou d'étain et, en moindre proportion, d'argent. On conseillera en particulier une soudure tendre composée essentiellement de 90 $ en poids de plomb, 5 d'in-35 dium, le reste étant de l'argent. Une certaine partié ou la totalité de l'argent contenu dans la soudure peut provenir de la couche d'argent du système de contact. On peut même envisager un alliage complet de la couche d'argent du système de contact avec la soudure lors de la fabrication, de sorte qu'il 40 ne subsiste plus de couche d'argent distincte,bien que l'on obtienne 69 42565 5 2025717 ■une liaison quelque peu meilleure avec une couche d'argent indépendante. Au lieu d'utiliser une couche de soudure tendre à titre de couche d'absorption des chocs, on peut braser ou fixer directement d'une autre manière l'élément semiconduc-5 teur au dissipateur thermique, au cas où l'on envisage un traitement de cyclage thermique limité. De même, l'élément semiconducteur peut être brasé sur une plaque d'appui, laquelle joue le rôle de couche d'absorption des chocs. L'élément semiconducteur 1 peut revêtir la forme d'un élé 10 ment semiconducteur 200 pour thyristor, tel que représenté sur les fig. 3» 4 et 5. L'élément 200 est constitué par une première et une troisième couches, 202 et 204 respectivement, d,un premier type de conductivité et par une deuxième et une quatrièmè couches, 206 et 208 respectivement, du type de 15 conductivité opposé.' Les bdrds supérieurs et inférieurs de l'élément sont "biseautés en 210 et 212 respectivement. Une couche de passivation diélectrique 214, par exemple en verre, est fixée aux bords "biseautés. Un premier système de contact 216, représenté schématiquement sur la fig. 5» recouvre la 20 zone 218 délimitée par des lignes discontinues sur la fig. 3, Il y à lieu de noter que la deuxième couche traverse la première couche 202 au niveau de trois zones circulaires 206A., 206B et 2060, -de telle sorte que cette deuxième couche soit connectée électriquement au premier système de contact. Z5 Un second système de contact 220 est fixé à la face opposée de l'élément semiconducteur et'occupe la surface indiquée par les lignes discontinues 222 sur la fig. 4. Un système de contact de porte 224 est fixé à la deuxième couche sur toute la surface 226 représentée par des traits discontinus sur la 30 fig. 3. D'autre part, l'élément semiconducteur 1 peut prendre la forme d'un élément semiconducteur 300 pour triac, tel que représenté sur* les fig. 6, 7 et 8ocL'élément semiconducteur 300 est muni d'une première couche 302 et d'une couche de 35 porte 304, qui sont espacées en direction latérale et présentent le même type de conductivité. La première couche et la couche de porte forment l'une et l'autre des jonctions avec une deuxième couche 306 de type de conductivité opposé. Les couches 308 et 312 ont le même type de conductivité que les 40 couches 302 et 304, tandis qu'une quatrième couche 3"10 a le 69 42565 6 2025717 même type de conductivité que la couche 306. Il est donc visible qu'en une coupe passant par la zone de la première couche, l'élément semiconducteur peut contenir une séquence P-N-P-H ou U-P-ïï-B-P de couches, sauf en ce qui concerne une petite zone 5 306A où la couche centrale 306 se prolonge vers le haut à travers la première couche 302 et où il y a seulement une séquence de trois couches. Il est également visible qu'une coupe passant par la couche de porte 304 contiendra une séquence M-M-P ou H-P-N-P-N de couches. "Un premier système de con-10 tact 314 recouvre la surface délimitée par les lignes discontinues 316, tandis qu'un second système de contact 318 recouvre la zone délimitée par. les lignes discontinues 320» On notera que le premier et le second systèmes de contact recouvrent l'un et l'autre des régions ayant les* deux types de conducti-15 vité P et If..Un système de contact„de porte (non représenté) recouvre la zone 322 qui occupe principalement une partie de la couche de porte 304. Une petite partie du système de contact de porte recouvre une zone 324 qui fait partie d'une zone toi peu plus grande 326 de la cOuôhe 306. l'interconnexion super-20 ficielle entre la zone 326 et la partie principale de la couche s'effectue par une_mince partie de connexion indirecte 328. Il est visible que si la partie de connexion 328 est mince, c'est à cause de l'intervalle étroit entre- la première couche et la couche de porte et à cause d'une partie saillante 25 330 en forme de doigt, associée à la première couche. Etant • donné que la couche 306 est située à la fois au-dessous de la première couche et de la couche de porte, la zone 326 ne dépend pas de la partie de connexion 328 pour son interconnexion électrique avec la partie principale de la couche 306 i le 30 rôle principal de cette partie de connexion est simplement de séparer électriquement la couche de porte et la première couche. Les bords biseautés des éléments semiconducteurs peuvent servir à augmenter le niveau de potentiel de polarisation 35 inverse qui peut être supporté par les composants'sans claquage, si l'angle de biseautage est convenablement choisi. Chose plus importante, le biseautage offre cet avantage qu'un claquage dans la masse non destructif peut se produire, de préférence à un claquage de surface destructif. La couche de 40 verre de passivation des bords, coopérant avec le bord 69 42565 7 2025717 biseauté des éléments semiconducteurs à proximité des jonctions, sert à améliorer encore la caractéristique de claquage inverse. Etant donné que de nombreux contacts recouvrent à la fois des régions de type P et de type IT, le système de 5 contact préféré 11, ci-dessus décrit, est particulièrement avantageux, car il adhère aussi bien aux régions de conductivité de type P qu'aux régions de type H". les zones 206A, 206B et 2060, où. la couche 206 est associée au système de contact 216, constituent directement un trajet de courant à travers 10 l'élément semiconducteur, parallèlement à la porte et réduisent la susceptibilité de l'élément semiconducteur à passer dans son mode de conductivité élevée en réponse aux impulsions de courant ou de tension transitoire ou cyclique ou en réponse aux fortes densités de courant dues à une élévation de la 15 température des jonctions, à une montée rapide de la tension appliquée, etc. la zone 306A associée à l'élément semiconducteur 300 remplit un rôle semblable. Grâce à la zone de contact 324 entre le système de contact de porte et la deuxième couche 306, un signal de porte plus faible peut commuter l'élément 20 semiconducteur 300 dans son mode de conductivité élevée lorsque la jonction entre la couche de porte 304 et la couche 305 est.polarisée en sens inverse, la zone 324 est placée à une certaine distance de la partie principale'de la couche 306 afin d'éviter que celle-ci soit entièrement mise au potentiel 25 de la porte, la forme ou le nombre des zones 206A, 206B, 206C, 306A et 324 peuvent être choisis à volonté. Ces zones, ainsi que les fonctions qu'elles remplissent peuvent être individuellement ou collectivement supprimées. Sur la fig. 9» l'élément semiconducteur, les systèmes -30 de contact et les couches d'absorption des chocs sont représentés schématiquement sous la forme d'un ensemble semiconducteur 21 fixé entre le dissipateur thermique 3 et le connecteur électrique 5» le connecteur électrique est muni d'un rebord montant 23 qui s'étend le long de l'un des bords de l'ensem-35 ble semiconducteur. TJn connecteur de porte 25 est placé à une certaine distance latérale du connecteur électrique 5 et est également fixé à la surface supérieure de l'ensemble semiconducteur. le connecteur de porte est muni d'un rebord montant 27. 40 le dissipateur thermique comporte, à distance latérale 69 42565 8 2025717 de l'ensemble semiconducteur, un trou 29 qui peut être utilisé pour monter le dissipateur en rapport de conduction thermique avec un châssis ou une série d'ailettes de refroidissement. Une patte 31» reliée d'un seul tenant au dissipateur thermi-5 que, est prévue le long de l'un des bords de celui-ci. Comme on peut le voir, la patte est formée d'une seule pièce avec le dissipateur thermique, puis est rabattue vers le haut, perpendiculairement à celui-ci. La pâtte est munie d'une fente 33. Un support rigide 35 > en un matériau d'isolation électri-10 que, par exemple une résine époxy, une résine silicone ou une résine phénolique, comporte une fenêtre centrale 37 dimension-née de façon à s'adapter par glissement sur la patte verticale du dissipateur thermique. Le support porte trois conducteurs électriques parallèles 39» 41 et 43* Les conducteurs 39 et 15 43 sont montés dais le SuppOï-t de'façon à ne pas coupér la fenêtre, mais à s'adapter tangentiellement aux rebords montants 23 et 27 du connecteur électrique 5 et du connecteur de porte 25 respectivement. Les conducteurs électriques sont soudés ou connectés électriquement de quelque autre manière 20 appropriée aux rebords. Le conducteur électrique 41 pénètre dans la fenêtre du support, de telle sorte que quand ce dernier est glisse sur la patte, ce conducteur s'adapte dans la fente de celle-ci. La fenêtre et la fente peuvent être remplies de soudure pour connecter le conducteur 41 au dissipateur ther— 25 mique. Lorsque le support est en place, les conducteurs électriques étant fixés au dissipateur thermique et aux connecteurs électriques, une matière souple 47» pratiquement imperméable aux fluides, est disposée de façon à engainer l'ensem-30 ble semiconducteur et au moins une partie des connecteurs électriques. Une enveloppe 49 est ensuite moulée autour du matériau souple, des conducteurs électriques, du support et du dissipateur thermique pour achever le composant semiconducteur. 35 Les couches de passivation associées aux bords des éléments semiconducteurs sont en un verre qui présente, par rapport au cristal semiconducteur, une différence de dilatation thermique inférieure à 5 x 10"^. C'est-à-dire que si l'on mesure une unité de longueur le long de la surface d'un élé-40 ment semiconducteur auquel est fixé une couche de verre, à 69 42565 9 2025717 la température de solidification du verre ou au voisinage de cette température, et si l'on abaisse ensuite la température de l'élément semiconducteur et du verre à la température ambiante minimale à laquelle sera exposé en service un composant 5 semiconducteur dans lequel l'élément semiconducteur doit être incorporé, la différence observée dans la longueur de la couche de verre en comparaison de l'élément semiconducteur sur l'unité de longueur primitivement mesurée, à toute température comprise entre les deux extrêmes inclusivement, ne 10 doit pas être supérieure à 5 x 10""^. On notera que la différence de dilatation thermique ainsi exprimée est un rapport sans dimension de différences de longueur par unité de longueur. Si la différence de,dilatation thermique est maintenue au-'dessous de 5 x 10""^ (et de préférence au-dessous de 15 1 x-10""^), les efforts par tension thermique transmis au verre par 1 ' élément semiconducteur sont maintenus à un minimum, ce qui réduit le risque de clivage, de rupture ou d'émiettement du verre sous l'effet des tensions immédiates ou de la fatigue produite par le cyclage thermique» 20 Etant donné que la couche de verre forme un pont sur une jonction au moins de l'élément semiconducteur, il est important que le verre présente une résistance d'isolation de 12 10 ohms-cm au moins, de façon à éviter le shuntage de tout courant de dispersion notable autour de la jonction à passiver. 25 Pour résister aux fortes intensités de champ qui se développeront probablement à travers la jonction lorp de la polarisation inverae, ce qui est particulièrement caractéristique dss redresseurs, la couche de verre "est choisie de façon à présenter une rigidité diélectrique de 58.500 Y/mm au moins -30 et, de préférence, de 62.000 Y/mm au moins dans les applications de redresseurs à haute tension. Lorsque l'élément semiconducteur est convenablement biseauté à sa périphérie et muni d'une couche de verre de passivation, il est capable de supporter uiie polarisation inverse à des niveaux de potentiel 35 exceptionnellement élevés sans être détruit. Deux exemples de verre qui possèdent les caractéristiques optimales de différence de dilatation thermique, de rigidité diélectrique et de résistance d'isolation dont il a été question ci-dessus et qui sont considérés comme particulièrement 4-0 utilisables avec des. éléments semiconducteurs au silicium, 69 42565 10 2025717 sont définis dans le tableau T, les pourcentages étant indiqués en poids. ïableau I Composition n° 45 ' h° 551 5 SiOg 12,35 ^ M ZnO 65,03 60,0 A1203 0,06 ,B203 22,72 ' 25,0 Ce02 - * 3,0 10 BigO^ - v0,1 PbO - ~?r0 sb2o3 - 0,5 le yerre n° 351 est disponible dans le commerce sous la marque dépôséé "SE G-lass 351" et le verre 45 est livré sous 15 la marque "Pyroceram 45"."îl existe d'autres verres au silieo-borate de zinc qui possèdent les caractéristiques physiques requises. Tandis qu'une couche de verre de passivation, appliquée à la jonction d'un élément semiconducteur, fournit un degré 20 notable de protection contre la contamination chimique de la jonction, tendant à altérer les propriétés électriques de celle-ci, il a été observé qu'il est souvent difficile d*atteindre le degré voulu de passivation au moyen d'tine seule • couche de verre. On peut le comprendre aisément en se référant 25 aux fig» 10 et 11 , sur lesquelles est représentée une galette ou plaquette semiconduûtrice 400, destinée à être subdivisé? en plusieurs éléments semiconducteurs. Typiquement la galette est formée d'une région centrale 402 d'un premier type de conductivité, avec des régions superficielles 404 et 406 diffusées par la 30 méthode planar, du type de conductivité opposé, la délimitation des éléments semiconducteurs individuels qui doivent être formés à partir de la galette est réalisée en gravant des rainures 408 alignées-sur les faces opposées de la galette, les rainures gravées -constituent en même temps le biseautage 35 des bords recherché dans les régions,de jonction, les couches de verre de passivation sont appliquées successivement sur les faces opposées de la galette. les rainures formées dans la face supérieure de la galette sont chargées de fritte de verre finement divisée et la galette est cuite à-la tempéra-40 ture de fusion de la fritte, lorsque la fritte fond, le verre 69 42565 n 2025717 forme une couche 412 dense, pratiquement dépourvue de vides. Etant donné que les vides sont éliminés, la couche de verre ne constitue qu'un revêtement mince sur l'élément semiconducteur et n'occupe qu'une partie minime de la rainure, même si 5 celle-ci a été initialement remplie de fritte. Pour former des couches de verre sur la face opposée de la galette, il est nécessaire de retourner celle-ci et de répéter l'opération. Si l'on désire épaissir la couche de verre, il est nécessaire de répéter le remplissage des rainures avec la fritte de verre 10 et la cuisson, mais, du fait de la perte de volume importante à la cuisson, il n'est pas possible, dans la plupart des cas, de remplir complètement les rainures d'une couche dense de verre. Pour diviser la galette en pastilles séparées, on la sectionne le long des rainures. Il va de soi qu'il en résulte 15 un risque d'endommagement mécanique du verre. Bien que le procédé ait été décrit à propos d'un élément semiconducteur à trois couches et à deux jonctions, il est bien entendu que le même procédé est largement applicable pour la fabrication d'éléments semiconducteurs aune seule jonction à deux couches, ainsi 20 que d'éléments semiconducteurs à trois jonctions et quatre couches'. . Pour compléter la protection de l'élément semiconducteur exercée par les couches de verre contre la contamination chimique, ainsi que pour protéger la couche de verre et l'élément 25 semiconducteur contre les tensions et les chocs mécaniques, l'une des caractéristiques de l'invention consiste à interposer un matériau souple, pratiquement imperméable aux fluides, entre la couche de verre située dans la région de la jonction de l'élément semiconducteur et l'enveloppe moulée qui consti-30 tue un habillage pour le dispositif. Bien que le matériau souple soit éloigné par la couche de verre des gradients de champ les plus intenses qui interviennent dans les régions de jonction périphérique, ce matériau est néanmoins soumis à des gradients de potentiel importants et, en conséquence, il doit 35 présenter une rigidité diélectrique de 20. 000 Y/ma. et une 1 2 résistance d'isolation de 10 ohms-cm au moins. Lorsque le composant semiconducteur est appelé à servir de redresseur à haute tension, il est préférable que la rigidité diélectrique du matériau souple soit au mains égale à 30.000 Y/mm. Les 40 résines d'organo-polysiloxane sont des matériaux; souples qui 69 42565 1- 2025717 remplissent ces conditions électriques, présentent un degré élevé d'imperméabilité aux fluides et offrent une très bonne stabilité thermique. Ces résines sont utilisées de préférence sous leur forme d'élastomères vulcanisés, typiquement appelés 5 caoutchoucs silicone. On peut envisager d'incorporer dans les résines des charges diélectriques inorganiques, pourvu que les propriétés électriques voulues soient respectées. Il est toutefois préférable de ne pas utiliser dë telles charges, afin de .maintenir le degré maximal d'imperméabilité aux flui-10 des. On préférera utiliser un élastomère élastique plutôt que des oxydes terreux antérieurement proposés dans la technique, car les élastomères élastiques possèdent une meilleure imperméabilité aux fluides, étant de nature homogène et non particulaire comme les oxydes * terreux . En outre, les 15 élastomères élastiques ont un meilleur pouvoir d'absorption des chocs mécaniques et ils réduisent à un minimum les choos qui sont transmis à l'élément semiconducteur et à sa couche de verre de passivation". Si l'on considère le composant semiconducteur 100, on 20 peut voir qu'il est doté d'un degré élevé de protection contre la contamination chimique de l'élément semiconducteur, contre les efforts par tension thermique et contre les choos mécaniques. les ensembles de liaison 7 et 9 constituent Taie liaison tenace à faible résistance entre le dissipateur ther-25 mique 3 et le connecteur électrique 5 et l'élément semicon— ' ducteur 1. Les couches 15 d'absorption des chocs, en soudure tendre, protègent en même temps l'élément semiconducteur contre les efforts par tension thermique attribuables à la divergence des caractéristiques de dilatation thermique du 30 dissipateur et du connecteur électrique par rapport au matériau semiconducteur. Un fluide qui aurait tendance à contaminer la zone de jonction de l'élément semiconducteur 1 devrait traverser, non seulement l'enveloppe 4-9 (qui peut se détacher du dissipateur lors du cyclage thermique ou produire lui-même 35 des contaminants fluides au chauffage) et les couches de verre de passivation (qui peuvent être brisées lors du sectionnement en pastilles ou sont trop minces pour assurer une passivation complète), mais aussi la couche souple d'enrobage 47, pratiquement imperméable aux fluides. Cette couche a également pour 40 rôle d'éviter que les chocs mécaniques appliqués à l'enveloppe 69 42565 15 2025717 soient directement transmis aux couch.es de verre, ce qui risquerait de provoquer leur rupture. Le composant semiconducteur est encore protégé par le fait que les conducteurs électriques sont montés dans la position voulue par le support et n'ont 5 pas besoin d'être formés par estampage dans une bande connec-trice extérieure au dispositif après l'assemblage final des éléments du composant semiconducteur. Un tel procédé d'estampage offre la possibilité de transmission de chocs mécaniques à l'élément semiconducteur par l'entremise des conducteurs» 10 II est du reste bien entendu que les modes de réalisation de l'invention qui ont été décrits ci-dessus, en référence aux dessins annexés, ont été' donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif et que de nombreuses modifications peuvent être apportées sans que l'on s'écarte'pour cela du cadre de la 15 présente invention. 42565 14 2025717 EEYMDIOATIONS 1Composant semiconducteur comprenant un cristal semiconducteur qui comporte une première et une seconde surfaces principales opposées et une jonction au moins entre celles-ci, un premier et un second systèmes de contact associés à la'première 5 et à la seconde surfaces principales , ce composant étant caractérisé par des moyens destinés à protéger au moins en partie le.cristal semiconducteur contre la contamination, ces moyens comprenant une couche de Terre de passivation fixée à la périphérie du cristal semiconducteur au voisinage de la jonction 10 et présentant une différence de dilatation thermique spécifique inférieure à 5 i 10"^ par rapport au cristal semiconducteur, une rigidité diélectrique de 38.500 V/mrn au moins et * A p une résistance d'isolation au moins"égâle à 10 ohms/cmj des moyens souples, relativement imperméables aux fluides, en gai— 15 nant de façon étanche ces moyens protecteurs pour compléter la protection du cristal semiconducteur exercée par ces moyens protecteurs contre la contamination par les fluides et pour constituer une enveloppe d'absorption des chocs autour du cristal semiconducteur et de la couche de verre, ces moyens 20 souples.présentant une rigidité diélectrique de 20.000 T/mn 12 au moins et une résistance d'isolation au moins égale à 10 ohms-cmj ainsi qu'une enveloppe moulée qui entoure ces moyens souples. 2.- Composant semiconducteur selon la revendication 1, carao-25 térisé par le fait que la couche de verre de passivation présente une différence de dilatation thermique spécifique au moins égale à 1 x 10~"^ par rapport au cristal semiconducteur. 3.- Composant semiconducteur selon la revendication 1 ou 2., carac-30 térisé par le fait que la couche de verre de passivation présente une rigidité diélectrique au moins égale à 63.000 Y/mm. 4.- Composant semiconducteur selon la revendication\Zcm 2^ caractérisé par le fait que l'un au moins des systèmes de contact 35 contient des moyens absorbeurs de chocs qui assurent en même temps l'interconnexion électrique entre le cristal semiconducteur et des moyens qui constituent une borne pour le composant semiconducteur. 5.- Composant semiconducteur selon la revendication 4, 69 42565 15 2025717 caractérisé par le fait que les moyens absorbeurs de chocs sont constitués par une couche de soudure dont le module d'élasticité 5 2 est inférieur à 7,7 x 10 kg/cm . 6.- Composant semiconducteur selon l'une quelconque des reven-5 dications 1 à 5, caractérisé par le fait que les moyens souples, relativement imperméables aux fluides, sont constitués par une résine d'organo-polysiloxane. 7.- Composant semiconducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé par le fait que les moyens souples, 10 relativement imperméables aux fluides, sont constitués par un élastomère élastique. 8.- Composant semiconducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé par le fait que les moyens souples, relativement imperméables aux fluides, présentent une rigidité 15 diélectrique au moins égale à 30.000 V/mm.