FR 2023619 A1 19700821 FR 6939590 A 19691118 6939590 1 2023619 L'invention concerne un dispositif semiconducteur comprenant un élément résistant comportant une région semiconduc-trice dans laquelle se trouvent des impuretés électriquement actives servant à déterminer le type de conduction et à obtenir 5 des porteurs de charge libres, ainsi que des impuretés électriquement inactives servant à abaisser le coefficient de température de l'élément résistant; l'invention concerne de plus un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur de ce genre. Dans des dispositifs semiconducteurs de ce genre, 10 connus (voir le brevet français. N° 1.463.448), les impuretés électriquement inactives sont constituées par des donneurs et des accepteurs qui se compensent mutuellement, tandis que les impuretés électriquement actives sont constituées par des donneurs et des accepteurs qui ne sont pas compensés. 15 Si l'on veut obtenir un coefficient de température, bas, il faut réaliser de fortes concentrations de donneurs et d'accepteurs se compensant mutuellement. Ceci suppose que, pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur de ce genre connu, on atteigne de fortes concentrations d'accepteurs et de donneurs 20 avec une différence définie avec précision de la concentration dans la région précitée, alors que la différence de concentration détermine la concentration en porteurs de charge dans la région envisagée. Ce résultat est très difficile à atteindre de sorte que la fabrication de dispositifs semiconducteurs connus de ce 25 genre est pratiquement impossible à réaliser avec des propriétés bien reproductibles. De plus, dans l'état actuel de la technique, on ne peut obtenir de façon quelque peu reproductible que des différences de concentration qui sont au moins du même ordre de grandeur que les concentrations totales en donneurs et en accep-30 teurs. Cela se traduit par une limitation indésirable, de sorte que, par exemple, l'obtention de petites différences de concentration et donc d'une résistivité élevée est impossible, du fait que pour un coefficient de température bas, il faut de fortes concentrations en donneurs et en accepteurs se compensant mutuellement. 35 Dans le brevet britannique N° 799-670 on mentionne que le coefficient de température de la résistance d'un corps en germanium peut être abaissé par l'introduction d'or. L*or est toutefois une impureté électriquement active, c'est-à-dire que l'or n'influence pas seulement le coefficient de température* 40 mais également le nombre de porteurs de charge libres, de sorte 6939590 2 2023619 que lors de 1'introduction d'or, il est très difficile d'obtenir à la fois une résistivité désirée et un coefficient de température bas. D'autre part, on utilise du germanium à forte 5 résistivité de sorte que les possibilités sont limitées. C'est ainsi que l'on ne peut notamment réaliser, à 1'aide d'un procédé selon le brevet britannique précité, un élément résistant renfermant- une région semiconductrice, comme cela se fait généralement pour des circuits semiconducteurs intégrés monolithiques. 10 L'invention a notamment pour but d'éliminer, au moins partiellements ces inconvénients» L'invention repose notamment sur l'idée que ces inconvénients peuvent être évités si l'on utilise des impuretés de types différents, avec lesquels la concentration en porteurs 15 de charge libres et le coefficient de température peuvent être ajustés pratiquement indépendamment l'un de l'autre. Ceci suppose qu'au moins une partie considérable des impuretés qui abaissent le coefficient de température soient électriquement inactives, étant donné que ces impuretés électriquement actives influencent 20 par ailleurs la concentration en porteurs de charge libres. De plus les impuretés servant à abaisser le coefficient de température ne doivent pas être principalement constituées par des don-* neurs et des accepteurs se compensant mutuellement, qui se comportent comme des impuretés électriquement inactives, étant donné 25 que la concentration en donneurs et en accepteurs se compensant mutuellement détermine la différence de concentrations des donneurs ou des accepteurs et par conséquent, la concentration en porteurs de charge libres. L'invention repose par ailleurs sur l'idée que 30 des impuretés électriquement inactives, qui ne sont pas formées par des donneurs et des accepteurs se compensant mutuellement, sont connues pour de nombreux semiconducteurs ou peuvent être trouvées, et que le coefficient de température peut être abaissé par l'introduction des impuretés' précitées. Les impuretés 35 électriquement inactives non compensées sont dénommées "impuretés neutres". Par souci de clarté, on va maintenant donner quelques définitions. Par "impureté" il y a lieu d'entendre chaque 4© dérangement du réseau cristallin idéal, par exemple des disloca 6939590 3 2023619 tions, des lacunes et des atomes ou ions étrangers qui se trouvent interstitiellement dans le réseau cristallin ou qui remplacent des atomes de réseau idéal. Des impuretés électriquement inactives sont 5 des impuretés qui n'influencent pratiquement pas la concentration en porteurs de charge libres, c'est-à-dire qu'elles ne captent et ne libèrent pratiquement pas de porteurs de charge libres; elles peuvent être formées par des atomes étrangers ou des dislocations et des impuretés qui se conduisent de cette façon, par 10 exemple des donneurs et des accepteurs se compensant mutuellement (concentrations équivalentes en donneurs et en accepteurs). Des impuretés électriquement actives influencent le nombre de porteurs de charge libres (électrons et trous) et peuvent déterminer le type de conduction. Elles comprennent par 15 exemple des donneurs et des accepteurs à condition que ceux-ci ne soient pas compensés, des centres capteurs, des centres de recombinaison et des dislocations, qui se comportent comme de teH.es impuretés. Dans l'invention, on met à profit le fait que 20 l'on peut abaisser un coefficient de température, positif par suite du fait que la dispersion de porteurs de charge dans le réseau cristallin domine, non seulement à l'aide d'impuretés électriquement actives mais également avec des impuretés neutres. Cela provient du fait que des porteurs de charge 25 libres sont également dispersés par les impuretés neutres, cette dispersion provoquant un coefficient de température inférieur au coefficient de température provenant uniquement de la dispersion du réseau. Selon l'invention, un dispositif semiconducteur 30 du genre envisagé dans le préambule est remarquable en ce que les impuretés électriquement inactives sont formées, du moins en grande partie, par des impuretés neutres. Par "en grande partie", il y a lieu d'entendre ici une concentration en impuretés neutres telle que l'on peut déterminer une diminution mesurable de la va^-_ 35 leur absolue du coefficient de température. Par suite de l'incorporation d'impuretés neutres, le coefficient de température peut être abaissé de façon simple, tandis que l'influence sur la concentration en porteurs de charge libres est également diminuée. Etant donné que la concentration des donneurs 40 ou des accepteurs peut dans de nombreux cas être ajustée pratiquement indépendamment de la concentration en impuretés neutres, 6939590 4 2023619 ces concentrations peuvent sans difficultés, au besoin, différer de plusieurs ordres de grandeur. De ce fait, la concentration en donneurs ou en accepteurs peut être très petite par rapport à la concentration en impuretés neutres, et de ce fait, la résis-5 tivité peut être élevée. Il est évident qu'une résistivité élevée permet de réaliser des éléments résistants moins encombrants. Dè préférence, les impuretés électriquement inactives sont formées principalement pas des impuretés neutres, étant donné qu*alors la concentration en porteurs de charge li-10 bres et le coefficient de température peuvent être ajustés de façon mieux reproductible et plus indépendamment l'un de l'autre. Dans un dispositif semiconducteur conforme à l'invention il peut" se produire une certaine compensation, par exemple du fait qu'un élément résistant est élaboré par diffusion 15 'd'une impureté électriquement active (un donneur ou un accepteur) dans un substrat à type de conduction opposé. Dans ce cas, l'influence de cette compensation sur le coefficient de température est négligeable. De préférence, selon l'invention, la région de 20 semiconducteur est constituée de préférence par du silicium, du germanium ou un cristal mixte de silicium et de germanium et les impuretés neutres sont constituées par au moins un des éléments étain et plomb. Les combinaisons de matériaux semiconducteurs précitées et des impuretés neutres ont donné des résultats par-25 ticulièrement intéressants. L'invention n'est cependant pas limitée à l'utilisation de silicium et de germanium comme matériau semiconducteur. On peut également utiliser des composés avec des impuretés neutres appropriées. 30 Les impuretés actives du point de vue électrique dans la région semiconductrice sont constituées par les accepteurs et les'donneurs usuels. Suivant une forme de réalisation importante du dispositif semiconducteur conforme à l'invention, les impuretés 35 électriquement actives et les impuretés neutres sont formées par le même élément, alors que la concentration de l'élément est suffisamment élevée pour qu'elle dépasse dans une mesure importante la concentration en porteurs de charge libres, existant par suite de la présence de l'élément dans la région semiconductrice. On 40 a en effet constaté que lorsque la concentration d'un élément 6939590 5 2023619 donneur ou d'un élément accepteur augmente dans une région semiconductrice, la concentration en porteurs de charge libres est d'abord pratiquement égale à la concentration de cet élément, tandis que pour des concentrations très élevées, la concentration 5 en porteurs de charge libres est beaucoup plus petite que la concentration de l'élément. Pour des concentrations élevées, l'élément peut former donc simultanément à la fois une impureté active et une impureté neutre. Les éléments suivants ; gallium, bore, aluminium, 10 indium et antimoine se sont avérés appropriés pour une région semiconductrice en silieium. Lfinvention concerne par ailleurs un procédé de fabrication dlun dispositif semiconducteur conforme à l'invention, suivant lequel on introduit dans la région semiconductrice, 15 une quantité dfimpuretés neutres telle que l'on peut constater une diminution mesurable de la valeur absolue du coefficient de température » Cette quantité d'impuretés neutres peut différer de cas en cas, et peut être déterminée de façon simple,-expérimen-20 taleœent, par le spécialiste. Si l'impureté électriquement active et l'impureté neutre sont formées par le mêm® élément, et si la concentration de lfélément est suffisamment élevée pour que cette concentration dépasse de beaucoup la concentration en porteurs de charge libres, qui est présente dans la région semiconduc-25 trice par suite de cet élément, l'élément ne peut en général être introduit dans la région semiconductrice par exemple avec les techniques de diffusion usuelles. C'est pourquoi suivant une forme de réalisation préférée du procédé conforme à l'invention, au moins les impu-30 retés neutres sont introduites par implantation dfions dan» la région semiconductrice ^ La description qui va suivre, en regard des dessins annexés, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. 35 La figure 1 est une vue en plan d'une partie d'un premier exemple de réalisation d'un dispositif semiconducteur conforme à lfinvention à un stade donné de sa fabrication. La figure 2 est une coupe suivant le plan II-II indiqué sur la figure 1. 40 La figure 3 est une coupe d'une partie d'un 6939590 6 2023619 deuxième exemple de réalisation d'un dispositif semiconducteur conforme à l'invention, à un certain stade de sa fabrication. La figure 4 est une vue en plan de la partie envisagée du deuxième exemple de réalisation d'un dispositif 5 semiconducteur conforme à l'invention à un stade suivant de sa fabrication. La figure 5 est une coupe suivant le plan V-V indiqué sur la figure 4. La figure 6 est une vue en plan d'une partie 10 d'une troisième forme de réalisation d'un dispositif semiconducteur conforme à l'invention à un certain stade de sa fabrication. Les figures 7, 8 et 9 sont des coupes d'une partie du troisième exemple de réalisation drun dispositif semiconducteur conforme à l'invention, à des stades successifs de t5 sa fabrication, la figure 9 correspondant à une coupe suivant le plan IX-IX de la figure 6. Premier exemple. Dans un cristal de silicium de type n (2) dont la résistivité est de 0,3 Q. cm. 'et l'épaisseur de 250 microns, 20 on réalise de la façon suivante des éléments résistants (voir figures 1 et 2). De façon usuelle, on transforme une couche superficielle du cristal (2) en oxyde (î) en chauffant le cristal pendant deux heures à 1200°C dans un four, dans lequel on fait 25 circuler de l'oxygène qui est saturé à 98°C avec de la vapeur d'eau. Ensuite, on pratique dans l'oxyde, à l'aide d'une technique de photodécapage, une ouverture (6) comportant des plages carrées d'extrémité (3) de 50 microns x 50 microns reliées par un canal (10} de 200 microns de longuetîr et de 20 microns de 30 largeur. Ensuite, on fait diffuser dans l'ouverture, de l'étain comme impureté neutre. A cet effet, le cristal (2) est chauffé pendant 30 minutes à 1000°C dans un four, dans lequel on fait circuler un mélange gazeux. Ce mélange gazeux est obtenu à partir d'azote sec circulant à une vitesse de 400 cm-^/minute et 35 d'azote que l'on fait circuler à travers une bouteille renfermant du SnCl^ liquide, à une vitesse de 100 cm^/minute. On chauffe ensuite également pendant 30 minutes à 1000°C dans de l'azote sec. Ensuite on fait diffuser du bore comme impureté active par l'ouverture (6) pratiquée dans le cristal (2). La diffusion se 40 fait dans un four dans lequel le cristal de silicium est maintenu 6939590 "7 f 2023619 pendant 1 heure à 900°C et une source de nitrure de bore à 950"C, tandis qu'on fait circuler l'azote à une vitesse de 500 cm^/minu-te. De cette manière, de l'étain ainsi que du bore diffusent dans le silicium, et l'on obtient ainsi une zone de type p(5) qui 5 forme la région semiconductrice de l'élément résistant à fabriquer . Enfin on transforme une couche superficielle de la zone (5) en oxyde (7) en chauffant le cristal pendant 50 minutes dans un four, à 1050°C, dans de l'oxygène sec et 10 30 minutes à 1000°C dans de l'oxygène saturé à 98°C de vapeur d'eau. Par ce dernier traitement, la valeur de la résistance de la zone est augmentée. Ensuite on pratique à l'aide de techniques de photodécapage des ouvertures (4) de 20 mi-15 crons x 20 microns dans l'oxyde, à l'endroit des extrémités (3) et on applique dans ces ouvertures des couches d'aluminium (8). A ces couches d'aluminium sont fixés des conducteurs de connexion (9) pour l'élément résistant. Grâce à la géométrie du canal (10) on obtient 20 une valeur de résistance qui s'élève à dix fois la valeur par carré. La résistance de l'élément résistant ainsi obtenue s'élève à 1,8 ko et le. coefficient de température entre 24°C et 100°C à 0,63 0/00 par °C. Sans diffusion d'étain on obte-25 nait- un élément à .résistance- de 1,8 k.f2 ayant les mêmes dimensions. On a mesuré avec cet élément un coefficient de* température plus élevé, à savoir 0,85 0/00 par °C. Deuxième exemple . Les conditions de fabrication de cet exemple 30 de réalisation sont les mêmes que pour le premier exemple à ces différences près: la diffusion d'étain dure une heure et est réalisée à 1100°C. Ensuite on chauffe pendant deux heures à 1200°C dans de l'azote sec. La diffusion de bore dure dix minutes. Ensuite, on oxyde en plaçant le cristal pendant dix minutes dans 35 un four à 1050°C dans de l'oxygène sec, ensuite pendant une heure à 1000°C dans de l'oxygène qui est saturé à 98°C avec de la vapeur d'eau, et enfin pendant une heure à 1050°C dans de l'oxygène sec. La résistance de l'élément à résistance ainsi fabriqué s'élève à 4,1 k n et le coefficient de température entre 24°C et 40 100°C est de 1,06 0/00 par °C. 6939590 8 2023619 Sans diffusion d'étain on obtient également un élément résistant de 4 kfi ayant les mêmes dimensions. On a mesuré pour cet élément un coefficient de température plus élevé, à savoir 1,5 o/oo par °C dans la gamme de 24°C à 100°C. 5 Troisième exemple. Une plaque de silicium (16) (voir fig. 3), dont la résistivité est de 3 à 50-cm et dont l'épaisseur est de 250 microns, est munie de façon usuelle d'une couche d'oxyde (11). Une face de cette plaque est pratiquement perpendiculaire à la direction 10 du réseau cristallin. A l'aide de techniques de photodécapage, on pratique dans la couche d'oxyde, des trous (17) de 50 microns x 50 microns. Dans ces trous, on fait diffuser du bore jusqu'à une profondeur d'environ 2 microns avec une concentration superficielle d'environ 102® at/cnP, et les régions (1^) sont 15 ainsi formées. Ensuite on décape dans la couche d'oxyde (voir figures 4 et 5) entre les régions (13) un canal (12) de 300 microns de longueur et de 15 microns de largeur. Ensuite en dépose par évaporation de l'aluminium et l'on forme à l'aide de techniques de photodécapage des contacts d'aluminium carrés (14) sur les 20 régions (13)• Par implantation d'ions on introduit dans la plaque de silicium par l'intermédiaire du canal (12), du gallium ainsi que dans la région (13) là où elle n'est pas recouverte par les contacts (14). La région ainsi obtenue est désignée par la référence (15)- L'implantation se fait en bombardant la plaque 25 avec des ions de gallium dans un séparateur de masse. La plaque est placée sensiblement perpendiculairement au faisceau, c'est-à-dire que l'écart par rapport à la normale ne dépasse pas environ 4°. Le vide s'élève à environ 10"^ Torr pendant l'implantation. Le faisceau d'ions du séparateur est défocalisé et est dépla-30 cé de manière à obtenir un bombardemant aussi homogène que possible. Pendant le bombardement, la plaque est montée sur un support métallique dont la capacité thermique est suffisamment élevée pour écouler la puissance dissipée dans la plaque de silicium. p La dose totale (ions/cm ) est mesurée de façon 35 usuelle par intégration. On règle la dose en faisant varier le temps de bombardement et la densité du courant. L'implantation de cet exemple est faite avec l'isotope Ca^. La plaque de silicium est maintenue à la température ambiante. L'énergie des ions s'élève 40 à 60 keV. La couche d'oxyde (11).ne laisse pas passer les ions 6939590 9 2023619 et forme donc un masque pour 1fimplantation d'ions. L'épaisseur de cette couche est comprise entre 0,5 et 1*5 micron. Par suite du bombardement, le cristal est endommagé. En chauffant la plaque on peut éliminer la majeure partie 5 de ces endommagements. Les endommagements disparaissent en majeure partie lorsqu'on chauffe la plaque pendant k heures dans du gaz N2 sec, dans un four, à 550°C. Ensuite, on munit l'élément résistant de conducteurs de connexion (18) et on le place éventuellement dans une 10 enveloppe. Il faut également remarquer que, en ne plaçant pas directement les contacts (14) après le dépôt par évaporation de l'aluminium, mais en décapant le canal (12), outre dans la couche d'oxyde, également dans la couche d'aluminium, la couche d'alu-15 minium peut être utilisée au lieu de la couche d'oxyde, comme masque pour l'implantation d'ions. Cette solution offre l'avantage que l'épaisseur de la couche d'oxyde peut être choisie plus grande que lorsque l'oxyde sert de masque. Dans ce cas c'est l'aluminium qui est d'abord enlevé par décapage après l'implanta-20 tion, à l'exception de l'endroit où les contacts (14) subsistent. Dans le tableau suivant, on a repris quelques résultats de mesure. Le coefficient de température est mesuré entre la température ambiante et 120°C. 25 dose coefficient de résistance par concentration nom- ions/cm2 température Garré bre ^atomes/cm? + 1°/oo/°c >300 a 1,5.1019 1,3.1015 -Q,5°/oo/°C 2300 a 6,5.1019 30 1016 -0,3°/oo/°C 1200 G 5.1020 Lors du calcul de la concentration, on a supposé que le gallium était réparti de façon homogène sur une couche de 35 0,2 microns de profondeur. Il ressort du tableau que lorsque la concentration du gallium augmente la résistance diminue. Cela provient du fait que la concentration eo impuretés électriquement actives augmente ainsi que le nombre de porteurs de charge libres. 6939590 10 2023619 14 Pour la dose a une valeur comprise entre 3.10 i *5 2 et 1,3.10 3 ions/cm , le coefficient de température est égal à zéro. Cela se produit pour une valeur de la résistance par carré comprise entre 3300 et 2300fi. A l'aide de techniques avec les-5 quelles les impuretés neutres sont introduites par diffusion, les coefficients de température ne sont pas aussi bas que pour une valeur de la résistance par carré beaucoup plus basse. A l'aide de la technique d'implantation, du moins pour l'introduction d'impuretés neutres, on peut donc réaliser 10 des éléments à résistance par carré élevée et à coefficient de température bas. Cela provient du fait que l'élément implanté remplit pour une partie, la fonction d'impureté active et pour le reste, d'impureté neutre. A l'aide de mesures de Hall, on a déterminé que pour une dose de 3.101^ ions/cm2, le nombre de por- ,, 14,2 15 teurs de charge implantes s elevait à environ 1,5.10 ions/cm O et la mobilité était environ 20 cm /V.s. Il s'ensuit que la concentration de l'impureté neutre est de loin supérieure à la concentrât i-on de l'impureté active du point de we électrique.Cela se confirme par le calcul suivant: on peut calculer R0 à lraide de la formule : _ t Mq = e.p-.N dans laquelle Rn est la résistance par carré, e la charge de l'électron, |j la mobilité et N le nombre de porteurs de charge p 2r p par cm de la zone formant la résistance. Pour N = 1,5. 10 /cm , R0 s'élève à 2100 £2,cette valeur comme l'indiquait le tableau, 25 est comprise entre 1200 et 2300-G . On peut également calculer, à l'aide de la formule, la valeur de la résistance par carré pour les doses reprises dans le tableau, en supposant que le gallium implanté se comporte entièrement comme impureté active. N, le nombre de porteurs g 30 de charge par cm , est alors égal à la dose implantée. Rn pour 1 h p la dose de 3.10 /cm s'élève alors à 700fi(y. = 30), R0 pour la dose de 1,3.101Voro2 s'élève à environ 240fl(p = 20) et R0 pour 1 O la dose de 10 /cm , est environ égal à 60Q(n = 10). En comparant avec le Rn mesuré, donné dans le ta*-35 bleau, on s'aperçoit qu'une grande partie du gallium implanté est présente sous la forme d'impureté neutre et que la quantité d'impureté neutre augmente avec la dose, étant donné que le rapport entre la résistance par carré mesurée et celle calculée augmente fortement. Il est évident que ces calculs ne sont 6939590 n 2023619 qu'approximatifs, étant donné que l'on a supposé implicitement dans l'utilisation de la formule, que le gallium est réparti de façon homogène dans la couche implantée. Les différences trouvées sont cependant suffisamment élevées pour que la con-5 clusion que l'on a tirée soit justifiée. D'autre part, on a constaté que le coefficient de température d'éléments résistants dont au moins les impuretés neutres sont introduites par implantation d'ions, est constant le long d'un grand trajet de température . 10 II ressort également du tableau que pour des doses élevées et des résistances par carré, basses, le coefficient de température augmente de nouveau. Il ne s'agit pas d'un phénomène que l'on ne connaît pas. Pour des résistances non implantées, ce phénomène se produit pour des résistivités très basses et pour 15 des valeurs positives du coefficient de température (voir par exemple W.N. Bullis et al, Solid State Electronics, 1968, tome 11, pages 639 à 646). Il est vraisemblable que l'augmentation du coefficient de température lors de la baisse de la résistance par carré, provient du fait que pour une résistance par carré 20baisse l'influence de la dispersion des porteurs de charge par les impuretés domine par rapport à la dispersion du réseau. Quatrième exemple. On recouvre d'une façon usuelle d'une couche d'oxyde (58) une plaque de silicium €>7) (voir figures 6, J, 8 et 9) dont la résistivité est de 3 à 5^.cm et l'épaisseur d'en-25 viron 250 microns, une de ses faces étant pratiquement perpendiculaire à la direction .A l'aide de technique de photodécapage, on pratique dans la couche d'oxyde (58) des trous(59) de 30 microns sur 40 microns. A travers ces trous on fait diffuser du bore dans la plaquette, de sorte que l'on obtient les 30 régions de contact (52) sur lesquelles sont appliqués par la suite les contacts de l'élément, résistant à élaborer. La profondeur des régions de contact est d'environ 1,5 micron et leur résistance par carré est de 40 à 60Q. La couche d'oxyde (58) est ensuite éliminée par décapage et l'on applique de la même façon 35 que décrite précédemment une nouvelle couche d'oxyde (51) d'une épaisseur de 2000 Â. Dans la couche d'oxyde (51) on pratique par décapage des trous (56) de 30 microns x 16 microns. Ensuite, on dépose par évaporation une couche d'aluminium (60) qui a une épaisseur d'environ 1 micron. Dans la couche d'aluminium (60) on * 6939590 12 2023619 décape un canal (54) de 186 microns x 20 microns entre les régions diffusées (52). Pour l'implantation que l'on effectue ensuite, la couche d'aluminium est utilisée comme masque et on implante du bore par l'intermédiaire du canal (54) à travers la 5 couche (51) dans le silicium sous-jacent et l'on obtient la 1 1 région (55). On implante un excès d'ions B avec une énergie de 60 keV et une dose de 6.10 • ions/cm . Après l'implantation on enlève la couche d'aluminium par décapage à l'exception de carrés (53) de 50 microns x 10 50 microns qui forment les contacts avec les régions de contact (52). Ensuite, on chauffe pendant trente minutes à"500°C dans de l'azote sec et l'on mesure la résistance. La résistance par carré est de 2700^1 et le coefficient de température est de -0,7°/oo/°C. Cette valeur négative 15 provient du fait que l'on utilise un excès d'ions . Parmi les dispositifs décrits, on comprend également les dispositifs dans lesquels le corps semiconducteur comporte, outre un élément résistant au moins un autre composant, par exemple un transistor. 20 L'invention n'est pas limitée aux exemples envisagés. Par exemple, il n'est pas forcément nécessaire d'introduire comme impureté neutre, une impureté matérielle,dans 3a zona de semiconducteur. Il est également possible, par exemple par bombardement à l'aide d'électrons, de former outre l'introduction d'impuretés 25 actives, des dislocations de cristal comme impuretés neutres. La formation de dislocations de cristal offre l'avantage qu'un excès éventuel de cette impureté neutre peut être éliminé souvent par un traitement à température élevée. On n'est pas non plus limité au silicium pour le 30 choix du matériau semiconducteur. On peut également utiliser du germanium, des cristaux mixtes de silicium et de germanium, des composés AI:I^BV ou des composés A^B^1. Au lieu d'étain, on peut par exemple diffuser ou implanter du plomb comme impureté neutre dans du germanium ou des cristaux mixtes de silicium et de germa-35 nium. 6939590 T3 2023619 REVENDICATIONS 1Dispositif semiconducteur comprenant un élément résistant comportant une région semiconductrice dans laquelle se trouvent des impuretés électriquement actives servant à 5 déterminer le type de conduction et à obtenir des porteurs de charge libres, ainsi que des impuretés électriquement inactives servant à abaisser le coefficient de température de l'élément résistant, ce dispositif étant caractérisé en ce que les impuretés électriquement inactives sont formées, du moins en 10 grande partie, par des impuretés neutres. 2.- Dispositif semiconducteur selon la revendication 1,caractérisé en ce que les impuretés électriquement inactives sont formées principalement par des impuretés neutres. 3.- Dispositif semiconducteur selon l'une des reven-15 dicationB 1 ou 2, caractérisé en ce que la région semiconductrice est constituée par du silicium, du germanium ou un cristal mixte de silicium et de germanium et en ce que les impuretés neutres sont formées par un moins un des éléments étain et plomb. 20 4-.- Dispositif semiconducteur selon la revendica tion 2, caractérisé en ce que les impuretés électriquement actives et les impuretés neutres sont formées par le même élément, alors que la concentration de l'élément est suffisamment élevée pour qu'elle dépasse dans une mesure importante 25 la concentration en porteurs de charge libres qui est présente par suite de 3aprésence de l'élément dans la région semi-conductrice. 5.- Dispositif semiconducteur selon la revendication 4-, caractérisé en ce que l'élément est constitué par du 50 gallium, du bore, de l'aluminium, de l'indium ou de l'antimoine et la région semiconductrice par du silicium. 6.- Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur selon une des revendications 1 à 5» oaractérisé en ce que l'on introduit dans la région semiconductrice une 35 quantité d'impuretés neutres telle que l'on peut constater une diminution mesurable de la valeur absolue du coefficient de température. 6939590 14 202361 7»- Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que au moins les impuretés neutres sont introduites dans la région semiconductrice par implantation d'ions.