FR 2023314 A1 19700821 FR 6933855 A 19691003 69 33855 i 2023314 La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs et plus particulièrement un procédé de fabrication de dispositifs serai-conducteurs comportant des jonctions réalisées par le procédé d,implantation d'ions. 5 Comme procédé pour former une couche indépendante dans un support semi-conducteur, de manière à réaliser une jonction entre eux, par exemple une jonction p-n, une jonction p-p+, une jonction n~n+ ou une jonction i-p ou i-nt on a proposé un procédé dit d' implantation d'ions. Conformément à ce procédé, les impuretés vou-ÎO lues sont introduites ou implantées dans un support semi-conducteur sous la forme d'ions accélérés et le support est recuit pendant ou après 1 implantation d,ions pour activer les impuretés qui ont été introduites sous la forme d'ions et pour recuire et réarranger les cristaux en désordre dans la couche supérieure du support semi-15 conducteur provoqués par les ions introduits dans celle-ci. Etant donné que, conformément à ce procédé, les impuretés sont implantées à force dans le support, 1'un quelconque des nombreux matériaux bien connus peut être utilisé pour le support et/ou l'impureté. Le procédé produit également des jonctions abruptes de sorte que le 20 procédé est maintenant largement utilisé dans de nombreuses applications. Conformément à ce procédé, cependant, il est seulement possible de former des jonctions relativement peu profondes dans les supports. Par exemple, quand une jonction p-n est formée par ce procédé, la profondeur de la jonction est au plus de seulement 25 deux microns. Pour cette raison 1 Application des dispositifs semiconducteurs fabriqués par le procédé d'implantation d'ions a été limitée à des cas spéciaux. Naturellement, comme cela est bien connu dans la pratique, il est possible d'accroître la profondeur de la jonction en accrois-30 sant la tension d'accélération des ions. Cependant ce procédé n' est pas avantageux en raison de l'appareil d'accélération à haute énergie qui devient nécessaire. Un objet de la présente invention est de fournir un procédé amélioré pour réaliser des jonctions profondes dans un support 35 par le procédé d'implantation d'ions sans qu'il soit nécessaire d'utiliser un appareil d'accélération à haute énergie. La présente invention a pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur ayant une jonction profonde sans utiliser aucun dispositif d'accélération à haute énergie, le 40 dit procédé comprenant les stades qui consistent à implanter des 69 33855 2 2023314 ions d'une impureté active dans un support semi-conducteur par le procédé d'implantation d'ions, à recuire le support à une température comprise entre 900 et 1300 °C, dans une atmosphère oxydante, pendant au moins une période du dit procédé de recuit, pour former 5 un film oxydé sur la partie sur laquelle la dite impureté a été implantée et à diffuser lîimpureté implantée dans des parties plus profondes du support. La présente invention sera mieux comprise â la lecture de la description détaillée faite ci-après avec référence aux dessins lO ci-annexés dans lesquels: Figs 1A et 1B sont des vues en coupe d'un dispositif semiconducteur illustrant les états successifs du procédé de la pré« sente invention, figures dans lesquelles figure 1A représente le stade de formation d'une couche implantée dans un support semi-15 conducteur par le procédé d'implantation d'ions et figure 1B un support semi-conducteur après le recuit; Fig. 2 est une courbe représentant la relation entre la distribution de la concentration en impureté et l'épaisseur du film oxydé dans laquelle l'abscisse représente la profondeur depuis 20 la surface du support et l*ordonnée la concentration en impureté exprimée sous forme logarithmique; Figs 3A à 3F sont des courbes qui représentent les différents types de concentrations en impureté, courbes dans lesquelles les coordonnées ont la même signification que dans la figure 2; 25 Figs 4A, 4B et 4C sont des vues en coupe illustrant les stades successifs de la fabrication d'un transistor conformément à la présente invention,, figures dans lesquelles la figure 4A illustre le stade de formation d'une couche de base dans un support semi-conducteur, la figure 4B le stade de formation d'une couche 3G implantée dans la couche de base par le procédé d'implantation d* ions et la figure 4C le support après recuit; Figs 5A à 5C sont des vues en coupe semblables aux figures 4A à 4C illustrant les stades successifs de fabrication d'une diode conformément au procédé de la présente invention; 35 Figs 6A à 6D soht des vues en coupe illustrant les stades successifs de la fabrication d'un transistor conformément à la présents invention, figures dans lesquelles la figure 6A représente le support semi-conducteur muni d'une couche de base, la figure 6B ïe stade de formation d'une première couche implantée par le 40 procédé d'implantation d'ions» la figure ôC un stade de formation M m ORIGINAL 69 33855 2023314 d*une seconde couche implantée et la figure 6D le transistor après recuit, et Figs 7 A à 7D sont des vues en coupe semblables aux figures 6A à 6D illustrant les stades successifs de fabrication d'un tran-5 sistor conformément à un mode de réalisation modifié de la présente invention. Les grandes lignes de l'invention seront maintenant décrites avec référence aux figures 1A et 1B jusqu'aux figures 3A à 3F„ On prépare un support semi-conducteur 10 ayant un type de 10 conductivité donné et des couches d'impuretés 12 sont formées dans la partie supérieure du support par le procédé d'implantation d' ions dans lequel les icsns d'une impureté active sont introduits ou implantés sélectivement dans la couche supérieure à 1'aide d'un masque 11, comme représenté dans la figure 1A. La distribution de 15 concentration de la couche implantée avec l'impureté dépend des conditions d'implantation telles que la tension d'accélération des ions, l'intensité du courant ionique, la quantité de l'impureté et la nature de l'impureté et le support est recuit dans une gamme de températures de 900 à 1300°C, le support étant exposé à une atmos-20 phère oxydante pendant au moins une période du dit recuit de manière à former des films oxydés 13 sur les couches d*impureté 12 et à diffuser les impuretés implantées vers les couches plus profondes de manière à former des jonctions 14 plus profondes, comme représenté dans la figure 1B„ 25. La distribution typique de la concentration de l'impureté de la couche d*impureté ainsi formée est représentée dans la figure 2 dans laquelle l*abscisse représente la profondeur à partir de la surface supérieure du support semi-conducteur et l'ordonnée la concentration de l'impureté exprimée par le logarithme du nom- 3 30 bre d'atomes par cm » Cette distribution de la concentration de l*impureté est contrôlée par des facteurs tels que la condition d'implantation, la température et la durée du recuit et l'épaisseur de la couche oxydée formée par l'atmosphère oxydante» En particulier, la profondeur de la jonction peut être contrôlée par l'épais-35 seur de la couche oxydée. Ainsi, par exemple, lorsque la couche oxydée est formée jusqu'à une profondeur indiquée par une ligne a représentée dans la figure 2, la partie plus profonde que cette profondeur englobe effectivement la couche d'impureté. Lorsque 1* on désire réduire la profondeur de la couche d'impureté efficace, 40 la couche oxydée doit être terminée sur les lignes b, c ou d. De 69 33855 4 2023314 cette manière, la présente invention rend possible de contrôler la distribution de la concentration d'impureté aussi bien que la profondeur de la jonction» Des exemples d'une telle distribution sont illustrés dans les figures 3A à 3F dans lesquelles l'ordonnée re- 5 présente la concentration de l'impureté exprimée par la logarithme 3 du nombre d'atomes par cm tandis que l'abscisse represente la profondeur depuis la surface supérieure du support. De cette manière et conformément à la présente invention, il est possible de diffuser l'impureté active, implantée dans un lO support semi-conducteur par le procédé d'implantation d'ions, dans des parties plus profondes du support, de manière à former de façon contrôlable des jonctions abruptes dans le support, tout en maintenant la distribution de l'impureté réalisée par l'impureté implantée. 15 Comme support semi-conducteur on peut, dans le cadre de la présente invention, utiliser du silicium, du germanium, de l'arse-niure de gallium, du phosphure de gallium et des semi-conducteurs composites indium-antimoine. Les termes "impureté active" sont utilisés ici pour désigner toute impureté qui peut former un type 20 de conductivité dans le support conducteur et ils englobent les impuretés usuelles connues dans la pratique, par exemple des éléments des groupes III et V du tableau périodique pour le silicium ou le germanium. Le terme "jonction" utilisé englobe outre la jonction p-n, une jonction p-i, une jonction n-i, une"jonction" + . . . + 25 P —P G"t une jonction n -n, La gamme des températures ci-dessus indiquée pour le recuit allant de 900 à 1300°C est choisie en raison du fait que les tempé» ratures inférieures â 900°C ne produisent pas de couche oxydée dans la couche d'impureté de même qu'elles ne donnent pas une diffusion 30 suffisante de l'impureté tandis que des températures supérieures à 1300°C tendent à endommager le support semi-conducteur. Le recuit ci-dessus mentionné, effectué dans une atmosphère oxydante pendant au moins une période de ce procédé de recuit, signifie que tous les stades de recuit du support semi-conducteur 35 peuvent être effectués entièrement dans une atmosphère oxydante ou que le stade initial peut être effectué dans une atmosphère oxydante et le stade ultérieur dans une atmosphère non-oxydante ou vice versa. Pour le contrôle efficace de la diffusion ou de l'évapora-40 tion des impuretés implantées, il est préférable qu'un film d'oxyde BAD ORIGINAL 69 33855 5 2023314 soit formé lors du stade initial du chauffage. Dans l'un et l'autre cas, le film d'oxyde finalement formé doit être d'un type tel qu'il soit capable d'agir comme film protecteur de surface. Ces conditions peuvent être choisies convenablement en fonction de 1* 5 épaisseur recherchée pour le film d'oxyde à former . Comme masque utilisé dans le procédé d'implantation d'ions, on peut utiliser, outre un film de silice,un film de molybdène ou de nitrure de silicium. Etant donné que la couche détruite produite par le procédé lO d'implantation d'ions est occupée par la couche de Si02 formée au -moment du recuit, il n'est pas nécessaire d'éliminer la couche détruite par un traitement ultérieur, La dite couche de Si02 peut également être utilisée dans d'autres stades, par exemple comme masque, l'électrode sortant sélectivement à travers la partie éli-15 minée de cette couche. Etant donné qu'il n'est pas nécessaire de s'occuper de l'apparition de la couche détruite ci-dessus, on peut implanter des impuretés sous des concentrations élevées. EXEMPLE 1 Comme premier mode de réalisation de la présente invention 20 on décrira ci-après, avec référence aux figures 4A à 4C, un procédé de fabrication d'un transistor du type n«p-n. Du bore a été diffusé dans un support de silicium 20 de type de conductivité n ayant une résistivité de 5 ohms-cm par un procédé de diffusion sélectif conventionnel pour former une couche 25 de base 21 ê;;ant un type de conductivité £, avec une concentration i Q n de 5 x 10 /cm , Une portion du film de silice 22 formé sur la surface supérieure du support au moment de la diffusion a été éliminée par la technique de photogravure (figure 4A), Ensuite du phosphore sous la forme d'ions a été introduit ou implanté sous une 30 tension d'accélération de 10 kv dans la couche de base 21, à travers la partie éliminée du film 22, pour former une couche 23 ayant 1 c o un type de conductivité n avec une concentration de 1 x lO /cm (figure 4B), Le support 20 a été ensuite recuit dans une atmosphère de gaz argon contenant 20 mol % d'oxygène sec, à une températu-35 re de 1050°C, pendant lO minutes, pour former un film 24 de silice sur la couche 23 ayant un type de conductivité n formée par l'implantation des ions phosphore et pour amener l'impureté à diffuser pour former une couche émetteur 25 ayant un type de conductivité n (figure 4C), 40 En conséquence, une jonction p-n 26 a été formée à une 69 33855 6 2023314 profondeur considérable à partir de la surface supérieure du support» Des électrodes ont été connectées par un procédé conventionnel sur l'élément de transistor de type n-p-n ainsi obtenu, La valeur mesurée du facteur d'amplification du courant pour le tran-5 sistor décrit ci-dessus était de 50. Au contraire, un transistor du type n-p-n fabriqué par le procédé antérieur, dans lequel un support muni par la même technique d'implantation du phosphore d'une couche du type de conductivité n avait été recuit entre 300 et 800°C dans une atmosphère d* lO argon pendant 20 minutes, avait un facteur d'amplification de courant de seulement 4 à 7. EXEMPLE 2 Un support au silicium du type n ayant une résistivité de 1 ohm-cm a été préparé et du bore a été diffusé dans le support 15 par la technique de diffusion sélective pour former une couche de base ayant un type de conductivité £ avec une concentration de 17 3 1 x ÎO /cm . Ensuite, en utilisant un masque constitué par un film de silice et sous une tension d'accélération de 20 kv, des ions antimoine ont été implantés dans la couche de base pour for- 20 mer une couche émetteur du type de conductivité n ayant une con- 14 / 3 centration de 1 x lO /cm . Toutefois un tel procédé d'implantaticn des ions n'est pas toujours essentiel, le procédé d'implantation des ions dit à chaud pouvant être utilisé,procédé dans lequel le support est chauffé à une température allant de 300 à 900°C pen-25 dant le stade d'implantation des ions. Le support a été ensuite recuit dans une atmosphère d'argon contenant 20 mol % d'oxygène sec à une température de 1050°C pendant 5 minutes. De l'eau a été admise dans la dite atmosphère pour préparer une atmosphère gazeuse humide d'oxygène et d'argon et le support a été à nouveau recuit 30 dans cette dernière atmosphère pendant 3 minutes pour former un film de silice et une couche émetteur du type de conductivité n se trouvant en dessous de celle-ci, de la même manière que dans l'exemple précédent. Le transistor dû type n-p-n ainsi fabriqué avait un facteur d'amplification de courant de 40 et convenait 35 pour être utilisé dans une bande à haute fréquence de 2GHz. A contrario, un transistor du type n-p-n fabriqué par un procédé conventionnel dans lequel de 1-antimoine avait été implanté dans la couche de base par le procédé ci8implantation d'ions et le support avait été ensuite recuit sons vide à une température de 4Q 700°C pendant 20 minutes, avait un facteur d'amplification de cou BAD ORIGINAL 69 33855 7 2023314 rant de seulement 0,1. De plus, en raison de la faible épaisseur de la couche émetteur, il était difficile de fixer de façon satisfaisante l'électrode émetteur. EXEMPLE 3 5 Un procédé de fabrication d'une diode conformément au pro cédé de la présente invention sera maintenant décrit avec référence aux figures 5A à 5C, Un support 30 au silicium du type de conductivité n ayant une résistance de 0,5 ohm-cm a été préparé et un film de silice 31 lO a été formé sur la surface de ce support. Une partie du film 31 a été éliminée par la technique de photogravure pour faire apparaître une partie du support 30. (figure 5A). Des ions aluminium ont été implantés dans la partie apparente du support 30 sous une tension d'accélération de 20 kv pour former une couche implantée 32 ayant 15 un type de conductivité £ avec une épaisseur d'environ 2 microns. Le support a été alors recuit dans une atmosphère de gaz argon contenant 10 mol % d'oxygène sec, à une température de HOO°C, pendant 10 minutes, pour former une couche de silice recouvrant la couche du type de conductivité £ et pour diffuser l'aluminium pour 20 accroître la profondeur de la couche 32 ayant un type de conductivité £ (figure 5C)0 La profondeur de la jonction p-n 34 ainsi formée à l'interface du support 30 et de la couche 32 ayant un type de conductivité £ était de 7 microns. 25 EXEMPLE 4 Avec référence maintenant aux figures 6A à 6D, un support monocristallin en silicium 40, du type de conductivité n+, a été préparé et une couche 41 ayant un type de conductivité n avec une résistivité de 1 ohm-cm, a été formée sur la surface du support par 30 le procédé connu de croissance épitaxiale. Une couche base 42 ayant un type de conductivité £ a été formée dans la partie de la couche de surface de la couche 41 ayant un type de conductivité n, par diffusion ou par le procédé bien connu d'implantation d'ions et la surface supérieure de la couche base 42 a été recouverte par une 35 couche de silice 43 (figure 6A). La couche de silice peut être remplacée par un film métallique tel qu'un film de molybdène. Un matériau résistant à la photogravure convenable a alors été appliqué sur la surface supérieure du film 43 et une partie annulaire ou deux parties en bandes du film 43 ont été éliminées par la technique 40 de la photogravue pour mettre à nu une partie ou des parties de la 69 33855 8 2023314 surface de la couche base 42» Des ions de bore ont été alors implantés dans la couche base 42 à travers cette partie ou ces parties à nu, à la température ambiante, par le procédé d'implantation d'ions pour former une couche d'implantation annulaire 44 ou 5 deux couches en forme de bande ayant un type de conductivité p+ (figure 6B). L'implantation d'ions a été effectuée avec comme con- 15 2 ditions une concentration d'ions de 1 x lO /cm et une tension d'accélération de 30 kv. La couche de silice 43 a été ensuite entièrement éliminée de la couche base 42 et un nouveau film de silice lO 45 a été formé sur la couche base 42 et la couche implantée 44» Une partie du film 45 positionnée de manière à être entourée par la couche 44, a été éliminée par le même procédé que ci-dessus décrit, pour mettre à nu une partie de la couche base 42, De 1' arsenic a été alors implanté dans cette partie à nu , à la tempé-15 rature ambiante, par le procédé connu d'implantation d'ions, pour former une couche implantée 46 ayant un type de conductivité n (figure 6C). Les conditions d'implantation étaient : une concen- 15 2 tration en arsenic de 1 x 10 /cm et une tension d'accélération de 30 kv. Le support a été alors chauffé pour faire diffuser 20 l'impureté contenue dans les dites couches 44 et 46 pour former une couche 47 ayant un type de conductivité p+ avec une jonction p-n profonde et une couche émetteur 49 ayant une jonction émetteur-base, (figure 6D). Quoique non représenté dans le dessin une électrode base est connectée sur la couche 47. Le procédé de recuit a-25 été effectué en deux stades : le premier stade a été constitué par un recuit dans une atmosphère de gaz argon à une température de HOO°C pendant environ lO minutes, tandis que le second stade a été constitué par un recuit dans une atmosphère d'argon contenant 5 % d'oxygène sec, à une température de 1150°C, pendant environ 60 mi-30 nutes. Comme on peut le noter d'après la figure 6D, étant donné que le coefficient de diffusion du bore est plus grand que celui de 1* arsenic, la couche implantée 44 contenant du bore diffuse plus profondément que la couche implantée 46 contenant de 1'arsenic sous les mêmes conditions de recuit, ce par quoi on réalise une cons-35 truction de base greffée. Un film de silice 48 a été également formé sur la surface de la couche émetteur par le dit procédé de recuit. Ce film a été alors complètement ou partiellement éliminé. Ensuite une électrode émetteur (non représentée) a été fixée sur la couche 49 par un procédé bien connu et une électrode base (non re-40 présentée) sur la partie supérieure de la couche 47 ayant un type 69 33855 9 2023314 de conductivité p+ qui a été mise à nu en éliminant le film oxydé qui la surmontait, ce qui donne un transistor. Quoique, dans le mode réalisation ci-dessus décrit, les ions bore aient été implantés les premiers et ensuite les ions ar-5 senic, l,ordre d*implantation peut être inversé. LSexemple ci-dessus décrit de la présente invention présente les avantages suivants: 1°/ Il est possible de réduire la largeur de la couche base, ce qui permet d'abaisser la résistivité de la partie de la couche base immédiatement en dessous de l'émetteur,, lO 2°/ La couche base et la couche émetteur peuvent être for mées simultanément au cours d'un seul traitement thermique. De plus, outre ces avantages, le transistor du type à base greffée assure les avantages ci-après. 3°/ Il est possible d'abaisser la capacitance effective 15 par unité de surface. 4°/ Il est possible d'abaisser la résistance de la couche de la région externe de la base. 5°/ Il est possible d'abaisser la résistance de contact de l'électrode dans la région de l'émetteur et la région de con-20 tact dé la base. Pour ces raisons, il est possible de réaliser des transistors ayant des caractéristiques améliorées pour les hautes fréquences. EXEMPLE 5 25 En se référant maintenant aux figures 7A à 7D, un support • + de silicium 50, ayant un type de conductivité de n , a été préparé et une couche collecteur 51, ayant un type de conductivité n, a été formée sur la surface supérieure du support par le procédé de croissance épitaxiale. Un film de silice 52 a été formé sur la cou-30 che collecteur 51, dans une atmosphère oxydante à haute température, par le procédé de grossissement par oxydation (figure 7A). Alternativement on utilise un film de nitrure de silicium (Si^N^) qui est formé par la décomposition pyrolytique d'un mélange de si-lanes et d'ammoniaque effectuée à basses températures. Une partie 35 de ce film a été alors éliminée pour mettre à nu une partie de la dite couche 51 ayant un type de conductivité n. Des ions d'une impureté du type n, arsenic et phosphore par exemple, ont été implantés dans la région mise à nu sous une tension dTaccélération de 30 kv pour former une première couche implantée 53 (figure 7B)a 40 La région mise à nu du support formée en éliminant une partie du 69 33855 lO 2023314 film de silice 52, a été élargie et une impureté du type £, bore ou gallium par exemple, a été implantée dans le support, sur la partie élargie, pour former une seconde couche implantée 54 entourant la première couche implantée 53, (Figure 7C)„ Finalement, le support 5 50 a été recuit dans une atmosphère oxydante à HOO°C pendant 15 minutes pour diffuser les impuretés contenues dans les première et seconde couches 53 et 54 pour former une couche émetteur 55 et une couche base 56 (figure 7D). L*impurété du type de conductivité n utilisée pour former la couche émetteur doit avoir un coefficient lO de diffusion plus petit que 11 impure té du type de conductivité £ utilisée pour former la couche base» D'une façon semblable au mode de réalisation précédent, un film de silice 57 a été formé pour recouvrir la couche émetteur 55 et la couche base 56. Quoique, dans le mode de réalisation ci«dessus, une impure» 15 té du type £ a été utilisée ,pour former la couché base et une inpu-reté du type n pour former la couche émetteur, il sera évident pour l'homme de l'art que le type de conductivité de l'impureté peut être inversé lorsque la couche émetteur est du type de conductivité £® De plus, il sera clair que l'ordre de formation de la couche 20 implantée pour la couche émetteur (première couche implantée) et de la couche implantée pour former la couche base (seconde couche implantée) peut être inversé. Conformément à l'invention^ le recuit a été effectué à une température allant de 900 à 1300°C8 immédiatement après l'implan-25 tation des ions. Cependant on peut recuire un support se«i-conducteur par le procédé usuel, à savoir â une température allant de 300 à 800°C. BAD ORIGINAL 69 33855 ii 2023314 REVENDICATIONS 1„- Un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur dans lequel on forme au moins une couche implantée dans un support semi-conducteur par implantation d'ions d'une impureté 5 active caractérisé en ce qu'on diffuse ltimpureté formant la dite couche dans le support et forme une couche oxydée sur cette couche en recuisant le support dans un gamme de températures de 900 à 1300°C, le dit support étant exposé à une atmosphère oxydante pendant au moins une période du procédé de recuit, 10 2»- Un procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'impureté active est implantée dans le support alors que le support est chauffé à une température de 300 à 900°Co 30- Un procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'impureté active est implantée dans le support par le procédé 15 d'implantation d'ions sous une tension d'accélération relativement faible» 4»- Un procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce qu'une période du procédé de recuit est effectuée dans une atmosphère inerte, 20 5,- Un procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que le support a un type de conductivité tandis que l'impureté a un autre type de conductivité» 6»- Un procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que le support et l'impureté ont le même type de conductivité, 25 7,- Un procédé selon la revendication 6 caractérisé en ce qu'on forme sur le support semi-conducteur une première couche ayant un type de conductivité opposé à celle du support, une partie de la dite première couche étant mise à nu sur une surface du support semi-conducteur et on recouvre la surface du support compor-30 tant la dite surface mise à nu avec un film d'oxyde qui empêche sélectivement l'implantation des ions de l'impureté active,le dit procédé d'implantation consistant en ce qu'une seconde impureté ayant un type de conductivité différent de celui de la dite première couche est implantée dans la partie mise à nu de la dite 35 première couche pour former une seconde couche, 8.- Un procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que des impuretés de types de conductivité différents sont implantées dans le support pour former dans le dit support une pluralité de couches implantées de types différents, 40 9,- Un procédé selon la revendication 8 caractérisé en ce 69 33855 12 2023314 que le procédé d'implantation est effectué en deux stades, le premier consistant en ce qu'une première impurté est implantée dans une partie choisie de la surface du support semi-conducteur ayant un type de conductivité pour former une première couche implantée, le 5 second en ce qu'une seconde impureté est implantée dans la surface du dit support pour former une seconde couche implantée, les dites première et seconde couches se recouvrant au moins partiellement, les dites première et seconde impuretés ayant des types de conductivité différents et des vitesses de diffusion différentes dans le lO dit support et en ce que le procédé de recuit est tel que le support muni des dites première et seconde couches est recuit à une température comprise entre 900 et 1300°C de manière à amener une impureté ayant un type de conductivité opposé à celui du support semi-conducteur à diffuser dans des parties plus profondes de 15 celui-ci pour former une couche base et à amener l'autre impureté, ayant le même type de conductivité que le support semi-conducteur, à diffuser dans des parties moins profondes de celui-ci pour former une couche émetteur, lO.- Un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conduc-20 teur caractérisé en ce que l'on forme dans un support semi-conducteur ayant un type de conductivité, une première couche base ayant le type de conductivité opposé, on implante une première impureté ayant un type de conductivité opposé à celui de la dite première couche base, dans une partie prédéterminée de la couche base, pour 25 former une première couche implantée dans celle-ci, on implante une seconde impureté, ayant un type de conductivité différent et une vitesse de diffusion plus élevée, dans la dite première couche base que la dite première impureté, dans une portion limitée de la dite première couche implantée pour former une seconde couche implantée 30 et on recuit le support semi-conducteur muni des dites première et seconde couches implantées, dans une gamme de température .de 900 à 1300°C, pour amener l'impureté dans la dite première couche d' impureté à diffuser dans des parties moins profondes et à amener 1* impureté dans la dite seconde couche implantée à diffuser dans des 35 parties plus profondes de la dite première couche base, pour former une couche émetteur et une seconde couche base respectivement, la dite seconde couche base ayant une concentration plus élevée, et à former des couches oxydées sur les dites première et seconde couches implantées respectivement, le dit support étant exposé à 40 une atmosphère oxydante pendant au moins une période du procédé de 69 33855 13 2023314 recuit» 11,- Un procédé de fabrication d'un dispositif semi—conducteur caractérisé en ce qu'on implante des ions d'une impurté active dans une partie choisie de la surface d'un support semi-con- 5 ducteur pour former au moins une couche implantée, on recuit le dit support à une température comprise entre 300 et 900°C et on recuit de plus le dit support à une température s*elevant de 900 à 1300°C, au moins une période du second recuit étant effectuée dans une atmosphère oxydante pour former une couche oxydée sur la 10 surface de la couche d'impureté implantée dans le support et pour diffuser la couche d'impureté formée dans le support, 12,- Un procédé" selon la revendication 11 caractérisé en ce que l'atmosphère oxydante est une atmosphère d'argon contenant de 1*oxygène, 15 13,- Un procédé selon la revendication 11 caractérisé en ce que dans le support semi-conducteur, on forme une première couche ayant un type de conductivité différent du dit support, une partie de la dite première couche étant mise à nu sur une surface du dit serai-conducteur et on implante des ions d'une impureté active ayant 20 un typé de conductivité semblable à la première couche, dans la dite première couche, à travers la surface mise à nu pour former une seconde couche dans celle-ci.