FR 2023623 A1 19700821 FR 6939641 A 19691118 La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication de condensateurs en aluminium et à une construction perfectionnée de condensateurs en aluminium gans la présente invention, un revêtement semi-conducteur est appliqué à l'élément en aluminium, le revêtement comprenant du graphite entratnant la formation d'un film semi-conducteur formé, ayant de bonnes caractéristiques. En conséquence, c'est un objet de la présente invention de prévoir un procédé perfec tionné pour fabriquer des condensateurs en aluminium. C'est un autre objet de prévoir un procédé perfectionné comprenant une étape pour appliquer un nouveau revêtement entraînant un film ayant de bonnes caractéristiques. Le revêtement semi-conducteur tel qu'appliqué dans le pro cédé est constitué pour bien adhérer à l'élément ; ceci permet l'application d'une couche plus épaisse, plus lourde et, également, ceci aide à maintenir l'uniformité puisque la tendance du revêtement à s'écouler avant la pyrolyse ultérieure est supprimée. En conséquence, c'est un autre objet de la présente invention de fournir un nouveau revêtement perfectionné. La bonne caractéristique d'adhérence du revêtement est provoquée, en partie au moins, par l'addition d'un agent thixotropique, constitué par le produit dit Cab-o-Sil.En conséquence, c'est un autre objet de fournir un revêtement semi-conducteur perfectionné, comprenant untel agent thixotropique. lie revêtement comprend du nitrate de manganèse qui, dans la pyrolyse ultérieuré, est transformé en Mn02. En outre, le revêtement comprend Mn02 en poudre. MnO2 en poudre augmente la concentration de la teneur en Mn02 dans le film semi-conducteur finalement formé. En conséquence, c'est un autre objet de la présente invention de fournir un revêtement perfectionné comprenant Mn02 en poudre. D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparattront d'après la description suivante, en relation avec les dessins ci-joints dans lesquels Les figures 1-17 indiquent diverses étapes de la présente invention. La figure 18 est une courbe représentant le courant alternatif polarisé par courant continu, à utiliser dans l'étape de formation ; sur cette -figure, on porte en abscisses la fréquence et en ordonnées les volts, la ligne ondulée indiquant le courant alternatif et la ligne parallèle à l'axe des abscisses indiquant la polarisation par courant eontinutet La figure 19 est une vue en coupe indiquant un condensateur de la présente invention ; on désigne par A le ruban, par B le revêtement plastique, par C la couche d'oxyde, par D la couche de semi-conducteur, par E la peinture conductrice et par F les fils conducteurs0 En se référant maintenant aux dessins, on utilise une bande d'aluminium 20 ; 1'épaisseur est choisie pour fournir une résistance mécanique suffisante pour le traitement dans une bande continue et aussi pour permettre une attaque en profondeur0 L'épaisseur peut être comprise entre 0,127 mm et 3,17 mm. Cependant, la gamme d'épaisseur préférée est de préférence comprise entre 0,317 mm et 3,1 mm. La bande d'aluminium 20 est choisie pour avoir une pureté maxima. Etape 1 (Figure 1)-La bande d'aluminium 20 étant sous forme de rouleau, elle est entaillée par le dispositif 21 pour produire des pattes ou des languettes 22 dans la bande entaillée 26 les pattes 22 sont connectées à une barre de support ou à une courroie 24 qui est utilisée pour la manipulation.Dans le procédé représenté, les entailles sont retirées ; à titre de variante, la bande pourrait être cisaillée pour fournir deux bandes se montant entre elles, chacune ayant une barre de support et des pattes, les pattes de l'une étant les vides de l'autre et vice versa; avec ce dernier mode opératoire, les déchets ou les détritus sont minimisés. Etape 2. (Figure 27-Ensuite, la bande entaillée 26 est net toyée dans un bain 27, qui peut être de nature classique, pour retirer tous les produits étrangers et toute l'huile laissée dans l'étape d'entaillage ; la bande 26 est transportée par des rouleaux ou des roues 25. Etape 3. (Figure 2)-Ensuite, un ruban isolant 28 est appliqué aux extrémités intérieures des pattes 22 ; le ruban est formé d'une matière qui peut supporter une température d'au moins 30000 ou, en 'tout cas, qui ne se dégradera pas dans les étapes de traitement ultérieurès. On pourrait utiliser-une matière telle que celle connue sous le nom'de Glyptal, de Doryl Varnish ou un autre vernis isolant convenable résistatt ouxson équivalent.Le ruban 28 peut entre appliqué par deux rouleaux 29 et 31 qui l'appliquent sur 3600, c'ést-à-dire autour des bords, Ctest une étape importante puisque le rouleau isolant 28, après achèvement du traite ment, fournit une surface propre pour la connexion d'un fii conducteur à une électrode du condensateur. Une électrode est de l'aluminium non oxydé qui est atteint en retirant au moins une partie du ruban 28. Egalement, comme on en discutera plus en détail ci-après, le ruban 28 fournit une limite définie qui, au cours d'un traitement ultérieur, permet le centrale des surfaces et de l'épaisseur effective totale des diverses couches. Etape 4. (Figure 3)-La bande entaillée 26 est alors envoyée en continu à travers un four-tunnel ou four 34 pour cuire le vernis. La température de cuisson serait approximativement comprise entre 200 et 3000C (selon le vernis) pour servir d'une manière adéquate le produit résistant pour un traitement -ultérieur. Etape 5. (Figure 4)-La La bande 26- est alors nettoyée en étant passée à travers le meme bain que dans l'étape 2. Etape 6. (Figure 5)-La bande 26- est alors rincée ou lavée dans de l'eau distillée ou déionisée dans un bain 40 ; la bande 26 est transportée par des roues 42 (un agent neutralisant ou d'arrêt peut être utilisé avec ce bain). Etape 7. (Figure 6)-La bande 26 est alors attaquée en étant passée par des roues 48 à travers un bain d'attaque classique 44, tel que celui comprenant une solution chaude de chlorure de sodium et de sulfate de sodium ; un potentiel continu est appliqué à partir d'une source 46 entre le bain 44 et la bande 26 afin de faciliter le procédé d'attaque. L'attaque modifie la surface extérieure de l'aluminium et fournit une plus grande aire de surface disponible. Les détails de l'étape d'attaque sont compris dans les connaissances des personnes expérimentées dans la technique de l'attaque. Etape 8. (Figure 7)-La bande 26 est à nouveau lavée ou rin çée dans un bain 50 d'eau distillée ou déionisée,-d'une manière semblable à l'étape 6. La bande 26 est transportée par des roues 52. Etape 9. (Figure 8)-La bande 26 est alors passée à travers un bain d'acide nitrique dilué 54 par des rouleaux de guidage 56 pour neutraliser tout résidu à partir du bain d'attaque précédent. Etape 10. (Figure 9)-La bande 26 est à nouveau rinçée dans un bain 58 d'eau distillée ou déionisée d'une manière semblable aux étapes 6 et 8. La bande 26 est transportée par des roues 60. La bande est séchée et coupée jusqu'à une longueur convenable en vue d'un emmagasinage ultérieur sur une base de crémaillère. E galement, à ce moment, un point est usiné sur les faces opposées des pattes à travers la bande 28 en vue d'une fixation future de fils conducteurs. Ceci est réalisé à ce moment pour éviter de perturber mécaniquement les revêtements ultérieurs. Etape 11. (Figure 10)-La crémaillère 64 avec de multiples bandes 26a est alors passée à travers une première étape de formation, dans laquelle les parties exposées des bandes 26a, comprenant les parties exposées des pattes. 22, sont soumises à un traitement anodique (oxydées pour former Al203) en immergeant les bandes 26a au moins jusqu'au ruban 28. Dans le dispositif électrolytique solide, l'aluminium pur d'origine est utilisé en tant qu'électrode et la couche d'oxyde (Al203) définit le diélectrique. Il y a de nombreux bains différents convenant au traitement d'anodisation de l'aluminium, c'est-à-dire l'acide borique, etc. Dans une forme du procédé, les bandes 26a sont soumises à un traitement anodique dans le bain 62, qui est une solution aqueuse contenant du phosphate diacide d'ammonium. La concentration de phosphate diacide d'ammonium dans le bain 62 peut être modifiée pour faire varier la valeur de résistance électrique de la solution on a trouvé convenable d'utiliser une concentration de phosphate diacide d'ammonium fournissant une résistance du bain comprise entre 50 et 1000 ohm-centimètres. Dans les procédés classiques pour soumettre l'aluminium à un traitement anodique, on utilise un potentiel continu. On a trouvé que la formation de la couche d'oxyde (formant le diélectrique) était améliorée lorsqu'on utilisait une source 66 de courant alternatif polarisé par courant continu. La polarisation par courant continu est positive. Dans une forme préférée, la composante en courant continu est choisie de manière telle qu'il y ait une certaine excursion négative limitée du potentiel en courant alternatif. Durant les excursions de potentiel positif, de l'oxy- de se forme en épaisseur. L'épaisseur de la couche d'oxyde ainsi formée sera déterminée par les potentiels utilisés, par la conductibilité du bain, par la température du bain, par-la période de formation, etc.Cependant, une différence importante apparaît entre les condensateurs fabriqués avec des films formés avec du courant alternatif polarisé par courant continu et les condensateurs formés avec du courant continu classique. Ceux qui utilisent le procédé au courant alternatif polarisé par courant continu présentent de plus faibles facteurs de dissipation que ceux qui uti lisent le procédé classique employant du courant continu. Alors que le phénomène exact se produisant n'est pas connu, l'examen du mécanisme de formation d'oxyde sur l'aluminium indique que l'oxyde métallique est recouvert par une mince couche d'oxyde d'aluminium hydraté et que la croissance de l'oxyde d'aluminium se produit dans la région de transition oxyde-hydrate. L'application de potentiels superposés alternatifs et -continus avec un potentiel continu moyen net, conduit alors clairement à renforcer la dissipation d'énergie dans la couche d'oxyde hydratée par rapport à la dissipation d'énergie dans la couche hydratée durant la formation classique en courant continu. L'énergie dissipée dans la couche hydratée sous forme de chaleur est conduite au bain de formation d'un c5té et à la couche d'oxyde et, ultérieurement, au substrat d'aluminium de l'autre côté, jusqutà ce que l'équilibre thermique soit établi. Après que l'équilibre thermique ait été établi, la chaleur dissipée dans la couche hydratée, ainsi que celle dissipée dans la couche d'oxyde, est conduite au bain.Le passage de chaleur résultant à travers la couche hydratée va alors de la couche de transition oxyde-hydrate à la couche de limite hydrate-bain. La couche de transition oxyde-hydrate est alors à la température supérieure à la température de la couche de limite hydrate-bain. Ainsi, dans la formation en courant alternatif polarisé par courant continu, la température peut être augmentée d'une manière importante au-dessus de la température du bain dans la région même où la croissance de la couche d'oxyde se produit, sans une augmentation correspondante de la température dans la région de limite hydrate-bain où la formation d'hydrate se produit. Dans la formation d'un film d'oxyde jusqutà environ 75 volts (maximum), un potentiel inverse sur les alternances d'environ 1015 volts entrasse une formation améliorée de film d'oxyde. On croit qu'il est d'une importance substantielle que la formation de composés hydroxylés (OH) soit évitée dans le film d'oxyde, puisque les caractéristiques du condensateur final sont affectées défavorablement par leur présence ; à moins que des précautions ne soient prises, ces composés hydroxylés d'aluminium (tels que l'hydroxyde d'aluminium) seront formés. Les films d'oxyde d'aluminium sont formés classiquement dans des bains à des températures élevées (850C - 930C). Cependant, des températures élevées de bain tendent à accélérer la formation de composés hydroxylés. Non seulement les composés hydroxylés af fectent défavorablement le condensateur formé, mais ils dégradent également le bain par la formation d'hydroxyde d'aluminium gelati- neux, exigeant le renouvellement de l'électrolyte. Cette tendance à former des composés hydroxylés est empêchée dans la présente invention et, dans le présent procédé, le bain d'électrolyte (bain 62) est généralement maintenu à la température ambiante, c'est-à- dire 25-350C, à laquelle le taux de formation de composés hydro zylés est retardé.On doit noter à cet égard qu'on croit qu'un facteur important dans la formation du film d'oxyde est la température aux interfaces du film d'oxyde formé, et, de ce fait, les températures élevées efficaces de formation sont réalisées aux interfaces par l'utilisation de courant alternatif polarisé par courant continu, sans qu'il soit nécessaire d'avoir des températures de bain élevées. La formation de composés hydroxylés peut être, en outre, sup- primée par l'utilisation d'un agent séquestrant ; la matière préférée est l'acide citrique (1 à 3 g par litre d'électrolyte), L'a cid citrique fournit les avantages suivants a - sert d'agent séquestrant pour les cations aluminium et empêche la formation d'hydroxyde d'aluminium b - maintient le pH du bain de formation et améliore la dure d'utilisation du bain (puisqu'il supprime la précipitation et la formation d'hydroxyde d'aluminium qui détruiront le bain) c - n'attaque pas le film d'oxyde d'aluminium.L'hydroxyde d'aluminium demeurerait normalement en solution si le pH du bain était maintenu en dessous de 3,8 ; -au-dessus d'un pH de 4, lthy- droxyde d'aluminium précipiterait dans la solution entratnant un équisement du bain. De ce fait, la prévision de l'acide citrique maintient le pH en dessous de 3,8 et améliore la durée d'utilisation du bain0 d - l'acide citrique seul pourrait être un bon électrolyte,et, de ce fait, la quantité d'acide citrique, au-dessus d'un minimum, dans le bain n'est pas critique. Etape 12. (Figure 11)-Les bandes 26 sont ensuite lavées dans le bain 68 d'eau distillée ou déionisée d'une manière semblable aux étapes 6, 8 et 10 et paissoat alors totalement séchées. Etape 13 (Figure 12)-Les bandes 26a, formées jusqu'd ce point, ontun noyau (partie centrale) d'aluminium défini sur l'anode et un diélectrique en oxyde d'aluminium A1203. Ensuite, une cathode en matière semi-conductrice est formée sur le diélectrique;Cette matière est du bioxyde de manganèse. Ainsi, dans le procédé de la présente invention, l'étape suivante est l'application d'un premier revêtement de manganèse. Les bandes 26a sont placées dans un bain 72 contenant une solution de nitrate de manganèse à peu près à 58 %. Le bain 72, avant l'immersion des bandes 26a, est dégazé sous vide ou bien on le laisse reposer pendant une période suffisante et, de ce fait, l'air qui normalement est en solution à partir de la formation du bain s'épuise ; l'enlèvement de l'air fournit une meilleure pé- nétration du bain 72 dans les surfaces attaquées.En outre, pour 300 ml d'une solution de nitrate de manganèse à 58 SxÓ (densité 1,68), le bain contient les produits suivants 30 g de MnO2 Dimension de particules 1-10r 10 g de graphite Dimension de particules 1-5r 10 g de Cab-o-Sil Dimension de particules moins de 0,5r Le produit dit Cab-o-Sil (silice) est inerte et, de ce fait, il ne réagit pas avec l'un quelconque des autres constituants du bain 72 ; en outre, c'est un agent thixotropique et il améliore les caractéristiques du revêtement du bain. Le graphite abaisse la résistance totale du dispositif et donne une meilleure structure mécanique. Etape 14. (Figure 12)-Ensuite, les bandes 26a provenant du premier bain de nitrate de manganèse 72 sont séchées dans un four 76 pour chasser l'eau. L'étape de séchage se fait à une température non supérieure à 950C à laquelle l'eau s'évaporera mais ne bouillera pas. Etape 15. (Figure 12)-Ensuite, les bandes 26a sont chauffées dans un four 78 jusqu'à une température comprise entre 1050 et 1200C et, de ce fait, l'eau de cristallisation est chassée (Mn(N03)2 H20). Etape 16.-Les bandes d'aluminium 26a sont ensuite pyrolysées en étant placées dans un four 80 et chauffées jusqu'à une température comprise entre 200 et 4000C et, à cette température, le nitrate de manganèse est transformé en bioxyde de manganèse. Le bioxyde de manganèse forme un contact conducteur intime avec la surface d'oxyde d'aluminium. Etape 17. (Figure 13)-Dans le dispositif, après l'étape de pyrolyse 15, il peut y avoir encore des composés indésirables tels que des hydroxydes et des nitrates de manganèse et d'aluminium. Un condensateur pouvant fonctionner sera formé malgré la pré sence des composés de OH et de NO3 ; cependant, on a trouvé que l'élimination des ces composés améliore les caractéristiques de perte aux fréquences élevées du condensateur résultant, La présence de ces composés peut être grandement réduite et leur effet minimisé, Ainsi, dans l'étape suivante, les bandes 26a sont lavées dans un bain 82 d'eau déionisée et ayant de l'acide citrique en concentration à peu près égale à 25 g/l.Mn(OH)2, Mn(N03)2 et Âl(N03)3 sont solubles dans des solutions d'acide citrique et, de ce fait, le bain 82 les retire des -bandes 26aO Comme résultat du fait qu'on a soumis les bandes d'aluminium 26a aux températures élevées dans l'étape de conversion ou de pyrolyse 16, c'est-à-dire que le nitrate de manganèse est transformé en bioxyde de manganèse, il se produit un léger endommagement dans la surface d'oxyde d'aluminium, c'est-à-dire des craquelures ou des fissures dans la surface. Pour réduire la fuite, il est souhaitable que ces craquelures soient bouchées. Etape 18. (Figure 14)-Une seconde étape de formation (anodisation) ou étape de re-formation, semblable à l'étape 11, est réalisée. Les bandes 26a sont placées dans un bain d'anodisation 86 et un potentiel appliqué entre le bain 86 et la bande d'aluminium. L'anodisation (oxydation) se produit spécifiquement dans les surfaces dans lesquelles le film d'oxyde d'aluminium s'est fissuré en exposant l'aluminium brut, Le film de bioxyde de manganèse est très poreux et, par suite de cette porosité, l'anodisation ou la répartition dans les surfaces fissurées du film d'oxyde d'aluminium peut se produire. Il en résulte un film d'oxyde d'aluminium plus uniforme avec une fuite inférieure. Le potentiel appliqué entre les bandes d'aluminium 26a et le bain,- dans cette étape de re-formation peut être inférieur au potentiel appliqué dans la première étape de formation (étape 11) et, en général, la tension d'amorçage du condensateur résultant sera déterminée par les potentiels utilisés dans la première étape de formation (étape 11). Dans cette étape, on utilise un potentiel continu provenant de la source 87, c'est-à-dire qu'il n'y a pas d'excursion négative. Etape 19o (Figure 15)-Les bandes d'aluminium 26a sont à nouveau lavées d'une manière semblable aux étapes 6, 7, 10 et 12 dans un bain 90 d'eau distillée ou déionisée et les bandes d'aluminium 26a sont totalement séchées. Etape 20 (Figure 16)-Les bandes d'aluminium 26a sont à nouveau immergées dans un bain 94, le même que le bain de l'étape 13. On note que le graphite est un bon conducteur et aide à faire un contact électrique avec la matière entourant le film d'oxyde d'aluminium. On a trouvé que le graphite était supérieur à la poudre de carbone. Le nitrate de manganèse et MnO2 s'ajoutent finalement à l'épaisseur du revêtement final en bioxyde de manganèse. Comme avec l'étape 13, le bain 94 est dégazé avant l'immersion des bandes d'aluminium 26a. Etapes 21 et 22. (Figure 17)-Les bandes d'aluminium 26a sont alors séchées dans des fours 98 et 100 (d'une manière semblable aux étapes 14 et 15) pour chasser toute l'eau (de solutionetdecristallisation)puisque la présehce de l'eau dans l'étape suivante peut entratner un endommagement à la surface. Les bandes 26a sont transportées à travers les fours 98 et 100 par des roues 102. Etape 22. (Figure 17) Les bandes d'aluminium 26a, d'une manière semblable à l'étape 16, sont placées dans un four 104 à une température comprise entre 200 et 4000C, et alors, l'oxyde nitreux est chassé et le bioxyde de manganèse se forme. Avec les procédés antérieurs, un revêtement conducteur, tel que celui connu sous le nom d'Aqua-dag, a été exigé entre la couche semi-conductrice et la cathode d'argent dans les dispositifs de ce genre. Avec la formulation de semi-conducteur utilisée ici, cette couche intermédiaire n'est pas nécessaire. Une peinture conductrice métallique est appliquée directement au revêtement de semi-conducteur. Pour compléter les dispositifs, il est alors seulement nécessaire de fixer des conducteurs anodiques et cathodiques. Ceci est réalisé par simple soudure d'un conducteur à la surface d'aluminium sous la bande de vernis qui fournit la connexion de l'anode. Un second fil est soudé à la peinture conductrice de la cathode. Les condensateurs construits selon les étapes indiquées cidessus n'exigent pas de vieillissement. Ceci s'oppose aux constructions antérieures dans lesquelles on exigeait plusieurs heures de vieillissement aux températures élevées avec ou sans application simultanée de courant. Finalement, le dispositif est encapsulé. La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'être décrits, elle est au contraire susceptible de variantes et de modifications qui apparattront à l'homme de l'art. REVENDICATIONS - - Revêtement utilisé pour la fabrication d'un condensateur en aluminium ayant un film semi-conducteur formé à partir d'un revêtement liquide applique à un dispositif en aluminium, caractérisé en ce qu'il comprend une solution de nitrate de manganèse et de la silice en poudre. 2 - Revêtement selon la revendication 1, caractérisé en ce que-la silice a une dimension de particules généralement inférieu- re à 0,5 micronO 3 - Revêtement selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend du graphite 4 - Revêtement selon la revendication 3, caractérisé en ce que le graphite a une dimension de particules généralement comprise entre t et 5 microns. 5 - Revêtement selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il renferme MnO2 en poudre. 6 - RevAtement selon la revendication 5, caractérisé en ce que Mn02 en poudre a une dimension de particules généralement comprise entre 1 et 10 microns. 7 - Revêtement selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend du graphite et MnO2 en poudre et, pour 300 ml d'une solution de nitrate de manganèse à 58 9C, il y a approximativement 10 g de silice, 10 g de graphite et 30 g de MnO2. 8 - Revêtement selon la revendication 7, caractérisé en ce que la silice a une dimension de particules généralement inférieure à 0,5 micron, le graphite a une dimension de particules généralement comprise dans la gamme de 1 à 5 microns et MnO2 en poudre a une dimension de particules généralement comprise dans la gamme de 1 à 10 microns. 9 - Revêtement utilisé dans la fabrication d'un condensateur en aluminium ayant un film semi-conducteur formé à partir d'un revêtement liquide appliqué à un dispositif en aluminium, caractérisé en ce qu'il comprend une solution de nitrate de manganèse et du graphite. 10 - Revêtement selon la revendication 9, caractérisé en ce que le graphite a une dimension de particules généralement comprise entre 1 et 5 microns. 11 - Revêtement utilisé dans la fabrication d'un condensateur en aluminium ayant unfilmamieducteur formé à partir d'un revêtement liquide appliqué à un dispositif en aluminium, caractérisé en ce qu'il comprend une solution de nitrate de manganèse et MnO2 en poudre. 12 - Revêtement selon la revendication 11, caractérisé en ce que Mn02 en poudre a une dimension de particules généralement comprise dans la gamme de 1 à 10 microns. 13 - Condensateur en aluminium, caractérisé en ce qu'il comprend une partie centrale en aluminium,un film d'oxyde d'aluminium sur la partie centrale définissant un diélectrique, une couche semi-conductrice sur le film d'oxyde, cette couche semi-conductrice comprenant du graphite. 14 - Condensateur en aluminium selon la revendication 13, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice renferme de la silice. 15 - Condensateur en aluminium selon la revendication 14, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice renferme MnO2. 16 - Condensateur en aluminium, caractérisé en ce qu'il comprend une partie centrale en aluminium, un film d'oxyde d'aluminium sur la partie centrale définissant un diélectrique, une couche semi-conductrice sur le film d'oxyde, la couche semi-conductrice comprenant de la silice. 17 - Condensateur selon la revendication 16, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice comprend E9nO2. 18 - Condensateur en aluminium, caractérisé en ce qu'il comprend une bande d'aluminium, un ruban de matière résistante s'étendant à la périphérie autour d'une partie de la bande pour définir une limite, un film d'oxyde sur la bande s'étendant au moins jusqu'à la limite, une couche semi-conductrice sur le film d'oxyde, cette couche s'étendant partiellement au-delà du ruban. 19 - Procédé de fabrication d'un condensateur en aluminium à partir d'un élément en aluminium, caractérisé en ce qu'il consiste à former un film d'oxyde sur l'élément, à plonger l'élément dans un bain comprenant du nitrate de manganèse, de la silice, MnO2 en poudre et du graphite, et à pyrolyser l'élément immergé pour transformer le nitrate de manganèse en MnO2. 20 - Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'il consiste, en outre, à former une nouvelle fois un film d'oxyde sur l'élément pyrolysé, à immerger une seconde fois l'élément dans un bain semblable au premier bain et à pyrolyser l'élément qu'on a immergé une seconde fois pour transformer le nitrate de manganèse en Non02 21 - Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce qutil consiste à appliquer un ruban de matière résistante à la périphérie autour de la bande avant l'immersion, pour définir une limite, et à immerger la bande au-delà de cette limite.