FR 2027414 A1 19700925 FR 6942505 A 19691209 69 42505 1 2027414 La présente invention se rapporte à des dispositifs semiconducteurs et plus particulièrement aux circuits logiques à transistor non saturables et à grande vitesse de commutation. Des circuits de commutation sont utilisés pour provoquer un 5 changement discret d'état d'un signal qui peut prendre la foime d'une variation de tension ou de courant ou les deux, la commutation logique peut être utilisée pour accomplir des opérations logiques, par exemple dans un ordinateur, ou pour transférer de 1' énergie par exemple dans les commandes à relais ou les régulateurs 10 de commutation. Pour les opérations logiques, par exemple dans un ordinateur, un facteur important qui doit être considéré est la vitesse de commutation du dispositif, c'est-à-dire le temps nécessaire pour que le changement d'état se réalise. Quand des transistors sont utilisés corne éléments actifs dans des circuits de com-15 mutation, un facteur de limitation en ce qui concerne-la vitesse de oomautation est le temps nécessaire pour établir et couper le courant de collecteur. Un transistor ne peut pas changer d'état en Tin totps nul. L'intervalle de temps entre le début et la fin de la commutation mesure la vitesse de commutation. 20 Deux états statiques sont considérés pour des circuits de comutstion à transistor: l'état conducteur et l'étbt n*n conducteur. L'intervalle de temps pour faire passer le txenaistor de 1' état non conducteur à l'état conducteur, auquel on se référera, comme "temps de montée" peut 8tre diminué en commandant l'élec^ro-25 de de base avec des signaux électriques relativement importants. Malheureusement, cela tend à saturer le transistor au détriment d'un autre facteur qui influe sur la vitesse de commutation, qui est le "temps deétockage". Dans des circuits de commutation saturés, l'état conducteur 30 est remarquable par une tension de collecteur très faible et un courant de collecteur relativement grand, et l'état non conducteur par une tension de collecteur relativement élevée et un très faible courant de collecteur. Quand le transistor est saturé, la jonction collecteur-base est polarisée dans le sens direct et la ré-35 gion de base emmagasine une forte proportion de porteurs minoritaires. Avant que le transistor puisse être considéré comme non conducteuy, la jonction collecteur-base doit être ramenée à son état habituel de polarisation inverse.I'intervalle de temps nécessaire pour ramener la jonction collecteur-base à son état de pola-40 risation inverse, intervalle de temps que l'on désigne par "temps 69 42505 2 2027414 de stockage" est souvent le facteur principal de limitation régissant la vitesse de commutation. Ainsi, la vitesse de fonctionnement d'un circuit logique est souvent un compromis entre l'utilisation d'une tension de commande suffisante de façon à obtenir 5 un temps de montée assez faible tout en maintenant le dispositif non saturé de façon à éviter un temps de stockage par trop long. Plusieurs techniques ont été élaborées pour augmenter la vitesse de commutation des circuits logiques intégrés y compris le shuntage de la jonction collecteur-base par une diode barrière 10 Schottky adaptée à conduire dans le sens direct aous une tension légèrement inférieure à celle de la jonction collecteur-base de façon à empêcher la saturation du transistor. Ceci empêche la jonction collecteur-base d'être polarisée dans le sens direct, condition nécessaire pour la saturation «t par suite empêche 1* 15 emmagasinage d'une forte proportion de porteurs dans la base. Un* telle technique est décrite dans la demande de brevet des Etat*- ' Unis d'Amérique ®8 442.774 déposée le 31 Décembre 1960 au nom de James R.Biard. Un but de l'invention est de fournir des dispositifs de corn- • 20 mutation à grande vitesse, non aaturablea et à circuit intégré. Uh autre but est de fournir un transistor de commutation logique in* tégré comportant un ahunt lui permettant de fonctionner, dans un état de non saturation. Un autre but de l'invention est de fournir un circuit logique intégré à haute vitease intérieurement 25 shunté de façon à être dans un état non saturable. . Dans un mode de réalisation spécifique de l'invention, un bloc semi- conducteur présente au moins deux zones adjacentes de types de conductivité. opposés qui forment au moins une jonction P-ïï entre elles, les deux zones s'étendant jusqu'à l'une au moins 30 des faces du bloc semi conducteur. Un contact métallique est alors constitué et couvre deux zones de conductivités opposées elnsi que la jonction P-N entre elles, le long d'une face du bloc semi-conducteur. Le contact métallique assure un contact ohmique avec 1' une des zones et un contact redresseur barrière avec l'autre zone. 35 Dans un autre exemple de l'invention, on réalise un bloc se mi conducteur qui comporte deux zones d'un certain type de conductivité et une autre zone d'un type ce conductivité opposé de façon à constituer deux jonctions P-1T respectivement entre les deux zones ayant un même type de conductivité d'une part et l'autre 40 zone ayant un type de conductivité opposé d'autre part. Toutes 69 42505 3 2027414 ces zones s'étendent just^'à l'une des faces, au moins, du corps semi-conducteur. Un contact métallique est alors réalisé de façon à couvrir toutes les zones et les deux jonctions P-N le long d'une face du corps semi-conducteur. le contact métallique réalise des 5 contacts ohmiques avec les deux zones d'un type de conductivité d'une part et un contact redresseur barrière avec l'autre zone du type de conductivité opposé d'autre part. Dans un autre exemple de l'invention, une diffusion de base est réalisée dans un matériau du type h recouvrant un substrat 10 semi-conducteur de façon à réaliser une jonction P-H dans un dispositif semi-conducteur. En employant des techniques de réserve photographique et de décapage, une fenêtre est ouverte dans la zone de diffusion pour former une ouverture dans le matériau de type H. Un dépôt d'une pellicule métallique dans l'ouverture de la 15 couche de bioxyde de silicium recouvre le matériau de typel dans la fenêtre et s'étend sur une partie de la zone de diffusion, formant ainsi une jonction redresseuse métal-semi-conducteur du type barrière qui conduit dans le sens direct sous une tension plus faible que la jonction entre la- zone de diffusion et le matériau 20 de type JH. On réalise ainsi sous forme d'un circuit intégré une jonction métal-demi-conducteur intégrée avec l'électrode d'un dispositif semi-conducteur entourée par un anneau de garde : la zone de diffusion. 25 D'autres caractéristiques de l'invention apparaîtront au cours de la description qui va suivre. Au dessin annexé donné uniquement à titre d'exemple : la Fig. 1 est un schéma du circuit équivalent d'un transistor et montre la position qu'y occupe la diode métal-semi-conduc-30 teur selon l'invention; la Fig. 2 est une vue en élévation d'un transistor sans diode shunt représentant sa géométrie verticale et ses résistances parasites; la Pig. 3 montre les caractéristiques ervïonction de la ten-35 sion du courant direct et inverse d'une diode jonction et d'une diode métal-barrière; la Pig. 4 est une vue en plan c"un transistor intégré comportant une diode shunt métal-semi-conducteur entre l'électrode de base et l'électrode de collecteur; 40 la Pig. 5 est une vue en coupe du transistor à circuit inté 69 42505 4 2027414 gré de la Pig. 4 suivant la ligne 5-5 de la Pig. 4; la Pig. 6 est un schéma d'un circuit logique numérique utilisant le dispositif transistor-diode suivant l'invention. Bien que l'invention soit décrite sous forme d'un circuit 5 transistor intégré, cela ne doit pas être considéré comme oma limitation. Une action de shuntage peut aussi être désirée pour d* autres dispositifs semi-conducteurs selon des configurations intégrées ou non. Le shunt diode interne de l'invention peut également être 10 incorporé dans un circuit non intégré. En se référant au dessin, la Pig. 1 montre le circuit équivalent d'un transistor comportant une diode barrière 10 à 1*intérieur de la structure du transistor jonction P-N. La référence 12 désigne une source de courant équivalente quand le translater est 15 conducteur et conduit de la borne de collecteur 14 à la borne d' émetteur 16. Une jonction 18 représente le noeud collecteur du transistor et la borne 20 son noeud base. Des résistances 22 et 24 représentent respectivement, les résistances collecteur-base et émetteur-base. 20 De façon classique, on considère qu'un transistor comporte une jonction collecteur-base, représentée par la diode 26, et une jonction émetteur-base représentée par la diode 28. La Pig.2 montre en coupe verticale le transistor dana la diode shunt 10. Le noeud collecteur 18 est situé dans la région de 25 collecteur 30.dont la teneur en impuretés détermine une résistance 22. En.outre, la teneur en impuretés de la région 30 détermine la valeur d'une résistance 32 entre le noeud 18 et la borne 14. L'interface P-N entre les régbns 30, 34 constitue la jonction redresseuse 26 et une interface K-P entre les régions34, 36 consti-30 tue la jonction redresseuse 28. Pour compléter la comparaison entre le circuit équivalent de la Pig. 1 avec le transistor réel de la Pig.2, le taux d'impureté de la région 34 détermine la valeur de la résistance 24 et une région 38, jouant le rôle de borne, permet d'établir un contact électrique avec l'électrode de base. 35 Quand la tension à la borne 38 de la base excède la valeur du seuil, la jonction base-émetteur 28 devient polarisée dans le sens direct, rendant ainsi le transistor conducteur et un courant passe, venant de la source 12. Une tension excédant la valeur de seuil conduit aussi à une polarisation en sens direct de la jonc 40 tion collecteur-base 26; le transistor agit alors dans le mode sa 69 42505 5 2027414 turé. Dans un mode saturé, la région de base emmagasine un fort taux de porteurs minoritaires qui doivent en être chassés avant que le transistor puisse être rendu non conducteur. la saturation du transistor de la Fig.2 peut être évitée en maintenant le col-5 lecteur à un potentiel tel qu'il empêche la polarisation en sens direct de la jonction collecteur-base, autrement dit, à. une valeur supérieure à la tension de saturation collepteur-émetteur Selon l'invention, la diode shunt 10 conduit quand le courant de commande de base du transistor dépasse une valeur prédéterminé» 10 A. cause de sa polarisation en sens direct plus faible, la diode 10 au lieu de la diode 26, shunte le courant de commande de base en excès vers le noeud collecteur 18. L'avantage essentiel d'insérer la diode shunt 10 à l'intérieur de la région collecteur-base est de diminuer le temps de commutation du circuit ce qui permet le 15 fonctionement d'un dispositif numérique à des vitesses plus élevées. Cette diminution est due à la suppression de l'emmagasinage des porteurs minoritaires dans la région de base 34 du transistor. 11 en résulte que la base peut être amenée par un signal de forte amplitude à la borne 38» à diminuer le temps de retard et 20 le temps de montée mais le transistor ne peut pas être saturé du fait que la jonction collecteur-base 26 n'est pas soumise à la tension directe totale, la diode 10 conduisant sous une tension inférieure. Le temps de récupération de la diode 10 est virtuellement nul puisque c*est un dispositif à porteurs majoritaires. 25 Un autre avantage important obtenu en plaçant la diode 10 dans la région collecteur-base est de soulager les points de contrainte de champ, sur le périmètre extérieur de la diode, qui résultent de diodes de polarisation inverse ù'ayant pas d'anneau de protection. 30 Le fonctionnement de la diode 10 peut être plus facilement compris en se reportant à la Fig. 3 qui montre les caractéristiques de courant direct et inverse d'une jonction P-lï telle qu'une diode 26 et d'une diode métal-semi-conducteur, communément appelée diode barrière Schottke. Si on considère les seules caracté-35 ristiques de courant direct, la jonction barrière commence à conduire sous une tension quelque peu inférieure à celle d'une jonction P-U. Sous une tension directe inférieure à celle du point d' intersection (des deux caractéristiques), la jonction barrière conduit et la jonction P-N ne conduit pas. Ainsi, en mettant en 40 parallèle la jonction P-F d'un transistor avec une-jonction bar 69 42505 6 2027414 rière redresseuse ou une diode barrière Schottky, la saturation du transistor peut être évitée. Les Pig. 4 et 5 représentent un dispositif semi-conducteur qui comporte un transistor épitaxial de configuration pla- 5 nar. Le transistor comprend une diode métal-semi-conducteur, formée dans une ouverture vers la région collecteur 40 par l'intermédiaire d'une fenêtre 68 dans une région de base 42, shuntant les électrodes de collecteur et de base comme sur le circuit équivalent de la Fig. 1. Bans ce mode de réalisation donné à titre d' 10 exemple, le dispositif comporte une plaquette de silicium 44 qui comporte un substrat 46 légèrement dopé par des Impuretés du type accepteur et une couche 48 réalisée de façon épitaxiale dopés du type H. Avant de fomer la couche épitaxiale 48, la oouche sous-jacente 40 du type ï+ a été Sabriquée à l'aidé d'une technique de 15 diffusion. La région de base 42 est formée dans la couche épitaxiale par diffusion sélective d'impuretés du type accepteur et des régions émetteur 50 et 52 sont définies à l'intérieur de lai région de base par une diffusion sélective du type JU On contact électrique est réalisé à la région collecteur 40 pfc* l*inter*|*> 20 diaire de canaux de diffusion 54 et 56 du type K+. Un revttement 58 de bioxyde de silicium recouvre la surface supérieure de la plaquette sauf aux endroits ait les contacts s'effeotuen.t et on marque que cette couche 58 de bioxyde est disposés "en gxadins" par suite de l'enlèvement de l'oxyde pour les phases de dépât et 25 de diffusion qui permettent de réaliser les régions base' et émetteurs en utilisant un masquage du bioxyde de silicium. Des contacts d'émetteurs sont prévus sur la plaquette transistor par une phase de métallisation qui forme les contacts 60 et 62 qui assurent une connexion non redresseuse avec la surface de silicium 30 des régions émetteurs 50 et 52 respectivement. D'une façon analogue, des contacts collecteurs 64 et 66 assurent un contact non redresseur avec la région collecteur 40 par des ouvertures pratiquées dans la couche d'oxyde. En formant la région^bàse 42» une section rectangulaire de 35 la couche d'oxyde dans la région base n'a pas été enlevée. Il en résulte.une fenêtre 68 dans la région base qui découvre une portion de la région collecteur 40 là où des ouvertures ont été formées dans la couche de bioxyde de silicium pour former les contacts. Une diode métal-semi-conducteur 70 est constituée, à la 40 surface de la région collecteur découverte par la fenêtre 68, par 69 42505 7 2027414 un tampon métallique 72 qui est* en contact avec la surface de la région collecteur et s'étend par dessus une partie de la région base par l'intermédiaire d'une ouverture formée dans la couche de bioxyde 58. Cette partie du tampon 72 qui s'étend sur une partie 5 de la région base 42 y établit un contact ohmique et, ainsi, la diode 70 obtenue à l'interface entre le tampon métallique 72 et la région collecteur relie en shunt la base au collecteur du transistor comme le montre la Fig. 1. On doit d'ailleurs remarquer que cette diode est connectée intérieurement par rapport aux électro-10 des base-émetteur. Des points de contrainte de champ élevé sont éliminés en étendant le tampon 72 à la région base 42. Il est important de remarquer que la même pellicule métallique forme des contacts non redresseurs 60, 62, 64 et 66 et assure également un contact non redresseur avec la région base mais assu-15 re une connexion redresseuse avec la région collecteur par l'intermédiaire de la fenêtre 68. Cela est possible quand les contacts sop.t réalisés à l'aide de métaux tels que l'aluminium ou le moly-..bàène. Un contact électrique avec les régions émetteur, base et col-20 lecteur peut être obtenu par un dépôt métallique d'aluminium sur la couche de bioxyde de silicium 58. Dans des dispositifs au silicium, il est apparu que l'aluminium est le meilleur métal de contact. Une séquence typique de métallisation avec de l'aluminium comporte le découpage des ouvertures de contact dans la couche 58 25 par une technique de réserve photographique. Le dispositif complet est placé sous cloche au-dessous d'un filament de tungstène qui est enroulé autour d'un cylindre d'aluminium. En variante, le cylindre d'aluminium peut être la cible d'un canon à électrons placé dans la cloche. Dans les deux cas, lorsque la cloche a été mise 30 sous vide, l'aluminium est vaporisé soit par chauffage du filament, soit par bombardement par un faisceau d'électrons. Une phase de réserve photographique - •' est alors effectuée, qui permet d'établir des zones de contact métallisées. De façon à assurer un bon contact ohmique, il est souhaitable d'avoir un taux d'imgure-35 tés superficiel sous les contacts aluminium excédant 2 x 10 ato-mes/cm3. Le bore et le phosphore sont des exemples d'impuretés qui peuvent être diffusées respectivement dans la base 42 et les régions émetteur 50 et 52 respectivement. Les régions collecteur 54, 56 ayant la même polarité que la région émetteur, sont soumises à 40 une diffusion émetteur dans des zones finalement utilisées comme 69 42505 8 2027414 contacts ohmiques. Cependant la région collecteur contenue dans la partie de la fenêtre 68, est en un matériau épitaxial de faible taux d'impuretés et une connexion redresseuse est établie dans cette région par l'aluminium et ce, bien qu'elle soit formée par 5 un procédé analogue et en même temps que les contacts non redresseurs. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les contacts sont constitués par deux couches métalliques, une couche inférieure de molybdène et une couche supérieure d'or. Le molybdène 10 ne forme pas d'alliage avec le silicium aux températures utilisées habituellement lors de la fabrication; il adhère assez bien au silicium et au bioxyde de silicium, il ne forme pas d'alliage avec l'or, n'est pas pénétré par ce dernier et il peut être appliqué de façon sélective à l'aide des techniques de réserve photographi-15 que couramment utilisées dans la fabrication des semi-conducteurs. L'or est le métal idéal pour la couche supérieure car il est très bon conducteur de sorte que des résistances séries ne sont pas ainsi introtLites, il adhère au molybdène et peut être lié facilement aux petits fils d'or d'usage classique. Pour de forts taux 20 20 d'impuretés à la surface du silicium, supérieurs à 10 atomes/cm3, le molybdène assure un contact ohmique de faible résistance. Cette forte concentration superficielle est généralement rencontrée, au moins à la surface des régions base et émetteur 42, 50 et 52 et des régions collecteur 54 et 56 fortement dopées du transistor dé-25 crit ci-dessus par suite des techniques de diffusion utilisées à la fabrication et, ainsi une connexion non redresseuse est assurée par les joints 60, 62, 64 et 68. Cependant la région collecteur dans la zone de la fenêtre 68 est en un matériau épitaxial de faible taux d'impuretés et la connexion redresseuse est faite du même 30 métal, du molybdène, sous le tampon 72 bien que cette partie de la couche de molybdène soit formée de la même façon que les autres parties. Un exemple d'un circuit dans lequel le dispositif suivant 1' invention est utilisé de façon avantageuse est illustré par la 35 Pig. 6. Ce circuit est un circuit porte avec trois entrées, de la forme appelée "logique à diode et transistor". La combinaison transistor-diode des Pig. 1, 4 et 5 est utilisée comme amplificateur inverseur, l'émetteur 16 étant à la masse et le collécteur étant relié par l'intermédiaire d'une résistance~de charge 74 à 40 une source de tension positive +V . Une partie de la porte com- c c 69 42505 9 2027414 porte trois diodes à jonction p-n 76, 78, 80 reliées séparément à trois entrées logiques 82, 84, 86. Les diodes d'entrée ont une anode 88 commune qui est reliée, par l'intermédiaire d'une résistance 90 à une source de tension et reliée en outre par l'in-5 termédiaire de deux diodes 92,94 à la base du transistor inverseur. Les diodes 76, 78, 80 ont de préférence un temps de récupération court tandis que les diodes 92 et 94- doivent avoir un temps de récupération plus long. Ce circuit fonctionne alors comme une porte ET inverseuse ou 10 porte "SET" (négatif ET). On suppose qu'une tension positive représente un "l" dans le système binaire. Avec un "1** à chacune des entrées 82, 84» 86 les diodes 76, 78, 80 sont polarisées dans le sens inverse et l'association de la source de tension +V-g-g et de la résistance 90, agissant comme source de courant, applique 15 un courant de base à la borne 75 ce qui rend le transistor conducteur. Il en résulte une tension faible ou un courant faible à la borne de sortie 96. Ear ailleurs, si l'une quelcont|ie des entrées 82, 84» 86 est à "0" ou à une faible tension,celle des diodes 76, 78, 80 qui lui est associée, conduit le courant en provenance de 20 la résistance 90, le courant de base du transistor est à peu près nul et la tension à la borne de sortie 96 élevée. Du fait que la sortie 96 d'un de ces circuits commande d'ordinaire une entrée 82, 84, 86 d'un circuit analogue, les deux diodes 92, 94 doivent être montées en série pour assurer que le courant provenant de la ré-25 sistance 90 s'écoule par l'une des bornes d'entrées 82, 84» 86 et par les électrodes collecteur-émetteur d'un transistor conducteur faisant partie d'un circuit précédent plutôt que dans la base du transistor du dispositif représenté, la tension directe aux bornes des deux diodes étant, bien entendu, le double de celle d'une 30 seule diode d'entrée, si toutes les diodes sont en un même matériau. Les diodes d'entrée peuvent aussi être du type métal-semi-conducteur comme on l'expliquera dans la suite. Un procédé de fabrication du dispositif des Fig. 4, 5 va main-tenant être décrit. Le matériau de départ est une plaquette de si-35 licium dont la pastille 44 est simplement, à ce point, un segment très petit et non séparé. La plaquette comporte un substrat 46 de silicium du type.P de forte résistivité, et de faible taux d'impuretés avec la couche épitaxiale 48 ainsi formée ayant une résistivité d'environ 0,2 jP- cm, La résistivité particulière utilisée 40 pour la couche épitaxiale est assez importante car il est néces 69 42505 10 2027414 saire que le taux d'impuretés soit assez faible de façon à ce que l'aluminium ou le molybdène assure un contact redresseur plutôt qu'ohmique, formant ainsi une diode métal-semi-conducteur mais, cependant, la résistivité ne doit pas être trop élevée car la ré-5 sistance s^érie entre la diode et la région fonctionnant en réalité comme collecteur serait trop importante. Ainsi, la résistivité de la couche épitaxiale est un compromis entre ces deux facteurs. Un revêtement de bioxyde de silicium est déposé sur la couche épitaxiale du matériau initial, soit par une oxydation thermique 10 à haute température soit par déôomposition de l'éthyl-orthosilane ou silane par une technique de dépôt à basse température. Après diffusion d'un anneau protecteur et des canaux 54,56, une ouverture est formée dans la couche 58 par des procédés de réserve photographique et une diffusion du type P est effectuée en 15 utilisant du bore comme impureté, ce qui engendre la région base 42. Une couche mince d'oxyde thermique se forme sur la région base pendant la phase de dépôt pour cette diffusion de base. Une autre ouverture est formée dans la couche d'oxyde 58 par une technique de réserve photographique et de décapage et ensuite, une diffusion 20 du type H est effectuée pour définir les régions émetteur 50-52. Des ouvertures sont alors formées dans le revêtement d'oxyde par réserve photographique et par décapage dans le but de former des contacts ohmiques avec le matériau fortement dopé, là où les contacts émetteur et collecteur doivent être réalisés, tandis qu'en 25 même temps l'ouverture 68 a est définie au-dessus du matériau épitaxial légèrement dopé, pour recevoir la diode 70. Après un nettoyage de' surface appropriée, une pellicule d'aluminium eu de molybdène de 10 à 20 jL d'épaisseur est déposée sur toute la surface supérieure par évaporation. Si on utilise du molybdène, une 30 couche d'or est alors déposée sur le molybdène. La configuration désirée des contacts est alors obtenue par réserve photographique et le métal en excès est enlevé par décapage, laissant les zones métallisées définir les divers contacts. Il doit être clair que la description détaillée précédente de 35 l'invention est donnée à titre illustratif et n'est pas limitative* Par exemple, d'autres pellicules métalliques que celles proposées peuvent être utilisées. L'utilisation de procédés et techniques classiques de fabrication de dispositifs semi-conducteurs est aussi envisagée pour fabriquer le dispositif possédant les caractéris-40 ques nouvelles décrites ci-dessus. 69 42505 n 2027414 Revendications 1 - Dispositif semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend un matériau de surface semi-conducteur constituant la première région électrode d'un dispositif semi-conducteur, une zone 5 de diffusion dans le matériau superficiel, formant la seconde région électrode, ladite zone comportant une fenêtre sur la première région électrode et une pellicule métallique recouvrant la fenêtre de ladite zone de diffusion et s'étendant sur une partie de la seconde électrode, ladite pellicule constituant une jonction 10 redresseuse métal semi-conducteur du type barrière avec la dite première région électrode et formant un contact ohmique avec ladite seconde région électrode. 2 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ledit matériau superficiel comporte une cou- 15 che épitaxiale de forte résistivité et de faible concentration d1 impuretés formée au-dessus d'un substrat semi-conducteur. 3 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 2, caractérisé en ce que ladite fenêtre s'ouvre sur la couche épitaxiale de faible taux de concentration d'impuretés sur le silicium 20 de forte concentration d'impuretés. 4 - Dispositif semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend une plaquette de silicium ou substrat du type P, sur lequel est formée une couche épitaxiale de résistivité élevée et de faible taux de concentration d'impuretés, qui constitue la première 25 région électrode du dispositif semi-conducteur, une zone de diffusion du type P dans la couche épitaxiale, formant une deuxième région électrode, la dite région comportant une fenêtre sur la couche épitaxiale de la première région électrode et une pellicule métallique recouvrant la fenêtre vers la couche épitaxiale et 30 s'étendant au-dessus d'une partie de la seconde électrode, ladite pellicule constituant une jonction redresseuse métal-silicium du type barrière avec ladite première région électrode et un contact ohmique avec la seconde région électrode. 5 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 4» 35 caractérisé en ce qu'il comporte une deuxième zone de diffusion à l'intérieur de la première zone de diffusion, qui définit la troisième électrode du dispositif semi-conducteur. 6 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 5, caractérisé en ce que ladite première électrode, ladite seconde 40 électrode et ladite troisième électrode sont respectivement le 69 42505 12 2027414 collecteur, la base et l'émetteur d'un transistor à jonction. 7 - Dispositif semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend un matériau semi-conducteur superficiel constituant l'électrode de collecteur du transistor jonction, une première zone de 5 diffusion dans le matériau superficiel, formant une électrode de base d'un transistor jonction, ladite zone comportant une fenêtre sur la région électrode de collecteur, une deuxième zone de diffusion dans la première zone de diffusion définissant une électrode d'émetteur de transistor jonction, une pellicule métallique re-10 couvrant la fenêtre vers ladite électrode de collecteur et s'étendant au-dessus d'une partie de l'électrode de base,ladite pellicule constituant une jonction redresseuse métal-semi-conducteur du type barrière avec ladite électrode de collecteur et reliée par un contact ohmique avec ladite électrode de base. 15 8 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 7, caractérisé en ce que ledit matériau semi-conducteur superficiel comporte une couche épitaxiale de faible taux de concentration d* impuretés et de forte résistivité, formée sur un substrat semir-conducteur, ladite fenêtre s'ouvrant sur la couche épitaxiale de 20 faible taux de concentration d'impuretés constituant l'électrode de collecteur. 9 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 7, caractérisé en ce que ladite fenêtre est approximativement au centre de la première zone de diffusion, ladite diffusion d'électro- 25 de de kase formant un anneau de protection autour de la jonction redresseuse métal semi-conducteur du type barrière. 10 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 9, caractérisé en ce qu'il.comprend une couche de bioxyde dé silicium recouvrant le matériau superficiel, la première et la seconde zo- 30 ne de diffusion comportant une ouverture délimitant la jonction redresseuse métal semi-conducteur du type barrière. 11 - Dispositif semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend un corps semi-conducteur ayant au moins deux zones adjacentes de types de conductivité opposés formant entre eux au moins 35 une jonction P-ÏST, lesdites zones s'étendant chacune jusqu'à une face dudit corps et un contact métallique sur ladite face, en contact avec les dites zones et la partie superficielle de ladite jonction P-ÏI, ledit contact métallique assurant"un contact ohmique avec l'une des dites zones et un contact redresseur de type bar-40 rière avec l'autre des dites zones. 69 42505 13 2027414 12 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 11, caractérisé en ce qu'une zone est du type P et l'autre du type HT. 13 - Dispositif semi-conducteur suivant la revendication 12, caractérisé en ce qu'une zone est 3a base et ladite autre zone le 5 collecteur d'un transistor E-Pf-ÏT, ledit contact0métallique réduisant le temps de commutation du dit transistor. 14 - Dispositif semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend un corps semi-conducteur ayant une région de type de conductivité opposé à celui du matériau sous-jacent formant au moins une 10 jonction P-U et s'étendant jusqu'à une face dudit corps, ladite région définissant une ouverture découvrant une partie de la surface dudit corps, un contact métallique sur ladite face, en contact avec ladite région, ladite partie de la surface dudit corps et la surface de ladite jonction P-N et constituant un contact oh-15 mique avec l'une des dites régions et ladite partie superficielle dudit bloc, et un contact redresseur de type barrière entre l'autre région et ladite partie superficielle du bloc. 15 - Dispositif semi-conducteur caractérisé-en ce qu'il comprend un bloc semi-conducteur ayant une première et une deuxième' 20 zone d'un certain type de conductivité et une troisième zone d'un type de conductivité opposé, formant deux jonctions P-U respectivement entre ladite troisième zone et les dites premières et seconde zones, les dites zones s'étendant chacune jusqu'à une face dudit bloc, et un contact métallique sur ladite face en contact 25 avec les dites première, seconde et troisième zones et la partie superficielle de' chacune des dites jonctions P-H, ledit contact métallique assurant un contact ohmique avec les dites première et seconde zones ayant un type de conductivité et un contact redresseur de type barrière avec ladite troisième zone ayant un autre 30 type de conductivité.