FR 2036831 A1 19701231 FR 6910602 A 19690404 La présente invention se rapporte à des appareils et des procédés pour restructurer des matières et plus particulièrement à des perectionnements aux techniques de dépôt sous vide extrêmement poussé et aux moyens de manipulation de matières afin de restructurer des couches cohérentes mono-atomiques de matière conductrice, non conductrice et semi-conductrice Des moyens sont utilisés pour déposer des couches minces multiples de matières semi-conductrices "prédopées", pouvant être utilisées pour des applications se rapportant à des dispositifs actifs et à des composants électroniques associes. On a éprouvé des difficultés et des problèmes se sont posés en utilisant un équipement, et des procédés classiques de dépôt sous forme de vapeur du fait qu'un tel équipement classique ne peut présenter l'environnement propre et maintenir ia matière vaporisée à la pureté nécessaire pour un semi-conducteur actif en pellicule mince du fait que les techniques de dépôt d'ions ne sont pas valables dans la gamme des vides extrement poussés. Une autre difficulté rencontrée dans la pratique classique réside dans le fait que la cible se charge d'une manière électrique et repousse le courant d'ions chargés provenant du nuage d'ions. Si on se contente de mettre simplement la cible à la masse, comme c'est la pratique classique, un courant traverse la pellicule franche et brise le champ de cristallisation, ce qui peut faire briser la structure. On rencontre avec les systèmes classiques un grand nombre d'autres difficultés. En conséquence, ces difficultés et ces problèmes qu'on rencontre avec un équipement classique sont supprimées suivant la présente invention qui fournit un nouveau procédé et un nouvel appareil pour produire un nuage de vapeur à partir d'une matière servant de source et qui forme ensuite une couche restructurée cohérente de cette matière sur un substrat.Dans ce but, l'appareil comprend une chambre à vide munie d'un montage de cible ou de substrat enfermé à l'une de ses extrémités et un nouveau réceptable pour la matière de la source à son autre extrémité. te réceptacle pour la matière servant de source est destiné à contenir des matières de source de caractéristiques de conductivité différente et il est disposé de manière à pouvoir être déplacé à l'intérieur de la chambre à vide afin de soumettre la matière source choisie à un nouveau moyen de chauffage pour produire une chaleur locale intense à la surface de la matière source choisie.Le moyen de chauffage produit un faisceau d'électrons suivant une enveloppe conique de sorte que le nombre d'électrons produits est supérieur à celui qui pourrait être produit autrement et ne fait pas obstacle à la formation du nuage de vapeur. te faisceau d'électrons conique est concentré sur la surface de la matière qui sert de source pour la vaporiser de façon à produire une chaleur intense et former une masse fondue ainsi que son nuage de vapeur résultant. te nuage de vapeur est traitea par un ioniseur qui produit électriquement un nuage d'ions à partir de la matière source vaporisée. L'ioniseur met en forme le nuage d'ions et l'amène à une région de transport à l'intérieur de la chambre à vide pour transporter les ions du nuage vers le substrat.Pour neutraliser le substrat et son élément de support et les empêcher de devenir positifs d'une façon excessive, une source d'électrons fournit à la cible et à son support des électrons pour s'opposer à l'effet du nuage d'ions qui est chargé positivement. Une caractéristique de la présente invention réside dans l'incorporation à l'appareil d'un électro-aimant de forme toro1- dale qui fournit un champ magnétique uniforme à travers et autour de l'axe central de la chambre à vide. Ce champ limite et met en forme le plasma ionique dans la partie canon ioniseur de l'ensem- ble, de manière à aider à maintenir la pression du nuage dans la gamme d'ionisation. te champ est également maintenu uniforme dans la région de la cible, ce qui aide les substrats cristallins non réactifs à produire des structures uniformes et cohérentes sensiblement parallèles à la surface du substrat. La présente invention utilise des quantités importantes d'énergie pour appliquer la pellicule aux substrats, et par suite obtenir une pellicule qui adhère d'une manière tenace à la surface des substrats propres. Une caractéristique importante de la présente invention réside dans sa capacité de déposer des quantités importantes de matière avec une énergie très élevée suivant divers angles de contact avec la surface du substrat et perpendi culairement à celle-ci, de façon à obtenir une pellicule qui ne ressemble pas à un givre mais une structure de matières de densité maximale, homogène et cohérente, y compris des matières semi-conductrices conductrices, et résistantes. Il est courant à l'aide de ce procédé de former des structures qui sont cohérentes sur toute la surface du substrat. La présente invention a également pour but de fournir un nouveau creuset destiné à contenir la matière fondue servant de source à des températures élevées, telles que par exemple 17000C, sans qu'il se produise de diffusion entre la matière servant de source et la matière du creuset ni aucune contamination de la matière source en soi. D'autres avantages et caractéristiques de la présente invention ressortiront au cours de la description détaillée qui va suivre, faite en regard des dessins annexés qui donnent à titre explicatif, mais nullement limitatif, une forme de réalisation conforme à ltinvention. Sur ces dessins la figure 1 est une coupe d'un produit électrique d'un type comportant un réseau ordonné formé par une région cohérente restructurée de matière appliquée à un substrat et qui a été fabriquée suivant le procédé et avec l'appareil de la présente in invention la figure 2 est une vue partielle considérablement agrandie du produit électrique représenté sur la figure 1, et elle représente l'aspect de la région de la matière restructurée comme ayant été appliquée à une surface de substrat présentant des irrégularités et des imperfections de surface minuscules; ; la figure 3 est une vue schématique d'une forme du nouvel appareil utilisé pour mettre en pratique le nouveau procédé selon l'invention, et elle représente un moy-en servant à produire un nuage d'ions à partir dune source de matière, un moyen servant à transporter les ions du nuage d'ions - l'intérieur de l'appareil et un moyen servant à agir sur la direction du réseau atomique de matière restructurée pendant la restructuration de la- matière sur la surface du substrat la figure 4 est une vue schématique à grande échelle du moyen produisant le nuage dlions représenté sur 1 #figure 3 pour produire le nuage d'ions et comportant un moyen de bombardement par électrons produisant une chaleur locale rte .vaporisant la matière de la source la figure 5 est une vue latérale d'un mode de réalisation du nouvel appareil qui est représenté schématiqaeutent sur la figure 3 la figure 6 est une vue en plan partiel de l'appareil suivant la direction des flèches 6-6 de la figure 5 la figure 7 est une coupe à grande échelle de la chambre à vide incorporée à l'appareil représenté sur la figure 5 et représentant le moyen servant à produire et transmettre le nuage d'ions vaporisé de matière la figure 8 est une vue partielle à grande échelle, en coupe, de la source d'électrons bombardant la matière de la source, et qui est utilisée comme moyen servant à produire le nuage d'ions qu'on voit sur la figure 7 la figure 9 est uneecoupe de l'appareil mulon voit sur la figure 7, dans la direction des flèches 9-9 de celle-ci et repré- sentant la forme dlun moyen servant à contenir des types différents de matières de source pendant la vaporisation la figure 10 est une coupe de l'appareil représenté sur la figure 7, dans la direction des flèches 10-10 de celle-ci et représentant la région de la cible sur laquelle les substrats sont supportés pendant la restructuration sur ceux-ci de la matière source transportée la figure 11 est une vue en perspective d'un moyen çervant de source d'électrons utilisé pour bombarder la matière source, comme on le voit sur ia figure 7 ; et la figure 12 est une vue en perspective à grande échelle, en partie en coupe, du moyen servant de source d'électrons qu'on voit sur les figures 7 et 11. En se reportant à la figure 1, un produit semi-conducteur type fabriqué suivant la présente invention ést représenté dans la direction générale de la-flèche 10. Le produit semi-conducteur peut prendre n'importe quelle forme voulue convenant pour lluti- liser dans l'industrie électronique et permettant de l'utiliser dans diverses applications telles que des transistors, des redresseurs, des cellules solaires, des diodes, des convertisseurs et des générateurs thermo-électriques, etc. Il va de soi que bien que le produit et le procédé qui sont décrits particulièrement ici ne sont donnés qu'à titre d'exemples et ne décrivent et ne représentent qu'une couche d'un seul type de matière semi-conductrice, à savoir du silicium, des couches et des types supplémentaires de matières semi-conductrices peuvent être utilisées.De plus, on ne se reportera qu'à l'ionisation positive et aux polarités de potentiel correspondantes. De ce fait, une caractéristique concomitante de la présente invention réside dans le procédé et l'appareil permettant d'obtenir un seau ordonné non anormal, non amorphe, homogène, de couches, de régions ou de pellicules de matières restructurées y compris destatières semi-conductrices de tous les types de conductivité, métalliques et non métalliques, et présentant des valences positives, ou négatives. te produit semi-conducteur 10 est représenté comme étant constitué par une matière de base il telle que du quartz cristallin, par exemple, dont une surface forme une surface extrêmement polie et propre sur laquelle une couche mince ou région de matière semi-conductrice restructurée 13, telle que du sili- cium,par exemple, est appliquée. te produit représenté sur la figure 1 est considérablement agrandi et la matière de base en quartz peut présenter une épaisseur type de 250 microns. La couche 13 de silicium représente un réseau ordonné de matière restructurée dont l'épaisseur est de tordre de 107 angströms. La structure en quartz forme ce qui peut être considéré et qui est appelé ici le substrat, et le silicium est restructuré sur celuici. La figure 2 est une vue fragmentaire encore plus considérablement agrandie de la surface de séparation qui existe entre la couche 13 de silicium et le quartz 11. La surface du quartz présente un petit nombre de dislocations ou imperfections irrégulières et minuscules qui sont extrêmement difficiles à remplir ou à recouvrir en utilisant des techniques de dépôt classiques, mais cependant en utilisant le procédé selon la présente invention, non seulement la couche de silicium recouvre ces imperfec tions et ces évidements minuscules, mais encore elle ponte à peu près complètement ces irrégularités dans la surface à découvert du quartz. En se reportant maintenant à la figure 3, elle représente schématiquement le nouvelappareil servant à restructurer la structure cristalline d1une matière source sur la surface du substrat, suivant la présente invention. Comme indiqué précédemment, d'une manière générale, le processus de base de la présente invention est mis en pratique à l'intérieur d'un vide poussé et comprend les trois stades indiqués d'une manière générale et consistant à produire des ions de la matière source à déposer, à transporter ces ions sur le substrat pour les y déposer, et à cristalliser ou restructurer la matière source sur le s ubstrat suivant les dimensions prédéterminées, la nature et la caractéristique de la croissance du cristal voulues.On utilise une chambre à vide 15 qui est rendue étanche et purgée d'air d'une manière appropriée pour obtenir un vide très poussé. Un ioniseur 16 est disposé à l'extrémité inférieure ou fond de la chambre à vide 15 et est utilisé pour mettre en forme et ioniser le nuage de vapeur produit à partir de la matière de la source. A l'intérieur de la chambre à vide et disposé immédiatement en dessous du ioniseur 16, est disposé un creuset 17 servant à contenir une certaine quantité de matière source 17' destinée à être restructurée sur le substrat composite 11 t 13 porté par un élément de support inclinable 18 au sommet de la chambre à vide 15.De préférence, ltélement de support et le substrat, qui peut également être appelé la cible, sont disposés coaxialement par rapport au creuset 17 suivant une position relative espacée et fixe par rapport à celui-ci. Une source de champ électromagnétique est disposée à 11 extérieur autour du sommet de la chambre à vide et est constituée par un électr9-aimant toroldal annulaire 19 disposé coaxialement par rapport à la chambre à vide et par rapport au creuset 17. tes enroulements de champ électromagnétique et une source 20 de courant continu pour ceux-ci sont tous disposés à l'extérieur de la chambre à vide, ainsi que l'électro-aimant lui-meme. Une zone délimitée entre des lignes en pointillé divergentes 21 s'étendant entre l'ioniseur 19 et la cible 18 peut être appelée une zone ou région de transport des ions pour la présente invention. Entre lTioniseur 16 et le creuset 17 sont disposés des moyens servant à faire fondre la matière de la source contenue-par le creuset 17, et dans le cas présent un tel moyen comprend un canon à électrons 22 capable de produire un faisceau d'électrons de forme conique de telle sorte que le sommet du faisceau converge au centre de la surface de la matière de la source qui est contenue dans le creuset 17. te canon à électrons comprend de plus un moyen de concentration représenté par les bobines 23 pour régler d'une façon électromagnétique le faisceau d'électrons en forme de cons de telle sorte que le bombardement maximal par les électrons se produise au centre de la matière de la source. Un nuage de vapeur représenté par la mférence 24 est formé à partir de la matière fondue de la source et se forme à la partie inférieure de la chambre à vide, immédiatement au-dessus du creuset. te nuage de vapeur est ensuite traité par l'ioniseur 16 pour former un nuage d'ions 25. Un écran 26 portant une charge électrostatique, entourant la région de transport 21, sert àef- fectuer le transport des ions positifs du nuage d'ions formé et mis en forme 25 à travers la région de transport 21 vers la cible -18. Du fait que la cible prend rapidement une polarité positive à mesure que les ions positifs y sont déposés, une saractéristi- que de la présente invention reside dans une source d'électrons 27 servant à fournir des électrons à la cible pour neutraliser sa polarité. L'aimant 19 se présente sous la forme d'un torride de grande dimension et le substrat et la cible 18 sont disposés au centre de ce dernier, dans un champ magnétique essentiellement uniforme qui est indiqué par la référence numérique 28 identifiant diverses lignes qui représentent le champ magnétique produit par l1électro- aimant.De préférence, l'électro-aimant est en cuivre et comporte environ mille spires de fils enroulées autour de sa surface extérieure,lequel fil a été revêtu d'un composé époxy approprié pour sceller et protéger les enroulements. tes enroulements de l1élec- tro-aimant 19 sont couplés à la source de courant appropriée 20 de telle sorte qu'on obtient un aimant à courant continu, par exemple, qui fournit un niveau de densité de fluxd 'environ 50 gauss au centre du torride, avec une densité résultante d'environ 15 ou 20 gauss dans la région7tioniseur 16. Un conduit 29 est disposé dlune manière apropriée à travers la base de la chaibre à vide afin de commuwliquer avec l'intérieur de celle-ci de telle sorte qu'une liaison ---7ec une pompe à vide classique (non représentée) peut être réa-isée or- mettre au vide la chambre 15. te fonctionnement de l'appareil représc-nté d'une manière générale sur la figure 3 peut être décrit comme suit : initialement, la chambre à vide 15 est mise au vide jusqu'à une pression extrêmement faible qui est appelée un vide poussé, cette pres -10 sion étant de l'ordre de 25 x 10 10 mm de mercure ou même encore plus faible. Un tel vide poussé a pour but principal de réduire les collisions entre les ions libres et toutes les particules de gaz ambiant lorsque les ions traversent la région de transport 21 afin de réduire la quantité de contaminants dans la couche de pellicules déposés et éviter toutedécharge par effluves due à la présence de particules d'un gaz étranger à l'intérieur du champ à potentiel élevé utilisé.Lorsque le vide voulu est atteint à l'in- térieur de la chambre 15, une tension est appliquée au canon à électrons 22 par une source appropriée 30 de telle sorte que le bombardement par électrons de la matière 17' de la source contenue à l'intérieur du creuset 17 produit une fusion rapide. Une tension fournie par une source 32 est appliquée aux bobines électromagnétiques 23 de concentration du faisceau d'électrons afin de régler le faisceau conique d'électrons de telle sorte que la matière de la source soit chauffée d'une façon efficace et rapide jusqu'à son point de vaporisation.A mesure que la température de la matière de la source est élevée par lWchaleur locale intense produite par le bombardement des électrons provenant du canon à électrons, la matière de la source fond et- forme le nuage de vapeur 24 depuis la masse fondue de matière de source. les détails concernant le nouveau canon à électrons et le moyen de concentration d faisceau seront décrits plus loin. La poursuite du chauffage de la matière de la source et du nuage de vapeur 24 provenant de la masse fondue de cette matière font libérer des atomes, indiqués d' manière générale par les points sur la figure 3, à l'intérieur du nuage 24. Certains des atomes sont ionisés du fait du Vombardement par les électrons.A ce moment, la majorité des atomes ne porte aucune charge particulière et ne présente aucune orientation ni direction préférée de parcours mais ils se dispersent simplement suivant une répartition aléatoire. Une telle répartition aléatoire est quelque peu influencée par le dégagement continu d'atomes supplémentaires depuis le nuage de vapeur avec la pression de vapeur qui en résulte, ce qui fait quelque peu agréger les atomesyers 11 extérieur depuis le nuage. tes atomes qui se trouvent à l'intérieur du nuage de vapeur 24 sont contraints d'être ionisés par lrioniseur 16, ce dernier recevant son potentiel d'ionisation d'une source de tension appro priée 33. En d'autres termes, suivant une théorie connue, l'ioni seur 16 tire un électron de chacun des atomes à l'intérieur du nuage 24 qui est influencé par le champ d'ionisation de l'ioni seur.Chacun des ions porte une charge positive du fait de l'absence de l'électron. Portant une charge positive, chacun des ions est repoussé par le potentiel positif de l'ioniseur et est déplacé vers le centre du nuage ionisé. En utilisant le processus continu consistant à soutirer des électrons par ltioniseur du nuage 24, on produit un nuage 25 d'ions mis en forme.En l'absence de toute force extérieure, le nuage d'ions est maintenu à l'extrémité in férieure de la région de transport 21 près de liioniseur. Un gra dient de potentiel pousse certains des ions pour les renvoyer vers la masse fondue et cesCtomes qui sont renvoyés sont rempla cés par de nouveaux ions de sorte que le nuage s'accumule. L'effet du gradient de tension et des champs magnétiques correspondants est de pincer le nuage de façon à ne lui permettre de se dilater que vers le haut depuis l'ioniser dans la direction voulue. A ce moment, lors de la mise exaction d'une source de ten sion continue 34 à potentiel élevé, un potentiel négatif de l'or dre d'environ 5000 volts est appliqué à l'écran de charge -26 de telle sorte qu'un gradient de potentiel de champ électrostatique est établi en travers de la région de transport 21 qui s'étend depuis l'ioniser 16 entre écran de charge annulaire 26 jusqu'à la cible 18 disposée au sommet de la région de transport.L'écran de charge est rendu négatif par rapport à l'ioniseur de telle sorte que les ions qui se trouvent dans le nuage 25, et qui-sont passés au-delà de l'ioniseur 16 du fait des pressions produites par le nombre constamment croissant d'ions dans le nuage formé à l'inté rieur du Mamp de transport, se déplacent rapidement en travers de la région de transport vers l'écran de charge du fait de la force d'attraction de l'écran 26 qui porte une charge relativement négative sur les ions qui sont chargés positivement. La force "d'attraction' est simplement une autre manière d'exprimer ltef- fet du gradient de potentiel de champ électrostatique établi par l'écran de charge et par l'ioniseur en travers du champ de transport 21.Plus particulièrement, le gradient de potentiel électrostatique qui existe dans l'espace entre l'ionisaur 16 et la partie inférieure de diamètre réduit de l'écran de charge au voisinage du nuage d'ions détermine le début du mouvement des ions mouvement et fait effectuer ce / v dans la direction voulue. La partie supérieure ou la plus grande partie de l'écran conserve un potentiel égal jusqutà la cible de sorte que les ions en mouvement ne ralentissent pas. Du fait qu'un vide extrêmement poussé constitue le meilleur isolant connu, un amorçage de tension ne constitue pas une difficulté. De plus, un très petit nombre d'ions finissent par atteindre l'écran de charge. De plus encore, la vitesse des ions qui se déplacent peut être réglée et elle est d'environ 104 à 106 mètres/seconde. Il convient de se souvenir que le champ magnétique de llélec- tro-aimant toroldal 19 est disposé le long de toute la région de transport 2îAe telle sorte que des lignes de flux 28 s'étendent à peu près perpendiculairement à la cible 18 et parallèlement à l'axe vertical central de la chambre à vide. Les ions n'essayent pas de croiser ces lignes en se déplaçant vers la cible. Une description plus détaillée du champ magnétique et de l'appareil servant à le produire sera donnée en liaison avec la figure 7. tes lignes de champ magnétique de flux sont perpendiculaires à la surface du substrat sur lequel une ou plusieurs pellicules doivent être déposées. La combinaison des tensions magnétostatiques et électrostatiques favorise une distribution et une orientation très régulières des ions à mesure qu'ils se rapprochent du substrat 18. La source 27d'électrons applique une charge préalable à la cible suivant une valeur quelconque légèrement plus négative que celle deLtéJcran de charge. Par exemple, un potentiel négatif de l'ordre de 60 000 volts peut entre utilisé. Ceci coupe d'une manière effi cace la sourceh'électrons. les ions sont déposés sur la cible lorsque la source d'électrons est coupée. En atteignant le substrat 18, chacun des ions transportés gagne un électron qui est fourni par le substrat de la cible et se trouve ainsi déchargé ou neutra lisé, en revenant à son état de valence atomique initial.De ce fait, les ions sont revenus à leur état d'atomes, comme indiqué précédemment par la partie présentant des points dans l'enveloppe 24 et ont été simplement transportés du nuage atomique formé à l'endroit de la matière de source vaporisée et fondue07' pour ve nir en contact avec la surface substrat 18, en négligeant pour le moment l'effet de énergie cinétique imprimée aux atomes du 'fait de leur vitesse de transport. Après le dépôt initial des ions, la polarité de la cible du substrat devient positive, ce qui ré active la source 27 des électrons et lui fait fournir des élec trons supplémentaires à la cible. Autrement, Ides dépits suivants ne pourraient pas être obtenus facilement. Une source de tension 35 d'électrons est utilisée pour four nir des électrons supplémentaires à la cible et à son support par l'intermédiaire d'une source d'électrons 27 formés par un filament annulaire de façon à réaliser un effet de neutralisation. Au moment du choc avec le subssrat, les ions et les atomes qui sont imméia- tement déchargés conservent encore leur chaleur de vaporisation. Cette haleur est perdue par rayonnement direct. Il convient de noter que la valeur du potentiel de transport fournie par la source 34 et l'écran 26 est limitée à une valeur suffisante pour assurer que les ions incidents ne rebondissent pas ni ne quittent autrement la surface du substrat sous l'effet de leur propre choc ou, après avoir été déposés, sous l'effet des chocs des ions suivants. Ce pendant, avant de déposer la pellicule ou la couche résultante, les ions peuvent être utilisés pour nettoyer ou préparer autrement la surface du substrat en venant la frapper, à volonté. les atomes neutralisés qui forment la couche sur le substrat commencent immédiatement à former une structure d'énergie mini male à la surface du substrat. lorsqu'ils sont neutralisés, les atomes neutres à la surface substrat cessent d'être influencés par le champ électrostatique du potentiel de transport.Normalement, les atomes neutres présentent une orientation et une distribution aléatoires les uns par rapport aux autres, mais cependant les lignes parallèles de flux 28 qui s'étendent perpendiculairement à la direction prévue de croissance cristalline déterminée par l'électro-aimant 19 modifient cette orientation et cette répartition aléatoires de la manière assurée par la présente invention. tes lignes 28 de flux magnétique contrainent les atomes neutres à se répartir suivant une pellicule plane sur la surface du substrat. C'est-à-dire que toute tendance aléatoire des atomes neutres à s'empiler les uns sur les autres ou à rechercher autrement un niveau représenté par une configuration autre qu'une épaisseur de pellicule uniforme est supprimée.Suivant leurs moments magnétiques nucléaires, chacun des atomes neutres tend à se trouver aligné suivant une direction en rapport avec les lignes de flux unidirectionnelles du champ magnétique. Chacun des atomes neutres prend une orientation de ditente des tensions par rapport à chacun des autres atomés neutres de la pellicule. Une telle orientation permet une croissance de structure ultérieure suivant le dép8t ordonné et préféré bien connu des atomes à 11 intérieur d'un cristal. En se reportant maintenant à la figure 4, on va donner une description plusdétaillée du réceptacle 17 de la matière de la source, de la source 22 de chauffage des électrons et de l'ioniseur 26. Une pureté extrême du bain fondu est une condition fonfamentale pour la fusion de la matière de la source, en particulier silicium et produire des cristaux semi-conducteurs. Ltuti- lisation de creusets introduit le risque de contamination ppéné- trant dans le bain fondu depuis la matière du creuset. Un procédé pour éviter ce danger est décrit dans le brevet des Etats-Unis d'numérique NO 3 051 555 qui consiste à utiliser un creuset en cuivre présentant un point de fusion inférieur à celui du bain fondu. te corps du creuset est doublé à l'intérieur à l'aide d'une couche ou d'un revêtement du silicium le plus pur. On-fait circuler un agent de refroidissement à travers le corps du creuset pour le refroidir. Cependant, on n'obtient pas des résultats complètement satisfaisants en utilisant ce procédé du fait de la température extrêmement élevée nécessaire pour vaporiser le silicium comme source de matière suivant un régimuelconque appréciable.Par exemple, une température d'environ 170O0C est nécessaire pour vaporiser le silicium pour toute application pratique utilisant des procédés permettant une croissance cristalline. Dans ces conditions, on a trouvéq ue la matière du corps du creuset, en particulier le cuivre, se diffuse avec le bord de la garniture en silicium. Une gamme de températures d'environ 8000 à tO00 C existe dans les régions de contact entre le silicium et le cuivre, ce qui représente la gamme de diffusion pour le silicium, de sorte que lentement le cuivre se diffuse depuis le dispositif de dissipation de chaleur du creuset dans le silicium formant matière de la source qui est vaporisée. De plus, dans de telles conditions de température élevée, la garniture en silicium, qu'elle soit constituée par d * silicium pur ou par un oxyde de silicium, a tendance à se décolorer, ce qui nuit à la concentration de la chaleur au centre de la matière de la source lorsque cette dernière est contenue dans un creuset.Du fait que le silicium est transparent à Ra chaleur, la chaleur produite au point de vaporisation est transmise à la surface du creuset qui contient la matière de la source outra chaleur doit être réfléchie pour la renvoyer au bain fondu et augmenter la production de chaleur au point de vaporisation. Cependant, la surface décolorée ou la garniture qui sépare lehreuset de la matière de la source ne réfléchit pas d 'une manière efficace la chaleur transmise et de ce gB fait il se produit une perte de chaleur au point de vaporisation où elle est le plus souhaitable pour produire une. chaleur maximale. Une forme optiquement correcte de creuset est nécessaire pour obtenir dune façon efficace une température maximale. Ces problèmes sont résolus par le nouveau creuset selon la présente invention,u ode de réalisation d'un creuset servant à faire fondre du silicium étant représenté par la référence 17 qui indique un corps de creuset en cuivre pourvu d'une garniture en chrome déposé et poli 36 qui est disposée à l'intérieur d1un évidement hémisphérique 37..Le silicium qui sert de matière de source 17 se trouve à l'intérieur de la garniture en myome hémi sphérique 36 et de préférence présente une surface continue relativement plane 38 dont le centre se trouve sur l'axe vertical principal de la chambre à vide. le creuset 17 est maintenu à une température relativement faible, de préférence inférieure à 350oU en utilisant une nouvelle technique de couplage thermiquermet- tant aux sources d'êtraéplacées sous le canon et d'être interchangées avec d'autres sources sans canalisations d'eau flexibles ni d'agencement de soufflets compliqué. L'énergieFhermique est appliquée à un dispositif de dissipation de chaleur important en cuivre refroidi par de l'eau, qui présente des gorges pou'adap- ter au creuset en cuivre. Un contact à pression extrêmement élevée de cuivre sur cuivre transmet d1-une façon efficace l'énergie thora mique en excès à'eau qui sert de réfrigérant.Le contact à pression extrêmement élevée est obtenu en utilisant la dilatation thermique duaeusèt contre les gorges beaucoup plus froides du dispositif de dissipation de la chaleur. Lorsque le creuset se refroidit à une température inférieure de 1500C, peut être enlevé facilement du dessous du canon et une nouvelle matière de source peut être mise en place à laide d'un simple mécanisme d'entrainemeut extérieur. Du fait de la surface réfléchissante présentée par la garniture en chrome, le silicium qui sert de ma tière de source présente un gradient thermique qui s'étend depuis la garniture jusqu'à la région fondue au centre de la surface 38. Du fait que le creuset est hémisphérique, le gradient thermique agit dans toutes les directions comme la ligne de concentration vers le centre de la sphère dans la région de la fusion. De préférence, le diamètre de l'hémisphère telle qu' elle est représentée, représente une longueur de 70 mm. En dirigeant un faisceau d'élec- trons à intensité élevée provenant de la source de chauffage 22 vers le centre de la surface de la matière de la source, on produit une chaleur locale intense à la température voulue pour faire fondre la matière de la source et la vaporiser.L'avantage qu'il y a à utiliser un dispositif de dissipation de chaleur hémisphérique avec une garniture de configuration correspondante réside dans le fait qu'on construit ainsi un dispositif de chauffage optique en plus du dispositif de chauffage par électrons de sorte que l'énergie qui est rayonnée vers la surface polie deta coche en chrome 36 est réfléchie vers le point de chaleur locale au centre de la surface de la matière de :la source pour aider à produire la chaleur locale intense faisant vaporiser la matière de la source. te moyen de chauffage est représenté schématiquement sur la figure 4 et plus en détail sur les vues des figures 8, 11 et 12. Bien que des sources d'électrons telles que des canons électrons aient été utilisées dans le passé pour fournir un courant d'électrons à une matière source, pour essayer de produire une chaleur locale intense,ces moyens de la technique antérieure ont rencontré un certain nombre de difficultés. t'un de ces dispositifs classiques est décrit dans le brevet dessstats-Unis d'numérique N02 754 259. Pour produire une chaleur suffisante pour faire vaporiser des matières à température de fusion élevée telles que du silicium, suivant un régime important, par exemple, un seul faisceau d'électrons est incapable de fournir une quantité d'électrons suffisantes au point central de la surface de la matière de la source pour produire une chaleur localisée suffisante et faire non seulement fon- dre la matière mais encore la vaporiser. De plus, le faisceau d t électrons doit traverser le nuage vaporisé pour atteindre la ma- tière de la source, ce qui nuit à la production du nuage d'ions et à l'action qu'peut avoir sur lui.Dans certains cas, comme décrit dans le brevet des Etats-Unis .d'Amérique NO 3 235 647, des moyens et des mécanismes compliqués ont été utilisés pour déformer ou courber le faisceau d'électrons autour du nuage de vapeur produit de façon à éviter ces effets nuisibles. Cependant, ces procé dds compliquent considérablement la concentration et peuvent ralentir le courant d'électrons, ce qui empêche encore de produire une chaleur localisée intense. Ces problèmes sont supprimés en utilisant le moyen de chauffage par électrons qui est incorporé à la présente invention et qui comprend un canon à électrons toroïdal 22 qui entoure la matière de la source 17' et dirige un faisceau d'électrons de forme conique vers le centre de celle-ci. Le canon à électrons est disposé coaxialement par rapport à l'axe vertical central de la chambre à vide et il comprend un filament circulaire ou annulaire 39, de préférence en tungstène thorié ou en une matière semblable, d'où partent les électrons. Comme on le voit sur la figure 8, le filament est monté sur des dispositifs d'espacements isolants 39'. te sommetavJfaisceau d'électrons coniques est dirigé vers le centre de la matière de la source pour produire à ce point une chaleur locale intense.Pour réaliser la forme conique et pour donner la forme totale au faisceau d'électrons, le canal à électronsutilise une électrode de mise en forme du champ disposée autour du filament et deux électrodes d1accélération- espacées et disposées de manière à diriger le faisceau et à lui fournir de l'énergie.Toutes les électrodes sont de forme toroïdale et sont conçues pour former les champs éLectrnques de 1 'ioniseur de vapeur et du moyen produisant le plasma. En utilisant ce modèle plus des champs magnétostatiques de faible niveau, on peut maintenir et enfermer un nuage de plasma dense à l'intérieur d'un environnement présentant un vide extrêmement poussé.La puissance nécessaire pour le canon $ lectronseest fournie par une source de tension appropriée 30 quwpeu wournir environ 3500 watts, ce qui suffit pour vaporiser le siliciu * ui sert de matière de source, par exemple à une puissance environ 2000 watts. De ce fait, 1500 watts environ peuvent être considérés comme un supplément quwpeut être utilisé pour faire commencer plus rapidement l'évaporation de la matière de la source.te canon à électrons est soumis à un potentiel négatif de l'ordre de 6000 volts et la matière est maintenue au potentiel de la masse de sorte qu'on obtient une accélération totale de 6000 volts.La première plaque d'accélération 41 h est maintenue à un potentiel négatif de 5900 volts tandis que la seconde plaque d'accélération 42 est maintenue au potentiel de la masse. Une partie 43 pendant vers le bas d'une cuvette 44 faisant partie de l'ioniseur est > loue d'une tension positive de 300 volts qui aide à concentrer le faisceau d'électrons et à lui donner sa con figuratioiconique . De préférence, l'angle que fait le faisceau d'électrons est de l'ordre de 300 à 370 au sommet. L'ioniseur 16 comprend de plus une plaque 45 qui est disposée en position relative fixe et espacée de la cuvette 44. Dans l'espace qui sépare la plaque supérieure 45 de l'ioniseur et sa cuvette 44 est disposée une bobine électromagné tique-toroidale 46 qui constitue le moyen de concentration 23 qui est utilisé pour concentrer le sommet du faisceau d'électrons de configuration conique en un point central de la surface de la matière de la source. Bien que le faisceau d'électrons soit dirigé vers le centre de la matière d'une façon électrostatique, il existe un champ magnétique variable qui fait partie du champ produit par l'électroaimant toroïdal 19. Il existe un champ d'une énergie d'environ 15 gauss au voisinage du canon à électrons et de la matière de la source lorsqu'il existe environ un champ de 50 gauss dans la région de la cible. Ce champ magnétique a un effet nuisible sur le faisceau d'électrons conique qui le fait tirer vers le bas de telle sorte que le sommet du faisceau se présenterait normalement en dessous de la surface de la matière de la source. Le faisceau d'électrons qui a été concentré initialement au centre de celle-ci se trouve déformé suivant un angle plus important vers le bas et son effet est étalé vers l'extérieur sur la surface de la matière de la source, ce qui est indésirable. Par suite, il faut rediriger le faisceau d'électrons pour le renvoyer vers le haut de telle sorte que son sommet vienne frapper le centre de la matière de la source.Pour obtenir un tel effet de redirection, on utilise l'électroaimant toroïdal 46. le champ magnétique produit par cette bobine, qui est représenté par la référence numérique 47, est perpendiculaire au champ qui est produit par le gros éléctroaimaut toroïdal 19 au voisinage immédiat du filament 39 et de ce fait, sa direction fait déplacer le faisceau d'électrons vers le haut plutot que vers le bas En équilibrant ce champ magnétique avec n'importe quel réglage particulier de l'électroaimaut 19 qui produit un champ variable, on peut diriger le faisceau d'électrons pour le renvoyer vers le centre de la matière de la source. De cette manière, on obtient une concentration variable pour le faisceau d'électrons de forme conique au moyen de l'aimant de concentration 46.Il convient d'indiquer particulièrement que le champ magnétique fourni par la bobine de concentration agit presque immédiatement sur le faisceau d'électrons au moment de l'émission des électrons du filament 39 dans une région qui se trouve au voisinage de celui-ci avant que tout effet d'accélération ne soit produit par l'accélérateur à deux étages. te chmap magnétique fait également pincer la matière de la source vaporisée ou la fait maintenir dans le canal central qui fait communiquer la matière de la source avec la partie inférieure de la région de transport 2lo L'effet de pincement de la vapeur donne à cette dernière la forme d'une colonne qui est transpor tée vers le haut. te champ électromagnétique produit par la bobine 46 maintient la matière ionisée à un emplacement limité de telle sorte qu'elle ne se contamine pas d'elle-mesme en bombardant la surface du canon à électrons. En se reportant maintenant à la figure 5, elle représente une vue latérale de l'appareil selon la présente invention, dans lequel la chambre à vide 15 est montée sur une base 49 supportée par un plancher approprié 51. La base 49 est pourvue de divers conduits et de tuyauteries.faisant communiquer la chambre à vide avec ltextdrieur de de la base qui sont nécessai- res pour obtenir un vide extrêmement poussé à l'intérieur de la chambre 26. Autour de la périphérie inférieure de la base 49 sont disposés une série d'aimants 50 qui sont utilisés dans un système de vide classique0 Autour de la chambre à vide 15 est porté d'une manière appropriée un écran ou grille protectrice 52 qui assure une protection dans le cas où la partie en verre de la chambre à vide 15 viendrait à se briser. Des montages 53 retiennent la grille 52 en position autour de la chambre 15. Autour de la chambre à vide et coaxialement par rapport à celle-ci est disposé l'électroaimant toroïdal 19 qui est supporté par des colonnettes 54 et 55. le réglage de la position verticale de l'électroaimant vers le haut et vers le bas peut s'effectuer en faisant tourner les montages 56 qui agissent sur des colonnes filetées 57 quV0 tées par des colonnes de base 58, respectivement0 Au voisinage de l'appareil est disposé un panneau de commande 60 portant une diversité de manomètres, cadrans, boutons, équi pements d'enregistrement, etcO appropriés .Une caractéristi tique de la chambre à vide selon la présente invention réside dans le fait que la chambre 15 ne présente pas la configuration habituelle de chambre de forme évasée mais qu'elle comporte un couvercle plat amovible 61 qui s'appuie autour de la périphérie supérieure de la chambre 15. De cette manière, le couvercle 61 peut être enlevé de la paroi annulaire de support de la chambre de façon à pouvoir travailler sur les divers éléments et composants qui sont maintenus à l'intérieur de la chambre et de telle sorte que les substrats peuvent être disposés sur le soutien de la cible. te couvercle 61 est pourvu d'une série de canaux recouverts 62 le traversant, lesquels peuvent être utilisés pour monter et maintenir une diversité de configuration de cibles , à volonté. La figure 6 représente plus clairement le couvercle 61 comprenant le canal recouveri2 à l'aide duquel des cibles ou d'autres structures peuvent être maintenues à l'intérieur de la chambre à vide. En se reportant maintenant à la figure 7, la base 49 est représentée comme supportant l'élément de montage 63 qui supporte les divers éléments qui se trouvent à l'intérieur de la chambre à vide 15. te creuset 17 est supporté immédiatement par le montage 63 et il est fixé à une plaque mobile 64 qui glisse sur la base 65 du creuset. La base et la plaque mobile 64 sont maintenues en place au moyen de supports latéraux 66 qui sont disposés sur les cotés opposés de la base et de la plaque et qui comportent des ailes 67 s'étendant vers l'intérieur servant à maintenir la plaque mobile de sorte que cette dernière coulisse d'une façon rectiligne sur la base 65. te creuset 17 sera décrit plus en détail en liaison avec la figure 9. tes plaques accélératrices à deux étages 41 et 42 pendent vers le bas depuis des colonnes 68 qui sont fixées à la cu- vette 44 de l'ioniser 16. L'ioniseur 16 et par suite le canon à électrons 22 sont supportés par le montage 63 au moyen de colonnes isolantes 70 qui non seulement maintiennent l'ioniseur et le canon à électrons à des positions relatives fixes et espacées par rapport au creuset, mais encore qui maintiennent l'ioniseur et le canon à électrons suivant des positions re latives coaxiales par rapport au creuset et par rapport à l'a- xe vertical central de la chambre à vide 15.La cuvette 44 de l'ioniseur est maintenus fixe au moyen de consoles 71- qui sont fixées à une première extrémité à la périphérie extérieure de la paroi verticale 69 de la cuvette et qui sont reliées d'une manière amovible à leurs autres extrémités aux extrémités des colonnes 70 au moyen de dispositifs de fixation 72. ta partie inférieure de l'écran de charge 26 dont le diamètre est réduit et qui est représentée par la référence 73, est disposée à une position relative fixe et espacée par rapport à la paroi verticale de la cuvette de llioniseur, et son extrémité périphérique inférieure est disposée en-dessous d'une lèvre recourbée 74 de la paroi de la cuvette.Un tel agencement forme un passage annulaire entre la surface intérieurs de la partie inférieure 73 de l'écran de charge et la lèvre courbée 74 de la cuvette 44. A l'aide de ce moyen et lorsque des tensions telles que celles indiquées précédemment sont appliquées à lté- cran de charge et à lsioniseur, il existe des gradients de potentiel électrostatiques d'accélération qui suivènt la configuration gedéra3e des lignes représentées en pointillé sous la référence numérique 75. Du fait de ce gradient de potentiel, les ions qui se trouvent dans le nuage 25 sont transportés à travers la région de transport 21 dans la direction dé la cible 18. ta partie inférieure 73 peut être fixée à la plus grande partie de l'écran de charge par n'importe quel moyen approprié, mais cependant il convient de noter que écran de charge 26 est supporté à l'intérieur de la chambre à vide 15 au moyen de colonnes isolantes 76 qui sont montées sur des consoles 78 supportées par la paroi de la base 49 à l'aide de montage 80. Au sommet de écran de charge 26 est disposée une source d'électrons 27 qui y est supportée par des colonnes 81. tes colonnes isolent d'uns manière appropriée le filament de la source d'électrons 27 de écran de charge 26. il convient de noter que la Source d'électrons 27 présente une configuration annulaire de telle sorte qu'elle peut être considérée comme un canon à électrons toroïdal dont l'émission d'électrons est dirigés vers la cible 18 sur laquelle est monté le substrat 11. Au sommet de l'écran de charge et entourant la source -d'électrons est également monté un dôme 82 qui présente une ouverture 83 dans laquelle est disposés la cible 18.Bien qu'uns seuLe feuille ou une seule couche de matière de substrat Il soit représentée, il va de soi qut e série de plaquettes, de feuilles, etc., de substrat peuvent être fixées d'une manière appropriée et peuvent être maintenues par le dessous de la cible 18, à volonté. Une caractéristique de la présente invention réside dans le fait que la cible 18 peut être orientée à l'intérieur de 1' ouverture 83 dans n1 importe quelle mesure voulue au moyen d'un montage à joint universel 84 qui relie la cible 18 à un arbrege montage 85. L'arbre de montage traverse le canal central formé dans le couvercle 61 et se termine par un couvercle étanche au vide 62. A l'aide de ce moyen, une fois que la croissance ordonnée où le réseau d'atomes a commencé suivant une direction voulue dont l'orientation est donnée par le champ magnétique de l'aimant toroïdal 19, la cible peut être remise en position suivant un angle différent par rapport à la direction de déplacement des ions de telle sorte que la croissance du réseau cohérent se poursuive. Pour compléter le système de vide, un élément de chauffage 86 est représenté comme étant disposé en dessous du montage 63. De plus, une cuvette conique 87 est représentée montée sur le dessous du montage 63, laquelle peut servir de "getter" pour éliminer les contaminants pendant le pompage effectué par le système de vide. En se reportant maintenant à la figure 9, le creuset 17 est représenté comme étant monté sur la plaque coulissante 64 à une position telle qu'il est disposé coaxialement par rapport à l'axe vertical central de la chambre à vide0 Be creuset 17 peut être utilisé pour contenir un premier type de matière se -mi;;cconductrice tel qu'un type N, par exemple, et les atomes provenant de cette matière de source peuvent êtrs utilisés initialement pour forme $ n réseau cohérent ordonné de matière restructurée sur la surface du substrat0 Cependant, une caractéristique de la présente invention réside dans le fait qu'un second dépit d'une autre matière de source, telle qu'unie matière de type P, peut être restructurée en utilisant un autre creuset 90 qui est porté par la plaque mobile 64. En faisant glisser la plaque 64, le creuset 17 est sorti de sa position initiale et le creuset 90 peut être amené à 11 emplacement occupé précédemment par le creuset 17.On peut faire glisser la plaque 64 sur la base 65 à l'aide d'une tige 91 animée d'un mouvement de va-etvient, laquelle est fixée à la plaque 64 et peut traverser la paroi dehbase 49 de telle sorte qu'un opérateur peut modifier la position du creuset de l'extérieur de la chambre à vide sans qu'il soit nécessaire de rompre le vide0 ta tige 91 peut prendre la forme d'une vis d'avance ou bien elle peut être commandée par un agencement de came. De ce fait, l'agencement du creuset à élément de dissipation de la chaleur est constitue de deux creusets indépendants 17 et 90, chaque creuset contenant une matière de source différente.Dans un premier cas, par exemple, le creuset 17 pourrait contenir du silicium de type N et l'autre creuset 90 pourrait contenir du silicium,de type P. A volonté, la matière de source se trouvant dans le creuset qui n'est pas traitée peut être recouverte par un couvercle approprié 9 réalisé en une matière extrêmement réfractaire quelconque telle que du molybdène, du tantale, du tungstène, etc. telle que le couvercle ne fonde pas. De ce fait, une seule source de matière est exposée à la fois pour être chauffée et etc vaprisée par la source 22 dXélectrons. En se reportant à la figure 10, elle représente plus clairement le dessous de la cible 18, et elle montre la surface importante mise à découvert par l'appareil selon la présente in ventionsur laquelle le dépôt sous forme de vapeur peut être dirigé afin de former un réseau cohérent et ordonné de matière restructurée. Il va de soi que le montage de la cible peut être destiné à monter une série de substrats sur lesquels la matière restructurée peut être dtposée ou bien le montage de la cible peut maintenir facilement une seule cible en substrat de surface importante.De plus, à volonté, on peut utiliser diverses formes et configurations de caches en les disposant en avant de la surface du substrat sur lequel s'effectue le dépit, et ces derniers peuvent être utilisés pour former des régions sélec- tives de la surface du substrat qui sont destinées à recevoir le dépôt. D'après ce qui précède, on voit que I'appareil et-le procédé de la présente invention servent à produire un nuage de vapeur à partir d'une matière de source et qui forme ensuite une couche cohérente restructurée de cette matière sur un substrat pour former un produit électrique. Des matières de source de caractéristiques de conductivité différentes sont utilisées de telle sorte que des couches ou des pellicules multiples de cette matière peuvent être restructurées sur la surface du substrat. te laps de temps moyen nécessaire pour déposer une telle couche restructurée serait de l'-ordre d'uns à deux minutes pour une matière de source donnée. Immédiatement ensuite, on peut vaporiser une autre matière de source, l'ioniser et la transporter pour la déposer sur le produit pendant une période/ayant mativement la meme durée. Ceci peut être réalisé sans rompre le vide de la chambre à vide et sans demander des opérations supplémentaires pour la décontaminer. La cohérence de structure obtenue par la matière déposée est une fonction de la nature de surface du substrat et de l'intensité du champ magnétostatique présent à la surface de ce dernier, ainsi que de lténergie thermique présente ou qui est fournie par les ions qui arrivent. Lorsque 11 énergie et les forces de restructuration sont rendues optimales pour des matières données, la cohérence peut être maintenue dans la mesure nécessaire pour réaliser des dispositifs semi-conducteurs actifs. Dans la -plupart des cas, le champ de restructuration magnétostatique nécessaire est inversement proportionnel à la cristallinité de la surface qui reçoit le dépit et de la correspondance de structure du dépôt. Il va de soi que la présente invention nta été représentée et décrite uniquement à titre explicatif, mais non iimitatif, et'elle est susceptible de diverses variantes sans sortir de son cadre. REVENDICATIONS 1. Procédé pour restructurer une matière de source fondue à partir d'un état de vapeur ionisé pour passer à un état solide sous la forme d'une couche atomique incidente dense, à peu près complètement cohérente, de la matière de source disposée sur la surface d'un substrat, caractérisé en ce qu'il consiste à engendrer un champ magnétique présentant des lignes magnétiques de flux s1 étendant autour de la surface du substrat et autour de la matière de source fondue ; engendrer des ions de la matière de source fondue qui doivent être déposés sur la surface du substrat ; et à former la couche atomique cohérente de matière de source à l'état solide pendant qu'elle se trouve sous l'influence continue du champ magnétique destins à commander la direction du dépit de la matière de source ionisée. 2. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'opération de formage consiste à neutraliser les ions avant, pendant et immédiatement après le dépôt de telle sorte que les ions sont ramenés à leur état de valence atomique initiale, ce qui se traduit par un réseau atomique cohérent restructuré de matière de source incidente et dense. 3. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'opération consistant à produire un champ magnétique consiste à soumettre la surface substrat à un niveau consi dérablement plus élevé de flux magnétique que le niveau de flux magnétique produit à l'endroit de la matière de source fondue0 4.Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'état de vapeur suet établi et traité par les opérations suivantes : vaporisation de la matière de source dans un environnement à vide extrêmement poussé pour produire un nuage de vapeur de matière de source atomisée, ionisation de la matière de source atomisée pour en former un~nuage d'ions mis en forme et limité ; transport des ions incorporés iu nuage d'ions vers le substrat ; le champ magnétique étant produit d'une manière telle qu'il est uniforme dans la région du substrat, lesdites lignes de flux magnétique étendant perpendiculairement à la surface du substrat afin de diriger le dépot ordonné des atomes ionisés suivant une orientation préférée. 5. Procédé suivant la revendication 3, caractérisé en ce que les opérations précedentes sont répétées ensuite pour former un second réseau atomique cohérent restructuré sur le premier réseau. 6. Procédé suivant la revendication 5, caractérisé en ce qu'on forme un second réseau de matière de source d'une caractéristique de conductivité électrique différente. des caractéristiques de la matière de source utilisée pour restructurer le premier réseau afin de produire des couches multiples sur le substrat. 7. Procédé suivant la revendication 4, caractérisé en ce que l'opération de vaporisation consiste à chauffer la matière de la source par émission d'électrons suivant une configuration conique depuis une source d'électrons toroïdale ; et à concentrer émission d''électrons conique de façon à concentrer le bombardement des électrons sur un point central de la surface de la matière de source pour produire une chaleur locale intense sans faire obstacle à la formation du nuage d'ions, 8.Procédé suivant la revendication 7, caractérisé en ce que l'opération de vaporisation consiste de plus à maintenir la matière de. la source qui est chauffée dans un crauset à paroi 'hémisphérique fonctionnant comme dispositif de chauffage optique de sorte que la chaleur rayonnée depuis le point central de la surface de la matière de la source est réfléchie par la paroi hémisphérique vers le point central pour augmenter le chauffage de la matière par cette opération de chauffage par émission d'électrons. 9. Procédé suivant la revendication 7, caractérisé en ce que l'opération de concentration consiste à produire un champ magnétique toroïdal entourant le nuage de vapeur pour effectuer la mise en forme et le maintien du nuage d'ions formé. 10. Procédé suivant la revendication 9, caractérisé en ce que l'opération. de vaporisation consiste de plus à refroidir la partie de la matière source qui est disposée entre le point central de sa surface et la paroi hémisphérique en maintenant à travers le support du creuset un écoulement constant de fluide agissant de manière à réduire la tempUrature du corps du creuset. 11. Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que ltopération de neutralisation consiste à fournir une certaine quantité d'électrons au substrat avant le dépôt des ions sur ce dernier de telle sorte que le substrat prend un potentiel plus négatif que celui du nuage dotions. 12. Procédé suivant la revendication 4, caractérisé en ce que l'opération de transport consiste à établir un gra dient de potentiel électrostatique agissant de manière à faire commencer et accélérer le mouvement des ions suivant une direction préférée vers le substrat et agissant de plus pour maintenir la valeur de la vitesse des ions dans tout l'envi- ronnement à vide extrêmement poussé. 13. Procédé suivant la revendication 5, caractérisé en ce qu'en plus on fournit des électrons supplémentaires au substrat pour le préparer au dépôt devant suivre du second réseau atomique cohérent restructuré de la matière de la source. 14. Appareil pour restructurer une matière de source fondue à partir d'un état de vapeur ionisé pour passer à un état solide sous la forme d'une couche atomique sensiblement cohérente de la matière de source disposée sur la surface d'un substrat, appareil caractérisé en ce qu'il comprend : un dispositif de chauffage pour maintenir la matière de la source à un état de fusion afin de produire un nuage de vapeur de matière de source atomisée, un ioniseur disposé au voisinage du nuage de vapeur pour ioniser la matière de source atomisée pour former un nuage d'ions, un moyen de transport électrostatique disposé à une position relative fixe et espacé par rapport à l'ioniseur afin de déplacer les ions du nuage d'ions vers le substrat ; un moyen électromagnétique disposé d'une manière fonctionnelle par rapport au moyen électrostatique pour produire un champ magnétique dans la région du substrat et dans la région de l'ioniser pour effectuer le déport ordonné des atomes ionisés suivant une orientation de réseau préférée ; et un moyen de neutralisation disposé au voisinage du substrat pour neutraliser les ions déposés pour former la couche à l'état solide de la matière de source initiale. 15. Appareil suivant la revendication 14, caractérisé en ce que le moyen de neutralisation est disposé entre le substrat et l'ioniseur. 16. Appareil suivant la revendication 14, caractérisé en ce que le moyen électromagnétique produit un champ magnétique beaucoup plus intense dans la région du substrat que celui qui est produit dans la région de l'ioniseur. 17. Appareil suivant la revendication 14, caractérisé en ce que le substrat est disposé à l'intérieur d'une chambre à vide ; le moyen de transport électrostatique comprenant un moyen servant à établir un gradient de potentiel électrostatique entre l'ioniseur et le substrat pour accélérer le trajet des atomes ionisés et commander leur direction ; le moyen de neutralisation étant destiné à fournir une certaine quantité d'électrons au substrat, et le moyen électromagnétpgae étant disposé coaxialement par rapport à l'ioniseur et par rapport au moyen de transport électrostatique afin de produire un champ magnétique dans la région du substrat dont des lignes de flux magnétiques s'étendant perpendiculairement à la surface du substrat afin de commander la direction du dépôt des atomes ionisés suivant une orientation ordonnée préférée sur la surface du substrat, perpendiculairement aux lignes de flux magnétique afin de former un réseau atomique cohérent restructuré de matière de la source sur la surface du substrat 18.Appareil suivant la revendication 14, caractérisé en ce que les dispositifs de chauffage servant à produire le nuage de vapeur comprennent : une source d'électrons toroidale disposée coaxialement autour de la matière de la source et qui est destinée à émettre un faisceau d'électrons conique dirigé vers le centre de la surface de la matière de la source qui est exposée à la source d'électrons toroïdale ; et un second électroaimant qui est disposé coaxialement autour de la source d'électrons toroidale et qui sert à concentrer le faisceau a'électrons conique de manière à concentrer le bombardement des électrons sur le centre de la surface de la matière de la source pour produire une chaleur locale intense faisant fondre et va poriser une partie de la matière de la source sans faire obs- tacle à la formation du nuage d'ions. 19. Appareil suivant la revendication 18, caractérisé en ce que le dispositif de chauffage servant à produire le nuage de vapeur comprend de plus : un dispositif de chauffage optique comportant une paroi hémisphérique dans laquelle la matière de la source est-maintenue de telle sorte que la chaleur rayonnée au centre de la surface de la matière de la source est réfléchie par la paroi hémisphérique vers le point central de la surface de la matière de la source afin d'augmenter le chauffage de la matière qui est assuré par la source d'électrons toroïdale. 20. Appareil suivant la revendication 17, caractérisé en ce que le moyen électrostatique comprend un écran de charge circulaire dont la partie inférieure circulaire est de diamètre réduit ; la partie inférieure de cet écran de charge étant disposée à une position relative fixe et espacée par rapport à l'ioniseur de façon à ménager entre eux un canal annulaire ; le moyen électrostatique et l'ioniseur comprenant également des sources de tension couplées indépendamment à l'écran de charge et à l'ioniseur, respectivement, et qui agissent de manière à établir un gradient de potentiel électrostatique d'accélération et de commande de direction de sorte que ce gradient de potentiel est concentré à l'intérieur du canal annulaire entre l'écran de charge et l'ioniser d'où le gra dient de potentiel s'étend depuis l'ioniseur jusqu'au substrat. 21. Appareil suivant la revendication 18, caractérisé en ce que le moyen servant à fournir une certaine quantité d'électrons au substrat comprend une seconde source d'électrons toroïdale disposée à une position relative fixe et espacée par rapport à l'extrémité du moyen électrostatique qui est opposée à son extrémité qui se trouve au voisinage de l'ioniseur de telle sorte que le substrat prend un potentiel plus négatif que celui des atomes ionisés. 22. Appareil suivant la revendication 18, caractérisé en ce que le second moyen électromagnétique établit un champ magnétique transversal unitaire toroïdal dans le trajet du faisceau d'électrons en produisant des lignes de force magnéti ques suivant une direction d'orientation réglable s'étendant autour de la source d'électrons et servant à concentrer le faisceau d'électrons sur la surface de la matière de la source. 23. Appareil suivant la revendication 22, caractérisé en ce que le champ magnétique transversal unitaire toroidal forme un canal central entourant le nuage de vapeur pour effectuer la mise en forme et le maintien de ce dernier. 24. Appareil suivant la revendication 19, caractérisé en ce que le dispositif de chauffage optique comprend une garniture de chrome déposée qui suit le contour de la paroi hémisphérique et qui sépare cette paroi de la matière de la source. 25. Appareil suivant la revendication 24, caractérisé en ce que le dispositif de chauffage optique comprend un moyen refroidissant la garniture en chrome pendant le chauffage d'une partie de la matière de la source jusqu'à une température inférieure à la température de fusion de la garniture en chrome et inférieure à la température à laquelle fond la matière de la source de façon * maintenir la garniture en chrome du dispositif de chauffage optique à un état solide et empêcher la matière de la source de fondre sur la garniture en chrome. 26. Appareil suivant la revendication- 14, caractérisé en ce que le moyen électromagnétique se présente sous la forme d1un torolde présentant une ouverture centrale dans laquelle est disposé le substrat, la surface du substrat se trouvant sensiblement dans le même plan horizontal que le moyen électromagnétique. 27 Appareil suivant la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comprend un moyen servant à monter le moyen électromagnétique dans l'atmosphère à l'extérieur de la chambre vide. 28.~Appareil suivant la revendication 14, caractérisé en ce que la matière de la source est constituée par du silicium. 29) Appareil suivant la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comprend deux creusets destinés à contenir des matières de source de deux types de conductivité différents ; et un moyen d commande relié d'une façoafonctionnelle aux deux creusets servant à disposer sélectivement l'un ou l'autre des creusets de cette paire de telle sorte que le centre de la surface de la matière de la source qui y est contenue se trouve sensiblement le long de l'axe vertical central de l'appareil,dans l'alignement coaxial du dispositif de chauffage. 30) Creuset servant à contenir une matière de source dont une partie doit être fondue et vaporisée, creuset caractérisé en cequ'ilccomprend : un corps de creuset en une matière de bonne conductivité électrique et thermique destinée à fonctionner comme-élement d'un circuit électrique ; le corps du creuset présentant un évidement hémisphérique ; une garniture en chrome disposée dans cet évidement hémisphérique et séparant le corps du creuset de la matière de la source ; un moyen supportant le corps du creuset ; et un moyen faisant circuler un réfrigérant à travers le moyen supportant le corps du creuset pendant la fusion de la matière de la source à une température inférieure à la température de fus ion du corps du creuset pour former une s olidarisatioYJthermique entre le corps et le moyen de support à une température inférieure à celle de la matière de la source fondueWde,taçon à maintenir la garniture en chrome à un état solide et empêcher le bain fondu de fondre sur la garniture exichrome 31) Creuset suivant la revendication 30, caractérisé en ce que la-garniture en chrome peut fonctionner comme dispositif de chauffage optique de telle sorte que la chaleur provenant du bain fondu de matière de la source au centre de sa surface est réfléchie et renvoyée au centre de la surface pour augmenter le chauffage de la matière de la source de telle sorte que la matière qui est fondue au centre de sa surface est maintenue par la matière de la source relativement solide disposée entre la. matière quXést fondue et la garniture en chrome. 32) Ensemble formé par un dispositif de chauffage d'une source d'électrons et un creuset et servant à chauffer d'une manière réglable la surface d'uns matière de source disposée dans le creuset, ensemble caractérisé en ce qu'il comprend un filament annulaire en fil métallique disposé coaxialement à une position relative fixe et espacée par rapport à la matière de la source et dont le diamètre est supérieur au diamètre de la matière de la source ; et une source de tension connectée électriquement au filament et servant à produire une émission continue d'un faisceau d'électrons de forme conique convergeant vers le centre de la matière de la source de telle sorte que le bombardement des électrons produit un point de chauffage intense localisé au centre de la surface de la matière de la source afin de produire un nuage de vapeur. 33) Ensemble suivant la revendication 32, caractérisé en ce qu'il comprend de plus en combinaison un moyen électromagnétique de concentration eQd'ionisation destiné à établir un champ magnétique servant à fournir des lignes de forcesa.gnétiques concentrant le faisceau d'électrons sur la surface de la matière d la source et à ioniser le nuage de vapeur. 34) Canonàélectrons,caractérisé en ce qu'il comprend : un moyen d'émissioo oro1dal d'électrons comprenant un élément en fil métallique ; une source de tension connectée électriquement à cet élément pour produire une émission continue d'un faisceau d'électrons de configuration sensiblement conique convergeant suivant un sommet ; un accélérateur électrostatique à deux étages servant à commander la direction et la configuration de l'émis- sion des électrons, et un moyen électromagnétique coaxial par rapport à l'élément d'émission pour concentrer le faisceau d'électrons conique.