FR 2012369 A1 19700320 FR 6922532 A 19690703 69 22532 La présente invention est relative à un générateur de signaux sensible à l'intensité de la lumière et se rapporte plus particulièrement à un générateur de signaux sensible à la lumière,. à circuit intégré comportant un circuit à photodiodes et à transistors 5 formés simultanément sur une même pastille. Jusqu'à maintenant, la fabrication de circuits intégrés sensibles à la lumière remplissant des fonctions optoélectroniques désirées n'a rencontré qu'un succès limité. Précédemment, de telles fonctions ont été réalisées en utilisant des cellules au sulphite 10 de cadmium et des dispositifs électromécaniques tels que des galvanomètres. Bien que l'idée de combiner une diode PN sensible à la lumière à une configuration de circuit intégré ait été suggérée précédemment, il n'a pas été possible d'utiliser les techniques des cir-15 cuits intégrés en raison de l'absorption de la lumière visible au voisinage de la surface et de la difficulté de transformer l'information en énergie utilisable. Le problème était principalement de mettre au point un circuit permettant d'utiliser les amplitudes relativesent faibles du courant photoélectrique engendré par les PO jonctions PN en silicium sensibles à la lumière dans la région visible du spectre. Les techniques de traitement des circuits intégrés de liart antérieur étaient également insuffisantes pour produire des photodiodes dans une configuration de circuits intégrés présentant la caractéristique désirée de courant de lumière 25 et de courant d'obscurité. Selon l'invention, l'amplitude du flux de lumière visible incidente est convertie en variations électroniques ayant une fréquence proportionnelle à l'intensité de la lumière reçue. Fondamentalement, la lumière incidente est convertie en variations de J>0 fréquence au moyen d'une photodiode fonctionnant à l'état de polarisation inverse et constituant le circuit de minutage d'un amplificateur d'un multivibrateur astable. Le multivibrateur astable comprend un second amplificateur ayant; une constante de temps déterminée par un circuit de minutage RC. 35 Selon un autre aspect de l'invention, un signal proportionnel à l'intensité lumineuse est engendré par un circuit dans lequel les transistors, les condensateurs et les résistances d'un multivibrateur astable sont formés en même temps qu'une photodiode. Ce circuit utilise une jonction PN de grande superficie qui est CP°V' 69 22S32 2 2012369 sensible à la lumière de la région visible du spectre et qui est fabriquée en même temps que le circuit associé dans le même substrat en silicium. Chacun des deux amplificateurs du multivibrateur astable comprend plusieurs étages d'amplification à transistors. 5 Le premier transistor de chaque amplificateur, c'est-à-dire celui couplé à la photodiode, présente de préférence une bonne caractéristique hpE au faible niveau de courant. Les jonctions peu profondes nécessaires pour un bon rendement des photodiodes ont pour effet que les techniques de traitement 10 dans une configuration de circuit intégré de l'invention ont une importance extrême du fait que les conditions de surface sont' plus significatives que pour les jonctions plus profondes. Comme le coefficient d'absorption dans la région de 0,35 à 0,7 micron de longueur d'onde est très élevé, pour obtenir un bon rendement 15 de la réception de la lumière, la couche P diffusée de la photodiode doit être aussi mince que possible du fait que la plus grande partie de la lumière située dans la gamme visible du spectre est absorbée au voisinage de la surface. Outre le bon rendement de réception, les techniques de fabrication doivent produire une 20 diode ayant un faible courant de saturation inverse et un rapport signal-bruit élevé. Un procédé de fabrication d'une photodiode et d'un multivibrateur sous forme de circuit Intégré comprend des opérations destinées à réduire à une valeur minimale les contraintes super-25 ficielles du matériau. Ceci nécessite une manipulation soigneuse entre les températures relativement élevées des stades de diffusion et les stades de dépôt à températures plus basses. Pour obtenir une fonction optoélectronique désirée, l'invention vise à fournir : 30 - un générateur de signaux délivrant une sortie variable en fonction de l'intensité de la lumière visible j - un tel générateur utilisant une photodiode comme dispositif de minutage d'un circuit multivibrateur ; - un tel générateur dans lequel une photodiode et un circuit am-35 plificateur associé sont formés simultanément ; - un tel générateur fabriqué sous forme de circuit monolithique j - un procédé de fabrication d'un générateur de signaux sous forme de circuit monolithique. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention appa- BAD ORIGINE» >9 225 3 2 3 2012369 raîtront au cours de la description suivante, donnée à titre d'exemple et faite en référence aux dessins annexés, dans lesquels : la Fig. 1 est un schéma d'un multivibrateur modifié utili-5 sant une photodiode comme dispositif de minutage dans un amplificateur ; la Fig. 2 est un graphique du pourcentage de réponse relative en fonction de la longueur d'onde en microns ; la Fig. 3 représente le circuit équivalent de la photodiode 10 de la Fig. 1 ; la Fig. 4 représente le circuit équivalent d'une photodiode chargée ; les Fig. 5a et 5b représentent schématiquement les circuits équivalents du multivibrateur de la Fig. 1 ; 15 la Fig. 6 est une vue en coupe schématique représentant une couche enterrée d'un matériau de départ d'un circuit intégré sensible à la lumière ; la Fig. 7 est un schéma d'un circuit monolithique fabriqué selon l'invention. 20 En se référant maintenant aux dessins, il est représenté à la Fig. 1 un circuit délivrant une tension de sortie ayant une période d'oscillation proportionnelle à l'intensité de la lumière visible qui frappe une photodiode 10. En se référant à la Fig. 2, il est représenté un graphique 25 du pourcentage relatif de réponse en fonction de la longueur d'onde en microns d'une photodiode particulière à jonction PN destinée à être utilisée avec le circuit de l'invention. Normalement, une photodiode à jonction PN présente une sensibilité de crête située nettement dans la région de 1'infra-rouge 30 (7 microns environ). Toutefois, une jonction PN peu profonde, fabriquée par le procédé décrit ci-après présente une fonction de crête dans la région visible (entre 4 et 5 microns). Une alimentation en courant continu (non représentée) connectée à la borne de polarisation 12 fournit de l'énergie pour 35 alimenter les divers composants du circuit et établit une tension de référence sur une borne 14 au moyen d'une résistance 16 et d'un circuit série composé de quatre diodes 18 à 21 connecté à la masse. La tension sur la borne 14 est toujours plus positive que la tension de l'électrode de base d'un transistor 22, ce qui 4 69 22532 4 .2012369 polarise la diode 10 en sens inverse pour tous les états de fonctionnement du circuit. Un circuit de minutage RC constitué par une résistance variable 24 en parallèle avec un condensateur 26 est connecté également à la borne 14 et attaque la base d'un 5 transistor 28. L'intensité du signal engendré par la lumière et provenant de la diode 10 est de l'ordre de quelques nanoampères, ce qui exige que le transistor 22 présente une bonne caractéristique h™. JfUi , Ce courant est amplifié par le transistor 22 et par un transis-10 tor 30 connectés en série. Le signal de sortie présent sur l'électrode d'émetteur du transistor 30 constitue un signal d'attaque temporaire de la base d'un transistor de commutation 32. Un circuit de blocage constitué par la combinaison série d'une diode 36 et d'une résistance 38 en parallèle avec un condensateur 40 15 empêche la perte de ce signal temporaire dans le transistor 34 qui fonctionne à l'état saturé. La conduction du transistor 32 supprime le courant de base d'entretien appliqué au transistor 34 par l'intermédiaire d'un circuit de blocage constitué par une diode 44 en série avec une 20 résistance 46, ces deux dernières étant en parallèle avec un condensateur 48. Une réaction apparaît alors et l'état de conduction des transistors 32 et 34 s'inverse. Le niveau de faible tension sur l'électrode de collecteur provoqué par la conduction du transistor 32 polarise également la jonction collecteur-base 25 du transistor 22 en sens direct, ce qui supprime l'intensité du signal engendré par la lumière provenant de la base du transistor 30. Un amplificateur de puissance 42 engendre un signal d'intensité, par suite de la variation de conduction du transistor 34, 30 dans une bobine de sortie 50 connectée à la borne 12. Une résistance de polarisation de collecteur 52, connectée.au transistor 32 et au collecteur du transistor 30 est également couplée à la borne 12 pour appliquer une tension de polarisation aux transistors 30 et 32. 35 De la manière habituelle, le multivibrateur de l'invention comprend deux amplificateurs similaires, la moitié gauche du,, circuit de la Fig. 1 étant.similaire à la moitié droite décrite ci-dessus. Ainsi, la partie gauche comprend le transistor 28 monté en série avec un transistor 54 qui est monté également en série 69 22532 5 2012369 10 15 20 25 avec le transistor 34. Une variation de la conduction du transistor ^4 provoque une variation du signal d'entrée appliqué à un amplificateur de puissance 56. Un second signal de sortie, ayant la polarité inverse du signal engendré dans la bobine de sortie 50, est engendré par l'amplificateur de puissance 56 et aux bornes d'une bobine de sortie 58.Eft bobine de sortie 587 ainsi qu'une résistance de polarisation de collecteur 60 et l'électrode de collecteur du transistor 54 sont connectées à la borne 1?. En fonctionnement, on suppose que le transistor 34 conduit et est maintenu dans cet état par la circulation d'un courant dans la diode 44 et les résistances 46 et 52. lia tension sur la base du transistor 28 est égale à la tension de saturation Vsat(34) transistor 3^ plus la tension collecteur-base du transistor 28. Le condensateur 26 se charge à un niveau égal à la différence entre la tension à la borne 14 (égale aux quatre chutes de tension directe des diodes 18 à 21) et la tension sur la base du transistor 28 (vsat(34) + VBC(28)^" La charSe du condensateur 28 s'effectue en une durée relativement courte en raison de la faible impédance du parcours de conduction. Pendant le cycle de conduction du transistor 34, un signal de sortie est engendré dans la bobine de sortie 58. Le transistor 34 continue à conduire jusqu'à ce qu'il soit bloqué par la conduction du transistor 32. La conduction du transistor 32 interrompt le courant de maintien appliqué à l'électrode de base du transistor 34, ce qui provoque une réaction et établit un état de polarisation normal pour le transistor 28. Comme mentionné précédemment, la réaction provoquée par la conduction du transistor 32 interrompt la conduction du transistor 34. Un courant de base d'entretien est appliqué au transistor 32 paru l'intermédiaire de la résistance 60 et le circuit de blocage constitué par la diode 36, la résistance 38 et le condensateur 40. Le condensateur 26 commence maintenant à se décharger à travers la résistance 24 et continue à se décharger jusqu'à ce que la tension sur l'électrode de base du transistor 28 soit égale à la somme des tensions de conduction base-émetteur des transistors 28, 34 et 54. Lorsque ce niveau de tension est atteint, le transistor 34 est de nouveau rendu conducteur, ce qui interrompt le courant de maintien appliqué au transistor 3?. Le fonctionnement de la partie droite du circuit de la Fig. 1 69 22532 6 2012369 est similaire à celui décrit ci-dessus, sauf que le circuit RC comprenant la résistance 24 et le condensateur 26 a été remplacé par la photodiode 10. En se référant aux Pig. 3 et 4, il est représenté un modèle 5 de circuit équivalent d'une photodiode polarisée en sens inverse qui reçoit une lumière visible j le courant de saturation est donné par Ig et le courant photoélectrique par I^. Pendant la conduction du transistor 32, la tension sur l'électrode de base du transistor 22 est égale à la tension de saturation du transis-10 tor 32 plus la tension directe collecteur-base du transistor 22. Le condensateur C_ (capacité de la photodiode lô) se charge M à une valeur égale à la différence entre la somme de la tension de conduction directe des diodes 18 à 21 et la tension de base du transistor 22. Cet état est représenté à la Fig. 4. Le 15 condensateur Cj reste à l'état chargé tant que le transistor 32 conduit. La suppression de l'application du courant de maintien au transistor 32 provoque la décharge du condensateur Cj à travers une résistance Rj (résistance parallèle de la photodiode 10). Ce fonctionnement «st analogue de nombreux égards/ à 20 celui décrit précédemment en relation avec la décharge du condensateur 26 à travers la résistance 24. Tandis que le condensateur Cj se décharge, les transistors 22, 30 et 32 sont dans un état bloqué. Ces transistors prennent de nouveau l'état conducteur lorsque la tension appliquée à 25 l'électrode de base du transistor 22 est égale à la somme des tensions de conduction base-émetteur des transistors 22, 30 et 32. En d'autres termes, lorsque le condensateur CT se décharge à ce niveau, le temps de décharge de celui-ci est une fonction indirecte du courant photoélectrique I, comme indiqué par l'ex-30 pression : H = CJ ^VBE"VBC(22) "Vsat(32)^IX dans laquelle 3 VBE est égal à la somme des tensions de déclenchement base-émetteur des transistors 22, 30 et 32 ; VBC(22) est la c:h;Ute de tension de la diode base-émetteur d« 35 transistor 22 ; et vsa^(32) es^ égale à la tension de saturation du transistor 32. En se référant aux Fig. 5a et 5b, il est représenté des circuits équivalents des deux parties d'amplificateur du multivibrateur de la Fig. l. La Fig. 5a représente la partie dr&ite du W 22532 7 2012369 circuit ainsi que les états qui apparaissent lorsque le transistor 32 est non conducteur. Le condensateur Cj se décharge pendant ce fonctionnement à un niveau égal à la tension sur la borne 14 moins la tension de déclenchement base-émetteur des transistors 5 22, 30 et 32 (3VBE(on))• Pendant que le condensateur Cj se décharge, le condensateur 26 se charge, comme indiqué à la Fig. 5b. Comme indiqué, la charge est égale à la différence entre la tension de saturation vsat; (54) du 'trarisis'tor 3^ plus la tension directe base-collecteur du transistor 28, ^5^(28) et la tension 10 de régulation de la diode à la borne 14. Pendant un cycle ultérieur, les commutateurs 29 et 31 des circuits équivalents des Fig . 5a et 5b sont inversés. Ainsi, la photodiode 10 et le circuit RC comprenant la résistance 24 et le condensateur 26 constituent un multivibrateur astable ayant une première cons-15 tante de temps t^ qui varie en fonction du courant photoélectrique et une seconde constante de temps t? déterminée par la résistance 24 et le condensateur 26. Le circuit de la Fig. 1 comprenant la photodiode 10 est formé de préférence simultanément sous la forme d'un circuit 20 monolithique fabriqué selon l'invention par un procédé représenté aux Fig. 6 et J. Comme la capacité de la photodiode est faible de préférence, le matériau de départ peut être un substrat en silicium de type P ayant une résistivité de 10 à 15 ohm-centimètre avec une "couche enterrée" N+ qui n'est située que sous les 25 zones du transistor. Une couche de silicium 74 engendrée par épitaxie (de 4 à 5 microns d'épaisseur environ et ayant une résistivité de 4 à 6 ohm-centimètre) s'étend sur la totalité de la surface du substrat J0 comprenant la région enterrée 72. L'épaisseur de la couche épitaxiale 74 ainsi que la géométrie 30 du transistor déterminent considérablement la tension de saturation des transistors du circuit, ce qui est un aspect important du circuit, comme exposé précédemment. Tous les stades de traitement du procédé à décrire mettent en jeu des techniques de diffusion classiques en ce sens que du 35 bioxyde de silicium est utilisé comme masque de diffusion et reçoit une configuration donnée au moyen de techniques photolithographiques classiques. On engendrecpar croissance des couches de bioxyde de silicium à chaque diffusion successive pendant le stade de diffusion précédent. En conséquence, le procédé de mas 69 22532 a 2012369 quage associé à chaque stade du procédé n'est pas décrit en détail. La pellicule de bioxyde de silicium est engendrée par croissance consécutivement à la croissance de la couche épita-xiale par une technique courante de thermo-oxydâtion dans laquelle 5 la pastille est exposée à une atmosphère de vapeur d'eau pendant trente minutes, tout en étant chauffée à 1200°C environ. Consécutivement à l'oxydation de la couche épitaxiale 74, le stade suivant du procédé consiste à déposer et diffuser un matériau de type P dans les zones nécessaires pour former les 10 anneaux d'isolation 76 entourant chacun des composants. Cette diffusion est typiquement une diffusion classique de bore utilisant du tribromure de bore (BBr^) comme source d'impureté. Le stade de dépôt est exécuté à 1150°C environ et comprend un pur-geage-préalable de cinq minutes, un dépôt de trente minutes et 15 un purgeage postérieur de cinq minutes. Le substrat est placé ensuite dans un four à diffusion contenant une atmosphère de vapeur d'eau et chauffé à 1250°C environ pendant trente-cinq minutes environ pour diffuser les impuretés. Comme à l'ordinaire, ce stade est exécuté en plaçant la pastille dans un support en quartz, 20 ou nacelle, qui est introduit dans la zone chaude d'un four. On doit utiliser une nacelle ou un support léger au cours de tous les stades de ce procédé pour réduire à une valeur minimale les chocs thermiques et réduire les risques de dislocation. La réduction des valeurs minimales des chocs thermiques et des disloca-25 ' tions présente une importance particulière du fait que ces effets ont une portée directe sur le niveau du courant de fuite de la photodiode. Les jonctions peu profondes nécessaires pour un bon rendement des photodiodes rendent à ce stade les techniques de traitement extrêmement importantes étant donné que les conditions 30 de surface sont plus significatives que pour les jonctions plus profondes.. Ensuite, la région de base de type P 76 et la région d'anode de type P JQ de la diode 10 sont diffusées. Ce stade est de nouveau une diffusion de bore qui peut être effectuée avec du tri-35 bromure de bore (BBr^), le dépôt étant effectué à 950°C pendant une période de quinze minutes. Après dévitrification, on place le substrat dans un four à diffusion et on le chauffe à 1050°C dans une .atmosphère d'oxygène pendant cinq minutes, une atmosphère de vapeur d'eau pendant quarante minutes et une atmosphère d'azote 69 22532 9 2012369 pendant cinq minutes. On diffuse également en même temps les divers condensateurs, résistances et diodes à jonction du circuit représenté à la Fig. 1, mais ces composants ne sont pas représentés aux Fig. 6 et J. 5 Enfin, la région d'émetteur 80 entre la région de contact de cathode 82 de la photodiode 10 et les condensateurs émetteurs et base 84 et 86 sont déposés et diffusés à partir d'oxytrich-lorure phosphoreux (POCI^) à 975°C pendant quinze minutes, stades qui sont précédés et suivis par une purge à l'azote. Une caracté-10 ristique importante du procédé de l'invention est le dépôt et la diffusion d'oxytrichlorure phosphoreux dilué de ce stade. Par exemple, la diffusion du gaz porteur (ou POCl^) est un mélange d'oxygène et d'azote suivant le rapport de 1 à 1 (200cm^/mn). Toutefois, pour former la diffusion de faible profondeur néces-15 saire pour le circuit de la Fig. 1, le gaz porteur est un mélange d'environ 200 em^/mn d'oxygène et de 30 à 50 cm^/mn d'azote. Cette diffusion diluée à également pour effet de réduire les courants de fuite. A ce stade, les diffusions sont effectuées pratiquement à 20 leurs profondeurs finales et à leurs résistances superficielles définitives, en raison du fait que les deux derniers stades du traitement sont effectués à des températures relativement faibles pendant des durées relativement courtes. La région de base j6 présente une résistance superficielle d'environ 300 ohms par carré 25 à une profondeur d'environ 0,675 micron à 0,8l micron et la région d'émetteur 80 à une profondeur d'environ 0,54 micron. Lorsque tous les stades de diffusion ont été effectués, une couche d'oxyde pyrolytique ayant une épaisseur comprise dans la O O gamme de 2 000 A à 3 000 A est formée sur la pastille. Cette 30 couche peut être formée en plaçant la pastille dans un four maintenu à une température d'environ 450°C avec un agent oxydant tel que de l'oxygène gazeux ou de la vapeur d'eau. Des ouvertures sont formées maintenant dans l'oxyde par une technique utilisant un matériau de réserve photographique dans les zones dans lesquel-35 les des contacts ohmiques doivent être formés. Lorsque la pastille a été nettoyée de nouveau, on la place dans une chambre à évapo-ration sous vide et le métal de contact ohmique est vaporisé sur la pastille par un filament chauffé. La pastille métallisée est de nouveau enduite de matériau de réserve photographique, mise 69 22532 10 2012369 à découvert à travers un masque définissant les contacts et développée .Un agent de décapage approprié, tel que de 1'hydroxyde de sodium, élimine le métal superflu pour définir les contacts des divers composants électriques. 11 2012369 REVENDICATIONS 10 15 20 25 30 1. Appareil pour engendrer un signal présentant des variations suivant l'intensité lumineuse qui comprend des amplificateurs et au moins un dispositif sensible à la lumière, caractérisé en ce qu'il comprend deux amplificateurs interconnectés suivant un montage de multivibrateur, les signaux de sortie de chaque amplificateur étant en opposition de phase, un circuit sensible à la lumière destiné à commander le cycle "marche-arrêt" de l'un des amplificateurs à une vitesse proportionnelle à l'intensité de la lumière ambiante et un circuit de minutage destiné à commander le cycle "marche-arrêt" du second amplificateur à une fréquence prédéterminée, les amplificateurs étant interconnectés de manière à se trouver dans des états de fonctionnement opposés. 2. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit sensible à la lumière comprend une photodiode polarisée en sens inverse et couplé à la sortie de l'un des amplificateurs, la photodiode ayant une résistance et une capacité effective permettant de commander le cycle de fonctionnement de l'amplificateur. 3. Appareil selon la revendication 2, caractérisé en ce que chacun des amplificateurs comprend trois transistors connectés en série avec l'anode de la photodiode qui est couplée à l'électrode de base du premier transistor. 4. Appareil selon la revendication J>, caractérisé en ce que le premier des trois transistors est connecté au troisième transistor pour modifier la capacité effective de la photodiode pendant le cycle "marche" du premier des amplificateurs. 5. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit de minutage comprend une résistance variable en parais lèle avec le condensateur, le réglage de la résistance variable déterminant le cycle "arrêt" du second amplificateur. 6. Appareil selon la revendication 1, fabriqué sous forme de circuit intégré et comprenant des dispositifs à jonction PN, caractérisé en ce qu'il comprend une jonction PN qui produit un courant proportionnel à l'intensité de la lumière dans la région visible, deux amplificateurs fabriqués en même temps que la jonction PN suivant une configuration de multivibrateur et engen- 69 22532 12 2012369 cirant des signaux de sortie en opposition de phase, l'un des amplificateurs commutant entre les états "marche et arrêt" à une vitesse proportionnelle à l'intensité de la lumière visible de la jonction PN, et le circuit de minutage commutant le second 5 amplificateur entre les états "marche et arrêt" et faisant prendre aux amplificateurs connectés des états de fonctionnement opposés. 7. Appareil selon la revendication 6, caractérisé en ce que la jonction PN présente une capacité effective faible couplée à 11 entrée de 1'un des amplificateurs. 10 8. Appareil ifeiorp^a revendication 6, caractérisé en ce que la jonction PN et les amplificateurs sont formés sur une couche épitaxiale avec des régions "enterrées" N+ au niveau des deux amplificateurs. 9. Appareil selon la revendication 8, caractérisé en ce que 15 la couche épitaxiale présente une résistivité de 4 à 6 ohm-centi- mèfcres à une profondeur de 4 à 5 microns et en ce cjue la profondeur de la jonction PN varie entre 2 000 et 3 000 A. 10. Procédé de fabrication d'un appareil selon l'une quelconque des revendications précédentes et comportant une photo- 20 diode fabriquée par diffusion et croissance épitaxiale, caractérisé en ce qu'il consiste à diffuser des impuretés à travers une configuration d'oxyde dans une zone épitaxiale et sur un substrat à l'intérieur d'anneaux d'isolation de composants et à diffuser une seconde impureté pour achever les composants de 1'appareilj à 25 travers une seconde configuration d'oxyde dans la couche épitaxiale avec un gaz porteur dilué pour effectuer une diffusion à faible profondeur pour la photodiode. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le gaz porteur destiné à diffuser la seconde impureté est consti- 30 tué par un mélange d'environ 200 cm fscr minute d'oxygène et de 30 à 50 crn^ par minute d'azote. 12. Procédé de fabrication d'un appareil délivrant une sortie variant suivant l'intensité de la lumière frappant une photodiode et dont la configuration est monolithique, selon l'une 35 quelconque des revendications 1 à 9, ce procédé mettant en jeu des stades de diffusion et de croissance épitaxiale et étant caractérisé en ce qu'il consiste à diffuser une impureté de type P dans une couche épitaxiale du type N sur un substrat de type P pour former des anneaux d'isolation de composants, à diffuser une BAD ORIGINE 69 22532 13 2612369 impureté de type P à travers une configuration d'oxyde dans la couche épitaxiale contenue à l'intérieur des anneaux d'isolation des composants pour former des régions de base des transistors amplificateurs du générateur et l'anode de la photodiode, et à diffuser une impureté de type N à travers une configuration d'oxyde dans la couche épitaxiale avec le gaz porteur dilué pour former la région d'émetteur destinée aux amplificateurs du générateur et avec une diffusion à faible profondeur pour la cathode de la diode, et à vaporiser un métal pour former des contacts avec les régions des seconde et troisième diffusions.