FR 2008236 A1 19700116 FR 6914919 A 19690509 69 14919 2008236 La présente invention est relative à des dispositifs semiconducteurs et plus particulièrement à des contacts métalliques et à des interconnexions pour des dispositifs semi-conducteurs tels que des transistors et des circuits intégrés. 5 Les contacts électriqueg&ppliqués aux dispositifs semi-con- ducteurs doivent être composés de matériaux ayant de bonnes propriétés chimiques, électriques, thermiques et mécaniques lorsqu' ils sont appliqués aux surfaces des semi-conducteurs. Bien que des problèmes se posent au cours de l'application de contacts 10 pour tous les semi-conducteurs, le choix du matériau de contact est particulièrement difficile lorsque le semi-conducteur est du silicium, comme dans les transistors "planar" et des circuits intégrés dans lesquels le silicium est le matériau le plus couramment utilisé. 15 Dans les dispositifs semi-conducteurs "planar" une couche d'oxyde de silicium ou de verre recouvre ordinairement la surface de silicium sauf dans les zones de contact effectives, cette couche ayant pour fonction de rendre passives les jonctions et de constituer une isolation pour les contacts élargis et les inter-20 connexions. Dans les circuits intégrés en particulier, des rubans en matériau conducteur s'étendent à partir d'une région semi-conductrice jusque sur la couche d'oxyde et traversent diverses régions et jonctions du dispositif pour venir en contact avec une autre région. En conséquence, le matériau de contact doit pré-25 senter une bonne adhérence au silicium et à l'oxyde de silicium ou au verre, mais ne doit cependant pas provoquer de réaction fâcheuse ni pénétrer dans le silicium ou l'oxyde de silicium. Les techniques les plus fructueuses conçues jusqu'à maintenant pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs et en 30 particulier de transistors et de circuits intégrés au silicium reposent en grande partie sur la photolithographie pour former des masques de diffusion, définir des zones de contact, etc.. et sur la pulvérisation à haute fréquence et l'évaporation pour déposer des métaux et des matériaux isolants. En conséquence, 35 pour être compatible avec les procédés de fabrication les plus commodes, le métal choisi pour les contacts doit pennettre d'utiliser des techniques de masquage photographique et de décapage ainsi que des techniques de dépôt par évaporation ou pulvérisation à haute fréquence. Ces techniques d'application du matériau 40 de contact sont les plus efficaces lorsque des couches très min 69 14919 2008236 ces sont mises en jeu, et comme les autres dimensions du conducteur sont limitées par les caractéristiques électriques du dispositif, le matériau de contact doit présenter une conductibilité élevée pour empêcher l'introduction de résistances série. 5 Dans la technologie des semi-conducteurs, la tendance est à la fabrication de dispositifs pouvant fonctionner à des fréquences de plus en plus élevées et capables de commutations à des vitesses de plus en plus grandes. Par nécessité, les dimensions des dispositifs doivent être rendues très petites pour obtenir ces 10 caractéristiques. Par exemple, la partie d'un transistor à haute fréquence qui constitue la région d'émetteur peut occuper 64 microns carrés ou moins sur la face d'une pastille semi-conductrice et peut n'occuper que quelques dixièmes de micron en profondeur. Une connexion ne peut être appliquée directement à une telle ré-15 gion au moyen d'un fil lié, de sorte que la zone de contact doit être élargie sur une couche d'oxyde de silicium afin de faire de la place pour fixer un conducteur externe, ce qui exige que le métal de contact ne réagisse pas avec la couche d'oxyde de silicium. Dans les transistors de ce type, la couche d'oxyde de silicium 20 recouvrant la région de base est très mince en raison de la courte durée pendant laquelle le dispositif peut être maintenu à des températures qui favorisent la croissance d'oxyde. Par exemple l'épaisseur de cette couche d'oxyde est inférieure à 2.000 A en comparaison de 10.000 A environ sur la région de collecteur. Par 25 conséquent, la dégradation du dispositif due à la pénétration du métal de contact dans l'oxyde de silicium jusqu'aux jonctions situées en dessous, est particulièrement importante dans les dispositifs à haute fréquence. De plus, le métal de contact ne doit pas avoir tendance à pénétrer dans la surface du semi-conducteur 30 au niveau de la zone de contact, du fait qu'une pénétration très légère tendrait à détériorer le dispositif. Le métal de contact ne doit pas former un alliage avec le matériau semi-conducteur aux températures utilisées pour lier les conducteurs ou pour monter le dispositif. La formation d'un tel 35 alliage provoquerait une pénétration fâcheuse du métal de contact dans des régions peu profondes du semi-eonducteur. Cette limitation réduit l'intérêt de l'utilisation de l'aluminium en contact direct avec le silicium en raison de sa faible température eutec-tique avec le silicium, 5772 c, qui est une température souvent 40 dépassée au cours du dépôt des métaux de contact, de la liaison 69 14919 2008236 ou de la fermeture étanche du dispositif. De même, le métal des contacts ne doit pas avoir un point de fusion inférieur à la température à laquelle le dispositif est soumis au cours du traitement et du fonctionnement ultérieurs. 5 Une condition supplémentaire imposée au métal de contact est qu'il doit fournir un contact ohmique et à faiblë résistance avec la surface semi-conductrice. Si le dispositif est en silicium, des problèmes particuliers apparaissent en raison des propriétés du matériau, de la tendance de ce semi-conducteur à former par 10 exemple un oxyde. De plus, si le métal de contact utilisé est un donneur ou un accepteur pour le semi-conducteur, il doit présenter une solubilité suffisamment faible pour que la tendance à former une jonction puisse être contrecarrée par un fort dopage de la zone de contact. 15 Du fait de ces limitations, la plupart des métaux ne convien nent absolument pas pour constituer des contacts élargis pour les dispositifs au silicium. Par exemple, les meilleurs conducteurs, l'argent, le cuivre et l'or n'adhèrent pas bien à l'oxyde de silicium, et l'or forme en outre un eutectique avec le silicium aux 20 faibles températures, ce qui dégrade les caractéristiques du dispositif. En outre, l'argent s'oxyde rapidement de sorte qu'une liaison ne peut pas être faite facilement, tandis que le cuivre diffuse très rapidement dans le silicium. En examinant les autres métaux, on s'aperçoit que le rhodium et l'iridium n'adhèrent pas 25 à l'oxyde de silicium et ne se décapent pas facilement. Le zinc a un point de fusion bas, n'adhère pas à l'oxyde de silicium et présente une tension de vapeur fâcheusement élevée. Le cobalt est difficile à évaporer. Le nickel n'adhère pas bien à l'oxyde de silicium et est difficile à lier à un fil d'or. Le fer ne se lie 30 pas facilement. Le platine et le palladium adhèrent médiocrement à l'oxyde de silicium et sont difficiles à lier à un fil d'or. L'étain présente un point de fusion très bas. Le chrome ne peut pas être attaqué facilement ni lié facilement à un fil d'or,est trop poreux et réagit de façon excessive avec l'oxyde de silicium, 35 Le tantale est encore plus difficile à décaper et à lier et réagit encore plus avec l'oxyde de silicium que le chrome. Le plomb adhère médiocrement à l'oxyde de silicium. Le vanadium, le zir-conium et le titane sont des conducteurs très médiocres, réagissent avec l'oxyde de silicium et sont pratiquement impossibles à 40 lier à un fil d'or, les deux derniers métaux présentant l'incon 69 14919 2008236 vénient supplémentaire d'être difficiles à décaper. L'indium a un point de fusion très bas. L'antimoine, l'arsenic et le gallium sont des impuretés de dopage présentant des solubilités et/ou des vitesses de diffusion élevées dans le silicium, le gallium fon-5 dant à une température légèrement supérieure à la température ambiante. Le seul métal qui convient parfaitement pour les contacts et les interconnexions dans les transistors "planar" et les circuits intégrés au silicium est l'aluminium, qui a été largement utilisé 10 à cet effet. Des pellicules minces d'aluminium de qualité excellente s'appliquent facilement sur des dispositifs semi-conducteurs au moyen de techniques d*évaporation et en utilisant un matériau de réserve photographique, et des contacts constitués par ce métal, peuvent être liés facilement à des fils d'or ou d'aluminium. 15 L'aluminium est le quatrième/conàuc^eur et son adhérence au silicium et à l'oxyde de silicium est certainement sans égale. L'adhérence à l'oxyde de silicium est due probablement à une réaction ehmique exprimée par la formule 3SiÛ2 + 4À1 »- ZAlgOj + 3Si, qui est énergétiquement très favorable, l'énergie libre de forma-20 tion dans des conditions normales, A°F étant de -184 kc/mol pour cette réaction. Pour l'aluminium le A° F pour la formation d'oxyde est d'environ -376, tandis que pour le silicium il est de -192 la différence fournissant le chiffre de -184. L'excellente adhérence de l'aluminium à l'oxyde de silicium est due à cette 25 réaction. Il est probable que les pellicules d'aluminium appliquées à des surfaces en oxyde de silicium sont maintenues fermement en raison de la réaction de ce type entre faces. néanmoins malgré ces divers avantages, comme matériau de contact pour des dispositifs semi-conducteurs, l'aluminium pré-30 sente un certain nombre d'inconvénients. Aux potentiels électriques élevés et aux températures de fonctionnement élevées l'aluminium tend à former une "boue rouge" due à une réaction entre 1' or et l'aluminium, qui provoque l'interruption des contacts électriquement lorsque des fils d'or de connexion sont utilisés pour 35 connecter les interconnexions en aluminium au cours du montage. De plus, l'aluminium vient après le sodium en ce qui concerne la réaction à l'humidité et avec d'autres éléments. Les essais effectués pour trouver un métal ou un alliage unique pour remplacer l'aluminium n'ont pas été entièrement cou-40 ronnés de succès. Ainsi, il devient nécessaire d'utiliser un con 69 14919 2008236 tact du type superposé ou à plusieurs couches. Par exemple, il a été proposé d'utiliser du chrome et de l'or comme contacts, auquel cas une couche mince de chrome est appliquée en premier et une couche d'or est déposée ensuite sur le chrome. Malheureuse-5 ment, le chrome offre un contact électrique relativement médiocre avec le silicium et ne constitue pas lui-même un très bon conducteur. En outre le chrome n'empêche pas la pénétration de l'or dans le silicium et, en fait, cette pénétration est utilisée pour obtenir une résistance plus faible du contact, les couches de 10 chrome et d'or étant frittées après dépôt. De plus, le chrome est sujet à une dépouille importante pendant le décapage du procédé photolithographique, du fait que le chrome est difficile àtàécaper de manière lente et commandée. On a constaté que les contacts à plusieurs couches fabriquées 15 à partir de molybdène et d'or sont largement utilisés pour la fabrication de circuits intégrés. Le molybdène est utilisé pour son adhérence aux surfaces en silicium et en oxyde de silicium tandis que l'or est utilisé pour transporter le courant et protéger le molybdène sur un dispositif unique ou comme interconexion finale 20 d'un circuit intégré. Toutefois, le molybdène présente un certain nombre d'inconvénients lorsqu'il est utilisé comme contact. Le molybdène s'oxyde facilement aux basses températures et se corrode très facilement dans les ambiances humides. Le molybdène réa-.git également avec les impuretés présentes dan3 une couche de 25 silicium et passe de l'état ductile à l'état fragile dans la gamme de températures de production des semi-conducteurs, allant de + 4008C à -552C par exemple. Les caractéristiques désavantageuses mentionnées ci-dessus provoquent et sont responsables de l'écail-lage des conducteurs sur la pastille de la détérioration des con-30 ducteurs pendant leur décapage et de la formation de contacts résistifs dans les fenêtres de contact de la couche d'oxyde de silicium. Une autre combinaison possible de couches multiples est celle utilisant du tungstène et de l'or. Toutefois, le tungstène est 35 également à l'état fragile dans la gamme de fonctionnement de la plupart des dispositifs semi-conducteurs. Le tungstène est difficile à décaper et est fixé par un grand nombre des décapants chimiques utilisés pour attaquer le silicium. Le tungstène s'oxyde également aux basses températures et tend à se corroder dans les ambiances humides. 69 14919 2008236 En conséquence, l'invention vise à fournil? t - un dispositif de contact et d'interconnexion perfecti&nné pour des dispositifs semi-conducteurs, en particulier les disposi tifs au silicium tels que les transistors et des circuits inté- 5 grés d'un type comportant des couches d'oxyde de silicium; - un tel dispositif utilisant des matériaux qui ne tendent pas à dégrader les dispositifs semi-conducteurs par leur présence qui He prêtent à des techniques de fabrication compatibles avec d'autres procédés utilisés pour la fabrication des dispositifs et 10 qui permettent de travailler avec des géométries très petites; - un tel dispositif qui ne s'oxyde pas aux températures de fabrication; - un tel dispositif qui est très résistant à la corrosion; - un tel dispositif qui ne passe pas de l'état ductile à 1* 15 état fragile dans la gamme de fonctionnement de la plupart des dispositifs semi-conducteurs; - un tel dispositif qui ne réagit pas avec les impuretés éventuellement présentes dans la couche isolante sous jacente$ Pour atteindre les objectifs énoncés ci-dessus on a décou-20 vert qu'une combinaison de métaux constituée par du rhénium et un métal à conductibilité élevé, tel que de l'or. Une couche mince de rhénium est appliquée d'abors sur la surface du dispositif semi-conducteur, par exemple sur la totalité de la surface d'une pastille de silicium comportant une couche d'oxyde de silicium 25 munie d'ouvertures décapées dans les zones de contact. Le rhénium est recouvert d'une couche mince d'or et ensuite l'or et le rhénium sont enlevés par décapage dans des zones choisies, ce qui laisse la configuration désirée de contacts et d'interconnexions sur la surfaci de silicium et sur la couche d'oxyde. On utilise 30 de l'or pour la couche supérieure du fait que ce métal présente ■une conductibilité électrique et une résistance à l'oxydation et à la corrosion excellentes. De plus, l'or se prête assez bien aux procédés de décapage par matériau de réserve photographique, sans produire d'effets nuisibles «ur l'interface contact-fil. La cou-35 che sous-jacente de rhénium est nécessaire pour empêcher l'or de s'allier au silicium ou de pénétrer dans ce dernier et de lier le contact aux surfaces en silicium et en oxyde de silicium. Le rhénium convient particulièrement bien du fait qu'il adhère bien au silicium et à l'oxyde de silicium, qu'il peut être 40 décapé d'une manière commandée avec un décapant qui ne soit pas 69 14919 2008236 incompatible avec les autres matériaux en présence, ne s'allie pas avec l'or et est pratiquement imperméable à ce dernier. Le rhénium établit un bon contaet électrique avec le silicium si la région de contact est fortement dopée, de préférence au-dessus de 21/ "3 5 10 / cm-' environ pour un matériau de type N ou P, mais ne forme pas un alliage avec la surface de silicium, de sorte que les jonctions peu profondes ne sont pas dégradées. A cet égard, on peut noter qu'un contact pratiquement "sans alliage" est formé, le rhénium ne s'àlliant pas au silicium et 11 or ne s'alliant pas au 10 rhénium. D'autres avantages du rhénium par rapport au tungstène et au molybdène sont les suivants: le rhénium ne s'oxyde réellement pas aux températures inférieures à 550°C tandis que le molybdène s'oxyde facilement à 25°C et le tungstène s'oxyde au-dessus de 300°C. L^rhénium est plus résistant à la corrosion par la plupart 15 des acides autres que l'acide nitrique. Le rhénium ne réagit pas avec le bi-oxyde de silicium ou les impuretés élémentaires (bore, phosphore, antimoine par exemple) que l'on rencontre normalement dans les oxydes semi-conducteurs tandis que le tungstène et le molybdène tendent à capter de telles impuretés. Bien que l'on ne 20 dispose pas d'informations dans la littérature sur le rhénium pur, la transition de 1'état ductile à 1'état fragile des alliages binaires contenant du rhénium est voisine du 0 absolu lorsque les pourcentages de rhénium augment nt, comme indiqué par E.I. Jaffee, D.J. Maykuth et R.W. Douglass dans l'ouvrage "Eefractory Metals 25 and Alloys", Interscience publishers, Inc., N.Y. 1961, pages 316 à 334. La résistance à la traction du rhénium est environ trois fois supérieure à celle du molybdène et deux fois supérieure à celle du tungstène dans la gamme de fonctionnement de la plupart des semi-conducteurs. La résistance du rhénium "au cycle d'eau" 30 des tubes à vide est d'environ 200 fois supérieure à celle du tungstène, ce qui montre que la résistance à la corrosion éleetro-lytique du rhénium en présence d'humidité est plus grande que celle du tungstène. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention appa-35 raîtront au cours de la description suivante, donnée à titre d' exemple et faite en référence aux dessins annexés, éur lesquels : la Fig.1 est une vue en plan d'une pastille en matériau semiconducteur sur laquelle est fermé un transistor planar, des trous étant découpés dans la couche d'oxyde pour l'application de con-40 tacts; 69 14919 2008236 la Fig. 2 est une vue en coupe de la pastille semi-conductri-ce de la Fig. 1,prise suivant la ligne 2-2 ; la Fig.3 est une vue en plan représentant la pastille de 1* Fig.1, après application des contacts et des plots de connexion; 5 la Fig.4 est une vue en coupe de la pastille de la Fig.3, prise suivant la ligne 4-4 ; la Fig. 5 est une vue en coupe d'une pastille représentant un circuit intégré comportant deax niveaux d'interconnexion métallique. 10 En se référant maintenant aux dessins, il est représenté aux Fig. 1 et 2 tins pastille semi-conductrice 10 sur laquelle est formé un transistor comportant des régions de "base et d'émetteur 11 et 12 respectivement, le reste d* la pastille constituant la région de collecteur 17. Le transistor est formé par la techni-15 que planar qui utilise des diffusions successives avec masquage à l'oxyde de silicium. Des procédés classiques de fabrication d« semi-conducteurs utilisés dans la technique planar sont bien connus et ne seront pas décrits en détail ici. Poiar uae description complète de ces procédés, voir : 20 Integrated Circuits-Design. Princâples and Fabrication, Ray M. Warner, Jr., et James Fardemwalt, McGraw-Hill (1965), Silicon Semiconductor Technology, Mc&arw-Hil'l (1965), ou Physics and Technology of Semiconductor DeWees, A. S. Grove, Wiley àôçî Sons (1967). 25 Un revêtement d'oxyde 13 est formé sur la surface supérieur» de la pastille par un procédé classique quelconque. Pour les hau* tes fréquences, les dimensions des par+ies actives du transistor sont extrêmement réduites, la région allongée d'émetteur 12 ayant environ une largeur de 2,5 à 5 microns et une longueur inférieure 30 à 25 microns. La région de base 11a une surface d'environ 64 microns carrés. Deux trous 14 et 15 sont fournis pour les contacts de base et un trou 16 pour la diffusion de l'émetteur. In raison de la dimension extrêmement réduite des zones de contact réel de base et d'émetteur, 2,5 ou 5 microns de large, les contacts doi-35 vent être agrandis sur l'oxyde de silicium pour faciliter la liai son de conducteurs, pour les connexions de base et d'émetteur, comme expliqué ci-dessous. La masse de la pastille 10 forme une région de collecteur 17, le contact de collecteur pouvant être appliqué à la face inférieure de la pastille. La dimension de la 40 pastille semi-conductrice est choisis en vue de la commodité de 69 14919 2008236 manipulation, une dimension typique de la pastille 10 étant de 750 microns de côté et 100 microns d'épaisseur (ces dimensions ne sont pas à l'échelle sur le dessin). En général, la pastille 10 est simplement une petite partie non divisée d'une tranche plus 5 grande de silicium, ayant 25,4 mm environ de diamètre et 200 microns d'épaisseur, pendant tous les stades du procédé décrit ci-dessous et cette tranche est tracée et cassée en pastilles individuelles seulement après application des contacts. Une couche 21 de rhénium est déposée sur la surface de la 40 couche 13 d'oxyde de silicium et sur la surface de la pastille 10 mise à découvert par les trous 14, 15 et 16 par l'un quelconque des procédés classiques utilisés dans l'industrie des semi-conducteurs, par exemple le procédé d'évaporation ou de pulvérisation à haute fréquence. Une couche d'or 22 est déposée ensuite sur la 15 surface de la couche de rhénium 21, de préférence au moyen du même appareil que celui utilisé pour déposer le rhénium. Un matériau intermédiaire peut être appliqué au silicium nu de la pastille 10 afin d'interrompre la formation d'oxyde de silicium qui est une cause de contacts fortement ohmiques. Ce stade peut com-20 prendre par exemple le dépôt de platine sur la surface de silicium et le frittage du platine dans la surface du silicium nu pour former du siliciure de platine avant dépôt de la couche de rhénium 21, ce qui empêche la formation d'oxyde de silicium dans le trou ou fenêtre de contact. La couche de rhénium doit établir 25 ensuite le contact dans la fenêtre avec la siliciure de platine au lieu du silicium nu. Après avoir enlevé les tranches de la chambre de dépôt, les parties en excès des couches de rhénium et d'or 21 et 22 respectivement sont enlevées en soumettant les tranches de silicium à 30 un traitement sélectif de décapage et de masquage par matériau de réserve photographique. Une couche mince de polymère de réserve photographique, par exemple du KMER de Eastmann Kodak est appliquée à toute la surface supérieure de la couche d'or 22. Le matériau de réserve photographique est exposé à de la lumière 35 ultra-violette à travers un masque qui permet à la lumière d'atteindre les zones dans lesquelles la couche de rhénium et d'or doit rester. Le matériau de réserve photographique non exposé est ensuite enlevé par développement dans une solution de développement photographique. 40 La tranche est ssumise ensuite à des solutions de décapage 69 14919 10 2008236 successives pour éliminer les parties non désirées des couches d' or et de rhénium. Une solution de décapage convenable pour l'or est une solution alcoolique d'iodure de potassium. Après élimination par décapage de l'or non masqué, le rhénium à découvert est 5 enlevé au moyen d'un décapant tel que de l'acide nitrique par exemple. Le masque en matériau de réserve photographique qui est resté intact au cours de ces deux stades de décapage est maintenant enlevé par rinçage dans un solvant tel que du chlorure de méthylène. 10 Après définition des contacts en rhénium et en or, les tran ches sont tracées sur leurs surfaces supérieures et sont cassées ensuite en pastilles individuelles 10. Chaque pastille comporte une configuration de contacts, comme représenté aux Fig. 3 et 4. Un plot de connexion de base 23 est fourni sur la surface de 1' 15 oxyde et deux doigts ou rubans s'étendent sur la jonction base-collecteur jusque dans les trous de contact de base 14 et 15 (Fig. 2). De même, un plot de connexion d'émetteur 24 est fourni et un ruban unique 24a s'étend dessus pour constituer le contact d'émetteur dans le trou 16 (Fig.'2). Les doigts ou rubans sont très 20 étroits, environ 2,5 ou 5 microns ou moins, et ainsi, une définition ou une résolution excellente est absolument nécessaire. Les plots 23 et 24 sont suffisamment grands pour permettre la liaison de fils de 17»5 à 25 microns. Pour obtenir de bons contacts ohmiques de faible résistance ^5 avec le silicium et le rhénium, il est nécessaire que les régions de surface du silicium auxquelles le contact est appliqué présentent une concentration en impuretés élevée, que le silicium soit de type N ou de type P. Lorsqu'on utilise du bore ou du phosphore comme impureté, la concentration superficielle pour un bon con- 1 b 30 tact doit être supérieure à 2 x 10 atomes par cm3 et de préfé- 21 rence supérieure à 10 .Le contact électrique peut être établi avec les surfaces de silicium qui contiennent des concentrations plus faibles, mais la résistance de contact augmente à mesure que la concentration en dopant diminue. Dans des transistors tels que 35 ceux décrits ci-dessus, l'émetteur de type N présente ordinairement une concentration très élevée, particulièrement à la surface, du fait qu'il résulte d'une seconde diffusion. Bien que la région de base ait généralement une concentration plus faible que l'émetteur, elle est ordinairement dopée assez fortement, au 40 moins à la surface, pour fournir un contact à faible résistance- 69 14919 1 2008236 Sinôn, un stade de diffusion du type P peu profonde est introduit avant le dépôt des matériaux de contact. Cette diffusion doit être effectuée à travers des trous ayant à peu près la même dimension et étant situés au même endroit que les trous 14 et 15 5 formés pour les contacts de base et on utilise de préférence exactement les mêmes trous. les circuits intégrés sont susceptibles de nécessiter des diffusions supplémentaires pour produire des concentrations superficielles élevées dans les zones de contact. Ceci est dû au 10 fait que le contact de collecteur est établi sur le dessus de la pastille avec une région qui peut être une couche épitaxiale à faible concentration ou bien peut être la première diffusion dans un dispositif à triple diffusion, cette première diffusion ayant généralement une concentration assez faible de sorte que deux 15 diffusions supplémentaires doivent être effectuées. De plus, la région de base du transistor d'un circuit intégré est formée ordinairement en même temps qu'une résistance diffusée. Comme la résistivité du matériau qui constitue cette région de résistance diffusée doit être assez élevéef ceci nécessite que la concentra-20 tion de la base soit assez basse. En conséquence, dans un circuit intégré type comportant des transistors NPN et des résistances diffusées de type P, la concentration en impureté des contacts avec les collecteurs les bases et les résistances doit être augmentée. La nécessité d'une région de contact fortement dopée peut 25 être supprimée dans certains cas, en appliquant un revêtement, par exemple une couche très mince d'aluminium avant le dépôt du matériau de contact. Comme l'aluminium est de type P, aucun dopage supplémentaire n'est nécessaire pour obtenir la concentration superficielle élevée dans lQs régions de type P. 30 II est représenté à la Fig. 5» une coupe d'un circuit inté gré qui comprend une pastille 30 de silicium de type P comportant un transistor à l'extrémité gauche, transistor qui contient une région de collecteur diffusée 31 de type H, une région de base 32 de type P et une région d'émetteur 33 de type N. Du côté droit, 35 une résistance est fournie par une région diffusée 34 de type P formée dans une région d'isolement 35. Avant la seconde diffusion de type ï«i,qui forme la région d'émetteur 33s un trou est formé dans la couche isolante 37 d'oxyde de silicium par exemple, dans lequel le contact de collecteur doit être fabriqué au moyen de 40 procédés classiques de décapage et photolithographique et une 69 14919 12 2008236 région 36 de type IT+ à forte concentration 36 est engendrée en même temps que la région d'émetteur 33. Des régions 38, 39, 40 de type P+ à forte concentration sont ensuite produites par une diffusion sélective de bore en utilisant la couche d'oxyde de 5 silicium 37 comme masque. Ensuite, des trous sont formés dans la couche d'oxyde 37 dans lesquels les contacts du transistor et les contacts de résistance doivent être fabriqués. Au moyen de dépôts successifs utilisant des procédés de dépôt métallique classiques, comme 1'évaporation ou la pulvérisation à haute fréquence par 10 exemple, une couche multiple comprenant une couche de rhénium inférieure 39, une couche intermédiaire d'or ou de cuivre 40 et une couche supérieure de rhénium 41, est formée sur la surface supérieure du dispositif; les couches métalliques sont ensuite enlevées sélectivement au moyen de techniques photolithographiques 15 et de décapage décrites ci-dessus pour produire la configuration désirée de contacts et d'interconnexion des couches multiples. (Un décapant du cuivre, tel qu'une solution de 15 parties de i PeCl-j, 30 parties de HC1 et 200 parties de HgO est nécessaire pour le cuivre). On voit que la région de collecteur 31 est con-20 nectée à une extrémité de la résistance 34 par une interconnexion à couches multiples 42 qui s'étend sur l'oxyde. Pour former le second niveau d'.interconnexion, une seconde couche 43 de matériau isolant, de l'oxyde de silicium par exemple, est formée sur la totalité de la surface supérieure du cir-25 cuit intégré et des trous sont formés par des procédés photolitho-graphiques et de décapage pour mettre à découvert les parties du niveau inférieur des interconnexions, comme indiqué au point X. La couche 41 de rhénium est également enlevée dans le trou pour mettre à découvert la couche d'or 40 et pour réduire la résistan-30 ce du contact entre niveaux. Une couche de rhénium 44 est déposée sur la surface supérieure du circuit intégré et une couche d'or 45 est déposée sur la couche de rhénium 44. Les deux couches sont décapées., comme décrit précédemment pour définir le second niveau d'interconnexion, comme représenté au point X. Bien qu'un seul 35 transistor et qu'une seule résistance soient représentés, le circuit intégré comprend dans la même pastille semi-conductrice beaucoup d'autres éléments de circuit, tels que des transistors et des résistances du type représenté à la Fig. 5. naturellement, les régions fortement dopées qui se trouvent en dessous des con-40 tacts peuvent être utilisées dans le transistor représenté à la 69 14919 2008236 Fig. 4. Bien qu'ils ne comportent pas de désignation numérique, les contacts des régions 38 et 33 sont également à couches multiples comme l'élément d'interconnexion à couches multiples 42. 69 14919 2008236 Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circuits formés au voisinage d'une surface 5 d'un substrat et une couche isolante sur la surface comportant une série de trous mettant à découvert des parties de circuits, caractérisé par des interconnexions à couches multiples disposées sur la couche isolante connectant électriquement certaines parties des éléments de circuit à travers les trous de la couche 10 isolante, au moins une couche de l'interconnexion à couches multiples étant composée de rhénium. 2 - Dispositif de connexion suivant la revendication 1 caractérisé en ce sur les interconnexions électriques comprennent une couche inférieure en rhénium et une couche métallique supé- 15 rieure, fortement conductrice. 3 - Dispositif suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la couche métallique fortement conductrice est en or. 4 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les interconnexions à couches multiples comprennent deux 20 couches de rhénium disposées de part et d'autre d'une couche métallique fortement conductrice. 5 - Dispositif suivant la revendication 4, caractérisé en ce que la couche fortement conductrice comprise entre les deux couches de rhénium est en or. 25 6 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'une seconde interconnexion à couches multiples est appliquée sur la première interconnexion à couches multiple mais en est isolée et en ce que la seconde interconnexion à couches multiples comprend une couche inférieure en rhénium et une couche 30 supérieure en métal fortement conducteur. 7 - Dispositif suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le métal fortement conducteur est de l'or.