FR 2018359 A1 19700529 FR 6931802 A 19690918 69 31802 i 2018359 La présente invention est relative à la fabrication de diodes à capacité variable, et elle concerne, plus particulièrement, un procédé pour la fabrication d'une diode à jonction à capacité variable ayant une jonction hyperabrupte dans laquelle une por-5 tion de la région de jonction est formée en y réalisant une diffusion sélective d'impuretés* Une diode à capacité variable peut généralement être décrite comme étant une jonction de semiconducteur P-N dans laquelle un potentiel inverse qui y est appliqué apparaît substantiellement 10 au travers d'une région appauvrie en porteurs de charges mobiles. Au fur et à mesure que l'amplitude du potentiel inverse se modifie, la largeur de cette région appauvrie se modifie aussi en raison directe de la susdite variation, d'amplitude du potentiel. Etant donné que la région appauvrie agit à la manière d'un iso-15 lant, la diode manifeste une capacité qui varie en raison inverse de l'amplitude du potentiel appliqué. Le degré de dépendance de la capacité d'une jonction P-N par rapport à l'amplitude d'un potentiel appliqué dépend de la répartition des impuretés dans la région de jonction ; c'est-à-dire 20 qu'en dopant légèrement un côté de la jonction, le degré dont la largeur de la zone appauvrie dépend du potentiel appliqué augmente. Par conséquent, si tous les autres facteurs sont égaux, la diode ayant la plus basse concentration d'impuretés dans lai région d'appauvrissement doit manifester une capacité ayant la plus 25 haute sensibilité au potentiel. Toutefois, la sensibilité de la capacité au potentiel dépend aussi de la capacité initiale du dispositif à un potentiel appliqué nul. Si la largeur de la zone appauvrie au potentiel appliqué nul est faite aussi petite que possible, il intervient une variation maximum de capacité quand 30 un potentiel est appliqué; c'fcst-à-dire que le rapport de la capacité pour un faible potentiel à la capacité pour un haut potentiel est accru au maximum. A un potentiel appliqué nul, la largeur de la zone appauvrie due au champ électrique inhérent au niveau de la jonction varie aussi en raison inverse de la concen-35 tration d'impuretés. Une haute concentration d'impuretés dans la région d'appauvrissement existant encore à un potentiel appliqué nul est donc désirable afin d'atteindre une largeur d'appauvrissement minimum à ce potentiel. A la fois un large degré de dépendance de la largeur d'appauvrissement par rapport au poten-40 tiel appliqué, et une largeur d'appauvrissement minimum à un po- 69 31802 2 2018359 potentiel appliqué nul, peuvent être atteints en utilisant une jonction P-N ayant une gradation abrupte de répartition d'impuretés. Ces jonctions ayant une gradation abrupte de répartition d'impuretés à 1'intérieur de la région de jonction sont dénommées 5 hyperabruptes. Conformément à la présente invention, une diode à capacité variable, comportant une région de contact hautement dopée, est fabriquée en faisant sélectivement diffuser des impuretés jusque dans la région de jonction à partir d'une substance semiconduc-10 trice solide contenant plusieurs impuretés ayant des vitesses de diffusion différentes. Etant donné que la source ultime de dopant pour les portions du dispositif déposées par épitaxie est la masse de substance semiconductrice servant de source lors de 1'o-pération de formation d'un dépôt par épitaxie, on peut dans ce 15 cas mieux rester maître des concentrations d'impuretés dans le dispositif que ce n'est possible qu'avec les procédés classiques de diffusion avec une source en phase vapeur lors de la mise en oeuvre desquels des impuretés pour chaque région du dispositif sont déposées séparément. Cette maîtrise précise exercée sur les 20 "concentrations d'impuretés, jointe à un étroit réglage du chauffage exigé pour une diffusion, a pour résultat la gradation abrupte d'impuretés qui est caractéristique des régions de jonctions abruptes. De plus, l'invention utilise un revêtement d'oxyde passivant sur le semiconducteur afin de modeler le semiconduc-25 teur dopé agissant en tant que source de diffusion solide, plutôt que d'agir à la façon d'un masque contre la diffusion.. Le revêtement passivant comprend une substance isolante en contact intime avec la surface de semiconducteur et empêche une formation d'états superficiels à la surface du semiconducteur qui sans 30 cela auraient pour résultat une fuite électrique et une dégradation du bord des bandes, aussi bien qu'il empêche une dégradation de la surface du semiconducteur par une action chimique. Ceci est spécialement avantageux étant donné que le bioxyde de silicium fournit une superficie de passivation définie au travers 35 de laquelle la source de diffusion solide est.admise à croître, sans nécessiter aucune passivation additionnelle au cours de la mise, en oeuvre de .la présente invention. Ceci facilite la production de plusieurs diodes à capacité variable sur une unique lamelle semiconductrice. 40 En résumé, conformément à un mode de réalisation préféré de BAD ORIGINAL 69 31802 3 2018359 l'invention, un procédé pour la fabrication d'une diode à capacité variable consiste essentiellement à former d'abord une couche semiconductrice d'un premier type de conductivité sur le dessus d'un support semiconducteur de conductivité du même type, 5 mais plus fortement dopé. Une couche de passivation est ensuite formée sur la surface de la couche semiconductrice. On forme ensuite un trou par attaque dans la couche de passivation, et une substance semiconductrice fortement dopée avec des impuretés du type déterminant une conductivité opposée mais contenant aus-10 si des impuretés déterminant la conductivité du premier type est ensuite admise à croître par épitaxie dans le trou à partir de la couche semiconductrice se trouvant au fond du trou. Les impuretés type déterminant la conductivité du premier type diffusent plus vite que les impuretés déterminant la conductivité 15 du type opposé, de sorte que, par un chauffage de la substance semiconductrice, un taux de diffusion prédéterminé d'impuretés déterminant la conductivité du premier type intervient à partir de la substance semiconductrice déposée par épitaxie jusque dans la couche de substance du premier type de conductivité. 20 D'autres buts, particularités et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture du complément de description qui suit et à l'examen du dessin ci-annexé, lesquels complément et dessin concernent différents modes de réalisation de l'invention choisis à titre d'exemples non limitatifs et sont, bien enten-25 du, donnés surtout à titre d'indication. Les fig. 1 à 5, de ce dessin, illustrent sous forme de coupes schématiques fortement grossies, pratiquées au travers de dispositifs semiconducteursj diverses étapes observables au cours de la mise en oeuvre de l'invention. 30 Sur la fig. 1, se trouve représentée une lamelle 10 en substance semiconductrice telle que du silicium, sur laquelle on a fait croître par épitaxie, d'une manière classique, une couche 11 de la substance semiconductrice. Le support 10 est fortement dopé avec des impuretés déterminant la conductivité 35 d'un premier type, et la couche 11 formée par épitaxie est dopée avec des impuretés déterminant une conductivité similaire mais à une concentration plus basse. A titre illustratif, on peut admettre que la lamelle 10 et la couche 11 sont dopées avec des impuretés d'accepteurs tels que bore, aluminium, gallium ou in-40 dium, et par conséquent elles sont illustrées comme étant res 69 31802 4 2018359 pectivement de conductivité P+ et P.. Des taux de dopage typi- 17 20 ques se trouvent compris entre 10 et 5 x 10 atomes par centimètre cube pour la lamelle 10 et entre 5 x 1014 et 1016 atomes - par centimètre cube pour la couche 11, la lamelle 10 étant ren-5 due aussi conductrice que possible sans empêcher cependant une bonne croissance des cristaux par épitaxie afin d'aboutir à une impédance minimale du circuit. L'épaisseur de la couche 11 est déterminée par le taux de dopage dans la région d'appauvrissement du dispositif. La cou-10 che 11 doit être assez épaisse pour que, lorsqu'un potentiel maximum est appliqué au dispositif, la région d'appauvrissement reste entièrement à l'intérieur de la couche 11. Si la région d'appauvrissement venait à s'étendre au-delà de l'épaisseur de la couche 11 jusque dans là lamelle 10, les caractéristiques de fonc-15 tionnement du dispositif s'en trouveraient dégradées étant donné que l'on ne pourrait pas .obtenir de variation supplémentaire de la capacité. Si la région 11 était beaucoup plus grande que l'épaisseur maximum de la région d'appauvrissement, alors une résistance en série due à la résistivité de la région 11 serait 20 ajoutée à la capacité du dispositif dans aucun bénéfice supplémentaire . Par conséquent, l'épaisseur de la couche 11 se trouve comprise entre 3 et 25 microns, étant plus épaisse pour une région d'appauvrissement légèrement dopée que pour une région d' appauvrissement fortement dopée. 25 Une couche de passivation 12 en oxyde de silicium, repré sentée fig. 2, est ensuite admise à croître sur la couche 11, d' une manière classique, jusqu'à une épaisseur typiquement compri- t» se entre 1000 ou 2000 Angstroms et environ 1 micron. A titre de variante, une couche d'oxyde 12 peut être déposée dessus. A ti-30 tre d'encore une autre variante, la couche 12 peut être essentiellement constituée par un verre amorphe solidifié comprenant du silicium, de l'oxygène et de l'azote. A titre de troisième alternative, la couche 12 peut être constituée par une couche de nitrure de silicium recouvrant une couche d'oxyde de silicium.Le 35 but de la couche de nitrure de silicium est de constituer une barrière s'opposant à une migration des ions jusqu'à la surface du silicium au travers de la couche isolante. Une ouverture 13 est ensuite découpée dans la couche d'oxyde 12 par mise en oeuvre de techniques photolithographiques clas-40 siques utilisant des composés dits photorésistants, et un réactif BAD ORIGINAL 69 31802 5 2018359 d'attaque en phase vapeur, avantageusement du chlore ou du gaz chlorhydrique, est admis à agir (dans un système étanche aux gaz) au travers de l'ouverture 13 dans la couche d'oxyde 12 de façon à creuser le trou 13 jusque dans la couche 11 formée par 5 épitaxie, comme le montre la fig. 3. Dans le cas où la couche 12 comprend un revêtement d'oxynitrure ou un revêtement de nitrure recouvrant un revêtement d'oxyde, on peut découper l'ouverture 13 en se servant d'acide fluorhydrique, par exemple, comme réactif d'attaque. Le trou 13 ne doit pas être creusé par attaque 10 au-delà de l'étendue de la couche 11 formée par 1'épitaxie. Par conséquent, la profondeur du trou 13 est de l'ordre de quelques microns. Le diamètre du trou 13 est typiquement compris entre 250 et 500 microns, pour des capacités de l'ordre de 100 pico-farads, et peut être choisi, plus grand ou plus petit en vue 15 d'obtenir une capacité respectivement plus grande ou plus petite En général, la capacité du dispositif varie linéairement avec sa superficie. Ensuite, on maintient avantageusement le dispositif dans le système même où l'attaque de la couche 12 d'oxyde de silicium 20 par un réactif d'attaque en phase vapeur a été réalisée et en évacuant par pompage toute trace résiduelle de chlore ou de gaz chlorhydrique, on remplit le trou 13 d'une substance 14, de la manière représentée fig. 4, admise à croître par épitaxie à partir de la couche 11. Cette substance admise à croître par épi-25 taxie est fortement dopée avec des impuretés du type déterminant une conductivité de type opposé au type de conductivité dans les couches 10 et 11, et par conséquent est indiquée comme étant de conductivité N+. Toutefois, la substance 14 admise à croître par épitaxie est compensée car elle contient des impuretés com-30 pensatrices, ici du type P comme cela est indiqué par (P) fig. 4 Pendant la croissance par épitaxie de la substance 14, le dispositif est maintenu à la plus basse température possible compatible avec une bonne croissance cristalline ; pour des impuretés dans la substance 14 capables de déterminer le type P (telles 35 que bore ou gallium) ou de déterminer le type N (telles qu'arsenic ou antimoine), une température de l'ordre de 900°C maintenue pendant plusieurs minutes ne provoque qu'une diffusion de ces impuretés à partir de la substance 14. La substance 14 est admise à croître par épitaxie jusqu'à 40 un point permettant à la substance de faire saillie au-dessus du 69 31802 6 2018359 niveau de la surface de la couche d'oxyde 12 et de déborder sur cette surface au-delà de la limite latérale de l'ouverture 13. Cette formation de dépôt par épitaxie est réalisée par établissement d'une source de silicium juxtaposée à étroite proxi-5 mité du trou 13 (fig. 3), puis en chauffant la source et le dispositif (le dispositif étant chauffé jusqu'à une température supérieure à celle de la source), et en introduisant une atmosphère de vapeur d'iode dans le système de façon à faire croître par épitaxie du silicium provenant de la source sur la substance 10 semiconductrice du dispositif au travers du trou 13. Au cours d'une telle opération, la tension de la vapeur d'iode est typiquement de 2 millimètres de mercure et la température de la source est typiquement de 1000°C, cependant que la source contient des impuretés des deux types, N et P, à une concentration assurant la 15 présence, dans la région 14 admise à croître par épitaxie, des concentrations désirées d'impuretés. De telles concentrations 17 20 dans la région 14 sont comprise entre 10 et 5 x 10 atomes par centimètre cube d'impuretés du type donneur et plusieurs fois moins pour la concentration d'impuretés du type accepteur. 20 Des concentrations typiques d'impuretés dans la région 14 peu- 1.8 3 vent être, par exemple, d'environ 3 x 10 atomes/cm pour des *18 3 impuretés du type donneur et 1,5 x 10 atomes/cm pour des impuretés du type accepteur. La substance 14 à base de silicium peut, à titre de variante, 25 être déposée par épitaxie en réduisant^ à 1'aide d'hydrogène, SiCl^ à une température de 95o°C.Des allures de croissance de l'ordre d'un micron à la minute sont observables de cette manière. Le dopage de la substance 14 est réalisable, d'une manière bien connue, en incorporant au courant gazeux transporteur des va-30 peurs telles que PH^, AsCl^, B2H6 ou S^C15» Par exemple, conjointement avec SiCl^. Dans la structureillustrée fig. 4, la région 14 dont la croissance s'est effectuée par épitaxie contient des impuretés acceptrices d'un type qui diffuse plus vite que les impuretés 35 donatrices. Par exemple, les impuretés acceptrices peuvent être constituées par du gallium ou du bore tandis que les impuretés donatrices peuvent être de l'antimoine ou de l'arsenic. La structure entière est ensuite chauffée jusqu'à environ 1000°C pendant un temps d'une durée suffisante telle que les impuretés 40 diffusant plus rapidement (les impuretés acceptrices dans le 69 31802 7 2018359 présent cas) forment une région très étroite 15 (fig. 5) dont l'épaisseur est de l'ordre d'une fraction de micron. Ce chauffage peut être effectué au cours d'une opération élémentaire séparée ou bien, à titre de variante, s'effectuer en poursuivant le 5 chauffage après l'amorce de la formation de la région 14 déposée par épitaxie. La région 15 est élaborée de façon a être aussi mince que possible afin d'établir une capacité initiale, ou capacité à potentiel appliqué nul, aussi élevée que possible. La limitation 10 minimum en ce qui concerne l'épaisseur de la région 15 est imposée quand la jonction est établie si abrupte qu'il intervient le phénomène dit de tunnel. Ceci s'observe lorsque l'épaisseur de O la région 15 approche deux ou trois centaines d'Angstroms. La limitation maximum en ce qui concerne l'épaisseur de la région 15 15 est imposée par l'épaisseur de la couche 11 étant donné qu' une distance suffisante entre la région 15 et l'interface séparant les couches 11 et 10 doit être ménagée afin de permettre une expansion de l'épaisseur de la région d'appauvrissement et une modification concomitante de la capacité ; par exemple, une 20 augmentation de l'épaisseur de la région d'appauvrissement depuis 1 micron jusqu'à 20 microns provoquerait une variation de capacité de 20 à 1. Pour appauvrir une région de l'épaisseur désirée à un potentiel appliqué nul, une concentration prédéterminée d'impuretés 25 compensatrices doit être présente dans la région 14. Cette concentration varie en raison inverse du carré de la largeur de la *18 3 jonction, et est de l'ordre de 10 atomes/cm pour une région O d'appauvrissement de 1000 Angstroms. De plus hautes concentrations nécessitent l'application d'un potentiel de polarisation 30 afin d'appauvrir complètement la région 15. En comparaison de la concentration d'impuretés acceptrices dans la couche 11, la concentration moyenne d'impuretés acceptrices dans la région 15 (qui varie à partir de la concentration d'impuretés acceptrices dans la région 11, à l'inter-35 face des régions 11 et 15, et approche la concentration d'impuretés acceptrices dans la région 14, à l'interface des régions 14 et 15) est suffisamment élevée pour que l'on puisse désigner la région comme possédant une conductivité P+. On constate donc que la structure résultante est de conductivité N P PP et, en 40 raison de la région 15 extrêmement mince encore que fortement 69 31802 a 2018359 dopée qui se trouve en contact avec la région légèrement dopée 11, contient la gradation brusque de répartition d'impuretés exigée pour obtenir un fort degré de dépendance entre la largeur d' appauvrissement et le potentiel appliqué, tout en maintenant une 5 haute capacité à un potentiel appliqué nul- Par conséquent, la structure résultante constitue une diode dont la capacité varie rapidement avec le potentiel appliqué. Des contacts électriques, peuvent être établis d'une manière classique sur la région 14 N+ et sur/le support 10 P+. L'applica-10 tion d'une tension inverse aux bornes de la jonction P—N entre les régions 14 et 15 permet donc de se rendre maître de l'épaisseur de la région d'appauvrissement et, par une variation de 1' amplitude de cette tension inverse, il est possible de faire varier à volonté la capacité manifestée par la diode. 15 A titre de variante, on peut réaliser une diode à capacité variable possédant une structure P+N+NN+ par mise en oeuvre d'un mode opératoire analogue à celui décrit ci-dessus, mais à partir d'une lamelle 10 et d'une couche 11 dopées de façon à posséder respectivement une conductivité N+ et une conductivité N avec 20 des impuretés donatrices telles que phosphore, arsenic ou antimoine, et avec une substance 14 admise à croître par épitaxie fortement dopée jusqu'à manifester une conductivité P+ mais contenant des impuretés compensatrices de type N. Dans un tel cas, la substance 14 que l'on a fait croître par épitaxie contient 25 des impuretés donatrices d'un type diffusant plus rapidement que les impuretés acceptrices ; par exemple l'impureté donatrice peut être du phosphore tandis que 1'impureté acceptrice peut être du gallium ou du bore. La diode résultante comporte aussi une jonction P-N hyperabrupte. 30 On a décrit ci-dessus un procédé permettant la production industrielle en grande série de diodes -à capacité variable sur une lamelle semiconductrice, avec l'exercice d'une maîtrice précise portant sur des impuretés dans les régions de jonction. La diode est fabriquée avec une jonction P-N hyperabrupte de façon 35 à présenter une importante variation de capacité pour une variation de la tension inverse appliquée. Le procédé de fabrication de telles diodes, qui est compatible avec les procédés pour la fabrication de circuits intégrés, consiste essentiellement à faire croître une source de diffusion au travers d'une zone dé-40 finie de passivation d'un semiconducteur -sans qu'il soit néces 69 31802 9 2018359 saire de mettre en oeuvre des opérations élémentaires additionnelles de passivation quelconques. Ci-après sont donnés différents exemples, bien entendu non limitatifs, permettant de mieux faire comprendre les modalités 5 de mise en oeuvre de la présente invention. Dans ces exemples, on donne aux paramètres en cause des valeurs spécifiques afin de permettre à tout spécialiste de mettre effectivement en oeuvre l'invention. Exemple 1 .- On se procure une lamelle de silicium conte- 18 3 10 nant une concentration de bore de 10 atomes/cm pour produire une résistivité électrique d'environ 0,05 ohm-cm. On attaque la lamelle par une exposition momentanée à du gaz chlorhydrique. On fait ensuite croître par épitaxie une couche de 7 microns d'épaisseur sur la surface ^111 ^ de la lamelle par réduction 15 classique de SiClA par l'hydrogène dans une atmosphère contenant une faible concentration ( de l'ordre de quelques parties pour dix milliards de parties) de bore sous forme de ^2^6 afin de former une couche uniformément dopée de cristal unique de silicium 15 3 contenant du bore a raxson de 3 x 10 atomes/cm . Cette opéra-20 tion s'effectue à 1100°C. On fait ensuite croître une couche d' O oxyde thermique sec de 2 700 A d'épaisseur sur la lamelle en la chauffant dix heures dans une atmosphère d'oxygène sec à une température de 1000°C. On effectue ensuite un recuit de deux heures à 1000°C dans une atmosphère d'hélium sec. Sur la lamelle O 25 on dépose ensuite une couche d'oxynitrure de silicium de 1000 A d'épaisseur par pyrolyse d'un mélange de SiH^, NH^ et N0. Une couche de molybdène est ensuite classiquement pulvérisée par effet de triode sur le dessus de la couche d'oxynitrure de la lamelle maintenue à une température de 500°C, jusqu'à une épaisseur O 30 de 2000 A. On refroidit ensuite la lamelle jusqu'à la température ambiante ordinaire, puis on revêt la couche de molybdène d'une couche de substance du type "photoresist" telle que la substance vendue sous la marque "KMER" par 1'Eastman Kodak Company, de Rochester, N.Y., E.U.A. Le dessin désiré définissant l'étendue 35 des condensateurs est produit par exposition dé la pellicule de "photoresist" à de la lumière ultraviolette. Ce dessin affecte la forme de plusieurs carrés ayant chacun 0,35 6 mm de côté, répétés tous les 0,508 mm. La substance "photoresist" non-polymé-risée est ensuite éliminée par développement par mise en oeuvre 40 du mode opératoire recommandé par le fournisseur, puis on cuit la 69 31802 10 2018359 pellicule par une heure de chauffage à 200°C. La pellicule de molybdène est ensuite attaquée pendant une demi-minute dans un réactif d'attaque du molybdène comprenant 76 % d'acide ortho-phosphorique, 6 % d'acide acétique glacial, 3 % d'acide nitrique 5 et 15 % d'eau. On plonge ensuite la lamelle 15 minutes dans un bain d'acide phosphorique chaud (180°C) pour transférer le dessin attaqué à la couche d'oxynitrure de silicium. On enlève ensuite le molybdène à l'aide du réactif d'attaque du molybdène, et on transfère le dessin à la couche sous-jacente de silicium 10 par quatre minutes d'attaque dans de l'acide fluorhydrique tamponné comprenant 10 parties de MH^F et une partie de HF à 48 %. Le silicium se trouve ainsi exposé à nu dans les différents dessins carrés» On place alors la lamelle dans une chambre de réaction où on la chauffe momentanément jusqu'à 1200°C dans le vide 15 afin d'enlever tout oxyde résiduel sur la surface de silicium qui doit être soumise à une opération de croissance par épitaxie. On chauffe.alors la lamelle jusqu'à 700°C et on lrattaque légèrement avec du chlore gazeux pour enlever deux microns de silicium non protégé par la couche d'oxynitrure. Par un transport 20 de silicium à courte distance par de l'iode, on fait croître par épitaxie une couche de 25 microns d'épaisseur dans les trous de deux microns formés par attaque dans le silicium, à partir du silicium se trouvant au fond des trous. La couche formée par *1 8 épitaxie est dopée jusqu'à une concentration de 1,5 x 10 ato-25 mes de gallium par centimètre cube et 3 x 10 atomes d'arsenic par centimètre cube. La lamelle est maintenue trois minutes à 1050°C à une étroite proximité (séparation 1 mm) d'une lamelle de silicium servant de source maintenue à 1000°C sous une pression d'iode d'environ 2 mm de Hg„ Ces paramètres sont suffisants 30 pour permettre la diffusion d'une région ayant une conductivité de type P, fortement dopée, jusque dans la couche de 7 microns d'épaisseur que l'on a fait croître par épitaxie sur la surface O de la lamelle, jusqu'à une profondeur d'environ 100 A. Il en résulte une capacité d'environ 130 picofarads à une polarisation 35 de O volt. On peut réaliser tous ajustements fins additionnels de cette valeur de la capacité, si cela apparaît nécessaire, par une diffusion ultérieure. On découpe ensuite la lamelle en condensateurs séparés que l'on peut monter sur des supports, en y appliquant des contacts d'une manière classique. Le dispositif 40 résultant présente une capacité d'environ 7 picofarads quand on 69 31802 11 20 T 8359 applique à la jonction une polarisation inverse de 10 volts, et cette capacité varie approximativement en raison inverse de la racine carrée de la tension appliquée. Exemple 2 On répète le mode opératoire décrit dans 1' 5 exemple 1, à l'exception du fait que l'on dépose une couche de O nitrure de silicium de 1000 A après le recuit au lieu de déposer une couche d'oxynitrure de silicium, et que la deuxième couche admise à croître par épitaxie est déposée dans un récipient de réaction par réduction de SiCl^ par de l'hydrogène en présence de 10 B2H6 et AsCl^ à une température de 1000°C pendant 45 minutes, de façon à faire croître 4,5 microns de silicium contenant 5 x 10^ 3 - 18 3 atomes de bore/cm et 3 x 10 atomes d'arsenic/cm . Une région O diffusée d'environ 1600 A d'épaisseur de trouve produite. Après O la diffusion de la région de type P épaisse de 1600 A , une 15 deuxième couche de nitrure de silicium est déposée sur le dispositif à 850°C dans une atmosphère de SiH^ et d'ammoniac. Cette deuxième couche de nitrure de silicium est dessinée de la même manière que la première couche de nitrure de silicium qui est elle-même dessinée de la même manière que la couche d'oxynitrure 20 décrite dans l'exemple 1. Du silicium qui peut avoir été déposé sur la couche'initiale inférieure de nitrure de silicium est ensuite enlevé à l'aide d'un réactif d'attaque contenant 160 ml d' acide acétique, 0,5 g d'iode, 280 ml d'acide nitrique et 50 ml de HP à 48%. Les couches supérieure et inférieure de nitrure de 25 silicium limitent donc l'attaque du dispositif à 1'enlèvement du silicium indésiré qui recouvre la couche inférieure de nitrure de silicium. Tout nitrure de silicium restant sur le dessus de la deuxième couche de silicium admise a croître par épitaxie est ensuite enlevé par attaque dans de l'acide phosphorique chaud 30 (180°C), et on effectue ensuite toute diffusion ultérieure de la O couche de type P épaisse de 1000 A qui peut être nécessaire pour réaliser un ajustement fin de la capacité du dispositif. On découpe ensuite la lamelle en condensateurs séparés que l'on monte sur des supports, et on y applique des contacts, comme dans 1' 35 exemple 1. Le dispositif final a des caractéristiques analogues à celles du dispositif réalisé de la manière décrite dans l'exemple 1, excepté que la capacité initiale à potentiel appliqué nul est quelque peu plus petite, de l'ordre de 100 picofarads. Exemple 3 On opère comme dans l'exemple 1, sauf, que la 40 lamelle de silicium est initialement dopée jusqu'à une concentra- 69 31802 12 2018359 "18 3 tion de 1 x 1D ato.mes d'antimoine/cm , de sorte que ce silicium est du type N. On fait ensuite croître la première couche par épitaxie sur la lamelle jusqu'à une épaisseur de 7 microns à une 15 3 concentration d'impuretés de 3 x 10 atomes d'antimoine/cm par 5 réduction classique de SiCl^ par de l'hydrogène dans une atmosphère contenant une faible concentration (de l'ordre de quelques parties pour un milliard de parties) d'antimoine sous forme de SbCl^. Par transport au moyen d'iode à courte distance, on dépose par épitaxie en une minute une couche de 4 microns d'épais-10 seur à partir du silicium au fond des trous de 2 microns formés par attaque dans la lamelle de silicium. Cette couche de 4 mi- *13 3 crons d.'épaisseur contient 3 x 10 atomes de bore/cm et 5 x 17 3 "10 atomes de phosphore/cm . La diffusion d'impuretés de type N O est ensuite effectuée jusqu'à une profondeur d'environ 1500 A. 15 Les caractéristiques du dispositiff résultant sont analogues à celles du dispositif produit dans l'exemple 2, excepté que la tension est appliquée au dispositif avec une polarité opposée. A une tension appliquée nulle, la capacité du dispositif est de l'ordre de 100 picofarads. 20 Comme il va de soi et comme il résulte d'ailleurs déjà de ce qui précède, l'invention ne se limite nullement à celui de ses modes d'application, non plus qu'à ceux des modes de réalisation de ses diverses parties ayant été plus spécialement indiqués; elle en embrasse, au contraire, toutes les variantes. 69 31802 13 2018359 REVENDICATIONS 1. Procédé pour la fabrication d'une diode à capacité variable caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement : à former une couche semiconductrice d'un premier type de conductivité 5 sur le dessus d'un support semiconducteur du même type de conductivité, ladite couche étant moins fortement dopée que ledit support ; à former un revêtemënt de passivation sur la surface de ladite couche semiconductrice ; à former par attaque un trou au travers dudit revêtement de passivation ; à faire croître par 10 épitaxie à partir de ladite couche semiconductrice dans le trou au travers dudit revêtement de passivation une substance semi-conductrice fortement dopée avec des impuretés du type déterminant une conductivité du genre opposé mais contenant aussi des impuretés déterminant une conductivité dudit premier types les-15 dites impuretés déterminant une conductivité dudit premier type diffusant plus vite que lesdites impuretés déterminant une conductivité du genre opposé ; et à chauffer ladite substance semi-conductrice afin de provoquer un degré prédéterminé de diffusion desdites impuretés du premier type déterminant la conductivité à 20 partie de ladite substance semiconductrice admise à croître par épitaxie jusque dans ladite couche semiconductrice et former ainsi une jonction hyperabrupte. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite opération de formation d'une couche semiconductrice d'un 25 premier type de conductivité sur le dessus d'un support semiconducteur du même type de conductivité consiste essentiellement à déposer par épitaxie ladite couche semiconductrice d'un premier type de conductivité sur le dessus dudit support semiconducteur du même type de conductivité. 30 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on utilise une substance semiconductrice essentiellement constituée par du silicium, on choisit les impuretés déterminant la conductivité dudit premier type parmi le groupe constitué par le gallium et le bore, et on choisit les impuretés déterminant la 35 conductivité dudit type opposé parmi le groupe constitué par 1' antimoine et l'arsenic. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on utilise une substance semiconductrice essentiellement constituée par du silicium, on utilise essentiellement du phos-40 phore comme impureté déterminant le premier type de conductivité 69 31802 14 2018359 dudit type opposé parmi le groupe constitué par le gallium et le bore. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on forme par attaque, dans ladite couche semiconductrice, un 5 trou coïncidant avec le trou formé par attaque au travers dudit revêtement de passivation avant de faire croître par épitaxie ladite substance semiconductrice. 6. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'on utilise essentiellement du silicium pour constituer ladite 0 substance semiconductrice, on choisit les impuretés déterminant la conductivité dudit premier type parmi le groupe constitué par le gallium et le bore, et on choisit les impuretés déterminant la conductivité dudit type opposé parmi le groupe constitué par l'antimoine et l'arsenic. 5 7. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'on utilise une substance semiconductrice essentiellement constituée par du silicium, on utilise essentiellement du phosphore comme impureté déterminant le premier type 'de conductivité, et on choisit les impuretés déterminant la conductivité dudit type 0 opposé parmi le groupe constitué par le gallium et le bore. 8. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'on forme par attaque, dans ladite couche semi-conductrice, un trou coïncidant avec le trou formé par attaque au travers dudit revêtement de passivation avant de faire croître par épitaxie 5 ladite substance semiconductrice. 9. Procédé sel n la revendication 8, caractérisé en ce que l'on utilise essentiellement du silicium pour constituer ladite substance semiconductrice, on choisit les impuretés déterminant la conductivité dudit premier type parmi le. groupe constitué par O le gallium et le bore, et on choisit les impuretés déterminant la conductivité dudit type opposé parmi le groupe constitué par l'antimoine et l'arsenic. ÎO. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'on utilise essentiellement du silicium pour constituer ladite 5 substance semiconductrice, on utilise essentiellement du phosphore comme impureté déterminant le premier type de conductivité, et on choisit lesditee impuretés déterminant la conductivité du type opposé parmi le groupe constitué par le gallium et le bore. 11. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que :0 l'on effectue l'opération de chauffage de ladite substance semi- 69 31802 15 2018359 conductrice concurremment avec l'opération de croissance de ladite substance semiconductrice par épitaxie. 12. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on effectue l'opération de chauffage de ladite substance semi- 5 conductrice postérieurement à l'opération de croissance de ladite substance semiconductrice par épitaxie. 13. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en qe que l'on effectue l'opération de chauffage de ladite substance semi-conductrice concurremment avec l'opération de croissance de ladi- 10 te substance semiconductrice par épitaxie, puis on l'effectue à nouveau postérieurement à ladite opération de croissance par épitaxie. 14. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on utilise essentiellement du silicium pour constituer 15 ledit semiconducteur, et ladite opération de croissance de ladite substance semiconductrice par épitaxie consiste essentiellement à maintenir ladite couche semiconductrice à une température élevée inférieure à 1100°C et à appliquer une atmosphère de tsili-cium transporté par de la vapeur d'iode à ladite couche semi- 20 conductrice au travers du trou formé par attaque dans ledit revêtement de passivation. 15. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'on utilise essentiellement du silicium pour constituer la substance semiconductrice, et on utilise essentiellement une 25 couche de nitrure de silicium pour constituer ledit revêtement de passivation. 16. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'on utilise essentiellement du silicium pour constituer ladite substance semiconductrice, et on utilise essentiellement 30 une couche d'oxynitrure de silicium pour constituer ledit revêtement de passivation.