FR 2011590 A1 19700306 FR 6921093 A 19690624 6921093 - 2011390 La présente invention est relative à des pellicules métalliques et, plus particulièrement, aux pellicules métalliques de haute densité présentant des surfaces extérieures lisses . De nombreuses applications actuelles nécessitent le dépôt 5 de pellicules^métalliques dont les épaisseurs s'échelonnent depuis moins de 100 A jusqu'à plus de 100 000 Â . Par exemple, dans la fabrication des réseaux de circuits Intégrés, il est de pratique courante de réaliser les conducteurs devant interconnecter des portions du substrat dans lesquelles ont été diffusées des impu-10 retés de dopage par dépôt et décapage d'une pellicule métallique. Par ailleurs, des résistances électriques que comportent les circuits intégrés sont souvent réalisés par dépôt d'une pellicule métallique mince présentant les dimensions nécessaires à l'obtention de la résistance désirée . 15 En général, de telles pellicules métalliques sont déposées sur la totalité de la surface d'un substrat en plaçant celui-ci dans une chambre dans laquelle on fait le vide et à l'intérieur de laquelle on évapore un bloc de métal par application d'une très forte chaleur . Les vapeurs métalliques résultantes se condensent 20 sur la surface du substrat et y forment une couche uniforme . Un masque convenable est disposé sur la couche métallique et les portions indésirables de la pellicule métalliquçéont supprimées par décapage de telle sorte que ne subsistent que les portions de cette pellicule qui doivent constituer les conducteurs ou les 25 résistances . Les techniques de dépôt de pellicules métalliques utilisées jusqu'ici n'ont pas donné entièrement satisfaction en ce qui concerne la production de pellicules exemptes de défauts . Par exemple, les techniques de dépôt antérieures ont souvent conduit à 30 la production de pellicules métastables ayant une structure faiblement oitdonnée, qui présentent une forte concentration d'imperfections locales et subissent des modifications indésirables au cours du vieillissement thermique qui suit le dépôt . En outre, de nombreuses pellicules métalliques déposées suivant les tech-35 niques antérieures ne se sont pas montrées suffisamment résistantes à la migration induite par le courant, probablement due à la forte concentration en imperfections locales, c'est-à-dire de lacunes . Il s'est également révélé désirable d'améliorer le coefficient de température des résistances, c'est-à-dire l'impor 'i JL S UVj 2011590 tance de la variation de résistance que les pellicules métalliques subissent suivant la température . Un grand nombre de difficultés précitées qui se présentent dans le dépôt des pellicules métalliques ont également résulté de 5 l'agglomération, ou du développement simultané, de masses de particules cristallines au cours de la formation initiale de la pellicule métallique . On pense qu'une telle agglomération est provoquée par des vitesses de dépôt relativement lentes tendant à produire des particules de dimensions relativement importantes, 10 ou zones de cristallinité, dan$4a formation de la structure cristalline de la pellicule métallique . Cette formation de particules de dimensions importantes provoque la croissance de surfaces isolées de structure cristalline, quelquefois appelées "ilôts1*, au cours du dépôt initial de la pellicule métallique . Une telle 15 croissance en "ilôts" tend à former une pellicule de structure hétérogène pendant le dépôt du restant de celle-ci en provoquant ainsi des irrégularités à travers tout le corps de la pellicule métallique et sur la surface extérieure de celle-ci . On pense que la structure hétérogène résultante des pellicules métalliques 20 est à la base des problèmes posés par la dégradation du cycle thermique et, peut-etre, par la. migration induite par les courants . Selon l^nvention, des vapeurs métalliques sont produites à très grande.vitesse dans une enceinte fermée vidée d'air et 25 condensées sur un corps pour former une couche de métal dense et mince qui ensemence de manière homogène la surface de celui-ci . La vitesse de dépôt est ensuite considérablement ralentie pour former une pellicule cristalline à grain fin . Le dépôt a faible vitesse est poursuivi pendant une période de temps beaucoup 30 plus longue que le dépôt à grande vitesse jusqu'à ce que l'épaisseur désirée de la pellicule soit atteinte . D'autres caractéristiques de l'invention apparaîtront au cours de la description qui va suivre, faite en référence aux dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemples, et dans 35 lesquels : - la Pig. 1 est une. vue quelque peu schématique d'un dispositif pour la mise en oeuvre du présent procédé ; la Pig. 2 est une vue quelque peu schématique d'un second dispositif pour la mise en oeuvre du présent procédé de dépôt ; 69 21093 3. 2011590 la Fïg. 3 est une représentation graphique du procédé décrit dans un exemple 1 ; et * * Ta -Pig. 4 est une représentation graphique du présent procédé décrit dans ûi exemple 2 . 5 " Là Fig. 1 montre une cloche en verre Pyrex 10 supportée par une embase 12 . Au-dessoUs de l'embase 12 sont montées une pompe ' à 'diffusion d'huile 14 et une pompe mécanique de prévidage 16 . r- -4 - .... .. ... 'ayânt un débit utile de 424,74 àm3 par minute . Un élément 18 supporte une sole en cuivre 20 refroidie par eau au centre de 10 laquélié est ménagée une cavité semi-circulaire 22 . Cette cavité '22 'peut avoir, par exemple, un diamètre de 25*4 mm et une pro-"^ ond'etir de 25,4 mm . Une quantité déterminée de métal est contenue dans lâcavité 22 et est chauffée jusqu'à l'état fondu par S*ùnfàiséeau d'électrons désigné, d'une manière générale, par la Ï5 référence 24 . Le faisceau électronique est émis par une source 26 è'€ est courbé par un champ magnétique approprié de manière à ttrè dffigé vers le bas dans la cavité 22 . * ' Lé"aétal se trouvant dans la cavité 22 peut être l'un quel-^ bânçfùe • des métaux présentant des caractéristiques les rendant àbilîpropresJà la formation de pellicules métalliques tels, par exemple, ^Ue ï*aîuminium, l'or, le molybdène, ou des alliages tels que le nickel-chrome . Des sources de faisceau électronique appropriées 1à ï*usage qui en est fait dans le dispositif représenté sont celles connues sous les désignations commerciales "Temescal Model CV10", '25^'qûi est "fabriquée et vendue par la Temescal Corporation de Berkeley ■ ! Californie, et "Sloan Model Six/ten" qui est fabriquée et vendue ! Q -'Êàfr SÎ'ôan Instruments Corporation de Santa Barbara, Californie . ~^ ' Un circuit de commande 28, disposé à l'extérieur de la cloche ïûi comporte des organes de réglage permettant à l'opérateur de -30' ffeirë* vitrier le courant émis par la source d'électrons 26 . En agissant sur l'émission de courant, il est possible de régler avec . précision la température du métal présent dans la cavité 22 et, "r" v:pa£"Soïiséquent, la vitesse d'évaporation de celui-ci . * Un' certain nombre de pastilles 30a à 30d d'un semi-conducteur 35 sont placées dans des alvéoles pratiqués dangle coté inférieur d'une * piâq'ue métallique 32 formant support qui peut être réalisée, par exemple, en aluminium . Cette plaque 32 formant support est reliée rigidement à un arbre 34 qui est monté rotatif dans des paliers 35. ? Une monture 36 supporte l'arbre rotatif 34 et est supportée à son 69 21093 4. 2011590 tour par des montants 37a# 37b . Une poulie 38 est pontée à l'extrémité supérieure de l'arbre 34 et une chaîne ou une courroie 40 passe autour de cette poulie 38 et d'une poulie 42 . Un arbre d'entraînement allongé 44 est relié par son extrémité supérieure 5 à la poulie 38 en vue d'entraîner celle-ci en rotation . L'arbre d'entraînement 44 est pourvu d'un pignon d'angle 45 qui est entraîné en rotation par un pignon d'angle 46 avec lequel il forme un angle de 90° . Le pignon 46 est entraîné sélectivement en rotation par un moteur 48 dont l'arbre pénètre dans la cloche 10 à travers 10 un joint étanche . Lorsque le moteur 48 est excité, la plaque 32 formant support est entraînée en rotation de manière à égaliser la distribution des couches de métal déposées sur les pastilles de semiconducteur 30a à 30d . Des enroulements de chauffage par rayonnement enfermés dans 15 des tubes 54 en quartz fondu sont disposés au-dessus de la plaque rotative 32 et reliés à une source d'énergie 56 . Les pastilles de semiconducteur 30a. à 30d entraînées en rotation sont ainsi chauffées à une température prédéterminée qui peut être comprise, par exemple, entre 250 et 275°C . Une lame de verre 56a est 20 disposée dans la partie supérieure de la cloche 10 et est fixée entre des sondes métalliques espacées 58a et 58b qui sont reliées à un appareil 60 de mesure de la résistivité . Pendant le dépôt des couches métalliques sur les substrats de semiconducteur, du métal se déposera également sur la lame de 25 verre 56 . La couche métallique procurera un parcours de conduction entre les sondes 58a, 58b dont la résistivité dépendra de l'épaisseur de ce parcours. La mesure de la résistivité du parcours de conduction entre les sondes 58a et 58b procurera une indication indirecte de la résistivité de la couche métallique déposée sur 30 les pastilles 30a à 30d de semiconducteur * L'opérateur pourra ainsi contrôler le processus en observant la variation de résistivité de la couche de métal déposée . On comprendra que, dans certains cas, un mécanisme obturateur pourra être disposé entre le métal fondu et les pastilles de semi-35 conducteur qui se trouvent dans la plaque formant support, de manière à empêcher le dépôt de métal jusqu'à ce que les conditions désirées de température et de vide soient satisfaites . Lorsque ces conditions seront satisfaites, l'obturateur sera écarté afin de permettre le dépôt des couches métalliques sur les pas 69 21093 5. 2011590 tilles de semiconducteur . Dans le fonctionnement du dispositif représenté à la Fig. 1, selon le procédé de la présente invention, l'énergie est appliquée par la source de faisceau électronique 26 de manière à 5 porter le métal contènu dans la cavité 22 à haute température . Des vapeurs sont alors émises à grande vitesse par le métal fondu . La plaque 352 formant support est chauffée à une température plus basse de manière que les vapeurs métalliques se condensent sur les surfaces extérieures des pastilles de semiconducteur 30a 10 à 30d . La plaque 32 tourne afin d'égaliser la distribution de la couche métallique sur les pastilles . Selon l'invention, le dégagement de vapeurs à grande vitesse est limité à quelques secondes pour permettre la formation d'une couche très régulière formant une pellioule métallique mince et homogène sur les sur-15 faces des pastilles de semiconducteur . Bien que les caractéristiques physiques de cette application initiale rapide d'une pellicule métallique très mince (de l'ordre O O de 1 A à 10 A, par exemple) ne soient pas complètement connues, on suppose que cette couche mince ensemence de manière homogène la 20 surface de la pastille de semiconducteur avec unepellicule métallique très régulière . Cet ensemencement initial homogène contraste vivement avec la structure pair développement d'ilôts qui se présente souvent pendant le dépôt à vitesses lentes pratiqué jusqu'à présent . Le présent procédé permet ainsi le développement 25 subséquent d'une pellicule métallique additionnelle sur la couche de métal homogène d'amorçage sans qu'il y ait production d'une section transversale hétérogène et d'une surface extérieure rugueuse . Etant donné l'extrême minceur désirée de la couche métallique 30 homogène initiale, le moment où l'épaisseur requise sera atteinte est déterminé en effectuant des mesures de la résistivité . L'opérateur observera donc l'indication par l'appareil 60 de mesure de la résistivité d'une valeur prédéterminée de celle-ci qui pourra être de l'ordre de 100 000 ohms par carré pour le stade 35 d'amorçage et de lOOohms par carré pour la formation du restant de la pellicule métallique . Lorsque la résistivité prédéterminée est atteinte, l'opérateur agit sur le dispositif de commande 28 pour réduire le niveau du courant émis par la source de faisceau électronique 24 . Cette réduction de puissance diminue la vitesse de 69 21093 6. 2011590 dépôt du métal sur les pastilles 30a à 30d de semiconducteur en vue "de la prbduction sur celles-ci d'une pellicule métallique cristalline régulière et bien ordonnée . Cette vitesse lente de dépôt est maintenue pendant une période de temps relativement 5 longue qui peut être, par exemple, de 40 à 60 minutes . Lorsque l'appareil 60 de mesure de la résistivité indique que l'épaisseur désirée de la couche métallique est atteinte, la source 26 de faisceau électronique est mise hors circuit et les pastilles de semiconducteur revêtues sont extraites de la cloche 10 . 10 La Fig. 2 représente un second dispositif pour la mise en oeuvre du procédé de la présente invention dans lequel des pastilles 64 de semiconducteur sont fixées à l'intérieur d'une cloche en verre Pyrex 62 . Les pastilles de silicium 64 sont incorporées dans des cavités creusées dans le côté inférieur d'un 15 support de substrats 65 en forme de dôme . Le support de substrats 65 est soutenu à l'intérieur de la partie supérieure de la cloche 62 par des montants verticaux 66 . Des enroulements 68 de chauffage par rayonnement sont disposés sur le côté supérieur du support de substrats 65 et sont connectés aux bornes d'une source d'énergie 20 70 en vue de maintenir les pastilles 64 de semiconducteur à une température désirée qui peut être, par exemple, de l'ordre de 250 à 275°C . Le vide est établi dans la cloche 62 au moyen d'une pompe à diffusion 72 et d'une pompe mécanique de prévidage 74 .'Il a 25 été constaté qu'un vide de l'ordre de 1 x 10"^ mmHg était convenable . Une embase 76 supporte un corps 78 en tungstène qui est connecté à un dispositif 80 d'alimentation en courant de forte intensité sous basse tension . Un creuset 84 est disposé dans une cavité ménagée dans la face supérieure du corps en tungstène J8 30 et la quantité de métal que l'on désire déposer est placée dans ce creuset 84 . En variante, le métal chauffé dans le creuset peut être remplacé par un mince ruban de métal traversé par un courant électrique . Une lame de verre 86, suspendue dans la partie supérieure de la cloche 62, est équipée d'une paire de sondes flot-35 tantes 88 et 90 qui sont reliées aux bornes d'un appareil extérieur 92 de mesure de résistivité . Le fonctionnement du dispositif représenté à la Fig. 2 est similaire à celui du dispositif qui a été précédemment décrit . On commence par envoyer un courant de forte intensité à travers 69 21093 7 2011590 le corps en tungstène 78 afin de chauffer indirectement le métal cobtenu dans le creuset 84 . Le métal parvenu à l'état fondu s'évapore dans la cloche 62 et se condense sur les surfaces exposées des pastilles 64 de silicium chauffées . Après quelques secondes, 5 lorsqu'une couche trè^éince de métal suffisante peur ensemencer de manière homogène la surface des pastilles de silicium a été déposée, l'opérateur réduit l'intensité du courant traversant le corps en tungstène 78 afin de ralentir la vitesse de dépôt des vapeurs métalliques . Le dépôt de vapeurs métalliques à vitesse 10 réduite est poursuivi pendant une période relativement longue, de 40 à 60 minutes par exemple, jusqu'à ce qu'une pellicule métallique très régulière se trouve déposée sur les pastilles 64 de semiconducteur . Lorsqu'une couche de métal présentant la résistivité désirée a été déposée, l'opérateur déconnecte la source d'énergie 15 80 du corps de tungstène 78 et enlève de la cloche 62 les pastilles 64 de semiconducteur qui ont été revêtues . La manière dont l'appareil décrit ci-dessus peut être utilisé pour la mise en oeuvre du présent procédé ressortira des exemples suivants . L'exemple T décrit le dépôt d'une pellicule métallique 20 d'une forte épaisseur supérieure à 20 000 & . L'exemple II décrit O le dépôt d'une pellicule métallique mince de 150 A d'épaisseur . EXEMPLE I Une plaquette de silicium oxydée ayant un diamètre d'environ 38,1 mm et une épaisseur de 0,38 mm a été suspendue à une plaque 25 formant support en aluminium ayant un diamètre de 305 mm et une épaisseur de 6,35 mm disposée à l'intérieur d'une cloche en verre Pyrex . Un vide de 1 x 10""^ mmHg a été établi dans la cloche de verre au moyen d'une pompe à diffusion d'huile . Une sole en cuivre refroidie par circulation d'eau disposée dans/a 30 partie inférieure de la cloche en verre présentait une cavité symétrique d'environ 25,4 mm de diamètre et de 25,4 mm de profondeur . La cavité a été remplie avec de l'aluminium qui a été chauffé jusqu'à l'état fondu au mpyen d'un faisceau électronique dévié procuré par un canon électronique du type connu sous la 35 désignation commerciale M6 KVA Model Six/Ten Sloan" fabriqué et vendu par la Sloan Instruments CDrpcration, Santa Barbara, Californie . Le canon à électrons était équipé de dispositifs de commande permettant une commande précise de l'intensité du faisceau émis . 69 21093 8. 2011590 Initialement, un courant d'émission de 600 milliampères sous 10 000 volts a été appliqué à l'aluminium contenu dans la sole en cuivre refroidie par circulation d'eau, ce qui a provoqué la formation d'une masse d'aluminium fondu au centre de la cavité 5 pratiquée dans la sole . En raison du refroidissement de la sole par circulation d'eau, le pourtour extérieur de l'aluminium n'était pas fondu . Les vapeurs émanant de l'aluminium chauffé se sont condensées sur le support, ou substrat, qui était maintenu à une température 10 de 250°C environ par la chaleur rayonnée par des organes de chauffage en tungstène sous tube de quarts fondu de la General Electric . La courbe A de la Fig. 3 montre que le dépôt Initial à grande vitesse a été poursuivi pendant environ 8 secondes Jusqu'à ce qu'une résistivité prédéterminée de 100 ohms par carré ait 15 été mesurée sur une lame de verre aux extrémités de laquelle étaient fixées des sondes flottantes de la manière montrée aux Fig. 1 et 2 . Lorsque cette résistivité désirée a été étteinte, on a agi sur le dispositif de commande de la source de faisceau électronique pour réduire le courant d'émission à 350 milliampères sous 10 000 volts 20 afin de réduire considérablement la vitesse de dépôt des vapeurs d'aluminium . Ainsi que le montre la courbe B de la Fig; 3, le faible courant d'émission a été maintenu sur la masse fondue d'aluminium pendant environ 15 minutes jusqu'à ce que la résistivité désirée 25 de 0,01 ohm par carré de la lame soit obtenue . L'épaisseur résultante de la pellicule métallique était supérieure à 20 000 Â . La pellicule épaisse d'aluminium déposée présentait un fini extérieur très régulier et des caractéristiques excellentes en ce qui concerne le coefficient de température et la stabilité ther-30 mique pendant l'application durant une période de temps prolongée d'un courant électrique de forte intensité . La courbe C de la Fig. 3 illustre le dépôt à vitesse constante; utilisé, par les techniques antérieures . La pellicule métallique produite par ce procédé s'est révélée inférieure à la pellicule d'aluminium dense 35 obtenue par le procédé de la présente invention, en ce qui concerne le coefficient de température des résistances, la variation de résistance pendant- l'application d'un courant électrique de forte intensité et le fini de surface . 69 21093 9. 2011590 EXEMPLE II Une pastille de silicium oxydée ayant un diamètre d'environ 38>1 mm et une épaisseur par exemple de 0,38 mm a été placée sur une plaque en aluminium formant support, ayant un diamètre 5 de 304,8 mm et une épaisseur de 6,35 mm, disposée à l'intérieur d'une cloche en verre Pyrex . Un vide de 1 x 10"^ irraiHg a été établi dans la cloche en Pyrex . Le substrat a été soumis à la chaleur rayonnée par des organes de chauffage en tungstène disposées dans des tubes de quartz scellés de la General Electric 10 et a été maintenu à une température d'environ 250°C . Un ruban mince d'alliage nickel-chrome d'environ 0,254 mm d'épaisseur et de 101,6 mm de longueur sur 25,4 mm de largeur avec une partie centrale réduite de 15#87 mm a été suspendu au-dessus du support à l'intérieur de la cloche en verre . Un courant en provenance 15 d'une alimentation régulée à redresseurs commandés au silicium a été envoyé à travers le ruban . Initialement, un courant d'environ 100 ampères a été envoyé à travers le ruban de nickel-chrome qui s'est trouvé vaporisé . La vapeur de nickel-chrome s'est condensée sur le substrat chauffé 20 pour former sur celui-ci une pellicule mince de nickel-chrome . La résistivité du film de nickel-chrome appliqué sur le substrat a été déduite de là mesure effectuée, au moyen des sondes flottantes, de la résistivité du métal appliqué à une lame de verre . Après une application d'une pellicule métallique dont la résistivité mesu-25 rée sur la lame était d'environ 100 000 ohms par carré, la puissance fournie par l'alimatation régulée à redresseurs commandés au silicium a été modifiée manuellement en vue de réduire l'intensité traversant le ruban de nickel-chrome à environ 75 ampères . Ainsi que le montre la'courbe D de la Fig. 4, la durée du passage 30 de l'intensité de 100 ampères à travers le ruban de nickel-chrome a été, dans ce cas, de 18 secondes environ . Par suite de la réduction à 75 ampères de l'intensité traversant le ruban de nickel-chrome, la vaporisation de celui-ci et, par conséquent, la vitesse de dépôt du métal sur le substrat, ont été 35 réduites . Ainsi que le montre la courbe B de la Fig. 4, la vitesse lente de dépôt a été maintenue pendant 40 minutes envirnn jusqu'à ce que l'épaisseur désirée de 150 A environ ait été atteinte . Le courant traversant le ruban de hickel-chrome a alors été coupé et le substrat revêtu a été extrait de la cloche 69 21093 10. 2011590 en verre . On a constaté que le fini extérieur et les caractéristiques physiques de la pellicule de métal déposée parle présent procédé étaient nettement supérieurs à ceux présentés par une pellicule de 5 même épaisseur déposée à une vitesse constante intermédiaire selon la courbe F de la Fig. 4 . Par exemple, le coefficient de température de la pellicule métallique obtenue par le procédé de la -fi présente invention a été de 25.10~ par °C alors qu'il est voisin de 25.10"^ par °C pour la pellicule déposée à vitesse 10 constante . La résistivité de la lame était de 150 ohms par carré pour les deux pellicules minces . Le temps moyen s'écoulant avant détérioration d'une pellicule mince.obtenue par le présent procédé, soumise à un courant de 2 x 10^ ampères/cm^, a été d'environ 150 heures alors qu'il est d'environ 30 heures, dans les mêmes condi-15 tions, avec une pellicule mince obtenue par le procédé de l'art antérieur . D'une manière analogue, le temps moyen s'écoulant avant détérioration d'une pellicule mince obtenue par le procédé de la présente invention soumis à un courant de 1,7 x 10^ ampères/cm^ a été de 850 heures alors qu'il es1$e 430 heures avec une pellicule 20 obtenue par la technique antérieure de dépôt à vitesse constante . Bien que l'utilisation d'un métal ou d'un alliage unique, tant pour la phase de dépôt rapide que pour la phase de dépôt lent du procédé de la présente invention ait été décrite, on comprendra que, dans certains cas, il peut être désirable de déposer une 25 première couche homogène d'un métal différent de celui utilisé pour le dépôt de la couche la plus épaisse .C'est ainsi, par exemple, que l'on peut déposer sur un substrat une première couche mince homogène de nickel-chrome et, ensuite, une seconde couche plus épaisse d'aluminium ou d'un métal similaire . 69 21093 ii. 2011590 REVENDICATIONS 1. Procédé pour former une couche métallique sur un substrat par production de vapeurgfaétalliques et condensation desdites vapeurs métalliques sur ledit substrat, caractérisé en ce qu'il 5 consiste à déposer à une vitesse suffisamment rapide une couche de métal d'épaisseur suffisante pour ensemencer la surface du substrat de manière homogène et à continuer le dépôt de métal à une vitesse beaucoup plus faible pour produire une pellicule métallique d'épaisseur désirée . 10 2. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ledit dépôt à vitesse lente est poursuivi pendant un temps beaucoup plus long que ledit dépôt à vitesse rapide . 3. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le dépôt de métal aux deux vitesses est effectué avec un métal de 15 même composition . 4. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le dépôt de métal est effectué avea. un métal de composition différente à chacune des vitesses . 5. Procédé suivant les revendications 1 à 4, caractérisé en 20 ce que le métal devant être déposé sur la surface est soumis au rayonnement d'une source d'électrons et en ce que l'Intensité du rayonnement électronique est modifiée en vue de faire varier la vitesse de production des vapeurs métalliques . 6. Procédé suivant les revendications 1 à 5, caractérisé en 25 ce que la première vitesse est appliquée pendant un Intervalle de temps compris entre 0 et 30 secondes environ et en ce que ladite-seconde vitesse est appliquée pendant un intervalle de temps compris entre 10 et 100 minutes . 7. Pellicule métalline formée par le procédé suivant l'une 30 quelconque des revendications précédentes^caractérisée en ce qu'elle comporte une couche de métal déposée à une première vitesse pendant un premier intervalle de temps prédéterminé et une seoonde couche de métal déposée à une vitesse beaucoup plus lente pendant un second intervalle de temps considérablement plus long .