FR 2009775 A1 19700206 FR 6917875 A 19690530 69 17875 2009775 la présente invention a trait à des éléments microélectroniques tels que les circuits intégrés et plus particulièrement à des éléments électroniques comportant au moins deux réseaux de conducteurs électriques associés à ces éléments. 5 les éléments électroniques tels que des circuits intégrés deviennent de plus en plus complexes. Il y a un grand nombre de cas où. une fonction de commutation permanente dans un circuit intégré et dans une fabrication de masse est souhaitable„ Un commutateur dans un tel cas se réfère à deux conducteurs métalliques 10 séparés par un intervalle d'air, c'est-à-dire ressemblant initialement à des contacts ouverts qui peuvent être sélectivement fermés, mais de façon permanente, de façon à créer une connexion électrique. Dans certains cas, il est souhaitable de fabriquer simultanément une grande quantité de circuits complets identiques. Dans 15 les technologies connues, il n'est pas économique de produire de petits nombres de circuits variant légèrement. Dans tous les cas où les circuits intégrés doivent être différents, les traitements classiques donnent de mauvais résultats. Dans le passé, différents moyens ont été utilisés pour mo-20 difier des réseaux de circuits sur des produits fabriqués en grande série. Par exemple, une fixation localisée à l'aide de cavaliers peut être utilisée pour fermer une voie conductrice entre deux couches conductrices séparées sur un substrat. Ce procédé est lent et coûteux, et il rend difficile l'alignement de la bille de fixation 25 en or sur les voies conductrices, et la fixation et le découpage du fil. La fixation résultante est large, elle peut avoir par exemple un diamètre de 0,075 mm ou plus, ce qui ajoute une capacité parasite à celle du fil au point de fixation et ce qui rend l'espacement entre les fils sur le bloc au voisinage de la fixation supé-30 rieur à 0,1 mm. On a proposé de chauffer des éléments conducteurs dans un réseau fabriqué en grande série pour modifier le circuit. Ceci demande la transmission d'un courant appréciable dans les éléments du bloc à moins que l'on puisse fabriquer des bornes extérieures très 35 bien étudiées. En outre, ce type de commutateur est normalement fermé et ne fournit pas de test d'isolement avant sa fixation. les traversées supérieures dans les circuits intégrés sont importantes et nécessaires dans les cas complexes où des intercon- 69 17875 2 20Ô9775 nexions conductrices à simple couche ne peuvent pas être prévues. En général, om emploie une couche isolante entre des couches conductrices séparées ou bien on utilise des traversées inférieures diffusées, ces deux procédés ayant des inconvénients« 5 les fonctions électrohiques pour des fréquences élevées n'ont généralement pas été incorporées dans des circuits intégrés dans les techniques connues. Il est souhaitable de mieux intégrer des systèmes à microondes de façon à incorporer des fonctions telles que des bandes à faible perte, des inductances, des coupleurs, et 10 des mélangeurs équilibrés directement associés au circuit intégré. Dans le brevet anglais 1 125 897» on a décrit des structures et des procédés de fabrication mettant en oeuvre des pièces métalliques séparées sur des circuits intégrés, par exemple des tiges du type cantilever pour des transistors de commande 15 résonants ou bien pour des traversées supérieures conductrices. La présente invention a trait à un perfectionnement de la méthodologie décrite dans ce brevet ainsi qu'à diverses structures intéressantes» L'invention réside dans un élément microélectronique com-20 prenant un substrat, un premier réseau de conducteurs électriques placé sur ce substrat, et un deuxième réseau de conducteurs électriques montés sur ce substrat, ce deuxième réseau renfermant au moins un élément conducteur s'étendant librement sur des parties conductrices du premier réseau mais séparé de ce premier réseau 25 seulement par un intervalle d'air, et au moins une pièce recouvrant une autre partie conductrice du premier réseau, cette pièce en saillie étant recourbée vers la dernière partie conductrice indiquée ci-dessus et fixée en permanence à elle# La configuration conductrice métal-air-métal associée à 30 l'élément microélectronique de l'invention convient particulièrement pour une post-fabrication de commutateurs, de traversées supérieures, de lignes de transmission à microondes, de coupleurs, etc.. Parmi les propriétés importantes d'une structure appliquée à l'interconnexion sélective ou à la commutation entre des conducteurs 35 ouverts selon l'invention, on peut citer la dimension de l'assemblage commutateur dont la largeur est inférieure à 0,025 mm, ce qui correspond à la largeur de la voie d'interconnexion métallique à laquelle il est fixé, quand on applique ce procédé à la fabrica- ÔAD ORIGINAL 69 17875 3 2Ô09775 tion de circuits intégrés en grande série,, Ceci permet d'être sûr que les avantages de ce type de structure n'entraînent pas un accroissement de la surface des circuits» Ge procédé de fermeture sélective de commutateurs est simple, rapide, peu coûteux et il 5 permet une fabrication automatique. L'impédance du commutateur, quand il se trouve dans son état ouvert, est extrêmement élevée par rapport à l'impédance du circuit interne.pour toutes les fréquences intéressantes. Pour un circuit intégré à haute fréquence, ceci signifie qu'il existe une très faible capacité interélectrode _3 10 dans la position ouverte du circuit, par exemple de l'ordre de 10 pf ou moinsj La conductance du circuit ouvert est également négli- —16 geable, de l'ordre de 10" mhos ou moins» Dans la position de fermeture, l'impédance du commutateur est faible relativement à l'impédance importante du circuit intégré. Dans certaines applica-15 tions, ceci demande une résistance de l'ordre de quelques milliohms. En outre, l'incorporation de cette structure de commutation dans un bloc de circuits intégrés nécessite un minimum de phases de fabrication et par suite son rendement est élevé» Un procédé préférable pour préparer des structures métal-20 air-métal selon l'invention comporte : a/ le dépôt d'une couche métallique sur le substrat et sa délimitation suivant le premier réseau désiré de conducteurs, b/ la formation d'une couche métallique de surface déterminée agissant comme un séparateur, 25 e/ la formation, par exemple par dépôt de métal, du deuxième réseau de conducteur électrique et d/ l'élimination de la couche métallique agissant comme séparateur, par exemple par décapage, ce qui créée un espace entre le^bremier et le deuxième réseau, cet espace d'air étant délimité avec précision 30 et uniformément faible. En accord avec l'invention, des espaces d'air caractéristiques peuvent être obtenus de 1?ordre de 1 à 25 microns, ou plus. De l'air sec comme diélectique est théoriquement un isolant parfait pour les tensions modérées. Par exemple, pour un espacement ou une séparation de 5 microns, avec de l'air à la 35 pression atmosphérique, la conduction se produit pour une ténsion d'environ 400 volts, très supérieure aux tensions réalisées dans la plupart des circuits intégrés» Pour de l'air sous une pression plus basse, la tension de coupure peut augmenter c.onsidérablement. 69 17875 2009775 Des structures commutatrices de ce type mé"tal-a±r-métal peuvent être fermées en permanence par exemple à l'aide d'une cale de fixation extérieure appliquée à des pattes en saillies de façon à recourber ces dernières vers les parties recouvertes du premier 5 réseau conducteur» d'où il résulte que la résistance de contact dans la position de fermeture est meilleure que" celle du conducteur original. Il n'est pas nécessaire dé prévoir un fil supplémentaire pour déterminer l'alignement. Tous les matériaux nécessaires pour effectuer la fixation sont pris dans u±l morceau d'un matériau 10 approprié. Si les couches conductrices comportent une couche constituée ^ar de l'or, la fixation peut alors être faite à froid, ce qui présente un avantage du fait que de l'or peut circuler facilement sous pression dans de l'or0 Comme aucun matériau de fixation distinct n'est nécessaire au point de fixation, seule une petite 15 cale de fixation est nécessaire pour fournir la pression de contact. Ceci permet l'utilisation de cales ou de coins de fixation multiples chaque cale ayant une position convenable et pouvant fournir une pression de cinq à sept grammes déterminée par une série de transducteurs commandés par un programme. Suivant une variante, un 20 certain nombre de sondes fixes, elles-mêmes fabriquées par des procédés photo résistants sur un substrat, peuvent être prévues pour fournir la pression de fixation avec un bloc donné, suivant une quelconque des configurations possibles. Si les cales effectuant les fixations sont elles-mêmes 25 conductrices, elles peuvent être utilisées pour sonder le circuit avant que les commutateurs soient fermés. Ceci présente l'avantage d'une détection ou d'un sondage pour un niveau d'interconnexion relativement faible où l'interprétation des résultats est moins compliquée. D'autres moyens de formation de fixation peuvent être 30 obtenus par l'application sélective d'un faisceau électronique programmé. L'invention sera mieux comprise en se référant à la description qui va suivre et aux dessins annexés sur lesquels s Les figures 1 et 2 sont respectivement des vues en plan et coupées 35 d'un mode de réalisation de la présente invention, la figure 2 étant coupée suivant la ligne II-II de la figure 1 ; La figure 3 est une vue en plan d'une autre forme de l'invention ; La figure 4 est une vue coupée suivant la ligne IV-IV de la figure 3 69 17875 2009775 la figure 5 est une vue en plan d'une section pouvant être une partie d'un élément, par exemple celui représenté sur les figures 1 et 2, selon l'invention ; les figures 6 à 9 sont des vues coupées partielles illustrant les 5 phases de fabrication successives d'un élément selon l'invention considéré à titre d'exemple ; Sur les figures 1 et 2, on a représenté selon l'invention un substrat 10 sur lequel une structure commutatrice conductrice a été formée, le substrat 10 dans cet exemple est un circuit in-10 tégré à semi conducteur dans lequel les zones particulières 12 n'ont pas un intérêt spécial pour l'invention mais constituent simplement une forme caractéristique donnée à titre d'exemple. Sur la surface 11 du substrat 10, une couche isolante 14, par exemple une couche de bioxyde de silicium ou plusieurs couches successives 15 de bioxyde de silicium et de nitrure de silicium, protègent cette surface partout sauf dans les emplacements où un contact avec le matériau semi-conducteur est souhaitable. Cette couche est omise sur la figure 1 pour plus de clarté. les éléments hachurés de la figure 1 sont des matériaux 20 conducteurs directement en contact avec le semi-conducteur. Ces éléments comprennent les contacts 21, 22; 23 et 24 avec une zone du type-U à gauche, une zone du type-P à droite, une zone du type-N en haut, et une zone du type-P en bas de la figure 1. les deux premiers contacts 21 et 22 sont directement fixés par une interconnexion 25 conductrice 26 disposée sur la couche isolante 14 suivant des techniques connues. Une pièce conductrice 34 est fixée au contact inférieur 24 et elle est séparée de 1'ihterConnexion 26, tandis que une pièce analogue 33 partant du contact supérieur 23 a été placée en contact conducteur avec cette interconnexion,, 30 Dans la fabrication initiale, les contacts 21, 22, 23 et 24 et l'interconnexion 26 sur le substrat sont formés par métallisation et par des délimitations de réseau comme dans les procédés connus, tandis que les pièces 33 et 34 séparées par de l'air et fixées aux contacts ohmiques sont formées par un procédé utilisant une couche 35 de séparation, une deuxième couche conductrice, et l'élimination de la couche de séparation. En suite, une des pièces conductrices 33 est fixée à l'interconnexion 26 par une fixation par compression de façon à fermer en permanence le circuit entre elles. Evidemment, 69 17875 2009775 les deux commutateurs peuvent être fermés ou ouverts suivant la modification cherchée du circuit intégré existant» On a trouvé qu'un coin ou une cale ayant un rayon de 0,025mm produit une fixation à froid satisfaisante entre les pièces avec 5 une pression de 7 grammes, et une résistance sensiblement nulle. La .zone de recouvrement des éléments métalliques séparés est seulement de 1,6 x 10~^mm^, ce qui rend minimale la capacité d'un commutateur ouvert» De tels commutateurs ont été effectués avec de nombreux éléments de contacts séparés par de l'air sur une voie conductrice 10 commune, tine série quelconque de ces éléments étant fixée à cette voie. D'autres moyens, par exemple, un faisceau électronique ou > une attraction électrostatiquê peuvent également être utilisés pour fermer les commutateurs. La configuration de la figure 3 est un exemple de l'utili-15 sation de commutateurs, analogues à ceux de la figure t ainsi que de traversée supérieure. L'application particulière pour laquelle la configuration de la figure 3 peut être utilisée est celle d'un inverseur de polarité. Il y a quatre branchements possibles avec le circuit sur le substrat 50 entre les contacts 51, 52, 53 et 54. 20 II y a un commutateur 51» 52, 53 ou 54 dans chacun de ces branchements respectifs 41» 42, 43 ou 44» Chaque commutateur est un commutateur à pôle unique analogue à la moitié de la structure des figures I et 2. Quand; les commutateurs 51 et 52 seuls sont fermés, la polarité de sortie (sur les contacts 53 et 54) est inversée relative- 25 ment à la polarité obtenue quand les deux commutateurs inférieurs 53 et 54 seuls sont fermés» Dans une configuration de cette sorte, deux traversées supérieures 51 et 62 dont l'une est représentée coupée sur la figure 4 sont nécessaires, une pièce conductrice 42 étant placée directement sur le substrat 45 et se croisant avec un 30 autre conducteur 63 séparé de cette pièce par un intervalle d'air 64. II est clair que, par la sélection de divers emplacements des commutateurs, avec un nombre quelconque d'éléments de contacts, ainsi que grâce à deux traversées supérieures, des réseaux conducteurs très complexes peuvent être formés» là où on le désire, les traversées 35 supérieures peuvent être, séparées, en fournissant une paire de commutateurs métal-air-métal qui peuvent être fermés sélectivement en permanence. la figure 5 illustre une autre application particulière 69 17875 2009775 utilisable dans des dispositifs à micro-ondes dans lesquels un premier conducteur 61 placé sur un substrat 70 est séparé d'un autre conducteur 62 sur une distance relativement importante» le conducteur supérieur peut être une ligne allongée ayant une séparation 5 uniforme de 5 microns par rapport au conducteur inférieur,, la distance entre eux et la largeur des conducteurs peuvent permettre à cette paire de conducteurs de jouer le rôle d'une bande permettant de propager de l'énergie à fréquence radio-électrique,, Par exemple, avec de l'air ou un diélectrique «constitué par du vide, deux bandes 10 ayant une largeur de 0,038 mm et séparées d'environ 5 microns présentent une impédance caractéristique de 50 ohms. De telles bandes ont de très faibles pertes du fait que le diélectrique est à très faible perte et que les deux conducteurs sont métalliques. Ceci est l'opposé d'autres structures en bandes dans lesquelles le conducteur 15 inférieur, d'habitude en silicium, peut être relativement résistant» Des pattes 73 partant du conducteur supérieur 72 sont fixées à la surface du substrat 70 de façon à augmenter la rigidité comme dans le commutateur de la figure 1, ce qui permet d'avoir des bandes de longueur arbitraire. De tels conducteurs uniformément espacés bien 20 que très voisins permettent une grande variété d'application dans le domaine des micro-ondes, comme il est bien connu dans cette technique, et il n'est pas nécessaire de décrire leurs structures en détail, la patte 73 a. du deuxième réseau et la partie conductrice 71 â. premier délimitent un commutateur fermé du type métal-air-métal 25 selon l'invention. l'invention telle que décrite peut être étendue à la formation de conducteurs supplémentaires séparés d'un premier conducteur de façon à engendres des structures plus complexes, telles que des commutateurs, des traversées supérieures et des éléments à 30 micro-ondes. Parmi les nombreuses utilisations de conducteurs séparés selon l'invention, on peut citer un écran électrostatique constitué sur une partie d'un circuit intégré et fournissant également un conducteur relativement épais ne demandant pas beaucoup de surfaces 35 semi-conductrices, pouvant jouer le rôle d'un conducteur omnibus ou d'un dispositif analogue. l'intérêt de l'invention est la souplesse avec laquelle elle peut être utilisée pour former diverses séries de conducteurs 69 17875 2009775 constituant des commutateurs, des traversées supérieures, des réseaux comportant des changements d'orientation à angles droits ou ayant une configuration géométrique quelconque, et elle sera mieux comprise en se référant à la description qui va suivre de procédés 5 préférés de mise en oeuvre de cette invention utilisant certaines technologies de fabrication de circuit intégré connues. Les figures 6 à 9 représentent des phases de cette fabrication. Sur la figure 6 un substrat 80, par exemple un circuit intégré au silicium, est représenté après avoir été traité, et avoir supporté toutes les opé-10 rations nécessaires permettant de modifier sa structure interne et de former la couche d'isolement finale 81 à sa surface, avec des » ouvertures là où. des contacts sont désirés avec le matériau semiconducteur. La couche isolante, par exemple une couche de bioxyde de silicium, peut avoir une épaisseur d'environ 10 000 angstrSms 15 et elle peut être obténue par croissance thermique, ou hien cette couche peut être constituée d'un autre matériau isolant quelconque. Des techniques classiques de masquage photorésistant et de décapage sont utilisées pour former des fenêtres dans l'oxyde. Le nettoyage des surfaces sur lesquelles une nouvelle cou-20 che doit être déposée est important à tous les stades de fabrication. Diverses techniques connues de nettoyage peuvent être utilisées. Par exemple, pour préparer la surface oxydée permettant un dépôt ultérieur, le sunstrat oxydé peut être plongé dans du tri-chloré thylène bouillant pendant environ 5 minutes, rincé deux ou 25 trois fois dans l'acétone, plangé dans du méthanol trois fois, placé dans de l'acide azotique fumant à environ 100° pendant environ 25 à de l'eau courante désioniaéç .pendant environ 5 mixmte.s,, .rincé dans 35 minutes, rince aans/au met Hanoi, et seche dans cie l'air criaua. Dès que possible, après que la surface de la couche 81 a été nettoyée, une prèmière couche métallique 82 est déposéè sur 30 toute la surface. Diverses techniques connues de dépôt peuvent être utilisées. A titre d'exemple, une pulvérisation peut être utilisée, bien qu'une évaporation sous vide puisse également être utilisée. La pulvérisation est préférable parce que l'adhérence est meilleure. Le substrat est placé dans le. pulvérisateur et le système est vidé 35 d'air jusqu'à une pression résiduelle inférieure à 10~"^mm de mercure On utilise pour cela de l'azote liquide. La chambre est remplie d'argon à une pression d'environ 10 microns. La première couche métallique 82 est sélectionnée particulièrement pour son adhérence 69 17875 2009775 avec le substrat, l'oxyde ou couche isolante 81 dans ce cas, pour ses possibilités de créer un contact ohmique avec le semi-conducteur découvert et pour ses possibilités de permettre un dépôt métallique suivant par revêtement. 5 1 Pour fabriquer sur le silicium oxydé des circuits intégrés, la première couche métallique peut comporter une première partie de M-00 angstrôms d'épaisseur de chrome suivie d'un dépôt d'or de 1 000 angstroms d'épaisseur. Avec des électrodes de pulvérisation nét-toyéeSô, le courant et la tension sont réglés pour le réglage parti-10 culier envisagé et la pièce est soumise aux projections de métal séquentiellement pendant des durées permettant d'obtenir l'épaisseur désirée. Les parties métalliques de la couche 82 peuvent être déposées par diverses techniques. A titre d'exemple, du titane ou du zirconium peuvent être utilisés au lieu du chrome. De l'aluminium 15 (permettant des contacts ohmiques meilleurs) peut précéder un de ces métaux, le dernier métal, c'estfôire- du zirconium, étant souhaitable, du fait des possibilités limitées de dépôt de l'aluminium. Un réseau de masquage non représenté est formé sur la première couche métallique 82, par exemple par des -techniques classiques 20 de photorésistances. Ce premier masque comporte des ouvertures là où une première couche métallique est souhaitable dans la structure terminée, par exemple sous forme de fenêtres et là où un conducteur doit être placé sur la couche d'oxyde. Pour le dépôt de métal, il est préférable d'utiliser un revêtement chimique ou bien Lin procédé 25 électrolytique. Le métal est déposé dans les ouvertures du premier masque sur la couche découverte de chrome et d'or* Un revêtement chimique est préférable parce qu'il peut être effectué sélectivement et parce qu'il peut fournir rapidement et facilement 1*épaisseur demandée. Ce métal est .choisi pour ses facilités de dépôts ainsi 30 que pour d'autres qualités qui seront indiquées ci-après. L'épaisseur de cette couche n'est pas critique, et on peut utiliser une couche d'or ayant une épaisseur comprise entre 1 et M- microns. Après cette opération de revêtement effectuée pendant un temps suffisant permettant d'obtenir l'épaisseur nécessaires le substrat est 35 enlevé du bain de revêtements Le masque est éliminé en laissant la couche métallique 84-, et les surfaces sont soigneusement nettoyées. Un deuxième masque non représenté est alors formé également par des procédés de photorésistance» Cette' foixP il y a des ouvertures dans le masque là où on désire obtenir un interva.lle d'air entre un 4-0 conducteur et le substrat ou un conducteur sur le substrat» La figure 7 représente la structure après que l'on a déposé sur le second masque une troisième couche de métal 86 qui agit eaae 69 17875 2009775 couche de séparation permettant de séparer avec précision une couche conductrice appliquée ensuite» Cette couche métallique peut être déposée par revêtement chimique ou par une.autre technique et elle est choisie de façon à pouvoir être éliminée sans modifier la cou-5 che conductrice appliquée ensuite» Dans ce but, particulièrement quand on considère une couche conductrice constituée par un métal noble tel que de l'or, il est bon d'utiliser un métal appartenant au groupe comprenant le nickel, le cuivre, l'argent, le cadmium, l'étain, le plomb et d'autres métaux qui peuvent être déposés et 10 sélectivement éliminés, leurs alliages, formés par dépôts successifs, et des composés tels que des oxydes métalliques qui peuvent ? être déposés par pulvérisation ou évaporation et peuvent être formés de façon à avoir une épaisseur inférieure à 1 micron» le contrôle de Ifépaisseur est important, dans la couche de séparation» Cette 15 épaisseur est choisie de façon à obtenir l'intervalle d'air désiré. Par exemple, cet intervalle d'air peut être égal à 6 microns» Une telle épaisseur est relativement facile à commander avec une toté-rance de l'ordre du micron. Après un revêtement de nickel, le deuxième masque photorésistant est éliminé. 20 II est souhaitable dans certains cas, avant l'élimination du deuxième masque photorésistant, de déposer sur la couche de séparation une mince couche d'or® Ceci est souhaitable quant une grande précision est importante, par exemple dans le cas d'une pièce vibrante d'un transistor de commande résonant» Ceci permet d'être 25 sûr que la solution photorésistante d'_ éliminât ion n'attaque pas le matériau de la troisième couche, qui par exemple est du nickel® Après que le deuxième masque photorésistant a été éliminé et après que les surfaces ont été nettoyées, un troisième masque non représenté est formé qui peut également être constitué par un procé-30 dé photorésistant» Dans ce troisième masque, des ouvertures sont constituées dans toutes les zones dans lesquelles le métal doit être séparé du substrat ainsi que là où. il doit être en contact avec des éléments précédemment formés,, la figure 8 représente une structure obtenue après qu'une couche métallique supplémentaire 88 a été dé-35 posée sur le troisième masque par revêtement chimique de façon à constituer une couche d'or de trois à quatre microns d'épaisseu£ qui fait contact avec la couche métallique 84 et, en outre, qui est placée sur la couche de séparation 86. La couche conductrice 88 69 17875 2009775 peut avoir diverses compositions, bien que l'or soit préférable. Normalement, un bon conducteur est désirable, et de l'aluminium (en utilisant une évaporatioh et une élimination sélective pour la formation du réseau), de l'argent, ou du cuivre pourraient également 5 être utilisés. Pour des pièces utilisables dans un transistor de commande résonant, avec un faible coefficient de température, une pièce conductrice en palladium pourrait aussi être utilisée avec succès. Si la couche conductrice 88 n'a pas besoin d'être bonne conductrice, on peut utiliser des matériaux de résistance connue, par 10 exemple, des alliages nickel-fer. En dehors du dépôt par revêtement, on peut utiliser une feuille d'un matériau conducteur pour constituer la couche 88, cette feuille étant placée en contact intime avec la surface, puis on peut éliminer sélectivement des partiès de cette feuille de façon à obtenir le réseau désiré. Dans tous les 15 cas, la sélection du matériau constituant la couche 88 est effectuée de façon que la couche de séparation 86 puisse être éliminée par exemple par décapage chimique sans modifier sensiblement la couche conductrice 88. Après que la couche d'àr 88 a été déposée comme représenté 20 sur la figure 8, il est quelquefois souhaitable de déposer une couche de nickel supplémentaire d'une épaisseur d'environ 5 microns. Cette phase facultative peut être utilisée quand une précision est importante, par exemple dans le cas d'une pièce vibrante d'un transistor de commande à résonance. Son but est de compenser les 25 tensions qui peuvent se produire à la surface de séparation du bi-métal entre les couches 86 et 88. Le troisième masque est alors éliminé et un décapant est appliqué qui attaque seulement le métal de la couche de séparation, le nickel dans ce cas. On peut utiliser comme décapant une solu-30 tion d'acide azotique chauffée à environ 60° centigrades. Pour empêcher le nickel de se déposer ailleurs sur le substrat, il est préférable d'effectuer un décapage pendant un temps assez court et de rincer le dispositif dans de l'eau désionisée, en répétant cette opération jusqu'à ce que tout le nickel soit éliminé. Les phases 35 suivantes consistent à éliminer la couche d'origine découverte 82, c'est-à-dire la couche de chrome et d'aluminium. Ceci ne demande pas l'application d'un masque séparé du fait des différences d'épaisseurs des couches présentés. L'or peut être éliminé dans de 69 17875 2009775 l'eau régale préparée à partir d'une partie d'acide azotique concentré, de trois parties d'acide chlorhydrique concentré, et de quatre parties d'eau désionisée, chauffée à environ 40° centigrades. Le décapage continue jusqu'à ce que la surface de chrome apparaisse. 5 Le chrome est alors, éliminé en utilisant un décapant comprenant par exemple une solution saturée du composé E^Fe (CN)g dans fia-OH ayant un pH compris entre 8 et 10 mélangée à une partie d'eau désionisée, ce décapant étant chauffé à environ 60 °0 Le décapage continue jusqu'à ce que le substrat puisse être inspecté 10 visuellement à l'aide de lumière blanche réfléchissante à faible niveau. Des couleurs d'interférence dues à l'oxyde de chrome sont observées. Ces couleurs s'évanouissent quand le chrome est éliminé. Après rinçage dans de l'eau désionisée, le substrat est de nouveau placé dans le décapant à base d'acide azotique utilisé pour l'éli-15 mination du nickel, pendant environ 30 secondes, puis rincé de nouveau, puis placé à nouveau dans le décapant du chrome pendant environ 5 secondes ou jusqu'à ce que les couleurs d'interférence aient disparu. La pièce est alors nettoyée dans de l'eau désionisée, de l'acétone, du méthanol, puis séÉ'hée. La structure terminée appa-20 rait sur la figure 9. Le procédé ci-dessus décrit, bien qu'un peu compliqué, permet une meilleure reproduction que l'utilisation d'une couche photorésistante comme couche de séparation, comme décrit dans le brevet ci-dessus cité. Il est clair qu'un certain nombre de conducteurs avec une 25 grande variété de configurations peuvent être simultanément fabriqués. On peut aussi produire des conducteurs séparés supplémentaires, après la phase représentée sur la figure 8, par dépôt d'un masque supplémentaire délimiiant me deuxième couche de séparation, puis par revêtement de cette deuxième couche, par dépôt d'une troisième 30 masque délimitant une troisième couche conductrice, etc..., après quoi un décapage chimique élimine les couches de séparation et la• couche d'origine de chrome et d'or peut être traitée comme ci-dessus décrit. 69 17875 2009775 BEVENDIGATIONS 1 - Elément microélectronique comprenant un substrat, un premier réseau de conducteurs électriques placés sur ce substrat, et un deuxième réseau de conducteurs électriques montés sur ce subs- 5 trat, ce deuxième réseau comportant aù moins un élément conducteur s'étendant librement sur des parties conductrices du premier réseau mais séparé de ce premier réseau seulement par un intervalle d'air, et au moins une pièce en saillie recouvrant une autre partie conductrice du premier réseau, cette pièce en saillie étant recourbée vers 10 la dernière partie conductrice indiquée ci-dessus ou vers des parties conductrices, et fixée en permanence à elle. 2 - Elément selon revendication 1 dans lequel l'élément conducteur du deuxième réseau est placé sur tin élément conducteur du premier réseau suivant une longueur qui est au moins d'un ordre 15 de grandeur supérieur à l'intervalle d'air situé entre eux. 3 - Procédé de fabrication d'un élément microélectronique selon revendications 1 ou 2, comportant le dépôt d'une première couche métallique continue sur ce substrat, la formation d'un premier réseau de conducteur électrique sur cette première couche métallique, 20 la formation d'une deuxième couche métallique sur des zones sélectionnées de la première couche métallique et du premier réseau, la formation du deuxième réseau de conducteur électrique et l'élimination de la deuxième couche métallique ainsi que de parties de la première couche métallique non recouvertes par les premier et deuxiè- 25 nie réseaux. 4 - Procédé selon revendication 1 dans lequel le. substrat est constitué par un bloc semi-conducteur d'un circuit intégré et par une couche diélectrique placée sur ce bloc, la couche diélectrique ayant au moins une ouve^tîàre, et la première couche métallique 30 continue étant placée sur cette couche diélectrique mais traversant cette ouverture et étant en contact électrique avec ledit bloc semiconducteur» 5 - Procédé selon revendications 3 ou 4e dans lequel la première couche métallique continue est une couche constituée d'un 35 film de Or, Al, Ti ou Zr et d'une couche d'or superposée à ce film. 6 — Procédé selon revendications 3, 4 ou 5, dans lequel la deuxième couche métallique est constituée d'i^n métal ou alliage différent de celui du deuxième réseau de conducteurs. 69 17875 14 2009775 7 - Procédé selon revendication 6, dans lequel la deuxième couche métallique est constituée d'un élément appartenant au groupe comprenant Ni, Ou, Ag, Gd, Sn, Pb ou un alliage d'un ou de plusieurs de ces métaux»