FR 2014116 A1 19700417 FR 6910677 A 19690408 L'invention est principalement caractérisée par un appareil de récupération d'informations pour la lecture d'une information mémorisée sous forme d'un modèle dans un milieu semi-conducteur au mo yen d'un champ électrique interne comprenant un milieu électrooptique, présentant une caractéristiaue qui varie avec les variations d'un champ électrique appliqué, associé au milieu semi-conducteur pour la modulation, en fonction du champ électrique interne du milieu semi-conducteur, de la radiation transmise par le milieu électro-optique, et un moyen pour la détection de la modulation de la radiation, impose par le milieu électro-optique, représentant le modèle d'information mémorisé dans le milieu semi-conducteur. L'invention est également caractérisée par une méthode de modification du contraste d'une image photographique au cours du tirage comprenant l'exposition d'un corps photoconducteur à une radiation d'entrée à travers une diapositive portant une image, pour faire varier la conductance du corps photoconducteur suivant un modèle correspondant à la distribution de densité de l'image portée par la diapositive, l'application, à travers le corps photoconducteur et le milieu électro-optique, d'un champ électrique qui varie à l'emplacement du corps électro-optique en fonction du modèle de conductance du corps photoconducteur, l'exposition du corps électro-optique à la radiation d'entrée, et l'exposition d'un milieu photosensile à une partie du rayonnement de sortie modulé produit par le corps électro-optique, l'intensité de cette partie du rayonnement de sortie modulé variant suivant un modèle correspondant à la distribution de densité de l'image portée par la diapositive. Sous son principal aspect, cette invention concerne la récupération d'une information mémorisée sous forme d'un modèle dans un milieu semi-conducteur au moyen d'un champ électrique interne, et plus particulIèrement, cette invention concerne la récupération d'une telle information par application de ce champ électrique interne à un milieu électro-optique et détection de la modulation de la radiation transmise par ce milieu électro-optique en fon-- tion du champ. L'information peut etre mémorisée dans des corps semi-conducteurs par projection d'un modèle du rayonnement sur la surface du serxli-conducteur pour établir un champ électrique interne dans le semi-conducteur correspondant à la variation d'intensité du modèle de rayonnement qui lui est incident. I1 y a de nombreux avantages importants afférents à ce type de mémorisation d'information,tels que la petite taille et la possibilité de fonctionnement sans déplacer les pièces comme cela est nécessaire dans la plupart des installations de mmorisation actuelles.La récupération rapide et efficace de l'information ainsi mémorisée a soulevé de nombreuses objections à cause des très petits niveaux d'énergie mis en jeu Des photoconducteurs ferroélectriques, des photoélectrets et d'autres corps ont été utilisés pour de telles techniques de mémorisa tion. Le meilleur corps connu est peut etre le photoélectret qui mémorise l'information par polarisation interne permanente. La polarisation interne permanente (PIP) est le phénomène dans lequel un champ électrique interne permanent est produit dans un diélectrique photoconducteur qui est soumis à une irradiation et à un champ électrique externe appliqué par des électrodes convenables. La polarisation interne ou le champ électrique persiste dans le modèle établi par le rayonnement incident sur le diélectrique meme après que l'on ait enlevé le champ électrique externe et l'irradiation, et meme si les électrodes sont court-circuitées; il peut être desexcité par irradiation ultérieure. Le phénomène de PID peut être expliqué en termes de migration de porteurs dans la structure du diélectrique photoconducteur PIP; ce corps est également appelé corps photoélectret ou simplement photoélectret. Un photoélectret typique peut être formé en utilisant du sulfure de zinc ou du sulfure de zinc-cadmium comme photoconducteur hotte, et il peut avoir comme impuretés de l'argent ou du cuivre ou d'autres corps. Un tel photoélectret aura une structure de niveaux d'énergie comprenant une bande de valence et une bande de conduction à énergie plus élevée, et il y aura plusieurs autres niveaux, produits par les impuretés ou d'autres anomalies, qui sont appelées pièges parce qu'elles sont vues comme "piégeant" les trous migrateurs ou les électrons, c'est-à-dire les porteurs libres. L'irradiation du pllotoélectret par une énergie suffisante pour amener les électrons depuis le niveau de valence jusqu'au niveau de conduction provoque la formation de paires électrontrou. Si on applique un char:? électrique externe au photoélectret dans cet état, les électrons et les trous se déplaceront sous l'influence du champ. Certains d'eux seront maintenus dans les niveaux d'impuretés ou pièges et resteront piégés quand l'irradiation aura cessé , tandis que les trous et les électrons non piègés se recombinent. Les trous et les électrons piègés résultent en un champ électrique ou polarisation dans le photoélectret, polarisation qui ne peut être supprimée en court-circuitant ou en mettant à la terre les électrodes, mais pouvant être supprulcse en irradiant une seconde fois le photoélectret. La seconde irradiation fait sortir les électrons et/ou les trous des pièges, les amenant à se déplacer dans la bande de conduction et/ou de valence jusqu ce qu'ils se recombinent ou qu'ils atteignent les électrodes. Au cours de l'application du champ électrique externe, la polarisation se poursuit jusqu'à ce que la tension de polarisation à l'emplacement des électrodes du photoélectret soit égale à la tension appliquée. Dans cet état, il y a deux types de charges sur les électrodes : une charge capacitive, présente lors de la polarisation d'un diélectrique quelconque, et une charge "liée" associée au champ PIP, appelée ainsi parce que les charges sont liées dans leur état immobile par le champ PIP. La: charge capacitibe n'est pas so:aitable et doit être annulée avant d'entreprendre n'importe quelle lecture pour éviter de la confondre avec la charge liée qui donne les porteurs libres proportionnellement à la PIP du photoélectret quand il est irradié.Actuellement, les mesures de la charge produite à l'endroit des électrodes quand les charges liées sont libérées au cours de l'irradiation, sont utilisées pour vérifier la quantité de PIP d'un photoélectret. Si on effectue l'irradiation avec un spot de rayonnement qui balaie le photoélectret suivant un modèle défini, les charges lues en provenante du photoélectret peuvent être appliquées pour reconstruire l'information ou l'image mémorisée dans le photoélectret de la même façon que les charges lues dans un vidicon ou dans un autre tube image. Puisque ce pil nomcne a été observe le premier, de noJ'reuses tentatives ont étr faites pour l'appliquer au vaste champ d'application de la mémorisation et de la récupération des informations, et au domaine sp6cific:ue de la photographie et de l'électrophoco- graphie. Une proposition mettait en jeu le soupoudrage des zones polarisées par des particules de carbone chargées pour produire une reproduction visible de l'information de l'image.Une autre proposition mettait en jeu la connexion de la sortie du diélectrique PIP pour moduler l'intensité du faisceau du tube à rayons cathodiques selon la libération des charges liéespar l'illumination provenant d'un second tube à rayons cathodiques dont l'image est sur le photoélectret et dont le rayon d'exploration est synchronisé pour fonctionner avec le premier tube a rayons cathodiques de façon telle que la reproduction vidéo de l'impage PIP mémorisée soit produite sur le premier tube à rayons cathodiques. Les charges "lieues" sont celles qui sont liées par le champ électrique résultant de la PIP. Certaine de ces techniques rencontrent peu de succès à cause du faible rapport signal sur bruit des signaux électriques produits par libération des charges liées au cours de l'application du rayonnement. Le faible rapport signal sur bruit est dû en partie aux faibles tensions des signaux obtenues au cours de la libération des charges liées en comparaison du bruit thermique ou d'un autre bruit se produisant sur le photoélectret et/ou l'amplifica- teur,de telle sorte que la récupération de l'information est incomplète et/ou incorrecte. I1 se produit des petites tensions des signaux puisque les charges liées libérées par irradiation se distribuent immédiatement elles-mêmes sur toute la capacitance formée par les électrodes et le corps PIP, réduisant en proportion le signal que l'on peut obtenir. Sous un autre aspect, cette invention concerne une méthode et un appareil pour la modification du contraste des images photographiques au cours du tirage et, plus particulièrement, au cours du masquage, qui est la diminution du contraste, et du réhaussement, qui est l'augmentation du contraste, des images photographiques. Le masquage, diminution du contraste des images photographi- quels, est un procédé dans lequel les niveaux de densité de la diapositive du film original sont effectivement comprimés dans - le domaine de sensibilité de l'émulsion sur le milieu photosensible qui est exposé à travers la diapositive pour produire une épreuve photographique ou reproduction. D'une manière typique, la diapositive est un négatif original et le masquage peut être réalisé en mettant un masque positif sur le négatif initial entre la source d' exposition lumineuse et le négatif ori3:nal. Le masque positif atténue la lumière dirigée vers les ones les moins denses du négatif original plus qu'il n'atténué la lumière dirigée versus zones les plus denses du négatif original.Le résultat est une épreuve ayant une clarté de détail plus grande parce que les niveaux d' exposition sont dans la partie la plus sensible et sensiblement linéaire de la courbe de sensibilité, c'est-à-dire, la courbe donnant la densité en fonction du log de l'exnosition (D/log E), de l'émulsion du milieu photosensible. On peut également effectuer le mequSeen utilisant une technique de désactivation au phosphore,dans laquelle on utilise de la lumière ultraviolette pour exciter une surface fluorescente pour produire de la lumière actinique pour l'exposition d'un milieu photosensible. Une source de lumière infrarouge proche dirigée à travers le négatif desactive la surface et atténue la sortie de lumière actinique en proportion inverse à la densité du nnga- tif : les zones de la surface protégées de la lumière infrarouge proche par des parties de densitc élevées du négatif recoivent moins de lumière de désactivation d'infrarouge proche et produisent plus de lumière actinique, tandis que les zones de la surface protégées par les parties de faible densité du négatif recoivent plus de lumière de désactivation dtinfrarouge proche et produisent moins de lumière actinique. Le réhaussement de l'image est un procédé dans lequel l'intensité du rayonnement d'exposition passant à travers les zones de faible densité du négatif est augmentée et l'intensité du rayonnement dlexposition passant à travers les zones de densité élevées du négatif est diminuée, pour augmenter le contraste des images. Dans de nombreux cas, une information importante dérive des zones sous exposées ou zones d'ombre des images photographiques, mais elb est perdue à cause du contraste médiocre que l'on peut avoir aux niveaux de faible exposition du film. Ces zones sous exposées ou zones d'ombre qui apparaissent comme étant des zones sombres sur la photographie positive et dans la scène photogra- phiée initialement apparaissent comme zones légères ou de faible densité sur le film négatif. Les zones plus légères ou zones moins denses du négatif se trouvent sur une partie non linéaire de la courbe caractéristieue du film.Cette courbe caractéristique est une courbe donnant la densité en fonction du logarithme de l'exposition (D/log E),où la densité est-en ordonnées et le log de l'exposition on abscisses La densité et le log de l'e,- position augmentent tous deux comme la distance à l'origine dans une telle courbe, mais pour la prèmière partie de cette courbe 'densité n'augmente pas de façon linéaire en comparaison de la valeur logarithmique de l'exposition, et dans les stades initias: de cette première partie, quand l'exposition est faible , on observe seulement de petites différences de densité pour des différences d'exposition relativement grandes.Le résultat est que 1'information dans cette zone n'est habituellement pas discernable à cause du manque de contraste. Le réhaussement de l'image est une tentative pour rendre une telle information plus discernable en augmentant le contraste de l'image. La présente invention fournit un appareil et une méthode pour la modulation de la radiation transmise par un milieu électro-optique en fonction d'un champ électrique. Le milieu électrooptique est associé à un milieu semi-conducteur dont l'état est influencé par un rayonnement, pour fournir un champ électrique variable. Le milieu électro-optique présente une caractéristivue > qui varie avec ces variations produites par un milieu semi-conducteur dans un champ électrique appliqué. Sous un aspect, l'appareil et la méthode sont destinés à la lecture de l'informatrnon, qui est mémorisée suivant un modèle dans le milieu semi-conducteur associé au moyen d'un champ électrique interne, par exposition du milieu électro-optique au rayonnement mentionné ci-dessus. Sous un autre aspect, l'appareil et la méthode sont destinés à la modification du contraste d'une image photographique au cours du tirage Ceci est réalisé en ayant le milieu semi-conducteur sous forme d'un corps photoconducteur, ce corps étant irradié à travers une diapositive portant une image à tirer. D'autres objets, caractéristiques et avantages apparaeront a la lecture de la description suivante des modes de réalisation préférés de l'invention, et des dessins ci-joints, dans lesquels La Figure 1 est un schéma en perspective d'un dispositif typique pour la mémorisation d'un mod8le d'information dans un photoélectret; La Figure 2 est une vue schématique-de côté du photoélectret de la Figure 1, représentant le modèle d'information mémorisé dans ce dernier par polarisation interne permanente. La Figure 3 est une vue en perspective d'unecristallite présentant un effet de biréfringence; La Figure 4 est une représentation du retard relatif=intro- duit entre les deu; ondes de rayonnement par un corps firczrin- gent; La Figure 5 est une représentation du champ elliptique variable produit par le retard relatif introduit entre les ondes; La Figure 6 est une vue schématique en perspective d'un corps électro-optique, connu sous le nom de dispositif de Pockel, dont la biréfringence varie avec la variation d'un champ électricrue appliqué;; La Figure 7 est une vue schématique de côté d'un élément qui est à la fois un photoélectret et un dispositif électro-optique linéaire présentant une polarisation interne permanente similaire à celle du photoélectret de la Figure 2; La Figure 8 est une vue schématicue de côté d'un photoutez- tret similaire à celui de la Figure 2 coribiné au dispositif de Poc3el similaire à celui de la Figure G; La Figure 9 est une vue de côté schématique d'un élément similaire à celui de la Figure 7 mais ayant une épaisseur non uniforme;; La Figure 10 est une vue schématique d'un dispositif d1appa- reil selon cette invention, employant des techniques de lecture en série et utilisant une composante du rayonnement de sortie polarisée elliptiquement; La Figure 11 est une caractéristique de transfert d'un analyseur pouvant être utilisé dans cette invention; La Figure 12 est une vue schématique d'un autre dispositif d'appareil selon cette invention, utilisant des techniques de lecture en parallèle; La Figure 13 est une vue schématique d'un autre dispositif d'appareil selon cette invention, utilisant deux composantes du rayonnement de sortie polarisé elliptiquement;; La Figure 14 est une vue schématique en perspective d'un autre dispositif, selon un aspect différent de la présente invention, pour fournir un réhaussement d'image ou un masquage d'une photographie Dans un mode de réalisation spécifique, un milieu semi-conducteur tel qu'un photoélectret avec une information mémorisée dans ce photoélectret, est combiné à un milieu électro-optique qui peut être un corps qui présente une biréfringence induite qui varie en fonction d'un champ électrique appliqué au corps la combinaison peut être effectuée par deux corps séparés formés en couches adjacentes ou par un corps présentant à la fois les caractéristi que d'un photoélectret et d'un milieu électro-optique.Le champ électrique résultant de la polarisation interne permanente se distribue suivant un modèle correspondant au modèle de l'information mémorisé dans le photoélectret. Le corps électro-optique peut être un corps présentant un biréfringence induite qui varie conne le champ électrique associé du photoélectret, ainsi. les variations de la biréfringence établissent un modèle correspondant au modèle de l'information mémorisé dans le photoélectret. Un laser projette de la lumière plane polarisée le long des axes de biréfringence induite du corps électro-optique,ayant une longueur d'onde pour laquelle le photoélectret, le corps électrooptique et toute les électrodes sont transparents. Comme la lumière polarisée. plane est balayée sur la combinaison du photoélectret et du corps électro-optique, elle est transformée par le corps électro-optique en une lumière polarisée elliptiquement dont 11 excentricité de l'ellipse est une fonction du champ appliqué en ce point particulier. La réponse du corps électro-optique au champ électrique du photoélectret peut autre détectée en sélectionnant une composante ou des composantes de la lumière polarisée qui varie en fonction du champ appliqué. Dans certains cas la grandeur de cette composante ou de ces composantes peut également être mesurée. Un analyseur qui passe la lumière seulement dans le plan perpendiculaire au plan de polarisation de la lumière entrante provenant du laser filtre la lumière de sortie polarisée électriquement transmise par le corps biréfringent. La lumière choisie transmise par l'analyseur est donc une représentation en série du modèle de biréfringence produit par le champ électrique établi par la polarisation interne permanente créée dans le photoélectret par le modèle d'information qui est mémorisé. On doit comprendre que les termes "polarisé" et "polarisation" sont utilisés habituellement pour nommer deux caractéristiques physiques différentes, les deux étant appliquées ici. Dans un sens, le terme polariser est utilisé pour nommer la direction des lignes de courant ou l'orientation d'un champ électrique. Ce sens est utilisé quand on se réfère à la polarisation interne permanente d'un photoélectret. Sous l'autre aspect, le terme polariser est utilisé pour nommer la vibration des ondes de rayonnement suivant un modèle défini. Ceci est le sens utilisé quand on se réfère à un rayonnement ou à de la lumière plan ou polarisé elliptiquement. L'information sous forme d'une image ou d'un modèle peut être mémorisée dans un photoélectret 10 ayant une tension appliqué sur ses électrodes 12, 14, par une batterie 16, Figure 1. De l'énergie de rayonnement collimatée pour laquelle les électrodes 12, 14 et le photoélectret 10 sont transparents est fournie par une source 1 qui peut produire de la lumière infrarouge, ultraviolette, visible, ou bien un autre rayonnement est dirigé à travers une diapositive 20 sur le photoélectret 1G. La partie dense 22 de la diapositive 20 bloque le rayonnement; la partie moins dense 24 transmet le rayonnement et produit une polarisation interne permanente (PIP) suivant une image ou un modèle correspondant dans le photoélectret 10, comme cela est indiqué par les lignes 26. On supprime le rayonnement e'c la tension, et la charge capacitive de la surface se décharge par un commutateur 28 dans la position de courtcircuit, comtn cela est représenté dans la Figure 2. Les charges liées 30 sur les surfaces du photoélectret 10 ont la même polarité que leur borne respective appartenant à la batterie 16, et les charges de PIP 32 sont de polarité opposée. Comme cela apparat plus clairement dans la Figure 2, la PLP se pro- duit dans les zones où la lumière d'exposition est incidente sur le photoélectret. La diapositive est ici divisée en des parties égales de densité élevée et de densité faible, seulement dans un but de clarté, les diapositives ou les modèles ayant des parties de densité élevée et faible réparties sur toute la zone peuvent également être mémorisés et ils représentent le plus habituellement le type de modèles d'information memorisés. Un second type de corps auquel on se réfère lors de cette description comprend les cristaux électro-optiques. Certains types de cristaux, quand ils sont exposés à un champ électrique, subissent des changements de propriétés optiques. Cet effet électro-optique peut être augmenté quand le champ électrique et la direction de la lumière à travers les cristaux sont optimaux. La lumière polarisée transmise à travers de tels cristaux forme des composantes le long des ares ;; et Y, et la vitesse de la lumière le long de ces axes est une fonction du champ électrique. De là, les X et Y présentent des indices de réfraction différents, caractéristique qui est appelée biréfringence. A cause des différentes vitesses des composantes de la lumière le long des axes X et Y, ces composantes horizontales sont décalées,en ce qui concerne les phases,l1une par rapport à l'autre comme elles passent suivant ces trajets. Dans de tels cristaux, la biréfringence, donc le déphasage relatif, est une fonction de l'épaisseur du cristal le long de la direction du chemin suivi par la radiation à travers le cristal et de 11 intensité du champ électrique appliqué, si le. champ appliqué est nul, il n'y a pas de biréfringence. Un de ces dispositifs dans lequel la biréfringence varie linéairement par rapport à un champ électrique est appelé dispositif de Pockel. Un effet optique similaire se manifeste dans un autre type de cristal sans application d'un champ électrique. Avec ces cristaux le déphasage relatif ou le retard entre les composantes le long de chacun des axes est déterminé par l'épaisseur du cristal. Quand, dans l'un ou 1' autre type de cristaux, de la lumière polarisée plane est appliquée, le déphasage relatif entre les composantes orthogonales parallèles au= axes rapide et lent résulte en une lumière polarisée elliptiquement, l'excentricité de l'ellipse étant une fonction de la grandeur du déphasage relatif ou du retard introduit par le corps électro-optique. L'analyse de cette lumière polarisée elliptiquement par un corps pula1:iseur produit une lumière dont l'intensité est une fonction de son excentricité, donc de la biréfringence du cristal Dans les cas où le cristal électro-optique est utilisé, l'intensité de la lumière provenant du polariseur est également une fonction du champ électrique appliqué au cristal. Une particule ou une cristallite 38, Figure 3, d'un corps biréfringent typique est représentée comme ayant un axe rapide 34 et un axe lent 36,appelés ainsi à cause de la vitesse relative de la lumière à travers eux. La variation de l'excentricité du champ elliptique produit par un corps électro-optique tel qu'une cristallite 38 e-posée u un rayonnement polarisé. plan, vecteur 40, coupant ses axes lent et rapide est représentée dans la Figure 5. Pour un retard de 0 (R = 00) ce champ élliptique prend la forme d'une ligne droite équivalente à son grand axe 46, c'est-à-dire un cas particulier d'une ellipse, qui partage l'angle droit que font les axes lent et rapide.Dans le cas ou les axes lent et rapide sont orientés de la manière représentée dans la Figure 3, la ligne droite est verticale co:r. cela est représenté dans la position R = 0 dans la Figure 5. Au fur et à mesure que le retard augmente depuis Q , le champ prend la forme d'une ellipse reconnaissable.Au fur et à mesure que le re tard augmente de O a 900, le grand axe 46 de l'ellipse devient plus court tandis que le petit axe 48 devient plus long, provoquant une diminution de l'e.centrlcité de l'ellipse.Pour un retard de 900 représenté en la position R = 90 dans la Figure 5,le grand a:e 46 et le petit axe 48 ont des longueurs égales,c'est-à-dire l'ellipse devient un cercle. Entre 900 et 180 ,comme cela est représenté dans la position 900 LR @ 180 de la FIgure 5,le grand axe 46 s'allonge tandis que le petit axe 48 se raccourcit,provoquant une augmentation de l'ex- centricité de l'ellipse.Pour un retard de 180 ,comme cela est représenté dans la position R=180 de la Figure 5,1'ellipse a dégénéré en une ligne horizontale équivalente à son petit axe 48. I1 apparaît alors que si la cristallite 38 est formée en ayant une épaisseur t calculée pour produire un retard ou une différence de phase relative entre l'onde de rayonnement 42,Figure 4,se propageant le long de l'axe rapide 34 et l'onde de rayonnement 44 se propageant le long de l'axe lent 36,de 900 (/2) ou d'un quart de longueur d'onde (7 /4),Figure 4,la radiation sortante provenant de la cristallite 38 sera polarisée circulairement. Si l'épaisseur t diminue de la dimension qui donne un retard d'un quart de longueur d'onde (, /4), les ondes 42 et 44 sortiront plus tôt et leur retard relatif diminuera.Au fur et à mesure que le retard relatif diminue le grand axe 46, la composante du rayonnement de sortie parallèle au plan de polarisation du rayonnement d'entrée,vecteur 40,augmente et le petit axe 48 acomposante perpendiculaire au rayonnement d'entrée diminue,Figure 5,jusqu'à ce qu'à une épaisseur nulle il y ait un retard ou une différence de phase nul et il n'y ait pas de composante perpendiculaire, seule la composante parallèle existant et étant égale au rayonnement d'entrée polarisé verticalement représent dans la Figure 5.De la même façon,si l'é- paisseur t augmente de la dimension donnant un retard d'un quart de longueur d'onde (@ /@),les ondes 42 et 4 émergeront plus tard et leur retard relatif augmentera. Au fur et à mesure que le retard relatif augmente, la composante parallèle diminue et la composante perpendiculaire augmente jusqu'à ce que t atteigne la diemension. pour laquelle le retard est 1800, pour lequel seule la composante perpendiculaire existe. Pour un retard de 1800 a composante perpendiculaire est égale a la radiation dtentrée mais elle est perpendiculaire à celle représentée pour la position R = 1800 de la Figure 5. Un élément fournissant une différence de phase ou un retard de 900 est souvent appelé lame quart d'onde et un élément fournissant une différence de phase ou un retard de 1800 est souvent appelé lame demi-onde. Une lame demi-onde fait tourner le champ du rayonnement d'entrée de 900, comme on peut le voir en comparant les vecteurs pour les positions 0 et 1800 montrées dans la Figure 5. Les mêmes effets de différence de phase ou de retard sur le rayonnement passant le long des axes lent et rapide produits par la variation de l'épaisseur t,dont on adiscute en se référant aux Figures 4 et 5, peuvent être produits dans un dispositif de Pockel ayant une épaisseur constante ,par variation de la tension appliquée sur le dispositif de Pockel 50, comme par exemple au moyen d'un potentiomètre 52 connecté en ligne à la batterie 54 par les électrodes 56 et 58.Un dispositif de Pockel 50 comprend plusieurs cristallites 38 dont chacune présente une biréfringence le long des axes lent 36 et rapide 34. Le dispositif 50 peut être fabriqué ou bien on peut le faire crotte de façon telle que les axes lents 36 soient alignés dans la même direction et que les aspes rapides 34 soient alignés dans la même direction, les axes lent et rapide étant perpendiculaires entre eux. Le dispositif de Pockel 50, Figure 6, a un champ uniforme à travers lui fourni par la batterie 54 sur les électrodes 56 et 58, ainsi chaque cristallite 38 présente le même retard; et le rayonnement entrant en tout point de la surface du dispositif 50 émergera en étant polarisé elliptiquement avec le même degré.Si le champ n'est pas uniforme sur le dispositif 50, la polarisation elliptique du rayonnement variera de façon correspondant au champ. Si un dispositif de Pockel présente également une polarisation interne permanente, c'est-à-dire, si le même corps est à la fois un corps électro-optique linéaire et un photoélectret, par exemple du sulfure de zinc cubique (ZnS), il présentera une biréfringence qui varie avec les variations du champ électrique résultant de la polarisation interne permanente établie par le modèle de l'information de rayonnement mémorisé dans le corps. Le résultat est un élément 60, ayant des électrodes 59 et 61, qui présente une biréfringence suivant un modèle co:-respondant au modèle de l'information qui y est mémorisé par polarisation interne permanente. Dans un tel élément 60, Figure 7, ayant le même modèle aui y est sonorisé, comme il est mémorisé dans un photoélectret 10, Figures 1 et 2, les cristallites dans la zone supérieure 70 de l'rlément 60 correspondant à la partie dense 22 de la diapositive 20, ont un champ négligeable ou n'ont pas de champ à travers elles et elles présentent peu ou pas de biréfringence, tandis que les cristallites dans la zone supérieure 74 de l'élément 60 correspondant à la partie moins dense 24 de la dQa- positive 20 sont soumises au champ crée par les charges liées 30 et les charges de PIP piégées 32, Figures 2 et 7. Au lieu d'utiliser un élément qui présente à la fois la possibilité d'un champ électrique interne d'un semi-conducteur et les effets électro-optiques dans un corps, un élément à couches 80, Figure 8, peut être fabriqué en coribinant, par exemple, un photoélectret 82 à un dispositif de Pockel 84 entre les électrodes 86, 88. Le dispositif de Pockel peut être formé d'orthophosphate de potassium diacide (PKD) et d'un photoêîectret de sulfure de zinc hexagonal dont les cristallites non orientées font de lui un milieu électro-optique linéaire inefficace.La PIP dans le photoélectret 82 est identique à celle des Figures 1-, 2 et 7 et les charges liées 30 et la charge de PIP 32 établissent un champ à travers le dispositif de Pockel 84 entre la face commune 82 du dispositif de nocl:el 8z et la face adjacente 94 de l'électrode 88. Les cristallites dans la zone supérieure 70' sont donc traver es par peu ou pas de champ et elles présentent peu ou pas de bir fringence, tandis que les cristallites dans la zone inférieure 74 ont un champ appréciable les traversant et présentent une biréfringence appréciable. Un avantage que l'on a à utiliser une combinaison d'un milieu semi-conducteur e'c d'un milieu électro-oDticue pour lire l'inzor- mation dans le milieu serai-conducteur, bien que cela puisse être un seul corps présentant les deux caractéristiques ou deux corps présentant chacun l'une des caractéristiques, est que l'épaisseur n'a a pas besoin d'être unIforme. Ceci est dû au fait que la biré- fringence est une fonction du champ appliqué qui est une fonction de la tension appliquée et de l'épaisseur.Pour illustrer ces propos, une tension V appliquée sur les électrodes 106, 108, FIgure 9, crée un ciian E1 à travers l'c-'paisseur t d'un élément 104, mais crée un champ plus faible F2 à travers l'épaisseur plus grande t2. Le champ E2 étant inférieur au champ E1, il produira dans les cristallites qui lui sont soumises une biréfringence inférieure à celle produite par le champ E1.Mais la radiation passant par l'élément 104 dans les cristaîlites soumises au champ plus faible E2 devra passer à travers une épaisseur plus grande t2, ainsi le retard ou la différence de phase global 3st uniforme que l'épaisseur soit ou ne soit pas uniforme dans de tels dispositifs. Un mode de réalisation d'un appareil de récupération d'une information selon cette invention utilisant un élément 110 ayant des électrodes 59 et 61 et contenant un photoélectret-corps de Pockel est représenté dans la Figure 10. Un modèle d'information similaire celui des Figures 1 et 2 est mémorisé dans l'élément 110, comme cela est mis en évidence par les charges de PIP 32 et les charges liées 30. Une source de lumière polarisée plane, telle qu'un laser 112,fournit un faisceau de lumière polarisée plane, comme cela est représenté par le vecteur 114.Le faisceau laser est projeté sur le miroir 116 qui est mis en oscillation par le moteur 118 pour opérer un balayage du faisceau vers le haut et vers le bas sur le prisme miroir à six faces 120 qui est continuellement mis en rotation par le moteur 122. Le faisceau incident sur le prisme 120 provenant du miroir 116 balaye donc l'élément 110 de part en part, tandis cue l'élément est également balayé de haut en bas. Il en résulte une trame similaire à celle du type utilisé dans divers autres tubes image. Au fur et à mesure que le faisceau polarisé plan balaye la surface de l'élément 110, la lumière provenant du faisceau émerge de l'autre surface 111, polarisée elliptiquement jusqu un degré contrôlé par la biréfringence de l'éîoe:ient 110 donc de la PIP qui s'y trouve.Si les sses lents des cristallites sont parallèles, les axes rapides des crztallites sont parallèles, et la lumière entrante polarisée plane, vecteur 114, est orientée verticalement et partage l'angle d'intersection des axes rapide et lent, la polarisation de la lumière sortante émergeant de l'élément 110 sera représentée par une ligne verticale quand il n'y a pas de champ et pas de biréfringence, par une ellipse allongée suivant la verticale quand il y a un peu de champ ou un peu de biréfringence, par un cercle quand le champ fournit une biréfringence qui établit une différence de phase ou un retard de 900, par une ellipse allongée horizontalement quand il y a un champ qui produit une biréfringence qui établit un retard supérieur à 900, et par une ligne horizontale quand le champ produit une biréfringence qui établit un retard de 1800, voir Figure 5. Supposons qu'il n'y ait pas de champ dans la zone 70', la lumière émergeant de cette zone sera polarisée et plane, 130, en direction du vecteur 11-, Supposons aussi qu'il y ait suffisamment de champ dans la zone 74 pour fournir un certain retard, mais qui ne soit pas égal ou supérieur à 90 , la lumière émergeant de cette zone sera polarisée elliptiquement, 132, sous forme d'une ellipse allongée verticalement. L'action du champ électrique du photoélectret sur la biréfringence du corps électro-optique peut être détectée en choisissant une composante de la lumière polarisée et en appréciant sa grandeur. Par exemple, un analyseur placé sur le trajet de la lumière sortante, tel qu'un 'lément de polarisation plan 134, peut entre orienté de façon a bloquer la lumière qui est polarisée comme l'est le vecteur de la lumière entrante 114, et laisser passer la lumière perpendiculaire à la lumière entrante. Ainsi, la lumière sortante polarisée suivant 130 sera bloquée, comme l'est la composante verticale 136 de la lumière polarisée elliptiquement 132. Mais la composante horizontale 138 de la lumière polarisée elliptiquement 132 passera et sera focalisée sur l'élément sensible 140 au moyen d'unc lentille 142.La grandeur du signal reçu par l'élément sensible 140 à tout instant est donc une fonction de la biréfringence du point particulier étant irradié à cet instant sur l'élément 110. De cette manière, la-biréfringence induite par l'élément à PIP llo peut être utilisée pour lire le modèle d'information mémorisé dans l'élément 110. L'élément de polarisation plane 13 peut être orienté pour détecter seulement la lumière polarisée sortie la lumière entrante, vecteur 114, et exclure la lumière polarisée comme la composante 138. Dans ce cas, la sortie reçue par l'élément sensible 140 sera un négatif du modèle mémorisé. La sortie de l'éldment sensible 140 peut être distribuée à une bande magnétique, à des tubes image, ou à d'autres milieux d'enregistrement divers pour la mémorisation, la reproduction ou la transmission en série, ou bien elle peut être recomposée par un mouvement en trame similaire pour repro- duire le modèle original ou son négatif. Sinon, dans le mode de réalisation de la Figure 10, une lame quart d'onde 144 peut être positionnée entre le laser 112 et l'élément 110 pour transformer la lumière polarisée plane, vecteur 114, provenant du laser 112, en une lumière polarisée elliptique- ment. Une lame quart d'onde fabriquée en un corps biréfringent peut être taillée pour fournir une différence de phase ou un retard de 900 entre ses axes lent et rapide, voir discussion des Figures 3, 4 et 5.En orientant la lame 144 de façon à ce nue le vecteur 114 partage en deux l'angle formé par ses axes rapide et lent, on obtient de la lumière polarisée circulairement, vecteur 146. La lumière polarisée circulairement peut être représentée par un vecteur champ qui tourne constamment de façon à ce cue la direction du vecteur change constamment. Quand on utilise de la lumière polarisée circulairement pour balayer l'élément 110, la lumière sortant de la zone 70' où il n'y a ni champ ni biréErin- gence, est encore polarisée circulairement, tandis que celle qui émerge de la zone 74', ou il y a un champ et une biréfringence, a subi une distorsion pour prendre une certaine autre forme elliptique.On peut de nouveau utiliser l'élément 134 pour faire passer ou bloquer diverses composantes du champ elliptique, comme on l'a préalablement expliqué. Un avantage dérivant de l'utilisation d'une lumière entrante polarisée circulairement est un résultat de la rotation du champ qui fournit de la lumière polarisée ayant une direction changeant constamment. Donc, le dispositif de Pockel dans lequel les axes lent et rapide de chaque cristallite ne sont pas alignés avec ces axes dans toute les autres cristallites dans le dispositif, peut être utilisé dans l'appareil : le champ tournant produit une lumière sortante provenant d'un tel dispositif indépendante de tout non-alignement des cristallites. C'est-à-dire, il preduira une sortie identIque à celle qu'il y a quand toutes les cristallites sont convenablement alignées l'une avec l'autre et correctement orientées par rapport à la lumière entrante polarisée plane.A moins que le dispositif de -ocl;el soit produit soigneusement, les axes des cristallites individuels ne seront pays uniformiment alignés. Un second avantage que l'on a à utiliser de la lumière polarisée circulairement, c'est-à-dire de la lumière formée par deux rayons lumineu. ayant une différence de phase de 900, dérive de la nature des analyseurs, élément 13z., utilisés.La caractéristique de transfert 148, Figure 11, d'un analyseur typique représentant la variation de la sortie avec les variations du retard, montre que la sortie de l'analyseur augmente de façon non-lindaire avec l'augmentation du retard au-dessous et au-dessus de la zone 150 près du point de retard d'un quart de longueur d'onde t A Près de la région 150 les petites variations dans la sortie de l'analyseur sont pratiquement linéaires par rapport aux varia tions du retard.En utilisant de la lumière polarisée circulairement, tout le système est polarisé pour fonctionner au point de repos de A ; de petites incursions dans l'une ou l'autre direction en partant de ce point, augmentant ou diminuant le retard, provoqué par la biréfringence dans l'élément 110, seront donc dans la zone linéaire de fonctionnement. Le fait que l'élément 110 provoque une avance, c'est-à-dire une diminution du retard, ou une augmentation du retard de la lumière le traversant, dépend de la polarité du champ électrique appliqué. Les axes rapide et lent établis par un champ deviennent, respectivement, les ases lent et rapide établis par un champ de polarité opposée. Dans une autre variante de dispositif, une seconde lame quart d'onde 152 est interposée entre l'élément 110 et l'élément 134. Cette lame 152 est cependant placée de façon à ce que les positions de ces axes lent et rapide soient interchangées par rapport aux positions des axes respectifs dans la lame 144. Le résultat est que la lumière qui passe le long de l'axe lent de la lame 144 et qui était retardée de 900 par rapport à la lumière passant le long de son axe rapide, passe maintenant le long de l'axe rapide et sera avancéede 900. Ainsi, la lame 152 est fabriquée pour compenser complètement l'effet de la lame 144 et la lumière atteignant l'élément 134 sera donc une lumière polarisée elliptiquement dérivant seulement de la biréfringence de l'élément 110.L'élément 134 peut être utilisé pour dériver une information négative ou positive comme on l'a préalablement appliqué, et l'utilisation d'une lentille 142 et d'un détecteur 1'40 est, de plus, similaire à leur utilisation dans d'autres dispositifs possibles. L'invention peut être réalisée en utilisant une technique de lecture en parallèle ainsi qu'une technique de lecture en série, qui résulte du dispositif de balayage resserré par faisceau, Figure 10. Un tel appareil de lecture en parallèle est représenté dans la Figure 12 dans laquelle une source de lumière polarisée plane 154 dont la lumière est collimatée par une lentille 156 et projetéé sur un photoélectret-élément de Pockel 158 baigne simultanément chaque partie de la surface de l'élément par de la lumière. Une lame quart d'onde 160 peut être interposée entre la lentille 156 et l'élément 158 ou entre une source 154 et la lentille 156 pour des raisons expliquées préalablement ici.La lumière sortante polarisée elliptiquement émergeant de l'élément 158 passe à travers un analyseur qui peut être de nouveau un élément de polarisation plane 162 et une composante choisie du champ elliptique est passée à un milieu d'enregistrement, dans ce cas un tube de mémorisation d'image 164 peut être lu en série. D'autres milieus d'enregistrement, permanents (films) ou temporaires, peuvent être utilisés pour recevoir une lecture en parallèle. De nouveau, on peut employer une lame quart d'onde 166 entre l'élément 158 et l'élément 162. Un autre mode de réalisation de l'invention, dans lequel à la fois les composantes parallèles et perpendiculaires de la lumière polarisée elliptiquement sont utilisées, est représenté dans la Figure 13. Une source de lumière polarisée plane 170, qui peut être conçue pour un balayage, comme le laser 112 dans la Figure 10, donne un faisceau étroit de lumière à travers le photoclectret-élement de PocI1 172. La lumière sortante polarisée elliptiquement provenant de l'élément 172 est décomposée en des : composantes perpendiculaires, dans ce cas une composante verticale et une composante horizontale, et dirigée suivant deux directions différentes par un cristal 174, par exemple un cristal de Glan Thompson, de Rochon ou de Glan.Une paire de lentilles,176, 178 focalisent individuellement les composantes respectives sur des éléments sensibles séparés 180, 182 et la sortie électrique de ces éléments sensibles est soumise à un amplificateur diérentia- teur 184 dont la sortie représente le modèle brillant-sombre de l'information mémorisée dans l'élément 172. Les lames quart d'onde 186, 188, peuvent également être utilisées. Un avantage de ce dispositif est qU'il élimine toute erreur introduite par des facteurs qui influencent les deux zses des corps électro-optiques comme par exemple les fluctuations dans la sortie de la source lumineuse. Sous un autre aspect, la présente invention est également caractérisée par une méthode de modifications du contraste d'une image photographique au cours du tirage. En réalisant cet aspect, un mode de réalisation de l'invention fournit une source lumineuse qui fournit une lumière polarisée plane à un corps photoconducteur à travers une diapositive-image que l'on essaie de tirer. Un tel node de réalisation est illustré dans la Figure 14 dans laquelle est représenté un élément typique 200 formé d'une couche photoconductrice 202 et d'une couche électro-optique 204 entre des électrodes transparentes 206 et 208. La couche électrooptique 204 présente une biréfringence, comme cela a été discuté préalablement. De la lumière collimatée provenant de la source 210 passe à travers un polariseur plan 212 dé façon à ce que la diapositive 21 supportée entre les plaques de verre 216 et 218 soit unifor ment irradiée . Puisque la diapositive 214 n'a pas une densité uniforme, l'intensité de la lumière atteignant la couche photo- conductrice 202 à travers 11 électrode 206 n'est pas uniforme et varie en porportion inverse de la densité de la diapositive 214 : davantage de lumière passe à travers les zones moins denses 217 de la diapositive 214 et moins de lumière passe à travers les zones plus denses 219 de la diapositive 214. La couche photoconductrice 212 est un corps dont la conductance varie directement avec l'intensité de la lumière qui lui est incidente. C'est-a-dire, la conductance augmente par eaposi- tion à la lumière. Donc, la lumière la plus intense provenant des zones moins denses 217 de la diapositive 214 augmente la conductance des sections 220 dans la couche 202, tandis que peu ou pas de lumière passe à travers les zones plus denses 219 de la diapositive 214 et les sections 222 restent sensiblement à la conductance normale de la couche 202. Une tension continue appliquée sur les électrodes 206 et 208 par la batterie 224 cree un champ uniforme sur les électrodes 206 et 208. Mais, à cause des variations de la conductance de la couche 202 provoquées par la lumière incidente sur cette couche suivant un modèle correspondant à la densité de la diapositive 214, la tension et le champ sur les sections de conductance augmentée 220 sont diminués et, ainsi, les segments adJacents 226 de la couche 204 sont soumis à une plus grande partie de la tension et du champ entre les électrodes 206 et 208.La tension et le champ sur les sections de conductance normale 222 ne sont pas diminués , ainsi les segments adjacents 228 de a couche 204 recoivent une partie du champ total et de la tension totale entre les électrodes 206 et 208 plus faible crue celle que recoivent les segments 226. La couche 202 agit en fait comme un diviseur de tension : le pourcentage de la tension ou du champ donné à la couche 204 dépend de la valeur de l'augmentation de la conductance de la couche 202. Puisque la biré-ringence de la couche 204 augmente avec l'augmentation d'une tension ou d'un chralt appliqué, la lumière passant à travers les segments 226 aura une composante perpendiculaire supérieure à celle de la lumière passant à travers les segments 228. Un analyseur qui peut être sous forme d'un polariseur 230 interposé entre la couche 204 et un milieu photosensible 232 support par des plaques de verre 229 et 231, sur lequel l'image portée par la diapositive 240 est à tirer, peut être positionné pour sélectionner la composante perpendiculaire de la lumière sortante polarisée elliptiquement Provenant de la couche 204. Puisque la composante perpendiculaire augmente avec l'augmentation de la biréfringence qui augmente avec les augmentations du champ appliqué, l'intensité de la composante perpendiculaire choisie par le polariseur 230 est inversement proportionnelle à la densité de la diapositive. Ceci résulte en le fait que l'image transmise au milieu photosensible 232 subit un réhaussement d'image. Si on fait tourner le polariseur 230 de 900 de façon à ce que la composante parallèle, Figure 3, de la radiation de sortie polarisée elliptiquement provenant de la couche 204 soit sélectionnée, il se produit un masquage de l'image. Ceci est du au fait que la composante parallèle décrot avec la diminution de la biréfringence cui décroît avec la diminution du champ appliqué; l'intensité de la composante parallèle choisie par le polariseur 230 est directement proportionnelle à la densité de la diapositive. On peut utiliser divers corps comme couche photoconductrice et divers types de rayonnement peuvent être utilisés pour faire varier la conductance selon sa composition. Un corps électro-ontique typique peut être formé d'orthophosphate de potassium diacide (piu), la couche photoconductrice peut etre formée de sélénium ou de sulfure de cadmium cristallin, et le milieu photosensible peut être du papier pllotograpllique ou un film orthochromatique ou panchromatique sensible à la lumière visible. La radiation utilisée pour exposer la couche photoconductrice ou le milieu photosensig ble n'a pas besoin d'être collimatée si les éléments du système sont en contact intime.Les dispçitions de la couche photoconductrice, de la couche clectro-optique, de la diapositive,et de la source de rayonnement faisant varier la conductance peuvent prendre diverses formes. Par exemple : les couches photoconductrice et électro-optique n'ont pas besoin d'être en contact physique du moment que l'on utilise l'effet de variation de conductance pour influencer le clamp électrique appliqué; la diapositive m peut être une partie d'un ruban de film supportée par des rouleaux ou des dispositifs semblables, et les plaques de verre peuvent être éliminées ou remplacées par d'autres Corps; de la même façon, le milieu photosensible peut être une partie d'un ruban de film plus large; la source de rayonnement faisant varier la conductance peut fournir seulement une fente étroite de rayonnement et/ou peut etre une section étroite de corps; l'une ou plusieurs des diapositive, source, et couche photoconductrice peuvent être déplacées l'une par rapport à l'autre dans une direction perpendiculaire à la fente du rayonnement; de la même façon, la couche électro-optique peut fournir seulement une fente étroite de lumière et/ou peut être une section étroite de corps. L'invention n'est pas limitée au seul corps électro-optique présentant une biréfringence induite, on peut utiliser de nombreux autres types de corps électro-optiques présentant d'autres diverses caractéristiques. Elle n'est pas limitée à l'utilisation avec des photoélectrets, elle peut également être utilisée pour récupérer une information mémorisée au moyen d'un champ électrique interne dans d'autres milieux semi-conducteurs tels que, par exemple, des corps ferroélectriques. De nombreux types de sources de lumière polarisée produisant une radiation plane ou une certaine forme de radiation polarisée elliptiquement peuvent être utilisées; divers types de milieux sensibles aux radiations peuvent entre utilisés pour apprécier la radiation; et divers arrangements des élments peuvent être utilisés pour réaliser des lectures en série et en parallèle selon cette invention. La radiation fournie n'est pas limitée à la lumière visible, elle peut être également une lumière ultraviolette, infrarouge, des rayons X, ou un autre type de radiation électromagnétique pouvant produire le résultat désiré. Si on utilise la radiation pour laquelle l'élément est transparent mais ne fournit pas suffisamment d'énergie pour libérer la PIP, on peut effectuer une lecture non-destructive. R E V E N D I C A T I O N S 1. Un appareil pour moduler la radiation transmise par un milieu électro-optique en fonction d'un champ électrique, comprenant un milieu semi-conducteur dont l'état est influence par la radiation, pour fournir un champ électrique variable; un milieu électro-optique, présentant une caractéristique qui varie avec les variations d'un champ électrique appliqué, associé audit milieu semi-conducteur, pour moduler, en fonction du champ électrique, la rad:i.ation transmise par ledit milieu électro-optique; un moyen d'exposition dudit milieu électro-optique à une radiation, et un moyen de détection de la modulation de ladite radiation, imposée par ledit milieu électro-optique, représentant l'état dudit milieu semi-conducteur 2.L'appareil de la revendication 1, dans lequel ledit champ électrique est un champ électrique interne mémorisé sous forme d'un modèle dans ledit milieu semi-conducteur et dans lequel la modulation de ladite radiation représente le modèle d'information mémorisé dans ledit milieu semi-conducteur. 3. L'appareil de la revendication 1, dans lequel ledit appareil est destiné a la modification du contraste d'une image photographique au cours du tirage, et dans lequel ledit milieu semi-conducteur est un corps photoconducteur dont la conductance varie proportionnellement à l'intensité de la radiation appliquée, pour fournir ledit champ électrique variable. 4. L'appareil de la revendication 3, dans lequel ledit moyen d' exposition dudit milieu électro-optique à la irradiation comprend un moyen d'exposition dudit corps photoconducteur à la radiation d'entrée à travers une diapositive portant une image,- pour faire varier la conductance dudit corps photoconducteur suivant un modèle correspondant à la distribution de densité de l'image portée par ladite diapositive, et comprenant en outre un moyen d'application, à travers ledit corps photoconducteur et ledit corps électro-optique d'un champ électrique qui varie à l'emplacement dudit corps électro-optique en fonction du modèle de conductance dudit corps photoconducteur. 5. Un appareil selon la revendication 1 ou 2 ou 5 ou 4, dans lequel ledit milieu électro-optique est un corps dont la biréçrin- gence varie en fonction d'un champ électrique appliqué. 6. Un appareil selon la revendication 1 ou 2 ou 3 ou 4 ou 5,dans lequel ledit milieu électro-opticue et ledit milieu semi-conducteur sont compris dans un corps unique présentant les caractéristiques des deux milieux. 7. Un appareil selon la revendication 1 ou 2 ou 3 ou 4 ou 5, dans lequel ledit milieu électro-optique et ledit milieu semi-conducteur sont deux corps distincts présentant chacun les caractéristiques de l'un des deux milieux et pas de l'autre. 8. Un appareil selon la revendication 1 ou 2 ou 3 ou 4 ou 5 ou 6 ou 7, dans lequel ledit moyen d'exposition comprend un moyen d'irradiation dudit corps par une radiation d'entrée polarisée. 9. Un appareil selon la revendication 8, dans lequel ledit corps module ladite radiation d'entrée polarisée transmise à travers lui, pour produire une radiation de sortie polarisée elliptiquement et dont l'excentricité varie avec les variations du champ électrique appliqué. 10. Un appareil selon la revendication 9, dans lequel ledit moyen de détection comprend un moyen d'analyse pour la sélection d'au moins une composante de ladite radiation de sortie polarisée elliptiquement, représentant des variations du champ électrique interne dudit milieu semi-conducteur appliqué audit corps. 11. Un appareil selon la revendication 1 ou 2 ou 3 ou 4 ou 5 ou 6 ou 7 ou 8 ou 9 ou 10, dans lequel ledit moyen d'exposition dudit milieu électro-optique comprend une source de rayonnement, dont le niveau d'énergie est inférieur à celui qui peut dissiper le champ électrique interne dudit semi-conducteur, pour effectuer sa lecture non destructive. 12. Un appareil selon la revendication 1 ou 2 ou 3 ou a ou 5 ou 6 ou 7 ou 8 ou 9 ou 10 ou 11, dans lequel ledit moyen de détection comprend un moyen pour apprécier la grandeur de la modulation de la radiation de sortie provenant dudit milieu électro-optique. 13. Une méthode de récupération d'une information pour la lecture d'une information mémorisée sous forme d'un modèle dans un milieu semi-conducteur au moyen d'un champ électrique interne, comprenant: l'exposition d'un milieu électro-optique à une radiation, C' milieu présentant une caractéristique qui varie avec les variations d'un champ électrique appliqué, et étant associé audit milieu semi-conducteur, pour permettre audit milieu électro-optique de moduler la radiation transmise par lui-même en fonction du champ électrique interne dudit milieu semi-conducteur, et la détection de la modulation de la radiation, imposée par ledit milieu électro-opti-ue, représentant le modèle d'information mémorisé dans ledit milieu semi-conducteur. 14. Une méthode selon la revendication 13, dans laquelle ledit milieu semi-conducteur est un photoélectret. 15. Une méthode- selon la revendication 13 ou 14, dans laquelle ledit milieu électro-optique est un corps dont la biréfringence varie en fonction d'un champ électrique appliqué. 16. Une méthode selon la revendication 13, dans laquelle ledit milieu électro-optique et ledit milieu semi-conducteur sont compris dans un corps unique qui présente les caractéristiques des deux milieu. 17. Une méthode selon la revendication 13, dans laquelle ledit milieu électro-opticrue et ledit milieu semi-conducteur sont deux corps distincts présentant chacun les caractéristiques de l'un des deux milieux et pas de l'autre. LES. Une méthode de modification du contraste des images photogra phiaues au -cours du tirage, comprenant l'exposition d'un corps photoconducteur à une radiation d'entrée, à travers une diapositive portant une image, pour faire varier la conductance dudit corps photoconducteur suivant un modèle correspondant à la distribution de densité de 1' image portée par la diapositive; l'application, à travers ledit corps photoconducteur et un corps électro-optique, d'un champ électrique qui varie à l'emplacement dudit corps électro-optique en fonction du modèle de conductance dudit corps photoconducteur; 1'e:position dudit corps électro-optique à un rayonnement d'entrée; et l'exposition dlun milieu photosensible à une partie du rayonnement de sortie modulé produit par ledit corps électro-optique, l'intensité de ladite partie dudit rayonnement de sortie modulé variant suivant un modèle correspondant à la distribution de densité de l'image portée par la diapositive.