FR 2011964 A1 19700313 FR 6920310 A 19690618 69 20310 1 2011964 La présente invention concerne un procédé de fabiricâtion-d'ûn dispositif semiconducteur dans lequel un corps semiconducteur est dopé localement par diffusion alors qu'au cours du procédé de diffusion, une couche de matière de masquage -contenant une impureté est appliquée sur 5 une partie de la surface du corps semiconducteur, tandis qu'une autre partie de la surface semiconductrice n'est pas masquée. L'invention se rapporte aussi à un dispositif semiconducteur fabriqué" selon ôe~procédé. On entend ici par dispositif semiconducteur des diodes, des transistors, des thyristors, des transistors à effet de champ et des cir-10 cuits intégrés. ' ••• =' •' - :» ' - On entend pâï impureté une* matière de dopage 'peut influencer les propriétés de conductivité du corps semiconducteur,' par exemple le type de conductivité et/ou la résistivité électrique du corps semiconducteur. L'impureté peut être choisie, par exemple, parmi des donneurs 15 et/ou des accepteurs du corps semiconducteur. Dans la technique des dispositifs semiconducteurs "du type -planaire, on utilise une couche de matière de masquage non seulement pour constituer un cache en vue de la diffusion locale d'impuretés en phase gazeuse mais aussi à d'autres fins, par exemple comme source de diffusion 20 d'impuretés, comme blindage contre les influences âe l'atmosphère et comme couche isolante de la surface du semiconducteur. La couche peut être par exemple, en .. silicate,d'aluminium, «n oxyde de silicium et/ou en nitrure de silicium et éventuellement en plusieurs de ces matières qui, si on le désire, peuvent constituer 25 plusieurs parties contiguës et/ou empilées de la couche. Dans le cas de procédés connus du type décrit dans le préambule lavoir le brevet améri-cain H° 3.200.019), le corps semiconducteur ëdt porté à une tanpôaluie pouvantpro-voquer la diffusion de l'impureté se trouvant dans ia!~couéhe'Vë*s>là partie contiguë du corps semiconducteur voisine de la couche. 30 Dans le cas d'un tel procédé, l'impureté peut, telle qu'elle est ou sous la forme d'un composé volatil de l'impureté,* s'échapper par évaporation de la couche à la température de diffusion, ce qui offre le risque que 5-'impureté peut diffuser dans.la partie non masquée de la surface du semiconducteur. Il est notamment souvent difficile d'empêcher que 35 le courant gazeux n'entraîne l'impureté vaporisée vers la partie non masquée. Le procédé cité dans le préambule n'est cependant pas limité à la diffusion dans un courant de gaz. Lorsqu'il y a diffusion dans un espace fermé, les inconvénients précités sont beaucoup plus marqués. La présente invention a pour but d'éviter,tout au moins dans 40 une grande mesure,l'inconvénient précité. L'invention est basée sur 69 20310 2 2011964 l'idée que.la- diffusion de l'impureté-de la matière de masquage vers la partie non masquée dej-la surface semiconductrice peut être empêchée en captant directement- daûa sa phase gazeuse -l'impureté ou tout composé de celle-ci dès que cette impureté se dégage à la surface supérieure de la 5 .couche,.de tell.e façon que la possibilité d'un contact entre l'impureté et la partie non-masquée soit -en. pratique entièrement supprimée ou tout au moins fortement diminuée. - Gela étant, le procédé de l'invention est caractérisé en ce que la.diffusion de l'impmreté provenant de la couche de matière'de mas-10 quage vers la partie non masquée de la surface est empêdhée en faisant se dérouler le processus de-diffusion en présence d'unë matière semiconductrice- pulvérulente. '• • La prégenae de la matière semiconductrice pulvérulente en une , quantité proportionnelle à la grandeur de la surface a pour effet que la 15 partie non masquée, c'est-à-dire la partie libre de la surface semiconductrice, et la surface de la matière pulvérulente sont en concurrence pour capter l'impureté» Enrjapticulier, l'opération de diffusion -est simplifiée si le corps semiconducteur et la poudre peuvent être maintenus à la même température. Il est donc.préférable.d'utiliser comme matière pulvéru-20 lente la même matière semiconductrice que celle d'à corps semiconducteur. .En ce qui concerne le processus de diffusion et de captation, il est important qu'une atmosphère appropriée entoure le corps semiconduc-teur et la poudre semiconductrice. La diffusion se déroule donc, de préférence, dans un espace clos. ' . 25 ; L'action eap.tatrice de la poudre peut souvent être améliorée lorsque .l'atmosphère djans laquelle .le processus se déroule est'exempte de matières inertes constituant des obstacles^, au. déplacement d'Impuretés en phase gazeuse. Par conséquent, 1 '.espace dans lequel le processus de diffusion se déroule est préalablement évacué et clos hermétiquement. 30 - te procédé selon la présente invention présente de nombreux . avantages» Il en est,tpar exemple, ainsi lorsque la. couche de BAD ORiGINÂi. 69 20310 3 201î964 la présente invention, l'impureté provenant de la couche de matière de masquage est diffusée dans la partie sous-jacente du corps semiconducteur. Ceci a pour avantage principal que le dopage d'un corps semiconducteur à l'endroit où. il est recouvert par une couche de masquage peut s'effectuer 5 sans risque de doper la partie libre de la surface. La diffusion de l'impureté ne doit pas s'effectuer dans toute la partie du corps semiconducteur se trouvant au-dessous de la matière de masquage. Cette diffusion peut, au contraire, être limitée si, selon une forme d'exécution préférée du procédé de la présente invention, l'im-10 pureté n'est introduite que localement dans la matière de masquage con-tiguë à la surface semiconductrice. Le procédé de la présente invention est particulièrement intéressant dans le cas où. au moins une autre impureté est diffusé^ provenant de la phase gazeuse, dans la partie non masquéè de la surface semi-15 conductrice. En particulier, lorsqu'une impureté en phase gazeuse est diffusée, il est important qu'une poudre semiconductrice de capiation soit présente afin d'empêcher la diffusion d'impuretés provenant de la couche de masquage au même endroit, à savoir la partie non masquée de la surface semiconductrice. Ceci a pour effet qu'il est possible de diffuser 20 simultanément et de façon bien séparée plus d'une impureté dans le corps semiconducteur, par exemple une impureté provenant de la couche de masquage et xine impureté provenant de la phase gazeuse, ce qui permet de supprimer un grand nombre d'opérations. Plusieurs^ moyens peuvent être utilisés comme source de diffu-25 sion^pour des impuretés à partir de la phase gazeuse. Etfcieffet, l'impureté peut être appliquée comme élément ou comme composé soit sous la forme pulvérulente soit sous la forme compacte. L'impureté peut aussi être mélangée à une charge inerte. De préférence, la matière semiconductrice pulvérulente appli-30 quée contiendra sous forme pulvérulente l'impureté qui est diffusée provenant de la phase gazeuse. L'utilisation d'une poudre semiconductrice contenant une impureté^ de dopage pour un. corps semiconducteur est bien connue en soi pour la diffusion d'une impureté en phase gazeuse. Toutefois, la poudre semconductriae utilisée dans le procédé selon la présente 25 invention sert en outre à capter l'impureté provenant de la couche de masquage. Une telle poudre a pour avantage d'être utilisée à la fois pour empêcher une diffusion indé»iarable de l'impureté provenant de la couche de masquage dans la partie non masquée de la surface et pour provoquer la diffusion de l'autre impureté. 40 ne préférence, la poudre semiconductrice appliquée contient 69 20310 4 2011964 l'impureté qui est diffusée provenant de la phase gazeuse sous forme d'une solution solide. Ceci permet au procédé de diffusion, d'obtenir des résultats bien prévisibles et reproductibles. En outre, lors de la diffusion, il se forme un équilibre stationnaire grâce auquel la concentration en 5 impureté qui est diffusée^provenant de la phase gazeuse, à la surface semi-conductrice peut être environ égale à la concentration de cette impureté dans la poudre semiconductrice. Comme matière semiconductrice, on peut utiliser, par exemple, les corps connus comme le silicium et le germanium, XII Y leurs cristaux de mélange et leurs composés tels que les composés A -B . 10 Pour l'impureté dans la matière de masquage et l'impureté qui est diffusée provenant de la phase gazeuse, on peut choisir les éléments qui sont connus comme étant des donneurs et des accepteurs pour les Ratières semiconductrices précitées. Il est connu que des composés d'éléments de dopage non volatils peuvent être très volatils. C'est ainsi 15 qu'il est possible de diffuser des régions p «t n dans le corps semiconducteur à l'aide respectivement d'oxyde de bore fortement volatil à haute température faisant partie d'une couche de silicate recouvrant un semiconducteur en silicium et de phosphore élémentaire faisant partie d'une source constituée par du silicium en poudre, par chauffage à 1000°C - 1300^» 20 II semble cependant que le processus de diffusion provoquant la diffusion de bore et de phosphore dans le corps semiconducteur se déroule à la même température de diffusion si l'on utilise de l'oxyde de phosphore comme impureté dans la couche de phosphore de masquage et le bore peu volatil sous forme d'élément ou de solution comme impureté faisant partie de la 25 poudre semiconductrice. Ce résultat inattendu est peut-être dit h, certains équilibres déterminés dans la phase gazeuse au cours du processus de diffusion où apparaît, à côté du bore peu volatil, Itayde de bore très volatil et, par exemple, à côté du silicium , du monoxyde de silicium et du bioxyde de silicium. 30 L'invention est décrite plus en détail ci-après aveo réfé rence aux dessins annexés et aux exemples donnés- ci-après. La figure 1 est une coupe verticale et longitudinale schématique d'un dispositif pour la mise en oeuvre du procédé selon la présente invention. 35 La fig. 2 est une coupe schématique d'un thyristor fabriqué par le procédé selon la présente invention. La fig. 3 est une coupe schématique d'un transistor connu, et La fig. 4 est une coupe schématique d'un transistor fabriqué par le procédé selon la présente invention. 40 Dans les essais de comparaison et les exemples d'exécution 69 20310 5 2011964 donnés ci-après, on utilise un dispositif comme celui qui. est- représenté à la x ie . 1 « . . j Un tube en quartz (1) (voir fig. 1) d'une longueur d'environ 35 cm et d'un diamètre intérieur d1 environ 3»8 cm contient un support en 5 quartz (2) sur lequel se trouvent un ou plusieurs corps semiconducteurs se présentant sous la forme de rondelles (3) d'une matière semiconductrice, par exemple du silicium monocristallin. Le nombre de.rondelles peut varier fortement, par exemple de 3 à 300» Le diamètre des rondelles est, par exemple, de 2,4 à 3>0 cm et leur épaisseur est, par exemple, d'environ 10 225 microns. Les rondelles sont recouvertes d'une couche de masquage qui se limite à une partie de la surface semiconductrice grâce à une opération préalable de décapage utilisant des techniques de photoréservation bien connues. De ce fait, une partie de, la surface n'est pas-masquée» Le tube en quartz contient aussi une nacelle en quartz (v4j pearfcant, par exemple, 15 12 grammes d'une matière semiconductrice pulvérulente (5} pour 10 rondelles» La granulations de la matière pulvérulente est inférieure .à, 40 microns, ce qui donne, dans le cas d'un tube h..10 rondelles d'un diamètre de 2,4 cm, déjà un rapport entre surface de matière pulvérulente et surface totale, de matière semiconductrice (masquée et non masquée) de plus 20 de 100 ; 1. L'introduction des rondelles (3.) et de matière pulvérulente (5) se fait par l'extrémité ouverte (6). du tube (1)». Le tuhe es/t ensuite évàcué dans un four à 600°C et est soumis à- cuisson pendant une heure, la -5 pression étant maintenue pendant- ces opérations à environ 5.10 Torr. On scelle ensuite l'extrémité ouverte (6) du tube en quartz tout en mainte-25 nant le vide et l'ensemble est chauffé dans un four (7)* .Ce chauffage dure, par exemple, de une à treize heures à, une température d-e 1000°C à 13.0.0°C suivant la vitesse de diffusion des impuretés et.la profondeur de diffusion désirée. L'installation décrite ci-avant a été utilisée pour les exem-30 pies et les essais de comparaison exposés ci-aprèst- ;On peut se faire une idée claire de l'utilité de la matière pulvérulente lorsqu'on fait des essais semblables avec, et sans poudre. On décrira d'abord ces essais. Avant d'introduire une dizaine de rondelles en silicium de type, n ayant une résistivité de 2(3 ohms-cm dans le tube en quartz, les .rondlelles sont 35 pourvues de façon connue à une température relativement basse oïl la diffusion dans }.a matière semiconductrice peut être considérée, comme négligeable, d'une couche de verre au borate en traitant les -rondelles dans une atmosphère gazeuse contenant du silicate tëtraéthylique et du borate triéthylique dans un rapport de volume d'environ 92. s 8. La teneur en 40 bore de la couche de verre est telle qu'on obtient par diffusion, à l'enBAD ORIGINAL 69 20310 6 2011964 droit de la surface semiconductrice sous-jacente par rapport à la couche 20 3 de verre, une concentration en surface de 3.10 «tm>ém .L'épaisseur de la couche de masquage est d'environ 0,4 micron. Cn perce une ouverture dans la couche par photoréservation. En chauffant pendant trois heures à 5 1240°'^, on constate qu'en l'absence de poudre, le bore se met à diffuser dans la partie non masquée dé la surface de sorte que là concentration en hore atteint à l'endroit de la surface semiconductrice non masquée une 20 3 concentration de 2,5«10 atm/cm . Ceci peut être tiré de façon connue de la mesure de la résistance par unité de surface et de la profondeur de 10 pénétration du hore dans la partie non masquée de la surface semiconductrice. La résistance est déterminée par une mesure de résistance en quatre points et la profondeur de pénétration est définie par rodage de la surface de la rondelle à un angle de 6°, suivi d'un traitement par une solution d'ions de cuivre, ce qui a pour effet que les régions $ et n" 15 prennent des colorations différentes. . Si, au contraire, 12 g de silicium .pulvérulent ayant une granulation inférieure à 40 microns sont présents, la diffusion de bore dans la partie, non masquée de la surface conductrice atteint une concentra- 19 /3 . tion superficielle inférieure à 10 atm/cm .Si la matière pulvérulente 19 .3 20 contient 10 atm/cm ,1e silicium intialement de type n reste de type n. Exemple 1. _ . On diffuse dans les deux faces d'une rondelle .de silicium de type n, ayant une résistivité de 20 ohmsrcm (voir fig. 2) de l'aluminium de manière à créer les zones (23) et (28) d'une épaisseur de 53 microns, 25 ces zones étant séparées par une zone (27) de matière initiale ayant une épaisseur de 119. microns. On applique ensuite sur la rondelle une couche de verre au borate (21), (.25) comme cela a été décrit et on perce une ouverture (26), On diffuse ensuite simultanément du bore et du.phosphore dans le corps semiconducteur, le bore provenant de la couche fie verre et 30 le phosphore provenant du silicium pulvérulent contenant du phosphore, le tout ayant été introduit dans le tube en quartz,, A cet effet, on peut ' * 23_ 3 partir d'un mélange classique de silicium pulvérulent contenant 10 atavém. . de phosphore et on peut ensuite allonger avec du cilieium pulvérulent pure. Le proaessus de diffusion dure une heure et se fait à I240°G. Le bore 35 forme, au-dessous de la couche de verre, les régions (22) et (29) ayant une épaisseur de 10 microns tandis.que le phosphore forme,au travers de l'ouverture (26), la région (24) ayant une épaisseur de 11 microns. Après le processus de diffusion, la concentration en phosphore à la. surf ace semiconductrice çst de 2.102 40 concentration moyenne du phosphore dans le silicium pulvérulent. BAD ORIGINAL 69 20310 7 2011964 La configuration n-p-n-p ainsi obtenue par la diffusion peut être transformée de façon connue en un thyristor par application d'un contact de cathode sur la région (24), d'un contact d'anode sur la région (29) et d'un contact de commande sur la région (.22). 5 Dans une variante de l'exemple donné, le phosphore fait par tie de la couche de verre et le bore fait partie du silicium pulvérulent. Ceci peut être obtenu, par exemple, en fabriquant la matière pulvérulente dopée au bore à partir d'une carotte obtenue par tirage d'un bain de silicium fondu contenant du bore. La concentration en bore de la matière 19 20 3 10 pulvérâlrnmte peut, par exemple, être comprise entre 10 et 5*20 atm/cm tandis que la concentration en phosphore de la couche de masquage peut TQ être telle que la concentration en surface à la diffusion atteigne 10 & 10atm/cau. Il n'est pas indispensable que l'impureté faisant partie de 15 la couche de masquage et l'impureté diffusée en phase gazeuse aient des types de conductivité opposés. Grâce au procédé de la présente invention, les difficultés connues de préparation de dispositifs semiconducteurs peuvent être surmontées. Si notamment on fabrique de façon connue un transistor par deux 20 procédés de diffusion planaire successifs (voir fig» 3) de manière à obtenir par diffusion d'abord une base (32J et ensuite un émetteur (31)» la diffusion de l'émetteur a pour effet, si la base se trouve au-dessous de l'émetteur, de faire pénétrer cette base de la surface vers l'intérieur du corps semiconducteur, de sorte que la jonction base-collecteur pré-25 sente une enflure (33) lui a une influence néfaste sur les propriétés électriques du transistor. Comme cela est exposé dans 1*exemple donné ci-après, le procédé selon la présente invention permet Ae supprimer cette enflure» Exemple 2 30 On forme une couche de verre au bore (41) sur une couche épi- taxiale (47)-présentant une résistance spécifique de 1,5 ohm»cm et une épaisseur de 4»2 microns, cette couche recouvrant uile rondelle (48) en silicium de type n dopé au Sb et présentant une résistance spécifique de 0,007 ohm. cm (.voir fig. 4)» On perce une ouverture (42) dans la couche 35 de verre par la technique de photoréservation. L'autre face de la rondelle est, par exemple, protégée contre les diffusions par une couche de Terre non dopée. 21 r 3 19 Le silicium pulvérulent contient 10 atm/cm As et 10 atjç/cm B, ces impuretés étant diffusées par l'ouverture (42) de la couche 40 de verre dans le corps semiconducteur, de manière à former respectivement 69 20310 8 2011964 la région de type n (43) et la région de type p (46). L'opération de diffusion dure une heure et se fait à une température de 1050°C» On obtient au-dessous de la couche de verre ^42) une concentration superficielle de 20 3 3.10 atn/cm de bore. Dans l'exemple donné, une double diffusion de bore 5 s'effectue simultanément, l'une avec une forte concentration superficielle à partir de la couche de verre (41) et l'autre avec une faible concentration superficielle à travers 1*ouverture (42) dans la couché de verse* Dw fait de la diffusion lente et de la forte concentration en As, celui-ci devient prépondérant, dans la partie non masquée (43)» d'une épaisseur de 10 0,25 micron,du corps semiconducteur, surtout près de la surface de sorte que le bore pénètre plus profondément dans le corps semiconducteur, Cette profondeur de pénétration est plus forte pour le bore diffusant de la couche de verre dans le corps semiconducteur, là où la position de la jonction collecteur-base porte la référence (45) (profondeur 1,5 micron) 15 que pour le bore qui diffuse Itravers l'ouverture (42} oè \a position jJe la jonction collecteur-base porte la référence (44) (profondeurî 0,54 micron)* On obtient ainsi la forme de transistor schématisée à la fig» 4 avec la région de base (46)• L'expérience montre qu'il est possible de contrôler avec précision la longueur et la largeur de la base et que le 20 transistor construit à l'aide du procédé de la présente invention ne présente pas l'enflure précitée. Exemple 31 Le thyristor décrit dans l'exemple 1 peut aussi être fabriqué par une opération de diffusion puisque Al peut diffuser au travers d'une 25 couche de verre» ïïne couche de verre au borate (21), (25) est appliquée sur 1s deux faces d'une rondelle de silicium de type n comme cela est déerit ci-dessus (voir fig. 2)» Sur une face, en pratique une ouverture (26) dans la couche de verre au borate par photorés ervation. La/mendellft est. «BSuit® 30 chauffée dans un tube en quartz comme cela est indiqué & la fig. 1, ce tube contenant le silicium pulvérulent, & savoir 3 g de silicium d'une résistance spécifique supérieure à 200 ohms.cm portant une pointe de Al «A ^ de 7 ag et 3 g de silicium pulvérulent contenant 2.10 *ti/cm . Par diffusion pendant treize heures àl240°G, on obtient les régions de diffusion 35 1.22) et (29) ayant une épaisseur de 33 microns et destinées à venir plus tard en contact avec les couches respectives (23) et (28)» Dans la couche (23) qui a une épaisseur d'environ 53 microns comptée à. partir de la surface de diffusion, il y a prépondérance de Al qui diffuse beaucoup plus rapidement que As. En outre, Al diffuse aussi à travers la couche de 40 verre au borate (22). La région de diffusion (24) de As a une profondeur 20310 9 2011964 de 11 microns. D'autre part, sur la face de la rondelle entièrement recouverte d'une couche de verre au "borate (25), on diffuse une couche de "bore (29) allant jusqu'à une profondeur de 33 microns au-dessous de la surface semiconductrice. Au-dessous de cette couche de "bore se trouve aussi 5 une couche d'aluminium 1.28) d'une épaisseur de 53 microns. La région' ! 27) d'une épaisseur de 119 microns constitue ce qui .reste de la'^crndelle de type n de départe "Jn utilisant le procédé selon la présente invention, on peut obtenir un-thyristor, Les rondelles semiconductrices décrites ci-dessus sont traitées de façon connue par la technique de ïtrfcaréservation 10 de manière à, si ..cela est nénessaire, mettre à nu les parties de la surface, semiconductrice où des contacts doivent être établis, après, quoi on place les contacts sur les parties non masquées et. .on recouvre les; dispositifs semiconducteurs d'une couche de protection. Si la rondelle contient plusieurs dispositifs semiconducteurs,, on la subdivise, -on monte les con-15 tac.ts, on applique, si nécessaire, une couche de passivation e.t on met le tout dans une enceinte appropriée. Les exemples précédents ne montrent pas toutes les possibilités du procédé selon la présente invention. Par exemple, on peut de cette manière fabriquer des diodes, par exemple des diodes de Zener. ceci se fait entièrement de. la même -façon., que?-pour le 20 transistor de l'exemple 2, avec cette différence cependant que Le substrat consiste cette fois en du silicium dopé de -bore (.résistance:.spécifique de 0,1 ohm.cm) et que ce n'est pas du bore mais du phosphojre- .qui" diffuse de la couche de verre dans le corps semiconducteur,, ceci avec la même concentration superficielle que dans le cas du bore. • •• -t~ 25 Par exemple, l'impureté présente dans la matiè.rë de..masquage voisine de la surface semiconduetrice peut être introduite localement seulement. - Cn peut ainsi, provoquer une diffusion de.,Al en, un. endroit où il n'y a pas d'autres diffusion d'impuretés. A côté,des.impuretés précitées, on peut aussi cité (ia, In, 8b ■ et Bi.à titre d'impureté dans la 30 couche de matière de masquage ou à titre^d'impur.eté..di£fuséeyeh-phase gazeuse. D'autre part, pour la matière, semiconductrice,-on- n'est pas limité au silicium. On peut aussi utiliser comme matière semiconductrice, du germanium et des composés A"'""*""'' - bT* . bad original 69 20310 10 2011964 R;:Vëiî5I CATIONS; 1. Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur dans lequel un corps semiconducteur est dopé localement par diffusion alors qu'au cours du procédé de diffusion une couche de matière de masquage contenant 5 une impureté est appliquée sur une partie de la surface du corps semiconducteur tandis qu'une autre partie de la surface semiconductrice n'est pas masquée, caractérisé en ce que la diffusion de l'impureté provenant de la couche de matière de masquage vers la partie non masquée de la surface est empêchée en faisant se dérouler le procédé de diffusion en pré-10 sence d'une matière' semiconductrice pulvérulente. 2. "Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en. ce que la matière pulvérulente utilisée est la même matière semiconductrice que celle du corps semiconducteur. ' , 3. Procédé suivant la revendication 1 ou 2, caractérisé;en ce 15 que la diffusion se déroule dans un espace clos. 4» Procédé suivant la revendication 3» caractérisé en cê que l'espace dans lequel se déroule lé processus de diffusion est préalablement évacué et clôs hermétiquement. .. ' 5« Procédé suivant l'une quelconque des revendications précé- -"S * C 20 dentes, caractérisé en ce que 1'^mpiirêtil provenant de la. couche de matière " de masquage est diffusée dans la partie sous-jacente du> corps semiconducteur. " 6. Procédé suivant Mt revendication'5 caractérisé en ce que l'impureté n'est "introduite 4ue* localement dans la matière contigug à la 25 surface semiconductriGâ* . ' ~j 7« Procédé suivant l'une quelconque des. revendications précé dentes, caractérisé eh" ce qu'au moins une autre impureté est diffusée, provenant de la phase gazeuse, dans la partie lion masquée de la surface semi-conductrice. 30 8. Procédé,.suivant la revendication 7» caractérisé en ce que la matière semiconductrice pulvérulente contient une impureté qui est diffusée, provenant; de la phase.gazeuse sous forme pulvérulente. 9« Procédé suivant la revendication 7 ou 8,' caractérisé en ce que la matière semiconductrice pulvérulente contient une impureté qui est 35 diffusée, provenant de la phase gazeuse sous forme d'une solution solide. 10. Dispositif semiconducteur fabriqué par le procédé selon l'une quelconque des' revendications précédentes. BAD ORIGINAL