Brevet FR3073321A1 (20190510)

REVENDICATIONS1. Procédé de cristallisation d'une couche utile à l'aide d'un rayonnement laser de longueur d'onde X, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) fournir un substrat support (10) comprenant deux faces principales dites face avant (11) et face arrière (12) ; b) former sur la face avant (11) du substrat support (10) une couche d'interface (20) faite de premières nano particules métalliques (21) disjointes les unes des autres et non radiatives intrinsèquement à la longueur d'onde X; c) former la couche utile (30) sur la couche d'interface (20), la couche utile (30) étant faite d'un matériau à l'état amorphe, d'indice de réfraction n à la longueur d'onde X, et d'une épaisseur utile E, de sorte que le produit nE soit égal à X/4 à ±X/40 près, avantageusement à ±X/80 près, d) former sur la couche utile (30) une couche plasmonique (40) faite de secondes particules métalliques (41) disjointes les unes des autres, radiatives à la longueur d'onde X; e) appliquer le rayonnement laser de longueur d'onde X sur la face arrière (12) du substrat support (10), selon une incidence essentiellement perpendiculaire à ladite face arrière (12), l'intensité du rayonnement laser étant supérieure à une intensité seuil, l'intensité seuil étant une intensité au-dessus de laquelle une diffusion inélastique de lumière par les premières (21) et secondes (41) particules métalliques se produit, ladite diffusion inélastique provoquant une augmentation de la température des premières (21) et secondes (41) particules métalliques, et initiant un front de cristallisation de la couche utile (30) à partir d'une interface formée entre la couche utile (30) et la couche d'interface (20).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le substrat support (10) est fait d'un matériau au moins partiellement transparent à la longueur d'onde X du rayonnement laser, avantageusement le matériau présente un coefficient d'extinction k à la longueur X du rayonnement laser inférieur à 0,1. 19\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel dans lequel le substrat support (10) comprend au moins une des matériaux choisi parmi : un verre, un matériau plastique, un matériau cristallin. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel les premières nano particules (21) comprennent au moins un matériau choisi parmi : or, argent, cuivre.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel la 10 couche d'interface (20) composée des premières nano particules (21) a un taux de recouvrement de la face avant (11) du substrat support inférieur à 67,6%.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel les premières nano particules métalliques (21) présentent une température de fusion 15 inférieure à la température de changement du substrat support (10).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel la couche d'interface (20) a une épaisseur comprise entre 2 nm et 6 nm. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel la couche utile (30) présente un coefficient d'extinction inférieur à 0,1 à la longueur d'onde X.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la 25 couche utile (30) comprend un matériau isolant, avantageusement le matériau isolant comprend au moins un des éléments choisi parmi : Si02, A1203, Ti02, ZnO, Ta205, Hf02, 1n203ZnS, CdS, ZnSe, MgF2, SiN, Si3N4.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la 30 couche utile (30) comprend un matériau semi-conducteur présentant une bande 20 d'énergie interdite supérieure à 2 eV, avantageusement le matériau semi-conducteur comprend au moins un des éléments choisi parmi : GaN, SiC ou AIN.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une de revendications 1 à 10, dans lequel les 5 secondes particules (41) comprennent au moins l'un des éléments choisi parmi : aluminium, or, argent, cuivre, plomb, tungstène.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel le rayonnement laser de longueur d'onde X est obtenu par un laser continu.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12, dans lequel le laser balaie la face arrière (12) à une vitesse supérieure à 2 mètres par seconde. 'o