Brevet FR3070505A1 (20190301)

REVENDICATIONS1. Structure semiconductrice (1), comportant : o une couche semiconductrice (io) réalisée en un composé semiconducteur cristallin, comportant une membrane suspendue au-dessus d'une couche support (2), la membrane suspendue étant formée : - d'une portion centrale (20), contrainte en tension dans un plan parallèle à la couche support (2), formant un guide d'onde apte à supporter au moins un mode optique (TEoo, TEoi ; TMoo, TMoi) ; et - de plusieurs portions latérales (30), opposées les unes aux autres vis-à-vis de la portion centrale (20), et agencées de manière à maintenir la portion centrale (20) suspendue et contrainte en tension, les portions latérales (30) présentant une largeur moyenne supérieure à une largeur moyenne de la portion centrale, o au moins une cavité optique, délimitée par : - deux réflecteurs optiques (40), disposés dans les portions latérales (30) de part et d'autre de la portion centrale (20); caractérisée en ce que : - la portion centrale (20) est adaptée à transmettre en direction des réflecteurs optiques (40) au moins un mode d'ordre impair (TEoi ; TMo\n<CLM>\1\t; - chacun desdits réflecteurs optiques (40) est formé de deux demi-réflecteurs latéraux (41), distincts l'un de l'autre et agencés de part et d'autre d'un axe longitudinal (A) de la portion latérale (30) dans laquelle ils sont disposés, de manière à réfléchir au moins partiellement ledit mode d'ordre impair (TEo 1 ; TMoi).\n<CLM>\1\tStructure semiconductrice (1) selon la revendication 1, dans laquelle les demi- réflecteurs latéraux (41) présentent chacun un angle principal d'écartement (Op) défini entre un axe médian (An) passant par un centre du demi-réflecteur latéral (41) et par une extrémité (P) de la portion centrale (20) située en regard du demi-réflecteur latéral (41) correspondant d'une part, et l'axe longitudinal (A) de la portion latérale (30) d'autre part.\n<CLM>\1\tStructure semiconductrice (1) selon la revendication 2, dans laquelle l'angle principal d'écartement (Or) est supérieur à 25°.\n<CLM>\1\tStructure semiconductrice (1) selon la revendication 2 ou 3, dans laquelle la portion centrale (20) présente une largeur locale (w), en ses extrémités (P), supérieure à une largeur moyenne (a) de la portion centrale (20), et adaptée de sorte que le mode d'ordre impair 20 (TEoi ; TMoi) présente un angle médian de diffusion (Op,diff) en direction des demi-réflecteurs latéraux (41) sensiblement égal à l'angle principal d'écartement (Op).\n<CLM>\1\tStructure semiconductrice (1) selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans laquelle la portion centrale (20) présente une largeur locale (w), en ses extrémités (P), 5 supérieure ou égale à 13,81am, et dans lequel les demi-réflecteurs latéraux (41) présentent chacun un angle principal d'écartement (Or) supérieur ou égal à\n<CLM>\1\t6. Structure semiconductrice (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle le mode d'ordre impair est le mode d'ordre 1 (TEoi ; TMoi).\n<CLM>\1\tStructure semiconductrice (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans 10 laquelle la portion centrale (20) est adaptée à transmettre en direction des réflecteurs optiques au plus le mode fondamental (TEoo ; TMoo) et le mode d'ordre 1 (TEoi ; TMoi).\n<CLM>\1\tStructure semiconductrice (1) selon la revendication 7, dans laquelle la portion centrale (20) est multimode sur toute sa longueur et présente au moins une dimension transversale telle qu'elle autorise la transmission du mode fondamental (TEoo ; TMoo) et 15 d'au plus le mode d'ordre 1 (TEoi ; TMoi).\n<CLM>\1\tStructure semiconductrice (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans laquelle la portion centrale (20) comporte une partie monomode (21) adaptée à supporter le mode fondamental (TEoo ; TMoo) et, disposés entre les portions latérales (30) et la partie monomode (21), des convertisseurs de mode (22) adaptés à convertir le mode fondamental 20 (TEoo ; TMoo) en le mode d'ordre impair (TEoi ; TMoi).\n<CLM>\1\tStructure semiconductrice (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans laquelle le composé semiconducteur cristallin est un composé à base de germanium. il. Structure semiconductrice (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans laquelle la portion centrale (20) présente une déformation moyenne en tension telle que sa 25 structure de bandes d'énergie est directe.\n<CLM>\1\tSource laser comportant une structure semiconductrice (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans laquelle la portion centrale (20) forme le milieu à gain de la source laser.