Brevet FR3072827A1 (20190426)

REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque, comportant les étapes successives : a) prévoir un substrat (1) en silicium cristallin dopé de type p, comprenant : - une première surface (10) et une deuxième surface (11) opposée, - au moins une surface latérale (12) reliant les première et deuxième surfaces (10,\n<CLM>\1\t; b) former une couche de verre phosphosilicate (2, 20,\n<CLM>\1\tsur les première et deuxième surfaces (10,\n<CLM>\1\tainsi que sur ladite au moins une surface latérale (12) du substrat (1) ; l'étape b) étant exécutée à une température comprise entre 700°C et 900°C, sous une atmosphère 10 comportant un précurseur contenant du phosphore ; c) appliquer un recuit thermique à la couche de verre phosphosilicate (2, 20,\n<CLM>\1\tformée à l'issue de l'étape b) ; l'étape c) étant exécutée à une température comprise entre 850°C et 900°C sous une atmosphère inerte ; d) former une couche antireflet (3) sur la couche de verre phosphosilicate (20) s'étendant 15 sur la première surface (10) du substrat (1) ; e) retirer la couche de verre phosphosilicate (21) s'étendant sur la deuxième surface (11) et sur ladite au moins une surface latérale (12) du substrat (1), tout en conservant la couche de verre phosphosilicate (20) s'étendant sur la première surface (10) du substrat (1). 20\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque, comportant les étapes successives : a) prévoir un substrat (1) en silicium cristallin dopé de type n, comprenant : - une première surface (10) et une deuxième surface (11) opposée, - au moins une surface latérale (12) reliant les première et deuxième surfaces (10,\n<CLM>\1\t; b) former une couche de verre borosilicate (2, 20,\n<CLM>\1\tsur les première et deuxième 25 surfaces (10,\n<CLM>\1\tainsi que sur ladite au moins une surface latérale (12) du substrat (1) ; l'étape b) étant exécutée à une température comprise entre 700°C et 900°C, sous une atmosphère comportant un précurseur contenant du bore ; c) appliquer un recuit thermique à la couche de verre borosilicate (2, 20,\n<CLM>\1\tformée à l'issue de l'étape b) ; l'étape c) étant exécutée à une température comprise entre 800°C et 30 1000°C sous une atmosphère inerte ; d) former une couche antireflet (3) sur la couche de verre borosilicate (20) s'étendant sur la première surface (10) du substrat (1) ; e) retirer la couche de verre borosilicate (21) s'étendant sur la deuxième surface (11) et sur ladite au moins une surface latérale (12) du substrat (1), tout en conservant la couche de verre 35 borosilicate (20) s'étendant sur la première surface (10) du substrat (1). 14\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape b) est exécutée de sorte que la couche de verre phosphosilicate (2) présente une épaisseur comprise entre 2 nm et 50 nm, de préférence comprise entre 2 nm et 10 nm. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel l'étape b) est exécutée de sorte que la couche de verre borosilicate (2) présente une épaisseur comprise entre 2 nm et 150 nm, de préférence comprise entre 2 nm et 10 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2 ou 4, dans lequel la température à laquelle est exécutée l'étape c) est comprise entre 850°C et 920°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel la température à laquelle est exécutée l'étape b) est comprise entre 750°C et 800°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'atmosphère inerte sous laquelle est exécutée l'étape c) est un mélange gazeux comportant du diazote N2 dans une proportion supérieure à 80% en pression partielle.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel l'atmosphère sous laquelle est exécutée l'étape b) est un mélange gazeux comportant du dioxygène 02 dans une proportion inférieure à 10% en pression partielle.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel l'étape e) est exécutée par un 25 agent de gravure chimique, et la couche antireflet (3) formée lors de l'étape d) est réalisée dans un matériau formant une barrière à l'agent de gravure chimique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel l'étape e) est exécutée en plongeant le substrat (1) dans une solution d'acide fluorhydrique HF, présentant un ratio 30 molaire H20/HF compris entre 20/1 et 50/1, et pendant une durée comprise entre 10 secondes et 3 minutes.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel l'étape b) est exécutée dans un four de diffusion. 35 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel la couche antireflet (3) formée lors de l'étape d) est en nitrure de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 12, comportant une étape f) consistant à 5 polir chimiquement la deuxième surface (11) du substrat (1), l'étape f) étant exécutée après l'étape e).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13, dans lequel l'étape f) est exécutée par un agent de gravure chimique, de préférence l'acide fluorhydrique, et la couche antireflet (3) formée lors 10 de l'étape d) est réalisée dans un matériau résistant à l'agent de gravure chimique, ledit matériau étant de préférence un nitrure de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13, dans lequel l'étape f) est exécutée en plongeant le substrat (1) dans un bain d'hydroxyde de potassium KOH. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 15, dans lequel l'étape f) est suivie d'une étape consistant à plonger le substrat (1) dans un bain d'acide chlorhydrique HC1.