Brevet FR3074960A1 (20190614)

REVENDICATIONS1. Procédé de transfert d'une couche superficielle (30) à partir d'une structure démontable (100) comprenant les étapes suivantes : a) Fournir la structure démontable (100) comportant : - un substrat support (10), - une couche démontable (20) disposée sur le substrat support (10) selon un plan principal (x,y) et comprenant une pluralité de parois (21) disjointes les unes des autres, chaque paroi (21) présentant au moins un flanc perpendiculaire au plan principal (x,y) ; - une couche superficielle (30) disposée sur la couche démontable (20) selon le plan principal (x, y) , b)Appliquer une sollicitation mécanique configurée pour engendrer une flexion desdites parois (21), suivant une direction sécante audit flanc, jusqu'à provoquer la rupture mécanique des parois (21), pour détacher la couche superficielle (30) du substrat support (10).\n<CLM>\1\tProcédé de transfert selon la revendication précédente, dans lequel les parois (21) sont réparties dans le plan principal (x,y) selon un réseau prédéfini.\n<CLM>\1\tProcédé de transfert selon la revendication précédente, dans lequel le réseau prédéfini de parois (21) est tel qu'il existe au moins une direction transverse (DT) dans le plan principal (x,y) formant un angle non nul avec un flanc de chaque paroi (21). 25\n<CLM>\1\tProcédé de transfert selon la revendication précédente, dans lequel chaque paroi (21) comprend deux flancs longitudinaux définis par une longueur (L) et une hauteur de la paroi (h), et deux flancs transverses définis par 5 une largeur (1) et la hauteur (h) de la paroi (21), les flancs longitudinaux et transverses étant perpendiculaires au plan principal (x,y).\n<CLM>\1\tProcédé de transfert selon la revendication précédente, 10 dans lequel la longueur (L) de chaque paroi (21) est supérieure à la largeur (1) de chaque paroi (21), et dans lequel la direction transverse (DT) forme un angle non nul avec un flanc longitudinal de chaque paroi (21). 15\n<CLM>\1\tProcédé de transfert selon l'une des revendications 3 à 5, dans lequel la sollicitation mécanique de l'étape b) est une force en cisaillement appliquée à la couche démontable (20) selon la direction transverse (DT). 20\n<CLM>\1\tProcédé de transfert selon la revendication précédente, dans lequel la force en cisaillement est appliquée au moyen d'un rouleau (5), avançant progressivement sur la structure démontable (100), dans le plan principal (x,y) et selon la direction transverse (DT), avec une force 25 d'appui déterminée.\n<CLM>\1\tProcédé de transfert selon l'une des revendications 3 à 5, dans lequel la sollicitation mécanique de l'étape b) est un choc appliqué à la structure démontable (100), 30 selon la direction transverse (DT).\n<CLM>\1\tProcédé de transfert selon l'une des revendications 3 à 5, dans lequel la sollicitation mécanique de l'étape b) est une onde vibratoire appliquée à la structure 26 démontable (100), selon la direction transverse (DT), et apte à faire osciller les parois (21).\n<CLM>\1\tProcédé de transfert selon l'une des revendications 5 précédentes, dans lequel chaque paroi (21) présente une largeur (1), dans le plan principal (x,y), comprise entre 0,1 et 10 microns.\n<CLM>\1\tProcédé de transfert selon l'une des revendications 10 précédentes, dans lequel la largeur de chaque paroi (21) en partie inférieure (212) à proximité du substrat support (10) est inférieure à la largeur de chaque paroi (21) en partie supérieure (211) à proximité de la couche superficielle (30). 15\n<CLM>\1\tProcédé de transfert selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les parois (21) présentent une hauteur (h), perpendiculaire au plan principal (x,y), comprise entre 0,5 et 5 microns. 20\n<CLM>\1\tProcédé de transfert selon l'une des revendications précédentes, dans lequel chaque paroi (21) présente une largeur (1) dans le plan principal (x,y) et une hauteur (h) perpendiculaire au plan principal (x,y) et dans 25 lequel le ratio hauteur/largeur est supérieur à 1, préférentiellement supérieur à\n<CLM>\1\t14. Procédé de transfert selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche démontable (20) de la 30 structure démontable (100) fournie à l'étape a) est formée par gravure locale d'une couche d'oxyde de silicium (25) disposée sur le substrat support (10). 27\n<CLM>\1\tProcédé de transfert selon l'une des revendications 1 à 13, dans lequel la couche démontable (20) de la structure démontable (100) fournie à l'étape a) est formée par gravure locale du substrat support (10). 5\n<CLM>\1\tProcédé de transfert selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape a) comprend le report de la couche superficielle (30) sur la couche démontable (20) par assemblage d'un substrat donneur (3) sur la 10 couche démontable (20) et par amincissement dudit substrat donneur (3) pour former la couche superficielle (30).\n<CLM>\1\tProcédé de transfert selon l'une des revendications 15 précédentes, dans lequel l'étape a) comprend la réalisation de composants microélectroniques (50) sur la couche superficielle (30).\n<CLM>\1\tProcédé de transfert selon l'une des revendications 20 précédentes, comprenant, préalablement à l'étape b), une étape de découpe de la couche superficielle (30) pour délimiter une pluralité de couches superficielles locales à transférer.