Brevet FR3073318A1 (20190510)

REVENDICATIONS1. Point mémoire comprenant un élément de chauffage (116) surmonté d'un matériau à changement de phase (118), deux premières régions d'oxyde de silicium (302, 114D) qui encadrent latéralement l'élément de chauffage selon une première 5 direction, et deux deuxièmes régions (352) d'oxyde de silicium qui encadrent latéralement l'élément de chauffage selon une deuxième direction orthogonale à la première direction.\n<CLM>\1\tPoint mémoire selon la revendication 1, dans laquelle l'élément de chauffage (116) est séparé de chacune des 10 deux premières régions (302, 114D) par une troisième région (310A, 114B, 114C) de nitrure de silicium.\n<CLM>\1\tPoint mémoire selon la revendication 2, dans laquelle les troisièmes régions (310A, 114B, 114C) comprennent des espaceurs. 15\n<CLM>\1\tPoint mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle l'élément de chauffage (116) est séparé de chacune des deux deuxièmes régions (352) par une quatrième région (350) de nitrure de silicium.\n<CLM>\1\tPoint mémoire selon l'une quelconque des 20 revendications 1 à 4, dans laquelle les deux deuxièmes régions (352) ont des bords parallèles à la première direction, et les premières régions (302, 114D) s'étendent entre lesdits bords parallèlement à la première direction.\n<CLM>\1\tPoint mémoire selon l'une quelconque des 25 revendications 1 à 5, dans laquelle l'élément de chauffage est disposé sur un via (108) traversant une couche isolante (106).\n<CLM>\1\tPuce électronique comprenant un point mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à\n<CLM>\1\t8. Procédé de fabrication d'un point mémoire à 30 matériau à changement de phase, comprenant successivement : a) former une première couche (302) d'oxyde de silicium ; B16393 - 17-GR3-0163 14 b) graver partiellement la première couche sur toute son épaisseur en laissant en place une portion de la première couche ; c) former une deuxième couche (116A) en un matériau 5 d'un futur élément de chauffage, la deuxième couche recouvrant un flanc (204) de la portion de la première couche laissée en place à l'étape b) ; d) graver partiellement la deuxième couche sur toute son épaisseur en laissant en place une portion de la deuxième 10 couche recouvrant ledit flanc ; e) former, dans les parties gravées à l'étape b), une troisième couche (114D) en oxyde de silicium d'épaisseur supérieure ou égale à celle de la première couche ; f) définir l'élément de chauffage (116) dans ladite 15 portion de la deuxième couche, en retirant par gravure des portions de la structure obtenue à l'étape e) qui encadrent l'élément de chauffage ; et g) former dans les parties gravées à l'étape f) une quatrième couche (352) en oxyde de silicium d'épaisseur 20 supérieure ou égale à celle de la première couche.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, comprenant : avant l'étape a), former une couche isolante (106) et un via (108) traversant la couche isolante ; et après l'étape e), former un matériau à changement de 25 phase (118).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8 ou 9, comprenant : avant l'étape c), former un premier espaceur (310A) contre ledit flanc (204) ; et avant l'étape d), former un deuxième espaceur (114B) 30 contre la portion de la deuxième couche située sur ledit flanc.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, dans lequel les premier et deuxième espaceurs sont en nitrure de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10 ou 11, comprenant, entre les étapes d) et e), la formation d'un 35 troisième espaceur (1140) contre le deuxième espaceur (114B). B16393 - 17-GR3-0163 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, comprenant, entre les étapes e) et f), la formation d'une manière conforme d'une cinquième couche (350) en nitrure de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 13, dans lequel les portions retirées à l'étape f) délimitent une bande (342) s'étendant dans une direction orthogonale audit flanc (204).