Brevet FR3077420A1 (20190802)

REVENDICATIONS1. Dispositif (1) de dépôt de particules de taille nanométrique sur un substrat (4) caractérisé en ce que le dispositif (1) comprend : - des moyens (2a, 2b, 2c, 2d) dits de production chacun apte à produire, à partir d'une extrémité (60a, 60b, 60c, 60d) des moyens de production (2a, 2b, 2c, 2d), un jet (3) de particules de taille nanométrique, chacun desdits moyens de production étant configuré pour présenter un axe longitudinal orienté dans une première direction (X) définissant un axe de propagation du jet (3), et configuré de sorte que le jet (3) est divergent à partir d'un point P de divergence avec un demi-angle de divergence a par rapport à son axe de propagation, les moyens de production étant agencés de sorte que les différents axes longitudinaux sont parallèles entre eux et sous la forme d'au moins une première colonne (9) et une deuxième colonne (10) décalées l'une par rapport à l'autre selon une deuxième direction (Y) orthogonale à la première direction (X) où la première colonne (9) et la deuxième colonne (10) comportent chacune au moins un moyen (2a, 2b, 2c, 2d) de production, ledit au moins un moyen (2a, 2b, 2c, 2d) de production de la première colonne (9) étant par ailleurs décalé par rapport audit au moins moyen (2a, 2b, 2c, 2d) de production de la deuxième colonne (10) selon une troisième direction (Z) à la fois orthogonale à la première direction (X) et à la deuxième direction (Y), - une chambre (15) d'expansion dans laquelle logent au moins chaque extrémité (60a, 60b, 60c, 60d) des moyens (2a, 2b, 2c, 2d) de production ; - une chambre (5) de dépôt comportant : - ledit substrat (4) - un moyen (7) de préhension du substrat (4), apte à déplacer ledit substrat (4) dans la deuxième direction (Y) - une pluralité de masques (11, 11a, 11b, 11c, 11d) comportant chacun une ouverture (12, 12a, 12b, 12c, 12d), chaque masque étant situé, selon la première direction (X) définissant la direction de propagation du jet, entre un moyen (2a, 2b, 2c, 2d) de production et le substrat (4) si bien que lesdits masques se présentent également sous la forme d'au moins une première colonne (13) et une deuxième colonne (14) décalées l'une par rapport à l'autre selon la deuxième direction (Y) où la première colonne (13) et la deuxième colonne (14) comportent chacune au moins un masque, ledit au moins un masque (11a, 1 lb) 25 de la première colonne (13) étant par ailleurs décalé par rapport audit au moins un masque (11c, 11d) de la deuxième colonne (14) selon la troisième direction (Z), et si bien que, toujours selon la première direction (X) définissant la propagation du jet, les masques (11, 11a, 1 lb, 11c, 11d) sont séparés par une 5 première distance dl du point P de divergence du jet (3) et par une deuxième distance d2 du substrat (4) et chaque ouverture (12a, 12b, 12c, 12d) étant munie d'un centre (Ca, Cb, Cc, Cd) par lequel passe l'axe longitudinal du moyen de production associé, les centres (Ca, Cb ; Cc, Cd) de deux ouvertures les plus proches et appartenant à des colonnes (13,\n<CLM>\1\tdifférentes étant séparées d'une 10 distance a selon la troisième direction (Z) et d'une distance b selon la deuxième direction (Y), chaque ouverture (12a, 12b, 12C, 12d) d'un masque étant inscriptible dans un cercle de diamètre 2disina, l'ouverture (12a, 12c) dudit au moins un masque de la première colonne (13) 15 définissant : - une première portion (23), centrale, dont la largeur L1, définie selon la deuxième direction (Y), est constante, et dont la hauteur H1, définie selon la troisième direction (Z), est également constante, - une deuxième portion (21), dont la largeur L3, définie selon la deuxième direction 20 (Y), est variable selon la troisième direction (Z), l'ouverture (12b, 12d) dudit au moins un masque de la deuxième colonne (14) définissant : - une troisième portion (24), centrale, dont la largeur L2, définie selon la deuxième direction (Y), est constante et égale à la largeur L1, et dont la hauteur H3, définie 25 selon la troisième direction (Z), est également constante, et - une quatrième portion (22), dont la largeur L4, définie selon la deuxième direction (Y), est variable selon la troisième direction (Z), lesdites deuxième portion (21) et quatrième portion (22) étant d'une part situées entre lesdites première portion (23) et troisième portion (24) et présentant d'autre 30 part une hauteur maximale H2, définie selon la troisième direction (Z), identique, la somme S = L3 + L4 des largeurs variables selon la troisième direction de la deuxième portion (21) et de la quatrième portion (22) desdits masques, lorsque ces derniers sont mis en vis-à-vis selon la troisième direction (Z), étant constante et égale à L1, les relations suivantes étant en outre respectées : 26 1 I, 2 a = f 2 (-111 + H2 + H3 -2) et -f- où : Î + c12 5\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1 dans lequel l'ouverture (12a, 12c) dudit au moins un masque de la première colonne (13) et l'ouverture (12b, 12d) dudit au moins un masque de la deuxième colonne (14) ont des formes différentes.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1 dans lequel l'ouverture (12a, 12c) dudit au 10 moins un masque de la première colonne (13) et l'ouverture (12b, 12d) dudit au moins un masque de la deuxième colonne (14) ont des formes identiques.\n<CLM>\1\tDispositif (1) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'ouverture (12a, 12c) dudit au moins un masque de la première colonne (13) et l'ouverture 15 (12b, 12d) dudit au moins un masque de la deuxième colonne (14) présentent une forme hexagonale.\n<CLM>\1\tDispositif (1) selon la revendication précédente dans lequel le masque comprend une bande (26) qui s'étend selon la troisième direction (Z) et séparant chaque 20 ouverture en deux.\n<CLM>\1\tDispositif (1) selon l'une des revendications précédentes, comprenant au moins un système de dépôt (6a, 6b) d'une matrice sur le substrat. 25\n<CLM>\1\tDispositif (1) selon l'une des revendications précédentes comprenant une pluralité de systèmes (6a, 6b) de dépôt d'une matrice sur le substrat, lesdits systèmes (6a, 6b) de dépôt étant agencés de manière symétrique par rapport à la première direction (X).\n<CLM>\1\tDispositif (1) selon l'une des revendications précédentes dans lequel la 30 position du ou de chaque système (6a, 6b) de dépôt de la matrice sur le substrat est réglable, 27 par exemple pour faire varier la distance entre ledit système et le substrat et/ou l'angle de dépôt de la matrice par rapport au substrat.\n<CLM>\1\tEnsemble comportant un dispositif (1) selon l'une des revendications 5 précédentes et un système (40) d'acheminement de particules destiné à alimenter les moyens (2a, 2b, 2c, 2d) de production dudit dispositif (1), le système (40) comprenant des moyens (28, 29, 30, 31, 32,\n<CLM>\1\taptes à générer un aérosol, un orifice (34) critique, un séparateur (35) de flux, une bride (37) de distribution aux moyens 2a, 2b, 2c, 2d) de production et un volume (36) tampon situé entre l'orifice (36) critique et le séparateur (35) de flux, système (40) dans 10 lequel, l'orifice (36) critique est placé avant le séparateur (35) de flux.\n<CLM>\1\tEnsemble selon la revendication précédente dans lequel le volume du ou des canalisations (41) entre l'orifice (34) critique et le séparateur (35) de flux est inférieure ou égale à 10 cm3. 15\n<CLM>\1\tEnsemble selon l'une des revendications 9 ou 10 dans lequel des canalisations (42) entre le séparateur (35) de flux et la bride (37) de distribution sont droites ou faiblement courbées.