Brevet FR3076078A1 (20190628)

REVENDICATIONS1. Dispositif optoélectronique (1), comportant : - un support (io) ; - une pluralité de premières électrodes (20) distinctes, s'étendant longitudinalement au contact du support (io), parallèlement à un axe Ai, chaque première électrode (20) étant formée d'un empilement d'une portion conductrice longitudinale (21) située au contact du support (io) et revêtue d'une bande conductrice de nucléation (22), la portion conductrice longitudinale (21) présentant une résistance électrique inférieure de celle de la bande conductrice de nucléation (22) ; - une pluralité de diodes (2) comportant chacune une première portion (40) tridimensionnelle dopée selon un premier type de conductivité et une deuxième portion dopée (43) selon un deuxième type de conductivité opposé au premier type, les premières portions dopées (40) étant au contact des bandes conductrices de nucléation (22), agencées de sorte que chaque bande conductrice de nucléation (22) est au contact de plusieurs premières portions dopées (40) disposées longitudinalement ; - au moins une couche isolante intermédiaire (30,\n<CLM>\1\trecouvrant les premières électrodes (20) ; - une pluralité de deuxièmes électrodes (50) distinctes, sous forme de bandes conductrices transparentes, s'étendant longitudinalement au contact des deuxièmes portions dopées (43), électriquement isolées des premières électrodes (20) au moyen de la couche isolante intermédiaire (30, 31), parallèlement à un axe A2, l'axe A2 étant non parallèle à l'axe Ai, de sorte qu'une même bande conductrice transparente (50) est au contact de secondes portions dopées (43) d'un ensemble de diodes (2) dont les premières portions dopées (40) sont au contact de différentes bandes conductrices de nucléation (22).\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (1) selon la revendication 1, dans lequel les portions conductrices longitudinales (21) présentent une épaisseur prédéterminée et sont réalisées en un matériau semiconducteur dopé selon le premier type de conductivité, le niveau de dopage et l'épaisseur étant adaptés de sorte qu'un rapport résistivité électrique sur épaisseur des portions conductrices longitudinales (21) est inférieur à celui des bandes conductrices de nucléation (22). 25\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (1) selon la revendication 1011 2, dans lequel les premières électrodes (20) sont isolées transversalement les unes des autres par des tranchées d'isolation (5).\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (1) selon la revendication 3, dans lequel chaque première 5 électrode (20) repose sur une couche isolante inférieure (12) et présente des flancs latéraux (23) qui s'étendent jusqu'à la couche isolante inférieure (12), la couche isolante intermédiaire (31) s'étendant de manière à recouvrir les bandes conductrices de nucléation (22) ainsi que les flancs latéraux (23).\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (1) selon la revendication 4, dans lequel les bandes 10 conductrices transparentes (5o) s'étendent de manière à recouvrir les bandes conductrices de nucléation (22), les flancs latéraux (23) et la couche isolante inférieure (12), et sont électriquement isolées des flancs latéraux (23) par la couche isolante intermédiaire (31).\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (1) selon la revendication 3, dans lequel chaque tranchée d'isolation (5) est comblée par un matériau isolant formant avec les bandes conductrices de 15 nucléation (22) une surface plane.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (1) selon la revendication 6, dans lequel les tranchées d'isolation (5) présentent une largeur comprise entre o,15urn et mum.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (1) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le support (10) comporte une couche semiconductrice dopée (13) selon le deuxième type de 20 conductivité, les portions conductrices longitudinales (21) étant formés dans la couche semiconductrice dopée (13) sous la forme de caissons longitudinaux distincts les uns des autres dopés selon le premier type de conductivité.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (1) selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, dans lequel la couche isolante intermédiaire (30) s'étend de manière plane et recouvre les 25 premières électrodes (20) en étant au contact des bandes conductrices de nucléation (22).\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel chaque bande conductrice transparente (5o) comporte des parties (51) recouvrant un ensemble de deuxièmes portions dopées (43), lesdites parties recouvrantes (51) étant reliées entre elles par des parties de liaison (52) reposant sur la couche isolante intermédiaire (30, 30 31).\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (1) selon la revendication 10, dans lequel les parties de liaison (52) sont recouvertes par et au contact d'une couche conductrice réfléchissante (60). 26\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel le matériau des bandes conductrices de nucléation (22) comporte un métal de transition. 5