Brevet FR3071854A1 (20190405)

REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un composant électronique à hétérojonction (2) muni d'une couche barrière enterrée (3), comprenant les étapes de : -sur un substrat (6) disposé dans une enceinte de croissance épitaxiale en phase vapeur, avec une atmosphère dans l'enceinte présentant une première concentration non nulle en ammoniac, dépôt par épitaxie d'une couche (30) de GaN précurseur de la couche barrière enterrée, cette couche précurseur (30) comprenant une première couche dopée avec un dopant étant du Mg ou du Fe -en maintenant le substrat dans l'enceinte de croissance épitaxiale, placement de l'atmosphère à l'intérieur de l'enceinte avec une deuxième concentration en ammoniac au plus égale au tiers de la première concentration de façon à retirer une partie supérieure de la couche précurseur (30) ; puis -après le retrait de ladite partie supérieure de la couche précurseur, en maintenant le substrat dans l'enceinte de croissance épitaxiale, dépôt par épitaxie, sur ladite couche précurseur, d'une couche de matériau semiconducteur (22) du composant électronique à hétérojonction à fabriquer, ladite couche précurseur formant alors la couche barrière enterrée (3) sous ladite couche de matériau semi-conducteur (22).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant électronique à hétérojonction (2) selon la revendication 1, dans lequel : -le dépôt par épitaxie de la couche de GaN précurseur comprend un dépôt par épitaxie, sur la première couche (30) dopée avec ledit dopant, d'une deuxième couche (10) de GaN dans une atmosphère dans l'enceinte non alimentée en ledit dopant ; -le retrait de la partie supérieure de la couche précurseur comprend le retrait intégral de la deuxième couche (10) de GaN. 30\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant électronique à hétérojonction (2) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel une pression partielle d'ammoniac au moins égale à 200Pa est maintenue dans l'enceinte pendant le retrait de la partie supérieure de la couche précurseur. 35\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant électronique à hétérojonction (2) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit retrait est effectué avec une atmosphère dans l'enceinte comprenant du dihydrogène. ICG011178-DD18048HB FR Depot Texte.docx 14\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant électronique à hétérojonction (2) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit retrait est effectué avec une atmosphère dans l'enceinte qui contient du Cl2 ou du HCI. 5\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant électronique à hétérojonction (2) selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant la répétition de ladite étape de retrait de la partie supérieure de la couche précurseur, le procédé comprenant en outre, entre deux desdites étapes de retrait répétées, une étape de croissance par épitaxie d'une couche de GaN sur ladite couche 10 précurseur, dans une atmosphère dans l'enceinte non alimentée en ledit dopant.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant électronique à hétérojonction (2) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite étape de 15 dépôt par épitaxie de la couche précurseur est précédée par une étape de saturation de la surface de la couche en ledit dopant.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant électronique à hétérojonction (2) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite étape de 20 retrait de la partie supérieure de la couche précurseur comprend le placement de l'atmosphère à l'intérieur de l'enceinte avec une concentration en ammoniac au plus égale au tiers d'une concentration en ammoniac dans l'atmosphère du dépôt par épitaxie de la couche de GaN précurseur de la couche barrière enterrée. 25\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant électronique à hétéro jonction (2) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite étape de retrait retire une épaisseur d'au moins 20 nm de ladite couche précurseur. ICG011178-DD18048HB FR Depot Texte.docx