Brevet FR3067117A1 (20181207)

REVENDICATIONS1.- Procédé de détermination d'une tension de sortie (VGE) d'un transistor (10) ,le transistor (10) comprenant une électrode d'entrée (G), une première électrode de sortie (C) et une deuxième électrode de sortie (E), le potentiel de la première électrode de sortie (C) étant plus élevé que le potentiel de la deuxième électrode de sortie (E), la tension de sortie (VGE) étant la différence de potentiel entre la première électrode de sortie (C) et la deuxième électrode de sortie (E), le procédé comprenant : - une étape de mesure de l'évolution au cours du temps d'une tension de commande (VGE) du transistor (10), la tension de commande (VGE) étant la différence de potentiel entre l'électrode d'entrée (G) et la deuxième électrode de sortie (E), et - une étape de détermination au cours de laquelle la tension de sortie (VGE) est déterminée à partir de la tension de commande (VGE) mesurée. 2.- Procédé selon la revendication 1, dans lequel seule la tension de commande (VGE) est mesurée au cours du procédé. 3.- Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le transistor (10) comprend deux états : un premier état dans lequel le transistor (10) est passant et un deuxième état dans lequel le transistor (10) est non-passant, l'étape de mesure étant réalisée alors que le transistor (10) est dans le deuxième état. 4.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le rapport en tension du transistor (10) est supérieur ou égal à 50, le rapport en tension étant la valeur absolue de la tension de sortie (VGE) du transistor (10) par la tension de commande (VGE) dudit transistor (10). 5.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le transistor (10) est un transistor bipolaire ou unipolaire à grille isolée. 30 6.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le procédé comprend, en outre, les étapes de : - fourniture d'une première table d'étalonnage établie à partir d'un transistor d'étalonnage, le transistor d'étalonnage comprenant une électrode d'entrée, une première 35 électrode de sortie et une deuxième électrode de sortie, le potentiel de la première électrode de sortie du transistor d'étalonnage étant plus élevé que le potentiel de la 3067117 12 deuxième électrode de sortie dudit transistor d'étalonnage, la première table d'étalonnage représentant l'évolution de la tension de commande (VGE) du transistor d'étalonnage en fonction du temps pour différentes tensions de sortie (VcE) dudit transistor d'étalonnage et lorsqu'un courant de même premier profil prédéterminé est appliqué entre l'électrode 5 d'entrée et la deuxième électrode de sortie dudit transistor d'étalonnage, la tension de commande (VGE) du transistor d'étalonnage étant la différence de potentiel entre l'électrode d'entrée (G) et la deuxième électrode de sortie (E) du transistor d'étalonnage, la tension de sortie (VcE) du transistor d'étalonnage étant la différence de potentiel entre la première électrode de sortie (C) et la deuxième électrode de sortie (E) du transistor 10 d'étalonnage, - fourniture d'une deuxième table d'étalonnage représentant l'évolution de la tension de sortie (VcE) du transistor d'étalonnage en fonction de la durée (T) mise par la tension de commande (VGE) dudit transistor d'étalonnage pour atteindre une valeur seuil de tension prédéterminée (VGE s) à partir de l'instant où le courant ayant le premier profil 15 prédéterminé est appliqué entre l'électrode d'entrée et la deuxième électrode de sortie du transistor d'étalonnage, - application d'un courant ayant le premier profil prédéterminé entre l'électrode d'entrée (G) et la deuxième électrode de sortie (E) du transistor (10), l'étape de mesure étant réalisée simultanément à l'étape d'application, 20 l'étape de détermination comprenant la détermination, à partir de la première table d'étalonnage et de la tension de commande (VGE) mesurée du transistor (10) ,de la durée (T) mise par la tension de commande (VGE) du transistor (10) pour atteindre la valeur seuil de tension prédéterminée (VGE s), l'étape de détermination comprenant, en outre, la détermination, à partir de la 25 durée (T) déterminée et de la deuxième table d'étalonnage, de la tension de sortie (VcE) du transistor (10). 7.- Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le transistor (10) comprend deux états : un premier état dans lequel le transistor (10) est passant et un deuxième état dans lequel le transistor (10) est non-passant, le procédé comprenant une étape de mise du transistor (10) dans le deuxième état, avec une consigne déterminée en fonction de la tension de sortie (VcE) déterminée dudit transistor (10). 8.- Procédé selon la revendication 7, dans lequel le procédé comprend une étape de fourniture d'une troisième table d'étalonnage, la troisième table d'étalonnage associant 3067117 13 un deuxième profil de courant de commande pour chaque valeur de tension de sortie (VGE) du transistor d'étalonnage, l'étape de mise dans le deuxième état comprenant, en outre, la sélection de l'un des deuxièmes profil de courant de commande en fonction de la tension de sortie (VGE) déterminée du transistor (10) et de la troisième table d'étalonnage, 5 et d'application, d'un courant de commande ayant le deuxième profil sélectionné entre l'électrode d'entrée (G) et la deuxième électrode de sortie (E) du transistor (10), le deuxième profil de courant sélectionné étant propre à mettre le transistor (10) dans le deuxième état. 10 9.- Dispositif (12) de détermination d'une tension de sortie (VGE) d'un transistor (10) le transistor (10) comprenant une électrode d'entrée (G), une première électrode de sortie (C) et une deuxième électrode de sortie (E), le potentiel de la première électrode de sortie (C) étant plus élevé que le potentiel de la deuxième électrode de sortie (E), la tension de sortie (VGE) étant la différence de potentiel entre la première électrode 15 de sortie (C) et la deuxième électrode de sortie (E), le dispositif (12) comprenant : - une unité de mesure (16) de l'évolution au cours du temps d'une tension de commande (VGE) du transistor (10), la tension de commande (VGE) étant la différence de potentiel entre l'électrode d'entrée (G) et la deuxième électrode de sortie (E), et - une unité de traitement (20) propre à déterminer la tension de sortie (VGE) à partir 20 de la tension de commande (VGE) mesurée. 10.- Système de conversion d'énergie (8B) comprenant au moins un transistor (10) et un dispositif (12) selon la revendication 9 associé audit transistor (10).