Brevet FR3079070A1 (20190920)

REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une pluralité d'îlots semiconducteurs cristallins (3a, 3b) présentant une variété de paramètres de maille, le procédé comprenant les étapes suivantes : fournir un substrat de relaxation (6) comportant un support (7), une couche de fluage (8) disposée sur le support (7) et, disposée sur la couche de fluage (8), une pluralité d'îlots semi-conducteurs cristallins (9) présentant un paramètre de maille initial, un premier groupe d'ilots (9a) présente un premier niveau de contrainte et un deuxième groupe d'ilots (9h) présente un deuxième niveau de contrainte, différent du premier ; traiter thermiquement le substrat de relaxation (6) à une température de relaxation supérieure OU égale à la température de transition vitreuse de la couche de fluage (8) pour provoquer l'expansion latérale différenciée des îlots du premier et du second groupe, le paramètre de maille des îlots relaxés du premier groupe (3a) et des îlots relaxés du second groupe (3b) présentant alors des valeurs différentes.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel l'étape de fourniture du substrat de relaxation (6) comprend : - la formation sur un substrat de base (14) d'un empilement (12) de couches élémentaires de semi-conducteur cristallin (12a, 12b) présentant une première zone (13a) et une deuxième zone (13b) ayant des niveaux de contrainte différents ; - le transfert sur le support (7) d'une partie au moins de l'empilement (12); - la réalisation de tranchées (4) dans l'empilement (12) pour former les îlots (9) du premier groupe d'îlots (9a) dans la première zone (13a) et pour former les îlots (9) du deuxième groupe d'îlots (9b) dans la deuxième zone (13b). 33\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel la réalisation des tranchées (4) dans l'empilement (12) est réalisée après le transfert sur le 5 support (7).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des deux revendications précédentes dans lequel la formation de l'empilement (12) sur le substrat de base (14) comprend : 10 - La formation d'une pluralité de couches élémentaires (12a, 12b) pseudomorphiques présentant des compositions différentes ; - Le retrait localisé d'une partie des couches élémentaires (12a, 12b) pour définir la première 15 zone et la deuxième zone (13a, 13b).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des trois revendications précédentes comprenant la formation d'une couche de planarisation (15) sur l'empilement (12) pour permettre son 20 assemblage au substrat support (7).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes dans lequel la température de relaxation est comprise entre 400°C et 900°C. 25\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes dans lequel les îlots semi-conducteurs cristallins (9;\n<CLM>\1\tsont en matériaux III-N. 30\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes comprenant une étape de transfert des îlots relaxés du premier groupe (3a) et des îlots relaxés du second groupe (3b) sur un support de croissance (5). 35\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel l'étape de transfert comprend le report des îlots relaxés du premier groupe (3a) et des îlots relaxés du second groupe (3b) sur un support intermédiaire.