Brevet FR3076074A1 (20190628)

REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un via (3) au travers d'une couche de base (1) d'un dispositif microélectronique, comprenant une formation d'un trou (2) débouchant sur au moins sur une première face (11) de la couche de base (1) et un remplissage du trou (2) par au moins un premier matériau de remplissage, caractérisé en ce qu'il comprend un enlèvement au moins partiel du au moins un premier matériau de remplissage sur une profondeur depuis la première face (11) de la couche de base (1), la profondeur étant strictement inférieure à une dimension en épaisseur du trou (2), de sorte à produire une portion en creux (5), et en ce qu'il comprend un deuxième remplissage, au moins partiel, de la portion en creux (5) par au moins un deuxième matériau de remplissage.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel l'enlèvement est configuré pour que la portion en creux (5) ait un rapport de forme inférieur à celui du trou (2).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'enlèvement est configuré pour que la portion en creux (5) ait un rapport de forme inférieur ou égal à 2 et de préférence inférieur ou égal à\n<CLM>\1\t4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le au moins un premier matériau de remplissage comprend un matériau différent du au moins un deuxième matériau de remplissage.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le au moins un deuxième matériau comprend au moins deux couches successives de matériaux différents l'un de l'autre.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le deuxième remplissage comprend un dépôt pleine plaque du au moins un deuxième matériau depuis la première face (11) de la couche de base (1) puis un polissage configuré pour exposer la première face (11).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le deuxième remplissage est configuré pour remplir totalement la portion en creux (5). 17\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel le deuxième remplissage comprend une formation d'au moins une couche du au moins un deuxième matériau dans la portion en creux, puis une formation d'un dégagement (17) 5 dans ladite au moins une couche en formant un contour fermé configuré pour définir un empilement (16) d'une portion résiduelle de la au moins une couche circonscrit par le dégagement (17).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel la formation 10 d'un dégagement (17) comprend la définition d'un masque (15) au-dessus d'une zone couverte de l'empilement (16) et une gravure configurée pour enlever la au moins une couche en dehors de la zone couverte.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des deux revendications précédentes, comprenant 15 un remplissage au moins partiel du dégagement (17) par au moins un matériau diélectrique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel le remplissage au moins partiel du dégagement (17) comprend au moins un dépôt pleine plaque d'un 20 premier matériau diélectrique (18) puis d'un deuxième matériau diélectrique (19), puis un polissage du deuxième matériau diélectrique (19) employant le premier matériau diélectrique (18) comme couche d'arrêt et configuré pour exposer le premier matériau diélectrique (18) au-dessus de la première face (11), puis un enlèvement d'au moins une partie du premier matériau diélectrique (18) située au-dessus de l'empilement (16), 25 de sorte à exposer ledit empilement (16).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le remplissage est configuré pour remplir totalement le trou (2). 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le au moins un premier matériau est utilisé pour former au moins une partie d'une première électrode, dans lequel le au moins un deuxième matériau comprend une couche d'un matériau à changement d'état conducteur. 35\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel le au moins un deuxième matériau de remplissage comprend, au-dessus de la couche de matériau à changement d'état conducteur, au moins une couche de matériau utilisée pour former au moins une partie d'une deuxième électrode, et dans lequel la première électrode, le 18 matériau à changement d'état conducteur et la deuxième électrode forment une mémoire, de préférence une mémoire résistive non volatile.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, comprenant une 5 formation d'un élément de reprise de contact (20) en contact avec une surface, exposée sur la première face (11), du au moins un deuxième matériau de remplissage.\n<CLM>\1\tDispositif microélectronique, comprenant une couche de base (1) présentant un trou (2) débouchant au moins sur une première face (11) de la couche 10 de base (1) et un élément conducteur situé dans le trou (2) et formé par au moins un premier matériau de remplissage, caractérisé en ce qu'il comprend un deuxième élément situé dans le trou au-dessus du premier élément en direction de la première face et formé par au moins un deuxième matériau de remplissage, le premier matériau formant au moins une partie d'une première électrode, le au moins un deuxième 15 matériau comprenant une couche de matériau à changement d'état conducteur.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication précédente, dans lequel le deuxième élément affleure sur la première face (11). 20\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel le au moins un deuxième matériau de remplissage comprend, au-dessus de la couche de matériau à changement d'état conducteur, au moins une couche de matériau d'électrode formant au moins une partie d'une deuxième électrode, et dans lequel la première électrode, le matériau à changement d'état conducteur et la deuxième 25 électrode forment une mémoire, de préférence une mémoire résistive non volatile.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication précédente, dans lequel la couche de matériau d'électrode affleure sur la première face. 30\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 16 à 19, dans lequel le deuxième élément est un empilement en saillie au-dessus du premier élément et circonscrit par un dégagement formant un contour fermé autour de l'empilement.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication précédente, dans lequel le dégagement 35 est rempli d'au moins un matériau diélectrique.