Brevet FR3076069A1 (20190628)

REVENDICATIONS1. Procédé de transfert d'une couche utile (1) sur un substrat support (2), comportant les étapes successives : a) prévoir un substrat donneur (3) comprenant une première surface (30) recouverte d'une couche d'oxyde (4), la couche d'oxyde (4) présentant une surface libre (40) ; b) implanter des espèces gazeuses dans le substrat donneur (3), à travers la couche d'oxyde (4), de manière à former une zone de fragilisation (ZS), les espèces gazeuses comprenant des atomes d'hydrogène ionisé ; la couche utile (1) étant délimitée par la zone de fragilisation (ZS) et par la première surface (30) du substrat donneur (3) ; la couche d'oxyde (4) présente, à l'issue de l'étape b), un pic d'absorbance possédant un maximum à un premier nombre d'ondes, et possédant une largeur à mi-hauteur ; c) appliquer un rayonnement ultraviolet à la surface libre (40) de la couche d'oxyde (4), sous une atmosphère d'ozone, et selon un budget thermique adapté pour : - décaler le maximum du pic d'absorbance d'au moins 3 cm-1 vers les nombres d'onde croissants ; - réduire la largeur à mi-hauteur d'au moins 3 cm'; - autoriser une adhésion directe avec la surface libre (40) de la couche d'oxyde (4) ; d) assembler le substrat donneur (3) au substrat support (2) par une adhésion directe avec 20 la surface libre (40) de la couche d'oxyde (4) ; e) fracturer le substrat donneur (3) suivant la zone de fragilisation (ZS) de manière à exposer la couche utile (1).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le budget thermique de l'étape c) est 25 adapté pour décaler le maximum du pic d'absorbance d'au moins 5 cm-1 vers les nombres d'onde croissants, de préférence d'au moins 10 cm-1 vers les nombres d'onde croissants.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la fracture de l'étape e) nécessite un budget thermique total ; et l'étape c) est exécutée selon un budget thermique inférieur ou égal 30 à 10% du budget thermique total.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche utile (1) est réalisée en silicium ; et dans lequel l'étape c) est exécutée pendant une durée choisie comprise entre 5 minutes et 6 heures, préférentiellement comprise entre 5 minutes et 2 heures, plus 35 préférentiellement comprise entre 5 minutes et 1 heure. 14\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel la couche utile (1) est réalisée en silicium ; et dans lequel la température du budget thermique de l'étape c) est comprise entre 250°C et 500°C, préférentiellement comprise entre 250°C et 450°C, plus 5 préférentiellement comprise entre 290°C et 400°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, comportant une étape d1) consistant à appliquer un traitement thermique à l'assemblage obtenu lors de l'étape d) selon un budget thermique adapté pour renforcer l'adhésion directe sans initier la fracture du substrat donneur 10 (3) suivant la zone de fragilisation (ZS) ; l'étape d1) étant exécutée avant l'étape e).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel la couche d'oxyde (4) présente une épaisseur comprise entre 0,2 nm et 50 nm, préférentiellement comprise entre 1 nm et 15 nm, plus préférentiellement comprise entre 2 nm et 10 nm. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel la couche d'oxyde (4) comprend au moins un matériau sélectionné parmi les groupes suivants : - un oxyde diélectrique, préférentiellement Si0', SrTiO3, A120', Y203, LaA103, LiNb03, LiTa03; - un oxyde conducteur, préférentiellement La0,5Sr0,5Co03, YBa2Cu307, SrRu03, LaNi03; - un oxyde transparent conducteur, préférentiellement ZnO, ZnO :In, ZnO :Al, ZnO :F, ZnO :B, ZnO :Ga, Zn2Sn04, GaIn03 :Ge, GaIn03 :Sn, MgIn204, ZnGa204, CuGa02 :Fe.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel le substrat donneur (3) est 25 réalisé dans un matériau sélectionné parmi les groupes suivants : - un matériau semi-conducteur, préférentiellement Si, Ge, Si-Ge, un matériau III-V, SiiGe.Sny ; - un matériau piézoélectrique, préférentiellement LiNb03, LiTa03, Pb(Zr',T6)\n<CLM>\1\t30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 9, comportant une étape consistant à former une couche d'oxyde additionnelle (5) sur le substrat support (2), l'étape d) étant exécutée de sorte que l'adhésion directe s'opère avec la couche d'oxyde additionnelle (5).