Brevet FR3076401A1 (20190705)

REVENDICATIONS1. Dispositif thermoelectrique (100) comportant au moins une jonction thermoelectrique (103), ladite jonction thermoelectrique (103) comportant un premier plot (101) et un second plot (102) relie electriquement au premier plot (101), caracterise en ce que : - le dispositif thermoelectrique (100) comporte un empilement (108) de substrats, chaque substrat (109a, 109b, 109c, 109d) comportant au moins un premier element (110) et au moins un second element (111), le premier element (110) et le second element (111) etant formes dans l'epaisseur dudit substrat (109a, 109b, 109c, 109d), - l'empilement (108) de substrats est tel que : o le premier plot (101) de la jonction thermoelectrique (103) comporte un empilement de premiers elements (110), o le second plot (102) de la jonction thermoelectrique (103) comporte un empilement de seconds elements (111).\n<CLM>\1\tDispositif thermoelectrique (100) selon la revendication 1, caracterise en ce que l'empilement (108) de substrats comporte au minimum trois substrats, et en ce que tout substrat de l'empilement (108) de substrats, situe entre deux substrats d'extremite (109a, 109d) de l'empilement (108) de substrats, comporte : - une premiere face (112), - une deuxieme face (113) opposee a sa premiere face (112), - une premiere couche (114) en materiau dielectrique delimitant une partie de la premiere face (112) dudit substrat, - une deuxieme couche (115) en materiau dielectrique delimitant une partie de la deuxieme face (113) dudit substrat, les premiere et deuxieme couches (114,\n<CLM>\1\ten materiau dielectrique dudit substrat etant traversees par les premier et second plots (101, 102).\n<CLM>\1\tDispositif thermoelectrique (100) selon la revendication precedente, caracterise en ce que, pour tout substrat de l'empilement (108) de substrats, situe entre les deux substrats d'extremite (109a, 109d) de l'empilement (108) de substrats, les premiere et deuxieme couches (114,\n<CLM>\1\ten materiau dielectrique 33 dudit substrat sont formees sur, et notamment de part et d'autre, d'un support (117) dudit substrat.\n<CLM>\1\tDispositif thermoelectrique (100) selon la revendication precedente, 5 caracterise en ce que, pour tout substrat de l'empilement (108) de substrats, situe entre les deux substrats d'extremite (109a, 109d) de l'empilement (108) de substrats, la premiere couche (114) en materiau dielectrique dudit substrat presente une conductivite electrique strictement inferieure a celle du support (117) sur lequel elle est formee, et la deuxieme couche (115) en materiau dielectrique 10 dudit substrat presente une conductivite electrique strictement inferieure a celle du support (117) sur lequel elle est formee.\n<CLM>\1\tDispositif thermoelectrique (100) selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que la jonction thermoelectrique (103) comporte un 15 element de liaison (106) electriquement conducteur relie a une portion en siliciure (120a) du premier plot (101) de la jonction thermoelectrique (103) et a une portion en siliciure (120b) du second plot (102) de la jonction thermoelectrique (103).\n<CLM>\1\tDispositif thermoelectrique (100) selon l'une quelconque des revendications 20 precedentes, caracterise en ce que chaque substrat (109a, 109b, 109c, 109d) de l'empilement (108) de substrats comporte des vias traversants formant les premier et second elements (110,\n<CLM>\1\tdudit substrat (109a, 109b, 109c, 109d).\n<CLM>\1\tDispositif thermoelectrique (100) selon l'une quelconque des revendications 25 precedentes, caracterise en ce qu'il comporte : - des premiers et des seconds plots (101, 102), - une pluralite de jonctions thermoelectriques (103) comportant chacune un des premiers plots (101) et un des seconds plots (102), et en ce que chaque substrat (109a, 109b, 109c, 109d) comporte des premiers et 30 des seconds elements (110, 111), l'empilement (108) de substrats etant tel que : - chaque premier plot (101) comporte un empilement de premiers elements (110), - chaque second plot (102) comporte un empilement de seconds elements (111). 34\n<CLM>\1\tDispositif thermoelectrique (100) selon la revendication precedente, caracterise en ce que les jonctions thermoelectriques (103) sont reliees electriquement en serie. 5\n<CLM>\1\tDispositif thermoelectrique (100) selon la revendication 7, caracterise en ce qu'il comporte des ensembles (122) de jonctions thermoelectriques (103) tels que, au sein de chaque ensemble (122) de jonctions thermoelectriques (103), les jonctions thermoelectriques (103) dudit ensemble (122) sont reliees electriquement 10 en parallele, lesdits ensembles (122) de jonctions thermoelectriques (103) etant relies electriquement en serie.\n<CLM>\1\tDispositif thermoelectrique (100) selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que les substrats (109a, 109b, 109c, 109d) de 15 ('empilement (108) de substrats sont lies par des liaisons covalentes.\n<CLM>\1\tProcede de fabrication d'un dispositif thermoelectrique (100) comprenant au moins une jonction thermoelectrique (103), !edit procede de fabrication comportant : 20 - une etape de fourniture de substrats (109), chaque substrat (109) fourni comportant au moins un premier element (110) et au moins un second element (111) formes dans son epaisseur, - une etape de formation d'un empilement (108) de substrats en utilisant les substrats (109) fournis d'oC, it resulte la formation d'un premier plot (101) de 25 la jonction thermoelectrique (103) et d'un second plot (102) de la jonction thermoelectrique (103), le premier plot (101) comportant un empilement de premiers elements (110) et le second plot (102) comportant un empilement de seconds elements (111), - une etape de formation d'une connexion electrique de la jonction 30 thermoelectrique (103), ladite connexion electrique reliant electriquement le premier plot (101) au second plot (102) .\n<CLM>\1\tProcede de fabrication selon la revendication precedente, caracterise en ce que chaque substrat (109) fourni est tel que : - ledit substrat (109) comporte une premiere face (112) dans laquelle sont formes des trous borgnes (124, 125), les premier et second elements (110,\n<CLM>\1\tdudit substrat (109) etant formes dans les trous borgnes (124,\n<CLM>\1\tde telle sorte que la premiere face (112) dudit substrat (109) comprend des 5 parties (126a, 126b) delimitees par les premier et second elements (110, 111), - ledit substrat (109) comporte une deuxieme face (113) opposee a sa premiere face (112), et en ce que l'etape de formation de I'empilement (108) de substrats comporte : 10 - une etape de formation d'un assemblage (130) comprenant une etape de mise en contact des premieres faces (112) de premier et deuxieme substrats (109a, 109b) issus des substrats fournis, - une etape de modification du deuxieme substrat (109b) de l'assemblage (130) d'o0 il resulte que sa deuxieme face (113) presente des parties 15 delimitees par les premier et second elements (110,\n<CLM>\1\tdu deuxieme substrat (109b), ladite deuxieme face (113) du deuxieme substrat (109b) tel que modifie formant une face de connexion (131) de l'assemblage (130), - une etape de modification du premier substrat (109a) pour former un substrat d'extremite (109a) de l'empilement (108) de substrats. 20\n<CLM>\1\tProcede de fabrication selon la revendication precedente, caracterise en ce que le nombre de substrats (109) fournis etant superieur ou egal a 3, le procede de fabrication comporte, apres l'etape de modification du deuxieme substrat (109b) et pour chaque substrat fourni separe de l'assemblage (130), dit substrat a ajouter a 25 l'assemblage (130), une etape de modification de l'assemblage (130) comportant : - une etape d'ajout du substrat a ajouter (109c) a l'assemblage (130) par report de la premiere face (112) dudit substrat a ajouter (109c) sur la face de connexion (131) de l'assemblage (130), - une etape de modification dudit substrat ajoute (109c) a l'assemblage (130) 30 d'o0 il resulte que sa deuxieme face (113) presente des parties delimitees par les premier et second elements (110,\n<CLM>\1\tdu substrat ajoute (109c) a l'assemblage (130), ladite deuxieme face (113) formant, au terme de la modification dudit substrat ajoute (109c), une nouvelle face de connexion (131) de l'assemblage (130).