Brevet FR3073088A1 (20190503)

REVENDICATIONS1. Dispositif électronique organique ou hybride, à structure NIP, comprenant successivement : - un substrat (100) transparent, - une première électrode (101) transparente et électriquement conductrice, - une couche de type N (102), - une couche active (103) comprenant un polyéthylènimine (200) et : o un matériau donneur d'électrons et un matériau accepteur d'électrons, o ou un matériau pérovskite, - une couche de type P (104), - une seconde électrode (105). 15\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le polyéthylèneimine (200) représente de 0,005% à 0,5%, et de préférence de 0,01% à 0,1% massique par rapport au matériau donneur d'électrons ou par rapport au matériau pérovskite de la couche active (103). 20\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le polyéthylènimine (200) est un polyéthylènimine éthoxylé.\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon l'une quelconque des revendications 25 précédentes, caractérisé en ce que le matériau accepteur d'électrons est un polymère de type N ou un dérivé soluble de fullerène, tel que le [6,6]-phényl-C61-butyrate de méthyle, et en ce que le matériau donneur d'électrons est choisi parmi le poly(3-hexyl)thiophène, le poly[N- 9'-heptadecany1-2,7-carbazole-alt-5,5-(4,7-di-2-thieny1-2',1',3'- benzothiadiazole], le poly[[4,8-bis[(2-éthylhexyl)oxy] benzo [1,2- b:4,5-b']dithiophene-2,6- 19 diyl][3-fluoro-2-[(2-éthylhexyl) carbonyl]thiéno[3,4- b]thiophenediyl]], et le Poly([2,6'-4,8- di(5-ethylhexylthienyl)benzo[1,2-b3,3-b]dithiophenell3-fluoro-2[ (2-ethylhexyl)carbonyl] thieno[3,4-b]thiophenediyl}). 5\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche active (103) a une épaisseur allant de 100nm à 500nm.\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon l'une quelconque des revendications 10 précédentes, caractérisé en ce que la couche de type N (102) est en oxyde métallique, de préférence en ZnO, éventuellement dopé.\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche de type N (102) a une épaisseur allant de 5nm à 95nm, et de préférence de 40nm à 50nm.\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat (100) est en verre, ou en polymère, par exemple choisi parmi le poly(téréphtalate d'éthylène), le polynaphtalate d'éthylène, et les copolymères cyclo oléfiniques.\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif électronique organique est une diode électroluminescente organique, un photodétecteur organique, ou une cellule photovoltaïque organique.\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif a une architecture tandem. 20\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif électronique organique ou hybride, à structure NIP, comportant au moins les étapes successives suivantes : a) fourniture d'un substrat (100) transparent recouvert, successivement, par une première électrode (101) transparente et électriquement 5 conductrice, et par une couche de type N (102), b) formation d'une couche active (103) par dépôt d'une solution contenant un polyéthylènimine (200), un solvant non chloré, et, un matériau donneur d'électrons et un matériau accepteur d'électrons, ou un matériau pérovskite, puis recuit. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que le dépôt de la couche active (103) est réalisé par dépôt à la tournette, par impression ou par enduction. 15