Brevet FR3074359A1 (20190531)

REVENDICATIONS1. Composant électronique (3), comprenant : -un substrat (10) ; -un empilement de deux couches (14,16) de matériaux semi-conducteurs différents, configurées pour former une couche de gaz d'électrons (17) au niveau ou à proximité de leur interface ; -une barrière enterrée (2) formant une séparation entre le substrat (10) et ledit empilement ; Caractérisé en ce que la barrière enterrée (2) comprend : -une première couche (23) d'un alliage ternaire de matériau semi-conducteur de type III-N, présentant une concentration croissante d'une des espèces chimiques de l'alliage ternaire de la première couche en se rapprochant du substrat ; -une deuxième couche (22) d'un alliage ternaire de matériau semi-conducteur de type III-N, formée sous la première couche et présentant une concentration décroissante d'une des espèces chimiques de l'alliage ternaire de la première couche en se rapprochant du substrat.\n<CLM>\1\tComposant électronique (3) selon la revendication 1, dans lequel ladite première couche présente une concentration moyenne au plus égale à 5% de son espèce chimique présentant une concentration croissante et ladite deuxième couche présente une concentration moyenne au plus égale à 5% de son espèce chimique présentant une concentration décroissante.\n<CLM>\1\tComposant électronique (3) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'espèce chimique présentant une concentration croissante dans la première couche (23) est de l'aluminium, et dans lequel l'espèce chimique présentant une concentration décroissante dans la deuxième couche (22) est de l'aluminium.\n<CLM>\1\tComposant électronique (3) selon la revendication 3, dans lequel la concentration minimale en aluminium dans la première couche (23) est au plus de 1 % et dans lequel la concentration maximale en aluminium dans la première couche est au moins égale à 2 %.\n<CLM>\1\tComposant électronique (3) selon la revendication 3 ou 4, dans lequel la concentration maximale en aluminium dans la première couche (23) est au plus de 5 %. 40\n<CLM>\1\tComposant électronique (3) selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, dans lequel lesdites première et deuxième couches (23,\n<CLM>\1\tsont en AlGaN. 35 ICG011180 FR Depot Texte.docx 13\n<CLM>\1\tComposant électronique (3) selon la revendication 6, dans lequel le produit de la concentration maximale en aluminium de la première couche (23) par son épaisseur est compris entre 1 * 10-9 et 3 *10-9. 5\n<CLM>\1\tComposant électronique (3) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les premières et deuxièmes couches (23,22) sont de type non intentionnellement dopé. 10\n<CLM>\1\tComposant électronique (3) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la barrière enterrée (2) est positionnée à une distance inférieure à 100 nm de l'interface entre les deux couches (14,16) de matériaux semi-conducteurs formant la couche de gaz électrons (17). 15\n<CLM>\1\tComposant électronique (3) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la barrière enterrée (2) présente une épaisseur au moins égale à 100nm.\n<CLM>\1\tComposant électronique (3) selon l'une quelconque des revendications 20 précédentes, dans lequel la barrière enterrée (2) présente une alternance de plusieurs premières et deuxièmes couches.\n<CLM>\1\tComposant électronique (3) selon la revendication 10, dans lequel lesdites premières et deuxièmes couches présentent chacune une épaisseur au plus 25 égale à 60nm.\n<CLM>\1\tComposant électronique (3) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel lesdites première et deuxième couches (23,\n<CLM>\1\tsont suffisamment fines pour ne pas accumuler d'électrons dans la barrière 30 enterrée.\n<CLM>\1\tComposant électronique (3) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite barrière enterrée (2) est en contact avec l'empilement des deux couches de matériaux semi-conducteurs formant la couche de gaz électrons (17).\n<CLM>\1\tComposant électronique (3) selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une couche de matériau semi-conducteur (18) à dopage de type P disposée entre la barrière enterrée (2) et le substrat (10). ICG011180 FR Depot Texte.docx