Brevet FR3068847A1 (20190111)

REVENDICATIONS1.- Dispositif de commutation de puissance (10) comprenant : - un transistor (12) du type SiC ou GaN MOSFET présentant à ses bornes une tension principale (Us), et - un circuit de protection (16) comprenant un module d'écrêtage (18) configuré pour écrêter la tension principale (Us) lorsque le transistor est en surtension et lorsque la tension principale (Us) dépasse alors une tension nominale (UN) prédéterminée, caractérisé en ce que le circuit de protection (16) comprend également un module de mesure (20) configuré pour mesurer la tension principale (Us) aux bornes du transistor (12), un réservoir (22) configuré, en charge, pour stocker l'énergie de surtension du transistor (12) et, en décharge, pour délivrer l'énergie de surtension du transistor (12), et un module de contrôle de tension (26) configuré pour commuter le réservoir (22) entre charge et décharge en fonction de la valeur de la tension principale (Us) mesurée. 2.- Dispositif de commutation de puissance (10) selon la revendication 1, dans lequel le dispositif comprend en outre, un module de pilotage (14) configuré pour piloter le transistor (12), le réservoir (22) étant configuré, en décharge, pour alimenter le module de pilotage (14) en énergie électrique. 3.- Dispositif de commutation de puissance (10) selon la revendication 2, dans lequel le module de pilotage (14) comprend une alimentation auxiliaire, configurée pour participer au moins en partie au démarrage du module de pilotage (14). 4.- Dispositif de commutation de puissance (10) selon la revendication 2 ou 3, dans lequel le dispositif comprend en outre un module de régulation (24) configuré pour réguler, en décharge, la valeur de l'énergie électrique délivrée par le réservoir (22) au module de pilotage (14). 5.- Dispositif de commutation de puissance (10) selon la revendication 4, dans lequel le module de régulation (24) comprend un régulateur linéaire. 6.- Dispositif de commutation de puissance (10) selon la revendication 4, dans 35 lequel le module de régulation (24) comprend une alimentation à découpage. 30 10 7.- Dispositif de commutation de puissance (10) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le module de contrôle de tension (26) est configuré pour commuter le réservoir (22) en charge lorsque la tension principale (Us) mesurée est supérieure à la tension nominale (UN) et en décharge lorsque la tension 5 principale (Us) mesurée est inférieure à la tension nominale (UN). 8.- Dispositif de commutation de puissance (10) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dispositif comprend en outre un interrupteur (28) agencé en série du réservoir (22) et dans lequel la commutation entre la charge et la 10 décharge du réservoir (22) par le module de contrôle de tension (26) correspond à une modification d'une position de l'interrupteur (28) entre une position fermée et une position ouverte. 9.- Dispositif de commutation de puissance (10) selon l'une quelconque des 15 revendications précédentes, dans lequel, en charge, le réservoir (22) est agencé parallèlement au transistor (12). 10.- Procédé de commutation (100) d'un réservoir (22) d'un dispositif de commutation de puissance (10) entre un état en charge et un état en décharge, le 20 dispositif de commutation de puissance (10) comprenant : - un transistor (12) du type SiC ou GaN MOSFET présentant à ses bornes une tension principale (Us), - un circuit de protection (16) comprenant : - un module d'écrêtage (18) configuré pour écrêter la tension principale (Us) 25 lorsque le transistor est en surtension et lorsque la tension principale (Us) dépasse alors une tension nominale (UN) prédéterminée; - un module de mesure (20) configuré pour mesurer la tension principale (Us) aux bornes du transistor (12), - le réservoir (22) configuré, en charge, pour stocker l'énergie de surtension du transistor (12) et, en décharge, pour délivrer l'énergie de surtension du transistor (12), et - un module de contrôle de tension (26) configuré pour commuter le réservoir (22) entre charge et décharge, le procédé comprenant les étapes suivantes : - mesure (110) de la tension principale (Uc) aux bornes d'un transistor (12) par le module de mesure (20) ; 11 - comparaison (120), par le module de contrôle de tension (26) de la tension principale (Us) mesurée à la tension nominale prédéterminée (UN) du transistor (12) ; - si la tension principale (Us) mesurée est supérieure à la tension nominale (UN), 5 activation de la charge (130) du réservoir (22), par le module de contrôle de tension (26) et, simultanément à la charge (130) du réservoir (22), écrêtage (140) de la tension principale (Us) à une tension d'écrêtage (U'r), par le module d'écrêtage (18) ; - si la tension principale (Us) est inférieure à la tension nominale (UN), activation de 10 la décharge (140) du réservoir (22), par le module de contrôle de tension (26). 15 20