Brevet FR3072498A1 (20190419)

REVENDICATIONS, I. Procédé (100) de calcul d'un taux de sensibilité (SERglobal1 d'un composant électronique (12) à un rayonnement cosmique, le composant électronique (12) comportant au moins une cellule électronique (14), le procédé étant mis en oeuvre par un dispositif électronique de calcul (10) et comprenant : - la détermination (120, 130,\n<CLM>\1\td'un taux de sensibilité (SER) de chaque cellule électronique (14) au rayonnement cosmique ; - le calcul (150) d'un taux de sensibilité global (SERglobal) 1 du composant électronique (12) au rayonnement cosmique, en fonction du ou des taux de sensibilité calculés pour la ou les cellules électroniques (14) ; caractérisé en ce que le procédé (100) comprend en outre, préalablement à la détermination (120, 130,\n<CLM>\1\tdu taux de sensibilité (SER) de chaque cellule électronique (14) : - la modélisation (110) d'un état de vieillissement à une date ultérieure de chaque cellule électronique (14), le taux de sensibilité (SER) étant alors déterminé pour l'état de vieillissement modélisé de chaque cellule électronique (14), et le taux de sensibilité global (SERg 1 lobal) étant calculé en fonction du ou des taux de sensibilité (SER) calculés pour l'état de vieillissement modélisé de la ou des cellules électroniques (14).\n<CLM>\1\tProcédé (100) selon la revendication 1, dans lequel la détermination (120, 130,\n<CLM>\1\tdu taux de sensibilité (SER) de chaque cellule électronique (14) comporte : + la simulation (120) de l'injection, dans la cellule (14), d'un courant représentatif du rayonnement cosmique, et + l'évaluation (130) de la sensibilité de la cellule à l'injection de courant simulée.\n<CLM>\1\tProcédé (100) selon la revendication 2, dans lequel la modélisation (110) de l'état de vieillissement à une date ultérieure de chaque cellule électronique (14) comporte la modification d'au moins une grandeur électrique associée à la cellule électronique (14), la simulation (120) de l'injection de courant étant alors effectuée avec la ou les grandeurs électriques modifiées. 13\n<CLM>\1\tProcédé (100) selon la revendication 3, dans lequel chaque grandeur électrique est modifiée à partir d'une base prédéfinie de données expérimentales (36) et d'un facteur de vieillissement, le facteur de vieillissement dépendant de la date ultérieure. 5\n<CLM>\1\tProcédé (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel chaque cellule électronique (14) comporte un ensemble de transistor(s) (40).\n<CLM>\1\tProcédé (100) selon les revendications 3 et 5, dans lequel la grandeur électrique modifiée est la tension de seuil de chaque transistor (40) de la cellule 10 électronique (14).\n<CLM>\1\tProcédé (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le procédé (100) comprend l'estimation (140) d'un taux d'erreur logiciel (SER) pour chaque cellule électronique (14) à la date ultérieure. 15\n<CLM>\1\tProcédé (100) selon la revendication 7, dans lequel le procédé (100) comprend l'estimation (150), en fonction des taux d'erreur (SER) calculés pour les cellules électroniques (14), d'un taux d'erreur global (SERglobal) pour le composant électronique (12) à la date ultérieure. 20\n<CLM>\1\tProgramme d'ordinateur comportant des instructions logicielles qui, lorsqu'elles sont exécutées par un ordinateur, mettent en oeuvre un procédé (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes. 25\n<CLM>\1\tDispositif électronique (10) de calcul d'un taux de sensibilité (SER goba) d'un composant électronique (12) à un rayonnement cosmique, le composant n que (12) comportant _.'un électroi () comportant au moins une cellule électronique (14), le dispositif électronique de calcul (10) comprenant : - un module de détermination (18) configuré pour déterminer un taux de sensibilité 30 (SER) de chaque cellule électronique (14) au rayonnement cosmique ; - un module de calcul (20) configuré pour calculer un taux de sensibilité global (SERgiobal) 1 du composant électronique (12) au rayonnement cosmique, en fonction du ou des taux de sensibilité (SER) calculés pour la ou les cellules électroniques (14) ; caractérisé en ce que le dispositif électronique de calcul (10) comprend en outre : - un module de modélisation (16) configuré pour modéliser un état de vieillissement à une date ultérieure de chaque cellule électronique (14), 14 le module de détermination (18) étant alors configuré pour déterminer le taux de sensibilité (SER) pour l'état de vieillissement modélisé de chaque cellule électronique (14), et le module de calcul (20) étant configuré pour calculer le taux de sensibilité global (SERglobal, en fonction du ou des taux de sensibilité (SER) calculés pour l'état de 1 5 vieillissement modélisé de la ou des cellules électroniques (14).