Brevet FR3072515A1 (20190419)

REVENDICATIONS1, Procédé de mise en veille d'un système alimenté par une source d'alimentation électrique (BATT) comprenant : - a) une première étape de charge d'un élément capacitif de stockage (Cl) par une tension de charge obtenue à partir de la tension délivrée par la source d'alimentation ; - b) une seconde étape de découplage de la source d'alimentation électrique du système lorsque la valeur de la tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage est supérieure à un seuil (Vseuil) inférieur à la tension de charge (Vc}i), de façon à mettre le système en veille ; - c) une étape de décharge de l'élément capacitif de stockage pendant une durée de décharge (T0) de façon à ce que la valeur de la tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage devienne inférieure au seuil ; et -\n<CLM>\1\tune étape de recouplage de la source d'alimentation électrique au système à l'issue de la durée de décharge.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, comprenant un réglage de la durée de décharge (T0).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel le réglage de la durée de décharge (T) comprend un ajustement de la tension de charge (Vcu).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la décharge de l'élément capacitif de stockage (Cl) s'effectue au travers d'un élément capacitif d'écoulement (C3) et le réglage de la durée de décharge (T0) comprend un ajustement de la valeur capacitive de l'élément capacitif d'écoulement (C3).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la décharge de l'élément capacitif de stockage (Cl) s'effectue au travers d'un élément capacitif d'écoulement (C3) et dans la première étape l'élément capacitif de stockage (Cl) se décharge partiellement à travers l'élément capacitif d'écoulement (C3). 16\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comportant une exécution cyclique des étapes a) à d).\n<CLM>\1\tDispositif électronique (DISP), destiné à une mise en veille d'un système (SYS) alimenté par une source d'alimentation électrique 5 (BATT), comprenant : - une entrée de charge (Ec) destinée à être couplée à une tension de charge (VcH) obtenue à partir de la tension délivrée par la source d'alimentation (BATT) ; - une première entrée (E) destinée à être couplée à la source 10 d' alimentation ; - une sortie d'alimentation (S) destinée à être couplée au système ; - un élément capacitif de stockage (Cl) couplé à l'entrée de charge (Ec) et configuré pour être chargé par la tension de charge ; 15 - des moyens de commutation (T) couplés entre la première entrée et la sortie d'alimentation et configurés pour découpler la sortie de la première entrée lorsque la valeur de la tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage est supérieure à un seuil (Vseuil) inférieur à la tension de charge (Vcii) ; 20 - des moyens de décharge (MD) configurés pour décharger l'élément capacitif de stockage pendant une durée de décharge de façon à ce que la valeur de la tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage devienne inférieure à au seuil (Vseuil) ; les moyens de commutation étant en outre configurés pour 25 recoupler la première entrée à la sortie d'alimentation à l'issue de la durée de décharge.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 7, dans lequel les moyens de décharge (MD) comportent un élément capacitif d'écoulement (C3) couplé entre une première borne de l'élément capacitif de stockage et 30 une masse (GND).\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 7 ou 8, comportant en outre un élément capacitif d'initialisation (C2) couplé entre une première borne de l'élément capacitif de stockage (Cl) et l'entrée de charge (Ec). 17\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, dans lequel les moyens de_ commutation comprennent un transistor (T) à appauvrissement dont la grille est couplée à la première borne de l'élément capacitif de stockage (Cl), la source est couplée à la source 5 d'alimentation (BATT) et le drain est couplé à la sortie (S) du dispositif (DISP), le seuil (Vseuil) étant égal à la tension de seuil (VGs) du transistor.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 10, dans lequel le transistor (T) à appauvrissement comprend un transistor PMOS. 10\n<CLM>\1\tCircuit électronique comprenant un dispositif selon l'une quelconques des revendications 7 à 11 et un système (SYS) destiné- à être alimenté par la source d'alimentation, le système étant couplé à l'entrée de charge (Ec) du dispositif et à la sortie d'alimentation (S) du dispositif. 15\n<CLM>\1\tCircuit selon la revendication 12, comportant des moyens de réglage configurés pour régler la durée de décharge (T0).\n<CLM>\1\tCircuit selon l'une des revendications 12 ou 13, comportant des moyens d'ajustement (MA) pour ajuster la valeur capacitive de l'élément capacitif d'écoulement (C3). 20\n<CLM>\1\tCircuit selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, comprenant en outre des moyens de commande (MC) configurés pour activer cycliquement la charge de l'élément capacitif de stockage (Cl).\n<CLM>\1\tCircuit selon l'une quelconque des revendications 12 à 15, dans lequel le système (SYS) est un système autonome sans fil 25 connecté.