Brevet FR3076916A1 (20190719)

REVENDICATIONS1. Modulateur de phase électro-optique comprenant un guide d'onde (100) comportant un empilement d'une première bande (101) en un matériau semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité, d'une deuxième bande (103) en matériau conducteur 5 ou en un matériau semiconducteur dopé du deuxième type de conductivité, et d'une troisième bande (105) en un matériau semiconducteur dopé du premier type de conductivité, la deuxième bande étant séparée de la première bande par une première couche d'interface (107) en un matériau diélectrique et de la troisième 10 bande par une deuxième couche d'interface (109) en un matériau diélectrique.\n<CLM>\1\tModulateur selon la revendication 1, dans lequel les première (101) et troisième (105) bandes sont reliées à un même premier noeud (GND) d'application d'une tension de commande du 15 modulateur, et la deuxième bande (103) est reliée à un deuxième noeud (Vg) d'application de la tension de commande du modulateur.\n<CLM>\1\tModulateur selon la revendication 2, dans lequel : la première bande (101) se prolonge latéralement par une première région d'extension (111) en le même matériau que la 20 première bande, reliant électriquement la première bande au premier noeud (GND) d'application de la tension de commande ; la deuxième bande (103) se prolonge latéralement par une deuxième région d'extension (113) en le même matériau que la deuxième bande, reliant électriquement la deuxième bande au 25 deuxième noeud (jg) d'application de la tension de commande ; et la troisième bande (105) se prolonge latéralement par une troisième région d'extension (115) en le même matériau que la troisième bande, reliant électriquement la troisième bande premier noeud (GND) d'application de la tension de commande. 30\n<CLM>\1\tModulateur selon la revendication 3, dans lequel au moins l'une des première (111) et troisième (115) régions d'extension présente une épaisseur inférieure à celle de la bande (101,\n<CLM>\1\tavec laquelle elle est en contact. B16623 - 17-GR3-0520 16\n<CLM>\1\tModulateur selon la revendication 3 ou 4, comprenant une première métallisation de connexion électrique (237) en contact avec la première région d'extension (111), une deuxième métallisation de connexion électrique (235) en contact avec la deuxième région d'extension (113) et une troisième métallisation de connexion électrique (239) en contact avec la troisième région d'extension (115).\n<CLM>\1\tModulateur selon la revendication 5, comportant en outre une piste conductrice (241) connectant entre elles les 10 première (237) et troisième (239) métallisations de connexion électrique.\n<CLM>\1\tModulateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel chacune des première (101), deuxième (103) et troisième (105) bandes est en un matériau choisi parmi le silicium 15 et le silicium-germanium.\n<CLM>\1\tModulateur selon la revendication 7, dans lequel la première bande (101) est en silicium monocristallin dopé du premier type de conductivité, la deuxième bande (103) est en silicium polycristallin dopé du deuxième type de conductivité, et 20 la troisième bande (105) est en silicium polycristallin dopé du premier type de conductivité ou en silicium-germanium.\n<CLM>\1\tModulateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel l'épaisseur de la deuxième bande (103) est inférieure au cinquième de l'épaisseur de la première bande (101) 25 et de l'épaisseur de la troisième bande (105).\n<CLM>\1\tModulateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les première (101) et troisième (105) bandes ont sensiblement la même épaisseur.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un modulateur de phase 30 électro-optique selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la première bande (105) est formée dans la couche supérieure d'une structure de type SOI comprenant une couche de silicium monocristallin (201) reposant sur une couche isolante (203) elle-même disposée sur un substrat de support (205).