Brevet FR3068509A1 (20190104)

REVENDICATIONS1. Composition chimique de nettoyage adaptée pour retirer une couche de passivation (2) d'un substrat (1A, 1B, 4), caractérisée en ce qu'elle comprend : - un acide faible à une teneur comprise entre 20% en poids et 95% en poids, de préférence entre 50% en poids et 80% en poids, par rapport au poids de la composition chimique, - un acide fort non oxydant à une teneur comprise entre 5% en poids et 50% en poids, de préférence entre 15% en poids et 50% en poids, par rapport au poids de la composition chimique, - de l'acide fluorhydrique, à une teneur comprise entre 0,2% en poids et 2% en poids par rapport au poids de la composition chimique, - de l'eau, à une teneur comprise entre 0% en poids et 20% en poids par rapport au poids de la composition chimique.\n<CLM>\1\tComposition chimique selon la revendication 1, dans laquelle l'acide faible est choisi parmi : l'acide acétique, l'acide formique, et leur mélange.\n<CLM>\1\tComposition chimique selon la revendication 1, dans laquelle l'acide fort non oxydant est choisi parmi : l'acide méthane sulfonique, l'acide chlorhydrique, et leur mélange.\n<CLM>\1\tComposition chimique selon l'une des revendications 1 à 3, comprenant : - de l'acide acétique à une teneur comprise entre 20% en poids et 95% en poids, de préférence entre 50% en poids et 80% en poids, par rapport au poids de la composition chimique, - de l'acide méthane sulfonique à une teneur comprise entre 5% en poids et 50% en poids, de préférence entre 15% en poids et 50% en poids, par rapport au poids de la composition chimique, - de l'acide fluorhydrique, à une teneur comprise entre 0,2% en poids et 2% en poids par rapport au poids de la composition chimique, - de l'eau, à une teneur comprise entre 2% en poids et 20% en poids par rapport au poids de la composition chimique.\n<CLM>\1\tComposition chimique selon l'une des revendications 1 à 3, comprenant : 19 - de l'acide acétique à une teneur comprise entre 20% en poids et 95% en poids, de préférence entre 50% en poids et 80% en poids, par rapport au poids de la composition chimique, - de l'acide chlorhydrique à une teneur comprise entre 5% en poids et 50% en 5 poids par rapport au poids de la composition chimique, - de l'acide fluorhydrique, à une teneur comprise entre 0,2% en poids et 2% en poids par rapport au poids de la composition chimique, - de l'eau, à une teneur comprise entre 2% en poids et 20% en poids par rapport au poids de la composition chimique. 10\n<CLM>\1\tComposition chimique selon l'une des revendications 3 ou 4, dans laquelle l'acide méthane sulfonique a une concentration comprise entre 60% en poids et 80% en poids.\n<CLM>\1\tComposition chimique selon l'une des revendications 3 ou 5, dans laquelle l'acide 15 chlorhydrique a une concentration comprise entre 30% en poids et 40% en poids.\n<CLM>\1\tProcédé de nettoyage pour retirer une couche de passivation (2) d'un substrat (1A, 1B, 4), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - fournir une composition chimique de nettoyage selon l'une des 20 revendications précédentes, - mettre en contact la composition chimique de nettoyage et la couche de passivation (2) pendant une durée suffisante pour retirer ladite couche de passivation (2) du substrat (1A, 1B, 4). 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, comprenant, préalablement à l'étape de mise en contact, une étape de gravure par plasma d'une couche ou d'un empilement de couches du substrat (1A, 1B,\n<CLM>\1\tdont résulte la couche de passivation (2) par interaction des ions du plasma avec la couche ou au moins une des couches de l'empilement de couches du substrat (1A, 1B, 4). 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 8 ou 9, dans lequel lors de sa mise en contact avec la couche de passivation (2), la composition chimique est à une température comprise entre 20°C et 40°C, de préférence entre 20°C et 30°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 8 à 10, dans lequel la couche de passivation (2) comprend un ou plusieurs des éléments chimiques suivants : Tantale, hafnium, zirconium. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel les matériaux constitutifs de la couche gravée ou de l'empilement de couches gravées du substrat (1A, 1B,\n<CLM>\1\tsont choisis parmi un ou plusieurs des matériaux suivants : les métaux, les oxydes métalliques, les 5 matériaux semi-conducteurs, les oxydes de matériaux semi-conducteurs.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel les matériaux constitutifs de la couche gravée ou de l'empilement de couches gravées du substrat (1A, 1B,\n<CLM>\1\tcomprennent de l'aluminium et/ou du cuivre. 10