Brevet FR3074962A1 (20190614)

REVENDICATIONS1. Dispositif électronique, capteur d'images, comprenant : une plaquette de substrat semiconducteur (2), en silicium, présentant une face avant (3) et une face arrière (4) et comprenant des portions (5) distantes les unes des autres en formant des passages traversants (6), des circuits électroniques (18) et une couche diélectrique (19) incluant un réseau de connexions électriques (20), situés au-dessus de la face avant de la plaquette de substrat, des remplissages (12) conducteurs de l'électricité reliés au réseau de connexions électriques (20), contenus dans lesdits passages traversants (6) et s'étendant vers l'arrière depuis la face avant (3), des couches diélectriques (9, 10,\n<CLM>\1\td'anti-diffusion du métal des remplissages dans le silicium des portions de la plaquette de substrat, ces couches d' anti-diffusion comprenant des couches intérieures (9), situées entre les flancs (7) des portions (5) de la plaquette de substrat et les remplissages (12), et des couches arrière (10 ;\n<CLM>\1\tjoignant les couches intérieures (9).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, dans lequel les couches diélectriques d'anti-diffusion comprennent des couches arrière (10) recouvrant les faces arrière (8) des portions (5) de la plaquette de substrat (2) et jointes aux couches intérieures (9).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, dans lequel les couches diélectriques d'anti-diffusion comprennent des couches arrière (104) dans les passages traversants (11), jointes aux couches intérieures (9).\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 2 et 3, dans lequel les couches arrière (10) présentent des évidements arrière locaux (202) contenant des couches additionnelles locales (203) de métal.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 4, dans lequel les couches additionnelles locales (203) de métal contenues dans les évidements (202) sont jointes aux couches de tungstène (12b) des remplissages (12).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 4, dans lequel les couches additionnelles locales (303) de métal contenues dans les évidements 15 (202) présentent des portions en regard des passages traversants et sont séparées des couches de métal (12b) des remplissages (12) par des couches locales additionnelles isolantes (305) dans des portions arrière des passages traversants. 5\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les remplissages comprennent des couches avant (12a) en polysilicium et des couches arrière (12b) en un métal.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les remplissages comprennent des parties 10 arrière (12b) en tungstène.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les remplissages (12) comprennent des parties avant (12a) en silicium polydopé.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications 15 précédentes, dans lequel les remplissages des passages traversants comprennent des parties arrière (104,\n<CLM>\1\ten oxyde de silicium ou en silicium polydopé.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les couches diélectriques d'anti-diffusion 20 sont en oxyde de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant les étages suivantes : disposer d'une plaquette pleine épaisse de substrat (2A) ; 25 réaliser des rainures profondes principales (6A) dans la plaquette épaisse de substrat (2A), depuis une face avant de cette plaquette, ces rainures profondes principales (6A) s'étendant longitudinalement et transversalement et se croisant ; réaliser des couches diélectriques d'anti-diffusion (9A) contre 30 les flancs et les fonds des rainures profondes (6A) et des remplissages provisoires (12B) dans les rainures secondaires formées dans ces couches diélectriques (9A) ; réaliser des circuits électroniques (18) et une couche diélectrique (19) incluant un réseau de connexions électriques (20), 16 au-dessus de la face avant de la plaquette de substrat, ce réseau étant relié électriquement aux remplissages ; amincir la plaquette épaisse de substrat (2A) depuis sa face arrière jusqu'aux faces arrière des remplissages provisoires, en 5 enlevant les parties arrière des couches diélectriques (9A), de sorte à obtenir les couches intérieures d'anti-diffusion (9) et lesdites portions (5) de la plaquette de substrat (2) ; enlever les remplissages provisoires (12B) ; réaliser lesdites couches arrière d'anti-diffusion (10, 104). 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12, comprenant les étapes suivantes : après l'obtention des couches intérieures (9), poursuivre l'amincissement de la plaquette épaisse de substrat (2A), jusqu'à l'obtention des portions (5) de la plaquette de substrat (2) ; 15 réaliser les couches arrière (10) des couches diélectriques d'anti-diffusion sur les faces arrière des portions (5) de ladite plaquette de substrat (2), jointes aux couches intérieures (9).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 12 et 13, comprenant l'étape suivante : 20 remplacer des parties arrière desdits remplissages (12) par des couches arrière d'anti-diffusion (104) dans les passages traversants (11).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, comprenant l'étape suivante : 25 réaliser des évidements arrière (202) dans les couches arrière (10) et remplir ces évidements d'un métal.