Brevet FR3076061A1 (20190628)

REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant en empilement sur une face d'un substrat : - un premier collecteur de courant, - une première électrode (7), - une couche active, - une deuxième électrode (9), - un deuxième collecteur de courant (10), dans lequel le premier collecteur de courant comprend un premier élément collecteur (3) comprenant une portion supérieure en contact avec la première électrode (7) et un deuxième élément collecteur (4) en continuité électrique avec, et s'étendant latéralement depuis, le premier élément collecteur (3) au-delà de la première électrode (7), le dispositif comprenant en outre un élément diélectrique configuré pour isoler électriquement le deuxième élément collecteur (4) et au moins l'un parmi la deuxième électrode (9) et le deuxième collecteur de courant (10), caractérisé par le fait qu'il comprend la formation d'une portion supérieure du deuxième élément collecteur (4) en un matériau différent du matériau de la portion supérieure du premier élément collecteur (3) et une transformation, en un matériau modifié, du matériau d'une partie seulement de l'épaisseur de la portion supérieure du deuxième élément collecteur (4) de sorte à former une couche superficielle (5), en matériau modifié plus résistif électriquement que le matériau de la portion supérieure du deuxième élément collecteur (4), formant au moins en partie l'élément diélectrique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la transformation comprend une oxydation ou une nitruration.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le matériau de la portion supérieure du deuxième élément collecteur (4) est choisi plus oxydable que le matériau de la portion supérieure du premier élément collecteur (3). 16\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes comprenant une étape de traitement thermique de la première électrode (7), ladite étape étant configurée pour produire la transformation. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel on forme le premier élément collecteur (3) avec une couche sous-jacente à la couche supérieure du premier collecteur.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la 10 couche sous-jacente forme aussi la couche supérieure du deuxième élément collecteur (4).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, comprenant, la formation de la couche active au contact d'une face supérieure de la première 15 électrode (7), une formation de la deuxième électrode (9) au contact d'une face supérieure de la couche active et une formation du deuxième collecteur (10) en continuité électrique avec la deuxième électrode (9).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel la formation 20 de la deuxième électrode (9) et la formation du deuxième collecteur (10) sont configurées pour qu'au moins l'un parmi la deuxième électrode (9) et le deuxième collecteur(10) soit isolé électriquement du premier collecteur par contact sur la couche superficielle. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, comprenant un enlèvement partiel de la couche superficielle de sorte à exposer le matériau de la portion supérieure du deuxième élément collecteur (4) dans une zone de reprise de contact électrique. 30\n<CLM>\1\tDispositif microélectronique comprenant en empilement sur une face d'un substrat : - un premier collecteur de courant, - une première électrode (7), 17 - une couche active, - une deuxième électrode (9), - un deuxième collecteur de courant (10), dans lequel le premier collecteur de courant comprend un premier élément 5 collecteur (3) comprenant une portion supérieure en contact avec la première électrode (7) et un deuxième élément collecteur (4) en continuité électrique avec, et s'étendant latéralement depuis, le premier élément collecteur (3) au-delà de la première électrode (7), le dispositif comprenant en outre un élément diélectrique configuré pour isoler 10 électriquement le deuxième élément collecteur (4) et au moins l'un parmi la deuxième électrode (9) et le deuxième collecteur de courant (10), caractérisé par le fait que le deuxième élément collecteur (4) comprend une portion supérieure en un matériau différent du matériau de la portion supérieure du premier élément collecteur (3) et en ce que l'élément diélectrique comprend 15 une couche superficielle (5) en un matériau modifié issu du matériau d'une partie seulement de la portion supérieure du deuxième élément collecteur (4), le matériau modifié étant plus résistif électriquement que le matériau de la portion supérieure du deuxième élément collecteur (4). 20\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication précédente, dans lequel le matériau modifié est un oxyde ou un nitrure du matériau de la portion supérieure du deuxième élément collecteur (4).\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des deux revendications précédentes, dans 25 lequel le matériau de la portion supérieure du deuxième élément collecteur (4) est plus oxydable que le matériau de la portion supérieure du premier élément collecteur (3).\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des trois revendications précédentes, dans 30 lequel le matériau de la portion supérieure du premier élément collecteur (3) est le platine. 18\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des quatre revendications précédentes, dans lequel le premier collecteur comprend une couche sous-jacente dont une partie est située en dessous de la portion supérieure du premier élément collecteur (3) et dont une autre partie forme la portion supérieure du deuxième élément 5 collecteur (4).