Brevet FR3069104A1 (20190118)

REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un photodétecteur (1) adapté à détecter un rayonnement électromagnétique d'intérêt, comportant : - une couche support (2) réalisée en un matériau électriquement isolante, - une couche de graphène (3) reposant sur la couche support (2), et - au moins une portion cristalline de détection (4), réalisée en un composé semiconducteur cristallin apte à absorber le rayonnement électromagnétique d'intérêt, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de croissance épitaxiale de la portion cristalline de détection (4) directement à partir de la couche de graphène (3).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le composé semiconducteur cristallin est un composé III-V, un composé II-VI, ou un composé W.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le composé semiconducteur 15 cristallin est épitaxié par une technique de dépôt chimique ou physique en phase vapeur.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel, à la suite de l'étape de croissance épitaxiale, ladite au moins une portion cristalline de détection (4) forme une unique couche cristalline continue qui revêt au moins en partie la couche de graphène (3). 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel, à la suite de l'étape de croissance épitaxiale, ladite au moins une portion cristalline de détection (4) forme une pluralité de plots cristallins distincts les uns des autres qui revêtent partiellement la couche de graphène (3).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à5, le composé semiconducteur 25 cristallin étant un composé III-N, comportant la mise en oeuvre, préalablement à une phase de nucléation du composé III-N lors de l'étape de croissance épitaxiale, d'une étape de traitement thermique de la couche de graphène (3) dans laquelle celle-ci est soumise à une première température (nt) supérieure ou égale à 1050°C et à un flux d'ammoniac.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, dans lequel la phase de nucléation de ladite portion 30 cristalline de détection (4.) est réalisée à une deuxième température (Tn) inférieure à 1050°C. 22\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, comportant, à la suite de la phase de nucléation, une phase de croissance de ladite portion cristalline de détection (4) réalisée à une troisième température (Tc) supérieure à la deuxième température (T2) et inférieure à 1050°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, dans lequel l'ammoniac est 5 un précurseur de l'azote du composé III-N lors de phases de nucléation et de croissance du composé III-N de ladite portion cristalline de détection (4.).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le composé semiconducteur cristallin peut être un composé III-N choisi parmi le GaN, l'AlGaN, l'InGaN, et l'AlInGaN. 10 ii. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la couche de graphène (3) est constituée d'une seule feuille de graphène.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à il, le composé semiconducteur cristallin étant un composé III-N en un alliage à base de GaN ou d'AlGaN adapté à absorber un rayonnement électromagnétique d'intérêt présentant un pic d'intensité à une longueur 15 d'onde comprise entre loonm et 400nm.