Brevet FR3071358A1 (20190322)

REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque, comportant les étapes : a) prévoir un substrat (1) en silicium cristallin, comprenant : - une première surface (10) ; - une seconde surface (11), opposée à la première surface (10), et recouverte d'au moins un film d'oxyde tunnel (2) ; b) former une couche de polysilicium (3) sur le film d'oxyde tunnel (2) ; c) former une première couche antireflet (4) sur une partie (3a) de la couche de 10 polysilicium (3) de sorte que la couche de polysilicium (3) présente des zones libres (ZL), la première couche antireflet (4) étant adaptée pour assurer une barrière à l'oxydation thermique de ladite partie (3a) de la couche de polysilicium (3) ; d) oxyder thermiquement les zones libres (ZL) de la couche de polysilicium (3) de manière à former une seconde couche antireflet (5) sur lesdites zones libres (ZL). 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape d) est exécutée à une température strictement inférieure à 850°C, de préférence comprise entre 700°C et 800°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la seconde couche antireflet (5) 20 formée à l'issue de l'étape d) est un oxyde thermique de polysilicium présentant une épaisseur comprise entre 40 nm et 100 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape d) est exécutée en utilisant de la vapeur d'eau.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel la couche de polysilicium (3) formée lors de l'étape b) présente une épaisseur initiale, et dans lequel la couche de polysilicium (3b) sur laquelle est formée la seconde couche antireflet (5) présente une épaisseur strictement inférieure à l'épaisseur initiale à l'issue de l'étape d).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, dans lequel la couche de polysilicium (3b) sur laquelle est formée la seconde couche antireflet (5) présente une épaisseur strictement inférieure à 10 nm. 25 30 14\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel l'épaisseur initiale de la couche de polysilicium (3) formée lors de l'étape b) est comprise entre 60 nm et 90 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 5 à 7, dans lequel la partie (3a) de la couche de 5 polysilicium (3) sur laquelle est formée la première couche antireflet (4) conserve l'épaisseur initiale à l'issue de l'étape d).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la couche de polysilicium (3) formée lors de l'étape b) est dopée de type p ou de type n avec une concentration de dopants 10 préférentiellement comprise entre 5.1017 at.cm-3 et 5.10' at.cm-3.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel la première couche antireflet (4) formée lors de l'étape c) est réalisée dans au moins un matériau sélectionné dans le groupe comportant l'alumine, un nitrure de silicium, un oxyde de titane. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel le film d'oxyde tunnel (2), recouvrant la seconde surface (11) du substrat (1) prévu lors de l'étape a), présente une épaisseur strictement inférieure à 3 nm. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel le substrat (1) prévu lors de l'étape a) et la couche de polysilicium (3) formée lors de l'étape b) sont dopés du même type de conductivité, le substrat (1) présentant préférentiellement une épaisseur strictement inférieure à 250 tm, plus préférentiellement inférieure à 200 25\n<CLM>\1\tCellule photovoltaïque, comportant : - un substrat (1) en silicium cristallin, comprenant : une première surface (10) ; une seconde surface (11), opposée à la première surface (10), et recouverte d'au moins un film d'oxyde tunnel (2) ; 30 - une couche de polysilicium (3), formée sur le film d'oxyde tunnel (2), et comprenant : une première partie (3a) présentant une première épaisseur de préférence comprise entre 60 nm et 90 nm ; une seconde partie (3b), adjacente à la première partie (3a), et présentant une seconde épaisseur strictement inférieure à la première épaisseur, la seconde épaisseur étant de 35 préférence strictement inférieure à 10 nm ; 15 - une première couche antireflet (4), formée sur la première partie (3a) de la couche de polysilicium (3), et réalisée dans un premier matériau adapté pour assurer une barrière à l'oxydation thermique du polysilicium ; - une seconde couche antireflet (5), formée sur la seconde partie (3b) de la couche de 5 polysilicium (3), et réalisée dans un second matériau différent du premier matériau, le second matériau étant un oxyde thermique de polysilicium.