Brevet FR3078197A1 (20190823)

REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'au moins un transistor à jonction bipolaire, en particulier un transistor bipolaire à hétérojonction (700, 1100, 1300), comprenant une formation d'une région de collecteur extrinsèque (20,\n<CLM>\1\tenterrée dans un substrat semiconducteur (10), sous une région de collecteur intrinsèque (22, 23), une formation d'une région isolante (61) sur la région de collecteur intrinsèque (22,\n<CLM>\1\tet une formation d'une région de base extrinsèque (70) sur la région isolante (61), le procédé comprenant, entre la formation de la région de collecteur extrinsèque (20,\n<CLM>\1\tet la formation de la région isolante (61), une formation de régions de passivation comportant du carbone (40,\n<CLM>\1\tdans la région de collecteur intrinsèque (22,\n<CLM>\1\tet s'étendant en regard de la région de base extrinsèque (70).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel ladite formation de régions de passivation (40,\n<CLM>\1\tcomprend une implantation de carbone (40) configurée pour former des agglomérats avec des défauts cristallins auto-interstitiels dans la couche de collecteur intrinsèque (22).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite formation d'une région de collecteur extrinsèque (20) enterrée dans le substrat semiconducteur (10) comprend une implantation de dopants comprenant des ions phosphore dans une région (20) localisée en profondeur (12) dans le substrat (10), la couche de collecteur intrinsèque (22) comprenant une partie (10a) du substrat située au-dessus de ladite région (20) localisée en profondeur dans le substrat (10).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, comprenant, dans la région de collecteur intrinsèque (22, 23), une formation d'une région de collecteur sélectivement surdopée (51) comprenant une implantation de dopants dans une ouverture d'un 18 masque (49) formé sur la région de collecteur intrinsèque (22, 23), dans lequel ladite formation de régions de passivation (42) dans la région de collecteur intrinsèque (22,\n<CLM>\1\tcomprend en outre une implantation oblique (a, (3) de carbone dans ladite ouverture dudit 5 masque (49), de façon à ce que lesdites régions de passivation comportent des poches de carbone (42) situées localement de part et d'autre de la région de collecteur sélectivement surdopée (51).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4 prise en combinaison avec l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel ladite formation de 10 régions de passivation comportant du carbone (42) dans la région de collecteur intrinsèque (23) ne s'étend en regard de la région de base extrinsèque (70) que dans lesdites poches (42) situées de part et d'autre de ladite région de collecteur sélectivement surdopée (51), le procédé comprenant une formation de régions d'isolation latérales (41) 15 dans le reste de la région de collecteur intrinsèque (23) en regard de la région de base extrinsèque (72).\n<CLM>\1\tCircuit intégré comprenant au moins un transistor jonction bipolaire comportant une région de collecteur extrinsèque (20,\n<CLM>\1\tenterrée dans un substrat semiconducteur (10), sous une 20 région de collecteur intrinsèque (22, 23), une région isolante (61) sur la région de collecteur intrinsèque (22,\n<CLM>\1\tet une région de base extrinsèque (70) sur la région isolante (61), le transistor à jonction bipolaire (700, 1100, 1300) comprenant des régions de passivation comportant du carbone (40,\n<CLM>\1\tdans la région de collecteur 25 intrinsèque (22,\n<CLM>\1\tet s'étendant en regard de la région de base extrinsèque (70).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 6, dans lequel lesdites régions de passivation (40,\n<CLM>\1\tcomprennent des implantations d'atomes de carbone (40) formant des agglomérats avec des défauts 30 cristallins auto-interstitiels dans la couche de collecteur intrinsèque (22).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications 6 ou 7, dans lequel ladite région de collecteur extrinsèque (20) enterrée dans le substrat semiconducteur (10) comprend des dopants comprenant des 19 ions phosphore dans une région (20) localisée en profondeur (12) dans le substrat (10), la couche de collecteur intrinsèque (22) comprenant une partie (10a) du substrat située au-dessus de ladite région (20) localisée en profondeur dans le substrat (10). 5\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications 6 à 8, comprenant, dans la région de collecteur intrinsèque (22, 23), une région de collecteur sélectivement surdopée (51), dans lequel lesdites régions de passivation (42) dans la région de collecteur intrinsèque (22,\n<CLM>\1\tcomprennent des poches de carbone (42) localement situées de 10 part et d'autre de la région de collecteur sélectivement surdopée (51).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 9 prise en combinaison avec l'une des revendications 6 ou 7, dans lequel lesdites régions de passivation comportant du carbone (42) dans la région de collecteur intrinsèque (23) ne s'étendent en regard de la région de base 15 extrinsèque (70) que dans lesdites poches (42) situées de part et d'autre de ladite région de collecteur sélectivement surdopée (51), le transistor à jonction bipolaire (700, 1100, 1300) comprenant des régions d'isolation latérales (41) dans le reste de la région de collecteur intrinsèque (23) en regard de la région de base extrinsèque 20 (72).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications 6 à 10, dans lequel ledit au moins un transistor à jonction bipolaire (700, 1100, 1300) est un transistor bipolaire à hétéroj onction.