Brevet FR3069126A1 (20190118)

REVENDICATIONS1. Dispositif de régénération par chauffage de composants électroniques soumis à des radiations ionisantes, caractérisé en ce qu'il comporte au moins les composants suivants : - une résistance de chauffe (20), destinée à chauffer un composant à régénérer ; une source de courant (2) ; une thermistance (10), reliée à ladite source de courant (2), couplée thermiquement à ladite résistance de chauffe, ladite thermistance parcourue par ledit courant présentant une tension Vtemp à ses bornes, image de la température de ladite résistance de chauffe (20) ; un amplificateur d'erreur (3) amplifiant la différence entre une tension de consigne Vset et la tension Vtemp, délivrant une tension Vctrl correspondant à ladite différence amplifiée ; - un commutateur (5), commutant le courant passant dans ladite résistance de chauffe (20) ; - un oscillateur (4) délivrant une tension Vosc formée à rapport cyclique modulé, le rapport cyclique des impulsions de ladite tension Vosc étant fonction de la tension Vctrl, lesdites impulsions commandant l'ouverture dudit commutateur (5).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte un module de consigne (6) délivrant une tension Vset réglable, image de la température de consigne de chauffe choisie pour ladite résistance de chauffe (20).\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que lesdits composants sont réalisés en composants électroniques discrets.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte un régulateur de tension (1) fournissant une tension d'alimentation stabilisée à ladite source de courant (2), audit 35 amplificateur (3) et audit module de consigne (6). 18\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte un circuit de sécurité (7) formé par un transistor Q1, une résistance Rlim et un potentiomètre Plim, la résistance Rlim et le potentiomètre Plim étant reliés en pont diviseur à une 5 tension stabilisée Vreg alimentant ledit oscillateur (4), le point milieu dudit pont étant relié sur la base du transistor Q1, l'émetteur du transistor Q1 étant relié à l'entrée dudit oscillateur (4) recevant la tension Vctrl et le collecteur étant relié à ladite tension stabilisée Vreg. 10\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit commutateur (5) comporte deux transistors bipolaires Q3, Q4 et des résistances R7, R8, R9, R10, lesdits transistors étant assemblés de sorte que quand Q3 est passant, Q4 est passant, la base de Q4 étant reliée au collecteur du transistor Q3 à travers la résistance R9, la 15 résistance R10 étant connectée entre émetteur et base de Q4, l'émetteur de Q4 étant directement relié à une tension d'alimentation Vcc, et son collecteur à ladite résistance de chauffe, l'émetteur de Q3 étant relié à la masse électrique, et sa base au point milieu d'un diviseur de tension constitué par les résistances R7 et R8, la résistance R7 étant reliée à la 20 sortie dudit oscillateur (4), délivrant la tension Vosc, et la résistance R8 étant reliée à la masse électrique.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite source de courant (2) comporte : 25 un miroir de courant équilibré à quatre transistors bipolaires, formant un miroir de Wilson complet ; une résistance R6; une résistance Rshunt ; et une résistance Rbias1 ; 30 l'ensemble des quatre transistors formant deux miroirs de courant simples M1, M2 branchés en cascade et croisés de telle sorte que les courants de base des transistors tendent à s'annuler, les émetteurs des transistors du premier miroir M1 étant aptes à être reliés à une tension régulée Vreg, le deuxième miroir M2 étant relié en sortie à la résistance Rshunt, reliée à la résistance de ladite thermistance (10), et à la ' 19 résistance Rbias1, reliée à la masse électrique, la résistance R6 reliant les émetteurs des transistors du premier miroir M1 à leur base commune.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que la valeur de la 5 résistance R6 est sensiblement la moitié de la valeur de la résistance Rbias1.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit amplificateur (3) comporte au moins : 10 une première paire différentielle DP2 à transistors bipolaires complémentaires formant un premier étage d'amplification, recevant la tension Vtemp sur la base d'un transistor et la tension Vset sur la base de l'autre transistor ; un miroir de courant M4 fixant le courant de polarisation de DP2; 15 une deuxième paire différentielle DP1 à transistors bipolaires complémentaires formant un deuxième étage d'amplification, la base d'un premier transistor de DP1 étant reliée au collecteur d'un premier transistor de DP2 et la base du deuxième transistor de DP1 étant reliée au collecteur du deuxième transistor de DP2; 20 - un miroir de courant M3 fixant le courant de polarisation de DP1 ; un transistor bipolaire Q2 formant le troisième étage d'amplification, la base de Q2 étant reliée au collecteur d'un transistor de DP1, le collecteur de Q2 étant apte à être relié à une tension régulée Vreg, la tension Vctrl étant présente en sortie de l'émetteur de Q2. 25\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 8, caractérisé que ledit amplificateur comporte des résistances R1, R2, R3, R4, R5 et des résistances Rbias2, Rbias3, les émetteurs des transistors du miroir de courant M3 étant aptes à être reliés à la tension régulée Vreg, le collecteur d'un transistor du miroir M3 30 étant reliée à la résistance Rbias2 et le collecteur de l'autre transistor du miroir M3 étant relié aux émetteurs des transistors de la première paire différentielle DP1, les collecteurs du miroir M3 étant reliés à la masse via les résistances R3 et R4, les émetteurs du miroir M4 étant reliés à la masse, un collecteur dudit miroir M4 étant apte à être relié à la tension régulée Vreg via 35 la résistance Rbias3 et l'autre collecteur étant relié aux émetteurs de la paire - 20 différentielle DP2, les collecteurs de DP2 étant reliés à la tension régulée Vreg, via la résistance R1 pour l'un et via la résistance R2 pour l'autre, le collecteur du transistor Q2 étant apte à être relié à la tension régulée Vreg, l'émetteur de Q2 étant relié à la masse via la résistance R5.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit oscillateur (4) comprend des transistors bipolaires Q5, Q6, Q7, Q8, des résistances R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19, R20, R21 et un condensateur C1 assemblés pour former un 10 oscillateur à relaxation, la fréquence d'oscillation libre étant déterminée par la résistance R12, connectée entre ledit condensateur C1 et l'émetteur de Q8 formant la sortie dudit oscillateur ; le courant de charge du condensateur C1 étant commandé pour moduler le rapport cyclique de la tension Vosc délivrée en sortie dudit 15 oscillateur, ledit courant de charge étant fourni par la tension Vctrl via la résistance R11 ; ledit oscillateur étant alimenté électriquement par une tension régulée Vreg à laquelle sont reliées les résistances R13, R14, R15, reliées respectivement au collecteur de Q5, Q6 et Q7, et le collecteur du 20 transistor Q8; les transistors Q5 et Q6, et les résistances R13, R14, R16, R17 et R19 formant une bascule de type trigger de schmitt, le signal aux bornes dudit condensateur C1 étant envoyé sur la base du transistor Q5 constituant l'entrée de ladite bascule ; 25 la sortie de ladite bascule, formée par le collecteur de Q6, étant envoyée sur un inverseur formé par le transistor Q7 et les résistances R15, R18 et R20, R18 étant connectée entre la base de Q7 et le collecteur de Q6 et R20 étant connectée entre ladite base et la masse électrique ; 30 le signal inversé étant prélevé sur le collecteur du transistor Q7 et étant envoyé sur un étage d'adaptation d'impédance constitué par le transistor Q8, monté en suiveur, et la résistance R21 configurés en montage collecteur commun. 5 21\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte une sortie fournissant un signal VTout de recopie de la tension aux bornes de ladite thermistance (10). 5