Brevet FR3077923A1 (20190816)

REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une structure de type semi-conducteur sur isolant par transfert d'une couche d'un substrat donneur sur un substrat receveur, comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture du substrat donneur et du substrat receveur, b) la formation dans le substrat donneur d'une zone de fragilisation délimitant la couche à transférer, c) le collage du substrat donneur sur le substrat receveur, la surface du substrat donneur opposée à la zone de fragilisation par rapport à la couche à transférer étant à l'interface de collage, d) le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation permettant le transfert de la couche à transférer sur le substrat receveur, le procédé de transfert étant caractérisé en ce qu'il comprend, avant l'étape de collage, une étape de modification contrôlée de la courbure du substrat donneur et/ou du substrat receveur de sorte à écarter les substrats l'un de l'autre au moins dans une région de leur périphérie.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la courbure du substrat donneur et/ou du substrat receveur est modifiée de manière globale.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel l'étape de modification contrôlée comprend le dépôt d'une couche additionnelle sur au moins l'une des faces du substrat, la couche additionnelle étant fabriquée dans un matériau dont le coefficient de dilatation thermique est différent de celui du matériau du substrat, le matériau de la couche additionnelle étant choisi de sorte à imposer au substrat une contrainte mécanique contrôlée apte à le déformer.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3, dans lequel le dépôt de la couche additionnelle est effectué sur les deux faces du substrat, les couches additionnelles des première et deuxième faces étant fabriquées dans des matériaux possédant des coefficients de dilatation thermiques différents l'un de l'autre, les matériaux des couches additionnelles étant choisis de sorte à imposer au substrat une contrainte mécanique contrôlée apte à le déformer.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 3 ou 4, dans lequel le dépôt de la couche additionnelle est effectué sur les deux faces du substrat, les couches additionnelles déposées sur la première et la deuxième face possédant des 15 épaisseurs différentes, la différence d'épaisseur étant choisie de sorte à imposer au substrat une contrainte mécanique contrôlée apte à le déformer.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 4 ou 5, dans lequel le dépôt des 5 couches additionnelles est suivi du retrait d'au moins une partie d'au moins l'une des couches additionnelles.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, comprenant avant le collage, le dépôt d'une couche de piégeage de charges sur le substrat 10 receveur.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 2 à 7, dans lequel l'étape de déformation contrôlée comprend l'oxydation d'au moins une région superficielle du substrat donneur et/ou du substrat receveur pour imposer 15 audit substrat une contrainte mécanique contrôlée apte à le déformer.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 7 et 8, dans lequel, le substrat receveur comprenant une couche de piégeage de charges, l'oxydation du substrat comprend l'oxydation de la couche de piégeage de charges. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 2 à 9, dans lequel le dépôt de la couche additionnelle est effectué par dépôt chimique en phase vapeur dans un réacteur. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 2 à 10, dans lequel le substrat donneur et le substrat receveur sont tous les deux déformés de manière convexe.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la courbure du substrat 30 donneur et/ou du substrat receveur est modifiée de manière locale.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape de déformation contrôlée du substrat donneur et/ou receveur comprend les étapes suivantes : 35 - le positionnement du substrat receveur sur la surface (41) d'un support (40) munie de rainures (42), la face du substrat receveur destinée à former l'interface de collage étant opposée à la surface du support, - l'application dans les rainures (42) d'une première pression (P1) inférieure à une seconde pression (P2) appliquée sur la face du substrat receveur destinée à former l'interface de collage, 16 et le collage du substrat donneur sur le substrat receveur, ainsi que le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation, sont effectués en maintenant lesdites première et seconde pressions. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la face ou les deux faces destinée(s) à former l'interface de collage du substrat donneur et/ou du substrat receveur sont déformées de manière à présenter une amplitude de courbure (Bw) supérieure ou égale à 20 pm, de préférence supérieure ou égale à 50 pm. 10\n<CLM>\1\tProcédé pour réduire la rugosité de la surface d'une structure de type semiconducteur sur isolant, caractérisé en ce qu'il comprend la formation de ladite structure par le procédé selon l'une des revendications précédentes. 15