Brevet FR3074961A1 (20190614)

REVENDICATIONS1. Dispositif électronique (1, 2, 3, 10,\n<CLM>\1\tcomprenant un transistor MOS (7) dont des régions de source (73) et de drain (71) sont séparées l'une de l'autre par une région de formation de canal (77) surmontée d'une première grille (75), la région de drain (71) comportant un prolongement (710) surmonté d'une deuxième grille (720) connectée à la première grille.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, dans lequel les régions de drain (71) et de source (73) sont respectivement couplées à des première (6) et deuxième (8) bornes d'application 10 d'une tension, le dispositif comprenant en outre un élément résistif (9) dont une première borne est couplée à la deuxième borne (8) d'application d'une tension et dont une deuxième borne (11) est couplée à la première grille (75).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 2, dans lequel la 15 deuxième borne (11) de l'élément résistif (9) est en outre couplée à la région de formation de canal (77).\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la région de drain (71) et son prolongement (710) sont interrompus, sous la deuxième grille 20 (720), par une région de séparation (730).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 4, dans lequel la région de séparation (730) est non dopée ou dopée d'un type de conductivité opposé à celui de la région de drain (71).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 4 ou 5, dans 25 lequel la région de drain (71) et son prolongement (710) comportent deux parties (71A, 71B) s'étendant à partir de côtés opposés de la région de séparation (730).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 6, dans lequel les deux parties (71A, 71B) de la région de drain (71) et de son 30 prolongement (710) sont couplées entre elles.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 7, dans lequel la région de séparation (730) et la région de formation de canal (77) sont couplées entre elles. B16600FR - 17-GR1-0545 17\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la région de drain (71), le prolongement (710) de la région de drain et la région de source (73) du transistor MOS (7) sont dopées d'un premier type de 5 conductivité, la région de formation de canal (77) étant non dopée ou dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les régions de source (73), de drain (71) et de formation de canal (77) s'étendent dans une couche semiconductrice (13) reposant sur une couche isolante (15).\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel une partie seulement du 15 prolongement (710) est surmontée de la deuxième grille (720).\n<CLM>\1\tDispositif (5) selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant en outre au moins un autre transistor MOS (50) connecté en parallèle dudit transistor MOS (7). 20\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 12, dans lequel les régions de drain (D) et de source (S) et la grille (G) de chaque autre transistor MOS (50) sont couplées respectivement à la région de drain (D) et de source (S) et aux grilles (75,\n<CLM>\1\tdu transistor MOS (7) comprenant la deuxième grille (720). 25\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 13, dans lequel la région de corps (B) de chaque autre transistor MOS (50) est couplée à la région de corps (B) du transistor MOS (7) comprenant la deuxième grille (720).