Brevet FR3076292A1 (20190705)

REVENDICATIONS1. Procede de transfert d'une couche utile (1) sur un substrat support (2) comportant une premiere surface (20), le procede comportant les etapes successives : a) prevoir un substrat donneur (3) comportant : - une premiere surface (30), - une zone de fragilisation (ZS) comprenant des especes implantees, - la couche utile (1), delimitee par la zone de fragilisation (ZS) et par la premiere surface (30) du substrat donneur (3), - une zone amorphe (4) s'etendant dans la couche utile (1), parallelement a la zone de fragilisation (ZS) ; b) assembler, du cote de la premiere surface (30) du substrat donneur (3) et du cote de la premiere surface (20) du substrat support (2), le substrat donneur (3) au substrat support (2) par un collage ; l'etape b) etant executee de sorte que la zone amorphe (4) est au moins partiellement en regard d'au moins une cavite (200) delimitee en partie par la premiere surface (30) du substrat donneur (3) ; c) fracturer le substrat donneur (3) suivant la zone de fragilisation (ZS) de maniere a exposer la couche utile (1).\n<CLM>\1\tProcede selon la revendication 1, dans lequel la cavite (200) est menagee a la premiere surface (20) du substrat support (2) ; et dans lequel le collage de l'etape b) s'opere entre la premiere surface (30) du substrat donneur (3) et la premiere surface (20) du substrat support (2).\n<CLM>\1\tProcede selon la revendication 1, dans lequel le substrat support (2) comporte des piliers (6), s'etendant a la premiere surface (20) du substrat support (2), et delimitant en partie la cavite (200) ; et dans lequel le collage de l'etape b) s'opere entre la premiere surface (30) du substrat donneur (3) et les piliers (6) du substrat support (2).\n<CLM>\1\tProcede selon la revendication 1, dans lequel le substrat donneur (3) prevu lors de l'etape a) comporte des piliers (6'), s'etendant a la premiere surface (30) du substrat donneur (3), et delimitant en partie la cavite (200) ; et dans lequel le collage de l'etape b) s'opere entre les piliers (6') du substrat donneur (3) 35 et la premiere surface (20) du substrat support (2). 17\n<CLM>\1\tProcede selon la revendication 1, dans lequel le substrat support (2) comporte des piliers (6), s'etendant a la premiere surface (20) du substrat support (2), et delimitant en partie une premiere cavite (200a) ; 5 dans lequel le substrat donneur (3) prevu lors de l'etape a) comporte des piliers (6'), s'etendant a la premiere surface (30) du substrat donneur (3), et delimitant en partie une deuxieme cavite (200b) ; et dans lequel le collage de l'etape b) s'opere entre les piliers (6') du substrat donneur (3) et les piliers (6) du substrat support (2) de maniere a reunir les premiere et deuxieme cavites 10 (200a, 200b) et former la cavite (200).\n<CLM>\1\tProcede selon l'une des revendications 1 a 5, comportant une etape d) consistant a recristalliser la zone amorphe (4), l'etape d) etant executee apres l'etape c) ; l'etape d) etant de preference executee par une reprise d'epitaxie en phase solide.\n<CLM>\1\tProcede selon l'une des revendications 1 a 6, dans lequel l'etape a) comporte les etapes : ao) prevoir le substrat donneur (3) comportant la premiere surface (30) ; at) former la zone de fragilisation (ZS) dans le substrat donneur (3) ; az) former la zone amorphe (4) dans la couche utile (1).\n<CLM>\1\tProcede selon la revendication 7, dans lequel l'etape at) consiste a implanter des especes ionisees dans le substrat donneur (3), a travers la premiere surface (30) du substrat donneur (3), lesdites especes ionisees comportant de preference au moins une des especes selectionnees parmi H+, He+, B.\n<CLM>\1\tProcede selon la revendication 7 ou 8, dans lequel l'etape az) consiste a implanter des especes dans la couche utile (1), a travers la premiere surface (30) du substrat donneur (3), lesdites especes etant de preference des ions de silicium ou des ions de germanium. 30\n<CLM>\1\tProcede selon rune des revendications 7 a 9, dans lequel l'etape az) est executee de sorte que la zone amorphe (4) s'etend a distance de la premiere surface (30) du substrat donneur (3). 15 20 25\n<CLM>\1\tProcede selon l'une des revendications 7 a 10, dans lequel la couche utile (1) du 35 substrat donneur (3) prevu lors de l'etape a) presente une densite volumique, notee p1 ; 18 et dans lequel l'etape az) est executee de sorte que la zone amorphe (4) presente une densite volumique, notee p2, verifiant p2 pi/10.\n<CLM>\1\tProcede selon l'une des revendications 7 a 11, dans lequel la couche utile (1) du 5 substrat donneur (3) prevu lors de l'etape a) presente une epaisseur, notee t, definissant une largeur maximale theorique de la cavite, notee Wlim, qui est proportionnelle a t2 ; et dans lequel l'etape az) est executee de sorte que la zone amorphe (4) forme un reseau periodique avec un pas, note p, verifiant p\n<CLM>\1\tProcede selon l'une des revendications 1 a 12, dans lequel l'etape c) est executee en appliquant un recuit thermique a l'assemblage obtenu a l'issue de l'etape b).\n<CLM>\1\tProcede selon l'une des revendications 1 a 13, dans lequel le substrat donneur (3) 15 prevu lors de l'etape a) est realise dans un materiau selectionne parmi : - un materiau semi-conducteur, de preference Si, Ge, GaAs, InP, GaN ; - un materiau piezoelectrique, de preference LiNbO3, LiTaO3.