Brevet FR3079071A1 (20190920)

REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une pluralité d'îlots semiconducteurs cristallins (3a, 3b) présentant une variété de paramètres de maille, le procédé comprenant les étapes suivantes : fournir un substrat de relaxation (6) comportant un support (7), une couche de fluage (8) disposée sur le support (7) et composée d'un premier groupe de pavés (8a) présentant une première viscosité à une température de relaxation et d'un deuxième groupe de pavés (8b) présentant une deuxième viscosité, différente de la première, à la température de relaxation et, disposée sur la couche de fluage, une pluralité d'îlots semi- conducteurs cristallins contraints (9) présentant un paramètre de maille initial, les îlots d'un premier groupe d'îlots (9a) étant disposé sur les pavés du premier groupe de pavés (8a) et les îlots d'un deuxième groupe d'ilots (9b) étant disposé sur les pavés du deuxième groupe de pavés (8b) ; traiter thermiquement le substrat de relaxation (6) à la température de relaxation, supérieure ou égale à la température de transition vitreuse d'au moins un des pavés de la couche de fluage, pour provoquer l'expansion latérale différenciée des îlots du premier et du second groupe, le paramètre de maille des îlots relaxés du premier groupe (3a) et des îlots relaxés du second groupe (3b) présentant alors des valeurs différentes.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel l'étape de fourniture du substrat comprend : - la formation sur le support (7) d'une première couche de fluage (8a) en un premier matériau ; 34 - la formation d'évidements dans la première couche de fluage (8a) ; - le dépôt d'une deuxième couche de fluage (8b) en un deuxième matériau sur la première couche (8a) et dans 5 les évidements pour former un empilement de couches de fluage ; - la planarisation de l'empilement pour éliminer la deuxième couche en dehors des évidements et former le premier groupe de pavés et le deuxième groupe de 10 pavés.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel l'étape de fourniture du substrat comprend : - la préparation d'un substrat donneur comprenant 15 au moins une couche contrainte de semi-conducteur cristallin ; - le transfert de la couche contrainte sur la couche de fluage (8) du support (7); - la réalisation de tranchées (4) dans la couche 20 contrainte pour former les îlots (9a) du premier groupe d'îlots sur les premières pavés (8a) et pour former les îlots du deuxième groupe d'îlots (9b) sur les deuxièmes pavés (8b) de la couche de fluage (8). 25\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel la réalisation des tranchées (4) dans la couche contrainte est réalisée après son transfert sur la couche de fluage (8) support (7). 30\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes dans lequel la température de relaxation est comprise entre 400°C et 900°C.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes dans lequel les îlots semi-conducteurs cristallins (3a, 3b) sont en matériaux III-N. 5\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes comprenant une étape de transfert des îlots relaxés du premier groupe (3a) et des îlots relaxés du second groupe (3b) sur un support de croissance (5). 10\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel l'étape de transfert comprend le report des îlots relaxés du premier groupe (3a) et des îlots relaxés du second groupe (3b) sur un support intermédiaire. 15