Brevet FR3068510A1 (20190104)

REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une interface destinée à assembler temporairement un premier et un deuxième élément, comportant au moins : a) formation d'une première couche (Cl) comportant au moins un matériau apte à libérer au moins une espèce chimique sous l'action d'un traitement physico-chimique, b) formation d'une deuxième couche (C2) comportant au moins un matériau apte à recevoir le au moins une espèce chimique de sorte à provoquer sa fragilisation, la première couche (Cl) et une deuxième couche (C2) étant au moins en partie en contact.\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation selon la revendication 1, dans lequel la formation de la première couche (Cl) est telle que la au moins une espèce chimique est piégée dans le matériau de la couche (Cl).\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la deuxième couche (C2) est au moins en partie poreuse.\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 3 en combinaison avec la revendication 3, dans lequel lors de la formation de la deuxième couche (C2), une zone extérieure offrant une porosité inférieure à une zone centrale est réalisée, dite zone d'exclusion.\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel l'étape a) est réalisée par dépôt de silicium amorphe par CVD ou PECVD, et dans lequel la deuxième couche est au moins en partie en silicium poreux 25 24\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 5, comportant un traitement chimique de la deuxième couche, parmi une oxydation par plasma, une oxydation par voie liquide, telle que l'oxydation en milieu peroxyde..., un traitement d'oxydation gazeuse, un traitement d'oxydation thermique... 5\n<CLM>\1\tProcédé d'assemblage temporaire d'un premier élément (El) et d'un deuxième élément (E2) comportant : - la réalisation d'une interface selon le procédé selon l'une des revendications 1 à 6, 10 - l'assemblage du premier élément (El) et du deuxième élément (E2) par l'intermédiaire de ladite interface de sorte que la première couche soit du côté du deuxième élément (E2) et le deuxième couche soit du côté du premier élément (El), - une étape de fragilisation de l'interface telle que la au moins une espèce est libérée de la première couche (Cl) et réagit avec tout ou partie du matériau de 15 la deuxième couche (C2).\n<CLM>\1\tProcédé d'assemblage selon la revendication 7, dans lequel la deuxième couche est réalisée en face avant du premier élément (El). 20\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation selon la revendication 8, dans lequel l'étape de fragilisation a lieu avant l'assemblage.\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation selon la revendication 8 ou 9, dans lequel à l'issu de l'étape de fragilisation l'énergie d'adhérence le long d'un plan transversal à une direction d'empilement des première et deuxième couches est inférieure ou égale à 1 J/m2.\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation selon l'une des revendications 8 à 10, dans lequel l'étape de fragilisation est un traitement thermique entre 250°C et 500°C. 25\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'au moins une partie d'au moins un dispositif microélectronique mettant en oeuvre le procédé d'assemblage selon l'une des revendications 8 à 11, dans lequel le premier élément est une poignée temporaire et le deuxième élément est un support microélectronique, ledit procédé comportant une 5 étape de retrait de la poignée après l'étape de fragilisation.\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un film mince mettant en oeuvre le procédé d'assemblage selon l'une des revendications 8 à 11, dans lequel le premier élément est un substrat support et le deuxième élément est un film mince, ledit procédé 10 comportant une étape de retrait du substrat support après l'étape de fragilisation.\n<CLM>\1\tInterface destinée à assembler temporairement un premier et deuxième élément comportant au moins : - une première couche (Cl) comportant au moins un matériau apte à 15 libérer au moins une espèce chimique sous l'action d'un traitement physico-chimique, une deuxième couche (C2) comportant au moins un matériau apte à recevoir le ou les espèces chimiques de sorte à provoquer sa fragilisation.\n<CLM>\1\tInterface selon la revendication 14, dans laquelle la première 20 couche est en silicium amorphe et la deuxième couche est en silicium poreux.\n<CLM>\1\tInterface selon la revendication 15, dans laquelle la deuxième couche a une porosité comprise entre 20% et 80%. 25\n<CLM>\1\tInterface selon la revendication 14, 15 ou 16, dans laquelle l'épaisseur de la première couche est comprise entre 100 nm et 10 um et celle de la deuxième couche entre 100 nm et 100 um.\n<CLM>\1\tInterface selon l'une des revendications 14 à 17, comportant une 30 couche d'encapsulation recouvrant la première couche, par exemple en Si02.