Brevet FR3076127A1 (20190628)

REVENDICATIONS1. Circuit de détection PVT, comprenant : des premier et deuxième transistors (102,\n<CLM>\1\td'un premier type de conductivité, chacun ayant son noeud de commande couplé à une ligne de colintande (EN) et un premier de ses noeuds de conduction principaux couplé à un premier rail de tension, les premier et deuxième transistors étant agencés de telle sorte que les variations de leurs tensions de seuil en fonction de la température et/ou du procédé de fabrication sont différentes entre elles ; et un amplificateur (106) couplé à un deuxième noeud de conduction principal de chacun des premier et deuxième transistors et agencé pour amplifier une différence entre les courants (I1,\n<CLM>\1\tconduits par les premier et deuxième transistors afin de générer un signal de sortie (OUT) au niveau d'une sortie du circuit.\n<CLM>\1\tCircuit de détection PVT selon la revendication 1, dans lequel l'amplificateur comprend : une bascule bistable ; et un circuit de pré-charge (320,\n<CLM>\1\tagencé pour placer 20 la bascule bistable dans un état métastable.\n<CLM>\1\tCircuit de détection PVT selon la revendication 2, dans lequel la bascule bistable comprend des premier et deuxième inverseurs (302,\n<CLM>\1\ttête-bêche entre des premier et deuxième noeuds de tension (306, 308), le premier inverseur (302) étant 25 couplé au premier rail de tension par l'intermédiaire du deuxième noeud de conduction principal du premier transistor (102), et le deuxième inverseur étant couplé au premier rail de tension par l'intermédiaire du deuxième noeud de conduction principal du deuxième transistor (104). 30\n<CLM>\1\tCircuit de détection PVT selon la revendication 1, comprenant en outre : des troisième et quatrième transistors (502,\n<CLM>\1\td'un deuxième type de conductivité, chacun ayant son noeud de commande couplé à un autre signal de commande (EN) et un premier de ses B16582 DD17886ST 22 noeuds de conduction principaux couplé à un deuxième rail de tension de référence, un deuxième noeud de conduction principal de chacun des troisième et quatrième transistors étant couplé à l'amplificateur (106), les troisième et quatrième transistors 5 étant agencés pour avoir des tensions de seuil différentes entre elles et un taux différent de variation de leurs tensions de seuil par rapport aux variations d'au moins l'un du procédé de fabrication et de la température.\n<CLM>\1\tCircuit de détection PVT selon la revendication 3, 10 comprenant en outre les troisième et quatrième transistors de la revendication 4, dans lequel le premier inverseur (302) est couplé au deuxième rail de tension par l'intermédiaire du deuxième noeud de conduction principal du troisième transistor (502), et le deuxième inverseur (304) est couplé au deuxième rail de tension 15 par l'intermédiaire du deuxième noeud de conduction principal du quatrième transistor (504).\n<CLM>\1\tCircuit de détection PVT selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les premier et deuxième transistors (102,\n<CLM>\1\tsont agencés pour être différents entre 20 eux selon un ou plusieurs des aspects suivants : la longueur des transistors ; la largeur des transistors ; le type de transistor ; et le niveau de la tension de polarisation de substrat. 25\n<CLM>\1\tSystème de détection PVT, comprenant : un premier circuit de détection PVT selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 ; et un deuxième circuit de détection PVT selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les premier et 30 deuxième transistors (102,\n<CLM>\1\tdu premier circuit de détection PVT sont agencés pour avoir des tensions de seuil dont chacune est différente des tensions de seuil des premier et deuxième transistors du deuxième circuit de détection PVT.\n<CLM>\1\tSystème de détection PVT selon la revendication 7, 35 dans lequel les premier et deuxième circuits de détection PVT sont B16582 DD17886ST 23 couplés en série entre eux, la sortie du premier circuit de détection PVT étant couplée à la ligne de commande (EN) du deuxième circuit de détection PVT.\n<CLM>\1\tSystème de détection PVT selon la revendication 8, 5 comprenant en outre un troisième circuit de détection PVT selon L'une quelconque des revendications 1 à 6, le troisième circuit de détection PVT ayant sa ligne de commande couplée à une sortie complémentaire (OUT) du premier circuit de détection PVT.\n<CLM>\1\tCircuit tridimensionnel comprenant une pluralité de 10 niveaux de circuit intégré, dans lequel chacun des niveaux comprend un circuit de détection PVT selon l'une quelconque des revendications 1 à\n<CLM>\1\t11. Procédé de détection d'un point PVT, comprenant : activer des premier et deuxième transistors (102,\n<CLM>\1\t15 d'un premier type de-conductivité par l'intermédiaire d'une ligne de commande (EN) couplée à des noeuds de commande des premier et deuxième transistors, chacun des premier et deuxième transistors ayant un premier de ses noeuds de conduction principaux couplé à un premier rail de tension, et les premier et deuxième transistors étant agencés de telle sorte que les variations dans leurs tensions de seuil_en fonction de la température et/ou du procédé de fabrication sont différentes entre elles ; et amplifier une différence entre les courants conduits par un deuxième noeud de conduction principal de chacun des premier et 25 deuxième transistors afin de générer un signal de sortie (OUT).