Brevet FR3067169A1 (20181207)

REVENDICATIONS1. Procédé de création d'une nanocouche de métamatériau avec des centres de génération secondaire à l'intérieur d'une cellule photovoltaïque, bénéficiant d'un nouveau mécanisme de génération des porteurs libres, d'une plaquette tout en silicium préalablement dopée et dans laquelle a été formée une jonction collectrice définissant classiquement entre la face arrière et la face avant une base et un émetteur caractérisé en ce que l'on procède à la création d'une région 10 amorphisée par une amorphisation provenant d'une implantation d'ions à une profondeur prédéterminée et d'épaisseur prédéterminée dans la masse cristalline de silicium de l'émetteur à l'aide d'un implanteur d'ions à faisceau large et à spot large, stabilisé et contrôlé durant tout le cycle d'implantation, et induisant des ondes de chaleur planaires se déplaçant 15 dans la masse cristalline cible selon la direction de propagation des ions incidents, évitant des effets de tiraillement multidirectionnel ou de cisaillement, suivie d'un traitement thermique post implantation de durée réduite, à une température voisine de 500°C, réalisé selon un cycle de séquences successives d'exposition thermique de durée réduite. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que le faisceau d'ions bombardant la plaquette-cible de silicium présente un front d'onde sensiblement plan grâce auquel, malgré la faible dépense énergétique, la thermodynamique des transformations du matériau cristallin conduit à la structure libre des défauts structuraux étendus 25 résiduels et persistants en permettant la séparation la plus claire et nette possible des phases de Si, amorphisée et cristalline, très mince zone de transition entre la phase amorphisée et cristalline avec son milieu mixte amorphisé/cristallin, la bonne homogénéité et planéité de la couche 22 3067169 amorphisée, ainsi qu'une quasi absence des insertions des nanoparticules amorphisées dans le cristallin et cristallines dans l'amorphisé, déjà avant le traitement thermique post implantation.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que 5 l'implantation d'ions est réalisée avec des ions silicium ou des ions phosphore.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 1 ou 2 caractérisé par la création dans l'émetteur d'une nano structure enterrée, contenant au moins une nano couche active dite SEG-MATTER greffée avec des très in nombreux centres de génération secondaire dits SEGTON. 5, Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'implantation d'ions est réalisée dans la masse cristalline de l'émetteur au voisinage de la face avant de la plaquette.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que la 15 durée réduite de chaque exposition thermique à la température autour de 500°C est de quelques minutes.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que le la durée totale de ou des expositions thermiques est inférieure à 30 minutes. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que la surface du spot projeté sur la plaquette est d'au moins quelques dizaines de cm2.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que le faisceau d'ions est fixe et la plaquette se translate en étant balayée par le 25 spot des ions sur sa face avant.\n<CLM>\1\tConvertisseur photovoltaïque tel que résultant de l'a mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes.