Brevet FR3074909A1 (20190614)

REVENDICATIONS1. Procédé d'identification, de la classe de réfractaires électrofondus AZS correspondant au(x) réfractaire(s) électrofondus AZS qui génère(nt) des « pierres » de réfractaire AZS visibles, comme défauts (203a-d), dans un produit verrier (201) fabriqué dans un four verrier muni de réfractaires électrofondus AZS de classes Ck différentes, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : a. la mesure (E101), pour un ensemble de P « pierres » (A100), de la valeur yu d'au moins deux paramètres morphologiques pi de i cristaux de zircone primaires nodulaires de manière à obtenir, pour chaque paramètre morphologique pi, un ensemble de i valeurs v1; b. la comparaison statistique (E102), pour chaque paramètre morphologique pi, des ensembles de i valeurs vif (A101) obtenues à d'autres ensembles de valeurs ut./ (A102) préalablement obtenues sur des cristaux de zircone primaires nodulaires contenus dans des réfractaires AZS correspondant aux classes Ck desdits réfractaires du four ; c. l'identification (E103) de la classe Ck (A103) de réfractaires électrofondus AZS pour laquelle lesdits ensembles de valeurs comparés présentent une corrélation statistique maximale.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, tel que les paramètres morphologiques pi sont choisis parmi.: rondeur, solidité, circularité, rapport d'aspect, périmètre, aire totale, aire convexe et diamètre de Feret maximum.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, tel que la mesure des valeurs vif des paramètres morphologiques pi est réalisée à partir d'images micrographiques acquises à l'aide d'un dispositif d'observation optique ou électronique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3, tel que la mesure des valeurs v1 des paramètres morphologiques pi comprend une étape (E401b, E401c) de traitement numérique des images micrographiques.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, tel que ledit traitement numérique comprend une étape de sélection des cristaux de zircone primaires nodulaires par segmentation selon un seuillage en niveaux de gris. - 24 -\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, tel que ledit traitement numérique comprend une étape de sélection des cristaux de zircone primaires nodulaires par segmentation selon des lignes de partage des eaux.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 6, tel que les cristaux de zircone 5 primaires nodulaires dont les valeurs vii des paramètres morphologiques pi sont mesurées ont un coefficient de convexité, défini, pour chaque cristal, comme le rapport de la différence entre l'aire convexe et l'aire totale sur l'aire totale, inférieur ou égal à 0,3, en particulier inférieur ou égal à 0,2, de préférence inférieur ou égal à 0,1.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 7, tel que les valeurs vii des io paramètres morphologiques pi des cristaux de zircone primaires nodulaires sont des valeurs moyennes fij des paramètres morphologiques pi de la totnlité des cristaux de zircone primaires nodulaires observés sur chaque image micrographique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, tel que les étapes b et c sont réalisées au moyen d'un traitement statistique. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, tel que le traitement statistique est fondé sur l'utilisation d'une forêt d'arbres décisionnels et comprend les étapes suivantes : - la définition des arbres décisionnels de la forêt, chaque arbre comprenant une racine, des noeuds, des branches et des feuilles, chacune desdites feuilles représentant une classe Ck des réfractaires electrofondus AZS, chacun des 20 noeuds de l'arbre représentant de manière aléatoire un paramètre morphologique pi des cristaux de zircone primaires nodulaires compris dans les réfractaires électrofondus AZS, chaque branche correspondant à une valeur X1 ou à un intervalle de valeurs xi pour le paramètre morphologique pi représenté par le noeud qui donne naissance à la dite branche, les dites valeurs 25 ,X1 ou intervalles de valeurs xi étant définis à partir ensembles de valeurs uii préalablement obtenues sur des cristaux de zircone primaires nodulaires contenus dans des réfractaires AZS correspondant aux classes Ci desdits réfractaires du four ; - la sélection d'une classe Ck de réfractaires electrofondus AZS associée à une 30 feuille de chaque arbre selon les valeurs vii des paramètres morphologiques pi de chaque cristal de zircone primaires nodulaires contenus dans les « pierres »; - l'identification de la classe Ck de réfractaires electrofondus AZS à laquelle le nombre d'arbres décisionnels attribuant lesdits cristaux est le plus élevé. - 25 -\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, tel que le nombre d'arbres décisionnels composant la forêt est supérieur ou égal au nombre de paramètres morphologiques p» de préférence supérieur ou égal à\n<CLM>\1\t12. Procédé selon la revendication 9, tel que le traitement statistique est fondé sur 5 l'utilisation de séparateurs à vaste marge et comprend : - la représentation (E501a), dans un hyperespace dont chaque dimension représente un paramètre morphologique pi, d'ensembles de valeurs uij (A101) des paramètres morphologiques pi de cristaux de zircone primaires nodulaires contenus dans des réfractaires AZS correspondant aux classes Ck desdits 10 réfractaires du four, lesdits ensembles de valeur étant distingués de manière à former des amas A associés à la classe Ck des réfractaires électrofondus AZS auxquels ces ensembles correspondent ; - la séparation (E501b) des amas A par plusieurs hypersurfaces représentant les marges les plus vastes entre chacun des amas A, les intersections des 15 hypersurfaces formant des domaines Dk qui sont ensuite associés à l'amas A qu'ils contiennent majoritairement ; - la représentation (E501c), dans ledit hyperespace, des valeurs vif (A102) de paramètres morphologiques pi des cristaux de zircone des « pierres » d'AZS ; - l'identification (501d) de la classe Ck (A103) correspondant aux domaines Dk 20 dans lesquels lesdites valeurs vii de paramètres morphologiques pi des cristaux de zircone des « pierres » d'AZS sont majoritairement contenues.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, tel que le traitement statistique comprend en outre une étape préalable de réduction des valeurs vii des paramètres morphologiques pi en composantes principales. 25\n<CLM>\1\tDispositif d'identification de la dasse de réfractaires électrofondus AZS correspondant au(x) réfractaire(s) électrofondus AZS qui génère(nt) des « pierres » de réfractaire AZS visibles, comme défauts, dans un produit verrier fabriqué dans un four verrier muni de réfractaires électrofondus AZS de classes Ck différentes, ledit dispositif comprenant : - un module de mesure (205), pour un ensemble de P « pierres », de la valeur 30 vii d'au moins deux paramètres morphologiques pi de i cristaux de zircone primaires nodulaires de manière à obtenir, pour chaque paramètre morphologique pi, un ensemble de i valeurs vi j ; - 26 - - un module de comparaison statistique (208), pour chaque paramètre morphologique pi, des ensembles de i valeurs vii obtenues à d'autres ensembles de valeurs uu préalablement obtenues sur des cristaux de zircone primaires nodulaires contenus dans des réfractaires AZS correspondant aux 5 classes Ck desdits réfractaires du four ; - un module d'identification (211) de la classe de réfractaires électrofondus AZS pour laquelle lesdits ensembles de valeurs comparés présentent une corrélation statistique maximale.\n<CLM>\1\tProgramme d'ordinateur comprenant des instructions de codes de programme pour 10 l'exécution des étapes d'un procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13 lorsque ledit programme est exécuté sur un ordinateur.\n<CLM>\1\tSupport de stockage déchiffrable par ordinateur sur lequel est enregistré un programme d'ordinateur comprenant des instructions pour l'exécution des étapes d'un procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à\n<CLM>\1\t15\n<CLM>\1\tSupport de stockage déchiffrable par ordinateur sur lequel est enregistrée une ou plusieurs bases de données (210) comprenant des ensembles E de valeurs vi de paramètres morphologiques pi pour des cristaux de zircone primaires nodulaires contenus dans des réfractaires AZS correspondant aux classes Ck des réfractaires AZS du four et susceptible d'être utilisée pour l'exécution des étapes d'un procédé selon 20 l'une quelconque des revendications 1 à\n<CLM>\1\t18. Procédé de fabrication d'un produit verrier dans un four verrier muni de réfractaires électrofondus AZS de classes Ck différentes, ledit procédé comprenant les étapes successives suivantes : a. le prélèvement des « pierres » de réfractaire AZS visibles, comme défauts, dans 25 le produit verrier ; b. l'identification de la classe de réfractaires électrofondus AZS correspondant au(x) réfractaire(s) électrofondus AZS qui génère(nt) des « pierres » de réfractaire AZS visibles, comme défauts, dans le produit verrier est déterminé par la mise en oeuvre d'un procédé d'identification selon l'une quelconque des 30 revendications 1 à 13 c. la modification des paramètres de conduite de four de manière à réduire ou supprimer la génération des « pierres » de réfractaire AZS visibles, comme défauts, dans le produit verrier.