Brevet FR3068508A1 (20190104)

REVENDICATIONS1. Procédé de transfert d'une couche mince (3) constituée d'un premier matériau sur un substrat support (7) constitué d'un deuxième matériau, le premier et le deuxième matériau présentant des coefficients de dilatation thermique différents, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comporte : a. la fourniture d'un substrat donneur (1) composé de l'assemblage d'une couche épaisse formé du premier matériau (la) et d'un substrat manipulateur (lb), le coefficient de dilatation thermique du substrat manipulateur (lb) étant similaire à celui du substrat support (7) et le substrat donneur (1) présentant une face principale (4) du côté de la couche épaisse (la) ; b. l'introduction d'espèces légères dans la couche épaisse (la) pour y générer un plan de fragilisation (2) et définir la couche mince (3) entre le plan de fragilisation (2) et la face principale (4) du substrat donneur (1); c. l'assemblage de la face principale (4) du substrat donneur avec une face (6) du substrat support (7) ; d. le détachement de la couche mince (3) au niveau du plan de fragilisation (2), le détachement comprenant l'application d'un traitement thermique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel le coefficient de dilatation thermique du premier matériau constituant la couche épaisse (la) et celui du deuxième matériau constituant le substrat 15 support (7) sont différent d'au moins 10% à température ambiante.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 5 précédentes, dans lequel la différence de coefficient de dilatation thermique du constituant le substrat manipulateur (lb) et de celui du support (7) est moindre, en valeur absolue, que la différence de dilatation thermique de la couche épaisse (la) et de 10 celui du substrat support (7). Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les espèces légères implantées sont des ions d'hydrogène et/ou d'hélium. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le premier matériau est un matériau ferroélectrique tel que du LiTa03, LiNb03, LiA103, BaTiO3, PbZrTiO3, KNb03, BaZr03, CaTiO3, PbTiO3 ou du 20 KTa03.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le matériau du substrat support (7) est du silicium. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le substrat manipulateur (lb) est de même nature que le substrat support (7). 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le substrat manipulateur (lb) possède une épaisseur équivalente à celle du substrat support (7) . 16\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche épaisse (la) présente une épaisseur comprise entre 10 et 400 micromètres pour permettre le prélèvement d'une ou plusieurs couches 5 minces.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le substrat donneur (1) est obtenu par collage d'un substrat source (10) et du substrat 10 manipulateur (lb).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel le collage est obtenu par adhésion moléculaire. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des deux revendications précédentes, comprenant une étape d'amincissement du substrat source (10) pour fournir la couche épaisse (la). 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape d'amincissement est réalisée par meulage et/ou polissage mécano-chimique et/ou gravure. 25