Brevet FR3075773A1 (20190628)

REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation de dispositifs semi-conducteurs (100) dans un substrat (102), comportant au moins la mise en oeuvre des étapes suivantes : - photolithographie d'un motif d'un réticule (118) sur une partie d'une face principale du substrat (102), définissant au moins des premiers éléments (111) d'au moins un des dispositifs semi-conducteurs (100) dans le substrat (102), une insolation du motif du réticule (118) étant répétée plusieurs fois sur la face principale du substrat (102) pour définir les premiers éléments (111) de l'ensemble des dispositifs semi-conducteurs (100), - photolithographie d'un motif d'un masque de gravure (132) sur l'ensemble de la face principale du substrat (102), - gravure des motifs photolithographies sur la face principale du substrat (102) dans une partie de l'épaisseur du substrat (102), dans lequel des premiers chemins de découpe (130) entourant les dispositifs semi-conducteurs (100) sont inclus dans le motif du masque de gravure (132) et/ou dans le motif du réticule (118), et l'étape de photolithographie du motif du masque de gravure (132) sur l'ensemble de la face principale du substrat (102) définit des deuxièmes chemins de découpe (140) définis par des lignes prédéterminées de fracture des bords du substrat (102), et comportant en outre la mise en oeuvre d'une étape d'irradiation du substrat (102) par faisceau laser au travers des premiers et deuxièmes chemins de découpe (130, 140), formant dans le substrat (102) des lignes de fragilisation sous les premiers et deuxièmes chemins de découpe (130, 140).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, comportant en outre, avant la mise en oeuvre des étapes de photolithographie, une étape d'identification des lignes prédéterminées de fracture des bords du substrat (102) par modélisation ou par calcul analytique ou par observation de lignes de fracture obtenues dans un autre substrat identique au dit substrat (102) et dans lequel les deuxièmes chemins de découpe (140) n'ont pas été réalisés. 22\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les deuxièmes chemins de découpe (140) sont localisés au moins sur les lignes prédéterminées de fracture des bords du substrat (102). 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les lignes prédéterminées de fracture des bords du substrat (102) s'étendent depuis des coins formés par les premiers chemins de découpe (130) jusqu'aux bords du substrat (102). 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les dispositifs semi-conducteurs (100) sont de type MEMS et/ou NEMS.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel : - le substrat (102) comporte une couche support (104), une première 15 couche active (108) de semi-conducteur, et une première couche diélectrique (106) disposée entre la couche support (104) et la première couche active (108), - les premiers éléments (111) des dispositifs semi-conducteurs (100) et les premiers et deuxièmes chemins de découpe (130,\n<CLM>\1\tsont gravés dans la première couche active (108), et 20 - les lignes de fragilisation sont formées dans la couche support (104).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, dans lequel l'épaisseur de la première couche active (108) est supérieure ou égale à environ 120 um. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications là 5, dans lequel : - le substrat (102) comporte une couche support (104), une première couche active (108) de semi-conducteur, une première couche diélectrique (106) disposée entre la couche support (104) et la première couche active (108), une deuxième couche diélectrique (110) telle que la première couche active (108) soit disposée entre les 30 première et deuxième couches diélectriques (106, 110), et une deuxième couche active 23 (112) de semi-conducteur telle que la deuxième couche diélectrique (110) soit disposée entre les première et deuxième couches actives (108, 112), - les premiers éléments (111) des dispositifs semi-conducteurs (100) et les premiers et deuxièmes chemins de découpe (130,\n<CLM>\1\tsont gravés au moins dans la 5 deuxième couche active (112), et - les lignes de fragilisation sont formées dans la couche support (104) et dans la première couche active (108).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, comportant en outre, avant la 10 mise en oeuvre des étapes de photolithographie, la mise en oeuvre des étapes suivantes : - réalisation, à partir d'un empilement comprenant la couche support (104), la première couche diélectrique (106) et la première couche active (108), de deuxièmes éléments (109) des dispositifs semi-conducteurs (100) dans la première couche active (108) par photolithographie et gravure, 15 - report et solidarisation de la deuxième couche diélectrique (110) et de la deuxième couche active (112) contre la première couche active (108).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 8 ou 9, dans lequel l'épaisseur totale des première et deuxième couches actives (108,\n<CLM>\1\test supérieure ou 20 égale à environ 120 iim.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le motif du masque de gravure (132) inclut un identifiant distinct pour chacun des dispositifs semi-conducteurs (100). 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le motif du masque de gravure (132) inclut une partie des motifs des dispositifs semiconducteurs (100). 30 24\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel : - entre les étapes de gravure des motifs photolithographies et l'étape d'irradiation du substrat (102) par faisceau laser, le substrat (102) est disposé sur un film étira ble (114), et 5 - après la mise en oeuvre de l'étape d'irradiation du substrat (102), le film étirable (114) est étiré tel que les dispositifs semi-conducteurs (100) soient séparés les uns des autres au niveau des premiers chemins de découpe (130) et que différentes parties du substrat (102) formant les bords du substrat (102) soient séparées les unes des autres au niveau des deuxièmes chemins de découpe (140). 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13, dans lequel le film étirable (114) est étiré de manière isotrope.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 13 ou 14, dans lequel le 15 film étirable (114) comporte un polymère et présente des propriétés adhésives, et dans lequel, après l'étirement du film étirable (114), le film étirable (114) est insolé par un rayonnement UV depuis une face opposée à celle sur laquelle se trouvent les dispositifs semi-conducteurs (100). 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les premiers chemins de découpe (130) forment des cadres de forme sensiblement rectangulaire autour des dispositifs semi-conducteurs (100).