Brevet FR3076070A1 (20190628)

REVENDICATIONS1. Procédé de transfert d'une couche utile (1) sur un substrat support (2), comportant les étapes successives : a) prévoir un substrat donneur (3) comprenant une première surface (30) ; b) lisser la première surface (30) du substrat donneur (3) jusqu'à l'obtention d'une topologie de surface reconstruite ; c) former un premier film diélectrique (4) sur la première surface lissée (30') du substrat donneur (3), de sorte que le premier film diélectrique (4) présente une surface (40) conservant 10 la topologie de surface reconstruite ; d) implanter des espèces gazeuses dans le substrat donneur (3), à travers le premier film diélectrique (4), de manière à former une zone de fragilisation (ZS), la couche utile (1) étant délimitée par la zone de fragilisation (ZS) et par la première surface (30) du substrat donneur (3) ; 15 e) assembler le substrat donneur (3) au substrat support (2) par une adhésion directe ; f) fracturer le substrat donneur (3) suivant la zone de fragilisation (ZS) de manière à exposer la couche utile (1).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape e) est exécutée de sorte que 20 l'adhésion directe s'opère avec la surface (40) du premier film diélectrique (4).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'étape d) introduit des modifications sous la surface (40) du premier film diélectrique (4) ; le procédé comportant une étape do) consistant à traiter le premier film diélectrique (4) de manière à corriger lesdites modifications, 25 l'étape do) étant exécutée après l'étape d) et avant l'étape e).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3, dans lequel l'étape do) est exécutée en appliquant un rayonnement ultraviolet à la surface (40) du premier film diélectrique (4), sous une atmosphère d'ozone, à une température comprise entre 20°C et 500°C, préférentiellement 30 comprise entre 20°C et 400°C, plus préférentiellement comprise entre 20°C et 300°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, comportant les étapes successives : - d1) retirer le premier film diélectrique (4) après l'étape d) et avant l'étape e) ; 16 - d2) former un deuxième film diélectrique sur la première surface lissée (30') du substrat donneur (3), de sorte que le deuxième film diélectrique présente une surface conservant la topologie de surface reconstruite ; l'étape e) étant exécutée de sorte que l'adhésion directe s'opère avec la surface (40) du 5 deuxième film diélectrique (4).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel l'étape b) est exécutée par un traitement thermique sous une atmosphère comportant des espèces hydrogénées, lorsque le substrat donneur (3) est réalisé dans un matériau sélectionné parmi Si, Ge, Si.Gey.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'étape c) est exécutée par une oxydation de la première surface (30) du substrat donneur (3) en appliquant un rayonnement ultraviolet, sous une atmosphère d'ozone, à une température comprise entre 20°C et 500°C, préférentiellement comprise entre 20°C et 400°C, plus préférentiellement comprise entre 20°C et 300°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'étape c) est exécutée par un dépôt ALD du premier film diélectrique (4).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, comportant une étape consistant à lisser une première surface (20) du substrat support (2) jusqu'à l'obtention d'une topologie de surface reconstruite ; l'étape e) étant exécutée de sorte que l'adhésion directe s'opère avec la première surface (20) lissée du substrat support (2).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, comportant les étapes : - lisser une première surface (20) du substrat support (2) jusqu'à l'obtention d'une topologie de surface reconstruite ; - former un film diélectrique additionnel (5) sur la première surface (20) lissée du substrat support (2), de sorte que le film diélectrique additionnel (5) présente une surface (50) 30 conservant la topologie de surface reconstruite ; l'étape e) étant exécutée de sorte que l'adhésion directe s'opère avec la surface (50) du film diélectrique additionnel (5).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, dans lequel le premier film diélectrique (4) et le film 35 diélectrique additionnel (5) présentent une épaisseur totale inférieure ou égale à 30 nm, 17 préférentiellement inférieure ou égale à 20 nm, plus préférentiellement inférieure ou égale à 10 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel le premier film diélectrique 5 (4) formé lors de l'étape c) présente une épaisseur comprise entre 0,2 nm et 5 nm ou comprise entre 0,5 nm et 5 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel le substrat donneur (3) est réalisé dans un matériau semi-conducteur, de préférence sélectionné dans le groupe 10 comportant Si, Ge, Si-Ge, un matériau III-V.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 13, comportant une étape et) consistant à appliquer un traitement thermique à l'assemblage obtenu lors de l'étape e) selon un budget thermique adapté pour renforcer l'adhésion directe sans initier la fracture du substrat donneur 15 (3) suivant la zone de fragilisation (ZS) ; l'étape et) étant exécutée avant l'étape f).