Brevet FR3078442A1 (20190830)

REVENDICATIONS1. Source lumineuse (100, 200, 300,\n<CLM>\1\tdestinée à être alimentée par une source de tension, la source lumineuse comprenant un montage en parallèle d'au moins deux branches (110, 210, 310), chaque branche comprenant au moins une source lumineuse élémentaire à élément semi-conducteur électroluminescent (120, 220, 320, 420), dans laquelle chacune des sources lumineuses élémentaires (120, 220, 320,\n<CLM>\1\test caractérisée par une résistance série interne identique d'au moins 1 Ohm, la résistance série étant déterminée par la structure des couches semi-conductrices comprises dans les sources lumineuses élémentaires.\n<CLM>\1\tSource lumineuse selon la revendication 1, caractérisée en ce que chaque branche (110, 210,\n<CLM>\1\tdu montage comprend un montage en série d'une pluralité de sources lumineuses élémentaires (120, 220, 320).\n<CLM>\1\tSource lumineuse selon une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que au moins une partie des branches (210,\n<CLM>\1\tdu montage comprend un dispositif interrupteur (222,\n<CLM>\1\tmonté en série avec les sources lumineuses élémentaires (220, 320), du côté bas de la branche.\n<CLM>\1\tSource lumineuse selon la revendication 3, caractérisée en ce que le dispositif interrupteur (222,\n<CLM>\1\tcomprend un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde, MOSFET, à canal N. 25\n<CLM>\1\tSources lumineuse selon une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la résistance série interne des sources lumineuses élémentaires est déterminée par l'épaisseur des couches semi-conductrices, leur étendue, des connexions « vias » entre les couches, ou par une combinaison de ces facteurs. 30\n<CLM>\1\tSource lumineuse selon une des revendications 1 à 5, caractérisée en ce que les résistances série internes de chacune des sources lumineuses élémentaires (120, 220, 320,\n<CLM>\1\tsont identiques et comprises entre 1 et 100 Ohm.\n<CLM>\1\tSource lumineuse selon une des revendications 1 à 6, caractérisée en ce que les sources 35 lumineuses élémentaires font partie d'un composant monolithique, dans lequel les couches semi-conductrices des sources lumineuses élémentaires sont disposées sur un substrat commun 20 12\n<CLM>\1\tSource lumineuse selon une des revendications 1 à 7, caractérisée en ce que chacune des sources lumineuses élémentaires comprend une couche semi-conductrice dopée n d'une épaisseur entre 0.1 et 1 ilm. 5\n<CLM>\1\tSource lumineuse selon une des revendications 1 à 8, caractérisée en ce que les sources élémentaires lumineuses sont disposées sur un substrat commun de manière à former une matrice de sources lumineuses élémentaires. 10\n<CLM>\1\tSource lumineuse selon une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'aucune des branches du montage ne comprend un dispositif de régulation de courant électrique externe aux sources lumineuses élémentaires autre qu'un dispositif interrupteur.\n<CLM>\1\tModule lumineux (10) pour un véhicule automobile comprenant une source de tension 15 (330) reliée fonctionnellement à une source lumineuse (300), caractérisé en ce que la source lumineuse est conforme à une des revendications 1 à 10, et en ce que le niveau de tension électrique fourni par la source de tension à la source lumineuse est apte à l'alimentation de celle-ci.\n<CLM>\1\tModule lumineux selon la revendication 11, caractérisé en ce que la source lumineuse (300) est conforme à une des revendications 3 à 11, et en ce que le module (10) comprend une unité de commande (340) reliée fonctionnellement aux interrupteurs (322) de chaque branche (310) du montage de la source lumineuse, destinée à commander l'état d'ouverture de ceux-ci.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de sources lumineuses élémentaires d'une source lumineuse selon une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que les couches épitaxiales semiconductrices dopées P et N de toutes les sources lumineuses élémentaires sont produites de manière uniforme sur un substrat commun, de manière à ce qu'un courant électrique d'une intensité uniforme parcourt les sources lumineuses élémentaires lorsqu'une tension électrique commune est appliquée à la source lumineuse.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication 13, caractérisé en ce que le dépôt des couches semi-conductrices dopées P et N est réalisé par un procédé d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (metal oxide chemical vapor deposition), MOCVD.