Brevet FR3073075A1 (20190503)

REVENDICATIONS1. Point mémoire à matériau à changement de phase, comprenant, sur un via (108; 108') de liaison avec un transistor (102), un élément de chauffage (116) du matériau à changement de phase (118), et, entre le via et l'élément de chauffage (116), 5 une couche (202) en un matériau électriquement isolant ou de résistivité électrique supérieure à 2,5.10-5 S2.m, les interfaces entre ladite couche et les matériaux en contact avec les deux faces de ladite couche formant une barrière thermique, ladite couche étant suffisamment mince pour pouvoir être traversée par 10 un courant électrique par un effet de type effet tunnel.\n<CLM>\1\tPoint mémoire selon la revendication 1, dans lequel ladite couche (202) est d'épaisseur inférieure à 1 nm.\n<CLM>\1\tPoint mémoire selon la revendication 1 ou 2, dans lequel chacune desdites interfaces forme une résistance 15 thermique d'interface supérieure à 10-8 m2-K/W.\n<CLM>\1\tPoint mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le matériau de ladite couche (202) est dans le groupe comprenant : le nitrure de silicium ; l'oxyde d'aluminium ; l'oxyde d'hafnium ; l'oxyde de silicium ; 20 le silicium ; le silicium-germanium ; et le germanium.\n<CLM>\1\tPoint mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'élément de chauffage (116) est un mur dans une région isolante (114), et ladite couche (202) se prolonge entre le mur et la région isolante sur l'une 25 des faces du mur, l'interface entre les matériaux de ladite couche et de la région isolante formant une résistance thermique d'interface.\n<CLM>\1\tPoint mémoire selon la revendication 5, comprenant, sur l'autre des faces du mur, une couche (402) supplémentaire en 30 un matériau électriquement isolant, l'interface entre ladite couche supplémentaire et la région isolante formant une résistance thermique d'interface.\n<CLM>\1\tPoint mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant, entre le via (108') et B16331 - 17-GR3-0187 16 l'élément de chauffage (116), plusieurs couches (202) en matériau électriquement isolant ou de résistivité électrique supérieure à 2,5.10-5 S2.m, et des couches électriquement conductrices (604) intercalées entre les couches en matériau électriquement isolant, les interfaces entre les couches en matériau électriquement isolant et les couches électriquement conductrices formant des barrières thermiques, et les couches en matériau électriquement isolant étant suffisamment minces pour pouvoir être traversées par un courant.\n<CLM>\1\tPoint mémoire selon la revendication 7, dans lequel les couches électriquement conductrices (604) sont en tungstène et ledit matériau électriquement isolant (202) est de l'oxyde d'aluminium.\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un point mémoire à 15 matériau à changement de phase, comprenant : a) former un via de liaison (108; 108') série avec un transistor ; b) former sur le via un élément de chauffage (116) du matériau à changement de phase (118) ; et 20 c) entre les étapes a) et b), former une couche (202) en un matériau électriquement isolant ou de résistivité électrique supérieure à 2,5.10-5 S2.m adapté à former à l'étape b) une barrière thermique d'interface avec les matériaux en contact avec les deux faces de la couche, ladite couche étant 25 suffisamment mince pour pouvoir être traversée par un courant par un effet de type tunnel.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, comprenant, entre les étapes a) et b) : al) recouvrir la structure d'une couche isolante 30 (114A) ; et a2) graver ladite couche isolante sur toute son épaisseur en dehors d'une portion de ladite couche isolante, un flanc de ladite portion étant situé sur le via (108; 108'), l'élément de chauffage (116) étant formé sur ledit 35 flanc. B16331 - 17-GR3-0187 17\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, dans lequel l'étape c) a lieu avant l'étape al).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, dans lequel l'étape c) a lieu après l'étape a2). 5