Brevet FR3066833A1 (20181130)

REVENDICATIONS1. Appareil, caractérisé en ce qu'il comporte : une pluralité d'hydrophones .(510) configurés pour réaliser une détection de signal acoustique sous-marin, au 5 moins un hydrophone de la pluralité d'hydrophones (510) comprenant une cavité scellée sous vide dimensionnée pour réduire le bruit Brownien dans l'appareil.\n<CLM>\1\tAppareil selon la revendication 1, caractérisé en 10 ce que le au moins un hydrophone comprend un capteur et une structure de support, le capteur étant configuré pour recevoir un signal acoustique, et la structure de support comprenant une première couche diélectrique. 15\n<CLM>\1\tAppareil selon la revendication 2, caractérisé en ce que la structure de support comprend : la première couche diélectrique située sur un substrat ; une couche de silicium située sur la première 20 couche diélectrique ; et une deuxième couche diélectrique située sur la couche de silicium, la deuxième couche diélectrique étant en contact avec le capteur. 25\n<CLM>\1\tAppareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que la cavité scellée sous vide est délimitée par un substrat et une couche diélectrique. 3066833 23\n<CLM>\1\tAppareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que la cavité scellée sous vide est complètement délimitée par un substrat.\n<CLM>\1\tAppareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que la pluralité d'hydrophones (510) est disposée dans une grille (500) ayant une pluralité de lignes et une pluralité de colonnes, la pluralité d'hydrophones générant une charge accumulée suffisante pour être détectée par un préamplificateur.\n<CLM>\1\tAppareil selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'une épaisseur de la structure de support est plus grande qu'une épaisseur du capteur de 4 pm ou plus.\n<CLM>\1\tAppareil selon la revendication 2, caractérisé en ce que le capteur comprend une première couche d'électrode en contact avec la structure de support, une couche piézoélectrique en contact avec la première couche d'électrode, et une deuxième couche d'électrode en contact avec la couche piézoélectrique.\n<CLM>\1\tAppareil selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'une surface de la deuxième couche d'électrode fait 70 à 90 pour cent d'une surface de la couche piézoélectrique.\n<CLM>\1\tProcédé, caractérisé en ce qu'il comporte le fait de : détecter un signal acoustique sous-marin à l'aide d'une pluralité d'hydrophones (510), au moins un hydrophone de la pluralité d'hydrophones (510) comprenant une cavité scellée sous vide dimensionnée pour réduire le bruit Brownien dans ledit au moins un hydrophone. 3066833 24\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le au moins un hydrophone comprend un capteur et une structure de support, le capteur étant configuré pour recevoir un signal acoustique, et la structure de support 5 comprenant une première couche diélectrique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que la structure de support comprend : la première couche diélectrique située sur un 10 substrat ; une couche de silicium située sur la première couche diélectrique ; et une deuxième couche diélectrique située sur la couche de silicium, la deuxième couche diélectrique étant 15 en contact avec le capteur.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la cavité scellée sous vide est délimitée par un substrat et une couche diélectrique. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la cavité scellée sous vide est complètement délimitée par un substrat. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la pluralité d'hydrophones (510) est disposée dans une grille (500) ayant une pluralité de lignes et une pluralité de colonnes, la pluralité d'hydrophones générant une charge accumulée suffisante pour être détectée par un 30 préamplificateur.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'une épaisseur de la structure de support est plus grande qu'une épaisseur du capteur de 4 pm ou plus. 3066833 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que le capteur comprend une première couche d'électrode en contact avec la structure de support, une couche 5 piézoélectrique en contact avec la première couche d'électrode, et une deuxième couche d'électrode en contact avec la couche piézoélectrique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 17, caractérisé en 10 ce qu'une surface de la deuxième couche d'électrode fait 70 à 90 pour cent d'une surface de la couche piézoélectrique.