Brevet FR3073082A1 (20190503)

REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un film (12) sur un support (20) présentant une surface non plane, caractérisé en ce qu'il comprend : - la fourniture d'un substrat donneur (10) présentant une surface non plane, - la formation d'une zone de fragilisation (11) dans le substrat donneur (10) de sorte à délimiter ledit film (12) à transférer, - la formation du support (20) par dépôt sur la surface non plane du film (12) à transférer, - le détachement du substrat donneur (10) le long de la zone de fragilisation (11), de sorte à transférer ledit film (12) sur le support (20).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, comprenant en outre le dépôt d'une couche intermédiaire (21) sur la surface non plane avant le dépôt du support (20).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel la formation de la zone de fragilisation (11) est réalisée par implantation d'espèces ioniques dans le substrat donneur (10).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3, dans lequel les espèces ioniques implantées sont de l'hydrogène et/ou de l'hélium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel le détachement du substrat donneur (10) est provoqué par un traitement thermique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, dans lequel le dépôt du support (20) est mis en oeuvre avec un budget thermique inférieur à celui du traitement thermique de détachement.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel le film transféré (12) est en un matériau choisi parmi : les matériaux semi-conducteurs, les matériaux piézoélectriques, les matériaux magnétiques et les oxydes fonctionnels.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel le film transféré (12) est monocristallin.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel l'épaisseur du film transféré (12) est comprise entre 100 nm et 10 pm, de préférence entre 100 nm et 1 pm. 17\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel le support (20) est en un matériau choisi parmi les métaux, les verres et les céramiques. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel le support (20) présente une épaisseur comprise entre 1 et 50 pm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel le matériau du support (20) est choisi pour présenter une différence de coefficient thermique vis-à-vis du 10 matériau du film transféré (12) inférieure à 5x10-6 K-1 en valeur absolue.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel le dépôt du support (20) est mis en oeuvre par une des techniques suivantes : le dépôt physique en phase vapeur, le dépôt chimique en phase vapeur, le dépôt par électrodéposition, 15 l'enduction centrifuge, le laquage et la projection.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 13, dans lequel la surface du film (12) à transférer présente au moins une portion courbe. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 14, dans lequel la surface du film (12) à transférer présente au moins un motif (100) en creux ou en relief.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 15, dans lequel la surface du film (12) à transférer présente une texture caractérisée par une rugosité supérieure à 1 nm 25 rms.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 16, dans lequel la surface non plane du film (12) à transférer est obtenue après la formation de la zone de fragilisation (11). 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 16, dans lequel la surface non plane du film (12) à transférer est obtenue avant la formation de la zone de fragilisation (11). 35\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 18, dans lequel le reliquat (10') du substrat donneur à l'issue du détachement est recyclé en vue de la mise en oeuvre d'un nouveau film (12) présentant une surface non plane sur un support (20), et, avant ledit recyclage, le reliquat du substrat donneur est soumis à une opération de régénération de sa surface 18 impliquant un enlèvement de matière sensiblement nul ou conforme à la topologie dudit reliquat (10').\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 19, dans lequel le dépôt du 5 support (20) inclut le dépôt successif d'au moins deux couches de matériaux différents.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 20, comprenant en outre, après le détachement du substrat donneur, le dépôt d'un film additionnel (13) sur la face du film transféré (12) opposée au support (20). 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 21, dans lequel le substrat donneur comprend une pluralité de pavés (1001) agencés à la surface d'une plaquette (1000), chaque pavé (1001) comprenant une zone de fragilisation (1011) délimitant un film respectif à transférer, et le support (20) est déposé sur la surface de l'ensemble 15 desdits pavés (1001).\n<CLM>\1\tStructure comprenant : - un substrat donneur (10) incluant une zone de fragilisation (11) délimitant un film superficiel (12) et 20 - un support (20) recouvrant ledit film (12), dans laquelle l'interface entre le film (12) et le support (20) est non plane.