Brevet FR3074611A1 (20190607)

REVENDICATIONS1. Procede de reconnexion d'une chaine (CHi) deconnectee, dans une installation photovoltaique comportant une pluralite de chaines d'un ou plusieurs modules photovoltaiques chacune connectee en parallele entre des premiere (B+) et deuxieme (B-) bornes de l'installation, ce procede comprenant les 6-tapes suivantes : a) relier la chaine (CHi) en serie avec une charge electronique variable (LD) entre les premiere (B+) et deuxieme (B-) bornes de l'installation ; b) commander la charge electronique variable (LD) pour faire croitre progressivement le courant circulant dans la chaine (CHi) ; et c) lorsque la tension aux bornes de la chaine est sensiblement egale a la tension entre les premiere (B+) et deuxieme (B-) bornes de l'installation, deconnecter la charge electronique variable (LD) et relier la chaine (CHi) directement entre les premiere (B+) et deuxieme (B-) bornes de l'installation.\n<CLM>\1\tProcede selon la revendication 1, dans lequel la charge electronique variable comprend un element a resistance variable (T1) relie en serie avec la chaine (CHi), et dans lequel, a l'etape b), on fait decroitre progressivement la resistance de l'element (T1) pour augmenter le courant circulant dans la chaine.\n<CLM>\1\tProcede selon la revendication 2, dans lequel l'element a resistance variable (T1) est un transistor MOS.\n<CLM>\1\tSysteme de reconnexion d'une chaine (CHi) deconnectee, dans une installation photovoltaique comportant une pluralite de chaines d'un ou plusieurs modules photovoltaiques chacune connectee en parallele entre des premiere (B+) et deuxieme (B-) bornes de l'installation, ce systeme comportant une charge electronique variable (LD) et un circuit de controle (CTRL) configure pour : a) relier la chaine (CHi) en serie avec la charge electronique variable (LD) entre les premiere (B+) et deuxieme (B-) bornes de l'installation ; B16649 - DD18219 21 b) commander la charge electronique variable (LD) pour faire croitre progressivement le courant circulant dans la chaine (CHi) ; et c) lorsque la tension aux bornes de la chaine est 5 sensiblement egale a la tension entre les premiere (B+) et deuxieme (B-) bornes de l'installation, deconnecter la charge electronique variable (LD) et relier la chaine (CHi) directement entre les premiere (B+) et deuxieme (B-) bornes de l'installation.\n<CLM>\1\tSysteme selon la revendication 4, comprenant, pour 10 chaque chaine (CHi) de l'installation, un premier interrupteur (Sli) reliant une premiere borne (ch+) de la chaine a une premiere borne (1d+) de la charge electronique variable (LD), et un deuxieme interrupteur reliant la premiere borne (ch+) de la chaine a la premiere borne (B+) de l'installation. 15\n<CLM>\1\tSysteme selon la revendication 5, dans lequel chaque chaine (CHi) de l'installation a une deuxieme borne (ch-) reliee a la deuxieme borne (B-) de l'installation, et dans lequel la charge electronique variable (LD) a une deuxieme borne (1d-) reliee a la premiere borne (B+) de l'installation. 20\n<CLM>\1\tSysteme selon la revendication 5 ou 6, dans lequel, avant l'etape a), les premier (Sli) et deuxieme (S2i) interrupteurs associes a la chaine deconnectee sont a l'etat ouvert, et dans lequel, a l'etape a), le premier interrupteur (Sli) associe a la chaine est commando a l'etat ferme, et, a 25 l'etape c), les premier (Sli) et deuxieme (S2i) interrupteurs associes a la chaine sont commandos respectivement a l'etat ouvert et a l'etat ferme.\n<CLM>\1\tSysteme selon l'une quelconque des revendications 4 a 7, dans lequel la charge electronique variable (LD) comprend un 30 element a resistance variable (T1) relie en serie avec la chaine (CHi), et dans lequel, a l'etape b), on fait decroitre progressivement la resistance de l'element (T1) pour augmenter le courant circulant dans la chaine.\n<CLM>\1\tSysteme selon la revendication 8, dans lequel 35 l'element a resistance variable (T1) est un transistor MOS. B16649 - DD18219 22\n<CLM>\1\tSysteme selon la revendication 9, dans lequel la charge electronique variable (LD) comprend un circuit (401) adapte a appliquer sur la grille du transistor (T1) une rampe de tension continue de facon a diminuer progressivement la resistance interne 5 du transistor.\n<CLM>\1\tSysteme selon l'une quelconque des revendications 4 a 10, dans lequel la charge electronique variable (LD) comprend en outre un circuit (401) adapte a detecter le passage sous un seuil predefini de la difference entre la tension aux bornes de 10 la chaine (CHi) et la tension entre les premiere (B+) et deuxieme (B-) bornes de l'installation.