Brevet FR3067872A1 (20181221)

REVENDICATIONS1. Dispositif d'alimentation électrique (102; 202;\n<CLM>\1\td'un composant électronique (LED1, LED2, LED3), comprenant : un convertisseur DC/DC (104; 204;\n<CLM>\1\tapte à fonctionner en modulation de largeur d'impulsions avec des états hauts et des états bas, avec une entrée et une sortie, ladite sortie étant destinée à alimenter le composant électrique (LED1, LED2, LED3) ; un circuit de protection (106; 206;\n<CLM>\1\tconnecté à l'entrée du convertisseur DC/DC (104; 204; 304), avec un composant capacitif réservoir (C2) connecté à une diode de protection (D1) contre les inversions de polarité ; caractérisé en ce que le circuit de protection (106 ; 206 ;\n<CLM>\1\tcomprend, en outre, un moyen de contournement (106.1 ; 206.1 ; 306.1) de la diode de protection (D1) afin de permettre au composant capacitif réservoir (C2) de se décharger pendant les états bas de la modulation de largeur d'impulsions.\n<CLM>\1\tDispositif (102; 202 ;\n<CLM>\1\tselon la revendication 1, caractérisé en ce que le moyen de contournement (106.1 ; 206.1 ; 306.1) est connecté en parallèle à la diode de protection (D1).\n<CLM>\1\tDispositif (102; 202;\n<CLM>\1\tselon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le moyen de contournement (106.1 ; 206.1 ; 306.1) est configure pour n'être actif que lorsque la tension (V') au composant capacitif réservoir (C2) est supérieure à la tension d'entrée (V) du dispositif.\n<CLM>\1\tDispositif (102; 202;\n<CLM>\1\tselon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le moyen de contournement (106.1 ; 206.1 ; 306.1) est configuré pour que le courant de décharge du composant capacitif réservoir (C2) en contournement de la diode de protection (D1) soit fonction de la différence de tension entre la tension (V') au composant capacitif réservoir (C2) et la tension d'entrée (V) du dispositif.\n<CLM>\1\tDispositif (102) selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le moyen de contournement (106.1) comprend un transistor bipolaire PNP (01) 12 avec un émetteur connecté à la cathode de la diode de protection (D1) et un collecteur connecté à l'anode de ladite diode (D1).\n<CLM>\1\tDispositif (102) selon la revendication 5, caractérisé en ce que le moyen de contournement (106.1) comprend une résistance connectée entre le 5 collecteur du transistor bipolaire PNP (01) et l'anode de la diode de protection (D1) et/ou une résistance (R2) connectée entre l'émetteur du transistor bipolaire PNP (01) et la cathode de la diode de protection (D1).\n<CLM>\1\tDispositif (102) selon la revendication 6, caractérisé en ce que la résistance (R2) a une valeur supérieure à 1 Ohm et/ou inférieure à 100 Ohm. 10\n<CLM>\1\tDispositif (102) selon l'une des revendications 5 à 7, caractérisé en ce que le transistor bipolaire PNP (01) comprend une base connectée à un potentiel bas de l'entrée du dispositif.\n<CLM>\1\tDispositif (102) selon la revendication 8, caractérisé en ce que le moyen de contournement (106.1) comprend une résistance (R3) connectée entre la 15 base du transistor bipolaire PNP (01) et le potentiel bas de l'entrée du dispositif.\n<CLM>\1\tDispositif (102) selon la revendication 9, caractérisé en ce que la résistance a une valeur supérieure à 1000 Ohm et/ou inférieure à 47 000 Ohm.\n<CLM>\1\tDispositif (202;\n<CLM>\1\tselon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce 20 que le moyen de contournement (206.1 ; 306.1) comprend une diode (D2 ;\n<CLM>\1\tet une résistance (R2) connectées en série, ladite diode (D2 ; Q2) étant orientée à l'opposé de la diode de protection (D1).\n<CLM>\1\tDispositif (202;\n<CLM>\1\tselon la revendication 11, caractérisé en ce que la résistance (R2) a une valeur supérieure à 1 000 Ohm et/ou inférieure à 25 20 000 Ohm.\n<CLM>\1\tDispositif (202) selon l'une des revendications 11 et 12, caractérisé en ce que la diode du moyen de contournement (206.1) est une diode unipolaire (D2).