Brevet FR3067858A1 (20181221)

REVENDICATIONS1 - Procédé de fabrication de cellules photovoltaïques en couches minces semi5 transparentes par ablation laser sélective et locale de la matière composant lesdites couches minces, lesdites couches minces comportant successivement au moins un substrat transparent (1), un premier matériau électriquement conducteur et transparent déposé sur une des faces dudit substrat transparent (1) et jouant le rôle de contact avant et appelé première électrode (2), une ou plusieurs couches photo-10 active(s) appelée(s) absorbeur (3) et un second matériau électriquement conducteur jouant le rôle de contact arrière et appelé seconde électrode (4), le procédé comportant les étapes suivantes : - une première étape (Ei) d'ablation laser consistant à graver à l'aide d'un premier faisceau laser (50) d'une fluence F1, de longueur d'onde principale À1, un 15 volume V1 de section S1 et de hauteur H1 au sein de l'absorbeur (3) et de la seconde électrode (4) ; - une seconde étape (E2) d'ablation laser consistant à graver à l'aide d'un second faisceau laser (70) d'une fluence F2, de longueur d'onde principale À2, aligné avec le premier faisceau laser (50), un volume V2 de section S2 et de hauteur H2 au 20 sein de la première électrode (2) ; ledit procédé étant caractérisé en ce que lesdites étapes (E1, E2) d'ablation laser s'effectuent au travers du substrat transparent (1). 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le volume V2 ablaté 25 pendant la seconde étape (E2) est parfaitement inclus dans ue volume Vic défini par une section S1 et une hauteur H2 et ablaté pendant la première étape (E1). 3 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le volume Vic 1,1 V2. 30 4 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que lesdits faisceaux laser (50,\n<CLM>\1\tsont de type « top hat ». 13 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que lesdits faisceaux laser (50,70) sont mis en forme selon des disques, des surfaces ovales, polygonales, hexagonales, carrées ou toutes 5 combinaisons desdites formes. 6 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les doubles tirs lasers (50,\n<CLM>\1\tformés par les tirs laser de la première et de la seconde étapes sont identiques et sans recouvrement. 7 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les doubles tirs lasers (50,\n<CLM>\1\tse recouvrent partiellement de manière à former des tranchées. 8 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les doubles tirs lasers (50,\n<CLM>\1\tont des formes qui varient pour former un gradient de semi-transparence. 9 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé 20 en ce que l'absorbeur (3) est composé majoritairement de silicium amorphe. 10 - Procédé la revendication précédente, caractérisé en ce que le premier faisceau laser (50) a une longueur d'onde principale À1 comprise entre 500 et 580 nm et une fluence F1 comprise 600 et 800 mJ/cm2. 25 11 - Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première électrode (2) est composée de dioxyde d'étain dopé au fluor. 14 12 - Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le second faisceau laser (70) a une longueur d'onde principale À2 comprise entre 900 et 1100 nm et une fluence F2 comprise entre 4 et 8 3/cm2. 5