Brevet FR3068517A1 (20190104)

REVENDICATIONS1. Dispositif optoélectronique (10) comprenant un premier circuit optoélectronique (12) fixé à un deuxième circuit électronique (14), le deuxième circuit électronique (14) comprenant des plots conducteurs électriquement (62), le premier circuit optoélectronique comprenant des pixels et comportant, pour chaque pixel : une première couche conductrice électriquement (18) ; au moins des premiers et deuxièmes éléments semiconducteurs tridimensionnels (20,\n<CLM>\1\ts'étendant perpendiculairement à la première couche conductrice électriquement et au contact de la première couche conductrice électriquement et ayant la même hauteur (H) mesurée perpendiculairement à la première couche conductrice électriquement ; des premières zones actives (66) reposant sur les extrémités des premiers éléments semiconducteurs tridimensionnels opposées à la première couche conductrice électriquement et adaptées à émettre ou capter un premier rayonnement électromagnétique à une première longueur d'onde ; des deuxièmes zones actives (66) reposant sur les extrémités des deuxièmes éléments semiconducteurs tridimensionnels opposées à la première couche conductrice électriquement et adaptées à émettre ou capter un deuxième rayonnement électromagnétique à une deuxième longueur d'onde différente de la première longueur d'onde ; et des deuxième, troisième et quatrième couches conductrices électriquement (42, 44,\n<CLM>\1\treliées électriquement aux plots (62) conducteurs électriquement, la deuxième couche conductrice électriquement étant reliée aux premières zones actives, la troisième couche conductrice électriquement (44) étant reliée aux deuxièmes zones actives et la quatrième couche conductrice électriquement (48) étant reliée à la première couche conductrice électriquement. B16168 - Small pix 31\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendication 1, dans lequel le diamètre (Dl) de chaque premier élément semiconducteur au contact avec la première couche conductrice électriquement est inférieur au diamètre (D2) de chaque deuxième 5 élément semiconducteur au contact avec la première couche conductrice électriquement.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les premiers éléments semiconducteurs tridimensionnels sont régulièrement répartis selon un premier pas 10 moyen et dans lequel les deuxièmes éléments semiconducteurs tridimensionnels sont régulièrement répartis selon un deuxième pas moyen différent du premier pas moyen.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le premier circuit 15 optoélectronique (12) comprend, en outre, pour chaque pixel : au moins des troisièmes éléments semiconducteurs tridimensionnels (24) s'étendant perpendiculairement à la première couche conductrice électriquement (18) et au contact de la première couche conductrice électriquement, les premiers, 20 deuxièmes et troisièmes éléments semiconducteurs tridimensionnels (20, 22,\n<CLM>\1\tayant la même hauteur (H) mesurée perpendiculairement à la première couche conductrice électriquement ; des troisièmes zones actives (66) reposant sur les extrémités des troisièmes éléments semiconducteurs 25 tridimensionnels opposées à la première couche conductrice électriquement et adaptées à émettre ou capter un rayonnement électromagnétique à une troisième longueur d'onde différente des première et deuxième longueurs d'onde ; et une cinquième couche conductrice électriquement (46) 30 reliée électriquement à l'un des plots conducteurs électriquement (62) et reliée aux troisièmes zones actives.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendication 4, dans lequel le diamètre (D2) de chaque deuxième élément semiconducteur au contact avec la première couche conductrice 35 électriquement est inférieur au diamètre (D3) de chaque troisième B16168 - Small pix 32 élément semiconducteur au contact avec la première couche conductrice électriquement.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendication 4 ou 5, dans lequel les troisièmes éléments semiconducteurs 5 tridimensionnels sont régulièrement répartis selon un troisième pas moyen différent du premier pas moyen et du deuxième pas moyen.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les premières et deuxièmes zones actives (66) comprennent un puits quantique unique ou des 10 puits quantiques multiples.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les premiers et deuxièmes éléments semiconducteurs tridimensionnels (20,\n<CLM>\1\tsont majoritairement en un matériau semiconducteur choisi dans le 15 groupe comprenant les composés III-V, les composés II-VI ou les semiconducteurs ou composés du groupe IV.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel les premiers et deuxièmes éléments semiconducteurs tridimensionnels (20,\n<CLM>\1\tsont de forme 20 filaire, conique ou tronconique.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la dimension maximale de chaque pixel mesurée parallèlement à la première couche conductrice électriquement (18) est inférieure à 5 pin. 25\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication du dispositif optoélectronique (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant les étapes successives suivantes : a) former le premier circuit optoélectronique (12) ; et b) fixer le premier circuit optoélectronique à un 30 deuxième circuit électronique (14) en reliant électriquement les deuxième, troisième et quatrième couches conductrices électriquement (42, 44,\n<CLM>\1\taux plots conducteurs électriquement (62).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, dans lequel 35 l'étape a) comprend les étapes successives suivantes : B16168 - Small pix c) premiers et (20,\n<CLM>\1\t; d) former 33 simultanément les former simultanément sur un support (70) les deuxièmes éléments semiconducteurs tridimensionnels premières zones actives éléments semiconducteurs et les deuxièmes zones 5 (66) sur les extrémités des premiers tridimensionnels opposées au support actives (66) sur les extrémités des deuxièmes éléments semiconducteurs tridimensionnels opposées au support ; e) former les deuxième, troisième et quatrième couches 10 conductrices électriquement (42, 44,\n<CLM>\1\t; f) retirer le support ; et g) former la première couche conductrice électriquement (18) .\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12, dans lequel 15 l'étape a) comprend les étapes suivantes entre les étapes c) et d) : h) former une couche isolante électriquement (32) entre les premiers éléments semiconducteurs tridimensionnels (20) et entre les deuxièmes éléments semiconducteurs tridimensionnels 20 (22) ; i) graver partiellement la couche isolante électriquement (32) et les premiers et deuxièmes éléments semiconducteurs tridimensionnels de sorte que les premiers et deuxièmes éléments semiconducteurs tridimensionnels aient la même 25 hauteur (H).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13, comprenant, en outre, entre les étapes f) et g), l'étape de gravure de la couche isolante électriquement (32) et des premiers et deuxièmes éléments semiconducteurs tridimensionnels (20,\n<CLM>\1\tdu côté opposé aux 30 premières et deuxièmes zones actives (66).