Brevet FR3071353A1 (20190322)

REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un transistor dont la structure de canal comporte une ou plusieurs ailette(s), le procédé comprenant les étapes de : - formation sur un substrat (1) d'un ou plusieurs blocs (3) appelés blocs de moulage, - former sur lesdits un ou plusieurs blocs de moulage une fine couche (7) à base d'un matériau donné, semi-conducteur ou semi-métallique, et constitué de une à dix mono-couche(s) atomique(s) ou moléculaire(s) de cristal bidimensionnel, - retirer au moins partiellement lesdits un ou plusieurs blocs de moulage tout en conservant une ou plusieurs portion(s) (7a) de la fine couche s'étendant contre au moins une face latérale desdits bloc de moulage, lesdites une ou plusieurs portions (7a) conservées formant une ou plusieurs ailette(s) apte(s) à former une structure de canal du transistor, - réaliser une électrode de grille, en particulier une grille enrobante, contre lesdites une ou plusieurs ailette(s).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la fine couche (7) est formée par croissance catalytique, lesdits un ou plusieurs blocs (3) de moulage étant à base d'un matériau catalytique pour la croissance dudit matériau donné.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, comprenant, préalablement au retrait des blocs (3) de moulage la formation d'un ou plusieurs blocs (9,\n<CLM>\1\tde maintien respectivement à une ou plusieurs extrémités des blocs (3) de moulage, lesdits un ou plusieurs blocs (9,\n<CLM>\1\tde maintien étant adaptés pour assurer une tenue mécanique desdites une ou plusieurs ailette(s) lors du retrait desdits un ou plusieurs blocs de moulage.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3, dans lequel les blocs (9,\n<CLM>\1\tde maintien sont des électrodes de source et de drain. S 63342 ALP-G 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, dans lequel les électrodes de source et de drain sont à base d'un matériau conducteur et dans lequel lesdits un ou plusieurs blocs (3) de moulage sont formés à base d'un matériau (4) apte à être gravé sélectivement vis-vis dudit matériau conducteur. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel lesdits un ou plusieurs blocs de moulage sont en un matériau diélectrique, en particulier du 5i02.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel le 10 matériau donné de la fine couche (7) est du graphène ou un chalcogénure de métal, en particulier du Mo52 ou du W52 ou du W5e2 ou du MoSez.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel après formation de la fine couche (7) et préalablement au retrait des blocs de moulage, le 15 procédé comprend : - former un masquage recouvrant les blocs (3) de moulage, - retirer une épaisseur du masquage de sorte à dévoiler une partie supérieure des blocs (3) de moulage. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications là 8, dans lequel la grille est une grille enrobante réalisée par formation d'un empilement de grille comprenant au moins une couche de diélectrique de grille et au moins une couche de matériau de grille, le procédé comprenant en outre le retrait localisé d'une ou plusieurs zones de la grille enrobante de sorte à dévoiler une ou plusieurs régions données desdites une ou plusieurs 25 ailettes.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel après le retrait localisé de sorte à retirer des zones de l'empilement de grille, on forme sur les régions données dévoilées desdites une ou plusieurs ailettes au moins une couche de capture (22) à base d'un matériau apte à absorber et/ou adsorber au moins une espèce chimique. 30 S 63342 ALP-G 21\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un capteur chimique ou biologique doté d'au moins un transistor mis en oeuvre à l'aide d'un procédé selon l'une des revendications 1 à\n<CLM>\1\t5\n<CLM>\1\tTransistor comprenant : - une structure de canal à une ou plusieurs ailette(s) constituée(s) d'un matériau semi-conducteur ou semi-métallique ayant une à dix mono-couche(s) atomique(s) ou moléculaire(s) de cristal bidimensionnel, - une électrode de grille, enrobante, autour desdites une ou plusieurs 10 ailette(s).\n<CLM>\1\tTransistor selon la revendication 12, comprenant en outre des électrodes de source et de drain disposées respectivement à une première extrémité et une deuxième extrémité des ailettes, les électrodes de source et de drain étant à base 15 d'un matériau métallique ou d'un métal enrichi en matériau semi-conducteur.\n<CLM>\1\tTransistor selon l'une des revendications 12 à 13, formé sur un substrat et comportant au moins une première ailette (7a) et au moins une deuxième ailette (7'a) la première et la deuxième ailette étant parallèles à un plan principal du 20 substrat et orientées dans des directions différentes, la première ailette étant en contact de la deuxième ailette.\n<CLM>\1\tTransistor selon l'une des revendications 12 à 14, dans lequel une portion des ailettes est recouverte par la grille enrobante, une autre portion des ailettes 25 étant recouverte d'une couche de capture apte à absorber et/ou adsorber au moins une espèce chimique ou biologique.\n<CLM>\1\tCapteur chimique ou biologique comprenant un transistor selon l'une des revendications 1 à 15.