Brevet FR3076399A1 (20190705)

REVENDICATIONS1. Dispositif optoelectronique (10) comprenant : un substrat (12) ; un element semiconducteur tridimensionnel (20), compose majoritairement d'un premier element chimique et d'un deuxieme 5 element chimique, reposant sur le substrat (12) ; une zone active (24) recouvrant au moms partiellement les parois laterales de l'element semiconducteur tridimensionnel (20) et comprenant un empilement d'au moms une premiere couche composee majoritairement des premier et deuxieme elements 10 chimiques, et d'au moms une deuxieme couche composee majoritairement des premier et deuxieme elements chimiques et d'un troisieme element chimique ; une troisieme couche (26) recouvrant la zone active, la troisieme couche etant composee majoritairement des premier, 15 deuxieme et troisieme elements chimiques et d'un quatrieme element chimique, la proportion massique des troisieme et quatrieme elements chimiques de la troisieme couche augmentant ou diminuant lorsque la distance au substrat (12) augmente ; et une quatrieme couche (28), composee majoritairement des 20 premier et deuxieme elements chimiques, recouvrant la troisieme couche (26).\n<CLM>\1\tDispositif optoelectronique selon la revendication 1, dans lequel la zone active (24) est adaptee a emettre un rayonnement electromagnetique et dans lequel la troisieme couche 25 (26) est une couche de blocage de porteurs de charge.\n<CLM>\1\tDispositif optoelectronique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la proportion du troisieme element chimique dans la troisieme couche (26) est comprise entre 0,1 et 10 %.\n<CLM>\1\tDispositif optoelectronique selon l'une quelconque 30 des revendications 1 a 3, dans lequel la proportion du quatrieme element chimique dans la troisieme couche (26) est comprise entre 10 et 40 %. B16632 18\n<CLM>\1\tDispositif optoelectronique selon l'une quelconque des revendications 1 a 4, dans lequel le premier element chimique est un element du groupe III.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque 5 des revendications 1 a 5, dans lequel le premier element chimique est le gallium.\n<CLM>\1\tDispositif optoelectronique selon l'une quelconque des revendications 1 a 6, dans lequel le deuxieme element chimique est un element du groupe V. 10\n<CLM>\1\tDispositif optoelectronique selon l'une quelconque des revendications 1 a 7, dans lequel le deuxieme element chimique est l'azote.\n<CLM>\1\tDispositif optoelectronique selon l'une quelconque des revendications 1 a 8, dans lequel le troisieme element 15 chimique est un element du groupe III.\n<CLM>\1\tDispositif optoelectronique selon l'une quelconque des revendications 1 a 9, dans lequel le troisieme element chimique est l'indium.\n<CLM>\1\tDispositif optoelectronique selon l'une quelconque 20 des revendications 1 a 10, dans lequel le quatrieme element chimique est un element du groupe III.\n<CLM>\1\tDispositif optoelectronique selon l'une quelconque des revendications 1 a 11, dans lequel le quatrieme element chimique est l'aluminium. 25\n<CLM>\1\tDispositif optoelectronique selon l'une quelconque des revendications 1 a 12, dans lequel l'element semiconducteur (20) a la forme d'un fil.\n<CLM>\1\tDispositif optoelectronique selon l'une quelconque des revendications 1 a 12, dans lequel l'element semiconducteur 30 (20) a la forme d'une pyramide.\n<CLM>\1\tDispositif optoelectronique selon l'une quelconque des revendications 1 a 14, dans lequel la variation maximale de la bande interdite dans la troisieme couche (26) est inferieure a la variation maximale de la bande interdite d'une meme couche ne 35 comprenant pas le troisieme element chimique.