Brevet FR3069954A1 (20190208)

REVENDICATIONS1. Procédé de détection d'un amincissement éventuel d'un substrat semi-conducteur (1) d'un circuit intégré (CI) depuis sa face arrière, le substrat (1) comprenant un caisson semi-conducteur (2) isolé du reste du substrat (1) par au moins une couche semi- conductrice enterrée (3) réalisée au moins en partie sous le caisson semi-conducteur (2), le procédé comprenant une réalisation dans le caisson semi-conducteur (2) d'un transistor MOS vertical (TR2) comportant une première région semi-conductrice d'électrode (D) située au niveau d'une face avant (Fv) du substrat, une région de grille verticale (4) isolée s'étendant entre la première région semiconductrice d'électrode (D) et la couche semi-conductrice enterrée (3) incluant une deuxième région semi-conductrice d'électrode du transistor vertical, et une polarisation du transistor vertical (TR2) correspondant à un état passant du transistor (TR2), une comparaison du courant délivré par l'une des régions semi-conductrices d'électrode du transistor vertical (TR2) avec une valeur seuil et une génération d'un signal de contrôle (RST) ayant une première valeur correspondant à une détection d'un non amincissement du substrat si la valeur dudit courant est supérieure à la valeur seuil, et ayant une deuxième valeur correspondant à une détection d'un amincissement du substrat si la valeur du courant est inférieure à la valeur seuil.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le caisson semi-conducteur (2) comprend au moins un premier transistor MOS (TR1) comportant une région semi-conductrice d'électrode commune avec ladite première région semi-conductrice d'électrode (D) du transistor vertical (TR2), le procédé comprenant en outre après une détection d'un non amincissement du substrat, une désactivation de la comparaison de la valeur dudit courant à ladite valeur seuil.\n<CLM>\1\tCircuit électronique intégré comportant un substrat semi- conducteur (1) comprenant un caisson semi-conducteur (2) d'un premier type de conductivité isolé du reste du substrat (1) par au moins une couche semi-conductrice enterrée (3) d'un deuxième type de 15 conductivité opposé au premier type de conductivité, réalisée au moins en partie sous le caisson semi-conducteur (2), et comprenant un dispositif (DIS) de détection d'un amincissement du substrat (1) par sa face arrière, le dispositif comportant 5 - un transistor MOS vertical (TR2) comportant une première région semi-conductrice d'électrode (D) située au niveau d'une face avant (Fv) du substrat, une région de grille verticale isolée (4) s'étendant entre la première région semi-conductrice d'électrode (D) et la couche semi-conductrice enterrée (3) incluant une deuxième région 10 semi-conductrice d'électrode du transistor vertical (TR2), - des moyens de polarisation configurés pour, dans une première configuration, appliquer des polarisations sur le transistor vertical (TR2) correspondant à un état passant de ce transistor, et - des moyens de comparaison (5) couplés à l'une desdites 15 régions semi-conductrice d'électrode (D,\n<CLM>\1\tdu transistor vertical (TR2) et configurés pour comparer le courant délivré par ladite région (D,3) semi-conductrice d'électrode (D,\n<CLM>\1\tdu transistor vertical (TR2) avec une valeur seuil et pour générer un signal de contrôle (RST) ayant une première valeur correspondant à une détection d'un non 20 amincissement du substrat si la valeur dudit courant est supérieure à la valeur seuil, et ayant une deuxième valeur correspondant à une détection d'un amincissement du substrat si la valeur du courant est inférieure à la valeur seuil.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 3, dans lequel les 25 moyens de comparaison sont couplés électriquement à la première région semi-conductrice d'électrode (D) du transistor vertical (TR2), et sont configurés pour comparer le courant délivré par ladite première région semi-conductrice d'électrode (D) du transistor vertical (TR2) avec ladite valeur seuil. 30\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 3, dans lequel les moyens de comparaison sont couplés électriquement à la deuxième région semi-conductrice d'électrode (3) du transistor vertical (TR2), et sont configurés pour comparer le courant délivré par ladite deuxième 16 région semi-conductrice d'électrode (3) du transistor vertical (TR2) avec ladite valeur seuil.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, dans lequel le caisson semi-conducteur (2) comprend au moins un 5 premier transistor MOS (TR1) comportant une région semi-conductrice d'électrode commune avec ladite première région semi-conductrice d'électrode (D) du transistor vertical (TR2), le dispositif (DIS) pouvant être dans la première configuration dans laquelle les moyens de comparaison (5) sont activés ou dans une deuxième configuration 10 dans laquelle les moyens de comparaison (5) sont désactivés, et le circuit intégré comprend en outre des moyens de commande (MCM) configurés pour faire passer le dispositif (DIS) de sa première configuration à sa deuxième configuration après une détection d'un non amincissement du substrat. 15\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 6 prise en combinaison avec la revendication 5, dans lequel ladite région semiconductrice d'électrode commune (D) est dépourvue de prise de contact, et les moyens de polarisation sont configurés pour, dans la première configuration, appliquer des polarisations sur le premier 20 transistor vertical (TR1) correspondant à un état passant de ce transistor.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications 3 à 7, comportant une électrode verticale isolée (4) s'étendant depuis la face avant du caisson jusqu'à la couche semi-conductrice enterrée (3) et 25 comportant la région de grille du transistor vertical (TR2).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 8, dans lequel le caisson est entouré d'une tranchée d'isolation (4), et l'électrode verticale isolée (4) s'étend en partie au travers de la tranchée d'isolation. 30\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 8, dans lequel l'électrode verticale isolée (4) s'étend uniquement dans le caisson semi-conducteur, et comprend en outre une portion semi-conductrice (8) du même type de conductivité que la couche semi-conductrice 17 enterrée (3) s'étendant depuis la tranchée d'isolation (4) jusqu'à la couche semi-conductrice enterrée (3).