Brevet FR3067517A1 (20181214)

REVENDICATIONS1. Substrat (100) de type semi-conducteur sur isolant, comportant au moins : - une couche support (102) ; - une couche superficielle (104) de semi-conducteur ; - une couche diélectrique enterrée (106) disposée entre la couche support (102) et la couche superficielle (104) ; - une couche (108) de piégeage de charges électriques disposée entre la couche diélectrique enterrée (106) et la couche support (102), et comprenant au moins un matériau semi-conducteur polycristallin et/ou un matériau à changement de phase ; dans lequel la couche (108) de piégeage de charges électriques comporte au moins une première région (110) et au moins une deuxième région (112) disposées l'une à côté de l'autre dans le plan de la couche (108) de piégeage de charges électriques, le matériau de la première région (110) étant dans un état au moins partiellement recristallisé et ayant une résistivité électrique inférieure à celle du matériau de la deuxième région (112).\n<CLM>\1\tSubstrat (100) selon la revendication 1, dans lequel la couche (108) de piégeage de charges électriques comporte au moins l'un des matériaux suivants : silicium polycristallin, germanium polycristallin, silicium-germanium polycristallin, matériau à changement de phase.\n<CLM>\1\tSubstrat (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche (108) de piégeage de charges électriques comporte un matériau à changement de phase qui se trouve à l'état cristallin dans la première région (110) et à l'état amorphe dans la deuxième région (112). 22\n<CLM>\1\tSubstrat (100) selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre une couche d'absorption thermique (120) disposée entre la couche (108) de piégeage de charges électriques et la couche support (102). 5\n<CLM>\1\tSubstrat (100) selon la revendication 4, dans lequel : - la couche (108) de piégeage de charges électriques comporte du silicium polycristallin, et - la couche d'absorption thermique (120) comporte du germanium polycristallin ou du silicium-germanium polycristallin ou un matériau à changement de 10 phase.\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur (200) comprenant au moins : - un substrat (100) selon l'une des revendications 1 à 5; - une première tranchée d'isolation (202) traversant au moins la 15 couche superficielle (104), la couche diélectrique enterrée (106) et la couche (108) de piégeage de charges électriques du substrat (100) et séparant les première et deuxième régions (110,\n<CLM>\1\tde la couche (108) de piégeage de charges électriques du substrat (100) l'une de l'autre ; - un composant FDS01 (214) réalisé dans une première portion (216) 20 de la couche superficielle (104) du substrat (100) qui est superposée à la première région (110) de la couche (108) de piégeage de charges électriques du substrat (100) ; - un composant passif et/ou RF (220) réalisé dans et/ou sur une deuxième portion (222) de la couche superficielle (104) du substrat (100) qui est superposée à la deuxième région (112) de la couche (108) de piégeage de charges 25 électriques du substrat (100).\n<CLM>\1\tDispositif semi-conducteur (200) selon la revendication 6, comportant en outre : 23 - un puits dopé formé dans une portion (210) de la couche support (102) du substrat (100) et disposé contre la première région (110) de la couche (108) de piégeage de charges électriques du substrat (100) ; - une deuxième tranchée d'isolation (204) traversant au moins la 5 couche superficielle (104), la couche diélectrique enterrée (106) et la couche (108) de piégeage de charges électriques du substrat (100) et séparant des première et deuxième parties (206,\n<CLM>\1\tde la première région (110) de la couche (108) de piégeage de charges électriques du substrat (100) qui sont reliées électriquement l'une à l'autre par le puits dopé, la première partie (206) de la première région (110) de la couche (108) de piégeage 10 de charges électriques du substrat (100) formant un plan de polarisation arrière du composant FDS01 (214) ; - un contact électrique (219) traversant la couche superficielle (104) et la couche diélectrique enterrée (106), en contact avec la deuxième partie (208) de la première région (110) de la couche (108) de piégeage de charges électriques du substrat 15 (100).\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un substrat (100) de type semi- conducteur sur isolant, comportant la réalisation d'un empilement comprenant : - une couche support (102) ; 20 - une couche superficielle (104) de semi-conducteur ; - une couche diélectrique enterrée (106) disposée entre la couche support (102) et la couche superficielle (104) ; - une couche (108) de piégeage de charges électriques disposée entre la couche diélectrique enterrée (106) et la couche support (102), et comprenant au moins 25 un matériau semi-conducteur polycristallin et/ou un matériau à changement de phase ; et comportant en outre la réalisation, dans la couche (108) de piégeage de charges électriques, d'au moins une première région (110) et d'au moins une deuxième région (112) disposées l'une à côté de l'autre dans le plan de la couche (108) de piégeage de charges électriques, au cours de laquelle le matériau de la première région 24 (110) est au moins partiellement recristallisé tel que sa résistivité électrique soit inférieure à celle du matériau de la deuxième région (112).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, dans lequel la réalisation de la 5 première région (110) comporte la mise en oeuvre d'un recuit local par laser du matériau de la première région (110).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel la couche superficielle (104) du substrat (100) comporte du silicium monocristallin, et dans lequel, 10 lors du recuit local par laser du matériau de la première région (110), le laser est focalisé sur la première région (110) de la couche (108) de piégeage de charges électriques à travers la couche superficielle (104) et la couche diélectrique enterrée (106) du substrat (100). 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel, lors du recuit local par laser du matériau de la première région (110), le laser est focalisé sur la première région (110) de la couche (108) de piégeage de charges électriques au moins à travers la couche support (102) du substrat (100). 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, dans lequel le substrat (100) comporte en outre une couche d'absorption thermique (120) disposée entre la couche (108) de piégeage de charges électriques et la couche support (102), et dans lequel le laser est focalisé sur une région de la couche d'absorption thermique (120) superposée à la première région (110) de la couche (108) de piégeage de charges électriques et au 25 moins à travers la couche support (102) du substrat (100).\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un dispositif semi-conducteur (200) comportant au moins : - la mise en oeuvre d'un procédé de réalisation d'un substrat (100) de type semi-conducteur sur isolant selon l'une des revendications 8 à 12; 25 - la réalisation, à travers au moins la couche superficielle (104), la couche diélectrique enterrée (106) et la couche (108) de piégeage de charges électriques du substrat (100), d'au moins une première tranchée d'isolation (202) entre les première et deuxième régions (110,\n<CLM>\1\tde la couche (108) de piégeage de charges électriques du 5 substrat (100) ; - la réalisation d'au moins un composant FDS01 (214) dans une première portion (216) de la couche superficielle (104) du substrat (100) qui est superposée à la première région (110) de la couche (108) de piégeage de charges électriques du substrat (100) ; 10 - la réalisation d'au moins un composant passif et/ou RF (220) dans et/ou sur une deuxième portion (222) de la couche superficielle (104) du substrat (100) qui est superposée à la deuxième région (112) de la couche (108) de piégeage de charges électriques du substrat (100). 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13, comportant en outre : - la réalisation d'une deuxième tranchée d'isolation (204) traversant au moins la couche superficielle (104), la couche diélectrique enterrée (106) et la couche (108) de piégeage de charges électriques du substrat (100) et séparant des première et deuxième parties (206,\n<CLM>\1\tde la première région (110) de la couche (108) de piégeage 20 de charges électriques du substrat (100) ; - une implantation de dopants dans une portion (210) de la couche support (102) du substrat (100) qui est disposée contre la première région (110) de la couche (108) de piégeage de charges électriques du substrat (100), formant un puits dopé reliant électriquement entre elles les première et deuxième parties (206,\n<CLM>\1\tde la 25 première région (110) de la couche (108) de piégeage de charges électriques du substrat (100) ; - la réalisation d'un contact électrique (219) traversant la couche superficielle (104) et la couche diélectrique enterrée (106), en contact avec la deuxième partie (208) de la première région (110) de la couche (108) de piégeage de charges 30 électriques du substrat (100), et permettant la commande d'un plan de polarisation 26 arrière du composant FDS01 (214) formé par la première partie (206) de la première région (110) de la couche (108) de piégeage de charges électriques du substrat (100).