Brevet FR3079967A1 (20191011)

REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un panneau à cellules solaires multijonctions, comprenant une ou plusieurs des étapes de : mise à disposition d'une galette en utilisant un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs métallo-organiques (MOCVD) ; fixation des interconnexions (962,\n<CLM>\1\tà la ou les cellules solaires (900) ; fixation d'un verre de couverture (980) sur chaque cellule solaire afin de former un cellule-interconnexion-verre de couverture (CIC) ; formation d'une configuration en bande de CIC ; interconnexion des configurations en bande de CIC ; lien des configurations en bande ou des configurations en bande interconnectées sur un substrat (912); configuration et câblage du circuit de panneau ; configuration d'une diode de blocage ; câblage d'une première borne et d'une deuxième borne de première et deuxième polarités, respectivement, pour le panneau à cellules solaires ; et test de la fonctionnalité du panneau à cellules solaires ; où au moins une des étapes du procédé est réalisée par un processus automatisé.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, où le procédé comprend une ou plusieurs des étapes suivantes, réalisées notamment en utilisant un processus automatisé : métallisation de la face arrière de la galette ; création d'un motif par lithographie et dépôt de métal sur la face avant de la galette ; formation d'un mesa sur la face avant de la galette par lithographie et gravure ; dépôt d'un revêtement antireflet (RAR) sur la galette ; découpe d'une ou plusieurs cellules solaires (900) dans la galette ; test de la fonctionnalité de la ou des cellules solaires (900).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un panneau de cellules solaires multijonctions sur un support en utilisant un ou plusieurs processus automatisés, le procédé comprenant : la mise à disposition d'une première cellule solaire multijonction comprenant une première pastille de contact et d'une deuxième pastille de contact, disposées de manière P0760/FR Solce104 Docket D004 FR (423.01390101) 24 adjacente sur la surface supérieure de la cellule solaire multijonction le long d'un premier bord périphérique de celle-ci ; la fixation d'une première interconnexion électrique à la première pastille de contact de ladite première cellule solaire multijonction ; la fixation d'une deuxième interconnexion électrique à la deuxième pastille de contact de la première cellule solaire multij onction ; le positionnement de ladite première cellule solaire multijonction sur une région adhésive d'un support permanent en utilisant un machine automatisée/appareil de vision ; le montage d'un verre de couverture (980) sur ladite première cellule solaire multij onction, et la liaison de ladite première cellule solaire multijonction à ladite région adhésive à l'aide de pression et/ou de chaleur.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, notamment où la cellule solaire est une cellule solaire multijonction à semi-conducteur composé III-V préparée à partir d'une galette fabriquée, où la fabrication de la galette comprend : la mise à disposition d'un premier substrat (912) ; le dépôt sur le premier substrat (912), d'une série de couches de matériau semiconducteur pour former au moins une première, une deuxième et une troisième cellule solaire ; la formation d'une intercouche de gradation sur lesdites première, deuxième et/ou troisième cellules solaires ; le dépôt sur ladite intercouche de gradation, d'une deuxième série de couches de matériau semi-conducteur pour former une quatrième cellule solaire, le réseau de la quatrième cellule solaire étant décalé par rapport à la troisième cellule solaire ; le montage et l'application d'un substitut de substrat sur le haut de la série de couches, et l'enlèvement du premier substrat (912), où la formation de l'intercouche de gradation comprend : le prélèvement d'une intercouche composée de InGaAlAs en utilisant un programme d'ordinateur pour identifier une série de compositions de la formule (In'Gai,)yAli_yAs définie par des valeurs spécifiques de x et de y, où 0\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, où le processus automatisé utilise la vision artificielle.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, où au moins un des processus automatisés utilise un robot.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, où au moins un des processus automatisés utilise un outil d'assemblage pick and place ; une machine de câblage ou une machine de soudage laser pour fixer les interconnexions (962,\n<CLM>\1\tsur une ou plusieurs cellules solaires (900) ; un équipement automatique de dépôt en phase vapeur, un équipement automatique de placage métallique ; des techniques automatiques de lithographie ; des techniques automatiques de gravure ; des techniques automatiques de découpe ; un équipement automatique de test ; un équipement automatique de brasage ou de soudage laser ; un équipement automatique d'application; un équipement automatique de câblage ; et/ou une application automatique de pression et/ou de chaleur.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, où les cellules solaires (900) ont chacune, une surface inférieure à 5 cm2.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, où les cellules solaires (900) sont des cellules solaires multij onctions à semi-conducteur composé III-V, et la fabrication des galettes comprend : P0760/FR Solce104 Docket D004 FR (423.01390101) 26 la mise à disposition d'un système de dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs métallo-organiques (MOCVD) configuré pour contrôler indépendamment le débit des gaz sources pour le gallium, l'indium, l'aluminium et l'arsenic ; la sélection d'une durée et d'une température de réaction et d'un débit ainsi qu'un débit pour chaque gaz source afin de former l'intercouche à gradation continue disposée sur la sous-cellule du bas, où le gaz source pour l'indium est le triméthyl-indium (InMe3), le gaz source pour le gallium est le triméthyl-gallium (GaMe3), le gaz source pour l'arsenic est l'arsine (A5H3), et le gaz source pour l'aluminium est le triméthyl-aluminium (Al2Me6).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, où le panneau est flexible et est composé d'un matériau poly(4,4'-oxydiphénylène-pyromellitimide). P0760/FR Solce104 Docket D004 FR (423.01390101)