Brevet FR3069072A1 (20190118)

REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un micro/nano-filtre sur un micro/nano-canal ou micro/nano-cavité présents dans une couche de silicium, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - Une étape de lithographie (E2, E30, E200), pour générer une couche de résine (2, 20,\n<CLM>\1\tsur ladite couche de silicium (1) de manière à former une structure en résine sur la couche de silicium, ladite structure comportant au moins une zone cible (Z) ; - Une étape de réalisation d'une couche carbonée (4, 40,\n<CLM>\1\ten surface de ladite couche de silicium (1) au niveau de ladite zone cible ; - Une étape de création (E3, E40, E400) de zones implantées par implantation ionique à travers ladite structure formée par ladite couche de résine (2, 20,\n<CLM>\1\tau niveau de ladite zone cible ; - Une étape de retrait (E4, E50, E600) de la couche de résine (2) et de maintien au moins en partie de la couche carbonée (4, 40,\n<CLM>\1\tsur ladite zone cible ; - Une étape de porosification (E5, E60, E700) du silicium et de la couche carbonée au niveau de ladite zone cible afin d'obtenir une zone cible porosifiée (5, 50,\n<CLM>\1\t; - Une étape de nettoyage (E6, E70, E800) de ladite zone cible porosifiée pour retirer le silicium poreux de ladite zone cible et former au moins une cavité (6, 60,\n<CLM>\1\tfermée en surface par une membrane poreuse (10) carbonée.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite étape de réalisation d'une couche carbonée est mise en oeuvre lors de l'étape de création (E3) des zones implantées par dégradation de ladite couche de résine (200), par une implantation ionique d'ions lourds.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite étape de réalisation d'une couche carbonée comporte une étape de dépôt (E20) d'une couche carbonée (40) sur la couche de silicium (1), réalisée préalablement à ladite étape de lithographie.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche carbonée (40) est une couche de type BARC ("Bottom Anti-reflective coating"). 13\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce que ladite étape de création de zones implantées est mise en oeuvre par implantation ionique en employant des ions lourds.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2 ou 5, caractérisé en ce que les ions lourds 5 employés sont des ions d'atome de masse volumique plus élevée que celle du Bore.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de réalisation d'une couche carbonée comporte une étape d'implantation ionique (E300) d'ions carbone à travers la structure formée par ladite couche de résine (2) et en ce que cette étape est mise en oeuvre entre l'étape de lithographie (E200) et 10 ladite étape de création de zones implantées (E400).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'étape de nettoyage (E6, E70, E800) est réalisée dans une solution de gravure humide du silicium, choisie parmi une gravure à base de KOH (potasse) ou une gravure à base de TMAH (Tetramethylammonium hydroxide). 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que l'étape de lithographie (E2, E30, E200) est mise en oeuvre selon une technologie choisie parmi une technologie de type optique, une technologie de type électronique, une technologie par nano-impression et une technologie par auto-assemblage de copolymère à bloc. 20\n<CLM>\1\tStructure micro/nano-fluidique comprenant une couche de silicium, caractérisée en ce qu'elle comporte au moins une membrane poreuse (10) dans la couche de silicium (1) formant un micro/nano-filtre réalisé à l'aide du procédé tel que défini dans l'une des revendications précédentes. 25