Brevet FR3074163A1 (20190531)

REVENDICATIONS1. Composé précurseur de pistes conductrices de circuit imprimé comprenant : - Entre 20% et 30% en poids d'un système polyuréthane thermobloqué, - Entre 50% et 60% en poids d'un oxyde métallique, Entre 7% et 13% en poids d'un solvant ou d'un mélange de solvant, et - Entre 7% et 13% en poids d'un additif ou d'un mélange d'additifs.\n<CLM>\1\tComposé selon la revendication 1, caractérisé en ce que 15 l'oxyde métallique est un oxyde de cuivre.\n<CLM>\1\tComposé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'oxyde de cuivre présente une granulométrie comprise entre 4pm et 25pm.\n<CLM>\1\tComposé selon l'une quelconque des revendications 20 précédentes, caractérisé en ce que le système polyuréthane thermobloqué comporte une résine ou un mélange de résines choisie(s) parmi le groupe comprenant une résine polyimide thermoplastique, une résine polyamideimide, une résine polyphénylène sulfide, une résine polyurétane, une résine 25 polychlorure de vinyle, une résine styrol, une résine polyisocyante, un polymère hydroxylé.\n<CLM>\1\tComposé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il contient un agent thixotrope et/ou un tensio-actif et/ou un mélange de tensio-actifs. 30\n<CLM>\1\tComposé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il contient un mélange de xylène et d'un solvant dibasique ester.\n<CLM>\1\tComposé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il présente une rhéologie telle 35 qu'il est apte à être appliqué sur un support par un procédé 7 d'impression 3D, par sérigraphie ou par projection, quelle que soit la nature et la forme du matériau constituant ledit support.\n<CLM>\1\tProcédé pour réaliser des pistes de circuit électronique sur un support à partir du composé selon l'une 5 quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel : On dépose au moins une couche du composé sur ledit support selon un schéma prédéterminé, puis on applique à ladite couche un traitement visant à réduire l'oxyde métallique et à débloquer le système polyuréthane. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'on dépose sur ledit support au moins une couche d'une épaisseur comprise entre 3 pin et 50 pm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 ou 9, caractérisé en ce qu'on dépose ladite couche sur ledit support 15 par impression 3D.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 ou 9, caractérisé en ce qu'on dépose ladite couche sur ledit support par sérigraphie.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 20 11, caractérisé en ce qu'on dépose plusieurs couches du composé selon les revendications 1 à 7, séparées les unes des autres par à chaque fois une couche isolante.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, caractérisé en ce que l'on utilise un support réalisé en un 25 matériau apte à supporter une température comprise entre 110°C et 450°C, ledit matériau étant choisi parmi le groupe comprenant un matériau composite, un plastique, du verre, un textile, un élastomère, un caoutchouc.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 30 13, caractérisé en ce qu'après avoir déposé ladite couche sur ledit support, on soumet ladite couche à un bombardement photonique, pendant une durée de 0,1ps à 50ps.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 13, caractérisé en ce qu'après avoir déposé ladite couche sur 35 ledit support, on soumet ladite couche à un procédé d'électrodéposition ou on plonge ledit support comportant ladite 8 couche dans un ou plusieurs bains d'une solution permettant de réduire l'oxyde de métal que ladite couche contient.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 13, caractérisé en ce qu'après avoir déposé ladite couche sur 5 ledit support, on la soumet à une température comprise entre 110°C et 450°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'on soumet ladite couche à ladite température en plaçant ledit support dans un four pendant une durée comprise entre 10 min et 20 10 min.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que pour soumettre ladite couche à ladite température, on la soumet à un rayonnement infrarouge pendantl s à 5 min.\n<CLM>\1\tSupport muni de pistes de circuit imprimé obtenues par 15 la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à\n<CLM>\1\t20. Support selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'il est réalisé en un matériau apte à supporter une température comprise entre 110°C et 450°C choisi parmi le groupe comprenant 20 un matériau composite, un plastique, du verre, un textile, un élastomère, un caoutchouc.\n<CLM>\1\tSupport selon l'une quelconque des revendications 19 ou 20, caractérisé en ce qu'il est défini par une surface.\n<CLM>\1\tSupport selon l'une quelconque des revendications 19 25 ou 20, caractérisé en ce qu'il est défini par un volume.\n<CLM>\1\tSupport selon l'une quelconque des revendications 19 à 22, caractérisé en ce qu'il comporte plusieurs couches du composé précurseur de pistes de circuit imprimé séparées les unes des autres par à chaque fois une couche isolante. 30