Brevet FR3068512A1 (20190104)

REVENDICATIONS1.- Transistor (10) à effet de champ à gaz d'électrons bidimensionnel comportant : - un drain (14), - une source (16), - une hétérojonction (22) comportant : - une première couche (26) planaire, la première couche (26) étant réalisée en un premier matériau (M1) et comportant une première sous-couche (28) formée par des impuretés de type accepteur, et - une deuxième couche (30) planaire, la deuxième couche (30) étant réalisée en un deuxième matériau (M2) et comportant une deuxième sous-couche (32) formée par des impuretés de type donneur, - une unité de contrôle (18) du courant entre le drain (14) et la source (16), l'unité de contrôle (18) étant un applicateur de champ magnétique (34) perpendiculaire aux couches. 2.- Transistor selon la revendication 1, dans lequel les impuretés de type accepteur sont du béryllium ou du carbone. 3.- Transistor selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le taux d'impuretés dans le premier matériau (M1) est supérieur à 1011 cm-2. 4.- Transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les impuretés de type donneur sont du silicium. 5.- Transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le taux d'impuretés dans le deuxième matériau (M2) est supérieur à 5.1011 cm-2. 6.- Transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le premier matériau (M1) et le deuxième matériau (M2) sont des matériaux semiconducteurs III-V, le couple du premier matériau (M1) et du deuxième matériau (M2) étant notamment l'un des couples du groupe constitué de AlGaN/GaN ; AllnAs/GalnAs ; GalnAs/AIGaAs ; AlGaAs/AlGa, et InAs/AlSb. 7.- Transistor selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le transistor (10) est dépourvu de grille. 15 8.- Composant électronique, notamment un composant TéraHertz, tel une source ou un capteur, comportant au moins un transistor (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 5 9.- Procédé de génération d'un courant par un transistor (10) à effet de champ à gaz d'électrons bidimensionnel comportant : - une hétérojonction (22) comportant : - une première couche (26) planaire, la première couche (26) étant réalisée 10 en un premier matériau (M1) et comportant une première sous-couche (28) formée par des impuretés de type accepteur, et - une deuxième couche (30) planaire, la deuxième couche (30) étant réalisée en un deuxième matériau (M2) et comportant une deuxième sous-couche (32) formée par des impuretés de type donneur, 15 - une unité de contrôle (18) du courant entre le drain (14) et la source (16), l'unité de contrôle (18) étant un applicateur de champ magnétique (34) perpendiculaire aux couches, le procédé de génération comprenant une étape d'application d'un champ magnétique par l'unité de contrôle (18). 20 10.- Procédé de fabrication d'un transistor (10) à effet de champ à gaz d'électrons bidimensionnel comportant : - un drain (14), - une source (16), 25 - une hétérojonction (22) comportant : - une première couche (26) planaire, la première couche (26) étant réalisée en un premier matériau (M1) et comportant une première sous-couche (28) formée par des impuretés de type accepteur, et - une deuxième couche (30) planaire, la deuxième couche (30) étant 30 réalisée en un deuxième matériau (M2) et comportant une deuxième sous- couche (32) formée par des impuretés de type donneur, - une unité de contrôle (18) du courant entre le drain (14) et la source (16), l'unité de contrôle (18) étant un applicateur de champ magnétique (34) perpendiculaire aux couches, le procédé de fabrication comportant une première étape de croissance du premier matériau (M1) pendant laquelle la première sous-couche (28) est créée et une 16 deuxième étape de croissance du deuxième matériau (M2) pendant laquelle la deuxième sous-couche (32) est créée.