Brevet FR3076660A1 (20190712)

REVENDICATIONS1. Circuit intégré comprenant au moins un domaine (LG) comportant au moins un dispositif (300, 400,\n<CLM>\1\tde cellule capacitive de remplissage, le dispositif comportant : une première région semiconductrice (NW) ; une région isolante (STI) délimitant une zone utile (ACT) de la première région semiconductrice (NW) ; au moins une tranchée (30, 40,\n<CLM>\1\tsituée dans ladite zone utile (ACT) et s'étendant jusque dans la région isolante (STI), la tranchée (30, 40,\n<CLM>\1\tpossédant une portion centrale (31, 41,\n<CLM>\1\télectriquement conductrice enveloppée dans une enveloppe isolante (32, 42,\n<CLM>\1\t; une région de couverture (35, 45,\n<CLM>\1\trecouvrant au moins une première partie (ptl) de ladite tranchée (30, 40, 50), la première partie (ptl) de ladite tranchée étant la partie située dans ladite zone utile (ACT), la région de couverture (35, 45,\n<CLM>\1\tcomportant au moins une couche diélectrique (37, 47,\n<CLM>\1\tau contact de ladite tranchée ; une couche de siliciure de métal (38, 48,\n<CLM>\1\tlocalisée au moins sur la portion centrale d'une deuxième partie (pt2) de ladite tranchée (30, 40, 50), la deuxième partie (pt2) de ladite tranchée étant une partie non recouverte par la région de couverture (35, 45,\n<CLM>\1\t; une première prise de contact (N+) dans la première région semiconductrice (NW) formant une première électrode (El) du dispositif ; une deuxième prise de contact (E2) sur la couche de siliciure de métal (38, 48,\n<CLM>\1\tde la portion centrale de la deuxième partie de ladite tranchée.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 1, comportant un substrat (PW) et un caisson (NW) logé dans le substrat et formant ladite première région semiconductrice (NW), dans lequel le dispositif (300, 400,\n<CLM>\1\tcomporte en outre une prise de contact substrat (P+) électriquement reliée à la deuxième prise de contact (E2).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel la région de couverture (35, 45,\n<CLM>\1\tcomporte une couche 21 électriquement conductrice (36, 46,\n<CLM>\1\tsurmontant ladite couche diélectrique (37, 47,\n<CLM>\1\tet électriquement reliée à la deuxième prise de contact (E2).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications précédentes, 5 dans lequel ladite couche diélectrique (37, 47,\n<CLM>\1\tde la région de couverture (35, 45,\n<CLM>\1\tcomporte une couche d'oxyde de grille de transistor.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite couche diélectrique (37, 47,\n<CLM>\1\tde la région de 10 couverture (35, 45,\n<CLM>\1\tcomporte un empilement de couches d'oxyde de silicium-nitrure-oxyde de silicium.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le dispositif (300, 400,\n<CLM>\1\tcomporte dans la zone utile plusieurs tranchées parallèles (30, 40, 50). 15\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite région de couverture (35,\n<CLM>\1\ta une forme de plaque recouvrant toute la surface de la zone utile (ACT).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 6, dans lequel le dispositif comporte plusieurs régions de couverture (45) en forme de 20 bandes respectivement disposées en regard de chaque tranchée (40).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 8, dans lequel la couche de siliciure de métal (48) est également localisée en surface de la zone utile, entre lesdites bandes.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications précédentes, 25 dans lequel ledit domaine (LG) comporte des portes logiques.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 10 prise en combinaison avec la revendication 2, dans lequel ledit domaine (LG) comporte une succession de caissons (NW) dans le substrat (PW), et plusieurs dispositifs (FTC) de cellules capacitives situés entre des 30 portes logiques.\n<CLM>\1\tAppareil électronique, tel qu'un téléphone portable ou un ordinateur de bord de véhicule, (APP) comportant un circuit intégré (CI) selon l'une des revendications précédentes. 22\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'au moins un dispositif de cellule capacitive de remplissage (700), dans un domaine (LG) d'un circuit intégré, comportant : une formation d'une première région semiconductrice (NW) ; 5 une formation d'une région isolante (STI) délimitant une zone utile (ACT) de la première région semiconductrice (NW) ; une formation d'au moins une tranchée (70) située dans ladite zone utile (ACT) et s'étendant jusque dans la région isolante (STI), comprenant une gravure d'au moins une tranchée (70), une formation 10 d'une enveloppe isolante (72) sur le fond et les flancs de ladite tranchée, et une formation d'une portion centrale (71) électriquement conductrice enveloppée dans ladite enveloppe isolante (72) ; une formation d'une région de couverture (75) recouvrant au moins une première partie (ptl) de ladite tranchée (70), la première 15 partie (ptl) de ladite tranchée étant la partie située dans ladite zone utile (ACT), la formation d'une région de couverture (75) comprenant une formation d'au moins une couche diélectrique (77) au contact de ladite tranchée (70) ; une formation d'une couche de siliciure de métal (78) localisée 20 au moins sur la portion centrale (71) d'une deuxième partie (pt2) de ladite tranchée (70), la deuxième partie (pt2) de ladite tranchée étant une partie non recouverte par la région de couverture (75) ; une formation d'une première prise de contact (N+) dans la première région semiconductrice (NW) formant une première électrode 25 (El) du dispositif ; une formation d'une deuxième prise de contact (E2) sur la couche de siliciure de métal (78) de la portion centrale (71) de la deuxième partie de ladite tranchée (70).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13, dans lequel la formation 30 d'une première région semiconductrice (NW) comporte une formation d'un caisson (NW) dans un substrat (PW), le procédé comportant en outre une formation d'une prise de contact substrat (P+) électriquement reliée à la deuxième prise de contact (E2). 23\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 13 ou 14, dans lequel la formation de la région de couverture (75) comporte une formation d'une couche électriquement conductrice (76) surmontant ladite couche diélectrique (77) et électriquement reliée à la deuxième 5 prise de contact (E2).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 13 à 15, dans lequel la formation de la couche diélectrique (37, 47,\n<CLM>\1\tde la région de couverture (35, 45,\n<CLM>\1\tcomprend une formation d'une couche d'oxyde de grille de transistor. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 13 à 16, dans lequel la formation de la couche diélectrique (37, 47,\n<CLM>\1\tde la région de couverture (35, 45,\n<CLM>\1\tcomprend une formation d'un empilement de couches d'oxyde-nitrure-oxyde de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 13 à 17, dans lequel 15 ladite formation d'au moins une tranchée (35,\n<CLM>\1\tcomprend une formation de plusieurs tranchées parallèles (70) situées dans ladite zone utile (ACT) et s'étendant jusque dans la région isolante (STI).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 18, dans lequel ladite formation d'au moins une région de couverture (35,\n<CLM>\1\test configurée 20 pour former une plaque recouvrant toute la surface de la zone utile (ACT).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 18, dans lequel ladite formation d'au moins une région de couverture (45) est configurée pour former plusieurs bandes disposées en regard de chaque tranchée 25 (40).