Brevet FR3075775A1 (20190628)

REVENDICATIONS1. Procédé de formation d'une structure de guidage chimique (200) destinée à l'auto-assemblage d'un copolymère à blocs (500) par chémo-épitaxie, le procédé comprenant les étapes suivantes : - former sur un substrat (100) au moins un motif initial (210,\n<CLM>\1\ten un premier matériau polymère (140) ayant une première masse molaire (M1) et une première affinité chimique vis-à-vis du copolymère à blocs (500) ; - recouvrir (S16) le motif initial (210,\n<CLM>\1\tet une région du substrat (100) adjacente au motif initial d'une couche (150) comprenant un deuxième matériau polymère (160) greffable, le deuxième matériau polymère ayant une deuxième masse molaire (M2) et une deuxième affinité chimique vis-à-vis du copolymère à blocs, différente de la première affinité chimique ; - greffer (S17, S27, S34) le deuxième matériau polymère (160) dans la région adjacente au motif initial (210,\n<CLM>\1\t; caractérisé en que le premier matériau polymère (140) est greffé au substrat (100) et en ce que la deuxième masse molaire (M2) est supérieure à la première masse molaire (M1).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la deuxième masse molaire (M2) est supérieure ou égale à 150 % de la première masse molaire (M1).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel la deuxième masse molaire (M2) est en outre inférieure ou égale à 500 % de la première masse molaire (M1).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape de formation du motif initial (210) comprend les opérations suivantes : - déposer (S11) une couche de matériau sacrificiel (110) sur le substrat (100) ; - former (S11) dans la couche de matériau sacrificiel au moins une cavité (111) débouchant sur le substrat, la cavité comprenant un fond (112) et des parois latérales (113) ; - former (S13) des espaceurs (130) contre les parois latérales de la cavité ; - greffer (S14) le premier matériau polymère (140) sur le substrat (100) au fond 24 de la cavité (111) ; et - éliminer (S15) la couche de matériau sacrificiel (110) et les espaceurs (130).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape de 5 formation du motif initial (210) comprend les opérations suivantes : - greffer (S22) une couche (301) du premier matériau polymère (140) sur le substrat (100) ; - former (S23-S24) un masque (310) sur la couche du premier matériau polymère ; 10 - graver (S25) la couche (301) du premier matériau polymère (140) à travers le masque (310) ; - retirer (S26) le masque.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 4 et 5, dans lequel le premier matériau 15 polymère (140) présente une affinité préférentielle pour l'un des blocs du copolymère et dans lequel le deuxième matériau polymère (160) est neutre vis-à-vis du copolymère à blocs (500).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape de 20 formation du motif initial (222) comprend les opérations suivantes : - former (531) un masque (310') sur le substrat (100) ; - greffer (S32) le premier matériau polymère (140) sur le substrat à travers le masque ; - retirer (S33) le masque (310'). 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, dans lequel le premier matériau polymère (140) est neutre vis-à-vis du copolymère à blocs (500) et dans lequel le deuxième matériau polymère (160) présente une affinité préférentielle pour l'un des blocs du copolymère. 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 5 et 7, dans lequel le masque (310, 310') comporte au moins un motif (311) en forme d'espaceur de dimension critique inférieure à 20 nm. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel le masque (310, 310') comporte au moins deux espaceurs (311) de dimension critique (W) sensiblement égale à la moitié de la période naturelle (Lo) du copolymère à blocs (500) et dans lequel les espaceurs (311) sont en outre espacés deux-à-deux d'une distance (D1, D2) sensiblement égale 5 à un multiple entier de la période naturelle du copolymère à blocs.\n<CLM>\1\tProcédé de chémo-épitaxie comprenant les étapes suivantes : - former une structure de guidage chimique (200) sur un substrat (100) à l'aide d'un procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 ; 10 - déposer un copolymère à blocs (500) sur la structure de guidage chimique ; et - assembler le copolymère à blocs (500).