Brevet FR3071352A1 (20190322)

REVENDICATIONS1. Circuit électronique (30 ; 70 ;\n<CLM>\1\tcomprenant un substrat semiconducteur (6) ayant des première et deuxième faces opposées (8,\n<CLM>\1\tet des tranchées d'isolation électrique (32 ; 72 ;\n<CLM>\1\ts'étendant dans le substrat depuis la première face jusqu'à la deuxième face, chaque tranchée séparant des première et deuxième portions (16) du substrat et comprenant des murs isolants électriquement (34A, 34B) d'un premier matériau isolant électriquement et s'étendant de la première face à la deuxième face, et un coeur (20) en un matériau de remplissage, séparé du substrat par les murs, dans lequel, pour au moins l'une des tranchées, les murs de la tranchée comprennent des portions isolantes électriquement (36A, 36B, 38A, 38B) du premier matériau isolant électriquement en saillie par rapport à la première ou deuxième face en dehors du substrat et/ou la tranchée comprend une paroi isolante électriquement (50) du premier matériau isolant électriquement en saillie par rapport à la première ou deuxième face en dehors du substrat et reliant les murs de la tranchée.\n<CLM>\1\tCircuit électronique selon la revendication 1, comprenant, en outre, une couche isolante électriquement (22,\n<CLM>\1\td'un deuxième matériau isolant électriquement recouvrant les portions isolantes électriquement (36A, 36B, 38A, 38B) et/ou la paroi isolante électriquement (50).\n<CLM>\1\tCircuit électronique selon la revendication 2, dans lequel la tension de claquage du premier matériau isolant 25 électriquement est supérieure à la tension de claquage du deuxième matériau isolant électriquement.\n<CLM>\1\tCircuit électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la hauteur (H ; H') des portions isolantes électriquement (36A, 36B, 38A, 38B) ou de la paroi 30 isolante électriquement (50) en saillie par rapport à la première ou deuxième face (8,\n<CLM>\1\test comprise entre 0,05 gm et 5 pin.\n<CLM>\1\tCircuit électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel, pour au moins l'une des tranchées (82), la jonction entre la première ou deuxième face B15661 - DD17692HB 23 (8,\n<CLM>\1\tet chaque mur (34A, 34B) de la tranchée comprend un bord arrondi (84,\n<CLM>\1\tvers l'intérieur du substrat (6).\n<CLM>\1\tCircuit électronique selon la revendication 5, dans lequel le rayon de courbure de chaque bord arrondi (84, 88), dans 5 un plan perpendiculaire aux murs de la tranchée (82), est supérieur à 0,05 pin.\n<CLM>\1\tCircuit électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le premier matériau isolant électriquement est en oxyde de silicium, en nitrure de silicium, 10 en oxynitrure de silicium, en oxyde d'hafnium ou en diamant.\n<CLM>\1\tCircuit électronique selon la revendication 7, dans lequel les murs (34A, 34B) sont en oxyde de silicium thermique.\n<CLM>\1\tCircuit électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le matériau de remplissage est 15 différent du premier matériau isolant électriquement.\n<CLM>\1\tCircuit électronique selon la revendication 9, dans lequel le matériau de remplissage est choisi parmi le groupe comprenant le silicium, le germanium, le carbure de silicium, les composés III-V, et les composés II-VI. 20\n<CLM>\1\tCircuit électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le substrat (6) est en silicium, en germanium, en carbure de silicium, en un composé III-V, ou en un composé II-VI.\n<CLM>\1\tCircuit électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant, pour au moins l'une des premières portions (16) et l'une des deuxièmes portions (16), au moins des premier et deuxième composants électroniques (17), le premier composant électronique reposant sur la première portion (16) du substrat (6) et le deuxième composant électronique reposant sur la deuxième portion (16) du substrat (6), l'une des tranchées d'isolation électrique (32 ; 72 ;\n<CLM>\1\tséparant la première portion de la deuxième portion.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication du circuit électronique (30 ; 70 ;\n<CLM>\1\tselon l'une quelconque des revendications 1 à 12, 35 comprenant les étapes successives suivantes : B15661 - DD17692HB 24 a) former des ouvertures (40) dans le substrat (6) depuis la première face (8) sur une partie de l'épaisseur du substrat ; b) former une couche isolante électriquement (42) du 5 premier matériau isolant électriquement au moins dans chaque ouverture ; c) déposer une couche (44) du matériau de remplissage dans chaque ouverture au contact de la première couche isolante électriquement ; et 10 d) amincir le substrat par la deuxième face (10) pour rapprocher la deuxième face de la première face jusqu'à atteindre au moins la couche isolante électriquement et former, pour au moins l'une des tranchées, les portions isolantes électriquement (36A, 36B, 38A, 38B) du premier matériau isolant électriquement 15 en saillie par rapport à la deuxième face en dehors du substrat et/ou la paroi isolante électriquement (50) du premier matériau isolant électriquement en saillie par rapport à la deuxième face en dehors du substrat et reliant les murs de la tranchée.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13, dans lequel 20 l'étape b) comprend une étape d'oxydation thermique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13 ou 14, comprenant, en outre, les étapes suivantes : e) former, pour au moins l'une des tranchées (82), une rainure (102) dans le substrat (6) le long de chaque mur (34A, 25 34B) de la tranchée, du côté de la première ou deuxième face (8,\n<CLM>\1\t; et f) graver le substrat sur une partie de son épaisseur, d'où il résulte que la jonction entre la première ou deuxième face (8,\n<CLM>\1\tet chaque mur (34A, 34B) de la tranchée comprend un bord 30 arrondi (84,\n<CLM>\1\tvers l'intérieur du substrat (6).