Brevet FR3071100A1 (20190315)

REVENDICATIONS1. Procédé de détection d'un amincissement éventuel d'un substrat semi-conducteur (S) d'un circuit intégré (CI) depuis sa face arrière (Fr), le substrat (S) comprenant un premier caisson semiconducteur (Cl) isolé du reste du substrat (S) par au moins une jonction PN (J) délimitant le fond du premier caisson (C1), le procédé comprenant : - une polarisation de la jonction (J) correspondant à un état passant jonction (J), - une comparaison d'un courant circulant au travers de la jonction (J) avec une valeur seuil et - une génération d'un signal de contrôle ayant une première valeur correspondant à une détection d'un non amincissement du substrat si la valeur dudit courant est supérieure à la valeur seuil, et ayant une deuxième valeur correspondant à une détection d'un amincissement du substrat si la valeur du courant est inférieure à la valeur seuil.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, comprenant en outre après une détection d'un non amincissement du substrat, une désactivation de la polarisation et de la comparaison de la valeur dudit courant à ladite valeur seuil.\n<CLM>\1\tCircuit intégré, comprenant un substrat semi-conducteur (S) ayant une face arrière (Fr), et un dispositif (DIS) de détection d'un amincissement du substrat par sa face arrière (Fr) comportant un premier caisson semi-conducteur (Cl) électriquement isolé du reste du substrat (S) par une jonction PN (J) délimitant le fond du premier caisson (Cl), et par une région d'isolation, le dispositif (DIS) comportant en outre des moyens de polarisation (MPL) configurés pour, dans une première configuration, appliquer une polarisation sur la jonction (J) correspondant à un état passant de cette jonction, et 11 des moyens de comparaison (CMP) couplés à ladite jonction (J) et configurés pour comparer un courant traversant ladite jonction (J) avec une valeur seuil et pour générer un signal de contrôle ayant une première valeur correspondant à une 5 détection d'un non amincissement du substrat si la valeur dudit courant est supérieure à la valeur seuil, et ayant une deuxième valeur correspondant à une détection d'un amincissement du substrat si la valeur du courant est inférieure à la valeur seuil. 10\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 3, dans lequel les moyens de comparaison (CMP) sont activés dans la première configuration et le dispositif de détection (DIS) possède une deuxième configuration dans laquelle les moyens de comparaison (CMP) sont désactivés, et le circuit intégré comprend en outre des moyens de 15 commande (MCM) configurés pour placer initialement le dispositif de détection (DIS) dans sa première configuration et pour faire passer le dispositif (DIS) de sa première configuration à sa deuxième configuration après une détection d'un non amincissement du substrat.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 3 ou 4, dans lequel la 20 région d'isolation comporte - une tranchée isolante (1) délimitant les bords du premier caisson (Cl) et s'étendant dans le substrat (S) depuis une face avant (Fv) du substrat jusqu'à une distance du fond du premier caisson, 25 une tranchée d'isolation additionnelle (2) s'étendant au travers de la tranchée isolante (1), depuis la face avant du substrat au moins jusqu'à la jonction PN (J) de façon à assurer une continuité d'isolation électrique entre la tranchée isolante (1) et le fond du premier caisson. 30\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, comportant en outre un deuxième caisson semi-conducteur (C2) réalisé à côté du premier caisson semi-conducteur (Cl), une première zone de contact étant réalisée dans le premier caisson (Cl) au niveau de la face avant (Fv), et une deuxième zone de contact étant réalisée 12 dans le deuxième caisson (C2) au niveau de la face avant (Fv), les moyens de polarisation (MPL) étant configurés pour appliquer une polarisation sur la jonction (J) en appliquant une différence de potentiel entre la première zone de contact et la deuxième zone de 5 contact.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 6, dans lequel le premier caisson (Cl) et le deuxième caisson (C2) présentent chacun une surface d'environ 0,25 micromètres carrés au niveau de la face avant (Fv), et le deuxième caisson est séparé d'au moins 0,8 10 micromètre des autres caissons du circuit intégré.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 6 ou 7, dans lequel le substrat a un premier type de conductivité, le premier caisson (Cl) est d'un deuxième type de conductivité, le deuxième caisson (C2) est du premier type de conductivité et est électriquement couplé au reste du 15 substrat, et la jonction PN (J) comporte la jonction entre le premier caisson (Cl) et le reste du substrat (S).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une quelconque des revendications 5 ou 6, dans lequel le substrat a un premier type de conductivité, le premier caisson (Cl) est du premier type de conductivité, le deuxième 20 caisson (C2) est du deuxième type de conductivité, le circuit comportant en outre une couche semi-conductrice enterrée (3) du deuxième type de conductivité réalisée sous le premier caisson semiconducteur (Cl) et sous le deuxième caisson semi-conducteur (C2), la jonction PN (J) comportant la jonction entre le premier caisson (Cl) et 25 la couche semi-conductrice enterrée (3).\n<CLM>\1\tSystème comprenant un circuit intégré selon l'une quelconque de revendications 3 à\n<CLM>\1\t11. Système selon la revendication 10, le système étant une carte à puce. 30