Brevet FR3076402A1 (20190705)

REVENDICATIONS1. Composant micro-ondes (2 ; 102 ;\n<CLM>\1\tdu type ligne de transmission integree au substrat, comprenant une zone de propagation (5) s'etendant le long d'un axe de propagation (X-X) et etant delimitee transversalement, par rapport a l'axe de propagation (X-X), par au moins une paroi electriquement conductrice (25 ; 23, 26), la zone de propagation (5) etant configuree pour presenter, a une temperature de reference predeterminee, une reponse en frequence predeterminee correspondante, le composant micro-ondes (2 ; 102 ;\n<CLM>\1\tetant caracterise en ce qu'il comporte, en outre, au moins un bloc de compensation (28) agence dans la zone de propagation (5), l'au moins un bloc de compensation (28) etant realise dans un materiau dielectrique presentant une permittivite dielectrique dont la derivee par rapport a la temperature, dans une plage d'interet predeterminee de temperature autour de la temperature de reference, a un signe oppose au signe d'au moins un coefficient de dilatation thermique de la zone de propagation (5), les dimensions de l'au moins un bloc de compensation (28), a la temperature de reference, etant choisies de sorte que l'au moins un bloc de compensation (28) est apte a compenser une variation de la reponse en frequence avec la temperature, dans la plage de temperature d'interet.\n<CLM>\1\tComposant micro-ondes (2 ; 102 ;\n<CLM>\1\tselon la revendication 1, dans lequel les dimensions de l'au moins un bloc de compensation (28) sont fonction d'une frequence centrale de la reponse en frequence a la temperature de reference, de l'au moins un coefficient de dilatation thermique de la zone de propagation (5), d'au moins un coefficient de dilatation thermique du bloc de compensation (28), de la permittivite dielectrique du materiau dielectrique dans lequel est realise l'au moins un bloc de 28 compensation (28) et de la derivee, par rapport a la temperature, de la permittivite dielectrique du materiau dielectrique dans lequel est realise l'au moins un bloc de compensation (28). 5\n<CLM>\1\tComposant micro-ondes (2 ; 102 ;\n<CLM>\1\tselon la revendication 1 ou 2, dans lequel la zone de propagation (5) comprend au moins un resonateur (19), le resonateur (19) presentant, a la temperature de reference, une longueur de resonateur (L) et une demi-largeur de resonateur (W) predeterminees, au moins un bloc de compensation (28) etant agence dans le resonateur (19), les dimensions de l'au moins un 10 bloc de compensation (28) etant fonction de la longueur de resonateur (L) et de la demi- largeur de resonateur (W) du resonateur (19).\n<CLM>\1\tComposant micro-ondes (2 ; 102 ;\n<CLM>\1\tselon la revendication 3, dans lequel le resonateur (19) est delimit& suivant un axe transverse (Y-Y) orthogonal a l'axe 15 de propagation (X-X), par deux parois electriquement conductrices (25 ; 23, 26), deux blocs de compensation (28) etant agences dans le resonateur (19), chaque bloc de compensation (28) etant fixe a une paroi electriquement conductrice (25 ; 23,\n<CLM>\1\trespective parmi les deux parois electriquement conductrices (25 ; 23, 26). 20\n<CLM>\1\tComposant micro-ondes (2 ; 102 ;\n<CLM>\1\tselon la revendication 4, dans lequel le resonateur (19) est symetrique par rapport a un plan de symetrie orthogonal a l'axe transverse (Y-Y), et les deux blocs de compensation (28) sont symetriques par rapport au plan de symetrie, la difference, a la temperature de reference, entre la demi-largeur de 25 resonateur (W) du resonateur (19) et une la rgeur de bloc (w1), suivant l'axe transverse (Y- Y), de l'un des deux blocs de compensation (28), pour un mode propre transverse electrique determine pour un couple d'entiers (m, n), etant egale a la valeur pour laquelle une frequence centrale de la reponse en frequence, obtenue comme etant : - la p-ierne solution de ('equation Im(ZeirT)=0 si m est pair, m etant de la forme m = 2p, p etant un entier nature) superieur ou egal a 1; ou 29 - la p-ierne solution de ('equation Im(ZeTPT)=00 si m est impair, m etant de la forme m = 2p-1, p etant un entier nature! superieur ou egal a 1, a une temperature quelconque distincte de la temperature de reference est egale a la frequence centrale a la temperature de reference, avec : zT-FAT_Li7T-FAT 7T-FAT_7T-FAT el ' 1'0 tan(PrAT(1+6yATWI) "e0 -"0 T-FAT_i 7T-FAT tan (p To-FAT(1+600wD ' 1"el 5 ou : ZrAT= 2 (1+6,00T)E'rrs) 2(1+6,\n<CLM>\1\tComposant micro-ondes (2 ; 102 ;\n<CLM>\1\tselon la revendication 5, dans 25 lequel l'entier m est egal a 1, la demi-distance (wo), a la temperature de reference, etant egale a la valeur pour laquelle la frequence centrale de la reponse en frequence a la temperature distincte de la temperature de reference, obtenue comme etant la premiere solution de ('equation Im(ZeTPT)=00, est egale a la frequence centrale a la temperature de reference, l'entier n etant, de preference, egal a\n<CLM>\1\t30 31\n<CLM>\1\tComposant micro-ondes (102) selon l'une quelconque des revendications 1 a 6, dans lequel la zone de propagation (5) comporte une cavite (20) delimitee, suivant un axe transverse (Y-Y) orthogonal a l'axe de propagation (X-X), par une surface dielectrique (22) d'au moins un substrat (8C, 8D), l'au moins un substrat (8C, 8D) 5 comprenant au moins un chemin (26) de vias (24), chaque via (24) s'etendant suivant un axe (Z-Z) non parallele a l'axe transverse (Y-Y), l'au moins un chemin (26) de vias (24) formant au moins partiellement l'au moins une paroi electriquement conductrice, au moins un bloc de compensation (28) etant delimit& suivant l'axe transverse (Y-Y), entre le chemin (26) de vias (24) et la surface dielectrique (22). 10\n<CLM>\1\tComposant micro-ondes (202) selon l'une quelconque des revendications 1 a 6, comportant un substrat (8) comportant une couche conductrice superieure (10) et une couche conductrice inferieure (12) separees par une couche dielectrique (14), 15 chacune parmi la couche conductrice superieure (10), la couche conductrice inferieure (12) et la couche dielectrique (14) s'etendant dans un plan defini par l'axe de propagation (X-X) et un axe transverse (Y-Y) orthogonal a l'axe de propagation (X-X), le substrat (8) comprenant deux chemins (26) de vias (24) a distance 20 l'une de l'autre suivant l'axe transverse (Y-Y), chaque via (24) s'etendant entre la couche conductrice superieure (10) et la couche conductrice inferieure (12) du substrat (8), chaque chemin (26) de vias (24) formant au moins partiellement l'au moins une paroi electriquement conductrice, au moins un bloc de compensation (28) etant agence dans une cellule 25 (32) correspondante menagee au rein de la zone de propagation (5), dans la couche dielectrique (14).\n<CLM>\1\tProcede de fabrication d'un composant micro-ondes (2 ; 102 ;\n<CLM>\1\tdu type ligne de transmission integree au substrat, comportant les etapes de : 32 - fabrication d'une zone de propagation (5) delimitee transversalement, par rapport a un axe de propagation (X-X), par au moins une paroi electriquement conductrice (25 ; 23, 26), la zone de propagation (5) presentant, a une temperature de reference predeterminee, une reponse en frequence predeterminee correspondante ; 5 - realisation d'un dispositif de compensation (6), le dispositif de compensation comportant au moins un bloc de compensation (28) agence dans la zone de propagation (5), chaque bloc de compensation (28) etant realise dans un materiau dielectrique presentant une permittivite dielectrique dont la derivee par rapport a la temperature, dans une plage d'interet predeterminee de temperature autour de la 10 temperature de reference, a un signe oppose au signe d'au moins un coefficient de dilatation thermique de la zone de propagation (5), les dimensions de l'au moins un bloc de compensation (28), a la temperature de reference, etant choisies de sorte que l'au moins un bloc de compensation (28) est apte a compenser une variation de la reponse en frequence avec la temperature, dans la plage de temperature d'interet. 15\n<CLM>\1\tProcede de fabrication selon la revendication 9, dans lequel la zone de propagation (5) comporte une cavite (20) delimitee, suivant un axe transverse (Y-Y) orthogonal a l'axe de propagation (X-X), par une surface dielectrique (22) d'au moins un substrat (8C, 8D), 20 l'etape de realisation comportant la realisation, dans l'au moins un substrat (8C, 8D), d'une pluralite de vias (24) s'etendant chacun suivant un axe (Z-Z) non parallele a l'axe transverse (Y-Y), les vias (24) definissant au moins un chemin (26), chaque chemin (26) de vias (24) formant au moins partiellement l'au moins une paroi electriquement 25 conductrice, au moins un bloc de compensation (28) etant delimit& suivant l'axe transverse (Y-Y), entre le chemin (26) de vias (24) et la surface dielectrique (22).