Brevet FR3073081A1 (20190503)

REVENDICATIONS1. Substrat (100) semi-conducteur adapté pour être manipulé et/ou maintenu, lors de la réalisation d'au moins un dispositif semi-conducteur sur ce substrat (100), par un système comprenant des éléments de manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206,\n<CLM>\1\tdu substrat (100), lesdits éléments de manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206,\n<CLM>\1\tcomprenant des régions de contact destinées à être en contact avec le substrat (100), le substrat (100) comprenant, sur des zones d'au moins une de deux faces principales (102,\n<CLM>\1\tdu substrat (100) destinées à être en regard des régions de contact des éléments de manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206, 208), des éléments de support (106) en saillie par rapport à ladite au moins une des deux faces principales (102,\n<CLM>\1\tdu substrat (100) et disposés tels que seuls les éléments de support (106) soient en contact avec les régions de contact lors de la manipulation et/ou du maintien du substrat (100) par les éléments de manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206, 208).\n<CLM>\1\tSubstrat (100) selon la revendication 1, dans lequel la hauteur des éléments de support (106) est supérieure à la rugosité des régions de contact des éléments de manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206, 208).\n<CLM>\1\tSubstrat (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les éléments de support (106) sont disposés sur des zones des deux faces principales (102,\n<CLM>\1\tdu substrat (100) qui sont destinées, pour chacune des deux faces principales (102,\n<CLM>\1\tdu substrat (100), à être en regard des régions de contact des éléments de manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206, 208).\n<CLM>\1\tSubstrat (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel chaque élément de support (106) a une forme pyramidale tronquée ou cylindrique tronquée ou conique tronquée, et/ou dans lequel la hauteur de chaque élément de support (106) est comprise entre environ X+0,5 um et X+5 um, avec X correspondant à la 18 rugosité des régions de contact des éléments de manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206, 208), et/ou dans lequel la surface au sommet de chaque élément de support (106) est comprise entre environ 25 um2 et 10000 um2. 5\n<CLM>\1\tSubstrat (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite au moins une des deux faces principales (102,\n<CLM>\1\tdu substrat (100) forme des ondulations au sommet desquelles les éléments de support (106) sont disposés.\n<CLM>\1\tSubstrat (100) selon l'une des revendications précédentes, dans 10 lequel les éléments de support (106) sont répartis en formant plusieurs groupes d'éléments de support (106) tels que des distances entre les éléments de support (106) au sein de chacun des groupes soient inférieures à celles entre deux des éléments de support (106) appartenant à deux groupes différents. 15\n<CLM>\1\tCellule photovoltaïque (200) comprenant au moins un substrat (100) selon l'une des revendications précédentes.\n<CLM>\1\tCellule photovoltaïque (200) selon la revendication 7, dans laquelle les éléments de support (106) sont disposés sous des busbars ou sur des bords du 20 substrat (100).\n<CLM>\1\tDispositif micro-électronique (300) comprenant au moins un substrat (100) selon l'une des revendications 1 à 6 et sur lequel des composants micro-électroniques (302) sont réalisés en laissant libre les zones de ladite au moins une de 25 deux faces principales (102,\n<CLM>\1\tdu substrat (100) destinées à être en regard des régions de contact des éléments de manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206, 208).\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un substrat (100) semi-conducteur adapté pour être manipulé et/ou maintenu, lors de la réalisation d'au moins un dispositif 30 semi-conducteur sur ce substrat (100), par un système comprenant des éléments de 19 manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206,\n<CLM>\1\tdu substrat (100), lesdits éléments de manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206,\n<CLM>\1\tcomprenant des régions de contact destinées à être en contact avec le substrat (100), le procédé comprenant la mise en oeuvre des étapes suivantes : 5 - identification de zones d'au moins une de deux faces principales (102,\n<CLM>\1\tdu substrat (100) destinées à être en regard des régions de contact des éléments de manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206, 208), - réalisation, sur lesdites zones, d'éléments de support (106) en saillie par rapport à ladite au moins une des deux faces principales (102,\n<CLM>\1\tdu substrat (100) 10 et disposés tels que seuls les éléments de support (106) soient en contact avec les régions de contact lors de la manipulation et/ou du maintien du substrat (100) par les éléments de manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206, 208).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, dans lequel la réalisation des 15 éléments de support (106) comporte la mise en oeuvre d'un masquage de ladite au moins une des deux faces principales (102,\n<CLM>\1\tdu substrat (100) selon un motif correspondant à celui des éléments de support (106) ou inverse de celui-ci, puis d'une gravure de ladite au moins une des deux faces principales (102,\n<CLM>\1\tdu substrat (100) formant les éléments de support (106). 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 10 et 11, dans lequel l'identification des zones sur lesquelles les éléments de support (106) sont destinés à être réalisés comporte la mise en oeuvre d'au moins une étape de manipulation et/ou de maintien, par les éléments de manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206, 208), 25 d'un substrat de test sensiblement similaire au dit substrat (100) semi-conducteur, et d'une étape de détermination, pendant ou après la manipulation et/ou le maintien du substrat de test, de zones d'au moins une des deux faces principales du substrat de test qui sont en contact avec les éléments de manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206,\n<CLM>\1\tet qui correspondent aux zones sur lesquelles les éléments de support (106) 30 sont destinés à être réalisés. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12, dans lequel l'étape de détermination des zones d'au moins une des deux faces principales du substrat de test est mise en oeuvre : - pendant la manipulation et/ou le maintien du substrat de test avec 5 un arrêt du substrat de test sur chacun des éléments de manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206,\n<CLM>\1\tet un repérage des zones d'au moins une des deux faces principales du substrat de test en contact avec chacun des éléments de manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206, 208), ou - après la manipulation et/ou le maintien du substrat de test, via une 10 mesure par photoluminescence de zones défectueuses du substrat de test qui correspondent aux zones de contact avec les éléments de manipulation et/ou de maintien (108, 202, 204, 206, 208), les zones sur lesquelles les éléments de support (106) sont ensuite réalisés étant choisies parmi les zones défectueuses du substrat de test. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 10 à 13, dans lequel ladite au moins une des deux faces principales (102,\n<CLM>\1\tdu substrat (100) forme des ondulations au sommet desquelles les éléments de support (106) sont réalisés.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 14, comportant en outre, avant la 20 réalisation des éléments de support (106), la mise en oeuvre d'une étape de repérage des ondulations de ladite au moins une des deux faces principales (102,\n<CLM>\1\tdu substrat (100) par profilométrie.