Brevet FR3070399A1 (20190301)

REVENDICATIONS1. Procédé de dépôt de couche (4, 5,\n<CLM>\1\td'un matériau sur un substrat (20), comprenant : - une injection d'une première espèce chimique réactive avec un précurseur (P) dudit matériau isolant, en phase gazeuse dans une chambre (30) de dépôt d'un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur, par une première voie d'injection (40) selon une première séquence d'impulsions ; - une injection d'une seconde espèce chimique réactive avec un réactant (R) adapté pour réagir avec ledit précurseur (P), en phase gazeuse dans ladite chambre (30) de dépôt par une seconde voie d'injection (50) selon une seconde séquence d'impulsions déphasée par rapport à la première séquence d'impulsions ; - une génération, de manière séquentielle, d'un plasma de la première espèce chimique réactive et/ou de la seconde espèce chimique réactive pendant au moins une impulsion d'au moins une desdites première et seconde séquences, ledit plasma étant généré à partir d'une source plasma haute fréquence (RF) et d'une source plasma basse fréquence (BF), lesdites sources plasma haute fréquence (RF) et basse fréquence (BF) étant appliquées sur lesdites première et seconde voies d'injection (40, 50).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il présente un ratio de la puissance de la source plasma basse fréquence (BF) sur la puissance de la source plasma haute fréquence (RF) supérieur à\n<CLM>\1\t3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la pression dans la chambre est comprise entre 500 mTorr (environ 66 Pa) et 10 Torr (environ 1333 Pa), ou entre 500 mTorr (environ 66 Pa) et 2 Torr (environ 266 Pa).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que le flux de précurseur est compris entre 20 mgm et 100 mgm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 2 à 4, caractérisé en ce que le flux total des espèces chimiques injectées est inférieur à 1000 sccm (standard cublic centimeter per minute). 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 2 à 5, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une injection d'un gaz atomique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le 5 plasma est généré de manière impulsionnelle dans la chambre de dépôt (30) au cours de l'injection de la première espèce chimique et/ou de la seconde espèce chimique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que au 10 moins l'une des conditions suivantes est satisfaite : la durée d'une impulsion de la première séquence d'impulsions et/ou de la seconde séquence d'impulsion est comprise entre 0,02 s et 5 s ; le délai entre deux impulsions de la première séquence d'impulsions et/ou de la seconde séquence d'impulsion est compris entre 0,02 s et 10 s. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le plasma est généré pendant toute la durée d'une impulsion d'au moins une des premières et secondes séquences. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 7 à 9, dans lequel la durée de chaque impulsion de plasma est inférieure à 1 seconde.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le précurseur comprend au moins l'un des composés suivants : 25 orthosilicate de tétraéthyle (TEOS), bis(tert-butylamino)silane (BTBAS), bis(di- butylamino)silane (BDBAS), Tetrakis Diethylamido Titane (TDEAT), TertButylimido Tris(DiEthylamino) Tantale (TBTDET), Trimethylaluminum (TMA), diethylzinc (DEZ). 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications suivantes, caractérisé en ce que le réactant comprend au moins l'un des composés suivants : vapeur d'eau (H20), protoxyde d'azote (N20), l'oxygène gaz (02), l'ammoniac (NH3), le méthane (CH4). 35\n<CLM>\1\tApplication du procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, pour déposer une couche (4, 5,\n<CLM>\1\td'un matériau isolant dans un via (1) présent 21 sur un substrat (20), de sorte à déposer une couche d'épaisseur plus importante sur les parois dudit via (1) qu'au fond dudit via (1).\n<CLM>\1\tRéacteur CVD (« Chemical Vapor Deposition ») pulsé, prévu pour 5 l'implémentation du procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant : - une chambre de dépôt (30) agencée pour recevoir un substrat (10) sur lequel une couche (4, 5,\n<CLM>\1\td'un matériau doit être déposée, - une première voie d'injection (40) prévue pour injecter dans ladite chambre de 10 dépôt (30) une première espèce chimique réactive avec un précurseur (P) dudit matériau isolant, en phase gazeuse, - une seconde voie d'injection (50) prévue pour injecter dans ladite chambre de dépôt (30) une seconde espèce chimique réactive, avec un réactant (R) adapté pour réagir avec ledit précurseur (P), en phase gazeuse, 15 des vannes (41,\n<CLM>\1\tpour injecter lesdites première et seconde espèces chimiques réactives dans la chambre de dépôt (30), sous la forme d'impulsions temporelles séparées, une source plasma haute fréquence (90) pour générer dans ladite chambre de dépôt un plasma haute fréquence (RF), et 20 une source plasma basse fréquence (91) pour générer dans ladite chambre de dépôt un plasma basse fréquence (BF).\n<CLM>\1\tRéacteur selon la revendication 14, caractérisé en ce que les premières et secondes voies d'injection (40,\n<CLM>\1\tsont réalisées sous la forme d'une douche 25 (100) à doubles canaux.\n<CLM>\1\tRéacteur selon l'une des revendications 14 ou 15, caractérisé en ce que les vannes comprennent des vannes (41,\n<CLM>\1\tdites de type ALD (« Atomic Layer Deposition »). 30\n<CLM>\1\tRéacteur selon l'une quelconque des revendications 14 à 16, caractérisé en ce que : la source plasma haute fréquence (90) comprennent un générateur radiofréquence (RF) agencé pour appliquer un potentiel électrique de 35 fréquences entre 12 et 15 MHz ; et/ou 22 la source plasma basse fréquence (91) comprennent un générateur électrique basse fréquence (BF) agencé pour appliquer un potentiel électrique de fréquences entre 100 et 600 kHz. 5\n<CLM>\1\tRéacteur selon l'une quelconque des revendications 14 à 17, caractérisé en ce que la source plasma haute fréquence (90) et la source plasma basse fréquence (91) sont respectivement agencé pour appliquer un potentiel électrique sur les premières et secondes voies d'injection. 10