Brevet FR3071492A1 (20190329)

REVENDICATIONS1. Micro-dispositif (100) comportant au moins un premier élément (101) comprenant au moins : - une portion de matériau (106) correspondant à un composé d'au moins un semi-conducteur et d'au moins un métal, - des première et deuxième couches de protection (108,\n<CLM>\1\trecouvrant chacune une de deux faces opposées de ladite portion de matériau (106), telles que la première couche de protection (108) comprenne au moins un premier matériau apte à résister à une gravure HF, que la deuxième couche de protection (110) comprenne au moins un deuxième matériau apte à résister à la gravure HF, et qu'au moins l'un des premier et deuxième matériaux aptes à résister à la gravure HF comporte le semi-conducteur.\n<CLM>\1\tMicro-dispositif (100) selon la revendication 1, dans lequel le semi- conducteur comporte du Si et/ou dans lequel le métal comporte au moins l'un des éléments chimiques suivants : W, Ti, Co, Ru, Ta, Pt, Ni, et/ou dans lequel les premier et deuxième matériaux aptes à résister à la gravure HF comportent au moins l'un des composés chimiques suivants : Si, SiN, AIN, A1203, Hf02.\n<CLM>\1\tMicro-dispositif (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le premier élément (101) fait partie d'un élément fixe du micro-dispositif (100).\n<CLM>\1\tMicro-dispositif (100) selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre un substrat (102) auquel le premier élément (101) est relié par au moins une portion diélectrique (104).\n<CLM>\1\tMicro-dispositif (100) selon la revendication 4, comportant en outre un ou plusieurs composants microélectroniques réalisés sur le substrat (102). 17\n<CLM>\1\tMicro-dispositif (100) selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre au moins un deuxième élément (114) relié au premier élément (101) par au moins une portion semi-conductrice (112) disposée entre le deuxième élément (114) et l'une des première et deuxième couches de protection (108, 110). 5\n<CLM>\1\tMicro-dispositif (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le premier élément (101) comporte en outre au moins un espaceur (138) recouvrant au moins une partie des faces latérales, sensiblement perpendiculaires aux deux faces opposées, de la portion de matériau (106) du premier élément (101) et 10 comprenant au moins un troisième matériau apte à résister à la gravure HF.\n<CLM>\1\tMicro-dispositif (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'autre des premier et deuxième matériaux aptes à résister à la gravure HF comporte le semi-conducteur ou un matériau diélectrique. 15\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un micro-dispositif (100), au cours duquel au moins un premier élément (101) du micro-dispositif (100) est réalisé en mettant en oeuvre au moins les étapes de : - réalisation d'un empilement d'une première couche (120) et de deux 20 deuxièmes couches (118,\n<CLM>\1\ttelles que la première couche (120) soit disposée entre les deux deuxièmes couches (118, 122), que la première couche (120) comporte au moins un métal, que l'une des deux deuxièmes couches (118,\n<CLM>\1\tcomprenne au moins un premier matériau apte à résister à une gravure HF, que l'autre des deux deuxièmes couches (118,\n<CLM>\1\tcomprenne au moins un deuxième matériau apte à résister à la gravure HF, et qu'au 25 moins l'un des premier et deuxième matériaux aptes à résister à la gravure HF comporte un semi-conducteur ; - traitement thermique faisant réagir une partie du semi-conducteur avec le métal, formant une portion de matériau (106) correspondant à un composé du semi-conducteur et du métal, et tel qu'au moins une partie restante de chacune des deux 30 deuxièmes couches (118,\n<CLM>\1\tforment des première et deuxième couches de protection 18 (108,\n<CLM>\1\trecouvrant chacune une de deux faces opposées de ladite portion de matériau (106) ; et comprenant en outre la mise en oeuvre d'une étape de gravure HF au cours de laquelle ladite portion de matériau (106) est protégée du HF par les première et 5 deuxième couches de protection (108, 110).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, comportant en outre, après l'étape de réalisation de l'empilement, une étape de gravure de l'empilement des première et deuxièmes couches (118, 120,\n<CLM>\1\tselon un motif définissant 10 géométriquement au moins le premier élément (101).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 9 ou 10, comportant en outre, après l'étape de réalisation de l'empilement, les étapes de : - dépôt d'une couche diélectrique (130) recouvrant au moins des 15 portions restantes (106, 108, 110, 124, 126,\n<CLM>\1\tde l'empilement ; - gravure d'une partie de la couche diélectrique (130), formant au moins un accès (132) au premier élément (101) ; - dépôt d'un matériau semi-conducteur dans l'accès (132) formé à travers la couche diélectrique (130) et sur la couche diélectrique (130), formant un 20 deuxième élément (114) relié au premier élément (101) par au moins une portion (112) de semi-conducteur disposée entre le deuxième élément (114) et le premier élément (101) ; et dans lequel l'étape de gravure HF est mise en oeuvre telle qu'elle supprime la couche diélectrique (130). 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 9 à 11, comportant en outre, avant la mise en oeuvre de la gravure HF, une étape de réalisation d'au moins un espaceur (138) recouvrant au moins une partie des faces latérales, sensiblement perpendiculaires aux deux faces opposées, de la portion de matériau (106) du premier 19 élément (101) et comprenant au moins un troisième matériau apte à résister à la gravure HF.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 9 à 12, dans lequel l'empilement est réalisé sur une autre couche diélectrique (116) disposée sur un substrat 5 (102).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13, dans lequel l'étape de gravure HF grave également ladite autre couche diélectrique (116) telle qu'au moins une portion restante (104) de ladite autre couche diélectrique (116) relie le premier élément (101) au 10 substrat (102).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 13 ou 14, comportant en outre la réalisation d'un ou plusieurs composants microélectroniques sur le substrat (102).