Brevet FR3069057A1 (20190118)

REVENDICATIONS1. Procédé de détermination des concentrations en impuretés dopantes majoritaires et minoritaires ([Maj], [min]) dans un échantillon de matériau semi-conducteur 5 compensé en impuretés dopantes, le procédé comprenant les étapes suivantes : - mesurer (Si) des valeurs de résistivité électrique (pm, pB) de l'échantillon à une première température (Tm) et à une deuxième température (TB), distincte de la première température, les première et deuxième températures (Tm, TB) appartenant à une plage de températures (P3) correspondant à un régime de 10 gel des porteurs de charge ; - déterminer (S2) un facteur pré-exponentiel (p1) d'une loi d'Arrhenius (p(T)) exprimant la résistivité électrique dans le régime de gel des porteurs de charge, à partir des valeurs de résistivité électrique (pm, pB) mesurées aux première et deuxième températures (Tm, TB) ; 15 - déterminer (S3) un degré de compensation (C) du matériau semi-conducteur à partir du facteur pré-exponentiel (p1) ; - déterminer (S4) les concentrations en impuretés dopantes majoritaires et minoritaires ([Maj], [min]) à partir du degré de compensation (C) et d'une valeur de référence (p'f) de la résistivité électrique de l'échantillon. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le degré de compensation C du matériau semi-conducteur est calculé à partir du facteur pré-exponentiel pi en utilisant une relation de la forme suivante : log(pi)-b 10 a c= log(pi)-b 1+10 a 25 où a et b sont des coefficients.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel les première et deuxième températures (Tm, TB) sont comprises entre 20 K et 200 K, de préférence entre 40 K et 100 K. 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la valeur de 23 référence (p'f) de la résistivité électrique est une des valeurs de résistivité électrique (pm, pB) mesurées aux première et deuxième températures (Tm, TB).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la valeur de référence (p'f) de la résistivité électrique est mesurée à une troisième température (Tamb) distincte des première et deuxième températures.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, dans lequel la troisième température (ramb) est supérieure aux première et deuxième températures (Tm, TB), de préférence égale à la température ambiante.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la résistivité électrique est mesurée par une technique de mesure sans contact, par exemple selon le principe des courants de Foucault.\n<CLM>\1\tSystème de caractérisation des concentrations en impuretés dopantes majoritaires et minoritaires ([Maj], [min]) dans un échantillon de matériau semiconducteur compensé en impuretés dopantes, le système comprenant : - un dispositif de refroidissement de l'échantillon capable d'atteindre une plage de températures (P3) correspondant à un régime de gel des porteurs de charge ; - un dispositif de mesure capable de mesurer des valeurs de résistivité électrique (pm, pB) de l'échantillon à des première et deuxième températures (Tm, TB) appartenant à ladite plage de températures ; - un calculateur configuré pour : o déterminer un facteur pré-exponentiel (p1) d'une loi d'Arrhenius (p(T)) exprimant la résistivité électrique dans le régime de gel des porteurs de charge, à partir des valeurs de résistivité électrique (pm, pB) mesurées aux première et deuxième températures (Tm, TB) ; o déterminer un degré de compensation (C) du matériau semi-conducteur à partir du facteur pré-exponentiel (p1) ; o déterminer les concentrations en impuretés dopantes majoritaires et minoritaires ([Maj], [min]) à partir du degré de compensation (C) et d'une 24 valeur de référence (p'f) de la résistivité électrique de l'échantillon.