Brevet FR3066858A1 (20181130)

REVENDICATIONS1. Procédé pour minimiser une distorsion harmonique et/ou une distorsion d'intermodulation d'un signal radiofréquence se propageant dans un circuit radiofréquence (L) formé sur un substrat semi-conducteur (1) recouvert d'une couche électriquement isolante (2, 2b), dans lequel une courbe représentant ladite distorsion en fonction d'une puissance du signal d'entrée ou de sortie présente un creux autour d'une puissance déterminée (Pop), ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend l'application, entre le circuit radiofréquence (L) et le substrat semi-conducteur (1), d'une différence de potentiel électrique (VGB) choisie de sorte à déplacer ledit creux vers une puissance de fonctionnement déterminée du circuit radiofréquence.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel ladite différence de potentiel électrique (VGB) est choisie de sorte à respecter l'équation suivante : Vpk = IV GB VFBI, où Vpk est la tension crête du signal radiofréquence et VFB est la tension de bande plate.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel le substrat semi- conducteur (1) présente une résistivité électrique supérieure à 500 Q.cm. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3, dans lequel une couche (3) de silicium polycristallin est agencée entre le substrat semi-conducteur (1) et la couche électriquement isolante (2, 2b). 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, dans lequel une couche électriquement isolante additionnelle (2a) est agencée entre le substrat semi-conducteur (1) et la couche (3) de silicium polycristallin.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel le substrat semi- 30 conducteur (1) est en silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, comprenant l'ajustement de la différence de potentiel électrique (VGB) appliquée entre le substrat semi-conducteur (1) et le circuit radiofréquence en fonction de la puissance de fonctionnement du circuit 35 radiofréquence.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, comprenant en outre une mesure de la température du circuit radiofréquence, et l'ajustement de la différence de 3066858 13 potentiel électrique (VGB) appliquée entre le substrat semi-conducteur (1) et le circuit radiofréquence en fonction de la température mesurée.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la courbe 5 représentant la distorsion du signal est une courbe du niveau de génération du deuxième ou du troisième harmonique du signal d'entrée ou du signal de sortie en fonction de la puissance du signal d'entrée ou de la composante fondamentale du signal de sortie.\n<CLM>\1\tDispositif radiofréquence comprenant : 10 - un circuit radiofréquence (L) formé sur un substrat semi-conducteur (1) recouvert d'une couche électriquement isolante (2, 2b), - un contact (4) connecté électriquement au substrat semi-conducteur (1), - un moyen d'application d'une différence de potentiel (VGB) entre ledit contact et le circuit radiofréquence, 15 caractérisé en ce que ledit moyen d'application est configuré pour appliquer ladite différence de potentiel (VGB) choisie de sorte à déplacer un creux autour d'une puissance déterminée (PD,p) dans une courbe représentant une distorsion harmonique et/ou une distorsion d'intermodulation d'un signal radiofréquence se propageant dans ledit circuit en fonction d'une puissance du signal d'entrée ou de sortie vers une puissance de fonctionnement déterminée dudit circuit radiofréquence.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 10, dans lequel ledit moyen d'application de la différence de potentiel (VGB) comprend un générateur de tension et un module de contrôle de tension configuré pour ajuster la tension dudit générateur en fonction de la puissance de fonctionnement du circuit radiofréquence.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 10 ou 11, dans lequel le substrat semi-conducteur présente une résistivité électrique supérieure à 500 Q.cm.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 12, dans lequel une couche (3) de silicium polycristallin est agencée entre le substrat semi-conducteur (1) et la couche électriquement isolante (2, 2b).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 13, dans lequel une couche électriquement isolante additionnelle (2a) est agencée entre le substrat semi-conducteur (1) et la couche (3) de silicium polycristallin. 3066858 14\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 10 à 14, dans lequel le substrat semiconducteur (1) est en silicium.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 10 à 15, comprenant en outre un 5 capteur de température couplé au moyen d'application de la différence de potentiel (VGB), ledit moyen étant configuré pour ajuster ladite différence de potentiel en fonction de la température mesurée par ledit capteur.