Brevet FR3076398A1 (20190705)

REVENDICATIONS1. Transistor porte par au moins un substrat comprenant au moins une couche active (1) a base d'au moins un materiau semi-conducteur, le transistor comprenant : a) au moins une zone source (3a) et au moins une zone drain (3b) ; b) au moins une zone de contact electrique (3c); c) au moins un canal de conduction (6) : i) dispose entre la zone source (3a) et la zone drain (3b) ; ii) s'etendant depuis ladite zone source (3a) jusqu'a ladite zone drain (3b) selon une dimension transversale j1 et s'etendant selon une dimension longitudinale Jc ; d) au moins une grille (4a) surmontant entierement ledit canal de conduction (6), ledit transistor etant caracterise en ce que ladite grille (4a) comprend : (1) une portion longitudinale (4b) s'etendant longitudinalement depuis au moins chacune des zones source (3a) et drain (3b), au-dessus du canal de conduction (6), et au moins jusqu'a la zone de contact electrique (3c) ; (2) une portion transversale (4c) situee entre la zone de contact electrique (3c) et chacune des zones source (3a) et drain (3b) et s'etendant transversalement de part et d'autre d'une portion de la couche active (1a) sur une dimension transversale 14, et la portion transversale (4c) comprenant : (a) au moins une premiere partie (4c1) s'etendant transversalement audela d'un premier cote de ladite portion de Ia couche active (1a) sur une premiere dimension d'extension 12 ; (b) au moins une deuxieme partie (4c2) s'etendant transversalement au-dela d'un deuxieme cote de ladite portion de Ia couche active (1a), oppose audit premier cote, sur une deuxieme dimension d'extension 13; et en ce que : 12 > 13 avec 13 0 O.\n<CLM>\1\tTransistor selon la revendication precedente, dans lequel 12 est superieure 1.2 fois 13, de preference a 1.5 fois\n<CLM>\1\t3. Transistor selon l'une quelconque des revendications precedentes, dans lequel ladite portion de la couche active (1a) situee en dessous de la portion transversale 24 (4c) de la grille (4a) presente une dimension transversale 15, 15 etant inferieure a 14 et superieure A j1.\n<CLM>\1\tTransistor selon l'une quelconque des revendications precedentes, dans lequel 5 ladite portion transversale (4c) est conformee de sorte a ce qu'une zone du substrat soit non recouverte par ladite grille (4) et soit situee entre ladite zone de contact electrique (3c) et l'au moins une zone prise parmi la zone source (3a) et la zone drain (3b), ladite zone non recouverte presentant une dimension transversale k2. 10\n<CLM>\1\tTransistor selon l'une quelconque des revendications precedentes, comprenant au moins une connexion electrique (8) situee entre une partie au moins de la zone de contact electrique (3c) et l'une parmi la zone source (3a) et la zone drain (3b). 15\n<CLM>\1\tTransistor selon la revendication precedente, dans lequel la connexion electrique (8) presente une dimension transversale inferieure ou egale a k2.\n<CLM>\1\tTransistor selon l'une quelconque des deux revendications precedentes, dans lequel la connexion electrique (8) presente une dimension longitudinale L8 20 superieure ou egale a une dimension longitudinale L2 de la portion transversale (4c) de la grille (4a).\n<CLM>\1\tTransistor selon l'une quelconque des revendications precedentes, dans lequel ladite portion longitudinale (4b) de la grille (4) presente une dimension transversale 25 11 et dans lequel le rapport 11/j1 est superieur a 1, de preference superieure a 1.5 et avantageusement superieure a\n<CLM>\1\t9. Transistor selon l'une quelconque des revendications precedentes, dans lequel la portion longitudinale (4b) de la grille (4) presente une dimension transversale 11 et 30 dans lequel le rapport 14/11 est superieur a 2, de preference superieure a 3 et avantageusement superieure a\n<CLM>\1\t10. Transistor selon l'une quelconque des revendications precedentes, dans lequel le rapport 14/j1 est superieur a 2, de preference superieure a 3 et avantageusement 35 superieure a\n<CLM>\1\t25\n<CLM>\1\tTransistor selon l'une quelconque des revendications precedentes, dans lequel le rapport 12/13 est superieur a 2, de preference superieure a 3 et avantageusement superieure a\n<CLM>\1\t5\n<CLM>\1\tTransistor selon l'une quelconque des revendications precedentes en combinaison avec la revendication 4, dans lequel le rapport 12/k2 est superieur a 1, de preference superieure a 2 et avantageusement superieure a\n<CLM>\1\t13. Transistor selon l'une quelconque des revendications precedentes, dans lequel la 10 grille (4a) presente une dimension longitudinale Lg, le rapport Lg/Jc etant superieur ou egal a 1, de preference superieure a 2 et avantageusement superieure a\n<CLM>\1\t14. Transistor selon l'une quelconque des revendications precedentes, dans lequel la grille (4a) presente une dimension en epaisseur comprise entre 1nm et 100nm, de 15 preference entre 1.5nm et 25nm et avantageusement entre 2nm et 15nm.\n<CLM>\1\tTransistor selon l'une quelconque des revendications precedentes, dans lequel la grille (4a) comprend au moins une couche d'oxyde (4e) surmontant au moins le canal de conduction (6) et au moins une couche polycristalline (4d) surmontant et 20 entourant en partie au moins ladite couche d'oxyde (4e).\n<CLM>\1\tDispositif micro-electronique comprenant une pluralite de transistors selon l'une quelconque des revendications precedentes. 25\n<CLM>\1\tProcede de fabrication d'un transistor selon l'une quelconque des revendications 1 A 15 comprenant au moins une zone source (3a) au moins une zone drain (3b) et au moins une zone de contact electrique (3c) et au moins un canal de conduction (6), ledit procede comprenant au moins les etapes suivantes : a) Fourniture d'un substrat comprenant au moins une couche active (1) ; 30 b) Definition d'une zone d'accueil destinee a accueillir au moins un transistor via la formation d'au moins une tranchee isolante (7) ; c) Formation dudit canal de conduction (6) au niveau d'une partie de la zone d'accueil de sorte a ce que ledit canal de conduction presente une dimension longitudinale Jc et une dimension transversale j1 ; 35 d) Formation d'une grille (4a), cette etape de formation d'une grille (4a) comprenant au moins les etapes suivantes : 26 i) Formation d'une couche d'oxyde (4e) de sorte a recouvrir, de preference integralement, le canal de conduction (6) ; ii) Formation d'une couche polycristalline (4d) au-dessus de ladite couche d'oxyde (4e), cette couche polycristalline (4d) presentant une structure 5 geometrique comprenant au moins : (1) une portion longitudinale (4b) s'etendant longitudinalement au-dessus du canal de conduction (6) ; (2) une portion transversale (4c) s'etendant transversalement de part et d'autre d'une portion de la couche active (1a) sur une dimension 10 transversale 14 et la portion transversale (4c) comprenant : (a) au moins une premiere partie (4c1) s'etendant transversalement audela d'une partie d'un premier cote de ladite portion de Ia couche active (1a) sur une premiere dimension d'extension 12; (b) au moins une deuxieme partie (4c2) s'etendant transversalement 15 au-dela d'une partie d'un deuxieme cote, oppose audit premier cote, de ladite portion de Ia couche active (1a) sur une deuxieme dimension d'extension 13 de sorte que 13\n<CLM>\1\tProcede selon la revendication precedente, comprenant la formation d'une 30 connexion electrique (8) entre la zone de contact electrique (3c) et l'une parmi la zone source (3a) et la zone drain (3b).\n<CLM>\1\tProcede selon l'une quelconque des deux revendications precedentes, comprenant la formation d'au moins un espaceur au niveau d'au moins une partie du pourtour 35 de la grille (4).