Brevet FR3074608A1 (20190607)

REVENDICATIONS1. Procede de preparation du residu (1') d'un substrat donneur (1), le substrat donneur (1) ayant subi un prelevement d'une couche (5) par delamination au niveau d'un plan fragilise (3) par implantation ionique, le residu (1') comprenant sur une face principale (10) une marche annulaire (11) correspondant a une partie non prelevee du substrat donneur, le procede comprenant : a. un depot d'un oxyde lissant (6) sur la face principale du residu (10) pour combler l'espace interne defini par la marche annulaire (11) et recouvrir au moms en partie la marche annulaire (11) ; b. un traitement thermique de densification de l'oxyde lissant (6).\n<CLM>\1\tProcede de preparation selon la revendication precedente, dans lequel l'oxyde lissant (6) appartient a la famille des SOG (Spin On Glass).\n<CLM>\1\tProcede de preparation selon l'une des revendications precedentes, dans lequel le traitement thermique de densification presente une temperature comprise entre 225 et 900 °C.\n<CLM>\1\tProcede de preparation selon l'une des revendications precedentes, dans lequel le traitement thermique de densification est realise sous une atmosphere d'azote (N2).\n<CLM>\1\tProcede de preparation selon la revendication precedente, dans lequel le depot d'oxyde lissant (6) est realise dans des conditions conduisant a former une couche presentant une epaisseur au mows egale a une fois et demie la hauteur de la marche annulaire (11). 14\n<CLM>\1\tProcede de preparation selon l'une des revendications precedentes comprenant, avant l'etape de depot, une &tape de preparation de la surface principale (10) du residu (1') comprenant le retrait d'une zone peripherique de la 5 surface principale (10) endommagee par l'implantation ionique.\n<CLM>\1\tSubstrat (7) comprenant : a. un residu (1') d'un substrat donneur (1), le 10 substrat donneur (1) ayant subi un prelevement d'une couche (5) par delamination au niveau d'un plan fragilise (3) par implantation ionique, le residu (1') comprenant sur une face principale (10) une marche annulaire (11) correspondant a une partie non 15 prelevee du substrat donneur (1); b. une couche d'oxyde (6) sur la face principale du residu (1'), la couche d'oxyde (6) comblant l'espace interne defini par la marche annulaire et recouvrant au moins en partie la marche annulaire du residu. 20 Substrat (7) selon la revendication precedente dans lequel la couche d'oxyde presente une epaisseur au mains &gale a une fois et demie la hauteur de la marche annulaire. 25\n<CLM>\1\tSubstrat (7) selon l'une des deux revendications precedentes dans lequel le residu (1') comprend une couche d'oxyde superficielle (2). 30 10.Substrat (7) selon l'une des revendications 7 a 9 dans lequel le substrat donneur (1) est constitue de silicium. 11.Utilisation d'un substrat (7), comprenant : a. La fourniture d'un substrat (7) conforme a l'une des 35 revendications 7 a 10 ; b. L'assemblage du substrat (7) avec un substrat donneur ; 15 c.L'amincissement du substrat donneur pour former une structure sur isolant. 12.Utilisation d'un substrat (7) selon la revendication 5 precedente dans lequel l'assemblage comprend un traitement thermique a une temperature comprise entre 100°C et 500°C.