Brevet FR3073979A1 (20190524)

REVENDICATIONS1. Capteur d'images (20) comprenant des pixels (Pix), chaque pixel comprenant un photodétecteur (PH) et un circuit de lecture de la quantité de charges collectées par le photodétecteur à la fin d'une phase (IP) de collecte de charges par le 5 photodétecteur, le capteur d'images comprenant en outre, pour au moins l'un des pixels, un circuit de détection (rexel) adapté, au moins à chacun de deux instants différents pendant ladite phase, à détecter si la quantité de charges collectées audit instant par le photodétecteur dudit pixel dépasse un seuil et, dans le cas où 10 ladite quantité de charges collectées audit instant dépasse le seuil, à mémoriser un premier signal représentatif (OUT Tint PIX) dudit instant et à réinitialiser le photodétecteur.\n<CLM>\1\tCapteur d'images (20) selon la revendication 1, dans lequel, pour chaque pixel (Pix), le circuit de lecture comprend 15 au moins un premier transistor (TG1) reliant le photodétecteur (PH) à un premier noeud (SN) et dans lequel chaque pixel (Pix) comprend, en outre, un deuxième transistor (TAB) reliant le photodétecteur à un deuxième noeud (SNbis), ledit deuxième noeud d'au moins l'un des pixels étant relié au circuit de détection 20 (rexel).\n<CLM>\1\tCapteur d'images (20) selon la revendication 2, comprenant, en outre, un troisième transistor (T RSTbis) reliant le deuxième noeud (SNbis) à une source d'un premier potentiel de référence (VDD). 25\n<CLM>\1\tCapteur d'images (20) selon la revendication 3, dans lequel le circuit de détection (rexel) est adapté, pour chacun desdits instants, à rendre au moins partiellement passant le deuxième transistor (TAB), le troisième transistor étant alors non passant, puis à rendre passants le deuxième transistor (TAB) 30 et le troisième transistor dans le cas où la quantité de charges collectées audit instant dépasse ledit seuil.\n<CLM>\1\tCapteur d'images (20) selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, comprenant un comparateur (36) et un circuit B16059 - DD17850 ST 23 (24) de commande du deuxième transistor (TAB) à partir du signal (ABbis) fourni par le comparateur.\n<CLM>\1\tCapteur d'images (20) selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, comprenant une première source (28) d'un premier signal discret (ABG) de plusieurs premiers niveaux et dans lequel le circuit de détection (rexel) est adapté à commander le deuxième transistor (TAB) avec l'un desdits premiers niveaux en fonction dudit instant.\n<CLM>\1\tCapteur d'images (20) selon l'une quelconque des revendications 2 à 6, dans lequel le circuit de détection (rexel) comprend un circuit de mémorisation du premier signal représentatif (OUT Tint PIX) dudit instant, dans le cas où la quantité de charges collectées audit instant dépasse ledit seuil, le premier signal étant un signal analogique ou un signal numérique.\n<CLM>\1\tCapteur d'images (20) selon la revendication 7, dans lequel le circuit de mémorisation comprend une deuxième source (28) d'un deuxième signal discret (V Tint) de plusieurs deuxièmes niveaux, au moins un condensateur (C1) et un circuit de charge du 20 condensateur avec l'un desdits deuxièmes niveaux en fonction dudit instant, dans le cas où la quantité de charges collectées audit instant dépasse ledit seuil.\n<CLM>\1\tCapteur d'images (20) selon l'une quelconque des revendications 2 à 8, dans lequel, pour chaque pixel (Pix), le 25 circuit de lecture comprend un quatrième transistor MOS (TR) dont la grille est reliée au premier noeud (SN) et dans lequel le circuit de détection (rexel) comprend un cinquième transistor MOS (TRbis) dont la grille est reliée au deuxième noeud (SNbis).\n<CLM>\1\tCapteur d'images (20) selon la revendication 9 dans 30 son rattachement à la revendication 3, dans lequel le circuit de détection (rexel) comprend un premier interrupteur (T /RSbis) reliant l'une des bornes entre la source et le drain du cinquième transistor MOS (TRbis) à la source du premier potentiel de référence (VDD) et un deuxième interrupteur (TRSbis) reliant 35 l'autre borne entre la source et le drain du cinquième transistor B16059 - DD17850 ST 24 MOS (TRbis) à une source d'un deuxième potentiel de référence (GND).\n<CLM>\1\tProcédé d'acquisition d'images par un capteur d'images (20) comprenant des pixels (Pix), chaque pixel comprenant 5 un photodétecteur (PH) et un circuit de lecture de la quantité de charges collectées par le photodétecteur à la fin d'une phase (IP) de collecte de charges par le photodétecteur, le procédé comprenant les étapes suivantes réalisées pour au moins l'un des pixels : 10 a) détecter, au moins à chacun de deux instants différents pendant ladite phase, si la quantité de charges collectées audit instant par le photodétecteur dudit pixel dépasse un seuil ; et b) dans le cas où la quantité de charges collectées 15 audit instant par le photodétecteur dépasse le seuil, mémoriser un premier signal représentatif (OUT Tint PIX) dudit instant et réinitialiser le photodétecteur.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, dans lequel, pour chaque pixel (Pix), le circuit de lecture comprend au moins un premier transistor (TG1) reliant le photodétecteur (PH) à un premier noeud (SN), dans lequel chaque pixel (Pix) comprend, en outre, un deuxième transistor (TAB) reliant le photodétecteur à un deuxième noeud (SNbis), ledit deuxième noeud d'au moins l'un des pixels étant relié au circuit de détection (rexel), dans lequel, à l'étape a), à chacun desdits instants, le deuxième transistor est rendu au moins partiellement passant, le premier transistor étant non passant, et dans lequel, à l'étape b), dans le cas où la quantité de charges collectées audit instant dépasse ledit seuil, le deuxième transistor est rendu passant pour réinitialiser le photodétecteur.