Brevet FR3076062A1 (20190628)

REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant successivement : - une formation d'un premier collecteur de courant sur une face d'un substrat ; - une formation d'une première électrode (14) sur, et en continuité électrique avec, une portion du premier collecteur de courant ; - un traitement thermique configuré pour traiter la première électrode (14) caractérisé par le fait que : - la formation du premier collecteur de courant comprend une formation d'une première couche (12) de collecteur sur la face du substrat et une formation d'une deuxième couche (13) de collecteur recouvrant au moins une partie, dite partie recouverte, de la première couche (12) de collecteur et présentant une première face au contact de la première électrode (14), - la deuxième couche (13) de collecteur est configurée pour protéger la partie recouverte durant le traitement thermique, de sorte que le traitement thermique n'oxyde pas ladite partie recouverte.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel le traitement thermique est configuré pour oxyder au plus l'épaisseur de la deuxième couche (13) de collecteur à partir de sa première face de sorte à former une couche d'oxyde (16) dans la deuxième couche (13) de collecteur, sans oxyder la partie recouverte.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le matériau de la deuxième couche (13) de collecteur est choisi moins oxydable que le matériau de la première couche (12) de collecteur.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la dimension en épaisseur de la première couche (12) de collecteur est choisie strictement supérieure à celle de la deuxième couche (13) de collecteur, et de 13 préférence la première couche (12) est 4 à 6 fois plus grande que la deuxième couche (13).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'épaisseur de la deuxième couche (13) de collecteur est inférieure ou égale à 5 20 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel on choisit un matériau pour la deuxième couche (13) de collecteur présentant une résistivité électrique supérieure à celle du matériau de la première couche (12) de collecteur. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la deuxième couche (13) de collecteur est configurée pour former une couche de passivation pendant le traitement thermique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le traitement thermique est une oxydation thermique, à une température 15 supérieure ou égale à 300°C, et de préférence supérieure ou égale à 500°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la formation de la deuxième couche (13) de collecteur est configurée pour recouvrir totalement la première couche (12) de collecteur.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, comprenant un 20 retrait de la deuxième couche (13) de collecteur, après la formation de la première électrode (14), sur au moins une partie de la deuxième couche de collecteur non recouverte par la première électrode (14).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, comprenant, après le traitement thermique, une formation d'une couche active au contact 25 d'une face supérieure de la première électrode (14), une formation d'une deuxième électrode (18) au contact d'une face supérieure de la couche active et une formation d'un deuxième collecteur (19) en continuité électrique avec la deuxième électrode (18).\n<CLM>\1\tDispositif microélectronique comprenant en empilement sur une face 30 d'un substrat un premier collecteur de courant, une première électrode (14), une couche active, une deuxième électrode (18) et un deuxième collecteur (19) de courant, caractérisé par le fait que le premier collecteur comprend une première couche (12) de collecteur au contact de la face du substrat et une 14 deuxième couche (13) de collecteur recouvrant au moins une partie, dite partie recouverte, de la première couche (12) de collecteur et présentant une première face au contact de la première électrode (14) et en ce que la deuxième couche (13) de collecteur est configurée pour protéger la partie 5 recouverte contre l'oxydation.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication précédente, dans lequel la deuxième couche (13) de collecteur comprend une couche d'oxyde (16) suivant au moins une partie de son épaisseur à partir de sa première face.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des deux revendications précédentes, dans 10 lequel la résistivité électrique du matériau de la deuxième couche (13) de collecteur est supérieure à la résistivité électrique de la première couche (12) de collecteur.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des trois revendications précédentes, dans lequel la couche active comprend une couche d'électrolyte (17) ou une couche 15 piézoélectrique.