Brevet FR3071103A1 (20190315)

REVENDICATIONS1. Capteur d'image (9) comprenant une matrice de pixels photosensibles (Px) associée à un dispositif à transfert de charge (CCD), chaque pixel photosensible (Px) comprenant une cellule photosensible (PH) apte à convertir des photons de lumière incidente en des charges libres, et au moins une cellule de stockage (ST) apte à stocker les charges générées par la cellule photosensible (PH), le dispositif à transfert de charges (CCD) étant destiné à acheminer les charges collectées par la cellule de stockage (ST) vers un étage de lecture dans lequel les charges acheminées sont converties en une tension représentative du nombre de charges, caractérisé en ce que chaque pixel photosensible (Px) comprend deux électrodes (G21, G22) aptes à commander le transfert des charges de la cellule de stockage (ST) du pixel photosensible (Px) vers un puits de potentiel (TRout) d'un dispositif à transfert de charges (CCD), les deux électrodes (G21, G22) étant des électrodes de commande de deux puits de potentiel disposés en série entre la cellule de stockage (ST) du pixel photosensible (Px) et le puits de potentiel (TRout) du dispositif à transfert de charge (CCD), la première électrode (G21) étant commandée par une source de tension constante et la seconde électrode (G22) étant commandée par une source de tension périodique définissant l'instant et la durée de transfert des charges vers le puits de potentiel du dispositif à transfert de charge.\n<CLM>\1\tCapteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première électrode (G21) est interposée entre la cellule de stockage (ST) du pixel photosensible (Px) et la seconde électrode (G22).\n<CLM>\1\tCapteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première électrode (G21) fixe un niveau d'ébasage (Ebas) d'une quantité de charges transférées depuis la cellule de stockage (ST) du pixel photosensible (Px) vers le puits de 25 potentiel (TRout) du dispositif à transfert de charge (CCD).\n<CLM>\1\tCapteur d'image selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit niveau d'ébasage (Ebas) est déterminé en fonction de l'éclairement moyen reçu sur la cellule photosensible (PH) sur plusieurs images consécutives.\n<CLM>\1\tCapteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde 30 électrode (G22) forme une barrière anti-éblouissement.\n<CLM>\1\tCapteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que la cellule photosensible (PH) est une photodiode, et en ce que le pixel photosensible (Px) comprend un transistor à effet de champ compris entre la cellule de stockage (ST) et la cellule photosensible (PH). 12\n<CLM>\1\tCapteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que la cellule photosensible (PH) est un photosite.\n<CLM>\1\tCapteur d'image selon la revendication 1, caractérisé en ce que le pixel photosensible (Px) comprend en outre un dispositif d'injection de charges apte à injecter 5 les charges produites par la cellule photosensible (PH) dans la cellule de stockage (ST) à un instant déterminé et sur une durée déterminée de manière répétitive, ladite durée déterminée étant inférieure au temps d'acquisition de la cellule photosensible (PH).\n<CLM>\1\tCapteur d'image selon la revendication 8, caractérisé en ce que le pixel photosensible (Px) comprend une cellule photosensible (PH), quatre cellules de 10 stockage (ST) et quatre dispositifs d'injection de charge, chacun des dispositifs d'injection de charge définissant l'instant et la durée d'injection de charges dans la cellule de stockage (ST) associée.