Brevet FR3069340A1 (20190125)

REVENDICATIONS1. Procédé de contrôle de l'orientation des nano-domaines d'un copolymère à blocs (BPC), dont l'interface inférieure est en contact avec la surface préalablement neutralisée d'un substrat, ledit copolymère à blocs étant apte à se nano-structurer en nano-domaines avec une période (Lo) déterminée, sur une épaisseur minimale (e) au moins égale à la moitié de ladite période (L0), ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à déposer ledit copolymère à blocs (BCP) sur ledit substrat, de sorte que son épaisseur totale (E+e) soit au moins deux fois supérieure et de préférence au moins trois fois supérieure à ladite épaisseur minimale (e).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur minimale (e), sur laquelle ledit copolymère à blocs (BCP) est destiné à se nano-structurer, est choisie de manière à être égale à un multiple entier ou demi-entier de la période (L0), ledit multiple étant inférieur ou égal à 15 et de façon encore préférée, inférieur ou égal à\n<CLM>\1\t3. Procédé selon l'une des revendications 1 à 2, caractérisé en ce qu'une étape ultérieure au dépôt du copolymère à blocs (BCP) consiste à procéder à l'auto-organisation du copolymère à blocs (BCP), de manière à le nano-structurer sur au moins ladite épaisseur minimale (e).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'interface supérieure du copolymère à blocs est au contact d'un composé, ou mélange de composés, de constitution moléculaire définie, sous forme gazeux à la température d'organisation dudit copolymère à blocs.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit composé, ou mélange de composés, présente une affinité particulière avec au moins un des blocs du copolymère à blocs (BCP).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le composé ou mélange de composé à l'interface supérieure est neutre vis-à-vis de chacun des blocs du copolymère à blocs (BCP).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le substrat comporte ou non des motifs, lesdits motifs étant pré-dessinés par une étape ou un enchainement d'étapes de lithographie de nature quelconque préalablement à l'étape Ref :0530-ARK85 25 de dépôt du film de copolymère à blocs (BCP), lesdits motifs étant destinés à guider l'organisation dudit copolymère à blocs (BCP) par une technique dite de chimieépitaxie ou de graphoépitaxie, ou encore une combinaison de ces deux techniques, pour obtenir une surface neutralisée. 5\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un masque de nano-lithographie à partir d'un copolymère à blocs (BCP), dont l'interface inférieure est en contact avec une surface préalablement neutralisée d'un substrat sous-jacent, ledit procédé comprenant les étapes du procédé de contrôle l'orientation des nano-domaines d'un copolymère à blocs (BCP) selon l'une des revendications 1 à 7, et étant caractérisé en ce qu'après 10 la nano-structuration du copolymère à blocs (BCP), une surépaisseur (E) dudit copolymère à blocs est retirée, afin de laisser un film de copolymère à blocs nanostructuré perpendiculairement par rapport audit substrat sur ladite épaisseur (e) minimale puis, au moins un des blocs dudit film de copolymère à blocs est retiré afin de former un film poreux apte à servir de masque de nano-lithographie. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'étape de retrait de la surépaisseur (E) est réalisée par un traitement de type polissage mécano-chimique (CMP), solvant, bombardement ionique, plasma, ou par une combinaison quelconque réalisée séquentiellement ou de façon concomitante desdits traitements.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 8 à 9, caractérisé en ce que le retrait de 20 la surépaisseur (E) est réalisé par gravure sèche plasma.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 8 à 10, caractérisé en ce que l'étape de retrait d'un ou plusieurs blocs dudit film de copolymère à blocs est réalisée par gravure sèche.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 8 à 11, caractérisé en ce que les étapes 25 de retrait de la surépaisseur (E) et de retrait d'un ou plusieurs blocs du film de copolymère à blocs, sont réalisées de façon successive dans un même bâti de gravure, par gravure au plasma.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 8 à 12, caractérisé en ce que le copolymère à blocs (BCP) peut subir, en tout ou partie, une étape de 30 réticulation/durcissement préalablement à l'étape de retrait de ladite surépaisseur (E). Ref :0530-ARK85 26\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'étape de réticulation/durcissement est réalisée par une exposition du copolymère à blocs (BCP) à un rayonnement lumineux de longueur d'onde définie choisie parmi les rayonnement ultraviolet, ultraviolet-visible ou infra-rouge, et/ou électronique, et/ou 5 un traitement chimique, et/ou un bombardement atomique ou ionique.\n<CLM>\1\tMasque de nano-lithographie obtenu conformément au procédé selon l'une des revendications 8 à\n<CLM>\1\tRef :0530-ARK85