Brevet FR3068475A1 (20190104)

REVENDICATIONS1°) Dispositif (10) de conversion d'énergie électrique comprenant : au moins un composant semi-conducteur de commutation (100), un chemin de refroidissement pour refroidir le composant semi- conducteur (100) et un dispositif (200) pour déterminer la dégrada- tion du chemin de refroidissement à l'aide du courant d'intensité prédéfinie traversant le composant, dispositif caractérisé en ce que le composant semi-conducteur (100) comprend une matière semi- conductrice (120) à activité optique générant une lumière dont la lumi- nosité en fonction de la température lorsque le composant semiconducteur (100) est traversé par un courant d'intensité prédéfinie et le dispositif (200) pour déterminer la dégradation, comprend un capteur de luminosité (210) pour saisir la luminosité de la lumière générée. 2°) Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le capteur de luminosité (210) comporte une photodiode. 3°) Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le dispositif (200) pour déterminer la dégradation détermine la dégradation à la fin d'une durée prédéfinie au cours de laquelle le courant à intensité prédéfinie traverse le composant. 4°) Dispositif selon la revendication 2 et la revendication 3, caractérisé en ce que le dispositif (200) pour déterminer la dégradation détermine une quantité de charges en cumulant l'intensité du courant de la photodiode pen- dant la durée prédéfinie. 5°) Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que 12 le dispositif (200) de détermination de la dégradation détermine la dégradation en utilisant la quantité prédéfinie de charges et la quantité de charges de consigne. 5 6°) Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le composant semi-conducteur (100) comporte au moins un transistor à effet de champ (métal-oxyde-semi-conducteur) MOSFET avec au moins une électrode de source partiellement transparente (111) et un encap- 10 sulage au moins partiellement transparent laissant passer la lumière générée par le composant MOSFET, le composant MOSFET étant un composant MOSFET à base de GaN, ou une diode (110) ou un corps de diode d'un composant MOSFET gé- 15 nère la lumière, et le dispositif comporte un trajet de substrat (120) branché entre l'électrode de source (111) et l'électrode de drain (112) en parallèle à la diode (110). 20 7°) Dispositif selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le composant semi-conducteur (100) a une zone à activité optique (120) pour générer la lumière et/ou un dopage augmentant la génération de lumière. 25 8°) Dispositif selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'il comporte un élément photoconducteur (300) disposé pour diriger la lumière générée vers le capteur de luminosité (210). 30 9°) Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'il comporte une unité de commande de puissance ou un inverseur pour un véhicule électrique. 13 10°) Dispositif pour déterminer la dégradation du chemin de refroidissement d'un composant semi-conducteur (100) en utilisant l'intensité prédéfinie du courant traversant le composant semi-conducteur (100), qui comporte une matière semi-conductrice à activité optique générant 5 de la lumière de luminosité en fonction de la température lorsque le composant semi-conducteur (100) est traversé par du courant d'une intensité prédéfinie, procédé comprenant les étapes suivantes consistant à: - saisir la luminosité de la lumière générée à l'aide d'un capteur de 10 luminosité (210), et déterminer la dégradation en utilisant la luminosité saisie. 15