Brevet FR3073670A1 (20190517)

REVENDICATIONS1. Procédé de formation d'au moins une première électrode (23) et d'au moins une seconde électrode (24) sur une face principale (12) d'une cellule photovoltaïque (10), en contact direct, respectivement, avec au moins une première région (18) et au moins une seconde région (19), la seconde région (19) étant adjacente à la première région (18) selon une ligne de contact, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : a) une étape de masquage comprenant la formation d'une bande de masquage (21) recouvrant la ligne de contact ; b) une étape de formation d'une couche conductrice (22) sur la face principale (12), en recouvrement de la première région (18), de la seconde région (19) et de la bande de masquage (21) ; c) une étape de gravure par l'ablation laser limitée à une région de la couche conductrice (22) au droit de la bande de masquage (21) de manière à délimiter, au niveau de la couche conductrice (22), la première électrode (23) et la seconde électrode (24), la bande de masquage (21) étant en outre adaptée pour absorber, au moins en partie, l'énergie dégagée lors de l'ablation laser.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape a) comprend les deux sous étapes successives suivantes : al) une étape de sérigraphie ou de jet d'encre d'un matériau de masquage ; a2) une étape de recuit thermique destinée à sécher ledit matériau de masquage, l'étape de recuit étant avantageusement exécutée à une température inférieure à 250°C, encore plus avantageusement à une température inférieure à 200°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'épaisseur de la bande de masquage (21) est comprise entre 500 nm et 40 um, avantageusement entre 1 urn et 5 um. 17\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape b) de formation de la couche conductrice (22) est une étape de dépôt chimique en phase vapeur ou d'évaporation, avantageusement exécutée à une température inférieure à 250°C, encore plus avantageusement inférieure à 200°C. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel l'étape b) de formation de la couche conductrice (22) comprend la formation d'une couche d'oxyde transparent (22a) conducteur, avantageusement l'oxyde transparent conducteur comprend au moins un des matériaux choisi parmi : oxyde de titane, oxyde d'indium dopé 10 ou non.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, dans lequel l'étape b) comprend également la formation d'une couche métallique (22b) sur la couche d'oxyde transparent (22a) conducteur. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'au moins une première région (18) et l'au moins une seconde région (19) comprennent, respectivement, une pluralité de premières régions (18) et une pluralité de secondes régions (19), chacune des premières régions (18) et des secondes régions (19) s'étendant 20 d'une première extrémité (18a, 19a) vers une seconde extrémité (18b, 19b) selon une direction d'élongation XX'.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, dans lequel les premières régions (18) et les secondes régions (19) sont disposées parallèlement les unes aux autres 25 et en alternance selon une direction perpendiculaire à leur direction d'élongation XX'.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, dans lequel les bandes de masquage (21) formées à l'étape a) comprennent des bandes de ligne (21a) recouvrant les lignes de contacts, et des premières bandes d'extrémité (21b) disposées au niveau des 18 premières extrémités (18a) des premières régions (18), chaque première bande d'extrémité (21b) reliant deux bandes de ligne (21a) successives.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel le procédé 5 comprend en outre une étape dl), exécutée après l'étape c), de formation d'une première bande de contact métallique (25) connectant électriquement les secondes régions (19) au niveau de leur première extrémité (19a), et en recouvrement des premières bandes d'extrémité (21b). 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9 ou 10, dans lequel les bandes de masquage (21) comprennent également des secondes bandes d'extrémité (21c) disposées au niveau des secondes extrémités (19b) des secondes régions (19), chaque seconde bande d'extrémité (21c) reliant deux bandes de ligne (21a)s successives. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, dans lequel le procédé comprend en outre une étape d2), exécutée après l'étape c), de formation d'une seconde bande de contact métallique (26) connectant électriquement les premières régions (18) au niveau de leur seconde extrémité, et en recouvrement des secondes bandes d'extrémité. 20