Brevet FR3072211A1 (20190412)

REVENDICATIONS1. Procédé de détection d'une attaque d'un circuit intégré comprenant un substrat (S) ayant une face arrière (Fr), le procédé comprenant - une réalisation dans le substrat d'un premier caisson semi-conducteur (Cl) comportant des composants et au moins un deuxième caisson semi-conducteur (C2) isolé du premier caisson semi-conducteur (Cl) et du reste du substrat, - une détection d'un amincissement du substrat (S) par sa face arrière (Fr) par un dispositif de détection configurable réalisé dans le deuxième caisson et, en cas de détection d'un non amincissement du substrat (S), une détection d'une attaque par injection de fautes par ledit dispositif de détection configurable réalisé dans le deuxième caisson (C2).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la détection de l'amincissement du substrat est réalisée par une détection d'une absence de courant circulant dans le deuxième caisson, et la détection d'une attaque par injection de fautes est réalisée par une détection d'une circulation d'un courant circulant dans le deuxième caisson.\n<CLM>\1\tCircuit intégré, comprenant un substrat semi-conducteur (S) ayant une face arrière (Fr) et comportant au moins un premier caisson semi-conducteur (Cl) comportant des composants et au moins un deuxième caisson semi-conducteur (C2) isolé du premier caisson semi- conducteur et du reste du substrat, le deuxième caisson semiconducteur (C2) comportant un dispositif (DIS) de détection configurable et adapté pour, dans une première configuration, détecter un amincissement du substrat par sa face arrière (Fr), et dans une deuxième configuration, détecter une injection de faute dans le circuit intégré. 17\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 3, dans lequel le substrat possède une face avant (Fv) opposée à la face arrière et ledit dispositif (DIS) comporte - un groupe (G) d'au moins une première tranchée isolante 5 s'étendant dans ledit deuxième caisson (C2) entre deux endroits de la périphérie du deuxième caisson (C2), depuis ladite face avant (Fv) jusqu'à un emplacement situé à distance du fond dudit deuxième caisson (C2), et - des moyens de détection (D) configurés pour, dans la 10 première configuration, mesurer une grandeur physique représentative de la résistance électrique du deuxième caisson (C2) entre deux zones de contact (Ze, Zs) respectivement situées de part et d'autre dudit groupe (G) d'au moins une première tranchée, et dans la deuxième 15 configuration, détecter la présence d'un courant électrique circulant entre lesdites deux zones de contact (Ze, Zs).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 4, dans lequel les moyens de détection comportent des moyens de polarisation (MPL) configurés pour appliquer une différence de potentiel entre lesdites 20 deux zones de contact et des moyens de comparaison (CMP) configurés pour mesurer le courant circulant entre lesdites deux zones de contact, et des moyens de commande (MCM) configurés pour placer initialement le dispositif (DIS) dans sa première configuration en activant les moyens de polarisation, et pour faire passer le dispositif 25 (DIS) de sa première configuration à sa deuxième configuration après une détection d'un non amincissement du substrat en désactivant les moyens de polarisation (MPL), les moyens de comparaison (CMP) restant activés dans la première configuration et dans la deuxième configuration. 30\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 4 ou 5, dans lequel le substrat (S) a un premier type de conductivité, le premier caisson (Cl) a un deuxième type de conductivité, et le deuxième caisson (C2) a le premier type de conductivité et est isolé du premier caisson 18 - par une première région isolante (RI) comprenant au moins une tranchée d'isolation (2) s'étendant depuis la face avant (Fv) du substrat jusqu'à une première distance (dl) du fond du deuxième caisson, et 5 - par la jonction PN entre le premier caisson et deuxième caisson, et est isolé du reste du substrat (S) par - une couche semi-conductrice (1) du deuxième type de conductivité enterrée dans le substrat (S) sous le premier 10 caisson (C2) et sous le deuxième caisson (Cl), et par une deuxième région isolante (R2) comportant - la tranchée d'isolation (2), - -une tranchée additionnelle isolante (3) configurée pour assurer une continuité d'isolation électrique entre ladite 15 tranchée d'isolation (2) et ladite couche semi- conductrice (1) enterrée (1).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 4 ou 5, dans lequel le substrat (S) a un premier type de conductivité, le premier caisson (C1) a un deuxième type de conductivité, et le deuxième caisson (C2) a le 20 deuxième type de conductivité et est isolé du premier caisson (Cl) par une première région isolante (R1) comportant - au moins une tranchée d'isolation (2) s'étendant depuis la face avant (Fv) du substrat jusqu'à une première distance (dl) du fond du caisson, 25 - une tranchée additionnelle isolante (3) configurée pour assurer une continuité d'isolation électrique entre ladite tranchée d'isolation (2) le fond du deuxième caisson C2, et est isolé du reste du substrat - par une deuxième région isolante (R2) comportant ladite 30 au moins une tranchée d'isolation (2), et - par la jonction PN entre le deuxième caisson et le reste du substrat.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 6 ou 7, dans lequel le groupe (G) d'au moins une première tranchée comporte une première 19 tranchée comprenant un matériau isolant et s'étendant depuis la face avant du substrat jusqu'à la première distance (dl) du fond du deuxième caisson.\n<CLM>\1\tCircuit selon la revendication 6 ou 7 dans lequel le groupe 5 (G) d'au moins une première tranchée comporte au moins une première tranchée (4) comportant une région centrale semi-conductrice et une enveloppe isolante et qui s'étend transversalement dans le deuxième caisson (C2) depuis la face avant jusqu'à une deuxième distance (d2) du fond du deuxième caisson inférieure à la première distance (dl). 10\n<CLM>\1\tCircuit intégré comportant une pluralité de premiers caissons semi-conducteurs (Cl) chacun associé à un deuxième caisson semi-conducteur (C2) comportant un dispositif de détection (DIS) selon l'une quelconque des revendications 3 à 9, les dispositifs (DIS) étant couplés en série de façon à former une chaîne de dispositifs 15 électriquement couplés en série, la zone de contact d'entrée du premier dispositif de la chaîne formant une zone de contact d'entrée de chaîne (ZCe), la zone de contact de sortie du dernier dispositif de la chaîne formant une zone de contact de sortie de chaîne (ZCs), les moyens de détection (D) étant couplés entre la zone de contact d'entrée de chaîne 20 et la zone de contact de sortie de chaîne.\n<CLM>\1\tSystème comportant un circuit intégré selon l'une quelconque des revendications 3 à\n<CLM>\1\t12. Système selon la revendication 11, le système étant une carte à puce. 25