Brevet FR3075774A1 (20190628)

REVENDICATIONS1. Procédé de formation d'une structure de guidage chimique (200, 200') destinée à l'auto-assemblage d'un copolymère à blocs (500) par chémo-épitaxie, le procédé comprenant les étapes suivantes : - former sur un substrat (100) une couche de fonctionnalisation (220) en un premier matériau polymère (140) ayant une première affinité chimique vis-à-vis du copolymère à blocs (500) ; - former sur le substrat des motifs de guidage (210) en un deuxième matériau polymère (150) ayant une deuxième affinité chimique vis-à-vis du copolymère à blocs, différente de la première affinité chimique ; caractérisé en ce que les motifs de guidage (210) ont une dimension critique (W) inférieure à 12,5 nm et sont formés au moyen d'un masque (310) comprenant des espaceurs (130, 311).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la première affinité chimique est équivalente pour chacun des blocs du copolymère et dans lequel la deuxième affinité chimique est préférentielle pour l'un des blocs du copolymère.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 et 2, comprenant les étapes suivantes : - former (S11) la couche de fonctionnalisation (220) sur le substrat (100) ; - déposer (S12) une couche de matériau sacrificiel (110) sur la couche de fonctionnalisation ; - former (S12) dans la couche de matériau sacrificiel (110) et dans la couche de fonctionnalisation (220) des cavités (111) débouchant sur le substrat (100), chaque cavité comprenant un fond (112) et des parois latérales (113) ; - former (S13, S14) les espaceurs (130) contre les parois latérales des cavités (111) ; - greffer (515) le deuxième matériau polymère (150) au fond des cavités entre les espaceurs (130) ; et - retirer (S16) les espaceurs (130) et la couche de matériau sacrificiel (110).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 et 2, comprenant les étapes suivantes : 25 - former (S22) une couche (301) du deuxième matériau polymère (150) sur le substrat (100) ; - former (S23-S24) les espaceurs (311) sur la couche du deuxième matériau polymère ; 5 - graver (S25) la couche (301) du deuxième matériau polymère à travers les espaceurs (311) pour former les motifs de guidage (210) ; - greffer (S26) le premier matériau polymère (140) sur le substrat en dehors des motifs de guidage pour former la couche de fonction nalisation (220) ; et - retirer (S27) les espaceurs (311). 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, comprenant en outre une étape (S37) de modification de la première affinité chimique dans une partie (220a) seulement de la couche de fonctionnalisation (220) par exposition à un rayonnement ultraviolet (410). 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, dans lequel : - l'exposition au rayonnement ultraviolet (410) est effectuée sur toute la surface du substrat (100) avant l'étape (S27) de retrait des espaceurs (311) ; - le rayonnement ultraviolet présente une longueur d'onde (À) comprise entre 150 nm et 350 nm ; et 20 - les espaceurs (311) sont séparés deux à deux d'une distance (D1, D2) inférieure ou égale à la moitié de la longueur d'onde.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, dans lequel le masque (310) comporte au moins deux espaceurs (311) de dimension critique (W) 25 sensiblement égale à la moitié de la période naturelle (Lo) du copolymère à blocs (500) et dans lequel les espaceurs (311) sont en outre espacés deux-à-deux d'une distance (D1, D2) sensiblement égale à un multiple entier de la période naturelle du copolymère à blocs. 30\n<CLM>\1\tProcédé de chémo-épitaxie comprenant les étapes suivantes : - former une structure de guidage chimique (200, 200') sur un substrat (100) à l'aide d'un procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 ; - déposer un copolymère à blocs (500) sur la structure de guidage chimique (200, 26 200') ; et - assembler le copolymère à blocs (500).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, dans lequel le copolymère à blocs (500) est un 5 copolymère de période naturelle (Lo) inférieure à 25 nm.