Brevet FR3070089A1 (20190215)

REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant au moins un transistor comportant une structure semi-conductrice dotée de barreaux semi-conducteurs disposés les uns au-dessus des autres, le procédé comprenant les étapes de : - réalisation sur un support (1), d'une structure empilée comportant une alternance d'un ou plusieurs premiers barreaux (141, 143, 145,\n<CLM>\1\tà base d'un premier matériau (6), et d'un ou plusieurs deuxièmes barreaux (142, 144,\n<CLM>\1\tà base d'un deuxième matériau (8), le deuxième matériau étant semi-conducteur, les deuxièmes barreaux (142, 144,\n<CLM>\1\tcomportant des portions latérales (15) saillantes par rapport au(x) portions latérales des premier(s) barreau(x), puis, - dopage en surface des portions latérales (15) de la structure, puis - formation d'espaceurs internes isolants (23) contre le ou les premier(s) barreau(x) (14k, 143, 145, 147), - formation de blocs de source (26) et de drain (28) par croissance de matériau semi-conducteur au niveau de régions d'extrémités desdites portions latérales (15).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le dopage en surface des portions latérales (15) saillantes est réalisé de sorte à doper une face inférieure, une face latérale et une face supérieure des portions saillantes.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel le dopage en surface des portions latérales (15) comprend un dépôt d'une fine couche à base d'un matériau dopé ou d'une fine couche d'espèce dopante sur les portions latérales.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel le dopage en surface des portions latérales (15) est réalisé à l'aide d'un plasma. 16\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel, après formation des espaceurs internes isolants et avant formation des blocs de source et de drain on effectue un recuit thermique de diffusion de dopants. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel après dopage en surface des portions latérales, la formation des espaceurs internes isolants comprend des étapes de : - dépôt d'une couche de matériau diélectrique sur l'empilement puis, - gravure de la couche de matériau diélectrique. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, dans lequel la gravure de la couche de matériau diélectrique est réalisée de sorte à retirer en outre une épaisseur de matériau aux extrémités des portions latérales saillantes et à dévoiler des régions d'extrémités des deuxièmes barreaux semi-conducteurs. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, dans lequel après gravure de la couche de matériau diélectrique, on réalise en outre une gravure et/ou un nettoyage de sorte à retirer une épaisseur de matériau aux extrémités des portions latérales saillantes et à dévoiler des régions d'extrémités des deuxièmes barreaux semi-conducteurs. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la formation de ladite structure empilée comprend des étapes de : - réalisation d'un empilement comportant une alternance de couches (41, 43, 45,\n<CLM>\1\tà base du premier matériau et de couches (42, 44,\n<CLM>\1\tà base du deuxième 25 matériau, - formation d'un masquage (10-12) sur ledit empilement, - gravure anisotrope de l'empilement. 30 17\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel le masquage (10-12) est formé d'un bloc central (10) à base d'un matériau donné et reproduisant un motif de grille de transistor et de blocs latéraux (12) agencés de part et d'autre du bloc central (10), les blocs latéraux étant à base d'un autre matériau, diélectrique et différent dudit 5 matériau donné, le procédé comprenant en outre, après croissance du matériau semi- conducteur au niveau de régions d'extrémités desdites portions latérales : - formation d'une couche isolante (28) d'encapsulation des blocs de source et de drain, de sorte qu'une face supérieure du bloc central est dévoilée, - retrait du bloc central (10) par gravure sélective dudit matériau donné 10 puis des premiers barreaux par gravure sélective dudit premier matériau, de sorte à former une cavité (30), - formation d'une grille (35-36) dans la cavité (30).