Brevet FR3069106A1 (20190118)

REVENDICATIONS1. Diode électroluminescente (1) comportant : - un empilement (2) de couches semi-conductrices comprenant une première face (3) et une deuxième face (4) opposées selon une épaisseur de l'empilement (2), - une première électrode (5) comportant une face (5a) en contact avec la première face (3) de l'empilement (2), et - une deuxième électrode (6) en contact avec l'empilement (2), 10 caractérisée en ce que : - un évidement (11) est formé dans la deuxième face (4) de l'empilement (2) d'où il résulte que l'empilement (2) comporte une partie amincie (12), - la face (5a) de la première électrode (5) en contact avec la première face (3) est en contact uniquement avec la partie amincie (12) de l'empilement (2), 15 - la deuxième électrode (6) est en contact avec une zone de l'empilement (2) distincte de ladite partie amincie (12) de l'empilement (2).\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (1) selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'évidement (11) délimite ladite partie amincie (12) de l'empilement (2) avec 20 une partie (13) de la première face (3), et en ce que la face (5a) de la première électrode (5) en contact avec la partie amincie (12) de l'empilement (2) présente une aire inférieure ou égale à l'aire de ladite partie (13) de la première face (3).\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (1) selon l'une quelconque des revendications 1 25 à 2, caractérisée en ce que l'empilement (2) comporte une région active (8) apte à générer des photons, une couche (9) en matériau semi-conducteur dopé de premier type et une couche (7) en matériau semi-conducteur dopé de second type, l'évidement (11) étant formé dans la couche (9) en matériau semi-conducteur dopé de premier type qui présente une conductivité électrique strictement supérieure à 30 la conductivité électrique de la couche (7) en matériau semi-conducteur dopé de second type.\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que l'empilement (2) présente une première 32 épaisseur (dl) entre ses première et deuxième faces (3,\n<CLM>\1\tet une deuxième épaisseur d entre un fond (11a) de l'évidement (11) et la première face (3), la deuxième épaisseur d étant strictement inférieure à la première épaisseur, la deuxième épaisseur d satisfaisant l'équation suivante : 5 d = z + L avec z = kg. 72:n. , d = kd. -22'n , et L étant tel que -22:n . ( k d - kz) = L avec kd > k, , kd et k, étant des entiers positifs différents de 0, À étant une longueur d'onde d'émission principale en fonctionnement de la diode électroluminescente, et n étant un indice optique de l'empilement (2) déterminé à la longueur d'onde d'émission 10 principale.\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (1) selon la revendication 4 et la revendication 3, caractérisée en ce que k, est strictement supérieur à 1 et strictement inférieur à 6, kd est strictement inférieur à 10, et en ce que k, est tel que la couche (7) en 15 matériau semi-conducteur dopé de second type présente, au sein de la partie amincie (12), une épaisseur supérieure ou égale à 50nm, et en ce que kd est tel que la couche (9) en matériau semi-conducteur dopé de premier type présente, entre le fond (11b) de l'évidement (11) et une face de ladite couche (9) en matériau semi-conducteur dopé de premier type orientée vers la couche (7) en matériau 20 semi-conducteur dopé de second type, une épaisseur supérieure ou égale à 100nm.\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (1) selon la revendication 5, ou la revendication 4 et la revendication 3, caractérisée en ce que la partie amincie (12) de 25 l'empilement (2) comporte : - une première partie reliant la première électrode (5) à une zone située dans la région active (8) de l'empilement (2), la première partie présentant une épaisseur égale à z, - une deuxième partie s'étendant de la première partie jusqu'au fond (11b) de 30 l'évidement (11), la deuxième partie présentant une épaisseur égale à L.\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (1) selon la revendication 6, caractérisée en ce que la région active (8) comporte plusieurs couches actives (8b) permettant 33 chacune la recombinaison de porteurs de charge, et en ce que la zone située dans la région active (8) est située dans la couche active (8b) la plus proche de la première électrode (5). 5\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que l'évidement (11) est délimité par une ouverture (11a) de l'évidement formée dans la deuxième face (4), un fond (11b) de l'évidement (11) et une paroi (11c) de l'évidement (11) reliant le fond (11b) à l'ouverture (11a).\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (1) selon la revendication précédente, caractérisée en ce que l'ouverture (11a) présente des dimensions inférieures aux dimensions de l'évidement (11) mesurées dans un plan situé entre l'ouverture (11a) et le fond (11b) de l'évidement (11), et en ce que l'ouverture (11a) présente une aire supérieure ou égale à celle de ladite face (5a) de la première électrode (5).\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (1) selon la revendication 8, caractérisée en ce que la paroi (11c) comporte, selon un plan de coupe perpendiculaire au fond (11b), un contour concave.\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle présente une longueur de dispersion du courant, et en ce que, orthogonalement à une direction d'empilement des couches semi-conductrices de l'empilement (2), l'évidement (11) présente une dimension comprise entre une fois et cinq fois la longueur de dispersion du courant de la diode électroluminescente (1).\n<CLM>\1\tProcédé d'élaboration d'une diode électroluminescente (1), ladite diode électroluminescente (1) à élaborer comportant : - un empilement (2) de couches semi-conductrices comprenant une première face (3) et une deuxième face (4) opposées selon une épaisseur de l'empilement (2), - une première électrode (5) comportant une face (5a) en contact avec la première face (3) de l'empilement (2), et 34 - une deuxième électrode (6), caractérisé en ce que le procédé d'élaboration comporte une étape de conception (El) de l'empilement (2) dont la deuxième face (4) présente un évidement pour former une partie amincie (12) de l'empilement (2), l'étape de conception (El) 5 prenant en compte les caractéristiques suivantes : - ladite face (5a) de la première électrode (5) de la diode électroluminescente (1) est destinée à être en contact uniquement avec la partie amincie (12) de l'empilement (2), - la deuxième électrode (6) de la diode électroluminescente est destinée à 10 être en contact avec une zone de l'empilement (2) distincte de ladite partie amincie (12) de l'empilement (2).\n<CLM>\1\tProcédé d'élaboration selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'étape de conception (El) de l'empilement (2) comporte les étapes suivantes : 15 - une étape de détermination (E1-1) d'une longueur d'onde d'émission principale À de la diode électroluminescente (1) lors de son fonctionnement, - une étape de détermination (E1-2), à la longueur d'onde d'émission principale, d'un indice optique n de l'empilement (2), - une étape de détermination (E1-3) d'une épaisseur d de la partie amincie 20 (12) entre la première face (3) et un fond (11b) de l'évidement (11), l'épaisseur d satisfaisant d = z + L avec z = kz.72",,, , d = kd. -22'n, et L étant tel a. que -2n. (kd - kz) = L avec kd > kz, kd et kz étant des entiers positifs différents de O. 25\n<CLM>\1\tProcédé d'élaboration selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'étape de détermination (E1-3) de l'épaisseur d comporte une étape de choix de la valeur de kz, kz devant être strictement supérieur à 1 et strictement inférieur à 6, et une étape de choix de la valeur kd, kd devant être strictement inférieur à\n<CLM>\1\t30\n<CLM>\1\tProcédé d'élaboration selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, caractérisé en ce que l'étape de conception (El) de l'empilement (2) comporte une étape de détermination (E1-4) d'une longueur de dispersion du courant de la diode électroluminescente (1), et une étape dimensionnement (E1-5) de l'évidement (11) de sorte que, orthogonalement à une direction d'empilement des couches semiconductrices de l'empilement (2), ledit évidement (11) présente une dimension comprise entre une fois et cinq fois la longueur de dispersion du courant de la diode électroluminescente (1). 5