Brevet FR3068514A1 (20190104)

REVENDICATIONS1. Dispositif optoélectronique (40 ; 90 ; 95 ; 100 ;\n<CLM>\1\tcomprenant ; un support (46) ; des blocs (52) d'un matériau semiconducteur, reposant 5 sur le support et comprenant chacun une première face (54) du côté opposé au support et des parois latérales (56) ; une couche de nucléation (58) sur chaque première face ; une première couche isolante électriquement (60,\n<CLM>\1\trecouvrant chaque couche de nucléation (58) et comprenant une 10 ouverture (64) exposant une partie de la couche de nucléation ; un élément semiconducteur (72,\n<CLM>\1\treposant sur chaque première couche isolante et au contact de la couche de nucléation recouverte par ladite première couche isolante dans l'ouverture ; une coque (74) recouvrant chaque élément semiconducteur 15 et comprenant une couche active adaptée à émettre ou absorber un rayonnement électromagnétique ; et une première couche conductrice électriquement (80), réfléchissant ledit rayonnement, s'étendant entre les éléments semiconducteurs et s'étendant sur au moins une partie des parois 20 latérales des blocs.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendication 1, comprenant, en outre, une deuxième couche isolante électriquement (76) recouvrant au moins une partie inférieure de chaque élément semiconducteur (72, 92). 25\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, comprenant, en outre, une deuxième couche conductrice électriquement (78), au moins en partie transparente audit rayonnement et recouvrant chaque coque (74).\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendication 30 3, comprenant, en outre, une couche d'encapsulation (82) isolante électriquement et au moins en partie transparente audit rayonnement et recouvrant les première et deuxième couches conductrices électriquement (78, 80). B15660 PR - Piédestal 29\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel chaque couche de nucléation (58) comprend au moins un empilement d'une troisième couche conductrice électriquement (98) au contact de l'élément semiconducteur (72,\n<CLM>\1\tassocié et d'une quatrième couche (96) moins conductrice électriquement que la troisième couche conductrice, au contact du bloc (52) et recouvert par la troisième couche conductrice.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le support (46) comprend une troisième couche isolante électriquement (46) ayant des deuxième et troisième faces opposées (48, 50), les blocs (52) reposant sur la troisième face.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendication 6, comprenant, en outre, au moins une première électrode (42) s'étendant en partie sur la quatrième face et au contact de l'un des blocs (52) au travers de la troisième couche isolante et au moins une deuxième électrode (44) au contact de la deuxième couche conductrice (80) au travers de la troisième couche isolante.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la hauteur de chaque bloc (52) est comprise entre 0,5 gm et 4 pin.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la première couche conductrice (80) ne s'étend pas sur les parois latérales des éléments semiconducteurs (72, 92), la première couche conductrice s'étendant sur au moins une partie des parois latérales de chaque bloc sur une hauteur mesurée depuis le support inférieure ou égale à la hauteur du bloc (52) mesurée depuis le support.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant une portion semiconductrice (106) au contact d'au moins deux des blocs (52).\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l'élément semiconducteur B15660 PR - Piédestal 30 est un nanofil, un microfil ou une pyramide (72,\n<CLM>\1\tde taille nanométrique ou micrométrique.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel les éléments 5 semiconducteurs (72,\n<CLM>\1\tsont, au moins en partie, en un matériau choisi dans le groupe comprenant les composés III-V, les composés II-VI ou les semiconducteurs ou composés du groupe IV.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel chaque couche de nucléation 10 (58) est au moins en partie en nitrure d'aluminium (A.1N), en oxyde d'aluminium (A1203), en bore (B), en nitrure de bore (BN), en titane (Ti), en nitrure de titane (TiN), en tantale (Ta), en nitrure de tantale (TaN), en hafnium (Hf), en nitrure d'hafnium (HfN), en niobium (Nb), en nitrure de niobium (NbN), en zirconium 15 (Zr), en borate de zirconium (ZrB2), en nitrure de zirconium (ZrN), en carbure de silicium (SiC), en nitrure et carbure de tantale (TaCN), ou en nitrure de magnésium sous la forme MgxNy, où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 2, par exemple du nitrure de magnésium selon la forme Mg3N2. 20\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (40 ; 90 ; 95 ; 100 ;\n<CLM>\1\tcomprenant les étapes suivantes : former, sur un support (46), des blocs (52) d'un matériau semiconducteur comprenant chacun une première face (54) 25 du côté opposé au support et des parois latérales (56), une couche de nucléation (58) sur chaque première face et une première couche isolante électriquement (60,\n<CLM>\1\trecouvrant chaque couche de nucléation (58) et comprenant une ouverture (64) exposant une partie de la couche de nucléation ; 30 former un élément semiconducteur (72,\n<CLM>\1\treposant sur chaque première couche isolante et au contact de la couche de nucléation recouverte par ladite première couche isolante dans l'ouverture ; B15660 PR - Piédestal 31 former une coque (74) recouvrant chaque élément semiconducteur et comprenant une couche active adaptée à émettre au absorber un rayonnement électromagnétique ; et former une première couche conductrice électriquement 5 (80), réfléchissant ledit rayonnement, s'étendant entre les éléments semiconducteurs et s'étendant sur au moins une partie des parois latérales des blocs.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 14, comprenant, en outre, la formation d'une deuxième couche isolante électriquement 10 (76) recouvrant au moins une partie inférieure de chaque élément semiconducteur (72, 92).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 14 ou 15, comprenant, en outre, la formation d'une deuxième couche conductrice électriquement (78), au moins en partie transparente audit 15 rayonnement et recouvrant au moins chaque coque (74).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 16, comprenant, en outre, la formation d'une couche d'encapsulation (82) isolante électriquement et au moins en partie transparente audit rayonnement et recouvrant les première et deuxième couches 20 conductrices électriquement (78, 80).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 17, dans lequel le support (46) comprend une troisième couche isolante électriquement (46) ayant des deuxième et troisième faces opposées (48, 50), les blocs (52) étant formés sur la troisième 25 face.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 18, comprenant, en outre, la formation d'au moins une première électrode (42) s'étendant en partie sur la quatrième face et au contact de l'un des blocs (52) au travers de la troisième couche isolante et la 30 formation d'au moins une deuxième électrode (44) au contact de la deuxième couche conductrice (80) au travers de la troisième couche isolante.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 19, comprenant la formation, sur le support d'une portion 35 semiconductrice (106), et la formation sur la portion B15660 PR - Piédestal 32 semiconductrice d'au moins deux des blocs (52) au contact de la portion semiconductrice.