Brevet FR3077160A1 (20190726)

REVENDICATIONS1. Dispositif optoélectronique (100) comportant au moins : - une première couche (106) de semi-conducteur dopé p et une deuxième couche (108) de semi-conducteur dopé n superposées et formant ensemble une jonction p-n ; - une première électrode (122) reliée électriquement à la première couche (106) de semi-conducteur et formant une anode du dispositif optoélectronique (100) ; - une grille (118) disposée contre au moins un flanc latéral d'au moins une partie de la première couche (106) de semi-conducteur ; - une deuxième électrode (128) disposée contre au moins un flanc latéral d'au moins une partie de la deuxième couche (108) de semi-conducteur, reliée électriquement à ladite partie de la deuxième couche (108) de semi-conducteur et isolée électriquement de la première couche (106) de semi-conducteur ; et dans lequel au moins une portion (132) de la deuxième électrode (128) est disposée contre un matériau électriquement conducteur de la grille (118) telle que la deuxième électrode (128) soit reliée électriquement au matériau électriquement conducteur de la grille (118) et forme à la fois une électrode de grille et une cathode du dispositif optoélectronique (100).\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (100) selon la revendication 1, dans lequel la grille (118) comporte un diélectrique de grille ayant une permittivité supérieure à environ 3,2 et une épaisseur d'oxyde équivalente comprise entre environ 0,5 nm et 100 nm.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (100) selon l'une des revendications précédentes, comportant au moins un trou et/ou une tranchée (116) traversant la première couche (106) de semi-conducteur, et dans lequel la grille (118) est disposée 19 contre au moins une partie des flancs latéraux du trou et/ou de la tranchée (116) formée par la première couche (106) de semi-conducteur.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (100) selon la revendication 3, dans 5 lequel plusieurs tranchées (116) traversent la première couche (106) de semi-conducteur, la grille (118) étant disposée, dans chacune des tranchées (116), contre les flancs latéraux formés par la première couche (106) de semi-conducteur.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (100) selon l'une des revendications 3 10 ou 4, dans lequel au moins une partie de la deuxième électrode (128) traverse au moins la deuxième couche (108) de semi-conducteur depuis une paroi de fond du trou et/ou de la tranchée (116).\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (100) selon l'une des revendications 15 précédentes, comportant en outre une zone active émissive (104) disposée entre les première et deuxième couches (106,\n<CLM>\1\tde semi-conducteur et dans lequel, lorsqu'un trou et/ou une tranchée (116) traverse la première couche (106) de semi-conducteur, une paroi de fond du trou et/ou de la tranchée (116) est formée par la zone active émissive (104) et est recouverte par la grille (118). 20\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel une partie de la grille (118) est disposée sur la première couche (106) de semi-conducteur et est en contact avec la deuxième électrode (128). 25\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (100) selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre au moins une couche métallique (112) recouvrant la première couche (106) de semi-conducteur et qui est en contact avec la première électrode (122). 20\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la première couche (106) de semi-conducteur et/ou la deuxième couche (108) de semi-conducteur comporte de l'AlGaN. 5\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un dispositif optoélectronique (100) comportant au moins les étapes de : - réalisation d'une première couche (106) de semi-conducteur dopé p et d'une deuxième couche (108) de semi-conducteur dopé n superposées et formant ensemble une jonction p-n ; 10 - réalisation d'une grille (118) disposée contre au moins un flanc latéral d'au moins une partie de la première couche (106) de semi-conducteur ; - réalisation d'une première électrode (122) reliée électriquement à la première couche (106) de semi-conducteur et formant une anode du dispositif optoélectronique (100) ; 15 - réalisation d'une deuxième électrode (128) disposée contre au moins un flanc latéral d'au moins une partie de la deuxième couche (108) de semi-conducteur, reliée électriquement à ladite partie de la deuxième couche (108) de semi-conducteur et isolée électriquement de la première couche (106) de semi-conducteur, et telle qu'au moins une portion (132) de la deuxième électrode (128) soit disposée contre un matériau 20 électriquement conducteur de la grille (118) afin que la deuxième électrode (128) soit reliée électriquement au matériau électriquement conducteur de la grille (118) et forme à la fois une électrode de grille et une cathode du dispositif optoélectronique (100).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, comportant en outre, entre la 25 réalisation des première et deuxième couches (106,\n<CLM>\1\tde semi-conducteur et la réalisation de la grille (118), la réalisation d'au moins un trou et/ou une tranchée (116) à travers la première couche (106) de semi-conducteur, et dans lequel la grille (118) est réalisée ensuite telle qu'elle soit disposée contre au moins une partie des flancs latéraux du trou et/ou de la tranchée (116) formée par la première couche (106) de semi- conducteur. 21\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, dans lequel la réalisation de la deuxième électrode (128) comporte la réalisation d'au moins une ouverture (119) à travers au moins la deuxième couche (108) de semi-conducteur depuis une paroi de fond du trou et/ou de la tranchée (116), puis le remplissage de l'ouverture (119) par au moins 5 un matériau électriquement conducteur.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 10 à 12, dans lequel : - la réalisation de la jonction p-n comporte en outre la réalisation d'une zone active émissive (104) disposée entre les première et deuxième couches (106, 10\n<CLM>\1\tde semi-conducteur, - lorsqu'un trou et/ou une tranchée (116) est réalisé à travers la première couche (106) de semi-conducteur, une gravure formant le trou et/ou la tranchée (116) est stoppée sur la zone active émissive (104) telle qu'une paroi de fond du trou et/ou de la tranchée (116) soit formée par la zone active émissive (104), 15 - la grille (118) est réalisée telle qu'elle recouvre la paroi de fond du trou et/ou de la tranchée (116).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 10 à 13, dans lequel la grille (118) est réalisée par la mise en oeuvre d'un dépôt d'au moins un matériau 20 diélectrique de grille (118) contre ledit au moins un flanc latéral d'au moins une partie de la première couche (106) de semi-conducteur et sur la première couche (106) de semiconducteur, et d'un dépôt du matériau électriquement conducteur de la grille (118) sur le matériau diélectrique de grille (118), et dans lequel la deuxième électrode (128) est réalisée telle que la portion (132) de la deuxième électrode (128) qui disposée contre le 25 matériau électriquement conducteur de la grille (118) soit disposée sur la première couche (106) de semi-conducteur.