Brevet FR3068848A1 (20190111)

REVENDICATIONS1.- Dispositif de commutation de puissance (10) comprenant au moins un transistor (12; 12a, 12b, 12c) de type SiC ou GaN MOSFET propre à être parcouru par un courant principal (I ; la, lb, Ic) ; caractérisé en ce que le dispositif de commutation (10) comprend au moins un module de mesure (14 ; 14a, 14b, 14c) configuré pour mesurer indirectement le courant principal (I) du transistor (12 ; 12a, 12b, 12c) à partir du champ électromagnétique produit par le transistor (12 ; 12a, 12b, 12c) et au moins un circuit de protection (16; 16a, 16b, 16c) configuré pour détecter un court-circuit en fonction du signe de la dérivée temporelle du courant principal (I ; la, lb, Ic). 2.- Dispositif de commutation (10) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le module de mesure (14; 14a, 14b, 14c) comprend une antenne (18) isolée galvaniquement du transistor (12 ; 12a, 12b, 12c). 3.- Dispositif de commutation (10) selon la revendication 2, dans lequel l'antenne (18) est située dans un cercle dont le centre est le transistor (12 ; 12a, 12b, 12c) et dont le rayon est compris entre 1mm et 10cm.\n<CLM>\1\tDispositif de commutation (10) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dispositif de commutation (10) comprend une pluralité de transistors (12a, 12b, 12c). 5.- Dispositif de commutation (10) selon la revendication 4, dans lequel le dispositif de commutation (10) comprend autant de modules de mesure (14a, 14b, 14c) que de transistors (12a, 12b, 12c), chaque transistor (12a, 12b, 12c) étant associé à un module de mesure (14a, 14b, 14c) distinct, chaque module de mesure (14a, 14b, 14c) étant configuré pour mesurer le courant principal (la, lb, Ic) parcourant le transistor (12a, 12b, 12c) auquel il est associé. 6.- Dispositif de commutation (10) selon la revendication 5, dans lequel chaque module de mesure (14a, 14b, 14c) est isolé électromagnétiquement d'au moins un autre champ électromagnétique que celui produit par le transistor (12a, 12b, 12c) auquel il est associé. 11 7.- Dispositif de commutation (10) selon la revendication 6, dans lequel chaque module de mesure (14a, 14b, 14c) et son transistor (12a, 12b, 12c) associé sont disposés dans une cage de Faraday. 5 8.- Dispositif de commutation (10) selon l'une quelconque des revendications 4 à 7, dans lequel chaque transistor (12a, 12b, 12c) est associé à une fenêtre (robs,a5 Tobs,b5 Tobs,c) d'observation du signe de la dérivée temporelle du courant principal (la, lb, Ic) le parcourant, la fenêtre d'observation (Tobs,a, Tobs,b, Tobs,c) étant propre à être déclenchée 10 simultanément à la commutation du transistor (12a, 12b, 12c) d'un état bloqué vers un état passant, les fenêtres d'observations (Tobs,a, Tobs,b, Tobs,c) étant distinctes entre elles. 9.- Dispositif de commutation (10) selon la revendication 4, dans lequel le dispositif de commutation (10) comprend un unique module de mesure (14) configuré pour mesurer 15 le courant principal (la, lb, Ic) parcourant chaque transistor (12a, 12b, 12c). 10.- Dispositif de commutation (10) selon la revendication 9, dans lequel chaque transistor (12a, 12b, 12c) est associé à une fenêtre (robs,a5 Tobs,b5 Tobs,c) d'observation du signe de la dérivée temporelle du courant principal (la, lb, Ic) le parcourant, la fenêtre 20 d'observation (robs,a5 Tobs,b5 Tobs,c) étant propre à être déclenchée simultanément à la commutation du transistor (12a, 12b, 12c) d'un état bloqué vers un état passant, les fenêtres d'observations (robs,a5 Tobs,b5 Tobs,c) étant distinctes entre elles. 25