Brevet FR3070537A1 (20190301)

REVENDICATIONS1. Dispositif de mémoire, du type mémoire non-volatile électriquement effaçable et programmable, comprenant un plan-mémoire (PM) comportant une succession de caissons semiconducteurs d'un premier type de conductivité (BO, B1) voisins et électriquement isolés entre eux, chaque caisson (BO, B1) logeant des mots-mémoire (WD) possédant des cellules-mémoire comprenant chacune un transistor d'état (TE) ayant une grille flottante et une grille de commande, et des transistors de sélection de grille de commande (CGT) respectivement attribués à chaque mot-mémoire (WD), chaque transistor de sélection de grille de commande (CGT) étant couplé aux grilles de commande des transistors d'état (TE) du mot-mémoire (WD) auquel il est attribué, chaque transistor de sélection de grille de commande étant situé dans et sur un caisson semiconducteur (B1, BO) voisin du caisson semiconducteur (BO, B1) logeant le mot-mémoire (WD) auquel il est attribué.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, comportant des puits semiconducteurs (NW) d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité configurés pour isoler latéralement deux caissons voisins (BO, B1) et une couche enterrée (NISO) semiconductrice du deuxième type de conductivité configurée pour isoler verticalement chaque caisson du reste d'un substrat (Psub) sous-jacent semiconducteur du premier type de conductivité.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes, comportant des pistes électriquement conductrices (M) couplant chaque transistor de sélection de grille de commande (CGT) aux grilles de commande des transistors d'état (TE) du mot-mémoire (WD) auquel il est attribué, chaque piste conductrice passant au-dessus d'au moins un transistor de sélection de grille de commande (CGT) réalisé dans le caisson logeant ledit mot-mémoire (WD).\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les transistors de sélection de grille de commande (CGT) sont, dans chaque caisson (BO, B1), regroupés par groupes de N transistors 19 de sélection de grille de commande (NCGT) et sont respectivement attribués à N mots-mémoire (NWD) appartenant à un même caisson (B1, BO).\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes, dans 5 lequel ladite succession de caissons comporte une alternance de premiers caissons (BO) et de deuxièmes caissons (B1), les premiers caissons (BO) étant électriquement couplés entre eux et les deuxièmes caissons (B1) étant électriquement couplés entre eux.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 5, les mots-mémoires 10 (WD) étant arrangés en rangées et en colonnes dans le plan-mémoire (PM), la moitié des mots-mémoire (WD) d'une même rangée formant une page paire (EP) et l'autre moitié des mots-mémoire (WD) de cette rangée formant une page impaire (OP), dans lequel les pages paires (EP) sont réalisées dans les premiers caissons (BO) et les pages 15 impaires (OP) sont réalisées dans les deuxièmes caissons (B1), la mémoire étant accessible par page.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes, comportant des moyens d'effacement (CMD) configurés pour effacer les cellules-mémoire (CEL) d'un mot-mémoire sélectionné (WD) en 20 appliquant une tension d'effacement (15V) sur les grilles de commande des transistors d'état (TE) des cellules-mémoires (CEL) du mot-mémoire sélectionné, via les bornes de conduction du transistor de sélection de grille de commande (CGT) attribué audit mot-mémoire sélectionné, et en appliquant, dans le caisson contenant ledit transistor 25 de sélection de grille de commande (CGT), une première tension de compensation (3V) adaptée pour empêcher un claquage de jonction entre le transistor de sélection de grille de commande et le caisson qui le contient.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes, dans 30 lequel chaque cellule-mémoire (CEL) comprend un transistor d'accès (TA) couplé en série avec le transistor d'état (TE) de ladite cellule-mémoire (CEL), le dispositif comportant des moyens de programmation (CMD) configurés pour programmer une cellule-mémoire (CEL) sélectionnée appartenant à un mot-mémoire (WD) 20 sélectionné, en appliquant une tension de programmation (15V) sur les bornes de conduction du transistor d'accès (TA) de la cellule-mémoire sélectionnée (CEL), et en appliquant, dans le caisson contenant ledit mot-mémoire (WD) sélectionné, une deuxième tension de 5 compensation adaptée pour empêcher un claquage de jonction entre le transistor d'accès et le caisson qui le contient (3V).\n<CLM>\1\tAppareil électronique, tel qu'un téléphone portable ou une prothèse auditive APP, incorporant un dispositif de mémoire selon l'une des revendications 1 à 8.