Brevet FR3074610A1 (20190607)

REVENDICATIONS1. Procede de fabrication d'un point memoire de type OxRAM, comprenant les otapes de : -fournir un empilement (1) comprenant une superposition de : -une premiere couche (102) incluant un premier materiau en Ti a plus de 30% en fraction molaire ; -une deuxieme couche (101) en Hf02 disposoe sous la premiere couche ; -par une implantation ionique d'un deuxieme materiau (2) choisi parmi le Xe, le Kr ou le Ar dans la premiere couche (102), realiser une implantation du premier materiau dans la deuxieme couche (101) par collision avec effet de recul dans la premiere couche (102).\n<CLM>\1\tProcede de fabrication selon la revendication 1, dans lequel ledit premier materiau est du Ti, et dans lequel ladite implantation du premier materiau dans la deuxieme couche (101) est realisee dans une premiere zone (71), de sorte que la composition dans ladite premiere zone soit du Hfl-yTiyO2, avec y compris entre 0,05 et 0,3.\n<CLM>\1\tProcede de fabrication selon la revendication 2, dans lequel ladite deuxieme couche (101) comprend une deuxieme zone (72) entourant la premiere zone (71), deuxieme zone dans laquelle la proportion en Ti est au moins deux fois inferieure a celle de la premiere zone.\n<CLM>\1\tProcede de fabrication selon la revendication 3, dans lequel ladite deuxieme couche (101) est disposoe sur une troisieme couche (100) en un materiau different de celui de la deuxieme couche (101), ladite deuxieme zone (72) separant la premiere zone (71) d'une interface entre la deuxieme couche (101) et la troisieme couche (100).\n<CLM>\1\tProcede de fabrication selon la revendication 4, dans lequel l'opaisseur de la deuxieme zone (72) separant la premiere zone (71) d'une interface entre la deuxieme couche (101) et la troisieme couche (100) est au moins egale a 1 nm.\n<CLM>\1\tProcede de fabrication selon l'une quelconque des revendications 2 a 5, dans lequel ledit empilement fourni (1) inclut une quatrieme couche (103), disposoe sur la premiere couche (102), la quatrieme couche (103) otant en TiN, la premiere couche (101) otant en Ti.\n<CLM>\1\tProcede de fabrication selon l'une quelconque des revendications 2 a 5, dans lequel ladite premiere couche (105) est en Ti02. ICG011202-DD18224VR FR Depot Texte.docx 12\n<CLM>\1\tProcede de fabrication selon I'une quelconque des revendications procedentes, dans lequel ladite otape d'implantation ionique du deuxieme materiau est realisee avec une inclinaison comprise entre 5 et 30° par rapport 5 a Ia normale a Ia premiere couche (102).\n<CLM>\1\tProcede de fabrication selon I'une quelconque des revendications procedentes, dans lequel ladite otape d'implantation ionique du deuxieme materiau est realisee avec une onergie d'implantation comprise entre 10 et 40 10 keV.\n<CLM>\1\tProcede de fabrication selon I'une quelconque des revendications procedentes, dans lequel ledit deuxieme materiau est du Xe et dans lequel ladite dose d'implantation ionique est comprise entre 21 014 cm-2 et41 015 CM- 15 2\n<CLM>\1\tProcede de fabrication selon I'une quelconque des revendications procedentes, dans lequel ledit empilement fourni (1) comprend une premiere couche (102) prosentant une opaisseur comprise entre 3 et 12 nm, et une 20 deuxieme couche (101) prosentant une opaisseur comprise entre 7 et 20 nm.\n<CLM>\1\tProcede de fabrication selon I'une quelconque des revendications procedentes, comprenant la formation de premiere et de deuxieme electrodes (81,82) en contact electrique respectivement avec une face superieure et avec 25 une face inferieure de ladite deuxieme couche (101).\n<CLM>\1\tProcede de fabrication selon la revendication 12, comprenant une otape de connexion d'un circuit de programmation/reinitialisation aux premiere et deuxieme electrodes, ledit circuit de programmation/reinitialisation otant 30 configure pour appliquer solectivement une difference de potentiel entre les premiere et deuxieme electrodes de fawn a creer/rompre un filament conducteur a travers la deuxieme couche (101).\n<CLM>\1\tProcede de fabrication selon I'une quelconque des revendications 35 procedentes, dans lequel ledit empilement fourni (1) inclut un masque dur (104) comportant une ouverture (14), ladite implantation ionique otant realisee a travers ladite ouverture (14).\n<CLM>\1\tPoint memoire de type OxRAM, incluant un empilement (1) comprenant une 40 superposition de : -une premiere couche (102) incluant un premier materiau en Ti a plus de 30% en fraction molaire ; ICG011202-DD18224VR FR Depot Texte.docx 13 -une deuxieme couche (101) incluant majoritairement du Hf02, disposoe sous la premiere couche et prosentant une implantation de Ti ; Caracterise en ce que la deuxieme couche inclut du Xe avec une concentration molaire comprise entre 0,1 et 0,9%. 5 ICG011202-DD18224VR FR Depot Texte.docx