Brevet FR3071930A1 (20190405)

REVENDICATIONS1. Détecteur (300, 400,\n<CLM>\1\tde photon à haute énergie comprenant : un cristal (301) destiné à absorber un photon à haute énergie en gé- nérant des photons selon un phénomène luminescent, un photomultiplicateur (302) comportant une couche photoélectrique (304), le détecteur (300) étant caractérisé en ce que ladite couche photoélectrique (304) est directement en contact avec une des faces (305) du cristal, le photomultiplicateur (302) étant configuré pour détecter les photons générés par le cristal (301) en incidence sur ladite couche photoélectrique (304).\n<CLM>\1\tDétecteur de photon selon la revendication précédente, caractérisé . 15 en ce que ledit cristal est choisi parmi le PbWO4 ou du BGO.\n<CLM>\1\tDétecteur de photon selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le photodétecteur comporte une galette à micro-canaux. 20\n<CLM>\1\tDétecteur de photon selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le cristal comporte une première et une seconde faces en regard l'une de l'autre, le détecteur comportant au moins : un premier photomultiplicateur comportant une couche photoé- 25 lectrique directement en contact avec la première face du cris- tal, le premier photomultiplicateur étant configuré pour détecter les photons générés par le cristal en incidence sur ladite couche photoélectrique. un second photomultiplicateur comportant une couche photoé- 30 lectrique directement en contact avec la seconde face du cris- tal, le second photomultiplicateur étant configuré pour détecter les photons générés par le cristal en incidence sur ladite couche photoélectrique. 2\n<CLM>\1\tDétecteur de photon selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le cristal comporte une première et une seconde faces en regard l'une de l'autre, le détecteur comportant au moins : 5 un premier photomultiplicateur comportant une couche photoé- lectrique directement en contact avec la première face du cristal, le premier photomultiplicateur étant configuré pour détecter les photons générés par le cristal en incidence sur ladite couche photoélectrique. 10 un second photomultiplicateur comportant une matrice de pho- tomultiplicateurs semi-conducteurs couplée optiquement avec la seconde face du cristal, le second photomultiplicateur étant configuré pour détecter les photons générés par le cristal en incidence sur ladite couche photoélectrique.\n<CLM>\1\tDétecteur de photon selon la revendication précédente caractérisé en ce que la matrice de photomultiplicateurs est couplée optiquement avec la seconde face du cristal via une interface de couplage optique.\n<CLM>\1\tDétecteur de photon selon l'une des revendications précédentes ca- ractérisé en ce que la couche photoélectrique est une couche bialkali ou multialkali.\n<CLM>\1\tDétecteur de photon selon l'une des revendications précédentes comportant des moyens pour refroidir ledit détecteur.\n<CLM>\1\tDétecteur de photon selon l'une des revendications précédentes comportant des moyens d'analyse de la carte d'impact des photoélectrons obtenue par chaque photomultiplicateur et des moyens de dé- termination de la position de l'absorption et du moment d'absorption du photon à haute énergie dans le cristal, lesdits moyens de détermination mettant en oeuvre des méthodes statistiques avantageusement 3 robustes et/ou des méthodes d'analyse avantageusement multivaniées.\n<CLM>\1\tDispositif de tomographie par émission de positrons comportant au 5 moins un détecteur de photon selon l'une des revendications précé- dentes. 11 .Spectromètre d'Annihilation de Positrons comportant au moins un détecteur de photon selon l'une des revendications 1 à 9, notamment 10 pour des mesures de type PALS et/ou ACAR.