Brevet FR3074814A1 (20190614)

REVENDICATIONS1. Procédé d'extraction d'impuretés métalliques d'une plaquette de silicium cristallin (10) comportant au moins une étape d'application, pendant une durée supérieure ou égale à 1 seconde, et de préférence pendant une durée entre 1 seconde et 200 secondes, une différence de potentiel électrique entre une première électrode (22) disposée du côté d'une première face (20) de la plaquette (10) et une deuxième électrode (32) disposée du côté de la deuxième face (30) de la plaquette (10) pour faire migrer les impuretés métalliques vers une des première ou deuxième faces (20,\n<CLM>\1\tde la plaquette (10), la différence de potentiel électrique étant, en valeur absolue, comprise entre 1V et 10kV, et de préférence comprise entre 3V et 5kV, la première électrode (22) comportant au moins deux pistes (24) et la deuxième électrode (32) comportant au moins une piste (34) dont la projection sur la première face (20) de la plaquette (10) selon une normale à cette dernière est intercalée entre les deux pistes (24) adjacentes de la première électrode (22).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, la projection sur la première face (20) de la plaquette (10) selon une normale à cette dernière de la piste (34) de deuxième électrode (32) étant disjointe des pistes (24) de première électrode (22).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, la piste (34) de la deuxième électrode (32) étant à égale distance des pistes (24) de première électrode (22).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, la première électrode (22) se présentant sous la forme d'un peigne, chaque dent du peigne constituant une piste (24) de première électrode (22), la deuxième électrode (32) présentant une pluralité de pistes (34) dont les projections sur la première face (20) de la plaquette (10) selon une normale à cette dernière sont intercalées entre deux pistes (24) adjacentes de la première électrode (22).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comportant une étape de recouvrement partielle de la deuxième face (30) de la plaquette (10) par au moins une couche diélectrique (40), puis une étape de dépôt de la deuxième électrode (32) pour qu'elle s'étende sur une ou plusieurs zones (42) de la deuxième face de la plaquette dépourvues de couche diélectrique (40) pour définir la ou les pistes (34) de deuxième électrode (32). 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comportant une étape d'impression des première et deuxième électrodes (22,\n<CLM>\1\tpar sérigraphie.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, le procédé étant mis en oeuvre à une température comprise entre 10°C et 850°C, avantageusement entre 5 15°C et 300°C, et de préférence entre 80°C et 270°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comportant une étape de dépôt des pistes (24) de première électrode (22) directement en contact avec la première face (20) de la plaquette (10).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comportant une 10 étape de recouvrement partielle de la première face (20) de la plaquette (10) d'une couche isolante (26), étant de préférence un empilement de plusieurs couches diélectriques, d'épaisseur d comprise entre 2 nm et 500 nm, mieux entre 10 nm et 300 nm et une étape de dépôt des pistes de première électrode (24) sur la couche isolante (26).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comportant 15 une étape de dépôt d la ou des pistes (34) de deuxième électrode (32) en contact de la deuxième face (30) de la plaquette (10).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comportant une étape de recouvrement au moins partielle de la deuxième face (30) de la plaquette (10) d'une couche isolante (36), étant de préférence un empilement de plusieurs couches diélectriques, 20 d'épaisseur d comprise entre 2 nm et 500 nm, mieux entre 10 nm et 300 nm et une étape de dépôt de la ou des pistes (34) de deuxième électrode (32) sur la couche isolante (36).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9 ou 11, de préférence selon les revendications 9 et 11, la différence de potentiel électrique appliquée entre les première et deuxième électrodes (22,\n<CLM>\1\tétant comprise, en valeur absolue, entre 10 V et 10 kV. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 8 et 10, la différence de potentiel électrique appliquée entre les première et deuxième électrodes (22,\n<CLM>\1\tétant comprise, en valeur absolue, entre 1 V et 100 V.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, la plaquette de silicium (10) ayant une base (12) et au moins une couche émetteur (14) et le procédé 30 comportant une étape de gravure partielle de la première face (20) ou la deuxième face (30) de la plaquette (10) traversant la couche émetteur (14) ; les pistes (24) de la première 21 électrode (22) étant disposées dans les zones gravées (26) de la plaquette, sans contact avec la couche émetteur(14) .\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 14, comportant une étape de dépôt d'une troisième électrode (52) sur la première face (20) de la plaquette (10) dans les zones non 5 gravées de la plaquette, la troisième électrode (52) étant espacée de la première électrode (22).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 14, comportant des étapes de dépôt d'une couche d'un matériau isolant (54) sur la première électrode (22) et de dépôt d'une troisième électrode (52) sur la première face (20) de la plaquette (10) dans la zone non gravée de la 10 plaquette et au moins partiellement sur la couche de matériau isolant (54).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 14, comportant une étape de retrait de la première électrode (22) après l'étape d'application de la différence de potentiel électrique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comportant une étape de recuit de la plaquette (10), en particulier à une température comprise entre 15 600°C et 1300°C pendant une durée comprise entre ls et 10 min avant un refroidissement à une vitesse de refroidissement supérieure ou égale en valeur absolue à 10 K.s-1, l'étape de recuit ayant lieu simultanément à l'étape d'application de la différence de potentiel électrique.