Brevet FR3077283A1 (20190802)

REVENDICATIONS1. Procédé d'encapsulation d'un dispositif microélectronique (300), disposé sur un substrat de support (200), avec un capot d'encapsulation (400) comprenant les étapes successives suivantes : a) fourniture d'un substrat de support (200), en un premier matériau, comprenant une première face principale (201) sur laquelle est disposée un dispositif microélectronique (300), et une seconde face principale (202) opposée à la première face principale (201), b) dépôt d'une couche de collage (500), en un deuxième matériau, sur la première face (201) du substrat (200), autour du dispositif microélectronique (300), c) positionnement d'un capot d'encapsulation (400), en un troisième matériau, comprenant une première face principale (401) et une seconde face principale (402), opposée à la première face principale (401), sur la couche de collage (500), de manière à fixer la première face principale (401) du capot d'encapsulation (400) sur le substrat de support (200), et de manière à encapsuler le dispositif microélectronique (300), d) amincissement de la seconde face principale (202) du substrat de support (200) et/ou de la seconde face principale (402) du capot d'encapsulation (400) jusqu'à une épaisseur inférieure à 200um, de préférence, inférieure ou égale à 100um et encore plus préférentiellement inférieure à 50um.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape d) est réalisée par gravure chimique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier matériau et/ou le troisième matériau sont choisis parmi le verre et le silicium. 23\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le premier matériau et le troisième matériau sont identiques.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, 5 caractérisé en ce que le premier matériau et le troisième matériau sont différents.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que lors de l'étape b), la couche de collage (500) recouvre totalement le dispositif microélectronique (300). 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que lors de l'étape b), la couche de collage (500) forme un cordon de scellement autour du dispositif microélectronique (300). 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le cordon de scellement est en pâte de verre, et en ce que le cordon de scellement est entouré par une couche de protection (600) en un quatrième matériau.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, 20 caractérisé en ce que le deuxième matériau et/ou le quatrième matériau est un matériau polymère choisi parmi les époxydes, les éthers, les polysiloxanes, les acryliques, un de leurs copolymères, et le polyéthylène téraphtalate.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, 25 caractérisé en ce que le dispositif microélectronique (300) est un dispositif électrochimique, telle qu'une microbatterie au lithium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que plusieurs dispositifs microélectroniques (300), identiques ou 24 différents, sont disposés sur la première face (201) du substrat de support (200) et/ou sur la première face principale (401) du capot d'encapsulation (400).\n<CLM>\1\tStructure microélectronique, obtenue par le procédé selon l'une 5 quelconque des revendications 1 à 11, comprenant un dispositif microélectronique, par exemple un dispositif électrochimique, telle qu'une microbatterie au lithium, disposé sur un substrat de support (200), en un premier matériau, ledit dispositif étant entouré par couche de collage (500), en un deuxième matériau, sur laquelle est fixé un capot d'encapsulation (400), en un troisième matériau, le capot d'encapsulation (400) et/ou le 10 substrat de support (200) ayant une épaisseur inférieure à 200um, de préférence, inférieure ou égale à 100um et encore plus préférentiellement inférieure à 50um.\n<CLM>\1\tStructure selon la revendication précédente, caractérisée en ce que le premier matériau et/ou le troisième matériau sont choisis parmi le verre et le 15 silicium.\n<CLM>\1\tStructure selon l'une quelconque des revendications 12 et 13, caractérisée en ce que la couche de collage (500) recouvre totalement le dispositif microélectronique (300). 20\n<CLM>\1\tStructure selon l'une quelconque des revendications 12 et 13, caractérisée en ce que lors de l'étape b), la couche de collage (500) forme un cordon de scellement autour du dispositif microélectronique (300). 25\n<CLM>\1\tStructure selon la revendication précédente, caractérisée en ce que le cordon de scellement est en pâte de verre, et en ce que le cordon de scellement est entouré par une couche de protection (600) en un quatrième matériau.