Brevet FR3068148A1 (20181228)

REVENDICATIONS1. Procédé d'étalonnage de motifs élémentaires en lithographie électronique à faisceau formé comprenant les étapes suivantes : a. réaliser, par lithographie électronique à faisceau formé, au moins un motif d'étalonnage (MCO, MCH, MCV) comprenant des figures géométriques ayant chacune une dimension critique nominale (CD0), fractionnées en motifs élémentaires (ME) de dimensions plus petites que chaque dite dimension critique nominale, les motifs élémentaires de chaque figure géométrique présentant des dimensions identiques et ceux de figures géométriques distinctes présentant des dimensions différentes ; b. mesurer la dimension critique réelle (CD,,) de chaque dite figure géométrique ; et c. appliquer une méthode de régression à partir des dimensions 15 critiques réelles ainsi déterminées pour construire un modèle mathématique exprimant : - soit une variation de dimensions (AH, AW, AL) desdits motifs élémentaires, - soit une erreur de dose d'exposition desdits motifs élémentaires 20 produisant un effet équivalent à ladite variation de dimensions, en fonction des dimensions (Ho, Wo, Lo) des motifs élémentaires.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 dans lequel ladite étape c. comprend les sous-étapes suivantes : 25 cl. déterminer une expression de ladite variation de dimensions desdits motifs élémentaires ou de ladite erreur de dose en fonction des dimensions des motifs élémentaires et d'une pluralité de paramètres à évaluer ; c2. Calculer les valeurs desdits paramètres à évaluer par minimisation d'une fonction représentative d'un écart moyen entre les dimensions 30 mesurées lors de l'étape b et celles calculées à l'aide de l'expression déterminée lors de la sous-étape cl. 24\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel les figures géométriques d'un même motif d'étalonnage sont des lignes droites parallèles entre elles. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel lesdits motifs élémentaires sont choisis parmi des motifs rectangulaires et des motifs triangulaires.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2 dans lequel 10 lesdits motifs élémentaires sont en forme de triangle rectangle isocèle, et dans lequel les figures géométriques d'un même motif d'étalonnage sont de lignes droites parallèles entre elles et à un cathète desdits motifs élémentaires.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel 15 chaque dite forme géométrique est fractionnée en motifs élémentaires identiques, juxtaposés sans recouvrement.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2 dans lequel lesdits motifs élémentaires sont en forme de triangle rectangle isocèle, lesdites 20 figures géométriques sont de lignes droites parallèles entre elles et à un côté des motifs élémentaires correspondants, et ledit motif d'étalonnage comprend : des lignes formées de deux sous-ensembles de motifs élémentaires identiques en forme de triangle rectangle isocèle juxtaposés sans recouvrement, lesdits sous-ensembles étant superposés avec un décalage spatial ; 25 et des lignes formées de motifs élémentaires en forme de triangle rectangle isocèle présentant des orientations complémentaires, juxtaposées sans recouvrement. 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel ledit modèle mathématique est un modèle polynomial.\n<CLM>\1\tProcédé de préparation de données pour lithographie électronique à faisceau formé comprenant une étape de correction d'une variation de 25 dimensions d'au moins un motif élémentaire d'un dessin à transférer sur un substrat par lithographie électronique à faisceau formé, ladite étape étant mise en oeuvre par 'l'utilisation d'un modèle mathématique exprimant ladite variation, ou une erreur de dose d'exposition produisant un effet équivalent à ladite variation, en fonction des 5 dimensions dudit motif élémentaire, ledit modèle mathématique étant obtenu au moyen d'un procédé d'étalonnage selon l'une des revendications 1 à\n<CLM>\1\t10. Procédé de préparation de données pour lithographie électronique à faisceau formé selon la revendication 9 comprenant une étape 10 préalable de détermination dudit modèle mathématique au moyen d'un procédé d'étalonnage selon l'une des revendications 1 à\n<CLM>\1\t11. Procédé de préparation de données pour lithographie électronique à faisceau formé selon l'une des revendications 9 ou 10 dans lequel ledit modèle mathématique exprime ladite variation de dimensions d'au moins un motif élémentaire en fonction de ses dimensions, le procédé comprenant les étapes suivantes : i. recevoir, en tant que donnée d'entrée, un dessin à transférer sur un substrat par lithographie électronique à faisceau formé ; ii. fractionner ledit dessin en motifs élémentaires et utiliser un modèle physique de répartition des électrons pour effectuer une correction géométrique et/ou en dose d'exposition de chaque dit motif élémentaire ; iii. appliquer ledit modèle mathématique pour calculer une variation de dimensions de chaque dit motif élémentaire ; iv. calculer, pour chaque dit motif élémentaire, une dose d'exposition corrigée en tenant compte de la variation de dimensions correspondante ; et v. appliquer les doses d'expositions corrigées calculées lors de l'étape iv aux motifs élémentaires corrigés, tels que déterminés à l'issue de l'étape ii.\n<CLM>\1\tProcédé de préparation de données pour lithographie électronique à faisceau formé selon l'une des revendications 9 ou 10 dans lequel ledit modèle mathématique exprime ladite variation de dimensions d'au moins un 26 motif lémentaire en fonction de ses dimensions, le procédé comprenant les étapes suivantes : I. recevoir, en tant que donnée d'entrée, un motif géométrique à transférer sur un substrat par lithographie électronique à faisceau formé ; 5 Il. fractionner ledit dessin en motifs élémentaires et utiliser un modèle physique de répartition des électrons pour effectuer une correction géométrique et/ou en dose d'exposition de chaque dit motif élémentaire ; III. appliquer ledit modèle mathématique pour calculer une variation de dimensions de chaque dit motif élémentaire, et modifier lesdits motifs 10 élémentaires pour corriger cette variation ; IV. appliquer à nouveau ledit modèle mathématique pour calculer une nouvelle variation de dimensions de chaque dit motif élémentaire, en prenant compte la correction effectuée lors de l'étape III ; V. calculer, pour chaque dit motif élémentaire, une dose 15 d'exposition corrigée en tenant compte de la variation de dimensions correspondante calculée lors de l'étape IV; et VI. appliquer les doses d'expositions corrigées calculées lors de l'étape V aux motifs élémentaires tel que modifiés lors de l'étape III. 20\n<CLM>\1\tProcédé de préparation de données pour lithographie électronique à faisceau formé selon l'une des revendications 9 ou 10 dans lequel ledit modèle mathématique exprime une erreur de dose d'exposition produisant un effet équivalent à une variation de dimensions d'au moins un motif élémentaire de lithographie électronique en fonction de ses dimensions, le procédé comprenant une 25 étape de correction de ladite erreur de dose d'exposition.\n<CLM>\1\tProcédé de transfert d'un dessin sur un substrat par lithographie électronique à faisceau formé, comprenant : - une étape de préparation de données, mise en oeuvre par un 30 procédé selon l'une des revendications 9 à 13; et - une étape de lithographie électronique à faisceau formé utilisant des dimensions et doses d'exposition de motifs élémentaires obtenues par ledit procédé. 27\n<CLM>\1\tProcédé d'estimation d'un modèle physique de répartition des électrons dans un procédé de lithographie électronique à faisceau formé, comprenant : A. le transfert d'un dessin sur un substrat au moyen dudit 5 procédé de lithographie électronique à faisceau formé, ledit dessin étant composé d'une pluralité de motifs élémentaires ; B. une estimation dudit modèle physique de répartition des électrons par comparaison entre des dimensions simulées et des dimensions mesurées dudit dessin transféré sur le substrat ; 10 C. la mise en oeuvre d'un procédé d'étalonnage selon la revendication 2 pour construire un modèle mathématique exprimant une variation des dimensions desdits motifs élémentaires en fonction desdites dimensions ; et D. le calcul de nouvelles dimensions simulées du dessin transféré sur le substrat par application dudit modèle mathématique ; et les étapes B. à D. 15 étant mises en oeuvre de manière itérative.