Brevet FR3070220A1 (20190222)

REVENDICATIONS1. Puce électronique comprenant un premier transistor (BULK) disposé dans et sur un substrat (8,\n<CLM>\1\tmassif, un deuxième transistor (FDSOI) disposé dans et sur une couche de matériau semiconducteur (12) sur isolant (10) d'une première épaisseur et 5 un troisième transistor (PDSOI) disposé dans et sur une couche de matériau semiconducteur (12,\n<CLM>\1\tsur isolant (10) d'une seconde épaisseur, la seconde épaisseur étant supérieure à la première.\n<CLM>\1\tPuce électronique selon la revendication laquelle la première épaisseur est inférieure à 20 nia. 1, dans 10\n<CLM>\1\tPuce électronique selon la revendication 1 ou 2, 5 et 20 dans laquelle la première épaisseur est comprise entre nm .\n<CLM>\1\tPuce revendications 1 à 15 égale à 7 nm à 10 %\n<CLM>\1\tPuce revendications 1 à supérieure à 30 nia.\n<CLM>\1\tPuce 20 revendications électronique selon 3, dans laquelle la près. électronique selon 4, dans laquelle la l'une quelconque des première épaisseur est l'une quelconque des seconde épaisseur est l'une quelconque des seconde épaisseur est électronique selon 1 à 5, dans laquelle la comprise entre 30 et 50 nia.\n<CLM>\1\tPuce électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans laquelle la seconde épaisseur est égale à 35 nia à 10 % près. 25\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication sur une même puce, dans une première région (2) d'un premier transistor formé dans un substrat (8) massif, dans une deuxième région (4) d'un deuxième transistor formé dans une couche de matériau semiconducteur (12) sur isolant (10) d'une première épaisseur et dans une troisième région (6) 30 d'un troisième transistor formé dans une couche de matériau semiconducteur (12) sur isolant (10) d'une seconde épaisseur supérieure à la première, comprenant : B16134 - 17-R0-0166 10 prévoir une structure semiconducteur sur isolant (8, 10,\n<CLM>\1\tdont la couche de matériau semiconducteur (12) a la première épaisseur ; former des première (14) et seconde (16) couches 5 isolantes sur la structure ; retirer les première (14) et seconde (16) couches isolantes de la première région (2) ; oxyder la couche de matériau semiconducteur (12) de la structure semiconducteur sur isolant (8, 10,\n<CLM>\1\tdans la première 10 région (12) ; retirer la seconde couche (16) isolante de la troisième région (6) ; retirer au moins partiellement l'oxyde (18) de la première région (2) et la première couche isolante (14) sur la 15 troisième région (6) ; faire croître du silicium sur le substrat (8) de la première région (2) et sur la couche de matériau semiconducteur (12) de la troisième région (6) jusqu'à ce que la couche de matériau semiconducteur (12) de la troisième région (6) atteigne 20 la seconde épaisseur ; et retirer les première (14) et seconde (16) couches isolantes de la deuxième région (4).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, dans lequel l'oxyde (18) de la première région (2) est entièrement retiré. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, dans lequel une portion de l'oxyde (18) de la première région (2) est conservée.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel la première couche isolante est en oxyde de silicium. 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, dans lequel la seconde couche isolante est en nitrure de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, dans lequel la première épaisseur est inférieure à 20 rua. B16134 - 17-R0-0166 11\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 13, dans lequel la seconde épaisseur est supérieure à 30 nm.