Brevet FR3071098A1 (20190315)

REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un élément d'un dispositif microélectronique sur un support comprenant successivement une couche de base (2), une 5 couche intercalée (3) et une couche de couverture (4), ledit procédé comprenant : - une formation d'un volume de confinement incluant une gravure de la couche intercalée (3) sélectivement à la couche de base (2) et à la couche de couverture (4), le volume de confinement étant 10 délimitée par une paroi latérale de la couche intercalée (3), une face supérieure de la couche de base (2) et une face inférieure de la couche de couverture (4), la face inférieure étant située en regard de la face exposée ; - un remplissage, par un matériau de remplissage constitutif de 15 l'élément, d'au moins une partie du volume de confinement par une croissance épitaxiale du matériau à partir de la paroi latérale, le matériau de remplissage ayant une structure cristallographique du type cubique, caractérisé en ce que la formation du volume de confinement 20 comprend une formation d'un trou au travers de toute l'épaisseur de la couche de couverture (4) de sorte à exposer une zone de la couche intercalée (3), et en ce que la gravure est opérée par application d'une gravure sur la couche intercalée (3) au travers du trou, soit par une gravure sèche à un régime de gravure limité par la réaction de surface, soit par une gravure humide. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel la gravure est configurée pour produire une vitesse de gravure au moins 25% plus grande dans des directions cristallographiques [110] et [1-10] que dans des directions cristallographiques [010] et [100] du matériau de la couche intercalée (3), et de préférence au moins 35% plus grande. 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel on choisit une couche intercalée (3) dont le matériau a une structure cristallographique du type cubique dont deux faces opposées sont dirigées perpendiculairement à la dimension en épaisseur de la couche intercalée (3). 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel la couche intercalée (3) est choisie avec une dimension en épaisseur inférieure à 300 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la formation du trou est configurée pour obtenir un diamètre de trou compris entre 50 et 200 nm, de préférence égal à 150 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel la gravure est une gravure sèche produite par un flux de gravure dans une machine de dépôt chimique en phase vapeur.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel le remplissage est produit par dépôt chimique en phase vapeur dans la machine de dépôt chimique en phase vapeur.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel on utilise une couche intercalée en matériau à structure cristallographique de type diamant ou zinc-blende.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche intercalée (3) est en matériau semi-conducteur.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel on utilise du silicium comme matériau semi-conducteur.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel la gravure est une gravure sèche opérée à une température inférieure à 850°C, de préférence inférieure à 820°C et de préférence égale à 800°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel la température est supérieure à 700°C, et de préférence supérieure à 750°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel on utilise un matériau semi-conducteur comme matériau de remplissage (5).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel on utilise du germanium comme matériau de remplissage (5).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel la couche de base (2) est une couche électriquement isolante enterrée et la couche intercalée (3) est une couche d'un matériau semi-conducteur, formant un empilement semi-conducteur sur isolant.