Brevet FR3072839A1 (20190426)

REVENDICATIONS1. Procédé de détection de défaut dans un module photovoltaïque (Mi) qui comporte plusieurs cellules photovoltaïques connectées entre elles et une ou plusieurs diodes de contournement, chaque diode de contournement (Db) étant configurée pour contourner une ou plusieurs cellules photovoltaïques dudit module photovoltaïque, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - Détermination d'une matrice de températures du module photovoltaïque (Mi), ladite matrice étant obtenue après découpage du module en plusieurs zones thermiques et affectation d'une température à chaque zone thermique ; - Détection d'au moins une zone thermique chaude (Zh) parmi lesdites plusieurs zones du module ; - Détermination d'un rapport de surface entre la surface (Sh) de la zone thermique chaude (Zh) détectée et la surface totale (Smod) du module ; - Première comparaison dudit rapport de surface avec un coefficient fonction du nombre de diodes de contournement présentes dans le module ; - Détermination du type de défaut à partir du résultat obtenu lors de ladite première comparaison.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite première comparaison consiste à comparer ledit rapport de surface avec ledit coefficient égal à 1/N dans lequel N correspond au nombre de diodes de contournement présentes dans le module en vue d'obtenir une première option ou une deuxième option selon ledit résultat de la comparaison.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que, dans ladite première option, il comporte des étapes de : - Détermination d'une différence de température (ATmoy) entre ladite température moyenne du module photovoltaïque et une température de référence (Tref) obtenue sur un module photovoltaïque de référence (Mref) ; - Deuxième comparaison de ladite différence de température (ATmoy) avec une valeur seuil (VTH1) ; - Détermination du type de défaut à partir du résultat de ladite deuxième comparaison entre une défaillance globale du module et un défaut de type point chaud. 16\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que lorsque le défaut est de type point chaud, le procédé consiste à déterminer une perte de production (A/3) énergétique du module photovoltaïque occasionnée par ledit défaut de type point chaud. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que, dans ladite deuxième option, il comporte des étapes de : - Obtention d'une température maximale (Tm') de ladite zone thermique chaude (Zh) détectée ; - Troisième comparaison de ladite température maximale (Tm') avec une 10 valeur seuil (VTH2) supérieure à une valeur moyenne des températures dudit module de référence (Mref) ; - Détermination du type de défaut à partir du résultat de ladite troisième comparaison entre une défaillance globale du module et un autre type de défaut. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que lorsqu'il s'agit d'un autre type de défaut, il comporte une étape de détermination du nombre (n) de diodes de contournement en défaut.\n<CLM>\1\tSystème de détection de défaut dans un module photovoltaïque qui 20 comporte plusieurs cellules photovoltaïques connectées entre elles et une ou plusieurs diodes de contournement, chaque diode de contournement étant configurée pour contourner une ou plusieurs cellules photovoltaïques dudit module photovoltaïque, caractérisé en ce qu'il comporte : - Un module de détermination d'une matrice de températures du module 25 photovoltaïques, ladite matrice étant obtenue après découpage du module en plusieurs zones thermiques et affectation d'une température à chaque zone thermique ; - Un module de détection d'au moins une zone thermique chaude (Zh) parmi lesdites plusieurs zones du module ; 30 - Un module de détermination d'un rapport de surface entre la surface (Sh) de la zone thermique chaude (Zh) détectée et la surface totale (Smod) du module (Mi); - Un premier module de comparaison configuré pour mettre en oeuvre une comparaison dudit rapport de surface avec un coefficient fonction du nombre (N) de diodes de contournement présentes dans le module ; 17 - Un module de détermination du type de défaut à partir du résultat obtenu par ledit premier module de comparaison.\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication 7, caractérisé en ce que ledit premier module de comparaison est configuré pour comparer ledit rapport de surface avec 5 ledit coefficient égal à 1/N dans lequel N correspond au nombre de diodes de contournement présentes dans le module en vue d'obtenir une première option ou une deuxième option selon ledit résultat de la comparaison.\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication 8, caractérisé en ce que, dans ladite première option, il est configuré pour exécuter : 10 - Un module de détermination d'une différence de température (ATmoy) entre une température moyenne du module photovoltaïque et une température de référence (Tref) obtenue sur un module photovoltaïque de référence (Mref) ; - Un deuxième module de comparaison configuré pour mettre en oeuvre une comparaison de ladite différence de température (ATmoy) avec une valeur 15 seuil (VTH1) ; - Un module de détermination du type de défaut à partir du résultat de ladite comparaison mise en oeuvre par ledit deuxième module de comparaison, entre une défaillance globale du module et un défaut de type point chaud.\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication 9, caractérisé en ce que lorsque le défaut 20 est de type point chaud, le système est configuré pour exécuter un module de détermination d'une perte de production énergétique du module photovoltaïque occasionnée par ledit défaut de type point chaud.\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication 8, caractérisé en ce que, dans ladite deuxième option, le système est configuré pour exécuter : 25 - Un module d'obtention d'une température maximale (Tm') de ladite zone chaude détectée ; - Un troisième module de comparaison configuré pour mettre en oeuvre une comparaison de ladite température maximale avec une valeur seuil (VTH2) supérieure à une valeur moyenne des températures dudit module de 30 référence (Mref) ; - Un module de détermination du type de défaut à partir du résultat de ladite comparaison mise en oeuvre par ledit troisième module de comparaison, entre une défaillance globale du module et un autre type de défaut.\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication 11, caractérisé en ce que lorsqu'il s'agit d'un 35 autre type de défaut, le système est configuré pour exécuter un module de détermination du nombre (n) de diodes de contournement en défaut.