Brevet FR3071645A1 (20190329)

REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un calculateur (1) à réseaux de neurones récurrents, comportant les étapes successives : a) prévoir un substrat (2) comportant une première électrode (20) ; b) former une première couche (3) de copolymères à blocs sur une partie de la première électrode (20) de sorte que la première électrode (20) présente des zones libres (ZL) avec une distribution spatiale aléatoire ; c) graver les zones libres (ZL) de la première électrode (20) de manière à structurer la 10 première électrode (20) ; d) retirer la première couche (3) de copolymères à blocs ; e) former une couche mémoire (4), de type mémoire vive résistive, sur la première électrode structurée (200) lors de l'étape c) ; f) former une deuxième électrode (21) sur la couche mémoire ; 15 g) former une deuxième couche (5) de copolymère à blocs sur une partie de la deuxième électrode (21) de sorte que la deuxième électrode (21) présente des zones libres (ZL) avec une distribution spatiale aléatoire ; h) graver les zones libres (ZL) de la deuxième électrode (21) de manière à structurer la deuxième électrode (21) ; 20 i) retirer la deuxième couche (5) de copolymères à blocs.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape b) comporte les étapes successives : b1) former une couche d'un polymère aléatoire sur la première électrode (20) ; 25 b2) greffer la couche du polymère aléatoire sur une partie de la première électrode (20) ; b3) former la première couche (3) de copolymères à blocs sur la couche du polymère aléatoire greffée lors de l'étape b2) ; b4) retirer la couche du polymère aléatoire greffée. 30\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'étape g) comporte les étapes successives : gi) former une couche d'un polymère aléatoire sur la deuxième électrode (21) ; g2) greffer la couche du polymère aléatoire sur une partie de la deuxième électrode (21) ; g3) former la deuxième couche (5) de copolymères à blocs sur la couche du polymère 35 aléatoire greffée lors de l'étape g2) ; 13 g4) retirer la couche du polymère aléatoire greffée.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2 ou 3, dans lequel le polymère aléatoire est sélectionné dans le groupe comportant un copolymère statistique, un homopolymère, une monocouche 5 auto-assemblée.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel les copolymères à blocs de la première couche (3) et de la deuxième couche (5) sont sélectionnés dans le groupe comportant : - le polystyrène et le polyméthacrylate de méthyle, noté PS-PMMA ; - le polystyrène et l'acide polylactique, noté PS-PLA ; - le polystyrène et le poly(oxyde d'éthylène), noté PS-PEO ; - le polystyrène et le polydiméthylsiloxane, noté PS-PDMS ; - le polystyrène, le polyméthacrylate de méthyle, et le poly(oxyde d'éthylène), noté PS15 PMMA-PEO, - le polystyrène et le poly(2-vinyl pyridine), noté PS-P2VP.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel la couche mémoire (4) est réalisée dans au moins un matériau sélectionné dans le groupe comportant Hf02, A1203, SiO2, 20 ZrO, un oxyde de titane, un chalcogénure.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel les première et deuxième électrodes (20,\n<CLM>\1\tsont réalisées dans au moins un matériau sélectionné dans le groupe comportant Ti, TiN, Pt, Zr, Al, Hf, Ta, TaN, C, Cu, Ag.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel la première couche (3) de copolymères à blocs et la deuxième couche (5) de copolymères à blocs formées respectivement lors des étapes b) et g) présentent une épaisseur comprise entre 30 nm et 50 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, comportant une étape j) consistant à former une couche d'encapsulation (6) sur la deuxième électrode structurée (210) lors de l'étape h), l'étape j) étant exécutée après l'étape i). 25 30 14\n<CLM>\1\tCalculateur (1) à réseaux de neurones récurrents obtenu par le procédé selon l'une des revendications 1 à 9.