Brevet FR3070792A1 (20190308)

REVENDICATIONS1. Dispositif photosensible comprenant un substrat semi-conducteur sur isolant sur lequel repose au moins un transistor (T1), le substrat étant doté d'une couche semi-conductrice superficielle (12) dans laquelle une zone de canal (14) dudit transistor est agencée, d'une couche isolante (11) séparant la couche semi-conductrice superficielle d'une couche de support (10) semi-conductrice, la couche de support (10) semi-conductrice comprenant une zone photosensible (20) formée de régions dopées (25,\n<CLM>\1\trespectivement selon au moins un dopage d'un premier type, N ou P, et au moins un dopage d'un deuxième type, Pou N, de sorte à former au moins une jonction, la couche isolante (11) étant configurée de manière à permettre un couplage capacitif entre la zone photosensible (20) et la zone de canal (14) du transistor, la zone photosensible (20) comportant parmi lesdites régions dopées (25,\n<CLM>\1\t: - une première région dopée (25) selon un dopage d'un premier type, la première région dopée étant agencée contre la couche isolante (11) et étant située et en regard de la zone (14) de canal, - une deuxième région dopée (27) selon un dopage d'un deuxième type, la deuxième région dopée (27) étant disposée autour de la première région dopée (25) et s'étendant contre la couche isolante (11) et en regard des zones de source et de drain.\n<CLM>\1\tDispositif photosensible selon la revendication 1, la deuxième région dopée (27) s'étendant en outre sous la première région dopée (25), de sorte qu'en regard de la zone (14) de canal, la première région dopée (25) se situe entre la couche isolante (11) et la deuxième région dopée (27).\n<CLM>\1\tDispositif photosensible selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel la zone de canal (14) du transistor est agencée entièrement en regard de la première région dopée (25). 21\n<CLM>\1\tDispositif photosensible selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel, dans une section transversale de la couche de support (10), la première région dopée (25) est entièrement entourée par ladite deuxième région dopée (27). 5\n<CLM>\1\tDispositif photosensible selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel une région intermédiaire (29) faiblement dopée est disposée entre ladite première région dopée et ladite deuxième région dopée. 10\n<CLM>\1\tDispositif photosensible selon la revendication 5, dans lequel la première région dopée (25), la région intermédiaire (29) et la deuxième région dopée (27) forment une jonction de type PIN ou NIP et sont réparties de manière concentrique autour d'une zone donnée (24) de la couche de support située entièrement en regard de la zone de canal du transistor et contre la couche isolante. 15\n<CLM>\1\tDispositif photosensible selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel le transistor est muni d'une grille, la première région dopée étant délimitée latéralement par des bords latéraux disposés en regard d'espaceurs isolants agencés contre la grille. 20\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation de la zone photosensible (20) d'un dispositif photosensible selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel la couche de support (10) du substrat est dopée selon le dopage du deuxième type, le procédé comprenant des étapes de : 25 - réalisation sur le substrat d'une grille sacrificielle (58) et d'une couche d'encapsulation (61) autour de la grille sacrificielle, - retrait de la grille sacrificielle (58) de sorte à former une ouverture (63) entourée par la couche d'encapsulation (61), 22 - implantation à travers l'ouverture (63), de sorte à doper selon le premier type de dopage, une portion de la couche de support disposée en regard de l'ouverture (63).\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation de la zone photosensible (20) d'un 5 dispositif photosensible selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel une grille (18) de transistor est formée sur le substrat semi-conducteur sur isolant, la couche de support (10) du substrat étant dopée selon le dopage du deuxième type, le procédé comprenant les étapes de : - implantations inclinées, respectivement selon un angle al et un angle 10 -a2 par rapport à un plan donné (P) orthogonal au plan principal du substrat, de sorte à doper selon un dopage du premier type une première portion (64) de la couche de support en regard de la grille, - implantation parallèlement au plan donné (P) de sorte à doper selon le dopage du deuxième type des deuxièmes portions (65) de la couche de support de part 15 et d'autre de la première portion (64).\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'une zone photosensible (20) d'un dispositif selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel une grille (18) de transistor est formée sur le substrat semi-conducteur sur isolant, la couche de support (10) du substrat 20 étant dopée selon le dopage du deuxième type, le procédé comprenant : - des premières implantations inclinées respectivement selon des angles al et -al par rapport à un plan donné (P) orthogonal au plan principal du substrat, de sorte à doper sous la grille une portion de la couche de support selon un dopage d'un premier type, 25 - des deuxièmes implantations inclinées selon respectivement des angles a2, -a2 tels que a2\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'une zone photosensible (20) d'un dispositif selon l'une des revendications 1 à 7, la couche de support (10) du substrat étant dopée selon le dopage du deuxième type, le procédé comprenant les étapes de : - implantation de sorte à doper une sous-couche supérieure (10a) de la 5 couche de support selon un dopage du premier type, puis - formation d'une grille (18), puis, - implantation de part et d'autre de la grille, de sorte à doper selon le dopage du deuxième type des portions (79) de la couche de support situées de part et d'autre d'une portion centrale (70) agencée en regard de la grille. 'o\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'une zone photosensible (20) d'un dispositif selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel après implantation des portions (79) on forme une couche masquage (81) contre des flancs de la grille, puis on réalise au moins une nouvelle implantation de part et d'autre de la grille de sorte à 15 augmenter le dopage du deuxième type de certaines parties (83) desdites portions (79).