Brevet FR3077931A1 (20190816)

REVENDICATIONS1.- Dispositif à semi-conducteur (110, 210,\n<CLM>\1\tcomportant une jonction p-n (12), ladite jonction p-n comprenant une première (16) et une deuxième (17) couches sensiblement planes, respectivement formées d'un premier (19) et d'un deuxième (20) matériaux incluant des dopages de signe opposé, lesdites première et deuxième couches étant au contact l'une de l'autre, définissant une direction d'empilement (Z), chacune des première et deuxième couches comprenant un bord latéral (22, 24), lesdits bords latéraux étant sensiblement dans un prolongement l'un de l'autre selon la direction d'empilement, ledit dispositif étant caractérisé en ce qu'il comporte en outre une structure de passivation (113, 313), telle que la première couche (16) est disposée entre ladite structure de passivation et la deuxième couche (17) selon la direction d'empilement, ladite structure de passivation étant configurée de sorte à générer dans la première couche (16) de la jonction p-n une zone de déplétion (50) sensiblement annulaire à proximité du bord latéral (22) de ladite première couche, ladite zone de déplétion entourant une zone centrale (61) non déplétée. 2.- Dispositif à semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel la structure de passivation (113,\n<CLM>\1\test configurée de sorte à générer une zone de déplétion traversant intégralement la première couche (16) selon la direction d'empilement. 3.- Dispositif à semi-conducteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans lequel la structure de passivation est configurée de sorte à générer une zone de déplétion (50) continue le long d'une périphérie (26) de la première couche. 4.- Dispositif à semi-conducteur selon la revendication 3, dans lequel la structure de passivation comporte un anneau de passivation (160, 360), formé d'au moins une bande refermée sur elle-même et empilée avec la jonction p-n (12), une largeur minimale (62) dudit anneau de passivation, perpendiculairement à la direction d'empilement, étant préférentiellement supérieure ou égale à 1 11m, plus préférentiellement supérieure ou égale à 20 i..tm et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 50 12 5.- Dispositif à semi-conducteur (110,\n<CLM>\1\tselon la revendication 4, dans lequel l'anneau de passivation (160) comprend une première (70) et une deuxième (72) bandes empilées, formées respectivement d'un matériau électriquement conducteur et d'un matériau électriquement isolant, chacune des première et deuxième bandes étant 5 refermée sur elle-même, la deuxième bande (72) étant disposée entre la première bande (70) et la première couche (16) selon la direction d'empilement, la structure de passivation (113) comportant en outre : une électrode (14,\n<CLM>\1\tempilée avec la jonction p-n au niveau de la zone centrale (61) ; et un moyen (74) d'application d'une tension électrique entre la première bande et l'électrode, de sorte à 10 générer la zone de déplétion (50). 6.- Dispositif à semi-conducteur (310) selon la revendication 4, dans lequel l'anneau de passivation (360) comporte une bande formée d'un matériau (66) comprenant des charges électriques fixes. 7.- Dispositif à semi-conducteur selon l'une des revendications précédentes, dans lequel une épaisseur totale des première (16) et deuxième (17) couches selon la direction d'empilement (Z) est inférieure ou égale à 10 11m, plus préférentiellement inférieure ou égale à 5 15 20