Brevet FR3076077A1 (20190628)

REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation sur une même plaque d'un premier transistor (100) surmonté au moins partiellement d'une couche contrainte en tension (190) et d'un deuxième transistor (200) surmonté au moins partiellement d'une couche contrainte en compression (290), caractérisé en ce que le procédé comprend au moins les étapes suivantes: - Fournir une plaque comprenant au moins un premier transistor (100) et un deuxième transistor (200), - Formation d'au moins une couche contrainte, à base de nitrure, sur le premier transistor (100) et le deuxième transistor (200), la couche contrainte étant contrainte en tension, - Dépôt d'une couche de protection (400a) de manière à recouvrir une première zone (191) de la couche contrainte, la première zone (191) recouvrant au moins partiellement le premier (100) transistor et à laisser découverte une deuxième zone (291) de la couche contrainte, la deuxième zone (291) recouvrant au moins partiellement le deuxième transistors (200), - Modification du type de contrainte de la deuxième zone (291) de la couche contrainte, par implantation (500) d'ions à base d'hydrogène à partir d'un plasma dans la deuxième zone (291), de manière à ce que la deuxième zone (291) de la couche contrainte soit contrainte en compression.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel le dépôt de la couche de protection (400a) est effectué de manière à recouvrir l'intégralité du premier transistor (100), et à laisser entièrement découvert le deuxième transistor (200).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le premier transistor (100) et le deuxième transistor (200) sont respectivement de type 30 NMOS et PMOS.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le premier transistor (100) et le deuxième transistor (200) présentent chacun un canal et une couche d'oxyde de grille et dans lequel le premier transistor (100) et le deuxième 22 transistor (200) présentent des caractéristiques différentes prises parmi : une épaisseur de canal différente, une épaisseur d'oxyde de grille différente.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le 5 plasma est formé à partir d'un mélange comprenant au moins l'un des gaz suivants : H2, HBr, NH3.\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications précédentes dans lequel les paramètres du plasma, en particulier la nature et l'énergie des ions, sont régulés de manière à ce que 10 l'implantation (500) d'ions réduise l'épaisseur de la couche contrainte (190) dans la deuxième zone (291).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le plasma est formé à partir d'un mélange comprenant au moins un gaz de type CxHy, x 15 et y étant des entiers et de préférence un autre gaz par exemple l'hélium (He) et/ou l'argon (Ar).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de la couche contrainte est effectuée de manière à ce que la couche 20 contrainte présente une épaisseur comprise entre 2 et 50 nm (10-9 mètres), de préférence entre 5 et 40nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de la couche contrainte comprend un dépôt conforme et dans lequel le dépôt 25 conforme est effectué par l'un des dépôts suivants : dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), dépôt chimique en phase vapeur assisté à basse pression (LPCVD), dépôt thermique rapide chimique en phase vapeur (RTCVD), dépôt physique en phase vapeur (PVD).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel les paramètres de l'implantation (500), en particulier l'énergie des ions à base d'hydrogène, sont choisis de manière à modifier par implantation toute l'épaisseur de la deuxième zone (291) de la couche contrainte.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel les paramètres de l'implantation (500), en particulier l'énergie des ions à base 23 d'hydrogène, sont choisis de manière à modifier par implantation la deuxième zone (291) de la couche contrainte, de manière continue, depuis la surface de la couche contrainte et jusqu'à une profondeur de l'ordre de 40 nm (10-9 mètres). 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la première zone (191) recouvre entièrement le premier transistor (100) et la deuxième zone (291) recouvre entièrement le deuxième transistor (200) et dans lequel une tranchée d'isolation électrique (300) sépare le premier transistor (100) et le deuxième transistor (200) et dans lequel une interface définie par la première (191) et la 10 deuxième (291) zones est au moins en partie située au droit de la tranchée d'isolation (300).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes comprenant une pluralité de séquences, chaque séquence comprenant successivement au moins : 15 ladite étape de dépôt d'une couche contrainte, ladite étape de dépôt d'une couche de protection (400a) et ladite étape de modification.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel à chaque séquence, ladite étape de dépôt d'une couche contrainte est configurée de manière à ce que 20 l'épaisseur de la couche contrainte déposée soit inférieure à 20 nm et de préférence comprise entre 5 nm et 15 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel les premier (100) et deuxième (200) transistors présentent chacun un canal formé dans 25 une couche semi-conductrice, la couche semi-conductrice surmontant une couche diélectrique (120) et un substrat de support (110), et dans lequel la couche semiconductrice, la couche diélectrique (120) et le substrat de support (110) forment un substrat de type semi-conducteur sur isolant de type FDSOI. 30