Brevet FR3076393A1 (20190705)

REVENDICATIONS1. Procede de transfert d'une couche utile (1) sur un substrat support (2), comportant les etapes successives : a) prevoir un substrat donneur (3), comprenant : - une premiere surface (30) et une seconde surface (31) opposee ; - des bords lateraux (32) reliant les premiere et seconde surfaces (30,\n<CLM>\1\t; - une couche de recouvrement (4) s'etendant sur les premiere et seconde surfaces (30,\n<CLM>\1\tet sur les bords lateraux (32) ; - une zone de fragilisation (ZS) presentant un contour, la couche utile (1) etant delimitee par la zone de fragilisation (ZS) et par la premiere surface (30) du substrat donneur (3) ; b) assembler le substrat donneur (3) au substrat support (2) par une adhesion directe avec la couche de recouvrement (4) s'etendant sur la premiere surface (30) du substrat donneur (3), et suivant une surface de contact (SC) presentant un contour inscrit dans le contour de la 15 zone de fragilisation (ZS) ; c) graver la couche de recouvrement (4) s'etendant sur la seconde surface (31) et sur les bords lateraux (32) du substrat donneur (3) ; d) graver la seconde surface (31) et les bords lateraux (32) du substrat donneur (3) jusqu'a ce que le contour de la zone de fragilisation (ZS) coincide avec le contour de la surface de 20 contact (SC) ; e) fracturer le substrat donneur (3) suivant la zone de fragilisation (ZS) de maniere a exposer la couche utile (1).\n<CLM>\1\tProcede selon la revendication 1, dans lequel le substrat support (2) comprend : 25 - une premiere surface (20) et une seconde surface (21) opposee ; - des bords lateraux (22) reliant les premiere et seconde surfaces (20,\n<CLM>\1\t; - une couche de recouvrement (5) s'etendant sur les premiere et seconde surfaces (20,\n<CLM>\1\tet sur les bords lateraux (22) ; et dans lequel l'etape b) est executee de sorte que l'adhesion directe s'opere entre la 30 couche de recouvrement (4) s'etendant sur la premiere surface (30) du substrat donneur (3) et la couche de recouvrement (5) s'etendant sur la premiere surface (20) du substrat support (2).\n<CLM>\1\tProcede selon la revendication 2, dans lequel la couche de recouvrement (5) du substrat support (2) et la couche de recouvrement (4) du substrat donneur (3) sont realisees dans un 35 meme materiau ; 19 dans lequel la couche de recouvrement (5) du substrat support (2) presente une epaisseur strictement superieure a l'epaisseur de la couche de recouvrement (4) du substrat donneur (3) ; dans lequel l'etape c) est executee de maniere a conserver une partie (5a) de la couche de 5 recouvrement (5) s'etendant sur la seconde surface (21) et sur les bords lateraux (22) du substrat support (2).\n<CLM>\1\tProcede selon la revendication 2, dans lequel la couche de recouvrement (5) du substrat support (2) et la couche de recouvrement (4) du substrat donneur (3) sont realisees dans des 10 materiaux differents ; et dans lequel l'etape c) est executee par une gravure selective de la couche de recouvrement (4) du substrat donneur (3) par rapport a la couche de recouvrement (5) du substrat support (2).\n<CLM>\1\tProcede selon l'une des revendications 2 a 4, dans lequel le substrat donneur (3) et la couche de recouvrement (5) du substrat support (2) sont realises dans des materiaux differents ; et dans lequel l'etape d) est executee par une gravure selective du substrat donneur (3) par rapport a la couche de recouvrement (5) du substrat support (2).\n<CLM>\1\tProcede selon l'une des revendications 1 a 5, dans lequel l'etape c) et l'etape d) sont executees en voie humide ou en voie seche.\n<CLM>\1\tProcede selon l'une des revendications 1 a 6, dans lequel le substrat donneur (3) prevu 25 Tors de l'etape a) est realise dans un materiau semi-conducteur, de preference selectionne parmi Si, Ge, SiGe, un materiau III-V tel que GaN, GaAs, InP.\n<CLM>\1\tProcede selon l'une des revendications 1 a 7, dans lequel la couche de recouvrement (4) s'etendant sur le substrat donneur (3) prevu Tors de l'etape a) est realisee dans un materiau 30 dielectrique, de preference Si02., ou dans un materiau metallique, de preference selectionne parmi Cu, Ti, W, Ni, Ag.\n<CLM>\1\tProcede selon l'une des revendications 1 a 8, dans lequel l'etape a) comporte les etapes : ao) prevoir le substrat donneur (3) comprenant : 35 - la premiere surface (30) et la seconde surface (31) opposee ; 20 - les bords lateraux (32) reliant les premiere et seconde surfaces (30,\n<CLM>\1\t; at) implanter des especes gazeuses dans le substrat donneur (3), a travers la premiere surface (30) du substrat donneur (3), de maniere a former la zone de fragilisation (ZS), les especes gazeuses comportant de preference des atomes d'hydrogene ionise ; 5 az) former la couche de recouvrement (4) s'etendant sur les premiere et seconde surfaces (30,\n<CLM>\1\tet sur les bords lateraux (32) du substrat donneur (3).\n<CLM>\1\tProcede selon la revendication 9, dans lequel l'etape a) comporte une etape a3) consistant a appliquer un traitement de surface de la couche de recouvrement (4) s'etendant 10 sur le substrat donneur (3) ; l'etape a3) etant executee apres l'etape al) et avant l'etape b).\n<CLM>\1\tProcede selon l'une des revendications 1 a 10, dans lequel l'etape e) est executee par un traitement thermique. 15\n<CLM>\1\tProcede selon l'une des revendications 1 a 11, comportant une etape bi) consistant a appliquer un traitement thermique a l'assemblage obtenu lors de l'etape b) selon un budget thermique adapte pour renforcer l'adhesion directe sans initier la fracture du substrat donneur (3) suivant la zone de fragilisation (ZS) ; l'etape b1) etant executee avant l'etape c). 20\n<CLM>\1\tProcede de transfert d'une couche utile (1) sur un substrat support (2), le substrat support (2) comprenant : - une premiere surface (20) et une seconde surface (21) opposee ; - des bords lateraux (22) reliant les premiere et seconde surfaces (20,\n<CLM>\1\t; - une couche de recouvrement (5) s'etendant sur les premiere et seconde surfaces (20,\n<CLM>\1\t25 et sur les bords lateraux (22) ; le procede comportant les etapes successives : a) prevoir un substrat donneur (3), comprenant : - une premiere surface (30) et une seconde surface (31) opposee ; - des bords lateraux (32) reliant les premiere et seconde surfaces (30,\n<CLM>\1\t; 30 - une zone de fragilisation (ZS) presentant un contour, la couche utile (1) etant delimitee par la zone de fragilisation (ZS) et par la premiere surface (30) du substrat donneur (3) ; b) assembler le substrat donneur (3) au substrat support (2) par une adhesion directe entre la premiere surface (30) du substrat donneur (3) et la couche de recouvrement (5) s'etendant sur la premiere surface (20) du substrat support (2), et suivant une surface de contact (SC) 35 presentant un contour inscrit dans le contour de la zone de fragilisation (ZS) ; 21 c) graver la couche de recouvrement (5) s'etendant sur la seconde surface (21) et sur les bords lateraux (22) du substrat support (2) ; d) graver la seconde surface (31) et les bords lateraux (32) du substrat donneur (3) jusqu'a ce que le contour de la zone de fragilisation (ZS) coincide avec le contour de la surface de 5 contact (SC) ; e) fracturer le substrat donneur (3) suivant la zone de fragilisation (ZS) de maniere a exposer la couche utile (1).