Brevet FR3068511A1 (20190104)

REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication de contact intermétallique à la surface d'une couche ou d'un substrat de matériau In,GaiAs orientée (100) avec 0 x 1, ledit contact comprenant un composé intermétallique de Ni-InGaAs ledit composé intermétallique ayant une structure cristallographique hexagonale pouvant présenter : - une première texture dont des plans (1010) du composé intermétallique sont parallèles à la surface de ladite couche ou dudit substrat et formée à une première température de nucléation ou - une seconde texture dont les plans (0001) du composé intermétallique sont parallèles aux plans (111) de ladite couche ou dudit substrat et formée à une seconde température de nucléation supérieure à ladite première température de nucléation ; ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - l'élaboration d'abaques définissant pour une épaisseur de Ni déposé sur ledit matériau InxGai_xAs, le temps nécessaire pour consommer totalement l'épaisseur initiale de Ni déposé sur ledit matériau InxGai_xAs en fonction de la température de recuit, ladite température de recuit étant inférieure à ladite température de nucléation de ladite seconde texture ; - le dépôt localisé de Ni à la surface dudit matériau InxGai_xAs pour former une couche de Ni présentant une épaisseur de contact ; - une étape de recuit appliquant le couple de paramètres : temps nécessaire/ température de recuit, déduit desdites abaques en corrélation avec ladite épaisseur de contact de manière à former par réaction à l'état solide une couche de composé intermétallique de première texture.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de contact intermétallique selon la revendication 1, dans lequel la fraction molaire x du substrat est comprise 35 entre 0,25 et 0,80. 14\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de contact intermétallique selon l'une des revendications 1 ou 2, comprenant une premier recuit à une première température durant une première durée pour former un premier composé 5 intermétallique de première texture et présentant une première phase et un second recuit à une température plus élevée que ladite première température pour former un second composé intermétallique de première texture et présentant une seconde phase. 10\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de contact intermétallique selon l'une des revendications 1 à 3, comportant un recuit effectué à une température comprise entre 18500 et 270 °C pendant une durée dépendante de l'épaisseur de Ni déposée, pour former un composé intermétallique de Ni3InGaAs. 15\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de contact intermétallique selon la revendication 4, dans lequel l'épaisseur initiale de Ni étant comprise entre quelques nanomètres et quelques dizaines de nanomètres, la durée de recuit varie entre quelques minutes et quelques dizaines de minutes. 20\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications 4 ou 5 lequel ledit recuit effectué à une température comprise entre 185 °C et 270 °C est suivi d'un recuit effectué à une température comprise entre 250 °C et 550 °C pour modifier la résistivité dudit contact intermétallique 25 formé.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 4 ou 5, dans lequel ledit recuit effectué à une température comprise entre 185 °C et 270 °C est suivi d'un recuit effectué à une température comprise entre 350 °C et 500 °C pour 30 former un composé de Ni2InGaAs.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de contact intermétallique selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel les abaques sont élaborés en mesurant les épaisseurs de composé intermétallique formées en fonction du 35 temps. 15\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de contact intermétallique selon la revendication 8, dans lequel les mesures d'épaisseur sont réalisées par rayons X. 5\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de contact intermétallique selon la revendication 8, dans lequel les mesures d'épaisseur sont réalisées pas ellipsométrie. 10\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de contact intermétallique selon l'une des revendications 1 à 10, comprenant le dépôt d'une couche protectrice à la surface du dépôt localisé de Ni, préalablement à(aux) l'opération(s) de recuit.\n<CLM>\1\tContact intermétallique obtenu selon le procédé de l'une des 15 revendications 1 à\n<CLM>\1\t13. Procédé de fabrication d'un transistor comprenant le procédé de fabrication de contact intermétallique selon l'une des revendications 1 à\n<CLM>\1\t20\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant photonique comprenant procédé de fabrication de contact intermétallique selon l'une des revendications 1 à\n<CLM>\1\t25