Brevet FR3076052A1 (20190628)

REVENDICATIONS1. Mémoire (CO) en trois dimensions comprenant une pluralité de points mémoire (PM) et une pluralité de sélecteurs (SE), chaque point mémoire (PM) de la pluralité de points mémoire (PM) étant associé à un sélecteur (SE) de la pluralité de sélecteurs (SE).\n<CLM>\1\tMémoire selon la revendication précédente (CO) comprenant : - pluralité de premières électrodes (EP), dite électrode plane (EP), chaque électrode plane (EP) de la pluralité d'électrodes planes (EP) définissant un plan (P) ; - une deuxième électrode (EV), dite électrode verticale (EV), s'étendant essentiellement selon un axe (Z) perpendiculaire au plan défini par chaque électrode plane (EP) ; - une pluralité de troisième électrode (EF), dite électrode flottante, chaque électrode flottante (EF) de la pluralité d'électrodes flottantes (EF) étant située entre une électrode plane (EP) de la pluralité d'électrodes planes (EP) et l'électrode verticale (EV) ; - une pluralité de premières couches Cl d'un matériau isolant, chaque électrode plane EP de la pluralité d'électrodes planes EP étant séparés de l'électrode plane EP précédente et/ou suivante par une première couche CI d'un matériau isolant de la pluralité de premières couches Cl d'un matériau isolant - une pluralité de première couche (Cl) d'un premier matériau actif, chaque couche (C1) d'un matériau actif séparant une électrode plane (EP) de la pluralité d'électrodes planes (EP) de l'électrode flottante (EF) qui lui est associée ; - une deuxième couche d'un deuxième matériau actif séparant l'électrode verticale (EV) des électrodes flottantes (EF) de la pluralité d'électrodes flottantes (EF) ; le premier matériau actif étant apte à former un sélecteur (SE) ou un point mémoire (PM) et le deuxième matériau actif étant apte à former un point 32 mémoire (PM) ou un sélecteur (SE).\n<CLM>\1\tMémoire selon la revendication précédente caractérisé en ce que chaque l'électrode plane (EP) de la pluralité d'électrodes planes (EP) comprend : 5 - une première conducteur ; sous-couche (EP1) dans un premier matériau - une deuxième conducteur ; et sous-couche (EP2) dans un deuxième matériau - une troisième conducteur. sous-couche (EP3) dans un troisième matériau 10\n<CLM>\1\tMémoire selon la revendication précédente caractérisé en ce que l'extrémité proximale de la première sous-couche (EP1) et l'extrémité proximale de la troisième sous-couche (EP3) sont plus proches de l'électrode verticale (EV) que l'extrémité proximale de la deuxième sous-couche (EP2) de sorte à former un retrait (RET), une partie de l'électrode 15 flottante (EF) s'insérant dans ledit retrait (RET).\n<CLM>\1\tMémoire selon la revendication 3 caractérisé en ce que l'extrémité proximale de la première sous-couche (EP1) et l'extrémité proximale de la troisième sous-couche (EP3) sont plus éloignées de l'électrode verticale (EV) que l'extrémité proximale de la deuxième sous-couche (EP2) 20 de sorte à former une protubérance (PROT).\n<CLM>\1\tMémoire selon la revendication 5 caractérisé en ce que l'épaisseur de l'électrode flottante (EF) associée à l'électrode plane (EP) considérée est supérieure à l'épaisseur de la deuxième sous-couche (EP2) de l'électrode plane (EP). 25\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une mémoire en 3D comprenant : - une première étape (D1) de dépôt d'une première couche (Cl) d'un matériau isolant ; - une deuxième étape (D2) de dépôt d'une première couche (EP) d'un matériau conducteur sur la première couche (Cl) d'un matériau 33 isolant ; la première étape de dépôt (D1) d'une première couche (Cl) d'un matériau isolant et la deuxième étape (D2) de dépôt d'une première couche (EP) d'un matériau conducteur étant répétées de sorte à obtenir une pluralité de 5 premières couches (Cl) d'un matériau isolant et une pluralité de premières couches (EP) d'un matériau conducteur, le procédé comprenant également : - une première étape (AGI) de gravure anisotrope dans la pluralité de premières couches (Cl) d'un matériau isolant et dans la pluralité de 10 premières couches (EP) d'un matériau conducteur ; - une première étape (SG1) de gravure sélective de la pluralité de première couche (EP) d'un matériau conducteur ; - une quatrième étape (D4) de dépôt conforme d'une première couche (C1) d'un premier matériau actif ; 15 - une cinquième étape (D5) de dépôt d'une deuxième couche (EF') d'un matériau conducteur ; - une deuxième étape (AG2) de gravure anisotrope de la couche (EF') d'un matériau conducteur et de la couche (C1) d'un premier matériau actif ; 20 - une sixième étape (D6) de dépôt conforme d'une deuxième couche (C2) d'un deuxième matériau actif ; - une septième étape (D7) de dépôt d'une troisième couche (EV) d'un matériau conducteur.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel la deuxième 25 étape (D2) de dépôt d'une première couche (EP) d'un matériau conducteur sur la première couche (Cl) d'un matériau isolant comprend : - une étape (D21) de dépôt d'une première sous-couche (EP1) dans un premier matériau conducteur; - une étape (D22) de dépôt d'une deuxième sous-couche (EP2) dans 30 un deuxième matériau conducteur; - une étape (D23) de dépôt d'une troisième sous-couche (EP3) dans 34 un troisième matériau conducteur ; le matériau de la première sous-couche (EP1) et le matériau de la troisième sous-couche (EP3) étant gravés à une vitesse différente de celle à laquelle est gravé le matériau de la deuxième sous-couche (EP2) lors de 5 la première étape (SG1) de gravure sélective de la pluralité de premières couches (EP) d'un matériau conducteur.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel le premier matériau de la première sous-couche (EP1) et le troisième matériau de la troisième sous-couche (EP3) sont gravés à une vitesse inférieure à la vitesse à 10 laquelle est gravé le deuxième matériau de la deuxième sous- couche (EP2) lors de la première étape (SG1) de gravure sélective de la pluralité de premières couches (EP) d'un matériau conducteur.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8 dans lequel le premier matériau de la première sous-couche (EP1) et le troisième matériau de la troisième sous- 15 couche (EP3) sont gravés à une vitesse supérieure à la vitesse à laquelle est gravé le deuxième matériau de la deuxième sous-couche (EP2) lors de la première étape (SG1) de gravure sélective de la pluralité de premières couches (EP) d'un matériau conducteur.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une mémoire en 3D comprenant : 20 - une première étape (Dl) de dépôt d'une première couche (Cl) d'un premier matériau isolant ; - une deuxième étape (D2) de dépôt d'une deuxième couche (Cl') d'un deuxième matériau isolant sur la première couche (Cl) d'un premier matériau isolant ; 25 la première étape de dépôt (Dl) d'une première couche (Cl) d'un premier matériau isolant et la deuxième étape (D2) de dépôt d'une deuxième couche (Cl') d'un deuxième matériau isolant étant répétées de sorte à obtenir une pluralité de premières couches (Cl') d'un premier matériau isolant et une pluralité de deuxième couches (Cl') d'un deuxième matériau 30 isolant, le procédé comprenant également : - une première étape (AGI) de gravure anisotrope dans la pluralité de premières couches (Cl) d'un premier matériau isolant et dans la pluralité de deuxièmes couches (Cl') d'un deuxième matériau isolant de sorte à créer une première ouverture ; 5 - une première étape (SG1) de gravure sélective de la pluralité de deuxièmes couches (CI') d'un deuxième matériau isolant ; - une troisième étape (D3) de dépôt d'une première couche (EF') d'un matériau conducteur ; - une deuxième étape (AG2) de gravure anisotrope de la première 10 couche (EF') d'un matériau conducteur ; - une quatrième étape (D4) de dépôt conforme d'une deuxième couche (C2) d'un deuxième matériau actif ; - une cinquième étape (D5) de dépôt d'une deuxième couche (EV) d'un matériau conducteur ; 15 - une troisième étape (AG3) de gravure anisotrope dans la pluralité de premières couches (Cl) d'un premier matériau isolant et dans la pluralité de deuxièmes couches (Cl') d'un deuxième matériau isolant, de sorte à obtenir une deuxième ouverture prenant la forme d'une tranchée ; 20 - une deuxième étape (SG2) de gravure sélective de la pluralité de deuxièmes couches (Cl') d'un deuxième matériau isolant ; - une sixième étape (D6) de dépôt conforme d'une première couche (C1) d'un premier matériau actif ; - une septième étape (D7) de dépôt d'une troisième couche (EP') d'un 25 matériau conducteur ; - une quatrième étape (AG4) de gravure anisotrope de la troisième couche (EP') d'un matériau conducteur et de la première couche (C1) d'un premier matériau actif.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une mémoire en 3D comprenant : 30 - une première étape (D1) de dépôt d'une première couche (Cl) d'un premier matériau isolant ; 36 - une deuxième étape (D2) de dépôt d'une deuxième couche (Cl') d'un deuxième matériau isolant sur la première couche (Cl) d'un premier matériau isolant ; la première étape de dépôt (Dl) d'une première couche (Cl) d'un premier 5 matériau isolant et la deuxième étape (D2) de dépôt d'une deuxième couche (Cl') d'un deuxième matériau isolant étant répétées de sorte à obtenir une pluralité de premières couches (Cl) d'un premier matériau isolant et une pluralité de deuxièmes couches (Cl') d'un deuxième matériau isolant, le procédé comprenant également : 10 - une première étape (AGI) de gravure anisotrope dans la pluralité de premières couches (Cl) d'un premier matériau isolant et dans la pluralité de deuxièmes couches (Cl') d'un deuxième matériau isolant de sorte à créer une première ouverture ; - une première étape (SGI) de gravure sélective de la pluralité de 15 deuxièmes couches (Cl') d'un deuxième matériau isolant ; - une troisième étape (D3) de dépôt conforme d'une deuxième couche (C2) d'un deuxième matériau actif ; - une quatrième étape (D4) de dépôt d'une première couche (EF') d'un matériau conducteur ; 20 - une deuxième étape (AG2) de gravure anisotrope de la première couche (EF') d'un matériau conducteur et de la deuxième couche (C2) d'un deuxième matériau actif ; - une cinquième étape (D5) de dépôt conforme d'une première couche (Cl) d'un premier matériau actif ; 25 - une cinquième étape (D5) de dépôt d'une deuxième couche (EV) d'un matériau conducteur ; - une deuxième étape (AG2) de gravure anisotrope dans la pluralité de premières couches (Cl) d'un premier matériau isolant et dans la pluralité de deuxième couches (Cl') d'un deuxième matériau isolant, 30 de sorte à obtenir une deuxième ouverture prenant la forme d'une tranchée ; - une deuxième étape (SG2) de gravure sélective de la pluralité de 37 deuxièmes couches (Cl') d'un deuxième matériau isolant ; - une septième étape (D7) de dépôt d'une troisième couche (EP') d'un matériau conducteur ; - une deuxième étape (AG2) de gravure anisotrope de la troisième 5 couche (EP') d'un matériau conducteur.