Brevet FR3073864A1 (20190524)

REVENDICATIONS1.- Réacteur (10) de dépôt de couches sur un substrat (22) à revêtir, le réacteur (10) obtenant au moins une couche du dépôt par pulvérisation d'une cible (20) sur le substrat, le réacteur (10) comportant : - une première source (14) propre à émettre des ondes électromagnétiques, la première source (14) étant propre à exciter un plasma (P) entre la cible (20) et le substrat (22), et - une deuxième source (16) propre à émettre des ondes électromagnétiques, la deuxième source (16) étant propre à exciter la cible (20). 2.- Réacteur selon la revendication 1, dans lequel le réacteur (10) est propre à fonctionner selon deux modes de fonctionnement, un premier mode de fonctionnement dans lequel le réacteur (10) est propre à obtenir au moins une couche du dépôt par pulvérisation d'une cible (20) sur le substrat (22) et un deuxième mode de fonctionnement dans lequel le réacteur (10) est propre à obtenir au moins une couche du dépôt par un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma à partir d'un précurseur gazeux ou liquide évaporé. 3.- Réacteur selon la revendication 2, dans lequel le réacteur (10) présente une chambre, un contrôleur de la pression de la chambre dans le réacteur (10), le contrôleur étant propre à diminuer ou augmenter la pression dans la chambre pour basculer d'un mode de fonctionnement à un autre mode de fonctionnement. 4.- Réacteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel au moins une des propriétés suivantes est vérifiée : - une première propriété selon laquelle la première source (14) est propre à émettre des ondes électromagnétiques présentant une fréquence comprise entre 1 gigahertz et 100 gigahertz, - une deuxième propriété selon laquelle la deuxième source (16) est propre à émettre des ondes électromagnétiques présentant une fréquence comprise entre 1 Mégahertz et 400 Mégahertz, et - une troisième propriété selon laquelle chaque source est distincte. 17 5.- Réacteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la première source (14) comporte au moins un crayon (28) muni à une extrémité d'un aimant (30). 5 6.- Réacteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le réacteur (10) comporte, en outre, une troisième source (18) propre à émettre des ondes électromagnétiques, la troisième source (18) étant propre à exciter le substrat (22) à revêtir. 10 7.- Réacteur selon la revendication 6, dans lequel la troisième source (18) est propre à émettre des ondes électromagnétiques présentant une fréquence comprise entre 30 kilohertz et 3 Mégahertz. 8.- Procédé de dépôt de couches sur un substrat (22) à revêtir à l'aide d'un 15 réacteur (10) comportant : - une première source (14) propre à émettre des ondes électromagnétiques, la première source (14) étant propre à exciter un plasma (P) entre la cible (20) et le substrat (22), et - une deuxième source (16) propre à émettre des ondes électromagnétiques, la 20 deuxième source (16) étant propre à exciter la cible (20), le procédé comprenant une phase de dépôt d'une couche par pulvérisation d'une cible (20) sur le substrat (22), la phase comprenant au moins les étapes de : - excitation par la première source (14) du plasma (P) entre la cible (20) et le substrat (22) par des ondes électromagnétiques émises, et 25 - excitation par la deuxième source (16) de la cible (20) par des ondes électromagnétiques émises. 9.- Procédé selon la revendication 8, dans lequel le procédé comporte une phase de dépôt d'une couche par un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma à 30 partir d'un précurseur gazeux ou liquide évaporé, à l'aide du réacteur (10).