Brevet FR3072565A1 (20190426)

REVENDICATIONS1. Implant souple (1) pour la stimulation focale ou l'enregistrement électrique d'une structure nerveuse d'un organe d'intérêt, comprenant : - une première couche (5) en diamant isolant électriquement, - au moins une électrode (3) en diamant dopé conducteur électriquement en contact avec la première couche (5) en diamant isolant électriquement, - une couche conductrice électriquement (2) en contact avec : - l'électrode (3), et - la première couche (5), pour définir une piste conductrice par électrode (3) ; - une seconde couche (6) en diamant isolant électriquement au moins en contact avec la couche conductrice électriquement (2) et une partie restante de la première couche (5), agencés de façon à ce que : - une étanchéité diamant isolant électriquement/diamant dopé conducteur électriquement est réalisée au niveau de l'électrode (3) par reprise de croissance épitaxiale ; - la couche conductrice électriquement (2) est encapsulée par : l'électrode (3), la première couche (5), et la seconde couche (6), au niveau de l'électrode (3), et la première couche (5), et la seconde couche (6), sur toute sa surface restante sauf sur une zone définissant un contact électrique par électrode (3), l'implant souple (1) disposant de deux faces : - une face avant (11) comportant l'une des deux couches en diamant isolant électriquement localement ouverte, permettant un accès à l'électrode (3) et à la zone définissant un contact électrique pour l'électrode (3) ; - une face arrière (12) comportant l'autre des deux couches en diamant isolant électriquement. 28\n<CLM>\1\tImplant souple (1) selon la revendication précédente 1, caractérisé en ce que l'épaisseur totale et la géométrie de l'implant (1) sont adaptées pour que l'implant (1) 5 épouse la surface de l'organe d'intérêt, tel que le cortex cortical, le coeur, ou un muscle, l'épaisseur totale de l'implant étant inférieure à 20 pm.\n<CLM>\1\tImplant souple (1) selon l'une des revendications 1-2, caractérisé en ce que, au niveau de l'électrode (3), la couche conductrice électriquement (2) est encapsulée par 10 l'électrode (3) et la seconde couche (6) réalisée par reprise de croissance épitaxiale à partir de l'électrode (3), l'électrode (3) étant encapsulée, sauf sur une partie centrale de mesure, par la première couche (5), par la deuxième couche (6) et par la couche conductrice électriquement (2). 15\n<CLM>\1\tImplant souple (1) selon l'une des revendications 1-2, caractérisé en ce que la couche conductrice électriquement (2) est encapsulée par l'électrode (3) et les première et seconde couches (5, 6), la première couche (5) étant réalisée par reprise de croissance épitaxiale à partir de l'électrode (3). 20\n<CLM>\1\tImplant souple (1) selon l'une des revendications précédentes 1 à 4, caractérisé en ce que la première couche (5), l'électrode (3), et la seconde couche (6) présentent chacune des épaisseurs inférieures à un micromètre, avantageusement 500 nm. 25\n<CLM>\1\tImplant souple (1) selon l'une des revendications précédentes 1 à 5, dans lequel la couche conductrice électriquement (2) présente une épaisseur inférieure à 3 pm.\n<CLM>\1\tImplant souple (1) selon l'une des revendications précédente 1 à 6, caractérisé en ce que l'implant (1) comporte au moins une couche externe en polymère biocompatible. 30 29\n<CLM>\1\tImplant souple (1) selon l'une des revendications précédentes 1 à 7, caractérisé en ce que l'implant comporte une première couche externe en polymère (71) sur la face arrière (12) de l'implant (1). 5\n<CLM>\1\tImplant souple (1) selon la revendication précédente 8, caractérisé en ce que l'implant (1) comporte une seconde couche externe en polymère (72) sur la face avant (11) de l'implant (1) sauf au niveau d'au moins une partie de mesure de l'électrode (3) et au niveau d'une zone de contact électrique, l'implant (1) étant ainsi complètement encapsulé par du polymère, sauf au niveau de 10 la partie de mesure de l'électrode (3) et au niveau de la zone de contact électrique.\n<CLM>\1\tImplant souple (1) selon l'une des revendications précédentes 7 à 9, caractérisé en ce que la (ou les) couche(s) externe(s) en polymère présente(nt) une épaisseur comprise entre 2 et 10 pm. 15\n<CLM>\1\tImplant souple (1) selon l'une des revendications précédentes 7 à 10, dans lequel le polymère est un polymère biodégradable.\n<CLM>\1\tImplant souple (1) selon l'une des revendications précédentes 1 à 3, 5 à 11, dans 20 lequel l'électrode en diamant dopé est nanostructurée.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'au moins un implant souple (1) pour la stimulation focale ou l'enregistrement électrique d'une structure nerveuse d'un organe d'intérêt, défini selon l'une des revendications précédentes, ledit implant (1) étant réalisé par les 25 étapes suivantes à partir d'un substrat (S) : - (El) réalisation d'une première couche (5) en diamant isolant électriquement et d'au moins une électrode (3) en diamant dopé conducteur électriquement par croissance épitaxiale, l'électrode (3) et la première couche (5) étant déposées l'une sur l'autre par reprise de croissance épitaxiale à l'issue de cette étape (El) ; 30 - (E2) dépôt d'une couche conductrice électriquement (2) en appui sur au moins une partie de l'électrode (3) et au moins une partie donnée de la première couche (5), pour définir une piste conductrice par électrode (3) ; - (E3) réalisation d'une seconde couche (6) en appui sur au moins une partie de 5 la couche conductrice électriquement (2), et au moins sur une partie restante de la première couche (5), par croissance épitaxiale ; les étapes de procédé sont réalisées pour que : - une étanchéité diamant isolant électriquement/diamant dopé conducteur électriquement est réalisée au niveau de l'électrode (3) par reprise de croissance 10 épitaxiale, - la couche conductrice électriquement (2) est encapsulée par : l'électrode (3), la première couche (5), et la seconde couche (6), au niveau de l'électrode (3) et la première couche (5), et la seconde couche (6), sur toute sa surface restante 15 sauf sur une zone définissant un contact électrique par électrode (3).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel l'épaisseur totale de l'implant souple est inférieure à 20 pm. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes 13 à 14, dans lequel: - dans l'étape (El), réalisation par croissance épitaxiale de la première couche (5) en diamant isolant électriquement sur le substrat (S), puis réalisation par reprise de croissance épitaxiale d'au moins une électrode (3) en diamant dopé conducteur électriquement en appui sur la première couche (5), 25 - dans l'étape (E2), dépôt de la couche conductrice électriquement (2) sur un contour extérieur de l'électrode (3) et au moins sur une partie donnée de la première couche (5), - dans l'étape (E3), la croissance épitaxiale de la deuxième couche (6) est réalisée sur : la couche conductrice électriquement (2) sauf sur une zone définissant un contact 30 électrique par piste conductrice, 31 ainsi que sur l'électrode (3) par reprise de croissance épitaxiale, en laissant à l'air libre une partie centrale de mesure de l'électrode (3), cette reprise de croissance diamant isolant électriquement sur diamant dopé conducteur électriquement permet de garantir l'étanchéité de l'implant au niveau de 5 l'électrode (3).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes 13 à 14, dans lequel : - dans l'étape (El), réalisation par croissance épitaxiale d'au moins une électrode (3) en diamant dopé conducteur électriquement sur le substrat (S), 10 puis réalisation de la première couche (5) en diamant sur le conteur extérieur de l'électrode (3) par reprise de croissance épitaxiale et sur une partie du substrat (S) par croissance épitaxiale sauf dans une zone donnée qui définit un contact électrique, - dans l'étape (E2), dépôt de la couche conductrice (2) sur au moins une partie centrale de l'électrode (3), sur au moins une partie donnée de la première couche (5) pour 15 réaliser une piste conductrice par électrode (3), et sur la zone donnée de contact électrique pour réaliser un contact électrique par piste conductrice.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, comprenant l'étape supplémentaire suivante (E4) de dépôt d'au moins une couche externe en polymère, 20 par exemple sur la face arrière (12) de l'implant (1).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente 17, comprenant les étapes supplémentaires suivantes : - (E41) dépôt d'une couche externe en polymère sur la face avant de l'implant, où se 25 situent l'électrode (3) et le contact électrique associé, ainsi que sur le substrat (S) ; - (E42) ouverture de la couche externe en polymère au niveau du contact électrique et de l'électrode (3) et dépôt d'une résine de protection ; - (E43) gravure du substrat jusqu'à découvrir la face arrière (12) de l'implant ; - (E44) dépôt d'une autre couche externe en polymère sur la face arrière de l'implant 30 élimination de la résine de protection et découpe de l'implant pour lui donner sa forme finale. 32\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes 14-15,17-18, dans lequel l'électrode (3) est nanostructurée de la façon suivante : - dépôt sur l'électrode (3) d'un matériau formant un motif 3D nanostructuré ; 5 - dépôt d'une couche en diamant dopé conducteur électriquement par-dessus le matériau formant le motif nanostructuré.