Brevet FR3071102A1 (20190315)

REVENDICATIONS1. Pixel photosensible (Px) comprenant : - une cellule photosensible (PH) apte à convertir des photons de lumière incidente en des charges libres, - une cellule de stockage (ST) apte à stocker des charges dans un puits de potentiel, et - un dispositif d'injection de charges (1) apte à injecter les charges produites par la cellule photosensible (PH) dans la cellule de stockage (ST) à un instant déterminé et sur une durée déterminée de manière périodique, ladite durée déterminée étant inférieure au temps d'acquisition de la cellule photosensible (PH), caractérisé en ce que le dispositif d'injection de charges (1) comprend deux électrodes (G11, G12) aptes à commander l'injection des charges de la cellule photosensible (PH) dans la cellule de stockage (ST), la première électrode (G11) étant connectée à une source de tension constante et la seconde électrode (G12) étant connectée à une source de tension périodique définissant l'instant et la durée d'injection des charges dans la cellule de stockage (ST).\n<CLM>\1\tPixel photosensible (Px) selon la revendication 1, caractérisé en ce que le temps d'ouverture correspondant à une commande de la seconde électrode (G12) est inférieur à 10 microsecondes, et la fréquence de répétition de cette commande est 20 supérieure à 1 MHz.\n<CLM>\1\tPixel photosensible (Px) selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la première électrode (G1\n<CLM>\1\test connectée à une source de tension constante au moins pendant le temps de trame d'image, de préférence au moins pendant 10 millisecondes.\n<CLM>\1\tPixel photosensible (Px) selon l'une quelconque des revendications 25 précédentes, caractérisé en ce que la cellule photosensible (PH) est une photodiode (D in) et en ce que les deux électrodes sont les électrodes de grille de deux transistors à effet de champ (T1, T2) mis bout à bout, la source du premier transistor (T1) correspondant à la cathode de la photodiode (D ln) et le drain du premier transistor (T1) correspondant à la source du second transistor (T2), le drain du second transistor (T2) 30 correspondant à la cellule de stockage (ST).\n<CLM>\1\tPixel photosensible (Px) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la cellule photosensible (PH) est un photosite (PHSI) et en ce que 14 les deux électrodes (G11, G12) sont des électrodes de commande de deux barrières de potentiel présentes entre la cellule photosensible (PH) et la cellule de stockage (ST).\n<CLM>\1\tPixel photosensible (Px) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comprend une cellule photosensible (PH), quatre cellules de 5 stockage (STO, ST1, ST2, ST3) et quatre dispositifs d'injection de charge (1), chacun des dispositifs d'injection de charge (1) définissant l'instant et la durée d'injection de charges dans la cellule de stockage associée.\n<CLM>\1\tPixel photosensible (Px) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la première électrode (G11) commande un premier puits de 10 potentiel et la seconde électrode (G12) commande un second puits de potentiel, le second puits de potentiel étant interposé entre le premier puits de potentiel et la cellule de stockage (ST).\n<CLM>\1\tCapteur d'image, caractérisé en ce qu'il comprend une matrice de pixels photosensibles (Px) selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, et un dispositif à 15 transfert de charges (CCD) comportant une pluralité de puits de potentiels aptes à transférer des charges d'un puits de potentiel à un autre jusqu'à atteindre un étage de lecture destiné à convertir les charges reçues en une tension.\n<CLM>\1\tCapteur d'images selon la revendication 8, caractérisé en ce que le dispositif à transfert de charges (CCD) comprend une pluralité de registres à décalages verticaux formés par les puits de potentiel du dispositif à transfert de charges (CCD), et en ce que les charges de chacune des cellules de stockage (ST) du pixel photosensible (Px) sont transférées à un puits de potentiel d'un registre à décalage vertical (SRv) du dispositif à transfert de charges (CCD).\n<CLM>\1\tCapteur d'images selon la revendication 8, caractérisé en ce que les cellules de stockage (ST) du pixel photosensible (Px) sont formées par un puits de potentiel du dispositif à transfert de charges (CCD).