Brevet FR3069952A1 (20190208)

REVENDICATIONS1. Procédé comprenant : - formation d'un empilement comprenant une première zone (6) de contact, de source ou de drain de transistor, et une première couche (8) sur cette première zone (6) de contact, - formation sur cet empilement d'un bloc (10a) de grille et d'une deuxième couche (12) sur ce bloc (10a) de grille, - réalisation d'au moins un trou (21), traversant la deuxième couche (12), le bloc (10a) de grille et la première couche (8), de sorte à dévoiler la première zone (6) de contact, le trou (21) étant réalisé de sorte à avoir une première portion (21a) et une deuxième portion (21c) respectivement dans la première couche (8) et la deuxième couche (12) chacune ayant une section plus importante que celle d'une troisième portion (21b) du trou (21) située dans le bloc (10a) de grille, - remplissage du trou (21) à l'aide d'un matériau donné (25) à base de semi-métal tel que le bismuth de sorte à former une région de source (26a) ou de drain (26c) dans la première portion, une région de canal (26b) dans la troisième portion, une région de drain ou de source dans la deuxième portion, la région de canal ayant une section transversale plus faible que celle des régions de source et de drain.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, comprenant en outre, après formation du trou (21) et préalablement à un remplissage du trou à l'aide du matériau donné (25) : formation d'un diélectrique (23) de grille dans le trou (21) et sur le bloc (10a) de grille par au moins une oxydation du bloc de grille.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, la première zone (6) de contact étant à base d'un matériau insensible à l'oxydation du bloc de grille, en particulier un métal noble tel que le Platine. 16\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le matériau donné (25) est à base de bismuth avantageusement non-dopé et dans lequel, après remplissage, on effectue un recuit de recristallisation, en particulier à une température supérieure à 271.4 °C, du matériau donné (25). 5\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, dans lequel préalablement au recuit de recristallisation on forme des plots de connexion (35,36) par réalisation d'ouvertures (32,\n<CLM>\1\tdévoilant respectivement le bloc (10a) de grille et la zone de contact (6) puis on effectue un remplissage des ouvertures (32,\n<CLM>\1\tà l'aide d'au moins un 10 matériau conducteur (34).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel le bloc (10a) de grille comporte un gradient de dopants et dans lequel le trou (21) réalisé par gravure du bloc de grille comporte une forme évasée.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel la formation de la première portion (21a) et de la deuxième portion (21c) de section plus importantes que la troisième portion (21b) comprend une gravure sélective de la première couche (8) et de la deuxième couche (12) vis-à-vis du bloc de grille (10a).\n<CLM>\1\tTransistor à canal vertical comprenant: - un bloc (10a) de grille, - une structure en un matériau donné (25) à base de bismuth traversant ce bloc de grille, 25 la structure comportant une région de canal s'étendant à travers le bloc de grille et des régions de source et de drain de part et d'autre de la région de canal et du bloc de grille, les régions de source et de drain ayant une section transversale plus importante que la section transversale de la région de canal, - une zone de contact de source et disposée contre la région de source à 15 20 base de bismuth 17 - une zone de contact de drain disposée contre la région de source à base de bismuth.\n<CLM>\1\tTransistor selon la revendication 8, la région de canal comportant 5 des portions traversant le bloc de grille (561, 562, 461,\n<CLM>\1\tde forme évasée et disposées tête-bêche.\n<CLM>\1\tTransistor selon la revendication 8, la région de canal comportant une portion de forme évasée entre une première face (10') et une deuxième face (10") du 10 bloc (10a) de grille.\n<CLM>\1\tTransistor selon l'une des revendications 8 à 10, la région de canal étant formée d'une pluralité de nano-fils (116) à base de bismuth. 15\n<CLM>\1\tDispositif comprenant : - au moins un premier transistor (T1) selon l'une des revendications 8 à 11, et - au moins un deuxième transistor (T2) selon l'une des revendications 8 à 11, le premier transistor et le deuxième transistor étant superposés. 20\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 12, le premier transistor et le deuxième transistor ayant une électrode commune (96).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 12, le premier transistor étant 25 disposé entre des lignes conductrices (81,\n<CLM>\1\td'une première paire de lignes conductrices, le deuxième transistor étant disposé entre des lignes conductrices (82,\n<CLM>\1\td'une deuxième paire de lignes conductrices.