Brevet FR3077920A1 (20190816)

REVENDICATIONS1.- Couche diélectrique (16) destinée à interagir avec deux électrodes (14,\n<CLM>\1\tpour former un dispositif capacitif (12), la couche diélectrique (16) étant un empilement de sous-couches superposées, chaque sous-couche présentant une épaisseur inférieure à 1 nanomètre, chaque sous-couche étant réalisée en un matériau dopé ou non, le matériau étant constitué de plusieurs éléments chimiques, chaque matériau d'une sous-couche variant par rapport aux autres matériaux des autres sous-couches au plus uniquement par au moins l'un parmi la stoechiométrie des éléments et le taux de dopage, les matériaux de chaque sous-couche étant choisis pour que la variation relative de capacité pour une tension prédéfinie appliquée à la couche diélectrique (16) soit inférieure ou égale à 3.1e. 2.- Couche diélectrique selon la revendication 1, dans lequel la couche diélectrique (16) présente au moins deux sous-empilements, les sous-couches d'au moins un sous-empilement présentant les mêmes matériaux. 3.- Couche diélectrique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche diélectrique (16) présente des sous-empilements parmi lesquels les sous-empilements extrêmes de la couche diélectrique (16) présentent un gradient de dopage supérieur à 8.1022/m3. 4.- Couche diélectrique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'évolution spatiale du taux de dopage pour les matériaux d'au moins une partie des sous-couches est une somme pondérée d'une fonction Lorentzienne et d'une fonction Gaussienne. 5.- Couche diélectrique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la couche diélectrique (16) présente au moins un sous-empilement dans lequel l'évolution du coefficient stoechiométrique d'un élément en fonction des sous-couches suit une progression linéaire. 6.- Dispositif capacitif (12) comportant deux électrodes (14,\n<CLM>\1\tet une couche diélectrique (16) destinée à interagir avec les deux électrodes (14, 18), la couche diélectrique (16) étant selon l'une quelconque des revendications 1 à\n<CLM>\1\t15 7.- Dispositif capacitif (12) selon la revendication 6, dans lequel le dispositif capacitif (12) est un système microélectromécanique (20). 8.- Procédé de détermination du matériau d'une couche diélectrique (16) destinée 5 à interagir avec deux électrodes (14,\n<CLM>\1\tpour former un dispositif capacitif (12), la couche diélectrique (16) étant un empilement de sous-couches superposées, chaque sous-couche présentant une épaisseur inférieure à 1 nanomètre, chaque sous-couche étant réalisée en un matériau dopé ou non, le matériau étant constitué de plusieurs éléments chimiques, chaque matériau d'une sous-couche variant par rapport aux autres matériaux 10 des autres sous-couches au plus uniquement par au moins l'un parmi la stoechiométrie des éléments et le taux de dopage, le procédé comportant : - la fourniture d'une tension prédéfinie, et - l'optimisation des matériaux de chaque sous-couche pour obtenir que la variation relative de capacité pour une tension prédéfinie appliquée à la couche diélectrique 15 (16) soit inférieure ou égale à 3.1e C. 9.- Produit programme d'ordinateur comportant un support lisible d'informations, sur lequel est mémorisé un programme d'ordinateur comprenant des instructions de programme, le programme d'ordinateur étant chargeable sur une unité de traitement de 20 données et adapté pour entraîner la mise en oeuvre d'un procédé selon la revendication\n<CLM>\1\t10.- Support lisible d'informations mémorisant un programme d'ordinateur comprenant des instructions de programme, le programme d'ordinateur étant chargeable 25 sur une unité de traitement de données et adapté pour entraîner la mise en oeuvre d'un procédé selon la revendication 8 lorsque le programme d'ordinateur est mis en oeuvre sur l'unité de traitement des données.