Brevet FR3077678A1 (20190809)

REVENDICATIONS1. Procédé de détection d'une atteinte à l'intégrité d'un substrat semi-conducteur (P) d'un circuit intégré (CI) protégé par un enrobage, le substrat comprenant une face avant (FV) et une face arrière (FR), cette atteinte étant susceptible d'être effectuée depuis la face arrière (FR) du substrat, le procédé comprenant une détection d'une ouverture de l'enrobage en regard de la face arrière du substrat.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, comprenant une fixation d'une plaque électriquement conductrice à l'intérieur de l'enrobage, sur la face arrière, dans lequel ladite détection comprend une détection d'un retrait d'au moins une partie de ladite plaque électriquement conductrice.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel ladite détection comprend une première mesure d'une valeur résistive (R1) du substrat entre un ensemble de n prises de contact (PC1i) mutuellement électriquement couplées et réparties au niveau de la face avant, et la plaque électriquement conductrice (PC2).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, comprenant en outre une détection d'un amincissement du substrat à partir de la face arrière (FR).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, dans lequel la détection de l'amincissement comprend une deuxième mesure d'une valeur résistive (R2) du substrat entre un ensemble de m prises de contact (PC1), et la plaque électriquement conductrice (PC2).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 4 ou 5, dans lequel la détection de l'amincissement comprend une troisième mesure d'une valeur résistive (R3) du substrat entre au moins deux prises de contact (PC10, PC11).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes prise en combinaison avec la revendication 3, comprenant une génération d'un signal d'alarme (ALR) si ladite valeur résistive (R1) issue de la première mesure est supérieure à une première valeur résistive nominale (REFH) dudit substrat. 16\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes prise en combinaison avec la revendication 5, comprenant une génération d'un signal d'alarme (ALR) si ladite valeur résistive (R2) issue de la deuxième mesure est inférieure à une deuxième valeur résistive 5 nominale (REFB) dudit substrat.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes prise en combinaison avec la revendication 6, comprenant une génération d'un signal d'alarme (ALR) si ladite valeur résistive (R3) issue de la troisième mesure est inférieure à une première troisième valeur 10 résistive nominale (REFB) du substrat ou supérieure à une deuxième troisième valeur résistive nominale (REFH) du substrat.\n<CLM>\1\tCircuit intégré, comprenant un substrat semi-conducteur (P) protégé par un enrobage, ayant une face arrière (FR) et une face avant (FV), et des moyens de détection d'une atteinte à l'intégrité dudit 15 substrat (P) susceptible d'être effectuée depuis sa face arrière (FV), configurés pour détecter une ouverture de l'enrobage en regard de la face arrière du substrat.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 10, dans lequel les moyens de détection comprennent une plaque électriquement 20 conductrice fixée sur la face arrière du substrat, à l'intérieur de l'enrobage, et un bloc de détection configuré pour détecter un retrait d'au moins une partie de ladite plaque électriquement conductrice.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 11, dans lequel les moyens de détection comprennent des prises de contact mutuellement 25 électriquement couplées réparties au niveau de la face avant du substrat, et le bloc de détection est configuré pour effectuer une première mesure d'une valeur résistive (R1) du substrat entre n prises de contact (PC li) et la plaque électriquement conductrice (PC2).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications 11 ou 12, 30 dans lequel le bloc de détection est en outre configuré pour détecter un amincissement du substrat à partir de la face arrière (FR).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 13, dans lequel, pour détecter un amincissement du substrat à partir de la face arrière, le bloc de détection est configuré pour effectuer une deuxième mesure 17 d'une valeur résistive (R2) du substrat entre un ensemble de m prises de contact (PC1), et la plaque électriquement conductrice (PC2).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications 13 ou 14, dans lequel, pour détecter un amincissement du substrat à partir de la 5 face arrière, le bloc de détection est configuré pour effectuer une troisième mesure d'une valeur résistive (R3) du substrat entre au moins deux prises de contact (PC10, PC11).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications précédentes prise en combinaison avec la revendication 12, dans lequel le bloc de 10 détection est configuré pour générer un signal d'alarme (ALR) si ladite valeur résistive (R1) issue de la première mesure est supérieure à une première valeur résistive nominale (REFH) dudit substrat.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications précédentes prise en combinaison avec la revendication 14, dans lequel le bloc de 15 détection est configuré pour générer un signal d'alarme (ALR) si ladite valeur résistive (R2) issue de la deuxième mesure est inférieure à une deuxième valeur résistive nominale (REFB) du substrat.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications précédentes prise en combinaison avec la revendication 15, dans lequel le bloc de 20 détection est configuré pour générer un signal d'alarme (ALR) si ladite valeur résistive (R3) issue de la troisième mesure est inférieure à une première troisième valeur résistive nominale (REFB) du substrat ou supérieure à une deuxième troisième valeur résistive nominale (REFH) du substrat. 25\n<CLM>\1\tAppareil électronique, tel qu'une carte à puce (CP), comportant un circuit intégré (CI) selon l'une des revendications 10 à 18