Brevet FR3052293A1 (20171208)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un empilement de dispositifs électroniques (11), comportant les étapes : a) prévoir une première structure (1) comportant successivement un substrat (10 ; 100, 101), un dispositif électronique (11), une couche diélectrique (12) ; b) prévoir une deuxième structure (2) comportant successivement un substrat (20 ; 200, 201), une couche active (21) destinée à former un dispositif électronique, une couche intercalaire (22), une première couche semi-conductrice (23) destinée à 10 former un plan de masse, une deuxième couche semi-conductrice poreuse (240) ; c) coller les première et deuxième structures (1,\n<CLM>\1\tpar une adhésion directe entre la couche diélectrique (12) et la deuxième couche semi-conductrice poreuse (240) ; d) retirer le substrat (20 ; 200,\n<CLM>\1\tde la deuxième structure (2) de manière à exposer la couche active (21) ; 15 e) introduire des dopants dans la première couche semi-conductrice (23) ou dans la couche active (21) ; f) irradier la première couche semi-conductrice (23) ou la couche active (21) par un laser (L) impulsionnel de manière à activer thermiquement les dopants correspondants. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la deuxième couche semiconductrice poreuse (240) présente une surface libre (240a) lors de l'étape b), et dans lequel l'étape b) comporte une étape b1) consistant à former une couche diélectrique (241) à ladite surface libre (240a), l'adhésion directe s'opérant lors de 25 l'étape c) entre la couche diélectrique (12) de la première structure (1) et la couche diélectrique (241) formée lors de l'étape b1).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel la couche diélectrique (241) formée lors de l'étape b1) est un oxyde, de préférence thermique. 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape b) est exécutée de sorte que la deuxième couche semi-conductrice poreuse (240) présente un taux 3052293 17 de porosité compris entre 20% et 80%, préférentiellement compris entre 40% et 80%.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel la deuxième couche 5 semi-conductrice poreuse (240) est à base de silicium poreux, le silicium poreux étant de préférence dopé de type n.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel la deuxième couche semi-conductrice poreuse (240) présente une épaisseur comprise entre 50 nm et 10 120 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel le substrat (200) de la deuxième structure (2) est à base d'un matériau semi-conducteur, de préférence le silicium. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel la couche diélectrique (12) de la première structure (1) est à base de dioxyde de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la couche diélectrique 20 (12) de la première structure (1) présente une épaisseur supérieure à 60 nm, de préférence supérieure à 80 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel les dopants introduits dans la première couche semi-conductrice (23) lors de l'étape e) sont sélectionnés 25 dans le groupe comportant B, In, P, As.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel la deuxième structure (2) prévue lors de l'étape b) comporte une couche d'arrêt (201) de gravure intercalée entre le substrat (200) de la deuxième structure (2) et la couche active 30 (21). 3052293 18\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, dans lequel la couche d'arrêt (201) de gravure est à base de SiGe, de préférence dopé de type n.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel la couche 5 intercalaire (22) prévue lors de l'étape b) est gravée après l'étape d) de manière sélective relativement à la couche active (21) et à la première couche semiconductrice (23) ; et une couche d'oxyde enterrée (4) est formée en lieu et place de la couche intercalaire (22) gravée.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13, dans lequel la couche intercalaire (22) prévue lors de l'étape b) est à base de SiGe, de préférence dopé de type n.