Brevet FR3041153A1 (20170317)
REVENDICATIONS1. Dispositif électroluminescent (10 ; 40 ; 50 ;\n<CLM>\1\tcomprenant : un substrat (14) au moins partiellement dopé d'un premier type de conductivité et comprenant une face (18) ; des diodes électroluminescentes (DEL) comprenant chacune au moins un élément semiconducteur tridimensionnel (20) non dopé ou dopé du premier type de conductivité et reposant sur ladite face ; et des régions semiconductrices (19) formant des photodiodes (PH), au moins partiellement dopées d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité et s'étendant dans le substrat depuis ladite face entre au moins certains des éléments semiconducteurs tridimensionnels, une portion (32) du substrat du premier type de conductivité s'étendant jusqu'à ladite face (18) au niveau de chaque élément semiconducteur tridimensionnel.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon la revendication 1, dans lequel chaque élément semiconducteur tridimensionnel (20) est majoritairement en un composé choisi parmi le groupe 20 comprenant les composés III-V et les composés II-VI.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le substrat (14) est, au moins en partie, en un matériau semiconducteur choisi parmi le groupe comprenant le silicium, le germanium, le carbure de silicium ou le GaAs. 25\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant, en outre, des pistes conductrices (62) sur ladite face (18) au contact des régions semiconductrices (19).\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque 30 des revendications 1 à 4, comprenant, en outre, une couche (29) au moins partiellement réfléchissante recouvrant les régions semiconductrices (19), une couche isolante (23) étant interposée entre les régions semiconductrices (19) et ladite couche au moins partiellement réfléchissante. 3041153 B14262 - Integrated photodiode 23\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les éléments semiconducteurs (20) sont des nanofils, des microfils et/ou des structures pyramidales de taille nanométrique ou micrométrique. 5\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant, en outre, des régions isolantes électriquement (42) s'étendant le long des bords latéraux d'au moins certaines régions semiconductrices (19).\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque 10 des revendications 1 à 7, comprenant, en outre, une couche isolante électriquement (52) située en profondeur dans le substrat (14) et comprenant, pour chaque région semiconductrice (19), une région (54) du premier type de conductivité interposée entre la couche isolante (52) et la région semiconductrice (19). 15\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel les régions semiconductrices (19) ont la forme de bandes connectées électriquement ou non.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel les régions semiconductrices (19) ont la forme d'un pavage hexagonal.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel les régions semiconductrices (19) forment une région continue traversée par lesdites portions (32).\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel les régions semiconductrices (19) sont formées par implantation ionique de dopants.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque 30 des revendications 1 à 11, dans lequel les régions semiconductrices (19) sont formées par épitaxie.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel les diodes électroluminescentes (DEL) sont réparties en au moins des premier 3041153 B14262 - Integrated photodiode 24 et deuxième ensembles de diodes électroluminescentes commandés séparément.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon la revendication 14, dans lequel les régions semiconductrices (19) sont réparties 5 en au moins des premier et deuxièmes ensembles de régions semiconductrices (19), les régions semiconductrices du premier ensemble de régions semiconductrices s'étendant dans le substrat depuis ladite face entre au moins certains des éléments semiconducteurs tridimensionnels du premier ensemble de diodes 10 électroluminescentes et les régions semiconductrices du deuxième ensemble de régions semiconductrices s'étendant dans le substrat depuis ladite face entre au moins certains des éléments semiconducteurs tridimensionnels du deuxième ensemble de diodes électroluminescentes, les régions semiconductrices du premier 15 ensemble de régions semiconductrices étant isolées électriquement des régions semiconductrices du deuxième ensemble de régions semiconductrices.