Brevet FR3041115A1 (20170317)
REVENDICATIONS1. Modulateur de phase électro-optique (31) comprenant un guide d'onde (41) comportant, sur un support isolant (37), une bande de silicium monocristallin (33) et une bande de silicium polycristallin (35) de même épaisseur et dopées de types de conductivité opposés, lesdites bandes étant adjacentes et séparées l'une de l'autre par une couche d'interface isolante (43), chacune des bandes se prolongeant latéralement par une extension (47,\n<CLM>\1\tcouplée à un contact électrique (49, 53).\n<CLM>\1\tModulateur de phase selon la revendication 1, dans 10 lequel les faces adjacentes desdites bandes (33,\n<CLM>\1\tsont ondulées.\n<CLM>\1\tModulateur de phase selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'extension (47,\n<CLM>\1\tde chacune des bandes (33,\n<CLM>\1\tcomprend une première portion (57,\n<CLM>\1\tadjacente à la bande et 15 moins épaisse que la bande.\n<CLM>\1\tModulateur de phase selon la revendication 3, dans lequel les premières portions (57,\n<CLM>\1\tont sensiblement la même épaisseur.\n<CLM>\1\tModulateur de phase selon la revendication 3 ou 4, 20 dans lequel chaque extension (47,\n<CLM>\1\tcomprend une deuxième portion (59,\n<CLM>\1\tadjacente à la première portion (57, 61), de même épaisseur que les bandes (33,\n<CLM>\1\télectrique (49, 53).\n<CLM>\1\tModulateur et surmontée d'un contact de phase selon l'une quelconque des 25 revendications 1 à 5, dans lequel une couche de silicium-germanium (45) est intercalée entre la couche d'interface isolante (43) et la bande de silicium monocristallin (33).\n<CLM>\1\tModulateur de phase selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la couche d'interface isolante 30 (43) est de l'oxyde de silicium et a une épaisseur inférieure à nm.\n<CLM>\1\tModulateur de phase selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel un isolant (55) revêt les bandes (33,\n<CLM>\1\tet les extensions (47, 51), l'indice optique de l'isolant 3041115 B14535FR - 15-GR3-0285FR01 et l'indice optique du support isolant (37) étant inférieurs à l'indice optique des bandes.\n<CLM>\1\tModulateur d'amplitude électro-optique comprenant un premier guide d'onde (3) se séparant en un deuxième guide d'onde 5 (5) et un troisième guide d'onde (7), les deuxième et troisième guides d'onde se réunissant en un quatrième guide d'onde (9), l'un et/ou l'autre des deuxième et troisième guides d'onde comprenant un modulateur de phase électro-optique (31) selon l'une quelconque des revendications 1 à\n<CLM>\1\t10\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un modulateur de phase électro-optique comprenant les étapes suivantes : a) prévoir une couche de silicium monocristallin (65) dopé d'un premier type de conductivité reposant sur un support isolant (37) ; 15 b) graver une première cavité (73) traversant la couche de silicium monocristallin jusqu'au support isolant ; c) former une couche d'interface isolante (43) sur les flancs de la première cavité ; d) remplir la première cavité de silicium poly20 cristallin (75) dopé du deuxième type de conductivité, jusqu'au niveau supérieur de la couche de silicium monocristallin ; e) définir une bande de silicium monocristallin (33) se prolongeant latéralement en une portion (57) moins épaisse en gravant une deuxième cavité (67) sur une partie de l'épaisseur de 25 la couche de silicium monocristallin (65) ; f) définir une bande de silicium polycristallin (35), adjacente à la bande de silicium monocristallin (33) et se prolongeant latéralement en une portion (61) moins épaisse, en gravant une troisième cavité (77) sur une partie de l'épaisseur 30 du silicium polycristallin ; g) remplir les deuxième et troisième cavités (67,\n<CLM>\1\tet recouvrir les bandes (33,\n<CLM>\1\td'un isolant (55).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication 10, dans lequel, la gravure de la deuxième cavité (67) et la gravure 35 de la troisième cavité (77) sont arrêtées à un même niveau. 3041115 Bl4535ER - 15-GR3-0285FR01 16\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication 10 ou 11, dans lequel l'étape d) comprend le dépôt d'une couche de silicium polycristallin suivie d'une étape de gravure aplanissante jusqu'à la surface supérieure de la couche de silicium 5 monocristallin (65).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 10 à 12 comprenant, en outre, entre les étapes b) et c), la formation d'une couche de silicium-germanium (45) sur les flancs de la première cavité (73), par épitaxie à partir la 10 couche de silicium monocristallin.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 10 à 13 comprenant, en outre, la formation à travers l'isolant (55) de contacts électriques (49,\n<CLM>\1\tcouplés aux portions moins épaisses (57, 61).