Brevet FR3049769A1 (20171006)
REVENDICATIONS1. Composant de puissance vertical comportant : un substrat (1) en silicium dopé d'un premier type de conductivité un caisson localisé (3) du second type de conductivité 5 s'étendant depuis une face supérieure du substrat ; et du côté de la face supérieure du substrat (1), une structure de passivation revêtant une région périphérique du substrat (1) entourant le caisson (3), ladite structure de passivation comportant, sur et en contact avec ladite région 10 périphérique de substrat, une première région (9) en un premier matériau de passivation et une deuxième région (31) en un deuxième matériau de passivation, la deuxième région (31) étant apte à générer des charges fixes positives à l'interface avec le silicium, de façon à générer, dans une région superficielle du 15 substrat (1) en contact avec ladite deuxième région, une augmentation localisée de la concentration des porteurs majoritaires dans le substrat (1).\n<CLM>\1\tComposant selon la revendication 1, dans lequel la deuxième région (31) est en silicium polycristallin semi-isolant 20 (SIPOS).\n<CLM>\1\tComposant selon la revendication 1, dans lequel la deuxième région (31) est en nitrure de silicium.\n<CLM>\1\tComposant selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la première région (9) est en oxyde de silicium. 25\n<CLM>\1\tComposant selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la première région (9) est en verre chargé en plomb.\n<CLM>\1\tComposant selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l'une des première (9) et deuxième (31) régions 30 de la structure de passivation est une couche revêtant ladite région périphérique du substrat (1), interrompue par une ouverture annulaire disposée en regard d'une partie centrale de ladite région périphérique du substrat (1), l'autre région de la 3049769 B15069 - 15-T0-0746FR02 15 structure de passivation étant une bande annulaire disposée dans ladite ouverture.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant de puissance vertical dans et sur un substrat (1) en silicium dopé d'un premier 5 type de conductivité, comportant les étapes suivantes : former un caisson localisé (3) du second type de conductivité s'étendant depuis une face supérieure du substrat ; et former, du côté de la face supérieure du substrat, une 10 structure de passivation revêtant une région périphérique du substrat (1) entourant le caisson (3), ladite structure de passivation comportant, sur et en contact avec ladite région périphérique de substrat, une première région (9) en un premier matériau de passivation et une deuxième région (31) en un deuxième 15 matériau de passivation, la deuxième région (31) étant apte à générer des charges fixes positives à l'interface avec le silicium, de façon à générer, dans une région superficielle du substrat (1) en contact avec ladite deuxième région, une augmentation localisée de la concentration des porteurs 20 majoritaires dans le substrat (1).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, dans lequel la deuxième région (31) est en silicium polycristallin semi-isolant (SIPOS), la formation de la deuxième région (31) comprenant une étape de dépôt de silicium polycristallin semi-isolant (SIPOS) à 25 la surface de ladite région périphérique du substrat (1), suivie d'une étape de recuit à une température comprise entre 200 et 400°C, ou à une température supérieure à 700°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, dans lequel la deuxième région (31) est en nitrure de silicium, la formation de 30 la deuxième région (31) comprenant une étape de dépôt de nitrure de silicium à la surface de ladite région périphérique du substrat (1), par dépôt chimique en phase vapeur sous un flux gazeux comprenant un mélange de silane (SiH4) et d'ammoniac (NH3), avec un rapport R entre le taux d'ammoniac et le taux de silane dans 35 le mélange inférieur à 100 ou supérieur à 900.