Brevet FR3039318A1 (20170127)
REVENDICATIONS1. Procédé de collage direct entre un premier substrat (1) et un deuxième substrat (2), notamment utilisés dans l'industrie de la microélectronique, le procédé comprenant les étapes de : a) Fournir le premier substrat (1) et le deuxième substrat (2), b) Former une première couche de collage (5) à base d'oxyde de tungstène sur le premier substrat (1) et une deuxième couche de collage (6) à base d'oxyde de tungstène sur le deuxième substrat (2), l'une au moins parmi la première couche de collage (5) et la deuxième couche de collage (6) comportant, un troisième élément M de sorte à former un alliage de type MWx0y, la teneur atomique de M dans la composition de l'alliage étant comprise entre 0,5 et 20% et de préférence comprise entre 1 et 10%, 15 c) Procéder au collage direct entre la première couche de collage (5) et la deuxième couche de collage (6), et d) Réaliser un traitement thermique à une température supérieure à 250°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le traitement thermique 20 est réalisé à une température comprise entre 400° et 600°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel le troisième 25 élément M est choisi parmi les métaux de transition et leur combinaison, de sorte à favoriser la conduction électrique entre le premier substrat (1) et le deuxième substrat (2).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le troisième 30 élément M est choisi parmi le Ti, Y, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Mo, Ru, Pd, Ag, Hf, Ta, Ir, Pt et Au et leur combinaison, de sorte à former un alliage compatible avec une utilisation en microélectronique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel la première couche de collage (5) et la deuxième couche de collage (6) présentent 3039318 12 indépendamment l'une de l'autre une épaisseur comprise environ entre 5 et 50 nanomètres.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel la formation 5 de la première couche de collage (5) et la deuxième couche de collage (6) selon l'étape b) comprend la formation d'un oxyde de tungstène suivi de l'incorporation du troisième élément M à l'oxyde de tungstène.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, dans lequel le troisième élément M 10 est incorporé à l'oxyde de tungstène par diffusion ionique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, dans lequel le troisième élément M est incorporé à l'oxyde de tungstène par implantation ionique. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel la au moins une parmi la première couche de collage (5) et la deuxième couche de collage (6) comportant le troisième élément M est formée par un dépôt par co-pulvérisation réactive de tungstène et du troisième élément M, sous un plasma comprenant une quantité déterminée d'oxygène gazeux. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel la co-pulvérisation réactive est réalisée à partir d'une cible de tungstène et d'une cible du troisième élément M. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel le dépôt est réalisé à partir d'une seule cible comprenant un alliage formé de tungstène et du troisième élément M, la teneur atomique du troisième élément M dudit alliage de la cible étant comprise environ entre 0,5 et 20%.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 9 à 11, dans lequel le troisième élément M est du molybdène oxydé par l'oxygène gazeux présent dans le plasma.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12, dans lequel les vitesses 35 respectives de dépôt du molybdène et du tungstène sont ajustées de sorte que la teneur atomique en molybdène dans la composition de l'alliage est comprise entre 1 et 10%. 3039318 13\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 12, comprenant avant l'étape b) une étape al) de dépôt par pulvérisation d'une première couche mince (3) de tungstène et d'une deuxième couche mince (4) de tungstène respectivement sur le 5 premier substrat (1) et le deuxième substrat (2) et dans lequel l'étape b) de dépôt par co-pulvérisation de la première couche de collage (5) et de la deuxième couche de collage (6) est réalisée respectivement sur la première couche mince (3) de tungstène et sur la deuxième couche mince (4) de tungstène dans la même enceinte que le dépôt PVD de l'étape al), le procédé étant dépourvu de toute étape de remise à l'air 10 intermédiaire entre l'étape al ) et l'étape b).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 13, dans lequel la première couche de collage (5) et la deuxième couche de collage (6) comprennent le troisième élément M. 15