Brevet FR3046295A1 (20170630)
REVENDICATIONS1. Pixel (30, 70,\n<CLM>\1\tà éclairement par la face arrière comprenant un substrat semiconducteur (31) d'un premier type de conductivité revêtu, du côté de la face avant du pixel, d'un ensemble tricouche (33) comportant successivement une couche (35) 5 du deuxième type de conductivité, une couche isolante (37) et une couche semiconductrice (39), cet ensemble tricouche étant interrompu dans une partie centrale du pixel par une région de transfert (47) du premier type de conductivité délimitée latéralement par un mur conducteur isolé (49) s'étendant à partir de la face avant, 10 des transistors (RD, RST, SF) étant formés dans la couche semiconductrice.\n<CLM>\1\tPixel (30, 70,\n<CLM>\1\tselon la revendication 1, dans lequel une structure d'isolement (41) délimite latéralement le pixel. 15\n<CLM>\1\tPixel (30, 70,\n<CLM>\1\tselon la revendication 2, dans lequel la structure d'isolement est un autre mur conducteur isolé (41).\n<CLM>\1\tPixel (30,\n<CLM>\1\tselon la revendication 2 ou 3, dans lequel la structure d'isolement (41) s'étend à partir de la face 20 avant jusqu'à la face arrière du substrat (31).\n<CLM>\1\tPixel (70) selon la revendication 2 ou 3, dans lequel la structure d'isolement (41) s'étend à partir de la face arrière du substrat (31) jusque dans la couche (35) du deuxième type de conductivité. 25\n<CLM>\1\tPixel (30, 70,\n<CLM>\1\tselon l'une quelconque des reven- dications 1 à 5, dans lequel la région de transfert (47) comprend un prolongement (55) du substrat (31) revêtu d'une région (57) fortement dopée du premier type de conductivité.\n<CLM>\1\tPixel (80) selon la revendication 6, dans lequel le 30 mur conducteur isolé (49) délimitant la région de transfert (47) comprend un matériau conducteur (53) bordé d'un isolant, l'isolant étant plus épais dans une partie supérieure du mur bordée de la couche semiconductrice (39), de la couche isolante (37) et de la région (57) fortement dopée du premier type de conductivité. 3046295 B14523FR - 14-GR3-0008 13\n<CLM>\1\tPixel (30, 70,\n<CLM>\1\tselon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant un contact formé sur la couche (35) du deuxième type de conductivité.\n<CLM>\1\tPixel (30, 70,\n<CLM>\1\tselon l'une quelconque des reven5 dications 1 à 8, dans lequel une couche (59) fortement dopée du deuxième type de conductivité est disposée au niveau de la face arrière du substrat (31).\n<CLM>\1\tPixel (30, 70,\n<CLM>\1\tselon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le mur conducteur isolé (49) 10 délimitant la région de transfert (47) est adapté à être connecté à un premier potentiel pour autoriser un transfert de charges à travers la région de transfert, et à un deuxième potentiel pour bloquer ce transfert.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un pixel (30, 70,\n<CLM>\1\t15 comprenant les étapes suivantes : prévoir une structure comprenant un substrat semiconducteur (31) d'un premier type de conductivité revêtu d'une couche isolante (37) elle-même revêtue d'une couche semiconductrice (39) ; 20 masquer un région centrale (47) de la structure et doper le substrat (31) pour former une couche (35) du deuxième type de conductivité s'étendant sous la couche isolante (37) ; former, à travers toute l'épaisseur de la couche semiconductrice (39), de la couche isolante (37) et de la couche (35) 25 du deuxième type de conductivité, un mur conducteur isolé (49) délimitant latéralement ladite région centrale (47) ; retirer par gravure des portions de la couche semi- conductrice (39) et de la couche isolante (37) au niveau de la région centrale (47) ; 30 former des transistors (RD, RST, SF) dans la couche semiconductrice (39) ; former des niveaux d'interconnexion sur la face supérieure de la couche semiconductrice (39) ; fixer une poignée au-dessus des niveaux d'inter-35 connexion ; et amincir le substrat (31) du côté de sa face arrière.