Brevet FR3042907A1 (20170428)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un dispositif comprenant des transistors MOS basse tension, LV, (NMOSLV, PMOSLV) et haute tension, HV, (NMOSHV, PMOSHV) d'un premier et d'un deuxième type, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : a) prévoir une couche semiconductrice (1) ; b) former des empilements de grille (7,\n<CLM>\1\tde transistors MOS LV et HV ; c) former des premiers espaceurs (15A) en déposant une première couche (15) d'un premier matériau isolant ; d) former des deuxièmes espaceurs (17A) en un deuxième matériau isolant différent du premier matériau isolant ; e) retirer les deuxièmes espaceurs (17A) des transistors LV ; f) à l'emplacement de chaque transistor du premier 15 type (NMOSLV, NMOSHV), graver la première couche (15) jusqu'à la couche semiconductrice (1) en laissant en place tous les espaceurs (15A, 17A) ; g) faire croître un premier matériau semiconducteur (23) dopé du premier type de conductivité à partir de la surface 20 exposée de la couche semiconductrice (1) ; h) déposer une deuxième couche (25) du premier matériau isolant ; i) à l'emplacement de chaque transistor du deuxième type (PMOSLV, PMOSHV), graver les première (15) et deuxième (25) 25 couches jusqu'à la couche semiconductrice (1) en laissant en place tous les espaceurs (15A, 17A) ; et j) faire croître un deuxième matériau semiconducteur (29) dopé du deuxième type de conductivité à partir de la surface exposée de la couche semiconductrice (1). 30\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape d) comprend le dépôt d'une couche (17) du deuxième matériau isolant, et le retrait par gravure de la couche du deuxième matériau isolant en laissant en place les deuxièmes espaceurs (17A). 3042907 B14597 - 15-GR4-0353 - DD16725 12\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'isolant de grille (9B) de l'empilement de grille (9) des transistors LV a une épaisseur équivalente inférieure à l'épaisseur équivalente de l'isolant de grille (7B) de 5 l'empilement de grille (7) des transistors HV.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche semiconductrice repose sur un isolant et l'épaisseur de la couche semiconductrice (1) est inférieure à 20 nm. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le premier matériau isolant est du nitrure de silicium et le deuxième matériau isolant est de l'oxyde de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 15 à 5, dans lequel les transistors du premier type (NMOSHV, NMOSLV) sont à canal N et les transistors du deuxième type (PMOSHV, PMOSLV) sont à canal P.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel chacun des premier et deuxième matériaux 20 semiconducteurs (23,\n<CLM>\1\test choisi dans le groupe comprenant le silicium, le germanium, le carbure de silicium et le silicium-germanium.\n<CLM>\1\tDispositif comprenant des transistors MOS basse tension, LV, (NMOSLV, PMOSLV) et haute tension, HV, (NMOSHV, 25 PMOSHV) d'un premier et d'un deuxième type, dans lequel : un empilement de grille (7,\n<CLM>\1\tde chaque transistor repose sur une couche semiconductrice (1) ; des régions de source et de drain de chaque transistor du premier type (NMOSLV, NMOSHV) comprennent un premier matériau 30 semiconducteur (23) dopé du premier type de conductivité bordant latéralement l'empilement de grille du transistor ; les régions de source et de drain de chaque transistor du deuxième type (PMOSLV, PMOSHV) comprennent un deuxième matériau semiconducteur dopé du deuxième type de conductivité 35 bordant latéralement l'empilement de grille du transistor ; et 3042907 B14597 - 15-GR4-0353 - DD16725 13 chaque transistor comporte des premiers espaceurs (15A) en un premier matériau isolant, les transistors HV (PMOSHV, NMOSHV) comportant, en outre, des deuxièmes espaceurs (17A) en un deuxième matériau isolant différent du premier 5 matériau isolant.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 8, dans lequel les transistors HV à canal de type P (PMOSHV) comprennent trois espaceurs élémentaires successifs : un premier espaceur (15A) en un premier matériau isolant, un deuxième espaceur (17A) en un 10 deuxième matériau isolant différent du premier matériau isolant et un troisième espaceur (25A) en le premier matériau isolant.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 9, dans lequel les premier et troisième espaceurs se rejoignent du côté de la couche semiconductrice (1) pour former un U.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendi- cations 8 à 10, dans lequel l'isolant de grille (9B) de l'empilement de grille (9) des transistors LV a une épaisseur équivalente inférieure à l'épaisseur équivalente de l'isolant de grille (7B) de l'empilement de grille (7) des transistors HV.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendi- cations 8 à 11, dans lequel la couche semiconductrice repose sur un isolant et l'épaisseur de la couche semiconductrice (1) est inférieure à 20 nm.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendi25 cations 8 à 12, dans lequel le premier matériau isolant est du nitrure de silicium et le deuxième matériau isolant est de l'oxyde de silicium.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications 8 à 13, dans lequel les transistors du premier type 30 (NMOSHV, NMOSLV) sont à canal N et les transistors du deuxième type (PMOSHV, PMOSLV) sont à canal P.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications 8 à 14, dans lequel chacun des premier et deuxième matériaux semiconducteurs (23,\n<CLM>\1\test choisi dans le groupe 3042907 B14597 - 15-GR4-0353 - DD16725 14 comprenant le silicium, le germanium, le carbure de silicium et le silicium-germanium.