Brevet FR3051601A1 (20171124)
REVENDICATIONS1. Dispositif photovoltaïque (100) en couches minces, comprenant : - un substrat (10), - au moins une première couche mince électriquement conductrice formant un premier contact électrique (1) du dispositif photovoltaïque sur le substrat, - un absorbeur (3) agencé sur le premier contact électrique, - au moins une deuxième couche mince électriquement conductrice formant un deuxième contact électrique (2) du dispositif photovoltaïque sur le substrat, - une couche transparente conductrice (5) agencée sur l'absorbeur, le deuxième contact électrique étant espacé du premier contact électrique et la couche transparente conductrice étant en contact avec l'absorbeur et le deuxième contact électrique. Dispositif selon la revendication 1 dans lequel le deuxième contact électrique (2) et le premier contact électrique (1) sont structurés de manière interdigitée. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le deuxième contact électrique (2) comprend chacune des couches du premier contact électrique (1). Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'absorbeur (3) recouvre des faces latérales et une face supérieure du premier contact électrique (1). Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le deuxième contact électrique (2) comprend en outre un matériau choisi parmi : l'acier 316L, un alliage Fe-Cr-Ni-Mo, Ni-Mo-P, Mo02, ZnO, Sn02, ZnO dopé aluminium, de l'oxyde d'étain dopé fluor FTO, des aciers contenant du carbone et 30 du manganèse, des composés à base de cobalt et phosphore.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dispositif photovoltaïque (100) est à concentration de lumière.2.\n<CLM>\1\t4.\n<CLM>\1\t3051601 19\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, agencé sous forme de panneau photovoltaïque semi-transparent. 5\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif photovoltaïque (100) en couches minces, comprenant : - former au moins une première couche mince électriquement conductrice formant un premier contact électrique (1) du dispositif photovoltaïque sur un substrat (10), - former au moins une deuxième couche mince électriquement conductrice formant 10 un deuxième contact électrique (2) du dispositif photovoltaïque sur un substrat, - déposer un absorbeur (3) sur le premier contact électrique, - déposer une couche transparente conductrice (5) sur l'absorbeur, le deuxième contact électrique étant espacé du premier contact électrique et la couche transparente conductrice étant en contact avec l'absorbeur et le deuxième 15 contact électrique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, comprenant en outre : - former la deuxième couche mince électriquement conductrice par gravure du premier contact électrique (1).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 ou 9, comprenant en outre : - former les premier et deuxième contacts électriques de sorte que le deuxième contact électrique (2) et le premier contact électrique (1) soient structurés de manière interdigitée.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, comprenant en outre : - former les premier et deuxième contacts électriques de sorte que le deuxième contact électrique (2) soit espacé du premier contact électrique (1) d'une distance sensiblement égale à ou supérieure à une épaisseur de l'absorbeur (3).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, dans lequel : - déposer l'absorbeur (3) sur le premier contact électrique (1) comprend en outre : 20 25 3051601 20 déposer un matériau précurseur (30) de l'absorbeur sur le premier contact électrique par une technique choisie parmi : un électro-dépôt, .une évaporation, une impression d'encres, incorporer un matériau choisi parmi le sélénium et le soufre dans le matériau 5 précurseur.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, comprenant en outre : - former un matériau (4) électriquement conducteur, résistant à la corrosion, stable en sélénisation ou sulfuration sur le deuxième contact électrique (2). 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13, comprenant en outre : - former le matériau (4) électriquement conducteur, résistant à la corrosion, stable en sélénisation ou sulfuration par une technique choisie parmi : un électro-dépôt, une oxydation thermique sous atmosphère oxydante d'une couche conductrice du 15 deuxième contact électrique, une oxydation électrochimique d'une couche conductrice du deuxième contact électrique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 13 à 14, comprenant en outre : - traiter le matériau (4) électriquement conducteur, résistant à la corrosion, stable en 20 sélénisation ou sulfuration en y ajoutant du phosphore.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 15, comprenant en outre : - déposer une couche électriquement conductrice (14) sur le deuxième contact électrique, postérieurement à une étape de recuit. 25