Brevet FR3051971A1 (20171201)
REVENDICATIONS1. Procédé permettant de former une structure semi-conductrice (10) comprenant: - l'introduction, dans des conditions choisies, de composés d'hydrogène et d'hélium dans un support temporaire (1) afin de former une zone de faiblesse (2) à une profondeur prédéterminée à l'intérieur de celui-ci, et pour définir une couche superficielle (3) et une partie résiduelle (4) du support temporaire (1) ; - la formation d'une couche d'interconnexion (5) sur le support temporaire (1), la couche d'interconnexion comprenant des plages de contact (5a) et des chemins électriquement conducteurs (5b) entre les plages de contact (5a) ; la mise en place d'au moins une puce à semiconducteur (6) sur la couche d'interconnexion (5) afin de coupler électriquement les éléments conducteurs de la puce (6a) avec les plages de contact (5a) de la couche d'interconnexion (5) ; - la fourniture d'énergie au support temporaire (1) afin de détacher la partie résiduelle (4) et de fournir la structure semi-conductrice (10).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel les conditions d'implantation sont choisies de telle manière que les étapes de la formation de la couche d'interconnexion (5) et de la mise en place de la puce à semi-conducteur (6) peuvent être réalisées sans 3051971 25 provoquer le détachement de la partie résiduelle (4) du support temporaire (1).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les conditions 5 choisies pour l'introduction des composés d'hélium comprennent l'implantation d'ions hélium en une dose comprise entre 1 et 2 10^16 at/cm^3 ; et avec une énergie d'implantation de 40 keV voire plus.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des 10 revendications précédentes, dans lequel les conditions choisies pour l'introduction des composés d'hydrogène comprennent l'implantation d'ions hydrogène en une dose comorise entre 0,5 et 1,5 10^16 at/cm^3 ; et avec une énergie d'implantation de 25 keV voire plus. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche d'interconnexion (5) présente une première surface du côté de la puce à semi-conducteur (6) et une seconde surface opposée à la première surface, et dans lequel 20 les plages de contact (5a) sont disposées à la fois sur la première et sur la seconde surface.\n<CLM>\1\tProcédé selon revendication 5, comprenant en outre au moins l'enlèvement partiel de la couche superficielle (3) après le détachement de la partie 25 résiduelle (4) afin d'exposer au moins certaines plages de contact (5a) de la seconde surface de la couche d'interconnexion (5).\n<CLM>\1\tProcédé selon revendication 5 ou 6, comprenant en outre la formation d'une fonctionnalité (7a) en 3051971 26 saillie, telle qu'une micro-bosse ou des plots métalliques, sur les plages de contact (5a) de la première surface afin de faciliter le couplage électrique des éléments conducteurs (6a) de la puce à 5 semi-conducteur (6) avec les plages de contact (5a).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre l'étape de la formation de dispositifs élémentaires (11) sur et/ou dans la couche superficielle (3). 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche superficielle (3) présente une épaisseur inférieure à environ 10 microns, de préférence inférieure à 1 micron, et encore plus de préférence comprise entre 50 15 et 600 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la distance qui sépare deux plages de contact (5a) juxtaposées est comprise entre 0,2 microns et 2 microns. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une étape d'assemblage d'un renfort (8) sur l'arrière de la au moins une puce à semi-conducteur (6).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans 25 lequel l'étape d'assemblage est exécutée après l'étape de mise en place de la au moins une puce à semiconducteur (6) sur la couche d'interconnexion (5).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel l'étape d'assemblage comprend en outre une 3051971 27 étape de remplissage afin de fournir un matériau de remplissage (9) dans l'espace libre qui entoure la au moins une puce (6).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des 5 revendications précédentes, comprenant en outre une étape de découpage de la structure semi-conductrice (10) afin de fournir au moins un dispositif semiconducteur brut, et une étape d'encapsulation du au moins un dispositif semi-conducteur brut afin de former 10 un dispositif à semi-conducteur final.