Brevet FR3051072A1 (20171110)
REVENDICATIONS1. Dispositif électronique de puissance (100) comportant au moins : une couche active (124) comprenant au moins un semi-conducteur et dans laquelle plusieurs composants électroniques de puissance latéraux et/ou semi- latéraux (104,\n<CLM>\1\tsont réalisés, toutes les électrodes (123) des composants (104,\n<CLM>\1\tétant disposées sur une face avant (125) de la couche active (124) ; une structure d'interconnexion électrique (126) comprenant plusieurs portions électriquement conductrices (130) solidarisées à la face avant (125) de la couche active (124), auxquelles les électrodes (123) des composants (104,\n<CLM>\1\tsont reliées électriquement, et dont au moins des premières parties (132) disposées contre les électrodes (123) des composants (104,\n<CLM>\1\ts'étendent dans un plan sensiblement parallèle à la couche active (124) ; - un support (114) comprenant une face avant (115) sur laquelle des pistes électriquement conductrices (118) sont disposées, et dans lequel la couche active (124) et la structure d'interconnexion électrique (126) sont solidarisées à la face avant (115) du support (114) telles que : - la structure d'interconnexion électrique (126) soit disposée entre la couche active (124) et le support (114), les premières parties (132) des portions électriquement conductrices (130) étant disposées contre les pistes électriquement conductrices (118), ou - la couche active (124) soit disposée entre la structure d'interconnexion électrique (126) et le support (114), les portions électriquement conductrices (130) comportant en outre des deuxièmes parties (134) s'étendant à côté de la couche active (124) et reliant électriquement les premières parties (132) des portions électriquement conductrices (130) aux pistes électriquement conductrices (118).\n<CLM>\1\tDispositif électronique de puissance (100) selon la revendication 1, dans lequel une épaisseur des portions électriquement conductrices (130) est comprise entre environ 50 um et 1000 um. 3051072 28\n<CLM>\1\tDispositif électronique de puissance (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel au moins les premières parties (132) des portions électriquement conductrices (130) forment des parallélépipèdes rectangles. 5\n<CLM>\1\tDispositif électronique de puissance (100) selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre, lorsque la couche active (124) est disposée entre la structure d'interconnexion électrique (126) et le support (114), au moins un dissipateur thermique (136) disposé sur la structure d'interconnexion électrique (126) tel que la structure d'interconnexion électrique (126) soit disposée entre le dissipateur 10 thermique (136) et la couche active (124).\n<CLM>\1\tDispositif électronique de puissance (100) selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre au moins un condensateur de découplage (128) tel que : 15 - lorsque la structure d'interconnexion électrique (126) est disposée entre la couche active (124) et le support (114), ledit au moins un condensateur de découplage (128) soit disposé sur une partie des pistes électriquement conductrices (118) et relié électriquement aux pistes électriquement conductrices (118), ou - lorsque la couche active (124) est disposée entre la structure 20 d'interconnexion électrique (126) et le support (114), ledit au moins un condensateur de découplage (128) soit disposé sur les deuxièmes parties (134) des portions électriquement conductrices (130) et relié électriquement aux deuxièmes parties (134) des portions électriquement conductrices (130), ou disposé sur les premières parties (132) des portions électriquement conductrices (130). 25\n<CLM>\1\tDispositif électronique de puissance (100) selon les revendications 4 et 5, dans lequel, lorsque la couche active (124) est disposée entre la structure d'interconnexion électrique (126) et le support (114) et que ledit au moins un condensateur de découplage (128) est disposé sur les premières parties (132) des portions 3051072 29 électriquement conductrices (130), le dissipateur thermique (136) est disposé sur ledit au moins un condensateurs de découplage (128).\n<CLM>\1\tDispositif électronique de puissance (100) selon l'une des 5 revendications précédentes, comportant en outre, lorsque la couche active (124) est disposée entre la structure d'interconnexion électrique (126) et le support (114), au moins une première couche métallique (144) disposée entre le support (114) et la couche active (124) et sur laquelle un premier potentiel d'alimentation électrique du dispositif électronique de puissance (100) est destiné à être appliqué et/ou, lorsque le dispositif 10 électronique de puissance (100) comporte au moins un dissipateur thermique (136) disposé sur la structure d'interconnexion électrique (126), au moins une deuxième couche métallique (148) disposée entre le dissipateur thermique (136) et la structure d'interconnexion électrique (126) et sur laquelle un deuxième potentiel d'alimentation électrique du dispositif électronique de puissance (100) est destiné à être appliqué. 15\n<CLM>\1\tDispositif électronique de puissance (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel : - la couche active (124) comporte au moins du GaN et/ou de l'AlGaN et/ou de l'AIN, et/ou les composants (104,\n<CLM>\1\tcomportent des transistors de type HEMT, 20 ou - la couche active (124) comporte au moins du silicium, et/ou les composants (104,\n<CLM>\1\tcomportent des transistors de type MOS et/ou JFET et/ou IGBT et/ou BJT et/ou DMOS. 25\n<CLM>\1\tDispositif électronique de puissance (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel au moins une partie des composants (104,\n<CLM>\1\tforment au moins une cellule de commutation (102), et/ou dans lequel le dispositif électronique de puissance (100) comporte au moins un convertisseur statique comprenant plusieurs cellules de commutation (102) reliées électriquement entre elles. 30 3051072 30\n<CLM>\1\tDispositif électronique de puissance (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les composants (104,\n<CLM>\1\tsont disposés sur au moins un substrat semi-conducteur (120) tel que : - lorsque la structure d'interconnexion électrique (126) est disposée 5 entre la couche active (124) et le support (114), la couche active (124) est disposée entre le substrat semi-conducteur (120) et la structure d'interconnexion électrique (126), ou - lorsque la couche active (124) est disposée entre la structure d'interconnexion électrique (126) et le support (114), le substrat semi-conducteur (120) est disposé entre la couche active (124) et le support (114). 10\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un dispositif électronique de puissance (100), comportant au moins la mise en oeuvre des étapes suivantes : - réalisation de plusieurs composants électroniques de puissance latéraux et/ou semi-latéraux (104,\n<CLM>\1\tdans au moins une couche active (124) comprenant 15 au moins un semi-conducteur tels que toutes les électrodes (123) des composants (104,\n<CLM>\1\tsoient disposées sur une face avant (125) de la couche active (124) ; - solidarisation de la face avant (125) de la couche active (124) à une structure d'interconnexion électrique (126) comprenant plusieurs portions électriquement conductrices (130) auxquelles les électrodes (123) des composants (104,\n<CLM>\1\tsont reliées 20 électriquement, et dont au moins des premières parties (132) disposées contre les électrodes (123) des composants (104,\n<CLM>\1\ts'étendent dans un plan sensiblement parallèle à la couche active (124) ; - solidarisation de la couche active (124) et de la structure d'interconnexion électrique (126) à une face avant (115) d'un support (114) sur laquelle 25 s'étendent des pistes électriquement conductrices (118), telle que : - la structure d'interconnexion électrique (126) soit disposée entre la couche active (124) et le support (114), les premières parties (132) des portions électriquement conductrices (130) étant disposées contre les pistes électriquement conductrices (118), ou 3051072 31 - la couche active (124) soit disposée entre la structure d'interconnexion électrique (126) et le support (114), les portions électriquement conductrices (130) comportant des deuxièmes parties (134) s'étendant à côté de la couche active (124) et reliant électriquement les premières parties (132) des portions 5 électriquement conductrices (130) aux pistes électriquement conductrices (118).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, dans lequel, lorsque la structure d'interconnexion électrique (126) est disposée entre la couche active (124) et le support (114) : 10 - les composants (104,\n<CLM>\1\tsont réalisés collectivement dans la couche active (124) qui est disposée sur un substrat semi-conducteur (120), - la solidarisation de la face avant (125) de la couche active (124) à la structure d'interconnexion électrique (126) correspond à une solidarisation de la face avant (125) de la couche active (124) à une couche métallique structurée destinée à former la 15 structure d'interconnexion électrique (126).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12, comportant en outre, entre la solidarisation de la face avant (125) de la couche active (124) à la couche métallique structurée et la solidarisation de la couche active (124) et de la structure d'interconnexion 20 électrique (126) à la face avant (115) du support (114), une étape de suppression du substrat semi-conducteur (120).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 12 ou 13, le procédé comportant en outre, entre la solidarisation de la face avant (125) de la couche active (124) 25 à la couche métallique structurée et la solidarisation de la couche active (124) et de la structure d'interconnexion électrique (126) à la face avant (115) du support (114), une étape de découpe d'au moins la couche active (124) et la couche métallique structurée, formant un empilement qui est ensuite reporté sur la face avant (115) du support (114). 3051072 32\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11 dans lequel, lorsque la couche active (124) est disposée entre la structure d'interconnexion électrique (126) et le support (114) : - les composants (104,\n<CLM>\1\tsont réalisés collectivement dans la couche 5 active (124) qui est disposée sur un substrat semi-conducteur (120), - la couche active (124) est solidarisée à la face avant (115) du support (114) avant la solidarisation de la structure d'interconnexion électrique (126) à la face avant (125) de la couche active (124), et le procédé comporte en outre, entre la réalisation des composants 10 (104,\n<CLM>\1\tet la solidarisation de la couche active (124) à la face avant (115) du support (114), une étape de découpe du substrat semi-conducteur (120) et de la couche active (124), formant un empilement qui est ensuite reporté sur la face avant (115) du support (114).