Brevet FR3043842A1 (20170519)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une mémoire PCRAM comprenant les étapes suivantes : - prévoir un substrat (300) comprenant un ensemble d'électrodes inférieures (310) ; - former (F1) dans une première couche diélectrique (320) disposée sur le substrat (300) une première tranchée rectiligne (400) orientée selon une première direction et débouchant au moins en partie sur l'ensemble d'électrodes inférieures (310) ; - déposer (F2) une première couche active (410) dans la première tranchée rectiligne (400), de sorte que la première couche active soit disposée en contact électrique avec l'ensemble d'électrodes inférieures (310) ; - recouvrir (F5) la première couche active (410) d'une deuxième couche diélectrique (440) ; - graver (F6) dans la deuxième couche diélectrique (440), la première couche active (410) et la première couche diélectrique (320), des tranchées rectilignes additionnelles (450) orientées selon une deuxième direction perpendiculaire à la première direction, de façon à obtenir un groupe de dispositifs mémoire comprenant chacun une portion (410') de la première couche active (410) en contact électrique avec l'une des électrodes inférieures (310) ; - remplir (F7) les tranchées rectilignes additionnelles (450) d'un matériau diélectrique sacrificiel (460) ; caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - réaliser (F8, F8') une gravure anisotrope du matériau diélectrique sacrificiel (460) de façon à exposer une surface latérale (411,\n<CLM>\1\tde chaque portion (410') de la première couche active ; et - recouvrir (F9, F9') la surface latérale (411,\n<CLM>\1\tde chaque portion (410') de la première couche active par une deuxième couche active (480).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la première couche active (410) est constituée d'un matériau à changement de phase et dans lequel la deuxième couche active (480) est constituée d'un matériau électriquement conducteur pour 3043 842 21 former une électrode supérieure.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la première couche active (410) est constituée d'un matériau électriquement conducteur pour former une électrode 5 thermique et dans lequel la deuxième couche active (480) est constituée d'un matériau à changement de phase.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la première couche active (410) et la deuxième couche active (480) sont constituées d'un matériau à changement de 10 phase et dans lequel la deuxième couche active (480) est en outre recouverte d'une couche en un matériau électriquement conducteur pour former une électrode supérieure.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la gravure 15 anisotrope (F8) du matériau diélectrique sacrificiel (460) est réalisée selon une direction préférentielle perpendiculaire au substrat (300), à travers un masque (470) comprenant une pluralité d'évidements et, dans chaque évidement, des flancs verticaux. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la gravure anisotrope (F8') du matériau diélectrique sacrificiel (460) est réalisée selon une direction préférentielle perpendiculaire au substrat (300), à travers un masque (470') comprenant une pluralité d'évidements et, dans chaque évidement, des flancs obliques. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la première couche active (410) est déposée (F2) de façon conforme au fond et contre des flancs de la première tranchée rectiligne (400), l'un des flancs surplombant l'ensemble d'électrodes inférieures (310). 30\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, comprenant en outre une étape (F3-F4) de remplissage de la première tranchée rectiligne (400) par au moins un matériau d'encapsulation électriquement isolant (420, 430), la deuxième couche diélectrique 3043842 22 (440) étant déposée sur la première couche diélectrique (320), sur la première couche active (410) et sur le matériau d'encapsulation (420, 430).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, la première couche 5 active (410) est déposée de façon à remplir entièrement la première tranchée rectiligne (400), la deuxième couche diélectrique (440) étant déposée sur la première couche diélectrique (320) et sur la première couche active (410).