Brevet FR3043836A1 (20170519)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un dispositif électronique (30 ;\n<CLM>\1\tcomprenant un film (32 ;\n<CLM>\1\tcomprenant les étapes suivantes : former au moins d'une couche (18 ;\n<CLM>\1\td'une solution 5 comprenant un solvant et un composé comprenant un polymère choisi parmi le groupe comprenant le poly(fluorure de vinylidène trifluoroéthylène - chlorofluoroéthylène) (P(VDF-TrFE-CFE)), le poly(fluorure de vinylidène - trifluoroéthylène chlorotrifluoro éthylène) (P(VDF-TrFE-CTFE)) et un mélange de ces composés, le 10 taux de chlore en molécules du copolymère étant supérieur ou égal à 3 % ; et irradier au moins la couche avec des impulsions d'au moins un rayonnement ultraviolet.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le 15 rayonnement ultraviolet est émis par une source, dans lequel ladite couche (18 ;\n<CLM>\1\tcomprend une face (20 ;\n<CLM>\1\texposée au rayonnement ultraviolet et dans lequel la distance entre ladite face et la source est comprise entre 2 cm et 10 cm.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel 20 la durée de chaque impulsion est comprise entre 500 ps et 2 ms.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la fluence en énergie du rayonnement ultraviolet est comprise entre 10 J/cm2 et 25 J/cm2.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 25 à 4, dans lequel seule une partie de la couche (18) est chauffée au cours de l'étape d'irradiation.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, dans lequel l'étape d'irradiation est suivie d'une étape de recuit thermique du reste de la couche (18) a une température comprise entre 80°C 30 et 120°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le solvant a une température d'évaporation comprise entre 110 °C et 140 °C. 3043836 B14630 - DD15908E0 17\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la solution comprend de 80 % à 95% en poids du solvant et de 5 % à 20 % en poids du composé.\n<CLM>\1\tDispositif piézoélectrique et/ou pyroélectrique 5 comprenant une couche (32 ;\n<CLM>\1\tcomprenant en majorité un polymère en partie cristallisé choisi parmi le groupe comprenant le poly(fluorure de vinylidène trifluoroéthylène chlorofluoroéthylène) (P(VDF-TrFE-CFE)), le poly(fluorure de vinylidène trifluoroéthylène - chlorotrifluoro éthylène) 10 (P(VDF-TrFE-CTFE)) et un mélange de ces composés, le taux de chlore en molécules du copolymère étant supérieur ou égal à 3 %, dans lequel sur au moins une partie de l'épaisseur de la couche, la phase cristalline ou les phases cristallines du polymère ont la même orientation cristallographique. 15\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 9, dans lequel la couche (32) comprend une première sous-couche (22) dudit polymère cristallisée dans laquelle la phase cristalline ou les phases cristallines du polymère ont la même orientation cristallographique et une deuxième sous-couche (24) dudit polymère 20 recouverte par la première sous-couche et au contact de la première sous couche dans laquelle la phase cristalline ou les phases cristallines du polymère ont des orientations cristallographiques différentes.