Brevet FR3049765A1 (20171006)
REVENDICATIONS1. Dispositif logique durci vis à vis des rayonnements comprenant : un premier transistor à canal n (206) couplé par ses noeuds conducteurs principaux entre un noeud de sortie (Z) d'un dispositif logique (202) et un rail d'alimentation en tension (VDD) ; et un premier transistor à canal p (208) couplé par ses noeuds conducteurs principaux entre le noeud de sortie (Z) du dispositif logique (202) et un rail de tension de référence, dans lequel les grilles du premier transistor à canal n et du transistor à canal p (206,\n<CLM>\1\tsont couplées au noeud de sortie (Z).\n<CLM>\1\tDispositif logique durci vis à vis des rayonnements selon la revendication 1, dans lequel le premier transistor à canal n (206) a son drain connecté au rail d'alimentation en tension (VDD) et le premier transistor à canal p (208) a son drain connecté au rail de tension de référence.\n<CLM>\1\tDispositif logique durci vis à vis des rayonnements selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le dispositif logique (202) comprend : au moins un transistor à canal n (304) supplémentaire formé dans le même caisson de type p (502) que le premier transistor à canal n (206) ; et au moins un transistor à canal p (302) supplémentaire formé dans le même caisson de type n (552) que le premier 25 transistor à canal p (208).\n<CLM>\1\tDispositif logique durci vis à vis des rayonnements selon la revendication 3, dans lequel : le au moins un transistor à canal n (304) supplémentaire partage une région de source/drain commune (506) avec le premier 30 transistor à canal n (206) ; et le au moins un transistor à canal p (302) supplémentaire partage une région de source/drain commune (556) avec le premier transistor à canal p (208).\n<CLM>\1\tDispositif logique durci vis à vis des rayonnements selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les 3049765 B14837 - 15-GR3-0637 17 sources des transistors à canal n et à canal p (206,\n<CLM>\1\tsont connectées aux noeuds de sortie (Z).\n<CLM>\1\tDispositif logique durci vis à vis des rayonnements selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les 5 grilles des transistors à canal n et à canal p (206,\n<CLM>\1\tsont connectées au noeud de sortie (Z).\n<CLM>\1\tDispositif logique durci vis à vis des rayonnements selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel les grilles des premiers transistors à canal n et à canal p (206,\n<CLM>\1\t10 sont couplées au noeud de sortie (Z) via un élément de retard (602).\n<CLM>\1\tDispositif logique durci vis à vis des rayonnements selon la revendication 7, dans lequel l'élément de retard (602) comprend un second transistor à canal n (702) et un second 15 transistor à canal p (704) chacun étant couplé par ses noeuds conducteurs principaux entre le noeud de sortie (Z) et les grilles des premiers transistors à canal n et à canal p (206, 208).\n<CLM>\1\tDispositif logique durci vis à vis des rayonnements selon la revendication 7, dans lequel l'élément de retard (602) 20 comprend un troisième transistor à canal n (706) couplé par ses noeuds conducteurs principaux entre le noeud de sortie (Z) et la grille du premier transistor à canal n (206), et un troisième transistor à canal p (708) couplé par ses noeuds conducteurs principaux entre le noeud de sortie (Z) et la grille du premier 25 transistor à canal p (208).\n<CLM>\1\tDispositif logique durci vis à vis des rayonnements selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le dispositif logique (202) est une cellule de logique combinatoire.\n<CLM>\1\tDispositif logique durci vis à vis des rayonnements 30 selon la revendication 10, dans lequel le dispositif logique est l'un de : un inverseur ; une porte NON ET ; une porte NON OU ; 35 une porte ET ; 3049765 B14837 - 15-GR3-0637 18 une porte OU ; une porte OU Exclusif ; et n'importe quelle combinaison des éléments ci-dessus.\n<CLM>\1\tDispositif logique durci vis à vis des rayonnements 5 selon l'une quelconque 1 à 11, dans lequel les premiers transistors à canal n et à canal p (206,\n<CLM>\1\tsont des transistors MOS et leurs noeuds conducteurs principaux sont leur source et leur drain.\n<CLM>\1\tDispositif de mémoire non transitoire stockant une 10 bibliothèque de cellules comprenant au moins une cellule standard définissant le dispositif logique durci vis à vis des rayonnements selon l'une quelconque des revendications 1 à\n<CLM>\1\t14. Procédé de formation d'un dispositif logique durci vis à vis des rayonnements comprenant : 15 former, dans un caisson de type p (502) : -un premier transistor à canal n (206) couplé par ses noeuds conducteurs principaux entre un noeud de sortie (Z) d'un dispositif logique (202) et un rail d'alimentation en tension (VDD) ; et 20 -au moins un transistor à canal n (302) supplémentaire du dispositif logique ; et/ou former, dans un caisson de type n (552) : -un premier transistor à canal p (208) couplé par ses noeuds conducteurs principaux entre le noeud de sortie (Z) du dispositif logique (202) et un rail de tension de référence ; et -au moins un transistor à canal p supplémentaire (302) du dispositif logique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 14, comprenant en 30 outre la connexion du drain du premier transistor à canal n (206) au rail d'alimentation en tension (VDD) et la connexion du drain du premier transistor à canal p (208) au rail de tension de référence. 35 en outre :\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 14 ou 15 comprenant, 3049765 B14837 - 15-GR3-0637 19 former le premier transistor à canal n (206) et le au moins un transistor à canal n (304) supplémentaire de façon à ce qu'ils partagent une première région commune de source/drain (506) ; et/ou 5 former le premier transistor à canal p (208) et le au moins un transistor à canal p (302) supplémentaire de façon à ce qu'ils partagent une seconde région commune de source/drain (556).