Brevet FR3037719A1 (20161223)
REVENDICATIONS1. Structure comprenant un support en céramique (1, 50, 100, 150,\n<CLM>\1\tcomportant un ou plusieurs caissons conducteurs isolés électriquement les uns des autres (2, 5, 7, 60, 62, 64, 114, 116, 118, 152, 154, 156, 202, 204,\n<CLM>\1\tet au moins un élément à semi-conducteurs (16, 18, 66, 68, 110, 112, 166,\n<CLM>\1\tlié au support par une substance conductrice (10, 12, 14, 76, 78, 79, 104, 106, 108, 162, 164), la substance conductrice coopérant avec un ou plusieurs caissons du support pour assurer une liaison électrique.\n<CLM>\1\tStructure selon la revendication 1, dans laquelle le support est en silicium fritté et résulte du frittage de poudres de silicium additionnées ou non de poudres d'oxyde de silicium, de nitrure de silicium et/ou de carbure de silicium, et/ou dans laquelle le support est au moins partiellement poreux.\n<CLM>\1\tStructure selon la revendication 1 et 2, dans laquelle la substance conductrice est une couche métallique ou d'alliages métalliques, ou une pâte ou une colle additionnée de matériaux conducteurs comme des poudres métalliques, et/ou de composés conducteurs ou pouvant devenir conducteurs par traitement thermique, ou dans laquelle la substance conductrice est constituée d'un alliage eutectique, comme un alliage aluminium/silicium ou/et or/silicium.\n<CLM>\1\tStructure selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle les caissons du support comprennent des substances dopantes ou des pâtes contenant des poudres ou des produits métalliques, ces substances ou ces pâtes étant présentes dans certaines zones déterminées du support afin de les rendre conductrices.\n<CLM>\1\tStructure selon l'une quelconque des revendications 30 précédentes, dans laquelle les éléments à semi-conducteurs comportent des éléments tels que du silicium, des alliages de silicium, et/ou des semi-conducteurs de type III-V ou II-VI associant respectivement des éléments des colonnes III et V ou des éléments des colonnes II et VI du tableau de Mendeleïev, et 3037719 B13913 26 peuvent comprendre des composants passifs, comme une ou plusieurs capacités, et/ou une ou plusieurs résistances, et/ou un ou plusieurs enroulements présentant un coefficient de self-induction, et/ou des composants actifs, comme une ou plusieurs 5 photodiodes, une ou plusieurs cellules photovoltaïques, un ou plusieurs éléments de mémoire, un ou plusieurs circuits intégrés, un ou plusieurs dispositifs à diode électroluminescente LED, et un ou plusieurs éléments thermoélectriques.\n<CLM>\1\tStructure selon l'une quelconque des revendications 10 précédentes, dans laquelle la substance conductrice forme une couche discontinue et relie des caissons du support à des zones conductrices des éléments à semi-conducteurs, les éléments à semiconducteurs étant connectés aux caissons du support via leur face arrière par l'intermédiaire de la substance conductrice et/ou par 15 l'intermédiaire de couches conductrices (42, 196,\n<CLM>\1\trecouvrant au moins partiellement les bords des éléments à semi-conducteurs.\n<CLM>\1\tStructure selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle les éléments à semi-conducteurs sont connectés en série ou en parallèle ou en série-parallèle, et/ou 20 dans laquelle le support comporte des plots (40, 158, 159, 220,\n<CLM>\1\tpermettant la connexion à des éléments externes à la structure, les éléments externes à la structure étant par exemple un ou plusieurs composants, un ou plusieurs systèmes complexes et/ou une ou plusieurs autres structures de même type que la 25 structure.\n<CLM>\1\tStructure selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle au moins un élément à semi-conducteurs est une cellule photovoltaïque (C1, C2) comportant un absorbeur de type N ou P, un émetteur (174) et des éléments de collecteur (177,\n<CLM>\1\tsur la face supérieure de la cellule photovoltaïque ou des éléments d'émetteur (214-i, 216-i) et des éléments de collecteur (212-i, 218-i) interdigités et situés sur la face arrière de l'élément à semi-conducteurs proche du support, la jonction étant de type homojonction, composée d'une couche de silicium cristallin dopée d'un certain type associée à une couche 3037719 B13913 27 de silicium cristallin dopée de type opposé, ou de type hétérojonction, jonction où les couches sont de nature différente, comme une couche de silicium amorphe et une couche de silicium cristallin. 5\n<CLM>\1\tProcédé pour réaliser une structure comportant un support (1, 50, 100, 150,\n<CLM>\1\ten céramique et un ou plusieurs éléments à semi-conducteurs (16, 18, 66, 68, 110, 112, 166,\n<CLM>\1\tdisposés sur le support, comportant les étapes suivantes : a) réaliser sur le support un ou plusieurs caissons 10 conducteurs (2, 5, 7, 60, 62, 64, 114, 116, 118, 152, 154, 156, 202, 204,\n<CLM>\1\tisolés électriquement les uns des autres ; b) disposer, sur une face du support et/ou une facé du ou des éléments à semi-conducteurs, une substance conductrice permettant une fixation ; et 15 c) fixer le ou les éléments à semi-conducteurs sur le support de sorte que la substance conductrice coopère avec un ou plusieurs caissons du support pour assurer une liaison électrique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel l'étape c) comporte un traitement thermique tel que la substance 20 conductrice forme un eutectique entre le support et le ou les éléments à semi-conducteurs.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9 ou 10, dans lequel une pression est exercée entre le support et au moins un des éléments à semi-conducteurs au cours de l'étape c). 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, dans lequel le support est au moins partiellement poreux et un pompage est réalisé au cours de l'étape c) à partir de la face du support ne recevant pas le ou les éléments à semiconducteurs. 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 12, dans lequel la substance conductrice est disposée en zones distinctes sur le support et/ou dans lequel la substance conductrice occupe une surface plus grande, plus petite ou égale à la surface de l'élément à semi-conducteurs avec laquelle elle 35 coopère. 3037719 B13913 28\n<CLM>\1\tAppareil (84) pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 13, comprenant une enceinte (85) renfermant un bâti (90), le bâti étant adapté à recevoir un ensemble formé par un support en céramique (1, 50, 5 100, 150,\n<CLM>\1\tcomportant un ou plusieurs caissons conducteurs isolés électriquement les uns des autres (2, 5, 7, 60, 62, 64, 114, 116, 118, 152, 154, 156, 202, 204,\n<CLM>\1\tet au moins un élément à semi-conducteurs (16, 18, 66, 68, 110, 112, 166,\n<CLM>\1\tlié au support par une substance conductrice (10, 12, 14, 76, 78, 79, 10 104, 106, 108, 162,\n<CLM>\1\tde façon à former une chambre (92), dans lequel l'appareil comprend en outre : a) des moyens pour porter la température de l'enceinte à une valeur déterminée ; b) des moyens (87) permettant d'introduire dans 15 l'enceinte un gaz à une pression déterminée (P), non réactif avec ledit ensemble ; c) des moyens (96) permettant de créer une dépression dans la chambre (92).