Brevet FR3051600A1 (20171124)
REVENDICATIONS1. Dispositif électronique (100) comportant au moins : - une pluralité de transistors (102) MOSFET, parmi lesquels des premiers transistors (104) sont tels que chaque premier transistor (104) comporte un canal (130) dans lequel une concentration de dopants du même type que ceux présents dans les source et drain dudit premier transistor (104) est supérieure à celle dans le canal de chacun des autres transistors de ladite pluralité de transistors (102) du même type de conductivité que ledit premier transistor (104) ; et - un circuit d'identification (106) apte à déterminer un identifiant unique du dispositif électronique (100) à partir d'au moins une caractéristique électrique intrinsèque de chacun des premiers transistors (104) dont la valeur dépend au moins en partie de la conductance dudit premier transistor (104).\n<CLM>\1\tDispositif électronique (100) selon la revendication 1, dans lequel les transistors de ladite pluralité de transistors (102) MOSFET sont de type FD-S01.\n<CLM>\1\tDispositif électronique (100) selon la revendication 1, dans lequel les transistors de ladite pluralité de transistors (102) MOSFET sont de type bulk et/ou FinFET.\n<CLM>\1\tDispositif électronique (100) selon la revendication 1, dans lequel le circuit d'identification (106) est apte à comparer deux à deux les valeurs de courants circulant dans les premiers transistors (104) polarisés de manière identique, les résultats de ces comparaisons étant destinés à former l'identifiant unique du dispositif électronique (100).\n<CLM>\1\tDispositif électronique (100) selon la revendication 4, dans lequel le circuit d'identification (106) comporte au moins : 3051600 18 - un multiplexeur (108) comportant plusieurs entrées chacune reliée au drain ou à la source d'un des premiers transistors (104), et deux sorties ; et un comparateur (110) comportant deux entrées reliées aux deux sorties du multiplexeur (108), et apte à délivrer en sortie un signal dont la valeur dépend 5 du résultat de la comparaison entre les valeurs des courants appliqués sur les entrées du comparateur (110).\n<CLM>\1\tDispositif électronique (100) selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel : 10 - les premiers transistors (104) forment plusieurs cellules mémoires SRAM (134), et - le circuit d'identification (106) est apte à lire un état mémoire initial de chacune des cellules mémoires SRAM (134) formées par les premiers transistors (104), les états mémoires initiaux desdites cellules mémoires SRAM (134) formant ensemble 15 l'identifiant unique du dispositif électronique (100).\n<CLM>\1\tDispositif électronique (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite concentration de dopants du même type que ceux présents dans les source et drain dudit premier transistor (104) est comprise entre 20 environ 5.1017 et 8.10' at/cm3.\n<CLM>\1\tDispositif électronique (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la grille (124) de chacun des premiers transistors (104) a une longueur inférieure à celle de la grille de chacun des autres transistors (102). 25\n<CLM>\1\tDispositif électronique (100) selon la revendication 6, dans lequel ladite grille (124) de chacun des premiers transistors (104) a une longueur inférieure ou égale à environ 20 nm. 3051600 19\n<CLM>\1\tDispositif électronique (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel chacun des premiers transistors (104) a une zone active (122) d'épaisseur supérieure à celle de la zone active de chacun des autres transistors (102). 5\n<CLM>\1\tDispositif électronique (100) selon la revendication 10, dans lequel ladite zone active (122) de chacun des premiers transistors (104) a une épaisseur supérieure ou égale à environ 10 nm.\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un dispositif électronique (100), 10 comportant au moins les étapes de : - réalisation d'une pluralité de transistors (102) MOSFET, parmi lesquels des premiers transistors (104) sont tels que chaque premier transistor (104) comporte un canal (130) dans lequel une concentration de dopants du même type que ceux présents dans les source et drain dudit premier transistor (104) est supérieure à 15 celle dans le canal de chacun des autres transistors de ladite pluralité de transistors (102) du même type de conductivité que ledit premier transistor (104) ; - réalisation d'un circuit d'identification (106) apte à déterminer un identifiant unique du dispositif électronique (100) à partir d'au moins une caractéristique électrique intrinsèque de chacun des premiers transistors (104) dont la valeur dépend au 20 moins en partie de la conductance dudit premier transistor (104).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12, dans lequel la réalisation des premiers transistors (104) comporte la mise en oeuvre d'une implantation de dopants dans le semi-conducteur (118) destiné à former les zones actives (122) de chacun des 25 premiers transistors (104), avec une dose comprise entre environ 5.10 n et 5.1012 at/cm2 et une énergie comprise entre environ 0,5 et 20 keV.\n<CLM>\1\tProcédé d'identification d'un dispositif électronique (100) comportant une pluralité de transistors (102) MOSFET, parmi lesquels des premiers transistors (104) sont tels que chaque premier transistor (104) comporte un canal (130) 3051600 20 dans lequel une concentration de dopants du même type que ceux présents dans les source et drain dudit premier transistor (104) est supérieure à celle dans le canal de chacun des autres transistors de ladite pluralité de transistors (102) du même type de conductivité que ledit premier transistor (104), comprenant au moins les étapes de : 5 - lecture de courants circulant dans les premiers transistors polarisés de manière identique ; comparaison deux à deux des valeurs desdits courants, les résultats de ces comparaisons formant l'identifiant unique du dispositif électronique. 10\n<CLM>\1\tProcédé d'identification d'un dispositif électronique (100) comportant une pluralité de transistors (102) MOSFET, parmi lesquels des premiers transistors (104) sont tels que chaque premier transistor (104) comporte un canal (130) dans lequel une concentration de dopants du même type que ceux présents dans les source et drain dudit premier transistor (104) est supérieure à celle dans le canal de 15 chacun des autres transistors de ladite pluralité de transistors (102) du même type de conductivité que ledit premier transistor (104), les premiers transistors (104) formant plusieurs cellules mémoires SRAM (134), comprenant au moins une étape de lecture d'un état mémoire initial de chacune des cellules mémoires SRAM (134) formées par les premiers transistors (104), les 20 états mémoires initiaux desdites cellules mémoires SRAM (134) formant ensemble l'identifiant unique du dispositif électronique (100).