Brevet FR3045074A1 (20170616)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication de lingots en matériau semi-conducteur, comprenant les étapes suivantes : - cristalliser dans des conditions particulières de tirage un premier lingot (A), dit lingot de référence, à partir d'une première charge fondue contenant de l'oxygène ; - mesurer la concentration en oxygène interstitiel (I0i]i) dans différentes zones réparties le long du lingot de référence (A) ; - mesurer dans les différentes zones du lingot de référence la concentration en donneurs thermiques ([DT]i) formés lors de la cristallisation du lingot de référence (A) ; - déterminer les durées effectives (teff) d'un recuit de formation des donneurs thermiques, subi par les différentes zones du lingot de référence (A) lors de sa cristallisation, à partir des mesures de la concentration en oxygène interstitiel (I0i]i) et de la concentration en donneurs thermiques ([DT]i) ; - calculer les valeurs de concentration en donneurs thermiques ([DT]tg) à obtenir pour qu'un deuxième lingot (B) présente, après cristallisation, une résistivité électrique axiale selon un profil cible ; - déterminer un profil axial ([Oi]tg) de la concentration en oxygène interstitiel correspondant au profil cible de résistivité axiale, à partir des valeurs de concentration en donneurs thermiques ([DT]tg) et des durées effectives (teff) du recuit de formation des donneurs thermiques ; - cristalliser dans lesdites conditions particulières de tirage le deuxième lingot (B) à partir d'une deuxième charge fondue contenant de l'oxygène, la concentration en oxygène de la deuxième charge fondue étant ajustée au fur et à mesure de la cristallisation de façon à obtenir dans le deuxième lingot (B) le profil axial ([Oi]tg) de la concentration en oxygène interstitiel.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le profil cible de résistivité est constant.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel le deuxième lingot (B) 3045074 25 est soumis à un recuit additionnel de formation des donneurs thermiques pendant une durée prédéterminée, la durée du recuit additionnel étant ajoutée aux durées effectives (teff) lors de la détermination du profil axial ([0i]tg) de la concentration en oxygène interstitiel. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la concentration en oxygène dans la deuxième charge fondue est modulée en plongeant dans la deuxième charge fondue une pièce (21) comprenant au moins un segment d'un anneau disposé autour du deuxième lingot (22), ladite pièce (21) étant 10 formée d'un matériau contenant de l'oxygène.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les première et deuxième charges fondues contiennent des dopants, le procédé comprenant en outre une étape de détermination d'un profil axial de la concentration 15 en dopants (ND) dans le deuxième lingot (B) avant de calculer les valeurs de concentration en donneurs thermiques ([DT]tg).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, dans lequel le profil axial de la concentration en dopants (ND) dans le deuxième lingot (B) est déterminé en mesurant la 20 concentration en dopants (ND) dans les différentes zones du lingot de référence (A), lorsque les première et deuxième charges fondues contiennent des dopants en concentrations identiques.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, dans lequel le profil axial (ND) de la 25 concentration en dopants dans le deuxième lingot (B) est calculé par la loi de Scheil- Gulliver.