Brevet FR3051979A1 (20171201)
REVENDICATIONS1. Procédé de guérison de défauts d'une couche (10) de composition ABO3 où A est constitué d'au moins un élément parmi : Li, Na, K, H, Ca, Mg, Ba, Sr, Pb, La, Bi, Y, Dy, Gd, Tb, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Ho, Zr, Sc, Ag, TI et B est constitué d'au moins un élément parmi : Nb, Ta, Sb, Ti, Zr, Sn, Ru, Fe, V, Sc, C, Ga, Al, Si, Mn, Zr, TI, ladite couche (10) étant obtenue par un procédé de transfert de couche dans lequel on implante des espèces ioniques dans un substrat (100) de composition ABO3 de manière à former une zone de fragilisation délimitant ladite couche puis on détache ledit substrat le long de la zone de fragilisation pour obtenir une couche (10) détachée du reste du substrat donneur, caractérisé en ce qu'il comprend l'exposition de ladite couche (10) à un milieu (M) contenant des ions d'un élément constituant A de sorte à faire pénétrer lesdits ions dans ladite couche transférée.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel lesdits ions pénètrent dans la couche (10) par un mécanisme d'échange ionique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel le milieu (M) contenant les ions est un liquide et la couche (10) est immergée dans un bain dudit liquide.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche (10) de composition ABO3 est immergée dans un bain comprenant une solution acide d'un sel comprenant ledit élément constituant A.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel le milieu (M) contenant les ions est en phase gazeuse et la couche (10) est exposée audit gaz.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel le milieu (M) contenant les ions est en phase solide, une couche dudit milieu (M) étant déposée sur la couche (10).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, comprenant au moins une étape de recuit pour favoriser la diffusion de l'élément constituant A du milieu (M) vers la couche (10).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel A est du lithium.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, dans lequel les ions de lithium pénètrent dans la couche (10) par un mécanisme d'échange protonique inverse. 3051979 12\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 8 ou 9, dans lequel la couche (10) est immergée dans un bain comprenant une solution acide d'un sel de lithium. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel la couche (10) est monocristalline.\n<CLM>\1\tProcédé de de fabrication d'une couche (10) de composition ABO3 où A est constitué d'au moins un élément parmi : Li, Na, K, H, Ca, Mg, Ba, Sr, Pb, La, Bi, Y, Dy, 10 Gd, Tb, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Ho, Zr, Sc, Ag, TI et B est constitué d'au moins un élément parmi : Nb, Ta, Sb, Ti, Zr, Sn, Ru, Fe, V, Sc, C, Ga, Al, Si, Mn, Zr, TI, caractérisé en ce qu'il comprend : - la fourniture d'un substrat donneur (100) de composition ABO3, - la formation d'une zone de fragilisation (101) par implantation d'espèces ioniques 15 dans le substrat donneur (100) de sorte à délimiter la couche (10), - le détachement du substrat donneur (100) le long de la zone de fragilisation (101) de sorte à obtenir la couche (10) détachée du reste du substrat donneur (100), ladite couche comprenant des défauts, - la mise en oeuvre du procédé de guérison des défauts de la couche (10) selon 20 l'une des revendications 1 à\n<CLM>\1\t13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel les espèces implantées comprennent de l'hydrogène et/ou de l'hélium. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 12 ou 13, dans lequel, avant l'étape de guérison, on retire une partie de l'épaisseur de la couche (10).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 12 à 14, dans lequel l'épaisseur de la couche (10) est supérieure à 2 pm, de préférence supérieure à 20 pm, ladite couche étant 30 autoportée à l'issue du détachement du substrat donneur (100).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 12 à 14, comprenant, entre l'étape de formation de la zone de fragilisation et l'étape de détachement du substrat donneur le long de ladite zone de fragilisation, l'application d'un substrat receveur (110) sur le 35 substrat donneur (100), la couche (10) étant à l'interface entre lesdits substrats (100, 110), ladite couche (10) étant transférée sur le substrat receveur (110) à l'issue du détachement du substrat donneur (100). 3051979 13\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 16, dans lequel l'application du substrat receveur comprend le dépôt dudit substrat (110) sur le substrat donneur (100).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 16, dans lequel l'application du substrat 5 receveur comprend le collage dudit substrat (110) sur le substrat donneur (100).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 16 à 18, dans lequel l'épaisseur de la couche (10) est inférieure à 20 pm. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 16 à 19, dans lequel on forme au moins une couche électriquement isolante et/ou au moins une couche électriquement conductrice à l'interface entre le substrat receveur (110) et la couche (10) à transférer.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de volume, 15 comprenant la formation d'électrodes (12,\n<CLM>\1\tsur deux faces principales opposées d'une couche piézoélectrique (10), caractérisé en ce qu'il comprend la fabrication de ladite couche piézoélectrique (10) par un procédé selon l'une des revendications 12 à\n<CLM>\1\t22. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface, 20 comprenant la formation de deux électrodes (12,\n<CLM>\1\tinterdigitées sur la surface d'une couche piézoélectrique (10), caractérisé en ce qu'il comprend la fabrication de ladite couche piézoélectrique par un procédé selon l'une des revendications 12 à\n<CLM>\1\t25