Brevet FR3041812A1 (20170331)
REVENDICATIONS1. Procédé de formation d'une portion semiconductrice (60) par croissance épitaxiale sur une portion contrainte de germination (40), comportant les étapes dans lesquelles : i) on fournit un empilement formé d'une couche de germination (10) recouvrant une couche sacrificielle (20) disposée sur une couche support (30) ; ii) on structure la couche de germination (10) de manière à former une partie structurée (11) et une partie périphérique (12), la partie structurée (11) comportant une portion centrale (40) reliée à la partie périphérique (12) ; iii) on réalise une cavité (21) sous la partie structurée (11) en rendant libre une surface (31) de la couche support (30) située en regard de la partie structurée (11), la portion centrale (40), dite portion contrainte de germination, étant alors contrainte ; iv) on forme la portion semiconductrice (60) par croissance épitaxiale sur la portion contrainte de germination (40) ; caractérisé en ce que, lors de l'étape iii), on réalise en outre une mise en contact de la partie structurée (11) avec ladite surface libre (31) de manière à rendre solidaire la partie structurée (11) de ladite surface libre (31).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel, lors de l'étape ii), la portion de germination (40) est contrainte de sorte que, lors de l'étape iv), la portion semiconductrice (60) est épitaxiée de manière sensiblement relaxée.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel, lors de l'étape ii), la portion centrale (40) est reliée à la partie périphérique (12) par au moins deux portions latérales (50) opposées l'une à l'autre vis-à-vis de la portion centrale (40), de sorte que, lors de l'étape iii), la portion centrale (40) est contrainte par les portions latérales (50).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3, dans lequel l'étape iv) comporte une sous-étape préalable dans laquelle on dépose un masque de croissance (61) sur la partie structurée (11) de manière à recouvrir les portions latérales (50) et à rendre libre une surface (62) de 3041812 33 la portion centrale de germination (40), dite surface de germination, la portion semiconductrice (60) étant formée à partir de la surface de germination (62).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3 ou 4, dans lequel, à la suite de l'étape iii), la partie structurée (11) est solidaire de la surface libre (31) de la couche support (30) par collage 5 moléculaire, et dans lequel on effectue les sous-étapes suivantes : a)on détermine une valeur minimale d'énergie de collage moléculaire de la partie structurée (11) sur la couche support (30), ainsi qu'une valeur minimale de surface collée des portions latérales (50) sur la couche support (30), ces valeurs minimales étant telles que ladite énergie de collage moléculaire est supérieure à une énergie 10 élastique de la partie structurée (11) ; b)on effectue, après l'étape iii) ou iv), un recuit de consolidation à une température de recuit telle que l'énergie de collage moléculaire présente une valeur supérieure ou égale à ladite valeur minimale préalablement déterminée ; puis c) on grave une partie distale (51) des portions latérales (50) vis-à-vis de la portion 15 contrainte de germination (40), de sorte que la surface collée des portions latérales (50) présente une valeur supérieure ou égale à ladite valeur minimale préalablement déterminée.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, dans lequel on réalise l'étape c) de gravure après l'étape iv) de croissance épitaxiale au cours de laquelle on effectue l'étape b) de recuit de 20 consolidation.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel, lors de l'étape c), on grave une partie distale (51) des portions latérales (50) formant raccord avec la partie périphérique (12) de la couche de germination (10).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, dans lequel, à la suite de l'étape c), la partie 25 structurée (11) présente une face supérieure opposée à la couche support (30) sensiblement plane. 3041812 34\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel, lors de l'étape iii), on réalise la cavité (21) et la mise en contact par gravure par HF en phase vapeur éventuellement suivie par le dépôt puis l'évaporation d'un liquide au niveau de la cavité, et dans lequel, lors de l'étape b) la température de recuit est sensiblement supérieure ou 5 égale à 200°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel, lors de l'étape iii), on réalise une oxydation ou une nitruration de ladite surface libre (31) et d'une surface de la partie structurée (11) orientée vers la surface libre, et dans lequel, lors de l'étape b) la température de recuit est sensiblement supérieure ou égale à 100°C. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, dans lequel, à la suite de l'étape iii), une couche diélectrique (14, 15), issue de ladite oxydation ou nitruration réalisée, est formée à l'interface entre la partie structurée (11) et la couche support (30), qui présente une épaisseur de préférence supérieure ou égale à 10nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dépendant de la 15 revendication 3, dans lequel, lors de l'étape ii), la structuration des portions latérales (50) est réalisée de sorte que, lors de l'étape iii), la portion contrainte de germination (40) présente une déformation uniaxiale ou biaxiale.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la portion semiconductrice épitaxiée (60) comporte au moins une partie dopée (63,\n<CLM>\1\tavec 20 un niveau de dopage supérieur ou égal à 2.1018 cm-3.\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un dispositif optoélectronique comportant une portion semiconductrice (60) obtenue par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel on réalise une jonction PN ou PIN (63, 64,\n<CLM>\1\tdans la portion semiconductrice, la jonction s'étendant de manière sensiblement orthogonale ou parallèle 25 au plan de la couche support (30).\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un dispositif optoélectronique comportant une portion semiconductrice obtenue par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, 3041812 35 dans lequel on réalise une cavité optique dans laquelle est située la portion semiconductrice (60) dont le matériau est adapté à former un milieu à gain, le dispositif obtenue étant adapté à émettre un faisceau lumineux cohérent.\n<CLM>\1\tStructure semiconductrice (1) comportant une portion semiconductrice (60) 5 épitaxiée sur une portion contrainte de germination (40) solidaire par adhérence moléculaire d'une couche support (30).