Brevet FR3045831A1 (20170623)
REVENDICATIONS1. Procédé d'étalonnage d'un four permettant de soumettre un échantillon de matériau semi-conducteur à un premier recuit de formation des donneurs thermiques, le premier recuit comprenant successivement une montée (P1) en température du four, un premier palier (P2) à une température de consigne (Tc) et une descente (P3) en température du four, procédé comprenant les étapes suivantes : a) prévoir (S1) une pièce étalon (40,\n<CLM>\1\tconstituée du matériau semi- conducteur ; b) déterminer (S2) la concentration en oxygène interstitiel de la pièce étalon ; c) soumettre (S3) la pièce étalon à un deuxième recuit de formation des donneurs thermiques dans le four, le deuxième recuit comprenant des montée et descente en température du four identiques à celles du premier recuit et un deuxième palier à la température de consigne (Tc) pendant une durée de consigne (tc'); d) déterminer (S4) la concentration en donneurs thermiques formés dans la pièce étalon lors du deuxième recuit ; e) déterminer (S5) une durée équivalente (teq) de recuit à la température de consigne (Tc), correspondant au moins auxdites montée et descente en température du four, à partir de la concentration en oxygène interstitiel, de la concentration en donneurs thermiques de la pièce étalon et de la durée de consigne (tc').\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la pièce étalon (40,\n<CLM>\1\tprésente une géométrie et des dimensions identiques à celles de l'échantillon.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel la durée de consigne (tc') est comprise entre 30 secondes et 2 heures.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel les étapes a)-e) sont mises en oeuvre pour une pluralité de pièces étalon ayant des valeurs différentes de durée de consigne (tc'), d'où il résulte une pluralité de valeurs de durée équivalente 3045 83 1 24 (teq), et comprenant en outre une étape de détermination de la valeur de durée de consigne au-delà de laquelle la durée équivalente (teq) est indépendante de la durée de consigne (tc'). 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la pièce étalon (40,\n<CLM>\1\test découpée dans un lingot de matériau semi-conducteur cristallisé selon la méthode Czochralski.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, dans lequel la concentration en oxygène 10 interstitiel de la pièce étalon (40) est déterminée en mesurant la concentration en oxygène interstitiel sur au moins une chute (41) issue de la découpe du lingot, ladite chute (41) étant adjacente à la pièce étalon (40) dans le lingot.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 5 et 6, dans lequel la concentration en 15 donneurs thermiques est déterminée à partir d'une première mesure de la résistivité électrique ou de la concentration en porteurs de charge libres, réalisée avant le deuxième recuit (S3) sur une première plaquette (81, 81') adjacente à la pièce étalon (80) dans le lingot, et d'une deuxième mesure de la résistivité électrique ou de la concentration en porteurs de charge libres, réalisée après le deuxième recuit (S3) 20 sur une deuxième plaquette (820) prélevée dans la pièce étalon (80).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, dans lequel le lingot de matériau semi-conducteur est obtenu à partir d'un bain de matériau semiconducteur intrinsèque en fusion. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, dans lequel la pièce étalon (40,\n<CLM>\1\test découpée dans une partie du lingot cristallisée en dernier.