Brevet FR3037720A1 (20161223)
REVENDICATIONS1. Composant électronique comprenant une couche semiconductrice (1) dont une première face (F2) est revêtue d'une première couche isolante (7) et dont une deuxième face (F1) est revêtue d'une structure d'interconnexion, dans lequel un pion conducteur (37) isolé latéralement s'étend à travers la couche semiconductrice à partir d'une portion de couche conductrice (11) de la structure d'interconnexion jusqu'à un plot de contact (43) disposé au niveau de la première couche isolante.\n<CLM>\1\tComposant électronique selon la revendication 1, dans lequel les dimensions latérales du pion conducteur (37) sont supérieures à 20 pin.\n<CLM>\1\tComposant électronique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'épaisseur de la couche semiconductrice (1) est 15 comprise entre 0,1 et 20 gm.\n<CLM>\1\tComposant électronique selon la revendication 3, dans lequel l'épaisseur de la couche semiconductrice (1) est comprise entre 3 et 5 gm.\n<CLM>\1\tCapteur d'image comprenant un composant 20 électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel des photodiodes sont formées dans la couche semiconductrice (1) et sont destinées à recevoir un éclairement du côté de la première face (F2).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant électronique 25 comprenant les étapes successives suivantes : a) prévoir une couche semiconductrice (1) dont une première face (F2) repose sur une première couche isolante (7) reposant sur un substrat (27), et dont une deuxième face (F1) est revêtue d'une deuxième couche isolante (4A) ; 30 b) graver une ouverture (31) à travers la deuxième couche isolante (4A) et la couche semiconductrice (1) jusqu'à la première couche isolante (7) ; c) former un pion conducteur (37) isolé latéralement remplissant l'ouverture (31) ; 3037720 B14222 - 14-GR3-0751 13 d) former, sur la deuxième couche isolante (4A), une structure d'interconnexion comportant une portion de couche conductrice (11) en contact avec le pion conducteur (37) ; e) éliminer le substrat (27) ; 5 f) graver une cavité à travers la première couche isolante (7) jusqu'au pion conducteur (37) ; et g) former un plot de contact (43) dans la cavité.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication 6, dans lequel la portion de couche conductrice (11) appartient au 10 niveau de métallisation de la structure d'interconnexion le plus proche de la deuxième face (F1).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication 6 ou 7, dans lequel : à l'étape a), une portion isolante (29) est prévue 15 dans la couche semiconductrice (1) et s'étend de la première face (F2) jusqu'à la deuxième face (F1) ; et l'étape b) consiste à retirer par gravure une partie centrale de la portion isolante (29) en laissant en place une gaine isolante (25) sur les parois latérales de l'ouverture. 20\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, dans lequel, à l'étape c), l'ouverture (31) est remplie d'un matériau conducteur (35), puis une étape de polissage mécano-chimique est effectuée jusqu'à la deuxième couche isolante (4A). 25\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication 9, dans lequel, à l'étape c), une couche barrière de diffusion (33) est déposée sur les parois et le fond de l'ouverture (31) avant de remplir l'ouverture du matériau conducteur (35).