Brevet FR3041476A1 (20170324)
REVENDICATIONS1. Dispositif électroluminescent (30 ; 70 ;\n<CLM>\1\tcomprenant : un substrat (34) ; des éléments (40) semiconducteurs tridimensionnels 5 reposant sur le substrat ; pour chaque élément semiconducteur, au moins une coque (48) recouvrant au moins partiellement les parois latérales de l'élément semiconducteur, la coque comprenant une zone active (52) ayant des puits quantiques multiples ; et 10 une électrode (56 ;\n<CLM>\1\trecouvrant au moins partiellement la coque (48), au moins une partie (74) de la zone active (52) étant prise en sandwich entre l'électrode et les parois latérales de l'élément semiconducteur (40), dans lequel la zone active comprend une alternance de 15 premières couches semiconductrices (58) comprenant majoritairement un premier élément et un deuxième élément et de deuxièmes couches semiconductrices (60) comprenant majoritairement le premier élément et le deuxième élément et comprenant, en outre, un troisième élément et dans lequel, dans au moins trois 20 des deuxièmes couches, la concentration massique du troisième élément augmente dans ladite partie de la zone active en se rapprochant du substrat.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon la revendication 1, dans lequel l'augmentation de la concentration massique du 25 troisième élément est comprise entre 0,1 point de pourcentage et 9 points de pourcentage.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon la revendication 1 ou 2, dans lequel, dans chacune desdites trois deuxièmes couches (60), dans n'importe quelle portion de la deuxième couche dont la 30 hauteur est égale à 10 % de la hauteur de ladite partie de la zone active (52) mesurée selon une direction perpendiculaire à une face du substrat (34), la variation de la concentration massique du troisième élément entre les extrémités, selon ladite direction, de cette portion est inférieure à 50 % de la variation de la 3041476 B14170 - DD16192JB 26 concentration massique du troisième élément entre les extrémités, selon ladite direction, de ladite partie de la zone active.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'augmentation de la 5 concentration massique du troisième élément est linéaire.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel chaque première couche (58) comprend majoritairement un composé binaire III-V et chaque deuxième couche (60) comprend le composé III-V dans lequel 10 l'élément de type III est en partie substitué par le troisième élément.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la concentration massique moyenne dudit troisième élément dans les deuxièmes couches (60) 15 est comprise entre 6 % et 25 %.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel, pour au moins l'un des éléments semiconducteurs (40), l'électrode (56) recouvre seulement partiellement la coque (48) recouvrant ledit élément 20 semiconducteur.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel, pour au moins l'un des éléments semiconducteurs (40), le diamètre moyen extérieur de la zone active (52) augmente en s'éloignant du substrat (34). 25\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel les éléments semiconducteurs (40) sont des nanofils, des microfils et/ou des structures pyramidales de taille nanométrique ou micrométrique.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif électro- 30 luminescent (30 ; 70 ;\n<CLM>\1\tcomprenant les étapes suivantes : former des éléments (40) semiconducteurs tridimensionnels reposant sur un substrat (34) ; former, pour chaque élément semiconducteur, au moins une coque (48) recouvrant au moins partiellement les parois latérales 3041476 B14170 - DD16192JB 27 de l'élément semiconducteur, la coque comprenant une zone active (52) ayant des puits quantiques multiples ; et former une électrode (56 ;\n<CLM>\1\trecouvrant au moins partiellement la coque (48), au moins une partie (74) de la zone 5 active (52) étant prise en sandwich entre l'électrode et les parois latérales de l'élément semiconducteur (40), dans lequel la zone active comprend une alternance de premières couches semiconductrices (58) comprenant majoritairement un premier élément et un deuxième élément et de 10 deuxièmes couches semiconductrices (60) comprenant majoritairement le premier élément et le deuxième élément et comprenant, en outre, un troisième élément et dans lequel, dans au moins trois des deuxièmes couches, la concentration massique du troisième élément augmente dans ladite partie de la zone active en se 15 rapprochant du substrat.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, comprenant, pour au moins l'un des éléments semiconducteurs (40), lors de la formation desdites au moins trois deuxièmes couches (60), le maintien d'un gradient de température entre l'extrémité de 20 l'élément semiconducteur la plus éloignée du substrat (34) et l'extrémité de l'élément semiconducteur la plus proche du substrat.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, comprenant, pour au moins l'un des éléments semiconducteurs (40), avant la 25 formation desdites au moins trois deuxièmes couches (60), la formation de l'élément semiconducteur ou d'une couche (50) recouvrant l'élément semiconducteur ayant un diamètre moyen externe plus important à l'extrémité de l'élément semiconducteur la plus éloignée du substrat qu'à l'extrémité de l'élément 30 semiconducteur la plus proche du substrat.