Brevet FR3042905A1 (20170428)
REVENDICATIONS1. Dispositif microélectromécanique comprenant une structure mécanique (P1) s'étendant principalement selon une direction (x) dite longitudinale, reliée à un substrat planaire (S) parallèle à ladite direction longitudinale par au moins un ancrage (APLM1, APLM2) situé à l'une de ses extrémités selon ladite direction longitudinale et susceptible de fléchir dans un plan parallèle au substrat, ladite structure mécanique comprenant une portion, dite de raccord, qui la relie audit ou à chaque dit ancrage et qui inclut une région résistive (R1) présentant une première (IPLM1) et une deuxième (12) zone d'injection d'un courant électrique pour former un transducteur résistif, ladite région résistive s'étendant principalement dans ladite direction longitudinale à partir dudit ou d'un dit ancrage et étant agencée de telle sorte qu'une flexion de ladite structure mécanique dans ledit plan parallèle au substrat induise dans ladite région résistive une contrainte moyenne non nulle et réciproquement; caractérisé en ce que : - ladite première zone d'injection (PLM1) est portée par ledit ancrage (APLM1) ; et - ladite deuxième zone d'injection (12) est portée par un 20 élément conducteur non fixé audit substrat et s'étendant dans une direction dite latérale (y), sensiblement perpendiculaire à ladite direction longitudinale.\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon la revendication 1 dans lequel ladite région résistive présente également au moins une troisième 25 zone d'injection (11) d'un courant électrique portée par un élément conducteur non fixé audit substrat, s'étendant dans ladite direction latérale et distinct de l'élément conducteur portant ladite deuxième zone d'injection, la deuxième zone d'injection étant agencée entre la première et la troisième zone d'injection. 30\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon l'une des revendications précédentes dans lequel ladite structure mécanique est 3042905 23 réalisée en matériau semi-conducteur et lesdites zones d'injection comprennent des couches métalliques déposées au-dessus de portions respectives de ce matériau semi-conducteur et formant des contacts ohmiques. ,J\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon l'une des revendications précédentes dans lequel au moins une dite zone d'injection (11, I1int) s'étend sur toute la largeur de ladite portion de raccord, au-delà de l'étendue de ladite région résistive. 10\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon l'une des revendications précédentes, dans lequel au moins ladite deuxième zone d'injection est reliée à un plot de contact (PLM3) solidaire dudit substrat par l'intermédiaire d'un élément en forme de poutre (PAI I ) non fixé audit substrat 15 et présentant une flexibilité dans ladite direction latérale.\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon la revendication 5, dans lequel ledit élément en forme de poutre présente une flexibilité dans ladite direction latérale supérieure à celle de la structure mécanique.\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon l'une des revendications précédentes dans lequel ladite portion de raccord de la structure mécanique comprend au moins deux poutres parallèles (P1 a, P1 b), orientées selon ladite direction longitudinale et disposées de part et d'autre d'une fibre neutre de la portion de raccord, ladite région résistive étant incluse dans l'une desdites poutres.\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon l'une des revendications précédentes dans lequel ladite portion de raccord de la 30 structure mécanique comprend une poutre unique (Pi) orientée selon ladite direction longitudinale, ladite région résistive étant agencée sur un côté de 3042905 24 ladite poutre, le reste de la poutre étant réalisé en matériau présentant une résistivité électrique plus élevée.\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon l'une des 5 revendications précédentes comprenant également un circuit électrique de détection (CMR), configuré pour mesurer une résistance électrique variable dans le temps de ladite région résistive entre deux desdites zones d'injection.\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon l'une des 10 revendications 1 à 9 comprenant également un circuit électrique d'actionnement (CX), configuré pour injecter un signal électrique alternatif dans ladite région résistive par l'intermédiaire desdites zones d'injection.\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon l'une des 15 revendications 1 à 8 dans lequel ladite structure mécanique comprend deux régions résistives (R10, R20) incluses dans ladite portion de raccord et agencées de telle sorte qu'une flexion de ladite portion de raccord dans un plan parallèle au substrat induise dans lesdites régions résistives des contraintes moyennes non nulles et de signe opposé, chaque dite région 20 résistive présentant une dite première (PLS1, PLS2) et une dite deuxième (110) zone d'injection d'un courant électrique, lesdites premières zones d'injection d'un courant électrique étant disjointes.\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon la revendication 25 11 comprenant également un circuit électrique de détection (CADD), configuré pour mesurer une différence, variable dans le temps, entre les résistances des deux premières zones d'injection d'un courant électrique.\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon la revendication 30 11 comprenant également un circuit électrique d'actionnement (CADD) configuré pour injecter des signaux électriques alternatif à une même fréquence, dite d'actionnement, et en opposition de phase, superposés à un 3042905 25 signal électrique continu ou à une fréquence différente de ladite fréquence d'actionnement, dans lesdites régions résistives par l'intermédiaire desdites zones d'injection.\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon la revendication 11 comprenant également un circuit électrique d'actionnement (CADD) configuré pour injecter des signaux électriques alternatif à une même fréquence, dite d'actionnement, et en quadrature de phase, sans superposition avec un signal électrique continu ou à une fréquence différente 10 de ladite fréquence d'actionnement, dans lesdites régions résistives par l'intermédiaire desdites zones d'injection.\n<CLM>\1\tSystème microélectromécanique comprenant un premier dispositif microélectromécanique (D) selon la revendication 9 et un second 15 dispositif microélectromécanique (D') selon la revendication 10, dans lequel les structures mécaniques (Pi, P1') du premier et du deuxième dispositif sont couplées mécaniquement, le circuit d'actionnement (CX) du premier dispositif est configuré pour injecter un signal électrique alternatif à une fréquence, dite d'actionnement, superposé à un signal électrique continu ou à une fréquence 20 différente de la fréquence d'actionnement, et le circuit de détection (CMR) du second dispositif est configuré pour mesurer une variation de résistance à la même fréquence.\n<CLM>\1\tSystème microélectromécanique comprenant un premier 25 dispositif microélectromécanique selon la revendication 14 et un second dispositif microélectromécanique selon la revendication 12, dans lequel les structures mécaniques du premier et du deuxième dispositif sont couplées mécaniquement, le circuit d'actionnement du premier dispositif est configuré pour injecter un courant électrique alternatif à une première fréquence et le circuit de détection du second dispositif est configuré pour mesurer une variation de résistance à une seconde fréquence, double de la première. 3042905 26\n<CLM>\1\tSystème microélectromécanique comprenant un premier dispositif microélectromécanique (D) selon la revendication 9 et un second dispositif microélectromécanique (D') selon la revendication 10, dans lequel les structures mécaniques (P1, P1') du premier et du deuxième dispositif sont couplées mécaniquement, le circuit d'actionnement (CX) du premier dispositif est configuré pour injecter un signal électrique alternatif à une première fréquence, sans superposition avec un signal électrique continu, et le circuit de détection (CMR) du second dispositif est configuré pour mesurer une variation de résistance à une seconde fréquence, double de la première. 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