Brevet FR3046602A1 (20170714)
REVENDICATIONS1. Solution d'ions tungstates W6+ (VI) comprenant à titre de solvant au moins un polyalcool, éventuellement partiellement éthérifié.\n<CLM>\1\tSolution selon la revendication 1, caractérisée en ce que le solvant comprend ou est constitué d'un composé glycolique, éventuellement partiellement éthérifié.\n<CLM>\1\tSolution selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce que le solvant comprend ou est constitué d'éthylène glycol.\n<CLM>\1\tSolution, selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle présente une concentration d'ions tungstates de 0,001 à 1 mo11-1.\n<CLM>\1\tSolution, selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle est limpide.\n<CLM>\1\tSolution, selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que ladite solution présente une viscosité dynamique comprise entre 2 et 64 cP, et par exemple comprise entre 4 et 54 cP, et par exemple comprise entre 4 et 25 cP, ou encore entre 8 et 19 cP, à 25°C et pression atmosphérique (101 325 Pa).\n<CLM>\1\tProcédé de préparation d'une solution d'ions tungstates, caractérisée en ce que la solution d'ions tungstates est telle que définie selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, et obtenue par une étape d'augmentation de la température d'une suspension ou gel de précurseurs d'ions tungstates dans un solvant polyalcoolique, et de préférence maintenue à une température supérieure à 120°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, caractérisée en ce que le précurseur d'ions tungstates est choisi parmi le groupe constitué de Na2WO4, (NI-14)2W04, H2W04 et l'un quelconque de leurs mélanges.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce que la formation du ou des complexes polyoxotungstates est réalisée par chauffage.\n<CLM>\1\tCouche comprenant au moins un oxyde de tungstène WO, comprenant un ou plusieurs complexes polyoxotungstates, où z est un chiffre supérieur à 2,7 et de 3046602 22 préférence supérieur à 2,8, calculé par les résultats de spectrométrie de photoélectrons induits par rayons X, ledit oxyde de tungstène présentant une proportion atomique de tungstène de degré d'oxydation 5 allant de 3 à 6% par rapport au tungstène total, ladite proportion étant calculée par les résultats de spectrométrie de photoélectrons induits par rayons X.\n<CLM>\1\tProcédé de préparation d'une couche d'oxyde de tungstène WO, déposée sur un support solide, ledit procédé comprenant la préparation d'une solution apte à être déposée par voie humide sur le support solide, ladite solution comprenant des ions tungstates W6+ (VI) et au moins un polyalcool, éventuellement partiellement éthérifié, à titre de solvant, le dépôt de la solution sur un support solide, l'élimination du solvant de la solution, et l'obtention d'un film d'oxyde de tungstène WO, sur le support solide.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ledit procédé comprend la mise en solution d'ions tungstates dans un solvant polyalcoolique, éventuellement partiellement éthérifié, qui peut constituer un premier solvant, éventuellement l'élimination au moins partielle du premier solvant pour augmenter la concentration des ions tungstates, la dilution éventuelle par ajout d'un second solvant dit « solvant volatil » présentant une température d'ébullition inférieure à la température d'ébullition du premier solvant, puis le dépôt de la solution comprenant le solvant volatil sur le support solide, et l'élimination du premier solvant, et du solvant volatil éventuellement présent, pour former un film d'oxyde de tungstène WO, sur le support solide.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11 ou 12, caractérisé en ce que l'élimination du solvant, éventuellement l'élimination du solvant volatil, est réalisée à une température supérieure à la température d'ébullition du solvant.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, caractérisé en ce que le procédé comprend la mise en solution d'ions tungstates en présence d'un agent oxydant.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 14, caractérisé en ce que le dépôt est opéré par impression ou enduction, et de préférence par enduction centrifuge (« spin coating »), par impression par jet d'encre, par sérigraphie (« screen printing »), par héliogravure, par « slot die», par procédé feuille à feuille ou au déroulé. 3046602 23\n<CLM>\1\tMatériau semi-conducteur comprenant ou constitué d'une couche telle que définie selon la revendication 10 ou susceptible d'être obtenue par un procédé tel que défini selon l'une quelconque des revendications 11 à\n<CLM>\1\t17. Dispositifs photovoltaïques comprenant une couche de matériau actif pour la photoconversion et un matériau semi-conducteur tel que défini selon la revendication\n<CLM>\1\t18. Utilisation d'une solution d'ions tungstates telle que définie selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, ou susceptible d'être obtenue selon le procédé tel que défini selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, pour former une couche de semi-conducteur comprenant un oxyde de tungstène.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif photovoltaïque caractérisé en ce qu'il comprend la préparation d'une couche de semi-conducteur, tel que défini selon la revendication\n<CLM>\1\t20. Méthode de production d'énergie électrique caractérisée en ce qu'elle comprend l'utilisation d'un matériau semi-conducteur tel que défini selon la revendication 16, ou d'un dispositif photovoltaïque tel que défini selon la revendication 17, pour produire de l'énergie électrique à partir de radiations solaires.