Brevet FR3050870A1 (20171103)
REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un dispositif de détection (1) de rayonnement électromagnétique comprenant au moins un détecteur thermique (10), celui-ci comportant une membrane absorbante (11) adaptée à absorber le rayonnement à détecter, suspendue au-dessus d'un substrat (2), le détecteur thermique étant situé dans une cavité hermétique (3), le procédé comportant au moins les étapes suivantes : - dépôt, sur le substrat (2), d'une couche métallique dite getter (40) comprenant un matériau métallique à effet getter ; - dépôt, de manière à recouvrir la couche métallique getter (40), d'une couche sacrificielle dite carbonée (50) comprenant un matériau carboné apte à être gravé sélectivement vis-à-vis de la couche métallique getter (40) par une seconde gravure chimique ; - dépôt, sur la couche sacrificielle carbonée (50), d'au moins une couche sacrificielle minérale (60A, 60B) comprenant un matériau minéral apte à être gravé sélectivement vis- à-vis de la couche sacrificielle carbonée (50) par une première gravure chimique ; - réalisation du détecteur thermique (10) de sorte que la membrane absorbante (11) est réalisée sur la couche sacrificielle minérale (60A) ; - suppression de la couche sacrificielle minérale (60A, 60B) par ladite première gravure chimique ; - suppression de la couche sacrificielle carbonée (50) par ladite seconde gravure chimique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le matériau métallique à effet getter est choisi parmi le titane, le zirconium, le vanadium, le chrome, le cobalt, le fer, le manganèse, le palladium, le baryum, et/ou l'aluminium.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le matériau carboné est choisi parmi le carbone amorphe et le polyimide.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le matériau minéral est un matériau comportant au moins de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium. 3050870 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la première gravure chimique est une attaque chimique en milieu acide, de préférence à l'acide fluorhydrique en phase vapeur.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la seconde 5 gravure chimique est une gravure sèche par plasma d'oxygène.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la couche métallique getter (40) repose et est au contact d'une couche électriquement isolante (23) du substrat (2), ou repose et est au contact d'une couche d'arrêt de gravure (4) réalisée en un matériau apte à stopper la première gravure chimique et recouvrant une face 10 supérieure du substrat (2).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la couche sacrificielle carbonée (50) recouvre la couche métallique getter (40).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la couche métallique getter (40) comporte plusieurs portions distinctes (41, 42), dont au moins une 15 première portion (41) est située sous la membrane absorbante (11).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel l'étape de réalisation du détecteur thermique (10) comporte la formation d'une structure d'encapsulation (30) dudit détecteur thermique, la structure d'encapsulation (30) comportant une couche d'encapsulation (31) s'étendant autour et au-dessus dudit 20 détecteur thermique (10) de manière à définir avec le substrat (2) la cavité hermétique (3) dans laquelle ledit détecteur thermique (10) est situé, la couche d'encapsulation (31) comprenant au moins un orifice traversant (32), dit évent de libération ; et dans lequel des matériaux supprimés lors des première et deuxième gravures chimiques sont évacués au travers dudit évent de libération (32). 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, dans lequel la couche d'encapsulation (31) est formée en au moins un matériau comportant du silicium. 3050870 21\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10 ou 11, dans lequel la couche d'encapsulation (31) comporte une paroi périphérique (33) qui s'étend autour dudit détecteur thermique (10), et qui est au contact de la couche métallique getter (40).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel le détecteur 5 thermique (10) comporte au moins un pilier d'ancrage (12) assurant le maintien de la membrane absorbante (11) au-dessus du substrat (2), le pilier d'ancrage (12) étant au contact de la couche métallique getter (40).