Brevet FR3051557A1 (20171124)
REVENDICATIONS1. Dispositif de mesure (100) d'un faisceau de particules comprenant un première partie, dite partie centrale (PC), une deuxième partie, dite partie périphérique (PP), le dispositif de mesure étant caractérisé en ce que : - la partie centrale (PC) comporte des moyens pour former une zone de charge d'espace (ZCE) destinée à être traversée par un faisceau de particules (FS) à mesurer, des porteurs de charge d'un premier type et d'un second type étant générés par ledit faisceau (FS) lorsque ce dernier traverse la zone de charge d'espace (ZCE) ; - la partie périphérique (PP) comporte des moyens pour collecter au moins un type de porteur de charge parmi le premier type ou le deuxième type de porteurs de charge générés au niveau de la zone de charge d'espace (ZCE) ; la partie périphérique (PP) entourant la partie centrale (PC) de sorte qu'un faisceau de particule (FS) peut traverser la partie centrale (PC) sans traverser la partie périphérique (PP).\n<CLM>\1\tDispositif de mesure (100) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la partie centrale (PC) est réalisée dans un matériau semi- conducteur à grand gap.\n<CLM>\1\tDispositif de mesure (100) selon la revendication précédente caractérisé en ce que le semi-conducteur est le carbure de silicium.\n<CLM>\1\tDispositif de mesure (100) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la zone d'espace de charge (ZCE) est formée à l'aide d'une diode Schottky, une diode PN ou une diode PIN.\n<CLM>\1\tDispositif de mesure (100) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce qu'il comporte une face avant (F) et une face arrière (B), la face avant (F) étant parallèle à la face arrière (B), et en ce qu'un orifice (01) est ménagé au niveau de la face arrière (B), dans une région 305 1 5 5 7 20 de la partie centrale (PC) de sorte que l'épaisseur de ladite région de la partie centrale (PC) selon un axe normal à la face avant (F) est inférieure à l'épaisseur de la partie périphérique (PP) selon ledit axe normal. 5\n<CLM>\1\tDispositif de mesure (100) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la zone de charge d'espace (ZCE) de la partie centrale (PC) est uniquement située dans la région de la partie centrale (PC) en regard de l'orifice (01). 10\n<CLM>\1\tDispositif de mesure (100) selon la revendication 5 caractérisé en ce que la zone de charge d'espace (ZCE) de la partie centrale (PC) s'étend au-delà de la région de la partie centrale (PC) en regard de l'orifice (01).\n<CLM>\1\tDispositif de mesure (100) selon la revendication 5 caractérisé en ce que la 15 partie centrale (PC) comprend : - une première couche (1) d'un matériau semi-conducteur ; - une deuxième couche (2) d'un matériau conducteur recouvrant la première couche (1) ; la zone d'espace de charge (ZCE) étant formée par la diode Schottky 20 formée par la première couche (1) et la deuxième couche (2), l'orifice (01) étant ménagé dans la première couche (1).\n<CLM>\1\tDispositif de mesure (100) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la partie périphérique (PP) comprend : 25 - une troisième couche (3') d'un matériau conducteur ; - une première couche (1') d'un matériau semi-conducteur recouvrant la troisième couche (3') et disposée en continuité de la première couche (1) de la partie centrale (PC) ; - une deuxième couche (2') d'un matériau conducteur recouvrant la 30 première couche (1) et disposée en continuité de la deuxième couche (2) de la partie centrale (PC) ; la troisième couche (3') d'un matériau conducteur assurant la collecte d'un premier type de porteurs de charge générés dans la zone d'espace de 3051557 21 charge (ZCE).\n<CLM>\1\tDispositif de mesure (100) selon la revendication 5 caractérisé en ce que la partie centrale (PC) comprend : 5 - une première couche (1) d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage ; - une deuxième couche (2) d'un matériau semi-conducteur dopé dans un deuxième type de dopage opposé au premier type de dopage, ladite deuxième couche (2) recouvrant la première couche (1) ; 10 - une quatrième couche (4) d'un matériau conducteur, ladite quatrième couche (4) recouvrant la deuxième couche (2) ; la zone d'espace de charge (ZCE) étant formée par la diode PN formée par la première couche (1) et la deuxième couche (2), l'orifice (01) étant ménagé dans la première couche (1). 15 11 Dispositif de mesure (100) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la partie périphérique comprend : - une troisième couche (3') d'un matériau conducteur ; - une première couche (1') d'un matériau semi-conducteur dopé dans 20 un premier type de dopage recouvrant la troisième couche (3') et disposée en continuité de la première couche (1) de la partie centrale (PC) ; - une deuxième couche (2') d'un matériau semi-conducteur dopé dans un deuxième type de dopage opposé au premier type de dopage 25 recouvrant la première couche (1'), la dite deuxième couche (2') étant disposée en continuité de la deuxième couche (2) de la partie centrale (PC) ; - une quatrième couche (4') d'un matériau conducteur, ladite quatrième couche (4') recouvrant la deuxième couche (2'), la dite 30 quatrième couche (4') étant disposée en continuité de la quatrième couche (4) de la partie centrale (PC) ; la troisième couche (3) d'un matériau conducteur assurant la collecte d'un 3051557 22 premier type de porteurs de charge générés dans la zone d'espace de charge (ZCE).\n<CLM>\1\tDispositif de mesure (100) selon la revendication 10 caractérisé en ce que 5 la partie périphérique (PP) comprend : - une troisième couche (3') d'un matériau conducteur ; - une première couche (1') d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage recouvrant la troisième couche (3') et disposée en continuité de la première couche (1) de la partie 10 centrale (PC), la première couche (1) de la partie centrale (PC) et de la partie périphérique (PP) ayant le même niveau de dopage ; - une sixième couche (6) d'un oxyde recouvrant la première couche (1) ; - une quatrième couche (4') d'un matériau conducteur recouvrant la 15 sixième couche (6) ; la quatrième couche (4, 4') formant une marche entre la partie périphérique (PP) et la partie centrale (PC) couvrant une surface latérale de la sixième couche (6) de sorte à assurer une continuité entre la quatrième couche (4) de la partie centrale (PC) et la quatrième couche (4') de la partie 20 périphérique (PP).\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des deux revendications précédentes caractérisé en ce que la partie périphérique (PP) comporte une cinquième couche (5') d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage, le 25 niveau de dopage de la cinquième couche (5') étant plus élevé que le niveau de dopage de la première couche (1'), la quatrième couche étant située entre la troisième couche (3') et la première couche (1') de la partie périphérique (PP).