Brevet FR3051964A1 (20171201)
REVENDICATIONS1. Procédé de formation d'un motif de guidage fonctionnalisé destiné à un procédé de grapho-épitaxie, le procédé de formation du motif de guidage fonctionnalisé comportant les étapes suivantes : - (101) formation d'une première couche de fonctionnalisation (2) sur un substrat (1) ; - (102) dépôt d'une couche protectrice (3) sur la première couche de fonctionnalisation (2) ; i.o - (103) formation d'un motif de guidage (4) sur la couche protectrice (3), le motif de guidage (4) comportant au moins une cavité (7) débouchant sur la couche protectrice (3), la cavité (7) comportant un fond (6) et des parois latérales (5) ; - (104) implantation d'ions ayant un numéro atomique inférieur à 10 dans une partie (9) de la couche protectrice (3) située au fond de la cavité par 15 exposition à un bombardement d'ions, de façon à ce que la partie exposée (9) de la couche protectrice puisse être gravée sélectivement par rapport à la partie non exposée (8) de la couche protectrice ; - (106) gravure sélective de la partie exposée (9) de la couche protectrice de façon à exposer une partie (13) de la première couche de fonctionnalisation 20 située au fond de la cavité.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, comportant en outre une étape (105) de formation d'une deuxième couche de fonctionnalisation (10) dans la cavité (7), la deuxième couche de fonctionnalisation (10) comportant une partie dite « horizontale » (11) déposée sur le fond de la cavité et une partie dite 25 « verticale » (12) déposée sur les paroi latérales de la cavité.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape (103) de formation du motif de guidage (4) comporte les sous-étapes suivantes : - dépôt d'au moins une couche de base sur la couche protectrice ; 3051964 23 - gravure de la couche de base par lithographie.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3, dans lequel la couche de base est déposée à une température inférieure à 300°C, et de préférence inférieure à 250°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 3 ou 4, dans lequel la couche de base 5 comporte du carbone.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche protectrice (3) est une couche d'un matériau inorganique diélectrique comportant du silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'implantation d'ions est effectuée par exposition à un plasma, les ions implantés comportant de l'hydrogène et/ou de l'hélium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'implantation d'ions est effectuée par exposition à un faisceau d'ions, les ions implantés comportant une des espèces suivantes : Ar, H, He, N2.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la gravure sélective est une gravure humide effectuée à l'aide d'une solution de gravure à base d'acide fluorhydrique ou d'acide phosphorique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la gravure sélective est une gravure sèche effectuée à l'aide d'un plasma délocalisé, l'étape de gravure comportant les sous-étapes suivantes : - une première sous-étape de formation d'un sel à partir d'un plasma ; - une deuxième sous-étape de sublimation du sel.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, dans lequel le sel est formé à partir d'un plasma à base de fluor et d'hydrogène.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 10 ou 11, dans lequel le sel est sublimé par un recuit. 3051964 24\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la gravure sélective est une gravure en phase vapeur.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13, dans lequel la gravure en phase vapeur comporte une étape d'injection d'acide fluorhydrique en phase vapeur dilué dans 5 un solvant sur les couches à graver.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13, dans lequel la gravure en phase vapeur comporte les sous-étapes suivantes : - injection d'un gaz d'acide fluorhydrique dans une chambre de réaction dans laquelle se trouvent les couches à graver ; 10 - injection d'un gaz inerte dans la chambre de réaction.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 13 à 15, comportant en outre une étape de pré-recuit avant l'étape de gravure vapeur.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 13 à 16, dans lequel la gravure vapeur forme des produits de réaction non volatiles, le procédé comportant en outre une 15 étape de suppression des produits de réaction non volatiles formés pendant la gravure vapeur, l'étape de suppression des produits de réaction non volatiles comportant : - une étape de solubilisation desdits produits dans une solution d'élimination, de préférence de l'eau ; et/ou 20 - une étape de recuit à une température comprise entre 100°C et 300°C.\n<CLM>\1\tProcédé de grapho-épitaxie comportant un procédé de réalisation d'un motif de guidage selon l'une des revendications 1 à 17 et une étape de dépôt d'un copolymère à bloc dans la cavité.\n<CLM>\1\tProcédé de grapho-épitaxie selon la revendication précédente, dans lequel le 25 copolymère à bloc comporte au moins deux blocs de monomères, la première couche de fonctionnalisation présentant une affinité équivalente avec tous les blocs de monomères, la deuxième couche de fonctionnalisation présentant une affinité préférentielle avec un des blocs de monomères.