Brevet FR3046876A1 (20170721)
REVENDICATIONS1 Procédé de fabrication d'un transistor comprenant : i. une grille (2000, 3000) située au-dessus d'une couche sous-jacente (2022, 3022) d'un matériau semi- conducteur, ladite grille (2000, 3000) comprenant au moins un premier flanc (2001, 3001) et au moins un deuxième flanc (2002, 3002), ii. un pied de grille (2021, 3021) formé sous la grille et en saillie dans ladite couche sous-jacente (2022, 3022) relativement à une portion périphérique (2023, 2024, 3023, 3024) de la couche sous-jacente (2022, 3022) entourant le pied de grille (2021, 3021), le procédé étant caractérisé par le fait qu'il comprend au moins les étapes suivantes : i. Formation d'une couche de sélectivité (2110, 2210, 3210, 3220) à partir d'une couche originale (2020, 3020) uniquement au-dessus de ladite portion périphérique (2023, 2024, 3023, 3024) de la couche sous-jacente (2022, 3022), la couche de sélectivité (2110, 2210, 3210, 3220) étant obtenue par transformation d'une partie au moins du matériau de la couche originale (2020, 3020) ; ii. Gravure sélective par rapport à la couche de sélectivité (2110, 2210, 3210, 3220) du matériau de la couche originale (2020, 3020), configurée pour former ledit pied de grille (2021, 3021).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel la transformation d'une partie au moins du matériau de la couche originale (2020, 3020) comprend une étape d'oxydation d'une partie au moins du matériau de la couche originale (2020, 3020). 3046876 23\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche de sélectivité (2110, 2210, 3210, 3220) a une épaisseur strictement inférieure à la hauteur dudit pied de grille (2021, 3021) de sorte à permettre un accès latéral audit pied de grille 5 (2021, 3021).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la gravure sélective est une gravure isotrope. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes comprenant une étape de retrait de la couche de sélectivité (2110, 2210, 3210, 3220) après ladite gravure sélective.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape de 15 retrait de la couche de sélectivité (2110, 2210, 3210, 3220) est réalisée par au moins une gravure humide.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes comprenant une étape de formation d'au moins un espaceur, ladite 20 étape de formation de l'au moins un espaceur comprenant la formation d'une couche diélectrique (2060, 3060) recouvrant au moins en partie ledit premier flanc (2001, 3001) et ledit deuxième flanc (2002, 3002) de la grille (2000, 3000) de sorte à ne pas couvrir au moins en partie ledit pied de grille (2021, 3021). 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de la couche diélectrique (2060, 3060) est suivie par une étape de retrait de la couche diélectrique (2060, 3060) au niveau d'une surface (2063, 2064) de la couche originale (2020). 30\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel ledit retrait de la couche diélectrique (2060, 3060) est réalisé de sorte à laisser le premier flanc (2001, 3001) et le deuxième flanc (2002, 3002) de la 3046876 24 grille (2000, 3000) recouverts de la couche diélectrique (2060, 3060) de sorte à former l'au moins un espaceur (2061, 2062, 3061, 3062).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des deux revendications 5 précédentes dans lequel l'étape de retrait de la couche diélectrique (2060, 3060) est effectuée par gravure sèche.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des quatre revendications précédentes dans lequel l'étape de formation de la couche de 10 sélectivité (2110, 2210, 3210, 3220) est réalisée après l'étape de formation de l'au moins un espaceur.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle la formation de la couche de sélectivité (2110, 2210, 15 3210, 3220) comprend une étape de transformation d'une portion du matériau de la couche originale (2020, 3020), suivie par une étape de retrait partiel d'au moins une partie de ladite portion de matériau transformé de sorte à conserver au-dessus de ladite portion périphérique (2023, 2024, 3023, 3024) de la couche sous-jacente 20 (2022, 3022) une couche de matériau transformé formant la couche de sélectivité (2110, 2210, 3210, 3220).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11 dans lequel la formation de la couche de sélectivité (3210, 3220) 25 comprend une étape de retrait partiel de la couche originale (3020) autour de la grille (3000) de sorte à former une portion résiduelle (3123, 3124) de la couche originale (3020).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans laquelle l'étape de 30 retrait partiel de la couche originale (3020) autour de la grille (3000) est suivie par la transformation du matériau de la couche originale (3020) de ladite portion résiduelle (3123, 3124) de sorte à former une couche superficielle (3200). 3046876 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel la transformation du matériau de la couche originale (3020) de ladite portion résiduelle (3123, 30124) est suivi par une étape de retrait au moins partiel de la couche superficielle (3200) réalisée par au moins 5 une désoxydation partielle sur au moins un flanc du pied de la grille (3021) avant ladite gravure sélective.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel, suivant une direction perpendiculaire à une dimension 10 en épaisseur de la couche sous-jacente (2022, 3022), la largeur de la grille (2000, 3000) est supérieure ou égale à la largeur du pied de grille (2021, 3021).