Brevet FR3044825A1 (20170609)
REVENDICATIONS1. Substrat (1) pour agencement pour empilement de cellule photovoltaïque en couches minces intégrant une couche supérieure (1A) à base de microsphères intégrées présentant un motif régulier.\n<CLM>\1\tSubstrat (1) selon la revendication1, dans lequel le motif régulier de la couche supérieure (1A) à base de microsphères intégrées comprend un réseau périodique hexagonal compact bidimensionnel.\n<CLM>\1\tAgencement pour empilement de cellule photovoltaïque en couches minces comprenant une couche de substrat (1) pour cellule photovoltaïque selon la revendication 1 ou 2, une couche de molybdène (2) disposée sur les microsphères intégrées (1A) au substrat (1), une couche ultra-mince d'absorbeur de lumière (3) disposée sur la couche de molybdène (2), ainsi qu'une couche tampon (4) disposée sur la couche ultra-mince d'absorbeur de lumière (3), et une couche fenêtre (5) disposée sur la couche tampon.\n<CLM>\1\tAgencement selon la revendication 3, dans lequel la couche ultra-mince d'absorbeur de lumière (3) est en alliage de cuivre, d'indium, de gallium et de sélénium.\n<CLM>\1\tAgencement selon la revendication 3, dans lequel la couche ultra-mince d'absorbeur de lumière (3) est en alliage de cuivre, de zinc, d'étain, ainsi que de sélénium et/ou de soufre.\n<CLM>\1\tAgencement selon l'une des revendications 3 à 5, comprenant une couche de diélectrique (6) disposée entre la couche de substrat (1) intégrant une couche supérieure à base de microsphères intégrées (1A) présentant un motif régulier et la couche molybdène (2).\n<CLM>\1\tAgencement selon la revendication 6, dans lequel lesdites microsphères (1A) sont dopées au sodium ou au potassium. 3044825 17\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un agencement pour empilement de cellule photovoltaïque en couches minces comprenant les étapes de : - dépôt (S1) d'un film de microsphères ordonnées sur un substrat initial en défilement; 5 - gravure (S2) des microsphères et/ou recuit (S3) d'ancrage des microsphères; - dépôt (S5) d'une couche de molybdène (2) sur les microsphères intégrées (1A) au substrat (1); - dépôt (S6) d'une couche ultra-mince d'absorbeur de lumière (3) sur la 10 couche de molybdène (2); et - dépôt (S7) d'une couche tampon (4) et d'une couche fenêtre (5) sur la couche ultra-mince d'absorbeur de lumière (3). 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, comprenant, en outre, une étape de dépôt (S4) d'une couche de diélectrique (6) sur les microsphères intégrées (1A) au substrat (1) avant le dépôt (S5) de molybdène (2); la couche de diélectrique (6) se trouvant alors entre les microsphères intégrées (1A) au substrat (1) et la couche de molybdène (2). 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8 ou 9, dans lequel le dépôt (S5) de la couche de molybdène (2) sur les microsphères (1A) intégrées au substrat (1) est fait sur une épaisseur comprise entre 100 et 2000 nm. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, dans lequel le dépôt (S5) de la couche de molybdène (2) sur les microsphères (1A) intégrées au substrat (1) est fait sur une épaisseur de sensiblement 500 nm. 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 8 à 11, dans lequel le dépôt (S1) de microsphères utilise des microsphères dopées au sodium ou au potassium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 8 à 12, dans 35 lequel le dépôt (S1) du film de microsphères met en oeuvre des microsphères de diamètre compris entre 100 nm et 5 pm. 3044825 18\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12, dans lequel le dépôt (S1) du film de microsphères met en oeuvre des microsphères de diamètre de sensiblement 1 pm. 5