Brevet FR3044824A1 (20170609)
REVENDICATIONS1. Transistor à effet de champ à barrière Schottky (1), comportant : -des première et deuxième électrodes de conduction (161,162), la première électrode de conduction (161) étant en métal ; -une grille de commande (12); -un canal semi-conducteur (134) positionné sous la grille (12) ; Caractérisé en ce que : -un contact de type métal/isolant/semi-conducteur est formé entre la première électrode de conduction (161) et une face latérale (135) du canal semi-conducteur (134).\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ à barrière Schottky (1) selon la revendication 1, dans lequel un isolant (150) de la connexion métal-isolant-semi-conducteur est en contact avec ladite face latérale (135) du canal semi-conducteur (134), et est positionné à l'aplomb d'un bord de la grille de commande (12).\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ à barrière Schottky (1) selon la revendication 2, dans lequel les première et deuxième électrodes de conduction (161,162), ledit isolant (150) et le canal semi-conducteur (134) sont traversés par un même plan géométrique passant sous la grille de commande (12).\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ à barrière Schottky (1) selon la revendication 2 ou 3, dans lequel ledit isolant (150) présente une épaisseur comprise entre 0,5 et 3 nm séparant ladite première électrode de conduction (161) dudit canal semi- conducteur (134).\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ à barrière Schottky (1) selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel ledit isolant (150) inclut un matériau choisi dans le groupe comprenant le TiO2, le ZnO, le ITO, le BaTiO3, le Si3N4, ou le A1203.\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ à barrière Schottky (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la deuxième électrode de conduction (162) est en métal, et dans lequel une connexion de type métal-isolant-semi- conducteur est formée entre la deuxième électrode de conduction et une autre face latérale (136) du canal semi-conducteur (134).\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ à barrière Schottky (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le métal de ladite première électrode de conduction (161) inclut un métal choisi dans le groupe comprenant le Ti, le TiN, le Zr, le Hf, le Pt, ou le Au. ICG11041 FR DD16721VR Depot Texte.docx 3044824 17\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ à barrière Schottky (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite grille de commande (12) comprend un métal de grille (122), et un isolant de grille (121) positionné sous 5 et sur des côtés dudit métal de grille.\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ à barrière Schottky (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite face latérale (135) dudit canal semi-conducteur (134) est formée dans une zone semi conductrice (131) 10 présentant une implantation de dopants, ladite zone semi conductrice (131) présentant une implantation de dopants s'étendant jusqu'en dessous de ladite première électrode de conduction (161).\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ à barrière Schottky (1) selon la revendication 9, 15 dans lequel ladite zone semi conductrice (131) présente une concentration en dopants au moins égale à 1019cm-3.\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ à barrière Schottky (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant un espaceur isolant (125), ledit 20 espaceur isolant (125) étant positionné contre la grille de commande (12) et à l'aplomb d'une partie de ladite première électrode de conduction (161).\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ à barrière Schottky (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit contact métal/isolant/semi- 25 conducteur présente une hauteur au moins égale à 6nm sur ladite face latérale (135) du canal semi-conducteur.\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ à barrière Schottky (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel lesdites première et deuxième 30 électrodes de conduction (161,\n<CLM>\1\tsont disposées de part et d'autre de ladite grille de commande (12).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à barrière Schottky (1), comprenant les étapes de : 35 -fourniture d'une structure comportant une grille de commande (12) et une couche semi-conductrice (130) positionnée sous la grille et présentant des saillies (131,\n<CLM>\1\tlatéralement par rapport à la grille, au moins une desdites saillies présentant un renfoncement (141) définissant une face latérale (135) de ladite couche semi-conductrice (130) ; 40 -dépôt d'une couche d'isolant (150) sur ladite face latérale (135) de ladite couche semi-conductrice ; ICG11041 FR DD16721VR Depot Texte.docx 3044824 18 -dépôt d'un métal (160) dans le renfoncement sur ladite couche d'isolant (150) de façon à former un contact de type métal/isolant/semi-conducteur entre dépôt de métal et ladite face latérale (135) de ladite couche semi-conductrice. 5\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à barrière Schottky (1) selon la revendication 14, dans lequel ledit contact métal/isolant/semiconducteur formé présente une hauteur au moins égale à 6nm sur ladite face latérale (135) du canal semi-conducteur. ICG11041 FR DD16721VR Depot Texte.docx