Brevet FR3045943A1 (20170623)
REVENDICATIONS1°) Dispositif semi-conducteur comportant : - au moins un résidu (42) d'un substrat semi-conducteur (10) avec un côté de substrat (42b) ayant une structure de métal de gravure (12,\n<CLM>\1\tavec un contact (44,\n<CLM>\1\ttraversant le résidu (42) du subs- trat semi-conducteur (10), dispositif semi-conducteur caractérisé en ce que - le contact (44,\n<CLM>\1\tcomporte un noyau de contact (16) qui est sépa- ré du résidu (42) du substrat semi-conducteur (10) par un sillon (28) traversant le résidu (42) du substrat semi-conducteur (10) ; le côté de substrat (42b) a, respectivement une première structure de métal de gravure (12) par contact (44,\n<CLM>\1\tqui encadre la surface limite (16b) du noyau (16) du contact (44,\n<CLM>\1\tassocié sur le côté de substrat (42b), ayant une structure de métal de gravure (12,\n<CLM>\1\tdans et/ou sur au moins un sillon (28) ; et - le côté de substrat (42b) a au moins une première structure de mé- tal de gravure (12), qui encadre en plus, au moins la seconde structure de métal de gravure (14), comme constituant une struc- ture de métal de gravure (12,\n<CLM>\1\tdans et/ou sur le sillon (28). 2°) Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu' le contact (44,\n<CLM>\1\test réalisé comme contact traversant dont le noyau de contact (16) s'étend du côté du substrat (42b) vers le côté opposé (42a.) non tourné vers le côté du substrat (42b), du résidu (42) du subs- trat semi-conducteur (10). 3°) Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu' le contact (44,\n<CLM>\1\test réalisé comme un contact de paroi latérale (62) dont le noyau de contact s'étend du côté du substrat (42b) vers la paroi latérale (60) située entre le côté du substrat (42b) et le côté opposé (42a), du résidu (42) du substrat semi-conducteur (10). 4°) Dispositif semi-conducteur selon l'une des revendications 1 à 3, 3045943 20 caractérisé en ce que l'unique noyau de contact (16) du dispositif semi-conducteur ou au moins l'un des noyaux de contact du dispositif semi-conducteur s'étend le long d'un premier axe longitudinal médian (48) avec un premier angle 5 d'inclinaison compris entre 85° et 95° par rapport au côté (42b) du substrat à travers le résidu (42) du substrat semi-conducteur (10). 5°) Dispositif semi-conducteur selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que 10 l'unique noyau de contact (16) du dispositif semi-conducteur ou au moins l'un des noyaux de contact du dispositif semi-conducteur s'étend le long d'un second axe longitudinal médian (52) ayant un second angle d'inclinaison compris entre 10° et 80° par rapport au côté de substrat (42b), à travers.le résidu. (42)_du substrat semizconducteur_(1_0). 15 6°) Procédé pour former au moins un contact (44) à travers un substrat semi-conducteur (10) comprenant les étapes suivantes consistant à : former une structure de métal de gravure (12,\n<CLM>\1\tsur la face avant (10a) du substrat semi-conducteur (10), et 20 exécuter un procédé de gravure chimique assisté par du métal, se- lon lequel, pendant ce procédé de gravure chimique, on guide la structure de métal de gravure (12,\n<CLM>\1\tde la face avant (10a) du substrat semi-conducteur (10) vers sa face arrière (Wb), en s'écartant de la face avant (10a), et on grave un sillon (28a, 28b) 25 qui s'étend de la face avant (10a) à la face arrière (10b) du substrat semi-conducteur (10), procédé caractérisé en ce que pour réaliser le contact (44), on forme une première structure de métal de gravure (12) qui encadre respectivement la future surface 30 limite (16a) du futur noyau de contact (16) du contact (44) qui lui est associé, comme une structure de métal de gravure (12,\n<CLM>\1\tsur la face avant (10a) du substrat semi-conducteur (10), et en plus on forme une seconde structure de métal de gravure (14) qui encadre la première structure de métal de gravure (12) qui est réalisée 3045943 21 comme structure de métal de gravure (12,\n<CLM>\1\tsur la face avant (10a) du substrat semi-conducteur (10), et pendant le procédé de gravure chimique assisté par du métal, on guide la première structure de métal de gravure (12) et la seconde 5 structure de métal de gravure (14) de la face avant (10a) vers la face arrière (10b), et ainsi, par la mise en structure, on dégage le noyau de contact (16) du contact (44) s'étendant de la face avant (10a) à la face arrière (10b) par un sillon (28a, 28b) dans le substrat semi-conducteur (10). 10 7°) Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que pour former le contact (44) on réalise respectivement une première structure de métal de gravure (12) et une seconde structure de métal de 15 gravure (14) sur la face avant (10a) du substrat semi-conducteur (10) de façon que la seconde structure de métal de gravure (14) soit écartée de la première structure de métal de gravure (12) du contact associé (44) autour d'une surface partielle (18a) de contour sans interruption de la face avant (10a) du substrat semi-conducteur (10). 20 8°) Procédé selon la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce que pendant le procédé de gravure chimique assisté par du métal, on guide la première structure de métal de gravure (12) et la seconde structure 25 de métal de gravure (14) le long d'un premier axe de déplacement (32) orienté avec un premier angle d'inclinaison compris entre 85° et 95° par rapport à la face avant (10a), pour aller de la face avant (10a) à la face arrière (10b) . 30 9°) Procédé selon la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce que pendant le procédé de gravure chimique assisté par du métal, on guide la première structure de métal de gravure (12) et la seconde structure de métal de gravure (14) le long d'un axe de déplacement (32) ayant un 3045943 22 angle d'inclinaison compris entre 10° et 80° par rapport à la face avant (10a), pour aller de la face avant (10a) à la face arrière (10b). 10°) Procédé selon la revendication 9, 5 caractérisé en ce qu' après avoir formé un contact (44) à travers le substrat semi-conducteur (10), on sépare une partie du substrat semi-conducteur (10) de manière à former la paroi latérale (60) du substrat semi-conducteur (10) restant, sur laquelle on a dégagé le contact (44) dans la zone intérieure précé- 10 dente du noyau de contact comme constituant un contact de paroi laté- rale (62). 11°) Procédé selon l'une des revendications 6 à 10, caractérisé en ce qu' 15 après avoir dégagé par la mise en structure, au moins un noyau de con- tact (16) du substrat semi-conducteur (10) à l'aide du procédé de gravure chimique assisté par du métal, on dépose une couche de verrouillage (36), on réalise une ouverture pour au moins un noyau de contact (16a) dans la couche de verrouillage (36) et on la munit d'une 20 métallisation de contact (38), on enlève une zone de paroi intermédiaire (34) par des accès de gravure réalisés au préalable dans la couche de verrouillage (36), et ensuite on ferme les accès de gravure avec une couche de passivation (40) et on réalise une ouverture de passivation dans la zone de la métallisation de contact (38) dans la couche de pas- 25 sivation (40).