Brevet FR3052596A1 (20171215)
REVENDICATIONS1.- Dispositif (10) électronique de traitement d'ondes radiofréquences comportant une ligne (22), la ligne (22) présentant une deuxième géométrie (G2) et étant réalisée en un deuxième matériau supraconducteur (M2), la ligne (22) présentant une phase normale, une phase supraconductrice et une température de transition entre la phase supraconductrice et la phase normale, dite deuxième température de transition (T2), la ligne (22) comportant un limiteur (18) de puissance radiofréquence, le limiteur (18) ayant un premier mode de fonctionnement et un deuxième mode de fonctionnement, le limiteur (18) étant réalisé sous forme d'une portion de la ligne (22) présentant une première géométrie (G1) et étant réalisée en un premier matériau supraconducteur (M1), la portion présentant une phase supraconductrice et une phase normale, une température de transition vers la phase supraconductrice, dite première température de transition (T1), le limiteur (18) étant dans le premier mode de fonctionnement lorsque la portion est dans la phase supraconductrice et le limiteur (18) étant dans le deuxième mode de fonctionnement lorsque la portion est dans la phase normale, au moins l'un parmi la première géométrie (G1) et le premier matériau supraconducteur (M1) différant de la deuxième géométrie (G2) et du deuxième matériau supraconducteur (M2) pour que la première température de transition (Tl) soit strictement inférieure à la deuxième température de transition (T2). 2.- Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la différence entre la première température de transition (T1) et la deuxième température de transition (T2) est supérieure ou égale à 10 K. 3.- Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la différence entre la première température de transition (T1) et la deuxième température de transition (T2) est supérieure ou égale à 20 K. 4.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le premier matériau supraconducteur (M1) est obtenu à partir du deuxième matériau supraconducteur (M2) par implantations d'ions. 5.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le premier matériau supraconducteur (M1) comporte au moins une première zone en un troisième matériau supraconducteur (M3) et au moins une deuxième zone réalisée en 3052596 13 deuxième matériau supraconducteur (M2), le troisième matériau supraconducteur (M3) étant différent du premier matériau supraconducteur (M1) et du deuxième matériau supraconducteur (M2). 5 6.- Dispositif selon la revendication 5, dans lequel la deuxième zone est continue. 7.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel chaque première zone présente la forme d'un disque. 10 8.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le premier matériau supraconducteur (M1) comporte des défauts destinés à piéger des vortex. 9.- Procédé de fabrication d'un dispositif (10) électronique de traitement d'ondes 15 radiofréquences, le procédé comprenant : - la fourniture d'une ligne (22) présentant une deuxième géométrie (G2) et étant réalisée en un deuxième matériau supraconducteur (M2), la ligne (22) présentant une phase normale, une phase supraconductrice et une température de transition entre la phase supraconductrice et la phase normale, dite deuxième température 20 de transition (T2), et - application d'un traitement sur une portion de la ligne (22) pour obtenir un limiteur (18) de puissance radiofréquence, le limiteur (18) ayant un premier mode de fonctionnement et un deuxième mode de fonctionnement, le limiteur (18) étant réalisé sous forme d'une portion de la ligne (22) présentant une première 25 géométrie (G1) et étant réalisée en un premier matériau supraconducteur (M1), la portion présentant une phase supraconductrice et une phase normale, une température de transition vers la phase supraconductrice, dite première température de transition (T1), le limiteur (18) étant dans le premier mode de fonctionnement lorsque la portion est dans la phase supraconductrice et le limiteur 30 étant dans le deuxième mode de fonctionnement lorsque la portion est dans la phase normale, au moins l'un parmi la première géométrie (G1) et le premier matériau supraconducteur (M1) différant de la deuxième géométrie (G2) et du deuxième matériau supraconducteur (M2) pour que la première température de transition (T1) soit strictement inférieure à la deuxième température de transition 35 (T2).