Brevet FR3047607A1 (20170811)
REVENDICATIONS1. Transistor (1) à hétérojonction à haute mobilité électronique, caractérisé en ce qu'il comprend : -une première couche de GaN (13); -une deuxième couche de GaN (14) à dopage de type P formée sur la première couche de GaN; -une troisième couche de GaN (15) à dopage de type N formée sur la deuxième couche de GaN de façon à former une jonction p/n déplétée ; -une quatrième couche de GaN (16) non intentionnellement dopée et formée sur la troisième couche de GaN; -une couche semi conductrice (17) formée à l'aplomb de la quatrième couche de GaN non intentionnellement dopée pour former une couche de gaz d'électrons (18).\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon la revendication 1, dans lequel la deuxième couche de GaN (14) inclut du Magnésium formant un dopant de type P.\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon la revendication 2, dans lequel la concentration en magnésium dans la deuxième couche de GaN (14) est au moins égale à 5 * 1016 cm-3.\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon la revendication 2 ou 3, dans lequel la concentration en magnésium dans la deuxième couche de GaN (14) est au maximum égale à 2 * 1018 cm-3.\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite deuxième couche de GaN (14) présente une épaisseur comprise entre 20 et 50 nm.\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la troisième couche de GaN (15) inclut du Silicium formant un dopant de type N.\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon la revendication 6, dans lequel la concentration en Silicium dans la troisième couche de GaN (15) est au moins égale à 1,5 * 1016 cm-3.\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon la revendication 6 ou 7, dans lequel la concentration en Silicium dans la troisième couche de GaN (15) est au maximum égale à 2 * 1018 cm-3. ICG10971 FR Depot Texte.docx 3047607 13\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite troisième couche de GaN (15) présente une épaisseur comprise entre 10 et 100 nm. 5\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite quatrième couche (16) comporte une concentration en dopants inférieure à 1 * 1016 cm-3.\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon l'une quelconque des revendications 10 précédentes, dans lequel ladite quatrième couche (16) présente une épaisseur comprise entre 50 et 100nm.\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite première couche de GaN (13) présente une 15 concentration en carbone supérieure à celle des deuxième et troisième couches de GaN.\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite couche semi conductrice (17) inclut de 20 l'AIGaN.\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant une autre couche semiconductrice en AIN d'une épaisseur comprise entre 0,5 et 2nm disposée entre la quatrième couche de 25 GaN et ladite couche semiconductrice formée à l'aplomb de la quatrième couche de GaN. ICG10971 FR Depot Texte.docx