Brevet FR3042912A1 (20170428)
REVENDICATIONS1. Capteur d'images comportant : une pluralité de pixels (100 ; 200 ;\n<CLM>\1\tcomportant chacun une première photodiode (PPD1) reliée à un premier noeud capacitif de stockage de charges (SN) par un premier transistor (101), et une deuxième photodiode (PPD2) reliée à un deuxième noeud capacitif de stockage de charges (ST M) par un deuxième transistor (107) ; et un circuit de commande configuré pour, lors d'une phase (Tframe) d'acquisition d'une valeur représentative du niveau 10 d'éclairement d'un pixel acquérir une première valeur de sortie représentative du niveau d'éclairement reçu par la première photodiode (PPD1) pendant une première période d'intégration ininterrompue (TL) ; et 15 acquérir une deuxième valeur de sortie représentative du niveau d'éclairement reçu par la deuxième photodiode (PPD2) pendant une deuxième période d'intégration (TM) découpée en une pluralité de sous-périodes disjointes.\n<CLM>\1\tCapteur selon la revendication 1, dans lequel ledit 20 circuit de commande est configuré de sorte que la deuxième période d'intégration (TM) soit plus courte que la première période d'intégration (TL), et que les sous-périodes de la deuxième période d'intégration soient distribuées le long d'une période sensiblement égale à la première période d'intégration (TL). 25\n<CLM>\1\tCapteur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel, dans chaque pixel (100 ; 200 ; 300), la deuxième photodiode (PPD2) est en outre reliée à lin troisième noeud capacitif de stockage de charges (ST S) par un troisième transistor (109), et dans lequel' le circuit de commande est en outre configuré pour, lors d'une 30 phase (Tframe) d'acquisition d'une valeur représentative du niveau d'éclairement d'un pixel, acquérir une troisième valeur de sortie représentative du niveau d'éclairement reçu par la deuxième photodiode (PPD2) pendant une troisième période d'intégration (Te) découpée en une pluralité de sous-périodes disjointes. 3042912 B14673 - 15-GR2-0582 30\n<CLM>\1\tCapteur selon la revendication 3, dans lequel ledit circuit de commande est configuré de sorte que la troisième période d'intégration (Ts) soit plus courte que les première (TL) et deuxième (TM) périodes d'intégration, et que les sous-périodes de la troisième période d'intégration (Ts) soient distribuées le long d'une période sensiblement égale à la première période d'intégration (TL).\n<CLM>\1\tCapteur selon la revendication 3 ou 4, dans lequel ledit circuit de commande est configuré de sorte que les sous- périodes de la deuxième période d'intégration (TM) et les sous-périodes de la troisième période d'intégration (Ts) soient entrelacées.\n<CLM>\1\tCapteur selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, dans lequel ledit circuit de commande est configuré de sorte que les sous-périodes de la deuxième période d'intégration (TM) aient sensiblement la même durée et le même espacement, et que les sous-périodes de la troisième période d'intégration (Ts) aient sensiblement la même durée et le même espacement.\n<CLM>\1\tCapteur selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, dans lequel ledit circuit de commande est configuré de sorte que les sous-périodes de la deuxième période d'intégration (TM) aient des durées-et/ou des espacements variables au cours de la phase d'acquisition (Tframe), et que les sous-périodes de la troisième période d'intégration (Te) aient des durées et/ou des espacements variables au cours de la phase d'acquisition (Tframe).\n<CLM>\1\tCapteur selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, dans lequel ledit circuit de commande est configuré de sorte que les sous-périodes de la deuxième période d'intégration (TM) et les sous-périodes de la troisième période d'intégration (Ts) 30 aient une distribution aléatoire ou semi-aléatoire.\n<CLM>\1\tCapteur selon l'une quelconque des revendications 3 à 8, dans lequel, dans chaque pixel (100 ;\n<CLM>\1\t: le deuxième noeud capacitif (ST M) est relié à un quatrième noeud (al) par un quatrième transistor (113) ; 3042912 B14673 - 15-GR2-0582 31 le troisième noeud capacitif (ST_S) est relié au quatrième noeud (al) par un cinquième transistor (115) ; le quatrième noeud (al) est relié à un noeud (VRT) d'application d'un potentiel de réinitialisation par un sixième 5 transistor (105) ; et le premier noeud (SN) est connecté à la grille d'un septième transistor (117) monté en source suiveuse, la source du septième transistor (117) étant reliée à une première piste conductrice de sortie (CL) par un huitième transistor (119). 10\n<CLM>\1\tCapteur selon la revendication 9, dans lequel, dans chaque pixel (100), le quatrième noeud (al) est relié au premier noeud (SN) par un neuvième transistor (103).\n<CLM>\1\tCapteur selon la revendication 9, dans lequel, dans chaque pixel (200), le quatrième noeud (al) est connecté au 15 premier noeud (SN).\n<CLM>\1\tCapteur selon l'une quelconque des revendications 3 à 8, dans lequel, dans chaque pixel (300), chacun des premier (SN), deuxième (ST M) et troisième (ST S) noeuds est relié à un noeud (VRT) d'application d'un potentiel de réinitialisation par 20 un transistor de réinitialisation (105 L, 105 M, 105 S), et chacun des premier (SN), deuxième (ST_M) et troisième (ST_S) noeuds est connecté à la grille d'un transistor (117_L, 117 M, 117_S) monté en source suiveuse.\n<CLM>\1\tCapteur selon l'une quelconque des revendications 1 25 à 12, dans lequel, dans chaque pixel (100 ; 200 ; 300), la deuxième photodiode (PPD2) est en outre reliée à un noeud (VRT) d'application d'un potentiel de réinitialisation par un dixième transistor (111).\n<CLM>\1\tCapteur selon l'une quelconque des revendications 1 30 à 13, dans lequel chaque pixel a sa première photodiode (PPD1) surmontée par une première microlentille (701) de forme hexagonale, et sa deuxième photodiode (PPD2) surmontée par une deuxième microlentille (703) de forme carrée, le côté de la deuxième microlentille (703) ayant sensiblement la même longueur 3042912 B14673 - 15-GR2-0582 32 que le côté de la première microlentille (701), et les première et deuxième microlentilles ayant un côté commun.\n<CLM>\1\tCapteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel la capacité du deuxième noeud (ST_M) comprend 5 un condenbateur à tranchées profondes isolées, ou un condensateur à empilement vertical métal-oxyde-métal.\n<CLM>\1\tCapteur selon l'une quelconque des revendications 3 à 15 en ce qu'elles dépendent de la revendication 3, dans lequel la capacité du troisième noeud (ST S) comprend un condensateur à 10 tranchées profondes isolées, ou un condensateur à empilement vertical métal-oxyde-métal.