Brevet FR3051977A1 (20171201)
REVENDICATIONS1. Dispositif (110) comprenant : - Une couche active (1) comportant un empilement de couches (la,lb) apte à développer une couche de gaz d'électrons à deux dimensions (2) ; - Une première électrode de source (3) et une première électrode de drain (4) chacune en contact avec la couche active (1), une région active (10) s'étendant entre la première électrode de source (3) et la première électrode de drain (4) ; - Une première électrode de grille (5) entre les premières électrodes de source (3) et de drain (4) ; Le dispositif (110) étant caractérisé en ce qu'il comprend au moins un élément passif (7) formé dans la couche active (1) par un segment de la couche de gaz d'électrons à deux dimensions (2), en dehors de la région active (1), et présentant deux bornes (8,9).\n<CLM>\1\tDispositif (110) selon la revendication précédente, dans lequel l'empilement de couches (la,lb) est formé en matériaux semi-conducteurs du groupe III-V.\n<CLM>\1\tDispositif (110) selon la revendication précédente, dans lequel les matériaux semi-conducteurs du groupe III-V sont choisis parmi le GaN et ses alliages AlGaN, le GaAs et ses composés.\n<CLM>\1\tDispositif (110) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'élément passif (7) est une résistance.\n<CLM>\1\tDispositif (110) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'élément passif (7) se présente, dans le plan de la couche active (1), sous la forme d'un serpentin défini par isolation latérale.\n<CLM>\1\tDispositif (110) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'élément passif (7) est relié à au moins une 3051977 13 première électrode (3,4,5) du dispositif (110) par au moins une de ses bornes (8,9).\n<CLM>\1\tDispositif (110) selon l'une des revendications précédentes, 5 dans lequel l'élément passif (7) est connecté en série avec la première électrode de grille (5).\n<CLM>\1\tDispositif (110) selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel l'élément passif (7) forme un capteur de température 10 en ce qu'une mesure de résistance à ses bornes (8,9) permet de déduire une valeur de température.\n<CLM>\1\tDispositif (110) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les premières électrodes (3,30 ; 4,40 ; 5,50) 15 font partie d'un transistor HEMT.\n<CLM>\1\tDispositif (110) selon l'une des revendications 1 à 5, formant un montage cascode dans lequel des deuxièmes électrodes (31,41,51) font partie d'un transistor MOS (121) 20 et les premières électrodes (3,30 ;4,40 ;5,50) font partie d'un transistor HEMT (120), comprenant : - une deuxième électrode de drain (41) connectée à la première électrode de source (3,30), formant un premier noeud (201) ; 25 - une deuxième électrode de source (31) connectée à la première électrode de grille (5,50), formant un deuxième noeud (202) ; - une deuxième électrode de grille (51) ; - et dans lequel les deux bornes (8,9) de l'élément passif 30 (7) sont respectivement connectées au premier (201) et au deuxième (202) noeud.\n<CLM>\1\tDispositif (110) selon l'une des revendications 1 à 5, formant un montage cascode dans lequel des deuxièmes 35 électrodes (31,41,51) font partie d'un transistor MOS (121) et les premières électrodes (3,30 ;4,40 ;5,50) font partie d'un transistor HEMT (120), comprenant : - une deuxième électrode de drain (41) connectée à la première électrode de source (3,30), formant un premier noeud (201) ; 3051977 14 - une deuxième électrode de source (31) connectée à la première électrode de grille (5,50), formant un deuxième noeud (202) ; - une deuxième électrode de grille (51) ; 5 - et dans lequel les deux bornes (8,9) de l'élément passif (7) sont respectivement connectées à la deuxième électrode de grille (51) et au deuxième noeud (202). 10