Brevet FR3041807A1 (20170331)
REVENDICATIONS1. Procédé de contrôle d'un cycle d'écriture d'au moins une donnée dans au moins une cellule-mémoire du type mémoire morte électriquement programmable et effaçable disposée dans un circuit électronique alimenté par une tension d'alimentation (Vdd), comprenant une augmentation contrôlée de la durée du cycle d'écriture en présence d'une baisse de ladite tension d'alimentation.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel l'augmentation de la durée du cycle d'écriture comprend une augmentation par au moins un palier correspondant respectivement à au moins une valeur palier (VPAL) de la tension d'alimentation inférieure à une valeur nominale.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, comprenant au moins une comparaison de la valeur courante de ladite tension d'alimentation (Vdd) avec ladite au moins une valeur palier (VPAL).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3, dans lequel ladite au moins une comparaison est réalisée avant le commencement du cycle d' écriture.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ledit cycle d'écriture comporte une génération d'au moins une impulsion d'effacement ou de programmation, et l'augmentation de la durée du cycle d'écriture comprend une augmentation de la durée de ladite au moins une impulsion.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, dans lequel le cycle d'écriture comprend une étape d'effacement comportant une génération d'une impulsion d'effacement (IMP11) suivie d'une étape de programmation comportant une génération d'une impulsion de programmation (IMP12), et l'augmentation de la durée du cycle d'écriture comprend une augmentation de la durée de chaque impulsion (IMP 11, IMP 12).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 5 ou 6, dans lequel chaque impulsion comprend une rampe de tension (RMP1) suivie d'un plateau (PLT1) et l'augmentation de la durée de ladite au moins une 3041807 16 impulsion comprend une augmentation de la durée de la rampe RMP1 correspondante.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 5 à 7, dans lequel chaque impulsion comprend une rampe de tension (RMP1) suivie d'un 5 plateau (PLT1) et l'augmentation de la durée de ladite au moins une impulsion comprend une augmentation de la durée du plateau (PLT1).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, dans lequel l'augmentation de la durée de ladite au moins une impulsion comprend une diminution de la valeur (Vpp) du plateau (PLT1). 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes prise en combinaison avec les revendications 3 et 7, dans lequel la durée de ladite rampe (RMP1) est fixée à une durée nominale si la tension d'alimentation (Vdd) est supérieure à ladite valeur palier (VPAL) et est supérieure à ladite durée nominale si la tension d'alimentation 15 (Vdd) est inférieure à la valeur palier (VPAL).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, dans lequel la valeur de la tension d'alimentation (Vdd) est comprise entre sensiblement 1,6V et sensiblement 5,5V et la valeur palier (VPAL) vaut sensiblement 2,5V. 20\n<CLM>\1\tDispositif de mémoire (DIS), destiné à être alimenté par une tension d'alimentation (Vdd) et comprenant au moins une cellule-mémoire (CEL) du type mémoire morte électriquement programmable et effaçable, des moyens de contrôle d'un cycle d'écriture (MCTRL) configurés pour augmenter la durée du cycle d'écriture en présence 25 d'une baisse de ladite tension d'alimentation (Vdd).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 12, dans lequel les moyens de contrôle (MCTRL) sont configurés pour augmenter la durée du cycle d'écriture par au moins un palier correspondant respectivement à au moins une valeur palier (VPAL) de la tension d'alimentation 30 inférieure à une valeur nominale.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 13, dans lequel les moyens de contrôle (MCTRL) comprennent au moins un moyen de comparaison (MCMP) configuré pour comparer la valeur courante de ladite tension d'alimentation (Vdd) avec ladite au moins une valeur palier(VPAL). 3041807 17\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 14, dans lequel ledit au moins un moyen de comparaison (MCMP) est configuré pour réaliser au moins une comparaison avant le commencement du cycle d'écriture.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 12 à 15, 5 comprenant des moyen d'écriture (MECR) comportant un moyen de génération (MGHV) configuré pour générer au moins une impulsion d'effacement ou de programmation, et les moyens de contrôle (MCTRL) sont configurés pour augmenter la durée du cycle d'écriture en augmentant la durée de ladite au moins une impulsion. 10\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 16, dans lequel ledit moyen de génération (MGHV) est configuré pour générer une impulsion d'effacement (IMP11) suivie d'une impulsion de programmation (IMP12), et les moyens de contrôle (MCTRL) sont configurés pour augmenter la durée du cycle d'écriture en augmentant 15 la durée de chaque impulsion.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 16 ou 17, dans lequel ledit moyen de génération (MGHV) est configuré pour générer des impulsions comprenant une rampe (RMP1) de tension suivie d'un plateau (PLT1), et les moyens de contrôle (MCTRL) sont configurés 20 pour augmenter la durée de ladite impulsion en augmentant la durée de la rampe correspondante.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 16 à 18, dans lequel ledit moyen de génération (MGHV) est configuré pour générer des impulsions comprenant une rampe (RMP1) de tension suivie d'un 25 plateau (PLT1) et les moyens de contrôle (MCTRL) sont configurés pour augmenter la durée de ladite impulsion en augmentant la durée du plateau (PLT1) correspondant.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 19, dans lequel les moyens de contrôle (MCTRL) sont configurés pour générer le plateau (PLT1) à 30 une valeur (Vpp) diminuée si la durée de génération dudit plateau (PLT1) est augmentée.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 12 à 20 prise en combinaison avec les revendications 14 et 18, dans lequel les moyens de contrôle (MCTRL) sont configurés pour générer la rampe (RMP1) 3041807 18 pendant une durée fixée à une durée nominale si la tension d'alimentation (Vdd) est supérieure à ladite valeur palier (VPAL) et pendant une durée supérieure à ladite durée nominale si la tension d'alimentation (Vdd) est inférieure à ladite valeur palier (VPAL). 5\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 21, dans lequel la valeur de la tension d'alimentation (Vdd) est comprise entre sensiblement 1,6V et sensiblement 5,5V et la valeur palier vaut sensiblement 2,5V.