Brevet FR3051968A1 (20171201)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur à haute résistivité, comprenant les étapes suivantes : prévoir un premier substrat (101) avec une couche fragilisée (102) en profondeur ; prévoir un deuxième substrat (103) avec une couche d'un oxyde (104) en surface ; attacher le premier substrat (101) au deuxième substrat (103) de manière à former un substrat composé (105) comprenant une couche d'oxyde (104) enterrée ; et cliver le substrat composé (105) au niveau de la couche fragilisée (102) ; caractérisé en ce que le procédé comprend en outre au moins une étape de stabilisation, en particulier un traitement thermique de stabilisation, du deuxième substrat (103) avec la couche d'oxyde (104) avant l'étape de clivage au niveau de la couche fragilisée (102).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel ladite au moins une étape de stabilisation est une étape de nucléation, précipitation et croissance des précipités, en particulier un traitement thermique comprenant plusieurs paliers de température.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel la couche fragilisée (102) est prévue par implantation ionique dans le premier substrat (101).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel ladite au moins une étape de stabilisation du deuxième substrat (103) avec la couche d'oxyde (104) est réalisée avant l'étape d'attachement des deux substrats (101, 103).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le premier substrat (101) comprend un matériau semi-conducteur, en particulier du silicium, du germanium, un composé de silicium et de germanium, et/ou un ou plusieurs alliages de semi-conducteurs III-V, et/ou un ou plusieurs alliages de semi-conducteurs du groupe IV.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le deuxième substrat (103) comprend du silicium, en particulier à forte 3051968 12 concentration en oxygène interstitiel, préférablement du silicium avec une concentration en oxygène interstitiel d'au moins environ 12 x 1017 atomes-cm-3.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite au moins une étape de stabilisation est un traitement thermique comprenant 5 plusieurs paliers à des températures comprises dans la plage d'environ 650 °C à environ 1200 °C.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, dans lequel la durée d'un palier de température est comprise dans la plage allant d'environ 30 min à environ 10 h, préférablement dans la plage allant d'environ 1 h à environ 8 h. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 7 ou 8, dans lequel l'atmosphère d'un palier de température peut être de type oxydante, en particulier à base d'eau et d'oxygène, ou de type de non-oxydante, en particulier neutre avec un gaz à base d'argon.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre au moins une étape de recuit de lissage, en particulier un recuit 15 rapide, après l'étape de clivage du substrat composé (105) au niveau de la couche fragilisée (102).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, dans lequel ladite au moins une étape de recuit de lissage est réalisée à une température comprise dans la plage d'environ 1075 °C à environ 1250 °C, préférablement d'environ 1175 °C à environ 1230 °C, en particulier 20 une température d'environ 1200 °C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 10 ou 11, dans lequel ladite au moins une étape de recuit de lissage est réalisée pendant une durée comprise dans la plage d'environ 15 s à environ 120 s, préférablement d'environ 20 s à environ 90 s, en particulier une durée d'environ 30 s. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 10 à 12, dans lequel ladite au moins une étape de recuit de lissage est réalisée sous une atmosphère du type non-oxydante, en particulier comprenant de l'argon et/ou de l'hydrogène dans une composition de 0 % à environ 50 % d'hydrogène.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une étape de recyclage d'un résidu (1012) du premier substrat (101) 3051968 13 après l'étape de clivage du substrat composé (105) au niveau de la couche fragilisée (102).