Brevet FR3045933A1 (20170623)
REVENDICATIONS1. Substrat (1) pour un dispositif à ondes acoustiques de surface ou à ondes acoustiques de volume, comprenant un substrat support (11) et une couche piézoélectrique (10) sur ledit substrat support, caractérisé en ce que le substrat support (11) comprend une couche semi-conductrice (111) sur un substrat raidisseur (110) présentant un coefficient de dilatation thermique plus proche du coefficient de dilatation thermique du matériau de de la couche piézoélectrique (10) que celui du silicium, la couche semi-conductrice (111) étant agencée entre la couche piézoélectrique (10) et le substrat raidisseur (110).\n<CLM>\1\tSubstrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat raidisseur (110) comprend du saphir, du verre et/ou de la spinelle (MgA1204).\n<CLM>\1\tSubstrat selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice (111) est formée de l'un des matériaux suivants : silicium, germanium, SiGe, SiC, matériau III-V.\n<CLM>\1\tSubstrat selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice (111) comprend au moins un composant électronique (112).\n<CLM>\1\tSubstrat selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit composant électronique (112) est choisi parmi : un transistor CMOS, un commutateur et un amplificateur de puissance.\n<CLM>\1\tSubstrat selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le ratio entre l'épaisseur de la couche piézoélectrique (10) et l'épaisseur du substrat raidisseur (110) est inférieur ou égal à 0,125.\n<CLM>\1\tSubstrat selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche piézoélectrique (10) est inférieure à 50 pm, de préférence inférieure à 20 pm, de manière encore préférée inférieure à 1 pm, et l'épaisseur du substrat raidisseur (110) est comprise entre 400 et 800 pm.\n<CLM>\1\tSubstrat selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'il comprend une couche diélectrique (114) entre la couche piézoélectrique (10) et la couche semiconductrice (111) et une couche (115) de piégeage de charges à l'interface entre ladite 3045933 12 couche diélectrique et la couche semi-conductrice et/ou à l'interface entre la couche diélectrique et la couche piézoélectrique.\n<CLM>\1\tSubstrat selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite couche (115) de 5 piégeage de charges comprend une couche de silicium polycristallin.\n<CLM>\1\tDispositif à ondes acoustiques de surface comprenant un substrat (1) selon l'une des revendications 1 à 9 et deux électrodes (12,\n<CLM>\1\tformées de deux peignes métalliques interdigités sur la surface de la couche piézoélectrique (10). 10\n<CLM>\1\tDispositif à ondes acoustiques de volume comprenant un substrat (1) selon l'une des revendications 1 à 9 et deux électrodes (12,\n<CLM>\1\tagencées de part et d'autre de la couche piézoélectrique (10). 15\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un substrat (1) selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'il comprend : - le transfert de la couche semi-conductrice (111) sur le substrat raidisseur (110) à partir d'un premier substrat donneur (116), - le transfert de la couche piézoélectrique sur la couche semi-conductrice (111) à 20 partir d'un second substrat donneur (118).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12, dans lequel l'une au moins des étapes de transfert comprend les sous-étapes suivantes : - formation d'une zone de fragilisation dans le premier, respectivement le second 25 substrat donneur par implantation d'espèces atomiques ; - collage du premier, respectivement du second substrat donneur sur le substrat raidisseur, respectivement sur la couche semi-conductrice ; - détachement dudit premier, respectivement second, substrat le long de la zone de fragilisation. 30