Brevet FR3050316A1 (20171020)
REVENDICATIONS1. Circuit électronique RF (100) comportant au moins : - un substrat comprenant au moins une couche support (102) et une couche superficielle (106) de semi-conducteur disposée sur la couche support (102) ; - au moins un composant électronique (107) apte à mettre en oeuvre au moins une fonction d'émission et/ou de réception et/ou de traitement de signaux RF, et réalisés dans et/ou sur une première région (112) de la couche superficielle (106) ; - une matrice de cavités (114) disposées dans au moins une première région (116) de la couche support (102) localisée sous la première région (112) de la couche superficielle (106), en regard au moins du composant électronique (107), et telles que des volumes intérieurs des cavités (114) soient séparés et isolés les uns des autres par des portions (120) de la couche support (102).\n<CLM>\1\tCircuit électronique RF (100) selon la revendication 1, dans lequel le substrat est de type semi-conducteur sur isolant et comporte en outre une couche diélectrique enterrée (104) disposée entre la couche superficielle (106) et la couche support (102).\n<CLM>\1\tCircuit électronique RF (100) selon la revendication 2, dans lequel les cavités (114) débouchent au niveau d'une face de la couche diélectrique enterrée (104) telles que ladite face de la couche diélectrique enterrée (104) forme une paroi de chacune des cavités (114).\n<CLM>\1\tCircuit électronique RF (100) selon la revendication 2, dans lequel une portion de la couche support (102) disposée entre la couche diélectrique enterrée (104) et les cavités (114) a une épaisseur comprise entre environ 100 nm et 1 um.\n<CLM>\1\tCircuit électronique RF (100) selon l'une des revendications 2 à 4, dans lequel la première région (116) de la couche support (102) s'étend entre un premier 3050316 18 plan parallèle à une interface entre la couche support (102) et la couche diélectrique enterrée (104) et un deuxième plan différent du premier plan et parallèle à l'interface entre la couche support (102) et la couche diélectrique enterrée (104). 5\n<CLM>\1\tCircuit électronique RF (100) selon la revendication 5, dans lequel une dimension latérale maximale de chacune des cavités (114) dans chacun des premier et deuxième plans est sensiblement égale à une distance séparant deux cavités (114) voisines et/ou est comprise entre environ 10 um et 40 um. 10\n<CLM>\1\tCircuit électronique RF (100) selon l'une des revendications 5 ou 6, dans lequel chacune des cavités (114) a une section, dans chacun des premier et deuxième plans, de forme sensiblement circulaire ou hexagonale.\n<CLM>\1\tCircuit électronique RF (100) selon l'une des revendications 5 à 7, 15 dans lequel une dimension latérale maximale de chacune des cavités (114) dans un troisième plan parallèle aux premier et deuxième plans et disposé entre les premier et deuxième plans est supérieure ou égale à une dimension latérale maximale de chacune des cavités (114) dans chacun des premier et deuxième plans. 20\n<CLM>\1\tCircuit électronique RF (100) selon la revendication 8, dans lequel chacune des cavités (114) a une section, dans le troisième plan, de forme sensiblement circulaire ou hexagonale.\n<CLM>\1\tCircuit électronique RF (100) selon l'une des revendications 25 précédentes, dans lequel la première région (116) de la couche support (102) a une épaisseur comprise entre environ 1µm et 10 um.\n<CLM>\1\tCircuit électronique RF (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les cavités (114) se prolongent dans une deuxième région (118) 30 de la couche support (102) telle que la première région (116) de la couche support (102) 3050316 19 est disposée entre la couche superficielle (106) et la deuxième région (118) de la couche support (102).\n<CLM>\1\tCircuit électronique RF (100) selon l'une des revendications 5 précédentes, dans lequel les cavités (114) sont fermées hermétiquement.\n<CLM>\1\tCircuit électronique RF (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les cavités (114) sont remplies d'air et/ou d'un matériau de permittivité diélectrique relative inférieure à environ 5 et/ou d'un gaz neutre. 10\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un circuit électronique RF (100), comportant au moins les étapes suivantes : - réalisation d'au moins un composant électronique (107) apte à mettre en oeuvre au moins une fonction d'émission et/ou de réception et/ou de traitement de 15 signaux RF, dans et/ou sur une première région (112) d'une couche superficielle (106) de semi-conducteur d'un substrat comprenant en outre au moins une couche support (102) sur laquelle est disposée la couche superficielle (106) ; - réalisation d'une matrice de cavités (114) disposées dans au moins une première région (116) de la couche support (102) localisée sous la première région (112) 20 de la couche superficielle (106), en regard au moins du composant électronique (107), et telles que des volumes intérieurs des cavités (114) sont séparés et isolés les uns des autres par des portions (120) de la couche support (102).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 14, dans lequel la réalisation de la 25 matrice de cavités (114) comporte la mise en oeuvre des étapes suivantes : - amincissement de la couche support (102) tel qu'une épaisseur restante de la couche support (102) forme une couche d'épaisseur égale à celle de la première région (116) de la couche support (102) ; - gravure des cavités (114) dans la première région (116) de la couche 30 support (102) ; 3050316 20 - solidarisation d'une deuxième couche contre ladite couche d'épaisseur égale à celle de la première région (116) de la couche support (102), cette deuxième couche fermant les cavités (114) du côté opposé à celui où se trouve la couche superficielle (106). 5\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 14, dans lequel la réalisation de la matrice de cavités (114) comporte la mise en oeuvre d'une gravure des cavités (114) à travers une première face de la couche support (102) opposée à une deuxième face de la couche support (102) qui est disposée du côté de la couche superficielle (106), dans la 10 première région (116) de la couche support (102) et dans une deuxième région (118) de la couche support (102).