Brevet FR3047842A1 (20170818)
REVENDICATIONS1. Composant électronique pour générer un rayonnement infrarouge, caractérisé en ce qu'il comprend un premier élément (1) et un deuxième élément (2) agencés de sorte à former une cavité (3) fermée et sous vide dans laquelle au moins un élément résistif (4) dudit composant électronique est suspendu, ledit au moins un élément résistif (4) comprenant du métal, lesdits premier et deuxième éléments (1,\n<CLM>\1\tétant liés par soudure eutectique (5) permettant de fermer de façon étanche la cavité (3), ledit composant électronique comportant des bornes de connexion (6a, 6b) situées à l'extérieur de la cavité fermée (3) et reliées électriquement à l'élément résistif (4) suspendu.\n<CLM>\1\tComposant électronique selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la soudure eutectique (7) est réalisée avec du silicium et de l'or, ou Au et In, ou Cu 15 et Sn, ou Au et Sn, ou Au et Ge, ou Al et Ge.\n<CLM>\1\tComposant électronique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la cavité fermée (3) présente une pression interne inférieure à 10-2 mbar, et notamment comprise entre 10-3 mbar et 10-2 mbar. 20\n<CLM>\1\tComposant électronique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'un piège à gaz (19) résiduels est situé dans la cavité fermée (3).\n<CLM>\1\tComposant électronique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé 25 en ce que l'élément résistif (4) est suspendu par des bras de suspension (15,\n<CLM>\1\tappartenant au premier élément (1).\n<CLM>\1\tComposant électronique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier élément (1) comporte les bornes de connexion (6a, 6b). 30\n<CLM>\1\tComposant électronique selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le deuxième élément (2) comporte les bornes de connexion (6a, 6b), le premier élément (1) comporte des plots (21a, 21b) de connexion reliés électriquement à 3047842 23 l'élément résistif (4), les bornes de connexion (6a, 6b) étant chacune en contact électrique avec au moins un des plots (21a, 21b) de connexion.\n<CLM>\1\tComposant électronique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé 5 en ce que l'élément résistif (4) comporte au moins une partie structurée d'un empilement comprenant les couches successives suivantes : une première couche barrière (11) à la diffusion d'une couche en métal (12), la couche en métal (12) notamment en platine, une deuxième couche barrière (13) à la diffusion de la couche en métal (12), préférentiellement les première et deuxième couches barrières (12,\n<CLM>\1\t10 sont en nitrure de titane.\n<CLM>\1\tComposant électronique selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit empilement forme une partie des bras de suspension (15,\n<CLM>\1\tde l'élément résistif (4) et s'étend en direction des bornes de connexion (6a, 6b).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une pluralité de composants électroniques selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - une étape de fourniture d'une première plaque (25) comprenant une base, préférentiellement en silicium (26), au niveau de laquelle est formée une pluralité de premiers creux (23), ladite première plaque (25) comprenant des éléments résistifs (4) suspendus comprenant du métal, et chaque premier creux (23) est associé à au moins un des éléments résistifs (4) suspendus et disposé en regard du fond dudit premier creux (23), - une étape de fourniture d'une deuxième plaque (28), préférentiellement formée en tout ou partie par du silicium, comportant des deuxièmes creux (24) destinés à coopérer avec lesdits premiers creux (23) en vue de former les cavités fermées (3) des composants électroniques, - une étape d'assemblage des première et deuxième plaques (25,\n<CLM>\1\tcomportant une étape de soudage eutectique mise en oeuvre dans une enceinte sous vide (29) d'où il résulte : o une formation des cavités fermées (3), sous vide, et étanches, o une localisation de bornes de connexion (6a, 6b) des éléments résistifs (4) dans des espaces creux (30) délimités par les première et deuxième plaques (25,\n<CLM>\1\tet formés à l'extérieur des cavités fermées (3), 3047842 24 - une étape d'enlèvement de matière au niveau des espaces creux (30) pour rendre les bornes de connexion (6a, 6b) accessibles.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il comporte une 5 étape de séparation des composants électroniques par enlèvement de matière.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 10 ou 11, caractérisé en ce que l'étape de soudage eutectique utilise de l'or et du silicium, ou Cu et Sn, ou Au et Sn, ou Au et Ge, ou Al et Ge, ou Au et In, mis en contact. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 10 à 12, caractérisé en ce qu'il comporte au préalable de l'étape d'assemblage, pour chaque premier creux (23), une étape de formation d'une piste fermée en un premier matériau, préférentiellement de l'or, agencée à la périphérie dudit premier creux (23), et en ce que la deuxième plaque (28) 15 comporte des portées d'appui (33) en un deuxième matériau, préférentiellement du silicium, disposées chacune en contact contre la piste (7) correspondante lors de l'étape d'assemblage, l'étape de soudage eutectique comportant une étape de sollicitation des première et deuxième plaques (25,\n<CLM>\1\tl'une vers l'autre en appliquant une température adaptée pour former la soudure eutectique (5) à partir des premier et 20 deuxième matériaux.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 10 à 13, caractérisé en ce que la première plaque (25) comporte les bornes de connexion (6a, 6b), et en ce que l'étape d'enlèvement de matière est mise en oeuvre par enlèvement de matière appartenant à 25 la deuxième plaque (28).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'étape d'enlèvement de matière est mise en oeuvre par une des techniques choisies parmi : un sciage, un polissage, une gravure. 30\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11 et l'une des revendications 14 ou 15, caractérisé en ce que l'étape de séparation comporte l'enlèvement de matière appartenant à la première plaque, notamment par sciage. 3047842 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 10 à 13, caractérisé en ce que : - les bornes de connexion (6a, 6b) sont portées par la deuxième plaque (28), - la première plaque (25) comporte des plots de connexion (21a, 21b) chacun relié électriquement à au moins un élément résistif (4), et des troisièmes creux 5 (34) destinés à former les espaces creux (30), - il résulte de l'étape d'assemblage une mise en contact électrique des plots de connexion (21a, 21b) avec les bornes de connexion (6a, 6b) correspondantes et une formation des espaces creux (30) comprenant les bornes de connexion (6a, 6b). 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'étape d'enlèvement de matière est mise en oeuvre par enlèvement de matière appartenant à la première plaque (25) au niveau des espaces creux (30). 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'étape d'enlèvement de matière de la première plaque est mise en oeuvre par une des techniques choisies parmi : un sciage, un polissage, une gravure.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11 et l'une des revendications 18 ou 19, 20 caractérisé en ce que l'étape de séparation comporte l'enlèvement de matière appartenant à la deuxième plaque (28), notamment par sciage.\n<CLM>\1\tUtilisation d'un composant électronique selon l'une des revendications 1 à 9 en tant que source de rayonnement infrarouge pour la détection de gaz. 25\n<CLM>\1\tDétecteur de gaz comprenant un composant électronique (101) selon l'une des revendications 1 à 9 et un capteur (102) apte à mesurer un rayonnement infrarouge issu du composant électronique (101).