Brevet FR3038449A1 (20170106)
REVENDICATIONS1. Procédé pour fabriquer un composant électrique plaqué par électrolyse, comprenant : le dépôt d'une couche d'arrêt de gravure au-dessus d'un substrat ; le dépôt de couches alternées de matériaux conducteurs et isolants au-dessus de ladite couche d'arrêt de gravure pour créer une pile verticale ; la gravure d'un espace à travers la pile verticale pour exposer la couche d'arrêt de gravure ; la formation d'un réseau électrique pour connecter électriquement à une partie desdites couches conductrices ; le placage par électrolyse sur lesdites couches conductrices dans ledit espace en utilisant un matériau de placage basé sur un comportement électrique désiré du composant électrique ; la formation d'une connexion électrique sur le matériau de placage dans ledit espace pour permettre une connexion électrique à travers ledit espace jusqu'audit matériau de placage ; et l'enlèvement de ladite connexion du réseau électrique aux couches conductrices.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, comprenant en outre la gravure des couches conductrices de manière à ce que les couches conductrices soient renfoncées par rapport à une paroi latérale de l'espace avant le placage par électrolyse.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel les couches conductrices sont renfoncées par rapport à la paroi latérale de l'espace d'une distance à peu près égale à une épaisseur de la couche conductrice.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le comportement électrique comprend un cb.angement de phase et/ou un commutateur à seuil (OTS). 3038449 14\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la gravure de l'espace à travers la pile verticale comprend : le dépôt d'une couche de masque dur au-dessus de la pile verticale ; l'enlèvement d'une partie de la couche du masque dur pour exposer une partie 5 d'une surface supérieure de la pile verticale ; et la gravure des parties exposées de la pile verticale pour créer l'espace.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la couche d'arrêt de gravure consiste 10 en du chrome.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le matériau conducteur consiste en du silicium dopé, du molybdène (Mo) ou du tungstène (W) ou des alliages de ceux-ci. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le placage par électrolyse comprend une connexion électrique entre lesdites couches conductrices et une source d'alimentation externe par l'intermédiaire d'un bain aqueux.\n<CLM>\1\tStructure pour un composant électrique vertical plaqué par électrolyse, 20 comprenant : une couche d'arrêt de gravure disposée au-dessus d'un substrat ; une pile verticale comprenant des couches alternées de matériaux conducteurs et isolants au-dessus de cette couche d'arrêt de gravure ; la pile verticale ayant au moins un espace formé à travers elle, 25 les couches conductrices étant plaquées par électrolyse en utilisant un matériau de placage basé sur un comportement électrique désiré du composant électrique à former sur une paroi latérale dudit espace ; une forme dudit matériau de placage étant hémisphérique, une épaisseur dudit matériau de placage étant plus petite qu'une largeur 30 dudit espace, une épaisseur dudit matériau de placage étant plus petite qu'une épaisseur des couches isolantes adjacentes dans ledit espace, et 3038449 15 une coùche métallique de contact supérieure étant formée sur la paroi latérale dudit espace, ledit matériau de placage étant entre ladite couche conductrice et ladite couche de contact supérieure et ladite couche de contact supérieure étant connectée à d'autres structures adjacentes plaquées par électrolyse dans ledit espace. 5\n<CLM>\1\tStructure selon la revendication 9, dans laquelle les couches conductrices sont renfoncées par rapport à la paroi latérale dudit espace.\n<CLM>\1\tStructure selon la revendication 10, dans laquelle les couches conductrices sont 10 renfoncées par rapport à la paroi latérale de l'espace d'une distance à peu près égale à une épaisseur de la couche conductrice.\n<CLM>\1\tStructure selon la revendication 9, dans laquelle le comportement électrique comprend un changement de phase et/ou un commutateur à seuil (OTS). 15\n<CLM>\1\tStructure selon la revendication 9, dans laquelle le matériau conducteur consiste en du silicium dopé, du molybdène (Mo) ou du tungstène (W).\n<CLM>\1\tStructure selon la revendication 9, dans laquelle ledit espace consiste en un trou 20 rond essentiellement vertical.\n<CLM>\1\tSystème électrique, comprenant : un dispositif de stockage comprenant au moins une matrice verticale, chaque matrice verticale comprenant une pluralité de cellules de mémoire ; 25 un dispositif sélecteur pour accéder électriquement à la pluralité de cellules de mémoire dans ledit dispositif de stockage ; un premier matériau métallique pour connecter verticalement ladite matrice verticale de cellules de mémoire ; et un deuxième matériau métallique connecté à un matériau conducteur dans le plan 30 qui est orthogonal à ladite matrice verticale de cellules de mémoire, et dans lequel la matrice verticale de cellules de mémoire comprend : 3038449 16 une couche d'arrêt de gravure au-dessus d'un substrat ; une pile verticale comprenant des couches alternées de matériau isolant dans le plan et dudit matériau conducteur dans le plan au-dessus de la couche d'arrêt de gravure, 5 les couches conductrices et isolantes dans le plan étant parallèles avec une surface du substrat, la pile verticale comprenant au moins un espace formé à travers elle, et les couches conductrices étant plaquées par électrolyse en utilisant 10 le matériau de placage, le matériau de placage étant basé sur un comportement électrique désiré d'un composant électrique à former sur une paroi latérale dudit espace.\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication 15, dans lequel une épaisseur des couches 15 conductrices est plus petite qu'une épaisseur des couches isolantes.\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication 16, dans lequel une longueur horizontale de chacune des couches de matériaux conducteurs est plus courte qu'une longueur horizontale de chacune des couches de matériaux isolants. 20\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication 15, dans lequel le comportement électrique comprend un changement de phase et/ou un commutateur à seuil (OTS).\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication 15, dans lequel le matériau conducteur consiste en 25 du silicium dopé, du molybdène (Mo) ou du tungstène (W).\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication 15, dans lequel les couches conductrices dans le plan sont renfoncées par rapport à la paroi latérale dudit espace.