Brevet FR3046800A1 (20170721)
REVENDICATIONS1. Dispositif de dépôt chimique en phase gazeuse à flux alternés et à séparation spatiale des gaz réactifs, destiné à former une couche sur un substrat (20) selon un motif à deux ou trois dimensions contrôlables, comprenant : - Au moins une première barrette (1) configurée pour injecter dans un premier espace confiné en direction du substrat (20) un premier gaz réactif (A), - Au moins une deuxième barrette (2) configurée pour injecter dans un deuxième espace confiné en direction du substrat (20) un deuxième gaz réactif (B), différent du premier gaz réactif (A) ; les première (1) et deuxième (2) barrettes étant disposées côte à côte suivant une direction principale et distantes l'une de l'autre d'une première distance de séparation (D) ; Le dispositif étant caractérisé en ce qu'il comprend : - Des premiers organes de déplacement (40) configurés pour imposer un mouvement de va-et-vient relatif des barrettes (1,2) vis-à-vis du substrat (20) selon la direction principale, et contrôlé dont l'amplitude est comprise dans une fourchette de recouvrement.\n<CLM>\1\tDispositif de dépôt chimique selon la revendication précédente, dans lequel les premier et deuxième espaces confinés sont distants l'un de l'autre d'une deuxième distance de séparation (d) comprise entre une deuxième distance minimale de séparation (di) et une deuxième distance maximale de séparation (d2) et dans lequel la fourchette de recouvrement définit une amplitude du mouvement contrôlé comprise entre la deuxième distance minimale de séparation (di) et la somme de la première 3046800 37 distance de séparation (D) et de la deuxième distance maximale de séparation (d2).\n<CLM>\1\tDispositif de dépôt chimique selon l'une des revendications 5 précédentes, dans lequel chaque barrette (1,2) comporte une buse d'injection (4) d'un gaz réactif entourée par une buse d'aspiration (5), elle-même entourée par une buse d'injection (6) d'un gaz inerte, pour injecter le gaz réactif (A, B) et définir l'espace confiné, lequel projette 10 une empreinte (17,18) sur le substrat (20).\n<CLM>\1\tDispositif de dépôt chimique selon la revendication précédente, dans lequel le motif présente trois dimensions contrôlables et les empreintes (17,18) du premier espace 15 confiné et du deuxième espace confiné ont des côtés contigus non parallèles selon la direction principale.\n<CLM>\1\tDispositif de dépôt chimique selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel un masque (15) percé 20 d'une pluralité de trous (151,151',152,152',153,153') est disposé entre les barrettes (1,2) et le substrat (20), et en vis-à-vis des buses d'injection (4) de gaz réactif, d'aspiration (5) et d'injection (6) de gaz inerte de chaque barrette (1,2), les trous (152,152') en vis-à-vis de la buse 25 d'aspiration (5) définissant une forme prédéterminée de l'empreinte (17,18) projetée par chaque espace confiné sur le substrat (20).\n<CLM>\1\tDispositif de dépôt chimique selon la revendication 30 précédente, comprenant une pluralité de têtes de dépôt (10), chaque tête de dépôt (10) incluant les barrettes (1,2) et le masque (15). 3046800 38\n<CLM>\1\tDispositif de dépôt chimique selon l'une des revendications précédentes, comprenant une pluralité de premières (1) et deuxièmes (2) barrettes disposées côte à côte en alternance suivant la direction principale. 5\n<CLM>\1\tDispositif de dépôt chimique selon l'une des revendications précédentes, comprenant au moins une troisième barrette (3) configurée pour injecter dans un troisième espace confiné en direction du substrat un troisième gaz réactif, différent du 10 premier (A) et du deuxième (B) gaz réactif, et disposée en alternance avec les première (1) et deuxième (2) barrettes suivant la direction principale.\n<CLM>\1\tDispositif de dépôt chimique selon la revendication 5, dans 15 lequel la forme prédéterminée de l'empreinte (17,18) projetée par chaque espace confiné sur le substrat (20) est identique pour chaque barrette (1,2).\n<CLM>\1\tDispositif de dépôt chimique selon la revendication 5, 20 dans lequel la forme prédéterminée de l'empreinte (17,18) projetée par chaque espace confiné sur le substrat est différente entre deux barrettes contiguës (1,2).\n<CLM>\1\tDispositif de dépôt chimique selon la revendication 7, 25 dans lequel la première distance de séparation (D) entre deux barrettes (1,2) contiguës de la pluralité de barrettes est identique.\n<CLM>\1\tDispositif de dépôt chimique selon la revendication 7, 30 dans lequel la première distance de séparation (D) entre deux barrettes (1,2) contiguës de la pluralité de barrettes est différente. 3046800 39\n<CLM>\1\tDispositif de dépôt chimique selon l'une des revendications précédentes, comprenant un système convoyeur (30) apte à convoyer le substrat (20). 5\n<CLM>\1\tDispositif de dépôt chimique selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les premiers organes (40) de déplacement autorisent un mouvement contrôlé de va-et-vient relatif des barrettes (1,2) vis-à-vis du substrat (20) selon la direction principale, d'une précision 10 meilleure que 200 microns.\n<CLM>\1\tDispositif de dépôt chimique selon l'une des revendications précédentes, comprenant des deuxièmes organes de déplacement configurés pour positionner les barrettes 15 (1,2) vis-à-vis du substrat (20) à un emplacement choisi, et dont la précision de déplacement est meilleure que 200 microns.\n<CLM>\1\tProcédé de dépôt chimique en phase gazeuse à flux alternés 20 et à séparation spatiale des gaz réactifs, pour former une couche sur une face supérieure d'un substrat (20) selon un motif à deux ou trois dimensions contrôlables, comprenant: - L'exposition d'une première zone (21) de la face supérieure dudit substrat (20) à un premier gaz 25 réactif (A) injecté par une première barrette (1) dans un premier espace confiné; - L'exposition d'une deuxième zone (22) de la face supérieure dudit substrat (20) à un deuxième gaz réactif (B) injecté par une deuxième barrette (2) 30 dans un deuxième espace confiné; Le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend une étape a) de déplacement correspondant à un mouvement relatif des barrettes (1,2) vis-à-vis du substrat (20) et contrôlé, dont l'amplitude est comprise dans une fourchette de 3046800 40 recouvrement, de sorte que la première zone (21) et la deuxième zone (22) se recouvrent au moins partiellement au niveau d'une zone de recouvrement (23) qui définit ledit motif. 5\n<CLM>\1\tProcédé de dépôt chimique selon la revendication précédente, dans lequel les première (1) et deuxième (2) barrettes sont disposées côte à côte suivant une direction principale et distantes d'une première distance de 10 séparation (D), les premier et deuxième espaces confinés sont distants l'un de l'autre d'une deuxième distance de séparation (d) comprise entre une deuxième distance minimale de séparation (di) et une deuxième distance maximale de séparation (d2), et la fourchette de recouvrement définit 15 une amplitude du mouvement contrôlé selon la direction principale comprise entre la deuxième distance minimale de séparation (di) et la somme de la première distance de séparation (D) et de la deuxième distance maximale de séparation (d2). 20\n<CLM>\1\tProcédé de dépôt chimique selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel le mouvement contrôlé présente une précision meilleure que 200 microns. 25\n<CLM>\1\tProcédé de dépôt chimique selon l'une des trois revendications précédentes, dans lequel l'étape a) est répétée de manière itérative, et le mouvement contrôlé est un mouvement de va-et-vient des barrettes (1,2) relativement au substrat (20), jusqu'à l'obtention d'une épaisseur 30 souhaitée de couche.\n<CLM>\1\tProcédé de dépôt chimique selon l'une des quatre revendications précédentes, comprenant une étape a') de déplacement relatif des barrettes (1,2) vis-à-vis du 3046800 41 substrat (20), soit grâce à un système convoyeur (30) du substrat (20), soit grâce à un système de déplacement des barrettes (1,2), pour choisir un emplacement de la première zone (21) et de la deuxième zone (22) sur la face supérieure 5 du substrat (20).\n<CLM>\1\tProcédé de dépôt chimique selon la revendication précédente, dans lequel les étapes a') et a) sont répétées, pour obtenir le dépôt de la couche selon ledit motif aux 10 emplacements choisis sur la face supérieure du substrat (20).\n<CLM>\1\tProcédé de dépôt chimique selon l'une des six revendications précédentes, dans lequel l'espacement entre 15 les barrettes (1,2) et la face supérieure du substrat (20) est inférieur à 500 microns.\n<CLM>\1\tProcédé de dépôt chimique selon l'une des sept revendications précédentes, dans lequel le motif comporte 20 une pluralité d'ilots en forme de parallélépipède, de losange, d'ellipse, de triangle ou toute autre forme géométrique. 25