Brevet FR3047609A1 (20170811)
REVENDICATIONS1. Transistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique de type normalement ouvert, comprenant : -des première et deuxième couches semiconductrices (14,\n<CLM>\1\tsuperposées pour former une couche de gaz d'électrons (16); -une grille de commande (23) ; Caractérisé en ce que : -une tranchée est ménagée dans la deuxième couche semi conductrice (15) ; -un plot (17) de GaN ou d'alliage de GaN, présentant un dopage de type P, est disposé dans la tranchée ; -la grille de commande (23) est positionnée à l'aplomb dudit plot.\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique selon la revendication 1, dans lequel : -ladite deuxième couche (15) est en AIGaN ; -la première couche (14) est en GaN ; -ledit plot est en GaN dopé P.\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique selon la revendication 2, dans lequel ladite deuxième couche (15) contient une fraction molaire d'aluminium comprise entre 22 et 28%.\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique selon la revendication 3, dans lequel ladite deuxième couche (15) présente une épaisseur d'au moins 10 nm.\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel ladite tranchée n'atteint pas le fond de la deuxième couche semi conductrice (15).\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ à haute mobilité électronique selon la revendication 5, dans lequel la distance entre le fond de la tranchée et le fond de ladite deuxième couche est comprise entre 4 et lOnm.\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel ladite tranchée atteint le fond de la deuxième couche semi conductrice (15) mais n'est pas ménagée dans la première couche semi conductrice (14).\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique selon la revendication 2 et la revendication 5 ou 7, comprenant en outre une troisième ICG11015-DD16444VR FR Depot Texte.docx 40 3047609 13 couche semiconductrice (19) en AIN interposée entre les première et deuxième couches, ladite couche d'AIN présentant une épaisseur comprise entre 0,5 et 2nm. 5\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel ladite tranchée atteint le fond de la deuxième couche semiconductrice (15) et est au moins partiellement ménagée dans la première couche semi conductrice (14). 10 10.Transistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit plot (17) comprend du magnésium ionisé dans une concentration comprise entre 5*1 018cm-3 et 1*1018cm-3. 15\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel une couche d'isolant (24) est interposée entre ledit plot (17) et la grille de commande (23).\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique selon l'une 20 quelconque des revendications précédentes, dans lequel une couche d'isolant (18) est ménagée sur la deuxième couche semi conductrice (15).\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la première couche 25 semi conductrice (14) est disposée entre la deuxième couche semi conductrice (15) et un substrat (12). ICG11015-DD16444VR FR Depot Texte.docx