Brevet FR3048548A1 (20170908)
REVENDICATIONS1. Procédé de détermination d'une énergie convenable d'implantation d'au moins deux espèces atomiques dans un substrat donneur (30) pour créer une zone de fragilisation (31) définissant une couche (32) monocristalline semi- conductrice à transférer sur un substrat receveur (10), comprenant les étapes suivantes : (i) formation d'une couche diélectrique sur l'un au moins du substrat donneur (30) et du substrat receveur (10), (ii) co-implantation desdites espèces dans le substrat donneur (30) avec une énergie déterminée pour former la zone de fragilisation (31), (iii) collage du substrat donneur (30) sur le substrat receveur (10) de telle sorte que ladite couche diélectrique soit à l'interface de collage, (iv) détachement du substrat donneur (30) le long de la zone de fragilisation (31) de sorte à transférer la couche (32) monocristalline semi-conductrice et récupérer un reliquat (34) du substrat donneur, (y) inspection de la couronne périphérique du reliquat (34) du substrat donneur ou du substrat receveur (10) sur lequel la couche monocristalline semi-conductrice (32) a été transférée à l'étape (iv), (vi) si ladite couronne présente des zones transférées sur le substrat receveur, détermination du fait que l'énergie d'implantation de l'étape (ii) est trop élevée, (vii) si ladite couronne ne présente pas de zones transférées sur le substrat receveur, détermination du fait que l'énergie d'implantation de l'étape (ii) est convenable.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel on met en oeuvre l'étape (ii) sur plusieurs substrats donneurs avec des énergies d'implantation respectives différentes et l'on détermine, à partir de l'inspection du reliquat (34) du substrat donneur ou du substrat receveur (10) sur lequel la couche monocristalline semi-conductrice (32) a été transférée obtenu pour chacune desdites énergies d'implantation, une gamme d'énergie d'implantation convenable. 3048548 13\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel on détermine l'énergie d'implantation maximale dans ladite gamme d'énergie d'implantation convenable et l'on en déduit l'épaisseur maximale de la couche (32) 5 monocristalline semi-conductrice à transférer sur le substrat receveur.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une structure de type semi-conducteur sur isolant par transfert d'une couche monocristalline semi-conductrice d'un substrat donneur (30) vers un substrat receveur (10), comprenant les étapes 10 suivantes : (a) détermination d'une énergie d'implantation convenable par le procédé selon l'une des revendications 1 à 3, (b) formation d'une couche diélectrique sur l'un au moins du substrat receveur (10) et du substrat donneur (30), 15 (c) co-implantation d'espèces atomiques, telles que de l'hydrogène et de l'hélium, avec l'énergie d'implantation déterminée à l'étape (a), pour créer une zone de fragilisation (31) dans le substrat donneur (30) de manière à définir une couche (32) monocristalline semi-conductrice à transférer, 20 (d) collage par adhésion moléculaire du substrat donneur (30) sur un substrat receveur (10), ladite couche diélectrique étant à l'interface de collage, (e) détachement du substrat donneur (30) selon la zone de fragilisation (31), de sorte à transférer la couche (32) monocristalline semi-conductrice sur 25 le substrat receveur.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, dans lequel l'énergie d'implantation convenable déterminée à l'étape (a) correspond à une épaisseur (El ) de la couche transférée à l'étape (e) inférieure à l'épaisseur (E2) souhaitée pour la 30 couche (33) monocristalline semi-conductrice de la structure semi-conducteur sur isolant, ledit procédé comprenant en outre, après l'étape (e), une étape (f) d'épitaxie sur la couche (32) transférée sur le substrat donneur (10) jusqu'à l'obtention de l'épaisseur (E2) souhaitée.