Brevet FR3048816A1 (20170915)
REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un dispositif à transistor(s), doté d'au moins un transistor de type P à structure de canal contraint en compression comprenant des étapes consistant à : - former un masquage sur une première région d'une couche superficielle (12) en silicium d'un substrat de type sS01 comprenant une couche de support (10), une couche isolante (11) séparant la couche de support de la couche superficielle, la couche superficielle (12) étant à base d'un matériau semi-conducteur contraint en silicium selon une contrainte en tension bi-axiale, le masquage étant formé d'au moins un bloc de masquage de forme allongée disposé sur une première zone (12a) de la couche superficielle, la première zone (12a) ayant une longueur (L1) mesurée parallèlement à une première direction et une largeur (W1) mesurée parallèlement à une deuxième direction, la première zone (12a) étant apte à accueillir une structure de canal d'un transistor, le masquage étant configuré de sorte qu'une ou plusieurs ouvertures (23) de forme allongée et s'étendant parallèlement à la première direction sont disposées de part et d'autre du bloc (22) de masquage et dévoilent respectivement des deuxièmes zones (12b) de la couche superficielle disposées de part et d'autre de la première zone (12a), - réaliser au moins une implantation ionique de la couche superficielle à travers les ouvertures (23) du masquage (20), de sorte à rendre amorphe les deuxièmes zones (12b) et à induire une relaxation de la première zone (12a) dans la deuxième direction, - effectuer une recristallisation des deuxièmes zones (12b) de la couche superficielle (12), - enrichir en Germanium la première zone (12a), - formation d'au moins un bloc de grille d'au moins un transistor sur la première zone (12a) de la couche superficielle (12), le bloc de grille (30) s'étendant parallèlement à la deuxième direction. 3048816 18\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel lors de l'amorphisation des deuxièmes zones (12b), la recristallisation des deuxième zones, et l'enrichissement en Germanium de la couche superficielle (12), une deuxième région de la couche superficielle dédiée à au moins un autre transistor est protégée par un masque (15), 5 l'autre transistor étant de type N, le procédé comprenant en outre, après ledit enrichissement en Germanium, des étapes de : retrait du masque (15), formation d'au moins une grille sur la deuxième région. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel après amorphisation des deuxièmes zones (12b) de la couche superficielle (12) et préalablement à ladite recristallisation de ces deuxièmes zones (12b), on effectue un traitement thermique laser des deuxièmes zones (12b). 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le bloc de masquage de forme allongée est un bloc de grille sacrificiel, le procédé comprenant après amorphisation puis recristallisation des deuxièmes zones (12b), des étapes de : - réalisation d'un deuxième masquage (153-157) formé d'éléments disposés de part et d'autre et contre le bloc (22) de masquage, 20 - retrait du bloc (22) de masquage entre lesdits éléments du deuxième masquage de sorte à former une cavité (156) dévoilant la première zone (12a), puis, après ledit enrichissement en Germanium de la première zone (12a) : - former dans ladite cavité (156) une grille de remplacement. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, dans lequel, après ladite recristallisation des deuxièmes zones (12b) et avant la réalisation du deuxième masquage, on effectue une croissance de régions semi-conductrices (151) de source et de drain de part et d'autre du bloc (22) de masquage, le deuxième masquage (153-157) étant ensuite formé de sorte à recouvrir les régions semi-conductrices (151) de source et de drain. 3048816 19\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel après amorphisation des deuxièmes zones (12b) et préalablement audit enrichissement en Germanium on retire le masquage, l'enrichissement en Germanium étant un enrichissement en Germanium de la première zone (12a) et des deuxièmes zones (12b). 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel le bloc de masquage (22) de forme allongée est en un matériau ayant une contrainte élastique intrinsèque. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel l'enrichissement en Germanium est réalisé par un procédé de condensation en Germanium lors duquel on dépose une couche semi-conductrice à base de Sii_xGex puis on réalise une oxydation thermique de sorte à faire migrer le Germanium de cette couche semiconductrice dans la première zone. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel le ou les transistors sont en technologie FDSOI.\n<CLM>\1\tDispositif à transistor(s) doté d'au moins un transistor de type P à 20 structure de canal contraint en compression uni-axiale formée dans une première région d'une couche superficielle en silicium contraint en tension d'un substrat de type sS01, et d'au moins un transistor de type N à structure de canal contraint en tension dans une deuxième région de ladite couche superficielle.