Brevet FR3040227A1 (20170224)
REVENDICATIONS1. Procédé (100) de programmation d'un réseau de neurones artificiels (N) ayant une pluralité de synapses artificielles (S), chaque synapse artificielle (S) étant une unique mémoire vive résistive (M), telle qu'une mémoire OxRAM ou CBRAM, en série avec un moyen de limitation de courant, la mémoire vive résistive (M) comportant une zone active (A) et des première et deuxième électrodes (E1, E2) de part et d'autre de la zone active, le procédé (100) de programmation comportant les étapes suivantes : - une étape (101) de détermination d'un nombre N d'intervalles de conductance, avec N un entier naturel supérieur ou égal à 3 ; - pour chaque mémoire vive résistive (M) : o une étape (102) de choix d'un intervalle de conductance parmi les N intervalles de conductance précédemment déterminés ; o une étape i) comprenant : ^ une première sous-étape (103) d'application d'une impulsion de tension d'un premier type entre les première et deuxième électrodes (E1, E2) de ladite mémoire vive résistive (M), l'impulsion de tension du premier type ayant une première durée et une première amplitude, et ^ une deuxième sous-étape (104) de lecture d'une valeur de conductance de ladite mémoire vive résistive (M) ; o si ladite valeur de conductance n'appartient pas à l'intervalle de conductance précédemment choisi, une étape ii) comprenant : ^ une première sous-étape (105) d'application d'une impulsion de tension d'un deuxième type entre les première et deuxième électrodes (E1, E2) de ladite mémoire vive résistive (M), l'impulsion de tension du deuxième type ayant une deuxième durée et une deuxième amplitude, et ^ une deuxième sous-étape (106) de lecture d'une valeur de conductance de ladite mémoire vive résistive (M) ; 3040227 19 5 10\n<CLM>\1\t153.\n<CLM>\1\t20 25\n<CLM>\1\t30 o si ladite valeur de conductance n'appartient pas à l'intervalle de conductance choisi, une étape selon laquelle on réitère l'étape i), les étapes i) et ii) étant répétées jusqu'à ce que la valeur de conductance de la mémoire vive résistive (M) appartienne à l'intervalle de conductance choisi ; chaque impulsion de tension du premier type appliquée lors de chaque étape i) ayant la même première durée et la même première amplitude, et chaque impulsion de tension du deuxième type appliquée lors de chaque étape ii) ayant la même deuxième durée et la même deuxième amplitude. Procédé (100) de programmation d'un réseau de neurones artificiels selon la revendication 1 caractérisé en ce que chaque mémoire vive résistive (M) est une mémoire de type OxRAM. Procédé (100) de programmation d'un réseau de neurones artificiels selon la revendication 1 caractérisé en ce que chaque mémoire vive résistive (M) est une mémoire de type CBRAM. Procédé (100) de programmation d'un réseau de neurones artificiels selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce qu'on choisit le moyen de limitation de courant de chaque synapse artificielle (S) de manière que le courant traversant chaque mémoire vive résistive (M) est inférieur ou égal à 20 pA. Procédé (100) de programmation d'un réseau de neurones artificiels selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce qu'on choisit le moyen de limitation de courant de chaque synapse artificielle (S) de manière que le courant traversant chaque mémoire vive résistive (M) est supérieur à 1 pA.\n<CLM>\1\tProcédé (100) de programmation d'un réseau de neurones artificiels selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que l'impulsion de tension du deuxième type est de signe opposé à l'impulsion de tension du premier type. 3040227 20\n<CLM>\1\tProcédé (100) de programmation d'un réseau de neurones artificiels selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 caractérisé en ce que l'impulsion de tension du deuxième type est de même signe que l'impulsion 5 de tension du premier type.