Brevet FR3052294A1 (20171208)
REVENDICATIONS1. Procédé de formation de reliefs à la surface (101) d'un substrat (100), caractérisé en ce qu'il comprend au moins les étapes suivantes: - au moins une première implantation d'ions dans le substrat (100) selon une première direction (112) ; - au moins une deuxième implantation d'ions dans le substrat (100) selon une deuxième direction (132) différente de la première direction (112); - au moins l'une des première et deuxième implantations est réalisée à travers au moins un masque (121,\n<CLM>\1\tprésentant au moins un motif (120, 220); une gravure de zones (106, 108,\n<CLM>\1\tdu substrat (100) ayant reçu par implantation une dose supérieure ou égale à un seuil, sélectivement aux zones (107,\n<CLM>\1\tdu substrat (100) n'ayant pas reçu par implantation une dose supérieure audit seuil ; les paramètres des première et deuxième implantations, en particulier leurs directions (112,\n<CLM>\1\trespectives, étant réglées de manière à ce que uniquement des zones (106, 108,\n<CLM>\1\tdu substrat (100) ayant été implantées à la fois lors de la première implantation et lors de la deuxième implantation reçoivent une dose supérieure ou égale audit seuil.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel les première et deuxième implantations sont chacune réalisées à travers au moins un masque (121, 221).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel les première et deuxième implantations sont réalisées à travers un même masque (121, 221), le procédé comprenant au moins une implantation additionnelle réalisée à travers un masque (121,\n<CLM>\1\tdifférent de celui utilisé lors des première et deuxième implantations. 3052294 19\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2 dans lequel l'au moins un motif (120,\n<CLM>\1\tdu masque (121,\n<CLM>\1\tutilisé lors de la première implantation est différent de l'au moins un motif (120,\n<CLM>\1\tdu masque (121,\n<CLM>\1\tutilisé lors de la deuxième implantation. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel au moins l'une des première et deuxième implantations est réalisée pleine plaque et sans masque (121, 221). 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel on dispose une couche sacrificielle (310) au-dessus du substrat (100) et dans lequel au moins l'une parmi la première et la deuxième implantations est réalisée à travers ladite couche sacrificielle (310). 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel on retire toute la couche sacrificielle (310) après la deuxième implantation.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la couche sacrificielle (310) est un revêtement anti-réflexion. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des trois revendications précédentes dans lequel l'épaisseur de la couche sacrificielle (310) est choisie et au moins l'une parmi la première et la deuxième implantations sont réalisées de manière à ce que des premières zones (309) situées sous le masque (121,\n<CLM>\1\tsoient 25 implantées à la fois lors de la première implantation et lors de la deuxième implantation, reçoivent une dose supérieure ou égale audit seuil et s'étendent uniquement dans la couche sacrificielle (310).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des quatre revendications précédentes 30 dans lequel l'épaisseur de la couche sacrificielle (310) ainsi que au moins l'une parmi la première et la deuxième implantations sont réalisées de manière à ce que des deuxièmes zones (308) situées sous le masque (121,\n<CLM>\1\tsoient implantées à la fois lors de la première implantation et lors de la deuxième 3052294 20 implantation en recevant une dose supérieure ou égale audit seuil, lesdites deuxièmes régions (308) s'étendant dans la couche sacrificielle (310) et dans le substrat (100). 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le substrat (100) est cristallin et dans lequel au moins l'une parmi la première et la deuxième implantations est effectuée de manière à rendre les zones implantées amorphes. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel ladite implantation prise parmi la première et la deuxième implantations et effectuée de manière à rendre les zones implantées amorphes comprend l'implantation des ions plus lourds que l'hydrogène (H), tels que des ions bore, argon (Ar) ou silicium avec une énergie suffisante pour rendre les zones implantées amorphes. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel au moins l'une parmi la première et la deuxième implantations est effectuée de manière à modifier chimiquement le substrat (100). 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel ladite implantation prise parmi la première et la deuxième implantations et effectuée de manière à modifier chimiquement le substrat (100) comprend l'implantation d'ions hydrogène (H) et/ou d'oxygène pour modifier chimiquement le substrat (100). 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes prises dans leur combinaison avec la revendication 11, dans lequel ladite implantation effectuée de manière à rendre les zones implantées amorphes est la première implantation et dans laquelle ladite implantation effectuée de manière à modifier chimiquement le substrat (100) est la deuxième 30 implantation.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel au moins certaines des zones (108) recevant une dose supérieure ou 3052294. 21 égale audit seuil sont situées sous un motif (120,\n<CLM>\1\tdu masque (121,\n<CLM>\1\tlors d'au moins l'une des première et deuxième implantations.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans 5 lequel au moins l'une des première et deuxième directions (112,\n<CLM>\1\td'implantation est perpendiculaire à un plan principal dans lequel s'étend le substrat (100).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 16 dans lequel les 10 directions (112,\n<CLM>\1\td'implantation de la première implantation et de la deuxième implantation sont inclinées par rapport à une direction perpendiculaire à un plan principal dans lequel s'étend le substrat (100).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans 15 lequel le substrat (100) est fait d'un matériau comprenant au moins l'un des matériaux suivants : silicium (Si), en silicium-germanium (SiGe), saphir, SiC, GaN ou quartz.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 18 dans lequel le 20 substrat (100) est poreux.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel les paramètres des première et deuxième implantations, en particulier leurs directions respectives, sont réglées de manière à ce que certaines zones 25 (109) du substrat (100) ne reçoivent aucune dose lors d'au moins l'une parmi la première et la deuxième implantations.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel les paramètres des première et deuxième implantations, en particulier 30 leurs directions respectives, sont réglées de manière à ce que durant au moins l'une parmi la première et la deuxième implantations, des ions pénètrent dans le substrat (100) sans traverser le masque (121, 221).