Brevet FR3041472A1 (20170324)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - une étape de fourniture (El) d'une plaque de silicium (1) d'épaisseur comprise entre 501.1m et 1501.1m, présentant une courbure non nulle, et comportant une première face (2) qui est polie et une deuxième face (3), - une étape de traitement (E2) de la courbure de la plaque de silicium (1) par traitement thermique à une température de traitement supérieure ou égale à 400°C, - une étape de texturation (E3) de la deuxième face (3) de la plaque de silicium (1) mise en oeuvre après l'étape de traitement (E2).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de traitement (E2) comporte les étapes successives suivantes : - une étape d'augmentation (E2-1) de la température de la plaque de silicium (1) à une température de traitement comprise entre 400°C et 500°C, - une étape de maintien (E2-2) de la température de la plaque de silicium (1) à une température supérieure ou égale à la température de traitement pendant un temps compris entre 1 minute et 30 minutes, - une étape de diminution (E2-3) de la température de la plaque de silicium (1).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de traitement (E2) comporte les étapes successives suivantes : - une étape d'augmentation (E2-1) de la température de la plaque de silicium (1) à une température de traitement supérieure à 500°C, - une étape de diminution (E2-3) de la température de la plaque de silicium (1).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'étape de traitement (E2) comporte, entre l'étape d'augmentation (E2-1) et l'étape de diminution (E2-3), 3041472 18 une étape de maintien (E2-2) de la température de la plaque de silicium (1) à une température supérieure ou égale à la température de traitement pendant un temps compris entre 1 minute et 30 minutes. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, caractérisé en ce que l'étape d'augmentation (E2-1) de la température de la plaque de silicium (1) est mise en oeuvre selon une rampe ascendante permettant une montée en température homogène de la plaque de silicium (1), notamment la rampe 10 ascendante est comprise entre 20°C/min et 1800°C/min, et de préférence comprise entre 60°C/min et 500°C/min.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, caractérisé en ce que l'étape de diminution (E2-3) de la température de la plaque de silicium (1) est 15 mise en oeuvre selon une rampe descendante permettant une diminution en température homogène de la plaque de silicium (1), notamment la rampe descendante est comprise entre 20°C/min et 400°C/min, et est en particulier égale à 170°C/min. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendication 2 à 6, caractérisé en ce que l'étape de diminution (E2-3) de la température de la plaque de silicium (1) selon une rampe descendante contrôlée est stoppée avant que la température de la plaque de silicium (1) atteigne la température ambiante notamment en plaçant ladite plaque de silicium hors de l'enceinte thermique permettant de contrôler la rampe 25 descendante, ou lorsque la température de la plaque de silicium (1) atteint la température ambiante.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 7, caractérisé en ce que l'étape d'augmentation (E2-1) de la température de la plaque de silicium (1) se 30 fait depuis une température ambiante à laquelle est soumise initialement la plaque de silicium (1). 3041472 19\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape de traitement (E2) est mise en oeuvre en plaçant la plaque de silicium sur un socle conducteur thermique (9) dans une enceinte (10) permettant de soumettre le socle conducteur thermique (9) à au moins une température 5 prédéterminée.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la température de traitement est comprise entre 400°C et 550°C. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que l'étape de fourniture (El) de la plaque de silicium (1) est telle que les première et deuxième faces (2,\n<CLM>\1\topposées présentent des aspects de surface différents, ladite deuxième face (3) étant destinée à être texturée. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape de fourniture (El) de la plaque de silicium (1) comporte les étapes suivantes : - une étape de découpe (E1-1) de la plaque de silicium (1) à partir d'un lingot de silicium, notamment obtenu par croissance de type Czochralski, 20 - une étape de polissage (E1-2) de la première face (2) de la plaque de silicium (1).