Brevet FR3051255A1 (20171117)
REVENDICATIONS1. Dispositif de mesure d'une accélération caractérisé en ce qu'il comporte un accéléromètre vibrant comprenant : - un substrat (Sub) constitué d'un matériau semi-conducteur et formant un cadre fixe (C) dudit accéléromètre; - une masse d'épreuve (ME) constituée d'un même matériau que ledit substrat et reliée audit cadre fixe, ladite masse d'épreuve étant apte à se déplacer en translation suivant au moins un axe sensible dudit accéléromètre vibrant; - des moyens de guidage (PG1, PG2, PG3, PG4) constitués d'un même matériau que ledit substrat, et reliés audit cadre fixe et à ladite masse d'épreuve, lesdits moyens de guidage étant aptes à guider ladite masse d'épreuve selon la direction dudit au moins un axe sensible; - une couche (Nit1) constituée d'un matériau semi-conducteur piézoélectrique et déposée sur ledit substrat, ladite couche étant précontrainte en tension; - un résonateur (R) situé dans ladite couche et relié audit cadre fixe, ledit résonateur étant apte à subir une tension ou une compression selon la direction dudit au moins un axe sensible; et - au moins un transducteur relié audit résonateur, ledit au moins transducteur étant apte à actionner ledit résonateur, à maintenir une oscillation dudit résonateur et/ou à détecter un signal électrique généré par ledit résonateur.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat est une couche active d'un substrat de silicium sur isolant. 3051255 20\n<CLM>\1\t4. 10\n<CLM>\1\t15 20\n<CLM>\1\t25\n<CLM>\1\t30 Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ladite couche est réalisée en un matériau différent du substrat, en particulier un matériau nitrure de type III-N, l'élément du groupe III étant choisi parmi Al, Ga, In, B ou tout alliage de ces éléments, de préférence Ga. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit résonateur comporte une épaisseur comprise entre 0.5 microns et 10 microns. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit transducteur comporte une hétérostructure confinant dans ladite couche au moins un gaz bidimensionnel de porteurs de charge dans une pluralité de régions (G2DA, G2DD), ledit au moins un gaz bidimensionnel formant au moins un canal de conduction électrique s'étendant dans ladite couche, ledit au moins un canal de conduction électrique étant connecté électriquement à ladite couche. Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ledit transducteur comporte un transistor, ledit transistor comprenant une pluralité d'électrodes (G, D, S) situées sur ladite couche, et connectées électriquement à ladite hétérostructure. Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce que au moins une desdites électrodes dudit transistor est un contact ohmique. 3051255 21\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit transducteur comprend une pluralité d'électrodes (A, COA), au moins deux desdites électrodes étant 5 connectées à ladite couche et/ou à un gaz bidimensionnel de porteurs de charge.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, 10 caractérisé en ce que ledit résonateur comporte une pluralité de peignes inter-digités (P11, P12), lesdits peignes inter-digités étant connectés électriquement audit résonateur et à une pluralité d'électrodes (C1, C2) formées sur ledit cadre fixe par une pluralité de pistes (PM1, PM2), lesdites pistes étant constituées d'un 15 matériau en métal ou en semi-conducteur.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit résonateur est encastré sur une partie 20 de son périmètre et présente une forme choisie entre : - une poutre ; - une membrane ; - un disque ; et - une plaque. 25\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit résonateur comporte une cavité acoustique (CA), ladite cavité acoustique comprenant des cristaux 30 phononiques (CP1, CP2).