Brevet FR3038774A1 (20170113)
REVENDICATIONS1. Circuit intégré (IC), comprenant un substrat (S) et au moins un transistor MOS (TGE) comportant une région de grille (RG) enterrée dans une tranchée (T) du substrat (S), débouchant sur une face supérieure (FS) du substrat (S), et entourée par une région diélectrique (RDI) tapissant les parois internes de la tranchée (T), une région de source (RS) et une région de drain (RD) situées respectivement dans le substrat (S) de part et d'autre de la tranchée (T) au voisinage de ladite face supérieure (FS), ladite région diélectrique (RDI) possédant une zone diélectrique supérieure (ZDS) située au moins partiellement entre une partie supérieure (PS) de la région de grille (RG) et les régions de source (RS) et de drain (RD), et une zone diélectrique inférieure (ZDI) moins épaisse que la zone diélectrique supérieure (ZDS) et située entre une partie inférieure (PI) de la région de grille (RG) et le substrat (S).\n<CLM>\1\tCircuit intégré (IC) selon la revendication 1, dans lequel la région de grille (RG) comporte une zone de décrochement de grille (ZDG) entre la partie inférieure (PI) et la partie supérieure (PS) de la région de grille (RG).\n<CLM>\1\tCircuit intégré (IC) selon la revendication 1, dans lequel la région diélectrique (RDI) comporte une zone de décrochement de diélectrique (ZDD) entre la zone diélectrique inférieure (ZDI) et la zone diélectrique supérieure (ZDS).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor MOS (TGE), comprenant une formation d'une région de grille (RG) enterrée dans une tranchée (T) du substrat (S), débouchant sur une face supérieure (FS) du substrat (S), une formation d'une région de source (RS) et d'une région de drain (RD) situées respectivement dans le substrat (S) de part et d'autre de la tranchée (T) au voisinage de ladite face supérieure (FS), une formation d'une région diélectrique (RDI) tapissant les parois internes de la tranchée (T), entourant la région de grille (RG) et possédant une zone diélectrique supérieure (ZDS) située au moins 3038774 10 partiellement entre une partie supérieure (PS) de la région de grille (RG) et les régions de source (RS) et de drain (RD), et une zone diélectrique inférieure (ZDI) moins épaisse que la zone diélectrique supérieure (ZDS) et située entre une partie inférieure (PI) de la région 5 de grille (RG) et le substrat (S).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, dans lequel la formation de la région de grille (RG) comporte une formation d'une zone de décrochement de grille (ZDG) entre la partie inférieure (PI) et la partie supérieure (PS) de la région de grille (RG). 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, dans lequel les formations de la région diélectrique (RDI) et de la région de grille (RG) comprennent une formation d'une première couche diélectrique (CD1) tapissant la paroi interne de la tranchée (T), 15 une formation d'une région sacrificielle de grille (RSG) recouvrant la première couche diélectrique (CD1) et remplissant la tranchée (T), un retrait partiel de la région sacrificielle de grille (RSG) de façon à obtenir la partie inférieure (PI) de la région de grille (RG) 20 entourée par la zone diélectrique inférieure (ZDI), une formation d'une deuxième couche diélectrique (CD2) recouvrant la première couche diélectrique (CD1) et la partie inférieure (PI) de la région de grille (RG), un retrait de la portion de la deuxième couche diélectrique 25 (CD2) recouvrant la partie inférieure (PI) de la région de grille (RG) de façon à obtenir la zone diélectrique supérieure (ZDS), et une formation de la région de grille (RG) comportant la partie supérieure (PS) séparée de la partie inférieure (PI) par la zone de décrochement de grille (ZDG) et entourée par les zones diélectriques 30 supérieure (ZDS) et inférieure (ZDI).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, dans lequel la formation de la région diélectrique (RDI) comporte une zone de décrochement de diélectrique (ZDD) entre la zone diélectrique inférieure (ZDI) et la zone diélectrique supérieure (ZDS). 3038774 11\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, dans lequel les formations de la région diélectrique (RDI) et de la région de grille (RG) comprennent une gravure partielle d'une tranchée d'isolation (TS) laissant 5 subsister sur ces parois latérales une première couche diélectrique (ZDINI) et une gravure partielle du substrat (S) sous-jacent de façon à obtenir ladite tranchée (T), une formation sur la première couche diélectrique (ZDINI) et sur les parois de la partie inférieure de la tranchée (T) d'une deuxième 10 couche diélectrique (CDS) de façon à obtenir ladite région de décrochement de diélectrique (ZDD), et un remplissage de la tranchée par un matériau de grille.