Brevet FR3050872A1 (20171103)
REVENDICATIONS1. Diode électroluminescente (100) comprenant au moins : - une première couche (102) comprenant du semi-conducteur dopé n et une deuxième couche (104) comprenant du semi-conducteur dopé p, les première et deuxième couches (102,\n<CLM>\1\tformant une jonction p-n ; - une zone active (105) disposée entre les première et deuxième couches (102, 104), comprenant au moins une couche émissive (106) comportant de l'InxGai_xN et apte à former un puits quantique, et au moins deux couches barrières (108) comportant de l'InyGai_yN et entre lesquelles la couche émissive (106) est disposée, et avec X et Y nombres réels tels que 0\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (100) selon la revendication 1, dans laquelle : - la deuxième couche (104) comporte du GaN et la première couche (102) comporte de l'InyGai_yN, avec V nombre réel tel que 0 V ; ou - la deuxième couche (104) comporte de l'InwGai_wN et la première couche (102) comporte de l'InyGai_yN, avec V et W nombres réels tels que 0\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (100) selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle l'épaisseur de la couche intermédiaire (114) est comprise entre environ 0,25 nm et 10 nm. 3050872 22\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (100) selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle le semi-conducteur de la couche intermédiaire (114) comporte de l'AlulnzGai_u_zN, avec U et Z nombres réels tels que 0 U + Z 1 et 0 Z\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (100) selon la revendication 4, dans laquelle, lorsque le semi-conducteur de la couche intermédiaire (114) comporte de l'AlulnzGa1_u_7N, les concentrations en indium Z et Y dans les semi-conducteurs de la couche intermédiaire (114) et de la couche barrière (108) dans laquelle la couche intermédiaire 10 (114) est disposée sont telles Z 0,8*Y.\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (100) selon l'une des revendications 4 ou 5, dans laquelle, lorsque le semi-conducteur de la couche intermédiaire (114) comporte de l'AlulnzGai_u_zN, la concentration en indium Z dans le semi-conducteur de la couche 15 intermédiaire (114) varie entre une première valeur minimale Zi et une deuxième valeur maximale Z2 supérieure à Zi selon une direction sensiblement perpendiculaire à des faces de la couche intermédiaire (114) en contact avec la couche barrière (108) dans laquelle est disposée la couche intermédiaire (114), et dans laquelle 0 Zi\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (100) selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle la concentration en indium Y dans le semi-conducteur d'au moins la couche barrière (108) dans laquelle la couche intermédiaire (114) est disposée varie entre une première valeur minimale Yi et une deuxième valeur maximale Y2 supérieure à Yi selon une direction sensiblement perpendiculaire aux faces de la 25 couche barrière (108) en contact avec la couche intermédiaire (114), et dans laquelle 0 Yi\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (100) selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle : 3050872 23 - la zone active (105) comporte plusieurs couches émissives (106) comprenant de l'InGaN et chacune apte à former un puits quantique, et plusieurs couches barrières (108) comprenant de l'InGaN et telles que chaque couche émissive (106) soit disposée entre deux couches barrières (108) qui sont en contact avec ladite couche 5 émissive (106) au niveau de deux faces opposées de ladite couche émissive (106), - la couche intermédiaire (114) est disposée dans l'une des couches barrières (108) se trouvant entre l'une des couches émissives (106) et la première couche (102) telle que des parties de ladite une des couches barrières (108) soient disposées de part et d'autre de la couche intermédiaire (114), ou disposée entre ladite une des couches 10 barrières (108) et ladite une des couches émissives (106), - le gap du semi-conducteur de la couche intermédiaire (114) est supérieur à celui du semi-conducteur des couches barrières (108) et les concentrations en indium da nsl'InGaN des couches émissives (106) sont supérieures à celles dans l'InGaN des couches barrières (108). 15\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (100) selon la revendication 8, comportant plusieurs couches intermédiaires (114) telles qu'une ou plusieurs desdites couches intermédiaires (114) soient disposées dans une ou plusieurs des couches barrières (108) se trouvant entre l'une des couches émissives (106) et la première couche (102), des 20 parties de ladite une ou plusieurs des couches barrières (108) étant disposées de part et d'autre de chacune des couches intermédiaires (114).\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (100) selon l'une des revendications 8 ou 9, dans laquelle les concentrations en indium dans l'InGaN des couches émissives (106) 25 sont sensiblement égales les unes par rapport aux autres.\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (100) selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre une couche tampon de semi-conducteur dopé n disposée entre la première couche (102) et la zone active (105), ledit semi-conducteur dopé 30 n de la couche tampon comportant une énergie de bande interdite inférieure ou égale à 3050872 24 environ 97 % de l'énergie de bande interdite du semi-conducteur dopé p de la deuxième couche (104).\n<CLM>\1\tDiode électroluminescente (100) selon l'une des revendications 5 précédentes, comportant en outre une couche de blocage d'électrons (112) comprenant au moins un semi-conducteur dopé p de type III-N dont le gap est supérieur à celui du semiconducteur de la deuxième couche (104) et disposée entre la deuxième couche (104) et la zone active (105).