Brevet FR3042310A1 (20170414)
REVENDICATIONS1. Procédé pour fabriquer une matrice (300 ; 400 ; 700 ; 800 ; 1100) de photodiodes multi-spectrale dans une couche semi-conductrice (120) en Cd.Hgt.xTe constituée de régions juxtaposées dites pixels (121), le procédé comprenant une étape de réalisation d'une jonction PN dans chaque pixel, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : réalisation (101) d'une structure riche en cadmium (170) sur la couche semiconductrice en CdxHgi_xTe, structurée de façon à ce que tous les pixels (121) ne soient pas surmontés d'une même quantité d'atomes de cadmium, cette quantité pouvant être nulle ; et recuit d'inter-diffusion (102), réalisant la diffusion des atomes de cadmium depuis la structure riche en cadmium (170) vers la couche semi-conductrice (120), de sorte qu'à l'issue du recuit tous les pixels (121) ne présentent pas la même longueur d'onde de coupure.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la structure riche (170) en cadmium est constituée de portions (171; 172 ; 173 ; 570A ; 570B, 771; 772 ; 773 ; 1001; 1002), centrées chacune sur un pixel (121) de la couche semi-conductrice.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que chaque portion (171 ; 172 ; 173 ; 570A ; 771 ; 772 ; 773 ; 1001 ; 1002) présente une forme de plot, plein au centre et espacé des autres plots.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que chaque portion présente une forme de plot (570B), ouvert au centre et espacé des autres plots.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que les différentes portions forment ensemble une grille présentant des ouvertures centrées chacune sur un pixel. 3042310 27\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la structure riche en cadmium est constituée de portions surmontant chacune un pixel (121) de la couche semiconductrice, chaque portion étant décentrée relativement au pixel correspondant et plusieurs portions étant formées d'un seul tenant. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la structure riche en cadmium présente des portions (171 ; 172 ; 173 ; 570A ; 570B) de différentes épaisseurs. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la structure riche en cadmium présente des portions (771 ; 772 ; 773 ; 1001 ; 1002) de différentes sections.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la 15 structure riche en cadmium présente des portions de différentes concentrations initiales.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la structure riche en cadmium (170) est constituée de portions surmontant chacune un pixel de la couche semi-conductrice, et comprend au moins deux types de portions (171; 172 ; 20 173 ; 570A ; 570B ; 771; 772 ; 773 ; 1001; 1002) qui diffèrent par leurs sections, épaisseurs et/ou concentrations initiales.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que la structure riche en cadmium (170) est périodique, et en ce qu'un motif élémentaire de la 25 structure périodique (170) s'étend au-dessus d'une pluralité de pixels (121) de la couche semi-conductrice.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que le recuit d'inter-diffusion est constitué de plusieurs recuits partiels entre lesquels sont mises 3042310 28 en oeuvre des étapes de dépôt de matériau riche en cadmium sur la couche semiconductrice.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que la 5 couche semi-conductrice (120) présente une structure mésa dans laquelle des tranchées (1190) séparant des photodiodes voisines s'étendent sur toute la hauteur de ladite couche semi-conductrice, et en ce qu'il comprend en outre une métallisation (1190) de ces tranchées, réalisant une jonction électrique entre les photodiodes. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice (120) présente une structure mésa dans laquelle des tranchées (490,\n<CLM>\1\tséparant des photodiodes voisines ne s'étendent pas sur toute la hauteur de ladite couche semi-conductrice, de façon à préserver la continuité électrique entre les photodiodes. 15\n<CLM>\1\tMatrice de photodiodes multi-spectrale (300 ; 400 ; 700 ; 800 ; 1100) obtenue par un procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle la couche semi-conductrice est constituée d'au moins deux types de pixels qui diffèrent par leur longueur d'onde de coupure. 20