Brevet FR3048115A1 (20170825)
REVENDICATIONS1. Dispositif de mémoire du type mémoire non volatile électriquement effaçable et programmable, comprenant un plan-mémoire matriciel (PM) de cellules-mémoire (CEL) connectées à des lignes de bit (BL), des moyens de programmation (MPR) configurés pour sélectionner une cellule-mémoire (CEL) et appliquer une impulsion de programmation (VsBL) sur la ligne de bit (BL) correspondante, caractérisé en ce que ledit plan-mémoire (PM) est situé dans un caisson local à potentiel flottant (PW) et en ce que les moyens de programmation (MPR) sont configurés pour augmenter le potentiel dudit caisson local (PW) simultanément à l'application de l'impulsion de programmation sur la ligne de bit (BL) d'une cellule-mémoire (CEL) sélectionnée.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, comprenant au moins une ligne de bit factice (DBL) connectée avec ledit caisson local (PW) via une jonction PN (JPN).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 2, dans lequel les moyens de programmation (MPR) sont configurés pour augmenter le potentiel dudit caisson local (PW) en faisant s'écouler un courant inverse dans ladite jonction PN (JPN).\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les moyens de programmation (MPR) sont configurés pour appliquer une tension minimale non-nulle sur les lignes de bit (BL) des cellules-mémoires non-sélectionnées simultanément à l'application de l'impulsion de programmation (VsBL) sur la ligne de bit (BL) d'une cellule-mémoire sélectionnée.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les moyens de programmation (MPR) sont configurés pour polariser ledit caisson local (PW) à une tension inférieure à une tension plafond.\n<CLM>\1\tDispositif selon les revendications 4 et 5, dans lequel ladite tension plafond est égale à ladite tension minimale non-nulle. 3048115 14\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, configuré pour que ledit caisson local (PW) soit polarisé de manière sensiblement spatialement homogène.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications 5 précédentes, configuré pour que lesdits moyens de programmation (MPR) soient aptes à forcer le potentiel dudit caisson local à la masse.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant des blocs de commande (BLCO-BLC3) de grilles de contrôle disposés en dehors dudit caisson local à potentiel 10 flottant (PW) et des liaisons électriques (CGLO-CGL3) connectant lesdits blocs de commande (BLCO-BLC3) auxdites grilles de contrôle (CGO-CG3) des cellules-mémoire (CEL), en s'étendant au-dessus de certaines au moins des cellules-mémoire du plan-mémoire (PM).\n<CLM>\1\tProcédé d'écriture d'une donnée dans une cellule-mémoire 15 (CEL) d'un plan-mémoire (PM) de mémoire du type mémoire morte électriquement effaçable et programmable, comprenant une étape de programmation (PR) au cours de laquelle une impulsion de programmation (VsBL) est appliquée sur une ligne de bit (BL) sélectionnée, caractérisé en ce qu'il comprend lors de l'application de 20 ladite impulsion (VsBL), une augmentation du potentiel d'un caisson local flottant (PW) incorporant ledit plan-mémoire (PM).