Brevet FR3039277A1 (20170127)
REVENDICATIONS1. Procédé de détermination de la dilatation thermique d'un matériau à faible dilatation thermique, avec une précision de mesure d'au maximum +/- 3 ppb/K ou moins et/ou une reproductibilité d'au maximum +/- 1 ppb/K ou moins.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la précision de mesure est d'au maximum 1 ppb/K ou moins, de préférence d'au maximum 0,6 ppb/K (2 sigma, 95 % d'intervalle de confiance) ou moins, de préférence pour le CTE(0 °C, 50 °C). 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la mesure est effectuée en utilisant un dilatomètre à tige poussoir, de préférence un dilatomètre à tige poussoir perfectionné.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, 15 caractérisé en ce que l'on mesure avec une répétabilité d'au maximum +/- 5 ppb/K, de préférence d'au maximum +/- 3 ppb/K, de façon particulièrement avantageuse d'au maximum +/- 1 ppb/K (1,2 ppb)\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'échantillon est mis à température dans un four 20 comprenant un fluide de transfert de chaleur, de préférence de l'hélium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la mesure est effectuée dans une plage de températures pouvant être prédéfinie, pouvant être sélectionnée dans 25 une gamme de températures allant de -50 à +100 °C, par exemple de 40 °C à 70 °C, de -10 °C à +20 °C ou de 19 °C à 24 °C.\n<CLM>\1\tDispositif de mesure de la dilatation linéaire d'un échantillon à faible dilatation thermique, comprenant un dilatomètre à tige poussoir perfectionné doté d'une tige poussoir, d'une fourche et 30 de ressorts destinés à maintenir la tige poussoir à l'intérieur de la fourche, en vue de la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications précédentes. 3039277 25\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 7, où la fourche et la tige poussoir sont réalisées de façon monolithique et/ou on n'utilise pas de composés organiques ou d'éléments en matière plastique pour relier ces composants.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des deux revendications précédentes 7 ou 8, où le ressort comporte un matériau à faible dilatation thermique, de préférence le matériau Invar ®.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes 7 à 9, où l'on utilise un cryostat pour la plage de températures allant de - 50 °C à +100 °C, avec une reproductibilité d'au moins 0,5 °C, de préférence d'au moins 0,3 °C, de façon particulièrement avantageuse d'au moins 0,2 °C.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes 7 à 10, où le dispositif se trouve dans un local climatisé à température prédéfinie constante, avec un écart d'au maximum +/- 0,2 °C et/ou avec une humidité de l'air prédéfinie constante avec un écart d'au maximum +/- 2 %.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes 7 à 11, où le dispositif est soumis à une « dérive » qui est de préférence d'au maximum 0,1 nm/h (1,4 nm/jour), notamment d'au maximum 0,08 nm/h, de façon particulièrement avantageuse d'au maximum 0,06 nm/h.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes 7 à 12, où un interféromètre optique est utilisé en tant que détecteur pour déterminer la position de la tige poussoir par rapport à la fourche.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes 7 à 13, où la tête de mesure interférométrique présente une précision absolue d'au moins +/- 10 ppb/K, notamment d'au moins +/- 8 ppb/K, de façon particulièrement avantageuse +/- 7 ppb/K et/ou une répétabilité d'au maximum +/- 2 ppb/K.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes 7 à 14, où le dispositif présente une bonne stabilité à long terme ou une faible dérive (« creep ») dans le domaine nm. 3039277 26\n<CLM>\1\tUtilisation d'un procédé selon l'une des revendications précédentes 1 à 6 pour la caractérisation de matériaux ou d'échantillons à faible dilatation thermique en vue d'une utilisation dans l'astronomie, la lithographie LCD, la microlithographie et la 5 technologie de mesure.\n<CLM>\1\tUtilisation d'un procédé selon la revendication précédente, en utilisant un dispositif selon l'une des revendications précédentes 7 à 15\n<CLM>\1\tUtilisation d'un procédé selon l'une des revendications 16 10 ou 17 pour la détermination de la dilatation thermique de matériaux de substrat pour la lithographie EUV, en particulier pour des substrats destinés à des ébauches de masques (masques) et des miroirs pour la lithographie EUV.\n<CLM>\1\tUtilisation d'un procédé selon l'une des revendications 16 à 15 18, où les matériaux de substrat sont choisis dans un groupe comprenant des céramiques, des vitrocéramiques et des verres, par exemple du verre de quartz à faible dilatation thermique, par exemple du verre de quartz doté au Ti, tel que ULEO, ou des vitrocéramiques LAS à faible dilatation thermique, notamment le Zerodur®, le 20 Clearceram®, le SITAL® ou des céramiques à faible dilatation thermique, telles que la cordiérite.\n<CLM>\1\tUtilisation d'un procédé selon l'une des revendications 16 à 18, où le matériau de substrat présente un passage par zéro de la courbe CTE/T à la température d'utilisation, et la température 25 d'utilisation peut être sélectionnée parmi 22 °C, 40 °C, 60 °C, 70 °C ou 80 °C.