Brevet FR3044467A1 (20170602)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une dalle lumineuse (10), comprenant : - la fabrication d'un premier substrat (61) comportant : o un empilement de couches semi-conductrices constitutives de micro-LEDs semi-conductrices inorganiques (18) ; et o une matrice de connexions électriques (26,\n<CLM>\1\tpour les micro-LEDs, la fabrication du premier substrat étant réalisée de telle sorte que les connexions électriques (26,\n<CLM>\1\tsont disposées sur une première face (36) du premier substrat; - la fabrication dans un second substrat en silicium (60), indépendamment du premier substrat (61), d'une matrice de circuits de commande (20) des microLEDs (18) à base de transistor, ladite fabrication étant réalisée de telle sorte que : o des premières connexions (28) pour la commande des micro-LEDs sont disposées sur une première face (34) du second substrat ; o et des secondes connexions (32, 42,\n<CLM>\1\tpour le pilotage de la dalle lumineuse sont disposées sur une seconde face du second substrat; - le report des premières faces du premier substrat (61) et du second substrat (62) l'une sur l'autre et la solidarisation desdites faces l'une à l'autre, de sorte à connecter électriquement les connexions électriques des micro-LEDs avec les premières connexions électriques des circuits de commande, obtenant ainsi un troisième substrat comprenant une matrice de micro-puces électroniques (16) constituée chacune de l'empilement d'une micro-LED (18) et d'un circuit de commande (20) ; - la fabrication d'une structure de transfert (16,\n<CLM>\1\tdes micro-puces comprenant : o un substrat de transfert (64); o et la matrice de micro-puces (16), chaque micro-puce étant solidarisée au substrat de transfert uniquement par sa micro-LED, et individualisée par la réalisation d'une tranchée (66) dans le troisième substrat autour de la micro-puce ; - la fabrication d'un quatrième substrat (68), indépendamment de la structure de transfert, comportant des connexions électriques d'amenée de signaux pour le pilotage de la dalle lumineuse, lesdites connexions étant disposées sur une première face du quatrième substrat ; 3044467 14 - le report de la structure de transfert sur la première face du quatrième substrat, la solidarisation des micro-puces avec la première face du quatrième substrat de sorte à connecter les secondes connexions des circuits de commande avec les connexions électriques du quatrième substrat, et la désolidarisation des 5 micro-puces du substrat de transfert.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une dalle lumineuse selon la revendication 1, dans lequel la fabrication de la structure de transfert (16,\n<CLM>\1\tdes micro-puces comporte : - le report et le collage temporaire du troisième substrat sur le substrat de 10 transfert (64) ; - le suivi de la formation des tranchées (66) autours des micro-puces jusqu'au substrat de transfert.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une dalle lumineuse selon la revendication 1, dans lequel : 15 - la fabrication du premier substrat comporte la fabrication d'un substrat de croissance (62) et la croissance par épitaxie de couches semi-conductrices constitutives des micro-LEDs (18), le substrat de croissance formant le substrat de la structure de transfert des micro-puces ; - la fabrication de la structure de transfert des micro-puces comporte la 20 formation de tranchée (66) autour des micro-puces aboutissant jusqu'au substrat de transfert ; - la désolidarisation des micro-puces du substrat de transfert comporte l'irradiation laser du substrat de transfert au droit des micro-puces de manière à obtenir le détachement de celles-ci du substrat de transfert. 25\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une dalle lumineuse selon la revendication 1, 2 ou 3, dans lequel : - la matrice de micro-puces (16) de la structure de transfert présente un premier pas de répétition ; 30 - les connexions électriques du quatrième substrat (68) sont agencées en matrice avec un second pas de répétition supérieur au premier pas de répétition ; - le report de la structure de transfert (16,\n<CLM>\1\t, la solidarisation des micro-puces avec la première face du quatrième substrat (68), et la désolidarisation des micro-puces (16) du substrat de transfert, comprennent : 35 o le report de la structure de transfert à une première position du quatrième substrat; o la solidarisation d'au moins une première micro-puce à la première position ; 3044467 15 5\n<CLM>\1\t10\n<CLM>\1\t15\n<CLM>\1\t20\n<CLM>\1\t25 30\n<CLM>\1\t35 o le report de la structure de transfert à une seconde position du quatrième substrat en décalant la structure de transfert et le quatrième substrat l'un par rapport à l'autre du second pas de répétition ; o et la solidarisation d'au moins une seconde micro-puce à la seconde position. Procédé de fabrication d'une dalle lumineuse selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la fabrication des circuits de commande (20) dans le second substrat est réalisée selon une technique de fabrication de circuit ASIC. Procédé de fabrication d'une dalle lumineuse selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le quatrième substrat (68) ne comporte que des connexions électriques. Procédé de fabrication d'une dalle lumineuse selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'empilement constitutif des micro-LEDs (18) du premier substrat est constitué de nitrure de galium, et/ou de nitrure de gallium-indium, et/ou de nitrure d'aluminium-galium. Dalle lumineuse comportant : - un substrat (68) comportant des connexions électriques ; - une matrice de micro-puces (16) solidarisées au substrat (68) et connectées aux connexions électriques pour leur pilotage, chaque micro-puce comportant un empilement : o d'un circuit de commande (20) à base de transistors formés dans un volume de silicium, ledit circuit étant connecté aux connexions du substrat ; o et d'une micro-LEDs (18) solidarisée sur le circuit de commande et connectée à ce dernier pour sa commande. Dalle lumineuse selon la revendication 8, dans laquelle les micro-LEDs sont constituées de nitrure de galium, et/ou de nitrure de gallium-indium, et/ou de nitrure d' aluminium-galium.