Brevet FR3051967A1 (20171201)
REVENDICATIONS1 Procédé de réalisation de motifs dans une couche à graver (410), à partir d'un empilement comprenant au moins la couche à graver (410) et une couche de masquage (420) surmontant la couche à graver (410), la couche de masquage (420) présentant au moins un motif (421), le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend au moins: a) une étape de modification d'au moins une première zone (411a) de la couche à graver (410) par implantation d'ions (500a) à travers la couche de masquage (420); 10 b) au moins les étapes suivantes: b1) une étape de dépôt d'au moins une couche tampon (430a-430n) de manière à recouvrir au moins le motif (421) de ladite couche de masquage (420); b2) une étape de modification d'au moins une autre zone 15 (411b-411n) de la couche à graver (410), différente de la première zone (411a), par implantation d'ions (500b-500n) à travers ladite couche tampon (430a-430n), l'implantation étant effectuée jusqu'à une profondeur (e500b-e500n) de la couche à graver (410) supérieure à la profondeur (e550a) d'implantation de l'étape 20 précédente de modification ; c) au moins une étape de retrait de ladite au moins une couche tampon (430a-430n) ; d) une étape de retrait de la couche de masquage (420) ; e) une étape de retrait des zones modifiées (411a-411n), le retrait 25 comprenant une étape de gravure des zones modifiées (411a-411n) sélectivement aux zones non modifiées (412) de la couche à graver (410).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel l'étape de dépôt 30 de la couche tampon (430a-430n) est un dépôt conforme.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel, avant l'étape c) de retrait de ladite au moins une couche tampon (430a- 3051967 33 430n), on effectue plusieurs fois, de préférence au moins deux fois et de préférence au moins trois fois, une séquence d'étapes, chaque séquence comprenant les étapes b1) et b2), une couche tampon déposée lors d'une séquence donnée s'empilant ainsi sur une couche tampon déposée lors d'une séquence précédent la séquence donnée.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 2, dans lequel, avant l'étape d) de retrait de la couche de masquage (420), on effectue plusieurs fois, de préférence au moins deux fois et de préférence au moins trois 10 fois, une séquence d'étapes, chaque séquence comprenant les étapes b1), b2) et c) et dans lequel une couche tampon déposée lors d'une séquence donnée présente une épaisseur supérieure à l'épaisseur d'une couche tampon déposée lors d'une séquence précédent la séquence donnée. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel ladite étape de gravure utilise une solution à base d'hydroxyde d'ammonium tétra-méthyle (TMAH) ou d'acide fluorhydrique (HF), de préférence sous atmosphère d'oxygène. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'empilement comprend une couche intercalaire (610) disposée entre la couche de masquage (420) et la couche à graver (410) et recouvrant la couche à graver (410) lors de l'implantation. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel la couche de masquage (420) comprend du carbone et dans lequel l'épaisseur de la couche intercalaire (610) est suffisante pour former une barrière empêchant, lors des implantations (500a-500n), à des espèces carbonées provenant de la couche de masquage (420) de pénétrer à l'intérieur de la couche à graver (410). 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel l'épaisseur de la couche intercalaire (610) est réglée de manière à 3051967 34 ce qu'au niveau des zones modifiées (411a, 411b, 411n) les ions soient implantés en continu depuis la surface de la couche à graver (410).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la couche de masquage (420) est une résine ou est une couche formant un masque dur, dont le matériau est de préférence pris parmi l'un ou une combinaison des matériaux suivants : le carbone, SiOx, le SiNy, le SiARC et le TiN.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel au moins l'une des implantations (500a-50n) est effectuée avec un implanteur.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9 dans lequel au moins l'une des implantations (500a-50n) est effectuée dans un réacteur plasma.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel les étapes b1) et b2) sont choisies, en particulier l'épaisseur de la couche 20 tampon (430a-430n) et la profondeur d'implantation, de manière à ce que les zones modifiées (411a, 411b, 411n) forment un profil en marches d'escalier.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel après gravure d'un profil en marches d'escalier dans la couche à graver (410) on procède à un 25 lissage dudit profil par oxydation et désoxydation du matériau de la couche à graver (410).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche à graver (410) est une couche ou un substrat dont le matériau 30 est pris parmi : le silicium, le silicium germanium, le germanium, le nitrure de silicium, le saphir, le quartz, le verre, le SiOCH, le SiOCH poreux. 3051967 35\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel ladite au moins une couche tampon (430a-430n) est à base de nitrure de silicium (SiN) ou à base d'oxyde de silicium (Si0x) tel que le dioxyde de silicium (SiO2). 5