Brevet FR3047350A1 (20170804)
REVENDICATIONS1. Substrat avancé (101,\n<CLM>\1\tcomprenant : une couche de germe (3) constituée d'un premier matériau semi-conducteur pour la croissance d'une cellule solaire ; une première couche de liaison (4A) sur la couche de germe (3) ; un substrat de support (5) constitué d'un deuxième matériau semi-conducteur ; une deuxième couche de liaison (4B) sur un premier côté du substrat de support (5) ; une interface de liaison (4) entre les première et deuxième couches de liaison (4A, 4B) ; les première et deuxième couches de liaison (4A, 4B) étant constituées chacune d'un matériau métallique ; dans lequel les concentrations de dopage des matériaux semi-conducteurs et les épaisseurs des couches du substrat avancé (101, 103), en particulier de la couche de germe, du substrat de support, et à la fois des première et deuxième couches de liaison, sont choisies de telle sorte que l'absorption de la couche de germe (3) soit inférieure à 20 %, préférablement inférieure à 10 %, et que la résistance en série normalisée sur toute la surface du substrat avancé (101,\n<CLM>\1\tsoit inférieure à 10 mOhm.cm2, préférablement inférieure à 5 mOhm-cm2.\n<CLM>\1\tSubstrat avancé (101,\n<CLM>\1\tselon la revendication 1, dans lequel la concentration de dopage de la couche de germe (3) est inférieure à 5x1017 at/cm3.\n<CLM>\1\tSubstrat avancé (101,\n<CLM>\1\tselon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel l'épaisseur de la couche de germe (3) est dans une plage allant de 150 nm jusqu'à 1\n<CLM>\1\tSubstrat avancé (101,\n<CLM>\1\tselon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'épaisseur du substrat de support (5) est dans une plage allant de 100 lm jusqu'à 500 lm et la concentration de dopage du substrat de support (5) est dans une plage allant de 1014 à 5x1017 at/cm3. 3047350 2\n<CLM>\1\tSubstrat avancé (101,\n<CLM>\1\tselon la revendication 1, dans lequel le matériau métallique des première et deuxième couches de liaison (4A, 4B) est l'un parmi du W ou du Ti avec du TiN.\n<CLM>\1\tSubstrat avancé (101,\n<CLM>\1\tselon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le premier matériau semi-conducteur a une constante de réseau dans la plage allant de 5,8 à 6 Â (0,58 à 0,6 nm).\n<CLM>\1\tSubstrat avancé (101,\n<CLM>\1\tselon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le premier matériau semi-conducteur est de l'InP ou le premier matériau semiconducteur est un matériau III-V ternaire ou quaternaire ou penternaire, par exemple InGaAs ou InGaAsP, dans lequel le deuxième matériau semi-conducteur est choisi parmi le GaAs ou le Ge.\n<CLM>\1\tSubstrat avancé (101,\n<CLM>\1\tselon la revendication 1, comprenant en outre un contact métallique (11) prévu sur un deuxième côté du substrat de support (5) opposé au premier côté.\n<CLM>\1\tDispositif de détection ou de conversion de lumière, en particulier cellule solaire, comprenant un substrat avancé (101,\n<CLM>\1\tselon l'une quelconque des revendications 1 à\n<CLM>\1\t10. Procédé de fabrication d'un substrat avancé (101, 103), comprenant : la fourniture d'un premier substrat (1) ; la fourniture d'une couche de germe (3) sur un premier côté du premier substrat ; la formation d'une première couche de liaison (4A) de matériau métallique sur la couche de germe (3) ; la fourniture d'un substrat de support (5) ; la formation d'une deuxième couche de liaison (4B) de matériau métallique sur le substrat de support (5) ; la liaison directe des première et deuxième couches de liaison (4A, 4B) ; et ensuite l'enlèvement du premier substrat (1) ; les première et deuxième couches de liaison (4A, 4B) étant constituées chacune d'un matériau métallique ; 3047350 3 dans lequel les concentrations de dopage des matériaux semi-conducteurs et l'épaisseur des couches du substrat avancé (101,\n<CLM>\1\tsont choisies de telle sorte que l'absorption de la couche de germe (3) soit inférieure à 20 %, préférablement inférieure à 10 %, et que la résistance en série normalisée sur toute la surface du substrat avancé (101,\n<CLM>\1\tsoit inférieure à 10 mOhm-cm2, préférablement inférieure à 5 mOhm-cm2.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, dans lequel la fourniture de la couche de germe (3) est obtenue par croissance épitaxiale.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10 ou la revendication 11, comprenant en outre : une étape d'implantation d'ions pour former une couche fragilisée (2) dans une partie du premier substrat (1) ou de la couche de germe (3) avant la liaison directe des première et deuxième couches de liaison (4A, 4B), et une étape de détachement pour séparer la partie restante du premier substrat (1) ou de la couche de germe (3) prévue sur le premier substrat (1) après la liaison directe des première et deuxième couches de liaison (4A, 4B).\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 10 à 12, comprenant en outre l'étape de fourniture d'un contact métallique (11) sur un deuxième côté du substrat de support (5) opposé au premier côté.