Brevet FR3044818A1 (20170609)
REVENDICATIONS1. Procédé de gestion du fonctionnement d'une mémoire non volatile effaçable par page et équipée d'un mécanisme de redondance de lignes, comprenant en cas de détection d'une ligne défectueuse du plan mémoire, un stockage de l'adresse de la ligne dans un registre non volatil (RGVN2) et une affectation d'une ligne redondante (LGD) ayant une nouvelle adresse, et en cas d'une tentative d'écriture de ladite ligne défectueuse (LG), une écriture (23) de la ligne redondante, caractérisé en ce qu'il comprend en outre lors d'une écriture de la ligne redondante, un chargement (25) du nouveau contenu de ladite ligne redondante dans un moyen de mémoire volatil (MMV) et à l'issue d'une opération d'écriture (26) de toute autre ligne du plan mémoire, un rechargement (25) dudit nouveau contenu de ladite ligne redondante dans le moyen de mémoire volatil, et lors d'une commande de lecture de ladite ligne redondante, au moins une lecture (33) du moyen de mémoire volatil de façon à délivrer ledit nouveau contenu de ladite ligne redondante stocké dans ledit moyen de mémoire volatil.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le chargement dudit nouveau contenu de la ligne redondante dans le moyen de mémoire volatil comprend un rechargement (25) dudit nouveau contenu dans ledit moyen de mémoire volatil (MMV) effectué à l'issue de l'écriture de ladite ligne redondante.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ledit moyen de mémoire volatil (MMV) comprend une mémoire du type RAM.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la mémoire non volatile est une mémoire configurée de sorte qu'une ligne défectueuse n'affecte pas la fonctionnalité des autres lignes.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la mémoire non volatile est une mémoire non volatile comprenant des rangées et des colonnes de cellules mémoire (C1,j), les 3044818 15 colonnes de cellules mémoire comprenant des paires de cellules mémoire jumelles (C1,j, C2,j\n<CLM>\1\tcomprenant une grille de sélection (CSG1,2) commune, chaque colonne de cellules mémoire comportant deux lignes de bit (B1,j, B2,j+1), les cellules mémoire adjacentes 5 jumelles d'une même colonne n'étant pas reliées à la même ligne de bit tandis que les cellules mémoire adjacentes non jumelles d'une même colonne sont reliées à la même ligne de bit.\n<CLM>\1\tDispositif de mémoire, comprenant une mémoire non volatile effaçable par page (PM), un mécanisme de redondance de lignes 10 comportant au moins un registre non volatil (RGVN1, RGNVN2) et des moyens de commande (BL1, BL2, BL3) configurés pour en cas de détection d'une ligne défectueuse du plan mémoire, stocker l'adresse de la ligne dans ledit au moins un registre non volatil et pour, en cas d'une tentative écriture de ladite ligne défectueuse, autoriser une 15 écriture dans une ligne redondante, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un moyen de mémoire volatil (MMV) et les moyens de commande (BL1, BL2, BL3) sont en outre configurés pour, lors d'une écriture de la ligne redondante, effectuer un stockage du nouveau contenu de ladite ligne redondante dans le moyen 20 de mémoire volatil (MMV), et à l'issue d'une opération d'écriture de toute autre ligne du plan mémoire effectuer un nouveau stockage dudit nouveau contenu de ladite ligne redondante dans le moyen de mémoire volatil, et lors d'une commande de lecture de ladite ligne redondante, 25 activer au moins une lecture du moyen de mémoire volatil de façon à délivrer ledit nouveau contenu de ladite ligne redondante stocké dans ledit moyen de mémoire volatil.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 6, dans lequel les moyens de commande sont également configurés pour effectuer un 30 rechargement dudit nouveau contenu dans ledit moyen de mémoire volatil (MMV) à l'issue de l'écriture de ladite ligne redondante.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 6 ou 7, comprenant des amplificateurs de lecture (AMPL) utilisables lors d'opérations de lecture dans la mémoire non volatile, et dans lequel les moyens de 3044818 16 commande comportent un multiplexeur (MUX2) possédant une première entrée connectée à la mémoire non volatile, un deuxième entrée connectée au moyen de mémoire volatil, et un bloc de commande configuré pour lors d'une commande de lecture de ladite 5 ligne redondante, sélectionner ladite deuxième entrée en un temps de sélection inférieur à la durée de mise en oeuvre des amplificateurs de lecture.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 6 à 8, dans lequel ledit moyen de mémoire volatil comprend une mémoire du type RAM. 10\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 6 à 9, dans lequel la mémoire non volatile est une mémoire configurée de sorte qu'une ligne défectueuse n'affecte pas la fonctionnalité des autres lignes.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 6 à 10, dans lequel la mémoire non volatile est une mémoire non volatile 15 comprenant des rangées et des colonnes de cellules mémoire (C1,j), les colonnes de cellules mémoire comprenant des paires de cellules mémoire jumelles (C1,j, C2,j\n<CLM>\1\tcomprenant une grille de sélection (CSG1,2) commune, chaque colonne de cellules mémoire comportant deux lignes de bit (B1,j, B2,j+1), les cellules mémoire adjacentes 20 jumelles d'une même colonne n'étant pas reliées à la même ligne de bit tandis que les cellules mémoire adjacentes non jumelles d'une même colonne sont reliées à la même ligne de bit.