Brevet FR3050867A1 (20171103)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un transistor vertical (1), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de : -fournir un substrat (100) surmonté d'un empilement (10) de première, deuxième et troisième couches (11, 12, 13), respectivement en des premier, deuxième et troisième matériaux semi-conducteurs, ledit deuxième matériau semi-conducteur étant différent des premier et troisième matériaux semiconducteurs ; -réaliser une gravure partielle sélective des première et troisième couches (11,13) par rapport à la deuxième couche (12), de façon à former un premier évidement (110) dans la première couche (11) et un troisième évidement (130) dans la troisième couche (13), lesdits premier et troisième évidements s'étendant respectivement jusqu'à la surface inférieure (121) et à la surface supérieure (122) de la deuxième couche ; -remplir lesdits premiers et troisièmes évidements (110,130) d'un matériau diélectrique pour former des premier et deuxième espaceurs (31,33) en contact respectivement avec la surface inférieure (121) et la surface supérieure (122) de la deuxième couche (12) ; -réaliser une gravure partielle sélective de la deuxième couche (12) par rapport au matériau diélectrique desdits premiers et deuxième espaceurs (31,33), de façon à former un deuxième évidement (120) dans la deuxième couche entre les premier et deuxième espaceurs ; -dans le deuxième évidement (120), déposer un matériau conducteur (43). 25\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor vertical (1) selon la revendication 1, dans lequel ladite étape de fourniture est précédée des étapes de : -formation d'un motif de masque dur (21) sur la troisième couche (13) de matériau semi-conducteur ; 30 -gravure anisotrope des première à troisième couches (11-13) selon le motif du masque dur.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor vertical (1) selon la revendication 2, dans lequel : 35 -ladite étape de remplissage des premier et troisième évidements comprend un dépôt conforme dudit matériau diélectrique (3) ; -le procédé comprend en outre une étape de gravure anisotrope dudit matériau diélectrique (3) selon le motif du masque dur (21) de façon à découvrir une face latérale (123) de la deuxième couche (12). 40 3050867 19\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor vertical (1) selon la revendication 3, dans lequel ledit dépôt conforme dudit matériau diélectrique est réalisé avec une épaisseur supérieure à la profondeur-desdits premier et troisième évidements. 5\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor vertical (1) selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel ledit matériau conducteur (43) est déposé selon un dépôt conforme, le procédé comprenant en outre une étape de gravure anisotrope dudit matériau conducteur (43) selon le motif du masque dur (21). 10\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor vertical (1) selon la revendication 5, dans lequel ledit dépôt conforme dudit matériau conducteur (43) est ménagé de façon à ménager un évidement (45) dans l'électrode ainsi formée. 15\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor vertical (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le transistor fabriqué est un transistor à effet de champ à canal vertical, le procédé comprenant en outre l'étape de déposer un isolant de grille (42) en contact avec la deuxième couche (12) dans le deuxième évidement (120), ledit matériau conducteur (43) étant un matériau 20 de grille déposé sur ledit isolant de grille (42).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor vertical (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le transistor fabriqué est un transistor bipolaire, ledit matériau conducteur (43) étant déposé dans le deuxième évidement (120) en contact avec ladite deuxième couche (12).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor vertical (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit deuxième évidement formé (120) s'étend de part et d'autre de ladite deuxième couche (12), dans lequel ledit matériau conducteur formé (43) s'étend de part et d'autre de la deuxième couche (12) en deux électrodes conductrices (441,\n<CLM>\1\tisolées électriquement l'une de l'autre.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor vertical (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel ledit deuxième évidement formé s'étend sur toute la périphérie de la deuxième couche (12) et dans lequel ledit matériau conducteur (43) formé s'étend sur toute la périphérie de la deuxième couche (12). 3050867 20\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor vertical (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre des étapes de : -dépôt d'une quatrième couche (22) en matériau diélectrique sur les premier et deuxième espaceurs (31,\n<CLM>\1\tet sur ledit matériau conducteur (43), la 5 quatrième couche étant dans un matériau différent de celui des premier et deuxième espaceurs ; -dépôt d'une cinquième couche (23) dans un matériau diélectrique différent de celui de la quatrième couche ; -gravure partielle de la quatrième couche (22) de façon à découvrir au moins 10 partiellement ledit matériau conducteur (43) ; -formation d'un premier contact (62) en contact électrique avec ledit matériau conducteur (43).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor vertical (1) selon la revendication 11, 15 comprenant en outre des étapes de : -gravure de la cinquième couche (23) de façon à découvrir au moins partiellement ledit substrat (100) ; -formation d'un second contact (61) en contact électrique avec ledit substrat (100). 20\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor vertical (1) selon la revendication 11 et la revendication 12, comprenant en outre une étape de formation d'un troisième contact en contact électrique avec ladite troisième couche (13), lesdits premier à troisième contacts étant positionnés de façon répartie sur la 25 longueur dudit empilement (10).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor vertical selon la revendication 12 ou 13, dans lequel lesdits premier et deuxième contacts s'étendent latéralement par rapport audit empilement (10) d'un même côté de cet empilement (10).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor vertical selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une étape de formation d'un siliciure (118) dans ladite première couche (11), ledit siliciure (118) étant en contact avec ledit substrat (100). 30 35