Brevet FR3037943A1 (20161230)
REVENDICATIONS1. Procédé de croissance de nanomatériau sur lame mince, caractérisé en ce qu'il comprend : - le dépôt d'une couche de résine sur un substrat ; - le dépôt d'une couche protectrice à la surface de ladite couche de résine ; - la gravure locale de la couche protectrice, de la résine et du substrat de manière à définir une lame mince dans ledit substrat ; - le retrait de l'ensemble couche protectrice/ couche de résine, à la surface de ladite lame mince ; - la croissance de nanomatériau sur ladite lame mince prédéfinie.\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame mince selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat est recouvert d'une couche de matériau actif de catalyseur destiné à la croissance de nanomatériau, sur laquelle est déposée la couche de résine.\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame mince selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la gravure est une gravure ionique.\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame très mince 25 selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la gravure est une gravure plasma.\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame très mince selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend une 30 opération de retrait mécanique de l'ensemble couche protectrice/ couche de résine pouvant être effectuée avec une pièce mécanique pouvant être une pointe.\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame très mince 35 selon la revendication 5, caractérisé en en ce qu'il comprend une étape 3037943 18 préalable de définition d'une entaille dans l'ensemble couche protectrice/ couche de résine de manière à fragiliser ledit ensemble avant l'opération de retrait mécanique. 5\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame très mince selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le dépôt de la couche protectrice sur la résine est réalisé par dissociation de molécules gazeuses par faisceau ionique ou électronique. 10\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame très mince selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'il comprend la croissance de nanoobjets.\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame très mince 15 selon l'une des revendications 2 à 7, caractérisé en ce que les nanoobjets sont des nanotubes de carbone, la couche de matériau actif pouvant être en élément métallique pouvant être du fer.\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame très mince 20 selon l'une des revendications 2 à 7, caractérisé en ce que les nanoobjets sont des nanofils de silicium, la couche de matériau actif pouvant être en élément métallique pouvant être du cuivre ou de l'or.\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame très mince 25 selon l'une des revendications 2 à 7, caractérisé en ce que le nanomatériau est du graphène, la couche de matériau actif pouvant être en carbure de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame très mince 30 selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que la couche protectrice est une couche en métal pouvant être en tungstène ou en platine.\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame très mince selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche 35 protectrice est de l'ordre de 1 à 2 microns. 3037943 19\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame très mince selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que l'épaisseur de couche de résine est comprise entre environ 0,5 micron et 1,5 micron. 5\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame très mince selon l'une des revendications 1 à 14, caractérisé en ce qu'il comprend : - une opération de gravure de l'ensemble : couche protectrice, de la résine et du substrat pour définir une lame mince dans ledit 10 substrat ; - l'extraction de ladite lame mince dudit substrat ; - le report de ladite lame mince sur un support ; - la croissance de nanomatériau sur ladite lame prédéfinie et reportée sur ledit support pouvant être une grille MET. 15\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame très mince selon l'une des revendications 1 à 15, caractérisé en ce qu'il comprend : - une première opération de gravure pour définir une première lame ; 20 - une seconde opération de gravure, pour définir une lame mince à partir de la première lame amincie lors de la seconde opération de gravure.\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame mince selon 25 les revendications 15 et 16, caractérisé en ce que la seconde opération de gravure est effectuée après le report de ladite première lame sur ledit support et avant l'opération de croissance de nanomatériau.\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame très mince 30 selon l'une des revendications 15 à 17, caractérisé en ce que ladite extraction est réalisée par soudure et actionnement d'une pointe sur ladite lame mince ou ladite première lame. 3037943 20\n<CLM>\1\tProcédé de croissance de nanomatériau sur lame très mince selon l'une des revendications 15 à 17, caractérisé en ce ledit report est effectué par soudure sur ledit support.