Brevet FR3046496A1 (20170707)
REVENDICATIONS1. Photorésistance (1) comprenant deux électrodes (2a, 2b) reliées par une couche photosensible (3) de la photorésistance (1), caractérisée en ce que la photorésistance (1) comporte au moins une couche additionnelle (6,\n<CLM>\1\ten contact avec la couche photosensible (3) pour avoir une action sur le comportement de la photorésistance vis-à-vis de la collecte des porteurs entre les deux électrodes (2a, 2b) en vue d'améliorer la sensibilité de la photorésistance (1).\n<CLM>\1\tPhotorésistance selon la revendication précédente, caractérisée en ce que ladite au moins une couche additionnelle est une monocouche auto-assemblée (6) située entre les deux électrodes (2a, 2b) et configurée de sorte à augmenter la résistivité de la couche photosensible (3) à son interface avec ladite monocouche auto-assemblée (6) pour réduire le courant d'obscurité de ladite photorésistance.\n<CLM>\1\tPhotorésistance selon la revendication précédente, caractérisée en ce que la couche photosensible (3) est de conductivité de type P, et en ce que la monocouche auto-assemblée (6) est de conductivité de type N.\n<CLM>\1\tPhotorésistance selon la revendication 2, caractérisée en ce que la couche photosensible (3) est de conductivité de type N, et en ce que la monocouche auto-assemblée (6) est de conductivité de type P.\n<CLM>\1\tPhotorésistance selon la revendication 1, caractérisée en ce que ladite au moins une couche additionnelle (7) est une couche de PEDOT:PSS (7) formée sur au moins une partie d'une face avant (5) de la couche photosensible (3) opposée à une face arrière (4) de la couche photosensible (3) en contact avec les électrodes (2a, 2b).\n<CLM>\1\tPhotorésistance selon la revendication 5 et l'une quelconque des revendications 2 à 4, caractérisée en ce qu'elle comporte deux couches additionnelles (6,\n<CLM>\1\tdont l'une est formée par la monocouche auto-assemblée (6), et l'autre est formée par la couche de PEDOT:PSS (7). 3046496 16\n<CLM>\1\tPhotorésistance selon la revendication précédente, caractérisé en ce que au moins une partie de la couche photosensible (3) est prise en sandwich entre la couche de PEDOT:PSS (7) et la monocouche auto-assemblée (6). 5\n<CLM>\1\tPhotorésistance selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la couche photosensible (3) est formée par un matériau semi-conducteur organique photosensible.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une photorésistance (1) selon l'une quelconque des 10 revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte : - Une étape de formation de deux électrodes (2a, 2b) de la photorésistance (1), - Une étape de formation d'une couche photosensible (3) de la photorésistance (1) reliant les deux électrodes (2a, 2b), - Une étape de formation d'au moins une couche additionnelle (6,\n<CLM>\1\tde la 15 photorésistance (1) destinée à être en contact avec la couche photosensible (3) pour avoir une action sur le comportement de la photorésistance vis-à-vis de la collecte des porteurs entre les deux électrodes (2a, 2b) en vue d'améliorer la sensibilité de la photorésistance (1). 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'étape de formation de ladite au moins une couche additionnelle comporte la formation d'une monocouche auto-assemblée (6) entre les deux électrodes (2a, 2b).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 9 ou 10, caractérisé en ce que l'étape de 25 formation de ladite au moins une couche additionnelle comporte la formation une couche de PEDOT:PSS (7) formée sur au moins une partie d'une face avant (5) de la couche photosensible (3) opposée à une face arrière de la couche photosensible (3) en contact avec les électrodes (2a, 2b).