Brevet FR3042641A1 (20170421)
REVENDICATIONS1. Procédé de génération d'un faisceau d'ions ultracourt (22) comprenant les étapes consistant à. Émettre une impulsion laser (16) dont la longueur est de quatre périodes ou moins de la porteuse du laser, de préférence d'une période, et dont la puissance est de 1 PW ou plus, de préférence de 10 PW ou plus ; et Irradier une cible solide (12) avec ladite impulsion laser (16), de manière à créer un faisceau d'ions (22). Procédé selon la revendication 1, dans lequel la longueur de ladite impulsion laser est comprise entre 1 fs et 45 fs. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le champ laser normalisé de ladite impulsion laser ao est supérieur à 1, ledit champ laser normalisé étant donné par l'équation ao e E/ me ro c, où E, co, c, me, et e sont respectivement le champ électrique du laser, la fréquence, la vitesse de la lumière dans le vide, la masse de l'électron et la charge de l'électron. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la cible solide (12) est une feuille ayant une épaisseur de 1 nm à 1000 nm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la cible solide (12) est constituée de-CI-I, de verre ou de métal. Procédé selon l'une quelconque des revendications I à 5, dans lequel le rapport entre la densité surfacique d'électrons normalisée dans la cible & et le champ laser normalisé de ladite ne impulsion laser ao, el la0 n , est inférieur à 1, où ne est la densité d'électrons dans la Àtao- cible (12), ne, est la densité critique telle qu'elle est définie par la longueur d'onde de 30 l'impulsion laser, et I est l'épaisseur de la cible.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, dans lequel ledit rapport entre la densité surfacique d'électrons normalisée dans la cible a et le champ laser normalisé de ladite impulsion laser ao est compris entre 0,05 et 0,15, ledit rapport étant de préférence sensiblement égal à 0,12.\n<CLM>\1\t102.\n<CLM>\1\t15 20\n<CLM>\1\t5. 25\n<CLM>\1\t3042641 12\n<CLM>\1\tSystème (10) de génération d'un faisceau d'ions ultracourt (20) comprenant : une cible solide (12), et un système laser (14) destiné à générer une impulsion laser (16) et à irradier ladite cible solide (12) avec ladite impulsion laser (16) pour créer un faisceau d'ions (22), dans lequel la longueur de ladite impulsion laser (16) est de quatre périodes ou moins de la porteuse du laser, de préférence d'une période, et la puissance de ladite impulsion est de\n<CLM>\1\tPW ou plus, de préférence de 10 PW ou plus.\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication 8, dans lequel la longueur de ladite impulsion laser est comprise entre I fs et 45 fs.\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication 8 à 9, dans lequel le champ laser normalisé de ladite impulsion laser ao est supérieur à 1, ledit champ laser normalisé étant donné par l'équation no e E/ me ça c, où E, w, c, me, et e sont respectivement le champ électrique du laser, la fréquence, la vitesse de la lumière dans le vide, la masse de l'électron et la charge de l'électron.\n<CLM>\1\tSystème selon l'une des revendications 8 à 10, dans lequel la cible solide (12) est une feuille ayant une épaisseur de 1 nm à 1000 nm.\n<CLM>\1\tSystème selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, dans lequel la cible solide (12) est constituée de CH, de verre ou de métal.\n<CLM>\1\tSystème selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, dans lequel le rapport entre la densité surfacique d'électrons dans la cible o. et le champ laser normalisé de ladite impulsion laser 6jao a = nel , est inférieur à 1, où ne est la densité d'électrons dans la cible, lier est nc7. ao la densité critique telle qu'elle est définie par la longueur d'onde du laser, dl., et lest l'épaisseur de la cible (12).\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication 13, dans lequel ledit rapport entre la densité surfacique d'électrons norrnalisée dans la cible u et le champ laser normalisé de ladite impulsion laser ao est compris entre 0,05 et 0,15, ledit rapport étant de préférence sensiblement égal à 0,12.