Brevet FR3042913A1 (20170428)
REVENDICATIONS1. Diode (102) comportant au moins : - un substrat (104) ; - une première et une deuxième portions de semi-conducteur (120,\n<CLM>\1\tdopées formant une jonction p-n, la première portion de semiconducteur (126) étant disposée entre le substrat (104) et la deuxième portion de semi-conducteur (120) ; - des portions diélectriques (130) recouvrant des flancs latéraux de la deuxième portion de semi-conducteur (120) et d'une première partie (124) de la première portion de semi-conducteur (126) ; - une première électrode (142) reposant sur le substrat (104) et disposée contre les portions diélectriques (130) et des flancs latéraux (134) d'une deuxième partie (132) de la première portion de semi-conducteur (126) qui est disposée entre la première partie (124) de la première portion de semi- conducteur (126) et le substrat (104), la première électrode (142) étant reliée électriquement à la première portion de semi-conducteur (126) uniquement par un contact avec les flancs latéraux (134) de la deuxième partie (132) de la première portion de semi-conducteur (126) ; - une deuxième électrode (144) reliée électriquement à la deuxième portion de semi-conducteur (120) telle que la deuxième portion de semi-conducteur (120) soit disposée entre la deuxième électrode (144) et la première portion de semi-conducteur (126).\n<CLM>\1\tDiode (102) selon la revendication 1, comportant en outre un masque diélectrique (118) tel qu'une première partie (119) de la deuxième électrode (144) soit disposée entre le masque diélectrique (118) et la deuxième portion de semi-conducteur (120), qu'au moins une deuxième partie de la deuxième électrode (144) soit disposée dans au moins une ouverture (136) 3042913 26 traversant le masque diélectrique (118), et que les portions diélectriques (130) recouvrent des flancs latéraux du masque diélectrique (118).\n<CLM>\1\tDiode (102) selon la revendication 2, dans lequel des faces 5 supérieures du masque diélectrique (118), des portions diélectriques (130) et des première et deuxième électrodes (142,\n<CLM>\1\tforment ensemble une surface continue sensiblement plane de la diode (102).\n<CLM>\1\tDiode (102) selon l'une des revendications précédentes, 10 dans laquelle des flancs latéraux extérieurs des portions diélectriques (130) sont alignés avec les flancs latéraux (134) de la deuxième partie (132) de la première portion de semi-conducteur (126).\n<CLM>\1\tDiode (102) selon l'une des revendications précédentes, 15 dans laquelle la première portion de semi-conducteur (126) comporte un empilement d'au moins deux semi-conducteurs (108,\n<CLM>\1\tdopés selon des niveaux de conductivité différents.\n<CLM>\1\tDiode (102) selon l'une des revendications précédentes, 20 dans laquelle l'épaisseur de la première portion de semi-conducteur (126) est comprise entre environ 2 iim et 4 iim.\n<CLM>\1\tDiode (102) selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle la diode (102) est une photodiode ou une LED. 25\n<CLM>\1\tDiode (102) selon la revendication 7, dans laquelle la photodiode comporte au moins une portion de semi-conducteur intrinsèque disposée entre les première et deuxième portions de semi-conducteur (120,\n<CLM>\1\tet telle que des flancs latéraux de la portion de semi-conducteur intrinsèque 3042913 27 soient recouverts par les portions diélectriques (130), ou dans laquelle la LED comporte au moins une zone active émissive (122) à au moins un puits quantique disposée entre les première et deuxième portions de semi-conducteur (120,\n<CLM>\1\tet telle que des flancs latéraux de la zone active émissive (122) soient recouverts 5 par les portions diélectriques (130).\n<CLM>\1\tDispositif électronique (100) comportant plusieurs diodes (102) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel chacune des premières électrodes (142) est en outre reliée électriquement à la première 10 portion de semi-conducteur (126) d'au moins une diode (102) voisine uniquement par un contact avec les flancs latéraux (134) de la deuxième partie (132) de la première portion de semi-conducteur (126) de ladite au moins une diode (102) voisine. 15\n<CLM>\1\tDispositif électronique (100) selon la revendication 9, dans lequel les diodes (102) font partie d'une matrice de diodes (102) de structures similaires formant une matrice de pixels du dispositif électronique (100).\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'une diode (102), comportant au 20 moins les étapes de : - réalisation, sur un substrat (104), d'un empilement de couches comprenant au moins des première et deuxième couches de semiconducteur (106,\n<CLM>\1\tdopées selon des types de conductivité opposés, telles que la première couche de semi-conducteur (106) soit disposée entre la deuxième 25 couche de semi-conducteur (114) et le substrat (104), et comprenant au moins une couche électriquement conductrice (115) disposée sur la deuxième couche de semi-conducteur (114) ; - première gravure de l'empilement de couches à travers la couche électriquement conductrice (115), la deuxième couche de semi- 3042913 28 conducteur (114) et une partie de l'épaisseur de la première couche de semiconducteur (106), formant une première partie (119) d'une deuxième électrode (144) de la diode (102), une deuxième portion de semi-conducteur (120) et une première partie (124) d'une première portion de semi-conducteur (126) ; 5 - réalisation de portions diélectriques (130) recouvrant des flancs latéraux de la première partie (119) de la deuxième électrode (144), de la deuxième portion de semi-conducteur (120) et de la première partie (124) de la première portion de semi-conducteur (126) ; - deuxième gravure de l'empilement de couches à travers une 10 épaisseur restante de la première couche de semi-conducteur (106) jusqu'à atteindre le substrat (104), formant une deuxième partie (132) de la première portion de semi-conducteur (126) disposée entre la première partie (124) de la première portion de semi-conducteur (126) et le substrat (104), les première et deuxième portions de semi-conducteur (120,\n<CLM>\1\tformant une jonction p-n ; 15 - réalisation d'une première électrode (142) reposant sur le substrat (104) et disposée contre les portions diélectriques (130) et des flancs latéraux (134) de la deuxième partie (132) de la première portion de semiconducteur (126), la première électrode (142) étant reliée électriquement à la première portion de semi-conducteur (126) uniquement par un contact avec les 20 flancs latéraux (134) de la deuxième partie (132) de la première portion de semi- conducteur (126), et réalisation d'une deuxième partie de la deuxième électrode (144) sur la première partie (119) de la deuxième électrode (144).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, dans lequel la première 25 gravure de l'empilement de couches est mise en oeuvre à travers un masque diélectrique (118) disposé sur l'empilement de couches, et dans lequel les portions diélectriques (130) recouvrent des flancs latéraux du masque diélectrique (118). 3042913 29\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12, dans lequel la deuxième gravure de l'empilement est réalisée telle que des flancs latéraux extérieurs des portions diélectriques (130) soient alignés avec les flancs latéraux (134) de la deuxième partie (132) de la première portion de semi-conducteur 5 (126).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 12 ou 13, dans lequel la réalisation de la première électrode (142) et de la deuxième partie de la deuxième électrode (144) comporte la mise en oeuvre des étapes suivantes : 10 - réalisation d'une ouverture (136) à travers le masque diélectrique (118) et débouchant sur la première partie (119) de la deuxième électrode (144) ; - dépôt d'au moins un matériau électriquement conducteur (138,\n<CLM>\1\tdans l'ouverture (136) et dans un espace (128) formé à travers 15 l'empilement de couches par la mise en oeuvre des première et deuxième gravures ; - planarisation du matériau électriquement conducteur (138,\n<CLM>\1\tavec arrêt sur le masque diélectrique (118). 20\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un dispositif électronique (100), comportant la mise en oeuvre d'un procédé selon l'une des revendications 11 à 14, dans lequel les étapes mises en oeuvre forment plusieurs diodes (102) telles que chacune des premières électrodes (142) est reliée électriquement à la première portion de semi-conducteur (126) d'au moins une diode (102) voisine 25 uniquement par un contact avec les flancs latéraux (134) de la deuxième partie (132) de la première portion de semi-conducteur (126) de ladite au moins une diode (102) voisine.