Brevet FR3038143A1 (20161230)
REVENDICATIONS1. Procédé d'isolation électrique des bords (E) d'une cellule photovoltaïque à hétérojonction, la cellule photovoltaïque ayant une face avant (FS) destinée à être 5 exposée à un rayonnement incident et comportant : - un empilement (110) de couches semi-conductrices ayant une surface avant, une surface arrière opposée à la surface avant, et des surfaces latérales ; - une première couche conductrice électriquement (104) et transparente au rayonnement incident disposée sur la surface avant de l'empilement (110) et 10 sur les surfaces latérales de l'empilement (110) ; - une deuxième couche conductrice électriquement (105) disposée sur la surface arrière de l'empilement (110) et sur les surfaces latérales de l'empilement (110), la première couche conductrice (104) et la deuxième couche conductrice (105) étant en contact électrique sur les surfaces latérales 15 de l'empilement (110) ; le procédé d'isolation étant caractérisé en ce qu'il comporte une étape d'abrasion mécanique des bords (E) de la cellule photovoltaïque de sorte que : - le contact électrique entre la première couche conductrice (104) et la deuxième couche conductrice (105) sur les surfaces latérales de l'empilement 20 (110) soit éliminé ; et que - chaque bord (E) abrasé de la cellule photovoltaïque forme un angle aigu (a) avec la face avant (FS) de la cellule photovoltaïque.\n<CLM>\1\tProcédé d'isolation selon la revendication précédente dans lequel l'angle aigu 25 (C) entre la face avant (FS) de la cellule photovoltaïque et chaque bord (E) abrasé de la cellule photovoltaïque est compris entre 50° et88,5°.\n<CLM>\1\tProcédé d'isolation selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'étape d'abrasion mécanique des bords (E) de la cellule photovoltaïque 30 est effectuée sur une épaisseur comprise entre 5 um et 50 um.\n<CLM>\1\tProcédé d'isolation selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'empilement (110) de couches semi-conductrices de la cellule photovoltaïque comporte un substrat semi-conducteur (101) texturé en surface par 3038143 15 des motifs, et dans lequel l'étape d'abrasion mécanique des bords (E) de la cellule photovoltaïque est effectuée au moyen d'un abrasif comportant des grains ayant des dimensions du même ordre de grandeur que celles des motifs du substrat semiconducteur (101).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque à hétérojonction comportant les étapes suivantes : - fournir un empilement (110) de couches semi-conductrices ayant une surface avant et une surface arrière opposée à la surface avant ; - déposer une première couche conductrice électriquement (104) et transparente au rayonnement incident sur la surface avant de l'empilement (110) ; - déposer une deuxième couche conductrice électriquement (105) sur la surface arrière de l'empilement (110) ; le procédé de fabrication étant caractérisé en ce qu'il comporte en outre un procédé d'isolation électrique des bords (E) de la cellule photovoltaïque selon l'une quelconque des revendications précédentes.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication 5 comportant en outre une étape de nettoyage des bords (E) de la cellule photovoltaïque, l'étape de nettoyage étant concomitante ou postérieure au procédé d'isolation électrique des bords (E) de la cellule photovoltaïque.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication 6 dans lequel l'étape de nettoyage des bords (E) de la cellule photovoltaïque comporte une opération de rinçage des bords (E) de la cellule photovoltaïque au moyen d'eau et/ou d'alcool.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 6 et 7 dans lequel l'étape de nettoyage des bords (E) de la cellule photovoltaïque comporte une 30 opération de soufflage d'un gaz comprimé sur les bords (E) de la cellule photovoltaïque.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 5 à 8 comportant en outre une étape de passivation des bords (E) de la cellule 3038143 16 photovoltaïque, l'étape de passivation étant postérieure au procédé d'isolation électrique des bords (E) de la cellule photovoltaïque.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 5 à 9 dans 5 lequel la première couche conductrice (104) et la deuxième couche conductrice (105) sont déposées par une technique de dépôt chimique en phase vapeur.