Brevet FR3048818A1 (20170915)
REVENDICATIONS1. Circuit intégré, apte à transmettre de l'information à distance par l'intermédiaire de faisceaux lumineux, comprenant un substrat (110) et caractérisé en ce que sur une même face (111) du substrat est agencée au moins une unité de communication (200) comprenant un moyen d'émission (210) et un moyen de réception (220) d'un rayonnement électromagnétique dont la plage de longueur d'onde est comprise entre 200nm et 3um , de préférence comprise entre 380nm et 780nm, et en ce que chaque unité de communication (200) est apte à échanger de l'information avec une autre unité de communication agencée sur un autre circuit intégré, par l'intermédiaire du rayonnement électromagnétique de façon bidirectionnelle.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat comprend sur une même face au moins deux unités de communication (200) distinctes, et en ce que lesdites unités de communication comprennent un moyen d'émission et un moyen de réception d'un rayonnement électromagnétique dans une même plage de longueur d'onde.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le substrat comprend sur une même face au moins deux unités de communication (200) distinctes, et en ce que lesdites unités de communication (200) échangent de l'information à une même fréquence.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des 1 à 3, caractérisé en ce que le substrat comprend sur une même face au moins deux unités de communication (200) distinctes, et en ce que à chaque unité de communication (200) est associée une combinaison unique de plage de longueur d'onde de rayonnement électromagnétique et de fréquence d'échange d'information.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications 1 à 4 caractérisé en ce que le moyen d'émission (210) et/ou le moyen de réception (220) comprend une jonction de type P-N et au moins un transistor (310,\n<CLM>\1\tà effet de champ, dont la grille (313, 3048818 18\n<CLM>\1\trecouvre au moins partiellement les zones dopées négativement (214,\n<CLM>\1\tet positivement (213, 224), de ladite jonction, de sorte qu'une desdites zones dopées forme à la fois la source ou le drain du transistor.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'un moyen 5 d'émission (210) comprend une diode électroluminescente et en ce qu'un moyen de réception (220) comprend une photodiode.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en que sur une même face (111) d'un substrat (110) du circuit intégré (40) sont agencées plusieurs unités de communication (200) sous forme de lignes et de colonnes, et aux unités 10 de communication (200) formant une colonne est associée une plage unique de longueurs d'onde d'un rayonnement électromagnétique et aux unités de communication (200) formant une ligne est associée une fréquence unique d'échange d'information.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'un filtre optique est 15 agencé devant au moins une diode électroluminescente et/ou au moins une photodiode.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'un filtre optique spécifique est placé devant chaque colonne formée par les unités de communication (200). 20\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'au moins un transistor (310,\n<CLM>\1\test connecté à un moyen d'émission (210) et au moins un autre transistor (310,\n<CLM>\1\test connecté à un moyen de réception (220), chaque transistor comprenant un canal de conduction, et en ce qu'au moins un transistor connecté au moyen d'émission comporte un canal de conduction plus large et/ou 25 plus court qu'un transistor connecté au moyen de réception.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un circuit intégré selon l'une des revendications 1 à 10 comprenant au moins une étape consistant à réaliser de façon symétrique, sur le 3048818 19 substrat du circuit intégré, deux transistors (310,\n<CLM>\1\tà effet de champ à grille isolée de type P et N.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un circuit intégré selon l'une des revendications 1 à 10, comprenant les étapes suivantes : 5 réalisation d'un transistor (310) de type P dans une zone active du circuit intégré de sorte que le transistor (310) soit entouré d'une tranchée d'isolation (113) et présent dans un caisson d'isolation (112a) dopé faiblement de type N; recouvrement d'au moins une partie du drain (311) du transistor (310) par 10 une diode électroluminescente.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un circuit intégré selon l'une des revendications 1 à 10, comprenant les étapes suivantes : réalisation d'un transistor (320) de type N dans une zone active du circuit intégré de sorte que le transistor soit entouré d'une tranchée d'isolation 15 (113) et présent dans un caisson d'isolation (112b) dopé faiblement de type P; recouvrement d'au moins une partie de la source (322) du transistor par une photodiode.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un circuit intégré selon l'une des revendications 1 à 10, 20 comprenant les étapes suivantes : réalisation d'une diode électroluminescente comprenant au moins une zone dopée (213) de type P et au moins une zone dopée (214) de type N, les dites zones étant séparées une couche de puits quantiques (212) ; réalisation d'un transistor (320) de type N dans une zone active du circuit 25 intégré de sorte que le transistor (320) soit présent dans un caisson d'isolation (112b) dopé de type P, et qu'une grille (323) du transistor (320) recouvre au moins partiellement la source (322) dudit transistor, caractérisé en ce que la source (322) du transistor est commun à une zone dopée (214) de type N de la diode électroluminescente, et en ce qu'une 3048818 20 zone dopée (213) de type P de la diode électroluminescente forme au moins une partie du canal de conduction du transistor (320).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un circuit intégré selon l'une des revendications 1 à 10, comprenant les étapes suivantes : 5 - réalisation d'une photodiode comprenant au moins une zone dopée (223) de type N et au moins une zone dopée (224) de type P, les zones dopées étant séparées par une couche (222) apte à créer une zone de déplétion entre lesdites zones; réalisation d'un transistor (310) de type P dans une zone active du circuit 10 intégré de sorte que le transistor soit présent dans un caisson d'isolation (112a) dopé de type N, et qu'une grille (313) recouvre au moins partiellement le drain (311) du transistor, caractérisé en ce que le drain (311) du transistor est commun à une zone dopée (224) de type P de la photodiode, et en ce qu'une zone dopée (223) de type N de la photodiode 15 forme au moins une partie du canal de conduction du transistor (310).\n<CLM>\1\tKit comportant au moins deux circuits intégrés selon l'une des revendications 1 à 10, chaque circuit intégré comprenant une ou plusieurs unités de communication (200) agencées sur une même face (111).\n<CLM>\1\tKit selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'au moins deux circuits intégrés 20 comprennent des unités de communication (200) agencées de sorte que lorsque lesdits circuits sont en vis-à-vis, chaque unité de communication (200) est en vis-à-vis d'une unité de communication (200) apte à échanger de l'information dans une même plage de longueur d'onde de rayonnement électromagnétique et à une même fréquence d'échange d'information. 25