Brevet FR3050322A1 (20171020)
REVENDICATIONS1. Dispositif photorécepteur, comportant au moins: - un premier matériau cristallin, semi-conducteur, comportant un premier paramètre de maille, et - un deuxième matériau cristallin, semi-conducteur, déposé sur le premier matériau et comportant un deuxième paramètre de maille, différent du premier paramètre de maille, caractérisé en ce que : - le dispositif comporte une couche d'interface entre le premier et le deuxième matériau, réalisée dans un matériau amorphe et structurée pour comporter des ouvertures régulièrement espacées dans le plan de la couche, - le deuxième matériau comporte des protubérances sortant des ouvertures de la couche d'interface et formant des grains de cristaux disjoints, chaque grain comportant une pluralité de facettes formant au moins un angle entre elles.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche d'interface est réalisée dans un matériau isolant et d'épaisseur inférieure à 10 nm\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche d'interface forme une jonction tunnel entre le premier et le deuxième matériau.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les ouvertures de la couche d'interface sont de largeur comprise entre 10 et 100 nm, préférentiellement de l'ordre de 50 nm\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier matériau cristallin est d'orientation [111].\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le deuxième matériau est polaire.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le deuxième matériau est de l'arséniure de gallium.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier matériau est du silicium. 3050322 10\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte une cellule tandem et en ce que le premier matériau est utilisé dans une première cellule bottom et le deuxième matériau est utilisé dans une deuxième cellule top. 5\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que des espaces entre grains sont comblés par une couche isolante (Si02), déposée sur le deuxième matériau.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que la couche isolante et les grains sont encapsulés dans une couche conductrice (ITO), déposée sur la couche isolante. 10\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte au moins : - une première étape, de formation de ladite couche d'interface, structurée pour présenter des ouvertures régulièrement espacées et débouchant sur le premier matériau, et 15 - une deuxième étape, de dépôt du deuxième matériau sur le premier matériau au moins au niveau desdites ouvertures.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape intermédiaire, entre lesdites première et deuxième étapes, de dépôt d'un germe d'un troisième 20 matériau dans chacune des ouvertures, germe sur lequel est déposé, pendant ladite deuxième étape, le deuxième matériau.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 12 et 13, caractérisé en ce que lesdites étapes de dépôt sont mises en oeuvre par épitaxie. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 12 à 14, caractérisé en ce qu'il comporte une étape préalable d'aménagement des ouvertures régulièrement espacées dans la couche d'interface, par application d'un masque gravé localement pour former lesdites ouvertures. 30\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que ledit masque est gravé partiellement pour laisser, au niveau des ouvertures, une épaisseur de couche d'interface plus fine qu'en dehors des ouvertures, ladite épaisseur de couche plus fine étant retirée avant d'opérer la deuxième étape ou ladite étape intermédiaire.