Brevet FR3049946A1 (20171013)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une structure micromécanique en carbure de silicium comportant une cavité (5), à partir d'un empilement comprenant une première couche (2) de carbure de silicium et une couche de silicium (3) sur la première couche de carbure de silicium, ledit procédé comportant une étape (102) de mise en forme de la couche de silicium (3) de sorte à former une structure discrète (3') de silicium sur la première couche (2) de carbure de silicium ; ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend après l'étape (102) de mise en forme de la couche de silicium (3) : - une étape (103) de carburation initiant l'élimination de la structure discrète de silicium (3') ; - une étape (104) de dépôt d'une deuxième couche de carbure de silicium ; - une étape (105) de recuit ; la structure discrète (3') de silicium étant entièrement éliminée à l'issue de l'étape de recuit (105).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que l'étape (102) de mise en forme de la couche (3) de silicium est directement suivie d'une deuxième étape (106) de recuit.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce qu'il comprend une étape (107) de transition thermique entre l'étape (103) de carburation et l'étape de dépôt (104) de la deuxième couche de carbure de silicium durant laquelle la température évolue d'une première température égale à la température de l'étape (103) de carburation vers une deuxième température égale à la température de l'étape de dépôt (104) de la deuxième couche de carbure de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente caractérisé en ce qu'il comprend une étape (108) d'attente entre l'étape (107) de transition thermique et l'étape (104) de dépôt de la deuxième couche de carbure 3049946 17 de silicium. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la température lors de l'étape (104) de dépôt de la deuxième couche de carbure de silicium et/ou de l'étape (105) de recuit est comprise entre 1100°C et 1400°C. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la durée de l'étape (105) de recuit est choisie en fonction de la largeur, de la longueur et/ou de l'épaisseur de la structure discrète (3') de silicium. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que l'étape (103) de carburation est effectuée sous une atmosphère comportant un gaz hydrocarburé. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que l'empilement comprend en outre un substrat (1) ; ledit procédé comprenant, avant l'étape (102) de mise en forme de la couche de 20 silicium (3) : - une étape (100) de dépôt d'une première couche (2) de carbure de silicium sur le substrat (1); - une étape (101) de dépôt d'une couche de silicium (3) sur la première couche de carbure de silicium (2) ; 25 l'étape (100) de dépôt d'une première couche (2) de carbure de silicium et l'étape (101) de dépôt d'une couche de silicium (3) permettant d'obtenir l'empilement comprenant une première couche (2) de carbure de silicium et une couche de silicium (3) sur la première couche de carbure de silicium. 30\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que le substrat formant la première couche de l'empilement est choisi parmi un substrat de silicium (Si), de saphir (A1203), de nitrure d'aluminium (AIN), de carbure de silicium (SiC) ou de nitrure de gallium (GaN).\n<CLM>\1\t5\n<CLM>\1\t10\n<CLM>\1\t15\n<CLM>\1\t3049946 18\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que l'étape mise en forme (102) est réalisée de sorte à former dans la couche de silicium (3) une pluralité d'éléments de liaison (3bis) et une pluralité de structures discrètes (3'), chaque élément de liaison (3bis) de la pluralité d'éléments de liaison (3bis) joignant au moins une première structure discrète (3') de la pluralité de structures discrètes (3') à une deuxième structure discrète (3') de la pluralité de structures discrètes (3').