Brevet FR3050072A1 (20171013)
REVENDICATIONS1. Dispositif pour connecter au moins un nano-objet à un système électrique externe, comprenant un support (1,\n<CLM>\1\tdoté d'une couche semi-conductrice (4) dans laquelle des premières zones dopées (8a, 8b) espacées entre elles sont agencées, un système électrique externe (SEE) étant apte à être connecté aux premières zones dopées, chaque première zone dopée (8a, 8b) étant en contact avec une deuxième zone dopée (12a, 12b) sur laquelle une portion du nano-objet est apte à être disposée, les deuxièmes zones dopées (12a, 12b) étant espacées entre elles d'une distance G et ayant une épaisseur (e2) inférieure à l'épaisseur (el) des première zones dopées.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, dans lequel les premières zones dopées (8a, 8b) ont une première surface en vue de dessus et dans lequel les deuxièmes zones dopées (12a, 12b) ont une deuxième surface en vue de dessus inférieure à la première surface.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel l'épaisseur (el) des premières zones dopées (8a, 8b) est égale à l'épaisseur (e) de ladite couche semi-conductrice (4).\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel les premières zones dopées (8a, 8b) sont entourées d'une région isolante (41).\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel le support est un substrat (1) comprenant un empilement composé d'une couche de support (2), d'une couche isolante (3) et de ladite couche semi-conductrice (4), le dispositif étant doté d'éléments conducteurs (19a, 19b) en contact avec les premières zones dopées (8a, 8b) et traversant la couche de support (2) et la couche isolante (3). 3050072 25\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 5, comprenant un autre ensemble de premières zones dopées et de deuxièmes zones dopées espacées entre elles, chaque deuxième zone dopée de cet autre ensemble étant en contact avec une première zone dopée distincte de cet autre ensemble, et apte à recevoir une portion d'un autre 5 nano-objet.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel un nano- objet comporte une première portion disposée sur une desdites deuxièmes zones dopées et une deuxième portion sur une autre desdites deuxièmes zones dopées, ladite autre 10 deuxième zone dopée comportant une autre portion d'un autre nano-objet.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel le nano- objet (50) comporte une première portion disposée sur une desdites deuxième zones dopées ayant un dopage de type N et une deuxième portion sur une autre desdites 15 deuxièmes zones dopées, ladite autre deuxième zone dopée ayant un dopage de type P.\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un dispositif pour connecter au moins un nano-objet à un système électrique externe, le procédé comprenant des étapes consistant à: 20 a) former dans une couche semi-conductrice (4) d'un support (1) des premières zones dopées (8a, 8b) sur lesquelles le système électrique externe est apte à être connecté, les premières zones dopées ayant une première épaisseur (el) puis, b) former des deuxièmes zones dopées (12a, 12b) entre les premières zones dopées de sorte que chaque deuxième zone dopée soit en contact avec une première 25 zone dopée, les deuxièmes zones dopées étant séparées entre elles d'une distance G et présentant une deuxième épaisseur (e2) inférieure à ladite première épaisseur, c) disposer un nano-objet sur les deuxièmes zones dopées.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel les premières zones 30 dopées (8a, 8b) et deuxièmes zones dopées (12a, 12b) sont formées par implantation(s) 3050072 26 ionique(s), le procédé comprenant après formation des premières et deuxièmes zones dopées et préalablement à l'étape c) au moins un recuit thermique, de sorte à activer les dopants des première et deuxième zones dopées et définir la distance G. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, dans lequel ledit au moins un recuit thermique est effectué sous une atmosphère prévue de sorte à fonctionnaliser les deuxièmes zones dopées.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, dans lequel le ou les recuits sont 10 effectués sous atmosphère d'hydrogène.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 9 à 12, dans lequel le support est un substrat (1) de type semi-conducteur sur isolant comprenant sur une couche support, une couche isolante (3) sur laquelle repose ladite couche semi-conductrice (4), le 15 procédé comprenant en outre après l'étape c), des étapes de : - assemblage de la couche semi-conductrice (4) à un autre support (100), puis - retrait de la couche de support (2) et de la couche isolante (3) dudit substrat. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13, dans les premières zones dopées (8a, 8b) sont formées partiellement à l'aide d'au moins une implantation à l'aide d'un faisceau d'ions pénétrant par une première face de la couche semi-conductrice (4), cette première face étant mise en contact avec le support lors dudit assemblage et étant 25 opposée à une deuxième face en contact avec le substrat, puis, après retrait du substrat: au moins une autre implantation à l'aide d'un faisceau d'ions pénétrant par la deuxième face de la couche semi-conductrice, de sorte à étendre les premières zones dopées. 3050072 27\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 9 à 14, dans lequel le support comprend une couche de support (2) sur laquelle repose une couche isolante (3) sur laquelle la couche semi-conductrice (4) est disposée, le procédé comprenant en outre une étape de formation d'éléments conducteurs en contact avec les premières zones 5 dopées et traversant la couche de support et la couche isolante.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 9 à 15, dans lequel les premières zones dopées (8a, 8b) ont une épaisseur (el) égale à l'épaisseur (e) de la couche semi-conductrice (4).