Brevet FR3050740A1 (20171103)
REVENDICATIONS1. Electrode comprenant un support électro-conducteur dont au moins une partie de la surface est recouverte par un dépôt d'un métal choisi dans le groupe constitué par le cuivre, le fer, le nickel, le zinc, le cobalt, le manganèse, le titane et un mélange de ceux-ci, la surface dudit dépôt étant sous une forme oxydée, sulfurée, sélénée et/ou tellurée et le dépôt ayant une surface spécifique supérieure ou égale à 1 m2/g.\n<CLM>\1\tElectrode selon la revendication 1, caractérisée en ce que le support électro- conducteur est constitué, au moins en partie, par un matériau électro-conducteur choisi parmi un métal tel que le cuivre, l'acier, l'aluminium, le zinc ; un oxyde métallique tel que l'oxyde de titane dopé au fluor (FTO) ou l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) ; un sulfure métallique tel que le sulfure de cadmium ou le sulfure de zinc ; du carbone notamment sous forme de feutre de carbone, de graphite, de carbone vitreux, de diamant dopé au bore ; un semi-conducteur tel que du silicium ; et un mélange de ceux-ci.\n<CLM>\1\tElectrode selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisée en 20 ce que le dépôt de métal a une épaisseur comprise entre 10 [Inn et 2 mm, notamment comprise entre 50 [Inn et 0,5 mm, de préférence comprise entre 70 [Inn et 300 [Inn.\n<CLM>\1\tElectrode selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que le dépôt de métal a une surface spécifique comprise entre 1 m2/g et 500 m2/g, 25 par exemple entre 1 m2/g et 200 m2/g, notamment comprise entre 2 m2/g et 100 m2/g, de préférence comprise entre 3 m2/g et 50 m2/g.\n<CLM>\1\tElectrode selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que le dépôt de métal a une structure poreuse avec une taille moyenne de pores 30 comprise entre 10 [Inn et 500 [Inn, notamment entre 20 [Inn et 200 [Inn, de préférence entre 30 [Inn et 70 [Inn.\n<CLM>\1\tElectrode selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisée en ce que le métal est choisi parmi le cuivre, le fer, le nickel, le zinc et un mélange de 35 ceux-ci et avantageusement est le cuivre. 3050740 19\n<CLM>\1\tElectrode selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisée en ce que la surface du dépôt de métal est sous une forme oxydée et/ou sulfurée, notamment sous une forme oxydée ou sulfurée. 5\n<CLM>\1\tProcédé de préparation d'une électrode selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 comprenant les étapes successives suivantes : (i) électrodéposition d'un métal choisi dans le groupe constitué par le cuivre, le fer, le nickel, le zinc, le cobalt, le manganèse, le titane et un mélange de ceux-ci sur au moins une partie de la surface d'un support électro-conducteur 10 afin de former un dépôt dudit métal sur ladite au moins une partie de la surface du support électro-conducteur, et (ii) oxydation, sulfuration, sélénation et/ou telluration de la surface du dépôt de métal. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'étape (i) est réalisée selon les étapes successives suivantes : (a) immersion au moins partiellement du support électro-conducteur dans une solution aqueuse acide contenant des ions du métal à déposer, et (b) application d'un courant entre le support électro-conducteur et une seconde électrode.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la solution aqueuse acide contenant des ions du métal à déposer est une solution aqueuse acide contenant un sel hydrosoluble du métal à déposer, notamment choisi parmi CuSO4, CuCl2, Cu(C104)2, FeSO4, Fe2(504)3, FeCl3, FeCl2, Fe(C104)3, NiSO4, NiCl2, Ni (Cl04)2, ZnSO4, ZnCl2, Zn(C104)2, CoSO4, CoCl2, Co(C104)2, MnCl2, MnSO4, Mn(C104)2, TiC13, Ti2(SO4)3 et un mélange de ceux-ci.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 9 et 10, caractérisé en ce que le courant de l'étape (b) a une densité de courant comprise entre 0,1 mA/cm2 et 5 A/cm2, notamment comprise entre 0,1 mA/cm2 et 1 mA/cm2.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, caractérisé en ce que l'étape (ii) comprend : 3050740 20 une étape d'oxydation, sulfuration, sélénation et/ou telluration effectuée à une température comprise entre 30 et 700°C, notamment comprise entre 50 et 500°C, en particulier comprise entre 100 et 400°C, dans laquelle l'étape d'oxydation est effectuée dans une atmosphère contenant du dioxygène ou en 5 présence de H20, l'étape de sulfuration est effectuée en présence de soufre élémentaire ou de H2S, l'étape de sélénation est effectuée en présence de sélénium élémentaire ou de H2Se, et l'étape de telluration est effectuée en présence de tellure élémentaire ou de H2Te, et éventuellement une étape de recuit effectuée à une température comprise 10 entre 50°C et 1000°C, en particulier comprise entre 100°C et 400°C, avantageusement durant un temps compris entre 10 min et 48 h, notamment compris entre 1 et 3 h.\n<CLM>\1\tElectrode susceptible d'être obtenue par un procédé selon l'une quelconque 15 des revendications 8 à\n<CLM>\1\t14. Dispositif électrochimique comprenant une électrode selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 et\n<CLM>\1\t20\n<CLM>\1\tDispositif électrochimique selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il s'agit d'un dispositif d'électrolyse ou d'une pile à combustible.\n<CLM>\1\tProcédé d'oxydation de l'eau en dioxygène comprenant l'application d'un courant électrique entre une anode et une cathode, l'anode étant une électrode 25 selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 et 13 immergée dans l'eau ou dans un fluide contenant de l'eau, avantageusement à pH basique.