Brevet FR3038441A1 (20170106)
REVENDICATIONS1. Procédé pour enregistrer un ou plusieurs bits dans au moins une cellule de mémoire, consistant à: appliquer un courant à une couche de canal de l'au moins une cellule de mémoire ; activer une grille de l'au moins une cellule de mémoire en appliquant une tension à la grille de l'au moins une cellule de mémoire ; lors de l'activation de la grille, appauvrir la couche de canal afin de canaliser le courant de la couche de canal vers une couche d'enregistrement de l'au moins une cellule de mémoire, dans lequel la couche d'enregistrement est dans un premier état de résistance ; et transformer au moins une partie de la couche d'enregistrement du premier état de résistance en un deuxième état de résistance afin d'écrire un ou plusieurs bits dans la couche d'enregistrement, dans lequel le premier état de résistance et le deuxième état de résistance sont différents, et dans lequel au moins l'une d'une taille ou d'une forme de l'au moins une partie transformée de la couche d'enregistrement est commandée, en partie, par la tension appliquée à la pille et le courant appliqué à la couche de canal.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la couche d'enregistrement comprend l'un d'un matériau à changement de phase ou d'un matériau de mémoire vive ré sistif.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la transformation de l'au moins une partie de la couche d'enregistrement pour écrire un ou plusieurs bits consiste à transformer une première partie de l'au moins une partie en un état de résistance et à transformer une deuxième partie de l'au moins une partie en un état de résistance différent, dans lequel chaque partie transformée correspond à un bit enregistré.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la commande de l'au moins une de la taille et de la forme de l'au moins une partie transformée consiste à commander une 3038441 32 largeur de l'au moins une partie transformée en appliquant une tension constante à la grille et en faisant varier le courant appliqué à la couche de canal.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la commande de l'au moins une de 5 la taille ou de la forme de l'au moins une partie transformée consiste à commander une profondeur de l'au moins une partie transformée en faisant varier une tension appliquée à la grille de l'au moins une cellule de mémoire et en faisant varier un courant appliqué au canal de l'au moins une cellule de mémoire. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel l'au moins une cellule de mémoire comprend une pluralité de cellules de mémoire connectées en une chaîne.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, consistant en outre à: écrire séquentiellement dans chacune de la pluralité de cellules de mémoire une 15 par une en désactivant les grilles de cellules de mémoire quelconques ne faisant pas l'objet d'une écriture.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, consistant en outre à: écrire simultanément dans chacune de la pluralité de cellules de mémoire en 20 appliquant un signal de courant constant et en faisant varier la tension appliquée à chacune de la pluralité de cellules de mémoire.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, consistant en outre, lors de l'activation de la gille, à: 25 étendre l'appauvrissement de la couche de canal dans la couche d'enregistrement de l'au moins une cellule de mémoire ; et commander une profondeur de l'extension de l'appauvrissement dans la couche d'enregistrement, sur la base de la tension appliquée à la grille, afin d'écrire un ou plusieurs bits. 3038441 33\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, consistant en outre à: coder une pluralité de topologies de résistance sur la base d'un nombre desdits un ou plusieurs bits écrits dans la couche d'enregistrement. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la commande de l'au moins une de la taille ou de la forme de l'au moins une partie transformée consiste à commander une profondeur de l'au moins une partie transformée en faisant varier au moins l'un d'un temps pendant lequel une tension est appliquée à la grille de l'au moins une cellule de mémoire et d'un temps pendant lequel un courant est appliqué au canal de l'au moins une 10 cellule de mémoire.\n<CLM>\1\tCellule de mémoire non volatile réglable, comprenant : une grille ;, au moins une couche d'enregistrement ; et 15 une couche de canal, capable de supporter une région d'appauvrissement, disposée entre la grille et l'au moins une couche d'enregistrement, dans laquelle un courant passe initialement à travers la couche de canal, dans laquelle, lors de l'activation de la grille, la couche de canal est appauvrie et le courant passant initialement à travers la couche de canal est dirigé à travers l'au moins une couche d'enregistrement, dans laquelle une partie 20 de l'au moins une couche d'enregistrement peut être transformée d'un premier état de résistance en un deuxième état de résistance, sur la base du courant dirigé à travers l'au moins une couche d'enregistrement, et dans laquelle au moins l'une d'une taille ou d'une forme de la partie transformée peut être commandée afin de stocker au moins un bit. 25\n<CLM>\1\tCellule de mémoire non volatile réglable selon la revendication 12, dans laquelle une pluralité de parties de l'au moins une couche d'enregistrement peuvent être transformées d'un premier état de résistance en un deuxième état de résistance, sur la base d'une séquence de signaux de courant dirigés à travers l'au moins une couche 3038441 34 d'enregistrement, et dans laquelle au moins l'une d'une taille ou d'une forme de chacune de la pluralité de parties transformées peut être commandée afin de stocker une pluralité de bits. 5\n<CLM>\1\tCellule de mémoire non volatile réglable selon la revendication 13, dans laquelle une largeur de chacune de la pluralité de parties transformées peut être commandée par une tension constante appliquée à la grille et une séquence de courant variable appliquée à la couche de canal. 10\n<CLM>\1\tCellule de mémoire non volatile réglable selon la revendication 13, dans laquelle une profondeur de chacune de la pluralité de parties transformées peut être commandée par une séquence de courant variable appliquée à la couche de canal et une tension variable appliquée à la grille. 15\n<CLM>\1\tCellule de mémoire non volatile réglable selon la revendication 12, dans laquelle l'au moins une couche d'enregistrement est capable de supporter une région d'appauvrissement.\n<CLM>\1\tCellule de mémoire non volatile réglable selon la revendication 16, dans laquelle 20 une pluralité de parties de l'au moins une couche d'enregistrement peuvent être transformées d'un premier état de résistance en un deuxième état de résistance sur la base de l'extension d'une profondeur de la région d'appauvrissement dans l'au moins une couche d'enregistrement. 25\n<CLM>\1\tCellule de mémoire non volatile réglable selon la revendication 12, dans laquelle l'au moins une couche d'enregistrement comprend au moins l'un d'un matériau à changement de phase et d'un matériau de mémoire vive résistif. 3038441\n<CLM>\1\tCellule de mémoire non volatile réglable selon la revendication 12, dans laquelle l'au moins une couche d'enregistrement comprend une pluralité de couches, chaque couche ayant des propriétés de matériau différentes. 5\n<CLM>\1\tSystème, comprenant : une pluralité de cellules de mémoire ; un processeur configuré pour l'adressage de chacune de la pluralité de cellules de mémoire, dans lequel, pour chacune de la pluralité de cellules de mémoire, le processeur est configuré pour : 10 appliquer un courant à une couche de canal de la cellule de mémoire ; activer une grille de la cellule de mémoire en appliquant une tension à la grille de la cellule de mémoire ; lors de l'activation de la grille, canaliser le courant de la couche de canal vers une couche d'enregistrement de la cellule de mémoire, dans lequel la couche 15 d'enregistrement est dans un premier état de résistance ; et transformer au moins une partie de la couche d'enregistrement du premier état de résistance en un deuxième état de résistance afin d'écrire un ou plusieurs bits dans la couche d'enregistrement, dans lequel le premier état de résistance et le deuxième état de résistance sont différents, et dans lequel au moins l'une d'une 20 taille ou d'une forme de l'au moins une partie transformée de la couche d'enregistrement est commandée, en partie, par la tension appliquée à la grille et par le courant appliqué à la couche de canal.