Brevet FR3042648A1 (20170421)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - une étape de fourniture d'un substrat piézoélectrique (1) comportant un transducteur (2) disposé sur une face principale avant (3) ; - une étape de dépôt d'une couche diélectrique d'encapsulation (4) sur la face principale avant (3) du substrat piézoélectrique (1) et sur le transducteur (2) ; - une étape d'assemblage de la couche diélectrique d'encapsulation (4) à une face principale avant (6) d'un substrat support (5) présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du substrat piézoélectrique (1).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel le transducteur (2) comprend une structure métallique d'électrodes interdigitées.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le substrat piézoélectrique (1) comporte des vias (8) en contact électrique avec le transducteur, s'étendant dans l'épaisseur du substrat piézoélectrique (1), de la face principale avant (3) jusqu'à une profondeur déterminée.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le substrat piézoélectrique (1) est un substrat massif dont le matériau est choisi parmi le groupe constitué de LiNb03, LiTa03, BaTiO3, quartz, PZT (Titano-Zirconate de Plomb), ZnO, AIN. 3042648 20\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche diélectrique d'encapsulation (4) est constituée par au moins un matériau choisi parmi SiO2, SiN, SION, SiOC, SiC, DLC, alumine, 5 silicate d'hafnium, silicate de zirconium, dioxyde d'hafnium, dioxide de zirconium.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, comportant une étape de planarisation de la 10 couche diélectrique d'encapsulation (4) après l'étape de dépôt.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le substrat support (5) présente 15 une résistivité supérieure à 100ohms.cm.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le substrat support (5) est choisi parmi le groupe constitué de silicium, saphir, verre, 20 céramiques, plastiques.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le substrat support (5) comporte une couche diélectrique complémentaire (7) sur sa face 25 principale avant (6).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel la couche diélectrique complémentaire (7) est crûe thermiquement. 30\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel la couche diélectrique complémentaire (7) est une couche anti-réflective. 35\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape d'assemblage consiste en un collage direct, par adhésion moléculaire. 3042648 21\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape d'assemblage est suivie d'une étape d'amincissement d'une face principale arrière (30) du substrat piézoélectrique (1). 5\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel l'étape d'amincissement comprend des procédés de grinding, polissage mécano-chimique ou attaque chimique. 10\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel l'étape d'amincissement conduit à l'obtention d'une couche résiduelle (11) de substrat piézoélectrique, d'épaisseur comprise entre 2 microns et 200 microns. 15\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon les revendications 3 et 15, dans lequel la couche résiduelle (11) de substrat piézoélectrique (1) a une épaisseur inférieure ou égale à la profondeur déterminée des vias (8). 20\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel l'étape d'amincissement est suivie d'une étape de dépôt d'une couche anti-réflective (9) sur la couche résiduelle (11) de substrat piézoélectrique (1). 25\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications 13 à 17, dans lequel l'étape d'amincissement est suivie d'une étape de mise à épaisseur du substrat support (5), conduisant à l'obtention d'une couche support (55) 30 d'épaisseur comprise entre 10 microns et 250 microns.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel l'étape d'amincissement ou l'étape de mise à épaisseur est suivie d'une étape de réalisation de vias (10) 35 au niveau d'une face principale arrière (60,60') du substrat support (5) ou de la couche support (55) ; lesdites vias (10) s'étendant jusqu'au transducteur (2) et assurant un contact électrique avec celui-ci. 3042648 22\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une des revendications 16 ou 19, comportant une étape de reprise de contacts au niveau des vias (8,10,12). 5\n<CLM>\1\tDispositif à ondes acoustiques de surface comprenant une couche (1,11) de matériau piézoélectrique munie d'un transducteur (2) sur une face principale avant (3), disposée sur un substrat support (5,55) dont le coefficient de 10 dilatation thermique est inférieur à celui du matériau piézoélectrique, caractérisé en ce que le transducteur (2) est disposé dans une couche diélectrique d'encapsulation (4), entre la couche (1,11) de matériau piézoélectrique et le substrat support (5,55). 15\n<CLM>\1\tDispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication précédente, dans lequel la couche (1,11) de matériau piézoélectrique comporte des vias (8,12) conductrices, en contact électrique avec le transducteur 20 (2), traversant ladite couche (1,11) de la face principale avant (3) à une face principale arrière (30,30').\n<CLM>\1\tDispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication 21, dans lequel le substrat support (5,55) 25 comporte des vias (10) conductrices, en contact électrique avec le transducteur (2 ), traversant ledit substrat (5,55) d'une face principale avant (6) à une face principale arrière (60,60').