Brevet FR3047608A1 (20170811)
REVENDICATIONS1. Transistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique de type normalement bloqué, caractérisé en ce qu'il comprend : -une première couche de GaN (14) à dopage de type P; -une deuxième couche de GaN (15) à dopage de type N formée sur la première couche de GaN de façon à former une jonction p/n déplétée ; -une troisième couche de GaN (16) non intentionnellement dopée et formée sur la deuxième couche de GaN ; -une couche semi conductrice (17) formée à l'aplomb de la troisième couche de GaN non intentionnellement dopée pour former une couche de gaz d'électrons (18) ; -une cavité ménagée à travers ladite troisième couche de GaN, et s'étendant jusqu'à la deuxième couche de GaN (15) sans atteindre le fond de cette deuxième couche de GaN ; -une grille (3) incluant un matériau de grille conducteur (31) et une couche d'isolant de grille (32) disposés dans ladite cavité, ladite couche d'isolant de grille isolant électriquement ledit matériau de grille conducteur (31) par rapport auxdites deuxième et troisième couches de GaN.\n<CLM>\1\tTransistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique selon la revendication 1, dans lequel ladite première couche de GaN (14) est formée sur une quatrième couche de GaN (13) présentant une concentration en carbone supérieure à celle des première et deuxième couches (14,\n<CLM>\1\tde GaN.\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la première couche de GaN (14) inclut du Magnésium formant un dopant de type P.\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon la revendication 3, dans lequel la concentration en magnésium activé dans la première couche de GaN (14) est au moins égale à 1 * 1017 cm-3 et/ou au plus égale à 1 * 1018 cm-3.\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite première couche de GaN (14) présente une épaisseur comprise entre 10 et 50 nm.\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la deuxième couche de GaN (15) inclut du Silicium formant un dopant de type N. ICG10972 FR Depot Texte.docx 3047608 21\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon la revendication 6, dans lequel la concentration en Silicium dans la deuxième couche de GaN (15) est au moins égale à 2 * 1016 cm-3 et/ou au maximum égale à 2 * 1017 cm-3. 5\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite deuxième couche de GaN (15) présente une épaisseur comprise entre 50 et 100 nm.\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon l'une quelconque des revendications 10 précédentes, dans lequel la concentration en dopants de type N dans la deuxième couche de GaN (15) est inférieure à la concentration en dopants de type P dans la première couche de GaN (14). 10.Transistor à hétérojonction selon l'une quelconque des revendications 15 précédentes, dans lequel ladite troisième couche (16) comporte une concentration en dopants au moins deux fois inférieure à la concentration en dopants de la deuxième couche de GaN (15).\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon l'une quelconque des revendications 20 précédentes, dans lequel ladite troisième couche (16) présente une épaisseur comprise entre 20 et 60nm. 12.Transistor à hétérojonction selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite couche d'isolant de grille (32) présente une 25 épaisseur au moins égale à 20nm. 13.Transistor à hétérojonction selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite cavité s'étend dans la deuxième couche de GaN (15) sur une profondeur d'au moins 20nm. 30\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon la revendication 13, dans lequel l'épaisseur d'un canal ménagé dans la deuxième couche de GaN (15) entre ladite cavité et la première couche de GaN (14) est au moins égale à 20nm. 35 15.Transistor à hétérojonction (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite couche semi conductrice (17) inclut un alliage de type III-N. 16.Transistor à hétérojonction selon l'une quelconque des revendications 40 précédentes, dans lequel ladite grille (3) présente une longueur au plus de 0,8pm. ICG10972 FR Depot Texte.docx 3047608 22\n<CLM>\1\tTransistor à hétérojonction selon la revendication 16, dans lequel ladite grille (3) présente un débordement (33) par rapport à ladite cavité, le débordement s'étendant à l'aplomb de ladite couche semi conductrice (17). ICG10972 FR Depot Texte.docx