Brevet FR3051973A1 (20171201)
REVENDICATIONS1. Procédé de formation d'un dispositif électronique destiné à accueillir au moins un transistor totalement déserté (FDSOI) (600) et au moins un transistor partiellement déserté (PDSOI) (700), à partir d'un empilement de couches (10) comprenant au moins une couche isolante (100) surmontée d'au moins une couche active (200) en un matériau semi-conducteur, le procédé comprenant au moins les étapes suivantes : - former au moins une tranchée isolante (110) à travers l'épaisseur de la couche active (200) pour définir dans ladite couche active (200), de part et d'autre de la tranchée isolante (110), au moins une première région active (210) sur laquelle est destiné à être formé au moins un transistor PDSOI (700) et au moins une deuxième région active (220) sur laquelle est destiné à être formé au moins un transistor FDSOI (600) ; former, au-dessus de l'au moins une première région active (210) et sur une partie de la tranchée isolante (110), une couche de masquage (330) sans recouvrir l'au moins une deuxième région active (220) et sans recouvrir une partie de la tranchée isolante (110) ; - graver (400) simultanément par une gravure sèche de sorte à former des zones gravées : o une partie de l'épaisseur de la couche active (200) de l'au moins une deuxième région active (220) de manière à former au moins une deuxième région active amincie (220a) et à obtenir dans l'au moins une deuxième région active amincie (220a) une épaisseur de la couche active (200) plus faible que dans l'au moins une première région active (210), o au moins une partie de l'épaisseur de la partie non recouverte de la tranchée isolante (110) de sorte à former une partie gravée de la tranchée isolante (112), o et la totalité de la couche de masquage (330), ajuster, après l'étape de gravure sèche (400), la hauteur de la surface (221a) de l'au moins une deuxième région active amincie (220a) à la hauteur de la surface (113) de ladite une partie gravée de la tranchée isolante (112). 3051973 27\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel la tranchée d'isolation (110) comprend au moins un oxyde formé par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche de masquage (330) comprend au moins un oxyde formé par dépôt chimique en phase vapeur réalisée à pression sous-atmosphérique.\n<CLM>\1\tProcédé selon les deux revendications précédentes dans lequel la 10 gravure sèche (400), l'oxyde (110) formé par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma et l'oxyde (330) formé par dépôt chimique en phase vapeur réalisée à pression sous-atmosphérique sont configurés pour que le temps de formation de l'au moins une partie gravée de la tranchée isolante (112) corresponde au temps de gravure de la totalité de l'épaisseur de la couche de 15 masquage (330).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'étape d'ajustement de la hauteur de la surface (221a) de l'au moins une deuxième région active amincie (220a) à la hauteur de la surface (113) de ladite 20 partie gravée de la tranchée isolante (112) comprend au moins les étapes suivantes : - oxydation d'au moins une portion de la deuxième région active amincie (220a) de sorte à former une couche d'oxyde sacrificielle (225) ; 25 - retrait partiel de la couche d'oxyde sacrificielle (225) de sorte à former une couche d'oxyde sacrificielle résiduelle (230) et de sorte à ce que la surface (231) de la couche d'oxyde sacrificielle résiduelle (230) soit à la même hauteur que la surface (113) de la partie gravée de la tranchée isolante (112). 30\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel la couche d'oxyde sacrificielle (225) est formée par une étape d'oxydation sur une partie de l'épaisseur de l'au moins une deuxième région active amincie (220a). 3051973 28\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la couche d'oxyde sacrificielle (225) a une épaisseur comprise de préférence entre 6nm et 8nm, et avantageusement égale à 5nm. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la gravure sèche (400) est une gravure par plasma.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel le plasma est un 10 plasma haute densité.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche active (200) a une épaisseur initiale comprise de préférence entre 100nm et 200nm, avantageusement entre 125nm et 180nm, et 15 préférentiellement égale à 140nm, et dans lequel la première région active (210) a une épaisseur comprise de préférence entre 100nm et 200nm, avantageusement entre 125nm et 180nm, et préférentiellement égale à 140nm, et dans lequel l'au moins une deuxième région active amincie (220a) a une épaisseur comprise de préférence entre 25nm et 100nm, avantageusement 20 entre 50nm et 85nm, et préférentiellement égale à 70nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'étape de gravure sèche (400) est suivie d'une étape de nettoyage humide de la surface desdites zones gravées. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape de nettoyage humide de la surface desdites zones gravées est configurée pour éliminer des matériaux résiduels issus de l'étape de gravure sèche (400). 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la tranchée isolante (110) est en contact avec la couche isolante (100). 3051973 29\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'étape de formation de la couche de masquage (330) au-dessus d'au moins la première région active (210) et sur une partie au moins de la tranchée isolante (110) est précédée de la formation d'une couche d'oxyde intermédiaire 5 (310) sur la première région active (210).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape de formation de la couche d'oxyde intermédiaire (310) sur la première région active (210) est suivie par la formation d'une couche de nitrure (320) au-dessus de la io couche d'oxyde intermédiaire (310) de sorte à ce que la couche de masquage (330) soit au moins en partie en contact avec ladite couche de nitrure (320).