Brevet FR3045981A1 (20170623)
REVENDICATIONS1) Dispositif de commande d'un transistor (1) en commutation, comprenant: - ledit transistor (1) comportant une électrode de commande (4) et des électrodes 5 de puissance (5, 6); - un circuit de commande (7) relié à ladite électrode de commande (4); - des moyens de limitation (2, 3,\n<CLM>\1\td'une dérivée temporelle d'un courant de puissance (i(t)) circulant entre lesdites électrodes de puissance (5, 6); caractérisé en ce que lesdits moyens de limitation (2, 3,\n<CLM>\1\tasservissent une 10 tension de mesure (VL2) proportionnelle à ladite dérivée temporelle à une tension de référence prédéterminée en appliquant une tension d'erreur sur ladite électrode de commande (4).\n<CLM>\1\tDispositif de commande d'un transistor (1) en commutation selon la 15 revendication 1 précédente, caractérisé en ce que ladite tension d'erreur est amplifiée par un gain intrinsèque dudit transistor (1) en mode linéaire.\n<CLM>\1\tDispositif de commande d'un transistor (1) en commutation selon la revendication 2 précédente, caractérisé en ce que ladite tension de référence est 20 supérieure ou égale à une tension de seuil de conduction dudit transistor (1).\n<CLM>\1\tDispositif de commande d'un transistor (1) en commutation selon la revendication 3 précédente, caractérisé en ce que lesdits moyens de limitation (2, 3,\n<CLM>\1\tcomprennent une première inductance (2), reliée à une première électrode (5) 25 desdites électrodes de puissance (5,\n<CLM>\1\tet parcourue par ledit courant de puissance (i(t)), couplée magnétiquement négativement (k) à une seconde inductance (3), insérée en série entre ledit circuit de commande (7) et ladite électrode de commande (4), et fournissant à ses bornes ladite tension de mesure (VL2). 30\n<CLM>\1\tDispositif de commande d'un transistor (1) en commutation selon la revendication 4 précédente, caractérisé en ce qu'une limitation de ladite dérivée temporelle est donnée par l'expression Vref/L1, où Vref est ladite tension de référence et L1 une valeur d'inductance de ladite première inductance (2). 3045981 -10-\n<CLM>\1\tDispositif de commande d'un transistor (1) en commutation selon la revendication 5 précédente, caractérisé en ce que lesdits moyens de limitation (Vu) comprennent en outre une source de tension (8) continue présentant une tension nominale (2 x Vd) prédéterminée insérée en série entre ledit circuit de commande (7) et ladite seconde inductance (3) de telle sorte que ladite tension de référence est égale à une somme de ladite tension de seuil et de ladite tension nominale (2 x Vd).\n<CLM>\1\tDispositif de commande d'un transistor (1) en commutation selon la revendication 6 précédente, caractérisé en ce que ladite source de tension (8) est formée par un nombre prédéterminé de diodes (9) identiques en série polarisées dans un sens direct par ledit circuit de commande (7) dans un état "haut", de telle sorte que ladite tension nominale (2 x Vd) est égale à une tension de coude (Vd) desdites diodes multipliée par ledit nombre.\n<CLM>\1\tDispositif de commande d'un transistor (1) en commutation selon la revendication 7 précédente, caractérisé en ce que lesdits moyens de limitation (2, 3,\n<CLM>\1\tcomprennent en outre un condensateur (10) en parallèle sur lesdites diodes (9) et chargé dans un circuit de charge (7, 11,\n<CLM>\1\tcomprenant au moins une résistance (11).\n<CLM>\1\tDispositif de commande d'un transistor (1) en commutation selon la revendication 4 précédente, caractérisé en ce que ladite première inductance (2) et ladite seconde inductance (3) constituent respectivement un primaire (2) et un secondaire (3) d'un transformateur planaire sans noyau magnétique formé au voisinage dudit transistor (1) dans une couche métallique d'un circuit imprimé ou sur un substrat de type DBC, IML, ou IMS.\n<CLM>\1\tDispositif de commande d'un transistor (1) en commutation selon la revendication 9 précédente, caractérisé en ce qu'un rapport de transformation dudit transformateur (2,\n<CLM>\1\test supérieur ou égal à deux. 3045981 - 11 -\n<CLM>\1\tDispositif de commande d'un transistor (1) en commutation selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 précédentes, caractérisé en ce que ledit transistor (1) est de type MOSFET et en ce que: - ladite électrode de commande (4) est une grille (G) dudit transistor (1); 5 - ladite première électrode (5) de puissance est une source (S) dudit transistor et une seconde électrode (6) desdites électrodes de puissance (5,\n<CLM>\1\test un drain (D) dudit transistor (1).\n<CLM>\1\tDispositif de commande d'un transistor (1) en commutation selon l'une 10 quelconque des revendications 1 à 10 précédentes, caractérisé en ce que ledit transistor (1) est de type IGBT et en ce que: - ladite électrode de commande (4) est une grille dudit transistor (1); - ladite première électrode de puissance (5) est un émetteur dudit transistor (1) et une seconde électrode (6) desdites électrodes de puissance (5,\n<CLM>\1\test un collecteur 15 dudit transistor (1).\n<CLM>\1\tUtilisation du dispositif de commande selon l'une quelconque des revendications 1 à 12 précédentes dans un module de puissance de véhicule automobile comprenant au moins un transistor (1) en commutation. 20