Brevet FR3044817A1 (20170609)
REVENDICATIONS1. Procédé de gestion du fonctionnement d'une mémoire non volatile équipée d'un système (SYS) de correction d'erreur unique et de détection d'une erreur double, comprenant en cas de détection d'une ligne de bits défectueuse du plan mémoire, une affectation d'une ligne de bit redondante (BLR), et une recopie (43, 45,\n<CLM>\1\tdans les cellules mémoires de la ligne de bits redondante, des valeurs des bits des cellules mémoire de la ligne de bits défectueuse inversées (46) en cas de détection d'erreurs doubles par ledit système, ou corrigées (44) par ledit système en présence d'erreurs uniques.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel ladite recopie comprend une lecture du plan mémoire mot par mot, lesdits mots (MW,,j) étant des mots homologues appartenant respectivement aux rangées du plan mémoire et à une même colonne du plan mémoire, chaque mot étant formé de plusieurs cellules mémoires dont celle appartenant à la ligne de bits défectueuse et contenant des bits de données, des bits de contrôle et un bit de parité globale, et pour chaque mot courant, une analyse (40) dudit mot courant par ledit système (SYS), et en cas de détection d'une erreur double, une inversion (46) de la valeur logique du bit (b3) stocké dans la cellule-mémoire appartenant à la ligne de bit défectueuse et une recopie (48) de cette valeur inversée (b3) dans la cellule-mémoire correspondante de la ligne de bit redondante.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel ladite recopie comprend en outre préalablement à ladite recopie de ladite valeur inversée, une formation d'un nouveau mot (MW2,,j) comportant les bits dudit mot courant et le bit inversé (b3), et une nouvelle analyse (47) dudit nouveau dudit nouveau mot par ledit système.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel en l'absence d'erreur détectée par ledit système ou en présence d'une seule erreur détectée et corrigée par ledit système, ladite recopie 3044817 14 comprend une recopie dans la cellule-mémoire correspondante de la ligne de bit redondante de la valeur du bit contenu dans le mot de sortie (MWS, ,j) délivré par ledit système et associé à la cellule-mémoire (b3) de la ligne de bits défectueuse. 5\n<CLM>\1\tDispositif de mémoire, comprenant une mémoire non volatile comportant un plan mémoire (PM) possédant des rangées et des lignes de bits (BL), un mécanisme de redondance de ligne de bits comportant au moins un registre non volatil (RGVN1, RGNVN2) et au moins une ligne de bits redondante (BLR), un système (SYS) de correction 10 d'erreur unique et de détection d'une erreur double, et des moyens de commande (MC) configurés pour en cas de détection d'une ligne de bits défectueuse du plan mémoire, recopier dans les cellules mémoires de la ligne de bits redondante, les valeurs des bits des cellules mémoire de la ligne de bits défectueuse inversées en cas de détection 15 d'erreurs doubles par ledit système, ou corrigées par ledit système en présence d'erreurs uniques.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 5, dans lequel les moyens de commande comportent des moyens de lecture (DCDX, DCDY, AMPL) configurés pour effectuer une lecture du plan mémoire mot par 20 mot, lesdits mots (MW,,j) étant des mots homologues appartenant respectivement aux rangées du plan mémoire et une même colonne du plan mémoire, chaque mot (MW,,j) étant formé de plusieurs cellules mémoires dont celle appartenant à la ligne de bits défectueuse et contenant des bits de données, des bits de contrôle et un bit de parité 25 globale, ledit système (SYS) est configuré pour effectuer, pour chaque mot courant, une analyse dudit mot courant par ledit système, et les moyens de commande (MC) comportent en outre un module (MDL) configuré pour en cas de détection d'une erreur double, inverser la valeur logique du bit stocké dans la cellule-mémoire appartenant à la 30 ligne de bit défectueuse, les moyens de commande (MC) étant alors configurés pour effectuer une recopie de cette valeur inversée dans la cellule-mémoire correspondante de la ligne de bit redondante.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 6, dans lequel ledit module (MDL) est en outre configuré pour, préalablement à ladite recopie 3044817 15 délivrer ladite valeur inversée audit système de façon à former un nouveau mot comportant les bits dudit mot courant et le bit inversé, et ledit système (SYS) est configuré pour effectuer une nouvelle analyse dudit nouveau dudit nouveau mot. 5\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 5 à 7, dans lequel en l'absence d'erreur détectée par ledit système ou en présence d'une seule erreur détectée et corrigée par ledit système, les moyens de commande (MC) sont configurés pour recopier dans la cellule-mémoire correspondante de la ligne de bit redondante la valeur du bit contenu 10 dans le mot de sortie délivré par ledit système et associé à la cellule- mémoire de la ligne de bits défectueuse.