Brevet FR3044822A1 (20170609)
REVENDICATIONS1. Dispositif optoélectronique (40) comprenant un composant électroluminescent (LED) et un transistor à effet de champ (TMOS), le dispositif optoélectronique comprenant : une première couche semiconductrice (46) d'un composé III-V ou II-VI dopée d'un premier type de conductivité ; une couche active (50) du composant électroluminescent ; une deuxième couche semiconductrice (54) du composé III- V ou II-VI dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type, la couche active étant prise en sandwich entre les 10 première et deuxième couches semiconductrices, dans lequel le canal (77) du transistor à effet de champ est situé dans la première couche semiconductrice, la première couche semiconductrice étant ininterrompue entre le transistor à effet de champ et le composant électroluminescent. 15\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendication 1, comprenant une première tranchée (60) traversant successivement au moins la deuxième couche semiconductrice (54), la couche active (50) et seulement une partie de la première couche semiconductrice (46), et contenant un premier coeur conducteur électriquement (64) 20 et une première couche (62) isolante électriquement recouvrant les parois de la première tranchée au moins entre le premier coeur conducteur électriquement (64) et la deuxième couche semiconductrice (54) et entre le premier coeur conducteur électriquement (64) et la couche active (50). 25\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendication 2, dans lequel la première couche (62) isolante électriquement recouvre les parois de la première tranchée (60) entre le premier coeur conducteur électriquement (64) et la première couche semiconductrice (46). 30\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendication 2, dans lequel le premier coeur conducteur électriquement (64) est en contact avec la première couche semiconductrice (46). 3044822 B14604 - DD16593 21\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendication 4, dans lequel le travail de sortie du matériau composant le premier coeur conducteur électriquement (64) est supérieur à 4 eV.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque 5 des revendications 2 à 5, comprenant, en outre, une troisième couche semiconductrice (48) du composé III-V ou II-VI dopée du premier type de conductivité ayant une concentration de dopants supérieure à la concentration de dopants de la première couche semiconductrice (46), au contact de la première couche 10 semiconductrice (46) et interposée entre la première couche semiconductrice (46) et la couche active (50).\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendication 6, comprenant une deuxième tranchée (66) traversant successivement au moins la deuxième couche semiconductrice (54), la couche active 15 (50) et la totalité ou une partie de la troisième couche semiconductrice (48), et contenant un deuxième coeur conducteur électriquement (70) en contact avec la troisième couche semiconductrice et contenant une deuxième couche (68) isolante électriquement recouvrant les parois de la deuxième tranchée au 20 moins entre le deuxième coeur conducteur électriquement (70) et la deuxième couche semiconductrice (54) et entre le deuxième coeur conducteur électriquement et la couche active (50).\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendication 7, comprenant un premier plot conducteur électriquement (74) en 25 contact avec le premier coeur conducteur électriquement (64) et un deuxième plot conducteur électriquement (76) en contact avec le deuxième coeur conducteur électriquement (70), les premier et deuxième plots reposant sur une surface plane.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque 30 des revendications 1 à 8, dans lequel la couche active (50) est la couche d'où est émise la majorité du rayonnement électromagnétique fourni par le dispositif optoélectronique.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendication 9, dans lequel la couche active (50) comprend un puits quantique. 35 unique ou des puits quantiques multiples. 3044822 B14604 - DD16593 22\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la concentration de dopants de la première couche semiconductrice (46) est comprise entre 1015 atomes/um3 et 1018 atomes/cm3, de préférence entre 5 5.1016 atomes/um3 et 5.1017 atomes/em3.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel l'épaisseur de la deuxième couche semiconductrice (54) en vis-à-vis de la première tranchée (60) est comprise entre 50 nm et 150 nm lorsque la concentration 10 de dopants de la deuxième couche semiconductrice (54) est supérieure à 1017 atomes/cm3.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 2 à 8, dans lequel l'épaisseur du premier coeur conducteur électriquement (64) est comprise entre 10 fois et 50 15 fois l'épaisseur de la première couche semiconductrice (46) en vis-à-vis de la première tranchée (60).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (40) comprenant un composant électroluminescent (LED) et un transistor à effet de champ (TMOS), le procédé 20 comprenant les étapes successives suivantes : former une première couche semiconductrice (46) d'un composé III-V ou II-VI dopée d'un premier type de conductivité ; former une couche active (50) du composant électroluminescent ; 25 former une deuxième couche semiconductrice (54) du composé III-V ou II-VI dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type, la couche active étant prise en sandwich entre les première et deuxième couches semiconductrices ; et former le canal (77) du transistor à effet de champ dans 30 la première couche semiconductrice, la première couche semiconductrice étant ininterrompue entre le transistor à effet de champ et le composant électroluminescent.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 14, comprenant, en outre, les étapes suivantes :. 3044822 B14604 - DD16593 23 former une première tranchée (66) traversant successivement au moins la deuxième couche semiconductrice (54), la couche active (50) et seulement une partie de la première couche semiconductrice (46) ; et 5 former, dans la première tranchée, un premier coeur conducteur électriquement (64) et une première couche (62) isolante électriquement recouvrant les parois de la première tranchée au moins entre le premier coeur conducteur électriquement et la deuxième couche semiconductrice (54) et entre le premier coeur conducteur électriquement et la couche active (50).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 15, comprenant, en outre, l'étape de formation d'une troisième couche semiconductrice (48) du composé III-V ou II-VI dopée du premier type de conductivité ayant une concentration de dopants supérieure à la concentration de dopants de la première couche semiconductrice (46), au contact de la première couche semiconductrice et interposée entre la première couche semiconductrice et la couche active (50).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 16, comprenant, en 20 outre, les étapes suivantes : former une deuxième tranchée (66) traversant successivement au moins la deuxième couche semiconductrice (54), la couche active (50) et seulement une partie de la troisième couche semiconductrice (48) ; et 25 former, dans la deuxième tranchée, un deuxième coeur conducteur électriquement (70) en contact avec la troisième couche semiconductrice et une deuxième couche (68) isolante électriquement recouvrant les parois de la deuxième tranchée au moins entre le deuxième coeur conducteur électriquement et la deuxième 30 couche semiconductrice (54) et entre le deuxième coeur conducteur électriquement et la couche active (50).