Brevet FR3043854A1 (20170519)
REVENDICATIONS1.- Circuit intégré comportant un limiteur de puissance, caractérisé en ce que ledit limiteur de puissance (110, 210, 310), comportant au moins une paire de diodes (11,\n<CLM>\1\tmontées en parallèle l'une de l'autre et en configuration « tête bêche » l'une par rapport à l'autre, chaque diode étant réalisée dans un caisson NWELL ou un caisson PWELL délimité dans un substrat dudit circuit intégré, en ce que le substrat est connecté à une masse dudit circuit intégré, et en ce que lesdites diodes sont connectées entre une première ligne (21) et une second ligne (22) s'étendant respectivement entre une borne d'entrée et une borne de sortie du limiteur, chacune des première et seconde lignes étant polarisée par application d'un potentiel élaboré à partir d'un signal en tension à limiter (S) et d'un potentiel de mode commun (VCM), une valeur dudit potentiel de mode commun étant fixée en fonction d'un seuil en tension d'activation d'une diode parasite (14) existant entre le substrat et le caisson à l'intérieur duquel est réalisée l'une desdites diodes (12). 2.- Circuit intégré selon la revendication 1, dans lequel un seuil d'écrêtage en puissance du limiteur de puissance dépend notamment de la valeur du potentiel de mode commun (VCM). 3.- Circuit intégré selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans lequel une plage de fonctionnement en tension dudit limiteur de puissance, définie entre un seuil négatif d'écrêtage en tension et un seuil positif d'écrêtage en tension, dépend notamment de la valeur du potentiel de mode commun (VCM). 4.- Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit limiteur de puissance est un limiteur de puissance radiofréquence. 5.- Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications précédentes, 30 dans lequel ledit limiteur de puissance comporte, montés en série entre la première ligne (21) et la seconde ligne (22), une pluralité d'étages de diodes (E1, E2, ... EN), chaque étage de diodes comportant une paire de diodes (11,\n<CLM>\1\tmontées en parallèle l'une de l'autre et en configuration « tête bêche » l'une par rapport à l'autre, chaque diode étant réalisée dans un caisson NWELL ou un caisson PWELL délimité dans le substrat dudit 35 circuit intégré. 25 3043854 10 6.- Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications précédentes, comportant, en entrée et/ou en sortie dudit limiteur de puissance, un dispositif de transformation d'impédance (50, 60). 5 7.- Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la seconde ligne (22) est portée au potentiel de mode commun (VCM) et la première ligne (21) est portée au potentiel de mode commun (VCM) augmenté du signal en tension à limiter (S). 10 8.- Circuit intégré selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel, ledit limiteur de puissance étant symétrique, la première ligne (21) est portée au potentiel de mode commun (VCM) augmenté de la moitié du signal en tension à limiter (S) et la seconde ligne (22) est portée au potentiel de mode commun (VCM) diminué de la moitié du signal en tension à limiter (S). 15 9.- Circuit intégré selon la revendication 8, comportant, sur ledit substrat, un amplificateur de puissance d'une chaîne d'émission d'un signal en tension, ledit limiteur de puissance étant connecté en sortie dudit amplificateur de puissance afin de protéger ce dernier. 20 10.- Procédé d'utilisation d'un circuit intégré selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que qu'il consiste à porter le substrat dudit circuit intégré à un potentiel de masse et à polariser ladite au moins une paire de diodes (11,\n<CLM>\1\tconstitutives dudit limiteur de puissance (110, 210,\n<CLM>\1\ten portant la première ligne à un premier potentiel et la second ligne à un second potentiel, les premier et second potentiels étant élaborés à partir d'un signal en tension à limiter (S) et d'un potentiel de mode commun (VCM), une valeur dudit potentiel de mode commun étant sélectionnée en fonction d'un seuil en tension d'activation d'une diode parasite (14) existant entre le substrat et le caisson à l'intérieur duquel est réalisée une diode (12) de ladite paire de diodes de manière à éviter l'activation de ladite diode parasite.