Brevet FR3045938A1 (20170623)
REVENDICATIONS1. Circuit intégré (1), caractérisé en ce qu'il comprend : -un transistor à effet de champ (2), comprenant : -des première et deuxième électrodes de conduction (201,202) ; -une zone de canal (203) disposée entre les première et deuxième électrodes de conduction ; -un empilement de grille (220) disposé à l'aplomb de la zone de canal, et comprenant une électrode de grille (222) ; -un point mémoire de type RRAM (31,\n<CLM>\1\tménagé sous la zone de canal, ou ménagé dans l'empilement de grille sous l'électrode de grille.\n<CLM>\1\tCircuit intégré (1) selon la revendication 1, comprenant un circuit de programmation (91) configuré pour créer ou supprimer sélectivement un filament conducteur dans ledit point mémoire (31, 41).\n<CLM>\1\tCircuit intégré (1) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel ledit point mémoire (31) est de type OxRAM.\n<CLM>\1\tCircuit intégré (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel ledit point mémoire (31) est ménagé dans l'empilement de grille (222).\n<CLM>\1\tCircuit intégré (1) selon la revendication 4, dans lequel : -ledit point mémoire (34) comprend une première électrode (301) en contact électrique avec l'électrode de grille, et comprend un isolant (310) en contact avec la première électrode et configuré pour la formation sélective d'un filament conducteur.\n<CLM>\1\tCircuit intégré (1) selon les revendications 2 et 4, dans lequel ledit transistor (2) est de type FDSOI, la zone de canal (203) dudit transistor présentant une zone incluant une implantation de dopants (241), ledit circuit de programmation (91) étant configuré pour appliquer une différence de potentiel entre ladite première électrode (301) du point mémoire et ladite zone incluant l'implantation de dopants (241) de façon à former un filament conducteur dans l'isolant (310).\n<CLM>\1\tCircuit intégré (1) selon la revendication 6, dans lequel ledit isolant (223) du point mémoire (36) est un isolant de grille en contact avec la zone de canal (203).\n<CLM>\1\tCircuit intégré (1) selon les revendications 2 et 4, dans lequel : -ledit point mémoire (34) comprend une première électrode (301) en contact électrique avec l'électrode de grille, et comprend un isolant (310) en contact avec ICG11035-DD16657VR-ST15GR40295 FR Depot Texte.docx 3045938 19 la première électrode et configuré pour la formation sélective d'un filament conducteur ; -ledit circuit de programmation (91) est configuré pour appliquer une différence de potentiel entre ladite première électrode (301) du point mémoire et la première 5 et/ou la deuxième électrode de conduction (201,\n<CLM>\1\tdu transistor (2) de façon à former un filament conducteur dans l'isolant (310).\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon les revendications 2 et 4, dans lequel : -ledit transistor (2) comporte un isolant de grille (223) en contact avec la zone de 10 canal (203) ; -ledit point mémoire (35) comprend : -une première électrode (301) en contact électrique avec l'électrode de grille ; -un isolant (310) en contact avec la première électrode (301) et configuré pour la formation sélective d'un filament conducteur ; 15 -une deuxième électrode (303) formée en contact avec ledit isolant de grille (223), séparée de ladite première électrode par l'intermédiaire de l'isolant (310) du point mémoire (35) ; -ledit circuit de programmation (91) est configuré pour appliquer une différence de potentiel entre ladite première électrode (301) du point mémoire et la deuxième 20 électrode (303) du point mémoire de façon à former un filament conducteur dans l'isolant (310).\n<CLM>\1\tCircuit intégré (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel ledit transistor (2) est de type SOI et dans lequel le point mémoire (41) est 25 ménagé sous la zone de canal (203).\n<CLM>\1\tCircuit intégré (1) selon la revendication 10, dans lequel ledit point mémoire (41) comprend : -une première électrode (420) ménagée dans un substrat semi-conducteur (100) 30 à l'aplomb de la zone de canal (203) ; -un isolant (410) en contact avec la première électrode, séparant la première électrode (420) de la zone de canal (203), et configuré pour la formation sélective d'un filament conducteur. 35\n<CLM>\1\tCircuit intégré (1) selon la revendication 11, dans lequel ledit circuit de programmation (91) étant configuré pour appliquer une différence de potentiel entre ladite première électrode (420) du point mémoire (41) et la première et/ou la deuxième électrode de conduction (201,\n<CLM>\1\tdu transistor (2) de façon à former un filament conducteur dans l'isolant (410). 40\n<CLM>\1\tCircuit intégré (1) selon la revendication 11, dans lequel : ICG11035-DD16657VR-ST15GR40295 FR Depot Texte.docx 3045938 20 -la zone de canal (203) dudit transistor présente une zone incluant une implantation de dopants (241) ; -ledit circuit de programmation (91) est configuré pour appliquer une différence de potentiel entre ladite première électrode (420) du point mémoire (43) et ladite zone 5 incluant l'implantation de dopants (241) de façon à former un filament conducteur dans l'isolant (410).\n<CLM>\1\tCircuit intégré (1) selon la revendication 10, dans lequel ledit point mémoire (42) comprend : 10 -au moins deux électrodes (421,\n<CLM>\1\tménagées dans un substrat semiconducteur (100) sous la zone de canal (203) ; -un isolant (410) en contact avec lesdites au moins deux électrodes, séparant la zone de canal (203) et lesdites au moins deux électrodes (421,\n<CLM>\1\tménagées dans le substrat semi-conducteur, et configuré pour la formation sélective d'un 15 filament conducteur.\n<CLM>\1\tCircuit intégré (1) selon l'une quelconque des revendications 5 à 9 ou 11 à 14, dans lequel ladite première électrode (301) est formée dans un métal choisi dans le groupe comprenant le Ti, le TiN et le TaN.\n<CLM>\1\tCircuit intégré (1) selon l'une quelconque des revendications 5 à 9 ou 11 à 15, dans lequel ledit isolant (310,\n<CLM>\1\test formé dans un matériau choisi dans le groupe comprenant le Hf02, le HfSiON ou le HfAIO. 20 25 ICG11035-DD16657VR-ST15GR40295 FR Depot Texte.docx