Brevet FR3045934A1 (20170623)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un empilement de dispositifs électroniques (11, 21), comportant les étapes : a) prévoir une première structure (1) comportant successivement un substrat (10), un dispositif électronique (11), une couche diélectrique (12), et une première couche semi-conductrice (13); b) prévoir une deuxième structure (2) comportant successivement un substrat (20), une couche active (21), une couche diélectrique (22), et une deuxième couche 10 semi-conductrice (23), la couche active (21) étant destinée à former un dispositif électronique ; c) coller les première et deuxième structures (1,\n<CLM>\1\tpar une adhésion directe entre les première et deuxième couches semi-conductrices (13,\n<CLM>\1\tde manière à former une interface de collage (IC) ; 15 d) retirer le substrat (20) de la deuxième structure (2) de manière à exposer la couche active (21); e) introduire des dopants dans les première et deuxième couches semi-conductrices (13,\n<CLM>\1\tde manière à former un plan de masse (GP). 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les première et/ou deuxième couches semi-conductrices (13,\n<CLM>\1\tcomportent un film amorphe (131,\n<CLM>\1\tavant l'étape c), et en ce que le procédé comporte une étape de cristallisation du ou des films amorphes (131,\n<CLM>\1\tde sorte qu'un front de cristallisation se propage à l'interface de collage (IC). 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que les films amorphes (131,\n<CLM>\1\tdes première et deuxième couches semi-conductrices (13,\n<CLM>\1\tprésentent des épaisseurs différentes de sorte que le front de cristallisation se propage à travers l'interface de collage (IC). 30\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que les première et deuxième couches semi-conductrices (13,\n<CLM>\1\tprésentent des vitesses de 3045934 17 cristallisation différentes de sorte que le front de cristallisation se propage à travers l'interface de collage (IC).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 2 à 4, caractérisé en ce que la 5 première couche semi-conductrice (13) comporte un germe polycristallin (130) recouvert d'un film amorphe (131) avant l'étape c), et en ce que la deuxième couche semi-conductrice (23,\n<CLM>\1\test totalement amorphe avant l'étape c).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 2 à 5, caractérisé en ce que l'étape 10 de cristallisation est exécutée par un recuit thermique adapté pour simultanément activer thermiquement les dopants introduits lors de l'étape e).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que les première et/ou deuxième couches semi-conductrices (13,\n<CLM>\1\tcomportent une 15 surface recouverte d'un film d'oxyde avant l'étape c), et en ce que le procédé comporte une étape de traitement de surface consistant à retirer le film d'oxyde de la surface des première et/ou deuxième couches semi-conductrices (13,\n<CLM>\1\tavant l'étape c) de manière à obtenir un collage hydrophobe lors de l'étape c). 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'il comporte une étape d'activation de surface consistant à bombarder la surface des première et seconde couches semi-conductrices (13,\n<CLM>\1\tavant l'étape c) par un faisceau d'espèces, de préférence des ions argon. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'il comporte une étape d'aplanissement des première et seconde couches semiconductrices (13,\n<CLM>\1\tavant l'étape c) de manière à obtenir une rugosité de surface inférieure à 2,5 Â RMS. 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que les première et seconde couches semi-conductrices (13,\n<CLM>\1\tsont réalisées dans un matériau sélectionné dans le groupe comportant Si, Ge, Si-Ge. 3045934 18\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que l'étape e) est exécutée en introduisant les dopants à travers la couche active (21) exposée.