Brevet FR3048810A1 (20170915)
REVENDICATIONS1. Cellule mémoire CAM (100) comprenant au moins : - un verrou (103) comprenant N premiers TFET (102) connectés en série les uns aux autres entre deux potentiels électriques d'alimentation pour que chacun d'une source et d'un drain de chacun des N premiers TFET (102) soit connecté soit à l'un des deux potentiels électriques d'alimentation soit à la source ou au drain d'un autre des N premiers TFET (102), et dans lequel au moins l'un des deux potentiels électriques d'alimentation est appliqué sur la grille de chacun des N premiers TFET (102) pour que les N premiers TFET (102) aient une tension Vos de polarisation inverse et une tension Vis de polarisation directe, avec N 2 ; - un bloc de sortie (106) connecté à N-1 noeuds de stockage (104) formés au niveau de points de connexion entre les N premiers TFET (102), et apte à lire une donnée stockée dans les N-1 noeuds de stockage (104) et/ou de fournir en sortie une valeur représentative d'une concordance ou d'une discordance entre une donnée de recherche et la donnée stockée dans les N-1 noeuds de stockage (104) ; - un bloc d'écriture (110) apte à appliquer une donnée destinée à être stockée dans les N-1 noeuds de stockage (104).\n<CLM>\1\tCellule mémoire CAM (100) selon la revendication 1, dans laquelle : - le bloc d'écriture (110) comprend N-1 MOSFET (112) et au moins une première ligne de données dans laquelle la donnée destinée à être stockée dans au moins l'un des N-1 noeuds de stockage (104) peut être appliquée ; - chacun des N-1 MOSFET (112) a l'un de sa source ou de son drain connecté au dit au moins un des N-1 noeuds de stockage (104) et l'autre de sa source ou de son drain connecté à la première ligne de données.\n<CLM>\1\tCellule mémoire CAM (100) selon la revendication 2, dans laquelle le bloc d'écriture (110) comprend N-1 premières lignes de données pour que chacune des N-1 premières lignes de données soit connectée à l'un des N-1 MOSFET (112). 3048810 18\n<CLM>\1\tCellule mémoire CAM (100) selon l'une des revendications 2 et 3, dans laquelle la grille de chacun des N-1 MOSFET (112) est connectée à une ligne de mots d'écriture dans laquelle un signal de commande d'écriture est apte à être appliqué. 5\n<CLM>\1\tCellule mémoire CAM (100) selon la revendication 4, dans laquelle : - le bloc d'écriture (110) comprend au moins deux premières lignes de données ; - un premier (112.1) des N-1 MOSFET est un MOSFET de type n'ayant l'un de sa source ou de son drain connecté à une première des deux premières lignes de 10 données et l'autre de sa source ou de son drain connecté à un premier (114.1) des N-1 noeuds de stockage ; - un second (112.2) des N-1 MOSFET est un MOSFET de type n'ayant l'un de sa source ou de son drain connecté à une seconde des deux premières lignes de données et l'autre de sa source ou de son drain connecté à un second (114.2) des N-1 15 noeuds de stockage.\n<CLM>\1\tCellule mémoire CAM (100) selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle le bloc de sortie (106) comprend un ou plusieurs seconds TFET (108) ayant chacun sa grille connectée à l'un des N-1 noeuds de stockage (104), l'un 20 de sa source ou de son drain connecté à une ligne de concordance et l'autre de sa source ou de son drain connecté à une seconde ligne de données dans laquelle la donnée de recherche est apte à être appliquée, et dans laquelle un potentiel électrique de la ligne de concordance est apte à se décharger lorsque la donnée de recherche ne correspond pas à la donnée stockée dans les N-1 noeuds de stockage (104). 25\n<CLM>\1\tCellule mémoire CAM (100) selon la revendication 6, dans laquelle : - le bloc de sortie (106) comprend au moins deux secondes lignes de données ; 3048810 19 - un premier (108.1, 120.1) des seconds TFET est un TFET de type n ayant son drain connecté à la ligne de concordance et sa source connectée à une première des deux secondes lignes de données ; - un second (108.2, 120.2) des seconds TFET est un TFET de type p ayant 5 sa source connectée à la ligne de concordance et son drain connecté à une seconde des deux secondes lignes de données ; - les grilles desdits premier et second des second TFET sont connectées au même noeud de stockage (104) ou à deux noeuds de stockage différents (104.1, 104.2). 10\n<CLM>\1\tCellule mémoire CAM (100) selon les revendications 5 et 7, dans laquelle les première et seconde lignes de données sont les mêmes lignes de données.\n<CLM>\1\tCellule mémoire CAM (100) selon l'une des revendications 1 à 5, dans laquelle le bloc de sortie (106) comprend un ou plusieurs seconds TFET (114) ayant 15 chacun sa grille connectée à l'un des N-1 noeuds de stockage (104), l'un de sa source ou de son drain connecté à une ligne de bits de lecture et l'autre de sa source ou de son drain connecté à une ligne de mots de lecture dans laquelle un signal de déclenchement de lecture est destiné à être appliqué, et dans laquelle un potentiel électrique de la ligne de bits de lecture est apte à se décharger ou non selon la valeur stockée dans ledit un des N- 20 1 noeuds de stockage (104).\n<CLM>\1\tCellule mémoire CAM (100) selon les revendications 5 et 7, ou selon la revendication 8, dans laquelle N = 3 et la cellule mémoire CAM (100) forme une TCAM. 25\n<CLM>\1\tMatrice mémoire CAM (1000) comprenant plusieurs cellules mémoire CAM (100) selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle les cellules mémoire CAM (100) sont agencées selon une matrice de plusieurs rangées et de plusieurs colonnes. 30