Brevet FR3038776A1 (20170113)
REVENDICATIONS1. Cellule photovoltaïque comportant : un substrat (1) en silicium ; une couche dite « barrière » (4) en matériau diélectrique transparent, la couche barrière (4) étant déposée sur le substrat (1), la couche barrière (4) étant traversée par au moins une cavité (5); au moins une couche en matériau III-V (20, 20a, 20b) formant une jonction p-n, la couche en matériau III-V (20, 20a, 20b) étant déposée dans la cavité (5); une couche dite « intercalaire » (9) en matériau diélectrique transparent, la couche intercalaire (9) étant déposée sur la couche barrière (4); une couche de microlentilles (10) déposée sur la couche intercalaire (9), la couche de microlentilles (10) comportant au moins une microlentille (11), la microlentille (11) présentant un point focal situé dans la cavité (5).\n<CLM>\1\tCellule photovoltaïque selon la revendication précédente, dans laquelle chaque microlentille (11) présente un diamètre (d11) compris entre 0.5 lm et 50 et de préférence entre 5 lm et 20\n<CLM>\1\tCellule photovoltaïque selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle chaque microlentille est configurée de façon à présenter une distance focale comprise entre 0.5 lm et 50 et de préférence entre 51..tm et 2011m.\n<CLM>\1\tCellule photovoltaïque selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle la couche intercalaire présente une épaisseur comprise entre 50% et 100% de la distance focale de la microlentille.\n<CLM>\1\tCellule photovoltaïque selon l'une des revendications 1 à 4, comportant dans la cavité (5) une couche en matériau III-V (20), la couche en matériau III-V (20) étant en AIGaAs.\n<CLM>\1\tCellule photovoltaïque selon l'une des revendications 1 à 4, comportant, dans la cavité (5), un empilement de couches en matériau III-V, l'empilement comportant au moins deux couches en matériau III-V (20a, 20b), chaque couche en matériau III-V formant une jonction p-n. 3038776 13\n<CLM>\1\tCellule photovoltaïque selon la revendication précédente, dans laquelle l'empilement de couches en matériau III-V comporte : une couche en GaAs (20a) ; une couche en InGaP (20b). 5\n<CLM>\1\tCellule photovoltaïque selon la revendication précédente, comportant, dans la cavité, entre l'empilement de couches en matériau III-V (20a, 20b) et le substrat (1), une couche en germanium (21). 10\n<CLM>\1\tCellule photovoltaïque selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle le substrat (1) en silicium forme une jonction p-n.\n<CLM>\1\tCellule photovoltaïque selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre une jonction tunnel (20) dans la cavité (5). 15\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque comportant les étapes suivantes : (a) dépôt d'une couche dite « barrière » (4) en matériau diélectrique transparent sur un substrat (1) en silicium, (b) réalisation d'au moins une cavité (5) dans la couche barrière (4), la cavité (5) 20 traversant la couche barrière (4); (c) dépôt dans la cavité (5) d'au moins une couche en matériau III-V (20, 20a, 20b) formant une jonction p-n; (d) dépôt sur la couche barrière (4) d'une couche dite « intercalaire » (9) en matériau diélectrique transparent; 25 (e) formation d'une couche de microlentilles (10) sur la couche intercalaire (9), la couche de microlentilles (10) comportant au moins une microlentille (11), la microlentille (11) étant configurée de façon à présenter un point focal situé dans la cavité. 30\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, comportant en outre, entre les étapes (b) et (c), une étape de dépôt d'une couche de germanium (21).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 11 ou 12, comportant en outre une étape de dépôt d'une seconde couche en matériau III-V (20a) formant une jonction p-n dans la cavité 35 (5). 3038776 14\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 11 à 13, dans lequel l'étape (e) de formation de la couche de microlentilles (10) comporte les sous-étapes suivantes : - dépôt d'une couche de résine (30) sur la couche intercalaire (9); - réalisation d'au moins quatre tranchées (31) dans la couche de résine (30); 5 - traitement thermique de façon à faire fluer une partie (32) de la couche de résine délimitée par les quatre tranchées (31). 10