Brevet FR3046297A1 (20170630)
REVENDICATIONS1. Dispositif optoélectronique matriciel comprenant : un substrat (S) électriquement isolant portant, sur l'une de ses surfaces, une matrice (MEI) d'électrodes (El) dites inférieures ; - une structure active (STA) agencée au dessus de ladite matrice d'électrodes inférieures, adaptée pour détecter un rayonnement lumineux ; - et au moins une électrode dite supérieure (ES) s'étendant au-dessus de ladite structure active, ladite électrode supérieure étant transparente au rayonnement lumineux émis ou détecté par la structure active ; caractérisé en ce qu'il comprend également au moins un élément conducteur (C2) porté par le substrat sans interposition de ladite structure active et relié à ladite électrode supérieure par au moins une interconnexion verticale (IV), ledit élément conducteur présentant une résistivité électrique inférieure à celle de ladite électrode supérieure ; et en ce que ladite ou chaque dite interconnexion verticale est réalisée en un matériau présentant un travail de sortie de valeur adaptée pour que l'application, entre l'électrode supérieure et au moins les électrodes inférieures les plus proches de ladite interconnexion verticale, d'une différence de potentiel permettant à ladite structure active de détecter ledit rayonnement lumineux, provoque l'apparition d'une barrière de potentiel empêchant l'injection de charges électriques parasites vers lesdites électrodes inférieures à travers la structure active.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon la revendication 1 dans lequel lesdites électrodes inférieures définissent des pixels de surface non supérieure à 0,25 mm2. 3046297\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon l'une des revendications précédentes dans lequel ladite interconnexion verticale traverse ladite structure active. 5\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon la revendication 3 dans lequel ledit ou au moins un dit élément conducteur est agencé sur une région du substrat située à l'intérieur de ladite matrice d'électrodes inférieures.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon la revendication 10 4 comprenant également un transistor à couche mince (TFT) relié électriquement et adjacent à chaque dite électrode inférieure, ledit ou au moins un dit élément conducteur étant agencé au-dessus d'un dit transistor à couche mince, mais sans connexion électrique directe avec ce transistor. 15\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon la revendication 4 dans lequel ledit ou au moins un dit élément conducteur est agencé dans une ouverture (0) pratiquée dans une dite électrode inférieure, ladite ouverture présentant une surface non supérieure à 10% de celle de l'électrode inférieure. 20\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon la revendication 4 dans lequel ledit ou au moins un dit élément conducteur remplace au moins une dite électrode inférieure de la matrice. 25\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon la revendication 4 dans lequel lesdites électrodes inférieures sont portées par une couche diélectrique (CDI) déposée sur ledit substrat, tandis que ledit ou au moins un dit élément conducteur est agencé au-dessous de ladite couche diélectrique. 3 C\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon la revendication 3 dans lequel ledit ou au moins un dit élément conducteur est agencé sur une 3046297 31 région périphérique du substrat, située à l'extérieur de ladite matrice d'électrodes inférieures.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon l'une des 5 revendications 3 à 9 dans lequel ladite ou au moins une dite interconnexion verticale présente une extension latérale plus grande que l'élément conducteur correspondant, de manière à le séparer de ladite structure active.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon l'une des 10 revendications 3 à 9 dans lequel ledit ou au moins un dit élément conducteur est recouvert d'une couche diélectrique (CD1, CD2), en dehors de ladite interconnexion verticale, de manière à le séparer de ladite structure active.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon l'une des 15 revendications 3 à 9 dans lequel ledit ou au moins un dit élément conducteur est réalisé en un matériau présentant un travail de sortie de valeur adaptée pour provoquer l'apparition d'une barrière de potentiel avec ladite structure active lorsque ladite différence de potentiel est appliquée entre l'électrode supérieure et lesdites électrodes inférieures. 20\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon l'une des revendications 1 ou 2 dans lequel ledit ou au moins un dit élément conducteur est agencé sur une région périphérique du substrat, située à l'extérieur de ladite matrice d'électrodes inférieures, qui n'est pas recouverte par ladite 25 structure active et forme un bus longeant au moins un bord, et de préférence deux bords contigus, de ladite matrice.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon la revendication 13 dans lequel ledit ou une pluralité de dits éléments conducteurs (C21, C22,\n<CLM>\1\tentourent au moins partiellement ladite matrice d'électrodes inférieures. 30\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon l'une des revendications 13 ou 14 dans lequel ladite ou lesdites interconnexions 3046297 32 verticales et ledit bus sont dimensionnés de telle sorte que la résistance électrique entre ledit bus et ladite électrode supérieure soit inférieure ou égale à 20 Q.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon l'une des revendications précédentes, comprenant une pluralité de dites éléments conducteurs (C2) reliés entre eux par un bus (BI).\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon l'une des 10 revendications précédentes, dans lequel ladite structure active s'étend de manière continue au-dessus de ladite matrice d'électrodes inférieure et comprend au moins une couche contenant au moins un matériau organique.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon la revendication 15 17 dans lequel ladite électrode supérieure est à base de PEDOT..\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon l'une des revendications précédentes dans lequel ladite ou au moins une dite interconnexion verticale est réalisée avec le même matériau que l'électrode supérieure.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite structure active est une structure de photoconversion, coopérant avec lesdites électrodes supérieures 25 et inférieures pour former un dispositif photodiode et créer ainsi une matrice de photodétecteurs.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique matriciel selon la revendication 20 comprenant également une couche en matériau scintillateur (SC) fixée au-30 dessus de ladite électrode supérieure, de manière à constituer un imageur à rayons X.