Brevet FR3038131A1 (20161230)
REVENDICATIONS1. Dispositif électronique comprenant une première et une deuxième borne (B1 , B2) de dispositif et des moyens électroniques couplés entre les deux bornes de dispositif, les moyens électroniques comprenant un circuit de protection (CP) contre les décharges électrostatiques et un circuit résistif-capacitif (RC) permettant le déclenchement dudit circuit de protection (CP) en présence d'une impulsion de courant entre les première et deuxième bornes (B1, B2) de dispositif, caractérisé en ce qu'il comprend un circuit de contrôle (CC) configuré pour ralentir une décharge du circuit résistif-capacitif (RC) en présence du circuit de protection (CP) dans son état déclenché.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, dans lequel le circuit de contrôle (CC) est configuré pour ralentir ladite décharge en augmentant la valeur résistive du circuit résistif capacitif (RC).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 2, dans lequel le circuit de contrôle (CC) comprend un transistor (TR2) de contrôle inséré dans le chemin résistif du circuit résistif capacitif (RC) et configuré pour être dans son état bloqué en présence du circuit de protection (CP) dans son état déclenché de façon à augmenter la valeur résistive du circuit résistif capacitif (RC).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 3, dans lequel le circuit résistif capacitif (RC) comprend un condensateur (C) couplé à ladite première borne de dispositif (B1) et une première résistance (R1) couplée à la deuxième borne de dispositif (B2), et le circuit de contrôle (CC) comprend ledit transistor de contrôle (TR2) connecté en série entre le condensateur (C) et la première résistance (R1), une deuxième résistance (R2) couplée à ladite première borne de dispositif (B1) et un premier transistor (TR3) ayant une première électrode couplée à ladite deuxième résistance (R2), une deuxième électrode couplée à ladite deuxième borne de dispositif (B2), et une électrode de commande couplée au noeud commun entre le condensateur et le transistor de contrôle, l'électrode de commande du transistor de 3038131 13 contrôle étant couplée à la première électrode du premier transistor (TR3), la valeur de la deuxième résistance (R2) étant supérieure à la valeur résistive du premier transistor (TR3) à l'état passant.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 4, dans lequel la valeur de 5 la première résistance (R1) est supérieure à la valeur résistive du premier transistor (TR3) à l'état passant dans un rapport d'au moins\n<CLM>\1\t6. Dispositif selon la revendication 4 ou 5, dans lequel le transistor de contrôle (TR2) et le premier transistor (TR3) sont des transistors NMOS. 10\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon l'une des revendications 4 à 6, dans lequel le circuit de protection (CP) comporte un module de protection possédant une première borne de module (BM1) couplée à ladite première borne de dispositif (B1) et une deuxième bornes de module (BM2) couplée à la deuxième borne de dispositif (B2) et un 15 transistor MOS (TR1) ayant une première électrode (D1), une deuxième électrode (S1), une grille (G1) et incluant un transistor bipolaire parasite, le transistor MOS ayant sa première électrode (D1) couplée à la première borne de module, sa deuxième électrode (Si) couplée à la deuxième borne de module et étant configuré en outre 20 pour, en présence d'une impulsion de courant (IMP) entre les deux bornes de module, fonctionner dans un mode hybride incluant un fonctionnement du type MOS dans un mode sous seuil et un fonctionnement du transistor bipolaire parasite.\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon la revendication 7, dans lequel 25 la première électrode (D1) du transistor MOS (TR1) est son drain, la grille (G1) et le substrat du transistor MOS sont reliés ensemble à la deuxième borne de module par l'intermédiaire dudit transistor de contrôle (TR2) et de ladite première résistance (R1) et ledit condensateur (C) comprend le condensateur drain-grille (CEG) du 30 transistor MOS.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 7 ou 8, dans lequel la première borne de module est la première borne de dispositif (B1) et la deuxième borne de module est la deuxième borne de dispositif (B2). 3038131 14\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon la revendication 7 ou 8, dans lequel le circuit de protection (CP) comprend un thyristor (TH) déclenchable par le module de protection.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 10, dans lequel l'anode du 5 thyristor (TH) est couplée à la première borne de dispositif (B1), la cathode du thyristor (TH) est couplée à la deuxième borne de dispositif (B2) et la gâchette du thyristor (TRG) est connectée à la première borne de module, la deuxième borne de module étant la deuxième borne de dispositif (B2). 10\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon l'une des revendications 4 à 6, dans lequel le circuit de protection (CP) comprend un transistor MOS (TR) de protection couplé entre la première et la deuxième bornes de dispositif, dont la grille (G) est reliée au noeud commun entre ledit condensateur (TR) et ladite première résistance (R1). 15\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 12, dans lequel le circuit de protection (CP) comprend en outre une chaîne d'inverseurs (AMP) connectés en série entre ledit noeud commun et la grille (G) du transistor de protection (TR) et l'électrode de commande du premier transistor (TR3) est connectée à la fois aux électrodes de commande du 20 premier inverseur de la chaîne et au noeud commun entre le condensateur et le transistor de contrôle (TR2).\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, réalisé de façon intégré. 25