Brevet FR3039701A1 (20170203)
REVENDICATIONS1. Procédé de dopage électrostatique contrôlé et réversible d'un matériau conducteur ou non-conducteur déposé sous forme de couche sur un 5 substrat solide, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il est réalisé sous vide, que ledit substrat est une matrice vitreuse, et en ce qu'il comprend au moins les étapes suivantes : - porter ladite matrice vitreuse comportant ladite couche de matériau conducteur ou non-conducteur à une température de dopage (TD) 10 allant de 50°C à 130°C, - appliquer un champ électrique entre ladite matrice vitreuse et ledit matériau conducteur ou non-conducteur à une tension allant de -300 V à +300 V, tout en maintenant la température à la température de dopage, 15 - porter ladite matrice vitreuse comportant ladite couche de matériau conducteur ou non-conducteur à une température d'utilisation (Tu), ladite température d'utilisation étant inférieure à 50°C, ledit procédé étant réalisé sur au moins une partie de la surface dudit matériau conducteur ou non-conducteur. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau conducteur ou non-conducteur est choisi parmi le graphène, le disulfure de molybdène et de l'oxyde de zinc. 3 Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'épaisseur du matériau dopé à l'interface matériau-verre varie entre 25 l'épaisseur atomique et quelques nanomètres.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il est réalisé à une pression inférieure à 10-3 mbar.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 30 précédentes, caractérisé en ce que la température de dopage varie de 65°C à 130°C. 3039701 PP001377FR 17\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'application du champ électrique est obtenue en connectant d'une part ladite couche de matériau conducteur ou non-conducteur et d'autre part la matrice vitreuse à une source de tension électrique, respectivement au moyen d'une première et d'une deuxième électrodes.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le dopage est un dopage de type N et que le potentiel électrique appliqué sur la deuxième électrode est positif par rapport au potentiel de la première 10 électrode.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le dopage est un dopage de type P et que le potentiel électrique appliqué sur la deuxième électrode est négatif par rapport au potentiel de la première électrode. 15\n<CLM>\1\tMatériau conducteur ou non-conducteur dopé susceptible d'être obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, ledit matériau étant caractérisé en ce qu'il se présente sous la forme d'une couche de matériau conducteur ou non-conducteur dopé supporté par une matrice vitreuse et en ce qu'une zone de charge d'espace est présente sur au 20 moins une partie de l'interface matrice vitreuse/matériau conducteur ou non-conducteur dopé.\n<CLM>\1\tMatériau selon la revendication 9, caractérisé en ce que la zone de charge d'espace présente sur au moins une partie de l'interface matrice vitreuse/matériau conducteur ou non-conducteur dopé est positive, et en ce 25 que le dopage est de type N.\n<CLM>\1\tMatériau selon la revendication 9, caractérisé en ce que la zone de charge d'espace présente sur au moins une partie de l'interface matrice vitreuse/matériau conducteur ou non-conducteur dopé est négative, et en ce que le dopage est de type P. 30\n<CLM>\1\tUtilisation d'un matériau conducteur ou non-conducteur dopé tel que défini à l'une quelconque des revendications 9 à 11, dans des systèmes requérant une électrode transparente, des dispositifs à base de semiconducteurs ou des dispositifs contenant un supraconducteur induit par dopage.