Brevet FR3042068A1 (20170407)
REVENDICATIONS1. Procédé de dépôt d'une couche mince semi-conductrice (CM) comprenant au moins un sulfure d'une espèce métallique, le dépôt étant réalisé sur un film semi-conducteur (F) agencé dans un bain chimique (CM), le procédé comprenant les étapes de : - préparer (S1) le bain chimique (BC) à partir d'au moins un précurseur soufré dudit sulfure d'une espèce métallique et d'un sel contenant ladite au moins une espèce métallique, le au moins un précurseur soufré contenant un thioacide, et - former (S3) la couche mince (CM) par illumination du bain chimique (BC) et du film semiconducteur (F) au moyen d'une source de lumière (S).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel former (S3) la couche mince comprend : - démarrer la croissance de la couche mince en initiant l'illumination, et - faire cesser la croissance de la couche mince en interrompant l'illumination.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel former (S3) la couche mince (CM) est réalisée sensiblement sans chauffage du bain chimique (BC).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel, pour la formation de la couche mince (CM) par illumination, on interpose un écran de protection (PROT) entre ladite source de lumière (S) et le bain chimique (BC), ledit écran de protection (PROT) étant configuré pour prévenir les transferts thermiques entre la source de lumière (S) et le bain chimique (BC).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la source de lumière (S) est une source de lumière froide.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel former (S3) la couche mince est réalisé en l'absence d'un courant électrique ou d'une tension électrique appliquée au bain chimique (BC).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le film semi-conducteur (F) est un film semi-conducteur de type p à propriétés photovoltaïques réalisé à partir d'un composé chalcopyrite parmi Cu(In, Ga)(S, Se)2, Cu2(Zn, Sn)(S, Se)4 ou CdTe.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le film semi-conducteur (F) est dépourvu de propriétés photovoltaïques, et est par exemple un film semi-conducteur réalisé à partir de dioxyde de titane Ti02. 3042068 17\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le thioacide est de l'acide thioacétique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le au moins un sulfure d'une espèce métallique comprend au moins un élément du groupe formé par : CdS, ZnS In2S3,Ga2S3, 5 In2S3, CdS, CoS, Cu'S, FeS, Ag2S, SnS, PbS, HgS.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le bain chimique (BC) à partir duquel on forme la couche mince (CM) comprend une concentration de sel métallique comprise entre 0,001 mo1.L-1 et 1 mo1.1:1, et une concentration de thioacide comprise entre 0,001 mo1.1:1 et 0,5 mo1.1:1. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la source de lumière (S) présente une puissance comprise entre 100 et 2000 mW/cm2.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque comprenant une couche semi-conductrice à propriétés photovoltaïques, le procédé de fabrication comprenant l'obtention de ladite couche semiconductrice à propriétés photovoltaïques et le dépôt, sur ladite couche semi-conductrice à propriétés 15 photovoltaïques, d'une couche mince semi-conductrice au moyen du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, de façon à former une jonction p-n de ladite cellule photovoltaïque.\n<CLM>\1\tInstallation pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, l'installation comprenant : - un bain chimique (BC) contenant au moins un précurseur soufré du au moins un sulfure d'une espèce 20 métallique et un sel contenant ladite au moins une espèce métallique, le au moins un précurseur soufré contenant un thioacide, et - une source de lumière (S) agencée pour illuminer le bain chimique (BC).\n<CLM>\1\tInstallation selon la revendication 14, dans laquelle ladite installation (I) est dépourvue de moyens de chauffage du bain chimique. 25\n<CLM>\1\tInstallation selon la revendication 14 ou 15, dans laquelle l'installation (I) comprend un écran de protection (PROT) agencé entre ladite source de lumière (S) et le bain chimique (BC), ledit écran de protection étant configuré pour prévenir les transferts thermiques entre la source de lumière et le bain chimique.\n<CLM>\1\tInstallation selon l'une quelconque des revendications 14 à 16, dans laquelle la source de lumière est une source de lumière froide. 3042068 18\n<CLM>\1\tInstallation selon l'une quelconque des revendications 14 à 17, caractérisée en ce que l'installation comprend un dispositif de déplacement configuré pour la mise en mouvement d'un support (SUPP) sur lequel est agencé le film semi-conducteur (F) pour l'immersion du film semi-conducteur (F) dans le bain chimique (BC) et pour la sortie du film semi-conducteur (F) du bain chimique.