Brevet FR3047351A1 (20170804)
REVENDICATIONS1. Substrat avancé (101,\n<CLM>\1\tcomprenant : une couche de germe (3) constituée d'un premier matériau semi-conducteur pour la croissance d'une cellule solaire ; un substrat de support comprenant une base (5) et une couche de surface (7) formée par croissance épitaxiale sur un premier côté de la base (5), la base (5) et la couche de surface (7) étant constituées d'un deuxième matériau semi-conducteur ; une interface de liaison directe (9) entre la couche de germe (3) et la couche de surface (7) ; dans lequel la concentration de dopage de la couche de surface (7) est supérieure à une valeur prédéterminée de telle sorte que la résistivité électrique au niveau de l'interface de liaison directe (9) soit inférieure à 10 mOhm-cm2, préférablement inférieure à 1 mOhm-cm2 ; et dans lequel la concentration de dopage de la base (5) ainsi que l'épaisseur du substrat avancé (101,\n<CLM>\1\tsont telles que l'absorption du substrat avancé (101,\n<CLM>\1\tsoit inférieure à 20 %, préférablement inférieure à 10 %, et que la résistance en série normalisée sur toute la surface du substrat avancé (101,\n<CLM>\1\tsoit inférieure à 10 mOhm-cm2, préférablement inférieure à 5 mOhm-cm2.\n<CLM>\1\tSubstrat avancé (101,\n<CLM>\1\tselon la revendication 1, comprenant en outre un contact métallique de côté arrière (11) prévu sur un deuxième côté de la base (5) opposé au premier côté, servant de miroir.\n<CLM>\1\tSubstrat avancé (101,\n<CLM>\1\tselon la revendication 1 ou 2, dans lequel la valeur prédéterminée est de 1016 at/cm3.\n<CLM>\1\tSubstrat avancé (101,\n<CLM>\1\tselon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche de germe (3) a une concentration de dopage supérieure à la valeur prédéterminée.\n<CLM>\1\tSubstrat avancé (101,\n<CLM>\1\tselon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'épaisseur de la couche de germe (3) et/ou de la couche de surface (7) est dans une plage allant de 150 nm jusqu'à 1 pm. 3047351 2\n<CLM>\1\tSubstrat avancé (101,\n<CLM>\1\tselon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l'épaisseur de la base (5) est dans une plage allant de 100 pm jusqu'à 500 pm et dans lequel la concentration de dopage de la base (5) est dans une plage allant de 1x1014 à 5x1017 at/cm3.\n<CLM>\1\tSubstrat avancé (101,\n<CLM>\1\tselon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le premier matériau semi-conducteur a une constante de réseau dans la plage allant de 5,8 à 6 Â (0,58 nm à 0,6 nm).\n<CLM>\1\tSubstrat avancé (101,\n<CLM>\1\tselon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le premier matériau semi-conducteur est de l'InP ou le premier matériau semiconducteur est un matériau III-V ternaire ou quaternaire ou penternaire, par exemple InGaAs ou InGaAsP, dans lequel le deuxième matériau semi-conducteur est du GaAs ou du Ge.\n<CLM>\1\tCellule solaire comprenant un substrat avancé (101,\n<CLM>\1\tselon l'une quelconque des revendications 1 à\n<CLM>\1\t10. Procédé de fabrication d'un substrat avancé (101, 103), comprenant : la fourniture d'un premier substrat (1) ; la fourniture d'une couche de germe (3) sur le premier substrat (1), la couche de germe (3) étant constituée d'un premier matériau semi-conducteur ; la fourniture d'une base (5) ; la formation, par croissance épitaxiale, d'une couche de surface (7) sur un premier côté de la base (5), la base (5) et la couche de surface (7) étant constituées d'un deuxième matériau semi-conducteur ; la liaison directe la couche de germe (3) à la couche de surface (7), fournissant ainsi une interface de liaison directe (9), et ensuite l'enlèvement du premier substrat (1) ; dans lequel la concentration de dopage de la couche de surface (7) est supérieure à une valeur prédéterminée de telle sorte que la résistivité électrique au niveau de l'interface de liaison directe (9) soit inférieure à 10 mOhm-cm2, préférablement inférieure à 1 mOhm-cm2 ; et 3047351 3 dans lequel la concentration de dopage de la base (5) ainsi que l'épaisseur du substrat avancé (101,\n<CLM>\1\tsont telles qu'à la fois l'absorption du substrat avancé (101,\n<CLM>\1\tsoit inférieure à 20 %, préférablement inférieure à 10 %, et que la résistance en série normalisée sur toute la surface du substrat avancé (101,\n<CLM>\1\tsoit inférieure à 10 mOhm-cm2, préférablement inférieure à 5 mOhm-cm2.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, comprenant en outre l'étape de fourniture d'un contact métallique de côté arrière (11) sur un deuxième côté de la base (5), servant de miroir sous la base (5).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10 ou 11, comprenant en outre : une étape d'implantation d'ions pour créer une couche d'implantation (2) dans une partie du premier substrat (1) et/ou de la couche de germe (3) avant la liaison directe de la couche de germe (3) à la couche de surface (7).