Brevet FR3046737A1 (20170721)
REVENDICATIONS1. Procédé de découpe en tranches d'une pièce (2) en matériau semiconducteur ou en céramique, à l'aide d'un fil de découpe (1) et de particules abrasives, dans lequel le fil (1) est entraîné en translation dans au moins un sens (F2) et, lors de son déplacement en translation (F2), il pénètre dans la pièce à découper (2) par une face de pénétration (20A) de ladite pièce (2), caractérisé en ce qu'on dispose une couche d'amortissement (9A) en regard de ladite face de pénétration (20A) de la pièce à découper (2) de telle sorte que, avant de pénétrer dans la pièce (2), le fil (1) traverse la couche d'amortissement (9A).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, le fil (1) étant entraîné en translation dans un mouvement alternatif d'aller-retour et pénétrant dans la pièce à découper (2) alternativement par deux faces de pénétration opposées (20A, 20B), on dispose deux couches d'amortissement (9A 9B) en regard des deux faces de pénétration respectivement.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une de revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la couche d'amortissement (9A, 9B) recouvre la face de pénétration (20A, 20B).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la couche d'amortissement (9A, 9B) est écartée de la face de pénétration (20A, 20B) d'une distance (d) inférieure ou égale à 2 cm, avantageusement inférieure ou égale 1 cm, et préférentiellement inférieure ou égale à 0,5 cm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche d'amortissement (9A, 9B) a une épaisseur (e) supérieure à trois fois le diamètre moyen des particules abrasives, avantageusement supérieure à cinq fois le diamètre moyen des particules abrasives, et avantageusement inférieure à 2 cm, avantageusement encore inférieure à 1 cm, et préférentiellement inférieure à 0,5 cm. 3046737 22\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche d'amortissement (9A, 9B) est réalisée en l'un au moins des matériaux du groupe comprenant des polymères ayant une dureté supérieure à 90 MPa et un module d'élasticité supérieur à 2 GPa, notamment 5 des résines époxydes durcies et du PMMA, des matériaux semi-conducteurs, avantageusement du silicium, des céramiques ayant une dureté inférieure à 8 sur l'échelle de Mohs, notamment une silice.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que 10 la couche d'amortissement (9A, 9B) est une plaque plane.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche d'amortissement (9A, 9B) est une plaque dont la forme est adaptée pour épouser celle de la face de pénétration. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche d'amortissement (9A, 9B) est fixée à la face de pénétration (20A, 20B) de la pièce (2), avantageusement par collage au moyen d'une couche de colle (11A, 11B) ayant une épaisseur avantageusement encore inférieure 20 ou égale à 20 pm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la pièce à découper (2) étant solidaire d'une table de découpe (4) par l'intermédiaire d'un élément d'assemblage (3), on fixe la couche d'amortissement (9A, 9B) 25 soit à la table de découpe (4), soit à l'élément d'assemblage (3).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'on dépose la couche d'amortissement (9A, 9B) sur la face de pénétration (20A, 20B) de la pièce (2), par une technique de déposition de couche, notamment 30 par pulvérisation cathodique ou par un autre traitement de dépôt.\n<CLM>\1\tSystème de découpe en tranches d'une pièce en matériau semi-conducteur ou en céramique à l'aide d'un fil de découpe (1) et de particules abrasives, comportant un dispositif (12A-12C) d'entraînement du fil en translation dans 3046737 23 au moins un sens (F2), le fil (1) pénétrant dans la pièce à découper (2) par au moins une face de pénétration (20A, 20B) de ladite pièce (2) lors de son déplacement, caractérisé en ce qu'il comprend au moins une couche d'amortissement (9A, 9B) disposée en regard de ladite face de pénétration 5 (20A, 20B) de la pièce à découper (2) de telle sorte que, avant de pénétrer dans la pièce (2), le fil (1) traverse la couche d'amortissement (9A, 9B).\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication 12, caractérisé en ce que le dispositif (12A-12C) d'entraînement du fil (1) est agencé pour entraîner ledit fil en translation 10 dans un mouvement alternatif d'aller-retour lors duquel le fil (1) pénètre dans la pièce à découper alternativement par deux faces de pénétration opposées, et en ce qu'il comprend deux couches d'amortissement (9A, 9B) en regard des deux faces de pénétration (20A, 20B) respectivement. 15\n<CLM>\1\tSystème selon l'une de revendications 12 ou 13, caractérisé en ce que la couche d'amortissement (9A, 9B) recouvre la face de pénétration (20A, 20B).\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication 12 ou 13, caractérisé en ce que la couche d'amortissement (9A, 9B) est écartée de la face de pénétration (20A, 20B) 20 d'une distance inférieure ou égale à 2 cm, avantageusement inférieure ou égale 1 cm, et préférentiellement inférieure ou égale à 0,5 cm.\n<CLM>\1\tSystème selon l'une des revendications 12 à 15, caractérisé en ce que la couche d'amortissement (9A, 9B) a une épaisseur supérieure à trois fois le 25 diamètre moyen des particules abrasives, avantageusement supérieure à cinq fois le diamètre moyen des particules abrasives, avantageusement encore une épaisseur inférieure à 2 cm, avantageusement inférieure à 1 cm, et préférentiellement inférieure à 0,5 cm. 30\n<CLM>\1\tSystème selon l'une des revendications 12 à 16, caractérisé en ce que la couche d'amortissement (9A, 9B) est réalisée en l'un au moins des matériaux du groupe comprenant des polymères ayant une dureté supérieure à 90 MPa et un module d'élasticité supérieur à 2 GPa, notamment 3046737 24 des résines époxydes durcies et du PMMA, des matériaux semi-conducteurs, des céramiques ayant une dureté inférieure à 8 sur l'échelle de Mohs, notamment une silice. 5\n<CLM>\1\tSystème selon l'une des revendications 12 à 17, caractérisé en ce que la couche d'amortissement (9A, 9B) est une plaque plane ou dont la forme est adaptée pour épouser celle de la face de pénétration (20A, 20B).\n<CLM>\1\tSystème selon l'une des revendications 12 à 18, caractérisé en ce que la 10 couche d'amortissement (9A, 9B) est fixée à la face de pénétration (20A, 20B) de la pièce (2), avantageusement par collage au moyen d'une couche de colle (11A, 11B) ayant avantageusement encore une épaisseur inférieure ou égale à 20 pm. 15\n<CLM>\1\tSystème selon l'une des revendications 12 à 19, caractérisé en ce qu'il comprend une table de découpe (4) et un élément d'assemblage (3), la pièce à découper (2) étant solidarisée à la table de découpe (4) par l'intermédiaire de l'élément d'assemblage, et en ce que la couche d'amortissement est fixée soit à la table de découpe, soit à l'élément d'assemblage. 20\n<CLM>\1\tSystème selon l'une des revendications 12 à 20, caractérisé en ce qu'on dépose la couche d'amortissement sur la face de pénétration de la pièce, par une technique de déposition de couche, notamment par pulvérisation cathodique ou par un autre traitement de dépôt sous vide. 25\n<CLM>\1\tSystème selon l'une des revendications 12 à 21, caractérisé en ce qu'il comprend, en cours de découpe d'une pièce, une première entité cinématique comportant une table de découpe solidaire de la pièce à découper par l'intermédiaire d'un élément d'assemblage, et une deuxième 30 entité cinématique comportant le fil de coupe, et un dispositif d'entraînement destiné à entraîner en translation relative les deux entités cinématiques l'une par rapport à l'autre.