Brevet FR3041815A1 (20170331)
REVENDICATIONS1.- Photodétecteur (Pd) comprenant un empilement de couches superposées, le photodétecteur (Pd) comportant successivement le long d'une direction d'empilement (Z) : - une première couche (C1) formant un substrat réalisé en un premier matériau (M1) semi-conducteur, - une deuxième couche (C2) formant une couche photo-absorbante réalisée en un deuxième matériau (M2) semi-conducteur présentant un deuxième gap (E92), - une troisième couche (C3) formant une couche barrière réalisée en un troisième matériau (M3) semi-conducteur, et - une quatrième couche (C4) formant une couche fenêtre réalisée en un quatrième matériau (M4) semi-conducteur, le premier matériau (M1), le troisième matériau (M3) et le quatrième matériau (M4) présentant chacun un gap (E91, E93, E94) supérieur au deuxième gap (E92), le quatrième matériau (M4) étant dopé n ou non dopé et le troisième matériau (M3) étant non dopé ou faiblement dopé p lorsque le deuxième matériau (M2) est dopé n, et le quatrième matériau (M4) étant dopé p ou non dopé et le troisième matériau (M3) étant non dopé ou faiblement dopé n lorsque le deuxième matériau (M2) est dopé p. 2.- Photodétecteur (Pd) selon la revendication 1, dans lequel le taux de dopage du quatrième matériau (M4) est compris entre 1015 cm-3 et 1017 cm-3. 3.- Photodétecteur (Pd) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'épaisseur de la quatrième couche (C4) dans la direction d'empilement (Z) est comprise entre 100 nanomètres et 500 nanomètres et préférentiellement entre 200 nanomètres et 300 nanomètres. 4.- Photodétecteur (Pd) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le photodétecteur (Pd) comprend, en outre, une cinquième couche (C5) superposée à la quatrième couche (C4), la quatrième couche (C4) étant entre la troisième couche (C3) et la cinquième couche (C5), la cinquième couche (C5) formant une couche de passivation. 5.- Photodétecteur (Pd) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le photodétecteur (Pd) comprend, en outre, une sixième couche (C6) superposée à la quatrième couche (C4), la quatrième couche (C4) étant entre la troisième couche (C3) et 3041815 28 la sixième couche (C6), la sixième couche (C6) formant une couche de passivation, le photodétecteur (Pd) comprenant, en outre, une septième couche (C7) superposée à la sixième couche (C6), la septième couche (C7) formant une couche de collection de courant. 6.- Photodétecteur (Pd) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'empilement de couches comprend des contacts (C) réalisés en matériau semiconducteur, chaque contact (C) ayant une partie d'extrémité en contact avec la troisième couche (C3). 7.- Photodétecteur (Pd) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la quatrième couche (C4) comporte des zones diffusées (D), l'empilement de couches comprenant des contacts (C) réalisés en matériau semi-conducteur, chaque contact (C) ayant une partie d'extrémité en contact avec au moins une zone diffusée (D). 8.- Photo-détecteur selon l'une quelconque des revendications 6 ou 7, dans lequel le photodétecteur (Pd) comporte des anneaux de garde (A) entourant les contacts (C). 9.- Photo-détecteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel 20 le deuxième matériau (M2), le troisième matériau (M3) et le quatrième matériau (M4) sont des matériaux semi-conducteurs à base de matériaux des colonnes IIIA et VA de la classification périodique. 10.- Photo-détecteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel 25 le quatrième matériau (M4) est de la forme GaSbyAsil, y étant un nombre compris entre 0 et 1, avantageusement le quatrième matériau (M4) est l'antimoniure de gallium (GaSb). 11.- Procédé de fabrication d'un photodétecteur (Pd) selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 dans lequel le procédé comporte, pour chacune des couches (Cl, 30 C2, C3, C4, CO, une étape de croissance épitaxiale. 5 10 15