Brevet FR3049767A1 (20171006)
REVENDICATIONS1. Capteur d'image à pixels actifs en technologie CMOS formé dans une couche active (12) de semi-conducteur d'un premier type de conductivité (p), dans lequel chaque pixel comprend un élément photosensible (PHD) pour produire des charges sous l'effet de la lumière, une structure de transfert (TF) à grilles isolées alignées pour transférer les charges de l'élément photosensible en amont vers un noeud de lecture (SN) en aval, et la structure de transfert comportant un étage d'amplification (AMP) entre une première grille de transfert (TR1) adjacente du côté amont à la photodiode et une deuxième grille de transfert (TR2) adjacente du côté aval au noeud de lecture, ledit étage comprenant une première grille d'accumulation (G1) adjacente du côté amont à la première grille de transfert, une deuxième grille d'accumulation (G2) adjacente du côté aval à la deuxième grille de transfert, les deux grilles d'accumulation de l'étage étant séparées par une grille intercalaire (Gpiv) définissant une région pivot (33) entre les régions sous les grilles d'accumulation, et la première et la deuxième grille d'accumulation étant prévues pour recevoir dans une phase d'amplification, des alternances de niveaux de tensions entrainant des basculements de charges entre les deux régions d'accumulation via la région pivot, avec multiplication d'électrons dans une région d'accumulation au moins, caractérisé en ce que la grille intercalaire est formée par une grille de transfert parmi la première et la deuxième grille de transfert, et en ce que ladite grille de transfert (TR1) qui forme la grille intercalaire (Gpiv) est telle que : - la grille d'accumulation (G1) qui lui est adjacente est entièrement incluse dans ladite grille de transfert, et délimite une partie de grille de transfert entre la première et la deuxième grille d'accumulation qui est plus étroite qu'une partie principale de grille de transfert située de l'autre côté, la partie plus étroite formant la grille intercalaire (Gpiv).\n<CLM>\1\tCapteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'autre grille d'accumulation (G2) est incluse dans l'autre grille de transfert (TR2), entourée par celle-ci sauf sur le côté adjacent à la grille intercalaire. 3049767 20\n<CLM>\1\tCapteur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel en phase d'amplification, le niveau de tension appliquée à la grille de transfert dont une partie étroite forme la grille intercalaire est un niveau pour créer une barrière de potentiel dans la région sous la partie principale de grille qui est 5 réglé ou réglable à un niveau (VI') compris entre un niveau nominal (VI) et un niveau intermédiaire qui définit une hauteur de barrière plus faible que le niveau nominal.\n<CLM>\1\tCapteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la i.o grille intercalaire (Gpiv) de l'étage d'amplification est formée avec la deuxième grille de transfert (TR2).\n<CLM>\1\tCapteur selon l'une des revendications 1 à 4, comprenant une région de diffusion d'un second type de conductivité (n) au moins sous les 15 première et deuxième grilles d'accumulation des pixels.\n<CLM>\1\tCapteur selon l'une des revendications 1 à 4, comprenant une région de diffusion d'un second type de conductivité (n) s'étendant au moins sous les grilles de l'étage d'amplification. 20