Brevet FR3050572A1 (20171027)
REVENDICATIONS1. Dispositif de photo-détection comportant un substrat et un réseau de diodes, le substrat comprenant une couche d'absorption (1) et chaque diode comportant dans la couche d'absorption une région de collection (2) qui présente un premier type de dopage, le dispositif comportant, sous une surface du substrat, un maillage de conduction (7) comprenant au moins un canal de conduction intercalé entre les régions de collection (2) de deux diodes adjacentes, l'au moins un canal de conduction (7) présentant un deuxième type de dopage opposé au premier type de dopage et une plus grande densité de dopage que la couche d'absorption, caractérisé en ce que la couche d'absorption présente le premier type de dopage.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, dans lequel le maillage de conduction (7) est recouvert d'un maillage métallique (8) présent sur la surface du substrat.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 2, dans lequel la densité de dopage de l'au moins un canal de conduction (7) est issue d'une diffusion de métal dans la couche d'absorption depuis le maillage métallique (8).\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 3, comprenant un contact substrat (4) périphérique agencé sur au moins un côté du réseau de diodes.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 4, dans lequel le maillage métallique (8) est en contact électrique avec le contact substrat périphérique.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel le maillage de conduction (7) présente au moins un canal de conduction s'étendant entre deux rangées adjacentes de diodes.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 6, dans lequel le maillage de conduction (7) présente une pluralité de canaux de conduction agencés de manière à ce qu'on retrouve 3050572 13 un canal de conduction intercalé entre les régions de collection de chacune des diodes adjacentes du réseau de diodes.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel une couche de 5 passivation (3) recouvre le substrat à l'exception de régions de contact d'un plot électriquement conducteur (3) avec une région de collection (2) d'une diode.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la couche d'absorption (1) est une couche de CdHgTe. 10\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel la couche d'absorption (1) présente une densité de dopage inférieure à 1015 at/cm3.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel la couche d'absorption 15 (1) présente une diminution de gap, graduelle ou soudaine, dans l'épaisseur de la couche d'absorption depuis la surface du substrat qui délimite une région (1a) de fort gap à proximité de la surface dans laquelle on retrouve le maillage de conduction (7) et les régions de collection (2). 20\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif de photodétection comportant un substrat et un réseau de diodes, le substrat comprenant une couche d'absorption (1) et chaque diode comportant dans la couche d'absorption (1) une région de collection (2) qui présente un premier type de dopage, le procédé comprenant une étape de formation, sous une surface du substrat, d'un 25 maillage de conduction (7) comprenant au moins un canal de conduction intercalé entre les régions de collection de deux diodes adjacentes, l'au moins un canal de conduction présentant un deuxième type de dopage opposé au premier type de dopage et une plus grande densité de dopage que la couche d'absorption, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend un dopage de la couche d'absorption 30 selon le premier type de dopage. 3050572 14\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12, comprenant en outre la formation d'un maillage métallique (8) incluant au moins une ligne métallique en surface du substrat et dans lequel l'étape de formation du maillage de conduction (7) est réalisée par diffusion de métal depuis le maillage métallique (8).