Brevet FR3039004A1 (20170120)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (50) comprenant des éléments semiconducteurs (20) filaires, coniques ou tronconiques comportant majoritairement un composé III-V, chaque élément semiconducteur s'étendant selon un axe (A) et comprenant une portion (54) dont les faces latérales (55) sont recouvertes d'une coque (56) comprenant au moins une zone active (31), dans lequel les portions sont réalisées par croissance continue dans un réacteur et dans lequel la température dans le réacteur varie, au cours de la croissance continue des portions, sans interruption d'une première valeur de température qui favorise la croissance de premiers plans cristallographiques (58) perpendiculaires audit axe, à une deuxième valeur de température, inférieure strictement à la première valeur de température, qui favorise la croissance de deuxièmes plans cristallographiques (64) parallèles audit axe.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la première valeur de température est supérieure à 1000°C et la deuxième valeur de température est inférieure à 950°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel la 20 deuxième valeur de température est inférieure à 750°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel un gaz précurseur de l'élément du groupe V et un gaz précurseur de l'élément du groupe III sont injectés dans le réacteur et dans lequel le rapport entre le flux du gaz précurseur 25 de l'élément du groupe V et le flux du gaz précurseur de l'élément du groupe III, appelé rapport V/III, varie d'une première valeur de rapport V/III à une deuxième valeur de rapport V/III supérieure strictement à la première valeur de rapport V/III.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, dans lequel la 30 première valeur de rapport V/III est inférieure à 300, de préférence inférieure à 200, et dans lequel la deuxième valeur de rapport V/III est supérieure à 500, de préférence supérieure à 1000. 3039004 B13651 - DD15807JBD 23\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la pression dans le réacteur est amenée, au cours de la croissance continue des portions (54), d'une première valeur de pression à une deuxième valeur de pression inférieure 5 strictement à la première valeur de pression.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, dans lequel la première valeur de pression est supérieure à 53 kPa, de préférence supérieure à 67 kPa, et dans lequel la deuxième valeur de pression est inférieure à 40 kPa, de préférence inférieure à 27 kPa. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel du dihydrogène et du diazote sont injectés dans le réacteur et dans lequel le rapport entre le flux de dihydrogène et le flux de diazote, appelé rapport H2/N2, varie d'une première valeur de rapport H2/N2 à une deuxième valeur de rapport H2/N2 15 supérieure strictement à la première valeur de rapport H2/N2.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, dans lequel la première valeur de rapport H2/N2 est inférieure à 40/60, de préférence inférieure à 30/70, et dans lequel la deuxième valeur de rapport H2/N2 est supérieure à 60/40, de préférence supérieure à 70/30.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel les zones actives (31) sont les zones depuis lesquelles est émise la majorité du rayonnement fourni par le dispositif optoélectronique (50) ou dans lesquelles est capturée la majorité du rayonnement reçu par le dispositif optoélectronique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le composé III-V est un composé III-N, notamment choisi parmi le groupe comprenant le nitrure de gallium, le nitrure d'aluminium, le nitrure d'indium, le nitrure de gallium et d'indium, le nitrure de gallium et d'aluminium, le nitrure d'aluminium et d'indium et le nitrure de gallium, d'aluminium et d'indium.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique (50) comprenant des 35 éléments semiconducteurs (20) filaires, coniques ou tronconiques 3039004 B13651 - DD15807JBD 24 comportant majoritairement un composé III-V, chaque élément semiconducteur s'étendant selon un axe (A) et comprenant une portion (54) monobloc dont les faces latérales (55) sont recouvertes d'une coque (56) comprenant au moins une zone active 5 (31), la portion comprenant une base (57) comprenant majoritairement des premiers plans cristallographiques (58) perpendiculaires audit axe, la portion comprenant, en outre, des deuxièmes plans cristallographiques (64) parallèles audit axe au niveau des faces latérales.