Brevet FR3048425A1 (20170908)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une structure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tcomprenant : a) La fourniture d'un substrat donneur (10) comportant une face avant (11) et une face arrière (12) ; b) La fourniture d'un substrat support (20) ; c) La formation d'une couche intermédiaire (30) sur la face avant (11) du substrat donneur (10) ou sur le substrat support (20) ; d) L'assemblage du substrat donneur (10) et du substrat support (20) pour disposer la couche intermédiaire (30) entre les deux substrats ; e) L'amincissement de la face arrière (12) du substrat donneur (10) pour former une couche utile (100), d'une épaisseur utile, présentant une première face (11) disposée sur la couche intermédiaire (30) et une seconde face libre (12') ; Le procédé étant caractérisé en ce que : - le substrat donneur (10) comprend une couche d'arrêt (2) enterrée et une couche active fine (3) présentant une première épaisseur inférieure à l'épaisseur utile, entre la face avant (11) du substrat (10) et la couche d'arrêt (2) ; - après l'étape e), le procédé comprend le retrait dans des premières zones (110) de la structure (410, 410', 410", 420, 430), d'une couche active épaisse (4) délimitée par la seconde face libre (12') de la couche utile (100) et la couche d'arrêt (2).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une structure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon la revendication précédente, dans lequel la couche active fine (3) est continue sur toute l'étendue du substrat donneur (10). 3048425 32\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une structure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon la revendication 1, selon lequel la couche active fine (3) est non continue sur toute l'étendue du 5 substrat donneur (10).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une structure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des revendications précédentes, selon lequel l'épaisseur utile est supérieure à 3 microns.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une structure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des revendications précédentes, dans lequel la première épaisseur est inférieure à 20% de l'épaisseur utile.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une structure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des revendications précédentes, dans lequel la première épaisseur est inférieure à 1 micron. 20\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une structure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche d'arrêt (2) est formée par implantation ionique. 25\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une structure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon la revendication précédente, dans lequel les espèces implantées sont choisies parmi l'hydrogène, l'hélium, l'argon, le bore, l'oxygène, l'azote et le carbone. 30\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une structure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel le substrat donneur (10) est élaboré par : 10 15 3048425 33 - La formation d'une couche, sur la face avant d'un substrat initial (1), de composition chimique ou de structure cristalline différente de celle dudit substrat (1), formant la couche d'arrêt (2) ; 5 - La formation d'une couche active fine (3) d'épaisseur contrôlée sur ladite couche d'arrêt (2).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une structure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des revendications précédentes, 10 comprenant : - La gravure de la couche d'arrêt (2) de sorte que la couche utile (100) ne comporte que la couche active fine (3) dans les premières zones (110) ; - La gravure de la première épaisseur de la couche 15 active fine (3) dans des premiers motifs (111), dans les premières zones (110) ; - La gravure de l'épaisseur utile de la couche utile (100) dans des deuxièmes motifs (121), dans des deuxièmes zones (120) ; 20 - Le retrait de la couche intermédiaire (30) dans au moins une partie (31) des premières zones (110) et des deuxièmes zones (120) de la structure, pour libérer au moins une membrane (112) de la couche active fine (3) et au moins une membrane (122) de la 25 couche utile (100).\n<CLM>\1\tStructure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tcomprenant : - un substrat support (20) ; - une couche intermédiaire (30) disposée sur le substrat 30 support (20) ; - une couche utile (100) dont une première face (11) est disposée sur la couche intermédiaire (30) et dont une 3048425 34 seconde face (12') est libre, présentant une épaisseur utile ; La structure étant caractérisé en ce que : - la couche utile (100) comporte une couche d'arrêt (2) 5 enterrée délimitant avec la première face (11) une couche active fine (3) présentant une première épaisseur, la couche d'arrêt (2) enterrée délimitant avec la deuxième face (12') une couche active épaisse (4) présentant une deuxième épaisseur supérieure à la première épaisseur ; 10 - la couche utile (100) comporte uniquement la couche d'arrêt (2) et la couche active fine (3) ou uniquement la couche active fine (3) dans des premières zones (110) de la structure. 15\n<CLM>\1\tStructure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon la revendication précédente, dans laquelle la couche active fine (3) est continue sur toute l'étendue de la structure.\n<CLM>\1\tStructure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon la 20 revendication 11, dans laquelle la couche active fine (3) est non continue sur toute l'étendue de la structure.\n<CLM>\1\tStructure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des trois revendications précédentes, dans laquelle la première 25 épaisseur est inférieure à 20% de l'épaisseur utile.\n<CLM>\1\tStructure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des quatre revendications précédentes, dans laquelle la couche d'arrêt (2) enterrée est continue sur toute l'étendue de la 30 structure.\n<CLM>\1\tStructure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des cinq revendications précédentes, dans laquelle la couche 3048425 active fine (3) présente une uniformité d'épaisseur meilleure que 5% sur toute l'étendue de la structure.\n<CLM>\1\tStructure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des six 5 revendications précédentes, dans laquelle la couche active fine (3) est constituée du même matériau que celui de la couche active épaisse (4).\n<CLM>\1\tStructure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des 10 revendications 11 à 16, dans laquelle la couche active fine (3) est constituée d'un matériau différent de celui de la couche active épaisse (4).\n<CLM>\1\tStructure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des 15 huit revendications précédentes, dans laquelle la couche active fine (3) comprend un matériau choisi parmi le silicium, le silicium germanium, le germanium.\n<CLM>\1\tStructure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des 20 neuf revendications précédentes, dans laquelle la couche active épaisse (4) comprend un matériau choisi parmi le silicium, le silicium germanium, le germanium.\n<CLM>\1\tStructure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des dix 25 revendications précédentes, dans laquelle la couche intermédiaire (30) comprend un matériau choisi parmi l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium, l'oxy-nitrure de silicium, un composé silicium germanium, le silicium poreux, le silicium comprenant des microcavités et/ou fissures 30 remplies de vide ou d'espèces gazeuses, le silicium contenant des nanoparticules.\n<CLM>\1\tStructure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des onze revendications précédentes, dans laquelle la couche 3048425 36 d'arrêt (2) enterrée comprend un matériau choisi parmi le silicium fortement dopé, le silicium germanium, le germanium, le carbure de silicium, un composé comprenant plusieurs éléments choisis parmi le silicium, le germanium, 5 le carbone et l'étain.\n<CLM>\1\tStructure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des douze revendications précédentes, dans laquelle la couche d'arrêt (2) enterrée présente une troisième épaisseur 10 comprise entre 0,01 micron et 2 microns.\n<CLM>\1\tStructure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des treize revendications précédentes, dans laquelle le substrat support (20) est composé d'un matériau choisi parmi le 15 silicium, le verre, le saphir, le carbure de silicium, l'alumine, le nitrure d'aluminium, les céramiques.\n<CLM>\1\tStructure (410, 410', 410", 420,\n<CLM>\1\tselon l'une des quatorze revendications précédentes, dans laquelle le 20 substrat support (20) comprend une couche (21) de composants microélectroniques, optoélectroniques ou de capteurs.