Brevet FR3044097A1 (20170526)
REVENDICATIONS1. Procédé de détermination de caractéristiques courant-tension d'une installation photovoltaïque (1) comprenant les étapes suivantes : - connecter (E0) un transistor de type MOSFET (3) à l'installation photovoltaïque (1), - appliquer (E7) au transistor un signal d'une tension de commande (Vgs) qui parcourt une plage ((pur]) de régime linéaire du transistor (3), comprise entre deux tensions critiques comprenant une tension de saturation (Vgs(sat)) et une tension seuil (Vgs(th)), et - mesurer le courant (I) et la tension (V) de l'installation photovoltaïque (1) durant le parcours de ladite plage correspondant au régime linéaire du transistor, caractérisé en ce que le signal de tension de commande (Vgs) du transistor (3) est généré à partir d'un signal de commande numérique et en ce que, le transistor étant initialement en régime de court-circuit ((pcc) ou de circuit ouvert ((pco), on commande une première variation rapide (BT1) de la tension de commande (Vgs) vers ladite plage de régime linéaire du transistor (3) puis une deuxième variation lente (BT2) de la tension de commande (Vgs) parcourant ladite plage de régime linéaire du transistor (3), la transition entre la première et la deuxième variation étant discontinue.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, le transistor étant initialement en régime de court-circuit ((pcc), on commande une première baisse rapide (BT1) de la tension de commande (Vgs) vers ladite plage de régime linéaire du transistor (3) puis une deuxième baisse lente (BT2) de la tension de commande (Vgs) parcourant ladite plage de régime linéaire du transistor (3).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la deuxième variation lente de la tension de commande a une durée comprise entre 0,8 ms et 10 ms. 3044097 17\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première variation rapide de la tension de commande a une durée inférieure ou égale à 10 ps. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 2 à 4, caractérisé en ce que, suite à la deuxième baisse lente de la tension de commande, on commande une troisième baisse rapide de ladite tension de commande jusqu'à atteindre une tension nulle, la transition entre la deuxième et la troisième baisse étant 10 discontinue.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 2 à 4, caractérisé en ce que la troisième baisse rapide a une durée inférieure ou égale à 10 ps. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 2 à 6, caractérisé en ce que le signal de tension de commande comprenant une phase initiale durant laquelle la tension de commande est nulle, on commande une augmentation de ladite tension de commande de la tension nulle jusqu'à une tension haute, supérieure à la tension de saturation, puis un maintien de la tension haute 20 pendant une durée comprise entre 10 nanosecondes et 100 nanosecondes.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on génère un signal PWM à l'aide d'un microcontrôleur qui commande de façon numérique des variations d'un rapport cyclique dudit signal PWM, puis on 25 filtre le signal avec un filtre passe-bas de sorte à obtenir un signal de tension ayant un profil souhaité.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ledit signal de tension ayant le profil souhaité est amplifié en puissance afin d'obtenir le 30 signal de tension de commande.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que, durant la première variation de la tension de commande, on mesure au moins l'une des grandeurs physiques relatives au transistor du groupe 3044097 18 comportant une température, un courant et une tension, afin de détecter le régime linéaire du transistor.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que 5 le transistor est de type IGBT. 12.Système de détermination de caractéristiques courant-tension d'une installation photovoltaïque (1) comprenant un transistor de type MOSFET à connecter aux bornes de l'installation photovoltaïque, un circuit de 113 commande (4) destiné à appliquer au transistor un signal d'une tension de commande (Vgs) qui parcourt une plage (ylin) de régime linéaire du transistor (3), comprise entre deux tensions critiques comprenant une tension de saturation (Vgs(sat)) et une tension seuil (Vgs(th)), et un dispositif de mesure (5) pour mesurer le courant (I) et la tension (V) de l'installation 15 photovoltaïque (1) durant le parcours de ladite plage correspondant au régime linéaire du transistor, caractérisé en ce que le circuit de commande est un circuit de commande numérique adapté pour produire un signal de tension de commande du transistor, initialement en régime de court-circuit ((pcc) ou de circuit ouvert ((pro), qui comprend une première variation rapide 20 (BT1) de la tension de commande (Vgs) vers ladite plage de régime linéaire du transistor (3) puis une deuxième variation lente (BT2) de la tension de commande (Vgs) parcourant ladite plage de régime linéaire du transistor (3), la transition entre la première et la deuxième variation étant discontinue. 25 13.Système selon la revendication précédente, caractérisé en ce que, le transistor étant initialement en régime de court-circuit ((pcc), le signal de tension de commande comprend une première baisse rapide (BT1) de la tension de commande (Vgs) vers ladite plage de régime linéaire du transistor (3) puis une deuxième baisse lente (BT2) de la tension de commande (Vgs) 30 parcourant ladite plage de régime linéaire du transistor (3).\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication 12 ou 13, caractérisé en ce que le circuit de commande numérique comprend un microcontrôleur destiné à générer un 3044097 19 signal PWM et à modifier un rapport cyclique dudit signal PWM et un filtre passe-bas destiné à filtrer le signal PWM de sorte à obtenir un signal de tension ayant un profil souhaité. 5\n<CLM>\1\tSystème selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il comprend un dispositif d'amplification de puissance destiné à amplifier en puissance le signal de tension ayant le profil souhaité afin d'obtenir le signal de tension de commande. 10 16.Système selon l'une des revendications 12 à 15, caractérisé en ce qu'il comprend des capteurs de mesure de l'une au moins des grandeurs physiques relatives au transistor du groupe comportant une température, un courant et une tension, et un module de détection destiné à détecter le régime linéaire du transistor à partir des mesures. 15 17.Système selon l'une des revendications 12 à 16, caractérisé en ce que le transistor est de type IGBT.