Brevet FR3038535A1 (20170113)
REVENDICATIONS1. Assemblage comprenant un premier élément présentant un premier coefficient de dilatation thermique, un second élément présentant un second coefficient de dilatation thermique et au moins un joint reliant ledit premier élément et ledit second élément, caractérisé en ce que ledit joint est hétérogène et comporte un empilement d'au moins un premier joint élémentaire de première densité et d'un second joint élémentaire de seconde densité, lesdites première et seconde densités étant différentes.\n<CLM>\1\tAssemblage selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'un des éléments comprend un composant semi-conducteur, pouvant être une diode silicium.\n<CLM>\1\tAssemblage selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit joint hétérogène est métallique.\n<CLM>\1\tAssemblage selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le premier élément et/ou le second élément présente(nt) une 20 surface métallique à assembler et reliée audit joint.\n<CLM>\1\tAssemblage selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'au moins un des deux éléments est un substrat céramique pouvant être en A1203 ou en Si3N4 ou en AIN et pouvant comporter au moins une 25 couche métallique sur l'une de ses faces.\n<CLM>\1\tAssemblage selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le premier élément et le second élément présentent une couche de finition destinée à être en contact avec un des joints élémentaires. 30\n<CLM>\1\tAssemblage selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche de finition est de l'ordre du nanomètre ou du micron. 35\n<CLM>\1\tAssemblage selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'au moins un des premier et/ou second éléments comporte(nt) une surface en cuivre, pouvant être une couche de finition. 3038535 15\n<CLM>\1\tAssemblage selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le premier joint élémentaire et/ou le second joint élémentaire comporte(nt) des nanoparticules. 5\n<CLM>\1\tAssemblage selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le premier joint élémentaire comporte des microparticules, le second joint élémentaire comportant des nanoparticules. 10\n<CLM>\1\tAssemblage selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que le premier joint élémentaire et/ou le second joint élémentaire est (sont) à base d'argent ou de cuivre ou d'or ou d'argent et de cuivre.\n<CLM>\1\tAssemblage selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé 15 en ce que la première densité est de l'ordre de 90% par rapport au métal massif pouvant être de l'argent, la seconde densité étant de l'ordre de 60 par rapport au métal massif pouvant être de l'argent.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un assemblage comprenant un joint 20 hétérogène en densité et deux éléments de coefficient de dilatation thermiques différents, comprenant les étapes suivantes : - le dépôt d'une première pâte ou d'un premier film à la surface du premier élément ; - une première opération de frittage dans des premières 25 conditions de température et de pression de manière à réaliser un premier joint élémentaire de première densité ; - le dépôt d'une seconde pâte ou d'un second film à la surface dudit premier joint élémentaire ; - une seconde opération de frittage dans des secondes 30 conditions de température et de pression de manière à définir un second joint élémentaire de seconde densité différente de ladite première densité à la surface du premier joint élémentaire pour former ledit joint hétérogène ; - l'application du second élément. 35 3038535 16\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un assemblage selon la revendication 13, caractérisé en ce que la première et/ou la seconde pâte est(sont) métallique(s) ou le premier film et/ou le second film est(sont) métallique(s). 5\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un assemblage comprenant un joint hétérogène selon l'une des revendications 13 ou 14, caractérisé en ce que la seconde opération de frittage est réalisée dans des conditions de température et/ou de pression moins élevée(s) que celles de la première to opération de frittage.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un assemblage comprenant un joint hétérogène selon l'une des revendications 13 à 15, caractérisé en ce que la première opération de frittage est réalisée en appliquant une pièce 15 intermédiaire sur ladite première pâte déposée ou sur ledit premier film, pouvant être une plaque de verre ou un élément en Téflon®, ou un élément en céramique, ou un élément en aluminium.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un assemblage comprenant un joint 20 hétérogène selon l'une des revendications 13 à 16, caractérisé en ce que la seconde opération de frittage est réalisée en appliquant le second élément sur la seconde pâte ou sur le second film.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un assemblage comprenant un joint 25 hétérogène selon l'une des revendications 13 à 17, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de séchage de ladite première pâte et/ou une étape de séchage de ladite seconde pâte.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un assemblage comprenant un joint 30 hétérogène selon l'une des revendications 13 à 18, caractérisé en ce que le dépôt de la première pâte et/ou le dépôt de la seconde pâte est(sont) réalisé(s) par sérigraphie.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un assemblage comprenant un joint 35 hétérogène selon l'une des revendications 13 à 19, caractérisé en ce que le 3038535 17 premier élément comprenant une surface en cuivre, la première pâte est à base d'argent, la seconde pâte étant également à base d'argent.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un assemblage comprenant un joint 5 hétérogène selon l'une des revendications 13 à 20, caractérisé en ce que la première et/ou la seconde pâte comprend(comprennent) des nanoparticules métalliques.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un assemblage comprenant un joint 10 hétérogène selon l'une des revendications 13 à 21, caractérisé en ce que le premier élément est un substrat, le second élément est une puce semiconductrice. 15