Brevet FR3042646A1 (20170421)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une hétérojonction pour cellule photovoltaïque, le procédé comportant les étapes suivantes : (101, 101') dépôt d'une couche en silicium amorphe hydrogéné (2, 2') sur un substrat en silicium cristallin de façon à former un empilement, la couche en silicium amorphe hydrogéné (2, 2') présentant une épaisseur comprise entre 5 et 30 nm, et de préférence entre 15 et 25 nm ; (102, 102') dopage d'au moins une partie de la couche en silicium amorphe hydrogéné (2, 2') par implantation ionique, l'implantation ionique étant effectuée à une énergie inférieure à 2000 V, et de préférence comprise entre 1000 et 1500 V, à partir d'un gaz précurseur comportant une dose en ions dopants comprise entre 1014 et 1017 cm 2, et de préférence entre 1015 et 1016 cm-2; (103, 103') recuit à une température comprise entre 150°C et 350°C, et de préférence entre 200 et 300°C, pendant une durée comprise entre 5 minutes et 3 heures.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel l'étape de dopage (102, 102') par implantation ionique comporte les sous étapes suivantes : transformation du gaz précurseur en plasma ; immersion de l'empilement (5) dans le plasma ; application d'un potentiel à l'empilement de façon à implanter des ions dans l'empilement.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape de recuit est effectuée sous atmosphère ambiante.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le gaz précurseur comporte du B2H6.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel la durée de recuit est comprise entre 30 minutes et 1h30.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le gaz précurseur comporte du 35 PH3. 3042646 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel la durée de recuit est comprise entre 15 et 30 minutes.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque à hétérojonction, le procédé de 5 fabrication de la cellule photovoltaïque comportant une étape de réalisation d'une hétérojonction par un procédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque selon la revendication précédente, le procédé comportant les étapes suivantes : 10 (a) dépôt d'une première couche en silicium amorphe hydrogéné (2) sur une première face (7) d'un substrat en silicium cristallin (1), la première couche en silicium amorphe hydrogéné (2) présentant une épaisseur comprise entre 5 et 30 nm, et de préférence entre 15 et 25 nm ; (b) dopage d'au moins une partie de la première couche en silicium amorphe 15 hydrogéné (2) par implantation ionique, l'implantation ionique étant effectuée à une énergie inférieure à 2000 V, et de préférence comprise entre 1000 et 1500 V, à partir d'un premier gaz précurseur comportant une dose en ions dopants comprise entre 1014 et 1017 cm-2, et de préférence entre 1015 et 1016 cm-2, le premier gaz précurseur comportant du B2H6; 20 (a') dépôt d'une deuxième couche en silicium amorphe hydrogéné (2') sur une deuxième face (8) d'un substrat en silicium cristallin (1), la deuxième couche en silicium amorphe hydrogéné (2') présentant une épaisseur comprise entre 5 et 30 nm, et de préférence entre 15 et 25 nm ; (b') dopage d'au moins une partie de la deuxième couche en silicium amorphe 25 hydrogéné (2') par implantation ionique, l'implantation ionique étant effectuée à une énergie inférieure à 2000 V, et de préférence comprise entre 1000 et 1500 V, à partir d'un deuxième gaz précurseur comportant une dose en ions dopants comprise entre 1014 et 1017 cm-2, et de préférence entre 1015 et 1016 cm-2, le deuxième gaz précurseur comportant du PH3, 30 (c') recuit à une température comprise entre 150°C et 350°C, et de préférence entre 200 et 300°C, pendant une durée comprise entre 5 mhutes et 3 heures.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, comportant en outre une étape (c) de recuit entre les étapes (b) et (a').\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 8 à 10, comportant en outre les étapes suivantes 3042646 16 (203) une étape de dépôt d'une couche d'oxyde transparent conducteur (10) sur chaque couche en silicium amorphe hydrogéné dopé (2, 2') ; (204) une étape de formation d'au moins un contact métallique (11) sur chaque 5 couche d'oxyde transparent conducteur (10). 10