Brevet FR3046253A1 (20170630)
REVENDICATIONS1. Dispositif de détection (10 ; 50 ;\n<CLM>\1\tde particules comprenant : - au moins deux capteurs matriciels (11 ; 52 ;\n<CLM>\1\tplans agencées dans des plans différents, lesdits capteurs matriciels comportant chacun une matrice (13 ;\n<CLM>\1\tà au moins deux dimensions de cellules dont l'état est susceptible d'être modifié lorsqu'il est traversé par une particule, lesdits capteurs matriciels délivrant des données d'état de chacune des cellules de ladite matrice, lesdites données d'état étant représentatives pour chaque cellule d'un niveau de dépôt de charges dans ladite cellule ; - des moyens de traitement (18 ; 58 ;\n<CLM>\1\tdes données délivrées par lesdits capteurs matriciels ; caractérisé en ce que lesdits moyens de traitement de données effectuent des opérations d'analyse (80) des données délivrées par lesdits capteurs matriciels, par coïncidence spatiale et temporelle entre les cellules d'au moins deux capteurs matriciels pour déterminer un type, une trajectoire et un niveau d'énergie d'une particule (21 ; 31 ;\n<CLM>\1\tincidente ayant traversée au moins deux desdits capteurs matriciels et ayant été à l'origine d'un dépôt de charges dans au moins une cellule d'au moins un capteur matriciel.\n<CLM>\1\tDispositif de détection selon la revendication 1, caractérisé en ce que les cellules desdits capteurs matriciels comprennent un photodétecteur ou un transistor.\n<CLM>\1\tDispositif de détection selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que lesdits capteurs matriciels sont agencés en couches successives parallèlement les uns par rapport aux autres pour former une pile (16 ; 51 ;71).\n<CLM>\1\tDispositif de détection selon la revendication 3, caractérisé en ce que lesdits capteurs matriciels sont alignés selon un axe perpendiculaire à la base de ladite pile. 3046253 20\n<CLM>\1\tDispositif de détection selon l'une quelconque des revendications 3 et 4, caractérisé en ce qu'au moins un capteur matriciel comprend une couche d'atténuation (53) de l'énergie d'une particule incidente. 5\n<CLM>\1\tDispositif de détection selon la revendication 5, caractérisé en ce que ladite pile comprend une alternance de N capteurs matriciels et de N-1 couches d'atténuation, N étant au moins égal à\n<CLM>\1\t7. Dispositif de détection selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, 10 caractérisé en ce que lesdits capteurs matriciels sont disposés selon les faces d'un parallélépipède (62).\n<CLM>\1\tDispositif de détection selon l'une quelconque des revendications 3 à 7, caractérisé en ce qu'une couche d'atténuation (73) est solidarisée sur chaque 15 face extérieure de ladite pile de capteurs matriciels ou dudit parallélépipède.\n<CLM>\1\tDispositif de détection selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que lesdits capteurs matriciels comprennent des semiconducteurs formés dans une technologie compris dans la liste : 20 technologie silicium ; technologie nitrure de gallium (GaN) ; technologie arséniure de gallium (AsGa) ; technologie arséniure d'indium-gallium (InGaAs) ; technologie carbure de silicium (SiC) ; 25 technologie nanotubes de carbone.\n<CLM>\1\tDispositif de détection selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que les cellules des capteurs matriciels sont de type CCD (\n<CLM>\1\tDispositif de détection selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que lesdits capteurs matriciels comprennent des éléments mémoires informatiques (54) dont le type est compris dans la liste : 3046253 21 - SRAM (« Static Random Access Memory ») ; - DRAM (« Dynamic Random Access Memory ») ; - ReRAM (« Resistive Random Access Memory ») ; - FeRAM (« Ferroelectric Random Access Memory ») ; 5 - PCRAM (« Phase Change Random Access Memory »).\n<CLM>\1\tDispositif de détection selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que lesdits capteurs matriciels comprennent des éléments mémoires informatiques non volatiles telles qu'une mémoire flash MLC (« 10 Multiple-Layer Cell »), une mémoire flash SLC (« Single-Layer Cell ),) ou une mémoire flash TLC (« Triple-Layer Cell »).\n<CLM>\1\tDispositif de détection selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que tous les capteurs matriciels mis en oeuvre dans ledit 15 dispositif de détection sont identiques.