Brevet FR3049110A1 (20170922)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ (171) à partir d'un substrat (100) comportant une couche de matériau semi-conducteur (133) surmontée d'une grille sacrificielle, la grille sacrificielle comportant un isolant de grille sacrificiel (165) comportant : -une partie médiane surmontée d'un matériau de grille sacrificiel (162), et -des bords surmontés d'espaceurs sacrificiels (160, 161), lesdits bords présentant une épaisseur tox; 10 le procédé comprenant les étapes de : -retirer le matériau de grille sacrificiel (162) et l'isolant de grille sacrificiel (165) pour ménager une gorge (164) entre et sous les espaceurs sacrificiels (160,161); -former un dépôt conforme d'une épaisseur thk de matériau diélectrique à l'intérieur de la gorge (164) sur les faces internes des espaceurs sacrificiels, et sur 15 la couche de matériau semi-conducteur (133) et sous les espaceurs sacrificiels (160,161) pour former une couche d'isolant de grille (120), ledit matériau diélectrique présentant une constante diélectrique au moins égale à 4, et tox > thk tox/2 ; -former une électrode de grille (142) sur la couche d'isolant de grille (120) dans la 20 gorge ; -retirer les espaceurs sacrificiels (160,\n<CLM>\1\tet le dépôt de matériau diélectrique formé (123) sur les faces internes des espaceurs sacrificiels (160, 161), de façon à découvrir des bords (122) de la couche d'isolant de grille (120) ; -former des espaceurs (150,\n<CLM>\1\tsur les bords (122) de la couche d'isolant de 25 grille de part et d'autre de l'électrode de grille (142), ces espaceurs présentant une constante diélectrique au plus égale à 3,5.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor à effet de champ (171) selon la revendication 1, dans lequel Rk = Ehk/Elk 2, avec Ehk la constante 30 diélectrique du matériau diélectrique déposé pour former la couche d'isolant de grille (120) et Elk la constante diélectrique des espaceurs (150,151) formés sur les bords (122) de la couche d'isolant de grille (120).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor à effet de champ (171) selon la 35 revendication 1 ou 2, dans lequel tox est comprise entre 2 et 5 nm.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor à effet de champ (171) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit matériau diélectrique déposé est sélectionné dans le groupe constitué du TiO2, du A1203, 40 du ZrO2, du Hf02, du HfSiO, du Ta205, du La203, et des nitrures de ces matériaux. ICG11055 FR Depot Texte.docx 3049110 14\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor à effet de champ (171) selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une étape de formation de contacts (180) de source et de drain de part et d'autre de l'électrode de grille (142), lesdits contacts s'étendant à l'aplomb desdits 5 espaceurs (150,\n<CLM>\1\tformés sur les bords (122) de la couche d'isolant de grille.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor à effet de champ (171) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel lesdits espaceurs formés (150,\n<CLM>\1\trecouvrent les bords (122) de la couche d'isolant de grille.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor à effet de champ (171) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit substrat (100) fourni comprend : -une couche d'isolant enterrée (102) sous la couche de matériau semi- conducteur (133) ; et -des éléments surélevés (131) en matériau semi-conducteur disposés de part et d'autre de la grille sacrificielle.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor à effet de champ (171) selon la revendication 7, dans lequel lesdits espaceurs (150,151) formés sur les bords (122) de la couche d'isolant de grille comportent des extensions (152) sur un bord desdits éléments surélevés (131).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor à effet de champ (171) selon la revendication 8, dans lequel lesdites extensions (152) s'étendent sur une longueur comprise entre 3 et 5 nm sur le bord desdits éléments surélevés (131).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor à effet de champ (171) selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, comprenant une étape préalable de dépôt desdits éléments surélevés (131) par épitaxie de part et d'autre de l'isolant de grille sacrificiel (165).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor à effet de champ (171) selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel ledit substrat (100) fourni est du type substrat massif et comporte une source et un drain dopés (132) ménagés de part et d'autre de la grille sacrificielle.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor à effet de champ (171) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le matériau ICG11055 FR Depot Texte.docx 3049110 15 diélectrique déposé à l'intérieur de la gorge (164) est différent du matériau des espaceurs sacrificiels (160, 161).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor à effet de champ (171) selon l'une 5 quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre la formation d'un bouchon (143) en matériau diélectrique sur ladite électrode de grille formée (142).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un transistor à effet de champ (171) selon l'une 10 quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'isolant de grille sacrificiel (165) est un oxyde. ICG11055 FR Depot Texte.docx