Brevet FR3041146A1 (20170317)
REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une structure comprenant une couche de matériau semi-conducteur contraint, le procédé comprenant des étapes consistant à : a) prévoir sur un substrat (1) un empilement comprenant une première couche semi-conductrice (4) à base d'un premier matériau semi-conducteur revêtu d'une deuxième couche semi-conductrice (6) à base d'un deuxième matériau semi-conducteur de paramètre de maille différent de celui du premier matériau semi-conducteur, b) réaliser sur la deuxième couche semi-conductrice un masque (10) formé d'un ou plusieurs blocs (10a, 10b, 10c, 100a, 100b, 100c, 110a, 110b, 110c), le masque étant symétrique par rapport à un plan (P) de symétrie passant par au moins un premier bloc (10a, 100a, 110a) du masque (10), ce plan étant orthogonal à un plan principal du substrat, c) effectuer une ou plusieurs implantations inclinées par rapport à une normale au plan principal du substrat, de sorte à rendre amorphe la première couche semi-conductrice (4) ainsi que des zones (6') de la deuxième couche semi-conductrice (6) sans rendre amorphe une ou plusieurs régions (6a, 6b, 6c) de la deuxième couche semiconductrice protégées par le masque et disposées respectivement en regard du ou des blocs de masque, d) effectuer une recristallisation des régions rendues amorphes (6a, 6b, 6c) et de la première couche semi-conductrice d'où il résulte que cette première couche semi-conductrice est contrainte.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le ou les premiers blocs (10a) sont disposés en regard d'une première région (4a) de la première couche semi-conductrice (4) dans laquelle un canal de transistor (T1) est apte à être réalisé.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel le premier bloc (10a) est un motif de grille de transistor. 3041146 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le masque (10) est formé de plusieurs blocs identiques (10a, 10b, 10c, 100a, 100b, 100c, 110a, 110b, 110c) disposés dans le plan (P) de symétrie selon un pas de répartition 5 constant.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, dans le masque (10) est formé par dépôt d'au moins une couche à travers un masquage à base de copolymère à blocs. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel au moins un bloc (110a, 110b, 110c) du masque (10) a une forme de cylindre dont une base s'étend sur la deuxième couche semi-conductrice (6).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel un ou 15 plusieurs blocs (110a, 110b, 110c) du masque (10) ont une forme de parallélépipède qui s'étend parallèlement au plan principal du substrat et orthogonalement au plan (P) de symétrie.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, comprenant en 20 outre après l'étape de recristallisation : une étape de retrait de la deuxième couche semi- conductrice (6).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendications 8, comprenant en outre, après l'étape de retrait de la deuxième couche semi-conductrice (6), la formation d'un 25 transistor (T) dont la grille est disposée en regard de la première région (4a) et dont le canal s'étend entièrement dans la première région.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel la première couche semi-conductrice (3) est en silicium, la deuxième couche semi- 30 conductrice (6) est en silicium germanium. 3041146 16\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, dans lequel la deuxième couche semi-conductrice (6) présente un gradient de concentration en germanium. 5\n<CLM>\1\tProcédé de formation d'un transistor comprenant la mise en oeuvre d'un procédé selon l'une des revendications 1 à 11.