Brevet FR3049763A1 (20171006)
REVENDICATIONS10\n<CLM>\1\tSubstrat de semi-conducteur sur isolant, en particulier substrat de silicium sur isolant, comprenant une couche supérieure semi-conductrice (11), une couche d'oxyde enterrée (9) et une couche de passivation (7) sur un substrat de support en silicium (3), caractérisé en ce qu'une couche de pénétration (5) est prévue 15 entre la couche de passivation (7) et le substrat de support en silicium (3), dans lequel la couche de pénétration (5) est une couche de silicium à résistivité plus élevée et avec une teneur en oxygène interstitiel inférieure par ra de support en silicium (3). pport au substrat\n<CLM>\1\tSubstrat de semi-conducteur sur isolant selon la revendication 1, dans lequel la couche de passivation (5) et la couche de pénétration (7) sont du même matériau. revendicatio polycristallin\n<CLM>\1\tSubstrat de revendication rapporte à un\n<CLM>\1\tSubstrat de revendication résistivité de 2\n<CLM>\1\tSubstrat de revendications passivation (7) s semi-conducteur sur isolant selon l'une quelconque des s\n<CLM>\1\tSubstrat de semi-conducteur sur isolant selon la revendication 1 ou la couche de passivation (7 2, dans lequel ) est une couche polycristalline et la couche de pénétration (5) est un matériau monocristallin.\n<CLM>\1\tSubstrat de semi-conducteur sur isolant selon l'une quelconque des ns 1 ou 2, dans lequel la couche de pénétration (13) est une couche e. 1 à 4, dans lequel une faible teneur en oxygène interstitiel se concentration inférieure à 15 ppma, en particulier de 5 à 10 ppma. semi-conducteur sur isolant selon l'une quelconque des 1 à 5, dans lequel le terme résistivité élevée se rapporte à une 00 Qm ou plus, en particulier 3000 Qm ou plus. semi-conducteur sur isolant selon l'une quelconque des 1 à 6, dans lequel la couche d'oxyde enterrée (9), la couche de et la couche de pénétration (5) ont une épaisseur combinée de 3 e 0 30 3049763 14 pm à 30 pm, en particulier de 4 pm à 10 pm, encore plus en particulier d'environ pm. 5\n<CLM>\1\tDispositif de fréquence radio avec des structures de dispositif électriquement (19a, 19b, 19c) ayant une distance minimale d entre elles pr isolées é sur et/ou dans un substrat de semi-conducteur sur isolant selon l'une quelvues des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'épaisseur (d') de la couche d'oxyde enterrée (9), de la couche de passivation (7) et de la couche de pénétration (5) prises ensembles est telle que des signaux RF pénètrent au plus dans la couche de pénétration (5).\n<CLM>\1\tDispositif de fréquence radio selon la revendication 8, dans lequ couche d'oxyde enterrée (9), la couche de el l'épaisseur de la pénétration passivation (7) et la couche de (5) prises ensembles est telle qu'elle ne dépasse pas de dix fois, en particulier de cinq fois, la distance d.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un substrat de semi-conducteur sur isolant sel on l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la couche de pénétra péri est formée par croissance épitaxiale sur le substrat de support et la couche supeure semi-conductrice et la couche d'oxyde enterrée sont transférées sur la couche d passivation par un procédé de transfert de couche, en particulier comprenant u e n procédé de liaison.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un substrat de semi-conducteur sur isolant selon l' une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la couche de pénétration est transférée sur le substrat de support par un procédé de transfert de couche particulier un procédé de liaison. , en\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif de fréquence radio selon l'une des revendications 8 et 9, comprenant les étapes de : qu elconque - fourniture d'une pluralité de substrats de semi-conducteur sur isolant av différentes épaisseurs de la couche de pénétration ec - formation de dispositifs de fréquence radio sur ou dans les substrats de se- conducteur sur isolant mi - détermination de la profondeur de pénétration de signaux RF dans la pluralité substrats de semi-conducteur sur isolant de 3049763 15 - choix du substrat de semi-conducteur sur isolant avec l'épaisseur de la cou che pénétration. de pénétration pour laquelle le signal RF pénètre au plus dans la couche de