Brevet FR3042492A1 (20170421)
REVENDICATIONS1. Procédé de traitement thermique comprenant l'irradiation d'un substrat comprenant une feuille transparente, de préférence une feuille de verre, revêtue sur une de ses faces d'un empilement de couches minces, sous une atmosphère contenant de l'oxygène (02), avec un rayonnement électromagnétique présentant une longueur d'onde comprise entre 500 et 2000 nm, ledit rayonnement électromagnétique étant issu d'un dispositif émetteur placé en regard de l'empilement de couches minces, un déplacement relatif étant créé entre ledit dispositif émetteur et ledit substrat de manière à porter l'empilement de couches minces à une température au moins égale à 300 °C pendant une durée brève inférieure à une seconde, de préférence inférieure à 0,1 seconde, ledit procédé étant caractérisé par le fait que la dernière couche de l'empilement, en contact avec l'atmosphère, appelée surcouche, est une couche métallique d'indium ou d'un alliage à base d'indium.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la masse surfacique de la surcouche, exprimée comme la masse d'atomes métalliques par unité de surface, est comprise entre 1 et 30 pg/cm2, de préférence entre 3 et 25 pg/cm2.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que la surcouche est une couche d'un alliage à base d'indium contenant plus de 70 % d'atomes d'indium, de préférence plus de 80% d'atomes d'indium rapportés à la totalité des atomes métalliques de l'alliage.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que la surcouche est une couche d'un alliage d'indium et d'étain (InSn), en particulier un alliage contenant environ 90 % d'atomes d'indium et 10 % d'atomes d'étain.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que l'empilement de couches minces présente au moins une couche électroconductrice autre que la surcouche en contact avec 3042492 23 l'atmosphère, cette couche électroconductrice étant une couche métallique ou une couche d'un oxyde conducteur transparent.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, caractérisé par le fait que l'empilement de couches minces est un empilement à faible émissivité 5 comprenant au moins une couche métallique réfléchissant le rayonnement infrarouge, de préférence une couche d'argent, entre deux couches diélectriques.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que l'avant-dernière couche de l'empilement de couches 10 minces, située directement sous la surcouche en contact avec l'atmosphère, est une couche d'oxyde d'indium et d'étain (ITO).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 5 à 7, caractérisé par le fait que le traitement thermique entraîne une diminution de la résistance par carré et/ou de l'émissivité de l'empilement de couches minces d'au moins 15%, 15 de préférence d'au moins 20 %.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le rayonnement électromagnétique est un rayonnement laser.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, caractérisé par le fait 20 que la longueur d'onde du rayonnement laser est comprise entre 900 et 1100 nm, de préférence entre 950 et 1050 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, caractérisé par le fait que le rayonnement laser est un faisceau laser focalisé au niveau du plan de la surcouche sous forme d'une ligne laser irradiant simultanément toute ou partie 25 de la largeur du substrat, de préférence toute la largeur du substrat.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé par le fait que le dispositif émetteur du rayonnement électromagnétique est une lampe flash.\n<CLM>\1\tSubstrat pour la mise en oeuvre d'un procédé selon l'une 30 quelconque des revendications précédentes, comprenant une feuille transparente, de préférence une feuille de verre, revêtue sur une de ses faces 3042492 24 d'un empilement de couches minces, caractérisé par le fait que la dernière couche de l'empilement, en contact avec l'atmosphère, appelée surcouche (overcoat), est une couche d'indium ou d'un alliage à base d'indium, de préférence d'un alliage d'indium et d'étain (InSn). 5\n<CLM>\1\tSubstrat susceptible d'être obtenu par un procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, comprenant une feuille de verre non trempé revêtue sur une de ses faces d'un empilement de couches minces comprenant une couche mince d'argent entre deux couches minces diélectriques, caractérisé par le fait que la dernière couche de l'empilement de 10 couches minces, en contact avec l'atmosphère, est une couche d'oxyde d'indium ou d'oxyde d'indium et d'étain (ITO) avec une masse surfacique, exprimée comme la masse d'atomes métalliques par unité de surface, comprise entre 1 et 30 pg/cm2, de préférence entre 3 et 25 pg/cm2.\n<CLM>\1\tSubstrat selon la revendication 14, caractérisé par le fait que la 15 couche d'oxyde d'indium ou d'oxyde d'indium et d'étain (ITO) présente un relief de surface avec un écart quadratique moyen (Ra), déterminé par microscopie par force atomique (AFM), compris entre 1 et 5 nm, la majorité des éléments du relief ayant une forme de pic parabolique. 20