Brevet FR3039317A1 (20170127)
REVENDICATIONS1. Procédé de gravure d'au moins une couche de matériau (100) dont le module d'Young est supérieur ou égal à environ 170 GPa ou dont la dureté Vickers est supérieure ou égale à environ 1000 kg/mm2, comportant au moins la mise en oeuvre des étapes suivantes : - collage direct, sur la couche de matériau (100), d'un premier masque dur (105) métallique et/ou en semi-conducteur, le premier masque dur (105) étant traversé par au moins une première ouverture (114) débouchant sur la couche de matériau (100) et correspondant à un motif destiné à être gravé dans la couche de matériau (100) ; - gravure d'au moins une portion de la couche de matériau (100) au niveau de la première ouverture (114) par la mise en oeuvre d'au moins une gravure ionique, et/ou par la mise en oeuvre d'au moins une implantation ionique dans la portion de la couche de matériau (100) et d'au moins une gravure chimique de la portion de la couche de matériau (100) ayant subie l'implantation ionique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le matériau de ladite couche de matériau (100) comporte un ou plusieurs des éléments suivants : grenat d'aluminate de terre rare, alexandrite, langasite, langatate, spinelle, saphir, fluorine, YLF, LNO, LTO.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'épaisseur de la portion de la couche de matériau (100) est supérieure ou égale à environ 50 um.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel, lorsque la portion de la couche de matériau (100) est gravée par au moins une gravure ionique, l'épaisseur du premier masque dur (105) est au moins égale au produit de l'épaisseur de la portion de la couche de matériau (100) multipliée par le rapport de la 3039317 15 vitesse de gravure du matériau du premier masque dur (105) sur la vitesse de gravure du matériau de ladite couche de matériau (100) lors de la gravure ionique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, comportant 5 en outre la réalisation de la première ouverture (114) du premier masque dur (105) qui est mise en oeuvre avant ou après le collage direct du premier masque dur (105) sur la couche de matériau (100).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, dans lequel la réalisation de la 10 première ouverture (114) du premier masque dur (105) comporte au moins la mise en oeuvre des étapes suivantes : réalisation d'un deuxième masque dur (107) diélectrique sur une couche métallique et/ou en semi-conducteur (104) destinée à former le premier masque dur (105), le deuxième masque dur (107) étant traversé par au moins une deuxième 15 ouverture (112) débouchant sur la couche métallique et/ou en semi-conducteur (104) et correspondant au motif de la première ouverture (114) ; - gravure d'une partie de la couche métallique et/ou en semi- conducteur (104) au niveau de la deuxième ouverture (112) telle que la partie gravée de la couche métallique et/ou en semi-conducteur (104) forme la première ouverture (114). 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, dans lequel la réalisation du deuxième masque dur (107) comporte au moins la mise en oeuvre des étapes suivantes : - dépôt d'une couche diélectrique (106) sur la couche métallique et/ou en semi-conducteur (104) ; 25 - gravure de la couche diélectrique (106) selon le motif de la deuxième ouverture (112).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la gravure de la portion de la couche de matériau (100) au niveau de la première ouverture (114) est réalisée en mettant en oeuvre alternativement des étapes de gravure ionique de 3039317 16 parties de la portion de la couche de matériau (100) et des étapes de nettoyage chimique retirant des résidus de gravure générés lors des étapes de gravure ionique, et/ou en mettant en oeuvre alternativement des étapes d'implantation ionique de parties de la portion de la couche de matériau (100) et des étapes de gravure chimique des parties de 5 la portion de la couche de matériau (100) ayant subies les étapes d'implantation ionique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre, après la gravure de la portion de la couche de matériau (100), la mise en oeuvre d'une étape de retrait mécanique et/ou chimique du premier masque dur (105). 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre, avant le collage direct du premier masque dur (105) sur la couche de matériau (100), la mise en oeuvre d'un collage direct de la couche de matériau (100) sur un support (102). 15\n<CLM>\1\tProcédé selon les revendications 9 et 10, dans lequel les matériaux du premier masque dur (105) et du support (102) sont similaires, et dans lequel, lorsque la gravure de la portion de la couche de matériau (100) est réalisée à travers toute l'épaisseur de la couche de matériau (100), le retrait du premier masque dur (105) est obtenu par la 20 mise en oeuvre d'une gravure chimique gravant également le support (102) et libérant la couche de matériau (100) vis-à-vis du support (102).\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'au moins une pièce de micromécanique (118), comportant la mise en oeuvre d'un procédé de gravure selon l'une des 25 revendications précédentes tel qu'au moins une portion restante de la couche de matériau (100) obtenue après la mise en oeuvre du procédé de gravure correspond à la pièce de micromécanique (118).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12, dans lequel la pièce de 30 micromécanique (118) correspond à un ressort spiral d'horlogerie. 3039317 17\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un filtre radiofréquence, comportant la mise en oeuvre d'un procédé de gravure selon l'une des revendications précédentes et tel que le matériau de ladite couche de matériau (100) soit un matériau piézoélectrique.