Brevet FR3050526A1 (20171027)
REVENDICATIONS1. Dispositif de détection (1) de rayonnement électromagnétique, comportant : - un substrat (2) ; - au moins un détecteur thermique (10), disposé sur le substrat ; - une structure d'encapsulation (20) agencée de manière à définir avec le substrat une cavité (3) logeant ledit détecteur thermique, comportant au moins une couche d'encapsulation (21) s'étendant au-dessus du détecteur thermique ; caractérisé en ce qu'il comporte en outre : - au moins un filtre interférentiel (31) à cavité Fabry-Pérot, disposé au niveau de la structure d'encapsulation et à distance du détecteur thermique, formé par des premier et deuxième miroirs semi-réfléchissants (32A, 32B) espacés l'un de l'autre par une couche dite structurée (35) ; o chaque miroir semi-réfléchissant (32A, 32B) comportant une couche dite de haut indice de réfraction (33A, 33B) réalisée en au moins un matériau diélectrique ou semiconducteur ; o la couche structurée (35) comportant une alternance, dans un plan parallèle au plan du substrat, de portions (36) dites de haut indice de réfraction réalisées en au moins un matériau diélectrique ou semiconducteur, et de portions (37) dites de bas indice de réfraction réalisées en un milieu dont l'indice de réfraction est inférieur à celui du matériau des portions de haut indice ; o la couche de haut indice (33A) de l'un desdits miroirs semi-réfléchissants (32A) étant au moins en partie formée de ladite couche d'encapsulation (21).\n<CLM>\1\tDispositif de détection (1) selon la revendication 1, dans lequel chaque miroir semi- réfléchissant (32A, 32B) comporte une unique couche de haut indice (33A, 33B), et au moins l'un desdits miroirs semi-réfléchissants comporte une couche dite de bas indice (34A, 34B) réalisée en un milieu dont l'indice de réfraction est inférieur à celui du matériau de la couche de haut indice (33A, 33B), ladite couche de bas indice (34A, 34B) étant située entre la couche de haut indice (33A, 33B) et la couche structurée (35). 3050526 37\n<CLM>\1\tDispositif de détection (1) selon la revendication 2, dans lequel la différence entre l'indice de réfraction du matériau de la couche de haut indice (33A, 33B) et celui du milieu de la couche de bas indice (34A, 34B) est supérieure ou égale à 1,5.\n<CLM>\1\tDispositif de détection (1) selon la revendication 2 ou 3, dans lequel le milieu de la 5 couche de bas indice (34A, 34B) et des portions de bas indice (37) est du vide ou un gaz.\n<CLM>\1\tDispositif de détection (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la couche de haut indice (33A, 33B) d'au moins l'un desdits miroirs semiréfléchissants est formée d'un empilement d'au moins deux sous-couches (33A.1, 33A.2 ; 33A.1, 33A.2) en contact l'une de l'autre et réalisées en des matériaux différents. 10\n<CLM>\1\tDispositif de détection (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la couche structurée (35) présente une proportion volumique de portions de haut indice (36) supérieure ou égale à 30%.\n<CLM>\1\tDispositif de détection (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la couche structurée (35) comporte une couche continue (41) sur laquelle reposent 15 les portions de haut indice (36).\n<CLM>\1\tDispositif de détection (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la couche de haut indice (33B) d'un miroir semi-réfléchissant dit supérieur (32B) comporte une paroi dite supérieure (39) située en regard de la couche structurée (35), et des parois dites latérales (40) situées de part et d'autre de la paroi supérieure (39), la 20 couche structurée (35) étant maintenue au-dessus de la couche de haut indice (33A) d'un miroir semi-réfléchissant dit inférieur (32A) par les parois latérales (40).\n<CLM>\1\tDispositif de détection (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la couche d'encapsulation s'étend continument autour du détecteur thermique (10) de manière à former une paroi supérieure (22) située au-dessus du détecteur thermique 25 (10) et une paroi latérale (23) reposant sur le substrat (2).\n<CLM>\1\tDispositif de détection (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comportant : 3050526 38 - une pluralité de détecteurs thermiques (10) disposés sur le substrat (2), au-dessus desquels s'étend ladite couche d'encapsulation (21) ; - une pluralité de filtres interférentiels (31) à cavité Fabry-Pérot, disposés chacun au niveau de la structure d'encapsulation (30) ; 5 la couche d'encapsulation (21) étant commune à plusieurs couches de haut indice (33A) de l'un desdits miroirs semi-réfléchissants (32A) des différents filtres interférentiels (31).\n<CLM>\1\tDispositif de détection (1) selon la revendication 10, dans lequel les miroirs semi- réfléchissants (32A, 32B) et les couches structurées (35) des filtres interférentiels (31) sont 10 respectivement coplanaires d'un filtre interférentiel à l'autre.\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'un dispositif de détection (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, comportant au moins les étapes suivantes : a. réalisation d'au moins un détecteur thermique (10) ; b. réalisation d'une structure d'encapsulation (20) agencée de manière à définir avec 15 le substrat (2) une cavité (3) logeant ledit détecteur thermique, comportant au moins une couche d'encapsulation (21) s'étendant au-dessus du détecteur thermique et reposant sur une couche sacrificielle (26.2) recouvrant ledit détecteur thermique ; c. réalisation d'au moins un filtre interférentiel (31) à cavité Fabry-Pérot, une couche sacrificielle (26.4) étant située entre les portions de haut indice (36) de la couche structurée 20 (35), et éventuellement entre une couche de haut indice (33A, 33B) et la couche structurée (35) ; d. élimination desdites couches sacrificielles (26.2, 26.4).\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation selon la revendication 12, dans lequel l'élimination des couches sacrificielles (26.2, 26.4) est effectuée en une même étape, ultérieurement à 25 l'étape de réalisation du filtre interférentiel (31), les couches sacrificielles (26.2, 26.4) étant réalisées en un même matériau, les couches de haut indice (33A, 33B) des deux miroirs semi-réfléchissants (32A, 32B) comportant chacune un orifice traversant (24.1, 24.3), et les portions de bas indice (37) de la couche structurée (35) étant traversants.\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation selon la revendication 12, dans lequel l'élimination des couches sacrificielles est réalisée en deux sous-étapes : 3050526 39 - une première sous-étape d'élimination de la couche sacrificielle (26.2) sur laquelle repose la couche d'encapsulation (21), effectuée antérieurement à l'étape de réalisation du filtre interférentiel (31), la couche d'encapsulation comportant un orifice traversant (24.1) et une couche de scellement (33A.2) étant ensuite déposée 5 sur la couche d'encapsulation (21) de manière à obturer l'orifice traversant (24.1) ; et - une deuxième sous-étape d'élimination de la couche sacrificielle (26.4) située entre les portions de haut indice (36) de la couche structurée (35), la couche de haut indice (33B) du miroir semi-réfléchissant supérieur (32B) comportant un orifice 10 traversant (24.3).