Brevet FR3051785A1 (20171201)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une couche de composition AA'BO3 où A est constitué d'au moins un élément parmi : Li, Na, K, H, Ca, Mg, Ba, Sr, Pb, La, Bi, Y, Dy, Gd, Tb, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Ho, Zr, Sc, Ag, TI et B est constitué d'au moins un élément parmi : Nb, Ta, Sb, Ti, Zr, Sn, Ru, Fe, V, Sc, C, Ga, Al, Si, Mn, Zr, TI, caractérisé en ce qu'il comprend : - la fourniture d'un substrat donneur (100) de composition ABO3, - la formation d'une couche (10) de composition ABO3 par amincissement dudit substrat donneur (100), - avant et/ou après l'étape d'amincissement, l'exposition de ladite couche (10) de composition ABO3 à un milieu (M) contenant des ions d'un élément A' faisant partie de la même liste d'éléments que A ou étant de l'hydrogène, A' étant différent de A, de sorte à faire pénétrer lesdits ions dans ladite couche (10) pour former une couche de composition AA'BO3.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel les ions de l'élément A' pénètrent dans la couche (10) par un mécanisme d'échange ionique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel le milieu (M) contenant les ions de l'élément A' est un liquide et la couche (10) est immergée dans un bain dudit liquide.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche (10) de composition ABO3 est immergée dans un bain comprenant une solution acide d'un sel comprenant l'élément A'.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel le milieu (M) contenant les ions de l'élément A' est en phase gazeuse et la couche (10) est exposée audit gaz.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel le milieu (M) contenant les ions de l'élément A' est en phase solide, une couche dudit milieu (M) étant déposée sur la couche (10).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, comprenant au moins une étape de recuit pour favoriser la diffusion de l'élément A' du milieu (M) vers la couche (10) 3051785 13\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel la couche (10) est monocristalline.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel l'amincissement du 5 substrat donneur (100) comprend l'application d'un substrat receveur (110) sur le substrat donneur (10), la couche (10) étant à l'interface, et le transfert de la couche (10) sur le substrat receveur (110).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel l'application du substrat 10 receveur comprend le dépôt dudit substrat (110) sur le substrat donneur (100).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel l'application du substrat receveur comprend le collage dudit substrat (110) sur le substrat donneur (100). 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 9 à 11, dans lequel l'épaisseur de la couche (10) est inférieure à 20 pm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 9 à 12, dans lequel on forme au moins une couche électriquement isolante et/ou au moins une couche électriquement 20 conductrice à l'interface entre le substrat receveur (110) et la couche (10).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel l'épaisseur de la couche (10) est supérieure à 2 pm, de préférence supérieure à 20 pm, ladite couche étant autoportée à l'issue de l'amincissement du substrat donneur (100). 25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel l'amincissement du substrat donneur (10) comprend les étapes suivantes : - la formation d'une zone de fragilisation (101) dans le substrat donneur (100) de sorte à délimiter la couche (10) de composition ABO3, 30 - le détachement du substrat donneur (100) le long de la zone de fragilisation (101).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 15, dans lequel la zone de fragilisation (101) est formée par implantation ionique dans le substrat donneur (100). 35\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 16, dans lequel A est du lithium et l'élément A' est du sodium et/ou du potassium. 3051785 14\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 17, dans lequel l'élément B est du niobium et/ou du tantale.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de volume, 5 comprenant la formation d'électrodes (12,\n<CLM>\1\tsur deux faces principales opposées d'une couche piézoélectrique (10), caractérisé en ce qu'il comprend la fabrication de ladite couche piézoélectrique (10) par un procédé selon l'une des revendications 1 à\n<CLM>\1\t20. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface, 10 comprenant la formation de deux électrodes (12,\n<CLM>\1\tinterdigitées sur la surface d'une couche piézoélectrique (10), caractérisé en ce qu'il comprend la fabrication de ladite couche piézoélectrique par un procédé selon l'une des revendications 1 à 18.