Brevet FR3039531A1 (20170203)
REVENDICATIONS1. Une pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal recouverts de plusieurs ligands organiques et inorganiques ; dans lequel ledit métal est choisi parmi Hg, Pb, Sn, Cd, Bi, Sb ou un de leurs mélanges; ledit chalcogène est choisi parmi S, Se, Te ou un de leurs mélanges ; dans lequel lesdits plusieurs ligands inorganiques comprennent au moins un des ligands inorganiques de la liste S2-, HS-, Set-, Te2-, BF4-, PF6-, Cl-, Br-, 1-, As2Se3, Sb2S3, Sb2Te3, Sb2Se3, As2S3 ou un mélange de ceux-ci ; dans lequel l'absorption des ligands organiques par rapport à l'absorption du chalcogénure de métal est inférieure à 50%, de préférence inférieure à 20%.\n<CLM>\1\tLa pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal selon la revendication 1, dans lequel ladite pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal présente une absorption optique sur une plage de longueur d'onde allant de 3 1.tm à 50 µm et une mobilité de porteur de charge d'au moins de 1 cm2 V-1 s-1.\n<CLM>\1\tLa pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal selon la revendication 1 ou 2, dans lequel ledit métal est choisi parmi Hg ou un mélange de mercure et au moins un élément choisi parmi Pb, Sn, Cd, Bi, Sb; et ledit chalcogène est choisi parmi S, Se, Te ou un de leurs mélanges; lesdits nanocristaux de chalcogénure de métal ne sont pas fait de HgTe recouvert de ligands inorganiques fait à base d'As2S3.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de la pluralité de nanocristaux de chalcogénures de métal selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, ledit procédé comprenant les étapes suivantes: fourniture d'un carboxylate de métal, de préférence un oléate de métal ou un acétate de métal dans un solvant de coordination sélectionné de préférence à partir d'une amine primaire plus préférentiellement parmi l'oleyamine, 1 ' hexadécylamine ou l' octadécylamine ; mélanger à l'intérieur de ladite solution un précurseur de chalcogénure choisi de préférence à partir de trioctylphosphine de chalcogénure, triméthylsilyle de 3039531 41 chalcogénure ou le disulfure de chalcogénure à une température allant de 60°C à 130°C ; isoler les nanocristaux de chalcogénure de métaux ; recouvrir les nanocristaux isolés de chalcogénure de métal avec de multiples ligands inorganiques.\n<CLM>\1\tLe procédé de fabrication des nanocristaux colloïdaux de chalcogénure de métal selon la revendication 4, dans lequel l'isolement des nanocristaux de chalcogénure de métal comprend le mélange d'un thiol et / ou d'une phosphine avec les nanocristaux ; en formant ainsi un mélange refroidi; puis l'extraction des nanocristaux` du mélange refroidi.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de nanocristaux colloïdaux de chalcogénure de métal selon la revendication 4 ou la revendication 5, comprenant en outre une étape consistant à maintenir le mélange à une température allant de 60° C à 130° C pendant une durée prédéterminée allant de 1 à 60 minutes après l'injection du précurseur de chalcogénure.\n<CLM>\1\tLe procédé de fabrication des nanocristaux colloïdale de chalcogénure de métal selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, dans lequel, lesdits plusieurs ligands inorganiques comprennent au moins un ligand inorganique choisis parmi S2-, SH-, Se2-, Te2-, Off, BF4-, PF6, Cl-, Br, 1-, As2Se3, Sb2S3, Sb2Te3, Sb2Se3, As2S3 ou un mélange de ceux-ci.\n<CLM>\1\tUn photoconducteur, une photodiode ou un phototransistor, comprenant : une couche photoabsorbante comprenant une pluralité de nanocristaux de chalcogénure de métal selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 ou d'une pluralité de nanocristaux métalliques de chalcogénure fabriqué selon l'une quelconque des revendications.4 à 7 ; et une première pluralité de connexions électriques connectées à la couche photoabsorbante ; dans lequel la pluralité de nanocristaux de chalcogénures métalliques sont positionnés de sorte qu'il y a une augmentation de la conductivité entre les connexions électriques et à 3039531 42 travers la couche photoabsorbante, en réponse à l'éclairage de la couche photoabsorbante par de la lumière à une longueur d'onde allant de 3 ium à 50 ium ; la mobilité des porteurs est d'au moins 1 cm2 V-1 s-1.\n<CLM>\1\tUn photoconducteur, une photodiode ou un phototransistor selon la revendication 8, dans lequel la couche photoabsorbante a une épaisseur allant de 3 nm à 1 mm.\n<CLM>\1\tUn photoconducteur, une photodiode ou un phototransistor selon la revendication 8 ou la revendication 9, dans lequel la couche photoabsorbante a une superficie allant de 100 nm2 à 1 m2.\n<CLM>\1\tDispositif comprenant une pluralité de photoconducteurs, photodiodes ou phototransistors selon l'une quelconque des revendications 8 à 10 et un circuit de lecture relié électriquement à la pluralité de photoconducteurs, photodiodes ou des phototransistors.\n<CLM>\1\tUn matériau de revêtement absorbant le rayonnement infrarouge comprenant des nanocristaux de chalcogénure de métal selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, ou en nanocristaux de chalcogénure de métal fabriqués selon l'une quelconque des revendications 4 à\n<CLM>\1\t13. Un bolomètre ou un pyromètre comprenant des nanocristaux de chalcogénure de métal selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 ou nanocristaux de chalcogénure de métal fabriqués selon l'une quelconque des revendications 4 à 7.