Brevet FR3038127A1 (20161230)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un composant électronique (10) comportant une pluralité de dipôles (70, 98, 84, 100), chacun comportant un ilot (84) solidaire d'un socle (64), une première électrode (98) disposée au sommet de l'ilot (84) et une seconde électrode (100) disposée sur le socle (64), le procédé comportant : - la réalisation, sur le socle (64), d'une épaisseur de matériau constitutif des ilots (62), ladite épaisseur (62) étant apte à être gravée à l'aide d'une gravure isotrope prédéterminée; - suivie de la réalisation, sur l'épaisseur de matériau constitutif des ilots (62), de motifs pleins (70) en matériau électriquement conducteur et inerte à la gravure isotrope; - suivie de l'application d'une gravure de l'épaisseur de matériau constitutif des ilots (62) jusqu'au socle (64) au moins entre lesdits motifs pleins (70) de manière à former des ilots (84) surmontés desdits motifs pleins (70), ladite gravure comportant au moins une phase pendant laquelle la gravure isotrope prédéterminée est appliquée de manière à ce que les motifs pleins (70) surplombent totalement les ilots (84); et - suivie du dépôt de matériau électriquement conducteur (96) sur et entre les ilots (84) de manière à former les premières et les secondes électrodes (98,\n<CLM>\1\tdes dipôles.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant électronique selon la revendication 1, dans lequel la gravure des ilots (84) comprend, préalablement à l'application de la gravure isotrope, une phase pendant laquelle une gravure anisotrope est appliquée.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant électronique selon la revendication 2, dans lequel : - la gravure anisotrope est appliquée de manière à graver l'épaisseur de matériau constitutif des ilots (62) sur une hauteur égale à h - ô, où h est la hauteur finale des ilots (84) et ô est une valeur supérieure ou égale à 0,1 micromètre, et de préférence supérieure ou égale à 0,5 micromètre ; et - la gravure isotrope est appliquée de manière à graver la hauteur ô restante de l'épaisseur de matériau constitutif des ilots (62). 3038127 17\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant une passivation des ilots (84) et du socle (64), ladite passivation étant réalisée uniquement après le dépôt du matériau électriquement conducteur (96) formant les premières et les secondes électrodes 5 (98, 100).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le dépôt du matériau électriquement conducteur (96) pour former les premières et les secondes électrodes (98,\n<CLM>\1\t10 consiste en le dépôt d'une couche dudit matériau conducteur sur la totalité de la surface constituée des ilots (84) et du socle (64).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel : 15 - un motif plein supplémentaire (72) constitué du matériau électriquement conducteur et inerte à ladite gravure est déposé sur l'épaisseur de matériau constitutif des ilots (62); - la gravure est appliquée également au moins partiellement autour du motif plein supplémentaire (72) de manière à former une tranchée jusqu'au socle 20 (64), la tranchée étant surplombée par le motif plein supplémentaire (72) ; - préalablement au dépôt du matériau électriquement conducteur (96) en vue de former les premières et les secondes électrodes (98,\n<CLM>\1\tdes dipôles, une gravure locale est appliquée pour éliminer au moins une portion du surplomb au-dessus de la tranchée ; et 25 - le matériau électrique conducteur (96) est également déposé sur le motif plein supplémentaire (72) et dans la tranchée.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le matériau constitutif des ilots (84) est un 30 matériau semi-conducteur, et le matériau constitutif des motifs pleins (70) est un métal.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un composant électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le socle (64) est constitué d'un matériau 35 semi-conducteur ayant un type de conductivité prédéterminé, et dans lequel les ilots (84) comprennent chacun une portion semi-conductrice ayant un type de conductivité opposée à la conductivité du matériau semi-conducteur du socle (64) de manière à former des diodes avec ledit socle (64).