Brevet FR3042483A1 (20170421)
REVENDICATIONS1. Microsystème électromécanique (1) comprenant un assemblage (1e) d'une pluralité de couches empilées selon une direction d'empilement (z) comprenant une couche active (2) en silicium monocristallin, ladite couche active (2) comprenant une structure active (3), un premier capot (4) et un deuxième capot (5) délimitant une cavité (6) autour de la structure active (3), la couche active (2) étant interposée entre le premier capot (4) et le deuxième capot (5), le deuxième capot (5) comprenant une unique couche (8) en silicium monocristallin, caractérisé en ce que l'assemblage (1e) comprend en outre, une couche de découplage (9) en silicium monocristallin comprenant : - un élément de report (10) destiné à être fixé à un support (11), un cadre (12) entourant l'élément de report (10) dans le plan de la couche de découplage (9), une structure de découplage mécanique (13) reliant le cadre (12) et la structure de report (10), la structure de découplage mécanique (13) permettant de relier de façon flexible l'élément de report (10) au cadre (12), en ce que le cadre (12) est solidaire de la couche de silicium (8) du deuxième capot (5) et en ce qu'au plus un film d'un matériau est interposé entre ledit cadre (12) et ladite couche de silicium (8) du deuxième capot (5), le matériau étant du dioxyde de silicium.\n<CLM>\1\tMicrosystème électromécanique selon la revendication précédente, dans lequel la couche de découplage (9) et le deuxième capot (5) sont assemblés par scellement direct.\n<CLM>\1\tMicrosystème électromécanique selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la forme de la structure active (3) dans un plan perpendiculaire à la direction d'empilement présente au moins un élément de symétrie et dans lequel la structure de découplage mécanique présente ledit au moins un élément de symétrie. 3042483 27\n<CLM>\1\tMicrosystème électromécanique selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'élément de report et la structure de découplage présentent des plans de symétrie parallèles à la direction d'empilement, ces plans de symétrie se coupent selon. une droite qui est parallèle à la direction d'empilement et sur laquelle est situé le centre de masse de la partie du microsystème électromécanique qui est reliée à l'élément de report par la structure de découplage. 10\n<CLM>\1\tMicrosystème électromécanique selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la structure de découplage mécanique (13) comprend : au moins un premier élément de découplage conçu pour autoriser un déplacement de l'élément de report (10) par rapport au cadre 15 (12) selon une première direction (Ox) du plan de la couche de découplage mais pour empêcher tout mouvement significatif de l'élément de report (10) par rapport au cadre (12) selon un deuxième direction (Oy) du plan de la couche de découplage perpendiculaire à la première direction (Ox), 20 au moins un deuxième élément de découplage conçu pour autoriser un déplacement de l'élément de report (10) par rapport au cadre (12) selon une troisième direction (Oy) du plan de la couche de découplage mais pour empêcher tout mouvement significatif de l'élément de report (10) par rapport au cadre (12) 25 selon une quatrième direction (Ox) du plan de la couche de découplage perpendiculaire à la troisième direction (Oy), la troisième direction (Oy) étant distincte de la première direction (Ox)- 30\n<CLM>\1\tMicrosystème électromécanique selon la revendication précédente, dans lequel la première direction (Ox) et la troisième direction (0y) sont orthogonales.\n<CLM>\1\tMicrosystème électromécanique selon la revendication précédente, 35 dans lequel la structure de découplage mécanique (13) comprend deux 3042483 28 premiers éléments de découplage (20, 21), disposés de part et d'autre l'élément de report (10) selon la première direction (Ox) et deux deuxièmes éléments de découplage disposés de part et d'autre de l'élément de report (10) selon la troisième direction (Oy).\n<CLM>\1\tMicrosystème électromécanique selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, dans lequel les premiers et deuxièmes éléments de découplage sont des bras de flexion. 10\n<CLM>\1\tMicrosystème électromécanique selon la revendication précédente, dans lequel l'élément de report central (10) est délimité par un polygone comprenant une pluralité de côtés, la structure de découplage (13) comprenant des éléments de liaison reliant le cadre (12) et les côtés respectifs du polygone, chaque élément de liaison comprenant au moins 15 un desdits bras de liaison s'étendant parallèlement audit côté du polygone.\n<CLM>\1\tMicrosystème électromécanique selon la revendication précédente, dans lequel le polygone comprend plus de quatre côtés.\n<CLM>\1\tDispositif électromécanique comprenant le microsystème électromécanique selon l'une quelconque des revendications précédentes et un support (11), la couche de découplage étant fixée audit support (11) uniquement via ledit élément de report (10).\n<CLM>\1\tDispositif électromécanique selon la revendication précédente, dans lequel une unique surface continue de l'élément de report (10) est fixée audit support (11). 30\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un microsystème électromécanique selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, ledit procédé comprenant une 'étape de formation de l'assemblage comprenant une étape d'empilement et d'assemblage (400) dans laquelle on empile et on assemble la couche de découplage (9) et la couche de silicium (8) du 35 deuxième capot (5), de sorte qu'au plus un film (14) d'un matériau est 20 25 3042483 29 interposé entre la couche de découplage et ladite couche de silicium (8) du deuxième capot (5), le matériau étant du dioxyde de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel l'assemblage de la couche de découplage (9) et de la couche de silicium (8) du deuxième capot (5) est réalisé par scellement direct.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 13 à 14, comprenant une étape collective de formation de l'assemblage de 10 la pluralité de couches perrhettant d'obtenir un assemblage sous forme d'une plaque intégrant une pluralité de microsystèmes électromécaniques et une étape de séparation consistant à découper la plaque de sorte à isoler les microsystèmes électromécaniques. 15