Brevet FR3039928A1 (20170210)
REVENDICATIONS1. Procédé de commande d'un pixel actif dans un capteur d'image, la structure de pixel actif (PIX) comprenant un élément photosensible (PHD), un noeud de lecture (SN) et un noeud mémoire (MN) entre l'élément photosensible et le noeud de lecture, et au moins un premier transistor de transfert de charges (TRA1) entre l'élément photosensible et le noeud mémoire, un deuxième transistor de transfert de charges (TRA2) entre le noeud mémoire et le noeud de lecture, un transistor de ré-initialisation (RST) du noeud de lecture, un transistor suiveur (SF) ayant sa grille reliée au noeud de lecture et un transistor de sélection (SEL) du pixel qui est connecté entre la source du transistor suiveur et un conducteur de colonne (Col), le procédé de commande étant caractérisé en ce qu'il comprend N transfert de charges de l'élément photosensible vers le noeud mémoire régulièrement espacés pendant la durée d'intégration, N entier supérieur à deux, commandés par application à intervalles réguliers pendant ladite durée d'intégration, de N impulsions de commande (Tri1, Trie, Tria) sur la grille (TRA1-g) du premier transistor de transfert, le noeud mémoire étant configuré avec une capacité de stockage de charges qui est au moins N fois celle de l'élément photosensible.\n<CLM>\1\tProcédé de commande selon la revendication 1, dans lequel le noeud de lecture a au moins N fois la capacité de stockage de charges de l'élément photosensible.\n<CLM>\1\tProcédé de commande selon la revendication 1 ou 2, dans lequel N est égal à 2 ou\n<CLM>\1\t4. Procédé de prise d'image dans un capteur à pixels actifs comprenant au moins une ligne de pixels actifs, dans lequel les pixels actifs comprennent chacun un élément photosensible (PHD), un noeud de lecture (SN) et un noeud mémoire (MN) entre l'élément photosensible et le noeud de lecture, et au moins un premier transistor de transfert de charges (TRA1) entre l'élément photosensible et le noeud mémoire, un deuxième transistor de transfert de charges (TRA2) entre le noeud mémoire et le noeud de 3039928 17 lecture, un transistor de ré-initialisation (RST) du noeud de lecture, un transistor suiveur (SF) ayant sa grille reliée au noeud de lecture et un transistor de sélection (SEL) du pixel qui est connecté entre la source du transistor suiveur et un conducteur de colonne (Col), le procédé de prise d'image étant tel qu'à chaque cycle d'intégration et lecture, il commande une durée d'intégration commune sur tous les pixels simultanément, puis une phase de lecture de type double-échantillonnage corrélé des pixels de chaque ligne successivement, caractérisé en ce que pendant chaque durée d'intégration commune, le procédé de prise d'image commande simultanément dans tous les pixels N transferts de charges de l'élément photosensible vers le noeud mémoire, régulièrement espacés, N entier supérieur ou égal à 2, avec le noeud mémoire qui est configuré avec une capacité de stockage de charges qui est au moins N fois celle de l'élément photosensible, les N transferts étant commandés par application à intervalles réguliers pendant ladite durée d'intégration, de N impulsions de commande (Tri1, Trie, Tria) sur la grille (TRA1-g) du premier transistor de transfert, et la fin du Nième transfert fixant la fin de la durée d'intégration.\n<CLM>\1\tProcédé de prise d'image selon la revendication 4, dans lequel le noeud de lecture a au moins N fois la capacité de stockage de charges de l'élément photosensible.\n<CLM>\1\tProcédé de prise d'image selon la revendication 4 ou 5, dans lequel N est égal à 2 ou 3.