Brevet FR3045935A1 (20170623)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un empilement de dispositifs électroniques (11, 21), comportant les étapes : a) prévoir : - une première structure (1) comportant successivement un premier substrat (10), un premier dispositif électronique (11), une première couche diélectrique (12) ; - une deuxième structure (2) comportant successivement un deuxième substrat (20), une couche active (21), une deuxième couche diélectrique (22), et une couche 10 semi-conductrice polycristalline (23), la couche active (21) étant destinée à former un deuxième dispositif électronique ; b) bombarder la couche semi-conductrice polycristalline (23) par un faisceau (F) d'espèces configuré pour former une partie amorphe (230) et pour conserver une partie polycristalline superficielle (231) ; 15 c) coller les première et deuxième structures (1,\n<CLM>\1\tpar une adhésion directe entre la première couche diélectrique (12) et la partie polycristalline superficielle (231) ; d) retirer le deuxième substrat (20) de la deuxième structure (2) de manière à exposer la couche active (21) ; e) introduire des dopants dans la partie amorphe (230), à travers la couche active 20 (21) exposée, de manière à former un plan de masse (GP) ; f) activer thermiquement les dopants introduits lors de l'étape e) par une recristallisation de la partie amorphe (230).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape b) est exécutée de sorte 25 que la partie polycristalline superficielle (231) conservée forme un film continu.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'étape b) est exécutée de sorte que la partie polycristalline superficielle (231) conservée présente une épaisseur adaptée pour former un germe polycristallin, l'épaisseur étant de 30 préférence comprise entre 2 nm et 4 nm. 3045935 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel les espèces du faisceau (F) sont des atomes de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel l'étape f) est 5 exécutée avec un laser impulsionnel.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel l'étape f) est exécutée en appliquant un recuit thermique présentant : - une valeur de température de recuit inférieure ou égale à 600°C, - une valeur de durée de recuit inférieure ou égale à 1 min.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'étape e) est exécutée de manière à ne pas recristalliser la partie amorphe (230).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel la couche semi- conductrice polycristalline (23) est à base de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la première couche diélectrique (12) est à base de dioxyde de silicium, et présente une épaisseur 20 supérieure à 60 nm, de préférence supérieure à 80 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel les dopants introduits lors de l'étape e) sont sélectionnés dans le groupe comportant B, In, P, As. 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 10, comportant une étape consistant à former une couche d'oxyde sur la partie polycristalline superficielle (231) avant l'étape c), l'adhésion directe s'opérant entre la première couche diélectrique (12) et la couche d'oxyde.