Brevet FR3038775A1 (20170113)
REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'au moins une prise de contact substrat (BC1) pour un transistor MOS (TRI) réalisé dans et sur une zone active (5) d'un substrat de type silicium sur isolant (SOI), comprenant une réalisation dans ladite zone active (5) d'au moins un deuxième transistor MOS (TR2) exempt de jonction PN possédant au moins une prise de contact (PCD2, PCS2) sur au moins l'une de ses régions de source (Si) ou de drain (S2), cette prise de contact source et/ou drain formant ladite au moins une prise de contact substrat (BC1).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, comprenant en outre une réalisation dans la zone active (5) d'au moins un troisième transistor MOS (TR3) exempt de jonction PN, le premier transistor MOS (TRI) étant encadré par le deuxième et le troisième transistor MOS (TR2, TR3), le troisième transistor MOS (TR3) possédant au moins une prise de contact (PCD3, PCS3) sur au moins l'une de ses régions de source (S3) ou de drain (D3), cette prise de contact de source ou de drain formant une deuxième prise de contact substrat (BC2) pour le transistor NMOS (TRI).\n<CLM>\1\tDispositif électronique (DIS) intégré, comprenant un film semi-conducteur intrinsèque (1) au dessus d'une couche isolante enterrée (2), elle-même située au dessus d'un substrat porteur, une région isolante (4) délimitant une zone active (5) au sein du film semiconducteur intrinsèque (1), un premier transistor MOS (TRI), situé dans et sur une première partie (P1) de la zone active (5), et au moins un premier élément de connexion situé dans et sur une deuxième partie (P2) de la zone active (5), le premier élément de connexion étant structurellement analogue à un deuxième transistor MOS (TR2) exempt de jonctions PN entre ses régions de source/drain (S2, D2) et sa région de canal (81), au moins une prise de contact de source ou de drain du deuxième transistor MOS formant au moins une prise de contact substrat (BC1) pour le premier transistor (TRI). 3038775 12\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon la revendication 3, dans lequel les régions de grilles (G1, G2) des deux transistors (TR1, TR2) sont reliées et incorporées au sein d'une même ligne de matériau de grille (G). 5\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 3 ou 4, dans lequel le deuxième transistor (TR2) comporte une prise de contact de source et une prise de contact de drain mutuellement électriquement reliées par une liaison électriquement conductrice (9, 91).\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon l'une des revendications 3 à 5, 10 comprenant un deuxième élément de connexion (TR3) structurellement analogue à un troisième transistor MOS exempt de jonction PN entre ses régions de source/drain et sa région de canal, situé dans et sur une troisième partie de la zone active (5), la première partie de la zone active étant située entre les deuxième et troisième parties (P2, P3), au 15 moins une prise de contact de source ou de drain du troisième transistor MOS (TR3) formant une deuxième prise de contact substrat pour le premier transistor MOS (TR1).\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon la revendication 6, dans lequel les régions de grilles (G1, G2, G3) des trois transistors sont reliées et 20 incorporées au sein d'une même ligne de matériau de grille (G).\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 6 ou 7, dans lequel le troisième transistor (TR3) comporte une prise de contact de source et une prise de contact de drain mutuellement électriquement reliées par une liaison électriquement conductrice (90). 25\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon l'une des revendications 3 à 8, comprenant, au sein du substrat porteur, un unique caisson semiconducteur (3) situé sous ladite zone active (5) et une prise de caisson (BG) destinée à polariser ledit caisson (3).\n<CLM>\1\tDispositif électronique selon l'une des revendications 3 à 9, 30 dans lequel le film de silicium (1) est de type P intrinsèque, le premier transistor (TR1) est un transistor NMOS, et le ou les autres transistors (TR2, TR3) sont des transistors PMOS.