Brevet FR3051603A1 (20171124)
REVENDICATIONS1.- Dispositif électronique (10) comprenant : - un empilement (15) de couches superposées selon une direction d'empilement (Z), l'empilement (15) comportant - une première couche (40) réalisée en un premier matériau (M1) supraconducteur, - une deuxième couche (45) réalisée en un deuxième matériau (M2) supraconducteur, et - une couche barrière (50), délimitée selon la direction d'empilement (Z) par la première couche (40) et la deuxième couche (45), la couche barrière (50) formant une barrière entre la première couche (40) et la deuxième couche (45), la couche barrière (50) étant réalisée en un troisième matériau (M3) ferroélectrique présentant une valeur de gap (G), la première couche (40), la couche barrière (50) et la deuxième couche (45) formant une jonction Josephson. 2.- Dispositif selon la revendication 1, comprenant en outre un module d'émission (20) propre à illuminer l'empilement (15) avec un rayonnement électromagnétique (R) présentant une énergie photonique (E) supérieure ou égale à la valeur de gap (G) du troisième matériau (M3). 3.- Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le premier matériau (M1) est différent du deuxième matériau (M2). 4.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le premier matériau (M1) est l'oxyde mixte de baryum, de cuivre et d'yttrium. 5.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le premier matériau (M1) comporte au moins une portion (P) présentant une première température critique (Tc1), le dispositif (10) comprenant, en outre : - un organe de régulation (25) propre à maintenir l'empilement (15) à une température de consigne (Ta), et - un organe de polarisation (30) propre à modifier la première température critique (Tc1) de la au moins une portion (P) de la première couche (40) entre une première valeur (T1) et une deuxième valeur (T2), la première valeur (T1) étant 3051603 20 strictement inférieure à la température de consigne (Ta) et la deuxième valeur (T2) étant strictement supérieure à la température de consigne (Ta). 6.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le 5 troisième matériau (M3) présente une polarisation électrique (PE) mobile entre une première orientation (01) dans laquelle la polarisation électrique (PE) présente au moins une composante (C) parallèle à la direction d'empilement (Z) et une deuxième orientation (02) et opposée à la première orientation (01). 10 7.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le troisième matériau (M3) est la ferrite de bismuth. 8.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la première couche (40) présente une première épaisseur (el) selon la direction 15 d'empilement (Z), la première épaisseur (el) ) variant de façon monotone dans une direction perpendiculaire à la direction d'empilement (Z). 9.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel l'empilement (15) comporte, en outre : 20 - une première électrode (55) et - une deuxième électrode (58), et le dispositif (10) comprenant, en outre, un organe de polarisation (30) propre à générer un courant électrique (C1) traversant au moins la première électrode (55), la couche barrière (50) et la deuxième électrode (58). 25 10.- Transistor comprenant un dispositif (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9.