Brevet FR3044826A1 (20170609)
REVENDICATIONS1. Agencement (1) pour empilement de cellule photovoltaïque en couches minces comprenant une couche de substrat (2) pour cellule photovoltaïque et une grille de molybdène (3) disposée sur la couche de substrat (2), une couche ultra-mince d'absorbeur de lumière disposée sur la grille de molybdène (3), ainsi qu'une couche tampon (5) disposée sur la couche ultra-mince d'absorbeur de lumière, et une couche fenêtre disposée sur la couche tampon.\n<CLM>\1\tAgencement (1) selon la revendication 1, dans lequel la couche ultra-mince d'absorbeur de lumière est en alliage (4) de cuivre, d'indium, de gallium et de sélénium.\n<CLM>\1\tAgencement (1) selon la revendication 1, dans lequel la couche ultra-mince d'absorbeur de lumière est en alliage de cuivre, de zinc, d'étain, ainsi que de sélénium et/ou de soufre.\n<CLM>\1\tAgencement (1) selon l'une des revendications 1 à 3, comprenant une couche de diélectrique (7) disposée entre la couche de substrat (2) et la grille de molybdène (3).\n<CLM>\1\tAgencement selon la revendication 4, comprenant une couche de métal réfléchissant (8) disposée entre la couche de substrat (2) et la couche de diélectrique (7).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un agencement (1) pour empilement de cellule photovoltaïque en couches minces comprenant les étapes de : - fourniture (10) d'un substrat (2) pour cellule photovoltaïque; - dépôt (13) d'un tapis de microsphères (14) sur ledit substrat (2); - dépôt (16) de molybdène sur le tapis de microsphères (14) dont une partie se glisse dans les interstices séparant les microsphères (14); - enlèvement (17) des microsphères (14) laissant une grille de molybdène (3); - dépôt (18) d'une couche ultra-mince d'absorbeur de lumière sur la grille de molybdène; et 3044826 13 - dépôt (19) d'une couche tampon (5) et d'une couche fenêtre (6) sur la couche ultra-mince d'absorbeur de lumière.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, comprenant, en outre, une 5 étape de traitement (15) des microsphères (14), après leur dépôt (13) et avant l'étape de dépôt (16) de molybdène, modifiant la géométrie des microsphères (14).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, dans lequel l'étape de 10 traitement (15) des microsphères (14) comprend une gravure et/ou un recuit.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 6 à 8, comprenant, en outre, une étape de dépôt (11) d'une couche de diélectrique (7) sur le 15 substrat (2) avant le dépôt (13) des microsphères (14); la couche de diélectrique (7) se trouvant alors entre le substrat (2) et le tapis de microsphères (14).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, comprenant, en outre, 20 une étape de dépôt (12) d'un métal réfléchissant (8), avant le dépôt (11) de la couche de diélectrique (7), la couche de métal réfléchissant (8) étant alors disposée entre la couche de substrat (2) et la couche de diélectrique (7). 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 6 à 10, dans lequel le dépôt (16) de la couche de molybdène sur les microsphères (14) est fait sur une épaisseur comprise entre 100 et 2000 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, dans lequel le dépôt 30 (16) de la couche de molybdène sur les microsphères (14) est fait sur une épaisseur de sensiblement 500 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 6 à 12, dans lequel le dépôt (2) de la couche de diélectrique (7) est à base de dioxyde 35 de titane TiO2 ou d'alumine A1203. 3044826 14\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 6 à 13, dans lequel le dépôt (13) du tapis de microsphères (14) met en oeuvre des microsphères (14) de diamètre compris entre 100 nm et 5 pm. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 14, dans lequel le dépôt (13) du tapis de microsphères (14) met en oeuvre des microsphères (14) de diamètre de sensiblement 1 pm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 6 à 15, dans 10 lequel l'enlèvement (17) des microsphères (14) met en oeuvre un bain d'ultra-sons dans l'eau.