Brevet FR3046874A1 (20170721)
REVENDICATIONS1. Procédé de formation d'une structure semi-conductrice (140, 240), comprenant : - la formation d'une couche de dispositif (100,\n<CLM>\1\tsur un substrat initial (102,\n<CLM>\1\t; - l'assemblage d'une première surface de la couche de dispositif (100,\n<CLM>\1\tsur un substrat temporaire (114,\n<CLM>\1\t; - la formation d'une couche à haute résistivité (136,\n<CLM>\1\tsur une seconde surface de la couche de dispositif (100, 200), dans laquelle la formation de la couche comprend le retrait d'une partie du substrat initial (102,\n<CLM>\1\t; - l'assemblage d'un substrat final (132,\n<CLM>\1\tsur la couche à haute résistivité (136,\n<CLM>\1\t; et - le retrait du substrat temporaire (114, 214).\n<CLM>\1\tProcédé de formation d'une structure semi-conductrice (140,\n<CLM>\1\tselon la revendication précédente, dans lequel le retrait d'une partie du substrat initial (102,\n<CLM>\1\tcomprend l'amincissement d'une partie de celui-ci.\n<CLM>\1\tProcédé de formation d'une structure semi-conductrice (140,\n<CLM>\1\tselon la revendication précédente, dans lequel le retrait d'une partie du substrat initial (102,\n<CLM>\1\tcomprend la formation d'une pluralité de vias (128, 228), s'étendant à travers une partie restante de celui-ci. 3046874 25\n<CLM>\1\tProcédé de formation d'une structure semi-conductrice (140,\n<CLM>\1\tselon la revendication précédente, dans lequel la formation d'une pluralité de vias (128, 228), à travers une partie restante du substrat initial (102,\n<CLM>\1\tcomprend : 5 - la formation d'une couche de masquage (124) sur une surface exposée (120) de la partie restante (102') du substrat initial (102), et - la gravure chimique pour former des vias (128) dans la partie restante non masquée (126) du substrat initial 10 (102).\n<CLM>\1\tProcédé de formation d'une structure semi-conductrice (140,\n<CLM>\1\tselon la revendication précédente, dans lequel la couche de masquage (124) comprend une pluralité 15 d'éléments de masquage dont la surface est inférieure à soixante-quinze (75 %) pour cent de la surface totale de la surface exposée (120) de la partie restante du substrat initial (102'). 20\n<CLM>\1\tProcédé de formation d'une structure semi-conductrice (140) selon l'une des revendications 3 à 5, dans lequel l'assemblage du substrat final (132) sur la couche à haute résistivité (136) comprend l'assemblage du substrat final (132) sur la pluralité de vias (128), formant une 25 pluralité de cavités (134) entre le substrat final (132) et la couche de dispositif (100).\n<CLM>\1\tProcédé de formation d'une structure semi-conductrice (140,\n<CLM>\1\tselon l'une des revendications 3 à 5, comprenant la formation d'un matériau à haute résistivité (238) dans la pluralité de vias (128, 228). 3046874 26\n<CLM>\1\tProcédé de formation d'une structure semi-conductrice (140,\n<CLM>\1\tselon la revendication précédente, comprenant, en outre, la sélection de la résistivité électrique du 5 matériau à haute résistivité (238) à plus de 10 000 Ohm.cm.\n<CLM>\1\tProcédé de formation d'une structure semi-conductrice (140,\n<CLM>\1\tselon la revendication 7, comprenant la sélection d'au moins un matériau parmi l'oxyde de silicium, le nitrure de 10 silicium, les polymères à haute résistivité, le polyimide ou la colle à céramique pour le matériau à haute résistivité (238).\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice (140, 240), comprenant : 15 - un substrat final (132,\n<CLM>\1\t; - une couche à haute résistivité (136,\n<CLM>\1\tdisposée sur le substrat final (132, 232), la couche à haute résistivité (136,\n<CLM>\1\tcomprenant une pluralité de vias (128,\n<CLM>\1\ts'étendant à travers une partie 20 restante d'un substrat initial (102, 202), et - une couche de dispositif (100,\n<CLM>\1\tdisposée sur la couche à haute résistivité (136, 236).\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice (140,\n<CLM>\1\tselon la 25 revendication précédente, dans laquelle la couche à haute résistivité (136,\n<CLM>\1\tcomprend une couche avec une résistance électrique moyenne supérieure à environ 10 000 Ohm. cm. 3046874 27\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice (140) selon l'une des deux revendications précédentes, dans laquelle la couche à haute résistivité (136) comprend une partie restante (102') du substrat initial (102) et une pluralité de cavités (134). 5\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice (240) selon l'une des revendications 10 à 11, dans laquelle la couche à haute résistivité (236) comprend un matériau à haute résistivité (238) disposé dans la pluralité de vias (228). 10\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice (240) selon la revendication précédente, dans laquelle le matériau à haute résistivité (238) comprend un ou plusieurs matériaux choisis parmi l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium, les polymères 15 à haute résistivité, le polyimide ou la colle à céramique.\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice (240) selon la revendication 13, dans laquelle le matériau à haute résistivité (238) possède une résistivité électrique supérieure à environ 10 000 20 Ohm.cm.