Brevet FR3039699A1 (20170203)
REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un dispositif électronique comprenant en empilement au moins une première structure (15) et une deuxième structure (16), les structures étant obtenues à partir d'un premier substrat (3) et d'un deuxième substrat (9), caractérisé par le fait qu'on effectue les étapes suivantes : - formation d'au moins un motif (6) de marque en creux sur une deuxième face (4), opposée à une première face (5), du premier io substrat (3) ; - mise en place de la première face (5) du premier substrat (3) sur un premier support (1) ; - mise en place d'une première face (11) du deuxième substrat (9) sur un deuxième support (2) ; 15 - assemblage des deux substrats (3,9) par la deuxième face (4) du premier substrat (3) et une deuxième face (10), opposée à la première face (11), du deuxième substrat (9) ; - séparation du premier substrat (3) en deux parties suivant une dimension en épaisseur du premier substrat (3) de sorte à former 20 une première partie du premier substrat (3) restant en place sur le premier support (1), et une deuxième partie du premier substrat restant assemblée au deuxième substrat (9), la première partie du premier substrat (3) comprenant une première marque (6a) formée par une première portion du motif (6) de marque, la deuxième partie 25 du premier substrat (3) comprenant une deuxième marque (6b) formée par une deuxième portion du motif (6) de marque ; - réalisation d'au moins un composant électronique (18) sur la première partie du premier substrat (3) de sorte à former la première structure (15) et d'au moins un composant électronique (18) sur la 30 deuxième partie du premier substrat (3) de sorte à former la deuxième structure (16) ; - assemblage de la première structure (15) et de la deuxième structure (16), la première face (5) du premier substrat (3) étant en 3039699 19 place sur le premier support (1) et la première face (11) du deuxième substrat (9) étant en place sur le deuxième support (2), en rapprochant le premier support (1) et le deuxième support (2) tout en alignant la première marque (6a) et la deuxième marque (6b). 5\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la première face (5) du premier substrat (3) est désolidarisée du premier support (1) et la première face (11) du deuxième substrat (9) est désolidarisée du deuxième support (2) après l'assemblage des deux substrats (3,9), et puis dans lequel la première face (5) du premier substrat (3) est à nouveau io solidarisée au premier support (1) et la première face (11) du deuxième substrat (9) est à nouveau solidarisée au deuxième support (2) après la réalisation d'au moins un composant électronique (18).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des deux revendications précédente, dans lequel l'étape d'assemblage des deux substrats (3,\n<CLM>\1\tet l'étape 15 d'assemblage de la première structure (15) et de la deuxième structure (16) sont opérées par collage direct.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel l'étape d'assemblage des deux substrats (3,\n<CLM>\1\tet l'étape d'assemblage de la première structure (15) et de la deuxième structure (13) sont opérées par 20 collage direct avec une même énergie d'adhésion.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel l'étape d'assemblage des deux substrats (3,\n<CLM>\1\tet l'étape d'assemblage de la première structure (15) et de la deuxième structure (16) sont opérées par collage direct avec une même force de pression 25 appliquée, pour les deux étapes au même endroit, par le premier support (3) et le deuxième support (2) aux premières faces (5,\n<CLM>\1\tdes premier et deuxième substrats.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape d'assemblage des deux substrats (3,\n<CLM>\1\tet l'étape d'assemblage de 30 la première structure (15) et de la deuxième structure (16) sont opérées avec une valeur identique pour au moins un des paramètres choisis parmi: la température des supports (1,\n<CLM>\1\tet des substrats ; la pression, la température, l'hygrométrie et la composition de l'atmosphère. 3039699 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'assemblage des deux substrats (3,\n<CLM>\1\tcomprend un rapprochement du premier support (1) et du deuxième support (2), une mise en contact de la deuxième surface (4) du premier substrat (3) et de la deuxième face (10) du 5 deuxième substrat (9) de sorte à produire un collage direct, puis une désolidarisation de la première face (11) du deuxième substrat (9) relativement au deuxième support (2).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel la désolidarisation de la première face (11) du deuxième substrat (9) io relativement au deuxième support (2) est suivie d'une désolidarisation de la première face (5) du premier substrat (3) relativement au premier support (1).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la formation d'au moins un motif de marque (6) comprend : 15 - une gravure du motif (6) de marque avec une hauteur prédéterminée suivant une dimension en épaisseur du premier substrat (3); - une formation d'une zone fragilisée(8), ladite zone fragilisée ayant un niveau de hauteur inférieur à la hauteur du motif de marque (6) ; 20 et dans lequel la séparation du premier substrat (3) en deux parties comprend un traitement configuré pour rompre la zone fragilisée (8).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel la formation d'une zone fragilisée (8) comprend une implantation ionique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel on 25 forme une pluralité de motifs (6) de marque en creux sur la deuxième face (4) du premier substrat (3) de sorte à former une pluralité de premières marques (6a, 12a) et une pluralité de deuxièmes marques (6b, 12b).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, dans lequel on utilise un premier substrat (3) de section circulaire et dans lequel la pluralité de 30 motifs (6) de marque comprend deux motifs de marque primaires (6a) situés à des bords diamétralement opposés du premier substrat (3).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel le premier substrat comprend une pluralité de zones individuelles 3039699 21 (19) de réalisation d'une puce microélectronique et dans lequel la pluralité de motifs (6) de marque comprend au moins un motif de marque secondaire (12a) dans chaque zone individuelle (19).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel au moins l'une des faces situées en regard de la première structure (15) et de la deuxième structure (16) est formée par la surface d'une couche d'un matériau non monocristallin.