Brevet FR3050320A1 (20171020)
REVENDICATIONS1. Diode comprenant entre une électrode supérieure (A) et une électrode inférieure (K): des première (3 ;\n<CLM>\1\tet deuxième (54 ;\n<CLM>\1\tportions de substrat semiconducteur d'un premier type de conductivité 5 connectées à l'électrode inférieure ; un premier transistor vertical (Tl ; T11) et un deuxième transistor (T2 ; T12) formés dans la première portion et connectés en série entre les électrodes, la grille (14 ;\n<CLM>\1\tdu premier transistor étant dopée du premier type de 10 conductivité et couplée à l'électrode supérieure, le deuxième transistor étant à canal d'un deuxième type de conductivité et ayant une grille (24 ;\n<CLM>\1\tdopée du deuxième type de conductivité ; des première (80 ;\n<CLM>\1\tet deuxième (82) zones dopées 15 du deuxième type de conductivité situées dans la deuxième portion et séparées par une partie de substrat surmontée d'une autre grille (84 ;\n<CLM>\1\tdopée du premier type de conductivité, la première zone dopée servant de sonde de potentiel et étant couplée à la grille du deuxième transistor, la deuxième zone 20 dopée et ladite autre grille étant couplées à l'électrode supérieure.\n<CLM>\1\tDiode selon la revendication 1, dans laquelle : le premier transistor (Tl) comprend une zone de source (12) située dans un premier caisson (5) dopé du deuxième type de 25 conductivité, une partie supérieure du premier caisson étant une région de formation de canal (28) du premier transistor ; et le deuxième transistor (T2) comprend une zone de source (22) située dans un deuxième caisson (6) dopé du premier type de conductivité situé dans le premier caisson, une partie 30 supérieure du deuxième caisson étant une région de formation de canal (28) du deuxième transistor.\n<CLM>\1\tDiode selon la revendication 2, dans laquelle le deuxième transistor (T2) a une grille (24) recouvrant une partie du premier caisson. 3050320 B14488 - 15-T0-0423FR01 19\n<CLM>\1\tDiode selon la revendication 1, dans laquelle : le premier transistor (T11) comprend une zone de source (158) située dans un caisson (156) dopé du deuxième type de conductivité, une partie supérieure du caisson étant une 5 région de formation de canal (172) du premier transistor ; et le deuxième transistor (T12) a une région de formation de canal (174) située hors du caisson.\n<CLM>\1\tDiode selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans laquelle chacune des grilles (14, 24, 84 ; 112 ; 160, 10\n<CLM>\1\test associée à un isolant de grille d'épaisseur inférieure à 10 nm.\n<CLM>\1\tDiode selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle la première zone dopée (80) et le substrat de la deuxième portion (54) forment une jonction PN. 15\n<CLM>\1\tDiode selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle un troisième transistor (T13) couple la première zone dopée (108) au substrat (102), le troisième transistor étant à fonctionnement sous le seuil à tension nulle.\n<CLM>\1\tDiode selon la revendication 7, dans laquelle le 20 troisième transistor (T13) a une grille commune avec ladite autre grille (112).\n<CLM>\1\tDiode selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans laquelle ladite autre grille (84 ;\n<CLM>\1\tet la deuxième (82) zone dopée entourent la première zone dopée (80 ; 108). 25\n<CLM>\1\tDiode selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans laquelle les première (3) et deuxième (54) portions sont des portions d'un même substrat semiconducteur.\n<CLM>\1\tDiode selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant une pluralité de premières portions et une 30 pluralité de deuxièmes portions, la grille (24 ;\n<CLM>\1\tdu deuxième transistor (T2 ; T12) de chaque première portion étant couplée à une première zone dopée (80 ;\n<CLM>\1\td'une deuxième portion.\n<CLM>\1\tPont redresseur à diodes comprenant une diode selon 35 l'une quelconque des revendications 1 à\n<CLM>\1\t3050320 B14488 - 15-T0-0423FR01 20\n<CLM>\1\tConvertisseur de puissance continu-continu comprenant une diode selon l'une quelconque des revendications 1 à 11.