Brevet FR3047841A1 (20170818)
REVENDICATIONS1. Empilement de couches semi-conductrices comportant : - un substrat (Sub); - une première couche (Nuc) d'un matériau semi-conducteur, déposée sur ledit substrat ; - une deuxième couche (Nit) d'un matériau semi-conducteur, déposée sur ladite première couche ; - une troisième couche (SD) d'un matériau semi-conducteur, déposée sur ladite deuxième couche ; et caractérisé en ce qu'au moins l'une des première, deuxième et troisième couche est constituée d'un matériau semi-conducteur piézoélectrique dopé.\n<CLM>\1\tEmpilement selon la revendication 1, comportant en outre au moins un élément suspendu (P) formé par des prolongements d'une ou de plusieurs desdites couches s'étendant au-delà d'un bord (E) dudit substrat, dans lequel ledit élément suspendu est encastré sur une partie de son périmètre au niveau dudit bord, et présente une forme choisie entre : - une poutre ; - une membrane ; - un disque ; ou - une plaque.\n<CLM>\1\tEmpilement selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la troisième couche comporte une épaisseur comprise entre 0,05 et 20 microns, préférentiellement 0,1 à 2 microns. 3047841 22\n<CLM>\1\tEmpilement selon les revendications 1 à 3, dans lequel la première couche et la deuxième couche sont confondues. 5\n<CLM>\1\tEmpilement selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins une desdites première, deuxième et/ou troisième couche est réalisée en un matériau de type III-N, l'élément du groupe III étant choisi parmi Al, Ga, In, B 10 ou tout alliage de ces éléments.\n<CLM>\1\tEmpilement selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les éléments utilisés pour le dopage du 15 matériau de au moins l'une des première, deuxième et troisième couche sont choisis parmi Si, Ge, O et Mg.\n<CLM>\1\tEmpilement selon l'une quelconque des revendications 20 précédentes, dans lequel ladite troisième couche est réalisée en GaN dopé.\n<CLM>\1\tEmpilement selon l'une quelconque des revendications 25 précédentes, dans lequel la troisième couche est caractérisée par une concentration en éléments dopants comprise entre 1018 et 1021 par cm3. 30\n<CLM>\1\tEmpilement selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite troisième couche est connectée électriquement à au moins un canal de conduction électrique, ledit 3047841 23 canal de conduction électrique s'étendant dans ladite deuxième couche. 5\n<CLM>\1\tEmpilement selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite deuxième couche comporte une hétérostructure confinant un gaz bidimensionnel de porteurs de charge (2DEG), ledit gaz bidimensionnel formant canal de conduction électrique. 10\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique, comportant un empilement de couches semi-conductrices selon l'une quelconque des revendications précédentes, et comprenant en outre au moins 15 deux électrodes, au moins deux desdites électrodes étant connectées à ladite deuxième couche, et/ou à ladite troisième couche, et/ou à un gaz bidimensionnel de porteurs de charge. 20\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon la revendication 10, dans lequel au moins une des électrodes est réalisée en GaN dopé.\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon la revendication 11 ou 12, 25 dans lequel lesdites électrodes (C01, CO2) s'étendent au moins partiellement sur une surface de ladite troisième couche et/ou de ladite deuxième couche. 30\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon les revendications 11 à 13, dans lequel chacune desdites électrodes comportent au moins 3047841 24 un prolongement qui s'étend à la surface dudit élément suspendu, et est connecté électriquement à la troisième couche. 5\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon l'une des revendications 11 à 14, dans lequel au moins une desdites électrodes est un contact ohmique, le matériau composant ledit contact ohmique étant choisi parmi du titane, du nickel, de l'aluminium ou de l'or. 10\n<CLM>\1\tDispositif microélectromécanique selon l'une des revendications 11 à 15, dans lequel lesdites électrodes forment les contacts (D, S, G) d'un transistor à effet de champ. 15