Brevet FR3041808A1 (20170331)
REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une cellule mémoire résistive à partir d'un empilement de couches comprenant au moins une première électrode (100) et une couche diélectrique (300) surmontant la première électrode (100), caractérisé en ce qu'il comprend au moins une étape de formation d'une deuxième électrode (200) comprenant : - une étape de dépôt de la deuxième électrode (200) sur la couche diélectrique (300), - une étape de définition du contour de la deuxième électrode (200), de sorte à ce que la deuxième électrode (200) forme un élément en saillie (250) au-dessus de la couche diélectrique (300) et présentant des flancs (255) inclinés par rapport à la perpendiculaire à un plan dans lequel s'étend principalement la couche diélectrique (300) ou courbes de manière à ce que l'élément en saillie (250) définisse une première surface 51 (251) en regard de la couche diélectrique (300) et une deuxième surface S2 (252), opposée à la première (251), la première surface 51 (251) étant inférieure à la deuxième surface S2 (252) ; lesdites surfaces 51, S2 (251,\n<CLM>\1\ts'étendant sensiblement parallèlement au plan dans lequel la couche diélectrique (300) s'étend principalement.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape de définition du contour de la deuxième électrode (200) comprend au moins une gravure effectuée de manière à définir les flancs (255) de la deuxième électrode (200), la gravure étant effectuée selon une dimension en épaisseur de la deuxième électrode (200).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel la gravure est au moins en partie isotrope.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la gravure comporte une phase chimique, de préférence une 304 180 8 22 gravure sèche.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel on modifie au moins le temps de gravure pour ajuster la 5 courbure ou l'inclinaison des flancs (255) de la deuxième électrode (200), formés par la gravure de ladite deuxième électrode (200).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le ratio S1/S2 entre la première surface S1 (251) et la deuxième 10 surface S1 (252) de la deuxième électrode (200) est inférieur à 0,8 et est de préférence compris entre 0,01 et 0,25.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans 15 lequel l'étape de définition du contour de la deuxième électrode (200) est effectuée de manière à ce que les flancs forment un angle a aigu avec le plan dans lequel s'étend principalement la couche diélectrique (300).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel l'angle a aigu est 20 compris entre 10° et 80°.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel l'élément en saillie (250) présente une largeur 11 au niveau 25 de sa face en contact avec la couche diélectrique (300) et présente une largeur 12 au niveau de sa face opposée à celle en contact avec la couche diélectrique (300), et dans lequel le 11 est inférieure à\n<CLM>\1\t30\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel le ratio 11/12 entre la première dimension de largeur 11 et la deuxième dimension de largeur 12 est inférieur à 0,9 et est de préférence compris entre 0,1 et 0,5. 35\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel ladite étape de dépôt de la deuxième électrode (200) est effectuée en pleine plaque. 3041808 23\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'étape de définition du contour de la deuxième électrode (200) comprend au moins une lithographie pour définir le motif de la deuxième 5 électrode (200), de préférence une lithographie en ultraviolet profond.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel, après ladite étape de formation de la deuxième électrode (200), 10 on dépose une couche diélectrique (500) au moins sur les flancs (255) et la deuxième surface S2 (252) de l'élément en saillie (250) formant la deuxième électrode (200) et sur la couche diélectrique (300), le dépôt de la couche diélectrique (500) étant de préférence un dépôt conforme. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente comprenant, après la formation de la couche diélectrique (500), une étape de planarisation de ladite couche diélectrique (500) réalisée par un polissage mécano-chimique. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel on forme, dans ladite couche diélectrique (500), un passage (650) pour accéder à la deuxième électrode (200). 25\n<CLM>\1\tCellule mémoire comprenant un empilement de couches comprenant une première électrode (100), une deuxième électrode (200) et une couche diélectrique (300) positionnée entre la première électrode (100), 30 la deuxième électrode (200), caractérisé en ce que la deuxième électrode (200) forme un élément en saillie (250) au-dessus de la couche diélectrique (300) présentant des flancs (255) inclinés par rapport à la perpendiculaire à un plan dans lequel s'étend principalement la couche diélectrique (300) ou courbes de manière à ce que l'élément en saillie 35 (250) définisse une première surface S1 (251) en regard de la couche diélectrique (300) et une deuxième surface S2 (252), opposée à la première (251), la première surface S1 (251) étant inférieure à la 3041808 24 deuxième surface S2 (252) ; lesdites surfaces S1, S2 (251,\n<CLM>\1\ts'étendant sensiblement parallèlement au plan dans lequel la couche diélectrique (300) s'étend principalement. 5\n<CLM>\1\tCellule mémoire selon la revendication précédente dans laquelle le ratio S1/S2 entre la première surface S1 (251) et la deuxième surface S1 (252) de la deuxième électrode (200) est inférieur à 0,8 et est de préférence compris entre 0,01 et 0,25. 10\n<CLM>\1\tCellule mémoire selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans laquelle les flancs obliques ou inclinés forment un angle a aigu avec le plan dans lequel s'étend principalement la couche diélectrique (300). 15\n<CLM>\1\tCellule mémoire selon la revendication précédente dans laquelle l'angle a est compris entre 10° et 80°.\n<CLM>\1\tCellule mémoire selon l'une quelconque des quatre revendications 20 précédentes dans laquelle l'élément en saillie (250) présente une largeur 11 au niveau de sa face en contact avec la couche diélectrique (300) et présente une largeur 12 au niveau de sa face opposée à celle en contact avec la couche diélectrique (300), et dans laquelle le 11 est inférieure à\n<CLM>\1\t25\n<CLM>\1\tCellule mémoire selon la revendication précédente dans laquelle le ratio 11/12 entre la première dimension de largeur 11 et la deuxième dimension de largeur 12 est inférieur à 0,9 et est de préférence compris entre 0,1 et 30 0,5.\n<CLM>\1\tCellule mémoire selon l'une quelconque des six revendications précédentes, comprenant une couche diélectrique (500) positionnée au 35 moins sur les flancs (255) et la deuxième surface S2 (252) de l'élément en saillie (250) formant la deuxième électrode (250) et sur la couche 3041808 25 diélectrique (300).\n<CLM>\1\tCellule mémoire selon l'une quelconque des sept revendications 5 précédentes dans laquelle le contour de l'élément en saillie formant la deuxième électrode est trapèze dont le côté en regard de la couche diélectrique (300) est plus petit que le côté opposé à la couche diélectrique (300). 10\n<CLM>\1\tCellule mémoire selon l'une quelconque des revendications 16 à 22 dans laquelle le contour de l'élément en saillie formant la deuxième électrode forme un profil concave.\n<CLM>\1\tDispositif microélectronique comprenant une pluralité de cellules 15 mémoire selon l'une quelconque des revendications 16 à 24.