Brevet FR3047113A1 (20170728)
REVENDICATIONS1. Dispositif optoélectronique (10 ; 25 ; 30 ; 31 ; 32 ; 33 ; 34 ; 40 ;\n<CLM>\1\tcomprenant une couche semiconductrice organique (18), une première électrode conductrice (14 ;\n<CLM>\1\tet une première couche d'interface (16 ;\n<CLM>\1\tau contact de la couche semiconductrice organique et de la première électrode conductrice, la première couche d'interface étant en un matériau piézoélectrique.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendication 1, dans lequel la première couche d'interface (16 ;\n<CLM>\1\tcomprend majoritairement un matériau choisi parmi le groupe comprenant le zirconate titanate de plomb, le triglycine sulfate, le titanate de plomb, le tantalate de lithium, le titanate de baryum, le polyfluorure de vinylidène, les copolymères du polyfluorure de vinylidène et les mélanges d'au moins deux de ces composés.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon la revendi- cation 1 ou 2, dans lequel la première couche d'interface est en un matériau choisi parmi le groupe comprenant le polyfluorure de vinylidène, le poly(fluorure de vinylidène - trifluoroéthylène), le poly(fluorure de vinylidène - tétrafluoroéthylène), le poly((fluorure de vinylidène trifluoroéthylène chlorofluoroéthylène), le poly((fluorure de vinylidène trifluoroéthylène - chlorotrifluoro éthylène) et les mélanges d'au moins deux de ces composés.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque 25 des revendications 1 à 3, dans lequel l'épaisseur de la première couche d'interface (16,\n<CLM>\1\test supérieure à 50 nm.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'épaisseur de la première couche d'interface (16,\n<CLM>\1\test inférieure à 10 nm et dans lequel 30 la première couche d'interface ne comprend pas d'oxyde de zinc.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la couche semiconductrice (18) organique comprend un mélange d'un première matériau 3047113 B14631 - DD16604E0 24 organique de type P et d'un deuxième matériau organique de type N.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la première couche 5 d'interface (16 ;\n<CLM>\1\test interposée entre la couche semiconductrice organique (18) et la première électrode conductrice (14).\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant une deuxième électrode 10 conductrice (20 ;\n<CLM>\1\tet une deuxième couche d'interface (26 ;\n<CLM>\1\tinterposée entre la couche semiconductrice organique et la deuxième électrode conductrice, au contact de la couche semiconductrice organique et de la deuxième électrode conductrice, la deuxième couche d'interface étant en un matériau 15 piézoélectrique.\n<CLM>\1\tDispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la couche semiconductrice (18), la première électrode conductrice (14 ;\n<CLM>\1\tet une première couche d'interface (16 ;\n<CLM>\1\tfont partie d'une photodiode, d'une 20 diode électroluminescente, ou d'un transistor.\n<CLM>\1\tPhotodétecteur d'un premier rayonnement électromagnétique dans une première plage de longueurs d'onde et d'un deuxième rayonnement électromagnétique dans une deuxième plage de longueurs d'onde comprenant un dispositif opto- électronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la couche semiconductrice organique (18) est adaptée à absorber au moins en partie le premier rayonnement et dans lequel la première couche d'interface (16) est adaptée à absorber au moins en partie le deuxième rayonnement.\n<CLM>\1\tPhotodétecteur selon la revendication 10, comprenant, en outre, un découpeur ou obturateur adapté à moduler le flux du deuxième rayonnement électromagnétique.