Brevet FR3040108A1 (20170217)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice, comprenant les étapes de : collage direct d'un substrat à manipuler (1,\n<CLM>\1\tavec un substrat poignée (2) par l'intermédiaire d'une couche de collage (3) recouvrant le substrat poignée, pour former une structure temporaire (6,\n<CLM>\1\tapte à être soumise à des étapes technologiques ; et de démontage de la structure temporaire au niveau de la couche de collage pour séparer le substrat à manipuler (1,\n<CLM>\1\tdu substrat poignée (2), caractérisé en ce qu'il comprend une étape préalable de dépôt de la couche de collage (3) sur le substrat poignée (2) et/ou sur le substrat à manipuler (1), la couche de collage étant réalisée en un matériau poreux formé d'une matrice inorganique et de composés organiques reliés ou non à cette matrice, et en ce que l'étape de démontage est réalisée par apport d'un budget thermique de démontage à la structure intermédiaire (6, 16), ledit apport résultant en un démontage spontané de la structure temporaire intervenant au niveau de la couche de collage.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel l'apport du budget thermique de démontage est réalisé sous atmosphère contrôlée, par exemple une atmosphère d'azote ou une atmosphère mixte N2-02.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel l'apport du budget thermique de démontage est un recuit réalisé à une température supérieure à 600°C pendant une durée supérieure à 10 minutes.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, comprenant en outre une étape de renforcement du collage mise en oeuvre par apport à la structure temporaire (6,\n<CLM>\1\td'un budget thermique de renforcement. 3040108 16\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 4, comprenant en outre, avant l'étape de démontage, une étape d'assemblage d'une face arrière libre du substrat à manipuler avec un substrat receveur (11). 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, comprenant en outre une étape de recyclage du substrat poignée comprenant le retrait de résidus (3') de la couche de collage présents en surface du substrat poignée (2) à l'issue de l'étape de démontage au moyen d'une gravure sélective. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel la couche de collage présente un taux de porosité compris entre 10% et 80%, de préférence entre 15% et 35%.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel la couche de collage est une couche de matériau organosilicié. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel la couche de collage est une couche à porosité auto-générée.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel le dépôt de la 20 couche de collage comprend le dépôt d'un précurseur matriciel sur le substrat poignée et l'introduction d'un agent porogène dans le dépôt du précurseur matriciel.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 10, comprenant après le dépôt de la couche de collage une étape de modification du matériau poreux par post 25 traitement thermique, chimique, UV, faisceau d'électrons ou plasma.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 11, comprenant, après l'étape de collage direct, la formation d'au moins un tranchée dans le substrat poignée pour isoler des régions (20,\n<CLM>\1\tdu substrat poignée les unes des autres, le démontage de la structure temporaire conduisant à une séparation partielle du substrat poignée localisée au niveau d'au moins une région isolée (20) du substrat poignée. 3040108 17\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12, comprenant la formation d'une tranchée dans le substrat poignée venant séparer une partie centrale du substrat poignée d'une partie périphérique du substrat poignée, le démontage de la structure temporaire conduisant à une séparation partielle du substrat poignée localisée au niveau de la partie 5 centrale du substrat poignée, le substrat à manipuler reposant sur la partie périphérique du substrat poignée.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13, comprenant un amincissement du substrat à manipuler reposant sur la partie périphérique du substrat poignée. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 11, comprenant, après l'étape de collage direct, la formation d'une ou plusieurs tranchées dans le substrat à manipuler pour isoler des régions du substrat à manipuler les unes des autres, le démontage de la structure temporaire conduisant à une séparation partielle du substrat à manipuler 15 localisée au niveau d'une ou plusieurs régions isolées du substrat à manipuler.