Brevet FR3042067A1 (20170407)
REVENDICATIONS1. Procédé de protection d'un circuit intégré contre une conduction électrique assistée par la présence de défauts au sein d'une région diélectrique séparant deux éléments électriquement conducteurs de la partie d'interconnexion du circuit intégré, comprenant une insertion d'au moins une barrière diélectrique non poreuse (90,\n<CLM>\1\tentre une partie poreuse (800) de ladite au moins une région diélectrique et l'un au moins des deux éléments électriquement conducteurs (L3, L4).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel ladite au moins une région diélectrique comporte une partie centrale poreuse (800) et on insert ladite au moins une barrière non poreuse (90,91) entre ladite partie centrale poreuse et l'un des deux éléments électriquement conducteurs.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel on insert deux barrières diélectriques non poreuses (90,\n<CLM>\1\trespectivement entre ladite partie centrale poreuse (800) et lesdits deux éléments électriquement conducteurs (L3, L4).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite partie poreuse (800) de la région diélectrique présente une quantité de porosités supérieure ou égale à un premier seuil et la barrière diélectrique non poreuse présente une quantité de porosités inférieure à un deuxième seuil.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, dans lequel le premier seuil est égal au deuxième seuil.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, dans lequel le premier seuil et le deuxième seuil sont égaux à 5%.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite partie poreuse (800) de la région diélectrique comporte un matériau à faible constante diélectrique.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, dans lequel la constante diélectrique est inférieure ou égale 3,5. 3042067 12\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la partie poreuse (800) de la région diélectrique comprend de l'oxyde de silicium carboné et hydrogéné poreux.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans 5 lequel on insert ladite au moins une barrière diélectrique non poreuse ayant une épaisseur comprise entre 10 nm et 30 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite au moins une barrière diélectrique (90,\n<CLM>\1\tcomprend du carbonitrure de silicium. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les deux éléments électriquement conducteurs comportent des lignes métalliques (L3, L4) d'un même niveau de métallisation de ladite partie d'interconnexion.\n<CLM>\1\tUtilisation d'au moins une barrière diélectrique non 15 poreuse (90,\n<CLM>\1\tinsérée entre une partie poreuse (800) d'au moins une région diélectrique et l'un au moins de deux éléments électriquement conducteurs (L3, L4) d'une partie d'interconnexion d'un circuit intégré, pour protéger ledit circuit intégré contre un claquage de ladite au moins une région diélectrique provoqué par une conduction 20 électrique assistée par la présence de défauts au sein de ladite au moins une région diélectrique.\n<CLM>\1\tCircuit intégré, comprenant une partie d'interconnexion (RITX) comportant au moins un niveau de métallisation possédant des éléments électriquement conducteurs mutuellement séparés par des 25 régions diélectriques, caractérisé en ce qu'il comprend au moins une barrière diélectrique non poreuse (90,\n<CLM>\1\tsituée entre une partie poreuse (800) d'au moins une région diélectrique et l'un au moins des deux éléments électriquement conducteurs (L3, L4) séparés par ladite au moins une région diélectrique. 30\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 14, dans lequel ladite au moins une région diélectrique comporte une partie centrale poreuse (800) et ladite au moins une barrière non poreuse (90,\n<CLM>\1\test située entre ladite partie centrale poreuse et l'un des deux éléments électriquement conducteurs. 3042067 13\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 15, comprenant deux barrières diélectriques non poreuses (90,\n<CLM>\1\trespectivement situées entre ladite partie centrale poreuse (800) et lesdits deux éléments électriquement conducteurs (L3, L4). 5\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications 14 à 16, dans lequel ladite partie poreuse (800) de la région diélectrique présente une quantité de porosités supérieure ou égale à un premier seuil et la barrière diélectrique non poreuse présente une quantité de porosités inférieure à un deuxième seuil. 10\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 17, dans lequel le premier seuil est égal au deuxième seuil.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 18, dans lequel le premier seuil et le deuxième seuil sont égaux à 5%.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications 14 à 19, dans 15 lequel ladite partie poreuse (800) de la région diélectrique comporte un matériau à faible constante diélectrique.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon la revendication 20, dans lequel la constante diélectrique est inférieure ou égale 3,5.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications 14 à 21, dans 20 lequel la partie poreuse de la région diélectrique comprend de l'oxyde de silicium carboné et hydrogéné poreux.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications 14 à 22, dans lequel ladite au moins une barrière diélectrique non poreuse a une épaisseur comprise entre 10 nm et 30 nm. 25\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendicatio- ns 14 à 23, dans lequel ladite au moins une barrière diélectrique (90,\n<CLM>\1\tcomprend du carbonitrure de silicium.\n<CLM>\1\tCircuit intégré selon l'une des revendications 14 à 24, dans lequel les deux éléments électriquement conducteurs comportent des 30 lignes métalliques (L3, L4) d'un même niveau de métallisation de ladite partie d'interconnexion.