Brevet FR3041152A1 (20170317)
REVENDICATIONS1. Dispositif électroluminescent (10 ; 40 ; 60 ; 70 ; 80 ; 85 ;\n<CLM>\1\tcomprenant : un substrat (14) au moins partiellement dopé d'un premier type de conductivité et comprenant une première face 5 (18) ; des diodes électroluminescentes (DEL) comprenant chacune au moins un élément semiconducteur tridimensionnel (20) non dopé ou dopé du premier type de conductivité, les éléments semiconducteurs reposant sur une première partie (30) continue de 10 la première face ; et au moins une région semiconductrice (19,\n<CLM>\1\tformant une photodiode (PH), au moins partiellement dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité et s'étendant dans le substrat depuis une deuxième partie de la 15 première face distincte de la première partie.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon la revendication 1, dans lequel chaque élément semiconducteur tridimensionnel (20) est majoritairement en un composé choisi parmi le groupe comprenant les composés III-V et les composés II-VI. 20\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le substrat (14) est, au moins en partie, en un matériau semiconducteur choisi parmi le groupe comprenant le silicium, le germanium, le carbure de silicium, les composés III-V ou le ZnO. 25\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le substrat (14) comprend une deuxième face (16) opposée à la première face, le dispositif électroluminescent comprenant une première électrode (12 ;\n<CLM>\1\tau contact de la deuxième face (16) ou de la première face (18). 30\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon la revendication 4, comprenant une deuxième électrode (26) au contact au moins de certaines des diodes électroluminescentes (DEL) et une troisième électrode (28) au contact de la région semiconductrice (19) du côté de la première face (18). 3041152 B14419 - Phext 25\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la région semiconductrice (19,\n<CLM>\1\test recouverte d'un filtre coloré (72).\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les diodes électroluminescentes (DEL) sont recouvertes d'une couche (29) comprenant des luminophores et dans lequel la région semiconductrice (19,\n<CLM>\1\tn'est pas recouverte de ladite couche comprenant les luminophores.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les éléments semiconducteurs (20) sont des nanofils, des microfils et/ou des structures pyramidales de taille nanométrique ou micrométrique.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque 15 des revendications 1 à 8, dans lequel la région semiconductrice (19,\n<CLM>\1\test formée par implantation ionique de dopants.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la région semiconductrice (19,\n<CLM>\1\test formée par épitaxie. 20\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel les diodes électroluminescentes (DEL) sont réparties en ensembles de diodes électroluminescentes (E), le dispositif électroluminescent comprenant, pour au moins certains des ensembles (E), au moins 25 deux régions semiconductrices (19, 44, 19', 44') formant des première et deuxième photodiodes (PH, PH'), chacune des deux régions semiconductrices étant au moins partiellement dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité et s'étendant dans le substrat depuis une deuxième 30 partie de la première face distincte de la première partie.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon la revendication 11, dans lequel les première et deuxième photodiodes (PH, PH') ont des profondeurs de jonctions différentes et/ou sont recouvertes par des filtres de couleurs différents (72, 72'). 3041152 B14419 - Phext 26\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel les diodes électroluminescentes (DEL) sont réparties en ensembles de diodes électroluminescentes (El, E2, E3, E4), ladite région 5 semiconductrice (19,\n<CLM>\1\tétant située entre les deux ensembles.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, comprenant un circuit de traitement (104) de premiers signaux fournis par la photodiode (PH) et un circuit (102) de commande des diodes électroluminescentes (DEL) à 10 partir de seconds signaux fournis par le circuit de traitement.\n<CLM>\1\tDispositif électroluminescent selon les revendications 13 et 14, dans lequel le circuit de commande (102) est adapté, dans une phase d'étalonnage, à allumer successivement chaque ensemble de diodes électroluminescentes (El, E2), le circuit de traitement étant adapté à mesurer le rayonnement capté par la photodiode (PH) lorsque chaque ensemble de diodes électroluminescentes est allumé.