Brevet FR3051965A1 (20171201)
REVENDICATIONS1. Procédé de formation d'un motif de guidage (4) fonctionnalisé destiné à un procédé de grapho-épitaxie, le procédé de formation du motif de guidage (4) fonctionnalisé comportant les étapes suivantes : (101) formation d'un motif de guidage (4) sur un substrat (1), le motif de guidage (4) comportant une cavité (7) comportant un fond (6) et des parois latérales (5) ; (103) formation d'une couche de fonctionnalisation (2), la couche de fonctionnalisation (2) comportant une partie horizontale (11) déposée sur le fond (6) de la cavité (7) et une partie verticale (12) déposée sur les parois latérales (5) de la cavité (7) ; - (104) gravure sélective de la partie verticale (12) de la couche de fonctionnalisation (2).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, comportant en outre une étape de dépôt (102) d'une couche protectrice (3) sur le motif de guidage (4), la couche protectrice (3) comportant une partie horizontale (8) déposée sur le fond (6) de la cavité (7) et une partie verticale (9) déposée sur les parois latérales (5) de la cavité (7).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel la gravure sélective est une gravure par faisceau d'ions, le faisceau d'ions étant dirigé suivant une direction sécante à la partie verticale de la couche de fonctionnalisation.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel la gravure sélective comporte les sous-étapes suivantes : implantation d'ions ayant un numéro atomique inférieur à 10 dans la partie verticale (9) de la couche protectrice (3) et dans la partie verticale (12) de la couche de fonctionnalisation (2) par exposition à un faisceau d'ions, de façon à ce que la partie verticale (9) de la couche protectrice (3) et la partie verticale (12) de la couche de fonctionnalisation (2) puissent être gravées 3051965 20 sélectivement par rapport à la partie horizontale (8) de la couche protectrice (3) et à la partie horizontale (11) de la couche de fonctionnalisation (2) ; - gravure sélective de la partie verticale (12) de la couche de 5 fonctionnalisation (2) par mise en contact avec un solvant organique ; - gravure sélective de la partie verticale (9) de la couche protectrice (3).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, dans lequel la gravure sélective de la partie verticale (9) de la couche protectrice (3) est une gravure humide à l'aide d'une solution de gravure à base d'acide fluorhydrique ou d'acide phosphorique. 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, dans lequel la gravure sélective de la partie verticale (9) de la couche protectrice (3) est une gravure sèche effectuée à l'aide d'un plasma délocalisé, la gravure sèche comportant les sous-étapes suivantes : - une première sous-étape de formation d'un sel à partir d'un plasma ; - une deuxième sous-étape de sublimation du sel. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, dans lequel le sel est formé à partir d'un plasma à base de fluor et d'hydrogène.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 6 ou 7, dans lequel le sel est sublimé par un recuit.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 4, dans lequel la gravure sélective de la partie 20 verticale (9) de la couche protectrice (3) est une gravure en phase vapeur.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel la gravure en phase vapeur comporte une étape d'injection d'acide fluorhydrique en phase vapeur dilué dans un solvant sur les couches à graver.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel la gravure en phase vapeur 25 comporte les sous-étapes suivantes : - injection d'un gaz d'acide fluorhydrique dans une chambre de réaction dans laquelle se trouvent les couches à graver ; 3051965 21 - injection d'un gaz inerte dans la chambre de réaction.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 9 à 11, comportant en outre une étape de pré-recuit avant l'étape de gravure vapeur.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 9 à 12, dans lequel la gravure vapeur 5 forme des produits de réaction non volatiles, le procédé comportant en outre une étape de suppression des produits de réaction non volatiles formés pendant la gravure vapeur, l'étape de suppression des produits de réaction non volatiles comportant : - une étape de solubilisation desdits produits dans une solution 10 d'élimination, de préférence de l'eau ; et/ou - une étape de recuit à une température comprise entre 100 et 300°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche protectrice (3) est une couche d'un matériau inorganique diélectrique comportant du silicium. 15\n<CLM>\1\tProcédé de grapho-épitaxie comportant un procédé de réalisation d'un motif de guidage selon l'une des revendications 1 à 14 et une étape de dépôt d'un copolymère à bloc dans la cavité.\n<CLM>\1\tProcédé de grapho-épitaxie selon la revendication précédente, dans lequel le copolymère à bloc comporte au moins deux blocs de monomères, la couche de 20 fonctionnalisation présentant une affinité équivalente avec tous les blocs de monomères.