Brevet FR3046875A1 (20170721)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un transistor comprenant : - une grille (2000) située au-dessus d'une couche sous-jacente (2022) d'un matériau semi-conducteur, ladite grille (2000) comprenant au moins un premier et un deuxième flanc (2001, 2002), - un pied de grille (2021) formé sous la grille et en saillie dans la dite couche sous-jacente (2022) relativement à une portion périphérique (2023, 2024) de la couche sous-jacente (2022) entourant le pied de grille (2021), le procédé comprenant une étape de formation d'une couche diélectrique (2060) de sorte à former des espaceurs (2061, 2062) recouvrant au moins en partie lesdits premier et deuxième flancs (2001, 2002) de la grille (2000) de sorte à ne pas couvrir au moins en partie ledit pied de grille (2021), caractérisé par le fait que, avant l'étape de formation de la couche diélectrique (2060), la couche sous-jacente (2022) est formée avec une étape d'enlèvement partiel du matériau semi-conducteur dans une couche originale (2020) du matériau semi-conducteur, autour de la grille (2000) de sorte à former ledit pied de grille (2021), et à former la portion périphérique (2023, 2024) entourant le pied de grille (2021).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape d'enlèvement partiel de la couche originale (2020) est configurée pour former un flanc de grille (2000) droit selon une dimension en épaisseur de la couche originale (2020).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'étape d'enlèvement partiel de la couche originale (2020) comprend une gravure anisotrope configurée pour n'attaquer que les parties de la couche originale (2020) dirigées suivant une dimension en épaisseur de ladite couche. 3046875 24\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la largeur de la grille (2000) est supérieure ou égale à la largeur du pied de grille (2021). 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'étape de formation de la couche diélectrique (2060) est suivie par une étape de retrait partiel de la couche diélectrique (2060) au niveau d'une surface (2025, 2026) de la portion périphérique (2023, 2024) de la couche sous-jacente (2022). 10\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel ledit retrait partiel de la couche diélectrique (2060) est réalisé de sorte à laisser les au moins premier et deuxième flancs (2001, 2002) de la grille (2000) recouverts de la couche diélectrique (2060) de sorte à former lesdits 15 espaceurs.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel l'étape de retrait partiel de la couche diélectrique (2060) est effectuée par gravure sèche.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des trois revendications précédentes dans lequel l'étape de retrait partiel de la couche diélectrique (2060) est suivie d'une étape de formation d'une couche superficielle (2070) sur la portion périphérique (2023, 2024) de la couche sous-jacente (2022).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de la couche superficielle (2070) est effectuée par épitaxie.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes 30 dans lequel la couche superficielle (2070) a une épaisseur au moins égale à ladite hauteur du pied de grille (2021). 20 25 3046875 25\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des trois revendications précédentes dans lequel l'étape de formation de ladite couche superficielle (2070) est suivie d'une étape de formation d'une couche de sélectivité (2080) de sorte à recouvrir une partie au moins de la grille (2000), une partie 5 au moins de la couche diélectrique (2060) et une partie au moins de la couche superficielle (2070).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel ladite couche de sélectivité (2080) est chimiquement identique à la couche 10 diélectrique (2060).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel l'étape de formation de la couche de sélectivité (2080) est suivie d'une étape de retrait partiel de ladite couche de sélectivité 15 (2080) au niveau de la surface (2025, 2026) de la portion périphérique (2023, 2024) de la couche sous-jacente (2022).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel ledit retrait partiel de la couche de sélectivité (2080) est réalisé de sorte à laisser 20 les au moins un premier et deuxième flancs (2001, 2002) de la grille (2000) recouverts de la couche de sélectivité (2080) de sorte à former lesdits espaceurs additionnels (2081, 2082).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes 25 dans lequel l'étape de retrait partiel de la couche de sélectivité (2080) est effectuée par gravure sèche.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des trois revendications précédentes dans lequel l'étape de retrait partiel de la couche de sélectivité (2080) 30 est suivie d'une étape de retrait au moins partiel de la couche superficielle (2070). 3046875 26\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape de retrait au moins partiel de la couche superficielle (2070) est suivie d'une étape de retrait au moins partiel de ladite couche diélectrique (2060) de sorte à découvrir le pied de grille (2021) sans découvrir au moins en partie le 5 au moins un premier et deuxième flancs (2001, 2002) de la grille (2000).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape de retrait au moins partiel de ladite couche diélectrique (2060) est effectuée par 10 une gravure humide.