Brevet FR3040533A1 (20170303)
REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation de zones de contacts pour un dispositif à transistors comprenant des étapes consistant à : a) former au moins une couche en un composé (54) à base de semi- conducteur et de métal sur une ou plusieurs première(s) régions semi-conductrice(s) (12,\n<CLM>\1\td'un premier transistor (T1) de type N et sur une ou plusieurs deuxième(s) région(s) semi-conductrices (22,\n<CLM>\1\td'un deuxième transistor (T2) de type P reposant sur un même substrat, les premières régions (12,\n<CLM>\1\tétant à base d'un matériau (4) de type III-V tandis que les deuxièmes régions semi-conductrices (22,\n<CLM>\1\tsont à base d'un autre matériau (6) différent du matériau III-V, le semi-conducteur du composé (54) étant un dopant de type N du matériau III-V, b) effectuer au moins un recuit thermique de sorte à former sur les premières régions semi-conductrices (12,\n<CLM>\1\tdes premières zones (74) de contact base de composé de semi-conducteur et de métal et sur les deuxièmes régions semi-conductrices (22,\n<CLM>\1\tdes deuxièmes zones (74) de contact à base de composé de semi-conducteur et de métal tout en réalisant un dopage N du matériau III-V ou en augmentant le dopage N du matériau III-V.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le composé (54) est formé par pulvérisation.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel le composé (54) est formé par la pulvérisation d'une première cible à base du matériau semi-conducteur et d'une deuxième cible à base du matériau métallique, la première cible et la deuxième cible étant disposées dans une même enceinte de dépôt ou dans un même équipement de dépôt. 3040533 17\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel le composé (54) est formé par pulvérisation d'une cible à base d'un matériau semi-conducteur et d'un matériau métallique. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel, préalablement à l'étape a) on forme une couche semi-conductrice (52) sur les premières régions semi-conductrices et sur les deuxièmes régions semi-conductrices, la couche à base du composé (54) étant déposée sur cette couche semi-conductrice (52), la couche semiconductrice (52) étant à base d'un dopant de type N du matériau III-V, en particulier du 10 même semi-conducteur que le semi-conducteur du composé (54).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 5, dans lequel le composé (54) et la couche semi-conductrice (52) sont formées dans une même enceinte de dépôt ou dans un même équipement de dépôt. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendication 5 ou 6, dans lequel préalablement à la formation de la couche semi-conductrice (52) on réalise une étape de nettoyage. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel les premières régions semi-conductrice(s) (12,\n<CLM>\1\tsont des régions de source et de drain du premier transistor (T1) dévoilées par une première cavité (47), les deuxièmes régions semiconductrices (22,\n<CLM>\1\tsont des régions de source et de drain du deuxième transistor (T2) dévoilées par une deuxième cavité (48), la première cavité et la deuxième cavité étant 25 formées préalablement à l'étape a) dans une couche de masquage (30) réalisée sur le substrat et recouvrant les transistors.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, dans lequel préalablement à la formation de la première cavité et de la deuxième cavité, on réalise une première zone de 3040533 18 protection (35) sur une grille (18) du premier transistor (T1) et une deuxième zone de protection (36) sur une grille (28) du deuxième transistor (T2).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, dans lequel la première zone de 5 protection (35) et la deuxième zone de protection (36) sont réalisées par : - formation dans la couche de masquage d'ouvertures dévoilant respectivement une grille du premier transistor et une grille du deuxième transistor, - retrait d'une portion de la grille du premier et de la grille du deuxième transistor, de sorte à former des trous dans le prolongement des ouvertures, 10 - dépôt d'un matériau de protection dans les trous.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 9 ou 10, comprenant en outre après l'étape a), le remplissage de la première cavité et/ou de la deuxième cavité à l'aide d'au moins un métal (81), de sorte à former des plots. 15 12 Procédé selon la revendication 11, dans lequel le recuit thermique effectué à l'étape b) est réalisé après ce remplissage.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel les 20 deuxièmes régions semi-conductrices (22,\n<CLM>\1\tet le composé (54) sont à base du même semi-conducteur.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 13, dans lequel : - les deuxièmes régions semi-conductrices (22,\n<CLM>\1\tsont à base de 25 Germanium, le composé (54) étant à base de Germanium et préférentiellement du TiGe2, ou du CoGe2 ou du NiGe, ou - les deuxièmes régions semi-conductrices (22,\n<CLM>\1\tsont à base de Silicium, le composé (54) étant à base de Silicium et préférentiellement du TiSi2, ou du NiSi, ou du CoSi2. 3040533 19\n<CLM>\1\tDispositif à transistors comprenant : - un premier transistor (T1) de type N doté de première(s) régions semiconductrices (12,\n<CLM>\1\tde source et de drain à base d'un matériau III-V, - un deuxième transistor (T2) de type P doté de deuxièmes(s) régions de 5 source et de drain semi-conductrices (22,\n<CLM>\1\tà base d'un matériau différent du matériau III-V, - des premières zones de contacts (74) à base d'un composé de semiconducteur et de métal étant formées sur les premières régions de source et de drain, - des deuxièmes zones de contact (76) à base du composé étant formées 10 sur les deuxièmes régions de source et de drain, le semi-conducteur du composé étant un dopant de type N du matériau III-V.