Brevet FR3048815A1 (20170915)
REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une structure comprenant une ou plusieurs zones semi-conductrices contraintes apte(s) à former respectivement une ou plusieurs régions de canal de transistor(s), le procédé comprenant des étapes consistant à: a) prévoir un substrat (1) revêtu d'une couche (3) de masquage dotée d'une ou plusieurs premières fentes (4a) dévoilant respectivement une ou plusieurs premières portion(s) semi-conductrice(s) oblongue(s) (6a) en un premier matériau semiconducteur (5) et s'étendant dans une première direction, b) faire croitre un deuxième matériau semi-conducteur (7) ayant un paramètre de maille différent de celui du premier matériau semi-conducteur (5), de sorte à former sur lesdites une ou plusieurs premières portions semi-conductrices oblongues (6a) : un ou plusieurs premiers blocs semi-conducteurs contraints (18a) selon la première direction.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel la ou les premières portions semi-conductrices oblongues (6a) ont : - une largeur (W1) inférieure à 4 fois l'épaisseur critique de relaxation plastique (hc) du deuxième matériau semi-conducteur (7), - une longueur (L1) d'au moins 20 fois l'épaisseur critique de relaxation plastique (hc) du deuxième matériau semi-conducteur (7).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel à l'étape b), au moins une desdits premiers blocs semi-conducteurs (18a) est formé par croissance d'une bande semi-conductrice (8a) sur une première portion semi-conductrice oblongue (6a) donnée s'étendant dans la première direction et d'une autre bande semiconductrice (8a) sur une autre première portion (6a) semi-conductrice oblongue s'étendant dans la première direction, lesdites bandes semi-conductrices se rejoignant pour former un premier bloc semi-conducteur (18a), le premier bloc semi-conducteur (18a) étant agencé en regard de ladite première portion semi-conductrice oblongue 3048815 20 donnée (8a) et de ladite autre première portion semi-conductrice oblongue (8a) et d'une bande de masquage appartenant à la couche de masquage (3) et séparant ladite première portion semi-conductrice oblongue donnée de ladite autre première portion semiconductrice oblongue. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3, dans lequel ladite bande de masquage séparant ladite première portion semi-conductrice oblongue donnée (8a) de ladite autre première portion semi-conductrice oblongue (8a) a une largeur (A) inférieure à l'épaisseur critique de relaxation plastique (hc) du deuxième matériau semi-conducteur 10 (7).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel le deuxième matériau semi-conducteur (7) est formé par croissance épitaxiale isotrope. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel à l'étape a) la couche de masquage (3) est dotée d'un ou plusieurs deuxièmes fente(s) (4b) dévoilant respectivement une ou plusieurs deuxième(s) portion(s) semi-conductrice(s) oblongue(s) (6b) à base du premier matériau semi-conducteur (5) et s'étendant dans une deuxième direction, orthogonale à la première direction, l'étape b) comprenant la 20 croissance du deuxième matériau semi-conducteur (7) sur lesdites une ou plusieurs deuxième(s) portion(s) semi-conductrice oblongue(s) (6b) de sorte à former au moins un deuxième bloc semi-conducteur contraint (18b) selon la deuxième direction.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6, dans lequel le paramètre de 25 maille du deuxième matériau semi-conducteur (7) par rapport à celui du premier matériau semi-conducteur (5) est tel que le premier bloc semi-conducteur (18a) et le deuxième bloc semi-conducteur (18b) sont contraints en compression, le procédé comprenant en outre, après l'étape b), une étape de croissance d'un matériau semiconducteur donné (25) sur le deuxième bloc semi-conducteur (18b), le matériau semi- 30 conducteur donné (25) ayant un paramètre de maille différent de celui du deuxième 3048815 21 matériau semi-conducteur (7) de sorte à former une région semi-conductrice (24) contrainte en tension sur le deuxième bloc semi-conducteur (18b).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, dans lequel le deuxième 5 matériau semi-conducteur (7) est à base de Sii_xGex (avec x >\n<CLM>\1\tet le matériau semi- conducteur donné (25) est du silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 7 ou 8, dans lequel le procédé comprend en outre, après l'étape b), une étape de croissance du deuxième 10 matériau semi-conducteur (7) sur le premier bloc semi-conducteur (18a).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendication 7 à 9, dans lequel après formation du premier bloc (18a) et du deuxième bloc (18b) semi-conducteur, le premier bloc semi-conducteur (18a) et le deuxième bloc semi-conducteur (18b) sont recouverts 15 respectivement d'une première région semi-conductrice (28) et d'une deuxième région semi-conductrice (24), le procédé comprenant en outre après formation de la première région semi-conductrice (28) et/ou de la deuxième région semi-conductrice (24), la formation d'au moins une grille (31a, 31b) sur la première région semi-conductrice (28) et/ou sur la deuxième région semi-conductrice (24). 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 7 à 9, dans lequel le procédé comprend en outre, après l'étape b), des étapes de : - formation d'une couche isolante (63) sur le premier bloc semiconducteur (18a) et sur le deuxième bloc semi-conducteur (18b), 25 - collage de la couche isolante (63) sur un support (66), - retrait dudit substrat (1).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 11, dans lequel après formation du premier bloc (18a) et du deuxième bloc (18b) semi-conducteur, le premier bloc semi- 30 conducteur (18a) et le deuxième bloc semi-conducteur (18b) sont recouverts 3048815 22 respectivement d'une première région semi-conductrice (28) et d'une deuxième région semi-conductrice (24), le procédé comprenant en outre après retrait du substrat (1) une gravure du premier bloc semi-conducteur (18a) et du deuxième bloc semi-conducteur (18b) de sorte à dévoiler respectivement la première région semi-conductrice (28) et la 5 deuxième région semi-conductrice (24).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12, dans lequel préalablement à la formation de la première région semi-conductrice (28), on forme une couche d'arrêt de gravure sur ledit premier bloc semi-conducteur (18a), ladite couche d'arrêt de gravure 10 étant à base du premier matériau semi-conducteur (5).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 11 à 13, dans lequel après avoir dévoilé la première région semi-conductrice (28) et la deuxième région semiconductrice (24), on forme une ou plusieurs grilles de transistor(s) sur la première région 15 semi-conductrice (28) et la deuxième région semi-conductrice (24).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 14, dans lequel après formation desdits un ou plusieurs premiers blocs semi-conducteurs, on forme sur le premier bloc semi-conducteur un empilement comprenant une alternance de barreaux à 20 base d'un matériau semi-conducteur donné et du deuxième matériau semi-conducteur.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 15, le procédé comprenant en outre des étapes de : - formation d'un masque isolant (33) sur le premier bloc semi- 25 conducteur (18a), le masque isolant comportant un ou plusieurs trous en regard respectivement d'une ou plusieurs premières portion(s) semi-conductrice(s) oblongue(s), - formation de barreaux semi-conducteurs dans lesdits un ou plusieurs trous, par croissance du deuxième matériau semi-conducteur ou d'un matériau semiconducteur donné (25) ayant un paramètre de maille différent de celui du deuxième 30 matériau semi-conducteur (7).