Brevet FR3044465A1 (20170602)
REVENDICATIONS1. Dispositif de photo-détection comportant un substrat et un réseau de diodes, le substrat comprenant une couche d'absorption (1) présentant un premier type de dopage et chaque diode comportant dans la couche d'absorption une région de collection (2) qui présente un deuxième type de dopage opposé au premier type, le dispositif comportant, sous une surface du substrat, un maillage de conduction (7) comprenant au moins un canal de conduction intercalé entre les régions de collection (2) de deux diodes adjacentes, l'au moins un canal de conduction (7) présentant le premier type de dopage et une plus grande densité de dopage que la couche d'absorption, caractérisé en ce que le maillage de conduction (7) est recouvert d'un maillage métallique (8) présent sur la surface du substrat et en ce que la densité de dopage de l'au moins un canal de conduction (7) est issue d'une diffusion de métal dans la couche d'absorption depuis le maillage métallique (8).\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 1, comprenant un contact substrat (4) périphérique agencé sur au moins un côté du réseau de diodes.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 2, dans lequel le maillage métallique (8) est en contact électrique avec le contact substrat périphérique.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le maillage de conduction (7) présente au moins un canal de conduction s'étendant entre deux rangées adjacentes de diodes.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 4, dans lequel le maillage de conduction (7) présente une pluralité de canaux de conduction agencés de manière à ce qu'on retrouve un canal de conduction intercalé entre les régions de collection de chacune des diodes adjacentes du réseau de diodes. 3044465 12\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel une couche de passivation (3) recouvre le substrat à l'exception de régions de contact d'un plot électriquement conducteur (3) avec une région de collection (2) d'une diode. 5\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel la couche d'absorption (1) est une couche de CdHgTe.\n<CLM>\1\tDispositif selon la revendication 7, dans lequel la couche d'absorption (1) présente un dopage intrinsèque par des lacunes de mercure ou un dopage extrinsèque 10 par incorporation d'arsenic.\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la couche d'absorption (1) présente une augmentation de gap graduelle depuis la surface du substrat dans l'épaisseur de la couche d'absorption. 15\n<CLM>\1\tDispositif selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la couche d'absorption (1) présente une diminution de gap soudaine qui intervient à une profondeur donnée dans l'épaisseur de la couche d'absorption depuis la surface du substrat, et qui délimite une région (1a) de plus fort gap à proximité de la surface dans 20 laquelle on retrouve le maillage de conduction (7), et une région (lb) de plus faible gap à distance de la surface du substrat.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif de photodétection comportant un substrat et un réseau de diodes, le substrat comprenant une couche d'absorption (1) 25 présentant un premier type de dopage et chaque diode comportant dans la couche d'absorption (1) une région de collection (2) qui présente un deuxième type de dopage opposé au premier type, le procédé comprenant une étape de formation, sous une surface du substrat, d'un maillage de conduction (7) comprenant au moins un canal de conduction intercalé 30 entre les régions de collection de deux diodes adjacentes, l'au moins un canal de conduction présentant le premier type de dopage et une plus grande densité de dopage que dans la couche d'absorption, 3044465 13 le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend la formation d'un maillage métallique (8) comprenant au moins une ligne métallique en surface du substrat et en ce que ladite étape de formation du maillage de conduction (7) est réalisée par diffusion de métal depuis le maillage métallique (8). 5