Brevet FR3048819A1 (20170915)
REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une structure de cellule solaire à hétérojonction, comprenant des étapes consistant à : a) prévoir, sur une première face d'un substrat semi-conducteur cristallin (1) : un bloc formé d'un empilement comprenant une première couche semi-conductrice (5) dopée ayant un premier type de conductivité N ou P et sur la première couche semiconductrice (5) dopée, une deuxième couche semi-conductrice (9) dopée ayant un deuxième type de conductivité, P ou N, opposé au premier type de conductivité, la première couche semi-conductrice (5) dopée et la deuxième couche semi-conductrice (9) dopée formant une jonction, b) effectuer un traitement thermique à l'aide d'un rayonnement laser sur le bloc (23a, 23b) de sorte à modifier le type de conductivité d'au moins une zone de ladite deuxième couche semi-conductrice (5) dopée et conférer au bloc le premier type de conductivité.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le bloc (23a, 23b) est formé sur une première région de la première face (AR) et dans lequel sur une deuxième région de la première face (AR) un autre bloc (32) est disposé, ledit autre bloc comprenant une couche semi-conductrice (9) dopée ayant un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, le traitement laser étant réalisé de sorte à irradier avec le laser ledit bloc sans irradier ledit autre bloc.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel la couche semi- conductrice (9) dopée et du deuxième type de conductivité opposé est ladite deuxième couche semi-conductrice (9) dopée formée à l'étape a) par dépôt en regard de ladite première région et sur ladite deuxième région de la première face (AR).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 2 ou 3, comprenant en outre après l'étape b), la formation d'un contact (40) sur ladite zone de premier type de 3048819 18 conductivité dudit bloc et d'un autre contact (42) sur ladite la couche semi-conductrice (9) dopée et du deuxième type de conductivité dudit autre bloc.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 2 à 4, dans lequel la 5 première couche semi-conductrice (5) dopée et la deuxième couche semi-conductrice (9) dopée sont à base de silicium amorphe hydrogéné a-Si:H.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, le procédé comprenant en outre une étape de formation sur une deuxième face (AV) du substrat (1) 10 opposée à la première face (AR) : une couche en un matériau semi-conducteur (19) dopé et ayant un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel une première couche semi-conductrice d'interface (3) en matériau semi-conducteur 15 intrinsèque est disposée entre le substrat semi-conducteur cristallin (1) et la première couche semi-conductrice (5) dopée.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel une deuxième couche d'interface (7) à base de matériau semi-conducteur intrinsèque est 20 disposée entre la première couche semi-conductrice (5) dopée et la deuxième couche semi- conductrice (9) dopée.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la cellule solaire est une cellule à hétérojonction. 25