Brevet FR3050741A1 (20171103)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur comportant du silicium cristallin en couche mince sur substrat, caractérisé en ce qu'il comporte au moins les étapes : - prévoir un substrat d' aluminium riche en silicium, - déposer une couche mince de silicium amorphe sur ledit substrat, et - appliquer un recuit thermique à ladite couche mince de silicium amorphe pour obtenir une couche mince de silicium cristallin sur ledit substrat.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche mince de silicium cristallin comporte un revêtement superficiel de silicium mélangé à de l'aluminium, et en ce que le procédé comporte une étape supplémentaire de décapage chimique de la surface de ladite couche mince de silicium cristallin pour éliminer ledit revêtement superficiel.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat est réalisé dans un alliage d'aluminium et de silicium comportant initialement entre 5 et 50% de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'alliage comporte initialement entre 12 et 50% de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la température de recuit thermique est comprise entre 450 et 550°C, pour des durées comprises entre vingt minutes et douze heures, à appliquer à une couche de silicium amorphe d'épaisseur comprise entre 1 et 10 micromètres.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche mince de silicium cristallin est une couche mince de silicium poly-cristallin dopé P+ à l'aluminium.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape de dépôt d'une deuxième couche mince de silicium sur la couche mince de silicium cristallin, la couche mince de silicium cristallin formant un germe pour initier le dépôt de ladite deuxième couche mince de silicium. 3050741 11\n<CLM>\1\tComposant semi-conducteur comportant du silicium cristallin en couche mince sur substrat, caractérisé en ce que le substrat est constitué d'un alliage d'aluminium et de silicium, majoritaire en aluminium. 5\n<CLM>\1\tComposant selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche mince comporte du silicium poly-cristallin, dopé P+ à l'aluminium.\n<CLM>\1\tComposant selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comporte en outre, pour une 10 application photovoltaïque : - une deuxième couche dopée P, déposée sur la couche mince de silicium poly-cristallin dopé P+, - une troisième couche dopée N, déposée sur la deuxième couche, - au moins un revêtement transparent conducteur sur la troisième couche, et 15 - des contacts déposés sur le revêtement.\n<CLM>\1\tComposant selon la revendication 10, caractérisé en ce que la deuxième couche dopée P et la troisième couche dopée N sont réalisées en silicium. 20\n<CLM>\1\tComposant selon l'une des revendications 9 à 11, destiné à une application photovoltaïque, caractérisé en ce que la couche mince de silicium poly-cristallin, dopé P+ à l'aluminium, forme une couche de champ de surface arrière.\n<CLM>\1\tComposant selon l'une des revendications 8 à 12, destiné à une application photovoltaïque, 25 caractérisé en ce que le substrat forme un miroir optiquement réflecteur.