Brevet FR3045936A1 (20170623)
REVENDICATIONS1°) Installation de traitement de semi-conducteurs (10) pour un substrat semi-conducteur (12) comportant : un dispositif de serrage (14) dont le côté de support de substrat (16) reçoit un substrat semi-conducteur (12) muni d'un sillon (18) s'étendant à partir de la surface supérieure (20) du substrat à l'opposé du côté de support (16) du substrat (12) respectif jusqu'à la surface inférieure (22) du substrat (12) tournée vers le côté de support de substrat (16), au moins une installation d'alimentation (24) pour introduire au moins une matière de départ dans l'installation de traitement de semi-conducteurs (10) et pour la conduire sur la surface supérieure (20) du substrat semi-conducteur (12), la matière de départ se transformant chimiquement ou physique- ment en une couche de matière (38, 40, 44,\n<CLM>\1\tremplissant au moins partiellement le sillon (18), et au moins une installation d'évacuation (26, 28,\n<CLM>\1\tqui permet d'évacuer le résidu de la matière de départ non transformé en une couche de matière (38, 40, 44, 48), hors de l'installation de traite- ment de semi-conducteurs (10), installation caractérisée en ce que le dispositif de serrage (14) comporte au moins un orifice de sortie de matière (26) faisant au moins partie d'une installation d'évacuation (26, 28, 30), cet orifice de sortie de matière (26) pas- sant du côté de support de substrat (16) au moins en partie à tra- vers le dispositif de serrage (14) pour diriger la matière de départ à travers le sillon (18). 2°) Installation de traitement de semi-conducteurs (10) selon la revendi- cation 1, caractérisée en ce qu' elle comporte au moins une installation d'aspiration et/ou de pompage (30) qui aspire la matière de départ à travers le sillon (18) et l'orifice de sortie de matière (26). 3045936 21 3°) Installation de traitement de semi-conducteurs (10) selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce que le dispositif de serrage (14) comporte une installation de refroidissement 5 et/ou de chauffage pour mettre en température l'orifice de sortie de ma- tière (26). 4°) Installation de traitement de semi-conducteurs (10) selon l'une des revendications 1 à 3, 10 caractérisée en ce que l'orifice de sortie de matière (26) comporte au moins un filtre et/ou au moins un piège de mise en température. 5°) Installation de traitement de semi-conducteurs (10) selon l'une des 15 revendications 1 à 4, caractérisée en ce que l'orifice de sortie de matière (26) est fixé à un dispositif de post-traitement des gaz d'échappement. 20 6°) Installation de traitement de semi-conducteurs (10) selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisée en ce que l'installation de traitement de semi-conducteurs (10) forme une couche de matière (38, 40, 44,\n<CLM>\1\tà partir d'une matière de départ à l'aide d'un 25 dépôt de couches minces atomiques, d'un dépôt chimique en phase ga- zeuse et/ou d'un dépôt en phase liquide. 7°) Installation de traitement de semi-conducteurs (10) selon l'une des revendications 1 à 6, 30 caractérisée en ce qu' elle applique le procédé de tranchée, le procédé de gravure cryostatique, le procédé de gravure anodique, le procédé de gravure par voie humide et/ou le procédé de gravure chimique assisté par du métal dans l'installation de traitement de semi-conducteurs (10) pour former un sillon (18) traversant le substrat semi-conducteur (12). 3045936 22 8°) Installation de traitement de semi-conducteurs (10) selon la revendication 7, caractérisée en ce qu' elle réalise le procédé de gravure chimique par du métal dans 5 l'installation (10) pour former au moins un sillon (18) à travers un subs- trat semi-conducteur (12) et l'installation de traitement de semiconducteurs (10) comporte un dispositif électrique et/ou magnétique par lequel la pièce métallique (34) utilisée dans le procédé de gravure chimique par du métal, sera déplacée pendant l'application de ce procé- 10 dé de façon à développer un sillon (18) en forme de spirale et/ou le long d'une droite (46) avec un angle d'inclinaison compris entre 5° et 85° par rapport à la surface supérieure (20) du substrat et/ou de la surface inférieure (22) du substrat à travers le substrat semi-conducteur (12). 15 9°) Procédé pour remplir au moins partiellement un sillon (18) traver- sant un substrat semi-conducteur (12) comportant les étapes suivantes consistant à : installer le substrat semi-conducteur (12) sur un côté de support de substrat (16) d'un dispositif de serrage (14) dans une installa- 20 tion de traitement de semi-conducteurs (10), * le substrat semi-conducteur (12) étant orienté avec le sillon (18) déjà réalisé ou au moins un sillon (18) après la mise en place du substrat semi-conducteur (12) sur le côté de support (16) dans le substrat semi-conducteur (12) de façon que le sillon 25 (18) réalisé dans le substrat semi-conducteur (12) s'étende de la surface supérieure (20) du substrat non tournée vers le côté de support de substrat (16) dans le substrat semi-conducteur (12) jusqu'à la surface inférieure de substrat (22) orientée vers le côté de support de substrat (16) du substrat semi- 30 conducteur (12), introduire au moins une matière de départ qui peut se transformer physiquement ou chimiquement en une couche de matière (38, 40, 44,\n<CLM>\1\tdans l'installation de traitement de semi-conducteurs (10) et faire passer la matière de départ sur la surface supérieure (20) 3045936 23 du substrat pour remplir au moins partiellement un sillon (18) avec une couche de matière (38, 40, 44, 48), et évacuer le résidu de la matière de départ non transformé en une couche de matière (38, 40, 44,\n<CLM>\1\thors de l'installation de traite- 5 ment de semi-conducteurs (10), procédé caractérisé par l'étape suivante consistant : faire passer au moins une matière de départ sur au moins un orifice de sortie de matière (26) réalisé dans le dispositif de serrage (14), cet orifice de sortie de matière s'étendant du côté de support de substrat (16) au 10 moins partiellement à travers le dispositif de serrage (14) en passant par le sillon (18). 10°) Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que 15 la couche de matière (38, 40, 44,\n<CLM>\1\test formée avec au moins une ma- tière de départ par le dépôt d'une couche mince atomique, le dépôt chimique en phase gazeuse et/ou le dépôt en phase liquide. 11°) Procédé selon la revendication 9 ou 10, 20 caractérisé en ce qu' on forme un sillon (18) avec une première couche de matière (38) et avec une seconde couche de matière (44,\n<CLM>\1\tconstituant au moins une couche de matière (38, 40, 44,\n<CLM>\1\tcomme contact traversant (50) en ce que l'on remplit au moins un sillon (18) tout d'abord partiellement avec 25 une couche isolante (38) constituant une première couche de matière (38) puis au moins partiellement avec un remplissage liquide (44) constituant une seconde couche de matière (44, 48). 12°) Procédé selon l'une des revendications 9 à 11, 30 caractérisé en ce qu' on réalise le sillon (18) après l'installation de traitement de semiconducteurs (12) sur le côté de support de substrat (16) par un procédé de tranchée, un procédé de gravure cryostatique, un procédé de gravure anodique, un procédé de gravure par voie humide et/ou un procédé de 35 gravure chimique par du métal dans le substrat semi-conducteur (12). 3045936 24 13°) Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce qu' on structure au moins un sillon (18) par le procédé de gravure chimique par du métal selon un tracé en spirale à travers le substrat semi- 5 conducteur (12). 14°) Procédé selon la revendication 12 ou 13, caractérisé en ce qu' on structure le sillon (18) par le procédé de gravure chimique par du 10 métal le long d'une droite (46) inclinée d'un angle d'inclinaison compris entre 5° et 85° par rapport à la surface supérieure (20) du substrat et/ou la surface inférieure (22) du substrat à travers le substrat semiconducteur (12). 15 15°) Procédé pour former au moins un contact de paroi latérale (58) avec les étapes consistant à : développer au moins un contact traversant (50) dans le substrat semi-conducteur (12) selon le procédé des revendications 11 et 14, et 20 séparer une partie (12a) du substrat semi-conducteur (12) par rap- port au reste (12b) du substrat semi-conducteur (12), en formant une paroi latérale (56) avec le reste (12b) du substrat semiconducteur (12) qui dégage une zone intérieure préalable d'un contact traversant (50) constituant au moins un contact de paroi laté- 25 rale (58).