Brevet FR3045678A1 (20170623)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une couche (10) d'un matériau piézoélectrique monocristallin, caractérisé en ce qu'il comprend : - la fourniture d'un substrat donneur (100) dudit matériau piézoélectrique, - la fourniture d'un substrat receveur (110), - le transfert d'une couche dite « couche germe » (102) dudit substrat donneur (100) sur le substrat receveur (110), - la mise en oeuvre d'une épitaxie du matériau piézoélectrique sur la couche germe (102) jusqu'à l'obtention de l'épaisseur souhaitée pour la couche piézoélectrique monocristalline (10).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel le transfert de la couche germe (102) comprend les étapes suivantes : - la formation d'une zone de fragilisation (101) dans le substrat donneur (100) de sorte à délimiter la couche germe (102) à transférer, - le collage du substrat donneur (100) sur le substrat receveur (110), la couche germe (102) à transférer étant à l'interface, - le détachement du substrat donneur (100) le long de la zone de fragilisation (101) de sorte à transférer la couche germe (102) sur le substrat receveur (110).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 2, dans lequel la zone de fragilisation (101) est formée par implantation ionique dans le substrat donneur (100).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le matériau piézoélectrique est choisi parmi le quartz et les composés de formule LiXO3, où X est choisi parmi le niobium et le tantale.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel l'épaisseur de la couche germe (102) est inférieure à 2 pm, de préférence inférieure à 1 pm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel, avant l'étape d'épitaxie, on retire une partie de l'épaisseur de la couche germe (102) transférée sur le substrat receveur (110).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'épaisseur de la couche piézoélectrique monocristalline (10) à l'issue de l'étape d'épitaxie est comprise entre 0,2 et 20 pm. 3045678 12\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel on forme au moins une couche électriquement isolante et/ou au moins une couche électriquement conductrice à l'interface entre le substrat receveur et la couche germe. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, comprenant, après l'épitaxie, le transfert d'au moins une partie de la couche piézoélectrique monocristalline (10) sur un substrat final (111).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 9, comprenant, après ledit transfert sur le 10 substrat final (111), le retrait de la couche germe (102).\n<CLM>\1\tSubstrat pour un dispositif microélectronique, photonique ou optique, comprenant une couche piézoélectrique monocristalline (10) sur un substrat receveur (110), caractérisé en ce que la couche piézoélectrique (10) présente une première portion 15 (102) située à l'interface avec le substrat receveur (110), et une seconde portion (103) s'étendant à partir de la première portion (102) et en ce que la seconde portion (103) présente des caractéristiques différentes de celles de la première portion (102).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de volume, 20 comprenant la formation d'électrodes (12,\n<CLM>\1\tsur deux faces principales opposées d'une couche piézoélectrique (10), caractérisé en ce qu'il comprend la fabrication de ladite couche piézoélectrique (10) par un procédé selon l'une des revendications 1 à\n<CLM>\1\t13. Dispositif à ondes acoustiques de volume, caractérisé en ce qu'il comprend 25 une couche piézoélectrique (10) susceptible d'être obtenue par un procédé selon l'une des revendications 1 à 10, et deux électrodes (12,\n<CLM>\1\tagencées sur deux faces principales opposées de ladite couche (10).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface, 30 comprenant la formation de deux électrodes (12,\n<CLM>\1\tinterdigitées sur la surface d'une couche piézoélectrique (10), caractérisé en ce qu'il comprend la fabrication de ladite couche piézoélectrique par un procédé selon l'une des revendications 1 à\n<CLM>\1\t15. Dispositif à ondes acoustiques de surface, caractérisé en ce qu'il comprend 35 une couche piézoélectrique (10) susceptible d'être obtenue par un procédé selon l'une des revendications 1 à 10, et deux électrodes (12,\n<CLM>\1\tinterdigitées sur une face de ladite couche piézoélectrique (10).