Brevet FR3041470A1 (20170324)
REVENDICATIONS1. Structure semi-conductrice comportant au moins : - un substrat (102), - une couche tampon (104), - un super-réseau formé sur la couche tampon (104), ledit super-réseau comportant un motif comprenant n couches en des matériaux différents, n'étant au moins égal à 2, chaque couche (106, 108)comportant un matériau de type AlxGaylnw13,N avec x + y + w +z = 1, l'épaisseur de chaque couche (106,\n<CLM>\1\tétant inférieure à son épaisseur critique, le nombre de motifs étant au moins égal à 50, - une couche intercalaire (110) dont le matériau présente un premier paramètre de maille, - une couche de matériau de type III-N (112), dont le paramètre de maille est supérieur au premier paramètre de maille de sorte que la couche de matériau de type III-N (112) soit mise en compression par la couche intercalaire (110).\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice selon la revendication 1, dans laquelle l'épaisseur de chaque couche (106,\n<CLM>\1\tdu super-réseau est inférieure ou égale à 5 nm, avantageusement égale à 1 nm.\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle l'épaisseur de chaque motif est inférieure ou égale à 5 nm.\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice selon l'un des revendications 1 à 3, comportant au moins une couche en matériau de type AlxGaylnw13,N avec x + y + w +z = 1 entre la couche intercalaire et la couche de matériau de type III-N présentant un deuxième paramètre de maille supérieur au premier paramètre de maille et inférieur au paramètre de maille du matériau de type III-N 3041470 15\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice selon l'une des revendications 1 à 4, dans laquelle la couche intercalaire a une épaisseur au moins égale à 10nm.\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice selon l'une des revendications 1 à 5, 5 dans laquelle la couche intercalaire est une couche d'AIN.\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice selon l'une des revendications 1 à 5, dans laquelle la couche intercalaire est un super-réseau. 10\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice selon l'une des revendications 1 à 7, dans laquelle le substrat comporte du silicium monocristallin.\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice selon l'une des revendications 1 à 8, comportant au moins une couche supplémentaire de matériau de type III-N interposée 15 entre le super-réseau et la couche intercalaire et/ou au moins une couche supplémentaire de matériau de type III-N interposée entre la couche intercalaire et la couche de matériau III-N.\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice selon la revendication 9, dans laquelle la couche supplémentaire de matériau de type III-N a une épaisseur d'au moins 50 nm. 20\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice selon l'une des revendications 1 à 10, comportant plusieurs super-réseaux superposés.\n<CLM>\1\tStructure semi-conductrice selon l'une des revendications 1 à 11, 25 dans lequel le matériau de type III-N est du nitrure de Gallium.\n<CLM>\1\tTransistor comportant au moins une structure selon l'une des revendications précédentes. 3041470 16\n<CLM>\1\tTransistor selon la revendication précédente, ledit transistor étant un transistor HEMT.\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'une structure semi-conductrice 5 comportant les étapes à partir d'un substrat : a) formation d'une couche tampon, b) formation d'un super-réseau comportant les sous-étapes : b1) réalisation d'un motif comprenant n couches, n'étant au moins égal à 2, chaque couche comportant un matériau de type AlxGaylnw13,1\1 avec x + y + w +z = 1, 10 l'épaisseur de chaque couche étant inférieure à son épaisseur critique, b2) répétition de l'étape b1) au moins 50 fois, c) formation d'une couche intercalaire présentant un premier paramètre de maille d) formation d'une couche en matériau de type III-n dont le paramètre 15 de maille est supérieur au première paramètre de maille.\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation selon la revendication 15, dans lequel lors de l'étape b), du carbone est incorporé dans les couches du super-réseau. 20\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation selon la revendication 15 ou 16, dans lequel les couches de la structure sont formées par croissance, avantageusement par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques.