Brevet FR3047604A1 (20170811)
REVENDICATIONS1. Procédé de protection contre l'humidité d'un dispositif comportant un premier et un second composants électroniques (10a, 10b) présentant respectivement deux surfaces en regard, lesdites surfaces : - étant séparées par une distance non nulle et inférieure à 10 micromètres ; - ayant une aire supérieure à 100 mm2; - étant connectées par un ensemble d'éléments d'interconnexion électriques (16) espacés les uns des autres par un espace vide de matière, caractérisé en ce que le procédé comporte l'application d'un dépôt de couches minces atomiques au dispositif de manière à former une couche (34) de matériau minéral recouvrant au moins lesdits éléments d'interconnexion, la couche de matériau minéral ayant une perméabilité à la vapeur d'eau inférieure ou égale à 101 g/m2/jour.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau minéral est choisi dans le groupe constitué par les composés de formule Ti02, Zr02, Si0', SiNX, SiO'Ny, ZnSe, ZnO, Sb203, les oxydes d'aluminium et les oxydes transparents conducteurs (OTC).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la couche de matériau de matériau minéral a une épaisseur comprise entre 10 nanomètres et 100 nanomètres.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé : - en ce que l'application du dépôt de couches minces atomiques comprend le placement de la structure dans une enceinte et l'injection dans ladite enceinte de gaz réactifs pour la formation de la couche de matériau minéral ; - et en ce que l'injection des gaz réactifs est réalisée sans pompage de l'enceinte.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend le dépôt d'un matériau de remplissage remplissant complètement l'espace vide de matière séparant les surfaces en regard des deux composants, le dépôt du matériau de remplissage étant réalisé après le dépôt de la couche de matériau minéral sur les éléments d'interconnexion. 3047604 12\n<CLM>\1\tDispositif comportant un premier et un second composants électroniques présentant respectivement deux surfaces en regard, lesdites surfaces : - étant séparées par une distance non nulle et inférieure à 10 micromètres ; - ayant une aire supérieure à 100 mm2; - étant connectées par un ensemble d'éléments d'interconnexion électriques distincts, caractérisé en ce qu'il comporte une couche de matériau minéral recouvrant au moins lesdits éléments d'interconnexion, la couche de matériau minéral ayant une perméabilité à la vapeur d'eau inférieure ou égale à 101 g/m2/jour. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que le matériau minéral est choisi dans le groupe constitué par les composés de formule TiO2, ZrO2, Si0', SiNX, SiO'Ny, ZnSe, ZnO, Sb203, les oxydes d'aluminium et les oxydes transparents conducteurs (OTC). Dispositif selon la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce que la couche de matériau minéral a une épaisseur comprise entre 10 nanomètres et 100 nanomètres. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, caractérisé en ce qu'il comprend un matériau de remplissage remplissant complètement l'espace séparant les surfaces en regard des deux composants. 5 10\n<CLM>\1\t158.\n<CLM>\1\t20