Brevet FR3045674A1 (20170623)
REVENDICATIONS1. Procédé de métallisation au cuivre d'un substrat présentant une couche de silicium sur une de ses surfaces, lequel procédé comprend les étapes consistant à : i- déposer des particules d'or ou de palladium sur la couche de silicium pour obtenir une surface de silicium activée, ii- déposer sur la surface de silicium activée, une couche d'un métal choisi dans le groupe constitué par le nickel, les alliages du nickel, le cobalt et les alliages de 10 cobalt, iii- appliquer un traitement thermique rapide au substrat obtenu à l'étape ii), de manière à former entre la couche de métal et la couche de silicium, une couche intercalaire qui comprend majoritairement un siliciure de stoechiométrie SiM2, M représentant le nickel ou le cobalt, ledit siliciure étant formé par diffusion d'une partie 15 du métal dans le silicium de manière à laisser une couche de métal résiduel en surface, le traitement thermique étant réalisé à une température inférieure ou égale à 350°C, et iv- déposer une couche de cuivre sur la surface de la couche de métal résiduel. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche de métal déposée à l'étape ii) est comprise entre 10 et 150 nm et l'épaisseur de la couche de métal résiduel est conforme et va de 5 à 100 nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en que le 25 traitement thermique est réalisé à une température allant de 200°C à 300°C.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche intercalaire va de 10 à 200 nm. 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que le métal est un alliage du nickel ou du cobalt avec un élément choisi dans le groupe constitué par le bore, le tungstène et le phosphore.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisée en ce que le métal est un 35 alliage de nickel et de bore, que la température de traitement thermique est comprise entre 200 et 300°C, et que la durée de traitement est inférieure à 30 minutes, par exemple de 10 minutes et sous atmosphère réductrice. 3045674 22\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, caractérisée en ce que le métal est un alliage de cobalt et de bore, que la température de traitement thermique est comprise entre 250 et 350°C, et que la durée de traitement est inférieure à 30 minutes, par exemple de 10 minutes et sous atmosphère réductrice. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que le silicium est dopé ou non dopé et choisi parmi le polysilicium, le silicium amorphe et le silicium cristallin.\n<CLM>\1\tStructure destinée à la fabrication de composants électroniques comprenant la superposition de plusieurs couches de matériaux lesquels sont disposés dans l'ordre énoncé et comprennent respectivement et essentiellement les composés - dioxyde de silicium, - silicium, - siliciure de nickel ou siliciure de cobalt - alliage de cobalt-bore ou alliage de nickel-bore, et - cuivre.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un circuit intégré qui comprend une étape de création de lignes d'interconnections et de vias traversants par dépôt de cuivre sur un substrat de silicium recouvert d'une couche de dioxyde de silicium, lequel procédé comprend les étapes suivantes consistant à: A- graver des structures dans le dioxyde de silicium, lesdites structures étant destinées à être remplies de cuivre afin de former lesdites lignes et lesdits vias, B- déposer une couche de silicium à l'intérieur des structures au contact du dioxyde de silicium, C- mettre en oeuvre le procédé selon l'une des revendications 1 à 8, lequel procédé ne comprend pas une étape de décapage du métal résiduel après l'étape de traitement thermique, et lequel procédé ne comprend pas une étape de dépôt d'une couche additionnelle dudit métal après l'étape de traitement thermique.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un circuit intégré selon la revendication 10, caractérisé en ce que les structures sont des tranchées ou des via traversants tels que leur largeur ou leur diamètre, en surface du substrat, est compris entre 100 nm et 100 microns, et leur profondeur est comprise entre 100 nm et 300 microns.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un circuit intégré selon la revendication 10, qui comprend, dans une étape postérieure à l'étape C, une étape de traitement thermique 3045674 23 réalisée à une température inférieure à la température de traitement thermique rapide de l'étape iii).\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication de cellules photovoltaïques, qui met en oeuvre une 5 étape de création de lignes conductrices de cuivre par métallisation d'un substrat de silicium avec du cuivre selon le procédé de l'une des revendications 1 à 8, lequel procédé ne comprend ni une étape de décapage du métal résiduel après l'étape de traitement thermique, ni une étape de dépôt d'une couche additionnelle dudit métal après l'étape de traitement thermique. 10