Brevet FR3046788A1 (20170721)
REVENDICATIONS1°) Dispositif MEMS (100,\n<CLM>\1\tcomportant : un substrat (101), un dispositif de micro-miroir (112) installé sur le substrat (101) ayant au moins un micro-miroir (102) pivotant d'un angle de pivo- tement (a) à partir d'une position de repos autour d'un axe (201), au moins une première butée (103,\n<CLM>\1\tsur le substrat (101), un dispositif actionneur (203) qui applique une intensité de courant (I) pour pivoter le dispositif de micro-miroir (112), un dispositif de mesure (204) pour mesurer l'intensité (I) du cou- rant appliqué par le dispositif actionneur (203) et mesurer la relation entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir (112) et l'intensité (I) du courant appliqué, un dispositif de reconnaissance (205) reconnaissant la position de butée du dispositif de micro-miroir (112) dans laquelle le dispositif de micro-miroir (112) est pivoté de son angle de pivotement maximum (a.) et touche au moins une première butée (103,\n<CLM>\1\tlorsque le dispositif de mesure (204) a mesuré que pour une variation de l'intensité (I) du courant appliqué il n'y a plus de variation de la position de pivotement du dispositif de micro-miroir (112) et/ou une variation de la position de pivotement du dispositif de micro-miroir (112) pour une variation de l'intensité (I) du courant appliqué qui varie d'au moins une valeur prédéfinie, et un dispositif de calcul (206) qui calcule la relation entre l'angle de pivotement (a) et l'intensité (I) du courant appliqué à l'aide de la re- lation mesurée par le dispositif de mesure (204) entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir (112) et de l'intensité (I) du courant appliqué, de la position de butée détectée par le dispositif de reconnaissance (205) et de l'angle de pivotement maximum (ctmax), connu, en position de butée. 2°) Dispositif MEMS (100,\n<CLM>\1\tselon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif de micro-miroir (112) est relié au substrat (101) par au moins deux éléments de ressort (202a, 202b), 3046788 16 le premier élément de ressort (202a) portant un premier demi-pont de Wheatstone (305), le second élément de ressort (202b) portant un second demi-pont de Wheatstone (306), 5 le premier demi-point de Wheatstone (305) et le deuxième demi- pont de Wheatstone (306) étant reliés pour former un pont de Wheatstone complet (403) et, le dispositif de mesure (204) mesurant les tensions appliquées au pont complet de Wheatstone (403), mesure la relation entre la posi- 10 tion de pivotement du dispositif de micro-miroir (112) et de l'intensité (I) du courant appliqué. 3°) Dispositif MEMS (100,\n<CLM>\1\tselon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que 15 le dispositif de micro-miroir (112) comporte un dispositif de support (111). 4°) Dispositif MEMS (100,\n<CLM>\1\tselon la revendication 3, caractérisé en ce que 20 le dispositif de support (111) touche au moins une première butée (104) lorsque le dispositif de micro-miroir (112) est pivoté d'un angle de pivotement maximum (a.). 5°) Dispositif MEMS (100,\n<CLM>\1\tselon la revendication 3, 25 caractérisé en ce que le dispositif de support (111) a au moins une seconde butée (105) et, cette seconde butée (105) du dispositif de support (111) touche au moins une première butée (103,\n<CLM>\1\tsi le dispositif de micro-miroir (112) est pivoté de son angle de pivotement maximum (amax). 30 6°) Dispositif MEMS (100,\n<CLM>\1\tselon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte un dispositif de mesure angulaire (801) qui mesure l'angle de pivotement maximum (a.) en position de butée. 35 3046788 17 7°) Procédé de gestion d'un dispositif MEMS (100,\n<CLM>\1\tselon l'une des revendications 1 à 6, comprenant les étapes suivantes consistant à : pivoter (Si) le dispositif de micro-miroir (112) par le dispositif actionneur (203) en appliquant une intensité de courant (I), 5 mesurer (S2) avec le dispositif de mesure (204), l'intensité (I) du courant appliqué par le dispositif actionneur (203), mesurer (S3) avec le dispositif de mesure (204), la relation entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir (112) et l'intensité (I) du courant appliqué, 10 reconnaître (S4) avec le dispositif de reconnaissance (205) la posi- tion de butée du dispositif de micro-miroir (112) dès que l'on a mesuré que pour une variation de l'intensité (I) du courant appliqué, il n'y a plus de variation de la position de pivotement du dispositif de micro-miroir (112) et/ou la variation de la position de pivotement 15 du dispositif de micro-miroir (112) pour laquelle une variation de l'intensité (I) du courant appliqué a changé d'au moins une valeur prédéfinie, et calculer (S5) avec le dispositif de calcul (206), la relation entre l'angle de pivotement (a) et l'intensité (I) du courant appliqué à 20 l'aide de la relation mesurée par le dispositif de mesure (204) entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir (112) et l'intensité (I) du courant appliqué, de la position de butée détectée par le dispositif de reconnaissance (205) et d'un angle de pivotement maximum (a.) connu, en position de butée. 25 8°) Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en outre par l'étape suivante consistant à : pivoter (S6) avec le dispositif actionneur (203), le dispositif de micro-miroir (112) d'un angle de pivotement fixé (a) en appliquant une 30 intensité de courant (I) selon la relation calculée entre l'angle de pi- votement (a) et l'intensité (I) du courant appliqué. 9°) Dispositif selon l'une des revendications 7 ou 8, comportant en outre l'étape suivante consistant à : 3046788 18 - mesurer (S5a) avec le dispositif de mesure angulaire (801), l'angle de pivotement maximum (am.) en position de butée. 5