Brevet FR3045207A1 (20170616)
REVENDICATIONS1. Procédé de compensation d'une courbure d'arc (IV générée dans une tranche (1) d'un matériau, la tranche (1) comportant des première et seconde 5 surfaces (10,\n<CLM>\1\topposées, le matériau de la tranche (1) possédant un coefficient de dilatation thermique, dit CTE et noté ao ; le procédé comportant les étapes : a) former un ensemble de premières tranchées (100a, 100b) à la première surface (10) de la tranche (1) ; b) former un ensemble de deuxièmes tranchées (110) à la seconde surface (11) de la 10 tranche (1), au moins partiellement en regard des premières tranchées (100a, 100b) ; c) remplir les premières tranchées (100a, 100b) d'un premier matériau (M,) possédant un CTE ai ; d) remplir les deuxièmes tranchées (110) d'un deuxième matériau (M2) possédant un 15 CTE a2, et vérifiant a2 > ao ou a2 120 OU 121\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel les premier et deuxième matériaux (M' M2) occupent respectivement un premier volume V, et un deuxième 20 volume V2 au sein des premières et deuxièmes tranchées (100a, 100b ;\n<CLM>\1\tà l'issue des étapes c) et d) ; et l'étape d) est exécutée de sorte que V2 = Vi X lao-ail Icro-cr21.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les premières et deuxièmes tranchées (100a, 100b ;\n<CLM>\1\tprésentent respectivement un premier 25 facteur de forme (Di et un deuxième facteur de forme 12 lors des étapes a) et b), définis comme le rapport entre la largeur (1'\n<CLM>\1\tet la profondeur (H' H2) des tranchées (100a, 100b ;\n<CLM>\1\tcorrespondantes ; et l'étape b) est exécutée de sorte que (1)2 = EP, ± 20% , de préférence (1)2 = cl) 1 ± 15% , plus préférentiellement (1)2 = c1)1 + 10% . 30\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape a) est exécutée de sorte que les premières tranchées (100a) dessinent un chemin de 3045207 16 découpe de la tranche (1), et l'étape b) est préférentiellement exécutée de sorte que les deuxièmes tranchées (110) sont totalement en regard des premières tranchées (100a).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 4, comportant une étape a1) consistant à revêtir les premières tranchées (100a, 100b) d'une couche diélectrique (101) avant l'étape c), la couche diélectrique (101) étant préférentiellement une couche d'oxyde.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, comportant une étape b1) consistant à revêtir les deuxièmes tranchées (110) d'une couche diélectrique (111) avant l'étape d), la couche diélectrique (111) étant préférentiellement une couche d'oxyde.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 6 en combinaison avec la revendication 5, dans lequel les étapes a1) et b1) sont concomitantes.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel l'étape d) est exécutée de sorte que le deuxième matériau (M2) est identique au premier matériau 20 (M1), les étapes c) et d) étant de préférence concomitantes.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, comportant : - une étape cl) consistant à aplanir le premier matériau (M1) de manière à affleurer la première surface (10) après l'étape c) ; et de préférence 25 - une étape d1) consistant à aplanir le deuxième matériau (M2) de manière à affleurer la seconde surface (11) après l'étape d).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel les premier et deuxième matériaux (M' M2) sont sélectionnés dans le groupe comportant le 30 silicium polycristallin, un polyimide, un polyépoxyde, un acrylique, un oxyde, un nitrure, un verre. 3045207 17\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel le matériau de la tranche (1) est sélectionné dans le groupe comportant un matériau semi-conducteur, une céramique, un verre, le saphir ; le matériau semi-conducteur étant de préférence à base de silicium. 5\n<CLM>\1\tStructure de compensation d'une courbure d'arc (13,), comportant : - une tranche (1) d'un matériau, comprenant des première et seconde surfaces (10,\n<CLM>\1\topposées, le matériau de la tranche (1) possédant un coefficient de dilatation thermique, dit CTE et noté ao ; 10 - un ensemble de premières tranchées (100a, 100b) formées à la première surface (10), et remplies d'un premier matériau (M,) possédant un CTE ai ; - un ensemble de deuxièmes tranchées (110) formées à la seconde surface (11), au moins partiellement en regard des premières tranchées (100a, 100b), et remplies d'un deuxième matériau (M2) possédant un CTE a2, et vérifiant a2 > ao ou a2 ao ou a1\n<CLM>\1\tStructure selon la revendication 12, dans laquelle les premier et deuxième matériaux (M' M2) occupent respectivement un premier volume V, et un deuxième volume V2 au sein des premières et deuxièmes tranchées (100a, 100b ; 110), et vérifiant V2 = ViX lao-ail iao-19(21.\n<CLM>\1\tStructure selon la revendication 12 ou 13, dans laquelle les premières et deuxièmes tranchées (100a, 100b ;\n<CLM>\1\tprésentent respectivement un premier facteur de forme (Di et un deuxième facteur de forme 12, définis comme le rapport entre la largeur (1'\n<CLM>\1\tet la profondeur (H' H2) des tranchées (100a, 100b ;\n<CLM>\1\tcorrespondantes ; et vérifiant (1)2 = '1 ± 20%, de préférence cri2 = '1 ± 15%, plus préférentiellement (1)2 = (Pi ± 10%.\n<CLM>\1\tStructure selon l'une des revendications 12 à 14, dans laquelle les premières 30 tranchées (100a, 100b) sont revêtues d'une couche diélectrique (101) intercalée entre le matériau de la tranche (1) et le premier matériau (M,) ; et les deuxièmes 3045207 18 tranchées (110) sont de préférence revêtues d'une couche diélectrique (111) intercalée entre le matériau de la tranche (1) et le deuxième matériau (M2).\n<CLM>\1\tStructure selon l'une des revendications 12 à 15, dans laquelle le premier 5 matériau (M1) affleure la première surface (10) ; et de préférence le deuxième matériau (M2) affleure la seconde surface (11).