Brevet FR3039025A1 (20170120)
REVENDICATIONS1) Procédé de soudure avec apport de matière destiné à reporter une puce à semiconducteur (1) sur un substrat (2) du type dans lequel on forme une brique 5 d'assemblage (1, 2,\n<CLM>\1\tcomprenant ledit substrat (2), une couche (3) de poudre conductrice déposée sur ledit substrat (2), et ladite puce à semi-conducteur (1), et dans lequel on soumet longitudinalement ladite brique d'assemblage (1, 2,\n<CLM>\1\tà une charge de pression (10) entre une plaque chauffante (6) et une bride de maintien (7), caractérisé en ce que l'on imprime un mouvement vibratoire transversal (11) à 10 ladite brique d'assemblage (1, 2,\n<CLM>\1\tà une fréquence ultrasonique.\n<CLM>\1\tProcédé de soudure avec apport de matière selon la revendication 1 précédente, caractérisé en ce que ladite poudre conductrice (3) est constituée de particules d'argent ou de particules d'alliages intermétalliques, formés à partir de métaux pris 15 parmi un groupe comprenant, l'argent, le cuivre, l'or et l'étain.\n<CLM>\1\tProcédé de soudure avec apport de matière selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2 précédentes, caractérisé en ce que ledit substrat (2) est en outre revêtu d'un premier revêtement (4) anti-diffusion formé de nickel, et d'un 20 second revêtement (5) anti-oxydation formé d'argent déposé sur ledit premier revêtement (4).\n<CLM>\1\tProcédé de soudure avec apport de matière selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 précédentes, caractérisé en ce que ladite couche (3) est 25 déposée sur ledit substrat (2) par une méthode de sérigraphie.\n<CLM>\1\tProcédé de soudure avec apport de matière selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 précédentes, caractérisé en ce que ladite couche (3) est déposée sur ladite puce à semi-conducteur (1) par une méthode de film de 30 transfert.\n<CLM>\1\tProcédé de soudure avec apport de matière selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 précédentes, caractérisé en ce qu'une température de ladite 3039025 - 9 - plaque chauffante (6) est comprise entre 200° C et 300° C et la charge de pression appliquée sur la brique d'assemblage est comprise entre 1 MPa et 10 MPa.\n<CLM>\1\tProcédé de soudure avec apport de matière selon l'une quelconque des 5 revendications 1 à 6 précédentes, caractérisé en ce que ladite fréquence ultrasonique est comprise entre 20 kHz et 80 kHz.\n<CLM>\1\tProcédé de soudure avec apport de matière selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 précédentes, caractérisé en ce qu'une puissance ultrasonique 10 est comprise entre 20 W et 100 W et est appliquée pendant une durée comprise entre 0,2 et 5 secondes.\n<CLM>\1\tProcédé de soudure avec apport de matière selon l'une quelconque des revendications 1 à 8 précédentes, caractérisé en ce que ledit substrat (2) est en 15 cuivre, ou bien de type DBC ou AMB.\n<CLM>\1\tModule électronique de puissance (13) du type de ceux réalisés en technologie IML comprenant un substrat (2) et au moins une puce à semi-conducteur (1,\n<CLM>\1\tcaractérisé en ce que ladite au moins une puce à semi-conducteur (1,\n<CLM>\1\test 20 reportée sur ledit substrat (2) par le procédé de soudure avec apport de matière selon l'une quelconque des revendications 1 à 9 précédentes.