Brevet FR3044021A1 (20170526)
REVENDICATIONS1. Procédé d'ionisation d'argon, ledit procédé étant caractérisé en ce que l'argon est ionisé en présence d'un gaz choisi parmi le xénon et/ou le krypton, la quantité en volume d'argon étant supérieure à celle du xénon et/ou du krypton exprimées dans les conditions normales de température et de pression.\n<CLM>\1\tProcédé de génération d'un plasma comprenant la mise en oeuvre du procédé selon la revendication\n<CLM>\1\t3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la quantité de xénon et/ou de krypton est inférieure à 20%, de préférence inférieure à 15%, de préférence inférieure à 10%, de préférence inférieure à 8%, de préférence de 2 à 8%, de préférence de 2 à 6%, de préférence de 4%, la quantité étant exprimée en % en volume, par rapport au volume total d'argon et du gaz choisi parmi le xénon et/ou le krypton, dans les conditions normales de température et de pression.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel on ajoute le gaz choisi parmi le xénon et/ou krypton à l'argon avant et/ou pendant l'ionisation de l'argon.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'ionisation est réalisée en présence d'un champ magnétique.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l'ionisation est réalisée en présence d'un champ magnétique et d'une décharge électrique, le champ magnétique et la décharge électrique étant utilisés pour l'ionisation et/ou l'accélération les ions formés. 3044021 32\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l'ionisation de l'argon est réalisée au moyen d'une source d'ions. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 7, dans lequel la source d'ions comprend : - une chambre d'ionisation (CH), - des moyens d'introduction (SA-, DE, TA, VA) de l'argon à l'intérieur de ladite chambre, 10 - des moyens d'introduction (Sxe, DE, TA, VA) de xénon et/ou de krypton dans ladite chambre, - une anode, - des moyens de génération d'une décharge ionisant l'argon une fois introduit dans ladite chambre, 15 - des moyens de génération d'un champ magnétique (CE, CI), et - une cathode (CA).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le champ magnétique est essentiellement radial entraînant 20 l'établissement d'un champ électrique essentiellement axial et une accélération axiale des ions formés.\n<CLM>\1\tProcédé de propulsion comprenant la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à\n<CLM>\1\t25\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 10, dans lequel l'ionisation de l'argon étant réalisée au moyen d'une source d'ions, ladite source d'ions est un propulseur spatial à effet Hall. 30\n<CLM>\1\tProcédé de traitement de surface comprenant la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à\n<CLM>\1\t3044021 33\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12, ledit procédé étant un procédé de dépôt de couches minces. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 12 ou 13, dans lequel l'ionisation de l'argon étant réalisée au sein d'une source d'ions, ladite source d'ions est une source magnétron ou une source End-Hall.\n<CLM>\1\tDispositif d'ionisation d'argon comprenant : 10 - une chambre d'ionisation (CH), - des moyens d'introduction d'argon (SA-, DE, TA, VA) à l'intérieur de ladite chambre, - des moyens de génération d'une décharge continue ou non ionisant l'argon une fois introduit dans ladite chambre (anode, CA), 15 - des moyens (CE, CI) de génération d'un champ magnétique, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens (Sxe, DE, TA, VA) d'introduction de xénon et/ou le krypton dans l'argon avant ou après l'introduction de l'argon dans la chambre d'ionisation. 20