Brevet FR3048570A1 (20170908)
REVENDICATIONS1. Cellule élémentaire de commutation ou d'atténuation d'un signal RF, comprenant : un premier transistor à effet de champ (Tl) comprenant des premier et deuxième noeuds de conduction ; et un premier élément capacitif (Cl ; CiA) comportant des première et deuxième électrodes, dans laquelle : le premier noeud de conduction du premier transistor (Tl) est connecté à un noeud (RFin+ ; RFin) d'application dudit 10 signal RF à commuter ou atténuer ; la première électrode du premier élément capacitif (Cl ; CiA) est connectée au deuxième noeud de conduction du premier transistor (Tl) ; et la deuxième électrode du premier élément capacitif (Cl ; 15 CiA) est connectée à un noeud (RFin_) d'application d'un signal RF sensiblement de même amplitude que le signal RF à commuter ou atténuer et en opposition de phase avec ce dernier.\n<CLM>\1\tCellule selon la revendication 1, dans laquelle ledit signal RF à commuter ou atténuer est la composante positive 20 d'un signal RF différentiel, la deuxième électrode du premier élément capacitif (Cl) étant connectée à un noeud (RFin_) d'application de la composante négative dudit signal différentiel.\n<CLM>\1\tCellule selon la revendication 2, comprenant en outre : 25 un deuxième transistor à effet de champ (T2) comprenant des premier et deuxième noeuds de conduction ; et un deuxième élément capacitif (C2) comportant des première et deuxième électrodes, dans laquelle : 30 le premier noeud de conduction du deuxième transistor (T2) est connecté au noeud (RFin_) d'application de la composante négative dudit signal différentiel ; 3048570 B14836 - DD16814ST 22 la première électrode du deuxième élément capacitif (C2) est connectée au deuxième noeud de conduction du deuxième transistor (T2) ; et la deuxième électrode du deuxième élément capacitif (C2) 5 est connectée au noeud (RFin+) d'application dudit signal RF à commuter ou atténuer.\n<CLM>\1\tCellule selon la revendication 3, dans laquelle les premier (Tl) et deuxième (T2) transistors ont leurs grilles reliées à un même noeud de commande (Vctrl)-\n<CLM>\1\tCellule selon la revendication 1, dans laquelle ledit signal RF à commuter ou atténuer est un signal non différentiel, la cellule comportant en outre un premier circuit (INVA) amplificateur actif de gain de l'ordre de 1, ce circuit comportant un noeud d'entrée et un noeud de sortie et étant adapté à introduire un déphasage de 180° entre son noeud d'entrée et son noeud de sortie.\n<CLM>\1\tCellule selon la revendication 5, dans laquelle : le noeud d'entrée du premier circuit amplificateur (INVA) est relié au premier noeud de conduction (RFin) du premier transistor (Tl) ; et le noeud de sortie du premier circuit amplificateur (INVA) est relié à la deuxième électrode du premier élément capacitif (CLA).\n<CLM>\1\tCellule selon la revendication 6, dans laquelle le 25 noeud d'entrée du premier circuit amplificateur (INVA) est relié au premier noeud de conduction (RFin) du premier transistor (Tl) par l'intermédiaire d'un troisième élément capacitif (C1B).\n<CLM>\1\tCellule selon la revendication 7, comportant en outre un deuxième circuit (INVB) amplificateur actif de gain de 30 l'ordre de 1, ce circuit comportant un noeud d'entrée et un noeud de sortie et étant adapté à introduire un déphasage de 180° entre son noeud d'entrée et son noeud de sortie, dans laquelle : le noeud d'entrée du deuxième circuit amplificateur (INVB) est relié au deuxième noeud de conduction (RFout) du 35 premier transistor (Tl) ; et 3048570 B14836 - DD16814ST 23 le noeud de sortie du deuxième circuit amplificateur (INVB) est relié à l'électrode du troisième élément capacitif (C1B) opposée au premier noeud de conduction (RFin) du premier transistor (Tl). 5\n<CLM>\1\tCellule selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, dans laquelle le premier circuit amplificateur (INVA) est un inverseur.\n<CLM>\1\tCircuit de commutation ou d'atténuation de signaux RF, comportant : 10 au moins une première cellule élémentaire (4011) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, reliant une première voie (RFini+, RFini_) de transmission d'un signal RF à une antenne (A) ; et au moins une deuxième cellule élémentaire (4012) selon 15 l'une quelconque des revendications 1 à 9, reliant une deuxième voie (RFin2+, RFin2_) de transmission d'un signal RF à ladite antenne (A).\n<CLM>\1\tCircuit de commutation ou d'atténuation de signaux RF, comportant : 20 au moins une cellule élémentaire (501) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9 ; et au moins un transistor à effet de champ supplémentaire (T11, T12, T13) associé en série avec le premier transistor (114) de ladite cellule élémentaire (501), dans lequel : les grilles dudit au moins un transistor supplémentaire (T11, T12, T13) et du premier transistor (114) de ladite cellule élémentaire (501) sont reliées à un même noeud de commande (Vctrl) ; et ledit au moins un transistor supplémentaire (T11, T12, T13) n'est pas connecté à un circuit de neutralisation de sa capacité parasite (Coff).\n<CLM>\1\tCircuit selon la revendication 11, dans lequel le premier transistor (114) de ladite cellule élémentaire (501) est 35 placé à une extrémité de l'association en série avec ledit au 3048570 B14836 - DD16814ST 24 moins un transistor à effet de champ supplémentaire (T11, T12, T13).