Brevet FR3039704A1 (20170203)
REVENDICATIONS1. Electrode (3) pour structure de type Métal-Isolant-Métal formée d'un empilement comprenant successivement une couche en or (7), une couche barrière en oxyde électriquement conducteur (8) et une couche en platine (6), l'oxyde électriquement conducteur étant, avantageusement, un oxyde de métal noble, et, préférentiellement, l'oxyde de ruthénium.\n<CLM>\1\tElectrode (3) selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle est disposée sur un substrat (4) et en ce que la couche en or (7) de l'électrode (3) est séparée du substrat (4) par une couche d'accroche (9) à base de dioxyde de titane.\n<CLM>\1\tElectrode (3) selon la revendication 2, caractérisée en ce que la couche d'accroche (9) est en dioxyde de titane.\n<CLM>\1\tElectrode (3) selon la revendication 2, caractérisée en ce que la couche d'accroche (9) est un bicouche Ti02/métal, le métal étant choisi parmi le titane, le chrome, ou le tantale.\n<CLM>\1\tElectrode (3) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que la couche en platine (6) a une épaisseur d'environ 100nm et la couche en or (7) a une épaisseur allant de 1pm à 2pm.\n<CLM>\1\tElectrode (3) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la couche barrière (8) est en oxyde de ruthénium et en ce qu'elle a une épaisseur supérieure ou égale à 15nm, de préférence supérieure ou égale à 40nm, et encore de préférence, supérieure ou égale à 80nm.\n<CLM>\1\tCapacité (1) de type Métal-Isolant-Métal comprenant : 3039704 17 - une première électrode (3) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, - une seconde électrode (5), - une couche en matériau diélectrique (2) de type pérovskite, disposée 5 entre la première électrode (3) et la seconde électrode (5).\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'une électrode (3) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 comprenant les étapes successives suivantes : - fournir un substrat (4) recouvert par une couche d'accroche (9) à base de 10 dioxyde de titane, - former une électrode (3) sur la couche d'accroche (9), l'électrode (3) étant formée par dépôts successifs d'une couche en or (7), d'une couche barrière en oxyde électriquement conducteur (8) et d'une couche en platine (6), l'oxyde électriquement conducteur étant, avantageusement, 15 un oxyde de métal noble, et, préférentiellement, l'oxyde de ruthénium.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche en platine (6) a une épaisseur d'environ 100nm et la couche en or (7) a une épaisseur allant de 1pm à 2pm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 8 et 9, caractérisé en ce que la couche barrière (8) est en oxyde de ruthénium et en ce qu'elle a une épaisseur supérieure ou égale à 15nm, de préférence supérieure ou égale à 40nm, et encore de préférence, supérieure ou égale à 80nm.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la couche d'accroche (9) est en dioxyde de titane ou un bicouche Ti02/métal, le métal étant choisi parmi le titane, le chrome, ou le tantale. 20 25 30 3039704 18\n<CLM>\1\tProcédé de réalisation d'une capacité (1) selon la revendication 7 comprenant les étapes successives suivantes : - réaliser une première électrode (3) selon le procédé des revendications 8 à 11, 5 - former une couche en matériau diélectrique (2) de type pérovskite sur la première électrode (3), - réaliser un traitement thermique à une température d'au moins 600°C sous oxygène de manière à cristalliser le matériau diélectrique (2), - former une deuxième électrode (5) sur la couche en matériau diélectrique 10 (2) cristallisé.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la température du traitement thermique est supérieure ou égale à 700°C, de préférence supérieure ou égale à 850°C. 15