Brevet FR3041838A1 (20170331)
REVENDICATIONS1. Circuit électronique (300) comportant : au moins un premier transistor MOS.multi-grilles (301) comportant une première grille (g) et une deuxième grille (bg) distincte de la première grille ; et une unité de régulation (303) adaptée à mesurer une grandeur représentative de la tension drain-source (Vds) du premier transistor et à appliquer sur la deuxième grille (bg) du premier transistor (301) un potentiel de polarisation (Vbg) fonction de ladite grandeur.\n<CLM>\1\tCircuit (300) selon la revendication 1, dans lequel l'unité de régulation est adaptée à appliquer sur la deuxième grille (bg) du premier transistor (301) un potentiel de polarisation (Vbg) variant en fonction des variations de la tension drain-source (Vds) du premier transistor (301) suivant une loi (f) choisie pour que, en régime de saturation, la conductance de sortie du premier transistor (301) soit plus faible que lorsqu'un potentiel de polarisation (Vbg) constant est appliqué sur la deuxième grille du premier transistor (301).\n<CLM>\1\tCircuit (300) selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'unité de régulation est adaptée à appliquer sur la deuxième grille (bg) du premier transistor (301) un potentiel de polarisation (Vbg) variant en fonction des variations de la tension drain-source (Vds) du premier transistor (301) suivant une loi (f) choisie pour que, en régime de saturation, la conductance de sortie du premier transistor (301) soit sensiblement indépendante de sa tension drain-source (Vds)-\n<CLM>\1\tCircuit (300) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le premier transistor (301) comprend une région de formation de canal (c), une région de source (s) et une région de drain (d) bordant latéralement la région de formation de canal (c), la première grille (g) étant disposée au-dessus de la région de formation de canal (c) et étant isolée de la région de formation de canal (c) par une couche 3041838 B14349 - DD16394ST 27 isolante (409), et la deuxième grille (bg) étant disposée sous la région de formation de canal (c).\n<CLM>\1\tCircuit (300) selon la revendication 4, dans lequel la deuxième grille (bg) est isolée de la région de formation de 5 canal (c) par une couche isolante (403).\n<CLM>\1\tCircuit (300) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le premier transistor (301) est un transistor de type FDSOI.\n<CLM>\1\tCircuit (300) selon l'une quelconque des 10 revendications 1 à 6, dans lequel l'unité de régulation (303) comprend un deuxième transistor MOS (901) dont la grille (g) est reliée au drain (d) du premier transistor (301), dont le drain (d) est relié à un noeud (VDD) d'application d'un premier potentiel d'alimentation par une première résistance (R1), et dont 15 la source (s) est reliée à un noeud (GND) d'application d'un deuxième potentiel d'alimentation distinct du premier potentiel d'alimentation par une deuxième résistance (B2).\n<CLM>\1\tCircuit (300) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l'unité de régulation (303) 20 comprend des circuits numériques.\n<CLM>\1\tCircuit (300) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comportant plusieurs premiers transistors MOS multi-grilles (301 ; 903 ; 301') comportant chacun une première grille (g) et une deuxième grille (bg) distincte de la 25 première grille, dans lequel l'unité de régulation (303) est adaptée à mesurer, pour chaque premier transistor, une grandeur représentative de la tension drain-source du transistor, et à appliquer sur la deuxième grille (bg) de chaque premier transistor un potentiel de polarisation fonction d'une ou plusieurs desdites 30 grandeurs.\n<CLM>\1\tCircuit (300) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel l'unité de régulation (303) comprend un module de calibration adapté à déterminer la loi (f) des variations à appliquer au potentiel de polarisation (Vbg) en fonction des variations de la tension drain-source (Vds) du 3041838 B14349 - DD16394ST 28 premier transistor (301), pour que, en régime de saturation, la conductance de sortie du premier transistor (301) soit plus faible que lorsqu'un potentiel de polarisation (Vbg) constant est appliqué sur la deuxième grille du premier transistor (301). 5\n<CLM>\1\tCircuit (300) selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel l'unité de régulation (303) comprend un module de calibration adapté à déterminer la loi (f) des variations à appliquer au potentiel de polarisation (Vbg) en fonction des variations de la tension drain-source (Vds) du 10 premier transistor (301), pour que, en régime de saturation, la conductance de sortie du premier transistor (301) soit sensiblement indépendante de sa tension drain-source (Vds).\n<CLM>\1\tCircuit (300) selon la revendication 10 ou 11, dans lequel l'unité de régulation (303) est reconfigurable, le module 15 de calibration étant adapté à configurer l'unité de régulation (303) pour appliquer la loi (f) déterminée.\n<CLM>\1\tCircuit d'amplification d'un signal analogique comportant au moins un circuit (300) selon l'une quelconque des revendications 1 à\n<CLM>\1\t20\n<CLM>\1\tCircuit de recopie d'un courant comportant au moins un circuit (300) selon l'une quelconque des revendications 1 à\n<CLM>\1\t15. Circuit d'amplification ou de recopie d'un signal différentiel comportant au moins un circuit (300) selon l'une 25 quelconque des revendications 1 à 12.