Brevet FR3041149A1 (20170317)
REVENDICATIONS1. Photodétecteur, comportant: - une zone absorbante (1) formée par un premier matériau semi- conducteur ayant une première valeur d'énergie de bande interdite, - une zone de contact (2e, 2c) réalisée en matériau semi-conducteur, - une zone de blocage (3e, 3c) formée par au moins un deuxième matériau semi-conducteur configuré pour s'opposer au passage des porteurs de charge majoritaires entre la zone absorbante (1) et la zone de contact (2e, 2c), le deuxième matériau semi-conducteur présentant une deuxième valeur d'énergie de bande interdite supérieure à la première valeur d'énergie de bande interdite, photodétecteur caractérisé en ce que la zone de blocage (3e, 3c) est dopée et configurée pour former au moins un puits quantique au moyen du deuxième matériau semi-conducteur et d'un troisième matériau semi- conducteur ayant une troisième valeur d'énergie de bande interdite différente de la deuxième valeur d'énergie de bande interdite.\n<CLM>\1\tPhotodétecteur selon la revendication 1, dans lequel la zone de blocage (3e, 3c) comporte un quatrième matériau semi-conducteur présentant une quatrième valeur d'énergie de bande interdite supérieures à la première valeur d'énergie de bande interdite et différente de la deuxième valeur d'énergie de bande interdite et de la troisième valeur d'énergie de bande interdite.\n<CLM>\1\tPhotodétecteur selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat comprenant la zone absorbante (1), la zone de blocage (3e, 3c), la zone de contact (2e, 2c) et une zone de support et en ce que la zone de support est séparée de la zone de contact (2e, 2c) par la zone absorbante (1) et la zone de blocage (3e, 3c). 3041149 26\n<CLM>\1\tPhotodétecteur selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte : - une zone de contact additionnelle (2c, 2e) et - une zone de blocage additionnelle (3e, 3c) disposée entre la zone 5 absorbante (1) et la zone de contact additionnelle (2c, 2e), la zone de blocage additionnelle (3e, 3c) étant configurée pour bloquer les porteurs de charge minoritaires entre la zone absorbante (1) et la zone de contact additionnelle (2c, 2e). 10\n<CLM>\1\tPhotodétecteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que la zone de contact additionnelle (2c, 2e) est disposée entre la zone de support et la zone absorbante (1).\n<CLM>\1\tPhotodétecteur selon l'une des revendications 4 et 5, caractérisé en ce 15 que la zone de blocage additionnelle (3e, 3c) comporte au moins un puits quantique réalisée en cinquième et sixième matériaux semi-conducteurs présentant respectivement des cinquième et sixième valeurs d'énergie de bande interdite, la cinquième et/ou la sixième valeur d'énergie de bande interdite étant supérieure à la première valeur d'énergie de bande 20 interdite.\n<CLM>\1\tPhotodétecteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le premier matériau semi-conducteur est le troisième matériau semi-conducteur et/ou le cinquième matériau semi-conducteur. 25\n<CLM>\1\tPhotodétecteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la zone de blocage (3e, 3c) et/ou la zone de blocage additionnelle sont dopées sur toute leur épaisseur. 30\n<CLM>\1\tPhotodétecteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la zone de blocage (3e, 3c) définit une ou plusieurs 3041149 27 zones de puits de potentiel et plusieurs zones de barrière de potentiel et en ce que la zone de blocage (3e, 3c) est dopée uniquement dans une ou plusieurs desdites zones de puits de potentiel. 5\n<CLM>\1\tPhotodétecteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la zone de blocage (3e, 3c) définit une ou plusieurs zones de puits de potentiel et plusieurs zones de barrière de potentiel et en ce que la zone de blocage (3e, 3c) est dopée uniquement hors de la ou des zones de puits de potentiel. 10\n<CLM>\1\tPhotodétecteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que la zone de blocage (3e, 3c) comporte une alternance de couches en deuxième matériau semi-conducteur et en troisième matériau semi-conducteur et en ce que les couches en 15 deuxième matériau semi-conducteur sont contraintes en tension et les couches en troisième matériau semi-conducteur sont contraintes en compression.\n<CLM>\1\tPhotodétecteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, 20 caractérisé en ce que la zone de blocage (3e, 3c) comporte entre 1 et 10 puits quantiques.\n<CLM>\1\tPhotodétecteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que la zone de blocage (3e, 3c) est en contact direct 25 avec la zone absorbante (1).\n<CLM>\1\tPhotodétecteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que la zone de blocage (3e, 3c) est en contact direct avec la zone de contact (2e, 2c). 30