Brevet FR3040529A1 (20170303)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une tranche SOI, comprenant : une première étape d'implantation d'ions d'élément léger sur une surface d'au moins l'un d'un premier substrat réalisé en monocristal de silicium et d'un second substrat réalisé en monocristal de silicium pour former, dans le au moins l'un du premier substrat et du second substrat, une couche modifiée dans laquelle les ions d'élément léger sont présents en solution solide ; une deuxième étape de formation d'un film d'oxyde sur une surface d'au moins l'un du premier substrat et du second substrat ; une troisième étape de liaison du premier substrat et du second substrat de manière à ce que la couche modifiée et le film d'oxyde soient situés entre le premier substrat et le second substrat ; et une quatrième étape, effectuée après la troisième étape, d'amincissement du premier substrat pour obtenir une couche active, dans lequel, à la deuxième étape, le film d'oxyde est déposé par accélération et émission de Si et d'oxygène ionisés sur le au moins l'un du premier substrat et du second substrat tout en chauffant le au moins l'un du premier substrat et du second substrat, et à la troisième étape, un traitement thermique de liaison est effectué dans un état où une surface à lier du premier substrat est en contact avec une surface à lier du second substrat.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une tranche SOI selon la revendication 1, dans lequel, à la deuxième étape, le au moins l'un du premier substrat et du second substrat a une température de 500 °C à 900 °C.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une tranche SOI selon la revendication 1 ou 2, dans lequel, à la première étape, la couche modifiée est formée uniquement dans le second substrat.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une tranche SOI selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel, à la deuxième étape, le film d'oxyde est formé uniquement sur le second substrat.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une tranche SOI selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel, à la deuxième étape, le film d'oxyde est formé à la fois sur le premier substrat et le second substrat. 3040529 22\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une tranche SOI selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le premier substrat est une tranche de silicium épitaxiale comportant un substrat de silicium massif et une couche épitaxiale de silicium formée sur une surface du substrat de silicium massif, et, à la quatrième étape, le substrat de silicium massif est éliminé pour obtenir la couche active formée 5 par la couche épitaxiale de silicium.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une tranche SOI selon la revendication 6, dans lequel une surface de la couche épitaxiale de silicium est polie miroir avant la troisième étape. 10\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une tranche SOI selon la revendication 6 ou 7, dans lequel la couche épitaxiale de silicium dans le premier substrat a une épaisseur qui est déterminée compte tenu d'une épaisseur souhaitée de la couche active et d'une épaisseur d'une région de diffusion d'oxygène formée par diffusion d'oxygène à partir du substrat de silicium massif dans la couche épitaxiale de silicium, et 15 à la quatrième étape, la région de diffusion d'oxygène dans la couche épitaxiale de silicium est également éliminée.\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'une tranche SOI selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel les ions d'élément léger comprennent au moins un élément choisi parmi H, He, C, Ar et Si.