Brevet FR3052593A1 (20171215)
REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un contact électrique sur une structure (10) faite d'un matériau anisotrope NA présentant une conductivité électrique anisotrope, la structure (10) présentant une conductivité électrique axiale ai/ selon un premier axe XX' de la structure (10), et au moins une conductivité électrique orthogonale o selon au moins une direction orthogonale YY' au premier axe XX' de la structure (10), l'au moins une conductivité électrique orthogonale o étant inférieure à la conductivité électrique axiale cyll, le procédé comprenant : - une étape de formation d'une électrode conductrice (20), d'une épaisseur initiale Ei, comprenant au moins une espèce M, sur une première surface (30) de la structure (10), la première surface (30) étant orthogonale à l'au moins une direction orthogonale YY' ; le procédé étant caractérisé en ce que l'étape de formation de l'électrode conductrice (20) est suivie d'une étape d'implantation d'espèces X, au travers de l'électrode conductrice (20), dans la structure (10).\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape d'implantation des espèces X est réalisée exclusivement au travers de l'électrode conductrice (20), avantageusement un masque présentant une ouverture en correspondance avec l'électrode conductrice (20) est disposé sur la structure (10) pendant l'étape d'implantation des espèces X.\n<CLM>\1\tProcédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'espèce M est implantée par recul dans la structure (10) lors de l'étape d'implantation d'espèces X.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à3, dans lequel l'espèce M est adaptée pour former des liaisons chimiques avec le matériau anisotrope NA. 3052593 19\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel les espèces X sont adaptées pour former des liaisons chimiques avec le matériau anisotrope NA. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel les espèces X et l'espèce M sont de même nature chimique, avantageusement identiques\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'étape d'implantation est exécutée selon une énergie d'implantation des espèces X, conférant 10 auxdites espèces X une énergie suffisante pour traverser la structure (10), lorsqu'elle est dépourvue d'électrode conductrice (20), dans son intégralité au travers de la première surface (30), et selon une direction orthogonale YY' à ladite première surface (30).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel l'étape 15 d'implantation des espèces X est exécutée de sorte qu'à l'issue de ladite étape, l'électrode conductrice (20) présente une épaisseur résiduelle non nulle, et inférieure à l'épaisseur initiale Ei et à la profondeur d'implantation Rp des espèces X dans l'électrode conductrice (20) 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel l'étape d'implantation des espèces X est suivie d'une étape comprenant l'épaississement de l'électrode conductrice (20).\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel le 25 matériaux anisotrope NA comprend au moins un des matériaux choisi parmi : un nanotube de carbone isolé, un faisceau de nanotubes de carbone, du graphène, de dichalcogénures de métaux de transition, des matériaux 2D, des hétérostructures de Van der Waals. 3052593 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel l'espèce M comprend au moins un des éléments choisis parmi : Pd, Au, Ti, Ta, Cr, Al, Mo, Co, W, Ni, Pt, Zr, Nb, Ga, In, Bi. 5\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel l'épaisseur initiale Ei est comprise entre 0,1 nm et 50 nm\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel les espèces implantées X comprennent au moins un des éléments choisis parmi : Pd, Au, Ti, Ta, 10 Cr, Al, Mo, Co, W, Ni, Pt, Zr, Nb, Ga, In, Bi, Ar, Kr, Xe, S, Se, Te.\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 13, dans lequel l'étape d'implantation des espèces X est réalisée à une énergie d'implantation comprise entre 0,1 et 1000 keV. 15\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 14, dans lequel l'étape d'implantation des espèces X est réalisée selon une dose d'espèces X comprise entre 1010 et 1018 ions par cm2. 20\n<CLM>\1\tProcédé selon l'une des revendications 1 à 15, dans lequel l'étape d'implantation des espèces X est suivie d'un recuit thermique exécuté à une température comprise entre 300 et 500°C, sous une atmosphère inerte ou réductrice.