Brevet FR3037835A1 (20161230)
REVENDICATIONS1. Tampon de polissage mécano-chimique, caractérisé en ce qu'il comprend: une couche de polissage (20) ayant une surface de polissage (14), une surface de base (17) et une épaisseur moyenne, Tp_moy, mesurée perpendiculairement à la surface de polissage depuis la surface de base jusqu'à la surface de polissage; où la couche de polissage comprend une première phase polymérique non fugitive continue (30) et une seconde phase polymérique non fugitive (50); où la première phase polymérique non fugitive continue a une pluralité d'évidements périodiques (40) ayant une profondeur d'évidement moyenne, Dmoy, depuis la surface de polissage mesurée perpendiculairement à la surface de polissage depuis la surface de polissage en direction de la surface de base; où la profondeur d'évidement moyenne, Dmoy, est inférieure à l'épaisseur moyenne, Tp..moy; où la pluralité d'évidements périodiques sont occupés par la 20 seconde phase polymérique non fugitive; où la première phase polymérique non fugitive continue est un produit de la réaction d'un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate de première phase continue ayant 8 à 12 % en poids de groupes NCO n'ayant pas réagi et d'un agent de durcissement de première 25 phase continue; où la seconde phase polymérique non fugitive est choisie parmi une seconde phase polymérique non fugitive continue et une seconde phase polymérique non fugitive discontinue; 303 7 8 3 5 40 où la seconde phase polymérique non fugitive est formée en combinant un composant liquide de côté poly (P) et un composant liquide de côté iso (I); où le composant liquide de côté poly (P) comprend au moins une 5 substance parmi un polyol de côté (P), une polyamine de côté (P) et une alcool amine de côté (P); où le composant liquide de côté iso (I) comprend au moins un isocyanate polyfonctionnel de côté (I); où la première phase polymérique non fugitive continue a une 10 porosité d'alvéoles ouverts\n<CLM>\1\t6 vol%; où la seconde phase polymérique non fugitive contient une porosité d'alvéoles ouverts _?. 10 vol%; et où la surface de polissage (14) est adaptée pour polir un substrat.\n<CLM>\1\tTampon de polissage mécano-chimique selon la 15 revendication 1, caractérisé en ce que la seconde phase polymérique non fugitive (50) qui occupe la pluralité d'évidements périodiques (40) a une hauteur moyenne, Hmoy, mesurée perpendiculairement à la surface de polissage (14) depuis la surface de base (17) de la couche de polissage (20) en direction de la surface de polissage; et la valeur absolue de la différence, AS, entre l'épaisseur moyenne, Tp_moy, et la hauteur moyenne, Hmoy, est 5 0,5 pm.\n<CLM>\1\tTampon de polissage mécano-chimique selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la première phase polymérique non fugitive continue contient une pluralité de matériaux polymériques à noyau creux; où la pluralité de matériaux polymériques à noyau creux est incorporée dans la première phase polymérique non fugitive continue à raison de 1 à 58 vol%.\n<CLM>\1\tTampon de polissage mécano-chimique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la 30 pluralité d'évidements périodiques est un groupe d'au moins deux 303 7 8 3 5 41 évidements concentriques et la profondeur d'évidement moyenne, Dmoy, est ..k 0,38 mm (15 mils), la largeur est 0,13 mm (5 mils) et le pas est ?_ 0,25 mm (10 mils).\n<CLM>\1\tTampon de polissage mécano-chimique selon l'une 5 quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la pluralité d'évidements périodiques est un groupe d'au moins deux évidements croisés (61).\n<CLM>\1\tTampon de polissage mécano-chimique selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il 10 comprend en outre: au moins une rainure (62) formée dans la couche de polissage (20) au niveau de la surface de polissage (14); où la au moins une rainure a une profondeur de rainure, Gprof, depuis la surface de polissage mesurée dans une direction perpendiculaire à la surface de polissage depuis la 15 surface de polissage en direction de la surface de base (17).\n<CLM>\1\tTampon de polissage mécano-chimique selon la revendication 6, caractérisé en ce que la au moins une rainure est un groupe d'au moins deux rainures concentriques.\n<CLM>\1\tTampon de polissage mécano-chimique selon la 20 revendication 6, caractérisé en ce que la au moins une rainure est au moins une rainure en spirale.\n<CLM>\1\tTampon de polissage mécano-chimique selon la revendication 6, caractérisé en ce que la au moins une rainure est formée dans un motif croisé. 25\n<CLM>\1\tProcédé de polissage d'un substrat, caractérisé en ce qu'il comprend: la fourniture d'un substrat choisi parmi au moins un substrat parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur; 3037835 42 la fourniture d'un tampon de polissage mécano-chimique (10) selon l'une quelconque des revendications précédentes; la création d'un contact dynamique entre la surface de polissage (14) de la couche de polissage (20) et le substrat pour polir une surface 5 du substrat; et le conditionnement de la surface de polissage avec un conditionneur abrasif.