FR 3076066 A1 20190628 FR 1762887 A 20171221 PROCEDE D'EXPOSITION D'UNE RÉGION SUR UNE FACE D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un procédé d'exposition d'une région d'un dispositif électronique. En particulier, la présente invention concerne un procédé d'exposition d'une région, et dépourvue d'une gravure profonde. ART ANTÉRIEUR Les étapes finales de fabrication des dispositifs électroniques peuvent impliquer le report d'une ou plusieurs structures électroniques 3 sur une face principale 4a d'une structure support 4 qui assure, par exemple, une cohésion mécanique de l'ensemble et/ou une connectivité électrique entre les différentes structures susceptibles d'être reportées sur ladite face. Aussi, afin de protéger l'assemblage final des conditions environnementales auxquelles il se trouve exposé, le report des structures électroniques 3 est suivi d'une étape d'encapsulation qui comprend la formation d'une couche d'encapsulation 2 en recouvrement de la face principale 4a et de la ou des structures électroniques 3. La couche d'encapsulation 2 peut être formée par un procédé de moulage et/ou de laminage à l'échelle du dispositif ou, pour des raisons d'économie, à l'échelle d'un substrat comprenant une pluralité de structures support sur lesquelles sont reportées des structures électroniques 3. La figure 1 représente, en particulier, un dispositif électronique 1, qui comprend une structure électronique 3 reportée sur une structure support 4, et pourvue d'une couche d'encapsulation 2 en recouvrement de la structure électronique 3 et de la face principale 4a de la structure support 4. De manière équivalente, le dispositif électronique 1 peut comprendre une pluralité de structures électroniques 3 interconnectées entre elles soit de manière 2 directe soit via la structure support 4. Par exemple, tel qu'illustré à la figure 2, le dispositif électronique 1 peut comprendre deux structures électroniques 3, dites respectivement première structure électronique 3 et seconde structure électronique 3, reportées sur la face principale 4a de la structure support 4, et une troisième structure électronique 3 5 reportée sur la première structure électronique 3. Selon cette configuration, la couche d'encapsulation 2 est alors en recouvrement de la face principale 4a et des structures électroniques 3. Cependant, un procédé d'encapsulation d'un dispositif électronique 1 tel que décrit précédemment n'est pas satisfaisant. 10 En effet, l'accès à la face principale 4a et/ou à la structure électronique 3, par exemple pour établir un contact électrique, peut nécessiter une étape de gravure, dite gravure profonde, pour la formation de tranchées ou de VIA 5 dans la couche d'encapsulation 2. Cependant, une telle couche d'encapsulation 2, dès lors qu'elle est mise en oeuvre pour assurer une protection tant chimique que mécanique, est 15 relativement résistante aux procédés de gravure connus, rendant ces derniers longs et coûteux. Par ailleurs, une gravure profonde implique également la mise en oeuvre d'une couche d'arrêt, par exemple une couche métallique, contraignant la conception du dispositif électronique 1. 20 Un but de la présente invention est donc de proposer un procédé d'exposition d'une région de la face principale et/ou de la ou des structures électroniques plus simple à mettre oeuvre que les procédés connus de l'état de la technique. Un autre but de la présente invention est également de proposer un procédé d'exposition d'une région de la face principale et/ou de la ou des structures 25 électroniques ne nécessitant pas la mise en oeuvre de gravure profonde. EXPOSÉ DE L'INVENTION Les buts de la présente invention sont, au moins en partie, atteints par un procédé d'exposition d'au moins une région d'une face, dite face avant, d'un dispositif électronique, le procédé comprenant les étapes suivantes : 3 a) une étape de collage d'un capot sur la face avant, le collage étant exécuté de sorte que le capot forme avec la région une cavité fermée, avantageusement hermétiquement fermée ; b) la formation d'une couche d'encapsulation, d'une épaisseur El, en 5 recouvrement de la face avant et du capot ; c) une étape d'amincissement de la couche d'encapsulation, l'étape d'amincissement comprenant le retrait d'une épaisseur de retrait E2, inférieure à l'épaisseur El, de la couche d'encapsulation, l'épaisseur de retrait E2 étant adaptée pour qu'une ouverture soit formée dans le capot. 10 Selon un mode de mise en oeuvre, le capot comprend un fond et une paroi latérale, l'étape de collage b) étant exécutée en mettant en contact un rebord de la paroi latérale avec la face avant. Selon un mode de mise en oeuvre, le fond du capot est recouvert d'une couche d'arrêt, l'étape d'amincissement étant en outre sélective de manière à graver 15 sélectivement le capot par rapport à la couche d'arrêt. Selon un mode de mise en oeuvre, l'étape c) est suivie d'une étape d) de retrait de la couche d'arrêt, avantageusement l'étape d) est une étape de gravure chimique. Selon un mode de mise en oeuvre, l'étape b) est exécutée selon l'une 20 des méthodes choisie parmi : collage avec une colle, collage par soudure avantageusement avec un matériau à base d'étain d'argent et de cuivre, collage par frittage. Selon un mode de mise en oeuvre, l'étape d'amincissement c) est exécutée par érosion mécanique. 25 Selon un mode de mise en oeuvre, l'étape b) est exécutée par laminage d'une feuille de matériau d'encapsulation. Selon un mode de mise en oeuvre, l'étape b) est exécutée par injection/moulage d'une résine faite du matériau d'encapsulation Selon un mode de mise en oeuvre, le dispositif électronique comprend au moins une structure électronique reportée sur une face principale d'une structure 4 support, la couche d'encapsulation formée à l'étape b) étant en recouvrement de la face principale et de l'au moins une structure électronique. Selon un mode de mise en oeuvre, l'au moins une région comprend une première région disposée sur la face principale de la structure support. 5 Selon un mode de mise en oeuvre, l'au moins une région comprend une seconde région disposée sur la structure électronique. Selon un mode de mise en oeuvre, l'au moins une structure électronique comprend une pluralité de structures électroniques de hauteurs différentes, avantageusement, l'étape a) comprend le report d'une pluralité de capots sur une 10 pluralité de régions disposées au niveau des structures électroniques, la profondeur des capots étant ajustée de sorte que chacun d'entre eux soit ouvert de manière, essentiellement, simultanée lors de l'étape c). Selon un mode de mise en oeuvre, à l'issue de l'étape d'amincissement la structure électronique est essentiellement en affleurement avec la surface libre de la 15 couche d'encapsulation. Selon un mode de mise en oeuvre, le capot est rempli d'une résine. Selon un mode de mise en oeuvre, l'au moins une région comprend un coupleur de réseau. Selon un mode de mise en oeuvre, l'au moins une région comprend au 20 moins une connexion électrique. Selon un mode de mise en oeuvre, l'au moins une région comprend une région sensible d'un dispositif ou capteur MEMS. L'invention concerne également un dispositif électronique susceptible d'être fabriqué selon le procédé d'exposition d'une région, le dispositif électronique 25 comprenant une couche d'encapsulation, faite d'un matériau d'encapsulation, et formée sur une face avant dudit dispositif, la couche d'encapsulation comprenant une ouverture traversante et exposant une région de la face avant, les flancs de l'ouverture traversante étant tapissés d'une paroi latérale faite d'un matériau différent du matériau d'encapsulation. 5 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans la description qui va suivre du procédé d'exposition d'une région d'une face d'un dispositif électronique selon l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs, en référence aux dessins 5 annexés dans lesquels : - la figure 1 est une représentation schématique d'un procédé d'exposition d'une région d'un dispositif électronique recouvert d'une couche d'encapsulation, selon l'état de l'art ; - la figure 2 est une représentation schématique d'un dispositif 10 microélectronique comprenant une structure support sur laquelle sont reportées des structures électroniques, ledit dispositif électronique étant recouvert d'une couche d'encapsulation ; - les figures 3a à 3d sont une représentation schématique, selon un plan de coupe perpendiculaire à la face avant du dispositif électronique, du procédé selon la 15 présente invention ; - les figures 4a à 4e sont une représentation schématique, selon un plan de coupe perpendiculaire à la face avant du dispositif électronique, du procédé selon la présente invention mettant en oeuvre une couche d'arrêt ; - les figures 5a à 5e sont une représentation schématique, selon un plan 20 de coupe perpendiculaire à la face avant du dispositif électronique, du procédé selon la présente invention mettant en oeuvre une couche d'arrêt et un capot rempli d'une résine ; - les figures 6a à 6b sont une représentation schématique, selon un plan de coupe perpendiculaire à la face avant du dispositif électronique, du procédé selon la 25 présente invention mettant en oeuvre une pluralité de structures électroniques ; - la figure 7 est une représentation schématique, selon un plan de coupe perpendiculaire à la face avant du dispositif électronique, dudit dispositif susceptible d'être obtenue selon la présente invention et comprenant en plus une étape de sérigraphie destinée à combler avec un matériau conducteur l'espace interne du capot 6 après l'étape c) ; - la figure 8 est une représentation schématique, selon un plan de coupe perpendiculaire à la première face du substrat, d'un procédé de fabrication de capots. 5 EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS La présente invention concerne un procédé destiné à former une ouverture traversante dans une couche d'encapsulation en recouvrement d'un dispositif électronique, l'ouverture traversante exposant à l'environnement extérieur une région de la face avant dudit dispositif. 10 Le procédé comprend en particulier le collage d'un capot destiné à isoler dans une cavité ladite région, et, ensuite, à former la couche d'encapsulation. Une étape d'amincissement partiel de la couche d'encapsulation, par exemple par abrasion mécanique (« Grinding » selon la terminologie Anglo-Saxonne), permet alors d'ouvrir la cavité formée par le capot, et ainsi exposer l'intérieur de ladite cavité. 15 Ainsi, aux figures 3a à 7, on peut voir des exemples de mise en oeuvre du procédé d'exposition d'une région selon la présente invention. En particulier, le procédé est mis en oeuvre sur un dispositif électronique 100 (figures 3b, 4b, 5b). Le dispositif électronique 100 comprend au moins une région 200 sur sa 20 face avant 110. Une région 200, au sens de la présente invention, correspond à une région d'intérêt et dont la surface, par rapport à celle de la face avant 110, est limitée. Il s'agit donc d'une région d'étendue restreinte. L'au moins une région 200 peut, par exemple, comprendre au moins une connexion électrique, et/ou un coupleur de réseau, par exemple un coupleur de 25 réseau optique. De manière complémentaire ou alternative, l'au moins une région 200 peut comprendre un dispositif microélectronique, d'une région sensible d'un capteur MEMS destinée à être exposée à l'environnement extérieur à l'issue du procédé d'exposition selon la présente invention. Par « région sensible d'un capteur MEMS », on 7 entend une région destinée à être exposée à l'environnement extérieur et dont la fonction est de collecter une information dudit environnement. L'information peut alors être une température, une pression. L'au moins une région 200 peut prendre n'importe quelle forme. Elle 5 peut en particulier être de forme carrée, rectangulaire, ou encore ronde. L'au moins une région 200 peut également avoir des dimensions comprises entre 40 um et 2 mm. Par ailleurs, le dispositif électrique 100 peut comprendre au moins une structure électronique 300 (figure 3b, 4b, 5b, 6a) reportée sur une structure support 400. En particulier, l'au moins une structure électronique 300 peut être 10 reportée sur une face principale 410 de la structure support 400. Il est entendu que la face avant 110 d'un tel dispositif correspond à la face principale 410 et à la surface exposée de la structure électronique 300 après report de ladite structure 300. L'au moins une structure électronique 300 peut être reportée par une 15 étape de collage, par exemple, selon une méthode de placement individuel de ladite au moins une structure électronique 300 sur la face principale 410 (« Pick and Place » selon la terminologie Anglo-Saxonne). A cet égard, un substrat support peut comprendre une pluralité de structures support 400 agencées de manière matricielle, et sur chacune desquelles sont 20 reportées de manière individuelle au moins une structure électronique 300. Le substrat support peut comprendre un matériau semi-conducteur, par exemple du silicium, sur lequel sont fabriquées les structures support 400. Les structures support 400 peuvent être des interposeurs, ou comprendre des circuits d'interconnexion destinées à assurer une interconnectivité 25 électrique au niveau de l'au moins une structure électronique 300. En particulier, une structure support 400 peut assurer l'interconnectivité au sein d'une même structure électronique 300 et/ou entre plusieurs structures électroniques 300 reportée(s) sur la face principale 410 de ladite structure support 400 (figure 6a). 8 Le dispositif électronique 100 peut comprendre une unique structure électronique 300 (figures 3b, 4b, 5b), ou de manière alternative, plusieurs structures électroniques 300 (figures 6a et 6b). Dès lors que plusieurs structures électroniques 300 sont considérées, ces dernières peuvent présenter des hauteurs différentes. 5 Par exemple, et en référence à la figure 6a, le dispositif électronique 100 peut comprendre deux structures électroniques 300 dites, respectivement, première structure électronique 301 et seconde structure électronique 302 reportées sur la face principale 410, et une autre structure électronique 300, dite troisième structure électronique 303 reportée sur la première structure électronique 301. 10 Les première 301, seconde 302 et troisième 303 structures électroniques peuvent présenter des hauteurs différentes. Par « hauteur d'une structure électronique », on entend une dimension selon une direction perpendiculaire à la surface sur laquelle elle est reportée. L'au moins une région 200 peut être disposée sur la face principale 410 15 et/ou sur l'au moins une structure électronique 300. En particulier, le dispositif électronique 100 peut comprendre une pluralité de régions 200. Par exemple, et en référence aux figures 6a et 6b, le dispositif peut comprendre une région 200, dite première région 201, disposée sur la face principale 410, et une autre région 200, dite seconde région 202, disposée sur la surface 20 exposée de la seconde structure électronique 302. Le procédé selon la présente invention comprend alors une étape a) de collage d'un capot 600 sur la face avant 110. Par « capot », on entend une pièce ou un élément comprenant un volume interne ouvert et qui, lorsqu'il est apposé sur une surface, forme avec ladite 25 surface une cavité fermée. Selon la présente invention, le capot 600 positionné de manière à former avec la première région une cavité 650 fermée (figures 3b, 4b, 5b), avantageusement une cavité hermétiquement fermée. En d'autres termes, toutes les fonctionnalités, électroniques et/ou optiques formées sur la région 200 se trouvent dans 30 la cavité 650 à l'issue de l'étape a). 9 Par ailleurs, il est entendu que dès lors que le dispositif électronique 100 est pourvu d'une pluralité de régions 200, l'étape a) comprend le collage d'une pluralité de capots 600. L'étape a) peut être exécutée par placement individuel des capots 600. 5 Le capot 600 peut comprendre un fond 610 et une paroi latérale 620 (figures 3b, 3c, 4b, 4c, 5b, 5c). La paroi latérale 620 peut être d'une épaisseur comprise entre 50 iim et 200 iim, par exemple 100 iim. Le fond 610 peut être d'une épaisseur comprise entre 50 iim et 200 iim, 10 par exemple 100 iim. Le capot 600 peut être obtenu selon des techniques de micro fabrication qui impliquent une étape de photolithographie, une étape de gravure (par exemple une gravure sèche), et une étape de séparation individuelle des capots (« singulation » selon la terminologie Anglo-Saxonne). 15 A titre d'exemple, la figure 8 illustre les différentes étapes d'un procédé de fabrication de capots. Ledit procédé comprend la fourniture d'un substrat 1000, par exemple un substrat de silicium dont une face, dite première face 1100, est recouverte d'une couche d'oxyde de silicium 1200. La couche d'oxyde de silicium peut par exemple être 20 obtenue par une oxydation thermique du substrat 1000. Cette étape est suivie de la définition des motifs 1600 des capots 600 par un procédé photo lithographique au niveau de la couche d'oxyde de silicium. Une étape de gravure sèche des motifs 1600 permet alors de révéler le volume interne 1601 des capots 600. 25 Une étape de séparation individuelle des capots 600 est finalement exécutée. Il est entendu que ce procédé de fabrication des capots 600 n'est donné qu'à titre d'exemple. Le collage des capots 600 peut être exécuté en mettant en contact le 30 rebord 620a de la paroi latérale 620 avec la face avant 110. 10 Il est entendu qu'à l'issue de l'étape de collage a), la surface de la région 200 est circonscrite dans un contour défini par le rebord 620a. De manière particulièrement avantageuse, le collage peut être exécuté avec une colle étendue sur le rebord 620a. 5 Toujours de manière avantageuse, le collage du capot 600 peut être exécuté par soudure, par exemple une soudure impliquant un matériau fusible à base d'étain, d'argent et de cuivre d'un côté et un métal de l'autre côté pour assurer un bon mouillage du matériau fusible. Enfin, le collage du capot 600 peut également être exécuté par frittage. 10 Le procédé d'exposition d'au moins une région 200 comprend également une étape b) de formation d'une couche d'encapsulation 700 d'une épaisseur El et en recouvrement de la face avant 110 et du capot 600 (figures 3c, 4c, 5c, 6a). Par « épaisseur d'une couche », on entend sa dimension selon une direction perpendiculaire à la surface sur laquelle elle repose. 15 Il est entendu que dès lors que le dispositif électronique 100 comprend une structure support 400 et une structure électronique 300, la couche d'encapsulation 700 est en recouvrement de la face principale 410 et de la surface exposée de la structure électronique 300. La couche d'encapsulation 700 peut être formée à l'échelle du dispositif 20 électronique 100 ou à l'échelle du substrat support. La couche d'encapsulation 700 peut être, par exemple, formée par un procédé de laminage, avantageusement sous vide, d'une feuille faite d'un matériau de moulage. Par « sous vide », on entend une pression atmosphérique inférieure à 10 25 mBar. Le matériau de moulage est adapté pour assurer une tenue mécanique du dispositif électronique 100, mais également pour le protéger des conditions environnementales auxquelles il se trouve exposé. 11 A cet égard, le matériau de moulage peut comprendre soit des films ou résines à base d'époxy avec ou sans particules de silices, soit des films ou résines à base de silicone. Le procédé de laminage peut comprendre une élévation de 5 température, par exemple être exécuté entre 60°C et 200 °C, de manière à ramollir le matériau de moulage, et permettre à ce dernier un remplissage des interstices susceptibles d'être présents sur la face avant 110. L'épaisseur El peut être comprise entre 50 um et 400 um, par exemple 200 um. 10 Le procédé selon l'invention comprend également une étape c) d'amincissement (figures 3d, 4d, 5d). L'étape d'amincissement comprend le retrait d'une épaisseur de retrait E2 (figures 3c, 4c, 5c) de la couche amincissement, l'épaisseur de retrait E2 étant inférieure à l'épaisseur El. L'épaisseur de retrait E2, au sens de la présente invention, est 15 cependant suffisante pour former une ouverture dans le capot 600. En d'autres termes, lors de l'étape d'amincissement c), une partie du capot 600 est également retirée, de manière à rendre accessible une partie du volume interne dudit capot 600. Ainsi, l'étape c) génère un retrait du fond 610, et ne laisse que la paroi latérale 620. 20 De manière particulièrement avantageuse, l'étape d'amincissement peut être exécutée par érosion mécanique. Par ailleurs, le fond 610 du capot 600 peut comprendre une couche d'arrêt 630, par exemple une couche d'oxyde de silicium (figures 4b-4d, 5c et 5d), au niveau de laquelle l'étape c) s'arrête. La couche d'arrêt 630 peut également comprendre 25 une résine qui remplit au moins en partie la cavité 650. Il est entendu que la couche d'arrêt se trouve dans le volume interne du capot 600. De manière avantageuse, et en présence de la couche d'arrêt 630, l'étape c) d'amincissement peut être sélective et retirer préférentiellement le capot par 30 rapport à la couche d'arrêt 630. 12 Dans ces conditions, l'étape c) peut être suivie d'une étape d) de gravure, avantageusement une gravure par voie humide, de la couche d'arrêt. Par exemple, dans le cas d'une couche d'arrêt 630 faite de dioxyde de silicium, la gravure humide peut comprendre l'action d'une solution d'acide fluorhydrique. Dans le cas d'une 5 couche d'arrêt 630 faite de résine, la gravure de ladite couche d'arrêt 630 peut être exécutée par voie sèche, avantageusement par gravure sèche, encore plus avantageusement par une gravure sèche mettant en oeuvre un plasma par exemple un plasma d'oxygène. La mise en oeuvre de la couche d'arrêt 630 permet de limiter la 10 contamination particulaire pouvant survenir lors de l'étape c) d'amincissement. Toujours de manière avantageuse, à l'issue de l'étape c), la structure électronique 300 peut être essentiellement en affleurement de la couche d'encapsulation 700 (figures 3d, 4d, 5d). De manière alternative, différents capots 600 peuvent être collés sur la 15 face principale 410 et sur la ou les structures électroniques 301, 303 (figures 6a et6b). Selon cette configuration, les différents capots peuvent présenter des profondeurs différentes de manière à être ouverts simultanément lors de l'étape c). Il est entendu que le fond 610 des capots peut être recouvert de la couche d'arrêt 630. La considération de plusieurs capots 600, chacun d'une profondeur 20 différente, est avantageusement mise à profit dès lors qu'une pluralité de structures électroniques 300 de hauteurs différentes sont reportées sur la structure support 400. En particulier, dès lors qu'il s'agit d'exposer sur chacune desdites structures électronique 300 de hauteur différente une région 200, il est possible d'ajuster la profondeur de chacun des capots 600 considérés de sorte que chacun d'entre eux soit 25 ouvert de manière simultanée lors de l'étape c) (figures 6a et 6b). Cette approche est particulièrement avantageuse pour les capteurs ou Microsystèmes qui nécessitent un nombre de connexion externes limité. Ainsi, l'invention, telle qu'elle est présentée, permet par exemple d'accéder à des zones de test de dispositifs optiques, ou de réaliser des connexions 30 filaires (« Wire Bonding » selon la terminologie Anglo-Saxonne). 13 En relation avec la figure 7, une étape e) de réalisation de contact 800 au niveau de la région 300 exposée peut être réalisée. L'étape e) peut alors être exécutée par sérigraphie. De manière avantageuse, et en relation avec les figures 5a à 5e, le 5 volume interne du capot peut être rempli d'une résine, par exemple une résine présentant des propriétés de transparence suffisantes pour autoriser un couplage optique entre la région 200 et un dispositif optique, REVENDICATIONS1. Procédé d'exposition d'au moins une région (200) d'une face, dite face avant (110), d'un dispositif électronique (100), le procédé comprenant les étapes suivantes : a) une étape de collage d'un capot (600) sur la face avant (110), le collage étant exécuté de sorte que le capot (600) forme avec la région (200) une cavité (650) fermée, avantageusement hermétiquement fermée ; b) la formation d'une couche d'encapsulation (700), d'une épaisseur El, en recouvrement de la face avant (110) et du capot (600) ; c) une étape d'amincissement de la couche d'encapsulation (700), l'étape d'amincissement comprenant le retrait d'une épaisseur de retrait E2, inférieure à l'épaisseur El, de la couche d'encapsulation (700), l'épaisseur de retrait E2 étant adaptée pour qu'une ouverture soit formée dans le capot (600). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le capot (600) comprend un fond (610) et une paroi latérale (620), l'étape de collage b) étant exécutée en mettant en contact un rebord de la paroi latérale (620) avec la face avant (110). 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le fond (610) du capot (600) est recouvert d'une couche d'arrêt (630), l'étape d'amincissement étant en outre sélective de manière à graver sélectivement le capot (600) par rapport à la couche d'arrêt (630). 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel l'étape c) est suivie d'une étape d) de retrait de la couche d'arrêt (630), avantageusement l'étape d) est une étape de gravure chimique ou une gravure sèche. 15 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel l'étape a) est exécutée selon l'une des méthodes choisie parmi : collage avec une colle, collage par soudure avantageusement avec un matériau à base d'étain d'argent et de cuivre, collage par frittage. 5 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel l'étape d'amincissement c) est exécutée par érosion mécanique. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'étape 10 b) est exécutée par laminage d'une feuille de matériau d'encapsulation, ou par injection d'une résine faite du matériau d'encapsulation. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel le dispositif électronique (100) comprend au moins une structure électronique (300) 15 reportée sur une face principale (410) d'une structure support (400), la couche d'encapsulation (700) formée à l'étape b) étant en recouvrement de la face principale (410) et de l'au moins une structure électronique (300). 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel l'au moins une 20 région (200) comprend une première région (201) disposée sur la face principale (410) de la structure support (400). 10. Procédé selon la revendication 8 ou 9, dans lequel l'au moins une région (200) comprend une seconde région (202) disposée sur la structure électronique 25 (300). 11. Procédé selon les revendications 1 à 10, dans lequel l'au moins une structure électronique (300) comprend une pluralité de structures électroniques (302, 303) de hauteurs différentes, avantageusement, l'étape a) comprend le report d'une pluralité de capots (600) sur une pluralité de régions (202, 203) disposées au niveau 16 des structures électroniques (302, 303), la profondeur des capots (600) étant ajustée de sorte que chacun d'entre eux soit ouvert de manière, essentiellement, simultanée lors de l'étape c). 5 12. Procédé selon la revendication 8 ou 9, dans lequel à l'issue de l'étape d'amincissement la structure électronique (300) est essentiellement en affleurement avec la surface libre de la couche d'encapsulation (700). 13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel le capot 10 (600) est rempli d'une résine. 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'au moins une région (200) comprend un coupleur de réseau. 15 15. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel l'au moins une région (200) comprend au moins une connexion électrique. 16. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel l'au moins une région (200) comprend une région sensible capteur MEMS. 20 17. Dispositif électronique (100) susceptible d'être fabriqué selon l'une des revendications 1 à 16, le dispositif électronique (100) comprenant une couche d'encapsulation (700), faite d'un matériau d'encapsulation, et formée sur une face avant (110) dudit dispositif, la couche d'encapsulation (700) comprenant une ouverture 25 traversante et exposant une région (200) de la face avant (110), les flancs de l'ouverture traversante étant tapissés d'une paroi latérale (620) faite d'un matériau différent du matériau d'encapsulation. 30