FR 3077923 A1 20190816 FR 1851165 A 20180212 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT PAR TRANSFERT DE COUCHE DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne la fabrication d'une structure de type semiconducteur sur isolant par transfert d'une couche d'un substrat, dit « substrat donneur » sur un autre substrat, dit « substrat receveur ». ETAT DE LA TECHNIQUE La fabrication de structures de type semi-conducteur sur isolant, dites structures « semiconductor on insulator » (acronyme Se01) en anglais, en particulier « silicon on insulator » (SOI) lorsque le matériau semi-conducteur est du silicium, se fait généralement selon un procédé consistant à transférer une couche d'un substrat donneur sur un substrat receveur. Conformément à ce type de procédé, on crée dans le substrat donneur une zone dite « de fragilisation » qui délimite une couche à transférer, on colle le substrat donneur sur le substrat receveur, puis on détache le substrat donneur le long de la zone de fragilisation, de manière à transférer la couche sur le substrat receveur. Un procédé de transfert de couche bien connu est le procédé Smart CutTM, dans lequel la zone de fragilisation est créée par implantation d'atomes d'hydrogène et/ou d'hélium dans le substrat donneur à une profondeur prédéterminée qui correspond sensiblement à la l'épaisseur de la couche à transférer. Un exemple de procédé Smart CutTM est illustré sur la figure 1. Le substrat donneur A et/ou le substrat receveur B fournis initialement (étape 1), généralement en silicium, sont dans un premier temps oxydés (étape 2) sur une épaisseur permettant d'obtenir une couche d'oxyde 10. On forme ensuite une zone de fragilisation (étape 3) dans le substrat donneur A, qui délimite la couche à transférer 11 par implantation atomique. Les substrats A et B subissent ensuite un traitement de surface visant à permettre un collage moléculaire hydrophile, puis sont collés (étape 4) l'un à l'autre via leurs surfaces traitées qui forment ainsi l'interface de collage. La(les) couche(s) d'oxyde 10 présente(s) à l'interface est(sont) dite(s) « couche d'oxyde enterrée » ou « buried oxide layer » (acronyme BOX) en anglais. Un détachement (étape 5) du substrat donneur le long de la zone de fragilisation permet de transférer la couche 11 sur le substrat receveur B. Cette étape, également appelée « fracturation », ou « splitting » en anglais, peut être réalisée par exemple lors d'un recuit thermique de la structure multicouche obtenue. 2 L'initiation du détachement se fait thermiquement par la croissance de microfissures au niveau de la zone de fragilisation. Ces microfissures, dispersées dans la profondeur de la structure, se rejoignent de proche en proche afin de former une ligne de fracture qui se propage dans tout le plan de la zone de fragilisation, aboutissant ainsi à la séparation de 5 la structure SOI et du reliquat du substrat B. A l'issue de ce transfert, la surface libre de la couche transférée 11, qui est opposée à la surface du substrat donneur A collée sur le substrat receveur B, présente une forte microrugosité. Cette rugosité est révélatrice de la propagation de la fracture de proche en proche entre les microfissures. La figure 2 est une photographie en coupe réalisée par 10 microscopie électronique en transmission (TEM) d'une couche de silicium 12 du substrat donneur après implantation d'atomes d'hydrogène suivi d'un recuit thermique. Cette figure illustre une ligne de fracture 13 révélatrice de la propagation de la fracture entre les microfissures. Le détachement de la structure SOI et du reliquat du substrat donneur suit cette ligne de fracture et aboutit à une surface présentant une forte microrugosité. 15 La rugosité influe fortement sur les performances des dispositifs électroniques formés dans ou sur la couche transférée. Par exemple, une rugosité importante induit une forte variabilité des tensions de seuil des transistors fabriqués dans ou sur cette couche. De plus, la rugosité perturbe l'inspection des défauts réalisée par diffraction laser sur la structure SOI finale. En effet, la rugosité ainsi que la présence de légers trous en 20 surface perturbent la mesure voire empêchent de contrôler la défectivité de la structure SOI à seuil d'inspection bas. Pour réparer la surface et en réduire la rugosité, il est courant de faire subir à la structure SOI des traitements de finition, par lissage thermique, mécanique et/ou chimique. Ces traitements visent plus particulièrement à obtenir une épaisseur de SOI 25 souhaitée, avec une surface lisse et une interface de collage consolidée. Ces traitements, bien qu'atténuant partiellement les défauts de surface, ne permettent généralement pas d'atteindre un état de surface optimal requis pour les applications de la structure SOI finale. 30 BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION Un but de l'invention est de proposer un procédé de transfert de couche, pour la fabrication d'une structure de type semi-conducteur, qui permet de réduire de manière significative la rugosité de la surface libre de la couche transférée. L'invention vise plus particulièrement à concevoir un tel procédé de transfert de 35 couche, permettant de réduire la rugosité de la surface libre de la couche transférée en contrôlant la formation et l'évolution de la ligne de fracture lors de l'étape de détachement ou fracturation correspondante. 3 A cette fin, l'invention propose un procédé de fabrication d'une structure de type semi-conducteur sur isolant par transfert d'une couche d'un substrat donneur sur un substrat receveur, comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture du substrat donneur et du substrat receveur, 5 b) la formation dans le substrat donneur d'une une zone de fragilisation délimitant la couche à transférer, c) le collage du substrat donneur sur le substrat receveur, la surface du substrat donneur opposée à la zone de fragilisation par rapport à la couche à transférer étant à l'interface de collage, 10 d) le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation permettant le transfert de la couche à transférer sur le substrat receveur, le procédé de transfert étant caractérisé en ce qu'il comprend, avant l'étape de collage, une étape de modification contrôlée de la courbure du substrat donneur et/ou du substrat receveur de sorte à écarter les substrats l'un de l'autre au moins dans une région 15 de leur périphérie. Le fait de modifier de manière globale la courbure du ou des substrat(s) avant collage, en leur imposant une contrainte mécanique prédéterminée, permet, lors du collage, d'emmagasiner dans la structure multicouche obtenue une énergie mécanique supplémentaire correspondant à ladite contrainte, par rapport à un collage réalisé sans 20 déformation préalable des substrats. Cette énergie supplémentaire est libérée pendant le détachement du substrat donneur, qui peut être initié notamment par toute méthode connue, par exemple par application d'une contrainte mécanique ou par un traitement thermique, et facilite la maturation des microfissures et donc la formation de la ligne de fracturation. L'initiation et 25 le déroulement de l'étape de détachement sont facilités, ce qui aboutit une réduction de la rugosité de la surface libre de la couche transférée en fin de procédé. Selon d'autres aspects, le procédé proposé présente les différentes caractéristiques suivantes prises seules ou selon leurs combinaisons techniquement possibles : - selon une première forme d'exécution, la courbure du substrat donneur et/ou du 30 substrat receveur est modifiée de manière globale ; - l'étape de modification contrôlée comprend le dépôt d'une couche additionnelle sur au moins l'une des faces du substrat concerné, la couche additionnelle étant fabriquée dans un matériau dont le coefficient de dilatation thermique est différent de celui du matériau du substrat, le matériau de la couche additionnelle étant choisi de sorte à 35 imposer au substrat une contrainte mécanique contrôlée apte à le déformer ; - le dépôt de la couche additionnelle est effectué sur les deux faces du substrat, les couches additionnelles des première et deuxième faces étant fabriquées dans des matériaux possédant des coefficients de dilatation thermiques différents l'un de l'autre, les 4 matériaux des couches additionnelles étant choisis de sorte à imposer au substrat une contrainte mécanique contrôlée apte à le déformer ; - le dépôt de la couche additionnelle est effectué sur les deux faces du substrat, les couches additionnelles déposées sur la première et la deuxième face possédant des 5 épaisseurs différentes, la différence d'épaisseur étant choisie de sorte à imposer au substrat une contrainte mécanique contrôlée apte à le déformer ; - le dépôt des couches additionnelles est suivi du retrait d'au moins une partie d'au moins l'une des couches additionnelles ; - le procédé comprend, avant le collage, le dépôt d'une couche de piégeage de 10 charges sur le substrat receveur ; - l'étape de déformation contrôlée comprend l'oxydation d'au moins une région superficielle du substrat donneur et/ou du substrat receveur pour imposer audit substrat une contrainte mécanique contrôlée apte à le déformer ; - le substrat receveur comprend une couche de piégeage de charges et l'oxydation 15 du substrat comprend l'oxydation de la couche de piégeage de charges ; - le dépôt de la couche additionnelle est effectué par dépôt chimique en phase vapeur dans un réacteur ; - le substrat donneur et le substrat receveur sont tous les deux déformés de manière convexe ; 20 - selon une deuxième forme d'exécution, la courbure du substrat donneur et/ou du substrat receveur est modifiée de manière locale ; - l'étape de déformation contrôlée du substrat donneur et/ou receveur comprend les étapes suivantes : - le positionnement du substrat receveur sur la surface d'un support munie 25 de rainures, la face du substrat receveur destinée à former l'interface de collage étant opposée à la surface du support, - l'application dans les rainures d'une première pression inférieure à une seconde pression appliquée sur la face du substrat receveur destinée à former l'interface de collage, 30 et le collage du substrat donneur sur le substrat receveur, ainsi que le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation, sont effectués en maintenant lesdites première et seconde pressions ; - la face ou les deux faces destinée(s) à former l'interface de collage du substrat donneur et/ou du substrat receveur sont déformées de manière à présenter une amplitude 35 de courbure supérieure ou égale à 20 pm, de préférence supérieure ou égale à 50 pm. L'invention concerne également un procédé pour réduire la rugosité de la surface d'une structure de type semi-conducteur sur isolant, caractérisé en ce qu'il comprend la formation de ladite structure par le procédé qui vient d'être décrit ci-dessus. 5 DESCRIPTION DES FIGURES D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à la lecture de la description suivante donnée à titre d'exemple illustratif et non limitatif, en référence aux figures annexées qui représentent : 5 - la figure 1, un schéma qui illustre un procédé de type Smart CutTM de fabrication d'une structure de type semi-conducteur sur isolant, par transfert d'une couche d'un substrat donneur sur un substrat receveur ; - la figure 2, une photographie en coupe réalisée par microscopie électronique en transmission (TEM) d'une couche de silicium du substrat donneur après 10 implantation d'atomes d'hydrogène suivi d'un recuit thermique ; - les figures 3A et 3B, une vue en coupe d'un substrat donneur ou receveur présentant une courbure globale contrôlée, respectivement concave et convexe ; - les figures 4A, 4B, 40, et 4D, des représentations schématiques de plusieurs configurations du substrat donneur et du substrat receveur à l'interface de 15 collage ; - la figure 5, un schéma en coupe d'une structure de type SOI selon un mode de réalisation, comprenant une couche de polysilicium entre une couche d'oxyde et une couche de silicium transférée ; - la figure 6, un schéma en perspective d'un support ou « chuck » en anglais ; 20 - la figure 7, une cartographie de rugosité, dite cartographie de Haze, obtenue par diffraction d'un laser sur la surface de deux structures SOI obtenues après détachement et lissage thermique par recuit thermique ; - la figure 8, une cartographie de défectivité obtenue par diffraction d'un laser sur la surface des deux structures SOI de la figure 7. 25 DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION DE L'INVENTION Le procédé proposé permet de fabriquer des structures multicouches de type SOI par transfert d'une couche d'intérêt, dans lesquels la surface libre de la couche d'intérêt transférée possède une rugosité réduite au regard de l'état de l'art. Le procédé est basé 30 sur le contrôle de la modification, avant collage, de la courbure des substrats donneur et/ou receveur. Un procédé de transfert de couche consiste classiquement à former une zone de fragilisation délimitant la couche à transférer dans le substrat donneur. Selon le procédé Smart CutTM, la zone de fragilisation est formée par implantation d'ions hydrogène et/ou 35 hélium à une profondeur déterminée du substrat donneur. La profondeur choisie détermine l'épaisseur de la couche à transférer. 6 Les surfaces à coller des substrats donneur et receveur subissent ensuite un traitement adapté pour permettre ultérieurement un collage moléculaire hydrophile de ces surfaces. Après collage, la structure multicouche est soumise à un recuit thermique et le 5 substrat donneur est détaché du substrat receveur le long de la zone de fragilisation, permettant ainsi le transfert de la couche à transférer sur le substrat receveur. Conformément au procédé proposé, préalablement au collage des substrats, on applique une contrainte contrôlée à au moins un des deux substrats afin de modifier la courbure dudit substrat de sorte à éloigner les substrats l'un de l'autre au moins dans une 10 région de leur périphérie. En d'autres termes, la distance entre une zone de la périphérie d'un substrat et la zone de la périphérie de l'autre substrat destinée à être en contact avec celle-ci lors de l'étape de collage est plus grande après modification de la courbure du ou des substrats concernés. La courbure peut être modifiée de manière globale en sens concave ou convexe, ou 15 bien locale. Par « courbure modifiée de manière globale » on entend que la courbure du substrat dans son ensemble est modifiée afin de prendre une forme concave ou convexe. Lorsque le substrat se présente sous la forme d'un disque, celui-ci possède après déformation une forme généralement parabolique. 20 Les termes « convexe » et « concave » s'entendent par rapport à la courbure de la face du substrat destinée à former l'interface de collage, dite « face avant ». Dès lors, le substrat est dit « convexe » lorsque la courbure de la face avant est convexe, et est dit « concave » lorsque la courbure de la face avant est concave. Par « courbure modifiée de manière locale » on entend que seule une région 25 (incluant au moins une zone de la périphérie) du substrat est déformée. Qu'elle soit globale ou locale, ladite modification de courbure ne se traduit pas par une modification de l'épaisseur du substrat. Un exemple de substrat présentant une courbure globale concave ou convexe est représenté sur les figures 3A et 3B respectivement. 30 Le substrat 20 de la figure 3A repose librement sur un support plan de référence P, typiquement parfaitement plat, et a été déformé de manière concave. La face avant 21 (destinée à former l'interface de collage) est la face supérieure. La face arrière 22, opposée à la face avant 21, est parallèle à la face avant, le substrat 20 présentant une épaisseur sensiblement constante. 35 Le substrat 20 représenté sur la figure 3B a été déformé de manière convexe. La face avant 21 est la face supérieure. La face arrière 22 est parallèle à la face avant 21. 7 La courbure du substrat est typiquement quantifiée par un paramètre d'amplitude appelé « bow » en anglais et noté Bw, et/ou par un paramètre de gauchissement appelé « warp » en anglais et noté VVp. Bw correspond à la distance entre le point central C du plan médian Pm (représenté 5 en traits pointillés) du substrat et un plan de référence P correspondant à un support de référence sur lequel repose le substrat. Sur la figure 3A, le calcul est effectué en utilisant la projection P1 du support référence P sur la face avant du substrat. Bw est négatif dans le cas d'une courbure concave, conformément à la figure 3A, et positif dans le cas d'une courbure convexe, conformément à la figure 3B. 10 De préférence, le substrat est déformé de manière à présenter un paramètre d'amplitude Bw supérieur ou égal à 20 pm, de préférence supérieur ou égal à 50 pm. Sur les figures 3A et 3B, VVp est nul puisque le substrat est déformé sans gauchissement. Les substrats dans leur état initial peuvent déjà présenter une courbure propre, à 15 laquelle correspondent des paramètres Bw et VVp. Dans ce cas, on déforme au moins un des substrats conformément à ce qui a été décrit précédemment. On préfèrera cependant déformer le substrat dans le sens de sa courbure initiale, afin de réduire les risques de rupture. Ainsi, si le substrat présente une courbure propre concave, on le déformera de manière concave. Respectivement, si le substrat présente une courbure propre convexe, 20 on le déformera de manière convexe. Pour la mise en oeuvre du procédé, il suffit que la courbure d'au moins le substrat donneur ou le substrat receveur soit modifiée de manière globale et contrôlée lors de l'étape de collage de manière à écarter l'une de l'autre au moins une zone périphérique desdits substrats. L'énergie accumulée dans l'un et/ou l'autre des substrats lors de leur 25 déformation est ainsi libérée de manière optimale à partir de la zone périphérique lors du détachement du substrat donneur. Par ailleurs, les substrats donneur et receveur sont préférablement collés par « collage libre », désigné par « free bonding » selon la terminologie anglo-saxonne, c'est-à-dire que les substrats peuvent librement changer de conformation spatiale après collage 30 pour s'adapter l'un à l'autre. Ce changement de conformation peut par exemple consister en un changement de paramètre d'amplitude Bw, ou bien de paramètre de gauchissement VVp. Par exemple, un substrat donneur courbé de manière convexe avec un paramètre d'amplitude Bw de 30 pm avant collage peut présenter, après collage à un substrat 35 receveur sensiblement plan dans son état initial, un paramètre d'amplitude Bw de 15 pm, toujours dans une conformation convexe. 8 Les combinaisons préférées dans le cas d'une déformation globale sont présentées dans la suite en référence aux figures 4A, 4B, 40, et 4D, les substrats étant représentés dans leur position précédant leur mise en contact en vue du collage. En référence à la figure 4A, on impose à chacun du substrat donneur et du substrat 5 receveur une courbure convexe. Dans cette première configuration, les deux substrats 23, 24 sont déformés de manière à s'écarter l'un de l'autre en direction de leur périphérie et jusqu'à leur périphérie. L'écartement E2 entre les substrats à leur périphérie est alors bien supérieur à l'écartement El à leur partie centrale. Cette configuration est préférée car elle fournit à la structure finale une énergie supplémentaire accrue comparativement aux 10 autres configurations, ce qui réduit encore davantage la rugosité de la couche transférée. En référence à la figure 4B, on impose au substrat donneur une courbure convexe et le substrat receveur est dans son état initial qui peut être plan ou présenter une courbure propre. Dans cette seconde configuration, le substrat donneur est déformé de manière à s'écarter du substrat receveur vers sa périphérie et jusqu'à sa périphérie. 15 L'écartement E3 entre les substrats à leur périphérie est alors supérieur à l'écartement El à leur partie centrale, bien qu'inférieur à l'écartement E2 de la première configuration pour un même paramètre d'amplitude Bw du substrat donneur. En référence à la figure 40, on impose au substrat donneur une courbure convexe et au substrat receveur une courbure concave, le paramètre d'amplitude Bw du substrat 20 donneur étant supérieur à celui du substrat receveur. Dans cette troisième configuration, le substrat donneur et le substrat receveur sont tous les deux déformés dans le même sens. Comme le paramètre d'amplitude Bw du substrat donneur est supérieur à celui du substrat receveur, l'écartement E4 entre les substrats à leur périphérie est supérieur à l'écartement El à leur partie centrale, bien qu'inférieur à l'écartement E2 de la première 25 configuration et à l'écartement E3 de la seconde configuration. En référence à la figure 4D, on impose au substrat receveur une courbure convexe et le substrat donneur est dans son état initial qui peut être plan ou présenter une courbure propre. Dans cette quatrième configuration, le substrat receveur est déformé de manière à s'écarter du substrat donneur vers sa périphérie et jusqu'à sa périphérie. 30 L'écartement E5 entre les substrats à leur périphérie est alors supérieur à l'écartement El à leur partie centrale, bien qu'inférieur à l'écartement E2 de la première configuration pour un même paramètre d'amplitude Bw du substrat receveur. Selon un premier mode de réalisation, la déformation contrôlée du substrat comprend une étape de dépôt à haute température d'une couche additionnelle sur au 35 moins l'une des faces du substrat. Par « haute température », on entend une température nettement supérieure à la température ambiante, de préférence supérieure à 200°C, de préférence supérieure à 500°C, et de manière davantage préférée supérieure à 800°C. 9 La couche additionnelle est fabriquée dans un matériau possédant un coefficient de dilatation thermique différent de celui du matériau du substrat. Ainsi, après dépôt, lorsque la température diminue, la couche additionnelle et le substrat se contractent de manière différente. En se contractant, la couche additionnelle applique une contrainte mécanique 5 au substrat depuis sa face de dépôt, ce qui provoque une modification de la courbure du substrat selon une direction préférentielle, dans le sens concave ou dans le sens convexe selon la face de sur laquelle le dépôt a été effectué. L'intensité de la contrainte mécanique dépend des caractéristiques de la couche additionnelle que sont notamment son épaisseur et son matériau constitutif. 10 Le choix du matériau et de l'épaisseur de la couche additionnelle, au regard de ceux du substrat, pour contrôler le sens de la modification de la courbure, concave ou convexe, et imposer au substrat une valeur déterminée du paramètre Bw, est à la portée de l'homme du métier. En pratique, le substrat est d'abord placé dans une chambre réactionnelle prévue à 15 cet effet, puis la chambre réactionnelle est chauffée à une température de chauffe déterminée en fonction des propriétés du substrat et de la couche additionnelle à déposer. La couche additionnelle est alors déposée sur le substrat. Ainsi, le substrat et la couche additionnelle sont chauffés pendant tout ou partie de l'étape de dépôt. Il est possible de conserver la même température de chauffe pendant le dépôt, ou de faire 20 varier la température de chauffe au cours du dépôt. L'ajustement de la température de chauffe de la chambre réactionnelle permet d'ajuster en conséquence la différence de température imposée au substrat lors de son refroidissement, classiquement jusqu'à température ambiante soit environ 20°C. Le dépôt de la couche additionnelle est de préférence réalisé par CVD (acronyme 25 de « Chemical Vapor Deposition » en anglais, soit un dépôt chimique en phase vapeur) dans la chambre réactionnelle. Le dépôt CVD est particulièrement adapté au dépôt d'une couche additionnelle de faible épaisseur devant celle du substrat. On peut déposer une couche additionnelle, conformément à ce premier mode de réalisation, sur les deux faces opposées du substrat. Dans ce cas, chacune des couches 30 additionnelles est fabriquée dans un matériau possédant un coefficient de dilatation thermique différent de celui du matériau du substrat. De plus, les couches additionnelles peuvent être fabriquées dans un même matériau, ou dans des matériaux différents. Lorsque les couches additionnelles sont fabriquées dans un même matériau, elles 35 possèdent le même coefficient de dilatation thermique. Dès lors, on veillera à ce qu'elles présentent une épaisseur différente l'une de l'autre pour appliquer une contrainte apte à modifier la courbure du substrat. Ceci peut être fait lors du dépôt en déposant de manière asymétrique une plus grande épaisseur de matériau sur une face du substrat que sur 10 l'autre, ou bien après le dépôt par un retrait d'une partie au moins d'une des couches additionnelles de la face correspondante. Lorsque les couches additionnelles sont fabriquées dans des matériaux différents, elles possèdent généralement un coefficient de dilatation thermique différent. On peut 5 donc prévoir deux couches additionnelles de même épaisseur, ou bien deux couches additionnelles d'épaisseurs différentes pour ajuster de manière encore plus précise la courbure du substrat. De manière analogue à ce qui précède, la différence d'épaisseur peut résulter d'un dépôt asymétrique ou d'un retrait d'une partie au moins d'une couche additionnelle après dépôt. 10 Selon un deuxième mode de réalisation, la déformation contrôlée du substrat est obtenue par oxydation thermique superficielle du substrat. L'oxydation du matériau à la surface du substrat provoque la consommation de son matériau constitutif et la formation d'un ou de plusieurs oxyde(s) correspondant(s). La formation de l'oxyde induit une contrainte mécanique au sein du substrat, aboutissant à une modification de la courbure 15 de celui-ci. Cette étape d'oxydation est réalisée sur l'une des faces du substrat ou ses deux faces. Elle correspond préférentiellement à la formation de la couche d'oxyde enterrée. On oxyde une face du substrat ou une face d'une couche additionnelle préalablement déposée sur le substrat telle que décrite dans le premier mode de 20 réalisation. L'oxydation de chaque face du substrat dépend principalement de son matériau constitutif. En effet, deux couches fabriquées dans des matériaux différents peuvent s'oxyder à des vitesses différentes, et aboutissent à la formation d'oxydes différents et d'épaisseurs différentes. Ceci conduit à l'application de contraintes mécaniques 25 différentes sur les deux faces du substrat, et aboutit à une déformation du substrat lorsque celui-ci est refroidi après oxydation. L'épaisseur de la couche oxydée sur chaque face dépend également du temps d'oxydation. Une oxydation prolongée permet d'oxyder une plus grande épaisseur de couche, comparativement à une oxydation plus courte. 30 Un exemple de réalisation, représenté sur la figure 5, concerne les structures SOI fabriquées sur un substrat en silicium hautement résistif, avec une couche de polysilicium (silicium polycristallin) de piégeage 31 entre la couche d'oxyde 32 et le substrat initial 30. La couche de piégeage 31 en polysilicium a été déposée sur un substrat en silicium 30, puis oxydée, aboutissant ainsi à une forte modification de la courbure du substrat. En 35 effet, l'oxydation à haute température, ici entre 800°C et 1100°C, est plus rapide sur la couche de polysilicium que sur la face opposée du substrat, ce qui conduit à une forte différence en épaisseur d'oxyde entre les deux faces du substrat. Ceci conduit à l'application de contraintes mécaniques différentes sur les deux faces du substrat, et à 11 une forte déformation du substrat lorsque celui-ci est ramené à température ambiante après oxydation. A titre d'exemple, des courbures d'environ 240 pm à 250 pm de substrats en silicium de 300 mm de diamètre ont été obtenues pour une oxydation de 0.5 pm de la couche de polysilicium. 5 Selon un troisième mode de réalisation, le substrat est déformé par application de contraintes mécaniques grâce à un support ou « chuck » en anglais. Un tel support est représenté sur la figure 6. Ce support 40 est configuré pour recevoir un substrat, dont une face vient au contact de la surface de contact 41 du support. Le support est muni de rainures 42 sur sa surface de contact, réparties 10 typiquement de manière régulière sur ladite surface. Sur le mode de réalisation du support représenté sur la figure 6, les rainures s'étendent selon deux séries de rainures parallèles, lesdites séries de rainures étant perpendiculaires entre elles et formant un quadrillage qui s'étend sur toute la surface de contact du support. Les rainures sont équipées de moyens de tirage du vide, qui se présentent avantageusement sous la forme 15 d'orifices 43 agencés dans les rainures en liaison fluidique avec une pompe à vide. Le support 40 est placé dans une chambre prévue à cet effet, et un substrat est positionné sur le support. On tire ensuite le vide dans les rainures grâce aux moyens de tirage du vide. La pression P1 de la zone située entre le substrat et le support diminue, ce qui crée un différentiel de pression AP entre la pression P1 et la pression P2 de la 20 chambre, tel que AP = P1 - P2 AP minimal, le substrat est plaqué contre le 30 support et se trouve fixé à ce dernier, ce qui correspond à un effet dit de « clamping » en anglais. L'ensemble des paramètres de ce procédé de déformation du substrat à l'aide du support sont ajustés de manière à ce que l'ensemble des contraintes mécaniques locales imposées au substrat forment une contrainte mécanique globale visant à modifier la 35 courbure du substrat de manière globale. Les paramètres expérimentaux sont ajustés également de manière à contrôler la valeur du paramètre Bw du substrat. Pour ce faire, on peut par exemple ajuster la densité d'orifices 43 ou de rainures 42 sur la surface du support afin que ceux-ci soient plus nombreux au niveau de la partie 12 centrale du support comparativement à sa partie périphérique. On peut également ajuster la largeur des rainures ou des orifices, ou encore leur orientation relativement au substrat. La valeur de AP elle-même doit être ajustée, étant entendu que plus AP est élevé, plus la modification de la courbure du substrat est importante. 5 Conformément à ce troisième mode de réalisation, lorsque la courbure souhaitée est obtenue, on maintient les pressions P1 et P2, et on procède au collage du deuxième substrat, éventuellement préalablement déformé, sur le premier substrat déformé. Le collage est donc réalisé en maintenant le différentiel de pression AP. Lors de la propagation de l'onde de collage, le deuxième substrat se conforme au moins 10 partiellement à la courbure imposée par le premier substrat. Selon un quatrième mode de réalisation, on peut imposer une contrainte mécanique à un substrat pour générer une courbure globale contrôlée en mettant en oeuvre une implantation atomique, ou encore en mettant en oeuvre un polissage mécanique (« grinding » selon la terminologie anglo-saxonne). L'homme du métier est en mesure de 15 définir les conditions opératoires d'implantation ou de polissage pour obtenir une courbure déterminée. EXEMPLE Deux structures SOI similaires notées a) et b) sont fabriquées conformément à un 20 procédé de transfert de couche d'un substrat donneur à un substrat receveur, tel que décrit précédemment. Les structures a) et b) ne diffèrent que par la courbure des substrats donneur et receveur : - pour la structure a), on n'applique pas de déformation contrôlée aux substrats 25 donneur et receveur avant collage, lesdits substrats présentant une courbure propre inférieure à 100 pm ; - pour la structure b), on applique une déformation contrôlée au substrat receveur avant collage, de sorte à imposer audit substrat une courbure convexe supérieure à 50 pm. 30 Comme indiqué plus haut, le collage est libre. La figure 7 représente une cartographie de Haze obtenue par diffraction d'un laser sur la surface des structures SOI a) et b) respectivement, après détachement et lissage thermique par recuit thermique rapide, ou « rapid thermal annealing (acronyme RTA) » en anglais. L'appareil laser utilisé est de type « SURFSCAN SP2 » commercialisé par la 35 société KLA TENCOR 0. La cartographie de Haze montre l'intensité du signal laser diffracté par la surface de la structure, caractéristique de la rugosité de ladite surface. 13 Le haze mesuré sur la surface de la structure a) est très hétérogène, et passe d'un minimum de 5,67 ppm sur une large portion centrale 50 et inférieure de la surface, à un maximum de 14,80 ppm sur une faible portion 51 en forme d'arc de la périphérie supérieure de la surface, soit une amplitude de 14,80 - 5,67 = 9,13 ppm. 5 Le haze mesuré sur la surface de la structure b) est nettement plus homogène, et passe d'un minimum de 6,63 ppm sur une faible portion inférieure 52, à environ 8,50 ppm sur une large zone centrale 53, jusqu'à un maximum de 10,80 ppm sur une portion 54 en forme d'arc de la périphérie supérieure de la surface, soit une amplitude de 10,80 ppm - 6,63 ppm = 4,17 ppm. Le haze maximum et l'amplitude du haze mesurés sur la surface 10 de la structure b) sont donc nettement inférieurs à ceux de la surface de la structure a). Ainsi, la surface de la structure a) possède une rugosité réduite, et répartie de manière plus homogène, comparativement à la surface de la structure a). La figure 8 représente une cartographie de défectivité obtenue par diffraction d'un laser sur les mêmes surfaces que la figure 7. Les défauts de surfaces sont repérés 15 lorsque le signal laser diffracté dépasse une intensité seuil prédéterminée. L'appareil laser utilisé est le même que celui utilisé pour réaliser la cartographie de Haze de la figure 7. La distribution de la défectivité obtenue sur la figure 8 correspond sensiblement à celle du Haze de la figure 7. Pour la structure a), les défauts sont nombreux, et sont situés très majoritairement 20 sur une portion 55 en forme d'arc de la périphérie supérieure de la surface, ce qui indique une distribution très hétérogène de la défectivité. Pour la structure b), les défauts sont peu nombreux comparativement à la structure a). De plus, les défauts sont répartis de manière relativement homogène sur toute la surface. 25 Par conséquent, le fait de modifier de manière globale et contrôlée la courbure d'au moins un des substrats donneur et receveur avant collage a permis de réduire la défectivité ainsi que la rugosité de la surface exposée de la structure SOI obtenue après détachement, et de répartir la défectivité et la rugosité de manière plus homogène sur l'ensemble REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une structure de type semi-conducteur sur isolant par transfert d'une couche d'un substrat donneur sur un substrat receveur, comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture du substrat donneur et du substrat receveur, b) la formation dans le substrat donneur d'une zone de fragilisation délimitant la couche à transférer, c) le collage du substrat donneur sur le substrat receveur, la surface du substrat donneur opposée à la zone de fragilisation par rapport à la couche à transférer étant à l'interface de collage, d) le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation permettant le transfert de la couche à transférer sur le substrat receveur, le procédé de transfert étant caractérisé en ce qu'il comprend, avant l'étape de collage, une étape de modification contrôlée de la courbure du substrat donneur et/ou du substrat receveur de sorte à écarter les substrats l'un de l'autre au moins dans une région de leur périphérie. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la courbure du substrat donneur et/ou du substrat receveur est modifiée de manière globale. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel l'étape de modification contrôlée comprend le dépôt d'une couche additionnelle sur au moins l'une des faces du substrat, la couche additionnelle étant fabriquée dans un matériau dont le coefficient de dilatation thermique est différent de celui du matériau du substrat, le matériau de la couche additionnelle étant choisi de sorte à imposer au substrat une contrainte mécanique contrôlée apte à le déformer. 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le dépôt de la couche additionnelle est effectué sur les deux faces du substrat, les couches additionnelles des première et deuxième faces étant fabriquées dans des matériaux possédant des coefficients de dilatation thermiques différents l'un de l'autre, les matériaux des couches additionnelles étant choisis de sorte à imposer au substrat une contrainte mécanique contrôlée apte à le déformer. 5. Procédé selon l'une des revendications 3 ou 4, dans lequel le dépôt de la couche additionnelle est effectué sur les deux faces du substrat, les couches additionnelles déposées sur la première et la deuxième face possédant des 15 épaisseurs différentes, la différence d'épaisseur étant choisie de sorte à imposer au substrat une contrainte mécanique contrôlée apte à le déformer. 6. Procédé selon l'une des revendications 4 ou 5, dans lequel le dépôt des 5 couches additionnelles est suivi du retrait d'au moins une partie d'au moins l'une des couches additionnelles. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, comprenant avant le collage, le dépôt d'une couche de piégeage de charges sur le substrat 10 receveur. 8. Procédé selon l'une des revendications 2 à 7, dans lequel l'étape de déformation contrôlée comprend l'oxydation d'au moins une région superficielle du substrat donneur et/ou du substrat receveur pour imposer 15 audit substrat une contrainte mécanique contrôlée apte à le déformer. 9. Procédé selon les revendications 7 et 8, dans lequel, le substrat receveur comprenant une couche de piégeage de charges, l'oxydation du substrat comprend l'oxydation de la couche de piégeage de charges. 20 10. Procédé selon l'une des revendications 2 à 9, dans lequel le dépôt de la couche additionnelle est effectué par dépôt chimique en phase vapeur dans un réacteur. 25 11. Procédé selon l'une des revendications 2 à 10, dans lequel le substrat donneur et le substrat receveur sont tous les deux déformés de manière convexe. 12. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la courbure du substrat 30 donneur et/ou du substrat receveur est modifiée de manière locale. 13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape de déformation contrôlée du substrat donneur et/ou receveur comprend les étapes suivantes : 35 - le positionnement du substrat receveur sur la surface (41) d'un support (40) munie de rainures (42), la face du substrat receveur destinée à former l'interface de collage étant opposée à la surface du support, - l'application dans les rainures (42) d'une première pression (P1) inférieure à une seconde pression (P2) appliquée sur la face du substrat receveur destinée à former l'interface de collage, 16 et le collage du substrat donneur sur le substrat receveur, ainsi que le détachement du substrat donneur le long de la zone de fragilisation, sont effectués en maintenant lesdites première et seconde pressions. 5 14. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la face ou les deux faces destinée(s) à former l'interface de collage du substrat donneur et/ou du substrat receveur sont déformées de manière à présenter une amplitude de courbure (Bw) supérieure ou égale à 20 pm, de préférence supérieure ou égale à 50 pm. 10 15. Procédé pour réduire la rugosité de la surface d'une structure de type semiconducteur sur isolant, caractérisé en ce qu'il comprend la formation de ladite structure par le procédé selon l'une des revendications précédentes. 15