FR 3076401 A1 20190705 FR 1763343 A 20171228 DISPOSITIF THERMOELECTRIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION DU DISPOSITIF THERMOELECTRIQUE Domaine technique de l'invention [1] Le domaine technique de l'invention concerne les dispositifs thermoelectriques, et plus particulierement de type generateur d'energie electrique a partir d'une difference de temperature appliquee au dispositif thermoelectrique concerne, ou de type a effet Peltier. Etat de la technique [2] De maniere connue, et comme illustre en figure 1, un dispositif thermoelectrique 100 peut comporter un ensemble de premiers plots 101 en materiau thermoelectrique et un ensemble de seconds plots 102 en materiau thermoelectrique different du materiau thermoelectrique des premiers plots 101. Les premiers et seconds plots 101, 102 sont relies electriquement pour former des jonctions thermoelectriques 103 entre un premier un cote 104, par exemple dit cote chaud, du dispositif thermoelectrique 100 et un deuxieme cote 105, par exemple dit cote froid, du dispositif thermoelectrique 100. Chaque jonction thermoelectrique 103 comporte un des premiers plots 101 et un des seconds plots 102. Pour chaque jonction thermoelectrique 103, un element de liaison electrique 106 permet de lier electriquement le premier plot 101 et le second plot 102 de la jonction thermoelectrique 103 correspondante, aussi appelee jonction NP dans le domaine. Des elements de connexion 107 permettent de lier electriquement, notamment en serie, les jonctions thermoelectriques 103 entre elles. Le dispositif thermoelectrique 100 de la figure 1 est compose de plusieurs premiers et seconds plots 101, 102 relies electriquement en serie et thermiquement en parallele pour former quatre jonctions thermoelectriques 103. Notamment, dans le domaine, les premiers et seconds plots 101, 102 sont aussi respectivement appeles plots N et plots P, un plot N etant un plot a conductivite de type N : c'est-a-dire que le materiau qui le compose est a coefficient Seebeck strictement negatif, et un plot P etant un plot a conductivite de type P : c'est-a-dire que le materiau qui le compose est a coefficient Seebeck strictement positif. 2 [003] De maniere generale, en considerant que les dimensions (notamment hauteur, section) des premiers et seconds plots sont identiques, les performances electriques du dispositif thermoelectrique utilise en tant que generateur d'energie, notamment d'energie electrique, peuvent "etre donnees de maniere simplifiee par : 5 - une resistance electrique interne notee Rint par exemple determinee de la maniere suivante Rint = N x pnp x H / A (notee equation (1) par la suite), avec N le nombre de jonctions thermoelectriques du dispositif thermoelectrique, H la hauteur d'un des premiers plots 101 d'une des jonctions thermoelectriques du dispositif thermoelectrique 100, cette hauteur H &cant 10 mesuree selon un axe orthogonal au premier Cote 104 et au deuxieme cote 105, A l'aire de la section dudit premier plot 101 prise orthogonalement a la direction dans laquelle est mesuree H, et pnp correspondant a la resistivite electrique dudit premier plot 101 (cette resistivite electrique etant consideree comme identique pour chaque premier plot 101 et chaque second plot 102) ; 15 - une tension de sortie notee V. et pouvant 'etre determinee de la maniere suivante V. = N x Snp x AT (notee equation (2) par la suite), avec Snp le coefficient Seebeck associe a l'une des jonctions thermoelectriques du dispositif thermoelectrique, Snp = (Sp - Sn), AT la difference de temperature effective entre le premier cote 104 et le deuxieme cote 105 a laquelle les 20 jonctions thermoelectriques sont soumises, N le nombre de jonctions thermoelectriques du dispositif thermoelectrique, Sp le coefficient Seebeck du materiau de type P utilise pour former par exemple chaque second plot 102, et Sn le coefficient Seebeck du materiau de type N utilise pour former chaque premier plot 101 ; V°` 25 oc - une puissance electrique utile P, avec P, = (notee equation (3) par la 4xRint suite). L'equation (1) neglige les resistances de contact et les resistances des connexions metalliques (elements de connexion 107 et elements de liaison 106) qui ont generalement des contributions negligeables devant les resistances des plots N et 30 P. Par « resistance », on entend la resistance electrique. [004] L'architecture du dispositif thermoelectrique 100 represents en figure 1 est de type technologie 3D (pour trois dimensions) car elle permet, dans le cadre de la generation d'energie electrique, d'exploiter une source chaude (placee Cote chaud) 3 et une source froide (placee cote froid) agencees de maniere opposee, notamment orthogonalement, a la direction de mesure de la hauteur de chacun des premiers et seconds plots 101, 102. Une source froide presente une temperature strictement inferieure a la temperature que presente la source chaude. Autrement dit, les 5 sources chaude et froide peuvent s'etendre de part et d'autre d'une plaque (ou substrat), selon son epaisseur, dans laquelle les jonctions thermoelectriques sont formees. Une telle architecture a l'avantage de presenter une resistance electrique faible du fait que la hauteur H de chacun des premiers et seconds plots 101, 102 est generalement de quelques micrometres, c'est-a-dire comprise entre 1pm et 10 100pm, dans le domaine de la microelectronique. Cependant, cette architecture presente !Inconvenient qu'il est difficile d'obtenir une difference de temperature satisfaisante pour generer une tension de sortie elevee puisque cette derniere est fonction de la difference de temperature dependant de la temperature de la source chaude et de la source froide. En effet, plus la source chaude et la source froide 15 sont proches, plus il est difficile d'obtenir une difference de temperature elevee a exploiter dans le cadre de l'effet Seebeck. [5] En ce sens, on comprend qu'il existe un besoin d'ameliorer la tension de sortie du dispositif thermoelectrique en particulier lorsque celui-ci est un generateur pour la production d'energie electrique en exploitant une difference de temperature 20 a laquelle est soumis le dispositif thermoelectrique. [6] Un dispositif thermoelectrique peut fonctionner en mode generateur electrique, aussi appele mode Seebeck, ou en mode refroidisseur, aussi appele mode Peltier. En fait, en mode Seebeck, le dispositif thermoelectrique 100 permet d'exploiter une difference de temperature induisant un gradient thermique aux 25 bornes de chacune des jonctions thermoelectriques pour permettre la generation d'energie electrique, comme une tension, par les jonctions thermoelectriques. Les bornes d'une jonction thermoelectrique correspondent a ses deux extremites geometriques opposees respectivement proximale du premier cote 104 et proximale du deuxieme cote 105. En mode Peltier, le dispositif thermoelectrique 30 100 peut "etre alimente en energie electrique de sorte a refroidir l'un de ses cotes (premier cote 104 ou deuxieme cote 105), cette alimentation electrique alimente alors les jonctions thermoelectriques qui permettent le refroidissement recherché. [7] De maniere plus generale, il existe un besoin d'ameliorer la difference de temperature exploitable par le dispositif thermoelectrique lorsque ce dernier 4 fonctionne en mode Seebeck, ou generee par le dispositif thermoelectrique lorsque ce dernier fonctionne en mode Peltier. La difference de temperature est dite amelioree lorsqu'on tend a l'elever, ou a la conserver la plus haute possible, en fonction des conditions d'utilisation du dispositif thermoelectrique. 5 Objet de ('invention [8] L'invention a pour but d'ameliorer la difference de temperature entre un cote chaud d'un dispositif thermoelectrique et un cote froid du dispositif thermoelectrique, notamment pour augmenter le gradient thermique aux bornes 10 d'au moins une jonction thermoelectrique. [9] On tend vers ce but grace a un dispositif thermoelectrique comportant au moins une jonction thermoelectrique, ladite jonction thermoelectrique comportant un premier plot et un second plot relie electriquement au premier plot, ce dispositif thermoelectrique etant caracterise en ce que : 15 - le dispositif thermoelectrique comporte un empilement de substrats, chaque substrat comportant au moins un premier element et au moins un second element, le premier element et le second element etant formes dans l'epaisseur dudit substrat, - l'empilement de substrats est tel que : 20 o le premier plot de la jonction thermoelectrique comporte un empilement de premiers elements, o le second plot de la jonction thermoelectrique comporte un empilement de seconds elements. [0010] Grace a l'empilement de substrats, il est possible d'adapter la distance de 25 separation entre deux cotes opposes (formant respectivement un cote chaud et un cote froid) du dispositif thermoelectrique lors de la conception du dispositif thermoelectrique. Ceci permet d'ameliorer la difference de temperature, entre ces deux cotes opposes, qu'il est possible d'exploiter si le dispositif thermoelectrique fonctionne en mode Seebeck, ou qu'il est possible de generer si le dispositif 30 thermoelectrique fonctionne en mode Peltier. Par ailleurs, l'empilement de substrats permet d'assurer un assemblage du dispositif thermoelectrique compatible avec les techniques de la microelectronique pour obtenir in fine un dispositif thermoelectrique de faible encombrement. Grace a ce faible encombrement, il est, par exemple, possible d'integrer plus facilement le dispositif 5 thermoelectrique dans un composant electronique tout en beneficiant, le cas echeant, d'un rendement ameliore de production d'energie electrique du fait de ('amelioration de la difference de temperature a exploiter pour ladite production d'energie electrique. 5 [0011] Le dispositif thermoelectrique peut comporter une ou plusieurs des caracteristiques suivantes : - l'empilement de substrats comporte au minimum trois substrats, et tout substrat de l'empilement de substrats, situe entre deux substrats d'extremite de l'empilement de substrats, comporte : 10 - une premiere face, - une deuxieme face opposee a sa premiere face, - une premiere couche en materiau dielectrique delimitant une partie de la premiere face dudit substrat, - une deuxieme couche en materiau dielectrique delimitant une partie 15 de la deuxieme face dudit substrat, les premiere et deuxieme couches en materiau dielectrique dudit substrat etant traversees par les premier et second plots ; - pour tout substrat de l'empilement de substrats, situe entre les deux substrats d'extremite de l'empilement de substrats, les premiere et 20 deuxieme couches en materiau dielectrique dudit substrat sont formees sur, et notamment de part et d'autre, d'un support dudit substrat ; - pour tout substrat de l'empilement de substrats, situe entre les deux substrats d'extremite de l'empilement de substrats, la premiere couche en materiau dielectrique dudit substrat presente une conductivite electrique 25 strictement inferieure a celle du support sur lequel elle est formee, et la deuxieme couche en materiau dielectrique dudit substrat presente une conductivite electrique strictement inferieure a celle du support sur lequel elle est formee ; - la jonction thermoelectrique comporte un element de liaison electriquement 30 conducteur relie a une portion en siliciure du premier plot de la jonction thermoelectrique et a une portion en siliciure du second plot de la jonction thermoelectrique ; 6 - chaque substrat de l'empilement de substrats comporte des vias traversants formant les premier et second elements dudit substrat ; - le dispositif thermoelectrique comporte : - des premiers et des seconds plots, 5 - une pluralite de jonctions thermoelectriques comportant chacune un des premiers plots et un des seconds plots, et chaque substrat comporte des premiers et des seconds elements, l'empilement de substrats etant tel que : - chaque premier plot comporte un empilement de premiers elements, 10 - chaque second plot comporte un empilement de seconds elements ; - les jonctions thermoelectriques sont reliees electriquement en serie ; - le dispositif thermoelectrique comporte des ensembles de jonctions thermoelectriques tels que, au sein de chaque ensemble de jonctions thermoelectriques, les jonctions thermoelectriques dudit ensemble sont 15 reliees electriquement en parallele, lesdits ensembles de jonctions thermoelectriques etant relies electriquement en serie. - les substrats de l'empilement de substrats sont lies par des liaisons covalentes. [0012] L'invention est aussi relative a un procede de fabrication d'un dispositif 20 thermoelectrique comprenant au moins une jonction thermoelectrique, !edit procede de fabrication comportant : - une etape de fourniture de substrats, chaque substrat fourni comportant au moins un premier element et au moins un second element formes dans son epaisseur, 25 - une etape de formation d'un empilement de substrats en utilisant les substrats fournis d'o0 it resulte la formation d'un premier plot de la jonction thermoelectrique et d'un second plot de la jonction thermoelectrique, le premier plot comportant un empilement de premiers elements et le second plot comportant un empilement de seconds elements, 30 - une etape de formation d'une connexion electrique de la jonction thermoelectrique, ladite connexion electrique reliant electriquement le premier plot au second plot. 7 [0013] Le procede de fabrication peut comporter une ou plusieurs des caracteristiques suivantes : - chaque substrat fourni est tel que : - ledit substrat comporte une premiere face dans laquelle sont formes 5 des trous borgnes, les premier et second elements dudit substrat etant formes dans les trous borgnes de telle sorte que la premiere face dudit substrat comprend des parties delimitees par les premier et second elements, - ledit substrat comporte une deuxieme face opposee a sa premiere 10 face, et l'etape de formation de l'empilement de substrats comporte : - une etape de formation d'un assemblage comprenant une etape de mise en contact des premieres faces de premier et deuxieme substrats issus des substrats fournis, 15 - une etape de modification du deuxieme substrat de l'assemblage d'oCI il resulte que sa deuxieme face presente des parties delimitees par les premier et second elements du deuxieme substrat, ladite deuxieme face du deuxieme substrat tel que modifie formant une face de connexion de l'assemblage, 20 - une etape de modification du premier substrat pour former un substrat d'extremite de l'empilement de substrats ; - le nombre de substrats fournis etant superieur ou egal a 3, le procede de fabrication comporte, apres l'etape de modification du deuxieme substrat et pour chaque substrat fourni separe de l'assemblage, dit substrat a ajouter a 25 l'assemblage, une etape de modification de l'assemblage comportant : - une etape d'ajout du substrat a ajouter a l'assemblage par report de la premiere face dudit substrat a ajouter sur la face de connexion de l'assemblage, - une etape de modification dudit substrat ajoute a l'assemblage d'oCI 30 il resulte que sa deuxieme face presente des parties delimitees par les premier et second elements du substrat ajoute a l'assemblage, ladite deuxieme face formant, au terme de la modification dudit substrat ajoute, une nouvelle face de connexion de l'assemblage. 8 Description sommaire des dessins [0014] L'invention sera mieux comprise a la lecture de la description detainee qui va suivre d'au moins un mode particulier de realisation, donnee uniquement a titre 5 d'exemple non limitatif et faite en se referant aux dessins dans lesquels : - La figure 1 represente, selon une vue en coupe, un dispositif thermoelectrique selon l'art anterieur ; - La figure 2 represente de maniere schematique une vue en coupe d'un dispositif thermoelectrique selon un mode de realisation de l'invention ; 10 - La figure 3 represente de maniere plus detainee une vue en coupe d'un dispositif thermoelectrique selon un mode de realisation plus detaille de l'invention ; - La figure 4 represente une vue eclatee d'un empilement de substrats permettant de former le dispositif thermoelectrique ; 15 - La figure 5 represente un exemple de liaison entre jonctions thermoelectriques du dispositif thermoelectrique ; - Les figures 6 a 21 illustrent des etapes du procede de fabrication du dispositif thermoelectrique. [0015] Dans ces figures, les mOmes references sont utilisees pour designer les 20 mOmes elements. [0016] Par ailleurs, les elements representes sur les figures ne sont pas necessairement a l'echelle de maniere a privilegier la clarte des figures. Description detainee 25 [0017] Comme evoque dans la partie etat de la technique, le dispositif thermoelectrique peut fonctionner en mode Seebeck : le dispositif thermoelectrique est alors un generateur d'energie electrique, ou en mode Peltier : le dispositif thermoelectrique est alors un generateur d'energie thermique. Ces modes de fonctionnement sont bien connus de I'homme du métier, et ne seront pas decrits 30 plus en details. [0018] Dans la presente description, par « a base de », on entend « comporte majoritairement » ou est « constitue par D. [0019] Dans la presente description, pour une dimension comprise entre deux valeurs, les bornes formees par ces deux valeurs sont incluses. 9 [0020] Par « sensiblement orthogonal », on entend dans la presente description q orthogonal » ou « orthogonal a plus ou moins 10% de tolerance >>. [0021] Par « sensiblement parallele », on entend dans la presente description q parallele» ou « parallele a plus ou moins 10% de tolerance >>. 5 [0022] Dans la presente description, une dimension donnee selon une direction est mesuree sensiblement parallelement a cette direction. [0023] Comme illustre en figures 2 et 3, le dispositif thermoelectrique 100 comporte au moins une jonction thermoelectrique 103. La jonction thermoelectrique 103 comporte un premier plot 101 et un second plot 102. Le second plot 102 est 10 relie electriquement au premier plot 101. La liaison electrique entre le premier plot 101 et le second plot 102 peut, par exemple, 'etre formee par un element de liaison electrique 106. L'element de liaison electrique 106 peut 'etre en materiau metallique, ou en un alliage metallique. Par exemple ('element de liaison 106 peut etre en un materiau choisi parmi ('aluminium, le cuivre avec un alliage SnAg, le 15 nickel avec de l'or, et le titane. De preference, la jonction thermoelectrique 103 est agencee entre un premier cote 104 du dispositif thermoelectrique et deuxieme cote 105 du dispositif thermoelectrique 100. Une difference de temperature entre les premier et deuxieme cotes 104, 105 peut 'etre generee, ou exploitee, par le dispositif thermoelectrique 100 (et donc par la jonction thermoelectrique 103) selon 20 son mode de fonctionnement. Notamment, le premier cote 104 est un « cote chaud » et le deuxieme cote 105 est un « cote froid », ('inverse est Bien entendu possible. La difference de temperature est observable entre le premier cote 104 et le deuxieme cote 105, le gradient de temperature aux bornes de la, ou de chacune des, jonctions thermoelectriques est dependant de cette difference de temperature. 25 Selon ('invention, le dispositif thermoelectrique 100 comporte un empilement 108 de substrats. Au sens de la presente description, un « substrat » peut 'etre une plaque, une puce microelectronique (on parle alors de substrat fonctionnalise de telle sorte a former la puce microelectronique), ou encore un « panel » en langue anglaise correspondent a un substrat generalement rectangulaire permettant de 30 faire du « panel level packaging D en langue anglaise : on parle alors aussi de « packaging » de panneaux rectangulaires. Chaque substrat 109a, 109b, 109c, 109d de ('empilement 108 de substrats comporte au moins un premier element 110 et au moins un second element 111. Le premier element 110 et le second element 111 sont formes dans l'epaisseur du substrat 109a, 109b, 109c, 109d 10 correspondant. L'empilement 108 de substrats est tel que le premier plot 101 de la jonction thermoelectrique 103 comporte un empilement de premiers elements 110, et que le second plot 102 de la jonction thermoelectrique 103 comporte un empilement de seconds elements 111. Notamment, chaque premier element 110 5 du premier plot 101 est en contact avec au moins un, ou au plus deux, premiers elements 110 du premier plot 101, et chaque second element 111 du second plot 102 est en contact avec au moins un, ou au plus, deux seconds elements 111 du second plot 102. Les premiers elements 110 sont empiles selon une direction sensiblement parallele a la direction d'empilement des substrats. Les seconds 10 elements 111 sont empiles selon une direction sensiblement parallele a la direction d'empilement des substrats 109a, 109b, 109c, 109d. L'empilement 108 de substrats presente des premiere et deuxieme faces opposees selon la direction d'empilement, la premiere face de l'empilement 108 de substrats etant proximale du (ou correspondant au) premier cote 104 et la deuxieme face de l'empilement 15 108 de substrats etant proximale du (ou correspondant au) deuxieme cote 105. On comprend alors que la difference de temperature evoquee ci-dessus est mesurable de part et d'autre de l'empilement 108 de substrats selon la direction d'empilement des substrats 109a, 109b, 109c, 109d. Grace a l'empilement 108 de substrats, it est possible d'adapter, lors de la conception du dispositif thermoelectrique 100, la 20 dimension separant le premier cote 104 du deuxieme cote 105 : ceci permet, plus la distance entre le premier cote 104 et le deuxieme cote 105 est importante, de beneficier d'une difference de temperature plus importante a exploiter en mode Seebeck, ou de permettre la generation d'une difference de temperature plus importante en mode Peltier. Autrement dit, la difference de temperature peut ate 25 amelioree grace a l'empilement 108 de substrats. En particulier, les premier et second plots 101, 102 presentent une dimension, mesuree selon la direction d'empilement des substrats 109a, 109b, 109c, 109d, appelee hauteur. Selon leur hauteur, les premier et second plots 101, 102 comportent chacun deux extremites opposees. Les extremites des premier et second plots 101, 102 proximales du 30 premier cote 104 sont relies electriquement entre elles, notamment par ('element de liaison 106 agence par exemple a la premiere face de l'empilement 108 de substrats, pour former la jonction thermoelectrique 103. Le cas echeant, les extremites des premier et second plots 101, 102 proximales du deuxieme cote 105 permettent de relier electriquement des jonctions thermoelectriques distinctes par 11 un element de connexion 107, notamment agence par exemple a la deuxieme face de l'empilement 108 de substrats, ou d'utiliser un element de connexion pour former une borne de connexion du dispositif thermoelectrique 100. [0024] Chaque jonction thermoelectrique 103 du dispositif thermoelectrique 100 5 est configuree pour generer un effet thermoelectrique, notamment lors du fonctionnement du dispositif thermoelectrique 100. En mode Seebeck, l'effet thermoelectrique est tel que la, ou les, jonctions thermoelectriques permettent la generation d'une energie electrique lorsqu'elles sont soumises a une difference de temperature appliquee au dispositif thermoelectrique, notamment entre ses premier 10 et deuxieme cotes 104, 105. En mode Peltier, l'effet thermoelectrique est tel que la, ou les, jonctions thermoelectriques permettent la generation d'une energie thermique (difference de temperature entre les premier et deuxieme cotes 104, 105) lorsqu'elles sont soumises a une energie electrique alimentant electriquement lesdites jonctions thermoelectriques. 15 [0025] Comme visible en figures 2 et 3, chaque substrat 109a, 109b, 109c, 109d au sens de la presente description peut comporter des premiere et deuxieme faces opposees 112, 113, et un contour (non represents) reliant la premiere face 112 a la deuxieme face 113. Les premiere et deuxieme faces 112, 113 de chaque substrat 109a, 109b, 109c, 109d presentent chacune une surface strictement superieure a 20 celle du contour. Les premiere et deuxieme faces 112, 113 de chaque substrat 109a, 109b, 109c, 109d sont separees d'une distance formant l'epaisseur dudit substrat. [0026] Par « premier et second elements 110, 111 formes dans l'epaisseur du substrat », on entend que ces premier et second elements 110, 111 sont formes 25 au sein du substrat correspondant, et qu'ils n'en font preferentiellement pas saillie. Ces premier et second elements 110, 111 relient, pour un substrat donne, la premiere face 112 de ce substrat a la deuxieme face 113 de ce substrat de sorte a en former des parties. [0027] L'empilement 108 de substrats est notamment forme selon une direction 30 sensiblement orthogonale aux premiere et deuxieme faces 112, 113 de chacun des substrats 109a, 109b, 109c, 109d de l'empilement 108 de substrats. Autrement dit, les substrats 109a, 109b, 109c, 109d sont empilees selon leur epaisseur. [0028] L'empilement 108 de substrats peut comporter au moins deux substrats, et de preference au moins trois substrats. Sur les figures 2 et 3, l'empilement 108 de 12 substrats comporte quatre substrats 109a, 109b, 109c, 109d. L'empilement 108 de substrats comporte alors deux substrats d'extremite 109a, 109d de l'empilement 108 de substrats. Les substrats d'extremite 109a, 109b correspondent aux substrats les plus distants I'un de I'autre et appartenant a l'empilement 108 de 5 substrats. Le cas echeant, l'empilement 108 de substrats comporte un ou plusieurs substrats 109b, 109c, dits « substrats intercalaires », situes entre les deux substrats d'extremite 109a, 109b. [0029] Cette configuration a empilement 108 de substrats permet en outre de former le dispositif thermoelectrique 100 en utilisant des technologies de la 10 microelectronique, il est ainsi possible de former un dispositif thermoelectrique 100 dont l'encombrement est limite, et pouvant ainsi facilement 'etre integre a des composants microelectroniques. Notamment, comme il le sera decrit ci-apres, cette configuration est tout particulierement adaptee lorsque le dispositif thermoelectrique 100 est obtenu par des techniques de la microelectronique 15 comprenant la formation de vias traversants. [0030] Les notions de chaud et de froid Dees aux premier et deuxieme cotes 104, 105 du dispositif thermoelectrique 100 permettent de definir ou sera formee la difference de temperature a exploiter par la jonction thermoelectrique 103 pour generer de l'energie electrique en cas de fonctionnement en mode Seebeck. 20 Alternativement, les notions de chaud et de froid Dees aux premier et deuxieme cotes 104, 105 du dispositif thermoelectrique 100 permettent de definir 00 sera forme la difference de temperature pour refroidir, ou rechauffer, volontairement un cote du dispositif thermoelectrique 100 lorsque le dispositif thermoelectrique 100 fonctionne en mode Peltier. 25 [0031] Dans la presente description, la jonction thermoelectrique 103 definit un ensemble comportant deux plots relies electriquement entre eux, de preference a l'une de leurs extremites proximales de l'un des premier et deuxieme cotes 104, 105, par exemple en utilisant ('element de liaison 106 electrique. [0032] En particulier, le premier plot 101 et le second plot 102 sont chacun forme 30 en, ou comportent chacun un, materiau thermoelectrique. II en resulte que les premiers elements 110 sont notamment formes en materiau thermoelectrique identique a celui du premier plot 101 puisque les premiers elements 110 forment le premier plot 101, et que les seconds elements 111 sont notamment formes en materiau thermoelectrique identique a celui du second plot 101 puisque les 13 seconds elements 111 forment le second plot 102. Le materiau thermoelectrique du premier plot 101 presente des proprietes thermoelectriques differentes de celles du materiau thermoelectrique du second plot 102 pour assurer l'effet Peltier, ou Seebeck, recherché. De preference, le premier plot 101 de la jonction 5 thermoelectrique 103 est a base de materiau thermoelectrique de type N, et le second plot 102 de la jonction thermoelectrique 103 est a base de materiau thermoelectrique de type P. Le materiau thermoelectrique de type N permet de favoriser le deplacement des electrons. Le materiau thermoelectrique de type P permet de favoriser le deplacement des trous. Selon une autre formulation le 10 materiau thermoelectrique de type N presente un coefficient Seebeck strictement negatif, et le materiau thermoelectrique de type P presente un coefficient Seebeck strictement positif. De preference, pour favoriser le deplacement des electrons, le materiau thermoelectrique du premier plot 101 est un, ou est a base d'un, materiau dope de type N, comme par exemple un alliage silicium-germanium (SiGe) dope 15 par du phosphore ou du polysilicium dope de type N. De maniere generale, le dopant de type N peut 'etre du phosphore ou de ('arsenic. De preference, pour favoriser le deplacement des trous, le materiau thermoelectrique du second plot 102 est un, ou est a base d'un, materiau dope de type P, comme par exemple un alliage silicium-germanium (SiGe) dope par du bore ou encore du polysilicium dope 20 de type P. De maniere generale, le dopant de type P est preferentiellement du bore. Ces materiaux thermoelectriques sont tout particulierement adaptes au domaine de la microelectronique. Par dopage, on parle de dopage electrique. [0033] Chaque substrat 109a, 109b, 109c, 109d de l'empilement 108 de substrats peut presenter une epaisseur comprise entre 10pm a 10mm en fonction du type de 25 substrat. Par exemple, si les substrats sont formes a partir de tranches de semi- conducteur aussi appelees « wafers » en langue anglaise, l'epaisseur de chaque substrat 109a, 109b, 109c, 109d du dispositif thermoelectrique 100 peut 'etre comprise entre 100pm et 800pm. La gamme donnee de 10pm a 10mm permet de couvrir une epaisseur de puce a une epaisseur de « panel ». Les substrats 109a, 30 109b, 109c, 109d peuvent presenter des epaisseurs identiques, ou similaires selon un degre de tolerance par exemple compris entre plus ou moins 10% d'une valeur d'epaisseur de reference comprise dans la gamme d'epaisseur donnee ci-dessus. L'epaisseur concernant les substrats 109a, 109b, 109c, 109d donnee ci-dessus est tout particulierement adaptee au domaine de la microelectronique, et permet de 14 miniaturiser le dispositif thermoelectrique 100. En ce sens, parallelement a la direction d'empilement des substrats 109a, 109b, 109c, 109d, chacun des premiers et seconds elements 110, 111 peut presenter une dimension comprise entre 10pm a 10mm, cette dimension etant notamment egale a l'epaisseur du substrat 109a, 5 109b, 109c, 109d qui comporte les premier et second elements 110, 111. Par ailleurs, de maniere sensiblement orthogonale a la direction d'empilement des substrats 109a, 109b, 109c, 109d, les premiers et seconds elements 110, 111 peuvent presenter chacun un diametre compris, ou des dimensions circonscrites dans un cercle de diametre compris, entre 100nm et 1mm et plus particulierement 10 entre 1pm et 50pm. Les dimensions des premiers et seconds elements 110, 111 peuvent 'etre adaptees pour influer sur la resistance interne electrique du dispositif thermoelectrique 100 selon requation (1), par exemple pour optimiser la puissance electrique utile (equation (3)) du dispositif thermoelectrique 100 en fonction de son application et selon requation (2). 15 [0034] De preference, et comme illustre en figures 2 et 3, le dispositif thermoelectrique 100 peut comporter des premiers et des seconds plots 101, 102, et une pluralite de jonctions thermoelectriques 103 comportant chacune un des premiers plots 101 et un des seconds plots 102. II resulte de la presence de la pluralite de jonctions thermoelectriques 103 que chaque substrat 109a, 109b, 109c, 20 109d comporte des premiers et seconds elements 110, 111, et que ('empilement 108 de substrats est tel que chaque premier plot 101 comporte un empilement de premiers elements 110, et que chaque second plot 102 comporte un empilement de seconds elements 111. Cette configuration a une pluralite de jonctions thermoelectriques permet par exemple d'ajuster la resistance interne (equation (1)) 25 du dispositif thermoelectrique 100, la tension de sortie (equation (2)) du dispositif thermoelectrique 100, notamment en vue d'influer sur la puissance utile (equation (3)) du dispositif thermoelectrique 100. Sur les figures 2 et 3, it est represents deux jonctions thermoelectriques 103 reliees electriquement en serie par exemple en utilisant ('element de connexion electrique 107 pouvant presenter les memes 30 caracteristiques (par exemples meme dimensions et/ou meme materiau) que ('element de liaison 106. Bien entendu, ceci n'est pas limitatif dans le sens 00 le nombre de jonctions thermoelectriques 103, et donc de premiers et seconds plots 101, 102, peut 'etre adapts par l'homme du métier notamment selon la destination d'utilisation du dispositif thermoelectrique 100. Ainsi, tout ce qui est decrit dans la 15 presente description en relation avec une jonction thermoelectrique 103 peut s'appliquer a chaque jonction thermoelectrique (et donc a ce qui la compose) du dispositif thermoelectrique 100 lorsqu'il en comprend plusieurs. Des lors, tout ce qui s'applique a un premier plot peut s'appliquer a chaque premier plot, et tout ce 5 qui s'applique a un second plot peut s'appliquer a chaque second plot. Ainsi, pour un substrat 109a, 109b, 109c, 109d donne tout ce qui s'applique pour des premier et second elements 110, 111 peut s'appliquer a des premiers et seconds elements 110, 111. Notamment, chaque premier plot 101 appartient a une unique jonction thermoelectrique 103, et chaque second plot 102 appartient a une unique jonction 10 thermoelectrique 103, ceci etant notamment valable pour des jonctions thermoelectriques reliees electriquement en serie. [0035] II a ete evoque ci-dessus que le dispositif thermoelectrique 100 pouvait preferentiellement 'etre issu de la technologie de la microelectronique. En ce sens, chaque substrat 109a, 109b, 109c, 109d de l'empilement de substrats peut 15 comporter des vias traversants, aussi appeles trous de liaison, ou trous d'interconnexion, dans le domaine de la microelectronique. Un inconvenient des vias traversants est que leur formation respecte un ratio de diametre sur profondeur. Un tel ratio peut 'etre que pour un diametre du via de 10, la profondeur du via est limitee a 200. En fait, ce ratio est a associer a l'epaisseur que l'on sait 20 deposer de materiau thermoelectrique, par exemple pour le depOt de poly-SiGe dope en tant que materiau thermoelectrique, it est possible de deposer une couche de 5pm ce qui limite ensuite le diametre du trou a 10pm et sa profondeur a 200pm. En ce sens, ('utilisation d'un seul substrat ne permet pas d'obtenir la dimension souhaitee pour ameliorer la difference de temperature : l'empilement 108 de 25 substrats permet de lever cette limitation en empilant les vias pour former des premier et second plots 101, 102 dont la dimension, selon la direction d'empilement des substrats 109a, 109b, 109c, 109d, n'est plus limitee, et peut 'etre adaptee a la demande lors de la fabrication du dispositif thermoelectrique 100. Un via traversant est en fait un trou forme dans le substrat et comble par un materiau adapte, ici un 30 materiau thermoelectrique permettant de former dans le trou concerne, le cas echeant, le premier element 110 ou le second element 111. Autrement dit, les vias traversants forment les premier et second elements 110, 111 de chaque substrat 109a, 109b, 109c, 109d. Les trous d'interconnexion, usuellement utilises en microelectronique pour lier des couches entre elles ont pour fonction de vehiculer 16 un signal code entre elements electroniques formes a divers niveaux. Selon une realisation de ('invention, la fonction des trous d'interconnexion est donc avantageusement detournee en vue de former des premier et second plots 101, 102 de jonction thermoelectrique 103 selon une dimension adaptee permettant 5 d'ameliorer la difference de temperature entre les premier et deuxieme cotes 104, 105 du dispositif thermoelectrique 100. [0036] De preference, les substrats 109a, 109b, 109c, 109d de l'empilement 108 de substrats sont lies par des liaisons covalentes. Les liaisons covalentes sont notamment obtenues par collage direct aussi appele collage moleculaire, puis par 10 recuit. Un collage direct ou collage moleculaire consiste a mettre en contact des portions de nteme materiaux issus de substrats differents a assembler entre eux. Ces liaisons covalentes permettent avantageusement d'assurer un assemblage mecanique efficace de l'empilement 108 de substrats. Notamment, pour chaque couple de substrats en contact l'un avec l'autre au sein de l'empilement 108 de 15 substrats : - les premiers elements 110 des substrats dudit couple de substrats, et appartenant a un nteme premier plot 101, sont lies entre eux par liaisons covalentes, et - les seconds elements 111 des substrats dudit couple de substrats, et 20 appartenant a un nteme second plot 102, sont lies entre eux par liaisons covalentes, ceci presente l'avantage d'assurer une continuite electrique satisfaisante entre les premiers elements 110 lies par liaisons covalentes, et entre les seconds elements 111 lies par liaisons covalentes. 25 [0037] Selon une realisation particuliere illustree en figure 3, l'empilement 108 de substrats comporte au minimum trois substrats (quatre substrats 109a, 109b, 109c, 109d sont representes dans l'exemple illustre en figure 3). Tout substrat 109b, 109c de l'empilement 108 de substrats (formant un substrat intercalaire au sens tel que decrit precedemment), situe entre deux substrats d'extremite 109a, 109d de 30 l'empilement 108 de substrats, comporte : la premiere face 112 ; la deuxieme face 113 opposee a sa premiere face 112 ; une premiere couche 114 en materiau dielectrique delimitant une partie de la premiere face 112 dudit substrat ; et une deuxieme couche 115 en materiau dielectrique delimitant une partie de la deuxieme face 113 dudit substrat, les premiere et deuxieme couches 114, 115 en materiau 17 dielectrique dudit substrat etant traversees par les premier et second plots 101, 102. Cette realisation particuliere permet de former des couches en materiau dielectrique entre le premier cote 104 et le deuxieme cote 105, c'est-a-dire transversalement aux premier et second plots 101, 102 et donc sensiblement 5 paralleles aux premier et deuxieme cotes 104, 105, ces couches en materiau dielectrique 114, 115 participent a une isolation thermique en vue d'ameliorer le fonctionnement du dispositif thermoelectrique 100. En effet, grace a ces couches en materiau dielectrique, la difference de temperature entre le premier cote 104 et le deuxieme cote 105 peut 'etre amelioree en limitant la diffusion de chaleur entre 10 ces premier et deuxieme cotes 104, 105. Les premiere et deuxieme faces 112, 113 d'un mOme substrat intercalaire de l'empilement 108 de substrats sont respectivement Dees a deux autres substrats de l'empilement 108 de substrats, notamment par liaisons covalentes. D'autres parties de la premiere face 112 et de la deuxieme face 113 d'un mOme substrat intercalaire sont delimitees par les 15 premier et second elements 110, 111 qui participent, avec la couche en materiau dielectrique concernee (la premiere couche 114 ou la deuxieme couche 115) a former la surface de la premiere face 112, ou la surface de la deuxieme face 113. Notamment, les substrats d'extremite 109a, 109d peuvent aussi comporter chacune une face d'assemblage 116a, 116b dont une partie est delimitee par une 20 couche en materiau dielectrique, et des parties sont delimites par les premier et second elements 110, 111 du substrat d'extremite 109a, 109b. La face d'assemblage 116a du substrat d'extremite 109a est en contact avec la premiere face 112 du substrat 109b, et la face d'assemblage 116b du substrat d'extremite 109d est en contact avec la deuxieme face 113 du substrat 109c. Ainsi, on 25 comprend qu'un avantage de ces couches en materiau dielectrique est qu'elles participent aux liaisons covalentes entre substrats. Un autre avantage de ces couches 114, 115 en materiau dielectrique est qu'elles permettent de former des barrieres thermiques sensiblement orthogonales a la direction d'empilement des substrats. Ces barrieres thermiques permettent d'ameliorer la difference de 30 temperature entre le premier cote 104 et le deuxieme cote 105 du dispositif thermoelectrique 100 en limitant les echanges thermiques entre le premier cote 104 et le deuxieme cote 105. Notamment, les premiere et deuxieme couches 114, 115 en materiau dielectrique de chaque substrat 109a, 109b, 109c, 109d (ainsi que la couche en materiau dielectrique de chacun des substrats d'extremite) peuvent 'etre 18 en dioxyde de silicium (Si02), ou en nitrure de silicium (Si3N4), ou tout autre dielectrique permettant d'assurer la liaison entre deux substrats adjacents de l'empilement 108 de substrats et/ou la fonction de barriere thermique, et peuvent presenter chacune une epaisseur comprise entre 200nm et 10pm. 5 [0038] Selon une autre formulation, pour tout couple de substrats adjacents de l'empilement 108 de substrats (en figure 3 trois couples sont representes : substrat 109a et substrat 109b ; substrat 109b et substrat 109c, substrat 109c et substrat 109d), les substrats dudit couple de substrats adjacents sont lies entre eux par liaisons covalentes : 10 - entre une couche en materiau dielectrique de l'un des substrats dudit couple de substrats adjacents et une couche en materiau dielectrique de l'autre des substrats dudit couple de substrats adjacents, - entre le premier element 110 de l'un des substrats dudit couple de substrats adjacents et le premier element 110 de l'autre des substrats dudit couple de 15 substrats adjacents, ces premiers elements 110 appartenant a un nteme premier plot 101, - entre le second element 111 de l'un des substrats dudit couple de substrats adjacents et le second element 111 de l'autre des substrats dudit couple de substrats adjacents, ces seconds elements 111 appartenant a un mOme 20 second plot 102. [0039] Comme illustre en figure 3, chaque substrat 109a, 109b, 109c, 109d de l'empilement 108 de substrats peut comporter un support 117, par exemple en silicium, et chaque substrat 109b, 109c, 109d comportant les premiere et deuxieme couches 114, 115 en materiau dielectrique est tel que : 25 - ses premiere et deuxieme couches 114, 115 sont formees sur le support 117 qu'il comporte, - les premier et second elements 110 et 111 dudit substrat sont chacun isole electriquement du support 117 dudit substrat par une gaine 118, 119 en materiau dielectrique, 30 - la gaine 118 entourant le premier element 110 est formee par la premiere couche 114 en materiau dielectrique dudit substrat, et cette gaine 118 s'etend jusqu'a la deuxieme couche 115 en materiau dielectrique dudit substrat, 19 - la gaine 119 entourant le second element 111 relie la premiere couche 114 en materiau dielectrique dudit substrat a la deuxieme couche 115 en materiau dielectrique dudit substrat. Comme visible sur la figure 3, des gaines 118, 119 en materiau dielectrique peuvent 5 aussi isoler les premier et second elements 110, 111 des substrats d'extremite 109a, 109b par rapport a un support 117 en silicium de ces derniers. L'avantage de ces gaines est de permettre une isolation electrique et thermique. Cet avantage des gaines 118, 119 est notamment confere lorsque les gaines sont chacune formee par une couche presentant, de maniere sensiblement orthogonale a la 10 direction d'empilement des substrats, une epaisseur comprise entre 200nm et 20pm. Le materiau des gaines peut 'etre du dioxyde de silicium (Si02), ou du nitrure de silicium (Si3N4). [0040] De maniere plus generale, pour tout substrat de l'empilement 108 de substrats, situe entre les deux substrats d'extremite 109a, 109d de l'empilement 15 108 de substrats, les premiere et deuxieme couches 114, 115 en materiau dielectrique dudit substrat sont formees sur le, notamment de part et d'autre du, support 117 dudit substrat, ce support 117 etant traverse par les premier et second plots 101, 102. Par exemple, les premiere et deuxieme couches 114, 115 en materiau dielectrique d'un substrat correspondant sont formees par oxydation 20 partielle du support 117 du substrat correspondant selon son epaisseur, ou par depot d'un materiau adapts sur ce support 117. Ceci peut aussi s'appliquer pour les couches en materiau dielectrique participant a delimiter les faces d'assemblage des substrats d'extremite 109a, 109d. Le support 117 appartient au substrat 109a, 109b, 109c, 109d, it permet notamment la fonction de support mecanique a partir 25 duquel sont formes les autres parties du substrat. [0041] II a tits evoque ci-dessus la fonction de barriere thermique des premiere(s) et deuxieme(s) couches 114, 115. De preference, pour ameliorer cet effet de barriere thermique, pour tout substrat de l'empilement 108 de substrats, situe entre les deux substrats d'extremite 109a, 109d de l'empilement 108 de substrats, la 30 premiere couche 114 en materiau dielectrique dudit substrat presente une conductivite electrique strictement inferieure a celle du support 117 sur lequel elle est formee, et la deuxieme couche 115 en materiau dielectrique dudit substrat presente une conductivite electrique strictement inferieure a celle du support 117 sur lequel elle est formee. Du fait de cette conduction electrique strictement 20 inferieure, la conduction thermique de chacune des premiere et deuxieme couches 114, 115 est strictement inferieure a celle du support 117 sur lequel elles sont formees. [0042] La jonction thermoelectrique 103 peut comporter (par exemple voir figure 5 3) ('element de liaison 106 electriquement conducteur relie aux premier et second plots 101, 102, notamment a une portion en siliciure 120a du premier plot 101 et a une portion en siliciure 120b du second plot 102. Le siliciure est un compose du silicium et d'un ou plusieurs elements metalliques comme par exemple le titane. Les portions en siliciure 120a, 120b permettent d'ameliorer les contacts electriques 10 entre ('element de liaison 106 et les premier et second plots 101, 102 de la jonction thermoelectrique 103, en particulier lorsque les premiers et seconds elements des substrats 109a, 109b, 109c, 109d sont en materiau dope electriquement in-situ. Les portions en siliciure 120a, 120b sont notamment formees aux extremites des premier et second plots 101, 102 mises en contact avec ('element de liaison 106. 15 Les portions en siliciure 120a, 120b peuvent presenter chacune une epaisseur, selon la direction d'empilement des substrats, comprise entre 10nm et 1pm, ou entre 10nm et 500nm. [0043] L'element de liaison 106 peut presenter une epaisseur, selon la direction d'empilement des substrats 109a, 109b, 109c, 109d, comprise 100nm et 50pm. Le 20 cas echeant, cette caracteristique peut aussi s'appliquer a ('element de connexion 107. [0044] En complement, et pour les memes raisons que pour ('element de liaison 106, lorsque des jonctions thermoelectriques 103 sont reliees entre elles par un element de connexion 107, des portions en siliciure 121a, 121b (figure 3) 25 appartenant respectivement aux premier et second plots 101, 102 peuvent etre en contact avec ('element de connexion 107. Ce qui s'applique aux portions en siliciure 120a, 120b s'applique aussi aux portions en siliciure 121a, 121b. [0045] Selon un exemple particulier, les substrats 109a, 109b, 109c, 109d presentent chacun une epaisseur de 100pm, et comportent chacun une pluralite de 30 premiers elements 110 et de seconds elements 111 ayant chacun un diametre, pris dans le plan du substrat de 5 pm, et une dimension mesuree selon ('epaisseur de du substrat de 100pm. En prenant des substrats 109a, 109b, 109c, 109d dont les premiere et deuxieme faces opposees forment des carres de dimensions 5mm par 5mm (soit une surface de 25mm2), it est possible de loger un total de 106 premiers 21 et seconds elements par substrat 109a, 109b, 109c, 109d. En supposant qu'un substrat 109a, 109b, 109c, 109d permet de d'obtenir une difference de temperature de 1°C, en prenant un empilement de dix substrats 109a, 109b, 109c, 109d, la difference de temperature entre le cote chaud et le cote froid peut atteindre 10°C. 5 Selon cet exemple, il est possible d'obtenir, selon les materiaux utilises, 0.4pW genere par le dispositif thermoelectrique soumis a la difference de temperature de 10°C. A surface equivalente et materiaux equivalents, et selon une technologie 3D pour laquelle le dispositif thermoelectrique 100 peut comporter des plots dont la dimension, notamment la hauteur, entre le premier cote et le deuxieme cote du 10 dispositif thermoelectrique est de 2pm, la difference de temperature est d'environ 0,1°C d'o0 il resulterait que le dispositif thermoelectrique genere seulement 20nW, soit un facteur 20 de difference avec la technologie proposee selon ('exemple particulier. [0046] La figure 4 est une vue eclatee d'un empilement de quatre substrats 15 permettant de former une pluralite de jonctions thermoelectriques du dispositif thermoelectrique 100. Sur cette figure 4, les substrats 109a, 109b, 109c, 109d sont tels que leur empilement permet de former des empilements de premiers et seconds elements 110, 111 qui seront ensuite relies en utilisant des elements de liaison 106 pour former des jonctions thermoelectriques (au nombre de neuf en 20 figure 4), ensuite reliees en serie par des elements de connexion 107. [0047] II est aussi possible d'adapter les connexions electriques entre plots. Par « adapter les connexions electriques entre plots », on entend qu'il est possible de jouer sur des configurations serie et parallele. En general, les jonctions thermoelectriques du dispositif thermoelectrique 100 sont reliees electriquement en 25 serie comme cela est par exemple represents en figure 4. Cependant, il est parfois judicieux de realiser des connexions electriques en paralleles, notamment lorsqu'il y a beaucoup de jonctions thermoelectriques. En effet, si une connexion metallique (element de liaison ou element de connexion) venait a 'etre defaillante, le dispositif thermoelectrique 100 entier ne fonctionnerait plus. De plus, jouer sur un couplage 30 de connexions serie et parallele ne change pas la puissance electrique totale generee par le dispositif thermoelectrique fonctionnant en mode Seebeck car ce sont les tensions/resistances/courant qui changent. Ainsi, comme illustre en figure 5, le dispositif thermoelectrique 100 (par exemple a empilement de six substrats comme illustre en figure 5) peut comporter des ensembles 122 de jonctions 22 thermoelectriques 103 tels que, au sein de chaque ensemble 122 de jonctions thermoelectriques 103, les jonctions thermoelectriques 103 dudit ensemble 122 sont reliees electriquement en parallele (notamment un element de liaison 106), lesdits ensembles 122 de jonctions thermoelectriques 103 etant relies 5 electriquement en serie (notamment par un element de connexion 107). [0048] Selon une realisation, it est possible de connecter ensemble plusieurs dispositifs thermoelectriques 100 tels que decrits par exemple pour augmenter la puissance totale d'energie recuperee lorsque les dispositifs thermoelectriques 100 sont des generateurs d'energie electrique. Pour cela, les dispositifs peuvent 'etre 10 fixes a un nteme support de liaison permettant de relier electriquement les dispositifs thermoelectriques entre eux. [0049] On comprend de ce qui a ete decrit ci-dessus que ('invention est aussi relative a un procede de fabrication du dispositif thermoelectrique 100, notamment tel que decrit dans la presente description, comportant au moins une jonction 15 thermoelectrique 103. [0050] Le procede de fabrication comporte une etape de fourniture de substrats 109, par exemple tel que visible en figure 6, chaque substrat fourni 109 comportant au moins un premier element 110 et au moins un second element 111 formes dans l'epaisseur e dudit substrat 109 (preferentiellement les premier et second elements 20 110, 111 ne font pas saillie du substrat 109 mais affleurent a une face de ce dernier). Bien entendu, les premier et second elements 110, 111 sont chacun en materiau thermoelectrique adapte. Le procede de fabrication comporte en outre une etape de formation de l'empilement 108 de substrats (visible en figures 2 et 3) a partir des (c'est-a-dire en utilisant les) substrats fournis 109. Notamment, cet 25 empilement 108 de substrats est un empilement de substrats dont les substrats sont ceux fournis, et ayant notamment subis des modifications au cours de la formation de l'empilement 108 de substrats. II resulte de cette etape de formation de l'empilement 108 de substrats la formation du premier plot 101 de la jonction thermoelectrique 103 et du second plot 102 de la jonction thermoelectrique 103, le 30 premier plot 101 comportant un empilement de premiers elements 110 et le second plot 102 comportant un empilement de seconds elements 111. Enfin, le procede de fabrication comporte une etape de formation d'une connexion electrique de la jonction thermoelectrique 103, ladite connexion electrique reliant electriquement le premier plot 101 de la jonction thermoelectrique 103 au second plot 102 de la 23 jonction thermoelectrique 103. En particulier, cette jonction thermoelectrique est formee entre le premier cote 104 du dispositif thermoelectrique 100 et le deuxieme cote 105 du dispositif thermoelectrique 100. Cette connexion electrique est notamment formee a une des extremites de l'empilement 108 de substrats, cette 5 extremite etant sensiblement orthogonale a la direction d'empilement des substrats. Bien entendu, lorsque le dispositif thermoelectrique 100 a fabriquer comporte plusieurs jonctions thermoelectriques 103, chaque substrat fourni 109 comporte une pluralite de premiers elements 110 et une pluralite de seconds elements 111. 10 [0051] De preference, comme illustre en figure 6, chaque substrat fourni 109 est tel que !edit substrat 109 comporte des trous borgnes 124, 125 (aussi appeles trous non-debouchant) formes dans sa premiere face 112, les premier et second elements 110, 111 dudit substrat 109 etant formes dans les trous borgnes 124, 125 de telle sorte que la premiere face 112 dudit substrat 109 comprend des parties 15 126a, 126b delimitees par les premier et second elements 110, 111. Bien entendu, chaque substrat fourni comporte la deuxieme face 113 opposee a sa premiere face 112. Notamment, le fond 123a, 123b de chaque trous borgnes 124, 125 est separe de la deuxieme face 113 du substrat 109 correspondant par des portions correspondantes du substrat 109, on comprend ainsi que l'epaisseur de chaque 20 substrat fourni est strictement superieure a celle des substrats empiles du dispositif thermoelectrique 100 au terme de sa fabrication. De preference, chaque substrat 109 comporte le support 117 par exemple une tranche de semi-conducteur, notamment de silicium, aussi appelee plaquette, ou « wafer » en langue anglaise. Les trous borgnes 124, 125 sont formes dans l'epaisseur de cette tranche de semi- 25 conducteur 117. Les premier et second elements 110, 111 sont isoles electriquement de cette tranche de semi-conducteur par des fourreaux 127, 128 en materiau dielectrique notamment a partir desquels les gaines 118, 119 evoquees precedemment sont issues. Le materiau dielectrique des fourreaux 127, 128 peut donc 'etre le nteme que celui des gaines 118, 119. 30 [0052] II est a present decrit un exemple d'etapes mises en 09 uvre pour obtenir les substrats 109 tels qu'ils sont fournis dans le cadre du procede de fabrication. On comprend alors que le procede de fabrication peut comporter une etape de formation des substrats 109 a fournir comportant, pour chaque substrat 109 a fournir les etapes decrites ci-apres, et notamment successives : 24 - une etape de fourniture de la tranche de semi-conducteur 117 (figure 7), - une premiere etape de retrait de matiere dans l'epaisseur de la tranche de semi-conducteur 117, depuis I'une de ses faces opposees selon son epaisseur, pour former au moins un premier trou borgne 124 (figure 8) 5 destine a recevoir le premier element 101 (en figure 8, deux premiers trous borgnes 124 sont formes), - une premiere etape d'oxydation d'o0 it resulte la formation d'une couche d'oxyde 129 (figure 9), notamment d'oxyde de silicium, cette oxydation permettant d'obtenir ladite couche d'oxyde 129 a la face de la tranche de 10 semi-conducteur 117 dans laquelle le premier trou borgne 124 a ete forme, ladite couche d'oxyde 129 s'etendant dans le premier trou borgne 124 pour former le fourreau 127, - une etape de depOt d'un materiau, par exemple du polysilicium dope in-situ de type N, pour remplir le premier trou borgne 124 et ainsi former le premier 15 element 110 (figure 10), - eventuellement une etape de CMP (« Chemical Mechnical planarization» en langue anglaise, correspondant a planarisation mecano-chimique en langue frangaise) jusqu'a decouvrir la surface de la couche d'oxyde 129 (figure 10) ayant pu 'etre recouverte par le depot permettant de former le premier 20 element 110, - une deuxieme etape de retrait de matiere dans I'epaisseur de la tranche de semi-conducteur 117 et retirant localement une portion de la couche d'oxyde 129 pour former au moins un deuxieme trou borgne 125 destine a recevoir le second element 111, en figure 11, deux deuxiemes trous borgnes 125 25 sont formes, - une deuxieme etape d'oxydation de la tranche de semi-conducteur 117 depuis le deuxieme trou borgne 125 (figure 12) d'o0 it resulte la formation du fourreau 128 evoque precedemment, - une etape de depot d'un materiau, par exemple du polysilicium dope in-situ 30 de type P, pour remplir le deuxieme trou borgne 125, et ainsi former le second element 111 (figure 6), - eventuellement une etape de CMP jusqu'a decouvrir la surface de la couche d'oxyde 129 ayant pu 'etre recouverte par le depot permettant de former le second element 111. 25 Les etapes de retrait de matiere se font notamment selon les dimensions souhaitees des premier et second elements 110, 111. Le resultat des figures 8 et 11 peut avoir ete obtenu a l'aide d'etapes de photolithographie et de gravure. La premiere couche 114 en materiau dielectrique des substrats de l'empilement 108 5 est notamment issue de cette couche d'oxyde 129. De maniere plus generale, la couche d'oxyde 129 peut 'etre une couche en materiau dielectrique obtenue par depot ou oxydation de sorte a former la premiere couche 114 en materiau dielectrique. En cas de depot de cette couche en materiau dielectrique, elle recouvre des parties des premier et second elements en saillie de la tranche de 10 semi-conducteur, puis une etape de CMP debutee depuis la couche en materiau dielectrique permet d'obtenir la premiere face souhaitee du substrat correspondant en revelant des parties des premier et second elements du substrat. Les fourreaux peuvent aussi avoir ete obtenus par depot d'un materiau dielectrique ou par oxydation de la tranche. Ces etapes sont avantageuses car les techniques 15 associees sont maitrisees. Cependant, l'homme du métier est a mOme de mettre en oeuvre d'autres etapes technologiques pour obtenir le substrat 109 tel qu'illustre en figure 6. [0053] Selon une realisation particuliere du procede de fabrication, retape de formation de l'empilement 108 de substrats comporte (figure 13) une etape de 20 formation d'un assemblage 130 comprenant une etape de mise en contact des premieres faces 112 de premier et deuxieme substrats 109a, 109b issus des substrats fournis. On comprend alors que la mise en contact des premieres faces 112 des premier et deuxieme substrats 109a, 109b est telle que le premier element 110 du premier substrat 109a est mis en contact avec le premier element 110 du 25 deuxieme substrat 109b, et que le second element 111 du premier substrat 109a est mis en contact avec le second element 111 du deuxieme substrat 109b : ceci permet d'empiler les premiers elements 110 et les seconds elements 111 en vue de former la jonction thermoelectrique 103 correspondante. De preference, la couche en materiau dielectrique, notamment d'oxyde 129, du premier substrat 30 109a est mise en contact avec la couche en materiau dielectrique, notamment d'oxyde 129 du deuxieme substrat 109b. II resulte de cette mise en contact la formation de liaisons Van der Waals assurant le maintien du premier substrat 109a au deuxieme substrat 109b. De preference, pour ameliorer le maintien du premier substrat 109a par rapport au deuxieme substrat 109b, ('assemblage est recuit, par 26 exemple a une temperature comprise entre 400°C et 1100°C (dependante des materiaux de ('assemblage 130), pour realiser des liaisons covalentes entre le premier substrat 109a et le deuxieme substrat 109b. [0054] L'etape de formation de I'empilement 108 de substrats comporte en outre 5 une etape de modification du deuxieme substrat 109b de l'assemblage 130 (figures 13 a 15) d'o0 it resulte que sa deuxieme face 113 presente, au terme de ladite etape de modification, des parties delimitees par les premier et second elements 110, 111 du deuxieme substrat 109b, ladite deuxieme face 113 du deuxieme substrat 109b tel que modifie formant une face de connexion 131 de l'assemblage 10 130. Notamment, l'etape de modification du deuxieme substrat 109b peut comporter une etape d'amincissement du deuxieme substrat 109b depuis sa deuxieme face 113 (figure 13) de sorte a reveler des parties des premier et second elements 110, 111 (figure 14) du deuxieme substrat 109b. Autrement dit, l'amincissement est realise au moins depuis la deuxieme face 113 du deuxieme 15 substrat 109b jusqu'au fond des trous borgnes 124, 125 du deuxieme substrat 109b. Preferentiellement, apres avoir revele les parties des premier et second elements 110, 111 du deuxieme substrat 109b, une oxydation (figure 15) permet de former une couche d'oxyde 132 a la deuxieme face 113 du deuxieme substrat 109b. Cette couche d'oxyde 132 est notamment destinee a former la deuxieme 20 couche 115 evoquee precedemment. Cette oxydation peut ensuite 'etre suivie d'une etape de CMP a la deuxieme face du deuxieme substrat 109b pour obtenir la deuxieme face 113 telle que souhaitee du deuxieme substrat 109b au sein de I'empilement 108. Alternativement, la couche d'oxyde 132 peut 'etre remplacee par un depot d'une couche en materiau dielectrique, dans ce cas I'amincissement est 25 generalement tel que des portions des premier et second element 110, 111 font saillies, ensuite ces saillies sont recouvertes par la couche en materiau dielectrique avant qu'une etape de CMP a la deuxieme face du deuxieme substrat 109b vienne former la deuxieme face 113 souhaitee du deuxieme substrat 109b. L'etape de formation de I'empilement 108 comporte aussi une etape de modification du 30 premier substrat 109a pour former un substrat d'extremite 109a de I'empilement 108 de substrats. Cette etape de modification du premier substrat 109a comporte notamment une etape d'amincissement du premier substrat 109a jusqu'a reveler les parties des premier et second elements 110, 111 du premier substrat 109a (figure 20). 27 [0055] II resulte de ce qui a ete decrit precedemment que l'empilement 108 de substrats peut "etre obtenu par assemblage et modification d'au moins deux, ou au moins trois substrats 109 ou plus. Ainsi, le nombre de substrats 109 utilises pour former l'empilement 108 de substrats peut 'etre adapte en fonction du dispositif 5 thermoelectrique 100 souhaite et de ses caracteristiques. En particulier, si le nombre de substrats 109 fournis est superieur ou egal a 3, on comprend qu'apres avoir forme l'assemblage 130 (figure 15) a partir des premier et deuxieme substrats 109a, 109b, tout substrat restant est ajoute a l'assemblage 130 en vue de former l'empilement 108 de substrats. Par la suite, on considere que chaque substrat non- 10 integre a l'assemblage 130 va 'etre ajoute a l'assemblage 130. Ainsi, tout substrat « individuel » et dit « substrat a ajouter a l'assemblage » va 'etre ajoute a l'assemblage 130 en utilisant la face de connexion 131 de l'assemblage 130, puis le substrat dernierement ajoute sera modifie pour former une nouvelle face de connexion 131 de l'assemblage 130 destinee, le cas echeant, a recevoir un autre 15 substrat a ajouter a l'assemblage ou a permettre la connexion electrique de plots d'une jonction thermoelectrique entre eux ou de jonctions thermoelectriques entre elles. Ainsi, le procede de fabrication comporte, apres l'etape de modification du deuxieme substrat 109b, et pour chaque substrat fourni separe de l'assemblage 130, dit substrat a ajouter a l'assemblage 130, une etape de modification de 20 l'assemblage 130 comportant : - une etape d'ajout du substrat 109c (figure 16) a ajouter a l'assemblage 130 par report de la premiere face 112 dudit substrat 109c a ajouter sur la face de connexion 131 de l'assemblage 130, puis - une etape de modification dudit substrat ajoute 109c (c'est-a-dire le dernier 25 substrat ajoute) a l'assemblage 130, notamment de telle sorte a former un des substrats de l'empilement 108 de substrats tel qu'illustre en figure 3. Ainsi, it resulte de l'etape de modification du substrat ajoute 109c (figures 17, 18) que sa deuxieme face 113 comporte des parties delimitees par les premier et second elements 110, 111 issus du substrat ajoute 109c a 30 l'assemblage 130, cette deuxieme face 113 du substrat 109c ajoute formant, au terme de la modification dudit substrat ajoute 109c, une nouvelle face de connexion 131 de l'assemblage 130. [0056] Notamment, une fois la premiere face 112 du substrat ajoute 109c reportee sur, et donc en contact avec, la face de connexion 131, une etape de recuit telle 28 que decrite precedemment peut "etre mise en 09 uvre pour fixer le substrat ajoute 109c a la face de connexion. [0057] On comprend alors qu'une fois le premier substrat 109a monte au deuxieme substrat 109b, retape de modification de l'assemblage est repetee z fois 5 avec z un entier positif et tel que z = M-2, M etant le nombre de substrats fournis. [0058] En particulier, chaque etape de modification du substrat ajoute comporte les etapes successives suivantes : - une etape d'amincissement du substrat ajoute 109c depuis sa deuxieme face 113 de sorte a reveler des parties des premier et second elements 110, 10 111 dudit substrat ajoute (passage de la figure 16 a la figure 17), puis - une etape de formation de la deuxieme couche 115 en materiau dielectrique du substrat 109c, par exemple par oxydation du substrat 109c ajoute (figure 18) a partir d'une surface 00 s'est arrOte I'amincissement du substrat ajoute 109c. 15 [0059] Comme le montre la figure 19, une fois que tous les substrats 109a, 109b, 109c, 109d ont ete ajoutes a l'assemblage 130, I'etape de modification liee au dernier des substrats ajoutes peut comporter une etape d'amincissement dudit substrat ajoute 109d depuis sa deuxieme face 113 jusqu'a reveler des parties des premier et second elements 110, 111 du dernier des substrats ajoutes 109d et 20 former un premier substrat d'extremite 109d de l'empilement 108 de substrats. Ensuite, les portions en siliciure 120a, 120b sont preferentiellement formees dans les premier et second elements 110, 111 du substrat 109d. Pour former ces portions en siliciure 120a, 120b, le procede de fabrication peut comporter les etapes successives : 25 - une etape de depot d'une couche en materiau dielectrique 133 sur la deuxieme face 113 du premier substrat d'extremite 109d de I'empilement 108 de substrats, par exemple cette couche en materiau dielectrique 133 est en dioxyde de silicium, ou en nitrure de silicium, et presente une epaisseur comprise entre 50nm et 500nm, 30 - une etape de gravure de la couche en materiau dielectrique 133 pour former des espaces dans la continuite des premier et second elements 110, 111 du premier substrat d'extremite 109d, - une etape de depOt, notamment pleine plaque, d'une bicouche par exemple comprenant une couche de titane et une couche de nitrure de titane telle 29 que la couche de titane soit en contact avec les premier et second elements 110, 111 en vue de former les portions en siliciure 120a, 120b aux extremites des premier et second elements 110, 111 du premier substrat d'extremite 109d, ces extremites etant celles rendues accessibles par 5 l'etape de gravure de la couche en materiau dielectrique 133, - une etape de recuit, par exemple a une temperature comprise entre 400°C et 800°C, et plus particulierement entre 700°C et 800°C pour obtenir du siliciure de titane, pour former les portions en siliciure, ces portions en siliciure etant formes par exemple par des liaisons Ti-Si, 10 - une etape de retrait de ce qu'il reste de la bicouche, ce restant correspondant a ce qui n'a pas reagi avec les premier et second elements 110, 111 pour former les portions en siliciure 120a, 120b, - une etape de depot d'une couche de protection 134 sacrificielle en materiau dielectrique sur la couche en materiau dielectrique 133 et les portions en 15 siliciure 120a, 102b. La fonction de cette couche de protection 134 sacrificielle est de proteger les portions en siliciure lors d'etapes technologiques devant impacter une autre extremite de I'empilement de substrats. [0060] Apres l'etape de depOt de la couche de protection 134, I'etape de 20 modification du premier substrat 109a peut 'etre mise en oeuvre d'o0 it resulte la formation d'un deuxieme substrat d'extremite 109a de I'empilement 108 de substrats (figure 20). Cette etape de modification peut 'etre mise en oeuvre par amincissement du premier substrat 109a depuis sa deuxieme face 113 (figure 19) jusqu'a reveler des parties des premier et second elements 110, 111 du premier 25 substrat 109a (figure 20). Ensuite, (figure 21) les portions en siliciure 121a, 121b peuvent 'etre formes dans les premier et second elements 110, 111 du deuxieme substrat d'extremite 109a. Ces portions en siliciure 121a, 121b sont notamment formee a la maniere de celles referencees 120a, 120b a partir d'une couche en materiau dielectrique 135 deposee sur le deuxieme substrat d'extremite de 30 I'empilement de substrats (notamment sur la face referencee 112 en figure 21) et gravee dans le prolongement des premier et second elements 110, 111 du deuxieme substrat d'extremite 109a. Enfin, apres formations des portions en siliciure 121a, 121b, le ou les elements de connexion 107 sont formes au contact des elements en siliciure 121a, 121b (figure 21), et le ou les elements de liaison 30 106 sont formes au contact des portions en siliciure 120a, 120b (figure 3) apres retrait de la couche de protection 134. Les elements de liaison 106 et de connexion 107 peuvent 'etre en aluminium et obtenus par depot PVD (pour « physical vapor deposition » en langue anglaise) suivi de photolithographie, puis de gravure pour 5 les delimiter. Alternativement, les elements de liaison 106 et de connexion 107 peuvent 'etre obtenus par electrolyse de type RDL pour « ReDistributionLayer » en langue anglaise, dans ce cas les elements de liaison 106 et de connexion 107 peuvent comporter du cuivre et un alliage SnAg, ou du nickel et de l'or. [0061] De maniere generale, les dimensions des plots et le choix des materiaux 10 pour les former est dependant de l'application visee et de la difference de temperature escomptee. [0062] Dans la presente description, ce qui s'applique au dispositif thermoelectrique peut s'appliquer au procede de fabrication permettant son obtention, et inversement ce qui s'applique au procede de fabrication du dispositif 15 thermoelectrique peut s'appliquer au dispositif thermoelectrique decrit. [0063] Le dispositif thermoelectrique tel que decrit presente une application industrielle notamment dans le domaine de la generation d'energie electrique, ou dans le refroidissement de composants electroniques. Bien entendu, l'application industrielle d'un tel dispositif thermoelectrique peut aussi 'etre etendue a tout 20 domaine cherchant a exploiter un effet Seebeck ou un effet Peltier. Le procede de fabrication s'applique tout particulierement au domaine de la microelectronique pour fabriquer le dispositif thermoelectrique associe. [0064] En particulier, le dispositif thermoelectrique tel que decrit peut 'etre integre de sorte a servir d'alimentation electrique pour capteur(s) autonome(s), pour 25 composants microelectroniques, pour telephone mobile, pour un actionneur domotique, pour capteur(s) d'un batiment intelligent, pour composant(s) situe(s) dans un reseau electrique intelligent aussi connu sous la denomination anglaise « smart grid », ou encore dans le domaine de ('Internet des Objets (loT pour « Internet of Things » en langue anglaise). En fait, lorsque le dispositif 30 thermoelectrique est a effet Seebeck, c'est-a-dire a generation d'energie electrique, il peut 'etre utilise pour servir d'alimentation electrique a tout composant, par exemple autonome et non relie a un reseau de distribution d'electricite, en exploitant une difference de temperature a laquelle il est soumis. 31 [0065] Dans le cas 06 le dispositif thermoelectrique est un generateur d'energie electrique, it peut "etre relict a un convertisseur DC/DC permettant de convertir une tension continue en une autre tension continue de valeur differente. Dans ce cas, la mise en parallele de certaines jonctions thermoelectriques permet de diminuer 5 la tension generee par le dispositif thermoelectrique a une valeur d'entree compatible avec le convertisseur DC/DC REVENDICATIONS1. Dispositif thermoelectrique (100) comportant au moins une jonction thermoelectrique (103), ladite jonction thermoelectrique (103) comportant un premier plot (101) et un second plot (102) relie electriquement au premier plot (101), caracterise en ce que : - le dispositif thermoelectrique (100) comporte un empilement (108) de substrats, chaque substrat (109a, 109b, 109c, 109d) comportant au moins un premier element (110) et au moins un second element (111), le premier element (110) et le second element (111) etant formes dans l'epaisseur dudit substrat (109a, 109b, 109c, 109d), - l'empilement (108) de substrats est tel que : o le premier plot (101) de la jonction thermoelectrique (103) comporte un empilement de premiers elements (110), o le second plot (102) de la jonction thermoelectrique (103) comporte un empilement de seconds elements (111). 2. Dispositif thermoelectrique (100) selon la revendication 1, caracterise en ce que l'empilement (108) de substrats comporte au minimum trois substrats, et en ce que tout substrat de l'empilement (108) de substrats, situe entre deux substrats d'extremite (109a, 109d) de l'empilement (108) de substrats, comporte : - une premiere face (112), - une deuxieme face (113) opposee a sa premiere face (112), - une premiere couche (114) en materiau dielectrique delimitant une partie de la premiere face (112) dudit substrat, - une deuxieme couche (115) en materiau dielectrique delimitant une partie de la deuxieme face (113) dudit substrat, les premiere et deuxieme couches (114, 115) en materiau dielectrique dudit substrat etant traversees par les premier et second plots (101, 102). 3. Dispositif thermoelectrique (100) selon la revendication precedente, caracterise en ce que, pour tout substrat de l'empilement (108) de substrats, situe entre les deux substrats d'extremite (109a, 109d) de l'empilement (108) de substrats, les premiere et deuxieme couches (114, 115) en materiau dielectrique 33 dudit substrat sont formees sur, et notamment de part et d'autre, d'un support (117) dudit substrat. 4. Dispositif thermoelectrique (100) selon la revendication precedente, 5 caracterise en ce que, pour tout substrat de l'empilement (108) de substrats, situe entre les deux substrats d'extremite (109a, 109d) de l'empilement (108) de substrats, la premiere couche (114) en materiau dielectrique dudit substrat presente une conductivite electrique strictement inferieure a celle du support (117) sur lequel elle est formee, et la deuxieme couche (115) en materiau dielectrique 10 dudit substrat presente une conductivite electrique strictement inferieure a celle du support (117) sur lequel elle est formee. 5. Dispositif thermoelectrique (100) selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que la jonction thermoelectrique (103) comporte un 15 element de liaison (106) electriquement conducteur relie a une portion en siliciure (120a) du premier plot (101) de la jonction thermoelectrique (103) et a une portion en siliciure (120b) du second plot (102) de la jonction thermoelectrique (103). 6. Dispositif thermoelectrique (100) selon l'une quelconque des revendications 20 precedentes, caracterise en ce que chaque substrat (109a, 109b, 109c, 109d) de l'empilement (108) de substrats comporte des vias traversants formant les premier et second elements (110, 111) dudit substrat (109a, 109b, 109c, 109d). 7. Dispositif thermoelectrique (100) selon l'une quelconque des revendications 25 precedentes, caracterise en ce qu'il comporte : - des premiers et des seconds plots (101, 102), - une pluralite de jonctions thermoelectriques (103) comportant chacune un des premiers plots (101) et un des seconds plots (102), et en ce que chaque substrat (109a, 109b, 109c, 109d) comporte des premiers et 30 des seconds elements (110, 111), l'empilement (108) de substrats etant tel que : - chaque premier plot (101) comporte un empilement de premiers elements (110), - chaque second plot (102) comporte un empilement de seconds elements (111). 34 8. Dispositif thermoelectrique (100) selon la revendication precedente, caracterise en ce que les jonctions thermoelectriques (103) sont reliees electriquement en serie. 5 9. Dispositif thermoelectrique (100) selon la revendication 7, caracterise en ce qu'il comporte des ensembles (122) de jonctions thermoelectriques (103) tels que, au sein de chaque ensemble (122) de jonctions thermoelectriques (103), les jonctions thermoelectriques (103) dudit ensemble (122) sont reliees electriquement 10 en parallele, lesdits ensembles (122) de jonctions thermoelectriques (103) etant relies electriquement en serie. 10. Dispositif thermoelectrique (100) selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que les substrats (109a, 109b, 109c, 109d) de 15 ('empilement (108) de substrats sont lies par des liaisons covalentes. 11. Procede de fabrication d'un dispositif thermoelectrique (100) comprenant au moins une jonction thermoelectrique (103), !edit procede de fabrication comportant : 20 - une etape de fourniture de substrats (109), chaque substrat (109) fourni comportant au moins un premier element (110) et au moins un second element (111) formes dans son epaisseur, - une etape de formation d'un empilement (108) de substrats en utilisant les substrats (109) fournis d'oC, it resulte la formation d'un premier plot (101) de 25 la jonction thermoelectrique (103) et d'un second plot (102) de la jonction thermoelectrique (103), le premier plot (101) comportant un empilement de premiers elements (110) et le second plot (102) comportant un empilement de seconds elements (111), - une etape de formation d'une connexion electrique de la jonction 30 thermoelectrique (103), ladite connexion electrique reliant electriquement le premier plot (101) au second plot (102) . 12. Procede de fabrication selon la revendication precedente, caracterise en ce que chaque substrat (109) fourni est tel que : - ledit substrat (109) comporte une premiere face (112) dans laquelle sont formes des trous borgnes (124, 125), les premier et second elements (110, 111) dudit substrat (109) etant formes dans les trous borgnes (124, 125) de telle sorte que la premiere face (112) dudit substrat (109) comprend des 5 parties (126a, 126b) delimitees par les premier et second elements (110, 111), - ledit substrat (109) comporte une deuxieme face (113) opposee a sa premiere face (112), et en ce que l'etape de formation de I'empilement (108) de substrats comporte : 10 - une etape de formation d'un assemblage (130) comprenant une etape de mise en contact des premieres faces (112) de premier et deuxieme substrats (109a, 109b) issus des substrats fournis, - une etape de modification du deuxieme substrat (109b) de l'assemblage (130) d'o0 il resulte que sa deuxieme face (113) presente des parties 15 delimitees par les premier et second elements (110, 111) du deuxieme substrat (109b), ladite deuxieme face (113) du deuxieme substrat (109b) tel que modifie formant une face de connexion (131) de l'assemblage (130), - une etape de modification du premier substrat (109a) pour former un substrat d'extremite (109a) de l'empilement (108) de substrats. 20 13. Procede de fabrication selon la revendication precedente, caracterise en ce que le nombre de substrats (109) fournis etant superieur ou egal a 3, le procede de fabrication comporte, apres l'etape de modification du deuxieme substrat (109b) et pour chaque substrat fourni separe de l'assemblage (130), dit substrat a ajouter a 25 l'assemblage (130), une etape de modification de l'assemblage (130) comportant : - une etape d'ajout du substrat a ajouter (109c) a l'assemblage (130) par report de la premiere face (112) dudit substrat a ajouter (109c) sur la face de connexion (131) de l'assemblage (130), - une etape de modification dudit substrat ajoute (109c) a l'assemblage (130) 30 d'o0 il resulte que sa deuxieme face (113) presente des parties delimitees par les premier et second elements (110, 111) du substrat ajoute (109c) a l'assemblage (130), ladite deuxieme face (113) formant, au terme de la modification dudit substrat ajoute (109c), une nouvelle face de connexion (131) de l'assemblage (130).