FR 3075461 A1 20190621 FR 1762569 A 20171220 Procede de fabrication d'une heterostructure comportant des structures elementaires photoniques en materiau III-V a la surface d'un substrat a base de silicium Le domaine de ('invention est celui des composants III-V et concerne un procede d'elaboration de structure pour les applications photoniques par exemple laser et plus particulierement d'heterostructure de 5 couche III-V sur substrat silicium. L'integration heterogene par exemple d'un laser III-V sur un substrat de SOI contenant des elements passifs et actifs (guide d'onde, modulateur...) en silicium necessite generalement le report de puces de materiaux III-V crus sur un substrat In P qui doivent etre ensuite decoupees et 10 collees. Actuellement ce report selon l'art connu peut etre realise selon differents procedes mais utilise dans tous les cas ('utilisation d'un substrat en materiau III-V (generalement un substrat de phosphure d'indium) supportant les differentes couches epitaxiees necessaires a l'obtention des 15 composants en materiaux III-V. Les etapes principales de realisation sont : 1) la realisation des puces III-V a partir d'un substrat par exemple d'InP typiquement de 4 pouces maximum sur lequel un empilement de couche III-V definissant les couches 20 caracteristiques d'un laser ou un autre dispositif (photodetecteur,...) ont ete epitaxiees (('empilement des couches epitaxiees est inverse afin de coller dans le bon sens) ; 2) puis le report des ces couches est realise : 25 - soit de maniere collective en ayant decoupe et place des puces sur un support dote d'empreinte appele couramment 0 holder » dedie, afin de les reporter sur le substrat ; - soit de maniere individuelle en ayant prealablement decoupe les puces de 1 a quelques millimetres carres puis en reportant 30 et en collant chaque puce de maniere individuelle. Dans tous les cas, les puces de materiaux III-V sont supportees par un substrat InP dont le diametre initial du wafer est limite, necessitant la 2 suppression de la partie support (substrat InP) qui represente environ 98% de l'epaisseur. Les figures la a lc illustrent ('utilisation d'un substrat porteur appele 0 holder ». Plus precisement la figure 1 a illustre la realisation de logements unitaires graves dans un substrat dit holder 10, la realisation en parallele d'au moins une couche 21 en materiau III-V a la surface d'un substrat 20 en materiau III-V et la decoupe d'616ments 211/201 designe par le terme puce dans l'ensemble de la presente description et reporte sur le 0 holder » 10 comprenant des logements elementaires pour recevoir chacun des ensembles 211/201. La figure lb est une figure agrandie d'un ensemble unitaire 211/201 mettant en evidence la marge de desalignement d possible et la rotation possible de chacune des puces lors du report d'une puce dans un logement 15 d6di6. La figure 1 c illustre le report collectif de l'ensemble des puces (dans le > entrainant le retrait du substrat III-V (ce qui engendre un co0t) avec une decote 5 laterale (pas de selectivite chimique) ; - une variabilite (taux de collage des puces et desalignement possible, plus effet potentiel de rotation comme illustre en figure 1 b). La figure 2 illustre, le report et le collage de puces 201/211 10 individuellement realisees apres decoupe d'un substrat 20 de materiau III-V et 6pitaxie d'elements 21 de mat6riaux III-V et positionnees sur une plaque comprenant le substrat de type SOI, comprenant une interface 30, monte sur un support dit poignee 31. Dans ce cas les problematiques majeures sont : le besoin de cliver des plaques III-V (pertes) ; la mise en place des puces (long) ; la precision d'alignement : 50 urn plaque a plaque ; la variabilite puce a puce ; le demontage substrat : avec le retrait du substrat III-V (co0t) et une decote laterale (pas de selectivite chimique) ; la variabilite : taux de collage des puces et desalignement plus rotation. La figure 3 illustre de maniere detainee une structure elementaire active photonique realisee dans ('invention, qui peut etre de type laser et rappelle les dimensions caracteristiques d'un tel laser III-V. L'empilement multicouche III-V presente une hauteur typiquement de 2 a 5 pm de hauteur et une largeur pouvant typiquement etre comprise entre 40 et 90 um de large. Un guide en Si est int6gr6 dans une couche d'oxyde SiO2 realisee a la surface d'un substrat Si. La figure 3 met en evidence, les contacts de type n sur une couche de base n-InP, une structure en mesa comprenant l'empilement de la region active constituee d'une structure a multi-puits quantique sur laquelle est empilee une couche p-InP, une couche p-InGaAs et le contact de type p. 4 Dans ce contexte et pour resoudre les inconvenients precites, la presente invention a pour objet un procede utilisant un substrat couramment appele wafer, pouvant etre de silicium ou SOI comme substrat de croissance (ou encore identifie comme substrat donneur) en remplacement d'un substrat 5 en materiau III-V (generalement InP). Le Demandeur exploite pour cela une technique decrite notamment dans le brevet US 8 173 551 et comprenant l'epitaxie de materiau III-V sur un premier substrat de silicium, de maniere a preconstituer des substrats elementaires de materiaux III-V (et non plus d'utiliser des substrats massifs de materiaux III-V), sur lesquels peuvent etre 10 realisees des couches actives constitutives par exemple d'un laser, avant de proceder au report de ('ensemble sur un second substrat pouvant comprendre des elements passifs et actifs (guide d'onde, modulateur...). Le procede de ('invention presente notamment les avantages suivants : 15 - l'utilisation d'un substrat moins coOteux et plus facile a retirer ; - la localisation des structures epitaxiees, ainsi les structures peuvent etre repartees de maniere collective ; - l'utilisation de structures elementaires de type notamment laser pouvant etre pre-alignees sur une plaquette 0 donneur », 20 l'alignement des puces entre elles 6tant a une precision liee a la lithographie ; - lors du report, un seul alignement plaque a plaque permettant d'obtenir une precision dans une gamme pouvant typiquement etre de 10 pm a 80 pm avec une moyenne a 50 pm ; 25 - l'obtention d'une pre-encapsulation des puces en materiau III-V dans un dielectrique. Plus precisement la presente invention a pour objet un procede de fabrication d'une heterostructure comportant au moins une structure 30 elementaire active photonique comprenant au moins une couche active en materiau III-V a la surface d'un substrat a base de silicium comprenant : - la realisation d'un premier motif presentant au moins une premiere ouverture dans un materiau dielectrique a la surface d'un premier substrat a base de silicium ; 5 - une premiere operation d'epitaxie d'au moins un materiau III-V de maniere a definir au moins une couche de base elementaire en materiau III-V dans ladite au moins premiere ouverture ; - la realisation d'un second motif dans un materiau dielectrique de 5 maniere a definir au moins une seconde ouverture presentant un recouvrement avec ladite couche de base elementaire en materiau III-V ; - une seconde operation d'epitaxie d'au moins un materiau III-V a la surface d'au moins ladite couche de base elementaire de 10 materiau III-V de maniere a realiser ladite au moins structure elementaire active photonique en materiau(x) III-V pr6sentant une face externe ; - une operation de report et d'assemblage de ladite au moins structure elementaire active photonique via sa face externe, sur 15 une interface pouvant comporter des elements passifs et/ou des elements actifs, ladite interface etant realisee a la surface d'un second substrat a base de silicium; - le retrait dudit premier substrat a base de silicium et de ladite au moins couche de base elementaire en materiau III-V situee 20 sur ladite structure elementaire active photonique. II peut avantageusement etre prevu une operation de polissage mecano-chimique (CMP) afin de retirer les eventuelles couches de materiaux III-V non actives situees au dessus du plan de surface du motif et afin d'obtenir une surface de collage constituee d'un plan unique et repondant 25 aux criteres de collages (planeite, rugosite...), cette operation etant prealable a ('operation de report et d'assemblage. Le substrat peut typiquement etre en Si, SOI, Sii,Gex avec 0 500°C, la temperature choisie dependant de la concentration en Ge de ladite couche sacrificielle). Avantageusement, ladite operation d'assemblage comprend une 10 operation de collage, pouvant etre une operation de collage moleculaire. Le procede selon ('invention permet aussi avantageusement de realiser differentes structures elementaires pouvant fonctionner a des longueurs d'onde differentes. C'est pourquoi la presente invention a aussi pour objet un procede 15 dans lequel on realise plusieurs structures elementaires actives photoniques differentes fonctionnant a des longueurs d'onde differentes. Pour ce faire, ledit procede peut comprendre des operations successives d'epitaxie pour realiser les differentes structures elementaires actives photoniques, par exemple fonctionnant a des longueurs d'onde 20 differentes, lesdites operations etant effectuees successivement a des temperatures d'epitaxie decroissantes. Avantageusement, l'interface presente un support couramment denomme 0 poignee » sur une face opposee audit second substrat. L'invention a ainsi pour objet un procede selon ('invention dans lequel ledit 25 second substrat a base de silicium est retire avant assemblage pour laisser a nu, l'interface pouvant comporter des elements passifs et/ou actifs, ladite interface etant a la surface dudit support. Selon des variantes de ('invention, pour realiser des structures elementaires actives photoniques, on realise avantageusement des 30 structures a multi-puits quantique en materiau(x) III-V. Selon des variantes de l'invention, la couche de base elementaire en materiau III-V peut avantageusement etre InP. L'invention a egalement pour objet une heterostructure obtenue selon le procede de ('invention, ladite heterostructure pouvant 8 avantageusement comprendre au moins une structure de type laser ou photodetecteur ou modulateur. L'invention a encore pour objet un ensemble de structures elementaires actives photoniques en materiau III-V a la surface d'un substrat 5 a base de silicium obtenu selon le procede de ('invention, pouvant avantageusement comporter un ensemble de structures laser fonctionnant a des longueurs d'onde differentes. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages 10 apparaitront a la lecture de la description qui va suivre donnee a titre non limitatif et grace aux figures parmi lesquelles : - les figures la a lc illustrent un premier exemple de procede de report de puces en materiau(x) III-V sur un substrat SOI comprenant ('utilisation d'un 0 holder >> selon l'art connu ; 15 - la figure 2 illustre un second exemple de procede de report de puces sur un substrat SOI comprenant le collage individuel de puces en materiau(x) III-V selon l'art connu ; - la figure 3 illustre les dimensions typiques d'une puce de type laser en materiaux III-V selon l'art connu ; 20 - les figure 4a a 4f illustrent les principales etapes d'un premier exemple de procede selon ('invention ; - la figure 5 illustre les differentes etapes d'un second exemple de procede de ('invention comprenant la realisation d'un motif primaire presentant des premieres ouvertures complexes 25 permettant de decentrer des structures elementaires actives photoniques par rapport aux substrats elementaires en materiau III-V ; - la figure 6 illustre ('operation de report et d'assemblage des structures elementaires actives photoniques obtenues selon les 30 operations decrites en figure 5 ; - les figures 7a a 7d montrent des vue de dessus et des vues transverses mettant en evidence les dimensions de structures elementaires actives photoniques dans un proc6d6 selon ('invention ; 9 - la figure 8 illustre un exemple d'etapes successives de fabrication de structures elementaires differentes selon le procede de l'invention ; - la figure 9 illustre un ensemble de structures elementaires 5 actives photoniques differentes. Le procede de l'invention exploite le procede d'epitaxie par piegeage de defaut cristallin (lie a la diff6rence de parametre de maille) permettant d'utiliser un substrat de base en materiau semi-conducteur tel 10 que du silicium sur lequel on realise prealablement des couches de base elementaires en materiau III-V destin6es a la croissance epitaxiale de structures elementaires actives photoniques telles que par exemple des structures de multi-puits quantiques dont le choix de la nature des couches et leur epaisseurs determinent les longueurs d'onde de fonctionnement. 15 Les couches de base elementaires en materiau III-V peuvent etre realisees avec des hauts facteurs de forme permettant avantageusement de pieger des defauts lies a l'heterostructure. Les techniques de croissance a haut facteur de forme ont notamment 6t6 decrites dans le brevet US 8 173 551. 20 Le procede de l'invention peut etre decline selon aux moins les deux alternatives suivantes et qui sont detainees dans la suite de la description : - premiere alternative : le proc6d6 comprend deux sequences 25 d'operation de lithographie et d'epitaxie de materiau(x) III-V ; - seconde alternative : le procede comprend la fabrication d'un motif particulier avec utilisation d'une couche sacrificielle, dans lequel une op6ration d'6pitaxie de materiau(x) III-V est realisee. 30 Le Demandeur decrit ci-apres differents exemples de procede selon l'invention. Exemple de procede de l'invention selon la premiere alternative : La figure 4a illustre les premieres etapes suivantes : 10 Etape 1 : on utilise un premier substrat 100 de faible coOt en silicium. Etape 2 : a partir de ce premier substrat 100, on realise une couche de dielectrique 200. 5 Etape 3 : on realise des ouvertures Off dans la couche 200 de maniere a definir un motif avec des ouvertures comme illustre en figure 4a. Le carre montre un agrandi mettant en evidence le type de flancs, droits ou biseautes pouvant etre obtenus dans les ouvertures. Etape 4: on procede a une premiere operation d'epitaxie de 10 materiau III-V pouvant etre de l'InP de maniere a definir des couches de base elementaires en materiau III-V : 2011. La figure 4b illustre l'etape 5 : apres avoir procede a une operation de planarisation de type CMP (de polissage mecanique/chimique), on 15 procede au depot d'une seconde couche de dielectrique 200 dans laquelle on realise des secondes ouvertures 012 de maniere a definir un second motif. La figure 4c illustre l'etape 6 : on realise une seconde operation d'epitaxie de materiau(x) III-V de maniere a definir des structures 20 elementaires actives photoniques 202i, puis l'on procede en l'etape 7 a une operation de planarisation. Les secondes ouvertures ont des largeurs superieures a celles des premieres ouvertures de maniere a permettre la croissance laterale de materiau(x) III-V a partir des substrats de materiaux III-V. Les defauts de 25 croissance peuvent avantageusement etre confines dans les cavites (les dislocations sont stoppees par les parois de la cavite) des substrats et permettre de realiser une croissance de materiau(x) III-V a partir des substrats 2011. Typiquement, a partir d'un substrat Si, les defauts lies a la relaxation des couches se retrouvent principalement dans les plans cristallins 30 {111} formant un angle de 54,7° avec la surface du substrat. Donc, si la hauteur de la cavite 01; est superieure a tan (54,7°) on peut confiner les defauts de ces plans, typiquement, si la hauteur est superieure a 1,4 fois la largeur de la cavite. Plus ce rapport est grand, et plus l'effet de confinement est eleve. 11 La figure 4d illustre le second substrat employe dans le procede de l'invention. Ce substrat peut etre de type SOI pouvant comprendre des elements passifs et actifs (guide d'onde, modulateur,...) et des ensembles de metallisations. II comporte une partie silicium 301 et une partie integrant les 5 composants passifs ou actifs 300 destinee a adresser la ou les structures elementaires actives photoniques elaborees a la surface du premier substrat 100, !edit second substrat etant presente retourne (Etape 8) pour realiser ('operation d'assemblage. 10 Etape 9 : Pour les besoins du report, ce second substrat est positionne sur un support appele poignee 302 et l'on procede a ('operation d'assemblage avec la ou les structures elementaires realisees en parallele, comme illustre en figure 4e. Typiquement, ('operation d'assemblage peut etre realisee grace a une op6ration de collage moleculaire. 15 Etape 10 : on procede au retrait de la partie inferieure 100 du premier substrat comme illustre en figure 4f, mettant a nu les substrats elementaires 2011 par une operation d'amincissement mecanique, puis nettoyage comme illustre en figure 4f. Etape 11 : on procede enfin au retrait de la partie du substrat comprenant le dielectrique 200 et les couches de base elementaires en materiau III-V 2011, pour degager les structures elementaires actives photoniques 202i comme illustre egalement en figure 4f. Exemple de procede de l'invention selon la seconde alternative : Avantageusement, la couche de base elementaire en materiau III- 30 V peut etre realisee de maniere a comprendre une premiere partie inferieure verticale etroite pouvant pieger les defauts de croissance a partir du premier substrat et une partie horizontale superieure plus large, ladite partie inferieure etant decentree par rapport a ladite partie horizontale, pour pouvoir realiser la croissance de la structure elementaire active photonique de 35 maniere deportee. 20 25 12 La figure 5 illustre les differentes etapes de ce second exemple de procede : Etape 1 : on utilise un premier substrat 100 de faible coOt en 5 silicium. Etape 2 : a partir de ce premier substrat 100, on realise une couche de dielectrique 200. Etape 3 : on realise des ouvertures Off dans la couche 200 de maniere a definir un motif avec des ouvertures, presentant une partie 10 inferieure verticale et une partie horizontale, ladite partie verticale inferieure etant decentree par rapport a ladite partie horizontale. Le carre montre un agrandi mettant en evidence le type de flancs, droits ou biseautes pouvant etre obtenus dans la partie inferieur verticale des ouvertures. Etape 4 : on procede au depot d'un materiau sacrificiel de maniere 15 a definir des elements 203i dans les ouvertures prealablement formees. On depose alors une couche de dielectrique 200. Etape 5 : on vient definir dans la couche de dielectrique 200, de nouvelles ouvertures constituant la partie verticale superieure des premieres ouvertures complexes O'ii, en procedant au retrait egalement du materiau 20 sacrificiel. L'interet de cette premiere ouverture complexe reside dans le fait que la partie horizontale est partiellement recouverte de dielectrique permettant d'eviter une etape ulterieure de type CMP pour uniformiser la surface de la couche de base elementaire en materiau III-V. 25 Etape 6 : on procede a une premiere operation d'epitaxie de materiau III-V permettant de constituer les couches de base elementaires en materiau III-V 2011. Le carre met en evidence ('aspect deporte des dislocations dans la partie verticale inferieure de la couche elementaire de base par rapport a la partie horizontale de ladite couche elementaire de 30 base. Etape 7 : on procede a la realiser de secondes ouvertures (non repr6sent6es) dans lesquelles on procede a de nouvelles op6rations d'epitaxie afin de realiser les structures elementaires actives photoniques 202i. 35 13 Les etapes suivantes de report du second substrat a base de silicium et de composants actifs et/ou passifs peuvent etre identiques a celles du premier exemple de procede precedemment decrites et sont illustrees en figure 6 qui illustre les etapes suivantes : 5 Etape 8 : les deux substrats comportant d'une part les couches de base elementaires en materiau III-V et d'autre part le support comprenant une interface avec des composants actifs et/ou passif sont assembles et colles. Etape 9 : on procede au retrait de la partie 100 du premier 10 substrat, mettant a nu les couches de base elementaires en materiau III-V 2011 par une operation d'amincissement mecanique. Etape 10 : on procede enfin au retrait de la partie du substrat superieur comprenant le dielectrique 200, et les couches de base elementaires en materiau III-V 2011 pour degager les structures elementaires 15 actives photoniques 202i. Des exemples de dimensions des structures elementaires actives photoniques pouvant etre realisees selon le proc6d6 de ('invention sont illustrees grace aux figures 7a a 7e. 20 Typiquement, les premieres ouvertures complexes O'il peuvent presenter des surfaces de 50 a 100 pm x 500 pm. Les epaisseurs des couches de dielectriques successives permettant de definir lesdites premieres ouvertures complexes peuvent etre respectivement de 1 urn et 5 pm, comme illustre en figure 7a. 25 La figure 7b met en evidence la realisation d'une couche de base elementaire en materiau III-V en InP depose par epitaxie dans ladite ouverture complexe. L'epaisseur de InP peut typiquement etre comprise entre 5 a 10 pm avec des effets de charge compris entre 5 et 10. De maniere generale, l'effet de charge correspond a la diff6rence 30 d'epaisseur observee lorsqu'un merle procede d'epitaxie est realise sur (i) un substrat sans motifs (ii) un substrat avec motif, c'est-a-dire partiellement recouvert par un materiau de motif type SiO2. L'epaisseur obtenue est souvent superieure dans le cas (ii). Le rapport epaisseur dans le cas (ii) sur epaisseur obtenue dans le cas (i) definit 35 l'effet de charge. 14 Dans la presente invention, une epaisseur equivalente de 5 a 10pm sur un substrat sans motif doit permettre de realiser une croissance laterale de 10 a 50 pm dans les cavites en croissance laterale sur un substrat avec motif, beneficiant donc de la presence de l'effet de charge. 5 La figure 7c met en evidence la realisation d'une seconde ouverture de maniere classique par photolithographie. La figure 7d met en evidence la croissance epitaxiale de la structure elementaire active photonique en materiau(x) III-V, pouvant 10 presenter une epaisseur typiquement comprise entre quelques nanometres et quelques microns selon les applications visees. Le proc6d6 de la pr6sente invention permet de sequencer des operations d'epitaxie localisees, permettant ainsi de realiser des structures 15 elementaires actives photoniques differentes, et notamment constituees de differents materiaux III-V ou differentes structures multi-puits quantiques, de maniere a fabriquer au sein d'une merle ensemble plusieurs fonctions photoniques differentes pouvant fonctionner a des longueurs d'onde differentes. 20 La figure 8 met en evidence les etapes 7, 7bis, 7 ter et 7 quater correspondantes a l'etape 7 du procede decrit en figure 5 et relative a des etapes successives d'epitaxie permettant la formation de structures elementaires differentes 202i, 202j, 202k a partir des couches de base elementaires en materiau III-V: 2011, 201j, 201k et en procedant a des 25 operations de masquage differentes. L'etape 7bis met ainsi en evidence qu'apres avoir realise une premiere operation de croissance epitaxiale pour elaborer la structure elementaire 202i, on realise une operation de masquage destinee a la croissance epitaxiale de la structure elementaire 202j. La figure 9 illustre un exemple de configuration mettant en 30 evidence 4 structures elementaires actives photoniques differentes 202i, 202j, 202k, 2021 comprenant des multi-puits quantiques entre couches de materiaux III-V et assemblees, au niveau d'elements de guide en silicium respectivement 3101, 310j, 310k, 3101 realises dans le substrat 300 comprenant trois niveaux de dielectrique de SiO2 320, 321 et 322, la couche 15 322 encapsulant avantageusement les 4 structures elementaires actives photoniques. II pourrait egalement s'agir de composants differents (lasers, photodetecteur, modulateur en III-V. 5 Selon le procede de ('invention, it est ainsi possible de realiser grace a chacune des operations d'epitaxie un composant optimise : laser/modulateur/ photodetecteur, de taille de l'ordre REVENDICATIONS1. Procede de fabrication d'une heterostructure cornportant au moins une structure elementaire active photonique en materiau III-V a la 5 surface d'un substrat a base de silicium comprenant : - la realisation d'un premier motif presentant au moins une premiere ouverture (Oil) dans un materiau dielectrique (200) a la surface d'un premier substrat a base de silicium (100) ; - une premiere operation d'epitaxie d'au moins un materiau III-V 10 de maniere a definir au moins une couche de base elementaire en materiau III-V (201i) dans ladite au moins premiere ouverture ; - la realisation d'un second motif dans un materiau dielectrique (200) de maniere a definir au moins une seconde ouverture 15 (0;2) presentant un recouvrement avec ladite au moins couche de base elementaire en materiau III-V ; - une seconde operation d'epitaxie d'au moins un materiau III-V a la surface de ladite au moins couche de base elementaire en materiau III-V de maniere a realiser ladite au moins structure 20 elementaire active photonique en materiau(x) III-V pr6sentant une face externe ; - une operation de report et d'assemblage de ladite au moins structure elementaire active photonique via sa face externe, sur une interface (300) pouvant comporter des elements 25 passifs et/ou des elements actifs, ladite interface etant realisee a la surface d'un second substrat a base de silicium (301) ; - le retrait dudit premier substrat a base de silicium et de ladite au moins couche de base elementaire en materiau III-V situee sur ladite structure elementaire active photonique. 30 2. Procede selon la revendication 1, cornprenant une operation de polissage mecano-chimique (CMP) prealable a ('operation de report et d'assemblage. 35 17 3. Procede selon I'une des revendications 1 ou 2, dans lequel la realisation dudit premier motif comprend : - la realisation d'au moins une ouverture primaire presentant au moins une partie verticale inferieure et une partie horizontale superieure, ladite partie verticale etant decentree par rapport a ladite partie horizontale ; - la realisation d'au moins une couche de base elementaire en materiau III-V comprenant une partie verticale inferieure et une partie horizontale ; - la realisation d'au moins ladite structure elementaire active photonique a la surface de la partie horizontale de ladite couche de base elementaire en materiau III-V, de maniere decentree par rapport a la partie verticale inferieure de ladite au moins couche de base elementaire en materiau III-V. 4. Procede selon la revendication 3, dans lequel la realisation dudit premier motif comprend la realisation d'au moins une ouverture primaire complexe (0'ii) presentant au moins : - une partie verticale inferieure ; - une partie horizontale intermediaire ; - une partie verticale superieure ; - lesdites parties verticales inferieure et superieure etant decentrees de maniere opposee par rapport a ladite partie horizontale ; - ladite premiere operation d'epitaxie definissant au moins une couche de base elementaire en materiau III-V primaire presentant au moins une partie verticale inferieure et une partie horizontale. 5. Procede selon la revendication 4, comprenant : - la realisation de ladite partie verticale inferieure et de ladite partie horizontale intermediaire ; - le depot d'un materiau sacrificiel dans ladite partie verticale inferieure et dans ladite partie horizontale intermediaire de 18 maniere a definir au mains un element sacrificiel intermediaire (203i) , - le depot d'une couche superieure de dielectrique (200) ; - la realisation d'au mains ladite partie verticale superieure de 5 ladite premiere ouverture dans ladite couche superieure de dielectrique de maniere a former au mains ladite premiere ouverture complexe (0'1i) ; - l'epitaxie de materiau III-V dans ladite au mains ouverture primaire complexe, de maniere a former ladite au mains ladite 10 couche de base elementaire en materiau III-V (201i). 6. Procede selon la revendication 5, dans lequel le materiau sacrificiel est du Sii,Gex avec 0 7. Procede selon la revendication 6, dans lequel le retrait dudit materiau sacrificiel est effectue dans un mélange HCI gazeux et dihydrogene a temperature superieure a 500°C. 8. Procede selon l'une des revendications 1 a 6 dans lequel ladite 20 operation d'assemblage comprend une operation de collage. 9. Procede selon la revendication 8, dans lequel ladite operation de collage est une operation de collage moleculaire. 25 10. Procede selon l'une des revendications precedentes dans lequel on realise plusieurs structures elementaires actives photoniques (202i, 202j, 202k, 2021) differentes fonctionnant a des longueurs d'onde differentes. 11. Procede selon la revendication precedente, comprenant des 30 operations successives d'epitaxie pour realiser les differentes structures elementaires actives photoniques fonctionnant a des longueurs d'onde differentes, lesdites operations etant effectuees successivement a des temperatures d'epitaxie decroissantes. 19 12. Procede selon l'une des revendications precedentes dans le lequel un support (303) est situe sur la face opposee audit second substrat, !edit procede comprenant le retrait dudit second substrat avant assemblage, pour laisser a nu ('interface pouvant comporter des elements passifs et/ou 5 actifs, ladite interface etant a la surface dudit support (303). 13. Proc6d6 selon l'une des revendications precedentes dans lequel la au moins structure elementaire active photonique (202i) comprend une structure a multi-puits quantique en materiau(x) III-V. 10 14. Procede selon l'une des revendications precedentes dans lequel la au moins couche de base elementaire en materiau III-V (201i) est en InP. 15 15. Fleterostructure obtenue selon le procede de l'une des revendications 1 a 14. 16. Fleterostructure selon la revendication 15, caracterisee en ce qu'elle comprend au moins une structure de laser ou de photodetecteur ou 20 de modulateur. 17. Fleterostructure selon la revendication 16, caracterise en ce qu'elle comporte un ensemble de structures laser fonctionnant a des longueurs d'onde differentes. 25