FR 3076393 A1 20190705 FR 1763338 A 20171228 PROCEDE DE TRANSFERT D'UNE COUCHE UTILE Domaine technique L'invention se rapporte au domaine technique du transfert d'une couche utile sur un 5 substrat support par la technologie Smart CutTM. L'invention trouve notamment son application dans la fabrication de substrats de type silicium sur isolant SOI (« Silicon-On-Insulator» en langue anglaise). Etat de la technique anterieure 10 Un procede de transfert d'une couche utile sur un substrat support, connu de l'etat de la technique, comporte les etapes successives : ao) prevoir un substrat donneur, comprenant : - une premiere surface et une seconde surface opposee ; - des bords lateraux reliant les premiere et seconde surfaces ; 15 - une couche dielectrique s'etendant sur les premiere et seconde surfaces et sur les bords lateraux ; bo) implanter des especes gazeuses dans le substrat donneur, a travers la couche dielectrique s'etendant sur la premiere surface du substrat donneur, de maniere a former une zone de fragilisation presentant un contour, la couche utile etant delimitee par la zone de 20 fragilisation et par la premiere surface du substrat donneur ; co) assembler le substrat donneur au substrat support par une adhesion directe avec la couche dielectrique s'etendant sur la premiere surface du substrat donneur, et suivant une surface de contact presentant un contour inscrit dans le contour de la zone de fragilisation ; do) fracturer le substrat donneur suivant la zone de fragilisation de maniere a exposer la 25 couche utile. Ainsi, de maniere generale, le contour de la surface de contact est inscrit dans le contour de la zone de fragilisation. En d'autres termes, lorsque la surface de contact et la zone de fragilisation sont circulaires, la zone de fragilisation presente generalement un diametre superieur au diametre de la surface de contact. Ti en resulte, apres l'etape co), la presence de 30 zones exfoliees et la presence de zones transferees sans contact (i.e. non collees ou mal collees par adhesion directe) avec le substrat support. Les zones transferees sans contact sont egalement appelees « casquettes » par l'homme du metier. Un tel procede de l'etat de la technique n'est pas entierement satisfaisant dans la mesure oil. des particules, issues des zones exfoliees et des zones transferees sans contact, peuvent se deposer sur la couche utile 2 exposee, avec une adherence plus ou moins forte, et avec des risques de degradation de la couche utile. En outre, ces particules sont susceptibles de contaminer les equipements permettant d'executer l'etape do) ou les etapes posterieures. Une solution connue de l'etat de la technique consiste a diminuer le diametre de la zone 5 de fragilisation avant l'etape co) par une action mecanique. Cette solution n'est pas entierement satisfaisante dans la mesure ou une perte de surface de la couche utile est constatee apres transfert, quand bien meme l'alignement mecanique serait excellent. Exposé de ('invention 10 L'invention vise a remedier en tout ou partie aux inconvenients precites. A cet effet, l'invention a pour objet un procede de transfert d'une couche utile sur un substrat support, comportant les etapes successives : a) prevoir un substrat donneur, comprenant : - une premiere surface et une seconde surface opposee ; 15 - des bords lateraux reliant les premiere et seconde surfaces ; - une couche de recouvrement s'etendant sur les premiere et seconde surfaces et sur les bords lateraux ; - une zone de fragilisation presentant un contour, la couche utile etant delimitee par la zone de fragilisation et par la premiere surface du substrat donneur ; 20 b) assembler le substrat donneur au substrat support par une adhesion directe avec la couche de recouvrement s'etendant sur la premiere surface du substrat donneur, et suivant une surface de contact presentant un contour inscrit dans le contour de la zone de fragilisation ; c) graver la couche de recouvrement s'etendant sur la seconde surface et sur les bords 25 lateraux du substrat donneur ; d) graver la seconde surface et les bords lateraux du substrat donneur jusqu'a ce que le contour de la zone de fragilisation coincide avec le contour de la surface de contact ; e) fracturer le substrat donneur suivant la zone de fragilisation de maniere a exposer la couche utile. 30 Ainsi, un tel procede selon l'invention permet de reduire le contour de la zone de fragilisation grace aux gravures successives des etapes c) et d). Par consequent, la generation de particules issues de zones exfoliees et/ou de zones transferees sans contact est fortement limitee. 3 En outre, la reduction du contour de la zone de fragilisation est effectuee apres l'etape b) de collage de sorte que le substrat support peut etre utilise comme masque de gravure. Ce masquage permet de reduire au minimum la perte de surface de la couche utile. Enfin, un tel procede selon l'invention permet de recycler aisement le substrat donneur. Definitions - Par « couche utile », on entend une couche a partir de laquelle peut etre forme un dispositif pour tout type d'applications, notamment electronique, mecanique, optique etc. - Par « adhesion directe », on entend un collage spontane (ou assiste par thermocompression) issu de la mise en contact direct de deux surfaces, c'est-a-dire en l'absence d'un element additionnel tel qu'une colle, une cire ou une brasure. On parle egalement de collage par adhesion moleculaire ou de collage direct. L'adhesion provient principalement des forces de van der Waals issues de l'interaction electronique entre les atomes ou les molecules de deux surfaces, des liaisons hydrogene du fait des preparations des surfaces ou des liaisons covalentes etablies entre les deux surfaces. L'adhesion provient principalement de l'etablissement de liaisons metalliques dans le cas d'un collage spontane entre deux surfaces metalliques. L'adhesion provient principalement de la diffusion d'atomes metalliques a l'interface de collage dans le cas d'un collage assiste par thermocompression entre deux surfaces metalliques. - Le terme « coincide » signifie que les contours se confondent quand on les superpose. 20 Ce terme s'entend dans les tolerances usuelles liees aux techniques de fabrication en microelectronique, et non au sens mathematique du terme. Le procede selon l'invention peut comporter une ou plusieurs des caracteristiques suivantes. 25 Selon une caracteristique de l'invention, le substrat support comprend : - une premiere surface et une seconde surface opposee ; - des bords lateraux reliant les premiere et seconde surfaces ; - une couche de recouvrement s'etendant sur les premiere et seconde surfaces et sur les 30 bords lateraux ; et l'etape b) est executee de sorte que l'adhesion directe s'opere entre la couche de recouvrement s'etendant sur la premiere surface du substrat donneur et la couche de recouvrement s'etendant sur la premiere surface du substrat support. 4 Selon une caracteristique de l'invention, la couche de recouvrement du substrat support et la couche de recouvrement du substrat donneur sont realisees dans un meme materiau ; la couche de recouvrement du substrat support presente une epaisseur strictement superieure a l'epaisseur de la couche de recouvrement du substrat donneur ; 5 l'etape c) est executee de maniere a conserver une partie de la couche de recouvrement s'etendant sur la seconde surface et sur les bords lateraux du substrat support. Ainsi, un avantage procure par l'epaisseur superieure de la couche de recouvrement du substrat support est de conserver une partie de la couche de recouvrement du substrat support, alors que la couche de recouvrement du substrat donneur est totalement eliminee, et 10 ainsi de reduire les zones transferees sans contact. Par « epaisseur », on entend la dimension suivant la normale au substrat donneur (ou au substrat support). Selon une caracteristique de l'invention, la couche de recouvrement du substrat support et 15 la couche de recouvrement du substrat donneur sont realisees dans des materiaux differents ; et l'etape c) est executee par une gravure selective de la couche de recouvrement du substrat donneur par rapport a la couche de recouvrement du substrat support. Par « gravure selective » d'un materiau A par rapport a un materiau B, on entend que la vitesse de gravure du materiau A est au moins 5 fois, de preference au moins 10 fois, plus 20 preferentiellement au moins 20 fois superieure a la vitesse de gravure du materiau B. Selon une caracteristique de l'invention, le substrat donneur et la couche de recouvrement du substrat support sont realises dans des materiaux differents ; et l'etape d) est executee par une gravure selective du substrat donneur par rapport a la 25 couche de recouvrement du substrat support. Selon une caracteristique de l'invention, l'etape c) et l'etape d) sont executees en voie humide ou en voie seche. Ainsi, un avantage procure est la possibilite d'executer les etapes c) et d) par gravure 30 chimique ou par gravure au plasma. Selon une caracteristique de l'invention, le substrat donneur prevu Tors de l'etape a) est realise dans un materiau semi-conducteur, de preference selectionne parmi Si, Ge, SiGe, un materiau III-V tel que GaN, GaAs, InP. 5 Par « materiau III-V », on entend un alliage binaire entre des elements situes respectivement dans la colonne III et dans la colonne V du tableau periodique des elements. Selon une caracteristique de l'invention, la couche de recouvrement s'etendant sur le 5 substrat donneur prevu lors de l'etape a) est realisee dans un materiau dielectrique, de preference SiO2, ou dans un materiau metallique, de preference selectionne parmi Cu, Ti, W, Ni, Ag. Ainsi, un avantage procure est la possibilite de former aisement de telles couches de recouvrement pour differents materiaux dans lesquels peut etre realise le substrat donneur. 10 Selon une caracteristique de l'invention, l'etape a) comporte les etapes : ao) prevoir le substrat donneur comprenant : - la premiere surface et la seconde surface opposee ; - les bords lateraux reliant les premiere et seconde surfaces ; 15 at) implanter des especes gazeuses dans le substrat donneur, a travers la premiere surface du substrat donneur, de maniere a former la zone de fragilisation, les especes gazeuses comportant de preference des atomes d'hydrogene ionise ; az) former la couche de recouvrement s'etendant sur les premiere et seconde surfaces et sur les bords lateraux du substrat donneur. Les etapes at) et az) peuvent etre interverties selon la nature de la couche de recouvrement du substrat donneur. Selon une caracteristique de l'invention, l'etape a) comporte une etape a3) consistant a appliquer un traitement de surface de la couche de recouvrement s'etendant sur le substrat 25 donneur ; l'etape a3) etant executee apres l'etape at) et avant l'etape b). Ainsi, un avantage procure est le lissage et/ou le nettoyage et/ou l'activation de la surface de la couche de recouvrement pour la preparer au collage de l'etape b). Selon une caracteristique de l'invention, l'etape e) est executee par un traitement 30 thermique. Selon une caracteristique de l'invention, le procede comporte une etape b1) consistant a appliquer un traitement thermique a l'assemblage obtenu lors de l'etape b) selon un budget thermique adapte pour renforcer l'adhesion directe sans initier la fracture du substrat donneur 35 suivant la zone de fragilisation ; l'etape b1) etant executee avant l'etape c). 6 Ainsi, un avantage procure est un renforcement de l'adhesion directe en termes d'adherence. Par « budget thermique », on entend le choix d'une valeur de temperature et d'une valeur de duree du traitement thermique. 5 L'invention a egalement pour objet un procede de transfert d'une couche utile sur un substrat support, le substrat support comprenant : - une premiere surface et une seconde surface opposee ; - des bords lateraux reliant les premiere et seconde surfaces ; 10 - une couche de recouvrement s'etendant sur les premiere et seconde surfaces et sur les bords lateraux ; le procede comportant les etapes successives : a) prevoir un substrat donneur, comprenant : - une premiere surface et une seconde surface opposee ; 15 - des bords lateraux reliant les premiere et seconde surfaces ; - une zone de fragilisation presentant un contour, la couche utile etant delimitee par la zone de fragilisation et par la premiere surface du substrat donneur ; b) assembler le substrat donneur au substrat support par une adhesion directe entre la premiere surface du substrat donneur et la couche de recouvrement s'etendant sur la premiere 20 surface du substrat support, et suivant une surface de contact presentant un contour inscrit dans le contour de la zone de fragilisation ; c) graver la couche de recouvrement s'etendant sur la seconde surface et sur les bords lateraux du substrat support ; d) graver la seconde surface et les bords lateraux du substrat donneur jusqu'a ce que le 25 contour de la zone de fragilisation coincide avec le contour de la surface de contact ; e) fracturer le substrat donneur suivant la zone de fragilisation de maniere a exposer la couche utile. Le concept inventif commun reside dans la reduction du contour de la zone de fragilisation grace aux gravures successives des etapes c) et d). Par consequent, la generation 30 de particules issues de zones exfoliees et/ou de zones transferees sans contact est fortement limitee. La reduction du contour de la zone de fragilisation est effectuee apres l'etape b) de collage de sorte que le substrat donneur (et non le substrat support) peut etre utilise comme masque de gravure. 35 7 Breve description des dessins D'autres caracteristiques et avantages apparaitront dans l'expose detaille de differents modes de realisation de l'invention, l'expose etant assorti d'exemples et de references aux dessins joints. 5 Figures la a if sont des vues schematiques en coupe illustrant un premier mode de mise en ceuvre d'un procede selon l'invention. Figures 2a a 2f sont des vues schematiques en coupe illustrant un deuxieme mode de mise en ceuvre d'un procede selon l'invention. Les figures ne sont pas representees a l'echelle pour en simplifier leur comprehension. 10 Exposé Maine des modes de realisation Les elements identiques ou assurant la meme fonction porteront les memes references pour les differents modes de realisation, par souci de simplification. 15 Un objet de l'invention est un procede de transfert d'une couche utile 1 sur un substrat support 2, comportant les etapes successives : a) prevoir un substrat donneur 3, comprenant : - une premiere surface 30 et une seconde surface 31 opposee ; - des bords lateraux 32 reliant les premiere et seconde surfaces 30, 31 ; 20 - une couche de recouvrement 4 s'etendant sur les premiere et seconde surfaces 30, 31 et sur les bords lateraux 32 ; - une zone de fragilisation ZS presentant un contour, la couche utile 1 etant delimitee par la zone de fragilisation ZS et par la premiere surface 30 du substrat donneur 3 ; b) assembler le substrat donneur 3 au substrat support 2 par une adhesion directe avec la 25 couche de recouvrement 4 s'etendant sur la premiere surface 30 du substrat donneur 3, et suivant une surface de contact SC presentant un contour inscrit dans le contour de la zone de fragilisation ZS ; c) graver la couche de recouvrement 4 s'etendant sur la seconde surface 31 et sur les bords lateraux 32 du substrat donneur 3 ; 30 d) graver la seconde surface 31 et les bords lateraux 32 du substrat donneur 3 jusqu'a ce que le contour de la zone de fragilisation ZS coincide avec le contour de la surface de contact SC ; e) fracturer le substrat donneur 3 suivant la zone de fragilisation ZS de maniere a exposer la couche utile 1. 8 L'etape a) est illustree aux figures la et 2a. L'etape b) est illustree aux figures lc et 2c. L'etape c) est illustree aux figures 1d et 2d. L'etape d) est illustree aux figures le et 2e. Enfin, l'etape e) est illustree aux figures if et 2f. 5 Substrat donneur L'etape a) peut comporter les etapes : ao) prevoir le substrat donneur 3 comprenant : - la premiere surface 30 et la seconde surface 31 opposee ; 10 - les bords lateraux 32 reliant les premiere et seconde surfaces 30, 31 ; at) implanter des especes gazeuses dans le substrat donneur 3, a travers la premiere surface 30 du substrat donneur 3, de maniere a former la zone de fragilisation ZS, les especes gazeuses comportant de preference des atomes d'hydrogene ionise ; az) former la couche de recouvrement 4 s'etendant sur les premiere et seconde surfaces 15 30, 31 et sur les bords lateraux 32 du substrat donneur 3. Le substrat donneur 3 prevu lors de l'etape a) est avantageusement realise dans un materiau semi-conducteur, de preference selectionne parmi Si, Ge, SiGe, un materiau III-V tel que GaN, GaAs, InP. La couche de recouvrement 4 s'etendant sur le substrat donneur 3 prevu lors de l'etape a) 20 peut etre realisee dans un materiau dielectrique, preferentiellement un oxyde. La couche de recouvrement 4 est preferentiellement realisee en Si02. A titre d'exemple, la couche de recouvrement 4 peut presenter une epaisseur comprise entre quelques nm et quelques microns. La couche de recouvrement 4 presente preferentiellement une epaisseur comprise entre 10 nm et 200 nm. Lorsque le substrat donneur 3 est realise en silicium, la couche de recouvrement 4 en SiO2 est preferentiellement formee lors de l'etape az) par oxydation thermique. L'oxydation thermique peut etre humide (i.e. en presence de vapeur d'eau) ou seche (i.e. en presence de dioxygene). Le gaz oxydant peut egalement comporter un gaz additionnel selectionne parmi N2, Ar, HC1. Toutefois, la couche de recouvrement 4 peut etre formee lors de l'etape az) par d'autres techniques telles que l'oxydation radicalaire, l'oxydation par plasma ou encore le depot chimique en phase vapeur (CVD pour « Chemical Vapor Doosition» en langue anglaise). La couche de recouvrement 4 s'etendant sur la premiere surface 30 du substrat donneur 3 assure la fonction d'oxyde enterre (BOX pour « Bum. ed OXide» en langue anglaise) dans le cas de la fabrication d'un substrat de type SOI. 9 A titre de variante, la couche de recouvrement 4 s'etendant sur le substrat donneur 3 prevu lors de l'etape a) peut etre realisee dans un materiau metallique, preferentiellement selectionne parmi Cu, Ti, W, Ni, Ag. Substrat support 5 Le substrat support 2 comprend : - une premiere surface 20 et une seconde surface 21 opposee ; - des bords lateraux 22 reliant les premiere et seconde surfaces 20, 21. Le substrat support 2 peut comporter une couche de recouvrement 5 s'etendant sur les premiere et seconde surfaces 20, 21 et sur les bords lateraux 22. La couche de recouvrement 5 10 du substrat support 2 peut etre realisee dans un materiau dielectrique, preferentiellement un oxyde. La couche de recouvrement 5 du substrat support 2 peut etre realisee dans un materiau metallique, de preference selectionne parmi Cu, Ti, W, Ni, Ag. Selon un mode de mise en ceuvre, la couche de recouvrement 5 du substrat support 2 et la couche de recouvrement 4 du substrat donneur 3 sont realisees dans un meme materiau. La 15 couche de recouvrement 5 du substrat support 2 presente alors avantageusement une epaisseur strictement superieure a l'epaisseur de la couche de recouvrement 4 du substrat donneur 3. Selon une variante de mise en ceuvre, la couche de recouvrement 5 du substrat support 2 et la couche de recouvrement 4 du substrat donneur 3 sont realisees dans des materiaux 20 differents, et de preference possedant des vitesses de gravure tres differentes (un facteur d'au moins 5, preferentiellement d'au moins 10, plus preferentiellement d'au moins 20). Par ailleurs, la couche de recouvrement 5 du substrat support 2 et le substrat donneur 3 sont avantageusement realises dans des materiaux differents, et de preference possedant des vitesses de gravure tres differentes (un facteur d'au moins 5, preferentiellement d'au moins 25 10, plus preferentiellement d'au moins 20). Etape al) d'implantation L'etape at) est illustree aux figures lb et 2b. Les especes gazeuses implantees lors de l'etape at) comportent preferentiellement des atomes d'hydrogene ionise et/ou des atomes d'helium ionise. 30 Il est egalement possible d'effectuer une co-implantation avec d'autres especes gazeuses ou encore d'effectuer une multi-implantation des memes especes gazeuses. Les etapes at) et a2) peuvent etre interverties selon la nature de la couche de recouvrement 4 du substrat donneur 3. 10 Lorsque la couche de recouvrement 4 du substrat donneur 3 est realisee dans un materiau dielectrique, l'etape a2) peut etre executee avant l'etape al). Dans ce cas, l'etape at) est executee en implantant les especes gazeuses dans le substrat donneur 3, a travers la couche de recouvrement 4 s'etendant sur la premiere surface 30 du substrat donneur 3. 5 Lorsque la couche de recouvrement 4 du substrat donneur 3 est realisee dans un materiau metallique, l'etape at) est executee avant l'etape a2). Dans ce cas, l'etape at) est executee en implantant les especes gazeuses dans le substrat donneur 3, a travers la premiere surface 30 du substrat donneur 3, la premiere surface 30 du substrat donneur 3 pouvant etre revetue par exemple d'une couche d'oxyde. La couche d'oxyde est alors retiree avant l'execution de 10 l'etape a2). Etape b) de collage Lorsque le substrat support 2 comporte la couche de recouvrement 5, l'etape b) est executee de sorte que l'adhesion directe s'opere entre la couche de recouvrement 4 s'etendant sur la premiere surface 30 du substrat donneur 3 et la couche de recouvrement 5 s'etendant 15 sur la premiere surface 20 du substrat support 2. A titre d'exemple non limitatif, l'etape b) peut etre executee sous vide pousse tel qu'un vide secondaire inferieur a 10' mbar. Lorsque la couche de recouvrement 4 du substrat donneur 3 et la couche de recouvrement 5 du substrat support 2 sont realisees dans un materiau metallique, le collage 20 execute lors de l'etape b) peut etre un collage assiste par thermocompression. Le budget thermique de l'etape b) est adapte pour ne pas initier la fracture du substrat donneur 3 suivant la zone de fragilisation ZS. Etape c) de gravure L'etape c) peut etre executee en voie humide ou en voie seche. Avantageusement, 25 l'etape c) est executee : - par gravure isotrope en voie humide (e.g. acide fluorhydrique HF, oxyde gravant tamponne BOE pour « Buffered Oxide Etching» en langue anglaise), - par gravure peu anisotrope en voie seche (e.g. plasma reactif basse pression, attaque chimique gazeuse). 30 A titre d'exemples non limitatifs, lorsque la couche de recouvrement 4 du substrat donneur 3 est realisee en Si02, l'etape c) peut etre executee par un plasma avec un gaz reactif choisi parmi CHF3, SiC14, un melange de CF4 et de H2, un melange de CF4 et de 02. A titre d'exemple, lorsque la couche de recouvrement 4 du substrat donneur 3 est realisee en cuivre, l'etape c) peut etre executee a l'aide d'une solution HNO3 : H202 : H20. A titre 11 d'exemple, lorsque la couche de recouvrement 4 du substrat donneur 3 est realisee en tungstene, l'etape c) peut etre executee a l'aide d'une solution HF : HNO3. A titre d'exemple, lorsque la couche de recouvrement 4 du substrat donneur 3 est realisee en titane, l'etape c) peut etre executee a l'aide d'une solution H2O : HF : H202. A titre d'exemple, lorsque la 5 couche de recouvrement 4 du substrat donneur 3 est realisee en argent, l'etape c) peut etre executee a l'aide d'une solution NH4OH, H202. Lorsque la couche de recouvrement 5 du substrat support 2 et la couche de recouvrement 4 du substrat donneur 3 sont realisees dans un meme materiau, et lorsque la couche de recouvrement 5 du substrat support 2 presente une epaisseur strictement 10 superieure a l'epaisseur de la couche de recouvrement 4 du substrat donneur 3, l'etape c) est avantageusement executee de maniere a conserver une partie 5a de la couche de recouvrement 5 s'etendant sur la seconde surface 21 et sur les bords lateraux 22 du substrat support 2. Le temps de gravure de l'etape c) sera choisi a cet effet. Lorsque la couche de recouvrement 5 du substrat support 2 et la couche de 15 recouvrement 4 du substrat donneur 3 sont realises dans des materiaux differents, l'etape c) est avantageusement executee par une gravure selective de la couche de recouvrement 4 du substrat donneur 3 par rapport a la couche de recouvrement 5 du substrat support 2. Etape d) de gravure L'etape d) peut etre executee en voie humide ou en voie seche. Avantageusement, 20 l'etape d) est executee : - par gravure isotrope en voie humide (e.g. hydroxyde de tetramethylammonium TMAH, une solution d'acide nitrique et d'acide fluorhydrique HF), - par gravure peu anisotrope en voie seche (e.g. plasma reactif basse pression avec le tetrafluorure de carbone CF4 comme gaz reactif). 25 A titre d'exemples non limitatifs, lorsque le substrat donneur 3 est realise en silicium, l'etape d) peut etre executee par un plasma avec un gaz reactif choisi parmi SF6, HF, CFC13, un melange de CF4 et de 02. A titre d'exemples non limitatifs, lorsque le substrat donneur 3 est realise en germanium, l'etape d) peut etre executee a l'aide d'une solution SC1 (melange de NH4OH et de H202) ou 30 d'une solution SC2 (melange de HC1 et de H202). A titre d'exemples non limitatifs, lorsque le substrat donneur 3 est realise en Sii_xGex, l'etape d) peut etre executee a l'aide : - d'une solution de TMAH lorsque x 50%, 12 - d'une solution SC1 lorsque 30% REVENDICATIONS1. Procede de transfert d'une couche utile (1) sur un substrat support (2), comportant les etapes successives : a) prevoir un substrat donneur (3), comprenant : - une premiere surface (30) et une seconde surface (31) opposee ; - des bords lateraux (32) reliant les premiere et seconde surfaces (30, 31) ; - une couche de recouvrement (4) s'etendant sur les premiere et seconde surfaces (30, 31) et sur les bords lateraux (32) ; - une zone de fragilisation (ZS) presentant un contour, la couche utile (1) etant delimitee par la zone de fragilisation (ZS) et par la premiere surface (30) du substrat donneur (3) ; b) assembler le substrat donneur (3) au substrat support (2) par une adhesion directe avec la couche de recouvrement (4) s'etendant sur la premiere surface (30) du substrat donneur (3), et suivant une surface de contact (SC) presentant un contour inscrit dans le contour de la 15 zone de fragilisation (ZS) ; c) graver la couche de recouvrement (4) s'etendant sur la seconde surface (31) et sur les bords lateraux (32) du substrat donneur (3) ; d) graver la seconde surface (31) et les bords lateraux (32) du substrat donneur (3) jusqu'a ce que le contour de la zone de fragilisation (ZS) coincide avec le contour de la surface de 20 contact (SC) ; e) fracturer le substrat donneur (3) suivant la zone de fragilisation (ZS) de maniere a exposer la couche utile (1). 2. Procede selon la revendication 1, dans lequel le substrat support (2) comprend : 25 - une premiere surface (20) et une seconde surface (21) opposee ; - des bords lateraux (22) reliant les premiere et seconde surfaces (20, 21) ; - une couche de recouvrement (5) s'etendant sur les premiere et seconde surfaces (20, 21) et sur les bords lateraux (22) ; et dans lequel l'etape b) est executee de sorte que l'adhesion directe s'opere entre la 30 couche de recouvrement (4) s'etendant sur la premiere surface (30) du substrat donneur (3) et la couche de recouvrement (5) s'etendant sur la premiere surface (20) du substrat support (2). 3. Procede selon la revendication 2, dans lequel la couche de recouvrement (5) du substrat support (2) et la couche de recouvrement (4) du substrat donneur (3) sont realisees dans un 35 meme materiau ; 19 dans lequel la couche de recouvrement (5) du substrat support (2) presente une epaisseur strictement superieure a l'epaisseur de la couche de recouvrement (4) du substrat donneur (3) ; dans lequel l'etape c) est executee de maniere a conserver une partie (5a) de la couche de 5 recouvrement (5) s'etendant sur la seconde surface (21) et sur les bords lateraux (22) du substrat support (2). 4. Procede selon la revendication 2, dans lequel la couche de recouvrement (5) du substrat support (2) et la couche de recouvrement (4) du substrat donneur (3) sont realisees dans des 10 materiaux differents ; et dans lequel l'etape c) est executee par une gravure selective de la couche de recouvrement (4) du substrat donneur (3) par rapport a la couche de recouvrement (5) du substrat support (2). 5. Procede selon l'une des revendications 2 a 4, dans lequel le substrat donneur (3) et la couche de recouvrement (5) du substrat support (2) sont realises dans des materiaux differents ; et dans lequel l'etape d) est executee par une gravure selective du substrat donneur (3) par rapport a la couche de recouvrement (5) du substrat support (2). 6. Procede selon l'une des revendications 1 a 5, dans lequel l'etape c) et l'etape d) sont executees en voie humide ou en voie seche. 7. Procede selon l'une des revendications 1 a 6, dans lequel le substrat donneur (3) prevu 25 Tors de l'etape a) est realise dans un materiau semi-conducteur, de preference selectionne parmi Si, Ge, SiGe, un materiau III-V tel que GaN, GaAs, InP. 8. Procede selon l'une des revendications 1 a 7, dans lequel la couche de recouvrement (4) s'etendant sur le substrat donneur (3) prevu Tors de l'etape a) est realisee dans un materiau 30 dielectrique, de preference Si02., ou dans un materiau metallique, de preference selectionne parmi Cu, Ti, W, Ni, Ag. 9. Procede selon l'une des revendications 1 a 8, dans lequel l'etape a) comporte les etapes : ao) prevoir le substrat donneur (3) comprenant : 35 - la premiere surface (30) et la seconde surface (31) opposee ; 20 - les bords lateraux (32) reliant les premiere et seconde surfaces (30, 31) ; at) implanter des especes gazeuses dans le substrat donneur (3), a travers la premiere surface (30) du substrat donneur (3), de maniere a former la zone de fragilisation (ZS), les especes gazeuses comportant de preference des atomes d'hydrogene ionise ; 5 az) former la couche de recouvrement (4) s'etendant sur les premiere et seconde surfaces (30, 31) et sur les bords lateraux (32) du substrat donneur (3). 10. Procede selon la revendication 9, dans lequel l'etape a) comporte une etape a3) consistant a appliquer un traitement de surface de la couche de recouvrement (4) s'etendant 10 sur le substrat donneur (3) ; l'etape a3) etant executee apres l'etape al) et avant l'etape b). 11. Procede selon l'une des revendications 1 a 10, dans lequel l'etape e) est executee par un traitement thermique. 15 12. Procede selon l'une des revendications 1 a 11, comportant une etape bi) consistant a appliquer un traitement thermique a l'assemblage obtenu lors de l'etape b) selon un budget thermique adapte pour renforcer l'adhesion directe sans initier la fracture du substrat donneur (3) suivant la zone de fragilisation (ZS) ; l'etape b1) etant executee avant l'etape c). 20 13. Procede de transfert d'une couche utile (1) sur un substrat support (2), le substrat support (2) comprenant : - une premiere surface (20) et une seconde surface (21) opposee ; - des bords lateraux (22) reliant les premiere et seconde surfaces (20, 21) ; - une couche de recouvrement (5) s'etendant sur les premiere et seconde surfaces (20, 21) 25 et sur les bords lateraux (22) ; le procede comportant les etapes successives : a) prevoir un substrat donneur (3), comprenant : - une premiere surface (30) et une seconde surface (31) opposee ; - des bords lateraux (32) reliant les premiere et seconde surfaces (30, 31) ; 30 - une zone de fragilisation (ZS) presentant un contour, la couche utile (1) etant delimitee par la zone de fragilisation (ZS) et par la premiere surface (30) du substrat donneur (3) ; b) assembler le substrat donneur (3) au substrat support (2) par une adhesion directe entre la premiere surface (30) du substrat donneur (3) et la couche de recouvrement (5) s'etendant sur la premiere surface (20) du substrat support (2), et suivant une surface de contact (SC) 35 presentant un contour inscrit dans le contour de la zone de fragilisation (ZS) ; 21 c) graver la couche de recouvrement (5) s'etendant sur la seconde surface (21) et sur les bords lateraux (22) du substrat support (2) ; d) graver la seconde surface (31) et les bords lateraux (32) du substrat donneur (3) jusqu'a ce que le contour de la zone de fragilisation (ZS) coincide avec le contour de la surface de 5 contact (SC) ; e) fracturer le substrat donneur (3) suivant la zone de fragilisation (ZS) de maniere a exposer la couche utile (1).