FR 3075989 A1 20190628 FR 1701354 A 20171221 I Dispositif optoélectronique à guide d'onde semi conducteur enterré amélioré et procédé associé DOMAINE DE L'INVENTION L'invention concerne le domaine des dispositifs optoélectroniques actifs à ruban enterré comprenant une zone active en semi conducteur III-V. Ce type de composant, qui peut être un laser, un amplificateur, un modulateur ou un détecteur, est par exemple utilisé dans le domaine des télécommunications, plus particulièrement sur substrat InP. ETAT DE LA TECHNIQUE Les dispositifs optoélectroniques à guide semi conducteur enterré (« semiconductor buried waveguide ») sont massivement utilisés dans le domaine des télécommunications. Ils présentent facilement des modes circulaires (« circular mode » en anglais ), le mode pouvant présenter une dimension suffisamment grande pour pouvoir être couplé à une fibre optique via un convertisseur de mode (« spot converter » en anglais), ils sont robustes et présentent une bonne dissipation thermique. Cependant leur fabrication nécessite un procédé à haute température (>600 °C) dans de coûteux réacteurs de type MOVPE (MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy). Cette méthode d'épitaxie est capable de réaliser une diffusion de dopants dans un matériau mais n'est pas compatible d'un substrat InP collé sur un substrat Silicium. Il existe trois principales méthodes pour réaliser des guides actifs enterrés dans un substrat InP, le dispositif final obtenu par chacune des ces méthodes étant illustré figures 1 à 3. La figure 1 illustre la technologie dite BRS ( Buried Ridge Structure en anglais). 2 A partir d'un empilement comprenant la couche active AL (qui peut être faite de plusieurs sous-couches), des couches supérieures 12 (confinement et injection), typiquement dopées p, des couches inférieures (confinement et injection) 11, typiquement dopées n, déposé sur un substrat Sub en InP, 5 typiquement dopé n. On commence par graver le ruban 13 comprenant la couche active entourée des couches supérieures et d'au moins certaines couches inférieures. Puis une reprise d'épitaxie réalise une couche d'InP dopé p 14 dans un bâti de MOVPE (typiquement en utilisant le Zinc Zn comme dopant p) à une 10 température supérieure à 600°C en utilisant des gaz toxiques et explosifs. Cette couche 14 permet d'éloigner le contact et les couches de contact (qui sont absorbantes) du guide optique. La couche 12 participe à ce rôle et conceptuellement peut être comprise dans 14, mais au niveau du procédé on a toujours une couche 12 dans la structure de base, avant la reprise 15 d'épitaxie. Comme la jonction active n'est pas définie latéralement, on réalise ensuite une étape d'implantation de protons (« proton implantation » en anglais) sur les côtés (en masquant la zone 14 et le ruban 13), afin de localiser l'injection 20 de porteurs en neutralisant les dopants dans la zone 15. Cette étape technologique est également très lourde. On réalise la couche de contact CL également par épitaxie en même temps que la couche 14, pour obtenir une faible résistance de contact avec une couche métallique ML (servant à connecter le composant au monde 25 extérieur). Sous fort courant il existe avec cette technologie un courant de fuite dans la jonction p-InP / n-InP qui limite la puissance maximum des lasers et des amplificateurs. A cause de la haute température de l'étape d'épitaxie MOVPE et de la valeur élevée du coefficient de diffusion du Zinc, une diffusion non 30 souhaitée des dopants peut avoir lieu pendant cette étape. Cela devient particulièrement critique quand une valeur précise du dopage est recherchée dans la structure. Un autre problème important est les pertes dans la couche p :InP. Pour des profils de dopage classiques, ces pertes d'élèvent à 80-100 dB/cm. En conséquence, même avec un confinement modéré de la lumière 3 dans les couches dopées P (par exemple 10%), 8 à 10 dB/cm de pertes vont être introduites par les couches faites lors de la reprise d'épitaxie. Pour éviter le courant de fuite, la technologie PNBH (P-N Buried 5 Heterostructure en anglais) a été développée, illustrée figure 2. On utilise ici une alternance de couches P et N lors de la reprise d'épitaxie afin de limiter l'injection dans le ruban actif (sur les côtés on a une diode P-N polarisée en inverse qui bloque donc le courant). Cette méthode supprime l'étape d'implantation de protons, qui est remplacée 10 par plusieurs étapes d'épitaxie, rendant cette méthode complexe. Et les pertes dues aux couches P-InP/Zn:InP subsistent. L'amélioration la plus récente est la technologie SIBH (Semi-Insulating Buried Heterostructure en anglais) illustrée figure 3. Une fois le ruban gravé, on réalise une épitaxie sélective d'une couche semi-isolante 31 en gardant le 15 masque utilisé pour la gravure du ruban, puis optionnellement une deuxième épitaxie d'InP dopé p après retrait du masque de gravure. Ce procédé est complexe, réalisé à haute température (>600 °C) et requiert un contrôle très précis des couches que l'on fait croître. 20 Un but de la présente invention est de remédier aux inconvénients précités en proposant un dispositif optoélectronique actif à ruban enterré réalisé à partir d'un procédé n'utilisant pas d'étape de MOVPE à haute température ni d'implantation protonique. On diminue ainsi les coûts de fabrication, le dispositif obtenu présente moins de pertes et le procédé devient compatible 25 d'un collage sur un substrat Silicium. DESCRIPTION DE L'INVENTION 30 La présente invention a pour objet un dispositif optoélectronique à guide d'onde comprenant un empilement de couches sur un premier substrat, l'empilement comprenant une couche active disposée entre au moins une couche de confinement inférieure et une couche de confinement supérieure, lesdites couches et ledit premier substrat étant réalisés en matériaux III-V, 4 une partie de l'empilement comprenant au moins la couche active et la couche de confinement supérieure présentant une forme de ruban présentant des parois, une partie du ruban, comprenant au moins partiellement la couche active, 5 étant enterrée dans une couche de silicium amorphe présentant un indice supérieur ou égal à 2.8, une couche de passivation recouvrant les parois de la partie enterrée du ruban, le ruban enterré constituant un guide actif configuré pour propager une onde lumineuse dans la couche active dudit ruban. 10 Selon un mode de réalisation le premier substrat est disposé sur un deuxième substrat en silicium via une couche d'interface. Selon un mode de réalisation la couche de passivation s'étend également sur le premier substrat, entre celui-ci et la couche de silicium amorphe. 15 Selon un mode de réalisation le premier substrat est en InP et la couche active est réalisée à partir d'alliages ternaires ou quaternaires d'Indium. Préférentiellement l'épaisseur de la couche de silicium amorphe est comprise entre 100 nm et la hauteur du ruban. Préférentiellement la couche de passivation présente une épaisseur 20 comprise entre quelques dixièmes de nm et quelques dizaines de nm. Selon une première variante la couche de silicium amorphe, dans laquelle est enterrée au moins une partie du ruban, se prolonge au-delà d'au moins une extrémité du ruban, et de manière à constituer un coeur d'un guide 25 passif, la couche active à ladite extrémité du ruban étant couplée audit coeur du guide passif. Optionnellement le guide passif comprend en outre une première couche diélectrique présentant un indice inférieur à l'indice de la couche de silicium amorphe et configurée pour confiner l'onde lumineuse, issue de ou se 30 dirigeant vers la zone active, dans la couche de silicium amorphe constituant ledit coeur. Préférentiellement ladite extrémité du ruban présente une forme de pointe de manière à réaliser ledit couplage. 5 Selon une deuxième variante l'indice de la couche de silicium amorphe et la largeur du ruban sont déterminés de manière à sensiblement égaliser un coefficient de confinement de l'onde lumineuse respectivement d'un mode TE et d'un mode TM pour une longueur d'onde de fonctionnement. 5 Préférentiellement la couche de silicium amorphe présente une épaisseur telle que l'enterrement du ruban dans ladite couche de silicium amorphe atteigne au moins 70% de ladite couche active, une partie supérieure du ruban étant en outre enterrée dans une deuxième couche diélectrique disposée au dessus de la couche de silicium amorphe. 10 Selon un mode de réalisation l'indice de la deuxième couche diélectrique est inférieur à l'indice de la couche de confinement supérieure. Selon un autre aspect l'invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif optoélectronique à partir d'un empilement de couches disposé sur 15 un premier substrat de manière à réaliser un ruban, l'empilement comprenant au moins une couche active disposée entre au moins une couche de confinement inférieure et une couche de confinement supérieure, lesdites couches et ledit premier substrat étant réalisés en matériaux III-V comprenant les étapes consistant à: 20 -graver au moins une partie de l'empilement comprenant la couche de confinement supérieure et au moins partiellement la couche active de manière à former un ruban, -déposer une couche de passivation, la couche de passivation recouvrant les parois du ruban, 25 -déposer une couche de silicium amorphe présentant un indice supérieur ou égal à 2.8, de sorte que le ruban soit enterré au moins jusqu'à la couche active dans ladite couche de silicium amorphe, -réaliser une gravure sélective de la couche de passivation et de la couche de silicium amorphe de manière à dégager une partie supérieure du ruban, 30 -déposer une couche de contact sur la partie supérieure du ruban, le ruban enterré constituant un guide actif configuré pour propager une onde lumineuse dans la couche active du ruban. Préférentiellement l'étape de dépôt de la couche de silicium amorphe 35 s'effectue par une technologie basse température. 6 Selon une première variante le ruban est gravé de sorte qu'il présente au moins une extrémité en forme de pointe, la couche de silicium amorphe (aSiL), et préférentiellement la couche de passivation, étant également 5 déposées dans une zone située dans le prolongement de ladite extrémité. Le procédé comprend en outre, préférentiellement avant l'étape de gravure sélective : -une étape de gravure de ladite couche de silicium amorphe dans la dite zone, de manière à constituer un coeur d'un guide passif, ladite extrémité du 10 ruban réalisant le couplage entre ladite couche active et ledit coeur, -une étape de dépôt d'une première couche diélectrique présentant un indice inférieur à l'indice de couche de silicium amorphe et configurée pour confiner l'onde lumineuse, issue de ou se dirigeant vers la couche active, dans la couche de silicium amorphe constituant ledit coeur, 15 -l'étape de gravure sélective pour dégager la partie supérieure du ruban incluant la gravure sélective de la première couche diélectrique. Selon une deuxième variante l'indice de la couche de silicium amorphe est déterminé, en combinaison avec la largeur du ruban, de manière à 20 sensiblement égaliser un coefficient de confinement de l'onde lumineuse respectivement d'un mode TE et d'un mode TM, pour une longueur d'onde de fonctionnement. Préférentiellement, lors de l'étape de dépôt de la couche de silicium amorphe, une épaisseur de ladite couche de silicium amorphe est 25 déterminée de manière à enterrer le ruban au moins jusqu'à 70% de la hauteur de la couche active, ledit procédé comprenant en outre une étape de dépôt d'une deuxième couche diélectrique sur ladite couche de silicium amorphe, l'étape de gravure sélective incluant la gravure sélective de la deuxième couche diélectrique. 30 Selon un mode de réalisation l'étape de gravure du ruban consiste à graver l'empilement jusqu'au bas de la couche active. 7 D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui va suivre et en regard des dessins annexés donnés à titre d'exemples non limitatifs et sur lesquels : 5 La figure 1, déjà citée, décrit la technologie de réalisation d'un guide actif enterré de type BRS selon l'état de l'art. La figure 2, déjà citée décrit la technologie de réalisation d'un guide actif enterré de type PNBH selon l'état de l'art. La figure 3, déjà citée décrit la technologie de réalisation d'un guide actif 10 enterré de type SIBH selon l'état de l'art. La figure 4 décrit un dispositif actif à guide d'onde enterré selon l'invention. La figure 5a illustre la variation de l'indice de réfraction du silicium amorphe en fonction du ratio de gaz CH4/SiR4 utilisé lors du dépôt. La figure 5b illustre la variation de l'indice de réfraction du silicium amorphe 15 en fonction du ratio de gaz N2/SiH4 utilisé lors du dépôt. La figure 6 illustre la variation de l'indice effectif d'un guide selon l'invention en fonction de la largeur du ruban, pour les modes TE et TM d'ordre 1 et pour le premier mode d'ordre2, pour un dispositif réalisé avec la technologie BRS et un dispositif selon l'invention. 20 La figure 7 décrit un mode de réalisation du dispositif selon l'invention pour lequel on colle le substrat initial Subi sur un substrat Sub2 en silicium. La figure 8 illustre une première variante du dispositif selon l'invention, dans lequel le guide actif est couplé à un guide passif dont le coeur est réalisé avec la couche de silicium amorphe qui enterre le ruban. 25 La figure 9 illustre le dimensionnement d'un guide passif selon la première variante. La figure 10 illustre l'évolution du coefficient de confinement CTE du mode TE et CTm du mode TM en fonction de l'indice nsi de la couche aSiL, pour une largueur de ruban de 1.7 pm. 30 La figure 11 illustre l'évolution du coefficient de confinement CTE du mode TE et CTm du mode TM en fonction de la largeur wR du ruban, pour un indice nsi de 3.42. La figure 12 décrit un dispositif selon la deuxième variante de l'invention. La figure 13 illustre un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique 35 selon l'invention. 8 La figue 14 illustre les différentes étapes du procédé selon l'invention. L'empilement de départ est illustré figure 14a, la première étape figure 14b, la deuxième étape figure 14c la troisième étape figure 14d et la quatrième étape figure 14e. 5 La figure 15 illustre une première variante du procédé selon l'invention. La figure 16 illustre différentes étapes de la deuxième variante du procédé. La figure 16-1 illustre le ruban en forme de pointe, la figure 16-2 illustre le ruban recouvert de la couche de silicium amorphe, la figure 16-3 illustre la partie guide passif qui prolonge l'extrémité du ruban après le dépôt de la 10 couche de silicium amorphe, et la figure 16-4 illustre la partie guide passif après le dépôt de la première couche diélectrique. La figure 17 illustre une deuxième variante du procédé selon l'invention. La figure 18 illustre le ruban enterré après l'étape de dépôt de la couche de silicium amorphe dont l'épaisseur atteint au moins 70% de la hauteur de la 15 couche active. La figure 19 montre le ruban enterré après le dépôt d'une deuxième couche diélectrique. 20 DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION L'invention concerne un dispositif optoélectronique 10 actif à guide d'onde, comprenant une couche active en matériau semi conducteur, souvent constituée de plusieurs sous couches, susceptible d'interagir avec des 25 photons. Il peut s'agir d'un laser, d'un amplificateur, d'un modulateur, d'un détecteur... Le dispositif est du type guide d'onde enterré, « buried waveguide» en anglais. Le dispositif 10 selon l'invention est illustré figure 4 et comprend un empilement de couches sur un premier substrat Subi, l'empilement 30 comprenant une couche active AL disposée entre au moins une couche de confinement inférieure Confl et une couche de confinement supérieure ConfS. La couche active AL, les couches de confinement Confl ConfS et le premier substrat Subi sont réalisés en matériaux III-V. 9 Préférentiellement le premier substrat Subi est en InP et la couche active AL est réalisée à partir d'alliages ternaires ou quaternaires d'Indium: par exemple InGaAsP ou InAlAs ou InGaAlAs. Les couches de confinement sont également à base de ces alliages, avec 5 une composition un peu différente pour avoir un « gap » de plus grande énergie. La couche AL est typiquement composée de plusieurs sous couches. Par exemple pour un laser : Couche active : 4 puits en InGaAsP de 6 nm (énergie de gap 0.8 eV) séparé 10 par des barrières en InGaAsP de 8 nm (énergie de gap 1.05 eV). Couches de confinement inférieur : 1 pm d'InP, 60 nm du même matériau que la barrière. Couches confinement supérieur : 20 nm de même matériau que la barrière, 2 pm d'InP. 15 La ou les couches de confinement Inférieur Confl et Supérieur ConfS réalisent l'injection des porteurs dans la couche active et le confinement optique vertical de l'onde, selon y, dans la couche active. Ils sont à base de matériaux III-V accordés en maille sur le substrat. Pour réaliser la fonction guidante, une partie de l'empilement, comprenant au 20 moins la couche active AL et la couche de confinement supérieure ConfS présente une forme de ruban 20. La profondeur de gravure du ruban dans l'empilement dépend de l'application. Le ruban comprend au moins ConfS et la couche active AL. Il 25 peut comprendre toute(s) la/les couche(s) Confl ou seulement une partie, ou alors s'arrêter à la couche active, la/les couche(s) Confl étant alors localisée(s) sous le ruban, entre celui-ci et le substrat. Pour simplifier nous dénommerons, couche de confinement inférieur et couche de confinement supérieur au singulier la ou les couches réalisant 30 cette fonction, et de même pour la couche active. Préférentiellement le premier substrat Subi est en InP, et la couche active AL est réalisée à partir d'alliages ternaires ou quaternaires d'Indium. Le dispositif 10 est de type enterré, c'est-à-dire qu'une partie 30 du ruban 20 35 comprenant au moins partiellement la couche active AL est enterrée dans 10 une couche, réalisant le confinement latéral du mode. La couche dans laquelle le ruban est partiellement enterré est du silicium amorphe aSiL présentant un indice nsi supérieur ou égal à 2.8. Pour avoir un guidage latéral, cet indice doit être inférieur à l'indice de la zone active (l'indice de la 5 zone active est d'environ 3.5.) mais relativement proche pour avoir une faible différence d'indice latéral et ainsi bénéficier des avantages des guides enterrés InP classiques (mode à peu près circulaire, ruban relativement large,...). 10 Il convient d'interpréter silicium amorphe au sens large, en considérant tout matériau de forme a-SiCx avec 0 REVENDICATIONS1.Dispositif optoélectronique (10) à guide d'onde comprenant un empilement de couches sur un premier substrat (Subi), l'empilement comprenant une couche active (AL) disposée entre au moins une couche de confinement inférieure (Confl) et une couche de confinement supérieure (ConfS), lesdites couches et ledit premier substrat (Subi) étant réalisés en matériaux III-V, une partie de l'empilement comprenant au moins la couche active (AL) et la couche de confinement supérieure présentant une forme de ruban (20) présentant des parois, une partie (30) du ruban (20), comprenant au moins partiellement la couche active (AL), étant enterrée dans une couche de silicium amorphe (aSiL) présentant un indice (nsi) supérieur ou égal à 2.8, une couche de passivation (PL) recouvrant les parois de la partie enterrée du ruban, le ruban (20) enterré constituant un guide actif (AW) configuré pour propager 15 une onde lumineuse dans la couche active (AL) dudit ruban (20). 2. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1 dans lequel le premier substrat est disposé sur un deuxième substrat (Sub2) en silicium via une couche d'interface (BL). 20 3. Dispositif optoélectronique selon l'une des revendications précédentes dans lequel la couche de passivation (PL) s'étend également sur le premier substrat (Subi), entre celui-ci et la couche de silicium amorphe. 25 4. Dispositif selon l'une des revendications précédentes dans lequel le premier substrat (Subi) est en InP et la couche active (AL) est réalisée à partir d'alliages ternaires ou quaternaires d'Indium. 5. Dispositif selon l'une des revendications précédentes dans lequel 30 l'épaisseur (tsi) de la couche de silicium amorphe (aSiL) est comprise entre 100 nm et la hauteur du ruban. 21 6. Dispositif selon l'une des revendications précédentes dans lequel la couche de passivation (PL) présente une épaisseur comprise entre quelques dixièmes de nm et quelques dizaines de nm. 5 7. Dispositif selon l'une des revendications précédentes dans lequel la couche de silicium amorphe (aSiL), dans laquelle est enterrée au moins une partie (30) du ruban (20), se prolonge au-delà d'au moins une extrémité (40) du ruban, et de manière à constituer un coeur (aSi-Co) d'un guide passif (PW), la couche active à ladite extrémité du ruban étant couplée audit coeur 10 du guide passif (PW), ledit guide passif comprenant en outre une première couche diélectrique (DL1) présentant un indice (n1) inférieur à l'indice (n51) de la couche de silicium amorphe (aSiL) et configurée pour confiner l'onde lumineuse, issue de ou se dirigeant vers la zone active, dans la couche de silicium amorphe constituant ledit coeur (aSi-Co). 8. Dispositif selon la revendication 7 dans lequel ladite extrémité (40) du ruban présente une forme de pointe de manière à réaliser ledit couplage. 9. Dispositif selon l'une des revendications1 à 6 dans lequel l'indice (nsi) de la couche de silicium amorphe (aSiL) et la largeur (wR) du ruban (20) sont déterminés de manière à sensiblement égaliser un coefficient de confinement de l'onde lumineuse respectivement d'un mode TE (CTE) et d'un mode TM (CTM) pour une longueur d'onde de fonctionnement (À0). 10. Dispositif selon la revendication 9 dans lequel la couche de silicium amorphe (aSiL) présente une épaisseur (tsi) telle que l'enterrement du ruban (20) dans ladite couche de silicium amorphe atteigne au moins 70% de ladite couche active (AL), une partie supérieure du ruban étant en outre enterrée dans une deuxième couche diélectrique (DL2) disposée au dessus de la couche de silicium amorphe (aSiL). 11. Dispositif selon la revendication 10 dans lequel l'indice (n2) de la deuxième couche diélectrique (DL2) est inférieur à l'indice de la couche de 35 confinement supérieure. 22 12. Procédé (50) de réalisation d'un dispositif optoélectronique (10) à partir d'un empilement de couches disposé sur un premier substrat (Subi) de manière à réaliser un ruban, l'empilement comprenant au moins une couche 5 active (AL) disposée entre au moins une couche de confinement inférieure (Confl) et une couche de confinement supérieure (ConfS), lesdites couches et ledit premier substrat (Subi) étant réalisées en matériaux III-V comprenant les étapes consistant à: -graver (100) au moins une partie de l'empilement comprenant la couche de 10 confinement supérieure et au moins partiellement la couche active de manière à former un ruban (20), -déposer (200) une couche de passivation (PL), la couche de passivation recouvrant les parois du ruban, -déposer (300) une couche de silicium amorphe (aSiL) présentant un indice 15 supérieur ou égal à 2.8, de sorte que le ruban soit enterré au moins jusqu'à la couche active (AL) dans ladite couche de silicium amorphe (aSiL), -réaliser une gravure sélective (400) de la couche de passivation et de la couche de silicium amorphe (aSiL) de manière à dégager une partie supérieure du ruban, 20 -déposer (500) une couche de contact (CL) sur la partie supérieure du ruban, le ruban enterré constituant un guide actif (AVV) configuré pour propager une onde lumineuse dans la couche active du ruban. 13. Procédé selon la revendication 12 dans lequel l'étape de dépôt (300) de 25 la couche de silicium amorphe (aSiL) s'effectue par une technologie basse température. 14. Procédé selon l'une des revendications 12 ou 13 dans lequel le ruban est gravé de sorte qu'il présente au moins une extrémité (40) en forme de pointe, 30 dans lequel la couche de silicium amorphe (aSiL), et préférentiellement la couche de passivation, sont également déposées dans une zone située dans le prolongement de ladite extrémité, le procédé comprenant en outre, préférentiellement avant l'étape de gravure sélective (400) : 23 -une étape (350) de gravure de ladite couche de silicium amorphe (aSiL) dans la dite zone, de manière à constituer un coeur (aSi-Co) d'un guide passif (PW), ladite extrémité (40) du ruban réalisant le couplage entre ladite couche active et ledit coeur, 5 -une étape (360) de dépôt d'une première couche diélectrique (DL1) présentant un indice (n1) inférieur à l'indice de couche de silicium amorphe (nsi) et configurée pour confiner l'onde lumineuse, issue de ou se dirigeant vers la couche active (AL), dans la couche de silicium amorphe (aSiL) constituant ledit coeur, 10 -l'étape de gravure sélective (400) pour dégager la partie supérieure du ruban incluant la gravure sélective de la première couche diélectrique (DL1). 15. Procédé selon l'une des revendications 12 ou 13 dans lequel l'indice (nsi) de la couche de silicium amorphe (aSiL) est déterminé, en combinaison avec 15 la largeur (wR) du ruban (20), de manière à sensiblement égaliser un coefficient de confinement de l'onde lumineuse respectivement d'un mode TE (CTE) et d'un mode TM (C-rm), pour une longueur d'onde de fonctionnement (À0). 20 16. Procédé selon la revendication 15 dans lequel, lors de l'étape de dépôt (300) de la couche de silicium amorphe (aSiL), une épaisseur (tsi) de ladite couche de silicium amorphe est déterminée de manière à enterrer le ruban (20) au moins jusqu'à 70% de la hauteur de la couche active, ledit procédé comprenant en outre une étape (360) de dépôt d'une deuxième 25 couche diélectrique (DL2) sur ladite couche de silicium amorphe, l'étape de gravure sélective incluant la gravure sélective de la deuxième couche diélectrique. 17. Procédé selon l'une des revendications 15 ou 16 dans lequel l'étape de 30 gravure du ruban consiste à graver l'empilement jusqu'au bas de la couche active.