FR 3075479 A1 20190621 FR 1762483 A 20171219 INTERCONNECTEUR A ETAT DE SURFACE DEGRADE POUR LA TENUE DES ETANCHEITES DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTERIEUR La presente demande se rapporte au domaine des dispositifs electrochimiques et plus precisement a la mice en ceuvre de structures d'etancheite ameliorees dans de tels dispositifs. Elle s'applique notamment a des dispositifs electro-chimiques de type pile a combustible, en particulier a oxyde solide (« SOFC » pour « Solid Oxide Fuel Cell ») ou de type electrolyseur tels que ceux a vapeur d'eau haute temperature (EHT, ou EVHT pour electrolyse de la vapeur d'eau a haute temperature, ou HTE acronyme anglais pour « High Temperature Electrolysis », ou encore HTSE acronyme anglais pour « High Temperature Steam Electrolysis ») egalement a oxydes solider (SOEC : pour « Solid Oxide Electrolyte Cell »). D'une maniere generale, de tels dispositifs electrochimiques comprennent un empilement (« stack » selon la terminologie anglo-saxonne) de modules elementaires, encore appeles « cellules electrochimiques », mis en serie. Chaque module elementaire peut etre, comme illustre sur la figure 1, forme d'un assemblage 4 d'un electrolyte 1 avec deux electrodes : une anode 2 et une cathode 3. L'assemblage 4 est generalement enserre entre deux plaques d'interconnexion 5.1, 5.2 egalement appelees « interconnecteurs ». Un electrolyseur complet est ainsi forme d'un empilement comportant une alternance de cellules et d'interconnecteurs. Les interconnecteurs 5.1, 5.2 sont electriquement conducteurs. Une fonction des interconnecteurs 5.1, 5.2 est donc d'alimenter une cellule electrochimique en courant electrique. Hormis des interconnecteurs d'extremite de ('empilement, les interconnecteurs comportent typiquement une premiere face en contact avec la cathode d'une cellule et une face principale, opposee a la premiere face, en contact avec ('anode d'une autre cellule. 2 Les interconnecteurs 5.1, 5.2 peuvent participer en outre a la distribution et/ou la recuperation de gaz produits tout en separant les compartiments anodiques et cathodiques de deux cellules adjacentes. Le bon fonctionnement de ce type d'empilement requiert une isolation 5 electrique entre deux interconnecteurs successifs sous peine de court-circuiter la cellule. On cherche egalement a assurer une etancheite entre differents compartiments afin d'eviter une recombinaison de gaz intempestive susceptible d'entrainer une baisse de rendement et une possible apparition de points chauds causes d'endommageant de l'empilement. 10 Les documents FR2988916A1, FR3014246A1, et FR3000108 donnent differents exemples de joints isolant assurant l'etancheite dans un dispositif electrochimique de type SOEC ou SOFC, le joint d'etancheite comportant typiquement un materiau de liaison tel que du verre destine a former une cloison etanche isolante et dispose dans un support d'accueil isolant mis en contact avec un interconnecteur. Le 15 support isolant est generalement forme d'un cadre en mica. Dans certains cas, des fuites peuvent apparaitre au niveau de ces joints d'isolation, ce qui peut rendre la cellule electrochimique attenante defectueuse. II se pose donc le probleme de pouvoir ameliorer l'etancheite des dispositifs electrochimiques, en particulier de type SOEC ou SOFC. 20 EXPOSE DE L'INVENTION Selon un aspect, un mode de realisation de la presente invention prevoit une structure pour dispositif electrochimique, en particulier de type pile a combustible a oxyde solide (SOFC) ou de type electrolyseur de vapeur d'eau a haute temperature a oxyde solide (SOEC), la structure comprenant au moins un element de support 25 conducteur d'interconnecteur caracterise par au moins une premiere face ayant au moins une region rugueuse localisee, ladite region rugueuse etant apte a etre mice en contact avec un materiau de liaison isolant d'un joint d'etancheite. 3 L'element de support conducteur peut etre par exemple sous forme d'une plaque, ou tole, metallique, ou de plusieurs toles ou plaques metalliques assem blees. L'interconnecteur peut quant a lui etre forme d'un element de support 5 ou de plusieurs elements de support conducteurs assembles. Ainsi, l'interconnecteur peut etre lui-merne forme d'une plaque ou d'une tole, voire de plusieurs plaques, ou de plusieurs toles empilees. Le materiau de liaison isolant appose sur la region rugueuse est typiquement a base de verre ou de vitro-ceramique. 10 En degradant ou modifiant l'etat de surface d'une region donnee de l'interconnecteur rendue ainsi rugueuse, on ameliorer l'accroche du joint d'etancheite et plus precisement du materiau de liaison en verre ou vitro-ceramique mis en contact avec cette region donnee de l'interconnecteur. La structure peut comprendre en outre un support isolant qui supporte 15 ou accueille le materiau de liaison isolant, en particulier a base de verre ou de vitro- ceramique. Le support isolant peut etre dote d'une ouverture centrale adaptee pour accueillir au moins une cellule electrochimique. Dans ce cas, le materiau de liaison isolant peut etre sous forme d'au moins un cordon en contact avec ladite region rugueuse et 20 reparti autour de ladite ouverture centrale. Avantageusement, lorsque le support isolant comporte une ou plusieurs ouvertures peripherique(s) disposee(s) autour de l'ouverture centrale, un ou plusieurs autres cordons en materiau de liaison isolant sont repartis respectivement autour desdites une ou plusieurs ouvertures peripheriques. 25 Avantageusement, la region rugueuse a un agencement sur la premiere face selon au moins un motif donne formant un ou plusieurs contours fermes, le ou les cordons en contact avec ladite region rugueuse etant agences selon un motif reproduisant ledit motif donne. 4 L'element de support conducteur est dote d'au moins une deuxierne face opposee a la premiere face et qui peut comporter egalement au moins une autre region rugueuse localisee. Dans ce cas, cette autre region rugueuse localisee peut etre mise en 5 contact avec un autre joint d'etancheite. Cet autre joint d'etancheite peut etre dispose entre ledit interconnecteur et un autre interconnecteur. Dans ce cas, I'autre joint d'etancheite peut etre en contact avec une region rugueuse formee sur une face de cet autre interconnecteur. 10 Selon une possibilite de mise en ceuvre, ledit element de support conducteur peut etre dispose contre une face principale d'un support electriquement isolant, tandis qu'un autre interconnecteur est dispose contre une autre face principale de ce support electriquement isolant opposee a ladite face principale. Dans ce cas, le support isolant peut etre avantageusement dote d'au moins une lumiere traversante 15 remplie par ledit materiau de liaison isolant du joint d'etancheite, Ia lumiere traversante s'etendant entre ladite face principale et ladite autre face principale, de sorte que le materiau de liaison isolant dispose dans ladite lumiere traverse le support electriquement isolant et est dispose en contact avec une region rugueuse de cet autre interconnecteur. Selon un autre aspect, un mode de realisation de Ia presente invention 20 prevoit un procede de realisation d'une structure pour dispositif electrochimique en particulier de type SOEC ou SOFC, comprenant des etapes de : a) modification localisee de l'etat de surface d'une region donnee d'une premiere face d'un element de support conducteur d'un interconnecteur, de sorte a rendre cette region donnee rugueuse, 25 b) formation d'un joint d'etancheite sur ledit element de support conducteur, en disposant un materiau de liaison isolant, en particulier a base de verre ou de vitro-ceramique, en contact de ladite region donnee rugueuse. Dans un dispositif electrochimique SOFC ou SOEC suivant l'art anterieur, le joint d'etancheite est monte au contact de portees ou elements de supports metalliques sur une surface metallique lisse. 5 Avec le procede de realisation suivant ('invention, on forme une surface rugueuse puis le joint sur cette surface rugueuse, de sorte a obtenir un agencement d'etancheite amelioree. L'etape a) est avantageusement realisee par projection de biller ou de 5 particules ou de grains, a travers au moins un trou d'un masque de protection place en regard de ladite premiere face dudit element de support conducteur, le trou etant dispose en regard de la region donnee. On effectue ainsi un traitement localise tout en protegeant d'autres zones de ('element de support conducteur. Dans un mode de realisation particulier, ('element de support 10 conducteur peut etre sous forme d'une premiere tole (ou plaque) metallique, le procede comprenant en outre, apres l'etape a), ('assemblage de cette premiere tole (ou plaque) metallique avec une ou plusieurs autres toles (ou plaques) metalliques afin de former un interconnecteur. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS 15 La presente invention sera mieux comprise a la lecture de la description d'exemples de realisation donnes, a titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant reference aux dessins annexes sur lesquels : - la figure 1 sert a illustrer un empilement classique dans un dispositif electrochimique et comportant une cellule electrochimique entre deux interconnecteurs ; 20 - la figure 2 sert a illustrer un interconnecteur pour dispositif electrochimique et dote d'au moins une region rugueuse localisee destinee a etre mice en contact avec un materiau de joint d'isolation et d'etancheite ; - la figure 3 sert a illustrer un exemple de masque de protection susceptible d'être utilise pour mettre en ceuvre une modification localisee d'etat de 25 surface d'un interconnecteur a region rugueuse suivant ('invention ; - les figures 4A-4C servent a illustrer un exemple d'agencement de joint d'isolation et d'etancheite destine a etre appose sur une region rugueuse d'un interconnecteur suivant ('invention ; 6 - les figures 5 et 6 servent a illustrer un exemple d'assemblage dans un dispositif electrochimique SOEC ou SOFC entre un cadre isolant, servant a de support a un joint d'isolation et d'etancheite ainsi que de zone d'accueil d'au moins une cellule electrochimique, la cellule etant disposee entre des interconnecteurs a region rugueuse 5 localisee tels que mis en ceuvre suivant ('invention ; - la figure 7 sert a illustrer un exemple d'empilement avec un interconnecteur dotes de regions rugueuses sur chacune de ses faces ; Des parties identiques, similaires ou equivalentes des differentes figures portent les memes references numeriques de fawn a faciliter le passage d'une figure a 10 l'autre. Les differentes parties representees sur les figures ne le sont pas necessairement selon une echelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. En outre, dans la description ci-apres, des termer qui dependent de ('orientation tels que « inferieure », « superieure », « centrale », « peripherique » 15 s'appliquent en considerant que la structure est orientee de la fawn illustree dans les figures. EXPOSE DETAILLE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS Un exemple d'element 50 de support d'interconnecteur est illustre sur la figure 2. 20 L'interconnecteur est destine a etre integre a un dispositif electrochimique, en particulier de type electrolyseur tel que par exemple un electrolyseur de vapeur d'eau a haute temperature a oxyde solide (SOEC) ou bien de type pile a combustible tel que par exemple une pile a combustible a oxyde solide (SOFC). L'interconnecteur peut ainsi remplir les memes fonctions que celle des 25 interconnecteurs 5.1, 5.2 decrits precedemment en lien avec la figure 1. L'element de support 50 est a base d'un materiau conducteur de l'electricite, et peut etre sous forme d'une tole ou d'un assemblage de plusieurs toles. Le materiau de ('element de support 50 est typiquement metallique et de preference apte a resister a la corrosion et a des temperatures elevees. On utilise par exemple un acier 7 inoxydable ferrique, tel qu'un acier de nuance K41X (designe selon la norme EP 10088-2 par: X2CrTiNb18 1. 4509, ou selon la norme US par : 43932, Type 441), ou par exemple des aciers a base nickel tel qu'un acier de type Inconel 600, marque deposee de la societe Special Metals Corporation. L'element de support 50 mis en ceuvre suivant ('invention 5 comporte une face 50A dotee d'une region rugueuse 52 localisee. La region rugueuse 52 a en particulier un parametre de rugosite moyenne arithmetique Ra correspondant a la rugosite moyenne arithmetique de son profil qui est superieure au reste de la face 51 ou au moins a d'autres zones 53 de la face 51 situees autour de la region rugueuse 52. La rugosite de la region est une signature d'un type d'usinage. La 10 rugosite peut prendre ('aspect de stries ou de sillons. Par exemple, la region 52 rugueuse a un parametre Ra de 3.2 a 50 um (micrometres) ou appartient a une classe de rugosite comprise entre N8 et N12 si l'on considere l'ancienne norme afnor NF E 05-051 . Les autres zones 53 de la premiere face 50A autour de la region rugueuse 52 localisee ont une rugosite moyenne plus faible que 15 celle de la region rugueuse 52. Si l'on considere par exemple un support 50 en acier !amine a froid d'epaisseur de l'ordre de 0.2 mm les autres zones 53 ont une rugosite moyenne comprise entre 0,2 et 0,5 um (micrometres). La region rugueuse 52 est agencee sur ('element de support 50 en fonction de la disposition d'un joint d'etancheite et plus particulierement de celui d'un 20 materiau isolant (non represents sur cette figure) dit « de liaison », de ce joint d'etancheite. Ce materiau de liaison est typiquement a base de verre ou de vitroceramique et prevu pour permettre d'accommoder les dilatations thermiques de differents elements, en particulier des elements de supports metalliques relies par ce 25 joint et qui appartiennent a differents interconnecteurs. Dans l'exemple de realisation illustre sur la figure 2, la region rugueuse 52 sur ('element de support 50 forme un premier motif realisant un contour ferme C1 dispose dans une zone peripherique de ('element de support 50. La region rugueuse 52 peut egalement comporter d'autres motifs 30 disposes autour du premier motif et realisant egalement d'autres contours fermes C11, 8 C12, C13, C14. Ces autres motifs ont dans cet exemple particulier une partie commune avec le premier motif et sont agences respectivement autour d'ouvertures 55a, 55b, 55c, 55d prevues dans ('element de support 50. La region rugueuse 52 resulte d'un traitement localise sur un endroit 5 specifique de ('element de support 50 visant a augmenter localement la rugosite du materiau constitutif de cet element 50, en particulier a un endroit de la premiere face 50A destine a accueillir le materiau de liaison de type verre ou en vitro-ceramique du joint d'etancheite. Par rapport aux surfaces habituellement lisses des interconnecteurs mis en oeuvre suivant l'art anterieur, cette region rugueuse 52 permet d'ameliorer l'accroche 10 avec le verre ou le materiau vitro-ceramique de sorte a permettre un meilleur ancrage du joint d'isolation et d'etancheite a cet endroit. Pour obtenir la region rugueuse 52, on peut partir d'un element de support 50, par exemple sous forme d'une tole ou d'un assemblage de toles empilees, ou d'une plaque ou d'un assemblage de plaques empilees, comportant au moins une face 15 dont on modifie localement l'etat de surface, en particulier par usure mecanique ou abrasion. Avantageusement, on effectue la modification d'etat de surface par projection d'elements tell que des particules ou des billes, en particulier des micro-billes sur au moins une face 50A de ('element de support 50. Les particules ou billes peuvent 20 etre abrasives afin de realiser une alteration par frottements. On utilise par exemple des particules ou des grains de sable ou des billes en acier, en verre ou en ceramique, ou par exemple en coridon (A1203 ou a-A1203). On utilise typiquement des particules abrasives pouvant avoir une granulometrie comprise par exemple entre 0.1 et 2 mm. Les gammes de dimensions des particules ou billes utilisees, la 25 composition de ces particules, sont determines par l'Homme du métier en fonction de l'etat de surface desire, en particulier du parametre Ra requis de profil de surface. A titre d'exemple particulier, des grains de sable de diametre de l'ordre de 0.1 mm peuvent etre par exemple employees afin de d'augmenter le pa ra metre Ra de 0.6 a 3.2 sur la surface a traiter d'une tole d'acier de l'ordre de 0.2 mm d'epaisseur. Le 9 traitement peut etre eventuellement realise avec des particules abrasives de tailles differentes. La projection de particules en vue d'abraser peut etre mise en ceuvre par une technique de grenaillage ou de sablage. Les particules peuvent etre projetees au 5 moyen d'un flux d'air dont on regle la pression en fonction de la rugosite desiree. Les particules sont de preference projetees a une vitesse elevee par exemple de I'ordre de 100 m/s, et de maniere continue pendant une duree qui peut etre comprise par exemple entre 1 et 3 seconder, sur Ia surface a traiter. La encore, Ia duree et Ia vitesse de projection sont determinees par l'Homme du métier en fonction de l'etat de surface 10 desire. Sous une action de martelage ou de matage ou d'ecrouissage, Ia surface traitee &passe sa limite d'elasticite et cubit une deformation plastique sur une epaisseur qui peut etre tres faible et comprise par exemple entre plusieurs centiernes et plusieurs dixiernes de millimetre. A titre d'exemple particulier, pour un interconnecteur d'epaisseur de l'ordre de 0.2 mm, on peut realiser une abrasion de surface selon une profondeur qui 15 peut atteindre par exemple 0.05 mm. La region rugueuse 52 peut etre obtenue par une autre technique, dite de « microbillage », dans laquelle on projette des microbilles en verre ou ceramique. Avec une telle technique, on peut modifier Ia rugosite sans abimer ou tout au moins sans trop alterer Ia surface soumise au traitement. 20 Une mesure de rugosite mise en ceuvre a l'aide d'un rugosimetre peut etre effectuee une foil le traitement de surface realise. En fonction du resultat de cette mesure, on pourra reiterer ou non l'etape de modification d'etat de surface de Ia region 52 de ('element de support 50. Pour permettre de realiser une modification localisee de Ia region 52 25 sans alterer d'autres zones 53 de Ia face 51 de ('element 50 de support, on realise de preference cette projection en utilisant un masque de protection. Un exemple de masque de protection 100 susceptible d'être utilise pour former Ia region rugueuse 52 est illustre par exemple sur Ia figure 3. Le masque 100 comporte au moins un trou dans cet exemple sous forme d'au moins une fente 101 dont 30 le motif correspond a celui que l'on souhaite attribuer a Ia region rugueuse 52. Lors du 10 traitement par projection de particules pour former la region 52 rugueuse, en particulier par grenaillage ou microbillage ou sablage, on dispose typiquement le masque 100 en contact direct avec ('element de support 50. Comme vu precedemment, la region rugueuse 52 peut avoir un agencement correspondant a celui du materiau de liaison 5 isolant 77 du joint d'etancheite destine a etre appose sur la face 51 de ('element de support 50. Ainsi, dans l'exemple de realisation particulier illustre sur la figure 3, le masque de protection 100 comporte une fente 101 reproduisant les contours C1, C11, C12, C13, C14. Un interconnecteur peut etre forme d'un element de support en une 10 seule piece ou resulter d'un assemblage de plusieurs elements de support conducteurs ou metalliques, par exemple sous forme de toles ou de plaques metalliques assemblees. Dans ce cas, on peut realiser le traitement pour former la region rugueuse, soit sur ('assemblage final ou bien sur un ou plusieurs elements (tole(s)) destine(s) a accueillir un materiau d'etancheite avant realiser cet assemblage. 15 Le traitement pour former la ou les regions rugueuse peut merne etre mis en ceuvre avant une ou plusieurs etapes d'usinage, en particulier par laser, utilisee(s) lors de la fabrication de ('interconnecteur. Ainsi, le traitement visant a augmenter localement la rugosite peut etre realise avant decoupage des toles ou avant usinage des toles une foil decoupees. 20 Apres l'etape de projection de particules, on peut avantageusement proceder a une etape de nettoyage afin d'eviter une presence de particules dans le dispositif final. Ce nettoyage peut etre realise par soufflage en utilisant par exemple un flux d'air comprime. Lorsque le traitement de surface par projection de particules est realise avant assemblage d'elements de supports ou de toles, on evite ainsi une presence 25 intempestive de particules entre ces toles. On se refere a present aux figures 4A, 4B, montrant (sur des vues respectivement globale et partielle en perspective) un support 60, en materiau isolant electrique permettant d'assurer une cohesion mecanique tout en remplissant une fonction d'isolation electrique. Ce support 60 est apte a etre assemble avec un 30 interconnecteur ou element de support d'interconnecteur tel que decrit precedemment. 11 Dans l'exemple illustre, le support 60 est sous forme d'un cadre, par exemple en mica. Des lumieres 68 sont prevues dans le support isolant 60 et permettent d'accueillir un materiau de liaison isolant 77 evoque precedemment et qui est destine a etre mis en contact avec la region rugueuse 52 disposee sur la premiere face 50A. Cette 5 premiere face 50A et region rugueuse 52 associee ne sont pas visibles sur la vue de dessus de la figure 4B mais montrees sur la vue de dessous et en perspective de la figure 4C. Les lumieres 68 permettent au materiau de liaison isolant 77 d'être present au niveau de faces principales opposees 60A, 60B du support isolant 60. Le 10 materiau de liaison isolant 77, de type verre ou vitroceramique, vient remplir les lumieres 68 realisees dans le support isolant 60 pour y former des cloisons etanches. Le materiau de liaison isolant 77 est dans cet exemple sous forme d'une ou plusieurs bander ou cordons en verre ou en materiau vitroceramique agence(e)s dans les lumieres 68 du support 60 et realisant un ou plusieurs contours continus. 15 Le materiau de liaison 77 est typiquement depose dans les lumieres 68 sous forme d'une pate de verre ou de vitro-ceramique par exemple a l'aide d'un robot. Differents materiaux en verre ou vitroceramique utilisables pour former le joint d'etancheite sont donnes par exemple dans le document FR 2 947 540 ou dans le document FR 2988 916 ou bien dans le document FR3014246, emanant de la 20 demanderesse. Le support isolant 60 peut etre dote d'une ouverture centrale 61 adaptee pour recevoir au moins une cellule electrochimique ou un empilement de cellules electrochimiques, par exemple de type SOEC ou SOFC. Dans l'exemple de realisation illustre, le support isolant 60 est egalement dote d'ouvertures peripheriques 25 62, 63, 64, 65, en particulier de forme longilignes reparties autour de l'ouverture centrale 61. L'agencement du materiau isolant de liaison 77 dispose dans la ou les lumiere(s) 68 suit ainsi un motif particulier dans le support isolant 60 qui peut reproduire celui de la region rugueuse 52. 12 Dans l'exemple particulier illustre, les lumieres 68 remplies de materiau isolant 77 se rejoignent et sont reliees entre elles pour former un contour central C'1 continu autour de l'ouverture centrale 61 et d'autres contours fermes disposes C'11, C'12, C'13, C'14 autour du contour central C'1 et respectivement autour des ouvertures 5 peripheriques 62, 63, 64, 65. Dans cet exemple, les contours C'1, C'11, C'12, C'13, C'14 ont un agencement semblable a celui des contours C1, C11, C12, C13, C14 de la region rugueuse 52 de l'interconnecteur decrit precedemment. Le support ou cadre isolant 60 decrit precedemment est amens a etre intercale entre deux interconnecteurs avec de preference chacun des interconnecteurs 10 ou element de support 50 comportant une region rugueuse 52 disposee contre le materiau isolant de liaison 77 a base de verre ou de vitro-ceramique. Les figures 5 et 6 illustrent par le biais de vues en eclate un tel assemblage, avec une cellule electro-chimique 40 SOEC ou SOFC disposee a l'interieur du cadre isolant 60 et agencee entre des interconnecteurs 50.2, 50.3. La cellule 40 peut etre 15 elle-merne revetue a proximite de ses bords d'un materiau 41 de type verre ou vitro- ceramique formant joint d'isolation et d'etancheite. Dans l'empilement final de l'electrolyseur SOEC ou de la pile SOFC un interconnecteur 50.2 peut etre lui-merne intercale entre deux supports isolants 60.1, 60.2 du type de ceux decrits precedemment. Ainsi, comme cela est illustre dans ('assemblage 20 (represents de maniere schernatique en coupe transversale) sur la figure 7, un merne interconnecteur 50.2 peut etre pourvu d'une region rugueuse 52 sur sa premiere face 50A (dans l'exemple illustre sa face superieure), et d'une region rugueuse sur une deuxierne face 50B (ici sa face inferieure) opposee a la premiere face 50A, chacune de ces regions rugueuses 52 etant en contact avec un materiau 77 de type verre ou vitro- 25 ceramique formant joint d'isolation et d'etancheite. REVENDICATIONS1. Structure pour dispositif electrochimique, en particulier de type pile a combustible a oxyde solide (SOFC) ou de type electrolyseur de vapeur d'eau a haute temperature a oxyde solide (SOEC), la structure comprenant au moins un element de support conducteur (50) d'un interconnecteur (50.1) dote d'au moins une premiere face (50A) ayant au moins une region rugueuse (52) localisee, ladite region rugueuse (52) etant apte a etre mice en contact avec un materiau de liaison isolant d'un joint d'etancheite. 2. Structure selon la revendication 1, dans lequel materiau de liaison isolant (77), en particulier a base de verre ou de vitro-ceramique, est monte en contact sur ladite region rugueuse (52) de ('element de support conducteur (50), ladite structure comportant en outre un support isolant (60) qui supporte ou accueille le materiau de liaison isolant (77), en particulier a base de verre ou de vitro-ceramique. 3. Structure selon la revendication 2, dans lequel le support isolant (60) comporte une ouverture centrale (61), adaptee pour accueillir au moins une cellule electrochimique, le materiau de liaison isolant (77) etant sous forme d'au moins un cordon en contact avec ladite region rugueuse (52) et reparti autour de ladite ouverture centrale (61). 4. Structure selon la revendication 3, dans lequel le support isolant (60) comporte une ou plusieurs ouvertures peripherique(s) (62, 63, 64, 65) disposee(s) autour de ('ouverture centrale (61), le materiau de liaison isolant (77) etant sous forme d'un ou plusieurs autres cordons en contact avec une region rugueuse (52), le ou les autres cordons etant repartis respectivement autour desdites une ou plusieurs ouvertures peripheriques (62, 63, 64, 65). 14 5. Structure selon I'une des revendications 3 ou 4, dans laquelle ladite region rugueuse (52) a un agencement sur la premiere face selon au moins un motif donne formant un ou plusieurs contours fermes (C1, C11, C12, C13, C14), le ou les cordons en contact avec ladite region rugueuse (52) etant agences selon un motif 5 reproduisant ledit motif donne. 6. Structure selon I'une des revendications 1 a 5, dans lequel ('element de support conducteur (50) est dote d'au moins une deuxierne face (50B) opposee a la premiere face (50A) ayant au moins une autre region rugueuse (52) 10 localisee, ladite autre region rugueuse (52) localisee sur la deuxierne face (50B) etant mice en contact avec un autre joint d'etancheite. 7. Structure selon la revendication 6, dans lequel l'autre joint d'etancheite est dispose entre ledit interconnecteur (50.1) et un autre interconnecteur 15 (50.2), l'autre joint d'etancheite etant en contact avec une region rugueuse (52) localisee formee sur une face de cet autre interconnecteur (50.2). 8. Structure selon ('une des revendications 1 a 5, dans laquelle ledit element de support conducteur (50) est dispose contre une premiere face principale d'un 20 support electriquement isolant (60), et dans laquelle un autre interconnecteur (50.2) est dispose contre une deuxierne face principale du support electriquement isolant (60) opposee a la premiere face principale, le support isolant (60) etant dote d'au moins une lumiere (68) remplie par ledit materiau de liaison isolant (77) du joint d'etancheite, la lumiere (68) etant traversante et s'etendant entre la premiere face principale et une 25 deuxierne face principale, de sorte que le materiau de liaison isolant (77) dispose dans ladite lumiere (68) traverse le support electriquement isolant (60) et est dispose en contact avec une region rugueuse de cet autre interconnecteur (50.2). 9. Procede de realisation d'une structure selon ('une des revendications 1 a 8, comprenant des etapes de : 15 a) modification localisee de l'etat de surface d'une region donnee de la premiere face de ('element de support conducteur (50), de sorte a rendre rugueuse ladite region donnee, b) formation du joint d'etancheite sur ('element de support 5 conducteur (50), le materiau de liaison isolant, en particulier a base de verre ou de vitro- ceramique, le materiau de liaison isolant etant dispose en contact de ladite region donnee. 10. Procede selon la revendication 9, dans lequel la modification 10 localisee est realisee par projection de biller ou de particules ou de grains, a travers au moins un trou (101) d'un masque (100) de protection place en regard de ladite premiere face dudit element de support conducteur (50), le trou (101) etant dispose en regard de la region donnee. 15 11. Procede selon I'une des revendications 9 ou 10, dans lequel ('element de support conducteur (50) est sous forme d'une premiere tole metallique, le procede comprenant en outre, apres l'etape a), ('assemblage de cette premiere tole metallique avec une ou plusieurs autres toles metalliques afin de constituer un interconnecteur (50.1).