FR 3076068 A1 20190628 FR 1763234 A 20171227 DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION La présente invention concerne en général la gravure de couches sur des structures microélectroniques, notamment tridimensionnelles (3D). Elle trouve pour application particulièrement avantageuse la réalisation de transistors de type dit FinFET, c'est-à-dire de transistors à effet de champ (FET) dont le canal de conduction comprend une mince lamelle verticale d'un matériau semiconducteur, qualifiée du terme anglais de « fin ». ÉTAT DE LA TECHNIQUE Dans la course incessante à la réduction des dimensions qui caractérise toute l'industrie de la microélectronique, une difficulté particulière consiste à graver de manière précise une couche située sur certaines ou sur toutes les faces d'une structure 3D sans endommager ou consommer la structure 3D. Tel est par exemple le cas pour la couche diélectrique destinée à former les espaceurs d'une grille d'un transistor de type FinFET et qui est déposée sur les Fins du transistor comme cela va être expliqué ci-dessous. Un transistor 100 de type FinFET est illustré en figure 1. Dans ce dispositif tridimensionnel, le canal 110 de conduction est constitué d'une mince lamelle verticale de matériau semi-conducteur, typiquement du silicium. La lamelle formant le canal 110 est entourée sur trois côtés par la grille 130. La lamelle traverse de part en part la grille 130 et se prolonge pour former de part et d'autre de la grille 130 des nageoires ou «Fin» 30. Ces Fin constituent ainsi des structures tridimensionnelles (3D). Par rapport aux transistors classiques, ces dispositifs FinFET permettent d'obtenir des transistors ayant de meilleures performances électriques et aussi de réduire les courants de fuite. Le dispositif FinFET ci-dessus pourra être réalisé à partir d'un substrat SOI dont on retrouve la couche de protection enterré BOX 20 et le substrat 10 de support. On notera aussi la présence d'un masque dur 150 au sommet de la grille 130. Le dispositif FinFET 100 exige que l'on sache réaliser des espaceurs 140 sur les flancs de la grille 130. Ces espaceurs 140 ont notamment pour fonction de protéger les flancs de la grille 130 lors de phases ultérieures d'implantation. Pour former ces espaceurs 140, on effectue tout d'abord un dépôt d'une couche uniforme d'un matériau diélectrique sur toutes les surfaces du dispositif 100. Comme cela est illustré sur la figure 1, on doit pouvoir obtenir par gravure que seuls des espaceurs 140 perpendiculaires au plan du substrat 10 restent en place de 2 part et d'autre de la grille 130. Toutes les autres surfaces, en particulier celles couvrant le Fin 30, qu'elles soient perpendiculaires ou parallèles au plan XY du substrat 10, doivent être gravées complètement. Ceci doit être effectué sans laisser de résidus 160 de couche diélectrique sur la BOX 20 et sans endommager les couches sous-jacente à 5 la couche diélectrique gravée, typiquement sans endommager 180 le sommet 31 des Fin 30 ou sans endommager 190 la face supérieure de la BOX 20. Par ailleurs il est important d'obtenir une gravure parfaitement anisotrope dans les angles 170 sans formation de pieds, ceci afin de conserver des angles bien droits. 10 Pour répondre à ce besoin, la solution classique consiste à utiliser une gravure plasma pour graver la couche diélectrique. Si la gravure plasma a permis d'accompagner les réductions de taille des motifs jusqu'à présent, sa mise en oeuvre pose cependant de plus en plus de problèmes quand la taille diminue, en particulier à partir et au-delà du noeud technologique de 32 nm. Le caractère tridimensionnel (3D) 15 de la structure FinFET fait que les problèmes déjà rencontrés avec une structure plane se posent avec encore plus d'acuité. En particulier, il est particulièrement complexe de graver entièrement la couche diélectrique 40 sur le sommet 31 et les flancs 32 du Fin 30 sans pour autant endommager le Fin 30 ou laisser des résidus de couche diélectrique 40. 20 Il existe donc un besoin consistant à proposer une solution pour graver entièrement et avec une grande précision une couche diélectrique située sur des faces d'une structure 3D tout en évitant d'endommager cette structure 3D. Dans le cadre particulier et non limitatif des transistors de type FinFET, un 25 objectif de la présente invention consiste à proposer une solution pour graver sur les Fins la couche diélectrique destinée à former des espaceurs sur les flancs de la grille, tout en évitant, voire en supprimant, les résidus de couche diélectrique de part et d'autre des Fins ainsi que la consommation de couches sous-jacentes à la couche diélectrique telle que la couche semi conductrice formant le Fin. 30 Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. 35 3 RÉSUMÉ DE L'INVENTION Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation la présente invention prévoit un procédé de gravure d'une couche diélectrique recouvrant au moins un sommet et un flanc d'une structure de préférence à base d'un matériau semi- 5 conducteur. Le procédé comprend une pluralité de séquences comprenant chacune au moins les étapes successives suivantes : - une première gravure de la couche diélectrique, par plasma, en utilisant une chimie comprenant au moins: 10 o au moins un premier composé à base de fluor (F) et o au moins un deuxième composé pris parmi le SiC1(2,.2) et le Si,F(2,+2)w, x, y et z étant des entiers, o de l'oxygène (0). la première gravure étant effectuée de manière à: 15 o générer un bombardement ionique dirigé principalement selon une direction parallèle audit flanc, o réguler la quantité de l'au moins un premier composé pour consommer tout le composé à base de fluor lors de cette première gravure de manière à interrompre la première gravure avant 20 consommation de toute l'épaisseur de la couche diélectrique située sur le flanc et après avoir consommé toute l'épaisseur de la couche diélectrique située sur le sommet, o former une première couche de protection par oxydation d'une portion supérieure du sommet de la structure en un matériau semi- 25 conducteur et former une deuxième couche de protection par oxydation d'une portion supérieure de la couche diélectrique située sur le flanc, l'épaisseur e50, de la première couche de protection étant supérieure à l'épaisseur e60, la deuxième couche de protection, - une deuxième gravure pour retirer entièrement la deuxième couche de 30 protection tout en conservant une portion e5ob de l'épaisseur de la première couche de protection. Avantageusement, la séquence est répétée jusqu'au retrait complet de la couche diélectrique située sur le flanc de la structure. 35 4 Ainsi, la présente invention propose une solution efficace pour graver entièrement et avec une grande précision la couche diélectrique sur le sommet et les faces d'une structure 3D tout en évitant d'endommager cette structure 3D. Typiquement, la gravure est telle que l'on peut contrôler l'arrêt sur la couche de 5 silicium à une échelle atomique. En effet, la chimie utilisée lors de la première gravure, combinant espèces fluorées et au moins gaz à base de silicium permet de graver efficacement la couche diélectrique, avec une forte sélectivité par rapport au matériau semi-conducteur de la structure 3D. Par ailleurs, cette gravure s'interrompt, lorsque toute l'espèce fluorée est 10 consommée, avant gravure du matériau semi-conducteur de la structure 3D. La présence d'oxygène dans le plasma conduit à la formation d'une couche de protection dont l'épaisseur est plus importante sur le matériau semi-conducteur de la structure 3D que sur la couche diélectrique. La deuxième gravure permet de retirer la couche de protection sur la couche 15 diélectrique, tout en conservant cette couche de protection sur le matériau semi- conducteur. Lors de la première gravure de la séquence suivante, le matériau semiconducteur sera donc protégé par le résidu de la première couche de protection ce qui empêchera la gravure de ce dernier, alors que la couche diélectrique ne sera plus protégée par la deuxième couche de protection. La couche diélectrique, mise à nu, se 20 gravera donc aisément. En répétant cette séquence d'étapes, on grave ainsi rapidement la couche diélectrique tout en consommant extrêmement peu, voire sans consommer le matériau semi-conducteur de la structure 3D. 25 Lorsque la structure 3D est destinée à former un transistor de type FinFET, la présente invention propose ainsi une solution efficace pour graver la couche diélectrique déposée sur les Fins, tout en évitant, voire en supprimant, les résidus de couche diélectrique en dehors des Fins ainsi que la consommation de couches sous-jacentes à la couche diélectrique telle que la couche semi conductrice formant le Fin. 30 La solution proposée par la présente invention présente de nombreux avantages. En particulier, dans le cadre du développement de la présente invention, il s'est avéré que les solutions classiques de gravure des espaceurs en nitrure de silicium (SiN) qui reposent sur l'utilisation de chimie fluorocarbonées (FC) induisent très 35 souvent une consommation (habituellement qualifiée de « recess » en anglais) non souhaitée du silicium formant le Fin du transistor FinFET. 5 En effet il a été remarqué que la gravure FC de la couche diélectrique induit, en plus d'une consommation de silicium, une modification d'une portion superficielle de la couche de silicium. Cette portion superficielle se transforme en une couche de SixOyFz qui se trouve retirée durant la gravure ou après la gravure durant l'étape de 5 nettoyage humide. Par ailleurs cette portion superficielle modifiée induit des défauts lors de la croissance épitaxiale. Par ailleurs, pour réduire cette consommation excessive de silicium formant recess, il a été envisagé d'ajuster les conditions d'implantation des ions issus du 10 plasma. Dans un plasma conventionnel, l'énergie minimale des ions est d'environ 20 eV. Avec ce niveau d'énergie en observe des endommagements significatifs de la couche exposée au plasma. Une solution éventuellement envisageable par un homme du métier afin de limiter ces endommagements consisterait à réduire la température Te des électrons, ce qui conduirait à réduire le potentiel du plasma est à réduire par 15 conséquence l'énergie des ions. Une autre solution éventuellement envisageable par un homme du métier consisterait à utiliser un plasma pulsé. Cependant, ces deux solutions ne sont pas satisfaisantes ou ne sont que partiellement satisfaisantes puisque : - une réduction de la température du plasma conduit à élargir l'angle de 20 distribution des ions, réduisant ainsi le caractère anisotrope de la gravure est dégradant au final le contrôle dimensionnel du profil de la structure 3D, - l'utilisation d'un plasma pulsé ne permet pas d'éliminer complètement l'endommagement de la couche sous-jacente à la couche diélectrique que l'on souhaite graver. 25 Ainsi, au mieux, l'homme du métier aurait eu à sa disposition des solutions l'obligeant à effectuer un compromis entre endommagement de la couche sous-jacente et contrôle dimensionnel du profil. Un autre aspect de la présente invention concerne un procédé de réalisation d'un 30 transistor FinFET surmontant un substrat de support, le transistor FinFET comprenant une grille et au moins un canal traversant la grille et s'étendant depuis un flanc de la grille pour former au moins une structure de préférence faite en un matériau semiconducteur, ladite structure présentant un sommet et au moins deux flancs. Le procédé comprend : 6 le dépôt, de préférence conforme, d'une couche diélectrique recouvrant la grille et ladite structure, la gravure de la couche diélectrique en mettant en oeuvre le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation du procédé de gravure 5 selon l'invention, de manière retirer complètement la couche diélectrique située sur la structure formée par le canal. De manière facultative, le procédé de réalisation d'un transistor FinFET peut comprendre au moins l'une quelconque des caractéristiques suivantes prises 10 isolément en combinaison : Selon un exemple de réalisation, le transistor présente un masque dur recouvrant un sommet de la grille, la couche diélectrique étant déposée sur le masque dur, le masque dur présentant une épaisseur e150, tel que e150 e30, e30 étant l'épaisseur de ladite structure, et de préférence e150 k 1.2 * e30. 15 Ainsi, lorsque la gravure consomme entièrement la couche diélectrique située sur les flancs de la structure, toute la hauteur des flancs de la grille reste recouverte par la couche diélectrique. Par conséquent, le retrait de la couche diélectrique sur les flancs du Fin n'entraîne pas de retrait de cette couche diélectrique sur les flancs de la grille. Ces derniers restent donc efficacement protégés par les espaceurs. 20 Selon un exemple de réalisation, les épaisseurs du masque dur et de la structure sont prises selon des directions perpendiculaires (Z) au plan principal (XY) dans lequel s'étend le substrat de support. Un autre objet de la présente invention concerne un dispositif microélectronique 25 comprenant une pluralité de transistors FinFET selon l'invention. Par dispositif microélectronique, on entend tout type de dispositif réalisé avec des moyens de la microélectronique. Ces dispositifs englobent notamment en plus des dispositifs à Finalité purement électronique, des dispositifs micromécaniques ou électromécaniques (MEMS, N EMS...) ainsi que des dispositifs optiques ou optoélectroniques (MOEMS...). 30 BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée de modes de réalisation de cette dernière qui sont illustrés par les dessins d'accompagnement suivants dans lesquels : 35 La FIGURE 1 illustre de manière schématique un transistor de type FinFET. 7 La FIGURE 2 illustre de manière schématique un transistor de type FinFET en cours de réalisation, une couche diélectrique conforme étant déposée sur toutes les surfaces du transistor. La FIGURE 3; composée des FIGURES 3A à 3F illustre de manière schématique des 5 étapes d'un procédé selon un mode de réalisation non limitatif de la présente invention. La FIGURE 4 est un graphe illustrant la consommation de la couche diélectrique et la consommation de la couche de semi-conducteur en fonction de la présence de SiCI4 dans le plasma. La FIGURE 5 est un graphe illustrant la consommation de la couche diélectrique en 10 fonction du temps. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier les épaisseurs relatives des différentes couches 15 et films ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Avant d'entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l'invention, 20 sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement : Selon un exemple de réalisation le procédé comprend une étape préalable de dépôt de ladite couche diélectrique sur ladite structure. De préférence, le dépôt de 25 ladite couche diélectrique est un dépôt conforme. Selon un exemple de réalisation, le procédé comprend une étape préalable de gravure de la couche diélectrique, effectuée avant ladite séquence d'étapes, l'étape préalable de gravure étant interrompue de manière à conserver une portion de la 30 couche diélectrique située sur le sommet de la structure en un matériau semi- conducteur. Selon un exemple de réalisation, l'étape préalable de gravure de la couche diélectrique est basée sur une chimie fluorocarbonée (par exemple CxFy ou CxHyFz). Dans la suite de la description, on considère que les chimies fluorocarbonées 35 comprennent notamment les composés fluorocarbonés (CF) et les composés hydrofluorocarbonés (CxHyFz). 8 Selon un exemple de réalisation, l'étape préalable de gravure est interrompue en contrôlant le temps de gravure, de manière à ce l'épaisseur e11 gravée de la couche diélectrique lors de cette étape préalable est telle que 0.95 * eu) e11 k 0.7 * e10, elo étant l'épaisseur de la couche diélectrique avant gravure par ladite étape préalable. 5 Ainsi, cette étape permet de graver une portion importante de la couche électrique. Elle permet d'augmenter la rapidité du procédé. Selon un exemple de réalisation, e10 k 6 nm et de préférence e10 k 8 nm. Selon un exemple de réalisation, ladite portion de la couche diélectrique conservée à l'issue de l'étape préalable de gravure présente une épaisseur e12 supérieure ou égale 10 à 2 nm (20-9 mètres) et de préférence comprise entre 2 et 20 nm. Cette étape permet ainsi de retirer une partie de l'épaisseur de la couche diélectrique tout en s'assurant que la structure en un matériau semi-conducteur n'est pas gravée ou altérée. 15 Selon un exemple de réalisation, ledit premier composé à base de fluor (F) de la chimie utilisée pour la première étape de gravure provient, de préférence intégralement, de la chimie utilisée lors de ladite étape préalable de gravure. Alternativement, une partie au moins et optionnellement tout le premier composé à base de fluor (F) de la chimie utilisée pour la première étape de gravure est 20 fournie durant la première étape de gravure. Selon un exemple de réalisation, le premier composé à base de fluor (F) provient de la dissociation d'au moins un composé pris parmi les composés fluorocarbonés (par exemple CxF, ou CxHyFz). 25 Selon un exemple de réalisation, la deuxième gravure est une gravure à base d'une chimie fluorée ou fluorocarbonée (par exemple CxF, ou CxHyFz). Selon un exemple de réalisation, la deuxième gravure est contrôlée au temps, de manière à retirer entièrement la deuxième couche de protection et à conserver une 30 partie e5ob de l'épaisseur e50, de la première couche de protection. Ainsi lors d'une gravure ultérieure, le sommet reste protégé par la première couche de protection alors que le flanc est quant à lui non protégé. Ce dernier pourra ainsi être aisément gravé. 35 Selon un exemple de réalisation, ladite structure est tridimensionnelle (3D). 9 Selon un exemple de réalisation, la structure en un matériau semi-conducteur est faite en un matériau pris parmi les matériaux suivants: silicium (Si), germanium (Ge), silicium-germanium (SiGe). La structure en un matériau semi-conducteur peut également être faite d'une succession de couches, chaque couche étant par exemple 5 prise parmi les matériaux suivants: silicium (Si), germanium (Ge), silicium-germanium (SiGe). Ainsi pour la réalisation de nanofils on pourra prévoir une succession de couches formée chacune de Si ou de SiGe. Selon un exemple de réalisation, la structure en un matériau semi-conducteur forme un canal d'un transistor FinFET. 10 Selon un exemple de réalisation, ledit flanc s'étend selon un plan perpendiculaire (YZ) à un plan principal (XY) selon lequel le substrat de support s'étend. Alternativement, ledit flanc défini une forme courbe qui s'étend perpendiculairement à un plan principal selon lequel le substrat de support s'étend 15 Selon un exemple de réalisation, ladite structure est formée par au moins un bloc ou une lamelle de matériau semi-conducteur. Alternativement, ladite structure est formée par une couche, éventuellement conforme, présentant une forme tridimensionnelle. Selon un exemple de réalisation, le sommet s'étend principalement dans un plan parallèle au plan (XY) du substrat de support. 20 Selon un exemple de réalisation, ladite structure comprend des premières surfaces qui sont perpendiculaires au plan de substrat de support et des deuxièmes surfaces qui sont non perpendiculaires audit plan de substrat de support. Selon un exemple de réalisation, les flancs de la structure sont perpendiculaires au plan XY dans lequel s'étend principalement le substrat de support. Alternativement, 25 les flancs de la structure sont inclinés par rapport à une direction Z perpendiculaire au plan XY dans lequel s'étend principalement le substrat de support. Selon un exemple de réalisation, la couche diélectrique est directement au contact de la structure en un matériau semi-conducteur. Selon un exemple de réalisation, lorsque la couche diélectrique située sur le 30 flanc de la structure est entièrement gravée, on effectue ensuite une étape de retrait de la première couche de protection. Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, les termes « sur », « surmonte », « recouvre », « sous-jacent », en « vis-à-vis » et leurs équivalents ne 35 signifient pas forcément « au contact de ». Ainsi par exemple, le dépôt, d'une première couche sur une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux 10 couches sont directement au contact l'une de l'autre, mais signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d'elle par au moins une autre couche ou au moins un autre élément. 5 Une couche peut par ailleurs être composée de plusieurs sous-couches d'un même matériau ou de matériaux différents. On entend par un substrat, un film, une couche, « à base » d'un matériau A, un substrat, un film, une couche comprenant ce matériau A uniquement ou ce matériau 10 A et éventuellement d'autres matériaux, par exemple des éléments dopants Le mot « diélectrique » qualifie un matériau dont la conductivité électrique est suffisamment faible dans l'application donnée pour servir d'isolant. 15 Le terme « étape » ne signifie pas obligatoirement que les actions menées durant une étape soient simultanées ou immédiatement successives. Certaines actions d'une première étape peuvent notamment être suivies d'actions liées à une étape différente, et d'autres actions de la première étape peuvent être reprises ensuite. Ainsi, le terme étape ne s'entend pas forcément d'actions unitaires et inséparables dans le 20 temps et dans l'enchaînement des phases du procédé. On entend par « nature » d'un matériau, sa composition chimique et/ou sa structure cristalline. Ainsi deux couches peuvent être de même composition chimique mais de nature différente d'un point de vue cristallographique. 25 Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, l'épaisseur d'une couche ou du substrat se mesure selon une direction perpendiculaire à la surface selon laquelle cette couche ou ce substrat présente son extension maximale. Sauf indication contraire, sur les figures, l'épaisseur est prise selon la verticale, 30 c'est dire selon l'axe Z. De même lorsqu'on indique qu'un élément est situé au droit d'un autre élément, cela signifie que ces deux éléments sont situés tous deux sur une même ligne perpendiculaire au plan principal du substrat, soit sur une même ligne orientée verticalement sur les figures 35 11 Dans le cadre de la présente invention, on désigne par structure en trois dimensions une structure formant une saillie au-dessus d'une couche qui lui est sous-jacente tel un substrat de support ou une structure présentant un profil présentant au moins deux niveaux discrets de hauteurs ou qui présentent un profil analogique avec 5 une variation continue des tangentes de la forme du profil. Dans le cadre de la présente, un exemple non limitatif mais particulièrement avantageux de structure 3D est une lamelle (également désignée nageoire ou par son vocable anglais Fin) formant l'extension d'un canal de transistor FinFET. 10 En référence aux figures 2 et 3A à 3F, un exemple non limitatif de l'invention va maintenant être décrit. Sur ces figures, la couche diélectrique 40 que l'on souhaite graver surmonte une structure tridimensionnelle formée par le Fin 30 d'un transistor FinFET 100. Toutes 15 les caractéristiques, étape et avantages techniques qui vont être décrits par la suite s'appliquent également à des modes de réalisation dans lesquels la couche diélectrique 40 surmonte une structure tridimensionnelle différente d'un Fin d'un transistor FinFET 100. Par exemple ils s'appliquent à des structures formant des nanofils et en particulier des nanofils empilés. 20 La figure 2 illustre un transistor FinFET 100 en cours de réalisation. Cette structure comprend un substrat de support 10, surmonté d'une couche isolante 20, typiquement une couche d'oxyde enterré BOX et d'une fine couche semi conductrice. Cet ensemble forme de préférence un substrat élaboré, de préférence de type semiconducteur sur isolant. Naturellement l'invention s'applique également à un substrat de 25 support ne présentant pas un substrat élaboré de type semi-conducteur sur isolant. La structure comprend également un empilement de grille 130, qui sera désigné ci-dessous par le terme grille pour des raisons de concision. Cette grille 130 comprend notamment un motif de grille habituellement en silicium dopé ou en métal, une couche métallique et une couche isolante électriquement dite oxyde de grille 30 située entre la couche active et la grille en silicium polycristallin. L'empilement de grille peut également comprendre une couche diélectrique dite « high-k », c'est-à-dire faite d'un matériau à haute permittivité. Lorsqu'elle est présente, cette couche diélectrique est située entre l'oxyde de grille et la grille métallique. Pour des raisons de clarté, sur la figure 2 un seul bloc représente l'ensemble de cet empilement formant la grille 130. Un 35 masque dur 150 surmonte la grille 130. La grille 130 s'étend principalement dans le plan ZX du repère orthogonal XYZ référencé en figure 2. 12 Un motif traverse la grille 130 de part en part, selon l'axe Y. Ce motif présente généralement une forme de nageoire. Il est désigné Fin 30. Il forme le canal du transistor ainsi que des extensions, situées de part et d'autre de la grille 130, et qui sont destinées à former des zones de source et drain. Ce motif présent un sommet 31 5 et des flancs 32. Les flancs 32 s'étendent de préférence dans un plan YZ perpendiculaire au plan XY dans lequel s'étend principalement le substrat de support 10. Sur cet exemple, et sans que cela soit limitatif, le sommet 31 s'étend dans un plan parallèle au plan XY. Ainsi, le motif semi-conducteur forme une structure 30 tridimensionnelle. Elle forme une saillie sur la face supérieure de l'empilement de 10 couches comprenant le substrat de support 10 et la couche isolante 20. Dans cet exemple, la structure 30 est faite en un matériau semi-conducteur, typiquement pris parmi le silicium, le silicium germanium et le germanium. La structure 30 peut également être faite d'un empilement de Si et SiGe, par exemple lorsque la structure 30 forme un nanofil ou une pluralité de nanofils empilés. 15 La figure 3A est une vue en coupe selon un plan parallèle au plan ZX est pris au niveau d'un Fin 30. La hauteur e30 du Fin 30 est référencée sur cette figure 3A. Par exemple, la hauteur e30 du Fin, mesurée selon la direction Z, est comprise entre quelques nanomètres et quelques dizaines de nanomètres. Préférentiellement, e30 est compris 20 entre 10 et 150 nanomètres et encore plus préférentiellement, e30 est compris entre 20 de 100 nm et encore plus préférentiellement, e30 est compris entre 30 de 50 nm. Comme illustré en figures 2 et 3A, une couche diélectrique 40 recouvre l'ensemble du transistor en cours de réalisation. De préférence, cette couche 25 diélectrique 40 est une couche conforme. Dans cet exemple lié aux transistors FinFET, cette couche diélectrique 40 est destinée à former des espaceurs sur les flancs de la grille 130. Cette couche diélectrique 40 est alors formée dans des matériaux présentant une faible constante diélectrique. Cette couche diélectrique 40 peut être poreuse ou non. Elle est par 30 exemple formée dans l'un des matériaux suivants : SiCO, SiC, SiCN, SiOCN ou SiCBN, ou un nitrure de silicium (SixNy, x et y étant des entiers), typiquement du SiN. Une fois déposée, cette couche diélectrique 40 présente par exemple une épaisseur e10 comprises entre 4 et 50 nanomètres de préférence, entre 4 et 30 nanomètres et de préférence entre 8 et 12 nanomètres. L'épaisseur e10 est mesurée 35 selon la direction Z. Elle est référencée en figure 3A. 13 À partir de la structure illustrée en figure 3A plusieurs étapes vont être mises en oeuvre dans le but de retirer entièrement la couche électrique 40 sur le sommet 31 et sur les flancs 32 du Fin 30 ainsi que de part et d'autre des flancs 32 du Fin 30, ceci, sans laisser de résidus de couche diélectrique et sans endommager les couches sous- 5 jacentes que sont le Fin 30 et la couche isolante 20. Cette couche diélectrique 40 est par exemple formée par l'une des techniques suivantes: dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD, acronyme de plasma enhanced chemical vapor deposition), dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD, acronyme de low pressure CVD), dépôt par couche atomique 10 assistée par plasma (PEALD, acronyme de plasma enhanced atomic layer deposition). La figure 3B illustre une première étape. Cette étape est optionnelle. Au cours de cette étape, on retire une portion seulement de l'épaisseur de la couche diélectrique sur les zones parallèles au plan XY du substrat 10. 15 Cette étape de retrait comprend principalement une gravure anisotrope de la couche diélectrique 40. Cette gravure anisotrope permet d'augmenter la rapidité du procédé avant les étapes ultérieures qui vont permettre une gravure très précise. Typiquement, au cours de cette étape préalable de gravure, plus de 70 % et de préférence plus de 80 % et encore plus préférentiellement plus de 90 % de l'épaisseur 20 initiale e10 de la couche diélectrique 40 est gravée. L'épaisseur e11 retirée au cours de cette gravure est de préférence contrôlée au temps. Typiquement, à l'issue de la gravure, la couche diélectrique 40 présente une épaisseur résiduelle e12 supérieure à 2 nm, de préférence supérieure à 3 nm et de préférence supérieure à 4 nm. Typiquement, l'épaisseur e12 résiduelle est comprise 25 entre 2 et 3 nm. Cette épaisseur e12 résiduelle permet d'éviter que lors de la gravure les couches sous-jacentes à la couche diélectrique 40 soient endommagées. Cette étape de gravure préalable comprend de préférence une gravure plasma effectuée de manière à ce que la gravure s'opère selon une direction privilégiée parallèle aux flancs de la grille. Ainsi cette gravure est anisotrope. Sur les 30 schémas, la direction privilégiée de gravure anisotrope est parallèle à l'axe Z. Cette étape de gravure est par exemple effectuée dans un équipement de gravure de type réacteur plasma à couplage inductif (ICP), ou réacteur plasma à couplage capacitif (CCP). Cette étape de gravure par plasma est basée sur une chimie comprenant un 35 composé à base de fluor (F). De préférence, cette chimie comprend une espèce fluorocarbonée, par exemple pris parmi les espèces suivants CxHyFz ou CxHy, x, y et 14 z étant des entiers. Cette chimie de gravure a pour avantage d'améliorer l'anisotropie de la gravure. Cette anisotropie permet de ne pas graver les surfaces qui sont parallèles à la direction privilégiée d'implantation. Dans le cas d'un transistor FinFET, l'anisotropie de la gravure permet de ne pas graver la couche diélectrique 40 située sur 5 les flancs de la grille 130 et destinée à former les espaces du transistor. Le contrôle dimensionnel de ces espaceurs impactant directement les performances du transistor, il est important de ne pas graver involontairement la couche diélectrique 40 sur les flancs de la grille 130. De préférence, la chimie fluorocarbonée comprend également au moins une 10 espèce additionnelle de dilution ou de dissociation telle que l'argon (Ar), l'hélium (He), l'azote (N) ou l'oxygène (0). Le plasma peut être continu ou pulsé. Les figures 3C à 3E illustrent différentes étapes d'une séquence d'étapes qui 15 peut être réitérée jusqu'à obtenir le résultat qui est illustré en figure 3F. Comme illustré en figure 3C, à l'issue de la gravure préalable, ou après le dépôt de la couche diélectrique 40 (dans le cas où il n'y a pas de gravure préalable), on effectue une première gravure de la couche diélectrique 40. Cette première gravure est configurée de manière à graver le matériau de la 20 couche diélectrique 40 préférentiellement au matériau de la structure en un matériau semi-conducteur 30. Ainsi, à l'issue de cette première étape de gravure, l'épaisseur e3 gravée du matériau de la couche diélectrique 40 est supérieure à l'épaisseur e13 gravée du matériau de la couche semi conductrice 30. Par ailleurs, cette gravure est configurée de manière à: 25 - s'interrompre avant de consommer toute l'épaisseur de la couche diélectrique située sur le flanc 32 de la structure 30; - former une première couche de protection 50 sur le sommet 31 de la structure 30 en un matériau semi-conducteur et à former une deuxième couche de protection 60 sur une portion supérieure de la couche diélectrique 30 40 située sur les flancs 32, l'épaisseur e50, de la première couche de protection 50 étant supérieure à l'épaisseur e60, la deuxième couche de protection 60. Cette première gravure est de préférence une gravure plasma. Cette première 35 gravure de la couche diélectrique 40 utilise une chimie comprenant au moins: o au moins un premier composé à base de fluor (F) et 15 o au moins un deuxième composé pris parmi le Si,C1(2,+2) et le Si,F(2,+2)w, x, y et z étant des entiers, o de l'oxygène (0). Le premier composé à base de fluor permet une gravure efficace de la couche 5 diélectrique 40 avec une bonne anisotropie. Le deuxième composé permet d'améliorer la sélectivité de la gravure de la couche diélectrique vis-à-vis des couches sous-jacentes, par exemple faite d'un matériau semi-conducteur ou d'oxyde de silicium (Si02). De manière très schématisée en figure 30, les épaisseurs e3 et e13 illustrent cette 10 gravure sélective du matériau diélectrique vis-à-vis du matériau semi-conducteur. La quantité du premier composé à base de fluor est régulée de manière à consommer tous les composés à base de fluor, et donc à interrompre la première gravure avant de consommer toute l'épaisseur (prise selon l'axe Z) de la couche électrique 40 qui située sur les flancs 32. Selon un mode de réalisation 15 particulièrement avantageux, le premier composé à base de fluor a été intégralement introduit lors de l'étape préalable de gravure illustrée en figure 3B. Le fluor subsistant à l'issue de cette étape préalable de gravure est utilisé lors de ladite première gravure jusqu'à être entièrement consommé. Alternativement, une partie ou l'intégralité des composés à base de fluor 20 consommé lors de cette première gravure est introduite dans le réacteur plasma durant cette première gravure. La présence d'oxygène dans la chimie du plasma permet d'oxyder la surface des couches mises à nu. Tant qu'il y a des composés permettant la gravure des couches, typiquement le composé à base de fluor, la gravure ne permet pas la 25 formation d'une couche d'oxyde. En revanche, une fois que les composés permettant la gravure ont été entièrement consommés, l'oxydation permet la formation d'une couche d'oxyde sur les surfaces mises à nu. Cette oxydation forme des couches de protection référencées : - 50 sur le sommet 31 de la structure 30. Cette couche de protection 50 est par 30 exemple de type SixOyFz, si la structure 30 est à base de silicium. - 60 sur les portions supérieures de la couche diélectrique 40 située sur les flancs 32 du Fin 30. Cette couche de protection 60 est par exemple de type SixOyNwFz, si la couche diélectrique 40 est à base de SiN. - 70 sur la surface de la couche isolante 20. Cette couche de protection 70 est 35 par exemple de type SixOyFz, si la couche isolante 20 est à base de Six0y. 16 Le matériau semi-conducteur et plus réactif à l'oxygène que le matériau diélectrique. Il s'ensuit que l'épaisseur e50 de la couche de protection 50 formée sur le sommet 31 de la structure 30 est supérieure à l'épaisseur e60 formée sur la portion supérieure de la couche diélectrique 40 située sur les flancs 32 de cette structure 30. 5 Ainsi, la première couche de protection 50 présente une épaisseur e50 supérieure à celle e60 de la deuxième couche de protection 60. Typiquement, e50 kk1. e60, avec k1=1.5 et de préférence k1=2 et de et de préférence k1=3. De manière avantageuse, la couche de protection 70 formée sur la surface de la couche isolante 20 présente une épaisseur ema supérieure à celle e60 de la couche 10 de protection 60 située sur la couche diélectrique 40. Typiquement, e70 k2.e60, avec k2=1.5 et de préférence k2=2 et de et de préférence k2=3. De préférence, la chimie utilisée pour cette première gravure comprend également des espèces de dilution ou de dissociation telle que l'argon, l'hélium ou l'azote. 15 Le plasma peut être continu ou pulsé. De manière générale, un plasma pulsé permet de limiter l'endommagement du matériau semi-conducteur de la structure 30. Par exemple, au cours de cette gravure, on utilise pour le plasma une chimie comprenant : - du CyHyFz, par exemple du CH3F, 20 - du SiCI4 dont le débit est compris entre 2 et 15 et de préférence de l'ordre de 5 sccm, - de l'oxygène, - éventuellement un gaz de dissociation telle que l'Ar, l'He ou le N2. 25 La figure 4 illustre la consommation de la couche diélectrique 40 et de la structure en un matériau semi-conducteur 30 en fonction de la teneur du plasma en SiCI4. Dans cet exemple, le matériau diélectrique est du SiN et le matériau semiconducteur de la structure 30 du silicium. Les gaz injectés dans le réacteur plasma, en plus du SiCI4 sont les gaz suivants : CH3F, 02 et He. L'axe des abscisses correspond 30 au pourcentage de SiCI4 injecté dans le réacteur, en termes de débit, par rapport au débit des autres gaz. La zone 405 correspond un mode de gravure et la zone 406 correspond à un mode de dépôt. La courbe 401 illustre l'épaisseur gravée du matériau diélectrique. En 35 correspondance avec la figure 30, il s'agit de l'épaisseur e3. 17 La courbe 402 illustre l'épaisseur de silicium consommée par gravure augmentée de l'épaisseur de la couche de protection formée par l'oxyde sur le sommet de la structure en silicium. En correspondance avec la figure 30, il s'agit de l'épaisseur. Cette épaisseur est par exemple révélée après à bain humide pour enlever la couche 5 de protection. La courbe 403 illustre l'épaisseur de silicium consommée par gravure. Pour toutes ces courbes, la gravure est de préférence opérée avec un plasma pulsé. Dans les conditions 404, la chimie du plasma ne contient pas de SiCI4. Il apparaît alors que la consommation de silicium est significative (environ 30 nm), par 10 rapport à la consommation de SiN (environ 65 nm). Par ailleurs, il se forme une épaisseur quasiment nulle de couche de protection en oxyde. Dans les conditions 407, la chimie du plasma contient 1% SiCI4. Il apparaît alors que la consommation de silicium est très faible (environ 8 Angstrôm soit 0.8 nm), alors que l'on conserve une bonne consommation du SiN (environ 2 nm). Par ailleurs, il 15 se forme une épaisseur importante de couche de protection en oxyde (environ 40 nm). Les conditions 407 permettent ainsi de graver efficacement le matériau de la couche diélectrique 40, tout en limitant très fortement la consommation de la couche en matériau semi-conducteur 30 et tout en formant une épaisse couche de protection 50. La figure 4 correspond à un temps de procédé donné. Avec un temps plus long, on 20 continuerait à graver le SiN alors que le Si protégé par le dépôt SiOx ne serait pas gravé. La figure 5 illustre la consommation de la couche diélectrique 40 au cours du temps de surgravure (Over Etch). Les matériaux ainsi que les chimies utilisées pour 25 établir la courbe de la figure 5 sont identiques à celles utilisées pour établir les courbes de la figure 4. La période 501 correspond à une période de temps au cours de laquelle le mélange gazeux comprend des espèces fluorocarbonées et plus généralement au moins un composé à base de fluor (F). La période 502 correspond à une période de 30 temps au cours de laquelle le mélange gazeux ne comprend plus de composé à base de fluor (F). La zone 504 correspond un mode de gravure et la zone 505 correspond à un mode de dépôt. Comme cela apparaît sur cette figure 5, au-delà d'une durée de 30 à 35 secondes, la couche diélectrique 40 n'est plus gravée et la couche de protection 60 en 35 oxyde commence à se déposer sur la couche de nitrure. On peut en déduire que les 18 espèces participant activement à la gravure, telle que le composé à base de fluor (F) ne sont plus présents en quantité suffisante au-delà de cette durée. Au bout de cette durée, on peut donc interrompre la première gravure dont le résultat est illustré en figure 30, puis mettre en oeuvre la deuxième gravure dont le 5 résultat est illustré en figure 3D. L'homme du métier saura élaborer les courbes des figures 4 et 5 pour déterminer des conditions de fonctionnement adaptées aux matériaux et aux épaisseurs de son application. Ainsi, il saura déterminer la teneur en SixCly ou SixFy dans le mélange ainsi que le temps de gravure. 10 Comme illustré en figure 3D, à l'issue de la première gravure, on effectue une deuxième gravure. Cette gravure vise à retirer entièrement la deuxième couche de protection 60 située sur la portion supérieure de la couche diélectrique 40 recouvrant les flancs 32 15 des Fins 30 tout en conservant une portion e5ob de la première couche de protection 50 sur le sommet 31 des Fin 30. Cet objectif est d'autant plus facilement atteint que l'épaisseur e50 de la première couche de protection 50 est plus épaisse que celle e60 de la deuxième couche de protection 60. 20 Par ailleurs, au cours de cette étape, on conserve également une portion emb de l'épaisseur de la couche de protection formée au-dessus de la couche isolante 20. Cette étape est contrôlée au temps. Cette étape comprend principalement une gravure anisotrope. Typiquement, au cours de cette étape préalable de gravure, une épaisseur d'au moins 1 nm et de 25 préférence d'au moins 1 nm de la couche de protection 50 est consommée. De préférence, cette épaisseur consommée au cours de cette deuxième gravure est inférieure à 8 nm et de préférence inférieure à 4 nm et de préférence inférieure à 2 nm. De préférence, cette étape est effectuée de manière à ce que la couche de 30 protection 50 conservée pour protéger le sommet 31 des Fin présente une épaisseur résiduelle e5ob telle que e5ob k 1 nm et de préférence e5ob k 2 nm. Cette épaisseur permet de protéger efficacement les Fin 30. On notera que, de préférence, la première et/ou la deuxième gravure sont effectuées de sorte à former une couche de passivation sur la partie mise à nu des 35 flancs de la structure 30. Cette couche de passivation typiquement un film d'oxyde permet de protéger efficacement ces flancs contre un bombardement qui ne serait pas 19 parfaitement anisotrope. Ce film d'oxyde peut se former par la simple présence d'oxygène dans la chimie du plasma. Pour des raisons de clarté et puisqu'il est très fin comparativement aux couches d'oxydes 50, 60, ce film d'oxyde n'est pas représenté sur les figures 3c et suivantes. 5 La deuxième étape de gravure comprend de préférence une gravure plasma effectuée de manière à ce que la gravure s'opère selon une direction privilégiée parallèle aux flancs de la grille. Ainsi cette gravure est anisotrope. Sur les schémas, la direction privilégiée de gravure anisotrope est parallèle à l'axe Z. Cette étape de gravure est par exemple effectuée dans un équipement de 10 gravure de type réacteur plasma à couplage inductif (ICP), ou réacteur plasma à couplage capacitif (CCP). Cette étape de gravure par plasma est basée sur une chimie comprenant un composé à base de fluor (F). De préférence, cette chimie comprend une espèce fluorocarbonée, par exemple pris parmi les espèces suivants CxHyFz ou CxHy, x, y et 15 z étant des entiers, tel que le CF4 par exemple ainsi, on pourra utiliser la même chimie que pour l'étape préalable de gravure, de préférence avec une tension de polarisation (habituellement désignée bias) plus faible qu'au cours de la gravure préalable, ceci afin de limiter la consommation des couches sous-jacentes, en particulier de la couche en matériau semi-conducteur. 20 Il est également possible d'utiliser des chimies à base de SxFy, tel que le SF6. Il faut cependant s'assurer que la gravure avec ce type de chimie ne soit pas trop rapide afin de ne pas endommager la couche de matériau semi-conducteur. De préférence, la chimie fluorocarbonée comprend également au moins une espèce additionnelle de dilution ou de dissociation telle que l'argon (Ar) ou l'oxygène 25 (0). L'argon peut avoir pour inconvénient de rendre la vitesse de gravure trop élevée. Typiquement, l'épaisseur de la couche de protection que l'on grave au cours de cette deuxième étape de gravure est inférieure à 4 nm et de préférence inférieure à 2 nm. Typiquement, la vitesse de gravure de la couche de protection est de l'ordre de 10 nm/m. 30 Cette deuxième étape de gravure est interrompue, autant, après que toute la couche de protection 60 soit consommée et avant que toute la couche de protection 50 soit consommée. À l'issue de cette deuxième étape de gravure, la séquence d'étapes comprenant la première étape de gravure et la deuxième étape de gravure est réitérée. 35 Tout au long de chaque séquence, le sommet 31 du Fin 30 reste protégé par la couche de protection 50 formée par oxydation lors de la première étape de gravure 20 de chaque séquence. Il en est de même pour la face supérieure de la couche isolante 20 qui reste protégée par la couche de protection 70. Au cours de chaque première gravure, les portions 41 de couche diélectrique 40 recouvrant les flancs 32 du Fin 30 ont quant à elle été fortement consommées. 5 La figure 3E illustre le résultat de la première étape de gravure d'une séquence additionnelle. On voit sur cette figure 3E que la hauteur e30 du Fin 30 n'a pas été consommée et que le sommet 31 du Fin 30 est toujours recouvert par une couche de protection 50. Les portions 41 de couche diélectrique 40 recouvrant les flancs 32 du 10 Fin 30 ont quant à elles été significativement consommées. La figure 3F illustre le résultat que l'on obtient à l'issue d'une première étape de gravure voire d'une deuxième étape de gravure après avoir réitéré la séquence d'étapes. Comme illustré, les portions 41 de couche diélectrique 40 recouvrant les 15 flancs 32 du Fin 30 sont entièrement consommées. En revanche, la hauteur e30 du Fin 30 n'a pas été consommée ou n'a été que très peu consommée. Le sommet 31 du Fin 30 ainsi que la face supérieure de la couche isolante 20 sont toujours recouvertes par des couches de protection d'oxyde. On peut ensuite retirer les couches de protection 50, 70, et éventuellement 60 20 si elle demeure. Pour cela on pourra par exemple procéder à un retrait par voie humide, par exemple en utilisant un bain HF (acide fluorhydrique). Dans ce cas il est possible que l'on ait une légère consommation de la couche isolante 20 mais les couches de protection à base d'oxyde 50, 60, 70 se graveront plus vite. En effet les couches de protection à base d'oxyde 50, 60, 70 sont peu denses de par leur mode de 25 dépôt. Elles se gravent ainsi beaucoup plus vite qu'une BOX. Optionnellement, avant gravure de la couche diélectrique 40, c'est-à-dire avant l'étape préalable si elle est effectuée ou avant la première séquence comprenant les premier et deuxième gravures, on peut effectuer une étape de protection des flancs 30 de la couche électrique 40. En effet, au cours des différentes gravures, l'on cherche à graver la couche électrique 40 selon une direction Z perpendiculaire au plan XY du substrat 10. Ainsi, il peut être avantageux de limiter la consommation latérale (selon l'axe X) de la couche diélectrique 40. Pour cela, on peut former, de préférence par oxydation, une couche de protection sur la couche électrique 40. 35 21 Dans le cas de la réalisation d'un transistor FinFET, on souhaite conserver la couche diélectrique 40 sur les flancs de la grille 130 tout en retirant entièrement la couche diélectrique 40 sur les Fins 30. Or, les flancs de la grille 130 et les flancs 32 du Fin 30 sont généralement perpendiculaires au plan principal XY du substrat de support 5 10 et sont généralement parallèles à la direction principale (Z) d'implantation des ions issus du plasma. Afin d'éviter de consommer la couche diélectrique sur les flancs de la grille 130 lors du retrait de cette même couche sur les flancs des Fins 30, on prévoit que l'épaisseur e150 du masque dur 150 surmontant la grille 130 soit supérieure ou égale à l'épaisseur e30 du Fin 30. Ainsi, lorsque la couche diélectrique 40 recouvrant 10 les flancs 32 du Fin 30 sera entièrement consommée, la couche diélectrique 40 aura été consommée sur une partie au moins de l'épaisseur du masque dur mais continuera de recouvrir intégralement les flancs de la grille 130. Un exemple non limitatif de réalisation va maintenant être décrit. 15 Le matériau de la couche diélectrique est du nitrure de silicium SiN. Le matériau semi-conducteur de la structure 3D (Fin 30 dans cet exemple) est du silicium (Si). L'épaisseur initiale e30 du Fin 30 est d'environ 32 et 56 nm. La couche diélectrique 40 présente une épaisseur e10 initiale comprise entre 8 et 12 nanomètres, 20 et d'environ 8 nm dans cet exemple. La gravure préalable, dont le résultat est illustré en figure 3B peut être opéré en mettant en oeuvre les conditions suivantes : Gravure préalable: 25 Épaisseur e12 de SiN conservée à l'issue de la gravure: 2-3 nm Épaisseur e11 de SiN gravée: 6 nm Chimie : CHF3: 30 sccm He: 220 sccm Type de plasma ICP, CCP, pulsé ou continu Puissance de la source : 300 Watts Tension de polarisation (bias) : 65 Volts Pression : 5 milli Torr Température du substrat de support : 60°C Temps : 20 secondes 22 Séquence d'étapes: Première Gravure: Chimie : CH F3: 200 sccm 02: 200 sccm He: 120 sccm SiCI4: 5 sccm Type de plasma ICP, CCP Plasma pulsé 50% à 500Hz Puissance de la source : 400 Watts Tension de polarisation (bias) : 250 Volts Pression : 10 à 100 milli Torr Température du substrat de support : 60°C entre 20°C et 100°C 5 Lors de cette étape, le plasma peut être continu ou pulsé. Un plasma pulsé permet de limiter plus efficacement l'endommagement de la couche de silicium. La fréquence du plasma pulsé est de préférence comprise entre 200 Hz et 5 kHz, de préférence de l'ordre de 500 Hz, avec un taux d'activation de 10% à 90% et typiquement de 50%. 10 Typiquement, au cours de cette première étape de gravure, on grave une épaisseur e3 de SiN sur les flancs 32 du Fin 30 d'environ 5 nm. On grave une épaisseur e13 de SiN sur le sommet 31 du Fin 30 d'environ 5 nm. 15 Deuxième Gravure: Chimie : CF4: 50 sccm 02: 200 sccm Type de plasma ICP, CCP Plasma, possiblement pulsé Oui, 50% à 500Hz Puissance de la source : 1200 Watts Tension de polarisation (bias) : 50-100V Pression : 50-100 milli Torr Température du substrat de support : entre 20°C et 100°C 23 Typiquement, au cours de cette première étape de gravure, on grave la couche de protection en oxyde à une vitesse de l'ordre de 10 nm/m. Typiquement, lors de cette étape, l'épaisseur de couche de protection gravée est inférieure à 2 nm dans cet exemple. Plus généralement, cette épaisseur est 5 inférieure à 4 nm. Au vu de la description qui précède, il apparaît clairement que la présente invention propose une solution efficace pour graver entièrement et avec une grande précision la couche diélectrique sur le sommet et les faces d'une structure 3D tout en 10 évitant d'endommager cette structure 3D. Typiquement, la gravure de la couche diélectrique se fait avec une précision atomique ou proche de la monocouche gravée. L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation précédemment décrits et s'étend à tous les modes de réalisation couverts par les revendications. 15 Par exemple, le procédé peut ne pas comprendre d'étape préalable de gravure. Ainsi, la gravure de la couche diélectrique est uniquement opérée par les séquences comprenant les première et deuxième gravures. Bien qu'elle trouve pour application particulièrement avantageuse la réalisation des transistors de type FinFET, l'invention s'applique à toutes les gravures 20 d'une couche diélectrique présentant une structure en trois dimensions. Ainsi, REVENDICATIONS1. Procédé de gravure d'une couche diélectrique (40) recouvrant au moins un sommet (31) et au moins un flanc (32, 32) d'une structure (30) de préférence à base d'un matériau semi-conducteur, caractérisé par le fait qu'il comprend une pluralité de séquences comprenant chacune au moins les étapes successives suivantes : - une première gravure de la couche diélectrique (40), par plasma, en utilisant une chimie comprenant au moins: o au moins un premier composé, le premier composé étant à base de fluor (F) et o au moins un deuxième composé pris parmi le SiC1(2,.2) et le SiF(2+2)w, x, y et z étant des entiers, o de l'oxygène (0). la première gravure étant effectuée de manière à: o générer un bombardement ionique dirigé principalement selon une direction parallèle audit flanc (32, 32), o réguler la quantité de l'au moins un premier composé pour consommer tout le composé à base de fluor lors de cette première gravure de manière à interrompre la première gravure avant consommation de toute l'épaisseur de la couche diélectrique (40) située sur le flanc (32) et après avoir consommé toute l'épaisseur de la couche diélectrique (40) située sur le sommet (31), o former une première couche de protection (50) par oxydation d'une portion (23) supérieure du sommet (31) de la structure (30) en un matériau semi- conducteur et former une deuxième couche de protection (60) par oxydation d'une portion supérieure de la couche diélectrique (40) située sur le flanc (32), l'épaisseur (e50,) de la première couche de protection (50) étant supérieure à l'épaisseur (e60,) la deuxième couche de protection (60), - une deuxième gravure pour retirer entièrement la deuxième couche de protection (60) tout en conservant une portion e50b de l'épaisseur de la première couche de protection (50), la séquence étant réitérée jusqu'au retrait complet de la couche diélectrique (40) située sur le flanc (32) de la structure (30). 25 2. Procédé selon la revendication précédente comprenant une étape préalable de dépôt de ladite couche diélectrique (40) sur ladite structure (30) et dans lequel ledit dépôt de ladite couche diélectrique (40) est un dépôt conforme. 5 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes comprenant une étape préalable de gravure de la couche diélectrique (40), effectuée avant ladite séquence d'étapes, l'étape préalable de gravure étant interrompue de manière à conserver une portion de la couche diélectrique (40) située sur le sommet (31) de la structure (30) en un matériau semi-conducteur. 10 4. Procédé selon la revendication précédente dans lequel l'étape préalable de gravure de la couche diélectrique (40) est basée sur une chimie fluorocarbonée. 5. Procédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans 15 lequel l'étape préalable de gravure est interrompue en contrôlant le temps de gravure, de manière à ce l'épaisseur e11 gravée de la couche diélectrique (40) lors de cette étape préalable est telle que 0.95 * eu) e11 k 0.7 * elo, eu) étant l'épaisseur de la couche diélectrique (40) avant gravure par ladite étape préalable. 20 6. Procédé selon la revendication précédente dans lequel e10 k 6 nm et de préférence e10 k 8 nm. 7. Procédé selon l'une quelconque des quatre revendications précédentes dans lequel ladite portion de la couche diélectrique (40) conservée à l'issue de l'étape 25 préalable de gravure présente une épaisseur (e12) supérieure ou égale à 2 nm (20-9 mètres) et de préférence comprise entre 2 et 20 nm. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit premier composé à base de fluor (F) de la chimie utilisée pour la première étape 30 de gravure provient, de préférence intégralement, de la chimie utilisée lors de ladite étape préalable de gravure. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le premier composé à base de fluor (F) provient de la dissociation d'au moins un 35 composé pris parmi les composés fluorocarbonés. 26 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la deuxième gravure est une gravure à base d'une chimie fluorée ou fluorocarbonée. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la 5 deuxième gravure est contrôlée au temps, de manière à retirer entièrement la deuxième couche de protection (60) et à conserver une partie (e50b) de l'épaisseur (e50,) de la première couche de protection (50). 12. La structure (30) en un matériau semi-conducteur est faite en un matériau pris 10 parmi les matériaux suivants: silicium (Si), germanium (Ge), silicium-germanium (SiGe). 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la structure (30) en un matériau semi-conducteur forme un canal d'un transistor FinFET. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la structure (30) repose sur un substrat de support (10) et dans lequel ledit flanc (32) s'étend selon un plan perpendiculaire (YZ) à un plan principal (XY) selon lequel le substrat de support (10) s'étend. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite structure (30) est formée par un au moins un bloc ou une lamelle de matériau semi-conducteur. 25 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel ladite structure (30) est formée par une couche, éventuellement conforme, présentant une forme tridimensionnelle. 17. Procédé de réalisation d'un transistor FinFET (100) surmontant un substrat de 30 support (10), le transistor FinFET (100) comprenant une grille (130) et au moins un canal (110) traversant la grille (130) et s'étendant depuis un flanc de la grille (130) pour former au moins une structure (30) de préférence en un matériau semi-conducteur, ladite structure (30) présentant un sommet (31) et au moins deux flancs (32, 32), le procédé comprenant : 35 - le dépôt d'une couche diélectrique (40) recouvrant la grille (130) et ladite structure (30), 15 20 27 la gravure de la couche diélectrique (40) en mettant en oeuvre le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, de manière retirer complètement la couche diélectrique (40) située sur la structure (30) formée par le canal (110). 5 18. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le transistor (100) présente un masque dur (150) recouvrant un sommet de la grille (130), la couche diélectrique (40) étant déposée sur le masque dur (150), le masque dur (150) présentant une épaisseur e150, tel que e150 e30, e30 étant l'épaisseur de la structure 10 (30), et de préférence e150 k 1.2 * e30.