FR 3075833 A1 20190628 FR 1763186 A 20171222 DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION La présente invention concerne en général les techniques de croissance de couches de nitrure (N) obtenues à partir d'au moins un matériau pris parmi le gallium (Ga), l'indium (In) et l'aluminium (AI) sur une face d'une couche cristalline. L'invention trouve notamment pour application avantageuse le domaine des diodes électroluminescentes (DEL) et des lasers. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Les dispositifs optoélectroniques commerciaux modernes et en particulier les diodes électroluminescentes (DEL) et les lasers utilisent des matériaux semi- conducteurs comprenant un nitrure (N) obtenu à partir d'au moins un matériau pris parmi le gallium (Ga), l'indium (In) et l'aluminium (AI). Ce type de nitrure est classiquement obtenu par croissance épitaxiale à partir d'une couche cristalline. Un enjeu majeur consiste à minimiser la densité de défauts dans la couche de nitrure obtenue par épitaxie. En effet, les dispositifs électroluminescents de type LEDs et lasers sont très sensibles à la densité de défauts de structure tels que les dislocations. Ces défauts agissent comme des centres de recombinaison non radiatifs qui limitent l'efficacité d'émission. Les performances des dispositifs électroluminescents sont donc fortement dégradées lorsque la densité de défauts dans la couche de nitrure est importante. Plusieurs raisons expliquent la présence de dislocations. Une première raison est que la croissance épitaxiale de la couche de nitrure est réalisée sur des hétéro-substrats, c'est-à-dire sur des substrats dont le matériau et donc les paramètres de maille sont différents de ceux de la couche de nitrure que l'on veut épitaxier. Une deuxième raison qui explique la présence de dislocations est que la croissance épitaxiale s'effectue de manière colonnaire. Ceci est lié principalement à la diffusivité faible des espèces en surface de l'hétéro-substrat pendant la croissance, ce qui se traduit par la formation de grains de taille réduite. Lors de la coalescence, ces grains se joignent en formant à leur interface, c'est-à-dire au niveau du joint de coalescence, des dislocations qui traversent ensuite toute la structure épitaxiée. La façon la plus directe pour résoudre ces problèmes consiste à utiliser des substrats de même nature que les couches que l'on veut épitaxier (homo-substrats). Par exemple, dans le cas des matériaux nitrures qui couvrent les gammes d'émission allant de l'infrarouge à l'ultraviolet profond, on peut se servir de substrats de GaN pour 2 faire croître par épitaxie des structures émettrices dans le bleu à base de GaN, ou des substrats d'AIN pour les structures émissives dans l'UV profond. L'épitaxie y est alors facile. En effet, la couche épitaxiée reproduit la structure du substrat sous-jacent sans qu'il y ait de grains et donc de joints de coalescence. On évite ainsi la présence de 5 dislocations. Cependant, ces substrats ne sont pas disponibles commercialement ou ne sont encore que de faibles dimensions, typiquement d'un diamètre inférieur à un pouce (2,5 cm), ce qui ne permet pas d'y découper des substrats de dimensions suffisantes pour les applications industrielles envisagées. 10 Les solutions envisagées à ce jour pour des applications industrielles reposent donc principalement sur l'utilisation d'hétéro-substrats. Cependant lorsque l'on utilise des hétérosubstrats, de nombreuses dislocations sont générées dans les couches épitaxiées et ces défauts se propagent jusque dans les zones actives du dispositif. Une solution pour réduire la densité de 15 dislocations consiste à recourir à des méthodes dites de « recroissance latérale » ou ELOG, acronyme de l'anglais « epitaxial lateral overgrowth ». Le principe de cette méthode repose sur le fait qu'a un certain stade de la croissance épitaxiale, on procède au dépôt d'un masque présentant des ouvertures. Les germes de croissance croissent dans les ouvertures puis au-dessus du masque 20 par recroissance latérale. La recroissance latérale se traduit par la courbure des dislocations issues des germes, ce qui évite donc leur propagation verticale. Ce type de procédé permet donc d'éliminer un grand nombre de dislocations par courbure, mais des dislocations sont aussi créées à la coalescence. En effet lorsque deux cristallites issues de deux ouvertures adjacentes se joignent au-dessus du masque, il 25 se forme un joint de coalescence et la dislocation peut atteindre la surface. En pratique, si on constate bien que les dislocations sous le masque sont effectivement bloquées, les dislocations qui arrivent à se propager au travers des ouvertures du masque se propagent dans la couche épitaxiée et peuvent atteindre la surface. 30 Bien sûr, la densité de dislocations traversantes issues de la coalescence est fortement réduite par rapport à ce qu'elle est dans le cas de la coalescence « naturelle », puisque les « grains » sont de dimensions plus importantes (typiquement de l'ordre de la période des ouvertures dans le masque). Mais ces dislocations sont distribuées de façon non uniforme, ce qui peut poser problème lors de la fabrication des 35 dispositifs, puisque résultant de la formation de bandes de matériau non luminescent à l'aplomb de ces zones. 3 Une autre solution consiste à faire recroitre par épitaxie du matériau sur des plots préexistants de ce matériau : il s'agit du procédé dit de pendeo-épitaxie qui permet de s'affranchir de la recroissance sur le masque. En revanche, les solutions connues de pendeo-épitaxie ne permettent pas d'éliminer voire de réduire 5 significativement l'apparition de défauts générés par la coalescence de germes adjacents. Il existe donc un besoin consistant à proposer une solution pour obtenir une couche de nitrure (N) obtenue à partir d'au moins l'un parmi le gallium (Ga), l'indium 10 (In) et l'aluminium (AI) et présentant une densité de défauts significativement réduite. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. 15 RÉSUMÉ DE L'INVENTION Selon un exemple de réalisation, la présente invention a pour objet un procédé d'obtention d'au moins une couche de nitrure (N) obtenue de préférence à partir d'au moins l'un parmi le gallium (Ga), l'indium (In) et l'aluminium (AI). Le procédé comprend 20 les étapes suivantes: - fournir un empilement comprenant un substrat et au moins les couches suivantes successivement disposées depuis le substrat : - une couche de fluage présentant une température de transition vitreuse Ttransition vitreuse, 25 - une couche cristalline, - former des plots par gravure au moins de la couche cristalline et d'au moins une portion de la couche de fluage de manière à ce que chaque plot comporte au moins : - un tronçon de fluage formé par une portion au moins de la couche de 30 fluage, - un tronçon cristallin formé par la couche cristalline et surmontant le tronçon de fluage ; - faire croitre par épitaxie une cristallite sur certains au moins desdits plots et poursuivre la croissance épitaxiale des cristallites au moins jusqu'à 35 coalescence des cristallites portées par deux plots adjacents, de manière à 4 former ladite couche de nitrure, la croissance épitaxiale étant effectuée à une température Tépitaxie, telle que : Tépitaxie k1. Ttransition vitreuse, avec k1 = 0.8 5 Ainsi, lors de l'épitaxie, la portion du plot qui est formée par le tronçon de fluage atteint (ou dépasse) sa température de transition vitreuse ou une température très proche de cette dernière. Sous l'effort d'une contrainte mécanique, cette portion de plot peut ainsi se déformer. Ainsi lorsque deux cristallites entrent en contact et 10 coalescent, les contraintes mécaniques générées par ce contact sont transférées aux plots et donc aux tronçons de fluage. Ce dernier se déforme, absorbant de ce fait une partie voire toutes les contraintes mécaniques. On peut ainsi réduire considérablement, voire éviter, l'apparition et la propagation de dislocations au niveau des joints de coalescence entre deux cristallites. 15 En particulier, si les cristallites sont désorientés les uns par rapport aux autres dans le plan dans lequel le substrat s'étend principalement (« twist ») ou hors plan (« tilt »), la désorientation entre cristallites résulte en la création d'un joint de grains à la coalescence. Ce joint de grains est fortement énergétique puisqu'il résulte de la superposition des champs de contrainte des défauts qui le composent. Si les cristallites 20 poussent sur des plots qui peuvent se déformer, les cristallites adjacentes s'orientent dans le plan ou hors plan pour minimiser l'énergie élastique totale du système sans qu'il y ait formation de joints de grains. L'invention permet ainsi d'obtenir des couches de nitrure (N) obtenue à partir d'au moins l'un parmi le gallium (Ga), l'indium (In) et l'aluminium (AI) présentant une 25 densité de dislocations significativement réduite. Par conséquent, le procédé selon l'invention apporte une solution particulièrement efficace au problème de la génération de défauts liés à la coalescence. Ce procédé, tout particulièrement lorsqu'il est appliqué à des cristallites réalisées sur substrat du type SOI (silicium sur isolant) et de dimensions 30 nanométriques, résulte en une réduction très notable de la densité de défauts liés à la coalescence, permettant la réalisation de pseudo-substrats avec de très faibles densités de dislocations. L'invention a également pour avantage de faciliter l'obtention de LEDs émettant dans la longueur d'onde du rouge. En effet, l'invention permet d'obtenir des 35 couches de l'alliage GaInN présentant peu voire pas de défauts et contraintes, ce qui permettra d'incorporer plus d'indium et donc d'obtenir plus facilement des LEds rouges. 5 Avant d'entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l'invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement. 5 Selon un exemple de réalisation, en début de croissance épitaxiale, chaque cristallite est entièrement supportée par uniquement un plot. De préférence, lors de l'étape de croissance épitaxiale, une cristallite se développe sur chacun des plots. Selon un exemple de réalisation, la couche de fluage est faite d'un matériau 10 pris parmi : - un oxyde de silicium Six0y, x et y étant des entiers. De préférence, la couche de fluage est en 5i02, - un verre, - un verre en borosilicate, 15 - un verre en borophosphosilicate (BPSG) Selon un exemple de réalisation, k1 = 0.87 ou k1 = 0.9. Selon un exemple particulièrement avantageux, k1= 0.92. Ainsi, dans le cas où les tronçons de fluage sont formés en 5i02, Tépitaxie k 1104°C, Ttransition vareuse pour le 20 5i02 étant égale à 1200°C. Selon un exemple de réalisation encore plus préférentiel, k1 = 0.95. Selon un exemple de réalisation encore plus préférentiel, k1 = 1, et de préférence k1 = 1,5. Selon un exemple de réalisation, Tépitaxie k2*Tfusion min, Tfusion min étant la 25 température de fusion la plus faible parmi les températures de fusion des matériaux formant les tronçons du plot. Il s'agit principalement du tronçon cristallin et du tronçon de fluage. Selon un exemple de réalisation, k2 = 0.9. Cela permet d'éviter une diffusion des espèces du matériau dont la température de fusion est la plus faible. 30 Ainsi, dans le cas où le plot est formé de tronçons de fluage en 5i02 et de tronçons cristallins en silicium, Tépitaxie 1296°C. En effet, Tfusion min est égale à la température de fusion du silicium puisque la température de fusion du silicium est égale à 1440° et la température de fusion du 5i02 est égale à 1970°C. De préférence, k2= 0.8. 35 6 Selon un exemple de réalisation, les plots comprennent au moins une couche tampon, en un matériau différent de celui de ladite couche de nitrure, surmontant la couche cristalline, et de préférence ladite couche de nitrure est une couche de nitrure de gallium (GaN) et la couche tampon est en nitrure d'aluminium (AIN). 5 Cela permet, lorsque ladite couche de nitrure est une couche de nitrure de gallium (GaN), d'éviter l'apparition du phénomène de melt back etching (gravure par refusion), généré par la très forte réactivité entre le gallium et le silicium. Selon un exemple de réalisation, la couche tampon est formée par dépôt par épitaxie au-dessus de la couche cristalline, avant l'étape de formation de la pluralité de 10 plots par gravure. Selon un exemple de réalisation l'empilement comprend, avant l'étape de croissance épitaxiale de ladite couche de nitrure, au moins ladite couche tampon. Le fait de former la pluralité de plots par gravure après la formation de la couche tampon au-dessus de la couche cristalline, permet d'éviter que la couche tampon ne se 15 dépose entre les plots, typiquement sur le fond de la couche de fluage ou ne se dépose sur les parois des tronçons formés par la couche cristalline, ce qui aurait été le cas si cette étape de formation de la couche tampon avait été réalisée après gravure de l'empilement pour former les plots. On évite ainsi la croissance épitaxiale de la couche de nitrure à partir de la couche de fluage. Naturellement, on observe cet 20 avantage lorsque la croissance de la couche de nitrure déposée par épitaxie s'effectue de manière sélective. Cette croissance s'effectue en effet sur le matériau de la couche tampon mais ne s'effectue pas sur le matériau des tronçons de fluage. Tel est le cas lorsque ces derniers sont en 5i02, la couche tampon est en AIN et la couche de nitrure déposée par épitaxie, par exemple selon une technique MOVPE (épitaxie en phase 25 vapeur aux organométalliques), est du GaN. Ainsi ce dernier ne se dépose pas au pied des plots. Selon un exemple de réalisation avec ou sans couche-tampon, ladite couche de nitrure est une couche de nitrure de gallium (GaN) et les plots comprennent, avant l'étape de croissance épitaxiale de ladite couche de nitrure, au moins une couche 30 d'amorçage, surmontant ladite couche tampon et faite de nitrure de gallium (GaN). Selon un exemple de réalisation, l'empilement comprend, avant ladite étape de formation des plots par gravure, au moins une couche d'amorçage, surmontant ladite couche cristalline, la couche d'amorçage étant faite du même matériau que ladite couche de nitrure. 35 Ainsi, dans un mode de réalisation dans lequel ladite couche de nitrure est du GaN, la couche d'amorçage est également en GaN. 7 Avantageusement, cette couche d'amorçage permet de faciliter la reprise de la croissance épitaxiale pour la formation des cristallites. Cette caractéristique est d'autant plus avantageuse que la surface du sommet des plots est faible. 5 Selon un exemple de réalisation, fournir ledit empilement revient à fournir un substrat élaboré de type silicium sur isolant (SOI) comprenant un substrat de base surmonté successivement d'une couche d'oxyde formant ladite couche de fluage et d'une couche semi-conductrice formant ladite couche cristalline. 10 Selon un exemple de réalisation, la hauteur e220 que le tronçon de fluage doit présenter est telle que e220 k 0.017 * de:4, (Jet étant le diamètre du plot ou plus généralement la distance bord à bord du plot prise, au niveau du tronçon de fluage et dans une direction parallèle au plan principal dans lequel s'étend le substrat, par exemple selon l'horizontale sur les figures 1 c à le 15 De préférence, e220 k 0.05 * (Jet. De préférence, e220 k 0.1 * doot. De préférence, e220 1 * doot. Ces valeurs, permettent d'obtenir une déformation suffisante pour réduire les contraintes au niveau du joint de grain. 20 Selon un exemple, dcristallite det k3, dpm étant le diamètre du plot ou plus généralement la distance bord à bord du plot prise, au niveau du tronçon de fluage et dans une direction parallèle au plan principal dans lequel s'étend le substrat, par exemple selon l'horizontale sur les figures lc à 1 e. dcristallite correspond à la dimension de la cristallite mesurée selon la même direction que det. On notera que dcristaihte 25 correspond au pas entre deux plots. Ainsi, comme illustré sur la figure lc à le, au moment de la coalescence dcristallite = D+dplot. Selon un exemple 100k k3 k 1.1. De préférence, 50k k3 k 1.5. De préférence, 5k k3 k 2. Cette caractéristique permet aux tronçons de fluage de se déformer pour encaisser de manière particulièrement efficace les contraintes mécaniques qui 30 naissent lorsque deux cristallites adjacentes commencent à coalescer. Ainsi, cette caractéristique contribue efficacement à réduire la densité de défauts au sein de la couche de nitrure que l'on obtient au final. Selon un exemple de réalisation, les tronçons présentent une hauteur e220 et deux plots adjacents sont distants d'une distance D, telle que : 35 e220/ D k1. Ttransition vitreuse, avec k1=0.8, Tépitaxie étant la température minimale permettant la formation par épitaxie de la couche 25 de nitrure. Selon un exemple particulièrement avantageux, k1= 0.92. Selon un exemple de réalisation encore plus préférentiel, k1 = 0.95. Selon un exemple de réalisation encore plus préférentiel, k1 = 1, et de préférence k1 = 1,5. Selon un autre mode de réalisation, la présente invention a pour objet une diode 30 électroluminescente (LED) comprenant au moins un dispositif microélectronique selon l'invention. Par dispositif microélectronique, on entend tout type de dispositif réalisé avec des moyens de la microélectronique. Ces dispositifs englobent notamment en plus des 10 dispositifs à finalité purement électronique, des dispositifs micromécaniques ou électromécaniques (MEMS, NEMS...) ainsi que des dispositifs optiques ou optoélectroniques (MOEMS...) 5 BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée de modes de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d'accompagnement suivants dans lesquels : La FIGURE 1, composée des FIGURES la à le, illustre des étapes d'un exemple de 10 procédé selon la présente invention. La FIGURE 2a illustre de manière schématique, en vue du dessus, la coalescence de deux cristallites dans le cadre d'un procédé classique de pendeo-épitaxie. La FIGURE 2b illustre de manière schématique, en vue du dessus, la coalescence de deux cristallites dans le cadre d'un exemple de procédé selon la présente invention. 15 La FIGURE 3, composée des FIGURES 3a et 3b illustrent de manière schématique, en vue de côté, la coalescence de deux cristallites dans le cadre d'un exemple de procédé selon la présente invention. La FIGURE 4 est une photo illustrant un plot surmonté d'une cristallite, obtenue par mise en oeuvre d'un exemple de procédé selon la présente invention. 20 La FIGURE 5 est composée des figures 5a et 5b qui sont des photos montrant une couche obtenue par épitaxie après mise en oeuvre du procédé selon la présente invention. La FIGURE 6 est composée des figures 6a à 6c qui sont des photos illustrant le résultat de la mise en oeuvre d'un exemple de procédé selon la présente invention. 25 La FIGURE 7 est composée des figures 7a à 7c qui sont des photos illustrant le résultat de la mise en oeuvre d'un exemple de procédé selon la présente invention. La FIGURE 8 est composée des figures 8a à 8b qui sont des photos illustrant respectivement, en vue de côté en coupe et en vue du dessus, le résultat de la mise en oeuvre d'un exemple de procédé selon la présente invention. 30 Les figures sont données à titre d'exemples et ne sont pas limitatives de l'invention. Elles sont des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont donc pas nécessairement à la même échelle que les applications pratiques. En particulier, les épaisseurs relatives des différentes couches, tronçons et cristallites ne sont pas représentatives de la 35 réalité. 11 DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, les termes « sur », « surmonte », « recouvre » ou « sous-jacent » ou leurs équivalents ne signifient pas « au contact de ». Ainsi par exemple, « le dépôt d'une première couche sur une 5 deuxième couche » ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant soit directement à son contact soit en étant séparée d'elle par au moins une autre couche ou au moins un autre élément y compris de l'air. 10 Dans la description qui suit, l'épaisseur ou la hauteur est prise selon une direction perpendiculaire aux faces principales des différentes couches. Sur les figures, l'épaisseur ou la hauteur est prise selon la verticale. De même lorsqu'on indique qu'un élément est situé au droit d'un autre élément, cela signifie que ces deux éléments sont situés tous deux sur une même ligne 15 perpendiculaire au plan principal du substrat, soit sur une même ligne orientée verticalement sur les figures. On entend par une couche, « à base » d'un matériau A, une couche comprenant ce matériau A uniquement ou comprenant ce matériau A et éventuellement d'autres matériaux, par exemple des éléments dopants 20 Dans la suite de la description, les termes cristaux et cristallites seront considérés comme équivalents. Le principe général du procédé selon l'invention va maintenant être décrit en référence aux figures la à le. 25 Comme illustré en figure la, on fournit un empilement comprenant au moins un substrat 100, surmonté successivement d'une couche de fluage 200 et d'une couche cristalline de 300. Selon un exemple de réalisation le substrat 100 est à base de silicium, amorphe ou cristallin. Il assure la tenue mécanique de l'empilement. 30 La couche cristalline 300 présente une face inférieure en regard de la couche de fluage 200 et une face supérieure dont la fonction est de servir de couche de base pour faire croître par épitaxie la couche de nitrure que l'on souhaite obtenir au final. Par exemple, la couche que l'on souhaite obtenir au final est une couche 550 de nitrure de gallium GaN. Selon un exemple de réalisation, la couche cristalline 300 est à base de 35 silicium monocristallin. 12 De préférence, la couche de fluage 200 est faite d'un oxyde, de préférence un oxyde de silicium Six0y, tel que le Si02. Le rôle de cette couche sera explicité dans la suite de la description. De manière avantageuse mais non limitative, cet empilement constitue un 5 substrat de type semi-conducteur sur isolant, de préférence silicium sur isolant (SOI). Dans ce cas, la couche de fluage 200 est formée par la couche d'oxyde enterré (BOX) du substrat SOI. Selon un exemple de réalisation avantageux illustré en figure lb, on dépose, par 10 épitaxie sur la face supérieure de la couche cristalline 300, une couche tampon 400. Lorsque la couche 550 que l'on souhaite obtenir au final est une couche de GaN et que la couche cristalline 300 est une couche à base de silicium, cette couche tampon 400 est typiquement en nitrure d'aluminium (AIN). Cela permet d'éviter le phénomène dit de «Melt-back etching» (gravure par refusion), généré par la très forte réactivité entre le 15 silicium et le gallium aux températures usuelles d'épitaxie (1000/1100°C) et qui conduit à dégrader très fortement la couche de GaN. Typiquement, l'épaisseur de la couche d'AIN est comprise entre 50 et 200 nanomètres (10-9 mètres). Comme illustré en figure lb, on peut également déposer par épitaxie, sur la face 20 supérieure de la couche tampon 400, une couche d'amorçage 500. Cette couche d'amorçage 500 a pour fonction de faciliter la reprise de croissance des cristallites 510 lors des étapes suivantes. Cette couche d'amorçage 500 est de préférence réalisée dans le même matériau que la couche 550 que l'on souhaite obtenir au final. Typiquement, lorsque la couche que l'on souhaite obtenir au final est une couche 550 25 de nitrure de gallium GaN, la couche d'amorçage 500 est également en GaN. Elle présente typiquement une épaisseur comprise entre 50 et 200 nanomètres. On notera que les couches 400 et 500 sont uniquement optionnelles. Selon des modes de réalisation non illustrés en figure 1, on pourra prévoir uniquement la couche tampon 400 ou uniquement la couche d'amorçage 500, ou 30 encore aucune de ces deux couches 400 et 500. Comme illustré en figure lc, on forme des plots 1000a-1000e à partir de l'empilement. Ces plots sont obtenus par gravure de l'empilement jusque dans la couche de fluage 200. 35 Pour former les plots par gravure, on pourra recourir aux nombreuses techniques de gravure connues de l'homme du métier. On pourra notamment utiliser les 13 techniques classiques de lithographie, telles que les techniques de photolithographie comprenant la formation d'un masque, par exemple en résine, puis le transfert des motifs du masque dans l'empilement. On pourra également recourir aux techniques de lithographie par faisceau d'électrons (e-beam) ou aux techniques d'impression 5 nanométrique. Ces plots 1000a-1000e sont de faibles dimensions et peuvent être qualifiés de nano-plots. Typiquement, la dimension maximale de la section des plots est comprise entre quelques dizaines et quelques centaines de nanomètres, plus précisément entre 10 et 500 nanomètres et de préférence 100 nm. Cette dimension maximale de la 10 section des plots est référencée det en figure 1c. Si les plots sont de sections circulaires, cette dimension maximale det correspond au diamètre des plots. Si les plots sont de section hexagonale, cette dimension maximale (Jet correspond à la diagonale ou au diamètre du cercle passant par les angles de l'hexagone. Selon un exemple de réalisation, les tronçons présentent une hauteur e220 et 15 deux plots adjacents sont distants d'une distance D, telle que : e220/ D 1100°C. Ces valeurs permettent de réduire de manière particulièrement efficace les défauts dans la couche épitaxiée lorsque la couche de fluage est en Si02. En pratique, Tépitaxie 1500°C 15 Afin de faciliter la formation de joints de coalescence 560 sans dislocation, il sera préférable d'appliquer les conditions suivantes : Tépitaxie Ttransition vitreuse, avec kl = 0.8, de préférence kl = 1 et de préférence kl = 1,5. 20 Selon un exemple de réalisation, Tépitaxie k2. Tfusion min, Tfusion min étant la température de fusion la plus faible parmi les températures de fusion des tronçons formant le plot. Il s'agit principalement du tronçon cristallin et du tronçon de fluage. Selon un exemple de réalisation, k2 = 0.9. Cela permet d'éviter une diffusion des espèces du matériau dont la température de fusion est la plus faible. 25 Ainsi, dans le cas où le plot est formé de tronçons de fluage en 5i02 et de tronçons cristallins en silicium, Tépitaxie 1296°C. En effet, Tfusion min est égale à la température de fusion du silicium puisque la température de fusion du silicium est égale à 1440° et la température de fusion du 5i02 est égale à 1970°C. 30 Selon un exemple de réalisation, la hauteur e220 du tronçon de fluage est telle que e220 k 0.017 doot. De préférence, e220 k 0.05 doot. De préférence, e220 k 0.1 doot. De préférence, e220 k 1 doot. Ces valeurs, permettent d'obtenir une déformation suffisante pour réduire les contraintes au niveau du joint de grain. Les plots 1000a-1000e présentent une hauteur He,t, et deux plots 1000a-1000e 35 adjacents sont distants d'une distance D, telle que : Hplot/ D REVENDICATIONS1. Procédé d'obtention d'une couche de nitrure (N) (550) obtenue de préférence à partir d'au moins l'un parmi le gallium (Ga), l'indium (In) et l'aluminium (AI), caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes suivantes: - fournir un empilement comprenant un substrat (100) et au moins les couches suivantes successivement disposées depuis le substrat (100): - une couche de fluage (220) présentant une température de transition vitreuse Ttransition vitreuse, - une couche cristalline (300), - former des plots (1000a-1000e) par gravure au moins de la couche cristalline (300) et d'au moins une portion (220) de la couche de fluage (200) de manière à ce que chaque plot (1000a-1000e) comporte au moins : - un tronçon de fluage (220a, 220b) formé par une portion au moins de la couche de fluage (200), - un tronçon cristallin (300a, 300b) formé par la couche cristalline (300) et surmontant le tronçon de fluage (220a, 220b), - faire croitre par épitaxie une cristallite (510a-510e) sur certains au moins desdits plots (1000a-1000e) et poursuivre la croissance épitaxiale des cristallites (510a-510e) au moins jusqu'à coalescence des cristallites (510a- 510e) portées par deux plots (1000a-1000e) adjacents, de manière à former ladite couche de nitrure (550), la croissance épitaxiale étant effectuée à une température Tepitaxie, telle que : Tépitaxie > ki- Ttransition vitreuse, avec k1 k 0,8 2. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la couche de, fluage (200) est faite d'un matériau pris parmi : - un oxyde de silicium Six0y, x et y étant des entiers, et de préférence la couche de fluage est en SiO2, - un verre, - un verre en borosilicate, - un verre en borophosphosilicate (BPSG). 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel k1 , et de préférence kl k1,5. 24 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel Tépifaxie k2 * Tfusion min, Tfusion min étant la température de fusion la plus faible parmi les températures de fusion des tronçons formant le plot, avec k2 5_ 0,9 et de préférence k2 0,8. 5 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les plots (1000a-1000e) comprennent au moins une couche tampon (400) surmontant la couche cristalline (300), et faite en un matériau différent de celui de ladite couche de nitrure (550), et dans lequel de préférence ladite couche 10 de nitrure (550) est une couche de nitrure de gallium (GaN) et la couche tampon (400) est en nitrure d'aluminium (AIN) 6. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la couche tampon (400) est formée par dépôt par épitaxie au-dessus de la couche cristalline 15 (300), avant l'étape de formation des plots (1000a-1000e) par gravure. 7. Procédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel ladite couche de nitrure (550) est une couche de nitrure de gallium (GaN) et dans lequel les plots (1000a-1000e) comprennent, avant l'étape de 20 croissance épitaxiale de ladite couche de nitrure (550), au moins une couche d'amorçage (500), surmontant ladite couche tampon (400) et faite de nitrure de gallium (GaN). 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel 25 l'empilement comprend, avant ladite étape de formation des plots (1000a- 1000e) par gravure, au moins une couche d'amorçage (500), surmontant ladite couche cristalline (300), la couche d'amorçage (500) étant faite du même matériau que ladite couche de nitrure (550). 30 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel fournir ledit empilement comprend fournir un substrat élaboré de type silicium sur isolant (SOI) comprenant un substrat (100) de base surmontée successivement d'une couche d'oxyde formant ladite couche de fluage (200) et d'une couche semi conductrice formant ladite couche cristalline (300). 35 25 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le tronçon de fluage (220) présente une hauteur e220 telle que e220 0.1*Cipbt, det étant le diamètre du plot (1000a-1000e) ou plus généralement la distance bord à bord du plot (1000a-1000e) prise, au niveau du tronçon de fluage (220) 5 et dans une direction parallèle à un plan principal dans lequel s'étend le substrat (100), de préférence e220 1 *Clet- 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les plots (1000a-1000e) présentent une hauteur Hpbt, et dans lequel deux plots 10 (1000a-1000e) adjacents sont distants d'une distance D, telle que : Hom/ D 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche cristalline (300) est à base de silicium et de préférence dans lequel 15 la couche cristalline (300) est en silicium. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche cristalline (300) est à base de SiC ou de A1203.. 20 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'étape de formation des plots (1000a-1000e) comprend la_gravure de l'au moins de la couche cristalline (300) et la gravure d'une portion (220) seulement de la couche de fluage (200) de manière à conserver une portion (210) de la couche de fluage (200) entre les plots (1000a-1000e). 25 15. Dispositif microélectronique comprenant un substrat (100) surmontée d'une pluralité de plots (1000a- 1000e) caractérisé en c,è que : chaque plot (1000a- 1000e) comprend au moins : - un tronçon de fluage (220a, 220b), présentant une température de transition 30 vitreuse Ttransition vitreuse, - un tronçon (300a, 300b) formé d'un matériau cristallin, en ce que le dispositif comprend également une couche de nitrure (N) (550) obtenue de préférence à partir d'au moins l'un parmi le gallium (Ga), l'indium On) et l'aluminium (AI), ladite couche (550) étant entièrement supportée par 35 les plots (1000a- 1000e), 26 et en ce que le matériau du tronçon de fluage (220a, 220b) et le matériau de ladite couche de nitrure (550) sont choisis de manière à ce que: Tépitaxie kl. Ttransition vitreuse, avec kl=0.8, Tépitaxie étant la température minimale permettant la formation par épitaxie de la 5 couche de nitrure (550). 16. Diodes électroluminescentes (LED) comprenant au moins un dispositif microélectronique selon la revendication précédente. 10