FR 3076400 A1 20190705 FR 1763341 A 20171228 DISPOSITIF THERMOELECTRIQUE A JONCTION THERMOELECTRIQUE FORMEE DANS L'EPAISSEUR D'UN SUBSTRAT ET PROCEDE DE FABRICATION DU DISPOSITIF THERMOELECTRIQUE Domaine technique de l'invention [1] Le domaine technique de l'invention concerne les dispositifs thermoelectriques, et plus particulierement de type generateur d'energie electrique a partir d'une difference de temperature appliquee au dispositif thermoelectrique concerne, ou de type a effet Peltier. Etat de la technique [2] De maniere connue, et comme illustre en figure 1, un dispositif thermoelectrique 100 peut comporter un ensemble de premiers elements 101 en materiau thermoelectrique et un ensemble de second elements 102 en materiau thermoelectrique different du materiau thermoelectrique des premiers elements 101. Notamment, dans le domaine, les premier et second elements sont aussi appeles element N et element P, un element N est un element a conductivite de type N : c'est-a-dire que le materiau qui le compose est a coefficient Seebeck strictement negatif, et un element P est un element a conductivite de type P : c'est- a-dire que le materiau qui le compose est a coefficient Seebeck strictement positif. Les premiers et seconds elements 101, 102 sont relies electriquement pour former des jonctions thermoelectriques 103 entre un premier cote 104, par exemple dit cote chaud, du dispositif thermoelectrique 100 et un deuxieme cote 105, par exemple dit cote froid, du dispositif thermoelectrique 100. Chaque jonction thermoelectrique 103 comporte un des premiers elements 101 et un des seconds elements 102. Pour chaque jonction thermoelectrique 103, un element de liaison electrique 106 (aussi appele connecteur de premier et second elements 101, 102) permet de lier electriquement le premier element 101 et le second element 102 de la jonction thermoelectrique 103 correspondante, aussi appelee jonction NP dans le domaine. Des elements de connexion 107 (aussi appeles connecteurs de jonctions thermoelectriques) permettent de relier electriquement, notamment en serie, des jonctions thermoelectriques 103 entre elles. Le dispositif thermoelectrique 100 de la figure 1 est compose de plusieurs premiers et seconds 2 elements 101, 102 relies electriquement en serie et thermiquement en parallele pour former quatre jonctions thermoelectriques 103. [003] De maniere generale, en considerant que les dimensions (notamment hauteur et section) des premiers et seconds elements 101, 102 sont identiques, les 5 performances electriques du dispositif thermoelectrique 100 utilise en tant que generateur d'energie, notamment d'energie electrique, peuvent "etre donnees de maniere simplifiee par : - une resistance electrique interne, notee Rant, par exemple determinee de la maniere suivante Rint = N x pnp x H / A (notee equation (1) par la suite), avec 10 N le nombre de jonctions thermoelectriques 103 du dispositif thermoelectrique 100, H la hauteur du premier element 101 d'une des jonctions thermoelectriques 103 du dispositif thermoelectrique 100, cette hauteur H etant mesuree selon un axe orthogonal au premier premier cote 104 et au deuxieme cote 105, A l'aire de la section dudit premier element 15 101 prise orthogonalement a la direction dans laquelle est mesuree H, et pnp correspondant a la resistivite electrique dudit premier element 101 (cette resistivite electrique etant consideree comme identique pour chaque premier element 101 et chaque second element 102 du dispositif thermoelectrique 100) ; 20 - une tension de sortie notee V. et pouvant determinee de la maniere suivante V. = N x Snp x AT (notee equation (2) par la suite), avec Snp le coefficient Seebeck associe a l'une des jonctions thermoelectriques 103 du dispositif thermoelectrique et donne par Snp = (Sp - Sn), AT la difference de temperature effective entre le premier cote 104 et le deuxieme cote 105 a 25 laquelle les jonctions thermoelectriques sont soumises, N le nombre de jonctions thermoelectriques 103 du dispositif thermoelectrique 100, Sp le coefficient Seebeck du materiau de type P utilise pour former par exemple chaque second element 102, et Sn le coefficient Seebeck du materiau de type N utilise pour former par exemple chaque premier element 101 ; 2 30 - une puissance electrique utile P, avec P, = voc (notee equation (3) par la 4xRint suite). L'equation (1) neglige les resistances de contact et les resistances des connexions metalliques (elements de connexion 107 et elements de liaison 106) qui ont 3 generalement des contributions negligeables devant les resistances des elements N et P. Par « resistance » on entend la resistance electrique. [4] L'architecture du dispositif thermoelectrique 100 represents en figure 1 est de type technologie 3D (pour trois dimensions) car elle permet, dans le cadre de la 5 generation d'energie electrique par le dispositif thermoelectrique, d'exploiter une source chaude (placee cote chaud) et une source froide (placee cote froid) agencees de maniere opposee selon la direction de mesure de la hauteur de chacun des premiers et seconds elements 101, 102. Une source froide presente une temperature strictement inferieure a la temperature que presente la source 10 chaude. Autrement dit, les sources chaude et froide peuvent s'etendre de part et d'autre d'une plaque (ou substrat), selon son epaisseur, dans laquelle les jonctions thermoelectriques sont formees. Une telle architecture a I'avantage de presenter une resistance electrique faible du fait que la hauteur H de chacun des premiers et seconds elements 101, 102 est generalement de quelques micrometres (par 15 exemple cette hauteur peut 'etre comprise entre 1pm et 100pm) dans le domaine de la microelectronique. [5] On comprend des equations (1) a (3) ci-dessus qu'il existe un besoin d'elaborer une solution permettant d'ameliorer !Integration d'une jonction thermoelectrique au sein d'un dispositif thermoelectrique, notamment pour en 20 reduire I'encombrement. [6] Par ailleurs, dans le cadre d'un dispositif thermoelectrique obtenu par des techniques de la microelectronique, it existe un besoin de miniaturiser ce dispositif thermoelectrique, ceci passant par une amelioration de !Integration de la jonction thermoelectrique au sein du dispositif thermoelectrique. 25 [007] Un dispositif thermoelectrique 100 peut fonctionner en mode generateur electrique, aussi appele mode Seebeck, ou en mode refroidisseur, aussi appele mode Peltier. En fait, en mode Seebeck, le dispositif thermoelectrique 100 permet d'exploiter une difference de temperature induisant un gradient thermique aux bornes de chacune des jonctions thermoelectriques pour permettre la generation 30 d'energie electrique, comme une tension, par les jonctions thermoelectriques. Les bornes d'une jonction thermoelectrique correspondent a ses deux extremites geometriques opposees respectivement proximale du premier cote 104 et proximale du deuxieme cote 105. En mode Peltier, le dispositif thermoelectrique 100 peut "etre aliments en energie electrique de sorte a refroidir I'un de ses cotes 4 (premier cote 104 ou deuxieme cote 105), cette alimentation electrique alimente alors les jonctions thermoelectriques qui permettent le refroidissement recherché. Objet de ('invention 5 [008] L'invention a pour but d'ameliorer !Integration d'au moins une jonction thermoelectrique au sein d'un dispositif thermoelectrique. Cette integration est notamment telle qu'elle permet d'augmenter la densite de jonctions thermoelectriques au sein du dispositif thermoelectrique, et/ou selon certains cas de diminuer sa resistance electrique interne et/ou d'autoriser la formation d'un 10 passage au travers d'un substrat logeant la jonction thermoelectrique. [009] On tend vers ce but grace a un dispositif thermoelectrique comportant : - un substrat comportant des premiere et deuxieme faces opposees selon une epaisseur dudit substrat, - au moins une jonction thermoelectrique comportant un premier element et 15 un second element relies electriquement entre eux en vue de generer un effet thermoelectrique, les premier et second elements etant agences dans le substrat et etant relies electriquement a leurs extremites situees du cote de la premiere face du substrat, ce dispositif thermoelectrique est caracterise en ce que le premier element adopte 20 la forme d'une couche. [0010] Un avantage d'une telle forme du premier element est qu'il permet de faciliter !Integration de la jonction thermoelectrique dans le substrat, par exemple le premier element peut alors entourer le second element, ou peut autoriser en son sein la formation du passage permettant la formation d'une liaison electrique entre 25 des dispositifs electroniques disposes de part et d'autre du substrat. [0011] Le dispositif thermoelectrique peut comporter une ou plusieurs des caracteristiques suivantes : - le premier element est creux, et le second element est entoure par le premier element ; 30 - le second element est creux ; - la jonction thermoelectrique est formee au travers du substrat selon son epaisseur ; 5 - le substrat est muni d'un trou debouchant reliant les premiere et deuxieme faces du substrat, au moins les premier et second elements de la jonction thermoelectrique etant agences dans !edit trou debouchant ; - la couche formant le premier element de la jonction thermoelectrique s'etend 5 contre une paroi du trou debouchant ; - le substrat est dope electriquement d'un type choisi entre P ou N, et l'un des premier et second elements est dans un materiau identique a celui du substrat ; - le dispositif thermoelectrique comporte au moins un ensemble de jonctions 10 thermoelectriques reliees electriquement en serie et comprenant chacune un premier element et un second element, lesdites jonctions thermoelectriques dudit ensemble etant agencees de telle sorte que : - l'une des jonctions thermoelectriques dudit ensemble est une premiere jonction thermoelectrique correspondant a ladite jonction 15 thermoelectrique dont le premier element adopte la forme d'une couche, - l'une des jonctions thermoelectriques dudit ensemble est une deuxieme jonction thermoelectrique entouree par la premiere jonction thermoelectrique ; 20 - le second element de la deuxieme jonction thermoelectrique est entoure par le premier element de la deuxieme jonction thermoelectrique ; - ('ensemble de jonctions thermoelectriques comporte au moins une troisieme jonction thermoelectrique, la troisieme jonction thermoelectrique etant entouree par la premiere jonction thermoelectrique, et la troisieme jonction 25 thermoelectrique entourant la deuxieme jonction thermoelectrique ; - le dispositif thermoelectrique comporte un passage agence au travers du substrat et entoure par les premier et second elements de la jonction thermoelectrique ; - les premier et second elements de la jonction thermoelectrique se 30 presentent chacun sous la forme d'une couche de sorte a delimiter deux cylindres creux coaxiaux et d'axes sensiblement paralleles a la direction de mesure de l'epaisseur du substrat ; 6 [0012] L'invention est aussi relative a un dispositif de generation d'une premiere energie comportant au moins un dispositif thermoelectrique tel que decrit, le dispositif thermoelectrique etant configure de sorte a exploiter une deuxieme energie pour generer la premiere energie. 5 [0013] Selon un mode de realisation du dispositif de generation de la premiere energie, it peut comporter un premier dispositif electronique et un deuxieme dispositif electronique, le dispositif thermoelectrique etant place entre les premier et deuxieme dispositifs electroniques de telle sorte que le premier dispositif electronique forme une source chaude pour le dispositif thermoelectrique, et le 10 dispositif thermoelectrique comporte un passage entoure par les premier et second elements de la jonction thermoelectrique, le passage etant agence au travers du substrat, au moins un lien electrique relie electriquement le premier dispositif electronique au deuxieme dispositif electronique en passant par le passage. [0014] L'invention est aussi relative a un procede de fabrication d'un dispositif 15 thermoelectrique tel que decrit, !edit procede de fabrication comportant une etape de fourniture du substrat, et une etape de formation de ladite au moins une jonction thermoelectrique telle que le premier element de la jonction thermoelectrique adopte la forme d'une couche. [0015] Selon un premier mode de realisation du procede de fabrication, le substrat 20 fourni comporte un trou debouchant ayant une paroi reliant la premiere face du substrat a la deuxieme face du substrat, et l'etape de formation de ladite au moins une jonction thermoelectrique comporte : - une etape de formation d'une premiere couche en un premier materiau, la premiere couche s'etendant au moins dans le trou debouchant pour former, 25 dans le trou debouchant, le premier element de la jonction thermoelectrique, - une etape de formation d'une deuxieme couche en materiau dielectrique a partir de la premiere couche, la deuxieme couche s'etendant au moins dans le trou debouchant, - une etape de gravure de la deuxieme couche sorte a en retirer une portion 30 situee dans le trou debouchant pour liberer une portion de la premiere couche, - une etape de depOt d'un deuxieme materiau, au moins dans le trou debouchant, de telle sorte que : 7 o le deuxieme materiau depose forme, dans le trou debouchant, le second element de la jonction thermoelectrique, o le deuxieme materiau depose est en contact, d'une part, avec la deuxieme couche et, d'autre part, avec la portion de la premiere 5 couche. [0016] Selon un deuxieme mode de realisation du procede de fabrication, le substrat est en un premier materiau presentant un premier coefficient Seebeck, et l'etape de formation de ladite au moins une jonction thermoelectrique est telle que I'un des premier et second elements de la jonction thermoelectrique est forme par 10 une partie du substrat, et que l'autre des premier et second elements de la jonction thermoelectrique est forme par un deuxieme materiau presentant un deuxieme coefficient Seebeck de signe oppose au premier coefficient Seebeck, le deuxieme materiau etant depose dans une cavite formee dans le substrat. 15 Description sommaire des dessins [0017] L'invention sera mieux comprise a la lecture de la description detainee qui va suivre d'au moins un mode de realisation particulier de ('invention, donnee uniquement a titre d'exemple non limitatif et faite en se referant aux dessins dans lesquels : 20 - La figure 1 illustre, selon une vue en coupe, un dispositif thermoelectrique selon ('art anterieur ; - La figure 2 illustre, selon une vue en coupe, un mode de realisation d'un dispositif thermoelectrique selon ('invention ; - La figure 3 est une vue du dispositif thermoelectrique de la figure 2 selon la 25 coupe A-A perpendiculaire au plan de la figure 2 ; - La figure 4 illustre, selon une vue en coupe, un autre mode de realisation d'un dispositif thermoelectrique selon ('invention ; - La figure 5 est une vue du dispositif thermoelectrique de la figure 4 selon la coupe B-B perpendiculaire au plan de la figure 4 ; 30 - La figure 6 illustre, selon une vue en coupe, une amelioration du mode de realisation de la figure 4 ; - La figure 7 est une vue du dispositif thermoelectrique de la figure 6 selon la coupe C-C perpendiculaire au plan de la figure 6 ; 8 - La figure 8 illustre, selon une vue en coupe, une amelioration du mode de realisation de la figure 2 ; - La figure 9 est une vue du dispositif thermoelectrique de la figure 8 selon la coupe D-D perpendiculaire au plan de la figure 8 ; 5 - La figure 10 illustre, selon une vue en coupe, une realisation du dispositif thermoelectrique selon ('invention a trois jonctions thermoelectriques formees dans un meme trou ; - Les figures 11 a 19 illustrent un premier mode de realisation d'un procede de fabrication du dispositif thermoelectrique ; 10 - Les figures 20 a 29 illustrent un deuxieme mode de realisation d'un procede de fabrication du dispositif thermoelectrique ; - La figure 30 illustre une utilisation d'un dispositif thermoelectrique selon ('invention au sein d'un dispositif de generation d'energie ; - La figure 31 illustre une realisation particuliere dans laquelle plusieurs 15 dispositifs thermoelectriques selon ('invention sont empiles ; - La figure 32 illustre selon une vue de dessus differentes implementations d'ensembles de jonctions thermoelectriques selon ('invention dans un meme substrat. [0018] Dans ces figures, les memes references sont utilisees pour designer les 20 memes elements. [0019] Par ailleurs, les elements representes sur les figures ne sont pas necessairement a l'echelle pour en simplifier leur comprehension. Description detainee 25 [0020] Selon une realisation de ('invention, comme illustre par exemple en figures 2 a 5, le dispositif thermoelectrique 100 comporte au moins une jonction thermoelectrique 103. Cette jonction thermoelectrique 103 comporte un premier element 101 et un second element 102 relies electriquement entre eux en vue de generer un effet thermoelectrique, notamment en fonctionnement dudit dispositif 30 thermoelectrique 100. La liaison electrique entre les premier et second elements 101, 102 peut 'etre realisee par un element de liaison 106 (aussi appele connecteur) electriquement conducteur. Le dispositif thermoelectrique 100 comporte un substrat 108 comportant des premiere et deuxieme faces 109, 110 opposees selon une epaisseur e du substrat 108. En particulier, la jonction thermoelectrique 103 9 est logee/agencee dans le substrat 108 selon son epaisseur, elle peut alors s'etendre entre les premiere et deuxieme faces 109, 110. Les premier et second elements 101, 102 de la jonction thermoelectrique 103 sont agences dans le substrat 108. Le premier element 101 de la jonction thermoelectrique 103 adopte 5 la forme d'une couche. Les premier et second elements 101, 102 sont relies electriquement a leurs extremites situees du cote de la premiere face 109 du substrat 108, c'est-a-dire notamment a leurs extremites proximales de la premiere face 109. De preference, les premier et second elements 101, 102 presentent chacun une extremite, opposee aux extremites des premier et second elements 10 101, 102 reliees electriquement entre elles, situee du cote de la deuxieme face 110 du substrat 108, et notamment distale de la premiere face 109 du substrat 108. Autrement dit, le premier element 101 et le second element 102 peuvent comporter chacun une premiere extremite proximale de la premiere face 109 et une deuxieme extremite proximale de la deuxieme face 110, ces premiere et deuxieme extremites 15 etant opposees selon repaisseur du substrat 108. Pour une jonction thermoelectrique 103, les premieres extremites des premier et second elements 101, 102 sont reliees electriquement, et les deuxiemes extremites des premier et second elements 101, 102 peuvent le cas echeant 'etre reliees a une autre jonction thermoelectrique ou a des bornes de connexion. La forme de couche du premier 20 element 101 permet d'ameliorer !Integration de la jonction thermoelectrique 103 au sein du substrat 108 car cela autorise de placer le premier element 101 au plus proche du second element 102 pour une nteme jonction thermoelectrique 103 en utilisant par exemple des techniques de depot de couches minces de la microelectronique. La couche formant le premier element 101 peut presenter (de 25 preference lorsqu'elle est en polysilicium dope) une epaisseur comprise entre 200nm et 5pm, de preference comprise entre 1pm et 5pm, et par exemple egale a 2pm. L'epaisseur de la couche formant le premier element 101 est mesuree sensiblement orthogonalement a la direction de mesure de l'epaisseur du substrat 108, cette epaisseur de ladite couche est notamment choisie pour limiter les coCits 30 et pour que le premier element 101 ne soit pas trop resistif electriquement parlant. Selon une autre formulation, le premier element 101 de la jonction thermoelectrique 103 adoptant la forme d'une couche est de preference tel que l'epaisseur de cette couche est donnee dans le plan du substrat 108, c'est-a-dire selon une direction sensiblement orthogonale a la direction donnant l'epaisseur e du substrat 108. Le 10 premier element 101 peut border le second element 102, notamment avec interposition d'un materiau dielectrique 111 permettant de separer les premier et second elements 101, 102, notamment a ('exception de leurs extremites reliees electriquement qui peuvent, le cas echeant, 'etre en contact. Alternativement, la 5 liaison electrique entre les premier et second elements 101, 102 peut 'etre assuree par ('element de liaison 106, de preference en siliciure comportant notamment du titane. Cet element de liaison 106 peut 'etre forme par deux portions en siliciure formees respectivement dans le prolongement des premier et second elements 101, 102. L'element de liaison 106 peut presenter une epaisseur, mesuree selon 10 l'epaisseur du substrat 108, comprise entre 10nm et 1pm. Notamment, chaque portion en siliciure peut appartenir a l'un des premier et second elements 101, 102, ainsi les premier et second elements 101, 102 peuvent comporter chacun une portion en siliciure, et ces portions en siliciures sont en contact pour assurer la liaison electrique entre les premier et second elements 101, 102 de la jonction 15 thermoelectrique 103. En particulier, les portions en siliciure peuvent avoir ete obtenues par siliciuration des premieres extremites des premier et second elements 101, 102. Plus precisement, la jonction thermoelectrique 103 est notamment formee, c'est-a-dire agencee, au travers du substrat 108 selon son epaisseur, ceci permettant de profiter de l'epaisseur du substrat 108 pour exploiter 20 ou obtenir une difference de temperature satisfaisante de part et d'autre du substrat 108 qui peut alors faire office de barriere thermique pour ameliorer cette difference de temperature de part et d'autre du substrat 108. L'utilisation d'une couche pour former le premier element 101 permet, par ailleurs, de disposer d'un gradient thermique le plus eleve possible aux bornes de la jonction thermoelectrique 103 25 tout en limitant la resistance interne de la jonction thermoelectrique 103, et donc au final tout en limitant la resistance interne du dispositif thermoelectrique 100. [0021] Dans la presente description, par « compris entre deux valeurs », on entend que ces valeurs sont incluses. [0022] Le dispositif thermoelectrique 100 peut comporter une ou plusieurs 30 jonctions thermoelectriques 103. Ainsi, tout ce qui s'applique a une jonction thermoelectrique 103 peut s'appliquer a tout ou partie des jonctions thermoelectriques 103. Par « jonction thermoelectrique », aussi appelee jonction NP, on entend un ensemble comportant deux elements (premier element 101 et second element 102 au sens de la presente description) relies electriquement entre 11 eux. Les premier et second elements 101, 102 de la jonction thermoelectrique 103 forment un couple de premier et second elements 101, 102 notamment formes en materiaux a coefficient Seebeck de signes opposes. En particulier, les premier et second elements 101, 102 sont a base d'un, ou sont formes en, materiau, 5 notamment semi-conducteur, de type P (c'est-a-dire a coefficient Seebeck positif et different de 0 : le coefficient Seebeck est donc strictement positif pour le materiau de type P) ou de type N (c'est-a-dire a coefficient Seebeck negatif et different de 0 : le coefficient Seebeck est donc strictement negatif pour le materiau de type N). Selon une autre formulation, les premier et second elements 101, 102 sont 10 notamment formes dans des, ou sont a base de, materiaux thermoelectriques differents. On dit aussi que le premier element 101 peut comporter un premier materiau et que le second element 102 peut comporter un deuxieme materiau different du premier materiau, ces premier et deuxieme materiaux etant des materiaux thermoelectriques. Les premier et second elements d'une jonction 15 thermoelectrique sont aussi appeles dans le domaine de la thermoelectricite plots de la jonction thermoelectrique 103. De preference, les premier et second elements 101, 102 sont chacun en materiau dope de type N ou de type P formant alors le materiau thermoelectrique correspondant, de tels materiaux sont tout particulierement compatibles avec les techniques de la microelectronique. Le 20 materiau dope de type N ou de type P peut 'etre a base de semi-conducteur, par exemple choisi parmi le silicium (Si), le silicium-germanium (SiGe), un semiconducteur polycristallin, et un semi-conducteur nanostructure ou non. Par « semiconducteur nanostructure D, on entend par exemple sous la forme de superreseaux ou de super-reseaux de boites quantiques. Notamment, chaque premier 25 element 101, ceci etant aussi valable pour chaque second element 102, appartient a une unique jonction thermoelectrique 103, en particulier ceci s'applique pour une pluralite de jonctions thermoelectriques reliees electriquement en serie. Lorsque plusieurs jonctions thermoelectriques 103 sont presentes au sein d'un mOme dispositif thermoelectrique 100, elles sont preferentiellement reliees electriquement 30 en serie et thermiquement en parallele. Le dopage est ici un dopage electrique, le dopant de type N pouvant 'etre du phosphore et le dopant de type P pouvant 'etre du bore. [0023] Par « proximale D, on entend le plus proche, et par « distale » on entend le plus eloigne. 12 [0024] Par « substrat », on entend un support physique realise a base d'un materiau adapte. Le substrat 108 sert de support a la formation de la, ou des, jonctions thermoelectriques 103. Le substrat 108 permet dans le cadre du dispositif thermoelectrique 100 de maintenir la coherence de ce qui constitue tout ou partie 5 du dispositif thermoelectrique 100. Selon les realisations decrites ci-apres, le substrat 108 peut 'etre une tranche (« wafer » en langue anglaise) de semiconducteur ou une plaque de verre. Typiquement, le substrat 108 peut "etre en verre ou en materiau semi-conducteur comme par exemple le silicium, ou a base de verre ou de materiau semi-conducteur. L'epaisseur e du substrat 108 peut 'etre comprise 10 entre 100pm et 3mm, ou entre 100pm et 1mm, ces gammes d'epaisseur sont tout particulierement adaptees pour un dispositif thermoelectrique 100 realise a partir de techniques de la microelectronique. Le substrat 108 en verre est prefere car le verre est un meilleur isolant thermique par rapport au substrat 108 en materiau semi-conducteur. Plus le substrat 108 est isolant thermiquement, plus la difference 15 de temperature de part et d'autre du substrat 108 peut 'etre importante lors du fonctionnement du dispositif thermoelectrique que cela soit en mode Peltier ou en mode Seebeck car cela limite les echanges thermiques de part et d'autre du substrat 108. [0025] Par « a base de » on entend « comporte majoritairement D, ou « est 20 constitue par D. [0026] Par « sensiblement orthogonale D, on entend « orthogonale » ou « orthogonale a plus ou moins 10% ». Par « sensiblement parallele », on entend « parallele D ou « parallele a plus ou moins 10% D. [0027] Comme illustre en figures 2 a 5, la couche formant le premier element 101 25 peut presenter un profil, pris selon une section dudit premier element 101 sensiblement orthogonale a la direction donnant I'epaisseur du substrat 108, annulaire. Plus generalement, le premier element 101 de la jonction thermoelectrique 103 est preferentiellement creux, et le second element 102 de la jonction thermoelectrique 103 est preferentiellement entoure par le premier element 30 101. Le premier element 101 peut donc comporter une cavite lui conferant sa forme de corps creux delimitant ainsi un volume interne du premier element 101, et le second element 102 est alors place dans la cavite du premier element 101. La cavite du premier element 101 relie ses premiere et deuxieme extremites, cette cavite est ouverte aux premiere et deuxieme extremites du premier element 101, 13 et est fermee entre les premiere et deuxieme extremites du premier element 101. En ce sens, la cavite du premier element 101 peut "etre delimitee par un trou debouchant dudit premier element 101. Le fait que le premier element 101 soit creux permet avantageusement de maximiser l'aire de la section du premier 5 element 101 en vue de limiter la valeur de la resistance interne Rim (equation (1)). Par ailleurs, structurellement, on comprend que lorsque le second element 102 est entoure par le premier element 101, notamment de telle sorte qu'il y est insere/loge, ceci permet une meilleure integration de la jonction thermoelectrique 103 correspondante au sein du dispositif thermoelectrique 100 en limitant le volume 10 qu'elle y occupe. [0028] Selon une realisation illustree en figures 2 et 3, le second element 102 de la jonction thermoelectrique 103 est plein : it adopte la forme d'un corps plein. Ceci a pour objectif d'ameliorer la resistance interne Rim du dispositif thermoelectrique 100. 15 [0029] Selon une autre realisation illustree en figures 4 et 5, le second element 102 de la jonction thermoelectrique 103 est creux, it peut alors, comme le premier element 101, adopter la forme d'une couche presentant un profil, pris selon une section dudit second element 102 sensiblement orthogonale a la direction donnant l'epaisseur du substrat 108, annulaire. La couche formant le second element 102 20 peut presenter (en particulier lorsqu'elle est en polysilicium dope) une epaisseur comprise entre 200nm et 5pm, de preference comprise entre 1pm et 5pm, et par exemple egale a 2pm. L'epaisseur de la couche formant le second element 102 est preferentiellement mesuree sensiblement orthogonalement a la direction de mesure de l'epaisseur du substrat 108, cette epaisseur de ladite couche est choisie 25 pour limiter les coCits et pour que le second element 102 ne soit pas trop resistif electriquement parlant. L'avantage associe a un tel second element 102 creux est qu'il peut permettre de loger au moins une autre jonction thermoelectrique en vue d'augmenter la densite de jonctions thermoelectriques au sein du dispositif thermoelectrique 100, et/ou qu'il peut permettre la formation d'un passage 112 30 (figures 4 et 5), aussi appele « ouverture traversante » au travers du substrat 108 selon son epaisseur, ce passage 112 est destine a recevoir une piste electriquement conductrice permettant, par exemple, de former une liaison electrique traversant le substrat 108. Le second element 102 peut donc comporter une cavite lui conferant sa forme de corps creux. La cavite du second element 102 14 relie ses premiere et deuxieme extremites, cette cavite est ouverte aux premiere et deuxieme extremites du second element 102, et est fermee entre les premiere et deuxieme extremites du second element 102. En ce sens, la cavite du second element 102 peut 'etre delimitee par un trou debouchant dudit second element 102. 5 Ainsi, en considerant la jonction thermoelectrique 103, les premier et second elements 101, 102 peuvent 'etre des corps creux delimitant chacun un volume interne, le second element 102 etant place dans le volume interne du premier element 101. Cette realisation presente l'avantage de pouvoir former les premier et second elements 101, 102 d'une nteme jonction thermoelectrique 103 au plus 10 proche l'un de l'autre, il en resulte la possibilite d'obtenir une densite elevee de jonctions thermoelectriques au sein du dispositif thermoelectrique 100, par exemple en inserant/emboitant les jonctions thermoelectriques les unes dans les autres comme il le sera vu par la suite. Le fait de conserver un passage 112 permet de combiner la fonction thermoelectrique du dispositif thermoelectrique 100 a des 15 empilements en trois dimensions de puces ou dispositifs electroniques a relier electriquement par la liaison electrique passant par le passage 112. [0030] Par « densite », on entend une quantite de jonctions thermoelectriques par unite de surface, ou plus particulierement de volume, au sein du dispositif thermoelectrique 100. 20 [0031] Le premier element 101 et eventuellement le second element 102 peuvent etre formes chacun par un cylindre creux comportant une paroi interne et une paroi externe. La distance separant la paroi interne de la paroi externe delimite l'epaisseur de la couche formant le premier ou second element 101, 102 correspondant. Les parois externe et interne sont reliees notamment par les 25 premiere et deuxieme extremites du premier ou second element 101, 102 concerne. Ainsi, preferentiellement, les premier et second elements 101, 102 de la jonction thermoelectrique 103 se presentent chacun sous la forme d'une couche de sorte a delimiter deux cylindres creux (formant respectivement le premier element 101 et le second element 102) coaxiaux et d'axes sensiblement paralleles 30 a la direction de mesure de l'epaisseur du substrat 108, ceci permettant une bonne integration de la jonction thermoelectrique dans le substrat tout en autorisant soit la formation du passage 112 soit d'une autre jonction thermoelectrique dans le volume interne du cylindre creux associe au second element 102 de la jonction thermoelectrique 103. 15 [0032] Selon les deux realisations illustrees aux figures 2 a 5, le substrat 108 est preferentiellement muni d'un trou debouchant 113 reliant les premiere et deuxieme faces 109, 110 du substrat 108. Au moins les premier et second elements 101, 102 de la jonction thermoelectrique 103 sont alors agences dans ledit trou debouchant 5 113. Ainsi, les premier et second elements 101, 102 peuvent presenter chacun une dimension dite « hauteur », selon l'epaisseur du substrat 108, comprise entre 100pm et 3mm. De preference, la jonction thermoelectrique 103 est agencee dans ledit trou debouchant 113. En ce sens, le substrat 108 presente l'avantage de servir de support a la jonction thermoelectrique 103, tout en permettant a la jonction 10 thermoelectrique 103 d'être intercalee entre un premier cote 104 du dispositif thermoelectrique 100 et un deuxieme cote 105 du dispositif thermoelectrique 100. En figures 2 et 4, le premier cote 104 est situe du cote de la premiere face 109, et le deuxieme cote 105 est forme du cote de la deuxieme face 110. Dans un substrat 108 en materiau semi-conducteur, le trou debouchant 113 peut 'etre forme a partir 15 de techniques de lithographie et de gravure. Dans un substrat 108 en verre, le trou debouchant peut 'etre obtenu par forage au laser (« laser drilling D en langue anglaise), ou par photolithographie suivie d'une gravure humide a base d'acide fluorhydrique (HF), ou par photolithographie suivie d'une gravure plasma (par exemple de type ICP-RIE avec comme precurseurs SF6 ou C4F8, ICP-RIE 20 correspondant a « inductively coupled plasma reactive ion etching » en langue anglaise). Le diametre, ou dimension laterale maximale du trou debouchant 113, mesure orthogonalement a l'epaisseur du substrat 108, peut 'etre comprise entre 1pm et 100pm pour le substrat en materiau semi-conducteur, et peut 'etre compris entre 30pm et 1mm pour le substrat en verre. De preference, le diametre, ou 25 dimension maximale laterale du trou debouchant 113, mesure orthogonalement a l'epaisseur du substrat 108, est comprise entre 30pm et 100pm. Ces dimensions sont tout particulierement adaptees pour permettre le logement d'une ou plusieurs jonctions thermoelectriques au sein d'un meme trou debouchant 113 comme it le sera decrit plus en details ci-apres. Le diametre ou dimension maximale laterale, 30 du trou debouchant 113 dans le cadre du substrat en verre est generalement plus important que dans le cadre du substrat en materiau semi-conducteur du fait de la technique utilisee pour l'obtenir. Ainsi, si un tel trou debouchant 113 dans le substrat en verre etait comble pour former un seul element (premier element ou second element) de jonction thermoelectrique, cela se ferait au detriment de 16 !Integration de la jonction thermoelectrique au sein du dispositif thermoelectrique qui occuperait une place importante. Ainsi, le fait d'utiliser un trou debouchant 113 du substrat, en particulier en verre, pour y integrer les premier et second elements 101, 102 d'une meme jonction thermoelectrique 103 permet de limiter la place 5 occupee par ces premier et second elements 101, 102 en comparaison la formation de ces premier et second elements 101, 102 dans deux trous distincts. Le trou debouchant 113 adopte preferentiellement une forme cylindrique, ceci permettant de simplifier les reprises de contact electrique entre les choses a lier electriquement au niveau dudit, ou dans !edit, trou debouchant 113. La forme du trou cylindrique 10 correspond notamment a une forme generale du trou debouchant, cependant sa forme peut 'etre legerement conique du fait des techniques de gravure utilisees pour le former. [0033] Le dispositif thermoelectrique 100 peut 'etre tel que les premier et second elements 101, 102 de la jonction thermoelectrique 103 sont relies electriquement 15 entre eux a leurs extremites proximales du premier cote 104. Le premier cote 104 peut 'etre un cote dit chaud du dispositif thermoelectrique 100 alors que le deuxieme cote 105 peut 'etre un cote dit froid du dispositif thermoelectrique 100. Alternativement, le cote froid peut correspondre au premier cote 104 et le cote chaud peut correspondre au deuxieme cote 105. Des lors, la jonction 20 thermoelectrique 103 peut 'etre agencee entre le premier cote 104 et le deuxieme cote 105 de telle sorte que, en fonctionnement du dispositif thermoelectrique 100, it est genere un effet thermoelectrique a partir de la jonction thermoelectrique 103. Notamment, !'effet thermoelectrique lie un flux de chaleur traversant la jonction thermoelectrique a un courant electrique traversant la jonction thermoelectrique. Le 25 flux de chaleur est dependant d'une difference de temperature presente de part et d'autre du substrat 108. [0034] L'effet thermoelectrique peut 'etre un effet Peltier : dans ce cas un courant electrique circulant dans le dispositif thermoelectrique 100 permet de generer un deplacement de chaleur permettant d'echauffer le premier cote 104 du dispositif 30 thermoelectrique 100 et de refroidir le deuxieme cote 105 du dispositif thermoelectrique 100 en utilisant la jonction thermoelectrique. On dit aussi que dans ce cas le dispositif thermoelectrique 100 est generateur d'energie thermique. [0035] L'effet thermoelectrique peut 'etre un effet Seebeck : dans ce cas une difference de temperature appliquee au dispositif thermoelectrique 100 de part et 17 d'autre du substrat 108, notamment entre le premier cote 104 et le deuxieme cote 105, permet de generer une energie electrique, notamment une tension, a partir de la, c'est-a-dire issue au moins en partie de la, jonction thermoelectrique 103. On dit aussi que dans ce cas le dispositif thermoelectrique 100 est generateur d'energie 5 electrique. [0036] On comprend de ce qui a eta decrit ci-dessus que la, ou les, jonctions thermoelectriques sont configurees pour generer I'effet thermoelectrique recherché lors du fonctionnement du module thermoelectrique. La ou les jonctions thermoelectriques permettant : 10 - la generation d'une energie thermique (difference de temperature entre les premier et deuxieme cotes 104, 105) lorsqu'elles sont soumises a une energie electrique alimentant lesdites jonctions thermoelectriques : il s'agit de I'effet Peltier, - la generation d'une energie electrique lorsqu'elles sont soumises a une 15 difference de temperature appliquee au dispositif thermoelectrique 100, notamment entre ses premier et deuxieme cotes 104, 105 : il s'agit de I'effet Seebeck. [0037] En particulier, la couche formant le premier element 101 de la jonction thermoelectrique 103 peut s'etendre contre une paroi du trou debouchant 113. Le 20 premier element 101 peut alors 'etre en contact avec la paroi du trou debouchant 113. Le cas echeant, notamment si le substrat 108 est electriquement conducteur, le substrat 108 peut presenter en surface une couche en materiau dielectrique delimitant la paroi du trou debouchant 113, cette couche en materiau dielectrique pouvant presenter une epaisseur comprise entre 50nm et 1pm. Cette couche en 25 materiau dielectrique n'est pas necessaire si le substrat 108 est en verre. Cet agencement particulier permet d'obtenir le premier element 101 de forme adequate, par exemple en forme de cylindre creux, vis-a-vis du but recherché d'amelioration de !Integration de la jonction thermoelectrique 103 au sein du dispositif thermoelectrique 100. La paroi du trou debouchant 113 correspond a la 30 surface de la cavite delimitee par ce trou debouchant 113, et ce quel que soit la section du trou debouchant 113. Cette paroi du trou debouchant 113 peut comporter une face dite surface de revolution ou une pluralite de faces Dees entre elles pour delimiter la surface de la paroi du trou debouchant 113. 18 [0038] Un avantage d'utiliser un trou debouchant 113 du substrat 108 pour loger la jonction thermoelectrique 103 est que le dispositif thermoelectrique 100 peut "etre obtenu avec une maitrise des coOts selon les techniques de la microelectronique. En effet, la jonction thermoelectrique 103 peut 'etre obtenue par depots successifs 5 de materiaux adaptes dans le trou debouchant 113 et eventuellement par traitement de ces derniers (siliciuration). Par ailleurs, la formation d'un trou debouchant 113 au sein d'un substrat 108 est une technique maitrisee dans la microelectronique, cette technique etant ici adaptee pour obtenir le resultat recherché a savoir, de preference, que le premier element 101 entoure le second 10 element 102 dans le trou debouchant 113 du substrat 108. [0039] Par ailleurs, le dispositif thermoelectrique peut comporter (figures 2 et 4) des parties en siliciure 122a, 122b formees dans le prolongement des premier et second elements 101, 102 a ('oppose de ('element de liaison 106 ou de leur liaison electrique. Ces parties en siliciure 122a, 122b peuvent 'etre en siliciure de nteme 15 nature que celui de ('element de liaison 106. Le cas echeant, les parties en siliciure 122a, 122b peuvent permettre une reprise de contact electrique efficace pour des bornes de connexion 114, 115 du dispositif thermoelectrique 100. Ces bornes de connexion 114, 115 sont de preference metalliques, par exemple en un metal choisi parmi : le cuivre, ('aluminium, le nickel, l'or, et une bicouche comprenant une 20 couche de nickel et une couche d'or, les dimensions de ces bornes de connexion seront adaptees en fonction des besoins et contraintes. En cas d'utilisation d'une bicouche nickel/or, la couche en nickel assure le contact avec les parties en siliciure 122a, 122b ou avec les premier et second elements 101, 102. Selon l'epaisseur du substrat 108, ces parties 122a, 122b en siliciure peuvent presenter chacune une 25 epaisseur comprise entre 10nm et 1pm. En particulier, ces parties 122a, 122b peuvent appartenir aux premier et second elements dans le sens 00 elles peuvent avoir ete obtenues par siliciuration des deuxiemes extremites des premier et second elements 101, 102. [0040] II a ete evoque precedemment un materiau dielectrique 111 separant les 30 premier et second elements 101, 102 d'une mOme jonction thermoelectrique 103. Ce materiau dielectrique peut 'etre choisi parmi HTO (pour « High Temperature Oxide » en langue anglaise et correspondant notamment a un oxyde Si02 depose), le dioxyde de silicium (Si02), le nitrure de silicium (Si3N4), l'oxynitrure de silicium (SiON). Tout materiau dielectrique vise dans la presente description peut 'etre choisi 19 dans la liste de materiau dielectrique donnee ci-dessus. D'autres materiaux adaptes pourront bien entendu "etre utilises du moment qu'ils permettent d'isoler electriquement et efficacement les premier et second elements 101, 102 de la jonction thermoelectrique 103. En particulier, ce materiau dielectrique 111 peut 5 adopter la forme d'une couche formee entre le premier element 101 et le second element 102. Cette couche en materiau dielectrique 111 peut presenter une epaisseur comprise entre 50nm et 1pm. L'epaisseur de la couche en materiau dielectrique 111 est notamment mesuree dans une direction sensiblement orthogonale a la direction donnant l'epaisseur du substrat 108. Le cas echeant, 10 lorsque le premier element 101 est creux la couche en materiau dielectrique 111 est placee dans le volume interne du premier element 101. [0041] On comprend des equations (1) a (3) donnees precedemment que le nombre de jonctions thermoelectriques au sein d'un nteme dispositif thermoelectrique 100 a une influence sur ses performances. En ce sens, il existe 15 un besoin d'augmenter le nombre de jonctions thermoelectriques qu'il est possible d'avoir au sein d'un nteme dispositif thermoelectrique. Pour repondre a ce besoin, il est a present decrit une realisation particuliere telle qu'illustree a titre d'exemple en figures 6 a 9. En ce sens, le dispositif thermoelectrique 100 peut comporter au moins un ensemble de jonctions thermoelectriques 103, 103a relies electriquement 20 en serie, et, pour cet ensemble de jonctions thermoelectriques, les premiers et seconds elements 101, 101a, 102, 102a des jonctions thermoelectriques 103, 103a dudit ensemble sont places les uns dans les autres, ainsi que notamment dans le trou debouchant 113. Ceci permet d'augmenter la densite des jonctions thermoelectriques en inserant les jonctions thermoelectriques 103, 103b de 25 ('ensemble les unes dans les autres : pour un nteme volume par rapport a la solution de la figure 1 selon l'art anterieur, il est possible d'integrer plus de jonctions thermoelectriques au sein de ce volume. Selon une autre formulation, le dispositif thermoelectrique 100 comporte (figures 6 a 9) au moins un ensemble de jonctions thermoelectriques 103, 103a reliees electriquement en serie et comprenant 30 chacune un premier element 101, 101a et un second element 102, 102a (bien entendu ces premier et second elements sont relies electriquement entre eux), lesdites jonctions thermoelectriques 103, 103a dudit ensemble etant agencees de telle sorte que : 20 - l'une des jonctions thermoelectriques dudit ensemble de jonctions thermoelectriques est une premiere jonction thermoelectrique 103 correspondant a ladite jonction thermoelectrique 103 dont le premier element 101 adopte la forme d'une couche, 5 - l'une des jonctions thermoelectriques dudit ensemble de jonctions thermoelectriques (c'est-a-dire une autre des jonctions thermoelectriques dudit ensemble de jonctions thermoelectriques vis-a-vis de la premiere jonction thermoelectrique 103) est une deuxieme jonction thermoelectrique 103a entouree par la premiere jonction thermoelectrique 103. 10 Ainsi les premier et second elements 101, 102 de la premiere jonction thermoelectrique 103 sont creux, et les premier et second elements 101a, 102a de la deuxieme jonction thermoelectrique 103a sont places dans les volumes internes des premier et second elements 101, 102 de la premiere jonction thermoelectrique 103. En particulier, les premiere et deuxieme jonctions thermoelectriques 103, 103a 15 sont dites « coaxiales » selon un axe sensiblement orthogonal au plan du substrat 108. La premiere jonction thermoelectrique 103 est aussi appelee jonction thermoelectrique peripherique de ('ensemble qui la comporte dans le sens oU elle entoure chaque autre jonction thermoelectrique dudit ensemble. La deuxieme jonction thermoelectrique 103a est aussi appelee jonction thermoelectrique 20 centrale dudit ensemble qui la comporte dans le sens oU elle est entouree par chaque autre jonction thermoelectrique dudit ensemble. En particulier, toutes les jonctions thermoelectriques dudit ensemble sont agencees/logees dans un nteme trou debouchant 113 du substrat 108. Sur ces figures 6 a 9, le materiau dielectrique 111 separe les premier et second elements 101, 102 de la premiere jonction 25 thermoelectrique 103, le materiau dielectrique 111a separe les premier et second elements 101a, 102a de la deuxieme jonction thermoelectrique 103a. Par ailleurs, un materiau dielectrique tel que celui utilise pour separer les premier et second elements d'une nteme jonction thermoelectrique peut 'etre utilise pour separer les jonctions thermoelectriques entre elles comme le montre la reference 111b relative 30 a ce materiau dielectrique de separation des jonctions thermoelectriques 103, 103a se presentant, par exemple, sous la forme d'une couche d'epaisseur comprise entre 50nm et 1pm, cette epaisseur etant mesuree sensiblement orthogonalement a la direction de mesure de l'epaisseur du substrat 108. En figure 6 et 8, les premier et second elements 101, 102 de la premiere jonction thermoelectrique 103 sont 21 preferentiellement relies electriquement par !'element de liaison 106. En figure 6 et 8, les premier et second elements 101a, 102a de la deuxieme jonction thermoelectrique 103a sont preferentiellement relies electriquement par !'element de liaison 106a. Par ailleurs, en figures 6 et 8, les premiere et deuxieme jonctions 5 thermoelectriques 103, 103a sont reliees electriquement entre elles par !'element de connexion 107. Pour ameliorer !Integration des jonctions thermoelectriques au sein du substrat 108, le second element 102a de la deuxieme jonction thermoelectrique 103a est, de preference, entoure par le premier element 101a de la deuxieme jonction thermoelectrique 103a. Par ailleurs, le second element 102a 10 de la deuxieme jonction thermoelectrique 103a peut 'etre creux ou plein. Les avantages decoulant du fait que le second element 102a de la deuxieme jonction thermoelectrique 103a soit creux ou plein sont les memes que ceux decrits cidessus en reference avec le second element 102 des figures 2 a 5. Les figures 6 et 7 representent une realisation selon laquelle le second element 102a est creux 15 de sorte a laisser un passage 112 au travers du substrat 108, c'est-a-dire selon l'epaisseur du substrat 108. Les figures 8 et 9 representent une realisation selon laquelle le second element 102a est plein. De preference, le dispositif thermoelectrique 100 comporte une pluralite de trous debouchants 113 et une pluralite d'ensembles de jonctions thermoelectriques tels que decrits 20 precedemment, chaque trou debouchant logeant un ensemble correspondant de jonctions thermoelectriques pour augmenter le nombre de jonctions thermoelectriques au sein du dispositif thermoelectrique 100. [0042] Toujours dans le but d'augmenter le nombre de jonctions thermoelectriques au sein du dispositif thermoelectrique 100, et bien entendu le 25 cas echeant si les dimensions du trou debouchant 113 le permettent, ('ensemble de jonctions thermoelectriques peut comporter (figure 10) au moins une, ou plusieurs, troisieme(s) jonction(s) thermoelectrique(s) 103b, dite(s) jonction(s) thermoelectrique(s) intercalaire(s). La, et notamment chaque, jonction thermoelectrique 103b intercalaire est intercalee entre la premiere jonction 30 thermoelectrique 103 et la deuxieme jonction thermoelectrique 103a. Autrement dit, la troisieme jonction 103b est entouree par la premiere jonction thermoelectrique 103, et entoure la deuxieme jonction thermoelectrique 103a. L'exemple en figure 10 represente une seule jonction thermoelectrique intercalaire 103b, neanmoins, l'homme du métier comprend qu'en fonction de l'espace disponible, it est possible 22 d'en integrer plus entre les premiere et deuxieme jonctions thermoelectriques 103, 103a. [0043] Selon une realisation particuliere, l'epaisseur de chacun des premier(s) et second(s) elements 101, 102 forme dans le trou debouchant 113, prise 5 orthogonalement au plan du substrat 108, peut varier en fonction de la position du premier ou second element concerne entre la paroi du trou debouchant 113 et le centre du trou debouchant 113 de sorte a conserver une resistance electrique identique, ou similaire, pour chacun des premier(s) et second(s) elements 101, 102. Ceci n'est pas obligatoire mais permet d'ameliorer le dispositif thermoelectrique lors 10 de son fonctionnement par conservation d'une aire A (voir equation (1)) a peu pros constante pour tous les premier(s) et second(s) elements. Notamment, plus le premier ou second element 101, 102 est proche du centre du trou 113 plus son epaisseur augmente en particulier pour pallier a la reduction de son diametre exterieur. 15 [0044] En particulier, lorsque le passage 112 est present, it est agence au travers du substrat 108, notamment selon son epaisseur, et ce passage 112 est entoure par les premier et second elements 101, 102 de la jonction thermoelectrique 103, et notamment de chaque jonction thermoelectrique de ('ensemble de jonctions thermoelectriques inserees les unes dans les autres. On dit aussi que le passage 20 112 traverse le substrat 108 et que le passage 112 est separe dudit substrat 108 par au moins une jonction thermoelectrique 103, Les avantages lies a la presence du passage 112 ont déjà ete decrits precedemment. [0045] II est a present decrit un procede de fabrication du dispositif thermoelectrique 100, notamment tel que decrit dans la presente description. Un 25 tel procede de fabrication comporte une etape de fourniture (figure 11) du substrat 108, et une etape de formation de ladite au moins une jonction thermoelectrique (figure 12 a 19) telle que le premier element 101 de la jonction thermoelectrique 103 adopte la forme d'une couche. L'avantage de la formation d'une telle couche decoule de ce qui a ete decrit precedemment, cela permet notamment d'ameliorer 30 !Integration de la jonction thermoelectrique 103 au sein du dispositif thermoelectrique 100, et notamment du substrat 108. [0046] Notamment (figure 11), le substrat 108 fourni comporte le trou 113, notamment debouchant, dont la paroi 113a, aussi appelee paroi interne, est reliee a la premiere face 109 du substrat 108. La jonction thermoelectrique 103 est formee 23 a partir dudit trou 113, notamment dans !edit trou 113. Le trou debouchant 113 a pu "etre obtenu de la maniere decrite precedemment. [0047] Selon une premiere realisation du procede de fabrication, le substrat 108 fourni est tel que le trou 113 est un trou debouchant dont la paroi 113a retie la 5 premiere face 109 du substrat 108 a la deuxieme face 110 du substrat 108 (figure 11). L'etape de formation de ladite au moins une jonction thermoelectrique 103 peut comporter une etape de formation d'une premiere couche 116 en un premier materiau (figure 12). Cette premiere couche 116 s'etend au moins dans le trou debouchant 113 pour former, dans le trou debouchant 113, le premier element 101 10 de la jonction thermoelectrique 103. Le premier materiau peut 'etre du polysilicium dope de type N (dans ce cas le dopant peut 'etre du phosphore), ou en un autre materiau thermoelectrique tel que vise precedemment. L'epaisseur de la premiere couche 116 deposee peut 'etre comprise entre 200nm et 5pm, preferentiellement entre 1pm et 5pm, et peut 'etre preferentiellement egale a 2pm. L'etape de depot 15 de la premiere couche 116 peut 'etre un depot conforme notamment tel que la premiere couche 116 peut s'etendre a l'exterieur du trou debouchant 113, par exemple sur les premiere et deuxieme faces 109, 110 du substrat 108 et sur la paroi 113a du trou debouchant 113 pour la toute premiere des premieres couches 116 (figure 12) si plusieurs doivent en 'etre deposees comme it le sera vu par la 20 suite. Ensuite, l'etape de formation de ladite au moins une jonction thermoelectrique peut comporter (figure 13) une etape de formation d'une deuxieme couche 117 en materiau dielectrique a partir de la premiere couche 116, par exemple par oxydation de cette premiere couche 116 ou par depOt du materiau dielectrique sur la premiere couche 116. Cette deuxieme couche 117 est destinee 25 a former le materiau dielectrique 111. L'oxydation de la premiere couche 116 peut etre realisee quand le materiau composant ladite premiere couche 116 s'y prOte, notamment lorsque ce materiau est a base de silicium. Le depot de la deuxieme couche 117 peut 'etre realise par un depot de dielectrique adapte (par exemple oxyde, nitrure, SiON ou HTO). Cette deuxieme couche 117 peut presenter une 30 epaisseur comprise entre 50nm et 1pm, et notamment egale a 200nm. Le materiau dielectrique peut 'etre choisi dans la liste decrite precedemment. Cette deuxieme couche 117 peut couvrir la premiere couche 116 comme l'illustre la figure 13. Ainsi, la deuxieme couche 117 s'etend au moins dans le trou debouchant 113. Ensuite (figure 14), l'etape de formation de ladite au moins une jonction thermoelectrique 24 peut comporter une etape de gravure de la deuxieme couche 117 de sorte a en retirer une portion situee dans le trou debouchant 113, liberant ainsi une portion 118 de la premiere couche 116, cette portion 118 etant situee dans le trou debouchant 113. Cette gravure, notamment gravure seche, de la deuxieme couche 5 117 est orientee vers la premiere face 109 du substrat 108 d'o0 it resulte le passage de la figure 13 a la figure 14. Une telle gravure de la deuxieme couche 117 permet notamment de retirer le materiau dielectrique, issu de la deuxieme couche 117, depose du cote de la premiere face 109 du substrat 108 et de poursuivre son retrait selon une profondeur, par exemple comprise entre 10nm et 1pm, dans le trou 10 debouchant 113 pour liberer la portion 118 en vue de permettre ulterieurement la formation de ('element de liaison 106. Une telle gravure de la deuxieme couche 117 permet d'eviter une etape supplementaire de photolithographie. Cette gravure sert notamment a permettre par la suite d'assurer la continuite electrique entre les premier et second elements 101, 102 de la jonction thermoelectrique 103. Ensuite, 15 comme illustre en figure 15, l'etape de formation de ladite au moins une jonction thermoelectrique peut comporter une etape de depot d'un deuxieme materiau au moins dans le trou debouchant 113, par exemple sous la forme d'une troisieme couche 119. Le deuxieme materiau depose forme, dans le trou debouchant 113, le second element 102 de la jonction thermoelectrique 103. Le deuxieme materiau 20 peut 'etre du polysilicium dope de type P (dans ce cas le dopant peut 'etre du bore), ou en un autre materiau thermoelectrique tel que vise precedemment. L'epaisseur de la troisieme couche 119 peut 'etre comprise entre 200nm et 5pm, preferentiellement entre 1pm et 5pm, et peut 'etre preferentiellement egale a 2pm. Par ailleurs, notamment dans le trou debouchant 113, le deuxieme materiau 25 depose est en contact, d'une part, avec la deuxieme couche 117 et, d'autre part, avec la portion 118 de la premiere couche 116. Le contact du deuxieme materiau avec la portion 118 permet d'assurer la continuite electrique entre les premier et second elements 101, 102 de la jonction thermoelectrique 103 et le contact avec la deuxieme couche 117 permet d'assurer une isolation electrique entre les premier 30 et second elements 101, 102. Le cas echeant, cette troisieme couche 119 peut 'etre deposee de sorte a former une couche hors du trou debouchant 113, et a combler, ou non, le trou debouchant 113. Lorsque le deuxieme materiau depose ne comble pas le trou 113, it forme une couche dans ledit trou debouchant 113 et cela permet soit de prevoir le passage 112 evoque precedemment, soit de realiser une autre 25 jonction thermoelectrique. Notamment, les premier et deuxieme materiaux decrits en relation avec cette premiere realisation sont des materiaux thermoelectriques et sont a coefficient Seebeck de signe oppose (l'un etant strictement positif et l'autre etant strictement negatif). 5 [0048] Les etapes de formation de la premiere couche 116, de la deuxieme couche 117, et de depOt du deuxieme materiau sont preferentiellement realisees de maniere conforme. Ceci permet d'assurer un remplissage maitrise du trou debouchant 113 pour y former differents constituants de la jonction thermoelectrique 103. En particulier, si le premier materiau et le deuxieme materiau 10 sont en polysilicium dope (le cas echeant de type P ou de type N), l'etape de formation de la premiere couche 116 et de depOt du deuxieme materiau peuvent etre realisees par LPCVD (pour « Low Pressure Chemical Vapor Deposition » en langue anglaise) ou par CVD (pour « Chemical Vapor Deposition » en langue anglaise). Si le premier materiau et le deuxieme materiau permettent de former des 15 super-reseaux, les etapes de formation de la premiere couche 116 et de depot du deuxieme materiau peuvent 'etre realisees par RPCVD (pour « Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition » en langue anglaise). Si le materiau dielectrique de la deuxieme couche 117 est un HTO, sa formation peut 'etre mise en oeuvre par LPCVD. 20 [0049] Les etapes de formation de la premiere couche 116, de la deuxieme couche 117, et de depot du deuxieme materiau peuvent 'etre mise en oeuvre pour toute jonction thermoelectrique a former dans le trou debouchant 113, notamment dans l'epaisseur du substrat 108. Autrement dit, ces trois etapes peuvent 'etre iterees pour chaque jonction thermoelectrique a former dans le trou debouchant 25 113 lorsque plusieurs jonctions thermoelectriques sont a former dans le trou debouchant 113. C'est en substance ce qui est illustre en figure 16 00 l'on visualise une autre premiere couche 116a, une autre deuxieme couche 117a et une autre troisieme couche 119a formees a la maniere de ce qui a ete decrit precedemment. Sur la figure 16, une couche de separation 120 en materiau dielectrique est 30 agencee entre la troisieme couche 119 et la premiere couche 116a pour isoler electriquement le second element d'une jonction thermoelectrique du premier element d'une autre jonction thermoelectrique (on forme ainsi le materiau dielectrique reference 111b decrit precedemment). En fait, chaque couche de separation 120 peut 'etre en materiau dielectrique tel que decrit precedemment et 26 deposee de maniere conforme. Avant de former la premiere couche 116a representee en figure 16 sur la couche de separation 120, la couche de separation 120 est gravee du cote de la deuxieme face 110 du substrat 108 de sorte a liberer une portion 121 de la troisieme couche 119. Cette portion 121 est situee dans le 5 trou debouchant 113, et est destinee a venir en contact avec la premiere couche 116a de l'autre jonction thermoelectrique en vue de realiser la liaison electrique en serie de deux jonctions thermoelectriques. [0050] Apres formations de toutes les premieres couches et depots du deuxieme materiau dans le trou debouchant 113, le procede de fabrication peut comporter 10 une etape de retrait de matiere des deux cotes du substrat 108 jusqu'aux premiere et deuxieme faces 109, 110 du substrat 108 comme illustre en figure 17. Ceci peut etre mis en 09 uvre par CMP (pour « Chemical Mechanical Planarization » en langue anglaise). Pour faciliter ce retrait par CMP, le substrat 108 peut comporter en surface une couche d'arret comme par exemple du nitrure de silicium (non 15 representee). Alternativement a la CMP, it peut 'etre realise un polissage uniquement mecanique comme par exemple de type « fine grinding » ou « dry polish » en langue anglaise. Le retrait de matiere des deux cotes du substrat 108 est notamment tel que chacune des couches formees et chacun des materiaux deposes, et s'etendant initialement au moins dans le trou debouchant 113 ne 20 s'etend plus que dans le trou debouchant 113. Ensuite (figure 18), de part et d'autre du substrat 108, le premier et le deuxieme materiau present dans le trou debouchant 113 subissent preferentiellement, lorsqu'ils comportent du silicium, une siliciuration selon une profondeur determinee, par exemple entre 10nm et 1pm, pour former, le cas echant ('element de liaison electrique 106, 106a entre les 25 premier et second elements 101, 101a, 102, 102a de chaque jonction thermoelectrique 103, 103a presente dans le trou debouchant 113, ('element de connexion electrique 107 entre tout couple de jonctions thermoelectriques adjacentes presentes dans le trou debouchant 113, et les parties 122a, 122b en siliciure pour recevoir les bornes de connexion 114, 115 representees en figure 19. 30 Par « ordre de » pour une valeur, on entend cette valeur a plus ou moins 10%. La siliciuration permet d'ameliorer les contacts electriques entre les premier et second elements d'une nteme jonction thermoelectrique et/ou entre les jonctions thermoelectriques et/ou entre les premier et second elements concernes et les bornes de connexion 114, 115. La siliciuration peut 'etre mise en oeuvre a partir d'un 27 depOt, notamment de chaque cote du substrat 108, d'une bicouche par exemple de 50nm d'epaisseur (par exemple cette bicouche comporte une couche de TiN notamment de 10nm d'epaisseur et une couche de Ti notamment de 40nm d'epaisseur) et en contact avec les materiaux a transformer localement en siliciure. 5 Chaque bicouche utilisee pour la siliciuration peut comporter la couche de titane en contact avec les premier et deuxieme materiaux presents dans le trou debouchant 113 le cas echant du cote de la premiere face 109 du substrat 108 ou du cote de la deuxieme face 110 du substrat 108, et la couche de nitrure de titane (TiN) en contact avec la couche de titane. Apres depot de la ou des bicouches pour la 10 siliciuration, une etape de recuit est realisee, par exemple a une temperature comprise entre 400°C et 800°C pour obtenir le siliciure souhaite, et plus particulierement entre 700°C et 800°C pour obtenir du siliciure de titane. En fait, cette gamme de temperature de 400°C a 800°C donne des temperatures qui seront choisies par I'homme du métier en fonction du siliciure a obtenir. En particulier, 15 cette etape de recuit permet de faire reagir le titane avec le silicium contenu dans les premier et deuxieme materiaux pour former des portions/parties en siliciure notamment aux extremites opposees de chacun des premier(s) et second(s) elements 101, 101a, 102, 102a. Une gravure chimique est ensuite mise en oeuvre pour retirer le nitrure de titane, et le titane n'ayant pas reagi avec le premier 20 materiau et le deuxieme materiau issus du trou debouchant 113. En figure 19, apres siliciuration, une formation d'une couche de protection 123 en materiau dielectrique peut venir revetir le dispositif thermoelectrique 100 en surface. Enfin, les bornes de connexion 114, 115 visibles en figure 19 peuvent 'etre formees par des etapes de photolithographie et de gravure de la couche de protection 123 pour former des 25 ouvertures revelant des zones de reprise de contact issues des parties 122a, 122b en siliciure, puis par depot de metal adapte sur ces zones de reprise de contact. [0051] Dans I'exemple illustre en figure 19, le trou debouchant 113 du substrat 108 n'est pas totalement rebouche mais comporte les jonctions thermoelectriques 103 et 103a. Bien entendu, it peut l'etre en adaptant les epaisseurs des couches 30 deposees, et obtenir le cas echeant un dispositif thermoelectrique du type de celui illustre en figure 8. [0052] Selon cette premiere realisation, le substrat 108 est preferentiellement un substrat en verre, par exemple d'epaisseur de 300pm et dans lequel le trou debouchant 113 presente un diametre de 20pm. L'avantage du substrat en verre 28 est sa tres faible conductivite thermique permettant d'ameliorer le gradient thermique aux bornes de la, ou de chacune des, jonctions thermoelectriques. [0053] Bien entendu, selon cette premiere realisation le substrat 108 peut comporter une pluralite de trous debouchants 113 dans chacun desquels est 5 formee au moins une jonction thermoelectrique a la maniere de ce qui a ete decrit ci-dessus. [0054] Selon une deuxieme realisation particuliere du procede de fabrication ayant pour but de diminuer les coCits, le substrat 108 est en un materiau presentant un premier coefficient Seebeck. Par ailleurs, l'etape de formation de ladite au moins 10 une jonction thermoelectrique 103 est telle que l'un des premier et second elements 101, 102 de la jonction thermoelectrique 103 est forme par une partie du substrat 108, et l'autre des premier et second elements 101, 102 de la jonction thermoelectrique 103 est forme par un deuxieme materiau presentant un deuxieme coefficient Seebeck de signe oppose au premier coefficient Seebeck, le deuxieme 15 materiau etant depose dans une cavite formee dans le substrat 108. L'avantage de cette deuxieme realisation du procede de fabrication est de reduire le coCit et la duree de fabrication du dispositif thermoelectrique 100 en utilisant au moins une partie du substrat 108 pour former l'un des premier et second elements 101, 102 de la jonction thermoelectrique 103. De maniere generale, en appliquant cette 20 deuxieme realisation au dispositif thermoelectrique 100, on dit que le substrat 108 est dope electriquement d'un type choisi entre P ou N, et que l'un des premier et second elements 101, 102 est dans un materiau identique a celui du substrat 108, notamment ce materiau identique a celui du substrat est issu du substrat 108. [0055] Selon un exemple particulier de cette deuxieme realisation du procede de 25 fabrication permettant de former deux jonctions thermoelectriques reliees en serie, it est d'abord fourni un substrat 108 (figures 20 et 21, la figure 21 etant une vue de dessus du substrat de la figure 20) dans lequel sont formees deux tranchees circulaires 124a, 124b. Ces tranchees 124a, 124b circulaires sont notamment formees dans la deuxieme face 110 du substrat 108, et presentent notamment 30 chacune une section, prise dans le plan du substrat, en forme d'anneau. Ces tranchees sont notamment realisees de telle maniere que le volume des tranchees est strictement inferieur au volume occupe par ladite partie du substrat pour adapter sa resistance au dopage plus faible que celui du deuxieme materiau depose. Par exemple, si le substrat 108 est dix fois plus resistif que le deuxieme materiau qui 29 va "etre depose, la tranchee sera dix fois plus petite que l'espace entre les tranchees pour obtenir des resistances electriques du meme ordre de grandeur pour les differents premier(s) et second(s) elements 101, 102. Ensuite, it est forme (figure 22) en surface du substrat 108, depuis sa deuxieme face 110, une couche en 5 materiau dielectrique 125 par exemple d'epaisseur comprise entre 50nm et 500nm. Cette couche en materiau dielectrique 125 couvre alors la deuxieme face 110 du substrat 108 ainsi que des flancs et le fond de chaque tranchee 124a, 124b. Les tranchees 124a, 124b peuvent presenter une largeur comprise entre 1pm et lOpm, et notamment egale a 6pm. Les tranchees 124a, 124b peuvent presenter une 10 profondeur comprise entre 50pm et 300pm, et notamment egale a 200pm. Ensuite, comme illustre en figure 23, des portions de la couche en materiau dielectrique 125 sont retirees (par exemple par photolithographie suivie d'une gravure seche) au niveau des sommets de certains flancs pour liberer des portions 126a, 126b du substrat 108 en vue de permettre la connexion electrique entre les premier et 15 second elements d'une meme jonction thermoelectrique. Ensuite, un depOt du deuxieme materiau 127, vient combler les tranchees 124a, 124b (figure 24). Pour passer de la figure 24 a la figure 25, une etape de CMP orientee vers la deuxieme face 110 du substrat 108 avec un arret sur la couche en materiau dielectrique 125 permet de retirer un eventuel surplus de deuxieme materiau 127 depose hors des 20 tranchees et au-dessus de la couche en materiau dielectrique 125. En figure 26, it est forme des elements de liaison 106, 106a en siliciure par siliciuration de portions de premier materiau et de deuxieme materiau situees du cote de la deuxieme face 110 du substrat 108, notamment selon une profondeur, donnee selon l'epaisseur du substrat 108, comprise entre 10nm et 1pm, ou entre 50nm et 200nm. Ces 25 elements de liaison 106, 106a ont une forme annulaire et relient electriquement les premier et second elements d'une meme jonction thermoelectrique. La siliciuration peut ici 'etre obtenue en utilisant une bicouche pour la siliciuration telle que decrite precedemment. Une couche de protection 128, notamment en materiau dielectrique et d'epaisseur comprise entre 500nm et 2pm, est ensuite formee pour 30 proteger le dispositif thermoelectrique du cote des elements de liaison 106, 106a. En figure 27, le substrat 108 est retourne, et est aminci depuis sa deuxieme face 109 (figure 26) pour atteindre le deuxieme materiau 127. Apres avoir revele le deuxieme materiau 127, une etape de siliciuration (figure 28) permet de former des elements en siliciure references 129a, 129b, 129c, 129d a la premiere face 109 du 30 substrat 108 opposee a la deuxieme face 110 du substrat 108, notamment par siliciuration partielle des premiers et seconds elements 101, 101a, 102, 102a. En figure 28, on voit aussi que le substrat 108 s'est partiellement transforms en siliciure a sa premiere face 109. Ces elements en siliciure 129a, 129b, 129c, 129d peuvent 5 presenter chacun, selon l'epaisseur du substrat, une epaisseur comprise entre lOnm et 1pm, ou entre 50nm et 200nm. Ces elements en siliciure 129a, 129b, 129c, 129d peuvent 'etre obtenus par ('utilisation d'une bicouche pour la siliciuration telle que decrite precedemment. Pour finir des bornes de connexion 114, 115 notamment metalliques telles que decrites precedemment et un element de 10 connexion 107 entre jonctions thermoelectriques sont formes (figure 29) apres ouverture d'une couche en materiau dielectrique 130 deposee du cote de la premiere face 109 du substrat 108. L'element de connexion 107 est en contact avec les elements en siliciure 129b, 129c, la borne de connexion 114 est en contact avec ('element en siliciure 129a, et la borne de connexion 115 est en contact avec 15 ('element en siliciure 129d. [0056] Les tranchees selon la deuxieme realisation peuvent 'etre obtenues selon les enseignements du document « Via First Technology Devlopment Based on High Aspect Ratio Trenches Filled with Doped Polysilicon » de D. Henry et al. publie par IEEE dans « Electronic Components and Technology Conference » en 2007 en 20 pages 830 a 835. [0057] Selon une variante de cette deuxieme realisation du procede de fabrication, le deuxieme materiau peut 'etre un metal permettant de former des jonctions semiconducteur/metal lorsque le substrat est a base de semi-conducteur. Cette variante permet une realisation technologique simplifiee. D'un point de vue puissance 25 electrique generee, le remplacement du materiau thermoelectrique dope par un metal va diminuer la tension generee par le dispositif thermoelectrique en mode generateur d'electricite (car les metaux ont des coefficients Seebeck faibles), mais la resistance interne sera egalement beaucoup plus faible (car les metaux ont des resistivites electriques plus faibles que les semi-conducteurs). 30 [0058] La deuxieme realisation du procede de fabrication peut 'etre adaptee pour former, si on le souhaite, le passage 112 evoque precedemment permettant de traverser le substrat 108. [0059] On comprend de ce qui a ete decrit ci-dessus que le procede de fabrication decrit peut 'etre realise a partir de techniques de la microelectronique permettant 31 de former des vias traversants par exemple de type TSV (pour Through Silicon Via » en langue anglaise) ou de type TGV (pour « Through Glass Via » en langue anglaise) et en modifiant ces techniques pour former des jonctions thermoelectriques notamment inserees les ones dans les autres. 5 [0060] Comme illustre en figure 30, ('invention est aussi relative a un dispositif de generation 1000 d'une premiere energie comportant au moins un dispositif thermoelectrique 100 tel que decrit dans la presente description, le dispositif thermoelectrique 100 etant configure de sorte a exploiter une deuxieme energie pour generer la premiere energie, notamment par sa ou ses jonctions 10 thermoelectriques. Grace a ('utilisation d'un dispositif thermoelectrique 100 tel que decrit dans le cadre de la presente invention, l'efficience du dispositif de generation 1000 de la premiere energie est amelioree. Par exemple, la premiere energie est une energie electrique lorsque la deuxieme energie est une energie thermique (une difference de temperature) a laquelle le dispositif thermoelectrique 100 est soumis. 15 Par exemple, la premiere energie est une energie thermique lorsque la deuxieme energie est une energie electrique alimentant le dispositif thermoelectrique 100. [0061] En particulier, en figure 30, le dispositif 1000 de generation de la premiere energie peut comporter un premier dispositif electronique 1001 et un deuxieme dispositif electronique 1002. Le dispositif thermoelectrique 100 est place entre les 20 premier et deuxieme dispositifs electroniques 1001, 1002 de telle sorte que le premier dispositif electronique 1001 forme une source chaude pour le dispositif thermoelectrique 100. Notamment, le premier dispositif electronique 1001 est adjacent au premier cote 104 du dispositif thermoelectrique 100, et le deuxieme dispositif electronique 1002 est adjacent au deuxieme cote 105 du dispositif 25 thermoelectrique 100, ce deuxieme cote 105 formant un cote source froide du dispositif thermoelectrique 100. Cette source froide correspond par exemple a la temperature de l'environnement du cote du deuxieme cote 105. Le dispositif thermoelectrique 100 comporte le passage 112 entoure par les premier(s) et second(s) elements 101, 101a, 102, 102a de la ou des jonctions thermoelectriques 30 103, 103a. Le passage 112 est agence au travers du substrat 108 (notamment selon son epaisseur) ou plus generalement au travers du dispositif thermoelectrique 100, et au moins un lien electrique 1003 (comme par exemple un fil ou une piste) relie electriquement le premier dispositif electronique 1001 au deuxieme dispositif electronique 1002 en passant par le passage 112. Notamment, 32 le premier dispositif electronique 1001 &net plus de chaleur que le deuxieme dispositif electronique 1002. Notamment, le premier dispositif electronique 1001 peut 'etre par exemple une diode electroluminescente, ou un composant electronique de puissance (par exemple un convertisseur), ou une puce logique, et 5 le deuxieme dispositif electronique 1002 peut 'etre un capteur, ou une memoire, produisant notamment peu de chaleur et dont le fonctionnement peut 'etre perturbe par la chaleur. Bien entendu, ces exemples de premier et deuxieme dispositifs electroniques 1001, 1002 ne sont pas limitatifs. En figure 30, une couche de protection en materiau dielectrique 133 recouvre au moins en partie le dispositif 10 thermoelectrique 100. On comprend alors qu'en figure 30, le dispositif thermoelectrique est a effet Seebeck : sa ou ses jonctions thermoelectriques generent une energie electrique en exploitant la difference de temperature a laquelle le dispositif thermoelectrique est soumis entre la source chaude et la source froide. 15 [0062] II est aussi possible de realiser des empilements de dispositifs thermoelectriques 100a, 100b tels que decrits et relies electriquement entre eux a la maniere de ce qui est illustre en figure 31 en exploitant les passages 112 par exemple traverses chacun par un lien electrique 1003. En figure 31, l'un des liens electriques 1003 permet notamment de relier en serie deux dispositifs 20 thermoelectriques 100a, 100b. [0063] Selon une realisation, le dispositif thermoelectrique peut comporter des jonctions thermoelectriques formees par des couches planaires de sorte que les premiers et seconds elements sont des couches planaires preferentiellement formees dans le substrat. 25 [0064] La figure 32 illustre a titre d'exemple !Integration de plusieurs ensembles de jonctions thermoelectriques dans un substrat 108. Ainsi, six premiers ensembles 131 sont formes dans des trous debouchants, a sections circulaires, du substrat 108 tout en laissant des passages 112 au travers du substrat 108. Concernant ces premiers ensembles 131, les lignes en pointille representent une separation entre 30 deux jonctions thermoelectriques reliees electriquement en serie du premier ensemble concerne. Les premiers ensembles 131 de jonctions thermoelectriques sont formes chacun par des couches successives agencees en travers de l'epaisseur du substrat 108. Pour chaque premier ensemble 131, it est represente deux jonctions thermoelectriques reliees electriquement en serie et comprenant 33 respectivement un premier couple de premier et second elements 1311, 1312 et un deuxieme couple de premier et second elements 1311a, 1312a. Par ailleurs, la figure 32 illustre aussi trois deuxiemes ensembles 132 de jonctions thermoelectriques formes chacun par des couches successives agencees en 5 travers de l'epaisseur du substrat 108. En particulier, chaque couche successive de chacun des premiers ensembles 131 peut 'etre formee simultanement, notamment par depot, avec au moins une des couches de chacun des deuxiemes ensembles 132. Ainsi, les premiers et deuxiemes ensembles 131, 132 peuvent 'etre formes au moins en partie simultanement. Chacun des deuxiemes ensembles 132 10 comporte deux couples de jonctions thermoelectriques tels qu'au sein d'un couple de jonctions thermoelectriques lesdites jonctions thermoelectriques sont reliees en serie, et que les deux couples de jonctions thermoelectriques sont relies en parallele. Sur la figure 32, cela se traduit par le fait que chaque deuxieme ensemble 132 comporte : 15 - un premier couple de jonctions thermoelectriques comportant : o des premier et second elements 1321, 1322 appartenant a l'une des jonctions thermoelectriques dudit premier couple de jonctions thermoelectriques, et o des premier et second elements 1321a, 1322a appartenant a l'autre 20 des jonctions thermoelectriques dudit premier couple de jonctions thermoelectriques, - un deuxieme couple de jonctions thermoelectriques comportant : o des premier et second elements 1321b, 1322b formant l'une des jonctions thermoelectriques dudit deuxieme couple de jonctions 25 thermoelectriques, et o des premier et second elements 1321c, 1322a formant l'autre des jonctions thermoelectriques dudit deuxieme couple, et par le fait que les premiers elements 1321 et 1321b sont reliees a des bornes de connexion d'entree dudit deuxieme ensemble 132, et par le fait que le second 30 element 1322a est common a deux jonctions thermoelectriques et est relie a une borne de connexion de sortie dudit deuxieme ensemble 132. Les trois deuxiemes ensembles 132 peuvent avoir ete obtenus chacun depuis d'un trou debouchant de section rectangulaire forme dans le substrat 108 avant de venir decouper le substrat 108 de sorte a former une succession de couches « planaires » en travers 34 du plan du substrat. Concernant ces deuxiemes ensembles 132, les lignes en pointille representent chacune une separation entre deux jonctions thermoelectriques reliees electriquement en serie du deuxieme ensemble concerne. Pour faciliter la lecture de cette figure 32, en vue de dessus, les elements 5 de liaison ainsi que les materiaux dielectriques evoques ci-avant n'ont pas ete representes pour permettre de visualiser directement les premiers et seconds elements. [0065] Le dispositif thermoelectrique tel que decrit presente une application industrielle dans tout domaine technique cherchant par exemple a recuperer de 10 l'energie electrique a partir d'une difference de temperature disponible generant un gradient thermique aux bornes de la, ou de chacune des, jonctions thermoelectriques. En particulier, le dispositif thermoelectrique tel que decrit peut etre utilise de sorte a servir d'alimentation electrique pour capteur(s) autonome(s), pour composants microelectroniques, pour telephone mobile, pour un actionneur 15 domotique, pour capteur(s) d'un batiment intelligent, pour composant(s) situe(s) dans un reseau electrique intelligent aussi connu sous la denomination anglaise « smart grid », ou encore dans le domaine de ('Internet des Objets (loT pour « Internet of Things » en langue anglaise). En fait, lorsque le dispositif thermoelectrique est a effet Seebeck, c'est-a-dire a generation d'energie electrique, 20 il peut 'etre utilise pour servir d'alimentation electrique a tout composant, par exemple autonome et non relie a un reseau de distribution d'electricite, REVENDICATIONS1. Dispositif thermoelectrique (100) comportant : - un substrat (108) comportant des premiere et deuxieme faces (109, 110) opposees selon une epaisseur (e) dudit substrat (108), - au moins une jonction thermoelectrique (103) comportant un premier element (101) et un second element (102) relies electriquement entre eux en vue de generer un effet thermoelectrique, les premier et second elements (101, 102) etant agences dans le substrat (108) et etant relies electriquement a leurs extremites situees du cote de la premiere face (109) du substrat (108), caracterise en ce que le premier element (101) adopte la forme d'une couche. 2. Dispositif thermoelectrique (100) selon la revendication precedente, caracterise en ce que le premier element (101) est creux, et en ce que le second element (102) est entoure par le premier element (101). 3. Dispositif thermoelectrique (100) selon la revendication precedente, caracterise en ce que le second element (102) est creux. 4. Dispositif thermoelectrique (100) selon I'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que la jonction thermoelectrique (103) est formee au travers du substrat (108) selon son epaisseur. 5. Dispositif thermoelectrique (100) selon I'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que le substrat (108) est muni d'un trou debouchant (113) reliant les premiere et deuxieme faces (109, 110) du substrat (108), au moins les premier et second elements (101, 102) de la jonction thermoelectrique (103) etant agences dans !edit trou debouchant (113). 6. Dispositif thermoelectrique (100) selon la revendication precedente, caracterise en ce que la couche formant le premier element (101) de la jonction thermoelectrique (103) s'etend contre une paroi du trou debouchant (113). 36 7. Dispositif thermoelectrique selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que le substrat (108) est dope electriquement d'un type choisi entre P ou N, et en ce que I'un des premier et second elements (101, 102) est dans un materiau identique a celui du substrat (108). 5 8. Dispositif thermoelectrique (100) selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce qu'il comporte au moins un ensemble de jonctions thermoelectriques (103, 103a) reliees electriquement en serie et comprenant chacune un premier element (101, 101a) et un second element (102, 102a), 10 lesdites jonctions thermoelectriques (103, 103a) dudit ensemble etant agencees de telle sorte que : - l'une des jonctions thermoelectriques dudit ensemble est une premiere jonction thermoelectrique (103) correspondant a ladite jonction thermoelectrique (103) dont le premier element (101) adopte la forme d'une couche, 15 - l'une des jonctions thermoelectriques dudit ensemble est une deuxieme jonction thermoelectrique (103a) entouree par la premiere jonction thermoelectrique (103). 9. Dispositif thermoelectrique (100) selon la revendication precedente, caracterise en que le second element (102a) de la deuxieme jonction 20 thermoelectrique (103a) est entoure par le premier element (101a) de la deuxieme jonction thermoelectrique (103a). 10. Dispositif thermoelectrique (100) selon l'une quelconque des revendications 8 a 9, caracterise en ce que ('ensemble de jonctions thermoelectriques comporte 25 au moins une troisieme jonction thermoelectrique (103b), la troisieme jonction thermoelectrique (103b) etant entouree par la premiere jonction thermoelectrique (103), et la troisieme jonction thermoelectrique (103b) entourant la deuxieme jonction thermoelectrique (103a). 30 11. Dispositif thermoelectrique (100) selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce qu'il comporte un passage (112) agence au travers du substrat (108) et entoure par les premier et second elements (101, 102) de la jonction thermoelectrique (103). 37 12. Dispositif thermoelectrique (100) selon I'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que les premier et second elements (101, 102) de la jonction thermoelectrique (103) se presentent chacun sous la forme d'une couche de sorte a delimiter deux cylindres creux coaxiaux et d'axes sensiblement 5 paralleles a la direction de mesure de l'epaisseur du substrat (108). 13. Dispositif de generation (1000) d'une premiere energie comportant au moins un dispositif thermoelectrique (100) selon I'une quelconque des revendications precedentes, le dispositif thermoelectrique (100) etant configure de sorte a exploiter 10 une deuxieme energie pour generer la premiere energie. 14. Dispositif de generation de la premiere energie (1000) selon la revendication precedente, caracterise en ce qu'il comporte un premier dispositif electronique (1001) et un deuxieme dispositif electronique (1002), le dispositif thermoelectrique 15 (100) etant place entre les premier et deuxieme dispositifs electroniques (1001, 1002) de telle sorte que le premier dispositif electronique (1001) forme une source chaude pour le dispositif thermoelectrique (100), et en ce que le dispositif thermoelectrique (100) comporte un passage (112) entoure par les premier et second elements (101, 102) de la jonction thermoelectrique (103), le passage (112) 20 etant agence au travers du substrat (108), au moins un lien electrique (1003) relie electriquement le premier dispositif electronique (1001) au deuxieme dispositif electronique (1002) en passant par le passage (112). 15. Procede de fabrication d'un dispositif thermoelectrique (100) selon la 25 revendication 1, !edit procede de fabrication comportant une etape de fourniture du substrat (108), et une etape de formation de ladite au moins une jonction thermoelectrique (103), caracterise en ce que l'etape de formation de ladite au moins une jonction thermoelectrique est telle que le premier element (101) de la jonction thermoelectrique (103) adopte la forme d'une couche. 30 16. Procede de fabrication selon la revendication precedente, caracterise en ce que le substrat (108) fourni comporte un trou debouchant (113) ayant une paroi (113a) reliant la premiere face (109) du substrat (108) a la deuxieme face (110) du 38 substrat (108), et en ce que, l'etape de formation de ladite au moins une jonction thermoelectrique (103, 103a) comporte : - une etape de formation d'une premiere couche (116, 116a) en un premier materiau, la premiere couche (116, 116a) s'etendant au moins dans le trou 5 debouchant (113) pour former, dans le trou debouchant (113), le premier element (101, 101a) de la jonction thermoelectrique (103, 103a), - une etape de formation d'une deuxieme couche (117, 117a) en materiau dielectrique a partir de la premiere couche (116, 116a), la deuxieme couche (117, 117a) s'etendant au moins dans le trou debouchant (113), 10 - une etape de gravure de la deuxieme couche (117, 117a) sorte a en retirer une portion situee dans le trou debouchant (113) pour liberer une portion (118) de la premiere couche (116), - une etape de depOt d'un deuxieme materiau, au moins dans le trou debouchant (113), de telle sorte que : 15 o le deuxieme materiau depose forme, dans le trou debouchant (113), le second element (102, 102a) de la jonction thermoelectrique (103, 103a), o le deuxieme materiau depose est en contact, d'une part, avec la deuxieme couche (117) et, d'autre part, avec la portion (118) de la 20 premiere couche (116). 17. Procede de fabrication selon la revendication 15, caracterise en ce que le substrat (108) est en un premier materiau presentant un premier coefficient Seebeck, et en ce que l'etape de formation de ladite au moins une jonction 25 thermoelectrique (103) est telle que l'un des premier et second elements (101, 102) de la jonction thermoelectrique (103) est forme par une partie du substrat (108), et que l'autre des premier et second elements (101, 102) de la jonction thermoelectrique (103) est forme par un deuxieme materiau presentant un deuxieme coefficient Seebeck de signe oppose au premier coefficient Seebeck, le 30 deuxieme materiau etant depose dans une cavite formee dans le substrat (108).