FR 3076122 A1 20190628 FR 1762988 A 20171222 CIRCUIT DE CONTROLE POUR TRANSISTOR DOMAINE TECHNIQUE ET OBJET DE L'INVENTION [0001] De façon générale, l'invention concerne le domaine des équipements électriques destinés à la conversion de signaux, notamment destinés à être embarqués dans un véhicule automobile, en particulier un véhicule automobile à moteur électrique ou hybride. [0002] Plus précisément, dans le contexte d'un véhicule électrique ou hybride comprenant une batterie d'alimentation haute tension et une machine électrique pour la propulsion du véhicule, il est connu qu'un onduleur soit utilisé pour convertir un courant continu fourni par ladite batterie d'alimentation en une pluralité de courants alternatifs de commande de ladite machine électrique. La présente invention concerne, dans ce contexte, un équipement électrique, notamment de type onduleur, permettant de fonctionner sur une large plage de températures. ETAT DE LA TECHNIQUE [0003] Comme cela est connu, un véhicule automobile électrique ou hybride comprend un système de motorisation électrique alimenté par une batterie d'alimentation haute tension via un réseau électrique embarqué haute tension et une pluralité d'équipements électriques auxiliaires alimentés par une batterie d'alimentation basse tension via un réseau électrique embarqué basse tension. [0004] La batterie d'alimentation haute tension assure une fonction d'alimentation en énergie du système de motorisation électrique permettant la propulsion du véhicule. Plus précisément, afin de commander la machine électrique entrainant les roues du véhicule, il est connu d'utiliser un onduleur permettant de convertir le courant continu fourni par la batterie d'alimentation haute tension en un ou plusieurs courants alternatifs, par exemple sinusoïdaux, permettant de commander les phases de la machine électrique. [0005] A cette fin, un tel onduleur comprend une pluralité de composants qui doivent fonctionner sur une large plage de valeurs de température, par exemple variant de -40°C à +105°C. Dans une solution connue, l'onduleur comprend notamment une pluralité d'interrupteurs réalisés à partir de transistors de type IGBT ou MOSFET. Chaque transistor est commandé de manière périodique à travers un circuit dit « de contrôle » à partir d'un signal de commande généré par un microcontrôleur. [0006] On a représenté à la figure 1 un exemple de circuit de contrôle CC1 d'un transistor Ti de type IGBT ou MOSFET. Dans un tel circuit, le signal de commande Si du transistor Ti est 2 fourni à la grille G du transistor Ti à travers une résistance dite « de grille » Rg dont la valeur influence le fonctionnement de l'onduleur. Plus précisément, lorsque la valeur de la résistance de grille Rg est faible, le transistor commute rapidement, ce qui permet d'obtenir de faibles pertes par commutation donc un bon rendement mais peut entraîner des surtensions (liées aux selfs 5 parasites du circuit) pouvant détruire le composant et des niveaux de perturbation électromagnétique non conformes aux standards. A l'inverse, lorsque la valeur de la résistance de grille Rg est élevée, le transistor commute moins vite, ce qui entraine des pertes élevées (en fermeture et ouverture) à cause des temps de commutations qui sont plus important, mais ceci permet d'obtenir des surtensions plus faibles et des niveaux raisonnables de perturbation 10 électromagnétique. Ainsi, le choix de la résistance Rg optimale est un compromis entre les pertes, qui impactent le rendement, et les surtensions, qui peuvent conduire à la destruction du transistor et à l'augmentation des niveaux de perturbation électromagnétique. [0007] A températures élevées, par exemple de l'ordre de +105°C, la tension de claquage d'un transistor IGBT ou MOSFET est généralement plus importante qu'à 25°C, température pour 15 laquelle la tension de claquage est renseignée dans la fiche de données du composant. En revanche, à des températures basses, par exemple de l'ordre de -40°C, la tension de claquage d'un transistor IGBT ou MOSFET est plus faible, de l'ordre de 5 à 7% de la tension de claquage à 20°C. De ce fait, une valeur faible de la résistance de grille Rg à température négative peut générer des surtensions dont la valeur serait supérieure à la tension de claquage, entrainant alors 20 la destruction du transistor, rendant l'onduleur inopérant. [0008] Il existe donc le besoin d'une solution simple, fiable et efficace pour permettre à un onduleur comprenant des transistors de type IGBT ou MOSFET de fonctionner sur une large plage de valeurs de température, notamment comprises entre -40°C et +105°C, en toute sécurité tout en ayant un rendement optimal. 25 PRESENTATION GENERALE DE L'INVENTION [0009] A cet effet, l'invention a tout d'abord pour objet un circuit de contrôle d'un transistor, notamment pour un équipement électrique d'un véhicule électrique ou hybride, ledit circuit de contrôle comprenant une résistance principale adaptée pour recevoir un signal de commande du 30 transistor, ledit circuit de contrôle comprenant en outre une résistance additionnelle, connectée entre la résistance principale et une borne de sortie du circuit de contrôle destinée à être connectée à une borne de commande du transistor, et un circuit auxiliaire connecté aux bornes de ladite résistance additionnelle, ledit circuit auxiliaire comprenant un interrupteur, connecté aux bornes de la résistance additionnelle et configuré pour commuter entre une position fermée dans laquelle il court-circuite la résistance additionnelle et une position ouverte dans laquelle la résistance additionnelle est connectée en série avec la résistance principale, et un module de 3 commande, configuré pour recevoir une valeur de température, pour commander la fermeture dudit interrupteur lorsque la valeur de température reçue est comprise dans un premier intervalle de valeurs, et pour commander l'ouverture dudit interrupteur lorsque la valeur de température reçue est comprise dans un deuxième intervalle de valeurs. 5 [0010] Le transistor étant mis en oeuvre dans une puce semi-conductrice, la température est de préférence celle de la puce semi-conductrice contenant le transistor, en particulier celle prise au plus près du dissipateur thermique du transistor de commutation. La température peut être mesurée ou estimée à partir d'un modèle. [0011] Le transistor peut être un transistor de type IGBT ou de type MOSFET ou tout autre 10 type de transistor, notamment de transistor semi-conducteur. [0012] Le circuit de contrôle selon l'invention permet ainsi d'adapter avantageusement la valeur de la résistance vue par la borne de commande du transistor en fonction de la température. Une valeur basse de la résistance vue par la borne de commande du transistor peut ainsi être utilisée à des températures moyennes ou hautes, par exemple entre 0 et +105°, permettant ainsi 15 d'obtenir un rendement élevé de l'équipement électrique en termes d'utilisation de ses transistors, tandis qu'une valeur plus élevée de la résistance vue par la borne de commande du transistor peut ainsi être utilisée à des températures basses, par exemple entre -40° et 00, permettant ainsi de s'assurer que la tension de claquage du transistor, dont la valeur diminue avec la température, n'est pas atteinte. 20 [0013] De préférence, le module de commande comprend un comparateur configuré pour comparer la valeur de température reçue à une valeur de température de référence, un tel comparateur étant un moyen simple et efficace de commander l'interrupteur du circuit auxiliaire. [0014] Avantageusement, le premier intervalle de valeurs de température comprend des valeurs de températures négatives. 25 [0015] Dans une forme de réalisation, le premier intervalle de valeurs de température comprend uniquement des valeurs de températures négatives ou nulles. Autrement dit, la température de référence est égale à zéro. Cette valeur de la température de référence permet d'obtenir un compromis efficace entre le rendement de l'onduleur et la prévention du claquage du transistor. 30 [0016] Avantageusement, le deuxième intervalle de valeurs de température comprend des valeurs de températures positives. 4 [0017] Dans une forme de réalisation, le deuxième intervalle de valeurs de température comprend uniquement des valeurs de températures positives ou nulles. Autrement dit, la température de référence est égale à zéro. Cette valeur de la température de référence permet d'obtenir un compromis efficace entre le rendement de l'onduleur et la prévention du claquage 5 du transistor. [0018] On notera toutefois que la valeur de la température de référence peut être adaptée en fonction du compromis recherché entre le rendement et le risque de claquage du transistor. De préférence, la valeur de la température de référence est comprise entre -20°C et +20°C. [0019] Avantageusement, la valeur de la résistance additionnelle est supérieure ou égale à 10 la résistance de grille minimum nécessaire pour commuter à faibles pertes. Notamment, la valeur de la résistance additionnelle peut être égale à la valeur de la résistance de grille optimale base, par exemple obtenue dans la fiche de données du transistor ou déterminée empiriquement, qui permettrait d'avoir les pertes par commutation les plus faibles possibles du transistor, de sorte à doubler cette valeur globale à froid pour limiter les surtensions. 15 [0020] Selon un autre aspect de l'invention, le circuit de contrôle comprend en outre une borne d'entrée destinée à recevoir un signal de commande du transistor et une unité de pilotage connectée d'une part à ladite borne d'entrée et d'autre part à une borne de la résistance principale. [0021] L'invention concerne également un équipement électrique, notamment un onduleur, 20 pour véhicule électrique, ledit équipement électrique comprenant au moins un circuit de contrôle tel que présenté précédemment. [0022] Avantageusement, l'équipement électrique comprend au moins un transistor et au moins un circuit de contrôle, tel que présenté précédemment, dudit transistor. [0023] Dans une forme de réalisation, l'équipement électrique est un onduleur et le transistor 25 est compris dans un demi-pont en H dudit onduleur. En particulier, le transistor peut être en position haute dans le demi-pont en H, une de ses bornes est alors connectée directement à la tension d'alimentation et l'autre de ses bornes est connectée à une diode ou un transistor connecté à une masse. Alternativement, le transistor peut être en position basse dans le demi-pont en H, une de ses bornes est alors connectée directement à la tension masse. L'autre de ses 30 bornes est connectée à une diode ou un transistor connecté à la tension d'alimentation. Le point de connexion entre le transistor et l'autre composant (diode ou transistor) peut être connecté à un consommateur, par exemple une phase d'une machine électrique. 5 [0024] L'invention concerne aussi un véhicule électrique ou hybride comprenant une machine électrique, par exemple une machine de motorisation, alimentée par une batterie d'alimentation haute tension via un réseau électrique embarqué haute tension et un équipement électrique, par exemple un onduleur, tel que présenté précédemment connecté à ladite machine 5 électrique. [0025] L'invention concerne enfin un procédé de commande d'un transistor par un circuit de contrôle, tel que présenté précédemment, notamment pour un équipement électrique d'un véhicule électrique ou hybride, le procédé comprenant les étapes, mises en oeuvre par le module de commande, de fermeture dudit interrupteur lorsque la température reçue est comprise dans 10 un premier intervalle de valeurs de sorte à court-circuiter la résistance additionnelle et d'ouverture dudit interrupteur lorsque la température reçue est comprise dans un deuxième intervalle de valeurs de sorte à connecter en série la résistance additionnelle et la résistance principale. PRESENTATION DES FIGURES 15 [0026] L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple, et se référant aux dessins annexés donnés à titre d'exemples non limitatifs, dans lesquels des références identiques sont données à des objets semblables et sur lesquels : - la figure 1 (déjà commentée) est une représentation schématique d'un circuit de contrôle 20 d'un transistor IGBT ou MOSFET selon l'art antérieur, - la figure 2 est une représentation schématique d'un circuit de contrôle d'un transistor IGBT ou MOSFET selon l'invention, dans lequel l'interrupteur du circuit auxiliaire est ouvert, - la figure 3 est une représentation schématique d'un circuit de contrôle d'un transistor IGBT ou MOSFET selon l'invention, dans lequel l'interrupteur du circuit auxiliaire est fermé. 25 [0027] Il faut noter que les figures exposent l'invention de manière détaillée pour mettre en oeuvre l'invention, lesdites figures pouvant bien entendu servir à mieux définir l'invention le cas échéant. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION 30 [0028] Dans la description qui sera faite ci-après, l'invention sera décrite dans son application à un véhicule automobile électrique ou hybride sans que cela ne soit limitatif de la portée de la présente invention. 6 [0029] Dans l'exemple décrit ci-après, le véhicule comprend notamment une machine électrique, un équipement électrique se présentant sous la forme d'un onduleur, une batterie d'alimentation haute tension, un réseau électrique embarqué haute tension, une batterie d'alimentation basse tension, un réseau électrique embarqué basse tension et une pluralité 5 d'équipements électriques auxiliaires. [0030] L'équipement électrique selon l'invention est décrit ci-après dans sa mise en oeuvre pour un onduleur, sans toutefois que cela ne limite la portée de la présente invention. On notera ainsi que l'équipement électrique pourrait être autre chose qu'un onduleur, par exemple un chargeur ou un convertisseur DCDC embarqués dans le véhicule. 10 [0031] Le réseau électrique embarqué basse tension relie la batterie d'alimentation basse tension et la pluralité d'équipements électriques auxiliaires afin que la batterie d'alimentation basse tension alimente lesdits équipements électriques auxiliaires, tels que des calculateurs embarqués, des moteurs de lève-vitres, un système multimédia, etc. La batterie d'alimentation basse tension délivre typiquement par exemple une tension de l'ordre de 12 V, 24 V ou 48 V. La 15 recharge de la batterie basse tension est réalisée à partir de la batterie haute tension via un convertisseur de tension continue en tension continue, appelé communément convertisseur continu-continu. [0032] Le réseau électrique embarqué haute tension relie la batterie d'alimentation haute tension et l'onduleur afin que la batterie d'alimentation haute tension assure une fonction 20 d'alimentation en énergie de la machine électrique via l'onduleur. La batterie d'alimentation haute tension délivre typiquement une tension comprise entre 100 V et 900 V, de préférence entre 100 V et 500 V. La recharge en énergie électrique de la batterie d'alimentation haute tension est réalisée en la connectant, via le réseau électrique haute tension continue du véhicule, à un réseau électrique externe, par exemple le réseau électrique alternatif domestique. 25 [0033] La machine électrique est une machine électrique tournante, de préférence destinée à entrainer les roues du véhicule à partir de l'énergie fournie par la batterie d'alimentation haute-tension. Plus précisément, la machine électrique est une machine électrique à courant alternatif alimentée par une source de courants polyphasés. Par exemple, la machine électrique peut être un moteur à courant alternatif. Dans l'exemple préféré décrit ci-après, la machine électrique est 30 alimentée par une source de courants triphasés sans que cela ne soit limitatif de la portée de la présente invention. [0034] Dans cet exemple, la commande de la machine électrique est réalisée au moyen de l'onduleur. Ledit onduleur permet de convertir le courant continu fourni par la batterie d'alimentation haute tension en trois courants de commande alternatifs, par exemple 7 sinusoïdaux. Autrement dit, l'onduleur a pour fonction de transformer le courant continu délivré en entrée par la batterie d'alimentation haute tension en trois courants de phase permettant de commander la machine électrique. A l'inverse, dans un autre mode de fonctionnement, la machine électrique peut également fournir trois courants alternatifs à l'onduleur afin que ledit 5 onduleur les transforme en un courant continu permettant de charger la batterie d'alimentation haute-tension. [0035] L'onduleur comprend un boitier dans lequel sont montés des composants électronique de puissance, par lesquels passe l'énergie alimentant la machine électrique, notamment destinés à transformer le courant continu en courants alternatifs ou vice-versa, et une 10 unité de commande commandant lesdits composants électroniques de puissance. [0036] Ces composants électronique de puissance comprennent notamment des interrupteurs électroniques tels que des transistors Ti (en référence aux figures 2 et 3), notamment des transistors semi-conducteurs de type IGBT ou MOSFET, agencés en circuit électrique et commandés en ouverture et en fermeture par des circuits de contrôle pour permettre 15 un passage commandé d'énergie électrique entre la batterie d'alimentation haute tension et la machine électrique. [0037] L'unité électronique de contrôle de l'onduleur comprend des composants pour contrôler les composants électroniques de puissance, notamment les transistors Ti. Plus précisément, l'unité électronique de contrôle commande les composants électroniques de 20 puissance afin qu'ils réalisent la fonction de conversion du courant continu reçu de la batterie haute tension, définissant une tension continue, en trois courants de phase alternatifs de commande de la machine électrique (ou vice-versa). [0038] A cette fin, l'unité électronique de contrôle peut se présenter sous la forme d'une carte électronique. A cet effet, l'unité électronique de contrôle peut être configurée pour échanger, via 25 des connecteurs des signaux de données avec l'extérieur de l'onduleur, par exemple avec un contrôleur du véhicule. [0039] On a représenté à la figure 2 un exemple de circuit de contrôle 002 d'un transistor Ti de type IGBT (lnsulated Gate Bipolar Transistor ou transistor bipolaire à grille isolée) ou MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ou transistor à effet de champ à 30 structure métal-oxyde-semi-conducteur). [0040] Dans cet exemple, le circuit de contrôle 002 comprend une borne d'entrée BE, une unité de pilotage (ou « driver » en anglais) BF, une première résistance dite « résistance principale » Rp, une deuxième résistance dite « résistance additionnelle » RA, un circuit auxiliaire CA. Le circuit de contrôle 002 permet notamment de mettre le transistor Ti dans un état passant 8 (fermé) ou bloqué (ouvert). Dans cet exemple, le transistor Ti est connecté à une diode dite « de roue libre » FVVD (qui pourrait être en variante un interrupteur), notamment de façon à former un demi-pont en H. [0041] Le transistor Ti présente une première borne appelée grille G, un deuxième borne 5 appelée collecteur C et une troisième borne appelée émetteur E. [0042] La borne d'entrée BE permet de recevoir un signal de commande Si du transistor Ti, par exemple envoyé par un microcontrôleur (non représenté) de la carte de commande. [0043] L'unité de pilotage (ou « driver » en anglais) BF est connectée d'une part à ladite borne d'entrée BE et d'autre part à une borne de la résistance principale Rp. L'unité de pilotage 10 BF a pour fonction d'isoler la borne d'entrée BE du reste du circuit de contrôle 002 de telle sorte qu'une modification des caractéristiques électriques de la borne d'entrée BE n'affecte pas le circuit de contrôle 002. L'unité de pilotage BF permet également d'adapter le signal de commande Si à un niveau de tension permettant de commander le transistor Ti. On notera que l'unité de pilotage BF préserve la forme du signal de commande Si. 15 [0044] La résistance principale Rp est connectée d'une part à l'unité de pilotage BF et d'autre part à la résistance additionnelle RA. La valeur de la résistance principale Rp peut par exemple être comprise entre 1 et 5 ohms. [0045] La résistance additionnelle RA est connectée d'une part à la résistance principale Rp au niveau d'un point A et d'autre part à la grille G du transistor Ti au niveau d'une borne de sortie 20 BS du circuit de contrôle 002. La valeur de la résistance additionnelle RA peut être choisie de même valeur ou égale au double de la valeur de la résistance Rp. [0046] Par ailleurs, le collecteur C du transistor Ti peut être soit connecté directement à une borne d'alimentation en tension Vcc pouvant être par exemple une batterie d'alimentation haute tension, soit indirectement via une diode de roue libre dont le rôle est de maintenir la circulation 25 du courant dans le moteur du véhicule lorsque le transistor Ti est bloqué. De même, l'émetteur E du transistor Ti peut être connecté directement à une masse M. [0047] Le circuit auxiliaire CA est connecté aux bornes de la résistance additionnelle RA au niveau du point A d'une part et de la borne de sortie BS d'autre part, c'est-à-dire en parallèle de la résistance additionnelle RA. 30 [0048] Le circuit auxiliaire CA comprend un interrupteur INT et un module de commande CMD. 9 [0001] L'interrupteur INT est de type bi-position qui est connecté d'une part au point A et d'autre part à la borne de sortie BS (i.e. aux bornes de la résistance additionnelle RA). L'interrupteur INT est configuré pour commuter entre une position fermée dans laquelle il court-circuite la résistance additionnelle RA (figure 3) et une position ouverte dans laquelle la résistance 5 additionnelle RA est connectée en série avec la résistance principale Rp (figure 2). [0002] Dans l'exemple illustré sur les figures 2 et 3, le module de commande CMD se présente sous la forme d'un comparateur configuré pour comparer une température Trnes reçue à une température de référence Tref. La température Trnes reçue peut être mesurée par un module de mesure (non représenté) embarqué sur la puce du transistor ou à proximité, collecté par un 10 calculateur (non représenté) du véhicule et mise à disposition du module de commande CMD par ledit calculateur, ou estimée partir d'un modèle. De préférence, la température Treee est la température du drain thermique du transistor T1 commandé de l'onduleur 1. [0003] La température de référence Tref est sélectionnée de manière à permettre le fonctionnement du circuit de contrôle CC2 dans deux modes différents selon que l'interrupteur 15 INT est ouvert ou fermé. [0004] Dans un premier mode de fonctionnement, lorsque la température Treee reçue est comprise dans un premier intervalle de valeurs, par exemple entre -40°C (inclus) et 0°C (inclus), le comparateur fournit en sortie une valeur 0 qui permet de contrôler l'interrupteur INT en ouverture de sorte que la résistance principale Rp soit connectée en série avec la résistance 20 additionnelle RA, comme illustré sur la figure 2. Dans ce premier mode, la valeur de résistance connectée sur la grille G du transistor T1 correspond à la valeur de la résistance principale Rp additionnée de la valeur de la résistance additionnelle RA. Ainsi, pour des basses valeurs de température abaissant la valeur de la tension de claquage du transistor T1, la valeur de la résistance vue de la grille G (qui correspond à la somme de la valeur de la résistance principale 25 Rp et de la valeur de la résistance additionnelle RA) est suffisamment élevée pour éviter les surtensions dont la valeur serait supérieure à ladite tension de claquage. [0005] Dans une deuxième mode de fonctionnement, lorsque la température Tmes reçue est comprise dans un deuxième intervalle de valeurs, par exemple entre 0°C (exclus) et +105°C (inclus), le comparateur fournit en sortie une valeur 1 qui permet de contrôler l'interrupteur INT 30 en fermeture de sorte à court-circuiter la résistance additionnelle RA, comme illustré sur la figure 3. Dans ce deuxième mode, la valeur de résistance connectée sur la grille G du-transistor correspond à la valeur de la résistance principale Rp. Ainsi, la valeur de la résistance vue de la grille G est inférieure à la valeur de la résistance vue de la grille dans le premier mode de manière à réduire les pertes et augmenter le rendement de l'onduleur, le risque de surtension à 35 températures positives étant très faible voire nul. 10 [0054] Le circuit de contrôle 002 selon l'invention permet ainsi d'adapter la valeur de la résistance vue par la grille du transistor Ti en fonction de la température, notamment en augmentant la valeur de cette résistance à des températures basses, notamment négatives afin d'éviter un claquage du transistor Ti. 5 [0055] On notera en outre que l'invention ne se limite pas au seul exemple décrit ci-dessus, REVENDICATIONS1. Circuit de contrôle (CC2) d'un transistor (T1), notamment pour un équipement électrique (1) d'un véhicule électrique ou hybride, ledit circuit de contrôle (CC2) comprenant une résistance principale (Rp) adaptée pour recevoir un signal de commande du transistor (Ti), le circuit de contrôle (CC2) étant caractérisé en ce qu'il comprend en outre une résistance additionnelle (RA), connectée entre la résistance principale (Rp) et une borne de sortie (BS) du circuit de contrôle (CC2) destinée à être connectée à une borne de commande (G) du transistor (Ti), et un circuit auxiliaire (CA) connecté aux bornes de ladite résistance additionnelle (RA), ledit circuit auxiliaire (CA) comprenant : - un interrupteur (INT), connecté aux bornes de la résistance additionnelle (RA) et configuré pour commuter entre une position fermée dans laquelle il court-circuite la résistance additionnelle (RA) et une position ouverte dans laquelle la résistance additionnelle (RA) est connectée en série avec la résistance principale (Rp), et - un module de commande (CM D), configuré pour recevoir une valeur de température (T',), pour commander la fermeture dudit interrupteur (INT) lorsque la valeur de température (Tm') reçue est comprise dans un premier intervalle de valeurs, et pour commander l'ouverture dudit interrupteur (INT) lorsque la valeur de température (Tmes) reçue est comprise dans un deuxième intervalle de valeurs. 2. Circuit de contrôle (CC2) selon la revendication 1, dans lequel le module de commande (CMD) comprend un comparateur configuré pour comparer la valeur de température (Tmes) reçue à une valeur de température de référence (Tref). 3. Circuit de contrôle (CC2) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le premier intervalle de valeurs de température comprend des valeurs de températures négatives. 4. Circuit de contrôle (CC2) selon la revendication précédente, dans lequel le premier intervalle de valeurs de température comprend uniquement des valeurs de températures négatives ou nulles. 5. Circuit de contrôle (CC2) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le deuxième intervalle de valeurs de température comprend des valeurs de températures positives. 6. Circuit de contrôle (CC2) selon la revendication précédente, dans lequel le deuxième intervalle de valeurs de température comprend uniquement des valeurs de températures positives ou nulles. 12 7. Circuit de contrôle (CC2) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la valeur de la résistance additionnelle (RA) est supérieure ou égale à la résistance de grille minimum nécessaire pour commuter à faibles pertes. 5 8. Equipement électrique (1), notamment onduleur, pour véhicule électrique, ledit équipement électrique comprenant au moins un transistor (Ti) et au moins un circuit de contrôle (CC2), selon l'une des revendications précédentes, dudit transistor (T1). 10 9. Equipement électrique (1) selon la revendication précédente, dans lequel, l'équipement électrique étant un onduleur (1) le transistor (Ti) est compris dans un demi-pont en H dudit onduleur. 10. Procédé de commande d'un transistor (T1) par un circuit de contrôle (CC2) selon l'une des 15 revendications 1 à 7, ledit procédé comprenant les étapes, mises en oeuvre par le module de commande, de fermeture dudit interrupteur (INT) lorsque la température (raies) reçue est comprise dans un premier intervalle de valeurs de sorte à court-circuiter la résistance additionnelle (RA) et d'ouverture dudit interrupteur (INT) lorsque la température (Tm') reçue est comprise dans un deuxième intervalle de valeurs de sorte à connecter en série la 20 résistance additionnelle (RA) et la résistance principale (Rp).