FR 3063176 A1 20180824 FR 1751296 A 20170217 1 Masquage d'une zone au bord d'un substrat donneur lors d'une étape d'implantation ionique La présente invention se rapporte au domaine de la fabrication de substrats semi-conducteurs sur isolant (Se01) et plus particulièrement à l'étape d'implantation ionique réalisée sur un substrat donneur pour réaliser une zone de séparation prédéterminée à l'intérieur dudit substrat donneur. Un substrat semiconducteur sur isolant Se01 peut être obtenu par un procédé SmartCut. Dans ce type de procédé, un transfert d'une couche d'un substrat donneur sur un substrat support s'effectue par la propagation d'une onde de fracture le long d'une interface dans le substrat donneur fragilisée antérieurement par une implantation d'ions, pendant un recuit thermique. Lors de la fracture, des particules d'une taille micrométrique sont crées, notamment en bord du substrat Se01. Il devient ainsi nécessaire par la suite de nettoyer le substrat Se01 et/ou le reste du substrat donneur en utilisant des procédés de nettoyage de type « RCA ». Cela représente donc une perte de temps et de ressources. L'objet de l'invention est donc de surmonter les inconvénients décrit ci-dessus en fournissant un procédé permettant de fabriquer un substrat donneur avec une zone de séparation prédéterminée pour le transfert d'une couche du substrat donneur sur un substrat support, permettant de réduire le niveau de particules générées lors de l'étape de détachement du substrat support avec la couche transférée du reste du substrat donneur. L'objet de l'invention est réalisé par un procédé pour former une zone de séparation prédéterminée à l'intérieur d'un substrat donneur, en particulier pour être utilisé dans un processus de transfert de couche sur un substrat support, caractérisé en ce que le procédé comprend une étape d'implantation d'ions réalisée de telle sorte que la dose d'implantation dans une zone au bord du substrat donneur est inférieure à la dose d'implantation dans une zone centrale du substrat donneur. Ainsi, la zone au bord du substrat donneur, où il peut y avoir une absence de collage avec le substrat support, est moins endommagée par l'étape d'implantation que la zone centrale du substrat donneur. Ainsi, dans cette zone il ne peut pas y avoir un effet raidisseur par la présence du substrat support et l'implantation à plus faible dose réduit la formation de cloques et 3063176 2 d'exfoliations pendant le traitement thermique de décollement et réduit in fine la création des particules. Selon une variante de l'invention, l'étape de l'implantation peut être réalisée telle que l'implantation est limitée à la zone centrale du substrat donneur. Ainsi, les ions ne 5 sont pas implantés dans la zone du bord du substrat et cette zone est donc libre d'ions implantés ce qui réduit encore la création de particules lors du recuit. Selon une autre variante de l'invention, la zone du bord du substrat donneur peut comprendre ou peut être limitée à une zone chanfreinée sur le bord du substrat donneur. La zone chanfreinée d'un substrat correspond à une zone en bord de substrat ou le bord 10 a été biaisé de tel manière que l'angle vif du bord est cassé. La largeur de la zone chanfreinée d'un substrat est typiquement de l'ordre de 0,5 à 3mm. Lors d'un collage du substrat donneur avec le substrat support, la zone chanfreinée reste exclue du collage et la formation de cloques lors du recuit thermique peut donc être limitée ou absente dans cette zone. 15 Selon une variante de l'invention, la zone du bord du substrat peut avoir une largeur comprise entre 1 mm et 5mm, en particulier une largeur comprise entre 1 mm et 2mm. Ainsi la zone du bord du substrat peut être choisie légèrement plus grande que la zone chanfreinée. Selon une variante de l'invention, l'implantation d'ions peut être réalisée en 20 utilisant un masque sur ou au-dessus de la zone du bord du substrat. Selon une alternative de l'invention, l'implantation d'ions peut être réalisée en balayant le substrat avec un faisceau d'ions de telle sorte que la dose d'implantation dans la zone au bord du substrat donneur est inférieure à la dose d'implantation dans la zone centrale du substrat donneur, en particulier de telle sorte que l'implantation est limitée à la zone centrale du 25 substrat donneur. Ces deux variantes de procédé peuvent être facilement réalisées. Selon une variante de l'invention, l'implantation d'ions peut comprendre une implantation d'ions d'Hydrogène (H) ou une co-implantation d'ions d'Hélium et d'Hydrogène (He-H). Selon une autre variante de l'invention, le procédé peut comprendre une 30 deuxième étape d'implantation d'ions, en particulier réalisée sur toute la surface du substrat avec une dose d'implantation plus faible que lors de la première étape 3063176 3 d'implantation. En raison de la plus faible concentration du co-implant, la création de particules lors d'un recuit thermique peut être évitée ou au moins réduite. Selon une variante de l'invention, la première étape d'implantation peut être une implantation d'ions d'Hélium et la deuxième étape d'implantation une implantation d'ions 5 d'Hydrogène. Selon une variante de l'invention, la dose d'implantation dans la zone au bord du substrat donneur peut être inférieurs à 1e16at/cm2, en particulier comprise entre 0.5e16at/cm2 et 7e16at/cm2. Pour de telles doses d'implantation dans la zone du bord du substrat donneur, la création de particules lors d'un recuit thermique peut être évitée ou 10 au moins réduite. L'objet de l'invention est également atteint avec un substrat donneur pour procédé de transfert de couche mince sur un substrat support, comprenant une zone de séparation prédéterminée dans laquelle la dose d'implantation dans une zone du bord du substrat donneur est inférieure à la dose d'implantation dans une zone centrale du 15 substrat donneur, en particulier réalisé avec le procédé décrit précédemment. L'avantage est que, avec un tel substrat, une réduction du niveau de particules générées lors de l'étape de détachement du procédé de transfert de couche est obtenue. L'objet de l'invention peut également être atteint avec un procédé de transfert de couche mince d'un substrat donneur sur un substrat support comprenant les étapes a) 20 d'attacher un substrat donneur décrit ci-dessus à un substrat support et b) de réaliser une opération de détachement au niveau de la zone de séparation prédéterminée pour détacher un reste du substrat donneur de la couche transférée sur le substrat support. Avec ce procédé utilisant le substrat donneur de l'invention, un transfert de couche peut être réalisé avec une création réduite de particules. 25 Selon une variante du procédé, l'étape b) peut comprendre un recuit thermique. L'objet de l'invention peut également être atteint avec un dispositif pour limiter une région d'implantation à une zone au bord d'un substrat donneur, en particulier un substrat donneur tel que décrit ci-dessus, caractérisé en ce que le dispositif comporte un moyen adapté pour réaliser l'implantation de telle sorte que la dose d'implantation vers 30 une zone au bord du substrat donneur est inférieure à la dose d'implantation dans une zone centrale du substrat donneur. Ainsi, il est possible de contrôler l'emplacement des zones d'implantations sur un substrat, en particulier de délimiter une zone d'implantation à 3063176 4 une zone centrale du substrat, pour pouvoir réduire la création de particules dans un procédé de transfert de couche tel que décrit ci-dessus. Selon une variante de l'invention, le moyen pour limiter la région d'implantation à la zone centrale du substrat donneur peut comprendre un masque. Selon une autre 5 variante de l'invention, le masque peut être un anneau positionné sur ou au-dessus le substrat donneur. Selon une alternative de l'invention, le masque peut être configuré pour masquer la zone du bord d'un substrat donneur sur une largeur comprise entre lmm et 5mm, en particulier entre 1 et 2mm. Ainsi, le profil d'implantation dans un substrat peut être modifié et prédéterminé de manière simple pour obtenir des zones d'implantation à 10 doses variées dans un même substrat. Selon une alternative, l'objet de l'invention peut également être atteint avec un implanteur d'ions pour implanter des ions dans un substrat donneur comprenant un dispositif tel que décrit ci-dessus. Ainsi, un ion implanteur peut offrir plus de possibilités pour contrôler l'emplacement des zones d'implantations sur un substrat, en particulier de 15 délimiter une zone d'implantation à une zone centrale du substrat. L'invention peut être comprise en se référant à la description suivante prise conjointement avec les figures annexées, dans lesquelles des références numériques identifient les éléments de l'invention. Les figures 1a à 1f représentent schématiquement les différentes étapes du 20 procédé de transfert de couche mince d'un substrat donneur sur un substrat support selon l'invention. La figure 2a représente un schéma du masquage du bord de substrat pendant une étape d'implantation selon une variante de l'invention. La figure 2b montre une vue de dessus schématique d'un masque utilisé pour le 25 masquage d'une zone du bord d'un substrat pendant l'implantation selon une variante de l'invention. La figure 2c montre schématiquement un balayage du faisceau d'ions d'implantation pendant une étape d'implantation selon une variante de l'invention. Les figures 3a et 3b représentent schématiquement une autre réalisation de 30 l'invention, dans laquelle le substrat donneur est soumis à deux étapes d'implantation successives. 3063176 5 Les figures 4a et 4b montrent respectivement une vue de dessus et une vue de profil d'un substrat donneur comprenant une zone de séparation prédéterminée fabriquée selon une variante de l'invention. La figure 4c montre des profils d'implantation dans des substrats donneur selon des exemples selon l'invention. 5 Le procédé de transfert de couche mince d'un substrat donneur sur un substrat support selon l'invention est décrit en détail par les figures la à 1f. Il comprend les étapes de formation d'une zone de séparation prédéterminée dans un substrat donneur (Figures la à 1c), d'attachement d'un substrat donneur avec un substrat support (Figure 1d) et de détachement et de transfert de couche mince d'un substrat donneur sur un substrat 10 support (Figures le et 1f). Figure la montre un substrat donneur 1, par exemple un substrat de silicium ou tout autre substrat semiconducteur, avec ou sans d'autres couches, telle qu'un oxyde en surface. Le substrat donneur 1 a sur sa surface principale 3 une zone du bord 5 du substrat comprenant une partie chanfreinée 7. Typiquement, la zone chanfreinée a une 15 largeur allant de 0,5mm à 3mm. Le substrat donneur 1 comprend également une zone centrale 9 délimitée à l'intérieur de la zone du bord 5. Figure lb représente un substrat support 11 avec une surface principale 13. Le substrat support 11 est par exemple un substrat de silicium ou tout autre substrat, avec ou sans d'autres couches, telle qu'un oxyde en surface. Comme le substrat donneur 1, le 20 substrat support 11 peut présenter une zone chanfreinée 15 en bordure. Ensuite, tel qu'illustré dans la figure 1o` le substrat donneur 1 est sujet à une étape d'implantation d'espèces atomiques ou ioniques 17. Ce procédé d'implantation introduit des espèces 17 dans le substrat donneur 1 avec une concentration maximale à une profondeur prédéterminée d du substrat donneur 1 par rapport à la surface 3 25 bombardée pour y créer une zone affaiblie 19. L'implantation d'espèces 17 atomiques ou ioniques peut être une implantation unique, c'est-à-dire l'implantation d'une seule espèce atomique, comme par exemple une implantation d'hydrogène, d'hélium ou d'un autre gaz rare. L'implantation peut également être une co-implantation d'espèces 17 atomiques ou ioniques, c'est-à-dire une 30 implantation d'au moins deux espèces différentes, comme par exemple la co-implantation d'hélium (95keV et 2.5e16at/cm2) et d'hydrogène (65keV et 1.5e16at/cm2). 3063176 6 La zone affaiblie 19 forme la frontière entre une couche 21 et le reste 23 du substrat donneur 1. La zone affaiblie 19 est aussi appelée par la suite zone de séparation prédéterminée. Selon l'invention, l'implantation 17 est réalisée de telle manière que la dose 5 d'implantation 25 au niveau de la zone du bord 5 du substrat donneur 1 est inférieure à la dose d'implantation 27 dans la zone centrale 9 du substrat donneur 1, ce qui est montré dans l'agrandissement schématique de la figure lc. Selon une variante de l'invention, la zone du bord 5 du substrat donneur 1 présente une dose d'ions implantés de moins de 1 el6at/cm2 ou bien, est même 10 dépourvue d'ions implantés. La figure 1d montre l'étape pendant laquelle le substrat support 11 est mis en contact par l'intermédiaire de l'une de ses faces principales 13, avec la face principale 3 du substrat donneur 1 pour attacher les deux substrats ensemble. La liaison entre les deux substrats 1 et 11 s'effectue par adhésion moléculaire au niveau de l'interface de 15 liaison 29 pour former un empilement 31. Au niveau des zones chanfreinées 7 et 15 du substrat donneur 1 respectivement du substrat support 11, une zone d'exclusion de collage 33 peut être observée. La figure le montre l'étape de détachement du reste 23 du substrat donneur 1, le long de la zone affaiblie 19, de manière à transférer la couche 21 sur le substrat 20 support 11 pour créer le substrat semiconducteur 35. A titre d'exemple, le détachement peut se faire par un traitement thermique en soumettant l'empilement multicouches 31, illustré dans la figure 1d. à un recuit thermique, au cours duquel un détachement spontané du reste 23 du substrat donneur 1 a lieu le long de la zone de séparation prédéterminée 19. Ce détachement thermique est 25 typiquement réalisé dans un four à des températures entre 100°C et 700°C, de préférence à environ 500°C. En alternative, le détachement thermique peut être accompagné d'un traitement mécanique, par exemple, en utilisant une lame au niveau de la zone de séparation prédéterminée 19. La figure 1f montre le substrat semiconducteur 35 final, avec la couche 30 transférée 21 sur le substrat support 11. Comparé aux procédés de transfert de couche de l'état de l'art, le fait d'avoir implanté moins d'ions dans la zone du bord 5 par rapport à la zone centrale 7 dans le substrat donneur 1 a comme effet que, lors du détachement, 3063176 7 moins de particules sont crées en surface 37 du substrat semiconducteur 35 mais également en surface du reste 23 du substrat donneur 1. En effet, à cause de la zone d'exclusion de collage 29 dans l'empilement multicouches 31 illustrée dans la figure 1d, il n'y a pas d'effet raidisseur dans cette zone et 5 une forte implantation d'ions dans la zone du bord 5 conduit à la formation de cloques et d'exfoliations pendant le traitement thermique de l'étape de détachement dans des procédés de transfert de couche selon les procédés connus dans l'état de l'art. Un effet réducteur de la création de particules est particulièrement visible pour des transferts de couche semiconductrice sans oxyde de surface. 10 La figure 2a représente un mode de réalisation du masquage de la zone du bord 5 du substrat donneur 1 selon l'invention quand un masque est utilisé pendant l'étape d'implantation montrée dans la figure 1c. La figure 2b montre un masque utilisé pour le masquage de la zone du bord 5 du substrat donneur 1 pendant l'implantation selon cette variante de l'invention. 15 Le substrat donneur 1, tel que décrit précédemment, est placé dans un implanteur 41 et est soumis à une implantation d'espèces atomiques ou ioniques 17 tel que décrit précédemment. Ce procédé d'implantation introduit donc les espèces 17 implantées dans le substrat donneur 1 avec une concentration maximale à la profondeur d prédéterminée pour y créer la zone affaiblie 19. 20 Un masque 43 est placé sur le substrat donneur 1 pour masquer la zone du bord 5 de l'implantation 17 et pour ainsi éviter l'implantation d'ions dans cette zone 5. Selon cette variante de l'invention, le masque 43 masque au moins la zone chanfreinée 7 du substrat donneur 1. En particulier, le masque 43 masque une zone du bord 5 du substrat donneur 1 sur une largeur I comprise entre 1mm et 5mm, en particulier entre 1 et 2mm. 25 Selon une autre variante de l'invention, le masque 43 peut aussi être placé au- dessus du substrat donneur 1, sans un contact direct, mais toujours dans le chemin du faisceau d'ions 17. Figure 2b montre schématiquement le masque 43 vu de dessus. De manière non limitative le masque 43 a une forme d'anneau. Ainsi, la zone du bord 5 du substrat 30 donneur 1, telle qu'illustrée en figure 2a, ne peut pas être atteinte par les ions. En effet, les ions sont stoppés dans le masque 43. 3063176 8 Le masque 43 peut être fait de téflon, d'aluminium, ou tout autre type de matériaux adaptés. Selon une variante, le masque 43 peut aussi être un masque sacrificiel fait de résine, d'oxyde dur ou de nitrure sur le substrat donneur 1, qui sera retiré avant l'étape d'attachement du substrat donneur au substrat support. 5 Par rapport au rayon R du substrat donneur 1, le masque 43 présente un rayon interne de R moins 1 à 5 mm pour pouvoir couvrir au moins la région chanfreinée 7 du substrat donneur 1 et un rayon extérieur rmax de au moins R. Au lieu d'utiliser un masque 43, l'implantation du substrat donneur 1 peut aussi être réalisée par un balayage du faisceau d'ions 45 sur la surface 3 du substrat donneur 1, 10 comme illustré par la flèche sur la figure 2c. Le mouvement du faisceau d'ions 45 est commandé de telle sorte que la zone au bord 5 du substrat donneur 1 est exclue d'implantation d'ions ou contient une dose d'implantation plus faible que la zone centrale 9 du substrat donneur 1. Les figures 3a et 3b illustrent une autre réalisation de l'invention. Ici, le substrat 15 donneur 1 est soumis à deux étapes d'implantation successives, de telle sorte que la dose d'implantation vers une zone au bord du substrat donneur est inférieure à la dose d'implantation dans une zone centrale du substrat donneur. Les éléments ou caractéristiques partageant des numéros de référence avec les figures ci-dessus, ne seront pas décrites en détail de nouveau, mais référence y sera faite. 20 La figure 3a représente l'implantation ionique 51 d'ions He (95keV et 2.5e16at/cm2) en utilisant le masque 43 dans la région centrale 9 du substrat donneur 1 pour y créer une zone de séparation 53. La figure 3b illustre la deuxième étape 55 d'implantation d'ions utilisant des ions H sans utiliser de masque. La dose d'implantation d'Hydrogène doit être moins de 2e16 25 at/cm2, de préférence entre 0.5e16at/cm2 et 1.5e16at/cm2. En conséquence, les ions H implantés 57 sont présents à la fois dans la zone centrale 9 mais également dans la zone du bord 5 du substrat donneur 1, sensiblement à la même profondeur à l'intérieur du substrat donneur 1 que les ions He 53. Les figures 4a et 4b montre une vue de profil et une vue de dessus 30 respectivement d'un substrat donneur fabriqué selon l'invention telle que décrite ci- dessus. La figure 4c représente les profils d'implantation d'ions de différents exemples de substrats donneurs selon l'invention. Les éléments ou caractéristiques partageant des 3063176 9 numéros de référence avec les figures ci-dessus ne seront pas décrites en détail de nouveau, mais référence y sera faite. Le substrat donneur 1, par exemple une plaquette de Silicium, comprend une zone de séparation prédéterminée 19 à une distance d de la surface principale 3 du 5 substrat donneur 1. La zone du bord 5 du substrat donneur 1 comprend une région chanfreinée 7 ayant typiquement une largeur entre 0,5 et 3mm. Les figures 4a et 4b montrent également, à partir du centre de la surface principale 3 en tant qu'origine 0, le rayon R du substrat donneur 1. La référence r1 dans les figures 4a et 4b représente la distance, à partir du centre 0, à laquelle se trouve le 10 début de la zone chanfreinée 7 du bord du substrat donneur 1. La référence r2 dans les figures 4a et 4b illustre le rayon délimitant la zone du bord 5 du substrat donneur 1, donc la région pour laquelle la dose d'implantation commence à être plus faible par rapport à la zone centrale 9 du substrat donneur 1. La délimitation de la zone de séparation prédéterminée 19 peut être corrélée aux 15 profils d'implantation des substrats donneurs selon les exemples de la figure 4c. Dans la figure 4c, la dose d'implantation c dans un substrat donneur est représentée sur l'axe Y (logarithmique) et la direction radiale r avec l'origine O au centre du substrat donneur 1 est représentée sur l'axe X. Exemple 1 20 La ligne 81 représente le profil d'implantation dans le substrat donneur 1 selon un premier exemple de l'invention. L'implantation d'ions He est réalisée avec une dose d'implantation cl (95keV et 2.5e16at/cm2) en utilisant un masque 43 tel que montré en Figure 2d pour masquer la zone du bord 5 du substrat donneur 1 qui correspond à la zone chanfreinée 7 du substrat donneur 1. 25 Dans ce cas r1 = r2 et la zone centrale 9 du substrat donneur 1 implantée avec la dose d'implantation cl s'étend du centre 0 jusqu'à 1.1. A partir de la distance r1, la dose d'implantation devient rapidement nulle étant donné que le masque 43 a masqué la zone du bord 5 à partir de cette distance 1.1. Exemple 2 3063176 10 Selon un deuxième exemple selon l'invention, le masque 43 peut être choisi de tel manière à ce que la zone du bord 5 du substrat donneur 1 où la dose d'implantation d'ion He est inférieure à la dose d'implantation de la zone centrale 9, soit plus large que la zone chanfreinée 7 du substrat donneur 1. Donc r2 r2, la dose d'ions implantés devient zéro. 10 La zone du bord 5 du substrat donneur 1 masquée de l'implantation a une largeur, donc R-r2, comprise entre 1 mm et 5mm, en particulier entre 1 et 2mm, pour au moins couvrir la zone chanfreinée 7 (comme dans l'exemple 1) et par conséquent la zone de séparation prédéterminée 19 présente dans le substrat donneur 1 est dépourvue d'ions implantés dans cette zone du bord 5. 15 Etant donné que le substrat donneur 1 a une zone dépourvue d'ions implantés dans les deux exemples, on peut observer une réduction de particules lors d'un procédé de transfert de couche tel que décrit dans les figures la) à 1f). En effet, il n'y a pas de formation de cloques d'exfoliations pendant le traitement thermique dans la partie exclue de collage 29 montrée en figure 1d) qui peuvent créer des particules lors du traitement 20 thermique de l'étape de détachement. Exemple 3 Selon un autre exemple de l'invention, tel que décrit par rapport aux figures 3a et 3b, une deuxième étape d'implantation est réalisée sur le substrat donneur après la première implantation et le profil d'implantation correspondant est montré par la ligne trait- 25 pointée 85 de la figure 3c. La première étape d'implantation est réalisée avec le masque 43 pour masquer une zone du bord 5 du substrat qui correspond à l'exemple 2, la deuxième étape d'implantation est réalisée à travers toute la surface 3 du substrat donneur avec une dose d'implantation c3 d'ions Hydrogène plus faible que lors de la première étape 30 d'implantation. Par exemple, pour une implantation d'ions d'Hydrogène, la dose 2 d'implantation c3 est inférieure à 1e16 at/cm, typiquement comprise entre 0.5e16 at/cm2 3063176 11 et 1e10 "*,mu Dans cet exemple, il y a des ions implantés dans toute la zone de séparation prédéterminée 19, jusqu'au bord du substrat. Etant donné que la deuxième implantation a été réalisée à faible dose dans la zone du bord 5 du substrat donneur 1, qui correspond à la zone chanfreinée 7 du 5 substrat, elle réduit également le risque de formation de cloques d'exfoliations pendant le traitement thermique de détachement lors d'un procédé de transfert de couche tel que montré dans les figures la) à 1f). Un certain nombre de modes de réalisation de l'invention ont été décrits. Néanmoins, on comprendra que diverses modifications et améliorations peuvent être 10 apportées sans s'écarter de l'objet de l'invention. REVENDICATIONS1. Procédé pour former une zone de séparation prédéterminée (19) à l'intérieur d'un substrat donneur (1), en particulier pour être utilisé dans un processus de transfert de couche sur un substrat support (11), caractérisé en ce que le procédé comprend une étape d'implantation (17) atomique et/ou ionique réalisée de telle sorte que la dose d'implantation (25) dans une zone du bord (5) du substrat donneur (1) est inférieure à la dose d'implantation (27) dans une zone centrale (9) du substrat donneur (1). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de l'implantation (17) est réalisée telle que l'implantation (17) est limitée à la zone centrale (9) du substrat donneur (1). 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2 pour lequel la zone du bord (5) du substrat donneur (1) comprend ou est limitée à une zone chanfreinée (7) sur le bord du substrat donneur (1). 4. Procédé selon au moins une des revendications 1 à 3, dans lequel la zone du bord (5) du substrat (1) a une largeur comprise entre 1mm et 5mm, en particulier une largeur comprise entre 1mm et 2mm. 5. Procédé selon au moins une des revendications 1 à 4, dans lequel l'implantation (17) est réalisée en utilisant un masque (43) sur ou au-dessus de la zone du bord (5) du substrat donneur (1). 6. Procédé selon au moins une des revendications 1 à 5, dans lequel l'implantation (17) est réalisée en balayant le substrat donneur avec un faisceau d'ions de telle sorte que la dose d'implantation vers la zone du bord (5) du substrat donneur (1) est inférieure à la dose d'implantation dans la zone centrale (9) du substrat donneur (1), en particulier de telle sorte que l'implantation (17) est limitée à la zone centrale (9) du substrat donneur (1). 7. Procédé selon au moins une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'implantation (17) comprend une implantation d'ions d'Hélium (He) ou une co-implantation d'ions d'Hélium et d'Hydrogène (He-H). 3063176 13 8. Procédé selon au moins une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le procédé comprend une deuxième étape d'implantation (17) atomique et/ou ionique, en particulier réalisée sur toute la surface du substrat donneur (1) avec une dose d'implantation plus faible que lors de la première étape d'implantation. 5 9. Procédé selon la revendication 8, pour lequel la première étape d'implantation (17) est une implantation d'ions d'Hélium et la deuxième étape d'implantation (17) est une implantation d'ions d'Hydrogène. 10. Procédé selon au moins une des revendications 1 à 9, pour lequel la dose d'implantation (25) dans la zone du bord (5) du substrat donneur est inférieure 10 à 1e16 at/cm2, en particulier comprise entre 0.5e16 at/cm2 et 1e16 at/cm2. 11. Substrat donneur pour procédé de transfert de couche sur un substrat support, comprenant une zone de séparation prédéterminée (19) dans laquelle la dose d'implantation (25) dans une zone du bord (5) du substrat donneur est inférieure à la dose d'implantation (27) dans une zone centrale (9) du substrat 15 donneur, en particulier réalisé avec le procédé selon au moins une des revendications 1 à10. 12. Procédé de transfert d'une couche d'un substrat donneur sur un substrat support comprenant les étapes : a) attacher un substrat donneur (1) selon la revendication 11 à un 20 substrat support (11); b) réaliser une opération de détachement au niveau de la zone de séparation prédéterminée (19) pour détacher un reste (23) du substrat donneur de la couche transférée (21) sur le substrat support (11). 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel l'étape b) comprend 25 un recuit thermique. 14. Dispositif pour limiter une région d'implantation à une zone du bord (5) d'un substrat donneur (1), en particulier un substrat donneur selon la revendication 11, caractérisé en ce que le dispositif comporte un moyen adapté pour réaliser l'implantation (17) de telle sorte que la dose d'implantation (25) vers une zone du bord (5) du substrat donneur (1) est inférieure à la dose d'implantation (27) dans une zone centrale (9) du substrat donneur (1). 3063176 14 15. Dispositif selon la revendication 14, dans lequel le moyen pour limiter la région d'implantation à la zone centrale (9) du substrat donneur (1) peut comprendre un masque (43). 16. Dispositif selon la revendication 15, dans lequel le masque (43) est 5 un anneau positionné sur ou au-dessus le substrat donneur (1). 17. Dispositif selon au moins une des revendications 14 à 16, caractérisé en ce que le masque (43) est configuré pour masquer la zone du bord (5) d'un substrat donneur (1) sur une largeur comprise entre 1mm et 5mm, en particulier entre 1 et 2mm. 10 18. lmplanteur d'ions pour implanter des ions dans un substrat donneur (1) comprenant un dispositif selon au moins une des revendications 14 à 17.