FR 3066291 A1 20181116 FR 1754078 A 20170510 1 PROCÉDÉ DE SÉCURISATION D'UN CIRCUIT INTÉGRÉ LORS DE SA RÉALISATION DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne le domaine de sécurisation de circuits intégrés, notamment par des fonctions physiques non-clonables. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Actuellement, la contrefaçon des circuits intégrés pose un problème majeur pour les constructeurs et utilisateurs. Pour lutter contre cette contrefaçon, on cherche à trouver des moyens pour discriminer entre un circuit légitime et un circuit contrefait. Une première solution consisterait à attribuer un identifiant unique pour chaque circuit intégré et à construire une base de données des identifiants légitimes. Cette solution n'est pas très viable car il s'avère assez simple d'émuler (ou de rejouer) un identifiant valide au moyen d'une verrue matérielle ou logicielle. Une solution plus efficace consiste à utiliser un mécanisme de défi-réponse qui permet de réaliser une authentification en se protégeant de l'attaque par émulation (rejeu). Cette technique repose sur l'utilisation d'une fonction pour calculer la réponse à partir du défi. La fonction doit être unique pour chaque circuit intégré et non clonable. En effet, un attaquant ne doit pas être capable de recréer physiquement ou de cloner une telle fonction. Ce genre de fonctions est appelé « fonction physique non clonable » PUF (Physical Unclonable Function). On connaît dans l'art antérieur des circuits intégrés comprenant différentes sortes de PUFs exploitant les dispersions fonctionnelles inhérentes aux circuits. Une première technique de PUFs exploite la variabilité induite sur les temps de propagation des signaux aux limites des contraintes électroniques du circuit. Un premier exemple est un circuit intégré comprenant un PUF à arbitre consistant à insérer des signaux électriques en entrée d'un long chemin de circuits combinatoires et à détecter le signal le 3066291 2 plus rapide. Une course est établie dans le circuit entre les différents signaux qui se propagent suivant différents chemins combinatoires et le signal qui arrive en premier est détecté par l'arbitre. Les signaux électriques en entrée définissent le challenge ou défi et le signal détecté en premier définit la réponse. 5 Un autre exemple est le PUF à oscillateur en anneaux décrit dans le document de Gassend et al. Intitulé « Silicon Random Functions » ; proceedings of the Computer and Communications Security Conference, Nov. 2002. Ce PUF est composé de plusieurs boucles de délais oscillant à des fréquences spécifiques et qui commandent des compteurs. Les boucles sont disposées de façons identiques mais les dispersions technologiques 10 inhérentes conduisent à des boucles de fréquences légèrement différentes. Ainsi, les compteurs commandés par les boucles sont utilisés pour produire les bits de réponse à un défi. Une deuxième technique de PUFs exploite les instabilités au démarrage. Par exemple, les mémoires SRAM, déjà présentes dans une grande majorité de circuits peuvent être 15 utilisées comme des PUFs. Le principe de base est de récupérer l'état de la mémoire au démarrage qui est normalement unique. Sur un même principe le PUF peut être implémenté par des circuits papillons (butterfly) réalisés à partir des matrices de deux verrouillages croisés où l'état du point mémoire au démarrage est indéterminé. Cette technique est décrite dans le document de Kumar et al. intitulé « The Butterfly PUF : 20 Protecting IP on every FPGA ; Workshop on Cryptographic Hardware and Embedded Systems (CHES), Sep 2007, Vienna. Dans le même genre, on trouve également des circuits à anneaux bistables composés d'un nombre impair d'inverseurs et ayant aussi un état indéterminé au démarrage. Une troisième technique de PUFs exploite les dispersions technologiques des 25 résistances dans un circuit. Une telle technique est décrite dans le document de R Helinski et al. intitulé « A Physical Unclonable Function Defined Using Power Distribution System Equivalent Resistance Variations »; DAC 2009. Plus particulièrement, les auteurs proposent de mesurer la chute de tension dans un circuit intégré entre des plans d'alimentation et des plans de masse due aux dispersions technologiques des résistances définies par les pistes conductrices et les interconnexions du circuit. La chute de tension 3066291 3 est proportionnelle au courant mesuré dans des inverseurs en court-circuit agencés sur toute la surface du circuit. Toutefois, tous les PUFs décrits ci-dessus sont basés sur des fonctionnements aux limites des contraintes électroniques des circuits et sont par conséquents, très sensibles 5 aux variations environnementales. En particulier, des changements de températures, de tensions d'alimentation ou des interférences électromagnétiques peuvent affecter leur performance en diminuant leur robustesse et en augmentant leur volatilité (i.e. leur variabilité intra-circuit). Ainsi, pour un défi constant, le PUF peut retourner des résultats différents selon les conditions environnementales impliquant le fait qu'un circuit légitime 10 peut éventuellement être déclaré comme étant contrefait. Un autre problème concerne le vieillissement du circuit intégré. En effet, à cause d'un fonctionnement aux limites des contraintes électroniques, le moindre petit défaut qui peut survenir lors du vieillissement du circuit fait que le PUF ne répond plus de la même manière et par conséquent, on ne peut plus identifier le circuit intégré. 15 Pour pallier à ces défauts, il est souvent nécessaire d'adjoindre au PUF un circuit de post-traitement de la réponse reçue qui est coûteux en termes d'empreinte et de consommation. L'objet de la présente invention est de proposer un procédé de sécurisation d'un circuit intégré remédiant aux inconvénients précités, en particulier en réalisant un PUF 20 quasiment insensible aux variations de conditions environnementales sans l'adjonction d'un circuit de post-traitement coûteux et sans l'introduction de modifications notables dans le procédé de fabrication du circuit. EXPOSÉ DE L'INVENTION Cet objectif est atteint avec un procédé de sécurisation d'un circuit intégré lors de sa 25 réalisation, ledit procédé comportant les étapes suivantes : -délimitation dudit circuit intégré en une première zone dite zone standard (correspondant à la fonctionnalité du circuit intégré) et en deuxième zone dite zone de sécurité (destinée à sécuriser le circuit intégré), et 3066291 4 -dégradation aléatoire d'une structure d'interconnexion de ladite zone de sécurité formant ainsi une fonction physique non-clonable modélisée par une continuité électrique aléatoire interrogeable par un protocole d'authentification défi-réponse. Ceci permet d'identifier et de sécuriser le circuit intégré de manière robuste et 5 insensible aux variations de conditions environnementales. Contrairement à l'art antérieur, ce procédé n'exploite pas des moyens non maitrisés dans le fonctionnement électrique du circuit mais dans le procédé de fabrication lui-même. Avantageusement, la dégradation aléatoire de la structure d'interconnexion de ladite zone de sécurité est réalisée par l'introduction d'un élément contaminant configuré pour 10 détériorer aléatoirement une partie des interconnexions. Ainsi, le procédé exploite des moyens non maitrisés dans la réalisation matérielle de la structure d'interconnexion. Avantageusement, la structure d'interconnexion aléatoire est formée entre au moins deux niveaux correspondants de motifs conducteurs, une partie des motifs conducteurs 15 étant configurée pour recevoir un défi, tandis qu'une autre partie des motifs conducteurs est configurée pour fournir la réponse audit défi. La réponse est ainsi dépendante de la continuité électrique de ladite structure d'interconnexion aléatoire propre à la puce électrique ainsi que du défi. Ceci permet de réaliser une authentification très sécurisée et protégée contre des attaques par rejeu. 20 Selon un mode de réalisation préféré de la présente invention, la sécurisation du circuit intégré s'intègre au niveau de la réalisation du back-end (i.e. lors de réalisation des premières interconnexions électriques) et comporte les étapes suivantes : -réalisation d'un premier niveau de motifs conducteurs sur la surface desdites zones standard et de sécurité, 25 -dépôt sur la surface du premier niveau de motifs conducteurs d'une première multicouche comprenant une barrière à une diffusion métallique ainsi qu'un masque de gravure définissant un ensemble de trous d'interconnexion, -dépôt sur ladite première multicouche d'au moins une deuxième couche de résine photosensible, 3066291 5 -lithographie optique dans la zone de sécurité pour insoler les trous d'interconnexion prévus dans cette zone de sécurité, -dépôt de particules contaminantes de taille et de forme prédéterminées sur la surface des zones standard et de sécurité, les particules obstruant partiellement ou 5 totalement de manière aléatoire une partie desdits trous d'interconnexion de la zone de sécurité, -transfert des trous d'interconnexion obstrués ou non obstrués dans le masque de gravure, -nettoyage de la surface des zones standard et de sécurité pour retirer la deuxième 10 couche de résine photosensible et les particules contaminantes, -dépôt sur la surface des zones standard et de sécurité d'au moins une troisième couche de résine photosensible, -lithographie optique dans la zone standard pour insoler les trous d'interconnexion prévus dans la zone standard, 15 -transfert dans la zone standard des trous d'interconnexion dans le masque de gravure, -re-nettoyage de la surface des zones standard et de sécurité pour retirer la troisième couche de résine photosensible, -transfert dans la couche de barrière à diffusion métallique et remplissage par un 20 métal des trous d'interconnexion dans les zones standard et de sécurité, et -réalisation d'un deuxième niveau de motifs conducteurs sur la surface des zones standard et de sécurité. Ainsi, la partie aléatoire est dans le procédé de fabrication et non pas dans des masques ou gravures différentes. En outre, l'ensemble des étapes successives sont 25 régulées et contrôlées afin d'assurer une variabilité extrêmement faible des paramètres clé de fonctionnalité des circuits intégrés. De plus, du fait que la réalisation de la structure aléatoire d'interconnexion est non maitrisée, le coût de clonage devient excessivement élevé et la rétro-ingénierie, autant par imagerie que par apprentissage, est extrêmement difficile. 3066291 6 Les particules sont avantageusement choisies de façon adéquate par rapport à leur taille pour optimiser les trous d'interconnexion de la façon la plus aléatoire possible. Avantageusement, les particules présentent un diamètre sensiblement égal ou supérieur à celui des trous d'interconnexion. Ceci permet de minimiser le nombre de trous 5 partiellement obstrués. On notera que la taille des particules peut également être invariablement plus grande ou plus petite que les trous d'interconnexion. Avantageusement, les particules sont des billes en polystyrène, en poly- méthacrylate-de-méthyle « PMMA » ou en polymère quelconque de type « compatiblesalle-blanche ». Ceci permet d'avoir des particules de la même nature chimique que la 10 résine photosensible facilitant le nettoyage tout en étant compatibles d'être utilisées en salle-blanche. Avantageusement, les particules peuvent être déposées par vaporisation ou par tournette d'une solution liquide ayant une concentration d'environ 0,5% à 2% en masse et de préférence 1% en masse. Ceci permet d'avoir une concentration suffisamment faible 15 pour ne pas obstruer l'intégralité des trous d'interconnexion tout en obstruant un nombre optimal de ces trous. La valeur de concentration des particules est avantageusement sélectionnée selon la taille des particules. Avantageusement, le procédé peut comporter une étape de recuit thermique après le dépôt des particules. Ceci permet d'augmenter l'adhésion de ces particules. 20 Avantageusement, le procédé peut comporter une application d'une tension supérieure à la tension de lecture pour claquer des interconnexions partielles fragiles. Ceci permet de supprimer les contacts fragiles et ainsi de quasiment supprimer toute variation par vieillissement. Avantageusement, le procédé comporte la réalisation d'une pluralité de structures 25 d'interconnexion aléatoire et d'une pluralité de niveaux correspondants de motifs conducteurs. Ceci permet de sécuriser davantage le circuit intégré par la technique de défi-réponse. Selon un autre mode de réalisation de la présente invention, la sécurisation du circuit intégré est réalisée au niveau du front-end. 3066291 7 L'invention concerne également un circuit intégré sécurisé pouvant être obtenu à l'aide d'un procédé selon l'invention. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples 5 de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : La Fig. 1 illustre de manière très schématique un procédé de sécurisation d'un circuit intégré, selon un mode de réalisation de l'invention ; La Fig. 2 illustre de manière très schématique une vue en coupe d'un circuit intégré 10 sécurisé réalisé par le procédé de sécurisation selon un mode de réalisation de l'invention ; et Les Figs. 3A-3K illustrent de manière très schématique des étapes d'un procédé de sécurisation d'un circuit intégré, selon un mode de réalisation préféré de l'invention. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS 15 Le concept à la base de l'invention est la dégradation volontaire et aléatoire d'un niveau d'interconnexion métallique lors de sa réalisation par l'introduction contrôlé d'un contaminant. La Fig. 1 illustre de manière très schématique un procédé de sécurisation d'un circuit intégré, selon un mode de réalisation de l'invention. 20 Le procédé de sécurisation selon l'invention s'intègre parfaitement dans le procédé de fabrication en tant que tel du circuit intégré 1 sur une plaque de silicium 3. Dans le procédé de fabrication, les motifs sur la plaque de silicium 3 sont créés selon une méthode de photo-répétition rendant chaque circuit intégré identique aux autres. L'ensemble des étapes successives sont régulées et contrôlées afin d'assurer une variabilité extrêmement 25 faible des paramètres fonctionnels des circuits intégrés. Toutefois, la méthode de fabrication comporte des étapes d'implémentations physiques intrinsèquement aléatoires introduisant des caractéristiques discernables qui assurent l'unicité de chaque circuit intégré 1 sans modifier leurs paramètres fonctionnels initiaux. 3066291 8 En effet, lors de la réalisation habituelle du circuit intégré 1 (ou puce électronique), le procédé de sécurisation comporte la délimitation du circuit intégré 1 en une première zone surfacique dite zone standard 5a et en une deuxième zone surfacique dite zone de sécurité 5b. La zone standard 5a correspond à la partie fonctionnelle du circuit intégré 1 de 5 base. Cette zone 5a est occupée par les composants électroniques de base couplés par des interconnexions métalliques 7a adaptées pour réaliser les fonctions particulières du circuit. En revanche, la zone de sécurité 5b est occupée par une fonction physique non-clonable PUF destinée à sécuriser le circuit de base. Plus particulièrement, lors de la fabrication d'une structure d'interconnexion 7b dans 10 la zone de sécurité 5b, le procédé de sécurisation comporte la dégradation aléatoire de cette structure d'interconnexion 7b pour former la fonction physique non-clonable PUF. La structure d'interconnexion 7b de la zone de sécurité 5b est modélisée par une continuité électrique aléatoire qui peut être interrogeable par un protocole d'authentification défi-réponse. 15 La Fig. 2 illustre de manière très schématique une vue en coupe d'un circuit intégré sécurisé réalisé par le procédé de sécurisation selon un mode de réalisation de l'invention. Le circuit intégré sécurisé (ou puce électronique sécurisée) comporte ainsi une zone standard 5a et une zone de sécurité 5b. La zone standard 5a comporte de manière habituelle aux moins deux niveaux de pistes conductrices 9a et 11a connectées via des 20 interconnexions métalliques 7a aux différents composants électroniques (non représentés) du circuit intégré 1. La zone de sécurité 5b comporte une structure d'interconnexion aléatoire 7b formée entre au moins deux niveaux 8 et 10 de motifs conducteurs 9b et 11b correspondants adaptés pour tester la continuité électrique de cette structure d'interconnexion aléatoire 25 7b. On notera que les motifs conducteurs 9b et 11b peuvent être de formes ou de configurations quelconques selon la complexité recherchée. Par exemple, les motifs conducteurs 9b et 11b peuvent être formés par un ensemble (par exemple, quelques dizaines) de grilles ou pistes conductrices croisées ou de toute autre forme. Avantageusement, la zone de sécurité 5b peut comporter une pluralité de structures 30 d'interconnexion aléatoire 7b (une seule est représentée) et une pluralité de niveaux 3066291 9 correspondants de motifs conducteurs (seuls deux niveaux sont représentés) permettant ainsi d'augmenter la complexité du PUF. La ou les structure(s) d'interconnexion aléatoire 7b modélise(nt) une continuité électrique entre les différents motifs conducteurs qui peuvent être utilisés pour appliquer 5 un protocole d'authentification défi-réponse. Plus particulièrement, une partie des motifs conducteurs 9b et llb est configurée pour recevoir un stimulus définissant un défi, tandis qu'une autre partie des motifs conducteurs 9b et llb est configurée pour fournir un signal de sortie correspondant à la réponse au défi. La réponse est ainsi dépendante de la continuité électrique de la structure d'interconnexion aléatoire propre à la puce 10 électronique ainsi qu'au défi utilisé. Les motifs conducteurs recevant le stimulus forment une entrée du circuit intégré tandis que ceux fournissant la réponse forment la sortie du circuit intégré. Les motifs conducteurs sélectionnés pour former l'entrée ou la sortie sont prédéterminés selon les spécifications du protocole d'authentification. Chaque circuit intégré 1 issu du procédé de sécurisation dispose ainsi dans sa zone 15 de sécurité 5b d'une structure physique d'interconnexion 7b unique dont le processus de fabrication est aléatoire et non maitrisé et par conséquent, excessivement difficile à cloner. Après la réalisation des circuits intégrés sécurisés, on procède à une phase « d'enrôlement » (enrollment, en anglais) qui consiste à construire une base de données contenant des couples légitimes de « défi-réponse » pour chaque circuit intégré 1. 20 Concrètement, pour chaque circuit intégré 1, un testeur génère aléatoirement un certain nombre N de défis ou challenges C et les adresse au circuit intégré 1. Chaque défi C est constitué d'un stimulus qui est appliqué à l'entrée du circuit intégré 1 et la réponse R à chaque défi C est récupérée à la sortie du circuit intégré 1. En effet, le PUF qui définit une fonction secrète F calcule la réponse R à chaque défi C (i.e. R=F(C)). Le testeur récupère les 25 N réponses R associées aux N défis C et stocke les N couples de défi-réponse (C, R) correspondants dans une base de données (non représentée). Ainsi, l'authentification d'un circuit intégré 1 sécurisé peut être testée tout au long de son cycle de vie. Plus particulièrement, un utilisateur d'un circuit intégré 1 peut demander au fabricant (ou à l'entité qui possède la base de données des couples de défi- 30 réponse) un défi (ou un couple défi-réponse). Le défi C est appliqué au circuit intégré 1 et 3066291 10 ce dernier calcule la réponse R au défi C. Ensuite, l'utilisateur (ou le fabriquant) compare la réponse R générée par le circuit intégré 1 avec celle stockée dans la base de données afin de vérifier la légitimité du circuit intégré 1. On notera que pour plus de sécurité, le couple défi-réponse déjà utilisé est ensuite supprimé de la base de données pour éviter tout rejeu. 5 Les Figs. 3A-3K illustrent de manière très schématique des étapes d'un procédé de sécurisation d'un circuit intégré, selon un mode de réalisation préféré de l'invention. De manière connue par l'homme du métier, on considère que la fabrication du circuit intégré 1 sur la zone standard 5a a été préalablement réalisée selon les étapes habituelles de préparation d'une couche d'oxyde sur un substrat, de transfert du dessin du circuit à 10 reproduire à l'aide d'un masque, de gravure, de dopage, de réalisation de couches suivantes, etc. Ainsi, on commence avec une plaque 3 délimitée en une zone de sécurité 5b et une zone standard 5a dont tout le procédé de fabrication dite « front-end » a été réalisé, c'est-à-dire que quasiment l'intégralité du circuit qu'on cherche à sécuriser a été fabriquée. 15 Selon ce mode de réalisation, la sécurisation du circuit intégré 1 commence alors à la fin du front-end et s'intègre dans la suite des étapes de fabrication de composés semiconducteur au niveau du « back-end », c'est-à-dire, lors de la réalisation des premières interconnexions électriques pour adéquatement interconnecter les composants entre eux ainsi qu'avec des électrodes d'entrées-sorties. 20 La Fig. 3A illustre de manière très schématique une première étape du procédé de sécurisation. La première étape El (Fig. 3A) consiste à la réalisation d'un premier niveau 8 de motifs conducteurs 9a et 9b sur la surface des zones standard 5a et de sécurité 5b de la plaque 3. Les motifs conducteurs 9a et 9b peuvent être en cuivre, en aluminium ou en un 25 autre matériau conducteur d'électricité. On notera que cette étape peut être considérée comme une dernière étape déjà réalisée au niveau du « front-end » du procédé de fabrication du circuit intégré. La deuxième étape E2 (Fig. 3B) consiste à déposer une première multicouche 13 sur la surface du premier niveau 8 comprenant les motifs conducteurs 9a et 9b. La première 30 multicouche 13 comprend une barrière à une diffusion métallique ainsi qu'un masque dur 3066291 11 de gravure définissant un ensemble de trous d'interconnexion dits « vias » ayant une forme générale cylindrique. Cette première multicouche 13 est par exemple une bicouche composée d'une couche de SiN ayant la fonction de barrière et d'une couche de SiO2 ayant la fonction de masque de gravure. 5 La troisième étape E3 (Fig. 3C) consiste à déposer au moins une deuxième couche 15 de résine photosensible sur la première multicouche 13. En particulier, on peut déposer un empilement de couches 15 servant à la réalisation de la lithographie optique de l'étape suivante. Cet empilement de couches 15 peut être composé à titre d'exemple, de deux couches de masque de gravure de type « tournette sur carbone » SOC (Spin On Carbon) et 10 de « revêtement de silicone anti réfléchissante SiARC (Silicon Anti Reflective Coating) ainsi que d'une couche de résine photosensible. Les épaisseurs de ces trois couches peuvent varier selon la nature des produits employés ainsi que les dimensions des vias visées. Elles sont typiquement de l'ordre de 150nm pour le SOC, de l'ordre de 30nm pour le SiARC et de l'ordre de 100nm pour la résine photosensible. Toutes ces couches peuvent être déposées 15 par la méthode connue de « revêtement par tournette » (spin coating). La quatrième étape E4 (Fig. 3D) consiste à procéder à la lithographie optique dans la zone de sécurité 5b pour insoler les trous d'interconnexion 17b (vias) prévue dans cette zone 5b. On notera que la zone standard 5a reste protégée par la deuxième couche 15 de résine photosensible. 20 La cinquième étape E5 (Fig. 3E) consiste à déposer des particules 19 contaminantes de taille et de forme prédéterminées sur la surface des zones standard 5a et de sécurité 5b. La taille, la forme et le matériau des particules sont avantageusement choisis de façon adéquate pour optimiser les trous d'interconnexion de la façon la plus aléatoire possible. Les particules 19 peuvent être déposées par vaporisation ou par tournette (spin coating) 25 d'une solution liquide ayant une concentration suffisamment faible pour ne pas obstruer l'intégralité des trous d'interconnexion 17b tout en obstruant un nombre optimal de ces trous. Ainsi, la densité des particules 19 peut être ajustée par la concentration de la solution liquide utilisée. La valeur de la concentration des particules est avantageusement sélectionnée selon la taille des particules. A titre d'exemple, cette concentration peut être 30 comprise entre 0,5% et 2% en masse et de préférence de l'ordre de 1% en masse. Ainsi, les 3066291 12 particules 19 obstruent partiellement ou totalement de manière aléatoire une partie des trous d'interconnexion 17b de la zone de sécurité 5b. Avantageusement, les particules 19 présentent un diamètre sensiblement égal ou supérieur à celui des trous d'interconnexion 17b afin de minimiser le nombre de trous 5 partiellement obstrués. On notera que la taille des particules peut également être invariablement plus grande ou plus petite que les trous d'interconnexion. En outre, les particules 19 contaminantes sont avantageusement des billes en une matière quelconque compatible-salle-blanche et d'une même nature chimique que la résine photosensible. Avantageusement, les particules sont en un matériau polymère 10 sélectionné par exemple parmi les matériaux suivants : polystyrène, poly-méthacrylate-de- méthyle « PMMA », et polyhydroxystyrène. Avantageusement, après le dépôt des particules 19, on peut procéder à une étape de recuit thermique qui permet d'augmenter l'adhésion de ces particules. La sixième étape E6 (Fig. 3F) consiste à transférer des trous d'interconnexion 17b 15 obstrués ou non obstrués dans le masque de gravure. Le caractère aléatoire est ainsi dans le procédé de fabrication et non pas dans des masques ou gravures différentes. On notera que cette étape de transfert peut être réalisée de manière partiellement sélective afin de ne pas permettre la gravure des plus petites ouvertures des trous, limitant ainsi le nombre de vias partiellement ouverts. 20 La septième étape E7 (Fig. 3G) consiste à nettoyer la surface des zones standard 5a et de sécurité 5b afin de retirer la deuxième couche 15 de résine photosensible et les particules 19 contaminantes. En effet, en choisissant le matériau des particules 19 de même nature chimique que celui de la résine, le retrait des deux se fait simultanément. La huitième étape E8 (Fig. 3H) reprend le cours de fabrication habituel du circuit 25 comme initialement prévu dans la zone standard 5a. Ainsi, au moins une troisième couche 21 de résine photosensible est d'abord déposée sur la surface des zones standard 5a et de sécurité 5b. Ensuite, on procède à une lithographie optique dans la zone standard 5a pour isoler les trous d'interconnexion 17a (vias) prévus dans cette zone 5a. La neuvième étape E9 (Fig. 31) consiste à transférer les trous d'interconnexion 17a de 30 la zone standard 5a dans le masque de gravure. Ensuite, la surface des zones standard 5a 3066291 13 et de sécurité 5b est re-nettoyée pour retirer la troisième couche 21 de résine photosensible. La dixième étape E10 (Fig. 3J) consiste à transférer les trous d'interconnexion 17a et 17b de la zone standard 5a et de la zone de sécurité 5b dans la couche de barrière à 5 diffusion métallique et à remplir ces trous d'interconnexion 17a et 17b par un métal 23 par exemple, en cuivre ou en aluminium. Le remplissage peut être réalisé de manière sélective afin de ne pas remplir les plus petites ouvertures. La onzième étape E11 (Fig. 3K) consiste à réaliser un deuxième niveau 10 de motifs conducteurs 11a, 11b sur la surface des zones standard 5a et de sécurité 5b 10 respectivement. Ce mode de réalisation montre que l'ensemble des étapes successives sont régulées et contrôlées afin d'assurer une variabilité extrêmement faible des paramètres clé de fonctionnalité du circuit dans la zone standard 5a tout en permettant par construction une réalisation non maitrisée de la structure aléatoire d'interconnexion 7b dans la zone de 15 sécurité 5b. Ceci renforce l'unicité de chaque puce électronique 1 permettant son identification de manière très précise tout en rendant le clonage extrêmement difficile. Avantageusement, afin d'éviter toute variation par vieillissement, on procède à un traitement électrique pour supprimer les interconnexions partielles fragiles dans la zone de sécurité 5b. Plus particulièrement, on applique une tension supérieure à la tension de 20 lecture pour claquer les interconnexions partielles très fines ayant une résistance trop élevée. En outre, pour tester l'authenticité d'un circuit intégré 1, on peut lui appliquer un signal de défi présentant une intensité de courant très faible qui préserve l'identité du circuit tout au long de son cycle de vie. On notera que le mode de réalisation du procédé de sécurisation selon les Figs. 3A- 25 3K est transposable au « Front End », c'est-à-dire, lors de la fabrication des circuits logiques. REVENDICATIONS1. Procédé de sécurisation d'un circuit intégré lors de sa réalisation, ledit procédé comportant les étapes suivantes : -délimitation dudit circuit intégré (1) en une première zone dite zone standard (5a) et en deuxième zone dite zone de sécurité (Sb), et -dégradation aléatoire d'une structure d'interconnexion (7b) de ladite zone de sécurité (5b) formant ainsi une fonction physique non-clonable modélisée par une continuité électrique aléatoire interrogeable par un protocole d'authentification défi-10 réponse. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la dégradation aléatoire de la structure d'interconnexion (7b) de ladite zone de sécurité (5b) est réalisée par l'introduction d'un élément contaminant (19) configuré pour détériorer aléatoirement une 15 partie des interconnexions. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la structure d'interconnexion aléatoire (7b) est formée entre au moins deux niveaux (8, 10) correspondants de motifs conducteurs (9b, 11b), une partie des motifs conducteurs étant 20 configurée pour recevoir un défi, tandis qu'une autre partie des motifs conducteurs est configurée pour fournir la réponse audit défi. 4. Procédé selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que la sécurisation du circuit intégré s'intègre au niveau de la réalisation de premières interconnexions 25 électriques et comporte les étapes suivantes : -réalisation d'un premier niveau (8) de motifs conducteurs (9a, 9b) sur la surface desdites zones standard (5a) et de sécurité (5b), -dépôt sur la surface du premier niveau (8) de motifs conducteurs (9a, 9b) d'une première multicouche (13) comprenant une barrière à une diffusion métallique ainsi qu'un 30 masque de gravure définissant un ensemble de trous d'interconnexion, 3066291 15 -dépôt sur ladite première multicouche (13) d'au moins une deuxième couche (15) de résine photosensible, -lithographie optique dans la zone de sécurité (5b) pour isoler les trous d'interconnexion (17b) prévus dans cette zone de sécurité, 5 -dépôt de particules contaminantes (19) de taille et de forme prédéterminées sur la surface des zones standard (5a) et de sécurité (5b), les particules (19) obstruant partiellement ou totalement de manière aléatoire une partie desdits trous d'interconnexion (17b) de la zone de sécurité (5b), -transfert des trous d'interconnexion obstrués ou non obstrués dans le masque de 10 gravure, -nettoyage de la surface des zones standard (5a) et de sécurité (5b) pour retirer la deuxième couche (15) de résine photosensible et les particules contaminantes (19), -dépôt sur la surface des zones standard (5a) et de sécurité (5b) d'au moins une troisième couche (21) de résine photosensible, 15 -lithographie optique dans la zone standard (5a) pour isoler les trous d'interconnexion (17a) prévus dans la zone standard (5a), -transfert des trous d'interconnexion (17a) de la zone standard (5a) dans le masque de gravure, -re-nettoyage de la surface des zones standard (5a) et de sécurité (5b) pour retirer la 20 troisième couche (21) de résine photosensible, - transfert dans la couche de barrière à diffusion métallique et remplissage par un métal (23) des trous d'interconnexion (17a, 17b) dans les zones standard (5a) et de sécurité (5b), et -réalisation d'un deuxième niveau (10) de motifs conducteurs (11a, 11b) sur la 25 surface des zones standard (5a) et de sécurité (5b). 5. Procédé selon larevendication 4, caractérisé en ce que les particules contaminantes (19) présentent un diamètre sensiblement égal ou supérieur à celui des trous d'interconnexion. 30 3066291 16 6. Procédé selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que les particules contaminantes (19) sont des billes en un matériau polymère utilisable en salle-blanche, et de préférence, en polystyrène ou en poly-méthacrylate-de-méthyle. 5 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, caractérisé en ce que les particules contaminantes (19) sont déposées par vaporisation ou par tournette d'une solution liquide ayant une concentration d'environ 0,5% à 2% en masse sélectionnée selon la taille des particules. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 4 à 7, caractérisé en ce qu'il comporte après le dépôt des particules contaminantes (19) une étape de recuit thermique. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte une application d'une tension supérieure à une tension de lecture pour claquer des interconnexions partielles fragiles. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte la réalisation d'une pluralité de structures d'interconnexion aléatoire et d'une pluralité de niveaux correspondants de motifs conducteurs. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la sécurisation du circuit intégré est réalisée au niveau de la fabrication de circuits logiques. 12. Circuit intégré sécurisé réalisé par le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes.