FR 3066059 A1 20181109 FR 1753996 A 20170505 1 Appareil de communication avec chaÃ®ne de rÃ©ception Ã encombrement rÃ©duit Des modes de rÃ©alisation de l'invention concernent les appareils de communication, en particulier pour une communication sans fil, tels que des tÃ©lÃ©phones mobiles cellulaires ou des tablettes numÃ©riques, et notamment les dispositifs amplificateurs faible bruit connus dans l'Ã©tat de la technique sous l'acronyme de langue anglaise Â« LNA Â» (Â«Low Noise Amplifier, LNA Â» en anglais) incorporÃ©s dans les chaÃ®nes de rÃ©ception de ces appareils. Un appareil de communication comprend gÃ©nÃ©ralement une chaÃ®ne d'Ã©mission d'un signal et une chaÃ®ne de rÃ©ception d'un signal raccordÃ©es Ã une antenne et Ã un dispositif de traitement en bande de base. La figure 1 reprÃ©sente un appareil de communication 1 selon l'Ã©tat de la technique comprenant une chaÃ®ne d'Ã©mission Tx et une chaÃ®ne de rÃ©ception Rx raccordÃ©es Ã une antenne ANT et une unitÃ© de traitement en bande de base 2, notamment un processeur de bande de base. La chaÃ®ne d'Ã©mission Tx comprend notamment un dispositif amplificateur de puissance 3 (Â« Power Amplifier, PA Â» en anglais) dont une sortie est reliÃ©e Ã l'antenne ANT par l'intermÃ©diaire d'un transistor Ti. Le noeud commun entre le dispositif amplificateur 3 et le transistor Ti est reliÃ© Ã une masse GND par l'intermÃ©diaire d'un transistor T2. L'entrÃ©e du dispositif amplificateur 3 est reliÃ©e Ã d'autres Ã©lÃ©ments classiques et connus de la chaÃ®ne d'Ã©mission (non reprÃ©sentÃ©s ici Ã des fins de simplification de la figure). La chaÃ®ne de rÃ©ception Rx comprend un dispositif amplificateur 4 communÃ©ment dÃ©signÃ© par l'homme du mÃ©tier sous l'appellation Â« amplificateur faible bruit Â» (Â« Low Noise Amplifier Â», LNA en anglais) dont une entrÃ©e est reliÃ©e Ã l'antenne ANT par l'intermÃ©diaire d'un transistor T3. Le noeud commun entre le transistor T3 et le 3066059 2 dispositif amplificateur 4 est reliÃ© Ã la masse GND par l'intermÃ©diaire d'un transistor T4. La sortie du dispositif amplificateur 4 est reliÃ©e Ã d'autres Ã©lÃ©ments classiques et connus de la chaÃ®ne de rÃ©ception (non reprÃ©sentÃ©s Ã des fins de simplification de la figure). 5 Le dispositif amplificateur comprend classiquement au moins un transistor d'amplification T. Les transistors Ti, T2, T3 et T4 peuvent Ãªtre de mÃªme nature, par exemple des transistors Ã oxyde de grille Ã©pais, et peuvent Ãªtre dimensionnÃ©s diffÃ©remment. Ils sont de nature quelconque, par 10 exemple des transistors Ã effet de champ NMOS. Les moyens de commutation sont commandÃ©s par des moyens de commande incorporÃ©s dans l'unitÃ© de traitement en bande de base 2. En mode Ã©mission d'un signal, les transistors Ti et T4 sont passants. Ils se comportent comme des rÃ©sistances parasites Ron. Le 15 transistor T4 assure la mise Ã la masse de l'entrÃ©e du dispositif amplificateur 4. Les transistors T2 et T3 sont ouverts. Ils se comportent comme des capacitÃ©s parasites Coff. En mode rÃ©ception, les transistors Ti et T4 sont ouverts et les transistors T2 et T3 sont passants. Le transistor T2 assure la mise Ã la 20 masse de la sortie du dispositif amplificateur 3. Les transistors Ti et T4 se comportent comme des capacitÃ©s parasites Coff. Les transistors T2 et T3 se comportent comme des rÃ©sistances parasites Ron. Le transistor T3 dÃ©grade la figure de bruit (Â« Noise Figure Â», en anglais) de l'amplificateur 4. 25 La qualitÃ© du dispositif de commutation comprenant les transistors Ti, T2 , T3 et T4 est dÃ©crite par le coefficient Coff*Ron. Cependant ce coefficient est fixÃ© pour une technologie donnÃ©e. En mode Ã©mission, le dispositif amplificateur 3 Ã©met par exemple un signal de puissance de 33dBm soit 2W sous une tension de 30 10V. La capacitÃ© parasite du transistor T3 laisse passer un courant parasite qui alimente le dispositif amplificateur 4. Le courant issu de la capacitÃ© parasite du transistor T3 peut dÃ©tÃ©riorer le transistor d'amplification T. Par consÃ©quent les transistors de commutation sont 3066059 3 dimensionnÃ©s de telle sorte qu'ils canalisent la puissance parasite sous une tension de 10V. Ils sont donc de dimension importante. GÃ©nÃ©ralement chaque transistor de commutation Ti, T2, T3 et T4 comprend un ensemble de transistors assemblÃ©s en sÃ©rie et en 5 parallÃ¨le sous la forme d'une matrice. Cette disposition permet pour un coefficient Ron*Coff donnÃ© de dÃ©finir une configuration de transistors limitant les effets parasites. Plus le transistor de commutation T3 comprend de transistors assemblÃ©s sous la forme d'une matrice, plus le transistor T3 protÃ¨ge le transistor 10 d'amplification T. Cependant il est souhaitable de trouver un compromis entre l'encombrement de la matrice et une protection suffisante du transistor d'amplification T. En effet, l'ajout de transistors augmente le nombre de capacitÃ©s parasites Coff. De plus la rÃ©sistance parasite Ron du 15 transistor T3 dÃ©grade la figure de bruit du dispositif amplificateur faible bruit en mode rÃ©ception. Les diffÃ©rents Ã©lÃ©ments des moyens de commutation sont incorporÃ©s sur un mÃªme substrat. Ils sont Ã proximitÃ© l'un de l'autre. Par consÃ©quent, des phÃ©nomÃ¨nes de couplage substrat et 20 Ã©lectromagnÃ©tique apparaissent. Ces phÃ©nomÃ¨nes peuvent dÃ©grader Ã©galement la figure de bruit du dispositif amplificateur faible bruit. Il existe un besoin d'amÃ©liorer la figure de bruit du dispositif amplificateur faible bruit et de rÃ©duire l'encombrement des moyens de commutation tout en prÃ©servant ce dispositif amplificateur de toute 25 dÃ©tÃ©rioration. Selon des modes de rÃ©alisation il est avantageusement proposÃ© d'amÃ©liorer la figure de bruit du dispositif amplificateur en incorporant des moyens de commutation commandables dans le dispositif amplificateur, ces moyens Ã©tant configurÃ©s pour 30 sÃ©lectivement activer et dÃ©sactiver le dispositif amplificateur. Ainsi les pertes dues au Ron du transistor T3 contribuant Ã la figure de bruit du dispositif amplificateur n'existent plus. En Ã©vitant ce contributeur placÃ© devant le LNA, on amÃ©liore la figure de bruit. 3066059 4 Selon un aspect, il est proposÃ© un appareil de communication comportant une chaÃ®ne d'Ã©mission couplÃ©e Ã une antenne par des premiers moyens de commutation commandables, une chaÃ®ne de rÃ©ception comprenant un dispositif amplificateur, ayant une entrÃ©e 5 couplÃ©e Ã l'antenne et incorporant des deuxiÃ¨mes moyens de commutation commandables configurÃ©s pour rendre sÃ©lectivement inactif ou actif le dispositif amplificateur. Le bruit dÃ©tÃ©riorant la figure de bruit du dispositif amplificateur gÃ©nÃ©rÃ© par les deuxiÃ¨mes moyens de commutation peut 10 alors Ãªtre rÃ©duit. Selon un mode de rÃ©alisation, le dispositif amplificateur comprend une premiÃ¨re borne d'alimentation destinÃ©e Ã Ãªtre raccordÃ©e Ã une premiÃ¨re tension d'alimentation, une seconde borne d'alimentation destinÃ©e Ã Ãªtre raccordÃ©e Ã une seconde tension 15 d'alimentation, par exemple la masse, au moins une entrÃ©e de commande destinÃ©e Ã recevoir un signal de commande et au moins un transistor d'amplification dont l'Ã©lectrode de commande est couplÃ©e Ã l'entrÃ©e du dispositif amplificateur, les deuxiÃ¨mes moyens de commutation Ã©tant couplÃ©s Ã l'entrÃ©e de commande et configurÃ©s pour 20 sÃ©lectivement isoler ou non le transistor d'amplification des deux bornes d'alimentation en rÃ©ponse au signal de commande. Selon un mode de rÃ©alisation, les deuxiÃ¨mes moyens de commutation comprennent : un premier module de commutation commandable couplÃ© entre 25 une premiÃ¨re Ã©lectrode de conduction du transistor d'amplification, par exemple la source, et la seconde borne d'alimentation ; et un second module de commutation commandable couplÃ© entre une seconde Ã©lectrode de conduction du transistor d'amplification, par exemple le drain, la premiÃ¨re borne d'alimentation et une sortie du 30 dispositif amplificateur. Selon un mode de rÃ©alisation, chaque module de commutation comprend une pluralitÃ© de transistors de commutation les grilles de tous les transistors de commutation Ã©tant connectÃ©es Ã un ou plusieurs arbres de distribution couplÃ©s Ã l'entrÃ©e de commande. 3066059 5 Le dispositif amplificateur peut comprendre au moins un Ã©tage amplificateur, et Ã©ventuellement plusieurs Ã©tages amplificateurs. Selon un autre aspect, il est proposÃ© un dispositif amplificateur incorporÃ© dans un appareil de communication tel que dÃ©fini 5 prÃ©cÃ©demment. D' autres avantages et caractÃ©ristiques de l' invention apparaÃ®tront Ã l'examen de la description dÃ©taillÃ©e de modes de rÃ©alisation, nullement limitatifs, et de dessins annexÃ©s sur lesquels : - la figure 1, prÃ©cÃ©demment dÃ©crite, illustre un exemple d'un 10 appareil de communication selon l'Ã©tat de la technique ; et - les figures 2 Ã 4 illustrent diffÃ©rents modes de rÃ©alisation de l' invention. On se rÃ©fÃ¨re Ã la figure 2 qui reprÃ©sente un exemple de mode de rÃ©alisation d'un appareil de communication APP. 15 L'appareil de communication APP comprend une chaÃ®ne d'Ã©mission Tx et une chaÃ®ne de rÃ©ception Rxl raccordÃ©es Ã l'antenne ANT et une unitÃ© de traitement en bande de base 5, notamment un processeur de bande de base. La chaÃ®ne d'Ã©mission Tx comprend un dispositif amplificateur 20 de puissance 3 (Â« Power Amplifier, PA Â» en anglais) dont une sortie est reliÃ©e Ã l'antenne ANT par l'intermÃ©diaire d'un transistor Ti. Le noeud commun entre le dispositif amplificateur 3 et le transistor Ti est reliÃ© Ã la masse GND par l'intermÃ©diaire d'un transistor T2. L'entrÃ©e du dispositif amplificateur 3 est reliÃ©e Ã d'autres Ã©lÃ©ments classiques 25 et connus de la chaÃ®ne d'Ã©mission (non reprÃ©sentÃ©s ici Ã des fins de simplification de la figure). La chaÃ®ne de rÃ©ception Rxl comprend un dispositif amplificateur faible bruit 6 comportant au moins un transistor d'amplification T. Elle ne comporte plus de moyens de commutation 30 T3 et T4 Ã l'extÃ©rieur du dispositif amplificateur. Le dispositif amplificateur Ã faible bruit 6 comprend une entrÃ©e BE reliÃ©e Ã l'antenne ANT, une entrÃ©e de commande Ec et une sortie BS reliÃ©e Ã d'autres Ã©lÃ©ments classiques et connus de la chaÃ®ne de rÃ©ception (non reprÃ©sentÃ©s ici Ã des fins de simplification de la 3066059 6 figure). Il comprend une premiÃ¨re borne d'alimentation B1 destinÃ©e Ã Ãªtre raccordÃ©e Ã une premiÃ¨re tension d'alimentation, notamment une tension continue Vcc, et une seconde borne d'alimentation B2 destinÃ©e Ã Ãªtre raccordÃ©e Ã une seconde tension d'alimentation, notamment la 5 masse GND. L'entrÃ©e de commande Ec du dispositif amplificateur 6 est couplÃ©e Ã des moyens de commande MC incorporÃ©s dans l'unitÃ© de traitement en bande de base 5. Les moyens de commande MC gÃ©nÃ¨rent un signal de commande SC. 10 En variante, le dispositif amplificateur Ã faible bruit 6 comprend en outre une ou plusieurs bornes d'alimentation destinÃ©es Ã Ãªtre raccordÃ©es Ã une tension d'alimentation, notamment une tension continue de polarisation du transistor d'amplification T. On se rÃ©fÃ¨re Ã la figure 3 qui montre un exemple d'un mode de 15 rÃ©alisation d'un dispositif amplificateur 6. Dans ce mode rÃ©alisation, le dispositif amplificateur 6 est agencÃ© selon un montage source commune avec un Ã©lÃ©ment inductif de dÃ©gÃ©nÃ©rescence L2. Le dispositif amplificateur 6 comprend un moyen 20 d'amplification comprenant le transistor d'amplification T, un premier module de commutation commandable 7 et un deuxiÃ¨me module de commutation commandable 8, un Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R1 et un Ã©lÃ©ment inductif d'adaptation d'impÃ©dance Li et un Ã©lÃ©ment inductif de dÃ©gÃ©nÃ©rescence L2. 25 L'Ã©lÃ©ment inductif Li d'adaptation d'impÃ©dance et l'Ã©lÃ©ment inductif L2 de dÃ©gÃ©nÃ©rescence permettent d'adapter l'impÃ©dance d'entrÃ©e BE du dispositif amplificateur 6 pour optimiser le transfert de puissance entre des Ã©lÃ©ments reliÃ©s Ã l'entrÃ©e BE et le transistor T. L'Ã©lÃ©ment inductif de dÃ©gÃ©nÃ©rescence L2 amÃ©liore les 30 performances dynamiques du transistor d'amplification T. L'adaptation d'impÃ©dance d'entrÃ©e BE du dispositif amplificateur 6 peut se faire diffÃ©remment, par exemple par l'intermÃ©diaire d'un coupleur ou d'un transformateur radiofrÃ©quence 3066059 7 symÃ©trique-dissymÃ©trique (Â« balun Â», Â« en anglais Â« BalancedUnbalanced). Les modules de commutation commandables 7 et 8 comprennent chacun une pluralitÃ© de transistors Tc dont les Ã©lectrodes 5 de commande sont connectÃ©es Ã un ou plusieurs arbres de distribution comprenant des rÃ©sistances, des inductances ou d'autres dispositifs aptes Ã commander les transistors Tc. Les arbres de distribution sont reliÃ©s Ã l'entrÃ©e Ec du dispositif amplificateur 6. On pourra prÃ©voir de commander les modules de commutation 10 commandables 7 et 8 indÃ©pendamment l'un de l'autre. Dans ce cas le dispositif amplificateur 6 comprend plusieurs entrÃ©es de commande. Selon un mode de rÃ©alisation, les transistors T et Tc sont des transistors NMOS. La grille du transistor d'amplification T est reliÃ©e Ã l'entrÃ©e BE 15 du dispositif amplificateur 6 par l'intermÃ©diaire de l'Ã©lÃ©ment inductif Li. La source du transistor T est reliÃ©e Ã une premiÃ¨re borne de l'Ã©lÃ©ment inductif L2 par l'intermÃ©diaire du premier module de commutation commandable 7. La seconde borne de l'Ã©lÃ©ment inductif L2 est reliÃ©e Ã la borne d'alimentation B2. 20 Le drain du transistor T est reliÃ© Ã la sortie BS du dispositif amplificateur 6 par l'intermÃ©diaire du second module de commutation commandable 8. L'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R1, est reliÃ© d'une part, Ã la borne d'alimentation Bi, et d'autre part, Ã la sortie BS. Les transistors Tc sont reliÃ©s dans les modules de commutation 25 commandables 7 et 8 de telle sorte que le drain d'un transistor Tc est reliÃ© Ã la source du transistor suivant. Le drain du transistor Tc situÃ© Ã l'extrÃ©mitÃ© du module 7 est reliÃ© Ã la source du transistor d'amplification T et la source du transistor Tc situÃ© Ã l'extrÃ©mitÃ© du module 7 est reliÃ©e Ã l'Ã©lÃ©ment inductif L2. 30 Le drain du transistor Tc situÃ© Ã l'extrÃ©mitÃ© du module 8 est reliÃ© Ã la sortie BS du dispositif amplificateur 6 et la source du transistor Tc situÃ© Ã l'extrÃ©mitÃ© du module 8 est reliÃ©e au drain du transistor d'amplification T. 3066059 8 En mode Ã©mission, c'est-Ã -dire lorsque le transistor Ti est passant et le transistor T2 est ouvert, l'antenne ANT reÃ§oit un signal Ã©mis par le dispositif amplificateur 3. Ce signal de puissance, par exemple d'approximativement 33dBm soit 2W sous une tension de 5 10V, est transmis Ã l'entrÃ©e BE du dispositif amplificateur 6. Les transistors Tc sont commandÃ©s par le signal de commande SC, de telle sorte que les transistors Tc des modules de commutations 7 et 8 soient ouverts, ce qui permet de rendre inactif le dispositif amplificateur 6. La grille du transistor T reÃ§oit le signal Ã©mis par le dispositif 10 amplificateur 3. Le nombre de transistors Tc incorporÃ©s dans chaque module de commutation 7 et 8 est dÃ©terminÃ© de telle sorte que en mode Ã©mission les tensions entre d'une part la grille et la source (VGS) du transistor T et, d'autre part, entre la source et le drain (VDS) du transistor T 15 sont infÃ©rieures Ã une valeur prÃ©dÃ©terminÃ©e qui n'endommage pas le transistor T. Par consÃ©quent le transistor T est traversÃ© par des excursions en tension trÃ¨s faibles qui ne sont pas susceptibles de l'endommager en mode Ã©mission d'un signal. 20 La valeur de la tension de polarisation Vcc est gÃ©nÃ©ralement dÃ©pendante de la technologie du transistor d'amplification T. On peut par exemple rÃ©aliser le transistor sur un substrat du type silicium sur isolant connu dans l'Ã©tat de la technique sous l'acronyme de langue anglaise Â« SOI Â» (Â«Silicom On Insulator, SOI Â» en anglais) dans une 25 technologie 130 nm. L'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R1 permet de dÃ©terminer le gain du dispositif amplificateur. En mode rÃ©ception, c'est-Ã -dire lorsque le transistor Ti est ouvert et le transistor T2 est passant, les transistors Tc sont commandÃ©s par le signal de commande SC de telle sorte que les 30 transistors Tc des modules de commutation 7 et 8 soient passants, ce qui permet de rendre actif le dispositif amplificateur 6. Le transistor T est reliÃ© aux bornes B1 et B2. Il amplifie le signal reÃ§u sur sa grille. Le signal amplifiÃ© est injectÃ© Ã la sortie S du dispositif amplificateur 6. 3066059 9 Avantageusement les transistors de commutation Tc sont de taille rÃ©duite. Ils sont reliÃ©s Ã la source et au drain du transistor d'amplification T. La communication Ã©tant effectuÃ©e aprÃ¨s le gain du transistor d'amplification T, la contribution en bruit des transistors de 5 commutation Tc sur la figure de bruit globale de la chaÃ®ne de rÃ©ception Rx est plus faible que celle des transistors T3 et T4 de l'art antÃ©rieur situÃ©s en dehors du dispositif amplificateur 4. La figure de bruit du dispositif amplificateur 6 est ainsi amÃ©liorÃ©e. 10 On se rÃ©fÃ¨re Ã la figure 4 qui montre un exemple d'un autre mode de rÃ©alisation d'un dispositif amplificateur 6. Dans ce mode rÃ©alisation, le dispositif amplificateur 6 est rÃ©alisÃ© selon un montage cascodÃ©. Les Ã©lÃ©ments identiques Ã ceux dÃ©crits dans le mode de 15 rÃ©alisation prÃ©cÃ©dent sont identifiÃ©s par les mÃªmes rÃ©fÃ©rences numÃ©riques. Sur cette figure on reconnaÃ®t les Ã©lÃ©ments inductifs Li et L2, le transistor d'amplification T et les modules de commutation commandables 7 et 8. Ces Ã©lÃ©ments sont agencÃ©s comme dÃ©crit prÃ©cÃ©demment. 20 Le dispositif amplificateur 6 comprend en outre un transistor T5 alimentÃ© sur sa grille par une tension continue Vbias et un Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R2. Cet Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R2 peut comprendre une impÃ©dance complexe, notamment un transformateur haute frÃ©quence appelÃ© aussi coupleur ou balun. 25 Le transistor T5 est ici un transistor NMOS. Le drain du transistor d'amplification T est reliÃ© Ã la source du transistor T5. Le drain du transistor T5 est reliÃ© d'une part Ã la sortie S du dispositif amplificateur 6 et, d'autre part, Ã une premiÃ¨re borne de l'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R2. La seconde borne de l'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R2 est 30 reliÃ©e Ã la borne d'alimentation Bi. La valeur de la tension Vbias est choisie supÃ©rieure Ã la tension de seuil du transistor T5, gÃ©nÃ©ralement de sorte Ã fixer la consommation en courant du transistor T5. Le transistor T5 est passant. 3066059 10 En mode Ã©mission, la valeur de la tension Vbias est choisie de sorte que le transistor T5 soit ouvert. Il renforce l'isolation Ã©lectrique du transistor T. LÃ encore la valeur de la tension de polarisation Vcc est 5 gÃ©nÃ©ralement dÃ©pendante de la technologie du transistor d'amplification T. L'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R2 permet de dÃ©terminer le gain du dispositif amplificateur 6. Avantageusement, le dispositif amplificateur selon un montage cascodÃ© prÃ©sente un compromis de gain, de bruit, de consommation et 10 d'isolation amÃ©liorÃ© par rapport aux dispositifs amplificateurs non cascodÃ©s. Les modes de rÃ©alisation de l'invention dÃ©crits ci-avant ont trait Ã un dispositif amplificateur Ã faible bruit comportant un seul Ã©tage amplificateur. L'invention n'est pas limitÃ©e Ã ces modes de 15 rÃ©alisation. Il serait aussi possible de prÃ©voir un dispositif amplificateur faible bruit comportant plusieurs Ã©tages d'amplification comprenant chacun un transistor d'amplification T et des moyens d'adaptation d'impÃ©dance et de polarisation du transistor d'amplification T correspondant. 20 REVENDICATIONS1. Appareil de communication comportant une chaÃ®ne d'Ã©mission (Tx) couplÃ©e Ã une antenne (ANT) par des premiers moyens de commutation commandables (Ti, T2), une chaÃ®ne de rÃ©ception (Rxl) comprenant un dispositif amplificateur (6), ayant une entrÃ©e (E) couplÃ©e Ã l'antenne et incorporant des deuxiÃ¨mes moyens de commutation commandables (7, 8) configurÃ©s pour rendre sÃ©lectivement inactif ou actif le dispositif amplificateur. 2. Appareil de communication selon la revendication 1, dans lequel le dispositif amplificateur (6) comprend une premiÃ¨re borne d'alimentation (B1) destinÃ©e Ã Ãªtre raccordÃ©e Ã une premiÃ¨re tension d'alimentation, une seconde borne d'alimentation (B2) destinÃ©e Ã Ãªtre raccordÃ©e Ã une seconde tension d'alimentation, au moins une entrÃ©e de commande (Ec) destinÃ©e Ã recevoir un signal de commande et au moins un transistor d'amplification (T) dont l'Ã©lectrode de commande est couplÃ©e Ã l'entrÃ©e du dispositif amplificateur, les deuxiÃ¨mes moyens de commutation Ã©tant couplÃ©s Ã l'entrÃ©e de commande et configurÃ©s pour sÃ©lectivement isoler ou non le transistor des deux bornes d'alimentation en rÃ©ponse au signal de commandes. 3. Appareil de communication selon la revendication 2, dans lequel les deuxiÃ¨mes moyens de commutation comprennent : - un premier module (7) de commutation commandable couplÃ© entre une premiÃ¨re Ã©lectrode de conduction du transistor d'amplification (T) et la seconde borne d'alimentation (B2), et - un second module (8) de commutation commandable couplÃ© entre une seconde Ã©lectrode de conduction du transistor d'amplification (T), la premiÃ¨re borne d'alimentation (B1) et une sortie du dispositif amplificateur (S). 4. Appareil de communication selon la revendication 3, dans lequel chaque module (7, 8) de commutation commandable comprend une pluralitÃ© de transistors (Tc) de commutation, les grilles de tous les transistors de commutation Ã©tant connectÃ©es Ã un ou plusieurs arbres de distribution couplÃ©s Ã l'entrÃ©e de commande (Ec). 3066059 12 5. Appareil de communication selon l'une quelconque des revendications 1 Ã 4, dans lequel le dispositif amplificateur (6) comprend au moins un Ã©tage amplificateur. 6. Dispositif d'amplification incorporÃ© dans un appareil de 5 communication selon l'une quelconque des revendications prÃ©cÃ©dentes.