FR 3066858 A1 20181130 FR 1754567 A 20170523 1 PROCEDE POUR MINIMISER UNE DISTORSION D'UN SIGNAL DANS UN CIRCUIT RADIOFREQUENCE DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé pour minimiser une distorsion harmonique et/ou une distorsion d'intermodulation d'un signal dans un circuit radiofréquence. ETAT DE LA TECHNIQUE Les circuits radiofréquence (RF) formés sur des substrats semi-conducteurs souffrent de la non-linéarité du matériau constituant lesdits substrats. Cette non-linéarité provoque des interactions entre le matériau du substrat et le signal transmis au sein du circuit radiofréquence, qui se traduisent par des distorsions harmoniques et/ou des distorsions d'intermodulation (IMD, acronyme du terme anglo- saxon « Intermodulation Distortion »). Pour des performances optimales du circuit radiofréquence, on cherche donc à maximiser la linéarité du substrat. A cet égard, les normes successives dans le domaine des télécommunications sont de plus en plus exigeantes. Dans les applications radiofréquence, il est connu d'utiliser des substrats de type silicium sur isolant (SOI) comprenant de sa surface vers sa base une couche mince électriquement conductrice, par exemple de silicium, une couche électriquement isolante et un substrat support de silicium de haute résistivité électrique. Dans le présent texte, on entend par « haute résistivité » une résistivité électrique supérieure à 500 Q.cm, de préférence supérieure à 1000 Q.cm voire davantage. La figure 1A illustre ainsi une vue en perspective d'un circuit radiofréquence formé sur un SOI dont le substrat support est un substrat 1 de silicium de haute résistivité électrique. Ledit substrat est recouvert d'une couche 2 électriquement isolante, par exemple en oxyde de silicium (SiO2). Des lignes métalliques L destinées à la conduction du signal sont formées sur la couche électriquement isolante 2. La couche mince semiconductrice du SOI située sur la couche électriquement isolante 2 a été retirée au moins localement pour le dépôt des lignes L et n'est donc pas visible sur la figure 1A, ni sur les figures 1B et 1C décrites ci-après. Cependant, la linéarité de tels substrats reste trop limitée pour certaines applications. Par ailleurs, des substrats SOI avec une couche de piégeage de charges située sous la couche électriquement isolante ont été développés. Ces substrats sont 3066858 2 usuellement désignés dans le domaine des applications radiofréquence par le terme « trap rich ». La figure 1B illustre ainsi une vue en perspective d'un circuit radiofréquence comprenant successivement un substrat 1 de silicium de haute résistivité électrique, une 5 couche 3 de silicium polycristallin, une couche 2 électriquement isolante, par exemple en oxyde de silicium, et des lignes métalliques L destinées à la conduction du signal. La couche 3 de silicium polycristallin remplit la fonction de piégeage de charges grâce à la présence de joints de grains au niveau desquels des charges électriques présentes sous la couche électriquement isolante peuvent être piégées. 10 La figure 1C illustre une vue en perspective d'un circuit radiofréquence de structure dite « double BOX » (ou « double buried oxide » selon la terminologie anglo-saxonne), c'est-à-dire comprenant successivement un substrat 1 de silicium de haute résistivité électrique, une première couche 2a électriquement isolante (par exemple en oxyde de silicium), une couche 3 de silicium polycristallin, une deuxième couche 2b électriquement 15 isolante (par exemple en oxyde de silicium), et des lignes métalliques L destinées à la conduction du signal. Bien que les substrats de type « trap rich » donnent de bons résultats dans les applications radiofréquences, l'augmentation des exigences en termes de performances des circuits rend nécessaire la mise au point de moyens supplémentaires pour minimiser 20 la génération d'harmoniques parasites. EXPOSE DE L'INVENTION Un but de l'invention est donc de concevoir un procédé de contrôle d'un circuit radiofréquence permettant de réduire des distorsions harmoniques et/ou des distorsions 25 d'intermodulation dues à la non-linéarité du substrat sur lequel est formé ledit circuit. A cet effet, l'invention propose un procédé pour minimiser une distorsion harmonique et/ou une distorsion d'intermodulation d'un signal radiofréquence se propageant dans un circuit radiofréquence formé sur un substrat semi-conducteur recouvert d'une couche électriquement isolante, dans lequel une courbe représentant 30 ladite distorsion en fonction d'une puissance du signal d'entrée ou de sortie présente un creux autour d'une puissance déterminée, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend l'application, entre le circuit radiofréquence et le substrat semi-conducteur, d'une différence de potentiel électrique choisie de sorte à déplacer ledit creux vers une puissance de fonctionnement déterminée du circuit radiofréquence. 35 De manière particulièrement avantageuse, ladite différence de potentiel électrique est choisie de sorte à respecter l'équation suivante : Vpk = IV GB VFBI, où Vpk est la tension crête du signal radiofréquence et VFB est la tension de bande plate de la structure métal (des lignes conductrices du circuit radiofréquence) - isolant - semi-conducteur. 3066858 3 Selon un mode de réalisation, le substrat semi-conducteur présente une résistivité électrique supérieure à 500 Q.cm. Selon une forme d'exécution, une couche de silicium polycristallin est agencée entre le substrat semi-conducteur et la couche électriquement isolante. 5 Eventuellement, une couche électriquement isolante additionnelle peut être agencée entre le substrat semi-conducteur et la couche de silicium polycristallin. Selon un mode de réalisation, le substrat semi-conducteur est en silicium. Selon une forme d'exécution de l'invention, le procédé comprend l'ajustement de la différence de potentiel électrique appliquée entre le substrat semi-conducteur et le circuit 10 radiofréquence en fonction de la puissance de fonctionnement du circuit radiofréquence. De manière avantageuse, le procédé peut comprendre en outre une mesure de la température du circuit radiofréquence, et l'ajustement de la différence de potentiel électrique appliquée entre le substrat semi-conducteur et le circuit radiofréquence en fonction de la température mesurée. 15 La courbe représentant la distorsion du signal est typiquement une courbe du niveau de génération du deuxième ou du troisième harmonique du signal d'entrée ou du signal de sortie en fonction de la puissance du signal d'entrée ou de la composante fondamentale du signal de sortie. Un autre objet de l'invention concerne un dispositif radiofréquence dans lequel de 20 telles distorsions harmoniques et/ou d'intermodulation peuvent être minimisées. Ledit dispositif comprend : - un circuit radiofréquence formé sur un substrat semi-conducteur recouvert d'une couche électriquement isolante, - un contact connecté électriquement au substrat semi-conducteur, 25 - un moyen d'application d'une différence de potentiel entre ledit contact et le circuit radiofréquence, ledit dispositif étant caractérisé en ce que ledit moyen d'application est configuré pour appliquer ladite différence de potentiel choisie de sorte à déplacer un creux autour d'une puissance déterminée dans une courbe représentant une distorsion harmonique 30 et/ou une distorsion d'intermodulation d'un signal radiofréquence se propageant dans ledit circuit en fonction d'une puissance du signal d'entrée ou de sortie vers une puissance de fonctionnement déterminée dudit circuit radiofréquence. Selon un mode de réalisation, ledit moyen d'application de la différence de potentiel comprend un générateur de tension et un module de contrôle de tension configuré pour 35 ajuster la tension dudit générateur en fonction de la puissance de fonctionnement du circuit radiofréquence. Selon un mode de réalisation, le substrat semi-conducteur présente une résistivité électrique supérieure à 500 Q.cm. 3066858 4 Selon une forme d'exécution, une couche de silicium polycristallin est agencée entre le substrat semi-conducteur et la couche électriquement isolante. Eventuellement, une couche électriquement isolante additionnelle est agencée entre le substrat semi-conducteur et la couche de silicium polycristallin. 5 Selon un mode de réalisation, le substrat semi-conducteur est en silicium. Le dispositif peut comprendre en outre un capteur de température couplé au moyen d'application de la différence de potentiel, ledit moyen étant configuré pour ajuster ladite différence de potentiel en fonction de la température mesurée par ledit capteur. 10 DESCRIPTION DES FIGURES D'autres avantages et caractéristiques de l'invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre, en référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1A est une vue en perspective d'un circuit radiofréquence formé sur un substrat SOI de haute résistivité électrique ; 15 - la figure 1B est une vue en perspective d'un circuit radiofréquence formé sur un substrat SOI de type « trap rich » ; - la figure 1C est une vue en perspective d'un circuit radiofréquence formé sur un SOI « trap rich » de type « double BOX » ; - la figure 2 présente des courbes du niveau de génération du troisième 20 harmonique (en dBm) en fonction du niveau du premier harmonique du signal de sortie (en dBm), pour un substrat de silicium de résistivité standard, pour différentes différences de potentiel appliquées entre le substrat et le circuit radiofréquence; - la figure 3 présente des courbes du niveau de génération du deuxième harmonique (en dBm) en fonction du niveau du premier harmonique du signal d'entrée 25 (en dBm), pour un substrat SOI « trap rich » avec un substrat support de silicium de haute résistivité ; - la figure 4 présente différentes configurations de la tension à appliquer entre le substrat semi-conducteur et le circuit radiofréquence pour atteindre la tension de bande plate de la structure métal - isolant - semi-conducteur en fonction de la tension crête du 30 signal ; - la figure 5 présente le principe de l'optimisation des performances procurée par l'ajustement de la position du creux du niveau de génération du deuxième harmonique en fonction du niveau du premier harmonique ; - la figure 6 présente des courbes de niveau de génération du deuxième 35 harmonique (en dBm) en fonction du niveau du premier harmonique du signal de sortie (en dBm), pour un substrat SOI avec un substrat support de silicium de haute résistivité pour différentes différences de potentiel appliquées entre le substrat semi-conducteur et le circuit radiofréquence; 3066858 5 - les figures 7A et 7B présentent des courbes de niveau de génération du second harmonique en fonction du niveau du premier harmonique pour un substrat SOI « trap rich » présentant, sous la couche électriquement isolante, une couche de silicium polycristallin respectivement de 0,4 pm d'épaisseur et de 1,7 pm d'épaisseur, à des 5 températures de 60° et 90°C, - les figures 8A à 8C illustrent des modes de réalisation de l'invention appliqués respectivement à un substrat SOI avec un substrat support de silicium de haute résistivité, un substrat SOI « trap rich » et un substrat SOI « trap rich double BOX ». Pour des raisons de lisibilité des figures, les différentes couches constitutives des 10 substrats ne sont pas nécessairement représentées à l'échelle. DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION DE L'INVENTION L'invention repose sur l'observation, avec certains substrats semi-conducteurs recouverts d'une couche électriquement isolante, d'une chute localisée du niveau de 15 génération d'un harmonique ou du niveau d'intermodulation pour une certaine puissance du signal d'entrée. Par « niveau de génération d'un harmonique » on entend dans le présent texte la puissance d'un harmonique déterminé mesuré en sortie du circuit radiofréquence, exprimée en dBm. Cette puissance peut être exprimée pour une puissance de la 20 composante fondamentale du signal d'entrée (on emploiera alors la notation « in ») ou du signal de sortie (on emploiera alors la notation « out ».). Dans la suite de la description, on considérera souvent le niveau de génération du deuxième harmonique (noté HD2), mais l'invention peut également être mise en oeuvre en considérant le niveau d'un harmonique généré supérieur, par exemple le troisième 25 harmonique (noté HD3), voire un niveau d'intermodulation. D'une manière générale, ces niveaux sont représentatifs de la non-linéarité du substrat. Dans la suite de la description, on prendra généralement l'exemple d'un substrat de silicium de haute résistivité recouvert d'une couche d'oxyde de silicium, mais l'invention s'applique plus généralement à un substrat semi-conducteur recouvert d'une couche 30 électriquement isolante. En général, ces substrats semi-conducteurs appartiennent à des substrats SOI dont la couche mince semi-conductrice est au moins localement retirée pour le dépôt des lignes électriquement conductrices sur la couche électriquement isolante (la couche mince semi-conductrice pouvant être conservée dans d'autres régions du substrat afin de former des composants électroniques). De manière alternative, la 35 couche électriquement isolante pourrait être formée par oxydation d'un substrat semi- conducteur, de haute résistivité ou de résistivité standard, sans qu'un substrat SOI ne soit formé. 3066858 6 Une chute du niveau de génération du troisième harmonique est visible sur la figure 2, qui concerne un circuit radiofréquence formé sur un SOI comprenant un substrat de silicium présentant une résistivité électrique standard (inférieure à la haute résistivité susmentionnée, par exemple de l'ordre de 10 Q.cm), pour différentes différences de 5 potentiel VGB appliquées entre le substrat de silicium et le circuit radiofréquence. Une chute du niveau de génération du deuxième harmonique est également visible sur la figure 3, qui concerne un circuit radiofréquence formé sur un SOI comprenant un substrat de silicium présentant une haute résistivité électrique, pour une différence de potentiel VGB donnée appliquée entre le substrat de silicium de haute résistivité électrique 10 du substrat SOI « trap rich » et le circuit radiofréquence. Les figures 2 et 3 présentent le niveau de génération du troisième, respectivement du deuxième harmonique du signal de sortie, exprimé en dBm, en fonction du niveau du premier harmonique, c'est-à-dire la composante fondamentale, du signal d'entrée, également exprimé en dBm. 15 On rappelle que les puissances Pin et Pout en dBm sont simplement décalées d'un intervalle correspondant aux pertes de la ligne conductrice en dBm. Par exemple, si les pertes sont de 3 dBm sur l'ensemble de la ligne à la fréquence de la composante fondamentale, et que l'on observe un creux dans la courbe Pin vs. HD2 à +20 dBm de Pin, ce creux se trouvera dans la courbe Pout_H 1 vs. HD2 à +17 dBm de Pout H1. 20 On constate que ces courbes présentent un creux d'amplitude importante dans une gamme déterminée de la puissance Pin, cette gamme étant de largeur réduite et généralement située dans les valeurs élevées de puissance, autour d'une valeur notée PDip sur la figure 3. La présence de ce creux implique que, de manière surprenante, dans cette gamme 25 de puissance, le niveau de génération du troisième, respectivement du deuxième harmonique est sensiblement plus faible que si la courbe était restée sensiblement droite. Les inventeurs expliquent la position de ce creux à la puissance d'entrée correspondant à la situation où l'amplitude crête du signal radiofréquence, notée Vpk, atteint ou dépasse la tension de bande plate, notée VFB. Ce creux apparaît donc pour un 30 niveau de puissance en Watts PDip, associé à une amplitude de signal Vpkpip, et exprimé par les équations suivantes : 172 P-1, DIP PDip = 2 - ZREF Vpkdip = IVGB VFBI Donc : (VGB VFB)2 PDip = 2 - ZREF 3066858 7 où ZREF est l'impédance de référence du système (généralement 50 Ohms), VGB est la différence de potentiel électrique appliquée entre le circuit radiofréquence et le substrat semi-conducteur, et VFB est la tension de bande plate de la structure semi-conducteur - 5 isolant - métal. Cette tension caractérise un état du substrat semi-conducteur sous la couche électriquement isolante qui n'est ni en régime de désertion, ni en régime d'accumulation. Dans cet état, les niveaux de Fermi du métal, de l'isolant et du matériau semi-conducteur sont alignés. Ainsi, le creux peut être placé au niveau de puissance souhaité par l'application 10 d'une différence de potentiel VGB adéquate, de sorte que les équations ci-dessus soient respectées. Comme illustré sur les figures 4 (a) à (d), il existe différentes situations selon les positions des tensions Vpk et VFB. Dans tous les cas, il est possible de définir une différence de potentiel VGB qui 15 permette de respecter cette équation Vpkpip = IVGB VFBI ou tout au moins de s'en approcher. On notera qu'il peut exister le long de la ligne conductrice une atténuation exprimée en dB/mm. La perte en Vpk sur un substrat de haute résistivité le long d'une ligne de quelques millimètres peut ainsi être d'un facteur 2. 20 Dans un tel cas, on pourra, au lieu de considérer une valeur Vpk unique comme ci- dessus, distinguer les bornes Vpk_,r, et Vpk_out Vpk_in = \/2 ZREF Pin Vpk_out = \/2 ZREF Pout Notamment, lorsque l'on considère une courbe de HD2 de Pout en fonction de H1 de Pout, et que l'on localise le creux PDip à un certain point de puissance de sortie (H1 de Pout), la valeur de Vpk à considérer est Vpk_out. 25 On notera que dans le cas de la figure 3, le circuit radiofréquence est formé sur un substrat SOI de type « trap rich » de mauvaise qualité, c'est-à-dire pour lequel la couche de silicium polycristallin a partiellement recristallisé. On attribue le phénomène de creux au fait que le comportement du substrat est alors similaire à celui d'un substrat de silicium de haute résistivité. 30 Les inventeurs ont donc mis à profit le phénomène susmentionné pour minimiser les distorsions harmoniques et/ou les distorsions d'intermodulation, pouvant concevoir et/ou adapter la position du creux à la puissance de travail désirée, afin de minimiser les termes de distorsion ou d'intermodulation générés. Ainsi, comme on le voit sur la figure 5, si l'on compare la droite A qui correspond à 35 un premier substrat ne présentant pas le creux susmentionné et la courbe B d'un second substrat présentant le creux, on observe que, pour une puissance donnée du signal 3066858 8 d'entrée, le niveau de génération du deuxième harmonique atteint un plafond qui est inférieur à la valeur atteinte avec la première courbe. Dans l'exemple illustré, pour une puissance P,' du signal d'entrée correspondant à 20 dBm, le niveau de génération du deuxième harmonique est de -80 dBm pour le 5 premier substrat, et au maximum de -95 dBm pour le second substrat. Ainsi, on gagne environ 15 dBm avec le second substrat si le niveau du premier harmonique du signal d'entrée est dans la gamme correspondant au creux. L'ajustement de la différence de potentiel VGB permet de déplacer le creux de la courbe de distorsion dans une gamme qui correspond à la puissance du signal d'entrée. 10 La figure 6 présente des courbes du niveau de génération du deuxième harmonique (en dBm) en fonction du niveau du premier harmonique du signal de sortie (en dBm), pour différentes différences de potentiel VGB appliquées. Comme on peut le voir sur cette figure, une variation de VGB permet de déplacer significativement le creux. 15 Selon un mode de réalisation, la différence de potentiel VGB est fixe. Selon un autre mode de réalisation, la différence de potentiel VGB est ajustée de manière dynamique, au cours du fonctionnement du circuit radiofréquence, afin de faire en sorte que le creux de la courbe de distorsion corresponde toujours à une puissance de fonctionnement déterminée du circuit radiofréquence ; ladite puissance peut être 20 notamment la puissance maximale du signal d'entrée, ou une autre valeur de puissance choisie par l'homme du métier. A cet effet, le dispositif radiofréquence comprend une boucle d'asservissement de la différence de potentiel VGB sur la puissance Pin du signal d'entrée. On notera que la conception du substrat semi-conducteur et de la couche 25 électriquement isolante peut permettre d'ajuster la tension de bande plate VFB. Ainsi, par exemple, la tension VFB peut être modifiée par la modification de la quantité de charges électriques dans la couche électriquement isolante. La tension VFB peut également être modifiée par un dopage du substrat semi-conducteur, mais cette solution est moins préférée notamment dans le cas d'un substrat de haute résistivité compte tenu du fait que 30 les dopants peuvent conduire à diminuer la résistivité électrique du substrat semi- conducteur et par conséquent à amplifier son caractère non linéaire. Par ailleurs, des mesures ont mis en évidence l'effet de la température du circuit radiofréquence sur l'apparition du creux dans la courbe de distorsion. Les figures 7A et 7B présentent ainsi des courbes de niveau de génération du 35 second harmonique en fonction du niveau du premier harmonique pour un substrat SOI « trap rich » présentant, sous la couche électriquement isolante, une couche de silicium polycristallin de 0,4 pm d'épaisseur (figure 7A) et de 1,7 pm d'épaisseur (figure 7B), à des températures de 60° et 90°C. 3066858 9 Les courbes sont sensiblement linéaires pour une température de 60°C. Pour une température de 90°C, on observe un creux dans la courbe de la figure 7A, tandis que celle de la figure 7B reste sensiblement linéaire. La figure 7A met donc en évidence un effet de la température sur l'apparition d'un 5 creux dans le niveau de génération du second harmonique. Cet effet semble s'expliquer par le fait que la température génère des porteurs de charge, qui vont remplir les pièges correspondant aux joints de grains du silicium polycristallin dont l'épaisseur est faible. Il en résulte que, pour une forte puissance Pin, le substrat SOI « trap rich » se comporte comme un substrat de haute résistivité et devient donc sensible au phénomène de bande 10 plate. La définition de la différence de potentiel VGB pourra donc avantageusement être effectuée à la température de fonctionnement prévue pour le circuit radiofréquence. On pourra également mettre à profit cette observation pour contrôler le déplacement du creux en fonction de la température. 15 Ainsi, grâce à un capteur de température permettant de capter la température du circuit radiofréquence ou de son environnement immédiat, on pourra prendre en compte la température mesurée pour asservir la différence de potentiel VGB, afin d'assurer que le creux est en permanence dans la gamme de puissance de fonctionnement du circuit radiofréquence (par exemple la puissance maximale du signal). 20 Un tel capteur de température pourra par exemple être du type de celui décrit dans l'article de Deng F, He Y, Li B, et al. Design of an Embedded CMOS Temperature Sensor for Passive RFID Tag Chips. Passaro VMN, ed. Sensors (Basel, Switzerland). 2015; 15(5): 11442-11453. doi:10.3390/s150511442. En pratique, l'invention peut être mise en oeuvre de la manière suivante. 25 De manière connue en elle-même, le circuit radiofréquence est conçu, ce qui implique également la conception du substrat semi-conducteur et de la couche électriquement isolante sur laquelle il est formé. De cette conception, on peut déduire la tension de bande plate de la structure métal - isolant - semi-conducteur. 30 Le cas échéant, on peut choisir de modifier la tension de bande plate, ce qui implique par exemple de modifier la quantité de charges dans la couche électriquement isolante. Par ailleurs, connaissant la puissance Pin visée et la tension crête Vpk associée, il est possible de déduire de l'équation Vpk = I VGB - VFB I la valeur de la différence de 35 potentiel VGB à appliquer entre le circuit radiofréquence et le substrat semi-conducteur. Cette différence de potentiel peut être appliquée de différentes manières. D'une manière générale, elle nécessite un générateur de tension, avantageusement couplé à un module de contrôle de la tension configuré pour ajuster la tension dudit générateur en 3066858 10 fonction de la puissance de fonctionnement du circuit radiofréquence. Ledit générateur de tension est distinct du dispositif permettant d'alimenter le circuit radiofréquence. Un contact doit par ailleurs être connecté électriquement au substrat semi-conducteur, afin d'appliquer audit substrat un potentiel de référence. 5 La figure 8A concerne un SOI comprenant un substrat de silicium de haute résistivité, comme sur la figure 1A dont elle reprend les signes de référence. Dans ce cas, une couche 4 de grille arrière, réalisée en un matériau électriquement conducteur, située sur la face arrière du substrat 1 (i.e. du côté opposé à la couche diélectrique 2) est mise à la masse de même que les deux lignes conductrices latérales. La ligne conductrice 10 centrale est quant à elle mise au potentiel VGB. De manière alternative, la ligne conductrice centrale pourrait être mise à la masse et les autres électrodes (lignes conductrices latérales et couche de grille arrière) au potentiel -VGB. La figure 8B concerne un SOI « trap rich » comprenant une couche de silicium polycristallin sous la couche électriquement isolante, comme sur la figure 1B dont elle 15 reprend les signes de référence. Dans ce cas, une couche 4 de grille arrière électriquement conductrice située sur la face arrière du substrat 1 (i.e. du côté opposé à la couche diélectrique 2) est mise à la masse de même que les deux lignes conductrices latérales. La ligne conductrice centrale est quant à elle mise au potentiel VGB. De manière alternative, la ligne conductrice centrale pourrait être mise à la masse et les autres 20 électrodes (lignes conductrices latérales et couche de grille arrière) au potentiel -VGB. La figure 8C concerne un SOI « trap rich double BOX » comprenant une couche de silicium polycristallin entre deux couches électriquement isolantes, comme sur la figure 1CA dont elle reprend les signes de référence. Dans ce cas, une couche 4 de grille arrière électriquement conductrice située sur la face arrière du substrat 1 (i.e. du côté opposé à 25 la couche diélectrique 2b) est mise à la masse de même que les deux lignes conductrices latérales. La ligne conductrice centrale est quant à elle mise au potentiel VGB. De manière alternative, la ligne conductrice centrale pourrait être mise à la masse et les autres électrodes (lignes conductrices latérales et couche de grille arrière) au potentiel -VGB. 30 On notera qu'il n'est pas indispensable de prévoir une couche de grille arrière sur la face arrière du substrat semi-conducteur pour permettre l'application de la différence de potentiel VGB. Un potentiel de référence peut être fixé dans le substrat semi-conducteur par tout autre moyen connu de l'homme du métier, tel qu'un via s'étendant à partir de la face avant au travers de la couche électriquement isolante jusque dans le substrat semi- 35 conducteur. 3066858 11 REFERENCES Deng F, He Y, Li B, et al. Design of an Embedded CMOS Temperature Sensor for Passive RFID Tag Chips. Passaro VMN, ed. Sensors (Basel, Switzerland). 2015;15(5):11442-11453. doi:10.3390/s150511442 5 REVENDICATIONS1. Procédé pour minimiser une distorsion harmonique et/ou une distorsion d'intermodulation d'un signal radiofréquence se propageant dans un circuit radiofréquence (L) formé sur un substrat semi-conducteur (1) recouvert d'une couche électriquement isolante (2, 2b), dans lequel une courbe représentant ladite distorsion en fonction d'une puissance du signal d'entrée ou de sortie présente un creux autour d'une puissance déterminée (Pop), ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend l'application, entre le circuit radiofréquence (L) et le substrat semi-conducteur (1), d'une différence de potentiel électrique (VGB) choisie de sorte à déplacer ledit creux vers une puissance de fonctionnement déterminée du circuit radiofréquence. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite différence de potentiel électrique (VGB) est choisie de sorte à respecter l'équation suivante : Vpk = IV GB VFBI, où Vpk est la tension crête du signal radiofréquence et VFB est la tension de bande plate. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel le substrat semi- conducteur (1) présente une résistivité électrique supérieure à 500 Q.cm. 20 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel une couche (3) de silicium polycristallin est agencée entre le substrat semi-conducteur (1) et la couche électriquement isolante (2, 2b). 25 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel une couche électriquement isolante additionnelle (2a) est agencée entre le substrat semi-conducteur (1) et la couche (3) de silicium polycristallin. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel le substrat semi- 30 conducteur (1) est en silicium. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, comprenant l'ajustement de la différence de potentiel électrique (VGB) appliquée entre le substrat semi-conducteur (1) et le circuit radiofréquence en fonction de la puissance de fonctionnement du circuit 35 radiofréquence. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, comprenant en outre une mesure de la température du circuit radiofréquence, et l'ajustement de la différence de 3066858 13 potentiel électrique (VGB) appliquée entre le substrat semi-conducteur (1) et le circuit radiofréquence en fonction de la température mesurée. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la courbe 5 représentant la distorsion du signal est une courbe du niveau de génération du deuxième ou du troisième harmonique du signal d'entrée ou du signal de sortie en fonction de la puissance du signal d'entrée ou de la composante fondamentale du signal de sortie. 10. Dispositif radiofréquence comprenant : 10 - un circuit radiofréquence (L) formé sur un substrat semi-conducteur (1) recouvert d'une couche électriquement isolante (2, 2b), - un contact (4) connecté électriquement au substrat semi-conducteur (1), - un moyen d'application d'une différence de potentiel (VGB) entre ledit contact et le circuit radiofréquence, 15 caractérisé en ce que ledit moyen d'application est configuré pour appliquer ladite différence de potentiel (VGB) choisie de sorte à déplacer un creux autour d'une puissance déterminée (PD,p) dans une courbe représentant une distorsion harmonique et/ou une distorsion d'intermodulation d'un signal radiofréquence se propageant dans ledit circuit en fonction d'une puissance du signal d'entrée ou de sortie vers une puissance de fonctionnement déterminée dudit circuit radiofréquence. 11. Dispositif selon la revendication 10, dans lequel ledit moyen d'application de la différence de potentiel (VGB) comprend un générateur de tension et un module de contrôle de tension configuré pour ajuster la tension dudit générateur en fonction de la puissance de fonctionnement du circuit radiofréquence. 12. Dispositif selon l'une des revendications 10 ou 11, dans lequel le substrat semi-conducteur présente une résistivité électrique supérieure à 500 Q.cm. 13. Dispositif selon la revendication 12, dans lequel une couche (3) de silicium polycristallin est agencée entre le substrat semi-conducteur (1) et la couche électriquement isolante (2, 2b). 14. Dispositif selon la revendication 13, dans lequel une couche électriquement isolante additionnelle (2a) est agencée entre le substrat semi-conducteur (1) et la couche (3) de silicium polycristallin. 3066858 14 15. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 14, dans lequel le substrat semiconducteur (1) est en silicium. 16. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 15, comprenant en outre un 5 capteur de température couplé au moyen d'application de la différence de potentiel (VGB), ledit moyen étant configuré pour ajuster ladite différence de potentiel en fonction de la température mesurée par ledit capteur.