FR 3062517 A1 20180803 FR 1750870 A 20170202 1 STRUCTURE POUR APPLICATION RADIOFREQUENCE DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne les structures pour applications radiofréquences. Elle concerne notamment une structure de type silicium sur isolant comprenant une couche de piégeage et une électrode enterrée. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION Les dispositifs intégrés sont usuellement élaborés sur 15 des substrats en forme de plaquettes, qui servent principalement de support à leur fabrication. L'accroissement du degré d'intégration et des performances attendues de ces dispositifs entraine un couplage de plus en plus important entre leurs performances et les caractéristiques du substrat 20 sur lequel ils sont formés. C'est particulièrement le cas des dispositifs radiofréquence (RF), traitant des signaux dont la fréquence est comprise entre environ 3kHz et 300GHz, qui trouvent notamment leur application dans le domaine des télécommunications (téléphonie cellulaire, Wi-Fi, Bluetooth."). 25 A titre d'exemple de couplage dispositif/substrat, les champs électromagnétiques, issus des signaux hautes fréquences se propageant dans les dispositifs, pénètrent dans la profondeur du substrat et interagissent avec les éventuels porteurs de charge qui s'y trouvent. Il s'en suit des 30 problèmes de distorsion non linéaire du signal (harmoniques), une consommation inutile d'une partie de l'énergie du signal par perte d'insertion et des influences possibles entre composants. Parmi les substrats adaptés à l'élaboration de 35 dispositifs RF, on connaît les substrats à base de silicium haute résistivité comprenant un substrat support, une couche de piégeage disposée sur le substrat support, une couche 10 3062517 2 diélectrique disposée sur la couche de piégeage, et une couche de semi-conducteur disposée sur la couche diélectrique. Le substrat support présente habituellement une résistivité de piégeage peut comprendre dopé. La combinaison d'un et d'une couche de piégeage supérieure à 1 kOhm.cm. La couche 5 du silicium poly-cristallin non substrat support haute résistivité selon l'état de l'art permet dispositif/substrat cité précédemment, bonnes performances de réduire le couplage et ainsi d'assurer de des dispositifs RF. A cet égard, l'homme du métier trouvera une revue des performances des dispositifs RF fabriqués sur le substrat semi-conducteur haute résistivité connu de l'état de la technique dans « Silicon-on-insulator (SOI) Technology, manufacture and applications », points 10.7 et 10.8, Oleg Kononchuk et Bich-Yen Nguyen, chez Woodhead 15 Publishing. Par ailleurs, pour la réalisation de dispositifs RF tels que par exemple des commutateurs d'antenne, contenus notamment dans les téléphones portables, il est habituel de 20 connecter en série une pluralité de transistors (par exemple transistors à effet de champ « FET » : pour « field effect transistor » selon la terminologie anglo-saxonne) pour tenir la tension maximale s'appliquant aux bornes du commutateur, celle-ci étant plus élevée que la tension de claquage de 25 chaque transistor individuel. Mais la mise en série de plusieurs transistors présente l'inconvénient d'augmenter la résistance série du dispositif RF, ce qui peut notamment dégrader les performances de linéarité du dispositif RF. 30 OBJET DE L'INVENTION La présente invention vise à pallier tout ou partie des inconvénients précités. Un objet de l'invention est notamment 35 de proposer une structure pour application radiofréquence permettant l'élaboration de dispositifs RF avec des performances améliorées. 3062517 3 BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION La présente invention concerne une structure pour application radiofréquence comprenant : 5 - Un substrat support à haute résistivité dont une face avant définit un plan principal, - Une couche de piégeage de charges disposée sur la face avant du substrat support, - Une première couche diélectrique disposée sur la couche 10 de piégeage, - Une couche active disposée sur la première couche diélectrique, La structure est remarquable en ce qu'elle comprend au moins une électrode enterrée disposée au-dessus ou dans la 15 couche de piégeage, l'électrode comprenant une couche conductrice et une deuxième couche diélectrique. Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention, prises seules ou selon toute 20 combinaison techniquement réalisable : - la couche conductrice présente deux faces selon le plan principal, une face est en contact avec la première couche diélectrique et une autre face est en contact avec la deuxième couche diélectrique ; 25 - l'électrode comprend une pluralité de parois isolantes s'étendant entre la première et la deuxième couche diélectrique et segmentant la couche conductrice en une pluralité de pavés conducteurs, lesdits pavés étant isolés les uns des autres par les parois isolantes ; 30 - l'électrode est disposée entre la couche active et la première couche diélectrique, la deuxième couche diélectrique étant en contact avec la couche active, selon le plan principal ; 3062517 4 - l'électrode est disposée entre la première couche diélectrique et la couche de piégeage de charges, la deuxième couche diélectrique étant en contact avec la couche de piégeage, selon le plan principal ; 5 - l'électrode enterrée est discontinue dans le plan principal et une pluralité de zones de piégeage de charges s'étendent entre la première couche diélectrique et la couche de piégeage de charges, les zones de piégeage étant isolées des pavés conducteurs par les 10 parois isolantes ; - la structure comprend une troisième couche diélectrique, entre la couche de piégeage de charges et la face avant du substrat support ; - l'électrode est disposée dans la couche de piégeage de charges, la deuxième couche diélectrique étant en contact avec la face avant du substrat support selon le plan principal, et dans laquelle l'électrode comprend une pluralité de parois isolantes s'étendant entre la première et la deuxième couche diélectrique et définissant une pluralité de pavés conducteurs de la couche conductrice, chaque pavé conducteur étant isolé d'au moins une zone de piégeage formant la couche de piégeage, par les parois isolantes ; - au moins un pavé conducteur est connecté électriquement à un plot de contact disposé sur une face libre de la couche active, par un via conducteur traversant une partie de la structure pour aller du pavé conducteur au plot de contact ; - la structure comprend en outre un dispositif dans et/ou sur la couche active, comportant au moins un transistor dont une électrode de grille disposée sur la face libre de la couche active est en vis-à-vis avec au moins un pavé conducteur de l'électrode enterrée ; 3062517 5 - la deuxième couche diélectrique présente une épaisseur comprise entre 5nm et 100nm ; - la couche conductrice comprend un matériau choisi parmi le silicium monocristallin, le silicium polycristallin, 5 le silicium amorphe ; - la couche conductrice présente une résistivité comprise entre quelques ohms.cm et quelques milliers d'ohms.cm ; - la couche conductrice présente une épaisseur comprise entre 50nm et 500nm ; 10 - la couche conductrice est formée par un matériau compatible avec des traitements à hautes températures. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS 15 D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : 20 les figures la et lb présentent des structures selon un premier mode de réalisation de l'invention ; les figures 2a et 2b présentent des structures selon un deuxième mode de réalisation de l'invention ; la figure 3 présente une structure selon un troisième 25 mode de réalisation de l'invention ; la figure 4 présente des structures selon un quatrième mode de réalisation de l'invention ; les figures 5a et 5b présentent des structures conformes à l'invention. 30 3062517 6 DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Dans la partie descriptive, les mêmes références sur les figures pourront être utilisées pour des éléments de même 5 nature. Les figures sont des représentations schématiques qui, dans un objectif de lisibilité, ne sont pas à l'échelle. En particulier, les épaisseurs des couches selon l'axe z ne sont pas à l'échelle par rapport aux dimensions latérales selon les 10 axes x et y. L'invention concerne une structure 100 pour application radiofréquence comprenant un substrat support 1 à haute résistivité. Par haute résistivité, on entend une résistivité 15 supérieure à 1000 ohm.cm ; elle est avantageusement comprise entre 4 et 10 kohm.cm. Le substrat support 1 peut être constitué de matériaux utilisés habituellement dans l'industrie de la micro-électronique, de l'optique, de l'optoélectronique, du photovoltaïque. Notamment, le substrat 20 support 1 peut comprendre au moins un matériau sélectionné dans le groupe suivant : silicium, silicium germanium, carbure de silicium, etc. La face avant la du substrat support 1 définit un plan principal (x,y) comme illustré sur la figure la. 25 Avantageusement, le substrat support 1 présente une forme de plaquette circulaire, de diamètre 150, 200, 300, voire 450mm. La structure 100 comprend également une couche de piégeage de charges 2 disposée sur la face avant la du substrat support 1. Par disposée, on entend que la couche de 30 piégeage 2 peut être soit directement en contact avec la face avant la du substrat support 1, soit solidaire de celui-ci par l'intermédiaire d'une ou plusieurs couches intercalaires. Le terme « disposé » utilisé par la suite devra être interprété de manière similaire. 3062517 7 Avantageusement, la couche de piégeage 2 comprend un matériau de type silicium polycristallin, dont la densité de défauts est favorable au piégeage de charges électriques libres, aptes à se développer dans le substrat support 1. 5 Bien-sur, la couche de piégeage 2 pourra également comprendre d'autres types de matériaux aptes à assurer la fonction de piégeage et compatibles avec la structure 100 et son utilisation. La couche de piégeage 2 présente une épaisseur comprise entre quelques dizaines de nanomètres et quelques 10 microns, par exemple entre 50 nm et 3 microns. La structure 100 comprend en outre une première couche diélectrique 3 disposée sur la couche de piégeage 2. La première couche diélectrique 3 va constituer dans certains modes de réalisation selon l'invention, la couche isolante 15 enterrée de la structure 100, qui va en particulier isoler électriquement la couche active 4 du substrat support 1. Avantageusement, sans toutefois que cela soit limitatif, la première couche diélectrique 3 comprendra au moins l'un des matériaux parmi : dioxyde de silicium, nitrure de silicium, 20 oxyde d'aluminium... Son épaisseur peut par exemple varier entre lOnm et 3p,m. La structure 100 comprend également une couche active 4 disposée sur la première couche diélectrique 3. La couche active 4 correspond à la couche dans et/ou sur laquelle des 25 composants RF pourront être élaborés. Elle comporte une face libre ou face avant 4a et une face arrière 4b solidaire des couches sous jacentes. La couche active 4 pourra avantageusement être constituée de matériaux semi-conducteurs et/ou de matériaux piézoélectriques. Avantageusement, sans 30 toutefois que cela soit limitatif, la couche active 4 comprend au moins l'un des matériaux parmi : silicium, carbure de silicium, silicium germanium, niobate de lithium, tantalate de lithium, quartz, nitrure d'aluminium... La couche active 4 peut présenter une épaisseur allant de quelques nanomètres (par 3062517 8 exemple l0nm) à quelques microns, voire quelques dizaines de microns (par exemple 50p,m), selon les composants à fabriquer. Enfin, la structure 100 selon l'invention comprend au 5 moins une électrode enterrée 10 disposée au-dessus ou dans la couche de piégeage 2 : la figure la illustre un mode de réalisation dans lequel l'électrode enterrée 10 est située au-dessus de la couche de piégeage 2 ; en particulier, elle est située juste en-dessous de la couche active 4. 10 L'électrode enterrée 10 comprend une couche conductrice électrique 11 et une couche diélectrique 13 (appelée par la suite deuxième couche diélectrique 13). L'électrode enterrée 10 est destinée à être polarisée par l'application d'une tension à la couche conductrice 11, et à générer un effet sur 15 les porteurs électriques de la couche active 4. Préférentiellement, sans toutefois que cela soit limitatif, la couche conductrice 11 comprend un matériau choisi parmi le silicium monocristallin, le silicium polycristallin, le silicium amorphe, ... ou autres matériaux 20 habituellement utilisés pour la fabrication des électrodes de grille ou des résistances en microélectronique. Le matériau formant la couche conductrice 11 présente avantageusement une résistivité allant de quelques ohms.cm à quelques milliers d'ohms.cm. Il sera préférentiellement choisi pour être 25 compatible avec des traitements à hautes températures, la structure 100 étant susceptible d'être soumise à de tels traitements pour la fabrication des composants radiofréquences. La couche conductrice 11 présente une épaisseur typique comprise entre 50nm et 500nm. 30 Préférentiellement, la deuxième couche diélectrique 13 peut comprendre au moins l'un des matériaux parmi : dioxyde de silicium, nitrure de silicium, oxyde d'aluminium... Elle présente avantageusement une épaisseur comprise entre 5nm et 3062517 9 100nm. Néanmoins, son épaisseur pourra varier entre lnm et 3p,m, selon les modes de réalisation de l'invention. La couche conductrice 11 présente deux faces lla,llb 5 selon le plan principal (x,y) : dans l'exemple de la figure la, la première face lla est en contact avec la deuxième couche diélectrique 13 et la deuxième face llb est en contact avec la première couche diélectrique 3. 10 Avantageusement, l'électrode 10 comprend une pluralité de parois 14 isolantes électriquement, s'étendant entre la première couche diélectrique 3 et la deuxième couche diélectrique 13 (figures lb et 2b). Les dites parois isolantes 14 segmentent la couche conductrice 11 en une pluralité de 15 pavés conducteurs 12, isolés les uns des autres par lesdites parois isolantes 14. Selon l'invention, il sera ainsi possible d'appliquer une tension électrique à au moins un pavé conducteur 12 de l'électrode enterrée 10, qui est isolé électriquement des 20 autres couches de la structure 100, et notamment de la couche active 4 et du substrat support 1. Le pavé conducteur 12 est avantageusement situé au moins en vis-à-vis de la région active d'un transistor qui sera élaboré dans la couche active 4 : ledit transistor peut alors bénéficier d'une polarisation 25 au niveau de la face arrière 4b de la couche active 4, en plus de sa polarisation habituelle par une électrode de grille. L'utilisation d'une polarisation arrière (« back bias » selon la terminologie anglo-saxonne) permet d'augmenter la tension de claquage du transistor et ainsi limite le nombre de 30 transistors à mettre en série pour supporter la tension appliquée aux bornes du dispositif RF (commutateur par exemple). La résistance série du dispositif peut être réduite et sa linéarité est améliorée. 3062517 10 Selon un premier mode de réalisation, illustré sur les figures la et lb, l'électrode 10 est disposée entre la couche active 4 et la première couche diélectrique 3, la deuxième 5 couche diélectrique 13 étant en contact avec la couche active 4, selon le plan principal (x,y). Dans ce cas, la deuxième couche diélectrique 13 présente une épaisseur inférieure à 400nm, préférentiellement de l'ordre de 50 - 100 nm, de sorte que la tension appliquée à 10 la couche conductrice 11 de l'électrode enterrée 10 puisse avoir un effet sur les porteurs électriques de la couche active 4. La structure 100 présentée sur la figure la peut être 15 élaborée par différents procédés. Certaines variantes de fabrication sont décrites ci-après. La couche de piégeage de charges 2 est tout d'abord déposée sur le substrat support 1. A titre d'exemple, une 20 couche de silicium polycristallin constituant la couche de piégeage 2 pourra être déposée par une technique de dépôt chimique en phase vapeur ou en phase liquide ou encore par épitaxie sur un substrat support 1 en silicium. La couche de piégeage 2 a une épaisseur comprise dans la gamme énoncée 25 précédemment, par exemple de l'ordre de 2 microns. La couche active 4 est reportée sur le substrat support 1 comportant la couche de piégeage 2, par une des techniques de transfert de couches minces basés sur un collage par 30 adhésion moléculaire : en effet, un tel collage direct présente l'avantage d'une parfaite compatibilité avec des traitements à hautes températures. Parmi ces techniques de transfert de couches minces, on peut notamment citer : 3062517 11 - le procédé Smart CutTM, basé sur une implantation d'ions légers d'hydrogène et/ou d'hélium dans un substrat donneur (duquel est issue la couche active 4), et un assemblage par adhésion moléculaire de ce substrat donneur avec le substrat 5 support 1 ; une étape de détachement permet ensuite de séparer une couche mince superficielle du substrat donneur (la couche active 4), au niveau du plan de fragilisation défini par la profondeur d'implantation des ions. Des étapes de finition, pouvant inclure des traitements thermiques à 10 haute température, confèrent enfin la qualité cristalline et de surface requise à la couche active 4. Ce procédé est particulièrement adapté pour la fabrication de couches actives minces, d'épaisseur comprise entre quelques nanomètres et environ 1,5p,m par exemple pour les couches de 15 silicium - le procédé Smart Cut suivi d'une étape d'épitaxie, permettant notamment d'obtenir des couches actives plus épaisses, par exemple de quelques dizaines de nm à 20p,m. - les procédés de collage direct et d'amincissements 20 mécanique, chimique et/ou mécano-chimique ; ils consistent à assembler le substrat donneur (duquel est issue la couche active 4) par adhésion moléculaire avec le substrat support 1, puis à amincir le substrat donneur jusqu'à l'épaisseur souhaitée de couche active 4, par exemple par rodage 25 (« grinding » selon la terminologie anglo-saxonne) et par polissage (CMP pour « chemical mechanical polishing »). Ces procédés sont particulièrement adaptés au report de couches épaisses, par exemple de quelques microns à plusieurs dizaines de microns, et jusqu'à quelques centaines de 30 microns. Compte tenu des techniques de transfert de couches précités, il convient de définir sur quel substrat entre le substrat donneur (duquel est issue la couche active 4) ou le 3062517 12 substrat support 1 (sur lequel est déposée la couche de piégeage 2), les couches intermédiaires telles que la première couche diélectrique 3, la couche conductrice 11 et la deuxième couche diélectrique 13 de l'électrode 10 (figure la) seront 5 formées, préalablement à l'assemblage par adhésion moléculaire des deux substrats, au niveau d'une interface de collage. Selon une première option d'assemblage, l'interface de collage se situe entre la deuxième couche diélectrique 13 et la couche conductrice 11. Cela signifie d'une part, que la 10 deuxième couche diélectrique 13 a été formée sur le substrat donneur ; à titre d'exemple, cette couche est constituée d'une couche d'oxyde de silicium, crue thermiquement sur le substrat donneur. D'autre part, la première couche diélectrique 3, puis la couche conductrice 11, sont successivement déposées sur la 15 couche de piégeage 2. La première couche diélectrique 3 consiste par exemple en une couche d'oxyde de silicium crue thermiquement sur la couche de piégeage 2 ou déposée par dépôt chimique ; la couche conductrice 11 est constituée d'une couche de silicium polycristallin, dont la résistivité pourra 20 être comprise entre quelques ohms.cm et quelques kohms.cm. Dans la configuration illustrée sur la figure lb, la couche conductrice 11 comprend des parois isolantes 14, qui définissent une pluralité de pavés conducteurs 12. Comme bien connu par l'homme du métier, la formation de la couche 25 conductrice 11 nécessite alors au moins une étape de lithographie et gravure pour définir la répartition dans le plan (x,y) des pavés conducteurs 12 et des parois isolantes 14 et les former successivement. Selon une deuxième option d'assemblage, l'interface de 30 collage se situe entre la couche conductrice 11 et la première couche diélectrique 3. Dans ce cas, la deuxième couche diélectrique 13 est formée sur le substrat donneur, puis la couche conductrice 11 est formée sur la deuxième couche diélectrique 13. D'autre part, la première couche diélectrique 3062517 13 3 est déposée sur la couche de piégeage 2 solidaire du substrat support 1. Selon une troisième option d'assemblage, l'interface de collage se situe entre la première couche diélectrique 3 et la 5 couche de piégeage 2. Dans ce cas, la deuxième couche diélectrique 13 est d'abord formée sur le substrat donneur, puis la couche conductrice 11 est formée sur la deuxième couche diélectrique 13, enfin la première couche diélectrique 3 est formée sur la couche conductrice 11. 10 Bien-sur, d'autres options d'assemblage existent, pour lesquelles notamment l'interface de collage peut se situer dans l'une des couches intermédiaires, par exemple au milieu de la première couche diélectrique 3. Par exemple, une première partie de la première couche diélectrique 3 est 15 formée sur le substrat donneur (duquel est issue la couche active 4) ; une seconde partie de la première couche diélectrique 3 est formée du côté du substrat support 1, après la formation des couches sous jacentes. 20 Dans chacune des options d'assemblage précitées, les substrats donneur et support, munis de leurs couches respectives, sont assemblés par adhésion moléculaire. La mise en oeuvre de l'une ou l'autres des techniques de transfert de couches précédentes mène ensuite à la formation de la couche 25 active 4. Selon un deuxième mode de réalisation illustré sur les figures 2a et 2b, l'électrode 10 est disposée entre la 30 première couche diélectrique 3 et la couche de piégeage de charges 2, la deuxième couche diélectrique 13 étant en contact avec la couche de piégeage, selon le plan principal (x,y). La première face lla de la couche conductrice 11 est en contact 3062517 14 avec la première couche diélectrique 3 et sa deuxième face llb est en contact avec la deuxième couche diélectrique 13. Dans ce cas, la première couche diélectrique 3 présente une épaisseur inférieure à 400nm, préférentiellement 5 inférieure à 200 nm, de sorte que la tension appliquée à la couche conductrice 11 de l'électrode enterrée 10 puisse avoir un effet sur les porteurs électriques de la couche active 4. La deuxième couche diélectrique 13 peut quant à elle présenter une épaisseur jusqu'à quelques microns, si cela est requis 10 pour l'application. Les techniques de transfert de couches et de réalisation de parois isolantes 14 dans la couche conductrice 11 énoncées dans le premier mode de réalisation s'appliquent également à ce deuxième mode de réalisation. Différentes 15 options d'assemblage peuvent être mise en oeuvre, selon que la formation des couches intermédiaires de la structure 100 (première couche diélectrique 3, couche conductrice 11 et deuxième couche diélectrique 13) est opérée sur le substrat donneur ou le substrat support 1. 20 Selon un troisième mode de réalisation, illustré sur la figure 3, l'électrode 10 est disposée comme précédemment entre la première couche diélectrique 3 et la couche de piégeage de 25 charges 2 et elle comporte des pavés conducteurs 12 isolés électriquement entre eux par des parois isolantes 14 ; par ailleurs, l'électrode enterrée 10 est discontinue dans le plan principal (x,y) et une pluralité de zones de piégeage de charges 22 s'étendent entre la première couche diélectrique 3 30 et la couche de piégeage de charges 2. Les zones de piégeage 22 sont isolées des pavés conducteurs 12 par les parois isolantes 14. Les zones de piégeage 22 pourront être constituées par le même matériau que la couche de piégeage 2 ou par un 3062517 15 matériau différent, présentant des propriétés de piégeage des charges électriques. Dans ce troisième mode de réalisation de l'invention, la première couche diélectrique 3 présente une épaisseur 5 inférieure à 400nm, préférentiellement inférieure à 200 nm, de sorte que la tension appliquée à la couche conductrice 11 de l'électrode enterrée 10 puisse avoir un effet sur les porteurs électriques de la couche active 4. Les techniques de transfert de couches détaillées pour 10 le premier mode de réalisation s'appliquent également à ce troisième mode de réalisation. Avantageusement, une option d'assemblage consistant à placer l'interface de collage dans la première couche diélectrique 3 sera mise en oeuvre. Une première partie de la première couche diélectrique 3 est 15 formée sur le substrat donneur (duquel est issue la couche active 4) ; une seconde partie de la première couche diélectrique 3 est formée du côté du substrat support 1, après la formation des couches sous jacentes. La couche de piégeage 2 est d'abord élaborée sur le substrat support 1. La deuxième 20 couche diélectrique 13 est ensuite déposée (dépôt chimique ou croissance thermique). Une étape de lithographie et de gravure permet d'éliminer la deuxième couche diélectrique 13 au niveau des futures zones de piégeage 22. D'autres étapes de masquage, dépôt et gravure successives permettent ensuite de former les 25 pavés conducteurs 12, les parois isolantes 14 et les zones de piégeage 22. La seconde partie de la première couche diélectrique 3 est alors déposée au-dessus des pavés conducteurs 12, des parois isolantes 14 et des zones de piégeage 22. Une étape de planarisation de cette seconde 30 partie de la première couche diélectrique 3 permet alors d'obtenir un bon état de surface en vue d'un collage direct. Les substrats donneur et support, munis de leurs couches respectives, sont ensuite assemblés par adhésion moléculaire. La mise en oeuvre de l'une ou l'autre des 3062517 16 techniques de transfert de couches précédemment énoncées mène ensuite à la formation de la couche active 4. 5 Selon un quatrième mode de réalisation illustré sur la figure 4, l'électrode 10 est disposée dans la couche de piégeage de charges 2. La deuxième couche diélectrique 13 est en contact avec la face avant la du substrat support 1 selon le plan principal (x,y). L'électrode 10 comprend une pluralité 10 de parois isolantes 14 s'étendant entre la première 3 et la deuxième 13 couche diélectrique et définissant une pluralité de pavés conducteurs 12 de la couche conductrice 11, isolés les uns des autres par lesdites parois isolantes 14. Chaque pavé conducteur 12 est isolé électriquement d'au moins une 15 zone de piégeage de charges 23 formant la couche de piégeage 2, par les parois isolantes 14. La zone de piégeage de charges 23 s'étend entre la première couche diélectrique 3 et le substrat support 1. 20 Selon une variante applicable aux différents modes de réalisation précédemment énoncés, la structure 100 peut comprendre une troisième couche diélectrique 30, disposée entre la couche de piégeage 2 (ou les zones de piégeage de 25 charges 23) et le substrat support 1. Elle peut comprendre au moins l'un des matériaux parmi : dioxyde de silicium, nitrure de silicium, oxyde d'aluminium, etc. Elle est notamment avantageuse en ce qu'elle empêche ou tout au moins limite fortement la recristallisation de la couche de piégeage 2, 30 lorsque celle-ci est par exemple en silicium poly-cristallin) lors les traitements thermiques à hautes températures susceptibles d'être appliqués pour la fabrication de la structure selon l'invention. 3062517 17 Dans la structure 100 selon l'un ou l'autre des modes de réalisation énoncés, au moins un pavé conducteur 12 peut être connecté électriquement à un plot de contact 40 par un via conducteur 41. Ce dernier traverse une partie de la 5 structure 100 pour aller du pavé conducteur 12 audit plot de contact 40 ; dans l'exemple de la figure 5a, le via conducteur 41 traverse en particulier la couche active 4 et la deuxième couche diélectrique 13. Le plot de contact 40 est disposé sur une face libre 4a de la couche active 4, isolé électriquement 10 de celle-ci. Le plot de contact 40 est formé par un matériau conducteur électrique par l'intermédiaire duquel une tension pourra être appliquée au pavé conducteur 12 de l'électrode enterrée 10. Le via conducteur 41 est formé, par les 15 techniques connues de l'homme du métier, en réalisant une tranchée dont les parois sont isolées électriquement des couches qu'elle traverse et qui est remplie par un matériau conducteur, par exemple du silicium poly-cristallin dopé. Une pluralité de vias conducteurs 41 pourront être 20 réalisés pour connecter indépendamment chaque pavé conducteur 12 enterré à un plot de contact 40. Des marques d'alignement auront avantageusement été formées sur le substrat support 1 (ou sur le substrat donneur duquel est issue la couche active 4) lors de l'élaboration des 25 pavés conducteurs 12. Ces marques d'alignement sont utilisées lors des étapes de fabrication des vias conducteurs 41, afin de former les vias à l'aplomb des pavés conducteurs 12. La structure 100 peut également comprendre un 30 dispositif dans et/ou sur la couche active 4, comportant au moins un transistor 50 dont une électrode de grille 51 disposée sur la face libre 4a de la couche active 4 est en vis-à-vis avec au moins un pavé conducteur 12 de l'électrode enterrée 10 (figure 5b). Les marques d'alignement formées lors 3062517 18 de l'élaboration des pavés conducteurs 12 de l'électrode enterrée 10 sont également utilisés lors des étapes de fabrication du dispositif électronique sur la couche active 4. 5 La structure 100 selon l'invention est particulièrement adaptée aux dispositifs radiofréquences tels que notamment des commutateurs ou adaptateurs d'antenne pour les téléphones cellulaires. L'intégration de l'électrode enterrée 10 dans la 10 structure 100 permet une fabrication plus aisée des dispositifs comportant des transistors avec « back bias ». L'utilisation d'une électrode enterrée 10 pour polariser la région active 52 d'un transistor 50 par la face arrière (« back bias ») permet d'augmenter la tension de claquage du 15 transistor et ainsi de limiter le nombre de transistors à mettre en parallèle dans chaque dispositif. Enfin, la présence de la couche de piégeage de charges 2 dans la structure 100 assure le maintien d'une haute résistivité du substrat support 1. 20 La structure 100 selon l'invention permet ainsi d'atteindre de hautes performances dans le domaine des applications hautes fréquences. 25 Bien-sur, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications. 30 REVENDICATIONS1. Structure (100) pour application radiofréquence comprenant : - Un substrat support (1) à haute résistivité dont une face avant (la) définit un plan principal, - Une couche de piégeage de charges (2) disposée sur la face avant (la) du substrat support (1), - Une première couche diélectrique (3) disposée sur la couche de piégeage (2), - Une couche active (4) disposée sur la première couche diélectrique (3), la structure (100) étant caractérisée en ce qu'elle comprend au moins une électrode enterrée (10) disposée au- dessus ou dans la couche de piégeage (2), l'électrode (10) comprenant une couche conductrice (11) et une deuxième couche diélectrique (13). 2. Structure (100) pour application radiofréquence selon la revendication précédente, dans laquelle la couche conductrice (11) présente deux faces (lla,llb) selon le plan principal, une face est en contact avec la première couche diélectrique (3) et une autre face est en contact avec la deuxième couche diélectrique (13). 3. Structure (100) pour application radiofréquence selon la revendication précédente, dans laquelle l'électrode (100) comprend une pluralité de parois isolantes (14) s'étendant entre la première (3) et la deuxième (13) couche diélectrique et segmentant la couche conductrice (11) en une pluralité de pavés conducteurs (12), lesdits pavés (12) étant isolés les uns des autres par les parois isolantes (14). 3062517 20 4. Structure (100) pour application radiofréquence selon l'une des trois revendications précédentes, dans laquelle l'électrode (10) est disposée entre la couche active (4) 5 et la première couche diélectrique (3), la deuxième couche diélectrique (13) étant en contact avec la couche active (4), selon le plan principal. 5. Structure (100) pour application radiofréquence selon 10 l'une des revendications 1 à 3, dans laquelle l'électrode (10) est disposée entre la première couche diélectrique (3) et la couche de piégeage de charges (2), la deuxième couche diélectrique (13) étant en contact avec la couche de piégeage (2), selon le plan principal. 15 6. Structure (100) pour application radiofréquence selon la revendication précédente prise en combinaison avec la revendication 3, dans laquelle l'électrode (10) est discontinue dans le plan principal et une pluralité de 20 zones de piégeage de charges (22) s'étendent entre la première couche diélectrique (3) et la couche de piégeage de charges (2), les zones de piégeage (22) étant isolées des pavés conducteurs (12) par les parois isolantes (14). 25 7. Structure (100) pour application radiofréquence selon l'une des revendications 1 et 2, dans laquelle l'électrode (10) est disposée dans la couche de piégeage de charges (2), la deuxième couche diélectrique (13) étant en contact avec la face avant (la) du substrat 30 support (1) selon le plan principal, et dans laquelle l'électrode (10) comprend une pluralité de parois isolantes (14) s'étendant entre la première (3) et la deuxième (13) couche diélectrique et définissant une pluralité de pavés conducteurs (12) de la couche 3062517 21 conductrice (11), chaque pavé conducteur (12) étant isolé d'au moins une zone de piégeage (23) formant la couche de piégeage (2), par les parois isolantes (14). 5 8. Structure (100) pour application radiofréquence selon l'une des revendications 3 ou 7, dans laquelle au moins un pavé conducteur (12) est connecté électriquement à un plot de contact (40) disposé sur une face libre (4a) de la couche active (4), par un via conducteur (41) 10 traversant une partie de la structure (100) pour aller du pavé conducteur (12) au plot de contact (40). 9. Structure (100) pour application radiofréquence selon la revendication précédente, comprenant en outre un 15 dispositif dans et/ou sur la couche active (4), comportant au moins un transistor (50) dont une électrode de grille (51) disposée sur la face libre (4a) de la couche active (4) est en vis-à-vis avec au moins un pavé conducteur (12) de l'électrode enterrée (10). 20 10. Structure (100) pour application radiofréquence selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle la deuxième couche diélectrique (13) présente une épaisseur comprise entre 5nm et 100nm. 25 11. Structure (100) pour application radiofréquence selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle la couche conductrice (11) comprend un matériau choisi parmi le silicium monocristallin, le silicium poly-cristallin, 30 le silicium amorphe. 12. Structure (100) pour application radiofréquence selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle la 3062517 22 couche conductrice (11) présente une épaisseur comprise entre 50nm et 500nm. 13. Structure (100) pour application radiofréquence selon 5 l'une des revendications précédentes, dans laquelle la couche conductrice présente une résistivité comprise entre quelques ohms.cm et quelques milliers d'ohms.cm.