FR 3066043 A1 20181109 FR 1753920 A 20170504 1 COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR MÃMOIRE INTÃGRANT UNE NANO- BATTERIE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN TEL COMPOSANT ET PROCÃDÃ UTILISANT UN TEL DISPOSITIF DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION Le domaine technique de l'invention est celui des composants semi-conducteurs. La prÃ©sente invention concerne un composant semi-conducteur mÃ©moire et en particulier un composant semi-conducteur mÃ©moire auquel est intÃ©grÃ© une nana-batterie. L'invention concerne Ã©galement un dispositif semi-conducteur comprenant un tel composant ainsi qu'un procÃ©dÃ© utilisant un tel dispositif. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION L'utilisation de structures verticales pour l'obtention de mÃ©moires denses est une pratique connue de l'homme du mÃ©tier. Elle a notamment Ã©tÃ© mise en oeuvre avec des mÃ©moires flash comme cela est par exemple dÃ©crit dans le document US 2006/0186446. Plus rÃ©cemment, une structure similaire a Ã©tÃ© proposÃ©e, mais cette fois-ci en utilisant des mÃ©moires rÃ©sistives. Cela est notamment dÃ©taillÃ© dans le document Â« Study of Multi-level Characteristics for 3D Vertical Resistive Switching Memory Â», Scientific Report (2014). Comme illustrÃ© en figure 1, ce document dÃ©crit un dispositif mÃ©moire comprenant une pluralitÃ© de premiÃ¨res Ã©lectrodes, dite Ã©lectrodes plane EP, chaque premiÃ¨re Ã©lectrode EP de la pluralitÃ© de premiÃ¨res Ã©lectrodes EP Ã©tant sÃ©parÃ©e des deux Ã©lectrodes adjacentes EP de la pluralitÃ© de premiÃ¨res Ã©lectrodes EP par une couche d'un matÃ©riau isolant Cl. Le dispositif comporte Ã©galement au moins un pilier PI, dit pilier vertical PI, s'Ã©tendant essentiellement selon un axe perpendiculaire aux plans dÃ©finis par les Ã©lectrodes planes EP, ledit pilier PI comprenant une troisiÃ¨me Ã©lectrode EV, dite Ã©lectrode verticale EV et une couche de stockage de l'information CSI, la couche de stockage de l'information CSI recouvrant une surface de l'Ã©lectrode verticale EV. De plus, dans ce dispositif, chaque Ã©lectrode plane EP est agencÃ©e de sorte Ã 3066043 2 former un point mÃ©moire PM avec le pilier vertical Pl. Ainsi, pour chaque pilier PI, on obtient une pluralitÃ© de point mÃ©moires PM constituant une cellule mÃ©moire. Dans un tel dispositif, il est possible d'associer une surface Ã chaque cellule mÃ©moire. Cependant, seulement une partie de cette surface est effectivement 5 utilisÃ©e pour le stockage de l'information et le reste de la surface occupÃ©e par une cellule mÃ©moire ne supporte aucune fonctionnalitÃ©. De plus, si l'on souhaite adjoindre une batterie Ã un tel dispositif mÃ©moire, il est nÃ©cessaire de produire ladite batterie lors d'Ã©tapes supplÃ©mentaires sur une autre partie du substrat utilisÃ© pour la fabrication du dispositif mÃ©moire, cette derniÃ¨re occupant en outre une 10 surface supplÃ©mentaire. Certes, il a rÃ©cemment Ã©tÃ© dÃ©montrÃ©, dans l'article de Nature Communications, Valov et Al, 2784, 2013, qu'un effet batterie pouvait Ãªtre mesurÃ© dans un composant de type mÃ©moire rÃ©sistive. Cet article dÃ©crit qu'un composant de type mÃ©moire rÃ©sistive, dont le fonctionnement est basÃ© sur l'occurrence de rÃ©actions 15 d'oxydo-rÃ©ductions, permet de faire apparaitre une force Ã©lectromotrice intrinsÃ¨que (en anglais Â« electromotive force Â») ou emf provenant de mouvement des ions. Les auteurs font donc la dÃ©monstration expÃ©rimentale et thÃ©orique de l'existence, dans ce type de composant (ici une mÃ©moire rÃ©sistive), d'une force Ã©lectromotrice 20 rÃ©sultant de la crÃ©ation de diffÃ©rents gradients de potentiels chimiques entre les deux Ã©lectrodes du composant lorsqu'aucun chemin conducteur de type filament n'est crÃ©Ã© entre celles-ci. Cette force Ã©lectromotrice est considÃ©rÃ©e comme une tension gÃ©nÃ©rÃ©e par le composant et peut Ãªtre obtenue par dissolution d'une Ã©lectrode active dans la zone active (ici un Ã©lectrolyte) par un processus 25 Ã©lectrochimique, c'est ce que les auteurs considÃ¨rent comme Ã©tant la dÃ©monstration d'un effet Â« nanobatterieÂ». Toutefois, les auteurs concluent que la force Ã©lectromotrice observÃ©e ne fait que suggÃ©rer l'existence d'un effet nano-batterie et propose l'extension des modÃ¨les thÃ©oriques Ã mÃªme de dÃ©crire les phÃ©nomÃ¨nes physiques rÃ©gissant le fonctionnement des mÃ©moires rÃ©sistives en intÃ©grant cet effet. L'article ne 3066043 3 divulgue donc pas toutes les caractÃ©ristiques nÃ©cessaires au fonctionnement d'un point mÃ©moire pour le stockage d'Ã©nergie et ne dÃ©crit pas la faisabilitÃ© concrÃ¨te d'une telle application. En particulier, la force Ã©lectromotrice n'est mesurÃ©e que dans l'Ã©tat oxydÃ© qui correspondrait uniquement Ã l'Ã©tat dÃ©chargÃ© d'une batterie. 5 De plus, aucune dÃ©monstration de la rÃ©pÃ©tabilitÃ© ou de la rÃ©versibilitÃ© des phÃ©nomÃ¨nes dÃ©crits au sein du composant n'est faite. Il est important de noter que la connaissance de cette application (qui ne se dÃ©duit aucunement des documents prÃ©cÃ©demment citÃ©s) conduirait Ã l'utilisation d'une partie des points mÃ©moires comme lieu de stockage de l'Ã©nergie sans rÃ©soudre le problÃ¨me de la 10 surface non utilisÃ©e. Il existe donc un besoin d'un dispositif mÃ©moire dont l'ensemble de la surface d'une cellule mÃ©moire est utilisÃ©e pour rÃ©aliser une fonction. Il existe en outre un besoin d'un tel dispositif permettant d'intÃ©grer facilement une batterie. RESUME DE L'INVENTION 15 L'invention offre une solution aux problÃ¨mes Ã©voquÃ©s prÃ©cÃ©demment, en permettant de stocker de l'Ã©nergie en utilisant les surfaces non utilisÃ©es des dispositifs de l'art antÃ©rieur pour rÃ©aliser une ou plusieurs zones de stockage de l'Ã©nergie de sorte Ã obtenir une ou plusieurs nano-batteries. Pour cela, un premier aspect de l'invention concerne un composant semi20 conducteur comprenant : - une premiÃ¨re Ã©lectrode, dite Ã©lectrode plane, dÃ©finissant un plan ; - une deuxiÃ¨me Ã©lectrode, dite Ã©lectrode active, sÃ©parÃ©e de la premiÃ¨re Ã©lectrode par une couche d'Ã©lectrolyte ; - un pilier, dit pilier vertical, s'Ã©tendant essentiellement selon un axe 25 perpendiculaire au plan dÃ©fini par l'Ã©lectrode plane, ledit pilier comprenant une troisiÃ¨me Ã©lectrode, dite Ã©lectrode verticale et une couche de stockage de l'information, la couche de stockage de l'information recouvrant une surface de l'Ã©lectrode verticale ; l'Ã©lectrode plane et le pilier vertical Ã©tant agencÃ©s de sorte Ã former un point mÃ©moire ; 3066043 4 De plus, dans le composant selon l'invention, les matÃ©riaux de l'Ã©lectrode active et de la couche d'Ã©lectrolyte sont choisis de sorte Ã former une zone de stockage de l'Ã©nergie avec l'Ã©lectrode plane On entend par Ã©lectrode active une Ã©lectrode composÃ©e d'un matÃ©riau source d'ions et par couche d'Ã©lectrolyte une couche de 5 matÃ©riau isolant au sein de laquelle les ions Ã©mis par l'Ã©lectrode active peuvent diffuser. On entend par matÃ©riau source d'ions un matÃ©riau comprenant au moins un mÃ©tal susceptible de libÃ©rer des ions mÃ©talliques (comme le cuivre qui libÃ¨re des ions cuivre Cu2Â±) ou un matÃ©riau capable de stocker et de restituer des ions (par exemple le silicium). 10 GrÃ¢ce Ã l'invention, il est possible d'intÃ©grer au sein de la surface non utilisÃ©e d'un composant mÃ©moire une zone de stockage de l'Ã©nergie qui pourra ensuite Ãªtre utilisÃ©e pour alimenter ledit composant ou d'autres composants d'un dispositif auquel ledit composant sera intÃ©grÃ©. De plus, la fabrication d'un tel composant nÃ©cessite moins d'Ã©tapes de fabrication, emploie moins de matÃ©riaux et rend 15 l'intÃ©gration d'un Ã©lÃ©ment de stockage de l'Ã©nergie au sein d'un circuit mÃ©moire plus facile. Outre les caractÃ©ristiques qui viennent d'Ãªtre Ã©voquÃ©es dans le paragraphe prÃ©cÃ©dent, le composant selon un premier aspect de l'invention peut prÃ©senter une ou plusieurs caractÃ©ristiques complÃ©mentaires parmi les suivantes, 20 considÃ©rÃ©es individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles. Avantageusement, l'Ã©lectrode plane comporte un premiÃ¨re couche et une deuxiÃ¨me couche, ladite premiÃ¨re couche Ã©tant en regard de l'Ã©lectrode active et constituÃ©e d'un matÃ©riau source d'ions, la deuxiÃ¨me couche et le pilier vertical 25 formant le point mÃ©moire et la premiÃ¨re couche, la couche d'Ã©lectrolyte et l'Ã©lectrode active formant la zone de stockage de l'Ã©nergie. Ainsi, on obtient une zone de stockage de l'information qui, en plus de la source d'ions que reprÃ©sente l'Ã©lectrode active, possÃ¨de une deuxiÃ¨me source d'ions au niveau de la premiÃ¨re couche de l'Ã©lectrode plane. 3066043 5 Avantageusement, le pilier vertical comprend en outre une couche de sÃ©lection, ladite couche de sÃ©lection Ã©tant situÃ©e entre l'Ã©lectrode verticale et la couche de stockage de l'information ou sur la couche de stockage de l'information. Ainsi, les courants de fuite entre l'Ã©lectrode verticale et l'Ã©lectrode plane sont 5 limitÃ©s lors des opÃ©rations d'Ã©criture lorsque le point mÃ©moire associÃ© audites Ã©lectrodes n'est pas sÃ©lectionnÃ©. Une telle couche est Ã©galement nommÃ©e Â« backend selector Â» dans les dispositifs de l'Ã©tat de l'art. Avantageusement, le composant selon l'invention comporte une pluralitÃ© d'Ã©lectrodes planes, une pluralitÃ© de couches d'Ã©lectrolyte et une pluralitÃ© 10 d'Ã©lectrodes actives, chaque Ã©lectrode plane de la pluralitÃ© d'Ã©lectrodes planes Ã©tant agencÃ©e de sorte Ã former un point mÃ©moire avec le pilier vertical. De plus, chaque Ã©lectrode active de la pluralitÃ© d'Ã©lectrodes actives est sÃ©parÃ©e d'une Ã©lectrode plane de la pluralitÃ© d'Ã©lectrodes planes par une couche d'Ã©lectrolyte de la pluralitÃ© de couches d'Ã©lectrolyte de sorte Ã former une zone de stockage de 15 l'Ã©nergie. Ainsi, il est possible d'empiler les points mÃ©moires et les zones de stockage de l'information et d'obtenir une pluralitÃ© de point mÃ©moire et une pluralitÃ© de zone de stockage de l'information par pilier vertical. On accroit ainsi la densitÃ© de la mÃ©moire et du stockage de l'Ã©nergie par unitÃ© de surface du composant. 20 Avantageusement, chaque Ã©lectrode plane comporte une troisiÃ¨me couche, ladite troisiÃ¨me couche Ã©tant en regard d'une l'Ã©lectrode active et constituÃ©e d'un matÃ©riau source d'ions. Ainsi, lorsque le dispositif comporte une pluralitÃ© d'Ã©lectrode plane et une pluralitÃ© d'Ã©lectrode active, chaque face de chaque Ã©lectrode active est en regard d'une 25 couche constituÃ©e d'un matÃ©riau source d'ions. Avantageusement, la premiÃ¨re couche et/ou la troisiÃ¨me couche de l'Ã©lectrode plane ou de chaque Ã©lectrode plane ne sont pas en contact avec le pilier vertical. De maniÃ¨re alternative, la premiÃ¨re couche et/ou la troisiÃ¨me couche de 3066043 6 l'Ã©lectrode plane ou de chaque Ã©lectrode plane sont sÃ©parÃ©es du ou de chaque pilier vertical par un matÃ©riau isolant. Ainsi, lors des opÃ©rations d'Ã©criture des points mÃ©moires, on s'assure que le filament formÃ© entre le pilier vertical et l'Ã©lectrode plane se forme entre la 5 deuxiÃ¨me couche de l'Ã©lectrode plane et ledit pilier vertical et non pas entre le pilier vertical et la premiÃ¨re ou la troisiÃ¨me couche. Avantageusement, le matÃ©riau de l'Ã©lectrode verticale et le matÃ©riau de la couche de stockage de l'information sont choisis de sorte Ã former, avec l'Ã©lectrode plane ou avec chaque Ã©lectrode plane de la pluralitÃ© d'Ã©lectrodes planes, un point 10 mÃ©moire Ã changement de phase ou un point mÃ©moire rÃ©sistif. Ainsi, le composant selon l'invention peut Ãªtre adaptÃ© Ã diffÃ©rents types de mÃ©moire. Avantageusement, le composant selon l'invention comprend une pluralitÃ© de piliers verticaux chaque pilier vertical Ã©tant agencÃ© de sorte Ã former un point mÃ©moire avec l'Ã©lectrode plane ou avec chaque Ã©lectrode plane de la pluralitÃ© 15 d'Ã©lectrodes planes. Ainsi, il est possible d'obtenir un plus grand nombre de points mÃ©moires par composant. Avantageusement, la projection des piliers verticaux de la pluralitÃ© de piliers verticaux sur un plan parallÃ¨le au plan formÃ© par l'Ã©lectrode plane ou aux plans formÃ©s par les Ã©lectrodes planes de la pluralitÃ© d'Ã©lectrodes planes forme un 20 rÃ©seau dont la maille Ã©lÃ©mentaire est une maille carrÃ©e ou une maille losange. Ainsi, il est possible de favoriser la fonctionnalitÃ© mÃ©moire ou la fonctionnalitÃ© stockage de l'Ã©nergie en fonction de la disposition des piliers, permettant un degrÃ© de libertÃ© supplÃ©mentaire lors de la conception d'un composant selon l'invention. Un deuxiÃ¨me aspect de l'invention concerne un dispositif semi-conducteur 25 comprenant un composant selon un premier aspect de l'invention, ledit dispositif comportant des moyens pour que le composant soit utilisÃ© pour le stockage d'information et/ou pour le stockage d'Ã©nergie. Ainsi, il est possible d'obtenir un dispositif au sein duquel un composant selon un 3066043 7 premier aspect de l'invention peut Ãªtre utilisÃ© comme moyen de stockage de l'Ã©nergie et/ou comme moyen de stockage de l'information. Avantageusement, le dispositif comprend un deuxiÃ¨me composant selon un premier aspect de l'invention et comporte des moyens pour que le deuxiÃ¨me 5 composant soit utilisÃ© pour le stockage d'information et/ou pour le stockage d'Ã©nergie. Ainsi, il est possible d'obtenir un dispositif au sein duquel deux composants selon un premier aspect de l'invention sont utilisÃ©s comme moyen de stockage de l'Ã©nergie et/ou comme moyen de stockage de l'information. Cette configuration est 10 particuliÃ¨rement avantageuse si le premier dispositif est adaptÃ© pour favoriser le stockage de l'Ã©nergie et alimenter en Ã©nergie le deuxiÃ¨me dispositif, ce dernier Ã©tant alors adaptÃ© pour favoriser le stockage de l'information. Un troisiÃ¨me aspect de l'invention concerne un procÃ©dÃ© d'utilisation d'un dispositif selon un deuxiÃ¨me aspect de l'invention comportant : 15 - une Ã©tape dans laquelle au moins un parmi le premier ou le deuxiÃ¨me composant semi-conducteur est utilisÃ© pour le stockage d'information ; - une Ã©tape dans laquelle au moins un parmi le premier ou le deuxiÃ¨me composant semi-conducteur est utilisÃ© pour le stockage de l'Ã©nergie. Ainsi, il est possible d'utiliser l'un des deux composants pour alimenter le 20 deuxiÃ¨me ou bien encore de faire en sorte que chaque composant s'autoalimente. Avantageusement, l'Ã©nergie nÃ©cessaire Ã l'Ã©tape d'utilisation d'au moins un composant pour le stockage de l'information est fournie par l'Ã©nergie stockÃ©e lors de l'Ã©tape dans laquelle au moins un composant est utilisÃ© pour le stockage de l'Ã©nergie. 25 Ainsi, le procÃ©dÃ© permet de ne pas avoir recours Ã une source d'Ã©nergie extÃ©rieure telle qu'une batterie non intÃ©grÃ©e au dispositif. L'invention et ses diffÃ©rentes applications seront mieux comprises Ã la lecture de la description qui suit et Ã l'examen des figures qui l'accompagnent. 3066043 8 BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les figures sont prÃ©sentÃ©es Ã titre indicatif et nullement limitatif de l'invention. - La figure 1 montre une reprÃ©sentation schÃ©matique d'un dispositif mÃ©moire selon l'Ã©tat de l'art antÃ©rieur. 5 - Les figures 2A Ã 2D montrent un dispositif semi-conducteur selon un mode de rÃ©alisation d'un premier aspect de l'invention. - Les figure 3A et 3B deux modes de rÃ©alisation d'un dispositif semiconducteur selon un premier aspect de l'invention. - La figure 4 illustre les notions de distance inter Ã©lectrodes verticales, de 10 diamÃ¨tre des piliers verticaux ainsi que de surface d'une cellule mÃ©moire et d'une nano-batterie. - Les figures 5, 6A et 6B illustrent l'Ã©volution des propriÃ©tÃ©s d'un composant selon un premier aspect de l'invention en fonction des paramÃ¨tres dudit composant. 15 - La figure 7 illustre la notion d'Ã©paisseur dans un composant selon un premier aspect de l'invention. - Les figures 8A et 8B illustrent l'Ã©volution de l'aspect de forme en fonction du nombre de couches d'Ã©lectrolyte et de l'Ã©paisseur desdites couches. - Les figures 9A et 9B illustrent deux dispositions alternatives des piliers 20 verticaux dans un dispositif selon un premier aspect de l'invention. - Les figures 10 et 11 illustrent deux exemples de rÃ©alisation d'un composant selon un premier aspect de l'invention. - Les figures 12A et 12B illustrent un dispositif selon un deuxiÃ¨me aspect de l'invention ainsi qu'un procÃ©dÃ© selon un troisiÃ¨me aspect de l'invention. 25 - Les figures 13A et 13B illustrent un schÃ©ma Ã©lectrique Ã©quivalent d'un composant selon un premier aspect de l'invention. - Les figures 14A et 14B illustrent les opÃ©rations d'initialisation et de rÃ©initialisation des points mÃ©moires d'un composant selon un premier aspect de l'invention. 3066043 9 - Les figures 15A et 15B illustrent les opÃ©rations de charge et de dÃ©charge des zones de stockage de l'Ã©nergie d'un composant selon un premier aspect de l'invention. DESCRIPTION DETAILLEE D'AU MOINS UN MODE DE REALISATION DE 5 L'INVENTION Sauf prÃ©cision contraire, un mÃªme Ã©lÃ©ment apparaissant sur des figures diffÃ©rentes prÃ©sente une rÃ©fÃ©rence unique. Un premier mode de rÃ©alisation selon un premier aspect de la prÃ©sente invention illustrÃ© aux figures 2A, 2B et 2C concerne un composant semi-conducteur 10 comprenant une premiÃ¨re Ã©lectrode, dite Ã©lectrode plane EP, dÃ©finissant un plan et une deuxiÃ¨me Ã©lectrode, dite Ã©lectrode active EA, sÃ©parÃ©e de la premiÃ¨re Ã©lectrode par une couche d'Ã©lectrolyte Cl. Il comporte Ã©galement un pilier PI, dit pilier vertical, s'Ã©tendant essentiellement selon un axe perpendiculaire au plan dÃ©fini par l'Ã©lectrode plane EP. Comme illustrÃ© Ã la figure 2C qui reprÃ©sente une 15 coupe d'un pilier PI selon un plan perpendiculaire Ã l'axe principal dudit pilier, ledit pilier PI comprend une troisiÃ¨me Ã©lectrode, dite Ã©lectrode verticale EV, et une couche de stockage de l'information CSI, la couche de stockage de l'information CSI recouvrant une surface de l'Ã©lectrode verticale EV. De plus, l'Ã©lectrode plane EP, l'Ã©lectrode active EA et la couche d'Ã©lectrolyte Cl entourent 20 le pilier vertical PI afin que la couche de stockage de l'information CSI, l'Ã©lectrode verticale EV du pilier vertical PI et l'Ã©lectrode plane EP soient agencÃ©es de sorte Ã former un point mÃ©moire PM. Le point mÃ©moire PM ainsi obtenu permet de stocker une information par la modification de la rÃ©sistance de la couche de stockage de l'information CSI, chaque rÃ©sistance Ã©tant associÃ©e Ã un Ã©tat logique. 25 Cette rÃ©sistance est modifiÃ©e par l'application d'une tension entre l'Ã©lectrode verticale EV et l'Ã©lectrode plane EP, autrement dit en appliquant une tension au niveau du point mÃ©moire PM. En fonction des matÃ©riaux choisis pour fabriquer l'Ã©lectrode verticale EV et la couche de stockage de l'information CSI, le point mÃ©moire PM peut Ãªtre un point mÃ©moire PM Ã changement de phase ou un point 30 mÃ©moire PM rÃ©sistif. Par exemple, afin d'obtenir un point mÃ©moire PM rÃ©sistif, on 3066043 10 pourra choisir une couche de stockage de l'information en Hf02 et une Ã©lectrode verticale en Ti, une couche de stockage de l'information en Ta205 et une Ã©lectrode verticale en Ta, une couche de stockage de l'information en Hf02 et une Ã©lectrode verticale en Hf, une couche de stockage de l'information en Hf02 et une Ã©lectrode 5 verticale en CuTe, une couche de stockage de l'information en A1203 et une Ã©lectrode verticale en Cu ou bien encore une couche de stockage de l'information en A1203 et une Ã©lectrode verticale en CuTe. De mÃªme, afin d'obtenir un point mÃ©moire Ã changement de phase, on pourra choisir un couche de stockage de l'information comprenant une couche de GeSbTe et une couche de TiN ainsi 10 qu'une Ã©lectrode verticale en Cu. Les dÃ©tails concernant l'enregistrement d'informations au niveau d'un point mÃ©moire PM ou bien encore la nature des matÃ©riaux utilisÃ©s seront dÃ©crits dans la suite. Dans le composant selon un premier aspect de l'invention, les matÃ©riaux composant l'Ã©lectrode active EA et la couche d'Ã©lectrolyte Cl sont choisis de sorte 15 Ã former une zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE avec l'Ã©lectrode plane EP. On obtient ainsi une zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE qui peut Ãªtre chargÃ©e et dÃ©chargÃ©e Ã l'aide de l'Ã©lectrode active EA et de l'Ã©lectrode plane EP. Plus particuliÃ¨rement, comme cela est Ã©voquÃ© dans l'article Nature Communication prÃ©cÃ©demment citÃ©, dans un composant Ã©lectrochimique dont le fonctionnement 20 est basÃ© sur l'occurrence de rÃ©actions d'oxydo-rÃ©ductions et dont l'agencement est de type Electrode active/Couche d'Ã©lectrolyte/Electrode plane (EA/Cl/EP), il est possible d'oxyder l'Ã©lectrode active EA en appliquant une tension positive alors qu'une rÃ©action de rÃ©duction sur la mÃªme Ã©lectrode se produit en appliquant une tension nÃ©gative. L'oxydation peut entraÃ®ner la migration des ions provenant de 25 l'Ã©lectrode active EA dans la couche d'Ã©lectrolyte Cl ce qui induit une force Ã©lectromotrice (emf). Cette force Ã©lectromotrice peut Ãªtre considÃ©rÃ©e comme une Ã©nergie dÃ©livrÃ©e par un gÃ©nÃ©rateur qui rÃ©sulte d'un gradient de concentration en ions mÃ©talliques (provenant de l'Ã©lectrode active EA) entre l'Ã©lectrode active EA et l'Ã©lectrode plane EP. La force Ã©lectromotrice de l'Ã©tat oxydÃ© correspond Ã l'Ã©tat 30 dÃ©chargÃ© d'une batterie. 3066043 11 Le composant selon l'invention prÃ©sentÃ©e ici implique, au-delÃ de l'exploitation de la force Ã©lectromotrice de l'Ã©tat oxydÃ©, l'exploitation de la force Ã©lectromotrice de l'Ã©tat rÃ©duit. RÃ©aliser une bascule rÃ©versible entre les valeurs de force Ã©lectromotrice correspondant aux Ã©tats oxydÃ© et rÃ©duit permet d'utiliser la 5 diffÃ©rence de force Ã©lectromotrice comme source d'Ã©nergie. Le passage d'une premiÃ¨re valeur de force Ã©lectromotrice Ã une seconde valeur de force Ã©lectromotrice se traduit par un changement d'Ã©tat de charge au niveau de la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE. Cet Ã©tat de charge est modifiÃ© par la migration d'une certaine quantitÃ© d'ions d'une Ã©lectrode vers l'autre Ã travers la couche 10 d'Ã©lectrolyte Cl et finit par un changement d'Ã©tat d'oxydation de l'ion en question. Ce mÃ©canisme d'oxydo-rÃ©duction est accompagnÃ© par un Ã©change Ã©lectronique, depuis ou vers la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE (respectivement Ã©tape de dÃ©charge ou de charge) et permet ainsi de stocker de l'Ã©nergie au sein de ladite zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE ou de la dÃ©livrer, par exemple, Ã un 15 composant extÃ©rieur. Cette Ã©nergie prend la forme d'un couple courant/tension. Plus particuliÃ¨rement, la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE se comporte comme une source de tension qui dÃ©charge un certain courant, c'est-Ã -dire qu'il dÃ©livre une quantitÃ© de charges qui correspond Ã un courant donnÃ© pendant une certaine durÃ©e (le temps de dÃ©charge). La zone de stockage de l'Ã©nergie selon l'invention 20 rÃ©alise alors une fonction de stockage d'Ã©nergie. Il est important de noter que toute formation de chemin conducteur (tel qu'on en observe dans les mÃ©moires rÃ©sistives) aurait pour consÃ©quence de court-circuiter la zone de stockages de l'Ã©nergie ZSE rendant cette derniÃ¨re non fonctionnelle. Le fait d'exploiter la bascule entre deux valeurs de force Ã©lectromotrice pour obtenir la capacitÃ© de 25 stocker de l'Ã©nergie nÃ©cessite donc d'Ã©viter la crÃ©ation d'un tel chemin conducteur, en choisissant notamment des tensions de charge et de dÃ©charge appropriÃ©es. Afin de permettre les rÃ©actions qui viennent d'Ãªtre dÃ©taillÃ©es, l'Ã©lectrode active est donc composÃ©e d'un matÃ©riau source d'ions et la couche d'Ã©lectrolyte est une couche d'un matÃ©riau isolant au sein de laquelle les ions Ã©mis par l'Ã©lectrode 30 active peuvent diffuser. On comprend de ce qui prÃ©cÃ¨de que lorsque l'Ã©lectrode active EA est composÃ©e d'un matÃ©riau source d'ions du type 'capable de stocker des ions', alors ledit matÃ©riau comporte initialement (c.Ã .d. avant la premiÃ¨re mise 3066043 12 en oeuvre de la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE) des ions stockÃ©s en vue du bon fonctionnement de la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE. Les dÃ©tails concernant la charge et/ou la dÃ©charge de la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE ou bien encore la nature des matÃ©riaux utilisÃ©s pour rÃ©aliser cette derniÃ¨re seront 5 dÃ©crits dans la suite. La prÃ©sente invention permet donc de profiter de la surface non utilisÃ©e dans les composants de l'art antÃ©rieur pour stocker de l'Ã©nergie et ainsi obtenir un composant comportant de maniÃ¨re intÃ©grÃ©e un point mÃ©moire PM et une zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE, et ce Ã l'Ã©chelle d'un point mÃ©moire PM (chaque point 10 mÃ©moire PM Ã©tant associÃ© Ã au moins une zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE). Dans un mode de rÃ©alisation illustrÃ© Ã la figure 2D, afin d'amÃ©liorer la sÃ©lection des points mÃ©moires PM et de diminuer les courants de fuites, le pilier vertical PI comprend en outre une couche de sÃ©lection (ou Â« backend selector Â» en anglais), ladite couche de sÃ©lection Ã©tant situÃ©e entre l'Ã©lectrode verticale EV et la couche 15 de stockage de l'information CSI ou sur la couche de stockage de l'information CSI (non illustrÃ©). Cette couche de sÃ©lection est gÃ©nÃ©ralement rÃ©alisÃ©e dans un oxyde Ã constante diÃ©lectrique Ã©levÃ©e (Â« high-k oxyde Â» en anglais). Dans un exemple de rÃ©alisation, l'Ã©lectrode active est rÃ©alisÃ©e en LiCo02, la 20 couche d'Ã©lectrolyte est rÃ©alisÃ©e en LiPON et l'Ã©lectrode plane est rÃ©alisÃ©e en platine. Le stockage de l'Ã©nergie s'effectue dans la zone de stockage de l'Ã©nergie par l'Ã©lectrodÃ©pÃ´t d'ions issus de l'Ã©lectrode active EA sur l'Ã©lectrode plane EP, aprÃ¨s diffusion Ã travers la couche d'Ã©lectrolyte Cl. Dans un mode de rÃ©alisation, l'Ã©lectrode plane EP comporte une premiÃ¨re 25 couche EP1 et une deuxiÃ¨me couche EP2, ladite premiÃ¨re couche EP1 Ã©tant en regard de l'Ã©lectrode active EA et constituÃ©e d'un matÃ©riau, la deuxiÃ¨me couche EP2 et le pilier vertical PI formant le point mÃ©moire PM et la premiÃ¨re couche EP1, la couche d'Ã©lectrolyte Cl et l'Ã©lectrode active EA formant la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE. Dans un exemple de rÃ©alisation, l'Ã©lectrode active EA 30 est rÃ©alisÃ©e en LiCo02, la couche d'Ã©lectrolyte est rÃ©alisÃ©e en LiPON, la premiÃ¨re 3066043 13 couche EP1 de l'Ã©lectrode plane EP est rÃ©alisÃ©e en Si et la deuxiÃ¨me couche EP2 de l'Ã©lectrode plane EP est rÃ©alisÃ©e en Pt. Le stockage de l'Ã©nergie s'effectue dans la zone de stockage ZSE de l'Ã©nergie par la migration d'ions depuis l'Ã©lectrode active EA vers la premiÃ¨re couche EP1 de l'Ã©lectrode plane EP. Dans 5 le cas oÃ¹ une zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE comprend deux sources d'ions, il importe seulement que l'une des deux soit en mesure de fournir des ions lors de la premiÃ¨re mise en oeuvre de la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE. Ainsi, si la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE comprend au moins une source d'ions de type 'capable de stocker des ions', alors cette source d'ions peu initialement (c.Ã .d. 10 avant la premiÃ¨re mise en oeuvre de la zone de stockage de l'Ã©nergie) ne comporter aucun ion pour peu que la deuxiÃ¨me source d'ions en comporte. Dans l'exemple ci-dessus, la premiÃ¨re couche EP1 de l'Ã©lectrode plane EP est constituÃ©e d'un matÃ©riau source d'ions de type 'capable de stocker des ions' : le silicium. Initialement, ce silicium peut ne comporter aucun ion, les ions 15 nÃ©cessaires au bon fonctionnement de la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE Ã©tant apportÃ©s par l'Ã©lectrode active EA composÃ©e Ã©galement d'un matÃ©riau source d'ions : le LiCo02 qui est susceptible de fournir des ions Lithium. Quoiqu'il en soit, un fois la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE mise en oeuvre, des ions Li + seront Ã©galement prÃ©sents dans la premiÃ¨re couche EP1 de l'Ã©lectrode plane EP. 20 Dans un mode de rÃ©alisation, afin de s'assurer que le filament entre l'Ã©lectrode plane EP et l'Ã©lectrode verticale EV se forme au niveau de la deuxiÃ¨me EP2 couche, la premiÃ¨re couche EP est dix fois moins conductrice que la deuxiÃ¨me couche EP2, voire cent fois moins conductrice que la deuxiÃ¨me couche EP2. Dans un mode de rÃ©alisation alternatif ou complÃ©mentaire, la premiÃ¨re 25 couche EP1 n'est pas en contact avec le pilier vertical Pl. Une telle configuration peut Ãªtre obtenue par un procÃ©dÃ© de gravure sÃ©lective. Par exemple, si la premiÃ¨re couche EP1 de l'Ã©lectrode plane EP est en aluminium et la deuxiÃ¨me couche EP2 de l'Ã©lectrode plane EP est en platine, alors une gravure humide Ã base de H3PO4 gravera la premiÃ¨re couche EP1 sans graver la deuxiÃ¨me 30 couche EP2 de sorte que lorsque le pilier vertical PI est ensuite formÃ©, un vide est obtenu entre le pilier vertical PI et la premiÃ¨re couche EP1. Dans un mode de rÃ©alisation alternatif, la premiÃ¨re couche EP1 de l'Ã©lectrode plane EP est sÃ©parÃ©e 3066043 14 du pilier vertical PI par un matÃ©riau isolant. Pour cela, aprÃ¨s la gravure humide sÃ©lective dÃ©crite plus haut et avant la formation du pilier vertical PI, une Ã©tape de dÃ©pÃ´t conforme d'un isolant est effectuÃ© sur la face de l'Ã©lectrode plane EP destinÃ©e Ã Ãªtre en regarde avec le pilier vertical PI puis une Ã©tape de gravure 5 anisotrope est effectuÃ©e de sorte Ã ce qu'il ne reste qu'une couche d'oxyde au niveau de la premiÃ¨re couche EP1. Ainsi, une fois le pilier vertical formÃ©, ce dernier est sÃ©parÃ© de la premiÃ¨re couche de l'Ã©lectrode plane par une couche d'isolant prÃ©venant la formation d'un filament entre ladite premiÃ¨re couche et l'Ã©lectrode verticale dudit pilier. 10 Dans un mode de rÃ©alisation, le composant comporte une pluralitÃ© d'Ã©lectrodes planes EP, une pluralitÃ© de couches d'Ã©lectrolyte Cl et une pluralitÃ© d'Ã©lectrodes actives EA. De plus, chaque Ã©lectrode plane EA de la pluralitÃ© d'Ã©lectrodes planes EA est agencÃ©e de sorte Ã former un point mÃ©moire PM avec la couche de stockage de l'information CSI et l'Ã©lectrode verticale EV du pilier vertical Pl. En 15 outre, chaque Ã©lectrode active EA de la pluralitÃ© d'Ã©lectrodes actives EA est sÃ©parÃ©e de chaque l'Ã©lectrode plane EP adjacente de la pluralitÃ© d'Ã©lectrodes planes EP par une couche d'Ã©lectrolyte Cl de la pluralitÃ© de couches d'Ã©lectrolyte Cl de sorte Ã former une zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE. Ainsi, on obtient une cellule mÃ©moire CM comprenant un empilement de plusieurs points 20 mÃ©moires PM, mais Ã©galement un empilement de plusieurs zones de stockage de l'Ã©nergie ZSE formant une nano-batterie NB. Dans la suite, une cellule mÃ©moire CM dÃ©signe l'ensemble comportant les points mÃ©moires PM ainsi que la nano-batterie NB. Autrement dit, la nano-batterie NB est comprise dans la cellule mÃ©moire CM. 25 Dans un mode particuliÃ¨rement avantageux, le nombre d'Ã©lectrodes planes EP est Ã©gal Ã n (n Ã©tant un entier) et le nombre d'Ã©lectrodes actives EA est Ã©gal Ã n+1. Autrement dit, une Ã©lectrode active EA peut former au niveau de sa premiÃ¨re surface une premiÃ¨re zone de stockage de l'Ã©nergie ZCE avec la couche d'Ã©lectrolyte Cl et l'Ã©lectrode plane EP en regard de ladite premiÃ¨re surface ainsi 30 qu'une deuxiÃ¨me zone de stockage de l'Ã©nergie ZCE avec la couche d'Ã©lectrolyte Cl et l'Ã©lectrode plane EP en regarde de la deuxiÃ¨me surface de 3066043 15 ladite Ã©lectrode active EA. Ainsi, le dispositif selon un premier aspect de l'invention comprend, pour chaque point mÃ©moire PM, deux zones de stockage de l'Ã©nergie ZSE. Dans un mode de rÃ©alisation illustrÃ© Ã la figure 3A, chaque Ã©lectrode plane EP 5 comporte une troisiÃ¨me couche EP3, ladite troisiÃ¨me couche EP3 Ã©tant en regard d'une Ã©lectrode active EA et constituÃ©e d'un matÃ©riau source d'ions. Ainsi, chaque Ã©lectrode plane EP de la pluralitÃ© d'Ã©lectrodes planes EP comporte une premiÃ¨re couche EP1 en matÃ©riau source d'ions sÃ©parÃ© d'une premiÃ¨re Ã©lectrode active EA de la pluralitÃ© d'Ã©lectrode active par une premiÃ¨re couche d'Ã©lectrolyte Cl de la 10 pluralitÃ© de couches d'Ã©lectrolyte Cl, une deuxiÃ¨me couche EP2 formant le point mÃ©moire PM avec le pilier vertical PI et une troisiÃ¨me couche EP3 en un matÃ©riau source d'ions sÃ©parÃ©e d'une deuxiÃ¨me Ã©lectrode active EA de la pluralitÃ© d'Ã©lectrodes actives EA par une deuxiÃ¨me couche d'Ã©lectrolyte Cl de la pluralitÃ© de couches d'Ã©lectrolyte Cl. Comme dÃ©crit prÃ©cÃ©demment, il est important d'Ã©viter 15 la formation d'un filament entre le pilier vertical PI et la premiÃ¨re couche EP1 ou de la troisiÃ¨me couche EP3. Pour cela, dans un mode de rÃ©alisation, la premiÃ¨re couche EP1 et la troisiÃ¨me couche EP3 sont dix fois moins conductrices que la deuxiÃ¨me couche conductrice EP2, voire cent fois moins conductrices que la deuxiÃ¨me couche EP2. Dans un mode de rÃ©alisation alternatif ou complÃ©mentaire 20 illustrÃ© Ã la figure 3B, la premiÃ¨re couche EP1 et/ou la troisiÃ¨me couche EP3 de chaque Ã©lectrode plane EP sont sÃ©parÃ©es du pilier vertical PI par un espace VO, autrement dit, elles ne sont pas en contact avec le pilier vertical Pl. De maniÃ¨re alternative, la premiÃ¨re couche EP1 et/ou la troisiÃ¨me couche EP3 de chaque Ã©lectrode plane EP sont sÃ©parÃ©es du ou de chaque pilier vertical PI par un 25 matÃ©riau isolant. Ainsi, lors des opÃ©rations d'Ã©criture des points mÃ©moires PM, on s'assure que le filament formÃ© entre le pilier vertical PI et l'Ã©lectrode plane EP se forme entre la deuxiÃ¨me couche EP2 de ladite Ã©lectrode plane EP et ledit pilier vertical Pl. Des exemples de procÃ©dÃ©s permettant de parvenir Ã de telles configurations, par ailleurs connus de l'homme du mÃ©tier, ont Ã©tÃ© donnÃ©s 30 prÃ©cÃ©demment et ne seront donc pas rÃ©pÃ©tÃ©s ici. 3066043 16 Dans un mode de rÃ©alisation, un composant selon un premier aspect de l'invention comprend une pluralitÃ© de piliers verticaux PI, chaque pilier vertical PI Ã©tant agencÃ© de sorte Ã former un point mÃ©moire PM avec chaque Ã©lectrode plane EP. Il est ainsi possible d'obtenir un composant comportant une pluralitÃ© de 5 cellule mÃ©moire CM (et donc de nano-batteries NB) chaque cellule mÃ©moire CM comportant un ou plusieurs points mÃ©moire PM (et donc chaque nano-batterie NB comprenant une ou plusieurs zones de stockage de l'Ã©nergie ZSE). Dans un mode de rÃ©alisation, l'Ã©lectrode verticale EV est de forme cylindrique et comprend une premiÃ¨re et une deuxiÃ¨me surface parallÃ¨le l'une Ã l'autre ainsi 10 qu'une troisiÃ¨me surface, dite surface latÃ©rale ou surface cylindrique. Dans ce mode de rÃ©alisation, la couche de stockage de l'information CSI recouvre la surface latÃ©rale de l'Ã©lectrode verticale EV. Dans un mode de rÃ©alisation, le cylindre est un cylindre circulaire droit. Pour mÃ©moire, un cylindre est une surface rÃ©glÃ©e dont les gÃ©nÃ©ratrices sont parallÃ¨les, c'est-Ã -dire une surface dans 15 l'espace, dite surface cylindrique, constituÃ©e de droites parallÃ¨les. Par extension, on appelle encore cylindre le solide dÃ©limitÃ© par une surface cylindrique et par deux plans strictement parallÃ¨les. Si ces plans sont perpendiculaires aux gÃ©nÃ©ratrices, on dit que le cylindre est droit. Comme illustrÃ© en figure 4, il est possible de dÃ©finir une unitÃ© de surface de la 20 cellule mÃ©moire CM ainsi qu'une unitÃ© de surface de la nano-batterie NB (qui correspond Ã la surface de la cellule mÃ©moire CM moins la surface occupÃ©e par le pilier vertical PI). De plus, le pilier vertical PI dÃ©finit un cylindre de diamÃ¨tre D, chaque cylindre de la pluralitÃ© de cylindres Ã©tant distant du cylindre suivant d'une distance 2F, ladite distance Ã©tant mesurÃ©e entre les axes de rÃ©volution desdits 25 cylindres. A partir de ces deux paramÃ¨tres, il est possible de dÃ©finir la surface d'une cellule mÃ©moire CM comme Ã©tant Ã©gale Ã 4F2 et la surface de la nana-batterie NB comme Ã©tant Ã©gale Ã 4F2-702/4. Comme illustrÃ© Ã la figure 5, il est possible de faire varier ces deux paramÃ¨tres en fonction de la fonctionnalitÃ© (stockage de l'information ou stockage de l'Ã©nergie) 30 que l'on souhaite privilÃ©gier. Sur cette figure est reprÃ©sentÃ©e la densitÃ© de charge 3066043 17 correspondant Ã trois objectifs de charge (Qtot, 2Qtot et 3Qtot) par zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE, la surface de la cellule mÃ©moire CM et la surface de la nanobatterie NB en fonction du ratio D/F. Les configurations correspondant Ã des points situÃ©s sur la droite du graphique minimisent la surface de la nano- 5 batterie NB (et donc de la ou des zones de stockage de l'Ã©nergie ZSE) et sont donc des configurations plus favorables au stockage de l'information comparativement aux configurations correspondant Ã des points sur la gauche du graphique qui tendent Ã maximiser la surface de la nano-batterie NB. Comme nous allons maintenant le voir, ces paramÃ¨tres peuvent Ãªtre modulÃ©s de 10 diffÃ©rentes maniÃ¨res. Lorsque la distance inter piliers verticaux 2F est fixe (autrement dit, la densitÃ© de cellules mÃ©moires CM par unitÃ© de surface est fixÃ©e), il est possible de varier le diamÃ¨tre D desdits piliers verticaux PI afin d'adapter la gÃ©omÃ©trie du composant en fonction des besoins, par exemple en termes de stockage de l'Ã©nergie. Les 15 figures 6A et 6B reprÃ©sentent la surface d'une cellule mÃ©moire CM, la surface d'une nano-batterie NB ainsi que la densitÃ© de charge nÃ©cessaire Ã une (figure 6A) ou plusieurs (figure 6B) opÃ©rations d'initialisation ou de rÃ©initialisation sur un point mÃ©moire PM en fonction du ratio D/F pour un composant dont la distance inter piliers F est Ã©gale Ã 300 nm. La densitÃ© de charge cible est dÃ©finie par 20 Qtot/(surface d'une nano-batterie NB) oÃ¹ Qtot est la charge totale cible Ã stocker dans chaque zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE d'une nano batterie NB. Comme dÃ©taillÃ© prÃ©cÃ©demment, chaque point mÃ©moire PM est associÃ© Ã au moins une zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE. Dans la configuration avantageuse comprenant une pluralitÃ© d'Ã©lectrodes planes EP et une pluralitÃ© d'Ã©lectrodes 25 actives EA, chaque point mÃ©moire PM peut Ãªtre associÃ© Ã deux zones de stockage de l'Ã©nergie ZSE. Dans la suite, la configuration considÃ©rÃ©e est celle dans laquelle chaque point mÃ©moire PM est associÃ© Ã deux zones de stockage de l'Ã©nergie ZSE. Dans la figure 6A, l'Ã©nergie Ã stocker dans chaque zone de stockage de 30 l'Ã©nergie ZSE est fixÃ©e en fonction d'un objectif consistant Ã pouvoir effectuer deux opÃ©rations d'initialisation ou de rÃ©initialisation d'un point mÃ©moire PM, ce qui 3066043 18 correspond dans notre exemple Ã la charge Ã©lectrique Qtot nÃ©cessaire pour produire un pulse de 10011A pendant 100ns soit Qt0t=10pC (on suppose ici que chaque point mÃ©moire PM est associÃ© Ã deux zones de stockage de l'Ã©nergie ZSE). En traÃ§ant la densitÃ© de charge cible en fonction du ratio D/F 5 comme cela est fait sur la figure 6A, il est possible de choisir un diamÃ¨tre D, en fonction de la densitÃ© de charge souhaitÃ©e. Dans l'exemple de la figure 6A, une densitÃ© de charge souhaitÃ©e Ã©gale Ã 2.9mC/cm2 correspond Ã une surface de nano-batterie NB de 3.4x10-9cm2, c'est-Ã -dire un diamÃ¨tre D de 150nm. Il est donc possible de dÃ©terminer le diamÃ¨tre D en fonction de la densitÃ© de charge 10 souhaitÃ©e. Dans la figure 6B, l'Ã©nergie Ã stocker dans chaque zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE est fixÃ©e en fonction d'un objectif consistant Ã pouvoir effectuer 2x106 opÃ©rations d'initialisation ou de rÃ©initialisation d'un point mÃ©moire PM, ce qui correspond dans notre exemple Ã la charge Ã©lectrique Qtot nÃ©cessaire pour 15 produire 106 pulses de 10011A pendant 100ns soit Qtot=10pC (on suppose Ã©galement ici que chaque point mÃ©moire PM est associÃ© Ã deux zones de stockage de l'Ã©nergie ZSE). En traÃ§ant la densitÃ© de charge cible en fonction du ratio D/F comme cela est fait sur la figure 6B, il est possible de dÃ©terminer le diamÃ¨tre D en fonction de la densitÃ© de charge souhaitÃ©e. Dans l'exemple de la 20 figure 6B, une densitÃ© de charge souhaitÃ©e Ã©gale Ã 2.9x103C/cm2 correspond Ã une surface de nano-batterie NB de 3.4x10-9cm2, c'est-Ã -dire un diamÃ¨tre D de 150nm. Les rÃ©sultats prÃ©cÃ©dents sont rÃ©sumÃ©s dans le tableau 1 ci-dessous. 3066043 19 Exemple Deux cycles mÃ©moires 2x106 cycles mÃ©moires F 300nm 300nm D 150nm 150nm Surface de la nano- 3.4x10-9CM2 3.4x10-9CM2 batterie (lot 1 OpC 1 OuC DensitÃ© de charge 2.9mC/cm2 2.9x103C/cm2 souhaitÃ©e Tableau 1 Il est Ã©galement possible, pour un diamÃ¨tre D des piliers verticaux PI donnÃ©, de faire varier la distance inter Ã©lectrodes F. Par exemple, un objectif consistant Ã pouvoir effectuer deux opÃ©rations d'initialisation ou de rÃ©initialisation d'un point 5 mÃ©moire PM (soit la charge Ã©lectrique Qtot par zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE nÃ©cessaire pour produire un pulse de 10011A pendant 100ns soit Qt0t=10pC) avec un diamÃ¨tre D fixÃ© Ã 300nm et une densitÃ© de charge souhaitÃ©e Ã©gale Ã 73mC/cm2 est obtenue avec une distance F entre Ã©lectrodes verticales EV de 600nm. Il est bien entendu possible de rÃ©duire le diamÃ¨tre D pour diminuer la 10 densitÃ© de charge nÃ©cessaire pour atteindre l'objectif en termes d'Ã©nergie stockÃ©e. Cependant, comme cela sera dÃ©crit dans la suite, le diamÃ¨tre D ne peut pas Ãªtre rÃ©duit indÃ©finiment du fait de contraintes de fabrication, notamment en termes de facteur de forme. Le diamÃ¨tre D est donc compris entre une valeur haute Ã©gale Ã 2F pour laquelle la surface dÃ©diÃ©e au stockage de l'Ã©nergie est minimale et une 15 valeur basse fixÃ©e par les limites de fabrication pour laquelle la surface dÃ©diÃ©e au stockage de l'Ã©nergie est maximale. Lorsque les paramÃ¨tres F et D sont fixÃ©s, il est possible de faire varier l'Ã©paisseur T de la couche d'Ã©lectrolyte Cl entre l'Ã©lectrode plane EP et l'Ã©lectrode active EA oÃ¹ l'Ã©paisseur est dÃ©finie comme la distance sÃ©parant deux Ã©lectrodes 3066043 20 planes EP, comme cela est illustrÃ© sur la figure 7. De maniÃ¨re gÃ©nÃ©rale, une Ã©paisseur T plus Ã©levÃ©e permet de stocker plus d'Ã©nergie (le matÃ©riau composant la couche d'Ã©lectrolyte Cl possÃ©dant une densitÃ© de charge volumique maximale dictÃ©e par le nombre de sites d'insertion d'ions disponibles par unitÃ© de volume de 5 matÃ©riau), mais diminue le nombre de points mÃ©moires PM par cellule mÃ©moire CM. Afin de mesurer l'influence de ce paramÃ¨tre, la figure 8A prÃ©sente la valeur de l'aspect de forme T/D (Ã©paisseur T sur diamÃ¨tre D - en ordonnÃ©e) en fonction de l'Ã©paisseur de la couche T (en abscisse) et du nombre de couches d'Ã©lectrolyte Cl (chaque courbe correspond Ã un nombre de couches 10 d'Ã©lectrolyte Cl donnÃ©). Plus l'Ã©paisseur T est Ã©levÃ©e et plus l'aspect de forme est important pour un nombre de couches donnÃ©. Cependant, pour une Ã©paisseur T donnÃ©e, il n'est gÃ©nÃ©ralement pas possible de descendre en dessous d'un diamÃ¨tre D minimum correspondant aux limites de fabrications en termes d'aspect de forme. Ceci est illustrÃ© sur la figure 8B dans lequel l'aspect de forme limite est 15 sensiblement Ã©gal Ã 77. En considÃ©rant un diamÃ¨tre D Ã©gal Ã 300nm, cela signifie que pour une Ã©paisseur T de 2pm, il est possible d'envisager une structure Ã dix couches d'Ã©lectrolyte Cl alors que pour une Ã©paisseur T de 2.5pm, le nombre de couches d'Ã©lectrolyte Cl sera limitÃ© Ã neuf couches du fait des contraintes de fabrication. La valeur limite de l'aspect de forme dÃ©pend du procÃ©dÃ© de fabrication 20 employÃ© pour obtenir le composant selon un premier aspect de l'invention, et en particulier l'Ã©lectrode verticale EV. Ainsi, pour un diamÃ¨tre D, une distance F et un objectif Qtot donnÃ©s, la densitÃ© de charge correspondante peut Ãªtre dÃ©terminÃ©e. Cette derniÃ¨re permet de calculer l'Ã©paisseur T nÃ©cessaire, cette derniÃ¨re permettant Ã son tour de dÃ©terminer, compte tenu de la limite au niveau du facteur 25 de forme, le nombre de couches d'Ã©lectrolyte maximum (et donc le nombre de points mÃ©moire PM et de zones de stockage de l'Ã©nergie ZSE par cellule mÃ©moire CM). S'il n'est pas possible d'atteindre la densitÃ© de charge cible, il est Ã©galement envisageable de recharger (autrement dit de rafraichir la charge) la zone de 30 stockage de l'Ã©nergie ZSE plus rÃ©guliÃ¨rement. Par exemple, si la densitÃ© de charge nÃ©cessaire Ã 2x106 opÃ©rations ne peut pas Ãªtre atteinte, il est possible de mettre en place une Ã©tape de chargement de la zone de stockage de 3066043 21 l'Ã©nergie ZSE toutes les 2x104 opÃ©rations par exemple. Ce rafraichissement peut venir en complÃ©ment de celui permettant de tenir compte de la perturbation Ã©lectrique gÃ©nÃ©rÃ©e par les opÃ©rations effectuÃ©es sur les points mÃ©moires PM (qui sera dÃ©crit dans la suite) ou en remplacement de ce dernier. 5 En plus des diffÃ©rents paramÃ¨tres Ã©voquÃ©s prÃ©cÃ©demment, il est Ã©galement possible de faire varier la disposition des piliers verticaux EV les uns par rapport aux autres. La figure 9A illustre une premiÃ¨re disposition dans laquelle la projection de la pluralitÃ© de piliers verticaux PI sur un plan parallÃ¨le aux plans formÃ©s par les Ã©lectrodes planes EP forme un rÃ©seau dont la maille Ã©lÃ©mentaire 10 est une maille carrÃ©e. La figure 9B illustre quant Ã elle une deuxiÃ¨me disposition dans laquelle la projection de la pluralitÃ© de piliers verticaux PI sur un plan parallÃ¨le aux plans formÃ©s par les Ã©lectrodes plane EP forme un rÃ©seau dont la maille Ã©lÃ©mentaire est une maille losange. La structure de la figure 9B propose une densitÃ© de piliers verticaux PI (et donc de points mÃ©moires PM) plus 15 importante que la structure de la figure 9A et favorise la fonction de stockage de l'information au dÃ©triment de la fonction stockage de l'Ã©nergie comparativement Ã la structure de la figure 9A. On pourra donc choisir l'une ou l'autre des dispositions selon que l'on souhaite favoriser le stockage de l'information ou le stockage de l'Ã©nergie. D'autres mailles Ã©lÃ©mentaires peuvent bien entendu Ãªtre envisagÃ©es. 20 Comme cela vient d'Ãªtre prÃ©sentÃ©, il est possible de modifier les paramÃ¨tres structurels d'un composant selon un premier aspect de l'invention et de tenir compte de la fonctionnalitÃ© principale Ã laquelle il est destinÃ© dans le choix de ces paramÃ¨tres. Ces variations ne se limitent cependant pas aux seules propriÃ©tÃ©s gÃ©omÃ©triques (dispositions et dimensions), mais Ã©galement aux choix dans les 25 matÃ©riaux utilisÃ©s. Dans un mode de rÃ©alisation, l'Ã©lectrode plane EP (ou la deuxiÃ¨me couche EP2 de l'Ã©lectrode plane EP quand cette derniÃ¨re est multicouches) est rÃ©alisÃ©e Ã partir d'un mÃ©tal inerte tel que le nitrure de titane TiN, le platine Pt, le tungstÃ¨ne W ou un alliage comprenant tout ou partie de ces Ã©lÃ©ments. Dans un mode de rÃ©alisation, l'Ã©lectrode active EA est rÃ©alisÃ©e Ã partir 30 d'un mÃ©tal source d'ions tel que le cuivre Cu, l'argent Ag, le lithium Li, l'or Au ou un alliage comprenant tout ou partie de ces Ã©lÃ©ments (il en est de mÃªme de la 3066043 22 premiÃ¨re couche EP1 et de la troisiÃ¨me couche EP3 de l'Ã©lectrode plane EP lorsque cette derniÃ¨re est multicouches). Dans un mode de rÃ©alisation, la couche d'Ã©lectrolyte Cl est rÃ©alisÃ©e Ã partir d'un isolant Ã travers lequel les ions peuvent diffuser tels que l'oxyde de silicium Si02, l'oxyde de hafnium Hf02, de l'oxyde de 5 tantale Ta205. Dans un mode de rÃ©alisation, la couche de stockage de l'information SCI comprend une couche rÃ©alisÃ©e Ã partir d'un mÃ©tal source d'ions tel que le cuivre Cu, l'argent Ag ou un alliage comprenant tout ou partie de ces Ã©lÃ©ments, ou bien une source de lacunes telle que le titane Ti, le hafnium Hf ou un alliage comprenant tout ou partie de ces Ã©lÃ©ments. 10 Un premier exemple de rÃ©alisation d'un composant selon un premier aspect de l'invention est illustrÃ© Ã la figure 10. Ce premier exemple est favorable aux performances mÃ©moire. En effet il intÃ¨gre une Ã©paisseur d'Ã©lectrolyte (Si02) relativement faible (200nm), permettant un facteur de forme modÃ©rÃ© de l'empilement. Il est donc possible d'intÃ©grer plus de points mÃ©moires PM, donc 15 une plus grande densitÃ© de la mÃ©moire. Dans ce composant, la distance 2F sÃ©parant deux piliers verticaux PI est Ã©gale Ã 500 nm (F=250 nm) et le diamÃ¨tre D du pilier vertical PI est Ã©gal Ã 200 nm. De plus, la projection des piliers verticaux PI sur un plan parallÃ¨le aux plans formÃ©s par les Ã©lectrodes planes EP forme un rÃ©seau de maille Ã©lÃ©mentaire carrÃ©e. La couche de stockage de l'information CSI 20 comporte une couche de titane Ti d'une Ã©paisseur Ã©gale Ã 5 nm et une couche d'oxyde d'hafnium Hf02 d'une Ã©paisseur de 10 nm. La couche de sÃ©lection SC a une Ã©paisseur infÃ©rieure Ã 50nm et est situÃ©e entre la couche d'oxyde d'hafnium Hf02 de la couche de stockage de l'information CSI et l'Ã©lectrode verticale EV, la couche de sÃ©lection SC couvrant une surface de l'Ã©lectrode 25 verticale EV. L'Ã©lectrode verticale EV est quant Ã elle constituÃ©e de nitrure de titane TiN. En outre, les Ã©lectrodes planes EP sont constituÃ©es de nitrure de titane TiN et ont une Ã©paisseur de 50 nm. Les Ã©lectrodes actives EA sont quant Ã elles composÃ©es de cuivre Cu et ont Ã©galement une Ã©paisseur de 50 nm. Enfin, les couches d'Ã©lectrolyte Cl sont composÃ©es d'oxyde de silicium Si02 et ont 30 chacune une Ã©paisseur de 200 nm. Un deuxiÃ¨me exemple de rÃ©alisation d'un composant selon un premier aspect de 306 604 3 23 l'invention est illustrÃ© Ã la figure 11. Ce deuxiÃ¨me exemple est favorable au stockage de l'Ã©nergie, car elle intÃ¨gre un empilement de zones de stockage de l'information permettant de stocker plus d'Ã©nergie. En revanche, l'Ã©paisseur de l'Ã©lectrolyte et de l'Ã©lectrode active Ã©tant plus important que dans le premier cas 5 (jusqu'Ã 20pm dans le cas prÃ©sent), le facteur de forme est trÃ¨s Ã©levÃ©, ce qui se fait au dÃ©triment du nombre de points mÃ©moires PM que l'on peut intÃ©grer, donc une densitÃ© mÃ©moire plus faible. Dans ce composant, la distance 2F est Ã©gale Ã 100 pm (F=50pm) et le diamÃ¨tre D est Ã©gal Ã 100 nm. De plus, la projection des piliers verticaux PI sur un plan parallÃ¨le aux plans formÃ©s par les Ã©lectrodes 10 planes EP forme un rÃ©seau de maille Ã©lÃ©mentaire carrÃ©e. La couche de stockage de l'information CSI comporte une couche de titane Ti d'une Ã©paisseur Ã©gale Ã 5 nm, et une couche d'oxyde d'hafnium Hf02 d'une Ã©paisseur de 10 nm. La couche de sÃ©lection SC a une Ã©paisseur infÃ©rieure Ã 20 nm et est situÃ©e entre la couche d'oxyde d'hafnium Hf02 de la couche de stockage de l'information CSI et 15 l'Ã©lectrode verticale EV, la couche de sÃ©lection CS couvrant une surface de l'Ã©lectrode verticale EV. L'Ã©lectrode verticale EV est constituÃ©e de nitrure de titane TiN. En outre, les Ã©lectrodes planes EP sont constituÃ©es de nitrure de titane TiN et ont une Ã©paisseur comprise entre 0.2 et 20 pm. Les Ã©lectrodes actives EA sont quant Ã elles composÃ©es de LiCo02 ont une Ã©paisseur comprise 20 entre 0.1 et 20 pm. Enfin, les couches d'Ã©lectrolyte Cl sont composÃ©es de LiPON dielectric et ont chacune une Ã©paisseur comprise entre 0.1 et 20 pm. Il est Ã noter que dans ce cas, le stockage de l'Ã©nergie est assurÃ© par la couche LiCo02. Aussi, seule l'augmentation de cette couche permet d'optimiser la capacitÃ© de stockage. Comme l'indique les ratios D/L diamÃ¨tre des piliers D sur distance inter-piliers F 25 de chaque composant, le premier composant privilÃ©gie le stockage de l'information par rapport au deuxiÃ¨me composant. Cette tendance est encore accentuÃ©e par le choix d'une couche d'Ã©lectrolyte Cl plus Ã©paisse dans le cas du deuxiÃ¨me composant favorisant le stockage de l'Ã©nergie au dÃ©triment du stockage de l'information. Ces deux exemples permettent d'illustrer comment il est possible 30 de faire varier les diffÃ©rents paramÃ¨tres d'un composant selon un premier aspect de l'invention en fonction de la fonctionnalitÃ© que l'on cherche Ã privilÃ©gier. 3066043 24 Bien entendu, d'autres facteurs que les dimensions ou les matÃ©riaux utilisÃ©s peuvent Ãªtre choisis de sorte Ã optimiser les propriÃ©tÃ©s d'un composant selon l'invention. Il par exemple important de choisir la technique de gravure permettant d'obtenir un aspect de forme aussi Ã©levÃ© que possible. L'utilisation d'un procÃ©dÃ© 5 de gravure sÃ©lectif permet par exemple d'obtenir une couche de stockage de l'information CSI plus Ã©paisse ce qui rÃ©duit les courant de fuite entre la ou les Ã©lectrodes actives EA et l'Ã©lectrode verticale EV, ladite couche CSI se comportant comme un isolant entre ces deux types d'Ã©lectrodes EA, EV. Dans un deuxiÃ¨me aspect de l'invention illustrÃ© aux figures 12A et 12B, l'invention 10 concerne dispositif semi-conducteur comprenant au moins un premier composant PC, selon un premier aspect de l'invention. Le dispositif peut Ã©galement comprendre des composants supplÃ©mentaires MC, DC. Dans un mode de rÃ©alisation, les matÃ©riaux et les dimensions du premier composant PC sont choisies de sorte Ã favoriser le stockage de l'Ã©nergie. Dans un mode de rÃ©alisation 15 illustrÃ© Ã la figure 12A, le premier composant PC est configurÃ© pour fournir de l'Ã©nergie Ã un deuxiÃ¨me composant DC. Dans un mode de rÃ©alisation, le deuxiÃ¨me composant DC est un composant selon un premier aspect de l'invention, par exemple un composant selon un premier aspect de l'invention dont les matÃ©riaux et les dimensions sont choisies de sorte Ã favoriser le stockage de 20 l'information. Dans un mode de rÃ©alisation illustrÃ© Ã la figure 12B, le dispositif selon un deuxiÃ¨me aspect de l'invention comporte un systÃ¨me d'entrÃ©e/sortie I/O, ledit systÃ¨me d'entrÃ©e/sortie I/O Ã©tant configurÃ© pour que le premier composant PC utilise l'Ã©nergie stockÃ©e dans les nano-piles NP dudit premier composant PC pour alimenter les cellules mÃ©moire CM dudit premier composant PC. 25 Autrement dit, un composant CO selon un premier aspect de l'invention, une fois intÃ©grÃ© Ã un dispositif Dl, peut s'autoalimenter en Ã©nergie et/ou alimenter un deuxiÃ¨me composant DC, le deuxiÃ¨me composant DC pouvant Ãªtre un composant selon un premier aspect de l'invention ou tout autre composant nÃ©cessitant une alimentation en Ã©nergie. Ainsi, un composant CO selon un premier aspect de 30 l'invention peut Ãªtre utilisÃ© soit en tant que composant destinÃ© au stockage de l'information, soit en tant que composant destinÃ© au stockage de l'Ã©nergie ou bien 3066043 25 encore un composant destinÃ© Ã la fois au stockage de l'information et au stockage de l'Ã©nergie. Il est donc possible d'utiliser le mÃªme composant au sein d'un dispositif pour stocker des informations et/ou de l'Ã©nergie de maniÃ¨re parfaitement intÃ©grÃ©e. 5 Pour cela, un troisiÃ¨me aspect de l'invention concerne un procÃ©dÃ© d'utilisation d'un dispositif Dl semi-conducteur comportant un premier et un deuxiÃ¨me composant CO semi-conducteur selon un premier aspect de l'invention. Le procÃ©dÃ© selon un troisiÃ¨me aspect de l'invention comporte une Ã©tape dans laquelle le premier composant PC semi-conducteur est utilisÃ© pour le stockage 10 d'information ; et une Ã©tape dans laquelle le deuxiÃ¨me composant DC semiconducteur est utilisÃ© pour le stockage de l'Ã©nergie. Les figures 13A et 13B illustrent un schÃ©ma Ã©lectrique Ã©quivalent d'un composant selon un premier aspect de l'invention. Les Ã©lectrodes verticales EV sont reprÃ©sentÃ©es par les rÃ©fÃ©rences Bi avec i un entier compris entre 1 et 4. Les 15 Ã©lectrodes planes EP sont reprÃ©sentÃ©es par les rÃ©fÃ©rences Wi avec i un entier Ã©gal Ã 1 ou 2. Enfin, les Ã©lectrodes actives EA sont reprÃ©sentÃ©es par les rÃ©fÃ©rences WAi avec i un entier Ã©gal Ã 1 ou 2. Chaque Ã©lectrode plane EP est reliÃ©e Ã©lectriquement Ã chaque Ã©lectrode verticale EV par une diode Zener (reprÃ©sentant la couche de sÃ©lection SC) en sÃ©rie avec une rÃ©sistance (reprÃ©sentant la couche 20 de stockage de l'information CSI). De plus, chaque Ã©lectrode active EA est reliÃ©e Ã chaque Ã©lectrode plane EP adjacente par une capacitÃ© (reprÃ©sentant la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE). En revanche, les Ã©lectrodes actives EA ne sont pas reliÃ©es Ã©lectriquement aux Ã©lectrodes verticales EV du fait de la couche de stockage de l'information CSI qui se comporte comme un isolant entre les 25 Ã©lectrodes actives EA et les Ã©lectrodes verticales EV, aucun filament n'Ã©tant formÃ© au niveau de cette derniÃ¨re. Afin de pouvoir mettre en oeuvre une Ã©tape dans laquelle un composant semiconducteur selon un premier aspect de l'invention est utilisÃ© pour le stockage de l'information et/ou pour le stockage de l'Ã©nergie, il est nÃ©cessaire d'appliquer un 30 jeu de tensions bien dÃ©finies de sorte Ã initialiser/rÃ©initialiser les points mÃ©moires PM ou charger/dÃ©charger les zones de stockage de l'Ã©nergie ZSE. Le 3066043 26 tableau 2 dÃ©crit les diffÃ©rentes tensions correspondant aux diffÃ©rentes opÃ©rations avec Vset la tension qu'il est nÃ©cessaire d'appliquer sur un point mÃ©moire PM pour initialiser (Ã©crire une information) ce dernier, Vreset la tension qu'il est nÃ©cessaire d'appliquer sur un point mÃ©moire PM pour rÃ©initialiser (effacer une information) ce 5 dernier, Vcharge la tension qu'il est nÃ©cessaire d'appliquer sur une zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE pour la charger et Vdischarge est la tension qu'il est nÃ©cessaire d'appliquer sur une zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE pour la dÃ©charger. Dans le tableau 2 et les figures 14A Ã 15B, la lettre G signifie que le potentiel est maintenu Ã la masse et la lettre F signifie que le potentiel est flottant. 10 Dans un mode de rÃ©alisation, la tension d'initialisation Vset est Ã©gale Ã 1V, la tension de rÃ©initialisation Vreset est Ã©gale Ã -1V, la tension de charge Vcharge est Ã©gale Ã -1.5V et la tension de dÃ©charge Vdischarge est Ã©gale Ã OV. 1/3 Vset mode B1 Bil W1 Wn WA1 WAn Initialisation Temps Vset 1/3Vset G 2/3Vset 2/3Vset F F RÃ©initialisation court Vreset 1/3Vreset G F F Charge Temps F F G F Vcharge F DÃ©charge long F F Vdischarge F Vdischarge F Tableau 2 Les figures 14A et 14B illustrent les opÃ©rations d'initialisation et de rÃ©initialisation 15 des points mÃ©moires PM. Comme illustrÃ© Ã la figure 14A, afin d'initialiser un point mÃ©moire PM, le potentiel de l'Ã©lectrode plane EP correspondante audit point mÃ©moire PM est maintenu Ã la masse alors que l'Ã©lectrode verticale EV correspondant audit point mÃ©moire PM est polarisÃ© Ã une tension Vset. Durant cette opÃ©ration d'initialisation, les autres Ã©lectrodes verticales EV sont polarisÃ©es Ã 20 une tension 1/3Vset, la polarisation des Ã©lectrodes actives EA est flottante, les autres Ã©lectrodes planes EP Ã©tant polarisÃ©es Ã une tension de 2/3Vset. Cela signifie donc que durant cette opÃ©ration, le point mÃ©moire PM cible se voit appliquer une tension Vset tandis que les autres points mÃ©moires PM se voient 3066043 27 appliquÃ© une tension Ã©gale 1/3Vset pour les points mÃ©moires PM ayant en commun avec le point mÃ©moire PM cible l'Ã©lectrode plane EP ou l'Ã©lectrode verticale EV et -1/3Vset pour les autres points mÃ©moires PM. Comme illustrÃ© Ã la figure 14B, afin de rÃ©initialiser un point mÃ©moire PM, la polarisation de l'Ã©lectrode 5 plane EP correspondante audit point mÃ©moire PM est maintenue Ã la masse alors que l'Ã©lectrode verticale EV correspondant audit point mÃ©moire PM est polarisÃ©e Ã une tension Vreset. Durant cette opÃ©ration de rÃ©initialisation, les autres Ã©lectrodes verticales EV sont polarisÃ©es Ã une tension 1 /3Vreset, la polarisation des Ã©lectrodes actives EA est flottante, et les autres Ã©lectrodes planes EP sont polarisÃ©es Ã une 10 tension de 2/3Vreset. Cela signifie donc que durant cette opÃ©ration, le point mÃ©moire PM cible se voit appliquÃ© une tension Vreset tandis que les autres points mÃ©moires PM se voient appliquÃ© une tension Ã©gale 1 /3Vreset pour les point mÃ©moire PM ayant en commun avec le point mÃ©moire PM cible l'Ã©lectrode plane EP ou l'Ã©lectrode verticale EV et -1/3 Vreset pour les autres points 15 mÃ©moires PM. Les figures 15A et 15B illustrent les opÃ©rations de charge et de dÃ©charge des zones de stockage de l'Ã©nergie ZSE. Comme illustrÃ© Ã la figure 15A, afin de charger une zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE, la tension Vcharge est appliquÃ©e sur l'Ã©lectrode active EA correspondant Ã la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE 20 que l'on souhaite charger alors que le potentiel de l'Ã©lectrode plane EP correspondant Ã la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE est maintenue Ã la masse. Durant cette opÃ©ration, les autres Ã©lectrodes sont quant Ã elles Ã un potentiel flottant (autrement dit dÃ©connectÃ©es de toute rÃ©fÃ©rence de potentiel). Comme illustrÃ© Ã la figure 15B, afin de dÃ©charger la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE, 25 une tension de dÃ©charge Vdischarge est appliquÃ©e sur l'Ã©lectrode active EA et sur l'Ã©lectrode plane EP correspondant Ã la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE que l'on souhaite dÃ©charger. De la mÃªme maniÃ¨re que pour la charge, les autres Ã©lectrodes sont quant Ã elles Ã un potentiel flottant. Il est important de noter que les tensions appliquÃ©es pour les opÃ©rations 30 d'initialisation et de rÃ©initialisation d'un point mÃ©moire PM sont appliquÃ©es durant un temps trÃ¨s court comparativement au temps nÃ©cessaire pour les opÃ©rations de 3066043 28 charge et de dÃ©charge des zones de stockage de l'Ã©nergie ZSE. La cinÃ©tique des zones de stockage de l'Ã©nergie ZSE n'est donc affectÃ©e qu'Ã la marge durant lesdites opÃ©rations d'initialisation et/ou de rÃ©initialisation. Cependant, afin de s'assurer de la bonne charge desdites zones de stockage de l'Ã©nergie ZSE, il est 5 Ã©galement possible de mettre en oeuvre un cycle de charge de la ou des deux zones de stockage de l'Ã©nergie correspondant Ã un point mÃ©moire PM tous les Nr cycles d'initialisation/rÃ©initialisation dudit point mÃ©moire PM oÃ¹ Nr est le ratio entre le temps caractÃ©ristique des opÃ©rations d'initialisation et de rÃ©initialisation d'un point mÃ©moire PM notÃ© tri, et le temps caractÃ©ristique de dÃ©charge d'une zone de 10 stockage de l'Ã©nergie ZSE notÃ© tdÃ©charge, autrement dit Nr=tdÃ©chargeitm. Autrement dit, lorsqu'un point mÃ©moire PM a subi Nr opÃ©rations d'initialisation ou de rÃ©initialisation, la zone de stockage de l'Ã©nergie ZSE ou les deux zones de stockage de l'Ã©nergie ZSE correspondant audit point mÃ©moire PM subissent un rafraichissement. 15 Dans un mode de rÃ©alisation, l'Ã©nergie nÃ©cessaire Ã l'Ã©tape d'utilisation d'au moins un composant pour le stockage de l'information est fournie par l'Ã©nergie stockÃ©e lors de l'Ã©tape dans laquelle au moins un composant semi-conducteur est utilisÃ© pour le stockage d'Ã©nergie. Ainsi, l'Ã©nergie est utilisÃ©e et stockÃ©e au sein d'un mÃªme dispositif ce qui amÃ©liore considÃ©rablement l'intÃ©gration de l'alimentation en 20 Ã©nergie des composants dudit dispositif. REVENDICATIONS1. Composant (CO) semi-conducteur comprenant : - une premiÃ¨re Ã©lectrode (EP), dite Ã©lectrode plane (EP), dÃ©finissant un plan ; - une deuxiÃ¨me Ã©lectrode (EA), dite Ã©lectrode active (EA), sÃ©parÃ©e de la premiÃ¨re Ã©lectrode (EP) par une couche d'Ã©lectrolyte (Cl) ; - un pilier (PI), dit pilier vertical (PI), s'Ã©tendant essentiellement selon un axe perpendiculaire au plan dÃ©fini par l'Ã©lectrode plane (EP), ledit pilier (Pl) comprenant une troisiÃ¨me Ã©lectrode (EV), dite Ã©lectrode verticale (EV) et une couche de stockage de l'information (CSI), la couche de stockage de l'information (CSI) recouvrant une surface de l'Ã©lectrode verticale (EV) ; l'Ã©lectrode plane (EP) et le pilier vertical (PI) Ã©tant agencÃ©s de sorte Ã former un point mÃ©moire (PM) ; ledit composant (CO) Ã©tant caractÃ©risÃ© en ce que les matÃ©riaux de l'Ã©lectrode active (EA) et de la couche d'Ã©lectrolyte (Cl) sont choisis de sorte Ã former une zone de stockage de l'Ã©nergie (ZSE) avec l'Ã©lectrode plane (EP). 2. Composant (CO) selon la revendication prÃ©cÃ©dente caractÃ©risÃ© en ce que l'Ã©lectrode plane (EP) comporte un premiÃ¨re couche (EP1) et une deuxiÃ¨me couche (EP2), ladite premiÃ¨re couche (EP1) Ã©tant en regard de l'Ã©lectrode active (EA) et constituÃ© d'un matÃ©riau source d'ions, la deuxiÃ¨me couche (EP2) et le pilier vertical (Pl) formant le point mÃ©moire (PM) et la premiÃ¨re couche (EP1), la couche d'Ã©lectrolyte (Cl) et l'Ã©lectrode active (EA) formant la zone de stockage de l'Ã©nergie (ZSE). 3. Composant (CO) selon l'un des deux revendications prÃ©cÃ©dentes caractÃ©risÃ© en ce que le pilier vertical (PI) comprend en outre une couche de sÃ©lection (CS), ladite couche de sÃ©lection (CS) Ã©tant situÃ©e entre l'Ã©lectrode verticale (EV) et la couche de stockage de l'information (CSI) ou sur la couche de stockage de l'information (CSI). 3066043 4. Composant (CO) selon l'une des revendications prÃ©cÃ©dentes caractÃ©risÃ© en ce qu'il comporte une pluralitÃ© d'Ã©lectrodes planes (EP), une pluralitÃ© de couches d'Ã©lectrolyte (Cl) et une pluralitÃ© d'Ã©lectrodes actives (EA), chaque Ã©lectrode plane (EP) de la pluralitÃ© d'Ã©lectrodes planes (EP) Ã©tant agencÃ©e 5 de sorte Ã former un point mÃ©moire (PM) avec le pilier vertical (EV) ; et chaque Ã©lectrode active (EA) de la pluralitÃ© d'Ã©lectrodes actives (EA) Ã©tant sÃ©parÃ©e d'une Ã©lectrode plane (EP) de la pluralitÃ© d'Ã©lectrodes planes (EP) par une couche d'Ã©lectrolyte (Cl) de la pluralitÃ© de couches d'Ã©lectrolyte (Cl) de sorte Ã former une zone de stockage de 10 l'Ã©nergie (ZSE). 5. Composant (CO) selon la revendication prÃ©cÃ©dente caractÃ©risÃ© en ce que chaque Ã©lectrode plane (EP) comporte une troisiÃ¨me couche (EP3), ladite troisiÃ¨me couche (EP3) Ã©tant en regard d'une Ã©lectrode active (EA) de la pluralitÃ© d'Ã©lectrodes actives (EA), sÃ©parÃ©e de ladite Ã©lectrode active (EA) 15 par une couche d'Ã©lectrolyte (Cl) de la pluralitÃ© de couche d'Ã©lectrolyte (Cl) et constituÃ©e d'un matÃ©riau source d'ions, ladite troisiÃ¨me couche (EP3), ladite couche d'Ã©lectrolyte (Cl) et ladite Ã©lectrode active (EA) formant une zone de stockage de l'Ã©nergie (ZSE). 6. Composant (CO) selon la revendication prÃ©cÃ©dente caractÃ©risÃ© en ce que 20 la premiÃ¨re couche (EP1) et/ou la troisiÃ¨me couche (EP3) de chaque Ã©lectrode plane (EP) de la pluralitÃ© d'Ã©lectrode plane (EP) ne sont pas en contact avec le pilier vertical (PI). 7. Composant (CO) selon la revendication 4 caractÃ©risÃ© en ce que la premiÃ¨re couche (EP1) et/ou la troisiÃ¨me couche (EP3) de chaque 25 Ã©lectrode plane (EP) de la pluralitÃ© d'Ã©lectrode plane (EP) sont sÃ©parÃ©es du pilier vertical (PI) par un matÃ©riau isolant. 8. Composant (CO) selon l'une des revendications prÃ©cÃ©dentes caractÃ©risÃ© en ce que le matÃ©riau de l'Ã©lectrode verticale (EV) et le matÃ©riau de la couche de stockage de l'information (CSI) sont choisi de sorte Ã former, 30 avec l'Ã©lectrode plane (EP) ou avec chaque Ã©lectrode plane (EP) de la 3066043 31 pluralitÃ© d'Ã©lectrodes planes (EP), un point mÃ©moire (PM) Ã changement de phase ou un point mÃ©moire (PM) rÃ©sistif. 9. Composant (CO) selon l'une des revendications prÃ©cÃ©dentes caractÃ©risÃ© en ce qu'il comprend une pluralitÃ© de piliers verticaux (PI) chaque pilier 5 vertical (PI) Ã©tant agencÃ© de sorte Ã former un point mÃ©moire (PM) avec l'Ã©lectrode plane (EP) ou avec chaque Ã©lectrode plane (EP) de la pluralitÃ© d'Ã©lectrodes planes (EP). 10. Composant (CO) selon la revendication prÃ©cÃ©dente caractÃ©risÃ© en ce que la projection des piliers verticaux (PI) de la pluralitÃ© de piliers verticaux (PI) 10 sur un plan parallÃ¨le au plan formÃ© par l'Ã©lectrode plane (EP) ou aux plans formÃ©s par les Ã©lectrodes planes (EP) de la pluralitÃ© d'Ã©lectrodes planes (EP) forme un rÃ©seau dont la maille Ã©lÃ©mentaire est une maille carrÃ©e ou une maille losange. 11. Dispositif (Dl) semi-conducteur caractÃ©risÃ© en ce qu'il comprend un 15 composant (CO) selon l'une des revendications prÃ©cÃ©dentes des moyens pour que ledit composant (CO) soit utilisÃ© pour le stockage d'information et/ou pour le stockage d'Ã©nergie. 12. Dispositif (Dl) selon la revendication prÃ©cÃ©dente caractÃ©risÃ© en ce qu'il comporte un deuxiÃ¨me composant (CO) selon l'une des revendications 1 Ã 20 6 et des moyens pour que le deuxiÃ¨me composant (CO) soit utilisÃ© pour le stockage d'information et/ou pour le stockage d'Ã©nergie. 13. ProcÃ©dÃ© d'utilisation d'un dispositif (Dl) selon la revendication prÃ©cÃ©dente caractÃ©risÃ© en ce qu'il comporte : - une Ã©tape dans laquelle au moins un parmi le premier ou le deuxiÃ¨me 25 composant (CO) semi-conducteur est utilisÃ© pour le stockage d'information ; - une Ã©tape dans laquelle au moins un parmi le premier ou le deuxiÃ¨me composant (CO) semi-conducteur est utilisÃ© pour le stockage d'Ã©nergie. 14. ProcÃ©dÃ© selon la revendication prÃ©cÃ©dente caractÃ©risÃ© en ce que l'Ã©nergie 3066043 32 nÃ©cessaire Ã l'Ã©tape d'utilisation d'au moins un composant (CO) pour le stockage de l'information est fournie par l'Ã©nergie stockÃ©e lors de l'Ã©tape dans laquelle au moins un composant (CO) est utilisÃ© pour le stockage d'Ã©nergie. 5