FR 3066433 A1 20181123 FR 1870564 A 20180515 3066433 Description Titre de l'invention : Procédé de lamination en particulier pour la fabrication de laminats photovoltaïques et dispositif de lamination mettant en oeuvre ledit procédé de lamination [00ol] La présente invention concerne la fabrication de modules photovoltaïques et plus précisément la fabrication de laminats photovoltaïques par encapsulation, également connue sous la désignation de procédé de lamination. Ainsi, la présente invention concerne un procédé de lamination pour la fabrication de laminats photovoltaïques et un dispositif de lamination configuré pour mettre en oeuvre le procédé de lamination selon la présente invention. [0002] De nos jours, les laminats photovoltaïques sont généralement fabriqués par un procédé de lamination afin d'obtenir des laminats photovoltaïques présentant une faible épaisseur. Ce procédé de lamination consiste à exercer une pression, sous chaleur et vide, sur un empilement de couches constituant le laminat photovoltaïque. L'empilement de couches est généralement constitué d'une première feuille d'encapsulation, de chaines de cellules photovoltaïques, et d'une seconde feuille d'encapsulation. Éventuellement, l'empilement de couches peut comprendre une couche de protection disposée sur la première feuille d'encapsulation et une couche arrière disposée sous la seconde feuille d'encapsulation. La couche de protection optionnelle peut être composée de polymère ou de verre. En général, les feuilles d'encapsulation sont composées d'un polymère apte à être réticulé au cours de la réaction de polymérisation afin de permettre une forte adhérence entre les différentes couches pressées constituant le laminat photovoltaïque. De plus, ces feuilles d'encapsulation améliorent la résistance, par exemple à l'humidité, des différentes couches constituant le laminat photovoltaïque. [0003] Des réactions de polymérisation employées dans les procédés de lamination sont les réactions de réticulation. Ces réactions sont irréversibles et dépendent de la température. Ainsi, le procédé de lamination met en oeuvre un dispositif de lamination comprenant un logement qui correspond à un four traditionnel comportant une porte, ou le dispositif de lamination peut être un four à cloche. Les dispositifs de lamination disponibles dans le commerce ont généralement une température presque fixe afin de présenter une inertie élevée à des fins de stabilité de température. Cependant, afin d'améliorer la performance et la qualité des laminats photovoltaïques, il est nécessaire d'éviter la présence de bulles, qui pourraient être issues de l'air présent dans la chambre de lamination ou des vapeurs produites au cours du dégazage du polymère dont sont constituées les feuilles d'encapsulation, dans les laminats photovoltaïques et, 2 3066433 en particulier, entre les différentes couches de l'empilement. Ceci est, en général, effectué au moyen d'une pompe à vide qui élimine l'air d'une chambre de lamination, dans laquelle est déposé l'empilement de couches destiné à former le laminat photovoltaïque, et les vapeurs produites au cours du dégazage du polymère dont sont constituées les feuilles d'encapsulation. Toutefois, cette étape de mise sous vide doit être réalisée avant le commencement de la réaction de polymérisation. Dans le cas contraire, des bulles peuvent se former et être emprisonnées dans les feuilles d'encapsulation entre les différentes couches du laminat photovoltaïque et diminuer ses performances. [0004] El Amrani & al. (« Solar Module Fabrication », International Journal of Photoenergy, vol. 2007) ont développé un procédé de fabrication de laminats photovoltaïques mettant en oeuvre une étape de dégazage. Selon ce procédé, l'empilement de couches est introduit dans un dispositif de lamination qui est chauffé à une première température, approximativement 50 à 60°C, qui est inférieure à la température de polymérisation des feuilles d'encapsulation. Au cours de cette première étape, l'air dans le dispositif de lamination est éliminé au moyen d'une pompe à vide et la pression dans la chambre de lamination est maintenue à 0,1 mmHg (environ 13 Pa) au cours du procédé de lamination. L'empilement de couches est ensuite pressé et le dispositif de lamination est chauffé à une seconde température qui est approximativement égale à la température de polymérisation des feuilles d'encapsulation de façon à permettre leur réaction de polymérisation. Après un temps prédéterminé, l'application de la pression sur l'empilement de couches et le chauffage sont arrêtés, la chambre de lamination est ventilée, et l'empilement de couches laminé formant un laminé photovoltaïque laminé est retiré de la chambre de lamination. [0005] Cependant, ce procédé est difficile à mettre en oeuvre à l'aide de dispositifs de la- mination classiques dont les températures de chauffe sont fixes. En outre, ce procédé est chronophage et onéreux étant donné que le dispositif de lamination doit chauffer l'empilement de couches à une première puis à une seconde température, ceci se traduisant par un allongement du temps de fabrication. De plus, la consommation d'énergie est relativement importante du fait de l'alternance du chauffage et du refroidis sement. [0006] Ainsi, il est utile de développer un procédé de lamination qui peut être mis en oeuvre à l'aide de dispositifs de lamination classiques et, plus précisément, un procédé de lamination qui pourrait être mis en oeuvre dans une chambre de lamination réglée à une température fixe prédéterminée. [0007] Un autre objectif de la présente invention, différent de l'objectif précédent, est de proposer un procédé qui permette une diminution des coûts associés à la fabrication de laminats photovoltaïques en raison d'une mise en oeuvre à une température constante à 3 3066433 l'aide d'une unique chambre de lamination. [0008] Un objectif supplémentaire, différent des objectifs précédents, est de fournir un procédé de lamination qui permette la diminution du temps de fabrication de laminats photovoltaïques à l'aide d'une unique chambre de lamination. [0009] Un autre objectif de la présente invention est de fournir un dispositif de lamination qui permette de contrôler le début de la réaction de polymérisation et qui permette un fonctionnement à une température constante. [0010] Afin de pallier au moins partiellement au moins un des inconvénients de l'art antérieur mentionnés ci-dessus, la présente invention concerne un procédé de lamination, en particulier pour la fabrication de laminats photovoltaïques par encapsulation, mettant en oeuvre un dispositif de lamination comprenant une chambre de lamination comportant une plaque de base et une plaque supérieure mobile, ledit procédé de lamination comprenant les étapes suivantes : - chauffer la plaque de base à une température prédéterminée, - déposer un empilement de couches destiné à former le laminat photovoltaïque dans la chambre de lamination entre la plaque de base et la plaque supérieure mobile, - effectuer une vidange et un dégazage de la chambre de lamination au moyen d'une pompe à vide, - appliquer une pression sur l'empilement de couches à l'aide de la plaque supérieure mobile pendant un temps prédéterminé afin de réaliser une étape de lamination, - ventiler la chambre de lamination, et - retirer le laminat photovoltaïque laminé formé de la chambre de lamination, dans lequel l'empilement de couches est placé sur une structure de support configurée pour assurer une inertie thermique prédéterminée, une résistance thermique volumique prédéterminée et une résistance thermique surfacique prédéterminée entre la plaque de base et l'empilement de couches de façon à ralentir la montée en température de l'empilement de couches et à retarder la polymérisation ou la transition vitreuse entre les couches de l'empilement. [0011] L'inertie thermique est définie comme l'énergie nécessaire pour chauffer un mètre carré de structure de support d'un Kelvin, son unité est en J.m2.K1. Elle peut être déterminée par la capacité calorifique (J.kg1.K1) x la densité (kg.m3) x l'épaisseur (m). [0012] La résistance thermique volumique est l'inverse de la conductivité thermique par mètre carré de la structure de support, son unité est en K.m2.W1. Elle peut être déterminée par l'inverse de la conductivité thermique (m.K.W1) x l'épaisseur (m). [0013] La résistance thermique surfacique est l'inverse de la conductance thermique par mètre carré de la surface inférieure de la structure de support, son unité est en K.m2.W1 [0014] L'utilisation d'une structure de support retarde la réaction de polymérisation ou la 4 3066433 transition vitreuse des feuilles d'encapsulation de l'empilement de couches et permet à la pompe à vide d'éliminer l'air et les vapeurs de la chambre de lamination et, en particulier, entre les couches de l'empilement de façon à éviter la formation de bulles et de cavités et à améliorer la performance du laminat photovoltaïque obtenu par ce procédé de lamination. [0015] En outre, l'utilisation de cette structure de support permet l'utilisation d'un dispositif de lamination disponible dans le commerce configuré pour chauffer l'empilement de couches à une température constante prédéterminée. Ainsi, le procédé de lamination peut être mis en oeuvre à une température constante. De plus, l'utilisation d'un procédé mettant en oeuvre une température constante garantit une diminution de la consommation énergétique et permet ainsi une réduction des coûts associés au procédé. [0016] Ensuite, l'utilisation de la structure de support permet une optimisation du temps de fabrication. Le dispositif de lamination peut en effet être maintenu à une température constante. Ainsi, la montée en température entre la première température, à laquelle la chambre de lamination est dégazée, et la seconde température, à laquelle se produit la réaction de polymérisation ou une transition vitreuse, est maîtrisée par le biais de la structure de support, ce qui permet d'accélérer le procédé et d'améliorer le rendement du procédé. [0017] Le procédé de lamination selon la présente invention peut présenter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises seules ou en combinaison. [0018] La structure de support comprend une plaque présentant une inertie thermique prédé- terminée, une résistance thermique surfacique prédéterminée et une résistance thermique volumique prédéterminée, ladite inertie thermique prédéterminée étant inférieure à 105 J.m2.K1, de préférence comprise entre 5 x 102 et 5 x 104 J.m2.K1, et ladite résistance thermique surfacique prédéterminée étant comprise entre 2 x 10-6 m2 .K.W1 et 5 x 10-2 M2.K.W 1, et ladite résistance thermique volumique prédéterminée étant comprise entre 1 x 10-6 M2.K.W 1 et 2 x 10-1 m2.K.W1. [0019] La plaque est composée de métal, de verre, de verre comprenant des particules ther- moconductrices, de polymère, d'un matériau à changement de phase, de céramique ou d'une combinaison de ces matériaux. [0020] La plaque présente une épaisseur comprise entre 0,1 mm et 20 mm, de préférence comprise entre 2 mm et 10 mm. [0021] La plaque de base est chauffée à une température constante comprise entre 80°C et 200°C, en particulier comprise entre 100 et 160 °C. [0022] Selon un mode de réalisation particulier, les étapes de vidange et de dégazage sont effectuées pendant une durée inférieure à 10 minutes, et en particulier comprise entre 30 secondes et 2 minutes. [0023] La plaque présente une inertie thermique prédéterminée, une résistance thermique 3066433 surfacique prédéterminée par rapport à la plaque de base et une résistance thermique volumique prédéterminée de telle sorte que les étapes de vidange et de dégazage soient terminées avant que l'empilement de couches n'atteigne une température seuil de polymérisation ou de transition vitreuse prédéterminée. [0024] Selon un mode de réalisation particulier, l'étape d'application d'une pression est réalisée après un temps prédéterminé à la suite de l'étape de dépôt de la structure de support avec l'empilement de couches dans la chambre de lamination. [0025] Selon un autre mode de réalisation, l'étape d'application d'une pression est réalisée une fois que la pression dans la chambre de lamination est inférieure à un seuil prédéterminé. [0026] Selon cet autre mode de réalisation particulier, le seuil prédéterminé est de 20 mbar, et de préférence de 1 mbar. [0027] Selon ce mode de réalisation, la plaque présente une inertie thermique prédéterminée, une résistance thermique surfacique prédéterminée par rapport à la plaque de base et une résistance thermique volumique prédéterminée de telle sorte que la température de seuil prédéterminée pour la polymérisation ou la transition vitreuse ne soit pas encore atteinte lorsque la pression dans la chambre de lamination est égale à un seuil de pression, en particulier un seuil de pression de 1 mbar. [0028] Selon un mode de réalisation particulier, la structure de support comprend des ressorts mécaniques configurés pour se comprimer sous la pression de la plaque supérieure mobile sur l'empilement de couches de façon à amener la structure de support en contact avec la plaque de base au cours de l'étape d'application d'une pression, ceci diminuant la résistance thermique surfacique entre la structure de support et la plaque de base. [0029] La présente invention concerne en outre un dispositif de lamination, en particulier pour la fabrication de laminats photovoltaïques par encapsulation, ledit dispositif de lamination comprenant une plaque de base configurée pour être chauffée à une température constante prédéterminée et une plaque supérieure mobile configurée pour appliquer une pression sur un empilement de couches destiné à former le laminat photovoltaïque, ledit dispositif de lamination comprenant en outre une structure de support telle que définie ci-dessus. [0030] D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront à la lecture de la description suivante, donnée à titre d'exemple illustratif et non limitatif, et avec les dessins joints dans lesquels : [0031] [fig.1] la figure 1 représente une vue schématique en coupe transversale d'un dispositif de lamination vide selon un premier mode de réalisation, [0032] [fig.2] la figure 2 représente une vue schématique en coupe transversale du dispositif de lamination de la figure 1 dans lequel une structure de support sur laquelle est 6 3066433 disposé un empilement de couches a été chargée, [0033] [fig.3] la figure 3 représente une vue schématique en coupe transversale du dispositif de lamination de la figure 1 au cours d'une étape d'application d'une pression sur l'empilement de couches, [0034] [fig.4] la figure 4 représente une vue schématique en coupe transversale du dispositif de lamination de la figure 1 avec un laminat photovoltaïque obtenu après l'étape d'application d'une pression, [0035] [fig.5] la figure 5 représente une vue schématique en coupe transversale d'un empilement de couches disposé sur une structure de support selon un second mode de réalisation, [0036] [fig.6] la figure 6 représente une vue schématique en coupe transversale d'un dispositif de lamination dans lequel la structure de support de la figure 5 a été chargée, [0037] [fig.7] la figure 7 représente une vue schématique en coupe transversale du dispositif de lamination au cours d'une étape d'application d'une pression sur l'empilement de couches avec la structure de support de la figure 5, [0038] [fig.8] la figure 8 représente une vue schématique en coupe transversale du dispositif de lamination avec un laminat photovoltaïque obtenu après l'étape d'application d'une pression sur la structure de support de la figure 5, et [0039] [fig.9] la figure 9 est un organigramme illustrant le procédé de lamination en fonction du temps de fabrication. [0040] Sur les dessins, les mêmes éléments possèdent les mêmes références numériques. [0041] Les modes de réalisation qui suivent sont des exemples. Même si la description mentionne un ou plusieurs modes de réalisation, ceci ne signifie pas nécessairement que chaque référence concerne le même mode de réalisation, ou que les caractéristiques techniques ne peuvent être appliquées qu'à un seul et même mode de réalisation. De simples caractéristiques techniques de différents modes de réalisation peuvent être combinées ou interchangées les unes aux autres afin d'obtenir d'autres modes de réalisation. [0042] Dans la description suivante, le terme « dispositif de lamination » désigne un dispositif de lamination à source de chaleur inférieure. Plus précisément, l'empilement de couches à laminer disposé dans la chambre de lamination est chauffé depuis le bas de l'empilement vers le haut. [0043] D'autre part, dans la description suivante, les termes « inférieur(e) », « bas », « supérieur(e) » et « haut » sont définis par rapport à l'axe vertical standard, et correspondent à la configuration générale des éléments disposés dans le dispositif de lamination. [0044] De plus, dans la description suivante, le terme « bulles » est utilisé pour désigner des bulles d'air ou des cavités emprisonnées entre les feuilles d'encapsulation au cours du 7 3066433 procédé de lamination ou des bulles produites par les vapeurs du polymère composant les feuilles d'encapsulation lors de son dégazage du fait du chauffage au cours du procédé de lamination. [0045] Dans la description suivante, le terme « performance » est destiné à prendre en compte le rendement et/ou la sûreté et/ou l'intégrité du laminat photovoltaïque, tels que sa conversion et sa durée de vie. [0046] En référence aux figures 1 à 4, il est représenté une vue schématique en coupe transversale d'un dispositif de lamination 3, en particulier pour la fabrication de laminats photovoltaïques 1 par encapsulation, selon un premier mode de réalisation de la présente invention. Le dispositif de lamination 3 comprend une chambre de lamination 5 définie par un logement 6. Une plaque de base 7 et une plaque supérieure mobile 9 sont disposées dans le logement 6. La chambre de lamination 5 est configurée pour être fermée de manière hermétique. À cet effet, le dispositif de lamination 3 peut être un four comportant une porte ou un four à cloche. [0047] La plaque de base 7 est configurée pour être chauffée à une température constante prédéterminée afin de chauffer un empilement de couches 10 destiné à former le laminat photovoltaïque 1. Plus précisément, la plaque de base 7 est chauffée à une température constante comprise entre 80 °C et 200 °C, et de préférence entre 100 et 160 °C, afin d'assurer une réaction de polymérisation de certaines couches, qui sont les feuilles d'encapsulation (11, 13 sur la figure 2), constituant l'empilement de couches 10 afin d'achever le procédé d'encapsulation du laminat photovoltaïque 1. L'utilisation d'une telle température constante fixe permet d'utiliser des dispositifs de lamination disponibles dans le commerce qui sont configurés pour fonctionner uniquement à une température constante prédéterminée. Bien entendu, selon la nature des feuilles d'encapsulation 11, 13 utilisées, la température de chauffe de la plaque de base 7 peut être adaptée afin d'obtenir une réaction de polymérisation ou une transition vitreuse. [0048] Au cours d'une réaction de polymérisation par exemple, les feuilles d'encapsulation 11, 13 réticulent, ainsi cette réaction de polymérisation est irréversible. Ceci garantit une forte adhérence entre les différentes couches du laminat photovoltaïque 1 et augmente la résistance du laminat photovoltaïque 1 contre l'humidité. Toutefois, le contrôle de cette réaction est un point essentiel. [0049] La plaque supérieure mobile 9 est configurée pour appliquer une pression sur un em- pilement de couches 10 destiné à former le laminat photovoltaïque 1. Le procédé de lamination est en effet prévu pour obtenir des laminats photovoltaïques 1 présentant une faible épaisseur. En appliquant une pression sur l'empilement de couches 10 à l'aide de la plaque supérieure mobile 9 au cours des réactions de polymérisation, il est possible d'obtenir une très forte adhérence entre les différentes couches constituant le laminat photovoltaïque 1 en raison de la réticulation du polymère composant les feuilles 8 3066433 d'encapsulation 11, 13 et une faible épaisseur de ce laminat. Néanmoins, étant donné que ces réactions sont irréversibles, il est nécessaire de prêter attention à certains paramètres. [0050] Il a été démontré qu'afin d'améliorer la performance du laminat photovoltaïque 1, il est nécessaire d'éviter la présence de bulles entre les différentes couches constituant ce laminat photovoltaïque 1. Pour éviter la présence de bulles, il est nécessaire de dégazer la chambre de lamination 5 avant le commencement de la réaction de polymérisation, de la déformation thermoplastique, ou de la transition vitreuse des feuilles d'encapsulation 11, 13. Afin de réaliser cette élimination d'air, le dispositif de lamination 3 comporte une pompe à vide 21 qui assure le dégazage de la chambre de lamination 5, et en particulier de l'air se trouvant entre les couches de l'empilement 10 et de la vapeur produite par les feuilles d'encapsulation 11 et 13. [0051] De plus, le dispositif de lamination 3 comporte une structure de support 23 qui peut être retirée de la chambre de lamination 5 et sur laquelle est disposé l'empilement de couches 10 destiné à former le laminat photovoltaïque 1 après le procédé de lamination. La structure de support 23 peut être réalisée sous la forme d'une plaque 24 présentant une inertie thermique prédéterminée, une résistance thermique surfacique prédéterminée et une résistance thermique volumique prédéterminée afin de ralentir la montée en température de l'empilement de couches 10 et de retarder ainsi le début de la réaction de polymérisation ou de la transition vitreuse des feuilles d'encapsulation disposées dans l'empilement de couches 10. [0052] Selon le mode de réalisation particulier de la figure 2, l'empilement de couches 10 est composé d'au moins une couche de chaines de cellules photovoltaïques 12 prise en sandwich entre des feuilles d'encapsulation 11, 13. L'empilement de couches 10 comprend en outre une couche de feuille arrière 14 optionnelle et une couche de feuille avant 15 optionnelle. [0053] Selon ce mode de réalisation particulier, les feuilles d'encapsulation 11, 13 sont composées de monomères basiques simples tels que le copolymère d'éthylène-acétate de vinyle (EVA) ou les monomères époxy par exemple. [0054] D'autre part, la couche de feuille arrière 14 optionnelle est composée de n'importe quel matériau résistant aux agressions extérieures telles que les rayons ultraviolets, les atmosphères corrosives, la température, l'abrasion ou les produits chimiques. Cette couche de feuille arrière 14 est destinée à constituer la face arrière du laminat photovoltaïque 1. Plus précisément, la face arrière est la dernière face du laminat photovoltaïque 1 recevant les rayons lumineux. Cette face arrière est destinée à être partiellement en contact avec la structure de bâtiment sur laquelle le laminat photovoltaïque 1 est disposé par exemple. De plus, la couche de feuille arrière 14 optionnelle peut comporter des modules de sortie de connexion (non représentés) destinés à 9 3066433 délivrer l'énergie photovoltaïque produite aux onduleurs par exemple. [0055] La couche de feuille avant 15 est quant à elle composée de n'importe quel matériau présentant une bonne transmission optique, par exemple supérieure à 95 % dans la plage utile du spectre solaire. La couche de feuille avant 15 est destinée à constituer la première couche à être exposée aux rayons lumineux solaires. En général, cette couche de feuille avant 15 est composée par exemple d'une matière plastique transparente de façon à permettre à la plus grande partie du rayonnement lumineux de passer à travers cette couche de feuille avant 15 jusqu'aux chaines de cellules photovoltaïques 12 afin de maximiser la conversion photovoltaïque du laminat photovoltaïque 1. [0056] En référence aux figures 2 à 4, la plaque 24 présentant une inertie thermique prédé- terminée, une résistance thermique surfacique prédéterminée et une résistance thermique volumique prédéterminée est composée, par exemple, de verre. De manière générale, la plaque 24 présente une épaisseur t comprise entre 0,1 mm et 20 mm. Selon ce mode de réalisation spécifique, la plaque 24 présente une épaisseur t comprise entre 2 mm et 10 mm. En effet, comme cela sera expliqué plus tard, l'épaisseur t de la plaque 24 doit être choisie afin de ralentir la montée en température de l'empilement de couches 10. L'épaisseur t de la plaque 24 doit être choisie afin de permettre à la température de l'empilement de couches 10 d'atteindre une température seuil 32 prédéterminée pour la polymérisation ou la transition vitreuse des feuilles d'encapsulation 11, 13 (représenté sur la figure 9) en un temps acceptable, et le procédé de lamination sera ainsi effectif uniquement après que les bulles ont été éliminées de l'empilement de couches 10. [0057] Par ailleurs, afin de garantir un ralentissement optimal de la montée en température de l'empilement de couches 10, l'inertie thermique prédéterminée de la plaque 24, la résistance thermique surfacique par rapport à la plaque de base 7 et la résistance thermique volumique de la plaque 24 sont des paramètres qui doivent être soigneusement choisis. [0058] L'utilisation d'une plaque 24 présentant de telles caractéristiques garantit le re- tardement du début de la réaction de polymérisation ou de la transition vitreuse, et optimise ainsi le contrôle du procédé de lamination. De plus, l'utilisation d'une telle plaque 24 permet la création d'une résistance thermique au niveau de l'interface de cette plaque 24 avec la plaque de base 7, contribuant ainsi au retardement de la montée en température de l'empilement de couches 10. [0059] Selon un autre mode de réalisation non représenté ici, la plaque 24 peut être composée de métal, de verre, de verre comprenant des particules thermoconductrices, de polymère, de matériau à changement de phase, de céramique ou d'une combinaison de ces différents matériaux. [0060] Avant leur introduction dans la chambre de lamination 5, l'empilement de couches 3066433 10 et la structure de support 23 se trouvent à température ambiante, par exemple 22°C. [0061] En référence à la figure 2, l'empilement de couches 10 disposé sur la structure de support 23 est introduit dans la chambre de lamination 5 entre la plaque de base 7 et la plaque supérieure mobile 9 du dispositif de lamination 3. Cette introduction de la structure de support 23 dans la chambre de lamination 5 correspond à une première étape A de dépôt. Selon ce mode de réalisation, la plaque de base 7 se trouve à une température constante fixe prédéterminée de 135°C lorsque la première étape A de dépôt est réalisée. Cette température constante de la plaque de base 7 est maintenue durant la totalité du procédé de lamination. Cependant, en fonction de la composition des feuilles d'encapsulation 11, 13 utilisées, cette température peut être modifiée. D'une manière générale, cette température constante fixe correspond à la température de polymérisation des monomères ou de transition vitreuse du matériau constituant les feuilles d'encapsulation 11, 13. [0062] La porte du dispositif de lamination 3 est fermée et la pompe à vide 21 est mise en marche pour effectuer la vidange et le dégazage de la chambre de lamination 5 afin d'éliminer l'air et les vapeurs, produites par le dégazage du monomère dont sont constituées les feuilles d'encapsulation 11, 13, de la chambre de lamination 5 et entre les couches de l'empilement suivant les flèches 22 (représentées sur la figure 2). Le dégazage de la chambre de lamination 5 est nécessaire pour éviter la formation de bulles entre les couches du laminat photovoltaïque 1 et ainsi améliorer ses performances. L'utilisation de la pompe à vide 21 pour la vidange et le dégazage de la chambre de lamination 5 correspond à une deuxième étape B et une troisième étape C, correspondant respectivement à une étape de vidange et une étape de dégazage. Les deuxième étape B de vidange et troisième étape C de dégazage sont, de manière avantageuse, effectuées pendant une période inférieure à 10 minutes et, en particulier, comprise entre 30 secondes et 2 minutes. Toutefois, ces temps peuvent être revus en fonction du volume de la chambre de lamination 5, de la puissance de la pompe à vide 21 utilisée et/ou du matériau subissant le dégazage. [0063] En référence à la figure 3, une pression est ensuite appliquée sur l'empilement de couches 10 à l'aide de la plaque supérieure mobile 9 suivant les flèches 25 pendant un temps prédéterminé afin de réaliser l'étape de lamination. Cette étape de lamination correspond à une quatrième étape D. La durée de cette quatrième étape D est variable et dépend de divers paramètres tels que le nombre de couches dont est constitué l'empilement de couches 10 ou la composition des feuilles d'encapsulation 11, 13 utilisées par exemple. Au cours de cette quatrième étape D, la pompe à vide 21 fonctionne et maintient la pression dans la chambre de lamination 5 à une valeur inférieure à un seuil de pression prédéterminé. Afin d'éviter la formation de bulles entre les couches du laminat photovoltaïque 1, la pression dans la chambre de lamination 5 11 3066433 doit être inférieure à 20 mbar au commencement de la quatrième étape D. Selon ce mode de réalisation particulier, la pression dans la chambre de lamination 5 au commencement de l'étape D d'application d'une pression et durant la totalité de cette étape est égale à 1 mbar. [0064] En référence à la figure 4, une fois le temps prédéterminé de la quatrième étape D écoulé, la plaque supérieure mobile 9 est remontée suivant les flèches 26 et la chambre de lamination 5 est ventilée de sorte que la porte du dispositif de lamination 3 puisse être ouverte et que le laminat photovoltaïque 1 laminé puisse être retiré de ce dispositif de lamination 3. Un autre empilement de couches 10 à laminer disposé sur une structure de support 23 peut être déposé dans la chambre de lamination 5 directement après cette étape de retrait et le procédé de lamination peut être à nouveau mis en oeuvre. [0065] Selon une variante possible, la quatrième étape D peut être effectuée après un temps prédéterminé à la suite de la première étape A de dépôt de la structure de support 23 avec l'empilement de couches 10 dans la chambre de lamination 5. Selon ce mode de réalisation particulier, le volume de la chambre de lamination 5 et la puissance de la pompe à vide 21 doivent être connus afin de garantir l'élimination de l'air et des vapeurs de dégazage se trouvant à l'intérieur de la chambre de lamination 5. [0066] Naturellement, cette quatrième étape D d'application d'une pression sur l'empilement de couches 10 à l'aide de la plaque supérieure mobile 9 peut être effectuée manuellement ou automatiquement. Lorsque la quatrième étape D est effectuée automatiquement, elle peut être commandée par une unité électronique de commande (non représentée) par exemple. [0067] L'utilisation de la structure de support 23 permet, de manière avantageuse, d'employer un dispositif de lamination 3 classique configuré pour chauffer à une température constante prédéterminée à des fins de stabilité de température. Ainsi, il est possible de contrôler la montée en température de l'empilement de couches 10 et de contrôler le début de la réaction de polymérisation ou de la transition vitreuse et ainsi de réduire le nombre de laminats photovoltaïques 1 laminés à mettre au rebut en raison de réactions de polymérisation non contrôlées ou d'autres problèmes thermiques au cours du procédé de lamination. En effet, la structure de support 23 assure une résistance thermique superficielle permettant le retardement de la montée en température de l'empilement de couches 10 et également le début de la réaction de polymérisation des feuilles d'encapsulation 11, 13. En outre, l'utilisation de cette structure de support 23 crée une résistance thermique au niveau de l'interface entre la plaque de base 7 et la structure de support 23 contribuant également à retarder la montée en température de l'empilement de couches 10. [0068] En référence à la figure 5, il est représenté la structure de support 23 sur laquelle 12 3066433 l'empilement de couches 10 est disposé selon un deuxième mode de réalisation. La structure de support 23 comporte la plaque 24 et comprend en outre des ressorts mécaniques 27. La plaque 24 peut présenter les mêmes caractéristiques (épaisseur t et inertie thermique) que dans le premier mode de réalisation ou présenter seulement une inertie thermique moindre. Les ressorts mécaniques 27 sont configurés pour maintenir la structure de support 23 au-dessus de la plaque de base 7 du dispositif de lamination 3, comme illustré sur la figure 6, au cours de la deuxième étape B et de la troisième étape C par exemple. L'espace entre la plaque de base 7 et la structure de support 23 peut assurer la résistance thermique souhaitée. Les ressorts mécaniques 27 sont configurés pour se comprimer sous la pression de la plaque supérieure mobile 9 sur l'empilement de couches 10 de façon à amener la structure de support 23 en contact avec la plaque de base 7 au cours de la quatrième étape D, comme représenté par la figure 7. L'utilisation d'une telle structure de support 23 comprenant des ressorts mécaniques 27 peut améliorer le ralentissement de la montée en température de l'empilement de couches 10 si nécessaire étant donné que la structure de support 23 ne se trouve pas en contact avec la plaque de base 7 chauffée directement après la première étape A (figure 6). Ainsi, la chauffe par conduction ou convection à faible pression de l'empilement de couches 10 peut être retardée. En outre, comme expliqué auparavant, l'utilisation de cette structure de support 23 assure une résistance thermique surfacique de façon à permettre le retardement de la montée en température de l'empilement de couches 10 et ainsi le début de la réaction de polymérisation des feuilles d'encapsulation 11, 13. [0069] Selon un autre mode de réalisation non représenté ici, les ressorts mécaniques 27 peuvent être remplacés par des dispositifs d'actionnement qui pourraient être entraînés automatiquement par une unité de commande ou manuellement par un opérateur de façon à amener la structure de support 23 et la plaque de base 7 chauffée en contact après un temps prédéterminé à la suite du dépôt de la structure de support 23 dans la chambre de lamination 5 par exemple. Dans un tel cas, les dispositifs d'actionnement sont, de manière avantageuse, disposés directement dans la chambre de lamination 5. [0070] En référence à la figure 8, le dispositif de lamination 3 est représenté au cours de l'étape de ventilation. Au cours de cette étape, la plaque supérieure mobile 9 est élevée suivant les flèches 26 et les ressorts mécaniques 27 peuvent reprendre leur longueur normale. [0071] L'utilisation de ces ressorts mécaniques 27 peut, de manière avantageuse, faciliter le dépôt de la structure de support 23, sur laquelle est placé l'empilement de couches 10 dans la chambre de lamination 5 ou le retrait de la structure de support 23, sur laquelle se trouve le laminat photovoltaïque 1 laminé formé, de la chambre de lamination 5 au terme du procédé de lamination. De plus, ce mode de réalisation permet d'augmenter 13 3066433 la vitesse de refroidissement dans l'air grâce à une éventuelle inertie thermique inférieure. [0072] En référence à la figure 9, il est représenté un graphique illustrant le procédé de la- mination selon le premier mode de réalisation de l'invention. Sur ce graphique, l'axe des abscisses illustre le temps t et les axes des ordonnées illustrent la pression P dans la chambre de lamination 5 et la température T du laminat 10. En outre, un autre axe des ordonnées représente le fait que l'application d'une pression par la plaque supérieure mobile 9 est activée (MARCHE) ou non (ARRÊT). La courbe 31 correspond à la pression dans la chambre de lamination 5. De plus, la courbe 33 illustre la pression appliquée par la plaque supérieure mobile 9 sur l'empilement de couches 10. En outre, la ligne en pointillé illustre la température seuil Tth 32 pour la polymérisation ou la transition vitreuse des feuilles d'encapsulation 11, 13 utilisées. La ligne en pointillé et tirets 38 représente la température du dispositif de lamination, asymptote vis-à-vis de la température pour le laminat 10. [0073] Ensuite, la température de l'empilement de couches 10 est représentée par trois courbes 35, 37, 39 selon différents modes de réalisation : d'une part un mode de réalisation idéal (courbe 35) dans lequel la plaque 24 de la structure de support 23 présente une épaisseur t optimale et une inertie thermique et une résistance thermique surfacique et/ou volumique optimales, et d'autre part deux contre-exemples (courbes 37 et 39), dans lesquels la plaque 24 présente une épaisseur t trop élevée et/ou une inertie thermique trop élevée et/ou une résistance thermique surfacique/volumique trop élevée (courbe 37) ou une épaisseur t trop faible et/ou une inertie thermique trop faible et/ou une résistance thermique surfacique/volumique trop faible (courbe 39). En outre, en haut de cet organigramme, les différentes étapes (A, B, C, D) sont représentées afin de mieux illustrer les conditions dans la chambre de lamination 5, telles que la température T et la pression P, au cours de ces différentes étapes et le temps t que dure chaque étape. [0074] Lors de la première étape A, la plaque de base 7 est chauffée à la température constante prédéterminée et la plaque supportant l'empilement de couches 10 à laminer est disposée sur la plaque de base 7. L'empilement de couches 10 se trouve alors sensiblement à température ambiante TR, par exemple 22 °C, et la pression dans la chambre de lamination 5 est égale à la pression atmosphérique PA (sensiblement 1 bar). [0075] La chambre de lamination 5 est fermée et la pompe à vide 21 est mise en marche afin d'effectuer la deuxième étape B de vidange. Au cours de cette deuxième étape B, la pression à l'intérieur de la chambre de lamination 5 diminue pour atteindre un premier seuil de pression prédéterminé Pth i , qui est par exemple approximativement inférieur à 20 mbar, comme par exemple de 5 mbar, et la température de l'empilement de couches commence à augmenter. 14 3066433 [0076] Ensuite, dans la troisième étape C, la pompe à vide 21 continue à pomper et évacuer hors de la chambre de lamination 5 l'air et les vapeurs se trouvant entre les différentes couches de l'empilement de couches 10 afin d'éviter toute formation de bulles dans les feuilles d'encapsulation qui pourrait affecter les performances du laminat photovoltaïque 1 (comme illustré par les flèches 22 sur les figures 2 et 6). Au cours de cette troisième étape C, la pression dans la chambre de lamination 5 diminue pour atteindre un deuxième seuil de pression prédéterminé Pth2, et la température de l'empilement de couches 10 continue d'augmenter, comme illustré par les courbes 35, 37 et 39. [0077] Si la plaque 24 présente une épaisseur trop faible et/ou une inertie thermique trop faible et/ou une résistance thermique surfacique/volumique trop faible (courbe 39), la température seuil de polymérisation ou de transition vitreuse 32 est atteinte avant la fin du dégazage. Ainsi, la réaction de polymérisation commence avant que la chambre de lamination 5 ne soit dégazée et de l'air et/ou des vapeurs de gaz demeurent entre et dans les couches de l'empilement. De plus, la réticulation avant l'application d'une pression ne permet pas une bonne adhérence entre les couches de l'empilement 10. Avec un matériau thermoplastique, le fait d'atteindre la transition vitreuse avant l'application d'une pression génère un écoulement du matériau et une encapsulation non contrôlée. Par conséquent, la formation de bulles à l'intérieur des couches d'encapsulation 11, 13 réticulées, des problèmes d'adhérence ou un écoulement de matériaux se produit et affecte les performances du laminat photovoltaïque 1. [0078] À la fin de la troisième étape C, la pression à l'intérieur de la chambre de lamination 5 est inférieure à 20 mbar, par exemple inférieure à 5 mbar, et de préférence égale à P th2 = 1 mbar. Avec une telle pression à l'intérieur de la chambre de lamination 5, la formation de bulles entre les différentes couches de l'empilement est prévenue. Cette pression est atteinte juste avant le début de la quatrième étape D d'application d'une pression. Comme illustré par la courbe 35, l'empilement de couches 10 atteint la température de seuil prédéterminée 32 pour la polymérisation ou la transition vitreuse juste après la fin du dégazage au cours de la troisième étape C du fait de l'utilisation de la plaque 24 présentant une inertie thermique et/ou une résistance thermique surfacique/ volumique prédéterminées. [0079] La quatrième étape D est alors effectuée au moyen de la plaque supérieure mobile 9 qui applique une pression sur l'empilement de couches 10 de façon à former le laminat photovoltaïque 1, comme représenté par la courbe 33. Cette quatrième étape D d'application d'une pression garantit la formation d'une forte adhérence entre les différentes couches constituant l'empilement afin d'obtenir le laminat photovoltaïque 1 laminé et évite toute cavité dans le laminat 1. La pression appliquée par la plaque supérieure mobile 9 sur l'empilement de couches est, de manière avantageuse, essentiellement égale à 1 bar. En effet, cette pression appliquée doit être suffisamment 3066433 élevée pour presser les différentes couches de l'empilement les unes contre les autres, mais pas excessivement élevée afin de ne pas endommager les composants des différentes couches de l'empilement. En outre, si la pression est trop élevée, ceci peut affaiblir ou rompre certaines couches de l'empilement ou mener à un écoulement de matériau indésirable excessif au cours de cette quatrième étape D d'application d'une pression. [0080] Afin de garantir l'adhérence entre les différentes couches de l'empilement, la quatrième étape D doit être effectuée après la fin du dégazage et avant que l'empilement de couches 10 n'ait atteint la température seuil de polymérisation ou de transition vitreuse 32. [0081] Si la température de l'empilement de couches 10 est inférieure à cette température seuil de polymérisation, les feuilles d'encapsulation 11, 13 ne réticulent pas et l'adhérence entre les différentes couches du laminat photovoltaïque 1 n'est pas garantie. Comme illustré par la courbe 37, au début de la quatrième étape D, la température de l'empilement de couches 10 est inférieure à la température seuil prédéterminée 32 pour la polymérisation ou la transition vitreuse des feuilles d'encapsulation 11, 13 étant donné que la plaque 24 de la structure de support 23 présente une épaisseur t trop élevée ou une inertie thermique trop élevée et ou une résistance thermique surfacique/volumique trop élevée. Ainsi, la réticulation ou la transition vitreuse des feuilles d'encapsulation 11, 13 ne se produit pas et la forte adhérence entre les différentes couches ne peut pas être garantie. [0082] Afin de surmonter cet inconvénient, il peut être possible d'installer un capteur de température (non représenté) tel qu'un thermomètre infrarouge dans la chambre de lamination 5. Avec l'utilisation de tels capteurs, l'étape d'application d'une pression D peut être effectuée une fois que l'empilement de couches 10 a atteint une température seuil prédéterminée Tth 32. Cependant, l'utilisation d'une plaque 24 présentant une épaisseur t trop élevée ou une inertie thermique trop élevée et/ou une résistance thermique surfacique/volumique trop élevée entraîne une augmentation des temps de fabrication et n'est pas nécessairement rentable. [0083] Les modes de réalisation ci-dessus sont des modes de réalisation illustratifs et non li- mitatifs. Évidemment, de nombreuses modifications et variations de la présente invention sont possibles à la lumière des enseignements ci-dessus sans s'écarter de son concept inventif. Il faut par conséquent comprendre que l'invention peut être mise en oeuvre d'autres manières que celles spécifiquement décrites. En effet, il est possible pour l'homme de l'art d'utiliser un capteur de température pour suivre la montée en température de l'empilement de couches 10 afin d'adapter l'épaisseur t ou l'inertie thermique de la plaque 24, ou de commander le déplacement de la plaque supérieure mobile 9 lorsque la valeur seuil de polymérisation ou de transition vitreuse 32 est 16 3066433 atteinte par l'empilement de couches 10 par exemple. [0084] Ainsi, l'amélioration du procédé de lamination pour la fabrication d'un laminat pho- tovoltaïque 1 par encapsulation est possible grâce à la structure de support 23 comportant une plaque 24 présentant une épaisseur t prédéterminée et une inertie thermique prédéterminée. En effet, l'utilisation d'une telle plaque 24 retarde le début de la polymérisation, même si le dispositif de lamination 3 est chauffé à une température constante prédéterminée, qui correspond généralement à la température seuil de polymérisation ou de transition vitreuse 32 des feuilles d'encapsulation utilisées, afin de permettre le dégazage de la chambre de lamination 5 avant le début de la réaction de polymérisation ou du ramollissement du matériau de façon à éviter la présence de bulles entre les couches de l'empilement afin de garantir de bonnes performances du laminat photovoltaïque 1 obtenu par le biais de ce procédé. REVENDICATIONS1. Procédé de lamination, en particulier pour la fabrication de laminats photovoltaïques (1) par encapsulation, au moyen d'un dispositif de lamination (3) comprenant une chambre de lamination (5) comportant une plaque de base (7) et une plaque supérieure mobile (9), ledit procédé de lamination comprenant les étapes suivantes : - chauffer la plaque de base (7) à une température prédéterminée, - déposer (A) un empilement de couches (10) destiné à former le laminat photovoltaïque (1) dans la chambre de lamination (5) entre la plaque de base (7) et la plaque supérieure mobile (9), - effectuer une vidange (B) et un dégazage (C) de la chambre de lamination (5) au moyen d'une pompe à vide (21), - appliquer une pression (D) sur l'empilement de couches (10) à l'aide de la plaque supérieure mobile (9) pendant un temps prédéterminé afin de réaliser une étape de lamination, - ventiler la chambre de lamination (5), et - retirer le laminat photovoltaïque (1) laminé formé de la chambre de lamination (5), dans lequel l'empilement de couches (10) est placé sur une structure de support (23) configurée pour assurer une inertie thermique prédéterminée, une résistance thermique volumique prédéterminée et une résistance thermique surfacique prédéterminée entre la plaque de base (7) et l'empilement de couches (10) de façon à ralentir la montée en température de l'empilement de couches (10) et à retarder la polymérisation et/ou la transition vitreuse entre les couches de l'empilement. 2. Procédé de lamination selon la revendication 1, dans lequel ladite structure de support comprend une plaque (24) composée de métal, de verre, de verre comprenant des particules thermoconductrices, de polymère, d'un matériau à changement de phase, de céramique ou d'une combinaison de ces matériaux. Procédé de lamination selon la revendication 2, dans lequel la plaque (24) présente une épaisseur (t) comprise entre 0,1 mm et 20 mm, et de préférence comprise entre 3 mm et 10 mm. Procédé de lamination selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la plaque de base (7) est chauffée à une température constante comprise entre 80 °C et 200 °C. Procédé de lamination selon l'une quelconque des revendications pré- 18 3066433 [Revendication 6] [Revendication 7] [Revendication 8] [Revendication 9] [Revendication 10] [Revendication 11] [Revendication 12] cédentes, dans lequel les étapes de vidange (B) et de dégazage (C) sont effectuées pendant une durée inférieure à 10 minutes, et en particulier comprise entre 30 secondes et 2 minutes. Procédé de lamination selon l'une quelconque des revendications précédentes prise en combinaison avec la revendication 2, dans lequel la plaque (24) présente une inertie thermique prédéterminée, une résistance thermique surfacique prédéterminée par rapport à la plaque de base (7) et une résistance thermique volumique prédéterminée de telle sorte que les étapes de vidange (B) et de dégazage (C) sont terminées avant que l'empilement de couches (10) n'atteigne une température seuil de polymérisation ou de transition vitreuse (32) prédéterminée. Procédé de lamination selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'étape (D) d'application d'une pression est effectuée après un temps prédéterminé à la suite de l'étape (A) de dépôt de la structure de support (23) avec l'empilement de couches (10) dans la chambre de lamination (5). Procédé de lamination selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel l'étape (D) d'application d'une pression est effectuée une fois que la pression dans la chambre de lamination (5) est inférieure à un seuil prédéterminé. Procédé de lamination selon la revendication 8, dans lequel le seuil prédéterminé est de 20 mbar, de préférence de 1 mbar. Procédé de lamination selon la revendication 9 prise en combinaison avec la revendication 6, dans lequel la plaque (24) présente une inertie thermique prédéterminée, une résistance thermique surfacique prédéterminée par rapport à la plaque de base (7) et une résistance thermique volumique prédéterminée de telle sorte que la température seuil (32) prédéterminée pour la polymérisation ou la transition vitreuse de feuilles d'encapsulation (11, 13) ne soit pas encore atteinte lorsque la pression dans la chambre de lamination (5) est égale à 1 mbar. Procédé de lamination selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la structure de support (23) comprend des ressorts mécaniques (27) configurés pour se comprimer sous la pression de la plaque supérieure mobile (9) sur l'empilement de couches (10) de façon à amener la structure de support (23) en contact avec la plaque de base (7) au cours de l'étape d'application d'une pression (D). Dispositif de lamination (3), en particulier pour la fabrication de laminats photovoltaïques (1) par encapsulation, ledit dispositif de la- 19 3066433 mination (3) comprenant une plaque de base (7) configurée pour être chauffée à une température constante prédéterminée et une plaque supérieure mobile (9) configurée pour appliquer une pression sur un empilement de couches (10) destiné à former le laminat photovoltaïque (1), ledit dispositif de lamination (3) comprenant en outre une structure de support (23) sur laquelle est placé l'empilement de couches (10) et configurée pour assurer une inertie thermique prédéterminée, une résistance thermique volumique prédéterminée et une résistance thermique surfacique prédéterminée entre la plaque de base (7) et l'empilement de couches (10) de façon à ralentir la montée en température de l'empilement de couches (10) et à retarder la polymérisation et/ou la transition vitreuse entre les couches de l'empilement.