FR 3068825 A1 20190111 FR 1756394 A 20170706 DISPOSITIF D'OPTIQUE ELECTRONIQUE DOMAINE TECHNIQUE [0001] La présente description concerne des dispositifs d'optique électronique ; leur procédé de préparation ; et leur utilisation pour la manipulation d'un faisceau d'électrons d'énergie donnée. ETAT DE L'ART [0002] La fabrication d'un dispositif optique repose sur la capacité de contrôler localement la phase d'une onde transmise au travers du dispositif En optique photonique, ce contrôle résulte par exemple de la réalisation d'épaisseurs contrôlées d'un matériau transparent (par exemple le verre) d'indice optique différent du milieu dans lequel l'onde se propage (par exemple l'air). Un tel contrôle est difficile à réaliser en optique électronique car les principes applicables à l'optique photonique ne sont pas tous applicables en optique électronique. En effet, les dispositifs d'optique électronique sont typiquement basés sur les changements de phase induits par la transmission d'un faisceau électronique au travers de potentiels électromagnétiques produits par des électrodes ou des bobines. La structure de ces potentiels induit de fortes contraintes sur la réalisation des dispositifs en particulier celle de travailler très proche de l'axe optique sous peine de dégradation significative des performances du dispositif [0003] Il est connu des dispositifs de type lentille magnétique ou électrostatique pour l'optique électronique, ces dispositifs produisant un champ magnétique pour focaliser des faisceaux d'électrons. De tels dispositifs sont souvent encombrants, peuvent souffrir d'aberration sphérique, et nécessitent l'utilisation d'électrodes ou de bobines de fils électriques parcourus par un courant électrique. De plus, de tels dispositifs nécessitent de travailler avec des faibles ouvertures angulaires et les alimentations électriques doivent être stabilisées. Il convient également de noter que les moyens conventionnels ne permettent pas la conception d'une lentille électronique divergente. [0004] Y. Ito, A. L. Bleloch et L. M. Brown décrivent dans un article (« Nanofabrication of solid-state Fresnel lenses for electron optics », Nature, vol. 394, 2 juillet 1998, pages 49-52) la manipulation de la phase d'une onde électronique de manière analogue à l'optique photonique par la fabrication de lentilles de Fresnel « pixellisées » à l'état solide applicables à 2 l'optique électronique au moyen d'un forage d'évidements de quelques nanomètres de dimension et de profondeur à la surface de films minces inorganiques. Selon l'article, les lentilles décrites comprennent un film à épaisseur locale variable permettant la génération d'un déphasage local par transmission d'un faisceau d'électrons au travers du film. Par contre, selon 5 les auteurs de cet article, ces lentilles ne peuvent pas rivaliser avec les lentilles magnétiques classiques dans la plupart des applications, telles que la microscopie, mais peuvent trouver une niche dans la lithographie par faisceau électronique. De plus, ces lentilles ne sont adaptées que pour la transmission d'électrons à des potentiels élevés, tel que 200 keV. [0005] En conséquence, il existe un besoin de dispositifs d'optique électronique et leur 10 procédé de préparation permettant de surmonter certaines des limitations citées ci-dessus. RESUME [0006] La présente description a pour objet de fournir des dispositifs d'optique 15 électronique adaptés pour la transmission d'électrons à des potentiels faibles, tel que des potentiels inférieurs à 1 keV. [0007] Selon un premier aspect l'objet précité, ainsi que d'autres avantages, sont obtenus par un dispositif d'optique électronique pour la manipulation d'un faisceau d'électrons d'énergie donnée, comprenant un film ultrafin autosupporté d'épaisseur donnée, transparent 20 pour le faisceau d'électrons, ledit film comprenant des trous traversant définissant une porosité du film afin de générer une fonction de transmission électronique prédéterminée dudit faisceau d'électrons, ladite fonction de transmission électronique présentant un module et une phase fonctions de ladite porosité. [0008] D'autre part, selon un ou plusieurs modes de réalisation, le dispositif d'optique 25 électronique selon la présente description est peu encombrant, est facile à intégrer dans une structure plane et/ou ne nécessite pas l'utilisation d'électrodes, de bobines, d'un courant électrique ou d'une source d'énergie lui permettant de fonctionner. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le dispositif d'optique électronique selon la présente description ne requiert pas le contrôle systématique de l'épaisseur locale du film pour contrôler le déphasage. Selon un ou 30 plusieurs modes de réalisation, le dispositif d'optique électronique selon la présente description permet le contrôle du déphasage (e.g. localement) au moyen de la porosité (e.g. porosité locale) du film. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le dispositif d'optique électronique selon la présente description rend possible le déphasage sur des matériaux d'épaisseurs très variées, tel qu'un matériau d'épaisseur très faible, par exemple sur un matériau d'épaisseur atomique. 3 Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le dispositif d'optique électronique selon la présente description donne accès à l'utilisation de matériaux qui sont, de par leurs potentiels internes et leurs épaisseurs, hautement transparents aux électrons de faible énergie. [0009] Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la porosité du film est variable 5 spatialement, adaptée pour générer une phase spatialement variable de la fonction de transmission électronique, résultant en une modification de la propagation du faisceau d'électrons. [0010] Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la modification de la propagation du faisceau d'électrons comprend la convergence et/ou la divergence et/ou la déflexion du faisceau 10 d'électrons. [0011] Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le film comprend un disque central et des anneaux concentriques successifs de largeur égale à celles de zones de Fresnel, la porosité de chacun du disque central et des anneaux concentriques prenant alternativement deux valeurs distinctes, chaque valeur correspondant à des transmissions d'amplitudes égales et une phase 15 de la fonction de transmission électronique égale à 0 ou n. [0012] Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la porosité locale sur le film varie selon la distance avec un plan perpendiculaire au film (e.g. ligne droite à la surface du film en vue de face du film). Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la variation de porosité défini un déphasage proportionnel à ladite distance. 20 [0013] Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le film est un film de graphène, d'or, de nitrure de bore, nitrure de silicium ou de carbone amorphe. [0014] Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la porosité (locale) du film est comprise entre environ 0 et environ 0.9 Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la porosité (locale) du film est comprise entre environ 0 et environ 0.8. 25 [0015] Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le potentiel interne du film est compris entre environ 10 eV et environ 30 eV. [0016] Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le film a une épaisseur inférieure à environ 3 nm. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le film a une épaisseur comprise entre l'épaisseur d'une couche atomique (e.g. environ 0.3 nm) et environ 3 nm. Selon un ou 30 plusieurs modes de réalisation, le film a une épaisseur sensiblement uniforme. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le film est un film d'épaisseur atomique. [0017] Selon un ou plusieurs modes de réalisation, les trous traversant ont un diamètre moyen nanométrique (i.e., 0). En 10 d'autres termes, le terme « film transparent pour une bande d'énergie donnée » correspond à un film dont le matériau (non troué) d'épaisseur donnée répond à la caractéristique It/Io>0 pour la bande d'énergie donnée. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le rapport de l'intensité transmise sur l'intensité incidente (It/Io>0) est compris entre environ 0.9 et environ 0.3 (e.g. environ 0.74), tel que mesuré par exemple pour un faisceau d'électrons d'énergie comprise 15 entre environ 50 eV et environ 100000 eV (e.g. entre 100 eV et 205 eV), tel que 0.74 entre 100 eV et 205 eV. [0020] Selon un deuxième aspect les objets précités, ainsi que d'autres avantages, sont obtenus par un procédé de fabrication d'un dispositif d'optique électronique pour la manipulation d'un faisceau d'électrons d'énergie donnée, le procédé comprenant : la fourniture 20 d'un film ultrafin autosupporté d'épaisseur donnée, transparent pour le faisceau d'électrons ; et le perçage de trous traversant au travers du film, les trous traversant définissant une porosité du film afin de générer une fonction de transmission électronique prédéterminé dudit faisceau d'électrons, ladite fonction de transmission électronique présentant un module et une phase fonctions de ladite porosité. 25 [0021] Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le perçage est effectué au moyen d'un faisceau d'électrons d'un microscope électronique en transmission ou à balayage ou d'un faisceau d'ions d'une machine à faisceaux d'ions focalisés. [0022] Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le perçage est effectué directement sur le film ou au travers d'un masque. 30 [0023] Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le perçage des trous traversant est réalisé selon un axe sensiblement perpendiculaire à la surface du film. [0024] Selon un ou plusieurs modes de réalisation, l'étape de perçage est suivie par une diminution de l'épaisseur du film par abrasion ou traitement thermique. 5 [0025] Selon un troisième aspect, les objets précités, ainsi que d'autres avantages, sont obtenus par une utilisation d'un dispositif d'optique électronique selon le premier aspect pour au moins une des applications suivantes : l'imagerie électronique ; la microscopie électronique basse énergie ; la production d'un microfaisceau parallèle d'électrons ; la focalisation ou la 5 défocalisation d'un microfaisceau parallèle d'électrons ; la caractérisation d'un objet par microdiffraction électronique ; l'analyse locale d'une perte d'énergie ; la microscopie interférentielle ; l'holographie hors-axe ; la séparation d'un faisceau incident en deux faisceaux cohérents ; l'imagerie d'un objet placé dans un de deux faisceaux cohérents par l'enregistrement du cliché d'interférence entre les deux faisceaux cohérents ; et/ou la 10 production de deux demi-ondes planes parallèles et déphasées. [0026] Selon un quatrième aspect, les objets précités, ainsi que d'autres avantages, sont obtenus par une lentille électronique, un biprisme porte-objet, ou un microscope électronique comprenant un dispositif d'optique électronique selon le premier aspect. [0027] Des modes de réalisation selon les aspects référencés ci-dessus ainsi que des 15 avantages supplémentaires apparaîtront à la lecture de la description illustrée par les Figures suivantes et les revendications annexées. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS 20 [0028] Fig. 1 représente un schéma illustrant un dispositif d'optique électronique selon un exemple de réalisation de la présente description. [0029] Fig. 2 représente un schéma illustrant un dispositif d'optique électronique selon un exemple de réalisation de la présente description fonctionnant en collimateur d'un faisceau d'électrons incident. 25 [0030] Fig. 3 représente un schéma illustrant un dispositif d'optique électronique selon un exemple de réalisation de la présente description adapté pour la focalisation d'un faisceau d'électrons incident. [0031] Fig. 4A représente un schéma illustrant une vue de face d'un dispositif d'optique électronique selon un exemple de réalisation de la présente description comportant une porosité 30 locale variable. Fig. 4B représente un schéma illustrant la porosité locale et la phase variables du dispositif de la Fig. 4A. [0032] Fig. 5 représente un schéma illustrant la propagation d'un faisceau d'électrons formant deux faisceaux cohérents au travers d'un dispositif d'optique électronique selon un exemple de réalisation de la présente description. 6 [0033] Fig. 6 représente un schéma illustrant une vue de face d'un dispositif d'optique électronique selon un exemple de réalisation de la présente description ayant une porosité uniforme. [0034] Fig. 7 représente une image illustrant le schéma de la Fig. 6. 5 [0035] Fig. 8 représente un schéma illustrant la propagation d'un faisceau d'électrons traversant partiellement le dispositif d'optique électronique de la Fig. 6 pour former deux demi-ondes planes parallèles mais déphasées. [0036] Fig. 9 représente un schéma illustrant le module modt de la fonction de transmission électronique t d'un dispositif d'optique électronique selon un exemple de réalisation de la 10 présente description, en fonction de la porosité a. [0037] Fig. 10 représente un schéma illustrant la phase 0 de la fonction de transmission électronique t d'un dispositif d'optique électronique selon un exemple de réalisation de la présente description, en fonction de la porosité a. [0038] Fig. 11 et Fig. 12 représentent chacun une image illustrant un dispositif d'optique 15 électronique selon un exemple de réalisation de la présente description, dans lequel des zones de Fresnel sont réalisées avec des porosités successives p0 et pi. [0039] Fig. 13 représente une image illustrant un dispositif d'optique électronique selon un exemple de réalisation de la présente description, dans lequel des zones de Fresnel sont réalisées avec des porosités successives p0, pl et p0. 20 DESCRIPTION DETAILLEE [0040] Dans la description détaillée suivante des modes de réalisation de la présente invention, de nombreux détails spécifiques sont exposés afin de fournir une compréhension plus 25 approfondie de la présente description. Cependant, il apparaîtra à l'homme du métier que la présente description peut être mise en oeuvre sans ces détails spécifiques. Dans d'autres cas, des caractéristiques bien connues n'ont pas été décrites en détail pour éviter de compliquer inutilement la description. [0041] Dans ce qui suit, le terme « comprendre » est synonyme de (signifie la même chose 30 que) « inclure », « contenir », et est inclusif ou ouverts et n'exclut pas d'autres éléments non décrits ou représentés. En outre, dans la présente description, les termes « environ » et « à peu près » sont synonymes de (signifie la même chose que) une marge inférieure et/ou supérieure de 10% la valeur respective. 7 [0042] Dans ce qui suit, le terme « dispositif d'optique électronique » est synonyme de (signifie la même chose que) un dispositif pour la manipulation d'un faisceau d'électrons par la modification de la phase et/ou de l'amplitude de l'onde électronique associée. [0043] Dans ce qui suit, le terme « ultrafin » est synonyme de (signifie la même chose que) 5 une épaisseur inférieure à environ 5 nm. [0044] Dans ce qui suit, le terme « autosupporté » est synonyme de (signifie la même chose que) supporté par l'épaisseur du film lui-même, i.e., sans l'exigence de la présence d'un substrat. [0045] La présente description concerne un dispositif d'optique électronique pour la 10 manipulation d'un faisceau d'électrons d'énergie donnée (e.g. prédéterminée), le dispositif permettant notamment le changement de phase du faisceau d'électrons traversant le dispositif Le dispositif d'optique électronique comprend un film ultrafin, autosupporté, d'épaisseur donnée et transparent pour le faisceau d'électrons. Le dispositif d'optique électronique comprend également des trous traversant le film et définissant une porosité du film (e.g. porosité 15 moyenne ou locale du film et optionnellement variable sur au moins une portion du film), laquelle porosité permettant la manipulation du faisceau d'électrons par la génération d'une fonction de transmission électronique t prédéterminé dudit faisceau d'électrons, ladite fonction de transmission électronique présentant un module modt et une phase 0 fonctions de la porosité. [0046] Selon un ou plusieurs modes de réalisation, selon une énergie donnée des électrons 20 du faisceau à manipuler, lorsque la porosité a du film varie sur une plage comprise entre les valeurs limites 0 et 1 (a = aire occupée par les trous traversant une aire considérée sur le film divisée par ladite aire), la phase peut également varier entre 0 et une valeur de module inférieur à n, par exemple de façon monotone et/ou sensiblement continue, ou varier brutalement de 0 à n. Suivant la distribution spatiale de la porosité réalisée sur le film, des composants d'optique 25 électronique divers peuvent ainsi être fabriqués pour la manipulation du faisceau d'électrons. [0047] Fig. 1 représente un schéma illustrant un film 1 selon des modes de réalisation de la présente description comprenant un disque central et des zones en forme d'anneaux entourant le disque central dont la porosité prend successivement deux valeurs distinctes po et pl, la largeur des anneaux étant celle de zones de Fresnel. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, 30 le dispositif d'optique électronique comprend un disque central et des anneaux concentriques, à partir du centre du film 1, la porosité prenant successivement deux valeurs distinctes po et pi, assurant par exemple des déphasages de 0 ou n. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la distance focale f du dispositif d'optique électronique est déterminée par le rayon Ro du disque central: f-2R02/X. où X, est la longueur d'onde des électrons. Les rayons des autres anneaux sont 8 alors fixés, le rayon Rn du nième anneau étant défini par Rn---(nf41/2 (le disque central correspondant à n = 0). Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la largeur des anneaux (e.g. R2-Ri Rn-R(n_i)) est celle de zones de Fresnel (i.e., « zone-plate»). La largeur des zones de Fresnel décroissant lorsque les zones s'éloignent du centre, le nombre d'anneaux 5 réalisable est fonction de la taille des trous traversant le film 1, la qualité du dispositif s'améliorant avec le nombre d'anneaux réalisés. Ainsi, pour un faisceau d'électrons prédéterminé et en fonction de la nature et de l'épaisseur du film 1 choisi, un dispositif d'optique électronique peut être fabriqué en réalisant dans un disque central et des anneaux concentriques successifs de largeur égale à celles de zones de Fresnel une porosité prenant 10 alternativement deux valeurs distinctes, chaque valeur correspondant par exemple à des transmissions d'amplitudes égales et/ou des déphasages successifs de 0 et n (Voir Fig. 1). [0048] Fig. 2 représente un schéma illustrant un dispositif d'optique électronique selon un exemple de réalisation fonctionnant en collimateur d'un faisceau d'électrons incident. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le dispositif d'optique électronique est adapté à manipuler 15 un faisceau d'électrons, tel que provenant d'une source ponctuelle d'électrons 2. Par exemple, le dispositif d'optique électronique est adapté à produire un faisceau d'électrons essentiellement parallèle 4 (e.g. divergence inferieure à environ 10' °), par exemple à partir d'un faisceau d'électrons divergent 3. Dans la Fig. 2, le dispositif d'optique électronique est adapté à manipuler un faisceau divergent d'électrons provenant d'une source ponctuelle d'électrons 2, 20 par exemple placée au foyer du dispositif, pour produire un faisceau d'électrons essentiellement parallèle 4. Un tel dispositif d'optique électronique peut être notamment utilisé pour la caractérisation d'un objet par microdiffraction électronique. [0049] Fig. 3 représente un schéma illustrant un dispositif d'optique électronique selon un exemple de réalisation de la présente description adapté pour la focalisation d'un faisceau 25 d'électrons incident. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le dispositif d'optique électronique est adapté à focaliser des électrons dans un volume d'extension spatiale nanométrique (voir Fig. 3). Dans la Fig. 3, le dispositif d'optique électronique est adapté à manipuler un faisceau d'électrons essentiellement parallèle 4 pour produire, par exemple au foyer du dispositif, un faisceau d'électrons focalisés 5. Un tel dispositif d'optique électronique 30 peut être notamment utilisé pour une analyse locale en perte d'énergie d'une surface à analyser 6, par exemple sur un point focal prédéterminé de la surface à analyser 6, par exemple en combinaison avec un analyseur en énergie 7. [0050] Fig. 4A représente un schéma illustrant une vue de face d'un dispositif d'optique électronique selon un exemple de réalisation de la présente description comportant une porosité 9 locale variable. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le film 1 du dispositif d'optique électronique forme un biprisme électronique. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le film 1 comprend une porosité locale 8 variable en fonction la distance entre l'aire locale et une ligne droite 9 sur le film 1 (i.e., axe central du biprisme sur la Fig. 4A). Dans cet exemple, la 5 porosité locale 8 est fonction du diamètre des trous traversant 11. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la variation de porosité est prédéterminée pour produire un déphasage 10 proportionnel à la distance entre l'aire locale et la ligne droite 9 sur le film 1 (Voir Fig. 4B). Fig. 4B représente un schéma illustrant la porosité locale et la phase variables du dispositif de la Fig. 4A en fonction de la distance entre l'aire locale et la ligne droite 9. 10 [0051] Fig. 5 représente un schéma illustrant la propagation d'un faisceau d'électrons formant deux faisceaux cohérents après passage au travers d'un dispositif d'optique électronique selon un exemple de réalisation de la présente description. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le dispositif d'optique électronique peut être utilisé en microscopie interférentielle ou en holographie hors-axe. Par exemple, le dispositif d'optique électronique 15 permet de séparer un faisceau d'électrons, tel qu'une onde électronique plane 12 avec un plan d'onde 13 (e.g. équiphase), en deux faisceaux cohérents 14A et 14B, tel que deux demi-ondes électroniques planes. Par exemple, les deux faisceaux cohérents peuvent comporter une avance de phase 15 linéaire avec la distance à la ligne droite 9 (axe séparant les deux prismes) telle que représentée sur la Fig. 5. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le dispositif d'optique 20 électronique peut notamment être utilisé pour imager un objet 16. Par exemple, un objet 16 placé dans un des deux faisceaux 14A et 14B peut être imagé par l'enregistrement d'un cliché d'interférence entre lesdits faisceaux 14A et 14B. L'objet peut éventuellement être déposé directement sur le dispositif qui constitue alors à la fois la fonction de porte-échantillon et celle de biprisme (e.g. par dépôt ou condensation). L'objet peut également être placé devant le 25 biprisme (i.e., en amont du biprisme par rapport à la direction de l'onde électronique plane 12). L'objet introduira un changement de phase qui révélera l'objet. [0052] Fig. 6 représente un schéma illustrant une vue de face d'un dispositif d'optique électronique selon un exemple de réalisation de la présente description ayant une porosité uniforme. Fig. 7 représente une image illustrant le schéma de la Fig. 6. Selon un ou plusieurs 30 modes de réalisation, le film 1 du dispositif d'optique électronique forme une lame de déphasage. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le film 1 comprend, au moins partiellement, une porosité constante, par exemple au moyen de trous traversant 11 ayant un diamètre essentiellement identique (e.g. variation du diamètre inférieure à 5%) et/ou de trous 10 traversant 11 étant percés de façon uniforme sur le film 1. Par exemple, les trous traversant peuvent avoir le même diamètre et être disposés en réseau hexagonal au travers du film. [0053] Fig. 8 représente un schéma illustrant la propagation d'un faisceau d'électrons traversant partiellement le dispositif d'optique électronique de la Fig. 6 pour former deux demi- 5 ondes planes parallèles mais déphasées. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le film 1 permet de produire deux demi-ondes planes parallèles mais déphasées 17 et 18 à partir d'une onde électronique plane 12 (voir Fig. 8). Selon un ou plusieurs modes de réalisation, le dispositif d'optique électronique peut être utilisé en imagerie. [0054] Le module modt et la phase 0 de la fonction de transmission électronique t (Fig. 9 10 et Fig. 10) du faisceau d'électrons transmise au travers du film 1 peuvent être déterminés localement sur la base de la porosité locale a ainsi que de l'épaisseur donnée e et du potentiel interne (1) du film 1. Les déposants ont démontré que t = a+(1-a) y ee (équation (1)), où p = 2nk/L, X, est la longueur d'onde électronique (X, (nm) = 1.22NE(eV) et L est une longueur définie par L(nm) = 3/[(1)(eV).e(nm)] où (1) est le potentiel interne du film 1 et e est son épaisseur. Le 15 potentiel interne d'un matériau est le potentiel moyen auquel un électron est soumis à l'intérieur d'un matériau par rapport à l'extérieur du matériau. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la valeur du potentiel interne est de quelques eV à quelques dizaines d'eV, tel que d'environ 10 à environ 30 eV. Par exemple, le potentiel interne de l'or se situe entre 25 et 30 eV. De plus, y = (It/I0)1/2 où It est l'intensité transmise pour une intensité lo incidente sur le film 1 d'épaisseur 20 e et de porosité nulle. A partir de l'équation (1), il est possible de calculer numériquement un module modt((3,y,a) (voir Fig. 9) et une phase 0((3,y,a) (voir Fig. 10) de la fonction de transmission électronique t (t = modt((3,y,a)ein'")). Selon un ou plusieurs modes de réalisation y est compris entre environ -V0.3=0.55 et environ -V0.9=0.95. [0055] Fig. 9 et Fig. 10 représentent respectivement des schémas illustrant le module modt 25 et la phase 0 de la fonction de transmission électronique t d'un dispositif d'optique électronique selon un exemple de réalisation de la présente description, en fonction de la porosité a. Dans cet exemple, le module modt((3,y,a) et la phase 0 de la fonction de transmission électronique t sont fonction de la porosité a pour un film de graphène. Le calcul repose sur l'expression de la fonction de transmission électronique t telle que définie ci-dessus. y = 0.73 a été mesuré pour 30 un faisceau d'électrons d'énergie de 66 eV, y est supposé indépendant de l'énergie dans le calcul. (1) = 16.5 eV. e = 0.37nm. Chaque courbe correspond à une valeur de (3. (3 = n est la valeur utilisée dans la description de la fabrication d'un dispositif telle que représenté dans Fig. 1, Fig. 2 et Fig. 3 où deux valeurs de porosité (e.g. po et pi), donnant la même valeur de l'amplitude, sont choisies de part et d'autre de a = 0.43 dans la Fig. 9 et la Fig. 10. 11 [0056] Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la porosité locale d'une portion prédéterminée (e.g. d'une région du film) est fonction du diamètre moyen des trous traversant ladite portion et du nombre de trous traversant compris dans ladite portion. Selon un ou plusieurs modes de réalisation, la porosité locale de ladite portion correspond à l'aire occupée 5 par les trous traversant à la surface de ladite portion divisée par l'aire totale de ladite portion. L'aire occupée par les trous traversant peut être obtenue à partir du diamètre moyen des trous traversant et le nombre de trous traversant. Le diamètre moyen et le nombre de trous traversant peuvent être déterminés, par exemple localement, au moyen d'une image en microscope électronique de la surface de ladite portion (e.g. SEM ou TEM). Par exemple, le diamètre 10 moyen peut être obtenu par la sommation des diamètres d'une pluralité de trous traversant mesurée dans une pluralité de lignes de l'image, divisée par le nombre de trous mesurés. Le nombre de trous peut être obtenu par la sommation des trous traversant dans ladite portion prédéterminée de l'image. [0057] Des exemples de dispositifs d'optique électronique et de procédé de fabrication 15 selon les aspects précités sont décrits. Dans ces exemples, le procédé de fabrication concerne la préparation d'un dispositif d'optique électronique comprenant des zones de Fresnel possédant des porosités contrôlées pour la réalisation d'une lentille électronique, les porosités prenant successivement deux valeurs distinctes p0 = 0.7 et pl = 0.2 assurant des déphasages de 0 et n, respectivement. Dans ces exemples, les porosités sont obtenues en réalisant des trous 20 traversant d'un diamètre de 50 nm dans un film de graphène. Dans ces exemples, les trous traversant sont réalisés au moyen d'un faisceau d'ions focalisés. Dans ces exemples, les porosités locales (p0, pl) sont fonction de la densité des trous traversant. Dans ces exemples, la réalisation des dispositifs consiste à donner successivement des porosités p0 et pl aux zones de Fresnel successives. Dans la Fig. 11 et la Fig. 12, des zones de Fresnel sont réalisées avec 25 des porosités successives p0 et pl. Dans la Fig. 13, des zones de Fresnel sont réalisées avec des porosités successives p0, pl et p0. [0058] Bien que des modes de réalisation mentionnés ci-dessus soient décrits en détail, il est entendu que des modes de réalisation alternatifs de l'invention peuvent être envisagés. Ainsi, par exemple, REVENDICATIONS1. Dispositif d'optique électronique pour la manipulation d'un faisceau d'électrons d'énergie donnée, comprenant un film (1) ultrafin autosupporté d'épaisseur donnée, transparent pour le faisceau d'électrons, ledit film (1) comprenant des trous traversant définissant une porosité (a) du film (1) afin de générer une fonction de transmission électronique (t) prédéterminée dudit faisceau d'électrons, ladite fonction de transmission électronique présentant un module (modt) et une phase (0) fonctions de ladite porosité. 2. Dispositif d'optique électronique selon la revendication 1, dans lequel la porosité du film (1) est variable spatialement, adaptée pour générer une phase variable spatialement de la fonction de transmission électronique, résultant en une modification de la propagation du faisceau d'électrons. 3. Dispositif d'optique électronique selon la revendication 2, dans lequel ladite modification de propagation du faisceau d'électrons comprend la convergence et/ou la divergence et/ou la déflexion du faisceau d'électrons. 4. Dispositif d'optique électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le film (1) comprend un disque central et des anneaux concentriques successifs de largeur égale à celles de zones de Fresnel, la porosité de chacun du disque central et des anneaux concentriques prenant alternativement deux valeurs distinctes, chaque valeur correspondant à des transmissions d'amplitudes égales et une phase de la fonction de transmission électronique égale à 0 ou n. 5. Dispositif d'optique électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la porosité locale d'une région du film (1) varie selon la distance entre la région et un plan perpendiculaire au film (1). 6. Dispositif d'optique électronique selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le film (1) est un film de graphène, d'or, de nitrure de bore, de nitrure de silicium ou de carbone amorphe. 13 7. Procédé de fabrication d'un dispositif d'optique électronique pour la manipulation d'un faisceau d'électrons d'énergie donnée, le procédé comprenant : la fourniture d'un film (1) ultrafin autosupporté d'épaisseur donnée, transparent pour le faisceau d'électrons ; et 5 le perçage de trous traversant au travers du film (1), les trous traversant définissant une porosité (a) du film (1) afin de générer une fonction de transmission électronique (t) prédéterminé dudit faisceau d'électrons, ladite fonction de transmission électronique présentant un module (modt) et une phase (0) fonctions de ladite porosité. 10 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le perçage est effectué au moyen d'un faisceau d'électrons d'un microscope électronique en transmission ou d'un faisceau d'ions d'une machine à faisceaux d'ions focalisés. 9. Procédé selon la revendication 7 ou la revendication 8, dans lequel le perçage est 15 effectué directement sur le film (1) ou au travers d'un masque. 10. Utilisation d'un dispositif d'optique électronique selon une quelconque des revendications 1 à 6 pour l'imagerie électronique ; la microscopie électronique basse énergie ; la production d'un microfaisceau parallèle d'électrons ; la focalisation ou la défocalisation d'un 20 microfaisceau parallèle d'électrons ; la caractérisation d'un objet par microdiffraction électronique ; l'analyse locale d'une perte d'énergie ; la microscopie interférentielle ; l'holographie hors-axe ; la séparation d'un faisceau incident en deux faisceaux cohérents ; l'imagerie d'un objet placé dans un de deux faisceaux cohérents par l'enregistrement du cliché d'interférence entre les deux faisceaux cohérents ; et/ou la production de deux demi-ondes 25 planes parallèles et déphasées. 11. Lentille électronique, biprisme porte-objet ou microscope électronique comprenant un dispositif d'optique électronique selon une quelconque des revendications 1 à 6.