FR 3066038 A1 20181109 FR 1753985 A 20170505 B15729 - 16-GR4-0519 1 MEMOIRE A CHANGEMENT DE PHASE Domaine La prÃ©sente demande concerne les mÃ©moires Ã changement de phase et plus particuliÃ¨rement leur connexion Ã un rÃ©seau de connexion. ExposÃ© de l'art antÃ©rieur Les matÃ©riaux Ã changement de phase sont des matÃ©riaux qui peuvent basculer, sous l'effet de la chaleur, entre une phase cristalline et une phase amorphe. Comme la rÃ©sistance Ã©lectrique d'un matÃ©riau amorphe est significativement supÃ©rieure Ã la rÃ©sistance Ã©lectrique d'un matÃ©riau cristallin, ce phÃ©nomÃ¨ne peut Ãªtre utile pour dÃ©finir deux Ã©tats de mÃ©moire, par exemple 0 et 1, diffÃ©renciÃ©s par la rÃ©sistance mesurÃ©e Ã travers le matÃ©riau Ã changement de phase. RÃ©sumÃ© Ainsi, un mode de rÃ©alisation prÃ©voit une mÃ©moire Ã changement de phase comprenant : une bande de matÃ©riau Ã changement de phase revÃªtue d'une bande conductrice et entourÃ©e d'un isolant, la bande de matÃ©riau Ã changement de phase Ã©tant en contact par sa face infÃ©rieure avec des pointes d'Ã©lÃ©ments rÃ©sistifs ; et un rÃ©seau de connexion composÃ© de plusieurs niveaux de mÃ©tallisation couplÃ©s entre eux par des vias conducteurs, au 3066038 B15729 - 16-GR4-0519 2 moins un Ã©lÃ©ment du niveau de mÃ©tallisation infÃ©rieur Ã©tant en contact direct avec la face supÃ©rieure de la bande conductrice. Selon un mode de rÃ©alisation, les Ã©lÃ©ments du niveau de mÃ©tallisation infÃ©rieur comprennent un gainage en nitrure de 5 tantale et un coeur en cuivre. Selon un mode de rÃ©alisation, ledit isolant est du nitrure de silicium. Un autre mode de rÃ©alisation prÃ©voit un procÃ©dÃ© de fabrication d'une mÃ©moire Ã changement de phase comprenant : 10 dÃ©couvrir la face supÃ©rieure d'une bande conductrice recouvrant une bande de matÃ©riau Ã changement de phase, la bande de matÃ©riau Ã changement de phase Ã©tant entourÃ©e d'au moins un premier isolant et en contact par sa face infÃ©rieure avec des pointes d'Ã©lÃ©ments rÃ©sistifs ; dÃ©poser une couche d'arrÃªt de gravure sur la 15 structure ; et former au moins un Ã©lÃ©ment du niveau de mÃ©tallisation infÃ©rieur d'un rÃ©seau de connexion dans la couche d'arrÃªt de gravure, en contact direct avec la bande conductrice. Selon un mode de rÃ©alisation, la formation de l'Ã©lÃ©ment du niveau de mÃ©tallisation infÃ©rieur comprend : creuser une cavitÃ© 20 dans la couche d'arrÃªt de gravure jusqu'Ã atteindre la bande conductrice ; et remplir la cavitÃ© d'un ou plusieurs matÃ©riaux mÃ©talliques. Selon un mode de rÃ©alisation, la couche d'arrÃªt de gravure est en un deuxiÃ¨me matÃ©riau isolant dont la gravure est 25 fortement sÃ©lective par rapport au premier isolant entourant la couche de matÃ©riau Ã changement de phase. Selon un mode de rÃ©alisation, le premier isolant est du nitrure de silicium et la couche d'arrÃªt de gravure est en un matÃ©riau choisi dans le groupe comprenant A1203 et AIN. 30 Selon un mode de rÃ©alisation, l'Ã©paisseur de la couche d'arrÃªt de gravure est comprise entre 5 et 10 nm. Selon un mode de rÃ©alisation, la cavitÃ© est remplie d'un gainage en nitrure de tantale et d'un coeur de cuivre. BrÃ¨ve description des dessins 3066038 B15729 - 16-GR4-0519 3 Ces caractÃ©ristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposÃ©s en dÃ©tail dans la description suivante de modes de rÃ©alisation particuliers faite Ã titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : 5 la figure 1 est une vue en perspective d'Ã©lÃ©ments d'une mÃ©moire Ã changement de phase ; les figures 2A et 2B sont des vues en coupe selon deux directions orthogonales d'Ã©lÃ©ments d'une mÃ©moire Ã changement de phase ; 10 la figure 3 reprÃ©sente partiellement un Ã©lÃ©ment d'une mÃ©moire Ã changement de phase ; les figures 4A Ã 4D sont des vues en coupe illustrant des Ã©tapes d'un mode de rÃ©alisation d'une mÃ©moire Ã changement de phase ; et 15 la figure 4E est une vue en coupe de l'Ã©tape illustrÃ©e en figure 4D dans un plan orthogonal Ã celui de la figure 4D. Description dÃ©taillÃ©e De mÃªmes Ã©lÃ©ments ont Ã©tÃ© dÃ©signÃ©s par de mÃªmes rÃ©fÃ©rences dans les diffÃ©rentes figures et, de plus, les diverses 20 figures ne sont pas tracÃ©es Ã l'Ã©chelle. Par souci de clartÃ©, seuls les Ã©lÃ©ments utiles Ã la comprÃ©hension des modes de rÃ©alisation dÃ©crits ont Ã©tÃ© reprÃ©sentÃ©s et sont dÃ©taillÃ©s. En particulier, les transistors sÃ©lecteurs contrÃ´lant les Ã©lÃ©ments d'une mÃ©moire Ã changement de phase ne sont ni reprÃ©sentÃ©s ni dÃ©crits. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait rÃ©fÃ©rence Ã des termes tels que "supÃ©rieur", "infÃ©rieur", etc., il est fait rÃ©fÃ©rence Ã l'orientation des Ã©lÃ©ments concernÃ©s dans les figures. Sauf prÃ©cision contraire, l'expression "sensiblement" signifie Ã 10 % prÃ¨s, de prÃ©fÃ©rence Ã 5 % prÃ¨s. La figure 1 est une vue en perspective d'une portion de ligne d'une mÃ©moire Ã changement de phase. Une ligne d'une mÃ©moire Ã changement de phase comprend une bande 2 de matÃ©riau Ã changement de phase. La face supÃ©rieure de la bande 2 est en contact avec 35 une bande 4 de matÃ©riau conducteur de mÃªme largeur que la bande 3066038 B15729 - 16-GR4-0519 4 2. Des vias conducteurs 6, en contact avec la face supÃ©rieure de la bande 4 de matÃ©riau conducteur, connectent la bande 4 Ã une source de tension permettant de maintenir une tension uniforme dans la bande de matÃ©riau conducteur 4. Cette connexion se fait 5 par l'intermÃ©diaire d'un rÃ©seau de connexion, non reprÃ©sentÃ©, comprenant plusieurs niveaux de mÃ©tallisation connectÃ©s entre eux par des vias conducteurs. La face infÃ©rieure de la bande 2 de matÃ©riau Ã changement de phase est en contact avec les extrÃ©mitÃ©s supÃ©rieures, ou 10 pointes, d'Ã©lÃ©ments rÃ©sistifs 8 dont quatre sont reprÃ©sentÃ©s en figure 1. Ces Ã©lÃ©ments rÃ©sistifs 8 sont connectÃ©s, par des vias conducteurs non reprÃ©sentÃ©s, Ã des zones de drain/source de transistors sÃ©lecteurs non reprÃ©sentÃ©s. Les Ã©lÃ©ments rÃ©sistifs 8 sont espacÃ©s de maniÃ¨re sensiblement rÃ©guliÃ¨re les uns des autres. 15 La ligne de mÃ©moire dÃ©crite prÃ©cÃ©demment est entourÃ©e de diffÃ©rents isolants non reprÃ©sentÃ©s, Ã l'exception des extrÃ©mitÃ©s supÃ©rieures des vias 6 et des parties infÃ©rieures des Ã©lÃ©ments rÃ©sistifs 8. Le matÃ©riau Ã changement de phase est par exemple un 20 chalcogÃ©nure tel que le Ge2Sb2Te5 ou GST. Le matÃ©riau Ã changement de phase peut aussi Ãªtre un composÃ© comprenant du germanium, de l'antimoine et du tellure dans des proportions diffÃ©rentes et Ã©ventuellement dopÃ© d'atomes d'azote, d'oxygÃ¨ne et/ou de carbone. La bande 4 de matÃ©riau conducteur est par exemple en 25 nitrure de titane et/ou en tungstÃ¨ne. Les vias conducteurs 6 sont par exemple gainÃ©s d'une couche de nitrure de titane et remplis de tungstÃ¨ne. Les Ã©lÃ©ments rÃ©sistifs 8 sont par exemple en un matÃ©riau Ã base de nitrure de titane et comprenant Ã©ventuellement du 30 silicium et du carbone. Les figures 2A et 2B reprÃ©sentent de maniÃ¨re plus dÃ©taillÃ©e une mÃ©moire Ã changement de phase. La figure 2B est une vue en coupe selon la ligne B-B de la figure 2A et la figure 2A est une vue en coupe selon la ligne A-A de la figure 2B. 3066038 B15729 - 16-GR4-0519 5 La figure 2A est une vue en coupe dans la direction d'une ligne d'une mÃ©moire Ã changement de phase et comprend les Ã©lÃ©ments dÃ©crits en relation avec la figure 1, c'est-Ã -dire : une bande 2 de matÃ©riau Ã changement de phase recouverte d'une bande 5 4 de matÃ©riau conducteur, un via conducteur 6 et quatre Ã©lÃ©ments rÃ©sistifs 8. La bande 4 de matÃ©riau conducteur est recouverte d'une premiÃ¨re couche 10 d'isolant, par exemple du nitrure de silicium, et d'une deuxiÃ¨me couche 12 d'isolant, par exemple de l'oxyde de 10 silicium. Les deux couches 10 et 12 d'isolants sont traversÃ©es par le via conducteur 6. La face infÃ©rieure de la bande 2 de matÃ©riau Ã changement de phase repose sur des isolants 14, traversÃ©s par les Ã©lÃ©ments rÃ©sistifs 8. Cette face infÃ©rieure est par exemple en contact avec du nitrure de silicium et de l'oxyde 15 de silicium. La figure 2B est une vue en coupe selon la ligne B-B de la figure 2A et reprÃ©sente la section de trois lignes voisines de la mÃ©moire Ã changement de phase. Chaque bande 4 de matÃ©riau conducteur surmonte une bande 2 de matÃ©riau Ã changement de phase 20 et est en contact avec un via conducteur 6 comme cela a Ã©tÃ© dÃ©crit prÃ©cÃ©demment. Les ensembles formÃ©s par chaque bande de matÃ©riau Ã changement de phase et la bande de matÃ©riau conducteur correspondante sont entiÃ¨rement recouverts d'isolant, Ã l'exception des contacts avec les vias conducteurs 6 et les 25 contacts avec les Ã©lÃ©ments rÃ©sistifs 8 reprÃ©sentÃ©s en pointillÃ©s et vus par transparence. Lors de la lecture d'un Ã©lÃ©ment de mÃ©moire Ã changement de phase, un courant ayant une intensitÃ© suffisamment faible pour ne pas entrainer de changement de phase est envoyÃ© entre un Ã©lÃ©ment 30 rÃ©sistif 8 et les vias 6 de maniÃ¨re Ã mesurer la rÃ©sistance entre eux et donc Ã dÃ©terminer la valeur, 0 ou 1, mÃ©morisÃ©e. Lors de l'Ã©criture d'un Ã©lÃ©ment de mÃ©moire Ã changement de phase, un courant est envoyÃ© entre un Ã©lÃ©ment rÃ©sistif 8 et la bande de matÃ©riau conducteur 4 correspondante vers les vias 6. 35 L'intensitÃ© de ce courant est choisie de maniÃ¨re Ã augmenter la 3066038 B15729 - 16-GR4-0519 6 tempÃ©rature de l'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif 8 sÃ©lectionnÃ© suffisamment pour qu'une zone de la bande 2 de matÃ©riau Ã changement de phase en contact avec l'extrÃ©mitÃ© supÃ©rieure de l'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif 8, bascule de la phase cristalline Ã la phase amorphe. On considÃ¨re 5 par exemple que la phase cristalline correspond Ã la valeur 0 et la phase amorphe correspond Ã la valeur 1. Plus la surface de la zone de contact entre un Ã©lÃ©ment rÃ©sistif 8 et la bande 2 de matÃ©riau Ã changement de phase correspondante est petite, plus l'intensitÃ© du courant nÃ©cessaire 10 Ã la programmation est faible. Des zones de contact de petite taille permettent donc de diminuer le temps et le coÃ»t de programmation. Un moyen de diminuer la taille des zones de contact est de diminuer la largeur des bandes 2 de matÃ©riau Ã changement de 15 phase. Cependant cela cause des problÃ¨mes au niveau de la formation des vias 6. Les vias 6 sont formÃ©s par dÃ©pÃ´t d'un masque de gravure ayant des ouvertures en regard des bandes de matÃ©riau conducteur 4. Les couches 10 et 12 d'isolants sont gravÃ©es de maniÃ¨re Ã 20 former des cavitÃ©s atteignant des bandes de matÃ©riau conducteur 4. Les cavitÃ©s sont par exemple remplies d'un gainage en nitrure de titane et d'un coeur en tungstÃ¨ne. Le masque est ensuite retirÃ©. La figure 3 reprÃ©sente un Ã©lÃ©ment d'une mÃ©moire Ã changement de phase dans laquelle des imprÃ©cisions d'alignement 25 se sont produites lors de la formation du masque de gravure des vias, c'est-Ã -dire que les ouvertures n'Ã©taient pas correctement alignÃ©es avec les bandes de matÃ©riau conducteur 4. De telles imprÃ©cisions risquent d'autant plus de se produire que la largeur des bandes 4 de matÃ©riau 30 La gravure de dÃ©couverte d'une zone 15 changement de phase. La zone entre le via 6 et le matÃ©riau peut par exemple entrainer une entre un Ã©lÃ©ment rÃ©sistif 8 15 constitue une zone de contact Ã changement de phase. Ce contact variation de la rÃ©sistance mesurÃ©e et un via 6, en particulier une conducteur est faible. la couche d'isolant 10 a entrainÃ© la sur le cÃ´tÃ© de la bande 2 de matÃ©riau Ã 3066038 B15729 - 16-GR4-0519 7 variation des mesures des rÃ©sistances correspondant aux Ã©tats amorphe et cristallin qui peuvent ne plus Ãªtre dans les plages de valeurs prÃ©vues. Ainsi, la lecture peut ne pas correspondre Ã l'Ã©tat de la mÃ©moire. 5 Il serait souhaitable de prÃ©voir une mÃ©moire Ã changement de phase comprenant une bande de matÃ©riau Ã changement de phase pouvant Ãªtre de faible largeur et permettant de pallier ce problÃ¨me. On pourrait par exemple prÃ©voir de former une couche 10 d'arrÃªt de gravure sur la couche d'isolant 10 en un matÃ©riau dont la gravure est fortement sÃ©lective par rapport au matÃ©riau de la couche 10 d'isolant. Une telle couche d'arrÃªt de gravure peut Ãªtre formÃ©e de maniÃ¨re conforme sur la couche d'isolant 10. Ainsi, la gravure de 15 la couche 10, aprÃ¨s la gravure sÃ©lective de la couche d'arrÃªt de gravure, est de durÃ©e suffisamment courte pour ne pas atteindre la bande 2 de matÃ©riau Ã changement de phase. La couche d'arrÃªt de gravure peut aussi Ãªtre formÃ©e aprÃ¨s une Ã©tape de planarisation dÃ©couvrant la bande 4 de matÃ©riau 20 conducteur. Ainsi, la gravure sÃ©lective de la couche d'arrÃªt de gravure permet d'atteindre directement la bande 4. L'absence d'Ã©tape de gravure sÃ¨che de la couche d'isolant 10 Ã©limine le risque d'atteindre la bande 2 de matÃ©riau Ã changement de phase. Cependant, les deux procÃ©dÃ©s dÃ©crits ci-dessus ajoutent 25 des Ã©tapes de fabrication. Il serait souhaitable de prÃ©voir un procÃ©dÃ© n'augmentant pas le nombre d'Ã©tapes du procÃ©dÃ© de fabrication. Les figures 4A Ã 4D sont des vues en coupe illustrant des Ã©tapes d'un mode de rÃ©alisation d'un procÃ©dÃ© de formation des 30 connexions entre une mÃ©moire Ã changement de phase et un rÃ©seau de connexion. La figure 4E est vue en coupe selon la ligne E-E de la figure 4D. La figure 4A illustre le rÃ©sultat d'une Ã©tape initiale de fabrication. L'Ã©tape initiale s'effectue Ã partir d'une mÃ©moire 35 Ã changement de phase telle que celle dÃ©crite en relation avec 3066038 B15729 - 16-GR4-0519 8 les figures 2A et 2B, mais avant la formation des vias 6, c'est Ã dire aprÃ¨s le dÃ©pÃ´t de la couche d'isolant 12. L'Ã©tape initiale est une Ã©tape de planarisation rÃ©alisÃ©e par exemple par polissage mÃ©canochimique ou CMP (de l'anglais 5 "Chemical Mecanical Polishing"). Au cours de cette Ã©tape, on polit les couches d'isolants 10 et 12 de maniÃ¨re Ã dÃ©couvrir les faces supÃ©rieures des bandes 4 de matÃ©riau conducteur. A l'Ã©tape illustrÃ©e en figure 4B, une couche 16 d'arrÃªt de gravure est formÃ©e sur la structure et est recouverte d'une 10 couche 18 d'isolant, par exemple de l'oxyde de silicium. La couche 16 a par exemple une Ã©paisseur comprise entre 5 et 20 rua, par exemple 10 rua. Le matÃ©riau de la couche 16 d'arrÃªt de gravure, par exemple de l'A1203 ou de l'AM, est choisi de telle maniÃ¨re que 15 la gravure du matÃ©riau de la couche 18 d'isolant soit fortement sÃ©lective par rapport au matÃ©riau de la couche 16 d'arrÃªt de gravure et que la gravure du matÃ©riau de la couche 16 d'arrÃªt de gravure soit fortement sÃ©lective par rapport au matÃ©riau de la couche 10 d'isolant, par exemple du nitrure de silicium. 20 A l'Ã©tape illustrÃ©e en figure 4C, des cavitÃ©s 20 sont formÃ©es dans les couches 16 et 18 d'arrÃªt de gravure et d'isolant. La largeur des cavitÃ©s 20 correspond par exemple aux largeurs habituelles des mÃ©tallisations du rÃ©seau de connexion, qui, comme cela est reprÃ©sentÃ©, sont en gÃ©nÃ©ral plus larges que la bande 2 25 de matÃ©riau Ã changement de phase et la bande 4 de matÃ©riau conducteur. A l'Ã©tape illustrÃ©e en figures 4D et 4E, les cavitÃ©s 20 sont remplies de mÃ©tallisations 26 faisant partie du niveau infÃ©rieur du rÃ©seau de connexion. Chaque mÃ©tallisation 26 est donc 30 en contact direct avec une bande 4 de matÃ©riau conducteur. Ces mÃ©tallisations 26 sont gÃ©nÃ©ralement constituÃ©es d'un gainage 22, par exemple en TaN/Ta, et d'un coeur 24, par exemple en cuivre. En figure 4E, on a reprÃ©sentÃ© une unique mÃ©tallisation 26 sur une bande 4 de matÃ©riau conducteur. Plus gÃ©nÃ©ralement, 35 chaque bande 4 de matÃ©riau conducteur est en contact avec 3066038 B15729 - 16-GR4-0519 9 plusieurs mÃ©tallisations de maniÃ¨re Ã maintenir une tension uniforme dans chaque bande 4 de matÃ©riau conducteur. La largeur des mÃ©tallisations 26 visibles en figure 4D est supÃ©rieure Ã la largeur des bandes 4 de matÃ©riau conducteur. 5 Seule une partie des mÃ©tallisations 26 est en contact avec la bande 4 de matÃ©riau conducteur, le reste reposant sur les couches d'isolants 10 et 12. En effet, les propriÃ©tÃ©s de sÃ©lectivitÃ© de gravure du matÃ©riau de la couche 16 d'arrÃªt de gravure dÃ©crites prÃ©cÃ©demment limitent fortement la gravure de l'isolant 10 10 entourant la bande 2 de matÃ©riau Ã changement de phase ce qui Ã©vite la formation de contacts problÃ©matiques entre les mÃ©tallisations 26 et les bandes 2 de matÃ©riau Ã changement de phase. Il est donc possible de diminuer la largeur des bandes 15 4 et 2 de matÃ©riau conducteur et de matÃ©riau Ã changement de phase, et donc la largeur des zones de contact entre les Ã©lÃ©ments rÃ©sistifs 8 et les bandes 2 de matÃ©riau Ã changement de phase. Un avantage de ce mode de rÃ©alisation est qu'il ne nÃ©cessite pas la formation de vias entre la mÃ©moire Ã changement 20 de phase et le niveau infÃ©rieur du rÃ©seau de connexion, et donc d'un masque de gravure de vias. Ceci rend le procÃ©dÃ© moins coÃ»teux en temps et en argent. Les circuits intÃ©grÃ©s comprenant des mÃ©moires Ã changement de phase peuvent aussi comprendre des Ã©lÃ©ments 25 logiques, formÃ©s dans et sur le substrat, non reprÃ©sentÃ©. Ces Ã©lÃ©ments logiques sont connectÃ©s au niveau de mÃ©tallisation infÃ©rieur du rÃ©seau de connexion par un ou plusieurs vias conducteurs. Dans le cas de la structure des figures 4D et 4E, ce ou ces vias conducteurs, non reprÃ©sentÃ©s, ont une hauteur plus 30 faible que celle qu'ils devraient avoir dans le cas des figures 2A et 2B. Cette diminution de hauteur des vias simplifie leur rÃ©alisation. Diverses variantes et modifications de ce mode de rÃ©alisation apparaÃ®tront Ã l'homme de l'art. En particulier, le 3066038 B15729 - 16-GR4-0519 10 matÃ©riau formant la couche 16 d'arrÃªt de gravure peut Ãªtre remplacÃ© par d'autres matÃ©riaux ayant des propriÃ©tÃ©s similaires. REVENDICATIONS1. MÃ©moire Ã changement de phase comprenant : une bande (2) de matÃ©riau Ã changement de phase revÃªtue d'une bande conductrice (4) et entourÃ©e d'un isolant (10), la bande (2) de matÃ©riau Ã changement de phase Ã©tant en contact par 5 sa face infÃ©rieure avec des pointes d'Ã©lÃ©ments rÃ©sistifs (8) ; et un rÃ©seau de connexion composÃ© de plusieurs niveaux de mÃ©tallisation couplÃ©s entre eux par des vias conducteurs, au moins un Ã©lÃ©ment (26) du niveau de mÃ©tallisation infÃ©rieur Ã©tant en contact direct avec la face supÃ©rieure de la bande conductrice 10 (4). 2. MÃ©moire Ã changement de phase selon la revendication 1, dans laquelle les Ã©lÃ©ments du niveau de mÃ©tallisation infÃ©rieur (26) comprennent un gainage (22) en nitrure de tantale et un coeur (24) en cuivre. 15 3. MÃ©moire Ã changement de phase selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle ledit isolant (10) est du nitrure de silicium. 4. ProcÃ©dÃ© de fabrication d'une mÃ©moire Ã changement de phase comprenant : 20 dÃ©couvrir la face supÃ©rieure d'une bande conductrice (4) recouvrant une bande (2) de matÃ©riau Ã changement de phase, la bande (2) de matÃ©riau Ã changement de phase Ã©tant entourÃ©e d'au moins un premier isolant (10) et en contact par sa face infÃ©rieure avec des pointes d'Ã©lÃ©ments rÃ©sistifs (8) ; 25 dÃ©poser une couche (16) d'arrÃªt de gravure sur la structure ; et former au moins un Ã©lÃ©ment (26) du niveau de mÃ©tallisation infÃ©rieur d'un rÃ©seau de connexion dans la couche d'arrÃªt de gravure (16), en contact direct avec la bande 30 conductrice (4). 5. ProcÃ©dÃ© selon la revendication 4, dans lequel la formation de l'Ã©lÃ©ment du niveau de mÃ©tallisation infÃ©rieur (26) comprend : 3066038 B15729 - 16-GR4-0519 12 creuser une cavitÃ© (20) dans la couche d'arrÃªt de gravure (16) jusqu'Ã atteindre la bande conductrice (4) ; et remplir la cavitÃ© (20) d'un ou plusieurs matÃ©riaux mÃ©talliques. 6. ProcÃ©dÃ© de fabrication selon la revendication 4 ou 5, dans lequel la couche d'arrÃªt de gravure (16) est en un deuxiÃ¨me matÃ©riau isolant dont la gravure est fortement sÃ©lective par rapport au premier isolant (10) entourant la couche (2) de matÃ©riau Ã changement de phase. 7. ProcÃ©dÃ© selon l'une quelconque des revendications 4 Ã 6, dans lequel le premier isolant est du nitrure de silicium et la couche d'arrÃªt de gravure (16) est en un matÃ©riau choisi dans le groupe comprenant A1203 et AIN. 8. ProcÃ©dÃ© selon l'une quelconque des revendications 4 15 Ã 7, dans lequel l'Ã©paisseur de la couche d'arrÃªt de gravure (16) est comprise entre 5 et 10 rua. 9. ProcÃ©dÃ© selon l'une quelconque des revendications 4 Ã 8, dans lequel la cavitÃ© (20) est remplie d'un gainage (22) en nitrure de tantale et d'un coeur (24) de cuivre.