FR 3062954 A1 20180817 FR 1751240 A 20170215 B15411 - DD17423HB 1 DIODE A INJECTION ELECTRIQUE AMELIOREE Domaine La présente demande concerne le domaine des diodes semiconductrices de façon générale. Selon un premier aspect, elle vise un dispositif comportant une pluralité de diodes. Selon un 5 deuxième aspect, elle vise l'amélioration de l'injection du courant électrique d'alimentation dans une diode. Les exemples détaillés ci-après en relation avec les figures concernent essentiellement le domaine des diodes électroluminescentes au nitrure de gallium, domaine pour lequel les modes de réalisation 10 décrits sont particulièrement avantageux. La présente demande ne se limite toutefois pas à ce domaine d'application particulier. Exposé de l'art antérieur La figure 1 est une vue en coupe représentant de façon schématique un exemple d'un dispositif comportant une pluralité 15 de diodes électroluminescentes au nitrure de gallium D1, D2, ..., Dn connectées en série, où n est un entier supérieur à 1. Une telle association série de diodes électroluminescentes est notamment adaptée à des applications d'éclairage, dans lesquelles la mise en série des diodes permet de pouvoir alimenter le 20 dispositif sous une tension relativement élevée, tout en bénéficiant d'un rendement lumineux élevé. 3062954 B15411 - DD17423HB 2 Le dispositif de la figure 1 comprend un substrat de support en saphir 101, sur lequel sont disposées les diodes D1, D2, ..., Dn. Chaque diode Di (avec i entier allant de 1 à n) comprend une région active comportant un empilement vertical 5 comprenant, dans l'ordre à partir de la surface supérieure du substrat 101, une couche de nitrure de gallium dopé de type N 103, une couche émissive 105, et une couche de nitrure de gallium dopé de type P 107. La couche 107 définit la région d'anode de la diode, et la couche 103 définit la région de cathode de la diode. 10 La couche émissive 105 est par exemple constituée par un empilement vertical de plusieurs couches formant chacune un puits quantique. La région active de chaque diode Di forme un plot ou ilot non adjacent à une région active d'une autre diode Di. Les 15 diodes D1, D2, ..., Dn sont sensiblement identiques, aux dispersions de fabrication près. En particulier, les diodes D1, D2, ..., Dn, ont, en vue de dessus (non représentée), sensiblement la même forme générale, par exemple une forme carrée ou rectangulaire. 20 Chaque diode Di présente, du côté d'un bord latéral de sa région active, une région de prise de contact de cathode dans laquelle la couche d'anode 107 et la couche émissive 105 sont interrompues de façon à permettre la prise d'un contact électrique sur la face supérieure de la couche de cathode 103. Une 25 métallisation de contact de cathode 109 est disposée sur et en contact avec la face supérieure de la couche de cathode 103 au niveau de la région de prise de contact de cathode. Chaque diode Di comprend en outre une région de prise de contact d'anode située du côté d'un bord latéral de sa région 30 active opposé à la région de prise de contact de cathode. Une métallisation de contact d'anode 111 est disposée sur et en contact avec la face supérieure de la couche d'anode 107 au niveau de la région de prise de contact d'anode. Dans l'exemple de la figure 1, les diodes D1, D2, ..., 35 Dn sont disposées en ligne par ordre d'indice ou rang i croissant, 3062954 B15411 - DD17423HB 3 chaque diode Di, à l'exception de la diode Dn, ayant sa région de prise de contact de cathode tournée vers la région de prise de contact d'anode de la diode d'indice supérieur Di+1- Des métallisations d'interconnexion 1211, 1212, ..., 121n-1 relient les diodes D1, D2, ..., Dn en série. Plus particulièrement, pour chaque diode Di à l'exception de la diode Dn, une métallisation d'interconnexion 121i est prévue, reliant la métallisation de contact de cathode 109 de la diode Di à la métallisation de contact d'anode 111 de la diode Di+1- La métallisation de contact d'anode 111 de la diode D1 est reliée à une borne d'alimentation positive A ou borne de contact d'anode du dispositif, et la métallisation de contact de cathode 109 de la diode Dn est reliée à une borne d'alimentation négative K ou borne de contact de cathode du dispositif. La figure 2 est une vue de dessus représentant de façon schématique une variante du dispositif de la figure 1. Dans l'exemple de la figure 2, le dispositif comprend n=16 diodes D1, D2, ..., D16. Sur la figure 2, les diodes D1, D2, ..., D16 ont été représentées de façon schématiques par des carrés, ce qui correspond à la forme générale de leur région active en vue de dessus. Le dispositif de la figure 2 diffère du dispositif de la figure 1 en ce que, dans le dispositif de la figure 2, les diodes D1, D2, ... Dn sont agencées non pas en ligne, mais en matrice, selon plusieurs lignes et plusieurs colonnes (4 lignes et 4 colonnes dans l'exemple représenté). Dans chaque colonne de la matrice, les diodes de la colonne sont connectées en série. Les diodes d'une même colonne sont orientées selon une même direction anode-cathode, les diodes de colonnes adjacentes étant orientées selon des directions anode-cathode opposées. Dans chaque colonne à l'exception des première et dernière colonnes de la matrice, les extrémités d'anode et de cathode de l'association en série des diodes de la colonne sont reliées respectivement à l'extrémité de cathode de l'association en série des diodes de la colonne précédente, et à l'extrémité d'anode de l'association en 3062954 B15411 - DD17423HB 4 série des diodes de la colonne suivante, de façon que l'ensemble des n diodes D1, D2, ..., Dn soient reliées en série. L'extrémité d'anode de l'association en série des diodes de la première colonne est connectée à la borne A du dispositif, et l'extrémité 5 de cathode de l'association en série des diodes de la dernière colonne est connectée à la borne K du dispositif. Un inconvénient des dispositifs du type décrit en relation avec les figures 1 et 2 est que la longueur des régions de contact entre deux diodes consécutives de l'association série 10 des diodes D1, D2, ..., Dn est limitée à la longueur d'un bord de la région active d'une diode. La résistance de connexion étant inversement proportionnelle à la longueur des régions de contact interconnectées, il en résulte que la résistance série globale du dispositif est relativement élevée. 15 De plus, un inconvénient des dispositifs à agencement matriciel du type décrit en relation avec la figure 2 est qu'il peut exister de fortes différences de potentiel entre deux diodes voisines de la matrice, notamment aux extrémités non interconnectées de colonnes adjacentes de la matrice. Par exemple, 20 les diodes voisines D1 et Dg, respectivement D5 et D12, respectivement D9 et D16 du dispositif de la figure 2 ont, en fonctionnement, leurs régions d'anodes et de cathodes polarisées à des potentiels relativement éloignés. Ceci impose des précautions particulières relativement contraignantes en termes 25 d'isolation. Par ailleurs, un problème qui se pose dans le domaine des diodes semiconductrices et en particulier dans le domaine des diodes électroluminescentes est celui de l'injection du courant électrique d'alimentation dans la région active de la diode. Ce 30 problème se pose tout particulièrement dans le domaine des diodes au nitrure de gallium, du fait de la résistivité électrique relativement élevée du nitrure de gallium dopé de type N formant la région de cathode de la diode. On déjà proposé, par exemple dans l'article intitulé "High performance GaN-based flip-chip LEDs 35 with different electrode patterns" de Ray-Hua Horng et al., des 3062954 B15411 - DD17423HB 5 motifs de métallisation de cathode permettant de distribuer de façon relativement homogène le courant dans la région de cathode de la diode. Il serait toutefois souhaitable d'améliorer encore les performances d'injection du courant électrique dans une diode. 5 Résumé Ainsi, un mode de réalisation prévoit un dispositif comportant une pluralité de diodes coplanaires concentriques interconnectées. Selon un mode de réalisation, chaque diode comprend une 10 région active continue comportant un empilement vertical de première et deuxième régions de types de conductivité opposés, les régions actives des différentes diodes étant séparées les unes des autres par des tranchées annulaires traversant ledit empilement. 15 Selon un mode de réalisation, les diodes sont connectées en série. Selon un mode de réalisation, deux diodes voisines sont connectées par une métallisation disposée dans la tranchée annulaire qui les sépare et s'étendant sur sensiblement toute la 20 longueur de ladite tranchée. Selon un mode de réalisation, les diodes sont connectées deux à deux en antiparallèle, les associations de deux diodes en antiparallèle étant connectées en série. Selon un mode de réalisation : 25 des première et deuxième diodes voisines sont connectées par des première et deuxième métallisations disposées dans la tranchée annulaire qui les sépare, et s'étendant sensiblement sur respectivement des première et deuxième moitiés de la longueur de ladite tranchée ; et 30 une troisième diode voisine de la deuxième diode est connectée à la deuxième diode par une métallisation disposée dans la tranchée annulaire qui les sépare, et s'étendant sur sensiblement toute la longueur de la tranchée. Selon un mode de réalisation, chaque diode comprend une 35 électrode de polarisation de sa première région disposée dans une 3062954 B15411 - DD17423HB 6 tranchée s'étendant depuis la face de la deuxième région opposée à la première région, l'électrode comprenant, en vue de dessus, les éléments conducteurs suivants : un anneau polygonal ; 5 pour chaque sommet de l'anneau polygonal, un premier barreau rectiligne s'étendant entre le sommet et le centre de l'anneau, sensiblement selon une direction allant du sommet au centre de l'anneau ; et pour chaque premier barreau, une pluralité de deuxièmes 10 barreaux rectilignes s'étendant depuis le premier barreau sensiblement parallèlement aux côtés de l'anneau partant du sommet duquel est issu le premier barreau. Selon un mode de réalisation, dans chaque diode, les dimensions des premiers et deuxièmes barreaux sont telles que le 15 volume de la deuxième région situé, vu de dessus, à l'intérieur de l'anneau, est continu. Selon un mode de réalisation, les diodes sont des diodes électroluminescentes. Selon un mode de réalisation, les diodes sont des diodes 20 au nitrure de gallium. Un autre mode de réalisation prévoit une diode comprenant un empilement vertical de première et deuxième régions semiconductrices de types de conductivité opposés, et une première électrode de polarisation de sa première région disposée dans une 25 tranchée s'étendant depuis la face de la deuxième région opposée à la première région, la première électrode comprenant, en vue de dessus, les éléments conducteurs suivants: un anneau polygonal ; pour chaque sommet de l'anneau polygonal, un premier 30 barreau rectiligne s'étendant entre le sommet et le centre de l'anneau, sensiblement selon une direction allant du sommet au centre de l'anneau ; et pour chaque premier barreau, une pluralité de deuxièmes barreaux rectilignes s'étendant depuis le premier barreau 3062954 B15411 - DD17423HB 7 sensiblement parallèlement aux côtés de l'anneau partant du sommet duquel est issu le premier barreau. Selon un mode de réalisation, les dimensions des premiers et deuxièmes barreaux sont telles que le volume de la 5 deuxième région situé, vu de dessus, à l'intérieur de l'anneau, est continu. Selon un mode de réalisation, pour chaque premier barreau, la première électrode comprend une ou plusieurs paires de deuxièmes barreaux issus du premier barreau, et, dans chaque 10 paire de deuxièmes barreaux, les barreaux de la paire partent d'un même point du premier barreau. Selon un mode de réalisation, dans chaque paire de deuxièmes barreaux : un premier barreau de la paire s'étend sensiblement 15 parallèlement à un premier côté de l'anneau relié au sommet duquel est issu le premier barreau duquel sont issus les deuxièmes barreaux de la paire, en direction opposée à un deuxième côté de l'anneau relié audit sommet ; et un deuxième barreau de la paire s'étend sensiblement 20 parallèlement au deuxième côté de l'anneau relié au sommet duquel est issu le premier barreau duquel sont issus les barreaux de la paire, en direction opposée au premier côté de l'anneau relié audit sommet. Selon un mode de réalisation, pour chaque premier 25 barreau, les paires de deuxièmes barreaux reliées au premier barreau sont régulièrement réparties le long du premier barreau. Selon un mode de réalisation, chaque deuxième barreau s'interrompt avant d'atteindre une droite reliant le centre de l'anneau au milieu du côté de l'anneau parallèle au deuxième 30 barreau et relié au sommet duquel est issu le premier barreau duquel est issu le deuxième barreau. Selon un mode de réalisation, la diode comporte en outre une deuxième électrode de polarisation de sa deuxième région disposée sur la face de la deuxième région opposée à la première 35 région. 3062954 B15411 - DD17423HB 8 Selon un mode de réalisation, la deuxième électrode a, vue de dessus, la forme d'un anneau inclus dans l'anneau polygonal de la première électrode. Selon un mode de réalisation, l'anneau de la deuxième 5 électrode est interrompu au niveau de chacune des intersections avec les premiers barreaux de la première électrode de façon à ne pas passer au-dessus desdits premiers barreaux. Selon un mode de réalisation, l'anneau de la deuxième électrode est continu, et les premiers barreaux de la première 10 électrode sont interrompus aux intersections avec l'anneau de la deuxième électrode de façon à ne pas passer sous ledit anneau. Selon un mode de réalisation, l'anneau polygonal de la première électrode est séparé en deux parties disjointes s'étendant chacune sur sensiblement la moitié de la longueur de 15 la périphérie de la diode. Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation 20 avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1, précédemment décrite, est une vue en coupe représentant de façon schématique un exemple d'un dispositif comportant une pluralité de diodes reliées en série ; la figure 2, précédemment décrite, est une vue en coupe 25 représentant de façon schématique un autre exemple d'un dispositif comportant une pluralité de diodes reliées en série ; les figures 3A et 3B sont respectivement une vue de dessus et une vue en coupe représentant de façon schématique un exemple d'un dispositif comportant une pluralité de diodes selon 30 un mode de réalisation ; la figure 4 est un schéma électrique d'un exemple d'un dispositif comportant une pluralité de diodes interconnectées ; les figures aA et 5B sont respectivement une vue de dessus et une vue en coupe illustrant un exemple d'un mode de 35 réalisation du dispositif de la figure 4 ; 3062954 B15411 - DD17423HB 9 la figure 6 est un schéma électrique d'un autre exemple de dispositif comportant une pluralité de diodes interconnectées ; les figures 7A. et 7B sont respectivement une vue de dessus et une vue en coupe illustrant un exemple d'un mode de 5 réalisation du dispositif de la figure 6 ; les figures 8A. et 8B sont respectivement une vue de dessus et une vue en coupe illustrant de façon schématique un exemple d'un mode de réalisation d'une diode semiconductrice ; la figure 9 est une vue de dessus illustrant de façon 10 schématique une variante de réalisation de la diode des figures 8A. et 8B ; la figure 10 est une vue de dessus illustrant de façon schématique une autre variante de réalisation de la diode des figures 8A. et 8B ; et 15 les figures HA, 11B, 11C, 11D, 11E, 11F sont des vues en coupe illustrant de façon schématique et partielle un exemple d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif comportant une ou plusieurs diodes semiconductrices. Description détaillée 20 De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Par souci de clarté, seuls les éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En 25 particulier, les circuits de commande qui peuvent être utilisés pour commander les dispositifs décrits n'ont pas été détaillés, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les circuits de commande usuels de diodes semiconductrices. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des 30 qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence à 35 l'orientation des vues en coupe des figures, étant entendu que, 3062954 B15411 - DD17423HB 10 dans la pratique, les dispositifs décrits peuvent être orientés différemment. Sauf précision contraire, les expressions "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près, ou, lorsqu'elles 5 se rapportent à des valeurs angulaires ou à des orientations, à 10 degrés près, de préférence à 5 degrés près. Premier aspect (dispositif comportant une pluralité de diodes) 10 Les figures 3A et 3B représentent de façon schématique un exemple d'un mode de réalisation d'un dispositif comportant une pluralité de diodes électroluminescentes au nitrure de gallium. La figure 3A est une vue de dessus du dispositif, et la figure 3B est une vue en coupe partielle du dispositif selon le 15 plan 3B-3B de la figure 3A. Le dispositif des figures 3A et 3B comprend quatre diodes électroluminescentes au nitrure de gallium D1, D2, D3, D4. Plus généralement, les modes de réalisation décrits en relation avec les figures 3A, 3B, 4, SA, 5B, 6, 7A et 7B s'appliquent quel 20 que soit le nombre n de diodes D1, D2, ..., Dn du dispositif, avec n entier supérieur à 1. Le dispositif des figures 3A et 3B comprend un substrat de support 301 (figure 3B) sur la face supérieure duquel sont disposées les diodes D1, D2, ..., Dn. Le substrat 301 est par 25 exemple en saphir ou en tout autre matériau adapté. Le substrat 301 est par exemple transparent. Chaque diode Di, avec i entier allant de 1 à n, comprend une région active comportant un empilement vertical comprenant, dans l'ordre à partir de la surface supérieure du substrat 301, 30 une couche de nitrure de gallium dopé de type N 303, une couche émissive 305, et une couche de nitrure de gallium dopé de type P 307. La couche 307 définit la région d'anode de la diode, et la couche 303 définit la région de cathode de la diode. La couche émissive 305 est par exemple constituée par un empilement vertical 35 d'une ou plusieurs couches formant chacune un puit quantique, 3062954 B15411 - DD17423HB 11 par exemple à base de GaN, InN, InGaN, AlGaN, AIN, AlInGaN, GaP, AlGaP, AlInGaP, ou d'une combinaison d'un ou plusieurs de ces matériaux. A titre de variante, la couche émissive 305 peut être une couche de nitrure de gallium intrinsèque, c'est-à-dire non 5 intentionnellement dopée. Dans cet exemple, la face inférieure de la couche émissive 305 est en contact avec la face supérieure de la couche de cathode 303, et la face supérieure de la couche émissive 305 est en contact avec la face inférieure de la couche d'anode 307. En pratique, selon la nature du substrat 301, un 10 empilement d'une ou plusieurs couches tampon (non représentées) peut faire interface entre le substrat de support 301 et la couche de nitrure de gallium 303. La région active de chaque diode Di est non adjacente à une région active d'une autre diode Di du dispositif. Autrement 15 dit, les régions actives des différentes diodes Di sont séparées les unes des autres par des tranchées traversant entièrement l'empilement formé par les couches actives 303, 305 et 307 du dispositif, ce qui permet notamment de pouvoir interconnecter en série des diodes du dispositif. Les couches actives 303, 305 et 20 307 de chaque diode Di sont en revanche des couches continues. Par souci de clarté, les métallisations de contact d'anode et de cathode des diodes, et les éventuels éléments d'isolation et d'interconnexion des diodes n'ont pas été représentés sur les figures 3A et 3B. 25 Selon un aspect d'un mode de réalisation, les diodes D1, D2, ..., Dn du dispositif des figures 3A et 3B sont coplanaires et concentriques. On entend ici par coplanaires que les diodes D1, D2, Dn ne sont pas superposées les unes aux autres, mais sont 30 disposées sensiblement dans un même plan moyen parallèle à la face supérieure du substrat de support 301. Autrement dit, la distance entre le substrat de support 301 et la jonction PN ou la couche émissive de chaque diode Di, est sensiblement la même pour toutes les diodes D1, D2, ..., Dn du dispositif. 3062954 B15411 - DD17423HB 12 Par ailleurs, on entend ici par concentriques que, à l'exception d'une diode Di que l'on appellera diode centrale (la diode D1 dans l'exemple des figures 3A et 3B), dont la région active peut avoir une forme quelconque, les régions actives des 5 autres diodes Di ont, vu de dessus, la forme d'anneaux imbriqués entourant la région active de la diode centrale. A titre d'exemple, les régions actives des diodes D1, D2, ..., Dn ont, vu de dessus, un même centre de symétrie. Dans l'exemple représenté, en vue de dessus, les dimensions extérieures des diodes D1, D2, 10 ... Dn sont croissantes en fonction de l'indice ou rang i de la diode. Autrement dit, à l'exception de la diode centrale D1, chaque diode Di entoure entièrement la diode d'indice immédiatement inférieur Di_i. De plus, à l'exception de la diode Dn, chaque diode Di est entièrement entourée par la diode d'indice 15 immédiatement supérieur Di+1- Dans l'exemple représenté, vu de dessus, la région active de la diode centrale D1 a une forme générale carrée, et la région active de chaque autre diode Di a une forme en anneau carré ayant sensiblement le même centre que la région active de la diode Dl. A titre de variante, les diodes 20 D1, D2, ... Dn peuvent avoir, en vue de dessus, des formes rectangulaires, circulaires, elliptiques, ou toutes autres formes non nécessairement symétriques, par exemple des formes triangulaires. De préférence, les diodes D1, D2, ..., Dn sont 25 dimensionnées de façon à avoir toutes sensiblement la même surface de région active. A titre d'exemple, les distances séparant deux à deux des diodes consécutives du dispositif sont toutes sensiblement identiques. 30 La figure 4 est un schéma électrique d'un exemple d'un dispositif comportant n diodes D1, D2, ... Dn interconnectées (n=4 dans l'exemple représenté). Dans l'exemple de la figure 4, les diodes D1, D2, ..., Dn sont connectées en série entre une borne d'alimentation 35 positive A ou borne de contact d'anode du dispositif, et une borne 3062954 B15411 - DD17423HB 13 d'alimentation négative K ou borne de contact de cathode du dispositif. Plus particulièrement, chaque diode Di à l'exception de la diode Dn a sa cathode connectée à l'anode de la diode d'indice immédiatement supérieur Di+1, l'anode de la diode D1 5 étant connectée à la borne A et la cathode de la diode Dn étant connectée à la borne K. Les figures 5A et 5B illustrent un exemple de connexion des diodes concentriques D1, D2, ..., Dn du dispositif des figures 3A et 3B selon le schéma électrique de la figure 4. Les figures 10 5A et 5B sont des vues selon les mêmes orientations que les figures 3A et 3B respectivement. Plus particulièrement, la figure aA est une vue de dessus du dispositif, et la figure 5B est une vue en coupe partielle du dispositif selon le plan 5B-5B de la figure aA. Les éléments communs entre les figures 3A, 3B et les figures 15 aA, 5B ne seront pas détaillés à nouveau. Pour plus de lisibilité, sur la vue de dessus de la figure aA, les régions actives des diodes D1, D2, ..., Dn ont été représentées de façon schématique par des traits interrompus délimitant leurs contours. Le dispositif des figures aA et 5B comprend des 20 métallisations d'interconnexion 5211, 5212, ..., 521n-1 reliant les diodes D1, D2, ..., Dn en série. Plus particulièrement, pour chaque diode Di à l'exception de la diode Dn, une métallisation d'interconnexion 521i est prévue, reliant la région de cathode 303 de la diode Di à la région d'anode 307 de la diode Di+1- 25 Chaque métallisation 521i revêt les parois latérales et le fond de la tranchée périphérique ou tranchée annulaire séparant la diode Di de la diode Di+1- Dans l'exemple représenté, chaque métallisation 521i remplit entièrement la tranchée périphérique séparant la diode Di de la diode Di+1- La métallisation 521i est 30 en contact avec le flanc extérieur de la région de cathode 303 de la diode Di sur sensiblement toute la longueur de la tranchée périphérique séparant la diode Di de la diode Di+1- Les flancs extérieurs des couches 305 et 307 de la diode Di sont quant à eux revêtus d'une couche isolante 523i, isolant notamment la région 35 d'anode 307 de la diode Di de la métallisation 521i. De plus, les 3062954 B15411 - DD17423HB 14 flancs intérieurs des couches 303, 305 et 307 de la diode Diil sont revêtus d'une couche isolante 525i, isolant notamment la région de cathode 303 de la diode Diil de la métallisation 521i. Par souci de simplification, les régions isolantes 523i et 525i 5 n'ont pas été détaillées sur la figure 5A. Chaque métallisation 521i se prolonge en outre au-dessus d'une bande périphérique de la région d'anode 307 de la diode Diil située du côté du bord intérieur de la diode Di+1- Ce prolongement de la métallisation 521i est en contact avec la face supérieure de la région d'anode 10 307 de la diode Diil sur sensiblement toute la longueur de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1- Ainsi, chaque métallisation 521i connecte sensiblement toute la périphérie extérieure de la région de cathode de la diode Di à sensiblement toute la périphérie intérieure de la région d'anode 15 de la diode Di+1- Le dispositif des figures aA et 5B comprend en outre une métallisation de contact d'anode 527 disposée en contact avec la région d'anode 307 de la diode Dl. Dans cet exemple, la métallisation 527 est disposée sur et en contact avec la face 20 supérieure de la région d'anode 307 de la diode Dl. Plus particulièrement, dans l'exemple représenté, la métallisation 527 présente, en vue de dessus, une forme annulaire s'étendant au-dessus d'une bande périphérique de la région d'anode 307 de la diode Dl. 25 Le dispositif des figures aA et 5B comprend en outre une métallisation de contact de cathode 529 disposée en contact avec la région de cathode 303 de la diode Dn. Dans cet exemple, la métallisation 529 est disposée sur et en contact avec le flanc extérieur de la région de cathode 303 de la diode Dn. Plus 30 particulièrement, dans l'exemple représenté, la métallisation 529 est en contact avec le flanc extérieur de la diode Dn sur sensiblement toute la longueur de la périphérie extérieure de la diode Dn. Les flancs extérieurs des couches 305 et 307 de la diode Dn sont quant à eux revêtus d'une couche isolante 531, isolant 3062954 B15411 - DD17423HB 15 notamment la région d'anode 307 de la diode Dn de la métallisation 529. La métallisation de contact d'anode 527 de la diode D1 est connectée à la borne positive A du dispositif, et la 5 métallisation de contact de cathode 529 de la diode Dn est connectée à la borne négative K du dispositif. Par rapport aux dispositifs des figures 1 et 2, un avantage du dispositif décrit en relation avec les figures aA et 5B est que la longueur des régions de contact entre deux diodes 10 consécutives Di et Diil de l'association série des diodes D1, D2, Dn s'étend sur sensiblement toute la longueur du contour extérieur de la diode Di. Ceci permet de réduire significativement la résistance série globale du dispositif. De plus, par rapport au dispositif de la figure 2, un 15 avantage du dispositif décrit en relation avec les figures aA et 5B est que la différence de potentiel maximale entre deux diodes adjacentes du dispositif est limitée à la chute de tension d'une diode, ce qui permet de relâcher les contraintes d'isolation des diodes. 20 La figure 6 est un schéma électrique d'un autre exemple d'un dispositif comportant n diodes D1, D2, Dn interconnectées, où n est un nombre pair (n=4 dans l'exemple représenté). Dans l'exemple de la figure 6, les diodes D1, D2, ..., 25 Dn sont connectées deux à deux en antiparallèle, les associations de deux diodes en antiparallèle étant connectées en série entre des bornes d'alimentation Al et A2 du dispositif. Dans l'exemple représenté, chaque diode d'indice impair Di est connectée en antiparallèle de la diode Diil d'indice pair immédiatement 30 supérieur, c'est-à-dire que son anode est connectée à la cathode de la diode Diil et que sa cathode est connectée à l'anode de la diode Di+1- Les associations de deux diodes en antiparallèle sont reliées en série entre les bornes Al et A2 du dispositif. Plus particulièrement, chaque association de deux diodes Di et Diil en 35 antiparallèle (où i est l'indice de rang impair de l'association), 3062954 B15411 - DD17423HB 16 à l'exception de l'association des diodes Dn_l et Dn, a son noeud commun entre la cathode de la diode Di et l'anode de la diode Diil connecté au noeud commun entre l'anode de la diode Di+2 et la cathode de la diode Di+3 de l'association suivante. Le noeud 5 commun entre l'anode de la diode D1 et la cathode de la diode D2 est connecté à la borne Al du dispositif, et le noeud commun entre la cathode de la diode Dn_1 et l'anode de la diode Dn est connecté à la borne A2 du dispositif. Une telle association série/antiparallèle de diodes est 10 notamment adaptée à des applications d'éclairage, dans lesquelles ce schéma d'interconnexion des diodes permet d'alimenter le dispositif au moyen d'une tension alternative appliquée entre les bornes Al et A2. Pendant les alternances positives de la tension appliquée entre les bornes Al et A2, seules les diodes de rang 15 impair sont passantes et émettent de la lumière, tandis que les diodes de rang pair sont bloquées et éteintes. Pendant les alternances négatives, les diodes de rang pair prennent le relais et émettent de la lumière, tandis que les diodes de rang impair sont bloquées et éteintes. 20 Les figures 7A et 7B illustrent un exemple de connexion des diodes concentriques D1, D2, ..., Dn du dispositif des figures 3A et 3B selon le schéma électrique de la figure 6. La figure 7A est une vue de dessus du dispositif, et la figure 7B est une vue en coupe du dispositif selon le plan 7B-7B de la figure 7A. Les 25 éléments communs entre les figures 3A, 3B et les figures 7A, 7B ne seront pas détaillés à nouveau. Sur la vue de dessus de la figure 7A, les régions actives des diodes D1, D2, ..., Dn ont été représentées de façon schématique par des traits interrompus délimitant leurs contours. 30 Le dispositif des figures 7A et 7B comprend, pour chaque diode Di de rang impair, une première métallisation d'interconnexion 721i reliant la région d'anode 307 de la diode Di à la région de cathode 303 de la diode Di+1, et une deuxième métallisation d'interconnexion 723i isolée de la première 3062954 B15411 - DD17423HB 17 métallisation 721i, reliant la région de cathode 303 de la diode Di à la région d'anode 307 de la diode Di+1- Vu de dessus, chaque métallisation 721i s'étend de façon continue le long d'une première moitié de la tranchée périphérique 5 séparant les diodes Di et Di+1, et chaque métallisation 723i s'étendant de façon continue le long de la deuxième moitié de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1- Chaque métallisation 721i revêt les parois latérales et le fond de la première moitié de la tranchée périphérique séparant 10 les diodes Di et Di+1, et se prolonge au-dessus d'une bande périphérique de la région d'anode 307 de la diode Di située du côté du bord extérieur de la diode Di, le long de ladite première moitié de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1- Dans l'exemple représenté, la métallisation 721i remplit 15 entièrement la première moitié de la tranchée périphérique séparant la diode Di de la diode Di+1- La métallisation 721i est en contact avec le flanc intérieur de la région de cathode 303 de la diode Diil sur sensiblement toute la longueur de la première moitié de tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1- 20 Les flancs intérieurs des couches 305 et 307 de la diode Diil sont quant à eux revêtus d'une couche isolante 725i, isolant notamment la région d'anode 307 de la diode Diil de la métallisation 721i sur sensiblement toute la longueur de la première moitié de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1- De plus, 25 les flancs extérieurs des couches 303, 305 et 307 de la diode Di sont revêtus d'une couche isolante 727i, isolant la région de cathode 303 de la diode Di de la métallisation 721i. La métallisation 721i est en outre en contact avec la face supérieure de la région d'anode 307 de la diode Di sur sensiblement toute la 30 longueur de la première moitié de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1- Ainsi, chaque métallisation 721i connecte sensiblement toute la première moitié de la périphérie extérieure de la région d'anode de la diode Di à sensiblement toute la première moitié de la périphérie intérieure de la région 35 de cathode de la diode Di+1- 3062954 B15411 - DD17423HB 18 Chaque métallisation 723i revêt les parois latérales et le fond de la deuxième moitié de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1, et se prolongeant au-dessus d'une bande périphérique de la région d'anode 307 de la diode Diil située du 5 côté du bord intérieur de la diode Di+1, le long de ladite deuxième moitié de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1- Dans l'exemple représenté, la métallisation 723i remplit entièrement la deuxième moitié de la tranchée périphérique séparant la diode Di de la diode Di+1- La métallisation 723i est 10 en contact avec le flanc extérieur de la région de cathode 303 de la diode Di sur sensiblement toute la longueur de la deuxième moitié de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1- Les flancs extérieurs des couches 305 et 307 de la diode Di sont quant à eux revêtus d'une couche isolante 729i, isolant notamment 15 la région d'anode 307 de la diode Di de la métallisation 723i sur sensiblement toute la longueur de la deuxième moitié de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1- De plus, les flancs intérieurs des couches 303, 305 et 307 de la diode Diil sont revêtus d'une couche isolante 731i, isolant notamment la 20 région de cathode 303 de la diode Diil de la métallisation 723i, sur sensiblement toute la longueur de la deuxième moitié de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1- La métallisation 723i est en outre en contact avec la face supérieure de la région d'anode 307 de la diode Diil sur sensiblement toute 25 la longueur de la deuxième moitié de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1- Ainsi, chaque métallisation 723i connecte sensiblement toute la deuxième moitié de la périphérie extérieure de la région de cathode de la diode Di à sensiblement toute la deuxième moitié de la périphérie intérieure de la région 30 d'anode de la diode Di+1- Le dispositif des figures 7A et 7B comprend, pour chaque diode Di de rang pair à l'exception de la diode Dn, une métallisation d'interconnexion 733i reliant la région d'anode 307 de la diode Di à la région d'anode 307 de la diode Di+1- 3062954 B15411 - DD17423HB 19 Vu de dessus, chaque métallisation 733i s'étend de façon continue sur sensiblement toute la longueur de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1- Chaque métallisation 733i revêt les parois latérales et 5 le fond de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Dill. Dans l'exemple représenté, chaque métallisation 733i remplit entièrement la tranchée périphérique séparant la diode Di de la diode Di+1- Les flancs extérieurs des couches 303, 305 et 307 de la diode Di sont revêtus d'une couche isolante 735i, isolant 10 notamment la région de cathode 303 de la diode Di de la métallisation 733i sur toute la longueur de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1- De plus, les flancs intérieurs des couches 303, 305 et 307 de la diode Diil sont revêtus d'une couche isolante 737i, isolant notamment la région 15 de cathode 303 de la diode Diil de la métallisation 733i sur toute la longueur de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1- Chaque métallisation 733i se prolonge en outre, sur toute la longueur de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1, au-dessus d'une bande périphérique de la région d'anode 307 20 de la diode annulaire Diil située du côté du bord intérieur de la diode Di+1- Ce prolongement de la métallisation 733i est en contact avec la face supérieure de la région d'anode 307 de la diode Diil sur toute la longueur de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1- Chaque métallisation 733i se 25 prolonge en outre, sur toute la longueur de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1, au-dessus d'une bande périphérique de la région d'anode 307 de la diode annulaire Di située du côté du bord extérieur de la diode Di. Ce prolongement de la métallisation 733i est en contact avec la face supérieure 30 de la région d'anode 307 de la diode Di sur sensiblement toute la longueur de la tranchée périphérique séparant les diodes Di et Di+1- Ainsi, chaque métallisation 733i connecte sensiblement toute la périphérie extérieure de la région d'anode de la diode Di à sensiblement toute la périphérie intérieure de la région d'anode 35 de la diode Di+1- 3062954 B15411 - DD17423HB 20 La métallisation 7211 reliant l'anode de la diode D1 à la cathode de la diode D2 est connectée à la borne Al du dispositif, et la métallisation 72311-1 reliant la cathode de la diode Dn_1 à l'anode de la diode Dn est connectée à la borne A2 5 du dispositif. Le dispositif des figures 7A et 7B présente sensiblement les mêmes avantages que le dispositif des figures 5A et 5B en terme de résistance série globale du dispositif et en terme de différence de potentiel maximale entre deux diodes voisines du 10 dispositif. Deuxième aspect (diode à injection électrique améliorée) Les figures 8A et 8B illustrent de façon schématique un 15 exemple d'un mode de réalisation d'une diode semiconductrice. La figure 8A est une vue de dessus de la diode, et la figure 8B est une vue en coupe partielle selon le plan 8B-8B de la figure 8A. Comme dans les exemples précédents, la diode des figures 8A et 8B est une diode électroluminescente au nitrure de gallium 20 disposée sur un substrat de support 301, par exemple en saphir, et dont la région active comprend un empilement vertical comportant, dans l'ordre à partir de la face supérieure du substrat 301, une couche de nitrure de gallium dopé de type N 303, définissant la région de cathode de la diode, une couche émissive 25 305, et une couche de nitrure de gallium dopé de type P 307, définissant la région de cathode de la diode. La diode des figures 8A et 8B comprend une électrode 801 de polarisation de sa région de cathode 303, disposée dans une tranchée s'étendant depuis la face supérieure de la couche d'anode 30 307 et traversant entièrement la couche d'anode 307. L'électrode 801 est en contact avec les flancs de la couche de cathode 303 à l'intérieur de la tranchée. Les flancs des couches 305 et 307 sont quant à eux revêtus d'une couche isolante 803, permettant notamment d'isoler la région d'anode 307 de la diode de 3062954 B15411 - DD17423HB 21 l'électrode 801. Dans l'exemple représenté, l'électrode 801 remplit entièrement la tranchée dans laquelle elle est disposée. En vue de dessus, le motif conducteur de l'électrode de cathode 801 comprend les éléments suivants : 5 un anneau polygonal 801A ; pour chaque sommet de l'anneau polygonal 801A, un barreau rectiligne 801B s'étendant depuis le sommet de l'anneau sensiblement en direction du centre de l'anneau, le barreau 801B s'interrompant avant le centre de l'anneau ; et 10 pour chaque barreau 801B, une pluralité de barreaux rectilignes 801C s'étendant depuis le barreau 801B sensiblement parallèlement aux côtés de l'anneau reliés au sommet duquel est issu le barreau 801B. Par centre de l'anneau polygonal, on entend ici le 15 barycentre de l'anneau, qui peut être un centre de symétrie dans le cas d'un anneau symétrique, par exemple dans le cas d'un polygone régulier. A titre d'exemple, l'anneau polygonal 801A entoure, vu de dessus, la région active de la diode. 20 Pour chaque barreau 801B, l'électrode 801 comprend une ou plusieurs paires de barreaux 801C, par exemple régulièrement réparties entre les deux extrémités du barreau 801B. Dans chaque paire de barreaux 801C, les premier et deuxième barreaux 801C de la paire partent d'un même point du barreau 801B, et s'étendent 25 respectivement de part et d'autre du barreau 801B. Plus particulièrement, le premier barreau 801C de la paire s'étend parallèlement à un premier côté de l'anneau relié au sommet duquel est issu le barreau 801B, en direction opposée au deuxième côté de l'anneau relié audit sommet, et le deuxième barreau 801C de la 30 paire s'étend parallèlement au deuxième côté de l'anneau relié audit sommet, en direction opposée au premier côté de l'anneau relié audit sommet. L'agencement et le dimensionnement des barreaux 801B et 801C est choisi de façon que le volume de la région d'anode 307 35 de la diode situé, en vue de dessus, à l'intérieur de l'anneau 3062954 B15411 - DD17423HB 22 801A soit continu. En particulier, dans l'exemple représenté, chaque barreau 801C s'interrompt avant d'atteindre la droite reliant le centre de l'anneau au milieu du côté de l'anneau parallèle au barreau 801C et relié au sommet duquel est issu le 5 barreau 801B duquel est issu le barreau 801C. La continuité de la région d'anode 307 permet de pouvoir polariser cette dernière à l'aide d'une électrode unique, située par exemple au voisinage de la périphérie de la diode. Dans l'exemple représenté, la diode comprend une 10 électrode 805 de polarisation de sa région d'anode 307, disposée sur et en contact avec la face supérieure de la région d'anode 307. Dans cet exemple, l'électrode 805 a, vue de dessus, la forme d'un anneau polygonal sensiblement de même forme que l'anneau 801A, mais de dimensions inférieures, inclus dans l'anneau 801A. 15 Dans cet exemple, l'anneau 805 est ouvert au niveau de chacun de ses sommets de façon à ne pas passer au-dessus des barreaux 801B de l'électrode de cathode 801. La figure 9 illustre une variante de réalisation dans laquelle l'anneau 805 de l'électrode d'anode est continu, et dans 20 laquelle les barreaux 801B de l'électrode de cathode 801 s'interrompent aux intersections avec l'anneau 805 de façon à ne pas passer sous l'anneau 805. L'agencement d'électrode de cathode décrit dans l'exemple des figures 8A et 8B et dans la variante de la figure 9 25 présente l'avantage de permettre une bonne distribution du courant dans la région de cathode de la diode. Cet agencement d'électrode améliore ainsi l'injection électrique dans la diode, ce qui permet d'accroitre le rendement lumineux de la diode par rapport aux agencements d'électrode de cathode connus. 30 Dans le cas d'une structure à diodes concentriques du type décrit en relation avec les figures 3A, 3B, 4, aA, 5B, 6, 7A, 7B, un tel agencement d'électrode peut être prévu dans la diode centrale D1 du dispositif. 3062954 B15411 - DD17423HB 23 En particulier, l'agencement décrit en relation avec les figures 8A, 8B ou 9 peut être utilisé tel quel pour la diode D1 du dispositif des figures 5A et 5B (montage série). La figure 10 illustre un exemple d'agencement des 5 électrodes de la diode D1 pouvant être utilisé dans le dispositif des figures 7A et 7B (montage série/antiparallèle). La principale différence par rapport aux exemples des figures 8A, 8B et 9 est que l'anneau polygonal 801A de l'électrode de cathode 801 est séparé en deux parties disjointes s'étendant chacune sur 10 sensiblement la moitié de la longueur de la périphérie extérieure de la diode. De plus, l'électrode de cathode 805 est réduite à un demi-anneau s'étendant sur sensiblement la moitié de la longueur de la périphérie extérieure de la diode. Dans l'exemple représenté, le demi-anneau 805 est 15 continu et les barreaux 801B situés sur le trajet du demi-anneau 805 sont interrompus pour ne pas passer sous l'électrode 805 (de façon similaire à ce qui a été décrit en relation avec la figure 9). A titre de variante, le demi-anneau 805 peut être interrompu au niveau de chacun de ses sommets de façon à ne pas passer au- 20 dessus des barreaux 801B de l'électrode 801 (de façon similaire à ce qui a été décrit en relation avec les figures 8A et 8B). Dans le cas d'une structure à diodes concentriques du type décrit en relation avec les figures 3A, 3B, 4, aA, 5B, 6, 7A, 7B, un agencement d'électrodes similaire à ce qui a été décrit 25 en relation avec les figures 8A, 8B, 9 et 10 peut être prévu dans chacune des diodes annulaires de rang supérieur à 1 du dispositif. Procédé de fabrication (exemple) 30 Les figures 11A, 11B, 11C, 11D, 11E, 11F sont des vues en coupe illustrant de façon schématique et partielle un exemple d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication de dispositifs du type décrit ci-dessus. Les figures 11A, 11B, 11C, 11D, 11E, 11F détaillent plus particulièrement la réalisation de 3062954 B15411 - DD17423HB 24 trois types de métallisation de contact caractéristiques pouvant être présentes dans les dispositifs décrits ci-dessus, à savoir : I) une métallisation reliant la région de cathode 303 d'une diode à la région d'anode 307 d'une diode 5 voisine, correspondant par exemple aux métallisations 521i des figures 5A et 5B ou aux métallisations 721i ou 723i des figures 7A et 7B ; II) une métallisation d'amenée de courant dans la région de cathode d'une diode, correspondant par 10 exemple aux barreaux 801B ou 801C des figures 8A, 8B, 9 ou 10 ; et III) une métallisation reliant les régions d'anode de deux diodes voisines, correspondant par exemple aux métallisations 733i des figures 7A et 7B. 15 La figure 11A illustre un empilement de départ comportant le substrat de support 301, et, dans l'ordre à partir de la face supérieure du substrat 301, une couche 303 de nitrure de gallium dopé de type N, une couche émissive 305, et une couche 307 de nitrure de gallium dopé de type P. Dans l'exemple de la 20 figure 11A, l'empilement de départ comporte en outre, sur et en contact avec la face supérieure de la couche 307 de nitrure de gallium dopé de type P, une couche métallique 307'. La couche métallique 307' forme un contact ohmique avec la face supérieure de la couche d'anode 307. La couche 307' est par exemple une 25 couche unique, ou un empilement de plusieurs couches métalliques distinctes. La face de la couche 307' tournée vers la couche 307 est par exemple réfléchissante, ce qui permet, dans le cas d'un dispositif destiné à émettre de la lumière du côté de la face inférieure du substrat 301, de renvoyer vers le substrat 301 la 30 lumière émise par la diode en direction de sa face opposée au substrat 301, et ainsi d'augmenter le rendement lumineux du dispositif. A titre d'exemple, la couche 307' est une couche d'argent, d'aluminium, ou d'un alliage argent-aluminium. La couche 307', bien que non représentée sur les figures précédentes, peut 35 être prévue dans tous les modes de réalisation décrits en relation 3062954 B15411 - DD17423HB 25 avec les figures 3A, 3B, 4, 5A, 5B, 6, 7A, 7B, 8A, 8B, 9, 10, revêtant sensiblement toute la surface supérieure de la région d'anode 307 des diodes. La figure 11A illustre une étape de dépôt, sur la face 5 supérieure de l'empilement de départ, c'est-à-dire sur la face supérieure de la couche 307' dans cet exemple, d'une couche de masquage 951, par exemple en oxyde de silicium. La figure 11A illustre en outre une étape de réalisation d'ouvertures traversantes dans la couche de masquage 951, par 10 exemple par lithographie et gravure, en regard des zones dans lesquelles on souhaite former les métallisations de type I), II) et III). La figure 11B illustre une étape ultérieure de gravure de tranchées 953 traversant la couche métallique 307', les couches 15 307 et 305, et une partie de l'épaisseur de la couche 303, en regard des ouvertures préalablement formées dans la couche 951, en utilisant la couche 951 comme masque de gravure. La figure 11B illustre en outre une étape ultérieure de dépôt conforme d'une couche isolante 955 par exemple en oxyde de 20 silicium, sur toute la surface supérieure de la structure, et en particulier sur les parois latérale et sur le fond des tranchées 953. La figure 11C illustre une étape ultérieure de gravure anisotrope de la couche isolante 955, au cours de laquelle sont 25 retirées les portions de la couche 955 revêtant le fond des tranchées 953, de façon à libérer l'accès à la face supérieure de la couche 303 au fond des tranchées 953, sans retirer les portions de la couche 955 revêtant les parois latérales des tranchées 953. La figure 11C illustre en outre une étape ultérieure de 30 gravure de la partie inférieure de la couche 303 en regard ouvertures du masque 951, de façon à prolonger les tranchées 953 jusqu'à la face supérieure du substrat 301. La figure 11D illustre une étape ultérieure de dépôt conforme d'une couche métallique 957 destinée à former un contact 35 ohmique avec les flancs de la couche de nitrure de gallium de type 3062954 B15411 - DD17423HB 26 N 303. La couche 957 est d'abord déposée sur sensiblement toute la surface supérieure de la structure, et notamment sur les parois latérales et sur le fond des tranchées 953. Au niveau des métallisations de type I (connexion 5 cathode-anode), la couche métallique 957 est ensuite localement retirée sur le flanc de l'une des deux diodes séparées par la tranchée 953 (celle dont l'anode doit être connectée à la cathode de l'autre diode). De plus, au niveau des métallisations de type III 10 (connexion anode-anode), la couche métallique 957 est localement retirée sur les flancs des deux diodes séparées par la tranchée 953. Le retrait local de la couche 957 est par exemple réalisé par lithographie et gravure (étapes non détaillées). 15 La figure 11D illustre en outre une étape de gravure localisée de la couche de masquage 951, de façon à prolonger les ouvertures du masque 951 en regard des régions de connexion d'anode des métallisations de type I et III, de façon à libérer l'accès à la face supérieure de la couche métallique 307' dans 20 ces régions. La figure 11E illustre une étape ultérieure de dépôt conforme d'une couche isolante 959 sur sensiblement toute la surface supérieure de la structure. La couche 959 est ensuite retirée localement sur les portions de la couche métallique 957 25 situées dans les tranchées 953, au niveau des métallisations de type I et II. La couche isolante 959 est en outre retirée localement au-dessus des régions de connexion d'anode des métallisations de type I et III. La figure 11F illustre une étape ultérieure de 30 remplissage des tranchées 953 par un métal conducteur, par exemple du cuivre, de façon à former les métallisations de type I, II et III recherchées. Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de 35 l'art. En particulier, bien que l'on ait décrit uniquement des 3062954 B15411 - DD17423HB 27 exemples de réalisation se rapportant à des diodes électroluminescentes au nitrure de gallium, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas à ce cas particulier. A titre de variante, les modes de réalisation décrits peuvent être 5 adaptés à des diodes électroluminescentes utilisant d'autres matériaux semiconducteurs que le nitrure de gallium, par exemple des diodes au silicium, ou encore à des diodes photoréceptrices, ou encore à des diodes sans fonction optique, par exemple des diodes de puissance. On notera en particulier que dans le cas de 10 diodes photoréceptrices, les motifs d'électrode de cathode décrits en relation avec les figures 8A, 8B, 9 et 10 permettent d'améliorer la collecte des charges photogénérées. En outre, bien que l'on ait décrit uniquement des exemples de réalisation dans lesquels le contact sur les régions 15 de cathode des diodes est pris sur les parois latérales de tranchées traversant entièrement l'empilement actif des diodes, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas à ce cas particulier. En particulier, décrits ci-dessus peuvent être 20 en relation avec la figure 1, régions de cathode des diodes régions dans lesquelles la retirée. De plus, le premier les premier et deuxième aspects adaptés à des diodes du type décrit dans lesquelles le contact sur les est pris sur la face supérieure de couche d'anode a été localement aspect décrit ci-dessus peut être adapté à des diodes dites à injection verticale (par opposition 25 aux diodes à injection latérale du type décrit dans la présente description), dans lesquelles le contact sur les régions de cathode des diodes est pris depuis la face inférieure de la région de cathode. De plus, dans les modes de réalisation décrits, les 30 types de conductivité P (anode) et N (cathode) des régions semiconductrices 307 et 303 peuvent être inversés. REVENDICATIONS1. Diode comprenant un empilement vertical de première (303) et deuxième (307) régions semiconductrices de types de conductivité opposés, et une première électrode (801) de polarisation de sa première région (303) disposée dans une 5 tranchée s'étendant depuis la face de la deuxième région (307) opposée à la première région (303), la première électrode (801) comprenant, en vue de dessus, les éléments conducteurs suivants: un anneau polygonal (801A) ; pour chaque sommet de l'anneau polygonal (801A), un 10 premier barreau rectiligne (801B) s'étendant entre le sommet et le centre de l'anneau, sensiblement selon une direction allant du sommet au centre de l'anneau ; et pour chaque premier barreau (801B), une pluralité de deuxièmes barreaux rectilignes (801C) s'étendant depuis le premier 15 barreau (801B) sensiblement parallèlement aux côtés de l'anneau (801A) partant du sommet duquel est issu le premier barreau (801B). 2. Diode selon la revendication 1, dans laquelle les dimensions des premiers (801B) et deuxièmes (801C) barreaux sont 20 telles que le volume de la deuxième région (307) situé, vu de dessus, à l'intérieur de l'anneau (801A), est continu. 3. Diode selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle, pour chaque premier barreau (801B), la première électrode (801) comprend une ou plusieurs paires de deuxièmes barreaux (801C) 25 issus du premier barreau (801B), et dans laquelle, dans chaque paire de deuxièmes barreaux (801C), les barreaux de la paire partent d'un même point du premier barreau (801B). 4. Diode selon la revendication 3, dans laquelle, dans chaque paire de deuxièmes barreaux (801C) : 30 un premier barreau de la paire s'étend sensiblement parallèlement à un premier côté de l'anneau (801A) relié au sommet duquel est issu le premier barreau (801B) duquel sont issus les deuxièmes barreaux (801C) de la paire, en direction opposée à un deuxième côté de l'anneau (801A) relié audit sommet ; et 3062954 B15411 - DD17423HB 29 un deuxième barreau de la paire s'étend sensiblement parallèlement au deuxième côté de l'anneau (801A) relié au sommet duquel est issu le premier barreau (801B) duquel sont issus les barreaux (801C) de la paire, en direction opposée au premier côté de l'anneau (801A) relié audit sommet. 5. Diode selon la revendication 3 ou 4, dans laquelle, pour chaque premier barreau (801B), les paires de deuxièmes barreaux (801C) reliées au premier barreau (801B) sont régulièrement réparties le long du premier barreau (801B). 6. Diode selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans laquelle chaque deuxième barreau (801C) s'interrompt avant d'atteindre une droite reliant le centre de l'anneau (801A) au milieu du côté de l'anneau (801A) parallèle audit deuxième barreau (801C) et relié au sommet duquel est issu le premier barreau (801B) duquel est issu le deuxième barreau (801C). 7. Diode selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comportant en outre une deuxième électrode (805) de polarisation de sa deuxième région (307) disposée sur la face de la deuxième région (307) opposée à la première région (303). 8. Diode selon la revendication 7, dans laquelle la deuxième électrode (805) a, vue de dessus, la forme d'un anneau inclus dans l'anneau polygonal (801A) de la première électrode (801). 9. Diode selon la revendication 8, dans laquelle 25 l'anneau de la deuxième électrode (805) est interrompu au niveau de chacune des intersections avec les premiers barreaux (801B) de la première électrode de façon à ne pas passer au-dessus desdits premiers barreaux (801B). 10. Diode selon la revendication 8, dans laquelle 30 l'anneau de la deuxième électrode (805) est continu, et dans laquelle les premiers barreaux (801B) de la première électrode (801) sont interrompus aux intersections avec l'anneau de la deuxième électrode (805) de façon à ne pas passer sous ledit anneau (805). 3062954 B15411 - DD17423HB 30 11. Diode selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans laquelle l'anneau polygonal (801A) de la première électrode (801) est séparé en deux parties disjointes s'étendant chacune sur sensiblement la moitié de la longueur de la périphérie 5 de la diode.