FR 3074171 A1 20190531 FR 1761375 A 20171129 MATÉRIAU CÉRAMIQUE COMPOSITE PARTICULAIRE, PIÈCE LE COMPRENANT, ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CETTE PIÈCE. DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention a trait à de nouveaux matériaux céramiques qui peuvent être classés dans les matériaux céramiques composites particulaires. L'invention concerne, en outre, une pièce comprenant, de préférence constituée par un tel matériau céramique composite particulaire. L'invention a enfin trait à un procédé de préparation de cette pièce. Par matériau céramique composite particulaire, on entend généralement un matériau qui comprend une matrice en céramique au sein de laquelle se trouvent des particules en céramique. Plus précisément, la présente invention concerne des matériaux composites comprenant des particules d'au moins une céramique choisie parmi les céramiques ultraréfractaires (« UHTC » ou « Ultra High Temperature Ceramics » en anglais) et une matrice en au moins une céramique également choisie parmi les céramiques ultraréfractaires. Ladite céramique ultraréfractaire peut être en particulier le carbure de silicium (SiC). ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Le SiC et les autres céramiques ultraréfractaires « UHTC » constitués par des borures, carbures, et nitrures à haut point de fusion ou de décomposition sont des composés qui possèdent de nombreuses propriétés intéressantes, en particulier d'excellentes propriétés mécaniques, thermiques ou chimiques, notamment jusqu'à haute température, voire jusqu'à très haute température, à savoir jusqu'à une température supérieure ou égale à 2000°C [1]. Par exemple, le SiC possède d'excellentes propriétés mécaniques, thermiques ou chimiques, jusqu'à 1500°C ou même 1600°C. Ces propriétés peuvent varier fortement et sont indissociables des procédés et des conditions utilisées pour préparer ces composés. 2 Ces composés peuvent être utilisés comme composés purs ou en compositions complexes [2] et possèdent des applications dans des environnements extrêmes tels que la protection thermique, la propulsion, les éléments de fours, les creusets réfractaires, les composants structuraux pour futurs réacteurs nucléaires [3], ou encore les échangeurs 5 thermiques tels que les récepteurs solaires [4]. Il existe de nombreux types de SiC monolithiques, présentant des différences, entre autres, de structures et microstructures et possédant des propriétés différentes. Ils sont en général dénommés en fonction de leurs procédés d'élaboration. Ainsi, on connaît le SiC obtenu par frittage sans pression (« Pressureless Sintering » en 10 anglais), le SiC obtenu sous haute pression à chaud (« HIP » ou « Hot Isostatic Pressing)> en anglais ), le SiC obtenu par frittage flash (« Spark Plasma Sintering » ou « SPS »), le SiC obtenu par frittage récatif (« reactive sintering » en anglais), le SiC obtenu par réaction entre du carbone solide et du silicium fondu (SiC dit « reaction bonded » en anglais), le SiC obtenu par décomposition de polymères pré-céramiques (SiC dit « PDC's » ou « Polymer Derived 15 Ceramics » en anglais), le SIC obtenu par imprégnation-pyrolyse de polymères (« PIP » ou « Polymer impregnation Pyrolysis » en anglais), le SiC « CVD » obtenu par Dépôt chimique en Phase Vapeur (« Chemical Vapour Deposition » ou « CVD » en anglais), et le SiC « CV/ » obtenu, pour densifier des composites, par infiltration chimique en phase vapeur (« Chemical Vapour Infiltration » ou « CV/ » en anglais). 20 Les autres composés « UHTC » peuvent, en général, être obtenus par les mêmes voies que le SiC et possèdent, comme lui, des propriétés qui dépendent des modes d'élaboration. Le procédé de frittage sans pression (« Pressureless Sintering ») est le procédé le plus simple mais nécessite des ajouts de frittage (en général des oxydes réfractaires, par exemple A1203) permettant la formation d'un eutectique liquide et la densification par frittage, le SiC 25 pur ne frittant pas seul. Les températures nécessaires sont élevées, 1800°C à 2100°C. Le même principe peut être appliqué à la préparation de composites particulaires en céramiques « UHTC », avec des températures également élevées, 1650-2200°C, en fonction des compositions [3]. Les ajouts sont en général néfastes pour les propriétés des matériaux. Avec le procédé de frittage sans pression, des pièces peuvent être obtenues qui ont des côtes plus 30 proches de celles visées que les pièces obtenues avec le procédé « HIP » ou le procédé « Spark Plasma Sintering » [5]. 3 Le procédé « HIP », consiste à enfermer la poudre, sous vide, dans un conteneur métallique, puis à appliquer une température et une pression élevées, typiquement 1850°C et 2000 bar [3]. Cette voie requiert un équipement très coûteux et nécessite en général un usinage des pièces, compte tenu de retraits pas tout à fait isotropes. Les densités obtenues 5 peuvent être très proches de la densité théorique, pour le SiC pur [3], ou moindre, pour les autres céramiques « UHTC », en fonction des compositions et des conditions de température et de pression [2]. Les matériaux obtenus peuvent posséder d'excellentes propriétés mécaniques. Le procédé « SPS » est similaire au procédé « HIP », avec des pressions et des 10 températures très élevées, mais avec un chauffage par un champ électrique à haute intensité traversant la pièce à densifier. Ce procédé est applicable aussi bien au SiC [3] qu'aux céramiques « UHTC » [2]. La durée très courte, typiquement quelques minutes, de ce procédé permet d'éviter une croissance des grains et permet ainsi d'obtenir des matériaux possédant d'excellentes propriétés mécaniques [6]. 15 Les procédés de frittage réactif (« Reactive Sintering ») peuvent être classés en deux catégories, à savoir les procédés dits de « Reactive Hot Processing » (« RHP ») et les procédés dits de « Reactive Spark Plasma Sintering » (« RSPS ») [2]. Ces procédés consistent à densifier, par « HIP » ou par « SPS », des pièces qui contiennent, avant traitement, c'est-à-dire à l'état cru, des éléments qui vont réagir chimiquement entre eux à haute température. Ces éléments 20 sont en général des métaux, tels que Zr, ou des métalloïdes, tels que Si, ou encore B4C. Ainsi, les éléments Zr, Si et B4C vont donner par réaction le composite particulaire ZrB2-SiC-ZrC. Les procédés réactifs impliquant un métal fondu (« reaction bonded », « Liquid sintering », ou « MI» « Melt Infiltration ») [6] [2] [3] [7] consistent à faire réagir un métal ou métalloïde fondu, (par exemple le silicium, à une température supérieure à 1400°C) avec du 25 C, éventuellement en présence d'autres composés de type « UHTC ». Le métal ou métalloïde réagit avec le carbone pour donner un carbure. Il se produit des réactions complexes notamment de dissolution, précipitation, et frittage [3]. Cette technique est relativement simple mais conduit quasi systématiquement à la présence de métal ou de métalloïde libre rendant le matériau plus sensible à l'oxydation, ou possédant des propriétés mécaniques 30 dégradées, en particulier à température élevée [7]. Le procédé « PDC » [8] consiste à pyrolyser des polymères précurseurs de la céramique que l'on souhaite obtenir. Ainsi, si l'on souhaite préparer du SiC, on utilisera un 4 polycarbosilane en tant que polymère précurseur. Ce procédé donne d'excellents résultats pour la synthèse de fibres céramiques. Mais il est difficile avec ce procédé d'obtenir des pièces monolithiques. En outre, les pièces obtenues possèdent des densités relativement faibles et des propriétés mécaniques médiocres [8] [6]. 5 Le procédé « PIP » est dérivé du procédé « PDC», précédemment décrit, transposé à la réalisation de matériaux composites à renforts fibreux. Il est nécessaire de réaliser plusieurs cycles d'imprégnation-pyrolyse de polymères, en raison de rendements de densification assez faibles. Le rendement peut cependant être amélioré en mélangeant avec le polymère des poudres nanométriques du composé à densifier. Ce procédé est néanmoins long, coûteux et 10 les porosités résiduelles des matériaux obtenus sont assez élevées [9]. Le procédé de dépôt chimique en phase vapeur « CVD» permet notamment d'obtenir des dépôts de SiC, par décomposition de précurseurs gazeux tels que le méthyl-trichlorosilane (MTS, CH3SiCI3), dilués dans l'hydrogène, entre 900°C et 1400°C, à basse pression. Le matériau obtenu est homogène et possède de bonnes propriétés mécaniques. Les applications sont 15 généralement limitées à des revêtements ou à des pièces de faible épaisseur [10]. Le procédé de « CV/» [9] est un procédé voisin du procédé de « CVD », où les dépôts sont effectués à l'intérieur d'un substrat, en général fibreux, et non sur le substrat, comme c'est le cas pour le procédé de « CVD», afin d'obtenir des matériaux composites céramiques. Le principal avantage du procédé de « CV/» est la température relativement basse, 20 compatible avec les fibres céramiques, avec lesquelles il est mis en oeuvre. D'autres avantages de ce procédé sont l'absence de silicium libre, et la possibilité de réaliser des pièces complexes. L'inconvénient principal de ce procédé est la faible vitesse de densification. La vitesse de densification peut être augmentée en opérant avec un gradient de pression, ce qui permet d'obtenir la densification de pièces de 5 mm en 5 jours. Cette durée demeure 25 néanmoins encore relativement longue [9]. Une autre manière de diminuer les durées de densification, est le couplage du procédé de « CV/ » avec le procédé « PIP », avant ou après le procédé de « CV/» [9]. L'ajout de poudres lors du procédé « PIP » a aussi été étudié et permet de réduire les fissures inhérentes au procédé « PIP ». Même avec un nombre de cycles « PIP » qui peut être important, pouvant aller par 30 exemple de 7 à 14, la densité finale reste modérée (2,3 à 2,6) [11]. Afin de remédier au problème de lenteur de densification et d'homogénéité du matériau, un procédé de « CVI » modifiée, « réactive », a été proposé [7]. Dans ce procédé 5 modifié, on imprègne dans la préforme, par « PIP », des particules comportant une phase carbonée ou carbure, qui réagit ensuite avec la phase gazeuse. L'épaisseur de réaction est homogène, mais néanmoins très faible, de l'ordre de la centaine de nm, pour des particules de 600 nm, après 20 h de réaction, à 950°C, pour une pièce de seulement 0,6 mm d'épaisseur. 5 Dans le document [7], il est également indiqué que le procédé de « CV/» classique, sur des poudres de C, même à de faibles cinétiques ( par exemple 300 nm/h), cependant plus élevées que dans le procédé de « CV/» réactive), conduit à des bouchages externes et à des gradients d'épaisseurs de dépôt. Il ressort de ce qui précède que les matériaux céramique composite particulaires connus 10 obtenus par les procédés connus ne sont pas satisfaisants, présentent de nombreux inconvénients et des propriétés notamment thermiques et mécaniques insuffisantes. De même, les procédés connus de préparation de matériaux céramique composite particulaires ne sont pas satisfaisants, présentent de nombreux inconvénients notamment quant à leur cinétique lente, aux températures élevées et aux longues durées qu'ils 15 nécessitent, et conduisent à des matériaux qui ne sont pas eux-mêmes satisfaisants. EXPOSÉ DE L'INVENTION Ce but, et d'autres encore sont atteints, conformément à l'invention par un matériau céramique composite particulaire, comprenant, de préférence constitué par : - des particules en au moins une première céramique ultraréfractaire « UHTC » sous 20 forme cristallisée, la surface externe de ces particules étant recouverte au moins en partie par une couche poreuse en au moins une deuxième céramique ultraréfractaire sous forme amorphe, ladite première céramique ultraréfractaire « UHTC » sous forme cristallisée représentant de 25% à 90% en masse par rapport à la masse du matériau et ladite deuxième céramique ultraréfractaire sous forme amorphe représentant de 2 à 15% en masse par 25 rapport à la masse totale du matériau; et les particules définissant entre elles un espace; - éventuellement, des amas poreux de ladite au moins une deuxième céramique ultraréfractaire sous forme amorphe, répartis dans ledit espace ; - une matrice dense en au moins une troisième céramique ultraréfractaire sous forme cristallisée remplissant au moins en partie ledit espace; 30 - éventuellement, un revêtement dense en au moins ladite troisième céramique ultraréfractaire sous forme cristallisée, recouvrant la surface externe de ladite matrice, ladite 6 matrice et ledit revêtement représentant de 5% à 90% en masse par rapport à la masse totale du matériau. La porosité de la couche poreuse en au moins une deuxième céramique ultraréfractaire 5 sous forme amorphe est généralement de 15% à 30%, de préférence de 15% à 25%, de préférence encore de 15% à 20%. Cette porosité est généralement déterminée par pycnomètrie Hg ou He, et isothermes d'adsorption N2 OU CO2. Par exemple, dans le cas où la deuxième céramique ultraréfractaire est du SiC issu d'un polymère polycarbosilane, la porosité de la couche poreuse en au moins une deuxième 10 céramique ultraréfractaire sous forme amorphe peut être de 25%. Dans le cas où la deuxième céramique ultraréfractaire est du SiC issu d'un polymère polycarbosilane, la densité de la couche poreuse en au moins une deuxième céramique ultraréfractaire sous forme amorphe peut être d'environ 2,4. La taille des pores la couche poreuse en au moins une deuxième céramique 15 ultraréfractaire sous forme amorphe peut aller par exemple de un nanomètre à 10 um. La taille des pores est généralement déterminée par pycnomètrie Hg ou He, et isothermes d'adsorption N2 OU CO2. La porosité et la taille des pores des amas poreux de ladite au moins une deuxième céramique ultraréfractaire sous forme amorphe sont généralement analogues à la porosité 20 et à la taille des pores de la couche poreuse en au moins une deuxième céramique ultraréfractaire sous forme amorphe. La taille des amas de ladite au moins une deuxième céramique ultraréfractaire sous forme amorphe est généralement de 1 à 30 microns. Par matrice dense, (revêtement dense), sans porosité, on entend que la densité de cette 25 matrice (revêtement) est égale à ou est proche de la densité théorique, par exemple ne s'écarte pas de la densité théorique de plus de 5%. La porosité globale du matériau céramique composite particulaire selon l'invention, c'est-à-dire la porosité du matériau céramique composite particulaire selon l'invention pris dans son ensemble peut être par exemple de 5% à 50%, de préférence de 5% à 30%, de 30 préférence encore de 10% à 20%. Cette porosité globale est généralement déterminée par pycnomètrie Hg ou He, et isothermes d'adsorption N2 OU CO2. 7 La taille des pores du matériau céramique composite particulaire selon l'invention peut aller par exemple de un nanomètre à cent um. La taille des pores du matériau céramique composite particulaire selon l'invention est généralement déterminée par pycnomètrie Hg ou He, et isothermes d'adsorption N2 OU CO2. 5 Le matériau céramique composite particulaire selon l'invention peut présenter une seule ou plusieurs gammes de porosité. Avantageusement, lesdites première, deuxième et troisième céramiques peuvent être choisies parmi les céramiques borures, les céramiques carbures, les céramiques nitrures, les céramiques siliciures, et leurs mélanges. 10 De préférence, lesdites première, deuxième et troisième céramiques peuvent être choisies parmi le SiC, le MoSi2, le TiC, le TaC, le ZrC, le ZrB2, le HfC, le HfB2, le BN et leurs mélanges. Eu égard au procédé de préparation décrit plus bas, les première et deuxième céramiques sont généralement choisies parmi les céramiques qui résistent à une attaque 15 chimique telle qu'une attaque par un acide. Avantageusement, lesdites première, deuxième et troisième céramiques peuvent être identiques. De préférence, lesdites première, deuxième et troisième céramiques peuvent être toutes du SiC. 20 Dans ce cas, avantageusement, la première céramique ultraréfractaire peut être du SiC sous forme cristallisée a, la deuxième céramique peut être du SiC poreux amorphe, et la troisième céramique peut être du SiC sous forme cristallisée p. Avantageusement, la matrice est préparée par un procédé d'Infiltration Chimique en Phase Vapeur (« CV/ »). 25 Avantageusement, les particules en au moins une première céramique ultraréfractaire « UHTC » sous forme cristallisée peuvent avoir une taille moyenne, définie par leur plus grande dimension, tel qu'un diamètre moyen, de 1 à 30 microns. Avantageusement, la couche poreuse en au moins une deuxième céramique ultraréfractaire sous forme amorphe peut avoir une épaisseur de 0,1 à 1 micron. 30 Avantageusement, la matrice, par exemple en SiC, peut avoir une épaisseur de 0,5 à 10 microns. 8 Avantageusement, le revêtement en au moins ladite troisième céramique ultraréfractaire sous forme cristallisée, recouvrant la surface externe de ladite matrice peut avoir une épaisseur de 10 à 100 microns. On peut considérer que le matériau selon l'invention comprend, de préférence est 5 constitué par, des particules de SiC et/ou d'autres céramiques ultra réfractaires (« UHTC »), pourvues d'une couche poreuse, insérées dans une matrice de SiC et/ou d'autres céramiques ultra réfractaires (« UHTC »), cette matrice étant obtenue de préférence par Infiltration Chimique en Phase Vapeur (« CV/). Le matériau selon l'invention possède ainsi une microstructure spécifique avec des 10 particules, une couche sur chacune de ces particules, une matrice dans laquelle sont réparties ces particules, et enfin un revêtement sur ladite matrice. En outre, les particules sont spécifiquement des particules de céramique cristallisée, la couche sur ces particules est spécifiquement une couche poreuse en une céramique amorphe, et enfin la matrice et le revêtement sont également spécifiquement en une céramique 15 cristallisée. Une telle structure ou microstructure n'a jamais été décrite ou suggérée dans l'art antérieur, tel qu'il est représenté notamment par les documents cités plus haut. Le matériau selon l'invention est différent des matériaux céramiques composites particulaires classiques, puisque les particules, grains de céramique ne sont pas liés par un 20 phénomène de diffusion se produisant lors d'un procédé de frittage simple, sous pression ou réactionnel, comme c'est le cas pour le SiC [3] ou d'autres céramiques ultraréfractaires (« UHTC ») [2]. Au contraire dans le matériau selon l'invention, les particules, chacune pourvue d'une couche poreuse sont réparties, insérées dans une matrice obtenue de préférence par 25 infiltration chimique en Phase Vapeur « CV/ » . On peut considérer ainsi que les particules sont liées par l'intermédiaire de cette matrice. Le matériau selon l'invention n'est pas non plus un matériau de type « CVD », puisque dans ces matériaux obtenus par « CVD », il n'y a qu'un seul constituant continu qui est déposé sur un substrat, lequel est retiré après le dépôt [6]. 30 Le matériau selon l'invention est également différent des matériaux décrits précédemment, obtenus par « CV/ » ou par « CV/» réactive, car le matériau selon l'invention, comprend, de préférence est constitué par, des particules en au moins une première 9 céramique ultraréfractaire « UHTC », telle que le SiC, sous forme cristallisée, la surface externe de chacune de ces particules étant recouverte au moins en partie par une couche poreuse en au moins une deuxième céramique ultraréfractaire, telle que le SiC, sous forme amorphe (généralement issue d'un polymère précurseur) ; une matrice en au moins une troisième 5 céramique ultraréfractaire, telle que le SiC, sous forme cristallisée (généralement préparée par « CV/ ») dans laquelle sont réparties lesdites particules ; et un revêtement en au moins ladite troisième céramique ultraréfractaire sous forme cristallisée, telle que le SiC, recouvrant la surface externe de ladite matrice. Les phases amorphes, poreuses de la couche qui recouvrent les particules, et également 10 la matrice dense, constituent des barrières de déviation des fissures et confèrent une bonne ténacité au matériau selon l'invention. Il est à noter que, dans le matériau selon l'invention, la matrice dense en au moins une troisième céramique ultraréfractaire sous forme cristallisée remplit au moins en partie l'espace défini entre les particules. En d'autres termes, la matrice est dense et sans porosité, 15 mais il n'y a généralement pas de matrice partout dans ledit espace, ledit espace n'est généralement pas totalement rempli par ladite matrice et des espaces vides demeurent dans ledit espace. Cela est dû au fait que ledit espace est peu accessible, par diffusion, aux espèces chimiques permettant le dépôt. Les proportions des différents constituants du matériau selon l'invention peuvent être 20 ajustées en fonction des paramètres d'élaboration, dans les plages définies plus haut. Le matériau selon l'invention possède une microstructure très stable jusqu'à une température élevée, voire très élevée, à savoir jusqu'à une température supérieure ou égale à 2000°C. Par exemple, dans le cas où les première, deuxième et troisième céramiques sont du 25 SiC, le matériau selon l'invention possède une microstructure très stable jusqu'à une température élevée, voire très élevée, à savoir jusqu'à une température supérieure ou égale à 1500°C ou 1600°C. Cela est dû au fait qu'il n'y a pas de croissance des particules de la première céramique, telle que le SiC, car il n'y a pas, lors du procédé de préparation, d'addition de composés 30 favorisant le frittage dits « ajouts de frittage ». Cela est aussi dû au fait qu'il y a peu ou pas de contact entre les particules, car ces particules sont séparées les unes des autres par la couche poreuse en au moins une deuxième 10 céramique ultraréfractaire, telle que le SiC, sous forme amorphe (généralement issue d'un polymère précurseur) et par la matrice en au moins une troisième céramique ultraréfractaire, telle que le SiC, sous forme cristallisée (généralement préparée par « CV/ »). La porosité globale du matériau selon l'invention, qui est, comme on le verra plus bas, 5 liée au procédé d'élaboration (à savoir aux techniques mises en oeuvre dans les diverses étapes du procédé telles que la CVI, mais aussi les autres techniques) est ajustable, dans un domaine assez large, par exemple dans une plage de 5% à 50%, de préférence de 5% à 30%, de préférence encore de 10% à 20%. Cette porosité est généralement déterminée par pycnomètrie Hg ou He, et isothermes d'adsorption N2 OU CO2. 10 Cela peut présenter un intérêt pour des applications telles que des filtres ou de la catalyse. Dans de telles applications, la porosité globale du matériau selon l'invention est généralement de 1 micron à 1 mm. Cependant, si l'on recherche des propriétés mécaniques élevées, il faut que le matériau selon l'invention contienne le plus de matrice possible, ce qui conduit à une porosité globale 15 du matériau généralement inférieure ou égale à 20%, à savoir généralement de 10% à 20%. Le coût de fabrication du matériau selon l'invention est modéré, car comme on le verra plus bas, il est généralement obtenu par un procédé à basse pression et température modérée. Le matériau selon l'invention possède un bon comportement à température élevée, 20 sans évolution néfaste de sa microstructure. Ce bon comportement à température élevée du matériau selon l'invention est dû notamment à sa composition, à l'absence d'ajouts de frittage, à l'absence de croissance des grains, particules et aux caractéristiques de la matrice. Autrement dit, le matériau selon l'invention possède de bonnes caractéristiques mécaniques et thermiques, ainsi que des caractéristiques de porosité ajustables. 25 Par exemple, la porosité globale du matériau selon l'invention peut se situer dans les plages déjà précisées plus haut. L'invention concerne, en outre, une pièce comprenant, de préférence constituée par le matériau céramique composite particulaire selon l'invention tel qu'il a été décrit dans ce qui précède. 30 L'invention a également trait au procédé de fabrication d'une pièce en un matériau céramique composite particulaire selon l'invention tel qu'il a été décrit dans ce qui précède. Ce procédé comprend les étapes successives suivantes : 11 a) on prépare une pièce, dite pièce crue ou verte (« green »), comprenant un mélange d'une poudre de particules de la première céramique et d'une poudre d'un matériau porogène réfractaire susceptible d'être éliminé par une attaque chimique, un polymère précurseur de la deuxième céramique et un solvant dudit polymère ; 5 b) on évapore le solvant et on réticule le polymère précurseur de la deuxième céramique; c) on effectue un traitement thermique pour transformer le polymère en la deuxième céramique, qui se présente sous la forme d'une couche poreuse qui recouvre au moins en partie la surface externe des particules de la première céramique, et éventuellement 10 d'amas poreux; d) on élimine le matériau porogène réfractaire par une attaque chimique, moyennant quoi on obtient une pièce comprenant les particules de la première céramique, la deuxième céramique poreuse qui se présente sous la forme d'une couche poreuse qui recouvre au moins en partie la surface externe de ces particules et éventuellement d'amas 15 poreux, et une porosité interne entre lesdites particules; e) traitement de la pièce obtenue à l'issue de l'étape d) par une technique d'infiltration chimique en phase gazeuse (« CVI ») afin de déposer la troisième céramique dans la porosité interne de la pièce ; f) éventuellement, dépôt de la troisième céramique sur la surface externe de la 20 pièce obtenue à l'issue de l'étape e) par une technique de dépôt chimique en phase gazeuse (« CVD »). Le procédé selon l'invention comprend une suite spécifique d'étapes spécifiques qui n'a jamais été décrite ou suggérée dans l'art antérieur. 25 Le procédé selon l'invention ne présente pas les inconvénients, défauts, limitations et désavantages des procédés de l'art antérieur, tels que les procédés décrits plus haut et il apporte une solution aux problèmes de ces procédés. Le procédé selon l'invention consiste principalement, à réaliser lors de ses premières étapes a) à d) un matériau poreux avec les particules de base de la première céramique. Cette 30 porosité permet ensuite de réaliser une infiltration de la matrice par un procédé de « CV/» et un dépôt de la troisième céramique, dans des conditions élevées de cinétique. 12 En d'autres termes, le procédé selon l'invention repose principalement sur la création d'une porosité, au sein d'une structure granulaire céramique, permettant ensuite un complément de densification céramique par voie gazeuse. Le procédé selon l'invention se distingue fondamentalement des procédés de l'art 5 antérieur tels que les procédés décrits plus haut. En effet, les procédés de frittage sans pression « Pressureless sintering », « HIP », « SPS », ou de frittage réactif « Reactive sintering », précédemment présentés, sont basés sur un principe de densification, à savoir par frittage, entièrement différent de celui mis en oeuvre dans le procédé selon l'invention. Ces procédés, basés sur le frittage conduisent donc à des 10 matériaux de microstructures totalement différentes du matériau revendiqué. Il en est de même pour les procédés mettant en oeuvre un métal fondu réactif qui laissent du métal libre dans la structure obtenue. Les procédés « PDC» et « PIP », qui utilisent des polymères, conduisent à des matériaux très poreux et fissurés, amorphes, à moins de les porter à très haute température. 15 Le procédé « CVD» conduit à un matériau avec une seule phase homogène, et n'est donc pas composite. Ce procédé nécessite, en outre, obligatoirement la présence d'un substrat qui doit être éliminé par la suite. Les procédés « CV/» et « CV/» réactive, pour la densification de poreux contenant des poudres, conduisent à des épaisseurs très faibles de matrice et sont des procédés très lents. 20 Le procédé selon l'invention remédie aux défauts des procédés de l'art antérieur, il permet une densification rapide et homogène, sans retrait, à température modérée et sans pression, de céramiques telles que le SiC. Le procédé selon l'invention présente, entre autres, les avantages suivants par rapport aux procédés de l'art antérieur : 25 - il est peu coûteux car il ne met pas en oeuvre de pressions élevées et qu'il utilise des températures relativement modestes ; - il est rapide pour des épaisseurs pouvant aller jusqu'à plusieurs mm ; - le matériau des pièces obtenues est d'une pureté élevée ; - il n'y a quasiment aucune limitation sur la forme, géométrie, et la taille des pièces 30 qui peuvent être préparées par le procédé selon l'invention. Le procédé selon l'invention permet la préparation de pièces de géométries complexes voire très complexes et/ou de grandes tailles ; 13 - le procédé selon l'invention permet de réaliser des pièces, même des pièces de formes complexes, avec une bonne maîtrise dimensionnelle, sans nécessité d'usinage. En résumé, le procédé selon l'invention présente l'avantage de conduire à des pièces 5 avec une porosité contrôlable, réalisées sans ajout de frittage, à basse pression et température modérée, et qui possèdent une très bonne stabilité à température élevée et de bonnes propriétés mécaniques et thermiques. Le procédé selon l'invention possède notamment la particularité de conduire à un matériau dans lequel sont associés trois types de microstructures différentes. 10 Ces trois microstructures sont liées à la création d'un chemin de porosité ouverte qui permet une infiltration chimique en phase gazeuse et qui laisse subsister une porosité résiduelle, par exemple au maximum de 20%. La préparation de la pièce crue ou verte lors de l'étape a) comprend généralement une étape de préparation du mélange d'une poudre de particules de la première céramique et 15 d'une poudre du matériau porogène réfractaire susceptible d'être éliminé par une attaque chimique ; et une étape de mise en forme du mélange d'une poudre de particules de la première céramique, et d'une poudre d'un matériau porogène réfractaire susceptible d'être éliminé, par exemple décomposé, par une attaque chimique, sous la forme de la pièce crue ou verte. 20 La première céramique a déjà été décrite plus haut. Par matériau porogène, on entend un matériau qui lors de son élimination permet la création d'une porosité au sein de la pièce. En effet, la poudre de matériau porogène réfractaire, telle qu'une poudre de plâtre sera par la suite éliminée (lors de l'étape d) du procédé) pour générer alors une porosité dans la 25 pièce. Dans cette porosité, la troisième céramique pourra être déposée par une technique d'infiltration chimique en phase vapeur « CVI » avec une cinétique pouvant être élevée. On ne recherche pas une densité élevée de la pièce crue, verte. Le matériau porogène réfractaire tel que le plâtre, a pour rôle de créer, une fois qu'il aura été éliminé, un chemin d'accès à l'ensemble des porosités du matériau (sauf la microporosité de la couche), pour 30 permettre une densification par voie gazeuse avec des cinétiques élevées. Le matériau porogène est un matériau réfractaire. 14 Par matériau réfractaire, on entend un matériau capable de supporter sans dégradation les températures mises en oeuvre lors des étapes ultérieures du procédé, notamment lors de l'étape c). Généralement, le matériau porogène réfractaire est choisi parmi les matériaux capables 5 de supporter une température supérieure à 300°C, de préférence supérieure à 400°C, de préférence encore supérieure à 600°C, mieux supérieure à 800°C, mieux encore supérieure à 1000°C. Par matériau susceptible d'être éliminé par une attaque chimique, on entend, généralement un matériau qui peut être décomposé, sous l'action d'un composé chimique tel 10 qu'une base ou un acide. Avantageusement, le matériau porogène réfractaire est choisi parmi le plâtre, le carbonate de potassium, le carbonate de calcium, et le sulfate de potassium (K2SO4). La préparation du mélange de la poudre de particules de la première céramique, et de la poudre d'un matériau porogène réfractaire susceptible d'être éliminé par une attaque 15 chimique peut être réalisé par voie sèche (à sec) ou par voie humide. La mise en forme du mélange d'une poudre de particules de la première céramique, et d'une poudre du matériau porogène réfractaire susceptible d'être éliminé par une attaque chimique peut être réalisée par une technique classique, tel que le moulage ou le coulage en barbotine, ou avec un filtre-presse. 20 Ou bien la mise forme peut être réalisée par une technique moins classique, telle que la technique de fabrication additive par projection de liant sur un lit de poudre en utilisant un mélange d'une poudre de particules de la première céramique, telle que du SiC, et d'une poudre d'un matériau porogène réfractaire. L'ajout du polymère précurseur (aussi appelé polymère précéramique) de la deuxième 25 céramique, généralement dilué dans un solvant, afin de favoriser l'imprégnation, peut être réalisé lors de l'étape de préparation du mélange, notamment par voie humide, d'une poudre de particules de la première céramique, et d'une poudre du matériau porogène réfractaire susceptible d'être éliminé par une attaque chimique. Le solvant est généralement un solvant organique qui peut être choisi, notamment pour 30 ce qui concerne les polymères polycarbosilanes (précurseurs de SiC) parmi le toluène l'hexane, le tétrahydrofuranne, le cyclohexane, le xylène, et leurs mélanges. 15 Ou bien, l'ajout du polymère précurseur de la deuxième céramique peut être réalisé lors de l'étape de mise en forme du mélange d'une poudre de particules de la première céramique, et d'une poudre du matériau porogène réfractaire susceptible d'être éliminé par une attaque chimique. 5 Ou bien encore, l'ajout du polymère précurseur de la deuxième céramique peut être réalisé après l'étape de mise en forme du mélange d'une poudre de particules de la première céramique, et d'une poudre du matériau porogène réfractaire susceptible d'être éliminé par une attaque chimique, sous la forme d'une pièce crue ou verte. De préférence, cet ajout est réalisé par trempage de la pièce dans une solution du 10 polymère, de préférence encore sous dépression. La quantité de polymère employée est plus faible que dans les procédés classiques utilisant des polymères (procédés « PDP » ou « PIP ») puisque le principal objectif est simplement de permettre une pré-consolidation des pièces suffisante pour permettre leur manipulations lors des différentes étapes suivantes du procédé. 15 A titre d'exemple, la pièce crue ou verte peut comprendre de 30 à 80% en masse de poudre de la première céramique, telle que du SiC, de 17 à 67% en masse de matériau porogène réfractaire, tel que du plâtre, et de 3% à 25% en masse de polymère (il s'agit de la masse de polymère pur, hors solvant, sachant que le polymère peur être dilué jusqu'à un facteur 20 dans un solvant). 20 A titre de comparaison, la quantité de polymère utilisée dans les procédés classiques est généralement de 30% à 50% en masse. Avantageusement, le polymère précurseur (polymère précéramique) de la deuxième céramique peut être choisi parmi les polycarbosilanes, les polysilazanes, les polyborosilanes et leurs mélanges. 25 Lors de l'étape b) du procédé selon l'invention, on évapore le solvant et on réticule le polymère précurseur de la deuxième céramique. Cette étape est généralement réalisée en chauffant la pièce crue, verte, par exemple en traitant la pièce crue, verte, à l'étuve sous gaz neutre pour évaporer le solvant et réticuler le polymère. 30 Lors de l'étape c) du procédé selon l'invention, on effectue un traitement thermique pour transformer le polymère en la deuxième céramique poreuse qui se présente sous la 16 forme d'une couche poreuse qui recouvre au moins en partie la surface externe de chacune des particules de la première céramique, et éventuellement d'amas poreux. La deuxième céramique, issue du polymère, étant poreuse ou se présentant sous forme d'amascela favorise l'accès du réactif d'attaque chimique, tel qu'un acide, au matériau 5 porogène tel que le plâtre afin d'éliminer celui-ci lors de l'étape suivante. Ce traitement thermique est généralement réalisé à une température de 600°C à 1600°C, de préférence de 1000°C à 1200°C. Les étapes b) et c) du procédé peuvent être regroupées et constituer une seule étape, au cours de laquelle on effectue un traitement thermique en augmentant progressivement la 10 température pour tout d'abord évaporer le solvant et réticuler le polymère précurseur de la deuxième céramique, puis transformer le polymère en la deuxième céramique la température étant alors généralement de 600°C à 1600°C, de préférence de 1000°C à 1200°C. Lors de l'étape d) du procédé, on élimine le matériau porogène réfractaire par décomposition, par une attaque chimique, moyennant quoi on obtient une pièce comprenant 15 les particules de la première céramique, la deuxième céramique poreuse et/ou sous forme d'amas et une porosité interne, de type ouverte, entre lesdites particules. Autrement dit, lors de cette étape, on élimine le matériau porogène pour ne garder que la première céramique, telle que du SiC, correspondant à la poudre initiale, et la deuxième céramique, telle que du SIC, issue du polymère précéramique, et on crée les chemins d'accès 20 pour l'infiltration chimique de l'étape suivante. Avantageusement, lors de l'étape d), l'attaque chimique peut être effectuée avec une solution d'un acide, de préférence d'un acide minéral, tel que l'acide chlorhydrique. De préférence, il s'agit d'une solution concentrée d'un acide, par exemple une solution d'acide chlorhydrique à 37%. 25 L'attaque, par exemple avec une solution d'un acide peut être effectuée à chaud, par exemple à une température de 50°C à 70°C. A l'issue de cette étape d), la pièce peut être lavée, par exemple à l'eau, puis séchée. On procède ensuite, lors de l'étape e) du procédé selon l'invention, au traitement de la pièce obtenue à l'issue de l'étape d) par une technique d'infiltration chimique en phase 30 gazeuse (« CVI ») afin de déposer la troisième céramique dans la porosité interne de la pièce. Les conditions de la technique d'infiltration en phase gazeuse -notamment température, pression, mélange de gaz utilisés, proportion des gaz dans le mélange de gaz, précurseur de 17 la céramique, durée- permettant de déposer la troisième céramique dans la porosité interne de la pièce peuvent être facilement déterminées par l'homme du métier dans ce domaine de la technique. Ainsi les conditions d'infiltration peuvent être les suivantes lorsque la troisième 5 céramique est le SiC: - Température : 900°C à 1300°C; - Pression : 1 kPa à30 kPa ; - Précurseur(s) du SiC: CH3SiCI3ou mélange de SiHCI3 et de CH4; - Mélange de gaz utilisé : Hydrogène et précurseur du SiC; 10 - Rapport des débits gazeux [H2]! [Précurseur du SiC tel que CH3SiCI3] : 1 à 20; - Durée : 5 h à 150 h. Des exemples des conditions d'infiltration peuvent être les suivants lorsque la troisième céramique est le SiC : 15 Température environ 1050°C, pression 10 kPa, rapport des débits gazeux [H2]! [CH3SiCI3] = 5, durée 24 h; ou bien - Température 950°C, pression 4 kPa, rapport des débits gazeux [[1-12]/ [CH3SiCI3] = 4, durée 40 h. 20 A l'issue de l'étape e), on effectue, éventuellement, lors de l'étape f) éventuelle du procédé selon l'invention, le dépôt de la troisième céramique sur la surface externe de la pièce obtenue à l'issue de l'étape e) par une technique de dépôt chimique en phase gazeuse (« CVD »). Les conditions de la technique de dépôt chimique en phase gazeuse (« CVD ») 25 -notamment température, pression, mélange de gaz utilisés, proportion des gaz dans le mélange de gaz, précurseur de la céramique, durée- permettant de déposer la troisième céramique sur la surface externe de la pièce obtenue à l'issue de l'étape e) peuvent être facilement déterminées par l'homme du métier dans ce domaine de la technique. Les mêmes conditions que celles utilisées dans la technique d'infiltration chimique en phase gazeuse 30 (« CVI ») peuvent être employées dans la technique de dépôt chimique en phase gazeuse 18 (« CVD »), ou bien la pression, les débits et la température peuvent être augmentés, afin d'augmenter la vitesse de dépôt. La pièce comprenant, de préférence constituée par, le matériau selon l'invention peut trouver son application dans de nombreux domaines, en raison des propriétés de conductivité 5 thermiques, des propriétés mécaniques, électriques (semi-conducteur), du caractère réfractaire, de l'inertie chimique, et du comportement neutronique du matériau selon l'invention, notamment lorsque la première, et la troisième céramique ou de préférence, les trois céramiques sont du SiC. Ces domaines sont, entre autres, les domaines des semi-conducteurs, de la chimie, de 10 l'industrie aéronautique, de l'industrie spatiale, et de l'industrie nucléaire. Par exemple, la pièce comprenant, de préférence constituée par le matériau selon l'invention peut constituer tout ou partie d'un échangeur thermique, d'un support de catalyseurs, d'un filtre opérant en atmosphère corrosive (par exemple pour la filtration de sous-produits gazeux de conteneurs contenant des composés radioactifs) et/ou à haute 15 température, d'une pièce de four ou d'un four, d'une résistance chauffante, d'une chambre de combustion, d'une varistance, d'un substrat pour des composants de puissance, d'un blindage, d'un composant de roulement, ou d'un revêtement abrasif. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS 20 - La Figure 1 montre la pièce crue, verte, à structure treillis préparée dans l'exemple 1. - La Figure 2 montre le modèle numérique de la structure treillis de la Figure 1. Ce modèle numérique a été créé avec un logiciel de CAO. - La Figure 3 montre la pièce finale en SiC obtenue dans l'exemple 1. 25 - La Figure 4 est une photographie prise en microscopie optique qui montre la microstructure du matériau constituant la pièce obtenue après l'étape d'acidage dans l'exemple 1. L'échelle portée sur la Figure 4 représente 20 um. - La Figure 5 est une photographie prise en microscopie optique à balayage (MEB) 30 qui montre la microstructure du matériau constituant la pièce obtenue après l'étape d'acidage dans l'exemple 1. 19 L'échelle portée sur la Figure 5 représente 10 um. - La Figure 6 est une photographie prise en microscopie optique qui montre la microstructure du matériau constituant la pièce finale obtenue dans l'exemple 1. L'échelle portée sur la Figure 6 représente 20 um. 5 - La Figure 7 est une photographie prise en microscopie optique à balayage (MEB) qui montre la microstructure du matériau constituant la pièce finale obtenue dans l'exemple 1. L'échelle portée sur la Figure 7 représente 10 um. 10 EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS L'invention va maintenant être décrite en référence aux exemples suivants, donnés à titre illustratif et non limitatif. Exemple 1. 15 Réalisation d'une pièce à structure treillis en SiC, mise en forme par fabrication additive. Dans cet exemple, on fabrique par le procédé selon l'invention, une pièce à structure treillis en SiC, qui est mise en forme par fabrication additive. On prépare tout d'abord un mélange d'une poudre de plâtre et d'une poudre de SiC. 20 De la poudre de SiC est mélangée avec de la poudre de plâtre, dans les proportions de 70% en masse de SiC, et de 30% masse de plâtre. La poudre de SiC est disponible auprès de la société Sigma Aldrich®, sous la référence 357391, elle a une granulométrie de 400 mesh. La poudre de plâtre est disponible auprès de la société 3D System®, sous la référence 25 ZP® 151. Il s'agit en fait selon la fiche technique d'un « High Performance Composite » c'est-à- dire de plâtre avec un peu d'additifs. Le mélange est effectué par voie sèche, dans un flacon en plastique de 1 L, agité à l'aide d'un mélangeur de poudres dit «turbulat » disponible auprès de la société Bioengineering® de puissance 80 W. Le mélange est effectué à 20 tours/min. 20 Une pièce « crue » « verte » (« green ») à structure treillis est imprimée par fabrication additive, à l'aide d'une imprimante Z-Printer® 310 disponible auprès de la société Z Corporation®. On utilise, pour imprimer cette pièce à structure treillis, le mélange de poudre préparé 5 précédemment, mis en suspension dans le liant incolore Pro-1® disponible auprès de la société 3D Systems®, dans la tête d'impression de l'imprimante. Le modèle numérique de la structure treillis est représenté sur la Figure 2, il a été créé avec un logiciel de CAO. L'impression est réalisée avec des paramètres standards d'impression à savoir avec une 10 épaisseur de couche 100 de microns, une vitesse d'impression de 20 mm/h suivant l'axe z (c'est-à-dire l'axe vertical par rapport au plateau de construction). La pièce est récupérée après séchage à 120°C à l'étuve. La Figure 1 montre la pièce crue, verte, à structure treillis obtenue. Cette pièce est constituée d'un mélange de plâtre, de SiC et de liant. 15 Le treillis possède des ligaments de 1,3 mm de diamètre, la dimension des cellules est de 5 mm x 5 mm x 5 mm, et le nombre de cellules est de 216 (6x6x6). La pièce crue, verte, est ensuite placée sur un support, et elle est plongée dans un mélange de 65% en masse de polycarbosilane (composé disponible auprès de la société Starfire Systems® sous la dénomination StarPCS TM SMP-10) et de 35% en masse de toluène, 20 dans une enceinte sous dépression. La pièce est ensuite retirée de l'enceinte et séchée dans une étuve à 250°C, puis traitée à 1000°C pendant 1 h sous gaz neutre. La pièce obtenue est constituée à 45% en masse de SiC issu du polymère polyca rbosila ne. 25 La pièce est ensuite placée dans une solution d'acide chlorhydrique concentré (37%), à 60°C, pendant 2 heures, afin d'éliminer le plâtre par décomposition et dissolution. Cette étape est appelée étape d'acidage. La pièce est ensuite lavée à l'eau puis séchée. - La Figure 4 est une photographie prise en microscopie optique qui montre la 30 microstructure du matériau constituant la pièce obtenue après l'étape d'acidage, le lavage à reau, et le séchage. 21 - La Figure 5 est une photographie prise en microscopie optique à balayage (MEB) qui montre la microstructure du matériau constituant la pièce obtenue après l'étape d'acidage, le lavage à reau, et le séchage. On distingue sur les Figures 4 et 5 : 5 [1] des grains de SiC; [2] du SiC amorphe issu du polymère ; [3] une porosité. Enfin, la pièce est placée dans un four de CVI avec les conditions d'infiltration suivantes : 10 température environ 1050°C, pression 10 kPa, rapport des débits gazeux [H2]/ [CH3SiCI3] = 5, durée 24 h. Après la densification, la pièce est constituée de 17% en masse de SiC issu du polymère, de 21% en masse de SiC particulaire et de 62% en masse de SiC déposé par CVI. La masse volumique moyenne des ligaments est de 2,5 g/cm3. 15 La Figure 3 montre la pièce finale en SiC obtenue dans cet exemple. - La Figure 6 est une photographie prise en microscopie optique qui montre la microstructure du matériau final constituant la pièce obtenue. - La Figure 7 est une photographie prise en microscopie optique à balayage (MEB) qui montre la microstructure du matériau final constituant la pièce obtenue. 20 On distingue sur les Figures 6 et 7 : [1] des grains de SiC; [2] du SiC amorphe issu du polymère ; [3] une porosité ; [4] du SiC déposé par « CVI »; 25 [5] du SiC déposé par CVD. Exemple 2. Réalisation d'une plaque en MoSi2-SiC. 30 Dans cet exemple, on fabrique, par le procédé selon l'invention, une plaque en MoSi2-SiC. 22 On procède de la même manière que dans l'exemple 1, mais avec les différences suivantes : - une poudre de base de MoSi2, disponible auprès de la société H.C. Starck sous la dénomination Amperit® 920-054 (granulométrie 15-45 microns), au lieu d'une poudre SiC, est 5 mélangée avec la poudre de plâtre, dans les proportions massiques de 80% MoSi2 et de 20% plâtre. - une plaque de 10 cm x 2 cm x 3 mm est obtenue par mélange de la poudre précédente avec une solution de 65% de polycarbosilane et 35% de toluène (% en masse), puis coulage dans un moule. 10 - la pièce est ensuite placée dans un four de CVI avec les conditions d'infiltration suivantes : température 950°C, pression 4 kPa, rapport des débits gazeux [[H2]/ [CH3SiCI3] = 4, durée 40 h. Les autres étapes, imprégnation, pyrolyse, traitements thermiques et élimination du 15 plâtre sont réalisées dans les mêmes conditions que dans l'exemple 1. La pièce obtenue est constituée, en masse, de 78% de MoSi2, de 17% de SiC obtenu par CVI, et de 5% de SiC issu du polymère. Elle possède une masse volumique de 4,4 g/cm3. 20 23 REFERENCES [1] "UHT Ceramics: densification, properties and thermal stability", J.F. Justin, Journal Aerospace Lab, Issue 3, p 1-11, Nov 2011. [2] "Ultrahigh temperature ceramic-based composites", Y. Kawaga, p 273-292, in Ceramic Matrix Composites, Wiley and Sons, 2015. [3] "Sintering additives for SiC based on the reactivity: a review", K. Raju, Ceramics International 42, p 17947-17962, 2016. [4] "Volumetric receivers in Solar Thermal Power Plants with Central Receiver System technology: A review", A. Avila Marin, Solar Energy, vol. 85, pp. 891-910, 2011. [5] "Pressureless sintering of HfB2-SiC ceramics", D.W Ni, Journal of the European Ceramic Society 32 (2012) 3627-3635. [6] "Additive-free hot-presssed SiC ceramics - A material with exceptional mechanical properties", P. Sagjgalik, Journal of European Ceramic Society 36, 1333-1341, 2016. [7] "Procédé de fabrication de matériau composite à matrice carbure", S. 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Matériau céramique composite particulaire, comprenant, de préférence constitué par : - des particules en au moins une première céramique ultraréfractaire « UHTC » sous forme cristallisée, la surface externe de ces particules étant recouverte au moins en partie par une couche poreuse en au moins une deuxième céramique ultraréfractaire sous forme amorphe, ladite première céramique ultraréfractaire « UHTC » sous forme cristallisée représentant de 25% à 90% en masse par rapport à la masse du matériau et ladite deuxième céramique ultraréfractaire sous forme amorphe représentant de 2% à 15% en masse par rapport à la masse totale du matériau; et les particules définissant entre elles un espace; - éventuellement, des amas poreux de ladite au moins une deuxième céramique ultraréfractaire sous forme amorphe, répartis dans ledit espace ; - une matrice dense en au moins une troisième céramique ultraréfractaire sous forme cristallisée remplissant au moins en partie ledit espace; - éventuellement, un revêtement dense en au moins ladite troisième céramique ultraréfractaire sous forme cristallisée, recouvrant la surface externe de ladite matrice, ladite matrice et ledit revêtement représentant de 5% à 90% en masse par rapport à la masse totale du matériau. 2. Matériau selon la revendication 1, dans lequel lesdites première, deuxième et troisième céramiques sont choisies parmi les céramiques borures, les céramiques carbures, les céramiques nitrures, et leurs mélanges. 3. Matériau selon la revendication 2, dans lequel lesdites première, deuxième et troisième céramiques sont choisies parmi le SiC, le MoSi2, le TiC, le TaC, le ZrC, le ZrB2, le HfC, le HfB2, le BN et leurs mélanges. 4. Matériau selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel lesdites première, deuxième et troisième céramiques sont identiques. 25 5. Matériau selon la revendication 4, dans lequel lesdites première, deuxième et troisième céramiques sont du SiC. 6. Matériau selon la revendication 5, dans lequel la première céramique 5 ultraréfractaire est du SiC sous forme cristallisée a, la deuxième céramique est du SiC poreux amorphe, et la troisième céramique est du SiC sous forme cristallisée p. 7. Pièce comprenant, de préférence constituée par, le matériau céramique composite particulaire selon l'une quelconque des revendications 1 à 6. 10 8. Pièce selon la revendication 7, qui constitue tout ou partie d'un échangeur thermique, d'un support de catalyseurs, d'un filtre opérant en atmosphère corrosive et/ou à haute température, d'une pièce de four ou d'un four, d'une résistance chauffante, d'une chambre de combustion, d'une varistance, d'un substrat pour des composants de puissance, 15 d'un blindage, d'un composant de roulement, ou d'un revêtement abrasif. 9. Procédé de fabrication d'une pièce en un matériau céramique composite particulaire selon la revendication 7 ou 8, comprenant les étapes successives suivantes : a) on prépare une pièce, dite pièce crue ou verte (« green »), comprenant un 20 mélange d'une poudre de particules de la première céramique et d'une poudre d'un matériau porogène réfractaire susceptible d'être éliminé par une attaque chimique, un polymère précurseur de la deuxième céramique et un solvant dudit polymère ; b) on évapore le solvant et on réticule le polymère précurseur de la deuxième céramique; 25 c) on effectue un traitement thermique pour transformer le polymère en la deuxième céramique, qui se présente sous la forme d'une couche poreuse qui recouvre au moins en partie la surface externe des particules de la première céramique, et éventuellement d'amas poreux; d) on élimine le matériau porogène réfractaire par une attaque chimique, 30 moyennant quoi on obtient une pièce comprenant les particules de la première céramique, la deuxième céramique poreuse qui se présente sous la forme d'une couche poreuse qui 26 recouvre au moins en partie la surface externe de ces particules et éventuellement d'amas poreux, et une porosité interne entre lesdites particules; e) traitement de la pièce obtenue à l'issue de l'étape d) par une technique d'infiltration chimique en phase gazeuse (« CVI ») afin de déposer la troisième céramique dans 5 la porosité interne de la pièce ; f) éventuellement, dépôt de la troisième céramique sur la surface externe de la pièce obtenue à l'issue de l'étape e) par une technique de dépôt chimique en phase gazeuse (« CVD »). 10 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel l'étape a) au cours de laquelle on prépare une pièce crue ou verte comprend une étape de préparation du mélange d'une poudre de particules de la première céramique et d'une poudre du matériau porogène réfractaire susceptible d'être éliminé par une attaque chimique ; et une étape de mise en forme du mélange d'une poudre de particules de la première céramique et d'une poudre du 15 matériau porogène réfractaire susceptible d'être éliminé par une attaque chimique, sous la forme de la pièce crue ou verte. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel le matériau porogène réfractaire est choisi parmi les matériaux capables de supporter une température supérieure à 300°C, de 20 préférence supérieure à 400°C, de préférence encore supérieure à 600°C, mieux supérieure à 800°C, mieux encore supérieure à 1000°C. 12. Procédé selon la revendication 11, dans lequel le matériau porogène réfractaire est choisi parmi le plâtre, le carbonate de potassium, le carbonate de calcium, et le sulfate de 25 potassium (K2504). 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel la préparation du mélange de la poudre de particules de la première céramique, et de la poudre d'un matériau porogène réfractaire susceptible d'être éliminé par une attaque chimique est 30 réalisé par voie sèche ou par voie humide. 27 14. Procédé selon l'une quelconque 10 à 13, dans lequel la mise en forme du mélange d'une poudre de particules de la première céramique, et d'une poudre du matériau porogène réfractaire susceptible d'être éliminé par une attaque chimique est réalisée par moulage, par 5 coulage en barbotine, avec un filtre-presse, ou par une technique de fabrication additive par projection de liant sur un lit de poudre. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 14, dans lequel le polymère précurseur de la deuxième céramique, généralement dilué dans un solvant, est 10 ajouté lors de l' étape de préparation du mélange d'une poudre de particules de la première céramique, et d'une poudre du matériau porogène réfractaire susceptible d'être éliminé par une attaque chimique ; ou lors de l'étape de mise en forme du mélange d'une poudre de particules de la première céramique, et d'une poudre du matériau porogène réfractaire susceptible d'être éliminé par une attaque chimique ; ou après l'étape de mise en forme du 15 mélange d'une poudre de particules de la première céramique et d'une poudre du matériau porogène réfractaire susceptible d'être éliminé par une attaque chimique, sous la forme d'une pièce crue ou verte ; de préférence, le polymère précurseur de la deuxième céramique est ajouté par trempage de la pièce crue ou verte dans une solution du polymère, de préférence encore sous dépression. 20 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 15, dans lequel le polymère précurseur (polymère précéramique) de la deuxième céramique est choisi parmi les polycarbosilanes, les polysilazanes, les polyborosilanes et leurs mélanges. 25 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 16, dans lequel les étapes b) et c) sont regroupées. 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 17, dans lequel lors de l'étape c) le traitement thermique est réalisé à une température de 600°C à 1600°C, de 30 préférence de 1000°C à 1200°C. 28 19. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 17, dans lequel, lors de l'étape d), l'attaque chimique est effectuée avec une solution d'un acide, de préférence d'un acide minéral, tel que l'acide chlorhydrique. 5