FR 3066017 A1 20181109 FR 1753986 A 20170505 1 DISPOSITIF PYROELECTRIQUE DE DETECTION INFRAROUGE COMPORTANT UN EMETTEUR INFRAROUGE DE MODULATION DOMAINE TECHNIQUE [1] Le domaine de l'invention est celui des dispositifs de dÃ©tection de rayonnement infrarouge, comportant au moins un capteur infrarouge pyroÃ©lectrique. L'invention s'applique notamment Ã l'imagerie infrarouge et Ã la thermographie. ÃTAT DE LA TECHNIQUE ANTÃRIEURE [2] Un dispositif de dÃ©tection de rayonnement infrarouge peut comporter une matrice de dÃ©tecteurs thermiques Ã©lÃ©mentaires, Ã©galement appelÃ©s capteurs infrarouges, chaque capteur infrarouge comportant une portion absorbante apte Ã absorber le rayonnement infrarouge Ã dÃ©tecter. Dans le but d'assurer l'isolation thermique des dÃ©tecteurs thermiques vis-Ã -vis du substrat, les portions absorbantes se prÃ©sentent habituellement sous la forme de membranes suspendues au-dessus du substrat par des piliers d'ancrage, et sont isolÃ©es thermiquement de celui-ci par des bras de maintien et d'isolation thermique. Ces piliers d'ancrage et bras d'isolation prÃ©sentent Ã©galement une fonction Ã©lectrique en connectant les membranes suspendues Ã un circuit Ã©lectronique de commande et de lecture gÃ©nÃ©ralement disposÃ© dans le substrat. [3] La membrane absorbante comporte un matÃ©riau sensible qui prÃ©sente une propriÃ©tÃ© Ã©lectrique qui varie en rÃ©ponse Ã l'Ã©chauffement de la membrane. Le matÃ©riau sensible peut Ãªtre, entre autres, un matÃ©riau thermistance dont la conductivitÃ© Ã©lectrique dÃ©pend de la tempÃ©rature ou un matÃ©riau pyroÃ©lectrique dont une variation de tempÃ©rature engendre l'apparition de charges Ã©lectriques. [4] Ainsi, dans le cas d'un capteur infrarouge pyroÃ©lectrique, l'augmentation de tempÃ©rature de la membrane absorbante induit une diminution de la polarisation spontanÃ©e du matÃ©riau pyroÃ©lectrique, ce qui se traduit par l'apparition de charges Ã©lectriques et donc par la prÃ©sence d'une tension Ã©lectrique aux bornes du condensateur dont le matÃ©riau pyroÃ©lectrique forme le diÃ©lectrique. Cette tension Ã©lectrique forme ainsi la rÃ©ponse mesurable du capteur infrarouge Ã l'absorption du rayonnement infrarouge incident. Cependant, lorsque le rayonnement infrarouge incident est constant, la tempÃ©rature de la membrane absorbante reste alors constante, de sorte que les charges Ã©lectriques se rÃ©organisent et la tension Ã©lectrique s'annule. La rÃ©ponse Ã©lectrique d'un tel capteur infrarouge pyroÃ©lectrique dÃ©pend alors directement des variations de tempÃ©rature, ce qui nÃ©cessite de moduler temporellement le rayonnement infrarouge incident Ã dÃ©tecter. 3066017 2 [005] Une telle modulation temporelle du rayonnement infrarouge incident peut Ãªtre effectuÃ©e classiquement par un hacheur (chopper, en anglais) situÃ© entre la scÃ¨ne Ã observer et le capteur infrarouge, le hacheur pouvant par exemple Ãªtre formÃ© d'un disque rotatif Ã ouvertures ou d'une hÃ©lice dont les pales viennent obturer pÃ©riodiquement le capteur 5 infrarouge. D'autres types de hacheurs existent, tels que par exemple un hacheur Ã cristaux liquides dÃ©crit dans le document US5036199, ou un hacheur piÃ©zoÃ©lectrique dÃ©crit dans le document US6069359. EXPOSÃ DE L'INVENTION 10 [006] L'invention a pour objectif de remÃ©dier au moins en partie aux inconvÃ©nients de l'art antÃ©rieur, et plus particuliÃ¨rement de proposer un dispositif de dÃ©tection infrarouge ne nÃ©cessitant pas l'utilisation d'un hacheur situÃ© entre la scÃ¨ne Ã observer et le capteur infrarouge. Pour cela, l'objet de l'invention est un dispositif de dÃ©tection d'un premier rayonnement infrarouge, comportant un substrat et au moins un capteur infrarouge, 15 disposÃ© sur le substrat, comportant une membrane absorbante apte Ã absorber le premier rayonnement infrarouge Ã dÃ©tecter et un deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge dit de modulation, suspendue au-dessus du substrat, comportant une Ã©lectrode infÃ©rieure, une Ã©lectrode supÃ©rieure, et un matÃ©riau pyroÃ©lectrique directement interposÃ© entre ces Ã©lectrodes. 20 [007] Selon l'invention, le dispositif de dÃ©tection comporte un Ã©metteur infrarouge comportant une piste rÃ©sistive apte Ã Ã©mettre le deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge de modulation en direction de la membrane absorbante, situÃ©e entre le substrat et la membrane absorbante, et un circuit Ã©lectronique de commande, connectÃ©e Ã la piste rÃ©sistive, adaptÃ© Ã faire circuler un signal Ã©lectrique variable dans la piste rÃ©sistive, de telle 25 sorte que l'Ã©mission du deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge de modulation, celui-ci Ã©tant variable, gÃ©nÃ¨re une variation de tempÃ©rature de la membrane absorbante se traduisant par une formation d'une diffÃ©rence de potentiels Ã©lectriques entre les Ã©lectrodes. [008] Certains aspects prÃ©fÃ©rÃ©s mais non limitatifs de ce dispositif de dÃ©tection infrarouge sont les suivants. 30 [009] L'Ã©lectrode infÃ©rieure peut Ãªtre au contact d'une face infÃ©rieure du matÃ©riau pyroÃ©lectrique orientÃ©e vers le substrat, et Ãªtre rÃ©alisÃ©e en un matÃ©riau au moins partiellement transparent vis-Ã -vis du deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge de modulation. L'Ã©lectrode supÃ©rieure peut Ãªtre au contact d'une face supÃ©rieure du matÃ©riau pyroÃ©lectrique opposÃ©e Ã la face infÃ©rieure et Ãªtre rÃ©alisÃ©e en un matÃ©riau au moins partiellement transparent vis-Ã -vis du premier rayonnement infrarouge Ã dÃ©tecter. 3066017 3 [0010] L'Ã©lectrode infÃ©rieure peut Ãªtre rÃ©alisÃ©e en un matÃ©riau au moins partiellement absorbant vis-Ã -vis du deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge de modulation. [0011] La piste rÃ©sistive repose de prÃ©fÃ©rence sur le substrat. [0012] Le capteur infrarouge peut comporter un premier circuit Ã©lectronique de commande 5 et de lecture apte Ã mesurer un courant Ã©lectrique correspondant Ã la diffÃ©rence de potentiels Ã©lectriques formÃ©e aux Ã©lectrodes. [0013] Le premier circuit Ã©lectronique peut comporter des premiÃ¨res portions de ligne mÃ©tallique, auxquels sont en contact des piliers d'ancrage assurant la suspension de la membrane absorbante au-dessus du substrat. 10 [0014] Les premiÃ¨res portions et la piste rÃ©sistive peuvent Ãªtre coplanaires. [0015] Les premiÃ¨res portions et la piste rÃ©sistive peuvent Ãªtre sÃ©parÃ©es mutuellement par une couche diÃ©lectrique minÃ©rale. Une couche de protection peut recouvrir continÃ»ment la couche diÃ©lectrique minÃ©rale. [0016] La couche de protection peut recouvrir continÃ»ment la piste rÃ©sistive, et Ãªtre rÃ©alisÃ©e 15 en un matÃ©riau au moins partiellement transparent au deuxiÃ¨me rayonnement de modulation. [0017] Le matÃ©riau pyroÃ©lectrique peut comprendre un polymÃ¨re choisi parmi le groupe comprenant le polyfluorure de vinylidÃ¨ne, le poly(fluorure de vinylidÃ¨ne - trifluoroÃ©thylÃ¨ne), le poly(fluoro de vinylidÃ¨ne - tÃ©trafluoroÃ©thylÃ¨ne) et un mÃ©lange d'au 20 moins deux de ces polymÃ¨res. [0018] L'invention porte Ã©galement sur un procÃ©dÃ© de fabrication d'un dispositif de dÃ©tection d'un premier rayonnement infrarouge selon l'une quelconque des caractÃ©ristiques prÃ©cÃ©dentes, comportant les Ã©tapes suivantes : - fournir un substrat ; 25 - rÃ©aliser une piste rÃ©sistive d'un Ã©metteur infrarouge apte Ã Ã©mettre le deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge de modulation, connectÃ©e Ã un circuit Ã©lectronique de commande adaptÃ© Ã faire circuler un signal Ã©lectrique variable dans la piste rÃ©sistive ; - rÃ©aliser au moins un capteur infrarouge disposÃ© sur le substrat, comportant une 30 membrane absorbante apte Ã absorber le premier rayonnement infrarouge Ã dÃ©tecter et un deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge dit de modulation, suspendue au-dessus du substrat, comportant une Ã©lectrode infÃ©rieure, une Ã©lectrode supÃ©rieure, et un matÃ©riau pyroÃ©lectrique directement interposÃ© entre ces Ã©lectrodes, la piste rÃ©sistive Ã©tant situÃ©e entre le substrat et la membrane absorbante. 3066017 4 [0019] Le substrat peut comporter au moins une couche diÃ©lectrique dite inter-mÃ©tal en un matÃ©riau minÃ©ral. L'Ã©tape de rÃ©alisation du capteur infrarouge peut alors comporter un dÃ©pÃ´t d'une couche sacrificielle en un matÃ©riau minÃ©ral de maniÃ¨re Ã recouvrir le substrat. [0020] L'Ã©tape de rÃ©alisation du capteur infrarouge peut comporter un dÃ©pÃ´t d'une couche 5 de protection recouvrant la couche diÃ©lectrique inter-mÃ©tal, et une suppression de la couche sacrificielle minÃ©rale par attaque chimique Ã l'acide fluorhydrique. BRÃVE DESCRIPTION DES DESSINS [0021] D'autres aspects, buts, avantages et caractÃ©ristiques de l'invention apparaÃ®tront 10 mieux Ã la lecture de la description dÃ©taillÃ©e suivante de formes de rÃ©alisation prÃ©fÃ©rÃ©es de celle-ci, donnÃ©e Ã titre d'exemple non limitatif, et faite en rÃ©fÃ©rence aux dessins annexÃ©s sur lesquels : la figure lest une vue schÃ©matique en coupe d'un dispositif de dÃ©tection infrarouge selon un mode de rÃ©alisation ; 15 la figure 2A illustre un exemple d'Ã©volution du coefficient pyroÃ©lectrique d'un matÃ©riau sensible Ã base de PVDF en fonction de la tempÃ©rature, et la figure 2B illustre un exemple d'Ã©volution temporelle de la tempÃ©rature de la membrane absorbante de deux capteurs infrarouges du dispositif de dÃ©tection soumis Ã des rayonnements infrarouges diffÃ©rents Ã©mis par la scÃ¨ne ; 20 les figures 3A Ã 3F sont des vues, partielles et schÃ©matiques, en coupe ou de dessus, des structures obtenues Ã des Ã©tapes successives d'un exemple du procÃ©dÃ© de fabrication d'un dispositif de dÃ©tection infrarouge selon le mode de rÃ©alisation illustrÃ© sur la fig.1 ; la figure 4 est une vue schÃ©matique en coupe d'un dispositif de dÃ©tection infrarouge selon une variante du mode de rÃ©alisation illustrÃ© sur la fig.l. 25 EXPOSÃ DÃTAILLÃ DE MODES DE RÃALISATION PARTICULIERS [0022] Sur les figures et dans la suite de la description, les mÃªmes rÃ©fÃ©rences reprÃ©sentent les Ã©lÃ©ments identiques ou similaires. De plus, les diffÃ©rents Ã©lÃ©ments ne sont pas reprÃ©sentÃ©s Ã l'Ã©chelle de maniÃ¨re Ã privilÃ©gier la clartÃ© des figures. Par ailleurs, les 30 diffÃ©rents modes de rÃ©alisation et variantes ne sont pas exclusifs les uns des autres et peuvent Ãªtre combinÃ©s entre eux. Sauf indication contraire, les termes Â« sensiblement Â», Â« environ Â», Â« de l'ordre de Â» signifient Ã 10% prÃ¨s. 3066017 5 [0023] L'invention porte sur un dispositif de dÃ©tection infrarouge comportant un ou plusieurs capteurs infrarouge de type pyroÃ©lectrique, lesquels sont adaptÃ©s Ã absorber un premier rayonnement infrarouge Ã©mis par une scÃ¨ne. Le dispositif prÃ©sente l'avantage de ne pas nÃ©cessiter de moduler temporellement le premier rayonnement infrarouge Ã 5 dÃ©tecter, notamment au moyen d'un hacheur situÃ© entre la scÃ¨ne et le dispositif de dÃ©tection infrarouge comme dans les exemples de l'art antÃ©rieur mentionnÃ©s prÃ©cÃ©demment. [0024] Pour cela, le dispositif de dÃ©tection infrarouge comporte un ou plusieurs Ã©metteurs infrarouge de modulation associÃ©s chacun avec un capteur infrarouge. Le capteur infrarouge est alors adaptÃ© Ã absorber le premier rayonnement infrarouge incident 10 provenant de la scÃ¨ne, ainsi qu'un deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge incident Ã©mis par l'Ã©metteur infrarouge. L'Ã©metteur infrarouge comporte une piste rÃ©sistive disposÃ©e sous la membrane absorbante du capteur infrarouge, qui est adaptÃ©e Ã Ã©mettre le deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge dit de modulation, celui-ci Ã©tant alors variable. Le rayonnement infrarouge de modulation est variable au sens oÃ¹ il prÃ©sente des caractÃ©ristiques en 15 amplitude et frÃ©quence telles qu'il induit une variation temporelle de tempÃ©rature de la membrane absorbante apte Ã gÃ©nÃ©rer une diffÃ©rence de potentiels Ã©lectriques mesurable au niveau du matÃ©riau pyroÃ©lectrique. [0025] Le rayonnement infrarouge total absorbÃ© par la membrane absorbante comporte ainsi une premiÃ¨re composante, constante ou variable, provenant de la scÃ¨ne, et une 20 deuxiÃ¨me composante, variable, provenant de l'Ã©metteur infrarouge de modulation. Le rayonnement infrarouge total absorbÃ© par la membrane suspendue est ainsi modulÃ© temporellement, ce qui se traduit par un Ã©chauffement variable de la membrane propre Ã gÃ©nÃ©rer une diffÃ©rence de potentiels Ã©lectriques mesurable. [0026] Le capteur infrarouge est de type pyroÃ©lectrique, dans le sens oÃ¹ le matÃ©riau sensible 25 est un matÃ©riau pyroÃ©lectrique qui prÃ©sente une variation de la polarisation spontanÃ©e en rÃ©ponse Ã une variation de tempÃ©rature se traduisant par l'apparition d'une diffÃ©rence de potentiels Ã©lectriques entre des Ã©lectrodes au contact du matÃ©riau pyroÃ©lectrique. Le coefficient pyroÃ©lectrique p est dÃ©fini comme la dÃ©rivÃ©e de la polarisation spontanÃ©e par rapport Ã la tempÃ©rature. 30 [0027] La figure 1 illustre un dispositif 1 de dÃ©tection infrarouge selon un mode de rÃ©alisation. Le capteur infrarouge 20 comporte une membrane absorbante 21 Ã matÃ©riau sensible 22 pyroÃ©lectrique, suspendue au-dessus d'un substrat 10 par des piliers d'ancrage 23 et des bras 24 d'isolation thermique, ainsi qu'un circuit Ã©lectronique 30 de commande et 35 de lecture situÃ© dans le substrat 10. L'Ã©metteur infrarouge 40 de modulation comporte une piste rÃ©sistive 41 situÃ©e sous la membrane absorbante 21 et avantageusement au niveau du 3066017 6 substrat 10, c'est-Ã -dire dans ou Ã la surface de celui-ci, ainsi qu'un deuxiÃ¨me circuit Ã©lectronique 50 de commande situÃ© dans le substrat 10. Le capteur infrarouge 20 est ici adaptÃ© Ã absorber un rayonnement infrarouge compris dans la bande de longueurs d'ondes infrarouges longues (dite LWIR, allant de 81..tm Ã 141.1m environ), mais peut en variante Ãªtre 5 adaptÃ© Ã absorber dans la bande de longueurs d'ondes infrarouges moyennes (dite MWIR, allant de 31..tm Ã 81..tm environ), voire dans la bande courte (dite SWIR, allant de 1,41.1m Ã 31..tm environ). [0028] On dÃ©finit ici et pour la suite de la description un repÃ¨re direct tridimensionnel orthogonal (X,Y,Z), oÃ¹ le plan (X,Y) est sensiblement parallÃ¨le au plan du substrat 10 du 10 dispositif 1 de dÃ©tection, et oÃ¹ l'axe Z est orientÃ© suivant une direction sensiblement orthogonale au plan du substrat 10. Dans la suite de la description, les termes Â« infÃ©rieur Â» et Â« supÃ©rieur Â» s'entendent comme Ã©tant relatifs Ã un positionnement croissant lorsqu'on s'Ã©loigne du substrat 10 suivant la direction +Z. [0029] Le dispositif 1 de dÃ©tection comprend un substrat 10, rÃ©alisÃ© dans cet exemple Ã base 15 de silicium, comportant un premier circuit Ã©lectronique 30 permettant la commande et la lecture du capteur infrarouge 20, et un deuxiÃ¨me circuit Ã©lectronique 50 permettant la commande de l'Ã©metteur infrarouge 40. Chaque circuit Ã©lectronique comporte des portions de lignes conductrices, par exemple mÃ©talliques, sÃ©parÃ©es les unes des autres par un matÃ©riau diÃ©lectrique, par exemple un matÃ©riau minÃ©ral Ã base de silicium tel qu'un oxyde 20 de silicium SiO,' un nitrure de silicium SiN,' ou leurs alliages. [0030] Le capteur infrarouge 20 comporte le premier circuit Ã©lectronique 30 de commande et de lecture, qui se prÃ©sente ici sous la forme d'un circuit intÃ©grÃ© CMOS situÃ© Ã l'intÃ©rieur du substrat 10. Il permet l'application d'un signal Ã©lectrique de commande au capteur infrarouge 20 ainsi que la lecture d'un signal de dÃ©tection gÃ©nÃ©rÃ© par le capteur infrarouge 25 20 en rÃ©ponse Ã l'absorption d'un rayonnement infrarouge incident. Il comporte Ã cet effet des Ã©lÃ©ments Ã©lectroniques actifs 34, par exemple des diodes, transistors, condensateurs, rÃ©sistances.., connectÃ©s par des interconnexions Ã©lectriques au capteur infrarouge 20 d'une part, et Ã un plot d'interconnexion (non reprÃ©sentÃ©) d'autre part, ce dernier Ã©tant destinÃ© Ã relier Ã©lectriquement le dispositif 1 de dÃ©tection Ã un dispositif Ã©lectronique externe. 30 [0031] Le circuit Ã©lectronique 30 comporte diffÃ©rents niveaux d'interconnexion Ã©lectrique formÃ©s de lignes mÃ©talliques sÃ©parÃ©es les unes des autres par des couches diÃ©lectriques dites inter-mÃ©tal. Ainsi, il comporte des premiÃ¨res portions 31 d'une ligne mÃ©tallique connectÃ©es Ã des deuxiÃ¨mes portions 32 d'une ligne mÃ©tallique d'un niveau infÃ©rieur d'interconnexion Ã©lectrique par des vias conducteurs 33. Les diffÃ©rents vias et lignes mÃ©talliques sont 35 respectivement sÃ©parÃ©s les uns des autres par une couche diÃ©lectrique 11 inter-mÃ©tal. Les premiÃ¨res portions 31 du circuit Ã©lectronique 30 ainsi que la couche diÃ©lectrique 11 inter- 3066017 7 mÃ©tal affleurent au niveau de la face supÃ©rieure lOs du substrat 10. En d'autres termes, la face supÃ©rieure lOs du substrat 10 est formÃ©e notamment par une surface supÃ©rieure des premiÃ¨res portions 31 et par une surface supÃ©rieure de la couche diÃ©lectrique 11. [0032] A titre illustratif, les portions 31, 32 de lignes mÃ©talliques et les vias conducteurs 33 5 peuvent Ãªtre rÃ©alisÃ©s, par exemple, en cuivre, en aluminium ou en tungstÃ¨ne. Le cuivre ou le tungstÃ¨ne peut Ã©ventuellement Ãªtre situÃ© entre des sous-couches en nitrure de titane, de tantale ou autre. Les couches diÃ©lectriques inter-mÃ©tal peuvent Ãªtre rÃ©alisÃ©es en un matÃ©riau minÃ©ral Ã base de silicium, par exemple un oxyde de silicium Si0,, ou un nitrure de silicium SiN,' voire en un alliage Ã base d'oxyde de silicium prÃ©sentant une faible 10 permittivitÃ© relative, tel que du Si0F, du SiOC, du SiOCH, etc... [0033] L'Ã©metteur infrarouge 40 comporte une piste rÃ©sistive 41 adaptÃ©e Ã Ã©mettre le deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge en direction de la membrane suspendue 21, et un deuxiÃ¨me circuit Ã©lectronique 50 de commande adaptÃ© Ã faire circuler un signal Ã©lectrique variable dans la piste rÃ©sistive 41. La variation temporelle du signal Ã©lectrique dans la piste 15 rÃ©sistive 41 est adaptÃ©e pour induire une variation de la puissance Ã©lectrique dissipÃ©e par effet Joule, et donc de la puissance rayonnÃ©e par la piste rÃ©sistive 41. Ainsi, le deuxiÃ¨me rayonnement de modulation, Ã©mis par la piste rÃ©sistive 41 et absorbÃ© par la membrane suspendue 21, varie dans le temps, de maniÃ¨re Ã gÃ©nÃ©rer une variation temporelle de la tempÃ©rature de la membrane suspendue 21 se traduisant par la formation d'une diffÃ©rence 20 de potentiels Ã©lectriques entre des Ã©lectrodes situÃ©es au contact du matÃ©riau pyroÃ©lectrique 22. [0034] La piste rÃ©sistive 41 est situÃ©e sous la membrane absorbante 21, au sens oÃ¹ au moins une partie de la piste rÃ©sistive 41 est situÃ©e Ã la perpendiculaire, suivant l'axe Z, de la membrane absorbante 21, et avantageusement du matÃ©riau pyroÃ©lectrique 22. Elle repose 25 dans cet exemple sur le substrat 10 et peut Ãªtre situÃ©e sous ou sur la face supÃ©rieure lOs du substrat 10. Dans cet exemple, elle est situÃ©e sous la face supÃ©rieure lOs et participe Ã la dÃ©limiter. Elle est ainsi situÃ©e sous une couche de protection, cette derniÃ¨re Ã©tant alors au moins partiellement transparente au rayonnement infrarouge de modulation. Elle est ici sensiblement coplanaire avec les premiÃ¨res portions 31 du circuit Ã©lectronique 30 et peut 30 Ãªtre formÃ©e des mÃªmes matÃ©riaux. A titre d'exemple, elle peut Ãªtre formÃ©e Ã partir d'aluminium, de cuivre ou de tungstÃ¨ne. Le cuivre ou le tungstÃ¨ne peut Ã©ventuellement Ãªtre entourÃ© par des couches barriÃ¨res, par exemple en titane ou tantale, ou leur nitrure, empÃªchant la diffusion du mÃ©tal dans le diÃ©lectrique inter-mÃ©tal. Elle prÃ©sente une rÃ©sistivitÃ© et des dimensions transversales de largeur et d'Ã©paisseur qui sont adaptÃ©es pour 35 optimiser l'absorption du rayonnement infrarouge de modulation par la membrane suspendue 21. Ainsi, elle prÃ©sente une longueur comprise entre 51,im et 100pm, et de 3066017 8 prÃ©fÃ©rence comprise entre 101,im et 501,1m, une largeur comprise entre 0.3pm et lOpm, et de prÃ©fÃ©rence comprise entre 1im et 211m, et une Ã©paisseur comprise entre lOnm et 500nm, et comprise de prÃ©fÃ©rence entre 50nm et 450nm. La forme de la piste rÃ©sistive 41 peut Ãªtre adaptÃ©e pour assurer une bonne rÃ©partition du flux lumineux sous la membrane absorbante 5 21, tout en optimisant la surface des portions rÃ©flÃ©chissantes 13. Ainsi, comme illustrÃ© sur la fig.3B, la piste rÃ©sistive 41peut former une ligne rectiligne s'Ã©tendant entre deux portions rÃ©flÃ©chissantes 13. [0035] Le deuxiÃ¨me circuit Ã©lectronique 50 de commande est situÃ© dans le substrat 10, et se prÃ©sente sous la forme d'un circuit intÃ©grÃ© CMOS. Il permet l'application d'un signal 10 Ã©lectrique variable Ã la piste rÃ©sistive 41. Il comporte Ã cet effet des Ã©lÃ©ments Ã©lectroniques actifs 54, connectÃ©s Ã©lectriquement par des interconnexions Ã©lectriques Ã la piste rÃ©sistive 41 d'une part, et au plot d'interconnexion mentionnÃ© prÃ©cÃ©demment d'autre part. Dans cet exemple, il comporte des deuxiÃ¨mes portions 52 de lignes mÃ©talliques, celles-ci Ã©tant ici coplanaires des deuxiÃ¨mes portions 32 du premier circuit Ã©lectronique 30, connectÃ©es aux 15 extrÃ©mitÃ©s de la piste rÃ©sistive 41 par des vias conducteurs 53. La piste rÃ©sistive 41 est espacÃ©e des deuxiÃ¨mes portions 52 par la couche diÃ©lectrique 11 inter-mÃ©tal. Le signal Ã©lectrique variable appliquÃ© Ã la piste rÃ©sistive 41 prÃ©sente des caractÃ©ristiques en intensitÃ© et frÃ©quence telles qu'il permet l'Ã©mission d'un rayonnement de modulation par la piste rÃ©sistive 41 adaptÃ© Ã gÃ©nÃ©rer une rÃ©ponse Ã©lectrique de la part du capteur infrarouge 20. Il 20 peut ainsi Ãªtre un signal de prÃ©fÃ©rence pÃ©riodique, par exemple sinusoÃ¯dal ou en crÃ©neaux, dont la frÃ©quence est ajustÃ©e en fonction du mode de lecture. Elle peut ainsi Ãªtre Ã©gale Ã deux fois la frÃ©quence trame. [0036] Des portions rÃ©flÃ©chissantes 13 vis-Ã -vis du premier rayonnement infrarouge Ã dÃ©tecter, peuvent Ãªtre prÃ©vues Ã la surface du substrat 10, comme illustrÃ©es sur la figure 3B 25 (la fig.3A Ã©tant une vue en coupe selon le plan A-A de la fig.3B), en Ã©tant situÃ©es sous la membrane suspendue 21 (en traits pointillÃ©s) et avantageusement disposÃ©es de part et d'autre de la piste rÃ©sistive 41. Elles peuvent Ãªtre rÃ©alisÃ©es en un matÃ©riau identique Ã celui de la piste rÃ©sistive 41, et sont Ã©lectriquement isolÃ©es de celle-ci par le matÃ©riau de la couche diÃ©lectrique 11 inter-mÃ©tal. 30 [0037] Dans ce mode de rÃ©alisation, la face supÃ©rieure 10 s du substrat 10 est revÃªtue d'une couche de protection 12. Plus prÃ©cisÃ©ment, la couche de protection 12 recouvre la surface formÃ©e par la couche diÃ©lectrique 11 inter-mÃ©tal, et dans cet exemple Ã©galement celle formÃ©e par les premiÃ¨res portions 31 du circuit Ã©lectronique 30, la piste rÃ©sistive 41, et les portions rÃ©flÃ©chissantes 13. Comme dÃ©crit par la suite, dans la mesure oÃ¹ la couche de protection 12 35 revÃªt Ã©galement la piste rÃ©sistive 41 de l'Ã©metteur infrarouge 40, elle est rÃ©alisÃ©e en un matÃ©riau au moins partiellement transparent au rayonnement infrarouge de modulation. 3066017 9 La couche de protection 12 prÃ©sente ici une fonction d'arrÃªt de gravure, et est adaptÃ©e Ã assurer une protection du substrat 10 et des couches diÃ©lectriques inter-mÃ©tal rÃ©alisÃ©es en un matÃ©riau minÃ©ral vis-Ã -vis d'une attaque chimique, par exemple une attaque chimique en milieu acide HF (acide fluorhydrique) mise en oeuvre pour graver une couche sacrificielle 5 14 utilisÃ©e lors de la rÃ©alisation de la membrane absorbante 21. Cette couche de protection 12 forme ainsi une couche hermÃ©tique et chimiquement inerte. Elle est Ã©lectriquement isolante pour Ã©viter tout court-circuit entre les portions de ligne mÃ©tallique. Elle peut ainsi Ãªtre rÃ©alisÃ©e en alumine A1203, voire en nitrure ou fluorure d'aluminium. Elle peut prÃ©senter une Ã©paisseur comprise entre quelques dizaines et quelques centaines de nanomÃ¨tres, par 10 exemple entre lOnm et 500nm. [0038] Le capteur infrarouge 20 comporte une membrane absorbante 21 comportant un matÃ©riau sensible 22 pyroÃ©lectrique, suspendue au-dessus du substrat 10 par des piliers d'ancrage 23 et des bras 24 d'isolation thermique. Les piliers d'ancrage 23 sont Ã©lectriquement conducteurs, et traversent localement la couche de protection 12 pour 15 assurer un contact Ã©lectrique avec les premiÃ¨res portions 31 du circuit Ã©lectronique 30. La membrane absorbante 21 est espacÃ©e du substrat 10 d'une distance non nulle. A la diffÃ©rence des bolomÃ¨tres rÃ©sistifs, il n'est pas nÃ©cessaire que cette distance soit ajustÃ©e de maniÃ¨re Ã former une cavitÃ© quart d'onde optimisant l'absorption du premier rayonnement infrarouge par la membrane suspendue 21. Cette distance peut ainsi Ãªtre minimisÃ©e, ce qui rÃ©duit 20 notamment le temps de libÃ©ration de la membrane absorbante 21 lors de la gravure d'une couche sacrificielle 14. Ainsi, une lame quart d'onde est avantageusement formÃ©e entre les Ã©lectrodes 26 et 28, notamment lorsque les portions rÃ©flÃ©chissantes 13 ne sont pas prÃ©vues. Cependant, une lame quart d'onde peut Ãªtre rÃ©alisÃ©e entre les portions rÃ©flÃ©chissantes 13 et l'une des Ã©lectrodes 26, 28, de prÃ©fÃ©rence l'Ã©lectrode supÃ©rieure 28 pour minimiser 25 l'Ã©paisseur de la couche sacrificielle 14. [0039] Le matÃ©riau sensible 22 du capteur infrarouge 20 est ici avantageusement un matÃ©riau pyroÃ©lectrique 22 rÃ©alisÃ© en un polymÃ¨re de fluorure de vinylidÃ¨ne (PVDF), ou en un copolymÃ¨re de PVDF tel que le poly(fluorure de vinylidÃ¨ne - trifluoroÃ©thylÃ¨ne) (P(VDFTrFE)), le poly(fluorure de vinylidÃ¨ne - tÃ©trafluoroÃ©thylÃ¨ne), notamment le P(VDF-TFEI_ 30 ,,) oÃ¹ x est un nombre rÃ©el compris entre 60 et 80, le poly(fluorure de vinylidÃ¨ne - trifluoroÃ©thylÃ¨ne - chlorofluoroÃ©thylÃ¨ne) (P(VDF-TrFE-CFE)), le poly(fluorure de vinylidÃ¨ne - trifluoroÃ©thylÃ¨ne - chlorotrifluoroÃ©thylÃ¨ne) (P(VDF-TrFE-CTFE)). Le matÃ©riau pyroÃ©lectrique 22 est dit Ã base de PVDF dans le sens oÃ¹ il comprend au moins 10% en masse, et de prÃ©fÃ©rence au moins 25%, 50%, ou 75% en masse d'un polymÃ¨re PVDF 35 et/ou d'au moins un copolymÃ¨re de PVDF. Il peut ainsi Ãªtre formÃ© du polymÃ¨re PVDF, d'au moins un copolymÃ¨re de PVDF, ou d'un mÃ©lange des deux. Comme mentionnÃ© plus loin, un matÃ©riau pyroÃ©lectrique 22 Ã base de PVDF prÃ©sente l'avantage d'avoir un coefficient 3066017 10 pyroÃ©lectrique dont la valeur augmente avec la tempÃ©rature, amÃ©liorant ainsi la sensibilitÃ© du dispositif 1 de dÃ©tection. [0040] D'autres matÃ©riaux pyroÃ©lectriques inorganiques sont possibles, tels que les cÃ©ramiques de type BST (titanate de baryum / strontium) ou PZT (titanate de plomb / 5 zirconium), le ZnO (oxyde de zinc), l'AIN (nitrure d'aluminium), le BaTiO3 (baryum titanate), ou mÃªme un mÃ©lange hybride entre les matÃ©riaux Ã base de PVDF et ces matÃ©riaux pyroÃ©lectriques inorganiques. Un matÃ©riau pyroÃ©lectrique 22 Ã base de PVDF permet une intÃ©gration moins contraignante sur un substrat 10 comportant des circuits intÃ©grÃ©s CMOS dans la mesure notamment oÃ¹ l'activation des propriÃ©tÃ©s pyroÃ©lectriques ne requiert pas de 10 recuit Ã une tempÃ©rature Ã©levÃ©e susceptible de dÃ©grader les liaisons mÃ©talliques des circuits CMOS. [0041] La membrane suspendue 21 comporte Ã©galement deux Ã©lectrodes conductrices, une Ã©lectrode supÃ©rieure 28 et une Ã©lectrode infÃ©rieure 26, connectÃ©es chacune Ã un pilier d'ancrage 23 diffÃ©rent, entre lesquels le matÃ©riau pyroÃ©lectrique 22 est directement 15 interposÃ©. En d'autres termes, le matÃ©riau pyroÃ©lectrique 22 est situÃ© entre les Ã©lectrodes infÃ©rieure 26 et supÃ©rieure 28 et au contact de chacune d'elles. Ainsi, une variation de tempÃ©rature du matÃ©riau sensible 22 induit une diffÃ©rence de potentiels Ã©lectriques entre les Ã©lectrodes 26, 28 qui peut Ãªtre mesurÃ©e par le premier circuit Ã©lectronique 30. [0042] L'Ã©lectrode infÃ©rieure 26 est au contact de la face infÃ©rieure 22i du matÃ©riau 20 pyroÃ©lectrique 22 orientÃ©e vers le substrat 10. Elle est rÃ©alisÃ©e en un matÃ©riau au moins partiellement transparent, et avantageusement partiellement absorbant, vis-Ã -vis du rayonnement infrarouge de modulation. Elle repose ici sur une premiÃ¨re couche diÃ©lectrique 25, et est Ã©lectriquement isolÃ©e de l'Ã©lectrode supÃ©rieure 28 par une deuxiÃ¨me couche diÃ©lectrique 27. Elle peut Ãªtre rÃ©alisÃ©e en un ou plusieurs couches mÃ©talliques de Ti, 25 TiN, NiCr, Al, Au, Pt, W, Ni, Cu, Mo etc.., et prÃ©sente une Ã©paisseur comprise entre 3nm et 200nm. [0043] L'Ã©lectrode supÃ©rieure 28 est au contact de la face supÃ©rieure 22s du matÃ©riau pyroÃ©lectrique 22 opposÃ©e Ã la face infÃ©rieure 22i. Elle est au moins partiellement transparente, et avantageusement partiellement absorbante, vis-Ã -vis du premier 30 rayonnement infrarouge Ã dÃ©tecter. Elle repose partiellement sur la deuxiÃ¨me couche diÃ©lectrique 27 qui l'isole Ã©lectriquement de l'Ã©lectrode infÃ©rieure 26. Elle peut Ãªtre rÃ©alisÃ©e en un ou plusieurs couches mÃ©talliques de Ti, TiN, NiCr, Al, Au, Pt, W, Ni, Cu, Mo etc.., et prÃ©sente une Ã©paisseur comprise entre 3nm et 50nm, et de prÃ©fÃ©rence comprise entre 3nm et lOnm. La rÃ©sistance de l'Ã©lectrode supÃ©rieure 28 est avantageusement sensiblement Ã©gale 35 Ã l'impÃ©dance du vide, Ã savoir 377Q/ carrÃ©. 3066017 11 [0044] Ainsi, l'ensemble formÃ© des Ã©lectrodes 26, 28 et du matÃ©riau pyroÃ©lectrique 22 correspond Ã un condensateur dont le matÃ©riau pyroÃ©lectrique 22 forme le diÃ©lectrique. L'Ã©paisseur du matÃ©riau pyroÃ©lectrique 22 peut Ãªtre choisie de maniÃ¨re Ã optimiser l'absorption du rayonnement infrarouge Ã dÃ©tecter, en formant avec les Ã©lectrodes une 5 cavitÃ© optique quart d'onde. A titre illustratif, pour un rayonnement infrarouge Ã dÃ©tecter compris dans la bande spectrale allant de 81,im Ã 141,1m, l'Ã©paisseur du matÃ©riau pyroÃ©lectrique 22 peut Ãªtre comprise entre liim et lOpm, et est avantageusement sensiblement Ã©gale Ã 1,51,1m. 10 [0045] Le fonctionnement du dÃ©tecteur infrarouge est maintenant dÃ©crit en rÃ©fÃ©rence Ã la figure let aux figures 2A et 2B. [0046] Le capteur infrarouge 20 reÃ§oit un premier rayonnement infrarouge Ã©mis par une scÃ¨ne, dont la puissance absorbÃ©e (flux infrarouge absorbÃ©) est notÃ©e (Di. Ce rayonnement infrarouge peut Ãªtre variable ou constant dans le temps. Il est dit constant s'il prÃ©sente une 15 variation temporelle dont le temps caractÃ©ristique t est nÃ©gligeable par rapport Ã la constante de temps thermique ith du capteur infrarouge 20, par exemple s'il est infÃ©rieur au centiÃ¨me de ith. La constante de temps thermique ith est dÃ©finie comme le produit de la masse calorifique Cth de la membrane suspendue 21 et de sa rÃ©sistance thermique Rth. Lorsqu'il est constant, le premier rayonnement infrarouge (Di absorbÃ© par la membrane ne 20 conduit pas Ã une variation de tempÃ©rature de celle-ci susceptible de former une diffÃ©rence de potentiels Ã©lectriques aux Ã©lectrodes. Le capteur infrarouge 20 ne dÃ©livre donc pas de rÃ©ponse Ã©lectrique Ã l'absorption d'un rayonnement infrarouge (Di constant. [0047] SimultanÃ©ment Ã l'absorption du rayonnement infrarouge (Di par le capteur infrarouge 20, l'Ã©metteur infrarouge 40 Ã©met un deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge dit de 25 modulation en direction de la membrane absorbante 21, dont la puissance absorbÃ©e par la membrane est notÃ©e (D2(t). Pour cela, le circuit de commande applique un signal Ã©lectrique variable Ã la piste rÃ©sistive 41 qui dissipe de la chaleur par effet Joule, rÃ©alisant ainsi l'Ã©mission du rayonnement infrarouge (D2(t) de modulation. Le signal Ã©lectrique est dit variable dans le sens oÃ¹ le rayonnement infrarouge (D2(t) Ã©mis par la piste rÃ©sistive 41 et 30 absorbÃ© par la membrane suspendue 21varie temporellement avec un temps caractÃ©ristique non nÃ©gligeable par rapport Ã la constante de temps thermique ith. Le signal Ã©lectrique est choisi de sorte Ã ne pas varier trop rapidement par rapport Ã ith pour que la puissance absorbÃ©e (D2(t) induise effectivement une variation de tempÃ©rature au matÃ©riau pyroÃ©lectrique 22. La frÃ©quence du signal de modulation (D2(t) peut de prÃ©fÃ©rence Ãªtre de 35 l'ordre de deux fois la frÃ©quence image (frÃ©quence trame) comme dans le cas d'un chopper 3066017 12 optique, mais elle peut en Ãªtre diffÃ©rente en fonction du mode de lecture. Par ailleurs, de prÃ©fÃ©rence, elle peut Ãªtre supÃ©rieure ou Ã©gale Ã environ quatre fois celle du premier rayonnement infrarouge (Di, de sorte que celui-ci soit sensiblement constant sur une pÃ©riode du signal de modulation (D2(t). Autrement dit, de prÃ©fÃ©rence, la frÃ©quence du signal de 5 modulation (D2(t) peut Ãªtre comprise entre 1/ ith et 4/ ith. [0048] Ainsi, le capteur infrarouge 20 absorbe simultanÃ©ment le rayonnement infrarouge (Di provenant de la scÃ¨ne et le rayonnement infrarouge (D2(t) de modulation provenant de la piste rÃ©sistive 41, de sorte que le rayonnement infrarouge total absorbÃ© (D0(t) est modulÃ© temporellement. En d'autres termes, le rayonnement infrarouge total absorbÃ© (D0(t) 10 comporte une composante source formÃ©e par le premier rayonnement infrarouge (Di Ã dÃ©tecter, et une composante variable formÃ©e par le rayonnement infrarouge (D2(t) de modulation. Le rayonnement infrarouge total (Do(t), Ã©tant modulÃ© temporellement, induit une variation temporelle de tempÃ©rature de la membrane suspendue 21 se traduisant par la formation d'une diffÃ©rence de potentiels Ã©lectriques aux Ã©lectrodes 26, 28 qui est mesurÃ©e 15 par le circuit Ã©lectronique 30. [0049] Le rayonnement infrarouge (Di Ã©mis par la scÃ¨ne est donc dÃ©tectÃ© par le dispositif 1 de dÃ©tection, qu'il soit variable ou constant dans le temps, sans qu'il ait Ã©tÃ© prÃ©alablement modulÃ© temporellement par un hacheur situÃ© entre la scÃ¨ne et le capteur infrarouge 20, comme dans les exemples de l'art antÃ©rieur mentionnÃ©s prÃ©cÃ©demment. Cela permet de ne 20 pas diminuer la quantitÃ© d'Ã©nergie infrarouge incidente Ã©mise par la scÃ¨ne, et donc de ne pas diminuer les performances du dispositif 1 de dÃ©tection infrarouge. On Ã©vite Ã©galement d'accroÃ®tre la complexitÃ© et la consommation Ã©lectrique du dispositif 1 de dÃ©tection infrarouge qui comprendrait un tel hacheur. De plus, un tel dispositif 1 de dÃ©tection prÃ©sente une sensibilitÃ© augmentÃ©e, dans la mesure oÃ¹ la rÃ©ponse Ã©lectrique du capteur infrarouge 25 20 dÃ©pend de la valeur du coefficient pyroÃ©lectrique. Or, comme le montre la figure 2A dans le cas du P(VDF-TrFe), celui-ci prÃ©sente une valeur qui augmente avec la tempÃ©rature, suivant une loi en T2 au premier ordre. Ainsi, pour une mÃªme puissance absorbÃ©e du premier rayonnement infrarouge, le capteur infrarouge 20 prÃ©sente une rÃ©ponse Ã©lectrique plus Ã©levÃ©e dans la mesure oÃ¹ la tempÃ©rature de la membrane associÃ©e Ã l'absorption du 30 rayonnement infrarouge (Di Ã©mis par la scÃ¨ne est augmentÃ©e par l'absorption du rayonnement infrarouge (D2(t) de modulation. Plus prÃ©cisÃ©ment, le circuit Ã©lectronique 30 peut mesurer un courant Ã©lectrique Ip issu de la diffÃ©rence de potentiels Ã©lectriques aux Ã©lectrodes, s'Ã©crivant Ip = p(T) x S x dT/ dt, oÃ¹ p est le coefficient pyroÃ©lectrique, T la tempÃ©rature, et S est la surface du matÃ©riau pyroÃ©lectrique 22 dans le plan XY de la 35 membrane suspendue 21. Ainsi, la valeur du coefficient pyroÃ©lectrique p, et donc du courant Ã©lectrique Ip de rÃ©ponse, est augmentÃ©e du fait que l'Ã©chauffement de la membrane est plus 3066017 13 important par l'absorption tant du rayonnement infrarouge (Di provenant de la scÃ¨ne que du rayonnement infrarouge (D2(t) provenant de la piste rÃ©sistive 41. [0050] Le dispositif 1 de dÃ©tection infrarouge peut comporter une matrice de capteurs 5 infrarouges 20, chaque capteur infrarouge 20 Ã©tant associÃ© Ã un Ã©metteur infrarouge 40 propre formant ensemble un pixel de dÃ©tection P1. Les pixels sont de prÃ©fÃ©rence identiques les uns aux autres, de sorte que les capteurs infrarouges 20 sont structurellement identiques et prÃ©sentent les mÃªmes propriÃ©tÃ©s optoÃ©lectroniques. De plus, les Ã©metteurs infrarouges 40 sont identiques les uns aux autres et Ã©mettent, de prÃ©fÃ©rence, des rayonnements 10 infrarouges (D2(t) de modulation en phase les uns avec les autres, et identiques en amplitude et en frÃ©quence. [0051] Le courant pyroÃ©lectrique Ip, associÃ© Ã chaque pixel P, dÃ©pend ainsi de la variation temporelle dT,/ dt de la tempÃ©rature T, et de la valeur du coefficient pyroÃ©lectrique p,. La variation temporelle de tempÃ©rature dT,/ dt peut Ãªtre identique pour deux pixels recevant 15 un premier rayonnement infrarouge de puissances (Di,, constantes mais de valeurs diffÃ©rentes. Cependant, le courant pyroÃ©lectrique Ip, sera diffÃ©rent dans la mesure oÃ¹ le coefficient pyroÃ©lectrique 13, associÃ© Ã chacun de ces pixels est diffÃ©rent. [0052] La figure 2B illustre ainsi l'Ã©volution temporelle de la tempÃ©rature T1 de la membrane suspendue 21 d'un premier pixel Pi et celle de la tempÃ©rature T2 de la membrane 20 suspendue 21 d'un deuxiÃ¨me pixel P2. Chacun des pixels Pi et P2 est soumis Ã un mÃªme rayonnement variable de modulation (D2(t). Ils absorbent des premiers rayonnements Ã©mis par la scÃ¨ne, de puissances (D1,1 et (1)1,2 constantes dans le temps mais de valeurs diffÃ©rentes avec (Iii REVENDICATIONS1. Dispositif (1) de dÃ©tection d'un premier rayonnement infrarouge, comportant : o un substrat (10) ; o au moins un capteur infrarouge (20), disposÃ© sur le substrat (10), comportant : - une membrane absorbante (21) apte Ã absorber le premier rayonnement infrarouge Ã dÃ©tecter et un deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge dit de modulation, suspendue au-dessus du substrat (10), comportant une Ã©lectrode infÃ©rieure (26), une Ã©lectrode supÃ©rieure (28), et un matÃ©riau pyroÃ©lectrique (22) directement interposÃ© entre ces Ã©lectrodes (26, 28) ; caractÃ©risÃ© en ce qu'il comporte : o un Ã©metteur infrarouge (40), comportant : - une piste rÃ©sistive (41) apte Ã Ã©mettre le deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge de modulation en direction de la membrane absorbante (21), situÃ©e entre le substrat (10) et la membrane absorbante (21) ; - un circuit Ã©lectronique (50) de commande, connectÃ©e Ã la piste rÃ©sistive (41), adaptÃ© Ã faire circuler un signal Ã©lectrique variable dans la piste rÃ©sistive (41), de telle sorte que l'Ã©mission du deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge de modulation, celui-ci Ã©tant variable, gÃ©nÃ¨re une variation de tempÃ©rature de la membrane absorbante (21) se traduisant par une formation d'une diffÃ©rence de potentiels Ã©lectriques entre les Ã©lectrodes (26, 28). 2. Dispositif (1) selon la revendication 1, dans lequel l'Ã©lectrode infÃ©rieure (26) est au contact d'une face infÃ©rieure (22i) du matÃ©riau pyroÃ©lectrique (22) orientÃ©e vers le substrat (10) et est rÃ©alisÃ©e en un matÃ©riau au moins partiellement transparent vis-Ã -vis du deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge de modulation, et dans lequel l'Ã©lectrode supÃ©rieure (28) est au contact d'une face supÃ©rieure (22s) du matÃ©riau pyroÃ©lectrique (22) opposÃ©e Ã la face infÃ©rieure (22i) et est rÃ©alisÃ©e en un matÃ©riau au moins partiellement transparent vis-Ã -vis du premier rayonnement infrarouge Ã dÃ©tecter. 3. Dispositif (1) selon la revendication 2, dans lequel l'Ã©lectrode infÃ©rieure (26) est rÃ©alisÃ©e en un matÃ©riau au moins partiellement absorbant vis-Ã -vis du deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge de modulation. 4. Dispositif (1) selon l'une quelconque des revendications 1 Ã 3, dans lequel la piste rÃ©sistive (41) repose sur le substrat (10). 3066017 20 5. Dispositif (1) selon l'une quelconque des revendications 1 Ã 4, dans lequel le capteur infrarouge (20) comporte un premier circuit Ã©lectronique (30) de commande et de lecture apte Ã mesurer un courant Ã©lectrique correspondant Ã la diffÃ©rence de potentiels Ã©lectriques formÃ©e aux Ã©lectrodes (26,28). 5 6. Dispositif (1) selon la revendication 5, dans lequel le premier circuit Ã©lectronique (30) comporte des premiÃ¨res portions (31) de ligne mÃ©tallique, auxquels sont en contact des piliers d'ancrage (23) assurant la suspension de la membrane absorbante (21) au-dessus du substrat (10). 7. Dispositif (1) selon la revendication 6, dans lequel les premiÃ¨res portions (31) et la piste 10 rÃ©sistive (41) sont coplanaires. 8. Dispositif (1) selon la revendication 7, dans lequel les premiÃ¨res portions (31) et la piste rÃ©sistive (41) sont sÃ©parÃ©es mutuellement par une couche diÃ©lectrique minÃ©rale (11), et dans lequel une couche de protection (12) recouvre continÃ»ment la couche diÃ©lectrique minÃ©rale (11). 15 9. Dispositif (1) selon la revendication 8, dans lequel la couche de protection (12) recouvre continÃ»ment la piste rÃ©sistive (41), et est rÃ©alisÃ©e en un matÃ©riau au moins partiellement transparent au deuxiÃ¨me rayonnement de modulation. 10. Dispositif (1) selon l'une quelconque des revendications lÃ 9, dans lequel le matÃ©riau pyroÃ©lectrique (22) comprend un polymÃ¨re choisi parmi le groupe comprenant le 20 polyfluorure de vinylidÃ¨ne, le poly(fluorure de vinylidÃ¨ne - trifluoroÃ©thylÃ¨ne), le poly(fluoro de vinylidÃ¨ne - tÃ©trafluoroÃ©thylÃ¨ne) et un mÃ©lange d'au moins deux de ces polymÃ¨res. 11. ProcÃ©dÃ© de fabrication d'un dispositif (1) de dÃ©tection d'un premier rayonnement infrarouge selon l'une quelconque des revendications prÃ©cÃ©dentes, comportant les Ã©tapes 25 suivantes : - fournir un substrat (10) ; - rÃ©aliser une piste rÃ©sistive (41) d'un Ã©metteur infrarouge (40) apte Ã Ã©mettre le deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge de modulation, connectÃ©e Ã un circuit Ã©lectronique (50) de commande adaptÃ© Ã faire circuler un signal Ã©lectrique variable 30 dans la piste rÃ©sistive (41) ; - rÃ©aliser au moins un capteur infrarouge (20) disposÃ© sur le substrat, comportant une membrane absorbante (21) apte Ã absorber le premier rayonnement infrarouge Ã dÃ©tecter et un deuxiÃ¨me rayonnement infrarouge dit de modulation, suspendue au- 3066017 21 dessus du substrat (10), comportant une Ã©lectrode infÃ©rieure (26), une Ã©lectrode supÃ©rieure (28), et un matÃ©riau pyroÃ©lectrique (22) directement interposÃ© entre ces Ã©lectrodes (26, 28), la piste rÃ©sistive (41) Ã©tant situÃ©e entre le substrat (10) et la membrane absorbante (21). 5 12. ProcÃ©dÃ© de fabrication selon la revendication 11, le substrat (10) comportant au moins une couche diÃ©lectrique (11) dite inter-mÃ©tal en un matÃ©riau minÃ©ral, dans lequel l'Ã©tape de rÃ©alisation du capteur infrarouge (20) comporte un dÃ©pÃ´t d'une couche sacrificielle (14) en un matÃ©riau minÃ©ral de maniÃ¨re Ã recouvrir le substrat (10). 13. ProcÃ©dÃ© de fabrication selon la revendication 12, dans lequel l'Ã©tape de rÃ©alisation du 10 capteur infrarouge (20) comporte un dÃ©pÃ´t d'une couche de protection (12) recouvrant la couche diÃ©lectrique (11) inter-mÃ©tal, et une suppression de la couche sacrificielle (14) minÃ©rale par attaque chimique Ã l'acide fluorhydrique.