FR 3065956 A1 20181109 FR 1751433 A 20170223 1 Dispositif MEMS ou NEMS Ã empilement de butÃ©e DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION ET ART ANTERIEUR La prÃ©sente invention s'inscrit dans le domaine technique des dispositifs Ã©lectromÃ©caniques, notamment MEMS (pour Micro Electro-Mechanical Systems) ou NEMS (pour Nano Electro-Mechanical Systems), en particulier ceux comprenant des Ã©lÃ©ments mobiles de dimensions millimÃ©triques, micromÃ©triques, voire nanomÃ©triques polarisÃ©s Ã©lectriquement, comme des capteurs ou actionneurs Ã©lectrostatiques. Il est courant d'exploiter des forces d'attraction ou de rÃ©pulsion, notamment des interactions Ã©lectrostatiques, pour rÃ©aliser une fonction Ã©lectrique, par exemple actionnement ou dÃ©tection, au sein de dispositifs MEMS. Des formes simples d'actionneurs Ã©lectrostatiques, comprenant deux Ã©lectrodes comprenant au moins une zone plane et se faisant face, auxquelles on applique une tension diffÃ©rente, sont connues en soi. Il est Ã©galement connu d'utiliser des peignes interdigitÃ©s comme Ã©lectrodes dans un tel actionneur, par exemple pour couvrir une amplitude de dÃ©placement plus importante. L'un des principaux modes de dÃ©faillance des dispositifs Ã©lectromÃ©caniques MEMS ou NEMS est le collage d'Ã©lÃ©ments mobiles, notamment par les forces de Van der Waals ou par interaction Ã©lectrostatique d'Ã©lÃ©ments mobiles polarisÃ©s diffÃ©remment. Un mode de dÃ©faillance Ã Ã©viter est le micro-arcage : un arc Ã©lectrique peut apparaÃ®tre lorsque des Ã©lÃ©ments mobiles polarisÃ©s diffÃ©remment sont polarisÃ©s par des niveaux de potentiels Ã©levÃ©s (typiquement plusieurs dizaines de volts), et/ou lorsque les Ã©lÃ©ments mobiles sont peu distants l'un de l'autre (typiquement de l'ordre du micromÃ¨tre, ou infÃ©rieur). D'autre part, ces Ã©lÃ©ments mobiles et les Ã©lÃ©ments avoisinants sont susceptibles d'Ãªtre dÃ©tÃ©riorÃ©s par des chocs violents et/ou rÃ©pÃ©tÃ©s. Pour pallier ces problÃ¨mes, une solution connue, pour deux tels Ã©lÃ©ments mobiles plans agencÃ©s sur le mÃªme plan, consiste Ã implÃ©menter des Ã©lÃ©ments de butÃ©e rigides ou flexibles mÃ©caniquement robustes sur la zone oÃ¹ lesdits Ã©lÃ©ments 3065956 2 mobiles sont susceptibles de rentrer en contact. Les forces d'adhÃ©sion, qui dÃ©pendent de la surface de contact, sont par consÃ©quent limitÃ©es. Cependant, la mise en contact d'une butÃ©e prÃ©sentant une certaine polaritÃ© avec un Ã©lÃ©ment de polaritÃ© diffÃ©rente peut gÃ©nÃ©rer un courant traversant et une 5 dÃ©charge Ã©lectrostatique, ce qui peut compromettre la fonctionnalitÃ© de l'actionneur voire l'endommager de maniÃ¨re irrÃ©versible. Le risque de microarcage n'est pas complÃ¨tement Ã©vitÃ©. Il a alors Ã©tÃ© proposÃ© d'isoler Ã©lectriquement une telle butÃ©e de l'Ã©lÃ©ment mobile hors duquel elle fait saillie, de telle sorte que son contact avec l'Ã©lÃ©ment en regard (la contrebutÃ©e) ne prÃ©sente pas un risque 10 de collage Ã©lectrostatique ou de dÃ©charge Ã©lectrostatique. La demande de brevet US 2015/0033849 Al dÃ©crit un dispositif pouvant Ãªtre implÃ©mentÃ© au sein d'un capteur inertiel MEMS, comprenant une masse plane mobile et une plaque de dÃ©tection parallÃ¨le en regard. La masse mobile et la 15 plaque de dÃ©tection sont placÃ©es Ã des potentiels Ã©lectriques diffÃ©rents. Pour Ã©viter une dÃ©charge Ã©lectrostatique lors d'Ã©vÃ©nements d'accÃ©lÃ©ration ou de choc mettant en mouvement la masse mobile, la plaque de dÃ©tection porte des Ã©lÃ©ments de butÃ©e orientÃ©s selon une direction sensiblement perpendiculaire au plan de la plaque de dÃ©tection. Lesdits Ã©lÃ©ments de butÃ©e sont isolÃ©s Ã©lectriquement de la 20 plaque de dÃ©tection et placÃ©s au mÃªme potentiel que celui de la masse mobile en regard. Toutefois, cette solution n'est pertinente que si le mouvement relatif des Ã©lÃ©ments mobiles se fait hors plan, avec une composante selon la direction perpendiculaire aux Ã©lÃ©ments mobiles plans (verticale dans cet exemple) pouvant produire un contact entre deux Ã©lÃ©ments mobiles avec risque de dÃ©charge 25 Ã©lectrostatique. PRESENTATION GENERALE DE L'INVENTION La prÃ©sente invention propose une solution appropriÃ©e pour deux Ã©lectrodes 30 planes coplanaires situÃ©s sur une mÃªme couche au sein d'un dispositif MEMS ou NEMS, mobiles l'une par rapport Ã l'autre selon au moins une premiÃ¨re direction de dÃ©placement comprise dans le plan des Ã©lectrodes, les Ã©lectrodes Ã©tant destinÃ©es Ã Ãªtre placÃ©es Ã des potentiels diffÃ©rents. 3065956 3 La solution de l'invention assure la tenue mÃ©canique en fonctionnement de ces deux Ã©lÃ©ments mobiles l'un par rapport Ã l'autre, tout en prÃ©servant leur fonctionnalitÃ© Ã©lectromÃ©canique, aprÃ¨s un Ã©vÃ©nement vibratoire ou de choc entraÃ®nant leur mouvement dans le plan. 5 En sus d'une premiÃ¨re couche plane comprenant deux Ã©lÃ©ments dont au moins un mobile, polarisÃ©s diffÃ©remment (typiquement des Ã©lectrodes) et assurant Ã eux deux la fonctionnalitÃ© Ã©lectromÃ©canique requise, il est proposÃ© d'implÃ©menter une couche supplÃ©mentaire isolÃ©e Ã©lectriquement de la premiÃ¨re, comprenant des Ã©lÃ©ments mobiles l'un par rapport Ã l'autre, mÃ©caniquement solidaires des deux 10 Ã©lÃ©ments de la premiÃ¨re couche, pouvant Ãªtre mis en mouvement dans leur plan et buter l'un contre l'autre. L'invention vise Ã Ã©viter un contact direct entre deux Ã©lÃ©ments polarisÃ©s diffÃ©remment dont on souhaite prÃ©server la fonction, voire Ã Ã©viter que lesdits 15 Ã©lÃ©ments ne soient suffisamment proches pour engendrer un phÃ©nomÃ¨ne de micro-arcage. De ce fait, la tenue mÃ©canique et Ã©lectrique desdits Ã©lÃ©ments est assurÃ©e mÃªme en cas d'Ã©vÃ©nement vibratoire ou de choc, et mÃªme si lesdits Ã©lÃ©ments sont constituÃ©s de matÃ©riaux fragiles. 20 Les risques liÃ©s aux interactions Ã©lectrostatiques sont ainsi limitÃ©s avec une mise en oeuvre simple et fiable, adaptÃ©e Ã un dispositif de dimensions micromÃ©triques ou nanomÃ©triques, dans un souci de miniaturisation d'un tel dispositif. Ainsi, l'invention concerne un dispositif MEMS ou NEMS de type capteur ou 25 actionneur comprenant un empilement, dont une premiÃ¨re couche plane comprenant deux Ã©lectrodes planes destinÃ©es Ã Ãªtre placÃ©es Ã des potentiels Ã©lectriques diffÃ©rents, la premiÃ¨re Ã©lectrode Ã©tant mobile dans le plan relativement Ã la deuxiÃ¨me Ã©lectrode selon une premiÃ¨re direction parallÃ¨le Ã la premiÃ¨re couche plane, et une deuxiÃ¨me couche plane superposÃ©e Ã la premiÃ¨re, isolÃ©e 30 Ã©lectriquement de la premiÃ¨re couche par au moins une couche intermÃ©diaire formÃ©e en matÃ©riau isolant, la deuxiÃ¨me couche plane comprenant un premier Ã©lÃ©ment plan solidaire mÃ©caniquement de la premiÃ¨re Ã©lectrode plane et un deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ment plan solidaire mÃ©caniquement de la deuxiÃ¨me Ã©lectrode plane. 3065956 4 La deuxiÃ¨me couche comprend en outre un Ã©lÃ©ment de butÃ©e faisant saillie de l'un quelconque de ces deux Ã©lÃ©ments plans suivant la premiÃ¨re direction susnommÃ©e, cet Ã©lÃ©ment de butÃ©e Ã©tant destinÃ© Ã Ãªtre au mÃªme potentiel Ã©lectrique qu'une surface en regard appartenant Ã l'autre des Ã©lÃ©ments plans. La butÃ©e peut venir 5 en contact avec ladite surface de l'Ã©lÃ©ment plan en regard, et bloquer le rapprochement des deux Ã©lectrodes planes de la premiÃ¨re couche plane selon la premiÃ¨re direction lors d'une sollicitation, afin d'Ã©viter qu'elles ne soient trop proches. 10 De maniÃ¨re avantageuse mais non limitative, dans un Ã©tat non sollicitÃ© comme en sortie d'usine, l'empilement est agencÃ© pour que, si l'on considÃ¨re la distance d'excursion libre de la butÃ©e, entre l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e et l'Ã©lÃ©ment plan en regard, selon la premiÃ¨re direction susmentionnÃ©e de dÃ©placement des Ã©lectrodes, ladite distance d'excursion libre soit infÃ©rieure Ã la distance minimale entre toute 15 extrÃ©mitÃ© libre de la premiÃ¨re Ã©lectrode plane et une extrÃ©mitÃ© la plus proche de la deuxiÃ¨me Ã©lectrode plane, prise selon cette mÃªme premiÃ¨re direction. L'Ã©lÃ©ment de butÃ©e peut alors, lors d'un Ã©vÃ©nement induisant un dÃ©placement relatif des deux Ã©lectrodes selon cette mÃªme premiÃ¨re direction, interrompre ledit 20 mouvement relatif des deux Ã©lectrodes avant que la premiÃ¨re Ã©lectrode ne soit mise en contact avec la deuxiÃ¨me. De faÃ§on optionnelle, au moins l'une des Ã©lectrodes planes de la premiÃ¨re couche est prise au moins partiellement dÃ©formable selon la premiÃ¨re direction. Une 25 distance de flÃ¨che d'Ã©lectrode est alors dÃ©finie comme la dÃ©formation maximale de l'Ã©lectrode dÃ©formable selon cette mÃªme direction, ou la somme des dÃ©formations maximales des deux Ã©lectrodes, si les deux Ã©lectrodes sont prises dÃ©formables selon la premiÃ¨re direction. La distance minimale entre les Ã©lectrodes est alors prise supÃ©rieure Ã la somme de la distance de flÃ¨che d'Ã©lectrode et de la 30 premiÃ¨re distance d'excursion libre des Ã©lectrodes. De faÃ§on optionnelle, et cumulative ou non avec la dÃ©formabilitÃ© des Ã©lectrodes, au moins l'une des Ã©lÃ©ments plans de la deuxiÃ¨me couche est pris au moins partiellement dÃ©formable selon la premiÃ¨re direction. Une distance de flÃ¨che 3065956 5 d'Ã©lÃ©ment plan est alors dÃ©finie comme la dÃ©formation maximale dudit Ã©lÃ©ment plan (par exemple de la butÃ©e, si ledit Ã©lÃ©ment plan porte une butÃ©e) selon cette mÃªme direction, ou la somme des dÃ©formations maximales des deux Ã©lÃ©ments plans, si les deux Ã©lÃ©ments plans sont pris dÃ©formables selon la premiÃ¨re direction. 5 La distance minimale entre les Ã©lectrodes est alors prise supÃ©rieure Ã la somme de la distance de flÃ¨che d'Ã©lÃ©ment plan et de la premiÃ¨re distance d'excursion libre des Ã©lectrodes. Selon une implÃ©mentation particuliÃ¨re, oÃ¹ l'un des deux Ã©lÃ©ments plans est 10 partiellement dÃ©formable selon la premiÃ¨re direction, la deuxiÃ¨me couche plane est percÃ©e d'une cavitÃ© (non dÃ©bouchante, qui ne traverse pas l'empilement complet), pratiquÃ©e Ã l'ancrage de la butÃ©e. Selon une autre implÃ©mentation, qui peut ou non Ãªtre cumulÃ©e Ã la premiÃ¨re, la deuxiÃ¨me couche plane est percÃ©e d'une cavitÃ© non dÃ©bouchante, le long du bord externe de la contrebutÃ©e (surface 15 en regard de la butÃ©e). Dans les deux implÃ©mentations, la distance de flÃ¨che d'Ã©lÃ©ments plans est la somme des dimensions des deux cavitÃ©s, ou la dimension de l'unique cavitÃ© si une seule cavitÃ© est pratiquÃ©e. Selon une autre implÃ©mentation, oÃ¹ le premier Ã©lÃ©ment plan porte un premier 20 Ã©lÃ©ment de butÃ©e (par exemple sous forme de poutre) et le deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ment plan porte un deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ment de butÃ©e similaire, les deux Ã©lectrodes planes et les deux Ã©lÃ©ments plans sont dÃ©formables selon la premiÃ¨re direction.La dÃ©formabilitÃ© est obtenue par deux cavitÃ©s dÃ©bouchantes, qui traversent l'empilement, une premiÃ¨re Ã©tant pratiquÃ©e Ã l'ancrage de la premiÃ¨re butÃ©e, en correspondance 25 selon la premiÃ¨re direction avec la premiÃ¨re butÃ©e mais pas avec la deuxiÃ¨me butÃ©e, formant une premiÃ¨re lame flexible, une deuxiÃ¨me Ã©tant pratiquÃ©e Ã l'ancrage de la deuxiÃ¨me butÃ©e, en correspondance selon la premiÃ¨re direction avec la deuxiÃ¨me butÃ©e mais pas avec la premiÃ¨re butÃ©e, formant une deuxiÃ¨me lame flexible. 30 La premiÃ¨re distance d'excursion libre est alors dÃ©finie comme la distance minimale entre l'une des butÃ©es et la contrebutÃ©e. La distance de flÃ¨che d'Ã©lectrodes est alors la somme des dimensions des deux cavitÃ©s dÃ©bouchantes. 3065956 6 Dans une variante de cette derniÃ¨re implÃ©mentation, oÃ¹ l'on conserve les mÃªmes premier et deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ments de butÃ©e, une premiÃ¨re cavitÃ© dÃ©bouchante est pratiquÃ©e dans la premiÃ¨re Ã©lectrode plane, en correspondance selon la premiÃ¨re direction avec une extrÃ©mitÃ© de la deuxiÃ¨me 5 butÃ©e, formant une premiÃ¨re lame flexible, et une deuxiÃ¨me cavitÃ© dÃ©bouchante est pratiquÃ©e toujours dans la premiÃ¨re Ã©lectrode plane, Ã l'ancrage du premier Ã©lÃ©ment de butÃ©e, en correspondance selon la premiÃ¨re direction avec la premiÃ¨re butÃ©e. Les deux cavitÃ©s dÃ©bouchantes sont donc pratiquÃ©es cÃ´te-Ã -cÃ´te pour former deux lames flexibles juxtaposÃ©es. 10 La premiÃ¨re distance d'excursion libre est alors dÃ©finie comme la distance minimale entre l'une des butÃ©es et la surface en regard dans la deuxiÃ¨me couche. De faÃ§on optionnelle, par exemple en relation avec les deux derniÃ¨res 15 implÃ©mentations sus-citÃ©es, les deux Ã©lectrodes sont Ã©galement mobiles l'une par rapport Ã l'autre selon une deuxiÃ¨me direction sensiblement perpendiculaire Ã la premiÃ¨re direction, la deuxiÃ¨me direction Ã©tant parallÃ¨le aux couches de l'empilement. Le premier Ã©lÃ©ment plan comprend une premiÃ¨re butÃ©e et le deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ment plan comprend une deuxiÃ¨me butÃ©e. L'empilement est alors 20 configurÃ© de sorte que dans l'Ã©tat non sollicitÃ©, toute extrÃ©mitÃ© libre de la premiÃ¨re Ã©lectrode plane se trouve, par rapport Ã la deuxiÃ¨me Ã©lectrode plane, Ã une distance minimale supÃ©rieure Ã une deuxiÃ¨me distance d'excursion libre qui correspond Ã la deuxiÃ¨me direction, la deuxiÃ¨me distance d'excursion libre Ã©tant prise comme la distance minimale entre les deux butÃ©es selon la deuxiÃ¨me 25 direction. De faÃ§on avantageuse mais non limitative, une Ã©lectrode comprend une plaque plane. 30 De faÃ§on avantageuse mais non limitative, une Ã©lectrode comprend un peigne Ã©lectrostatique. PRESENTATION DES FIGURES 3065956 7 D'autres caractÃ©ristiques, buts et avantages de la prÃ©sente invention apparaÃ®tront mieux dans les modes de rÃ©alisation particuliers dÃ©crits ci-aprÃ¨s, ainsi qu'Ã la vue des figures suivantes, qui doivent Ãªtre interprÃ©tÃ©es Ã titre purement illustratif et non limitatif. 5 La figure 1 est une vue schÃ©matique d'un empilement de butÃ©e suivant un premier mode de rÃ©alisation, dans laquelle le plan d'empilement des Ã©lectrodes est vu de dessus. 10 La figure 2 reprend le dispositif illustrÃ© en figure 1, en vue en coupe selon un plan perpendiculaire au plan de l'empilement, le plan de coupe Ã©tant indiquÃ© par les axes A. La figure 3 reprend le dispositif illustrÃ© en figure 1, vu en perspective Ã©clatÃ©e du 15 dessus. La figure 4 est est une vue schÃ©matique d'un empilement de butÃ©e suivant une variante du premier mode de rÃ©alisation, dans laquelle le plan d'empilement des Ã©lectrodes est vu de dessus. 20 La figure 5 reprend le dispositif illustrÃ© en figure 4, en vue en coupe selon un plan perpendiculaire au plan de l'empilement, le plan de coupe Ã©tant indiquÃ© par les axes A. 25 La figure 6 reprend le dispositif illustrÃ© en figure 4, vu en perspective Ã©clatÃ©e du dessus. La figure 7 est est une vue schÃ©matique d'un empilement de butÃ©e suivant une autre variante du premier mode de rÃ©alisation, dans laquelle le plan d'empilement 30 des Ã©lectrodes est vu de dessus. La figure 8 reprend le dispositif illustrÃ© en figure 7, en vue en coupe selon un plan perpendiculaire au plan de l'empilement, le plan de coupe Ã©tant indiquÃ© par les axes A. 3065956 8 La figure 9 reprend le dispositif illustrÃ© en figure 7, vu en perspective Ã©clatÃ©e du dessus. 5 La figure 10 est une vue schÃ©matique d'un empilement de butÃ©e suivant un deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation, dans laquelle le plan d'empilement des Ã©lectrodes est vu de dessus. La figure 11 reprend le dispositif illustrÃ© en figure 10, en vue en coupe selon un 10 plan perpendiculaire au plan de l'empilement, le plan de coupe Ã©tant indiquÃ© par les axes A. La figure 12 reprend le dispositif illustrÃ© en figure 10, vu en perspective Ã©clatÃ©e du dessus. 15 La figure 13 est une vue schÃ©matique d'un empilement de butÃ©e suivant une variante du deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation, dans laquelle le plan d'empilement des Ã©lectrodes est vu de dessus. 20 La figure 14 reprend le dispositif illustrÃ© en figure 13, en vue en coupe selon un plan perpendiculaire au plan de l'empilement, le plan de coupe Ã©tant indiquÃ© par les axes A. La figure 15 reprend le dispositif illustrÃ© en figure 13, vu en perspective Ã©clatÃ©e 25 du dessus. DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION On a reprÃ©sentÃ© en figures 1 Ã 3 un premier mode de rÃ©alisation d'un empilement 30 de butÃ©e en couches, dans un dispositif MEMS ou NEMS. L'empilement est vu de dessus en figure 1, selon un axe de vision perpendiculaire Ã l'empilement. Il est vu de cÃ´tÃ© en figure 2, en coupe selon un plan perpendiculaire au plan de l'empilement, matÃ©rialisÃ© par l'axe A en pointillÃ©s sur la figure 1 et par les deux axes A en pointillÃ©s de la figure 3. Enfin, il est en perspective Ã©clatÃ©e vue 3065956 9 du dessus sur la figure 3, qui indique deux directions parallÃ¨les Ã la direction A pour figurer la coupe rÃ©alisÃ©e en figure 2. Sur une premiÃ¨re couche 1 surjacente, une Ã©lectrode de gauche 10 comprend une 5 partie gauche plane d'un seul tenant, et une partie droite formant un peigne Ã©lectrostatique solidaire de la partie gauche. L'Ã©lectrode de gauche 10 est considÃ©rÃ©e mobile uniquement selon une premiÃ¨re direction matÃ©rialisÃ©e par l'axe A. En regard de l'Ã©lectrode de gauche 10, une Ã©lectrode de droite 11 est de conception semblable, avec une partie droite plane d'un seul tenant et une partie 10 gauche formant deux peignes Ã©lectrostatiques latÃ©raux symÃ©triques pouvant entrer en interaction Ã©lectrostatique avec le peigne de l'Ã©lectrode 10. L'Ã©lectrode de droite 11 est ici considÃ©rÃ©e fixe. Pour ce premier mode de rÃ©alisation, lorsque l'on parlera d'un dÃ©placement de 15 l'Ã©lectrode 10 ou d'un dÃ©placement relatif des deux Ã©lectrodes 10 et 11, on ne considÃ¨rera qu'un dÃ©placement selon cette premiÃ¨re direction matÃ©rialisÃ©e par l'axe A. Les deux Ã©lectrodes 10 et 11 sont, par exemple, fabriquÃ©es en silicium. Dans le prÃ©sent mode de rÃ©alisation, elles sont considÃ©rÃ©es non dÃ©formables selon la direction A. 20 L'Ã©lectrode de gauche est polarisÃ©e diffÃ©remment de l'Ã©lectrode de droite, de sorte qu'un contact entre l'une quelconque des extrÃ©mitÃ©s de l'Ã©lectrode 10 et l'une quelconque des extrÃ©mitÃ©s de l'Ã©lectrode 11 peut entraÃ®ner un court-circuit et/ou une dÃ©charge Ã©lectrostatique, pouvant endommager de maniÃ¨re irrÃ©versible 25 l'empilement de butÃ©e, voire l'Ã©lectronique de commande/lecture du fait du court- circuit engendrÃ©. Par ailleurs, des risques de dÃ©faillance existent mÃªme si les Ã©lectrodes 10 et 11 ne sont pas mises en contact direct, mais sont rapprochÃ©es d'une courte distance (de l'ordre du micromÃ¨tre), suffisamment faible pour crÃ©er un champ disruptif dans l'air, et provoquer un phÃ©nomÃ¨ne de micro-arcage. 30 Une couche 3 constitue une couche intermÃ©diaire Ã©lectriquement isolante. Cette couche est placÃ©e sous la couche 1 et n'est visible que sur les figures 2 et 3. Au sein de cette couche, on a placÃ© une surface isolante plane gauche sous la partie gauche plane de l'Ã©lectrode 10, et une surface isolante plane droite sous la partie 3065956 10 droite plane de l'Ã©lectrode 11. La partie centrale de la couche 1 comprenant une alternance de dents du peigne de l'Ã©lectrode 10 et du peigne de l'Ã©lectrode 11 est laissÃ©e sans Ã©lÃ©ment isolant sous-jacent dans la couche 3. Sous la couche 3, est disposÃ©e une couche 2 de semi-conducteur. C'est cette 5 sous-couche 2 qui comprend un Ã©lÃ©ment de butÃ©e. Un Ã©lÃ©ment mobile plan 20 de gauche est disposÃ© en correspondance de l'Ã©lectrode de gauche 10. Ici, l'Ã©lÃ©ment mobile plan 20 est de mÃªme largeur, selon une direction perpendiculaire Ã la direction A, que l'Ã©lectrode 10. L'Ã©lÃ©ment mobile 20 s'Ã©tend sur une plus grande distance vers la droite de la figure 1, vers l'Ã©lectrode 11 en regard, que le bord droit 10 de la partie gauche plane de l'Ã©lectrode 10. Ainsi, l'Ã©lÃ©ment mobile 20 s'Ã©tend vers la droite jusqu'Ã un Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24, solidaire de l'Ã©lÃ©ment mobile 20, formant son bord droit externe. L'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24 ne s'Ã©tend pas nÃ©cessairement sur toute la largeur de l'Ã©lÃ©ment mobile 20 et de l'Ã©lectrode 10. 15 La butÃ©e 24 fait ainsi saillie hors de l'Ã©lÃ©ment mobile 20 dans la direction A. Ici, la butÃ©e 24 est situÃ©e Ã l'aplomb de l'Ã©lectrode 10 et notamment du peigne qui fait saillie de ladite Ã©lectrode. Toutefois, de maniÃ¨re alternative, la butÃ©e 24 pourrait faire saillie de l'Ã©lÃ©ment mobile 20 Ã un emplacement qui ne serait pas situÃ© sous le peigne. La butÃ©e 24 pourrait par exemple Ãªtre situÃ©e sous la partie gauche pleine 20 de l'Ã©lectrode 10. Une autre propriÃ©tÃ© importante du systÃ¨me est que l'Ã©lÃ©ment mobile 20 est solidaire mÃ©caniquement de l'Ã©lectrode 10, notamment dans son mouvement de translation selon la direction A. Dans leur mouvement de translation selon cette 25 direction, l'Ã©lÃ©ment mobile 20 et l'Ã©lectrode 10 sont maintenus par des moyens de suspension 5 implÃ©mentÃ©s d'une part dans la premiÃ¨re couche 1, et d'autre part dans la deuxiÃ¨me couche 2 (mais pas dans la couche isolante 3). Ces moyens de suspension 5 permettent Ã l'Ã©lectrode 10 et Ã l'Ã©lÃ©ment plan 20 de se translater, en restant mÃ©caniquement solidaires, par rapport Ã une partie fixe du dispositif 30 MEMS situÃ©e derriÃ¨re les moyens de suspension 5. La surface isolante plane gauche de la couche 3 rend ainsi l'Ã©lectrode 10 solidaire mÃ©caniquement de l'Ã©lÃ©ment mobile 20. Elle crÃ©e Ã©galement une isolation Ã©lectrique entre l'Ã©lectrode 10 et l'Ã©lÃ©ment mobile 20, afin d'assurer que les 3065956 11 potentiels Ã©lectriques des Ã©lÃ©ments 10 et 20 soient indÃ©pendants Ã toute position de l'ensemble formÃ© par les Ã©lÃ©ments 10 et 20 selon la direction A. Au sein de la couche 2, en regard de l'Ã©lÃ©ment mobile 20 et notamment de l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24, est agencÃ© un Ã©lÃ©ment mobile plan 21 de droite, disposÃ© 5 en correspondance verticale avec l'Ã©lectrode de droite 11. De mÃªme que pour l'Ã©lÃ©ment mobile 20 de gauche, l'Ã©lÃ©ment mobile 21 s'Ã©tend sur une plus grande distance vers la gauche, vers l'Ã©lectrode 10, que la partie plane droite de l'Ã©lectrode de droite 11, par son bord gauche 23. L'Ã©lÃ©ment mobile 21 est solidaire de l'Ã©lectrode 11, notamment dans son mouvement de translation selon la direction 10 A. La surface isolante plane droite de la couche 3 est prÃ©fÃ©rentiellement Ã©galement solidaire de l'Ã©lectrode 11 et de l'Ã©lÃ©ment mobile 21. Le bord gauche 23 se trouve donc en regard de l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24, Ã une distance DB de l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24 selon la direction A, la distance DB Ã©tant ici 15 une premiÃ¨re distance d'excursion libre. La premiÃ¨re distance d'excursion libre DB correspond Ã l'amplitude maximale de dÃ©placement selon la premiÃ¨re direction A de la butÃ©e 24 par rapport Ã l'Ã©lÃ©ment mobile 23 (et donc, de l'Ã©lectrode de gauche 10 par rapport Ã l'Ã©lectrode de droite 20 11). Lors d'un Ã©vÃ©nement de choc qui occasionne un dÃ©placement de l'Ã©lÃ©ment mobile 20 par rapport Ã l'Ã©lÃ©ment 21 et de l'Ã©lectrode 10 par rapport Ã l'Ã©lectrode 11, l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24 interrompt le rapprochement selon la direction A de ces Ã©lÃ©ments en venant buter contre le bord droit 23, pour assurer que l'Ã©lectrode 10 ne soit pas, dans cet Ã©tat de rapprochement maximal, Ã une distance de l'Ã©lectrode 25 11 plus basse qu'une distance D2. La distance D2 de rapprochement maximal entre les Ã©lectrodes tient compte du risque qu'un phÃ©nomÃ¨ne de micro-arcage se produise entre des extrÃ©mitÃ©s voisines des deux Ã©lectrodes 10 et 11. Cette distance D2 dÃ©pend des conditions de mise en oeuvre, notamment des niveaux de potentiel mis en oeuvre au niveau des Ã©lectrodes 10 et 11. Elle est typiquement de 30 l'ordre du micromÃ¨tre. Cette distance D2 n'est pas visible sur les figures 1 Ã 3. La distance Dmr, minimale entre les Ã©lectrodes 10 et 11 dans un Ã©tat non sollicitÃ© (donc hors de l'Ã©tat de rapprochement maximal) est ainsi prise supÃ©rieure Ã la somme de la premiÃ¨re distance d'excursion libre DB selon la premiÃ¨re direction A, et de la distance D2 dÃ©pendant des conditions de mise en oeuvre. Cette distance Dmin entre 3065956 12 les Ã©lectrodes 10 et 11 selon la direction A est, dans le prÃ©sent exemple, rÃ©alisÃ©e entre le bord droit de la dent 101 du peigne de l'Ã©lectrode 10 et le bord gauche de la dent 102 du peigne de l'Ã©lectrode 11, les rÃ©fÃ©rences 101 et 102 Ã©tant visibles Ã la figure 2 de la prÃ©sente demande. Les Ã©lectrodes pouvant comporter par 5 exemple des peignes Ã©lectrostatiques classiques de petites dimensions, il peut Ãªtre nÃ©cessaire d'implÃ©menter une distance d'excursion libre trÃ¨s faible, typiquement de l'ordre de 5 microns. Egalement de maniÃ¨re importante, le contact entre l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24 et le bord 10 gauche 23 de l'Ã©lÃ©ment mobile droit 21 ne doit pas prÃ©senter les mÃªmes risques de court-circuit, de dÃ©charge Ã©lectrostatique ou de collage Ã©lectrostatique que le contact entre deux extrÃ©mitÃ©s libres des Ã©lectrodes 10 et 11, comme les extrÃ©mitÃ©s 101 et 102. Dans l'exemple prÃ©sentÃ© ici, tous les Ã©lÃ©ments de la sous-couche 2 sont polarisÃ©s de la mÃªme maniÃ¨re. La couche intermÃ©diaire isolante 3 assure 15 l'indÃ©pendance entre les potentiels Ã©lectriques des Ã©lÃ©ments de la couche 1 et les potentiels Ã©lectriques des Ã©lÃ©ments de la couche 2, bien qu'il existe des dÃ©pendances entre les positions selon la direction A de certains de ces Ã©lÃ©ments. On a reprÃ©sentÃ© en figures 4 Ã 6 une premiÃ¨re variante du premier mode de 20 rÃ©alisation des figures 1 Ã 3. De mÃªme que pour les figures 1 Ã 3: l'empilement est vu de dessus en figure 4, selon un axe de vision perpendiculaire Ã l'empilement sur le cÃ´tÃ© en figure 5, en coupe selon un plan perpendiculaire au plan de l'empilement, matÃ©rialisÃ© par l'axe A en pointillÃ©s, et vu enfin en perspective Ã©clatÃ©e vue du dessus sur la figure 6. 25 La mise en oeuvre des couches 1, 2 et 3, des Ã©lectrodes 10 et 11, et des Ã©lÃ©ments plans correspondants 20 et 21, est semblable Ã celle reprÃ©sentÃ©e sur les figures 1 Ã 3. La mise en oeuvre de la butÃ©e 24 faisant saillie de l'Ã©lÃ©ment plan 20 est Ã©galement semblable, Ã ceci prÃ¨s que la butÃ©e est rendue flexible par rapport au 30 mode de rÃ©alisation prÃ©cÃ©dent. Ici, une cavitÃ© 26 est pratiquÃ©e Ã l'ancrage de l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24, avec un lÃ©ger retrait par rapport au bord externe droit de l'Ã©lÃ©ment plan 20. La cavitÃ© 26 n'est pas formÃ©e sur toute la largeur de l'Ã©lÃ©ment plan 20, mais elle doit Ãªtre formÃ©e sur une largeur strictement supÃ©rieure Ã celle de l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24, afin d'assurer la mobilitÃ© de la butÃ©e 24 par rapport Ã 3065956 13 l'Ã©lÃ©ment plan 20 selon la direction A. La cavitÃ© 26 forme ainsi, de part et d'autre de la butÃ©e 24, deux lames encastrÃ©es libres. La butÃ©e 24 n'est par ailleurs pas dÃ©formable selon une direction perpendiculaire Ã la direction A (verticale sur la figure), puisqu'elle est maintenue par les deux lames encastrÃ©es libres de part et 5 d'autre de la butÃ©e 24. La contrebutÃ©e (surface 23 en regard de la butÃ©e 24), elle, reste indÃ©formable selon la direction A. Il est Ã noter que la butÃ©e flexible 24 est ici formÃ©e par deux lames encastrÃ©es libres, mais pourrait Ãªtre mise en oeuvre de toute autre maniÃ¨re connue dans les dispositifs Ã©lectromÃ©caniques (chevron...) 10 Les deux Ã©lÃ©ments plans 20 et 21, et avec eux les Ã©lectrodes 10 et 11 liÃ©es mÃ©caniquement auxdits Ã©lÃ©ments plans, peuvent se rapprocher l'un de l'autre en rÃ©ponse Ã une sollicitation, maintenus par les moyens de suspension 5. Si le rapprochement est suffisant, la butÃ©e 24 peut rentrer en contact avec la surface 23 en regard, puis les Ã©lÃ©ments plans 20 et 21 peuvent encore se rapprocher sous 15 l'effet du dÃ©placement vers la gauche de la lame flexible, la cavitÃ© 26 Ã©tant alors refermÃ©e. La cavitÃ© 26 n'est formÃ©e que dans la deuxiÃ¨me couche plane, puisque la premiÃ¨re couche plane n'est pas pleine dans la zone verticalement situÃ©e au-dessus de la cavitÃ© 26 (zone des peignes Ã©lectrostatiques des Ã©lectrodes). La cavitÃ© 26 est d'une dimension selon la direction A qui correspond Ã une distance 20 de flÃ¨che d'Ã©lÃ©ment plan DFp, telle que reprÃ©sentÃ©e en figure 5, correspondant Ã la dÃ©formation maximale de l'Ã©lÃ©ment plan 20 selon la direction A. Ainsi, en rÃ©ponse Ã une sollicitation, les Ã©lectrodes 10 et 11, et notamment la dent 101 du peigne de l'Ã©lectrode 10 et la dent 102 du peigne de l'Ã©lectrode 11, sont 25 susceptibles de se rapprocher d'une distance maximale DB (premiÃ¨re distance d'excursion libre) Ã laquelle on ajoute la distance de flÃ¨che d'Ã©lÃ©ment plan DFp. Le dimensionnement de l'empilement est, dans cette variante du premier mode de rÃ©alisation, effectuÃ© de maniÃ¨re Ã ce que la distance minimale Dm,,, dans un Ã©tat non sollicitÃ© entre les Ã©lectrodes 10 et 11 selon la direction A, rÃ©alisÃ©e par exemple 30 ici entre les dents 101 et 102, soit supÃ©rieure Ã la somme des distances DB et DFp. Ainsi, on assure que mÃªme en cas de sollicitation qui engendrerait un rapprochement des Ã©lectrodes 10 et 11, les dents 101 et 102 ne sont pas susceptibles de se toucher. On pourrait Ã©galement tenir compte d'une distance D2 de micro-arcage, en-deÃ§Ã de laquelle on estime qu'il existe un risque qu'un arc 3065956 14 Ã©lectrique se forme dans la fine couche de gaz sÃ©parant les dents 101 et 102. Dans ce cas, la distance Dmin devrait Ãªtre prise supÃ©rieure Ã DB + DFp + D2, afin que mÃªme dans un Ã©tat oÃ¹ les deux Ã©lectrodes 10 et 11 sont rapprochÃ©es, une dÃ©faillance liÃ©e au micro-arcage soit Ã©vitÃ©e. 5 En figures 7 Ã 9, on a reprÃ©sentÃ© une deuxiÃ¨me variante du premier mode de rÃ©alisation des figures 1 Ã 3. De mÃªme que pour les figures 1 Ã 3 : l'empilement est vu de dessus en figure 7, selon un axe de vision perpendiculaire Ã l'empilement sur le cÃ´tÃ© en figure 8, en coupe selon un plan perpendiculaire au plan de 10 l'empilement, matÃ©rialisÃ© par l'axe A en pointillÃ©s, et vu enfin en perspective Ã©clatÃ©e vue du dessus sur la figure 9. Dans cette variante, la forme des Ã©lectrodes de la couche 1 et de la butÃ©e 24 est semblable Ã celle dÃ©crite en relation aux figures 1 Ã 3. 15 De mÃªme que pour la premiÃ¨re variante dÃ©crite ci-avant, on introduit une lame flexible dans la couche 2 pour induire une dÃ©formabilitÃ© partielle selon la premiÃ¨re direction A. Mais Ã la diffÃ©rence de la premiÃ¨re variante dÃ©crite en figures 4 Ã 6, on ne pratique pas une cavitÃ© Ã l'ancrage de la butÃ©e 24. Ici, on pratique une cavitÃ© 20 27 dans l'Ã©lÃ©ment plan 21, dans la rÃ©gion faisant face Ã la butÃ©e 24 (c'est-Ã -dire dans la rÃ©gion de la contrebutÃ©e). Avec un lÃ©ger retrait par rapport au bord externe gauche de l'Ã©lÃ©ment mobile plan 21, on rÃ©alise une cavitÃ© allongÃ©e, sur une largeur selon la direction perpendiculaire Ã la direction A qui est infÃ©rieure Ã la largeur totale de l'Ã©lÃ©ment plan 21 mais supÃ©rieure Ã la largeur de l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24, 25 de sorte Ã former une lame bi-encastrÃ©e flexible, la partie de l'Ã©lÃ©ment plan 21 situÃ©e Ã gauche de la cavitÃ© 27 Ã©tant dÃ©formable selon la premiÃ¨re direction A. La lame flexible ainsi formÃ©e n'est par ailleurs pas dÃ©formable selon une direction perpendiculaire Ã la direction A (verticale sur la figure), puisque maintenue par les bords de la cavitÃ© 27. La butÃ©e 24 demeure, elle, indÃ©formable selon la direction 30 A. Les deux Ã©lÃ©ments plans 20 et 21, et avec eux les Ã©lectrodes 10 et 11 (liÃ©es mÃ©caniquement auxdits Ã©lÃ©ments plans) peuvent lÃ encore se rapprocher l'un de l'autre en rÃ©ponse Ã une sollicitation, maintenus par les moyens de suspension 5. 3065956 15 Si le rapprochement est suffisant, la butÃ©e 24 peut rentrer en contact avec la surface 23 en regard, puis les Ã©lÃ©ments plans 20 et 21 peuvent encore se rapprocher sous l'effet du dÃ©placement vers la droite de la lame flexible, la cavitÃ© 27 Ã©tant alors refermÃ©e. La cavitÃ© 27 n'est lÃ encore formÃ©e que dans la deuxiÃ¨me 5 couche 2, et est d'une dimension qui correspond Ã une distance de flÃ¨che d'Ã©lÃ©ment plan DFp, telle que reprÃ©sentÃ©e en figure 5. Cette distance de flÃ¨che d'Ã©lÃ©ment plan reprÃ©sente la dÃ©formation maximale de l'Ã©lÃ©ment plan 21 selon la direction A. 10 Ainsi, en rÃ©ponse Ã une sollicitation, les Ã©lectrodes 10 et 11, et notamment la dent 101 du peigne de l'Ã©lectrode 10 et la dent 102 du peigne de l'Ã©lectrode 11, sont susceptibles de se rapprocher d'une distance maximale DB (premiÃ¨re distance d'excursion libre) Ã laquelle on ajoute la distance de flÃ¨che d'Ã©lÃ©ment plan DFp. La distance minimale Dmjn dans un Ã©tat non sollicitÃ© entre les Ã©lectrodes 10 et 11 selon 15 la direction A, rÃ©alisÃ©e par exemple ici entre les dents 101 et 102, est supÃ©rieure Ã la somme des distances DB et DFp. Si l'on veut, de maniÃ¨re optionnelle, tenir compte des risques de dÃ©faillance liÃ©s Ã un micro-arcage, on peut dÃ©finir une distance D2 minimale entre les extrÃ©mitÃ©s d'Ã©lectrodes, en-deÃ§Ã de laquelle ledit risque existe. On dimensionnerait alors l'empilement de sorte Ã avoir Dmin supÃ©rieur 20 Ã la somme DB DFP + D2. On a reprÃ©sentÃ© en figures 10 Ã 12 un deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation d'un empilement en couches, oÃ¹ la mise en oeuvre des Ã©lectrodes et des butÃ©es est diffÃ©rente par rapport Ã toutes les figures prÃ©cÃ©demment dÃ©crites. On reprÃ©sente 25 ici des Ã©lectrodes 10' et 11'. L'empilement est vu de dessus en figure 10, selon un axe de vision perpendiculaire Ã l'empilement. Il est vu de cÃ´tÃ© en figure 11, en coupe selon un plan perpendiculaire au plan de l'empilement, matÃ©rialisÃ© par l'axe A en pointillÃ©s sur la 30 figure 10 et par les deux axes A en pointillÃ©s de la figure 12. Enfin, il est vu en perspective Ã©clatÃ©e du dessus sur la figure 12, qui indique deux directions parallÃ¨les Ã la direction A pour figurer la coupe rÃ©alisÃ©e en figure 11. 3065956 16 Les rÃ©fÃ©rences numÃ©riques utilisÃ©es sur les figures 1 Ã 3 et dÃ©finies ci-avant peuvent Ãªtre rÃ©utilisÃ©es dans les figures 10 Ã 12 pour dÃ©signer des Ã©lÃ©ments correspondants dans l'empilement selon le deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation. 5 Ce deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation diffÃ¨re notamment du premier mode de rÃ©alisation en ce que les Ã©lectrodes 10' et 11' de la couche 1 et les Ã©lÃ©ments plans 20 et 21 correspondants sont pris partiellement dÃ©formables selon la premiÃ¨re direction A. On propose ici une implÃ©mentation avantageuse pour que les peignes Ã©lectrostatiques des Ã©lectrodes visibles sur les figures 10 Ã 12 soient mobiles selon 10 la direction A par rapport au reste des Ã©lectrodes qui les portent. Par ailleurs, ce deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation diffÃ¨re aussi du premier mode en ce que les Ã©lectrodes 10' et 11', et notamment les peignes Ã©lectrostatiques, sont mobiles l'un par rapport Ã l'autre selon une deuxiÃ¨me direction B perpendiculaire Ã la direction A, contenue dans le plan des Ã©lectrodes 10' et 11'. Par exemple, des 15 moyens de suspension non reprÃ©sentÃ©s sur les figures, par exemple semblables aux moyens de suspension 5, peuvent permettre la mobilitÃ© des Ã©lectrodes 10' et 11' selon la direction B. L'Ã©lectrode de gauche 10' de la couche 1 comprend ici une partie plane gauche et 20 un peigne Ã©lectrostatique sur une partie droite. De maniÃ¨re symÃ©trique, l'Ã©lectrode de droite 11' comprend une partie plane droite et un peigne Ã©lectrostatique sur une partie gauche. Les deux peignes Ã©lectrostatiques correspondant respectivement aux Ã©lectrodes 10' et 11' sont agencÃ©s de telle maniÃ¨re que, dans un Ã©tat non sollicitÃ©, leurs dents s'imbriquent sans se toucher, et notamment sans se toucher 25 selon la premiÃ¨re direction A ni selon la deuxiÃ¨me direction B. L'Ã©lectrode de gauche 10' diffÃ¨re de l'Ã©lectrode de gauche 10 du mode de rÃ©alisation prÃ©cÃ©dent en ce que sa partie plane gauche est percÃ©e d'une cavitÃ© dÃ©bouchante 12 de forme rectangulaire. Elle est dite dÃ©bouchante, au sens oÃ¹ elle 30 est pratiquÃ©e sur toute l'Ã©paisseur de l'empilement, dans la les trois couches 1, 2 et 3. Ce mode de rÃ©alisation diffÃ¨re ainsi, de maniÃ¨re importante, des modes de rÃ©alisation correspondant aux figures 4 Ã 9, dans lesquels une cavitÃ© n'est pratiquÃ©e que dans la couche 2 infÃ©rieure, les Ã©lectrodes 10 et 11 Ã©tant ainsi non dÃ©formables selon la direction A. La cavitÃ© dÃ©bouchante 12 est pratiquÃ©e au 3065956 17 voisinage du bord externe droit 14 de la partie plane gauche de l'Ã©lectrode 10', mais en mÃ©nageant un certain retrait par rapport au bord 14. Cette cavitÃ© permet au bord externe 14 de constituer une lame flexible. La lame flexible peut rÃ©agir Ã un Ã©vÃ©nement vibratoire subi par l'Ã©lectrode 10' en se dÃ©plaÃ§ant en translation 5 selon la direction A, sur une amplitude maximale qui correspond Ã une distance de flÃ¨che d'Ã©lectrode DFE, ainsi qu'Ã une distance de flÃ¨che d'Ã©lÃ©ment plan DFP (puisque Ã la fois une partie de l'Ã©lectrode 10' et une partie de l'Ã©lÃ©ment plan 20 sont dÃ©formables au niveau de la lame flexible). Lorsque la lame flexible 14 se dÃ©place selon une telle translation, le matÃ©riau de la partie de l'Ã©lectrode 10' 10 formant peigne Ã©lectrostatique n'Ã©tant par ailleurs pas dÃ©formable selon la direction A, le peigne Ã©lectrostatique est susceptible de se dÃ©placer Ã©galement en translation selon la direction A sur une amplitude qui ne dÃ©passe pas la distance de flÃ¨che d'Ã©lectrode DFE. La lame flexible 14 n'est par ailleurs pas dÃ©formable selon la direction B, puisque maintenue par les bords de la cavitÃ© dÃ©bouchante 12. 15 De maniÃ¨re tout Ã fait semblable, l'Ã©lectrode de droite 11' est dotÃ©e, sur le bord externe gauche de sa partie plane droite, d'une cavitÃ© dÃ©bouchante 13 qui donne lieu Ã une lame flexible 15. La lame flexible 15 est, de mÃªme que la lame flexible 14, dÃ©formable en translation selon la direction A, d'une amplitude maximale Ã©gale 20 Ã la distance de flÃ¨che d'Ã©lectrode DFE. La distance Dmin entre les Ã©lectrodes 10' et 11' selon la direction A est, dans ce deuxiÃ¨me exemple, rÃ©alisÃ©e entre le bord droit de la dent 101' du peigne de l'Ã©lectrode 10' et le bord gauche de la dent 102' du peigne de l'Ã©lectrode 11', les 25 rÃ©fÃ©rences 101' et 102' Ã©tant visibles Ã la figure 11. Les Ã©lectrodes 10' et 11' Ã©tant polarisÃ©es diffÃ©remment comme dans l'exemple prÃ©cÃ©dent, il est primordial qu'elles ne soient pas en contact au risque de compromettre la fonctionnalitÃ© Ã©lectromÃ©canique du systÃ¨me. On peut Ã©ventuellement considÃ©rer qu'il ne suffit pas d'Ã©viter que les Ã©lectrodes entrent en contact, et qu'il faut de surcroÃ®t Ã©viter 30 que leurs extrÃ©mitÃ©s ne soient trop proches (de l'ordre du micromÃ¨tre de distance, par exemple) pour Ã©viter des phÃ©nomÃ¨nes de micro-arcage. La couche intermÃ©diaire 2 assure ici un rÃ´le d'isolation Ã©lectrique semblable Ã celui qu'elle joue dans l'exemple qui prÃ©cÃ¨de. Enfin, la couche 3 comprend, de maniÃ¨re semblable Ã l'exemple prÃ©cÃ©dent, un Ã©lÃ©ment de butÃ©e qui assure que les 3065956 18 Ã©lectrodes 10' et 11' ne soient pas susceptibles de rentrer en contact lors d'un Ã©vÃ©nement vibratoire ou de choc, susceptible de mettre en mouvement les Ã©lectrodes 10' et 11' l'une par rapport Ã l'autre selon la premiÃ¨re direction A. 5 La sous-couche 2 est ici reprÃ©sentÃ©e avec un agencement diffÃ©rent de l'exemple prÃ©cÃ©dent. La sous-couche 2 comprend toujours un Ã©lÃ©ment plan de gauche 20' solidaire de l'Ã©lectrode 10' et un Ã©lÃ©ment plan de droite 21' solidaire de l'Ã©lectrode 11', tels que les Ã©lÃ©ments plans 20' et 21' sont mobiles l'un par rapport Ã l'autre selon la premiÃ¨re direction A. 10 A la diffÃ©rence de l'Ã©lÃ©ment plan de gauche 20 illustrÃ© sur les figures 1 Ã 3, l'Ã©lÃ©ment plan de gauche 20' de cet exemple change de largeur au voisinage du bord externe 14 de l'Ã©lectrode 10'. Il prÃ©sente une branche 24 formant Ã©lÃ©ment de butÃ©e, s'Ã©tendant jusqu'Ã une extrÃ©mitÃ© droite d'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 22'. L'Ã©lÃ©ment 15 de butÃ©e 24 n'est pas, Ã l'image de l'exemple prÃ©cÃ©dent, en position centrale dans la zone situÃ©e entre l'Ã©lÃ©ment plan de gauche et l'Ã©lÃ©ment plan de droite dans la sous-couche 2, mais est situÃ© sur le bord droit de la branche 24 qui est lÃ©gÃ¨rement en retrait par rapport au bord 23 en regard de l'Ã©lÃ©ment plan de droite 21'. 20 Comme cela est visible en figure 10, l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24 et notamment son extrÃ©mitÃ© 22' se trouvent dans le prolongement selon la premiÃ¨re direction A de la cavitÃ© dÃ©bouchante 12, mais pas dans le prolongement de la cavitÃ© dÃ©bouchante 13, de sorte que face Ã l'extrÃ©mitÃ© 22' se situe une partie non dÃ©formable de l'Ã©lÃ©ment de droite 21'. De plus, la largeur de la cavitÃ© dÃ©bouchante 12 (selon la 25 direction B) est supÃ©rieure Ã celle de la butÃ©e 24. Ainsi, l'ancrage de la butÃ©e 24 correspond Ã une lame flexible selon la direction A, mais son extrÃ©mitÃ© 22' ne fait pas face Ã une lame flexible. De maniÃ¨re symÃ©trique, l'Ã©lÃ©ment de droite 21' prÃ©sente un Ã©lÃ©ment de butÃ©e 25 30 s'Ã©tendant Ã partir du bord correspondant verticalement au bord externe 15 de l'Ã©lectrode 11', et dans le prolongement de la cavitÃ© dÃ©bouchante 13, et prÃ©sente une extrÃ©mitÃ© d'Ã©lÃ©ment de butÃ©e faisant face Ã un bord non dÃ©formable de l'Ã©lÃ©ment de gauche 20'. L'empilement de butÃ©e selon le deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation comporte donc deux Ã©lÃ©ments de butÃ©e 24 et 25. 3065956 19 La distance entre l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24 et le bord 23' de l'Ã©lÃ©ment plan de droite 21' en regard, ou entre l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 25 et le bord de l'Ã©lÃ©ment plan de gauche 20' en regard, correspondent Ã une premiÃ¨re distance d'excursion libre DB, 5 de mÃªme signification que la premiÃ¨re distance d'excursion libre DB de l'exemple prÃ©cÃ©dent. On notera par ailleurs ici que la distance de flÃ¨che d'Ã©lectrode DFE (dÃ©formation maximale totale au niveau des Ã©lectrodes) qui est la distance de flÃ¨che attribuable aux cavitÃ©s 12 et 13 dans la couche 1, et la distance de flÃ¨che d'Ã©lÃ©ment plan DFF (dÃ©formation maximale totale au niveau des Ã©lÃ©ments de butÃ©e) 10 , qui est la distance de flÃ¨che attribuable aux cavitÃ©s 12 et 13 dans la couche 2, sont Ã©gales. Les cavitÃ©s dÃ©bouchantes 12 et 13 sont de dimensions constantes sur toute l'Ã©paisseur de l'empilement : l'ancrage des peignes Ã©lectrostatiques est dÃ©formable selon la direction A de la mÃªme longueur que l'ancrage des butÃ©es. 15 De maniÃ¨re importante, la premiÃ¨re distance d'excursion libre DE, qui correspond Ã l'amplitude maximale de dÃ©placement selon la premiÃ¨re direction A de l'extrÃ©mitÃ© 22' par rapport Ã l'Ã©lÃ©ment en regard 23' (et donc, de l'Ã©lectrode de gauche 10' par rapport Ã l'Ã©lectrode de droite 11'), est telle que la somme de cette distance d'excursion libre et de l'amplitude maximale de dÃ©formation (distance de flÃ¨che 20 d'Ã©lectrode DFE) des deux Ã©lectrodes 10' et 11' l'une par rapport Ã l'autre soit infÃ©rieure Ã la distance minimale selon la direction A entre l'Ã©lectrode de gauche 10' et l'Ã©lectrode de droite 11'. Ainsi, lorsque les deux Ã©lectrodes 10' et 11' se rapprochent sous l'effet d'une force 25 interne (force Ã©lectrostatique) ou externe (accÃ©lÃ©ration, choc), les dents des peignes Ã©lectrostatiques (par exemple, les dents 101' et 102') se rapprochent d'abord jusqu'Ã une distance qui correspond Ã l'excursion libre des Ã©lÃ©ments de butÃ©e 24 et 25. Puis si le rapprochement se poursuit, la base de l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24 peut, sous l'effet de l'appui de l'extrÃ©mitÃ© 22' opposÃ©e de la butÃ©e 24, appuyer 30 contre la lame flexible 14 situÃ©e Ã l'ancrage de la butÃ©e 24, et induire un flÃ©chissement des dents du peigne de 10'. Le critÃ¨re de dimensionnement appliquÃ© ici est donc plus restrictif que celui de l'exemple prÃ©cÃ©dent, car dans le dimensionnement de la distance minimale entre 3065956 20 les deux Ã©lectrodes 10' et 11' selon la premiÃ¨re direction A, on prend en compte non seulement la premiÃ¨re distance d'excursion libre des Ã©lectrodes 10' et 11' permise par l'agencement de la butÃ©e 24, mais aussi l'amplitude maximale de dÃ©formation relative des deux peignes Ã©lectrostatiques faisant saille 5 respectivement des Ã©lectrodes 10' et 11'. Ainsi, la distance Dmin entre les deux Ã©lectrodes 10' et 11' selon la premiÃ¨re direction A, reprÃ©sentÃ©e ici entre la dent 101' du peigne de l'Ã©lectrode 10' et la dent 102' du peigne de l'Ã©lectrode 11', doit Ãªtre supÃ©rieure Ã DFE DB. Si l'on souhaite tenir compte de risques de microarcage entre les dents des peignes Ã©lectrostatiques des Ã©lectrodes 10' et 11', on 10 peut dÃ©finir une distance D2 minimale entre les extrÃ©mitÃ©s d'Ã©lectrodes, en-deÃ§Ã de laquelle ce risque existe. On dimensionnerait alors l'empilement de sorte Ã avoir Dm, supÃ©rieur Ã la somme DB + DFp + D2. Un effet de ce dimensionnement est de permettre, lors d'un Ã©vÃ©nement de choc 15 qui occasionne un dÃ©placement de l'Ã©lÃ©ment mobile 20' par rapport Ã l'Ã©lÃ©ment 21' et de l'Ã©lectrode 10' par rapport Ã l'Ã©lectrode 11', que l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24 interrompe le rapprochement selon la direction A de ces Ã©lÃ©ments en venant buter contre le bord droit 23', avant que l'Ã©lectrode 10' ne puisse Ãªtre suffisamment proche de l'Ã©lectrode 11' pour gÃ©nÃ©rer une dÃ©charge Ã©lectrostatique ou des micro- 20 arcs Ã©lectriques, et endommager le dispositif MEMS. Par ailleurs, comme il a Ã©tÃ© mentionnÃ© ci-avant, les Ã©lectrodes 10' et 11' sont mobiles l'une par rapport Ã l'autre non seulement selon la premiÃ¨re direction A, mais aussi selon la deuxiÃ¨me direction B ici prise perpendiculaire Ã la premiÃ¨re 25 direction A. Les deux Ã©lÃ©ments de butÃ©e 24 et 25, dont la forme et le positionnement par rapport aux Ã©lÃ©ments plans 20' et 21' ont Ã©tÃ© dÃ©crits ci-avant, sont distants l'un de l'autre selon cette deuxiÃ¨me direction B, mÃ©nageant une deuxiÃ¨me distance d'excursion libre DB' selon la direction B. L'empilement est alors agencÃ© de telle sorte que dans l'Ã©tat non sollicitÃ©, la 30 premiÃ¨re Ã©lectrode 10' se trouve Ã une distance Dinn' par rapport Ã la deuxiÃ¨me Ã©lectrode 11' selon la deuxiÃ¨me direction B qui soit supÃ©rieure Ã cette deuxiÃ¨me distance d'excursion libre DB', de sorte que les deux Ã©lectrodes ne puissent pas non plus Ãªtre mises en contact par un rapprochement selon la deuxiÃ¨me direction B. 3065956 21 Un deuxiÃ¨me critÃ¨re de dimensionnement Dmin' > DB' est donc ici pris en compte, en complÃ©ment du critÃ¨re qui rÃ©git le dÃ©placement maximal des Ã©lectrodes et leur dimensionnement selon la premiÃ¨re direction A. 5 Un avantage de ce deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation avec dÃ©formabilitÃ© partielle des Ã©lectrodes est d'Ãªtre utilisable pour des dispositifs susceptibles de subir de grandes amplitudes de dÃ©placement vis-Ã -vis de l'entrefer des Ã©lectrodes suite Ã un Ã©vÃ©nement de choc. En particulier, les MEMS visant des applications de hautes 10 performances nÃ©cessitent des entrefers de faibles dimensions et des masses Ã©levÃ©es, typiquement les capteurs inertiels, qui engendrent une grande amplitude de dÃ©placement suite Ã un Ã©vÃ©nement de choc, comparativement Ã l'entrefer des Ã©lectrodes. 15 On a reprÃ©sentÃ© en figures 13 Ã 15 une variante du deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation des figures 10 Ã 12. L'empilement est vu de dessus en figure 13, selon un axe de vision perpendiculaire Ã l'empilement. Il est vu de cÃ´tÃ© en figure 14, en coupe selon un plan perpendiculaire au plan de l'empilement, matÃ©rialisÃ© par l'axe A en pointillÃ©s sur la 20 figure 13 et par les deux axes A en pointillÃ©s de la figure 15. Enfin, il est vu en perspective Ã©clatÃ©e du dessus sur la figure 15, qui indique deux directions parallÃ¨les Ã la direction A pour figurer la coupe rÃ©alisÃ©e en figure 14. Dans cette variante du deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation, la forme des Ã©lectrodes de 25 la couche 1 est semblable Ã celle dÃ©crite ci-avant en relation avec les figures 10 Ã 12. La forme des butÃ©es 24 et 25, au sein de la couche 2, est Ã©galement inchangÃ©e. Cependant, dans cette variante, seule l'Ã©lectrode 11' est partiellement dÃ©formable 30 selon la premiÃ¨re direction A, le peigne Ã©lectrostatique de cette Ã©lectrode Ã©tant mobile selon la direction A par rapport Ã sa base. Par ailleurs, les Ã©lectrodes 10' et 11' restent mobiles l'une par rapport Ã l'autre selon une deuxiÃ¨me direction B perpendiculaire Ã la direction A, contenue dans le plan de ces Ã©lectrodes. 3065956 22 PrÃ©cisÃ©ment, la cavitÃ© dÃ©bouchante 12 dÃ©crite en relation aux figures 10 Ã 12, pratiquÃ©e dans l'Ã©lectrode 10' et dans les couches sous-jacentes, n'est plus pratiquÃ©e ici. La cavitÃ© dÃ©bouchante 13 des figures 10 Ã 12 n'est pas prÃ©sente dans la variante des figures 13 Ã 15. L'empilement ici dÃ©crit comprend deux cavitÃ©s 5 dÃ©bouchantes 13' et 13" pratiquÃ©es avec un mÃªme retrait par rapport au bord externe gauche de l'Ã©lectrode 11', de largeur selon la direction B supÃ©rieure Ã celle des extrÃ©mitÃ©s des Ã©lÃ©ments de butÃ©e 24 et 25 de sorte Ã former deux lames flexibles 15' et 15" selon la premiÃ¨re direction A. 10 La cavitÃ© dÃ©bouchante 13' est situÃ©e en regard de l'extrÃ©mitÃ© 22' de l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24 (la forme de l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24 Ã©tant identique Ã celle du deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation ici exposÃ©). La cavitÃ© dÃ©bouchante 13", elle, est pratiquÃ©e Ã l'ancrage de l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 25. Les deux cavitÃ©s dÃ©bouchantes 13' et 13", et donc les deux lames flexibles 15' et 15", sont indÃ©pendantes et sÃ©parÃ©es par une 15 cloison rigide. Par ailleurs, les Ã©lÃ©ments de butÃ©e longilignes 24 et 25 sont inchangÃ©s par rapport au deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation ci-avant. Ainsi, lorsque les deux Ã©lectrodes 10' et 11' se rapprochent selon la premiÃ¨re direction A sous l'effet d'une contrainte mÃ©canique extÃ©rieure, les dents des 20 peignes Ã©lectrostatiques (par exemple, les dents 101' et 102') se rapprochent d'abord jusqu'Ã une distance qui correspond Ã la premiÃ¨re distance d'excursion libre DB des Ã©lÃ©ments de butÃ©e 24 et 25, comme dans la premiÃ¨re implÃ©mentation du deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation. 25 En revanche, le comportement des dents de peignes Ã©lectrostatiques diffÃ¨re lorsque le rapprochement selon la premiÃ¨re direction A se poursuit : la base de l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e 24 ne peut plus induire un flÃ©chissement des dents du peigne de 10', en l'absence de la cavitÃ© dÃ©bouchante 12 du mode de mise en oeuvre des figures 10 Ã 12. 30 A la place, la prÃ©sence d'une nouvelle cavitÃ© dÃ©bouchante 13' en face de l'extrÃ©mitÃ© 22' de l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e, cavitÃ© pratiquÃ©e dans le corps de l'Ã©lectrode 11' en regard, fait que l'extrÃ©mitÃ© 22' de la butÃ©e 24 peut appuyer contre la lame flexible 15', pour que la butÃ©e 24 continue sa progression vers l'Ã©lectrode 11' selon 306 5 956 23 la premiÃ¨re direction A. Ainsi, les dents du peigne de 10' peuvent Ãªtre flÃ©chies en sens inverse du sens de flÃ©chissement obtenu pour le deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation. Le flÃ©chissement obtenu dans ce troisiÃ¨me mode de rÃ©alisation n'est, contrairement Ã celui obtenu dans le deuxiÃ¨me mode, pas de nature Ã rapprocher 5 les dents des peignes Ã©lectrostatiques comme par exemple les dents 101' et 102'. Le critÃ¨re de dimensionnement appliquÃ© ici est ainsi moins restrictif que celui de l'exemple prÃ©cÃ©dent. On prend en compte la premiÃ¨re distance d'excursion libre des Ã©lectrodes 10' et 11' permise par l'agencement des butÃ©es 24 et 25. La 10 distance Dmin entre les deux Ã©lectrodes 10' et 11' selon la premiÃ¨re direction A, reprÃ©sentÃ©e ici entre la dent 101' du peigne de l'Ã©lectrode 10' et la dent 102' du peigne de l'Ã©lectrode 11', doit Ãªtre supÃ©rieure Ã DB. On peut Ã©ventuellement, de maniÃ¨re similaire aux variantes prÃ©sentÃ©es ci-avant, tenir compte du risque de micro-arcage entre les Ã©lectrodes, auquel cas on peut prendre une distance 15 minimale Dmin Ã l'Ã©tat non sollicitÃ© entre les Ã©lectrodes 10' et 11' supÃ©rieure Ã la somme de la premiÃ¨re distance d'excursion libre DB des Ã©lectrodes, et d'une distance D2 en-deÃ§Ã de laquelle on estime qu'un risque de micro-arcage existe. Dans ce cas, la distance minimale Drim entre les extrÃ©mitÃ©s d'Ã©lectrodes Ã l'Ã©tat non sollicitÃ© est prise supÃ©rieure Ã la somme DB + D2. 20 De plus, les Ã©lectrodes 10' et 11' Ã©tant, lÃ encore, mobiles l'une par rapport Ã l'autre non seulement selon la premiÃ¨re direction A, mais aussi selon la deuxiÃ¨me direction B, le positionnement relatif des deux Ã©lÃ©ments de butÃ©e 24 et 25 selon cette deuxiÃ¨me direction B fait aussi l'objet d'un critÃ¨re de dimensionnement 25 supplÃ©mentaire. Si on note Ã nouveau Dg' la deuxiÃ¨me distance d'excursion libre entre les deux Ã©lÃ©ments de butÃ©e 24 et 25 selon cette deuxiÃ¨me direction B, on agence l'empilement de telle sorte que dans l'Ã©tat non sollicitÃ©, la premiÃ¨re Ã©lectrode 10' se trouve Ã une distance Dr,,,n' par rapport Ã la deuxiÃ¨me Ã©lectrode 11' selon la 30 deuxiÃ¨me direction B qui soit supÃ©rieure Ã cette deuxiÃ¨me distance d'excursion libre Dg'. On conserve donc le deuxiÃ¨me critÃ¨re de dimensionnement Dmin' > DB' du deuxiÃ¨me mode de rÃ©alisation. 3065956 24 Il convient de noter que, si les exemples illustratifs ici dÃ©crits donnent Ã voir une couche comprenant les Ã©lectrodes, rÃ©alisant la fonctionnalitÃ© Ã©lectromÃ©canique attendue du systÃ¨me, empilÃ©e au-dessus de la couche comprenant un Ã©lÃ©ment de 5 butÃ©e pour empÃªcher un contact physique des Ã©lectrodes, un autre agencement oÃ¹ la couche comprenant les Ã©lectrodes serait en-dessous de la couche comprenant les Ã©lÃ©ments de butÃ©e peut Ãªtre envisagÃ©. REVENDICATIONS1. Dispositif MEMS ou NEMS de type capteur ou actionneur, dotÃ© d'un empilement de butÃ©e comprenant : - une premiÃ¨re couche plane (1) comprenant une premiÃ¨re Ã©lectrode plane (10) destinÃ©e Ã Ãªtre Ã un premier potentiel Ã©lectrique et une deuxiÃ¨me Ã©lectrode plane (11) destinÃ©e Ã Ãªtre Ã un deuxiÃ¨me potentiel Ã©lectrique distinct du premier potentiel, la premiÃ¨re Ã©lectrode plane (10) Ã©tant mobile relativement Ã la deuxiÃ¨me Ã©lectrode plane (11) selon une premiÃ¨re direction (A) parallÃ¨le Ã la premiÃ¨re couche plane, - une deuxiÃ¨me couche plane (2) superposÃ©e Ã la premiÃ¨re couche plane (1), isolÃ©e Ã©lectriquement de la premiÃ¨re couche plane (1) par au moins une couche intermÃ©diaire (3) formÃ©e en matÃ©riau isolant, la deuxiÃ¨me couche plane (2) comprenant un premier Ã©lÃ©ment plan (20) solidaire mÃ©caniquement de la premiÃ¨re Ã©lectrode plane (10), et un deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ment plan (21) solidaire mÃ©caniquement de la deuxiÃ¨me Ã©lectrode plane (11), caractÃ©risÃ© en ce qu'il comprend en outre au moins un Ã©lÃ©ment de butÃ©e (24) s'Ã©tendant du premier Ã©lÃ©ment plan (20) ou du deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ment plan (21) selon la premiÃ¨re direction (A) et faisant saillie par rapport audit Ã©lÃ©ment plan dans la premiÃ¨re direction (A), l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e (24) qui s'Ã©tend Ã partir d'un des Ã©lÃ©ments plans Ã©tant destinÃ© Ã Ãªtre au mÃªme potentiel qu'une surface en regard (23) appartenant Ã l'autre des Ã©lÃ©ments plans (21), l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e (24) et les Ã©lectrodes Ã©tant configurÃ©s pour que l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e (24) vienne en contact avec la surface en regard (23) et bloque le rapprochement des deux Ã©lectrodes planes (10, 11) selon la premiÃ¨re direction (A) lors d'une sollicitation. 2. Dispositif MEMS ou NEMS selon la revendication 1, dans lequel l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e et les Ã©lectrodes sont configurÃ©s de telle sorte que dans l'Ã©tat non sollicitÃ©, toute extrÃ©mitÃ© libre (101) de la premiÃ¨re Ã©lectrode plane (10) se trouve, par rapport Ã une extrÃ©mitÃ© la plus proche de la deuxiÃ¨me Ã©lectrode plane (102) selon la premiÃ¨re direction (A), Ã une distance minimale (Dmin) supÃ©rieure 3065956 26 Ã une premiÃ¨re distance d'excursion libre (DB), ladite distance Ã©tant dÃ©finie comme la distance minimale entre l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e (24) et la surface en regard. 3. Dispositif MEMS ou NEMS selon la revendication 2, dans lequel la 5 distance minimale (D,',,,) est supÃ©rieure Ã la somme de la premiÃ¨re distance d'excursion libre (DB) et d'une deuxiÃ¨me distance prÃ©dÃ©terminÃ©e, en-deÃ§Ã de laquelle il existe un risque de perte du caractÃ¨re isolant du gaz environnant les Ã©lectrodes (10, 11), de sorte qu'un court-circuit peut s'Ã©tablir entre deux extrÃ©mitÃ©s des Ã©lectrodes (101, 102). 10 4. Dispositif MEMS ou NEMS selon l'une quelconque des revendications 1 Ã 3, dans lequel au moins une premiÃ¨re Ã©lectrode plane (11') est au moins partiellement dÃ©formable suivant la premiÃ¨re direction (A), la somme des dÃ©formations maximales possibles selon la premiÃ¨re direction (A) des Ã©lectrodes 15 (10', 11') dÃ©finissant une distance de flÃ¨che d'Ã©lectrode (DFE), la distance minimale (Dm,n) Ã©tant prise supÃ©rieure Ã la somme de la premiÃ¨re distance d'excursion libre (DB) et de la distance de flÃ¨che d'Ã©lectrode (DFE). 5. Dispositif MEMS ou NEMS selon l'une quelconque des revendications 1 20 Ã 4, dans lequel au moins un premier Ã©lÃ©ment plan (20) est au moins partiellement dÃ©formable suivant la premiÃ¨re direction (A), la somme des dÃ©formations maximales possibles selon la premiÃ¨re direction (A) des Ã©lÃ©ments plans (20, 21) dÃ©finissant une distance de flÃ¨che d'Ã©lÃ©ment plan (DFp) donnÃ©e, la distance minimale (Dmin) Ã©tant prise supÃ©rieure Ã la somme de la premiÃ¨re distance 25 d'excursion libre (DB) et de la distance de flÃ¨che d'Ã©lÃ©ment plan (DFp). 6. Dispositif MEMS ou NEMS selon la revendication 5, dans lequel l'un au moins des deux Ã©lÃ©ments plans (20, 21) est partiellement dÃ©formable selon la premiÃ¨re direction (A), 30 la deuxiÃ¨me couche plane (2) Ã©tant percÃ©e d'une cavitÃ© (26) pratiquÃ©e Ã l'ancrage de l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e (24), et/ou Ã©tant percÃ©e d'une cavitÃ© (27) pratiquÃ©e le long d'un bord externe de la surface (23) en regard de l'Ã©lÃ©ment de butÃ©e (24), la distance de flÃ¨che (DFp) d'Ã©lÃ©ment plan Ã©tant dÃ©finie comme la somme des dimensions selon la premiÃ¨re direction (A) des deux cavitÃ©s (26, 27) ou, le cas 3065956 27 Ã©chÃ©ant, dÃ©finie comme la dimension selon la premiÃ¨re direction de l'unique cavitÃ©, pratiquÃ©e(s) dans la deuxiÃ¨me couche plane (2). 7. Dispositif MEMS ou NEMS selon la revendication 4 et la revendication 5 5 prises en combinaison, dans lequel les deux Ã©lectrodes planes (10', 11') et les deux Ã©lÃ©ments plans (20, 21) sont dÃ©formables selon la premiÃ¨re direction (A), le premier Ã©lÃ©ment plan (21) portant un premier Ã©lÃ©ment de butÃ©e (25) et le deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ment plan (20) portant un deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ment de butÃ©e (24), une premiÃ¨re cavitÃ© dÃ©bouchante (13) Ã©tant pratiquÃ©e sur toute la hauteur de 10 l'empilement Ã l'ancrage du premier Ã©lÃ©ment de butÃ©e (25), et en correspondance selon la premiÃ¨re direction (A) avec ledit premier Ã©lÃ©ment de butÃ©e (25), mais pas en correspondance selon la premiÃ¨re direction (A) avec le deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ment de butÃ©e (24), formant une premiÃ¨re lame flexible (14), une deuxiÃ¨me cavitÃ© dÃ©bouchante (12) Ã©tant pratiquÃ©e sur toute la hauteur de 15 l'empilement Ã l'ancrage du deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ment de butÃ©e (24), et en correspondance selon la premiÃ¨re direction (A) avec ledit deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ment de butÃ©e (24), mais pas en correspondance selon la premiÃ¨re direction (A) avec le premier Ã©lÃ©ment de butÃ©e (25), formant une deuxiÃ¨me lame flexible (15), la premiÃ¨re distance d'excursion libre (DB) Ã©tant dÃ©finie comme la distance 20 minimale entre le premier Ã©lÃ©ment de butÃ©e (25) et la surface en regard, la distance de flÃ¨che d'Ã©lectrode (DFE) Ã©tant dÃ©finie comme la somme des dimensions selon la premiÃ¨re direction (A) des deux cavitÃ©s dÃ©bouchantes (12, 13). 8. Dispositif MEMS ou NEMS selon la revendication 4 et la revendication 5 25 prises en combinaison, dans lequel le premier Ã©lÃ©ment plan (21) porte un premier Ã©lÃ©ment de butÃ©e (25) et le deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ment plan (20) porte un deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ment de butÃ©e (24), et dans lequel une premiÃ¨re cavitÃ© dÃ©bouchante (13') est pratiquÃ©e sur toute la hauteur de l'empilement dans la premiÃ¨re Ã©lectrode plane (11'), en 30 correspondance selon la premiÃ¨re direction (A) avec une extrÃ©mitÃ© (22') du deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ment de butÃ©e (24) en regard, formant une premiÃ¨re lame flexible (15'), et une deuxiÃ¨me cavitÃ© dÃ©bouchante (13") est pratiquÃ©e sur toute la hauteur de l'empilement dans la premiÃ¨re Ã©lectrode plane (11'), Ã l'ancrage du premier 3065956 28 Ã©lÃ©ment de butÃ©e (25) selon la premiÃ¨re direction (A), et en correspondance selon la premiÃ¨re direction (A) avec ledit premier Ã©lÃ©ment de butÃ©e (25), formant une deuxiÃ¨me lame flexible (15"), la premiÃ¨re distance d'excursion libre (DB) Ã©tant dÃ©finie comme la distance 5 minimale entre le premier Ã©lÃ©ment de butÃ©e (25) et la surface en regard. 9. Dispositif MEMS ou NEMS selon l'une des revendications 1 Ã 8, dans lequel les deux Ã©lectrodes planes sont en outre mobiles l'une par rapport Ã l'autre selon une deuxiÃ¨me direction (B) sensiblement perpendiculaire Ã la premiÃ¨re 10 direction (A), la deuxiÃ¨me direction (B) Ã©tant parallÃ¨le Ã la couche plane (1) contenant les Ã©lectrodes, et dans lequel le premier Ã©lÃ©ment plan (21) porte un premier Ã©lÃ©ment de butÃ©e (25) et le deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ment plan (20) porte un deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ment de butÃ©e (24), 15 l'empilement Ã©tant configurÃ© de telle sorte que dans l'Ã©tat non sollicitÃ©, toute extrÃ©mitÃ© libre de la premiÃ¨re Ã©lectrode plane (11') se trouve, par rapport Ã la deuxiÃ¨me Ã©lectrode plane (10') selon la deuxiÃ¨me direction (B), Ã une distance minimale (Dmin') supÃ©rieure Ã une deuxiÃ¨me distance d'excursion libre (DB'), la deuxiÃ¨me distance d'excursion libre (DB') Ã©tant dÃ©finie comme la distance 20 minimale entre les premier et deuxiÃ¨me Ã©lÃ©ments de butÃ©e (24, 25) selon la deuxiÃ¨me direction (B). 10. Dispositif MEMS ou NEMS selon l'une quelconque des revendications prÃ©cÃ©dentes, dont une Ã©lectrode comprend une plaque plane et/ou dont une 25 Ã©lectrode comprend un peigne Ã©lectrostatique.