FR 3066857 A1 20181130 FR 1754648 A 20170524 1 DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION L'invention concerne en général les procédés micro-électroniques de réalisation dans un substrat de motifs bidimensionnelles (2D) ou tridimensionnelles (3D) possiblement complexes. Elle trouve pour applications particulièrement avantageuses mais non limitatives la réalisation de dispositifs microélectroniques, électroniques, micromécaniques, électromécaniques (MEMS, NEMS...), microfluidiques, optiques ou optoélectroniques. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Il existe de nombreuses solutions pour obtenir des motifs bidimensionnelles (2D) ou tridimensionnelles (3D) dans un substrat. Toutes les solutions connues présentes des limitations ou des inconvénients. La solution la plus classique pour obtenir des motifs, en particulier en deux dimensions consiste à réaliser, par exemple par lithographie, un motif préalable dans une couche de masquage surmontant un substrat, puis à effectuer une gravure humide du substrat à travers la couche de masquage. L'inconvénient de cette solution provient essentiellement du caractère isotrope de la gravure humide ce qui conduit à un faible contrôle dimensionnel. D'autres solutions, plus récentes, consistent à effectuer des gravures par plasma. Les équipements de plasma à couplage inductif (ICP) ont permis d'améliorer significativement l'anisotropie de la gravure et la sélectivité de gravure pour certains matériaux. Néanmoins, les ions du plasma, du fait de leur énergie importante (rarement moins qu'une quinzaine d'eV), pénètrent bien souvent à une profondeur plus importante que celle que l'on souhaite graver. Par ailleurs, il est souvent très délicat de contrôler avec précision la nature des espèces implantées. En effet, le bombardement ionique arrache des atomes à l'ensemble des couches soumises au plasma et ces atomes arrachés peuvent pénétrer dans la couche à graver ou dans les couches sous-jacentes au substrat lorsque ce dernier est mince. Cela peut provoquer une contamination du substrat ou des couches sous-jacentes au substrat. Par ailleurs, il s'avère que lors de la gravure plasma des charges s'accumulent en haut et bas des motifs. Ces charges dévient les trajectoires des ions et détériorent au final le contrôle dimensionnel des motifs ainsi que la verticalité des flancs. D'autres types de plasma ont été proposés pour limiter les inconvénients mentionnés ci-dessus. En particulier, les plasmas pulsés ont été développés pour minimiser l'endommagement des couches sous-jacentes lorsque le substrat est très mince. Cependant, les plasmas pulsés ne permettent pas de supprimer totalement 3066857 2 cette détérioration. Par ailleurs, les vitesses de gravure de ces plasmas pulsés sont faibles ce qui rend leur industrialisation problématique ou limitées à certaines applications seulement. Une autre solution en cours de développement consiste à effectuer une gravure 5 par couche atomique (ALE pour atomic layer etching). Ce type de gravure consiste à modifier une première couche atomique d'un matériau au cours d'une étape auto-limitante, puis à retirer cette couche au cours d'une deuxième étape, sans endommager le matériau sous-jacent. Le processus est répété de manière cyclique pour atteindre l'épaisseur souhaitée. Ainsi, la gravure par couche atomique présente 10 pour avantage de réduire l'endommagement des couches sous-jacentes au substrat que l'on souhaite graver. En revanche, cette solution présente pour inconvénient majeur que la vitesse de gravure obtenue est trop faible pour une application industrielle. Un objet de la présente invention est donc de proposer une solution pour limiter, 15 voire éviter, les inconvénients d'au moins certaines des solutions connues. En particulier, un objectif de la présente invention est de proposer une solution pour graver dans un substrat des motifs aux formes relativement libres complexes, avec un contrôle dimensionnel acceptable et une vitesse de gravure compatible avec des contraintes industrielles. 20 Un autre objectif de la présente invention et de proposer une solution pour réaliser dans un substrat des motifs dont le matériau présente les mêmes propriétés que les propriétés initiales du substrat, c'est-à-dire les propriétés que présentait le substrat en début de procédé. 25 Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RÉSUMÉ DE L'INVENTION 30 Pour atteindre cet objectif, selon un mode de réalisation la présente invention prévoit un procédé de réalisation d'au moins un motif dans un substrat, le procédé comprenant au moins les étapes suivantes: - fournir un substrat présentant une face avant surmontée au moins d'une couche de masquage, 35 - définir au moins un motif de masque dans la couche de masquage, 3066857 3 - réaliser une implantation ionique du substrat par ladite face avant et au moins au droit du motif de masque, de manière à former au moins une première zone modifiée par implantation et au moins une deuxième zone non modifiée par l'implantation ou moins modifiée que la première 5 zone, les conditions d'implantation étant choisies de manière à ce que après implantation l'au moins une première zone présente une résistivité pl inférieure à la résistivité p2 de l'au moins une deuxième zone, Le procédé comprend en outre au moins les étapes successives suivantes: - après l'étape d'implantation, plonger le substrat dans un électrolyte, 10 - retirer l'au moins une première zone sélectivement à l'au moins une deuxième zone, l'étape de retrait comprenant au moins l'application au substrat d'une étape d'électrochimie pour provoquer une porosification de l'au moins une première zone sélectivement à l'au moins une deuxième zone, l'étape de retrait étant effectuée de manière à ce qu'au 15 moins lors de l'étape d'électrochimie au moins une face arrière du substrat opposée à la face avant présente des porteurs de charges. Ainsi, dans le procédé selon l'invention, l'implantation crée localement des défauts dans le matériau du substrat dans le but de réduire sa résistivité. Cela permet 20 de faciliter le mouvement des porteurs de charge durant la porosification. Ainsi, la porosification s'effectue uniquement dans les zones implantées. Tout au moins, la porosification s'effectue de manière plus rapide dans les zones implantées que dans les zones non d'implantées. 25 Ainsi, à l'issue de l'étape de retrait, le substrat se trouve gravé au niveau de l'au moins une première zone. Les motifs de masquage préalablement définis dans la couche de masquage sont donc transférés dans le substrat. Le procédé selon l'invention permet d'obtenir un très bon contrôle dimensionnel. Par ailleurs, la paroi des motifs est définie par la ou les directions choisie(s) pour 30 l'implantation. La géométrie des flancs des motifs est donc contrôlée avec précision. En particulier, le procédé selon l'invention permet d'obtenir des flancs verticaux de manière aisée et reproductible. En outre, dans le procédé revendiqué, la nature des ions qui pénètrent dans le 35 substrat lors de l'implantation est parfaitement maîtrisée. Ainsi, si certains des ions pénètrent dans une couche sous-jacente au substrat que l'on souhaite graver, la 3066857 4 nature de ces ions implantés involontairement sera parfaitement maîtrisée. Il sera ainsi avantageux d'implanter des ions neutres afin d'éviter une contamination de la couche sous-jacente. Au contraire, dans les procédés de gravure plasma, il est très délicat de maîtriser avec précision la nature des ions qui pénètrent effectivement dans le substrat 5 que l'on souhaite graver et la couche qui lui est sous-jacente. Il en résulte un endommagement voire une contamination de la couche sous-jacente. Par ailleurs, les ions implantés lors de l'étape d'implantation ont pour but de modifier la résistivité du substrat. Ils n'ont pas pour but de pulvériser le substrat. Par 10 conséquent, l'énergie des ions qui parviennent sur le substrat est limitée. Ainsi, par rapport aux gravures plasma, l'invention présente pour avantage d'éviter l'endommagement des couches sous-jacentes du substrat. En outre, l'étape de retrait par gravure électrochimique prévue dans l'invention s'effectue à une vitesse parfaitement compatible avec les contraintes industrielles. Par 15 exemple, le procédé selon l'invention permet de graver entre 100 et 200 nanomètres de silicium en 30 secondes, ce qui permet une productivité très largement supérieure à celle d'un procédé de gravure par couche atomique (ALE). Par ailleurs, le procédé selon l'invention présente pour avantage d'être stable et aisément reproductible. 20 De manière particulièrement avantageuse à l'issue du procédé, les motifs obtenus sont formés par des zones du substrat qui n'ont pas été implantées ou qui ont été peu implantées. Les motifs obtenus présentent donc les propriétés que le matériau du substrat présente avant implantation. En particulier, si le substrat est fait d'un 25 matériau semi-conducteur, les motifs formés dans le substrat présenteront les mêmes propriétés semi-conductrices. Typiquement les motifs finaux seront en silicium intrinsèque si le substrat de départ est également en silicium intrinsèque Le procédé selon la présente invention trouve pour applications particulièrement 30 avantageuses mais non limitatives la réalisation de dispositifs microélectroniques, électroniques, micromécaniques, électromécaniques (MEMS, NEMS...), microfluidiques, optiques ou optoélectroniques. 35 3066857 5 BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée de modes de réalisation de cette dernière qui sont illustrés par les dessins d'accompagnement suivants dans lesquels : 5 La FIGURE 1 composée des figures la à 1f, illustre des étapes d'un mode de réalisation de la présente invention. Les FIGURES 2a et 2b illustrent chacune une étape d'électrochimie selon deux modes de réalisation alternatifs, au cours de laquelle le substrat à graver est plongé dans un électrolyte. 10 La FIGURE 3 composée des figures 3a à 3d, illustre de manière simplifiée des étapes de porosification d'une couche de silicium. La FIGURE 4 est un graphe illustrant les régimes de porosification et d'électro polissage pour un substrat en silicium de type P. La FIGURE 5 composée des figures 5a à 5d, illustre des étapes d'un autre mode 15 de réalisation de la présente invention, dans lequel on forme dans la couche de masquage des motifs en trois dimensions par nano-impression. La FIGURE 6 composée des figures 6a à 6d, illustre des étapes d'un autre mode de réalisation de la présente invention, dans lequel on forme dans la couche de masquage des motifs en deux dimensions. 20 La FIGURE 7 composée des figures 7a à 7c, illustre des étapes d'un autre mode de réalisation de la présente invention, dans lequel on prévoit une couche tampon entre le substrat et la couche de masquage. La FIGURE 8 composée des figures 8a à 8d, illustre des étapes d'un autre mode de réalisation de la présente invention, dans lequel on forme un profil en marche 25 d'escalier. Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier les épaisseurs relatives des différentes couches 30 et des motifs ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Dans le cadre de la présente demande, on considère qu'une couche, par exemple formant un substrat, est poreuse lorsque la présence de vide dans la couche 35 est supérieure à 5% et de préférence comprise entre 5 et 50% et de préférence comprise entre 5 et 10%. 3066857 6 Dans le cadre de la présente invention, on désigne par motif en trois dimensions un motif présentant un profil présentant au moins deux niveaux discrets de hauteur ou qui présente un profil analogique avec une variation continue des tangentes de la 5 forme du profil. Ainsi, un motif en 3D présente dans une couche donnée, par exemple une résine ou un substrat, au moins deux niveaux de profondeur au-dessous de la face supérieure de la couche lorsque le motif est en creux ou au moins deux niveaux de hauteur au-dessus d'une face supérieure de la couche lorsque le motif est en saillie. 10 Cela apparaît clairement sur les figures 5a à 5d et 8a à 8d par exemple qui seront décrites en détail par la suite. Dans le cadre de la présente invention, on qualifie de résine un matériau organique ou organo-minéral pouvant être mis en forme par une exposition à un 15 faisceau d'électrons, de photons ou de rayons X ou mécaniquement. Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, l'épaisseur d'une couche ou du substrat se mesure selon une direction perpendiculaire à la surface selon laquelle cette couche ou ce substrat présente son extension maximale. Sur les 20 figures, le substrat forme une plaque s'étendant principalement dans un plan horizontal et l'épaisseur est prise selon la verticale. De même lorsqu'on indique qu'un élément est situé au droit d'un autre élément, cela signifie que ces deux éléments sont situés tous deux sur une même ligne perpendiculaire au plan principal du substrat, soit sur une même ligne orientée 25 verticalement sur les figures Il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, les termes « sur », « surmonte », « recouvre », « sous-jacent » et leurs équivalents ne signifient pas forcément « au contact de ». Ainsi par exemple, le report, le collage, l'assemblage, l'application ou le dépôt d'une première couche sur une deuxième couche, ne signifie 30 pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l'une de l'autre, mais signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d'elle par au moins une autre couche ou au moins un autre élément. Une couche peut par ailleurs être composée de plusieurs sous-couches d'un 35 même matériau ou de matériaux différents. 3066857 7 L'emploi du singulier pour certains éléments de l'invention ne signifie pas obligatoirement qu'un élément donné est présent de manière unique dans l'invention. Le mot « un » ou « une » ne signifie donc pas exclusivement respectivement « un seul » ou « une seule » à moins qu'il en soit disposé autrement. 5 On entend par un substrat ou un film ou une couche, « à base » d'un matériau A, un substrat, un film, une couche comprenant ce matériau A et éventuellement d'autres matériaux, par exemple des éléments dopants. 10 Avant d'entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l'invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement : Selon un mode de réalisation, l'implantation est réalisée de manière à ce que p2 15 k 1.1*p1 , de préférence de manière à ce que p2 k2*p1 , de préférence de manière à ce que p2 3*p1 Par exemple, les résistivités pl et p2 seront déterminées par la méthode SSRM, acronyme de Scanning Spreading Resistance Microscopy, bien connue de l'homme du métier. 20 Selon un mode de réalisation, l'électrochimie est réalisée de manière à créer une porosification de l'au moins une première zone. Selon un mode de réalisation, l'électrochimie est réalisée de manière à ce que ladite porosification des zones modifiées entraîne leur consommation durant le 25 procédé. Ainsi, l'avantage de ce mode de réalisation est que l'étape d'électrochimie, du fait de la porosification, suffit à retirer les zones modifiées sélectivement aux zones non modifiées. Le substrat retiré de l'électrolyte présente ainsi les motifs finaux. 30 L'avantage de ce mode de réalisation et que l'implantation peut être faite avec tous les types d'ions. On privilégiera en particulier les ions neutres tels que les ions argon. Selon un autre mode de réalisation, l'électrochimie est réalisée de manière à ce 35 que ladite porosification des zones modifiées n'entraîne pas la consommation de l'au moins une première zone par rapport à l'au moins une deuxième zone et l'étape de 3066857 8 retrait comprend également, après l'étape électrochimie, une étape de gravure de l'au moins une première zone rendue poreuse sélectivement à l'au moins une deuxième zone. Selon un mode de réalisation, les ions implantés lors de l'implantation sont des 5 ions dont la masse atomique est supérieure ou égale à celle du bore. Ce mode de réalisation a pour avantage qu'avec ce type de masse atomique, le détachement de la partie implantée s'effectue de manière très facile voire systématique. Typiquement lorsqu'il n'y a pas de couche tampon apte à empêcher la formation d'une couche carbonée en surface du substrat, des doses supérieures à 1.E21 atomes/cm3, 10 permettent d'obtenir un détachement de la couche implantée. Lorsqu'il y a une couche tampon, des doses supérieures à 1.E19 atomes/cm3 permettent d'obtenir un détachement aisé voire systématique de la couche implantée. Les ions implantés sont par exemple pris parmi les ions suivants : bore ou argon. 15 Selon un mode de réalisation, les ions implantés lors de l'implantation sont pris parmi les ions à base d'hydrogène (H) et les ions à base d'hélium (He). Selon un mode de réalisation, l'implantation ionique du substrat est réalisée de manière à ce que les ions soient implantés avec une énergie inférieure ou égale à 20 150keV. Notamment lorsque les ions implantés sont des ions hydrogène ou hélium, cela permet de réduire efficacement la résistivité du substrat. Selon un mode de réalisation, l'étape de retrait comprend une gravure humide 25 sélective de l'au moins une première zone rendue poreuse sélectivement à l'au moins une deuxième zone. Selon un mode de réalisation, la gravure humide est réalisée en milieu alcalin avec par exemple de l'hydroxyde de potassium (KOH) ou de l'hydroxyde de tetramethylammonium (TMAH). 30 Cette étape peut être effectuée en combinaison avec chacun des modes de réalisation de l'invention. Elle permet de retirer toute la zone modifiée si cette dernière reste entièrement solidaire du substrat après avoir été rendue poreuse. Cette étape peut également permettre de retirer d'éventuelles portions résiduelles de zones poreuses qui ne seraient pas détachées alors qu'une partie des zones poreuses s'est 35 détachée du substrat. 3066857 9 Selon un mode de réalisation, l'étape de retrait comprend une illumination de la face arrière du substrat de manière à ce que la face arrière du substrat présente des porteurs de charges lors de l'étape d'électrochimie. Selon un mode de réalisation, l'illumination est effectuée pendant l'étape 5 d'électrochimie. Selon un mode de réalisation, alternatif ou combiné avec le mode de réalisation comprenant une illumination, le procédé comprend, avant l'étape de plongée substrat dans l'électrolyte, une étape de dopage (typiquement un dopage p+) de la face arrière 10 de manière à ce que la face arrière du substrat présente des porteurs de charges lors de l'étape d'électrochimie. Selon un mode de réalisation, la couche de masquage est une couche de résine, et l'étape de définition d'au moins un motif de masque (301) dans la couche de 15 masquage comprend au moins l'un parmi : une lithographie optique, une lithographie électronique, une lithographie par nano-impression, un procédé d'auto-assemblage direct (DSA acronyme de « Direct Self Assembled »). Selon un mode de réalisation, lors de l'étape d'implantation, le substrat est 20 surmonté d'une couche tampon située entre la face avant du substrat et la couche de masquage. Selon un mode de réalisation, la couche de masquage est au contact direct du substrat. Selon un autre mode de réalisation la couche tampon est au contact direct du 25 substrat. De préférence, la couche tampon est au contact direct de la couche de masquage. Le mode de réalisation avec couche tampon a pour avantage de protéger le substrat d'une contamination par les espèces de la couche de masquage lors de l'implantation. En particulier, lorsque la couche de masquage est une couche carbonée, les atomes de carbone peuvent, lors de l'implantation, être arrachés à la 30 couche de masquage et pénétrer dans le substrat. Ces atomes de carbone peuvent alors former à la surface du substrat une fine couche carbonée qui résiste à la porosification. Avec ce mode de réalisation de la présente invention, avant l'étape de retrait par électrochimie, on retire du substrat la fine couche de carbone ce qui permet à la porosification de s'effectuer efficacement. 35 3066857 10 Avantageusement, le procédé comprend, avant l'étape de plongée et l'étape de retrait, une étape de retrait de la couche tampon. Selon un mode de réalisation, Le procédé comprend, avant l'étape de plongée et l'étape de retrait, une étape de retrait de la couche de masquage. 5 Selon un mode de réalisation, le substrat est fait d'un matériau semi-conducteur. Selon un mode de réalisation, le substrat est à base de silicium (Si) et de préférence est fait uniquement de silicium. Selon un mode de réalisation, le substrat est de préférence monocristallin. 10 Selon un mode de réalisation, durant l'étape d'électrochimie, on maintient une intensité constante du courant passant entre une anode formée en partie au moins par le substrat et une cathode plongée dans l'électrolyse, on surveille l'évolution de la tension entre l'anode et la cathode. Cette tension évolue lors de l'anodisation. Quand elle se stabilise, cela signifie que la totalité de l'au moins une première zone a été rendue 15 poreuse. Ainsi, il est possible de contrôler avec précision que toute l'au moins une première zone modifiée lors de l'implantation a été rendue poreuse. On peut ainsi interrompre l'étape d'électrolyse. 20 Un exemple de réalisation de la présente invention va maintenant être décrit en référence aux figures la à 1f. Comme illustré en figure 1a, on réalise un empilement comprenant un substrat 25 100 présentant une face arrière 12 et une face avant 11, la face avant 11 étant recouverte d'une couche de masquage 300. De manière optionnelle mais avantageuse, on prévoit au moins une couche tampon 200 entre le substrat 100 est la couche de masquage 300. Typiquement, le substrat 100 est réalisé en un matériau semi-conducteur. Il s'agit 30 de préférence d'un matériau à base de silicium, par exemple monocristallin ou polycristallin. La couche de masquage 300 peut être soit une couche de résine soit un masque dur, par exemple un masque de nitrure. La couche de masquage 300 peut-être une couche monolithique. 35 Alternativement elle peut être formée d'un empilement de plusieurs films. 3066857 11 De même la couche tampon 200 peut-être une couche monolithique ou, alternativement, être formée d'un empilement de plusieurs films. La couche tampon 200 est par exemple faite d'un oxyde ou d'un nitrure du matériau constituant le substrat. Typiquement il s'agit d'un oxyde de silicium (SixOy) tel que le SiO2 ou d'un 5 nitrure de silicium (SixNy) tel que le SiN. Elle présente par exemple une épaisseur comprise entre 10 et 20 nanomètres. Comme illustré en figure 1 b, on réalise dans la couche de masquage 300 au moins un motif 301, appelé motif de masquage. Ce motif 301 peut-être réalisé par tous 10 les moyens classiques de lithographie : lithographie optique, lithographie électronique, lithographie par nano impression. Il peut également être effectué par la technique d'auto assemblage directe (DSA acronyme de Direct Self Assembled). Dans le mode de réalisation illustrée en figure 1 b, le motif 301 informe un creux et toute l'épaisseur de la couche de masquage 300 est retirée au niveau du motif de masquage 301. Selon 15 un autre mode de réalisation une épaisseur résiduelle de la couche masquage 300 subsistait dans le fond du motif de masquage 301. Telle serait notamment le cas si le motif 301 est obtenu par nano impression. La figure 1c illustre une étape de modification localisée du substrat 100. Cette 20 modification s'effectue par une implantation ionique du substrat 100 par sa face avant 11 et au moins au droit du motif de masquage 301. Cette implantation est réalisée au travers de la couche de masquage 300 et au travers de la couche tampon 200 si elle est présente. Sur cet exemple, la direction privilégiée d'implantation est perpendiculaire au plan principal dans lequel s'étend le substrat 100 (cette direction est verticale sur 25 les figures illustrées). L'épaisseur de la couche de masquage 300, l'épaisseur de la couche tampon 200, ainsi que les conditions d'implantation, en particulier l'énergie communiquée aux ions et la direction d'implantation, sont choisies de manière à ce qu'au moins au droit du motif 301 des ions pénètrent dans le substrat 300. Ils viennent ainsi modifier une zone 110 du substrat 100. Le reste du substrat 100, c'est-à-dire les 30 portions de substrat qui ne sont pas modifiées par l'implantation ou qui sont modifiées en dessous d'un seuil donné, sont référencées 111 sur les figures. L'implantation peut être effectuée par tous les moyens classiquement employés pour implanter des ions dans une matière. Ainsi on pourra recourir un implanteur. On pourra également prévoir d'implanter ces ions à partir d'un plasma. 3066857 12 Avantageusement, la couche tampon 200 a pour but d'éviter que, sous l'effet du bombardement ionique, des atomes de la couche de masquage 300 soient arrachés de cette dernière et pénètrent dans le substrat 100. En particulier lorsque la couche de masquage 300 est une résine carbonée, le 5 bombardement ionique peut conduire à arracher les atomes de carbone de cette couche de masquage 300 et à les faire pénétrer dans le substrat 100 si ce dernier n'est pas recouvert d'une couche tampon 200. En l'absence d'une couche tampon 200, il peut alors se former un film carboné à la surface de la face avant 11 du substrat 100. Ce film carboné pourrait alors empêcher la porosification que l'on souhaite provoquer 10 lors de l'étape suivante d'électrochimie. En dimensionnant correctement l'épaisseur de la couche tampon 200 en fonction de l'énergie d'implantation des ions et en fonction d'une éventuelle couche résiduelle dans le fond des motifs 301 de la couche de masquage 300, on piège au sein de la couche 200 tous les atomes de carbone qui pourraient potentiellement être arrachés à 15 la couche de masquage 300 et qui se dirigeraient vers le substrat 100. La face avant 11 du substrat 100 est alors exemple de toute contamination et on évite la formation d'un film carboné. La portion de la couche tampon 200 au sein de laquelle se trouve piégés les atomes arrachés à la couche de masquage 300 est référencée 210 en figure lc. 20 Comme cela sera illustré par exemple dans les modes de réalisation des figures 5, 6 et 8, cette couche tampon 200 est uniquement optionnelle. Naturellement, il se peut que des ions pénètrent involontairement dans le substrat 100 dans des zones où il n'était pas souhaité qu'ils pénètrent, notamment à la 25 frontière entre les zones 110 et les zones 111. Ainsi, de manière générale, les zones 111 sont des zones non d'implantées ou présentant une concentration en ions implantés bien plus faible que les zones 110. Par souci de concision, dans la suite de la description, les zones 111 sont qualifiées de zones non d'implantées que ces zones reçoivent effectivement aucun ion ou qu'elles en reçoivent peu. 30 L'implantation est effectuée de manière à ce que la résistivité pl des zones implantées 110 soit inférieure à la résistivité p2 des zones 111 non implantées. Plus précisément, les conditions d'implantation, en particulier la nature des ions implantés et la dose implantée sont telles que p2 1.1*p1 et de préférence p2 2*p1 et de 35 préférence p2 3*p1 3066857 13 Dans le cadre de la présente invention, les résistivités pl et p2 seront par exemple, déterminées par la méthode SSRM, acronyme de « Scanning Spreading Resistance Microscopy », bien connue de l'homme du métier. Afin d'obtenir dans les zones modifiées 110 une résistivité pl présentant une 5 valeur souhaitée, l'homme du métier jouera notamment sur la nature des ions, la dose d'implantation et surtout l'énergie d'implantation. Une implantation à forte énergie d'ions légers peut mener à une augmentation de la résistivité, ce qui va l'encontre du but recherché. En particulier, pour un substrat de silicium et pour une implantation à base d'hélium ou d'hydrogène, l'énergie maximale 10 est de 150keV. L'homme du métier saura adapter les conditions d'implantation, notamment l'énergie de l'implantation pour que l'implantation conduise effectivement à une réduction de la résistivité et non pas à son augmentation. 15 Ainsi, l'implantation vise à créer localement des défauts dans le matériau du substrat 100 afin de réduire localement sa résistivité. Les régions dont la résistivité est réduite correspondent aux zones modifiées 110. Ces régions à résistivité réduite présentent une géométrie identique à celle des motifs de masquage 301 réalisés dans la couche masquage 300. Tout au moins, ces régions à résistivité réduite présentent 20 une géométrie qui est fonction de celle des motifs de masquage 301 réalisés dans la couche masquage 300. Comme illustré en figures 1d et 1e, la couche de masquage 300 et la couche tampon 200 sont retirées. En fonction de la nature des matériaux de ces deux 25 couches, ces retraits peuvent être effectués successivement comme illustré dans ce mode de réalisation ou être effectué simultanément. Selon un mode de réalisation alternative, on peut retirer la couche masquage 300 et conserver la couche tampon de sang. On obtient donc en figure le un substrat 100 présentant au moins une zone 110 30 modifiée par implantation dont la résistivité pl est plus faible que celle du matériau initial du substrat 100. L'étape suivante consiste à retirer la zone 110 sélectivement à la zone 111 non modifiée du substrat 100 de manière à obtenir le résultat final illustré en figure lf. 35 Pour cela, on prévoit d'effectuer une étape d'électrochimie en plongeant le substrat 100 dans un électrolyte. 3066857 14 Les figures 2a et 2b illustrent cette étape d'électrochimie. Chacune des figures 2a et 2b illustre un équipement permettant d'effectuer cette étape d'électrochimie. 5 Sur ces exemples non limitatifs, le substrat 100 est plongé dans un électrolyte 4 à base d'acide fluorhydrique (HF). Un générateur 6 de courant est connecté à une première électrode (cathode 3) plongée dans l'électrolyte 4 et à une deuxième électrode (anode 3). L'exemple de la figure 2a correspond à dispositif usuellement appelé montage à 10 double cellule. Ce dispositif comprend deux cellules comprenant chacune une cuve 7a, 7b. De préférence les cuves 7a, 7b contiennent le même électrolyte 4. Les cuves 7a, 7b sont séparées par la plaque ou substrat 100 à traiter. Avantageusement, le substrat 100 assure l'étanchéité entre les deux cuves 7a, 7b. Il est maintenu par un support 8. L'anode 3 est plongée dans l'électrolyte au contact de la face arrière 12 du substrat 15 100. Selon un mode de réalisation dans lequel le substrat 100 est illuminé (mode de réalisation optionnel), l'anode 3 laisse passer une illumination. A cet effet l'anode 3 peut présenter un pourtour et une zone non opaque voire une ouverture. Elle forme de préférence un anneau et permet le passage de l'illumination en son centre. L'anode 3 et la face 12 du substrat 100 sont alors placés au regard d'une paroi 9 non opaque de 20 la cuve 7b. La face arrière 12 du substrat 100 joue ici le rôle de la cathode. La face avant 11 du substrat 100 est au contact de l'électrolyte 4 contenue dans l'autre cuve 7a. Cette face avant 11 constitue la face à traiter par porosification. Cette face avant 11 joue le rôle de l'anode. 25 Selon un exemple de réalisation, en utilisant des substrats de type p (résistivité 1- 50ohm.cm), on favorise la génération des porteurs de charge nécessaires à la porosification par illumination et/ou par dopage (par implantation ionique) en face arrière 12. L'homme du métier saura adapter les conditions en fonction de la nature des 30 substrats et son dispositif expérimental. Dans le mode de réalisation illustré en figure 2b, la deuxième électrode (anode 3) est électriquement connectée au substrat 100. Le substrat 100 fait ainsi office d'anode 2. Dans ce mode de réalisation les deux électrodes 3, 4 sont plongées dans une même 35 cuve comportant l'électrolyte. 3066857 15 Comme illustré en figure 2a et 2b : - on peut appliquer un rayonnement lumineux 5 tout au moins sur la face arrière 12 du substrat 100. Quel que soit le mode de réalisation retenu, par exemple l'un de ceux illustrés en figures 2a et 2b, si une illumination est prévue elle 5 peut s'effectuer par exemple par une lumière blanche. Plus précisément l'illumination est assurée par une source d'illumination comportant des photons dont l'énergie est supérieure au gap du matériau traité, soit, dans le cas du Silicium une énergie supérieure à 1.1eV. Par exemple, la puissance de la lampe est de 3500W. 10 De préférence, la face arrière 12 du substrat 100 est illuminée pendant l'étape d'électrochimie. Selon un mode de réalisation avantageux, la face arrière 12 du substrat 100 est illuminée pendant toute la durée de l'étape d'électrochimie. 15 De manière alternative ou combinée, on peut également prévoir de doper la face arrière 12 du substrat. Ce dopage peut être réalisé après ou avant l'implantation ionique. Il est réalisé avant de plonger le substrat 100 dans l'électrolyte 4. Ce dopage peut être un dopage de type p+. Il peut par exemple être obtenu par deux étapes d'implantation, une premier étape d'implantation 20 au Bore à une dose de 5E15 atm/cm3 et une énergie de 100keV, puis une seconde étape d'implantation au Bore avec une dose de 5E15 atm/cm3 et une énergie 30keV. La concentration des porteurs en face arrière 12 du substrat 100, ainsi que les conditions de l'électrochimie, en particulier la densité de courant, sont telles que les 25 porteurs de charges en face arrière 12 du substrat se déplacent jusqu'en face avant 11. Le mouvement des porteurs est facilité dans les zones 110 à plus faible résistivité. Les porteurs se dirigent donc principalement vers ces zones 110. Les conditions d'électrochimie, en particulier la nature de l'électrolyte 4, sont 30 également telles qu'il se produit une porosification du matériau du substrat 100 uniquement dans les zones 110. Quand on se limite au temps nécessaire pour porosifier les zones implantées, la sélectivité est infinie. Alternativement, les conditions d'électrochimie sont telles que la porosification s'effectue préférentiellement dans les zones 110, c'est-à-dire que la porosification se produit à une vitesse plus élevée dans 35 les zones modifiées 110 que dans les zones non modifiées 111. 3066857 16 Ainsi, le but de l'implantation 400 est de créer des défauts localisés dans le substrat 100 afin d'obtenir lors de l'électrochimie une porosification localisée. L'énergie et la dose d'implantation permettent à la fois de définir la profondeur 5 d'implantation ainsi que les défauts induits (électrique ou morphologique) dans le matériau. L'amorphisation du matériau du substrat 10, typiquement du silicium, n'est pas nécessaire pour engendrer la sélectivité lors de la porosification. En effet, une modification électrique qui réduit la résistivité est suffisante. De ce fait, tous les ions de la table des éléments peuvent être utilisés comme mentionné ci-dessus. 10 -La figure 3 illustre de manière simplifiée le mécanisme de porosification d'un substrat 100 de silicium dans un électrolyte 30 à base d'acide fluorhydrique (HF). Le substrat 100 est surmonté d'un diélectrique 110 qui masque le substrat 100 en dehors des ouvertures de manière à autoriser la porosification uniquement dans les zones non 15 masquées. Comme illustré en figure 3a, la dissolution du Si commence par la passivation des liaisons pendantes 34 par les atomes d'hydrogène 32. Ensuite les atomes d'hydrogène 32 sont remplacés par des atomes de fluor 31 (figure 3b). En figure 3b la référence 35 illustre le déplacement des porteurs de charges positives. La polarisation 20 induite par les liaisons Si-F va conduire à la rupture des liaisons Si-Si 33 provoquant de ce fait le dégagement de la molécule Si 36 (figure 3c et 3d). Le type et la taille des pores 102 dépendent des paramètres de porosification et du type de dopage du substrat. 25 Plus précisément, les paramètres permettant d'anodiser le matériau du substrat 100 et d'obtenir une porosification efficace des zones 110 modifiées sont les suivants : - la nature du bain chimique. - la puissance d'illumination. Comme indiqué ci-dessus, ce paramètre permet de générer les porteurs positifs en face arrière 12. 30 - la densité de courant d'anodisation (A/m2), c'est-à-dire le ratio courant/surface du substrat. - Le temps pendant lequel la densité de courant est appliquée. Naturellement, ces paramètres dépendent également de la résistivité initiale du substrat 100 (c'est-à-dire la résistivité du substrat 100 avant l'étape d'implantation), de 35 la résistivité des zones 110 modifiées par implantation, ainsi que de la profondeur de la zone implantée 110 que l'on souhaite rendre poreuse. 3066857 17 Selon un premier mode de réalisation, les conditions d'implantation ainsi que les paramètres de l'étape d'électrochimie sont telles que la porosification des zones 110 permet de retirer entièrement ou partiellement au moins ces zones sélectivement aux 5 zones 111. Les zones implantées 110 se sont ainsi entièrement ou tout au moins partiellement détachées du substrat 100. Ainsi, à l'issue de l'étape d'électrochimie, le substrat 100 ne comprend plus de matière dans les zones 110 préalablement implantées ou en contient moins qu'avant l'anodisation. De manière optionnelle, dans ce mode de réalisation on effectuera de préférence 10 un nettoyage pour retirer les zones rendues poreuses qui ne se seraient pas détachées du substrat 100. Cette étape fait donc office de nettoyage. On pourra pour cela utiliser des chimies alcalines. Par exemple on pourra utiliser de l'hydroxyde de potassium (KOH) ou de l'hydroxyde de tetramethylammonium (TMAH). 15 Selon un deuxième mode de réalisation, l'étape d'électrochimie conduit à une porosification sélective des zones 110 par rapport aux zones 111, tout comme le premier mode de réalisation précédent, mais dans ce deuxième mode de réalisation, les zones 110 rendues poreuses restent mécaniquement liées au substrat 100. Dans ce cas, on peut prévoir une gravure des zones rendues poreuses 20 sélectivement aux zones qui n'ont pas été rendues poreuses. Cette gravure sélective peut être effectuée par une gravure humide par exemple à l'aide d'une chimie comprenant à base de KOH ou TMAH. 25 En référence à la figure 5, un mode de réalisation de motifs en trois dimensions va maintenant être décrit. La figure 5a illustre un substrat 100 surmonté d'une couche de masquage 300. Cette dernière présente des motifs en creux 301 et des motifs en saillie 302. Tous ces motifs ont été formés par impression nanométrique de la couche de masquage 300 par 30 le moule 500. La couche de masquage 300 présente ainsi des motifs en trois dimensions. La figure 5b illustre une étape d'implantation 400 réalisée à travers la couche de masquage 300. Sur cet exemple, les conditions d'implantation sont choisies de manière à ce que les motifs 301, 302 soient reproduits avec les mêmes dimensions 35 dans le substrat 300. Ce mode de réalisation avec transfert isométrique des motifs de masquage n'est que optionnel. 3066857 18 La figure 5c illustre l'étape de retrait de la couche masquage 300. Le substrat 100 subit ensuite l'étape d'électrochimie. Les zones 110 implantées sont rendues poreuses sélectivement aux zones non implantées 111. De préférence, les zones 110 rendues poreuses se détachent automatiquement du substrat 100 lors 5 de l'électrochimie. Alternativement, après l'électrochimie, on effectue un nettoyage humide afin de graver les zones poreuses 110 sélectivement aux zones 111 qui n'ont pas été rendues poreuses. La figure 5d illustre le résultat final obtenu. Le procédé selon l'invention permet ainsi d'obtenir de manière aisée et reproductible des motifs 150 en creux et des motifs 10 en saillie 151, en trois dimensions, dont les géométries sont possiblement complexes. Dans ce mode réalisation comme dans tous les autres modes de réalisation couverts par les revendications, les motifs finaux obtenus dans le substrat 100 peuvent : - soit être conformes (en termes de géométrie et/ou de dimensions) aux motifs de 15 masquage 301, 302 formés dans la couche de masquage 300, - être différents (en termes de géométrie et/ou de dimensions) des motifs de masquage 301, 302 formés dans la couche de masquage 300. La conformité ou la non-conformité du transfert des motifs depuis la couche de masquage 300 vers le substrat 100 dépend notamment des capacités respectives de 20 leurs matériaux à laisser pénétrer en leur sein les ions lors de l'implantation 400. Dans la suite de la description, des exemples détaillés avec des valeurs numériques seront présentés. La densité de courant d'anodisation sera renseignée par une intensité exprimée en Ampère. Ces valeurs d'intensité ont été obtenues avec des 25 substrats formant des disques de 200 mm de diamètre. L'homme du métier peut ainsi calculer la densité de courant appliqué dans ces exemples. Il pourra ainsi déterminer l'intensité du courant qu'il faudra appliquer pour des substrats de dimensions différentes. 30 La figure 4 et les paragraphes ci-dessous présentent un exemple de protocole pour définir des conditions d'anodisation du substrat 100. C'est sur la base de ce protocole qu'ont été définies les conditions mentionnées dans les exemples précis mais non limitatifs qui seront décrits en référence aux figures 6 à 8. 35 Dans cet exemple non limitatif le substrat est un substrat de silicium de type P, dont la résistivité et de 1 à 50 OHM (gamme standard de résistivité pour des plaques 3066857 19 de silicium p dopé au bore à environ 2.6.E14 à 1.5E16 at/cm3), dont l'orientation cristalline est (1 0 0). Le substrat présent une forme circulaire (disque) de 200 mm de diamètre. 5 Afin de définir les conditions d'anodisation des substrats, trois plaques de références ont été traitées dans une cellule électrochimique, dont l'électrolyte est un acide HF dilué à 35%, le solvant étant de l'isopropranol (IPA). Les plaques sont en contact avec le bain chimique en face avant 11 et arrière 12. On fait varier le potentiel de 0 à 20V, l'évolution du courant est mesurée au fur et à 10 mesure du traitement ce qui permet ainsi de tracer les courbes illustrées en figure 4. Chacune des courbes correspond à un taux d'illumination 20%, 40% et 60% pour une source lumineuse qui délivre une lumière blanche avec une puissance maximale de 3500W. Dans la présente demande de brevet, on qualifie de taux d'illumination la puissance délivrée par la source par rapport à la puissance maximale que cette 15 dernière peut délivrer. La forme des courbes permet d'identifier la nature du régime dans lequel se trouve le substrat. Ce régime est, soit un régime de porosification (partie croissante de la courbe), soit un régime d'électro-polissage (partie de la courbe présentant une intensité constante). 20 Avantageusement, les conditions d'électrochimie sont choisies de manière à se situer dans le régime de porosification. L'illumination est une lumière blanche d'une puissance de 3500W. Dans cet exemple, on choisit de travailler à 60% d'illumination, c'est-à-dire que la 25 puissance émise par la source lumineuse est de 60 % de sa puissance maximale (soit 60% de 3500VV). Cette puissance d'illumination élevée a pour avantage d'augmenter la vitesse de la porosification. En effet, plus le taux d'illumination est élevé plus la vitesse d'anodisation est grande. Une puissance d'illumination plus élevée serait possible mais pourrait potentiellement conduire à des vitesses de porosification élevées et donc à 30 des vitesses de gravure trop rapides pour être maîtrisées de manière stable et reproductible. Dans cet exemple, on choisit également de se placer dans la zone de porosification à 2A. Le temps de l'électrochimie est défini grâce une plaque de silicium vierge traitée 35 avec les mêmes paramètres (régime de porosification à 60% d'illumination et à courant constant de 2A). L'étude de l'évolution de l'épaisseur porosifiée en fonction du temps 3066857 20 de cette plaque témoin, nous permet d'estimer le temps nécessaire pour traiter une plaque localement implantée à une profondeur variant entre 100 nm et 200 nm. Plusieurs exemples précis mais non limitatifs vont maintenant être décrits en 5 référence aux figures 6 à 8. La figure 6 illustre la gravure de motifs en deux dimensions dans un substrat 100 formant une plaque de silicium cristallin. Le substrat 100 est de type P. Il présente une résistivité de 1 à 50 OHM. 10 Dans cet exemple, la couche de masquage 300 est une résine disposée directement contact du substrat 100. Préalablement à l'étape illustrée en figure 6a, on effectue une lithographie optique classique pour réaliser des motifs 301 en forme de lignes parallèles. On effectue ensuite une implantation d'ions argon, avec les conditions suivantes: Nature ions des Energie des ions Dose Argon (Ar) 100kev 1.E16at/cm2 15 Pour cet exemple il n'est pas nécessaire de faire un dépôt de couche tampon 200. Les figures 6a et 6b illustrent, respectivement de manière schématique et par une photographie par microscope électronique, le résultat obtenu à l'issue de l'étape 20 d'implantation. On effectue ensuite une étape de retrait de la couche de masquage 300. Puis on effectue l'étape d'anodisation du substrat 100 avec illumination de la face arrière 12 du substrat 100. Les conditions de l'électrochimie sont les suivantes : Intensité Nature de l'électrolyte Taux d'illumination Durée de (Ampères) (à base de) (% de la puissance l'électrochimie maximale de la source) (secondes) 2A HF35 % 60% 30s 25 Pour les conditions de ce mode de réalisation et de ceux des figures qui suivent, on rappellera que les valeurs mentionnées pour les intensités ont été obtenues avec des substrats formant des disques de 200 mm de diamètre. Par ailleurs, on rappellera que la puissance maximale de la source, dans ces exemples est de 3500W. 3066857 21 Les figures 6c et 6d illustrent, respectivement de manière schématique et par une photographie par microscope électronique, le résultat obtenu à l'issue de l'étape de retrait comprenant l'électrochimie. De manière particulièrement avantageuse, les zones rendues poreuses se 5 détachent d'elles-mêmes lors de l'électrochimie. Pour ce mode de réalisation comme pour tous les modes de réalisation, durant l'étape d'électrochimie, on peut ; - maintenir une intensité constante du courant passant entre une anode formée 10 par le substrat 100 et une cathode plongée dans l'électrolyse, - surveiller l'évolution de la tension entre l'anode et la cathode. Si une stabilisation de l'intensité ou si une variation d'intensité d'un facteur k est détectée alors, on en déduit que la totalité de l'au moins une première zone a été rendue poreuse. 15 On notera qu'il est également possible de procéder de manière inverse c'est-à- dire en fixant la tension et en surveillant l'évolution de l'intensité. Ainsi, il est possible de contrôler avec précision que toute la zone modifiée 110 lors de l'implantation a été rendue poreuse et a été possiblement retirée. On peut ainsi interrompre l'étape d'électrolyse. 20 La figure 7 illustre la gravure de motifs en deux dimensions dans un substrat 100 identique à celui de l'exemple précédent. L'empilement de cet exemple diffère de celui de la figure 6 en ce qu'on dispose une couche tampon 200 entre le substrat 100 et la couche de masquage 300. Cette 25 couche tampon 200 est formée par un dépôt de nitrure (par exemple mais de manière non limitative de nitrure de silicium SiN), de préférence par LPCVD (dépôt chimique en phase valeur à basse température). L'épaisseur de cette couche 200 est de 20 nm (109 mètres). 30 Préalablement à l'étape illustrée en figure 7a, on effectue une lithographie optique classique pour réaliser les motifs 301 en forme de lignes parallèles. On effectue ensuite une implantation d'ions d'argon dans les conditions suivantes : Nature ions des Energie des ions Dose Argon (Ar) 100kev 1.E15at/cm2 3066857 22 La figure 7a illustre de manière schématique le résultat obtenu à l'issue de l'étape d'implantation. Les zones 110 du substrat 100 ainsi que la zone 210 de la couche tampon 200 situées au droit des ouvertures 301 de la couche de masquage 5 300 sont implantées. On effectue ensuite une étape de retrait de la couche de masquage 300 et une étape de retrait de la couche tampon 200. Puis on effectue l'étape d'anodisation du substrat 100 avec illumination de la face arrière 12 du substrat 100. Les conditions d'électrochimie sont les suivantes : 10 Intensité Nature de l'électrolyte Taux d'illumination Durée de (Ampères) (à base de) (% de la puissance l'électrochimie maximale de la source) (secondes) 2A HF35 % 40% 10s La figure 7c illustre de manière schématique le résultat obtenu à l'issue de l'étape de retrait comprenant l'électrochimie. De manière particulièrement avantageuse, les zones rendues poreuses se 15 détachent d'elles-mêmes lors de l'électrochimie. La figure 8 illustre la gravure de motifs en trois dimensions dans un substrat 100 identique à celui de l'exemple illustré en figure 6. Dans cet exemple non limitatif, la couche de masquage 300 est une résine 20 disposée directement contact du substrat 100, sans couche tampon 200 intermédiaire. Préalablement à l'étape illustrée en figure 8a, on réalise des motifs 300a-300e qui définissent ensemble un profil en marche d'escalier. Ce profil est de préférence obtenu par impression nanomètres nanométrique. Comme illustrée en figure 8b, on effectue ensuite une implantation d'ions d'argon 25 avec les conditions suivantes : Nature ions des Energie des ions Dose Argon (Ar) 150kev 1.E16at/cm2 On obtient ainsi dans le substrat 100 des zones implantées 110 qui sont fonctions des motifs 300a à 300e. 3066857 23 L'étape suivante, illustrée en figure 8c de manière schématique et par une photographie par microscope électronique, consiste à retirer la couche de masquage 300. Puis on effectue l'étape d'anodisation du substrat 100 avec illumination de la face 5 arrière 12 du substrat 100. Les conditions d'électrochimie sont les suivantes : Intensité Nature de l'électrolyte Taux d'illumination Durée de (Ampères) (à base de) (% de la puissance l'électrochimie maximale de la source) (secondes) 2A HF35 % 60% 30s La figure 8d illustre, de manière schématique et par une photographie par microscope électronique, le résultat obtenu à l'issue de l'étape de retrait comprenant 10 l'électrochimie. De manière particulièrement avantageuse, les zones rendues poreuses se détachent d'elles-mêmes lors de l'électrochimie. Au vu de la description qui précède, il apparaît clairement que l'invention propose 15 une solution particulièrement efficace, pour obtenir des motifs aux formes possiblement complexes, avec un bon contrôle dimensionnel et avec des risques réduits d'endommager ou de contaminer des couches sous-jacentes au substrat que l'on souhaite graver. Par ailleurs, les motifs réalisés dans le substrat présentent les mêmes propriétés que le substrat en début de procédé. 20 La présente invention s'avère donc particulièrement avantageuse pour la réalisation de dispositifs microélectroniques, électroniques, micromécaniques, électromécaniques (MEMS, NEMS...), microfluidiques, optiques ou optoélectroniques. L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits et 25 s'étend à tous les modes de réalisation couverts par les revendications. REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'au moins un motif (150) dans un substrat (100), le procédé comprenant au moins les étapes suivantes: - fournir un substrat (100) présentant une face avant (11) surmontée au moins d'une couche de masquage (300), - définir au moins un motif de masque (301) dans la couche de masquage (300), - réaliser une implantation ionique du substrat (100) par ladite face avant (11) et au moins au droit du motif de masque (301), de manière à former au moins une première zone (110) modifiée par implantation et au moins une deuxième zone (111) non modifiée par l'implantation ou moins modifiée que la première zone (110), les conditions d'implantation étant choisies de manière à ce que après implantation l'au moins une première zone (110) présente une résistivité pl inférieure à la résistivité p2 de l'au moins une deuxième zone (111), caractérisé en ce qu'il comprend au moins les étapes successives suivantes: - après l'étape d'implantation, plonger le substrat (100) dans un électrolyte (4), - retirer l'au moins une première zone (110) sélectivement à l'au moins une deuxième zone (111), l'étape de retrait comprenant au moins l'application au substrat (100) d'une étape d'électrochimie pour provoquer une porosification de l'au moins une première zone (110) sélectivement à l'au moins une deuxième zone (111), l'étape de retrait étant effectuée de manière à ce qu'au moins lors de l'étape d'électrochimie au moins une face arrière (12) du substrat (100) opposée à la face avant (11) présente des porteurs de charges. 2. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel l'implantation est réalisée de manière à ce que p2 1.1*p1, de préférence de manière à ce que p2 2*p1 et de préférence de manière à ce que p2 3*p1 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'électrochimie est réalisée de manière à ce que ladite porosification des zones modifiées (110) entraîne un détachement complet de l'au moins une première zone (110) par rapport à l'au moins une deuxième zone (111). 3066857 25 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 2, dans lequel l'électrochimie est réalisée de manière à ce que ladite porosification des zones modifiées (110) n'entraîne pas un détachement complet de l'au moins une première 5 zone (110) par rapport à l'au moins une deuxième zone (111) et l'étape de retrait comprend également, après l'étape électrochimie, une étape de gravure de l'au moins une première zone (110) rendue poreuse sélectivement à l'au moins une deuxième zone (111). 10 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les ions implantés lors de l'implantation sont des ions dont la masse atomique est supérieure à la masse atomique du bore. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel 15 les ions implantés lors de l'implantation sont pris parmi les ions à base d'hydrogène (H) et les ions à base d'hélium (He). 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'implantation ionique du substrat (100) est réalisée de manière à ce que les ions 20 soient implantés avec une énergie inférieure ou égale à 150keV. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'étape de retrait comprend une gravure humide sélective de l'au moins une première zone (110) rendue poreuse sélectivement à l'au moins une deuxième zone 25 (111). 9. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la gravure humide est réalisée en milieu alcalin, de préférence à base de l'une des solutions suivantes: l'hydroxyde de potassium (KOH) ou de l'hydroxyde de 30 tetramethylammonium (TMAH). 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'étape de retrait comprend une illumination de la face arrière (12) du substrat (100) de manière à ce que la face arrière (12) du substrat présente des porteurs de 35 charges lors de l'étape d'électrochimie. 3066857 26 11. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel l'illumination est effectuée pendant l'étape d'électrochimie. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, 5 comprenant, avant l'étape de plongée substrat (100) dans l'électrolyte, une étape de dopage de la face arrière (12) de manière à ce que la face arrière (12) du substrat présente des porteurs de charges lors de l'étape d'électrochimie. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans 10 lequel la couche de masquage (300) est une couche de résine, et l'étape de définition d'au moins un motif de masque (301) dans la couche de masquage (300) comprend au moins l'un parmi : une lithographie optique, une lithographie électronique, une lithographie par nano-impression, un procédé d'auto-assemblage direct (DSA acronyme de « Direct Self Assembled »). 15 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel lors de l'étape d'implantation, le substrat (100) est surmonté d'une couche tampon (200) située entre la face avant (11) du substrat et la couche de masquage (300). 20 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant, avant l'étape de plongée et l'étape de retrait, une étape de retrait de la couche de masquage (300). 25 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel durant l'étape d'électrochimie, on maintient une intensité constante du courant passant entre une anode (2) formée en partie au moins par le substrat (100) et une cathode (3) plongée dans l'électrolyse (4), on surveille l'évolution de la tension entre l'anode (2) et la cathode (3), et lorsqu'une stabilisation est détectée, on en déduit que 30 la totalité de l'au moins une première zone (111) a été rendue poreuse.