FR 3066058 A1 20181109 FR 1753995 A 20170505 1 APPAREIL DE COMMUNICATION AVEC UNE ISOLATION RENFORCEE DE LA CHAÃNE DE RECEPTION Des modes de rÃ©alisation de l'invention concernent les appareils de communication, en particulier pour une communication sans fil, tels que des tÃ©lÃ©phones mobiles cellulaires ou des tablettes numÃ©riques, et notamment les dispositifs amplificateurs faible bruit connus dans l'Ã©tat de la technique sous l'acronyme de langue anglaise Â« LNA Â» (Â«Low Noise Amplifier, LNA Â» en anglais) incorporÃ©s dans les chaÃ®nes de rÃ©ception de ces appareils. Un appareil de communication comprend gÃ©nÃ©ralement une chaÃ®ne d'Ã©mission d'un signal et une chaÃ®ne de rÃ©ception d'un signal raccordÃ©es Ã une antenne et Ã un dispositif de traitement en bande de base. La figure 1 reprÃ©sente un appareil de communication 1 selon l'Ã©tat de la technique comprenant une chaÃ®ne d'Ã©mission Tx et une chaÃ®ne de rÃ©ception Rx raccordÃ©es Ã une antenne ANT et une unitÃ© de traitement en bande de base 2, notamment un processeur de bande de base. La chaÃ®ne d'Ã©mission Tx comprend notamment un dispositif amplificateur de puissance 3 (Â« Power Amplifier, PA Â» en anglais) dont une sortie est reliÃ©e Ã l'antenne ANT par l'intermÃ©diaire d'un transistor Ti. Le noeud commun entre le dispositif amplificateur 3 et le transistor Ti est reliÃ© Ã une masse GND par l'intermÃ©diaire d'un transistor T2. L'entrÃ©e du dispositif amplificateur 3 est reliÃ©e Ã d'autres Ã©lÃ©ments classiques et connus de la chaÃ®ne d'Ã©mission (non reprÃ©sentÃ©s ici Ã des fins de simplification de la figure). La chaÃ®ne de rÃ©ception Rx comprend un dispositif amplificateur 4 communÃ©ment dÃ©signÃ© par l'homme du mÃ©tier sous l'appellation Â« amplificateur faible bruit Â» (Â« Low Noise Amplifier Â», LNA en anglais) dont une entrÃ©e est reliÃ©e Ã l'antenne ANT par l'intermÃ©diaire d'un transistor T3. Le noeud commun entre l'antenne ANT et le dispositif amplificateur 4 est reliÃ© Ã la masse GND par l'intermÃ©diaire 3066058 2 d'un transistor T4. La sortie du dispositif amplificateur 4 est reliÃ©e Ã d'autres Ã©lÃ©ments classiques et connus de la chaÃ®ne de rÃ©ception (non reprÃ©sentÃ©s Ã des fins de simplification de la figure). Le dispositif amplificateur comprend classiquement au moins 5 un transistor d'amplification T. Les transistors Ti, T2, T3 et T4 peuvent Ãªtre de mÃªme nature, par exemple des transistors Ã oxyde de grille Ã©pais, et peuvent Ãªtre dimensionnÃ©s diffÃ©remment. Ils sont de nature quelconque, par exemple des transistors Ã effet de champ NMOS. Les moyens de 10 commutation sont commandÃ©s par des moyens de commande incorporÃ©s dans l'unitÃ© de traitement en bande de base 2. En mode Ã©mission d'un signal, les transistors Ti et T4 sont passants. Ils se comportent comme des rÃ©sistances parasites Ron. Le transistor T4 assure la mise Ã la masse de l'entrÃ©e du dispositif 15 amplificateur 4. Les transistors T2 et T3 sont ouverts. Ils se comportent comme des capacitÃ©s parasites Coff. Le transistor T4 forme, dans le mode Ã©mission, un moyen de dÃ©charge des moyens de commutation de la chaÃ®ne de rÃ©ception. En mode rÃ©ception, les transistors Ti et T4 sont ouverts et les 20 transistors T2 et T3 sont passants. Le transistor T2 assure la mise Ã la masse de la sortie du dispositif amplificateur 3. Les transistors Ti et T4 se comportent comme des capacitÃ©s parasites Coff. Les transistors T2 et T3 se comportent comme des rÃ©sistances parasites Ron. Ces Ã©lÃ©ments parasites dÃ©gradent la figure de bruit (Â« Noise Figure Â», en 25 anglais) de l'amplificateur 4. La qualitÃ© du dispositif est dÃ©crite par le coefficient Coff*Ron. Cependant ce coefficient est fixÃ© pour une technologie donnÃ©e. En mode Ã©mission, le dispositif amplificateur 3 Ã©met par exemple un signal de puissance de 33dBm soit 2W sous une tension de 30 10V. La capacitÃ© parasite du transistor T3 laisse passer un courant parasite qui alimente le dispositif amplificateur 4. Le courant issu de la capacitÃ© parasite du transistor T3 dÃ©tÃ©riore le transistor d'amplification T, si la protection donnÃ©e par T4 n'Ã©tait pas suffisante. Par consÃ©quent les transistors de commutation 3066058 3 sont dimensionnÃ©s de telle sorte qu'ils canalisent la puissance parasite bien en dessous de la tension de 10V. Ils sont donc de dimensions appropriÃ©es. GÃ©nÃ©ralement chaque transistor de commutation Ti, T2, T3 et 5 T4 comprend un ensemble de transistors assemblÃ©s en sÃ©rie et en parallÃ¨le sous la forme d'une matrice. Cette disposition permet de trouver des configurations fonctionnelles et non destructrices pour un Ron*Coff donnÃ© et limite la tension susceptible de dÃ©tÃ©riorer le dispositif amplificateur 4. 10 Cependant il est souhaitable de trouver un compromis entre l'encombrement de la matrice et l'amÃ©lioration de la protection du transistor d'amplification T. Les diffÃ©rents Ã©lÃ©ments des moyens de commutation sont par ailleurs sÃ©parÃ©s les uns des autres de quelques micromÃ¨tres. Par 15 consÃ©quent, des phÃ©nomÃ¨nes de couplage substrat et Ã©lectromagnÃ©tique apparaissent. Ces phÃ©nomÃ¨nes dÃ©gradent Ã©galement la figure de bruit du dispositif amplificateur faible. Il existe un besoin d'amÃ©liorer la figure de bruit du dispositif amplificateur faible bruit et de rÃ©duire l'encombrement des moyens de 20 commutation tout en prÃ©servant ce dispositif amplificateur de toute dÃ©tÃ©rioration. Selon un mode de rÃ©alisation il est avantageusement proposÃ© d'incorporer dans le dispositif amplificateur faible bruit le moyen de dÃ©charge permettant de dÃ©charger la capacitÃ© intrinsÃ¨que des moyens 25 de commutation de la chaÃ®ne de rÃ©ception, et ainsi diminuer les phÃ©nomÃ¨nes de couplage et la taille des transistors de commutation. Selon un aspect, il est proposÃ© un appareil de communication comprenant une antenne, une chaÃ®ne de rÃ©ception comportant un dispositif amplificateur et un moyen de commutation commandable 30 possÃ©dant une capacitÃ© intrinsÃ¨que, couplÃ© entre l'entrÃ©e du dispositif amplificateur et l'antenne et possÃ©dant un Ã©tat ouvert et un Ã©tat passant, et un moyen de dÃ©charge configurÃ© pour dÃ©charger la capacitÃ© intrinsÃ¨que du moyen de commutation dans son Ã©tat ouvert. 3066058 4 Selon cet aspect, le dispositif amplificateur incorpore le moyen de dÃ©charge. En d'autres termes, le moyen de dÃ©charge comprenant par exemple un transistor de dÃ©charge est Ã©loignÃ© physiquement des autres 5 transistors de commutation. Cela rÃ©duit les phÃ©nomÃ¨nes de couplage substrat et Ã©lectromagnÃ©tique et permet d'utiliser des transistors de commutation de plus petite taille. Selon un mode de rÃ©alisation, le dispositif amplificateur comprend en outre un Ã©lÃ©ment inductif et un moyen d'amplification, le 10 moyen d'amplification Ã©tant reliÃ© Ã une entrÃ©e du dispositif amplificateur par l'intermÃ©diaire de l'Ã©lÃ©ment inductif, dans lequel le moyen de dÃ©charge est connectÃ© entre l'Ã©lÃ©ment inductif et le moyen d'amplification. L'Ã©lÃ©ment inductif filtre aussi avantageusement le courant 15 parasite traversant la capacitÃ© intrinsÃ¨que du moyen de commutation. Selon un mode de rÃ©alisation, le moyen de dÃ©charge comprend au moins un transistor de dÃ©charge commandable. Selon un mode de rÃ©alisation, le moyen de dÃ©charge commandable comprend une matrice de transistors de dÃ©charge 20 commandables par un mÃªme signal de commande. Selon un mode de rÃ©alisation, le moyen d'amplification comprend un transistor d'amplification. Selon un mode de rÃ©alisation, le dispositif amplificateur comprend en outre une borne d'alimentation destinÃ©e Ã Ãªtre reliÃ©e Ã la 25 masse, l'Ã©lectrode de commande du transistor d'amplification Ã©tant connectÃ©e Ã une entrÃ©e du dispositif amplificateur et le moyen de dÃ©charge Ã©tant connectÃ© entre l'Ã©lectrode de commande du transistor d'amplification et la borne d'alimentation. Selon un autre mode possible de rÃ©alisation, le dispositif 30 amplificateur comprend en outre une borne d'alimentation destinÃ©e Ã Ãªtre reliÃ©e Ã la masse, le moyen de dÃ©charge Ã©tant connectÃ© entre la source du transistor d'amplification et la borne d'alimentation. Selon un autre mode de rÃ©alisation, le moyen de dÃ©charge comprend une matrice de transistors. 3066058 5 Selon un mode de rÃ©alisation, l'appareil de communication comprend une chaÃ®ne d'Ã©mission comportant un amplificateur de puissance couplÃ© Ã l'antenne par l'intermÃ©diaire de second moyens de commutation commandables et possÃ©dant un Ã©tat ouvert et un Ã©tat 5 passant. Selon un autre aspect, il est proposÃ© un dispositif amplificateur incorporÃ© dans un appareil de communication tel que dÃ©fini prÃ©cÃ©demment. D' autres avantages et caractÃ©ristiques de l' invention 10 apparaÃ®tront Ã l'examen de la description dÃ©taillÃ©e de modes de rÃ©alisation, nullement limitatifs, et de dessins annexÃ©s sur lesquels : - la figure 1 dÃ©jÃ dÃ©crite illustre un art antÃ©rieur ; et - les figures 2 Ã 7 illustrent des modes de rÃ©alisation de l' invention. 15 On se rÃ©fÃ¨re Ã la figure 2 qui reprÃ©sente un exemple de mode de rÃ©alisation d'un appareil de communication APP. L'appareil de communication APP comprend la chaÃ®ne d'Ã©mission Tx et une chaÃ®ne de rÃ©ception Rxl raccordÃ©es Ã l'antenne ANT et une unitÃ© de traitement en bande de base 5, notamment un 20 processeur de bande de base. La chaÃ®ne d'Ã©mission Tx comprend le dispositif amplificateur de puissance 3 (Â« Power Amplifier, PA Â» en anglais) dont une sortie est reliÃ©e Ã l'antenne ANT par l'intermÃ©diaire du transistor Ti. Le noeud commun entre le dispositif amplificateur 3 et le transistor Ti est 25 reliÃ© Ã la masse GND par l'intermÃ©diaire d'un transistor T2. L'entrÃ©e du dispositif amplificateur 3 est reliÃ©e Ã d'autres Ã©lÃ©ments classiques et connus de la chaÃ®ne d'Ã©mission (non reprÃ©sentÃ©s ici Ã des fins de simplification de la figure). La chaÃ®ne de rÃ©ception Rxl comprend un dispositif 30 amplificateur faible bruit 6 comportant au moins un transistor d'amplification T et le transistor de commutation T3. Elle ne comporte plus le moyen de dÃ©charge T4 situÃ© Ã l'extÃ©rieur du dispositif amplificateur 6. Comme on le verra plus en dÃ©tail ci-aprÃ¨s ce moyen de dÃ©charge est incorporÃ© dans le dispositif amplificateur 6. 3066058 6 Le dispositif amplificateur 6 comprend une entrÃ©e BE reliÃ©e Ã l'antenne ANT par l'intermÃ©diaire du transistor T3, une entrÃ©e de commande Ec et une sortie BS reliÃ©es Ã d'autres Ã©lÃ©ments classiques et connus de la chaÃ®ne de rÃ©ception (non reprÃ©sentÃ©s Ã des fins de 5 simplification de la figure). Il comprend une premiÃ¨re borne d'alimentation B1 destinÃ©e Ã Ãªtre raccordÃ©e Ã une premiÃ¨re tension d'alimentation, notamment une tension continue Vcc, et une seconde borne d'alimentation B2 destinÃ©e Ã Ãªtre raccordÃ©e Ã une seconde tension d'alimentation, notamment une masse GND. 10 L'entrÃ©e de commande Ec du dispositif amplificateur 6 est couplÃ©e Ã des moyens de commande MC incorporÃ©s dans l'unitÃ© de traitement en bande de base 5. Ces moyens de commande gÃ©nÃ¨rent un signal de commande SC. On se rÃ©fÃ¨re Ã la figure 3 qui montre un exemple d'un mode de 15 rÃ©alisation d'un dispositif amplificateur 6. Dans ce mode rÃ©alisation, le dispositif amplificateur 6 est agencÃ© selon un montage source commune. Le dispositif amplificateur 6 comprend le moyen de dÃ©charge comportant un transistor de dÃ©charge T5, un moyen d'amplification 20 comprenant un transistor d'amplification T6, un Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R1, un Ã©lÃ©ment inductif d'adaptation d'impÃ©dance Li et un Ã©lÃ©ment inductif de dÃ©gÃ©nÃ©rescence L2. L'Ã©lÃ©ment inductif Li d'adaptation d'impÃ©dance et l'Ã©lÃ©ment inductif L2 de dÃ©gÃ©nÃ©rescence permettent d'adapter l'impÃ©dance 25 d'entrÃ©e BE du dispositif amplificateur 6 pour optimiser le transfert de puissance entre des Ã©lÃ©ments reliÃ©s Ã l'entrÃ©e E et le transistor T6. L'Ã©lÃ©ment inductif de dÃ©gÃ©nÃ©rescence L2 amÃ©liore les performances dynamiques du transistor d'amplification T6. Selon un mode de rÃ©alisation, les transistors T5 et T6 sont des 30 transistors NMOS. La grille du transistor d'amplification T6 est reliÃ©e Ã l'entrÃ©e BE du dispositif amplificateur 6 par l'intermÃ©diaire de l'Ã©lÃ©ment inductif Li. La source du transistor d'amplification T6 est reliÃ©e Ã 3066058 7 une premiÃ¨re borne de l'Ã©lÃ©ment inductif L2. La seconde borne de l'Ã©lÃ©ment inductif L2 est reliÃ©e Ã la borne d'alimentation B2 (masse). Le drain du transistor d'amplification T6 est reliÃ© Ã la sortie BS du dispositif amplificateur 6. L'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R1 est reliÃ© d'une 5 part Ã la borne d'alimentation Bi, et d'autre part, Ã la sortie BS. Le drain du transistor de dÃ©charge T5 est reliÃ© au noeud commun entre l'Ã©lÃ©ment inductif Li et la grille du transistor d'amplification T6. La source du transistor de dÃ©charge T5 est reliÃ© Ã la borne d'alimentation B2, et la grille est reliÃ©e Ã l'entrÃ©e Ec du 10 dispositif amplificateur 6. En mode Ã©mission, c'est-Ã -dire lorsque le transistor Ti est passant et le transistor T2 est ouvert, l'antenne ANT reÃ§oit un signal Ã©mis par le dispositif amplificateur 3. Le signal Ã©mis est par exemple d'une puissance d'approximativement 33dBm soit 10mW sous une 15 tension de 10V. Le transistor T5 est commandÃ© par le signal de commande SC reÃ§u Ã l'entrÃ©e Ec du dispositif amplificateur 6 de telle sorte qu'il soit passant. Le transistor T3 est commandÃ© par l'unitÃ© de traitement en 20 bande de base 5 de telle sorte qu'il soit ouvert, il se comporte comme une capacitÃ© parasite. Il est reliÃ© Ã l'antenne ANT et reÃ§oit le signal Ã©mis par le dispositif amplificateur 3. Le transistor T3 laisse passer un courant parasite I. Le courant I est attÃ©nuÃ© par l'Ã©lÃ©ment inductif d'adaptation d'impÃ©dance 25 Li. Par consÃ©quent, le transistor de dÃ©charge T5 est dimensionnÃ© pour un courant parasite I plus faible. Le transistor T5 est de taille plus petite que dans le cas d'une configuration d'une branche de rÃ©ception connue de l'Ã©tat de la technique. En mode rÃ©ception, c'est-Ã -dire lorsque les transistors Ti et T5 30 sont ouverts, et les transistors T2 et T3 sont passants, l'antenne ANT reÃ§oit par exemple un signal de puissance d'approximativement -80 dBm soit 0.01W. La valeur de la tension Vcc de polarisation du transistor T6 Ã la borne d'alimentation B1 et la valeur de l'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R1 sont 3066058 8 choisies de telle sorte que le transistor T6 amplifie le signal reÃ§u de l'entrÃ©e BE selon un point de fonctionnement prÃ©dÃ©fini du transistor T6. Le signal reÃ§u par l'antenne ANT est transmis Ã l'entrÃ©e BE du 5 dispositif amplificateur 6, et au transistor d'amplification T6 qui amplifie le signal reÃ§u sur sa grille. Comme le transistor de dÃ©charge T5 est plus petit, sa capacitÃ© parasite a Ã©tÃ© rÃ©duite. La figure de bruit (Â« Noise Figure Â», en anglais) du dispositif amplificateur 6 a Ã©tÃ© amÃ©liorÃ©e. 10 De plus, le transistor de dÃ©charge T5 est dÃ©portÃ© dans le dispositif amplificateur 6. La distance entre les transistors Ti, T2, T3 et le transistor de dÃ©charge T5 est plus grande. Les phÃ©nomÃ¨nes de couplage substrat et Ã©lectromagnÃ©tique entre le transistor de dÃ©charge T5 et les autres transistors de commutation sont rÃ©duits. 15 Cela contribue Ã©galement Ã l'amÃ©lioration de la figure de bruit du dispositif amplificateur 6. On se rÃ©fÃ¨re Ã la figure 4 qui montre un exemple d'un autre mode de rÃ©alisation d'un dispositif amplificateur 6. Dans ce mode rÃ©alisation, le dispositif amplificateur 6 est 20 rÃ©alisÃ© selon un montage source commune cascodÃ©. Les Ã©lÃ©ments identiques Ã ceux dÃ©crits dans le mode de rÃ©alisation prÃ©cÃ©dent sont identifiÃ©s par les mÃªmes rÃ©fÃ©rences numÃ©riques. Sur cette figure on reconnaÃ®t les Ã©lÃ©ments inductifs Li et L2, le transistor de dÃ©charge T5, le transistor d'amplification T6. Ces 25 Ã©lÃ©ments sont agencÃ©s comme dÃ©crit prÃ©cÃ©demment. Le dispositif amplificateur 6 comprend en outre un transistor T7 alimentÃ© sur sa grille par une tension continue Vbiasl et un Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R2. Le transistor T7 est ici un transistor NMOS. 30 Le drain du transistor d'amplification T6 est reliÃ© Ã la source du transistor T7. Le drain du transistor T7 est reliÃ© d'une part Ã la sortie BS du dispositif amplificateur 6 et, d'autre part, Ã une premiÃ¨re borne de l'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R2. La seconde borne de l'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R2 est reliÃ©e Ã la borne d'alimentation Bi. 3066058 9 La valeur de la tension Vbiasl est choisie supÃ©rieure Ã la tension de seuil du transistor T7. Le transistor T7 est passant. La valeur de la tension Vcc de polarisation du transistor T6 Ã la borne d'alimentation B1 et la valeur de l'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R2 sont 5 choisies de telle sorte que le transistor T6 amplifie le signal reÃ§u de l'entrÃ©e BE selon un point de fonctionnement prÃ©dÃ©fini du transistor T6. Avantageusement, l'isolation Ã©lectrique du transistor d'amplification T6 est amÃ©liorÃ©e et le transistor de dÃ©charge T5 est de 10 taille rÃ©duite par rapport aux transistors de commutation Ti, T2, T3 et T4. Le fonctionnement de ce dispositif amplificateur 6 en Ã©mission/rÃ©ception est identique Ã celui dÃ©crit dans le premier mode de rÃ©alisation. 15 Avantageusement, un amplificateur cascodÃ© prÃ©sente des propriÃ©tÃ©s de gain, de bruit, de consommation et d'isolation amÃ©liorÃ©es par rapport aux autres amplificateurs non cascodÃ©s. On se rÃ©fÃ¨re Ã la figure 5 qui montre un exemple d'un autre mode de rÃ©alisation d'un dispositif amplificateur 6. 20 Dans ce mode rÃ©alisation, le dispositif amplificateur 6 est rÃ©alisÃ© selon un montage grille commune. Les Ã©lÃ©ments identiques Ã ceux dÃ©crits dans le mode de rÃ©alisation prÃ©cÃ©dent sont identifiÃ©s par les mÃªmes rÃ©fÃ©rences numÃ©riques. Sur cette figure on reconnaÃ®t les Ã©lÃ©ments inductifs Li et 25 L2, et le transistor de dÃ©charge T5. Le dispositif amplificateur 6 comprend un moyen d'amplification comprenant un transistor d'amplification T8 alimentÃ© sur sa grille par une tension continue Vbias2. Selon un mode de rÃ©alisation, le transistor T8 est un transistor 30 NMOS. La source du transistor d'amplification T8 est reliÃ©e Ã l'entrÃ©e BE du dispositif amplificateur 6 par l'intermÃ©diaire de l'Ã©lÃ©ment inductif Li, et Ã la borne d'alimentation B2 par l'intermÃ©diaire de l'Ã©lÃ©ment inductif L2. 3066058 10 Le drain du transistor d'amplification T8 est reliÃ© Ã la sortie BS du dispositif amplificateur 6. L'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R3 est reliÃ© d'une part, Ã la borne d'alimentation Bi, et d'autre part, Ã la sortie BS. Le drain du transistor de dÃ©charge T5 est reliÃ© au noeud 5 commun entre l'Ã©lÃ©ment inductif Li et la source du transistor d'amplification T6. La source du transistor de dÃ©charge T5 est reliÃ©e Ã la borne d'alimentation B2. La valeur de la tension Vcc de polarisation du transistor T8 Ã la borne d'alimentation B1 et la valeur de l'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R3 sont 10 choisies de telle sorte que le transistor T8 amplifie le signal reÃ§u de l'entrÃ©e BE selon un point de fonctionnement prÃ©dÃ©fini du transistor T8. La valeur de la tension Vbias2 est choisie de sorte Ã optimiser des propriÃ©tÃ©s d'impÃ©dance d'entrÃ©e, de gain, de figure de bruit et de 15 linÃ©aritÃ© du transistor d'amplification T8. Le fonctionnement de ce dispositif amplificateur 6 en Ã©mission/rÃ©ception est identique Ã celui dÃ©crit dans le premier mode de rÃ©alisation. On se rÃ©fÃ¨re Ã la figure 6 qui montre un exemple d'un autre 20 mode de rÃ©alisation d'un dispositif amplificateur 6. Dans ce mode rÃ©alisation, le dispositif amplificateur 6 est rÃ©alisÃ© selon un montage grille commune cascodÃ©. Les Ã©lÃ©ments identiques Ã ceux dÃ©crits dans le mode de rÃ©alisation prÃ©cÃ©dent sont identifiÃ©s par les mÃªmes rÃ©fÃ©rences 25 numÃ©riques. Sur cette figure on reconnaÃ®t les Ã©lÃ©ments inductifs Li et L2, le transistor de dÃ©charge T5 et le transistor d'amplification T8 alimentÃ© sur sa grille par la tension continue Vbias2. Ces Ã©lÃ©ments sont agencÃ©s comme dÃ©crit prÃ©cÃ©demment. Le dispositif amplificateur 6 comprend en outre un transistor 30 T9 alimentÃ© sur sa grille par une tension continue Vbiasl et un Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R4. Selon un mode de rÃ©alisation, le transistor T9 est un transistor NMOS. 3066058 11 Le drain du transistor d'amplification T8 est reliÃ© Ã la source du transistor T9. Le drain du transistor T9 est reliÃ© d'une part Ã la sortie BS du dispositif amplificateur 6 et, d'autre part, Ã une premiÃ¨re borne de l'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R4. La seconde borne de l'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif 5 R4 est reliÃ©e Ã la borne d'alimentation Bi. La valeur de la tension Vbiasl est choisie supÃ©rieure Ã la tension de seuil du transistor T9. Le transistor T9 est passant. Comme prÃ©cÃ©demment dÃ©crit, la valeur de la tension Vbias2 est choisie de sorte Ã optimiser des propriÃ©tÃ©s d'impÃ©dance d'entrÃ©e, de 10 gain, de figure de bruit et de linÃ©aritÃ© du transistor d'amplification T8. La valeur de la tension Vcc de polarisation du transistor T8 Ã la borne d'alimentation B1 et la valeur de l'Ã©lÃ©ment rÃ©sistif R4 sont choisies de telle sorte que le transistor T8 amplifie le signal reÃ§u de l'entrÃ©e BE selon un point de fonctionnement prÃ©dÃ©fini du transistor 15 T8. Le fonctionnement de ce dispositif amplificateur 6 en Ã©mission/rÃ©ception est identique Ã celui dÃ©crit dans le premier mode de rÃ©alisation. Par ailleurs selon un mode de rÃ©alisation, le transistor de 20 dÃ©charge T5 peut Ãªtre rÃ©alisÃ© sous la forme d'une matrice de transistors comme illustrÃ© Ã la figure 7. Les transistors de commutation Ti, T2 et T3 sont gÃ©nÃ©ralement Ã©galement rÃ©alisÃ©s sous la forme de matrices de transistors. Selon un mode de rÃ©alisation, la matrice M de transistors Ã 25 effet de champ NMOS est Ã©quivalente Ã un transistor NMOS Teq comprenant une Ã©lectrode de drain D, une Ã©lectrode de grille G et une Ã©lectrode de source S. La matrice de transistors comprend n branches dÃ©nommÃ©es branche 1, ... branche n reliÃ©es entre elles en parallÃ¨le. Chaque 30 branche comprend des transistors NMOS Tc reliÃ©s en sÃ©rie, le drain de l'un Ã©tant reliÃ© Ã la source du suivant. Les connexions libres des transistors aux extrÃ©mitÃ©s des branches sont reliÃ©es aux noeuds communs D et S. Les grilles des transistors Tc sont commandÃ©es par un mÃªme signal Ec. 3066058 12 Toutes les branches comprennent le mÃªme nombre de transistors Tc. Le nombre de transistors Tc est dÃ©terminÃ© de telle sorte que le transistor Ã©quivalent Teq soit dimensionnÃ© pour supporter une tension prÃ©dÃ©terminÃ©e. Les n branches permettent d'amÃ©liorer le 5 coefficient Coeff*Ron. Avantageusement, Ã performance Ã©gale la matrice de transistors est d'encombrement rÃ©duit car les transistors compris dans la matrice sont de taille rÃ©duite. Avantageusement, les amplificateurs cascodÃ©s prÃ©sentent des 10 propriÃ©tÃ©s de gain, de bruit, de consommation et d'isolation amÃ©liorÃ©es par rapport aux autres amplificateurs. REVENDICATIONS1. Appareil de communication (APP) comprenant une antenne (ANT), une chaÃ®ne de rÃ©ception (Rxl) comportant un dispositif amplificateur (6) et un moyen de commutation commandable (T3) possÃ©dant une capacitÃ© intrinsÃ¨que, couplÃ© entre l'entrÃ©e du dispositif amplificateur et l'antenne et possÃ©dant un Ã©tat ouvert et un Ã©tat passant, et un moyen de dÃ©charge configurÃ© pour dÃ©charger la capacitÃ© intrinsÃ¨que du moyen de commutation dans son Ã©tat ouvert, dans lequel le dispositif amplificateur incorpore le moyen de dÃ©charge (T5). 2. Appareil de communication selon la revendication 1, dans lequel le dispositif amplificateur (6) comprend en outre un Ã©lÃ©ment inductif (L1) et un moyen d'amplification (T6, T8), le moyen d'amplification Ã©tant reliÃ© Ã une entrÃ©e (E) du dispositif amplificateur par l'intermÃ©diaire de l'Ã©lÃ©ment inductif, dans lequel le moyen de dÃ©charge (T5) est connectÃ© entre l'Ã©lÃ©ment inductif et le moyen de d'amplification. 3. Appareil de communication selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel le moyen de dÃ©charge (T5) comprend au moins un transistor de dÃ©charge commandable. 4. Appareil de communication selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel le moyen de dÃ©charge commandable comprend une matrice de transistors de dÃ©charge commandables (M) par un mÃªme signal de commande (SC). 5. Appareil de communication selon l'une quelconque des revendications 1 Ã 4, dans lequel le moyen d'amplification comprend un transistor d'amplification (T6, T8). 6. Appareil de communication selon la revendication 5, dans lequel le dispositif amplificateur comprend en outre une borne d'alimentation (B2) destinÃ©e Ã Ãªtre reliÃ©e Ã la masse, l'Ã©lectrode de commande du transistor d'amplification (T6) Ã©tant connectÃ©e Ã une entrÃ©e du dispositif amplificateur (BE) et le moyen de dÃ©charge (T5) Ã©tant connectÃ© entre l'Ã©lectrode de commande du transistor d'amplification et la borne d'alimentation. 3066058 14 7. Appareil de communication selon la revendication 5, dans lequel le dispositif amplificateur (6) comprend en outre une borne d'alimentation (B2) destinÃ©e Ã Ãªtre reliÃ©e Ã la masse, le moyen de dÃ©charge Ã©tant connectÃ© entre la source du transistor d'amplification 5 (T8) et la borne d'alimentation. 8. Appareil de communication selon l'une quelconque des revendications 3 Ã 6, dans lequel le moyen de dÃ©charge (T5) comprend une matrice de transistors (M). 9. Appareil de communication selon l'une quelconque des 10 revendications prÃ©cÃ©dentes comprenant une chaÃ®ne d'Ã©mission (Tx) comportant un amplificateur de puissance (3) couplÃ© Ã l'antenne (ANT) par l'intermÃ©diaire de second moyens de commutation commandables possÃ©dant un Ã©tat ouvert et un Ã©tat passant 10. Dispositif amplificateur incorporÃ© dans un appareil de 15 communication selon l'une quelconque des revendications prÃ©cÃ©dentes.