FR 3071358 A1 20190322 FR 1758559 A 20170915 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTMQUE A HOMOJONCTION Domaine technique L'invention se rapporte au domaine technique des cellules photovoltaïques de silicium à homoj onction. Plus précisément, l'invention concerne la fabrication d'une cellule photovoltaïque bifaciale, c'est-à-dire comportant : - une première surface, destinée à être exposée directement au rayonnement solaire ; - une seconde surface opposée, pouvant recevoir indirectement le rayonnement solaire, 10 par exemple par rayonnement diffus ou par effet albédo. L'invention trouve notamment son application dans la fabrication d'une cellule photovoltaïque à homojonction dite « haute température », c'est-à-dire dont les matériaux constitutifs sont compatibles avec l'utilisation de traitements thermiques à des températures supérieures à 300°C. 15 Etat de la technique antérieure Une cellule photovoltaïque connue de l'état de la technique, notamment des documents «Passivated rear contacts for high-efficieng n-type Si solar cells providing high inteace passivation quality and excellent tramp ort characteristics», F. Feldmann et al., Solar Energy Materials & Solar Cells, 20 120, 270-274, 2014 (ci-après Dl), « n-Typepolysiliconpassivating contact for industrial bifacial n-type solar cells», M.K. Stodolny et al., Solar Energy Materials & Solar Cells, 158, 24-28, 2016 (ci-après D2), « Implementation of n+ and p+ POLO junctions on front and rear side of double-side contacted industrial sili con solar cells», R. Peibst et al., 32' European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 2016 (ci-après D3), comporte : 25 - un substrat en silicium cristallin, comprenant : une première surface (dite face avant), destinée à être exposée à un rayonnement lumineux ; une seconde surface (dite face arrière), opposée à la première surface, et recouverte d'un film d'oxyde (généralement appelé oxyde tunnel) ; 30 - une couche de polysilicium dopé, formée sur le film d'oxyde. La structure définie par l'empilement oxyde tunnel / couche de polysilicium forme une structure de contact passivé, et permet d'améliorer les performances de la cellule photovoltaïque, à savoir augmenter la tension de circuit ouvert (V') par rapport à une cellule photovoltaïque traditionnelle. 2 Cependant, comme mentionné dans D2, § 3.3, une telle cellule photovoltaïque de l'état de la technique n'est pas entièrement satisfaisante dans la mesure où son industrialisation nécessite une épaisseur assez importante (supérieure à 60 nm ; D2 mentionne les épaisseurs de 70 nm et 200 nm) de la couche de polysilicium dopé si l'on souhaite s'affranchir d'une 5 couche d'oxyde transparent conducteur, coûteuse, sur la couche de polysilicium dopé (présente dans D1 et D3). Or, pour une telle épaisseur, l'absorption parasite des photons au sein de la couche de polysilicium possède un impact préjudiciable en augmentant le courant de court-circuit (I') traversant la cellule photovoltaïque. Exposé de l'invention L'invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. Une première solution pourrait consister à: aol) prévoir un substrat en silicium cristallin, comprenant : - une première surface, destinée à être exposée à un rayonnement lumineux ; - une seconde surface, opposée à la première surface, et recouverte d'un film d'oxyde tunnel ; bol) former une couche de polysilicium sur le film d'oxyde tunnel ; coi) former une première couche antireflet sur une partie de la couche de polysilicium de sorte que la couche de polysilicium présente des zones libres ; dol) graver entièrement les zones libres de la couche de polysilicium. Les zones libres de la couche de polysilicium sont destinées à s'étendre entre les contacts électriques de la cellule photovoltaïque. Une telle première solution, radicale, permettrait de supprimer l'absorption parasite des photons au sein de la couche de polysilicium entre les contacts électriques (épaisseur nulle) grâce à l'étape dol). Toutefois, une telle première solution ne bénéficie plus de la présence d'un contact passivé (c'est-à-dire la structure oxyde tunnel / couche de polysilicium) entre les contacts électriques de la cellule photovoltaïque, ce qui ne permet pas d'augmenter significativement la V'. Une seconde solution pourrait consister à: ao2) prévoir un substrat en silicium cristallin, comprenant : - une première surface, destinée à être exposée à un rayonnement lumineux ; - une seconde surface, opposée à la première surface, et recouverte d'un film d'oxyde tunnel ; bo2) former une couche de polysilicium sur le film d'oxyde tunnel ; 3 c02) former une première couche antireflet sur une partie de la couche de polysilicium de sorte que la couche de polysilicium présente des zones libres ; doz) graver partiellement les zones libres de la couche de polysilicium. Les zones libres de la couche de polysilicium sont destinées à s'étendre entre les contacts 5 électriques de la cellule photovoltaïque. Une telle seconde solution permettrait de réduire l'absorption parasite des photons au sein de la couche de polysilicium entre les contacts électriques (épaisseur réduite, non nulle) grâce à l'étape d02). Toutefois, une telle seconde solution n'est pas entièrement satisfaisante dans la mesure où l'étape doz) de gravure, pouvant être exécutée par plasma ou par voie humide, est susceptible : 10 - de ne pas être parfaitement reproductible, - d'être inhomogène en raison de cinétiques différentes aux joints de grain du polysilicium, - de causer des dommages de la structure par les espèces chimiques employées. 15 A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque, comportant les étapes : a) prévoir un substrat en silicium cristallin, comprenant : - une première surface ; - une seconde surface, opposée à la première surface, et recouverte d'au moins un film 20 d'oxyde tunnel ; b) former une couche de polysilicium sur le film d'oxyde tunnel ; c) former une première couche antireflet sur une partie de la couche de polysilicium de sorte que la couche de polysilicium présente des zones libres, la première couche antireflet étant adaptée pour assurer une barrière à l'oxydation thermique de ladite partie de la couche 25 de polysilicium ; d) oxyder thermiquement les zones libres de la couche de polysilicium de manière à former une seconde couche antireflet sur lesdites zones libres. Ainsi, un tel procédé de fabrication selon l'invention permet de réduire localement 30 l'épaisseur de la couche de polysilicium par consommation de matière liée à l'oxydation thermique exécutée lors de l'étape d). Il en résulte une réduction de l'absorption parasite des photons. Il est à noter que la première couche antireflet formée lors de l'étape c) permet d'assurer un rôle de barrière locale à l'oxydation thermique de la partie de la couche de polysilicium qu'elle recouvre. 4 En outre, l'oxydation thermique exécutée lors de l'étape d) permet de former une seconde couche antireflet. Les première et seconde couches antireflet permettent d'améliorer la passivation de la seconde surface du substrat. Enfin, l'oxydation thermique est une technique possédant de bonnes qualités de 5 reproductibilité, d'homogénéité et d'innocuité par rapport à une gravure telle qu'une gravure chimique. Définitions - Par «cristallin», on entend la forme multicristalline ou la forme monocristalline du silicium, excluant donc le silicium amorphe. 10 - Par « couche antireflet », on entend une unique couche ou un empilement de sous- couches qui, de par une épaisseur adaptée, permet de réduire les pertes optiques liées aux réflexions du rayonnement lumineux, et par là-même permet d'optimiser l'absorption du rayonnement lumineux par le substrat. - Par « zones libres », on entend des zones de la couche de polysilicium qui ne sont pas 15 recouvertes, et en particulier qui ne sont pas recouvertes par la première couche antireflet. Les zones libres de la couche de polysilicium sont destinées à s'étendre entre les contacts électriques de la cellule photovoltaïque. - Par « au moins un film d'oxyde tunnel », on entend un unique film d'oxyde ou un empilement comportant une pluralité de films d'oxyde tunnel, l'unique film d'oxyde ou 20 l'empilement étant suffisamment fin pour permettre la circulation d'un courant électrique en son sein par effet tunnel. Le procédé de fabrication selon l'invention peut comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. Selon une caractéristique de l'invention, l'étape d) est exécutée à une température strictement inférieure à 850°C, de préférence comprise entre 700°C et 800°C. Ainsi, un avantage procuré est d'éviter, lorsque la couche de polysilicium est dopée, la diffusion de dopants vers le substrat. Selon une caractéristique de l'invention, la seconde couche antireflet formée à l'issue de l'étape d) est un oxyde thermique de polysilicium présentant une épaisseur comprise entre 40 nm et 100 nm. 25 30 5 Ainsi, un avantage procuré est de pouvoir assurer à la fois une fonction antireflet et une fonction de passivation de la seconde surface du substrat. Par « épaisseur », on entend la dimension suivant la normale au substrat. 5 Selon une caractéristique de l'invention, l'étape d) est exécutée en utilisant de la vapeur d'eau. Ainsi, un avantage procuré est la formation rapide d'un oxyde thermique, favorable à une industrialisation, par rapport à une oxydation thermique sèche (i.e. en présence de dioxygène). 10 Selon une caractéristique de l'invention, la couche de polysilicium formée lors de l'étape b) présente une épaisseur initiale, et la couche de polysilicium sur laquelle est formée la seconde couche antireflet présente une épaisseur strictement inférieure à l'épaisseur initiale à l'issue de l'étape d). Ainsi, cela traduit la consommation de matière liée à l'oxydation thermique exécutée lors 15 de l'étape d). Selon une caractéristique de l'invention, la couche de polysilicium sur laquelle est formée la seconde couche antireflet présente une épaisseur strictement inférieure à 10 nm à l'issue de l'étape d). 20 Ainsi, un avantage procuré est la réduction significative de l'absorption parasite des photons au sein de la couche de polysilicium. Selon une caractéristique de l'invention, l'épaisseur initiale de la couche de polysilicium formée lors de l'étape b) est comprise entre 60 nm et 90 nm. 25 Ainsi, un avantage procuré par une telle gamme d'épaisseurs est de pouvoir exécuter l'étape b) avec des techniques industrielles, par exemple par dépôt chimique en phase vapeur telle que LPCVD (« Low Pressure Chemical V apor D eposition » en langue anglaise). Selon une caractéristique de l'invention, la partie de la couche de polysilicium sur laquelle 30 est formée la première couche antireflet conserve l'épaisseur initiale à l'issue de l'étape d). Selon une caractéristique de l'invention, la couche de polysilicium formée lors de l'étape b) est dopée de type p ou de type n avec une concentration de dopants préférentiellement comprise entre 5.1017 at.cm-3 et 5.10' at.cm-3. 6 Ainsi, un avantage procuré est de réduire la densité de porteurs de charge minoritaires à l'interface avec le substrat tout en autorisant une conductance électrique élevée des porteurs de charge majoritaires en vue des futurs contacts électriques. 5 Selon une caractéristique de l'invention, la première couche antireflet formée lors de l'étape c) est réalisée dans au moins un matériau sélectionné dans le groupe comportant l'alumine, un nitrure de silicium, un oxyde de titane. Selon une caractéristique de l'invention, le film d'oxyde tunnel, recouvrant la seconde 10 surface du substrat prévu lors de l'étape a), présente une épaisseur strictement inférieure à 3 nm. Ainsi, un avantage procuré est d'autoriser la circulation d'un courant électrique par effet tunnel au sein du film d'oxyde tunnel. Un tel oxyde tunnel permet, en combinaison avec la couche de polysilicium, de former un contact passivé. 15 Selon une caractéristique de l'invention, le substrat prévu lors de l'étape a) et la couche de polysilicium formée lors de l'étape b) sont dopés du même type de conductivité, le substrat présentant préférentiellement une épaisseur strictement inférieure à 250 pm, plus préférentiellement inférieure à 200 jim. 20 Ainsi, on autorise la formation de jonctions dites « high-low» entre la couche de polysilicium et le substrat, c'est-à-dire des jonctions n+/n ou p+/p, impliquant un unique type de conductivité. L'invention a également pour objet une cellule photovoltaïque, comportant : 25 - un substrat en silicium cristallin, comprenant : une première surface ; une seconde surface, opposée à la première surface, et recouverte d'au moins un film d'oxyde tunnel ; - une couche de polysilicium, formée sur le film d'oxyde tunnel, et comprenant : 30 une première partie présentant une première épaisseur de préférence comprise entre 60 nm et 90 nm ; une seconde partie, adjacente à la première partie, et présentant une seconde épaisseur strictement inférieure à la première épaisseur, la seconde épaisseur étant de préférence strictement inférieure à 10 nm ; 7 - une première couche antireflet, formée sur la première partie de la couche de polysilicium, et réalisée dans un premier matériau adapté pour assurer une barrière à l'oxydation thermique du polysilicium ; - une seconde couche antireflet, formée sur la seconde partie de la couche de polysilicium, 5 et réalisée dans un second matériau différent du premier matériau, le second matériau étant un oxyde thermique de polysilicium. Ainsi, une telle cellule photovoltaïque selon l'invention permet de limiter la dégradation du courant de court-circuit (I') la traversant, tout en augmentant la tension de circuit ouvert (V') par rapport à une cellule photovoltaïque traditionnelle. 10 Brève description des dessins D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans l'exposé détaillé de différents modes de réalisation de l'invention, l'exposé étant assorti d'exemples et de références aux dessins joints. 15 Figures 1 à 4 sont des vues schématiques en coupe illustrant des étapes d'un procédé selon l'invention. Les figures ne sont pas représentées à l'échelle pour en simplifier leur compréhension. Exposé détaillé des modes de réalisation 20 Les éléments identiques ou assurant la même fonction porteront les mêmes références pour les différents modes de réalisation, par souci de simplification. Un objet de l'invention est un procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque, comportant les étapes : 25 a) prévoir un substrat 1 en silicium cristallin, comprenant : - une première surface 10 ; - une seconde surface 11, opposée à la première surface 10, et recouverte d'au moins un film d'oxyde tunnel 2; b) former une couche de polysilicium 3 sur le film d'oxyde tunnel 2; 30 c) former une première couche antireflet 4 sur une partie 3a de la couche de polysilicium 3 de sorte que la couche de polysilicium 3 présente des zones libres ZL, la première couche antireflet 4 étant adaptée pour assurer une barrière à l'oxydation thermique de ladite partie 3a de la couche de polysilicium 3; 8 d) oxyder thermiquement les zones libres ZL de la couche de polysilicium 3 de manière à former une seconde couche antireflet 5 sur lesdites zones libres ZL. L'étape a) est illustrée à la figure 1. L'étape b) est illustrée à la figure 2. L'étape c) est 5 illustrée à la figure 3. Enfin, l'étape d) est illustrée à la figure 4. Substrat Le substrat 1 prévu lors de l'étape a) est avantageusement dopé de type n ou de type p. Le substrat 1 prévu lors de l'étape a) et la couche de polysilicium 3 formée lors de l'étape b) sont avantageusement dopés du même type de conductivité. Pour un substrat 1 dopé de type n, le 10 substrat 1 présente préférentiellement une résistivité comprise entre 1 Q.cm et 7 Q.cm. Pour un substrat de type p, le substrat 1 présente préférentiellement une résistivité comprise entre 0,5 Q.cm et 5 Q.cm. Le substrat 1 présente préférentiellement une épaisseur strictement inférieure à 250 pm, plus préférentiellement inférieure à 200 pm. 15 Le silicium dans lequel est réalisé le substrat 1 peut être monocristallin ou polycristallin. Selon un mode de réalisation, la première surface 10 du substrat 1 est avantageusement destinée à être exposée directement à un rayonnement solaire. La première surface 10 du substrat 1 correspond alors à la face avant de la cellule photovoltaïque tandis que la seconde surface 11 du substrat 1 correspond à la face arrière de la cellule photovoltaïque. La seconde 20 surface 11 du substrat 1 est alors destinée à être exposée indirectement au rayonnement solaire, par rayonnement diffus ou par effet albédo. La couche de polysilicium 3 est donc formée lors de l'étape b) en face arrière de la cellule photovoltaïque. Selon une alternative, la seconde surface 11 du substrat 1 est destinée à être exposée directement à un rayonnement solaire. La seconde surface 11 du substrat 1 correspond alors à 25 la face avant de la cellule photovoltaïque tandis que la première surface 10 du substrat 1 correspond à la face arrière de la cellule photovoltaïque. La première surface 10 du substrat 1 est alors destinée à être exposée indirectement au rayonnement solaire, par rayonnement diffus ou par effet albédo. La couche de polysilicium 3 est donc formée lors de l'étape b) en face avant de la cellule photovoltaïque. 30 Film d'oxyde En guise de rappel, par « au moins un film d'oxyde tunnel », on entend un unique film d'oxyde 2 ou un empilement 2 (appelé empilement tunnel) comportant une pluralité de films d'oxyde tunnel, l'unique film d'oxyde 2 ou l'empilement 2 étant suffisamment fin pour permettre la circulation d'un courant électrique en son sein. 9 Le film d'oxyde tunnel 2 ou l'empilement tunnel 2, recouvrant la seconde surface 11 du substrat 1 prévu lors de l'étape a), présente avantageusement une épaisseur strictement inférieure à 3 nm. Le film d'oxyde tunnel 2 est avantageusement réalisé dans un oxyde de silicium SiO., 5 Le film d'oxyde tunnel 2 est préférentiellement formé à la seconde surface 11 du substrat 1 par oxydation thermique. Une oxydation chimique à l'ozone (03) est également envisageable. Couche de polysilicium La couche de polysilicium 3 formée lors de l'étape b) présente avantageusement une épaisseur initiale comprise entre 60 nm et 90 nm. La partie 3a de la couche de polysilicium 3 10 sur laquelle est formée la première couche antireflet 4 conserve l'épaisseur initiale à l'issue de l'étape d) car la première couche antireflet 4 assure une barrière locale à l'oxydation thermique. La couche de polysilicium 3 formée lors de l'étape b) est avantageusement dopée de type p ou de type n avec une concentration de dopants préférentiellement comprise entre 5.1017 at.cm-3 et 5.10' at.cm-3. 15 Lorsque la couche de polysilicium 3 est formée lors de l'étape b) en face avant de la cellule photovoltaïque, le substrat 1 prévu lors de l'étape a) et la couche de polysilicium 3 formée lors de l'étape b) sont dopés du même type de conductivité. Lorsque la couche de polysilicium 3 est formée lors de l'étape b) en face arrière de la cellule photovoltaïque, le substrat 1 prévu lors de l'étape a) et la couche de polysilicium 3 20 formée lors de l'étape b) peuvent être : - dopés du même type de conductivité, ou - dopés avec des types de conductivité opposés. A l'issue de l'étape d), la couche de polysilicium 3b sur laquelle est formée la seconde couche antireflet 5 présente une épaisseur non nulle, strictement inférieure à l'épaisseur 25 initiale, et avantageusement strictement inférieure à 10 nm. La couche de polysilicium 3 est avantageusement formée lors de l'étape b) par un dépôt d'une couche de silicium amorphe (e.g. par LPCVD «Low Pressure Chemical Vapor Doosition » ou par PECVD «Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition ») suivi d'un recuit permettant de cristalliser la couche de silicium amorphe. 30 Première couche antireflet En guise de rappel, par « première couche antireflet », on entend une unique couche ou un empilement de sous-couches qui, de par une épaisseur adaptée, permet de réduire les pertes optiques liées aux réflexions du rayonnement solaire, et par là-même permet d'optimiser l'absorption du rayonnement solaire par le substrat 1. L'unique couche formant la 10 première couche antireflet 4 est réalisée dans un matériau choisi de manière à former une in_ barrière à l'oxydation thet igue du polysilicium sous-jacent. De même, l'empilement de sous- couches, formant la première couche antireflet 4, est réalisé dans des matériaux choisis de manière à former une barrière à l'oxydation thermique du polysilicium sous-jacent. Ainsi, le 5 polysilicium disposé sous la première couche antireflet 4 est protégé par la première couche antireflet 4 et ne sera pas oxydé thermiquement pendant l'étape d) destinée à former la seconde couche antireflet 5. La première couche antireflet 4 formée lors de l'étape c) est avantageusement réalisée dans au moins un matériau sélectionné dans le groupe comportant l'alumine, un nitrure de 10 silicium, un oxyde de titane. Le nitrure de silicium peut comporter de l'oxygène et/ou du carbone. Ainsi, la première couche antireflet 4 peut être une unique couche réalisée à base de SiN.OyCz, avec x>y et x>z, et de préférence avec -y0. Une telle unique couche présente avantageusement une épaisseur comprise entre 60 nm et 80 nm. Selon une alternative, la première couche antireflet 4 est un empilement comportant une sous-couche réalisée à base 15 de SiN.OyCz, avec x>y et x>z, et de préférence avec -y0. A titre d'exemple non limitatif, la première couche antireflet 4 peut être formée par un dépôt chimique en phase vapeur assistée par plasma PECVD («Plasma-Enhanced Chemical V apor D oosition » en langue anglaise). La première couche antireflet 4 présente avantageusement une épaisseur comprise entre 20 30 nm et 100 nm. Comme illustré à la figure 3, la première couche antireflet 4 est déposée directement et localement sur la couche de polysilicium 3 formée lors de l'étape b), de manière à définir des zones libres ZL en surface de la couche de polysilicium 3, c'est-à-dire des zones non recouvertes par la première couche antireflet 4. 25 Oxydation thermique L'étape d) est avantageusement exécutée à une température strictement inférieure à 850°C, de préférence comprise entre 700°C et 800°C. L'étape d) est avantageusement exécutée en utilisant de la vapeur d'eau. On parle alors d'oxydation thermique par voie humide. 30 L'étape d) est avantageusement exécutée de manière à ne pas consommer entièrement le polysilicium, au niveau des zones libres ZL de la couche de polysilicium 3. En d'autres termes, l'étape d) est avantageusement exécutée de sorte que la couche de polysilicium 3b sur laquelle est formée la seconde couche antireflet 5 présente une épaisseur non nulle à l'issue de l'étape d). 11 Cette étape d'oxydation thermique a pour effet de former la seconde couche antireflet 5 à l'issue de l'étape d), tout en amincissant, localement et de façon contrôlée, l'épaisseur de la couche de polysilicium 3b sous-jacente. Seconde couche antireflet 5 La seconde couche antireflet 5 formée à l'issue de l'étape d) est un oxyde thermique de polysilicium présentant avantageusement une épaisseur comprise entre 40 nm et 100 nm. En d'autres termes, la seconde couche antireflet 5 formée à l'issue de l'étape d) est un oxyde de polysilicium obtenu par oxydation thermique, de préférence humide, de la couche de polysilicium 3b sous-jacente. 10 Cellule photovoltaïque Afin d'obtenir une cellule photovoltaïque, le procédé selon l'invention comporte préférentiellement des étapes, non illustrées, consistant à : - former une zone semi-conductrice à la première surface 10 du substrat 1 ; - former une couche de passivation sur la zone semi-conductrice ; 15 - mettre en contact la zone semi-conductrice avec une électrode ; - mettre en contact la partie 3a de la couche de polysilicium avec une électrode. Un objet de l'invention est une cellule photovoltaïque, comportant : - un substrat 1 en silicium cristallin, comprenant : 20 une première surface 10; une seconde surface 11, opposée à la première surface 10, et recouverte d'au moins un film d'oxyde tunnel 2; - une couche de polysilicium 3, formée sur le film d'oxyde tunnel 2, et comprenant : une première partie 3a présentant une première épaisseur de préférence comprise 25 entre 60 nm et 90 nm ; une seconde partie 3b, adjacente à la première partie 3a, et présentant une seconde épaisseur strictement inférieure à la première épaisseur, la seconde épaisseur étant de préférence strictement inférieure à 10 nm ; - une première couche antireflet 4, formée sur la première partie 3a de la couche de 30 polysilicium 3, et réalisée dans un premier matériau adapté pour assurer une barrière à l'oxydation thermique du polysilicium ; - une seconde couche antireflet 5, formée sur la seconde partie 3b de la couche de polysilicium 3, et réalisée dans un second matériau différent du premier matériau, le second matériau étant un oxyde thermique de polysilicium. 12 Une telle cellule photovoltaïque est obtenue à l'issue de l'étape d). La première surface 10 du substrat 1 peut être la face avant ou la face arrière de la cellule photovoltaïque. L'invention ne se limite pas aux modes de réalisation exposés. L'homme du métier est mis 5 à même de considérer leurs combinaisons techniquement opérantes, REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque, comportant les étapes : a) prévoir un substrat (1) en silicium cristallin, comprenant : - une première surface (10) ; - une seconde surface (11), opposée à la première surface (10), et recouverte d'au moins un film d'oxyde tunnel (2) ; b) former une couche de polysilicium (3) sur le film d'oxyde tunnel (2) ; c) former une première couche antireflet (4) sur une partie (3a) de la couche de 10 polysilicium (3) de sorte que la couche de polysilicium (3) présente des zones libres (ZL), la première couche antireflet (4) étant adaptée pour assurer une barrière à l'oxydation thermique de ladite partie (3a) de la couche de polysilicium (3) ; d) oxyder thermiquement les zones libres (ZL) de la couche de polysilicium (3) de manière à former une seconde couche antireflet (5) sur lesdites zones libres (ZL). 15 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape d) est exécutée à une température strictement inférieure à 850°C, de préférence comprise entre 700°C et 800°C. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la seconde couche antireflet (5) 20 formée à l'issue de l'étape d) est un oxyde thermique de polysilicium présentant une épaisseur comprise entre 40 nm et 100 nm. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape d) est exécutée en utilisant de la vapeur d'eau. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel la couche de polysilicium (3) formée lors de l'étape b) présente une épaisseur initiale, et dans lequel la couche de polysilicium (3b) sur laquelle est formée la seconde couche antireflet (5) présente une épaisseur strictement inférieure à l'épaisseur initiale à l'issue de l'étape d). 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la couche de polysilicium (3b) sur laquelle est formée la seconde couche antireflet (5) présente une épaisseur strictement inférieure à 10 nm. 25 30 14 7. Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel l'épaisseur initiale de la couche de polysilicium (3) formée lors de l'étape b) est comprise entre 60 nm et 90 nm. 8. Procédé selon l'une des revendications 5 à 7, dans lequel la partie (3a) de la couche de 5 polysilicium (3) sur laquelle est formée la première couche antireflet (4) conserve l'épaisseur initiale à l'issue de l'étape d). 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la couche de polysilicium (3) formée lors de l'étape b) est dopée de type p ou de type n avec une concentration de dopants 10 préférentiellement comprise entre 5.1017 at.cm-3 et 5.10' at.cm-3. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel la première couche antireflet (4) formée lors de l'étape c) est réalisée dans au moins un matériau sélectionné dans le groupe comportant l'alumine, un nitrure de silicium, un oxyde de titane. 15 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel le film d'oxyde tunnel (2), recouvrant la seconde surface (11) du substrat (1) prévu lors de l'étape a), présente une épaisseur strictement inférieure à 3 nm. 20 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel le substrat (1) prévu lors de l'étape a) et la couche de polysilicium (3) formée lors de l'étape b) sont dopés du même type de conductivité, le substrat (1) présentant préférentiellement une épaisseur strictement inférieure à 250 tm, plus préférentiellement inférieure à 200 25 13. Cellule photovoltaïque, comportant : - un substrat (1) en silicium cristallin, comprenant : une première surface (10) ; une seconde surface (11), opposée à la première surface (10), et recouverte d'au moins un film d'oxyde tunnel (2) ; 30 - une couche de polysilicium (3), formée sur le film d'oxyde tunnel (2), et comprenant : une première partie (3a) présentant une première épaisseur de préférence comprise entre 60 nm et 90 nm ; une seconde partie (3b), adjacente à la première partie (3a), et présentant une seconde épaisseur strictement inférieure à la première épaisseur, la seconde épaisseur étant de 35 préférence strictement inférieure à 10 nm ; 15 - une première couche antireflet (4), formée sur la première partie (3a) de la couche de polysilicium (3), et réalisée dans un premier matériau adapté pour assurer une barrière à l'oxydation thermique du polysilicium ; - une seconde couche antireflet (5), formée sur la seconde partie (3b) de la couche de 5 polysilicium (3), et réalisée dans un second matériau différent du premier matériau, le second matériau étant un oxyde thermique de polysilicium.