FR 3065836 A1 20181102 FR 1753771 A 20170428 B15678 - DD17702JB 1 ZONE DE STOCKAGE POUR UN PIXEL D'UNE MATRICE D'IMAGE Domaine de l'invention La prÃ©sente description concerne le domaine des matrices d'image, et en particulier un pixel d'une matrice d'image 5 comprenant une ou plusieurs zones de stockage de charge. ExposÃ© de l'art antÃ©rieur On a dÃ©jÃ proposÃ© d'incorporer des zones de stockage de charge dans des pixels d'un capteur d'image. Par exemple, de telles zones de stockage de charge permettent le stockage de 10 porteurs de charge provenant d'une photodiode Ã la suite d'une opÃ©ration d'obturateur global. Dans un autre exemple, des zones de stockage de charge permettent le stockage de porteurs de charge dans des capteurs d'image Ã mesure de temps de vol qui sont capables de mesurer des informations de profondeur Ã partir d'une 15 scÃ¨ne image. Lorsque la taille des pixels CMOS diminue, l'espace disponible pour les zones de stockage de charge diminue aussi. Des zones de stockage de charge de taille rÃ©duite permettent de stocker moins d'Ã©lectrons ou de trous, ce qui provoque une 3065836 B15678 - DD17702JB 2 dÃ©gradation de la plage dynamique du pixel, et donc du rapport signal sur bruit. On a proposÃ© de prÃ©voir des zones de stockage de charge sous la forme de tranchÃ©es dopÃ©es qui sont pincÃ©es latÃ©ralement par des CDTI (de l'anglais "capacitive deep trench isolations" - isolations par tranchÃ©es profondes capacitives) afin d'y maintenir des porteurs de charge. Il y a une difficultÃ© technique pour augmenter la taille de telles tranchÃ©es tout en maintenant une disposition compacte des pixels, ce qui Ã©vite d'augmenter le trainage temporel pour l'Ã©vacuation de la charge et/ou de perdre la possibilitÃ© de lire la zone de stockage entiÃ¨re. RÃ©sumÃ© Un objet de modes de rÃ©alisation de la prÃ©sente description est de rÃ©soudre au moins partiellement une ou 15 plusieurs difficultÃ©s de l'art antÃ©rieur. Selon un aspect, on prÃ©voit un pixel d'une matrice d'image comprenant une ou plusieurs structures de stockage de charge, chaque structure de stockage de charge comprenant : une premiÃ¨re tranchÃ©e de stockage de charge dopÃ©e pour avoir un 20 premier type de conductivitÃ© et ayant une premiÃ¨re extrÃ©mitÃ© agencÃ©e pour recevoir la charge accumulÃ©e par une photodiode ; une deuxiÃ¨me tranchÃ©e de stockage de charge dopÃ©e pour avoir le premier type de conductivitÃ© ; et une premiÃ¨re porte de transfert reliant une deuxiÃ¨me extrÃ©mitÃ© de la premiÃ¨re tranchÃ©e de stockage 25 de charge, et la deuxiÃ¨me tranchÃ©e de stockage de charge, Ã un noeud de dÃ©tection, les premiÃ¨re et deuxiÃ¨me tranchÃ©es de stockage de charge Ã©tant reliÃ©es entre elles par un canal de liaison dopÃ© pour avoir le premier type de conductivitÃ© et bordant une portion d'un bord de la porte de transfert. 30 Selon un mode de rÃ©alisation, le canal de liaison a une largeur comprise entre 20 nm et 300 nm. Selon un mode de rÃ©alisation, le canal de liaison comprend un coude Ã angle droit. Selon un mode de rÃ©alisation, le canal de liaison assure 35 une barriÃ¨re de potentiel Ã©lectrostatique entre les premiÃ¨re et 3065836 B15678 - DD17702JB 3 deuxiÃ¨me tranchÃ©es de stockage de charge, le canal de liaison Ã©tant agencÃ© de telle sorte que la barriÃ¨re de potentiel Ã©lectrostatique est infÃ©rieure Ã une barriÃ¨re de potentiel Ã©lectrostatique entre la premiÃ¨re tranchÃ©e de stockage de charge 5 et le noeud de dÃ©tection. Selon un mode de rÃ©alisation, les dimensions du canal de liaison, la concentration en dopants dans le canal de liaison, et/ou un niveau de tension appliquÃ© Ã la premiÃ¨re porte de transfert sont agencÃ©s de telle sorte que l'intervalle d'Ã©nergie 10 sÃ©parant le canal de liaison et le noeud de dÃ©tection est d'au moins 10 kT, oÃ¹ k est la constante de Boltzmann et T est la tempÃ©rature. Selon un mode de rÃ©alisation, la deuxiÃ¨me tranchÃ©e de stockage de charge s'Ã©tend perpendiculairement Ã la premiÃ¨re 15 tranchÃ©e de stockage de charge. Selon un mode de rÃ©alisation, en plus des premiÃ¨re et deuxiÃ¨me tranchÃ©es de stockage de charge, chaque structure de stockage de charge comprend au plus deux autres tranchÃ©es de stockage de charge, les tranchÃ©es de chaque structure de stockage 20 de charge formant une forme de "T" ou une forme de croix. Selon un mode de rÃ©alisation, le pixel comprend en outre une photodiode reliÃ©e Ã la premiÃ¨re tranchÃ©e de stockage de charge par une deuxiÃ¨me porte de transfert. Selon un mode de rÃ©alisation, les premiÃ¨re et deuxiÃ¨me 25 tranchÃ©es de stockage de charge sont dÃ©limitÃ©es latÃ©ralement sur au moins une portion de leur longueur par des tranchÃ©es d'isolation capacitives agencÃ©es pour Ãªtre polarisÃ©es par une tension de polarisation. Selon un mode de rÃ©alisation, le pixel comprend en outre 30 une troisiÃ¨me tranchÃ©e de stockage de charge dopÃ©e pour avoir le premier type de conductivitÃ© et reliÃ©e Ã la premiÃ¨re ou Ã la deuxiÃ¨me tranchÃ©e de stockage de charge par un autre canal de liaison dopÃ© pour avoir le premier type de conductivitÃ© et bordant une autre portion du bord de la-porte de transfert. 3065836 B15678 - DD17702JB 4 Selon un mode de rÃ©alisation, le pixel comprend une pluralitÃ© desdites structures de stockage de charge. Selon un autre aspect, on prÃ©voit une matrice d'image comprenant une matrice de pixels, chaque pixel correspondant au 5 pixel susmentionnÃ©. Selon un autre aspect, on prÃ©voit un procÃ©dÃ© de fabrication d'un pixel d'une matrice d'image, le procÃ©dÃ© comprenant la formation d'une ou plusieurs structures de stockage de charge, chaque structure de stockage de charge Ã©tant formÃ©e : 10 en formant une premiÃ¨re tranchÃ©e de stockage de charge dopÃ©e pour avoir un premier type de conductivitÃ© et ayant une premiÃ¨re extrÃ©mitÃ© agencÃ©e pour recevoir la charge accumulÃ©e par une photodiode ; en formant une deuxiÃ¨me tranchÃ©e de stockage de charge dopÃ©e pour avoir le premier type de conductivitÃ© ; et en formant une premiÃ¨re porte de transfert reliant une deuxiÃ¨me extrÃ©mitÃ© de la premiÃ¨re tranchÃ©e de stockage de charge, et la deuxiÃ¨me tranchÃ©e de stockage de charge, Ã un noeud de dÃ©tection, les premiÃ¨re et deuxiÃ¨me tranchÃ©es de stockage de charge Ã©tant reliÃ©es entre elles par un canal de liaison dopÃ© pour avoir le premier type de conductivitÃ© et bordant une portion d'un bord de la porte de transfert. BrÃ¨ve description des dessins Ces objets, caractÃ©ristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposÃ©s en dÃ©tail dans la description suivante de modes de rÃ©alisation particuliers faite Ã titre illustratif et non limitatif en relation avec les figures jointes dans lesquelles : la figure 1A est une vue Ã plat d'un pixel d'une matrice d'image qui a Ã©tÃ© proposÃ© ; la figure 1B est une vue en coupe du pixel de la figure lA ; la figure 2A est une vue Ã plat d'une structure de stockage de charge d'un pixel selon un exemple de rÃ©alisation de la prÃ©sente description ; 3065836 B15678 - DD17702JB 5 les figures 2B et 2C sont des vues en coupe du pixel de la figure 2A selon un exemple de rÃ©alisation ; la figure 2D est un diagramme illustrant un exemple de courbes de potentiel Ã©lectrostatique le long de coupes de la 5 structure de stockage de charge de la figure 2A ; la figure 3A est une vue Ã plat d'une structure de stockage de charge d'un pixel selon un autre exemple de rÃ©alisation de la prÃ©sente description ; la figure 3B est un diagramme illustrant un exemple de 10 courbes de potentiel Ã©lectrostatique crÃªte le long de coupes de la structure de stockage de charge de la figure 3A ; la figure 4 est une vue Ã plat d'une structure de stockage de charge d'un pixel selon un autre exemple de rÃ©alisation de la prÃ©sente description ; 15 la figure 5 est une vue Ã plat d'une structure de stockage de charge d'un pixel selon encore un autre exemple de rÃ©alisation de la prÃ©sente description ; et la figure 6 est une vue Ã plat d'une matrice d'image comprenant des pixels ayant des structures de stockage de charge 20 selon un exemple de rÃ©alisation de la prÃ©sente description. Description dÃ©taillÃ©e Dans la description qui suit, le terme "sensiblement" est utilisÃ© pour dÃ©signer une tolÃ©rance de plus ou moins 10 % autour de la valeur en question. Les termes concernant 25 l'orientation d'un dispositif, comme vertical, horizontal, etc., sont supposÃ©s s'appliquer lorsque le dispositif est orientÃ© comme reprÃ©sentÃ© dans la figure correspondante. Bien que dans la prÃ©sente description, des exemples de rÃ©alisation soient dÃ©crits en relation avec un pixel capable de 30 dÃ©tecter la profondeur dans une image sur la base du temps de vol, il apparaÃ®tra clairement Ã l'homme de l'art que les principes dÃ©crits ici pourraient Ãªtre appliquÃ©s Ã tout pixel nÃ©cessitant un stockage de charge, et pourraient ainsi Ãªtre appliquÃ©s Ã d'autres types de pixels comprenant une ou plusieurs structures de stockage- 3065836 ' B15678 - DD17702JB 6 de charge, y compris des pixels capables d'un fonctionnement en obturateur global. La figure 1A est une vue Ã plat d'un pixel 100 d'une matrice d'image selon un exemple de rÃ©alisation. Un pixel 5 similaire est par exemple dÃ©crit plus en dÃ©tail dans la demande de brevet franÃ§ais FR16/62340 dÃ©posÃ©e le 12 dÃ©cembre 2016 (rÃ©fÃ©rence du conseil B15344). Comme on va le dÃ©crire plus en dÃ©tail ci-aprÃ¨s, le pixel 100 fait par exemple partie d'un capteur d'image capable de 10 capturer des informations de profondeur sur la base du principe appelÃ© "temps de vol" (ToF). Les dispositifs Ã temps de vol fonctionnent en Ã©mettant un signal lumineux vers une scÃ¨ne image, puis en dÃ©tectant, en utilisant le capteur d'image, le signal lumineux revenant rÃ©flÃ©chi par des objets se trouvant dans la 15 scÃ¨ne image. En calculant le temps de vol du signal lumineux, la distance d'objets de la scÃ¨ne image par rapport au capteur peut Ãªtre estimÃ©e. Le temps de vol est par exemple calculÃ© en Ã©mettant un signal lumineux pÃ©riodique vers la scÃ¨ne image, et en Ã©chantillonnant le signal qui revient plusieurs fois pendant la 20 pÃ©riode du signal lumineux afin de dÃ©tecter le dÃ©phasage du signal lumineux qui revient. Par exemple, une technique basÃ©e sur la dÃ©tection de quatre Ã©chantillons par pÃ©riode est dÃ©crite plus en dÃ©tail dans la publication de R. Lange et P. Seitz intitulÃ©e "Solid-state TOF range camera", IEEE J. on Quantum Electronics, 25 vol. 37, No.3, March 2001. Une technique basÃ©e sur la dÃ©tection de trois Ã©chantillons est dÃ©crite plus en dÃ©tail dans la demande de brevet franÃ§ais susmentionnÃ©e FR16/62340. Le pixel 100 comprend une zone centrale rectangulaire hachurÃ©e 102 correspondant Ã une photodiode et quatre portes de 30 transfert 104, 106, 108 et 110 disposÃ©es sur les coins respectifs de la photodiode 102 est reliant la photodiode Ã quatre zones de stockage de charge correspondantes 114, 116, 118 et 120. Dans l'exemple de la figure 1A, chaque zone de stockage de charge 114 Ã 120 s'Ã©tend le long d'un bord correspondant de la photodiode 102, puis continue sous forme d'une protubÃ©rance Ã partir du 3065836 B15678 - DD17702JB 7 pixel. Un noeud de dÃ©tection correspondant 124, 126, 128, 130 est disposÃ© au niveau de l'autre extrÃ©mitÃ© de chaque zone de stockage de charge, et est reliÃ© Ã la zone de stockage de charge par une porte de transfert correspondante 134, 136, 138, 140. Chaque zone 5 de stockage de charge 114 Ã 120 est par exemple bordÃ©e sur tous les cÃ´tÃ©s par une tranchÃ©e d'isolation correspondante 144, 146, 148, 150, exceptÃ© dans une ouverture au voisinage de la porte de transfert correspondante 104 Ã 110. Les tranchÃ©es d'isolation comprennent par exemple une paroi conductrice entourÃ©e d'une 10 couche isolante de sorte qu'une tension de polarisation peut leur Ãªtre appliquÃ©e. Par exemple, les tranchÃ©es d'isolation 144 Ã 150 sont des tranchÃ©es connues dans la technique sous le nom de CDTI (de l'anglais "capacitive deep trench isolation" - isolation par tranchÃ©e profonde capacitive). 15 La figure 1B est une vue en coupe prise suivant une ligne A-A' en figure 1A, coupant la zone de stockage de charge 118, passant le long de la zone de stockage de charge 120 et passant Ã travers la porte de transfert 140 et le noeud de dÃ©tection 130. Comme cela est illustrÃ©, les tranchÃ©es d'isolation 148 et 20 150 comprennent chacune par exemple un noyau conducteur 152, par exemple en silicium polycristallin, isolÃ© de la zone de stockage de charge et du substrat par une couche isolante 154. Dans l'exemple de la figure 1B, les zones de stockage de charge 118 et 120 sont des zones de type N, formÃ©es dans un substrat de type P. 25 Les zones de stockage de charge 118, 120 sont par exemple recouvertes de couches de type P fortement dopÃ©es 156. Comme cela a Ã©tÃ© expliquÃ© prÃ©cÃ©demment dans la section d'art antÃ©rieur, lorsque les dimensions du pixel diminuent, il serait souhaitable de maintenir la capacitÃ© de stockage de charge 30 des zones de stockage de charge 114 Ã 120. Cependant, les options pour augmenter la taille de telles zones de stockage de charge sont limitÃ©es. En effet, il est en gÃ©nÃ©ral nÃ©cessaire de conserver la largeur et la profondeur des tranchÃ©es afin de maintenir les propriÃ©tÃ©s de transport de charge. Cela implique le maintien ou 35 l'augmentation des longueurs des zones de stockage de charge. 3065836 B15678 - DD17702JB 8 Toutefois, il y a une difficultÃ© en ce que le fait d'augmenter davantage l'Ã©tendue avec laquelle les zones de stockage de charge 114 Ã 120 sortent du pixel va conduire Ã une disposition non optimale de la matrice de pixels. 5 Une solution pour rÃ©soudre cette difficultÃ© pourrait consister Ã prÃ©voir des zones de stockage de charge qui ne sont plus droites, mais qui comprennent un ou plusieurs coudes. Toutefois il y a une difficultÃ© en ce que cela risque de crÃ©er des puits de potentiel en raison des variations de la largeur de 10 la zone de stockage de charge entre les Ã©lectrodes au niveau des coins, et que des porteurs de charge risquent par consÃ©quent d'Ãªtre empÃªchÃ©s d'Ãªtre Ã©vacuÃ©s correctement de la zone de stockage entiÃ¨re. La figure 2A est une vue Ã plat d'une structure de 15 stockage de charge 200 selon un exemple de rÃ©alisation de la prÃ©sente description. La structure de stockage de charge 200 comprend des tranchÃ©es de stockage de charge 202 et 204 reliÃ©es par un canal de liaison 206. Les tranchÃ©es de stockage de charge 202, 204 sont par exemple Ã©crantÃ©es par rapport Ã la lumiÃ¨re. La 20 tranchÃ©e de stockage de charge 202 comporte une extrÃ©mitÃ© 208 agencÃ©e pour recevoir des porteurs de charge accumulÃ©s par une photodiode PD (non illustrÃ©e en figure 2A). Par exemple, la structure de stockage de charge 200 pourrait remplacer chacune des zones de stockage de charge 114 Ã 120 en figure 1A. En 25 variante, la structure de stockage de charge 200 de la figure 2 pourrait Ãªtre incorporÃ©e dans tout type de pixel d'une matrice d'image dans lequel un stockage de charge doit Ãªtre assurÃ©. Les tranchÃ©es de stockage de charge 202 et 204 sont par exemple dÃ©limitÃ©es par une tranchÃ©e d'isolation 210, et la 30 tranchÃ©e 204 a par exemple une extrÃ©mitÃ© qui est fermÃ©e par la tranchÃ©e d'isolation 210. La tranchÃ©e d'isolation 210 a par exemple la mÃªme structure que les tranchÃ©es d'isolation de la figure 1A, et comprend par exemple un noyau conducteur permettant de lui appliquer une tension de polarisation. La tension de 35 polarisation est par exemple choisie sensiblement Ã©gale Ã 0 V ou 3065836 ' B15678 - DD17702JB 9 Ã un niveau de tension nÃ©gatif afin de pincer latÃ©ralement la photodiode et les tranchÃ©es de stockage et de passiver Ã©lectriquement les parois isolÃ©es des tranchÃ©es CDTI afin de limiter le courant d'obscuritÃ©. Additionnellement, l'implantation 5 dans les tranchÃ©es 202, 204 provoque par exemple un pincement latÃ©ral des charges en raison par exemple d'une concentration de dopage plus Ã©levÃ© vers les centres dans le sens de la largeur des tranchÃ©es 202, 204. Cela aide Ã l'Ã©vacuation des porteurs de charge lorsque les tranchÃ©es de stockage de charge sont lues. 10 Une porte de transfert 212 relie l'autre extrÃ©mitÃ© 214 de la tranchÃ©e de stockage de charge 202 Ã un noeud de dÃ©tection 216. La porte de transfert 212 relie aussi la tranchÃ©e de stockage de charge 204 au noeud de dÃ©tection 216. Le canal de liaison 206 borde par exemple une portion 15 du bord de la porte de transfert 212. Par exemple, la largeur Wlc du canal de liaison 206 entre le bord de la porte de transfert 212 et la tranchÃ©e d'isolation 210 est par exemple comprise entre 20 nm et 300 nm, et est par exemple sensiblement Ã©gale Ã 100 nm. La longueur du canal de liaison 206 est par exemple comprise entre 20 100 nm et 2 'lm. La tranchÃ©e 204 a par exemple une longueur Lt, mesurÃ©e entre la tranchÃ©e d'isolation 210 et le bord de la porte de transfert 212, comprise entre 1 pm et 10 pin, et une largeur Wt entre les tranchÃ©es d'isolation 210 comprise entre 200 nm et 2 pm, et par exemple sensiblement Ã©gale Ã 400 nm. Ces dimensions sont 25 par exemple similaires Ã celles de la tranchÃ©e 202. Dans l'exemple de la figure 2A, la porte de transfert 212 a une forme de "L", une branche du "L" reliant la tranchÃ©e 202 au noeud de dÃ©tection 216, et l'autre branche du "L" reliant la tranchÃ©e 204 au noeud de dÃ©tection 216. En outre, la tranchÃ©e 30 d'isolation 210 comprend par exemple un coude Ã angle droit 218 Ã la suite du coin extÃ©rieur de la porte de transfert en forme de "L" 212, le canal de liaison 206 Ã©tant formÃ© dans l'espace entre ce coin de la porte de transfert 212 et le coude 218 de la tranchÃ©e d'isolation 210. 3065836 B15678 - DD17702JB 10 Une ligne interrompue 220 en figure 2A, passant Ã travers des portions de la tranchÃ©e d'isolation 210 dÃ©limitant les tranchÃ©es 202, 204 et proche du bord extÃ©rieur de la porte de transfert en forme de "L" 212, illustre un exemple des limites du 5 masque d'implantation utilisÃ© pour former les tranchÃ©es de stockage 202, 204 et le canal de liaison 206. Une ligne en trait interrompu 222, passant Ã travers une portion de la tranchÃ©e d'isolation 210 et proche du bord intÃ©rieur de la porte de transfert en forme de "L" 202, illustre un exemple des limites du 10 masque d'implantation utilisÃ© pour former le noeud de dÃ©tection 216. Les tranchÃ©es 202, 204 et le canal de liaison 206 sont tous par exemple formÃ©s en silicium de type N, et sont par consÃ©quent adaptÃ©s Ã maintenir des Ã©lectrons. 15 La figure 2B est une vue en coupe de la structure de stockage de charge 200 de la figure 2A, prise suivant une ligne A-A' passant Ã travers la tranchÃ©e d'isolation 210, le long de la tranchÃ©e 204, par la porte de transfert 212 et le noeud de dÃ©tection 216, et de nouveau Ã travers la tranchÃ©e d'isolation 210. Cette 20 coupe est trÃ¨s similaire Ã la coupe de la figure 1B Ã l'exclusion de la zone de stockage de charge 118, et ne sera pas dÃ©crite de nouveau en dÃ©tail. Toutefois, dans l'exemple de la figure 2B, la tranchÃ©e de type N 204 s'Ã©tend jusqu'Ã une rÃ©gion en dessous de la porte 212, facilitant le transfert de charge pendant une phase 25 de lecture de la tranchÃ©e de stockage de charge 204. En outre, une rÃ©gion de type P fortement dopÃ©e (P+) 228 est par exemple formÃ©e sous le noeud de dÃ©tection 216 et s'Ã©tend partiellement sous la porte 212, cette implantation aidant Ã empÃªcher le dÃ©placement de charge vers le noeud de dÃ©tection 216 lorsque la porte de 30 transfert 212 est dans l'Ã©tat non conducteur. En figure 2B, le noyau conducteur de la tranchÃ©e d'isolation 210 est rÃ©fÃ©rencÃ© 230 et la couche isolante entourant le noyau conducteur 230 est rÃ©fÃ©rencÃ©e 232. En outre, la couche de type P fortement dopÃ©e recouvrant la tranchÃ©e de stockage de charge 204 est rÃ©fÃ©rencÃ©e 35 234. 3065836 B15678 - DD17702JB 11 On notera d'aprÃ¨s la figure 2B que la tranchÃ©e de stockage de charge de type N 204 est pincÃ©e verticalement entre la couche de type P 234 et le substrat de type P. La tranchÃ©e 202 a par exemple une structure similaire. 5 Par exemple, dans certains modes de rÃ©alisation, le substrat de type P a une concentration en dopants P comprise entre lel4cm-3 et 1e17cm-3, les tranchÃ©es de stockage de charge 202, 204 ont une concentration en dopants N comprise entre 1e17cm-3 et le20cm-3, la couche 234 et la rÃ©gion de 228 ont une concentration 10 en dopants P comprise entre le18cm-3 et le21unt-3, et le noeud de dÃ©tection 216 a une concentration en dopants N comprise entre 1e19cm-3 et 5e21um-3. La figure 2C est une vue en coupe de la structure de stockage de charge 200 de la figure 2A, prise suivant une ligne 15 B-B' passant Ã travers la tranchÃ©e d'isolation 210, le long de la tranchÃ©e 204, le long du canal de liaison 206, et le long de la tranchÃ©e 202. Comme cela est illustrÃ©, la profondeur de la rÃ©gion de type N formant le canal de liaison 206 est par exemple uniforme 20 suivant la longueur du canal de liaison 206, et est par exemple la mÃªme que celle des tranchÃ©es 202 et 204. En outre, dans certains modes de rÃ©alisation, les concentrations en dopants sont par exemple les mÃªmes dans les tranchÃ©es 202, 204 et le canal de liaison 206, ce qui Ã©vite d'avoir besoin de masques d'implantation 25 additionnels. La figure 2D est un diagramme illustrant un exemple de courbes de potentiel Ã©lectrostatique crÃªte suivant les coupes A-A' et B-B' de la structure de stockage de charge de la figure 2A. Une courbe 240 reprÃ©sente le potentiel Ã©lectrostatique 30 crÃªte suivant la coupe A-A' de la figure 2A. On a supposÃ© que la porte de transfert 212 est non conductrice en raison d'une tension appropriÃ©e qui lui est appliquÃ©e, qui est par exemple une tension de 0 V. Ainsi, comme cela est illustrÃ© par la courbe 240, Ã partir du canal 204, dans lequel il y a un potentiel Ã©lectrostatique 35 relativement Ã©levÃ©, par exemple de sensiblement 2 V, le potentiel 3065836 B1567Ã - DD17702JB 12 Ã©lectrostatique chute proche de zÃ©ro Ã un point 242 sous la porte de transfert 212. Le potentiel Ã©lectrostatique auymente ensuite par exemple rapidement jusqu'Ã un niveau 244 de plus de 3 V au niveau du noeud de dÃ©tection 216. 5 Une courbe 246 reprÃ©sente le potentiel Ã©lectrostatique crÃªte suivant la coupe B-B'. Les potentiels Ã©lectrostatiques proches des centres des tranchÃ©es 202, 204 sont par exemple proches de 2 V, et chutent Ã l'approche du canal de liaison 206. Dans le canal de liaison 206, le potentiel Ã©lectrostatique est 10 par exemple infÃ©rieur Ã celui des centres des tranchÃ©es 202, 204, mais supÃ©rieur au niveau en dessous de la porte 212. Par exemple, le potentiel Ã©lectrostatique dans le canal de liaison 206 est sensiblement Ã 1,5 V. Ce potentiel Ã©lectrostatique dans le canal de liaison 206 est par exemple choisi de telle sorte qu'il y a 15 une barriÃ¨re partielle entre les tranchÃ©es de stockage de charge 202 et 204, ce qui provoque un dÃ©bordement de charge de la tranchÃ©e 202 vers la tranchÃ©e 204 lorsqu'un certain niveau de charge est atteint, tout en Ã©vitant la fuite de charge Ã travers la porte de transfert 212. 20 Dans certains modes de rÃ©alisation, les dimensions du canal de liaison 206, la concentration en dopants dans le canal de liaison 206, et le niveau de tension appliquÃ© Ã la porte de transfert 212, sont agencÃ©s de telle sorte que, lorsque la porte de transfert est non conductrice, l'intervalle d'Ã©nergie sÃ©parant 25 le canal de liaison 206 et le noeud de dÃ©tection 216 est d'au moins 10 kT, oÃ¹ k est la constante de Boltzmann et T est la tempÃ©rature, et dans certains modes de rÃ©alisation est d'au moins 30 kT. Avantageusement, la largeur du canal de liaison est choisie comprise entre 20 nm et 300 nm pour Ã©viter la formation de puits 30 de potentiel entre les deux tranchÃ©es de stockage de charge pendant la phase de lecture, tout en maintenant une diffÃ©rence de potentiel supÃ©rieure Ã 10 kT pendant que la porte de transfert est non conductrice. En outre, le canal de liaison 206 assure une barriÃ¨re de potentiel Ã©lectrostatique entre les tranchÃ©es de 35 stockage de charge 202 et 204, et le canal de liaison est par 3065836 B1567Ã - DD17702JB 13 exemple agencÃ© de telle sorte que la barriÃ¨re de potentiel Ã©lectrostatique est infÃ©rieure Ã la barriÃ¨re de potentiel Ã©lectrostatique entre la tranchÃ©e de stockage de charge 202 et le noeud de dÃ©tection 216. 5 Bien que cela ne soit pas illustrÃ© en figure 2D, la barriÃ¨re de potentiel entre les tranchÃ©es de stockage de charge est calibrÃ©e de telle sorte qu'aucune barriÃ¨re de potentiel n'est formÃ©e le long du canal de liaison lorsque la tension appliquÃ©e Ã la porte de transfert 216 la rend conductrice. Par exemple, la 10 porte de transfert 216 est rendue conductrice par l'application d'une tension positive comprise entre 1 et 3 V, ce qui provoque l'Ã©vacuation des charges stockÃ©es dans les tranchÃ©es 202 et 204 vers le noeud de dÃ©tection 216, d'oÃ¹ elles peuvent Ãªtre lues de maniÃ¨re conventionnelle. 15 La figure 3A est une vue Ã plat d'une structure de stockage de charge 300 selon un autre exemple de rÃ©alisation. La structure de stockage de charge 300 est similaire Ã la structure de stockage de charge 200 de la figure 2A, et les Ã©lÃ©ments similaires portent les mÃªmes rÃ©fÃ©rences numÃ©riques et ne seront 20 pas dÃ©crits de nouveau en dÃ©tail. Par rapport Ã la structure 200, la structure 300 comprend une autre tranchÃ©e de stockage de charge 302 qui communique avec la tranchÃ©e de stockage de charge 204 par l'intermÃ©diaire d'un canal de liaison 306. La tranchÃ©e 302 est 25 par exemple sensiblement parallÃ¨le Ã la tranchÃ©e 204, de sorte que la structure de stockage de charge 300 ressemble Ã une lettre "F" Ã l'envers. Chacune des tranchÃ©es 204 et 302 a par exemple une extrÃ©mitÃ© qui est fermÃ©e par les tranchÃ©es d'isolation 210. Comme le canal de liaison 206, le canal de liaison 306 30 passe par exemple le long d'un bord de la porte de transfert 212, qui est agrandie en figure 3A pour relier aussi la tranchÃ©e 302 au noeud de dÃ©tection 216. Toutefois, Ã la diffÃ©rence du canal de liaison 206, le canal de liaison 306 est par exemple droit. Par exemple, la largeur Wlc du canal de liaison 306 entre le bordde 35 la porte de transfert 212 et la tranchÃ©e d'isolation 210 est 3065836 B15678 - DD17702JB 14 comprise entre 5 nm et 1 pin. La longueur du canal de liaison 306 est par exemple comprise entre 100 nm et 2 La figure 3B est un diagramme illustrant un exemple de courbes de potentiel Ã©lectrostatique crÃªte suivant les coupes A- 5 A', B-B'-B", et C-C'-C" de la structure de stockage de charge de la figure 3A. On supposera que la porte de transfert 212 est non conductrice en raison d'une tension appropriÃ©e qu'on lui applique, qui est par exemple d'une tension de 0 V. Une courbe 310 reprÃ©sente le potentiel Ã©lectrostatique 10 crÃªte suivant la coupe A-A', qui s'Ã©tend depuis l'extrÃ©mitÃ© 208 de la tranchÃ©e 202, le long de la tranchÃ©e 202, Ã travers la porte de transfert 212, et dans le noeud de dÃ©tection 216. Ã partir du canal 202, dans lequel il y a par exemple un potentiel Ã©lectrostatique proche de 2 V, le potentiel Ã©lectrostatique chute Ã prÃ¨s 15 de zÃ©ro en un point 312 sous la porte de transfert 212. Une flÃ¨che 314 en figure 3B reprÃ©sente la diffÃ©rence de potentiel entre la tranchÃ©e 202 et la porte de transfert 212, et une rÃ©gion hachurÃ©e 316 en figure 3B reprÃ©sente la capacitÃ© de stockage de charge de la tranchÃ©e 202, qui est fonction de la diffÃ©rence de potentiel 20 314. Le potentiel Ã©lectrostatique crÃªte reprÃ©sentÃ© par la courbe 310 par exemple augmente ensuite rapidement jusqu'Ã un niveau 318 qui est supÃ©rieur Ã 3 V au niveau du noeud de dÃ©tection 216. Une courbe en pointillÃ©s 320 reprÃ©sente le potentiel Ã©lectrostatique crÃªte le long de la coupe B-B'-B", qui s'Ã©tend le 25 long de la tranchÃ©e 202, diagonalement Ã travers le canal de liaison 206, le long de la tranchÃ©e 204 jusqu'Ã son extrÃ©mitÃ©, puis revient le long de la tranchÃ©e 204, Ã travers la porte de transfert 212 et dans le noeud de dÃ©tection 216. Comme cela est reprÃ©sentÃ© par la courbe 320, le potentiel Ã©lectrostatique crÃªte 30 chute jusqu'Ã un point bas 322 dans le canal de liaison 206, avant de revenir Ã un potentiel relativement Ã©levÃ© dans la tranchÃ©e 204. Le potentiel Ã©lectrostatique chute ensuite proche de zÃ©ro en un point 324 sous la porte de transfert 212. Une rÃ©gion hachurÃ©e 326 reprÃ©sente la capacitÃ© de stockage de charge de la tranchÃ©e 204. 35 Le potentiel Ã©lectrostatique crÃªte reprÃ©sentÃ© par la courbe 320 3065836 B1567Ã - DD17702JB 15 augmente ensuite rapidement jusqu'Ã un niveau 328 supÃ©rieur Ã 3 V au niveau du noeud de dÃ©tection 216. Une courbe 330 reprÃ©sente le potentiel Ã©lectrostatique crÃªte le long de la coupe C-C'-C", qui s'Ã©tend Ã partir de la 5 tranchÃ©e 204, le long du canal de liaison 306, le long de la tranchÃ©e 302 jusqu'Ã son extrÃ©mitÃ©, puis revient le long de la tranchÃ©e 302, Ã travers la porte de transfert 212 et dans le noeud de dÃ©tection 216. Ã partir du canal 204, dans lequel il y a par exemple un potentiel Ã©lectrostatique s'approchant de 2 V, le 10 potentiel Ã©lectrostatique chute jusqu'Ã un point bas 332 dans le canal de liaison 306, avant de revenir Ã un potentiel relativement haut dans la tranchÃ©e 302. Le potentiel Ã©lectrostatique chute ensuite proche de zÃ©ro en un point 334 situÃ© sous la porte de transfert 212. Une rÃ©gion hachurÃ©e 336 reprÃ©sente la capacitÃ© de 15 stockage de charge de la tranchÃ©e 302. Le potentiel Ã©lectrostatique crÃªte reprÃ©sentÃ© par la courbe 330 augmente ensuite par exemple rapidement jusqu'Ã un niveau 338 supÃ©rieur Ã 3 V au niveau du noeud de dÃ©tection 216. Une flÃ¨che 340 en figure 3B reprÃ©sente la diffÃ©rence de 20 potentiel entre les potentiels Ã©lectrostatiques dans les tranchÃ©es 202, 204, 302 et les potentiels Ã©lectrostatiques dans les canaux de liaison 206, 306. Par exemple, les dimensions des canaux de liaison 206 et 306, la concentration en dopants dans les canaux de liaison 206 et 306, et le niveau de tension appliquÃ© Ã la porte 25 de transfert 212 sont agencÃ©s de telle sorte que l'intervalle d'Ã©nergie sÃ©parant les canaux de liaison 206, 306 et le noeud de dÃ©tection 216 est d'au moins 10 kT, oÃ¹ k est la constante de Boltzmann et T est la tempÃ©rature, et dans certains modes de rÃ©alisation est d'au moins 30 kT. 30 La figure 4 est une vue Ã plat d'une structure de stockage de charge 400 selon un autre exemple de rÃ©alisation. De nombreux Ã©lÃ©ments sont similaires Ã ceux de la structure 300 de la figure 3A, et ces Ã©lÃ©ments portent les mÃªmes rÃ©fÃ©rences numÃ©riques et ne seront pas dÃ©crits de nouveau en dÃ©tail. En 35 particulier, la structure de stockage de charge 400 est par 3065836 ' B15678 - DD17702JB 16 exemple la mÃªme que la structure de stockage de charge 300, exceptÃ© qu'elle a Ã©tÃ© rendue symÃ©trique par rapport Ã un axe de symÃ©trie 402 qui s'Ã©tend le long de la tranchÃ©e 202, et Ã travers le noeud de dÃ©tection 216. Il y a ainsi une autre tranchÃ©e de stockage de 5 charge 204' opposÃ©e de faÃ§on symÃ©trique Ã la tranchÃ©e 204, et encore une autre tranchÃ©e de stockage de charge 302' opposÃ©e de faÃ§on symÃ©trique Ã la tranchÃ©e 302. Les tranchÃ©es 204' et 302' sont par exemple reliÃ©es entre elles par un canal de liaison 306' similaire au canal 306. La porte de transfert 212 est par exemple 10 remplacÃ©e dans la structure 400 par une porte de transfert 412 ayant une forme de "U" entourant le noeud de dÃ©tection 216 sur tous les cÃ´tÃ©s exceptÃ© un seul, et reliant ainsi les tranchÃ©es 204' et 302' au noeud de dÃ©tection 216. La figure 5 est une vue Ã plat d'une structure de 15 stockage de charge 500 selon encore un autre exemple de rÃ©alisation. La structure 500 est par exemple similaire Ã la structure 400 de la figure 4, et les Ã©lÃ©ments similaires portent les mÃªmes rÃ©fÃ©rences numÃ©riques et ne seront pas dÃ©crits de nouveau en dÃ©tail. La structure 500 comprend par exemple en plus 20 une tranchÃ©e de stockage de charge 502 qui s'Ã©tend Ã l'opposÃ© de la tranchÃ©e 202, et est par exemple reliÃ©e Ã la tranchÃ©e 302 par un canal de liaison 506 et Ã la tranchÃ©e 302' par un canal de liaison 506'. Les canaux de liaison 506 et 506' sont par exemple similaires aux canaux de liaison 206 et 206'. La porte de transfert 25 412 de la figure 4 est par exemple remplacÃ©e dans la structure 500 par une porte de transfert 512 ayant la forme d'une lettre "O" carrÃ©e, le noeud de dÃ©tection 216 Ã©tant entiÃ¨rement entourÃ© par la porte de transfert 512. La porte de transfert 512 relie non seulement les tranchÃ©es 204, 204', 302 et 302' au noeud de 30 dÃ©tection 216, mais aussi la tranchÃ©e 502 au noeud de dÃ©tection 216. Comme les tranchÃ©es 204, 204', 302 et 302', la tranchÃ©e 502 a par exemple une longueur Lt Ã partir de la tranchÃ©e d'isolation 210 jusqu'au bord de la porte de transfert 512 3065836 B15678 - DD17702JB 17 comprise entre 1 }lm et 10 dam, et une largeur Wt entre les tranchÃ©es d'isolation 210 comprise entre 200 nm et 2 pm. La figure 6 est une vue Ã plat d'une matrice d'image 600, qui est par exemple un capteur de profondeur basÃ© sur le 5 temps de vol. La matrice d'image 600 comprend par exemple des pixels 602, chaque pixel 602 comprenant des structures de stockage de charge 604 (rÃ©fÃ©rencÃ©es seulement dans le pixel en haut Ã gauche de la figure 6). L'exemple de la figure 6 reprÃ©sente 15 pixels agencÃ©s selon une matrice de 5 par 3. Toutefois, les 10 dimensions de la matrice peuvent Ãªtre quelconques. Les structures de stockage de charge 604 sont par exemple similaires Ã la structure 400 de la figure 4, exceptÃ© que les tranchÃ©es 302 et 302' ont Ã©tÃ© omises, de sorte que la structure a la forme d'une lettre "T". 15 Chaque pixel 602 comprend une photodiode 606 (rÃ©fÃ©rencÃ©e seulement dans le pixel en haut Ã gauche de la figure 6), qui est similaire Ã la photodiode 102 de la figure 1A, et quatre portes de transfert sont agencÃ©es sur celle-ci de faÃ§on similaire aux portes de transfert 104, 106, 108 et 110 de la figure 1A. Dans le 20 mode de rÃ©alisation de la figure 6, chaque pixel 602 comprend trois structures de stockage de charge 604 s'Ã©tendant Ã partir de trois cÃ´tÃ©s respectifs de la photodiode 606. Cela permet par exemple de capturer trois Ã©chantillons par pÃ©riode du signal lumineux pÃ©riodique comme cela a Ã©tÃ© dÃ©crit prÃ©cÃ©demment en 25 rÃ©fÃ©rence Ã la figure 1A. Une autre structure 608 s'Ã©tendant Ã partir du quatriÃ¨me cÃ´tÃ© de la photodiode 606 de chaque pixel 602 est par exemple utilisÃ©e pour une rÃ©initialisation de la photodiode et/ou dans un but anti-Ã©blouissement. Avantageusement, on peut voir en figure 6 que les 30 structures de stockage de charge en forme de "T" peuvent Ãªtre agencÃ©es avec une disposition spatialement efficace avec relativement peu de surface de puce vide autour de chaque pixel. Par exemple, la barre du "T" de certaines structures de stockage de charge s'Ã©tend Ã cÃ´tÃ© de la tige du "T" des structures de 35 stockage de charge des pixels adjacents. 3065836 ' B15678 - DD17702JB 18 Un autre avantage de la structure de stockage de charge en forme de "T" est que le noeud de dÃ©tection 216 peut avoir des dimensions relativement petites, alors que le nombre de tranchÃ©es de stockage de charge assure une capacitÃ© de stockage de charge 5 relativement Ã©levÃ©e. On trouve un avantage similaire dans la structure de la figure 5 dans laquelle les tranchÃ©es 302 et 302' sont omises de sorte que la structure de stockage de charge forme une croix ou une forme de "+". Dans une telle structure, la tranchÃ©e 502 est par exemple reliÃ©e aux tranchÃ©es 204, 204' par 10 des canaux de liaison similaires aux canaux 506, 506' illustrÃ©s en figure 5. Un avantage des modes de rÃ©alisation dÃ©crits ici est que des structures de stockage de charge peuvent fournir un volume de stockage de charge additionnel sans augmenter la longueur des 15 tranchÃ©es de stockage de charge, et tout en permettant une Ã©vacuation de charge efficace pendant la phase de lecture. Avec la description ainsi faite d'au moins un mode de rÃ©alisation illustratif, diverses altÃ©rations, modifications et amÃ©liorations apparaÃ®tront facilement Ã l'homme de l'art. Par 20 exemple, bien qu'on ait dÃ©crit des modes de rÃ©alisation basÃ©s sur le stockage d'Ã©lectrons dans des tranchÃ©es de type N, il sera clair pour l'homme de l'art que les mÃªmes principes pourraient Ãªtre appliquÃ©s au stockage de trous dans des tranchÃ©es de type P. En outre, bien qu'on ait dÃ©crit des modes de rÃ©alisation 25 dans lesquels les tranchÃ©es de stockage de charge sont dÃ©limitÃ©es par des tranchÃ©es d'isolation ayant un noyau conducteur, il sera clair pour l'homme de l'art qu'on pourrait utiliser des types diffÃ©rents de tranchÃ©es d'isolation, et en plus ou Ã la place qu'on pourrait utiliser des implantations pour dÃ©limiter les 30 tranchÃ©es de stockage de charge. En outre, bien qu'on ait dÃ©crit des exemples particuliers de disposition des canaux de liaison 206 et 306, il sera clair pour l'homme de l'art que d'autres modes de rÃ©alisation seraient possibles. Il serait aussi possible d'inclure plusieurs 35 noeuds de dÃ©tection pour une structure de stockage de charge 3065836 ' B15678 - DD17702JB 19 donnÃ©e, les noeuds de dÃ©tection Ã©tant couplÃ©s entre eux par des couches mÃ©talliques, et permettant de relier en chaÃ®ne plusieurs tranchÃ©es de stockage de charge par l'intermÃ©diaire des noeuds de dÃ©tection. REVENDICATIONS1. Pixel d'une matrice d'image comprenant une ou plusieurs structures de stockage de charge (200, 300, 400, 500), chaque structure de stockage de charge comprenant : une premiÃ¨re tranchÃ©e de stockage de charge (202) dopÃ©e 5 pour avoir un premier type de conductivitÃ© et ayant une premiÃ¨re extrÃ©mitÃ© (208) agencÃ©e pour recevoir la charge accumulÃ©e par une photodiode (606) ; une deuxiÃ¨me tranchÃ©e de stockage de charge (204, 204') dopÃ©e pour avoir le premier type de conductivitÃ© ; et 10 une premiÃ¨re porte de transfert (212, 412, 512) reliant une deuxiÃ¨me extrÃ©mitÃ© (214) de la premiÃ¨re tranchÃ©e de stockage de charge (202), et la deuxiÃ¨me tranchÃ©e de stockage de charge (202, 204, 204'), Ã un noeud de dÃ©tection (216), les premiÃ¨re et deuxiÃ¨me tranchÃ©es de stockage de charge Ã©tant reliÃ©es entre elles 15 par un canal de liaison (206, 206') dopÃ© pour avoir le premier type de conductivitÃ© et bordant une portion d'un bord de la porte de transfert (212, 412, 512). 2. Pixel selon la revendication 1, dans lequel le canal de liaison (206, 206') a une largeur comprise entre 20 nm et 20 300 nm. 3. Pixel selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le canal de liaison (206, 206') comprend un coude Ã angle droit. 4. Pixel selon l'une quelconque des revendications 1 Ã 3, dans lequel le canal de liaison (206, 206') assure une barriÃ¨re 25 de potentiel Ã©lectrostatique entre les premiÃ¨re et deuxiÃ¨me tranchÃ©es de stockage de charge (202, 204, 204'), le canal de liaison Ã©tant agencÃ© de telle sorte que la barriÃ¨re de potentiel Ã©lectrostatique est infÃ©rieure Ã une barriÃ¨re de potentiel Ã©lectrostatique entre la premiÃ¨re tranchÃ©e de stockage de charge 30 et le noeud de dÃ©tection (216). 5. Pixel selon la revendication 4, dans lequel les dimensions du canal de liaison (206, 206'), la concentration en dopants dans le canal de liaison (206, 206'), et/ou un niveau de tension appliquÃ© Ã la premiÃ¨re porte de transfert (212, 412, 512) 3065836 ' B15678 - DD17702JB 21 sont agencÃ©s de telle sorte que l'intervalle d'Ã©nergie sÃ©parant le canal de liaison et le noeud de dÃ©tection est d'au moins 10 kT, oÃ¹ k est la constante de Boltzmann, et T est la tempÃ©rature. 6. Pixel selon l'une quelconque des revendications 1 Ã 5 5, dans lequel la deuxiÃ¨me tranchÃ©e de stockage de charge (204) s'Ã©tend perpendiculairement Ã la premiÃ¨re tranchÃ©e de stockage de charge (202). 7. Pixel selon la revendication 6, dans lequel, en plus des premiÃ¨re et deuxiÃ¨me tranchÃ©es de stockage de charge, chaque 10 structure de stockage de charge comprend au plus deux autres tranchÃ©es de stockage de charge, les tranchÃ©es de chaque structure de stockage de charge formant une forme de "T" ou une forme de croix. 8. Pixel selon l'une quelconque des revendications 1 Ã 15 7, dans lequel le pixel comprend en outre une photodiode (606) reliÃ©e Ã la premiÃ¨re tranchÃ©e de stockage de charge (202) par une deuxiÃ¨me porte de transfert. 9. Pixel selon l'une quelconque des revendications 1 Ã 8, dans lequel les premiÃ¨re et deuxiÃ¨me tranchÃ©es de stockage de 20 charge (202, 204, 204') sont dÃ©limitÃ©es latÃ©ralement sur au moins une portion de leur longueur par des tranchÃ©es d'isolation capacitives (210) agencÃ©es pour Ãªtre polarisÃ©es par une tension de polarisation. 10. Pixel selon l'une quelconque des revendications 1 Ã 25 9, comprenant en outre une troisiÃ¨me tranchÃ©e de stockage de charge (302, 302', 204') dopÃ©e pour avoir le premier type de conductivitÃ© et reliÃ©e Ã la premiÃ¨re ou Ã la deuxiÃ¨me tranchÃ©e de stockage de charge par un autre canal de liaison (306, 206') dopÃ© pour avoir le premier type de conductivitÃ© et bordant une autre 30 portion du bord de la porte de transfert (212, 412, 512). 11. Pixel selon l'une quelconque des revendications 1 Ã 10, comprenant une pluralitÃ© desdites structures de stockage de charge (200, 300, 400, 500). 3065836 ' B15678 - DD17702JB 22 12. Matrice d'image comprenant une matrice de pixels, chaque pixel correspondant au pixel de l'une quelconque des revendications 1 Ã 11. 13. ProcÃ©dÃ© de fabrication d'un pixel d'une matrice 5 d'image, le procÃ©dÃ© comprenant la formation d'une ou plusieurs structures de stockage de charge (200, 300, 400, 500), chaque structure de stockage de charge Ã©tant formÃ©e : en formant une premiÃ¨re tranchÃ©e de stockage de charge (202) dopÃ©e pour avoir un premier type de conductivitÃ© et ayant 10 une premiÃ¨re extrÃ©mitÃ© (208) agencÃ©e pour recevoir la charge accumulÃ©e par une photodiode (606) ; en formant une deuxiÃ¨me tranchÃ©e de stockage de charge (204, 204') dopÃ©e pour avoir le premier type de conductivitÃ© ; et en formant une premiÃ¨re porte de transfert (212, 412, 15 512) reliant une deuxiÃ¨me extrÃ©mitÃ© de la premiÃ¨re tranchÃ©e de stockage de charge, et la deuxiÃ¨me tranchÃ©e de stockage de charge, Ã un noeud de dÃ©tection (216), les premiÃ¨re et deuxiÃ¨me tranchÃ©es de stockage de charge Ã©tant reliÃ©es entre elles par un canal de liaison (206, 206') dopÃ© pour avoir le premier type de 20 conductivitÃ© et bordant une portion d'un bord de la porte de transfert.