FR 3072498 A1 20190419 FR 1701071 A 20171013 Procédé de calcul d'un taux de sensibilité d'un composant électronique à un rayonnement cosmique, programme d'ordinateur et dispositif électronique associés La présente invention concerne un procédé de calcul d'un taux de sensibilité d'un composant électronique à un rayonnement cosmique. L'invention concerne également un programme d'ordinateur comportant des instructions logicielles qui, lorsqu'elles sont exécutées par un ordinateur, mettent en oeuvre un tel procédé de calcul. L'invention concerne également un dispositif électronique de calcul d'un taux de sensibilité d'un composant électronique à un rayonnement cosmique. L'invention concerne le domaine du calcul de la fiabilité des composants électroniques, en particulier de l'estimation de l'impact de dysfonctionnement(s) causé(s) par un rayonnement cosmique. L'invention concerne des systèmes électroniques devant évoluer dans un environnement radiatif qu'il soit naval, terrestre, aéronautique ou spatial, cet environnement radiatif résultant par exemple de l'interaction de particules cosmiques avec le silicium du composant électronique. On connait un procédé de calcul du taux de sensibilité d'un composant électronique vis-à-vis d'un rayonnement cosmique, et une plate-forme logicielle de prédiction de dysfonctionnement(s), basée sur une modélisation des interactions entre le rayonnement cosmique et le composant électronique. Le composant électronique comporte au moins une cellule électronique. Le procédé est mis en oeuvre par ordinateur et comprend la détermination d'un taux de sensibilité de chaque cellule électronique au rayonnement cosmique, puis le calcul d'un taux de sensibilité global du composant électronique audit rayonnement cosmique, en fonction du ou des taux de sensibilité calculés pour la ou les cellules électroniques. Pour déterminer le taux de sensibilité de chaque cellule électronique, la plate- forme logicielle simule l'injection, dans la cellule, d'un courant représentatif du rayonnement cosmique. Puis, la plate-forme logicielle évalue la sensibilité de la cellule à l'injection de courant simulée, c'est-à-dire observe de l'état de la cellule après injection pour déterminer si la cellule a été sensible ou non au rayonnement cosmique. Toutefois, un tel procédé de calcul n'est pas optimal, et n'est en particulier pas adapté pour certains types de composants électroniques. 2 Le but de l'invention est alors de proposer un procédé, et un dispositif associé, qui permette d'améliorer le calcul du taux de sensibilité du composant électronique au rayonnement cosmique. A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de calcul d'un taux de sensibilité 5 d'un composant électronique à un rayonnement cosmique, le composant électronique comportant au moins une cellule électronique, le procédé étant mis en oeuvre par un dispositif électronique de calcul et comprenant : - la détermination d'un taux de sensibilité de chaque cellule électronique au 10 rayonnement cosmique ; - le calcul d'un taux de sensibilité global du composant électronique au rayonnement cosmique, en fonction du ou des taux de sensibilité calculés pour la ou les cellules électroniques ; le procédé comprenant en outre, préalablement à la détermination du taux de 15 sensibilité de chaque cellule électronique : - la modélisation d'un état de vieillissement à une date ultérieure de chaque cellule électronique, le taux de sensibilité étant alors déterminé pour l'état de vieillissement modélisé de chaque cellule électronique, et le taux de sensibilité global étant calculé en fonction du ou 20 des taux de sensibilité calculés pour l'état de vieillissement modélisé de la ou des cellules électroniques. Avec le procédé de calcul selon l'invention, l'effet du vieillissement du composant électronique est pris en compte, avec la modélisation de l'état de vieillissement à une date ultérieure de chaque cellule électronique, ce qui permet de mieux estimer l'effet du 25 rayonnement cosmique sur le composant électronique et sur chacune des technologies qu'il embarque. Le procédé de calcul selon l'invention est notamment mieux adapté pour calculer le taux de sensibilité pour un composant électronique gravé avec une technologie submicronique, également appelée technologie DSM (de l'anglais Deep Sub Micron), un 30 tel composant étant plus sensible au rayonnement cosmique au fil du temps. Le procédé de calcul selon l'invention permet alors la mesure de la variation d'un taux de sensibilité d'un composant électronique à un rayonnement cosmique en fonction de son vieillissement. Avec le procédé de calcul actuel de l'état de la technique, la sensibilité du 35 composant au rayonnement cosmique est supposée constante dans le temps, et le 3 procédé de calcul de l'état de la technique fait alors l'hypothèse que les dégradations du composant dans le temps n'entrainent pas de modification de sa sensibilité. Suivant d'autres aspects avantageux de l'invention, le procédé de calcul comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément ou suivant toutes les 5 combinaisons techniquement possibles : - la détermination du taux de sensibilité de chaque cellule électronique comporte : + la simulation de l'injection, dans la cellule, d'un courant représentatif du rayonnement cosmique, et + l'évaluation de la sensibilité de la cellule à l'injection de courant simulée ; 10 - la modélisation de l'état de vieillissement à une date ultérieure de chaque cellule électronique comporte la modification d'au moins une grandeur électrique associée à la cellule électronique, la simulation de l'injection de courant étant alors effectuée avec la ou les grandeurs électriques modifiées ; - chaque grandeur électrique est modifiée à partir d'une base prédéfinie de 15 données expérimentales et d'un facteur de vieillissement, le facteur de vieillissement dépendant de la date ultérieure ; - chaque cellule électronique comporte un ensemble de transistor(s) ; - la grandeur électrique modifiée est la tension de seuil de chaque transistor de la cellule électronique ; 20 - le procédé comprend l'estimation d'un taux d'erreur logiciel pour chaque cellule électronique à la date ultérieure ; et - le procédé comprend l'estimation, en fonction des taux d'erreur calculés pour les cellules électroniques, d'un taux d'erreur global pour le composant électronique à la date ultérieure. 25 L'invention a également pour objet un programme d'ordinateur comportant des instructions logicielles qui, lorsqu'elles sont exécutées par un ordinateur, mettent en oeuvre un procédé tel que défini ci-dessus. L'invention a également pour objet un dispositif électronique de calcul d'un taux de sensibilité d'un composant électronique à un rayonnement cosmique, le composant 30 électronique comportant au moins une cellule électronique, le dispositif électronique de calcul comprenant : - un module de détermination configuré pour déterminer un taux de sensibilité de chaque cellule électronique au rayonnement cosmique ; - un module de calcul configuré pour calculer un taux de sensibilité global du 35 composant électronique au rayonnement cosmique, en fonction du ou des taux de sensibilité calculés pour la ou les cellules électroniques ; et 4 - un module de modélisation configuré pour modéliser un état de vieillissement à une date ultérieure de chaque cellule électronique, le module de détermination étant alors configuré pour déterminer le taux de sensibilité pour l'état de vieillissement modélisé de chaque cellule électronique, et le 5 module de calcul étant configuré pour calculer le taux de sensibilité global en fonction du ou des taux de sensibilité calculés pour l'état de vieillissement modélisé de la ou des cellules électroniques. Ces caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront plus clairement à la 10 lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels : - la figure 1 est une représentation schématique d'un dispositif électronique, selon l'invention, de calcul d'un taux de sensibilité d'un composant électronique soumis à un rayonnement cosmique, le composant électronique comportant au moins une cellule 15 électronique, le dispositif électronique de calcul comprenant un module de modélisation d'un état de vieillissement à une date ultérieure de chaque cellule électronique, un module de détermination d'un taux de sensibilité de chaque cellule électronique au rayonnement cosmique et un module de calcul d'un taux de sensibilité global du composant électronique au rayonnement cosmique, en fonction du ou des taux de sensibilité calculés 20 pour la ou les cellules électroniques ; - la figure 2 est une représentation schématique d'un composant électronique comportant plusieurs cellules électroniques, dont certaines sont sensibles au rayonnement cosmique et au vieillissement ; - la figure 3 est un organigramme d'un procédé, selon l'invention, de calcul du taux 25 de sensibilité du composant électronique de la figure 2 soumis à un rayonnement cosmique, le procédé étant mis en oeuvre par le dispositif électronique de calcul de la figure 1 ; - la figure 4 est une illustration d'une injection de courant pilotée par le module de modélisation de la figure 1, afin de modéliser le vieillissement d'une cellule électronique 30 comportant six transistors ; et - la figure 5 est une courbe représentant l'évolution d'un taux d'erreur lié aux neutrons sur la cellule de la figure 4. Sur la figure 1, un dispositif électronique de calcul 10 est configuré pour calculer 35 un taux de sensibilité d'un composant électronique 12 soumis à un rayonnement cosmique, le composant électronique 12 comportant au moins une cellule électronique 5 14, comme cela sera décrit plus en détail par la suite en regard de la figure 2. Le rayonnement cosmique considéré, ou encore les radiations considérées, comporte les rayonnements corpusculaires issus de l'interaction de particules cosmiques, d'origine solaire ou extrasolaire, avec du silicium du composant électronique 12. 5 Le dispositif électronique de calcul 10 comprend un module de modélisation 16 configuré pour modéliser un état de vieillissement, à une date ultérieure prédéfinie, de chaque cellule électronique 14 du composant électronique 12. Le dispositif électronique de calcul 10 comprend également un module de détermination 18 configuré pour déterminer un taux de sensibilité de chaque cellule 10 électronique 14 au rayonnement cosmique, le module de détermination 18 étant alors configuré pour déterminer le taux de sensibilité pour l'état de vieillissement de chaque cellule électronique 14, modélisé par le module de modélisation 16. Le dispositif électronique de calcul 10 comprend en outre un module de calcul 20 configuré pour calculer un taux de sensibilité global du composant électronique 12 au 15 rayonnement cosmique, en fonction du ou des taux de sensibilité calculés par le module de détermination 18 pour l'état de vieillissement de la ou des cellules électroniques 14, modélisé par le module de modélisation 16. Dans l'exemple de la figure 1, le dispositif électronique de calcul le 10 comprend une unité de traitement d'informations 30 formée par exemple d'un processeur 32 associé 20 à une mémoire 34. Dans l'exemple de la figure 1, le module de modélisation 16, le module de détermination 18 et le module de calcul 20 sont réalisés chacun sous forme d'un logiciel exécutable par le processeur 32. La mémoire 34 de l'unité de traitement d'informations 30 est alors apte à stocker un logiciel de modélisation configuré pour modéliser l'état de 25 vieillissement à la date ultérieure prédéfinie de chaque cellule électronique 14, un logiciel de détermination configuré pour déterminer le taux de sensibilité de chaque cellule électronique 14 au rayonnement cosmique, le logiciel de détermination déterminant alors le taux de sensibilité pour l'état de vieillissement de chaque cellule électronique 14, modélisé par le logiciel de modélisation, et un logiciel de calcul configuré pour calculer le 30 taux de sensibilité global du composant électronique 12 au rayonnement cosmique, en fonction du ou des taux de sensibilité calculés par le logiciel de détermination pour l'état de vieillissement de la ou des cellules électroniques 14, modélisé par le logiciel de modélisation. Le processeur 32 est alors configuré pour exécuter chacun des logiciels de modélisation, de détermination et de calcul. 35 En complément facultatif, la mémoire 34 est également apte à stocker une base prédéfinie 36 de données expérimentales, destinée alors à être utilisée par le module de 6 modélisation 16 pour modéliser l'état de vieillissement à la date ultérieure de chaque cellule électronique 14. En variante non représentée, le module de modélisation 16, le module de détermination 18 et le module de calcul 20 sont réalisés chacun sous forme d'un 5 composant logique programmable, tel qu'un FPGA (de l'anglais Field Programmable Gate Array), ou encore sous forme d'un circuit intégré dédié, tel qu'un ASIC (de l'anglais Application Specific Integrated Circuit). Lorsque le dispositif électronique de calcul 10 est réalisé sous forme d'un ou plusieurs logiciels, c'est-à-dire en forme d'un programme d'ordinateur, il est en outre apte 10 à être enregistré sur un support, non représenté, lisible par ordinateur. Le support lisible par ordinateur est, par exemple, un médium adapté à mémoriser des instructions électroniques et capable d'être couplé à un bus d'un système informatique. A titre d'exemple, le support lisible est une disquette ou disque souple, (de la dénomination anglaise Floppy disk), un disque optique, un CD-ROM, un disque magnéto-optique, une 15 mémoire ROM, une mémoire RAM, tout type de mémoire non volatile (par exemple, EPROM, EEPROM, FLASH, NVRAM) une carte magnétique ou une carte optique ou encore une clé USB (de l'anglais Universal Serial Bus). Sur le support lisible est alors mémorisé un programme d'ordinateur comprenant des instructions logicielles. Sur la figure 2, le composant électronique 12 comprend une ou plusieurs couches 20 38, chaque couche 38 comportant une ou plusieurs cellules électroniques 14. Dans l'exemple des figures 4 et 5, le composant électronique 12 est une mémoire vive statique, telle qu'une mémoire SRAM (de l'anglais Static Random Access Memory). Chaque cellule électronique 14 comporte un ensemble de transistor(s) 40, comme représenté dans l'exemple de la figure 4 où la cellule électronique 14 comporte un 25 ensemble de six transistors 40. Chaque cellule électronique 14 comporte par exemple une dizaine de transistors 40 en moyenne. A titre d'exemple, parmi les cellules électroniques 14 du composant électronique 12 celles qui sont sensibles au rayonnement cosmique et au vieillissement sont représentées avec des hachures à la figure 2. 30 Le module de modélisation 16 est configuré pour modéliser l'état de vieillissement, à la date ultérieure prédéfinie, de chaque cellule électronique 14 du composant électronique 12, par exemple en modifiant au moins une grandeur électrique associée à la cellule électronique 14. En complément, le module de modélisation 16 est de préférence configuré pour 35 modifier chaque grandeur électrique associée à chaque cellule électronique 14 à partir de la base prédéfinie de données expérimentales 36 et d'un facteur de vieillissement, le 7 facteur de vieillissement dépendant de la date ultérieure prédéfinie. La base prédéfinie 36 contient des données expérimentales proposant un vieillissement accéléré sur une courte échelle de temps. Le facteur de vieillissement forme un facteur d'accélération entre les conditions expérimentales et les conditions opérationnelles voulues. 5 La grandeur électrique modifiée est par exemple la tension de seuil de chaque transistor 40 de la cellule électronique 14. Le module de détermination 18 est configuré pour déterminer un taux de sensibilité de chaque cellule électronique 10, par exemple en simulant l'injection dans la cellule 14 d'un courant représentatif du rayonnement cosmique, puis en évaluant la 10 sensibilité de la cellule 14 à l'injection de courant simulé. Dans l'exemple de la figure 4, le module de détermination 18 est configuré pour simuler l'injection d'un courant en un noeud 42 de connexion des transistors 40 de la cellule électronique 14, comme représenté par la flèche INJ. Le courant injecté dans la cellule 14 représente alors les interactions entre 15 particules cosmiques et le silicium de la cellule électronique 14, correspondant à la sensibilité de ladite cellule électronique 14 au rayonnement cosmique. Autrement dit, le courant injecté dans la cellule 14 permet d'identifier la susceptibilité de la cellule électronique 14 à ces radiations cosmiques. Pour la prise en compte du vieillissement modélisé par le module de modélisation 20 16, le module de détermination 18 est configuré en outre pour effectuer la simulation de l'injection de courant avec la ou les grandeurs électriques modifiées lors de la modélisation du vieillissement. Le module de détermination 18 est, par exemple, configuré pour estimer un taux d'erreur logiciel, également appelé SER (de l'anglais Soft Error Rate), pour chaque cellule 25 électronique 14 et à la date ultérieure prédéfinie. Ce taux d'erreur représente la quantité d'erreurs rencontrées par une entité donnée, telle que la cellule électronique 14, et est généralement exprimé en nombre d'erreurs par milliard d'heures d'utilisation, correspondant à la notion de « Failure in time » en anglais, également notée FIT. Le module de calcul 20 est alors configuré pour calculer un taux de sensibilité 30 global du composant électronique 12 au rayonnement cosmique, en fonction du ou des taux de sensibilité calculés, c'est-à-dire déterminés, par le module de détermination 18 pour la ou les cellules électroniques 14. Le module de calcul 20 est, par exemple, configuré pour estimer un taux d'erreur logiciel global SERglobal pour le composant électronique 12 et à la date ultérieure 35 prédéfinie. Ce taux d'erreur représente alors la quantité d'erreurs rencontrées par le 8 composant électronique 12, et est également généralement exprimé en nombre d'erreurs par milliard d'heures d'utilisation du composant électronique 12. Le fonctionnement du dispositif électronique de calcul 10 selon l'invention va 5 désormais être expliqué à l'aide de la figure 3 représentant un organigramme d'un procédé 100, selon l'invention, de calcul du taux de sensibilité du composant électronique 12 au rayonnement cosmique, le procédé étant mis en oeuvre par le dispositif électronique de calcul 10. Lors d'une étape initiale 105 ne faisant pas partie du procédé selon l'invention, une 10 liste de la ou des cellules électroniques 14 constituant le composant électronique 12 est établie, en identifiant en particulier la ou les cellules électroniques 14 susceptibles d'être sensibles à la fois aux radiations cosmiques et au vieillissement. Lorsqu'en complément facultatif, la criticité de chaque cellule électronique 14 est en outre connue, celle-ci est prise en compte et a alors un poids dans le calcul du taux de sensibilité global. Comme 15 représenté sur la figure 2, l'architecture du composant électronique 12 consiste, par exemple, en une succession de couches 38, chaque couche 38 comportant une ou plusieurs cellules électroniques 14, et la modélisation du comportement de ces cellules électroniques 14 est alors suffisante pour étudier la susceptibilité, c'est-à-dire la sensibilité, du composant électronique 12. 20 Lors de l'étape 110, le dispositif électronique de calcul 10 commence alors par modéliser le vieillissement de chaque cellule électronique 14, à l'aide de son module de modélisation 16, en modifiant par exemple au moins une grandeur électrique associée à chaque cellule électronique 14. Cette modification de la ou des grandeurs électriques associées à la cellule électronique 14 est par exemple effectuée à partir de la base 25 prédéfinie de données expérimentales 36, cette base prédéfinie 36 contenant par exemple les caractéristiques de vieillissement, des données relatives à la technologie, ou encore des données relatives à l'environnement dans lequel se trouve le composant électronique 12, comme représenté sur la figure 3. Comme indiqué précédemment, la grandeur électronique modifiée est par exemple la tension de seuil de chaque transistor 30 40 de la cellule électronique 14. Cette modélisation du vieillissement de chaque cellule 14 du composant électronique 12 est alors couplée lors de l'étape suivante 120 avec la modélisation de la susceptibilité de chaque cellule électronique 14 au rayonnement cosmique, en simulant l'injection de courant représentant cette modélisation de la susceptibilité pour la ou les 35 grandeurs électriques modifiées précédemment lors de l'étape 110, afin de modéliser le vieillissement de la cellule électronique 14 correspondante. 9 A l'issue de cette étape 120 de modélisation de la susceptibilité de la cellule électronique 14 au rayonnement cosmique, mise en oeuvre par le module de détermination 18, le module de détermination 18 évalue l'état de ladite cellule électronique 14 lors de l'étape 130, et répète ce processus de simulation d'un injection 5 jusqu'à obtenir un nombre statistiquement suffisant de simulations d'interaction entre les particules cosmiques et le silicium de la cellule électronique 14 correspondante. A chaque itération du processus, l'état de la cellule électronique 14 est évalué, par exemple en fonction de la grandeur électrique précitée, telle que la tension de seuil de chaque transistor 40 de la cellule électronique 14. Le processus d'itération se termine 10 alors typiquement lorsque la variance de l'état de la cellule électronique 14, ainsi évalué, est inférieure à un pourcentage prédéfini d'une itération à l'autre, telle qu'inférieure à 10% d'une itération à l'autre, ladite variance étant de préférence encore inférieure à 5% d'une itération à l'autre pour que le processus d'itération se termine. Cette répétition, ou itération, du processus de simulation permet alors de converger vers la valeur moyenne 15 de la susceptibilité de la cellule électronique donnée. A l'issue de ce processus d'itération, le module de détermination 18 passe à l'étape suivante 140 pour estimer le taux d'erreur logiciel SER pour la cellule électronique 14 respective et à la date ultérieure prédéfinie qui a été prise en compte lors de la modélisation du vieillissement. Ce taux d'erreur logiciel est ainsi corrélé à la susceptibilité, 20 ou encore à la sensibilité, de la cellule électronique 14 au rayonnement cosmique, qui est elle-même par exemple corrélée à la tension de seuil de chaque transistor 40 inclus dans cette cellule 14. L'état de la cellule électronique 14 est simulé à différentes dates de sa vie opérative et dans différentes conditions de flux atmosphérique. Les conditions de flux 25 sont, par exemple, calculées à partir d'un plan de vol (longitude, latitude et route ou cap suivie) d'un aéronef, tel qu'un avion. Des doses de rayonnement cosmique reçues par le composant électronique 12 sont alors calculées à partir de ce plan de vol et d'une modélisation faite du flux solaire, issue de mesure en trois points du globe terrestre. Le taux d'erreur logiciel SER pour la cellule électronique 14 respective est alors estimé à 30 partir de ces doses calculées de rayonnement cosmique reçu par le composant électronique 12. A l'issue de l'étape 140 de détermination du taux de sensibilité de la cellule électronique au rayonnement cosmique, le procédé retourne à l'étape 110 afin de passer à la cellule électronique 14 suivante dans la liste des cellules électroniques, établie de 35 manière préliminaire lors de l'étape 105. Lorsque le taux de sensibilité a été déterminé pour chaque cellule électronique 14 de ladite liste, et par exemple lorsque le taux d'erreur 10 logiciel SER a été estimé pour chaque cellule électronique 14 de ladite liste, le dispositif électronique de calcul 10 passe à l'étape finale 150 de calcul du taux de sensibilité global du composant électronique 12 au rayonnement cosmique. Lors de cette étape 150, le module de calcul 20 calcule le taux de sensibilité global 5 du composant électronique 12 au rayonnement cosmique, en fonction du ou des taux de sensibilité calculés précédemment pour chaque cellule électronique 14. Le module de calcul 20 calcule alors par exemple le taux d'erreur SERglobal pour le composant électronique 12, à partir du taux d'erreur logiciel SER estimé pour chaque cellule électronique 14 respective. 10 Le taux d'erreur SERglobal pour le composant électronique 12 dépend de la structure du composant électronique 12, c'est-à-dire des cellules électroniques 14 qui le composent, ces cellules électroniques 14 pouvant être de différentes technologies, chaque cellule électronique 14 étant sensible à un flux et ayant son propre taux d'erreur logiciel SER. Le taux d'erreur SERglobal pour le composant électronique 12 est 15 typiquement calculé en fonction en outre de la surface de silicium utilisée sur le composant électronique 12 par chaque cellule électronique 14, par exemple sous forme d'une moyenne des taux d'erreur logiciel SER des cellules électroniques 14 du composant électronique 12, pondérée par les ratios de surface de silicium utilisée, associés aux cellules électroniques 14. Pour le calcul de cette moyenne pondérée, 20 chaque taux d'erreur logiciel SER d'une cellule électronique 14 respective est alors multiplié par le ratio respectif de surface de silicium utilisée sur le composant électronique 12 par cette cellule électronique 14. Sur la figure 5, la courbe 200 représente alors l'évolution du taux d'erreur global SERglobal lié aux neutrons pour le composant électronique 12 en fonction du vieillissement 25 de ce composant électronique 12, ceci dans l'exemple de la figure 4 où le composant électronique 12 est une mémoire vive SRAM à six transistors 40, tels que des transistors de type bulk gravés en 32 nm. Sur la figure 5, la tension de seuil des transistors 40 formant le composant électronique 12 est représentée en abscisse, et cette tension de seuil est la grandeur 30 électrique représentative choisie dans cet exemple pour modéliser le vieillissement du composant électronique 12. L'homme du métier observera alors que le taux d'erreur global SERglobal lié aux neutrons pour le composant électronique 12 croît avec le vieillissement du composant électronique 12, et que dans l'exemple de la figure 5, cette évolution du taux d'erreur 35 global SERglobal en fonction du vieillissement est en outre sensiblement linéaire. 11 Le dispositif électronique de calcul 10 et le procédé de calcul selon l'invention permettent alors de prévoir le comportement d'un composant électronique 12 sous effet radiatif tout au long de sa durée de vie, et ces informations seront alors particulièrement intéressantes en termes de maintenance, et également afin de permettre d'accroître la 5 sûreté de fonctionnement relative à ce composant électronique 12, par exemple en déclenchant une maintenance préventive. Ce calcul du taux de sensibilité du composant électronique 12 s'applique à tout équipement embarqué nécessitant de garantir un bon fonctionnement durant une période de temps imposée, que ce soit sur des porteurs navals, terrestres, aéronautiques ou 10 encore spatiaux. On conçoit alors que le procédé de calcul 100 selon l'invention, et le dispositif électronique de calcul 10 associé, permettent d'améliorer le calcul du taux de sensibilité du composant électronique 12 au rayonnement cosmique. 15 12 REVENDICATIONS, I. Procédé (100) de calcul d'un taux de sensibilité (SERglobal1 d'un composant électronique (12) à un rayonnement cosmique, le composant électronique (12) comportant au moins une cellule électronique (14), le procédé étant mis en oeuvre par un dispositif électronique de calcul (10) et comprenant : - la détermination (120, 130, 140) d'un taux de sensibilité (SER) de chaque cellule électronique (14) au rayonnement cosmique ; - le calcul (150) d'un taux de sensibilité global (SERglobal) 1 du composant électronique (12) au rayonnement cosmique, en fonction du ou des taux de sensibilité calculés pour la ou les cellules électroniques (14) ; caractérisé en ce que le procédé (100) comprend en outre, préalablement à la détermination (120, 130, 140) du taux de sensibilité (SER) de chaque cellule électronique (14) : - la modélisation (110) d'un état de vieillissement à une date ultérieure de chaque cellule électronique (14), le taux de sensibilité (SER) étant alors déterminé pour l'état de vieillissement modélisé de chaque cellule électronique (14), et le taux de sensibilité global (SERg 1 lobal) étant calculé en fonction du ou des taux de sensibilité (SER) calculés pour l'état de vieillissement modélisé de la ou des cellules électroniques (14). 2. Procédé (100) selon la revendication 1, dans lequel la détermination (120, 130, 140) du taux de sensibilité (SER) de chaque cellule électronique (14) comporte : + la simulation (120) de l'injection, dans la cellule (14), d'un courant représentatif du rayonnement cosmique, et + l'évaluation (130) de la sensibilité de la cellule à l'injection de courant simulée. 3. Procédé (100) selon la revendication 2, dans lequel la modélisation (110) de l'état de vieillissement à une date ultérieure de chaque cellule électronique (14) comporte la modification d'au moins une grandeur électrique associée à la cellule électronique (14), la simulation (120) de l'injection de courant étant alors effectuée avec la ou les grandeurs électriques modifiées. 13 4. Procédé (100) selon la revendication 3, dans lequel chaque grandeur électrique est modifiée à partir d'une base prédéfinie de données expérimentales (36) et d'un facteur de vieillissement, le facteur de vieillissement dépendant de la date ultérieure. 5 5. Procédé (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel chaque cellule électronique (14) comporte un ensemble de transistor(s) (40). 6. Procédé (100) selon les revendications 3 et 5, dans lequel la grandeur électrique modifiée est la tension de seuil de chaque transistor (40) de la cellule 10 électronique (14). 7. Procédé (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le procédé (100) comprend l'estimation (140) d'un taux d'erreur logiciel (SER) pour chaque cellule électronique (14) à la date ultérieure. 15 8. Procédé (100) selon la revendication 7, dans lequel le procédé (100) comprend l'estimation (150), en fonction des taux d'erreur (SER) calculés pour les cellules électroniques (14), d'un taux d'erreur global (SERglobal) pour le composant électronique (12) à la date ultérieure. 20 9. Programme d'ordinateur comportant des instructions logicielles qui, lorsqu'elles sont exécutées par un ordinateur, mettent en oeuvre un procédé (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes. 25 10. Dispositif électronique (10) de calcul d'un taux de sensibilité (SER goba) d'un composant électronique (12) à un rayonnement cosmique, le composant n que (12) comportant _.'un électroi () comportant au moins une cellule électronique (14), le dispositif électronique de calcul (10) comprenant : - un module de détermination (18) configuré pour déterminer un taux de sensibilité 30 (SER) de chaque cellule électronique (14) au rayonnement cosmique ; - un module de calcul (20) configuré pour calculer un taux de sensibilité global (SERgiobal) 1 du composant électronique (12) au rayonnement cosmique, en fonction du ou des taux de sensibilité (SER) calculés pour la ou les cellules électroniques (14) ; caractérisé en ce que le dispositif électronique de calcul (10) comprend en outre : - un module de modélisation (16) configuré pour modéliser un état de vieillissement à une date ultérieure de chaque cellule électronique (14), 14 le module de détermination (18) étant alors configuré pour déterminer le taux de sensibilité (SER) pour l'état de vieillissement modélisé de chaque cellule électronique (14), et le module de calcul (20) étant configuré pour calculer le taux de sensibilité global (SERglobal, en fonction du ou des taux de sensibilité (SER) calculés pour l'état de 1 5 vieillissement modélisé de la ou des cellules électroniques (14).