FR 3052912 A1 20171222 FR 1655672 A 20160617 PROCÉDÉ DE DOPAGE MONO-FACIAL DE PLAQUETTES EN SILICIUM DOMAINE TECHNIQUE La présente invention est relative aux techniques de dopage par diffusion de plaquettes de silicium, destinées notamment à l'industrie photovoltaïque. L'invention concerne plus particulièrement un procédé permettant de ne doper qu'une seule face des plaquettes de silicium. ÉTAT DE LA TECHNIQUE La réalisation de cellules photovoltaïques à base de silicium requiert une étape de dopage des plaquettes de silicium, afin de créer une jonction p-n. Ce dopage est le plus souvent obtenu par la diffusion thermique d'atomes de phosphore (dans le cas d'un dopage de type n) ou d'atomes de bore (dopage de type p) en surface des plaquettes. De façon classique, la diffusion des dopants s'effectue dans un four dont l'enceinte est formée d'un tube en quartz. Ce tube contient un ou plusieurs supports, appelés nacelles, dans lesquels les plaquettes de silicium sont disposées. Les dopants proviennent d'une source, qui peut être solide, liquide ou gazeuse selon la nature de l'élément dopant (B, P, As, Sb...) et le profil de dopage recherché. Le dopage des plaquettes dans le four de diffusion s'effectue généralement en deux temps. Dans un premier temps, les plaquettes sont maintenues dans l'enceinte du four, saturée par les dopants sous une forme gazeuse, dans des conditions de pression et de température données. Les dopants se déposent sur la surface des plaquettes pour former une couche riche en dopants, typiquement un verre de silicate dopé au phosphore (PSG, pour « phosphosilicate glass » en anglais) ou au bore (BSG, pour « borosilicate glass »). Puis, dans un deuxième temps, les plaquettes sont portées à plus haute température afin de faire diffuser les dopants de la couche de PSG (ou BSG) vers le silicium. 3052912 2 Un four de diffusion peut accueillir dans le tube en quartz un grand nombre de plaquettes, ce qui permet d'augmenter la cadence de production et de réduire le coût de l'étape de dopage dans la fabrication d'une cellule photovoltaïque. À cet effet, les nacelles présentent une multitude de fentes réceptrices dans lesquelles sont réparties 5 les plaquettes de silicium, à raison d'une plaquette par fente. Les faces avant et arrière des plaquettes de silicium sont exposées simultanément aux dopants, car les plaquettes reposent sur la tranche dans les fentes réceptrices. De nombreuses architectures de cellules photovoltaïques requièrent de ne doper 10 qu'une seule face des plaquettes de silicium avec un type de dopants donné. Par exemple, pour des cellules à architecture standard formées à partir de plaquettes en silicium cristallin dopé de type p, seule la face avant des plaquettes est dopée de type n pour former l'émetteur de la jonction p-n (le substrat de type p formant la base de la jonction). 15 Pour éviter qu'un dopage par diffusion n'affecte simultanément les deux faces d'une plaquette, une solution classique consiste à couvrir d'un masque l'une des deux faces, la face arrière dans l'exemple précédent d'une cellule photovoltaïque à émetteur en face avant. Le masque constitue une couche barrière à la diffusion des dopants dans 20 le silicium de la plaquette. Ce masque est généralement constitué de nitrure de silicium (SiN), obtenu par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (ou PECVD, pour « Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition » en anglais), d'un oxyde de silicium thermique ou d'une couche diélectrique déposée dans des conditions de vide poussé. La formation du masque et son retrait après l'étape de diffusion constituent 25 des étapes additionnelles, souvent coûteuses (PECVD et dépôt sous vide notamment), qui s'ajoutent à l'étape de gravure du verre de silicate en face avant. La solution classique engendre par conséquent une augmentation du coût de production de la cellule photovoltaïque. 30 La demande internationale de brevet W02012/127123 divulgue un procédé de dopage par diffusion ayant pour but de réduire le coût de traitement d'une plaquette de silicium. Dans ce procédé, les plaquettes de silicium sont disposées dos-à-dos dans leur support, c'est-à-dire face arrière contre face arrière. Les fentes réceptrices des 3052912 3 nacelles ont une largeur au moins égale à deux fois l'épaisseur des plaquettes de silicium. Dans le four de diffusion, les plaquettes sont orientées horizontalement plutôt que verticalement. Ainsi, le poids de la plaquette supérieure assure un meilleur contact entre les faces arrière des deux plaquettes. 5 Ce procédé de dopage n'est toutefois pas satisfaisant car une diffusion résiduelle est observée sur les bords des faces arrière des deux plaquettes. Cette diffusion résiduelle est due au fait que le contact entre les deux plaquettes ne s'étend pas sur toute la superficie de leur face arrière (les plaquettes n'étant jamais totalement planes). La face 10 arrière des plaquettes traitées selon ce procédé est donc partiellement dopée du même type que la face avant (et les tranches), ce qui est préjudiciable pour le fonctionnement des cellules photovoltaïques. RÉSUMÉ DE L'INVENTION 15 Il existe donc un besoin de prévoir un procédé de dopage de plaquettes de silicium, ayant un faible coût de mise en oeuvre, à l'issue duquel une seule face des plaquettes présente une couche dopée d'un premier type de conductivité. Les plaquettes de silicium ayant deux faces principales opposées, une face avant (ou frontale) et une 20 face arrière (ou dorsale), on désignera ci-après la face dopée du premier type de conductivité comme étant la face avant et la face non dopée (du premier type de conductivité) comme étant la face arrière. Selon l'invention, on tend à satisfaire ce besoin en prévoyant les étapes suivantes : 25 - disposer les plaquettes de silicium dans une nacelle en apposant leur face arrière contre une surface plane ; - introduire la nacelle dans un four de diffusion ; - introduire dans le four de diffusion de l'oxygène et des impuretés dopantes d'un premier type de conductivité et diffuser thermiquement les impuretés dopantes 30 en surface des plaquettes de silicium, d'où il résulte une première couche de silicium, dopée du premier type de conductivité et occupant toute la face avant de chaque plaquette de silicium, et une deuxième couche de silicium, dopée du premier type de conductivité et située en périphérie de la face arrière de chaque 3052912 4 plaquette de silicium, les première et deuxième couches de silicium étant recouvertes respectivement d'une première et d'une deuxième couches en oxyde de silicium dopé ; - plonger les plaquettes de silicium dans une solution alcaline, de façon à graver 5 les première et deuxième couches en oxyde de silicium dopé et la deuxième couche de silicium. Par « oxyde de silicium », on désigne un composé contenant du silicium et de l'oxygène, obtenu par la réaction entre l'oxygène introduit dans le four et le silicium 10 des plaquettes. Cet oxyde est dopé car il incorpore les impuretés dopantes présentes dans le four pendant la réaction. Comme la face arrière des plaquettes de silicium repose contre une surface plane pendant l'étape de diffusion des dopants, seule une portion périphérique de la face 15 arrière est dopée et recouverte de la deuxième couche en oxyde de silicium dopé. Cette deuxième couche d'oxyde est d'épaisseur variable et n'occupe qu'une partie de la face arrière, contrairement à la première couche d'oxyde située en face avant des plaquettes de silicium. 20 La solution alcaline permet de graver la portion périphérique de silicium dopé et la deuxième couche d'oxyde plus rapidement que la première couche d'oxyde, situé en face avant des plaquettes. Cela est possible d'une part grâce à la non-uniformité de la deuxième couche d'oxyde et à un effet de soulèvement (ou effet « lift-off ») de la deuxième couche d'oxyde, causé par une gravure latérale du silicium plus rapide que 25 la gravure verticale de l'oxyde. La première couche de silicium dopé située sous la première couche d'oxyde en face avant des plaquettes peut ainsi être laissée intacte ou n'être gravée que superficiellement. Un grand nombre de plaquettes peut être plongées simultanément dans la solution 30 alcaline. Cette étape de gravure humide est une donc une solution efficace et économique pour limiter le dopage par diffusion à une seule face des plaquettes de silicium. 3052912 5 L'oxyde de silicium dopé est de préférence un verre silicate dopé, par exemple au phosphore (PSG, pour « phosphosilicate glass ») ou au bore (BSG, pour « borosilicate glass »). 5 De préférence, la gravure des première et deuxième couches en oxyde de silicium dopé et de la deuxième couche de silicium est effectuée dans des conditions telles que le rapport de la cinétique de gravure du silicium sur la cinétique de gravure de l'oxyde de silicium est compris entre 200 et 2000, plus préférentiellement entre 500 et 2000. Ces conditions de gravure précipitent le retrait de la deuxième couche d'oxyde 10 et de la deuxième couche de silicium en face arrière des plaquettes, car l'effet de soulèvement de la deuxième couche d'oxyde est accentué. Selon un développement du procédé de dopage, la solution alcaline est une solution aqueuse d'hydroxyde alcalin portée à une température comprise entre 0 °C et 80 °C, 15 préférentiellement entre 0 °C et 40 °C, et présentant une concentration pondérale en hydroxyde alcalin comprise entre 5 % à 45 %, préférentiellement entre 10% et 25 %. Le procédé selon l'invention peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les 20 combinaisons techniquement possibles : la solution alcaline est choisie parmi une solution aqueuse d'hydroxyde de lithium (LiOH), une solution aqueuse d'hydroxyde de potassium (KOH), une solution aqueuse d'hydroxyde de sodium (NaOH) et une solution aqueuse de tétraméthylammonium hydroxyde (TMAH) ; 25 les plaquettes de silicium sont réparties par paire dans des fentes réceptrices de la nacelle, en accolant leurs faces arrière l'une contre l'autre ; les plaquettes de silicium sont posées à plat sur une plateforme de la nacelle ; et les plaquettes de silicium sont initialement dopées d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité. 30 BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la 3052912 6 description qui en est donnée ci-dessous, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux figures annexées, parmi lesquelles : - la figure 1 représente l'étape de diffusion d'un procédé de dopage selon un 5 mode de mise en oeuvre préférentiel de l'invention ; - les figures 2A, 2B et 2C illustrent, respectivement en vue de dessus, en coupe transversale et en vue de dessous, une plaquette de silicium immédiatement après l'étape de diffusion ; - les figures 3A et 3B représentent schématiquement une étape de gravure dans 10 une solution alcaline, d'après le procédé de dopage selon l'invention ; - la figure 4 représente le rapport des cinétiques de gravure entre le silicium et le dioxyde de silicium en fonction de la concentration en hydroxyde alcalin de la solution alcaline, pour différentes températures de la solution ; - la figure 5 représente la réflectivité de la face arrière de la plaquette diffusée, 15 avant et après l'étape de gravure alcaline ; - la figure 6 représente la réflectivité de la face avant de la plaquette diffusée, avant et après l'étape de gravure alcaline ; - la figure 7 représente des zones de mesure de la concentration en dopants, réparties sur la face et la face arrière d'une plaquette de silicium ; 20 - la figure 8 représente des profils de la concentration en dopants en face arrière de la plaquette diffusée, avant et après l'étape de gravure alcaline ; - la figure 9 représente des profils de la concentration en dopants en face avant de la plaquette diffusée, avant et après l'étape de gravure alcaline 25 Pour plus de clarté, les éléments identiques ou similaires sont repérés par des signes de référence identiques sur l'ensemble des figures. DESCRIPTION DÉTAILLÉE D'AU MOINS UN MODE DE RÉALISATION 30 Un mode de mise en oeuvre préférentiel du procédé de dopage mono-facial selon l'invention va maintenant être décrit en référence aux figures 1, 2A-2C et 3A-3B. Le procédé de dopage comprend une première étape S1, représentée par la figure 1, 3052912 7 consistant à introduire des plaquettes de silicium 100 dans un four de diffusion et à diffuser des impuretés dopantes dans le silicium des plaquettes 100. Les impuretés dopantes sont des atomes d'un élément dopant vis-à-vis du silicium, tel que le bore (B), le phosphore (P), l'arsenic (As) et l'antimoine (Sb). Le dopage par diffusion peut être 5 de type n ou de type p, selon le caractère « donneur d'électrons » ou « accepteur d'électrons » de l'élément dopant. Les porteurs de charge, crées par l'introduction des impuretés dopantes dans le silicium, sont des électrons dans le cas d'un dopage de type n (P, As, Sb) ou des trous dans le cas d'un dopage de type p (B). 10 Le four de diffusion possède une enceinte 110, formée par exemple d'un tube en quartz, dans laquelle sont disposées les plaquettes de silicium 100 à doper. Les plaquettes 100 sont supportées par une nacelle 120, ou casier, et ont leur face arrière en appui contre une surface plane. La face arrière des plaquettes 100 est ainsi protégée en partie de la diffusion des impuretés dopantes. La mise en place des 15 plaquettes 100 dans la nacelle 120 s'effectue à l'extérieur de l'enceinte 110, puis la nacelle 120 est glissée à l'intérieur de l'enceinte 110. L'enceinte 110 du four de diffusion peut être dimensionnée pour accueillir plusieurs nacelles 120, en enfilade le long de l'axe longitudinal 111 du tube. Chaque nacelle 120 20 reçoit une pluralité de plaquettes de silicium 100, typiquement entre 100 et 1400 plaquettes. Dans le mode de mise en oeuvre préférentiel de la figure 1, les plaquettes 100 sont réparties par paire dans des fentes réceptrices 121 de la nacelle 120. Les plaquettes 25 de chaque paire sont accolées l'une contre l'autre, face arrière contre face arrière. Ainsi, les faces arrière des deux plaquettes se protègent mutuellement de la diffusion des impuretés dopantes. Les plaquettes 100 peuvent être orientées verticalement dans leur support, comme cela est représenté sur la figure 1. Elles reposent alors sur la tranche dans les fentes réceptrices 121 de la nacelle 120. Alternativement, les 30 plaquettes 100 peuvent être orientées horizontalement. Les fentes sont alors aménagées dans des parois latérales (non représentées) de la nacelle et tiennent les plaquettes par deux bords opposés (au moins). 3052912 8 Dans une variante de mise en oeuvre non représentée sur les figures, les plaquettes sont posées à plat dans la nacelle. Dans ce cas, la nacelle est dépourvue de fentes réceptrices mais présente une plateforme, contre laquelle la face arrière de chaque plaquette est en appui. De préférence, la nacelle présente plusieurs plateformes 5 superposées pouvant accueillir chacune une ou plusieurs plaquettes de silicium. Lors du traitement de diffusion, l'enceinte 110 est parcourue d'une extrémité à l'autre du tube par un ou plusieurs gaz de traitement. Au moins un de ces gaz transporte les impuretés dopantes jusqu'aux plaquettes 100. Les impuretés dopantes sont de type n 10 ou de type p, selon l'application envisagée. Par exemple, pour la formation d'une jonction p-n en face avant des plaquettes 100, les impuretés dopantes sont d'un premier type de conductivité et le silicium des plaquettes 100 est dopé d'un second type de conductivité, opposé au premier type. Initialement, le silicium des plaquettes 100 peut être intrinsèque plutôt que dopé du second type de conductivité. 15 Les impuretés dopantes sont obtenues à partir d'une source de dopants, qui peut être sous forme solide, liquide ou gazeuse, et située à l'intérieur ou à l'extérieur de l'enceinte 110. Les sources gazeuses sont des gaz contenant l'élément dopant, tels que l'arsine (AsH3), la phosphine (PH3) ou le diborane (B2H6). Le gaz dopant est injecté 20 dans l'enceinte 110 du four en combinaison avec de l'oxygène (ex. 02) et éventuellement un gaz inerte. Les sources liquides sont par exemple le trichlorure de phosphoryle (POCI3) et le tribromure de bore (BBr3), tous deux liquides à température ambiante. Un gaz vecteur (ex. N2) barbote dans le liquide à une température généralement comprise entre 15 °C et 25 °C et s'enichit en dopants, avant d'être 25 injecté dans le tube en combinaison avec de l'oxygène. Les sources solides sont par exemple des plaquettes en nitrure de bore (BN) ou en pentoxyde de phosphore (P2O5). Ces plaquettes dopantes sont disposées dans l'enceinte 110 sur le parcours d'un gaz vecteur, en regard des plaquettes 100 à doper ou directement dans la nacelle 120, en alternance avec les plaquettes 100. 30 Le traitement de diffusion à l'étape S1 s'effectue en deux temps. Dans un premier temps, les plaquettes sont maintenues dans l'enceinte 110 du four sous un flux d'oxygène et de gaz enrichi(s) en dopants, dans des conditions de pression et de 3052912 9 température données. Une couche en oxyde de silicium fortement dopé, par exemple un verre de silicate dopé au phosphore (PSG, pour « phosphosilicate glass ») ou au bore (BSG, pour « borosilicate glass »), est ainsi formée à la surface du silicium exposée aux gaz de traitement. Cette première opération, dite de pré-dépôt, est de 5 préférence effectuée à une température comprise entre 750 °C et 850 °C. Puis, lors d'une deuxième opération appelée recuit de redistribution, les plaquettes sont portées à plus haute température (800 °C-950 °C) sous un ilix de gaz inerte (ex. N2) afin de faire diffuser les dopants de la couche d'oxyde vers le silicium. 10 Les figures 2A et 2C montrent respectivement la face avant 100a et la face arrière 100b d'une plaquette de silicium 100 immédiatement après le traitement de diffusion. La figure 2B est une vue en coupe transversale de la même plaquette, selon le plan de coupe A-A des figures 2A et 2C. 15 Comme la face avant 100a des plaquettes de silicium 100 est entièrement libre pendant le traitement de diffusion, on obtient une première couche de silicium 101a dopée (de type n ou p, selon la nature de l'élément dopant), d'épaisseur sensiblement constante, qui occupe toute la face avant 100a (cf. Fig. 2B). Autrement dit, la face avant 100a des plaquettes 100 est dopée de manière uniforme. La première couche 20 de silicium 101a est entièrement recouverte d'une première couche 102a en oxyde de silicium dopé, lieu de départ de la diffusion des dopants. À l'instar de la première couche de silicium 101a, l'épaisseur de la première couche d'oxyde 102a est sensiblement identique en tout point de la face avant 100a. 25 Contrairement à la face avant 100a, la face arrière 100b des plaquettes 100 n'est que partiellement dopée. Une deuxième couche de silicium 101b, dopée par les mêmes impuretés que la première couche de silicium 101a, occupe la périphérie de la face arrière 100b, sur approximativement 20 mm de large. La deuxième couche de silicium 101b est recouverte d'une deuxième couche d'oxyde 102b, formée du même 30 matériau que la première couche d'oxyde 102a. La deuxième couche de silicium 101b et la deuxième couche d'oxyde 102b ont une épaisseur qui diminue en s'approchant du centre de la face arrière 100b. 3052912 10 Ce dopage résiduel, ou parasite, de la face arrière 100b des plaquettes est dû au fait que le contact entre la face arrière 100b et la surface plane lors du traitement de diffusion n'est pas total. Le contact empêche les gaz de traitement d'atteindre la partie centrale 103b de la face arrière 100b. La partie centrale 103b de la face arrière 100b 5 n'est donc ni diffusée par les impuretés dopantes, ni recouverte d'oxyde (cf. Fig.2C). Par contre, la bordure de la face arrière 100b a été exposée aux gaz de traitement. La forme périphérique de la deuxième couche de silicium 101b et de la deuxième couche d'oxyde 102b en face arrière 100b des plaquettes peut être mise en évidence 10 grâce à une cartographie de réflectivité, en choisissant une longueur d'onde d'environ 976 nm. Comme cela est représenté sur la figure 2B, les tranches 100c des plaquettes 100 sont dopées et recouvertes d'oxyde de la même façon que la face avant 100a, car ces 15 tranches 100c sont également exposées aux gaz de traitement. Le procédé de dopage comprend ensuite une étape de gravure S2 de la deuxième couche de silicium 101b et de la deuxième couche d'oxyde 102b, afin de restreindre le dopage à la face avant 100a et aux tranches 100c des plaquettes de silicium. 20 Les figures 3A et 3B illustrent le déroulement de cette étape de gravure S2. Les plaquettes de silicium 100 sont plongées dans une solution alcaline 300. La solution alcaline 300 est de préférence une solution aqueuse d'hydroxyde alcalin (autrement dit, l'eau constitue le solvant de la solution). L'hydroxyde alcalin peut être choisi parmi 25 l'hydroxyde de lithium (LiOH), l'hydroxyde de potassium (KOH), l'hydroxyde de sodium (NaOH) et le tétraméthylammonium hydroxyde (TMAH). Ce type de solution est connu pour graver plus rapidement le silicium, dopé ou intrinsèque, que le dioxyde de silicium (SiO2), dopé ou non (l'effet du dopage sur la 30 gravure de ces matériaux étant négligeable). L'oxyde de silicium fortement dopé des couches 102a et 102b étant chimiquement proche du dioxyde de silicium, la solution alcaline 300 présente le même comportement de gravure entre l'oxyde des couches 102a/102b et le silicium dopé des couches 101a/101b. 3052912 11 Lorsque les plaquettes 100 sont plongées dans la solution alcaline 300, la deuxième couche d'oxyde 102b située en face arrière est gravée plus rapidement que la première couche d'oxyde 102a située en face avant. Cela est dû au fait qu'une couche 5 périphérique et d'épaisseur variable est gravée plus rapidement qu'une couche « pleine plaque » d'épaisseur constante. En effet, à la gravure verticale 310 de la deuxième couche d'oxyde 102b s'ajoute une gravure latérale 320 de la deuxième couche d'oxyde 102b, accessible latéralement depuis la portion centrale 103b de la face arrière des plaquettes (cf. Fig.3A). 10 Sur les figures 3A et 3B, on a schématisé la cinétique de gravure par des flèches de taille variable. Plus la cinétique de gravure dans une zone de la plaquette est importante, plus la flèche correspondante située dans la zone est grande. Ici, la cinétique de gravure de la deuxième couche d'oxyde 102b est plus importante lorsque 15 son épaisseur est faible. La solution alcaline 300 grave également le silicium qui est apparent en face arrière de la plaquette, à un rythme plus élevé que l'oxyde de silicium dopé. La gravure concerne d'abord la portion centrale 103b, puis s'étend en direction des bords de la 20 plaquette jusqu'à la deuxième couche de silicium dopé 101b. Cette gravure latérale de la deuxième couche de silicium 101b conduit à un soulèvement de la deuxième couche d'oxyde 102b, ce qui accélère encore son élimination dans la solution alcaline 300. La gravure du silicium par la solution alcaline 300 étant une gravure fortement anisotrope, elle grave le silicium plus vite dans la direction latérale (flèches 320) que dans la 25 direction verticale (flèches 310). L'épaisseur de la couche de silicium gravée en face arrière de chaque plaquette est de préférence comprise entre 5 nm et 5 ilm. Elle dépend de la concentration en hydroxyde alcalin, de la température de la solution et de la durée pendant laquelle les 30 plaquettes sont immergées dans le bain de gravure. Les plaquettes, de forme carrée, pseudo-carrée ou circulaire, ont de préférence une dimension latérale comprise entre 100 mm et 300 mm. 3052912 12 La figure 3B montre un état possible de chaque plaquette de silicium 100 à la fin de l'étape de gravure S2 dans la solution alcaline 300. La deuxième couche de silicium dopé et la deuxième couche d'oxyde, en face arrière 100b de la plaquette, ont été entièrement retirées alors qu'il subsiste une partie 102a' de la première couche 5 d'oxyde. En effet, le temps de gravure est de préférence contrôlé de façon à laisser une fine couche 102a' (1 nm-100 nm) en oxyde de silicium dopé en face avant 100a et sur les tranches 100c de la plaquette. Pour une deuxième couche de silicium dopé 101b d'épaisseur comprise entre 50 nm et 1 pm, le temps de gravure par la solution alcaline 300 est avantageusement compris entre 15 min et 50 min. 10 Ainsi, dans un mode de mise en oeuvre de l'étape de gravure S2, la deuxième couche de silicium dopé 101b et la deuxième couche d'oxyde 102b en face arrière 100b sont retirées en laissant intacte la première couche de silicium dopé 101a en face avant 100a de la plaquette. 15 La gravure de la face arrière 100b par la solution alcaline 300 laisse un état de surface « poli miroir », c'est-à-dire de faible rugosité ( REVENDICATIONS1. Procédé de dopage de plaquettes de silicium (100) présentant chacune une face avant (100a) et une face arrière (100b), comprenant les étapes suivantes : - disposer (S1) les plaquettes de silicium dans une nacelle (120) en apposant leur face arrière (100b) contre une surface plane ; - introduire (S1) la nacelle dans un four de diffusion (110) ; - introduire (S1) dans le four de diffusion de l'oxygène et des impuretés dopantes d'un premier type de conductivité et diffuser thermiquement les impuretés dopantes en surface des plaquettes de silicium (100), d'où il résulte une première couche de silicium (101a), dopée du premier type de conductivité et occupant toute la face avant (100a) de chaque plaquette de silicium, et une deuxième couche de silicium (100b), dopée du premier type de conductivité et située en périphérie de la face arrière (100b) de chaque plaquette de silicium, 15 les première et deuxième couches de silicium étant recouvertes respectivement d'une première (102a) et d'une deuxième (102b) couches en oxyde de silicium dopé ; - plonger (S2) les plaquettes de silicium (100) dans une solution alcaline (300), de façon à graver les première et deuxième couches (102a, 102b) en oxyde de 20 silicium dopé et la deuxième couche de silicium (101b). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la gravure (S2) des première et deuxième couches (102a, 102b) en oxyde de silicium dopé et de la deuxième couche de silicium (101b) est effectuée dans des conditions telles que le rapport de la cinétique 25 de gravure du silicium sur la cinétique de gravure de l'oxyde de silicium est compris entre 200 et 2000. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la solution alcaline (300) est une solution aqueuse d'hydroxyde alcalin portée à une température comprise entre 0 °C et 30 80 °C et présentant une concentration pondérale en hydroxyde alcalin comprise entre % à 45 %. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la solution 3052912 20 alcaline (300) est choisie parmi une solution aqueuse d'hydroxyde de lithium (LiOH), une solution aqueuse d'hydroxyde de potassium (KOH), une solution aqueuse d'hydroxyde de sodium (NaOH) et une solution aqueuse de tétraméthylammonium hydroxyde (TMAH). 5 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les plaquettes de silicium (100) sont réparties par paire dans des fentes réceptrices (121) de la nacelle (120), en accolant leurs faces arrière (100b) l'une contre l'autre. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les plaquettes de silicium (100) sont posées à plat sur une plateforme de la nacelle (120). 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les plaquettes de silicium (100) sont initialement dopées d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité.