FR 3061605 A1 20180706 FR 1663500 A 20161229 B15658 - 2DOptpump 1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A DIODES ELECTROLUMINESCENTES Domaine La présente demande concerne un dispositif optoélectronique, notamment un écran d'affichage ou un dispositif de projection d'images, ayant des composants émettant de la lumière, notamment des diodes électroluminescentes, à base de matériaux semiconducteurs et leurs procédés de fabrication. Exposé de l'art antérieur Un pixel d'une image correspond à l'élément unitaire de l'image affichée par le dispositif optoélectronique. Lorsque le dispositif optoélectronique est un écran d'affichage d'images couleur, il comprend en général pour l'affichage de chaque pixel de l'image au moins trois composants, également appelés sous-pixels d'affichage, qui émettent chacun un rayonnement lumineux sensiblement dans une seule couleur (par exemple, le rouge, le vert et le bleu). La superposition des rayonnements émis par ces trois sous-pixels d'affichage fournit à l'observateur la sensation colorée correspondant au pixel de l'image affichée. Dans ce cas, on appelle pixel d'affichage du dispositif optoélectronique l'ensemble formé par les trois sous-pixels d'affichage utilisés pour l'affichage d'un pixel d'une image. Il existe des dispositifs optoélectroniques comprenant des diodes électroluminescentes à base de matériaux 3061605 B15658 - 2DOptpump 2 semiconducteurs, chaque diode comprenant un empilement de couches semiconductrices, par exemple en au moins un élément du groupe III et un élément du groupe V, appelé par la suite composé III-V, notamment le nitrure de gallium (GaN). 5 Toutefois, les diodes électroluminescentes connues comprenant un empilement de couches semiconductrices, par exemple comprenant un composé III-V, et émettant une lumière rouge présentent une efficacité quantique interne (IQE) faible pour des structures classiques à base d'un composé III-N. 10 Des blocs de matériaux photoluminescents peuvent être formés sur les diodes électroluminescentes. Chaque bloc photoluminescent est adapté à convertir le rayonnement émis par la diode électroluminescente associée en un rayonnement souhaité. Des blocs photoluminescents connus comprennent des particules 15 photoluminescentes de taille micrométrique ou des boîtes quantiques. Toutefois, les matériaux connus utilisés pour former des particules photoluminescentes de taille micrométrique présentent une efficacité quantique interne (IQE) faible. En outre, les boîtes quantiques ont une durée de vie réduite. 20 Résumé Ainsi, un objet d'un mode de réalisation est de pallier au moins en partie les inconvénients des dispositifs optoélectroniques décrits précédemment comprenant des diodes électroluminescentes. Un autre mode de réalisation est que l'efficacité quantique interne des blocs photoluminescents est augmentée. Un autre mode de réalisation est que la durée de vie des blocs photoluminescents est augmentée. Un autre mode de réalisation est que les diodes 30 électroluminescentes comprennent un empilement de couches semiconductrices, par exemple principalement en un composé III-V. Un autre mode de réalisation est que toutes les diodes électroluminescentes présentent une efficacité quantique interne élevée. 3061605 B15658 - 2DOptpump 3 Un autre mode de réalisation est que les blocs photoluminescents du dispositif optoélectronique présentent une efficacité quantique interne élevée. Ainsi, un mode de réalisation prévoit un dispositif 5 optoélectronique comprenant : des composants émettant de la lumière, chaque composant émettant de la lumière étant adapté à émettre un premier rayonnement à une première longueur d'onde ; et des blocs photoluminescents, chaque bloc 10 photoluminescent faisant face à au moins un composant émettant de la lumière et comprenant un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples, les blocs photoluminescents étant répartis en premiers blocs photoluminescents adaptés à convertir par pompage optique le premier rayonnement en un deuxième rayonnement 15 à une deuxième longueur d'onde, des deuxièmes blocs photoluminescents adaptés à convertir par pompage optique le premier rayonnement en un troisième rayonnement à une troisième longueur d'onde et des troisièmes blocs photoluminescents adaptés à convertir par pompage optique le premier rayonnement en un 20 quatrième rayonnement à une quatrième longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre des murs au moins en partie en un matériau réfléchissant au moins les deuxième, troisième et quatrième rayonnements, lesdits murs délimitant des ouvertures, lesdites ouvertures faisant face 25 aux composants émettant de la lumière, chaque ouverture comprenant au moins l'un des blocs photoluminescents. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique comprend en outre un filtre pleine plaque sans motif recouvrant les blocs photoluminescents du côté des blocs photoluminescents opposé aux composants émettant de la lumière et adapté à bloquer le premier rayonnement et à laisser passer les deuxième, troisième et quatrième rayonnements. Selon un mode de réalisation, les composants émettant de la lumière comprennent des diodes électroluminescentes. 3061605 B15658 - 2DOptpump 4 Selon un mode de réalisation, les composants émettant de la lumière comprennent des diodes laser à cavité verticale émettant par la surface. Selon un mode de réalisation, la première longueur 5 d'onde est dans la plage de 350 nm à 430 nm, la deuxième longueur d'onde est dans la plage de 440 nm à 490 nm, la troisième longueur d'onde est dans la plage de 510 nm à 570 nm et la quatrième longueur d'onde est dans la plage de 600 nm à 720 nm. Selon un mode de réalisation, les blocs 10 photoluminescents comprennent en outre des quatrièmes blocs photoluminescents adaptés à convertir par pompage optique le premier rayonnement en un cinquième rayonnement à une cinquième longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, la cinquième longueur 15 d'onde est dans la plage de 570 nm à 600 nm. Selon un mode de réalisation, les blocs photoluminescents sont fixés aux composants émettant de la lumière par un milieu de liaison transparent au premier rayonnement. Selon un mode de réalisation, les murs entourent les 20 composants émettant de la lumière. Un mode de réalisation prévoit également un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique tel que défini précédemment, comprenant les étapes suivantes : a) fournir un premier substrat ; 25 b) former les composants émettant de la lumière sur le premier substrat ; c) former les blocs photoluminescents sur un deuxième substrat ; et d) fixer les blocs photoluminescents aux composants 30 émettant de la lumière. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre l'étape de : e) former un filtre pleine plaque sans motif sur les blocs photoluminescents adapté à bloquer le premier rayonnement. 3061605 B15658 - 2DOptpump 5 Brève description des dessins Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en 5 relation avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures 1 et 2 sont des vues en coupe dans des plans perpendiculaires d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique ; les figures 3 et 4 sont des vues en coupe, partielles 10 et schématiques, de modes de réalisation d'un composant émettant de la lumière du dispositif optoélectronique de la figure 1 ; la figure 5 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un bloc photoluminescent du dispositif optoélectronique représenté en figure 1 ; 15 les figures 6 à 8 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, d'autres modes de réalisation de dispositifs optoélectroniques ; et les figures 9A à 9F sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives 20 d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique représenté sur la figure 1. Description détaillée Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme 25 cela est habituel dans la représentation des circuits électroniques, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. En outre, seuls les éléments utiles à la compréhension de la présente description ont été représentés et sont décrits. En particulier, les moyens de polarisation d'une diode 30 électroluminescente d'un dispositif optoélectronique sont bien connus de l'homme de l'art et ne sont pas décrits. Dans la suite de la description, sauf indication contraire, les termes "sensiblement", "environ" et "de l'ordre de" signifient "à 10 % près". En outre, on appelle "zone active" 35 d'une diode électroluminescente la région de la diode 3061605 B15658 - 2DOptpump 6 électroluminescente depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement électromagnétique fourni par la diode électroluminescente. De plus, lorsqu'un premier élément est dit relié à un deuxième élément par une relation d'épitaxie, ceci 5 signifie que le premier élément est formé à partir d'une première couche et que le deuxième élément est formé à partir d'une deuxième couche qui est formée par épitaxie sur la première couche ou inversement. Le terme "microfil" ou "nanofil" désigne une structure 10 tridimensionnelle de forme allongée selon une direction privilégiée dont au moins deux dimensions, appelées dimensions mineures, sont comprises entre 5 nm et 2,5 pin, de préférence entre 50 nm et 2,5 pin, la troisième dimension, appelée dimension majeure, étant supérieure ou égale à 1 fois, de préférence 15 supérieure ou égale à 5 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 10 fois, la plus grande des dimensions mineures. Dans certains modes de réalisation, les dimensions mineures peuvent être inférieures ou égales à environ 1 pin, de préférence comprises entre 100 nm et 1 pin, plus préférentiellement 20 entre 100 nm et 800 nm. Dans certains modes de réalisation, la hauteur de chaque microfil ou nanofil peut être supérieure ou égale à 500 nm, de préférence comprise entre 1 pin et 50 pin. La section droite des fils peut avoir des formes différentes, telles que, par exemple, une forme ovale, circulaire, 25 ou une forme polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. On comprendra que le terme "diamètre" mentionné en relation avec la section droite d'un fil ou d'une couche déposée sur ce fil désigne une quantité associée avec l'aire de la structure visée dans cette section droite, 30 correspondant, par exemple, au diamètre du disque ayant la même aire que la section droite du fil. Dans la suite de la description, on utilise le terme "fil" pour signifier "microfil ou nanofil". De préférence, la ligne moyenne du fil qui passe par les barycentres des sections 3061605 B15658 - 2DOptpump 7 droites, dans des plans perpendiculaires à la direction privilégiée du fil, est sensiblement rectiligne et est appelée par la suite "axe" du fil. Les figures 1 et 2 représentent un mode de réalisation 5 d'un dispositif optoélectronique 10, par exemple correspondant à un écran d'affichage ou à un dispositif de projection d'images. Le dispositif 10 comprend deux circuits intégrés 12, 14. Le premier circuit intégré 12 comprend des composants émettant de la lumière 16, par exemple des diodes électroluminescentes, et 10 est appelé circuit optoélectronique ou puce optoélectronique dans la suite de la description. Le deuxième circuit intégré 14 comprend des composants électroniques, non représentés, notamment des transistors, utilisés pour la commande des diodes électroluminescentes 16 du premier circuit intégré 12. Le deuxième 15 circuit intégré 14 est appelé circuit de commande ou puce de commande dans la suite de la description. Le circuit optoélectronique 12 est fixé au circuit de commande 14. Selon le type de fixation, des plots de fixation, non représentés, peuvent être présents entre la puce optoélectronique 12 et la puce de 20 commande 14. Selon un mode de réalisation, un composant émettant de la lumière 16 est prévu pour chaque sous-pixel d'affichage Pix du dispositif électronique 10. Chaque composant émettant de la lumière 16 comprend deux faces opposées 18, 20, les faces 20 des composants émettant de la lumière 16 étant fixées au circuit de 25 commande 14. De préférence, tous les composants émettant de la lumière 16 ont la même structure. Le circuit optoélectronique 12 comprend un substrat 22 recouvrant les composants émettant de la lumière 16 du côté opposé au circuit de commande 14. Le substrat 22 a deux faces opposées 30 24, 26, la face 24 étant en contact avec les composants émettant de la lumière 16. Le circuit optoélectronique 12 comprend en outre des murs 28 sur le substrat 22. Les murs 28 délimitent des ouvertures 30 qui exposent des parties de la face 26. Selon un mode de réalisation, chaque ouverture 30 fait face à un composant émettant de la lumière 16. Selon un mode de réalisation, les murs 3061605 B15658 - 2DOptpump 8 28 forment une grille et les ouvertures 30 sont disposées en rangées et en colonnes. A titre d'exemple, neuf sous-pixels Pix sont représentés en figure 2. Les ouvertures 30 ont une forme carrée en figure 2. Toutefois, la forme des ouvertures 30 peut 5 être différente. Le circuit optoélectronique 12 comprend en outre des blocs photoluminescents 32 qui sont situés dans au moins certaines des ouvertures 30, de préférence en contact avec la face 26. De préférence, il y a un bloc photoluminescent 32 dans chaque 10 ouverture 30. Chaque bloc photoluminescent 32 comprend un empilement de couches semiconductrices. Selon un mode de réalisation, toutes les diodes électroluminescentes 16 émettent un rayonnement à une première longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, le circuit 15 optoélectronique 12 comprend au moins trois types de blocs photoluminescents 32. Pour chaque pixel de l'image à afficher, le circuit optoélectronique 12 comprend des sous-pixels avec des blocs photoluminescents 32 de trois types. Les blocs photoluminescents 32 du premier type sont adaptés à convertir le 20 rayonnement à la première longueur d'onde en un rayonnement à une deuxième longueur d'onde par pompage optique. Les blocs photoluminescents 32 du deuxième type sont adaptés à convertir le rayonnement à la première longueur d'onde en un rayonnement à une troisième longueur d'onde par pompage optique. Les blocs 25 photoluminescents 32 du troisième type sont adaptés à convertir le rayonnement à la première longueur d'onde en un rayonnement à une quatrième longueur d'onde par pompage optique. Selon un mode de réalisation, la première longueur d'onde correspond à un rayonnement ultraviolet, et est dans la plage de 350 nm à 430 nm. 30 Selon un mode de réalisation, la deuxième longueur d'onde correspond à de la lumière bleue et est dans la plage de 440 nm à 490 nm. Selon un mode de réalisation, la troisième longueur d'onde correspond à de la lumière verte et est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, la quatrième longueur d'onde 3061605 B15658 - 2DOptpump 9 correspond à de la lumière rouge et est dans la plage de 600 nm à 720 nm. Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique 12 comprend des blocs photoluminescents 32 d'un 5 quatrième type. Les blocs photoluminescents 32 du quatrième type sont adaptés à convertir le rayonnement à la première longueur d'onde en un rayonnement à une cinquième longueur d'onde par pompage optique. Selon un mode de réalisation, la cinquième longueur d'onde correspond à de la lumière jaune et est dans la 10 plage de 570 nm à 600 nm. Selon un mode de réalisation, les première, deuxième, troisième, quatrième et cinquième longueurs d'ondes sont différentes. Pour chaque pixel de l'image à afficher, le circuit optoélectronique 12 comprend des sous-pixels avec des blocs photoluminescents 32 des quatre types. 15 Le circuit optoélectronique 12 comprend un filtre 33 qui repose sur les murs 28. Le filtre 33 est adapté à bloquer le rayonnement émis par les composants émettant de la lumière 16 et qui n'a pas été converti par les blocs photoluminescents 32. Le filtre 33 est adapté à laisser passer les radiations émises par 20 les blocs photoluminescents 32. Le filtre pleine plaque n'est pas prévu avec des motifs afin de faciliter la fabrication du dispositif, réduisant ainsi les coûts de fabrication. Un matériau de remplissage peut être présent dans les ouvertures 30 entre les murs 28, les blocs photoluminescents 32 et le filtre 33. 25 Selon un mode de réalisation, le substrat 22 est réalisé en un matériau conducteur électriquement et chaque diode électroluminescente 16 comprend un élément conducteur électriquement 42 qui s'étend le long du bord latéral de la diode électroluminescente 16 et en contact avec le circuit de commande 30 14 et avec le substrat 22. L'élément conducteur 42 est isolé électriquement de la diode électroluminescente 16 par une couche isolante électriquement 44. Toutefois, les éléments conducteurs 42 et les couches isolantes 44 peuvent ne pas être présents. La figure 3 représente un mode de réalisation d'une 35 diode électroluminescente 16 formée par un empilement 35 de 3061605 B15658 - 2DOptpump 10 couches semiconductrices. L'empilement 35 comprend, de bas en haut en figure 4 : une couche semiconductrice 36 dopée d'un premier type de conductivité, par exemple dopée de type P, et délimitant la 5 face 20 ; une zone active 38 ; et une couche semiconductrice 40 dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, par exemple dopée de type N, et délimitant la face 18. 10 La figure 4 représente un autre mode de réalisation d'une diode électroluminescente 16 comprenant tous les éléments représentés en figure 3 à la différence que le substrat 20 comprend une couche semiconductrice 40' dopée du deuxième type de conductivité délimitant la face 24. La couche semiconductrice 40' 15 est du même matériau que les couches semiconductrices 40 des diodes électroluminescentes 16 et forme un milieu structurellement continu avec les couches semiconductrices 40. La couche semiconductrice 40' améliore la répartition du courant dans les couches semiconductrices 40 des diodes électroluminescentes 16. 20 La figure 5 représente un mode de réalisation d'un bloc photoluminescent 32 formée par un empilement de couches semiconductrices. Le bloc photoluminescent 32 peut être formé sur le substrat 22 par une liaison via un milieu transparent optiquement. Le bloc photoluminescent 32 peut comprendre des 25 moyens de confinement. Le bloc photoluminescent 32 peut comprendre un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples. Le bloc photoluminescent 32 peut en outre comprendre une couche tampon ou un substrat de façon à fournir un support mécanique à la structure. Lorsque le bloc photoluminescent 32 comprend un 30 puits quantique unique, il peut comprendre une couche semiconductrice active en sandwich entre des première et deuxième couches semiconductrices. La couche semiconductrice active est en un matériau semiconducteur différent du matériau semiconducteur formant les première et deuxième couches et ayant une bande 35 interdite inférieure à celle des première et deuxième couches. 3061605 B15658 - 2DOptpump 11 Comme cela est représenté en figure 5, le bloc photoluminescent 32 peut comprendre des puits quantiques multiples. Il comprend alors un empilement de couches semiconductrices formant une alternance de puits quantiques 58 et de couches barrières 60. Les 5 matériaux des couches du bloc photoluminescent 32 dépendent de la longueur d'onde souhaitée du rayonnement émis par le bloc photoluminescent 32 et de la longueur d'onde du rayonnement reçu par le bloc photoluminescent 32. Les blocs photoluminescents ayant une efficacité quantique interne supérieure à 50 % peuvent être 10 obtenus. En outre, des blocs photoluminescents ayant une longue durée de vie peuvent être obtenus. Selon un mode de réalisation, pour des diodes électroluminescentes 16 émettant un rayonnement à la première longueur d'onde de 350 nm à 430 nm, les blocs photoluminescents 15 32 émettant un rayonnement à la deuxième longueur d'onde de 450 nm peuvent être formés d'une alternance de couches de GaN et de InGaN, ayant des épaisseurs respectives de 3 nm à 30 nm (par exemple 6 nm) et de 1 nm à 30 nm (par exemple 2,5 nm), les couches de InGaN ayant une proportion de 17 % ± 5 % de In. 20 Selon un mode de réalisation, pour des diodes électroluminescentes 16 émettant un rayonnement à la première longueur d'onde de 350 nm à 430 nm, les blocs photoluminescents 32 émettant un rayonnement à la deuxième longueur d'onde de 530 nm peuvent être formés d'une alternance de couches de GaN et de 25 InGaN, ayant des épaisseurs respectives de 3 nm à 30 nm (par exemple 6 nm) et de 1 nm à 30 nm (par exemple 2,5 nm), les couches de InGaN ayant une proportion de 28 % ± 5 % de In. Selon un mode de réalisation, pour des diodes électroluminescentes 16 émettant un rayonnement à la première 30 longueur d'onde de 350 nm à 430 nm, les blocs photoluminescents 32 émettant un rayonnement à la deuxième longueur d'onde de 630 nm peuvent être formés d'une alternance de couches de (A1)InGaP et de (A1)GaInP, ayant des épaisseurs respectives de 3 nm à 20 nm (par exemple 6 nm) et de 1 nm à 30 nm (par exemple 2,5 nm), les 3061605 B15658 - 2DOptpump 12 couches de AlInGaP ayant une proportion de 50 % ± 10 % de In et une proportion de 25 % ± 5 % de Al. Selon un mode de réalisation, pour des diodes électroluminescentes 16 émettant un rayonnement à la première 5 longueur d'onde de 350 nm à 430 nm, les blocs photoluminescents 32 émettant un rayonnement à la deuxième longueur d'onde de 630 nm peuvent être formés d'une alternance de couches de GaN et de InGaN, ayant des épaisseurs respectives de 3 nm à 30 nm (par exemple 6 nm) et de 1 nm à 30 nm (par exemple 2,5 nm), les couches 10 de InGaN ayant une proportion de 40 % ± 5 % de In. Selon un mode de réalisation, pour des diodes électroluminescentes 16 émettant un rayonnement à la première longueur d'onde de 350 nm à 430 nm, les blocs photoluminescents 32 émettant un rayonnement à la deuxième longueur d'onde de 580 nm 15 peuvent être formés d'une alternance de couches de GaN et de InGaN, ayant des épaisseurs respectives de 3 nm à 30 nm (par exemple 6 nm) et de 1 nm à 30 nm (par exemple 2,5 nm), les couches de InGaN ayant une proportion de 32 % ± 5 % de In. En fonctionnement, des tensions sont appliquées entre 20 les plots conducteurs 46 et 48 de sorte que, pour chaque sous-pixel Pix, la zone active de la diode électroluminescente 16 émet de la lumière avec une intensité qui dépend de la tension appliquée entre les plots conducteurs 46 et 48 associés au sous-pixel Pix. Le bloc photoluminescent 32 convertit au moins une partie du 25 rayonnement émis par la diode électroluminescente 16 associée en rayonnement souhaité. Les murs 28 réduisent la diaphonie entre sous-pixels Pix adjacents. Selon un mode de réalisation, toutes les diodes électroluminescentes 16 émettent à la même première longueur d'onde. Le filtre sans motifs 33, qui est adapté à bloquer 30 le rayonnement émis par les composants émettant de la lumière 16 et non converti par les blocs photoluminescents 32, recouvre de façon avantageuse tout le circuit optoélectronique 12. Le substrat 22 est sensiblement transparent au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes 16. Le 35 substrat 22 est en un matériau adapté à la formation des diodes 3061605 B15658 - 2DOptpump 13 électroluminescentes 16. Le substrat 22 est par exemple un substrat semiconducteur, tel qu'un substrat en saphir, en carbure de silicium, en oxyde de zinc, en verre ou en nitrure d'aluminium. Les faces 24, 26 peuvent être planes et parallèles. 5 Les couches semiconductrices 36, 40 et les fils 52 sont au moins en partie en au moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur peut être le silicium, le germanium, le carbure de silicium, un composé III-V, un compose II-VI, ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. L'épaisseur de la 10 couche semiconductrice 36 peut être dans la plage de 50 nm à 1 um. L'épaisseur de la couche semiconductrice 40 peut être dans la plage de 50 nm à 10 pm. Les couches semiconductrices 36, 40 et les fils 52 peuvent être, au moins en partie, en matériaux semiconducteurs 15 comportant majoritairement un composé III-V, par exemple un composé III-N. Des exemples d'éléments du groupe III comprennent le gallium (Ga), l'indium (In) ou l'aluminium (A1). Des exemples de composés III-N sont GaN, AIN, InN, InGaN, A1GaN ou AlInGaN. Des exemples de composés à base de phosphure comprennent 20 l'aluminium (Al), le gallium (Ga), l'indium (In) et le phosphore (P). Des exemples de composés à base de phosphure sont AlInGaP, InGaP, GaP, ou A1GaP. D'autres éléments du groupe V peuvent également être utilisés, par exemple, le phosphore ou l'arsenic. De façon générale, les éléments dans le composé III-V peuvent être 25 combinés avec différentes fractions molaires. Les couches semiconductrices 36 et 40 peuvent être, au moins en partie, en matériaux semiconducteurs comportant majoritairement un composé II-VI. Des exemples d'éléments du groupe II comprennent des éléments du groupe IIA, notamment le 30 béryllium (Be) et le magnésium (Mg) et des éléments du groupe IIB, notamment le zinc (Zn), le cadmium (Cd) et le mercure (Hg). Des exemples d'éléments du groupe VI comprennent des éléments du groupe VIA, notamment l'oxygène (0) et le tellure (Te). Des exemples de composés II-VI sont ZnO, ZnMgO, CdZnO, CdZnMg0, 35 CdHgTe, CdTe ou HgTe. De façon générale, les éléments dans le 3061605 B15658 - 2DOptpump 14 composé II-VI peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. La zone active de la diode électroluminescente 16 est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement 5 fourni par la diode électroluminescente LED. Selon un exemple, la zone active peut comporter des moyens de confinement. La zone active peut comprendre un puits quantique unique, des puits quantiques multiples ou une double hétérostructure. Elle peut alors comprendre un matériau semiconducteur différent du matériau 10 semiconducteur formant les couches semiconductrices 36 et 40 et ayant une bande interdite inférieure à celle des couches semiconductrices 36 et 40. La zone active peut comprendre des puits quantiques multiples. Elle comprend alors un empilement de couches semiconductrices formant une alternance de puits 15 quantiques et de couches barrières. Selon un mode de réalisation, les murs 28 peuvent être en un matériau réfléchissant ou recouvert d'une couche réfléchissante aux longueurs d'ondes des rayonnements émis par les blocs photoluminescents 32. Les murs 28 peuvent être en un 20 matériau conducteur, par exemple un métal tel que l'aluminium, l'argent, le cuivre ou le zinc. La hauteur des murs 28, mesurée selon une direction perpendiculaire à la face 26, est dans la plage de 1 gm à 200 pin, de préférence de 5 pain à 30 gm. L'épaisseur des murs 28, mesurée selon une direction parallèle à la face 26, 25 est dans la plage de 100 nm à 50 pin, de préférence de 1 pin à 10 pin. Dans la vue de la figure 2, l'aire de l'ouverture 30 correspond à l'aire d'un carré dont le côté varie de 1 pain à 100 de préférence de 3 pain à 15 pain. Les éléments conducteurs 42 sont en un matériau 30 conducteur, par exemple un métal tel que l'aluminium, l'argent, le cuivre ou le zinc. Les éléments conducteurs 42 peuvent être en un matériau conducteur et transparent tel que le graphène ou un oxyde conducteur transparent (TCO), par exemple l'oxyde d'indium-étain (ITO) l'oxyde de zinc dopé au gallium (GZO) ou l'oxyde de 35 zinc dopé à l'aluminium (AZO). A titre d'exemple, les éléments 3061605 B15658 - 2DOptpump 15 conducteurs 42 ont une épaisseur dans la plage de 5 nm à 1000 nm, de préférence de 20 nm à 50 nm. Les couches isolantes 44 peuvent être en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium (SiO2), en nitrure 5 de silicium (SixNy, où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si3N4), en oxynitrure de silicium (notamment de formule générale SiOxNy, par exemple du Si2ON2), en oxyde d'aluminium (A 12O3), en oxyde d'hafnium (Hf02) ou en diamant. 10 L'épaisseur des blocs photoluminescents 32, mesurée selon une direction perpendiculaire à la face 26, est dans la plage de 50 nm à 500 }am. La hauteur des blocs photoluminescents 32 est de préférence inférieure à la hauteur des murs 28. Le filtre 33 sans motif peut avoir une structure 15 multicouche. Selon un mode de réalisation, pour des diodes électroluminescentes 16 émettant un rayonnement à la première longueur d'onde dans la plage de 350 nm à 430 nm, le filtre 33 peut être un filtre passe-bande acceptant seulement les longueurs d'ondes dans la plage de 440 nm à 720 nm. 20 La figure 6 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 65 comprenant des composants émettant de la lumière. Le dispositif optoélectronique 65 comprend les mêmes éléments que le dispositif optoélectronique 10 représenté en 25 figure 1 à la différence que le circuit de commande 14 est remplacé par un substrat 66 adapté à la formation des composants émettant de la lumière 16, en ce que les blocs photoluminescents 32 reposent directement sur les composants émettant de la lumière 16 et en ce que les murs 28 reposent sur le substrat 66 et entourent les 30 composants émettant de la lumière 16 et les blocs photoluminescents 32. Les blocs photoluminescents 32 peuvent être fixés aux composants émettant de la lumière 16 par une liaison avec un matériau transparent optiquement. Le dispositif optoélectronique 65 comprend en outre, pour chaque composant 35 émettant de la lumière 16, un élément conducteur électriquement 3061605 B15658 - 2DOptpump 16 68 qui s'étend le long du bord latéral du composant émettant de la lumière 16 et en contact avec le substrat 66 et avec la face 18 du composant émettant de la lumière 16 et isolé électriquement du bord latéral du composant émettant de la lumière 16 par une 5 couche isolante électriquement non représentée. L'élément conducteur 68 peut être réalisé avec les matériaux décrits précédemment pour l'élément conducteur 42. Selon un mode de réalisation, les composants émettant de la lumière 16 correspondent à des diodes électroluminescentes. 10 Chaque diode électroluminescente 16 peut comprendre un empilement comprenant successivement une couche semiconductrice de type N reposant sur le substrat 66 et de préférence en contact avec le substrat 66, une zone active, et une couche semi-conductrice de type P, l'élément conducteur 66 étant en contact avec la couche 15 semiconductrice de type P. Selon un mode de réalisation, le substrat 66 comprend une couche en contact avec les diodes électroluminescentes 16 qui est du même matériau que la couche de type N des diodes électroluminescentes 16. Selon un mode de réalisation, les couches semiconductrices des diodes 20 électroluminescentes 16 sont formées par des étapes d'épitaxie sur le substrat 66. La figure 7 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 70 comprenant des composants émettant de la 25 lumière 16. Le dispositif optoélectronique 70 comprend les mêmes éléments que le dispositif optoélectronique 10 représenté en figure 1, chaque bloc photoluminescent 32 comprenant des nanofils ou microfils photoluminescents 72. Pour chaque bloc photoluminescent 32, les nanofils ou microfils 72 sont formés sur 30 un substrat transparent 74 et disposés à leurs emplacements prédéfinis dans la cavité délimitée par les murs 28. Chaque fil 72 peut avoir la même structure que les structures décrites précédemment pour les blocs photoluminescents 32. Ce mode de réalisation peut être avantageux en termes d'IQE plus élevé 3061605 B15658 - 2DOptpump 17 pouvant être obtenue pour des nanofils vert et rouge par rapport à une structure planaire sur les blocs photoluminescents 32. Selon un autre mode de réalisation, les nanofils ou microfils 72 sont formés directement sur la face 26 du substrat 5 22, de préférence en utilisant un procédé de croissance à basse température, par exemple l'épitaxie par jets moléculaires (MBE), l'épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE) ou le dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD). Chaque fil 72 peut avoir la même structure que les structures décrites 10 précédemment pour les blocs photoluminescents 32. Selon un mode de réalisation, chaque fil 72 peut comprendre un coeur ayant une forme allongée et recouverte d'une coque comprenant un empilement de couches semiconductrices, la coque recouvrant les faces latérales et la face de sommet du coeur ou recouvrant seulement 15 la face de sommet du coeur. La figure 8 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 75 comprenant des composants émettant de la lumière 16. Le dispositif optoélectronique 75 comprend les mêmes 20 éléments que le dispositif optoélectronique 10 représenté en figure 1 à la différence que les blocs photoluminescents 32 reposent directement sur les composants émettant de la lumière 16 et en ce que les murs 28 reposent sur le circuit de commande 14 et entourent les composants émettant de la lumière 16 et les blocs 25 photoluminescents 32. Le dispositif optoélectronique 75 comprend en outre, pour chaque composant émettant de la lumière 16, un élément conducteur électriquement 76 qui s'étend le long du bord latéral du composant émettant de la lumière 16, en contact avec le circuit de commande 14 et avec la face 18 du composant émettant 30 de la lumière 16 et isolé électriquement du bord latéral du composant émettant de la lumière 16 par une couche d'isolation électrique non représentée. Les éléments conducteurs 76 peuvent être formés par des matériaux décrits précédemitent pour les éléments conducteurs 42. Selon un mode de réalisation, les 35 composants émettant de la lumière 16 correspondent à des diodes 3061605 B15658 - 2DOptpump 18 électroluminescentes ayant la structure décrite en figure 3, la couche semiconductrice 40 de type N étant représentée en figure 7. Les blocs photoluminescents 32 peuvent être fixés à la couche semiconductrice 40 par une liaison avec un milieu transparent 5 optiquement. Selon un autre mode de réalisation, les composants émettant de la lumière 16 correspondent à des diodes laser à cavité verticale émettant par la surface ou VCSEL. Les figures 9A à 9F sont des vues en coupe, partielles et schématiques, des structures obtenues à des étapes successives 10 d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 10 représenté sur la figure 1 dans lequel les composants émettant de la lumière 16 ont la structure représentée en figure 3. La figure 9A représente la structure obtenue après les 15 étapes suivantes : prévoir le substrat 22 ; former une couche semiconductrice 84 dopée d'un premier type de conductivité, par exemple dopée de type N sur la face 24 du substrat 22 ; 20 former une zone active 86 sur la couche 84 ; et former, sur la zone active 86, une couche semiconductrice 88 dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, par exemple dopée de type P. La couche 84 est du même matériau que la couche 40. La 25 zone active 86 a la même structure que la zone active 38. La couche 88 est du même matériau que la couche 36. La couche 84, la zone active 86 et la couche 88 peuvent être réalisées par un procédé tel que le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD), également 30 connu sous le nom d'épitaxie organométallique en phase vapeur (MOVPE). Toutefois, des procédés tels que l'épitaxie par jets moléculaires (MBE), la MBE à source de gaz (GSMBE), la MBE organométallique (MOMBE), la MBE assistée par plasma (PAMBE), l'épitaxie par couche atomique (ALE), l'épitaxie en phase vapeur 35 aux hydrures (HVPE) peuvent être utilisés, ainsi que le dépôt de 3061605 B15658 - 2DOptpump 19 couches atomiques (ALD). En outre, des procédés électrochimiques tels que dépôt par bain chimique (CBD), procédés hydrothermiques, pyrolyse liquide par aérosol ou électrodéposition. Selon un mode de réalisation, la couche 84 est reliée au substrat 22 par une 5 relation d'épitaxie, la première couche formée de la zone active 86 est reliée à la couche 84 par une relation d'épitaxie et la couche 88 est reliée à la dernière couche formée de la zone active 86 par une relation d'épitaxie. La figure 9B représente la structure obtenue après avoir 10 séparé les diodes électroluminescentes 16. Ceci peut être obtenu en gravant des tranchées au travers de la couche 88, de la zone active 86 et de la couche 84 jusqu'au substrat 22 pour délimiter, pour chaque diode électroluminescente 16, la couche 36, la zone active 38 et la couche 40. Cette gravure est arrêtée sur le 15 substrat 22 ou dans le substrat 22. Selon un autre mode de réalisation, la gravure est arrêtée sur la couche 84 ou partiellement dans la couche 84 pour obtenir la structure représentée en figure 4. La gravure mise en oeuvre peut être une gravure sèche, par exemple utilisant un plasma à base de C12 ou 20 une gravure ionique réactive (RIE). La figure 9C représente la structure obtenue après avoir fixé la puce de commande 14 aux diodes électroluminescentes 16 sur les couches 36 du côté opposé au substrat 22. La fixation de la puce de commande 14 aux diodes électroluminescentes 16 peut 25 être réalisée en utilisant des inserts tels que des microbilles de connexion, non représentées. A titre de variante, la fixation de la puce de commande 14 aux diodes électroluminescentes 16 peut être réalisée par collage direct, sans utilisation d'inserts. Le collage direct peut comprendre un collage direct métal-métal de 30 zones métalliques des diodes électroluminescentes 16 et de zones métalliques de la puce de commande 14 et un collage diélectrique-diélectrique de zones diélectriques à la surface des diodes électroluminescentes 16 et de zones diélectriques à la surface de la puce de commande 14. La fixation de la puce de commande 14 aux 35 diodes électroluminescentes 16 peut être réalisée par un procédé 3061605 B15658 - 2DOptpump 20 de thermocompression dans lequel les diodes électroluminescentes 16 sont plaquées contre la puce de commande 14, avec application d'une pression et d'un chauffage. La figure 9D représente la structure obtenue après avoir 5 formé les murs 28 sur le substrat 22. Les murs 28 peuvent être formés par placage par galvanoplastie ou par des techniques par décollement (en anglais lift-off) La figure 9E représente la structure obtenue après avoir placé les premiers, deuxièmes et troisièmes blocs 32 à leurs 10 emplacements prédéfinis sur le substrat 22. Le substrat 22 peut être aminci pour assurer une diaphonie minimale entre les sous- pixels. Le substrat 22 est sensiblement transparent au rayonnement émis par les diodes électroluminescentes 16. Selon un mode de réalisation, le substrat 22 est retiré avant l'étape de fixation 15 et les blocs photoluminescents 32 sont placés directement sur les diodes électroluminescentes 16. Les blocs photoluminescents 32 sont formés indépendamment des étapes décrites en relation avec les figures 9A-9D. Les couches formant le bloc photoluminescent 32 peuvent 20 être formées par un procédé du type CVD, MOCVD, MBE, GSMBE, MOMBE, PAMBE, ALE, HVPE, ou ALD. En outre, des procédés électrochimiques tels que CBD, procédés hydrothermiques, pyrolyse liquide par aérosol ou électrodéposition. Selon un mode de réalisation, les couches des premiers 25 blocs photoluminescents 32 destinés à émettre les rayonnements à la deuxième longueur d'ondes sont formées sur un substrat et ensuite gravées pour délimiter les premiers blocs photoluminescents 32. Les premiers blocs photoluminescents 32 à la deuxième longueur d'onde sont alors placés dans des sections 30 de cavité prédéfinies entourées par les murs 28. Les couches des deuxièmes blocs photoluminescents 32 destinés à émettre les rayonnements à la troisième longueur d'ondes sont formées sur un substrat et ensuite gravées pour délimiter les deuxièmes blocs photoluminescents 32. Les deuxièmes blocs photoluminescents 32 à 35 la troisième longueur d'onde sont alors placés dans des sections 3061605 B15658 - 2DOptpump 21 de cavité prédéfinies entourées par les murs 28. Les mêmes opérations sont répétées pour les troisièmes blocs photoluminescents destinés à émettre les rayonnements à la quatrième longueur d'onde. 5 La figure 9F représente la structure obtenue après avoir placé le filtre sans motif 33 sur les murs 28 pour recouvrir tous les blocs photoluminescents 32. Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de 10 l'art. En particulier, bien que dans les modes de réalisation décrits précédemment, les murs 28 aient des faces latérales qui sont sensiblement perpendiculaires à la face 26, les faces latérales des murs 28 peuvent être profilées, par exemple inclinées par rapport à la face 26. 15 En outre, divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. Divers éléments de ces modes de réalisation et variantes peuvent être combinés. A titre d'exemple, les composants émettant de la lumière 16 des dispositifs optoélectroniques 65, 70 et 75 peuvent avoir la 20 structure décrite précédemment en relation avec la figure 3 ou 4. REVENDICATIONS1. Dispositif optoélectronique (10 ; 65 ; 70 ; 75) comprenant : des composants émettant de la lumière (16), chaque composant émettant de la lumière étant adapté à émettre un premier 5 rayonnement à une première longueur d'onde ; et des blocs photoluminescents (32), chaque bloc photoluminescent faisant face à au moins un composant émettant de la lumière et comprenant un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples (38), les blocs photoluminescents étant 10 répartis en premiers blocs photoluminescents adaptés à convertir par pompage optique le premier rayonnement en un deuxième rayonnement à une deuxième longueur d'onde, des deuxièmes blocs photoluminescents adaptés à convertir par pompage optique le premier rayonnement en un troisième rayonnement à une troisième 15 longueur d'onde et des troisièmes blocs photoluminescents adaptés à convertir par pompage optique le premier rayonnement en un quatrième rayonnement à une quatrième longueur d'onde. 2. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1, comprenant en outre des murs (28) au moins en partie en un 20 matériau réfléchissant au moins les deuxième, troisième et quatrième rayonnements, lesdits murs délimitant des ouvertures (30), lesdites ouvertures faisant face aux composants émettant de la lumière (16), chaque ouverture comprenant au moins l'un des blocs photoluminescents (32). 25 3. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre un filtre pleine plaque sans motif (33) recouvrant les blocs photoluminescents (32) du côté des blocs photoluminescents opposé aux composants émettant de la lumière (16) et adapté à bloquer le premier rayonnement et à laisser 30 passer les deuxième, troisième et quatrième rayonnements. 4. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les composants émettant de la lumière (16) comprennent des diodes électroluminescentes. 3061605 B15658 - 2DOptpump 23 5. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les composants émettant de la lumière (16) comprennent des diodes laser à cavité verticale émettant par la surface. 6. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la première longueur d'onde est dans la plage de 350 nm à 430 nm, dans lequel la deuxième longueur d'onde est dans la plage de 440 nm à 490 nm, dans lequel la troisième longueur d'onde est dans la plage de 510 nm à 570 nm et dans lequel la quatrième longueur d'onde est dans la plage de 600 nm à 720 nm. 7. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les blocs photoluminescents (32) comprennent en outre des quatrièmes blocs photoluminescents adaptés à convertir par pompage optique le premier rayonnement en un cinquième rayonnement à une cinquième longueur d'onde. 8. Dispositif optoélectronique selon la revendication 7, dans lequel la cinquième longueur d'onde est dans la plage de 570 nm à 600 nm. 9. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les blocs photoluminescents (32) sont fixés aux composants émettant de la lumière (16) par un milieu de liaison transparent au premier rayonnement. 10. Dispositif optoélectronique selon la revendication 25 9 dans son rattachement à la revendication 2, dans lequel les murs (28) entourent les composants émettant de la lumière (16). 11. Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (10 ; 65 ; 70 ; 75) selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, comprenant les étapes suivantes : 30 a) fournir un premier substrat (80) ; b) former les composants émettant de la lumière (16) sur le premier substrat ; c) former les blocs photoluminescents (32) sur un deuxième substrat ; et 3061605 B15658 - 2DOptpump 24 d) fixer les blocs photoluminescents aux composants émettant de la lumière (16). 12. Procédé selon la revendication 11, comprenant en outre l'étape de : 5 e) former un filtre pleine plaque sans motif (33) sur les blocs photoluminescents (32) adapté à bloquer le premier rayonnement.