FR 3055467 A1 20180302 FR 1657987 A 20160826 1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE COUCHE CONTRAINTE EN TENSION A BASE DE GERMANIUM ETAIN DOMAINE TECHNIQUE [001] Le domaine de l'invention est celui de la réalisation d'une couche contrainte en tension à base de germanium étain GeSn, dans le but notamment d'obtenir une structure de bandes d'énergie directe. L'invention s'applique en particulier à la réalisation d'un dispositif microélectronique ou optoélectronique comportant une telle couche à base de GeSn en tension. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE [002] Dans diverses applications microélectroniques ou optoélectroniques, il peut être avantageux d'utiliser une couche contrainte en tension réalisée à base de germanium étain. C'est le cas notamment des transistors haute performance où la contrainte subie par le matériau se traduit par une augmentation de la vitesse de déplacement des porteurs de charge, ce qui améliore les performances d'un tel transistor. C'est le cas également des sources de lumière telles que les lasers à pompage électrique, pour lesquelles la couche émissive à base de germanium étain peut présenter une structure de bandes d'énergie directe par l'application d'une contrainte en tension de valeur suffisante. [003] L'article de Wirths et al inititulé Tensely strained GeSn alloy as optical gain media, Appl. Phys. Lett. 103, 192110 (2013) décrit un exemple de procédé de réalisation d'une couche contrainte en tension à base de germanium étain. Ce procédé comprend la croissance d'une couche épaisse intermédiaire de Gel_ySny, partiellement ou totalement relaxée, sur une couche de nucléation en germanium, puis la croissance sur la couche intermédiaire d'une couche mince de Gel_xSnx, dite d'intérêt, dont la proportion atomique d'étain xsn est inférieure à celle ysn de la couche intermédiaire. La couche intermédiaire est dite épaisse dans le sens où son épaisseur est supérieure à l'épaisseur critique à partir de laquelle les contraintes mécaniques subies par la couche relaxent plastiquement. La couche épaisse intermédiaire de Gel_ySny présente, au niveau de sa surface supérieure, un paramètre de maille supérieur à celui de la couche d'intérêt de Gel_xSnx, ce qui permet de contraindre en tension la couche d'intérêt. Dans cette configuration, il est attendu qu'une couche mince de Gel_xSnx présente une structure de bandes d'énergie directe lorsque xsn est inférieure à 10% et lorsque ysn est supérieure ou égale à 12%. Les auteurs obtiennent effectivement une couche mince à structure de bandes directe pour xsn=8% et ysn=12%. 3055467 2 [4] Cependant, ce procédé de réalisation nécessite la réalisation d'une couche intermédiaire à forte proportion atomique d'étain pour la mise en tension de la couche d'intérêt Gel_xSnx. Or, la réalisation d'une telle couche à forte proportion atomique d'étain et de bonne qualité cristalline est particulièrement difficile à obtenir du fait, d'une part, de 5 la différence importante entre le paramètre de maille du germanium (aGe=5,658À) et celui de l'étain (asn=6,489À), et, d'autre part, de la différence entre la température de fusion du germanium (950°C environ) et celle de l'étain (240°C environ) qui peut conduire à une démixtion de l'étain. 10 EXPOSÉ DE L'INVENTION [5] L'invention a pour objectif de remédier au moins en partie aux inconvénients de l'art antérieur, et plus particulièrement de proposer un procédé de réalisation d'une couche dite d'intérêt, contrainte en tension, à base de germanium étain, ne nécessitant pas de réaliser une couche intermédiaire à base de germanium étain à forte proportion 15 d'étain. Pour cela, l'objet de l'invention est un procédé de réalisation d'une couche contrainte en tension à base de germanium étain, comportant les étapes suivantes : - réalisation d'un empilement semiconducteur reposant sur une couche support par l'intermédiaire d'une couche sacrificielle, ledit empilement semiconducteur comportant une couche de nucléation et une couche dite d'intérêt à base de 20 germanium étain épitaxiée à partir de la couche de nucléation, ledit empilement présentant une valeur initiale non nulle de contrainte en tension ; - structuration dudit empilement semiconducteur de manière à former : o une partie structurée et une partie périphérique, la partie structurée comportant une portion centrale reliée à la partie périphérique par au moins 25 deux portions latérales opposées l'une à l'autre vis-à-vis de la portion centrale, o les portions latérales présentant une largeur moyenne supérieure à une largeur moyenne de la portion centrale ; - suspension de la partie structurée par gravure de la couche sacrificielle située sous 30 la partie structurée, la portion centrale dite suspendue présentant alors une valeur finale de contrainte en tension supérieure à la valeur initiale. [6] Certains aspects préférés mais non limitatifs de ce procédé sont les suivants. [7] Le procédé peut comporter les étapes suivantes : - préalablement à l'étape a) de réalisation, estimation d'une valeur de proportion atomique d'étain et d'une première valeur minimale de contrainte en tension pour 3055467 3 lesquelles la couche d'intérêt présente une structure de bandes d'énergie directe ; et - détermination d'un empilement semiconducteur comportant une couche de nucléation et ladite couche d'intérêt estimée, et présentant une deuxième valeur 5 minimale de contrainte en tension ; - réalisation dudit empilement semiconducteur de sorte qu'il présente ladite valeur initiale non nulle de contrainte en tension et que la couche d'intérêt présente une valeur initiale inférieure à ladite première valeur minimale ; - détermination de la structuration de sorte que, après l'étape de suspension, la 10 portion centrale de la partie structurée présente une valeur finale de contrainte en tension supérieure ou égale à ladite deuxième valeur minimale, ladite couche d'intérêt ayant alors une valeur finale de contrainte en tension supérieure ou égale à ladite première valeur minimale et présentant alors une structure de bandes d'énergie directe. 15 [008] La couche de nucléation peut être réalisée en un composé semiconducteur présentant un paramètre de maille, dit naturel, inférieur à celui du matériau à base de germanium étain de la couche d'intérêt. [009] L'empilement semiconducteur peut comporter au moins une couche située entre la couche d'intérêt et la couche de nucléation réalisée en un composé semiconducteur 20 présentant un paramètre de maille, dit naturel, inférieur ou égal à celui du matériau à base de germanium étain de la couche d'intérêt. [0010] L'empilement semiconducteur peut présenter une épaisseur inférieure à une épaisseur dite critique. [0011] Chaque couche de l'empilement semiconducteur peut présenter une épaisseur 25 inférieure à une épaisseur dite critique. [0012] L'empilement semiconducteur peut comporter des couches supérieure et inférieure à base de germanium étain, dopées selon des types de conductivité différents, situées de part et d'autre de la couche d'intérêt, celle-ci étant non intentionnellement dopée. 30 [0013] Entre les couches dopées supérieure et inférieure d'une part et la couche d'intérêt d'autre part, peut se situer au moins une couche dite barrière à base de germanium, ou à base de germanium étain dont la proportion atomique en étain est inférieure à la valeur de la proportion atomique d'étain de la couche d'intérêt. [0014] La proportion atomique d'étain de la couche d'intérêt peut être inférieure à 10%. 3055467 4 [0015] Le procédé peut comporter en outre une étape de mise en contact de la partie structurée avec une surface rendue libre de la couche support, de manière à rendre solidaire par collage moléculaire la partie structurée de la couche support. [0016] Le procédé peut comporter en outre les étapes suivantes : 5 - détermination d'une valeur minimale d'énergie de collage moléculaire de la partie structurée sur la couche support, ainsi qu'une valeur minimale de surface collée des portions latérales, ces valeurs minimales étant telles que ladite énergie de collage moléculaire est supérieure à une énergie élastique de la partie structurée ; - recuit de consolidation à une température de recuit telle que l'énergie de collage 10 moléculaire présente une valeur supérieure ou égale à ladite valeur minimale préalablement déterminée ; puis - gravure d'une partie dite distale des portions latérales vis-à-vis de la portion centrale, de sorte que la surface collée des portions latérales présente une valeur supérieure ou égale à ladite valeur minimale préalablement déterminée. 15 [0017] L'étape de suspension et l'étape de mise en contact peuvent être effectuées par gravure de la couche sacrificielle par HF en phase vapeur éventuellement suivie par le dépôt puis l'évaporation d'un liquide entre la partie structurée suspendue et la couche support, et dans lequel, lors de l'étape de recuit, la température de recuit est supérieure ou égale à 200°C. 20 [0018] Le procédé peut comporter, lors de l'étape de suspension, une oxydation ou une nitruration d'une surface rendue libre de la couche support ainsi que d'une surface inférieure de la partie structurée orientée vers la surface libre, et dans lequel, lors de l'étape de recuit, la température de recuit est supérieure ou égale à 100°C. [0019] A la suite de l'étape de suspension, des couches diélectriques, issues de l'oxydation 25 ou de la nitruration effectuée, peuvent être formées au niveau de la partie structurée et de la couche support, qui présentent une épaisseur de préférence supérieure ou égale à 10nm. [0020] L'invention porte également sur un procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique ou optoélectronique comportant ladite couche d'intérêt à base de 30 germanium étain obtenue par le procédé selon l'une quelconque des caractéristiques précédentes, dans lequel on réalise une jonction PN dans la couche d'intérêt, ou une jonction PIN au niveau de ladite couche d'intérêt, celle-ci étant alors non intentionnellement dopée. 3055467 5 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS [0021] D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés 5 sur lesquels : les figures 1A, 1B et 1C sont des vues schématiques, en coupe (fig.1A et 1C) et de dessus (fig.1B), d'un empilement comportant une couche d'intérêt à base de germanium étain, pour différentes étapes d'un procédé selon un premier mode de réalisation ; les figures 2A, 2B, 2C sont des vues schématiques, en coupe (fig.2A et 2B) et de dessus 10 (fig.2C), d'un variante de l'empilement illustré sur les figures 1A à 1C ; la figure 3 illustre un organigramme d'un procédé selon un deuxième mode de réalisation, permettant d'obtenir une couche d'intérêt à structure de bandes directe ; les figures 4A, 4B et 4C sont des vues schématiques, en coupe, d'une structure semiconductrice pour différentes étapes d'un procédé selon un troisième mode de 15 réalisation ; les figures 5A et 5B sont des vues schématiques, de dessus, d'une structure semiconductrice, respectivement avec et sans la partie périphérique ; et la figure 5C est un exemple de relation entre l'énergie surfacique de collage en fonction de la température de recuit, pour un collage hydrophile et pour un collage hydrophobe ; 20 les figures 6A, 6B et 6C sont des vues schématiques, en coupe, d'une structure semiconductrice, pour différentes étapes d'un procédé selon un quatrième mode de réalisation faisant intervenir une étape de collage hydrophile ; les figures 7A et 7B sont des vues schématiques, en coupe, d'un dispositif optoélectronique à émission de lumière non cohérente comportant une structure semiconductrice obtenue 25 à partir du procédé selon le quatrième mode de réalisation ; les figures 8A et 8B sont des vues schématiques, en coupe, d'un dispositif optoélectronique à émission de lumière cohérente comportant une structure semiconductrice obtenue à partir du procédé selon le quatrième mode de réalisation ; les figures 9A à 9F représentent, de manière schématique et en coupe, différentes étapes 30 d'un exemple de procédé de réalisation d'une source laser comportant un empilement semiconducteur obtenu par le procédé selon le premier ou le deuxième mode de réalisation. 3055467 6 EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS [0022] Sur les figures et dans la suite de la description, les mêmes références représentent les éléments identiques ou similaires. De plus, les différents éléments ne sont pas représentés à l'échelle de manière à privilégier la clarté des figures. Par ailleurs, les 5 différents modes de réalisation et variantes ne sont pas exclusifs les uns des autres et peuvent être combinés entre eux. Sauf indication contraire, les termes « sensiblement », « environ », « de l'ordre de » signifient à 10% près. [0023] L'invention concerne d'une manière générale un procédé de réalisation d'une 10 couche dite d'intérêt à base de germanium étain contraint en tension, dans le but notamment d'obtenir une structure de bandes d'énergie directe. [0024] Par couche contrainte, on entend une couche réalisée en un matériau semiconducteur monocristallin présentant une contrainte mécanique en tension ou en compression, entraînant une déformation des mailles du réseau cristallin du matériau. La 15 couche est contrainte en tension lorsqu'elle subit une contrainte mécanique qui tend à étirer les mailles du réseau dans un plan. Cela se traduit alors par la présence d'une contrainte en compression orientée suivant un axe sensiblement orthogonal au plan d'étirement. Dans le cadre de l'invention, la couche d'intérêt à base de germanium étain est destinée à être contrainte en tension dans le plan de la couche, ce qui se traduit par le 20 fait que son paramètre de maille présente une valeur dite effective supérieure à sa valeur dite naturelle lorsque le matériau est relaxé, i.e. non contraint. Dans la suite de la description, sauf indication contraire, la contrainte considérée est orientée dans le plan de la couche. [0025] Par couche d'intérêt à base de germanium étain GeSn, on entend que la couche 25 d'intérêt est réalisée en un alliage Gel_xSnx comprenant du germanium et de l'étain. L'alliage de germanium étain peut être un alliage binaire Gel_xSnx, ternaire, par exemple SiyGel_x_ySnx, voire quaternaire ou plus. On note xsn la proportion atomique d'étain dans l'alliage. La couche d'intérêt à base de germanium étain est de préférence formée en un alliage homogène en termes de proportion atomique des éléments formant l'alliage et en 30 termes de valeurs d'un éventuel dopage. [0026] Par structure de bandes directe ou sensiblement directe, on entend que le minimum d'énergie de la vallée L (ou vallée indirecte) est supérieur ou sensiblement égal au minimum d'énergie de la vallée F (ou vallée directe) de la bande de conduction, autrement dit : AE = Emin,L- Emin,F 0. Par sensiblement égal, on entend ici que cette 35 différence d'énergie est de l'ordre de grandeur ou inférieure à kT, où k est la constante de 3055467 7 Boltzmann et T la température du matériau. Dans le cadre de l'invention, la couche d'intérêt est initialement réalisée à base de germanium étain dont la structure de bandes d'énergie est indirecte lorsque le matériau ne présente pas une contrainte en tension suffisante, autrement dit AE 0 dans le plan (X,Y), autrement dit une contrainte en compression o-.. 0. La valeur minimale o-fcrin de contrainte en tension peut être 35 estimée à partir de l'article de Gupta et al. intitulé Achieving direct band gap in germanium 3055467 16 through integration of Sn alloying and externat strain, J. Appt. Phy., 113, 073707 (2013) qui illustre un exemple d'évolution de AE en fonction de la valeur de la contrainte en tension subie par la couche d'intérêt 12 en Gel_xSnx et de la proportion atomique d'étain. Cette évolution est estimée à partir d'une méthode empirique du pseudo-potentiel non local (NL- 5 EPM pour Non Local Empirical Pseudopotential Method, en anglais). [0063] Lors d'une deuxième étape 120, on détermine l'empilement semiconducteur 10 comportant une telle couche d'intérêt 12 préalablement déterminée, de propriétés {xsn; o-fcrin}, et présentant alors une contrainte en tension de valeur OEfs"min. Les valeurs OEfs"min et f min 0-c"i sont positives dans la mesure où la contrainte dans le plan (X,Y) est en tension. 10 [0064] Pour cela, on note G la fonction de transfert permettant de déterminer la valeur o-fcrin de la couche d'intérêt 12 à partir de la valeur OEfs'inin de l'empilement semiconducteur 10, autrement dit : o-fcrin = G(0-fs'inin). La fonction de transfert G est paramétrée par les caractéristiques de différentes couches composant l'empilement semiconducteur 10, à savoir les paramètres de maille, les épaisseurs des couches et les modules d'Young et de 15 Poisson respectifs. On détermine donc les paramètres de la fonction de transfert G, par exemple par simulation numérique à l'aide du logiciel COMSOL Multiphysics, ou en vérifiant la relation suivante : N 0_ f ,min f ,min s,z = Ek E k,z ek k=1 [0065] Lors d'une troisième étape 130, on réalise ledit empilement semiconducteur 10 20 préalablement déterminé de telle sorte que : - l'empilement semiconducteur 10 présente une contrainte initiale en tension ais > 0 inférieure à la valeur OEfs'inin, et que - il comporte la couche d'intérêt 12 de proportion atomique d'étain xsn et d'une valeur de contrainte initiale aici inférieure à &Jilin de telle sorte que la structure de bandes est 25 indirecte, la valeur initiale o-ici pouvant être positive (en tension), nulle ou négative (en compression). [0066] Lors d'une quatrième étape 140, on détermine une structuration de l'empilement semiconducteur 10 de manière à former la partie structurée 20 décrite précédemment. La structuration est déterminée de sorte que la suspension de la partie structurée 20 30 provoque l'augmentation de la contrainte de la portion centrale 21, de la valeur initiale ais à la valeur finale afs, celle-ci étant alors supérieure ou égale à OEfs"min. [0067] Pour cela, on note F la fonction de transfert permettant de passer de ais à afs, autrement dit : o-fs = F(o-is). La fonction de transfert F est paramétrée essentiellement par 3055467 17 les dimensions de la partie structurée 20, et notamment par la largeur moyenne des bras tenseurs 22 et celle de la portion centrale 21. La fonction de transfert peut être identique ou similaire au facteur d'amplification f mentionné précédemment en référence à la relation (2). On détermine donc les paramètres de la fonction de transfert F, par exemple 5 par simulation numérique à l'aide du logiciel COMSOL Multiphysics ou en vérifiant la relation (2) mentionnée précédemment. [0068] Lors d'une cinquième étape 150, on réalise la mise en suspension de la partie structurée 20 par gravure de la couche sacrificielle 2 située sous la partie structurée 20. Ainsi, dans le même temps : 10 - la portion centrale 21 de l'empilement passe de la valeur initiale o-i à la valeur finale o-fs = F(ais) de contrainte dans le plan (X,Y), la valeur finale cî étant alors supérieure ou égale à afs'inin ; - la couche d'intérêt 12 passe de la valeur initiale oici à une valeur finale o = G(Erfs) de contrainte dans le plan (X,Y), cette valeur finale étant alors supérieure ou égale à ein. 15 [0069] On obtient ainsi une couche d'intérêt 12 à base de germanium étain, située au niveau de la portion centrale 21, qui présente une structure de bandes directe, cela sans avoir eu à réaliser une couche de mise en tension à forte proportion atomique d'étain comme le décrit l'article Wirths 2013 cité précédemment. Il est alors possible d'obtenir une structure de bandes directe pour une couche d'intérêt 12 à base de GeSn présentant une 20 proportion atomique d'étain inférieure à 14%, voire inférieure à 10%, voire inférieure 8%, ou moins encore. Comme précédemment, l'empilement et les couches qui le forment peuvent présenter une qualité cristalline préservée lorsque les épaisseurs respectives sont inférieures aux épaisseurs critiques. 25 [0070] Les figures 4A à 4C illustrent différentes étapes d'un procédé de réalisation d'une structure semiconductrice 40 selon un troisième mode de réalisation, la structure semiconductrice 40 comportant l'empilement 10 à couche d'intérêt 12 à base de germanium étain décrit précédemment, et étant solidarisée par collage direct sur la couche support 1. Ce procédé est similaire à celui décrit dans la demande FR1559283 déposée le 30 30 septembre 2015. Par ailleurs, par souci de clarté, seul l'empilement semiconducteur 10 est illustré, et non pas la couche de nucléation 11 et la couche d'intérêt 12. [0071] Après l'étape de suspension décrite précédemment, la portion centrale 21 de l'empilement semiconducteur 10 est contrainte en tension et présente alcirs une énergie élastique Ee, qui, au premier ordre, peut s'écrire : Ee crfs.Efs.V, où a est la valeur moyenne 3055467 18 de la contrainte en tension dans le plan (X,Y), cf, la valeur moyenne de la déformation correspondant à la contrainte subie, et V le volume de la portion centrale 21. [0072] Par collage direct, également appelé collage moléculaire ou collage par adhérence moléculaire, on entend la solidarisation de deux surfaces de matériaux identiques ou 5 différents l'une contre l'autre, sans apport de couche collante (de type colle, glue, etc...) mais par le biais des forces attractives d'interaction atomique ou moléculaire entre les surfaces à coller, par exemple des forces de Van der Walls, des liaisons hydrogènes, voire des liaisons covalentes. L'empilement semiconducteur 10, solidarisé par collage directe sur la couche support 1, présente alors une énergie de collage qui, au premier ordre, peut 10 s'écrire : Ec - E5.S, où E5 est l'énergie surfacique de collage (on suppose ici que les surfaces à coller présentent une énergie de surface sensiblement égale) et S l'étendue des surfaces collées. [0073] Comme il est détaillé par la suite, le collage moléculaire mis en oeuvre ici peut être de type hydrophile ou hydrophobe. Le collage est de type hydrophile lorsqu'il concerne 15 l'adhérence de surfaces hydrophiles, c'est-à-dire de surfaces ayant la capacité à se lier avec des molécules d'eau par un mécanisme d'adsorption. Le collage met alors en jeu des forces de liaison hydrogène dont l'intensité d'interaction est particulièrement élevée. Pour cela, les surfaces hydrophiles sont terminées par des groupements hydroxyles (-OH). Alternativement, le collage peut être de type hydrophobe et concerner alors des surfaces 20 qui n'ont pas la capacité d'adsorber de l'eau. Pour cela, les surfaces hydrophobes peuvent être saturées d'atomes tels que l'hydrogène ou le fluor. [0074] On décrit par la suite, à titre illustratif, un procédé de réalisation d'une structure semiconducteur, comportant l'empilement à couche d'intérêt 12 à base de germanium étain située dans la partie structurée 20, la structure semiconductrice 40 étant collée par 25 adhérence moléculaire à une couche support 1 de silicium. [0075] Selon une première étape, on réalise un empilement semiconducteur 10 comportant la partie structurée 20 (non représentée), reposant sur la couche support 1 par l'intermédiaire d'une couche sacrificielle 2. L'empilement semiconducteur 10 comporte la couche d'intérêt 12 à base de germanium étain (non représentée), et est identique ou 30 similaire aux empilements semiconducteurs décrits précédemment. [0076] Selon une deuxième étape illustrée sur la figure 4A, on réalise une cavité 3 sous la partie structurée 20 de manière à la suspendre au-dessus d'une surface rendue libre de la couche support 1. L'empilement semiconducteur 10 passe alors de la valeur initiale ol à la valeur finale as de contrainte dans le plan (X,Y), la valeur finale étant alors supérieure ou 35 égale à OEfs"min. La couche d'intérêt 12 passe de la valeur initiale aid à une valeur finale 6fd 3055467 19 de contrainte dans le plan (X,Y), cette valeur finale étant de préférence supérieure ou égale à Wein, de sorte que la couche d'intérêt 12 présente une structure de bandes directe. [0077] Selon une troisième étape illustrée sur la figure 4B, on effectue la mise en contact de la partie structurée 20 avec la surface libre 4 de la couche support 1. Pour cela, on peut 5 immerger la partie structurée 20 dans une solution liquide, par exemple d'alcool ou d'eau déionizée acidifiée (pH proche de 2), puis on évapore le liquide. Lors de la phase d'évaporation, la partie structurée 20 vient naturellement au contact de la surface libre 4 de la couche support 1. Ainsi, la partie structurée 20 repose sur la couche support 1, de sorte que la surface inférieure d'au moins une partie des bras tenseurs 22 est au contact 10 avec la surface libre 4 de la couche support 1. La surface inférieure de la portion centrale 21 peut être totalement, partiellement, ou pas au contact de la surface libre 4. [0078] La mise en contact de ces surfaces assure un collage direct de la partie structurée 20 avec la couche support 1, ici de type hydrophobe dans la mesure où les surfaces se solidarisent l'une à l'autre par l'intermédiaire de liaisons hydrogène. A température 15 ambiante, comme l'illustre la figure 5C représentant l'évolution de l'énergie surfacique de collage hydrophobe entre les surfaces collées, l'énergie de collage hydrophobe est ici de l'ordre de 5mJ/m2. [0079] Par mise en contact, on entend le contact de la surface inférieure 23 de la partie structurée 20 avec la surface libre 4 de la couche support 1. Ces surfaces peuvent être 20 formées du matériau composant principalement les couches ou d'un matériau intercalaire différent de ce matériau principal. La partie structurée 20 et la couche support 1 peuvent ainsi comporter une couche mince d'un matériau intercalaire obtenu par exemple par dépôt ou par oxydation, de préférence après formation de la cavité 3. Dans le procédé décrit ici faisant intervenir le collage hydrophobe, la partie structurée 20 et la couche 25 support 1 ne comportent pas de matériau intercalaire. [0080] Ainsi, on obtient une partie structurée 20 de l'empilement semiconducteur 10, collée sur la surface libre 4 de la couche support 1. La partie structurée 20 collée comporte la portion centrale 21 et une partie des bras tenseurs 22. La partie non collée des bras tenseurs 22 est située dans la zone où ceux-ci rejoignent la partie périphérique 30 de 30 l'empilement semiconducteur 10, cette dernière reposant sur la partie non gravée de la couche sacrificielle 2. [0081] En variante, l'étape de suspension et de mise en contact de la partie structurée 20 avec la surface libre 4 de la couche support 1 peut être réalisée dans le même temps. Pour cela, la cavité 3 est par exemple réalisée par gravure humide par HF liquide voire par HF 35 vapeur en haute pression. Dans le cas d'une gravure par HF vapeur, le flux de vapeur peut 3055467 20 comporter de l'acide fluorhydrique à 60 torr de pression partielle, de l'alcool à 0,1 torr et de l'azote à 75 torr. Le flux de gaz conduit alors à une vitesse de gravure plus importante que celle mentionnée précédemment, par exemple de l'ordre de 100nm/min, lors d'une réaction de gravure hors-équilibre. Aussi, des gouttes d'eau et d'acide fluorhydrique, 5 produits de la réaction chimique, se forment dans la cavité 3 et provoquent, en évaporant, la mise en contact de la partie structurée 20 avec la surface libre 4 de la couche support 1. [0082] A l'issue de cette étape, la partie structurée 20 collée, formée de la portion centrale 21 et des bras tenseurs 22 reposant sur la couche support 1, présente : o une énergie de collage Ec, issue du collage moléculaire hydrophobe sur la couche 10 support 1. Elle peut être estimée, au premier ordre, par la relation : Ec ,-,' ES(Sbt + spc) où E5 est l'énergie de surface évaluée à partir de la relation illustrée sur la figure 5C, et Sbt et Sp, sont les surfaces collées respectives des bras tenseurs 22 et de la portion centrale 21. L'énergie de collage tend à stabiliser la partie structurée 20 collée et à 15 éviter toute relaxation des contraintes susceptibles de modifier sa tenue mécanique ainsi que sa structure cristalline, et donc de dégrader ses propriétés électriques et/ou optiques ; o une énergie élastique Ee, issue de la contrainte en tension liée à la déformation de la portion centrale 21 par les bras tenseurs 22. Elle peut être estimée, au premier ordre, 20 par la relation : Ee ''''' e(oefs,bt- Efs,bt. Sbt + oefs,pc- Efs,pc- Spc) où e est l'épaisseur moyenne de l'empilement semiconducteur 10, afs,ht et oefs,pc les valeurs moyennes des contraintes en tension subies, respectivement, par les bras tenseurs 22 et la portion centrale 21, Efs,bt et Efs,pc les valeurs moyennes des 25 déformations correspondantes. L'énergie élastique tend à déstabiliser la partie centrale collée de manière à relaxer naturellement les contraintes. [0083] On peut noter que, au premier ordre, l'énergie de collage comporte un terme prépondérant lié à la surface collée des bras tenseurs 22, celle-ci est généralement supérieure à la surface collée de la portion centrale 21. Par ailleurs, l'énergie élastique 30 comporte un terme prépondérant lié à la déformation de la portion centrale 21, dans la mesure où les bras tenseurs 22 présentent une valeur moyenne de déformation proche de la valeur de déformation résiduelle, celle-ci étant inférieure à la valeur de la déformation subie par la portion centrale 21. [0084] Dans le but de réaliser une structure semiconductrice 40 collée, dont la tenue 35 mécanique et donc les propriétés électriques et/ou optiques sont préservées, qui puisse 3055467 21 être séparée de la partie périphérique 30, l'énergie de collage doit être supérieure à l'énergie élastique, ce qui se traduit au premier ordre par l'inégalité suivante : eas,bt- s,bt- bt Esmin(Sen Spc , ) > f Ef Smin afs,pc. Efs,pc. Spc) [0085] Pour cela, on détermine à la fois la valeur minimale d'énergie surfacique de collage 5 Es' et la valeur minimale de surface collée Sein des bras tenseurs 22, nécessaires pour vérifier cette inégalité. Bien entendu, cette inégalité peut être précisée en utilisant des expressions de l'énergie de collage et de l'énergie élastique plus détaillées, par exemple en intégrant le champ de contrainte dans tout le volume de la partie structurée 20 collée. [0086] Selon une quatrième étape, on effectue un renforcement du collage moléculaire de 10 la partie structurée 20 sur la couche support 1, de manière à obtenir une valeur Es d'énergie surfacique de collage supérieure ou égale à la valeur minimale Es' déterminée préalablement. Pour cela, on réalise un traitement thermique, sous forme d'un recuit de consolidation, dans lequel on soumet l'empilement à une température de recuit Tr pendant quelques minutes à quelques heures. A titre illustratif, la température de recuit peut être 15 de 200°C appliquée pendant 2h, ce qui augmente ici l'énergie surfacique de collage hydrophobe de 5mJ/m2 à 100mJ/m2. La température de recuit est comprise entre une valeur minimale qui dépend notamment de la surface minimale collée Sbt"n de bras tenseurs 22 que l'on souhaite conserver et une valeur maximale qui dépend notamment de la qualité cristalline à préserver de l'empilement semiconducteur 10. La valeur maximale 20 de la température de recuit peut ainsi être inférieure à la température de croissance épitaxiale de l'empilement semiconducteur 10. Ainsi, on obtient une partie structurée 20 collée à la couche support 1 avec une énergie de collage Ec dont la valeur est supérieure ou égale à la valeur minimale prédéterminée. On est alors en mesure de supprimer une partie des bras tenseurs 22 pour séparer la partie structurée 20 de la partie périphérique 25 30. [0087] Dans une cinquième étape illustrée sur les figures 4C, on retire, par gravure, une portion distale 24 des bras tenseurs 22 de manière à séparer, ou individualiser, la partie structurée 20 vis-à-vis de la partie périphérique 30. Par séparer, rendre distincte ou individualiser, on entend ici que la partie structurée 20 n'est plus reliée à la partie 30 périphérique 30 par les bras tenseurs 22. De plus, par portion distale 24 des bras tenseurs 22 vis-à-vis de la portion centrale 21, on entend la zone des bras tenseurs 22 éloignée de la portion centrale 21 et formant le raccord avec la partie périphérique 30. On supprime, par des opérations classiques de lithographie optique et/ou électronique et de gravure, la portion distale des bras tenseurs 22 de manière à ce que la partie structurée 20 collée 35 comporte une valeur de surface collée Sbt des bras tenseurs 22 supérieure ou égale à la 3055467 22 valeur minimale Sein déterminée préalablement. Ainsi, la surface collée des bras tenseurs 22 est suffisante pour que la partie structurée 20 collée présente une énergie de collage supérieure à son énergie élastique. Ainsi, on obtient une structure semiconductrice 40 à portion centrale 21 collée sur la couche support 1 dont la tenue mécanique est assurée, 5 préservant ainsi ses propriétés électriques et/ou optiques. La structure semiconductrice 40 présente une qualité cristalline élevée et la portion centrale 21 une déformation moyenne prédéterminée. Elle est solidarisée de la couche support 1 par collage moléculaire dont l'énergie de collage et la surface collée des bras tenseurs 22 permettent de figer le champ des contraintes. Dans la portion centrale 21, la couche d'intérêt 12 à base de GeSn présente 10 une structure de bandes directe. [0088] Sur la figure 5A est illustrée la structure semiconductrice 40 à portion centrale 21, obtenue en séparant la partie structurée 20 de la partie périphérique 30, par gravure de la zone distale des bras tenseurs 22 faisant raccord avec la partie périphérique 30. La figure 15 5B illustre la structure semiconductrice 40 obtenue à partir de la partie structurée 20 collée en gravant la zone de raccord des bras tenseurs 22 à la partie périphérique 30 (celle-ci étant également supprimée). [0089] La figure 5C illustre un exemple de relation entre l'énergie surfacique de collage entre une surface de germanium de la couche de nucléation 11 et une surface de silicium 20 de la couche support 1, en fonction de la température de recuit, dans le cas d'un collage de type hydrophile et d'un collage de type hydrophobe. Jusqu'à 600°C environ, l'énergie surfacique de collage présente une valeur inférieure dans le cas hydrophobe que dans le cas hydrophile. La tendance s'inverse ensuite à partir de 600°C environ. Par ailleurs, dans le cas hydrophile, l'énergie surfacique augmente dès qu'un recuit à 100°C environ est 25 appliqué, et l'on passe d'une énergie de l'ordre de 100mJ/m2 à température ambiante à 1J/m2 après un recuit à 200°C environ. Dans le cas hydrophobe, on passe d'une énergie de l'ordre de 5mJ/m 2 à température ambiante à 100mJ/m2 après un recuit à 200°C environ. [0090] En variante, selon un quatrième mode de réalisation décrit en référence aux figures 30 6A à 6C, il est possible de réaliser un collage moléculaire de type hydrophile de la partie structurée 20 sur la couche support 1, selon un procédé identique ou similaire à celui décrit dans la demande FR1559283 déposée le 30 septembre 2015 citée précédemment. [0091] En référence à la figure 6A, préalablement à la mise en contact de la partie structurée 20 suspendue sur la couche support 1, on effectue une étape de traitement de 35 surface de la partie structurée 20 et de la surface libre 4 de la couche support 1, dans le but 3055467 23 d'assurer ultérieurement le collage moléculaire hydrophile de ces éléments. Lors de cette étape, on traite la surface 23 de la partie structurée 20 en regard de la cavité 3 et la surface libre 4 de la couche support 1 de sorte qu'elles soient formées chacune d'une couche mince 41A, 41B d'oxyde ou de nitrure, d'une épaisseur de quelques nanomètres à quelques 5 dizaines de nanomètres. [0092] Selon une variante, la partie structurée 20 et la couche support 1 sont recouvertes, au niveau de la cavité 3, d'une couche mince 41A, 41B dite intercalaire d'oxyde réalisée par oxydation, par exemple obtenues par mise à l'air libre de cette zone de l'empilement pendant une durée suffisante, par exemple 1h. Elles peuvent également être obtenues par 10 une technique d'oxydation par plasma 03, par exemple à température ambiante, voire par une technique d'oxydation par plasma 02, par exemple à une température de 250°C. Selon une autre variante, les couches minces d'oxyde ou de nitrure sont obtenues par une technique de dépôt de couche mince, par exemple du type ALD (pour Atomic Layer Deposition, en anglais) assisté ou non par plasma. 15 [0093] En référence à la figure 6B, on réalise ensuite la mise en contact de la partie structurée 20 avec la surface libre 4 de la couche support 1, par exemple en immergeant la partie structurée 20 suspendue dans une solution liquide, par exemple d'alcool ou d'eau déionizée acidifiée (pH proche de 2), puis en évaporant le liquide. La mise en contact de ces surfaces assure un collage direct de type hydrophile de la partie structurée 20 sur la 20 couche support 1 au niveau des couches intercalaires 41A, 41B respectives. A température ambiante, comme l'illustre la figure 5C, l'énergie de collage hydrophile est ici de l'ordre de 100mJ/m2. Ces couches intercalaires 41A, 41B présentent une épaisseur de l'ordre de quelques dizaines de nanomètres à une ou plusieurs centaines de nanomètres, et sont avantageusement diélectriques et peuvent assurer l'isolation électrique de la portion 25 centrale 21 vis-à-vis de la couche support 1. [0094] On effectue ensuite une étape de détermination de la valeur minimale d'énergie surfacique de collage Esmin, ici hydrophile, et la valeur minimale de surface collée Sein des bras tenseurs 22, nécessaires pour que l'énergie de collage hydrophile de la partie structurée 20 soit supérieure à l'énergie élastique de cette même partie structurée 20. 30 [0095] On effectue ensuite une étape de renforcement du collage moléculaire de la partie structurée 20 solidarisée à la couche support 1, de manière à obtenir une valeur Es d'énergie surfacique de collage hydrophile supérieure ou égale à la valeur minimale Es' déterminée préalablement. Pour cela, on réalise un traitement thermique, sous forme d'un recuit de consolidation, dans lequel on soumet l'empilement à une température de recuit 35 Tr pendant quelques minutes à quelques heures. A titre illustratif, la température de recuit 3055467 24 peut être de 200°C appliquée pendant 2h, ce qui augmente ici l'énergie surfacique de collage hydrophile de 100mJ/m2 à 1J/m2. [0096] En référence à la figure 6C, on retire, par gravure, une partie distale 24 des bras tenseurs 22 de manière à individualiser la partie structurée 20 vis-à-vis de la partie 5 périphérique 30. Cette étape est similaire à l'étape décrite précédemment en référence à la figure 5C et n'est pas détaillée davantage ici. Ainsi, on obtient une structure semiconductrice 40 à portion centrale 21 collée par adhérence moléculaire hydrophile sur la couche support 1, dont la tenue mécanique est assurée et les propriétés électriques et/ou optiques préservées. La couche centrale comporte la couche d'intérêt 12 à base de 10 GeSn dont la structure de bandes est avantageusement directe. [0097] Le procédé selon ce mode de réalisation se distingue donc du procédé décrit précédemment essentiellement par le collage hydrophile, dont l'intensité est supérieure à celle du collage hydrophobe jusqu'à des températures de recuit de l'ordre de 500°C à 600°C, et par la présence d'une couche 41A, 41B d'un oxyde ou nitrure intercalaire à 15 l'interface entre la partie structurée 20 et la couche support 1, dont la propriété diélectrique assure une isolation électrique entre ces éléments. Ce matériau intercalaire, outre une fonction d'isolation électrique, peut également assurer une fonction d'évacuation de la chaleur éventuellement produite au niveau de la portion centrale 21, dans le cas où cette dernière forme une couche émissive d'une source lumineuse. 20 [0098] De manière avantageuse, une pluralité de structures semiconductrices 40 peut être réalisée de manière collective et simultanée, à partir du même empilement semiconducteur 10. Les structures semiconductrices sont alors adjacentes et séparées les unes des autres. Ainsi, chaque structure semiconductrice 40 est distincte de ses voisines, 25 c'est-à-dire non rattachée à la partie périphérique 30 correspondante du même empilement semiconducteur 10. [0099] On décrit maintenant la réalisation de différents dispositifs optoélectroniques comportant la structure semiconductrice 40 à couche d'intérêt 12 à base de germanium 30 étain contraint en tension, obtenue par l'un ou l'autre des procédés décrits précédemment. [00100] Les figures 7A et 7B représentent, de manière schématique, des vues en coupe de deux exemples d'un dispositif optoélectronique à émission de lumière non cohérente. Le dispositif optoélectronique est ici une diode électroluminescente. 3055467 25 [0oilu] Sur la figure 7A, la diode électroluminescente comporte ici une structure semiconductrice 40 obtenue par le procédé de réalisation selon le quatrième mode de réalisation, c'est-à-dire faisant intervenir un collage moléculaire hydrophile. [00102] La structure semiconductrice 40 comporte une portion centrale 21 en tension dans 5 laquelle la couche d'intérêt 12 à base de GeSn (non représentée) présente de préférence une structure de bandes directe. Elle est solidarisée à la couche support 1 par collage moléculaire hydrophile, ce qui se traduit par la présence d'un matériau intercalaire 41A, 41B, ici un oxyde de silicium, situé à l'interface entre le germanium de la couche de nucléation 11 (non représentée) de l'empilement semiconducteur 10 et le silicium de la 10 couche support 1. La couche support 1 est ici une couche supérieure en silicium d'un substrat, par exemple de type SOI. Elle repose sur une couche d'oxyde 5 située entre la couche support 1 et une couche inférieure épaisse 6 de silicium. [00103] La structure semiconductrice 40 comporte en outre une couche d'encapsulation 42 qui recouvre la portion centrale 21 et les bras tenseurs 22. Cette couche d'encapsulation 15 42 peut être en un matériau diélectrique présentant une bonne conductivité thermique, tel que l'A1203 ou le Si3N4. Le Si3N4 peut en outre contribuer à induire une contrainte en tension dans l'empilement semiconducteur 10. La portion centrale 21 comporte une jonction PIN réalisée par implantation de dopants (phosphore et bore) de manière à former une zone 45 dopée N voisine d'une zone 43 dopée P. Ici, une zone intrinsèque 44 (non 20 intentionnellement dopée) sépare les zones dopées N et P. La jonction PIN s'étend de manière sensiblement verticale au-travers de la portion centrale 21 et donc de la couche d'intérêt 12 à base de GeSn (non représentée), en direction de la couche support 1. Par ailleurs, deux plots 46A, 46B d'un matériau électriquement conducteur sont présents au niveau des zones dopées, formant des contacts électriques. 25 [00104] La diode électroluminescente peut être obtenue de la manière suivante. On réalise tout d'abord l'empilement semiconducteur 10 selon le deuxième mode de réalisation de sorte que la couche d'intérêt 12 à base de GeSn ait une structure de bandes directe, puis on réalise la structure semiconductrice 40 par le procédé selon le quatrième mode de réalisation (collage hydrophile). On réalise ensuite les zones dopées 43, 45 par implantation 30 d'impuretés, par exemple du phosphore et du bore. Les contacts électriques 46A, 46B sont ensuite réalisés. Une couche d'encapsulation 42 est ensuite déposée puis aplanie par une technique de polissage mécano-chimique de type CMP (pour Chemical Mechanical Polishing, en anglais) puis localement gravée de manière à rendre accessibles les contacts électriques. 3055467 26 [00105] La figure 7B illustre une variante de la diode électroluminescente illustrée sur la figure 7A, qui s'en distingue essentiellement en ce qu'une jonction PIN s'étend de manière sensiblement parallèle au plan de la couche support 1. [00106] La portion centrale 21 est structurée dans son épaisseur, de manière à présenter 5 une partie inférieure 43 à base de GeSn dopé selon un premier type de conductivité, ici de type P, reposant sur la couche de nucléation 11 (non représentée). Cette partie 43 dopée P est reliée aux bras tenseurs 22 et présente une épaisseur moyenne sensiblement identique à celle des bras. Sur la partie inférieure dopée P repose une partie supérieure 45 à base de GeSn dopée selon un second type de conductivité, ici de type N. Une partie 10 intrinsèque 44 à base de GeSn est située entre la partie supérieure 45 dopée N et la partie inférieure 43 dopée P, et présente ici des dimensions dans le plan (X,Y) sensiblement identiques à celles de la partie supérieure. La partie intrinsèque 44 correspond avantageusement à la couche d'intérêt 12 à structure de bandes directes (non représentée). Ainsi, les parties 43, 45 dopées P et N et la partie intrinsèque 44 forment 15 ensemble une jonction PIN qui s'étend suivant un plan sensiblement parallèle au plan (X,Y). Deux plots 46A, 46B d'un matériau électriquement conducteur, formant des contacts électriques, sont disposés sur la partie supérieure dopée N et sur une zone libre de la partie inférieure dopée P. 20 [00107] Les figures 8A et 8B représentent de manière schématique une vue en coupe des exemples d'un dispositif optoélectronique à émission de lumière cohérente. Plus précisément, le dispositif optoélectronique est ici une source laser à pompage optique ou électrique. [00108] Sur la figure 8A, la source laser comporte ici une structure semiconductrice 40 25 obtenue par le procédé de réalisation selon le quatrième mode de réalisation, c'est-à-dire faisant intervenir un collage moléculaire hydrophile. La source laser comporte ici une structure semiconductrice 40 formée d'une portion centrale 21 de l'empilement 10 en tension à couche d'intérêt 12 à base de GeSn (non représentée) à structure de bandes avantageusement directe, et solidarisée à la couche support 1 par collage moléculaire 30 hydrophile. [00109] La couche d'intérêt 12 de la structure semiconductrice 40 est ici intrinsèque voire dopée, par exemple avec du phosphore pour peupler la vallée indirecte de la bande de conduction, et une cavité optique est réalisée à l'intérieur de laquelle se situe la portion centrale 21, qui forme ici un milieu à gain apte à émettre de la lumière. Pour cela, et à titre 35 illustratif, deux miroirs de Bragg 47A, 47B sont disposés sur la face supérieure des bras 3055467 27 tenseurs 22, de préférence dans une zone où la déformation des bras tenseurs 22 est sensiblement égale à la valeur résiduelle. [00110] La figure 8B illustre une variante de la diode électroluminescente illustrée sur la figure 8A, qui s'en distingue essentiellement en ce qu'une jonction PIN s'étend de manière 5 sensiblement parallèle au plan de la couche support 1 dans la portion centrale 21. La portion centrale 21 comporte ici un empilement d'une première partie inférieure 43 à base de GeSn, située à proximité de la couche support 1 (et séparée de celle-ci par la couche de nucléation 11), dopée selon un premier type de conductivité, par exemple de type P, recouverte d'une partie intermédiaire intrinsèque 44 correspondant à la couche d'intérêt 10 12 (non représentée), elle-même recouverte d'une partie supérieure 45 à base de GeSn dopée selon un second type de conductivité opposé au premier type, par exemple de type N. Une cavité optique, similaire à celle décrite en référence à la figure 8A, est réalisée au niveau de la face supérieure des bras tenseurs 22. Par ailleurs, deux contacts électriques (non représentés) sont prévus pour être en contact l'un avec la partie supérieure dopée N 15 et l'autre avec la partie inférieure dopée P. [00111] Les figures 9A à 9F représentent de manière schématique en vue en coupe différentes étapes d'un exemple de procédé de réalisation d'une source laser dans laquelle la cavité optique est réalisée au niveau de la couche support 1. 20 [00112] Dans cet exemple, on réalise, par exemple par épitaxie RP-CVD (pour Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition, en anglais), une couche d'un matériau semiconducteur 8, ici du germanium, sur un substrat 7 de silicium (figure 9A). On recouvre ensuite la couche de germanium 8 d'une couche d'oxyde 9 puis on implante des ions H+ dans la couche de germanium 8 (trait pointillé sur la figure 9B). On réalise ensuite une 25 couche en silicium 1 destinée à former la couche support 1, ici sous forme d'un substrat SOI, dans laquelle on réalise au niveau de sa surface, deux miroirs de Bragg 47A, 47B (ou des éléments optiques équivalents) destinés à former une cavité optique. La surface de la couche support 1 est ensuite recouverte d'une couche d'oxyde. On solidarise le substrat SOI avec la surface de la couche d'oxyde 9 (figure 9C). On effectue la rupture de la couche 30 de germanium 8 au niveau de la zone d'implantation d'ions et on obtient ainsi un ensemble d'une couche de germanium formant la couche de nucléation de l'empilement 10, liée à une couche support 1 en silicium par l'intermédiaire d'une couche sacrificielle 2 en oxyde de silicium. Les deux miroirs de Bragg 47A, 47B sont enterrés dans la couche support 1 au niveau de l'interface avec la couche sacrificielle 2 (figure 9D). 3055467 28 [00113] On réalise ensuite l'empilement semiconducteur 10 selon le premier ou le deuxième mode de réalisation, comportant une couche d'intérêt 12 à base de GeSn (non représentée) de préférence à structures de bandes directe. On obtient ensuite une structure semiconductrice 40 à partir du procédé selon le second mode de réalisation. Les 5 miroirs de Bragg sont ainsi disposés en regard des bras tenseurs 22, voire en regard de la portion centrale 21, et encadrent la portion centrale 21 de manière à former une cavité optique (figure 9E). On dépose ensuite une couche d'encapsulation 42, par exemple en oxyde de silicium, qui recouvre la structure semiconductrice 40. On réalise enfin une jonction PIN 43, 44, 45 au travers de la couche centrale 21 et donc de la couche d'intérêt 10 12 (non représentée), puis on réalise des contacts électriques 46A, 46B (figure 9F). Par ailleurs, la couche support 1 peut avoir été préalablement structurée de manière à former le coeur d'un guide d'onde entourée d'une gaine formée par l'oxyde de silicium, le coeur s'étend sensiblement en regard de la portion centrale 21. 15 [00114] Des modes de réalisation particuliers viennent d'être décrits. Différentes variantes et modifications apparaîtront à l'homme du métier. [00115] Ainsi, les dispositifs optoélectroniques décrits précédemment le sont à titre uniquement illustratif. D'autres dispositifs optoélectroniques peuvent être réalisés, par exemple des sources laser à pompage optique ou électrique, avec jonctions PN, PIN, ou 20 non, voire encore des diodes électroluminescentes ou des photodétecteurs. REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une couche (12) contrainte en tension à base de germanium étain (GeSn), comportant les étapes suivantes : a) réalisation d'un empilement semiconducteur (10) reposant sur une couche support (1) par l'intermédiaire d'une couche sacrificielle (2), ledit empilement semiconducteur (10) comportant une couche de nucléation (11) et une couche dite d'intérêt (12) à base de germanium étain (GeSn) épitaxiée à partir de la couche de nucléation (11), ledit empilement (10) présentant une valeur initiale (ais) non nulle de contrainte en tension ; b) structuration dudit empilement semiconducteur (10) de manière à former : - une partie structurée (20) et une partie périphérique (30), la partie structurée (20) comportant une portion centrale (21) reliée à la partie périphérique (30) par au moins deux portions latérales (22) opposées l'une à l'autre vis-à-vis de la portion centrale (21), - les portions latérales (22) présentant une largeur moyenne (b) supérieure à une largeur moyenne (a) de la portion centrale (21) ; c) suspension de la partie structurée (20) par gravure de la couche sacrificielle (2) située sous la partie structurée (20), la portion centrale (21) dite suspendue présentant alors une valeur finale (afs) de contrainte en tension supérieure à la valeur initiale (ais). 2. Procédé selon la revendication 1, comportant les étapes suivantes : préalablement à l'étape a) de réalisation, estimation (110) d'une valeur (xsn) de proportion atomique d'étain et d'une première valeur minimale (o-fc'min) de contrainte en tension pour lesquelles la couche d'intérêt (12) présente une structure de bandes d'énergie directe ; et détermination (120) d'un empilement semiconducteur (10) comportant une couche de nucléation (11) et ladite couche d'intérêt (12) estimée, et présentant une deuxième valeur minimale (6fs'inin) de contrainte en tension ; réalisation (130) dudit empilement semiconducteur (10) de sorte qu'il présente ladite valeur initiale (ais) non nulle de contrainte en tension et que la couche d'intérêt (12) présente une valeur initiale (o-id) inférieure à ladite première valeur minimale (o-fc'min) ; détermination (140) de la structuration de sorte que, après l'étape de suspension (150), la portion centrale (21) de la partie structurée (20) présente une valeur finale (o-fs) de contrainte en tension supérieure ou égale à ladite deuxième valeur minimale f min (0-s" ), ladite couche d'intérêt (12) ayant alors une valeur finale (o-fd) de contrainte en 3055467 30 tension supérieure ou égale à ladite première valeur minimale (o-fc'imin) et présentant alors une structure de bandes d'énergie directe. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche de nucléation (11) est réalisée en un composé semiconducteur présentant un paramètre de maille, dit naturel, 5 inférieur à celui du matériau à base de germanium étain de la couche d'intérêt (12). 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'empilement semiconducteur (10) comporte au moins une couche située entre la couche d'intérêt (12) et la couche de nucléation (11) et réalisée en un composé semiconducteur présentant un paramètre de maille, dit naturel, inférieur ou égal à celui du matériau à base de germanium 10 étain de la couche d'intérêt (12). 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'empilement semiconducteur (10) présente une épaisseur inférieure à une épaisseur dite critique. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel chaque couche de l'empilement semiconducteur (10) présente une épaisseur inférieure à une épaisseur 15 dite critique. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l'empilement semiconducteur (10) comporte des couches supérieure (13B) et inférieure (13A) à base de germanium étain, dopées selon des types de conductivité différents, situées de part et d'autre de la couche d'intérêt (12), celle-ci étant non intentionnellement dopée. 20 8. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel, entre les couches dopées supérieure (13B) et inférieure (13A) d'une part et la couche d'intérêt (12) d'autre part, se situe au moins une couche dite barrière (15A, 15B) à base de germanium, ou à base de germanium étain dont la proportion atomique en étain est inférieure à la valeur de la proportion atomique d'étain de la couche d'intérêt (12). 25 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la proportion atomique d'étain de la couche d'intérêt (12) est inférieure à 10%. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comportant en outre une étape de mise en contact de la partie structurée (20) avec une surface rendue libre (4) de la couche support (1), de manière à rendre solidaire par collage moléculaire la partie 30 structurée (20) de la couche support (1). 11. Procédé selon la revendication 10, comportant en outre les étapes suivantes : 3055467 31 détermination d'une valeur minimale d'énergie de collage moléculaire de la partie structurée (20) sur la couche support (1), ainsi qu'une valeur minimale de surface collée des portions latérales (22), ces valeurs minimales étant telles que ladite énergie de collage moléculaire est supérieure à une énergie élastique de la partie structurée 5 (20) ; recuit de consolidation à une température de recuit telle que l'énergie de collage moléculaire présente une valeur supérieure ou égale à ladite valeur minimale préalablement déterminée ; puis gravure d'une partie dite distale (24) des portions latérales (22) vis-à-vis de la portion 10 centrale (21), de sorte que la surface collée des portions latérales (22) présente une valeur supérieure ou égale à ladite valeur minimale préalablement déterminée. 12. Procédé selon la revendication 10 ou 11, dans lequel l'étape de suspension et l'étape de mise en contact sont effectuées par gravure de la couche sacrificielle (2) par HF en phase vapeur éventuellement suivie par le dépôt puis l'évaporation d'un liquide entre la partie 15 structurée (20) suspendue et la couche support (1), et dans lequel, lors de l'étape de recuit, la température de recuit est supérieure ou égale à 200°C. 13. Procédé selon la revendication 10 ou 11, comportant, lors de l'étape de suspension, une oxydation ou une nitruration d'une surface rendue libre (4) de la couche support (1) ainsi que d'une surface inférieure (23) de la partie structurée (20) orientée vers la surface 20 libre (4), et dans lequel, lors de l'étape de recuit, la température de recuit est supérieure ou égale à 100°C. 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel, à la suite de l'étape de suspension, des couches diélectriques (41A, 41B), issues de l'oxydation ou de la nitruration effectuée, sont formées au niveau de la partie structurée (20) et de la couche support (1), qui 25 présentent une épaisseur de préférence supérieure ou égale à 10nm. 15. Procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique ou optoélectronique comportant ladite couche d'intérêt (12) à base de germanium étain obtenue par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel on réalise une jonction PN (43, 45) dans la couche d'intérêt (12), ou une jonction PIN (43, 44, 45) au niveau de ladite 30 couche d'intérêt (12), celle-ci étant alors non intentionnellement dopée.