FR 3056580 A1 20180330 FR 1659029 A 20160926 1 SUBSTRAT REVETU D'UN REVETEMENT BAS-EMISSIF L'invention se rapporte au domaine des couches minces inorganiques, notamment déposées sur des substrats en verre. Elle concerne plus particulièrement un procédé d'obtention d'un matériau comprenant un substrat revêtu sur au moins une face d'un empilement de couches minces bas-émissif. De nombreuses couches minces sont déposées sur des substrats, notamment en verre plat ou faiblement bombé, afin de conférer aux matériaux obtenus des propriétés particulières : propriétés optiques, par exemple de réflexion ou d'absorption de rayonnements d'un domaine de longueurs d'onde données, propriétés de conduction électrique particulière, ou encore propriétés liées à la facilité de nettoyage ou à la possibilité pour le matériau de s'auto-nettoyer. Un procédé couramment employé à l'échelle industrielle pour le dépôt de couches minces, notamment sur substrat verrier, est le procédé de pulvérisation cathodique assisté par champ magnétique, appelé procédé « magnétron ». Dans ce procédé, un plasma est créé sous un vide poussé au voisinage d'une cible comprenant les éléments chimiques à déposer. Les espèces actives du plasma, en bombardant la cible, arrachent lesdits éléments, qui se déposent sur le substrat en formant la couche mince désirée. Ce procédé est dit « réactif » lorsque la couche est constituée d'un matériau résultant d'une réaction chimique entre les éléments arrachés de la cible et le gaz contenu dans le plasma. L'avantage majeur de ce procédé réside dans la possibilité de déposer sur une même ligne un empilement très complexe de couches en faisant 3056580 2 successivement défiler le substrat sous différentes cibles, ce généralement dans un seul et même dispositif. Ces couches minces sont le plus souvent à base de composés inorganiques : oxydes, nitrures, ou encore métaux. Leur épaisseur varie généralement de quelques 5 nanomètres à quelques centaines de nanomètres, d'où leur qualificatif de « minces ». Parmi les plus intéressantes figurent les couches minces à base d'argent métallique, lesquelles ont des propriétés de conduction électrique et de réflexion des rayonnements infrarouges, d'où leur utilisation dans des vitrages à contrôle solaire, notamment anti-solaires (visant à diminuer la quantité d'énergie solaire entrante) et/ou à 10 faible émissivité (visant à diminuer la quantité d'énergie dissipée vers l'extérieur d'un bâtiment ou d'un véhicule). Afin notamment d'éviter l'oxydation de l'argent et d'atténuer ses propriétés de réflexion dans le visible, la ou chaque couche d'argent est généralement insérée dans un empilement de couches. Dans le cas des vitrages à contrôle solaire ou à faible 15 émissivité, la ou chaque couche mince à base d'argent est généralement disposée entre deux couches minces diélectriques à base d'oxyde ou de nitrure (par exemple en TiO2, SnO2 ou Si3N4). Peuvent être également disposées sous la couche d'argent une couche très fine destinée à favoriser le mouillage et la nucléation de l'argent (par exemple en oxyde de zinc ZnO) et sur la couche d'argent une seconde couche très fine (sacrificielle, 20 par exemple en titane) destinée à protéger la couche d'argent au cas où le dépôt de la couche subséquente est réalisé dans une atmosphère oxydante ou en cas de traitements thermiques conduisant à une migration d'oxygène au sein de l'empilement. Ces couches sont respectivement appelées couche de mouillage et couche de bloqueur. 3056580 3 Les couches d'argent présentent la particularité de voir certaines de leurs propriétés améliorées lorsqu'elles sont dans un état au moins partiellement cristallisé. On cherche généralement à augmenter au maximum le taux de cristallisation de ces couches (la proportion massique ou volumique de matière cristallisée) et la taille des 5 grains cristallins (ou la taille de domaines cohérents de diffraction mesurés par des méthodes de diffraction des rayons X). Il est notamment connu que les couches d'argent présentant un taux de cristallisation élevé et par conséquent une faible teneur résiduelle en grains nanométriques présentent une émissivité et une résistivité plus basses ainsi qu'une transmission dans le visible plus élevée que des couches d'argent 10 majoritairement nano-cristallisées. La conductivité électrique et les propriétés de faible émissivité de ces couches sont ainsi améliorées. L'augmentation de la taille des grains s'accompagne en effet d'une diminution des joints de grains, favorable à la mobilité des porteurs de charge électrique. Les couches d'argent déposées par procédé magnétron sont généralement 15 majoritairement voire totalement nano-cristallisées (la taille moyenne des grains cristallins étant inférieure à quelques nanomètres), et des traitements thermiques se révèlent nécessaires pour obtenir le taux de cristallisation souhaité ou la taille de grains désirée. Il est connu d'effectuer un recuit laser local et rapide de revêtements 20 comprenant une ou plusieurs couches d'argent. Pour cela on fait défiler le substrat avec le revêtement à recuire sous une ligne laser, ou bien une ligne laser au-dessus du substrat portant le revêtement. Le recuit laser permet de chauffer des revêtements minces à des températures élevées, de l'ordre de plusieurs centaines de degrés, tout en préservant le substrat sous-jacent. Les vitesses de défilement sont bien entendu de 3056580 4 préférence les plus élevées possibles, avantageusement au moins de plusieurs mètres par minute. Le choix de la vitesse de défilement adéquate résulte d'un compromis entre productivité d'une part et efficacité du traitement d'autre part. En effet, plus la vitesse de défilement est faible, plus la quantité d'énergie absorbée par le revêtement est 5 importante et meilleure sera la cristallisation de la ou des couches d'argent. Afin d'obtenir les vitesses de dépôt convenables, les couches minces diélectriques à base d'oxydes sont généralement déposée par procédé magnétron réactif à partir d'une cible métallique ou en oxyde sous-stoechiométrique dans un plasma contenant de l'oxygène. Les paramètres de procédé, sont alors généralement réglés de 10 façon à obtenir l'oxyde souhaité en proportion stoechiométrique. Cependant, il n'est pas rare que, suite à une fluctuation de ces paramètres au cours du procédé de dépôt, la couche d'oxyde déposée puisse présenter une composition sous-stoechiométrique. Il a été observé que, dans ce cas, le gain de résistivité des couches d'argent après recuit laser n'était pas aussi bon qu'attendu. En effet, en deçà d'un certain seuil de vitesse de 15 défilement, le gain de résistivité peut avoir tendance à diminuer avec la diminution de la vitesse de défilement alors que celui-ci devrait au contraire augmenter. L'invention a pour but de proposer un procédé permettant d'obvier les inconvénients mentionnés ci-dessus. A cet effet, l'invention a pour objet un procédé d'obtention d'un matériau comprenant un substrat revêtu sur au moins une face d'un 20 empilement de couches minces comprenant les étapes suivantes : - on dépose sur au moins une face dudit substrat un empilement de couches minces comprenant une première couche diélectrique, une couche de mouillage, une couche d'argent et une deuxième couche diélectrique, 3056580 5 on traite thermiquement la au moins une face revêtue à l'aide d'au moins un rayonnement laser émettant dans au moins une longueur d'onde comprise entre 100 et 2000 nm, de préférence de sorte que la résistance carrée de l'empilement est diminuée d'au moins 5% ; 5 caractérisé en ce qu'au moins une desdites premières et deuxièmes couches diélectriques est une couche diélectrique à base d'oxyde et et en ce qu'une couche donneuse d'oxygène est disposée au voisinage de la couche diélectrique à base d'oxyde. Dans la présente demande, l'expression « au voisinage de » associé à la position d'une première couche (en particulier la couche donneuse d'oxygène) par 10 rapport à une deuxième couche (en particulier la couche diélectrique à base d'oxyde) signifie que la première couche peut-être au-dessus ou au-dessous de la deuxième couche, celles-ci pouvant être au contact ou séparée entre elles par d'autres couches, notamment jusqu'à deux autres couches, de préférence au plus une autre couche. Les termes « au-dessous » et « au-dessus », associés à la position d'une première couche par 15 rapport à une deuxième couche, signifient que la première couche est plus proche, respectivement plus éloignée, du substrat que la deuxième couche. Ces termes n'excluent cependant pas la présence d'autres couches entre lesdites première et deuxième couches. Au contraire, une première couche « en contact direct » avec une deuxième couche signifie qu'aucune autre couche n'est disposée entre celles-ci. Il en va 20 de même pour les expressions « directement au-dessus » et « directement au-dessous ». Ainsi, il est entendu que, sauf s'il est indiqué autrement, d'autres couche peuvent être intercalées entre chacune des couches de l'empilement. Sans vouloir être lié à une quelconque théorie, il est en effet supposé que lorsque la couche diélectrique à base d'oxyde est sous-stoechiométrique en oxygène, 3056580 6 celle-ci tend à réduire les couches environnantes en « pompant » l'oxygène des couches environnantes, notamment de la couche de mouillage, sous l'effet du recuit laser. Cela aurait pour effet d'altérer la couche de mouillage sur laquelle la couche d'argent se cristallise et de détériorer par conséquent la qualité de la couche d'argent. La présence 5 d'une couche donneuse d'oxygène au voisinage de la couche diélectrique à base d'oxyde permet d'empêcher ce phénomène. L'oxygène pompé par la couche diélectrique à base d'oxyde proviendra en effet prioritairement de la couche donneuse en oxygène, ce qui a pour effet de protéger de protéger la couche de mouillage. Le substrat est de préférence une feuille de verre, de vitrocéramique, ou d'une 10 matière organique polymérique. Il est de préférence transparent, incolore (il s'agit alors d'un verre clair ou extra-clair) ou coloré, par exemple en bleu, vert, gris ou bronze. Le verre est de préférence de type silico-sodo-calcique, mais il peut également être en verre de type borosilicate ou alumino-borosilicate. Les matières organiques polymériques préférées sont le polycarbonate ou le polyméthacrylate de méthyle ou encore le 15 polyéthylènetérephtalate (PET). Le substrat présente avantageusement au moins une dimension supérieure ou égale à 1 m, voire 2 m et même 3 m. L'épaisseur du substrat varie généralement entre 0,5 mm et 19 mm, de préférence entre 0,7 et 9 mm, notamment entre 2 et 8 mm, voire entre 4 et 6 mm. Le substrat peut être plan ou bombé, voire flexible. 20 Le substrat de verre est de préférence du type flotté, c'est-à-dire susceptible d'avoir été obtenu par un procédé consistant à déverser le verre fondu sur un bain d'étain en fusion (bain « float »). Dans ce cas, la couche à traiter peut aussi bien être déposée sur la face « étain » que sur la face « atmosphère » du substrat. On entend par faces « atmosphère » et « étain », les faces du substrat ayant été respectivement en 3056580 7 contact avec l'atmosphère régnant dans le bain float et en contact avec l'étain fondu. La face étain contient une faible quantité superficielle d'étain ayant diffusé dans la structure du verre. Le substrat de verre peut également être obtenu par laminage entre deux rouleaux, technique permettant en particulier d'imprimer des motifs à la surface du 5 verre. On entend par verre clair un verre silico-sodo-calcique obtenu par flottage, non revêtu de couches, et présentant une transmission lumineuse de l'ordre de 90%, une réflexion lumineuse de l'ordre de 8% et une transmission énergétique de l'ordre de 83% pour une épaisseur de 4 mm. Les transmissions et réflexions lumineuses et énergétiques 10 sont telles que définies par la norme NF EN 410. Des verres clairs typiques sont par exemple commercialisés sous la dénomination SGG Planilux par la société Saint-Gobain Glass France ou sous la dénomination Planibel Clair par la société AGC Flat Glass Europe. Ces substrats sont classiquement employés pour la fabrication de vitrages bas-émissifs. 15 Le procédé selon l'invention n'est bien évidemment pas limité aux dépôts réalisés sur un substrat de verre clair ou sur un substrat de 4 mm d'épaisseur. Le revêtement peut être déposé sur tout type de substrat, mais l'absorption de l'empilement telle que défini selon l'invention est considéré comme ayant été déposé sur un substrat de verre clair dont l'épaisseur est de 4 mm. 20 L'empilement de couches minces est déposé de préférence par pulvérisation cathodique. Il comprend successivement à partir du substrat une première couche diélectrique, une couche de mouillage, une couche d'argent et une deuxième couche diélectrique, au moins une desdites premières et deuxièmes couches diélectriques étant une couche diélectrique à base d'oxyde et une couche donneuse d'oxygène est disposée 3056580 8 au voisinage de la couche diélectrique à base d'oxyde, de préférence en contact direct (directement au-dessus ou directement au-dessous) avec la couche diélectrique à base d'oxyde. Par « couche donneuse d'oxygène » on entend une couche à base d'oxyde qui 5 est susceptible de donner de l'oxygène à la couche diélectrique à base d'oxyde notamment lors du traitement thermique. La couche donneuse d'oxygène est typiquement à base d'un oxyde dont le potentiel redox est inférieur au matériau de la couche de mouillage, qui est de préférence l'oxyde de zinc. La couche donneuse d'oxygène sert de réservoir à oxygène à la couche diélectrique à base d'oxyde et protège 10 ainsi la couche de mouillage en diminuant, voire en supprimant, la migration d'oxygène depuis la couche de mouillage vers la couche diélectrique à base d'oxyde lors du traitement thermique selon l'invention. La couche donneuse d'oxygène est de préférence une couche à base d'oxyde mixte de d'étain et de zinc. Elle peut être par exemple une couche d'oxyde d'étain ou 15 d'oxyde mixte d'étain et de zinc Sn'Zny0 avec une teneur atomique en étain de 0,3 3m), la ligne laser est généralement obtenue en combinant plusieurs lignes laser élémentaires. L'épaisseur des lignes laser élémentaires est de préférence comprise entre 0,01 et 1 mm. Leur longueur est 10 typiquement comprise entre 5 mm et 1 m. Les lignes laser élémentaires sont généralement juxtaposées côte à côte pour former une ligne laser unique de sorte que toute la surface de l'empilement soit traitée. Chaque ligne laser élémentaire est de préférence disposée perpendiculairement à la direction de défilement du substrat. Les sources laser sont typiquement des diodes laser ou des lasers fibrés, 15 notamment des lasers à fibre, à diodes ou encore à disque. Les diodes laser permettent d'atteindre de manière économique de fortes densités de puissance par rapport à la puissance électrique d'alimentation, pour un faible encombrement. L'encombrement des lasers fibrés est encore plus réduit, et la puissance linéique obtenue peut être encore plus élevée, pour un coût toutefois plus important. On entend par lasers fibrés des lasers 20 dans lesquels le lieu de génération du rayonnement laser est déporté spatialement par rapport à son lieu de délivrance, le rayonnement laser étant délivré au moyen d'au moins une fibre optique. Dans le cas d'un laser à disque, le rayonnement laser est généré dans une cavité résonnante dans laquelle se trouve le milieu émetteur qui se présente sous la forme d'un disque, par exemple un disque mince (d'environ 0,1 mm 3056580 19 d'épaisseur) en Yb:YAG. Le rayonnement ainsi généré est couplé dans au moins une fibre optique dirigée vers le lieu de traitement. Le laser peut également être à fibre, au sens où le milieu d'amplification est lui-même une fibre optique. Les lasers à fibre ou à disque sont de préférence pompés optiquement à l'aide de diodes laser. Le rayonnement 5 issu des sources laser est de préférence continu. La longueur d'onde du rayonnement laser, donc la longueur d'onde de traitement, est de préférence comprise dans un domaine allant de 500 à 1300 nm, notamment de 800 à 1100 nm. Des diodes laser de puissance émettant à une ou plusieurs longueurs d'onde choisie parmi 808 nm, 880 nm, 915 nm, 940 nm ou 980 nm 10 se sont révélées particulièrement bien appropriées. Dans le cas d'un laser à disque, la longueur d'onde de traitement est par exemple de 1030 nm (longueur d'onde d'émission pour un laser Yb :YAG). Pour un laser à fibre, la longueur d'onde de traitement est typiquement de 1070 nm. De préférence, l'absorption de l'empilement à la longueur d'onde du 15 rayonnement laser est supérieure ou égale à 5%, de préférence supérieure à 10 % ou 15%, voire supérieure à 20% ou même 30%. L'absorption est définie comme étant égale à la valeur de 100% auxquelles sont soustraites la transmission et la réflexion de la couche. Afin de traiter toute la surface du substrat revêtu, on crée un déplacement 20 relatif entre d'une part le substrat revêtu de la couche et la ligne laser. Le substrat peut ainsi être mis en déplacement, notamment en défilement en translation en regard de la ligne laser fixe, généralement en dessous, mais éventuellement au-dessus de la ligne laser. Ce mode de réalisation est particulièrement appréciable pour un traitement en continu. De préférence, la vitesse de défilement, c'est-à-dire la différence entre les 3056580 20 vitesses respectives du substrat et du laser, est supérieure ou égale à 1 m/min, voire supérieure à 2, 3, 4 ou 5 m/min, ou même avantageusement supérieure ou égale à 8 ou 10 m/min, ce afin d'assurer une grande vitesse de traitement. Le substrat peut être mis en mouvement à l'aide de tous moyens mécaniques de 5 convoyage, par exemple à l'aide de bandes, de rouleaux, de plateaux en translation. Le système de convoyage permet de contrôler et réguler la vitesse du déplacement. Si le substrat est en matière organique polymérique souple, le déplacement peut être réalisé à l'aide d'un système d'avance de films sous forme d'une succession de rouleaux. Toutes les positions relatives du substrat et du laser sont bien entendu 10 possibles, du moment que la surface du substrat peut être convenablement irradiée. Le substrat sera le plus généralement disposé de manière horizontale, mais il peut aussi être disposé verticalement, ou selon toute inclinaison possible. Lorsque le substrat est disposé horizontalement, le laser est généralement disposé de manière à irradier la face supérieure du substrat. Le laser peut également irradier la face inférieure du substrat. 15 Dans ce cas, il faut que le système de support du substrat, éventuellement le système de convoyage du substrat lorsque ce dernier est en mouvement, laisse passer le rayonnement dans la zone à irradier. C'est le cas par exemple lorsque l'on utilise des rouleaux de convoyage : les rouleaux étant disjoints, il est possible de disposer le laser dans une zone située entre deux rouleaux successifs. 20 La présente invention concerne également un matériau comprenant un substrat revêtu d'un revêtement bas-émissif tel que décrit ci-dessus. Le matériau selon l'invention est susceptible d'être obtenu par le procédé selon l'invention. Le matériau selon l'invention est de préférence incorporé à un vitrage. La présente invention concerne donc également un vitrage comprenant un matériau comprenant un substrat 3056580 21 revêtu d'un revêtement bas émissif tel que décrit ci-dessus. Le vitrage peut être simple ou multiple (notamment double ou triple), au sens où il peut comprendre plusieurs feuilles de verre ménageant un espace rempli de gaz. Le vitrage peut également être feuilleté et/ou trempé et/ou durci et/ou bombé. 5 L'invention est illustrée à l'aide des exemples de réalisation non limitatifs qui suivent. EXEMPLES Sur un substrat en verre clair de 4 mm d'épaisseur commercialisé sous la dénomination SGG Planilux par la demanderesse sont déposés différents empilements 10 bas-émissifs. Tous les empilements sont déposés, de manière connue, sur une ligne de pulvérisation cathodique (procédé magnétron) dans laquelle le substrat vient défiler sous différentes cibles. Le tableau 1 indique pour chaque empilement testé l'épaisseur physique des couches, exprimée en nm. La première ligne correspond à la couche la plus éloignée du 15 substrat, en contact avec l'air libre. L'échantillon Cl comprend une première couche diélectrique en oxyde de titane standard TiO2 tandis que les échantillons C2 et D comprennent une première couche diélectrique en oxyde de titane sous-oxydée TiOx. L'échantillon I1 comprend en outre une couche donneuse d'oxygène en oxyde mixte d'étain et de zinc SnZnO entre la première couche diélectrique et la couche de 20 mouillage en oxyde de zinc. 3056580 22 Echantillon C1 C2 Il Si3N4 :Al 30 30 30 TiO2 15 15 15 ZnO:Al 4 4 4 Ti 0,75 0,75 0,75 Ag 13,7 13,7 13,7 ZnO:Al 4 4 4 SnZnO - - 5 TiO2 27 - - TiOx - 27 27 Tableau 1 Le tableau 2 ci-après récapitule les paramètres du dépôt employés pour les différentes couches. Couche Cible employée Pression de dépôt Gaz Si3N4 Si :Al 8% 1,5 [tbar Ar 22 sccm / N2 22 sccm TiO2 TiOx sous-oxydée 1,5 [tbar Ar 30 sccm / 02 6 sccm TiOx TiOx sous-oxydée 1,5 [tbar Ar 30 sccm ZnO :Al AZO 2% A1203 1,5 [tbar Ar 20 sccm / 02 2sccm Ti Ti 8 [tbar Ar 180 sccm Ag Ag 8 [tbar Ar 180 sccm SnZnO SnZn 60/40wt% 1,5 [tbar Ar 12 sccm / 02 19 sccm Tableau 2 5 Les échantillons sont traités à l'aide d'un laser en ligne, obtenu par juxtaposition de plusieurs lignes élémentaires, émettant un rayonnement 50% 915 nm 50% 980 nm avec une puissance de 56 kW/cm2, en regard duquel le substrat revêtu vient défiler en translation. Les échantillons ont été traités à différentes vitesses de défilement. 10 Pour chaque échantillon, la résistance carré a été mesurée avant et après traitement thermique. La résistance carré (Rsq) a été mesurée par une mesure sans contact par induction à l'aide d'un appareil SRM-12 commercialisé par Nagy. Le gain 3056580 23 G de résistance carré est défini par G = (Rsa ,avant RSqaprès) RSClavant. Un gain de 5% correspond ainsi donc à une diminution de 5% de la résistance carré. La FIG.4 montre pour chaque échantillon le gain (G) de résistance carré de l'empilement après traitement thermique en fonction de la vitesse de traitement (V). 5 Plus le gain est élevé, plus le traitement thermique est efficace. Ainsi, on peut remarquer que d'une part, par comparaison des échantillons I1 et C2, la présence de la couche donneuse d'oxygène dans l'échantillon I1 permet d'éviter la perte d'efficacité du recuit laser lorsque la première couche diélectrique est sous-oxydée, et d'autre part, par comparaison des échantillons I1 et Cl, que la combinaison d'une première couche 10 diélectrique sous-oxydée et d'une couche donneuse d'oxygène dans l'échantillon permet d'améliorer l'efficacité du recuit laser ou, à gain équivalent, d'augmenter la vitesse de traitement. Cet avantage peut être attribué au fait que la couche d'oxyde de titane sous-oxydée est plus absorbante qu'une couche standard à la longueur d'onde du laser. 15 Le tableau 3 résume les caractéristiques des échantillons obtenues pour des vitesses de traitement correspondant aux conditions optimales pour chacun des échantillons, c'est-à-dire conférant le meilleur compromis entre le gain de résistance carré élevée et faible absorption résiduelle (absorption lumineuse après traitement thermique). L'absorption lumineuse a été mesurée selon la norme Iso 9050:2003 à 20 l'aide d'un spectrophotomètre CM-3700d commercialisé par Konika-Minolta. 3056580 24 Echantillon Cl C2 Il Vitesse de traitement (m/min) 4 10 8 Rsp avant (S2/sq) 4,33 3.78 3,69 Rsp après (S2/sq) 3,55 3.65 3,02 Gain (%) 18,0 3.44 18,2 Absorption résiduelle (%) 6,54 11.1 7,26 Tableau 3 On peut voir d'après les résultats du tableau 3 qu'il est possible d'obtenir des caractéristiques de gain de résistance carré et d'absorption résiduelle pour l'échantillon 5 I1 selon l'invention comparables à celles de l'échantillon Cl tout en étant traité à une vitesse plus élevée, ce qui permet un gain de productivité. REVENDICATIONS1. Procédé d'obtention d'un matériau comprenant un substrat revêtu sur au moins une face d'un empilement de couches minces comprenant les étapes suivantes : - on dépose sur ladite au moins une face dudit substrat un empilement de couches minces comprenant une première couche diélectrique, une couche de mouillage, une couche d'argent et une deuxième couche diélectrique, - on traite thermiquement la au moins une face revêtue à l'aide d'au moins un rayonnement laser émettant dans au moins une longueur d'onde comprise entre 100 et 2000 nm; caractérisé en ce qu'au moins une desdites première et deuxième couches diélectriques est une couche diélectrique à base d'oxyde et en ce qu'une couche donneuse d'oxygène est disposée au voisinage de la couche diélectrique à base d'oxyde. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le traitement thermiquement est réalisé de sorte que la résistance carrée de l'empilement est diminuée d'au moins 5%. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le substrat est une feuille de verre. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche de mouillage est une couche à base d'oxyde de zinc. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche donneuse d'oxygène est en contact direct avec la couche diélectrique à base d'oxyde. 3056580 26 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que chacune des première et deuxième couches diélectriques est une couche diélectrique à base d'oxyde. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'une première 5 couche donneuse d'oxygène est disposée au voisinage de la première couche diélectrique et une deuxième couche donneuse d'oxygène est disposée au voisinage de la deuxième couche diélectrique. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la couche donneuse d'oxygène est choisie parmi une couche à base d'oxyde mixte de 10 d'étain et de zinc. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la couche donneuse d'oxygène a une épaisseur de 1 à 30 nm. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la ou chaque couche diélectrique à base d'oxyde est une couche à base d'oxyde de titane, de 15 silicium, de niobium ou de magnésium. 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que la ou chaque couche diélectrique à base d'oxyde est une couche d'oxyde de titane sous-stoechiométrique TiOx. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en x est inférieur ou égal à 20 1,8. 13. Matériau comprenant un substrat revêtu d'un empilement de couches minces comprenant successivement une première couche diélectrique, une couche de 3056580 27 mouillage, une couche d'argent et une deuxième couche diélectrique, caractérisé en ce qu'au moins une desdites premières et deuxièmes couches diélectriques est une couche diélectrique à base d'oxyde et une couche donneuse d'oxygène est disposée entre la couche diélectrique à base d'oxyde et le substrat ou entre la couche diélectrique à base 5 d'oxyde et la couche de mouillage.