FR 3052915 A1 20171222 FR 1655678 A 20160617 B15072 - DD17034HB 1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE AU NITRURE DE GALLIUM Domaine La présente demande concerne le domaine des dispositifs optoélectroniques. Elle concerne plus particulièrement la réalisation de diodes électroluminescentes (LEDs) au nitrure de gallium (GaN). Exposé de l'art antérieur De façon classique, une LED au GaN est essentiellement constituée par un empilement actif planaire d'une couche de GaN dopé de type N ou couche de cathode, d'une couche émissive à un ou plusieurs puits quantiques disposée sur et en contact avec la couche de GaN dopée de type N, et d'une couche de GaN dopé de type P ou couche d'anode disposée sur et en contact avec la couche émissive. Le fonctionnement d'une telle LED repose sur l'émission de photons par recombinaison de paires électron-trou injectées électriquement dans la couche émissive. Un problème qui se pose est que certains des photons générés dans la couche émissive sont émis selon des directions de propagation formant avec la normale à l'empilement un angle supérieur à l'angle limite de réflexion totale sur les faces supérieure et inférieure de l'empilement. Ces photons restent 3052915 B15072 - DD17034HB 2 alors confinés à l'intérieur de la LED, ce qui limite le rendement lumineux de la LED. Pour améliorer l'extraction lumineuse et/ou contrôler la directivité d'émission d'une LED au GaN, il a déjà été proposé 5 de réaliser des micro-structurations sur la face de sortie de la LED. Ces micro-structurations peuvent être formées par attaque chimique ou par lithographie et gravure de la face de sortie de la LED, après la formation de l'empilement actif de la LED, ou encore par texturation du substrat de croissance préalablement à 10 la formation de l'empilement actif de la LED. Ces méthodes ont toutefois pour inconvénients de dégrader au moins une couche de la LED, ce qui peut conduire à dégrader certaines des caractéristiques de la LED, et/ou de présenter des limitations quant aux facteurs de forme et/ou aux dimensions des 15 structurations pouvant être réalisées. Résumé Ainsi, un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente au nitrure de gallium, comprenant les étapes successives suivantes : 20 a) former un empilement actif planaire de diode électroluminescente au nitrure de gallium comportant des première et deuxième couches de nitrure de gallium dopées de types de conductivité opposés et, entre les première et deuxième couches de nitrure de gallium, une couche émissive à un ou plusieurs puits quantiques ; et b) faire croitre des nanofils sur la surface de la première couche de nitrure de gallium opposée à la couche émissive. Selon un mode de réalisation, les nanofils sont en 30 nitrure de gallium. Selon un mode de réalisation, la croissance des nanofils est réalisée par épitaxie en phase vapeur dans une atmosphère contenant du silane. Selon un mode de réalisation, les nanofils sont en oxyde 35 de zinc. 3052915 B15072 - DD17034HB 3 Selon un mode de réalisation, la croissance des nanofils est réalisée dans un bain chimique. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre la formation d'une structure réfléchissante du côté de la 5 face de la deuxième couche de nitrure de gallium opposée à la couche émissive. Selon un mode de réalisation, la structure réflé- chissante est un miroir de Bragg comportant uniquement des matériaux ayant un point de fusion supérieur à 1100°C. 10 Selon un mode de réalisation, la structure réfléchissante est une couche métallique. Selon un mode de réalisation, l'étape a) comprend une étape de dépôt de l'empilement actif planaire par épitaxie sur un substrat de croissance, et une étape de report de l'empilement 15 actif planaire sur un substrat de support et de retrait du substrat de croissance. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la première couche de nitrure de gallium entre la couche émissive et la base des nanofils est inférieure à la longueur d'onde d'émission de la 20 couche émissive. Selon un mode de réalisation, les nanofils ont une forme tronconique de diamètre augmentant progressivement en s'éloignant de la première couche de nitrure de gallium. Un autre mode de réalisation prévoit une diode électro25 luminescente au nitrure de gallium, comprenant : un empilement actif planaire de diode électroluminescente au nitrure de gallium comportant des première et deuxième couches de nitrure de gallium dopées de types de conductivité opposés et, entre les première et deuxième couches de nitrure de gallium, une couche émissive à un ou plusieurs puits quantiques ; et une pluralité de nanofils disposés sur la surface de la première couche de nitrure de gallium opposée à la couche émissive. 3052915 B15072 - DD17034HB 4 Selon un mode de réalisation, les nanofils sont en nitrure de gallium ou en oxyde de zinc. Selon un mode de réalisation, les nanofils ont une forme tronconique de diamètre augmentant progressivement en s'éloignant 5 de la première couche de nitrure de gallium. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la première couche de nitrure de gallium entre la couche émissive et la base des nanofils est inférieure à la longueur d'onde d'émission de la couche émissive. 10 Brève description des dessins Ces caractéristiques et leurs avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : 15 les figures lA, lB, 1C sont des vues en coupe illustrant des étapes d'un exemple d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'une LED au GaN ; les figures 2A, 2B, 2C sont des vues en coupe illustrant des étapes d'une variante de réalisation du procédé des figures 20 lA, lB, 1C ; la figure 3 est une vue en coupe illustrant une autre variante de réalisation d'un procédé de fabrication d'une LED au GaN ; et la figure 4 est une vue en coupe illustrant une autre 25 variante de réalisation d'un procédé de fabrication d'une LEC au GaN. Description détaillée De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, les diverses 30 figures ne sont pas tracées à l'échelle. Par souci de clarté, seuls les éléments qui sont utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, la réalisation des métallisations de contact sur les couches d'anode et de cathode des LEDs au GaN n'a pas été représentée, les modes de réalisation décrits étant compatibles 3052915 B15072 - DD17034HB 5 avec les méthodes de réalisation et les dispositions usuelles des métallisations de contact d'anode et de cathode de LEDs au GaN. Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", 5 "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence, sauf indication contraire, à l'orientation des vues en coupe 10 correspondantes, étant entendu que, dans la pratique, les structures décrites peuvent être orientées différemment. Sauf précision contraire, les expressions "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. 15 Selon un aspect d'un mode de réalisation, on prévoit un procédé de réalisation d'une LED au GaN, comportant, après la formation d'un empilement actif planaire de LED au GaN, une étape consistant à faire croitre des nanofils sur la face de sortie de l'empilement actif de la LED. Un avantage est que l'étape de 20 croissance de nanofils n'entraine aucune dégradation des couches préalablement formées de l'empilement actif de la LED. De plus, les nanofils constituent des structurations particulièrement adaptées à l'amélioration de l'extraction lumineuse et/ou au contrôle de la directivité d'émission d'une LED au GaN. On entend 25 ici par nanofils des fils de diamètre inférieur au micromètre, par exemple de diamètre compris entre 50 et 250 nm, et de longueur ou hauteur pouvant atteindre plusieurs micromètres, par exemple de longueur comprise entre 0,5 et 15 pin. Les figures lA, 1B, 1C sont des vues en coupe illustrant 30 des étapes d'un exemple d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'une LED au GaN. La figure lA illustre une étape de formation, sur la face supérieure d'un substrat de croissance 101, d'un empilement actif planaire 103 de LED au GaN. Le substrat 101 est par exemple 35 un substrat en saphir, en corindon, en silicium, ou en tout autre 3052915 B15072 - DD17034HB 6 matériau sur lequel un empilement de couches à base de nitrure de gallium peut être déposé. Dans cet exemple, l'empilement actif de LED au GaN 103 comprend, dans l'ordre à partir de la surface supérieure du substrat, une couche de GaN dopé de type N ou couche 5 de cathode 103a, une couche émissive 103b, et une couche de GaN dopé de type P ou couche d'anode 103c. La couche émissive 103b est par exemple constituée par un empilement d'une ou plusieurs couches émissives formant chacune un puit quantique, par exemple à base de GaN, d'InN, d'InGaN, d'AlGaN, d'AIN, d'AlInGaN, de GaP, 10 d'AlGaP ou d'AlInGaP, et étant chacune disposée entre deux couches barrière, par exemple à base de GaN. Dans cet exemple, la face inférieure de la couche émissive 103b est en contact avec la face supérieure de la couche de cathode 103a, et la face supérieure de la couche émissive 103b est en contact avec la face inférieure de 15 la couche d'anode 103c. L'empilement 103 est adapté à émettre des photons à partir de sa couche émissive 103b lorsqu'il est traversé par un courant circulant de sa couche d'anode 103c vers sa couche de cathode 103a. L'empilement actif 103 est par exemple déposé par épitaxie sur le substrat de croissance 101. Une couche tampon 20 non représentée, par exemple en un alliage AIN-GaN, peut faire interface entre le substrat de croissance 101 et la couche de GaN inférieure 103a de l'empilement. La figure 1B illustre une étape de report de l'empilement actif de LED au GaN 103 sur un substrat de support 25 105, par exemple un substrat en saphir, en corindon, en silicium, en verre, etc., puis de retrait du substrat de croissance 101. Lors de cette étape, l'ensemble comportant le substrat de croissance 101 et l'empilement actif 103 peut être retourné, de façon à orienter la face supérieure (dans l'orientation de la 30 figure lA) de la couche d'anode 103c vers la face supérieure du substrat de support 105. Dans l'exemple représenté, préalablement au report de l'empilement actif 103 sur le substrat de support 105, une structure planaire réfléchissante 107 est formée sur la face supérieure du substrat de support 105 ou sur la face 35 supérieure (dans l'orientation de la figure lA) de la couche 103c. 3052915 B15072 - DD17034HB 7 Ainsi, à l'issue du report, la structure réfléchissante 107 fait interface entre la face inférieure de la couche 103c et la face supérieure du substrat 105. Après le report, le substrat de croissance 101 est retiré de façon à découvrir la face supérieure 5 de la couche de nitrure de gallium 103a. Le substrat 101 est par exemple retiré par meulage et/ou gravure à partir de sa face opposée à l'empilement actif 103. A titre de variante, dans le cas d'un substrat 101 transparent, par exemple un substrat en saphir ou en corindon, le substrat 101 peut être détaché de 10 l'empilement actif 103 au moyen d'un faisceau laser projeté à travers le substrat 101 depuis sa face opposée à l'empilement actif 103 (par un procédé de type laser lift-off). Plus généralement, toute autre méthode permettant de retirer le substrat de croissance 101 peut être utilisée. Après le retrait 15 du substrat 101, une étape supplémentaire de gravure peut être prévue pour retirer d'éventuelles couches tampon subsistant du côté de la face supérieure de la couche de nitrure de gallium 103a. En outre, une partie de l'épaisseur de la couche de nitrure de gallium 103a peut être retirée, par exemple par gravure. 20 Dans cet exemple, la face de sortie de la LED au GaN est sa face opposée au substrat de support 105, correspondant à la face supérieure de la couche de cathode 103a dans l'exemple représenté. Le substrat de support 105 peut être transparent ou opaque. La structure 107 a pour fonction de réfléchir, vers la 25 face de sortie de la LED, d'éventuels photons émis par la couche 103b en direction du substrat de support 105, ceci afin d'augmenter le rendement lumineux de la LED. La structure réfléchissante 107 est par exemple un miroir de Bragg constitué d'un empilement de couches diélectriques adaptées à supporter des 30 températures élevées, par exemple supérieures à 1100°C. Ceci permet avantageusement à la structure 107 de pouvoir supporter sans dégradation une étape ultérieure (figure 1C) de croissance de nanofils sur la face supérieure de la couche 103a, réalisée par épitaxie à haute température. A titre d'exemple, la structure 35 réfléchissante comprend une alternance de couches de TiO2 (point 3052915 B15072 - DD17034HB 8 de fusion de l'ordre de 1800°C) et de SiO2 (point de fusion de l'ordre de 1700°C). La couche supérieure de la structure 107, en contact avec la face inferieure de la couche d'anode 103c, est de préférence une couche conductrice, par exemple une couche d'ITO 5 (oxyde d'indium étain - point de fusion de l'ordre de 1500 à 1900°C), ce qui permet avantageusement de faciliter la prise d'un contact électrique sur la couche d'anode 103c et d'améliorer l'homogénéité du courant électrique injecté dans la LED. La figure 1C illustre une étape postérieure à l'étape 10 de la figure 1B, au cours de laquelle on fait croitre des nanofils 109 de GaN sur la face supérieure de la couche de cathode 103a. Les nanofils 109 sont formés par reprise d'épitaxie sur la face supérieure de la couche 103a. Les conditions d'épitaxie sont choisies aptes à provoquer la croissance de nanofils sur la face 15 supérieure de la couche 103a, selon une direction sensiblement orthogonale à la face supérieure de la couche 103a. Pour cela, on utilise par exemple un procédé d'épitaxie du type décrit dans l'article intitulé "Homoepitaxial growth of catalyst-free GaN wires on N-polar substrates" de X. J. Chen et al. (applied physics 20 letters 97, 151909 2010). L'empilement actif planaire préalablement réalisé est de préférence tel que, dans l'orientation des figures 1B et 1C, la face supérieure de la couche de GaN 103a (c'est-à-dire sa face opposée à la couche émissive 103b) soit de polarité azote. La croissance de nanofils 25 de GaN sur un substrat de GaN étant en effet plus aisée sur la face de polarité azote du substrat que sur sa face de polarité gallium. La croissance des nanofils 109 est par exemple réalisée par MOVPE (de l'anglais "metal-organic vapor phase epitaxy" - épitaxie en phase vapeur aux organométalliques) dans une 30 atmosphère contenant du silane, par exemple à une température de l'ordre de 1050°C. Pour contrôler le positionnement et les dimensions des nanofils 109, un masque comportant des ouvertures délimitant les zones de croissance des nanofils 109, par exemple un masque en nitrure de silicium, peut optionnellement être formé 3052915 B15072 - DD17034HB 9 sur la face supérieure de la couche 103a préalablement à l'étape de croissance des nanofils. Des métallisations de contact d'anode et de de cathode, non représentées, peuvent être formées en contact électrique 5 respectivement avec les couches d'anode 103c et de cathode 103a de la LED. A titre d'exemple, un contact d'anode peut être pris depuis la face supérieure de la structure, dans une zone périphérique de la LED ne comprenant pas la couche active 103b, la couche de cathode 103a et les nanofils 109. Un contact de 10 cathode peut être pris depuis la face supérieure de la structure, dans une zone périphérique de la LED ne comprenant pas les nanofils 109. En pratique, on peut prévoir un dispositif optoélectronique comprenant une pluralité de LEDs identiques ou similaires disposées sur un même substrat de support 105, par exemple pour 15 réaliser un dispositif d'affichage de type micro-écran. Les dimensions et le positionnement des nanofils 109 peuvent être ajustés en fonction des caractéristiques d'extraction et/ou de directivité d'émission recherchées. A titre d'exemple, on peut prévoir des nanofils 109 présentant un diamètre 20 sensiblement constant sur toute leur hauteur, ce diamètre étant choisi le plus élevé possible tout en restant suffisamment faible pour obtenir un guidage monomode de la lumière à la longueur d'onde d'émission de la couche émissive 103b. A titre d'exemple, ce diamètre peut être calculé selon les enseignements décrits dans 25 l'ouvrage intitulé "Optical Waveguide Theory" de A.W. Snyder et J. Love. Ceci permet d'obtenir une bonne directivité d'émission de la LED. Par ailleurs, pour limiter les couplages parasites entre des nanofils voisins, on peut choisir de respecter une distance minimale entre les nanofils, par exemple une distance au 30 moins égale à 1,3 fois le diamètre des nanofils. A titre d'exemple, pour une longueur d'onde d'émission de l'ordre de 400 nm, le diamètre des fils 109 peut être de l'ordre de 130 nm, avec une distance entre nanofils voisins d'au moins 260 nm. De préférence, pour coupler efficacement la source 35 lumineuse formée par la couche émissive 103b et les nanofils 109, 3052915 B15072 - DD17034HB 10 l'épaisseur de la couche de GaN 103a entre la couche émissive 103b et les nanofils 109 est inférieure à la longueur d'onde d'émission de la LED dans le GaN (divisée par l'indice de réfraction du GaN), par exemple au moins dix fois plus faible que la longueur d'onde 5 d'émission de la LED dans le GaN. Les figures 2A, 2B, 2C sont des vues en coupe illustrant des étapes d'une variante de réalisation du procédé des figures LA, lB, 1C, permettant de faciliter le contrôle de l'épaisseur de la couche de GaN dopé de type N s'étendant entre la couche émissive 10 103b et les nanofils 109. Ce procédé comprend des éléments communs avec le procédé des figures lA, lB, 1C. Dans la suite, seules les différences entre les deux procédés seront mises en exergue. La figure 2A illustre une étape similaire à l'étape décrite en relation avec la figure lA, de formation, sur la face 15 supérieure d'un substrat de croissance 101, d'un empilement 203 qui diffère de l'empilement 103 de la figure lA essentiellement en ce que, dans l'empilement 203, la couche 103a de la figure lA est remplacée par un empilement 203a comprenant, dans l'ordre à partir de la face supérieure du substrat 101, une première couche 20 de GaN dopé de type N 203a1, une couche d'arrêt de gravure 203a2, et une deuxième couche de GaN dopé de type N 203a3. Dans cet exemple, l'empilement actif de LED au GaN est formé par les couches 203a3 (couche de cathode), 103b (couche émissive) et 103c (couche d'anode). La couche de GaN 203a1 a pour principale fonction 25 d'améliorer la tenue mécanique et la qualité de l'épitaxie de l'empilement actif. La couche 203a2 est réalisée en un matériau différent du GaN, par exemple du nitrure d'aluminium (A1N), et a notamment pour fonction de servir de couche d'arrêt de gravure lors d'une étape ultérieure (figure lB) de retrait de la couche 30 de GaN 203a1. La figure 2B illustre une étape similaire à l'étape décrite en relation avec la figure lB, de report de l'empilement 203 sur un substrat de support 105, puis de retrait du substrat de croissance 101. Lors de cette étape, la couche de GaN 203a1 et 35 la couche d'arrêt de gravure 203a2 sont en outre retirées de façon 3052915 B15072 - DD17034HB 11 à découvrir la face supérieure de la couche de GaN 203a3. Le retrait de la couche 203a1 est par exemple réalisé par gravure ICP-RIE (de l'anglais "Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching" - gravure ionique réactive à plasma à couplage inductif) 5 chlorée. Le retrait de la couche 203a2 peut lui aussi être réalisé par gravure ICP-RIE chlorée, avec détection de gallium par spectroscopie de masse pour arrêter la gravure sur la face supérieure de la couche 203a3. La figure 2C illustre une étape postérieure à l'étape 10 de la figure 2B, similaire à l'étape décrite en relation avec la figure 1C, au cours de laquelle on fait croitre des nanofils de GaN 109 sur la face supérieure de la couche de cathode 203a3. La figure 3 illustre une variante de réalisation du procédé des figures 1A, 1B, 1C. Ce procédé comprend par exemple 15 les mêmes étapes initiales (figures lA et 1B) que dans l'exemple décrit en relation avec les figures lA, 1B, 1C, mais diffère de cet exemple principalement par la forme des nanofils en GaN 109 réalisés sur la face supérieure de la couche de cathode 103a de la LED. Dans l'exemple de la figure 3, les nanofils 109 ont une 20 forme tronconique de diamètre croissant progressivement lorsque l'on s'éloigne de la face supérieure de la couche 103a. L'élargissement progressif des nanofils permet de relâcher le confinement radial du champ électromagnétique, limitant ainsi la diffraction en bout de fil. Ceci permet d'augmenter la directivité 25 d'émission de la LED. Une telle forme tronconique peut par exemple être obtenue en réduisant progressivement la température d'épitaxie au fur et à mesure de la croissance des nanofils, par exemple depuis une température de l'ordre de 1050°C en début d'épitaxie jusqu'à une température de l'ordre de 900°C en fin 30 d'épitaxie. La distance entre des nanofils voisins à la base des nanofils (c'est-à-dire au niveau de la face supérieure de la couche 103a) peut être choisie supérieure ou du même ordre que le diamètre des nanofils à l'extrémité des nanofils opposée à la couche 103a, et typiquement supérieure à 1,3 fois le diamètre du 35 fil au niveau de la face supérieure de la couche 103. A titre 3052915 B15072 - DD17034HB 12 d'exemple, pour une longueur d'onde d'émission de l'ordre de 400 nm, le diamètre des nanofils 109 peut être de l'ordre de 130 nm à la base, et de l'ordre de 1 fun à l'extrémité opposée à la couche 103a, avec une distance entre nanofils voisins de l'ordre 5 de 1 gm. Les nanofils 109 peuvent éventuellement coalescer au niveau de leur extrémité opposée à la couche 103a, de façon à former une surface continue sensiblement plane au niveau de leur extrémité opposée à la couche 103a. Dans ce cas, une couche conductrice transparente, par exemple en ITO, ou semi- 10 transparente, par exemple en métal, peut être formée sur et en contact avec la face supérieure des nanofils, ce qui permet avantageusement de faciliter la prise d'un contact électrique de cathode et d'améliorer l'homogénéité du courant injecté dans la LED. 15 La figure 4 illustre une autre variante de réalisation du procédé des figures 1A, 1B, 1C. Ce procédé comprend par exemple les mêmes étapes initiales (figures lA et 1B) que dans l'exemple décrit en relation avec les figures lA, 1B, 1C, mais diffère de cet exemple principalement en ce que, dans l'exemple de la figure 20 4, les nanofils de GaN 109 formés sur la face supérieure de la couche de cathode 103a sont remplacés par des nanofils 409 en oxyde de zinc (Zn0). A titre d"exemple, la croissance des nanofils 409 en oxyde de zinc est réalisée dans un bain chimique à basse température, par exemple à une température comprise entre 25 60 et 150 °C. La croissance des nanofils 409 en oxyde de zinc est par exemple réalisée par un procédé du type décrit dans l'article intitulé "Selective Area Growth of Well-Ordered Zn0 Nanowire Arrays with Controllable Polarity" de Vincent Consonni et al. (ACS Nano, 2014, 8 (5), pp 4761-4770). 30 Un avantage de la variante de réalisation de la figure 4 est de ne pas nécessiter une étape d'épitaxie à haute température pour former les nanofils sur la face supérieure de la LED. La structure réfléchissante 107 peut alors être formée par une simple couche métallique réfléchissante, par exemple un alliage indium- 35 argent. Ceci permet à la fois d'obtenir un bon coefficient de 3052915 B15072 - DD17034HB 13 réflexion des photons, de prendre un contact électrique de bonne qualité sur la couche d'anode 103c, et de simplifier la réalisation de la structure 107 (par rapport à la prévision d'un miroir de Bragg). 5 Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, on notera que les variantes de réalisation des figures 3 et 4 peuvent être adaptées au procédé des figures 2A, 2B, 2C. 10 De plus, les types de conductivité des couches de nitrure de gallium 103a, 203a3 (de type N dans les exemples décrits) et 103c (de type P dans les exemples décrits), peuvent être inversés, les régions d'anode et de cathode des LEDs étant alors également inversées. 15 En outre, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples susmentionnés dans lesquels l'empilement actif de LED au GaN est réalisé sur un substrat de croissance 101, puis reporté sur un substrat de support 105. A titre de variante, le substrat de départ peut être un substrat de GaN autosupporté, 20 par exemple dopé de type N, sur une face duquel est épitaxié l'empilement actif 103. A titre d'exemple, l'empilement actif 103 est formé sur la face de polarité azote du substrat. Dans ce cas des nanofils de GaN peuvent être formés directement sur la face de l'empilement actif opposée au substrat, qui est une face de 25 polarité azote. Par ailleurs, pour augmenter le couplage entre la zone d'émission et les nanofils et éviter que des photons ne sortent de l'empilement actif de LED entre les nanofils, un métal réfléchissant, par exemple de l'argent, peut être déposé sur la 30 face supérieure de la couche 103a entre les nanofils 109, 409. A titre d'exemple, ce métal peut être déposé avant la croissance des nanofils sur toute la surface de la couche 103a, puis retiré localement dans les zones de croissance des nanofils. A titre de variante, le métal réfléchissant peut être déposé sur toute la 35 surface de la LED après la réalisation des nanofils 109, 409, par 3052915 B15072 - DD17034HB 14 exemple par une méthode de dépôt conforme, puis une étape de gravure directive peut être mise en oeuvre pour retirer le métal sur la face supérieure des nanofils 109, 409. En outre, à titre de variante, dans le cas où les 5 nanofils 109 sont en GaN, on peut, en modifiant les conditions de l'épitaxie, faire croitre autour des nanofils 109 des coquilles contenant des puits quantiques adaptés à convertir dans une autre couleur une partie de la lumière émise par la couche 103b. A titre d'exemple, la couche 103b peut être adaptée à émettre de la lumière 10 bleue, et des puits quantiques adaptés à convertir en lumière jaune une partie de la lumière bleue émise par la LED peuvent être formés autour des nanofils 109, de façon à obtenir une LED émettant de la lumière blanche. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une diode électro- luminescente au nitrure de gallium, comprenant les étapes successives suivantes : a) former un empilement actif planaire (103 ; 203) de 5 diode électroluminescente au nitrure de gallium comportant des première (103a ; 203a3) et deuxième (103c) couches de nitrure de gallium dopées de types de conductivité opposés et, entre les première (103a ; 203a3) et deuxième (103c) couches de nitrure de gallium, une couche émissive (103b) à un ou plusieurs puits 10 quantiques ; et b) faire croitre des nanofils (109 ; 409) sur la surface de la première couche (103a ; 203a3) de nitrure de gallium opposée à la couche émissive (103b). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les 15 nanofils (109) sont en nitrure de gallium. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la croissance des nanofils (409) est réalisée par épitaxie en phase vapeur dans une atmosphère contenant du silane. 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les 20 nanofils (409) sont en oxyde de zinc. 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel la croissance des nanofils (409) est réalisée dans un bain chimique. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant en outre la formation d'une structure 25 réfléchissante (107) du côté de la face de la deuxième couche (103c) de nitrure de gallium opposée à la couche émissive (103b). 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel la structure réfléchissante (107) est un miroir de Bragg comportant uniquement des matériaux ayant un point de fusion supérieur à 30 1100 °C. 8. Procédé selon la revendication 6, dans lequel la structure réfléchissante (107) est une couche métallique. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel l'étape a) comprend une étape de dépôt de 3052915 B15072 - DD17034HB 16 l'empilement actif planaire (103 ; 203) par épitaxie sur un substrat de croissance (101), et une étape de report de l'empilement actif planaire (103 ; 203) sur un substrat de support (105) et de retrait du substrat de croissance (101). 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel l'épaisseur de la première couche (103a ; 203a3) de nitrure de gallium entre la couche émissive (103b) et la base des nanofils (109 ; 409) est inférieure à la longueur d'onde d'émission de la couche émissive (103b). 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel les nanofils (109) ont une forme tronconique de diamètre augmentant progressivement en s'éloignant de la première couche (103a ; 203a3) de nitrure de gallium. 12. Diode électroluminescente au nitrure de gallium, 15 comprenant : un empilement actif planaire de diode électroluminescente au nitrure de gallium comportant des première (103a ; 203a3) et deuxième (103c) couches de nitrure de gallium dopées de types de conductivité opposés et, entre les première (103a ; 20 203a3) et deuxième (103c) couches de nitrure de gallium, une couche émissive (103b) à un ou plusieurs puits quantiques ; et une pluralité de nanofils (109 ; 409) disposés sur la surface de la première couche (103a ; 203a3) de nitrure de gallium opposée à la couche émissive (103b). 25 13. Diode selon la revendication 12, dans laquelle les nanofils (109 ; 409) sont en nitrure de gallium ou en oxyde de zinc. 14. Diode selon la revendication 12 ou 13, dans laquelle les nanofils (109 ; 409) ont une forme tronconique de diamètre 30 augmentant progressivement en s'éloignant de la première couche (103a ; 203a3) de nitrure de gallium. 15. Diode selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, dans laquelle l'épaisseur de la première couche (103a ; 203a3) de nitrure de gallium entre la couche émissive (103b) et 3052915 B15072 - DD17034HB 17 la base des nanofils (109 ; 409) est inférieure à la longueur d'onde d'émission de la couche émissive (103b).