FR 3061607 A1 20180706 FR 1663507 A 20161229 B15659 - 3DOptpump 1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A DIODES ELECTROLUMINESCENTES Domaine La présente demande concerne un dispositif optoélectronique, notamment un écran d'affichage ou un dispositif de projection d'images, ayant des diodes électroluminescentes formées par des éléments tridimensionnels, notamment des microfils ou nanofils semiconducteurs. Exposé de l'art antérieur Un pixel d'une image correspond à l'élément unitaire de l'image affichée par le dispositif optoélectronique. Lorsque le dispositif optoélectronique est un écran d'affichage d'images couleur, il comprend en général pour l'affichage de chaque pixel de l'image au moins trois composants, également appelés sous-pixels d'affichage, qui émettent chacun un rayonnement lumineux sensiblement dans une seule couleur (par exemple, le rouge, le vert et le bleu). La superposition des rayonnements émis par ces trois sous-pixels d'affichage fournit à l'observateur la sensation colorée correspondant au pixel de l'image affichée. Dans ce cas, on appelle pixel d'affichage du dispositif optoélectronique l'ensemble formé par les trois sous-pixels d'affichage utilisés pour l'affichage d'un pixel d'une image. Des dispositifs optoélectroniques comprenant des diodes électroluminescentes sont des dispositifs adaptés à convertir un 3061607 B15659 - 3DOptpump 2 signal électrique en un rayonnement électromagnétique, et en particulier des dispositifs dédiés à l'émission d'un rayonnement électromagnétique, notamment de la lumière. Des exemples d'éléments tridimensionnels adaptés à la formation de diodes 5 électroluminescentes sont des microfils ou des nanofils comprenant un matériau semiconducteur basé sur un composé comprenant principalement au moins un élément du groupe III et un élément du groupe V (par exemple le nitrure de gallium GaN), appelé par la suite composé III-V, ou comprenant principalement au moins un 10 élément du groupe II et un élément du groupe VI (par exemple l'oxyde de zinc ZnO), appelé par la suite composé II-VI. Toutefois, les diodes électroluminescentes connues comprenant des éléments tridimensionnels émettant une lumière rouge présentent une efficacité quantique interne faible. 15 Les dispositifs optoélectroniques peuvent comprendre une couche comprenant des blocs de matériaux photoluminescents faisant face au moins à certaines diodes électroluminescentes. Chaque bloc photoluminescent est adapté à convertir le rayonnement émis par la diode électroluminescente associée en un rayonnement 20 souhaité. Des blocs photoluminescents connus comprennent des particules photoluminescentes de taille micrométrique ou des boîtes quantiques. Toutefois, les matériaux connus utilisés pour former des particules photoluminescentes de taille micrométrique présentent une efficacité quantique interne faible. En outre, les boîtes quantiques ont une durée de vie réduite. Résumé Ainsi, un objet d'un mode de réalisation est de pallier au moins en partie les inconvénients des dispositifs optoélectroniques décrits précédemment comprenant des diodes 30 électroluminescentes. Un autre mode de réalisation est que l'efficacité quantique interne des blocs photoluminescents est augmentée. Un autre mode de réalisation est que la durée de vie des blocs photoluminescents est augmentée. 3061607 B15659 - 3DOptpump 3 Un autre mode de réalisation est que les diodes électroluminescentes comprennent des éléments tridimensionnels, notamment des microfils ou nanofils semiconducteurs. Un autre mode de réalisation est que toutes les diodes 5 électroluminescentes présentent une efficacité quantique interne élevée. Un autre mode de réalisation est que les blocs photoluminescents du dispositif optoélectronique présentent une efficacité quantique interne élevée. 10 Un autre mode de réalisation est que les dispositifs optoélectroniques comprenant des diodes électroluminescentes peuvent être fabriqués à une échelle industrielle et à bas coût. Ainsi, un mode de réalisation prévoit un dispositif optoélectronique comprenant : 15 des diodes électroluminescentes, chaque diode électroluminescente comprenant un élément semiconducteur correspondant à un nanofil, un microfil, et/ou une structure pyramidale de taille nanométrique ou micrométrique, et une coque recouvrant au moins partiellement l'élément semiconducteur et 20 adapté à émettre un rayonnement ; et pour chaque diode électroluminescente, un revêtement photoluminescent comprenant un puits quantique unique, des puits quantiques multiples ou une hétérostructure, recouvrant au moins en partie la coque et en contact avec la coque ou avec l'élément 25 semiconducteur et adapté à convertir par pompage optique le rayonnement émis par la coque en un autre rayonnement. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes sont adaptées à émettre un premier rayonnement à une première longueur d'onde et les revêtements photoluminescents comprennent des premiers revêtements photoluminescents adaptés à convertir par pompage optique le premier rayonnement en un deuxième rayonnement à une deuxième longueur d'onde, des deuxièmes revêtements photoluminescents adaptés à convertir par pompage optique le premier rayonnement en un troisième rayonnement à une troisième longueur d'onde et des 3061607 B15659 - 3DOptpump 4 troisièmes revêtements photoluminescents adaptés à convertir par pompage optique le premier rayonnement en un quatrième rayonnement à une quatrième longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, chaque élément 5 semiconducteur comprend des parois latérales et une face de sommet, et les revêtements photoluminescents et les coques recouvrent les parois latérales et les faces de sommet des éléments semiconducteurs. Selon un mode de réalisation, chaque élément 10 semiconducteur comprend des parois latérales et une face de sommet, et les coques recouvrent les parois latérales des éléments semiconducteurs et ne recouvrent pas les faces de sommet des éléments semiconducteurs Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend, 15 pour chaque diode électroluminescente, une couche conductrice électriquement en contact avec la coque. Selon un mode de réalisation, pour chaque diode électroluminescente, la couche conductrice est recouverte par une couche réfléchissante. 20 Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre des murs reposant sur le substrat, au moins en partie en un matériau réfléchissant pour au moins les deuxième, troisième et quatrième rayonnements et entourant les diodes électroluminescentes. 25 Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre un filtre recouvrant les revêtements photoluminescents et adapté à bloquer le premier rayonnement et à laisser passer les deuxième, troisième et quatrième rayonnements. Selon un mode de réalisation, la première longueur 30 d'onde est dans la plage de 360 nm à 430 nm, la deuxième longueur d'onde est dans la plage de 440 nm à 490 nm, la troisième longueur d'onde est dans la plage de 510 nm à 570 nm, et la quatrième longueur d'onde est dans la plage de 610 nm à 720 nm. Selon un mode de réalisation, les revêtements 35 photoluminescents comprennent en outre des quatrièmes revêtements 3061607 B15659 - 3DOptpump 5 photoluminescents adaptés à convertir par pompage optique le premier rayonnement en un cinquième rayonnement à la cinquième longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, la cinquième longueur 5 d'onde est dans la plage de 570 nm à 600 nm. Un mode de réalisation prévoit également un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique tel que défini précédemment, comprenant les étapes successives suivantes : a) former les diodes électroluminescentes ; et 10 b) former les revêtements photoluminescents. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, avant l'étape b), la formation d'une couche conductrice électriquement recouvrant les coques, et, avant l'étape b), le retrait des couches conductrices et des coques aux sommets des éléments 15 semiconducteurs, et la formation des revêtements photoluminescents aux sommets des éléments semiconducteurs. Brève description des dessins Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres seront exposés en détail dans la description suivante de 20 modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures 1 et 2 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, dans des plans perpendiculaires d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique comprenant des 25 diodes électroluminescentes ; la figure 3 est une vue de détail de la figure 1 d'un mode de réalisation de diodes électroluminescentes comprenant des microfils ou nanofils ; les figures 4 et 5 sont des vues en coupe, partielles 30 et schématiques, dans des plans perpendiculaires d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes ; les figures 6 et 7 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, d'autres modes de réalisation d'un dispositif 35 optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes ; 3061607 B15659 - 3DOptpump 6 les figures 8A à 8E sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique représenté sur la figure 1 ; et 5 les figures 9A à 9D sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique représenté sur la figure 6. Description détaillée 10 Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme cela est habituel dans la représentation des circuits électroniques, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. En outre, seuls les éléments utiles à la compréhension 15 de la présente description ont été représentés et sont décrits. En particulier, les moyens de polarisation d'une diode électroluminescente d'un dispositif optoélectronique sont bien connus et ne sont pas décrits. La présente description concerne des dispositifs 20 optoélectroniques comprenant des diodes électroluminescentes formées à partir d'éléments semiconducteurs tridimensionnels, par exemple des microfils ou nanofils. Dans la description qui suit, des modes de réalisation sont décrits pour des diodes électroluminescentes formées à partir de microfils ou de nanofils. 25 Toutefois, ces modes de réalisation peuvent être mis en oeuvre avec des éléments tridimensionnels autres que des microfils ou des nanofils, par exemple des éléments tridimensionnels en forme de pyramide. Dans la suite de la description, sauf indication 30 contraire, les termes "sensiblement", "environ" et "de l'ordre de" signifient "à 10 % près". En outre, "composé principalement en un matériau" ou "composé basé sur un matériau" signifie que le composé comprend une proportion supérieure ou égale à 95 % dudit matériau, cette proportion étant de préférence supérieure à 99 %. 35 En outre, on appelle "zone active" d'une diode électroluminescente 3061607 B15659 - 3DOptpump 7 la région de la diode électroluminescente depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement électromagnétique fourni par la diode électroluminescente. De plus, lorsqu'un premier élément est dit relié à un deuxième élément par une relation d'épitaxie, ceci 5 signifie que le premier élément est formé à partir d'une première couche et que le deuxième élément est formé à partir d'une deuxième couche qui est formée par épitaxie sur la première couche ou inversement. Le terme "microfil" ou "nanofil" désigne une structure 10 tridimensionnelle de forme allongée selon une direction privilégiée dont au moins deux dimensions, appelées dimensions mineures, sont comprises entre 10 nm et 10 pm, de préférence entre 100 nm et 2 }am, la troisième dimension, appelée dimension majeure, étant supérieure ou égale à 1 fois, de préférence supérieure ou 15 égale à 5 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 10 fois, la plus grande des dimensions mineures. Dans certains modes de réalisation, les dimensions mineures peuvent être inférieures ou égales à environ 1 pm, de préférence comprises entre 100 nm et 1 dam, plus préférentiellement entre 100 nm et 20 800 nm. Dans certains modes de réalisation, la hauteur de chaque microfil ou nanofil peut être supérieure ou égale à 500 nm, de préférence comprise entre 1 pm et 50 pm, plus préférentiellement comprise entre 1 pm et 15 pin. Dans la suite de la description, on utilise le terme 25 "fil" pour signifier "microfil ou nanofil". De préférence, la ligne moyenne du fil qui passe par les barycentres des sections droites, dans des plans perpendiculaires à la direction privilégiée du fil, est sensiblement rectiligne et est appelée par la suite "axe" du fil. 30 La section droite des fils peut avoir des formes différentes, telles que, par exemple, une forme ovale, circulaire, ou une forme polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. On comprendra que le terme "diamètre" mentionné en relation avec la section droite d'un fil ou d'une 35 couche déposée sur ce fil désigne une quantité associée avec 3061607 B15659 - 3DOptpump 8 l'aire de la structure visée dans cette section droite, correspondant, par exemple, au diamètre du disque ayant la même aire que la section droite du fil. Dans la suite de la description, le terme pyramide ou 5 pyramide tronquée désigne une structure tridimensionnelle dont une partie a une forme conique allongée ou une forme pyramidale. Cette structure pyramidale peut être tronquée, c'est-à-dire que le haut du cône est absent, laissant place à un plateau. La base de la pyramide est inscrite dans un polygone dont la dimension 10 des côtés est de 100 nm à 10 gra, préférentiellement entre 1 pin et 3 pm. Le polygone formant la base de la pyramide peut être un hexagone. La hauteur de la pyramide entre la base de la pyramide et le sommet ou le plateau sommital varie de 100 nm à 20 pin, préférentiellement entre 1 dam et 10 gra. 15 Les figures 1 et 2 représentent un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 5 comprenant des diodes électroluminescentes, par exemple correspondant à un écran d'affichage ou à un dispositif de projection d'images. La figure 1 représente une structure comprenant, de bas 20 en haut : un substrat semiconducteur 10 comprenant une face inférieure 12 et une face supérieure 14, la face supérieure 14 étant de préférence plane au moins au niveau des diodes électroluminescentes ; 25 une couche de germination 16 en un matériau conducteur favorisant la croissance des fils et disposée sur la face 14 ; une couche isolante 18 recouvrant la couche de germination 16 et comprenant des ouvertures 20 exposant des portions de la couche de germination 16 ; 30 des fils 22 (trois fils étant représentés en figure 1), chaque fil 22 étant en contact avec la couche de germination 16 au travers de l'une des ouvertures 20 ; pour chaque fil 22, une coque 24 comprenant un empilement de couches semiconductrices recouvrant le fil 22 ; 3061607 B15659 - 3DOptpump 9 pour chaque fil 22, une couche conductrice électriquement 26 s'étendant sur les parois latérales d'une portion inférieure de la coque 24 et s'étendant sur la couche isolante 18 ; 5 pour chaque fil 22, un revêtement photoluminescent 28R, 28G, 28B comprenant un empilement de couches semiconductrices recouvrant une portion supérieure de la coque 24 ; une couche d'encapsulation 30 recouvrant la totalité de la structure ; et 10 un filtre 32 reposant sur la couche d'encapsulation 30. Le dispositif optoélectronique 5 comprend une électrode, non représentée, en contact avec le substrat 10 sur la face 12 ou la face 14. L'ensemble formé par chaque fil 22 et la coque associée 15 24 forme une diode électroluminescente LED. Chaque coque 24 comprend notamment une couche active qui est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par la diode électroluminescente LED. L'ensemble peut comprendre de quelques diodes électroluminescentes LED à plusieurs milliers de diodes 20 électroluminescentes. Selon un mode de réalisation, toutes les diodes électroluminescentes LED émettent un rayonnement à une première longueur d'onde. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique 5 comprend au moins trois types de revêtements 25 photoluminescents 28R, 28G, 28B. Pour chaque pixel de l'image à afficher, le dispositif optoélectronique 5 comprend des sous-pixels avec des revêtements photoluminescents 28R, 28G, 28B de trois types. Les revêtements photoluminescents 28B du premier type sont adaptés à convertir le rayonnement à la première longueur 30 d'onde en un rayonnement à une deuxième longueur d'onde par pompage optique. Les revêtements photoluminescents 28G du deuxième type sont adaptés à convertir le rayonnement à la première longueur d'onde en un rayonnement à une troisième longueur d'onde par pompage optique. Les revêtements photoluminescents 28R du 35 troisième type sont adaptés à convertir le rayonnement à la 3061607 B15659 - 3DOptpump 10 première longueur d'onde en un rayonnement à une quatrième longueur d'onde par pompage optique. Selon un mode de réalisation, la première longueur d'onde correspond à un rayonnement ultraviolet, et est dans la plage de 360 nm à 430 nm. Selon un 5 mode de réalisation, la deuxième longueur d'onde correspond à de la lumière bleue et est dans la plage de 440 nm à 490 nm. Selon un mode de réalisation, la troisième longueur d'onde correspond à de la lumière verte et est dans la plage de 510 nm à 570 nm. Selon un mode de réalisation, la quatrième longueur d'onde correspond à 10 de la lumière rouge et est dans la plage de 610 nm à 720 nm. Un sous-pixel Pix est formé par une diode électroluminescente LED et le revêtement photoluminescent 28R, 28G, 28B associé. Pour chaque pixel de l'image à afficher, le dispositif optoélectronique 5 comprend des sous-pixels avec des 15 revêtements photoluminescents des trois types. Selon un exemple, neuf sous-pixels Pix, disposés selon une matrice de Bayer, sont représentés en figure 2. Selon un mode de réalisation, le dispositif optoélectronique 5 comprend des revêtements photoluminescents 20 d'un quatrième type, non représentés. Les revêtements photoluminescents du quatrième type sont adaptés à convertir le rayonnement à la première longueur d'onde en un rayonnement à une cinquième longueur d'onde par pompage optique. Selon un mode de réalisation, la cinquième longueur d'onde correspond à de la 25 lumière jaune et est dans la plage de 570 nm à 600 nm. Selon un mode de réalisation, les première, deuxième, troisième, quatrième et cinquième longueurs d'ondes sont différentes. Pour chaque pixel de l'image à afficher, le dispositif optoélectronique 5 comprend des sous-pixels avec des revêtements photoluminescents des quatre 30 types. Le substrat 10 peut correspondre à une structure monobloc ou correspond à une couche, sur laquelle on fait croître les fils, recouvrant un support en un autre matériau. Le substrat 10 est de préférence un substrat semiconducteur, par exemple, un 35 substrat en silicium, en germanium, en carbure de silicium, en 3061607 B15659 - 3DOptpump 11 saphir, en un composé III-V, tel que GaN ou GaAs ou un substrat ZnO. De préférence, le substrat 10 est un substrat en silicium monocristallin. De préférence, il s'agit d'un substrat semiconducteur compatible avec les procédés de fabrication mis en 5 oeuvre en microélectroniques. Le substrat 10 peut correspondre à une structure multicouches de type silicium sur isolant, également appelée SOI. Lorsque le substrat comprend une couche recouvrant un support en un autre matériau, la couche peut être en un composé III-V, par exemple un composé III-N. Des exemples d'éléments du 10 groupe III comprennent le gallium (Ga), l'indium (In) ou l'aluminium (Al). Des exemples de composés III-N sont GaN, AIN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN. D'autres éléments du groupe V peuvent également être utilisés, par exemple, le phosphore ou l'arsenic. Le support, recouvert par ladite couche, peut être en 15 silicium, en germanium, en carbure de silicium, en saphir, en un composé III-V, tel que GaN ou GaAs ou un substrat ZnO. Le substrat 10 peut être fortement dopé, faiblement dopé ou non dopé. Dans le cas où le substrat est fortement dopé, le substrat semiconducteur 10 peut être dopé de façon à baisser la 20 résistivité électrique jusqu'à une résistivité proche de celle des métaux, de préférence inférieure à quelques mohm.cm. Le substrat 10 est, par exemple, un substrat fortement dopé avec une concentration de dopants comprise entre 5*1016 atomes/cm3 et 2*1020 atomes/cm3. Dans le cas où le substrat est faiblement dopé, 25 par exemple avec une concentration de dopants inférieure ou égale à 5*1016 atomes/cm3, de préférence sensiblement égale à 1015 atomes/cm3, une région dopée du premier type de conductivité ou d'un deuxième type de conductivité, opposé au premier type, plus fortement dopée que le substrat peut être prévue qui s'étend dans 30 le substrat 10 depuis la face 12 sous la couche de germination 16. Dans le cas d'un substrat 10 de silicium, des exemples de dopants de type P sont le bore (B) ou l'indium (In) et des exemples de dopants de type N sont le phosphore (P), l'arsenic (As), ou l'antimoine (Sb). La face 14 du substrat 10 de silicium peut être 35 une face (100) ou une face (111). 3061607 B15659 - 3DOptpump 12 La couche de germination 16 est en un matériau favorisant la croissance des fils 22. A titre d'exemple, le matériau composant la couche de germination 16 peut être un nitrure, un carbure ou un borure d'un métal de transition de la 5 colonne IV, V ou VI du tableau périodique des éléments ou une combinaison de ces composés. A titre d'exemple, la couche de germination 16 peut être en nitrure d'aluminium (A1N), en bore (B), en nitrure de bore (BN), en titane (Ti), en nitrure de titane (TiN), en tantale (Ta), en nitrure de tantale (TaN), en hafnium 10 (Hf), en nitrure d'hafnium (HfN), en niobium (Nb), en nitrure de niobium (NbN), en zirconium (Zr), en borate de zirconium (ZrB2), en nitrure de zirconium (ZrN), en carbure de silicium (SiC), en nitrure et carbure de tantale (TaCN), en nitrure de magnésium sous la forme MgxNy, où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 15 2, par exemple du nitrure de magnésium selon la forme Mg3N2 ou en nitrure de gallium et de magnésium (MgGaN), en tungstène (W), en nitrure de tungstène (WN) ou en une combinaison de ces composés. La couche de germination 16 peut être dopée du même type de conductivité que le substrat 10. La couche de germination 16 peut 20 avoir une structure monocouche ou peut correspondre à un empilement de deux couches ou de plus de deux couches. La couche de germination 16 peut être remplacée par des plots de germination, également appelés îlots de germination, chaque fil 22 reposant sur l'un des plots de germination. 25 La couche isolante 18 peuvent être en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium (SiO2), en nitrure de silicium (SixNy, où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si3N4), en oxynitrure de silicium (notamment de formule générale SiOxNy, par exemple du Si2ON2), en 30 oxyde d'aluminium (A1203), en oxyde d'hafnium (Hf02) ou en diamant. Les fils 22 sont au moins en partie en au moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur peut être le silicium, le germanium, le carbure de silicium, un composé III-V, 3061607 B15659 - 3DOptpump 13 un compose II-VI, ou une combinaison d'au moins deux de ces composés. Les fils 22 peuvent être, au moins en partie, en matériaux semiconducteurs comportant majoritairement un composé 5 III-V, par exemple un composé III-N. Des exemples d'éléments du groupe III comprennent le gallium (Ga), l'indium (In) ou l'aluminium (Al). Des exemples de composés III-N sont GaN, AIN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN. D'autres éléments du groupe V peuvent également être utilisés, par exemple, le phosphore ou 10 l'arsenic. De façon générale, les éléments dans le composé III-V peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Les fils 22 peuvent être, au moins en partie, en matériaux semiconducteurs comportant majoritairement un composé II-VI. Des exemples d'éléments du groupe II comprennent des 15 éléments du groupe IIA, notamment le béryllium (Be) et le magnésium (Mg) et des éléments du groupe IIB, notamment le zinc (Zn), le cadmium (Cd) et le mercure (Hg). Des exemples d'éléments du groupe VI comprennent des éléments du groupe VIA, notamment l'oxygène (0) et le tellure (Te). Des exemples de composés II-VI 20 sont ZnO, ZnMg0, CdZnO, CdZnMg0, CdHgTe, CdTe ou HgTe. De façon générale, les éléments dans le composé II-VI peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Les fils 22 peuvent comprendre un dopant. A titre d'exemple, pour des composés III-V, le dopant peut être choisi 25 parmi le groupe comprenant un dopant de type P du groupe II, par exemple, du magnésium (Mg), du zinc (Zn), du cadmium (Cd) ou du mercure (Hg), un dopant du type P du groupe IV, par exemple du carbone (C) ou un dopant de type N du groupe IV, par exemple du silicium (Si), du germanium (Ge), du sélénium (Se), du souffre 30 (S), du terbium (Tb) ou de l'étain (Sn). La concentration de dopants peut ne pas être homogène dans les fils 22. Selon un exemple, la partie inférieure de chaque fil 22 peut être plus fortement dopée que la partie supérieure du fil 22. Les axes de deux fils adjacents 22 peuvent être distants 35 de 0,5 pin à 10 pin et de préférence de 1,5 pin à 4 gm. 3061607 B15659 - 3DOptpump 14 La couche conductrice 26 est en un matériau conducteur, par exemple un métal tel que l'aluminium, l'argent, le cuivre ou le zinc. La couche conductrice 26 peut être en un matériau conducteur et transparent aux première, deuxième, troisième, 5 quatrième et éventuellement cinquième longueurs d'ondes, tel que le graphène ou un oxyde conducteur transparent (TCO), par exemple l'oxyde d'indium-étain (ITO), l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium (AZO) ou l'oxyde de zinc dopé au gallium (GZO). A titre d'exemple, la couche conductrice 26 a une épaisseur dans la plage de 5 nm à 10 5 pin, de préférence de 500 nm à 5 pin. La couche d'encapsulation 30 est en un matériau isolant au moins partiellement transparent aux première, deuxième, troisième, quatrième et éventuellement cinquième longueurs d'ondes, par exemple du silicone ou un oxyde. L'épaisseur maximale 15 de la couche d'encapsulation 30 est dans la plage de 250 nm à 50 pm de sorte que la couche d'encapsulation 30 recouvre en totalité les sommets des diodes électroluminescentes LED. Le filtre 32 est adapté à bloquer le rayonnement émis par les diodes électroluminescentes LED et qui n'a pas été 20 converti par les revêtements photoluminescents 28R, 28G, 28B. Le filtre 32 est adapté à laisser passer les rayonnements émis par les revêtements photoluminescents 28R, 28G, 28B. Le filtre 32 peut avoir une structure multicouche. Selon un mode de réalisation, pour des diodes électroluminescentes LED émettant un rayonnement 25 à la première longueur d'onde dans la plage de 360 nm à 430 nm, le filtre 32 peut avoir des caractéristiques d'un filtre passe-bande, laissant alors seulement passer le rayonnement de longueurs d'ondes de 440 nm à 720 nm. A titre de variante, une couche conductrice miroir, non 30 représentée, recouvrant la couche conductrice 26 et la couche isolante 18 entre les fils 22 mais ne s'étendant pas sur les fils 22 peut être prévue. La couche conductrice miroir peut correspondre à une couche métallique, par exemple en aluminium, en argent, en cuivre, ou en zinc. 3061607 B15659 - 3DOptpump 15 En fonctionnement, des tensions sont appliquées entre les couches conductrices 26 et le substrat 10 de sorte que, pour chaque sous-pixel Pix, la zone active de la diode électroluminescente LED émet de la lumière avec une intensité qui 5 dépend de la tension appliquée entre la couche conductrice 26 associée au sous-pixel Pix et le substrat 10. Le revêtement photoluminescent 28R, 28G, 28B convertit au moins une partie du rayonnement émis par la diode électroluminescente LED associée en rayonnement souhaité par pompage optique. Selon un mode de 10 réalisation, toutes les diodes électroluminescentes LED émettent à la même première longueur d'onde. Le filtre 32, qui est adapté à bloquer le rayonnement émis par les diodes électroluminescentes LED et non converti par les revêtements photoluminescents 28R, 28G, 28B, recouvre de façon avantageuse tout le dispositif 15 optoélectronique 5. Dans le mode de réalisation représenté sur les figures 1 et 2, le substrat 10 est sensiblement au même potentiel et des potentiels différents sont appliqués aux couches conductrices 26. A titre de variante, les couches conductrices 26 sont connectées 20 les unes aux autres et des tranchées isolantes électriquement sont prévues dans le substrat 10 pour délimiter des portions du substrat 10, chaque portion du substrat 10 étant reliée électriquement à au moins un fil 22, de préférence seulement à un fil 22. Dans le cas où les couches conductrices 26 sont connectées 25 les unes aux autres et que des portions isolées du substrat 10 sont prévues, les couches conductrices 26 connectées peuvent être au même potentiel ou des potentiels différents peuvent être appliqués aux portions de substrat 10. La figure 3 est une vue de détail de la figure 1 d'un 30 mode de réalisation de la coque 24 et d'un revêtement photoluminescent 28R, 28G ou 28B. La coque 24 peut comprendre une pluralité de couches comprenant notamment : - une couche active 34 recouvrant la portion supérieure 35 du fil 22 ; 3061607 B15659 - 3DOptpump 16 - une couche intermédiaire 36 ayant un type de conductivité opposé au fil 22 recouvrant la couche active 34 ; et - une couche de liaison 38 recouvrant la couche intermédiaire 36, une portion inférieure de la couche de liaison 5 38 étant recouverte par la couche conductrice 26 et une portion supérieure de la couche de liaison 38 étant recouverte par le revêtement photoluminescent 28R, 28G ou 28B. La zone active 34 est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par la diode 10 électroluminescente LED. Selon un exemple, la zone active 34 peut comporter des moyens de confinement. La zone active 34 peut comprendre un puits quantique unique. Elle peut alors comprendre un matériau semiconducteur différent du matériau semiconducteur formant le fil 22 et la couche intermédiaire 36 et ayant une bande 15 interdite inférieure à celle de la couche intermédiaire 36. La zone active 34 peut comprendre des puits quantiques multiples. Elle comprend alors un empilement de couches semiconductrices formant une alternance de puits quantiques 40 et de couches barrières 42. De préférence, les couches de la zone active 34 sont 20 liées au fil 22 par une relation d'épitaxie. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes LED émettant un rayonnement à la première longueur d'onde dans la plage de 360 nm à 430 nm peuvent être formées d'une alternance de couches de GaN et de InGaN, ayant des 25 épaisseurs respectives de 3 nm à 20 nm (par exemple 6 nm) et de 1 nm à 30 nm (par exemple 2,5 nm), les couches de InGaN ayant une proportion de 0 % à 15 % de In. La couche intermédiaire 36, par exemple dopée de type P, peut correspondre à une couche semiconductrice ou à un 30 empilement de couches semiconductrices et permet la formation d'une jonction P-N ou P-I-N, la zone active 34 étant comprise entre la couche intermédiaire de type P 36 et le fil 22 de type N de la jonction P-N ou P-I-N. La couche de liaison 38 peut correspondre à une couche 35 semiconductrice ou à un empilement de couches semiconductrices et 3061607 B15659 - 3DOptpump 17 permet la formation d'un contact ohmique entre la couche intermédiaire 36 et la couche conductrice 26. A titre d'exemple, la couche de liaison 38 peut être dopée très fortement du type opposé à la portion inférieure du fil 22, jusqu'à dégénérer les 5 couches semiconductrices, par exemple dopée de type P à une concentration supérieure ou égale à 1019 atomes/cm3. L'empilement de couches semiconductrices formant la coque 24 peut comprendre une couche de blocage d'électrons formée d'un alliage ternaire, par exemple en nitrure de gallium et d'aluminium 10 (A1GaN), en nitrure d'aluminium, d'indium et de gallium (AlInGaN) ou en nitrure d'indium et d'aluminium (AlInN) en contact avec la couche active 34 et la couche intermédiaire 36, pour assurer une bonne répartition des porteurs électriques dans la couche active 34. 15 Le revêtement photoluminescent 28R, 28G et 28B est formé par un empilement de couches semiconductrices. Le revêtement photoluminescent 28R, 28G et 28B peut comprendre des moyens de confinement. Le revêtement photoluminescent 28R, 28G et 28B peut comprendre un puits quantique unique, des puis quantiques 20 multiples ou une double hétérostructure. Il peut alors comprendre une couche semiconductrice active en sandwich entre des première et deuxième couches semiconductrices. La couche semiconductrice active est en un matériau semiconducteur différent du matériau semiconducteur formant les première et deuxième couches et ayant 25 une bande interdite inférieure à celle des première et deuxième couches. Comme cela est représenté en figure 3, Le revêtement photoluminescent 28R, 28G et 28B peut comprendre des puits quantiques multiples. Il comprend alors un empilement de couches semiconductrices formant une alternance de puits quantiques 44 et 30 de couches barrières 46. Les matériaux des couches du revêtement photoluminescent 28R, 28G et 28B dépendent de la longueur d'onde souhaitée du rayonnement émis par le revêtement photoluminescent 28R, 28G et 28B et de la longueur d'onde du rayonnement reçu par le revêtement photoluminescent 28R, 28G et 28B. Les revêtements 35 photoluminescents ayant une efficacité quantique interne 3061607 B15659 - 3DOptpump 18 supérieure à 50 % peuvent être obtenus. En outre, des revêtements photoluminescents 28R, 28G et 28B ayant une longue durée de vie peuvent être obtenus. Une couche intermédiaire, non représentée, peut être 5 prévue entre la coque 24 et le revêtement photoluminescent 28R, 28G et 28B, par exemple du même matériau que le fil 22 sans dopant et ayant une épaisseur dans la plage de 1 nm à 5 pm, pour empêcher les fuites de courant. Selon un mode de réalisation, pour des diodes 10 électroluminescentes LED émettant un rayonnement à la première longueur d'onde de 360 nm à 430 nm, les revêtements photoluminescents 28B émettant un rayonnement à la deuxième longueur d'onde de 450 nm peuvent être formés d'une alternance de couches de GaN et de InGaN, ayant des épaisseurs respectives de 15 3 nm à 20 nm (par exemple 6 nm) et de 1 nm à 30 nm (par exemple 2,5 nm), les couches de InGaN ayant une proportion de 17 % ± 5 % de In. Selon un mode de réalisation, pour des diodes électroluminescentes LED émettant un rayonnement à la première 20 longueur d'onde de 360 nm à 430 nm, les revêtements photoluminescents 28G émettant un rayonnement à la troisième longueur d'onde de 530 nm peuvent être formés d'une alternance de couches de GaN et de InGaN, ayant des épaisseurs respectives de 3 nm à 20 nm (par exemple 6 nm) et de 1 nm à 30 nm (par exemple 25 2,5 nm), les couches de InGaN ayant une proportion de 28 % ± 5 % de In. Selon un mode de réalisation, pour des diodes électroluminescentes LED émettant un rayonnement à la première longueur d'onde de 360 nm à 430 nm, les revêtements 30 photoluminescents 28R émettant un rayonnement à la troisième longueur d'onde de 630 nm peuvent être formés d'une alternance de couches de GaN et de InGaN, ayant des épaisseurs respectives de 3 nm à 20 nm (par exemple 6 nm) et de 1 nm à 30 nm (par exemple 2,5 nm), les couches de InGaN ayant une proportion de 45 % ± 10 % 35 de In. 3061607 B15659 - 3DOptpump 19 Selon un mode de réalisation, pour des diodes électroluminescentes LED émettant un rayonnement à la première longueur d'onde de 360 nm à 430 nm, les revêtements photoluminescents émettant un rayonnement à la troisième longueur 5 d'onde de 580 nm peuvent être formés d'une alternance de couches de GaN et de InGaN, ayant des épaisseurs respectives de 3 nm à 20 nm (par exemple 6 nm) et de 1 nm à 30 nm (par exemple 2,5 nm), les couches de InGaN ayant une proportion de 35 % ± 5 % de In. Dans le mode de réalisation représenté sur les figures 10 1 et 2, pour chaque diode électroluminescente LED, la couche conductrice 26 recouvre la portion inférieure de la coque 24 et le revêtement photoluminescent 28R, 28G, 28B recouvre la portion supérieure de la coque 24. La couche conductrice 26 peut donc bloquer le rayonnement émis par la diode électroluminescente LED. 15 A titre de variante, la couche conductrice 26 peut avoir la forme d'un filet et s'étend sur la totalité de la coque 24, le revêtement photoluminescent 28R, 28G, 28B s'étendant sur la coque 24 dans les trous de la couche conductrice 26 et s'étendant sur la couche conductrice 26. Ceci peut être obtenu par des techniques de 20 masquage auto-assemblé tel que le recuit d'une couche mince de Ni pour former un masque auto-assemblé ou l'utilisation de nanosphères de TiO2 ou de SiO2. Selon un mode de réalisation, la couche conductrice 26 est en un matériau transparent au rayonnement émis par la diode électroluminescente LED et la couche 25 conductrice 26 recouvre la totalité de la coque 24, le revêtement photoluminescent 28R, 28G, 28B recouvrant la couche conductrice 26. Les figures 4 et 5 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, dans des plans perpendiculaires, d'un autre mode 30 de réalisation d'un dispositif optoélectronique 50 comprenant des diodes électroluminescentes. Le dispositif optoélectronique 50 comprend les mêmes éléments que le dispositif optoélectronique 5 représenté en figure 1 et comprend, en outre, des murs 52 s'étendant dans la couche d'encapsulation 30 à partir de la couche 35 isolante 18. Les murs 52 délimitent des portions 54 dans la couche 3061607 B15659 - 3DOptpump 20 d'encapsulation 30. Selon un mode de réalisation, chaque portion 54 comprend au moins une diode électroluminescente LED, de préférence seulement une diode électroluminescente LED. Selon un mode de réalisation, les murs 52 forment une grille et les portions 5 54 sont disposées en rangées et en colonnes. Les portions 54 peuvent avoir une forme carrée en figure 5. Toutefois, la forme des portions 54 peut être différente. Les murs 52 réduisent la diaphonie entre sous-pixels adjacents Pix. Selon un mode de réalisation, les murs 52 peuvent 10 être en un matériau réfléchissant ou recouverts d'une couche réfléchissante aux longueurs d'ondes des rayonnements émis par les revêtements photoluminescents 28R, 28G, 28B. Les murs 52 peuvent être en un matériau conducteur, par exemple un métal tel que l'aluminium, l'argent, le cuivre ou le zinc. La hauteur des 15 murs 52, mesurée selon une direction perpendiculaire à la face 14, est dans la plage de 1 pm à 200 pm, de préférence de 5 gm à 30 pm. L'épaisseur des murs 52, mesurée selon une direction parallèle à la face 14, est dans la plage de 100 nm à 50 pm, de préférence de 1 pm à 10 pm. Dans la vue de la figure 5, l'aire de 20 chaque portion 54 correspond à l'aire d'un carré dont le côté varie de 1 pm à 100 gm, de préférence de 3 pm à 15 }un. La figure 6 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 55 comprenant des diodes électroluminescentes. 25 Le dispositif optoélectronique 55 comprend les mêmes éléments que le dispositif optoélectronique 5 représenté en figure 1 à la différence que, pour chaque diode électroluminescente LED, la coque 24 n'est pas présente sur la face de sommet du fil 22, en ce que le revêtement photoluminescent 28R, 28G, 28B recouvre 30 seulement la face supérieure du fil 22 et en ce que la couche conductrice 26 recouvre la totalité des parois latérales de la coque 24 de la base au sommet de la coque 24. Le revêtement photoluminescent 28R, 28G, 28B peut correspondre à un empilement de couches semiconductrices, la composition de l'empilement étant 35 par exemple la même que celle décrite précédemment, notamment en 3061607 B15659 - 3DOptpump 21 figure 3, à la différence que les couches des revêtements photoluminescents 28R, 28G, 28B s'étendent seulement sur la face supérieure du fil 22, sensiblement de façon perpendiculaire à l'axe du fil 22, la direction d'empilement s'étendant selon l'axe 5 du fil 22. Une couche intermédiaire, non représentée peut être prévue entre la coque 24 et le revêtement photoluminescent 28R, 28G, 28B, par exemple du même matériau que le fil 22 sans dopants intentionnels et ayant une épaisseur dans la plage de 1 nm à 5 dam, 10 pour empêcher la fuite de courant. L'épaisseur de la couche conductrice 26 est, de façon avantageuse, dans la plage de 500 nm à 5 fun pour agir comme un guide d'onde par rapport au rayonnement émis par la diode électroluminescente LED. La figure 7 est une vue en coupe, partielle et 15 schématique, d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 60 comprenant des diodes électroluminescentes. Le dispositif optoélectronique 60 comprend les mêmes éléments que le dispositif optoélectronique 55 représenté en figure 6 et comprend, en outre, pour chaque diode électroluminescente LED, un 20 revêtement 62 recouvrant la couche conductrice 26 qui est réfléchissant pour les longueurs d'ondes des rayonnements émis par les revêtements réfléchissants 28R, 28G, 28B. Les revêtements 62 peuvent être en un matériau conducteur, par exemple un métal tel que l'aluminium, l'argent, le cuivre ou le zinc. L'épaisseur 25 des revêtements 62 est dans la plage de 100 nm à 50 um, de préférence de 1 pin à 10 gm. Les revêtements 62 réduisent la diaphonie entre sous-pixels adjacents Pix. La présence des revêtements 62 permet de réduire la distance entre fils 22 adjacents. 30 Selon un mode de réalisation, une couche diélectrique, non représentée, par exemple une couche d'oxyde de silicium, peut être prévue entre la couche conductrice 26 et le revêtement 62 pour chaque diode électroluminescente LED. La couche diélectrique intermédiaire améliore la réflexion des rayonnements émis par les 35 revêtements photoluminescents 28R, 28G, 28B et réduit les pertes. 3061607 B15659 - 3DOptpump 22 Un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 5 représenté sur la figure 1 va être décrit en relation avec les figures 8A à 8E. La figure 8A représente la structure obtenue après les 5 étapes suivantes : (1) Formation de la couche de germination 16 sur la face 14 du substrat 10. La couche de germination 16 peut être déposée par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou dépôt chimique 10 en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD), également connu sous le nom d'épitaxie organométallique en phase vapeur (MOVPE). Toutefois, des procédés tels que l'épitaxie par jets moléculaires (MBE), la MBE à source de gaz (GSMBE), la MBE organométallique (MOMBE), la MBE assistée par plasma (PAMBE), l'épitaxie par couche 15 atomique (ALE), l'épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE), ou un dépôt de couches atomiques (ALD) peuvent être utilisés. En outre, des procédés tels que l'évaporation ou la pulvérisation cathodique réactive peuvent être utilisés. Lorsque la couche de germination 16 est en nitrure 20 d'aluminium, elle peut être sensiblement texturée et posséder une polarité préférentielle. La texturation de la couche de germination 16 peut être obtenue par un traitement supplémentaire réalisé après le dépôt de la couche de germination. Il s'agit, par exemple, d'un recuit sous flux d'ammoniac (NH3). 25 (2) Dépôt de la couche isolante 18, par exemple par dépôt conforme, notamment par CVD. (3) Formation d'ouvertures 20 dans une couche isolante 18. Il peut s'agir d'une gravure anisotrope, par exemple une gravure ionique réactive ou RIE ou une gravure à plasma à 30 couplage inductif ou ICP. La figure 8B représente la structure obtenue après l'étape suivante : (4) Croissance d'un fil 22 dans chaque ouverture 20. Le procédé de croissance des fils 22 peut être un procédé 35 du type CVD, MOCVD, MBE, GSMBE, PAMBE, ALE, HVPE, ALD. En outre, 3061607 B15659 - 3DOptpump 23 des procédés électrochimiques peuvent être utilisés, notamment le dépôt en bain chimique (CBD), des procédés hydrothermiques, la pyrolyse à alimentation liquide par projection de flamme ou l'électrodéposition. 5 A titre d'exemple, le procédé de croissance des fils 22 peut comprendre l'injection dans un réacteur d'un précurseur d'un élément du groupe III et un précurseur d'un élément du groupe V. La figure 8C représente la structure obtenue après la mise en oeuvre des étapes suivantes : 10 (5) Croissance par épitaxie, pour chaque fil 22, des couches qui forment la coque 24. Le dépôt des couches formant la coque 24 ne se produit que sur la portion du fil 22 en dehors de l'ouverture 20 et de la couche isolante 18. Un exemple de procédé de fabrication de la diode 15 électroluminescente LED comprenant des fils recouverts par des coques est décrit dans la demande de brevet US2015/0280053. La figure 8D représente la structure obtenue après la mise en oeuvre des étapes suivantes : (6) Formation des revêtements photoluminescents 28R, 20 28G, 28B sur une portion supérieure des coques 24. Le procédé de croissance des fils 22 peut être un procédé du type CVD, MOCVD, MBE, GSMBE, PAMBE, ALE, HVPE, ALD. En outre, des procédés électrochimiques peuvent être utilisés, notamment le dépôt en bain chimique (CBD), des procédés hydrothermiques, la 25 pyrolyse à alimentation liquide par projection de flamme ou l'électrodéposition. Selon un mode de réalisation, la formation des revêtements photoluminescents 28R, 28G, 28B peut comprendre le dépôt d'une couche de masquage sur la totalité de la structure, 30 la gravure de la couche de masquage pour exposer les portions supérieures des coques 24, la formation des revêtements photoluminescents 28R, 28G, 28B sur les portions exposées de la couche et le retrait de la couche de masquage. La figure 8E représente la structure obtenue après la 35 mise en oeuvre des étapes suivantes : 3061607 B15659 - 3DOptpump 24 (7) Formation de la couche conductrice 26 pour chaque diode électroluminescente LED, par exemple, par dépôt conforme et gravure de portions de la couche conductrice recouvrant les revêtements photoluminescents 28R, 28G, 28B. On notera que les 5 étapes des figures 8E et 8D peuvent être interchangées. La couche conductrice peut donc également être formée en premier et suivie par la formation des revêtements photoluminescents. Selon un mode de réalisation, l'étape (7) peut être mise en oeuvre avant l'étape (6). 10 Les étapes ultérieures du procédé de fabrication du dispositif optoélectronique 5 peuvent être les suivantes : (8) Formation de la couche d'encapsulation 30. Lorsque la couche d'encapsulation 30 est en silicium, la couche d'encapsulation 30 peut être déposée par dépôt à la tournette, 15 par impression par jet, ou par un procédé de sérigraphie. Lorsque la couche d'encapsulation 30 est un oxyde, elle peut être déposée par CVD. (9) Formation du filtre 32. Un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du 20 dispositif optoélectronique 55 représenté en figure 6 va être décrit en relation avec les figures 9A à 9D. La figure 9A représente la structure obtenue après la mise en oeuvre des étapes (1), (2), (3), (4) et (5) décrites précédemment . 25 La figure 9B représente la structure obtenue après la mise en oeuvre des étapes suivantes : (6') Formation d'une couche conductrice 26, pour chaque diode électroluminescente LED, par exemple, par dépôt conforme, sur la totalité de la coque 24 et sur la couche isolante 30 18 autour de la coque 24. La figure 9C représente la structure obtenue après la mise en oeuvre des étapes suivantes : (7') Retrait, pour chaque diode électroluminescente LED, de la couche conductrice 26 et de la coque 24 au sommet du 35 fil 22 pour exposer la face supérieure du fil 22. Ceci peut être 3061607 B15659 - 3DOptpump 25 réalisé par gravure ICP ou par planarisation mécano-chimique (CMP). La figure 9D représente la structure obtenue après la mise en oeuvre des étapes suivantes : 5 (8') Formation des revêtements 28R, 28G, 28B au sommet des fils 22, d'où il résulte que la direction d'empilement est selon l'axe du fil 22. Le procédé de croissance des fils 22 peut être un procédé du type CVD, MOCVD, MBE, GSMBE, PAMBE, ALE, HVPE, ALD. En outre, 10 des procédés électrochimiques peuvent être utilisés, notamment le dépôt en bain chimique (CBD), des procédés hydrothermiques, la pyrolyse à alimentation liquide par projection de flamme ou l'électrodéposition. Les étapes ultérieures du procédé de fabrication du 15 dispositif optoélectronique 55 comprennent les étapes (8) et (9) décrites préalablement. Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'honne de l'art. En particulier, bien que dans les modes de réalisation 20 décrits précédemment, les murs 52 aient des faces latérales qui sont sensiblement perpendiculaires à la face 14, les faces latérales des murs 52 peuvent être profilées, par exemple inclinées par rapport à la face 14. En outre, divers modes de réalisation avec diverses 25 variantes ont été décrits ci-dessus. Divers éléments de ces modes de réalisation et variantes peuvent être combinés. A titre d'exemple, le dispositif optoélectronique 55 décrit précédemment en relation avec la figure 6 peut comprendre les murs 52 décrits précédemment en relation avec la figure 4. REVENDICATIONS1. Dispositif optoélectronique (5 ; 55 ; 60) comprenant : des diodes électroluminescentes (LED), chaque diode électroluminescente comprenant un élément semiconducteur (22) 5 correspondant à un nanofil, un microfil, et/ou une structure pyramidale de taille nanométrique ou micrométrique, et une coque (24) recouvrant au moins partiellement l'élément semiconducteur et adapté à émettre un rayonnement ; et pour chaque diode électroluminescente, un revêtement 10 photoluminescent (28R, 28G, 28B) comprenant un puits quantique unique, des puits quantiques multiples (44) ou une hétérostructure, recouvrant au moins en partie la coque et en contact avec la coque ou avec l'élément semiconducteur et adapté à convertir par pompage optique le rayonnement émis par la coque 15 en un autre rayonnement. 2. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1, dans lequel les diodes électroluminescentes (LED) sont adaptées à émettre un premier rayonnement à une première longueur d'onde et dans lequel les revêtements photoluminescents (28R, 28G, 28B) 20 comprennent des premiers revêtements photoluminescents (28B) adaptés à convertir par pompage optique le premier rayonnement en un deuxième rayonnement à une deuxième longueur d'onde, des deuxièmes revêtements photoluminescents (28G) adaptés à convertir par pompage optique le premier rayonnement en un troisième 25 rayonnement à une troisième longueur d'onde et des troisièmes revêtements photoluminescents (28R) adaptés à convertir par pompage optique le premier rayonnement en un quatrième rayonnement à une quatrième longueur d'onde. 3. Dispositif optoélectronique selon la revendication 30 1 ou 2, dans lequel chaque élément semiconducteur (22) comprend des parois latérales et une face de soumet, et dans lequel les revêtements photoluminescents (28R, 28G, 28B) et les coques (24) recouvrent les parois latérales et les faces de soumet des éléments semiconducteurs. 3061607 B15659 - 3DOptpump 27 4. Dispositif optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel chaque élément semiconducteur (22) comprend des parois latérales et une face de solmet, dans lequel les coques (24) recouvrent les parois latérales des éléments semiconducteurs, et dans lequel les revêtements photoluminescents (28R, 28G, 28B) recouvrent les faces de sommet des éléments semiconducteurs et ne recouvrent pas les parois latérales des éléments semiconducteurs. 5. Dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant, pour chaque diode 10 électroluminescente (LED), une couche conductrice électriquement (26) en contact avec la coque (24). 6. Dispositif optoélectronique selon la revendication 5, dans lequel, pour chaque diode électroluminescente (LED), la couche conductrice (26) est recouverte par une couche 15 réfléchissante (62). 7. Dispositif optoélectronique selon la revendication 2 ou l'une quelconque des revendications 3 à 6 dans leur rattachement à la revendication 2, comprenant en outre des murs (52) reposant sur le substrat (10), au moins en partie en un 20 matériau réfléchissant pour au moins les deuxième, troisième et quatrième rayonnements et entourant les diodes électroluminescentes (LED). 8. Dispositif optoélectronique selon la revendication2 ou l'une quelconque des revendications 3 à 7 dans leur 25 rattachement à la revendication 2, comprenant en outre un filtre (32) recouvrant les revêtements photoluminescents (28R, 28G, 28B) et adapté à bloquer le premier rayonnement et à laisser passer les deuxième, troisième et quatrième rayonnements. 9. Dispositif optoélectronique selon la revendication 30 2 ou l'une quelconque des revendications 3 à 8 dans leur rattachement à la revendication 2, dans lequel la première longueur d'onde est dans la plage de 360 nm à 430 nm, dans lequel la deuxième longueur d'onde est dans la plage de 440 nm à 490 mn, dans lequel la troisième longueur d'onde est dans la plage de 3061607 B15659 - 3DOptpump 28 510 nm à 570 nm, et dans lequel la quatrième longueur d'onde est dans la plage de 610 nm à 720 nm. 10. Dispositif optoélectronique selon la revendication2 ou l'une quelconque des revendications 3 à 9 dans leur 5 rattachement à la revendication 2, dans lequel les revêtements photoluminescents comprennent en outre des quatrièmes revêtements photoluminescents adaptés à convertir par pompage optique le premier rayonnement en un cinquième rayonnement à la cinquième longueur d'onde. 11. Dispositif optoélectronique selon la revendication 10, dans lequel la cinquième longueur d'onde est dans la plage de 570 nm à 600 nm. 12. Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (5 ; 55 ; 60) selon l'une quelconque des 15 revendications 1 à 11, comprenant les étapes successives suivantes : a) former les diodes électroluminescentes (LED) ; et b) former les revêtements photoluminescents (28R, 28G, 28B). 20 13. Procédé selon la revendication 12, comprenant, avant l'étape b), la formation d'une couche conductrice électriquement (26) recouvrant les coques (24), et, avant l'étape b), le retrait des couches conductrices et des coques (24) aux sommets des éléments semiconducteurs (22), et la formation des revêtements 25 photoluminescents (28R, 28G, 28B) aux sommets des éléments semiconducteurs.