FR 3052871 A1 20171222 FR 1655609 A 20160616 1 La présente invention concerne le domaine technique de la caractérisation de la qualité de faisceaux de rayons X et elle vise plus particulièrement la caractérisation de la qualité de faisceaux de rayons X dans le domaine de l'imagerie médicale. Dans le domaine notamment de la radiologie, il apparaît nécessaire de caractériser la qualité des faisceaux de rayons X utilisés, pour des questions d'assurance qualité et de radioprotection des patients et des personnels. La propriété dosimétrique principale des faisceaux de rayons X dans la plage 40- 150kVp est que la dose atteint son maximum proche de la surface du patient, c'est-à-dire dans les premiers millimètres et décroît avec la profondeur, la vitesse de décroissance dépendant des propriétés énergétiques du faisceau incident (Robin Hill et al. Phys. Med. Bio. 59 (2014) R183-R231). D'une manière générale, la caractérisation de la qualité des faisceaux de rayons X repose, sur la vitesse de décroissance du débit de dose en fonction de la profondeur après le maximum de débit de dose. La qualité de faisceau est directement reliée aux caractéristiques spectrales du faisceau de rayons X et notamment à l'énergie moyenne de ce spectre. La figure 1 montre l'évolution spectrale de faisceaux de rayons X obtenus pour différentes tensions du tube de production des faisceaux de rayons X, les autres paramètres étant fixés (angle, filtration, matériau et épaisseur de la fenêtre, forme du collimateur, ...). Chaque spectre a une énergie moyenne différente et donc une qualité de faisceau spécifique. Dans ce domaine, il est connu de caractériser les propriétés énergétiques d'un faisceau de rayons X en utilisant un matériau métallique atténuateur et par la détermination de l'épaisseur de demi-atténuation c'est- à-dire l'épaisseur nécessaire pour réduire de moitié le débit de dose (Ma et al. Medical Physics Vol. 28, N°. 6 2001). Il est d'usage d'utiliser un empilement de feuilles métalliques pour déterminer l'épaisseur de demi-atténuation. Cette méthode manuelle présente une mise en oeuvre relativement longue et ne donne pas accès à divers autres paramètres utiles pour caractériser la qualité de faisceaux de rayons X. Pour faciliter cette mise en oeuvre, la demande de brevet US 2013-016808-A1 propose un système 3052871 2 permettant de faire varier l'épaisseur du matériau atténuateur d'une manière continue. Une autre approche pour caractériser un faisceau de rayons X, décrite dans le brevet US 5,761,270, sur laquelle est basée un instrument de la 5 société RAYSAFE, consiste à utiliser sur une matrice de diodes silicium et différents filtres métalliques atténuateurs. Cet instrument présente une résolution spatiale limitée puisqu'elle ne peut pas être inférieure à la taille de la matrice. Par ailleurs, même si cet instrument est compact, il présente l'inconvénient de ne pas être radio-transparent. 10 Encore une autre méthode s'appuie sur l'atténuation de la dose avec la profondeur dans l'eau et propose d'utiliser le ratio des mesures dosimétriques à deux profondeurs dans l'eau, typiquement à 2 cm et 5 cm, pour spécifier la qualité du faisceau (K. R. Rosser, "An alternative beam quality index for medium-energy x-ray dosimetry," Phys. Med. Biol. 43, 587- 15 598, 1998). Cette méthode ne permet pas de développer un système compact et de caractérisation rapide de la qualité du faisceau. La présente invention vise à remédier aux inconvénients de l'art antérieur, en proposant une nouvelle technique permettant d'acquérir en temps réel, diverses informations sur les caractéristiques énergétiques d'un 20 faisceau de rayons X pour caractériser sa qualité, tout en présentant une résolution spatiale élevée. Un autre objet de l'invention est de proposer une technique conçue pour caractériser la qualité d'un faisceau de rayons X tout en permettant d'être radio-transparente. 25 Pour atteindre de tels objectifs, l'invention vise à proposer un procédé pour caractériser la qualité d'un faisceau de rayons X comportant un profil connu de dépôt de dose dans un corps présentant une zone d'accroissement de débit de dose à l'intérieur dudit corps s'étendant entre la surface d'entrée du faisceau et une profondeur caractéristique où le débit de dose déposé est 30 maximal, le procédé comportant les étapes suivantes : - projeter ledit faisceau de rayons X sur un détecteur monolithique intégrant m jonctions p-n empilées (m ?.. 3) en profondeur dudit détecteur 3052871 3 avec au moins trois jonctions distribuées dans la zone d'accroissement de débit de dose ; - récupérer les m signaux délivrés par les jonctions p-n du détecteur ; 5 et traiter les m signaux pour caractériser la qualité du faisceau de rayons X. Selon une variante avantageuse de réalisation, le procédé consiste à traiter les m signaux en calculant m-1 valeurs de différentiation relative du premier ordre d, suivantes : (ri+1 - ri) 1=1 à m-1 d: = (r1+1 +r1) 2 10 Selon une autre variante avantageuse de réalisation, le procédé consiste à partir des m-1 valeurs de différentiation relative de premier ordre, à calculer les m-2 valeurs de différentiation relative du second ordre suivantes : di) 1=1 à m-2 = (d1+1 + di) 2 Avantageusement, le procédé consiste, à partir des m valeurs de 15 signaux r, m-1 valeurs de différentiation relative de premier ordre d, et des m-2 valeurs de différentiation relative du second ordre à déterminer l'allure du profil de dépôt de débit de dose sur la zone d'accroissement de débit de dose ainsi que la profondeur caractéristique ; Selon une caractéristique avantageuse, le procédé consiste à 20 déterminer la courbure maximale en valeur absolue du profil du débit de dose à partir des m-2 valeurs de différentiation relative du second ordre, cette courbure maximale en valeur absolue permettant de remonter à la qualité du faisceau de rayons X incident ; Avantageusement, le procédé consiste à déterminer la vitesse 25 d'accroissement maximale du profil du débit de dose à partir des m-1 valeurs 3052871 4 de différentiation relative de premier ordre, cette vitesse d'accroissement permettant de remonter à la qualité du faisceau de rayons X incident ; Selon une autre variante avantageuse de réalisation, le procédé consiste à partir des m-1 valeurs de différentiation relative de premier ordre 5 et des m-2 valeurs de différentiation relative du second ordre, à constituer un vecteur de 2m-3 éléments défini par : d1 dm'__ dm-2 Par exemple, le procédé consiste, pour un équipement générateur de rayons X dont les réglages en énergie permettent d'obtenir n spectres avec des qualité de faisceau différentes, à déterminer la corrélation vectorielle 10 entre le vecteur mesuré et n vecteurs de référence prédéterminés correspondants à ces n spectres, le maximum de corrélation indiquant le spectre du faisceau de rayons X et donc la qualité de ce faisceau ; Par exemple, le procédé consiste, pour un équipement générateur de rayons X dont les réglages y compris en filtration permettent d'obtenir k 15 configurations d'utilisation avec des qualités de faisceau différentes, à déterminer la corrélation vectorielle entre le vecteur mesuré et k vecteurs de référence prédéterminés pour ces configurations, le maximum de corrélation indiquant la configuration utilisée et donc la qualité du faisceau de rayons X; Avantageusement, le procédé consiste à exploiter d'une part, les m 20 signaux des jonctions p-n qui sont proportionnels au débit de dose du faisceau incident et d'autre part, la qualité de faisceau pour déterminer le débit de dose à une profondeur donnée ; Selon une caractéristique avantageuse de réalisation, le procédé consiste à répartir les m jonctions p-n de manière à positionner au moins 25 trois jonctions p-n dans la zone d'accroissement de débit de dose pour le faisceau de rayons X avec le plus faible niveau d'énergie, et au moins deux jonctions p-n à proximité de la profondeur caractéristique pour le faisceau de rayons X avec le plus fort niveau d'énergie ; 3052871 5 L'invention vise également à proposer un dispositif pour caractériser la qualité d'un faisceau de rayons X comportant un profil connu de dépôt de dose dans un corps, présentant une zone d'accroissement de débit de dose à l'intérieur dudit corps s'étendant entre la surface d'entrée du faisceau et une 5 profondeur caractéristique où le débit de dose déposé est maximal. Le dispositif selon l'invention comporte un détecteur monolithique à m jonctions p-n empilées en profondeur dudit détecteur avec au moins trois desdites jonctions distribuées dans une zone correspondant à la zone d'accroissement de débit de dose pour l'indice de qualité de faisceau le plus faible de la plage 10 de mesure , le détecteur étant relié à un circuit de mesure et de traitement récupérant les m signaux délivrés par les m jonctions p-n du détecteur et traitant les m signaux pour caractériser la qualité du faisceau de rayons X. Selon un exemple de réalisation, le détecteur monolithique à m jonctions p-n empilées en profondeur est un détecteur à multiples jonctions 15 p-n enterrées ou un détecteur obtenu par des procédés de fabrication ou d'intégration microélectronique 3D. Avantageusement, trois des jonctions p-n sont distribuées dans une zone de profondeur au plus égale à 20 pm à partir de la face d'implantation du détecteur monolithique. Selon une caractéristique de l'invention, le circuit de mesure et de 20 traitement est adapté pour calculer, à partir des m signaux délivrés par le détecteur, les m-1 grandeurs de différentiation relative suivantes : (ri+i - ) di = (ri+i +r) i=1 à m-1 2 et à partir des m-1 grandeurs de différentiation relative, à calculer les m-2 grandeurs de différentiation relative du second ordre suivantes : (di+i - di) i=1 à m-2 (di+1 + di) 2 Selon une autre caractéristique de l'invention, le circuit de mesure 25 et de traitement est adapté pour calculer le maximum de la corrélation 3052871 6 vectorielle entre n vecteurs de référence et le vecteur à 2m-3 éléments suivant : d', dim-2 Diverses autres caractéristiques ressortent de la description faite 5 ci-dessous en référence aux dessins annexés qui montrent, à titre d'exemples non limitatifs, des formes de réalisation de l'objet de l'invention. La Figure 1 montre l'évolution spectrale de faisceaux de rayons X (flux F en keV-1.cm-2.mA-1.s-1) en fonction de l'énergie E (keV), et cela pour différentes tensions du tube de production des faisceaux de rayons X. 10 La Figure 2 illustre le profil de débit de dose relatif D d'un faisceau de rayons X en fonction de la profondeur P (mm) à l'intérieur d'un corps, pour différentes tensions du tube de production des faisceaux de rayons X. La Figure 3 illustre l'évolution du débit de dose relatif D dans la zone d'accroissement de débit de dose s'étendant entre la surface d'entrée du 15 faisceau et une profondeur caractéristique P où le débit de dose déposé est maximal. La Figure 4 est un exemple de réalisation d'un dispositif pour caractériser la qualité d'un faisceau de rayons X. La Figure 5 est un autre exemple de réalisation d'un dispositif pour 20 caractériser la qualité d'un faisceau de rayons X permettant une irradiation par la face arrière. La Figure 6 est un exemple de réalisation d'un détecteur obtenu par des procédés de fabrication ou d'intégration microélectronique 3D. La Figure 7 illustre les valeurs de différentiation relative de premier 25 ordre des signaux délivrés par le détecteur, pour différentes énergies du faisceau de rayons X. 3052871 7 La Figure 8 illustre les valeurs de différentiation relative de second ordre des quatre signaux délivrés par le détecteur, pour différentes énergies du faisceau de rayons X. La Figure 9 illustre les valeurs d'un vecteur de différentiation relative 5 des signaux délivrés par le détecteur, pour différentes énergies du faisceau de rayons X. La Figure 10 illustre les valeurs de corrélation pour différentes énergies du faisceau de rayons X, entre le vecteur de différentiation relative pour le faisceau de rayons X et des vecteurs de référence tabulés. 10 L'objet de l'invention concerne un dispositif 1 à base de silicium adapté pour caractériser la qualité d'un faisceau F de rayons X comportant un profil connu de dépôt de dose dans un corps, couramment désigné par rendement en profondeur (« depth-dose curve » ou « percentage depth dose distribution » en anglais). La Fig. 2 illustre le profil de débit de dose relatif D 15 d'un faisceau de rayons X en fonction de la profondeur P à l'intérieur d'un corps, pour différents spectres énergétiques qui correspondent à différentes tensions d'alimentation du tube de production du faisceau de rayons X (Robin Hill et al. Phys. Med. Bio. 59 (2014) R183-R231). Il est ainsi connu que le débit de dose d'un faisceau de rayons X décroit en fonction de la 20 profondeur après le maximum de débit de dose Dmax. Dans la plage 40-150kVp, Dmax se situe dans les premiers millimètres de la surface d'entrée du faisceau dans un corps. Il est à noter que dans le cas du silicium, ce maximum se situe entre quelques micromètres et une dizaine de micromètres. Cette représentation macroscopique qui est largement 25 répandue dans l'art antérieur conduit à considérer que le maximum de débit de dose Dmax se situe à l'entrée du corps. Cependant, cette considération macroscopique ne prend pas en compte le fait que le débit de dose d'un faisceau de rayons X présente une zone d'accroissement rapide de débit de dose à l'intérieur dudit corps. Tel 30 que cela ressort plus précisément de la Fig. 3, (http :www-naweb.iaea.org/DMRP/documents/Chapter6.pdf) le débit de dose relatif D d'un faisceau de rayons X présente une zone d'accroissement de 3052871 8 débit de dose Za s'étendant entre la surface d'entrée du faisceau (Z=0) et une profondeur caractéristique Pmax où le débit de dose déposé Dmax est maximal. Cette zone superficielle d'accroissement de débit de dose Za s'étendant jusqu'à la profondeur caractéristique Pmax, est désignée 5 par« build-up » en anglais et dépend des propriétés énergétiques du faisceau de rayons X. Tel que cela ressort de la Fig. 3, la dose absorbée est la plus élevée non pas à la surface du corps, mais à une profondeur P d'autant plus grande que l'énergie moyenne du spectre du faisceau de rayons X est élevée. Ainsi, 10 pour un faisceau F2 de rayons X, présentant une énergie moyenne supérieure à une énergie moyenne d&é'un faisceau Fi de rayons X, la profondeur caractéristique Pmax2 où P le débit de dose déposé Dmax est - maximal, est plus grande que la profondeur caractéristique Pmaxi pour le faisceau de rayons X d'énergie El. En d'autres termes, la zone 15 d'accroissement de débit de dose Zai pour le faisceau de rayons X d'énergie moyenne est plus petite que la zone d'accroissement de débit de dose Za2 pour le faisceau de rayons X d'énergie moyenne . Tel que cela ressort plus précisément de la Fig.4, le dispositif 1 selon l'invention pour caractériser la qualité d'un faisceau F de rayons X, comporte 20 un détecteur 3 intégrant de manière monolithique m jonctions p-n empilées en profondeur par rapport à sa surface et dont au moins trois de ces jonctions p-n sont distribuées dans la zone d'accroissement Za de débit de dose d'un faisceau de rayons X. Les m jonctions p-n du détecteur 3 délivrent m signaux électriques. Le 25 détecteur 3 est relié à un circuit de mesure et de traitement 4 récupérant les m signaux délivrés par le détecteur 3. Comme cela sera expliqué dans la suite de la description, ce circuit 4 traite les m signaux délivrés par le détecteur 3 pour caractériser la qualité du faisceau de rayons X. Conformément à l'invention, le détecteur 3 à m jonctions p-n empilées 30 en profondeur est un détecteur à multiples jonctions p-n enterrées ou un détecteur obtenu par des procédés de fabrication ou d'intégration microélectronique 3D. Quel que soit le mode de fabrication, le détecteur 3 3052871 9 est un composant monolithique intégrant les m jonctions p-n empilées en profondeur dans ce composant monolithique. Selon un exemple préféré de réalisation, le détecteur monolithique 3 est un détecteur BMJ, acronyme de l'expression anglaise Buried Multiple pn 5 Junction, et décrit par le brevet US 5, 883,421. Dans ce mode préféré de réalisation, le détecteur 3 selon l'invention, comprend une structure de semi-conducteur 10 à base de silicium comportant successivement dans l'exemple illustré, quatre jonctions p-n respectivement 11 à 14. Ces jonctions 11 à 14 sont enterrées respectivement à des profondeurs 10 croissantes P1 à P4 prises à partir d'une surface du silicium 101 dite face avant de la structure de semi-conducteur 10. Ces jonctions 11 à 14 sont obtenues par la réalisation de cinq zones Cl à C5 avec des dopages différents alternativement p et n, réparties dans la profondeur du substrat de silicium. L'interface entre deux zones adjacentes détermine la profondeur de 15 la jonction correspondante. Ainsi, la première jonction 11 se situe à l'interface entre la première zone Cl et la deuxième zone C2, la deuxième jonction 12 entre la deuxième zone C2 et la troisième zone C3, la troisième jonction 13 entre la troisième zone C3 et la quatrième zone C4 et la quatrième jonction 14 entre la quatrième zone C4 et la cinquième zone C5. 20 Dans l'exemple illustré, les première à cinquième zones Cl à C5 sont respectivement de types P, N, P, N, P et sont obtenues par des procédés de fabrication microélectronique tels que l'implantation ionique et la diffusion. Il est possible d'inverser les dopages de la structure c'est-à-dire de types N, P, N, P, N, pour la fabrication du détecteur monolithique 3. 25 Dans l'exemple illustré à la Fig. 4, la surface 101 de la structure 10 en relation de la première zone Cl comporte une partie destinée à recevoir le faisceau incident F de rayons X. Selon l'exemple de réalisation illustré à la Fig. 5, le détecteur monolithique 3 comporte un substrat aminci c'est-à-dire une cinquième et dernière zone C5 de faible épaisseur de sorte que 30 l'atténuation du faisceau F par le détecteur reste limitée et qu'ainsi le détecteur puisse être considéré comme radio transparent. Dans cet exemple de réalisation, il peut être avantageux d'exposer au faisceau incident F de 3052871 10 rayons X, la face arrière 102 de la structure de semi-conducteur 10, opposée de la surface avant 10i, pour exploiter le fait que les zones profondes sont typiquement moins dopées et donc permettent d'obtenir une meilleure sensibilité de détection pour la jonction correspondante (à savoir la 5 quatrième jonction 14 dans l'exemple illustré) avec une zone de charge d'espace plus large, ce qui est bien adapté aux faibles débits de doses à proximité immédiate de la surface irradiée. Cette mise en oeuvre permet un meilleur rapport signal à bruit sur l'ensemble des jonctions. Par ailleurs, chacune des zones Cl à C5 est accessible sur la surface 10 avant 101, respectivement par une zone de connexion C'l à C'5. Ces zones de connexion Cil à C'5 permettent la connexion avec le circuit 4. Ce circuit 4 comprend cinq branches 41 à 45 connectées respectivement aux zones de connexion C'l à C'5. Alors que la cinquième branche 45 est reliée à la masse, les quatre autres branches sont utilisées pour la lecture des signaux 15 de sortie des jonctions 11 à 14 et permettent également de polariser ces jonctions avec des potentiels électriques adéquats. Lorsqu'un faisceau de rayons X irradie la surface avant 101 de la structure 10, il apparaît par effet photoélectrique, des courants internes traversant les quatre jonctions 11 à 14 et récupérés par les branches du 20 circuit 4. Ainsi, la première branche 41 récupère le courant r1 circulant dans la première jonction 11 alors que la deuxième branche 42 est parcourue par le courant r2 circulant dans les première et deuxième jonctions 11, 12. De même, la troisième branche 43 récupère le courant r3 circulant dans les deuxième et troisième jonctions 12, 13 alors que la quatrième branche 44 25 récupère le courant r4 circulant dans les troisième et quatrième jonctions 13, 14. D'un point de vue électronique, la structure de semi-conducteur 10 illustrée est équivalente à quatre photodiodes superposées. Ainsi, il doit être compris que le circuit 4 récupère pour un détecteur à m jonctions p-n, m signaux électriques ri (i = 1, 2 ...m). 30 Le détecteur monolithique 3 décrit ci-dessus est réalisé par des procédés de fabrication microélectronique (épitaxie, implantation ionique, etc.). Il est à noter que dans le cas où le détecteur comporte un nombre 3052871 11 élevé de jonctions p-n empilées de manière superposée comme illustré à la Fig. 5, un tel détecteur peut être réalisé par les techniques d'intégration microélectroniques tridimensionnelles. Dans la mesure où le détecteur monolithique 3 est destiné à recevoir 5 des faisceaux de rayons X présentant des énergies moyennes différentes, au moins trois de ces jonctions p-n empilées en profondeur sont distribuées dans la zone d'accroissement Za de débit de dose du faisceau de rayons X présentant le plus faible niveau d'énergie moyenne. Dans l'exemple illustré à la Fig. 3, trois de ces jonctions p-n sont distribuées selon des profondeurs 10 P1, P2, P3 dans la zone d'accroissement Zai de débit de dose du faisceau de rayons X présentant le plus faible niveau d'énergie moyenne à savoir . Ces trois jonctions p-n empilées selon les profondeurs Pl, P2, P3 dans la zone d'accroissement Zai sont aussi nécessairement, distribuées dans la zone d'accroissement Za2 de débit de dose du faisceau de rayons X 15 présentant un niveau d'énergie moyenne plus élevé à savoir . Il est à noter que dans l'exemple illustré, quatre jonctions p-n sont distribuées selon des profondeurs Pl, P2, P3, P4 dans la zone d'accroissement Za2 de débit de dose pour le faisceau de rayons X d'énergie moyenne . Typiquement, au moins trois des jonctions p-n sont distribuées dans 20 une zone de profondeur au plus égale à 20 pm à partir de la face exposée au faisceau de rayons X du détecteur monolithique 3. Bien entendu, le détecteur monolithique 3 peut comporter un nombre m de jonctions p-n significativement supérieur à trois pour améliorer la précision et la fiabilité de mesure, et pour élargir la plage énergétique de 25 mesure. De même, il peut être prévu de distribuer ces m jonctions de manière régulière ou non, sur toute la zone d'accroissement de débit de dose du faisceau de rayons X dont l'énergie moyenne est la plus haute, tout en conservant au moins trois jonctions dans la zone d'accroissement de débit de dose du faisceau de rayons X dont l'énergie moyenne est la plus basse. 30 Selon une caractéristique avantageuse de réalisation, pour une plage d'énergie moyenne donnée, les m jonctions p-n sont empilées en profondeur de manière à positionner au moins trois jonctions p-n dans la zone 3052871 12 d'accroissement de débit de dose pour le faisceau de rayons X présentant le plus faible niveau d'énergie moyenne, et au moins deux jonctions p-n autour de la profondeur caractéristique Pmax pour le faisceau de rayons X présentant le plus fort niveau d'énergie moyenne. 5 Les m signaux (courants) délivrés par les m jonctions p-n du détecteur 3 sont mesurés et traités dans la mesure où ils permettent de caractériser la qualité du faisceau de rayons X. Selon une caractéristique avantageuse de réalisation, le circuit de mesure et de traitement 4 est configuré pour traiter les m signaux r, (i 10 1,..m) en calculant m-1 valeurs de différentiation relative d, suivantes : d, (ri+i - ri) i=1 à m-1 (1-1+1 + ri) 2 La Fig. 7 illustre les valeurs de différentiation de premier ordre des quatre signaux délivrés par le détecteur à quatre jonctions p-n, pour différentes énergies moyennes du faisceau de rayons X. Les graphiques de la Fig. 7 montrent, pour différentes énergies du faisceau de rayons X, les trois 15 valeurs de différentiation de premier ordre dl, d2, d3 correspondant aux différentiations respectivement entre les signaux r1 et r2, r2 et r3, r3 et r4. L'analyse des valeurs de différentiation relative de premier ordre di permet d'apprécier notamment la pente du profil de dépôt de débit de dose sur la zone d'accroissement de débit de dose. 20 Selon une caractéristique avantageuse de réalisation, le circuit de mesure et de traitement 4 est configuré pour déterminer la vitesse d'accroissement maximale du profil du débit de dose à partir des m-1 valeurs de différentiation relative de premier ordre di, cette vitesse d'accroissement est d'autant plus grande que l'énergie moyenne du faisceau de rayons X 25 incident est basse, ce qui représente un paramètre pour spécifier la qualité du faisceau de rayons X incident. Selon une autre caractéristique avantageuse de réalisation, le circuit de mesure et de traitement 4 est configuré pour, à partir des m-1 valeurs de différentiation relative de premier 3052871 13 ordre di, à calculer les m-2 valeurs de différentiation relative du second ordre d'i suivantes : d' i=1 à m-2 (di+1 - di) = (di+1 + di) 2 La Fig. 8 illustre les valeurs de différentiation du second ordre des quatre signaux délivrés par le détecteur, pour différentes énergies moyennes 5 du faisceau de rayons X. Les graphiques de la Fig. 8 montrent, pour différentes énergies du faisceau de rayons X, les deux valeurs de différentiation de second ordre d'1, d'2, correspondant aux différentiations respectivement entre les valeurs de premier ordre d1 et d2, d2 et d3. L'analyse des valeurs de différentiation de second ordre d'i permet 10 d'apprécier la courbure maximale du profil de dépôt de débit de dose sur la zone d'accroissement de débit de dose. Cette courbure dépend de l'énergie moyenne du faisceau de rayons X incident, ce qui représente un autre paramètre pour spécifier la qualité du faisceau de rayons X incident. Selon une autre caractéristique avantageuse de réalisation, le circuit 15 de mesure et de traitement 4 est configuré pour, à partir des m valeurs de signaux r, des m-1 valeurs de différentiation relative de premier ordre di et des m-2 valeurs de différentiation relative du second ordre d'i, à déterminer l'allure du profil de dépôt de débit de dose sur la zone d'accroissement de débit de dose ainsi que la profondeur caractéristique Pmax- Cette 20 détermination peut être réalisée par injection de ces valeurs dans un modèle paramétrique dédié (modèle empirique, analytique ou résultant de simulations Monte-Carlo). Selon une autre caractéristique avantageuse de réalisation, le circuit de mesure et de traitement 4 est configuré pour déterminer la courbure 25 maximale en valeur absolue du profil du débit de dose à partir des m-2 valeurs de différentiation relative du second ordre d'i. Cette courbure maximale en valeur absolue est d'autant plus grande que l'énergie moyenne du faisceau de rayons X incident est basse, ce qui représente un paramètre pour spécifier la qualité du faisceau de rayons X incident. Pour une 3052871 14 configuration d'irradiation donnée (filtration, diaphragme, collimation, angle d'incidence), lorsqu'on fait varier uniquement la haute tension appliquée sur le tube de rayons X, il existe une relation monotone entre la qualité du faisceau de rayons X incident et la courbure maximale en valeur absolue du 5 profil. Cette relation monotone peut être prédéterminée par mesure ou simulation, et utilisée comme référence pour déterminer la qualité du faisceau à partir de la courbure maximale en valeur absolue. Le circuit de mesure et de traitement 4 est également configuré pour exploiter d'une part, les m signaux r des jonctions p-n qui sont 10 proportionnels au débit de dose du faisceau incident et d'autre part, la qualité de faisceau pour déterminer le débit de dose à une profondeur donnée. La qualité du faisceau est utilisée pour compenser la dépendance en énergie de la réponse du détecteur, et ainsi pour pouvoir déterminer le débit dose à une profondeur donnée à partir des m signaux mesurés. 15 Selon une autre caractéristique avantageuse de réalisation, le circuit de mesure et de traitement 4 est configuré de manière à constituer, à partir des m-1 valeurs de différentiation relative de premier ordre di et des m-2 valeurs de différentiation relative du second ordre d'i, un vecteur D de 2m-3 éléments défini par : dm d'l d'm_ 20 La Fig. 9 présente les composantes du vecteur de différentiation relative D des signaux, pour plusieurs énergies d'un faisceau de rayons X. On observe sur cette figure que les contributions relatives de ces différentes composantes dépendent très fortement de l'énergie du faisceau et peut être utilisée pour spécifier la qualité du faisceau de rayons X. On observe sur 25 cette figure que la répartition de ces différentes composantes est spécifique pour chaque énergie du faisceau et peut être utilisée pour spécifier la qualité du faisceau de rayons X. 3052871 15 La Fig. 10 illustre les valeurs de corrélation pour différentes énergies du faisceau de rayons X, entre le vecteur de différentiation relative D pour le faisceau de rayons X et des vecteurs de référence tabulés. Le maximum de corrélation indique sans ambiguïté l'énergie du faisceau incident et permet 5 ainsi de spécifier la qualité du faisceau de rayons X incident. L'objet de l'invention trouve une application avantageuse pour un équipement générateur de rayons X dont les n valeurs de haute tension appliquée sur le tube permettent d'obtenir n spectres de rayons X incidents différents correspondant à des qualités de faisceau différentes. Le circuit de 10 mesure et de traitement 4 est configuré pour déterminer la corrélation vectorielle entre le vecteur D mesurée et les n vecteurs de référence tabulés (obtenus, pour chaque valeur de la haute tension, par des mesures ou des simulations de Monte-Carlo). Le maximum de corrélation indique la haute tension utilisée et permet de spécifier la qualité du faisceau de rayons X 15 correspondante. De même, pour un équipement générateur de rayons X dont les réglages y compris en filtration permettent d'obtenir k configurations d'utilisation avec des qualités de faisceau différentes, le circuit de mesure et de traitement 4 est configuré pour déterminer la corrélation vectorielle entre 20 le vecteur D mesuré et k vecteurs de référence tabulés pour ces configurations (obtenus par des mesures de calibration ou des simulations de Monte-Carlo). Le maximum de corrélation indique la configuration utilisée et permet de spécifier la qualité du faisceau de rayons X. Le dispositif 1 selon l'invention permet de caractériser la qualité d'un 25 faisceau F de rayons X, à l'aide d'une des méthodes qui découlent directement de la description ci-dessus. Le procédé comporte les étapes suivantes : - projeter ledit faisceau de rayons X sur le détecteur monolithique intégrant m jonctions p-n empilées (m _?_ 3) en profondeur dudit détecteur 30 avec au moins trois jonctions distribuées dans la zone d'accroissement de débit de dose ; 3052871 16 - récupérer les m signaux r délivrés par les jonctions p-n du détecteur ; - et traiter les m signaux r pour caractériser la qualité du faisceau de rayons X. 5 Les m signaux r sont ensuite traités par le circuit de mesure et de traitement 4 comme déjà décrit. L'invention n'est pas limitée aux exemples décrits et représentés car diverses modifications peuvent y être apportées sans sortir de son cadre. REVENDICATIONS1 - Procédé pour caractériser la qualité d'un faisceau de rayons X comportant un profil connu de dépôt de dose dans un corps présentant une zone d'accroissement (Z.I., Za2) de débit de dose à l'intérieur dudit corps s'étendant entre la surface d'entrée du faisceau et une profondeur caractéristique (Pmax) où le débit de dose déposé est maximal, le procédé comportant les étapes suivantes : - projeter ledit faisceau de rayons X sur un détecteur monolithique intégrant m jonctions p-n empilées (m 3) en profondeur dudit détecteur avec au moins trois jonctions distribuées dans la zone d'accroissement de débit de dose ; - récupérer les m signaux (r) délivrés par les jonctions p-n du détecteur ; - et traiter les m signaux (r) pour caractériser la qualité du faisceau 15 de rayons X. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il consiste à traiter les m signaux (r) en calculant m-1 valeurs de différentiation relative du premier ordre d, suivantes : (r1+1 - ri) i=1 à m-1 d= (ri+1 + ri) 2 3 - Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il consiste à 20 partir des m-1 valeurs de différentiation relative de premier ordre (di), à calculer les m-2 valeurs de différentiation relative du second ordre (d'i) suivantes : d' = (di+1 - di) (di+1 + di) i=1 à m-2 2 4 - Procédé selon les revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il consiste, à partir des m valeurs de signaux r, m-1 valeurs de différentiation 25 relative de premier ordre d, et des m-2 valeurs de différentiation relative du second ordre d',, à déterminer l'allure du profil de dépôt de débit de dose sur 3052871 18 la zone d'accroissement de débit de dose ainsi que la profondeur caractéristique (Pmax). 5 - Procédé selon les revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il consiste à déterminer la courbure maximale en valeur absolue du profil du débit de 5 dose à partir des m-2 valeurs de différentiation relative du second ordre (d'i), cette courbure maximale en valeur absolue permettant de remonter à la qualité du faisceau de rayons X incident. 6 - Procédé selon les revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il consiste à déterminer la vitesse d'accroissement maximale du profil du débit 10 de dose à partir des m-1 valeurs de différentiation relative de premier ordre (di), cette vitesse d'accroissement permettant de remonter à la qualité du faisceau de rayons X incident. 7 - Procédé selon les revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'il consiste à partir des m-1 valeurs de différentiation relative de premier ordre (c11) et des m-2 valeurs de différentiation relative du second ordre (d';), à constituer un vecteur de 2m-3 éléments défini par : d1 dm-i cri. dfm-2 8 - Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il consiste, pour un équipement générateur de rayons X dont les réglages en énergie permettent d'obtenir n spectres avec des qualité de faisceau différentes, à déterminer la corrélation vectorielle entre le vecteur (D) mesuré et n vecteurs de référence prédéterminés correspondants à ces n spectres, le maximum de corrélation indiquant le spectre du faisceau de rayons X et donc la qualité de ce faisceau. 9 - Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il consiste, pour un équipement générateur de rayons X dont les réglages y compris en filtration permettent d'obtenir k configurations d'utilisation avec des qualités de faisceau différentes, à déterminer la corrélation vectorielle entre le vecteur (D) mesuré et k vecteurs de référence prédéterminés pour 3052871 19 ces configurations, le maximum de corrélation indiquant la configuration utilisée et donc la qualité du faisceau de rayons X. 10 - Procédé selon les revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'il consiste à exploiter d'une part, les m signaux (r) des jonctions p-n qui sont 5 proportionnels au débit de dose du faisceau incident et d'autre part, la qualité de faisceau pour déterminer le débit de dose à une profondeur donnée. 11 - Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il consiste à répartir les m jonctions p-n de manière à positionner au 10 moins trois jonctions p-n dans la zone d'accroissement de débit de dose pour le faisceau de rayons X avec le plus faible niveau d'énergie, et au moins deux jonctions p-n à proximité de la profondeur caractéristique (Pmax) pour le faisceau de rayons X avec le plus fort niveau d'énergie. 12 - Dispositif pour caractériser la qualité d'un faisceau de rayons X 15 comportant un profil connu de dépôt de dose dans un corps, présentant une zone d'accroissement de débit de dose à l'intérieur dudit corps s'étendant entre la surface d'entrée du faisceau et une profondeur caractéristique (Pmax) où le débit de dose déposé est maximal, caractérisé en ce que le dispositif comporte un détecteur monolithique à m jonctions p-n empilées en 20 profondeur dudit détecteur avec au moins trois desdites jonctions distribuées dans une zone correspondant à la zone d'accroissement de débit de dose pour l'indice de qualité de faisceau le plus faible de la plage de mesure , le détecteur étant relié à un circuit de mesure et de traitement (4) récupérant les m signaux délivrés par les m jonctions p-n du détecteur et traitant les m 25 signaux pour caractériser la qualité du faisceau de rayons X. 13 - Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que le détecteur monolithique à m jonctions p-n empilées en profondeur est un détecteur à multiples jonctions p-n enterrées ou un détecteur obtenu par des procédés de fabrication ou d'intégration microélectronique 3D. 14 - Dispositif selon les revendications 12, caractérisé en ce qu'au moins trois des jonctions p-n sont distribuées dans une zone de profondeur au plus égale à 20 pm à partir de la face d'implantation du détecteur monolithique. 3052871 20 15 - Dispositif selon l'une des revendications 12 à 14, caractérisé en ce que le circuit de mesure et de traitement est adapté pour calculer, à partir des m signaux délivrés par le détecteur, les m-1 grandeurs de différentiation relative suivantes : (ri+1 ) i=1 à m-1 d, = (r+1 + ri ) 2 5 et à partir des m-1 grandeurs de différentiation relative, à calculer les m-2 grandeurs de différentiation relative du second ordre suivantes : (di+1 -di) i=1 à m-2 d' = (d,+1 + d, ) 2 16- Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce que le circuit de mesure et de traitement est adapté pour calculer le maximum de la corrélation vectorielle entre n vecteurs de référence et le vecteur (D) à 10 2m-3 éléments suivant :