FR 3051912 A1 20171201 FR 1654905 A 20160531 1 Titre : Système et procédé de caractérisation d'une fissure générée dans un substrat soumis à une sollicitation mécanique Domaine technique de l'invention L'invention concerne un système et un procédé de caractérisation d'une fissure générée dans un substrat, par exemple une plaquette ou « wafer » ou une cellule solaire en cours de réalisation, soumis à une sollicitation mécanique, par exemple lors d'un essai mécanique tel qu'un essai de flexion quatre points. État de la technique La fabrication d'un panneau ou module photovoltaïque comporte une succession d'étapes : 15 - réalisation d'un lingot de silicium par cristallisation ; - découpe du lingot en briques ; - découpe des briques en plaquettes, ou « wafers », ayant généralement une épaisseur comprise entre 100 et 200 micromètres, une forme carrée de l'ordre d'une quinzaine de centimètres de côté et un poids de 20 l'ordre d'une dizaine de grammes ; - transformation des plaquettes en cellules solaires, c'est-à-dire en photopiles, par application d'une succession de traitements (dopages, sérigraphie, traitement thermique, dépôt, etc.) ; - regroupement et encapsulation des cellules solaires en un module 25 photovoltaïque, encore appelé panneau solaire. Pour réaliser ces différentes étapes, les fabricants de cellules solaires et/ou de modules photovoltaïques utilisent des chaînes de fabrication intégrées, c'est-à-dire des lignes de production presque entièrement automatisées. Ces 30 chaînes intègrent par exemple différents types de convoyeurs (à bande, à rouleaux, en godets, etc.), des préhenseurs (à effet Bernoulli, par aspiration, etc.), des systèmes de stockage (en godets, en paniers, dans des buffers, etc.), 10 3051912 2 des systèmes de retournement, etc. Ainsi, lors de la réalisation des multiples opérations précitées, les substrats - c'est-à-dire les plaquettes et les cellules solaires en cours de réalisation ou réalisées - sont soumis à de nombreuses actions de manipulation, de transport et de traitement qui induisent de multiples 5 sollicitations mécaniques, qui peuvent être dynamiques, par exemple par choc, vibration et/ou accélération, ou statiques, par exemple par flexion. Ces sollicitations mécaniques provoquent l'endommagement et/ou la rupture d'un nombre important de substrats manipulés, du fait notamment de la faible épaisseur des substrats, de l'importante cadence de production des chaînes de 10 fabrication et de l'automatisation croissante de ces chaînes de fabrication. Afin de contrôler la qualité d'un substrat (plaquette ou cellule solaire en cours de réalisation ou réalisée), il existe différentes techniques de mesure ou de caractérisation des propriétés mécaniques du substrat. Par exemple, une 15 technique courante utilise un essai de flexion quatre points. Cet essai utilise par exemple quatre barres de chargement parallèles dont deux barres supérieures (c'est-à-dire placées au-dessus du substrat à tester) et deux barres inférieures (c'est-à-dire placées au-dessous du substrat à tester), l'écartement entre les barres supérieures étant moindre que celui entre les barres inférieures. Lors de 20 l'essai, les deux barres supérieures descendent à vitesse constante de manière à provoquer une flexion du substrat, la contrainte mécanique appliquée augmentant jusqu'à aboutir à une rupture du substrat. Cette rupture du substrat, conduisant le plus souvent à une destruction importante du substrat, est généralement provoquée par une fissure qui part d'un point défectueux du 25 substrat et se propage très rapidement dans le substrat. Les techniques connues de caractérisation des substrats permettent au mieux de caractériser la résistance mécanique du substrat soumis à des sollicitations mécaniques. Or, il serait utile de caractériser une fissure générée 30 dans le substrat, notamment de connaître de façon plus précise son point de départ et/ou sa vitesse de propagation et/ou son trajet. 3051912 3 La présente invention vient améliorer la situation. Objet de l'invention 5 A cet effet, l'invention concerne un système de caractérisation d'une fissure générée dans un substrat soumis à une sollicitation mécanique, comprenant un substrat portant, sur au moins une première face, des lignes conductrices non sécantes entre elles, un dispositif d'acquisition de mesures destiné à alimenter électriquement chacune des lignes conductrices, l'une après l'autre et en boucle, et à mesurer une grandeur électrique pour chacune des lignes conductrices successivement alimentées avec une fréquence d'acquisition suffisante pour détecter la propagation d'une fissure d'une ligne à l'autre, et un module de traitement destiné à déterminer au moins une information de caractérisation de la fissure à partir des mesures, du groupe comportant une origine de la fissure, une vitesse de propagation de la fissure et un trajet de propagation de la fissure. Dans une forme de réalisation particulière, le substrat porte, sur une deuxième face, des lignes conductrices non sécantes entre elles, les lignes conductrices de la première face et les lignes conductrices de la deuxième face formant un maillage couvrant au moins partiellement le substrat, avantageusement la totalité du substrat. L'invention permet de localiser l'origine d'une fissure ou fracture et/ou de suivre sa trajectoire et/ou de déterminer sa vitesse de propagation dans un substrat en matériau semi-conducteur, par exemple une plaquette ou wafer ou une cellule solaire en cours de réalisation (ou éventuellement réalisée). Cette fissure ou fracture peut par exemple être générée lors d'un essai mécanique de flexion quatre points. Avantageusement, la fréquence d'acquisition est supérieure ou égale à 1 MHz. 3051912 4 Le système peut comprendre les caractéristiques additionnelles suivantes : - les lignes conductrices portées par une même face du substrat sont 5 parallèles entre elles ; - les lignes conductrices portées par une même face du substrat sont droites ; - les lignes conductrices de la première face sont orthogonales aux lignes conductrices de la deuxième face. 10 Avantageusement, le dispositif d'acquisition comporte au moins un multiplexeur interposé entre un module d'alimentation électrique et les lignes conductrices, avantageusement un premier multiplexeur entre le dispositif d'alimentation électrique et les lignes de la première face et un deuxième 15 multiplexeur entre le dispositif d'alimentation électrique et les lignes de la deuxième face. Avantageusement encore, le dispositif d'acquisition comporte un instrument de mesure de ladite grandeur électrique et au moins un 20 démultiplexeur entre les lignes conductrices et l'instrument de mesure, avantageusement un premier démultiplexeur entre les lignes conductrices de la première face et l'instrument de mesure et un deuxième démultiplexeur entre les lignes conductrices de la deuxième face et l'instrument de mesure. 25 L'utilisation de multiplexeur(s) permet d'alimenter électriquement toutes les lignes avec une seule alimentation électrique. De façon analogue, l'utilisation de démultiplexeur(s) permet de mesurer la grandeur électrique (tension ou courant) à l'aide d'un unique dispositif ou instrument de mesure. 30 La distance séparant deux lignes conductrices voisines d'une même face peut être comprise entre 1 mm et 15 mm, avantageusement entre 2 mm et 10 mm. 3051912 5 Le substrat peut comprendre l'un au moins des matériaux du groupe comportant un matériau semi-conducteur, un matériau isolant, un matériau fragile, un matériau semi-fragile. 5 L'invention concerne aussi un substrat spécifiquement destiné à être utilisé par le système de caractérisation tel qu'il vient d'être défini, comportant au moins une première face portant des lignes conductrices non sécantes entre elles, chaque ligne conductrice comportant, à l'une de ses extrémités, un 10 connecteur de liaison à un dispositif d'alimentation électrique et, à son autre extrémité, un connecteur de liaison à un dispositif de mesure d'une grandeur électrique. Avantageusement, le substrat porte, sur une deuxième face, des lignes 15 conductrices non sécantes entre elles, les lignes conductrices de la première face et les lignes conductrices de la deuxième face formant un maillage couvrant au moins partiellement le substrat, avantageusement la totalité du substrat. Le substrat peut comprendre tout ou partie des caractéristiques zo additionnelles suivantes : - les lignes conductrices portées par une même face du substrat sont parallèles ; - les lignes conductrices portées par une même face du substrat sont droites 25 - les lignes conductrices de la première face sont orthogonales aux lignes conductrices de la deuxième face ; - la distance séparant deux lignes voisines d'une même face est comprise entre 1 mm et 15 mm, avantageusement entre 2 mm et 10 mm ; 30 - il comprend l'un au moins des matériaux du groupe comportant un matériau semi-conducteur, un matériau isolant, un matériau fragile, un matériau semi-fragile. 3051912 6 L'invention concerne encore un procédé de caractérisation d'une fissure générée dans un substrat soumis à une sollicitation mécanique, comprenant les étapes de : 5 - se munir d'un substrat de test portant, sur au moins une première face, des lignes conductrices non sécantes entre elles, - acquérir des mesures en alimentant électriquement chacune des lignes conductrices, l'une après l'autre et en boucle, et en mesurant une grandeur électrique dans chacune des lignes conductrices 10 successivement alimentées, avec une fréquence d'acquisition supérieure ou égale à une fréquence minimale fonction d'une vitesse théorique maximale de propagation d'une fissure et d'une distance entre lignes conductrices voisines ; - déterminer au moins une information de caractérisation de la fissure à 15 partir des mesures, notamment au moins l'une des informations du groupe comportant une origine de la fissure, une vitesse de propagation de la fissure et un trajet de propagation de la fissure. Avantageusement, la fréquence d'acquisition est supérieure ou égale à zo 1MHz. Description sommaire des dessins L'invention sera mieux comprise à l'aide de la description suivante d'une 25 forme de réalisation particulière du système de caractérisation de l'invention et d'un mode de réalisation particulier du procédé de caractérisation de l'invention, en référence aux dessins annexés sur lesquels : - La figure 1 représente un schéma simplifié d'un essai de flexion quatre points réalisé sur un substrat de test en matériau semi-conducteur, par 30 exemple une plaquette de silicium ; - Les figures 2A et 2B représentent respectivement une première face et une deuxième face du substrat de test ; 3051912 7 - La figure 3 représente un premier schéma du système de caractérisation, selon une forme de réalisation particulière de l'invention ; - La figure 4 représente un deuxième schéma, sous forme de blocs 5 fonctionnels, du système de caractérisation de la figure 3 ; - Les figures 5 à 13 représentent, à titre d'exemple illustratif, une fissure se propageant dans une plaquette de test, des mesures réalisées lors de la propagation de cette fissure des deux côtés de la plaquette et une représentation de la plaquette de test et de la fissure telle que 10 déterminée à partir de ces mesures par un module de traitement du système de caractérisation de la figure 1. Description détaillée de modes de réalisation particuliers de l'invention 15 Le système 100 de l'invention est destiné à caractériser une fissure générée dans un substrat en matériau semi-conducteur soumis à une sollicitation mécanique. Par exemple le substrat est soumis à un essai mécanique tel qu'un essai de flexion quatre points, jusqu'à provoquer l'apparition d'une fissure et la 20 rupture du substrat. La caractérisation d'une fissure vise à déterminer des informations relatives à cette fissure telles que l'origine de la fissure, la vitesse de propagation de la fissure et/ou le trajet de propagation de la fissure. 25 Par le terme « substrat », on entend désigner un élément ou support plat, ou mince, pouvant avoir la forme d'une plaque ou plaquette ou tranche. Par exemple, le substrat est une plaquette ou « wafer » en matériau semi-conducteur ou une cellule solaire, en cours de réalisation (ou éventuellement réalisée), issue 30 d'une telle plaquette, ou tout autre support de ce type. En toute hypothèse, le substrat est susceptible de se fissurer lorsqu'il est soumis à une sollicitation mécanique. Il est réalisé en l'un au moins des matériaux du groupe comportant 3051912 8 un matériau semi-conducteur, un matériau isolant, un matériau fragile, un matériau semi-fragile en matériau semi-conducteur. Le substrat n'est avantageusement pas en matériau conducteur. 5 En référence à la figure 1, un essai de flexion quatre points d'un substrat, par exemple une plaquette 1 en silicium cristallin (monocristallin ou multicristallin), utilise quatre barres de chargement parallèles dont deux barres supérieures 2, 2' (c'est-à-dire placées au-dessus de la plaquette 1 à tester) mobiles et deux barres inférieures 3, 3' (c'est-à-dire placées au-dessous de la 10 plaquette 1 à tester) fixes, l'écartement entre les barres supérieures 2, 2' étant moindre que celui entre les barres inférieures 3, 3'. Lors de l'essai, les deux barres supérieures 2, 2' descendent à vitesse constante de manière à provoquer une flexion de la plaquette 1. La contrainte mécanique ainsi appliquée augmente jusqu'à générer une fissure dans la plaquette 1 qui conduit à la rupture de celle- 15 Ci. Le système de caractérisation 100 comporte : - un substrat de test 1 ; - un dispositif 5 d'acquisition de mesures ; 20 - un module de traitement 6 destiné à déterminer au moins une information de caractérisation de la fissure à partir des mesures. Le substrat de test 1 peut être une plaquette (ou « wafer ») en matériau semi-conducteur, par exemple en silicium, ou une cellule solaire en cours de 25 réalisation (ou éventuellement réalisée), obtenue à partir d'une telle plaquette, ou tout autre type de support de ce type. Le substrat de test 1 comporte deux faces FA et FB, respectivement supérieure et inférieure et porte des lignes conductrices sur ses deux faces FA et FB, en référence à la figure 1. La première face FA porte des premières lignes conductrices 4A non sécantes entre elles, espacées l'une 30 de l'autre, et la deuxième face FB porte des deuxièmes lignes conductrices 4B non sécantes entre elles, espacées l'une de l'autre. Sur les figures 2A et 2B, on a 3051912 9 représenté un exemple de réalisation des deux faces FA et FB d'une plaquette de test 1. Chaque ligne conductrice 4A ou 4B comporte, à l'une de ses extrémités, 5 un connecteur ou plot de liaison à un dispositif d'alimentation électrique 7 et, à son autre extrémité, un connecteur ou plot de liaison à un dispositif 8 de mesure d'une grandeur électrique. La réalisation du substrat de test 1 comprend les étapes suivantes : 10 - se munir d'un substrat de test 1 (plaquette ou bien cellule solaire en cours de réalisation) par exemple l'une quelconque des plaquettes fabriquées par une chaîne de fabrication de plaquettes ou l'une des cellules solaires fabriquées par une chaîne de fabrication de cellules solaires, la cellule solaire de test étant prélevée soit en cours, soit en 15 fin de chaîne de fabrication ; - réaliser les premières lignes conductrices 4A sur la première face FA du substrat de test 1, avec leurs connecteurs d'extrémité ; - réaliser les deuxièmes lignes conductrices 4B sur la deuxième face FB du substrat de test 1, avec leurs connecteurs d'extrémité. 20 Les lignes conductrices 4A et 4B peuvent être sérigraphiées. La réalisation de lignes 4A (ou 4B) sérigraphiées s'effectue par dépôt d'une encre de sérigraphie à travers un masque puis recuit. 25 L'encre de sérigraphie est une encre conductrice, à base d'argent, d'aluminium, de cuivre et/ou d'un autre métal. Par exemple, l'encre contient entre 75% et 80% en poids d'argent, entre 3 et 4% en poids de frit de verre et en complément au moins un solvant et au moins un liant organique. Il s'agit avantageusement d'une encre de même type que celles habituellement utilisées 30 pour la fabrication de cellules solaires. 3051912 10 De façon alternative, les lignes conductrices 4A et 4B peuvent être réalisées par une technique de dépôt de matériau conducteur, par exemple par électrodéposition, par un processus « electroless » de déposition, par pulvérisation cathodique ou « sputtering », par un procédé ALD (de l'anglais 5 « Atomic Layer Deposition ») de dépôt de couches minces atomiques, par un procédé CVD (de l'anglais « Chemical Vapor Deposition ») de dépôt chimique en phase vapeur, jet d'encre (Inkjet) etc.. Les lignes conductrices sont avantageusement à la fois fines et denses 10 pour éviter de perturber le comportement du substrat lors de l'essai mécanique. Elles ont avantageusement les dimensions suivantes : - une largeur comprise entre 20 et 200 pm, de préférence égale ou sensiblement égale à 50 pm ; - une hauteur de l'ordre de 100 pm (toutefois la hauteur pourrait être 15 différente, inférieure ou supérieure à 100 pm). Les premières lignes conductrices 4A et les deuxièmes lignes conductrices 4B forment un maillage qui couvre au moins partiellement le substrat 1. Dans l'exemple décrit ici, le maillage couvre la totalité du substrat 1. 20 En d'autres termes, en vue de dessus ou de dessous, les premières lignes 4A et les deuxièmes lignes 4B « s'entrecroisent » (toutefois sans contact entre elles puisque les premières lignes 4A et les deuxièmes lignes 4B sont respectivement portées par les deux faces FA et FB séparées par l'épaisseur du substrat 1). Dans l'exemple de réalisation décrit ici, les premières lignes conductrices 4A sont 25 droites et parallèles entre elles. De même, les deuxièmes lignes conductrices 4B sont droites et parallèles entre elles. En outre, les premières lignes conductrices 4A sont orthogonales aux deuxièmes lignes conductrices 4B. Le nombre N de lignes conductrices 4A (ou 4B) par face est fonction des 30 dimensions du substrat et de la précision souhaitée pour la caractérisation de la fissure. Plus le nombre de lignes est élevé, meilleure est la précision de la caractérisation de la mesure. Dans l'exemple de réalisation décrit ici, le substrat 3051912 11 1 a une forme carrée de 156x156 mm (dimensions des côtés) et comprend 15 lignes conductrices par face, les lignes voisines étant espacées d'une distance d de 10 mm. Le nombre de lignes de la première face pourrait être différent de celui de la deuxième face. La distance séparant deux lignes voisines d'une 5 même face peut par exemple être comprise entre 1 mm et 15 mm, avantageusement entre 2 mm et 10 mm. Le substrat 1 est spécifiquement destiné à être utilisé par le système de caractérisation 100. 10 Le dispositif 5 d'acquisition de mesures est destiné à alimenter électriquement chacune des lignes conductrices 4A et 4B, l'une après l'autre et en boucle (ou de façon cyclique), et à mesurer une grandeur électrique pour chacune des lignes conductrices successivement alimentées. Les mesures sont 15 réalisées avec une fréquence d'acquisition fa. Cette fréquence d'acquisition fa est avantageusement suffisante pour détecter la propagation d'une fissure d'une ligne à l'autre (c'est-à-dire pour détecter une première ligne coupée lors d'une mesure puis une deuxième ligne coupée, voisine de la première, lors d'une mesure suivante) pour chacune des faces FA (FB). En d'autres termes, la 20 fréquence d'acquisition fa permet avantageusement de détecter, lors de la propagation d'une fissure à travers plusieurs lignes 4A (ou 4B) d'une face, la rupture de la conductivité électrique de chacune des lignes, de façon distincte et consécutive. A cet effet, fa est supérieure ou égale à une fréquence minimale qui est fonction d'une vitesse théorique maximale de propagation d'une fissure et de 25 la distance entre lignes conductrices voisines. Posons d la distance entre 2 lignes, exprimée en m (mètre), et V la vitesse de propagation d'une fissure, exprimée en m/s (mètre par seconde), alors la fréquence d'acquisition fa minimale, exprimée en Hz (Hertz), est égale à V/d : fa min = d. Par exemple, supposons que la vitesse théorique maximale de propagation des fissures dans 30 le silicium est égale à 50Km/s. Si les lignes conductrices sont espacées l'une de l'autre d'une distance de 2 mm, un laps de temps entre deux d'acquisitions successives de 40 nanosecondes au maximum est nécessaire, ce qui revient à 3051912 12 une fréquence d'acquisition fa d'au moins 25 MHz. Si les lignes conductrices sont espacées l'une de l'autre d'une distance de 10 mm, la fréquence d'acquisition doit être d'au moins 5 MHz. D'une manière générale, la fréquence d'acquisition est comprise entre 10kHz et 100GHz. Avantageusement, elle est supérieure ou 5 égale à 1MHz. Le dispositif d'acquisition 5 comprend un dispositif 7 d'alimentation électrique des lignes conductrices 4A et 4B et un dispositif de mesure 8. 10 Le dispositif d'alimentation électrique 7 est destiné à alimenter électriquement chacune des lignes conductrices 4A, 4B, séparément, l'une après l'autre (c'est-à-dire de façon séquentielle ou asynchrone ou consécutive). Plusieurs lignes 4A, 4B ne doivent pas être alimentées en même temps, mais doivent l'être séparément, l'une après l'autre, car le substrat étant conducteur si 15 au moins deux lignes 4A, 4B étaient alimentées simultanément, elles seraient en court-circuit. Dans l'exemple de réalisation décrit ici, en référence à la figure 3, le dispositif d'alimentation électrique 7 comprend les éléments suivants : - un module d'alimentation électrique 70, relié ici à une source externe d'alimentation électrique 101, par exemple le réseau électrique ; 20 - un premier multiplexeur 71 « MUX1 » connecté en entrée au module d'alimentation électrique 70 et en sortie aux N premières lignes de la face FA et ; - un deuxième multiplexeur 72 « MUX2 » connecté en entrée au module d'alimentation électrique 70 et en sortie aux N deuxièmes lignes de la 25 face FB. Le module d'alimentation électrique 70 est destiné à appliquer par exemple une tension électrique continue Vo de 5V aux lignes 4A, 4B successives, par l'intermédiaire du multiplexeur 71 (pour les lignes 4A) et du 30 multiplexeur 72 (pour les lignes 4B). En variante, il pourrait y avoir deux modules d'alimentation électrique, l'un pour alimenter les lignes 4A de la première face et l'autre pour alimenter les lignes 4B de la deuxième face. 3051912 13 Dans une variante, le dispositif d'alimentation électrique 7 pourrait comprendre un seul multiplexeur relié en entrée à l'alimentation électrique et en sortie aux 2N lignes conductrices 4A, 4B. Dans une autre variante, le dispositif 5 d'alimentation électrique des lignes pourrait comprendre plus de deux multiplexeurs pour relier toutes les lignes conductrices 4A, 4B à la source d'alimentation 101. L'utilisation d'un ou plusieurs multiplexeur(s) interposé(s) entre i.o l'alimentation électrique et les 2N lignes conductrices 4A, 4B permet de mutualiser la ou les alimentations électriques entre les lignes de chaque face ou des deux faces. Dans l'exemple de réalisation décrit ici, le dispositif de mesure 8 15 comprend les éléments suivants : - un instrument de mesure 80, en l'espèce un multimètre ; - un premier démultiplexeur « DEMUX1 » 81 relié en entrée aux N premières lignes conductrices 4A et en sortie à l'instrument de mesure 80 ; 20 - un deuxième démultiplexeur « DEMUX2 » 82 relié en entrée aux N deuxièmes lignes conductrices 4B et en sortie à l'instrument de mesure 80. L'instrument de mesure 80 est destiné à mesurer ici la tension électrique 25 des lignes conductrices 4A, 4B par l'intermédiaire du démultiplexeur 81 (pour les lignes 4A) et du démultiplexeur 82 (pour les lignes 4B). La tension mesurée pour une ligne est par exemple la tension entre la ligne et la masse. En variante, on pourrait mesurer la tension aux bornes de cette ligne. L'instrument de mesure 80 est ici un voltmètre. Il peut mesurer le signal de tension électrique de chacune 30 des lignes 4A, 4B l'une après l'autre. En variante, le signal de tension électrique de chacune des lignes 4A, 4B est mesuré de façon synchrone et simultanée avec l'application d'une tension électrique sur cette ligne par le module 3051912 14 d'alimentation 70. Dans ce cas, l'instrument de mesure 80 mesure les tensions des lignes 4A, 4B successivement alimentées, l'une après l'autre, lorsque ces lignes sont alimentées. 5 Dans une variante, le dispositif de mesure 8 pourrait comprendre un seul démultiplexeur relié en entrée aux 2N lignes conductrices 4A, 4B et en sortie à l'instrument de mesure 80. Dans une autre variante, le dispositif de mesure 8 pourrait comprendre plus de deux démultiplexeurs pour relier toutes les lignes conductrices 4A, 4B à l'instrument de mesure 80. 10 L'utilisation de multiplexeurs(s) et de démultiplexeur(s) permet de mutualiser le module d'alimentation électrique et l'instrument de mesure entre les lignes pour alimenter électriquement et effectuer des mesures sur les 2N lignes. En variante, on pourrait utiliser deux modules d'alimentation et/ou deux 15 instruments de mesure pour les deux faces respectivement. Notons que, dans le cas où le substrat est en matériau isolant, il n'est pas nécessaire de multiplexer et de démultiplexer les signaux électriques car le matériau isolant évite tout risque de court-circuit. 20 Le module de traitement 6 est destiné à traiter, analyser les mesures réalisées et, à partir de ces mesures, à déterminer des informations de caractérisation d'une fissure générée dans le substrat de test 1 soumis à un essai de flexion quatre points. Ces informations de caractérisation comprennent 25 l'une ou plusieurs des informations du groupe comportant un point d'origine de la fissure, une vitesse de propagation de la fissure et un trajet de propagation de la fissure. Le système de caractérisation 100 comprend également une unité 30 centrale de commande 9 comportant un processeur, ou CPU, à laquelle le dispositif d'alimentation 70, les multiplexeurs 71, 72, l'instrument de mesure 80, les démultiplexeurs 81, 82 et le module de traitement 6 sont reliés. La liaison 3051912 15 entre le CPU et ces éléments s'effectue par des bus de connexion. L'unité centrale est destinée à commander le fonctionnement des éléments qui lui sont reliés, notamment à régler la fréquence d'acquisition fa des mesures. 5 Enfin, une interface utilisateur 10, dotée par exemple d'un écran, d'un clavier, d'une souris et d'une application d'interface utilisateur, permet à un utilisateur de saisir des données et/ou instructions et de restituer des données, notamment les données de caractérisation d'une fissure déterminées par le module de traitement 10 On va maintenant décrire le procédé de caractérisation d'une fissure générée dans le substrat de test 1, lorsque celui-ci est soumis à un essai mécanique de flexion quatre points, selon un exemple de réalisation en référence aux figures 5 à 13. 15 Lors d'une étape E0, on se munit d'un substrat de test 1, par exemple une plaquette de silicium, sur lequel N lignes conductrices, N étant égal à 6, droites et parallèles, sont sérigraphiées sur chacune des faces FA, FB. Les lignes de la face FA sont perpendiculaires à celles de l'autre face FB. Les lignes de chaque face 20 sont numérotées de 1 à 6. Chaque ligne d'indice n (avec 1 REVENDICATIONS1. Système de caractérisation d'une fissure générée dans un substrat (1) soumis à une sollicitation mécanique, comprenant un substrat (1) portant, sur au moins une première face (FA), des lignes conductrices (4A) non sécantes entre elles, un dispositif (5) d'acquisition de mesures destiné à alimenter électriquement chacune des lignes conductrices, l'une après l'autre et en boucle, et à mesurer une grandeur électrique pour chacune des lignes conductrices successivement alimentées avec une fréquence d'acquisition (fa) suffisante pour détecter la propagation d'une fissure d'une ligne à l'autre, et un module de traitement (6) destiné à déterminer au moins une information de caractérisation de la fissure (FS) à partir des mesures, du groupe comportant une origine de la fissure, une vitesse de propagation de la fissure et un trajet de propagation de la fissure. 2. Système selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le substrat (1) porte, sur une deuxième face (FB), des lignes conductrices (4B) non sécantes entre elles, les lignes conductrices (4B) de la première face (FA) et les lignes conductrices (4A) de la deuxième face (FB) formant un maillage couvrant au moins partiellement le substrat (1), avantageusement la totalité du substrat (1). 3. Système selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la fréquence d'acquisition (fa) est supérieure ou égale à 1 MHz. 4. Système selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les lignes conductrices (4A, 4B) portées par une même face (FA, FB) du substrat (1) sont parallèles entre elles. 5. Système selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les lignes conductrices (4A, 4B) portées par une même face (FA, FB) du substrat (1) sont droites. 3051912 22 6. Système selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les lignes conductrices (4A) de la première face (FA) sont orthogonales aux lignes conductrices (4B) de la deuxième face (FB). 5 7. Système selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif d'acquisition (5) comporte au moins un multiplexeur (71, 72) interposé entre un module d'alimentation électrique (70) et les lignes conductrices (4A, 4B), avantageusement un premier multiplexeur entre le Io dispositif d'alimentation électrique et les lignes (4A) de la première face (FA) et un deuxième multiplexeur entre le dispositif d'alimentation électrique et les lignes (4B) de la deuxième face (FB). 8. Système selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que 15 le dispositif d'acquisition (5) comporte un instrument de mesure (80) de ladite grandeur électrique et au moins un démultiplexeur entre les lignes conductrices (4A, 4B) et l'instrument de mesure (80), avantageusement un premier démultiplexeur entre les lignes conductrices (4A) de la première face (FA) et l'instrument de mesure et un deuxième démultiplexeur entre les lignes 20 conductrices (4B) de la deuxième face (FB) et l'instrument de mesure. 9. Système selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la distance séparant deux lignes conductrices voisines (4A ; 4B) d'une même face est comprise entre 1 mm et 15 mm, avantageusement entre 2 mm et 10 25 mm. 10. Système selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat (1) comprend l'un au moins des matériaux du groupe comportant un matériau semi-conducteur, un matériau isolant, un matériau fragile, un 30 matériau semi-fragile. 11. Substrat (1), spécifiquement destiné à être utilisé par le système de caractérisation selon la revendication 1, comportant une première face (FA) portant des lignes conductrices (4A) non sécantes entre elles, chaque ligne 3051912 23 conductrice comportant, à l'une de ses extrémités, un connecteur de liaison à un dispositif d'alimentation électrique et, à son autre extrémité, un connecteur de liaison à un dispositif de mesure d'une grandeur électrique. 5 12. Substrat selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il porte, sur une deuxième face (FB), des lignes conductrices (4B) non sécantes entre elles, les lignes conductrices (4B) de la première face (FA) et les lignes conductrices (4A) de la deuxième face (FB) formant un maillage couvrant au moins partiellement le substrat (1), avantageusement la totalité du substrat 10 (1). 13. Substrat selon la revendication 11 ou 12, caractérisé en ce que les lignes conductrices (4A, 4B) portées par une même face (FA, FB) du substrat (1) sont parallèles. 15 14. Substrat selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les lignes conductrices (4A, 4B) portées par une même face (FA, FB) du substrat (1) sont droites. 20 15. Substrat selon l'une des revendications 11 à 14, caractérisé en ce que les lignes conductrices (4A) de la première face (FA) sont orthogonales aux lignes conductrices (4B) de la deuxième face (FB). 16. Substrat selon l'une des revendications 11 à 15, caractérisé en ce que la 25 distance séparant deux lignes voisines (4A ; 4B) d'une même face est comprise entre 1 mm et 15 mm, avantageusement entre 2 mm et 10 mm. 17.Substrat selon l'une des revendications 11 à 16, caractérisé en ce qu'il comprend l'un au moins des matériaux du groupe comportant un matériau 30 semi-conducteur, un matériau isolant, un matériau fragile, un matériau semi- fragile. 18. Procédé de caractérisation d'une fissure générée dans un substrat soumis à une sollicitation mécanique, comprenant les étapes de : 3051912 24 - se munir d'un substrat de test portant, au moins sur une première face, des lignes conductrices non sécantes entre elles, - acquérir des mesures en alimentant électriquement chacune des lignes conductrices, l'une après l'autre et en boucle, et en mesurant une 5 grandeur électrique dans chacune des lignes conductrices successivement alimentées, avec une fréquence d'acquisition supérieure ou égale à une fréquence minimale fonction d'une vitesse théorique maximale de propagation d'une fissure et d'une distance entre lignes conductrices voisines ; 10 - déterminer au moins une information de caractérisation de la fissure à partir des mesures, notamment au moins l'une des informations du groupe comportant une origine de la fissure, une vitesse de propagation de la fissure et un trajet de propagation de la fissure. 15 19. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que caractérisé en ce que la fréquence d'acquisition est supérieure ou égale à 1 MHz.