FR 3049946 A1 20171013 FR 1653006 A 20160406 1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE MICROMECANIQUE EN CARBURE DE SILICIUM COMPORTANT AU MOINS UNE CAVITE DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION Le domaine technique de l'invention est celui de la micro fabrication. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure micromécanique en carbure de silicium comportant au moins une cavité. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION Les structures micromécaniques, et en particulier les microsystèmes électromécaniques, sont employés dans de nombreux domaines techniques et notamment dans la fabrication de capteurs. Ces capteurs sont parfois utilisés dans des environnements hostiles, c'est-à-dire des environnements qui présentent des températures ou des pressions élevées, ou des conditions chimiques extrêmes. Pour de telles applications, il est connu d'avoir recours à des microsystèmes électromécaniques réalisés dans un matériau résistant tel que le carbure de silicium (SiC). Ce matériau présente en effet de nombreux avantages, notamment sa forte résistance mécanique et son inertie vis-à-vis de la plupart des agents chimiques. Cependant, cette inertie chimique a pour conséquence de rendre très difficile la réalisation de structures micromécaniques en carbure de silicium, car les agents habituellement utilisés dans les procédés de fabrication de microsystèmes conventionnels sont difficilement applicables au carbure de silicium. Le document EP2168910B1 propose un procédé dans lequel une structure sacrificielle de silicium germanium (SiGe) est déposée et structurée sur une surface de carbure de silicium. Cette structure sacrificielle est ensuite recouverte par une couche de carbure de silicium. Une ouverture est ensuite ménagée à la surface de la couche de carbure de silicium, cette ouverture débouchant sur la structure sacrificielle de silicium 3049946 2 germanium. Une gravure humide est ensuite effectuée, l'agent de gravure pénétrant par l'ouverture ménagée dans la couche de carbure de silicium et attaquant la structure sacrificielle. Une fois que la structure de silicium germanium a été entièrement gravée, l'ouverture ménagée dans la couche de carbure de silicium est 5 refermée afin d'obtenir une cavité. Ce procédé n'est cependant pas sans inconvénient. Tout d'abord, afin de libérer la membrane, il est nécessaire d'exposer la structure sacrificielle à l'agent chimique de gravure, ce qui impose de ménager une ouverture dans la couche de carbure de 10 silicium qu'il faudra ensuite refermer. De plus, l'étape de gravure nécessite un agent chimique liquide ce qui peut conduire à un « collage » (sticking effect en anglais) de la structure de carbure de silicium induit par la tension superficielle de l'agent de gravure ou de l'agent de rinçage rendant la structure micromécanique inopérante. 15 Il existe donc un besoin d'un procédé de fabrication d'une structure micromécanique en carbure de silicium comportant une cavité, par exemple un microsystème électromécanique, ne nécessitant pas de ménager une ouverture dans la couche de carbure de silicium pour effectuer l'étape de gravure et permettant de prévenir le phénomène d'adhésion de la membrane de la cavité lors de cette étape de gravure. 20 RESUME DE L'INVENTION L'invention offre une solution aux problèmes évoqués précédemment, en permettant de supprimer la structure discrète de silicium par l'intermédiaire d'une étape de 25 carburation, d'une étape de dépôt et d'une étape de recuit. Il est ainsi possible de s'affranchir de l'étape de gravure. Les inconvénients concernant l'ouverture ménagée dans la couche de carbure de silicium et le phénomène de collage qui lui sont associés sont ainsi évités. 30 Pour cela, un aspect de l'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure micromécanique en carbure de silicium comportant une cavité, à partir d'un empilement comprenant une première couche de carbure de silicium et une couche de silicium sur la première couche de carbure de silicium, ledit procédé comportant 3049946 3 une étape de mise en forme de la couche de silicium de sorte à former une structure discrète de silicium sur la première couche de carbure de silicium. Afin d'obtenir la structure micromécanique, le procédé selon l'invention comprend 5 également : - une étape de carburation initiant l'élimination de la structure discrète de silicium ; - une étape de dépôt d'une deuxième couche de carbure de silicium ; - une étape de recuit ; 10 la structure discrète de silicium étant entièrement éliminée à l'issue de l'étape de recuit. On entend par étape de carburation une étape de recuit dans une atmosphère contenant un précurseur du carbone, par exemple du propane, mais dépourvue de 15 silicium entrainant la croissance d'une couche de carbure de silicium au niveau de la surface de la structure discrète de silicium. Cette étape va créer des espaces vides dans les structures sacrificielles de silicium. Ces espaces vides seront appelés voids dans le reste du texte. Dans le procédé en question, une seule structure discrète de silicium est formée. Cependant, il est également possible de former une pluralité de 20 structures discrètes de silicium permettant d'obtenir une pluralité de cavités. Dans la suite du texte, l'expression « une structure discrète » devra donc être comprise comme « au moins une structure discrète » et l'expression « une cavité » devra donc être comprise comme « au moins une cavité ». 25 Dans le procédé selon l'invention, durant les étapes de carburation, de dépôt d'une deuxième couche de carbure de silicium et de recuit, une croissance du carbure de silicium se produit et entraine une migration des atomes de silicium de la structure discrète de silicium vers les zones de croissance, c'est-à-dire vers la surface de la structure discrète de silicium. Cette diffusion a deux conséquences : elle alimente la 30 croissance de la couche de carbure de silicium en atomes de silicium au niveau de la surface de la structure discrète et elle entraine la formation d'une cavité dans cette même structure. On obtient donc une structure micromécanique en carbure de silicium comportant une cavité sans avoir recours à un agent de gravure. De plus, étant donné qu'aucun agent de gravure n'est utilisé, il n'est plus nécessaire de 3049946 4 ménager une ouverture dans la deuxième couche de carbure de silicium et on peut donc obtenir une cavité scellée hermétiquement sans problème de « collage » (sticking effect en anglais). 5 L'étape de mise en forme de la couche de silicium permet de déterminer la géométrie de la cavité et de contrôler la taille de cette dernière dans les trois dimensions. Ainsi, contrairement à l'état de l'art qui décrit le phénomène de formation des voids comme un phénomène indésirable dont les propriétés géométriques sont dictées par l'orientation cristalline du silicium, le procédé selon l'invention permet de 10 contrôler ce phénomène afin d'obtenir une cavité scellée hermétiquement ayant des dimensions parfaitement contrôlées et indépendantes de l'orientation cristalline de la couche de silicium. Plus particulièrement, une fois la structure discrète de silicium formée à la surface de 15 la première couche de carbure de silicium, la formation de la cavité est assurée par les trois dernières étapes du procédé. Tout d'abord, l'étape de carburation permet d'initier la formation des voids et d'une couche de carbure de silicium à la surface de la structure discrète de silicium. A l'issue de cette première étape, la taille des voids est inférieure à cent nanomètres. Afin d'assurer une continuité de la membrane, 20 l'étape de dépôt d'une deuxième couche de carbure de silicium est ensuite réalisée. Cette étape va permettre de combler une partie des ouvertures créées lors de l'étape de carburation. Cette étape est effectuée de sorte que, à la fin du dépôt, des ouvertures permettant la diffusion des atomes de silicium à la surface de la couche de carbure de silicium soient toujours présentes dans la couche de carbure de 25 silicium. Enfin, l'étape de recuit permet de consommer le précurseur de carbone et le silicium restant de sorte à former une structure micromécanique en carbure de silicium comportant une cavité scellée. Outre les caractéristiques qui viennent d'être évoquées dans le paragraphe 30 précédent, le procédé de fabrication d'une structure micromécanique en carbure de silicium comportant une cavité selon un aspect de l'invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles. 3049946 5 Avantageusement, l'étape de mise en forme de la couche de silicium est directement suivie d'une deuxième étape de recuit. Cette deuxième étape de recuit permet d'améliorer l'état de surface de la structure discrète de silicium avant l'étape de carburation et ainsi de maitriser l'orientation cristalline de la membrane de carbure de 5 silicium. Elle permet notamment d'obtenir une couche de carbure de silicium dont l'orientation cristalline est de type (111). Cette orientation cristalline permet d'obtenir une faible rugosité comparativement à une membrane dont l'orientation cristalline est de type (110). 10 Avantageusement, une étape de transition thermique est effectuée entre l'étape de carburation et l'étape de dépôt de la deuxième couche de carbure de silicium. Lors de cette étape de transition thermique, la température évolue d'une première température égale à la température de l'étape de carburation vers une deuxième température égale à la température de l'étape de dépôt de la deuxième couche de 15 carbure de silicium. Ainsi, lors de cette étape, les voids formés durant l'étape de carburation vont croitre pour atteindre une taille de l'ordre de quelques centaines de nanomètre voire de l'ordre de quelques micromètres. Préférentiellement, une étape d'attente est effectuée entre l'étape de transition thermique et l'étape de dépôt de la deuxième couche de carbure de silicium. Ce temps d'attente permet de moduler la taille des voids en fonction de la taille de la cavité souhaitée. Avantageusement, la température lors de l'étape de recuit est comprise entre 1100°C et 1400°C. Cette fenêtre de températures assire un bon compromis entre la vitesse de croissance des voids et de la couche de carbure de silicium et la qualité du carbure de silicium obtenu lors de cette étape de recuit. 30 Avantageusement, la durée de l'étape de recuit est choisie en fonction de la largeur, de la longueur et/ou de l'épaisseur de la structure discrète de silicium. Ainsi, la structure de silicium est entièrement consommée à l'issue de l'étape de recuit pour former la structure micromécanique en carbure de silicium comportant une cavité. 20 25 3049946 6 De manière préférentielle, l'étape de carburation est effectuée dans une atmosphère comportant un gaz hydrocarburé. Avantageusement, le propane est choisi comme gaz précurseur du carbone et l'hydrogène est choisi comme gaz porteur. 5 Avantageusement, l'empilement comprend un substrat et le procédé selon l'invention comprend, avant l'étape de mise en forme de la couche de silicium : - une étape de dépôt d'une première couche de carbure de silicium sur le substrat ; 10 - une étape de dépôt d'une couche de silicium sur la première couche de carbure de silicium. L'étape de dépôt d'une première couche de carbure de silicium et l'étape de dépôt d'une couche de silicium permettent d'obtenir l'empilement comprenant une première 15 couche de carbure de silicium et une couche de silicium sur la première couche de carbure de silicium. Avantageusement, le substrat formant la première couche de l'empilement est choisi de sorte à permettre la croissance cristalline de 3C-SiC. Ce substrat peut être 20 un substrat de silicium (Si), de saphir (A1203), de nitrure d'aluminium (AIN), de carbure de silicium (SiC) ou de nitrure de gallium (GaN). Avantageusement, la première couche de carbure de silicium et/ou la deuxième couche de carbure de silicium ont une structure cristalline de type 3C-SiC. De 25 préférence, la première couche de carbure de silicium a une orientation cristalline de type (001) et/ou la deuxième couche de carbure de silicium a une orientation cristalline de type (111). Avantageusement, l'étape de mise en forme est réalisée de sorte à former dans la 30 couche de silicium une pluralité d'éléments de liaison, chaque élément de liaison de la pluralité d'éléments de liaison joignant au moins une première structure discrète de la pluralité de structures discrètes à une deuxième structure discrète de la pluralité de structures discrètes. 3049946 7 De préférence, pour chaque élément de liaison de la pluralité d'éléments de liaison, la largeur dudit élément de liaison est inférieure à la largeur des structures discrètes parmi la pluralité de structures discrètes que ledit élément de liaison joint. 5 On entend par largeur d'une structure discrète, l'arête de plus petite dimension d'une coupe de ladite structure discrète obtenue selon un plan parallèle à la surface de la première couche de carbure de silicium et passant par ladite structure discrète. De la même manière, on entend par largeur d'un élément de liaison, l'arête de plus petite dimension d'une coupe dudit élément de liaison obtenue selon un plan parallèle à la 10 surface de la première couche de carbure de silicium et passant par ledit élément de liaison. Ainsi, on obtient une cavité dans une structure de carbure de silicium comportant des zones larges correspondant aux structures discrètes de silicium supprimées et des 15 zones de largeur réduite correspondant aux éléments de liaison supprimées. En effet, les éléments liaison étant réalisés dans la même couche que les structures discrètes, ils sont donc éliminés en même temps que les structures discrètes de silicium. 20 BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront à la lecture de la description détaillée qui suit, en référence aux figures annexées, qui illustrent : - la figure 1, un ordinogramme du procédé selon un premier mode de 25 réalisation de l'invention ; - les figures 2A à 2F, un schéma des différentes étapes du procédé selon un deuxième mode de réalisation ; - la figure 3, un ordinogramme du procédé selon un troisième mode de réalisation de l'invention ; 30 - la figure 4, un ordinogramme du procédé selon un quatrième mode de réalisation de l'invention ; - la figure 5, un ordinogramme du procédé selon un cinquième mode de réalisation de l'invention ; 3049946 8 - la figure 6, un ordinogramme du procédé selon un sixième mode de réalisation de l'invention ; - les figures 7A et 7B, une illustration de la structure obtenue à l'issue de l'étape de mise en forme de la couche de silicium selon un mode de réalisation de 5 l'invention. DESCRIPTION DETAILLEE Un aspect de l'invention illustré à la figure 1 et aux figures 2A à 2F concerne un 10 procédé de fabrication d'une structure micromécanique en carbure de silicium comportant une cavité 5, à partir d'un empilement comprenant une première couche de carbure de silicium 2 et une couche de silicium 3 sur la première couche de carbure de silicium 2, ledit procédé comportant une étape 102 de mise en forme de la couche de silicium 3 (figure 2C) de sorte à former une structure discrète 3' de 15 silicium sur la première couche de carbure de silicium 2. Afin d'obtenir une structure micromécanique en carbure de silicium comportant une cavité 5, le procédé comprend en outre : - une étape 103 de carburation initiant l'élimination de la structure discrète de 20 silicium 3'; - une étape 104 de dépôt d'une deuxième couche de carbure de silicium 4 ; - une étape 105 de recuit. la structure discrète de silicium étant entièrement éliminée à l'issue de l'étape de recuit. 25 Comme expliqué précédemment, on entend par carburation une étape de recuit dans une atmosphère contenant un précurseur du carbone, par exemple du propane, mais dépourvue de silicium entrainant la croissance d'une couche de carbure de silicium au niveau de la surface de la structure discrète de silicium ainsi que la formation de 30 voids dans ces mêmes structures. La croissance du carbure de silicium lors de l'étape 103 de carburation, l'étape 104 de dépôt d'une deuxième couche de carbure de silicium 4 et lors de l'étape 105 de 3049946 9 recuit entraine la formation d'une couche de carbure de silicium à la surface de la structure discrète (figure 2D) ainsi qu'une migration des atomes de silicium SI (illustrée par des flèches en pointillées à la figure 2E) de la structure discrète 3' de silicium vers les zones de croissance, c'est-à-dire vers la surface de la structure 5 discrète 3' de silicium. Cette diffusion a deux conséquences : elle alimente la croissance de la couche de carbure de silicium 4 en atomes de silicium au niveau de la surface de la structure discrète 3' et elle entraine la formation d'une cavité 5 (illustrée par des flèches continues à la figure 2E) dans ces mêmes structures 3'. On obtient donc une structure micromécanique en carbure de silicium 10 comportant une cavité 5 sans avoir recours à un agent de gravure. De plus, étant donné qu'aucun agent de gravure n'est utilisé, il n'est plus nécessaire de ménager une ouverture dans la couche de carbure de silicium 4 et on peut donc obtenir une cavité 5 scellée hermétiquement. 15 Plus particulièrement, l'étape 103 de carburation permet d'initier la formation des voids. A l'issue de cette première étape, la taille des voids est en général inférieure à cent nanomètres. Afin d'assurer une continuité de la membrane, l'étape 104 de dépôt d'une deuxième couche de carbure de silicium 4 est ensuite réalisée. Cette étape va permettre de combler une partie des ouvertures créées lors de l'étape 103 de 20 carburation. Cette dernière est réalisée de sorte que, à la fin de l'étape 104 de dépôt de la deuxième couche de carbure de silicium 4, des ouvertures permettant la diffusion des atomes de siliciums à la surface de la couche de carbure de silicium 4 soient toujours présentes dans la couche de carbure de silicium 4. Durant ces deux premières étapes, la couche de 3C-SiC continue de se former et s'épaissir. Enfin, 25 l'étape 104 de recuit permet de consommer le précurseur du carbone et le silicium restants de sorte à former une structure micromécanique en carbure de silicium comportant une cavité scellée 5. Autrement dit, une structure micromécanique en carbure de silicium comportant une 30 cavité 5 est formée par la consommation des atomes de silicium de la structure discrète 3', cette consommation entrainant la formation de la couche de carbure de silicium 4 formant une membrane de carbure de silicium. La cavité 5 est donc auto scellée et la pression au sein de cette cavité 5 est identique à la pression utilisée lors de l'étape 105 de recuit. 3049946 10 Dans un mode de réalisation, le carbure de silicium composant la deuxième couche de carbure de silicium 4 a une structure cristalline du type 3C-SiC. 5 Dans un mode de réalisation illustré à la figure 3, l'empilement comprend en outre un substrat 1. Le procédé comprend alors, avant l'étape 102 de mise en forme de la couche de silicium 3 : - une étape 100 de dépôt (figure 2A) d'une première couche de carbure de silicium 2 sur le substrat 1 ; 10 - une étape 101 de dépôt (figure 2B) d'une couche de silicium 3 sur la première couche de carbure de silicium 2. L'étape 100 de dépôt d'une première couche de carbure de silicium 2 et l'étape 101 de dépôt d'une couche de silicium 3 permettent d'obtenir l'empilement comprenant 15 une première couche de carbure de silicium 2 et une couche de silicium 3 sur la première couche de carbure de silicium 2. Le substrat 1 de l'empilement est choisi de sorte à permettre la croissance du carbure de silicium. Il peut être choisi parmi un substrat de silicium (Si), de saphir 20 (A1203), de nitrure d'aluminium (AIN), de carbure de silicium (SiC) ou de nitrure de gallium (GaN). En effet, ces substrats permettent de faire croitre, lors de l'étape 100 de dépôt de la première couche de carbure de silicium 2, une couche de carbure de silicium monocristallin et améliore ainsi les caractéristiques mécaniques et électriques de la structure micromécanique obtenue. Dans un mode de réalisation, la 25 première couche de carbure de silicium 2 est de type 3C-SiC. Dans un mode de réalisation, l'orientation cristalline de la première couche de carbure de silicium 2 est de type (001). Cependant, certaines conditions de croissance peuvent conduire à l'obtention d'une première couche de carbure de silicium 2 polycristalline voire amorphe. 30 Dans un mode de réalisation, l'étape de dépôt 100 de la première couche de carbure de silicium 2 sur le substrat 1 peut être précédée d'une étape de retrait de l'oxyde natif présent à la surface dudit substrat 1. Lorsque le substrat 1 est un substrat de silicium, cette étape de retrait de l'oxyde natif peut prendre la forme d'une 3049946 11 homoépitaxie d'une fine couche de silicium sur le substrat 1 de silicium ou d'un recuit sous atmosphère hydrogène. Si le substrat 1 est un nitrure, cette étape de retrait de l'oxyde natif peut prendre la forme d'un recuit sous atmosphère azote. 5 Dans un mode de réalisation, l'étape de dépôt 100 de la première couche de carbure de silicium 2 peut être réalisée par un procédé d'épitaxie, par exemple à l'aide d'une technique de dépôt chimique en phase gazeuse (CVD pour « Chemical Vapor Deposition » en anglais). Dans un mode de réalisation, l'épaisseur de la première couche de carbure de silicium 2 est comprise entre 100nm et 2011m, de préférence 10 égale à 511m. L'étape 102 de mise en forme (figure 2C) de la couche de silicium 3 peut être effectuée à l'aide d'une technique classique de lithographie. Par exemple, la gravure de la couche de silicium peut être effectuée à l'aide d'une gravure par plasma couplé 15 par induction (ICP, pour « Inductively Coupled Plasma » en anglais) dans une atmosphère contenant de l'hexafluorure de soufre (SF6), de l'éthylène (C2H4) et de l'argon (Ar). Dans un autre exemple, on pourra avoir recours à une gravure humide. L'élimination de la couche de résine après gravure peut être effectuée par une étape de plasma oxygène. Cette étape de nettoyage plasma oxygène peut être 20 éventuellement suivie d'une étape de nettoyage à l'aide d'une solution piranha. Dans un mode de réalisation illustré à la figure 4, l'étape 102 de mise en forme (figure 2C) de la couche de silicium 3 est suivie d'une deuxième étape 106 de recuit. Lors de cette étape de recuit, la température peut être comprise entre 800°C 25 et 1000°C. La pression lors de cette étape 106 de recuit peut être choisie inférieure à 1bar. La durée de cette étape 106 de recuit peut être sensiblement égale à 10 minutes voire à 20 minutes. Elle permet d'obtenir un meilleur état de surface avant l'étape 103 de carburation et ainsi de maitriser l'orientation cristalline de la deuxième couche de carbure de silicium 4. Dans un mode de réalisation, la deuxième couche 30 de carbure de silicium 4 a une orientation cristalline du type (111). Dans un mode de réalisation, la température lors de l'étape 103 de carburation est comprise entre 860°C et 1300°C, de préférence entre860°C et 1150°C. Dans une première variante, la température est modifiée de sorte à passer d'une température 3049946 12 minimale de 860°C à une température maximale de 115J °C. Dans une deuxième variante, la température est modifiée de sorte à passer d'une température minimale de 860°C à une température maximale de 1100°C. De minière préférentielle, l'étape 103 de carburation est effectuée sous une atmosphère comportant un précurseur du 5 carbone, par exemple du propane, et de l'hydrogène. Dans un mode de réalisation illustré à la figure 5, lorsque la température entre l'étape 103 de carburation et l'étape 104 de dépôt de la deuxième couche de carbure de silicium 4 est différente, une étape 107 de transition thermique est effectuée entre 10 l'étape 103 de carburation et l'étape 104 de dépôt de la deuxième couche de carbure de silicium 4. Lors de cette étape 107 de transition thermique, la température est modifiée d'une première valeur égale à la température de l'étape 103 de carburation vers une deuxième valeur égale à la température de l'étape 104 de dépôt de la deuxième couche de carbure de silicium 4. Lors de cette étape 107 de 15 transition thermique, les voids formés lors de l'étape 103 de carburation vont croitre pour atteindre une taille de l'ordre de quelques centaines de nanomètre voire de l'ordre du micromètre. Par exemple, pour une épaisseur de la structure discrète de silicium de 300nm, une étape 103 de carburation effectuée à 1150°C et une étape 104 de dépôt de la deuxième couche de carbure de silicium 4 effectuée à 1320°C, à 20 l'issue de l'étape 107 de transition thermique, la taille des voids est comprise entre 500nm et 1pm. Cette étape 107 de transition thermique peut être effectuée sous une atmosphère comportant de l'hydrogène. Dans un mode de réalisation illustré à la figure 6, une étape 108 d'attente est 25 effectuée entre l'étape 107 de transition thermique et l'étape 104 de dépôt de la deuxième couche de carbure de silicium 4. Cette étape 108 d'attente permet de faire croitre les voids avant l'étape 104 de dépôt de la deuxième couche de carbure de silicium 4. La taille des voids à l'issue de l'étape 108 d'attente dépend de la durée de cette étape 108 d'attente. Par exemple, pour une épaisseur de la structure discrète 30 de silicium 3' de 300nm, une étape 103 de carburation effectuée à 1150°C et une étape 104 de dépôt de la deuxième couche de carbure de silicium 4 effectuée à 1320°C, la taille des voids obtenus à l'issue d'une étape 108 d'attente de 5 minutes est comprise entre 1.5pm et 2.5pm. Dans un deuxième exemple, pour une épaisseur de la structure discrète de silicium de 300nm, une étape 103 de carburation 3049946 13 effectuée à 1150°C et une étape 104 de dépôt de ladeuxième couche de carbure de silicium 4 effectuée à 1320°C, la taille des voids obtenus à l'issue d'une étape 108 d'attente de 10 minutes est comprise entre 3.5pm et 5pm. 5 La taille des voids est également dépendante de l'épaisseur de la structure discrète 3'. Par exemple, pour une épaisseur de la structure discrète de silicium de 100nm, une étape 103 de carburation effectuée à 1150°C et une étape 104 de dépôt de la deuxième couche de carbure de silicium 4 effectuée à 1320°C, la taille des voids obtenus à l'issue d'une étape 108 d'attente de 5 minutes est au moins égale à 10 5pm. Dans un deuxième exemple, pour une épaisseur de la structure discrète de silicium de 500nm, une étape 103 de carburation effectuée à 1150°C et une étape 104 de dépôt de la deuxième couche de carbure de silicium 4 effectuée à 1320°C, la taille des voids obtenus à l'issue d'une étape 108 d'attente de 5 minutes est égale à 900nm. Dans un troisième exemple, pour une épaisseur de la structure discrète de 15 silicium de 1.2pm, une étape 103 de carburation effectuée à 1150°C et une étape 104 de dépôt de la deuxième couche de carbure de silicium 4 effectuée à 1320°C, la taille des voids obtenus à l'issue d'une étape 108 d'attente de 5 minutes est égale à 400nm. 20 Dans un mode de réalisation, la température lors de l'étape 104 de dépôt de la deuxième couche de carbure de silicium 4 est comprise entre 1100°C et 1400°C.Cette étape 104 de dépôt peut être effectuée par épitaxie à l'aide d'un précurseur du silicium, par exemple le silane (SiH4) et un précurseur du carbone, par exemple le propane (C3H8). Ce dépôt peut être effectué par une technique de dépôt 25 chimique en phase gazeuse (CVD pour « Chemical Vapor Deposition » en anglais).La durée de cette étape peut être comprise entre 30 secondes et 10 minutes, de préférence entre 1 minute et 3 minutes. Dans un mode de réalisation, la température lors de l'étape de recuit 105 est égale à 30 la température lors de l'étape de dépôt 104 de la deuxième couche de carbure de silicium 4, c'est-à-dire comprise entre 1100°C et 1400°C.La durée de l'étape 105 de recuit est fonction de la taille de la structure discrète de silicium 3'. Par exemple, si la structure discrète 3' a une épaisseur de 200nm, une largeur de 20pm et une 3049946 14 longueur de 20pm, alors l'étape 105 de recuit a une durée sensiblement égale (à plus ou moins 20%) à 30 minutes. Dans un mode de réalisation illustré à la figure 7A, l'étape de mise en forme 102 est 5 réalisée de sorte à former dans la couche de silicium 3 une pluralité d'éléments de liaison, chaque élément de liaison 3bis de la pluralité d'éléments de liaison joignant au moins une première structure discrète 3' de la pluralité de structures discrètes à une deuxième structure discrète 3' de la pluralité de structures discrètes. 10 De préférence, pour chaque élément de liaison 3bis de la pluralité d'éléments de liaison, la largeur dudit élément de liaison 3bis est inférieure à la largeur des structures discrètes 3' parmi la pluralité de structures discrètes que ledit élément de liaison 3bis joint. Chaque élément de liaison a de plus une longueur égale à la distance séparant les structures discrètes 3' parmi la pluralité de structures 15 discrètes que ledit élément de liaison 3bis joint. Dans un mode de réalisation illustré à la figure 7B, les structures discrètes 3' sont répartie à la surface de la première couche de carbure de silicium 2 sous la forme d'une matrice de structures discrètes 3', lesdites structures discrète formant une 20 pluralité de lignes L et une pluralité de colonnes C, comprenant chacune une pluralité de structures discrètes 3'. Dans ce mode de réalisation, chaque structure discrète 3' d'une même colonne C est jointe au moyen d'un élément de liaison 3bis à la structure discrète 3' qui la précède dans la colonne C de sorte à obtenir une structure continue formée par une alternance de structures discrètes 3' et d'éléments de 25 liaison 3bis. Dans un mode de réalisation, les structures discrètes ont une forme carrée d'une largeur de 25 um et les éléments de liaison ont une largeur de 5 um et une longueur de 10 um. Autrement dit, dans ce mode de réalisation, deux structures discrètes 3' 30 consécutives jointes par un élément de liaison 3bis sont donc espacées d'une distance de 10µm. Les structures discrètes de silicium 3' et les éléments de liaison 3bis étant réalisés dans la même couche de silicium 3, ils ont donc une épaisseur identique égale à l'épaisseur de ladite couche de silicium 3. Cette épaisseur peut par exemple être égale à 200nm. Les étapes réalisées sur les structures discrètes de 3049946 15 silicium 3', notamment l'étape de carburation 103, l'étape de dépôt de carbure de silicium 104 et l'étape de recuit 105, sont également mises en oeuvre sur les éléments de liaison 3bis. On obtient donc une cavité 5 dans une structure en carbure de silicium comportant des zones ayant une largeur de 25 pm correspondant aux 5 structures discrètes de silicium 3' supprimées et des zones de ayant une largeur de 5pm et une longueur de 10 pm correspondant aux éléments de liaison 3bis supprimées par le procédé objet de l'invention. En effet, les éléments de liaison 3bis étant réalisés dans la même couche de silicium 3 que les structures discrètes de silicium 3', ils sont donc éliminés de manière concomitante avec les structures lo discrètes de silicium. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une structure micromécanique en carbure de silicium comportant une cavité (5), à partir d'un empilement comprenant une première couche (2) de carbure de silicium et une couche de silicium (3) sur la première couche de carbure de silicium, ledit procédé comportant une étape (102) de mise en forme de la couche de silicium (3) de sorte à former une structure discrète (3') de silicium sur la première couche (2) de carbure de silicium ; ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend après l'étape (102) de mise en forme de la couche de silicium (3) : - une étape (103) de carburation initiant l'élimination de la structure discrète de silicium (3') ; - une étape (104) de dépôt d'une deuxième couche de carbure de silicium ; - une étape (105) de recuit ; la structure discrète (3') de silicium étant entièrement éliminée à l'issue de l'étape de recuit (105). 2. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que l'étape (102) de mise en forme de la couche (3) de silicium est directement suivie d'une deuxième étape (106) de recuit. 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce qu'il comprend une étape (107) de transition thermique entre l'étape (103) de carburation et l'étape de dépôt (104) de la deuxième couche de carbure de silicium durant laquelle la température évolue d'une première température égale à la température de l'étape (103) de carburation vers une deuxième température égale à la température de l'étape de dépôt (104) de la deuxième couche de carbure de silicium. 4. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce qu'il comprend une étape (108) d'attente entre l'étape (107) de transition thermique et l'étape (104) de dépôt de la deuxième couche de carbure 3049946 17 de silicium. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la température lors de l'étape (104) de dépôt de la deuxième couche de carbure de silicium et/ou de l'étape (105) de recuit est comprise entre 1100°C et 1400°C. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la durée de l'étape (105) de recuit est choisie en fonction de la largeur, de la longueur et/ou de l'épaisseur de la structure discrète (3') de silicium. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que l'étape (103) de carburation est effectuée sous une atmosphère comportant un gaz hydrocarburé. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que l'empilement comprend en outre un substrat (1) ; ledit procédé comprenant, avant l'étape (102) de mise en forme de la couche de 20 silicium (3) : - une étape (100) de dépôt d'une première couche (2) de carbure de silicium sur le substrat (1); - une étape (101) de dépôt d'une couche de silicium (3) sur la première couche de carbure de silicium (2) ; 25 l'étape (100) de dépôt d'une première couche (2) de carbure de silicium et l'étape (101) de dépôt d'une couche de silicium (3) permettant d'obtenir l'empilement comprenant une première couche (2) de carbure de silicium et une couche de silicium (3) sur la première couche de carbure de silicium. 30 9. Procédé selon la revendication précédente caractérisé en ce que le substrat formant la première couche de l'empilement est choisi parmi un substrat de silicium (Si), de saphir (A1203), de nitrure d'aluminium (AIN), de carbure de silicium (SiC) ou de nitrure de gallium (GaN). 5. 5 6. 10 7. 15 8. 3049946 18 10. Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que l'étape mise en forme (102) est réalisée de sorte à former dans la couche de silicium (3) une pluralité d'éléments de liaison (3bis) et une pluralité de structures discrètes (3'), chaque élément de liaison (3bis) de la pluralité d'éléments de liaison (3bis) joignant au moins une première structure discrète (3') de la pluralité de structures discrètes (3') à une deuxième structure discrète (3') de la pluralité de structures discrètes (3').