FR 3058264 A1 20180504 FR 1660525 A 20161028 1 PROCEDE DE FABRICATION DE CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES A CONTACTS ARRIERE Domaine technique L'invention se rapporte au domaine technique des cellules photovoltaïques à contacts arrière, pouvant être de type IBC (« Interdigitated Back Contact» en langue anglaise) ou RCC (« Rear Contact Cell» en langue anglaise), c'est-à-dire que les contacts électriques sont disposés sur la surface opposée à celle recevant le rayonnement solaire. Une cellule photovoltaïque à contacts arrière comporte notamment : - un substrat, réalisé dans un matériau semi-conducteur, et présentant une première surface, destinée à être orientée vers un rayonnement solaire, et une seconde surface opposée à la première surface ; - des régions semi-conductrices dopées de type n et p, destinées à être en contact avec des électrodes, et s'étendant à la seconde surface. Etat de la technique antérieure Il existe différents procédés pour former les régions semi-conductrices dopées de type n et p, mettant en oeuvre des étapes d'implantation et/ou de diffusion de dopants. Nous allons nous concentrer sur des procédés mettant en oeuvre la diffusion de dopants pour la formation 20 des régions semi-conductrices dopées de type n et p. Un premier procédé connu de l'état de la technique, notamment du document US 2011/0214719 (ci-après D1), comporte les étapes consistant à : - former une couche de silicium polycristallin sur la seconde surface du substrat ; - former une couche de verre borosilicate (BSG) sur une première partie de la couche de 25 silicium polycristallin ; - former une couche de verre phosphosilicate (PSG) sur la couche de BSG et sur une deuxième partie de la couche de silicium polycristallin, la deuxième partie de la couche de silicium polycristallin n'étant pas recouverte de BSG (cf. figure 2A de D1) ; - graver les couches de BSG et de PSG de manière à espacer la couche de PSG, formée 30 sur la deuxième partie de la couche de silicium polycristallin, et l'empilement BSG/PSG sur la première partie de la couche de silicium polycristallin (cf. figure 2B de D1) ; - diffuser vers la couche de silicium polycristallin : 3058264 2 - les atomes de phosphore depuis la couche de PSG formée sur la deuxième partie de la couche de silicium polycristallin, de manière à former les régions semiconductrices dopées de type n, et - les atomes de bore depuis la couche de BSG de l'empilement BSG/PSG formé 5 sur la première partie de la couche de silicium polycristallin, de manière à former les régions semi-conductrices dopées de type p ; retirer les couches de BSG et PSG par gravure (cf. figure 2E et §0034 de Dl). La passivation de la seconde surface du substrat est assurée par une couche de dioxyde de silicium formée entre la seconde surface du substrat et la couche de silicium polycristallin 10 (Dl, §0043). Un tel premier procédé de l'état de la technique n'est pas entièrement satisfaisant dans la mesure où la formation d'une couche de silicium polycristallin sur le substrat introduit une complexité et un temps d'opération non négligeable si l'on compare à des régions semiconductrices dopées de type n et p formées directement sous la seconde surface du substrat. 15 En outre, le fait de former puis de retirer les couches de BSG et de PSG, impliquant par là-même la formation d'une couche de passivation dédiée, est également préjudiciable en termes de temps d'opération. Un deuxième procédé connu de l'état de la technique, notamment du document 20 WO 2012/074602 (ci-après D2), comporte les étapes consistant à : - former une couche de silicium polycristallin sur la seconde surface du substrat ; - former des couches de verre borosilicate (BSG) sur la couche de silicium polycristallin de sorte que la couche de silicium polycristallin présente des zones libres agencées pour séparer les couches de BSG entre elles (cf. figure 2C de D2) ; 25 - former une couche de P205 sur les couches de BSG et sur les zones libres de la couche de silicium polycristallin (cf. figure 2D de D2) ; - diffuser vers la couche de silicium polycristallin : - les atomes de phosphore depuis la couche de P2O5, formée dans les zones libres de la couche de silicium polycristallin, de manière à former les régions semi- 30 conductrices dopées de type n, et - les atomes de bore depuis les couches de BSG des empilements BSG/P205 de manière à former les régions semi-conductrices dopées de type p ; - retirer les couches de BSG et de P205 (cf. figures 2F, 2H de D2, §0030, §0035). 3058264 3 La passivation de la seconde surface du substrat est assurée par une couche de dioxyde de silicium formée entre la seconde surface du substrat et la couche de silicium polycristallin (D2, §0025). Un tel deuxième procédé de l'état de la technique n'est pas entièrement satisfaisant dans la 5 mesure où la formation d'une couche de silicium polycristallin sur le substrat introduit une complexité et un temps d'opération non négligeable si l'on compare à des régions semiconductrices dopées de type n et p formées directement sous la seconde surface du substrat. En outre, le fait de former puis de retirer les couches de BSG et de P205, impliquant par là-même la formation d'une couche de passivation dédiée, est également préjudiciable en termes 10 de temps d'opération. Un troisième procédé connu de l'état de la technique, notamment du document US 2007/0151598 (ci-après D3), comporte les étapes consistant à : - former successivement, par impression sélective (e.g. jet d'encre), une première couche 15 comportant du bore (un verre de spin SOG pour « Spin-On Glass» en langue anglaise) et une deuxième couche comportant du phosphore (un SOG) sur la seconde surface du substrat (cf. figure 2A de D3), les première et deuxième couches étant juxtaposées ; - diffuser les atomes de bore et de phosphore depuis les première et deuxième couches sous la seconde surface du substrat (cf. figure 2B de D3). La passivation de la seconde surface du substrat est assurée par une couche de dioxyde de silicium formée sur les première et deuxième couches (D3, §0030). Un tel troisième procédé de l'état de la technique n'est pas entièrement satisfaisant dans la mesure où l'impression sélective introduit une certaine complexité, notamment dans le choix des première et deuxième couches, d'un solvant et d'un catalyseur (D3, §0029). En outre, il est nécessaire de former une couche de passivation dédiée, préjudiciable en termes de temps d'opération. Exposé de l'invention L'invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités. A cet effet, 30 l'invention a pour objet un procédé de fabrication de cellules photovoltaïques dites à contacts arrière, comportant les étapes : a) prévoir un substrat, réalisé dans un matériau semi-conducteur à base de silicium cristallin préférentiellement dopé de type n, et présentant : - une première surface, destinée à être orientée vers un rayonnement solaire, et 3058264 4 - une seconde surface opposée à la première surface ; b) former des premières couches diélectriques, comportant chacune des dopants de type n, sur la seconde surface de sorte que la seconde surface présente des zones libres agencées pour séparer les premières couches diélectriques entre elles, les dopants de type n 5 étant sélectionnés dans le groupe comportant P, As, et Sb ; c) former une deuxième couche diélectrique, comportant des dopants de type p, sur les premières couches diélectriques et sur les zones libres formées lors de l'étape b), les dopants de type p étant sélectionnés dans le groupe comportant B, Al, et Ga ; d) diffuser les dopants de type n et les dopants de type p, respectivement depuis les 10 premières couches diélectriques et depuis la deuxième couche diélectrique formée sur les zones libres, sous la seconde surface de manière à former des régions semi-conductrices dopées destinées à être en contact avec des électrodes. La deuxième couche diélectrique, comportant des dopants de type p, est formée sur les 15 premières couches diélectriques, comportant chacune des dopants de type n, et non l'inverse comme dans l'état de la technique. Cet ordre d'empilement est avantageux dans la mesure où l'inventeur a constaté de manière surprenante une adsorption privilégiée des dopants de type p, en particulier le bore, à la seconde surface du substrat. Ainsi, les dopants de type p, en particulier le bore, 20 s'accumulent significativement plutôt à la seconde surface du substrat (dans les zones libres) que sur les premières couches diélectriques, lors de l'étape d). Cette adsorption privilégiée permet donc de réduire le pouvoir dopant de la deuxième couche diélectrique formée sur les premières couches diélectriques, et par là-même autorise des épaisseurs relativement faibles (par exemple de l'ordre de 20 nm à 30 nm) des premières 25 couches diélectriques, afin d'assurer le rôle de barrière de diffusion des dopants de type p depuis la deuxième couche diélectrique formée sur la première couche diélectrique correspondante. Enfin, dans l'invention, les premières couches diélectriques et la deuxième couche diélectrique sont empilées et non juxtaposées, ce qui permet de les former aisément par 30 exemple par une technique de dépôt chimique en phase vapeur, contrairement à une impression sélective de l'état de la technique plus complexe à mettre en oeuvre. Définitions - Par « substrat », on entend le support mécanique, autoporté, pour la fabrication de la cellule photovoltaïque. 3058264 5 - Par « couche diélectrique », on entend une couche réalisée dans un matériau diélectrique. - Par « matériau diélectrique », on entend un matériau présentant une conductivité électrique à 300 K inférieure ou égale à 10' S.cm-1. - Par « dopants de type n », on entend des impuretés qui, introduites dans une matrice 5 d'un matériau semi-conducteur à base de silicium, donnent un électron à la bande de conduction. - Par « dopants de type p », on entend des impuretés qui, introduites dans une matrice d'un matériau semi-conducteur à base de silicium, acceptent un électron de la bande de conduction. 10 - Par « matériau semi-conducteur », on entend que le matériau présente une conductivité électrique à 300 K comprise entre 10' S.cm-1 et 103 S.cm-1. - Par «A formé sur B », on entend que l'entité A est formée sur l'entité B, mais pas nécessairement en contact avec l'entité B. En d'autres termes, l'expression « formé sur » n'exclut pas la présence d'élément(s) intercalaire(s) entre l'entité A et l'entité B. 15 - Par « passivation », on entend la neutralisation de défauts électriquement actifs à la surface du substrat semi-conducteur. En effet, la surface d'un matériau semi-conducteur présente une densité de défauts (e.g. liaisons pendantes, impuretés, discontinuités du cristal etc.) pouvant entraîner des pertes non négligeables liées à la recombinaison en surface des porteurs. 20 - Par « cristallin », on entend la forme multicristalline ou la forme monocristalline du silicium, excluant donc le silicium amorphe. Le dopage de type n du silicium permet d'améliorer le rendement de la cellule photovoltaïque. - Par « à base de », on entend que le silicium est le matériau principal et majoritaire composant le substrat. 25 Le procédé selon l'invention peut comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes. Selon une caractéristique de l'invention, les premières couches diélectriques formées lors 30 de l'étape b) présentent une épaisseur comprise entre 20 nm et 30 nm. Ainsi, un avantage procuré par cette gamme d'épaisseur est d'être : - suffisamment importante afin de former une barrière de diffusion pour les dopants de type p de la deuxième couche diélectrique formée sur les premières couches diélectriques. - suffisamment faible afin de ne pas consommer ni trop de matière, ni trop de temps 35 d'opération. 3058264 6 En outre, cette gamme d'épaisseur permet de minimiser les pertes liées aux recombinaisons des porteurs de charge dans le volume du substrat après l'étape d). Selon une caractéristique de l'invention, les premières couches diélectriques formées lors 5 de l'étape b) sont à base d'un oxynitrure de silicium Si0.1\ly vérifiant 0 x e2, préférentiellement el>1,5 e2. Ainsi, un avantage procuré par cette variation d'épaisseur est de former une signature 10 structurelle de la cellule photovoltaïque pouvant être aisément détectée par ingénierie inverse. Cette variation d'épaisseur provient du fait que des dopants de type p de la deuxième couche diélectrique formée sur les premières couches diélectriques sont adsorbés sur les zones libres de la seconde surface du substrat. 15 Selon une caractéristique de l'invention, l'étape d) est exécutée en appliquant un recuit thermique, de préférence sous une atmosphère oxydante. Par « recuit thermique », on entend un traitement thermique comportant : - une phase de montée graduelle en température (rampe de montée) jusqu'à atteindre une température dite température de recuit, 20 - une phase de maintien (plateau) à la température de recuit, pendant une durée dite durée de recuit, - une phase de refroidissement. Selon une caractéristique de l'invention, le procédé comporte une étape consistant à 25 graver les zones libres de la seconde surface avant l'étape c) de manière à former des tranchées ; l'étape c) étant exécutée de sorte que la deuxième couche diélectrique est formée sur les premières couches diélectriques et dans les tranchées. Ainsi, un avantage procuré est d'améliorer l'isolation électrique entre les régions semi- conductrices dopées en réduisant la superposition des dopants en termes de profil de 30 concentration. L'invention a également pour objet une cellule photovoltaïque dite à contact arrière, comportant : 3058264 9 - un substrat, réalisé dans un matériau semi-conducteur à base de silicium cristallin préférentiellement dopé de type n, et présentant une première surface, destinée à être orientée vers un rayonnement solaire, et une seconde surface opposée à la première surface ; - des premières couches diélectriques, comportant chacune des résidus de dopants de 5 type n, formées sur la seconde surface, les dopants de type n étant sélectionnés dans le groupe comportant P, As, et Sb ; la seconde surface présentant des zones libres agencées pour séparer les premières couches diélectriques entre elles ; - une deuxième couche diélectrique, comportant des résidus de dopants de type p, formée sur les premières couches diélectriques et sur les zones libres, les dopants de type p étant 10 sélectionnés dans le groupe comportant B, Al et Ga ; - des régions semi-conductrices dopées de type n et p, destinées à être en contact avec des électrodes, et s'étendant sous la seconde surface. La cellule photovoltaïque selon l'invention peut comporter une ou plusieurs des 15 caractéristiques suivantes. Selon une caractéristique de l'invention, les premières couches diélectriques présentent une épaisseur comprise entre 20 nm et 30 nm. Ainsi, un avantage procuré par cette gamme d'épaisseur est d'être : 20 - suffisamment importante afin de passiver le substrat de manière satisfaisante. - suffisamment faible afin de ne pas consommer trop de matière. Selon une caractéristique de l'invention, les premières couches diélectriques sont à base d'un oxynitrure de silicium SiOXNY vérifiant Clx e' préférentiellement el>1,5 e2, avec préférentiellement 10 nm e2, préférentiellement el>1,5 e2. Diffusion des dopants 15 Les dopants de type n sont sélectionnés dans le groupe comportant P, As, et Sb. Les dopants de type p sont sélectionnés dans le groupe comportant B, Al, et Ga. L'étape d) est avantageusement exécutée en appliquant un recuit thermique, de préférence sous une atmosphère oxydante. L'atmosphère oxydante comporte avantageusement du dioxygène et au moins un gaz neutre choisi parmi l'argon et l'azote. L'atmosphère oxydante 20 est avantageusement constituée de dioxygène et d'au moins un gaz neutre choisi parmi l'argon et l'azote. L'atmosphère oxydante est avantageusement dépourvue d'agent dopant tel que la phosphine. Le recuit thermique appliqué lors de l'étape d) est un recuit thermique global au sens où il est appliqué à l'ensemble comportant le substrat 1, les premières couches diélectriques 2, la deuxième couche diélectrique 3 et le cas échéant les couches diélectriques 25 additionnelles 2a, 3a. Il ne s'agit donc pas d'un recuit thermique localisé appliqué sur une partie dudit ensemble, par exemple à l'aide d'un laser. L'étape d) est préférentiellement exécutée dans un four. L'étape d) est avantageusement exécutée de sorte que : - les dopants de type n diffusent à une profondeur p, strictement inférieure à 2 pm à 30 partir de la seconde surface 11, et - les dopants de type p diffusent à une profondeur pi strictement inférieure à 1 pm à partir de la seconde surface 11. Pour ce faire, d'une part, le recuit thermique appliqué lors de l'étape d) présente avantageusement : 3058264 15 - une valeur de température de recuit comprise entre 880°C et 980°C, préférentiellement comprise entre 900°C et 960°C, - une valeur de durée de recuit comprise entre 10 minutes et 1 heure, préférentiellement comprise entre 30 minutes et 1 heure. 5 Pour ce faire, d'autre part, les dopants de type p, tels que des atomes de bore, présentent préférentiellement une proportion atomique dans la deuxième couche diélectrique 3 comprise entre 10% et 50%, plus préférentiellement comprise entre 10% et 30%, avant l'étape d). Les dopants de type n, tels que des atomes de phosphore, présentent préférentiellement une proportion atomique dans les premières couches diélectriques 2 comprise entre 1% et 10% 10 avant l'étape d). Après l'étape d), les régions semi-conductrices dopées 20 de type p présentent préférentiellement, à la seconde surface 11, une concentration atomique surfacique supérieure à 1019 at./cm3, plus préférentiellement comprise entre 1019 at./cm3 et 3x10" at./cm3, afin de former une zone de contact électrique de bonne qualité. 15 Après l'étape d), les régions semi-conductrices dopées 30 de type n présentent préférentiellement, à la seconde surface 11, une concentration atomique surfacique supérieure à 10' at./cm3, plus préférentiellement comprise entre 1020 at./cm3 et 1021 at./cm3, afin de former une zone de contact électrique de bonne qualité. Champ de surface avant 20 Comme illustré aux figures le et 2f, le procédé comporte avantageusement une étape consistant à former une région semi-conductrice 40 à la première surface 10 du substrat 1. La région semi-conductrice 40 est avantageusement fortement dopée (concentration des dopants supérieure à 5x1018 at/cm3) du même type de dopage que le substrat 1 de manière à former un champ de surface avant (FSF pour « Front Surface Field» en langue anglaise). Une telle 25 région semi-conductrice 40 permet de réduire les recombinaisons des porteurs à la première surface 10 du substrat 1. Passivation de la première surface du substrat Comme illustré aux figures le et 2f, le procédé comporte avantageusement une étape consistant à former une couche de passivation 5 sur la région semi-conductrice 40, la couche 30 de passivation 5 pouvant également avoir une fonction antireflet par une épaisseur ajustée. Formation des électrodes Comme illustré aux figures le, 1f et 2f, le procédé comporte avantageusement une étape e) consistant à mettre en contact les régions semi-conductrices dopées 20, 30 avec une 3058264 16 électrode M. L'étape e) comporte avantageusement une étape de métallisation, de préférence exécutée par sérigraphie. Chaque électrode M est préférentiellement réalisée en argent et/ou aluminium. L'invention ne se limite pas aux modes de réalisation exposés. L'homme du métier est mis à même de considérer leurs combinaisons techniquement opérantes, et de leur substituer des équivalents. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication de cellules photovoltaïques dites à contacts arrière, comportant les étapes : a) prévoir un substrat (1), réalisé dans un matériau semi-conducteur à base de silicium cristallin préférentiellement dopé de type n, et présentant : - une première surface (10), destinée à être orientée vers un rayonnement solaire (R), et - une seconde surface (11) opposée à la première surface (10) ; b) former des premières couches diélectriques (2), comportant chacune des dopants de 10 type n, sur la seconde surface (11) de sorte que la seconde surface (11) présente des zones libres (ZL) agencées pour séparer les premières couches diélectriques (2) entre elles, les dopants de type n étant sélectionnés dans le groupe comportant P, As, et Sb ; c) former une deuxième couche diélectrique (3), comportant des dopants de type p, sur les premières couches diélectriques (2) et sur les zones libres (ZL) formées lors de l'étape b), 15 les dopants de type p étant sélectionnés dans le groupe comportant B, Al, et Ga ; d) diffuser les dopants de type n et les dopants de type p, respectivement depuis les premières couches diélectriques (2) et depuis la deuxième couche diélectrique (3) formée sur les zones libres (ZL), sous la seconde surface (11) de manière à former des régions semiconductrices dopées (20, 30) destinées à être en contact avec des électrodes (M). 20 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les premières couches diélectriques (2) formées lors de l'étape b) présentent une épaisseur comprise entre 20 nm et 30 nm. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les premières couches diélectriques 25 (2) formées lors de l'étape b) sont à base d'un oxynitrure de silicium SiO.Ny vérifiant Clx 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la deuxième couche diélectrique (3) formée lors de l'étape c) présente une épaisseur comprise entre 10 nm et 30 30 nm. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel la deuxième couche diélectrique (3) formée lors de l'étape c) est à base d'un oxynitrure de silicium SiO.Ny vérifiant Gly 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, comportant une étape consistant à recouvrir les premières couches diélectriques (2) d'une couche diélectrique additionnelle (2a), avant l'étape c) ; la couche diélectrique additionnelle (2a) étant préférentiellement à base d'un oxynitrure de silicium SiOXNY vérifiant Clx 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel les premières couches diélectriques (2) recouvertes de la couche diélectrique additionnelle (2a) forment un empilement présentant une épaisseur inférieure ou égale à 70 nm. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, comportant une étape consistant à recouvrir la deuxième couche diélectrique (3) d'une couche diélectrique additionnelle (3a), avant l'étape d) ; la couche diélectrique additionnelle (3a) étant préférentiellement à base d'un oxynitrure de silicium SiOXNY vérifiant Clx 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel la deuxième couche diélectrique (3) recouverte de la couche diélectrique additionnelle (3a) forme un empilement présentant une épaisseur inférieure ou égale à 100 nm. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel les premières couches 20 diélectriques (2) formées lors de l'étape b) et la deuxième couche diélectrique (3) formée lors de l'étape c) sont conservées après l'étape d). 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel l'étape d) est exécutée de sorte que : 25 - les dopants de type n diffusent à une profondeur (p2) strictement inférieure à 2 itm à partir de la seconde surface (11), et - les dopants de type p diffusent à une profondeur (pl) strictement inférieure à 1 itm à partir de la seconde surface (11). 30 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel la deuxième couche diélectrique (3) présente, après l'étape d), une première épaisseur el sur les zones libres (ZL) et une seconde épaisseur e2 sur les premières couches diélectriques (2) vérifiant el > e2, préférentiellement el>1,5 e2. 3058264 19 13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel l'étape d) est exécutée en appliquant un recuit thermique, de préférence sous une atmosphère oxydante. 14. Procédé selon l'une des revendications 1 à 13, comportant une étape consistant à 5 graver les zones libres (ZL) de la seconde surface (11) avant l'étape c) de manière à former des tranchées (110) ; l'étape c) étant exécutée de sorte que la deuxième couche diélectrique (3) est formée sur les premières couches diélectriques (2) et dans les tranchées (110). 15. Cellule photovoltaïque dite à contact arrière, comportant : 10 - un substrat (1), réalisé dans un matériau semi-conducteur à base de silicium cristallin préférentiellement dopé de type n, et présentant une première surface (10), destinée à être orientée vers un rayonnement solaire (R), et une seconde surface (11) opposée à la première surface (10) ; - des premières couches diélectriques (2), comportant chacune des résidus de dopants de 15 type n, formées sur la seconde surface (11), les dopants de type n étant sélectionnés dans le groupe comportant P, As, et Sb ; la seconde surface (11) présentant des zones libres (ZL) agencées pour séparer les premières couches diélectriques (2) entre elles ; - une deuxième couche diélectrique (3), comportant des résidus de dopants de type p, formée sur les premières couches diélectriques (2) et sur les zones libres (ZL), les dopants de 20 type p étant sélectionnés dans le groupe comportant B, Al et Ga ; - des régions semi-conductrices dopées (20, 30) de type n et p, destinées à être en contact avec des électrodes (M), et s'étendant sous la seconde surface (11). 16. Cellule photovoltaïque selon la revendication 15, dans laquelle les premières couches 25 diélectriques (2) présentent une épaisseur comprise entre 20 nm et 30 nm. 17. Cellule photovoltaïque selon la revendication 15 ou 16, dans laquelle les premières couches diélectriques (2) sont à base d'un oxynitrure de silicium SiO.Ny vérifiant Clx 18. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications 15 à 17, dans laquelle la deuxième couche diélectrique (3) présente une première épaisseur el sur les zones libres (ZL) et une seconde épaisseur e, sur les premières couches diélectriques (2), vérifiant ei>e' préférentiellement el>1,5 e2, avec préférentiellement 10 nm e, 30 nm. 35 3058264 19. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications 15 à 18, dans laquelle la deuxième couche diélectrique (3) est à base d'un oxynitrure de silicium SiOXNY vérifiant 0 -).T 20. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications 15 à 19, comportant une couche diélectrique additionnelle (2a) agencée pour recouvrir les premières couches diélectriques (2) ; la couche diélectrique additionnelle (2a) étant préférentiellement à base d'un oxynitrure de silicium SiOXNY vérifiant 0 x 21. Cellule photovoltaïque selon la revendication 20, dans laquelle les premières couches diélectriques (2) recouvertes de la couche diélectrique additionnelle (2a) forment un empilement présentant une épaisseur inférieure ou égale à 70 nm. 22. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications 15 à 21, comportant une couche 15 diélectrique additionnelle (3a) agencée pour recouvrir la deuxième couche diélectrique (3) ; la couche diélectrique additionnelle (3a) étant préférentiellement à base d'un oxynitrure de silicium SiOXNY vérifiant 0 x 23. Cellule photovoltaïque selon la revendication 22, dans laquelle la deuxième couche 20 diélectrique (3) recouverte de la couche diélectrique additionnelle (3a) forme un empilement présentant une épaisseur inférieure ou égale à 100 nm.