FR 3057992 A1 20180427 FR 1660368 A 20161026 1 Procédé de fabrication d'une hétérostructure comprenant une structure conductrice et une structure semi-conductrice et comportant une étape de découpe par électro-érosion Le domaine de l'invention est celui de la fabrication de dispositifs ou de packaging de composants comprenant des hétérostructures alliant des structures de matériaux ductiles et des structures de matériaux fragiles. De manière générale, on considère un matériau comme fragile s'il se rompt sans avertissement et de façon très brutale. Sa courbe contrainte déformation demeure linéaire jusqu'à la rupture où toute l'énergie élastique emmagasinée est libérée d'un seul coup. A l'opposé, un matériau est dit ductile s'il absorbe une bonne partie de l'énergie sous forme de déformations plastiques. Dans des applications très diverses comme la microélectronique, l'électronique de puissance ou encore le photovoltaïque..., plus particulièrement lors de la microfabrication et le packaging de composants, il est courant d'associer semi-conducteurs (matériau fragile) et métaux (matériau ductile) (pour les interconnexions par exemple). Cependant cette association devient problématique lors de la découpe. En effet, l'empilement entre un matériau fragile et un matériau ductile avec des propriétés différentes entraine une problématique complexe pour arriver à découper une telle hétérostructure. Cette problématique est notamment rencontrée dans le cadre des dispositifs électroniques de puissance à cellule de commutation 3D verticale décrits dans la demande de brevet déposée par le Demandeur et publiée sous le n° 3028095. Ce type de dispositif électronique de puissance à cellule de commutation 3D verticale associe plusieurs matériaux pour la réalisation de packaging 3D de composants de puissance. Dans ce contexte, des couches épaisses de métal (tel que le cuivre) sont utilisées pour l'interconnexion électrique et la conduction thermique (refroidissement) de composants de puissance réalisés en silicium. Ce qui est nommé « hétérostructure » ici correspond au sandwich Si/Cu/Si ou encore au sandwich Cu/Si/Cu/Si/Cu. Plus précisément, comme décrit dans la demande de brevet précitée, il est nécessaire de procéder à une opération de découpe des cellules de commutation préalablement formées par assemblage plaque à plaque de 3057992 2 substrats métalliques et de substrats semi-conducteurs au niveau desquels sont réalisés des composants, les substrats métalliques pouvant typiquement avoir des épaisseurs de l'ordre de plusieurs centaines de microns. On isole après découpe, des ensembles de cellules de commutation disposées les 5 unes à côté des autres. La problématique de découpe a été présentée ci-dessus dans un contexte précis de type de sandwich de packaging de puissance mais peut être présente dans différents contextes, comme celui d'une cellule solaire reportée sur un substrat métallique ou de tout autre composant/couche 10 actif(ve) ou non actif(ve) pour la réalisation de substrats multicouches, présentant au moins une couche ductile (couche métallique par exemple en Cuivre, Aluminium, Or, Argent). La découpe standard en microélectronique est une découpe à la scie. Cette technique est bien adaptée pour les matériaux fragiles (comme 15 les semi-conducteurs ou les céramiques) mais elle montre des limites pour des matériaux ductiles (comme le cuivre, l'aluminium ou encore le plastique) avec d'importantes bavures, copeaux et souvent des conditions de découpes très spécifiques et pas compatibles avec le matériau semiconducteur entraînant : 20 - l'utilisation de lubrifiant à base d'huile ; - des vitesses de rotation faibles pour limiter l'échauffement du métal ; - des vitesses d'avance de découpe plus faibles qu'avec seulement un semi-conducteur. 25 En parallèle, pour usiner des substrats conducteurs, il est connu d'utiliser une technique : l'électro-érosion, couramment dénommé « Electrical Discharge Machining » (EDM) qui est une technique de découpe de métaux très utilisée par exemple en mécanique de précision pour la fabrication d'injecteur pour les moteurs thermiques. Cette technique consiste à créer 30 une série de décharges électriques (« sparks » en anglais), dans l'espace entre une électrode-outil et la pièce à usiner, immergées dans un diélectrique liquide. Cet espace inter-électrode est appelé entrefer ou « gap » Sur l'aspect technologique, la rugosité des flancs est contrôlée par le courant de l'arc électrique. Cette technique se caractérise par son aptitude à usiner tous les matériaux conducteurs de l'électricité (métaux, alliages, carbures, 3057992 3 graphites, etc.) quelle que soit leur dureté. Il est classique de faire plusieurs passages avec une valeur de courant décroissante pour diminuer progressivement la rugosité des flancs de découpe. La thèse de G. Girardin, "Développement d'un procédé d'usinage par micro-électroérosion," 5 phdthesis, Université Claude Bernard - Lyon I, 2012, explicite en détails cette technologie. La figure 1 reprend notamment le principe de l'électro-érosion d'une pièce par un outil. La pièce est plongée dans un bain, la pièce conductrice étant portée à un potentiel, l'outil étant porté à un autre potentiel de manière à créer un arc électrique. L'électrode-outil peut avantageusement 1 0 être un fil métallique permettant la découpe de pièces de très petites dimensions. Cette technique peut également être appliquée à la découpe de matériau semi-conducteur tel que le silicium mais avec une contrainte sur la résistivité. Le semi-conducteur est dopé de manière à être rendu 15 conducteur. Cette technique est également utilisée en microfabrication pour l'usinage et le perçage de micro trous pour la réalisation de MEMS : K. Egashira and K. Mizutani, "Micro-drilling of monocrystalline silicon using a cutting tool," Precis. Eng., vol. 26, no. 3, pp. 263-268, Jul. 2002. L'électro-érosion apporte aussi de la souplesse sur les géométries 20 à découper. La découpe à la scie standard ne tolère que des découpes de part et d'autre d'un substrat ou d'une plaque et ne permet pas d'avoir des formes arrondies. La découpe par électro-érosion est possible pour n'importe quel type de forme, même arrondie, et peut être utile par exemple pour débiter des substrats ou des plaques circulaires dans une plaque de 25 diamètre plus grand. Il est à noter que l'emploi de fil de découpe lors de l'électroérosion n'est pas systématiquement perpendiculaire à la surface à usiner et en jouant sur cet angle il est possible de réaliser un chanfrein de l'angle à la suite de la découpe, ce qui est intéressant pour un « biseau » ou « bevel » 30 en bord de substrat. Même si la technique d'électro-érosion se caractérise par son aptitude à usiner tous les matériaux conducteurs de l'électricité (métaux, alliages, carbures, graphites, etc.) quelle que soit leur dureté, des méthodes pour usiner des matériaux résistifs (céramiques) ont également été 35 développées, comme décrit dans l'article de N. Mohri et al. "Assisting 3057992 4 Electrode Method for Machining Insulating Ceramics", Annals of the CIRP, vol.45/1/1996. En effet, afin de pouvoir réaliser des formes, par usinage dans des pièces de céramiques, les auteurs de la publication montrent qu'en ajoutant une électrode d'assistance « assisting electrode » comme 5 représenté en figure 2 de cet article, donc un matériau métallique conducteur sur la céramique non conductrice, il est possible de réaliser les formes désirées en surface de cette céramique. En effet, comme montré sur la figure 10 de cet article, l'électrode d'assistance entre en fusion et permet d'usiner par conduction thermique la céramique. Cependant il n'est pas question de 10 découpe dans cet article, le courant ne traversant pas la céramique. Dans ce contexte, le Demandeur propose dans le cadre de la présente invention, une approche permettant de procéder à la découpe d'hétérostructures comprenant à la fois des structures épaisses conductrices 15 de l'électricité type couches épaisses métalliques présentant des inconvénients de découpe standard à la scie, et des structures semiconductrices de résistivité élevée, typiquement supérieures à 1 Q.cm et donc de résistivité telle que a priori il ne soit pas possible de découper celles-ci par électro-érosion, sans ajustement de la polarité de la surface ni dépôt 20 métallique à la surface. Il a déjà été décrit des procédés d'électro-érosion rendus possibles dans du Si de résistivité allant jusqu'à 15 ohm.cm (moyennant des dépôts de métaux en surface) : Takeshi Wasaki, and al.. « Micro ElectroDischarge Machining and its applications, IEEE, 1990, Y.F.Luo, C.G.Chen, 25 Z.F.Tong « Investigation of silicon wafering by wire EDM", Journal of Materials Science 27 (1992) 58-05-5810, Dominiek Reynaerts and al. "Microstructuring of silicon electro-discharge machining (EDM) part I : theory" Elsevier Sciences (1997). Ce type de configuration est illustrée en figure 2 et montre une 30 hétérostructure avec : - une première structure semi-conductrice comprenant un substrat standard en silicium non intrinsèquement dopé (NID) 10, présentant typiquement une résistivité de 5 Q.cm, comportant en surface une zone active 11, de plus grande 35 résistivité pouvant être comprise entre 15 Q.cm et 50 Q.cm. 3057992 5 Des épaisseurs classiques sont également mentionnées à titre d'exemple : 725 pm pour le substrat 10 et 50 pm pour la couche active 11; - une structure métallique épaisse 20, en cuivre pouvant 5 typiquement présenter une épaisseur de l'ordre de 200 pm à 500 pm ; - une seconde structure semi-conductrice identique à la première structure semi-conductrice et comprenant un substrat standard en silicium non intrinsèquement dopé 30, présentant 10 typiquement une résistivité de 5 û.cm, dans lequel on réalise en surface une zone active 31, de plus grande résistivité pouvant être comprise entre 15 û.cm et 50 û.cm. Des épaisseurs classiques sont également mentionnées à titre d'exemple : 725 pm pour le substrat 30 et 50 pm pour la couche 15 active 31. Dans le cadre de nombreuses applications, l'épaisseur du semiconducteur qui est active électriquement varie de quelques nanomètres en microélectronique (typiquement entre 10 et 1000 nm) à quelques micromètres en électronique de puissance (typiquement entre 1 et 100 pm), 20 également à quelques micromètres en photovoltaïque (typiquement entre 10 et 75 pm). Cette épaisseur active du semi-conducteur en question comporte généralement des contraintes de dopage : pour améliorer la mobilité dans les couches actives des semi-conducteurs, les dopants doivent être minimisés, le film semi-conducteur est souvent soit intrinsèque soit intentionnellement 25 faiblement dopé. La structure semi-conductrice comprenant la couche active de faible épaisseur et le substrat non intrinsèquement dopé de plus forte épaisseur présente une résistivité et donc un état non compatible avec le principe de découpe par électro-érosion, en configuration standard. C'est pourquoi, l'hétérostructure à découper proposée dans la 30 présente invention est une hétérostructure modifiée par rapport à l'hétérostructure décrite précédemment, de manière à ce que celle-ci soit « vue » lors du procédé de découpe comme une hétérostructure conductrice dans son ensemble, autorisant ainsi une découpe par électro-érosion. Plus précisément, la présente invention a pour objet un procédé 35 de fabrication d'au moins une hétérostructure élémentaire comprenant : 3057992 6 - la réalisation d'une hétérostructure comportant au moins une structure semi-conductrice de résistivité supérieure ou égale à 1 û.cm située entre deux structures conductrices électriques de résistivité inférieure ou égale à 0,1 0.cm ; 5 - la découpe par électro-érosion de ladite hétérostructure de manière à définir au moins ladite hétérostructure élémentaire. Selon des variantes de l'invention, les structures conductrices électriques sont en métal pouvant être du cuivre ou en alliage ou en carbure ou en graphite. 10 Selon des variantes de l'invention, la structure semi-conductrice est en silicium ou en germanium ou en matériau III-V. Selon des variantes de l'invention, l'épaisseur de la structure semi-conductrice est inférieure à environ 1/10ième de l'épaisseur d'au moins une desdites structures conductrices électriques ou de l'épaisseur totale 15 desdites structures conductrices électriques. Selon des variantes de l'invention, l'épaisseur de la structure semi-conductrice est de l'ordre de quelques dizaines de microns, l'épaisseur d'au moins une structure conductrice électrique étant d'au moins plusieurs centaines de microns. 20 Selon des variantes de l'invention, le procédé comprend la réalisation de l'hétérostructure suivante : - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité inférieure ou égale à 10 mû.cm ; - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de 25 résistivité supérieure ou égale à 1 û.cm ; - une couche de métal ; - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité supérieure ou égale à 1 û.cm ; - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de 30 résistivité inférieure ou égale à 10 mû.cm. Selon des variantes de l'invention, les couches de semiconducteur pouvant être du silicium de résistivité inférieure ou égale à 10 mû.cm ont des épaisseurs de l'ordre de plusieurs centaines de microns, les couches de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité 3057992 7 supérieure ou égale à 1 û.cm ayant des épaisseurs de l'ordre de quelques dizaines de microns. Selon des variantes de l'invention, le procédé comporte la réalisation de l'hétérostructure suivante : 5 - une couche de métal ; - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité inférieure ou égale à 10 û.cm ; - une couche de semi-conducteur pouvant être de silicium de résistivité supérieure ou égale à 1 û.cm ; 10 - une couche de métal ; - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité supérieure ou égale à 1 û.cm ; - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité inférieure ou égale à 10m û.cm ; 15 - une couche de métal. Selon des variantes de l'invention le procédé comporte la réalisation de l'hétérostructure suivante : - une couche de métal ; - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de 20 résistivité supérieure ou égale à 1 û.cm ; - une couche de métal ; - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité supérieure ou égale à 1 û.cm ; - une couche de métal. 25 Selon des variantes de l'invention, la réalisation de l'hétérostructure comporte le collage desdites structures, ledit collage pouvant être effectué par thermo-compression. La réalisation de l'hétérostructure peut également être faite par assemblage direct conducteur (type brasage par exemple). 30 L'invention a aussi pour objet l'hétérostructure obtenue selon le procédé de fabrication de l'invention. L'invention a encore pour objet un dispositif électronique comprenant ladite hétérostructure selon l'invention et comportant au moins un composant électronique réalisé dans la couche semi-conductrice de 35 résistivité supérieure ou égale à 1 û.cm. 3057992 8 Le dispositif électronique peut être un dispositif électronique de puissance et dans lequel la couche semi-conductrice présente une résistivité comprise entre environ 15 û.cm et 50 û.cm, ledit dispositif étant un dispositif électronique de puissance. 5 L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles : - la figure 1 reprend le principe connu de l'électro-érosion d'une 10 pièce par une électrode-outil ; - la figure 2 illustre une hétérostructure comprenant un substrat Si standard comportant une couche de haute résistivité et une couche métallique épaisse, l'ensemble ne pouvant être découpé par électro-érosion ; 15 - la figure 3 illustre un premier exemple d'hétérostructure pouvant être utilisée dans un procédé de l'invention ; - la figure 4 illustre un second exemple d'hétérostructure pouvant être utilisée dans un procédé de l'invention ; - la figure 5 illustre un troisième exemple d'hétérostructure 20 pouvant être utilisée dans un procédé de l'invention ; - la figure 6 illustre un quatrième exemple d'hétérostructure pouvant être utilisée dans un procédé de l'invention ; - les figures 7a et 7b illustrent respectivement des vues au microscope de découpes respectivement à la scie et par 25 électro-érosion d'hétérostructures de silicium et de cuivre. Le procédé de fabrication de la présente invention permet de définir des hétérostructures élémentaires à partir d'hétérostructures de plus grandes dimensions. Ceci est notamment d'intérêt pour définir des puces 30 centimétriques dans des plaques ou substrats standards de la microélectronique, de telles plaques pouvant présenter des dimensions typiquement de 100, 200, 300 mm de diamètre, sans que cela soit restrictif. De manière générale, le procédé de fabrication de la présente invention permet de découper des hétérostructures de matériau fragile 35 comme les matériaux semi-conducteurs et de matériau ductile comme les 3057992 9 métaux, la contrainte étant que pour procéder à une opération de découpe par électro-érosion, la résistivité de la structure semi-conductrice de résistivité typiquement supérieure à 1 û.cm n'apparaisse pas comme une barrière à l'opération. 5 Pour cela, la structure semi-conductrice doit être située entre deux structures conductrices. Il peut s'agir aussi bien de structure métallique, que de structure semi-conductrice de faible résistivité, typiquement inférieure à 10 mû.cm. Cette structure semi-conductrice présente une épaisseur faible devant celles des structures conductrices électriques dans leur ensemble. 10 Premier exemple d'hétérostructure élémentaire obtenue selon le procédé de l'invention : On procède à l'assemblage : - d'un premier substrat semi-conducteur 100 de faible résistivité 15 inférieure à 10 mû.cm d'épaisseur pouvant typiquement être d'épaisseur égale à 725 pm assurant une fonction mécanique , présentant en surface une structure semi-conductrice 101 de résistivité élevée faiblement dopée, pouvant typiquement être de l'ordre de 20 û.cm et d'épaisseur de l'ordre de 50 pm ; 20 - d'une structure métallique 200 pouvant être en cuivre, présentant une épaisseur de l'ordre de 300 pm à 500 pm ; - d'un second substrat semi-conducteur 300 de faible résistivité inférieure à 10 mû.cm d'épaisseur identique à celle du premier substrat 100 et présentant en surface une seconde structure 25 semi-conductrice 301 de résistivité élevée, pouvant typiquement être de l'ordre de 20 û.cm et d'épaisseur de l'ordre de 50 pm et identique à la première structure semiconductrice 101. L'assemblage peut ainsi être réalisé par collage direct à 30 température ambiante ou collage par thermocompression (avec application d'une pression et d'une température) ou encore plus classiquement par soudure, brasure etc... La figure 3 illustre un tel assemblage. La découpe de l'ensemble par électro-érosion est rendue possible en raison de l'intégration des 3057992 10 structures semi-conductrices 101 et 301 entre des structures conductrices électriques de résistivité inférieure à 10 mû.cm, 100 et 300. Le Demandeur a réalisé des tests de découpes. La découpe de la structure illustrée en figure 2 n'a pas été possible contrairement à 5 l'hétérostructure du premier exemple (figure 3) qui a pu être découpée avec une vitesse de découpe mesurée de 10 mm/min. Cette vitesse rend des opérations de découpes industrielles de puces centimétriques tout à fait possibles. En effet, elle est seulement trois fois plus faible que la découpe d'une structure épaisse 200 en cuivre. 10 Second exemple d'hétérostructure élémentaire obtenue selon le procédé de l'invention : On procède à l'assemblage : - d'une première structure métallique 201 pouvant être en cuivre, 15 présentant une épaisseur de l'ordre de 1 um à 500 um ; - d'une première structure semi-conductrice 101 de résistivité élevée faiblement dopée, pouvant typiquement être de l'ordre de 20 û.cm et d'épaisseur de l'ordre de 50 um ; - d'une seconde structure métallique 200 pouvant être en cuivre, 20 présentant une épaisseur de l'ordre de 300 um à 500 um ; - d'une seconde structure semi-conductrice 301 de résistivité élevée faiblement dopée, pouvant typiquement être de l'ordre de 20 û.cm et d'épaisseur de l'ordre de 50 um ; - d'une troisième structure métallique 202 pouvant être en cuivre, 25 présentant une épaisseur de l'ordre de 1 um à 500 ilm. Il est à noter que les substrats du haut et du bas peuvent être très fins car ils ne jouent pas le rôle mécanique (tenu par le substrat central). Il est donc envisageable de ne faire qu'un dépôt de cuivre au lieu d'un collage d'une plaque de cuivre. 30 Les fines couches de semi-conducteurs faiblement dopées constituant la partie active sont généralement obtenues par épitaxie depuis un substrat standard NID. Après un collage métallique entre cette partie active et une plaque de cuivre, une opération d'amincissement jusqu'à ladite couche active permet de supprimer le substrat non actif. 3057992 11 Il est ensuite possible de déposer une couche de cuivre (par CVD ou PVD ou encore par électrodéposition) ou encore de réaliser un second assemblage avec 2 plaques de cuivre en haut et bas du précédent sandwich. La figure 4 illustre un tel assemblage. La découpe de l'ensemble 5 par électro-érosion est rendue possible en raison de l'intégration des structures semi-conductrices entre deux structures métalliques et donc conductrices électriques de résistivité inférieure à 1 û.cm. Les épaisseurs des couches 101 et 301 sont suffisamment faibles devant les épaisseurs des couches métalliques 201/200/202 pour que 10 l'ensemble de l'hétérostructure puisse être considéré comme suffisamment conducteur pour permettre une opération de découpe par électro-érosion. Troisième exemple d'hétérostructure élémentaire obtenue selon le procédé de l'invention : 15 On procède à l'assemblage : - d'une première structure métallique 201 pouvant être en cuivre d'épaisseur de l'ordre de 1 pm à 500 pm ; - d'un premier substrat semi-conducteur 100 de faible résistivité inférieure à 10 mû.cm d'épaisseur pouvant typiquement être 20 d'épaisseur égale à 725 pm assurant une fonction mécanique , présentant en surface une structure semi-conductrice 101 de résistivité élevée faiblement dopée, pouvant typiquement être de l'ordre de 20 û.cm et d'épaisseur de l'ordre de 50 pm ; - d'une seconde structure métallique 200 pouvant être en cuivre, 25 présentant une épaisseur de l'ordre de 300 pm à 500 pm ; - d'un second substrat semi-conducteur 300 identique au premier substrat 100 (résistivité inférieure ou égale à 10 mû.cm) et présentant en surface une seconde structure semi-conductrice 301 de résistivité élevée, pouvant typiquement être de l'ordre 30 de 20 û.cm et d'épaisseur de l'ordre de 50 pm et identique à la première structure semi-conductrice 101 ; - d'une troisième structure métallique 202 pouvant être en cuivre, présentant une épaisseur de l'ordre de 1 lm à 500 ilm. La figure 5 illustre un tel assemblage. La découpe de l'ensemble 35 par électro-érosion est rendue possible en raison de l'intégration des 3057992 12 structures semi-conductrices entre une structure métallique et une structure conductrice électrique de résistivité inférieure ou égale à 10 mû.cm. Quatrième exemple d'hétérostructure élémentaire obtenue selon 5 le procédé de l'invention : Cette hétérostructure comprend un substrat semi-conducteur 100 de faible résistivité inférieure ou égale à 10 mû.cm d'épaisseur pouvant typiquement être égale à 725 pm assurant une fonction mécanique, présentant en surface une structure semi-conductrice 101 de résistivité 10 élevée faiblement dopée, pouvant typiquement être de l'ordre de 20 û.cm et d'épaisseur de l'ordre de 50 pm et deux couches métalliques 201 et 202 en cuivre très fines, typiquement d'épaisseur de 200 nm. Ces très fines couches métalliques améliorent le contact ohmique lors de l'opération de découpe par électro-érosion, et les tests réalisés par le 15 Demandeur sur cette hétérostructure avec succès mettent bien en évidence qu'il devient possible d'électro-éroder un substrat silicium (faiblement résistif, typiquement une résistivité inférieure ou égale à 10 mû.cm) comprenant une fine couche active de silicium peu dopé et très résistif en ayant remplacé un substrat standard NID par un tel substrat silicium. 20 La figure 6 illustre un tel assemblage. La découpe de l'ensemble par électro-érosion est rendue possible en raison de l'intégration des structures semi-conductrices entre une structure métallique et une structure conductrice électrique de résistivité inférieure à 1 û.cm. 25 Les tests de découpe réalisés par le Demandeur ont conduit à considérer que l'épaisseur de la zone active (fortement résistive) doit rester faible devant l'épaisseur de la structure conductrice électrique. Typiquement un ratio de 10 permet de réaliser l'opération de découpe par électro-érosion. En effet, l'arc électrique et donc la fusion de la matière se fait à travers les 30 couches faiblement résistives et c'est par conduction thermique que la fine structure plus fortement résistive entre en fusion et peut être usinée. Les tests de découpe par électro-érosion ont été faits avec une machine AGIE de type PROGRESS V2 avec le logiciel de contrôle AGIEVISION CUT. Cette machine exploite la technique d'électro-érosion 35 utilisant comme électrode-outil un fil métallique. 3057992 13 Les hétérostructures élémentaires obtenues après découpe et observées au microscope permettent de mettre en évidence la trace du type d'opération de découpe employée. A titre indicatif, les figures 7a et 7b montrent respectivement une vue au microscope d'une découpe 5 d'hétérostructure Si/Cu réalisée à la scie et une vue au microscope d'une découpe d'hétérostructure Si/Cu réalisée par électro-érosion. Pour distinguer si une découpe a été réalisée à la scie ou par électro-érosion, il suffit d'observer l'état de surface de la paroi découpée. L'électro-érosion induit une fusion de la matière, laissant apparaître des 10 « gouttelettes » sur la tranche découpée. La découpe à la scie est uniquement mécanique laissant apparaître des stries/rayures. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'au moins une hétérostructure élémentaire comprenant : - la réalisation d'une hétérostructure comportant au moins une structure semi-conductrice de résistivité supérieure ou égale à 1 û.cm située entre deux structures conductrices électriques de résistivité inférieure ou égale à 0,1 0.cm ; - la découpe par électro-érosion de ladite hétérostructure de manière à définir au moins ladite hétérostructure élémentaire. 2. Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé en ce que les structures conductrices électriques sont en métal pouvant être du cuivre ou en alliage ou en carbure ou en graphite. 3. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la structure semi-conductrice est en silicium ou en germanium ou en matériau III-V. 4. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'épaisseur de la structure semi-conductrice est inférieure à environ 1/10ième de l'épaisseur d'au moins une desdites structures conductrices électriques ou de l'épaisseur totale desdites structures conductrices électriques. 5. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce qu'il comporte la réalisation de l'hétérostructure suivante : - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité inférieure ou égale à 10 mû.cm ; - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité supérieure ou égale à 1 û.cm ; - une couche de métal ; - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité supérieure ou égale à 1 û.cm ; - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité inférieure ou égale à 10 mû.cm. 3057992 15 6. Procédé de fabrication selon la revendication 5, dans lequel les couches de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité inférieure ou égale à 10 mû.cm ont des épaisseurs de l'ordre de plusieurs centaines 5 de microns, les couches de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité supérieure ou égale à 1 û.cm ayant des épaisseurs de l'ordre de quelques dizaines de microns. 7. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 4 ou 5, 10 caractérisé en ce qu'il comporte la réalisation de l'hétérostructure suivante : - une couche de métal ; - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité inférieure ou égale à 10 û.cm ; - une couche de semi-conducteur pouvant être de silicium de 15 résistivité supérieure ou égale à 1 û.cm ; - une couche de métal ; - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité supérieure ou égale à 1 û.cm ; - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de 20 résistivité inférieure ou égale à 10m û.cm ; - une couche de métal. 8. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 3 ou 4, 25 caractérisé en ce qu'il comporte la réalisation de l'hétérostructure suivante : - une couche de métal ; - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité supérieure ou égale à 1 û.cm ; - une couche de métal ; 30 - une couche de semi-conducteur pouvant être du silicium de résistivité supérieure ou égale à 1 û.cm ; - une couche de métal. 9. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 4 à 8, 35 dans lequel l'épaisseur de la structure semi-conductrice est de l'ordre de 3057992 16 quelques dizaines de microns, l'épaisseur d'au moins une structure conductrice électrique étant d'au moins plusieurs centaines de microns. 10. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 5 précédentes dans lequel la réalisation de l'hétérostructure comporte le collage desdites structures conductrices électriques et semi-conductrice, ledit collage pouvant être effectué par thermo-compression. 11. Hétérostructure élémentaire obtenue selon le procédé selon 10 l'une des revendications 1 à 10. 12. Dispositif électronique comprenant une hétérostructure selon la revendication 11 et comportant au moins un composant électronique réalisé dans la couche semi-conductrice de résistivité supérieure ou égale à 15 1 û.cm. 13. Dispositif électronique selon la revendication 12 dans lequel la structure semiconductrice présente une résistivité comprise entre environ 15 û.cm. et 50 û.cm, ledit dispositif étant un dispositif électronique de 20 puissance.