FR 3059495 A1 20180601 FR 1661631 A 20161129 1 Dispositif atténuateur dans un étage de transmission radiofréquence. Des modes de réalisation et de mise en oeuvre concernent la transmission de signaux, notamment des signaux radiofréquence, et en particulier l'atténuation d'un signal reçu par une antenne. Un exemple de dispositif de transmission par radiofréquence DISO est représenté par la figure 1. Le dispositif DISO est incorporé à un circuit intégré et comporte de façon habituelle une antenne ANT reliée à des étages de réception RX et d'émission TX sur un noeud d'entrée-sortie I/O, par l'intermédiaire d'un transformateur TR. L'étage d'émission TX comporte un amplificateur de puissance PA destiné à amplifier un signal d'émission, notamment au moyen d'un transistor de puissance Ml. L'étage de réception RX comporte quant à lui un amplificateur faible bruit LNA à la sortie duquel un mélangeur réalise une transposition de fréquence avec un signal généré par un oscillateur local LO. Les étages d' émission TX et de réception RX sont naturellement mis en oeuvre de manière individuelle, l'étage d'émission TX étant désactivé lorsque l'étage de réception RX est en fonctionnement, et inversement. D'autre part, l'étage de réception comporte dans cet exemple un circuit atténuateur ATNR, permettant d'atténuer le signal de réception reçu sur l'antenne ANT, afin de diminuer le niveau des signaux captés par l'antenne pour les ramener à des valeurs mesurables dans la dynamique appropriée de l'étage de réception RX. Habituellement les atténuateurs sont formés par des circuits incorporés à l'étage de réception RX sur un noeud d'entrée-sortie I/O situé entre le transformateur TR et l'amplificateur faible bruit LNA. Par exemple l'atténuateur ATNR est réalisé par un réseau de résistances parallèles R1, R2, R3 de différentes valeurs, branchées en série avec des interrupteurs respectifs SW1, SW2, SW3 entre une borne de masse et ledit noeud d'entrée-sortie I/O. 3059495 2 Un tel atténuateur permet de mettre en oeuvre une atténuation du signal de réception selon un gain réglable, en fonction des besoins du dispositif et de la hauteur du signal de réception. Cette conception usuelle introduit des grandes capacités 5 parasites, notamment à cause des interrupteurs SW1, SW2, SW3, qui compromettent le réglage du transformateur TR et peuvent créer une distorsion du signal de réception. Des amplificateurs faible bruit à gain dégénéré permettent par ailleurs d'atténuer un signal de réception, mais leur conception 10 différentielle introduit un bruit dans la chaine de réception, en particulier en fonctionnement à faible énergie. Il est souhaitable de remédier à ces défauts dans un fonctionnement en mode commun, notamment dans le cadre des transmissions radiofréquence du type Wifi ou Bluetooth à faible 15 consommation d'énergie « BLE » (acronyme tiré de l'anglais « Bluetooth Low Energy »). A cet égard il est proposé selon des modes de réalisation un dispositif de transmission radiofréquence en mode commun dans lequel le transistor de puissance de l'étage d'émission est avantageusement 20 utilisé également lors d'une réception, en tant que résistance réglable. Le transistor de puissance est régulé dans le mode triode (ou linéaire) afin d'atténuer selon un gain réglable le signal de réception, sans subir les contraintes des conceptions susmentionnées. Selon un aspect il est proposé un procédé comprenant une 25 phase de réception de signal comportant une atténuation d'un signal reçu, et une phase d'émission de signal comportant avant émission une amplification par un transistor de puissance d'un signal à transmettre, ladite atténuation comprenant un placement du transistor de puissance dans un mode triode dans lequel le transistor de puissance a une valeur 30 résistive. Par « transistor en mode triode » on entend un transistor en régime linéaire, c'est-à-dire que le courant circulant dans ses bornes de conduction est sensiblement proportionnel, selon une valeur dite valeur résistive, à la tension présente entre lesdites bornes, pour une 3059495 3 tension de grille donnée, et avant saturation. La valeur résistive d'un transistor en mode triode dépend de la tension de grille qui lui est appliquée. Ainsi dans le procédé selon cet aspect on tire avantageusement 5 profit notamment d'un composant électronique déjà présent dans le circuit intégré et qui n'est pas utilisé lors d'une réception d'un signal de réception. En particulier, l'atténuation d'un signal de réception selon cet aspect permet de s'affranchir des problèmes de capacités parasites des 10 atténuations mises en oeuvre par des atténuateurs de conception habituelle. D'autre part, les émissions et réceptions de signaux étant naturellement faites séparément, cet aspect permet d'optimiser l'utilisation des composants d'un dispositif par exemple du type 15 dispositif de transmission radiofréquence. Selon un mode de mise en oeuvre, le placement du transistor de puissance dans le mode triode comprend une délivrance d'une tension de commande sur la grille du transistor de puissance, obtenue à partir de la comparaison entre une tension témoin aux bornes de conduction 20 d'un transistor témoin et une tension modèle aux bornes d'un circuit résistif modèle. Ce mode de mise en oeuvre permet notamment de compenser des variations des caractéristiques (ou paramètres) du transistor telles que des variations aléatoires dues à des changements de température 25 ou des variations systématiques occasionnées par des aléas de procédés de fabrication. En effet le transistor témoin peut avantageusement être fabriqué simultanément avec le transistor de puissance, lesquels subiront les mêmes variations (aléatoires et systématiques) de leurs caractéristiques, et ainsi ce mode de mise en oeuvre permet d'appliquer 30 une tension de commande dont l'effet n'est pas affectée par ces variations. Selon un mode de mise en oeuvre, la délivrance de la tension de commande comprend un réglage de la tension modèle, réglant la valeur 3059495 4 de la tension de commande à une valeur plaçant le transistor de puissance dans un mode triode à une valeur résistive souhaitée. Ce mode de mise en oeuvre permet notamment de régler le gain de l'atténuation, par exemple entre 0 et -18dB. 5 Selon un autre aspect il est proposé un dispositif de transmission comportant un étage d'émission destiné à délivrer un signal d'émission sur un noeud d'entrée-sortie d'une antenne et comportant un transistor de puissance connecté sur ledit noeud d'entrée-sortie et configuré pour amplifier un signal à émettre, un 10 étage de réception destiné à recevoir un signal de réception sur ledit noeud d'entrée-sortie et comportant un moyen d'atténuation du signal de réception, dans lequel le moyen d'atténuation comporte ledit transistor de puissance et un moyen de commande apte à placer le transistor de puissance dans un mode triode dans lequel le transistor de 15 puissance a une valeur résistive. Le dispositif de transmission radiofréquence selon cet aspect tire avantageusement profit d'un composant électronique déjà présent dans le circuit intégré incorporant le dispositif, et qui n'est pas utilisé lors d'une réception. 20 En particulier, le dispositif proposé permet de s'affranchir des problèmes de capacités parasites des atténuations mises en oeuvre par des atténuateurs de conception habituelle. D'autre part, les émissions et réceptions de signaux étant naturellement faites séparément, le dispositif proposé permet 25 d'optimiser l'utilisation des composants présents dans le circuit intégré incorporant le dispositif proposé. Les bornes de conductions du transistor de puissance sont par exemple respectivement couplées au noeud d'entrée sortie et à une borne destinée à recevoir une tension de référence. 30 Selon un mode de réalisation, le moyen de commande comporte un circuit résistif modèle, un groupe d'au moins un transistor témoin, un amplificateur différentiel, le circuit résistif modèle est couplé entre une première entrée de l'amplificateur différentiel et une borne destinée à recevoir une tension de référence, ledit groupe de transistor 3059495 5 témoin est couplé entre une deuxième entrée de l'amplificateur différentiel et la borne destinée à recevoir une tension de référence, et la sortie de l'amplificateur différentiel est couplée à la grille dudit au moins un transistor témoin dudit groupe et à la grille du transistor de 5 puissance. Ledit au moins un transistor témoin dudit groupe est avantageusement apparié au transistor de puissance, c'est-à-dire ayant les mêmes caractéristiques, à un facteur de taille près, que celles du transistor de puissance. 10 Cette configuration permet notamment de compenser les variations des paramètres du transistor telles que les variations aléatoires dues à des changements de température ou les variations systématiques occasionnées par des aléas de procédés de fabrication. Selon un mode de réalisation, l'amplificateur différentiel 15 comprend un étage générateur de courant configuré pour faire circuler un premier courant dans ledit circuit résistif modèle et faire circuler un deuxième courant dans ledit au moins un transistor témoin dudit groupe, l'amplificateur différentiel étant configuré pour qu'un différentiel entre les premier et deuxième courants produise une 20 variation de ladite tension de commande. La tension modèle est ainsi générée par l'écoulement du premier courant dans un circuit résistif, et la tension témoin est générée par l'écoulement du deuxième courant dans le transistor témoin en mode triode, soit un élément résistif également. 25 Ce mode de réalisation permet d'écouler le courant utilisé pour mettre en oeuvre l'amplification différentielle dans le transistor témoin, en tant que deuxième courant. Cela présente l'avantage d'être substantiellement économique en matière de consommation d'énergie. Selon un mode de réalisation, le moyen de commande comporte 30 un moyen d'instruction configuré pour générer au moins un signal numérique de commande permettant de régler ladite tension de commande à une valeur plaçant le transistor de puissance dans un mode triode à une valeur résistive souhaitée. 3059495 6 Cela permet notamment de régler le gain de l'atténuation, par exemple entre 0 et -18dB. Selon un mode de réalisation, ledit groupe d'au moins un transistor témoin comporte plusieurs transistors reliés en parallèle par 5 l'intermédiaire d'au moins un premier interrupteur commandable par un premier signal de commande. Cela permet de régler la valeur résistive du transistor de puissance dans le mode triode en modifiant le facteur de taille entre le transistor de puissance et le transistor témoin. 10 Selon un mode de réalisation, le circuit résistif comporte plusieurs résistances montées en série, et des deuxièmes interrupteurs commandables par des deuxièmes signaux de commande respectifs et connectés entre une borne destinée à recevoir une tension de référence et des noeuds respectifs situés entre des résistances de ladite série. 15 En d'autres termes, le circuit résistif modèle peut être un montage du type pont diviseur de tension, permettant de modifier la résistance équivalente du circuit résistif, afin de régler la valeur résistive du transistor de puissance. Selon un mode de réalisation, l'étage générateur de courant est 20 configuré pour faire circuler lesdits premier et deuxième courants selon des couples de valeurs différentes en fonction d'un troisième signal de commande. Cela permet de régler la valeur résistive du transistor de puissance en modifiant le courant alimentant l'amplificateur 25 différentiel. Selon un mode de réalisation, le moyen d'atténuation comporte un interrupteur de coupure à deux positions commandable par un quatrième signal de commande, la première position couplant la grille du transistor de puissance à la sortie du l'amplificateur différentiel, 30 l'autre position couplant la grille du transistor de puissance à une borne destinée à recevoir une tension de référence, typiquement la masse. De manière générale, les signaux d'émission et de réception sont par exemple des signaux radiofréquence. 3059495 7 Il est également proposé un appareil électronique, tel qu'un téléphone mobile ou un ordinateur personnel, comportant un dispositif de transmission radiofréquence tel que défini ci-avant. D' autres avantages et caractéristiques de l' invention 5 apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de réalisation et de mise en oeuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : - la figure 1, précédemment décrite, représente un exemple de dispositif de transmission radiofréquence habituel ; 10 - les figures 2 à 7 représentent différents modes de réalisation et de mise en oeuvre d'un dispositif de transmission radiofréquence selon l'invention. La figure 2 représente un dispositif de transmission radiofréquence DIS comportant une antenne ANT couplée sur un noeud 15 dit d'entrée-sortie I/O au reste du dispositif par l'intermédiaire d'un transformateur TR. Le transformateur TR comporte de manière classique un circuit inductif primaire et un circuit inductif secondaire entrelacés ainsi qu'un condensateur de compensation Ctune. 20 Le transformateur TR a pour principale fonction de présenter à l'antenne une impédance indépendante du reste du circuit, usuellement fixée à 50 ohms. Un étage de réception RX et un étage d'émission TX sont connectés à un noeud d'entrée-sortie I/O du circuit secondaire du 25 transformateur TR. L'étage d'émission TX comporte de manière habituelle un amplificateur de puissance PA destiné à amplifier un signal d'émission, notamment au moyen d'un transistor de puissance Ml. L'étage d'émission TX est de conception classique et connue 30 en soi, avantageusement optimisée en matière d'interaction avec le reste du circuit intégré, en particulier la chaine d'émission-réception couplée au noeud d'entrée-sortie I/O. L'étage de réception RX comporte un moyen d'atténuation ATN qui comprend le transistor de puissance M1 et un moyen de 3059495 8 commande MCOM apte à commander le transistor de puissance M1 sur un noeud de commande NCOM couplé à sa grille. Un interrupteur SWRX permet de déconnecter ladite grille du transistor de puissance M1 du reste du circuit amplificateur de 5 puissance PA, par exemple, l'interrupteur SWRX est en position fermée lors d'une émission d'un signal d'émission. L'étage de réception RX comporte quant à lui un amplificateur faible bruit LNA à la sortie duquel un mélangeur réalise une transposition de fréquence avec un signal généré par un oscillateur 10 local LO de manière classique, suivi par des moyens de traitement de la chaine de réception, tels que par exemple un démodulateur. Le moyen d'atténuation ATN a pour fonction d'appliquer une tension de commande sur le noeud de commande NCOM afin d'utiliser le transistor de puissance M1 de l'étage d'émission TX lors d'une 15 réception en tant que résistance réglable, en le plaçant dans le mode triode à une valeur résistive donnée. Au cours d'une réception, l'interrupteur SWRX est alors en position ouverte. Le transistor de puissance M1 est, dans cet exemple, un 20 transistor de type N dont le drain est connecté au noeud d'entrée-sortie et la source à une borne GND destinée à recevoir une tension de référence, par exemple la masse. La tension de commande (Vcom), régulant la résistance du transistor de puissance M1 en mode triode, permet ainsi d'atténuer le 25 signal de réception selon un gain réglable et de manière optimale. La figure 3 représente un mode de réalisation du moyen d'atténuation ATN. Le moyen d'atténuation ATN comporte un moyen de commande MCOM apte à placer le transistor de puissance M1 dans le régime 30 triode, afin de l'utiliser comme une résistance réglable, ayant une valeur résistive souhaitée. Le moyen de commande MCOM comporte une première source de courant Igenl, générant un premier courant I1 dans une première 3059495 9 branche Brl, et une deuxième source de courant Igen2, générant un courant 12 dans une deuxième branche Br2. Sur la première branche Brl, un circuit résistif relié à la masse GND, ici une résistance R, écoule le courant H, produisant une tension 5 dite modèle Vmod à ses bornes, Vmod=R*I1. Le courant 12 circule du drain vers la source d'un transistor dit transistor témoin M2, la source du transistor M2 étant reliée à la masse GND. Le courant 12 circulant dans les bornes de conduction du 10 transistor témoin M2 en mode triode produit une tension témoin Vtem entre le drain et la source dudit transistor témoin M2. La tension témoin Vtem peut s'exprimer sous la forme Vtem=Rm2*I2, avec Rm2 une expression de la valeur résistive, ou résistance, du transistor M2 en mode triode. 15 Selon une approximation acceptable de la résistance RM2, 1 iRm2= kn/2*(W/L)*(Vgs-Vth), avec kn la constante caractéristique du transistor M2, W la largeur de sa région active, L la longueur de sa région active, Vth sa tension de seuil et Vgs la tension présente entre la grille et la source du transistor M2. 20 La grille du transistor témoin M2 est couplée au noeud de commande NCOM, auquel est couplée par ailleurs la grille du transistor de puissance Ml. Un amplificateur différentiel AMP reçoit sur une entrée positive la tension témoin Vtem et sur une entrée négative la tension 25 modèle Vmod, et applique sur le noeud de commande NCOM une tension de commande Vcom représentative de la différence des tensions témoin et modèle présentes sur lesdites entrées positive et négative. Par conséquent la tension de commande Vcom va commander la 30 résistance Rm2 du transistor témoin M2 en mode triode et ainsi faire varier la tension témoin Vtem jusqu'à atteindre un état d'équilibre entre lesdites tensions témoin et modèle. 3059495 10 En d'autres termes, l'amplificateur différentiel AMP est configuré pour équilibrer la tension témoin Vtem sur la tension modèle Vmod, en faisant varier la tension de commande Vcom. Les transistors de puissance M1 et témoin M2 sont appariés, 5 c'est-à-dire que le transistor M2 est réalisé selon le même procédé technologique que le transistor Ml, permettant de réaliser ces transistors M1 et M2 avec les mêmes caractéristiques, ou paramètres, à un facteur de taille près ici. Plus précisément, les transistors M1 et M2 ont la même 10 constante caractéristique kn, la même tension de seuil Vth, la même longueur L, mais une largeur W différente d'un facteur n, c'est-à-dire Wmi=n*Wm2, avec Wmi la largeur du transistor de puissance M1 et Wm2 la largeur du transistor témoin M2. Etant réalisés lors d'un même procédé technologique, les 15 variations systématiques de ces caractéristiques sont également les mêmes pour les deux transistors. Appartenant à un même circuit intégré, les variations aléatoires, par exemple dues à la température, sont également les mêmes pour les deux transistors. 20 Par conséquent, la valeur résistive, ou résistance, Rmi du transistor de puissance M1 en mode triode est proportionnelle à la résistance RM2 du transistor témoin M2, avec Rmi=Rm2/n, et la résistance Rm2 effective du transistor témoin M2 supportera les mêmes variations aléatoires et systématiques que la résistance Rmi effective 25 du transistor de puissance Ml. Ainsi, cette réalisation permet de commander précisément l'ajustement de la résistance Rmi effective du transistor de puissance M1 à partir de la tension modèle Vmod, issue de l'écoulement du courant 12 dans une résistance R dont les réalisations sont bien 30 maîtrisées et peu variables, à partir du comportement concret du transistor M2 très similaires au comportement concret du transistor de puissance Ml. La figure 4 représente un mode de réalisation avantageux du moyen d'atténuation ATN. 3059495 11 Le moyen de commande MCOM comporte un circuit générateur de courant GEN générant un courant de référence Iref transmis vers un circuit distributeur de courant DIST au moyen habituel d'un montage miroir de courant de transistors NMOS. 5 Le circuit de distribution du courant DIST comporte un montage en miroir de courant de transistors PMOS, distribuant, à partir du courant de référence Iref et d'une tension d'alimentation VBAT, le premier courant I1 dans la première branche Brl et le deuxième courant 12 dans la deuxième branche Br2 du circuit du 10 moyen de commande MCOM. De manière similaire à la représentation de la figure 3, la résistance R est connectée sur la première branche Brl et à la masse GND, et le transistor témoin M2 est connecté à la deuxième branche Br2 sur son drain et à la masse GND sur sa source. La grille du 15 transistor témoin M2 est couplée au noeud de commande NCOM. D'autre part, un montage miroir de courant de transistors NMOS Mdif recopie le courant I1 circulant dans la première branche Brl vers la deuxième branche Br2, et la tension présente sur la partie de la première branche Br2 située entre le circuit de distribution de 20 courant DIST et le miroir de courant Mdif est appliquée sur le noeud de commande NCOM. Par conséquent, par équilibrage des tensions obtenues par écoulement de courants dans des composants résistifs, le montage miroir de courant Mdif permet de produire sur le noeud de commande 25 NCOM une tension de commande Vcom représentative du différentiel entre les courants 12 et I1 circulant respectivement dans le transistor témoin M2 et la résistance R. La tension Vcom commandant la résistance du transistor témoin M2, un état d'équilibre est atteint lorsque la tension témoin Vtem est 30 égale à la tension modèle Vmod. Cet état d'équilibre correspond à une tension de commande Vcom commandant la résistance RM2 effective du transistor témoin M2 égale à la résistance R effective. 3059495 12 En d'autres termes, le montage qui vient d'être décrit correspond à un amplificateur différentiel à contre-réaction de courant utilisant le courant d'amplification (12) pour générer résistivement la tension témoin (Vtem). 5 Le moyen d'atténuation ATN permet ainsi de rendre le transistor de puissance M1 résistif selon une valeur de résistance maîtrisée et stable, ici égale à la résistance R, et en outre de manière économique en énergie. Le circuit résistif R peut être une résistance variable 10 commandée par un moyen de commande MCOM, permettant ainsi de mettre en oeuvre une atténuation du signal de réception selon un gain réglable, par exemple choisi entre 0dB et -18dB. D'autre part, les transistors PMOS copiant le courant de référence Iref dans les première et deuxième branche Brl, Br2 peuvent 15 avoir respectivement des coefficients de taille ml, m2 différents, par exemple m1=1 et m2=10. Par coefficient de taille, on entend ici que la largeur du transistor PMOS relié à la première branche Brl vaut ml*W, et la largeur du transistor PMOS relié à la deuxième branche Br2 vaut 20 m2*W, avec W une largeur de référence. Ainsi le courant 12 est m2/m1 fois plus important que le courant Il. Le montage miroir de courant Mdif est alors réalisé selon le même rapport m2/ml. 25 La figure 5 représente un exemple d'un mode de réalisation avantageux du moyen d'atténuation ATN. Ce mode de réalisation comporte différents « modules » (c'est-à-dire un groupe de transistors témoins M2', un étage générateur de courant réglable GEN', un circuit résistif variable Rvar, et un montage 30 coupe-circuit CC) permettant de régler la tension de commande Vcom à une valeur plaçant le transistor de puissance M1 dans un mode triode selon une valeur résistive souhaitée. Un moyen d'instruction NUM est configuré pour générer des signaux numériques de commande B 1, B2, B3, B4 commandant les 3059495 13 différents « modules » afin de régler la valeur résistive du transistor de puissance M1 à la valeur souhaitée. La valeur résistive souhaitée peut par exemple correspondre à des atténuations de OdB, -6dB, -12dB ou -18dB. 5 D'une part, un groupe de plusieurs transistors témoins M2' comporte dans cet exemple un premier et un deuxième transistor témoins M2a, M2b, reliés en parallèle via un interrupteur à deux positions SWM2. L'interrupteur SWM2 est commandé par un premier signal 10 numérique de commande B1/B1B généré par le moyen d'instruction NUM. La valeur logique B1 commande une première position dans laquelle la grille du deuxième transistor témoin M2b est couplée à la grille du premier transistor témoin M2a (et ainsi également au noeud de commande MCOM). 15 La valeur logique complémentaire B1B de la valeur B1 commande la deuxième position de l'interrupteur SWM2, dans laquelle la grille dudit autre transistor témoin M2b est couplée à la masse GND. En d'autre termes, ce groupe de transistors témoin M2' forme 20 un transistor témoin équivalant (M2') dont le facteur de taille est commandable par un premier signal de commande Bl/B1B. Par conséquent, le facteur de taille n entre le transistor témoin M2' et le transistor de puissance M1 peut être modifié, modifiant selon un facteur inverse la résistance Rmi du transistor de puissance Ml, 25 réglant ainsi le gain de l'atténuation. Par exemple, par rapport à une largeur unitaire, le facteur de taille du deuxième transistor témoin M2b peut être égal à 3 et le facteur de taille du premier transistor témoin M2a égal à 1. Dans cet exemple le facteur de taille n entre le transistor 30 témoin équivalent M2' et le transistor de puissance M1 est ainsi égal à 4 ou à 1, en fonction du premier signal de commande Bl. D'autre part, un étage générateur de courant réglable GEN' est configuré pour pouvoir générer un courant de référence Iref' pouvant avoir deux valeurs d'intensité. 3059495 14 Dans l'étage générateur de courant réglable GEN', un montage miroir de courant fait circuler un courant Iref' vers le circuit de distribution du courant DIST. Le transistor monté en diode dudit montage miroir de courant 5 comporte également un premier et un deuxième transistor reliés en parallèle via un interrupteur à deux positions SWGEN commandé par un deuxième signal de commande B2. La valeur logique B2 commande l'interrupteur SWGEN dans une position couplant les grilles desdits transistors, et la valeur 10 logique complémentaire B2B dans une position couplant la grille dudit deuxième transistor monté en diode à la masse GND. Ainsi le courant de référence Iref' circulant dans le circuit de distribution peut avoir deux valeurs possibles, commandées par le deuxième signal de commande B2 et dépendant des facteurs de taille 15 desdits transistors montés en parallèle. D'autre part, un circuit résistif variable Rvar comporte, dans cet exemple, trois résistances R1, R2, R3 montées en série entre le noeud d'entrée-sortie I/O et la borne de masse GND. Deux interrupteurs commandables SWRa, SWRb, 20 respectivement connectés sur un noeud situé entre les résistances R1 et R2 et un noeud situé entre les résistances R2 et R3, permettent de relier lesdits noeuds à la masse GND. Les interrupteurs SWRa, SWRb sont respectivement commandés par deux troisièmes signaux de commande B3a, B3b, 25 permettant de commander la résistance équivalente du circuit résistif variable à la manière d'un montage pont diviseur de tension. Par exemple la série de résistance peut comporter une résistance R1 de 16,711(S2, une résistance R2 de 35,551(S2 et une résistance R3 de 8,121(S2. 30 D'autre part, un montage coupe-circuit CC permet de coupler la grille du transistor de puissance M1 soit au noeud de commande NCOM, auquel cas une atténuation est mise en oeuvre, soit à une borne de tension de référence GND, auquel cas le transistor de puissance M1 est bloqué et aucune atténuation n'est mise en oeuvre. 3059495 15 Le montage coupe-circuit CC comporte un interrupteur à deux positions SWCC commandé par un quatrième signal de commande B4. La valeur logique B4 commande un couplage de la grille du transistor de puissance M1 à la tension de référence GND, et la valeur 5 logique complémentaire B4B de la valeur B4 commande un couplage de ladite grille sur le noeud de commande NCOM. En d'autres termes, le moyen de commande MCOM est configuré pour régler la valeur dudit facteur de taille et/ou de ladite résistance variable et/ou dudit courant de référence, afin de régler la 10 tension de commande à une valeur plaçant le transistor de puissance dans un mode triode à une valeur résistive souhaitée. En outre, dans l'exemple représenté par la figure 5, l'atténuateur ATN comporte un étage de gain G, permettant d' appliquer une tension de commande Vcom représentant un 15 différentiel entre les courants 12 et I1 circulant respectivement dans le transistor témoin équivalent M2' et dans le circuit résistif variable Rvar, de manière amplifiée et plus précise que notamment dans le mode de réalisation décrit en relation avec la figure 4. La figure 6 représente un tableau des valeurs logiques B 1, B2, 20 B3a, B3b et B4 permettant de mettre en oeuvre des exemples d'atténuations à différents gains. Les valeurs de gains du tableau correspondent la configuration de l'exemple représenté en figure 5, dans laquelle les différents composants du moyen d'atténuation ATN ont pour valeurs les 25 exemples donnés précédemment, avec un courant initial Iref de 1pA. Pour ne pas mettre en oeuvre d'atténuation, soit une atténuation de gain OdB, les signaux B1, B2, B3a, B3b sont à une valeur basse, le signal B4 est à une valeur haute et le transistor de puissance M1 est bloqué. 30 Pour une atténuation de gain -6dB, les signaux B 1, B2 et B3b sont à une valeur haute, et les signaux B3a et B4 sont à une valeur basse. 3059495 16 Pour une atténuation de gain -12dB, le signal B2 est à une valeur haute, les signaux B1, B3a, B3b et le signal B4 sont à une valeur basse. Pour une atténuation de gain -18dB, le signal B3a est à une 5 valeur haute, les signaux Bl, B2, B3b, et B4 sont à une valeur basse. La figure 7 représente un appareil électronique APP, tel qu'une une tablette tactile ou un ordinateur personnel, ici un téléphone mobile, comportant un dispositif de transmission radiofréquence DIS. L'appareil APP est par exemple notamment destiné à réaliser 10 des transmissions radiofréquences sur une antenne ANT, telles que des communications du type Wifi, Zigbee, Bluetooth ou BLE (« Bluetooth Low Energy »), dont la réception peut requérir une atténuation, le cas échéant mise en oeuvre par le moyen d'atténuation ATN du dispositif DIS. 15 L'invention n'est pas limitée à ces modes de réalisation mais en embrasse toutes les variantes. Par exemple, alors qu'il a été décrit ci-avant en relation avec la figure 5 une composition comportant simultanément plusieurs modules (GEN', M2', Rvar, CC), il sera possible de réaliser différentes compositions de certains au moins 20 desdits modules indépendamment ou en combinaison, et pouvant supporter des variantes de conception. 25 REVENDICATIONS1. Procédé comprenant une phase de réception de signal comportant une atténuation d'un signal reçu, et une phase d'émission de signal comportant avant émission une amplification par un transistor de puissance (M1) d'un signal à transmettre, ladite atténuation comprenant un placement du transistor de puissance (M1) dans un mode triode. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le placement du transistor de puissance (M1) dans le mode triode comprend une délivrance d'une tension de commande (Vcom) sur la grille du transistor de puissance (M1), obtenue à partir de la comparaison entre une tension témoin (Vtem) aux bornes de conduction d'un transistor témoin (M2) et une tension modèle (Vmod) aux bornes d'un circuit résistif modèle (R). 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la délivrance de la tension de commande (Vcom) comprend un réglage de la tension modèle (Vmod), réglant la valeur de la tension de commande (Vcom) à une valeur plaçant le transistor de puissance (M1) dans un mode triode à une valeur résistive souhaitée. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le signal reçu et le signal à transmettre sont des signaux radiofréquence. 5. Dispositif de transmission comportant un étage d'émission (TX) destiné à délivrer un signal d'émission sur un noeud d'entrée- sortie (I/O) d'une antenne (ANT) et comportant un transistor de puissance (M1) connecté sur ledit noeud d'entrée-sortie (I/O) et configuré pour amplifier un signal à émettre, un étage de réception (RX) destiné à recevoir un signal de réception sur ledit noeud d'entrée-sortie (I/O) et comportant un moyen d'atténuation du signal de réception (ATN), dans lequel le moyen d'atténuation (ATN) comporte ledit transistor de puissance (M1) et un moyen de commande (MCOM) apte à placer le transistor de puissance (M1) dans un mode triode. 3059495 18 6. Dispositif selon la revendication 5, dans lequel les bornes de conductions du transistor de puissance (M1) sont respectivement couplées au noeud d'entrée sortie (I/O) et à une borne destinée à recevoir une tension de référence (GND). 5 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 ou 6, dans lequel le moyen de commande (MCOM) comporte un circuit résistif modèle (R, Rvar), un groupe d'au moins un transistor témoin (M2, M2'), un amplificateur différentiel (AMP), le circuit résistif modèle (R, Rvar) étant couplé entre une première entrée de 10 l'amplificateur différentiel (AMP) et une borne destinée à recevoir une tension de référence (GND), ledit groupe de transistor témoin (M2, M2') étant couplée entre une deuxième entrée de l'amplificateur différentiel (AMP) et la borne destinée à recevoir une tension de référence (GND), la sortie de l'amplificateur différentiel (AMP) étant 15 couplée à la grille dudit au moins un transistor témoin dudit groupe (M2, M2') et à la grille du transistor de puissance (M1). 8. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel ledit au moins un transistor témoin dudit groupe (M2, M2') est apparié au transistor de puissance (M1). 20 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 7 ou 8, dans lequel l'amplificateur différentiel (AMP) comprend un étage générateur de courant (GEN) configuré pour faire circuler un premier courant (I1) dans ledit circuit résistif modèle (R, Rvar) et faire circuler un deuxième courant (I2) dans ledit au moins un transistor 25 témoin dudit groupe (M2, M2'), l'amplificateur différentiel (AMP) étant configuré pour qu'un différentiel entre les premier (I1) et deuxième courants (I2) produise une variation de ladite tension de commande (Vcom). 10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, 30 dans lequel le moyen de commande (MCOM) comporte un moyen d'instruction (NUM) configuré pour générer au moins un signal numérique de commande (B1-B4) permettant de régler ladite tension de commande (Vcom) à une valeur plaçant le transistor de puissance (M1) dans un mode triode à une valeur résistive souhaitée. 3059495 19 11. Dispositif selon la revendication 10, dans lequel ledit groupe d'au moins un transistor témoin comporte plusieurs transistors (M2a, M2b) reliés en parallèle par l'intermédiaire d'au moins un premier interrupteur (SWM2) commandable par un premier signal de 5 commande (B1). 12. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 10 ou 11, dans lequel le circuit résistif modèle (Rvar) comporte plusieurs résistances (R1, R2, R3) montées en série, et des deuxièmes interrupteurs (SWR1, SWR2) commandables par des deuxièmes 10 signaux de commande respectifs (B3a, B3b) et connectés entre une borne destinée à recevoir une tension de référence (GND) et des noeuds respectifs situés entre des résistances de ladite série. 13. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel l'étage générateur de courant (GEN') est configuré 15 pour faire circuler lesdits premier et deuxième courants (I1, 12) selon des couples de valeurs différentes en fonction d'un troisième signal de commande (B3). 14. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 10 à 13, dans lequel le moyen d'atténuation comporte un interrupteur de 20 coupure à deux positions commandable par un quatrième signal de commande (B4), la première position couplant la grille du transistor de puissance (M1) à la sortie du l'amplificateur différentiel (AMP), l'autre position couplant la grille du transistor de puissance (M1) à une borne destinée à recevoir une tension de référence (GND). 25 15. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 à 14, dans lequel les signaux d'émission et de réception sont des signaux radiofréquence. 16. Appareil électronique (APP) tel qu'un ordinateur personnel ou un téléphone mobile, comportant un dispositif selon l'une 30 quelconque des revendications 5 à 14.