FR 3051557 A1 20171124 FR 1654382 A 20160517 1 DETECTEUR DE PARTICULES REALISE DANS UN MATERIAU SEMI- CONDUCTEUR DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION Le domaine technique de l'invention est celui des détecteurs. Plus particulièrement, l'invention concerne un détecteur destiné à mesurer un faisceau de particules ou un environnement de particules. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION Dans les expériences mettant en jeu un faisceau de particules et en particulier un faisceau de particules à hautes énergies, il est parfois nécessaire de mesurer précisément les propriétés du faisceau en minimisant au maximum l'influence de la mesure. Il est connu pour mesurer ces faisceaux d'avoir recours à des détecteurs de type Schottky ou PIN composés d'une première couche d'un matériau semi-conducteur dopé p, d'une deuxième couche d'un matériau semiconducteur intrinsèque et d'une troisième couche d'un matériau semi-conducteur dopé n. Cette structure va donner naissance à une zone active principalement située dans la couche intrinsèque dans laquelle vont se créer des charges lors du passage du faisceau. Afin de pouvoir mesurer ces charges, il est connu de connecter une anode et une cathode de chaque côté de la structure PIN. De manière générale, ces détecteurs sont réalisés dans l'épaisseur d'une plaque de silicium et peuvent donc atteindre une épaisseur sensiblement égale à 300 ilm. Ils absorbent donc une quantité non-négligeable de rayonnement. Cette absorption a pour première conséquence de perturber largement le faisceau lors de la mesure. En outre, les interactions rayonnement matière ayant lieu dans un volume important du matériau composant le détecteur, la dégradation des caractéristiques électriques et mécaniques de ce dernier peut être très rapide. Enfin des charges 3051557 2 se créent en dehors de la zone active et diffuse jusque aux électrodes ajoutant du bruit au signal de mesure. Pour résoudre en partie ce problème d'absorption, il est connu d'amincir la partie 5 du détecteur que le faisceau est amené à traverser lors de la mesure. Cependant, afin de collecter les charges générées par le faisceau, la mise en place d'électrodes sur le trajet du faisceau reste indispensable. La présence de ces électrodes a deux conséquences. Tout d'abord les matériaux utilisés pour la fabrication de ces électrodes absorbent une quantité non-négligeable du faisceau. 10 De plus, la structure du détecteur doit être comprise entièrement entre les électrodes. Or, comme cela a déjà été précisé, la zone active se concentre principalement dans la zone intrinsèque du matériau semi-conducteur. Autrement dit, une grande partie du matériau traversé par le faisceau ne contribue pas directement à la détection. 15 Il existe donc un besoin concernant un détecteur permettant de mesurer un faisceau de particules de hautes énergies tout en évitant une absorption excessive dudit faisceau par le détecteur et en limitant la formation de charges non-désirées dans les zones non-active. 20 RESUME DE L'INVENTION L'invention offre une solution aux problèmes évoqués précédemment en fournissant un dispositif de détection dans lequel le faisceau ne traverse que la 25 zone utile du détecteur, la structure permettant la collecte des charges générées par le faisceau dans la zone active étant déportée de manière latérale par rapport au trajet du faisceau à mesurer. Pour cela, l'invention propose un dispositif de mesure d'un faisceau de particules 30 comprenant un première partie, dite partie centrale, une deuxième partie, dite partie périphérique. Plus particulièrement, le dispositif selon l'invention est tel que : - la partie centrale comporte des moyens pour former une zone de charge 3051557 3 d'espace destinée à être traversée par un faisceau de particules à mesurer, des porteurs de charge d'un premier type et d'un second type étant générés par ledit faisceau lorsque ce dernier traverse la zone de charge d'espace ; 5 - la partie périphérique comporte des moyens pour collecter au moins un type de porteur de charge parmi le premier type ou le deuxième type de porteurs de charge générés au niveau de la zone de charge d'espace. De plus, la partie périphérique entoure la partie centrale de sorte qu'un faisceau 10 de particule peut traverser la partie centrale sans traverser la partie périphérique. On entend notamment par faisceau de particules, un faisceau de neutrons ou un faisceau de rayons X. Autrement dit, la notion de particules doit être prise ici dans son sens large. 15 Ainsi, le faisceau de particules à mesurer ne traverse que la zone active du dispositif, c'est-à-dire, la zone d'espace de charge. La perturbation engendrée par le détecteur sur le faisceau est ainsi minimisée. En outre, le faisceau ne traversant pas la partie du dispositif par laquelle la collecte des charges est effectuée, le bruit 20 de mesure s'en trouve fortement diminué. En effet, dans les dispositifs selon l'état de l'art antérieur, le faisceau traverse non seulement la partie active, mais également les zones du dispositif par lesquelles les charges générées par le faisceau sont collectées. Or, le faisceau peut également créer dans ces zones de collectes des charges non désirées. A la différence des charges créées dans la 25 zone active qui sont entrainées par le champ électrique, les charges non désirées vont être entrainées par un phénomène de diffusion. Cette diffusion des charges non désirées va produire un signal parasite qui nuit à la précision de la mesure. Dans le détecteur selon l'invention le faisceau ne traverse pas les zones en charge de la collecte des porteurs, ces zones n'étant pas situées sur le parcours 30 du faisceau. Le signal obtenu permet donc d'effectuer des mesures plus précises et moins bruité que les dispositifs selon l'état de l'art. En outre, la réduction des interactions à la seule zone active permet une diminution substantielle de la 3051557 4 température du détecteur liée à ces dernières. Outre les caractéristiques qui viennent d'être évoquées dans le paragraphe précédent, le dispositif selon un aspect de l'invention peut présenter une ou 5 plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles. Avantageusement, la partie centrale est réalisée dans un matériau semiconducteur à grand gap afin d'accepter des fortes doses de particules à hautes 10 énergies. De manière préférentielle, le semi-conducteur est le carbure de silicium. On entend par grand gap un gap dont l'énergie est au moins deux fois supérieure à l'énergie du gap du silicium. De manière préférentielle, la zone d'espace de charge est formée à l'aide d'une 15 diode Schottky permettant une réponse rapide du recouvrement de comportement direct-inverse, une diode PN tirant alors avantage de l'effet tunnel ou une diode PIN permettant une bonne qualité de la tenue en tension. Avantageusement, le dispositif selon l'invention comporte une face avant et une 20 face arrière, la face avant étant parallèle à la face arrière, et un orifice est ménagé au niveau de la face arrière, dans une région de la partie centrale de sorte que l'épaisseur de ladite région de la partie centrale selon un axe normal à la face avant est inférieure à l'épaisseur de la partie périphérique selon ledit axe normal. 25 Ainsi, on s'assure que l'épaisseur traversée par le faisceau est limité à l'épaisseur de la zone active tout en obtenant une bonne tenue mécanique par l'intermédiaire de la zone périphérique plus épaisse. Avantageusement, la zone de charge d'espace de la partie centrale est 30 uniquement située dans la région de la partie centrale en regard de l'orifice. Ainsi, la zone active se limite à la zone effectivement traversée par le faisceau. 3051557 5 De manière alternative, la zone de charge d'espace de la partie centrale s'étend au-delà de la région de la partie centrale en regard de l'orifice. 5 Ainsi, il est possible de limiter la formation d'une structure MIS (Métal Isolant Semi-conducteur), en particulier lorsque la zone de charge d'espace est formée par une diode PN ou une diode PIN. On réduit ainsi les phénomènes capacitifs entre la couche dopée n et la couche métallique de l'anode. 10 Avantageusement, partie centrale comprend : - une première couche d'un matériau semi-conducteur ; - une deuxième couche d'un matériau conducteur recouvrant la première couche ; la zone d'espace de charge étant formée par la diode Schottky formée par la 15 première couche et la deuxième couche, l'orifice étant ménagé dans la première couche. Ainsi, l'une des couches formant la diode Schottky étant métallique, il est possible de collecter un type de porteur de charge par cette même couche, ce qui supprime 20 au moins une étape de dépôt et facilite la fabrication du dispositif comparativement à une zone d'espace de charge produit par une diode. De manière préférentielle, la partie périphérique comprend : - une troisième couche d'un matériau conducteur ; 25 - une première couche d'un matériau semi-conducteur recouvrant la troisième couche et disposée en continuité de la première couche de la partie centrale ; - une deuxième couche d'un matériau conducteur recouvrant la première couche et disposée en continuité de la deuxième couche de la partie 30 centrale ; la troisième couche d'un matériau conducteur assurant la collecte d'un premier type de porteurs de charge générés dans la zone d'espace de charge. 3051557 6 Ainsi, la troisième couche d'un matériau permet de collecter un type de porteur de charge. En outre, cette couche n'étant située qu'au niveau de la partie périphérique, elle ne perturbe pas le faisceau. 5 Avantageusement, la partie centrale comprend : - une première couche d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage ; - une deuxième couche d'un matériau semi-conducteur dopé dans un 10 deuxième type de dopage opposé au premier type de dopage, ladite deuxième couche recouvrant la première couche ; - une quatrième couche d'un matériau conducteur, ladite quatrième couche recouvrant la deuxième couche ; la zone d'espace de charge étant formée par la diode PN formée par la première 15 couche et la deuxième couche, l'orifice étant ménagé dans la première couche. De préférence, la partie périphérique comprend : - une troisième couche d'un matériau conducteur ; - une première couche d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier 20 type de dopage recouvrant la troisième couche et disposée en continuité de la première couche de la partie centrale, la première couche de la partie centrale et de la partie périphérique ayant le même niveau de dopage ; - une deuxième couche d'un matériau semi-conducteur dopé dans un deuxième type de dopage opposé au premier type de dopage recouvrant la 25 première couche, la dite deuxième couche étant disposée en continuité de la deuxième couche de la partie centrale, la deuxième couche de la partie centrale et de la partie périphérique ayant le même niveau de dopage ; - une quatrième couche d'un matériau conducteur, ladite quatrième couche recouvrant la deuxième couche, la dite quatrième couche étant disposée en 30 continuité de la quatrième couche de la partie centrale ; la troisième couche d'un matériau conducteur assurant la collecte d'un premier type de porteurs de charge générés dans la zone d'espace de charge. 3051557 7 Ainsi, la troisième couche d'un matériau permet de collecter un type de porteur de charge. En outre, cette couche n'étant située qu'au niveau de la partie périphérique, elle ne perturbe pas le faisceau. 5 Avantageusement, la partie centrale comprend une cinquième couche d'un matériau conducteur recouvrant la deuxième couche et en ce que la partie périphérique comprend : - une troisième couche d'un matériau conducteur ; 10 - une première couche d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage recouvrant la troisième couche et disposée en continuité de la première couche de la partie centrale, la première couche de la partie centrale et de la partie périphérique ayant le même niveau de dopage ; - une sixième couche d'un oxyde recouvrant la première couche ; 15 - une quatrième couche d'un matériau conducteur recouvrant la sixième couche , la quatrième couche formant une marche entre la partie périphérique et la partie centrale couvrant une surface latérale de la sixième couche de sorte à assurer une continuité entre la quatrième couche de la partie centrale et la quatrième 20 couche de la partie périphérique. Ainsi, la zone active se limite à la zone effectivement traversée par le faisceau, la collecte des charges depuis la zone active vers l'anode s'effectuant à l'aide de la huitième couche. 25 De manière préférentielle, la partie périphérique comporte une cinquième couche d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage, le niveau de dopage de la cinquième couche étant plus élevé que le niveau de dopage de la première couche, la cinquième couche étant située entre la troisième couche et la 30 première couche de la partie périphérique. Ainsi on obtient une configuration de type PIN, la diode PIN formée entre la 3051557 8 cinquième couche, la première couche et la deuxième couche permettant une meilleure collecte des charges générées par le faisceau de particules à détecter. Avantageusement, le premier orifice est défini par une paroi latérale et par un fond 5 et une couche d'un oxyde recouvre la paroi latérale et le fond du premier orifice. Ainsi, les liaisons pendantes issues de la fabrication du premier orifice sont neutralisées et les perturbations électriques que ces liaison pendantes sont susceptibles de générer sont éliminées. 10 Avantageusement, la section du premier orifice et/ou du deuxième orifice est de forme circulaire ou carré. Avantageusement, le premier orifice et le deuxième orifice sont positionnés au centre du dispositif. On entend ici par positionné au centre du dispositif le fait que lorsque l'on projette le dispositif et l'orifice sur une 15 surface perpendiculaire à la direction de l'empilement, la projection de l'orifice sur cette surface est centrée relativement à la projection du dispositif. Préférentiellement, dans la partie centrale, la quatrième couche ne recouvre qu'une partie seulement de la deuxième couche. 20 Ainsi, on limite l'absorption du faisceau par la quatrième couche tout en assurant une collecte des charges depuis la zone active vers l'anode. L'invention et ses différentes applications seront mieux comprises à la lecture de 25 la description qui suit et à l'examen des figures qui l'accompagnent. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l'invention et 30 illustrent : - les figures lA et 1 B, une vue de dessus et en coupe d'un dispositif selon un mode de réalisation de l'invention ; 3051557 9 - la figure 2, une vue en coupe de la structure du dispositif selon un premier mode de réalisation ; - la figure 3, une vue en coupe de la structure du dispositif selon un deuxième mode de réalisation ; 5 - la figure 4, une vue en coupe de la structure du dispositif selon un troisième mode de réalisation ; - la figure 5, une vue en coupe de la structure du dispositif selon un quatrième mode de réalisation ; - la figure 6, une vue en coupe de la structure du dispositif selon un 10 cinquième mode de réalisation ; - la figure 7, une vue en coupe de la structure du dispositif selon un sixième mode de réalisation ; - la figure 8, une vue en coupe de la structure du dispositif selon un septième mode de réalisation ; 15 - la figure 9, une vue en coupe de la structure du dispositif selon un huitième mode de réalisation. DESCRIPTION DETAILLEE D'AU MOINS UN MODE DE REALISATION DE L'INVENTION 20 Sauf précision contraire, un même élément apparaissant sur des figures différentes présente une référence unique. Un premier mode de réalisation de l'invention illustré aux figure 1A et 1B concerne 25 un dispositif de mesure 100 d'un faisceau de particules FS comprenant un première partie, dite partie centrale PC, une deuxième partie, dite partie périphérique PP. La partie centrale PC comporte des moyens pour former une zone de charge d'espace ZCE (en pointillé sur l'ensemble des figures) destinée à être traversée par un faisceau de particules FS à mesurer, des porteurs de charge 30 d'un premier type et d'un second type étant générés par ledit faisceau FS lorsque ce dernier traverse la zone de charge d'espace ZCE. En outre, la partie périphérique PP comporte des moyens pour collecter au moins un type de porteur 3051557 10 de charge parmi le premier type ou le deuxième type de porteurs de charge générés au niveau de la zone de charge d'espace ZCE. De plus, la partie périphérique PP entoure la partie centrale PC de sorte qu'un faisceau de particule FS peut traverser la partie centrale PC sans traverser la partie périphérique PP. 5 Ainsi, le dispositif selon l'invention permet de mesurer un faisceau de particules FS en minimisant les perturbations engendrés par la mesure sur le faisceau de sortie FS'. Une telle configuration permet notamment de diminuer la quantité de rayonnement absorbé par le dispositif et donc le nombre d'interactions 10 rayonnement matière susceptibles de venir perturber la mesure ou dégrader le dispositif de mesure. De préférence, le dispositif de mesure 100 selon l'invention comporte une face avant F et une face arrière B, la face avant F étant parallèle à la face arrière B, et 15 en ce qu'un orifice 01 est ménagé au niveau de la face arrière B, dans une région de la partie centrale PC de sorte que l'épaisseur de ladite région de la partie centrale PC selon un axe normal à la face avant F est inférieure à l'épaisseur de la partie périphérique PP selon ledit axe normal. L'orifice 01 peut être de forme circulaire, rectangulaire ou bien encore carré. Plus généralement, il peut prendre 20 la forme d'un polygone quelconque. La taille de l'orifice 01 est déterminée par la taille du faisceau à mesurer. De préférence, la largeur du faisceau est inférieure à la largeur de l'orifice 01. La largeur de la région centrale peut donc varier du micron à une dizaine de centimètre. De préférence, la totalité de la partie centrale PC est en regard de l'orifice 01. Autrement dit, la surface de la partie 25 centrale PC est égale à la surface d'une section de l'orifice 01. De préférence, la partie centrale PC est centrée par rapport à l'ensemble du dispositif 100. La partie centrale PC et/ou la partie périphérique PP du composant peuvent être réalisées, au moins en partie, dans un matériau semi-conducteur à 30 grand gap, par exemple du carbure de silicium, du diamant ou un alliage semi- conducteur composé d'éléments de la colonne III-V ou II-VI. Par exemple, lorsque le semi-conducteur est du diamant, le dopage p peut être obtenu par implantation 3051557 11 d'atomes de bore et le dopage n par implantation d'atomes de phosphore. Dans un deuxième exemple, lorsque le semi-conducteur est du carbure de silicium, le dopage p peut être par implantation d'atomes de bore et le dopage n par implantation d'atomes d'azote. 5 De préférence, la zone de charge d'espace ZCE de la partie centrale PC est uniquement située dans la région de la partie centrale PC en regard de l'orifice 01. De manière alternative, la zone de charge d'espace ZCE de la partie centrale PC s'étend au-delà de la région de la partie centrale PC en regard de 10 l'orifice 01. Dans un premier mode de réalisation illustré à la figure 2, la partie centrale PC comprend une première couche 1 d'un matériau semi-conducteur ; et une deuxième couche 2 d'un matériau conducteur recouvrant la première couche 1. 15 Dans ce mode de réalisation, la zone d'espace de charge ZCE est formée par la diode Schottky formée par la première couche 1 et la deuxième couche 2, l'orifice 01 étant ménagé dans la première couche 1. L'orifice 01 ménagé dans la première couche 1 de la partie centrale PC peut être réalisée par une technique de gravure de type RIE. 20 De préférence, dans ce mode de réalisation, la partie périphérique PP comprend une troisième couche 3' d'un matériau conducteur ; une première couche 1' d'un matériau semi-conducteur recouvrant la troisième couche 3' et disposée en continuité de la première couche 1 de la partie centrale PC ; et une 25 deuxième couche 2' d'un matériau conducteur recouvrant la première couche 1 et disposée en continuité de la deuxième couche 2 de la partie centrale PC. Dans cette configuration, appelée configuration Schottky, la zone de charge d'espace ZCE est formée par la diode Schottky constituée par la première 30 couche 1 d'un matériau conducteur et la deuxième couche 2 d'un matériau semi- conducteur. La zone de charge d'espace ZCE se situe donc sur la partie centrale PC mais également sur la partie périphérique PP. En outre, la troisième couche 3' 3051557 12 d'un matériau conducteur assure la collecte d'un premier type de porteurs de charge générés dans la zone de charge d'espace de charge ZCE tandis que la première couche 2,2' réalisée dans un matériau conducteur, assure la collecte d'un deuxième type de porteurs de charge générés dans la zone de charge 5 d'espace ZCE. La deuxième couche 2,2' et la troisième couche 3,3' peuvent être constituées par un métal tel que le cuivre, le zinc ou l'or ou bien encore par du graphène mono ou multicouches. On peut également utiliser du nickel, de l'aluminium, du titane ou du tungstène. De manière plus générale, tout matériau conducteur adapté aux conditions de fabrication ou d'opération du dispositif peut 10 être choisi. Le matériau utilisé pour la deuxième couche 2,2' peut être différent du matériau utilisé pour la troisième couche 3,3'. De préférence, les matériaux utilisés pour la troisième couche 3' peuvent être choisis de sorte à obtenir un contact ohmique entre la troisième couche 3' et la première couche 1' de la partie périphérique PP. 15 De préférence, le niveau de dopage de la première couche 1 de la partie centrale PC est identique au niveau de dopage de la première couche 1' de la partie périphérique. Le procédé de fabrication s'en trouve facilité car il ne nécessite qu'un seul niveau de dopage. 20 De manière alternative, le niveau de dopage de la première couche 1 de la partie centrale PC est inférieur au niveau de dopage de la première couche 1' de la partie périphérique. Cette configuration permet de s'assurer une meilleure répartition du champ électrique et donc d'utiliser des tensions plus élevées pour la 25 polarisation du détecteur. Dans un exemple de réalisation, la première couche 1,1' a une épaisseur comprise entre 500 nm et 50 microns. Dans un mode de réalisation, la deuxième couche 2 ,2' a une épaisseur comprise entre 50nm et 200nm, de préférence 30 sensiblement égale à 100nm. Dans un deuxième mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention illustré à la 3051557 13 figure 3, la partie centrale PC comprend une première couche 1 d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage ; une deuxième couche 2 d'un matériau semi-conducteur dopé dans un deuxième type de dopage opposé au premier type de dopage, ladite deuxième couche 2 recouvrant la première 5 couche 1 ; et une quatrième couche 4 d'un matériau conducteur, ladite quatrième couche 4 recouvrant la deuxième couche 2. Dans ce mode de réalisation, la zone d'espace de charge ZCE est formée par la diode PN formée par la première couche 1 et la deuxième couche 2, l'orifice 01 étant ménagé dans la première couche 1. L'orifice 01 ménagé dans la première couche 1 de la partie centrale PC 10 peut être réalisée par une technique de gravure de type RIE. De préférence, dans ce mode de réalisation, la partie périphérique PP comprend une troisième couche 3' d'un matériau conducteur ; une première couche 1' d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage 15 recouvrant la troisième couche 3' et disposée en continuité de la première couche 1 de la partie centrale PC ; une deuxième couche 2' d'un matériau semiconducteur dopé dans un deuxième type de dopage opposé au premier type de dopage recouvrant la première couche 1', la dite deuxième couche 2' étant disposée en continuité de la deuxième couche 2 de la partie centrale PC ; et une 20 quatrième couche 4' d'un matériau conducteur, ladite quatrième couche 4' recouvrant la deuxième couche 2', la dite quatrième couche 4' étant disposée en continuité de la quatrième couche 4 de la partie PC. Dans un mode de réalisation, le dopage de la première couche 1,1' est de type n et le dopage de la deuxième couche 2,2' est de type p. 25 Dans cette configuration, appelée configuration PN, la zone de charge d'espace ZCE est formée par la diode PN constituée par la première couche 1,1' d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage et la deuxième couche 2,2' d'un matériau semi-conducteur dopé dans un deuxième type de 30 dopage opposé au premier type de dopage. La zone d'espace de charge ZCE se situe donc sur la partie centrale PC mais également sur la partie périphérique PP. En outre, la troisième couche 3' de la partie périphérique assure la collecte d'un 3051557 14 premier type de porteurs de charge générés dans la zone de charge d'espace ZCE tandis que la quatrième couche 4,4', réalisée dans un matériau conducteur, assure la collecte d'un deuxième type de porteurs de charge générés dans la zone de charge d'espace ZCE. La troisième couche 3' et la quatrième couche 4,4' 5 peuvent être constituées par un métal tel que le cuivre, le zinc ou l'or ou bien encore par du graphène mono ou multicouches. On peut également utiliser du nickel, de l'aluminium, du titane ou du tungstène. De manière plus générale, tout matériau conducteur adapté aux conditions de fabrication ou d'opération du dispositif peut être choisi. Le matériau utilisé pour la troisième couche 3' peut être 10 différent du matériau utilisé pour la quatrième couche 4,4'. De préférence, les matériaux utilisés pour la troisième couche 3' peuvent être choisis de sorte à obtenir un contact ohmique entre la troisième couche 3' et la première couche 1' de la partie périphérique PP. De même, les matériaux utilisés pour la quatrième couche 4,4' peuvent être choisis de sorte à obtenir un contact ohmique entre la 15 quatrième couche 4,4' et la deuxième couche 2,2'. De préférence, le niveau de dopage de la première couche 1 de la partie centrale PC est identique au niveau de dopage de la première couche 1' de la partie périphérique PP. De même, le niveau de dopage de la deuxième couche 2 de la 20 partie centrale PC est identique au niveau de dopage de la deuxième couche 2' de la partie périphérique. Comme expliqué précédemment, le procédé de fabrication s'en trouve facilité car il ne nécessite qu'un seul niveau de dopage. Dans un exemple de réalisation, le dopage de la première couche 1,1' est de type 25 n et le dopage de la deuxième couche 2,2' est de type p. Le niveau de dopage de la première couche 1,1' est compris entre 5.1014 et 5.1019 atomes par cm3, de préférence sensiblement égal à 5.1015 atomes par cm3. Le niveau de dopage de la deuxième couche 2,2' est compris entre 1.1016 et 5.1019 atomes par cm3, de préférence sensiblement égal à 1.1019 atomes par cm3. 30 De manière alternative, le niveau de dopage de la première couche 1 de la partie centrale PC est inférieur au niveau de dopage de la première couche 1' de la 3051557 15 partie périphérique. De même, le niveau de dopage de la deuxième couche 2 de la partie centrale PC est inférieur au niveau de dopage de la deuxième couche 2' de la partie périphérique. Comme expliqué précédemment, cette configuration permet de s'assurer d'une meilleure répartition du champ électrique, ce qui permet 5 d'utiliser des tensions plus élevés pour la polarisation du détecteur. Dans un troisième mode de réalisation illustré à la figure 4, la partie périphérique PP comporte une cinquième couche 5' d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage, le niveau de dopage de la cinquième couche 5' de la 10 partie périphérique PP étant plus élevé que le niveau de dopage de la première couche 1' de la partie périphérique PP, la cinquième couche 5' étant située entre la troisième couche 3' et la première couche 1' de la partie périphérique PP. Ainsi dans cette configuration appelée configuration PIN, la diode PIN formée entre la cinquième couche 5' de la partie périphérique, la première couche 1,1' et la 15 première couche 2,2' permet une meilleur récupération des charges générées dans la partie centrale PC par le faisceau FS de particules à détecter. La partie centrale PC du dispositif est de préférence identique à la partie centrale du dispositif selon le deuxième mode de réalisation. 20 La cinquième couche 5' de la partie périphérique PP peut par exemple être obtenu par la gravure de l'orifice 01 dans une couche d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage ladite couche étant présente dans la partie centrale PC et la partie périphérique PP avant gravure et étant gravée dans toute son épaisseur afin de former l'orifice 01. La gravure peut être effectué par une 25 technique sèche de type RIE ou bien encore une technique humide. De préférence, le dopage de la première couche 1,1' et de la cinquième couche 5' de la partie périphérique PP est de type n et le dopage de la deuxième couche 2,2' est de type p. Le niveau de dopage de la cinquième couche 5' est compris 30 entre 1.1016 et 1.1019 atomes par cm3, de préférence sensiblement égal à 1 1 018 atomes par cm3. Le niveau de dopage de la première couche 1,1' est compris entre 5.1014 et 5.1019 atomes par cm3, de préférence sensiblement égal à 5.1015 3051557 16 atomes par cm3. Le niveau de dopage de la deuxième couche 2,2' est compris entre 1.1016 et 5.1019 atomes par cm3, de préférence sensiblement égal à 1.1019 atomes par cm3. 5 Dans un exemple de réalisation, la première couche 1,1' a une épaisseur comprise entre 500 nm et 50 microns ; la deuxième couche 2 ,2' a une épaisseur comprise entre 50 et 200nm, de préférence sensiblement égale à 100nm ; et la cinquième couche a une épaisseur comprise entre 250 et 350 microns, de préférence sensiblement égale à 300 micron. 10 Le faisceau à mesurer ne traversant le détecteur qu'au niveau de la partie centrale PC, il peut être avantageux de déporter la totalité des électrodes nécessaires à la récupération des porteurs de charge au niveau de la partie périphérique. Pour cela, dans un quatrième mode de réalisation illustré à la 15 figure 5, la partie centrale PC comprend une première couche 1 d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage et une deuxième couche 2 d'un matériau semi-conducteur dopé dans un deuxième type de dopage opposé au premier type de dopage, ladite deuxième couche 2 recouvrant la première couche 1. La partie centrale est donc dépourvue dans ce mode de réalisation 20 d'électrode. Dans ce mode de réalisation, la zone de charge d'espace est également produite par la diode PN constituée par la première couche 1,1' d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage et la deuxième couche 2,2' d'un matériau semi-conducteur dopé dans un deuxième type de dopage opposé au premier type de dopage. En revanche, les porteurs de charges 25 sont récupérés uniquement au niveau de la partie périphérique par les troisième couche 3' et quatrième couche 4' de la partie périphérique PP. Dans cette configuration, le faisceau ne traverse que la première couche 1 et la deuxième couche 2 de la partie centrale au niveau de laquelle se forme la zone d'espace de charge. Dans ce mode de réalisation, la quatrième couche 4' ne se trouve que sur 30 la partie périphérique et forme donc un deuxième orifice 02. Dans le mode de réalisation précédent, la zone de charge d'espace ZCE est 3051557 17 présente à la fois dans la partie centrale PC et la partie périphérique PP du dispositif. Cependant, il peut être avantageux de n'avoir une zone de charge d'espace ZCE que dans la partie centrale PC du dispositif de détection. Pour cela, dans un cinquième mode de réalisation illustré à la figure 6, la partie périphérique 5 PP comprend une troisième couche 3' d'un matériau conducteur ; une première couche 1' d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage recouvrant la troisième couche 3' et disposée en continuité de la première couche 1 de la partie centrale PC,; une sixième couche 6' d'un oxyde recouvrant la première couche 1' ; et une quatrième couche 4' d'un matériau conducteur 10 recouvrant la sixième couche 6'. Ainsi, la couche deuxième 2,2' n'étant présente que dans la partie centrale PC du dispositif, la zone de charge d'espace ZCE se trouve également restreinte à la partie centrale PC du dispositif 100. Dans ce mode de réalisation, la quatrième couche 4, 4' forme une marche entre la 15 partie périphérique PP et la partie centrale PC couvrant une surface latérale de la sixième couche 6 de sorte à assurer une continuité entre la quatrième couche 4 de la partie centrale PC et la quatrième couche 4' de la partie périphérique PP. Dans ce mode de réalisation, la sixième couche 6' ne se trouve que sur la partie périphérique et forme donc un deuxième orifice 02. 20 Cependant, dans le mode de réalisation précédent, la quatrième couche 4' de la partie centrale PC recouvre l'intégralité de la partie centrale PC par laquelle passe le faisceau à mesurer. Il peut être avantageux dans certaines situations de diminuer ce phénomène d'absorption. A cette fin, dans un sixième mode de 25 réalisation illustré à la figure 7, la quatrième couche 4' de la partie centrale ne recouvre qu'une partie seulement de la partie centrale PC. Par ailleurs, lorsque l'étendue de la deuxième couche 2,2' est limitée à la partie centrale PC, la structure MIS (Métal Isolant Semi-Conducteur) constituée au 30 niveau de la partie périphérique PP du dispositif formé par la première couche de la partie périphérique 1', la sixième couche de la partie périphérique 6' et par la quatrième couche 4' de la partie périphérique peut venir perturber la mesure en 3051557 18 induisant notamment des effets capacitifs. Afin de prévenir ce phénomène, dans un septième mode de réalisation illustré à la figure 8, la deuxième couche 2' de la partie périphérique ne couvre que partiellement la première couche 1' de la partie périphérique tout en assurant une continuité avec la deuxième couche 2 de la 5 partie centrale PC. Autrement dit, la deuxième couche 2,2' est présente dans toute la partie centrale PC du dispositif ainsi que dans une zone de la partie périphérique PP. La présence de la deuxième couche 2' sur une zone plus étendue que la partie centrale PC limite la formation de la structure MIS précédemment évoquée. On réduit ainsi les phénomènes capacitifs entre la 10 première couche de la partie périphérique 1', la sixième couche de la partie périphérique 6' et par la quatrième couche 4' de la partie périphérique. Dans un huitième mode de réalisation illustré à la figure 9, le premier orifice 01 est défini par une paroi latérale PL et par un fond FD et une couche d'un oxyde 7 15 recouvre la paroi latérale PL et le fond FD du premier orifice. En effet, comme cela a été évoqué précédemment, la partie de l'orifice 01 ménagée dans la cinquième 5,5' et/ou la première couche 1,1' peut être obtenue par une technique de gravure, par exemple par RIE. Cette méthode de fabrication présente l'inconvénient de produire des liaisons pendantes sur les surfaces laissées libres 20 après la gravure. Ces liaisons pendantes peuvent altérer les propriétés électriques du matériau à proximité desdites surfaces libres. La présence de la couche d'oxyde 7 neutralise les liaisons pendantes issues de la fabrication de l'orifice 01 et élimine ainsi les perturbations électriques que ces liaisons pendantes sont susceptibles de générer. La couche d'oxyde 7 pourra être présente sur la totalité 25 de la paroi latérale PL ou bien seulement sur la paroi latérale PL constituée par le matériau de la cinquième 5,5' et/ou la première couche 1,1', principalement concernée par le problème de liaisons pendantes. REVENDICATIONS1. Dispositif de mesure (100) d'un faisceau de particules comprenant un première partie, dite partie centrale (PC), une deuxième partie, dite partie périphérique (PP), le dispositif de mesure étant caractérisé en ce que : - la partie centrale (PC) comporte des moyens pour former une zone de charge d'espace (ZCE) destinée à être traversée par un faisceau de particules (FS) à mesurer, des porteurs de charge d'un premier type et d'un second type étant générés par ledit faisceau (FS) lorsque ce dernier traverse la zone de charge d'espace (ZCE) ; - la partie périphérique (PP) comporte des moyens pour collecter au moins un type de porteur de charge parmi le premier type ou le deuxième type de porteurs de charge générés au niveau de la zone de charge d'espace (ZCE) ; la partie périphérique (PP) entourant la partie centrale (PC) de sorte qu'un faisceau de particule (FS) peut traverser la partie centrale (PC) sans traverser la partie périphérique (PP). 2. Dispositif de mesure (100) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la partie centrale (PC) est réalisée dans un matériau semi- conducteur à grand gap. 3. Dispositif de mesure (100) selon la revendication précédente caractérisé en ce que le semi-conducteur est le carbure de silicium. 4. Dispositif de mesure (100) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la zone d'espace de charge (ZCE) est formée à l'aide d'une diode Schottky, une diode PN ou une diode PIN. 5. Dispositif de mesure (100) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce qu'il comporte une face avant (F) et une face arrière (B), la face avant (F) étant parallèle à la face arrière (B), et en ce qu'un orifice (01) est ménagé au niveau de la face arrière (B), dans une région 305 1 5 5 7 20 de la partie centrale (PC) de sorte que l'épaisseur de ladite région de la partie centrale (PC) selon un axe normal à la face avant (F) est inférieure à l'épaisseur de la partie périphérique (PP) selon ledit axe normal. 5 6. Dispositif de mesure (100) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la zone de charge d'espace (ZCE) de la partie centrale (PC) est uniquement située dans la région de la partie centrale (PC) en regard de l'orifice (01). 10 7. Dispositif de mesure (100) selon la revendication 5 caractérisé en ce que la zone de charge d'espace (ZCE) de la partie centrale (PC) s'étend au-delà de la région de la partie centrale (PC) en regard de l'orifice (01). 8. Dispositif de mesure (100) selon la revendication 5 caractérisé en ce que la 15 partie centrale (PC) comprend : - une première couche (1) d'un matériau semi-conducteur ; - une deuxième couche (2) d'un matériau conducteur recouvrant la première couche (1) ; la zone d'espace de charge (ZCE) étant formée par la diode Schottky 20 formée par la première couche (1) et la deuxième couche (2), l'orifice (01) étant ménagé dans la première couche (1). 9. Dispositif de mesure (100) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la partie périphérique (PP) comprend : 25 - une troisième couche (3') d'un matériau conducteur ; - une première couche (1') d'un matériau semi-conducteur recouvrant la troisième couche (3') et disposée en continuité de la première couche (1) de la partie centrale (PC) ; - une deuxième couche (2') d'un matériau conducteur recouvrant la 30 première couche (1) et disposée en continuité de la deuxième couche (2) de la partie centrale (PC) ; la troisième couche (3') d'un matériau conducteur assurant la collecte d'un premier type de porteurs de charge générés dans la zone d'espace de 3051557 21 charge (ZCE). 10. Dispositif de mesure (100) selon la revendication 5 caractérisé en ce que la partie centrale (PC) comprend : 5 - une première couche (1) d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage ; - une deuxième couche (2) d'un matériau semi-conducteur dopé dans un deuxième type de dopage opposé au premier type de dopage, ladite deuxième couche (2) recouvrant la première couche (1) ; 10 - une quatrième couche (4) d'un matériau conducteur, ladite quatrième couche (4) recouvrant la deuxième couche (2) ; la zone d'espace de charge (ZCE) étant formée par la diode PN formée par la première couche (1) et la deuxième couche (2), l'orifice (01) étant ménagé dans la première couche (1). 15 11 Dispositif de mesure (100) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la partie périphérique comprend : - une troisième couche (3') d'un matériau conducteur ; - une première couche (1') d'un matériau semi-conducteur dopé dans 20 un premier type de dopage recouvrant la troisième couche (3') et disposée en continuité de la première couche (1) de la partie centrale (PC) ; - une deuxième couche (2') d'un matériau semi-conducteur dopé dans un deuxième type de dopage opposé au premier type de dopage 25 recouvrant la première couche (1'), la dite deuxième couche (2') étant disposée en continuité de la deuxième couche (2) de la partie centrale (PC) ; - une quatrième couche (4') d'un matériau conducteur, ladite quatrième couche (4') recouvrant la deuxième couche (2'), la dite 30 quatrième couche (4') étant disposée en continuité de la quatrième couche (4) de la partie centrale (PC) ; la troisième couche (3) d'un matériau conducteur assurant la collecte d'un 3051557 22 premier type de porteurs de charge générés dans la zone d'espace de charge (ZCE). 12. Dispositif de mesure (100) selon la revendication 10 caractérisé en ce que 5 la partie périphérique (PP) comprend : - une troisième couche (3') d'un matériau conducteur ; - une première couche (1') d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage recouvrant la troisième couche (3') et disposée en continuité de la première couche (1) de la partie 10 centrale (PC), la première couche (1) de la partie centrale (PC) et de la partie périphérique (PP) ayant le même niveau de dopage ; - une sixième couche (6) d'un oxyde recouvrant la première couche (1) ; - une quatrième couche (4') d'un matériau conducteur recouvrant la 15 sixième couche (6) ; la quatrième couche (4, 4') formant une marche entre la partie périphérique (PP) et la partie centrale (PC) couvrant une surface latérale de la sixième couche (6) de sorte à assurer une continuité entre la quatrième couche (4) de la partie centrale (PC) et la quatrième couche (4') de la partie 20 périphérique (PP). 13. Dispositif selon l'une des deux revendications précédentes caractérisé en ce que la partie périphérique (PP) comporte une cinquième couche (5') d'un matériau semi-conducteur dopé dans un premier type de dopage, le 25 niveau de dopage de la cinquième couche (5') étant plus élevé que le niveau de dopage de la première couche (1'), la quatrième couche étant située entre la troisième couche (3') et la première couche (1') de la partie périphérique (PP).