FR 3050873 A1 20171103 FR 1653906 A 20160429 1 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE ORGANIQUE MATRICIEL L'invention concerne un dispositif optoélectronique organique et une matrice de tels dispositifs, de type OLED (acronyme anglais de Organic Light- Emitting Diode pour diode électroluminescente organique). Les diodes électroluminescentes organiques présentent des avantages en termes de flexibilité, de coût de fabrication et de compacité pour des applications d'affichage. Certaines applications des OLED, telles que la réalisation d'écrans d'affichage ou de diodes laser organiques, peuvent nécessiter des luminances élevées, de l'ordre de la centaine de cd.m-2. Une augmentation de la densité de courant imposée à une OLED permet d'augmenter sa luminance. Pour une forte densité de courant, la zone d'émission lumineuse d'une OLED comprend une très forte densité d'excitons, entraînant des annihilations d'excitons et ainsi une diminution de l'efficacité du dispositif. De manière générale, une annihilation d'excitons peut être entraînée par des interactions entre deux excitons singulets, entre un exciton singulet et un exciton triplet, entre un exciton singulet et polaron et entre exciton singulet et la chaleur. Hayashi, Kyohei, et al. ("Suppression of roll-off characteristics of organic light-emitting diodes by narrowing current injection/transport area to 50 nm." Applied Physics Letters 106.9, 2015: 093301) ont apporté une solution à ce problème en diminuant la taille des OLED, permettant d'identifier deux régions : une région de courant de porteurs de charge, de recombinaison et de formation des excitons, et une région de désintégration des excitons. La figure 1 illustre schématiquement la coupe d'un dispositif réalisé selon l'art antérieur par Hayashi, Kyohei, et al. Le dispositif 1 comporte une première électrode 4, par exemple fabriquée en oxyde d'indium-étain (ITO), déposée sur un substrat (non représenté), par exemple en verre. Une couche électriquement isolante 8, par exemple en résine, est déposée selon un motif sur la première électrode 4. Le motif est par exemple réalisé par lithographie à faisceau d'électrons. Une couche d'injection des trous 5, une couche d'émission 7 (adaptée pour émettre un rayonnement lumineux) et une couche d'injection des électrons 6 sont successivement déposées sur la première électrode 4 et sur la couche 3050873 2 électriquement isolante 8. Enfin, une seconde électrode 3 est déposée sur l'ensemble des couches. La zone dans laquelle la couche électriquement isolante 8 est gravée correspond à une zone active 11, dans laquelle le transport de porteurs de charge 5 et la formation des excitons sont majoritairement confinés. La figure 2 illustre la densité d'exciton en fonction de la largeur de l'OLED (ou composant), pour une OLED typique. La largeur du composant est définie comme la largeur de la zone active 11, c'est-à-dire la distance représentée par la double flèche correspondant à la zone active 11 dans la figure 1. 10 Typiquement, la largeur d'une OLED peut être de 4 mm. La figure 2 illustre le confinement des excitons à l'intérieur de la zone active 11. Les excitons sont dans ce cas confinés dans une zone correspondant à la zone de courant de porteurs de charge, de recombinaison et de formation des excitons. La figure 3 illustre la densité d'exciton dans une OLED divulguée par 15 Hayashi, Kyohei, et al. La largeur de l'OLED est de 50 nm. La réalisation d'une OLED de cette taille peut-être obtenue en gravant, le long d'une ligne d'une largeur de 50 nm, la couche électriquement isolante 8 par lithographie à faisceau d'électrons. Le courant de porteurs de charge, la recombinaison et la formation des excitons ont lieu dans la zone active 11. Mais dans ce cas, les excitons 20 singulets générés diffusent dans la couche d'émission 7 pendant leur durée de vie, en partie en dehors de la zone active 11. La densité d'exciton (diffuse) est aussi représentée dans la figure 1 par les différents niveaux de gris de la couche d'émission 7. Ainsi, une quantité significative d'excitons se trouve en dehors de la zone active 11. 25 La figure 4 illustre l'efficacité quantique externe riext de différentes OLED selon l'art antérieur. Les courbes (a), (b), (c), (d), (e), (f) et (g) correspondent respectivement à des OLED dont la largeur de la zone active 11 est de 2 mm, 1 i.tm, 400 nm, 200 nm, 100 nm, 50 nm et 50 nm. La courbe (a) illustre la diminution de l'efficacité quantique externe d'une OLED typique (de largeur 30 égale à 2 mm) lors de l'augmentation de la densité de courant imposée par une tension entre une première électrode 4 et une seconde électrode 3. L'extrémité droite de la courbe (a) correspond à une rupture de l'OLED. Cette rupture, à une densité de courant élevée, peut être attribué à la fusion des couches organiques 5, 3050873 3 6, 7. En effet, la résistance des couches organiques entraîne une augmentation de leur température par effet Joule lors d'une augmentation de la densité de courant. Pour une efficacité quantique externe de 1%, une OLED dont la largeur est de 50 nm est caractérisée par une densité de courant égale 104 mA/cm2 tandis qu'une 5 OLED de référence, d'une largeur de 2 mm, est caractérisée par une densité de courant inférieure de plusieurs ordres de grandeur et égale à 350 mA/cm2. La luminance surfacique d'une OLED est une fonction croissante, efficacité quantique externe constante, de la densité de courant appliquée à l'OLED. La réalisation d'un système d'affichage comportant des OLED de 10 dimension nanométrique peut donc théoriquement permettre une luminosité plus élevée par une unité de surface. En revanche, la taille d'un pixel, par exemple comprenant une OLED et un système d'adressage, ne convient pas à la réalisation d'un écran standard. L'invention vise à remédier aux inconvénients précités de l'art antérieur, 15 et plus particulièrement à réaliser un dispositif optoélectronique matriciel, comprenant des OLED nanométriques, adapté à l'affichage. Un objet de l'invention permettant d'atteindre ce but, partiellement ou totalement, est un dispositif optoélectronique comprenant : une première électrode ; 20 une couche électriquement isolante déposée sur ladite première électrode ; une structure multicouche organique agencée au dessus de ladite première électrode et de ladite couche électriquement isolante, ladite structure multicouche organique étant adaptée pour émettre un rayonnement lumineux ; une seconde électrode déposée au dessus de ladite structure multicouche 25 organique ; caractérisé en ce que : ladite couche électriquement isolante est déposée sur ladite première électrode selon un motif, définissant une matrice de zones, dites zones actives, dans lesquelles ladite couche électriquement isolante n'est pas déposée ; 3050873 4 la largeur minimale de chaque dite zone active est inférieure ou égale à vingt fois une longueur caractéristique de diffusion des excitons dans ladite structure multicouche organique. Avantageusement, la largeur minimale de chaque dite zone active du 5 dispositif est inférieure ou égale à 200 nm. Avantageusement, la largeur minimale de chaque dite zone active du dispositif est inférieure ou égale à vingt fois la longueur caractéristique de diffusion des excitons singulets dans ladite structure multicouche organique. Avantageusement, la distance maximale entre deux dites zones actives 10 voisines du dispositif est inférieure ou égale à vingt fois une longueur caractéristique de diffusion des excitons. Avantageusement, la structure multicouche organique du dispositif comprend: une couche d'injection des trous ; 15 une couche d'injection des électrons ; une couche d'émission ; et ladite couche d'émission est agencée entre ladite couche d'injection des trous et ladite couche d'injection des électrons. Avantageusement, ladite couche d'injections de trous du dispositif est en 20 contact avec ladite couche électriquement isolante et avec ladite première électrode dans lesdites zones actives. Avantageusement, l'aire de l'ensemble des zones actives du dispositif est strictement supérieure à 10 % de l'aire de ladite première électrode et strictement inférieure à 90 % de l'aire de ladite première électrode. 25 Avantageusement, la géométrie du contour desdites zones actives du dispositif est choisie parmi une géométrie circulaire, rectangulaire, carrée, linéaire et hexagonale. 3050873 5 Avantageusement, une dite matrice de dites zones actives du dispositif est agencée selon un réseau choisi parmi un réseau orthorhombique et un réseau hexagonal. Un autre objet de l'invention est un dispositif optoélectronique matriciel, 5 comprenant un substrat, une pluralité de dispositifs agencés sur ledit substrat et disposés en matrice, et un réseau de parois diélectriques également agencées sur ledit substrat séparant lesdites premières électrodes desdits dispositifs. Avantageusement, le dispositif optoélectronique matriciel comprend une couche d'encapsulation déposée sur chaque dite seconde électrode. 10 Avantageusement, ledit substrat du dispositif optoélectronique matriciel comprend un circuit électrique adapté à adresser individuellement un potentiel électrique à chaque dite première électrode. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages, détails et 15 caractéristiques de celle-ci apparaîtront au cours de la description explicative qui suit, faite à titre d'exemple en référence aux dessins annexés dans lesquels : - la figure 5 illustre schématiquement un dispositif optoélectronique selon un mode de réalisation de l'invention ; 20 - la figure 6 illustre schématiquement, en vue de dessus, différentes configurations d'une matrice de zones actives d'un dispositif optoélectronique ; - la figure 7 illustre schématiquement une section d'un dispositif 25 optoélectronique matriciel comprenant une matrice de dispositifs optoélectroniques ; - la figure 8 illustre schématiquement, en vue de dessus, un dispositif optoélectronique matriciel. 30 La figure 5 illustre schématiquement un dispositif optoélectronique 13 selon un mode de réalisation de l'invention. Le panneau A de la figure 5 illustre 3050873 6 une section du dispositif optoélectronique 13. Le panneau B de la figure 5 illustre une vue de dessus d'un dispositif optoélectronique 13. La ligne en pointillés du panneau B correspond au plan de section de l'illustration du panneau A de la figure 5. Le dispositif optoélectronique 13 selon le mode de réalisation de 5 l'invention illustré comprend une première électrode 4. Cette première électrode peut être supportée par un substrat 2 (non illustré dans la figure 5). Le matériau d'une première électrode 4 peut être un matériau optiquement transparent, comme de l'oxyde d'indium-étain (ITO) par exemple. Une couche électriquement isolante 8 est déposée sur la première électrode 10 4, selon un motif. Cette couche 8 peut être réalisée en résine photoréticulable et peut être gravée par lithographie à faisceau d'électrons, de manière à permettre la réalisation de motifs nanométriques. En variante, la couche électriquement isolante 8 est réalisée en un matériau diélectrique comme de l'alumine (A1203), Ti02, Hf02, Ta205. Ces diélectriques peuvent être notamment déposés par 15 PECVD ou ALD. L'épaisseur de la couche électriquement isolante 8 peut être comprise entre 0,5 nm et 50 nm, et préférentiellement entre 1 nm et 20 nm. Les zones dans lesquelles la première couche électriquement isolante 8 n'est pas déposée sur la première électrode 4 correspondent aux contours des zones actives 11 dans le plan principal du dispositif optoélectronique 13. Dans une direction 20 normale à ce plan, une zone active 11 s'étend sur l'ensemble des couches du dispositif optoélectronique 13. Ces zones 11 sont illustrées par des rectangles en pointillés dans le panneau A de la figure 5 et par des carrés gris clair dans le panneau B de la figure 5. La surface en gris foncé dans le panneau B de la figure 5 correspond à la zone dans laquelle est déposée la couche électriquement isolante 25 8. Une structure multicouche organique 17 est déposée sur la première électrode 4 et sur la couche électriquement isolante 8. La structure multicouche organique 17 est commune à l'ensemble du dispositif optoélectronique 13. La structure multicouche organique 17 comprend par exemple une couche de 30 collection des électrons 5, une couche d'injection des électrons 6 et une couche d'émission 7. La couche d'émission 7 est agencée entre la couche d'injection de trous 5 et la couche d'injection des électrons 6. La couche d'émission 7 est une couche organique adaptée pour émettre un rayonnement lumineux, par exemple par recombinaison d'excitons en photons. Des couches complémentaires de 3050873 7 transport de trous et/ou de transport d'électrons peuvent également être prévues entre les couches d'injection et la couche d'émission. La structure multicouche organique 17 peut être déposée par enductions successives de matériaux organiques dans un solvant. 5 Une seconde électrode 3 est déposée sur la structure multicouche organique 17. Cette seconde électrode 3 peut être transparente. La couche d'injection de trous 5 peut être directement déposée (c'est-à-dire en contact direct) sur la couche électriquement isolante 8 et sur la première électrode 4, dite dans ce cas anode. Cet agencement définit une structure dite directe du dispositif 10 optoélectronique 13. La couche d'injection des électrons 6 peut être directement déposée sur la couche électriquement isolante 8 et sur la première électrode 4, dite dans ce cas cathode. Cet agencement définit une structure dite inverse du dispositif optoélectronique 13. Une matrice de pixels passifs est définie par la structure des modes de 15 réalisations illustrés en figure 5: chaque zone active 11, ou pixel passif, correspond à une OLED individuelle, dans laquelle un courant électrique peut traverser la zone 11 entre la première électrode 4 et la seconde électrode 3. Des excitons peuvent diffuser en dehors d'une zone active 11, comme illustré dans la figure 3. Cette diffusion peut être caractérisée par une longueur de diffusion. La 20 diffusion des excitons singulets est par exemple décrite par l'équation suivante : D,(1' I 2 IR 0 (1) (k kiir I kisc) dv2 dans laquelle Ds = ah et R = J/(4qd), Ds étant la constante de diffusion d'un exciton singulet, x la longueur suivant un axe compris dans le plan principal du dispositif optoélectronique 13, [Sn la densité d'exciton singulet, [Tl la densité 25 d'exciton triplet, LD la longueur de diffusion caractéristique des excitons singulets dans la couche d'émission 7, r la durée de vie caractéristique d'un exciton singulet, R le taux de génération d'exciton, q la charge électrique, d l'épaisseur de la zone de recombinaison, kr le taux de désexcitation radiative, knr le taux de désexcitation non radiative, kt' le taux d'échange intersystème, kr1SC le 30 taux d'échange intersystème inverse, ktta le taux d'annihilation exciton triplet- exciton triplet, J la densité surfacique de courant électrique. Ces paramètres sont dépendants des matériaux utilisés pour la réalisation d'un dispositif 3050873 8 optoélectronique 13 et peuvent être mesurés par l'homme du métier selon les méthodes divulguées dans Hofmann, Simone, et al., "Singlet exciton diffusion length in organic light-emitting diodes." Physical Review B 85.24 (2012), 245209. Les dimensions des zones actives 11 sont adaptées à reproduire l'effet 5 technique d'une OLED divulguée dans Hayashi, Kyohei, et al. Dans l'ensemble des modes de réalisation de l'invention, la largeur minimale de chaque zone active 11 est inférieure ou égale à vingt fois une longueur caractéristique de diffusion des excitons. Cette largeur minimale des zone active 11 permet une séparation, au moins partielle, d'une région de courant de porteurs de charge, de recombinaison 10 et de formation des excitons, et d'une région de désintégration des excitons. Avantageusement, la largeur minimale de chaque zone active 11 d'un dispositif 13 est inférieure ou égale à 200 nm, préférentiellement inférieure ou égale à 100 nm, et préférentiellement inférieure ou égale à 50 nm. Dans un dispositif OLED de référence (dont la largeur minimale d'une zone active est par exemple de 2mm) et 15 pour une efficacité quantique externe riext de 1 %, la densité surfacique de courant est typiquement de 350 mA/cm2. A riext constant, la densité surfacique de courant d'une OLED de largeur minimale de 50 nm est typiquement de 10 000 mA/cm2. Le rapport de la luminance par unité de surface entre une OLED de largeur minimal de 50 nm et une OLED de référence est donc 28 à riext constant. En 20 considérant que les zones actives 11 couvrent 50 % de la surface d'un plan principal du dispositif optoélectronique 13, la luminance d'un dispositif optoélectronique 13 peut être 14 fois supérieure, à surface de dispositif égale, à celle d'une OLED de référence. Les inventeurs ont découvert que pour une surface de dispositif égale, un dispositif selon un mode de réalisation de 25 l'invention, dont la surface de l'ensemble des zones actives 11 est inférieure à la surface d'un dispositif de référence, peut émettre plus de lumière. Les flèches noires de la figure 5 illustrent des émissions lumineuses dirigées vers le haut du dispositif optoélectronique 13 provenant de la structure multicouche organique 17 de différentes zones actives 11. Dans le mode de 30 réalisation de l'invention illustré, les différentes couches agencées au dessus de la structure multicouche organique 17 sont aptes à transmettre une émission lumineuse. Les émissions lumineuses de la structure multicouche organique 17 d'une zone active 11 peuvent aussi être dirigées vers le bas du dispositif 3050873 9 optoélectronique 13. Un substrat 2 transparent, par exemple en verre, permet dans ce cas de transmettre les émissions lumineuses. La figure 6 illustre schématiquement, en vue de dessus, différentes configurations d'une matrice de zones actives 11 d'un dispositif optoélectronique 5 13. Le panneau A de la figure 6 illustre schématiquement un agencement de zones actives 11 selon un réseau orthorhombique primitif. Dans cet exemple, chaque zone active 11 est délimitée par un contour carré dans un plan principal du dispositif optoélectronique 13. Les zones actives 11 correspondent aux carrés gris clair et la zone dans laquelle est déposée une couche électriquement isolante 8 10 correspond à la zone gris foncé. Le panneau B de la figure 6 illustre schématiquement un agencement de zones actives 11 selon un réseau hexagonal primitif. Dans cet exemple, chaque zone active 11 est délimitée par un contour carré dans un plan principal du dispositif optoélectronique 13. Le panneau C de la figure 6 illustre schématiquement un agencement de zones actives 11 selon un 15 réseau orthorhombique primitif. Dans cet exemple, chaque zone active 11 est délimitée par un contour circulaire dans un plan principal du dispositif optoélectronique 13. Le panneau D de la figure 6 illustre schématiquement un agencement de zones actives 11 selon un réseau hexagonal primitif. Dans cet exemple, chaque zone active 11 est délimitée par un contour circulaire dans un 20 plan principal du dispositif optoélectronique 13. Dans des variantes, la géométrie du contour des zones actives 11 peut être choisie parmi d'autres formes : elle peut être ovale, rectangulaire, linéaire ou hexagonale. Avantageusement, le pas d'un réseau régulier de zones actives 11 et l'aire 25 de chacune des zones actives 11 peuvent être optimisés pour maximiser la luminance d'un dispositif optoélectronique 13. Par exemple, pour une géométrie et une aire données d'une zone active 11 et pour une matrice de zones actives 11 sensiblement identiques, on peut trouver un pas optimisant la luminance du dispositif optoélectronique 13. Ainsi, la distance maximale entre deux zones 30 actives 11 voisines peut être avantageusement inférieure ou égale à vingt fois une distance caractéristique de diffusion des excitons, préférentiellement inférieure ou égale à dix fois et préférentiellement inférieure ou égale à 5 fois une distance caractéristique de diffusion des excitons. Une variation du pas du réseau et de l'aire d'une zone active 11 entraîne une variation de l'aire de l'ensemble des 3050873 10 zones actives 11 du dispositif optoélectronique 13. L'aire de l'ensemble des zones actives 11 est avantageusement strictement supérieure à 10 % de l'aire de la première électrode 4 (c'est-à-dire de l'aire du dispositif optoélectronique 13) et préférentiellement strictement supérieure à 30 % de l'aire de la première électrode 5 4. De plus, l'aire de l'ensemble des zones actives 11 est avantageusement strictement inférieure à 90 % de l'aire de la première électrode 4, et préférentiellement inférieure à 80 % de l'aire de la première électrode 4. Dans une variante, la géométrie du contour des zones actives 11 n'est pas identique. Des zones actives 11 de différentes géométries peuvent être agencées 10 en matrice de manière à optimiser la luminance du dispositif optoélectronique 13. Les zones actives 11 peuvent aussi être agencées de manière aléatoire, c'est-à-dire que le réseau de zones actives 11 n'est pas un réseau régulier. La largeur minimale d'une zone active 11 peut aussi être variable ou polydispersée. La figure 7 illustre schématiquement une section d'un dispositif 15 optoélectronique matriciel 14 comprenant une matrice de dispositifs optoélectroniques 13. Dans ce mode de réalisation de l'invention, une pluralité de dispositifs optoélectroniques 13 sont agencés sur un substrat 2 et disposés en matrice. Un réseau de parois diélectriques 12 est également agencé sur le substrat 2 et sépare les premières électrodes 4 de chaque dispositif optoélectronique 13. 20 Les parois diélectriques 12 permettent d'isoler électriquement les premières électrodes 4 les unes des autres. Le substrat 2 comprend un circuit électrique 16 adapté à adresser individuellement un potentiel électrique à chaque première électrode 4. Cet adressage peut être réalisé, pour chaque dispositif optoélectronique 13, par un 25 circuit électrique (non illustré) comprenant une ligne de données, une ligne de sélection, un ou plusieurs transistors et une ou plusieurs capacités. L'ensemble comprenant un dispositif optoélectronique 13 et un circuit électrique d'adressage individuel définit un pixel actif. Le dispositif optoélectronique matriciel 14 correspond à une matrice de pixels actifs individuellement adressables, chaque 30 pixel actif comprenant une matrice passive de zones actives 11. Une couche d'encapsulation 15 peut être avantageusement déposée sur la ou les secondes électrodes 3 pour protéger les autres couches du dispositif 14. 3050873 11 Les différentes couches de la structure multicouche organique 17 peuvent être communes à l'ensemble du dispositif optoélectronique matriciel 14 comme illustré dans la figure 7. Ces couches peuvent être déposées par enduction centrifuge. 5 La figure 8 illustre schématiquement en vue de dessus un dispositif optoélectronique matriciel 14. La ligne noire en pointillés correspond à la section illustrée en figure 7. Le dispositif optoélectronique matriciel 14, selon le mode de réalisation de l'invention illustré, comprend une matrice de dispositifs optoélectroniques 13 agencés selon un réseau orthorhombique primitif. Chacun 10 des dispositifs optoélectroniques 13 comporte une matrice de zones actives 11 de contours carrés, agencées selon un réseau orthorhombique primitif. REVENDICATIONS1. Dispositif optoélectronique (13) comprenant : - une première électrode (4) ; - une couche électriquement isolante (8) déposée sur ladite première électrode (4) ; - une structure multicouche organique (17) agencée au dessus de ladite première électrode (4) et de ladite couche électriquement isolante (8), ladite structure multicouche organique (17) étant adaptée pour émettre un rayonnement lumineux ; - une seconde électrode (3) déposée au dessus de ladite structure multicouche organique (17) ; caractérisé en ce que : - ladite couche électriquement isolante (8) est déposée sur ladite première électrode (4) selon un motif, définissant une matrice de zones, dites zones actives (11), dans lesquelles ladite couche électriquement isolante (8) n'est pas déposée ; - la largeur minimale de chaque dite zone active (11) est inférieure ou égale à vingt fois une longueur caractéristique de diffusion des excitons dans ladite structure multicouche organique (17). 2. Dispositif optoélectronique (13) selon la revendication précédente dans lequel la largeur minimale de chaque dite zone active (11) est inférieure ou égale à 200 nm. 3. Dispositif optoélectronique (13) selon l'une des revendications précédentes dans lequel la largeur minimale de chaque dite zone active (11) est inférieure ou égale à vingt fois la longueur caractéristique de diffusion des excitons singulets dans ladite structure multicouche organique (17). 3050873 13 4. Dispositif optoélectronique (13) selon l'une des revendications précédentes dans lequel la distance maximale entre deux dites zones actives (11) voisines est inférieure ou égale à vingt fois une longueur caractéristique de diffusion des 5 excitons. 5. Dispositif optoélectronique (13) selon l'une des revendications précédentes dans lequel ladite structure multicouche organique (17) comprend : - une couche d'injection des trous (5) ; 10 - une couche d'injection des électrons (6) ; - une couche d'émission (7) ; et dans lequel ladite couche d'émission (7) est agencée entre ladite couche d'injection des trous (5) et ladite couche d'injection des électrons (6). 15 6. Dispositif optoélectronique (13) selon la revendication précédente dans lequel ladite couche d'injections de trous (5) est en contact avec ladite couche électriquement isolante (8) et avec ladite première électrode (4) dans lesdites zones actives (11). 20 7. Dispositif optoélectronique (13) selon l'une des revendications précédentes dans lequel l'aire de l'ensemble des zones actives (11) est strictement supérieure à 10 % de l'aire de ladite première électrode (4) et strictement inférieure à 90 % de l'aire de ladite première électrode (4). 25 8. Dispositif optoélectronique (13) selon l'une des revendications précédentes dans lequel la géométrie du contour desdites zones actives (11) est choisie parmi une géométrie circulaire, rectangulaire, carrée, linéaire et hexagonale. 3050873 14 9. Dispositif optoélectronique (13) selon l'une des revendications précédentes dans lequel une dite matrice de dites zones actives (11) est agencée selon un réseau choisi parmi un réseau orthorhombique et un réseau hexagonal. 5 10. Dispositif optoélectronique matriciel (14), comprenant un substrat (2), une pluralité de dispositifs (13) selon l'une des revendications 1 à 9 agencés sur ledit substrat (2) et disposés en matrice, et un réseau de parois diélectriques (12) également agencées sur ledit substrat (2) séparant lesdites premières électrodes (4) desdits dispositifs (13). 10 11. Dispositif optoélectronique matriciel (14) selon la revendication précédente comprenant une couche d'encapsulation (15) déposée sur chaque dite seconde électrode (3). 15 12. Dispositif optoélectronique matriciel (14) selon l'une des revendications 10 à 11, dans lequel ledit substrat (2) comprend un circuit électrique (16) adapté à adresser individuellement un potentiel électrique à chaque dite première électrode (4).