FR 3061902 A1 20180720 FR 1750423 A 20170119 1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE MEMS ET/OU NEMS COMPORTANT AU MOINS DEUX ELEMENTS SUSPENDUS A UN SUPPORT A DES DISTANCES DIFFERENTES DUDIT SUPPORT DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE La présente invention se rapporte à un procédé de réalisation d'une structure microélectromécanique et/ou nanoélectromécanique comportant au moins deux éléments suspendus à un support, chaque élément étant suspendu au support à une distance différente de celle auquel l'autre élément est suspendu. Dans le domaine des systèmes microélectromécaniques ou MEMS (Microelectromechanical systems en terminologie anglo-saxonne) et/ou nanoélectromécaniques ou NEMS (Nanoelectromechanical systems en terminologie anglo-saxonne), fréquemment un ou plusieurs éléments suspendus par rapport à un support ou substrat sont mis en oeuvre. Les éléments suspendus peuvent être mis en oeuvre dans des dispositifs fonctionnant sur le principe de la détection catharométrique, dans laquelle on mesure la conductivité par mesure de température d'un élément chauffant. Un tel élément chauffant est par exemple un fil suspendu dans une cavité fluidique contenant le gaz ou mélange gazeux à analyser. L'élément est suspendu au-dessus d'un support formant réservoir thermique à une distance donnée. Or cette distance également appelé « gap » est une caractéristique importante dans la mesure de la conductivité thermique. Il peut être intéressant de disposer d'un dispositif comportant plusieurs éléments suspendus à un support, la distance entre chaque élément suspendu et le support étant différente de celles séparant les autres éléments suspendus et le support. Par example le document "Flow compensation in a MEMS dual-thermal conductivity detector for hydrogen sensing in natural gas", G. de Graff et al. (Transducers 2015, Anchorage, USA) met en oeuvre deux membranes disposées à des distances différentes par rapport à un support, afin de s'affranchir des effets de débit sur les 3061902 2 mesures. Chaque membrane est suspendue au-dessus d'une chambre qui est séparée de l'autre chambre, les chambres présentant des profondeurs différentes. Le procédé de fabrication mentionné dans ce document ne décrit pas comment des profondeurs différentes sont obtenues. 5 EXPOSÉ DE L'INVENTION C'est par conséquent un but de la présente invention d'offrir un procédé de fabrication d'une structure MEMS et/ou NEMS comportant plusieurs éléments suspendus dans une même cavité, dans laquelle les éléments sont suspendus à des distances différentes du fond de la cavité. 10 Le but énoncé ci-dessus est atteint par un procédé de fabrication dans lequel, à partir d'un empilement d'au moins un support et d'une couche structurée comprenant les différents éléments suspendus, un masque est mis en oeuvre au-dessus de la couche structurée, le masque comprenant des ouvertures, les ouvertures présentant au moins deux tailles différentes, chaque taille étant associée à au moins un 15 élément suspendu. Le procédé comporte en outre l'application d'une gravure anisotrope pour graver le support à des profondeurs différentes dépendantes de la taille des ouvertures et une gravure isotrope pour former au moins une cavité sous les éléments suspendus. Grâce à l'invention, il est alors aisé de réaliser simultanément des 20 distances entre le support et les éléments suspendus différentes. En outre, il est possible de réaliser une structure dans laquelle les éléments sont suspendus dans une même cavité et situés des distances différentes du fond de la cavité. Pour cela le fond de la cavité est structurée en marche d'escalier ou sensiblement en plan incliné. 25 En d'autres termes, le procédé utilise la relation entre le taux d'ouvertures du masque et la profondeur de gravure en répartissant, dans le masque de gravure, des ouvertures de taille différentes au-dessus d'une couche structurée contenant les éléments suspendus. Il est alors possible de graver sous chaque élément 3061902 3 suspendu sur une profondeur donnée et de fixer individuellement une distance entre un élément suspendu et le support. Dans un exemple de réalisation, le masque comporte n zones, comportant chacune des ouvertures de taille donnée différente de celle des ouvertures 5 des autres zones, chaque zone étant disposée au-dessus d'un élément suspendu. Ainsi on obtient un support comportant un fond comprenant des marches de hauteurs différentes dépendant de la taille des ouvertures. Dans un autre exemple de réalisation, les éléments suspendus sont disposés les uns à côtés des autres le long d'une direction donnée, et la taille des 10 ouvertures varie progressivement de manière monotone dans un sens ainsi le fond forme sensiblement un plan incliné. Le procédé permet de réaliser une structure comprenant un grand nombre d'éléments suspendus sans que le procédé soit rendu plus complexe. Le procédé selon l'invention est particulièrement adapté à la réalisation 15 d'un dispositif d'analyse d'un mélange gazeux mettant en oeuvre la détection catharométrique et utilisant plusieurs éléments suspendus à des distances différentes du fond d'une cavité fluidique, ce qui permet de déterminer : - dans le cas où le mélange gazeux comporte deux espèces, les concentrations des deux espèces et la pression du mélange gazeux, 20 - dans le cas où le mélange gazeux comportant trois espèces de pression connue, les concentrations des trois espèces du mélange gazeux. La présente invention a alors pour objet un procédé de réalisation d'une structure microélectromécanique et/ou nanoélectromécanique comportant n éléments suspendus à un support, n étant un entier supérieur ou égal à 2, une cavité réalisée dans 25 le support, ladite cavité présentant m profondeurs différentes dans une direction orthogonale à un plan moyen de la structure, m étant un entier supérieur ou égal à 2, comprenant : - la réalisation d'un masque sur un empilement comportant un substrat et une couche structurée formée sur le substrat, ladite couche structurée comportant les n éléments destinés à être suspendus au-dessus de la cavité, le masque étant formé au- 3061902 4 dessus de la couche structurée, ledit masque comportant des ouvertures de sections différentes, les ouvertures étant réparties en au moins m zones, chaque zone comportant des ouvertures de même section, - gravure anisotrope du substrat à travers le masque et la couche 5 structurée de sorte à définir les au moins m profondeurs dans le substrat, - gravure isotrope du substrat pour former ladite cavité, les n éléments étant alors suspendus au-dessus de la cavité. Par exemple, ladite cavité présente une première dimension et une deuxième dimension dans des directions orthogonales et contenu dans un plan moyen de 10 la structure ; les ouvertures du masque de gravure sont alors par exemple réparties sensiblement en ligne et en colonne, les lignes étant alignées suivant la direction de la première dimension de la cavité et les colonnes étant alignées suivant la direction de la deuxième dimension. Chaque zone peut comporter plusieurs colonnes successives, les 15 sections des ouvertures étant par exemple identiques pour chaque colonne d'une même zone et différentes pour les colonnes de zones différentes, de sorte à former une cavité comportant un fond présentant des marches de profondeur différentes, chaque marche correspondant à une zone. En variante, chaque zone comporte une colonne, la section des 20 ouvertures de chaque colonne variant de manière monotone au moins le long la direction de la première dimension de sorte à former une cavité munie d'un fond formant sensiblement un plan incliné. Avantageusement, la gravure isotrope est une gravure ionique réactive profonde. 25 De préférence, chaque zone est formée au moins à l'aplomb d'un élément de la couche structurée et les ouvertures de chaque zone sont formées au moins à l'aplomb des espaces entre deux éléments de la couche structurée. Les éléments destinés à être suspendus peuvent être des membranes munies de trous, des ouvertures de chaque zone du masque de gravure étant également 30 formées à l'aplomb des trous des membranes. 3061902 5 L'empilement peut comporter une couche sacrificielle entre la couche structurée et le substrat, le procédé peut alors comporter en outre une étape de retrait de la couche sacrificielle pour désolidariser les éléments suspendus de la couche sacrificielle, par exemple au moyen d'acide fluorhydrique. 5 La couche structurée est par exemple en Si ou en SiN + Pt. De préférence, l'empilement est réalisé à partir d'un substrat SOI et la couche structurée est obtenue par structuration de la couche de silicium monocristallin. Le procédé de réalisation comporte avantageusement l'étape de scellement d'un capot après la libération des éléments suspendus, au-dessus de la cavité 10 et en regard des éléments suspendus. Par exemple, n est égal à m et chaque élément suspendu est suspendu au-dessus de la cavité à une distance différente d'un fond de celle-ci. Le procédé de réalisation peut en outre comporter: - la réalisation de connexions électriques au niveau des éléments 15 suspendus, - réalisation de moyens de chauffage des éléments suspendus, - connexion des éléments suspendus à des moyens de polarisation et à des moyens de mesure de la résistance électrique des éléments suspendus. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS 20 La présente invention sera mieux comprise sur la base de la description qui va suivre et des dessins en annexe sur lesquels: - les figures 1A à 1R sont des représentations schématiques d'éléments obtenus lors d'étapes d'un exemple du procédé de réalisation selon l'invention, - les figures 2A et 2B sont des vues de dessus des éléments des figures 25 1J et 1J', - la figure 3 est une vue en coupe longitudinale schématique d'un exemple de réalisation d'une structure pouvant être obtenue par le procédé selon l'invention et le masque 2B, 3061902 6 - la figure 4 est une vue en coupe longitudinale schématique d'un autre exemple de réalisation d'une structure pouvant être obtenue par le procédé selon l'invention et le masque 2A, - les figures 5A à 5D sont des vues de dessus de différents exemples 5 d'éléments suspendus pouvant être mis en oeuvre par le présent procédé, - les figures 5A' et 5B' sont des vues en coupe transversale selon le plan A-A' et B-B ' respectivement des figures 5A et 5B. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Sur les figures 3 et 4, on peut voir des exemples de structures pouvant 10 être obtenues avec le procédé selon l'invention. Sur la figure 3, la structure D1 comporte un support 1 et au moins un canal 2 réalisé dans ce support 1. Le support est par exemple un substrat, par exemple en semi-conducteur ou en verre. Le canal comporte un fond 4 et des parois latérales. La structure comporte également trois éléments de mesure 51, S2, S3 15 disposés l'un à côté de l'autre dans la direction F. Le plan moyen de la structure est le plan contenant les éléments suspendus. Dans l'exemple représenté, les éléments de mesure 51, S2, S3 sont disposés parallèlement les uns par rapport aux autre et sont suspendus sensiblement 20 perpendiculairement à la direction du flux F. Les éléments suspendus peuvent présenter des formes très variées. Sur les figures 5A à 5D, on peut voir différents exemples de réalisation d'un seul élément de mesure vu de dessus et sur les figures 5A' et 5B' on peut voir des vues en coupe selon le plan A-A' et B-B' des figures 5A et 5B respectivement, les vues en coupe des figures 5C et 25 5D seraient similaires à la figure 5B'. Sur la figure 5A, l'élément de mesure est un fil droit, sur la figure 5B il s'agit d'un fil en en forme de serpentin, sur les figures 5C et 5D, les éléments de mesure sont des membranes suspendus ajourées. En variante, les membranes pourraient être 3061902 pleines. De préférence tous les éléments de mesure d'un capteur sont de structure identique ou similaire. Il peut être envisagé de fonctionnaliser la surface des éléments de mesure. Dans ce cas les propriétés des éléments de mesure sont modifiées par les 5 espèces chimiques en présence dans la phase gazeuse, par exemple la masse. L'élément de mesure Si est à une distance g1 du fond du canal, l'élément de mesure 52 est à une distance g2 du fond du canal et l'élément de mesure S3 est à une distance g3 du fond du canal. Les distances gl, g2 et g3 sont différentes. Dans l'exemple représenté g1 10 est inférieure à g2, qui est elle-même inférieure à g3. Dans l'exemple représenté, le fond 4 du canal est incliné vers le bas dans le sens F et est contenu dans un plan. Sur la figure 4, la structure D2 comporte un fond 4' en forme de marche d'escalier et est donc contenu dans plusieurs plans parallèles entre eux. 15 Dans les exemples décrits, la distance entre l'élément suspendu et le fond du canal varie de manière monotone. Mais le procédé selon l'invention permet d'envisager que g1 et g3 soient supérieures à g2 et g3 supérieure à gl. Un exemple du procédé de réalisation selon l'invention d'un dispositif d'analyse similaire à celui de la figure 4 comportant deux éléments de mesure selon 20 l'invention va maintenant être décrit à l'aide des figures 1A à 1R. On utilise par exemple un substrat 200 silicium sur isolant ou SOI (Silicon On Insulate en terminologie anglo-saxonne). Le substrat est représenté sur la figure 1A. Le substrat 200 comporte un substrat support en silicium 202, une couche d'oxyde de silicium 204 et une couche de silicium monocristallin 206 sur la couche d'oxyde 204. En 25 variant, le substrat peut être un substrat silicium Si oxydé sur lequel une couche de Si amorphe ou polycristallin est formée. Lors d'une étape suivante, un forme un couche d'oxyde 208 sur la couche 206, puis on réalise une implantation d'ions Bore. L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 1B. 3061902 8 Lors d'une étape suivante, la couche d'oxyde est retirée par exemple par gravure chimique à base d'acide fluorhydrique (HF). L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 1C. Lors d'une étape suivante, la couche de silicium 206 est structurée par 5 exemple par photolithographie et gravure afin de former les éléments de mesure. L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 1D. Lors d'une étape suivante, une couche protectrice 210 est formée sur les éléments sensibles, il s'agit par exemple d'une couche d'oxyde, d'épaisseur par exemple 500 nm. La couche 210 est par exemple déposée par une technique de dépôt 10 chimique en phase vapeur. La couche 210 est ensuite planarisée. L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 1E. Lors d'une étape suivante, la couche 210 est structurée pour former des accès 212 à la couche 206 en dehors de la partie comprenant les éléments de mesure. Cette structuration est réalisée par photolithographie et gravure. 15 L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 1F. Dans une étape suivante, on réalise les plots de contact 213 au niveau des accès 212. Une couche métallique 214, par exemple du AlSi est formée sur la couche 210, par exemple par dépôt, et est ensuite structurée par exemple par gravure. L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 1G. 20 Lors d'une étape suivante une autre couche d'oxyde 216 est formée sur la couche 210 et sur les plots de contact 213, par exemple par dépôt. Elle présente par exemple une épaisseur de 1 um. Une couche de Si amorphe 218 est ensuite formée sur la couche 216, d'épaisseur par exemple de 100 nm. La couche 218 peut être formée en tout matériau qui est résistant au HF et qui peut être gravé par photo-lithogravure, par 25 exemple du nitrure de bore. L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 1H. Lors d'une étape suivante, les couches 216 et 218 sont structurées pour dégager la partie active du capteur, cette structuration est par exemple réalisée par photolithographie et gravure. 30 L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 11. 3061902 9 Les éléments obtenus avec les étapes qui suivent sont représentés dans deux plans de coupe au niveau de chaque élément de mesure. Lors d'une étape suivante, une couche d'oxyde 220 est déposée. Ensuite une couche de résine 221 est déposée, celle-ci est destinée à former un masque. 5 Lors d'une étape suivante, la couche 221 est structurée par photolithographie de sorte à former des ouvertures dans la couche 221. L'étape de photolithographie est telle que des premières ouvertures 222 présentant une première section sont réalisées dans une zone Al de la couche 221 au droit du premier élément de mesure Si (figure 1.1) et des deuxièmes ouvertures 224 10 présentant une deuxième section sont réalisées dans une zone de la couche 220 au droit du premier élément de mesure S2 (figure if). La première section et la deuxième section sont différentes. Dans l'exemple représenté, la première section est supérieure à la deuxième section. Sur la figure 2A, on peut voir l'élément des figures 1.1 et 1.1' vu de dessus 15 représenté de manière schématique. On distingue les deux zones Al, A2 du masque 221 avec des ouvertures 222 et 224 de sections différentes. Ce masque 221 permet de réaliser une structure comportant deux marches tel que représenté sur la figure 4. Le masque 221 comporte des colonnes d'ouvertures disposées les unes à côté des autres. Dans l'exemple représenté plusieurs colonnes ont des ouvertures de 20 même section. Les colonnes s'étendent sur toute la largeur des éléments suspendus dans la direction Y. La section des ouvertures dans le masque détermine la profondeur de gravure comme cela sera expliqué par la suite. En réalisant deux zones avec chacune comportant des ouvertures de section donnée, il est possible de réaliser des gravures de 25 deux profondeurs différentes. Le masque formé dans la couche d'oxyde a également pour fonction de permet de structurer les différentes couches autour des éléments de mesure. Pour réaliser la structure D2, le masque comporte trois zones avec des ouvertures de sections différentes. 3061902 10 Sur la figure 2B, on peut voir un autre exemple de réalisation d'un masque dans lequel la section des ouvertures varie progressivement de manière monotone le long de la direction X, et permettant de réaliser un fond incliné sensiblement plan tel que représenté sur la figure 3. Dans l'exemple représenté, la 5 sections des ouvertures 222' varie d'une colonne à l'autre et est croissante de la gauche vers la droite dans la représentation de la figure 2B. La variation de la section des ouvertures est très progressive d'une colonne d'ouvertures à l'autre et les ouvertures sont très proches les unes des autres afin d'assurer une variation quasi-continue de la profondeur de gravure et limiter l'apparition 10 de marche En variante encore, les deux masques des figures 2A et 2B pourraient être combinés afin de réaliser une cavité dont le fond comporterait des paliers et des parties inclinées. Dans les exemples des figures 2A et 2B, les ouvertures sont de forme 15 rectangulaire mais ceci n'est pas limitatif, elles pourraient être de forme carrées, ronde... Lors d'une étape suivante, on réalise une gravure jusqu'à atteindre le substrat 200, par exemple par gravure anisotrope. Des ouvertures atteignant le substrat 200 ayant la première section sont ainsi formées dans la première zone et des ouvertures atteignant le substrat 202 ayant la deuxième section sont ainsi formées dans la deuxième 20 zone. L'élément ainsi obtenu est représenté sur les figures 1K, 1K'. Lors d'une étape suivante, on réalise une gravure du substrat par exemple par gravure ionique réactive profonde ou DRIE (pour Deep Reactive Ion Etching en terminologie anglo-saxonne). Du fait des ouvertures de section plus grande dans la 25 première zone Al que dans la deuxième zone A2, la gravure dans le substrat 202 est plus profonde sous la première zone Al que sous la deuxième zone A2. Le substrat comporte alors une pluralité de cavités dont la profondeur dépend de la section de l'ouverture qui a permis sa gravure. L'élément ainsi obtenu est représenté sur les figures 1L et 1L'. 3061902 11 Lors d'une étape suivante, le substrat 202 est structuré pour réunir les ouvertures dans la première zone et d'autre les ouvertures dans la deuxième zone. Cette structuration est par exemple réalisée par gravure isotrope. La gravure grave les parois latérales des cavités qui sont alors réunies en une seule cavité. La gravure isotrope a 5 également pour effet de graver le substrat vers l'extérieur sous les plots de contact, l'épaisseur de matériau entre les cavités est alors telle que, lors de la gravure isotrope, toute cette épaisseur est gravée avant qu'une gravure trop importante au niveau des plots de contact n'ait lieu. Les écartements des ouvertures dans le masque sont alors choisis en conséquence. 10 Dans cet exemple, en tenant compte de la quantité d'oxyde encapsulant les nanostructures en Si et du rapport de la sélectivité de la gravure Si isotrope vis-à-vis du 5i02, qui est environ de 1000, la distance entre les ouvertures peut atteindre 50u.m. L'élément ainsi obtenu est représenté sur les figures 1M, 1M' et correspond à la structure selon l'invention. 15 Lors d'une étape suivante, l'oxyde des couches 204, 210 et 216 autour des éléments suspendus est retiré par exemple par de l'acide fluorhydrique. L'élément El ainsi obtenu est représenté sur la figure 1N et 1N'. Il peut être prévus suivant l'utilisation faite de la structure des figures 1N et 1N' de lui ajouter un capot pour former une cavité fermée et/ou protéger les 20 éléments suspendus. Un exemple de réalisation d'un tel capot et d'assemblage avec la structure des figures 1N et 1N' va maintenant être décrit. Un capot est fabriqué par ailleurs par exemple à partir d'un substrat 300 en silicium, un autre matériau semi-conducteur, voire un substrat, pourrait convenir. 25 Le substrat 300 est représenté sur la figure 10. Une ouverture ou évidement 302 est réalisé en face avant du substrat, par exemple de 100 um de profondeur, par exemple par photolithographie et gravure. L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 1P. 3061902 12 Lors d'une étape suivante, un cordon de scellement 304 est formé en face avant de sorte à entourer l'évidement. Le cordon est par exemple en matériau polymère et est par exemple déposé. L'élément E2 ainsi obtenu est représenté sur la figure 10. 5 Lors d'une étape suivante, l'élément El est scellé sur l'élément E2 de sorte que l'évidement soit en regard des éléments de mesure. Le scellement est par exemple réalisé par thermocompression. D'autres types de scellement métalliques avec cordons permettant une thermocompression Au/Au, eutectique Au/Si pourraient être envisagés. 10 L'élément ainsi obtenu est représenté sur la figure 1R et forme le dispositif d'analyse. Les plots de contacts sont destinés à être reliés à un circuit électronique comportant à la fois les moyens de polarisation des éléments de mesure, de mesure des résistances électriques des éléments de mesure et de traitement des mesures pour déterminer la concentration en espèces gazeuses et éventuellement la pression du 15 mélange. Il sera compris que le procédé de réalisation selon l'invention s'applique à la réalisation d'une structure à n éléments suspendus, chacun suspendu à une distance différente du support, n étant un entier supérieur ou égal 2. Le procédé permet avantageusement la réalisation simultanée d'un grand nombre d'éléments suspendus 20 sans que le procédé soit rendu plus complexe. En variante, les sections d'ouvertures dans le masque pourraient être réparties de sorte que la profondeur du fond augmente de manière non monotone. Par exemple, il pourrait être prévue quatre zones d'ouvertures, une première zone avec des ouvertures de section si, une deuxième zone avec des ouvertures de section s2, une 25 troisièmes zone avec des ouvertures de sections 3 et une quatrième zone avec des ouvertures de section s4. Les zones seraient disposées les unes à côté des autres le long de la direction X de la première zone à la quatrième zone, la section si étant inférieure à s2, s2 est inférieure à s3 et s3 étant supérieure à s4. 3061902 13 De même dans le cas d'ouvertures dont la section varie progressivement, on pourrait prévoir que la variation progressive ne soit pas monotone. Le fond de la cavité comporterait alors des pentes d'orientations opposées. En variante encore, une variation de profondeur dans la direction Y 5 associée ou non à une variation de profondeur dans la direction X ne sort pas du cadre de la présente invention. Dans l'exemple de procédé décrit ci-dessus, les éléments suspendus sont tous suspendus dans la même cavité, mais on pourrait envisager qu'ils soient suspendus dans des cavités distinctes et de réaliser simultanément des cavités de 10 profondeurs différentes, chaque cavité pouvant elle-même présentés plusieurs profondeurs. Il sera compris également que, si la réalisation de profondeurs différentes sous les éléments suspendus a été décrite en détail, les étapes de gravures isotrope et anisotrope agissent également sur les zones entre les éléments suspendus. 15 La distance entre les colonnes d'ouvertures est fixée par la disposition et la forme des éléments suspendus. Dans le cas d'éléments suspendus formés par des membranes comportant des trous, les ouvertures des maques sont alignées avec les espaces entre les membranes et avec les trous dans les membranes. 20 Il sera également compris que plusieurs éléments suspendus successifs pourraient être à une même distance du fond de la cavité, par exemple le fond de la cavité comporterait des paliers s'étendant sous plusieurs éléments suspendus. Le procédé de réalisation selon l'invention est particulièrement adapté à la réalisation d'un dispositif d'analyse d'un mélange gazeux mettant en oeuvre la 25 détection catharométrique comportant plusieurs éléments suspendus à des distances différentes d'un support formant un réservoir thermique. La cavité forme un canal alimenté avec le mélange gazeux à analyser. Le dispositif comporte également des moyens de polarisation 6 des éléments suspendus, des moyens de chauffage 10 des éléments suspendus et des moyens 30 de mesure 8 de la résistance électrique des éléments suspendus (figure 5A). 3061902 14 Les résistances électriques des éléments suspendus sont mesurées. En connaissant pour chaque élément suspendu, la fonction reliant la conductivité thermique à la résistance électrique mesurée il est possible de remonter à la composition du mélange gazeux. 5 En mettant en oeuvre des éléments suspendus à différents hauteurs et en tenant compte du libre parcours moyen du mélange gazeux qui dépend de la distance entre les élément suspendus et le support, il est possible de déterminer la composition d'un mélange de deux espèces et sa pression et de déterminer la composition d'un mélange de trois espèces connaissant la pression du mélange gazeux. 10 REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une structure microélectromécanique et/ou nanoélectromécanique comportant n éléments suspendus à un support, n étant un entier supérieur ou égal à 2, une cavité réalisée dans le support, ladite cavité présentant m profondeurs différentes dans une direction orthogonale à un plan moyen de la structure, m étant un entier supérieur ou égal à 2, comprenant : - la réalisation d'un masque sur un empilement comportant un substrat et une couche structurée formée sur le substrat, ladite couche structurée comportant les n éléments destinés à être suspendus au-dessus de la cavité, le masque étant formé au- dessus de la couche structurée, ledit masque comportant des ouvertures de sections différentes, les ouvertures étant réparties en au moins m zones, chaque zone comportant des ouvertures de même section, - gravure anisotrope du substrat à travers le masque et la couche structurée de sorte à définir les au moins m profondeurs dans le substrat, - gravure isotrope du substrat pour former ladite cavité, les n éléments étant alors suspendus au-dessus de la cavité. 2. Procédé de réalisation selon la revendication 1, dans lequel ladite cavité présente une première dimension et une deuxième dimension dans des directions orthogonales et contenu dans un plan moyen de la structure, et dans lequel les ouvertures du masque de gravure sont réparties sensiblement en ligne et en colonne, les lignes étant alignées suivant la direction de la première dimension de la cavité et les colonnes étant alignées suivant la direction de la deuxième dimension. 3. Procédé de réalisation selon la revendication 2, dans lequel chaque zone comporte plusieurs colonnes successives, les sections des ouvertures étant identiques pour chaque colonne d'une même zone et différentes pour les colonnes de zones différentes, de sorte à former une cavité comportant un fond présentant des marches de profondeur différentes, chaque marche correspondant à une zone. 3061902 16 4. Procédé de réalisation selon la revendication 2, dans lequel chaque zone comporte une colonne, la section des ouvertures de chaque colonne variant de manière monotone au moins le long la direction de la première dimension de sorte à former une cavité munie d'un fond formant sensiblement un plan incliné. 5 5. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel la gravure isotrope est une gravure ionique réactive profonde. 6. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 5, dans 10 lequel chaque zone est formée au moins à l'aplomb d'un élément de la couche structurée et les ouvertures de chaque zone sont formées au moins à l'aplomb des espaces entre deux éléments de la couche structurée. 7. Procédé de réalisation selon la revendication 6, dans lequel les 15 éléments destinés à être suspendus sont des membranes munies de trous, des ouvertures de chaque zone du masque de gravure étant également formées à l'aplomb des trous des membranes. 8. Procédé de réalisation selon l'une des revendication1 à 7, dans 20 lequel l'empilement comportant une couche sacrificielle entre la couche structurée et le substrat, le procédé comporte en outre une étape de retrait de la couche sacrificielle pour désolidariser les éléments suspendus de la couche sacrificielle, par exemple au moyen d'acide fluorhydrique. 25 9. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la couche structurée est en Si ou en SiN + Pt. 10. Procédé de réalisation selon la revendication 9, dans lequel l'empilement est réalisé à partir d'un substrat SOI et dans lequel la couche structurée est 30 obtenue par structuration de la couche de silicium monocristallin. 3061902 17 11. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 10, comportant l'étape de scellement d'un capot après la libération des éléments suspendus, au-dessus de la cavité et en regard des éléments suspendus. 5 12. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel n est égal à m et chaque élément suspendu est suspendu au-dessus de la cavité à une distance différente d'un fond de celle-ci. 13. Procédé de réalisation d'un dispositif d'analyse d'un mélange 10 gazeux mettant en oeuvre le procédé selon l'une des revendications 1 à 12, et comportant : - la réalisation de connexions électriques au niveau des éléments suspendus, - réalisation de moyens de chauffage des éléments suspendus, 15 - connexion des éléments suspendus à des moyens de polarisation et à des moyens de mesure de la résistance électrique des éléments suspendus.