FR 3061354 A1 20180629 FR 1663133 A 20161222 6 1 3 5 4 1 Procédé de réalisation de composant comprenant des matériaux III-V et des contacts compatibles de filière silicium Le domaine de l'invention est celui de la co-intégration de matériaux III-V sur substrat standard tel que le silicium et pouvant être réalisée sur une plateforme silicium pouvant accueillir des plaques de 100 s mm de diamètre minimum. La co-intégration visée s'inscrit dans le cadre d'une intégration présentant un « back-end » planarisé compatible avec la filière Silicium 100 mm ou plus. Les contacts actuellement intégrés sur matériaux III-V font appel à des procédés tel que le « lift-off » (le métal est déposé sur la résine et les 10 zones d'intérêts puis la résine est dissoute ce qui retire le métal présent au dessus de la résine en laissant le métal sur les zones d'intérêts) ainsi qu'à une multitude de métaux très couteux ou prohibés des salles blanches Silicium comme décrit dans l'article : A. Baca, F. Ren, J. Zolper, R. Briggs, and S. Pearton, "A survey of ohmic contacts to III-V compound 15 semiconductors, " Thin Solid Films, vol. 308-309, pp. 599-606, 1997, ou dans l'article de G. Stareev, H. Kunzel, and G. Dortmann, "A controllable mechanism of forming extremely low-resistance nonalloyed ohmic contacts to group III-V compound semiconductors," Journal of Applied Physics, vol. 74, no. 12, p. 7344, 1993. 20 Une telle intégration, non planaire, n'ouvre pas la voie à la réalisation de plusieurs niveaux supérieurs ou à la co-intégration d'autres objets. La miniaturisation et la densification des composants sont ainsi limitées. Finalement, la multiplication du nombre de couches présentes 25 dans les contacts actuels (entre 3 et 5), rend l'intégration complexe et non optimale. Un exemple typique d'intégration non planaire de contacts est fourni dans les références : B. Ben Bakir, C. Sciancalepore, A. Descos, H. Duprez, D. Bordel, L. Sanchez, C. Jany, K. Hassan, P. Brianceau, V. Carron, and S. Menezo, "Heterogeneously integrated III-V on silicon 30 lasers," Meeting Abstracts, vol. MA2014-02, no. 34, p. 1724, 2014 et H. Duprez, A. Descos, T. Ferrotti, J. Harduin, C. Jany, T. Card, A. Myko, L. Sanchez, C. Sciancalepore, S. Menezo, and B. Ben Bakir, "Heterogeneously integrated III-V on silicon distributed feedback lasers at 306 1 3 5 4 2 1310 nm," in Optical Fiber Communications Conference and Exhibition (OFC), 2015, pp. 1-3, March 2015. La figure 1 reprend ce type de configuration pour application laser avec des reprises de contacts non planaires et composés de métaux nobles s pour reprise direct sur les matériaux III-V. Sur un substrat InP dopé n, on réalise une structure de région active à base de multi-puits quantiques MQW, sur laquelle on vient réaliser l'empilement d'une couche InP dopée p et d'une couche InGaAs dopée p. On réalise des reprises de contacts via des plots de contact n-Pad pour connecter le substrat dopé n permettant de définir un 10 contact inférieur et des reprises de contacts via des plots de contact p-Pad pour connecter la couche dopée p en InGaAs, permettant de définir un contact supérieur. Dans ce contexte, la présente invention propose un procédé permettant de réaliser des contacts sur matériaux III-V compatibles 15 notamment avec la filière silicium permettant ainsi une co-intégration matériaux III-V/Silicium sur une plateforme traitant des plaques de 100 mm de diamètre au minimum. Cette invention ouvre ainsi la voie à un produit fini intégré dans une salle blanche compatible silicium traitant des plaques de 100 mm ou 20 plus, compact et présentant au moins deux niveaux de contacts planaires réalisés simultanément ou séquentiellement. Plus précisément, la présente invention a pour objet un procédé de réalisation d'un composant comprenant une structure en matériau(x) III-V à la surface d'un substrat, ladite structure comprenant au moins un niveau 25 supérieur de contact défini à la surface d'un premier matériau III-V et un niveau inférieur de contact défini à la surface d'un second matériau III-V, comportant : - des opérations successives d'encapsulation par au moins un diélectrique de ladite structure ; 30 - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure primaire et d'au moins une ouverture inférieure primaire dans un diélectrique de manière à définir des zones de fond de contact sur ledit premier matériau III-V et sur ledit second matériau Ill-V ; 3061354 3 - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure secondaire et d'au moins une ouverture inférieure secondaire dans un diélectrique de manière à définir des zones de plots de contacts sur lesdites zones de fond de contact ; s - le remplissage au moins partiel par au moins une matière métallique de ladite au moins ouverture supérieure primaire, de ladite au moins ouverture inférieure primaire, de ladite au moins ouverture supérieure secondaire et de ladite au moins ouverture inférieure secondaire de manière à réaliser : 10 o au moins un contact supérieur dudit premier matériau III-V en contact avec le niveau supérieur de contact et comprenant au moins une métallisation de fond de contact supérieur et au moins un plot de contact supérieur en contact avec 15 ladite métallisation ; o au moins un contact inférieur dudit second matériau III-V en contact avec ledit niveau inférieur de contact et comprenant au moins une métallisation de fond de contact inférieur et au 20 moins un plot de contact inférieur en contact avec ladite métallisation ; - au moins ledit contact supérieur et au moins ledit contact inférieur sont intégrés dans du diélectrique et présentent une surface définie dans un même plan. 25 On définit ainsi le caractère planaire comme étant l'ensemble des contacts émergeants sur un même plan. Pour aboutir à ce résultat, les contacts inférieurs (pour la partie remplissage) peuvent être réalisés en une ou plusieurs étapes. On définit par matière métallique : 30 - les métaux purs, les alliages de métaux, les alliages métal + élément non métallique ; - les composés intermétalliques (différent d'un alliage dans sa construction cristallographique). 3061354 4 L'intégration de type planaire ouvre la voie à une intégration 3D, par le biais d'un collage hybride ou direct (par exemple photonique / électronique) ou du report de puces par le biais de bumps. Dans le cadre d'une co-intégration III-V/Si, la réalisation d'un s back-end (correspondant à l'ensemble des étapes constituant les interconnexions par liaisons métalliques) planarisé permet également d'envisager la reprise de contact sur les dispositifs des niveaux inférieurs (back-end front side ou intermétallique par exemple). Selon des variantes de l'invention, la structure présente une base 10 inférieure en second matériau III-V et une mesa en premier matériau III-V située au dessus de ladite base. Selon des variantes de l'invention, le procédé comprend la réalisation successive d'au moins une ouverture supérieure primaire et d'au moins une ouverture inférieure primaire. 15 Il peut être intéressant d'optimiser indépendamment les métallisations de contact sur chacun des matériaux présents dans le composant III-V afin de minimiser les résistances de contact associées. Selon des variantes de l'invention, le procédé comprend la réalisation simultanée d'au moins une ouverture supérieure secondaire et 20 d'au moins une ouverture inférieure secondaire. Selon des variantes de l'invention, le procédé comporte : - l'encapsulation par du diélectrique d'un ensemble comprenant le premier matériau III-V recouvert d'une métallisation et le second matériau III-V recouvert d'une métallisation ; 25 - la réalisation d'au moins une ouverture inférieure secondaire en regard du second matériau III-V; - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure secondaire au dessus dudit premier matériau III-V et la réalisation d'au moins une ouverture inférieure secondaire supplémentaire au 30 dessus d'au moins ladite ouverture inférieure secondaire ; - le remplissage d'au moins ladite ouverture supérieure secondaire, d'au moins une ouverture inférieure secondaire supplémentaire et d'au moins ladite ouverture inférieure secondaire. 3061354 Selon des variantes de l'invention, la structure comprenant au moins un matériau III-V dit supérieur, un matériau III-V dit intermédiaire, un matériau III-V dit inférieur, le procédé comprend : - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure primaire, s d'au moins une ouverture intermédiaire primaire, d'au moins une ouverture inférieure primaire ; - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure secondaire, d'au moins une ouverture intermédiaire secondaire et d'au moins une ouverture inférieure secondaire ; - le remplissage desdites ouvertures. Selon des variantes de l'invention : - au moins ladite ouverture inférieure secondaire comporte trois portions de dimensions différentes ; - au moins ladite ouverture intermédiaire secondaire comporte deux portions de dimensions différentes ; - au moins ladite ouverture supérieure secondaire comporte une portion. Selon des variantes de l'invention, le procédé comprend les étapes suivantes : - l'encapsulation de ladite structure par un premier diélectrique ; - la réalisation d'au moins une ouverture inférieure primaire débouchant sur ledit second matériau III-V ; - le dépôt de métallisation à la surface dudit premier diélectrique et à la surface dudit second matériau semiconducteur définissant une métallisation de contact inférieur et un premier ensemble ; - l'encapsulation dudit premier ensemble par un second diélectrique ; - la planarisation dudit premier ensemble encapsulé ; - la réalisation d'au moins une ouverture inférieure secondaire débouchant sur ladite métallisation de fond de contact inférieur ; - le remplissage par au moins une matière métallique de ladite au moins ouverture inférieure secondaire définissant au moins 3061354 6 un plot de contact dudit contact inférieur et un second ensemble ; - l'encapsulation dudit second ensemble par un troisième diélectrique ; s - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure primaire au dessus dudit premier matériau III-V; - le dépôt de métallisation à la surface dudit troisième matériau diélectrique et de ladite ouverture supérieure définissant une métallisation de fond de contact supérieur et un troisième 10 ensemble ; - l'encapsulation dudit troisième ensemble par un quatrième diélectrique ; - la planarisation dudit troisième ensemble ; - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure secondaire 15 au dessus de ladite métallisation de fond de contact supérieur et au moins une ouverture supérieure au dessus au moins dudit plot de contact dudit contact inférieur ; - le remplissage par au moins une matière métallique de ladite au moins ouverture supérieure secondaire au dessus de ladite 20 métallisation de fond de contact supérieur et de ladite au moins ouverture supérieure au dessus au moins dudit plot de contact dudit contact inférieur, définissant au moins un plot supérieur de contact supérieur et au moins une prolongement de plot de contact inférieur, ledit contact supérieur et au moins ledit 25 contact inférieur présentant une surface définie dans un même plan Selon des variantes, le procédé comporte les étapes suivantes : - l'encapsulation de ladite structure par un premier diélectrique ; - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure primaire 30 débouchante sur ledit premier matériau III-V; - le dépôt de métallisation à la surface dudit premier diélectrique et à la surface dudit premier matériau semiconducteur définissant une métallisation de contact supérieur et un premier ensemble ; 3061354 7 - l'encapsulation dudit premier ensemble par un second diélectrique ; - la planarisation dudit premier ensemble encapsulé ; - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure secondaire s débouchant sur ladite métallisation de fond de contact supérieur ; - le remplissage par au moins une matière métallique de ladite au moins ouverture supérieure secondaire définissant au moins un plot de contact dudit contact supérieur et un second 10 ensemble ; - la réalisation d'au moins une ouverture inférieure primaire au dessus dudit second matériau III-V; - le dépôt de métallisation à la surface dudit premier matériau diélectrique et de ladite ouverture inférieure primaire définissant 15 une métallisation de contact inférieur et un troisième ensemble ; - l'encapsulation dudit troisième ensemble par un quatrième diélectrique ; - la planarisation dudit troisième ; - la réalisation d'au moins une ouverture inférieure secondaire au 20 dessus de ladite couche de fond de contact inférieur; - le remplissage par au moins une matière métallique de ladite au moins ouverture inférieure secondaire, définissant au moins un plot de contact inférieur, ledit contact supérieur et au moins ledit contact inférieur présentant une surface définie dans un 25 même plan. Selon des variantes, le procédé comprend : - la réalisation simultanée d'au moins une ouverture supérieure primaire et d'au moins une ouverture inférieure primaire ; - la réalisation simultanée d'au moins une ouverture supérieure 30 secondaire et d'au moins une ouverture inférieure secondaire. Selon des variantes de l'invention, le procédé comprend la réalisation d'un niveau supplémentaire de contact à la surface desdits contacts planaires, comportant : - un dépôt supplémentaire de diélectrique ; 3061354 8 - la réalisation d'au moins une ouverture supplémentaire inférieure et d'au moins une ouverture supplémentaire supérieure ; - le remplissage desdites ouvertures supplémentaires par au 5 moins une matière métallique pour définir au moins un contact supplémentaire inférieur et au moins un contact supplémentaire supérieur. Selon des variantes de l'invention, le procédé comporte la réalisation d'ouvertures inférieures primaires présentant une largeur 10 comprise entre 20 pm et 50 pm et la réalisation d'ouvertures inférieures secondaires présentant une largeur comprise entre 0,5 pm et 5 pm, préférentiellement comprise entre 1 pm et 3 pm. Selon des variantes de l'invention, le premier matériau III-V et le second matériau III-V sont choisis parmi : 15 Le premier matériau III-V peut être constitué de matériau III-V tel que InP, Ini,GaxAs (avec 0 x 1), GaAs, InAs, du GaSb, Ini,GaxSb, InxGai,Asi_yPy, Gai,InxP, InxGai,Asi_yNy, BxlnyGai_x_yAs. Le second matériau III-V peut également être constitué de matériau III-V tel que InP, Ini,GaxAs (avec 0 x 1), GaAs, InAs, du GaSb, 20n 1..i_xGaxSb, InxGai_xAsi_yPy, GalnxP, InxGai_xAsi_yNy, BxlnyGai_x_yAs... Selon des variantes de l'invention le substrat est en silicium. Selon des variantes de l'invention, le ou les diélectriques sont choisis parmi : SiN, 5i02, A1203, un polymère planarisant pouvant être à base de Benzocyclobutène (BCB) ou SOG. 25 Selon des variantes de l'invention, on réalise le dépôt d'un métal tel que Ni2P, Ni3P, NiGe, TiP, TiGe dans lesdites ouvertures primaires. Selon des variantes de l'invention, on réalise le dépôt d'un métal tel que Ni, Ti et alliage comme NiPt, NiTi, NiCo dans lesdites ouvertures primaires. 30 Selon des variantes de l'invention, les opérations de remplissage comprennent : - le dépôt d'une barrière de diffusion pouvant être composée d'une ou plusieurs couches de matériau choisi parmi : TiN, Ti/TiN, TaN, Ta/TaN, W (sans fluor) ; 3061354 9 - le dépôt d'un métal de remplissage choisi parmi : W, Cu, Al, AlCu, AlSi. Concernant la barrière de diffusion, W est sans fluor car la barrière est déposée par CVD (voie chimique) dont le précurseur ne contient pas de s F contrairement au W de remplissage. Le F étant néfaste pour les dispositifs c'est pour cela qu'une barrière est utilisée. Cette barrière peut servir également à faciliter la nucléation du métal de remplissage (W, Cu, Al...). L'élément W est particulièrement intéressant dans le cadre de la présente invention car assez peu résistif et facile de mise en oeuvre, il peut 10 ainsi être avantageusement utilisé pour remplir les ouvertures secondaires. Selon des variantes de l'invention, le dépôt de métallisation est suivi d'un traitement thermique ayant pour but de former un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s). Selon des variantes de l'invention, le composant étant un laser, le 15 procédé de l'invention comprend une opération pour réaliser un guide en matériau semiconducteur pouvant être du Si, dans un substrat diélectrique pouvant être en 5i02. Selon des variantes de l'invention, le composant étant un laser, le procédé de l'invention comprend la réalisation d'un contact supérieur 20 circulaire pour permettre l'émission verticale du rayonnement laser. L' invention a encore pour objet le composant obtenu selon le procédé de l'invention. Le composant peut être un laser à émission par la tranche, ou à émission verticale. Il peut également s'agir avantageusement d'un 25 composant comprenant une série de matériaux III-V différents présentant des longueurs d'onde d'absorption différentes pour élargir la bande d'absorption du composant. La présente invention peut s'appliquer à une multitude de configurations de départ, telles que : 30 - des reports III-V sur tout type de substrat par exemple sur Si puces à plaques ; - des plaques à plaques ; - des épitaxies de III-V sur substrat Si, III-V, ou tout substrat définitif ou temporaire permettant la croissance cristalline de III/V. Il est à noter qu'il convient d'avoir au moins un germe 3061354 10 cristallin de structure cristallographique identique à celui du matériau III/V que l'on veut faire croitre et des paramètres de maille proches de la couche en croissance. Au-delà de 5% de différence entre les paramètres de maille, le cristal est s défectueux (dislocation, joint d'antiphase voire polycristallin). Ceci est impossible sur substrat amorphe type verre. Les substrats de départ peuvent être de diamètre 100 mm ou plus. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages 10 apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles : - la figure 1 illustre un exemple de composant à base de matériaux III-V de l'art antérieur ; - la figure 2 illustre un exemple de structure de matériaux III-V 15 sur substrat employée dans des exemples de procédé de l'invention ; - la figure 3 illustre un exemple de composant réalisé dans le cadre de la présente invention ; - les figures 4a à 4o illustrent les différentes étapes d'un premier 20 exemple de procédé de l'invention comprenant la réalisation des contacts inférieurs puis celle des contacts supérieurs ; - les figures 5a à 5n illustrent les différentes étapes d'un deuxième exemple de procédé de l'invention comprenant la réalisation des contacts supérieurs puis celle des contacts 25 inférieurs ; - les figures 6a à 6h illustrent les différentes étapes d'un troisième exemple de procédé de l'invention comprenant la réalisation simultanée des contacts inférieur et supérieur ; - les figures 7a à 7d illustrent les différentes étapes d'un 30 quatrième exemple de procédé de l'invention comprenant la réalisation simultanée d'ouvertures supérieures et inférieures secondaires à double niveau ; - la figure 8 illustre une étape d'intégration d'un niveau supplémentaire de contact pouvant être utilisé dans des 35 variantes de procédé de l'invention ; 3061354 11 - la figure 9 illustre un premier exemple de composant laser réalisé selon le procédé de l'invention : - la figure 10 illustre un second exemple de composant laser réalisé selon le procédé de l'invention ; s - la figure 11 illustre un exemple de composant obtenu selon le procédé de l'invention dans cadre d'une intégration photonique ; - la figure 12 illustre un exemple de composant absorbant dans différentes gammes de longueur d'onde grâce à l'utilisation d'au 10 moins trois niveaux de matériaux III-V différents, et réalisé selon le procédé de l'invention. Dans la description détaillée ci-après décrit différents modes de réalisation de l'invention sont décrits. 15 L'intégration des contacts est présentée sur deux niveaux mais est applicable à une multitude de niveaux présentant entre eux une topographie de niveaux de contacts différents au niveau des matériaux III-V. L'invention est décrite ci-après dans le cadre d'un substrat 9 sur lequel est réalisée une structure comprenant un matériau III-V de base 2 et 20 un matériau III-V supérieur 1 comme illustré en figure 2, dans lequel on pourra réaliser une mesa présentant une surface inférieure à celle matériau III-V de base. Dans l'ensemble de la description on référence ci-après : - un premier matériau III-V : 1 ; 25 - un second matériau III-V: 2 ; - un substrat : 9 ; - un ou plusieurs matériau(x) diélectrique(s) : 8 ; - une métallisation : 3; - une barrière de diffusion : 4 ; 30 - un matériau de remplissage métallique : 5; Un contact supérieur Csup est défini à partir d'au moins une ouverture supérieure primaire Osp et à partir d'au moins une ouverture supérieure secondaire Oss. 3061354 12 Un contact intermédiaire Cint est défini à partir d'au moins une ouverture intermédiaire primaire Otp et à partir d'au moins une ouverture intermédiaire secondaire Ots. Un contact inférieur Chif est défini à partir d'au moins une s ouverture inférieure primaire Oip et d'au moins une ouverture inférieure secondaire Ois. De manière générale, on définit une métallisation de fond d'ouverture primaire et un plot de contact dans une ouverture secondaire. Le contact est ainsi constitué d'au moins la métallisation de fond d'ouverture et 10 du plot de contact en contact avec ladite métallisation. La figure 3 montre un exemple de composant mettant en évidence, sur un substrat 9, les matériaux III-V 1 et 2, des métallisations 3 servant de métallisations de fond de contact, sur lesquelles sont réalisés des 15 plots de contact comprenant des barrières de diffusion 4, les ouvertures secondaires sont remplies de métal de remplissage 5. L'ensemble est encapsulé dans un diélectrique 8. La figure 3 met en évidence les niveaux de contact : un niveau inférieur nrif, un niveau supérieur Nsup. Selon cet exemple, il peut être prévu un niveau supplémentaire Nsup/supl sur lequel 20 peuvent être réalisés des plots de contact remplis de barrière de diffusion 7 et de métal de remplissage 6. Le premier matériau III-V peut être constitué de matériau III-V tel que InP, Ini,GaxAs (avec 0 x 1), GaAs, InAs, du GaSb, Ini,GaxSb, InxGai,Asi_yPy, Gai,InxP, InxGai,Asi_yNy, BxlnyGai_x_yAs. 25 Le second matériau III-V peut également être constitué de matériau III-V tel que InP, Ini,GaxAs (avec 0 x 1), GaAs, InAs, du GaSb, Ini,GaxSb, InxGai,Asi_yPy, Gai,InxP, InxGai,Asi_yNy, BxlnyGai_x_yA. Il peut être identique au premier matériau ou différent de ce dernier. Selon la présente invention, les niveaux supérieurs des contacts 30 supérieur(s) et inférieur(s) sont situés dans un même plan. Premier exemple de procédé selon l'invention comprenant la réalisation de contacts inférieurs suivie de celle de contact supérieur : Les figures relatives à cet exemple montrent des vues en coupe 35 de contacts pouvant être circulaires ou linéaires. 306 1 3 5 4 13 Première étape : On procède à l'encapsulation de la structure préalablement réalisée et comportant une mesa en un premier matériau III-V 1 à la surface s d'une base en un matériau III-V 2 sur un substrat 9. Le (les) diélectriques 8 utilisés peuvent être : SiN, Si02, A1203, polymère de type planarisant par exemple à base de benzocyclobutane (BCB), ou de type: SOG « Spin-On-Glass » : dépôt de diélectrique amorphe par centrifugation. 10 Le dépôt peut être monocouche ou multicouches. Les diélectriques sont déposés par PVD (dépôt physique en phase vapeur), CVD (dépôt chimique en phase vapeur) et/ou ALD (dépôt de couches minces atomique. Typiquement la température de dépôt peut être 550 °C, préférentiellement 450 °C. 15 Le stress des couches réalisées peut avantageusement être 200 MPa, préférentiellement 100 MPa. La figure 4a illustre cette étape d'encapsulation. Deuxième étape : 20 On procède à la planarisation du diélectrique par une opération de CMP pour "chemical mechanical planarization" ou "chemical mechanical polishine (planarisation ou polissage mécano chimique) ou de retrait partiel par gravure sèche « etch back » dans le cas d'un polymère planarisant Il existe certains polymères qui ont la propriété d'être auto-25 nivellant. C'est-à-dire qu'ils vont remplir en premier lieu les parties inférieures avant les parties supérieures. Mais pour être assuré de remplir les cavités entièrement le dépôt est plus épais que la profondeur de la cavité. Il convient ensuite de diminuer l'épaisseur du surplus de dépôt. Cela peut être fait par une gravure sèche sur l'ensemble de la plaque appelée « etch back ». 30 H est possible également d'utiliser une opération de lithographie / gravure localisée sur la topographie avant CMP . La figure 4b illustre cette étape de planarisation. 35 3061354 14 Troisième étape : On procède à la réalisation d'ouvertures inférieures primaires Oip dédiées au contact inférieur. Typiquement les dimensions D1, D2, D3 et D4 peuvent être les s suivantes : La dimension D1 (largeur de diélectrique de part et d'autre de la mesa en matériau III-V 1) est au minimum de 200 nm et préférentiellement comprise entre 2 et 3 pm. La dimension D2 (largeur des ouvertures inférieures primaires) 10 peut être comprise entre 20 et 50 pm. La dimension D3 (épaisseur de diélectrique) est comprise entre 0,5 pm et 5 pm, préférentiellement entre 5 et 3 pm. La dimension D4 (largeur centrale entre les deux ouvertures inférieures primaires) peut être comprise entre 0,5 pm et 10 pm, 15 préférentiellement comprise entre 1 et 5 pm Pour cela on réalise la gravure localisée du diélectrique (dans le cas de plusieurs couches) pour déboucher sur le matériau III-V 2. On peut réaliser la gravure en une seule fois jusqu'au matériau III-V 2 par une opération de gravure sèche. Dans ce cas, la présence d'une couche d'arrêt à 20 la gravure est optionnelle. On peut procéder également à des opérations de gravures séquentielles : une première gravure sèche utilisée pour graver une partie du de l'empilement diélectrique avec arrêt sur une couche d'arrêt (SiN, A1203, Si02, BCB, SOC préférentiellement SiN) puis utilisation d'une gravure sèche 25 ou humide pour graver la couche d'arrêt et les éventuelles couches sous-jacentes et déboucher sur le matériau III-V 2. Cette (ces) gravure(s) peut (peuvent) être réalisée(s) directement via la résine utilisée pour la photolithographie ou préférentiellement à l'aide d'un masque dur composé par exemple de SiN. 30 Cette étape de réalisation d'ouvertures est illustrée en figure 4c. Quatrième étape : On procède au dépôt d'une métallisation compatible avec une filière silicium pour définir le contact inférieur permettant d'éviter l'emploi de 35 métaux nobles, métaux non utilisés par la filière silicium. 3 06 13 5 4 15 La métallisation compatible avec une filière silicium peut être réalisée selon deux options : - option 1 : (a) on réalise le dépôt d'un métal 3 compatible avec une filière s silicium tel que Ni2P, Ni3P, NiGe, TiP, TiGe...; On peut procéder à la stabilisation des phases par un traitement thermique optionnel réalisé après le dépôt métallique ; (b) on réalise le dépôt d'un métal 3 compatible avec une filière silicium tel que Ni, Ti et alliage comme NiPt, NiTi, NiCo... ; to - option 2 : on réalise le dépôt d'un métal compatible avec une filière silicium (Ni, Ti et leurs alliages) ; puis on procède à un traitement thermique ayant pour but de réaliser une réaction à l'état solide entre le métal et le matériau III-V menant à la formation d'un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s). 15 Les températures de dépôt sont préférentiellement 450 °C La température de recuit est préférentiellement 450 °C Selon l'option 1, on dépose le métal ou le composé intermétallique et on utilise le travail de sortie de ce dernier. Dans ce cas le recuit sert à guérir les défauts d'interface et cristalliser le métal ou le 20 composé. Selon l'option 2, on dépose le métal, on le fait réagir pour former le composé intermétallique ayant le travail de sortie visé. Dans ce cas le recuit sert à la réaction à l'état solide. Un retrait sélectif du métal n'ayant pas réagi peut-être réalisé 25 après traitement thermique. On obtient alors un ensemble El illustré en figure 4d. Cinquième étape : On procède à une étape d'encapsulation de l'ensemble El par du 30 diélectrique 8. Le (les) diélectrique(s) utilisés peuvent être: SiN, 5i02, AI203, polymère de type planarisant (par exemple BCB, SOG). Le dépôt peut être monocouche ou multicouches. Ils sont déposés par PVD, CVD et/ou ALD ; La température de dépôt est 450 °C, préférentiellement 300 °C. 35 Cette étape est illustrée en figure 4e. 3061354 16 Les opérations de stabilisation des phases ou de traitement thermique pour former un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s) peuvent être réalisées à l'issue de cette étape, si elles n'ont pas été réalisées à l'issue de la quatrième étape. s Sixième étape : On procède à la planarisation du diélectrique par une opération de CMP ou une opération de type « etch back » dans le cas d'un polymère planarisant. 10 La planarisation CMP ou « etch back » peuvent être réalisées : - si le retrait sélectif n'a pas été effectué à la quatrième étape, jusqu'au retrait du métal ; - si le retrait sélectif n'a pas été effectué à la quatrième étape, et si l'opération de type CMP ou « etch back » du métal est 15 impossible, avec arrêt sur le métal. L'étape de retrait sélectif du métal peut alors être réalisée pour obtenir une structure comme illustré en figure 4f ; - si le retrait sélectif a été effectué à la quatrième étape, jusqu'à obtenir une structure comme illustré en figure 4f. 20 Typiquement, la hauteur D5 représentée (épaisseur de diélectrique au dessus du matériau III-V 1) peut être comprise entre 200 nm et 1 pm. Les opérations de stabilisation des phases ou de traitement thermique pour former un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s) peuvent 25 être réalisées à l'issue de cette étape, si elles n'ont pas été réalisées à l'issue de la quatrième étape ou à l'issue de la cinquième étape. Septième étape : On procède à une opération d'ouvertures inférieures secondaires 30 supérieures Ois-, destinées aux plots de connexion. Pour cela on procède à une gravure du stack diélectrique pour déboucher sur la métallisation 3 au niveau inférieur. La gravure est réalisée en une seule fois jusqu'à la métallisation : gravure sèche. Dans ce cas, la présence d'une couche d'arrêt à la gravure 35 est optionnelle. 3 06 13 5 4 17 On peut procéder à des gravures séquentielles : une première gravure sèche est utilisée pour graver une partie du stack diélectrique avec arrêt sur une couche d'arrêt (SiN, A1203, Si02, BCB, SOC, préférentiellement SiN), puis une gravure sèche ou humide est utilisée pour graver la couche s d'arrêt et les éventuelles couches sous-jacentes et déboucher sur la métallisation 3. Cette (ces) gravure(s) peut (peuvent) être réalisée(s) directement via la résine utilisée pour la photolithographie ou à l'aide d'un masque dur composé par exemple de SiN. Typiquement la dimension D6 (largeur des 10 ouvertures inférieures secondaires) représentée de diélectrique peut être comprise entre 0,5 pm et 5 pm et de préférence comprise entre 1 pm et 3 pm. Cette étape est illustrée en figure 4g. Huitième étape : 15 On procède au remplissage des ouvertures inférieures secondaires et opération de CMP pour réaliser des plots de connexion. Le remplissage des ouvertures inférieures secondaires est fait en deux temps : - on procède au dépôt d'une barrière de diffusion / d'une couche d'accroche ou de nucléation 4. Elle peut être composée de TiN, 20 Ti/TiN, TaN, Ta/TaN ou de W déposés par CVD, PVD ou ALD ; - on procède au dépôt d'un métal de remplissage 5 (W, Cu, AlCu, AlSi) déposé par CVD, ECD ou PVD. Une opération de CMP est finalement réalisée pour décontacter les plots. Le métal étant présent au sommet des cavités entre deux plots, un 25 court-circuit est donc inévitable. L'opération de CMP permet de retirer uniquement le métal hors des plots et donc de décontacter. On constitue un nouvel ensemble E2. L'ensemble de ces étapes est illustré en figure 4h. 30 Neuvième étape : On procède à une opération d'encapsulation par un diélectrique 8. Le (les) diélectriques utilisés peuvent être : SiN, 5i02, A1203, un polymère de type planarisant (par exemple BCB, SOG). Le dépôt peut être monocouche ou multicouches. Les diélectriques sont déposés par PVD, CVD et/ou ALD. 35 La température de dépôt 450 °C, préférentiellement 300 °C.Typiquement 3061354 18 la hauteur D7 représentée de diélectrique peut être comprise entre 200 nm et 1 pm et de préférence comprise entre 200 nm et 500 nm. Cette étape est illustrée en figure 4i. s Dixième étape : On procède à la réalisation d'ouverture supérieure primaire Osp pour réaliser un contact supérieur. On procède à la gravure du stack diélectrique pour déboucher sur le matériau III-V 1. La gravure peut être réalisée en une seule fois jusqu'au 10 matériau III-V 1 par gravure sèche. Dans ce cas, la présence d'une couche d'arrêt à la gravure est optionnelle. On peut procéder à des gravures séquentielles : une première gravure sèche est utilisée pour graver une partie du stack diélectrique avec arrêt sur une couche d'arrêt (SiN, A1203, Si02, BCB, SOC préférentiellement 15 SiN) puis une gravure sèche ou humide est utilisée pour graver la couche d'arrêt et les éventuelles couches sous-jacentes et déboucher sur le matériau III-V1. Cette (ces) gravure(s) peut (peuvent) être réalisée(s) directement via la résine utilisée pour la photolithographie ou préférentiellement à l'aide 20 d'un masque dur composé par exemple de SiN. Cette étape est illustré en figure 4j. Onzième étape : On procède au dépôt de la métallisation 3 compatible avec une 25 filière silicium destinée au contact supérieur. La métallisation compatible avec une filière silicium peut être réalisée de deux façons : - option 1 : (a) on réalise le dépôt d'un métal 3 compatible avec une filière silicium tel que Ni2P, Ni3P, NiGe, TiP, TiGe...; 30 On peut procéder à la stabilisation des phases par un traitement thermique optionnel réalisé après le dépôt métallique ; (b) on réalise le dépôt d'un métal 3 compatible avec une filière silicium tel que Ni, Ti et alliage comme NiPt, NiTi, NiCo... ; - option 2 : on réalise le dépôt d'un métal compatible avec une filière 35 silicium (Ni, Ti et leurs alliages) ; puis on procède à un traitement thermique 3061354 19 ayant pour but de réaliser une réaction à l'état solide entre le métal et le matériau III-V menant à la formation d'un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s). La température recuit est préférentiellement 450 °C s Un retrait sélectif du métal n'ayant pas réagi peut-être réalisé après traitement thermique. On obtient un troisième ensemble E3. Cette étape est illustrée en figure 4k. Douzième étape : 10 On procède à l'encapsulation du troisième ensemble E3. Le (les) diélectrique(s) utilisés peuvent être: SiN, Si02, A1203, polymère de type planarisant (par exemple BCB), SOG. Le dépôt peut être monocouche ou multicouches. Ils sont déposés par PVD, CVD et/ou ALD. La température de dépôt 450 °C, préférentiellement 300 °C. 15 Cette étape est illustrée en figure 41. Les opérations de stabilisation des phases ou de traitement thermique pour former un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s) peuvent être réalisées à l'issue de cette étape, si elles n'ont pas été réalisées à l'issue de la onzième étape. 20 Treizième étape : On procède à une opération de planarisation. La planarisation ou l'etch back peuvent être réalisés : - si le retrait sélectif n'a pas été effectué à la onzième étape, 25 jusqu'au retrait du métal ; - si le retrait sélectif n'a pas été effectué à la onzième étape, et si la l'opération de CMP ou de « etch back » du métal est impossible, avec arrêt sur le métal. L'étape de retrait sélectif du métal peut alors être réalisée pour obtenir une structure comme 30 représenté en figure 4m ; - si le retrait sélectif a été effectué à la onzième étape, jusqu'à obtenir la structure illustrée en figure 4m. Les opérations de stabilisation des phases ou de traitement thermique pour former un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s) peuvent 3061354 20 être réalisées à l'issue de cette étape, si elles n'ont pas été réalisées à l'issue de la onzième étape ou à l'issue de la douzième étape. Quatorzième étape : s On procède à la réalisation d'ouverture supérieure secondaire Oss et à la réalisation d'ouvertures supplémentaires supérieures Ois2 au dessus au moins des plots de contact d'un contact inférieur. On procède à la gravure du stack diélectrique pour déboucher sur la métallisation du niveau de contact supérieur et sur les plots de contact du 10 contact inférieur. La gravure est réalisée en une seule fois jusqu'à la métallisation 3 et jusqu'aux plots du niveau inférieur, par gravure sèche. Dans ce cas, la présence d'une couche d'arrêt à la gravure est optionnelle. On peut procéder à des opérations de gravures séquentielles : 15 une première gravure sèche est utilisée pour graver une partie du stack diélectrique avec arrêt sur une couche d'arrêt (SiN, A1203, Si02, BCB, SOC, préférentiellement SiN) sur la métallisation de fond de contact supérieur et sur les plots du contact inférieur ; On peut utiliser une gravure sèche ou humide pour graver la 20 couche d'arrêt et les éventuelles couches sous-jacentes et déboucher sur la métallisation 3. Cette (ces) gravure(s) peut (peuvent) être réalisée(s) directement via la résine utilisée pour la photolithographie ou à l'aide d'un masque dur composé par exemple de SiN. 25 Cette étape est illustrée en figure 4n Quinzième étape : On procède au remplissage des ouvertures définies à l'étape précédente. 30 Le remplissage des ouvertures est réalisé en deux temps : - on procède au dépôt d'un dépôt d'une barrière de diffusion / d'une couche d'accroche ou de nucléation. Elle peut être composée de TiN, Ti/TiN, TaN, Ta/TaN ou de W déposés par CVD, PVD ou ALD ; 3061354 21 - on procède au dépôt d'un métal de remplissage (W, Cu, AlCu, AlSi..) déposé par CVD, ECD ou PVD. Une opération de CMP est finalement réalisée pour décontacter les plots. s Cette étape est illustrée en figure 4o et conduit à la réalisation des contacts supérieur Csup et inférieur Cinf. Une alternative au premier exemple de procédé peut comprendre une réalisation séquentielle des ouvertures primaires couplée à une 10 réalisation simultanée des ouvertures secondaires. Second exemple de procédé selon l'invention comprenant la réalisation de contacts supérieur suivie de celle de contacts inférieurs: 15 Première étape : On procède à l'encapsulation de la structure préalablement réalisée et comportant une mesa en un premier matériau III-V 1 à la surface d'une base en un matériau III-V 2 sur un substrat 9. 20 Le (les) diélectriques 8 utilisés peuvent être : SiN, 5i02, A1203, polymère de type planarisant (par exemple BCB, SOG). Le dépôt peut être monocouche ou multicouches. Les diélectriques sont déposés par PVD, CVD et/ou ALD. Typiquement la température de dépôt peut être 450 °C, préférentiellement 25 300°C. Le stress des couches réalisées peut être 200 MPa, préférentiellement 100 MPa. La figure 5a illustre cette étape d'encapsulation. 30 Deuxième étape : On procède à la planarisation du diélectrique par une opération de type CMP ou de type « etch back » dans le cas d'un polymère planarisant. Il est possible également d'utiliser une opération de lithographie / gravure localisée sur la topographie avant CMP. La figure 5b illustre cette étape de 35 planarisation. 3061354 22 Troisième étape : On procède à la réalisation d'ouverture supérieure primaire Osp dédiée au contact supérieur. s Pour cela on réalise la gravure localisée du diélectrique (dans le cas de plusieurs couches) pour déboucher sur le matériau III-V 1. On peut réaliser la gravure en une seule fois jusqu'au matériau III-V 1 par une opération de gravure sèche. Dans ce cas, la présence d'une couche d'arrêt à la gravure est optionnelle. 10 On peut procéder également à des opérations de gravures séquentielles : une première gravure sèche utilisée pour graver une partie du stack diélectrique avec arrêt sur une couche d'arrêt (SiN, A1203, Si02, BCB, SOC préférentiellement SiN) puis utilisation d'une gravure sèche ou humide pour graver la couche d'arrêt et les éventuelles couches sous-jacentes et 15 déboucher sur le matériau III-V1. Cette (ces) gravure(s) peut (peuvent) être réalisée(s) directement via la résine utilisée pour la photolithographie ou préférentiellement à l'aide d'un masque dur composé par exemple de SiN. Cette étape de réalisation d'ouvertures est illustrée en figure 5c. 20 Quatrième étape : On procède au dépôt d'une métallisation 3 compatible avec une filière silicium sur le matériau III-V1. La métallisation peut être réalisée selon deux options : 25 - OPtiOrl 1 : (a) on réalise le dépôt d'un métal 3 compatible avec une filière silicium tel que Ni2P, Ni3P, NiGe, TiP, TiGe...; On peut procéder à la stabilisation des phases par un traitement thermique optionnel réalisé après le dépôt métallique ; 30 (b) on réalise le dépôt d'un métal 3 compatible avec une filière silicium tel que Ni, Ti et alliage comme NiPt, NiTi, NiCo... ; - option 2 : on réalise le dépôt d'un métal compatible avec une filière silicium (Ni, Ti et leurs alliages) ; puis on procède à un traitement thermique ayant pour but de réaliser une réaction à l'état solide entre le 3061354 23 métal et le matériau III-V menant à la formation d'un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s). La température de recuit est préférentiellement 450 °C. Un retrait sélectif du métal n'ayant pas réagi peut-être réalisé s après traitement thermique. On obtient alors un ensemble El' illustré en figure 5d. Cinquième étape : On procède à une étape d'encapsulation de l'ensemble El' par du to diélectrique 8. Le (les) diélectrique(s) utilisés peuvent être: SiN, Si02, AI203, polymère de type planarisant (par exemple BCB, SOG). Le dépôt peut être monocouche ou multicouches. Ils sont déposés par PVD, CVD et/ou ALD ; Température de dépôt 450 °C, préférentiellement 300 °C. Cette étape est illustrée en figure 5e. 15 Les opérations de stabilisation des phases ou de traitement thermique pour former un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s) peuvent être réalisées à l'issue de cette étape, si elles n'ont pas été réalisées à l'issue de la quatrième étape. 20 Sixième étape : On procède à la planarisation du diélectrique par une opération de type CMP ou de type « etch back » dans le cas d'un polymère planarisant. Ces opérations peuvent être réalisées : - si le retrait sélectif n'a pas été effectué à la quatrième étape, 25 jusqu'au retrait du métal ; - si le retrait sélectif n'a pas été effectué à la quatrième étape, et si la l'opération de type CMP ou de type « etch back » du métal est impossible, avec arrêt sur le métal. L'étape de retrait sélectif du métal peut alors être réalisée pour obtenir une structure 30 comme illustré en figure 5f; - si le retrait sélectif a été effectué à la quatrième étape, jusqu'à obtenir une structure comme illustré en figure 5f. Les opérations de stabilisation des phases ou de traitement thermique pour former un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s) peuvent 3061354 24 être réalisées à l'issue de cette étape, si elles n'ont pas été réalisées à l'issue de la quatrième étape ou à l'issue de la cinquième étape. Septième étape : s On procède à une opération d'ouvertures supérieures secondaires Oss destinées aux plots de connexion. Pour cela on procède à une gravure du stack diélectrique pour déboucher sur la métallisation 3 au niveau supérieur. La gravure est réalisée en une seule fois jusqu'à la 10 métallisation pouvant être par gravure sèche. Dans ce cas, la présence d'une couche d'arrêt à la gravure est optionnelle. On peut procéder à des gravures séquentielles : une première gravure sèche est utilisée pour graver une partie du stack diélectrique avec arrêt sur une couche d'arrêt (SiN, A1203, 5i02, BCB, SOC, préférentiellement 15 SiN), puis une gravure sèche ou humide est utilisée pour graver la couche d'arrêt et les éventuelles couches sous-jacentes et déboucher sur la métallisation 3. Cette (ces) gravure(s) peut (peuvent) être réalisée(s) directement via la résine utilisée pour la photolithographie ou à l'aide d'un masque dur 20 composé par exemple de SiN. Cette étape est illustrée en figure 5g. Huitième étape : On procède au remplissage des ouvertures Oss et à une opération 25 de CMP pour réaliser des plots de connexion. Le remplissage des ouvertures Oss est fait en deux temps : - on procède au dépôt d'une barrière de diffusion / d'une couche d'accroche ou de nucléation. Elle peut être composée de TiN, Ti/TiN, TaN, Ta/TaN ou de W déposés par CVD, PVD ou ALD ; 30 - on procède au dépôt d'un métal de remplissage (W, Cu, AlCu, AlSi,...) déposé par CVD, ECD ou PVD. Une CMP est finalement réalisée pour décontacter les plots. On constitue un nouvel ensemble E2'. L'ensemble de ces étapes est illustré en figure 5h. 35 3061354 25 Neuvième étape : On procède à la réalisation d'ouvertures inférieures primaires Oip pour réaliser des contacts inférieurs. On procède à la gravure du stack diélectrique pour déboucher sur s le matériau III-V 2. La gravure peut être réalisée en une seule fois jusqu'au matériau III-V 2 par gravure sèche. Dans ce cas, la présence d'une couche d'arrêt à la gravure est optionnelle. On peut procéder à des gravures séquentielles : une première gravure sèche est utilisée pour graver une partie du stack diélectrique avec to arrêt sur une couche d'arrêt (SiN, A1203, Si02, BCB, SOC préférentiellement SiN) puis une gravure sèche ou humide est utilisée pour graver la couche d'arrêt et les éventuelles couches sous-jacentes et déboucher sur le matériau III-V 2. Cette (ces) gravure(s) peut (peuvent) être réalisée(s) directement 15 via la résine utilisée pour la photolithographie ou préférentiellement à l'aide d'un masque dur composé par exemple de SiN. Cette étape est illustré en figure 5i. Dixième étape : 20 On procède au dépôt de la métallisation 3 compatible avec une filière silicium destinée aux contacts inférieurs. La métallisation compatible CMOS peut être réalisée de deux façons : On procède au dépôt de la métallisation 3 compatible avec une filière silicium destinée au contact supérieur. La métallisation peut être 25 réalisée de deux façons : - option 1 : (a) on réalise le dépôt d'un métal 3 compatible avec une filière silicium tel que Ni2P, Ni3P, NiGe, TiP, TiGe...; On peut procéder à la stabilisation des phases par un traitement 30 thermique optionnel réalisé après le dépôt métallique ; (b) on réalise le dépôt d'un métal 3 compatible avec une filière silicium tel que Ni, Ti et alliage comme NiPt, NiTi, NiCo... ; - option 2 : on réalise le dépôt d'un métal compatible avec une filière silicium (Ni, Ti et leurs alliages) ; puis on procède à un traitement 35 thermique ayant pour but de réaliser une réaction à l'état solide entre le 3061354 26 métal et le matériau 111-V menant à la formation d'un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s). Les températures de dépôt sont préférentiellement 450 °C La température recuit est préférentiellement 450 °C s Un retrait sélectif du métal n'ayant pas réagi peut-être réalisé après traitement thermique. On obtient un troisième ensemble E3'. Cette étape est illustrée en figure 5j. Onzième étape : 10 On procède à une étape d'encapsulation de l'ensemble E3' par du diélectrique 8. Le (les) diélectrique(s) utilisés peuvent être: SiN, Si02, A1203, polymère de type planarisant (par exemple BCB), SOG. Le dépôt peut être monocouche ou multicouches. Ils sont déposés par PVD, CVD et/ou ALD ; 15 Température de dépôt 450 °C, préférentiellement 300 °C. Cette étape est illustrée en figure 5k. Les opérations de stabilisation des phases ou de traitement thermique pour former un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s) peuvent être réalisées à l'issue de cette étape, si elles n'ont pas été réalisées à 20 l'issue de la dixième étape. Douzième étape : On procède à une opération de planarisation du diélectrique par une opération de type CMP ou de type « etch back » dans le cas d'un 25 polymère planarisant. Cette étape est illustrée en figure 51. Les opérations de stabilisation des phases ou de traitement thermique pour former un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s) peuvent être réalisées à l'issue de cette étape, si elles n'ont pas été réalisées à 30 l'issue de la dixième étape ou à l'issue de la douzième étape. Treizième étape : On procède à une opération d'ouvertures inférieures secondaires Ois destinés aux plots de connexion. Pour cela on procède à une gravure du 35 stack diélectrique pour déboucher sur la métallisation 3 au niveau inférieur. 3061354 27 La gravure est réalisée en une seule fois jusqu'à la métallisation par gravure sèche. Dans ce cas, la présence d'une couche d'arrêt à la gravure est optionnelle. On peut procéder à des gravures séquentielles : une première s gravure sèche est utilisée pour graver une partie du stack diélectrique avec arrêt sur une couche d'arrêt (SiN, A1203, Si02, BCB, SOC, préférentiellement SiN), puis une gravure sèche ou humide est utilisée pour graver la couche d'arrêt et les éventuelles couches sous-jacentes et déboucher sur la métallisation 3. 10 Cette (ces) gravure(s) peut (peuvent) être réalisée(s) directement via la résine utilisée pour la photolithographie ou à l'aide d'un masque dur composé par exemple de SiN. Typiquement la hauteur D6 représentée de diélectrique peut être comprise entre 0,5 pm et 5 pm et de préférence comprise entre 1 pm et 3 pm. 15 Cette étape est illustrée en figure 5m. Quatorzième étape : On procède au remplissage des ouvertures définies à l'étape précédente. 20 Le remplissage des ouvertures est réalisé en deux temps : - on procède au dépôt d'un dépôt d'une barrière de diffusion / d'une couche d'accroche ou de nucléation. Elle peut être composée de TiN, Ti/TiN, TaN, Ta/TaN ou de W déposés par CVD, PVD ou ALD ; 25 - on procède au dépôt d'un métal de remplissage (W, Cu) déposé par CVD, ECD ou PVD. Une opération de CMP est finalement réalisée pour décontacter les plots. Cette étape est illustrée en figure 5n et conduit à la réalisation des 30 contacts supérieur Csup et inférieur Cinf. Une alternative au second exemple de procédé peut comprendre une réalisation séquentielle des ouvertures primaires couplée à une réalisation simultanée des ouvertures secondaires. 35 3 0 6 1 3 5 4 28 Troisième exemple de procédé selon l'invention comprenant la réalisation simultanée de contact supérieur et de contact inférieur : s Première étape : On procède à l'encapsulation de la structure préalablement réalisée et comportant une mesa en un premier matériau III-V 1 à la surface d'une base en un matériau III-V 2 sur un substrat 9. Le (les) diélectriques 8 utilisés peuvent être : SiN, Si02, A1203, to polymère de type planarisant (par exemple BCB, SOG). Le dépôt peut être monocouche ou multicouches. Les diélectriques sont déposés par PVD, CVD et/ou ALD. Typiquement la température de dépôt peut être 450 °C, préférentiellement 300 °C. 15 Le stress des couches réalisées peut être 200 MPa, préférentiellement 100 MPa. La figure 6a illustre cette étape d'encapsulation. Deuxième étape : 20 On procède à la planarisation du diélectrique par une opération de type CMP ou de type « etch bock» dans le cas d'un polymère planarisant. Il est possible également d'utiliser une opération de lithographie / gravure localisée sur la topographie avant CMP. La figure 6b illustre cette étape de planarisation. 25 Troisième étape : On procède à la réalisation d'ouvertures inférieures primaires Oip dédiées au contact inférieur et à une ouverture supérieure primaire Osp dédiée au contact supérieur. 30 Pour cela on réalise la gravure localisée du diélectrique (dans le cas de plusieurs couches) pour déboucher sur le matériau III-V 2 et pour déboucher sur le matériau III-V1. On peut réaliser la gravure en une seule fois jusqu'au matériau III-V 2 et jusqu'au matériau 1 par une opération de gravure sèche. Dans ce 35 cas, la présence d'une couche d'arrêt à la gravure est optionnelle. 3061354 29 On peut procéder également à des opérations de gravures séquentielles : une première gravure sèche utilisée pour graver une partie du stack diélectrique avec arrêt sur une couche d'arrêt (SiN, A1203, Si02, BCB, SOC préférentiellement SiN) puis utilisation d'une gravure sèche ou humide s pour graver la couche d'arrêt et les éventuelles couches sous-jacentes et déboucher sur le matériau III-V 2 et sur le matériau 111-V 1. Cette (ces) gravure(s) peut (peuvent) être réalisée(s) directement via la résine utilisée pour la photolithographie ou préférentiellement à l'aide d'un masque dur composé par exemple de SiN. 10 Cette étape de réalisation d'ouvertures est illustrée en figure 6c. Quatrième étape : On procède au dépôt d'une métallisation 3 compatible avec une filière silicium sur le matériau 111-V 1 et sur le matériau III-V 2. 15 On procède au dépôt de la métallisation 3 compatible avec une filière silicium destinée au contact supérieur. La métallisation peut être réalisée de deux façons : - option 1 : (a) on réalise le dépôt d'un métal 3 compatible avec une filière 20 silicium tel que Ni2P, Ni3P, NiGe, TiP, TiGe...; On peut procéder à la stabilisation des phases par un traitement thermique optionnel réalisé après le dépôt métallique ; (b) on réalise le dépôt d'un métal 3 compatible avec une filière silicium tel que Ni, Ti et alliage comme NiPt, NiTi, NiCo... ; 25 - option 2 : on réalise le dépôt d'un métal compatible avec une filière silicium (Ni, Ti et leurs alliages) ; puis on procède à un traitement thermique ayant pour but de réaliser une réaction à l'état solide entre le métal et le matériau 111-V menant à la formation d'un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s). 30 La température de recuit est préférentiellement 450 °C Un retrait sélectif du métal n'ayant pas réagi peut-être réalisé après traitement thermique. On obtient alors un ensemble El" illustré en figure 6d. 35 3 06 13 54 30 Cinquième étape : On procède à une étape d'encapsulation de l'ensemble El" par du diélectrique 8. Le (les) diélectrique(s) utilisés peuvent être: SiN, Si02, A1203, polymère de type planarisant (par exemple BCB, SOG). Le dépôt peut s être monocouche ou multicouches. Ils sont déposés par PVD, CVD et/ou ALD ; La température de dépôt est 450 °C, préférentiellement 300 °C. Cette étape est illustrée en figure 6e. 10 Les opérations de stabilisation des phases ou de traitement thermique pour former un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s) peuvent être réalisées à l'issue de cette étape, si elles n'ont pas été réalisées à l'issue de la quatrième étape. 15 Sixième étape : On procède à la planarisation du diélectrique par une opération de type CMP ou de type « etch back » dans le cas d'un polymère planarisant. Ces opérations peuvent être réalisées : - si le retrait sélectif n'a pas été effectué à la quatrième étape, 20 jusqu'au retrait du métal ; - si le retrait sélectif n'a pas été effectué à la quatrième étape, et si l'opération de type CMP ou de type « etch back » du métal est impossible, avec arrêt sur le métal. L'étape de retrait sélectif du métal peut alors être réalisée pour obtenir une structure 25 comme illustré en figure 6f; - si le retrait sélectif a été effectué à la quatrième étape, jusqu'à obtenir une structure comme illustré en figure 6f. Les opérations de stabilisation des phases ou de traitement thermique pour former un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s) peuvent 30 être réalisées à l'issue de cette étape, si elles n'ont pas été réalisées à l'issue de la quatrième étape ou à l'issue de la cinquième étape. Septième étape : On procède à une opération d'ouvertures supérieures secondaires 35 Oss et à des ouvertures inférieures secondaires Ois destinées aux plots de 3061354 31 connexion. Pour cela on procède à une gravure du stack diélectrique pour déboucher sur la métallisation 3 au niveau supérieur et au niveau inférieur. La gravure est réalisée en une seule fois jusqu'à la métallisation par gravure sèche. Dans ce cas, la présence d'une couche d'arrêt à la s gravure est optionnelle. On peut procéder à des gravures séquentielles : une première gravure sèche est utilisée pour graver une partie du stack diélectrique avec arrêt sur une couche d'arrêt (SiN, A1203, Si02, BCB, SOC, préférentiellement SiN), puis une gravure sèche ou humide est utilisée pour graver la couche 10 d'arrêt et les éventuelles couches sous-jacentes et déboucher sur la métallisation 3. Cette (ces) gravure(s) peut (peuvent) être réalisée(s) directement via la résine utilisée pour la photolithographie ou à l'aide d'un masque dur composé par exemple de SiN. 15 Cette étape est illustrée en figure 6g. Huitième étape : On procède au remplissage des ouvertures définies à l'étape précédente. 20 Le remplissage des ouvertures est réalisé en deux temps : - on procède au dépôt d'un dépôt d'une barrière de diffusion / d'une couche d'accroche ou de nucléation. Elle peut être composée de TiN, Ti/TiN, TaN, Ta/TaN ou de W déposés par CVD, PVD ou ALD ; 25 - on procède au dépôt d'un métal de remplissage (W, Cu) déposé par CVD, ECD ou PVD. Une opération de CMP est finalement réalisée pour décontacter les plots. Cette étape est illustrée en figure 6h et conduit à la réalisation 30 des contacts supérieur Csup et inférieur Cinf. Une alternative aux trois exemples de procédés décrits précédemment consiste à réaliser des plots de contact présentant plusieurs tronçons pour le contact inférieur. 35 3061354 32 Quatrième exemple de procédé Première étape : On réalise selon des sous-étapes identiques à celles s précédemment décrites un ensemble comprenant : - un substrat 9 ; - un matériau 111-V 1 ; - un matériau III-V 2 ; - des métallisations 3; 10 L'ensemble est encapsulé dans un diélectrique 8 et est illustré en figure 7a. Deuxième étape : On procède à la réalisation d'ouvertures inférieures secondaires Ois-, par gravure partielle de l'ensemble préconstitué, soit par la gravure 15 partielle du diélectrique 8. On peut procéder par gravure sèche. Dans ce cas, la présence d'une couche d'arrêt à la gravure est optionnelle. Cette (ces) gravure(s) peut (peuvent) être réalisée(s) directement via une résine utilisée pour la photolithographie ou à l'aide d'un masque dur composé par exemple de SiN. 20 Cette étape est illustrée en figure 7b. Troisième étape : On procède dans un second temps à une seconde opération de gravure pour prolonger les ouvertures inférieures secondaires, en procédant 25 à la réalisation des ouvertures Ois2 dans le prolongement des ouvertures précédemment réalisées Oisi, et à réaliser des ouvertures supérieures secondaires Oss de manière à déboucher sur les métallisations 3. L'opération de gravure peut être réalisée en une seule fois jusqu'à la métallisation et ce par gravure sèche. Dans ce cas, la présence d'une 30 couche d'arrêt à la gravure est optionnelle. Préférentiellement, on peut réaliser des opérations de gravures séquentielles : une première gravure sèche utilisée pour graver une partie du stack diélectrique avec arrêt sur une couche d'arrêt (SiN, A1203, Si02, BCB, SOC, préférentiellement SiN) puis utilisation d'une gravure sèche ou humide 3061354 33 pour graver la couche d'arrêt et les éventuelles couches sous-jacentes et déboucher sur les métallisations. Cette (ces) gravure(s) peut (peuvent) être réalisée(s) directement via la résine utilisée pour la photolithographie ou à l'aide d'un masque dur s composé par exemple de SiN. Cette étape est illustrée en figure 7c. Quatrième étape : On procède au remplissage des ouvertures définies à l'étape 10 précédente. Le remplissage des ouvertures est réalisé en deux temps : - on procède au dépôt d'un dépôt d'une barrière de diffusion / d'une couche d'accroche ou de nucléation. Elle peut être composée de TiN, Ti/TiN, TaN, Ta/TaN ou de W déposés par 15 CVD, PVD ou ALD ; - on procède au dépôt d'un métal de remplissage (W, Cu, AlCu, AlSi) déposé par CVD, ECD ou PVD. Une opération de CMP est finalement réalisée pour décontacter les plots. 20 Cette étape est illustrée en figure 7d et conduit à la réalisation des contacts supérieur Csup et inférieur Cinf. De manière générale, il est possible de réaliser un niveau 25 supplémentaire de contact à la surface des contacts planaires préalablement élaborés et notamment décrits dans les précédents exemples de procédé selon l'invention. Une étape complémentaire peut ainsi être réalisée en procédant à un dépôt supplémentaire de diélectrique 8, puis à la réalisation d'ouvertures 30 supplémentaires supérieures et inférieures par gravure et au remplissage de ces ouvertures pour définir les contacts Cinf/supl et Csup/supi comme illustré en figure 8. Pour cela on procède, dans les ouvertures supplémentaires supérieures et inférieures, au dépôt d'une barrière 7 pouvant être en TiN, 3061354 34 Ti/TiN, TaN, Ta/TaN, W et au remplissage par un métal 6 pouvant être du W, Cu ou Al, AlCu, AlSi . Il est à noter que le niveau supplémentaire de contact peut s également être réalisé par la gravure d'un empilement métallique préalablement réalisé via une résine ou un masque dur. Exemple de composant laser réalisé selon le procédé de l'invention : 10 Le procédé de la présente invention permet avantageusement de réaliser un laser à base de matériaux III-V: Un substrat 90 en Si02 comporte un guide 91 en silicium au dessus duquel sont réalisées : - une base de second matériau III-V 2, pouvant être en InP dopé 15 n et une mesa 1 comprenant une structure multipuits quantiques pouvant être réalisés en InGaAsP avec différents dopages et une couche de InGaAs dopé p, la nature des matériaux III-V fixe la longueur d'onde d'émission ; - le diélectrique 8 peut être en SiN, Si02, en polymère de type 20 planarisant par exemple à base de BCB ; - la métallisation 3 de fond de contact peut être par exemple en Ni,Ti, ou en leur alliages ( Ni2P, Ni3P, NiGe, TiP, TiGe, ....) ; - la barrière de diffusion au F et/ou la couche d'accroche au W 4 peut être en TiN, Ti/TiN, TaN, Ta/TaN, W; 25 Le métal de remplissage 5 peut être en Cu ou Al, AlCu, AlSi. Cet exemple de laser est illustré en figure 9. Exemple de composant laser émettant verticalement de type VCSEL : 30 Il est rappelé que de manière générale, une diode laser à cavité verticale émettant par la surface, ou VCSEL ( vertical-cavity surface-emitting laser) est un type de diode laser à semi-conducteur émettant un rayon laser perpendiculairement à la surface, contrairement aux lasers conventionnels à 35 semi-conducteur émettant par la tranche. 3061354 35 Cet exemple de laser, comporte principalement le même type de structure que celle décrite dans l'exemple précédent. Néanmoins, afin de permettre une émission de rayonnement laser par le dessus de la structure, le contact supérieur est réalisé de manière s circulaire. Cet exemple de composant comprend un substrat 9 en silicium au dessus duquel sont réalisées une base de second matériau III-V 2, pouvant être en InP dopé n et une mesa 1 comprenant une structure multipuits quantiques pouvant être à base de InGaAsP, AlGaAs, GaAs, InGaAsN et 10 une couche de InGaAs dopé p, la nature des matériaux III-V fixe la longueur d'onde d'émission. Le diélectrique 8 peut être en SiN, Si02, en polymère de type planarisant par exemple à base de BCB. La métallisation 3 de fond de contact peut être par exemple en Ni, 15 Ti, ou en leurs alliages ( Ni2P, Ni3P, NiGe, TiP, TiGe, ....). La barrière de diffusion au F et/ou la couche d'accroche au W 4 peut être en TiN, Ti/TiN, TaN, Ta/TaN, W. Le métal de remplissage 5 peut être en Cu ou Al, AlCu, AlSi. Les métallisations 3 et les éléments 4 et 5 constituent les contacts 20 Csup et Cint Grâce au contact supérieur circulaire Csup, le faisceau laser peut être extrait depuis la surface supérieure du composant. Cet exemple de laser est illustré en figure 10. 25 L'intégration de contacts planaires ouvre typiquement pour les composants laser décrits précédemment la voie à une intégration 3D, par le biais d'un collage hybride ou direct (par exemple photonique / électronique) ou du report de puces par le biais de bumps. Dans le cadre d'une co-intégration III-V/Si, la réalisation d'un 30 back-end planarisé permet également d'envisager la reprise de contact sur les dispositifs des niveaux inférieurs (back-end front side ou intermétallique par exemple). Un exemple est donné en figure 11 dans le cadre d'une intégration Photonique avec la réalisation de l'ensemble des contacts décrits 35 précédemment Csup et Chu, sur le composant III-V (laser) et sur le back-end 3061354 36 de la partie silicium . Les contacts supplémentaires sont assurés par les plots Pm; qui connectent des niveaux métalliques Mi, intégrés dans du diélectrique 8. Typiquement le substrat 91 peut être du silicium, le diélectrique 90 pouvant être du Si02. s Exemple de composant utilisé dans des applications de type cellule solaire dans lequel on empile une série de matériaux III-V différents, permettant de diversifier les longueurs d'onde d'émission Cet exemple de composant comprend un substrat 9 en silicium au 10 dessus duquel sont empilés comme illustré en figure 12 : - un matériau III-V 22 situé à un niveau dit inférieur ; - un matériau III-V 21 situé à un niveau dit intermédiaire ; - un matériau III-V 10 situé à un niveau dit supérieur. Le composant comprend : 15 - des contacts Chif de matériau 22; - des contacts Cint de matériau 21 ; - des contacts Csup de matériaux 10. Les contacts Chif sont réalisés grâce au remplissage de l'empilement d'ouvertures réalisées successivement : Oisi, Ois2 et Ois3. 20 Les contacts Clut sont réalisés grâce au remplissage de l'empilement d'ouvertures réalisées successivement : Otsi, Ots2. Les contacts Csup sont réalisés grâce au remplissage d'ouverture : OSS Typiquement les matériaux III-V utilisés peuvent être notamment : 25 InGaAsN, BInGaAs, InGaN, GaInP, GalnAsP, GaAs. REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un composant comprenant une structure en matériau(x) III-V à la surface d'un substrat, ladite structure s comprenant au moins un niveau supérieur de contact (Nsup) défini à la surface d'un premier matériau III-V (1) et un niveau inférieur de contact ( Ninf) défini à la surface d'un second matériau III-V (2), comportant : - des opérations successives d'encapsulation par au moins un diélectrique de ladite structure ; 10 - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure primaire (Osp) et d'au moins une ouverture inférieure primaire (01p) dans un diélectrique de manière à définir des zones de fond de contact sur ledit premier matériau III-V et sur ledit second matériau III-V ; 15 - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure secondaire (Oss) et d'au moins une ouverture inférieure secondaire (Ois) dans un diélectrique de manière à définir des zones de plots de contacts sur lesdites zones de fond de contact ; - le remplissage au moins partiel par au moins une matière 20 métallique de ladite au moins ouverture supérieure primaire, de ladite au moins ouverture inférieure primaire, de ladite au moins ouverture supérieure secondaire et de ladite au moins ouverture inférieure secondaire de manière à réaliser : o au moins un contact supérieur dudit premier matériau 25 111-V en contact avec le niveau supérieur de contact et comprenant au moins une métallisation de fond de contact supérieur et au moins un plot de contact supérieur en contact avec ladite métallisation ; o au moins un contact inférieur dudit second matériau III- 30 V en contact avec ledit niveau inférieur de contact et comprenant au moins une métallisation de fond de contact inférieur et au moins un plot de contact inférieur en contact avec ladite métallisation ; 3061354 38 - au moins ledit contact supérieur et au moins ledit contact inférieur sont intégrés dans du diélectrique et présentent une surface définie dans un même plan. s 2. Procédé de réalisation selon la revendication 1, dans lequel la structure présente une base inférieure en second matériau III-V (2) et une mesa en premier matériau III-V (1) située au dessus de ladite base. 3. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 ou 2, 10 caractérisé en ce qu'il comprend la réalisation successive d'au moins une ouverture supérieure primaire et d'au moins une ouverture inférieure primaire. 4. Procédé de réalisation selon la revendication 3, caractérisé en 15 ce qu' il comprend la réalisation simultanée d'au moins une ouverture supérieure secondaire et d'au moins une ouverture inférieure secondaire. 5. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comporte : 20 - l'encapsulation par du diélectrique d'un ensemble comprenant le matériau III-V (1) recouvert d'une métallisation (3) et le matériau III-V (2) recouvert d'une métallisation (3) ; - la réalisation d'au moins une ouverture inférieure secondaire (Oisi) en regard du second matériau III-V (2) ; 25 - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure secondaire (Oss) au dessus dudit premier matériau III-V (1) et la réalisation d'au moins une ouverture inférieure secondaire supplémentaire (01s2) au dessus d'au moins ladite ouverture inférieure secondaire (Oisi) ; 30 - le remplissage d'au moins ladite ouverture supérieure secondaire (Oss), d'au moins une ouverture inférieure secondaire supplémentaire (01s2) et d'au moins ladite ouverture inférieure secondaire (Oisi)- 3061354 39 6. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la structure comprenant au moins un matériau III-V dit supérieur (10) , un matériau III-V dit intermédiaire (21), un second matériau III-V dit inférieur (22), le procédé comprend : s - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure primaire, d'au moins une ouverture intermédiaire primaire, d'au moins une ouverture inférieure primaire ; - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure secondaire, d'au moins une ouverture intermédiaire secondaire et d'au 10 moins une ouverture inférieure secondaire ; - le remplissage desdites ouvertures. 7. Procédé de réalisation selon la revendication 6, dans lequel : - au moins ladite ouverture inférieure secondaire comporte trois 15 portions de dimensions différentes (Oist, Ois2, Ois3) ; - au moins ladite ouverture intermédiaire secondaire comporte deux portions de dimensions différentes (Otst, Ots2) ; - au moins ladite ouverture supérieure secondaire comporte une portion (Oss). 20 8. Procédé de réalisation selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - l'encapsulation de ladite structure par un premier diélectrique; - la réalisation d'au moins une ouverture inférieure primaire (Oip) 25 débouchant sur ledit second matériau III-V (2) ; - le dépôt de métallisation à la surface dudit premier diélectrique et à la surface dudit second matériau III-V (2) définissant une métallisation de fond de contact inférieur et un premier ensemble (El) ; 30 - l'encapsulation dudit premier ensemble (El) par un second diélectrique; - la planarisation dudit premier ensemble encapsulé ; - la réalisation d'au moins une ouverture inférieure secondaire (Oisi) débouchant sur ladite métallisation de fond de contact 35 inférieur ; 3061354 40 - le remplissage par au moins une matière métallique de ladite au moins ouverture inférieure secondaire définissant au moins un plot de contact dudit contact inférieur et un second ensemble (E2): s - l'encapsulation dudit second ensemble (E2) par un troisième diélectrique; - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure primaire au dessus dudit premier matériau III-V (1); - le dépôt de métallisation à la surface dudit troisième matériau 10 diélectrique et de ladite ouverture supérieure définissant une métallisation de fond de contact supérieur et un troisième ensemble (E3); - l'encapsulation dudit troisième ensemble par un quatrième diélectrique; 15 - la planarisation dudit troisième ensemble ; - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure secondaire (Oss) au dessus de ladite métallisation de fond de contact supérieur et au moins une ouverture supérieure (01s2) au dessus au moins dudit plot de contact dudit contact inférieur; 20 - le remplissage par au moins une matière métallique de ladite au moins ouverture supérieure secondaire au dessus de ladite métallisation de fond de contact supérieur et de ladite au moins ouverture supérieure au dessus au moins dudit plot de contact dudit contact inférieur, définissant au moins un plot supérieur 25 de contact supérieur et au moins une prolongement de plot de contact inférieur, ledit contact supérieur (Csup) et au moins ledit contact inférieur (Cinf) présentant une surface définie dans un même plan 30 9. Procédé de réalisation selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - l'encapsulation de ladite structure par un premier diélectrique; - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure primaire (Osp) débouchant sur ledit premier matériau III-V (1) ; 3061354 41 - le dépôt de métallisation à la surface dudit premier diélectrique et à la surface dudit premier matériau III-V (1) définissant une métallisation de contact supérieur et un premier ensemble (El ') ; - l'encapsulation dudit premier ensemble (El ') par un second diélectrique; - la planarisation dudit premier ensemble encapsulé; - la réalisation d'au moins une ouverture supérieure secondaire (Oss) débouchant sur ladite métallisation de fond de contact supérieur ; - le remplissage par au moins une matière métallique de ladite au moins ouverture supérieure secondaire définissant au moins un plot de contact dudit contact supérieur et un second ensemble (E2'); - la réalisation d'au moins une ouverture inférieure primaire (01p) au dessus dudit second matériau III-V (2); - le dépôt de métallisation à la surface dudit premier matériau diélectrique et de ladite ouverture inférieure primaire définissant une métallisation de contact inférieur et un troisième ensemble (E3'); - l'encapsulation dudit troisième ensemble par un quatrième diélectrique; - la planarisation dudit troisième ensemble ; - la réalisation d'au moins une ouverture inférieure secondaire (Ois) au dessus de ladite couche de fond de contact inférieur; - le remplissage de ladite au moins ouverture inférieure secondaire, définissant au moins un plot de contact inférieur, ledit contact supérieur (Csup) et au moins ledit contact inférieur (Cie) présentant une surface définie dans un même plan 10. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comprend : - la réalisation simultanée d'au moins une ouverture supérieure primaire et d'au moins une ouverture inférieure primaire ; 306 1 3 5 4 42 - la réalisation simultanée d'au moins une ouverture supérieure secondaire et d'au moins une ouverture inférieure secondaire. 11. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 10, s caractérisé en ce qu'il comprend la réalisation d'un niveau supplémentaire de contact à la surface desdits contacts planaires, comportant : - un dépôt supplémentaire de diélectrique (8) ; - la réalisation d'au moins une ouverture supplémentaire inférieure et d'au moins une ouverture supplémentaire 10 supérieure ; - le remplissage desdites ouvertures supplémentaires par au moins une matière métallique pour définir au moins un contact supplémentaire inférieur (Cinf/supl) et au moins un contact supplémentaire supérieur (Csup/supi). 15 12. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel : - les ouvertures inférieures primaires présentent une largeur (D2) comprise entre 20 pm et 50 pm ; 20 - les ouvertures inférieures secondaires présentent une largeur (D6) comprise entre 0,5 pm et 5 pm, préférentiellement comprise entre 1 pm et 3 pm. 13. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 12, 25 caractérisé en ce que le premier matériau III-V et/ou le second matériau III-V sont choisis parmi : InP, Ini,GaxAs (avec 0 x 1), GaAs, InAs, du GaSb, Ini_xGaxSb, InxGai_xAsi_yPy, GalnxP, InxGai_xAsi_yNy, BxlnyGai_x_yAs. 14. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 13, 30 caractérisé en ce que le substrat est en silicium. 15. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 14, dans lequel le ou les diélectriques sont choisis parmi : SiN, Si02, A1203, un polymère planarisant pouvant être à base de Benzocyclobutène (BCB) ou 35 SOG. 3061354 43 16. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 15, dans lequel on réalise le dépôt d'un métal tel que Ni2P, Ni3P, NiGe, TiP, TiGe dans lesdites ouvertures primaires. s 17. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 15, dans lequel on réalise le dépôt d'un métal tel que Ni, Ti et alliage comme NiPt, NiTi, NiCo dans lesdites ouvertures primaires. 10 18. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 16, dans lequel le dépôt de métallisation est suivi d'un traitement thermique pour former un ou plusieurs composé(s) intermétallique(s) 19. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 18, 15 caractérisé en ce que les opérations de remplissage comprennent : - le dépôt d'une barrière de diffusion pouvant être composée d'une ou plusieurs couches de matériau choisi parmi : TiN, Ti/TiN, TaN, Ta/TaN, W; - le dépôt d'un métal de remplissage choisi parmi : W, Cu, Al, 20 AlCu, AlSi. 20. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 19, dans lequel le composant étant un laser, ledit procédé comprend une opération pour réaliser un guide (91) en matériau semiconducteur pouvant 25 être du Si, dans un substrat diélectrique (90) pouvant être en Si02. 21. Procédé de réalisation selon l'une des revendications 1 à 19, dans lequel le composant étant un laser, ledit procédé comprend la réalisation d'un contact supérieur circulaire pour permettre l'émission 30 verticale du rayonnement laser, au centre dudit contact supérieur. 22. Composant obtenu selon le procédé de l'une des revendications 1 à 21.35