FR 3058162 A1 20180504 FR 1660583 A 20161102 1 PROCEDE DE DÉPÔT DE FILMS MINCES DE CHALCOGENURE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE La présente invention se rapporte à un dispositif de dépôt de couches minces de chalcogénure et à un procédé de dépôt mettant en oeuvre un tel dispositif. Des films réalisés à partir de chalcogénures de la famille des MX2, avec M un métal de transition III-VI et X et un chalcogène de la colonne VI au-delà de l'oxygène, par exemple MoS2, MoSe2, MoTe2 ou WS2, VS2, TiS2, ainsi que les mélanges ternaires en alliage de ces éléments chimiques tels que TixVyS2,.. présentant des propriétés de conductivité dans la plan particulière induites par la géométrie cristalline hexagonale 2H/tétragonal 1T de ces plans. Les films de chalcogénures peuvent être réalisés par dépôt de couches minces par la voie de synthèse chimique ALD (Atomic layer deposition en terminologie anglo-saxonne). Par exemple dans un réacteur chimique contenant le support sur lequel le dépôt est à réaliser, on introduit alternativement un halogénure d'un élément de transition, par exemple MoCI5 et du H2S comme réactant. Ce procédé induit des difficultés techniques dues à la corrosion des éléments chimiques de la colonne VII. En outre il faut manipuler du H2S qui est un gaz toxique et qui est corrosif pour les éléments du réacteur. Une autre technique permettant de ne pas avoir recours au H2S est par exemple d'utiliser un hexacarbonyle de transition, par exemple un hexacarbonyle de tungstène, et une molécule soufrée telle que le DMDS (Disulfure de diméthyle). Cependant la solution en hexacarbonyle est difficilement viable dans le procédé ALD, car la fenêtre thermique de décomposition de ce type de ligands est très petite. Par ailleurs, certains carbonyles sont très toxiques. Le document EP2 899 295 décrit un procédé de préparation par ALD de film mince de formule MY, avec M du tungstène et/ou du molybdène et Y du sulfure ou du sélénium dans lequel le H2S est produit in-situ à partir d'une source d'hydrogène 3058162 2 radicalaire et du DMDS. Ce document ne décrit pas de dispositif pour mettre en oeuvre ce procédé. Le document H. Fujiwara, JAP 74, 1993, p5510 propose également, pour ne pas avoir à manipuler du H2S, de produire directement dans le réacteur le H2S à partir 5 d'une source d'hydrogène radicalaire et du DMDS. Le dispositif de dépôt proposé dans ce document ne permet pas la réalisation de dépôt de couches uniforme sur une grande surface. EXPOSÉ DE L'INVENTION C'est par conséquent un but de la présente invention d'offrir un 10 dispositif de dépôt de couches minces de chalcogénure, permettant de réaliser des dépôts uniformes et ne présentant pas les inconvénients liés à la manipulation de H2S avant le dépôt. Le but précédemment énoncé est atteint par un dispositif de dépôt d'au moins une couche mince atomique d'un chalcogénure, comportant un dispositif de 15 diffusion des gaz comprenant une zone d'admission et une zone de diffusion en aval de la zone d'admission dans le sens d'écoulement des gaz, lesdites zones s'étendant le long d'une direction longitudinale, la zone de diffusion étant destinée à recevoir l'élément sur lequel le dépôt est à réaliser. Le dispositif de dépôt fonctionne en séquences, ces séquences comporte l'étape d'absorption d'un organométallique sur une surface à 20 recouvrir et une étape d'activation au moyen du H2S. Ces séquences sont répétées jusqu'à atteindre l'épaisseur requise. Le dispositif comporte également une source d'hydrogène radicalaire et des premiers moyens d'injection d'une espèce gazeuse, dit réactant, apte à réagir avec l'hydrogène radicalaire pour former du H2S gazeux in situ, dans la zone de diffusion. Le dispositif comporte également des moyens d'alimentation 25 de la zone de diffusion en au moins un précurseur. La source d'hydrogène radicalaire est disposée par rapport à la zone d'admission de sorte que les lignes de courant du flux d'hydrogène radicalaire soient sensiblement parallèles à la direction longitudinale. 3058162 3 Les premiers moyens d'injection sont tels que le réactant est injecté directement dans une zone centrale de la zone d'admission de sorte que le réactant soit injecté au sein du flux d'hydrogène radicalaire. Le dispositif comporte également des moyens de pompage au niveau de 5 la zone de diffusion. Les moyens de pompage peuvent être activés au moins pendant la phase d'activation de sorte à créer un contact intime entre le réactant et l'hydrogène radicalaire et former du H2S et d'assurer un guidage des lignes de flux de H2S le long de la surface à activer. Grâce à l'invention, d'une part le H2S est produit in situ, il n'y a pas de 10 manipulation d'un volume de H2S gazeux à injecter. D'autre part, l'injection du réactant se faisant dans une zone centrale de la zone d'admission, la formation de H2S ayant lieu pendant le temps de diffusion entre l'injection et la surface à activer, le flux de H2S est central et va ensuite être guidé le long de la surface à activer. L'activation est alors homogène, ce qui favorise une absorption homogène du précurseur à l'étape suivante. 15 L'uniformité du dépôt de chalcogénure est alors améliorée. Dans un exemple de réalisation, l'étape d'absorption des molécules de précurseur est réalisée en saturant la zone de diffusion en précurseur pendant un temps défini, il s'agit alors d'une étape de saturation statique. Une étape de purge a ensuite lieu. Dans un autre exemple de réalisation, l'étape d'absorption du 20 précurseur est réalisée de manière dynamique en activant le pompage, l'injection d'organométallique a alors de préférence lieu dans une zone centrale et les lignes de courant du flux de précurseur sont également guidées le long de la face de l'élément à traiter. De manière très avantageuse, le réacteur comporte des moyens 25 permettant l'apparition d'un effet Venturi dans la zone d'admission améliorant encore le contact intime entre l'hydrogène radicalaire et le réactant. Par exemple cet effet Venturi est obtenu en injectant le réactant à une vitesse élevée par rapport à la vitesse moyenne de l'hydrogène radicalaire. Dans un exemple très avantageux, une injection de gaz neutre en aval de l'injection de réactant a lieu de sorte à former une couche de gaz neutre, aussi appelé 3058162 4 rideau de gaz neutre, le long des parois de la zone de diffusion. L'injection de gaz neutre est avantageusement tangentielle aux parois de la zone d'admission. La présente invention a alors pour objet un dispositif de dépôt d'au moins film mince de chalcogénure sur au moins une face d'un élément à traiter 5 comportant : - une zone d'admission, - une zone de diffusion connectée à la zone d'admission, la zone de diffusion étant destinée à recevoir l'élément à traiter, la zone d'admission et la zone de diffusion s'étendant le long d'un axe longitudinal, 10 - une source d'hydrogène radicalaire connectée à la zone d'admission et orientée de sorte que les lignes de courant du flux d'hydrogène radicalaire dans la source d'hydrogène radicalaire soient sensiblement parallèles à l'axe longitudinal, - des moyens de pompage aptes à assurer un pompage dans la zone de diffusion, 15 - des premiers moyens d'injection d'un réactant apte à réagir avec l'hydrogène radicalaire pour former de H2S, - des deuxièmes moyens d'injection d'au moins un précurseur, les premiers moyens d'injection étant aptes à injecter le réactant dans une zone centrale de la zone d'admission dans la direction de l'axe longitudinal vers la 20 zone de diffusion de sorte que le réactant soit injecté au sein du flux d'hydrogène radicalaire, et les moyens de pompage étant commandés pour fonctionner au moins pendant l'injection de réactant et sont orientés de sorte à générer un écoulement du H2S produit le long au moins d'une face de l'élément à traiter parallèlement à celle-ci afin 25 d'activer ladite face en vue de l'absorption du précurseur. De préférence, les deuxièmes moyens d'injection du précurseur assurent l'injection du précurseur dans la zone d'admission, avantageusement dans une zone centrale de la zone d'admission. Dans un exemple de réalisation, les deuxièmes moyens d'injection sont 30 confondus avec les premiers moyens d'injection et sont connectés alternativement à une 3058162 5 source de réactant et à une source de précurseur au moyen d'au moins une vanne. Le dispositif peut comporter une aiguille montée transversalement dans la zone d'admission et comportant un gicleur situé sensiblement sur l'axe longitudinal en direction de la zone de diffusion, ladite aiguille étant connectée par une extrémité par une vanne deux voies à 5 la source de réactant et à une source de gaz neutre et par une autre extrémité par une vanne deux voies à la source de précurseur et à une source de gaz neutre. De manière avantageuse, le dispositif de dépôt comporte des moyens pour générer une dépression en aval des premiers moyens d'injection. Dans un exemple de réalisation, les moyens aptes à générer une dépression peuvent injecter le réactant à 10 une vitesse supérieure à une vitesse moyenne du flux d'hydrogène radicalaire. Dans un autre exemple de réalisation, les moyens aptes à générer une dépression comportent une zone de section transversale réduite en aval des premiers moyens d'injection. Le dispositif de dépôt peut, dans un exemple préféré, comporter des troisièmes moyens d'injection d'un gaz neutre dans la zone d'admission en aval de la zone 15 d'injection du réactant, de sorte à former une couche de gaz neutre sur une face interne de la zone de diffusion. Les troisièmes moyens d'injection d'un gaz neutre sont par exemple disposés dans une zone dans laquelle le niveau de dépression est maximal. Dans un exemple, la chambre de diffusion peut être configurée pour 20 que la face de l'élément à traiter soit sensiblement perpendiculaire à l'axe longitudinal et pour que les moyens de pompage assurent un pompage au niveau de toute la périphérie extérieure de l'élément. Le dispositif peut alors comporter une pluralité de fenêtres réparties régulièrement dans une paroi de la zone de diffusion et bordant la périphérie extérieure de l'élément à traiter. 25 Dans un autre exemple, la chambre de diffusion est configurée pour que la face de l'élément à traiter soit sensiblement parallèle à l'axe longitudinal et dans lequel les moyens de pompage assurent un pompage au niveau d'un bord de l'élément opposé à un bord en regard de la zone d'admission. 3058162 6 Les moyens d'injection d'un gaz neutre peuvent être configurés pour injecter un flux de gaz neutre sensiblement tangentiellement à une paroi latérale de la zone d'admission. Selon une caractéristique additionnelle, les premiers et/ou les 5 deuxièmes moyens d'injection comportent chacun un ou plusieurs injecteurs réparties de manière régulière dans la zone d'admission. Par exemple, la zone de diffusion a une forme hyperbolique aigue. La présente invention a également pour objet un procédé de dépôt d'au moins un film mince sur au moins une face d'un élément à traiter mettant en oeuvre un 10 dispositif de dépôt selon l'invention, comportant les étapes : a) Mise en place de l'élément dans le dispositif de sorte qu'au moins une face se situe dans la zone de diffusion, b) Activation des moyens de pompage, c) Injection de la zone d'admission en au moins un précurseur, 15 d) Purge de la zone de diffusion, e) Injection du réactant et génération d'hydrogène radicalaire, f) Purge, g) Répétition des étapes c) à f) jusqu'à obtention d'un film d'épaisseur souhaitée. 20 Dans un mode de fonctionnent, les moyens de pompage sont arrêtés au moins pendant l'injection du au moins un précurseur. Le procédé peut comporter une étape préalable à l'étape a) d'injection d'un gaz neutre le long d'une face intérieure de la zone de diffusion en aval de la zone d'injection. 25 Avantageusement, le réactant est injecté à une vitesse supérieure à une vitesse moyenne du flux d'hydrogène radicalaire. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise sur la base de la description qui va suivre et des dessins en annexe sur lesquels: 3058162 7 - la figure 1A est une vue en perspective schématique d'un premier mode de réalisation d'un dispositif de dépôt selon l'invention, - la figure 1B est une vue de dessous du dispositif de la figure 1A au niveau du substrat P, les fentes 19 étant représentées de manière apparente, 5 - la figure 2 est une vue de détail du diffuseur de la figure 1 au niveau de la zone d'admission, - les figures 3A et 3B sont des vues en coupe et en perspective du diffuseur de la figure 1 respectivement lors d'une étape d'injection du réactant, - les figures 4A et 4B sont des vues en coupe et en perspective du 10 diffuseur de la figure 1 respectivement lors d'une étape d'injection du réactant et de génération d'hydrogène radicalaire, - les figures 5A et 5B sont des vues en coupe et en perspective du diffuseur de la figure 1 respectivement lors d'une étape d'injection du réactant et de génération d'hydrogène radicalaire et d'injection d'un gaz neutre de sorte à former un 15 rideau de gaz neutre, - la figure 6 est une représentation graphique de la variation de la vitesse du flux parallèlement à la plaque en fonction du rayon de la plaque, - la figure 7 est une représentation graphique de la variation de la vitesse du flux perpendiculaire à la plaque en fonction du rayon de la plaque, 20 - la figure 8 est une vue en coupe d'un autre exemple d'un diffuseur selon l'invention, - -la figure 9 est une vue en perspective et en coupe le long du plan AA d'un autre exemple d'un diffuseur selon l'invention, - les figures 10A et 10B sont des variantes de réalisation du diffuseur, 25 - la figure 11 est une représentation schématique d'un autre exemple de réalisation d'un dispositif de dépôt selon le premier mode de réalisation, - la figure 12 est une vue en coupe longitudinale d'un exemple d'un deuxième mode de réalisation d'un dispositif de dépôt de type cross-flow selon l'invention, 3058162 8 - la figure 13 est une représentation schématique en perspective d'un autre exemple d'un dispositif de dépôt selon le deuxième mode de réalisation. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Dans la présente demande, l'amont et l'aval sont à considérer dans le 5 sens d'écoulement des gaz de la zone d'admission vers la zone de diffusion. Sur les figures 1A, 1B et 2, on peut voir un exemple de réalisation schématique d'un dispositif R1 de dépôt de films fins, désigné par la suite dispositif ALD. Le dispositif ALD comporte un diffuseur 2 s'étendant le long d'un axe longitudinal Z. Il comporte une première extrémité 2.1 et une deuxième extrémité 2.2 10 réparties le long de l'axe Z. Il comporte une zone d'admission 4 comprenant la première extrémité 2.1 et une zone de diffusion 6 comportant la deuxième extrémité 2.2. Les deux zones 4, 6 sont reliées l'une à l'autre de manière à présenter une paroi latérale continue. Des exemples de géométrie de cette paroi seront décrits en 15 détail par la suite. La pièce P, par exemple un substrat microélectronique, sur laquelle on souhaite faire le dépôt de films est disposée dans le réacteur dans la zone de diffusion 6 au niveau de la deuxième extrémité. Le diffuseur des figures 1A et 2 permet le dépôt sur une seule face de la pièce P, cette face sera désignée par la suite face de dépôt. 20 Dans l'exemple représenté, le réacteur présente une symétrie de révolution autour de l'axe Z, mais ceci n'est aucunement limitatif comme cela sera décrit par la suite. Dans l'exemple représenté, la zone d'admission est de forme cylindrique à section circulaire et la zone de diffusion est de forme évasée. La zone d'admission a par 25 exemple une longueur comprise entre 10 mm et 1000 mm. La somme de la longueur de la zone d'admission et de la longueur de la zone de diffusion permet de définir le temps de diffusion de la molécule de réactant, temps pendant lequel on cherche à ce qu'elle entre en contact avec de l'hydrogène radicalaire comme cela sera décrit par la suite. 3058162 9 Sur la figure 1B, on peut voir, vue de dessous, le substrat P disposé dans la deuxième extrémité 2.2 de la zone de diffusion. La deuxième extrémité 2.2 comporte une bordure 7 bordant le contour du substrat. Dans l'exemple représenté, le substrat P a une forme de disque et la bordure 7 est circulaire. Il sera compris que le substrat peut 5 avoir toute autre forme, par exemple une forme de carrée appelée pseudo-square, la bordure 7 a alors une forme carrée. Les substrats de forme carrée ou rectangulaire sont par exemple utilisés pour réaliser des cellules solaires. De préférence, la paroi évasée de la zone de diffusion a une forme hyperbolique aigue. Cette forme permet de limiter les tourbillons à proximité de la paroi 10 du diffuseur. En outre, cette forme permet de réduire le volume interne du diffuseur, ce qui permet de réduire le temps de purge du réacteur et d'augmenter les cadences de dépôt. Par exemple, vue en coupe, le profil d'un côté de la zone de diffusion est un quart d'ellipse de type (x/a)2 + (y/13)2 = 1 avec a et b représentant le grand axe et le petit axe respectivement. L'ellipse est représentée en pointillés sur la figure 1A. 15 De manière avantageuse a/10001310xa. En variante, on peut prévoir une zone de diffusion de forme conique. La zone de diffusion est alors obtenue par révolution autour de l'axe Z d'un triangle rectangle dont les deux côtés définissant l'angle droit sont a et b, a étant le rayon de la deuxième extrémité du diffuseur. 20 Une source d'hydrogène radicalaire ou atomique 8 est connectée à la zone d'admission au niveau de la première extrémité 2.1. Dans l'exemple représenté, la source d'hydrogène radicalaire 8 est en amont de la zone d'admission. De préférence elle est alignée avec celle-ci le long de l'axe Z pour 25 réduire les recombinaisons entre les atomes d'hydrogène radicalaire. Ainsi les lignes de courant du flux d'hydrogène radicalaire sont sensiblement parallèles à l'axe Z. De manière préférée, le diamètre de la source 8 et le diamètre de la zone d'admission sont proches. Par exemple, ils sont de l'ordre de quelques dizaines de mm, préférentiellement entre 40 mm et 70 mm. L'hydrogène monoatomique radicalaire possède un électron non apparié 30 sur sa couche externe et est très instable chimiquement. 3058162 10 La source d'hydrogène radicalaire met par exemple en oeuvre des moyens capacitifs, par exemple RF. Deux électrodes sont disposées en regard dans un tube isolant électrique orthogonalement à l'axe du tube, par exemple en A1203 ou en Si02, une tension est appliquée entre les deux électrodes et le tube est traversé par un flux de 5 H2 et d'Argon. L'axe du tube est aligné avec l'axe Z. En variante, la source d'hydrogène radicalaire met par exemple en oeuvre des moyens inductifs, par exemple par micro-ondes ou ICP (Inductively Coupled Plasma en terminologie anglo-saxonne). Un tube isolant électrique est entouré d'un inducteur. Le tube est traversé par un flux de H2 et d'Argon. Les molécules d'Argon sont 10 excitées et entrent en contact avec les molécules de H2 qui produisent des H*. L'axe du tube est aligné avec l'axe Z. Le diffuseur comporte des premiers moyens d'injection 10 d'un réactant destiné à réagir avec l'hydrogène radicalaire H* pour former du H2S gazeux in situ. Dans l'exemple représenté, le réacteur comporte également des deuxièmes moyens d'injection 15 d'au moins un organométallique ou précurseur. Le procédé de formation de couches de chalcogénure pouvant mettre en oeuvre le dispositif selon l'invention est décrit dans le document EP 2 899 295. Par exemple, le réactant peut être choisi dans le groupe chimique YxRy avec Y = S ou Se ou Te et R = H et/ou alkyle et/ou allyle et/ou aryle et 1Sx4 et 1Sg8; par 20 exemple YR, YR2; Y2R ; Y2R2; Y3R2; Y2R3 Le groupement alkyle R mentionné ci-dessus est avantageusement un alkyle linéaire ou ramifié comprenant 1 à 8 atomes de carbone, et encore plus avantageusement 1 à 4 atomes de carbone. Le précurseur de l'élément Y peut être utilisé seul ou en mélange avec l'hydrogène. Les composés Y2R2 et Y3R2 sont avantageusement utilisés en mélange avec 25 l'hydrogène. Cet hydrogène peut avantageusement être sous forme de plasma. Le précurseur de l'élément Y peut notamment être choisi dans le groupe comprenant le disulfure de méthyle ; le 1,2-ethanedithiol (Y2R3= HS-C2H4-SH) ; le disulfure de diméthyle (DMDS) ; le disulfure de diéthyle (DEDS) ; le disufure de dipropyle (DPDS) ; le disulfure de dibutyle (DBDS) ; le disulfure de ditertbutyle (DTBDS) ; le diséléniure de 3058162 11 méthyle ; le diséléniure d'éthyle ; diséléniure de diméthyle (DMDSe) ; diséléniure de diéthyle (DEDSe) ; le di-isopropyltelluride (DIPTe) et Tertbutyl mercaptan (tBuSH). Selon un mode de réalisation préféré, le précurseur de l'élément Y peut être : H2Y seul ; ou 1,2-ethanedithiol (HS-CH2CH2-SH) seul ; ou le mélange H2/Y2R2, ou 5 H2/DMDS, H2/DEDS, H2/DPDS, H2/DBDS, H2/DTBDS, H2/DMDSe, H2/DEDSe, H2/DIPTe, H2/tBuSH. Les organométalliques permettant la formation de film de chalcogénure peuvent être choisis parmi les familles : métal alkyle, métal cyclopentadiényle, métal amide et/ou imide, métal carbonyle, métal phosphide, et en mélange de ces groupes 10 chimiques par exemple TDMATi, TDEATi, TDMAZr, TiCI4, TDEAZr, TEMAZr, ZrCI4, Tris(Dimethylamino)CpZr (ZyALD), TDMAHf, TEMAHf, TDEAHf, Tris(Dimethylamino)CpZr HyALD), HfC14, TDMAV, TEMAV, Cp2V, Cp(CO)4V, PDMANb, TBTDENb, TBTDETa, TAIMATa, PDMATa, CP2Cr, Cr(CO)6, TDEAMo, TDMAMo, TEMAMo, Mo(CO)6, TDEAW, TDMAW, TEMAW, W(CO)6, WF6. 15 Les premiers moyens d'injection sont tels que le réactant est injecté dans la zone d'admission dans une zone centrale de celle-ci, i.e. sensiblement au niveau de l'axe longitudinal Z ou dans une zone entourant cet axe et à proximité de celui-ci. Dans l'exemple représenté, les premiers moyens d'injection comportent un tube ou aiguille 12 monté transversalement dans le cylindre de la zone d'admission. De préférence, l'aiguille 20 12 s'étend le long d'un diamètre du cylindre d'admission de sorte à conserver une symétrie de la zone d'admission. L'aiguille traverse de part en part le cylindre de la zone d'admission et ses extrémités débouchent latéralement à l'extérieur de la zone d'admission. L'aiguille 12 comporte, dans l'exemple représenté, deux extrémités ouvertes. Une extrémité 12.1 est 25 connectée à une source de réactant SR et l'autre extrémité 12.2 est connectée à une source de précurseur ou d'organométallique SORG. Des vannes 14 sont prévues aux extrémités 12.1 et 12.2 pour commander l'alimentation de l'aiguille alternativement par le réactant et l'organométallique. L'aiguille 12 comporte un orifice 16 appelé gicleur, sensiblement sur 30 l'axe Z du côté de la zone de diffusion de sorte à projeter le réactant dans une zone 3058162 12 centrale de la zone d'admission et donc dans une zone centrale de la zone de diffusion. En variante, on pourrait prévoir plusieurs gicleurs disposés symétriquement par rapport à l'axe Z et situés dans une zone centrale de la zone d'admission. Dans la présente demande, on entend par « zone centrale » une zone 5 s'étendant autour l'axe longitudinal. Dans le cas d'une zone d'admission à section transversale circulaire, la zone centrale est également à section transversale circulaire et présente un rayon inférieur au rayon intérieur de la zone d'admission, de préférence inférieur à la moitié du rayon de la zone d'admission. De manière avantageuse, le diamètre du gicleur 16 est choisi 10 suffisamment petit pour procurer aux molécules une vitesse le long de l'axe Z élevée par rapport au flux de vitesse moyen dans la zone d'admission, en particulier celui en sortie de la source de H*, afin de créer une dépression en aval de l'aiguille dont le rôle sera expliqué par la suite. Par exemple le diamètre du l'aiguille est compris entre 0,5 mm et 10 mm et est de préférence égal à 2 mm. Le diamètre du gicleur est choisi en fonction du 15 débit de réactant, du débit d'organométallique en entrée de l'aiguille, de la vitesse de gaz souhaitée en sortie de l'aiguille et du flux de H*. Par exemple le diamètre du gicleur est compris entre 0,1 mm et 5 mm et est égal de préférence à 1 mm. L'aiguille 12 forme donc, dans l'exemple représenté, également les deuxièmes moyens d'injection. 20 On pourrait prévoir des premiers et deuxièmes moyens d'injection distincts. En outre, on pourrait prévoir que les premiers et deuxièmes moyens d'injection comportent plusieurs injecteurs. Par exemple, sur la figure 9 on peut voir quatre injecteurs. Les quatre injecteurs peuvent servir à injecter successivement le réactant et le précurseur, pour cela des vannes de connexion aux sources de réactant et de précurseur 25 sont prévues. En variante, on pourrait prévoir deux injecteurs dédiés à l'injection de réactants et deux injecteurs dédiés à l'injection de précurseurs. De préférence, les injecteurs sont disposés symétriquement dans la zone d'admission de sorte à avoir un effet uniforme sur l'écoulement de l'hydrogène dans toute la section de la zone d'admission. Sur la figure 9, les premiers moyens d'injection 30 comportent deux injecteurs 18 et les deuxièmes moyens d'injection comportent deux 3058162 13 injecteurs 20, les injecteurs 20 alternant avec les injecteurs 18 et formant un angle de 90° entre eux. Les injecteurs sont orientés de sorte que le gicleur soit orienté dans la direction de l'axe Z. Les injecteurs des premiers moyens d'injection sont tels que leur gicleur est situé dans la zone centrale de la zone d'admission. 5 De manière préférée, les deuxièmes moyens d'injection injectant le ou les précurseurs sont également tels que leur gicleur est dans la zone centrale. Ainsi le dépôt de précurseur est optimisé, ce qui permet de réduire la quantité d'organométallique requise pour chaque étape d'adsorption. Il sera compris que le nombre d'injecteurs pourrait être supérieur et que 10 le nombre d'injecteurs de réactant et ceux d'organométallique pourraient être différent. Le nombre et la taille des injecteurs sont choisis afin de ne pas occuper une trop grande surface de la section transversale de la zone d'admission de sorte à ménager une section de passage de H* suffisante. De préférence, le rapport entre la surface transversale occupée par les injecteurs Si et la section de passage transversale du 15 H*, SH* Si/SH* REVENDICATIONS1. Dispositif de dépôt d'au moins film mince de chalcogénure sur au moins une face d'un élément à traiter comportant : - une zone d'admission (4), - une zone de diffusion (6) connectée à la zone d'admission (4), la zone de diffusion (6) étant destinée à recevoir l'élément (P) à traiter, la zone d'admission (4) et la zone de diffusion (6) s'étendant le long d'un axe longitudinal (Z), - une source d'hydrogène radicalaire (8) connectée à la zone d'admission (4) et orientée de sorte que les lignes de courant du flux d'hydrogène radicalaire dans la source d'hydrogène radicalaire (8) soient sensiblement parallèles à l'axe longitudinal (Z), - des moyens de pompage (19) aptes à assurer un pompage dans la zone de diffusion (6), - des premiers moyens d'injection (10) d'un réactant apte à réagir avec l'hydrogène radicalaire pour former de H2S, - des deuxièmes moyens d'injection d'au moins un précurseur, dans lequel les premiers moyens d'injection (10) sont aptes à injecter le réactant dans une zone centrale de la zone d'admission (4) dans la direction de l'axe longitudinal (Z) vers la zone de diffusion (6) de sorte que le réactant soit injecté au sein du flux d'hydrogène radicalaire, et dans lequel les moyens de pompage (19) sont commandés pour fonctionner au moins pendant l'injection de réactant et sont orientés de sorte à générer un écoulement du H2S produit le long au moins d'une face de l'élément à traiter (P) parallèlement à celle-ci afin d'activer ladite face en vue de l'absorption du précurseur. 2. Dispositif de dépôt selon la revendication 1, dans lequel les deuxièmes moyens d'injection du précurseur assurent l'injection du précurseur dans la zone d'admission, avantageusement dans une zone centrale de celle-ci. 3058162 23 3. Dispositif de dépôt selon la revendication 2, dans lequel les deuxièmes moyens d'injection sont confondus avec les premiers moyens d'injection et sont connectés alternativement à une source de réactant et à une source de précurseur au moyen d'au moins une vanne. 5 4. Dispositif de dépôt selon l'une des revendications 1 à 3, comportant des moyens aptes à générer une dépression en aval des premiers moyens d'injection. 5. Dispositif de dépôt selon la revendication 4, dans lequel les moyens 10 aptes à générer une dépression injectent le réactant à une vitesse supérieure à une vitesse moyenne du flux d'hydrogène radicalaire. 6. Dispositif de dépôt selon la revendication 4, dans les moyens aptes à générer une dépression comportent une zone de section transversale réduite (24) en aval 15 des premiers moyens d'injection (10). 7. Dispositif de dépôt selon l'une des revendications 1 à 6, comportant des troisièmes moyens d'injection d'un gaz neutre dans la zone d'admission en aval de la zone d'injection du réactant, de sorte à former une couche de gaz neutre sur une face 20 interne de la zone de diffusion. 8. Dispositif de dépôt selon la revendication 7 en combinaison avec la revendication 4, 5 ou 6, dans lequel les troisièmes moyens d'injection d'un gaz neutre sont disposés dans une zone dans laquelle le niveau de dépression est maximal. 25 9. Dispositif de dépôt selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la chambre de diffusion est configurée pour que la face de l'élément à traiter soit sensiblement perpendiculaire à l'axe longitudinal et dans lequel les moyens de pompage assurent un pompage au niveau de toute la périphérie extérieure de l'élément (P). 3058162 24 10. Dispositif de dépôt selon la revendication 9, comportant une pluralité de fenêtres (21) réparties régulièrement dans une paroi de la zone de diffusion et bordant la périphérie extérieure de l'élément (P). 5 11. Dispositif de dépôt selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la chambre de diffusion est configurée pour que la face de l'élément à traiter soit sensiblement parallèle à l'axe longitudinal et dans lequel les moyens de pompage assurent un pompage au niveau d'un bord de l'élément opposé à un bord en regard de la zone d'admission. 10 12. Dispositif de dépôt selon l'une des revendications 1 à 11 en combinaison avec la revendication 7 ou 8, dans lequel les moyens d'injection d'un gaz neutre sont configurés pour injecter un flux de gaz neutre sensiblement tangentiellement à une paroi latérale de la zone d'admission. 15 13. Dispositif de dépôt selon la revendication 3, comportant une aiguille (12) montée transversalement dans la zone d'admission et comportant un gicleur situé sensiblement sur l'axe longitudinal en direction de la zone de diffusion, ladite aiguille étant connectée par une extrémité par une vanne deux voies à la source de réactant et à 20 une source de gaz neutre et par une autre extrémité par une vanne deux voies à la source de précurseur et à une source de gaz neutre. 14. Dispositif de dépôt selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel les premiers et/ou les deuxièmes moyens d'injection comportent chacun un ou plusieurs 25 injecteurs réparties de manière régulière dans la zone d'admission. 15. Dispositif de dépôt selon l'une des revendications 1 à 14, dans lequel la zone de diffusion a une forme hyperbolique aigue. 3058162 25 16. Procédé de dépôt d'au moins un film mince sur au moins une face d'un élément à traiter mettant en oeuvre un dispositif de dépôt selon l'une des revendications 1 à 15, comportant les étapes : a) Mise en place de l'élément dans le dispositif de sorte qu'au moins 5 une face se situe dans la zone de diffusion, b) Activation des moyens de pompage, c) Injection de la zone d'admission en au moins un précurseur, d) Purge de la zone de diffusion, e) Injection du réactant et génération d'hydrogène radicalaire, 10 f) Purge, g) Répétition des étapes c) à f) jusqu'à obtention d'un film d'épaisseur souhaitée. 17. Procédé de dépôt selon la revendication 16, dans lequel les moyens 15 de pompage sont arrêtés au moins pendant l'injection du au moins un précurseur. 18. Procédé de dépôt selon la revendication 16 ou 17, comportant une étape préalable à l'étape a) d'injection d'un gaz neutre le long d'une face intérieure de la zone de diffusion en aval de la zone d'injection. 19. Procédé de dépôt selon l'une des revendications 16 à 18, dans lequel le réactant est injecté à une vitesse supérieure à une vitesse moyenne du flux d'hydrogène radicalaire. 20 25