FR 3061914 A1 20180720 FR 1750316 A 20170116 « Chambre de traitement pour un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et procédé de thermalisation mis en oeuvre dans cette chambre » DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne une chambre de traitement pour un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Elle vise également un procédé de thermalisation mis en oeuvre dans cette chambre. Le domaine est plus particulièrement celui de la régulation thermique du système de distribution de gaz dans un réacteur CVD et de l'optimisation des transferts thermiques dans un tel réacteur. ARRIERE PLAN DE L'INVENTION Les dépôts de type CVD sont réalisés dans des réacteurs, dans des conditions de vide partiel. Dans certains de ces réacteurs, les espèces réactives (par exemple réactant et précurseur) sont injectées dans une chambre de traitement par l'intermédiaire d'une pièce appelée usuellement douche d'injection (« showerhead ») qui fait face à un substrat à traiter et qui comprend une pluralité de canaux pour injecter les espèces réactives de manière homogène dans le volume au-dessus du substrat. On connaît par exemple le document WO 2009/0136019 qui décrit un tel réacteur avec une douche d'injection comprenant deux séries de canaux distincts pour injecter les espèces réactives de manière séparée. Ces types de réacteurs équipés d'une douche d'injection peuvent notamment être utilisés pour mettre en oeuvre des techniques de dépôt de type CVD. Ils peuvent également être utilisés pour mettre en oeuvre des techniques de type CVD pulsé, telles que décrites par exemple dans le document WO 2015/140261. Dans ce cas, on utilise une douche à deux groupes de canaux distincts et les espèces réactives sont injectées sous forme d'impulsions déphasées. On peut ainsi par exemple réaliser des dépôts avec une grande conformité, c'est-à-dire une grande uniformité d'épaisseur sur toutes les faces des motifs, avec des vitesses de croissance élevées. Ces douches d'injection sont des pièces d'usure qui doivent être démontées et changées périodiquement. Or dans le cadre des dépôts CVD pulsés, et des dépôts CVD en général, se pose un problème de thermalisation ou de maintien en température de la douche d'injection des réacteurs. En effet, cette pièce doit être maintenue à une température précise en fonction du procédé mis en oeuvre. Pour cela, de manière habituelle, elle est mise en contact avec une autre pièce du réacteur dont la température est contrôlée. Le 3061914 - 2 - transfert de chaleur se fait donc par un contact thermique métal-métal (ou entre matériaux en présence) sous vide, au travers d'une fonction double, à la fois fixation et transfert thermique. Dans ce cas, le transfert thermique se fait essentiellement par conduction au niveau des points de fixation, donc sur des 5 surfaces très faibles, et de manière plus marginale par rayonnement, puisqu'il n'y a pas de conduction thermique dans le vide. Pour préserver l'intégrité des précurseurs thermosensibles circulant dans la douche d'injection et l'uniformité du dépôt sur le substrat, il est important que la température de cette douche d'injection soit uniforme et constante sur 10 toute sa surface. Or, une telle douche d'injection est soumise à des apports d'énergie brusques et répétés en fonction des étapes de process, notamment lorsque le substrat, placé sur un support chauffant (« heater »), se rapproche de la douche et que la pression augmente dans la chambre, ou encore lorsqu'un 15 plasma est généré dans la chambre. Dans ces configurations, le contact entre les matériaux de la douche et de la pièce contrôlée en température sous vide n'est pas approprié pour assurer un transfert de chaleur suffisant avec la zone contrôlée en température. En d'autres termes, la résistance thermique de cette interface est trop élevée pour 20 assurer un transfert de chaleur suffisamment rapide. Il est par ailleurs connu d'améliorer la conductivité thermique entre des éléments d'assemblage en utilisant un matériau d'interface - tel qu'une graisse thermique - dont la résistance thermique est faible. Toutefois cette solution n'est pas directement applicable dans une chambre de dépôt CVD, car seuls 25 des matériaux inertes au regard du process concerné peuvent être utilisés pour éviter les risques de contamination, et la problématique du vide qui limite la conductance thermique demeure. Le but de la présente invention est de remédier aux inconvénients rencontrés dans les réacteurs et chambres de traitement CVD de l'art antérieur 30 en termes d'optimisation des transferts thermiques entre les douches d'injection ou de distribution des gaz et les systèmes de régulation thermique, tout en proposant des configurations de couvercle aisément démontables afin de pourvoir accéder sans difficulté au substrat et à la douche d'injection pour son remplacement. 35 EXPOSE DE L'INVENTION Cet objectif est atteint avec une chambre de traitement pour un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), cette chambre comprenant, au sein d'un 3061914 - 3 - corps définissant une enceinte sous vide partiel, un système d'injection pour injecter des espèces réactives en vue d'être déposées sur un substrat placé sur un élément support, et un système de régulation thermique pour réguler ou maintenir sensiblement constante la température du système d'injection, ce système de 5 régulation thermique présentant une zone d'interface avec le système d'injection. Suivant l'invention, la chambre de traitement comprend en outre, dans la zone d'interface, au moins une zone de transfert thermique (i) isolée de l'enceinte sous vide partiel par une barrière isolante à la pression et à la diffusion d'espèces contaminantes et (ii) remplie d'un matériau d'interface thermique. 10 La présence d'un matériau permet l'existence d'un transfert thermique par conduction qui n'existe pas dans le vide. Ce matériau d'interface thermique est de préférence à faible coefficient de résistance thermique. Le matériau d'interface thermique peut notamment présenter une conductivité thermique égale ou supérieure à celle de l'air (par exemple dans les conditions de 15 températures et de pression de l'environnement du réacteur). La barrière isolante permet d'éviter les pertes de pression et la diffusion de composés du matériau d'interface thermique dans la chambre de traitement, qui seraient alors des espèces contaminantes. Grâce à cette nouvelle technique de réalisation procurée par l'invention, il 20 devient possible de réaliser une interface thermique très efficace tout en conservant une bonne maintenabilité. Ainsi, la présente invention procure une amélioration sensible de la stabilité en température de la douche d'injection des gaz au cours du process, grâce à une meilleure conductance thermique entre la douche et la partie supérieure de la 25 chambre intégrant le système de régulation thermique. En effet, la présence de ce matériau d'interface thermique permet un transfert thermique par conduction, ce qui n'est pas le cas en présence de vide dans lequel seuls les transferts thermiques par rayonnement, beaucoup plus limités, sont possibles. 30 L'interface thermique ainsi réalisé permet d'évacuer la chaleur absorbée provenant de l'élément support ou porte-substrat par le système d'injection des gaz lors du rapprochement de ce dernier et lors de la montée en pression de la chambre au moment de l'injection des gaz. Outre le fait d'assurer un bon contact thermique, la présente invention est 35 simple à mettre en oeuvre, ne nécessite pas de canaux de fluides supplémentaires, et elle ne rend pas plus complexe les opérations de maintenance. Dans une forme préférée de réalisation d'une chambre selon l'invention, le système de régulation thermique est partie intégrante d'un couvercle du réacteur, ce 3061914 - 4 - couvercle étant pourvu d'un orifice d'entrée des espèces réactives. Le système d'injection est avantageusement solidaire du couvercle via la zone d'interface et le système de régulation thermique, de sorte que ce système d'injection est aisément accessible par amovibilité du couvercle. 5 Cette configuration intégrée du couvercle de la chambre de traitement contribue à faciliter le remplacement du système d'injection des gaz. Dans une configuration particulière d'une chambre de traitement selon l'invention, la chambre de traitement comprend une zone de transfert thermique délimitée par au moins deux barrières isolantes imbriquées. 10 La zone de transfert thermique ainsi délimitée peut par exemple présenter une forme annulaire dans le cas d'une chambre de traitement de géométrie cylindrique. Dans une configuration particulière d'une chambre de traitement selon l'invention, la chambre de traitement comprend plusieurs zones de transfert thermique réparties dans la zone d'interface et délimitées chacune par une barrière 15 isolante. Cette barrière isolante peut être agencée pour réaliser autour de la zone de transfert thermique une ou des zones d'étanchéité permettant d'avoir une pression différente entre l'enceinte sous vide partiel et la zone de transfert thermique. La barrière isolante peut par exemple comprendre un ou plusieurs rangs de joints 20 agencés pour séparer la zone de transfert thermique sous pression atmosphérique de l'enceinte sous vide partiel. Le système de régulation thermique peut être avantageusement pourvu d'un ou plusieurs trous prévus pour mettre le matériau d'interface thermique sous pression atmosphérique. 25 Dans une chambre de traitement selon l'invention comprenant en outre des moyens radiofréquences prévus pour générer un plasma par application d'un potentiel radiofréquence (RF) entre le système d'injection et le substrat, cette chambre comprend en outre des moyens pour isoler électriquement le système de régulation thermique du reste du corps de la chambre qui est à la masse. 30 Le système d'injection est avantageusement agencé sous la forme d'une douche d'injection ou de distribution comprenant une pluralité de canaux prévus pour injecter des espèces réactives de manière homogène dans l'enceinte sous vide partiel. Cette douche de distribution peut aussi comprendre deux séries de canaux 35 distincts pour injecter les espèces réactives de manière séparée. Cette injection séparée présente notamment un intérêt pour des dépôts en continu. Les espèces réactives peuvent être injectées sous la forme d'impulsions déphasées, de façon à réaliser un dépôt CVD pulsé. Dans ce cas, les impulsions 3061914 - 5 - génèrent des variations fortes et rapides des conditions de pression et de température dans la chambre qui rendent d'autant plus nécessaire une optimisation des transferts thermiques. Dans une configuration particulière d'une chambre de traitement selon 5 l'invention, cette chambre peut en outre comprendre des moyens pour régler la hauteur de l'élément support du substrat dans l'enceinte. Suivant un autre aspect de l'invention, il est proposé un procédé pour thermaliser un système d'injection d'espèces réactives au sein d'une chambre de traitement pour un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), cette 10 chambre comprenant en outre, au sein d'un corps définissant une enceinte sous vide partiel, un système d'injection pour injecter des espèces réactives en vue d'être déposées sur un substrat placé sur un élément support, ce procédé comprenant une régulation thermique pour réguler ou maintenir sensiblement constante la température du système d'injection, cette régulation thermique étant réalisée depuis 15 une partie du corps faisant couvercle et présentant une zone d'interface avec le système d'injection. Selon l'invention, le procédé de thermalisation comprend au niveau de la zone d'interface : - un transfert thermique par conduction, via une zone de transfert thermique 20 contenant un matériau d'interface thermique, entre le système d'injection et la partie supérieure faisant couvercle, une isolation à la pression et à la diffusion d'espèces contaminantes de la zone de transfert thermique par rapport à l'enceinte sous vide partiel. Le procédé de thermalisation selon l'invention peut être mis en oeuvre dans 25 un réacteur équipé d'un système d'injection sous la forme d'une douche d'injection ou de distribution. Cette douche d'injection peut avantageusement comprendre deux séries de canaux distincts pour injecter les espèces réactives de manière séparée. Les espèces réactives peuvent être injectées sous la forme d'impulsions déphasées. 30 BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans la description qui va suivre de modes de réalisation d'une chambre de traitement selon l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs, en référence aux dessins annexés dans 35 lesquels : - la figure 1 présente un schéma synoptique d'une chambre de traitement pour un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur représentatif de l'art antérieur ; - la figure 2 présente un schéma synoptique d'un premier mode de réalisation 3061914 - 6 - d'une chambre de traitement pour un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur selon l'invention ; - la figure 3 est une vue agrandie partielle de la zone d'interface de la chambre de traitement illustrée par la figure 2 ; et 5 - la figure 4 présente un schéma synoptique d'un second mode de réalisation d'une chambre de traitement pour un réacteur de dépôt chimique selon l'invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION DE 10 L'INVENTION Pour les différents modes de mise en oeuvre, les mêmes références seront utilisées pour des éléments identiques ou assurant la même fonction par souci de simplification de la description. Ces modes de réalisation étant nullement limitatifs, on pourra notamment 15 considérer des variantes de l'invention ne comprenant qu'une sélection de caractéristiques décrites ou illustrées par la suite isolées des autres caractéristiques décrites ou illustrées (même si cette sélection est isolée au sein d'une phrase comprenant ces autres caractéristiques), si cette sélection de caractéristiques est suffisante pour conférer un avantage technique ou pour différencier l'invention par 20 rapport à l'état de la technique antérieure. Cette sélection comprend au moins une caractéristique de préférence fonctionnelle sans détails structurels, et/ou avec seulement une partie des détails structurels si cette partie uniquement est suffisante pour conférer un avantage technique ou à différencier l'invention par rapport à l'état de la technique antérieure. 25 La figure 1 illustre schématiquement un réacteur RO de dépôt chimique en phase vapeur CVD représentatif de l'état de la technique. Ce réacteur comprend une chambre de traitement CO qui est prévue pour réaliser un dépôt en mode CVD ou CVD pulsé sur un substrat 8 placé sur un élément support ou porte-substrat 5 et est pourvue d'une douche d'injection 3, par exemple du 30 type à deux groupes de canaux tel que divulgué dans le document WO 2009/0136019. La douche d'injection 3 est une pièce d'usure qui doit être remplacée périodiquement. Ce réacteur RO de l'art antérieur peut optionnellement mettre en oeuvre une génération d'un plasma par application d'un potentiel radiofréquence (RF) 35 entre la douche d'injection 3 et le substrat 8 placé sur le porte-substrat 5. La chambre de traitement CO comporte un corps BO définissant une enceinte E0 qui est maintenue sous vide partiel, et elle est pourvue sur sa partie supérieure d'un couvercle ou « lid » LO amovible et comportant un 3061914 - 7 - orifice 1 par lequel les gaz entrent dans l'enceinte E0. Le couvercle LO peut être porté au potentiel RF lorsqu'il équipe un réacteur CVD mettant en oeuvre une génération de plasma. Ce couvercle LO est maintenu en température au moyen d'un système de régulation thermique 2 5 équipé par exemple de résistances chauffantes, ou fonctionnant par induction électromagnétique, ou bien encore mettant en oeuvre un circuit parcouru par un fluide caloporteur tel qu'un mélange d'eau désionisée et d'éthylène glycol ou tel que le fluide de transfert thermique de marque GaldenC) commercialisé par le Groupe Solvay. 10 Le système de régulation thermique 2 a pour fonction principale de maintenir la douche 3 à température constante. Un élément isolateur électrique 4 est prévu pour séparer la partie de la chambre CO portée au potentiel RF du reste de la chambre CO qui est à la masse. 15 Les gaz sous-produits de la réaction sont évacués par un orifice 6 ménagé latéral dans le corps B de la chambre de traitement CO. Le porte-substrat 5 maintient le substrat 8 en température et assure également une fonction électrique car, selon le type de chambre, il peut être soumis à un potentiel flottant, à la masse, ou polarisé à une tension continue 20 ou alternative. Le porte substrat 5 peut être porté à des températures allant de -40°C à +800°C. La hauteur du porte-substrat 5 peut être ajustée pour optimiser les performances du procédé et procéder au chargement/déchargement de la plaque de substrat. Le porte-substrat 5 évolue dans une partie 7 de la chambre 25 CO et les parois de cette partie 7 sont maintenues à un potentiel électrique nul. Il est à noter que le rapprochement du porte-substrat 5 et la montée en pression de la chambre CO au moment de l'injection des gaz génèrent des échanges thermiques importants avec la douche d'injection 3 qui peuvent modifier la température de cette dernière. 30 Avec un tel réacteur, il est par exemple possible de réaliser des dépôts à haute température de polysilicium ou de silicium amorphe sur le substrat 8. Ces procédés nécessitent des températures de substrat comprises entre 600°C et 700°C et une pression voisine du tiers de la pression atmosphérique, ce qui contribue à une forte conductance thermique entre le système de régulation 35 thermique 2 et la douche d'injection 3. Si la douche 3 n'est pas maintenue à une température suffisamment basse, par exemple de l'ordre de 80°C, il peut se produire une détérioration du précurseur avant la zone dédiée à la réaction, ce qui conduit à une génération excessive de particules qui est très 3061914 - 8 - dommageable pour le process. Dans un autre type de dépôt, on peut vouloir déposer un polymère, tel que le parylène, qui nécessite une sublimation du précurseur (à environ 100°C) puis une pyrolyse à une température supérieure à 500°C permettant d'activer 5 le précurseur dans une zone située en amont de la chambre. Le précurseur activé est ensuite acheminé vers la chambre pour se déposer sur un substrat à température ambiante. La différence de température entre le précurseur activé et le substrat est un des points clés de la réaction. Si la douche d'injection des gaz située au-dessus du substrat n'est pas maintenue à une température 10 suffisamment élevée, le dépôt aura lieu sur la douche au lieu du substrat. Ce dépôt n'étant pas nettoyable in situ, le temps moyen d'utilisation de la chambre entre deux ouvertures pour nettoyage est très faible. On va maintenant décrire, en référence à la figure 2, un premier mode de réalisation d'une chambre de traitement pour un réacteur CVD selon l'invention. A 15 l'exception des différences décrites ci-après, cette chambre C comporte des caractéristiques communes avec la chambre CO précédemment décrite en référence à la figure 1 et elle peut être mise en oeuvre de manière similaire. La chambre C diffère notamment de la chambre CO en ce qu'elle comprend en outre, au niveau de la zone d'interface ZI entre la douche d'injection 3 et le 20 système de régulation thermique 2, une zone de transfert thermique ZT isolée de l'enceinte sous vide partiel E. Cette zone de transfert thermique ZT est délimitée et séparée de l'enceinte E par une barrière isolante à la pression et à la diffusion d'espèces chimiques. Elle est remplie d'un matériau d'interface thermique 10 qui assure un transfert thermique 25 par contact et conduction, et donc dont le coefficient de résistance thermique est très faible par rapport à celui qui serait atteint avec une interface sous vide telle que décrite par exemple en relation avec la figure 1. La zone de transfert thermique ZT peut comprendre un lamage qui définit un volume libre ou contraint. Elle peut être réalisée sous la forme de plusieurs zones 30 délimitées chacune par une barrière isolante, réparties dans la zone d'interface ZI, ou encore sous la forme d'une zone entre deux barrières isolantes sur tout le périmètre de la zone d'interface ZI. Le matériau d'interface thermique 10 peut être de l'air emprisonné, de la mousse, une graisse conductrice ou bien encore un métal malléable. 35 La zone de transfert thermique n'est pas soumise au vide et contient de l'air et/ou un autre matériau. Cet air demeure emprisonné lors de la mise sous vide partiel de la chambre et assure le transfert thermique par conduction. La pression dans la zone de transfert reste donc égale ou supérieure à la pression 3061914 - 9 - atmosphérique au montage. Le couvercle L de la chambre de traitement C comporte un jeu de trous 9 réalisés pour mettre l'interface de transfert thermique à la pression atmosphérique, comme l'illustre la figure 3 qui est une vue agrandie partielle de la zone de transfert 5 thermique. La zone de transfert thermique ZT comporte deux zones d'étanchéité 12.1, 12.2 permettant d'avoir une pression différente entre une zone 11 de répartition des gaz avant la douche d'injection 3 et la zone de contact thermique contenant le matériau d'interface thermique 10 placé sous pression atmosphérique via le trou 9 10 ménagé à travers le système de régulation thermique 2. Les deux zones d'étanchéité 12.1, 12.2 constituent la barrière isolante enfermant la zone de transfert thermique ZT et peuvent être réalisées sous la forme de rangs de joints permettant de séparer la partie sous pression atmosphérique de la partie sous basse pression ou vide partiel. Les joints utilisés peuvent être des joints toriques dans des 15 gorges, ou des joints métalliques supportant des hautes températures. On va maintenant décrire, en référence à la figure 4, un second mode de réalisation d'une chambre C' de traitement pour un réacteur CVD selon l'invention. Outre l'ensemble des éléments constitutifs communs avec la chambre C illustrée par la figure 2 et qui vient d'être décrite, la chambre C' comprend en outre un système 20 de génération d'un plasma par application d'un potentiel radiofréquence RF entre la douche d'injection 3 et le substrat 8 disposé sur le porte-substrat 5. Ce système de génération plasma fait par exemple partie intégrante de la douche d'injection 3. Le couvercle L est relié à une source radiofréquence tandis que la partie inférieure du corps B de la chambre de traitement C' est reliée à une masse (potentiel nul). La 25 douche d'injection 3 est reliée électriquement au couvercle L via la zone d'interface ZI et elle est isolée électriquement de la partie inférieure du corps B au moyen de l'élément isolateur 4. Une chambre de traitement selon l'invention peut présenter une grande variété de configurations correspondant chacune à un type particulier de dépôt ou de 30 substrat ou à une application particulière. Ainsi, dans le cadre de la présente invention et à titre d'exemples non limitatifs, on pourra considérer des combinaisons des différentes configurations suivantes de dépôt, de chambre et de régulation thermique : 35 Configurations CVD CVD o douche de distribution comprenant une pluralité de canaux o douche de distribution comprenant deux groupes de canaux distincts 3061914 - 10 - o espèces réactives injectées de manière homogène CVD pulsé : o douche de distribution comprenant deux groupes de canaux distincts o espèces réactives injectées sous forme d'impulsions déphasées 5 types de dépôt dépôt à haute température de polysilicium ou de silicium sur le substrat dépôt d'un polymère sur le substrat Chambre pression gazeuse variant dans la chambre en fonction des séquences 10 d'injection des espèces réactives plasma RF généré dans la chambre Régulation thermique résistances chauffantes induction électromagnétique 15 fluide caloporteur Bien sûr, l'invention n'est pas limitée aux exemples qui viennent d'être décrits et de nombreux aménagements peuvent être apportés à ces exemples sans sortir du cadre de l'invention. Bien entendu, les différentes caractéristiques, formes, variantes 20 et modes de réalisation de l'invention peuvent être associés les uns avec les autres selon diverses combinaisons dans la mesure où ils ne sont pas incompatibles ou exclusifs les uns des autres. REVENDICATIONS1. Chambre de traitement (C) pour un réacteur (R) de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), comprenant, au sein d'un corps (B) définissant une enceinte (E) sous vide partiel, un système (3) pour injecter des espèces réactives en vue d'être déposées sur un substrat (8) placé sur un élément support (5), et un système de régulation thermique (2) pour réguler ou maintenir sensiblement constante la température dudit système d'injection (3), ledit système de régulation thermique(2) présentant une zone d'interface (ZI) avec ledit système d'injection (3), caractérisée en ce qu'elle comprend en outre, dans ladite zone d'interface (ZI), au moins une zone de transfert thermique (ZT) (i) isolée de ladite enceinte (E) sous vide partiel par une barrière isolante à la pression et à la diffusion d'espèces contaminantes et (ii) remplie d'un matériau d'interface thermique (10). 2. Chambre (C) selon la revendication 1, caractérisée en ce que le matériau d'interface thermique est à faible coefficient de résistance thermique. 3. Chambre (C) selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que le matériau d'interface thermique présente une conductivité thermique égale ou supérieure à celle de l'air. 4. Chambre (C) selon la revendication 1, caractérisée en ce que le système de régulation thermique (2) est partie intégrante d'un couvercle (L) du réacteur (R), ledit couvercle (L) étant pourvu d'un orifice (1) d'entrée des espèces réactives. 5. Chambre (C) selon la revendication 4, caractérisée en ce que le système d'injection (3) est solidaire du couvercle (L) via la zone d'interface (ZI) et le système de régulation thermique (2), de sorte que ledit système d'injection (3) est accessible par amovibilité dudit couvercle. 6. Chambre (C) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'elle comporte une zone de transfert thermique délimitée par au moins deux barrières isolantes imbriquées. 7. Chambre (C) selon la revendication 6, caractérisée en ce que la zone de transfert thermique ainsi délimitée est une zone annulaire. 3061914 - 12 - 8. Chambre (C) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle comporte plusieurs zones de transfert thermique réparties dans la zone d'interface et délimitées chacune par une barrière 5 isolante. 9. Chambre selon l'une des revendications 6 à 8, caractérisée en ce que la barrière isolante est agencée pour réaliser autour de la zone de transfert thermique (ZT) une ou des zones d'étanchéité permettant d'avoir une 10 pression différente entre l'enceinte sous vide partiel (E) et ladite zone de transfert thermique (ZT). 10. Chambre selon l'une des revendications 6 à 9, caractérisée en ce que la barrière isolante comprend un ou plusieurs rangs de joints agencés pour 15 séparer la zone de transfert thermique (ZT) sous pression atmosphérique de l'enceinte sous vide partiel (E). 11.Chambre (C) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que le système de régulation thermique (2) est pourvu 20 d'un ou plusieurs trous (9) prévus pour mettre le matériau d'interface thermique (10) sous pression atmosphérique. 12.Chambre (C) selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre des moyens radiofréquences prévus pour générer un 25 plasma par application d'un potentiel radiofréquence (RF) entre le système d'injection (3) et le substrat (8), caractérisée en ce qu'elle comprend en outre des moyens (4) pour isoler électriquement le système de régulation thermique (2) du reste du corps (B) de la chambre (C) qui est à la masse. 30 13.Chambre (C) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que le système d'injection est agencé sous la forme d'une douche de distribution (3) comprenant une pluralité de canaux (30) prévus pour injecter des espèces réactives de manière homogène dans l'enceinte sous vide partiel (E). 35 14. Chambre selon la revendication 13, caractérisée en ce que la douche de distribution (3) comprend deux séries de canaux distincts pour injecter les espèces réactives de manière séparée. 40 15. Chambre selon la revendication 13, caractérisée en ce que la douche de distribution comprend deux séries de canaux distincts pour injecter les 3061914 - 13 - espèces réactives sous la forme d'impulsions déphasées. 16. Chambre selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre des moyens pour régler la 5 hauteur de l'élément support (5) du substrat (8) dans l'enceinte sous vide partiel (E). 17. Procédé pour thermaliser un système (3) d'injection d'espèces réactives au sein d'une chambre de traitement pour un réacteur (R) de dépôt chimique 10 en phase vapeur (CVD), cette chambre comprenant en outre, au sein d'un corps (B) définissant une enceinte sous vide partiel (E), un système d'injection pour injecter des espèces réactives en vue d'être déposées sur un support placé sur un élément support, ce procédé comprenant une régulation thermique pour réguler ou maintenir sensiblement constante la 15 température dudit système d'injection (3), ladite régulation thermique étant réalisée depuis une partie dudit corps (B) faisant couvercle et présentant une zone d'interface (ZI) avec ledit système d'injection (3), caractérisé en ce qu'il comprend au niveau de ladite zone d'interface (3): un transfert thermique par conduction, via une zone de transfert 20 thermique (ZT) contenant un matériau d'interface thermique (10), entre ledit système d'injection (3) et ladite partie supérieure faisant couvercle (L), et une isolation à la pression et à la diffusion d'espèces contaminantes de ladite zone de transfert thermique (ZT) par rapport à ladite enceinte 25 sous vide partiel (E). 18. Procédé selon la revendication 17, mis en oeuvre dans un réacteur (R) équipé d'un système d'injection sous la forme d'une douche de distribution (3). 30 19. Procédé selon la revendication 18, mis en oeuvre avec une douche de distribution comprenant deux séries de canaux distincts pour injecter les espèces réactives de manière séparée. 35 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que les espèces réactives sont injectées sous la forme d'impulsions déphasées. 21. Réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) intégrant une chambre de traitement selon l'une quelconque des revendications 1 à 16. 40