FR 3053532 A1 20180105 FR 1656191 A 20160630 1 STRUCTURE HYBRIDE POUR DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne le domaine des dispositifs à ondes acoustiques de surface. Elle concerne en particulier une structure hybride adaptée pour la fabrication de dispositifs à ondes acoustiques de surface et un procédé de fabrication de ladite structure hybride. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION Les dispositifs à ondes acoustiques de surface (« SAW » pour « Surface Acoustic Wave » selon la terminologie anglo-saxonne) utilisent un ou plusieurs transducteurs interdigités élaborés sur un substrat piézoélectrique pour convertir des signaux électriques en ondes acoustiques et vice versa. De tels dispositifs ou résonateurs SAW sont souvent utilisés dans les applications de filtrage. La technologie SAW à radiofréquences (RF) sur substrat piézoélectrique fournit d'excellentes performances telles qu'une haute isolation et de faibles pertes d'insertion. Pour cette raison, elle est utilisée pour les duplexeurs RF dans les applications de communication sans fil. Néanmoins, pour être plus concurrentiels par rapport aux duplexeurs RF basés sur la technologie des ondes acoustiques de volume (« BAW » pour « Bulk Acoustic Wave »), les dispositifs SAW RF requièrent que la stabilité en température de leur réponse en fréquence soit améliorée. 3053532 2 La dépendance de la fréquence de fonctionnement des dispositifs SAW vis-à-vis de la température, ou le coefficient de fréquence thermique (« TCF » pour « Temperature Coefficient of Frequency »), dépend d'une part des variations de 5 l'espacement entre les électrodes interdigitées des transducteurs, qui sont généralement dues aux coefficients de dilatation thermique (« CTE » pour « Coefficient of Thermal Expansion ») relativement élevés des substrats piézoélectriques utilisés ; d'autre part, le TCF dépend du 10 coefficient de vitesse thermique car la dilatation ou la contraction du substrat piézoélectrique s'accompagne d'une augmentation ou d'une diminution de la vitesse de l'onde acoustique de surface. Pour minimiser le coefficient de fréquence thermique (TCF), un objectif est donc de minimiser 15 la dilatation/contraction du substrat piézoélectrique, notamment dans la zone de surface dans laquelle les ondes acoustiques vont se propager. L'article de K.Hashimoto, M.Kadota et al, « Recent 20 development of temperature compensated SAW devices », IEEE Ultrason. Symp. 2011, pages 79 à 86, 2011, donne une vue d'ensemble des approches couramment utilisées pour surmonter le problème de dépendance vis-à-vis de la température de la réponse en fréquence des dispositifs SAW. 25 Une approche consiste à utiliser un substrat hybride, par exemple composé d'une couche de matériau piézoélectrique disposée sur un substrat de silicium. Le CTE faible du silicium permet de limiter la dilatation/contraction de la couche piézoélectrique en température. Dans le cas d'une 30 couche piézoélectrique de Tantalate de Lithium (LiTa03), l'article précédemment cité indique qu'un ratio de 10 entre l'épaisseur de LiTaO3 et l'épaisseur du substrat de silicium permet d'améliorer convenablement le coefficient de fréquence thermique (TCF). 3053532 3 L'un des inconvénients d'un tel substrat hybride vient de la présence d'ondes acoustiques parasites (appelées « spurious acoustic modes » dans l'article « Characterization of bonded wafer for RF filters with reduced TCF », B.P.Abbott 5 et al, Proc 2005 IEEE International Ultrasonics Symposium, Sept 19-21, 2005, pp.926-929) qui impactent négativement les caractéristiques en fréquence du résonateur élaboré sur le substrat hybride. Ces résonances parasites sont notamment liées à des réflexions parasites sur les interfaces sous- 10 jacentes, dont notamment l'interface entre le LiTaO3 et le silicium. Une solution pour diminuer ces résonances parasites est d'augmenter l'épaisseur de la couche de LiTaO3 ; cela supposant d'augmenter également l'épaisseur du substrat de Si pour conserver les améliorations du TCF, l'épaisseur totale du 15 substrat hybride n'est alors plus compatible avec les besoins de réduction d'épaisseur des composants finaux, notamment pour adresser le marché des téléphones cellulaires. Une autre solution, proposée par K.Hashimoto est de rugosifier la surface inférieure de la couche de LiTaO3 de façon à limiter 20 les réflexions de l'onde acoustique sur celle-ci. Une telle rugosification représente une difficulté à gérer quand un procédé de collage direct, requérant des surfaces à assembler très lisses, est utilisé pour la réalisation du substrat hybride. 25 Un autre inconvénient d'un substrat hybride selon l'état de l'art vient de la présence du support en matériau silicium semi-conducteur, qui même fortement résistif, est susceptible de contenir des charges mobiles et d'impacter les 30 performances du dispositif, notamment en augmentant les pertes d'insertion et les distorsions (linéarité) du signal RF par rapport à un substrat massif piézoélectrique. 3053532 4 OBJET DE L'INVENTION Un objet de la présente invention est de remédier à tout ou partie des inconvénients de l'art antérieur. Un objet 5 de l'invention est de proposer une structure hybride permettant la réduction et/ou l'élimination desdites ondes acoustiques parasites et assurant une performance stable pour des dispositifs fonctionnant à hautes fréquences. 10 BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION La présente invention concerne une structure hybride pour dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant une 15 couche utile de matériau piézoélectrique présentant une première face libre et une deuxième face disposée sur un substrat support dont le coefficient de dilatation thermique est inférieur à celui de la couche utile, la structure hybride étant caractérisée en ce qu'elle comprend : 20 - une couche de piégeage interposée entre la couche utile et le substrat support ; - au moins une interface fonctionnelle de rugosité déterminée entre la couche utile et la couche de piégeage. 25 La couche de piégeage de la structure hybride selon l'invention piège efficacement les charges électriques mobiles potentiellement générées dans le substrat support lors du fonctionnement du dispositif SAW RF élaboré sur ladite 30 structure hybride. Les performances RF (linéarité, pertes d'insertion) atteignent ainsi un bon niveau, comparable voire supérieur à celui des technologies sur substrats piézoélectriques massifs. 3053532 5 L'interface fonctionnelle de rugosité déterminée permet une diffusion efficace des ondes acoustiques susceptibles de se propager en profondeur dans la couche utile, évitant ainsi leurs réflexions parasites qui sont connues pour impacter 5 négativement la qualité du signal du dispositif SAW. Cette diffusion des ondes acoustiques est rendue plus efficace du fait que l'interface fonctionnelle soit localisée entre la couche utile et la couche de piégeage : en effet, outre ses qualités de piégeage de charges mobiles, la couche de piégeage 10 permet d'écranter efficacement l'interface sous-jacente avec le substrat support, cette dernière contribuant dans les structures hybrides à réfléchir des ondes acoustiques. Selon des caractéristiques avantageuses de l'invention, 15 prises seules ou en combinaison : - la couche de piégeage est directement en contact avec le substrat support ; - la couche de piégeage est formée d'un matériau choisi parmi le silicium amorphe, le silicium poly-cristallin, 20 le germanium amorphe ou poly-cristallin ; - la couche de piégeage est formée par implantation dans une couche superficielle du substrat support ou par gravure et structuration de la couche superficielle du substrat support ; 25 - la rugosité déterminée de l'interface fonctionnelle présente une amplitude crête à creux supérieure à 0,3 micron, avantageusement supérieure ou égale à 0,5 micron, voire à 1 micron ; - l'interface fonctionnelle est formée par l'interface 30 entre la couche utile et la couche de piégeage, la deuxième face de la couche utile présentant la rugosité déterminée ; - l'interface fonctionnelle est formée par l'interface entre une première couche intercalaire, disposée sur la 3053532 6 deuxième face de la couche utile, et la couche de piégeage ; la couche de piégeage présentant la rugosité déterminée ; - la première couche intercalaire comprend un matériau 5 choisi parmi l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium, l'oxynitrure de silicium, un matériau de même nature que celui constituant la couche utile ; - la structure hybride comprend une deuxième interface fonctionnelle ; 10 - la deuxième interface fonctionnelle est formée par l'interface entre la couche utile et une deuxième couche intercalaire disposée sur la première couche intercalaire, la deuxième interface fonctionnelle présentant une deuxième rugosité déterminée dont 15 l'amplitude crête-à-creux est supérieure à 0,1 micron ; - la deuxième couche intercalaire comprend un matériau choisi parmi l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium, l'oxynitrure de silicium, un matériau de même nature que celui constituant la couche utile ; 20 - la première couche intercalaire et la deuxième couche intercalaire sont formées du même matériau ; - la couche utile comprend un matériau piézoélectrique choisi parmi le tantalate de lithium (LiTaO3), le niobate de lithium (LiNbO3), le quartz, l'oxyde de zinc (ZnO), le 25 nitrure d'aluminium (A1N) ; - le substrat support est un substrat massif ou un substrat composite comprenant au moins une couche vierge ou comportant tout ou partie de composants micro-électroniques. 30 3053532 7 La présente invention concerne également un dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant une structure hybride telle que ci-dessus. 5 La présente invention concerne en outre un procédé de fabrication d'une structure hybride pour un dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant : - Une étape de fourniture d'une couche utile de 10 matériau piézoélectrique comprenant une première face et une deuxième face présentant une rugosité déterminée ; - Une étape de fourniture d'un substrat support présentant un coefficient de dilatation thermique 15 inférieur à celui de la couche utile ; - Une étape d'assemblage pour disposer la couche utile sur le substrat support ; Le procédé est remarquable en ce qu'il comprend, préalablement à l'étape d'assemblage, une étape de formation 20 d'une couche de piégeage sur la deuxième face de la couche utile, l'interface entre la couche de piégeage et la couche utile formant une interface fonctionnelle de rugosité déterminée ; l'étape d'assemblage s'opère entre la couche de piégeage et le substrat support. 25 La présente invention concerne également un autre procédé de fabrication d'une structure hybride pour un dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant : 30 - Une étape de fourniture d'une couche utile de matériau piézoélectrique comprenant une première face et une deuxième face ; 3053532 8 - Une étape de fourniture d'un substrat support présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile ; - Une étape d'assemblage pour disposer la couche utile sur 5 le substrat support ; Le procédé est remarquable en ce qu'il comprend, préalablement à l'étape d'assemblage : - Une étape de formation d'une couche de piégeage, présentant une rugosité déterminée, sur le substrat 10 support ; - Une étape de formation d'une première couche intercalaire sur la couche de piégeage, l'interface entre la couche de piégeage et la première couche intercalaire formant une interface fonctionnelle de rugosité déterminée. 15 Selon des caractéristiques avantageuses de ce procédé de fabrication, prises seules ou en combinaison : - l'étape d'assemblage s'opère entre la première couche intercalaire et la deuxième face de la couche utile ; 20 - le procédé de fabrication d'une structure hybride comprend, préalablement à l'étape d'assemblage, une étape de formation d'une deuxième couche intercalaire sur la deuxième face de la couche utile qui présente une deuxième rugosité déterminée, l'étape d'assemblage 25 s'opérant entre la première couche intercalaire et la deuxième couche intercalaire ; l'interface entre la couche utile et la deuxième couche intercalaire forme une deuxième interface fonctionnelle. 30 3053532 9 BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre en 5 référence aux figures annexées sur lesquelles : les figures 1 à 3 présentent des structures hybrides conformes à l'invention ; la figure 4 présente un dispositif à ondes acoustiques de surface conforme à l'invention ; 10 les figures 5a à 5e, 6a à 6e et 7a à 7e présentent des procédés de fabrication de structures hybrides, conformes à l'invention. 15 DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Dans la partie descriptive, les mêmes références sur les figures pourront être utilisées pour des éléments de même nature. 20 Les figures sont des représentations schématiques qui, dans un objectif de lisibilité, ne sont pas à l'échelle. En particulier, les épaisseurs des couches selon l'axe z ne sont pas à l'échelle par rapport aux dimensions latérales selon les axes x et y. 25 Comme illustré sur la figure 1, l'invention concerne une structure hybride 100 pour dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant une couche utile 10 de matériau piézoélectrique présentant une première face 1 libre et une 30 deuxième face 2. La couche utile 10 comprend un matériau piézoélectrique choisi, à titre d'exemple, parmi le tantalate de lithium (LiTa03), le niobate de lithium (LiNb03), le quartz, l'oxyde de zinc (Zn0), le nitrure d'aluminium (A1N). 3053532 10 La couche utile 10 est disposée sur un substrat support 20 dont le coefficient de dilatation thermique est inférieur à celui de la couche utile 10. Le substrat support 20 est, à titre d'exemple, formé en silicium ou en germanium. 5 La structure hybride 100 selon l'invention comprend également une couche de piégeage 30 interposée entre la couche utile 10 et le substrat support 20. Par couche de piégeage, on entend une couche apte à piéger les charges électriques mobiles susceptibles d'être présentes dans le substrat support 10 20. A titre d'exemple, la couche de piégeage 30 est formée d'un matériau choisi parmi le silicium amorphe, le silicium poly-cristallin, le germanium amorphe ou poly-cristallin. La couche de piégeage 30 pourra également être formée par une technique ou une combinaison de techniques parmi lesquelles : 15 l'implantation d'ions dans une couche superficielle du substrat support 20 ; pour un substrat en silicium, une implantation par exemple d'ions d'argon, de silicium ou d'azote pourra être effectuée pour générer une couche superficielle perturbée, apte à piéger des charges 20 mobiles issues du substrat support 20 ; ou par la gravure et la structuration d'une couche superficielle du substrat support 20 ; par exemple, par gravure mécanique, chimique humide ou sèche, induisant une structuration de la surface, site privilégié de 25 piégeage pour des charges mobiles issues du substrat support 20. L'épaisseur de la couche de piégeage 30 pourra être comprise entre quelques dizaines de nm et quelques microns, 30 voire quelques dizaines de microns. Avantageusement, la couche de piégeage 30 est directement en contact avec le substrat support 20, ce qui permet un piégeage efficace des charges mobiles générées dans le substrat support 20. 3053532 11 La structure hybride 100 selon l'invention comprend en outre au moins une interface fonctionnelle 31 de rugosité déterminée entre la couche utile 10 et la couche de piégeage 5 30. La rugosité de l'interface fonctionnelle 31 est définie par l'amplitude maximale crête-à-creux, mesurée par exemple par profilométrie mécanique ou optique, sur des profils de mesure de l'ordre de 50 à 500 microns ou des surfaces de mesure de l'ordre de 50x50 à 500x500 wa2. Avantageusement, la 10 rugosité déterminée crête-à-creux est supérieure à 0,3 micron. Avantageusement, elle est même supérieure ou égale à 0,5 micron, voire à 1 micron. Elle est préférentiellement comprise entre 0,3 et 5 microns. De manière également avantageusement, la densité 15 spectrale (PSD) de la rugosité de l'interface fonctionnelle 31 couvre tout ou partie de la bande spectrale de longueurs d'onde des ondes parasites que l'on cherche à éliminer. Préférentiellement, la rugosité déterminée présente des longueurs d'ondes spatiales et une amplitude au moins égales à 20 un quart des longueurs d'ondes parasites. La rugosité déterminée de l'interface fonctionnelle 31 pourra donc être adaptée en amplitude et potentiellement en densité spectrale en fonction de la fréquence des ondes acoustiques du dispositif SAW qui sera fabriqué sur la 25 structure hybride 100, pour son aptitude à diffuser efficacement les ondes acoustiques susceptibles de se propager dans la couche utile 10. La couche de piégeage 30 de la structure hybride 100 30 selon l'invention piège efficacement les charges électriques mobiles potentiellement générées dans le substrat support 20 lors du fonctionnement du dispositif SAW RF élaboré sur la première face 1 de ladite structure hybride 100. Les performances RF (linéarité, pertes d'insertion) atteignent 3053532 12 ainsi un très bon niveau, comparable voire supérieur à celui des technologies sur substrats piézoélectriques massifs. L'interface fonctionnelle 31 de rugosité déterminée permet une diffusion efficace des ondes acoustiques 5 susceptibles de se propager en profondeur dans la couche utile 10, évitant ainsi leurs réflexions parasites, qui sont connues pour impacter négativement la qualité du signal du dispositif SAW. 10 Selon un premier mode de réalisation, illustré sur la figure 1, l'interface fonctionnelle 31 est formée par l'interface entre la couche utile 10 et la couche de piégeage 30. Selon un deuxième mode de réalisation, illustré sur la 15 figure 2, l'interface fonctionnelle 31 est formée par l'interface entre une première couche intercalaire 40, disposée sur la deuxième face 2 de la couche utile 10, et la couche de piégeage 30. A titre d'exemple, la première couche intercalaire 40 peut comprendre un matériau choisi parmi 20 l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium, l'oxynitrure de silicium ou encore un matériau de même nature que la couche utile. Ces deux modes de réalisation sont avantageux en ce que la couche de piégeage 30 permet d'éloigner et d'écranter 25 l'interface sous-jacente avec le substrat support 20, cette dernière étant un fort contributeur, dans les structures hybrides habituelles, à la réflexion des ondes acoustiques se propageant dans le volume de la couche utile 10. L'interface avec le substrat support 20 est écrantée dans le sens où la 30 majorité, voire la totalité, des ondes acoustiques atteignant l'interface fonctionnelle 31 vont être diffusée efficacement par cette dernière et ainsi ne jamais atteindre cette interface. 3053532 13 Selon un troisième mode de réalisation, illustré sur la figure 3, la structure hybride 100 comprend une deuxième interface fonctionnelle 32 présentant une deuxième rugosité déterminée, dont l'amplitude crête-à-creux est supérieure à 5 0,1 micron. Elle est préférentiellement comprise entre 0,1 et 5 microns. Notons que la deuxième interface fonctionnelle 32 pourra présenter une deuxième rugosité déterminée différente de la rugosité déterminée de la première interface fonctionnelle 31, tant en amplitude qu'en densité spectrale. 10 Avantageusement, les densités spectrales pourront être choisies pour couvrir de manière complémentaire la bande spectrale de longueurs d'onde des ondes parasites que l'on souhaite éliminer. La deuxième interface fonctionnelle 32 est formée par 15 l'interface entre la couche utile 10 et une deuxième couche intercalaire 50 disposée sur la première couche intercalaire 40. A titre d'exemple, la deuxième couche intercalaire 50 comprend un matériau choisi parmi l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium, l'oxynitrure de silicium ; elle peut 20 également comprendre un matériau de même nature que celui constituant la couche utile 10 : pour une couche utile 10 en LiTaO3, la deuxième couche intercalaire 50 pourra par exemple consister en une couche de LiTaO3 amorphe déposée. Selon une variante avantageuse de ce troisième mode de 25 réalisation, les première 40 et deuxième 50 couches intercalaires sont formées du même matériau ; ainsi, l'interface entre ces deux couches ne contribue pas ou peu à des réflexions parasites, du fait de l'absence de différence d'impédance acoustique entre les deux couches. 30 Dans les différents modes de réalisation décrits, le substrat support est un substrat massif. Alternativement, il pourra consister en un substrat composite comprenant au moins 3053532 14 une couche vierge ou une couche structurée, comportant tout ou partie de composants micro-électroniques ; ces configurations sont particulièrement avantageuses pour réaliser des systèmes co-intégrés, incluant des dispositifs à ondes acoustiques de 5 surface dans et sur la couche utile 10, et des composants (commutateurs, amplificateurs, autres filtres...) dans le substrat support. 10 L'invention concerne également un dispositif à ondes acoustiques de surface 200 comprenant une structure hybride 100, illustré en figure 4. Le dispositif 200 comprend par exemple des électrodes métalliques interdigitées 201 sur la première face 1 de la couche utile 10, entre lesquelles se 15 propagera l'onde acoustique. La structure hybride 100 est particulièrement adaptée pour la fabrication de dispositifs à ondes acoustiques de surface 200 utilisant des fréquences d'ondes acoustiques comprises entre 700MHz et 3GHz. 20 L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une structure hybride 100 pour dispositif à ondes acoustiques de surface 200, qui va être décrit en 25 référence aux figures 5 à 7. Le procédé de fabrication comprend tout d'abord une étape de fourniture d'une couche utile 10 de matériau piézoélectrique comprenant une première face 1 et une deuxième face 2 présentant une rugosité déterminée. Ladite rugosité est 30 définie par l'amplitude maximale crête-à-creux, mesurée par exemple par profilométrie mécanique ou optique, sur des profils de mesure de l'ordre de 50 à 500 microns ou des surfaces de mesure de l'ordre de 50x50 à 500x500 p,m2. Avantageusement, la rugosité déterminée est supérieure à 0,3 3053532 15 micron, voire supérieure ou égale à 0,5 micron, voire encore supérieure à 1 micron. Préférentiellement, elle est même comprise entre 0,3 et 5 microns. De manière également avantageusement, la densité 5 spectrale de la rugosité de l'interface fonctionnelle 31 couvre tout ou partie de la bande spectrale de longueurs d'onde des ondes parasites que l'on cherche à éliminer. Préférentiellement, la rugosité déterminée présente des longueurs d'ondes spatiales et une amplitude au moins égales à 10 un quart des longueurs d'ondes parasites. La rugosité déterminée de l'interface fonctionnelle 31 pourra donc être adaptée en amplitude et potentiellement en densité spectrale en fonction de la fréquence des ondes 15 acoustiques du dispositif SAW qui sera fabriqué sur la structure hybride 100, pour son aptitude à diffuser efficacement les ondes acoustiques susceptibles de se propager dans la couche utile 10. La rugosité déterminée peut être réalisée sur la 20 deuxième face 2 par des techniques de rodage mécanique, polissage mécano-chimique, gravure chimique humide ou sèche, ou une combinaison de ces différentes techniques. L'objectif est de créer sur la deuxième face 2 de la couche utile 10 une rugosité uniforme sur toute la face, d'amplitude déterminée. A 25 titre d'exemple, une telle rugosité peut être obtenue par les traitements typiques de faces arrières dépolies des plaquettes (tantalate de lithium, niobate de lithium...) utilisées dans l'industrie du semi-conducteur. Comme énoncé précédemment et sans que cela soit 30 limitatif, la couche utile 10 comprend un matériau piézoélectrique choisi parmi le tantalate de lithium (LiTaO3), le niobate de lithium (LiNbO3), le quartz, l'oxyde de zinc (ZnO), le nitrure d'aluminium (A1N). 3053532 16 Selon un mode de réalisation avantageux, la couche utile 10 est comprise dans un substrat donneur 11, présentant une deuxième face 2 de rugosité déterminée et une première face 1' (figure 5a). 5 Le procédé de fabrication selon l'invention comprend également une étape de formation d'une couche de piégeage 30 sur la deuxième face 2 de la couche utile 10, ou du substrat donneur 11 (figure 5b). L'interface entre la couche de piégeage 30 et la couche utile 10 (ou le substrat donneur 11) 10 forme une interface fonctionnelle 31 de rugosité déterminée. Avantageusement, la couche de piégeage 30 est formée d'un matériau choisi parmi le silicium amorphe, le silicium polycristallin, le germanium amorphe ou poly-cristallin. La couche de piégeage 30 peut être élaborée par des techniques connues 15 de dépôt chimique (PECVD, LPCVD, etc.). La couche de piégeage 30 présente typiquement une épaisseur comprise entre quelques dizaines de nm et quelques microns, voire quelques dizaines de microns. Avantageusement, l'étape de formation de la couche de 20 piégeage 30 comprend une étape de lissage de la surface libre de la couche de piégeage 30, consistant par exemple en un polissage mécano-chimique, une gravure lissante par plasma ou attaque chimique humide. Préférentiellement, la surface libre de la couche de piégeage 30 présentera une faible rugosité 25 (typiquement REVENDICATIONS1. Structure hybride (100) pour dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant une couche utile (10) de matériau piézoélectrique présentant une première face (1) libre et une deuxième face (2) disposée sur un substrat support (20) dont le coefficient de dilatation thermique est inférieur à celui de la couche utile (10), la structure hybride (100) étant caractérisée en ce qu'elle comprend : - une couche de piégeage (30) interposée entre la couche utile (10) et le substrat support (20) ; - au moins une interface fonctionnelle (31) de rugosité déterminée entre la couche utile (10) et la couche de piégeage (30). 2. Structure hybride (100) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication précédente, dans laquelle la couche de piégeage (30) est directement en contact avec le substrat support (20). 3. Structure hybride (100) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle la couche de piégeage (30) est formée d'un matériau choisi parmi le silicium amorphe, le silicium poly-cristallin, le germanium amorphe ou polycristallin. 4. Structure hybride (100) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des revendications 1 à 2, dans laquelle la couche de piégeage (30) est formée par implantation dans une couche superficielle du 3053532 26 substrat support (20) ou par gravure et structuration de la couche superficielle du substrat support (20). 5. Structure hybride (100) pour dispositif à ondes 5 acoustiques de surface selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle la rugosité déterminée de l'interface fonctionnelle (31) présente une amplitude crête à creux supérieure à 0,3 microns. 10 6. Structure hybride (100) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle l'interface fonctionnelle (31) est formée par l'interface entre la couche utile (10) et la couche de piégeage (30), la deuxième face (2) de la 15 couche utile (10) présentant la rugosité déterminée. 7. Structure hybride (100) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des revendications 1 à 5, dans laquelle l'interface fonctionnelle (31) est 20 formée par l'interface entre une première couche intercalaire (40), disposée sur la deuxième face (2) de la couche utile (10), et la couche de piégeage (30) ; la couche de piégeage (30) présentant la rugosité déterminée. 25 8. Structure hybride (100) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication précédente, dans laquelle la première couche intercalaire (40) comprend un matériau choisi parmi l'oxyde de silicium, le 30 nitrure de silicium, l'oxynitrure de silicium, ou un matériau de même nature que celui constituant la couche utile (10). 3053532 27 9. Structure hybride (100) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des deux revendications précédentes, comprenant une deuxième interface fonctionnelle (32). 5 10. Structure hybride (100) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication précédente, dans laquelle la deuxième interface fonctionnelle (32) est formée par l'interface entre la couche utile (10) et 10 une deuxième couche intercalaire (50) disposée sur la première couche intercalaire (40) ; la deuxième interface fonctionnelle (32) présentant une deuxième rugosité déterminée dont l'amplitude crête-à-creux est supérieure à 0,1 micron. 15 11. Structure hybride (100) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication précédente, dans laquelle la deuxième couche intercalaire (50) comprend un matériau choisi parmi l'oxyde de silicium, le 20 nitrure de silicium, l'oxynitrure de silicium ou un matériau de même nature que celui constituant la couche utile (10). 12. Structure hybride (100) pour dispositif à ondes 25 acoustiques de surface selon l'une des deux revendications précédentes, dans laquelle la première couche intercalaire (40) et la deuxième couche intercalaire (50) sont formées du même matériau. 30 13. Structure hybride (100) pour dispositif à ondes acoustiques de surface selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle la couche utile (10) comprend un matériau piézoélectrique choisi parmi le tantalate de lithium (LiTa03), le niobate de lithium (LiNb03), le 3053532 28 quartz, l'oxyde de zinc (ZnO), le nitrure d'aluminium (A1N). 14. Structure hybride (100) pour dispositif à ondes 5 acoustiques de surface selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle le substrat support est un substrat massif ou un substrat composite comprenant au moins une couche vierge ou comportant tout ou partie de composants micro-électroniques. 10 15. Dispositif à ondes acoustiques de surface (200) comprenant une structure hybride (100) selon l'une des revendications précédentes. 15 16. Procédé de fabrication d'une structure hybride (100) pour un dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant : - Une étape de fourniture d'une couche utile (10) de matériau piézoélectrique comprenant une première face 20 (1) et une deuxième face (2) présentant une rugosité déterminée ; - Une étape de fourniture d'un substrat support (20) présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui de la couche utile (10) ; 25 - Une étape d'assemblage pour disposer la couche utile (10) sur le substrat support (20) ; Le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend, préalablement à l'étape d'assemblage, une étape de formation d'une couche de piégeage (30) sur la deuxième 30 face (2) de la couche utile (10), l'interface entre la couche de piégeage (30) et la couche utile (10) formant une interface fonctionnelle (31) de rugosité déterminée ; l'étape d'assemblage s'opérant entre la couche de piégeage (30) et le substrat support (20). 3053532 29 17. Procédé de fabrication d'une structure hybride (100) pour un dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant : 5 - Une étape de fourniture d'une couche utile (10) de matériau piézoélectrique comprenant une première face (1) et une deuxième face (2) ; - Une étape de fourniture d'un substrat support (20) présentant un coefficient de dilatation thermique 10 inférieur à celui de la couche utile (10) ; - Une étape d'assemblage pour disposer la couche utile (10) sur le substrat support (20) ; Le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend, préalablement à l'étape d'assemblage : 15 - Une étape de formation d'une couche de piégeage (30), présentant une rugosité déterminée, sur le substrat support (20) ; - Une étape de formation d'une première couche intercalaire (40) sur la couche de piégeage (30), 20 l'interface entre la couche de piégeage (30) et la première couche intercalaire (40) formant une interface fonctionnelle (31) de rugosité déterminée. 18. Procédé de fabrication d'une structure hybride (100) 25 selon la revendication précédente, dans lequel l'étape d'assemblage s'opère entre la première couche intercalaire (40) et la deuxième face (2) de la couche utile (10). 30 19. Procédé de fabrication d'une structure hybride (100) selon la revendication 17, comprenant, préalablement à l'étape d'assemblage, une étape de formation d'une deuxième couche intercalaire (50) sur la deuxième face (2) de la couche utile (10) qui présente une deuxième 3053532 30 rugosité déterminée, l'étape d'assemblage s'opérant entre la première couche intercalaire (40) et la deuxième couche intercalaire (50) ; l'interface entre la couche utile (10) et la deuxième couche intercalaire (50) 5 formant une deuxième interface fonctionnelle (32).