FR 3051600 A1 20171124 FR 1654544 A 20160520 1 DISPOSITIF ELECTRONIQUE A IDENTIFICATION DE TYPE PUF DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR L'invention concerne le domaine de la sécurité et de l'identification de dispositifs électroniques tels que des puces électroniques et/ou des circuits intégrés électroniques, utilisés notamment dans des systèmes embarqués ou des objets connectés (loT, ou « Internet of Things »). Une approche appelée PUF (« Physically Unclonable Function ») permettant d'identifier ou d'authentifier de manière sécurisée et unique un circuit ou une puce électronique consiste à identifier des caractéristiques uniques et propres à ce circuit pour identifier ce circuit, de manière analogue à des empreintes digitales d'une personne. Idéalement, ces caractéristiques doivent être stables dans le temps (contre le vieillissement), stables vis-à-vis des variations liées aux conditions de mesure (courant, tension et conditions extérieures/environnementales de mesure telles que la température), et être impossible à dupliquer matériellement ou mathématiquement (c'est-à-dire via la création d'un modèle mathématique capable de remplacer les éléments matériels comprenant les caractéristiques uniques). Toute manipulation ou modification du circuit ou de la puce doit également engendrer une modification de ces caractéristiques afin que la lecture de cet identifiant puisse garantir l'intégrité du circuit ou de la puce. Ainsi, une manipulation malveillante du circuit ou de la puce ne doit pas permettre la duplication de cette fonction PUF, ni une altération des résultats de cette fonction (sans détruire la puce dans son intégralité). Une première solution pour permettre une telle identification consiste à intégrer au circuit des composants électroniques aptes à générer un délai variable et strictement différent de circuit à circuit en conséquence des variations des procédés de fabrication intra plaque, intra lot et lot à lot. La valeur de ce délai correspond à l'identifiant unique. Ces composants électroniques forment par exemple un ou plusieurs oscillateurs en anneaux dédiés à cette identification. 3051600 2 Les inconvénients de cette première solution sont que le délai mesuré est instable, notamment en température, et que ces composants électroniques peuvent être modélisés mathématiquement grâce à des méthodes par apprentissage. Une deuxième solution pour réaliser une telle identification consiste à 5 utiliser des éléments mémoires (cellules SRAM) du circuit et à considérer que les états mémoires dans lesquels ces éléments mémoires s'initialisent (états de métastabilité) forment ensemble l'identifiant du circuit. Une telle solution est par exemple décrite dans le document D.E. Holcomb et al., « Power-Up SRAM State as an Identifying Fingerprint and Source of True Random Numbers », IEEE Transactions on Computers, vol. 58, n°9, 10 septembre 2009. Cette solution a toutefois pour inconvénient que les éléments mémoires utilisés pour générer l'identifiant sont sensibles aux variations de courant, de tension et de température auxquelles ces éléments mémoires sont soumis, ainsi qu'aux variations liées au vieillissement du circuit. De plus, cette solution nécessite la mise en oeuvre 15 d'importants codes de correction d'erreurs et d'algorithmes de post-traitement qui sont coûteux à mettre en oeuvre et qui engendrent également des problèmes de sécurité du fait qu'ils rendent vulnérable cette solution vis-à-vis d'attaques logicielles (le post-traitement pouvant être attaqué par des attaques physiques telles que l'espionnage de canaux auxiliaires ou l'injection de fautes, pour retrouver de manière invasive la valeur 20 PUF mesurée. En outre, dans de tels éléments mémoires, il existe une corrélation entre les états métastables d'une ligne de cellules mémoires alimentées par une même ligne d'alimentation électrique. L'identifiant généré présente donc une certaine prédictibilité qui n'est pas souhaitée pour un identifiant de type PUF. Enfin, il existe 25 également des attaques invasives permettant de cloner ces cellules mémoires, comme cela est décrit dans le document « Cloning Physically Unclonable Functions » de C. Helfmeier et al., Hardware-Oriented Security and Trust (HOST), 2013 IEEE International Symposium on, 2-3 juin 2013, pages 1-6. 3051600 3 EXPOSÉ DE L'INVENTION Un but de la présente invention est de proposer un dispositif électronique pouvant être identifié, ou authentifié, via une identification, ou une authentification, de type PUF et qui ne présente pas les inconvénients précédemment 5 décrits, c'est-à-dire permettant une identification par l'intermédiaire d'un identifiant stable dans le temps et stable vis-à-vis des variations de tension, courant et température auxquelles le dispositif électronique est susceptible d'être soumis, qui ne soit pas prédictible, qui réduise le besoin en codes de correction d'erreurs et qui réduise les risques de sécurité face aux attaques physiques et aux modélisations. 10 Pour cela, l'invention propose un dispositif électronique comportant au moins : - une pluralité de transistors MOSFET parmi lesquels des premiers transistors sont tels que chaque premier transistor comporte un canal dans lequel une concentration de dopants du même type (de conductivité) que ceux présents dans les 15 source et drain dudit premier transistor est supérieure à celle dans le canal de chacun des autres transistors de ladite pluralité de transistors du même type de conductivité que ledit premier transistor ; et - un circuit d'identification apte à déterminer un identifiant unique du dispositif électronique à partir d'au moins une caractéristique électrique intrinsèque de 20 chacun des premiers transistors dont la valeur dépend au moins en partie de la conductance dudit premier transistor. Dans les premiers transistors, un très léger dopage est donc ajouté intentionnellement dans les canaux de ces transistors, ce dopage étant de type N pour des transistors NMOS et de type P pour des transistors PMOS. La concentration de ces 25 dopants ajoutés peut être de l'ordre de 1.1018 at/cm3 ou comprise entre environ 5.1017 at/cm3 et 8.1018 at/cm3. En réalisant un dopage des canaux des premiers transistors (qui sont ceux destinés à être utilisés pour générer l'identifiant du dispositif) de type identique au type de porteurs présents dans les zones de source et de drain de chacun de ces premiers 3051600 4 transistors, le mismatch, ou non-appariement (correspondant aux différences, ou variations, locales d'un transistor à l'autre), augmente. Cette augmentation du mismatch, ou du non-appariement, des transistors permet donc de réaliser une bonne différentiation des caractéristiques électriques entre les transistors qui sont utilisés pour 5 la détermination de l'identifiant unique. Ainsi, l'identification réalisée est beaucoup plus stable vis-à-vis des différentes variations possibles sur les tensions, courants et températures auxquelles le dispositif électronique est susceptible d'être soumis. Cette augmentation de la stabilité de l'identification permet donc de réduire fortement le besoin en codes de correction d'erreurs si le dispositif fait appel à de 10 tels codes. En outre, la prédictibilité de l'identifiant est fortement réduite car lorsque les premiers transistors forment des cellules mémoires qui, avec leurs états à l'initialisation (c'est-à-dire lors de la mise en alimentation des cellules mémoires), définissent l'identifiant du dispositif, l'augmentation du mismatch des transistors utilisés 15 pour l'identification entraîne une dé-corrélation plus importante entre les états métastables des cellules mémoires. De plus, grâce à cette augmentation du non-appariement, ou mismatch, entre les transistors, l'identification peut être réalisée en utilisant des caractéristiques électriques des transistors autres que celles des états mémoires initiaux de cellules 20 mémoires, par exemple des valeurs de courants circulants dans ces transistors. Selon le niveau de dopage des canaux des premiers transistors, la dose de non-appariement (mismatch) peut être contrôlée. Enfin, par rapport à l'art antérieur, cette solution réduit les risques de sécurité face aux attaques physiques car si le dispositif électronique est réalisé sur 25 substrat SOI (par exemple avec des transistors MOSFET de type FDSOI) la présence du diélectrique enterré (BOX) à l'interface inférieure des transistors va rendre plus complexe l'observation de l'émission photonique du circuit et donc son clonage. Les risques face aux modélisations sont également réduits car la caractéristique électrique de chaque transistor est déterminée par l'implantation d'une dose faible de dopants dans le canal. La concentration en dopants dans le canal ne 3051600 5 permet alors pas un recouvrement des orbitales atomiques, et la distribution en dopants est alors discrétisée. Cette situation résulte directement d'un procédé purement stochastique, à savoir l'implantation ionique. Lorsque ces dopants ajoutés dans les canaux de premiers transistors 5 sont de type N (premiers transistors de type NMOS), ces dopants peuvent être du phosphore et/ou de l'arsenic. Lorsque ces dopants ajoutés dans des canaux de premiers transistors sont de type P (premiers transistors de type PMOS), ces dopants peuvent être du bore et/ou du BF2. Les transistors de ladite pluralité de transistors MOSFET peuvent 10 avantageusement être de type FD-SOI. Les transistors FD-S01 correspondent à des transistors MOS réalisés sur un substrat de type semi-conducteur sur isolant tel qu'un substrat de type silicium sur isolant, et qui sont complètement désertés ou complètement déplétés (FD pour « Fully-Depleted »). 15 Dans un transistor FD-S01 classique, le canal est dit « intrinsèque », c'est-à-dire qu'aucun dopant n'est rajouté dans le canal, ni pour un transistor de type P, ni pour un transistor de type N. Il existe cependant un dopage résiduel, appelé également dopage intrinsèque, très faible, se trouvant naturellement dans le semi-conducteur du substrat utilisé pour leur réalisation et qui n'impacte pas électriquement le 20 fonctionnement du transistor FD-SOI. Ce dopage résiduel est le plus souvent de type Pet est par exemple compris entre environ 1.1015 at/cm3 et 1.1016 at/cm3 (ce qui correspond à une quantité de dopants négligeable car par exemple, le volume typique du canal d'un transistor FD-S01 réalisé en technologie 28 nm est d'environ 3,2.10-17 cm3, soit entre environ 0,032 et 0,32 « dopant unique » dans un canal). 25 Ainsi, lorsque la concentration des dopants ajoutés dans les canaux des premiers transistors est par exemple de l'ordre de 1.1018 at/cm3, ce niveau de dopage est environ 100 à 1000 fois supérieur à celui présent naturellement dans le canal d'un transistor PMOS, c'est-à-dire environ 100 à 1000 fois supérieur à la concentration intrinsèque de dopants dans le substrat. Dans le cas d'un transistor NMOS, ces dopants 30 peuvent être de type opposé à ceux présents naturellement dans le canal de ce transistor, 3051600 6 et se distinguent donc de ces dopants qui ont des effets opposés (donneurs d'électrons et accepteurs d'électrons). De tels transistors FD-SOI présentent de nombreux avantages électriques comparativement aux transistors CMOS classiques, et ont intrinsèquement un 5 mismatch, ou non-appariement, meilleur. Autrement dit, deux transistors FD-SOI de même design présentent peu de différences, ou variations, locales d'un transistor à l'autre. Toutefois, en réalisant un dopage des canaux des transistors FD-SOI destinés à être utilisés pour générer l'identifiant du dispositif, ce mismatch augmente fortement permettant donc de réaliser une bonne différentiation des caractéristiques électriques 10 entre les transistors FD-SOI qui sont utilisés pour la détermination de l'identifiant unique. Enfin, l'utilisation de transistors FD-SOI est également avantageuse car de tels transistors sont moins sensibles aux attaques depuis la face arrière du substrat sur lequel ces transistors sont réalisés. Ce dispositif électronique peut avantageusement être réalisé en 15 technologie FDSOI 28 nm ou moins, par exemple 14 nm. La longueur de grille des transistors du dispositif électronique est par exemple inférieure ou égale à environ 20 nm afin d'obtenir des comportements électriques des transistors conduisant bien au mismatch. En variante, les transistors de ladite pluralité de transistors MOSFET 20 peuvent être de type bulk, c'est-à-dire comprenant leurs zones actives réalisées dans une couche massive de semi-conducteur (dont l'épaisseur est par exemple supérieure à environ 10 um) et/ou Fin-FET. Lorsque les transistors de ladite pluralité de transistors MOSFET sont de type bulk et/ou FinFET, les canaux de ces transistors comportent donc des dopants de 25 type opposé à ceux présents dans les source et drain de ces transistors (un transistor NMOS ayant classiquement un canal dopé P et un transistor PMOS ayant classiquement un canal dopé N). Parmi ces transistors, les canaux des premiers transistors comportent, en plus des dopants de type opposé à ceux présents dans les source et drain, des dopants du même type que ceux présents dans les source et drain de ces premiers transistors, ce 30 qui les différencie des autres transistors de ladite pluralité de transistors dont les canaux 3051600 7 comportent uniquement les dopants de type opposé à ceux présents dans les source et drain. Dans un premier mode de réalisation, le circuit d'identification peut être apte à comparer deux à deux les valeurs de courants circulant dans les premiers 5 transistors polarisés de manière identique, les résultats de ces comparaisons pouvant être destinés à former l'identifiant unique du dispositif électronique. En effet, étant donné que le dopage du canal modifie la conductance d'un transistor, qui elle-même varie en fonction du potentiel VG appliqué sur la grille du transistor, les différences entre les courants des premiers transistors polarisés de manière identique sont des données 10 particulièrement pertinentes pour former l'identifiant du dispositif électronique. Les courants lus par le circuit d'identification peuvent correspondre aux courants loN des premiers transistors, c'est-à-dire au courant circulant entre le drain et la source du transistor lorsque Vis (tension grille-source) = Vos (tension drain-source) = Valim (tension d'alimentation du transistor). 15 En variante, les comparaisons réalisées pour obtenir l'identifiant peuvent être réalisées non pas directement sur les valeurs des courants drain-source des transistors, mais sur des caractéristiques électriques différentes pouvant être obtenues à partir de ces courants, par exemple en comparant les tensions de seuil des premiers transistors dont les valeurs peuvent être obtenues à partir de celles des courants circulant 20 dans les transistors (par exemple par dichotomie en mesurant le courant loN pour différentes valeurs de la tension VG appliquée sur la grille du transistor). Dans ce cas, le circuit d'identification peut comporter au moins : - un multiplexeur comportant plusieurs entrées chacune reliée au drain ou à la source d'un des premiers transistors, et deux sorties ; et 25 - un comparateur comportant deux entrées reliées aux deux sorties du multiplexeur, et apte à délivrer en sortie un signal dont la valeur dépend du résultat de la comparaison entre les valeurs des courants appliqués sur les entrées du comparateur. Ainsi, les différentes combinaisons possibles de deux transistors parmi l'ensemble des premiers transistors permettent l'obtention d'un nombre important de 30 résultats de comparaison formant l'identifiant unique du dispositif électronique. 3051600 être tel que : 8 Selon un deuxième mode de réalisation, le dispositif électronique peut - les premiers transistors forment plusieurs cellules mémoires SRAM, et 5 - le circuit d'identification est apte à lire un état mémoire initial de chacune des cellules mémoires SRAM formées par les premiers transistors, les états mémoires initiaux desdites cellules mémoires SRAM formant ensemble l'identifiant unique du dispositif électronique. Dans ce deuxième mode de réalisation, du fait de l'augmentation du 10 mismatch entre les transistors qui engendre une augmentation de la stabilité des états initiaux des cellules mémoires, les codes de correction d'erreurs nécessaires sont alors très fortement réduits. Ladite concentration de dopants du même type que ceux présents dans les source et drain dudit premier transistor peut être comprise entre environ 5.1017 et 15 8.1018 at/cm3, et par exemple de l'ordre de 1.1018 at/cm3. La grille de chacun des premiers transistors peut avoir une longueur inférieure à celle de la grille de chacun des autres transistors, par exemple inférieure ou égale à environ 20 nm. De tels premiers transistors sont avantageux car l'augmentation du mismatch obtenue est particulièrement importante dans ce cas. 20 Chacun des premiers transistors peut avoir une zone active d'épaisseur supérieure à celle de la zone active de chacun des autres transistors, par exemple supérieure ou égale à environ 10 nm pour des transistors FD-S01. De tels premiers transistors sont avantageux car l'augmentation du mismatch obtenue est particulièrement importante dans ce cas. 25 L'invention porte également sur un procédé de réalisation d'un dispositif électronique, comportant au moins les étapes de : - réalisation d'une pluralité de transistors MOSFET, parmi lesquels des premiers transistors sont tels que chaque premier transistor comporte un canal dans lequel une concentration de dopants du même type que ceux présents dans les source et 30 drain dudit premier transistor est supérieure à celle dans le canal de chacun des autres 3051600 9 transistors de ladite pluralité de transistors du même type de conductivité que ledit premier transistor ; - réalisation d'un circuit d'identification apte à déterminer un identifiant unique du dispositif électronique à partir d'au moins une caractéristique 5 électrique intrinsèque de chacun des premiers transistors dont la valeur dépend au moins en partie de la conductance dudit premier transistor. L'ajout de ces dopants dans les canaux des premiers transistors impacte peu les autres étapes mises en oeuvre pour la réalisation du dispositif électronique et est donc compatible avec les procédés existants. 10 La réalisation des premiers transistors peut comporter la mise en oeuvre d'une implantation de dopants dans le semi-conducteur destiné à former les zones actives de chacun des premiers transistors, avec une dose comprise entre environ 5.1011 et 5.1012 at/cm2 et une énergie comprise entre environ 0,5 et 20 keV, et avantageusement entre environ 2 et 3 keV voire entre environ 2 keV et 10 keV (10 keV 15 dans le cas de dopants phosphore). L'énergie avec laquelle les dopants sont implantés peut être adaptée en fonction des espèces implantées et de la présence ou non d'une couche protectrice présente sur les canaux, l'épaisseur de cette couche protectrice pouvant être supérieure à environ 10 nm. L'invention porte également sur un procédé d'identification d'un 20 dispositif électronique comportant une pluralité de transistors MOSFET, parmi lesquels des premiers transistors comportent chacun un canal ayant un niveau de dopage supérieur à celui du canal de chacun des autres transistors de ladite pluralité de transistors, comprenant au moins les étapes de : - lecture de courants circulant dans les premiers transistors polarisés 25 de manière identique ; - comparaison deux à deux des valeurs desdits courants, les résultats de ces comparaisons formant l'identifiant unique du dispositif électronique. L'invention porte également sur un procédé d'identification d'un dispositif électronique comportant une pluralité de transistors MOSFET, parmi lesquels 30 des premiers transistors sont tels que chaque premier transistor comporte un canal dans 3051600 10 lequel une concentration de dopants du même type que ceux présents dans les source et drain dudit premier transistor est supérieure à celle dans le canal de chacun des autres transistors de ladite pluralité de transistors du même type de conductivité que ledit premier transistor, les premiers transistors formant plusieurs cellules mémoires SRAM, 5 comprenant au moins une étape de lecture d'un état mémoire initial de chacune des cellules mémoires SRAM formées par les premiers transistors, les états mémoires initiaux desdites cellules mémoires SRAM formant ensemble l'identifiant unique du dispositif électronique. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS 10 La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 représente une partie d'un dispositif électronique, objet de la présente invention, selon un premier mode de réalisation ; 15 - les figures 2A à 2D représentent des étapes de réalisation d'un transistor servant à réaliser une identification au sein d'un dispositif électronique, objet de la présente invention, selon un exemple de réalisation ; - la figure 3 représente schématiquement un dispositif électronique, objet de la présente invention, selon un deuxième mode de réalisation. 20 Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. 25 Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. 3051600 11 EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On se réfère à la figure 1 qui représente une partie d'un dispositif électronique 100 selon un premier mode de réalisation. Le dispositif électronique 100 correspond à une puce électronique ou un 5 circuit intégré réalisé à partir d'un substrat de type semi-conducteur sur isolant, par exemple SOI (silicium sur isolant). Le dispositif électronique 100 comporte de nombreux transistors 102 MOSFET complètement désertés, ici de type FD-SOI (« Fully-Depleted Silicon On Insulator »), c'est-à-dire comportant un canal formé dans une couche de semi-conducteur 10 très mince disposée sur un diélectrique enterré. Une partie des transistors 102 du dispositif électronique 100, appelés premiers transistors 104, sont destinés à servir à l'identification du dispositif électronique 100. Ces premiers transistors 104 comportent chacun un canal dans lequel une concentration de dopants du même type que ceux présents dans les source et drain dudit 15 premier transistor 104 est supérieure à celle dans le canal des chacun des autres transistors 102. Le dispositif électronique 100 comporte également un circuit d'identification 106 permettant de déterminer un identifiant unique du dispositif électronique 100. 20 Le circuit d'identification 106 comporte un multiplexeur 108 muni de plusieurs entrées, ici n entrées référencées El - En, chacune reliée au drain ou à la source d'un des premiers transistors 104. Le multiplexeur 108 comporte également deux sorties S1 et S2 sur lesquelles les courants circulant dans deux des premiers transistors 104 sont aptes à être délivrés. 25 Les courants circulant entre le drain et la source des premiers transistors 104 sont lus en polarisant ces premiers transistors 104 de manière identique. Par exemple, les courants lus peuvent correspondre aux courants loN des premiers transistors 104, c'est-à-dire le courant circulant entre le drain et la source du transistor lorsque Vis (tension grille-source) = Vos (tension drain-source) = Valim (tension d'alimentation du 3051600 12 transistor). En variante, les courants des premiers transistors 104 peuvent être lus en polarisant les premiers transistors 104 avec des tensions de valeurs différentes de celle de Va li m. Le circuit d'identification 106 comporte également un comparateur 110 5 comportant deux entrées reliées aux deux sorties du multiplexeur 108, et apte à délivrer en sortie un signal dont la valeur est fonction du résultat de la comparaison entre les valeurs des courants reçus en entrée par le comparateur 110. Sur l'exemple de la figure 1, le comparateur correspond à un amplificateur différentiel. Selon que la valeur du courant appliqué sur une première des deux entrées du comparateur 110 est supérieure ou 10 inférieure à celle du courant appliqué sur une deuxième des deux entrées du comparateur 110, la tension délivrée en sortie par le comparateur 110 peut être assimilée à un signal binaire ayant une valeur égale à la tension d'alimentation du comparateur 110 assimilée à un '1' binaire, ou une valeur nulle assimilée à '0' binaire. Grâce au multiplexeur 108 et au comparateur 110, le circuit 15 d'identification 106 compare ainsi deux à deux les valeurs des courants circulant dans les premiers transistors 104 qui sont polarisés de manière identique. Les différentes valeurs délivrées par le comparateur 110 pour ces différentes comparaisons forment ensemble un nombre binaire correspondant à l'identifiant unique du dispositif électronique 100. Sur l'exemple de la figure 1, le circuit d'identification 106 est apte à 20 réaliser les comparaisons de courants ION de douze premiers transistors 104, permettant donc la réalisation de 66 comparaisons de courants. L'identifiant peut donc correspondre à un nombre binaire pouvant avoir jusqu'à 66 bits lorsque le circuit d'identification 106 est capable de déceler une différence stable entre toutes les paires de courants mesurés. En cas d'erreurs, des éléments de post-traitement peuvent corriger ces erreurs pour s'en 25 affranchir. Sur l'exemple de la figure 1, les premiers transistors 104 sont choisis parmi les transistors 102 tels qu'ils ne soient pas localisés au niveau des bords du dispositif 100. Cela permet de ne considérer que les variations dites locales (et donc liées à des phénomènes stochastiques, purement aléatoires) car tous les premiers transistors 30 104 sont bien identiques vis-à-vis des procédés de fabrication mis en oeuvre. Les « effets 3051600 13 de bord » pouvant influer sur les caractéristiques des transistors sont dans ce cas supprimés. Cela permet également de réaliser une authentification fondée sur un mécanisme de « défi réponse » ou « challenge response » qui permet d'authentifier le dispositif électronique de manière sécurisée. 5 Un exemple de réalisation d'un des premiers transistors 104 de type FD- SOI est décrit en liaison avec les figures 2A à 2D. Seules les étapes principales de la réalisation de ce transistor 104 sont décrites ci-dessous. Les premiers transistors 104 sont réalisés à partir d'un substrat SOI 112 comportant une couche épaisse de semi-conducteur 114, comprenant par exemple du 10 silicium, formant le support mécanique du substrat 112 (figure 2A). Le substrat SOI 112 comporte également une couche diélectrique enterrée 116, comprenant par exemple du Si02, disposée sur la couche épaisse 114. Le substrat SOI 112 comporte également une couche mince 118 de semi-conducteur disposée sur la couche diélectrique enterrée 116 et destinée à servir à la réalisation des zones actives des transistors 102. L'épaisseur de la 15 couche mince 118 est par exemple comprise entre environ 7 nm et 8 nm, ou plus généralement inférieure à environ 20 nm, et celle de la couche diélectrique enterrée 116 est par exemple d'environ 25 nm. Le caractère FD-SOI des premiers transistors 104 est obtenu notamment grâce à cette très faible épaisseur de la couche mince 118. Comme représenté sur la figure 2B, un dopage de la couche épaisse 114 20 est mis en oeuvre afin de former les puits N ou P 120 des premiers transistors 104. Les puits N ou P des autres transistors 102 sont également formés au cours de cette étape. Un très faible dopage de parties 122 de la couche mince 118 destinées à former les zones actives des premiers transistors 104 est ensuite réalisé. Ce dopage est ici obtenu par implantation de dopants à très faible dose, par exemple comprise entre 25 environ 5.1011 et 5.1012 at/cm2, avec une faible énergie, par exemple comprise entre environ 0,5 et 20 keV, et avantageusement entre environ 2 et 10 keV ou égale à environ 10 keV. Ainsi, les concentrations de dopants obtenues dans ces parties 122 de la couche mince 118 sont par exemple comprises entre environ 5.1017 et 8.1018 at/cm3. Les premiers transistors 104 peuvent être de type NMOS et/ou PMOS 30 (NMOS et PMOS lorsqu'une partie de ces premiers transistors 104 sont de type NMOS et 3051600 14 que les autres premiers transistors 104 sont de type PMOS). Les dopants implantés dans les canaux des premiers transistors 104 sont du même type de conductivité que ces transistors 104. Ainsi, pour un transistor NMOS, les dopants implantés sont par exemple des espèces dopantes d'As et/ou de P. Pour un transistor PMOS, les dopants implantés 5 sont par exemple des espèces dopantes de B et/ou de BF2. Une grille 124 est ensuite réalisée pour chacun des premiers transistors 104 sur les parties 122 (figure 2C). Les grilles des autres transistors 102 sont également réalisées au cours de cette étape. Les source 126 et drain 128 des premiers transistors 104 sont ensuite 10 formés par dopage (ainsi que les source et drain des autres transistors 102), avec des niveaux de dopage bien plus importants que celui utilisé précédemment pour doper les canaux 130 des premiers transistors 104, autour des canaux 130 faiblement dopés des premiers transistors 104 (figure 2D). Les premiers transistors 104 ainsi réalisés se distinguent des autres 15 transistors 102 du dispositif 100 de par leur canal faiblement dopé, les canaux des autres transistors 102 n'étant pas dopés (hormis un dopage intrinsèque de type P par exemple compris entre environ 1.1015 at/cm3 et 1.1016 at/cm3). De manière avantageuse, la longueur de grille des premiers transistors 104 peut être inférieure à celle des autres transistors 102 du dispositif 100 (qui est par 20 exemple de 22 nm), et par exemple inférieure ou égale à environ 20 nm. Cela permet d'augmenter le mismatch entre les transistors. En effet, les dopants rajoutés dans le canal servent de puits de potentiel pour les charges libres (le courant électronique), et c'est ce courant circulant à travers ce puits de potentiel qui augmente le mismatch. Avec une faible longueur de grille, le couplage de ce courant avec les zones de source et drain est 25 amélioré. En outre, il est possible que les parties 122 de la couche mince 118 destinées à former les zones actives des premiers transistors 104 aient une épaisseur supérieure à celle des parties de la couche mince 118 destinées à former les zones actives des autres transistors 102 du dispositif 100. Par exemple, l'épaisseur des zones actives 30 des autres transistors 102 peut être comprise entre environ 7 nm et 8 nm, et celle des 3051600 15 zones actives des premiers transistors 104 peut être supérieure ou égale à environ 10 nm, ou comprise entre environ 10 nm et 20 nm. Cela permet d'augmenter l'énergie d'ionisation des dopants présents dans les canaux des premiers transistors 104, et donc d'accroitre le mismatch entre les transistors. 5 En variante du premier mode de réalisation précédemment décrit, il est possible que le circuit de détection 106 ne réalise pas une comparaison des valeurs des courants circulant dans les premiers transistors 104, mais une comparaison de valeurs d'une ou plusieurs autres caractéristiques électriques des premiers transistors 104, par exemple la tension de seuil VT des premiers transistors 104. Dans ce cas, le circuit de 10 détection 106 comporte un élément de calcul supplémentaire interposé entre le multiplexeur 108 et le comparateur 110, relié aux sorties S1 et S2 du multiplexeur 108 et au entrées du comparateur 110. Cet élément de calcul supplémentaire délivre sur ses sorties les valeurs des caractéristiques électriques souhaitées, par exemple celles des tensions de seuil des transistors 104, calculées à partir des valeurs des courants délivrés 15 en sortie du multiplexeur 108. Par exemple, la tension de seuil d'un premier transistor 104 peut être calculée par dichotomie en mesurant le courant ION pour différentes valeurs de la tension VG appliquée sur la grille de ce premier transistor 104. Les comparaisons des valeurs des courants circulant dans les premiers transistors 104 peuvent également être réalisées à différentes polarisations de drain et de 20 grille des premiers transistors 104. Selon un deuxième mode de réalisation représenté schématiquement sur la figure 3, le dispositif électronique 100 comporte des cellules mémoires SRAM 132 formées à partir des transistors 102 MOSFET par exemple de type FD-SOI. Parmi ces cellules mémoires SRAM 132, certaines sont destinées à servir à l'identification du 25 dispositif électronique 100. Sur le schéma de la figure 3, ces cellules mémoires SRAM sont référencées 134. Ces cellules mémoires SRAM 134 sont formées par les premiers transistors 104 qui comportent un canal dopé. Les états mémoires initiaux de ces cellules SRAM 134 sont lus par le circuit de détection 106, ces états mémoires initiaux formant l'identifiant unique du 30 dispositif électronique 100. 3051600 16 Le circuit de détection 106 comporte par exemple des éléments fonctionnant de manière analogue à ceux décrits dans le document de R. Maes et al. « A Soft Decision Helper Data Algorithm for SRAM PUFs », Information Theory, 2009. ISIT 2009. IEEE International Symposium on, pp. 2101 - 2105. Dans ce cas, le post-traitement 5 de l'information et le code correcteur d'erreur est implémenté de manière conforme à un PUF à base de SRAM. Dans les modes de réalisation précédemment décrits, le dispositif électronique 100 comporte des transistors 102 de type FD-SOI. En variante, il est possible que le dispositif électronique 100 comporte des transistors 102 de type bulk ou FinFET. 10 Dans ce cas, les canaux des transistors 102 comportent donc des dopants de type opposé à ceux présents dans les source et drain de ces transistor (un transistor NMOS ayant un canal dopé P et un transistor PMOS ayant un canal dopé N). Les canaux des premiers transistors 104 comportent également, en plus des dopants de type opposé à ceux présents dans les source et drain, des dopants du même type que ceux 15 présents dans les source et drain de ces premiers transistors, ce qui les différencie des autres transistors 102 dont les canaux comportent uniquement les dopants de type opposé à ceux présents dans les source et drain. Ainsi, en considérant par exemple un ensemble de transistors 102 de type bulk ou FinFET, les transistors NMOS (qu'ils correspondent à des premiers transistors 20 104 ou aux autres transistors) comportent un canal dopé P et des source et drain dopés N et les transistors PMOS (qu'ils correspondent à des premiers transistors 104 ou aux autres transistors) comportent un canal dopé N et des source et drain dopés P. En outre, les canaux des premiers transistors 104 de type NMOS comportent, en plus des dopants de type P majoritairement présents dans ces canaux, des dopants de type N ajoutés via une 25 étape de dopage distincte, et les canaux des premiers transistors 104 de type PMOS comportent, en plus des dopants de type N majoritairement présents dans ces canaux, des dopants de type P ajoutés via une étape de dopage distincte. Cette ou ces étapes de dopage distinctes peuvent être mises en oeuvre de manière analogue à la précédente description relative à la réalisation des transistors FD-SOI. 30 REVENDICATIONS1. Dispositif électronique (100) comportant au moins : - une pluralité de transistors (102) MOSFET, parmi lesquels des premiers transistors (104) sont tels que chaque premier transistor (104) comporte un canal (130) dans lequel une concentration de dopants du même type que ceux présents dans les source et drain dudit premier transistor (104) est supérieure à celle dans le canal de chacun des autres transistors de ladite pluralité de transistors (102) du même type de conductivité que ledit premier transistor (104) ; et - un circuit d'identification (106) apte à déterminer un identifiant unique du dispositif électronique (100) à partir d'au moins une caractéristique électrique intrinsèque de chacun des premiers transistors (104) dont la valeur dépend au moins en partie de la conductance dudit premier transistor (104). 2. Dispositif électronique (100) selon la revendication 1, dans lequel les transistors de ladite pluralité de transistors (102) MOSFET sont de type FD-S01. 3. Dispositif électronique (100) selon la revendication 1, dans lequel les transistors de ladite pluralité de transistors (102) MOSFET sont de type bulk et/ou FinFET. 4. Dispositif électronique (100) selon la revendication 1, dans lequel le circuit d'identification (106) est apte à comparer deux à deux les valeurs de courants circulant dans les premiers transistors (104) polarisés de manière identique, les résultats de ces comparaisons étant destinés à former l'identifiant unique du dispositif électronique (100). 5. Dispositif électronique (100) selon la revendication 4, dans lequel le circuit d'identification (106) comporte au moins : 3051600 18 - un multiplexeur (108) comportant plusieurs entrées chacune reliée au drain ou à la source d'un des premiers transistors (104), et deux sorties ; et un comparateur (110) comportant deux entrées reliées aux deux sorties du multiplexeur (108), et apte à délivrer en sortie un signal dont la valeur dépend 5 du résultat de la comparaison entre les valeurs des courants appliqués sur les entrées du comparateur (110). 6. Dispositif électronique (100) selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel : 10 - les premiers transistors (104) forment plusieurs cellules mémoires SRAM (134), et - le circuit d'identification (106) est apte à lire un état mémoire initial de chacune des cellules mémoires SRAM (134) formées par les premiers transistors (104), les états mémoires initiaux desdites cellules mémoires SRAM (134) formant ensemble 15 l'identifiant unique du dispositif électronique (100). 7. Dispositif électronique (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite concentration de dopants du même type que ceux présents dans les source et drain dudit premier transistor (104) est comprise entre 20 environ 5.1017 et 8.10' at/cm3. 8. Dispositif électronique (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la grille (124) de chacun des premiers transistors (104) a une longueur inférieure à celle de la grille de chacun des autres transistors (102). 25 9. Dispositif électronique (100) selon la revendication 6, dans lequel ladite grille (124) de chacun des premiers transistors (104) a une longueur inférieure ou égale à environ 20 nm. 3051600 19 10. Dispositif électronique (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel chacun des premiers transistors (104) a une zone active (122) d'épaisseur supérieure à celle de la zone active de chacun des autres transistors (102). 5 11. Dispositif électronique (100) selon la revendication 10, dans lequel ladite zone active (122) de chacun des premiers transistors (104) a une épaisseur supérieure ou égale à environ 10 nm. 12. Procédé de réalisation d'un dispositif électronique (100), 10 comportant au moins les étapes de : - réalisation d'une pluralité de transistors (102) MOSFET, parmi lesquels des premiers transistors (104) sont tels que chaque premier transistor (104) comporte un canal (130) dans lequel une concentration de dopants du même type que ceux présents dans les source et drain dudit premier transistor (104) est supérieure à 15 celle dans le canal de chacun des autres transistors de ladite pluralité de transistors (102) du même type de conductivité que ledit premier transistor (104) ; - réalisation d'un circuit d'identification (106) apte à déterminer un identifiant unique du dispositif électronique (100) à partir d'au moins une caractéristique électrique intrinsèque de chacun des premiers transistors (104) dont la valeur dépend au 20 moins en partie de la conductance dudit premier transistor (104). 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la réalisation des premiers transistors (104) comporte la mise en oeuvre d'une implantation de dopants dans le semi-conducteur (118) destiné à former les zones actives (122) de chacun des 25 premiers transistors (104), avec une dose comprise entre environ 5.10 n et 5.1012 at/cm2 et une énergie comprise entre environ 0,5 et 20 keV. 14. Procédé d'identification d'un dispositif électronique (100) comportant une pluralité de transistors (102) MOSFET, parmi lesquels des premiers transistors (104) sont tels que chaque premier transistor (104) comporte un canal (130) 3051600 20 dans lequel une concentration de dopants du même type que ceux présents dans les source et drain dudit premier transistor (104) est supérieure à celle dans le canal de chacun des autres transistors de ladite pluralité de transistors (102) du même type de conductivité que ledit premier transistor (104), comprenant au moins les étapes de : 5 - lecture de courants circulant dans les premiers transistors polarisés de manière identique ; comparaison deux à deux des valeurs desdits courants, les résultats de ces comparaisons formant l'identifiant unique du dispositif électronique. 10 15. Procédé d'identification d'un dispositif électronique (100) comportant une pluralité de transistors (102) MOSFET, parmi lesquels des premiers transistors (104) sont tels que chaque premier transistor (104) comporte un canal (130) dans lequel une concentration de dopants du même type que ceux présents dans les source et drain dudit premier transistor (104) est supérieure à celle dans le canal de 15 chacun des autres transistors de ladite pluralité de transistors (102) du même type de conductivité que ledit premier transistor (104), les premiers transistors (104) formant plusieurs cellules mémoires SRAM (134), comprenant au moins une étape de lecture d'un état mémoire initial de chacune des cellules mémoires SRAM (134) formées par les premiers transistors (104), les 20 états mémoires initiaux desdites cellules mémoires SRAM (134) formant ensemble l'identifiant unique du dispositif électronique (100).