FR 3060845 A1 20180622 FR 1662803 A 20161219 1 CIRCUITS ÉLECTRONIQUES DE PUISSANCE EQUIPÉS DE BUS BARRES FORMANT DISSIPATEURS THERMIQUES ET PROCÉDÉ D'INTÉGRATION [001] L'invention concerne de manière générale le domaine de l'électronique de puissance. Plus particulièrement, l'invention se rapporte à un circuit électronique de puissance équipé de bus barres formant dissipateurs thermiques. L'invention se rapporte également à un dispositif comportant plusieurs de ces circuits et à un procédé d'intégration de puces électroniques de puissance et d'interconnexion de bus barres pour la réalisation de ces circuits. [2] Les dispositifs électroniques de puissance, tels que les convertisseurs de puissance, sont très présents dans de nombreux domaines d'activité comme les transports, les industries, l'éclairage, le chauffage, etc. Avec la transition énergétique souhaitée vers des sources d'énergie renouvelables et moins productrices d'émissions de CO2, l'électronique de puissance est appelée à se généraliser encore davantage et devra répondre à des contraintes économiques et technologiques croissantes. [3] Les recherches et développements actuels se concentrent sur la réduction des coûts, l'augmentation de la densité de puissance, l'augmentation de la fiabilité, 20 la réduction des éléments parasites et le transfert thermique de l'énergie dissipée. [4] Dans l'état actuel de la technique, il est habituel de faire appel à la technologie dite HDI, de « High Density tnterconnect » en anglais, pour augmenter le niveau d'intégration et réduire la taille des circuits de puissance. La technologie HDI implémentée généralement sur des circuits imprimés dit PCB, de « Printed 25 Circuit Board » en anglais, est fondée sur une optimisation de l'implantation spatiale des composants en utilisant notamment des rubans et des plaques de céramiques portant un circuit de traces en cuivre, dit « lead frames », pour interconnecter des composants montés en surface ou, dans une technologie plus avancée, des micro-trous dits « microvias » remplis de cuivre pour interconnecter 30 des composants encastrés. Il est utilisé le perçage par rayon laser ainsi que différentes techniques de soudure telles que par exemple le brasage, la soudure 3060845 2 en phase liquide transitoire dite soudure TLP ou le frittage de poudre de nanoparticules métalliques. [005] La technologie HDI trouve cependant ses limites face aux réductions de coût qui sont nécessaires pour des productions de masse, et à l'augmentation du 5 niveau d'intégration et de la compacité. Le niveau d'intégration qu'il est possible d'obtenir est limité par le volume occupé par les interconnexions avec rubans et microvias. Les interconnexions avec rubans ou câbles introduisent des inductances parasites qui s'opposent à des fréquences de découpage ou de commutation plus élevées. Or l'augmentation des fréquences de commutation est 10 généralement favorable à la compacité, notamment dans les convertisseurs de puissance. La réduction des inductances parasites est nécessaire aussi pour réduire la chaleur générée, protéger les circuits par rapport à des surtensions potentiellement destructrices et améliorer la maîtrise des rayonnements électromagnétiques. 15 [006] Un refroidissement performant est nécessaire pour maintenir les températures les composants actifs et passifs en dessous de valeurs critiques, pour atteindre un équilibre thermique et garantir la fiabilité des circuits de puissance. La disponibilité de puces en silicium ayant des surfaces de plus en plus réduites et les nouveaux semi-conducteurs de puissance, comme le carbure de silicium, autorisent des densités de courant supérieures et une augmentation de la fréquence de découpage, ce qui permet une compacité encore supérieure des circuits de puissance. Mais pour cela, l'architecture des circuits de puissance et la technologie utilisée doivent assurer une extraction de l'énergie dissipée au plus près des composants. Il est nécessaire d'optimiser le chemin thermique entre les sources de chaleur constituées des composants et les puits de chaleur constitués des moyens de dissipation thermique. [007] Dans les technologies connues, la chaleur doit traverser différentes couches comme la soudure, le substrat diélectrique plaqué de cuivre, la plaque métallique de base, le matériau d'interface thermique et la masse du dissipateur de 30 chaleur, avant d'être transférée dans l'air ou dans un liquide de refroidissement. 3060845 3 [008] II apparaît aujourd'hui nécessaire de proposer une technologie nouvelle pour la fabrication de dispositifs électroniques de puissance ayant des performances supérieures de dissipation thermique et autorisant une meilleure optimisation par rapport aux différentes contraintes qui s'appliquent. 5 [009] Selon un premier aspect, l'invention concerne un circuit électronique de puissance comprenant au moins une puce électronique, un substrat stratifié formé de couches isolantes et conductrices et des moyens de dissipation thermique, la puce électronique étant implantée dans le substrat et les moyens de dissipation thermique étant fixés sur des première et deuxième faces opposées du substrat. 10 Conformément à l'invention, les moyens de dissipation thermique comprennent des premier et deuxième bus barres formant dissipateurs thermiques et montés respectivement sur les première et deuxième faces opposées du substrat, les premier et deuxième bus barres étant formés chacun d'une pluralité de tronçons de bus barre en métal fixés à des emplacements espacés prédéterminés et 15 interconnectés entre eux et avec une face de contact de la puce électronique par une couche de métal. [0010] Selon une caractéristique particulière du circuit de l'invention, les tronçons de bus barre sont fixés aux première et deuxième faces opposées du substrat à travers des couches diélectriques. 20 [0011] Selon une autre caractéristique particulière, au moins un des tronçons de bus barre est fixé sur une électrode de la puce à travers une couche diélectrique. [0012] Selon encore une autre caractéristique particulière, les tronçons de bus barre et les couches conductrices et couches de métal du circuit sont en cuivre. [0013] Selon un autre aspect, l'invention concerne aussi un dispositif électronique 25 de puissance comprenant au moins deux circuits tels que décrits brièvement ci-dessus, un premier circuit dit haut étant empilé sur un deuxième circuit dit bas, les circuits haut et bas étant liés mécaniquement et électriquement par leurs bus barres respectifs, et comprenant au moins un espace central de circulation de liquide de refroidissement qui est situé entre les circuits haut et bas, l'espace 3060845 4 central de circulation de liquide de refroidissement étant formé entre des tronçons des bus barres. [0014] Selon une caractéristique particulière, le dispositif comprend également au moins un espace haut de circulation de liquide de refroidissement qui est situé 5 dans une partie haute du dispositif, l'espace haut de circulation de liquide de refroidissement étant formé entre des tronçons d'un bus barre haut du circuit haut et une couche diélectrique haute. [0015] Selon une autre caractéristique particulière, le dispositif comprend également au moins un espace bas de circulation de liquide de refroidissement qui 10 est situé dans une partie basse du dispositif, l'espace bas de circulation de liquide de refroidissement étant formé entre des tronçons d'un bus barre bas du circuit bas et une couche diélectrique basse. [0016] Selon une autre caractéristique particulière, le dispositif comprend au moins un circuit de commande fixé sur une partie haute ou une partie basse du 15 dispositif à travers une couche diélectrique. [0017] Selon encore un autre aspect, l'invention concerne aussi un procédé d'intégration de puces électroniques de puissance et de bus barres formant dissipateurs thermiques pour la réalisation d'un circuit électronique de puissance tel que décrit brièvement plus haut. Conformément à l'invention, le procédé 20 comprend : - une réalisation d'une ébauche intégrant au moins une puce électronique comprise entre des couches internes stratifiées isolantes et/ou conductrices ; - une fixation mécanique, par l'intermédiaire de portions diélectriques de préimprégné de résine, de tronçons de bus barre en métal à des emplacements 25 espacés prédéterminés sur des faces opposées haute et basse de l'ébauche ; et - pour chacune des faces opposées haute et basse, une interconnexion par dépôt de couche de métal des tronçons de bus barre fixés sur la face considérée et d'une face de contact de la puce électronique, formant ainsi le circuit 3060845 5 électronique de puissance comportant des bus barres formant dissipateurs thermiques. [0018] Selon une caractéristique particulière, le procédé comporte des étapes de stratification, de retrait de matière par ablation, d'électrodéposition et de 5 photolithographie. [0019] D'autres avantages et caractéristiques de la présente invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description détaillée ci-dessous de plusieurs formes de réalisation particulières de l'invention, en référence aux dessins annexés, dans lesquels : 10 les Figs.1 à 15 sont des vues en coupe simplifiées montrant des étapes du procédé d'intégration de puces électroniques de puissance et de bus barres formant dissipateurs thermiques selon l'invention ; et la Fig.16 est une vue en coupe simplifiée montrant une forme de réalisation particulière d'un dispositif électronique de puissance selon l'invention, avec un 15 refroidissement liquide. [0020] Un mode de réalisation particulier du procédé selon l'invention est maintenant décrit ci-dessus dans le cadre de la réalisation d'un dispositif ou module électronique de puissance sous la forme d'une branche de pont, ou demi-pont, de commutation à transistors. De manière classique, la branche de pont 20 comprend un transistor haut et un transistor bas, dits respectivement «low side» et «high side» en anglais, et des diodes associées. De tels dispositifs peuvent être associés pour former des ponts complets de commutation ou associés en parallèle pour passer le courant voulu. [0021] De manière générale, il est utilisé dans l'invention des techniques de 25 fabrication connues et bien maîtrisées des circuits imprimés pour l'intégration des puces électroniques. Ainsi, il pourra être fait appel dans le procédé selon l'invention à une combinaison de différentes techniques de fabrication comprenant la stratification, l'ablation laser, la photolithographie, le dépôt électrolytique de métal et la gravure humide. Le dépôt électrolytique de métal pourra notamment être utilisé pour l'interconnexion des puces électroniques et des bus barres. 3060845 6 [0022] En référence aux Figs.1 à 15, il est maintenant décrit en détail différentes étapes de fabrication intervenant dans le procédé d'intégration de puces électroniques de puissance et d'interconnexion de bus barres selon l'invention. [0023] Les Figs.1 et 2 montrent une étape initiale de fabrication d'un substrat de 5 base SB comprenant des cavités pour recevoir des puces électroniques. [0024] Le substrat SB est réalisé à partir d'un stratifié, dit également laminé, LA1 sur lequel sont déposées des portions diélectriques CS. [0025] Le stratifié LA1 est formé d'une couche diélectrique CD1 qui est fixée sur une feuille métallique conductrice FC1 typiquement en cuivre. La couche CD1 est 10 typiquement une couche diélectrique de stade B, c'est-à-dire à un stade intermédiaire de polymérisation, composée de fibres de verre et d'une résine de type époxy. En variante, un stratifié organique ou stratifié revêtu de cuivre dit CCL (de «Copper Clad Laminate» en anglais) pourra également être utilisé. [0026] Les portions diélectriques CS sont découpées préalablement et reportées 15 sur la couche diélectrique CD1 pour former des cavités OT et OD. Les portions diélectriques CS sont formées typiquement d'une couche diélectrique de stade C, c'est-à-dire complétement polymérisée, composée de fibres de verre et d'une résine de type époxy. [0027] A l'étape de la Fig.3, des puces de composants, par exemple, sous la 20 forme d'un transistor de puissance MT et d'une diode MD, sont mises en place dans les cavités OT et OD du substrat SB. [0028] L'étape de la Fig.4 montre le placage sur le substrat SB, portant les puces MT et MD, d'un autre stratifié LA2, analogue au stratifié LA1 de la Fig.1. Le stratifié FA2 comporte une feuille métallique conductrice FC2, en cuivre, et une couche 25 diélectrique CD2. [0029] A ce stade, les couches diélectriques CD1 et CD2 ne sont encore que partiellement polymérisées. Les puces MT et MD sont prises en sandwich entre les couches diélectriques CD1 et CD2. La stratification de LA2 sur le substrat SB est typiquement obtenue par pressage et passage au four de stratification sous vide. 3060845 7 [0030] En sortie du four de stratification sous vide, à la Fig.5, il est obtenu une ébauche EB1 dans laquelle les puces MT et MD sont enterrées dans une couche diélectrique CD, totalement polymérisée et provenant de la stratification des couches CD1, CS et CD2. Les feuilles de cuivre FC1 et FC2 constituent des faces 5 opposées basse et haute de l'ébauche EB1. [0031] A l'étape de la Fig.6, des opérations de retrait de matière, par exemple par ablation laser, sont effectuées sur l'ébauche EB1 dans le but de réaliser des motifs métalliques fins de connexion des puces. Comme montré à la Fig.6, une cavité CA1 est ici réalisée sur la face haute de l'ébauche EB1 de manière à dégager une 10 électrode de commande de la puce MT. La puce MT est par exemple ici un transistor de puissance de type MOSTFET et l'électrode de commande qui est dégagée est l'électrode de grille du transistor. [0032] L'étape de la Fig.7 montre une résine photorésist de masquage PS1 qui a été enduite sur la face haute de l'ébauche EB1. Une partie CA2 de la résine a été 15 dégagée de manière classique en faisant appel à un masque de sérigraphie et une exposition à un rayonnement ultraviolet. Les espaces dégagés CA1 et CA2 sont destinés à la réalisation d'un plot de contact et d'un recouvrement de connexion sur ruban pour l'électrode de commande de la puce MT. [0033] La Fig.8 montre, à un stade intermédiaire de réalisation, le plot de contact 20 PE de l'électrode de commande de la puce MT, après retrait de la résine de masquage PS1 par une méthode connue telle que par exemple un traitement par plasma d'oxygène, un décapage par voie sèche ou au solvant. Le plot de contact PE est réalisé sur l'ébauche EB1 par dépôt électrolytique de métal, typiquement du cuivre, dans les espaces dégagés CA1 et CA2 montrés à la Fig.7. 25 [0034] A l'étape de la Fig.9, il est effectué un dépôt électrolytique de cuivre qui est destiné à planariser les faces haute et basse de l'ébauche EB1. La face haute de l'ébauche EB1, formée de la feuille en cuivre FC2 et du plot de contact d'électrode PE est recouverte d'une couche de cuivre de planarisation PL. La face basse de l'ébauche EB1, formée de la feuille en cuivre FC1, est également recouverte d'une 30 couche de cuivre de planarisation PL. 3060845 8 [0035] L'étape 10 est une autre étape de photolithographie pour achever la définition des motifs métalliques fins de connexion sur les faces haute et basse de l'ébauche EB1. Comme montré à la Fig.10, une résine photorésist PS2 a été déposée sur les faces haute et basse de l'ébauche EB1. Des portions métalliques 5 ET à retirer par gravure humide ont ensuite été définies et la résine PS2 a été enlevée de ces portions. [0036] L'ébauche EB1 après la gravure de l'étape 10 est montrée à la Fig.11. Comme montré à la Fig.11, le retrait par gravure des parties de cuivre exposées laissent apparaître des portions de la couche diélectrique CD sous-jacente. A ce 10 stade, les motifs métalliques de connexion hauts et bas MCH, PE et MCI de l'ébauche EB1 sont achevés et définis avec précision, notamment le plot de contact d'électrode PE et son ruban de connexion (non apparent). Il reste cependant à dégager des faces de contact hautes et basses des puces MT et MD enterrées dans la couche diélectrique sous-jacente CD. 15 [0037] A l'étape de la Fig.12, les faces de contact hautes et basses des puces MT et MD ont été dégagées par retrait de matière, par exemple par ablation laser. Comme cela apparaît à la Fig.12, des portions diélectriques CDa, provenant de la couche CD, ont été laissées de part et d'autre des motifs métalliques de connexion et notamment du plot de contact d'électrode PE et de son ruban de connexion. 20 [0038] Les Figs.13 à 15 montrent l'interconnexion de bus barres haut BBH et bas BBL sur les faces opposées haute et basse de l'ébauche EB1. Outre leurs fonctions électriques habituelles d'alimentation électrique ou autres, les bus barres haut BBH et bas BBL sont ici destinés à former des dissipateurs thermiques implantés sur les faces opposées haute et basse de l'ébauche EB1. Les bus 25 barres BBH, BBL sont typiquement en cuivre. [0039] Comme montré à la Fig.13, les bus barres BBH et bas BBL sont formés chacun de plusieurs tronçons de bus BB1H, BB2H, BB3H, BB4H et BB1L, BB2L, BB3L qui ont été préalablement découpés, par exemple, par usinage mécanique, ou éventuellement obtenus par moulage. 3060845 9 [0040] Des portions diélectriques de préimprégné de stade B, PP1 H, PP2H, PP3H, PP4H, sont reportées sur des faces correspondantes des tronçons de bus BB111, BB2H, BB3H, BB4H destinées à être plaquées sur la face haute de l'ébauche EB1. Des portions diélectriques de préimprégné de stade B, PP1 L, PP2L, PP3L, sont 5 reportées sur des faces correspondantes des tronçons de bus BB1L, BB2L, BB3L destinées à être plaquées sur la face basse de l'ébauche EB1. Les portions diélectriques PP1 H, PP2H, PP3H, PP4H et PP1 L, PP2L, PP3L sont prévues pour être plaquées sur les portions de motifs métalliques de connexion MCH, PE et MCL de l'ébauche EB1 et recouvrir ceux-ci. 10 [0041] L'ébauche EB1 est ainsi prise en sandwich entre les tronçons de bus BB1 H, BB2H, BB3H, BB4H et BB1 L, BB2L, BB3L. Les tronçons de bus BB1H, BB2H, BB3H, BB4H et BB1L, BB2L, BB3L sont pressés, avec les portions diélectriques PP1 H, PP2H, PP3H, PP4H et PP1L, PP2L, PP3L, contre les faces haute et basse de l'ébauche EB1 et, plus précisément, contre les motifs métalliques de connexion 15 MCH, PE et MCL de celle-ci. La stratification de l'ensemble est typiquement obtenue par pressage sous vide ou passage au four de stratification sous vide. [0042] La Fig.14 montre l'état de l'ébauche EB1 avec les tronçons de bus assemblés. A ce stade, les tronçons de bus sont fixés mécaniquement au circuit par la polymérisation complète des portions diélectriques. Les motifs diélectriques 20 d'isolation du circuit sont finalisés à ce stade. On notera ici que les portions diélectriques PP1 H, PP2H, PP3H, PP4H et PP1L, PP2L, PP3L, après pressage et polymérisation, se sont solidarisées avec les portions diélectriques CDa et isolent électriquement les motifs métalliques de connexion MCH, PE et MCL par rapport aux bus barres. L'épaisseur des portions diélectriques PP1 H, PP2H, PP3H, PP4H et 25 PP1L, PP2L, PP3L, est choisie de manière à assurer des performances d'isolation électrique et de conductivité thermique adaptées. [0043] L'étape de la Fig.15 est une étape de métallisation et soudure qui permet de finaliser, d'une part, l'assemblage mécanique et, d'autre part, l'interconnexion électrique des tronçons hauts de bus BB1 H, BB2H, BB3H, BB4H et des faces hautes 30 de contact des puces MT, MD, et l'interconnexion électrique des tronçons bas de bus BB1 L, BB2L, BB3L et des faces basses de contact des puces MT, MD. 3060845 10 [0044] On notera ici que le tronçon de bus barre BB2H fixé au-dessus du plot de contact d'électrode PE et de son ruban de connexion a pour fonction de refroidir efficacement l'électrode de commande de la puce MT. [0045] Comme montré à la Fig.15, des couches de cuivre MEH et MEL sont 5 déposées par électrodéposition sur les parties haute et basse de l'ébauche EB1. [0046] La couche de cuivre MEH est déposée sur la partie haute de l'ébauche EB1 est interconnecte les tronçons de bus BB1H, BB2H, BB3H et BB4H du bus barre BBH et les faces hautes des puces de transistor MT et de diode MD qui correspondent, par exemple, à des électrodes de drain et de cathode. La couche 10 de cuivre MEL est déposée sur la partie basse de l'ébauche EB1 et interconnecte les tronçons de bus BB1L, BB2L et BB3L du bus barre BBL et les faces basses des puces de transistor MT et de diode MD qui correspondent à des électrodes de source et d'anode. [0047] Le procédé selon l'invention, tel que décrit plus haut en référence aux 15 Figs.1 à 15, autorise la fabrication de briques élémentaires de circuit qui peuvent être assemblées pour constituer des dispositifs électroniques de puissance de complexité plus ou moins grande, avec une architecture en sandwich. L'assemblage des briques élémentaires est typiquement réalisé sous presse et passage au four. Les liaisons mécaniques et électriques entre les deux briques 20 sont faites par soudure. On notera qu'une parallélisation de la fabrication est possible en produisant les briques élémentaires de circuit sur plusieurs lignes de fabrication. [0048] L'architecture des briques élémentaires de circuit selon l'invention permet un contact en cuivre direct entre les dissipateurs thermiques, formés des bus 25 barres, et les faces de contact hautes et basses des puces électroniques. Les dissipateurs thermiques constitués de masses de cuivre situées de part et d'autre des puces électroniques et en contact direct avec celles-ci autorise une extraction efficace des calories. Le refroidissement des électrodes de commande des puces de transistor est également optimisé grâce à des tronçons de bus barres plaqués 30 contre elles. De plus, les longueurs des conducteurs de connexion sont 3060845 11 minimisées, ce qui favorise la réduction des inductances parasites et davantage de compacité. [0049] La Fig.16 montre un dispositif électronique de puissance à refroidissement liquide EM qui est construit par empilement de deux briques élémentaires de circuit 5 BCHS et BCLs. Le dispositif EM est ici une branche de pont de transistors composée de deux transistors MOSFET et deux diodes de roue libre. [0050] La liaison mécanique et électrique des deux briques élémentaires empilées BCHS et BCLs est réalisée au niveau d'un plan de jonction IP par assemblage entre eux des bus barres BBH et BBL, par leurs tronçons BB1L, BB2L, BB3L et BB1 H, 10 BB3H, BB4H. L'assemblage pourra être fait, par exemple, par une soudure à phase liquide transitoire dite TLP ou d'autres techniques de soudure. [0051] L'assemblage des briques élémentaires BBHS et BBLs crée en partie centrale du dispositif des espaces centraux de circulation de liquide de refroidissement, ici CC1 et CC2. Ces espaces de circulation de liquide de 15 refroidissement CC1 et CC2, situés au plus près des puces électroniques, sont prévus pour la circulation sous pression d'un liquide de refroidissement caloporteur. [0052] Le dispositif EM comporte des circuits de commande CTRLHS et CTRLLs qui sont intégrés en parties haute et basse du dispositif EM, respectivement. Les 20 circuits de commande CTRLHS et CTRLLs sont fixés mécaniquement et isolés électriquement des parties haute et basse des briques élémentaires BCHS et BCLs par des couches diélectriques DLHS et DLLs, respectivement. Les circuits CTRLHS et CTRLLs comportent chacun plusieurs couches stratifiées, réalisées selon des techniques connues. Des composants actifs et passifs pourront si nécessaire être 25 enfouis entre les couches internes des circuits CTRLHS et CTRLLs, ou bien implantés en surface sur le circuit de manière classique par brasure ou colle conductrice. [0053] Comme cela apparaît à la Fig.16, l'intégration en partie haute et basse du dispositif EM des circuits de commande CTRLHS et CTRLLs avec les couches 30 diélectriques isolantes DLHS et DLLs permet la formation d'espaces haut et bas de 3060845 12 circulation de liquide de refroidissement CHa1, CHb1, CH2 et CL1, CL2. Ces espaces CHa1, CHb1, CH2 et CL1, CL2 situés de part et d'autre des espaces centraux CC1 et CC2 autorisent un refroidissement accru du dispositif EM. Les puces électroniques sont ainsi refroidies de manière plus efficace par la circulation 5 d'un liquide caloporteur à proximité de leurs faces haute et basse et des électrodes de commande. [0054] D'autres formes de réalisation de dispositifs électroniques de puissance selon l'invention sont bien entendu possibles. Ainsi, par exemple, la partie haute et/ou la partie basse du dispositif EM pourrait être fermée avec simplement une 10 couche diélectrique, sans pour autant implanter un circuit de commande à cet emplacement. Ou bien, la partie basse du dispositif EM pourrait rester ouverte, pour un refroidissement à air, le profil en créneau du bus barre apportant un accroissement de la surface d'échange thermique. [0055] L'invention ne se limite pas aux formes de réalisation particulières qui ont 15 été décrites ici à titre d'exemple. L'homme du métier, selon les applications de l'invention, pourra apporter différentes modifications et variantes qui entrent dans la portée des revendications ci-annexées. REVENDICATIONS1) Circuit électronique de puissance comprenant au moins une puce électronique (MT, MD), un substrat stratifié (LA1, LA2, SB) formé de couches isolantes et conductrices et des moyens de dissipation thermique, ladite puce électronique étant implantée dans ledit substrat et lesdits moyens de dissipation thermique étant fixés sur des première et deuxième faces opposées dudit substrat, caractérisé en ce que lesdits moyens de dissipation thermique comprennent des premier et deuxième bus barres formant dissipateurs thermiques (BBH, BBL) et montés respectivement sur lesdites première et deuxième faces opposées dudit substrat, lesdits premier et deuxième bus barres (BBH, BBL) étant formés chacun d'une pluralité de tronçons de bus barre en métal (BB1 H, BB2H, BB3H, BB4H ; BB1 L, BB2L, BB3L) fixés à des emplacements espacés prédéterminés (MCH, PE, MCI) et interconnectés entre eux et avec une face de contact de ladite puce électronique (MT, MD) par une couche de métal (MEH, MEL). 2) Circuit électronique de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits tronçons de bus barre (BB1 H, BB2H, BB3H, BB4H ; BB1 L, BB2L, BB3L) sont fixés auxdites première et deuxième faces opposées dudit substrat à travers des couches diélectriques (PP1 H, PP2H, PP3H, PP4H ; PP1 L, PP2L, PP3L). 3) Circuit électronique de puissance selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'au moins un (BB2H) desdits tronçons de bus barre est fixé sur une électrode (PE) de ladite puce (MT) à travers une couche diélectrique (PP2H). 4) Circuit électronique de puissance selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que lesdits tronçons de bus barre (BB1 H, BB2H, BB3H, BB4H ; BB1L, BB2L, BB3L) et lesdites couches conductrices (FC1, FC2, PL) et couches de métal (MEH, MEL) sont en cuivre. 3060845 14 5) Dispositif électronique de puissance, caractérisé en ce qu'il comprend au moins deux circuits selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, un premier circuit dit haut (BCHS) étant empilé sur un deuxième circuit dit bas (BCLs), lesdits circuits haut et bas (BCHS, BCLs) étant liés mécaniquement et 5 électriquement par leurs bus barres respectifs (BBH, BBL), et en ce qu'il comprend au moins un espace central de circulation de liquide de refroidissement (CC1, CC2) qui est situé entre lesdits circuits haut et bas (BCHS, BCLs), ledit espace central de circulation de liquide de refroidissement (CCi, CC2) étant formé entre des tronçons (BB1H, BB2H, BB3H, BB4H ; BB1L, BB2L, 10 BB3L) desdits bus barres (BBH, BBL). 6) Dispositif électronique de puissance selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comprend également au moins un espace haut de circulation de liquide de refroidissement (CHai, CHb1, CH2) qui est situé dans une partie haute du dispositif (EM), ledit espace haut de circulation de liquide de refroidissement 15 (CHai, CHb1, CH2) étant formé entre des tronçons (BB1H, BB2H, BB3H, BB4H) d'un bus barre haut (BBH) dudit circuit haut (BCHS) et une couche diélectrique haute (DLHS). 7) Dispositif électronique de puissance selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce qu'il comprend également au moins un espace bas de 20 circulation de liquide de refroidissement (CL1, CL2) qui est situé dans une partie basse du dispositif (EM), ledit espace bas de circulation de liquide de refroidissement (CL1, CL2) étant formé entre des tronçons (BB1L, BB2L, BB3L) d'un bus barre bas (BBL) dudit circuit bas (BCLs) et une couche diélectrique basse (DLLs). 25 8) Dispositif électronique de puissance selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un circuit de commande (CTRLHS, CTRLLs) fixé sur une partie haute ou une partie basse du dispositif (EM) à travers une couche diélectrique (DLHS, DLLs). 9) Procédé d'intégration de puces électroniques de puissance et de bus barres formant dissipateurs thermiques pour la réalisation d'un circuit électronique de 3060845 15 puissance selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend : - une réalisation d'une ébauche (EB1) intégrant au moins une puce électronique (MT, MD) comprise entre des couches internes stratifiées isolantes 5 et/ou conductrices ; - une fixation mécanique, par l'intermédiaire de portions diélectriques de préimprégné de résine (PP1 H, PP2H, PP3H, PP4H ; PP1L, PP2L, PP3L), de tronçons de bus barre en métal (BB1 H, BB2H, BB3H, BB4H ; BB1 L, BB2L, BB3L) à des emplacements espacés prédéterminés sur des faces opposées haute et 10 basse de ladite ébauche (EB1) ; et - pour chacune desdites faces opposées haute et basse, une interconnexion par dépôt de couche de métal (MEH, MES) desdits tronçons de bus barre (BB1 H, BB2H, BB3H, BB4H ; BB1L, BB2L, BB3L) fixés sur la face considérée et d'une face de contact de ladite puce électronique (MT, MD), formant ainsi ledit circuit 15 électronique de puissance comportant des bus barres (BBH, BBL) formant dissipateurs thermiques. 10) Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comporte des étapes de stratification, de retrait de matière par ablation, d'électrodéposition et de photolithographie. 20