FR 3060254 A1 20180615 FR 1662333 A 20161212 1 PROCEDE D'INTEG RATION DE PUCES DE PUISSANCE ET MODULES ELECTRONIQUES DE PUISSANCE [1] L'invention concerne de manière générale le domaine de l'électronique de puissance. Plus particulièrement, l'invention se rapporte à un procédé d'intégration de puces électroniques de puissance. L'invention se rapporte aussi à des modules électroniques de puissance obtenus par la mise en oeuvre du procédé susmentionné. [2] La transition énergétique souhaitée vers des sources d'énergie renouvelable et moins productrices d'émissions de CO2 place l'électronique de puissance au coeur des défis technologiques actuels. L'électronique de puissance est présente dans la quasi-totalité des domaines d'activité tels que les transports, les industries, l'éclairage, le chauffage, etc. [3] Par exemple, dans le domaine des transports, l'industrie automobile est soumise à des normes d'émission de rejets polluants très contraignantes qui conduisent à une véritable mutation technologique avec l'électrification des véhicules. L'électrification des véhicules confrontée aux fortes contraintes de poids, d'encombrement et de coût qui prédominent dans cette industrie de production de masse demande des avancées technologiques dans les procédés d'intégration des puces électroniques de puissance. [004] Dans l'état actuel de la technique, il est habituel de faire appel à la technologie dite HDI, de « High Density Interconnect » en anglais, pour augmenter le niveau d'intégration et réduire la taille des modules de puissance. La technologie HDI implémentée généralement sur des circuits imprimés dit PCB, de « Printed Circuit Board » en anglais, fait appel à une optimisation de l'implantation spatiale des composants en utilisant notamment des rubans et de câbles d'interconnexion plus fins et des micro-trous d'interconnexion dits « microvias ». Il est utilisé le perçage par rayon laser ainsi que différentes techniques de soudure telles que par exemple le brasage, la soudure en phase liquide transitoire dite soudure TLP ou le frittage de poudre de nanoparticules métalliques. 3060254 2 [5] La technologie HDI trouve cependant ses limites face aux réductions de coût qui sont nécessaires pour des productions de masse et l'augmentation du niveau d'intégration et de la compacité. En effet, certaines techniques utilisées, telles que le perçage laser, ne facilitent pas la parallélisation des processus de 5 fabrication et font obstacle à des réductions de coût. [6] Le niveau d'intégration qu'il est possible d'obtenir est limité par le volume occupé par les interconnexions avec rubans et microvias. Ces interconnexions avec rubans ou câbles introduisent des inductances parasites qui s'opposent à des fréquences de découpage ou de commutation plus élevées. La réduction des 10 inductances parasites est nécessaire pour réduire la chaleur générée et protéger le circuit par rapport à des surtensions potentiellement destructrices. Or l'augmentation des fréquences de commutation est favorable à la compacité, notamment dans les convertisseurs de puissance. [7] L'accroissement du niveau d'intégration et de la compacité des modules 15 électroniques de puissance accentuent les contraintes thermiques sur les composants. Un refroidissement performant est nécessaire pour maintenir les températures de jonction des composants actifs en dessous de valeurs critiques, pour atteindre un équilibre thermique et garantir la fiabilité des modules de puissance. Pour cela, l'architecture des modules de puissance et les technologies 20 utilisées doivent permettre une extraction de l'énergie dissipée au plus près des composants. [8] II apparaît aujourd'hui souhaitable de proposer une technologie nouvelle autorisant un niveau d'intégration accru des modules électroniques de puissance et adaptée à une production de masse. 25 [009] Selon un premier aspect, l'invention concerne un procédé d'intégration de puces électroniques de puissance pour la réalisation d'un dispositif électronique intégré de puissance. Conformément à l'invention, le procédé comprend : - une réalisation de première et deuxième ébauches, chacune des ébauches étant réalisée par stratification de couches internes isolantes et 30 conductrices sur une plaque formant base métallique, au moins une puce 3060254 3 électronique étant implantée dans l'une ou l'autre des première et deuxième ébauches, et les première et deuxième ébauches étant réalisées avec des profils complémentaires de leurs surfaces hautes de stratification ; - un empilement et emboîtement des première et deuxième ébauches par 5 leurs surfaces hautes avec des profils complémentaires ; et - un assemblage à la presse des première et deuxième ébauches pour réaliser un sous-ensemble stratifié destiné au dispositif électronique intégré de puissance, l'assemblage comprenant un maintien de pression jusqu'à finalisation des liaisons mécaniques par polymérisation de résine et des liaisons électriques 10 entre la au moins une puce électronique, les plaques formant base métallique et les couches internes conductrices. [0010] Selon une caractéristique particulière du procédé selon l'invention, la stratification des couches internes isolantes et conductrices des première et deuxième ébauches est réalisée sur une plaque formant base métallique en cuivre. 15 [0011] Selon une autre caractéristique particulière, les couches internes isolantes et conductrices stratifiées sont formées avec des techniques de type dit IMS. [0012] Selon encore une autre caractéristique particulière, les plaques formant base métallique sont profilées mécaniquement et/ou par photolithographie. [0013] Selon encore une autre caractéristique particulière, lors de la réalisation 20 des première et deuxième ébauches, des portions diélectriques de préimprégné de stade B sont réalisées à partir d'une feuille de préimprégné de stade B par un matriçage à l'emporte-pièce et/ou une découpe à la fraise et/ou à la lame et sont implantées dans des emplacements respectifs des ébauches. [0014] Selon encore une autre caractéristique particulière, lors de la réalisation 25 des première et deuxième ébauches, des portions conductrices sont réalisées à partir d'une feuille de cuivre par un matriçage à l'emporte-pièce et/ou une découpe à la fraise et/ou à la lame et sont implantées dans des emplacements respectifs des ébauches. 3060254 4 [0015] Selon encore une autre caractéristique particulière, lors de la réalisation des première et deuxième ébauches, les portions conductrices sont stratifiées dans leurs emplacements respectifs par pressage sous vide et/ou par passage dans un four de stratification sous vide. 5 [0016] Selon encore une autre caractéristique particulière, lors de la réalisation des première et deuxième ébauches, des portions diélectriques et conductrices sont réalisées à partir d'une laminé revêtu de cuivre par un matriçage à l'emporte-pièce et/ou une découpe à la fraise et/ou à la lame, et sont implantées dans des emplacements respectifs des ébauches et stratifiées par pressage sous vide et/ou 10 par passage dans un four de stratification sous vide. [0017] Selon encore une autre caractéristique particulière, lors de la réalisation des première et deuxième ébauches, la formation des couches internes incorpore une définition précise de motifs de connexion par photolithographie. [0018] Selon encore une autre caractéristique particulière, lors de la réalisation 15 des première et deuxième ébauches, la formation des couches internes inclut un dépôt d'une couche métallique par électrolyse. [0019] Selon encore une autre caractéristique particulière, lors de la réalisation des première et deuxième ébauches, la formation des couches internes inclut un dépôt d'un matériau d'interconnexion électrique à des emplacements déterminés 20 incluant des emplacements dédiés à la au moins une puce électronique, le dépôt étant effectué par électrolyse et/ou sérigraphie de pâte à braser et/ou à l'aide d'un répartiteur de pâte à braser. [0020] Selon encore une autre caractéristique particulière, l'assemblage à la presse des première et deuxième ébauches inclut un pressage sous vide et/ou un 25 passage au four de stratification sous vide. [0021] Selon un autre aspect, l'invention concerne également un dispositif électronique intégré de puissance comportant au moins un sous-ensemble stratifié réalisé par la mise en oeuvre du procédé décrit brièvement ci-dessus. 3060254 5 [0022] Selon encore un autre aspect, l'invention concerne également un module électronique de puissance comprenant des premier et deuxième sous-ensembles stratifiés réalisés par la mise en oeuvre du procédé décrit brièvement ci-dessus. [0023] Selon une caractéristique particulière du module, les premier et deuxième 5 sous-ensembles stratifiés sont superposés l'un sur l'autre et liés mécaniquement et électriquement et comprennent respectivement des premier et deuxième interrupteurs électroniques de puissance formant une branche de pont. [0024] Selon une forme de réalisation particulière, le module comprend un espace central de circulation de liquide de refroidissement situé entre les premier et 10 deuxième sous-ensembles. [0025] D'autres avantages et caractéristiques de la présente invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description détaillée ci-dessous de plusieurs formes de réalisation particulières de l'invention, en référence aux dessins annexés, dans lesquels : 15 les Fig.1 a et 1 b montrent deux schémas de branches de pont à transistors, avec des transistors MOSFET et des transistors IGBT ; les Figs.2 à 9 sont des vues en coupe simplifiées montrant des étapes du procédé d'intégration de puces électroniques selon l'invention ; et les Figs.10 et 11 sont des vues en coupe simplifiées montrant des première 20 et deuxième formes de réalisation d'un module de puissance selon l'invention, pour un module à refroidissement par air et un module à refroidissement liquide. [0026] Un mode de réalisation particulier du procédé selon l'invention est maintenant décrit ci-dessus dans le cadre de la de réalisation d'un module de puissance sous la forme d'une branche de pont, ou demi-pont, de commutation à 25 transistors. [0027] Deux exemples de modules de puissance sont représentés aux Figs.1 a et 1 b. Ces modules peuvent être associés pour former des ponts complets de commutation ou associés en parallèle pour passer le courant voulu. 3060254 6 [0028] Comme montré aux Figs.1 a et 1 b, ces modules de puissance sont formés d'une branche de pont, ou demi-pont, de commutation à transistors. La branche de pont comprend de manière classique un transistor haut et un transistor bas, dits respectivement «low side» et «high side» en anglais, et des diodes associées. La 5 Fig.1 a montre un schéma d'une première branche de pont BM formée de transistors MOSFET, MTHS et MTLs, et de diodes MDHS et MDLs respectivement associées aux transistors. La Fig.1 b montre un schéma d'une deuxième branche de pont BI formée de transistors IGBT, ITHS et ITLs, et de leurs diodes IDHS et IDLs associées. 10 [0029] Dans la description ci-dessous, il est considéré que le module de puissance fabriqué est une branche de pont BM telle que montrée à la Fig.1 a, c'est-à-dire, comprenant deux transistors MOSFET, MTHS et MTLs, et des diodes MDHS et MDLs respectivement associées aux transistors. Dans certaines configurations les diodes associées aux transistors seront déjà intégrées dans les 15 puces des transistors, de sorte que leurs implantations ne seront pas nécessaires. On notera que le module de puissance fabriqué et la branche de pont ont tous deux ci-dessous un même repère de référence BM. On notera également que cette description s'applique aussi à la branche de pont BI de la Fig.1 b en remplaçant les transistors MOSFET par des transistors IGBT. 20 [0030] De manière générale, il est utilisé dans l'invention des techniques de fabrication d'électronique de puissance connues et bien maitrisées issues essentiellement de la technologie dite IMS (de «Insulated Metal Substrate» en anglais). Ainsi, il pourra être fait appel dans le procédé selon l'invention à une combinaison de différentes techniques de fabrication comprenant la stratification, 25 la photolithographie, l'électrodéposition de métal, la gravure humide et d'autres. Pour la soudure des composants, il pourra être fait appel à la soudure en phase liquide transitoire dite soudure TLP, le frittage de poudre de nanoparticules métalliques ou la soudure par diffusion. Un matriçage à l'emporte-pièce sera également utilisé pour la découpe dans des films ou feuilles d'isolant et de cuivre des éléments à reporter dans l'ébauche du module en cours de fabrication. Il sera également fait appel à des outils de positionnement et de maintien en position lors des opérations de report sur l'ébauche. 3060254 7 [0031] En référence également aux Figs.2 à 9, il est maintenant décrit en détail différentes étapes de fabrication intervenant dans le procédé d'intégration de puces électroniques de puissance selon l'invention. Ces étapes permettent la réalisation des couches internes stratifiées présentes dans un module de 5 puissance selon l'invention et une architecture générale en sandwich. [0032] La Fig.2 représente une ébauche EB1, à un stade initial, d'un sous-ensemble d'un module de puissance. [0033] Dans l'étape de fabrication de la Fig.2, des portions diélectriques PPb de préimprégné de stade B sont déposées sur une plaque MB1 formant base 10 métallique à des emplacements respectifs MP de celle-ci. Des moyens de positionnement sont utilisés si nécessaire pour la mise en place des portions diélectriques PPb dans leurs emplacements respectifs MP. [0034] Les portions diélectriques PPb de préimprégné de stade B sont typiquement ici des diélectriques de fibres de verre tissées enduits d'une résine de 15 type époxy et partiellement polymérisés. D'autres diélectriques tels que Téflon (marque déposée) ou polyimide pourront cependant être utilisés pour des applications spéciales. Les portions diélectriques PPb pourront être obtenues par un matriçage à l'emporte-pièce d'une feuille de préimprégné de stade B, ou bien par une découpe à la fraise ou à la lame. 20 [0035] La base métallique MB1 est préférentiellement en cuivre. Comme cela apparaît à la Fig.2, la base métallique MB1 est profilée préalablement de manière à former les emplacements MP. Le profil préalable de la base métallique MB1 est typiquement obtenu par enlèvement mécanique de matière ou par photolithographie. 25 [0036] Dans l'étape montrée à la Fig.3, les portions diélectriques PPb sont partiellement recouvertes de portions conductrices CP en cuivre. Des moyens de positionnement sont utilisés si nécessaire pour le report des portions conductrices CP sur les portions diélectriques PPb. Des parties NC non recouvertes par les portions conductrices CP sont laissées au niveau de parois latérales des 30 emplacements MP. 3060254 8 [0037] Les portions conductrices CP sont obtenues à partir d'une feuille de cuivre par un matriçage à l'emporte-pièce ou bien par une découpe à la fraise ou à la lame. La stratification des couches des portions PPb et CP sur la base métallique MB1 est obtenue par pressage sous vide ou passage au four de stratification sous 5 vide. Les portions diélectriques PPb sont montrées à la Fig.3 sous leur forme polymérisée en une couche diélectrique PP. [0038] En variante, on notera qu'il est possible d'obtenir l'ébauche stratifiée EB1 de la Fig.3 à partir d'un laminé revêtu de cuivre dit CCL (de «Copper Clad Laminate» en anglais). Les portions de laminé formées d'une couche diélectrique 10 et d'un revêtement de cuivre sont découpées dans un panneau de laminé et reportées dans les emplacements MP qui peuvent si nécessaire être enduits préalablement de résine. La stratification des portions de laminé sur la base métallique MB1 est obtenue par pressage sous vide ou passage au four de stratification sous vide. 15 [0039] Les étapes des Figs.4 et 5 montrent une opération de photolithographie destinée à définir avec une haute précision les motifs de connexion en cuivre. Dans ces figures, à titre d'exemple, il est montré l'ajustement de la largeur d'une portion conductrice CP1. [0040] A la Fig.4, une résine photorésist PS est enduite sur la surface haute de 20 stratification de l'ébauche EB1. Les parties de surface à attaquer en gravure humide sont ensuite définies et dégagées de manière classique en faisant appel à un masque de sérigraphie et une exposition à un rayonnement ultraviolet. [0041] A la Fig.5, l'ébauche EB1 est prête pour la gravure humide du cuivre. Des portions métalliques CP1a sont retirées et le motif de connexion est ainsi réalisé 25 avec précision. [0042] L'étape de la Fig.6 est un dépôt électrolytique de métal destiné à planariser les surfaces hautes SH de connexion en cuivre de l'ébauche EB1. [0043] Comme montré à la Fig.6, une résine photorésist de masquage PS1 est déposée pour remplir les cavités. Le dépôt électrolytique de métal est effectué 30 ensuite et planarise les surfaces hautes de connexion SH. La couche métallique 3060254 9 de planarisation déposée par électrolyse pourra être du cuivre, de l'étain ou un autre métal adapté, selon l'application. La résine photorésist de masquage PS1 est ensuite retirée par des méthodes connues telles que par exemple un traitement par plasma d'oxygène, un décapage par voie sèche ou au solvant. 5 [0044] Dans l'étape de la Fig.7, des portions diélectriques PPb1 de préimprégné de stade B sont déposées, si nécessaire en plusieurs couches, sur des parties superficielles de l'ébauche EB1. Cette étape permet de configurer les cavités et les parties d'isolation électrique nécessaires à la dépose du matériau d'interconnexion électrique et à l'implantation des puces électroniques. Les portions diélectriques 10 PPb1 sont obtenues et implantées de manière analogue aux portions PPb de la Fig.2. [0045] Comme montré à la Fig.7, dans cet exemple de réalisation, des emplacements L1 et L2 sont mis en forme dans cette étape pour recevoir respectivement la puce d'un transistor MT et la puce d'une diode MD. 15 [0046] L'emplacement L1 comporte des cavités L10 et L11 destinées au matériau d'interconnexion électrique. La cavité L10 est prévue pour le contact électrique entre la portion conductrice CP2 et une électrode de grille (GHS ou GIS à la Fig.1a) du transistor MT. La cavité L11 est prévue pour le contact électrique entre la plaque de base MB1 et une électrode de drain (DHS ou DES à la Fig.1a) du 20 transistor MT. [0047] L'emplacement L2 comporte une cavité L20 destinée au matériau d'interconnexion électrique. La cavité L20 est prévue pour le contact électrique entre la plaque de base MB1 et une électrode de cathode (Fig.1a) de la diode MD. [0048] Dans l'étape de la Fig.8, les puces des composants MT et MD sont mises 25 en place dans les emplacements L1 et L2 de l'ébauche EB1. [0049] A la Fig.8, les portions diélectriques PPb1 de préimprégné de stade B sont montrées comme totalement polymérisées et formant des couches diélectriques PP. On notera cependant que cette étape de fabrication peut être effectuée alors que les portions PPb1 ne sont pas encore totalement polymérisées. 3060254 10 [0050] Comme montré à la Fig.8, le matériau d'interconnexion électrique EH est déposé dans les cavités L10, L11, de l'emplacement L1 et la cavité L20 de l'emplacement L2. Le dépôt du matériau d'interconnexion électrique EH pourra être réalisé par électrolyse, sérigraphie d'une pâte à braser ou à l'aide d'un 5 répartiteur de pâte à braser. [0051] La Fig.9 montre l'assemblage de l'ébauche EB1, obtenue par les étapes de fabrication des Figs.2 à 8, et d'une ébauche complémentaire EB2. L'ébauche EB2 est réalisée en suivant des étapes de fabrication analogues à celles de l'ébauche EB1. On notera que les ébauches EB1 et EB2 sont de préférence 10 fabriquées en parallèle sur des lignes de fabrication différentes, ce qui autorise une diminution conséquente du temps de fabrication. [0052] Comme montré à la Fig.9, le profil de surface haute de stratification de l'ébauche EB2 est complémentaire et épouse celui de l'ébauche EB1. [0053] L'ébauche EB2 comporte des emplacements L3 et L4 qui correspondent 15 respectivement aux emplacements L1 et L2 de l'ébauche EB1. Les surfaces des emplacements L1 et L2 sont recouvertes d'un matériau d'interconnexion électrique E12, identique au matériau EH du substrat EB1, pour la liaison électrique d'une électrode de source (SHS ou SAS à la Fig.1a) et d'une électrode d'anode (Fig.1a) des puces de transistor MT et diode MD à une plaque BM2 formant base 20 métallique de l'ébauche EB2, respectivement. [0054] L'ébauche EB2 comprend des portions diélectriques PPb2 de préimprégné de stade B qui sont disposées en correspondance avec les portions diélectriques PP(PPb1) de l'ébauche EB1. [0055] Comme cela apparaît à la Fig.9, les ébauches EB1 et EB2 sont plaquées 25 l'une contre l'autre et emprisonnent les puces des composants MT et MD dans leurs couches internes. L'assemblage final et l'obtention du sous-ensemble stratifié est réalisé par pressage sous vide ou passage au four de stratification sous vide. La polymérisation finale des portions diélectriques et les liaisons avec le matériau d'interconnexion électrique interviennent pendant cet assemblage final. 3060254 11 [0056] Le procédé selon l'invention, tel que décrit plus haut en référence aux Figs.2 à 9, autorise la fabrication de sous-ensembles de puissance ou de dispositifs électroniques de puissance complets avec une architecture stratifiée en sandwich. Comparativement aux autres technologies connues, telles que la 5 technologie HDI, le procédé proposé ici autorise à la fois une augmentation des performances, une compacité accrue et des réductions de coûts apportées par des temps de fabrication plus courts et l'utilisation de techniques éprouvées et économiques de type IMS. L'optimisation de la connectique interne des sous-ensembles, réalisée sans vias ni microvias, autorise notamment une réduction des 10 inductances parasites et davantage d'intégration. L'architecture en sandwich avec deux plaques en cuivre (MB1, MB2), proches et disposées de part et d'autre des composants électroniques, facilite grandement l'évacuation des calories dissipées, du fait des masses de cuivre de conductibilité thermique élevée présentes de part et d'autre des composants. 15 [0057] En référence aux Figs.10 et 11, il est maintenant décrit des première et deuxième formes de réalisation particulières EM1 et EM2 d'un module de puissance sous la forme d'une branche de pont comme montré aux Figs.1a et 1 b. [0058] Ces modules de puissance EM1 et EM2 sont construits par empilement de deux sous-ensembles stratifiés BBHS et BBLS fabriqués de manière analogue à 20 celui décrit ci-dessus en référence aux Figs.2 à 9. [0059] De manière générale, on notera que les sous-ensembles stratifiés selon l'invention sont des briques élémentaires qui peuvent être assemblées pour constituer des dispositifs électroniques intégrés de puissance de complexité plus ou moins grande. L'assemblage de deux briques élémentaires empilées est 25 typiquement réalisé sous presse et passage au four. Les liaisons mécaniques et électriques entre les deux briques seront assurées par soudure. [0060] Le module EM1 montré à la Fig.10 est une forme de réalisation à refroidissement par air. Le convertisseur formé par l'assemblage de plusieurs modules de puissance EM1 pourra être équipé si nécessaire de moyens de 30 dissipation thermique. Ces moyens de dissipation thermique comprendront un ou plusieurs radiateurs en contact thermique, électriquement isolé, avec les parties en 3060254 12 cuivre MB1, MB2. L'architecture de l'invention autorise une extraction efficace des calories dissipées avec des radiateurs classiques, évitant ainsi dans un certain nombre d'applications de faire appel à des moyens plus coûteux tels que des dispositifs de refroidissement à changement de phase. 5 [0061] La liaison mécanique et électrique au niveau du plan de jonction IP entre les briques BBHS et BBHS de la Fig.10 pourra être obtenue par une soudure à phase liquide transitoire dite TLP, une liaison par frittage ou par d'autres techniques de soudure indiquées plus haut. [0062] Comme montré à la Fig.10, le module EM1 est équipé ici d'un circuit de 10 commande CTRL disposé en partie haute du module et isolé électriquement, par une couche diélectrique DLHS, de la partie en cuivre MB1 de la brique BBHS. Une couche diélectrique DLHS est disposé en partie basse du module et assure une isolation électrique de cette partie de la brique BBHS. Le circuit CTRL comporte plusieurs couches stratifiées réalisées selon les techniques décrites plus haut. Des 15 composants actifs et passifs pourront si nécessaire être enfouis entre les couches internes du circuit CRTL, ou bien implantés en surface sur le circuit de manière classique par brasure ou colle conductrice. [0063] Le module EM2 montré à la Fig.11 est une forme de réalisation à refroidissement liquide qui est adaptée pour des applications de forte puissance. 20 [0064] Outre les briques BBHS et BBHS, le circuit de commande CTRL disposé sur la partie haute du module, et les couches diélectrique DLHS et DLHS, de manière similaire au module de la Fig.10, le module EM2 comprend également un espace de circulation de liquide de refroidissement CC. Un liquide diélectrique de refroidissement sous pression pourra par exemple être utilisé en tant que liquide 25 de refroidissement caloporteur. L'espace CC est prévu en partie centrale du module EM2, en contact direct avec les plaques en cuivre MB1 et MB2 des briques BBHS et BBHS, respectivement. [0065] D'autres formes de réalisation de modules de puissance selon l'invention sont bien entendu possibles, comme par exemple un module comprenant 30 également des espaces de circulation de liquide de refroidissement en partie haute 3060254 13 et basse du module. Les briques BBLs et BBHS sont alors refroidies par le liquide de refroidissement circulant de part et d'autre de chaque brique BBHS, BBLs, de manière à extraire davantage de calories. [0066] L'invention ne se limite pas aux formes de réalisation particulières qui ont 5 été décrites ici à titre d'exemple. L'homme du métier, selon les applications de l'invention, pourra apporter différentes modifications et variantes qui entrent dans la portée des revendications ci-annexées. REVENDICATIONS1) Procédé d'intégration de puces électroniques de puissance (MT, MD) pour la réalisation d'un dispositif électronique intégré de puissance (EM1, EM2), caractérisé en ce qu'il comprend : - une réalisation de première et deuxième ébauches (EB1, EB2), chacune desdites ébauches (EB1, EB2) étant réalisée par stratification de couches internes isolantes et conductrices (PP, CP, El) sur une plaque formant base métallique (MB1, MB2), au moins une dite puce électronique (MT, MD) étant implantée dans l'une ou l'autre desdites première et deuxième ébauches (EB1, EB2), et lesdites première et deuxième ébauches (EB1, EB2) étant réalisées avec des profils complémentaires de leurs surfaces hautes de stratification ; - un empilement et emboîtement desdits première et deuxième ébauches (EB1, EB2) par leurs surfaces hautes avec des profils complémentaires ; et - un assemblage à la presse desdites première et deuxième ébauches (EB1, EB2) pour réaliser un sous-ensemble stratifié (BBHS, BI3Ls) destiné audit dispositif électronique intégré de puissance (EM1, EM2), ledit assemblage comprenant un maintien de pression jusqu'à finalisation des liaisons mécaniques par polymérisation de résine (PP) et des liaisons électriques entre ladite au moins une puce électronique, lesdites plaques formant base métallique (MB1, MB2) et lesdites couches internes conductrices (CP, El). 2) Procédé d'intégration de puces électroniques de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce que la stratification des couches internes isolantes et conductrices (PP, CP, El) desdites première et deuxième ébauches (EB1, EB2) est réalisée sur une plaque formant base métallique en cuivre (MB1, MB2). 3) Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que lors de la réalisation desdites première et deuxième ébauches (EB1, EB2), lesdites 3060254 15 couches internes isolantes et conductrices stratifiées (PP, CP, El) sont formées avec des techniques de type dit IMS. 4) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que lors de la réalisation desdites première et deuxième ébauches (EB1, EB2), 5 lesdites plaques formant base métallique (MB1, MB2) sont profilées mécaniquement et/ou par photolithographie. 5) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que lors de la réalisation desdites première et deuxième ébauches (EB1, EB2), des portions diélectriques de préimprégné de stade B (PPb) sont réalisées à 10 partir d'une feuille de préimprégné de stade B par un matriçage à l'emporte- pièce et/ou une découpe à la fraise et/ou à la lame et sont implantées dans des emplacements respectifs (MP) desdites ébauches (EB1, EB2). 6) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que lors de la réalisation desdites première et deuxième ébauches (EB1, EB2), 15 des portions conductrices (CP) sont réalisées à partir d'une feuille de cuivre par un matriçage à l'emporte-pièce et/ou une découpe à la fraise et/ou à la lame et sont implantées dans des emplacements respectifs (MP) desdites ébauches (EB1, EB2). 7) Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que lors de la réalisation 20 desdites première et deuxième ébauches (EB1, EB2), lesdites portions conductrices (CP) sont stratifiées dans leurs emplacements respectifs (MP) par pressage sous vide et/ou par passage dans un four de stratification sous vide. 8) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que lors de la réalisation desdites première et deuxième ébauches (EB1, EB2), 25 des portions diélectriques et conductrices (PP, CP) sont réalisées à partir d'une laminé revêtu de cuivre (CCL) par un matriçage à l'emporte-pièce et/ou une découpe à la fraise et/ou à la lame, sont implantées dans des emplacements respectifs (MP) desdites ébauches (EB1, EB2) et stratifiées par pressage sous vide et/ou par passage dans un four de stratification sous vide. 3060254 16 9) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que lors de la réalisation desdites première et deuxième ébauches (EB1, EB2), la formation desdites couches internes incorpore une définition précise de motifs de connexion (CP, CP1, CP2) par photolithographie. 5 10) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que lors de la réalisation desdites première et deuxième ébauches (EB1, EB2), la formation desdites couches internes inclut un dépôt d'une couche métallique par électrolyse. 11) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en 10 ce que lors de la réalisation desdites première et deuxième ébauches (EB1, EB2), la formation desdites couches internes inclut un dépôt d'un matériau d'interconnexion électrique (El) à des emplacements déterminés (L10, L11 , L20, L3, L4) incluant des emplacements dédiés à ladite au moins une puce électronique (MT, MD), ledit dépôt étant effectué par électrolyse et/ou 15 sérigraphie de pâte à braser et/ou à l'aide d'un répartiteur de pâte à braser. 12) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que l'assemblage à la presse desdites première et deuxième ébauches (EB1, EB2) inclut un pressage sous vide et/ou un passage au four de stratification sous vide. 20 13) Dispositif électronique intégré de puissance, caractérisé en ce qu'il comporte au moins un sous-ensemble stratifié (BBHS, BBLs) réalisé par la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12. 14) Module électronique de puissance, caractérisé en ce qu'il comprenant des premier et deuxième sous-ensembles stratifiés (BBHS, BBLs) réalisés par la 25 mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, lesdits premier et deuxième sous-ensembles stratifiés (BBHS, BBLs) étant superposés l'un sur l'autre et liés mécaniquement et électriquement et comprenant respectivement des premier et deuxième interrupteurs électroniques de puissance (MTHS, MTLs ; ITHS, ITLs) formant une branche de pont (BM, BI). 3060254 17 15) Module selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comprend un espace central de circulation de liquide de refroidissement (EM2, CC) situé entre lesdits premier et deuxième sous-ensembles (BBHS, BBLs). 16) Module selon la revendication 14 ou 15, caractérisé en ce que lesdits 5 interrupteurs électroniques de puissance sont des transistors de type MOSFET ou IGBT.