FR 3052257 A1 20171208 FR 1754759 A 20170530 1 Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à un capteur de pres- sion comportant une première membrane se déformant en fonction de la pression exercée sur cette première membrane. L'invention se rapporte également à un dispositif de cap- teur de pression comportant un tel capteur de pression et à un procédé de détection d'une pression à l'aide d'un tel capteur de pression. Etat de la technique Le document DE 102008041937 A 1 décrit un dispositif de capteur de pression comportant un support (substrat), une membrane et une couche intermédiaire par rapport à laquelle la membrane est mobile au moins dans des zones partielles de la membrane, en fonction de la force exercée sur la membrane. La membrane et la couche intermédiaire se présentent sous la forme d'une surface de contact qui est en contact mécanique. En fonction de la force appliquée sur la membrane, la dimension de la surface de contact varie. De plus, la membrane est reliée au substrat. Pour la plus faible pression a pour juste un contact sous la forme d'une surface de contact entre la mem- brane et l'électrode, cette surface se fait avec la couche intermédiaire. Dans le cas de pressions plus importantes appliquées à la membrane, celle-ci est plus fortement déviée en direction de l'électrode et la surface de contact augmente. Augmenter la surface de contact réduit la résistance électrique entre la membrane et la couche intermédiaire. Cette variation de la résistance électrique se mesure en fonction de la pres- sion, par exemple, sous la forme d'un signal de tension électrique. Exposé de l'invention La présente invention a pour but de développer un cap- teur de pression, un dispositif de capteur de pression et un procédé de détection d'une pression. Exposé et avantages de l'invention A cet effet l'invention a pour objet un capteur de pression comportant une première membrane se déformant en fonction de la pression exercée sur cette première membrane, ce capteur de pression étant caractérisé en ce qu'il comporte une seconde membrane écartée 3052257 2 de la première membrane pour que la première membrane et la seconde membrane forment un condensateur dont la capacité varie en fonction de la déformation de la première membrane, le capteur de pression comportant une unité de régulation pour régler une capacité prédéfinie 5 du condensateur, le signal de réglage de l'unité de régulation pour ré- gler la capacité prédéfinie étant une mesure de la pression appliquée à la première membrane. Le capteur de pression selon l'invention a l'avantage de n'utiliser pratiquement aucun composant mécanique et d'être ainsi très 10 stable en température. De plus, sa dynamique est très importante et, en outre, il résiste aux influences parasites. Ainsi, et comme déjà indiqué, l'invention a pour objet un capteur de pression ayant une première membrane pour se déformer en fonction de la pression exercée sur elle. Le capteur de pression com- as porte une seconde membrane écartée de la première membrane pour que les deux membranes forment entre elles un condensateur dont la capacité varie selon la déformation de la première membrane. Le capteur de pression a, en outre, une unité de régulation réglant une capacité prédéfinie du condensateur ; un organe de réglage de l'unité de 20 régulation permet de régler la capacité prédéfinie sur une mesure don- née de la pression à appliquer à la première membrane. De façon avantageuse, le capteur de pression a un très faible encombrement et son intégration à l'emplacement de son utilisation est économique car il est très robuste vis-à-vis des influences parasites et celles de 25 l'environnement telles que, par exemple, des variations de température. C'est ainsi qu'il est, par exemple possible d'appliquer le capteur de pression dans un véhicule automobile, directement à un composant de tête de cylindre, notamment à une bougie ou à un injecteur. Les influences perturbatrices sont, par exemple les capacités parasites qui 30 peuvent se traduire par une mesure fausse conduisant à des résultats de mesure faussés. Les capacités parasites sont compensées dans le cas du capteur de pression selon l'invention par le réglage de la capacité prédéfinie à l'aide de l'unité de régulation. La plage dynamique décrit la plage de pression qui se mesure à l'aide d'un capteur de pression selon 35 l'invention. Le capteur de pression selon l'invention permet à la fois de 3052257 3 mesurer des pressions plus importantes. La plage dynamique est principalement délimitée par la déformation élastique maximale possible de la première membrane de sorte que le capteur de pression a une plage dynamique importante. On compense les défauts de linéarité liés aux 5 propriétés mécaniques de la membrane par le réglage d'une capacité prédéfinie. De façon avantageuse, le capteur de pression n'a pas d'hystérésis car pour une pression appliquée il s'établit une capacité déterminée et le signal de réglage correspondant est associé à la pres- to sion à mesurer. L'hystérésis est la différence entre le signal de sortie au démarrage d'une valeur de mesure fixe dans le sens montant ou descendant, c'est-à-dire pour une pression croissante ou une pression décroissante. Selon un développement, la seconde membrane est au 15 moins une partie de la première surface limite d'une première cavité dans laquelle règle une pression de référence. Cela permet de régler avantageusement l'intensité de la déformation de la première membrane lorsqu'elle est sollicitée par une pression. La pression de référence est choisie pour être du même ordre de grandeur que la pression à mesu- 20 rer, ce qui évite toute déformation plastique de la membrane ou toute fissure de celle-ci lorsqu'elle est soumise à la pression. Selon un autre développement, le capteur de pression a une structure de maintien écartant la première et la seconde membrane, la première membrane, la seconde membrane et la structure de 25 maintien constituent les surfaces limites d'une seconde cavité. La se- conde membrane constitue au moins une partie d'une première surface limite de la première cavité. La seconde membrane a des perforations pour que la seconde cavité soit à la même pression que la première cavité. Ainsi, la première et la seconde cavités seront à une pression iden- 30 tique, c'est-à-dire une pression de référence, connue ce qui permet avantageusement de faire une mesure de pression absolue. Selon un développement, la seconde membrane du cap- teur de pression est en une matière magnétique électro-conductrice ce qui donne l'avantage de pouvoir utiliser la seconde membrane comme 3052257 4 électrode, par exemple, pour mesurer la capacité du condensateur et de plus on peut la déformer en appliquant un champ magnétique. Selon un développement, l'unité de régulation comporte un électroaimant générant un champ magnétique sur le côté de la se- 5 conde membrane à l'opposé de la première membrane. Cette solution a l'avantage que l'électroaimant fournit un champ magnétique réglable par le courant électrique. Le signal de réglage qui est une mesure de la pression appliquée à la première membrane est ainsi un courant électrique que l'on détermine avec des moyens simples connus. Ainsi, cela 10 permet de déterminer simplement et rapidement la pression. De plus, le capteur de pression est d'une construction compacte et robuste car il ne nécessite pas d'unité de mesure complexe pour le signal de réglage. En variante, l'unité de régulation comporte une électrode d'excitation sur le côté de la seconde membrane non tourné vers la 15 première membrane. Selon un développement, la seconde membrane a une première couche ayant un premier coefficient de dilatation thermique et une seconde couche ayant un second coefficient de dilatation thermique, le premier coefficient de dilatation thermique et le second coeffi- 20 cient de dilatation thermique étant différents. L'avantage de cette solution est de permettre ainsi une construction très compacte du capteur de pression car le réglage de la capacité prédéfinie se fait directement par un courant électrique traversant au moins partiellement la seconde membrane. 25 Selon un développement, la seconde membrane a une troisième couche et au moins une couche piézoélectrique, la troisième couche étant métallique. L'avantage de cette solution est de réaliser une construction très compacte du capteur de pression car le réglage de la capacité prédéfinie se fait directement en appliquant une tension élec- 30 trique. En variante ou en complément, la seconde membrane a au moins une couche magnétostrictive. La seconde membrane peut également avoir plusieurs couches magnétostrictives pour permettre une déformation efficace plus importante pour un même champ magné- 35 tique. Cela permet d'utiliser avantageusement des champs magnétiques 3052257 5 plus réduits. Cette solution est en particulier avantageuse pour mesurer des pressions importantes car pour cela il faut des déformations en partie importantes de la seconde membrane. Le dispositif de capteur de pression selon l'invention 5 comporte un capteur de pression et une unité d'exploitation pour dé- terminer la pression à partir du signal de réglage. L'invention a également pour objet un procédé de détec- tion d'une pression par un dispositif de capteur de pression, le procédé consiste à déformer la première membrane en appliquant la pression à 10 cette première membrane, régler la capacité prédéfinie du condensateur par l'unité de régulation et, déterminer la pression appliquée à la première membrane à partir du signal de réglage de l'unité de régulation. L'avantage de ce procédé est de réduire les influences perturbatrices par le réglage d'une capacité prédéfinie et d'augmenter 15 ainsi la précision et la sensibilité du capteur de pression. De plus, le procédé est robuste vis-à-vis des influences de l'environnement telles que, par exemple, les variations de température car ces variations s'exercent sur les deux membranes dont les propriétés varient ainsi en général de façon analogue si bien que les influences de l'environnement 20 sur la mesure sont pratiquement négligeables. Le réglage de la capacité prédéfinie du condensateur par l'unité de régulation peut se faire à l'aide d'un électroaimant faisant partie de l'unité de régulation. L'électroaimant fournit un champ magnétique réglable. L'électroaimant est installé sur le côté de la seconde 25 membrane non tournée vers la première membrane et le signal de ré- glage est un courant électrique traversant l'électroaimant. De façon avantageuse, en appliquant un champ magnétique on produit à la fois la déformation de la seconde membrane vers la première membrane ou la déformation de celle-ci dans le sens opposé à la première membrane. 30 Le réglage de la capacité prédéfinie du condensateur se fait par l'unité de régulation qui comporte une électrode d'excitation. L'électrode d'excitation se trouve sur le côté de la seconde membrane non tournée vers la première membrane et le signal de réglage est une tension électrique appliquée entre l'électrode d'excitation et la seconde 35 membrane. Cette solution est avantageuse car elle permet de générer et 3052257 6 de mesurer de manière simple la tension électrique par un circuit d'exploitation. Le réglage de la capacité prédéfinie du condensateur peut se faire par le chauffage de la seconde membrane en utilisant le courant 5 électrique comme signal de réglage qui traverse au moins partiellement la seconde membrane. Cette solution est avantageuse car le courant électrique est disponible facilement. En variante, on peut régler la capacité prédéfinie du con- densateur en appliquant une tension électrique à la couche piézoélec- 10 trique, le signal de réglage étant la tension électrique. Cette solution est avantageuse car la tension électrique se génère et se règle de manière simple par un circuit d'exploitation. Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière 15 plus détaillée à l'aide d'exemples de capteur de pression, de dispositif de capteur de pression et de procédés de mesure de pression représentés dans les dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 est une vue en coupe d'un capteur de pression qui n'est sollicité par aucune pression à mesurer, 20 la figure 2 est la coupe du capteur de pression 1 exposé à une pression à mesurer, - la figure 3 est une vue de dessus d'une bobine plane sur un substrat, la figure 4 est une section d'un capteur de pression avec mise en 25 contact de la première membrane et de la seconde membrane, - la figure 5 est l'ordinogramme d'un procédé de détermination d'une pression, - la figure 6 est un ordinogramme montrant la fonction de l'unité de régulation, 30 - les figures 7a-7h - 7j-7p représentent divers étapes du procédé de fabrication d'un exemple de capteur de pression selon l'invention, - la figure 8 est une section d'un capteur de pression muni d'une électrode d'excitation, - la figure 9a est la section d'un capteur de pression avec une se- 35 conde membrane composée de deux couches, 3052257 7 la figure 9b est une vue de dessus de la seconde membrane comportant des perforations, la figure 10 est la section d'un capteur de pression ayant une seconde membrane composée de deux couches et, 5 la figure 11 est la section d'un capteur de pression muni d'une seconde membrane composé de deux couches et d'une bobine plane. Description de modes de réalisation Le principe à la base des exemples de réalisation décrits 10 ci-après consiste à soumettre une première membrane à une pression et à réguler la distance entre la première membrane et la seconde membrane formant en combinaison un condensateur de manière à maintenir constante la capacité du condensateur. Cette capacité peut se déterminer avec des moyens connus. Par exemple, on peut brancher le 15 condensateur dans un circuit oscillant avec une bobine. La fréquence de résonance du circuit oscillant est ainsi la suivante : f= 27r L -N /' 20 Dans cette formule C est la capacité et L l'inductance de la bobine. A partir de la mesure de la fréquence de résonnance, connaissant l'inductance de la bobine, on peut calculer la capacité du condensateur. La mesure de la fréquence de résonance peut se faire par 25 exemple avec un compteur et comme cadence de référence on utilise la cadence systématique disponible de toute façon dans un circuit de l'unité exploitation. La figure 1 montre la section d'un capteur de pression 100. Le capteur de pression 100 comporte une première membrane 103 30 qui se déforme en fonction de la pression 1 agissant sur cette première membrane 103. Le capteur de pression 100 comporte en outre une seconde membrane 104. Dans cet exemple de réalisation, le capteur de pression 100 a, de plus, une structure de maintien 107 qui écarte la première membrane 103 et la seconde membrane 104. Dans un premier 35 plan, la membrane 103 est parallèle au plan x, y. Dans le second plan, 1 3052257 8 la seconde membrane 104 est parallèle au plan x, y. Le premier plan et le second plan ne se correspondent pas. La seconde membrane 104 est tenue parallèlement à la première membrane 103 par la structure de maintien 107. La première membrane 103, la seconde membrane 104 et 5 la structure de maintien 107 forment les surfaces limites d'une seconde cavité 105 ; cette seconde cavité 105 est à une première pression de référence. Le côté 301 de la seconde membrane 104 non tourné vers la première membrane forme une première surface de référence 103 d'une première cavité 106 pour la seconde membrane 104. En variante, la se- 10 conde membrane 104 ne constitue qu'une partie de la surface limite 300 de la première cavité 106. Par exemple, au moins une partie de la structure de maintien 107 forme la première surface limite 100 avec la seconde membrane 104. Un substrat 101 est installé parallèlement à la seconde membrane 104 et à une certaine distance de celle-ci. La dis- 15 tance entre la seconde membrane 104 et le substrat 101 est définie par une structure de support 108. Cette différence est ici comprise notamment entre 100 nm et 5gm. La structure de support 108 est en une matière électro-isolante. La structure de support 108 est par exemple en dioxyde de silicium (silice) (SiO2) ou en nitrure de silicium (Si3N4), car 20 ces matières se déposent facilement et ont de plus une faible conducti- vité thermique et électrique. La structure de support 108 forme une liaison entre le substrat 101 et la première surface limite 300. La structure de support 108, la première surface limite 300 et le substrat 101 forment les surfaces limites ou surface délimitant la première cavité 25 106. Dans l'exemple de réalisation de la figure 1, la première cavité 106 contient une pression de référence. Cette pression peut correspondre à la première pression de référence ou être différente de celle-ci. Si la première pression de référence et cette autre pression de référence se correspondent, la seconde membrane 104 peut être une membrane avec 30 des perforations 112 comme le montrent par exemple la figure 7p ou la figure 9b si bien que l'on aura une pression de référence commune, identique, notamment connue, entre la première cavité 106 et la seconde cavité 105. Cela permet une mesure de pression absolue car le substrat 101 comporte de préférence une unité de régulation 200 (non 35 représentée ici) pour régler une capacité prédéfinie 201. Une unité 3052257 9 d'exploitation 203 peut être intégrée dans le substrat 101. Dans ce cas, la figure 1 montre un dispositif de capteur de pression composé du capteur de pression 100 et de l'unité d'exploitation 203. Le substrat 101 peut se réaliser de manière économique en technique CMOS à base de 5 silicium. En variante, l'unité d'exploitation 203 peut constituer un élément distinct. Le signal de réglage 202 de l'unité de régulation 200 pour le réglage 3 de la capacité 201 et qui est une mesure de la pression 1 appliquée à la première membrane 103 est transmis par le capteur de 10 pression 100 à l'unité d'exploitation 203 qui l'exploite. On peut trans- mettre, par exemple, par une liaison internet WLAN, USB, Bluetooth ou un rayonnement infrarouge. Le capteur de pression 100 a une interface de communication pour envoyer des données et dans cet exemple, l'unité d'exploitation 203 reçoit les données du capteur de pression 100. 15 La figure 1 montre un capteur de pression 100 avec un actionneur magnétique. Dans la première cavité 106 sur la surface limite à l'opposé de la seconde membrane 104, le substrat 101 a une bobine plane 102", comme le montre la vue de dessus de la figure 3. Pour éviter des courts-circuits, la bobine plane 102" est isolée du substrat 20 101 par une couche électro-isolante 102'. Pour le contact électrique, la bobine plane 102" a, une liaison électrique comme le montre la figure 3, à un premier point de contact 109' et à un second point de contact 109" avec le substrat 101 ; par ces points de contact 109', 109", un circuit intégré dans le substrat 101 reçoit du courant. La bobine plane 102" est 25 un électro-aimant 102. En variante, on peut également prévoir d'autres électro-aimants 102 à la place de la bobine plane 102". A la figure 1, le capteur de pression 101 est en position de repos. Dans cet exemple de réalisation, la première membrane 103 et la seconde membrane 104 ne sont pas déformées lorsqu'elles sont en 30 position de repos. Une matière électro-conductrice est appliquée sur la première membrane 103 et la seconde membrane 104 qui forment ainsi un condensateur. La capacité du condensateur dépend de la distance des membranes 103, 104 l'une par rapport à l'autre. Dans cet exemple de réalisation, la distance entre les membranes 103, 104 est définie par 35 la structure de maintien 107. La structure de maintien 107 est réalisée 3052257 10 en une matière électro-isolante. Par exemple, la structure de maintien 107 est en dioxyde de silicium (SiO2) ou en nitrure de silicium (Si3N4) car ces matières se déposent facilement et elles ont une conductivité thermique faible. Cette solution est avantageuse car ainsi les couches 5 en dessous, notamment le circuit de l'unité d'exploitation 203 sont pro- tégées par rapport aux températures élevées même si la première membrane 103 est exposée à des températures élevées. Cela est par exemple le cas si le capteur de pression 100 est intégré directement dans une bougie d'allumage. Le capteur de pression 100 résiste ainsi aux in- 10 fluences de la température. L'épaisseur de la structure de maintien 107 est choisie pour que la première membrane 103 et la seconde membrane 104, en position de repos, se trouvent à une distance de l'ordre de 10 nm jusqu'à quelques gm. Au repos, le condensateur a ainsi une première capacité dont la valeur se trouve dans une plage facile à me- 15 surer du fait du choix de l'intervalle entre les membranes 103, 104. La première capacité peut se mesurer comme décrit ci-dessus. Dans cet exemple de réalisation et dans les exemples suivants, sauf indication contraire, la capacité prédéfinie 201 est égale à la première capacité. La première capacité mesurée est ainsi transmise à l'unité de régulation 20 200 pour servir de valeur de consigne. La fonction de l'unité de régula- tion 200 est décrite de manière plus détaillée ensuite. En variante, on peut choisir l'état de repos pour que la première membrane 103 et/ou la seconde membrane 104 ont une déformation initiale. La première membrane 104 peut être par exemple 25 bombée dans la direction z positive ou z négative. La figure 2 est une section du capteur de pression 2 ou du dispositif de capteur de pression de la figure 1 dans laquelle le capteur de pression 100 est soumis à la pression 1 que l'on veut mesurer. La pression 1 est exercée sur le côté de la première membrane 103 non 30 tourné vers la seconde membrane 104 dans la direction z négative sur la membrane 103. La pression 1 est schématisée par une flèche épaisse à la figure 2. La pression 1 déforme la première membrane 103 comme l'indique la figure 2. Dans l'exemple de la figure 2, la pression 1 est supérieure à la pression de référence qui règne dans les deux cavités 105, 3052257 11 106 du présent exemple de réalisation de sorte que la première membrane 103 se déforme en direction de la seconde membrane 104. La déformation de la première membrane 103 modifie la capacité du condensateur. L'unité de régulation 200 régule par le signal 5 de réglage 202 la capacité du condensateur pour avoir une capacité prédéfinie 201. Cette capacité correspond dans cet exemple de réalisation, à la première capacité. Le réglage de la capacité prédéfinie 201 peut se faire notamment en actionnant la seconde membrane 104 par l'unité de régulation 200. Selon le mode de réalisation du capteur de 10 pression 100, cette activation peut se faire selon différents procédés dé- crits. A l'aide du signal de réglage 202 on déforme la seconde membrane 104 de façon à régler la capacité prédéfinie 201 du condensateur. Le signal de réglage 202 correspondant et qui est par exemple obtenu selon l'activation par un courant électrique ou une tension électrique, est une 15 mesure de la pression 101 agissant sur la première membrane 103. La capacité prédéfinie 201 est déjà réglée à la figure 2. La seconde membrane de cet exemple de réalisation est en une matière magnétique électro-conductrice ; cette membrane est aimantée parallèlement ou de façon antiparallèle à la direction Z, c'est-à-dire hors du plan. La se- 20 conde membrane 104 a une épaisseur de couche de l'ordre de quelques 10 nm jusqu'à environ 20 gni, selon la plage de mesure de pression que l'on souhaite avoir. La seconde membrane 104 est, par exemple, en cobalt-fer-bore (CoFeBx). Cette matière a une cohérence inhérente d'anisotropie hors plan et peut se déposer avec des procédés standards 25 disponibles tels que, par exemple, la pulvérisation du rayonnement atomique. En variante, la seconde membrane 104 est en Permalloy. Dans ce cas, l'aimantation hors du plan se fait pendant la phase de dépôt. D'autres matières appropriées sont, par exemple, le Néodyme-FerBor (NdFeB,,), Nickel (Ni), Cobalt (Co) et Samarium-Cobalt (SmCo5). 30 La première membrane 103 de tous les exemples de réa- lisation sauf indication contraire est en une matière électro-conductrice telle que, par exemple du carbure de silicium (SiC) ; le carbure de silicium a, selon la plage de mesure de pression, une épaisseur de couche de l'ordre de quelques cent nm jusqu'à quelques 10 gni. Le carbure de 35 silicium se caractérise par une forte conductivité thermique et des pro- 3052257 12 priétés mécaniques avantageuses pour êtres appliquées comme membranes de détection de pression ainsi que des propriétés électriques. En variante, la première membrane 103 peut également être en silicium (Si) ou en un métal. 5 La première membrane 103 et la seconde membrane 104 ont en vue de dessus sur le premier plan ou le second plan, de préférence une forme ronde ou en variante, carrée. D'autres formes sont également possibles. Des dimensions caractéristiques des formes se situent dans une plage de 10 gm jusqu'à quelques 100 gm. Des dimensions 10 plus petites permettent une intégration simple du capteur de pression 100 à l'emplacement de son application comme, par exemple, directement dans les composants de tête de cylindre ou en particulier dans une bougie de préchauffage ou dans un injecteur. La ou les matières et l'épaisseur de la seconde membrane 15 104 dépendent fortement des moyens par lesquels l'unité de régulation 200 règle une capacité prédéfinie 201, c'est-à-dire les moyens pour activer la seconde membrane 104. Les différents moyens pour activer sont en autres l'état des exemples de réalisation présentés aux figures 8-11. La figure 1 et la figure 2 montrent un capteur de pression 20 100 à actionnement magnétique. La seconde membrane 104 est en une matière électro-conductrice, aimantée. L'activation de la seconde membrane pour régler (3) la capacité prédéfinie 201 se fait dans ces formes de réalisation par un électro-aimant 102 installé sur le substrat 101 en face de la seconde membrane 104. L'électro-aimant 102 de cet exemple 25 de réalisation est sous la forme d'une bobine plane 102". Pour éviter des courts-circuits, la bobine plane 102" est isolée électriquement par une couche électro-isolante 102' du substrat 101. La couche isolante 102' n'est plus présentée explicitement dans les figures suivantes. A la figure 3 on a représenté une vue de dessus du substrat 101 et de la bobine 30 plane 102". Pour le branchement électrique, la bobine plane 102" a, comme le montre la figure 3, un premier point de contact 109' et un second point de contact 109" relié électriquement au substrat 100. Ces points de contact 109', 109" permettent d'alimenter en courant la bobine plane 102", par exemple, en technique de commutation intégrée 35 dans un substrat 101. Lorsqu'un courant électrique traverse la bobine 3052257 13 plane 102", elle est entourée par un champ magnétique dont l'intensité est proportionnelle à l'intensité du courant électrique. Les lignes de champ magnétique sortent d'un plan parallèle au plan x-y de la bobine plane 102". La bobine plane 102" génère ainsi un champ magnétique 5 hors du plan. Selon la loi du magnétisme, la seconde membrane 104 se déforme dans ce champ magnétique. L'intensité du champ magnétique réglée par le courant électrique permet de régler la déformation de la seconde membrane 104. Cela permet ainsi de régler en conséquence la capacité du condensateur. En réglant un courant électrique approprié 10 qui travers la bobine plane 102", on règle 3 la capacité prédéfinie 201. L'intensité nécessaire est une mesure de la pression (1) qui produit la déformation de la première membrane 103. Lorsque la pression (1) est inférieure à la pression de ré- férence, la première membrane 103 selon la figure 2 subit un fléchisse- 15 ment dans la direction des valeurs z positives (non représenté). Dans ce cas, en appliquant un courant électrique à la bobine plane 102" on génère un champ magnétique qui repousse la seconde membrane 104 qui subit ainsi un fléchissement en direction des valeurs positives de l'axe z. Dans ce cas, également on a le réglage (3) de la capacité prédéfinie 20 201 et ainsi la pression (1) est déterminée de façon analogue à ce qui est représenté à la figure 2. La figure 4 montre le capteur de pression 100 de la figure 1 et de la figure 2 montrant le premier contact électrique 110' de la première membrane 103 et le second contact électrique 110" de la se- 25 conde membrane 104. Le premier contact 110' est en une matière élec- tro-conductrice et réalise la liaison électrique entre le circuit intégré dans le substrat 101 et la première membrane 103. Le premier contact 110' traverse selon la figure 4, la structure de maintien 107 et la structure de maintien 108. De façon analogue, le second contact 110" est en 30 une matière électro-conductrice reliant électriquement le circuit intégré dans le substrat 101 et la seconde membrane 104. La figure 4 montre le second contact 110" dans la structure de support 108. Le premier contact 110' et le second contact 110" permet de déterminer la capacité du condensateur, par exemple, en branchant le condensateur pour que sa 3052257 14 capacité forme un circuit oscillant avec une bobine comme cela a été décrit ci-dessus. La figure 5 montre un ordinogramme du procédé de dé- termination (3) de la pression (1) à l'aide d'un dispositif de capteur de 5 pression comportant un capteur de pression 100 et une unité d'exploitation 203 pour déterminer (3) la pression (1) à partir du signal de réglage 202. Le procédé consiste à déformer (2) la première membrane 103 en appliquant la pression (1) à la première membrane 103, à régler (3) la capacité prédéfinie 201 du condensateur par l'unité de ré- 10 gulation 200, à déterminer (4) la pression (1) appliquée à la première membrane 103 à partir du signal de réglage 202. Dans cet exemple de réalisation on règle (3) la capacité prédéfinie 201 par l'unité de régulation 200. Le fonctionnement de l'unité de régulation 200 est présenté dans la description de la figure 6. La détermination (4) de la pression (1) 15 agissant sur la première membrane 103 à partir du signal de réglage 202 se fait, dans cet exemple de réalisation, avec l'unité d'exploitation 203. L'unité d'exploitation 203 associe la pression (1) au signal de réglage 202 qui est réglé par la capacité prédéfinie 201. Cette correspondance peut se faire notamment à l'aide d'une courbe caractéristique. 20 Pour établir la courbe caractéristique on effectue une mesure de cali- brage pour associer la pression 1 au signal de réglage 202. Cette courbe caractéristique est enregistrée dans l'unité d'exploitation 203. La figure 6 illustre le fonctionnement de l'unité de régula- tion 200 comportant un régulateur 206, une unité de mesure 207 et un 25 élément de différence ou élément différentiel 208. Dans cet exemple de réalisation, la capacité prédéfinie 201 correspond à la première capacité. La première capacité est mesurée comme décrit en position de repos. La première capacité constitue la capacité prédéfinie 201, c'est-à-dire une valeur de consigne transmise à l'unité de régulation 200. L'unité de 30 mesure 207 mesure sur le condensateur du capteur de pression 100 la valeur de la capacité qui correspond à une grandeur de mesure 209. L'élément de différence 208 de l'unité de régulation 200 forme la différence entre la capacité prédéfinie 201 et la grandeur de mesure 209. Cette différence est transmise au régulateur 206 comme différence de 35 régulation 201'. A partir de la différence de régulation 201', le régula- 3052257 15 teur fournit le signal de réglage 202. Le signal de réglage 202 est, par exemple, une intensité ou une tension électrique. Le signal de réglage 202 est transmis au capteur de pression 100 ou au dispositif de capteur de pression. Le signal de réglage 202 produit ainsi une modification de 5 la capacité du condensateur. Dans un exemple de réalisation, le signal de réglage 202 déforme la seconde membrane 104, ce qui permet de régler la capacité prédéfinie 201 par la déformation de la seconde membrane 104. Si la capacité du condensateur correspond, c'est-à-dire si la grandeur de régulation 210 correspond à la capacité prédéfinie 201, la 10 différence de régulation 201' est égale à zéro. Le signal de réglage 202 pour lequel la grandeur de régulation 210 correspond à la capacité pré-définie 201 est transmis à l'unité d'exploitation 203 qui associe, comme décrit ci-dessus, la pression (1) au signal de réglage. La grandeur physique qui correspond au signal de réglage 202 correspond entre autre à 15 l'actionnement du réglage (3) pour la capacité prédéfinie. Le signal de réglage 202 de cet exemple de réalisation 200 est l'intensité du courant électrique traversant la bobine plane 102" pour l'entourer par ce champ magnétique. La seconde membrane magnétique 104 est ainsi déformée pour avoir la capacité prédéfinie 201 du condensateur. L'intensité du 20 courant électrique produisant cette déformation est associée par l'unité d'exploitation 203 à la pression 1 agissant sur la première membrane 103. Le dispositif de capteur de pression donne ainsi la pression 1 agissant sur la première membrane 103. La pression 1 peut être la pression relative par rapport à l'état de repos ou la pression absolue. Cette der- 25 nière est possible si la première cavité 106 et la seconde cavité 105 ont une pression de référence connue, identique. Pour cela on a, par exemple, des perforations 112 dans la seconde membrane 104 comme cela est donné à titre d'exemple à la figure 7p. Les figures 7a-7p présentent un procédé de fabrication 30 du capteur de pression 100 de la figure 1 et de la figure 2 ou du dispo- sitif de capteur de pression présenté dans ces figures. La figure 7a montre le substrat 101portant une bobine plane 102" avec une couche isolante 102' (celle-ci n'est pas représentée de manière explicite) comme électroaimant 102. A la figure 7b on a déposé une première couche sa- 35 crificielle 10', par exemple en silicium (Si) ou en silicium-germanium 3052257 16 (Site) sur le substrat 1 avec la bobine plane 102". L'épaisseur de la première couche sacrificielle 10' donne la distance d'écartement entre la seconde membrane 104 déposée ensuite et le substrat 101. La première couche sacrificielle 10' se structure pour que notamment la partie du 5 substrat 101 portant l'électroaimant 102 reste couverte par la première couche sacrificielle 10' alors que la surface du substrat où il n'y a pas d'électroaimant 102 reste au moins partiellement dégagée. La figure 7c montre une autre couche déposée qui forme la structure de support 108. Cette autre couche remplit les zones dégagées de la surface du 10 substrat pour que la structure de support 108 se termine à niveau avec la première couche sacrificielle 10'. Le cas échéant on peut aplanir parallèlement à la surface supérieure du substrat. La structure de support 108 est, par exemple, ouverte par un procédé de gravure en tranchée (procédé Bosch) dans la zone des contacts électriques de la première 15 membrane 103 et de la seconde membrane 104. Cette étape est présen- tée à la figure 4. Ces ouvertures sont, comme le montre la figure 1, remplies d'un métal, par exemple avec de l'aluminium (Al). Ces ouvertures remplies de métal forment le premier contact 110' et le second contact 110". On dépose la seconde membrane 104 sur la première 20 couche sacrificielle 10' et la structure de support 108 pour relier électri- quement la seconde membrane au second contact 110". Les zones du premier contact 110' restent dégagées pour que la seconde membrane 104 ne soit pas reliée électriquement au premier contact 110'. Cette situation est présentée à la figure 7f. 25 A la figure 7g on munit la seconde membrane 104 de per- forations 112 pour permettre l'accès de gravure à la première couche sacrificielle 10'. On dépose une seconde couche sacrificielle 10" sur la seconde membrane 104 et on réalise une structure pour que les dimensions dans le plan parallèle à la surface du substrat corresponde à 30 celles de la première couche sacrificielle 10' comme cela apparaît à la figure 7d. La figure 7j montre le dépôt d'une couche formant la structure de maintien 107 et on aplanit éventuellement pour qu'elle forme, avec la seconde couche sacrificielle 10", une surface plane, pa- 35 rallèle à la surface du substrat. La structure de maintien 107 sera ou- 3052257 17 verte dans la zone du premier contact 110', par exemple, par une opération de gravure en tranchées (procédé Bosch) (figure 7h) et on remplit avec un métal, par exemple de l'aluminium (Al) (figure 71). A la figure 7m on applique la première membrane 103 5 sur la surface parallèle à la surface supérieure du substrat. Pour réali- ser un accès 11 à la seconde couche sacrificielle 10" on ouvre la première membrane 103, par exemple, avec un laser comme le montre la figure 7n. La seconde couche sacrificielle 10" et la première couche sacrificielle 10' s'enlèvent par exemple en appliquant un gaz de gravure 10 par l'accès 11. Comme gaz de gravure conviennent, par exemple, des gaz contenant du fluor tel que du fluorure de Xénon (XeF2) ou du fluorure de chlore (C1F3). On arrive à la construction représentée à la figure 7o. On ferme l'accès 11, par exemple avec un laser. Lorsqu'on ferme il faut que le capteur de pression 100 ou le dispositif de capteur de pres- 15 sion reste dans un environnement à pression constante, par exemple connues choisies comme pression de référence pour qu'en fermant, cette pression reste conservé dans les cavités 105, 106. On peut ainsi utiliser ensuite le capteur de pression 100 également pour les mesures de pression absolue. 20 On peut réaliser les capteurs de pression 100 suivants ou les dispositifs de capteur de pression en appliquant un procédé analogue. Dans les exemples suivants on décrira à chaque fois un capteur de pression 100 avec différents actionnements. En intégrant 25 l'unité d'exploitation 203 dans le substrat 101 on réalise un capteur de pression 100 ou un dispositif de capteur de pression même si cela n'est pas indiqué explicitement. La figure 8 montre un capteur de pression 100 ou un dispositif de capteur de pression avec un actionnement électrostatique. 30 Le capteur de pression 100 peut correspondre au capteur de pression 100 de la figure 1 et de la figure 2 pour les matières utilisées et/ou les dimensions, mais, toutefois, à la place de l'électroaimant 102, on a une électrode d'excitation 111 sur le substrat 101 sur le côté 301 de la seconde membrane 104 non tourné vers la première membrane. 3052257 18 A la figure 8, la seconde membrane 104 est en une matière électro-conductrice. On utilise, par exemple, des métaux réfractaires, tels que, par exemple du titane (Ti) ou du platine (Pt). En variante, la seconde membrane 104 peut être du carbure de silicium 5 (SiC). Le réglage 3 de la capacité prédéfinie consiste à appliquer une tension électrique à la seconde membrane 104 et à l'électrode d'excitation 111. La seconde membrane 104 est ainsi soumise à une force électrostatique si bien que la seconde membrane 104 se déforme en direction de l'électrode d'excitation 111 en fonction de l'intensité de 10 la tension appliquée. Le signal électrique 202 à partir duquel on déter- mine la pression 1 est la tension électrique pour laquelle la seconde membrane se déforme pour que le condensateur présente la capacité prédéfinie 201. La régulation ou l'exploitation se font de façon analogue à la régulation et à l'exploitation par actionnement magnétique comme 15 cela a été décrit ci-dessus. Selon une variante de l'exemple de réalisation de la figure 8, la matière est de plus magnétique. La figure 9a montre une coupe d'un capteur de pression 100 ou d'un dispositif de capteur de pression avec actionnement ther- 20 mique. Le capteur de pression 100 peut être identique au capteur de pression 100 de la figure 1 et de la figure 2 jusqu'à la seconde membrane 104 pour les matières et/ou les dimensions. Dans cet exemple de réalisation, le substrat ne comporte ni électrode d'excitation 111, ni électroaimant 111. De plus, la seconde membrane 104 de la figure 9a 25 comporte deux couches 1041, 1042 et des perforations 112 comme le montre la figure 9b. La seconde couche 1042 est, par exemple, en dioxyde de silicium (SiO2) avec un autre coefficient de dilatation thermique (autre coefficient). La première couche 1041 est appliquée sur la seconde couche 1042. Cette première couche a un premier coefficient 30 de dilatation thermique. Le premier et le second coefficients de dilata- tion thermique ne se correspondent pas et doivent être aussi différents que possible. La première couche 1041 et la seconde couche 1042 ont chacune une épaisseur de l'ordre de quelques 10 nm jusqu'à quelques gin. Par exemple, la seconde couche 1042 est en dioxyde de silicium 35 (SiO2) et la première couche 1041 est en titane (Ti). Le titane (Ti) se di- 3052257 19 late à la chaleur beaucoup plus fortement que le dioxyde de silicium (SiO2). Lorsque la seconde membrane 104 chauffe, du fait des coefficients de dilatation thermique différents, cela se traduit par la déformation de cette seconde membrane 104. Lorsqu'un courant électrique 5 traverse la seconde membrane 104, au moins partiellement, la chaleur de Joules, dégagée par le courant électrique chauffe la seconde membrane 104. A la figure 9a, la première couche 1041 est reliée électriquement au premier contact 110'. En variante, on peut également brancher les deux couches 1041, 1042. Le premier contact 110' de cet 10 exemple de réalisation sert à la fois à mesurer la capacité et aussi à alimenter la première couche 1041 pour que cette première couche 1041 et la seconde couche 1042 chauffent. La déformation de la seconde membrane 104 par activation thermique peut se régler en réglant l'intensité du courant électrique traversant la première couche compor- 15 tant le condensateur ayant la capacité 201 prédéfinie. Le signal de ré- glage 202 d'où l'on détermine la pression 1 est l'intensité du courant électrique qui déforme la seconde membrane 104 pour que le condensateur présente la capacité 201 prédéfinie. La régulation et l'exploitation se font de façon analogue à la régulation et à l'exploitation pour 20 l'actionnement magnétique qui a été décrit ci-dessus. La figure 10 montre une section d'un capteur de pression 100 ou d'un dispositif de capteur de pression avec actionnement piézoélectrique. Le capteur de pression 100 est identique au capteur de pression 100 de la figure 1 et de la figure 2 pour les matières et/ou les 25 dimensions, mais la seconde membrane 104 est toutefois réalisée avec d'autres matières. Dans cet exemple, le substrat 101 n'a pas d'électrode d'excitation 111 ni d'électroaimant 111. La seconde membrane de la figure 10 a une troisième couche 1043 en un métal, par exemple en titane (Ti) ou aluminium (Al) et une couche piézoélectrique 1044, 1042. 30 La seconde membrane 104 de cet exemple de réalisation a des perfora- tions 112 comme celles présentées, par exemple, à la figure 9b. La troisième couche 1043 sert à mesurer la capacité du condensateur et pour cela il est relié électriquement au second contact 110". Le second contact 110" relie la troisième couche mécaniquement 35 électriquement au substrat 101 ou au circuit intégré dans le substrat 3052257 20 101. La couche piézoélectrique 1044 est en une matière piézoélectrique telle que, par exemple, du zirconate-titanate de plomb (PZT). La couche piézoélectrique 1044 est reliée au substrat par un troisième contact électrique 110"' qui peut être un circuit intégré. La couche piézoélec- 5 trique 1044 change de longueur c'est-à-dire se déforme mécaniquement lorsqu'une tension électrique est appliquée à cette couche piézoélectrique 1044. La tension électrique est appliquée à la couche piézoélectrique 1044 par le troisième contact 110"'. La déformation de la couche piézoélectrique 1044 se traduit par une déformation de la troisième 10 couche 1043 car cette troisième couche 1043 est appliquée sur la couche piézoélectrique 1044 et la déformation se transmet par la liaison entre les couches 1043, 1044. Ainsi, en appliquant une tension électrique à la couche piézoélectrique 1044 on déforme la seconde membrane 104 et on modifie ainsi la capacité du condensateur. Le signal de 15 réglage 202 à partir duquel on obtient la pression 1 est ici la tension électrique qu'il faut appliquer pour déformer la seconde membrane 104 pour que le condensateur présente la capacité prédéfinie 201. La régulation et l'exploitation se font de façon analogue à la régulation et à l'exploitation par actionnement magnétique comme cela a été décrit ci- 20 dessus. La figure 6 montre la section d'un capteur de pression 100 ou d'un dispositif de capteur de pression avec actionnement magnétostrictif. Le capteur de pression 100 peut être identique au capteur de pression 100 de la figure 1 et de la figure 2 pour les matières et/ou 25 les dimensions, mais la seconde membrane 104 est réalisée avec d'autres matières. La seconde membrane 104 comporte à la figure 11, une première couche magnétostrictive 1045', par exemple réalisée en des alliages fer-galium, terfénol-D, fer de cobalt (Co 1_,,Fex) ou de l'oxyde de fer-cobalt (CoFe2O4), avec des épaisseurs de couches de moins de 30 quelques 10 nm jusqu'à quelques gni. De façon générale, il est avanta- geux de réaliser la première couche magnétostrictive 1045' en une matière magnétostrictive ayant un coefficient de dilatation relativement élevé et une température de Curie, élevée comme cela est, par exemple, le cas pour les matières citées ci-dessus. En effet, même à des tempéra- 35 tures très élevées, les propriétés magnétiques de ces matières ne chan- 3052257 21 gent pas. Le capteur de pression 100 est ainsi résistant vis-à-vis de températures variables et de fortes différences de température. Si la seconde membrane 104 est au moins partiellement traversée par un champ magnétique, du fait de la magnétostriction, cette seconde mem- 5 brane 104 change de longueur. La magnétostriction se caractérise de façon générale à la variation de longueur de la matière magnétostrictive suivant l'axe correspondant à la direction des lignes du champ magnétique dans la matière. Les lignes du champ magnétique de la figure 11 ont une composante dans un plan parallèle au plan x, y. Cela se traduit 10 par une variation de longueur de la seconde membrane 104 et ainsi à une déformation de la seconde membrane 104 modifiant la capacité du condensateur. L'électroaimant 102 de la figure 11 est notamment une bobine plane 102" comme celle présentée à la figure 1, à la figure 2 et à la figure 3. Cela se traduit néanmoins par un champ magnétique hors 15 plan. Ainsi, la structure de maintien 104 dans le cas d'une bobine plane 102' est en une matière magnétique telle que, par exemple du Permalloy ou du fer (Fe). La structure de maintien 107 fonctionne néanmoins comme guidage du flux pour dévier le champ magnétique généré par la bobine plane 102". Le premier contact 110' et le second contact 110" 20 sont dans ce cas isolés l'un de l'autre par de minces couches d'isolation électrique. Lorsqu'un courant électrique traverse la bobine plane 102" ou l'électroaimant 102, celui-ci ou celle-ci sont entourés par un champ magnétique. La seconde membrane 104 est exposée à ce champ magnétique. Lorsque le sens du courant s'inverse, la direction du champ ma- 25 gnétique s'inverse également. L'intensité du courant électrique permet de régler la déformation de la seconde membrane 104 et ainsi la capacité du condensateur. Le signal de réglage 202 pour déterminer la pression 101 est ici l'intensité du courant électrique qu'il faut appliquer pour déformer la seconde membrane 104 pour avoir la capacité prédéfi- 30 nie 201 du condensateur. La régulation et l'exploitation se font de façon analogue à la régulation et à l'exploitation pour l'actionnement magnétique décrit ci-dessus. Selon la figure 11, une seconde couche magnétostrictive 1045" est appliquée sur le côté de la première membrane à l'opposé de 35 la première couche magnétostrictive 1045'. Celle-ci est prévue en option 3052257 22 pour avoir une déformation plus efficace de la seconde membrane 104. La seconde couche magnétostrictive 1045" est, par exemple en samarium-Fer (SmFe2) ou samfenol-D et à un coefficient de dilatation opposé à celui de la première couche magnétostrictive 1045'. Cela signifie que 5 la seconde couche magnétostrictive 1045" se rétracte lorsque la pre- mière couche magnétostrictive 1045' se dilate ou inversement. Comme les deux couches 1045', 1045" sont reliées l'une à l'autre, cela amplifie la déformation pour le même champ magnétique. 10 3052257 23 NOMENCLATURE DES ELEMENTS PRINCIPAUX (Nomenclature limitée aux éléments principaux) 5 1, 2, 3, 4 Etapes du procédé pour déterminer la pression avec une unité d'exploitation 100 Capteur de pression 102 Electroaimant 103 Première membrane 10 104 Seconde membrane / première cavité 107 Structure de maintien 111 Electrode d'excitation 112 Perforation dans la seconde membrane 104 200 Unité de régulation 15 201 Capacité prédéfinie 202 Signal de réglage 203 Unité d'exploitation 300 Première surface limite 301 Côté de la seconde membrane 104 20 1041 Première couche sur la seconde membrane 104 1042 Seconde couche sur la seconde membrane 104 1043 Troisième couche 1044 Couche piézoélectrique 25 REVENDICATIONS1°) Capteur de pression (100) comportant une première membrane (103) se déformant en fonction de la pression (1) exercée sur cette première membrane (103), capteur de pression caractérisé en ce qu'il comporte, une seconde membrane (104) écartée de la première membrane (103) pour que la première membrane (103) et la seconde membrane (104) forment un condensateur dont la capacité varie en fonction de la déformation de la première membrane et, une unité de régulation (200) pour régler une capacité prédéfinie (201) du condensateur, le signal de réglage (202) de l'unité de régulation (200) pour régler la capacité prédéfinie (201) étant une mesure de la pression (1) appliquée à la première membrane (103). 2°) Capteur de pression (100) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde membrane (104) forme au moins une partie de la première surface limite (300) d'une première cavité (106) dans laquelle règne une pression de référence. 3°) Capteur de pression (100) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde membrane (104) fait au moins partie d'une première surface limite (300) d'une première cavité (106), et le capteur de pression (100) a une structure de maintien (107) qui écarte la première membrane (103) et la seconde membrane (104) et la première membrane (103), la seconde membrane (104) et la structure de maintien (107) formant les surfaces limites d'une seconde cavité (105), la seconde membrane (104) ayant des perforations (112) de sorte que la seconde cavité (105) est à la même pression que la première cavité (106). 4°) Capteur de pression (100) selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que 3052257 25 la seconde membrane (104) est réalisée en une matière magnétique électro-conductrice. 5°) Capteur de pression (100) selon la revendication 4, 5 caractérisé en ce que l'unité de régulation (200) comporte un électroaimant (102) pour générer un champ magnétique sur le côté (301) de la seconde membrane (104) non tournée vers la première membrane. 10 6°) Capteur de pression (100) selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'unité de régulation (200) comporte une électrode d'excitation (111) sur le côté (301) de la seconde membrane (104) non tournée vers la première membrane. 15 7°) Capteur de pression (100) selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la seconde membrane (104) a une première couche (1041) ayant un premier coefficient de dilatation thermique et une seconde couche 20 (1042) ayant un second coefficient de dilatation thermique, - le premier coefficient de dilatation thermique étant différent du second coefficient de dilatation thermique. 8°) Capteur de pression (100) selon l'une des revendications 1 à 3 ou 6, 25 caractérisé en ce que la seconde membrane (104) comporte une troisième couche (1043) et au moins une couche piézo électrique (1044), la troisième couche (1043) étant en métal. 30 9°) Capteur de pression (100) selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la seconde membrane (104) comporte au moins une couche magnétostrictive. 3052257 26 10°) Dispositif de capteur de pression comportant un capteur de pression (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9 et une unité d'exploitation (203) pour déterminer la pression (1) appliquée à la première membrane (103) à partir du signal de réglage (202). 5 11°) Procédé de détection d'une pression (1) par un dispositif de capteur de pression selon la revendication 10, caractérisé en ce que le procédé consiste à déformer (2) la première membrane (103) en appliquant la pression 10 (1) à cette première membrane (103), régler (3) la capacité prédéfinie (201) du condensateur par l'unité de régulation (200) et, déterminer (4) la pression (1) appliquée à la première membrane (103) à partir du signal de réglage (202) de l'unité de régulation 15 (200). 12°) Procédé de détection d'une pression (1) à l'aide d'un dispositif de capteur de pression comportant un capteur de pression (100) selon l'une des revendications 4 ou 9 et une unité d'exploitation (203) pour 20 déterminer la pression (1) à partir du signal de réglage (202), procédé caractérisé en ce qu'il consiste à, déformer (2) la première membrane (103) en appliquant la pression (1) à cette première membrane (103), régler (3) la capacité prédéfinie (201) du condensateur par l'unité de 25 régulation (200) qui comporte un électroaimant (102) fournissant un champ magnétique réglable et qui se trouve sur le côté (301) de la seconde membrane (104) non tournée vers la première membrane (103), le signal de réglage (202) étant un courant électrique appliqué à l'électroaimant (102) et, 30 déterminer (4) la pression (1) appliquée à la première membrane (103) à partir du signal de réglage (202). 13°) Procédé de détection de la pression (1) à l'aide d'un dispositif capteur de pression comportant un capteur de pression (100) selon la re- 3052257 27 vendication 6 et une unité d'exploitation (203) pour déterminer la pression (1) à partir du signal de réglage (202), procédé caractérisé en ce qu'il consiste à : déformer (2) la première membrane (103) en appliquant la pression 5 (1) à cette première membrane (103), régler (3) la capacité prédéfinie (201) du condensateur par l'électrode d'excitation (111), le signal de réglage (202) étant une tension électrique appliquée entre l'électrode d'excitation (111) et la seconde membrane (104) et, 10 déterminer (4) la pression (1) appliquée à la première membrane (103) à partir du signal de réglage (202). 14°) Procédé de détection d'une pression (1) à l'aide d'un dispositif de capteur de pression comportant un capteur de pression (100) selon la 15 revendication 7 et une unité d'exploitation (203) pour déterminer la pression (1) à partir du signal de réglage (202), procédé caractérisé en ce qu'il consiste à : déformer (2) la première membrane (103) en lui appliquant la pression (1), 20 régler (3) la capacité prédéfinie (201) du condensateur en chauffant la seconde membrane (104), le signal de réglage (202) étant un courant électrique qui traverse au moins partiellement la seconde membrane (104) et, déterminer (4) la pression (1) appliquée à la première membrane 25 (103) à partir du signal de réglage. 15°) Procédé de détection d'une pression (1) à l'aide d'un dispositif de capteur de pression comportant un capteur de pression (100) selon la revendication 8 et une unité d'exploitation (203) pour déterminer la 30 pression (1) à partir du signal de réglage (202), procédé caractérisé en ce qu'il consiste à : déformer (2) la première membrane (103) en lui appliquant la pres- sion (1), - régler (3) la capacité prédéfinie (201) du condensateur par l'unité de 35 régulation (200) comportant une électrode d'excitation (111) sur le 3052257 28 côté (301) de la seconde membrane (104) à l'opposé de la première membrane (103), le réglage de la capacité prédéfinie (201) consistant à appliquer une tension électrique avec la couche piézoélectrique (1044), le signal de réglage (202) étant une tension électrique et, 5 déterminer (4) la pression (1) appliquée à la première membrane (103) à partir du signal de réglage (202). 10