FR 3051960 A1 20171201 FR 1654623 A 20160524 B14843 - DD16812ST 1 CIRCUIT MÉMOIRE ADAPTÉ À METTRE EN OEUVRE DES OPÉRATIONS DE CALCUL Domaine La présente demande concerne le domaine des circuits de calcul numérique. Exposé de l'art antérieur De façon classique, un circuit de calcul numérique, par exemple un microprocesseur, comprend une mémoire interne (banc de registres, mémoire cache, etc.), et une unité arithmétique et logique (ALU) adaptée à mettre en oeuvre des opérations arithmétiques et/ou logiques de base pour traiter des données contenues dans la mémoire interne du circuit. Une limitation à l'augmentation de la vitesse de fonctionnement des circuits de calcul numérique est liée à la vitesse de fonctionnement de la mémoire interne, qui ne suit pas la même augmentation que celle de l'unité arithmétique et logique. Une autre limitation des architectures existantes est liée à la longueur importante des pistes conductrices de routage reliant la mémoire interne à l'unité arithmétique et logique, qui entraine une consommation d'énergie significative et une dissipation thermique élevée à chaque transfert de donnée entre la mémoire interne et l'unité arithmétique et logique. 3051960 B14843 - DD16812ST 2 Résumé Ainsi, un mode de réalisation prévoit un circuit mémoire adapté à mettre en oeuvre des opérations de calcul, ce circuit comportant : 5 une pluralité de cellules mémoires élémentaires agencées selon des lignes et des colonnes, chaque cellule comportant : - un premier noeud de stockage d'un bit de donnée, - un premier transistor de lecture relié par sa grille audit premier noeud de stockage, et 10 - un premier transistor de sélection monté en série avec le premier transistor de lecture entre un premier noeud d'application d'un potentiel de référence de la cellule et une première piste conductrice de sortie commune à toutes les cellules d'une même colonne du circuit ; 15 et un circuit de contrôle configuré pour activer simultanément les premiers transistors de sélection d'au moins deux cellules d'une même colonne du circuit, et pour lire sur la première piste conductrice de sortie de la colonne une valeur représentative du résultat d'une première opération logique ayant 20 pour opérandes les données stockées dans lesdites au moins deux cellules. Selon un mode de réalisation, le circuit mémoire comporte en outre, pour chaque colonne du circuit, un premier inverseur dont un noeud d'entrée est relié à la première piste 25 conductrice de sortie de la colonne. Selon un mode de réalisation, chaque cellule élémentaire comporte en outre : - un deuxième noeud de stockage d'un bit de donnée complémentaire du bit stocké sur le premier noeud de stockage de 30 la cellule, - un deuxième transistor de lecture relié par sa grille audit deuxième noeud de stockage, et - un deuxième transistor de sélection monté en série avec le deuxième transistor de lecture entre un deuxième noeud 35 d'application d'un potentiel de référence de la cellule et une 3051960 B14843 - DD16812ST 3 deuxième piste conductrice de sortie commune à toutes les cellules d'une même colonne du circuit, le circuit de contrôle étant en outre configuré pour activer simultanément les deuxièmes transistors de sélection d'au 5 moins deux cellules d'une même colonne du circuit, et à lire sur la deuxième piste conductrice de sortie de la colonne une valeur représentative du résultat d'une deuxième opération logique ayant pour opérandes les données stockées dans lesdites au moins deux cellules. 10 Selon un mode de réalisation, le circuit de contrôle est en outre configuré pour activer simultanément : les premiers et deuxièmes transistors de sélection de deux cellules d'une même colonne du circuit ; ou le premier transistor de sélection d'une première de sélection d'une 15 cellule du circuit et le deuxième transistor deuxième cellule de la même colonne. Selon un mode de réalisation, comporte en outre, pour chaque colonne du le circuit mémoire circuit, un deuxième inverseur dont un noeud d'entrée est relié à la deuxième piste 20 conductrice de sortie de la colonne. Selon un mode de réalisation, le circuit mémoire comporte en outre, pour chaque colonne du circuit, une porte logique NON OU dont une première entrée est reliée à la première piste conductrice de sortie de la colonne et dont une deuxième entrée est reliée à la deuxième piste conductrice de sortie de la colonne. Selon un mode de réalisation, le circuit mémoire comporte en outre, pour chaque colonne du circuit, une première porte logique NON ET dont une première entrée est reliée à un noeud de sortie de la porte logique NON OU de la colonne, et une deuxième porte logique NON ET dont une première entrée est reliée à un noeud de sortie de la première porte logique NON ET de la colonne et dont une deuxième entrée est reliée à la deuxième piste conductrice de sortie de la colonne. 3051960 B14843 - DD16812ST 4 Selon un mode de réalisation, dans chaque colonne à l'exception de la première colonne du circuit, la première porte logique NON ET a une deuxième entrée reliée à la deuxième piste conductrice de sortie d'une colonne de rang précédent du circuit. 5 Selon un mode de réalisation, le circuit mémoire comporte en outre, pour chaque colonne : une première piste conductrice de référence interconnectant les premiers noeuds d'application de potentiel de référence de la colonne ; et une deuxième piste conductrice de référence interconnectant les 10 deuxièmes noeuds d'application de potentiel de référence de la colonne. Selon un mode de réalisation, le circuit mémoire comporte en outre, pour chaque colonne : un premier transistor de référence reliant la première piste conductrice de référence à un 15 noeud de référence ; et un deuxième transistor de référence reliant la deuxième piste conductrice de référence audit noeud de référence. Selon un mode de réalisation, le circuit mémoire comporte en outre, pour chaque colonne, une porte logique ET, une 20 porte logique OU, et des troisième, quatrième, cinquième et sixième inverseurs, et : la porte logique ET a une première entrée reliée à un noeud d'application d'un premier signal binaire de contrôle par l'intermédiaire du troisième inverseur, et une deuxième entrée reliée à un noeud d'application d'un deuxième 25 signal binaire de contrôle par l'intermédiaire du quatrième inverseur ; la sortie du troisième inverseur est reliée à la première piste conductrice de référence de la colonne par l'intermédiaire du cinquième inverseur ; la porte logique OU a une première entrée reliée à la première piste conductrice de 30 sortie de la colonne, et une deuxième entrée reliée à la sortie de la porte logique ET ; et la sortie de la porte logique OU est reliée à la deuxième piste conductrice de référence de la colonne par l'intermédiaire du sixième inverseur. Selon un mode de réalisation, le circuit mémoire 35 comporte en outre, pour chaque colonne du circuit : un premier 3051960 B14843 - DD16812ST 5 multiplexeur ayant une première entrée reliée à l'entrée du premier inverseur et une deuxième entrée reliée à la sortie du premier inverseur ; un troisième inverseur dont l'entrée est reliée à la sortie du premier multiplexeur ; une troisième porte 5 NON ET dont une première entrée est reliée à la sortie du premier multiplexeur et dont une deuxième entrée est reliée à l'entrée du deuxième inverseur ; une quatrième porte NON ET dont une première entrée est reliée à la sortie du troisième inverseur et dont une deuxième entrée est reliée à la sortie du deuxième inverseur ; et 10 une cinquième porte NON ET dont une première entrée est reliée à la sortie de la troisième porte NON ET et dont la sortie est reliée à la sortie de la quatrième porte NON ET. Selon un mode de réalisation, les cellules mémoires élémentaires sont des cellules mémoires volatiles de type SRAM. 15 Selon un mode de réalisation, les cellules mémoires élémentaires sont des cellules mémoires résistives non volatiles. Brève description des dessins Ces caractéristiques et leurs avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante 20 de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est un schéma électrique d'un exemple d'un circuit mémoire selon un mode de réalisation ; la figure 2 représente de façon schématique un exemple 25 d'un circuit mémoire selon un mode de réalisation ; la figure 3 représente de façon schématique une variante de réalisation du circuit mémoire de la figure 2 ; la figure 4 représente de façon schématique une autre variante d'un circuit mémoire selon un mode de réalisation ; 30 la figure 5 représente de façon schématique un autre exemple d'un circuit mémoire selon un mode de réalisation ; la figure 6 représente de façon schématique une variante de réalisation du circuit mémoire de la figure 5 ; la figure 7 représente de façon schématique une autre 35 variante de réalisation du circuit mémoire de la figure 5 ; et 3051960 B14843 - DD16812ST 6 la figure 8 est un schéma électrique d'un autre exemple d'une cellule élémentaire d'un circuit mémoire selon un mode de réalisation. Description détaillée 5 De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures. Par souci de clarté, seuls les éléments qui sont utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Dans la description qui suit, les références à des signaux de niveau 10 haut et bas doivent être interprétées de façon relative, comme correspondant à deux états distincts des signaux binaires traités par les circuits décrits. A titre d'exemple, les signaux de niveau haut correspondent à des potentiels de l'ordre d'un potentiel d'alimentation haut VDD des circuits décrits (par exemple égal à 15 VDD à 0,5 V près), et les signaux de niveau bas correspondent à des potentiels de l'ordre d'un potentiel d'alimentation bas GND des circuits décrits (par exemple égal à GND à 0,5 V près). Selon un aspect des modes de réalisation décrits, on prévoit un circuit mémoire adapté non seulement à stocker des 20 données, mais aussi à effectuer, in-situ, lors d'accès au contenu de la mémoire, un certain nombre d'opérations logiques et/ou arithmétiques ayant pour opérandes des données stockées dans le circuit. Les résultats des calculs peuvent être transmis à des circuits externes à la mémoire, et/ou être réécrits dans la 25 mémoire. La figure 1 est un schéma électrique d'un exemple d'une cellule élémentaire 10 d'un circuit mémoire selon un mode de réalisation. La cellule élémentaire 10 de la figure 1 est une cellule 30 à dix transistors. Elle comprend une cellule de stockage SRAM 12 à six transistors, et deux ports de lecture RPT et RPF à deux transistors chacun. La cellule de stockage 12 comprend deux inverseurs (deux transistors chacun) montés en antiparallèle entre un premier noeud BLTI de stockage d'un bit de donnée, et un deuxième noeud BLFI de stockage d'un bit de donnée complémentaire 3051960 B14843 - DD16812ST 7 du bit stocké sur le noeud BLTI. La cellule de stockage 12 comprend en outre un premier transistor d'accès en écriture Tl, reliant par ses noeuds de conduction le noeud BLTI à une piste conductrice d'écriture WBLT, et un deuxième transistor d'accès en écriture 5 T2, reliant par ses noeuds de conduction le noeud BLFI à une piste conductrice d'écriture WBLF. Les grilles des transistors Tl et T2 sont reliées à une même piste conductrice de contrôle d'écriture WWL. Le port de lecture RPT comprend deux transistors T3 et T4 montés en série via leurs noeuds de conduction entre une piste 10 conductrice VGNDT d'application d'un potentiel de référence et une piste conductrice de sortie RBLT. Le transistor T3 est situé côté piste VGNDT et a sa grille reliée au noeud BLTI, et le transistor T4 est situé côté piste RBLT et a sa grille reliée à une piste conductrice de contrôle de lecture RWLT. Le port de 15 lecture RPF comprend deux transistors T5 et T6 montés en série via leurs noeuds de conduction entre une piste conductrice VGNDF d'application d'un potentiel de référence et une piste conductrice de sortie RBLF. Le transistor T5 est situé côté piste VGNDF et a sa grille reliée au noeud BLFI, et le transistor T6 est situé côté 20 piste RBLF et a sa grille reliée à une piste conductrice de contrôle de lecture RWLF. Dans cet exemple, les transistors Tl, T2, T3, T4, T5, T6 sont des transistors MOS à canal N. Un circuit mémoire selon un mode de réalisation comprend une pluralité de cellules élémentaires 10 du type décrit en 25 relation avec la figure 1, identiques ou similaires, agencées en matrice selon des lignes et des colonnes. Les cellules d'une même ligne sont interconnectées via leurs pistes conductrices WWL, respectivement RWLF, respectivement RWLT, et les cellules d'une même colonne sont interconnectées via leurs pistes conductrices 30 RBLT, respectivement VGNDT, respectivement WBLT, respectivement WBLF, respectivement VGNDF, respectivement RBLF. En d'autres termes, les cellules d'une même ligne partagent une même piste conductrice WWL, une même piste conductrice RWLF, et une même piste conductrice RWLT, et les cellules d'une même colonne 35 partagent une même piste conductrice RBLT, une même piste 3051960 B14843 - DD16812ST 8 conductrice VGNDT, une même piste conductrice WBLT, une même piste conductrice WBLF, une même piste conductrice VGNDF, et une même piste conductrice RBLF. Les cellules de lignes distinctes ont quant à elles des pistes conductrices WWL, respectivement RWLF, 5 respectivement RWLT, distinctes, et les cellules de colonnes distinctes ont des pistes conductrices RBLT, respectivement VGNDT, respectivement WBLT, respectivement WBLF, respectivement VGNDF, respectivement RBLF, distinctes. Pour réaliser une lecture d'une cellule élémentaire 10 10 de la mémoire via son port de lecture RPT, la piste conductrice de sortie RBLT de la cellule est préchargée à un niveau haut, par exemple à la tension d'alimentation VDD du circuit. La piste conductrice VGNDT est quant à elle maintenue à un niveau bas, par exemple au potentiel bas GND par rapport auquel est référencée la 15 tension d'alimentation VDD du circuit. Le transistor T4 de la cellule est ensuite rendu passant par application d'un signal de niveau haut sur la piste conductrice RWLT de la cellule. Après l'activation du transistor T4, la piste conductrice RBLT se décharge si le potentiel du noeud BLTI est à un niveau haut 20 (transistor T3 passant), et reste sensiblement à son niveau de précharge si le potentiel BLTI est à un niveau bas (transistor T3 bloqué). La lecture du potentiel de la piste RBLT via un circuit de lecture non représenté, par exemple disposé en pied de colonne, permet de déterminer la valeur du bit de donnée stocké dans la 25 cellule élémentaire. La cellule peut en outre être lue sensiblement de la même manière via son port de lecture RPF. La figure 2 représente de façon schématique un exemple d'un mode de réalisation d'un circuit mémoire adapté à mettre en oeuvre des opérations de calcul. Par souci de simplification, 30 seules deux cellules élémentaires 10i,j et 10i+1,j d'une même colonne du circuit mémoire ont été représentées sur la figure 2, i et j étant des indices désignant respectivement le rang de la ligne à laquelle appartient la cellule et le rang de la colonne à laquelle appartient la cellule, avec i entier allant de 1 à M et 35 j entier allant de 1 à N, M et N étant des entiers désignant 3051960 B14843 - DD16812ST 9 respectivement le nombre de lignes et le nombre de colonnes du circuit mémoire. De plus, les cellules de stockage 12 des cellules élémentaires n'ont pas été détaillées sur la figure 2. Le circuit mémoire de la figure 2 comprend un circuit 5 de contrôle 14 (CTRL). Le circuit de contrôle 14 est adapté à commander le circuit mémoire pour mettre en oeuvre des opérations de lecture classiques du type décrit en relation avec la figure 1, ou pour mettre en oeuvre des opérations d'écriture via les pistes conductrices d'accès en écriture WBLT, WBLF, et WWL des 10 cellules. Selon un aspect d'un mode de réalisation, le circuit de contrôle 14 est en outre adapté à commander le circuit mémoire pour mettre en oeuvre des opérations de calcul. Pour cela, le circuit de contrôle 14 est adapté à activer simultanément en 15 lecture deux, ou un nombre supérieur à deux, de cellules élémentaires d'une même colonne du circuit, via les ports d'accès RPT, et/ou via les ports d'accès RPF de ces cellules. A titre d'exemple illustratif, on considère que les deux cellules 10i,j et 10i+1,j représentées en figure 2 sont activées 20 simultanément en lecture via leurs ports RPT et RPF. Pour cela, après avoir préchargé à un niveau haut les pistes conductrices de sortie RBLT et RBLF de la colonne et mis à un niveau bas les pistes conductrices de référence VGNDT et VGNDF de la colonne, les transistors de sélection T4 et T6 des deux cellules 10i,j et 25 10i+1,j sont simultanément rendus passant par le circuit de contrôle 14, via les pistes conductrices de commande RWLT et RWLF des lignes 10i,j et 10i+1,j. On désigne par A la valeur binaire mémorisée sur le noeud BLTI de la cellule 10i,j et par B la valeur binaire mémorisée sur le noeud BLTI de la cellule 10i+1,j. La 30 cellule 10i,j stocke alors sur son noeud BLFI le complémentaire A de la valeur A, et la cellule 10i+1,j stocke sur son noeud BLFI le complémentaire B de la valeur B. La piste conductrice de sortie RBLT de la colonne reste à son niveau haut de précharge uniquement si les deux valeurs A et B sont à un niveau bas. Ainsi, le niveau 35 lu sur la piste de sortie RBLT de la colonne à la fin de 3051960 B14843 - DD16812ST 10 l'opération de lecture correspond au résultat 10-B d'une opération de calcul logique NON OU entre les deux cellules mémoires sélectionnées. De plus, la piste conductrice de sortie RBLF de la colonne reste à son niveau haut de précharge uniquement si les 5 deux valeurs A et B sont à un niveau haut. Ainsi, le niveau lu sur la piste de sortie RBLF de la colonne à la fin de l'opération de lecture correspond au résultat A.B d'une opération de calcul logique ET entre les deux cellules mémoires sélectionnées. Dans l'exemple de la figure 2, le circuit mémoire 10 comprend en outre, pour chaque colonne de la matrice, par exemple disposé en pied de colonne, un inverseur 16 dont l'entrée est reliée à la piste conductrice de sortie RBLT de la colonne, et un inverseur 18 dont l'entrée est reliée à la piste conductrice de sortie RBLF de la colonne. Ainsi, à la fin d'une opération de 15 lecture du type décrit ci-dessus, le niveau lu sur le noeud de sortie RBLT de l'inverseur 16 correspond au résultat A+B d'une opération de calcul logique OU entre les deux cellules mémoires sélectionnées, et le niveau lu sur le noeud de sortie RBLF de l'inverseur 18 correspond au résultat Pa d'une opération de calcul 20 logique NON ET entre les deux cellules mémoires sélectionnées. Par ailleurs, dans l'exemple de la figure 2, le circuit mémoire comprend en outre, pour chaque colonne de la matrice, par exemple disposé en pied de colonne, une porte logique NON OU 20 à deux entrées et une sortie, les entrées de la porte 20 étant 25 reliées respectivement à la piste RBLT et à la piste RBLF. A la fin d'une opération de lecture du type décrit ci-dessus, le niveau lu en sortie de la porte 20 correspond au résultat d'une opération de calcul logique NON OU entre les valeurs A1-13 et A.B, c'est-à-dire au résultat XOR(A,B) d'une opération de calcul logique OU 30 EXCLUSIF entre les deux cellules mémoires sélectionnées. En activant simultanément en lecture un nombre supérieur à deux de cellules d'une même colonne, les opérations logiques susmentionnées peuvent être mises en oeuvre avec un nombre d'opérandes supérieur à 2. De plus, en activant simultanément en 3051960 B14843 - DD16812ST 11 lecture plusieurs colonnes du circuit, ces opérations logiques peuvent être mises en oeuvre sur des mots de plusieurs bits. Un avantage du circuit mémoire de la figure 2 est qu'il permet de mettre en oeuvre des opérations logiques de base 5 directement dans la mémoire, sans avoir à faire transiter les données par une unité arithmétique et logique externe au circuit. Ceci permet de réduire la consommation et la dissipation d'énergie électrique liées au transfert des données entre la mémoire et l'unité arithmétique et logique. 10 En outre, ceci permet d'augmenter la vitesse d'exécution des calculs. En effet, dans une architecture classique comportant une unité arithmétique et logique externe à la mémoire, l'exécution d'une opération de calcul logique à K opérandes, avec K entier supérieur ou égal à 2, comprend, outre les étapes de 15 calcul proprement dites, K étapes de lecture successives dans la mémoire pour lire les K opérandes à traiter, et une étape éventuelle de réécriture du résultat de l'opération dans la mémoire. Dans le mode de réalisation de la figure 2, l'exécution d'une opération de calcul logique à K opérandes peut être réalisée 20 dans un temps aussi court que le temps nécessaire à la mise en oeuvre d'un cycle de lecture unique dans la mémoire. Le résultat de l'opération peut être lu en sortie de la mémoire, et/ou réécrit dans la mémoire lors d'une opération d'écriture subséquente. On notera de plus que dans le mode de réalisation de la 25 figure 2, plusieurs opérations logiques de natures différentes peuvent être réalisées en parallèle sur une même colonne de la mémoire (les opérations OU, NON OU, ET, NON ET et OU EXCLUSIF dans l'exemple décrit ci-dessus). Dans l'exemple de la figure 2, dans chaque colonne du 30 circuit mémoire, la piste conductrice VGNDT de la colonne est reliée à la masse (GND) par l'intermédiaire d'un transistor 22, et la piste conductrice VGNDF est reliée à la masse (GND) par l'intermédiaire d'un transistor 24. Le transistor 22 a sa grille reliée à un noeud de commande PCHT par l'intermédiaire d'un 35 inverseur 26, et le transistor 24 a sa grille reliée à un noeud 3051960 B14843 - DD16812ST 12 de commande PCHF par l'intermédiaire d'un inverseur 28. Dans cet exemple, les transistors 22 et 24 sont des transistors MOS à canal N. Les noeuds PCHT et PCHF sont mis à un niveau bas par le circuit de contrôle 14 lors des opérations de lecture et/ou de calcul 5 logique de façon à ramener les pistes conductrices VGNDT et VGNDF à un niveau bas et permettre, le cas échéant (en fonction des valeurs des données contenues dans les cellules sélectionnées), la décharge des pistes conductrices RBLT et RBLF. En dehors des opérations de lecture et/ou de calcul logique, les noeuds PCHT et 10 PCHF sont maintenus à un niveau haut de façon à limiter les courants de fuite via les ports de lecture. En particulier, lorsqu'une ou plusieurs lignes sont activées lors d'une opération de lecture et/ou de calcul logique, les noeuds PCHT et PCHF des colonnes non sélectionnées pour l'opération sont maintenus à un 15 niveau haut. La figure 3 représente de façon schématique une variante de réalisation du circuit mémoire de la figure 2. Le circuit mémoire de la figure 3 diffère du circuit mémoire de la figure 2 principalement en ce que, dans le circuit 20 de la figure 3, dans chaque colonne de la matrice, les inverseurs 26 et 28 et les transistors 22 et 24 sont remplacés par d'autres éléments de contrôle des pistes conductrices de référence VGNDT et VGNDF de la colonne. Plus particulièrement, dans l'exemple de la figure 3, le circuit mémoire comprend, pour chaque colonne de 25 la mémoire, une porte logique ET 31, une porte logique OU 33, et quatre inverseurs 35, 36, 37 et 38. La porte logique ET 31 a une première entrée reliée à un noeud d'application d'un premier signal binaire de contrôle VGNDHIGH par l'intermédiaire de l'inverseur 35, et une deuxième entrée reliée à un noeud 30 d'application d'un deuxième signal binaire de contrôle COMP OP par l'intermédiaire de l'inverseur 36. Ainsi, la porte logique ET reçoit, sur sa première entrée, le complémentaire VGNDHIGH du signal VGNDHIGH, et sur sa deuxième entrée, le complémentaire COMP_OP du signal COMP OP. La première entrée de la porte logique 35 ET 31, ou sortie de l'inverseur 35, est en outre reliée à la piste 3051960 B14843 - DD16812ST 13 conductrice de référence VGNDT de la colonne par l'intermédiaire de l'inverseur 37. Ainsi, la piste conductrice VGNDT est maintenue à un état haut lorsque le signal binaire VGNDHIGH est à l'état haut, et à un état bas lorsque le signal binaire VGNDHIGH est à 5 l'état bas. La porte logique OU 33 a une première entrée reliée à la piste conductrice de sortie RBLT de la colonne, et une deuxième entrée reliée à la sortie de la porte logique ET 31. La sortie de la porte logique OU 33 est reliée à la piste conductrice de référence VGNDF de la colonne par l'intermédiaire de l'inverseur 10 38. Ainsi, la piste conductrice VGNDF est maintenue à un état haut lorsque la sortie de la porte logique OU 33 est à l'état bas, et à un état bas lorsque la sortie de la porte logique OU 33 est à l'état haut. Le circuit mémoire de la figure 3 permet de réaliser les 15 mêmes opérations logiques de base que le circuit de la figure 2. Pour cela, le circuit de contrôle 14 maintient les signaux VGNDHIGH et COMP OP à l'état bas dans la ou les colonnes concernées par une opération de lecture ou de calcul logique. Il en résulte que les pistes conductrices de référence VGNDT et VGNDF de la ou 20 des colonnes concernées par l'opération sont maintenues à un potentiel bas, ce qui permet, le cas échéant (en fonction des valeurs des données contenues dans les cellules sélectionnées), la décharge des pistes conductrices RBLT et RBLF. Le circuit mémoire de la figure 3 permet en outre de 25 réaliser des opérations logiques composées. Pour cela, le circuit 14 maintient les signaux VGNDHIGH et COMP OP à l'état haut dans chaque colonne concernée par l'opération. Il en résulte que la piste conductrice de référence VGNDT de la colonne est maintenue à un potentiel haut. De plus, la sortie de la porte logique ET 31 30 est à l'état bas, de sorte que l'état, haut ou bas, de la sortie de la porte logique OU 33 est fixé par le niveau, haut ou bas, de la piste conductrice de sortie RBLT de la colonne. Ainsi, la piste conductrice de référence VGNDF de la colonne est maintenue à l'état bas lorsque la piste conductrice de sortie RBLT de la 35 colonne est à l'état haut, et est maintenue à l'état haut lorsque 3051960 B14843 - DD16812ST 14 la piste conductrice de sortie RBLT de la colonne est à l'état bas. Le circuit de contrôle 14 active ensuite simultanément en lecture deux cellules élémentaires de la colonne, les cellules 5 10i,j et 10i+1,j dans l'exemple représenté. L'une des deux cellules, la cellule 10i,j dans cet exemple, est activée via son port de lecture RPT, le circuit de contrôle 14 maintenant le port de lecture RPF de cette cellule bloqué. L'autre cellule, la cellule 10i+1,j dans cet exemple, est activée via son port de 10 lecture RPF, le circuit de contrôle 14 maintenant le port de lecture RRT de cette cellule bloqué. Suite à l'activation du port de lecture RPT de la cellule 10i,j, la piste conductrice de sortie RBLT de la colonne est à un état correspondant à la valeur binaire complémentaire À de la 15 valeur binaire A mémorisée sur le noeud de stockage BLTI de la cellule 10i,j. La valeur A est ainsi reportée sur la piste conductrice VGNDF par l'intermédiaire de la porte logique OU 33 et de l'inverseur 38. Le niveau final lu sur la piste de sortie RBLF de la colonne à la fin de l'opération de lecture correspond 20 alors au résultat ÀB d'une opération logique composée. De plus, la sortie inversée RBLF de la colonne, c'est-à-dire le noeud de sortie de l'inverseur 18, fournit un signal correspondant au résultat ALA de l'opération logique composée inverse. Bien que l'on ait décrit ici un exemple de mise en oeuvre 25 d'une opération logique composée à deux opérandes, des opérations logiques composées à plus de deux opérandes peuvent être mises en oeuvre de façon similaire, en activant simultanément en lecture un nombre supérieur à deux de cellules d'une même colonne. Chaque cellule activée est activée via un seul de ses ports de lecture 30 RPT et RPF, au moins une cellule étant activée via son port RPT et au moins une cellule étant activée via son port RPF. De plus, des opérations logiques composées peuvent être mises en oeuvre sur des mots de plusieurs bits en activant simultanément plusieurs colonnes du circuit. 3051960 B14843 - DD16812ST 15 Les circuits mémoires des figures 2 et 3 permettent en outre de réaliser des opérations de type majorité, permettant de déterminer si une colonne de la matrice ou une portion d'une colonne de la matrice contient une majorité de 1 ou une majorité 5 de 0. Pour cela, le circuit de contrôle 14 active simultanément, pour chaque cellule élémentaire de la colonne ou de la portion de colonne concernée par l'opération, les deux ports de lecture RPT et RPF de la cellule, après avoir préchargé à un niveau haut les pistes conductrices de sortie RBLT et RBLF de la colonne et, en 10 maintenant à un niveau bas les pistes conductrices de référence VGNDT et VGNDF de la colonne. Après un temps de décharge fixe prédéterminé, le signe de la différence de tension AV = VRBLT VRBLF entre les pistes conductrices RBLT et RBLF de la colonne est déterminé. Lorsque la colonne ou la portion de colonne activée 15 contient une majorité de 1, la piste de sortie RBLT se décharge plus rapidement que la piste de sortie RBLF, et la tension AV est négative à la fin du temps de décharge fixé. Si en revanche la colonne ou la portion de colonne activée contient une majorité de 0, la piste de sortie RBLF se décharge plus rapidement que la 20 piste de sortie RBLT, et la tension AV est positive à la fin du temps de décharge fixé. Le signe pris par la tension AV à la fin du temps de décharge prédéterminé permet ainsi de savoir si la colonne ou la portion de colonne activée contient une majorité de 1 ou une majorité de 0. Le signe de la tension AV peut être 25 déterminé au moyen d'un amplificateur de sortie, non représenté, par exemple disposé en pied de colonne, adapté à amplifier la différence de tension AV = VRBLT VRBLF et à fournir un signal binaire représentatif du signe de cette différence. La figure 4 représente de façon schématique une autre 30 variante de réalisation d'un circuit mémoire adapté à mettre en oeuvre des opérations de calcul. Le circuit mémoire de la figure 4 comprend par exemple les mêmes éléments que le circuit mémoire de la figure 2 ou 3, agencés sensiblement de la même manière, et comprend en outre des 3051960 B14843 - DD16812ST 16 éléments de circuit supplémentaires permettant de mettre en oeuvre des opérations de calcul arithmétique. Plus particulièrement, le circuit de la figure 4 comprend, pour chaque colonne de la matrice, en plus des éléments 5 décrits en relation avec les figures 2 et 3, deux portes NON ET 41 et 43 formant avec la porte NON OU 20 de la colonne, un demi-additionneur. Dans chaque colonne de rang j de la matrice, à l'exception de la première colonne (j=1), la porte 41 a une première entrée reliée à la piste conductrice de sortie RBLF de 10 la colonne de rang précédent (j-1), et une deuxième entrée reliée à la sortie de la porte NON OU 20 de la colonne de rang j. La porte 41 de la colonne de rang j=1 a une première entrée reliée à un noeud d'application d'un signal de niveau bas (valeur binaire 0), et une deuxième entrée reliée à la sortie de la porte NON OU 15 20 de la colonne de rang j=1. Chaque porte NON ET 41 a en outre une deuxième entrée connectée à la sortie de la porte NON OU 20 de la colonne à laquelle elle appartient. Chaque porte NON ET 43 a une première entrée reliée à la piste conductrice de sortie RBLF de la colonne à laquelle elle appartient, et une deuxième entrée 20 reliée à la sortie de la porte NON ET 41 de la colonne à laquelle elle appartient. Dans l'exemple de la figure 4, seules les trois premières colonnes Cl, C2, C3 de la matrice ont été représentées. De plus, ces colonnes n'ont pas été détaillées. En particulier, 25 en figure 4, les cellules élémentaires présentes dans chaque colonne ne sont pas détaillées. Seules les pistes conductrices de sortie RBLT et RBLF de chaque colonne, ainsi que les portes logiques 20, 41 et 43 associées à chaque colonne, sont détaillées. En outre, le circuit de contrôle 14 du circuit mémoire n'a pas 30 été représenté sur la figure 4. Le déroulement d'une opération d'addition à deux opérandes de deux bits AoAi et BoBi va maintenant être décrit en relation avec la figure 4. Les deux bits A0 et Al du premier opérande sont stockés dans deux cellules d'une même première ligne 35 de la mémoire, respectivement dans la colonne C2 et dans la colonne 3051960 B14843 - DD16812ST 17 C3 dans l'exemple représenté, et les deux bits Bo et B1 du deuxième opérande sont stockés dans deux cellules d'une même deuxième ligne de la mémoire, dans les mêmes colonnes que les bits Ao et Al respectivement, c'est-à-dire dans les colonnes C2 et C3 dans cet 5 exemple. Le temps d'exécution de l'opération d'addition, correspond au temps nécessaire à la mise en oeuvre de trois cycles de lecture dans la mémoire. Lors d'un premier cycle, le circuit de contrôle 14 est commandé de façon identique ou similaire à ce qui a été décrit en 10 relation avec la figure 2, pour activer simultanément en lecture, via les deux ports de lecture RPT et RPF, les deux lignes du circuit mémoire contenant respectivement les bits Ao et Al et les bits Bo et B1, après avoir préchargé à un niveau haut les pistes de sortie RBLT et RBLF des colonnes C2 et C3, et rendu passants 15 les transistors 22 et 24 (non visibles sur la figure 4) des colonnes C2 et C3. A la fin du premier cycle, le signal Sio de sortie de la porte NON OU 20 de la colonne C2 correspond au résultat d'une opération OU EXCLUSIF entre les bits Ao et B0, et le signal Sil de sortie de la porte NON OU 20 de la colonne C3 20 correspond au résultat d'une opération OU EXCLUSIF entre les bits Al et Bl. Les signaux Sio et Sil correspondent aux résultats, dans chaque colonne, de la somme, sans retenue, des valeurs Ao et B0, respectivement Al et Bl. Le signal présent sur la piste de sortie RBLF de la colonne C1 correspond à la retenue d'entrée Cino du 25 demi-additionneur de la colonne C2, et le signal présent sur la piste de sortie RBLF de la colonne C3 correspond à la retenue d'entrée Cini du demi-additionneur de la colonne C3. Le signal de sortie de la porte NON ET 43 de la colonne C1 correspond à la retenue de sortie Couto du demi-additionneur de la colonne Cl, le 30 signal de sortie de la porte NON ET 43 de la colonne C2 correspond à la retenue de sortie Coutl du demi-additionneur de la colonne C2, et le signal de sortie de la porte NON ET 43 de la colonne C3 correspond à la retenue de sortie Cout2 du demi-additionneur de la colonne C3. A la fin du premier cycle, les valeurs Sio et Sil 35 sont écrites respectivement dans les colonnes C2 et C3, dans une 3051960 B14843 - DD16812ST 18 même ligne du circuit mémoire distincte des lignes contenant les valeurs A0, Al et B0, B1. Lors d'un deuxième cycle consécutif au premier cycle, les pistes conductrices de sortie RBLT et RBLF ne sont pas 5 rechargées à un niveau haut, de sorte que les valeurs des retenues CinO, Cinl, CoutO, Coutl, Cout2 restent conservées. Lors du deuxième cycle, les retenues de sortie Couto et Coutl, disponibles respectivement sur le noeud de sortie de la porte 43 de la colonne C1 et sur le noeud de sortie de la porte 43 de la colonne C2, sont 10 écrites respectivement dans la colonne C2 et dans la colonne C3, dans une même ligne du circuit mémoire distincte des lignes contenant les valeurs A0, Al, B0, B1 et Sio, Sil. Lors d'un troisième cycle consécutif au deuxième cycle, le circuit de contrôle 14 est à nouveau commandé de façon identique 15 ou similaire à ce qui a été décrit en relation avec la figure 2, pour activer simultanément en lecture, via les deux ports de lecture RPT et RPF, les deux lignes du circuit mémoire contenant respectivement les bits Sio et Sil et les bits Couto et Coutl, après avoir préchargé à un niveau haut les pistes de sortie RBLT 20 et RBLF des colonnes C2 et C3, et rendu passants les transistors 22 et 24 (non visibles sur la figure 4) des colonnes C2 et C3. A la fin du troisième cycle, le signal SO de sortie de la porte NON OU 20 de la colonne C2 correspond au résultat d'une opération OU EXCLUSIF entre les bits Sio et Couto, et le signal S1 de sortie 25 de la porte NON OU 20 de la colonne C3 correspond au résultat d'une opération OU EXCLUSIF entre les bits Sil et Coutl- Les signaux SO et S1 correspondent respectivement au bit de poids fort et au bit de poids faible du résultat final de l'addition. Le signal disponible sur le noeud de sortie de la porte NON ET 43 de 30 la colonne C3 correspond quant à lui à la valeur finale Cout de la retenue de l'addition. Des soustractions peuvent être réalisées de façon similaire mais avec un cycle supplémentaire, car la valeur des retenues ne correspond alors plus à un ET comme dans le cas de 35 l'addition, mais à une opération logique composée de type A.B. 3051960 B14843 - DD16812ST 19 Des opérations d'incrément ou de décrément peuvent en outre être mises en oeuvre en utilisant les circuits d'addition/soustraction décrits ci-dessus. La figure 5 représente de façon schématique un exemple 5 particulièrement avantageux d'un circuit mémoire selon un mode de réalisation. Le circuit mémoire de la figure 5 diffère du circuit mémoire de la figure 2 principalement en ce que, dans le circuit de la figure 5, dans chaque colonne de la matrice, les inverseurs 10 16 et 18 et la porte NON OU 20 sont remplacés par un circuit logique 500. Le circuit logique 500 comprend trois inverseurs 51, 52 et 53, trois portes logiques NON ET 54, 55 et 56, et un multiplexeur 57 à deux entrées binaires et une sortie binaire de 15 données. L'inverseur 51 a son entrée reliée à la piste conductrice de sortie RBLT de la colonne et l'inverseur 52 a son entrée reliée à la piste conductrice de sortie RBLF de la colonne. Le multiplexeur 57 a une première entrée de données (0) reliée à l'entrée de l'inverseur 51, et une deuxième entrée de données (1) 20 reliée à la sortie de l'inverseur 51. La sortie du multiplexeur 57 est reliée à l'entrée de l'inverseur 53 et à une première entrée de la porte NON ET 54. Le multiplexeur 57 comprend en outre une entrée de commande ADD permettant de sélectionner l'entrée de données (0) ou (1) du multiplexeur à reproduire sur sa sortie. La 25 deuxième entrée de la porte NON ET 54 est reliée à l'entrée de l'inverseur 52. La sortie de l'inverseur 52 est reliée à une première entrée de la porte NON ET 55 et la sortie de l'inverseur 53 est reliée à la deuxième entrée de la porte NON ET 55. La sortie de la porte NON ET 54 est reliée à une première entrée de 30 la porte NON ET 56, et la sortie de la porte NON ET 55 est reliée à la deuxième entrée de la porte NON ET 56. Dans l'exemple représenté, les pistes conductrices de référence VGNDT et VGNDF de la colonne sont directement reliées à la masse (GND). A titre de variante, les pistes conductrices de 35 référence VGNDT et VGNDF peuvent être reliées à la masse par 3051960 B14843 - DD16812ST 20 l'intermédiaire de transistors 22 et 24 tel que décrit en relation avec la figure 2. Le circuit de contrôle 14 (CTRL) est adapté à commander le circuit mémoire pour mettre en oeuvre des opérations de lecture 5 classiques du type décrit en relation avec la figure 1, ou pour mettre en oeuvre des opérations d'écriture via les pistes conductrices d'accès en écriture WBLT, WBLF, et WWL des cellules. Le circuit de contrôle 14 est en outre adapté à commander le circuit mémoire pour mettre en oeuvre un certain nombre 10 d'opérations logiques de base directement dans la mémoire, sans avoir à faire transiter les données par une unité externe au circuit. Pour cela, le circuit de contrôle 14 est adapté à activer simultanément en lecture deux, ou un nombre supérieur à deux, de 15 cellules élémentaires d'une même colonne du circuit, via les ports d'accès RPT, et/ou via les ports d'accès RPF de ces cellules. A titre d'exemple illustratif, on considère que les deux cellules 10i,j et 10i+1,i représentées en figure 5 sont activées simultanément en lecture, l'une (la cellule 10i,j) via son seul 20 port RPT, et l'autre (la cellule 10i,j+1) via son seul port RPF. Pour cela, après avoir préchargé à un niveau haut les pistes conductrices de sortie RBLT et RBLF de la colonne et mis à un niveau bas les pistes conductrices de référence VGNDT et VGNDF de la colonne, le transistor de sélection T4 de la cellule 10i,j et 25 le transistor de sélection T6 de la cellule 10i,j+1 sont simultanément rendus passants par le circuit de contrôle 14, les transistors de sélection T6 de la cellule 10i,j et T4 de la cellule 10i,j+1 étant maintenus bloqués. On désigne par A la valeur binaire mémorisée sur le noeud BLTI de la cellule 10i,j et par B 30 la valeur binaire mémorisée sur le noeud BLTI de la cellule 10i+1,i. La cellule 10i,j stocke alors sur son noeud BLFI le complémentaire A de la valeur A, et la cellule 10i+1,i stocke sur son noeud BLFI le complémentaire B de la valeur B. Suite à l'activation de la cellule 10i,j via son port RPT et de la cellule 35 10i,j+1 via son port RPF, la valeur A peut être lue sur la piste 3051960 B14843 - DD16812ST 21 de sortie RBLT de la colonne et la valeur B peut être lue sur la piste de sortie RBLF de la colonne. Les valeurs A et B peuvent être lues respectivement sur les noeuds de sortie des inverseurs 51 et 52. Selon un premier mode de fonctionnement, le multiplexeur 5 57 est commandé par le circuit de contrôle 14, via son entrée de commande ADD, pour relier sa première entrée de données (0) à sa sortie. La valeur A.B peut alors être lue sur le noeud de sortie de la porte NON ET 54, et la valeur A. peut être lue sur le noeud de sortie de la porte NON ET 55. La valeur sur le noeud de sortie 10 de la porte NON ET 56 correspond au résultat XOR(A,B) d'une opération OU EXCLUSIF entre les valeurs A et B. Selon un deuxième mode de fonctionnement, le multiplexeur 57 est commandé par le circuit de contrôle 14 pour relier sa deuxième entrée de données (1) à sa sortie. La valeur A.B peut alors être lue sur le noeud 15 de sortie de la porte NON ET 54, et la valeur A.B (c'est-à-dire A OU B) peut être lue sur le noeud de sortie de la porte NON ET 55. La valeur sur le noeud de sortie de la porte NON ET 56 correspond au résultat NXOR(A,B) d'une opération OU EXCLUSIF complémentée entre les valeurs A et B. 20 A titre de variante, on considère que les deux cellules 10i,j et 10i+1,j représentées en figure 5 sont activées simultanément en lecture via leurs deux ports de lecture RPT et RPF. Pour cela, après avoir préchargé à un niveau haut les pistes conductrices de sortie RBLT et RBLF de la colonne et mis à un 25 niveau bas les pistes conductrices de référence VGNDT et VGNDF de la colonne, les transistors de sélection T4 et T6 de la cellule 10i,j et les transistors de sélection T4 et T6 de la cellule 10i,j+1 sont simultanément rendus passants par le circuit de contrôle 14. Suite à l'activation de la cellule 10i,j via ses 30 ports RPT et RPF et de la cellule 10i,j+1 via ses ports RPT et RPF, la valeur /0-13 (opération logique NON OU) peut être lue sur la piste de sortie RBLT de la colonne et la valeur A.B (opération logique ET) peut être lue sur la piste de sortie RBLF de la colonne. Les valeurs A+B (opération logique OU) et A.B (opération 35 logique NON ET) peuvent être lues respectivement sur les noeuds 3051960 B14843 - DD16812ST 22 de sortie des inverseurs 51 et 52. Selon un troisième mode de fonctionnement, le multiplexeur 57 est commandé par le circuit de contrôle 14 pour relier sa première entrée de données (0) à sa sortie. La valeur NXOR(A,B) peut alors être lue sur le noeud de 5 sortie de la porte NON ET 55, et la valeur XOR(A,B) peut être lue sur le noeud de sortie de la porte NON ET 56. Selon un quatrième mode de fonctionnement, le multiplexeur 57 est commandé par le circuit de contrôle 14 pour relier sa deuxième entrée de données (1) à sa sortie. La valeur AB peut alors être lue sur le noeud 10 de sortie de la porte logique NON ET 54, la valeur A+B peut être lue sur le noeud de sortie de la porte logique NON ET 55, et la valeur NXOR(A,B) peut être lue sur le noeud de sortie de la porte NON ET 56. En activant simultanément en lecture un nombre supérieur 15 à deux de cellules d'une même colonne, les opérations logiques susmentionnées peuvent être mises en oeuvre avec un nombre d'opérandes supérieur à 2. De plus, en activant simultanément en lectures plusieurs colonnes du circuit, ces opérations logiques peuvent être mises en oeuvre sur des mots de plusieurs bits. 20 La figure 6 représente de façon schématique une variante de réalisation particulièrement avantageuse du circuit mémoire de la figure 5. Le circuit mémoire de la figure 6 comprend les mêmes éléments que le circuit mémoire de la figure 5, agencés 25 sensiblement de la même manière, et diffère du circuit mémoire de la figure 5 en ce que, dans le circuit mémoire de la figure 6, dans chaque colonne de la matrice, le circuit logique 500 comprend des éléments supplémentaires adaptés à la mise en oeuvre d'opérations arithmétiques. Plus particulièrement, dans l'exemple 30 de la figure 6, dans chaque colonne de la matrice, le circuit logique 500 comprend en outre une bascule (latch) 61, par exemple une bascule D, dont l'entrée est reliée au noeud de sortie de la porte NON ET 54 et dont la sortie est reliée à la première entrée de la porte NON ET 56 et de la porte NON ET 65, et une bascule 35 62, par exemple une bascule D, dont l'entrée est reliée au noeud 3051960 B14843 - DD16812ST 23 de sortie de la porte NON ET 55 et dont la sortie est reliée à la deuxième entrée de la porte NON ET 56. Le circuit 500 comprend de plus un multiplexeur 63 à deux entrées binaires et une sortie binaire. Le multiplexeur 63 a une première entrée de données (0) 5 reliée à la sortie de la porte logique NON ET 56, et une deuxième entrée de données (1) reliée à une sortie inversée de la porte logique NON ET 56. Le circuit 500 comprend par ailleurs une porte logique NON ET 64 dont une première entrée est reliée à la sortie du multiplexeur 63 et dont la deuxième entrée est reliée à un 10 noeud CIN. Le multiplexeur 63 comprend en outre une entrée de commande ADD permettant de sélectionner l'entrée de données (0) ou (1) du multiplexeur à reproduire sur sa sortie. Le circuit 500 comprend en outre une porte logique NON ET 65 dont une première entrée est reliée à la sortie de la porte NON ET 64, et dont la 15 deuxième entrée est reliée à un noeud Clio- relié à la sortie de la bascule 61. La sortie de la porte logique NON ET 65 est reliée à un noeud COUT du circuit 500. Le circuit 500 comprend en outre une bascule 66, par exemple une bascule D, dont l'entrée est reliée au noeud CIN, et une bascule 67, par exemple une bascule 20 D, dont l'entrée est reliée au noeud de sortie du multiplexeur 63. Le circuit 500 comprend de plus une porte logique OU EXCLUSIF 68 dont une première entrée est reliée à la sortie de la bascule 66 et dont la deuxième entrée est reliée à la sortie de la bascule 67. La sortie de la porte OU EXCLUSIF 68 est reliée à un noeud S 25 du circuit 500. Dans le circuit mémoire de la figure 6, les circuits 500 de plusieurs colonnes de la matrice, par exemple des colonnes voisines de la matrice, sont reliés en chaîne par l'intermédiaire de leurs noeuds CIN et COUT pour former un circuit 30 d'addition/soustraction. On considère à titre d'exemple que les circuits 500 de Q colonnes distinctes de la matrice sont reliés en chaîne pour former un circuit d'addition/soustraction d'opérandes à Q-bits. On désigne ci-après par 500k le circuit de la k-ième colonne de l'ensemble de Q colonnes formant le circuit 35 d'addition-soustraction, avec k entier allant de 1 à Q et Q entier 3051960 B14843 - DD16812ST 24 inférieur ou égal à N (N désignant le nombre de colonnes de la matrice). Dans cet exemple, les colonnes de rang k faible du circuit d'addition/soustraction correspondent aux bits de poids faible du circuit d'addition/soustraction, et les colonnes de rang 5 k élevé du circuit d'addition/soustraction correspondent aux bits de poids fort du circuit d'addition/soustraction. A l'exception du circuit 5001, chaque circuit 500k du circuit d'addition / soustraction a son noeud CIN relié au noeud CouT du circuit de rang précédent 500k_i. Le circuit d'addition/soustraction 10 comprend en outre une bascule de sortie supplémentaire non représentée, dont l'entrée est reliée au noeud CouT du circuit 500Q. Le déroulement d'une opération d'addition à deux opérandes de Q-bits chacune va maintenant être décrit. Les Q bits 15 A1, A2, ..., Ak, ...AQ (du bit de poids le plus faible au bit de poids le plus fort) du premier opérande sont stockés dans une même première ligne de rang il de la mémoire, respectivement dans les Q colonnes de rang 1 à Q définissant le circuit d'addition / soustraction. Les Q bits B1, B2, ..., Bk, ...BQ (du bit de poids 20 le plus faible au bit de poids le plus fort) du deuxième opérande sont stockés dans une même deuxième ligne de rang i2 de la mémoire, respectivement dans les Q colonnes de rang 1 à Q de la mémoire définissant le circuit d'addition/soustraction. Dans l'exemple qui va être décrit, le temps d'exécution de l'opération d'addition 25 correspond au temps nécessaire à la mise en oeuvre de trois cycles de lecture dans la mémoire. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce cas particulier. Pendant l'opération d'addition, le circuit de contrôle 14 applique un potentiel de niveau bas correspondant à la valeur 30 binaire '0', par exemple le potentiel GND, sur le noeud CIN du circuit 5001 du circuit d'addition/soustraction. De plus, le circuit de contrôle 14 commande le multiplexeur 57 pour relier sa deuxième entrée de données (1) à sa sortie, et le multiplexeur 63 pour relier sa deuxième entrée de données (1) à sa sortie. 3051960 B14843 - DD16812ST 25 Lors d'un premier cycle, le circuit de contrôle 14 est commandé pour activer simultanément en lecture les deux lignes de rang il et i2 de la mémoire, l'une (la ligne de rang il) via ses seuls ports de lecture RPT, et l'autre (la ligne de rang i2) via 5 ses seuls ports de lecture RPF. A la fin du premier cycle, dans chaque colonne de rang k du circuit d'addition/soustraction, la bascule 61 du circuit 500k mémorise la valeur Ak.Bk correspondant au complémentaire de la retenue locale de rang k de l'addition, c'est-à-dire de la retenue de l'addition bit à bit des valeurs Ak 10 et Bk. De plus, à la fin du premier cycle, la bascule 62 du circuit 500k mémorise la valeur Ak.Bk. Lors d'un deuxième cycle consécutif au premier cycle, les valeurs mémorisées dans les bascules 61 et 62 sont transmises sur les noeuds de sortie de ces bascules. Dans chaque colonne de 15 rang k du circuit d'addition/soustraction, la valeur sur le noeud de sortie du multiplexeur 63 est alors égale à XOR(Ak,Bk), c'est-à-dire dire au résultat de l'addition bit à bit des valeurs Ak et Bk. A la fin du deuxième cycle, cette valeur est mémorisée dans la bascule 67. De plus, lors du deuxième cycle, les retenues 20 locales de l'addition sont propagées par les portes NON ET 64 et 65, et, dans chaque colonne de rang k du circuit d'addition/soustraction, la bascule 66 du circuit 500k mémorise la valeur de retenue locale propagée appliquée sur son noeud CIN- A la fin du deuxième cycle, la valeur du noeud CouT du circuit 25 500Q, correspondant à la valeur finale de retenue de l'addition, est mémorisée dans la bascule supplémentaire (non représentée) associée au circuit 500Q. Lors d'un troisième cycle consécutif au deuxième cycle, les valeurs mémorisées dans les bascules 66 et 67 sont transmises 30 sur les noeuds de sortie de ces bascules. Le résultat de l'addition correspond alors au mot de Q bits formé par les Q valeurs binaires fournies sur les noeuds de sortie S des circuits 500k du circuit d'addition/soustraction, auquel s'ajoute le bit de retenue mémorisé dans la bascule supplémentaire (non représentée) associée 35 au circuit 500Q. 3051960 B14843 - DD16812ST 26 Le déroulement d'une opération de soustraction de deux opérandes de Q-bits est similaire au déroulement d'une opération d'addition, à ceci près que, pendant une opération de soustraction, le circuit de contrôle 14 applique un potentiel de 5 niveau haut correspondant à la valeur binaire '1', par exemple le potentiel VDD, sur le noeud CIN du circuit 5001 du circuit d'addition/soustraction. De plus, pendant l'opération de soustraction, le circuit de contrôle 14 commande le multiplexeur 57 pour relier sa première entrée de données (0) à sa sortie, et 10 le multiplexeur 63 pour relier sa première entrée de données (0) à sa sortie. On notera que dans l'exemple de la figure 6, les multiplexeurs 57 et 63 peuvent être commandés par un même signal de commande fourni par le circuit de contrôle 14. 15 La figure 7 représente de façon schématique une autre variante de réalisation du circuit mémoire de la figure 5. Le circuit mémoire de la figure 7 comprend les mêmes éléments que le circuit mémoire de la figure 5, agencés sensiblement de la même manière, et diffère du circuit mémoire de 20 la figure 5 en ce que, dans le circuit mémoire de la figure 7, dans chaque colonne de la matrice, le circuit logique 500 comprend des éléments supplémentaires adaptés à la mise en oeuvre d'opérations de comparaisons. Plus particulièrement, dans l'exemple de la figure 7, dans chaque colonne de la matrice, le 25 circuit logique 500 comprend en outre une bascule 71, par exemple une bascule D, dont l'entrée est reliée au noeud de sortie de la porte NON ET 54 et dont la sortie est reliée à la première entrée de la porte NON ET 56, et une bascule 72, par exemple une bascule D, dont l'entrée est reliée au noeud de sortie de la porte NON ET 30 55 et dont la sortie est reliée à la deuxième entrée de la porte NON ET 56. Le circuit 500 comprend de plus une porte logique NON OU 73 dont une première entrée est reliée, par l'intermédiaire d'un inverseur, à un noeud GTblt relié à la sortie de la bascule 72, et dont la deuxième entrée est reliée à un noeud GTIN. Le 35 circuit 500 comprend de plus une porte logique NON OU 74 dont une 3051960 B14843 - DD16812ST 27 première entrée est reliée, par l'intermédiaire d'un inverseur, à un noeud LTblt relié à la sortie de la bascule 71, et dont la deuxième entrée est reliée à un noeud LTIN. Le circuit 500 comprend en outre un inverseur 75 dont l'entrée est reliée à la sortie de 5 la porte NON OU 73 et dont la sortie est reliée à un noeud GTOUT, et un inverseur 76 dont l'entrée est reliée à la sortie de la porte NON OU 74 et dont la sortie est reliée à un noeud LTOUT- Le circuit 500 comprend de plus une porte NON OU 77 dont une première entrée est reliée à la sortie de la porte NON OU 73 et dont la 10 deuxième entrée est reliée au noeud LTOUT, et une porte NON OU 78 dont une première entrée est reliée à la sortie de la porte NON OU 74 et dont la deuxième entrée est reliée au noeud GTOUT- Le circuit 500 comprend en outre une bascule 79, par exemple une bascule D, dont l'entrée est reliée à la sortie de la porte NON 15 OU 77, et une bascule 80, par exemple une bascule D, dont l'entrée est reliée à la sortie de la porte NON OU 78. Dans cet exemple, le circuit 500 comprend de plus un transistor 81 dont la grille est reliée à la sortie de la bascule 79, et un transistor 82 dont la grille est reliée à la sortie de la bascule 80. Le transistor 20 81 a un premier noeud de conduction relié à un noeud de sortie sl du circuit 500 et un deuxième noeud de conduction relié à la masse (GND), et le transistor 82 a un premier noeud de conduction relié à un noeud de sortie s2 du circuit 500 et un deuxième noeud de conduction relié à la masse (GND). Dans l'exemple représenté, le 25 deuxième noeud de conduction du transistor 81 est relié à la masse par l'intermédiaire d'un transistor 83, et le deuxième noeud de conduction du transistor 82 est relié à la masse par l'intermédiaire d'un transistor 84. Dans l'exemple représenté, les transistors 81, 82, 83, 84 sont des transistors MOS à canal 30 N. De plus, dans cet exemple, les transistors 83 et 84 ont leurs grilles reliées à un même noeud d'application d'un signal de commande PCH. Dans le circuit mémoire de la figure 7, les circuits 500 de plusieurs colonnes de la matrice, par exemple des colonnes 35 voisines de la matrice, sont reliés en chaîne par l'intermédiaire 3051960 B14843 - DD16812ST 28 de leurs noeuds GTIN, GTouT et LTIN, LTouT pour former un circuit de comparaison. On considère à titre d'exemple que les circuits 500 de R colonnes distinctes de la matrice sont reliés en chaîne pour former un circuit de comparaison d'opérandes à R-bits. On 5 désigne ci-après par 5001 le circuit de la l-ième colonne de l'ensemble de R colonnes formant le circuit de comparaison, avec 1 entier allant de 1 à R et R entier inférieur ou égal à N (N désignant le nombre de colonnes de la matrice). Dans cet exemple, les colonnes de rang 1 faible du circuit de comparaison 10 correspondent aux bits de poids fort du circuit de comparaison, et les colonnes de rang 1 élevé du circuit de comparaison correspondent aux bits de poids faible du circuit de comparaison. A l'exception du circuit 5001, chaque circuit 5001 du circuit de comparaison a son noeud GTIN relié au noeud GTOUT du circuit de 15 rang précédent 5001_1, et a son noeud LTIN relié au noeud LTouT du circuit de rang précédent 5001_1. Les noeuds de sortie sl des R circuits 5001 du circuit de comparaison sont reliés à une même première piste conductrice de sortie lsl du circuit de comparaison, et les noeuds de sortie s2 des R circuits 5001 du 20 circuit de comparaison sont reliés à une même deuxième piste conductrice de sortie 1s2 du circuit de comparaison. Le circuit de comparaison comprend en outre une bascule 85, par exemple une bascule D, dont l'entrée est reliée à la piste conductrice lsl, et une bascule 86, par exemple une bascule D, dont l'entrée est 25 reliée à la piste conductrice 1s2. Le circuit de comparaison comprend de plus un inverseur 87 dont l'entrée est reliée à la sortie de la bascule 85, et un inverseur 88 dont l'entrée est reliée à la sortie de la bascule 86. Dans cet exemple, le circuit de comparaison comprend en outre une porte OU 89 dont une première 30 entrée est reliée à la sortie de la bascule 85 et dont la deuxième entrée est reliée à la sortie de la bascule 86. La sortie de l'inverseur 87 est reliée à un noeud LT, la sortie de l'inverseur 88 est reliée à un noeud GT, et la sortie de la porte OU 89 est reliée à un noeud EQ. Le circuit de comparaison comprend par 35 ailleurs un transistor 90 reliant, via ses noeuds de conduction, 3051960 B14843 - DD16812ST 29 la piste conductrice lsl à un noeud d'application d'un potentiel de référence haut, par exemple le potentiel d'alimentation haut VDD, et un transistor 91 reliant, via ses noeuds de conduction, la piste conductrice 1s2 au noeud VDD. Les transistors 90 et 91 5 ont leurs grilles reliées à un même noeud d'application d'un signal de commande. Dans cet exemple, les transistors 90 et 91 sont des transistors MOS à canal P et ont leurs grilles reliées au même noeud de commande PCH que les transistors 83 et 84. Le déroulement d'une opération de comparaison à deux 10 opérandes de R-bits chacune va maintenant être décrit. Les R bits A1, A2, ..., Al, ...AR (du bit de poids le plus fort au bit de poids le plus faible) du premier opérande sont stockés dans une même première ligne de rang il de la mémoire, respectivement dans les R colonnes de rang 1 à R définissant le circuit de comparaison. 15 Les R bits B1, B2, ..., B1, ...BR (du bit de poids le plus fort au bit de poids le plus faible) du deuxième opérande sont stockés dans une même deuxième ligne de rang i2 de la mémoire, respectivement dans les R colonnes de rang 1 à R de la mémoire définissant le circuit de comparaison. Dans l'exemple qui va être 20 décrit, le temps d'exécution de l'opération de comparaison correspond au temps nécessaire à la mise en oeuvre de trois cycles de lecture dans la mémoire. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce cas particulier. En particulier, à titre de variante, les deuxième et troisième cycles peuvent être 25 confondus. Pendant l'opération de comparaison, le circuit de contrôle 14 applique un potentiel de niveau bas correspondant à la valeur binaire '0', par exemple le potentiel GND, sur les noeuds GTIN et LTIN du circuit 5001 du circuit de comparaison. De 30 plus, le circuit de contrôle 14 commande le multiplexeur 57 pour relier sa première entrée de données (0) à sa sortie. Lors d'un premier cycle, le circuit de contrôle 14 est commandé pour activer simultanément en lecture les deux lignes de rang il et i2 de la mémoire, l'une (la ligne de rang il) via ses 35 seuls ports de lecture RPT, et l'autre (la ligne de rang i2) via 3051960 B14843 - DD16812ST 30 ses seuls ports de lecture RPF. A la fin du premier cycle, dans chaque colonne de rang 1 du circuit de comparaison, la bascule 71 du circuit 5001 mémorise la valeur &Bi correspondant au résultat complémenté de l'opération locale de comparaison Al B1. Lors d'un deuxième cycle consécutif au premier cycle, les valeurs mémorisées dans les bascules 71 et 72 sont transmises sur les noeuds de sortie de ces bascules. A la fin du deuxième 10 cycle, les valeurs de sortie des portes NON OU 77 et 78 sont mémorisées dans les bascules 79 et 80 respectivement. Préalablement à un troisième cycle consécutif au deuxième cycle, les transistors 90 et 91 sont rendus passants puis bloqués, de façon à précharger les pistes conductrices lsl et 1s2 15 à un niveau haut. De plus, les transistors 83 et 84 sont rendus passants puis bloqués, de façon à précharger à un niveau bas le noeud de conduction commun entre les transistors 81 et 83, et le noeud de conduction commun entre les transistors 82 et 84. Lors du troisième cycle, les valeurs mémorisées dans les 20 bascules 79 et 80 sont transmises sur les noeuds de sortie de ces bascules. A la fin du troisième cycle, l'état des pistes conductrices de sortie lsl et 1s2 est représentatif du résultat final de la comparaison. Dans cet exemple, lors du troisième cycle, le niveau de la piste conductrice lsl est mémorisé dans la 25 bascule 85, et le niveau de la piste conductrice 1s2 est mémorisé dans la bascule 86. L'état du noeud de sortie LT du circuit de comparaison correspond alors au résultat de l'opération de comparaison B1B2...B1...BR. L'état du noeud de sortie EQ du circuit de comparaison correspond au résultat de l'opération de comparaison AIA2...A1...AR = B1B2...B1...BR. On notera que les variantes de réalisation des figures 35 6 et 7 peuvent être combinées. Dans ce cas, les bascules 71 de la 3051960 B14843 - DD16812ST 31 figure 7 et 61 de la figure 6 peuvent être confondues, et les bascules 72 de la figure 7 et 62 de la figure 6 peuvent être confondues. On notera par ailleurs que les opérations 5 d'addition/soustraction décrites en relation avec la figure 6, et/ou les opérations de comparaison décrites en relation avec la figure 7, peuvent être traitées en pipeline, de façon à pouvoir générer un résultat d'opération par cycle. A titre de variante, les circuits mémoire décrits en 10 relation avec les figures 2, 3 et 4, 5, 6 et 7 peuvent en outre comprendre des éléments de circuit (non représentés) permettant de mettre en oeuvre des opérations de décalage. Pour cela, le circuit mémoire peut comprendre, pour chaque colonne Ci, un multiplexeur commandable pour relier la piste conductrice de 15 sortie RBLT de la colonne Ci soit au circuit d'écriture (piste conductrice WBLT) de la même colonne Ci, de façon à mettre en oeuvre une opération de lecture-réécriture classique, soit au circuit d'écriture de la colonne Ci+1 de rang suivant, de façon à mettre en oeuvre une opération de décalage. 20 Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, les modes de réalisation ne se limitent pas à l'exemple particulier de cellule élémentaire décrit en relation avec la figure 1. Plus généralement, les modes de 25 réalisation décrits peuvent être adaptés à d'autres types de cellules mémoires élémentaires, volatiles ou non volatiles, à un ou plusieurs ports de lecture. La figure 8 est un schéma électrique d'un exemple d'une cellule mémoire élémentaire non volatile à un seul port de 30 lecture, pouvant être utilisée comme cellule de base d'un circuit mémoire adapté à mettre en oeuvre des opérations de calcul. La cellule élémentaire de la figure 8 est une cellule mémoire résistive. Cette cellule comprend une cellule de stockage à deux éléments résistifs à résistance programmable R1 et R2, et 35 un transistor 101. Les éléments R1 et R2 sont connectés en série 3051960 B14843 - DD16812ST 32 entre un noeud XLT et un noeud XLF de la cellule. Le point milieu entre les éléments R1 et R2 définit un noeud de stockage de donnée de la cellule. Le transistor 101 est un transistor d'accès en écriture, reliant, via ses noeuds de conduction, le point milieu 5 entre les éléments R1 et R2 à un noeud d'écriture BL de la cellule. La grille du transistor 101 est connectée à un noeud de commande WL de la cellule. La cellule élémentaire de la figure 8 comprend en outre un port de lecture RPT à deux transistors 103 et 105. Les transistors 103 et 105 sont montés en série via leurs noeuds 10 de conduction entre une piste conductrice de sortie NL de la cellule et un noeud GND d'application d'un potentiel de référence de la cellule. Le transistor 105 est situé côté noeud GND et à sa grille reliée au point milieu entre les éléments résistifs R1 et R2. Le transistor 103 est situé côté piste conductrice NL et a sa 15 grille reliée à une piste conductrice de contrôle de lecture SL. Dans cet exemple, les transistors 101, 103 et 105 sont des transistors MOS à canal N. Un circuit mémoire selon un mode de réalisation peut comprendre une pluralité de cellules élémentaires du type décrit 20 en relation avec la figure 8, identiques ou similaires, agencées en matrice selon des lignes et des colonnes. Les cellules d'une même ligne sont interconnectées via leurs pistes conductrices SL, respectivement WF, et les cellules d'une même colonne sont interconnectées via leurs pistes conductrices BL, respectivement 25 XLT, respectivement XLF, respectivement NL. Pour réaliser une lecture d'une cellule élémentaire de la mémoire via son port de lecture RPT, la piste conductrice de sortie NL de la cellule est préchargée à un niveau haut, par exemple à la tension d'alimentation VDD du circuit. Le transistor 30 103 de la cellule est ensuite rendu passant par application d'un signal de niveau haut sur la piste conductrice SL de la cellule. Après l'activation du transistor 103, la piste conductrice RBLT se décharge si le potentiel du noeud de stockage (point milieu entre les résistances R1 et R2) est à un niveau haut (transistor 35 105 passant), et reste sensiblement à son niveau de précharge si 3051960 B14843 - DD16812ST 33 le potentiel du noeud de stockage est à un niveau bas (transistor 105 bloqué). La lecture du potentiel de la piste RBLT via un circuit de lecture non représenté, par exemple disposé en pied de colonne, permet de déterminer la valeur du bit de donnée stocké 5 dans la cellule élémentaire. De façon similaire à ce qui a été décrit en relation avec les figures 2, 3, 4, 5, 6 et 7, la mémoire de la figure 8 peut comprendre un circuit de contrôle (non représenté) adapté à commander la mémoire pour mettre en oeuvre des opérations de 10 calcul. Pour cela, le circuit de contrôle est par exemple adapté à activer simultanément en lecture deux, ou un nombre supérieur à deux, de cellules élémentaires d'une même colonne du circuit, via les ports d'accès RPT de ces cellules, après avoir préchargé à un niveau haut la piste de sortie NL de la colonne. 15 Plus généralement, les modes de réalisation décrits peuvent être adaptés à tout type de cellule mémoire élémentaire comportant au moins un noeud de stockage d'un bit de donnée, et au moins un port de lecture comprenant un transistor de lecture relié par sa grille au noeud de stockage, et un transistor de 20 sélection monté en série avec le transistor de lecture entre un noeud d'application d'un potentiel de référence de la cellule et une piste conductrice de sortie commune à toutes les cellules élémentaires de la même colonne de la mémoire. Les modes de réalisation décrits s'appliquent de 25 préférence à des cellules différentielles dont les deux ports de lecture sont commandables individuellement. A titre de variante, les modes de réalisation décrits peuvent être adaptés à des cellules élémentaires comportant un nombre de ports de lecture supérieur à deux, ce qui a pour avantage 30 d'augmenter le nombre et la complexité des opérations de calcul logiques et/ou arithmétiques pouvant être mises en oeuvre. REVENDICATIONS1. Circuit mémoire adapté à mettre en oeuvre des opérations de calcul, ce circuit comportant : une pluralité de cellules mémoires élémentaires (10i,j) agencées selon des lignes et des colonnes, chaque cellule comportant : - un premier noeud (BLTI) de stockage d'un bit de donnée, - un premier transistor de lecture (T3) relié par sa grille audit premier noeud de stockage (BLTI), et - un premier transistor de sélection (T4) monté en série avec le premier transistor de lecture (T3) entre un premier noeud (VGNDT) d'application d'un potentiel de référence de la cellule et une première piste conductrice de sortie (RBLT) commune à toutes les cellules d'une même colonne du circuit ; et un circuit de contrôle (14) configuré pour activer simultanément les premiers transistors de sélection (T4) d'au moins deux cellules (10i,j, 10i+1,j) d'une même colonne du circuit, et pour lire sur la première piste conductrice de sortie (RBLT) de la colonne une valeur représentative du résultat d'une première opération logique ayant pour opérandes les données stockées dans lesdites au moins deux cellules (10i,j, 10i+1,j). 2. Circuit mémoire selon la revendication 1, comportant en outre, pour chaque colonne du circuit, un premier inverseur (16 ; 51) dont un noeud d'entrée est relié à la première piste 25 conductrice de sortie (RBLT) de la colonne. 3. Circuit mémoire selon la revendication 1 ou 2, dans lequel chaque cellule élémentaire comporte en outre : - un deuxième noeud (BLFI) de stockage d'un bit de donnée complémentaire du bit stocké sur le premier noeud de 30 stockage (BLTI) de la cellule, - un deuxième transistor de lecture (T5) relié par sa grille audit deuxième noeud de stockage (BLFI), et - un deuxième transistor de sélection (T6) monté en série avec le deuxième transistor de lecture (T5) entre un 3051960 B14843 - DD16812ST 35 deuxième noeud (VGNDF) d'application d'un potentiel de référence de la cellule et une deuxième piste conductrice de sortie (RBLF) commune à toutes les cellules d'une même colonne du circuit, le circuit de contrôle (14) étant en outre configuré 5 pour activer simultanément les deuxièmes transistors de sélection (T6) d'au moins deux cellules (10i,j, 10i+1,j) d'une même colonne du circuit, et à lire sur la deuxième piste conductrice de sortie (RBLF) de la colonne une valeur représentative du résultat d'une deuxième opération logique ayant pour opérandes les données 10 stockées dans lesdites au moins deux cellules (10i,j, 10i+1,j). 4. Circuit mémoire selon la revendication 3, dans lequel le circuit de contrôle (14) est en outre configuré pour activer simultanément : les premiers (T4) et deuxièmes (T6) transistors de 15 sélection de deux cellules (10i,j, 10i+1,j) d'une même colonne du circuit ; ou le premier transistor de sélection (T4) d'une première cellule (10i,j) du circuit et le deuxième transistor de sélection (T6) d'une deuxième cellule (10i+1,j) de la même colonne. 20 5. Circuit mémoire selon la revendication 3 ou 4, comportant en outre, pour chaque colonne du circuit, un deuxième inverseur (18 ; 52) dont un noeud d'entrée est relié à la deuxième piste conductrice de sortie (RBLF) de la colonne. 6. Circuit mémoire selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, comportant en outre, pour chaque colonne du circuit, une porte logique NON OU (20) dont une première entrée est reliée à la première piste conductrice de sortie (RBLT) de la colonne et dont une deuxième entrée est reliée à la deuxième piste conductrice de sortie (RBLF) de la colonne. 7. Circuit mémoire selon la revendication 6, comportant en outre, pour chaque colonne du circuit, une première porte logique NON ET (41) dont une première entrée est reliée à un noeud de sortie de la porte logique NON OU (20) de la colonne, et une deuxième porte logique NON ET (43) dont une première entrée est reliée à un noeud de sortie de la première porte logique NON ET 3051960 B14843 - DD16812ST 36 (41) de la colonne et dont une deuxième entrée est reliée à la deuxième piste conductrice de sortie (RBLF) de la colonne. 8. Circuit mémoire selon la revendication 6, dans lequel, dans chaque colonne à l'exception de la première colonne 5 du circuit, la première porte logique NON ET (41) a une deuxième entrée reliée à la deuxième piste conductrice de sortie (RBLF) d'une colonne de rang précédent du circuit. 9. Circuit mémoire selon l'une quelconque des revendications 3 à 8, comportant en outre, pour chaque colonne : 10 une première piste conductrice de référence interconnectant les premiers noeuds (VGNDT) d'application de potentiel de référence de la colonne ; et une deuxième piste conductrice de référence interconnectant les deuxièmes noeuds (VGNDF) d'application de 15 potentiel de référence de la colonne. 10. Circuit mémoire selon la revendication 9, comportant en outre, pour chaque colonne : un premier transistor de référence (22) reliant la première piste conductrice de référence (VGNDT) à un noeud de 20 référence (GND) ; et un deuxième transistor de référence (24) reliant la deuxième piste conductrice de référence (VGNDF) audit noeud de référence (GND). 11. Circuit mémoire selon la revendication 9, comportant 25 en outre, pour chaque colonne, une porte logique ET (31), une porte logique OU (33), et des troisième (35), quatrième (36), cinquième (37) et sixième (38) inverseurs, et dans lequel : la porte logique ET (31) a une première entrée reliée à un noeud d'application d'un premier signal binaire de contrôle 30 (VGNDHIGH) par l'intermédiaire du troisième inverseur (35), et une deuxième entrée reliée à un noeud d'application d'un deuxième signal binaire de contrôle (COMP OP) par l'intermédiaire du quatrième inverseur (36) ; 3051960 B14843 - DD16812ST 37 la sortie du troisième inverseur (35) est reliée à la première piste conductrice de référence (VGNDT) de la colonne par l'intermédiaire du cinquième inverseur ; la porte logique OU (33) a une première entrée reliée à 5 la première piste conductrice de sortie (RBLT) de la colonne, et une deuxième entrée reliée à la sortie de la porte logique ET (31) ; et la sortie de la porte logique OU (33) est reliée à la deuxième piste conductrice de référence (VGNDF) de la colonne par 10 l'intermédiaire du sixième inverseur (38). 12. Circuit mémoire selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, comportant en outre, pour chaque colonne du circuit : un premier multiplexeur (57) ayant une première entrée 15 reliée à l'entrée du premier inverseur (51) et une deuxième entrée reliée à la sortie du premier inverseur (51) ; un troisième inverseur (53) dont l'entrée est reliée à la sortie du premier multiplexeur (57) ; une troisième porte NON ET (54) dont une première entrée 20 est reliée à la sortie du premier multiplexeur (57) et dont une deuxième entrée est reliée à l'entrée du deuxième inverseur (52) ; une quatrième porte NON ET (55) dont une première entrée est reliée à la sortie du troisième inverseur (53) et dont une deuxième entrée est reliée à la sortie du deuxième inverseur 25 (52) ; et une cinquième porte NON ET (56) dont une première entrée est reliée à la sortie de la troisième porte NON ET (54) et dont la sortie est reliée à la sortie de la quatrième porte NON ET (55). 30 13. Circuit mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel lesdites cellules mémoires élémentaires sont des cellules mémoires volatiles de type SRAM. 14. Circuit mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel lesdites cellules mémoires 35 élémentaires sont des cellules mémoires résistives non volatiles.