FR 3050573 A1 20171027 FR 1653579 A 20160422 1 DISPOSITIF AVEC PLAQUES DE CHAMP SEGMENTEES DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne des dispositifs à haute tension. Elle concerne en particulier une configuration de plaques de champ segmentées pour dispositif à haute tension. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION Les semi-conducteurs à base de nitrures d'éléments III, également appelés nitrures semi-conducteurs III-N, sont connus 15 depuis quelques dizaines d'années comme d'excellents candidats pour les applications à forte puissance et hautes fréquences. En effet, les transistors à effet de champ (« Field Effect Transistors » (FET) selon la terminologie anglo-saxonne) basés sur des hétérojonctions en matériaux composés de nitrures semi- 20 conducteurs III-N sont capables de supporter de très hautes tensions et de faire passer de fortes densités de courant avec de faibles pertes résistives. Dans l'état bloquant d'un tel transistor 1, le potentiel 25 sur la borne de l'électrode de drain 2 peut être de quelques centaines de volts à quelques milliers de volts, alors que les bornes de l'électrode de source 3 et de la grille 4 sont à la masse ou à un très faible potentiel l'une par rapport à l'autre : un champ électrique important se développe alors, 30 notamment entre la grille 4 et le drain 2, susceptible d'induire le claquage de l'oxyde de grille 5. Des plaques de champ (« field plates » selon la terminologie anglo-saxonne) ont été intégrées dans l'empilement de couches formant le transistor : leur fonction principale est 35 de remodeler la distribution du champ électrique dans le canal de conduction du transistor et d'éviter une concentration excessive de champ électrique en bord de l'électrode de grille. Le bénéfice de l'introduction de ces plaques de champ est notamment une augmentation de la tenue en tension du dispositif 40 (tension de claquage). 10 3050573 2 Les plaques de champ sont habituellement formées en un matériau conducteur, et s'étendent au-dessus de la grille vers le drain, selon une direction longitudinale, de manière à remplir leur rôle d'écrantage du champ électrique se développant 5 entre la grille et le drain. Elles peuvent être connectées électriquement à la source 3 (FPS pour « field plate Source ») et/ou à la grille 4 (FPG pour « field plate Gate ») comme illustré sur la figure 1. Un inconvénient de la présence de plaques de champ au-10 dessus de la grille 4 et/ou au-dessus de la couche active est l'introduction de capacités parasites supplémentaires, notamment entre la source 3 et la grille 4. Le document EP2538446 divulgue une configuration de 15 plaques de champ multiples permettant de réduire le pic de champ électrique dans le dispositif et ainsi d'améliorer la tension de claquage. 20 OBJET DE L'INVENTION Un objet de l'invention est de proposer une solution alternative de plaques de champ permettant de réduire la 25 concentration de champ électrique au niveau de la grille dans l'état off d'un dispositif, tout en limitant la génération de capacités parasites. Un objet de l'invention est notamment un dispositif à haute tension muni d'au moins un niveau de plaque de champ segmentée. 30 BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION L'invention concerne un dispositif comportant: 35 - Une électrode de source et une électrode de drain en contact avec une couche active ; - Une électrode de grille entre les électrodes de source et de drain, présentant un côté drain orienté vers l'électrode de drain et un côté source orienté vers l'électrode de source ; 3050573 3 - Une première plaque de champ, disposée au moins en partie entre l'électrode de grille et l'électrode de drain, à une première distance de la couche active ; Le dispositif est remarquable en ce que la première 5 plaque de champ comprend une pluralité de premiers pavés disposés cote à cote selon une première ligne de répartition qui suit le côté drain de l'électrode de grille. La plaque de champ selon l'invention est segmentée en une pluralité de premiers pavés dans un plan parallèle à la couche active ; ces premiers pavés sont agencés le long d'une ligne de répartition qui suit la forme du côté drain de l'électrode de grille. Cette configuration permet de remodeler la distribution du champ électrique, issu de la différence de potentiel entre l'électrode de drain et l'électrode de grille, à proximité du côté drain de la grille. La segmentation de la première plaque de champ en une pluralité de pavés présente également l'avantage de diminuer la surface de conducteur métallique dans l'empilement et ainsi de limiter l'introduction de capacités parasites. Selon des caractéristiques avantageuses du dispositif selon l'invention, prises seules ou en combinaison : - la première plaque de champ comprend un élément disposé selon la première ligne de répartition et en contact avec la pluralité de premiers pavés ; - chaque premier pavé est segmenté en au moins deux premiers sous-pavés dans une direction orthogonale à la première ligne de répartition ; - le dispositif comporte une deuxième plaque de champ, disposée au moins en partie entre l'électrode de grille et l'électrode de drain, à une deuxième distance de la couche active ; - la deuxième plaque de champ comprend une pluralité de deuxièmes pavés disposés cote à cote selon une deuxième ligne de répartition qui suit le côté drain de l'électrode de grille ; 3050573 4 - chaque deuxième pavé est segmenté en au moins deux deuxièmes sous-pavés dans une direction orthogonale à la deuxième ligne de répartition - tout ou partie des plaques de champ est flottant ; 5 - tout ou partie des plaques de champ est relié électriquement à la source ; - tout ou partie des plaques de champ est relié électriquement à la grille ; - le dispositif comprend un transistor à effet de champ 10 (FET) ; - le dispositif comprend un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) ; - la couche active comprend au moins un matériau du groupe des nitrures semi-conducteurs III-N ; 15 - tout ou partie des pavés et/ou les sous-pavés est formé par des vias conducteurs. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS 20 D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée de l'invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : 25 - La figure 1 présente un transistor à haute tension de l'état de l'art ; - les figures 2, 3, 4, 5, 6 et 7 présentent des vues de dessus (a) et en coupe (b,c) de plusieurs variantes d'un dispositif muni d'une première plaque de champ segmentée selon 30 l'invention ; - les figures 8a, 8b et 8c présentent des vues de dessus (a) et en coupe (b,c) d'un dispositif muni d'une première et d'une deuxième plaque de champ segmentée selon l'invention ; 35 DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Les figures sont des représentations schématiques de dispositifs en coupe ou en vue de dessus dans lesquelles les 40 dimensions latérales ou verticales peuvent ne pas être 3050573 5 respectées. De plus, pour permettre une visualisation plus aisée des configurations de plaques de champ segmentées selon l'invention, une vue de dessus pourra dans certains cas représenter des éléments compris dans plusieurs plans verticaux 5 (selon l'axe z sur les figures) différents. La configuration de plaques de champ selon l'invention peut être mise en oeuvre dans différents dispositifs, notamment des transistors à effet de champ (FET) et/ou à haute mobilité 10 électronique (HEMT pour « high electron mobility transistor » selon la terminologie anglo-saxonne), à base de matériaux à large intervalle de bande, adaptés pour supporter de hautes tensions. En particulier, de tels dispositifs peuvent être élaborés 15 sur une structure comportant un empilement de couches formées de nitrures semi-conducteurs III-N, disposé sur un substrat support, par exemple en silicium, saphir, carbure de silicium OU autre support compatible avec la croissance épitaxiale de matériaux III-N. Une couche de nucléation est habituellement maille couche 20 déposée sur le substrat pour réduire le désaccord de entre le substrat support et la couche suivante, dite tampon 11, en matériau III-N (par exemple GaN). Enfin, une couche barrière 12 également en matériau III-N (par exemple AlGaN) est disposée sur la couche tampon. Une couche de gaz 25 d'électrons à deux dimensions 13 (« two-dimensional electron gas » (2DEG)) pourra se développer à proximité de l'interface entre la couche tampon 11 et la couche barrière 12 (hétérojontion), pour constituer le canal de conduction du futur dispositif élaboré sur la structure. 30 Comme illustré sur la figure 2b, le dispositif 10 selon l'invention comprend une couche active 15 formée de matériaux semi-conducteurs ; dans l'exemple de structure en matériau III-N précitée, la couche active 15 comprend en particulier 35 l'hétérojonction au niveau de laquelle la couche 2DEG 13 constituant le canal de conduction pourra se développer. Le dispositif 10 comprend en outre des électrodes de source 3 et de drain 2 en contact électrique avec la couche active 15 et en particulier formant un contact ohmique avec 40 l'hétérojonction. Les électrodes de source 3 et de drain 2 3050573 6 pourront être formées de différents matériaux incluant de manière non limitative, des alliages de titane, d'aluminium, tungstène, nickel, palladium, or, etc. L'espacement entre l'électrode de source 3 et l'électrode de drain 2 définit la 5 longueur du canal de conduction. Dans la suite de cette description, la direction parallèle à la longueur du canal sera nommée direction longitudinale (selon l'axe y sur les figures). La direction perpendiculaire à la direction longitudinale, dans le plan (x,y) de la couche active 10 15, sera nommée direction transversale (selon l'axe x sur les figures). Enfin, la direction perpendiculaire au plan de la couche active 15 sera appelée direction verticale (selon l'axe z sur les figures). Le dispositif 10 comprend également une électrode de grille 15 4, formée entre l'électrode de source 3 et l'électrode de drain 2, pour commuter le dispositif d'un état bloquant (off) à un état passant (on), en autorisant le déplacement des électrons dans la partie sous-jacente du canal de conduction (couche 2DEG 13). L'électrode de grille 4, isolée de la couche active 15 par 20 un oxyde de grille 5, peut elle aussi est composée de différents matériaux incluant de manière non limitative, le titane, l'aluminium, le tungstène, le nickel, le palladium, l'or, des siliciures, etc. De par son agencement, l'électrode de grille 4 présente un coté drain orienté vers l'électrode de drain 2 et un 25 côté source orienté vers l'électrode de source 3. Une première couche isolante 16,17, comprenant une couche diélectrique ou une combinaison d'une pluralité de couches diélectriques, est formée sur la couche active 15. Elle s'étend 30 au moins sur une portion de la surface entre l'électrode de grille 4 et l'électrode de drain 2 et sur une portion de la surface entre la grille 4 et la source 3. La première couche isolante 16,17 pourra également s'étendre sur l'électrode de grille 4. A titre d'exemple, elle pourra être formé par un 35 matériau choisi parmi de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, de l'oxyde d'aluminium et avoir une épaisseur comprise entre 0,01 micron et 1 micron. Une première plaque de champ (appelée FP1 pour « field 40 plate » par la suite) est ensuite formée sur ou dans la première 3050573 7 couche isolante 16,17 : elle se trouve ainsi à une première distance de la couche active 15, selon la direction verticale (axe z). La plaque de champ FP1 pourra être électriquement connectée à l'électrode de grille 4 ou à l'électrode de source 5 3. Alternativement, elle pourra être flottante. La plaque de champ FP1 pourra être composée par un matériau choisi parmi l'aluminium, le polysilicium, le tungstène, le cuivre ou leurs alliages. Avantageusement, elle pourra être formé pendant l'étape d'élaboration de l'électrode de grille 4. 10 Elle est disposée au moins en partie entre l'électrode de grille 4 et l'électrode de drain 2 selon la direction longitudinale. Selon l'invention, la première plaque de champ FP1 comprend une pluralité de pavés 18, disposés côte à côte dans un plan 15 (x,y) parallèle à celui de la couche active 15 (figure 2a). Les pavés 18 sont agencés selon une ligne de répartition 19 qui suit le côté drain de l'électrode de grille 4. La ligne de répartition 19 pourra se traduire par une ligne fictive sur laquelle sont alignés les pavés 18 par l'un de leurs côtés. 20 Selon la direction longitudinale, la ligne de répartition 19 est située à une distance dG-FP1 par rapport au côté drain de l'électrode de grille 4. Le cas où la ligne de répartition 19 se trouverait quelque part à l'aplomb de la grille 4 se traduirait par une distance dG-FP1 négative. 25 Pour plus de clarté par la suite, les pavés 18 seront nommés premiers pavés et la ligne de répartition 19 sera nommée première ligne de répartition. Les dimensions des premiers pavés 18 et leur espacement permettent de modifier la distribution du champ électrique 30 induit par la différence de potentiel entre grille 4 et drain 2 dans l'état bloquant du dispositif 10. Selon une première variante, illustrée sur les figures 3a et 3b, la plaque de champ FP1 est connectée à la source 3. 35 Avantageusement, on choisit alors de ne pas disposer la pluralité de premiers pavés 18 à l'aplomb de l'électrode de grille 4 pour limiter l'introduction de capacités parasites grille/source. Les premiers pavés 18 sont disposés strictement entre l'électrode de grille 4 et l'électrode de drain 2 selon la direction longitudinale, c'est-à-dire que dG-FP1 est supérieure ou 3050573 8 égale à 0. Préférentiellement, la première ligne de répartition 19, sur laquelle les premiers pavés 18 sont agencés, s'étend sur toute la largeur de l'électrode de grille 4. La dimension des premiers pavés 18 selon la direction longitudinale pourra être 5 comprise entre 0,1 et 5 microns. Elle est notamment définie en fonction de la distance entre l'électrode de grille 4 et l'électrode de drain 2. La dimension d'un premier pavé 18 et l'espacement entre deux premiers pavés adjacents selon la direction transversale (axe x) pourront être respectivement 10 compris entre 0,1 et 5 microns et entre quelques nanomètres et 10 microns. La dimension transversale et l'espacement entre deux premiers pavés 18 adjacents sont choisis, en fonction du potentiel sur l'électrode de drain 2, de manière à optimiser 15 l'effet de réduction du champ électrique tout en minimisant les capacités parasites. Selon une deuxième variante, la plaque de champ FP1 est connectée à la grille 4. Elle pourra se situer à différentes 20 distances de la couche active 15, soit sur la couche isolante 16, soit dans la couche isolante 17 (figure 2), soit encore sur la couche isolante 17 (figure 3). Les premiers pavés 18 sont avantageusement disposés à une distance dG-FP1 par rapport au côté drain de l'électrode de grille selon la direction longitudinale, 25 strictement supérieure à 0: cette séparation entre l'électrode de grille et la première plaque de champ FP1 permet de réduire la capacité CGD. Préférentiellement, la première ligne de répartition 19, sur laquelle les premiers pavés 18 sont agencés, s'étend sur toute la largeur de l'électrode de grille 4. Les 30 dimensions des premiers pavés 18 et leur espacement pourront être choisis dans les mêmes gammes qu'énoncé précédemment pour la première variante. Selon une troisième variante, la première plaque de champ 35 FP1 est flottante. Dans cette configuration, elle pourra prendre l'une des formes et dimensions décrites dans les variantes précédentes. Selon une quatrième variante, illustrée sur les figures 4a, 40 4b et 4c, la première plaque de champ FP1 comprend un élément 3050573 9 180 disposé selon la première ligne de répartition 19 et en contact avec la pluralité de premiers pavés 18 (figure 4a). Les figures 4b et 4c représentent respectivement les vues en coupe selon les plans symbolisés par les pointillés référencés (b) et 5 (c) sur la figure 4a. Avantageusement, l'élément 180 de la plaque de champ FP1 sera localisé entre le côté drain de l'électrode de grille 4 et la pluralité de pavés 18. Il permet un écrantage continu du champ électrique le long du côté drain de l'électrode de grille 4. La segmentation du reste de la 10 surface (dans le plan (x,y)) de la première plaque de champ FP1 en la pluralité de premiers pavés 18 est alors avantageuse pour limiter la surface de conducteur et donc les capacités parasites. Sur la figure 4, la première plaque de champ FP1 est connectée à la grille. Alternativement, FP1 munie de l'élément 15 180, pourra être connectée à la source ou être flottante. Selon une cinquième variante, une plaque de champ additionnelle 181 selon l'état de l'art c'est-à-dire non segmentée selon la direction transversale, pourra être élaborée 20 sur la première couche isolante 16,17, selon une ligne de répartition qui suit le côté drain de l'électrode de grille 4, préalablement à la fabrication de FP1. La figure 5 illustre ce cas de figure avec par exemple une plaque de champ additionnelle 181, reliée à la grille 4 et en continuité de celle-ci. La 25 première plaque de champ FP1 pourra ensuite être formée selon l'une des quatre variantes précédentes. La plaque de champ additionnelle 181 et FP1 pourront être à la même première distance de la couche active 15, selon la direction verticale ou à des distances différentes. 30 Optionnellement, et dans n'importe laquelle des variantes de mise en oeuvre précédemment citées, chaque premier pavé 18 de la première plaque de champ FP1 pourra être segmenté en au moins 35 deux sous-pavés 18', 18", dans la direction longitudinale (orthogonale à la première ligne de répartition 19). Cette configuration est illustrée en vue plane sur la figure 6a et en vue en coupe sur la figure 6b. Cette segmentation permet de diviser l'intensité du champ électrique, toujours dans le but 3050573 10 d'éviter sa concentration en bord de l'électrode de grille, tout en limitant la surface métallique des plaques de champ. 5 Dans le dispositif selon l'invention, une deuxième plaque de champ (appelée FP2 pour « field plate » par la suite) peut également être formée : elle se trouve à une deuxième distance de la couche active 15, selon la direction verticale et est 10 séparée de la première plaque de champ FP1 par une couche isolante. Cette couche isolante pourra être comme dans l'exemple illustré en figure 8, la couche 17, la première plaque de champ FP1 étant formée sur la couche isolante 16 inférieure. Si FP1 est formé sur la couche isolante 17, une deuxième couche 15 isolante peut être formée au-dessus d'au moins une partie de la première plaque de champ FP1 et d'au moins une portion de la première couche isolante entre FP1 et l'électrode de drain. Cette deuxième couche isolante pourra comprendre une couche diélectrique ou une combinaison d'une pluralité de couches 20 diélectriques. A titre d'exemple, elle pourra être formé par un matériau diélectrique choisi par exemple parmi de l'oxyde de silicium du nitrure de silicium, et avoir une épaisseur comprise entre 0,1 et 10 microns. La plaque de champ FP2 peut être électriquement connectée à 25 l'électrode de grille ou à l'électrode de source. Alternativement, elle peut être flottante. La plaque de champ FP2 est composée par un matériau identique ou pas au matériau de la première plaque de champ FP1, choisi parmi l'aluminium, le polysilicium, le tungstène, le 30 cuivre, le nickel, le palladium, l'or ou leurs alliages. Elle est disposée au moins en partie entre l'électrode de grille 4 et l'électrode de drain 2 selon la direction longitudinale (axe y). Avantageusement, pour tendre à former un champ électrique graduel entre l'électrode de grille 4 et 35 l'électrode de drain 2, la deuxième plaque de champ FP2 est disposée entre la première plaque de champ FP1 et l'électrode de drain 2, selon la direction longitudinale (figure 8), soit à une distance dG-FP2 par rapport au côté drain de l'électrode de grille 4. 3050573 11 Selon l'invention, la deuxième plaque de champ FP2 peut également comprendre une pluralité de pavés 28, disposés côte à côte dans un plan (x,y) parallèle à celui de la couche active 15. Les pavés sont agencés selon une ligne de répartition 29 qui 5 suit le côté drain de l'électrode de grille 4. Pour plus de clarté par la suite, les pavés 28 de la deuxième plaque de champ FP2 seront nommés deuxièmes pavés et la ligne de répartition 29 associée sera nommée deuxième ligne de répartition. Avantageusement, mais sans que cela soit limitatif, selon la 10 direction longitudinale, les deuxièmes pavés 28 seront placés en vis-à-vis des zones d'espacement entre les premiers pavés 18, comme illustré sur la figure 8a. Les cinq variantes décrites pour la première plaque de champ 15 FP1 peuvent être appliquées à la deuxième plaque de champ FP2. Les gammes décrites de dimensions de pavés et d'espacement entre pavés sont également applicables. La segmentation des deuxièmes pavés 29 en sous-pavés pourra également être mise en oeuvre. 20 On notera qu'une ou plusieurs plaque(s) de champ additionnelle(s) classiquement utilisée(s) dans l'art antérieur, pourra(ont) être formées avant ou après FP1 ou FP2, à une distance inférieure, égale ou supérieure à la première distance entre FP1 et la couche active 15 selon la direction verticale. 25 Selon un mode de réalisation avantageux, les premiers 18 et/ou deuxièmes 28 pavés sont formés par des vias conducteurs (figure 7). Les vias, très usuellement utilisés dans les 30 technologies microélectroniques, sont formés par des tranchées, dont les parois comportent une couche de matériau isolant électrique, qui sont remplies par un matériau conducteur électrique (par exemple le tungstène, l'aluminium, le cuivre, le titane...) ; elles sont classiquement élaborées au cours d'un 35 procédé de fabrication de composants microélectroniques, pour relier des niveaux de métal entre eux. Dans ce mode de réalisation des premiers 18 et/ou deuxièmes 28 pavés, les vias conducteurs ne sont pas nécessairement connectés à un métal sous-jacent. 3050573 12 L'utilisation des étapes d'élaboration de vias conductrices pour la réalisation des pavés 18,28 permet une optimisation des étapes de fabrication : seule une modification du ou des masque(s) des niveaux de vias visés est nécessaire, sans ajout 5 d'étapes de fabrication spécifique pour les plaques de champ. Bien sur, l'invention n'est pas limitée à deux niveaux de plaques de champ (FP1 et FP2), ni aux géométries de plaques de 10 champ décrites ; on pourra ajouter d'autres niveaux de plaques de champ selon le dispositif élaboré et les agencer selon différentes configurations adaptées. La distance entre la plaque de champ la plus proche de l'électrode de drain 2 devra préférentiellement être maintenue 15 au moins supérieure à 1 micron, en fonction de la tension d'utilisation du composant, pour éviter le claquage de la couche isolante entre ladite plaque de champ et l'électrode de drain 2. 20 Exemple 1 : Selon un premier exemple, le dispositif est constitué d'un transistor HEMT élaboré sur une structure à base de GaN, comportant une hétérojonction apte à développer un gaz à deux dimensions qui formera le canal de conduction. Le transistor 25 HEMT présente une configuration latérale, avec des électrodes de source 3 et de drain 2 sous forme de doigts interdigités, distants de 5 microns. L'électrode de grille 4 est disposée entre les électrodes de source 3 et de drain 2 et présente une forme sensiblement rectangulaire avec un côté drain orienté vers 30 l'électrode de drain et un côté source orienté vers l'électrode de source. Sa dimension selon la direction longitudinale est d'environ 1 micron. Dans l'état « off » du transistor, l'électrode de drain 2 présente un potentiel de 600 Volts, alors que le potentiel de source est de 0 Volt et le potentiel de 35 grille de -5 Volts. La première plaque de champ FP1 est disposée sur une première couche isolante 16 formée en SiN d'épaisseur 0,2 micron. La plaque de champ FP1 présente une pluralité de premiers pavés 18, disposés à une distance dG-FP1 égale à 0,1 40 micron. Les dimensions transversale et longitudinale (dans le 3050573 13 plan (x,y)) de chaque premier pavé 18 sont respectivement de 1 micron et 1 micron. L'espacement entre deux pavés 18 adjacents est de 1 micron. La deuxième plaque de champ FP2 est formée dans la couche 5 isolante 17 : celle-ci est formée en SiO2 d'épaisseur 0,2 micron et recouvre l'électrode de grille 4 et FP1. La plaque de champ FP2 présente une pluralité de deuxièmes pavés 28 disposés à une distance dG-FP2 égale à 2,2 micron. Ces deuxièmes pavés 28 sont formés par des vias conducteurs en tungstène, de section 10 circulaire de 1 micron. L'espacement entre deux pavés 28 adjacents est de 1 micron. Selon la direction longitudinale, les deuxièmes pavés 28 sont placés en regard des zones d'espacement entre les premiers pavés 18. Cette configuration abaisse avantageusement l'intensité du 15 champ électrique généré par la différence de potentiel entre drain 2 et grille 4. Elle permet également de limiter les capacités parasites du fait de la réduction des surfaces métalliques des plaques de champs. 20 Exemple 2 : Selon un deuxième exemple, le dispositif est constitué d'un transistor HEMT élaboré sur une structure à base de GaN, comportant une hétérojonction apte à développer un gaz à deux 25 dimensions qui formera le canal de conduction. Le transistor HEMT latéral présente une topologie circulaire avec une électrode de drain centrale circulaire, une électrode de grille formant un anneau autour de l'électrode de drain et une électrode de source disposée autour de l'électrode de grille. 30 L'électrode de drain est distante de l'électrode de source de 5 microns. Dans le cas d'une topologie circulaire, la direction longitudinale évoquée précédemment devient la direction radiale et la direction transversale devient la direction tangentielle. 35 La première plaque de champ FP1 est formée dans la première couche isolante par des vias conducteurs de section circulaire de 1 micron. Dans le plan (x,y), la plaque de champ FP1 présente une pluralité de premiers pavés, disposés à une distance dG-FP1 40 égale à 0,1 micron, le long d'une ligne de répartition qui suit 3050573 14 le côté drain de l'anneau formé par l'électrode de grille. L'espacement entre deux pavés adjacents est de 1 micron. Alternativement, les pavés pourront avoir une forme carré, rectangle ou encore une forme de secteur d'anneau, dans le plan 5 (x, Y) . La deuxième plaque de champ FP2 est formée dans une deuxième couche isolante formée en SiO2 d'épaisseur 0,2 micron. La plaque de champ FP2 présente une pluralité de deuxièmes pavés disposés à une distance dG-FP2 égale à 2,2 micron, le long d'une ligne de 10 répartition qui suit le côté drain de l'anneau formé par l'électrode de grille. Ces deuxièmes pavés sont formés par des vias conducteurs de section circulaire de 1 micron. L'espacement entre deux pavés adjacents est de 1 micron. Selon la direction radiale, les deuxièmes pavés sont placés en regard des zones 15 d'espacement entre les premiers pavés. Une ou plusieurs autres plaques de champ FPn selon l'invention pourront être ajoutées si besoin pour gérer le champ électrique entre grille et drain. Cette configuration de plaques de champ selon l'invention 20 abaisse avantageusement l'intensité du champ électrique généré par la différence de potentiel entre drain et grille. Elle permet également de limiter les capacités parasites du fait de la réduction des surfaces métalliques des plaques de champs. 25 Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits et on peut y apporter des variantes de 30 réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications. Le dispositif selon l'invention pourra également consister en ou comprendre d'autres types de composants latéraux à haute tension tels qu'un transistor MOS sur silicium, LDMOS, un 35 transistor HEMT GaAs, GaN, etc. REVENDICATIONS1. Dispositif (10) comportant: - Une électrode de source (3) et une électrode de drain (2) en contact avec une couche active (15) ; - Une électrode de grille (4) entre les électrodes de source (3) et de drain (2), présentant un côté drain orienté vers l'électrode de drain (2) et un côté source orienté vers l'électrode de source (3) ; - Une première plaque de champ (FP1), disposée au moins en partie entre l'électrode de grille (4) et l'électrode de drain (2), à une première distance de la couche active (15) ; Le dispositif (10) étant caractérisé en ce que la première plaque de champ (FP1) comprend une pluralité de premiers pavés (18) disposés cote à cote selon une première ligne de répartition (19) qui suit le côté drain de l'électrode de grille (4). 2. Dispositif (10) selon la revendication précédente, dans lequel la première plaque de champ (FP1) comprend un élément (180) disposé selon la première ligne de répartition (19) et en contact avec la pluralité de premiers pavés (18). 3. Dispositif (10) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel chaque premier pavé (18) est segmenté en au moins deux premiers sous-pavés (18', 18") dans une direction orthogonale à la première ligne de répartition (19). 4. Dispositif (10) selon l'une des revendications précédentes, comportant une deuxième plaque de champ (FP2), disposée au moins en partie entre l'électrode de grille (4) et l'électrode de drain (2), à une deuxième distance de la couche active (15). 5. Dispositif (10) selon la revendication précédente, dans lequel la deuxième plaque de champ (FP2) comprend une pluralité de deuxièmes pavés (28) disposés cote à cote selon 3050573 16 une deuxième ligne de répartition (29) qui suit le côté drain de l'électrode de grille (4). 6. Dispositif (10) selon l'une des deux revendications 5 précédentes, dans lequel chaque deuxième pavé (28) est segmenté en au moins deux deuxièmes sous-pavés dans une direction orthogonale à la deuxième ligne de répartition (29). 10 7. Dispositif (10) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel tout ou partie des plaques de champ (FP1, FP2) est flottant. 8. Dispositif (10) selon l'une des revendications 1 à 6, dans 15 lequel tout ou partie des plaques de champ (FP1, FP2) est relié électriquement à la source (3). 9. Dispositif (10) selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel tout ou partie des plaques de champ (FP1, FP2) est 20 relié électriquement à la grille (4). 10. Dispositif (10) selon l'une des revendications précédentes, comprend un transistor à effet de champ (FET). 25 11. Dispositif (10) selon l'une des revendications précédentes, comprend un transistor à haute mobilité électronique (HEMT). 12. Dispositif (10) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche active (15) comprend au moins un 30 matériau du groupe des nitrures semi-conducteurs III-N. 13. Dispositif (10) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel tout ou partie des pavés (18,28) et/ou les sous-pavés est formé par des vias conducteurs. 35