FR 3057135 A1 20180406 FR 1659452 A 20160930 B15372 - new alien 1 CIRCUIT OPTOELECTRONIQUE COMPRENANT DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES Domaine La présente description concerne un circuit optoélectronique, notamment un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes. Exposé de l'art antérieur Il est souhaitable de pouvoir alimenter un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes avec une tension alternative, notamment une tension sinusoïdale, par exemple la tension du secteur. La figure 1 représente un exemple de circuit optoélectronique 10 comprenant des bornes d'entrée IN' et IN2 entre lesquelles est appliquée une tension alternative VIN. Le circuit optoélectronique 10 comprend, en outre, un circuit redresseur 12 comportant un pont de diodes 14, recevant la tension VIN et fournissant une tension VALim redressée qui alimente des diodes électroluminescentes 16, par exemple montées en série avec une résistance 15. On appelle IALim le courant traversant les diodes électroluminescentes 16. La figure 2 est un chronogramme de la tension 20 d'alimentation VALim et du courant d'alimentation 'A= pour un exemple dans lequel la tension alternative VIN correspond à une 3057135 B15372 - new alien 2 tension sinusoïdale. Lorsque la tension VAtim est supérieure à la somme des tensions de seuil des diodes électroluminescentes 16, les diodes électroluminescentes 16 deviennent passantes. Le courant d'alimentation 'A= suit alors la tension d'alimentation 5 VALIM- Il y a donc une alternance de phases OFF d'absence d'émission de lumière et de phases ON d'émission de lumière. Un inconvénient est que tant que la tension VALim est inférieure à la somme des tensions de seuil des diodes électroluminescentes 16, aucune lumière n'est émise par le circuit 10 optoélectronique 10. Un observateur peut percevoir cette absence d'émission de lumière lorsque la durée de chaque phase OFF d'absence d'émission de lumière entre deux phases ON d'émission de lumière est trop importante. Une possibilité pour augmenter la durée de chaque phase ON est de diminuer le nombre de diodes 15 électroluminescentes 16. Un inconvénient est alors que la part de la puissance électrique perdue dans la résistance est importante. La publication US 2014/0252968 décrit un circuit optoélectronique dans lequel le nombre de diodes électroluminescentes recevant la tension d'alimentation VAtim augmente progressivement lors d'une phase de croissance de la tension d'alimentation et diminue progressivement lors d'une phase de décroissance de la tension d'alimentation. Ceci est réalisé par un dispositif de commutation adapté à court-circuiter un nombre plus ou moins important de groupes de diodes électroluminescentes en fonction de l'évolution de la tension VALIM- Ceci permet de réduire la durée de chaque phase d'absence d'émission de lumière. Un inconvénient du circuit optoélectronique décrit dans la publication US 2014/0252968 est qu'il requiert l'utilisation d'un amplificateur de différence pour chaque groupe de diodes électroluminescentes. Le coût de fabrication du circuit optoélectronique peut donc être élevé. Un autre inconvénient est que la consommation électrique du circuit optoélectronique peut être importante. Un autre inconvénient est la complexité du circuit optoélectronique qui peut entraîner des problèmes de fiabilité. 3057135 B15372 - new alien 3 Résumé Un objet d'un mode de réalisation est de pallier tout ou partie des inconvénients des circuits optoélectroniques décrits précédemment. 5 Un autre objet d'un mode de réalisation est de réduire la durée des phases d'absence d'émission de lumière du circuit optoélectronique. Un autre objet d'un mode de réalisation est que le courant alimentant les diodes électroluminescentes varie de façon 10 sensiblement continue. Un autre objet d'un mode de réalisation est que le nombre de composants du dispositif de commutation du circuit optoélectronique est réduit. Ainsi, un mode de réalisation prévoit un circuit 15 optoélectronique destiné à recevoir une tension variable contenant une alternance de phases croissantes et décroissantes, le circuit optoélectronique comprenant : des ensembles de diodes électroluminescentes montés en série ; 20 un noeud relié à chaque ensemble par un circuit de conduction dont la conductance électrique varie en fonction d'un signal de commande ; et un circuit de commande relié à chaque circuit de conduction et adapté à fournir chaque signal de commande à partir 25 de la comparaison d'une première tension audit noeud à au moins une deuxième tension, le circuit de commande comprenant un amplificateur de différence et autant d'étages de sortie que de circuits de conduction, le circuit de commande étant adapté à asservir la première tension à la deuxième tension décalée d'une 30 troisième tension, différente pour chaque étage de sortie. Selon un mode de réalisation, l'amplificateur de différence est adapté à fournir un premier courant et un deuxième courant, le circuit de commande comprenant un premier miroir de courant à plusieurs sorties adapté à recopier, pour chaque circuit 35 de conduction, le premier courant ou un troisième courant 3057135 B15372 - new alien 4 multiplié par un premier facteur de recopie, et un deuxième miroir de courant à plusieurs sorties adapté à recopier, pour chaque circuit de conduction, le deuxième courant ou le troisième courant multiplié par un deuxième facteur de recopie, le rapport entre le 5 premier facteur de recopie et le deuxième facteur de recopie étant différent pour chaque circuit de conduction. Selon un mode de réalisation, les ensembles de diodes électroluminescentes sont classés par rangs croissants d'un premier ensemble à une première extrémité de la série à un dernier 10 ensemble à une deuxième extrémité de la série et, pour chaque circuit de conduction, le circuit de commande est adapté à asservir la première tension à la deuxième tension diminuée d'une troisième tension qui est décroissante avec le rang de l'ensemble auquel est relié le circuit de conduction. 15 Selon un mode de réalisation, l'amplificateur de différence comprend une paire différentielle comprenant un premier transistor recevant la première tension et un deuxième transistor recevant la deuxième tension. Selon un mode de réalisation, le premier transistor est 20 un transistor MOS dont la grille reçoit la première tension et le deuxième transistor est un transistor MOS dont la grille reçoit la deuxième tension. Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique comprend, pour chaque circuit de conduction, un 25 condensateur relié au circuit de conduction ou intégré au circuit de conduction, le premier miroir de courant comprenant un circuit de charge du condensateur et le deuxième miroir de courant comprenant un circuit de décharge du condensateur. Selon un mode de réalisation, chaque circuit de 30 conduction comprend un transistor MOS. Selon un mode de réalisation, le premier miroir de courant comprend, pour chaque circuit de conduction, un premier bloc de recopie relié à la grille du transistor MOS du circuit de conduction et adapté à fournir le premier courant multiplié par 35 le premier facteur de recopie et le deuxième miroir de courant 3057135 B15372 - new alien 5 comprend, pour chaque circuit de conduction, un deuxième bloc de recopie relié à la grille du transistor MOS du circuit de conduction et adapté à fournir le deuxième courant multiplié par le deuxième facteur de recopie. 5 Selon un mode de réalisation, le circuit optoélectronique comprend une source de courant reliée audit noeud. Selon un mode de réalisation, la source de courant comprend au moins une résistance. 10 Selon un mode de réalisation, la source de courant est adaptée à fournir un courant qui augmente avec le rang de l'ensemble auquel est relié le circuit de conduction. Selon un mode de réalisation, la troisième tension varie en fonction de la température. 15 Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : 20 la figure 1, décrite précédemment, est un schéma électrique d'un exemple d'un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes ; la figure 2, décrite précédemment, est un chronogramme de la tension et du courant d'alimentation des diodes 25 électroluminescentes du circuit optoélectronique de la figure 1 ; la figure 3 représente un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes ; la figure 4 représente un schéma électrique plus 30 détaillé d'un mode de réalisation du circuit de commande du circuit optoélectronique représenté en figure 3 ; la figure 5 représente un schéma électrique simplifié illustrant le fonctionnement du circuit de commande représenté en figure 4 ; et 3057135 B15372 - new alien 6 la figure 6 représente des chronogrammes de tensions et de courants au cours du fonctionnement d'un mode de réalisation du circuit optoélectronique de la figure 3. Description détaillée 5 Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Sauf précision contraire, les expressions "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % 10 près. De plus, on appelle "signal binaire" un signal qui alterne entre un premier état constant, par exemple un état bas, noté "0", et un deuxième état constant, par exemple un état haut, noté "1". Les états haut et bas de signaux binaires différents d'un même circuit électronique peuvent être différents. En pratique, les 15 signaux binaires peuvent correspondre à des tensions ou à des courants qui peuvent ne pas être parfaitement constants à l'état haut ou bas. Par ailleurs, dans la présente description, on utilise le terme "connecté" pour désigner une liaison électrique directe, sans composant électronique intermédiaire, par exemple 20 au moyen d'une piste conductrice, et le terme "couplé" ou le terme "relié", pour désigner soit une liaison électrique directe (signifiant alors "connecté") soit une liaison via un ou plusieurs composants intermédiaires (résistance, condensateur, etc.). Dans la suite de la description, on appelle "facteur de puissance" d'un 25 circuit électronique le rapport entre la puissance active consommée par le circuit électronique et le produit des valeurs efficaces du courant et de la tension alimentant le circuit électronique. La figure 3 représente un schéma électrique d'un mode 30 de réalisation d'un circuit optoélectronique 20 comprenant un dispositif de commutation de diodes électroluminescentes et illustrant le principe de fonctionnement général du circuit optoélectronique. Les éléments du circuit optoélectronique 20 communs avec le circuit optoélectronique 10 sont désignés par les 35 mêmes références. En particulier, le circuit optoélectronique 20 3057135 B15372 - new alien 7 comprend le circuit redresseur 12 recevant la tension d'alimentation VIN entre les bornes IN' et IN2 et fournissant la tension VAtim redressée entre des noeuds Al et A2. A titre de variante, le circuit 20 peut recevoir directement une tension 5 redressée, le circuit redresseur pouvant alors ne pas être présent. Le potentiel au noeud A2 peut correspondre à un potentiel de référence bas Voff, par exemple 0 V, par rapport auquel sont référencées les tensions du circuit optoélectronique 20. Sauf indication contraire, les potentiels sont référencés dans la suite 10 de la description par rapport au potentiel de référence bas Voff. Un potentiel de référence haut, appelé Von, peut être fourni à partir de la tension d'alimentation VALIM- Le circuit optoélectronique 20 comprend N ensembles en série de diodes électroluminescentes élémentaires, appelés diodes 15 électroluminescentes globales Di dans la suite de la description, où i est un nombre entier variant de 1 à N et où N est un nombre entier compris entre 2 et 200. Chaque diode électroluminescente globale D1 à DN comprend au moins une diode électroluminescente élémentaire. De préférence, chaque diode électroluminescente 20 globale est composée de la mise en série et/ou en parallèle d'au moins deux diodes électroluminescentes élémentaires. Dans le présent exemple, les N diodes électroluminescentes globales Di sont connectées en série, la cathode de la diode électroluminescente globale Di étant reliée à l'anode de la diode 25 électroluminescente globale Di+1, pour i variant de 1 à N-1. L'anode de la diode électroluminescente globale D1 est reliée, de préférence connectée, au noeud Al. Les diodes électroluminescentes globales Di, i variant de 1 à N, peuvent comprendre le même nombre de diodes électroluminescentes élémentaires ou des nombres 30 différents de diodes électroluminescentes élémentaires. Le circuit optoélectronique 20 comprend une source de courant 22 dont une borne est reliée au noeud A2 et dont l'autre borne est reliée à un noeud A3. La source de courant 22 peut avoir une structure quelconque et peut notamment correspondre à une 35 impédance, par exemple une résistance. La cathode de la diode 3057135 B15372 - new alien 8 électroluminescente globale DN est reliée, de préférence connectée, au noeud A3. On appelle VSOURCE la tension aux bornes de la source de courant 22 et I SOURCE le courant circulant par la source de courant 22. Le circuit optoélectronique 20 peut 5 comprendre un circuit, non représenté, qui fournit une tension de référence pour l'alimentation de la source de courant, éventuellement obtenue à partir de la tension VALIm. La source de courant 22 peut être commandée de manière continue par un circuit externe au circuit optoélectronique 20. 10 Le circuit 20 comprend un dispositif 24 de commutation des diodes électroluminescentes globales Di, i variant de 1 à N. Selon un mode de réalisation, le dispositif 24 comprend : un circuit 26 de fourniture d'une tension de référence VREF ; 15 un circuit de commande 28 adapté à recevoir les tensions VSOURCE et VREF ; et N circuits de conduction SW1 à SWN, chaque circuit de conduction SWi, i variant de 1 à N, étant monté entre le noeud A3 et la cathode de la diode électroluminescente globale Di et étant 20 commandé par un signal Si fourni par le circuit de commande 28. Le circuit de conduction SWi est un circuit dont la résistance électrique équivalente varie entre une valeur maximale et une valeur minimale en fonction du signal Si. Selon un mode de réalisation, lorsque la résistance électrique équivalente du 25 circuit de conduction SWi est à la valeur maximale, le circuit de conduction SWi est sensiblement équivalent à un interrupteur ouvert. A titre de variante, du courant peut circuler au travers du circuit SWi même lorsque la résistance électrique équivalente du circuit de conduction SWi est la plus élevée. Pour i variant 30 de 1 à N, on appelle Ii le courant circulant dans le circuit de conduction SWi. Dans la suite de la description, on appelle Gi un noeud relié au circuit de conduction et recevant le signal Si. A titre de variante, le circuit de conduction SWN, qui protège la source de courant 22 des surtensions, peut ne pas être commandé 35 par le module de commande 28 et être toujours passant ou peut ne 3057135 B15372 - new alien 9 pas être présent et la cathode de la diode électroluminescente globale DN peut être connectée au noeud A3. Le circuit optoélectronique 20 peut, en outre, comprendre un circuit, non représenté, qui fournit une tension de référence pour 5 l'alimentation du dispositif de commutation 24, éventuellement obtenue à partir de la tension VAtim. Dans le présent mode de réalisation, le signal de commande Si de chaque circuit de conduction SWi est un signal qui peut varier de façon continue entre une première valeur et une 10 deuxième valeur, la résistance électrique équivalente du circuit de conduction SWi diminuant lorsque le signal Si varie de la première valeur à la deuxième valeur. Les premières et deuxièmes valeurs des signaux Si, i variant de 1 à N, peuvent ne pas être les mêmes pour tous les circuits de conduction SWi. De préférence, 15 le circuit de conduction SWi n'est sensiblement pas passant lorsque le signal Si est à la première valeur. Selon un mode de réalisation, chaque circuit de conduction SWi est, par exemple, à base d'au moins un transistor, notamment un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde ou 20 transistor MOS, à enrichissement ou à appauvrissement. Le signal Si est alors le potentiel à la grille du transistor SWi. Selon un mode de réalisation, chaque circuit de conduction SWi comprend un transistor MOS à enrichissement à canal N dont le drain est connecté à la cathode de la diode électroluminescente globale Di, 25 dont la source est reliée au noeud A3 et dont la grille est reliée au noeud Gi. Selon un autre mode de réalisation, le circuit de conduction SWi comprend deux transistors MOS, par exemple à canal N, entre la cathode de la diode électroluminescente globale Di et le noeud A3, le transistor connecté à la diode électroluminescente 30 globale Di étant un transistor haute tension monté en cascode et le transistor connecté au noeud A3 étant un transistor basse tension commandé par le signal Si. Ceci permet avantageusement d'augmenter la vitesse de commutation du circuit de conduction SWi. A titre de variante, chaque circuit de conduction peut 35 correspondre à un transistor autre qu'un transistor MOS, à un 3057135 B15372 - new alien 10 relai, à un microsystème électromécanique et de façon générale à tout élément dont la conductivité électrique peut être commandée en tension ou en courant de manière monotone. Selon un mode de réalisation, le circuit 26 de 5 fourniture de la tension de référence VREF est interne au circuit optoélectronique 20. A titre de variante, la tension de référence VREF est fournie au circuit optoélectronique 20 par un circuit externe au circuit optoélectronique 20 ou est obtenue à partir d'un signal de modulation fourni au circuit optoélectronique 20 10 par un circuit externe au circuit optoélectronique 20. A titre d'exemple, le circuit optoélectronique 20 peut comprendre une borne dédiée à la réception de la tension de référence VREF ou du signal de modulation à partir duquel la tension de référence VREF est obtenue. Selon un mode de réalisation, la tension de référence 15 VREF ou le signal de modulation peut être fourni par un variateur, notamment un variateur pouvant être actionné par un utilisateur ou un capteur de luminosité. La figure 4 représente un schéma électrique d'un mode de réalisation du circuit de commande 28. Le circuit de commande 20 28 comprend un amplificateur opérationnel à transconductance comprenant une paire différentielle 30 et des miroirs de courant 32, 34 et 36. Dans le présent mode de réalisation, le signal Si correspond au potentiel au noeud Gi. La paire différentielle 30 comprend un transistor Ti, 25 par exemple un transistor MOS à canal P, dont la source est reliée à borne d'une source de courant Idiff et dont la grille est commandée par la tension VSOURCE- L'autre borne de la source de courant Idiff peut être reliée à la source du potentiel de référence haut Von. La paire différentielle 30 comprend en outre 30 un transistor 12, par exemple un transistor MOS à canal P, dont la source est reliée à la source de courant Idiff et dont la grille est commandée par la tension VREF. On appelle II le courant au drain du transistor Ti et 12 le courant au drain du transistor 12. Selon un mode de réalisation, les transistors Ti et T2 ont 35 les mêmes caractéristiques. En particulier, le facteur de forme 3057135 B15372 - new alien 11 (W/L) du canal du transistor Ti est égal au facteur de forme du canal du transistor T2. On appelle facteur de forme du canal d'un transistor le rapport entre la largeur et la longueur du canal. Dans la suite de la description, on prend le facteur de forme du 5 canal du transistor T3 comme facteur de forme de référence. Le miroir de courant 32 comprend un transistor T3, par exemple un transistor MOS à canal N, dont le drain est relié, de préférence connecté, au drain du transistor Ti, dont la source est reliée, de préférence connectée, à la source du potentiel de 10 référence bas Voff, par exemple le noeud A2, et dont la grille est reliée au drain. Le miroir de courant 32 comprend un transistor 14, par exemple un transistor MOS à canal N, dont la source est reliée, de préférence connectée, à la source du potentiel de référence bas Voff et dont la grille est reliée à la grille du 15 transistor T3. Selon un mode de réalisation, les transistors T3 et 14 ont les mêmes caractéristiques. En particulier, le facteur de forme du canal du transistor T3 est égal au facteur de forme du canal du transistor 14. Le courant circulant dans le transistor 14 est donc égal à II circulant dans T3. 20 Le miroir de courant 34 comprend un transistor T5, par exemple un transistor MOS à canal P, dont le drain est relié, de préférence connecté, au drain du transistor 14, dont la source est reliée, de préférence connectée, à la source du potentiel de référence haut Von, et dont la grille est reliée au drain. Le 25 miroir de courant 34 comprend en outre pour chaque circuit de conduction SWi, i variant de 1 à N, un transistor Tsup-i' par exemple un transistor MOS à canal P, dont la source est reliée, de préférence connectée, à la source du potentiel de référence haut Von, dont la grille est reliée à la grille du transistor T5 30 et dont le drain est relié, de préférence connecté au noeud Gi. Selon un mode de réalisation, les transistors Tsup-i peuvent ne pas avoir les mêmes caractéristiques les uns par rapport aux autres et par rapport au transistor T5. On appelle Rsup_i le rapport entre le facteur de forme de canal du transistor Tsup-i 35 et le facteur de forme de canal du transistor T5. En particulier, 3057135 B15372 - new alien 12 Rsup-i peut être différent de Rsup_j, avec i différent de j. On appelle IGi le courant au drain du transistor Tsup-i- Le miroir de courant 36 comprend un transistor T6, par exemple un transistor MOS à canal N, dont le drain est relié, de 5 préférence connecté, au drain du transistor T2, dont la source est reliée, de préférence connectée, à la source du potentiel de référence bas Voff, et dont la grille est reliée au drain. Le miroir de courant 36 comprend en outre pour chaque circuit de conduction SWi, i variant de 1 à N, un transistor MOS Tinf-i' par 10 exemple à canal N, dont la source est reliée, de préférence connectée, à la source du potentiel de référence bas Voff, dont la grille est reliée à la grille du transistor T6 et dont le drain est relié, de préférence connecté au noeud Gi. Selon un mode de réalisation, les transistors Tinf-i peuvent ne pas avoir les mêmes 15 caractéristiques les uns par rapport aux autres et par rapport au transistor T6. On appelle Rinf_i le rapport entre le facteur de forme du canal du transistor Tinf-i et le facteur de forme du canal du transistor T6. En particulier, Rinf_i peut être différente de Rinf_j, avec i différent de j. On appelle IG'i le 20 courant au drain du transistor Tinf-i- Pour i variant de 1 à N, on appelle RatioPNi le rapport entre le facteur de forme du canal du transistor Tsup-i et le facteur de forme largeur du canal du transistor Tinf-i' c'est-à-dire le rapport entre Rsup_i et Rinf-i- Selon un mode de 25 réalisation, le rapport RatioPNi est strictement supérieur au rapport RatioPNi pour i strictement supérieur à j. Selon un mode de réalisation, pour i variant de 1 à N, le rapport RatioPNi peut varier entre 1/N et N. Selon un mode de réalisation, l'écart entre les rapports RatioPNi et RatioPNi+1 est supérieur strictement à 30 1/(N-1)-1/N. Afin d'expliquer le fonctionnement du circuit optoélectronique 20, il va être considéré dans un premier temps un circuit de commande ayant une structure simplifiée. La figure 5 représente un schéma électrique d'un circuit 35 de commande 40 comprenant l'ensemble des éléments du circuit de 3057135 B15372 - new alien 13 commande 28 représenté en figure 4 à la différence qu'un seul circuit de conduction SWi est présent et que les diodes électroluminescentes ne sont pas présentes. Considérons dans un premier temps que les rapports 5 Rsup-i et Rinf_i sont égaux à 1. Dans ce cas, le courant IGi est égal au courant II et le courant IG'i est égal au courant 12. A l'équilibre, la tension VSOURCE est égale à la tension VREF, les courants I1, 12, IGi et IG'i sont égaux à Idiff/2 et le potentiel au noeud Gi est égal à la somme de la tension VSOURCE et de la 10 tension grille-source du transistor SWi. Lorsque la tension VSOURCE devient supérieure à la tension VREF, le transistor Ti conduit moins que le transistor 12, de sorte que le courant II devient inférieur au courant 12. Le courant IGi diminue par rapport au courant IG'i. En raison de la capacité du noeud Gi, 15 ceci entraîne une diminution de la tension à la grille du transistor SWi. Le transistor SWi devient donc moins passant et la tension VSOURCE diminue jusqu'à ce qu'elle soit de nouveau égale à Vref. Lorsque la tension VSOURCE devient inférieure à la tension VREF, le transistor Ti conduit davantage que le transistor 20 12, de sorte que le courant II devient supérieur au courant 12. Le courant IGi augmente par rapport au courant IG'i. En raison de la capacité du noeud Gi, ceci entraîne une augmentation de la tension à la grille du transistor SWi. Le transistor SWi devient donc davantage passant et la tension VSOURCE s'élève jusqu'à ce 25 qu'elle soit de nouveau égale à Vref. Le circuit de commande 40 asservit donc la tension VSOURCE à la tension VREF. Considérons maintenant que le rapport entre Rsup_i et Rinf_i n'est pas égal à 1. Le raisonnement précédent reste valable à la différence que, à l'équilibre, le courant II est égal à 30 Rinf_i*Idiff/(Rinf_i + Rsup_i), le courant 12 est égal à sup-1 '*Idiff/(Rinf-i Rsup-i), les courants IGi et IG'i sont égaux à Rinf_i *Rsup-i*Idiff/(Rinf-i Rsup-i) et il y a une tension de décalage OFFSETi entre la tension VSOURCE et la tension VREF- La tension de décalage OFFSETi est proportionnelle à la 35 différence entre les courants II et 12 et inversement 3057135 B15372 - new alien 14 proportionnelle à la conductance de la paire différentielle. La tension de décalage OFFSETi dépend donc du rapport RatioPNi. Pour les mêmes raisons que celles décrites précédemment, une variation de la tension VSOURCE par rapport à sa valeur à l'équilibre 5 entraîne une variation de la tension à la grille du transistor SWi qui tend à ramener la tension VSOURCE à sa valeur à l'équilibre. Le circuit de commande 40 asservit donc la tension VSOURCE à la tension VREF diminuée de la tension de décalage OFFSETi. 10 Considérons maintenant à nouveau le circuit optoélectronique 20 représenté en figure 4. Le circuit de commande 28 fournit les signaux Si à SN à des valeurs adaptées pour modifier la conduction des circuits de conduction SW1 à SWN pour que la tension VSOURCE soit asservi à la tension de référence VREF à une 15 tension de décalage OFFSET près qui peut varier selon le point de fonctionnement du circuit optoélectronique. Un avantage du dispositif de commutation 24 est qu'il a une consommation de courant réduite. Selon un mode de réalisation, dans le cas où chaque circuit de conduction SWi comprend un transistor MOS dont 20 la grille reçoit le signal Si, le circuit de commande 28 asservit la tension VSOURCE à la tension de référence VREF à une tension de décalage OFFSET près en commandant les grilles des transistors SWi. Dans une phase ascendante de la tension d'alimentation 25 VALIM, alors que les diodes électroluminescentes Di à Di_i sont passantes, que les diodes électroluminescentes Di à DN sont bloquées, que les signaux Si à Si_2 sont à Voff, que les signaux Si à SN sont à Von et que le signal Si_i est à une tension égale à VREF- OFFSETi_i+VGsi_i permettant au seul switch SWi_i d'imposer 30 le courant I SOURCE dans les diodes électroluminescentes, lorsque la tension aux bornes de la diode électroluminescente globale Di devient supérieure à la tension de seuil de la diode électroluminescente globale Di, celle-ci devient passante et un courant commence à circuler dans la diode électroluminescente 35 globale Di et le switch SWi. Ceci se traduit par une diminution 3057135 B15372 - new alien 15 temporaire de l'impédance totale équivalente entre les noeuds AI et A3, et donc une augmentation temporaire de la tension VSOURCE- Comme cela a été décrit précédemment, l'augmentation de la tension VSOURCE entraîne une diminution du courant Ii traversant le 5 transistor Ti de la paire différentielle 30. De ce fait, le courant reproduit par chaque transistor Tsup-i diminue pour i variant de 1 à N. Etant donné qu'il existe une capacité équivalente à chaque noeud Gi, 1 variant de 1 à N, pouvant correspondre à un condensateur distinct ou à une capacité parasite d'un autre 10 composant électronique, et que le rapport RatioPNi_i associé aux transistors Tsup-i-1 et Tinf-i-1 reliés au noeud Gi_i est inférieur aux rapports RatioPNi à RatioPNN, la tension au noeud Gi_i diminue jusqu'à atteindre sensiblement le potentiel Voff tandis que la tension au noeud Gi diminue également jusqu'à son 15 point d'équilibre, permettant au switch SWi d'imposer seul la tension VSOURCE à VREF-OFFSETi. L'interrupteur SWi_i s'ouvre donc et simultanément l'interrupteur SWi devient de moins en moins passant. Tout le courant circule alors dans l'interrupteur SWi. Le module de commande 28 asservit alors la tension VSOURCE à la SOURCE 20 tension VREF diminuée de OFFSETi par le circuit de conduction SWi, la tension de décalage OFFSETi entre les tensions VSOURCE à la tension VREF étant plus faible que la tension de décalage OFFSETi_ I. Dans le cas où chaque circuit de conduction SWi comprend un transistor MOS dont la grille reçoit le signal Si, ceci signifie 25 que la tension à la grille du transistor SWi_i diminue et le transistor SWi_i devient de moins en moins passant jusqu'à atteindre son état non passant. A l'équilibre, le potentiel au noeud Gi est égal à la somme de la tension VSOURCE et de la tension grille-source du transistor SWi. 30 Dans une phase descendante de la tension d'alimentation VALIM, alors que les diodes électroluminescentes Di à Di sont passantes, que les diodes électroluminescentes Di+1 à DN sont bloquées, que les signaux Si à Si_i sont à Voff, que les signaux Si+1 à SN sont à Von et que le signal Si est à une tension égale 35 à VREF- OFFSETi+VGSi permettant au seul switch SWi d'imposer le 3057135 B15372 - new alien 16 courant I SOURCE dans les diodes électroluminescentes lorsque la tension aux bornes de la diode électroluminescente globale Di diminue et devient inférieure à la tension de seuil de la diode électroluminescente globale Di, celle-ci commence à se bloquer. 5 Ceci se traduit par une augmentation temporaire de l'impédance totale équivalente entre les noeuds Al et A3, et donc une diminution temporaire de la tension VSOURCE. Comme cela a été décrit précédemment, la diminution de la tension VSOURCE entraîne une augmentation du courant Il traversant le transistor Ti de la 10 paire différentielle 30. De ce fait, le courant reproduit par chaque transistor Tsup_i augmente. Etant donné qu'il existe une capacité équivalente à chaque noeud Gi, et que le rapport RatioPNi de la branche i est supérieur au rapport RatioPN1 à RatioPNi-1, la tension au noeud Gi augmente jusqu'à atteindre sensiblement le 15 potentiel Von tandis que la tension au noeud Gi_i augmente également jusqu'à son point d'équilibre permettant au switch SWi-1 d'imposer seul la tension VSOURCE à VREF- OFFSETi_i. L'interrupteur SWi se ferme donc totalement et l'interrupteur SWi_i devient de plus en plus passant. Tout le courant circule alors dans 20 l'interrupteur SWi_i. Le module de commande 28 asservit alors la tension VSOURCE à la tension VREF diminuée de OFFSETi_l par le circuit de conduction SWi_l, la tension de décalage OFFSETi-1 étant plus élevée que la tension de décalage OFFSETi. Dans le cas où chaque circuit de conduction SWi comprend un transistor MOS 25 dont la grille reçoit le signal Si, ceci signifie que la tension à la grille du transistor SWi_i augmente et que le transistor SWi_ 1 devient de plus en plus passant et le transistor SWi atteint son état complètement passant. Un avantage du présent mode de réalisation est que le 30 circuit de commande 28 ne comprend pas de machines à nombre fini d'états et que l'ordre de commande des circuits de conduction SWi est imposé par les différences entre les rapports RatioPNi. De façon avantageuse, le mode de réalisation du procédé de commande des interrupteurs SWi décrit précédemment ne dépend 35 pas du nombre de diodes électroluminescentes élémentaires qui 3057135 B15372 - new alien 17 composent chaque diode électroluminescente globale Di et donc ne dépend pas de la tension de seuil de chaque diode électroluminescente globale. En considérant que les diodes D1 à Di sont passantes et 5 que les diodes électroluminescentes globales Diil à DN sont bloquées, la tension de décalage OFFSETi diminuant avec l'indice i, la tension à laquelle se stabilise à la tension VSOURCE augmente avec l'indice i. De ce fait, le courant ISOURCE circulant dans les diodes électroluminescentes globales D1 à Di augmente avec 10 l'indice i. On obtient ainsi une augmentation par paliers du courant I SOURCE avec la tension VALIm. De façon avantageuse, le facteur de puissance du circuit optoélectronique est ainsi augmenté. Selon un autre mode de réalisation, le circuit 26 de 15 fourniture de la tension de référence VREF est adapté à modifier la valeur de la tension de référence VREF parmi plusieurs valeurs en fonction d'un signal de commande fourni par le module de commande 28. Selon un mode de réalisation, en considérant que les diodes D1 à Di sont passantes et que les diodes 20 électroluminescentes globales Diil à DN sont bloquées, le circuit 26 est commandé pour augmenter la valeur de la tension de référence VREF avec l'indice i. La tension à laquelle se stabilise à la tension VSOURCE augmente alors avec l'indice i, indépendamment de l'augmentation décrite précédemment due à la variation de la 25 tension de décalage OFFSETi. De ce fait, le courant I SOURCE circulant dans les diodes électroluminescentes globales D1 à Di augmente avec l'indice i. On obtient ainsi une augmentation par paliers du courant ISOURCE avec la tension VALIm. De façon avantageuse, le facteur de puissance du circuit optoélectronique 30 est ainsi augmenté. Selon un autre mode de réalisation, la source de courant 22 est adaptée à fournir un courant I SOURCE dont l'intensité peut prendre plusieurs valeurs en fonction d'un signal de commande fourni par le module de commande 28. Selon un mode de réalisation, 35 en considérant que les diodes D1 à Di sont passantes et que les 3057135 B15372 - new alien 18 diodes électroluminescentes globales Di+1 à DN sont bloquées, la source de courant 22 est commandée pour augmenter l'intensité du courant I SOURCE avec l'indice i. façon avantageuse, le facteur de puissance du circuit optoélectronique est ainsi augmenté. 5 La tension de décalage OFFSETi pour i donné peut être constante ou varier en fonction de la température, soit en augmentant lorsque la température augmente, soit en diminuant lorsque la température augmente. Dans le cas où la source de courant 22 est une résistance et que la tension de décalage OFFSETi 10 diminue lorsque la température augmente, une augmentation de la température se traduit par une diminution du courant I SOURCE et donc une diminution de la puissance thermique fournie par le circuit optoélectronique 20. On obtient ainsi une protection du circuit optoélectronique 20 contre un emballement thermique. 15 La figure 6 représente des chronogrammes, obtenus par simulation, de la tension VAtim, du courant I SOURCE, des tensions VSOURCE et VREF, des tensions Si, S2, S3 et S4 et des courants Ii, 12, 13 et 14 dans le cas où la tension VAtim est obtenue à partir d'une tension VIN sinusoïdale et dans le cas où N est égal 20 à 4. Pour l'obtention des courbes représentées en figure 6, le rapport RatioPN1 était égal à 1/4, le rapport RatioPN2 était égal à 1/3, le rapport RatioPN3 était égal à et le rapport RatioPN4 était égal à 1 et l'intensité du courant fourni par la source de courant Idiff était égale à 20 11A. 25 Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. Bien que des modes de réalisation détaillés aient été décrits dans lesquels l'état de conduction le moins conducteur électriquement de chaque circuit de conduction SWi correspond à 30 un état non passant, il est clair que ces modes de réalisation peuvent également être mis en oeuvre avec un circuit de conduction SWi pour lequel l'état le moins conducteur électriquement correspond néanmoins à un état dans lequel du courant circule au travers du circuit SWi, par exemple un courant dont l'intensité 35 est inférieure ou égale à la limite théorique qui est l'intensité 3057135 B15372 - new alien 19 maximale induisant une puissance dans le circuit de conduction SWi pouvant être dissipée sans causer de dysfonctionnement de celui-ci. En outre, dans les modes de réalisation décrits 5 précédemment, chaque transistor Tsup-i est adapté à recopier le courant II multiplié par le facteur de recopie Rsupi et chaque transistor Tinf-i est adapté à recopier le courant 12 multiplié par le facteur de recopie Rinfi. A titre de variante, chaque transistor Tinf-i peut être adapté à recopier un courant de 10 référence, par exemple un courant constant, et chaque transistor Tsup i est adapté à recopier le courant II multiplié par le facteur de recopie Rsupi. A titre de variante, chaque transistor Tsup-i peut être adapté à recopier un courant de référence, par exemple un courant constant, et chaque transistor Tinf-i est adapté à 15 recopier le courant 12 multiplié par le facteur de recopie Rinfi. Il peut ainsi également être obtenu des rapports RatioPNi différents pour chaque circuit de conduction SWi et des tensions de décalage tension de décalage OFFSETi différentes pour les circuit de conduction SWi. REVENDICATIONS1. Circuit optoélectronique (20) destiné à recevoir une tension variable (VALIM) contenant une alternance de phases croissantes et décroissantes, le circuit optoélectronique comprenant : des ensembles de diodes électroluminescentes (Di) montés en série ; un noeud (A3) relié à chaque ensemble (Di) par un circuit de conduction (SWi) dont la conductance électrique varie en fonction d'un signal de commande (Si) ; et un circuit de commande (28) relié à chaque circuit de conduction et adapté à fournir chaque signal de commande à partir de la comparaison d'une première tension (V SOURCE) audit noeud à au moins une deuxième tension (VREF), le circuit de commande comprenant un amplificateur de différence (30) et autant d'étages de sortie que de circuits de conduction, le circuit de commande étant adapté à asservir la première tension à la deuxième tension décalée d'une troisième tension, différente pour chaque étage de sortie. 2. Circuit optoélectronique selon la revendication 1, dans lequel l'amplificateur de différence (30) est adapté à fournir un premier courant (Ii) et un deuxième courant (I2), le circuit de commande (28) comprenant un premier miroir de courant à plusieurs sorties (32, 34) adapté à recopier, pour chaque circuit de conduction, le premier courant ou un troisième courant multiplié par un premier facteur de recopie, et un deuxième miroir de courant à plusieurs sorties (36) adapté à recopier, pour chaque circuit de conduction, le deuxième courant ou le troisième courant multiplié par un deuxième facteur de recopie, le rapport entre le premier facteur de recopie et le deuxième facteur de recopie étant différent pour chaque circuit de conduction. 3. Circuit optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les ensembles de diodes électroluminescentes (Di) sont classés par rangs croissants d'un premier ensemble à une première extrémité de la série à un dernier ensemble à une deuxième 3057135 B15372 - new alien 21 extrémité de la série et dans lequel, pour chaque circuit de conduction (SWi), le circuit de commande est adapté à asservir la première tension à la deuxième tension diminuée d'une troisième tension qui est décroissante avec le rang de l'ensemble (Di) 5 auquel est relié le circuit de conduction (SWi). 4. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel l'amplificateur de différence (30) comprend une paire différentielle comprenant un premier transistor (Ti) recevant la première tension ni SOURCE) et un 10 deuxième transistor (T2) recevant la deuxième tension (VREF)- 5. Circuit optoélectronique selon la revendication 4, dans lequel le premier transistor (Ti) est un transistor MOS dont la grille reçoit la première tension (VSOURCE) et dans lequel le deuxième transistor (12) est un transistor MOS dont la grille 15 reçoit la deuxième tension (VREF)- 6. Circuit optoélectronique selon la revendication 2, comprenant, pour chaque circuit de conduction (SWi), un condensateur relié au circuit de conduction ou intégré au circuit de conduction, le premier miroir de courant (34) comprenant un 20 circuit (Tsup-i) de charge du condensateur et le deuxième miroir de courant (36) comprenant un circuit de décharge (Tinf-i) du condensateur. 7. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel chaque circuit de conduction 25 (SWi) comprend un transistor MOS. 8. Circuit optoélectronique selon la revendication 7 dans son rattachement à la revendication 6, dans lequel le premier miroir de courant (34) comprend, pour chaque circuit de conduction (SWi), un premier bloc de recopie (Tsup-i) relié à la grille du 30 transistor MOS du circuit de conduction et adapté à fournir le premier courant multiplié par le premier facteur de recopie et dans lequel le deuxième miroir de courant (34) comprend, pour chaque circuit de conduction (SWi), un deuxième bloc de recopie (Tsup-i) relié à la grille du transistor MOS du circuit de 3057135 B15372 - new alien 22 conduction et adapté à fournir le deuxième courant multiplié par le deuxième facteur de recopie. 9. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant une source de courant (22) reliée 5 audit noeud (A3). 10. Circuit optoélectronique selon la revendication 9, dans lequel la source de courant (22) comprend au moins une résistance. 11. Circuit optoélectronique selon la revendication 9 10 dans son rattachement à la figure 3, dans lequel la source de courant (22) est adaptée à fournir un courant qui augmente avec le rang de l'ensemble (Di) auquel est relié le circuit de conduction (SWi). 12. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des 15 revendications 1 à 11, dans lequel la troisième tension varie en fonction de la température.