FR 3041210 A1 20170317 FR 1558625 A 20150915 1 DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne le domaine de l'assemblage de pièces et plus particulièrement des composants électroniques. ARRIERE PLAN DE L'INVENTION Il est connu d'assembler un composant électronique, tel qu'un condensateur multicouche en céramique, par brasage, notamment au plomb, sur un substrat en silicium. Cette technique d'assemblage met en oeuvre des températures 10 inférieures à la température de fusion des éléments à assembler. De telles températures permettent de réduire l'impact de la chaleur sur les éléments à assembler, comme par exemple une dégradation de leurs propriétés mécaniques ou une oxydation. De tels procédés de brasage se prêtent 15 bien à des modes de production automatisés. Lorsqu'un assemblage électronique est soumis à des variations de température de forte amplitude (de l'ordre d'au moins 150°C, par exemple -65°C / +250°C), l'assemblage est soumis à de fortes variations de contraintes mécaniques 20 en raison des différences de dilatation thermique entre les matériaux utilisés. Lorsque ce phénomène se produit de façon cyclique, l'assemblage est exposé à de l'usure par fatigue. Parmi les brasures couramment utilisées dans le 25 domaine de l'électronique, les brasures utilisant des alliages au plomb sont les plus résistantes aux cycles thermiques de grande amplitude. Cependant, le plomb est hautement toxique pour l'homme comme pour l'environnement et sa mise en oeuvre est désoLmais interdite. 30 Alternativement aux brasures contenant du plomb, il est connu de réaliser des assemblages de composants mettant en oeuvre des liaisons en métal fritté sous pression qui résistent aux cycles thermiques de grande amplitude. Dans ce mode d'assemblage, une poudre métallique est déposée 35 entre deux éléments à assembler et l'ensemble ainsi formé 3041210 2 est mis sous pression puis chauffé à une température modérée de l'ordre de 240°C. L'assemblage par frittage permet de former, entre les éléments assemblés, des joints d'attache dont les 5 points de fusion sont bien plus élevés que ceux des alliages utilisés couramment pour les brasures. Généralement, plus le point de fusion du joint d'attache est élevé, meilleures sont ses propriétés mécaniques, notamment sa résistance à la fatigue. Toutefois, lors d'un assemblage par frittage, il peut se former des vides entre les grains constituant le joint de métal fritté. Ces vides sont des lacunes de matériau ayant des dimensions de l'ordre du micromètre. Si la porosité (rapport entre le volume des vides et le volume total d'un milieu poreux) d'un joint réalisé par frittage est excessive, sa résistance aux cycles thermiques de grande amplitude sera faible et des défaillances surviendront au bout d'un nombre limité de cycles. Au cours d'un frittage sous pression, la pression 20 appliquée lors du chauffage de la poudre permet d'obtenir une densification du joint en métal fritté, c'est-à-dire une réduction du nombre et de la taille des lacunes dans le joint qui offre donc une résistance en fatigue satisfaisante. La densification s'accompagne généralement 25 d'une réduction de la taille de l'assemblage. La nécessité de mettre l'assemblage sous pression interdit cependant d'utiliser les procédés de frittage sous pression pour des composant délicats et fragiles, comme par exemple des résistances ou des thermistances formées d'oxydes 30 métalliques pouvant être cassants. Par ailleurs, le frittage sous pression est difficilement industrialisable car l'application simultanée d'une pression identique sur tous les composants d'un circuit électronique est délicate à mettre en oeuvre surtout lorsque les composants ne 35 présentent pas tous la même hauteur. Un frittage sous 3041210 3 pression réalisé composant par composant serait quant à lui long et coûteux. Il a été envisagé de réaliser des assemblages de métal fritté sans pression, mettant notamment en oeuvre des 5 pâtes à fritter. Cependant, en l'absence de pression, les joints obtenus avec ce mode d'assemblage sont de faible densité, poreux et offrent une faible résistance à la fatigue - notamment lorsqu'ils sont soumis à des cycles thermiques de grande amplitude. En effet, il a été constaté 10 qu'une microstructure poreuse favorise les concentrations de contraintes. Or, les fissures se propagent d'autant plus vite dans un milieu que les contraintes dans celui-ci sont élevées. OBJET DE L'INVENTION 15 Un but de l'invention est de proposer un procédé d'assemblage de composants électroniques améliorant la résistance de l'assemblage aux cycles thermiques de grande amplitude. RESUME DE L'INVENTION A cet effet, on prévoit, selon l'invention, un procédé d'assemblage par frittage métallique sans pression d'un premier élément avec un deuxième élément, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) une étape de préparation au cours de laquelle un 25 matériau de frittage comprenant des particules de métal est disposé à une interface de jonction du premier et du deuxième élément ; b) une étape de pré-frittage au cours de laquelle l'assemblage constitué par le premier élément, le deuxième 30 élément et le matériau de frittage est chauffé pendant une première durée supérieure à cinq minutes à une première température supérieure à 200°C et strictement inférieure à la température d'activation de la diffusion aux joints de grains ; 35 c) une étape de densification au cours de laquelle l'assemblage est chauffé pendant une deuxième durée à une 3041210 4 deuxième température supérieure ou égale à la température d'activation de la diffusion aux joints de grains . On obtient alors un assemblage à l'aide d'un joint densifié sans application d'un effort sur les pièces, 5 permettant donc d'assembler des pièces délicates et/ou fragiles. L'assemblage obtenu de la sorte offre une résistance satisfaisante aux sollicitations thermomécaniques. Un tel procédé permet une mise en oeuvre industrielle plus facile et plus rapide par rapport au 10 frittage sous pression. La détermination de la température d'activation de la diffusion aux joints de grains peut se faire par une étude dilatométrique, conformément à ce qui est décrit dans la description détaillée de l'invention. 15 Avantageusement, les particules de métal sont des particules d'argent, de cuivre ou d'or. Ceci permet de mettre à profit les spécificités propres à chaque métal (corrosion, conductivité, coût...). Selon un mode particulier de réalisation, le 20 procédé comprend également une étape de relaxation postérieure à l'étape de densification et au cours de laquelle l'assemblage est étuvé pendant une troisième durée à une température comprise entre 0,3Tf et 0,5Tf, où Tf est la température de fusion du matériau de frittage en degrés Kelvins. Cette étape permet de libérer les contraintes internes en réduisant les concentrations de contrainte de l'assemblage et améliore ainsi sa tenue en fatigue. D'autres caractéristiques et avantages ressortiront 30 à la lecture de la description qui suit de modes de mise en oeuvre particuliers non limitatifs de l'invention. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS Il sera fait référence aux dessins annexés parmi lesquels : 3041210 5 - la figure 1 est une représentation graphique de l'évolution de la vitesse de rétreint d'un matériau de frittage en fonction de la température ; - la figure 2 est une représentation schématique en 5 coupe transversale d'une première étape du procédé de l'invention ; - la figure 3 est une vue identique à la figure 2 d'une deuxième étape du procédé de l'invention ; - la figure 4 est un logigramme présentant les 10 différentes étapes du procédé selon l'invention ; DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION En préambule à la description qui suit d'un mode de mise en oeuvre du procédé selon l'invention, va être décrit un exemple de détermination de la température d'activation 15 de la diffusion aux joints de grains Tt pour un matériau de frittage donné, ici une pâte à fritter 51 comprenant des particules métalliques. Après avoir été séché pour s'assurer de l'évacuation des solvants qu'il contient, un échantillon du 20 matériau de frittage est introduit dans un dilatomètre, ici sous la forme d'une pastille de deux millimètres de hauteur et de six millimètres de diamètre. Un chauffage selon une rampe de température, ici de 30°C par minute, démarrant à température ambiante est appliqué à l'échantillon. Au cours 25 de l'échauffement de l'échantillon, sa variation de hauteur - ici un rétreint - est mesurée. Par le terme « rétreint », on désigne la contraction de l'échantillon de poudre au cours de son échauffement. On établit alors une courbe donnant la vitesse de rétreint (obtenue par la dérivée par rapport au temps de la valeur mesurée du rétreint) en fonction de la température. La température d'activation de la diffusion aux joints de grains Tt est définie comme la plus faible température pour laquelle on observe une vitesse de rétreint d'au moins 20pm/min pour un échantillon de deux millimètres de hauteur. 3041210 6 Le dépassement de la température d'activation de la diffusion aux joints de grains Tt pendant l'étape de densification permet de s'assurer que la diffusion de l'argent aux joints de grains est activée. Cela permet 5 d'améliorer la fiabilité de l'assemblage. Pour un matériau de frittage à base d'argent, la température Tt est comprise entre 340°C et 360°C. Il est à noter que la température Tt peut varier en fonction de la taille et de la géométrie des particules métalliques. Pour 10 un matériau de frittage à base d'or ou de cuivre, la température Tt est nettement supérieure à 340°C. En référence à la figure 2, le procédé d'assemblage va être décrit en application à l'assemblage d'un premier élément, ici un condensateur multicouche en céramique 15 (aussi désigné MLCC de l'anglais « Multi Layers Ceramic Capacitor »), généralement désigné 10, sur un deuxième élément, ici un substrat 20 rigide en alumine ayant la forme d'une plaque et pourvu d'une couche de métallisation 21 en argent. 20 Le condensateur 10 est de forme sensiblement parallélépipédique et comprend deux surfaces périphériques 1 et 2 respectivement pourvues d'une couche 3 et 4 de métallisation en argent. Les surfaces 1 et 2 du condensateur 10 définissent, 25 avec des zones 22 et 23 correspondant à la projection des surfaces 1 et 2 du condensateur 10 sur le substrat 20, deux interfaces 30 et 31 de jonction du condensateur IO et du substrat 20. Selon une première étape 40 de préparation, on 30 dispose des plots 50.1 et 50.2 de pâte à fritter 51 respectivement aux interfaces 30 et 31 de jonction du condensateur 10 et du substrat 20. Les plots 50.1 et 50.2 recouvrent au moins les interfaces 30, 31 et ont une épaisseur comprise entre un micron et un millimètre. On 35 obtient alors un assemblage 52 constitué de l'empilement du condensateur 10, des plots 50.1 et 50.2 de pâte à fritter 3041210 7 51, et du substrat 20. Au sens de la présente demande, une pâte à fritter métallique est constituée d'une poudre métallique et d'un ou plusieurs solvants liquides ou pâteux. Une pâte à 5 fritter métallique est dite micrométrique lorsque les particules qu'elle contient ont une plus grande dimension inférieure ou égale à un micromètre. Une pâte à fritter métallique est dite nanométrique lorsque les particules qu'elle contient ont une plus grande dimension inférieure 10 ou égale à un nanomètre. La pâte à fritter 51 comprend ici des particules micrométriques d'argent. Dans les étapes qui suivent du procédé selon l'invention, aucune pression en sus de celle provoquée par le poids du condensateur 10 n'est exercée sur les plots 15 50.1, 50.2 de pâte à fritter 51. En tout état de cause, le procédé d'assemblage par frittage sans pression selon l'invention implique que la pression appliquée par un élément autre que les éléments constituants l'assemblage fabriqué (pomme une presse par exemple) sur le matériau de 20 frittage soit inférieure à 0,5 Newton par millimètre carré. Selon une deuxième étape 41 de pré-frittage, l'assemblage 52 est chauffé pendant une première durée D1 d'une heure à une première température T1 comprise entre 200°C et 300°C, c'est-à-dire une température strictement 25 inférieure à la température de transition Tt et supérieure à 180°C. Au cours de l'étape 41 de pré-frittage, la température T1 peut varier tant qu'elle demeure inférieure à la température Tt. Au cours de cette étape, l'autodiffusion de surface prédomine par rapport aux autres 30 modes d'autodiffusion. préalablement à l'étape 41, il est possible de chauffer progressivement l'assemblage 52 de la température ambiante à la température Tl. Il est également possible de procéder à un échauffement quasi-instantané de l'assemblage 52 en l'introduisant dans une enceinte 35 préchauffée à la première température Tl. L'étape 41 de pré-frittage a pour but de réaliser une consolidation 3041210 8 préalable de l'assemblage 52 en créant une cohésion entre le condensateur 10, la pâte à fritter 51 et le substrat 20. L'étape 41 permet également de solidifier l'assemblage avant l'étape de densification. En effet, la densification 5 produit un rétreint brutal qui peut provoquer la fissuration des joints d'attache et la décohésion des métallisations et du joint d'attache. L'ajout de l'étape de pré-frittage 41 améliore donc considérablement la fiabilité de l'électronique ainsi assemblée. 10 On procède alors à une troisième étape 42 de densification au cours de laquelle l'assemblage 52 est chauffé à une deuxième température T2 comprise entre 450°C et 550°C pendant une deuxième durée D2 de quarante-cinq minutes. Lors de cette étape, l'autodiffusion aux joints de 15 grains et/ou l'autodiffusion en volume prédominent par rapport à l'autodiffusion de surface. Au cours de l'étape 42 de densification, la température T2 peut varier tant qu'elle demeure supérieure à la température Tt et inférieure à la température de fusion du matériau de 20 frittage, ici la température de fusion de l'argent de 961,8 °C. La transition entre l'étape 41 et l'étape 42 peut se faire en chauffant progressivement l'assemblage 52 de la température T1 à la température T2. Il est également possible de procéder au passage quasi-instantané de 25 l'assemblage 52 depuis la première température T1 jusqu'à la deuxième température T2 en l'introduisant dans une enceinte préchauffée à la deuxième température T2. L'étape 41 de pré-frittage réalise une consolidation de l'assemblage 52 qui lui permet de résister 30 au rétreint se produisant pendant l'étape 42 de densification. Avantageusement, le profil thermique de l'étape 41 est choisi de sorte à obtenir une augmentation du volume des grains et/ou des porosités comprise entre 0% et 100%. 35 En d'autres termes, le profil thermique de l'étape 41 est choisi afin que le volume final (en fin d'étape 41) des 3041210 9 grains ne dépasse pas le double de leur volume initial. Il en va de même pour les porosités dont le volume final ne doit pas dépasser le double de leur volume initial. Une telle étape 41 de pré-frittage permettra une efficacité 5 accrue de l'étape 42 de densification. Selon une quatrième étape 43 de relaxation, l'assemblage est étuvé à une troisième température T3 d'environ 300°C pendant une troisième durée de douze heures. 10 Cette quatrième étape 43 de relaxation est facultative et a pour but de relâcher les contraintes internes thermomécaniques créées lors des étapes précédentes. Il est à noter que le procédé d'assemblage de l'invention donne des résultats satisfaisants même en 15 l'absence de l'étape de relaxation 43. Au sens de la présente demande, l'étuvage est une opération au cours de laquelle on maintient un objet à une température de consigne constante, c'est-à-dire dont la variation est au maximum de dix pourcent de la valeur de la 20 température de consigne. Selon un deuxième mode de réalisation, on ajoute une étape intermédiaire 44 de déliantage entre la première étape 40 d'assemblage et la deuxième étape 41 de pré-frittage (représentée en pointillés sur la figure 3). Au 25 cours de cette étape 44 de déliantage, l'assemblage 52 est étuvé à une quatrième température T4 comprise entre 50°C et 120°C pendant une durée comprise entre 5 minutes et 45 minutes. L'étape 44 de déliantage a pour but de purger la pâte à fritter 51 des solvants qu'elle contient par 30 évaporation, sublimation et/ou combustion. L'étape de déliantage 44 est facultative et le procédé d'assemblage de l'invention donne des résultats satisfaisants même en l'absence d'une étape de déliantage 44. 35 Selon un troisième mode de réalisation, il est possible d'ajouter une étape 45 de temps mort située entre 3041210 10 la deuxième étape 41 de pré-frittage et la troisième étape 42 de densification. Au cours de cette étape 45 de temps mort, l'assemblage 52 est ramené à la température ambiante. Ceci permet, entre autres, de réaliser des contrôles sur 5 l'assemblage 52 en sortie de pré-frittage sans avoir à prendre de précautions particulières de manipulation. L'étape de temps mort 45 est facultative et le procédé d'assemblage de l'invention donne des résultats satisfaisants même en l'absence d'une étape de temps mort 10 45. L'assemblage 52 obtenu par le procédé selon l'invention comprend un joint 53 de métal fritté qui présente une microstructure où la porosité a été totalement, ou quasi totalement, éliminée. Au contraire, un 15 joint réalisé par frittage sans pression classique présente de nombreuses lacunes. Des opérations préalables ou intermédiaires de surfaçage de l'interface visant à obtenir des états de surface particuliers (rugueux ou lisses) ou à appliquer un 20 revêtement (métallisation ou autre) peuvent également permettre d'améliorer si besoin les performances mécaniques de l'assemblage. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits mais englobe toute variante 25 entrant dans le champ de l'invention telle que définie par les revendications. Des plages de températures et de durées préférées des étapes du procédé de l'invention pour un matériau de frittage comprenant des particules métalliques d'or et un 30 matériau de frittage comprenant des particules métalliques d'argent figurent dans le tableau ci-dessous : Déliantage Etape 44 Pré-frittage Etape 41 Densification Relaxation Etape 42 Etape 43 Ag 50°C à 100°C 200°Cà300°C 450°C à 550°C 220°C à 340°C 3041210 11 Au 50°C à 100°C 300°C à 400°C 480°C à 700°C 260°C à 400°C Durée 5 min à 45 min supérieure à 5 min sans bornes 30 min à 30h (quel-que soit le métal fritté) En particulier : - bien qu'ici l'échantillon de matériau de frittage ait été soumis à un test dilatométrique sous la forme d'une 5 pastille de deux millimètres de hauteur et de six millimètres de diamètre auquel a été appliqué un chauffage selon une rampe de température de 30°C par minute, l'invention s'applique à d'autres formes d'échantillon, d'autres rampes de température ainsi qu'à d'autres modes de 10 détermination d'une courbe donnant la vitesse de rétreint en fonction de la température. Toutefois, pour une hauteur d'échantillon h différente de deux millimètres, la vitesse de rétreint Vt correspondant à la température d'activation de la diffusion aux joints de grains est à adapter selon la 15 formule mathématique suivante : Vt(en um/min)---10*h(en mm). - bien qu'ici le deuxième élément soit un substrat plan rigide en alumine, l'invention s'applique également à un deuxième élément de nature différente comme par exemple d'autres types de céramiques telles que le nitrure 20 d'aluminium, le nitrure de silicium ou l'oxyde de béryllium, ou encore un substrat flexible en matériau polymère ou encore un substrat concave ou convexe de forme quelconque ; - bien qu'ici le deuxième élément soit un substrat 25 en céramique plan, l'invention s'applique également à un deuxième élément de nature différente en silicium ou en acier inoxydable recouvert d'un matériau électriquement isolant par exemple; - bien qu'ici le premier élément soit un 30 condensateur multicouche en céramique, l'invention 3041210 12 s'applique également à un premier élément de nature différente comme par exemple, un condensateur électrolytique, une résistance, une thermistance, un composant en silicium, un capteur de pression capacitif ou 5 piézorésistif, un dispositif à semi-conducteur ayant une bande interdite supérieure à 1,5 eV à 25°C comme, entre autres, le carbure de silicium ou le nitrure de gallium ; - bien qu'ici le condensateur soit de forme sensiblement parallélépipédique, l'invention s'applique 10 également à des composants électroniques présentant des formes différentes comme par exemple une forme cylindrique ou quelconque ; - bien qu'ici le substrat soit pourvu d'une couche de métallisation en argent pour un frittage à l'aide d'un 15 matériau de frittage comprenant de l'argent, l'invention s'applique également à un substrat revêtu d'une métallisation par un métal différent de celui du matériau de frittage ; - bien qu'ici l'assemblage comprenne deux 20 interfaces de jonction, l'invention s'applique également à un assemblage comprenant un nombre différent d'interfaces de jonction comme par exemple une seule interface de jonction ou plus de deux ; - bien qu'ici le matériau de frittage soit une pâte 25 à fritter comprenant des particules d'argent, l'invention s'applique également à d'autres types de matériau à fritter comme par exemple des poudres de frittage. Le procédé d'assemblage selon l'invention s'applique également à des matériaux de frittage comprenant des particules de métaux 30 différents comme par exemple des particules d'or, de cuivre ou un mélange de celles-ci ; - bien qu'ici le matériau de frittage soit une pâte à fritter comprenant des particules de métal pur, l'invention s'applique également à d'autres types de 35 matériaux à fritter comme par exemple des poudres de frittage constituées d'alliages métalliques, de solutions 3041210 13 solides métalliques ou de mélanges de différentes poudres ; - bien qu'ici, l'étape de relaxation soit opérée pendant une durée de douze heures, le procédé selon l'invention peut inclure des étapes de relaxation dont la 5 durée peut varier entre trente minutes et trente heures ; - bien qu'ici l'étape de densification ait une deuxième durée de quarante-cinq minutes, l'invention s'applique également à toute étape de densification quelle que soit sa durée ; 10 - bien qu'ici, le matériau de frittage comprenne des particules de métal micrométriques, l'invention s'applique également à d'autres types de matériau comportant des particules de métal dont la plus grande dimension est inférieure à cinquante micromètres, comme par 15 exemple des matériaux de frittage comprenant des particules de métal nanométriques ; - bien qu'ici, la première température appliquée au cours de l'étape de pré-frittage soit comprise entre 200°C et 300°C, l'invention s'applique également à une étape de 20 pré-frittage au cours de laquelle l'assemblage est chauffé à des températures différentes, tant que celles-ci demeurent strictement inférieures à la température d'activation de la diffusion aux joints de grains.--Cette température ne devra pas être inférieure à 200°C. 25 - bien qu'ici, la deuxième température appliquée au cours de l'étape de densification soit comprise entre 450°C et 550°C, l'invention s'applique également à une étape de densification au cours de laquelle l'assemblage est chauffé à une température différente, tant que celle-ci demeure 30 supérieure à la température de transition entre le domaine de frittage par diffusion de surface et le domaine de frittage par diffusion aux joints de grains tout en restant inférieure à la température de fusion du matériau de frittage ; 35 - bien qu'ici, la troisième température appliquée au cours de l'étape de relaxation soit d'environ 300°C, 3041210 14 l'invention s'applique également à une étape de relaxation au cours de laquelle l'assemblage est chauffé à une température différente, tant que celle-ci demeure comprise entre 0,3.Tf et 0,5.Tf, où Tf est la température de fusion 5 du métal ou de l'alliage du matériau de frittage en degrés Kelvin. REVENDICATIONS1. Procédé d'assemblage par frittage métallique sans pression d'un premier, élément (10) avec un deuxième 5 élément (20), le procédé comprenant les étapes suivantes : a) une étape de préparation (40) au cours de laquelle un matériau de frittage (51) comprenant des particules de métal est disposé à une interface de jonction (30 ; 31) du premier élément (10) et du deuxième élément 10 (20) ; b) une étape de pré-frittage (41) au cours de laquelle l'assemblage (52) constitué par le premier élément (10), le deuxième élément (20) et le matériau de frittage (51) est chauffé pendant une première durée (Dl) supérieure 15 à cinq minutes à une première température (T1) strictement inférieure à la température (Tt) d'activation de la diffusion aux joints de grains ; c) une étape de densification (42) au cours de laquelle l'assemblage (52) est chauffé pendant une deuxième 20 durée (T2) à une deuxième température (T2) supérieure ou égale à la température (Tt) température d'activation de la diffusion aux joints de grains . 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les particules de métal sont des particules d'argent et au 25 cours duquel la première température (Ti) est comprise entre 200°C et 300°C. 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les particules de métal sont des particules d'argent et au cours duquel la deuxième température (T2) est comprise 30 entre 450°C et 550°C. 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les particules de métal sont des particules de l'or et au cours duquel la première température (Tl) est comprise entre 300°C et 400°C. 35 5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les particules de métal sont des particules d'or et au 3041210 16 cours duquel la deuxième température (T2) est comprise entre 480°C et 700°C. 6. Procédé selon la revendication 1, dans lequel on fait varier la première température (Tl) pendant la 5 première durée (D1). 7. Procédé selon la fait varier la deuxième deuxième durée (D2). 8. Procédé selon l'une 10 revendications précédentes, comprenant également une étape de relaxation (43), postérieure à l'étape de densification (42), au cours de laquelle l'assemblage (52) est étuvé à une température comprise entre 0.3 Tf et 0.5 Tf, où Tf est la température de fusion du matériau de frittage (51) 15 degrés Kelvin, pendant une troisième durée (D3). 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel troisième durée (D3) est trente heures. 10. Procédé selon 20 le matériau de frittage métal micrométriques. 11. Procédé selon le matériau de frittage métal nanométriques. 25 12. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le matériau de frittage (51) est une poudre 13. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le matériau de frittage (51) est une pâte. 14. Procédé selon l'une 30 revendications précédentes, comprenant une étape de temps mort (45) située entre les étapes de pré-frittage (41) et de densification (42) au cours de laquelle l'assemblage (52) est ramené à la température ambiante. selon l'une quelconque des précédentes, comprenant une étape de revendication température 1, dans lequel on (T2) pendant la quelconque des comprise entre trente minutes en la et la revendication 1, dans lequel (51) comprend des particules de la revendication 1, dans lequel (51) comprend des particules de quelconque des 15. Procédé 35 revendications déliantage (44) réalisée entre les étapes de préparation 3041210 17 (40) et de pré-frittage (41), au cours de laquelle l'assemblage (52) est étuvé à une température comprise entre 50°C et 100°C. 16. Assemblage (52) obtenu par le procédé selon 5 l'une quelconque des revendications 1 à 15.