FR 3042648 A1 20170421 FR 1559992 A 20151020 1 DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne le domaine des dispositifs à ondes acoustiques de surface. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION Les structures de résonateurs acoustiques tels que les dispositifs à ondes acoustiques de surface (« SAW » pour « Surface Acoustic Wave » selon la terminologie anglo-saxonne) utilisent un ou plusieurs transducteurs interdigités élaborés sur un substrat piézoélectrique pour convertir des signaux électriques en ondes acoustiques et vice versa. De tels dispositifs ou résonateurs SAW sont souvent utilisés dans les applications de filtrage. La technologie SAW à radiofréquences (RF) fournit d'excellentes performances telles qu'une haute isolation et de faibles pertes d'insertion. Pour cette raison, elle est largement utilisée pour les duplexeurs RF dans les applications de communication sans fil. Pour être plus concurrentielle par rapport aux duplexeurs RF basés sur la technologie des ondes acoustiques de volume (« BAW » pour 25 « Bulk Acoustic Wave »), la performance des dispositifs SAW RF doit être améliorée et l'on exige en particulier que la réponse en fréquence soit stable vis-à-vis de la température. La dépendance de la fréquence de fonctionnement des dispositifs SAW vis-à-vis de la température, ou le coefficient 30 de fréquence thermique (« TCF » pour « Temperature Coefficient of Frequency »), dépend d'une part des variations de l'espacement entre les électrodes interdigitées des transducteurs, qui sont généralement dues aux coefficients de dilatation thermique (« CTE » pour « Coefficient of Thermal 35 Expansion ») relativement élevés des substrats piézoélectriques utilisés ; d'autre part, le TCF dépend du coefficient de vitesse thermique car la dilatation ou la contraction du substrat piézoélectrique s'accompagne d'une 3042648 2 augmentation ou d'une diminution de la vitesse de l'onde acoustique de surface. Pour minimiser le coefficient de fréquence thermique (TCF), un objectif est donc de minimiser la dilatation/contraction du substrat piézoélectrique, 5 notamment dans la zone de surface dans laquelle les ondes acoustiques vont se propager. L'article de K.Hashimoto, M.Kadota et al., « Recent development of temperature compensated SAW devices », IEEE Ultrason. Symp. 2011, pages 79 à 86, 2011, donne une vue 10 d'ensemble des approches couramment utilisées pour surmonter le problème de dépendance vis-à-vis de la température de la réponse en fréquence des dispositifs SAW. La première approche consiste à recouvrir la surface du substrat piézoélectrique comportant la structure métallique 15 des transducteurs, d'une couche d'oxyde de silicium (SiO2). Le CTE très faible du SiO2 limite la dilatation/contraction du substrat piézoélectrique en température. Bien qu'améliorant les performances en température, cette approche présente des limitations : d'une part les contraintes de température pour 20 le dépôt de cette couche d'oxyde (compte tenu de la présence de métaux) ne donnent accès qu'à des matériaux de relativement mauvaise qualité, ayant des qualité acoustiques réduites ; d'autre part, avec cette approche, l'épaisseur finale du substrat piézoélectrique doit être supérieure à 200 microns pour garantir la tenue mécanique de la structure, ce qui limite les possibilités de packaging final du dispositif. La seconde approche consiste à utiliser un substrat hybride, par exemple composé d'une couche de matériau piézoélectrique disposée sur un substrat de silicium. Là encore, le CTE faible du silicium permet de limiter la dilatation/contraction de la couche piézoélectrique en température. L'un des inconvénients de cette approche vient des limitations de températures applicables à ce substrat hybride pendant le procédé de fabrication des transducteurs : la différence de CTE empêche l'application de températures supérieures à environ 200-250°C, sous peine de fragiliser et/ou d'endommager le substrat. 3042648 3 OBJET DE L'INVENTION Un objet de l'invention est donc de proposer un 5 dispositif à ondes acoustiques de surface et un procédé de fabrication associé, remédiant aux inconvénients de l'art antérieur. Un objet de l'invention est notamment de proposer un dispositif à ondes acoustiques de surface dont la stabilité de réponse en fréquence est améliorée vis-à-vis de la 10 température, en comparaison avec les dispositifs de l'état de la technique. BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION 15 La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface, remarquable en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - une étape de fourniture d'un substrat piézoélectrique 20 comportant un transducteur disposé sur une face principale avant ; - une étape de dépôt d'une couche diélectrique d'encapsulation sur la face principale avant du substrat piézoélectrique et sur le transducteur ; 25 - une étape d'assemblage de la couche diélectrique d'encapsulation à une face principale avant d'un substrat support présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du substrat piézoélectrique. 30 Selon le procédé de fabrication conforme à l'invention, le composant de type transducteur est élaboré à la surface du substrat piézoélectrique : le procédé d'élaboration n'est donc pas limité par une température d'environ 200-250°C comme sur un substrat hybride. 35 Le procédé de fabrication selon l'invention permet également l'encapsulation du transducteur dans une couche diélectrique 3042648 4 et l'assemblage sur un substrat support présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du substrat piézoélectrique : cette configuration permet d'améliorer la stabilité de réponse en fréquence du 5 transducteur vis-à-vis de la température, en limitant la dilatation/contraction du matériau piézoélectrique en température. Selon des caractéristiques avantageuses de l'invention, 10 prises seules ou en combinaison : - le transducteur comprend une structure métallique d'électrodes interdigitées ; - le substrat piézoélectrique comporte des vias en contact électrique avec le transducteur, s'étendant dans 15 l'épaisseur du substrat piézoélectrique, de la face principale avant jusqu'à une profondeur déterminée ; - le substrat piézoélectrique est un substrat massif dont le matériau est choisi parmi le groupe constitué de LiNbO3, LiTaO3, BaTiO3, quartz, PZT (Titano-Zirconate de 20 Plomb), ZnO, AIN, ... ; - la couche diélectrique d'encapsulation est constituée par au moins un matériau choisi parmi SiO2, SiN, SION, SiOC, SiC, DLC, alumine, silicate d'hafnium, silicate de zirconium, dioxyde d'hafnium, dioxide de zirconium, ... ; 25 - le procédé de fabrication comporte une étape de planarisation de la couche diélectrique d'encapsulation après l'étape de dépôt ; - le substrat support présente une résistivité supérieure à 100ohms.cm ; 30 - le substrat support est choisi parmi le groupe constitué de silicium, saphir, verre, céramiques, plastiques ... ; - le substrat support comporte une couche diélectrique complémentaire sur sa face principale avant ; - la couche diélectrique complémentaire est crûe 35 thermiquement ; - la couche diélectrique complémentaire est une couche anti-réflective ; 3042648 5 - l'étape d'assemblage consiste en un collage direct, par adhésion moléculaire ; - l'étape d'assemblage est suivie d'une étape d'amincissement d'une face principale arrière du substrat 5 piézoélectrique ; - l'étape d'amincissement comprend des procédés de grinding, polissage mécano-chimique, attaque chimique... ; - l'étape d'amincissement conduit à l'obtention d'une couche résiduelle de substrat piézoélectrique d'épaisseur 10 comprise entre 2 microns et 200 microns ; - la couche résiduelle de substrat piézoélectrique a une épaisseur inférieure ou égale à la profondeur déterminée des vias ; - l'étape d'amincissement est suivie d'une étape de dépôt 15 d'une couche anti-réflective sur la couche résiduelle de substrat piézoélectrique ; - l'étape d'amincissement est suivie d'une étape de mise à épaisseur du substrat support, conduisant à l'obtention d'une couche support d'épaisseur comprise entre 10 20 microns et 250 microns ; - l'étape d'amincissement ou l'étape de mise à épaisseur est suivie d'une étape de réalisation de vias au niveau d'une face principale arrière du substrat support ou de la couche support ; lesdites vias s'étendant jusqu'au 25 transducteur et assurant un contact électrique avec celui-ci ; - le procédé de fabrication comporte une étape de reprise de contacts au niveau des vias. 30 L'invention concerne en outre un dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant une couche de matériau piézoélectrique munie d'un transducteur sur une face principale avant, disposée sur un substrat support dont le 35 coefficient de dilatation thermique est inférieur à celui du matériau piézoélectrique, remarquable en ce que le transducteur est disposé dans une couche diélectrique 3042648 6 d'encapsulation, entre la couche de matériau piézoélectrique et le substrat support. Selon des caractéristiques avantageuses de l'invention, 5 prises seules ou en combinaison : - la couche de matériau piézoélectrique comporte des vias conductrices, en contact électrique avec le transducteur, traversant ladite couche de la face principale avant à une face principale arrière ; 10 - le substrat support comporte des vias conductrices, en contact électrique avec le transducteur, traversant ledit substrat d'une face principale avant à une face principale arrière. 15 BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée de l'invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles : 20 la figure 1 présente une première étape du procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface (SAW), correspondant à la fourniture d'un transducteur sur un substrat piézoélectrique ; 25 la figure 2 présente une première et une deuxième étape du procédé de fabrication d'un dispositif SAW conforme à l'invention ; la figure 3 présente une variante d'une deuxième étape du procédé de fabrication d'un dispositif SAW conforme à 30 l'invention ; La figure 4 présente un procédé de fabrication d'un dispositif SAW conforme à l'invention ; La figure 5 présente une variante d'un procédé de fabrication d'un dispositif SAW conforme à l'invention ; 35 La figure 6 présente un mode de réalisation du procédé de fabrication d'un dispositif SAW conforme à l'invention ; 3042648 7 La figure 7 présente un autre mode de réalisation du procédé de fabrication d'un dispositif SAW conforme à l'invention ; La figure 8 présente un autre mode de réalisation du 5 procédé de fabrication d'un dispositif SAW conforme à l'invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION 10 Le procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface (SAW) selon l'invention comporte une étape de fourniture d'un substrat piézoélectrique 1 comportant au moins un transducteur 2 disposé sur une face principale avant 3, comme illustré sur la figure 1 et la figure 2a. Le 15 substrat piézoélectrique 1 est un substrat massif dont le matériau pourra être choisi dans le groupe constitué du niobate de lithium (LiNb03), du tantalate de lithium (LiTa03), du titanate de baryum (BaTiO3), du quartz, du titano-zirconate de plomb (PZT), de l'oxyde de zinc (ZnO) ou encore du nitrure 20 d'aluminium (A1N) ; bien-sur la présente invention n'est pas limitée à ceux-ci et n'importe quel matériau à couplage électromécanique approprié pourrait être utilisé. Le substrat piézoélectrique 1 a avantageusement la forme d'une plaquette, de diamètre supérieur à 100mm, par exemple 150mm. Son 25 épaisseur pourra être comprise entre 200 et 700 microns. Le transducteur 2 est habituellement composé d'une structure d'électrodes métalliques interdigitées, disposée sur la face principale 3 du substrat piézoélectrique 1. Cette structure d'électrodes est élaborée par une technique appropriée, connue 30 de l'homme du métier, par exemple la métallisation sous vide, la pulvérisation cathodique, les techniques de galvanoplastie, le dépôt physique en phase vapeur (PVD), le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou le dépôt de couches atomiques (ALD). Les matériaux utilisés pour la structure d'électrodes peuvent être 35 Au, Pt, Cu, Al, Mo ou W, sans pour autant être limités à ceux-ci. L'espacement entre les électrodes définit la fréquence de résonance du dispositif SAW. 3042648 8 Comme présenté sur la figure 2b, le procédé de fabrication d'un dispositif SAW selon l'invention comporte une deuxième étape correspondant à un dépôt d'une couche diélectrique d'encapsulation 4 sur la face principale avant 3 5 du substrat piézoélectrique 1 et sur le transducteur 2. Cette couche d'encapsulation 4 est constituée par au moins un matériau choisi parmi le dioxyde de silicium (SiO2), le nitrure de silicium (SiN), l'oxynitrure de silicium (SiON), etc. Compte tenu de la présence du transducteur 2, la 10 température de dépôt de la couche d'encapsulation 4 doit être compatible avec le matériau métallique des électrodes. L'épaisseur de la couche d'encapsulation 4 est typiquement inférieure à 5 microns, avantageusement inférieure à 1000nm. Selon une variante représentée sur la figure 3, partant 15 d'un substrat piézoélectrique 1 muni d'un transducteur 2 sur sa face principale avant (figure 3a), l'étape de dépôt (figure 3b) peut être suivie d'une étape de planarisation (figure 3c) de la couche diélectrique d'encapsulation 4. L'étape de planarisation est réalisée par exemple par polissage mécano- 20 chimique de manière à éliminer la topologie de surface 20 liée à la structure d'électrodes métalliques. L'épaisseur résiduelle de la couche d'encapsulation 4 au-dessus du transducteur 2 pourra être ajustée grâce à l'étape de planarisation. 25 Le procédé de fabrication d'un dispositif SAW selon l'invention comporte enfin une troisième étape d'assemblage de la couche diélectrique d'encapsulation 4 disposée sur le transducteur 2 et le substrat piézoélectrique 1 (figure 4a), à 30 une face principale avant 6 d'un substrat support 5 (figure 4b), représentée sur la figure 4c. Le substrat support 5 présente avantageusement un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du substrat piézoélectrique 1. Il est constitué d'un matériau choisi parmi le silicium, la 35 silice, le saphir, le verre, les céramiques ou les plastiques ... sans pour autant être limité à ceux-ci. Le substrat support 5 se présente préférentiellement sous forme de plaquette, de diamètre supérieur à 100mm, par exemple 150mm, et d'épaisseur 3042648 9 comprise entre 200 microns et 700 microns, par exemple 600 microns. Le substrat support 5 peut présenter une résistivité supérieure à 100 ohms.cm, par exemple 1000ohms.cm pour un substrat de silicium. 5 L'assemblage de la couche d'encapsulation 4 et de la face principale avant 6 du substrat support 5 consiste avantageusement en un collage par adhésion moléculaire. Le principe de l'adhésion moléculaire, également connue sous le terme de collage direct, est basé sur le fait de placer deux 10 surfaces en contact direct, c'est-à-dire sans utiliser de matériau de liaison spécifique (adhésif, cire, brasure, etc.). Une telle opération nécessite que les surfaces pour le collage soient suffisamment lisses, exemptes de particules ou de contamination, et soient suffisamment proches l'une de l'autre 15 pour permettre d'initier un contact, typiquement à une distance de moins de quelques nanomètres. Dans de telles circonstances, les forces d'attraction entre les deux surfaces sont suffisamment élevées pour provoquer un collage moléculaire (liaison induite par les forces d'attraction - 20 forces de Van Der Waals - impliquant une interaction des électrons entre les atomes ou les molécules des deux surfaces). Avant la mise en contact des deux faces principales 3 et 6, respectivement du substrat piézoélectrique 1 et du 25 substrat support 5, au moins l'une des faces a préférentiellement subi un traitement de surface apte à améliorer la qualité du collage et à renforcer les forces d'adhésion après collage : le traitement de surface pourra être un nettoyage et une activation de surface par voie 30 chimique humide ou sèche ; par exemple, on appliquera une séquence de type nettoyage RCA puis plasma 02. Après le collage direct des deux surfaces, un traitement thermique de consolidation de l'interface pourra être effectué. La température de ce recuit devra être choisie 35 de sorte que l'hétéro-structure collée ne soit pas endommagée par les dilatations différentielles des substrats assemblés. A titre d'exemple, pour une hétéro-structure de diamètre 150mm, comprenant un substrat piézoélectrique 1 de 350 microns 3042648 10 d'épaisseur et un substrat support 5 de 675 microns d'épaisseur, le traitement thermique est effectué à 100°C pendant 2h. L'utilisation du collage direct pour assembler le 5 substrat piézoélectrique 1 et le substrat support 5 est particulièrement avantageuse parce qu'elle assure une meilleure compatibilité avec les traitements typiques des circuits intégrés, qu'elle réduit au minimum la contamination et qu'elle assure une stabilité du collage dans le temps. 10 Selon une variante de l'étape d'assemblage, toute technique de collage (par exemple par adjonction de matière adhésive) peut être utilisée en veillant à limiter les défauts dans les couches ajoutées, susceptibles notamment de générer des effets parasites dégradant les performances du dispositif 15 SAW. Selon une autre variante de l'étape d'assemblage de la couche diélectrique d'encapsulation 4, disposée sur le transducteur 2 et le substrat piézoélectrique 1 (figure 5a), 20 sur le substrat support 5, du procédé de fabrication selon l'invention, le substrat support 5 peut comporter sur sa face principale avant 6 une couche diélectrique complémentaire 7 comme représentée sur la figure 5b. Avantageusement, cette couche complémentaire 7 est crûe thermiquement et présente 25 donc de bonnes propriétés acoustiques, notamment en raison de sa densité et de son homogénéité. Après assemblage de la couche d'encapsulation 4 et de cette couche complémentaire 7 (figure 5c), la bonne qualité de cette dernière pourra avoir un impact positif sur la performance du dispositif SAW 30 constitué du transducteur 2 sur le substrat piézoélectrique 1. L'épaisseur de la couche d'encapsulation 4 pourra d'ailleurs être adaptée pour tirer le meilleur avantage de la qualité de la couche complémentaire 7 pour les propriétés acoustiques de l'empilement ; à titre d'exemple, on pourra minimiser 35 l'épaisseur de la couche d'encapsulation 4 au dessus des électrodes du transducteur 2 et augmenter l'épaisseur de la couche complémentaire 7. 3042648 11 La couche complémentaire 7 pourra optionnellement présenter des propriétés anti-réflectives vis-à-vis des ondes acoustiques, limitant ainsi les effets parasites liés aux réflexions multiples d'ondes aux interfaces entre matériaux. 5 Selon un premier mode de réalisation de l'invention illustré en figure 4, le procédé de fabrication comporte ainsi une étape de fourniture d'un substrat piézoélectrique 1, muni d'un transducteur 2, une étape de dépôt d'une couche 10 diélectrique d'encapsulation 4 sur le transducteur 2 et une étape d'assemblage sur un substrat support 5. A titre d'exemple, la couche diélectrique d'encapsulation 4 a une épaisseur de 1 micron et l'assemblage est réalisé par collage direct de la couche diélectrique d'encapsulation sur le 15 substrat support 5. Il permet l'obtention d'un dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant un substrat 1 en matériau piézoélectrique muni d'un transducteur 2 sur sa face principale avant 3, disposé sur un substrat support 5 dont le 20 coefficient de dilatation thermique est inférieur à celui du matériau piézoélectrique, remarquable en ce que le transducteur 2 est disposé dans une couche diélectrique d'encapsulation 4, entre le substrat 1 de matériau piézoélectrique et le substrat support 5 (figure 4c). A titre 25 d'exemple, le substrat 1 a une épaisseur de 200 microns et le substrat support 5 a une épaisseur de 300 microns. Selon un deuxième mode de réalisation de l'invention, le procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques 30 de surface comporte les trois premières étapes telles que décrites dans le premier mode de réalisation (figures 6a et 6b) et en outre, il comporte une étape d'amincissement de la face principale arrière 30 du substrat piézoélectrique 1 et une étape de réalisation de vias 12 dans le substrat 35 piézoélectrique 1, comme représenté sur les figures 6c et 6d. L'étape d'amincissement peut être réalisée par amincissement mécanique (« grinding » selon la terminologie anglo-saxonne), par polissage mécano-chimique, par attaque 3042648 12 chimique humide ou sèche, ou encore par une combinaison de ces différentes techniques. La couche piézoélectrique 11 obtenue a une épaisseur résiduelle comprise entre 2 microns et 200 microns, avantageusement 20 microns (figure 6c). 5 L'étape de réalisation de vias 12 au niveau de la face principale 30' de la couche piézoélectrique 11 (figure 6d) est ensuite réalisée. Des tranchées sont creusées dans la couche 11 jusqu'aux plots de contact des électrodes métalliques, par gravure sèche ou humide ou par combinaison des deux 10 techniques ; puis elles sont remplies par un matériau conducteur, formant ainsi les vias 12 assurant un contact électrique avec le transducteur 2. Optionnellement et en référence à la figure 6e, le procédé de fabrication d'un dispositif SAW selon le deuxième 15 mode de réalisation de l'invention peut également comporter une étape de mise à épaisseur du substrat support 5, par amincissement de sa face principale arrière 60, jusqu'à obtention d'une couche support 55 d'épaisseur comprise entre 10 et 250 microns selon les applications, avantageusement 20 entre 50 et 200 microns. Cette mise à épaisseur permet de limiter l'épaisseur totale du dispositif SAW dans son boitier final. Pour la mise en boitier, des étapes de reprise de contact au niveau des vias 12 et de packaging du dispositif 25 sont effectuées à la suite de la mise à épaisseur du substrat support 5. Optionnellement, un substrat additionnel ou une puce (non représenté) comportant des composants microélectroniques, par exemple des commutateurs (« switch » selon la terminologie 30 anglo-saxonne) et/ou des amplificateurs de puissance (« power amplifier »), dont les plots de contact en surface dudit substrat additionnel (ou de ladite puce) sont munis de « bumps » métalliques de connexion, peut être assemblé sur la face principale 30' de la couche piézoélectrique 11 : en 35 particulier, les « bumps » seront assemblés au niveau de plots de contact connectés aux vias 12, de sorte à assurer le contact électrique entre les différents étages de composants (transducteur, commutateur, amplificateur de puissance."). 3042648 13 Selon une variante, le substrat additionnel comportant les composants microélectroniques peut constituer un substrat de packaging du dispositif. Afin d'assurer l'herméticité de la structure packagée, le substrat additionnel pourra être 5 assemblé sur la face principale 30' de la couche piézoélectrique 11 par un collage direct ou polymère ou métallique, tout en assurant le contact électrique entre les plots de contact des composants du substrat additionnel et les vias 12 reliées aux transducteurs 2. 10 Selon ce deuxième mode de réalisation de l'invention et comme représenté sur la figure 6e, le procédé de fabrication permet l'obtention d'un dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant une couche 11 en matériau piézoélectrique 15 muni d'un transducteur 2 sur sa face principale avant 3, disposé sur une couche support 55 dont le coefficient de dilatation thermique est inférieur à celui du matériau piézoélectrique ; le transducteur 2 est disposé dans une couche diélectrique d'encapsulation 4, entre la couche 11 de 20 matériau piézoélectrique et la couche support 55. La couche de matériau piézoélectrique 11 comporte des vias 12 conductrices en contact électrique avec le transducteur 2 et traversant ladite couche de part en part. A titre d'exemple, la couche 11 est en LiTaO3 et 25 présente une épaisseur de 5 à 20 microns. La couche d'encapsulation 4 est en SiO2 et présente une épaisseur au-dessus des électrodes du transducteur 2 de 500nm. La couche support 55 est en silicium et présente une épaisseur de 200 microns. 30 Selon un troisième mode de réalisation du procédé de fabrication d'un dispositif SAW, conforme à l'invention et illustré en figures 7, le substrat piézoélectrique 1 comporte des vias 8 s'étendant dans son épaisseur, de sa face 35 principale avant 3 jusqu'à une profondeur déterminée. Cette profondeur pourra aller de 2 à 100 microns, avantageusement de 10 à 30 microns. La structure d'électrodes interdigitées du transducteur 2 est élaborée sur la face principale avant 3, 3042648 14 les vias 8 étant en contact électrique avec les plots de contact du transducteur 2 (figure 7a). La couche diélectrique d'encapsulation 4 est ensuite déposée ; elle subit un polissage mécano-chimique et un nettoyage chimique de manière 5 à présenter une surface plane et peu rugueuse (figure 7b), compatible avec l'étape subséquente d'assemblage. La face principale 3 du substrat piézoélectrique 1 est collée par adhésion moléculaire sur le substrat support 5 (figure 7c). Un traitement thermique de consolidation de l'interface est 10 réalisé par exemple à une température inférieure à 100°C, pendant lh à 5h. La structure collée est ensuite amincie au niveau de la face principale arrière 30 du substrat piézoélectrique 1. Cette étape peut être réalisée par amincissement mécanique (« grinding » selon la terminologie 15 anglo-saxonne), par polissage mécano-chimique, par attaque chimique humide ou sèche, ou encore par une combinaison de ces différentes techniques. L'étape d'amincissement permet de faire déboucher les vias 8 au niveau de la face amincie 30' de la couche 11 piézoélectrique (figure 7d). Avantageusement, la 20 couche piézoélectrique 11 obtenue a une épaisseur résiduelle comprise entre 2 microns et 200 microns. Optionnellement, une couche additionnelle 9 anti-réflective peut être déposée sur la face 30' de la couche piézoélectrique 11 (figure 7e). La reprise de contact au niveau des vias 8 et les 25 opérations de packaging peuvent ensuite être faites selon des techniques connues de l'homme du métier. A titre d'exemple, la couche 11 est en LiNbO3 et présente une épaisseur de 10 microns ; les vias 12 s'étendent d'une face à l'autre de la couche 11, elles avaient une 30 profondeur initiale dans le substrat piézoélectrique 1 de 12 microns. La couche d'encapsulation 4 est en SiO2 et présente une épaisseur au-dessus des électrodes du transducteur 2 de 1 micron. Le substrat support 5 est en verre et présente une épaisseur de 300 microns. 35 Selon un quatrième mode de réalisation conforme à l'invention et illustré en figure 8, le procédé de fabrication 3042648 15 d'un dispositif SAW comporte une étape de réalisation de vias 10 à travers le substrat support 5. Le procédé comprend une première étape de fourniture du substrat piézoélectrique 1 muni sur sa face principale 3, de 5 la structure d'électrodes interdigitées du transducteur 2 (figure 8a). Une couche diélectrique d'encapsulation 4 est ensuite déposée sur la face principale 3 et le transducteur 2. Une étape de planarisation de la couche d'encapsulation 4 est opérée si nécessaire, de sorte que la planéité et la rugosité 10 de surface soient compatibles avec un collage direct (figure 8b). La planarisation peut être faite de manière à obtenir une épaisseur résiduelle définie de la couche d'encapsulation 4 au-dessus des électrodes : à titre d'exemple cette épaisseur sera de l'ordre de 100nm. 15 Le substrat support 5 comporte sur sa face principale avant 6 une couche diélectrique complémentaire 7, présentant des propriétés anti-réflectives pour les ondes acoustiques. L'assemblage par collage direct peut alors être effectué entre la couche d'encapsulation 4 et la couche complémentaire 7, 20 après un nettoyage et une activation plasma des deux surfaces (figure 8c). Un traitement thermique à basse température ( REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - une étape de fourniture d'un substrat piézoélectrique (1) comportant un transducteur (2) disposé sur une face principale avant (3) ; - une étape de dépôt d'une couche diélectrique d'encapsulation (4) sur la face principale avant (3) du substrat piézoélectrique (1) et sur le transducteur (2) ; - une étape d'assemblage de la couche diélectrique d'encapsulation (4) à une face principale avant (6) d'un substrat support (5) présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du substrat piézoélectrique (1). 2. Procédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel le transducteur (2) comprend une structure métallique d'électrodes interdigitées. 3. Procédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le substrat piézoélectrique (1) comporte des vias (8) en contact électrique avec le transducteur, s'étendant dans l'épaisseur du substrat piézoélectrique (1), de la face principale avant (3) jusqu'à une profondeur déterminée. 4. Procédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le substrat piézoélectrique (1) est un substrat massif dont le matériau est choisi parmi le groupe constitué de LiNb03, LiTa03, BaTiO3, quartz, PZT (Titano-Zirconate de Plomb), ZnO, AIN. 3042648 20 5. Procédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche diélectrique d'encapsulation (4) est constituée par au moins un matériau choisi parmi SiO2, SiN, SION, SiOC, SiC, DLC, alumine, 5 silicate d'hafnium, silicate de zirconium, dioxyde d'hafnium, dioxide de zirconium. 6. Procédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, comportant une étape de planarisation de la 10 couche diélectrique d'encapsulation (4) après l'étape de dépôt. 7. Procédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le substrat support (5) présente 15 une résistivité supérieure à 100ohms.cm. 8. Procédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le substrat support (5) est choisi parmi le groupe constitué de silicium, saphir, verre, 20 céramiques, plastiques. 9. Procédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le substrat support (5) comporte une couche diélectrique complémentaire (7) sur sa face 25 principale avant (6). 10. Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel la couche diélectrique complémentaire (7) est crûe thermiquement. 30 11. Procédé de fabrication selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel la couche diélectrique complémentaire (7) est une couche anti-réflective. 35 12. Procédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape d'assemblage consiste en un collage direct, par adhésion moléculaire. 3042648 21 13. Procédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape d'assemblage est suivie d'une étape d'amincissement d'une face principale arrière (30) du substrat piézoélectrique (1). 5 14. Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel l'étape d'amincissement comprend des procédés de grinding, polissage mécano-chimique ou attaque chimique. 10 15. Procédé de fabrication selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel l'étape d'amincissement conduit à l'obtention d'une couche résiduelle (11) de substrat piézoélectrique, d'épaisseur comprise entre 2 microns et 200 microns. 15 16. Procédé de fabrication selon les revendications 3 et 15, dans lequel la couche résiduelle (11) de substrat piézoélectrique (1) a une épaisseur inférieure ou égale à la profondeur déterminée des vias (8). 20 17. Procédé de fabrication selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel l'étape d'amincissement est suivie d'une étape de dépôt d'une couche anti-réflective (9) sur la couche résiduelle (11) de substrat piézoélectrique (1). 25 18. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 13 à 17, dans lequel l'étape d'amincissement est suivie d'une étape de mise à épaisseur du substrat support (5), conduisant à l'obtention d'une couche support (55) 30 d'épaisseur comprise entre 10 microns et 250 microns. 19. Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel l'étape d'amincissement ou l'étape de mise à épaisseur est suivie d'une étape de réalisation de vias (10) 35 au niveau d'une face principale arrière (60,60') du substrat support (5) ou de la couche support (55) ; lesdites vias (10) s'étendant jusqu'au transducteur (2) et assurant un contact électrique avec celui-ci. 3042648 22 20. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 16 ou 19, comportant une étape de reprise de contacts au niveau des vias (8,10,12). 5 21. Dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant une couche (1,11) de matériau piézoélectrique munie d'un transducteur (2) sur une face principale avant (3), disposée sur un substrat support (5,55) dont le coefficient de 10 dilatation thermique est inférieur à celui du matériau piézoélectrique, caractérisé en ce que le transducteur (2) est disposé dans une couche diélectrique d'encapsulation (4), entre la couche (1,11) de matériau piézoélectrique et le substrat support (5,55). 15 22. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication précédente, dans lequel la couche (1,11) de matériau piézoélectrique comporte des vias (8,12) conductrices, en contact électrique avec le transducteur 20 (2), traversant ladite couche (1,11) de la face principale avant (3) à une face principale arrière (30,30'). 23. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication 21, dans lequel le substrat support (5,55) 25 comporte des vias (10) conductrices, en contact électrique avec le transducteur (2 ), traversant ledit substrat (5,55) d'une face principale avant (6) à une face principale arrière (60,60').