FR 3037443 A1 20161216 FR 1501222 A 20150612 I Domaine de l'invention La présente invention concerne de manière générale une hétérostructure, en particulier une structure piézoélectrique et un procédé de fabrication d'une hétérostructure, en particulier d'une structure piézoélectrique. Contexte de l'invention L'objectif de l'invention est de proposer une hétérostructure, en particulier 10 une structure piézoélectrique, et un procédé de fabrication d'une hétérostructure, en particulier d'une structure piézoélectrique. La technologie à ondes acoustiques de surface (SAW) radiofréquence (RF) est largement utilisée dans une grande variété d'applications, telles que, par 15 exemple, les duplexeurs des téléphones mobiles actuels. La poursuite de l'amélioration de la technologie SAW standard a conduit à l'élaboration de dispositifs SAW compensés en température de manière à rester compétitifs avec la technologie à ondes acoustiques de volume (BAW) RF. 20 Des SAWs compensées en température peuvent être obtenues à l'intérieur d'une structure piézoélectrique 100 comprenant une couche de matériau piézoélectrique 120 montée sur un substrat de support 110, avec éventuellement une couche d'adhésif 130 entre les deux, tel que cela est représenté schématiquement sur la figure 1A. Le développement récent de 25 dispositifs SAW compensés en température a été rapporté dans une récente publication par Hashimoto et al., « Recent development of temperature compensated SAW devices », Ultrasonics Symposium 2011, IEEE International, pages 79-86, et cette publication illustre plus en détail l'approche de la Figure 1A. Le substrat de support 110 a ainsi une fonction 30 de rigidification de la structure piézoélectrique 100. 3037443 2 Cependant une telle structure piézoélectrique 100, telle que représentée schématiquement sur la figure 1A, peut ne pas convenir pour résister à des traitements thermiques du fait de la différence substantielle entre les coefficients respectifs de dilatation thermique (CTE) de la couche de 5 matériau piézoélectrique 120 et celui du substrat de support 110. Une telle différence des CTE peut être, dans le pire des cas, la cause de la rupture de cette structure à des températures supérieures à un seuil prédéterminé. D'autres phénomènes, tels que par exemple un flambage dans la couche de matériau piézoélectrique 120, peuvent se produire. En outre, la cambrure de la structure piézoélectrique 100 est susceptible de dépasser les valeurs critiques lors de traitements thermiques, comme par exemple la valeur au-dessus de laquelle les pièces de serrage électrostatiques peuvent perdre le contact avec la structure. En outre, la forte anisotropie des CTE pour la plupart des matériaux piézoélectriques rend les traitements thermiques difficiles en raison de l'accumulation des contraintes anisotropes. La figure 1B représente schématiquement une approche décrite dans le brevet US8664747 par lequel des évidements 140 ont été formés sur la face de la structure 100' opposée à la face de la couche 120' assemblée au substrat 110'. Une telle formation d'évidements dans une couche 120' formée sur un substrat 110' ayant un CTE sensiblement différent de celui de la couche 120' peut aider à accommoder les contraintes accumulées dans cette structure 100'. Cependant, plusieurs problèmes sont rencontrés en utilisant une telle approche. En particulier, pour une couche 120' ayant une épaisseur relativement faible dans la plage s'étendant de 1 à 10 pm, il faut faire attention afin de ne pas endommager l'interface sous-jacente au substrat 110'. Des procédés non précis, tels que par exemple le sciage, peuvent conduire à endommager soit le substrat 110' dans la région de la surface de celui-ci en laissant des sites de nucléation pour la rupture, soit la couche 3037443 3 adhésive (non représentée sur la figure 1B). Ceci est en particulier préjudiciable à la structure 110' si des étapes subséquentes de lithographie et de gravure sont impliquées, lesquelles pourraient entraîner une sousgravure importante de la couche 120'. En outre, le substrat 110' pourrait 5 avoir à sa surface destinée à être assemblée une couche fonctionnelle qui ne devra pas être altérée afin de ne pas perdre ses propriétés spécifiques. La présente invention permet d'éviter les problèmes mentionnés ci-dessus. 10 Description de l'invention En particulier, la présente invention concerne une hétérostructure, en particulier une structure piézoélectrique, comprenant une couche de recouvrement, en particulier une couche de matériau piézoélectrique, la 15 couche de recouvrement ayant un premier coefficient de dilatation thermique, assemblée à un substrat de support, le substrat de support ayant un deuxième coefficient de dilatation thermique sensiblement différent du premier coefficient de dilatation thermique, au niveau d'une interface, dans laquelle la couche de recouvrement comprend au moins un évidement 20 s'étendant depuis l'interface dans la couche de recouvrement. D'autres modes de réalisation avantageux concernent une hétérostructure dans laquelle l'au moins un évidement forme une tranchée s'étendant sur toute la couche de recouvrement. 25 D'autres modes de réalisation avantageux concernent une hétérostructure dans laquelle des parties de la couche de recouvrement séparées par l'au moins un évidement ont une extension latérale inférieure à une longueur critique prédéterminée au-dessus de laquelle une rupture due à un 30 traitement thermique à une température prédéterminée se produirait. 3037443 4 D'autres modes de réalisation avantageux concernent une hétérostructure dans laquelle l'au moins un évidement s'étend à la surface de la couche de recouvrement opposée à l'interface avec le substrat de support. 5 D'autres modes de réalisation avantageux concernent une hétérostructure, dans laquelle au moins un des coefficients de dilatation thermique présente une forte anisotropie. D'autres modes de réalisation avantageux concernent une hétérostructure 10 dans laquelle le matériau de la couche de recouvrement est un matériau piézoélectrique, en particulier choisi parmi les suivants : LTO, LNO, AIN, ZnO. D'autres modes de réalisation avantageux concernent une hétérostructure 15 dans laquelle le matériau du substrat de support est choisi parmi le groupe suivant : Si, Ge, GaAs, InP, SiGe, saphir. D'autres modes de réalisation avantageux concernent une hétérostructure dans laquelle le substrat de support comprend une couche fonctionnelle 20 adjacente à l'interface. D'autres modes de réalisation avantageux concernent une hétérostructure dans laquelle la couche fonctionnelle fournit le substrat de support avec une résistivité électrique supérieure à 1 kOhm/cm, de préférence supérieure à 25 5 kOhm/cm. D'autres modes de réalisation avantageux concernent une hétérostructure dans laquelle la couche fonctionnelle a une épaisseur inférieure à 10 pm, de préférence inférieure à 1 pm, ou plus préférentiellement encore inférieure à 30 100 nm. 3037443 5 La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'une hétérostructure comprenant une étape consistant à fournir un substrat de support et à fournir une couche de recouvrement, en particulier une couche de matériau piézoélectrique, une étape consistant à former au moins un 5 évidement dans une surface de la couche de recouvrement et une étape comprenant d'assembler le substrat de support et la couche de recouvrement à une interface d'assemblage entre le substrat de support et la surface de la couche de recouvrement comprenant l'au moins un évidement. 10 D'autres modes de réalisation avantageux concernent un procédé de fabrication d'une hétérostructure comprenant en outre une étape d'amincissement de la surface de la couche de recouvrement opposée à l'interface d'assemblage. 15 D'autres modes de réalisation avantageux concernent un procédé de fabrication d'une hétérostructure dans lequel l'étape d'amincissement comprend une étape d'implantation d'espèces atomiques ou ioniques, en particulier H ou He, avant assemblage, pour former une zone de fragilisation 20 dans la couche de recouvrement, et une étape d'exfoliation au niveau de la zone de fragilisation après l'assemblage. D'autres modes de réalisation avantageux concernent un procédé de fabrication d'une hétérostructure dans lequel l'amincissement est réalisé par 25 une technique choisie parmi le groupe des techniques suivantes : meulage, polissage, gravure, ou toute combinaison de ces techniques. D'autres modes de réalisation avantageux concernent un procédé de fabrication d'une hétérostructure dans lequel l'étape d'amincissement laisse 30 ouvert l'au moins un évidement. 3037443 6 L'invention sera décrite plus en détail par l'intermédiaire d'un exemple ci-après utilisant des modes de réalisation avantageux et en référence aux dessins. Les modes de réalisation décrits ne sont que des configurations possibles, dans lesquelles les caractéristiques individuelles peuvent 5 toutefois être mises en oeuvre indépendamment les unes des autres, ou peuvent être omises. La figure lA illustre schématiquement une structure piézoélectrique pour dispositifs SAW compensés en température, tels que connus de l'art 10 antérieur. La figure 1B illustre schématiquement une hétérostructure pour contenir une disparité des CTE, telle que connue de l'art antérieur. Les figures 2A, 2B, 2C et 2D illustrent schématiquement une hétérostructure conformément à des modes de réalisation de la présente invention. 15 Les figures 3A, 3B et 3C illustrent schématiquement une vue de dessus d'une hétérostructure conformément à des modes de réalisation de la présente invention. La figure 4 illustre schématiquement un procédé de fabrication d'une hétérostructure conformément à des modes de réalisation de la présente 20 invention. La figure 5 illustre schématiquement un procédé de fabrication d'une hétérostructure conformément à des modes de réalisation de la présente invention. 25 La présente invention va maintenant être décrite en référence à des modes de réalisation spécifiques. Il sera évident à l'homme du métier que des caractéristiques et des variantes des modes de réalisation, quels qu'ils soient, peuvent être combinées, indépendamment les unes des autres, avec des caractéristiques et des variantes de tout autre mode de réalisation, 30 conformément à la portée des revendications. 3037443 7 Dans la description qui suit de la présente invention, il est fait référence à un exemple de structure piézoélectrique et à une couche de matériau piézoélectrique. Cependant, comme déjà indiqué ci-dessus, la présente invention ne se limite pas à ce mode de réalisation particulier, mais concerne n'importe quelle hétérostructure (200, 400, 400', 500') comprenant une couche de recouvrement (220, 320, 420, 520) et un substrat de support (210, 410, 510) avec le coefficient de dilatation thermique de la couche de recouvrement étant sensiblement différent de celui du substrat de support. Une telle hétérostructure englobe le mode de réalisation spécifique d'une 10 structure piézoélectrique identifiable comme hétérostructure avec la couche de matériau piézoélectrique identifiable comme couche de recouvrement mentionnée ci-dessus. La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'une telle hétérostructure (200, 400, 400', 500'). 15 La figure 2A représente schématiquement une structure piézoélectrique 200 comprenant une couche de matériau piézoélectrique 220, un substrat de support 210, et au moins un évidement 240 s'étendant depuis l'interface au niveau de laquelle la couche de matériau piézoélectrique 220 et le substrat de support 210 sont assemblés, dans la couche de matériau piézoélectrique 20 220. La couche de matériau piézoélectrique 220 a un premier coefficient de dilatation thermique CTE1 et le substrat de support 210 a un deuxième coefficient de dilatation thermique CTE2, qui est sensiblement différent du premier coefficient de dilatation thermique ; c'est-à-dire que la relation Max(CTE1 ; CTE2) > Min(CTE1 ; CTE2) est satisfaite. Elle est en particulier 25 spécifiée par Max(CTE1 ; CTE2)/Min(CTE1 ; CTE2) > 2, de préférence > 4 ou > 6, où Max(CTE1 ; CTE2) et Min (CTE1 ; CTE2) sont la valeur la plus élevée et la valeur la plus basse de CTE1 et CTE2, respectivement. Ceci est également applicable dans le cas de valeurs de CTE anisotropes de manière à calculer le désaccord le plus élevé des CTE. 30 3037443 8 L'au moins un évidement 240 peut être formé par des techniques bien connues comme par exemple le masquage et la gravure (impliquant la lithographie), ou encore le sciage, en fonction de la précision nécessaire pour définir l'évidement. La dimension latérale de l'au moins un évidement 5 240 peut être facilement définie comme étant comprise dans la plage s'étendant de 100 pm à 5 mm, le profil de profondeur peut être contrôlé dans la plage s'étendant de 0,5 pm à 50 pm, en fonction de la composition chimique, de la vitesse de la gravure et de la durée de la gravure, par exemple. Le sciage, comme alternative de faible coût, permet d'obtenir 10 facilement des tranchées de 1 à 2 mm de largeur, avec des profils de profondeur contrôlés avec une incertitude de plusieurs pm. En cas de transfert de couche (par exemple SmartCurTm), comme détaillé plus loin, ouvrir au moins un évidement peut être réalisé en ajustant l'épaisseur de la couche à transférer dans une plage inférieure au profil de profondeur de l'au 15 moins un évidement. Dans le cas d'une couche de recouvrement en matériau piézoélectrique, le matériau piézoélectrique peut être du tantalate de lithium (LTO), du niobate de lithium (LNO), du nitrure d'aluminium (AIN), de l'oxyde de zinc (ZnO) ou 20 autres. Le matériau du substrat de support 200 peut être choisi parmi le groupe suivant : Si, Ge, SiGe, GaAs, InP, saphir, ou tout autre substrat utilisé notamment dans l'industrie des semi-conducteurs. 25 Le mode de réalisation décrit schématiquement sur la figure 2B diffère de celui représenté sur la figure 2A en ce que la couche d'adhésif 230 est présente à l'interface entre la couche de matériau piézoélectrique 220 et le substrat de support 210. Comme on le verra en détail ci-dessous, l'assemblage de la couche de matériau piézoélectrique 220 et du substrat 30 de support 210 peut impliquer des techniques de collage, en particulier de liaison moléculaire, et la couche adhésive 230 peut être l'interface de 3037443 9 collage de deux couches d'oxyde dont chacune est formée sur la couche de matériau piézoélectrique 220 et sur le substrat de support 210 avant le collage. D'autres techniques d'assemblage pourraient impliquer d'autres types de couches adhésives 230, comme par exemple des résines de 5 collage ou des colles. Le mode de réalisation représenté schématiquement sur la figure 2C diffère de celui de la figure 2A et de la figure 2B en ce que le substrat de support 210 comprend une couche fonctionnelle 250 à proximité de l'interface avec 10 la couche de matériau piézoélectrique 220. Par exemple, dans le cas d'un substrat de support 210 constitué de silicium, en particulier un substrat de silicium hautement résistif ayant une résistivité électrique supérieure à 1 kOhm/cm ou même 5 kOhm/cm, la couche fonctionnelle 250 pourrait être une couche qualifiée de couche riche de piégeage afin d'éliminer les 15 caractéristiques conductrices de l'interface à proximité des couches de collage en oxyde. Ladite couche riche de piégeage pourrait soit être formée comme une couche de silicium polycristalline, soit en introduisant un niveau prédéterminé de porosité dans ladite couche fonctionnelle. Une telle couche fonctionnelle hautement résistive 250 au niveau de l'interface est 20 particulièrement intéressante pour des structures piézoélectriques 200 utilisées pour des dispositifs SAW, pour lesquels toute perte électrique de signaux est préjudiciable à la performance du dispositif. En outre, une telle couche fonctionnelle 250 peut être utilisée pour déconnecter ou découpler électriquement la couche de couche piézoélectrique 220 du substrat de 25 support 210. Une telle couche fonctionnelle 250 peut avoir une épaisseur inférieure à 10 pm, ou même inférieure à 1 pm, ou même inférieure à 100 pm. Le matériau le plus important est le silicium pour ce qui concerne le substrat 30 de support 210 car c'est le matériau le plus couramment utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. Le maniement et l'intégration dans les 3037443 10 lignes de production existantes sont ainsi facilités en utilisant un tel substrat de support en silicium 210. En outre, des dispositifs microélectroniques fonctionnels, comme par exemple des CMOS, peuvent être intégrés dans le substrat de support 210, et connectés électriquement (trous d'interconnexion 5 électriques non représentés sur la figure 2D), là où cela est nécessaire, avec les dispositifs piézoélectriques en traversant ladite couche fonctionnelle hautement résistive 250, en conduisant ainsi à une structure de dispositif très compacte présentant une diaphonie minimisée. 10 Le mode de réalisation décrit schématiquement sur la figure 2D diffère de ceux représentés sur les figures 2A à 2C en ce que l'au moins un évidement se prolonge de l'interface à la surface de la couche de matériau piézoélectrique 220 opposée à l'interface avec le substrat de support 210. Une telle configuration améliore en outre la capacité à contenir 15 l'accumulation des contraintes au cours des traitements thermiques. Toutefois, la surface active du matériau piézoélectrique est réduite du fait que l'au moins un évidement a été ouvert. La dimension latérale de l'au moins un évidement 240 doit être choisie de 20 manière à avoir une stabilité mécanique suffisante de la structure piézoélectrique 200, tout en augmentant la surface active du matériau piézoélectrique. Les figures 3A, 3B et 3C représentent schématiquement des vues en plan 25 au niveau de la plaquette où différents modes de réalisation de l'au moins un évidement 340 sont représentés. Dans le cas où aucune anisotropie du CTE n'est présente, une configuration telle que représentée sur la figure 3A pourrait être suffisante pour supprimer les effets néfastes des traitements thermiques dus à CTE non égaux. Des évidements ponctuels 340 dans la 30 couche de la couche piézoélectrique 320 à une distance dl à l'évidement le plus proche et/ou au second évidement le plus proche sont formés à 3037443 11 l'interface avec le substrat de support, moyennant quoi la distance dl (d11 pour la plus proche et d12 pour la deuxième distance la plus proche sur la figure 3A) est choisie pour être inférieure à une longueur prédéterminée critique cl. Une telle longueur critique cl est définie comme étant la valeur 5 au-dessus de laquelle un traitement thermique à une température prédéterminée entraînerait des effets néfastes. De tels effets néfastes dépasseraient par exemple une valeur critique pour la cambrure, provoquant un flambage dans la couche de matériau piézoélectrique, ou provoquant la rupture de la structure piézoélectrique. Considérant que les problèmes de 10 maniement et de cambrure pourraient être contrôlés, la rupture et le flambage, en particulier, seraient évitées pour des températures allant jusqu'à 250 °C, voire jusqu'à 500 °C, qui correspondent à des traitements thermiques utilisés, par exemple, lors de l'emballage et process front end de dispositifs. 15 Les figures 3B et 3C représentent schématiquement les cas dans lesquels une forte anisotropie des CTE est présente. L'au moins un évidement forme une tranchée s'étendant sur l'ensemble de la couche de matériau piézoélectrique 320. Les distances dlx et dly, respectivement pour les axes 20 principaux x et y, sont ainsi plus petites que la longueur critique attribuée à ces axes principaux x et y, et suivent les mêmes critères que ceux décrits ci-dessus en relation avec la figure 3A. La figure 4 représente schématiquement le procédé de fabrication de la 25 structure piézoélectrique 400. L'au moins un évidement 440 est formé dans une couche de matériau piézoélectrique 420, par exemple par des techniques de lithographie/masquage et gravure. La profondeur de l'au moins un évidement 440 peut dépendre de la contrainte que l'on veut contenir dans la structure piézoélectrique 400 au cours d'un traitement 30 thermique ultérieur, et peut se situer dans la plage s'étendant de 100 nm à 20 ou même 50 pm. Facultativement, l'au moins un évidement 440 est 3037443 12 rempli de matériau, par exemple de l'oxyde de silicium, déposé dans l'évidement (c'est-à-dire PVD ou CVD). Cela pourrait être avantageux pour le collage ou la gravure ultérieurement appliqués à une telle structure. Les étapes facultatives S41a et S41b montrent schématiquement la mise en 5 place d'une couche de collage 460 sur à la fois la couche de matériau piézoélectrique 420 et le substrat de support 410 (cependant, la présente invention ne se limite pas à une telle approche et on pourrait également imaginer l'utilisation d'une couche de collage 460 à la place, voire même d'aucune), par exemple un oxyde de silicium déposé sur les surfaces 10 respectives. De telles couches de collage 460 pourraient être ou outre traitées en vue d'une étape d'assemblage ultérieure S42, par exemple comprenant un polissage afin de minimiser la rugosité au niveau de l'interface de collage. L'étape d'assemblage S42 pourrait être obtenue par n'importe quel type de technique de collage, en particulier une liaison 15 moléculaire. Les couches de collage 460 optionnelles forment ainsi la couche d'adhésif 430. Des configurations similaires peuvent être obtenues par l'utilisation de colle ou d'autres adhésifs, tels que par exemple des résines de liaison. L'utilisation de la couche de collage 460 à l'interface avec la couche de matériau piézoélectrique 420 présente un intérêt particulier 20 dans le cas où on souhaite rendre rugueuse ladite interface avec la couche de collage 460 tout en maintenant une énergie de liaison élevée au niveau de l'interface de liaison. L'interface rugueuse au niveau de la couche de matériau piézoélectrique 420 peut être utilisée pour éviter ce que l'on appelle un effet d'ondulation dans le dispositif SAW final. 25 Après l'assemblage de la couche de matériau piézoélectrique 420 et du substrat de support 410, l'étape S43 représente schématiquement une étape d'amincissement de la surface de la couche de matériau piézoélectrique 420 opposée à l'interface d'assemblage. Une telle étape 30 d'amincissement S43 peut être obtenue par une technique, mais sans s'y limiter, choisie parmi les suivantes : meulage, polissage, gravure, ou toute 3037443 13 combinaison de ces techniques. Il est ainsi possible de laisser l'au moins un évidement ouvert et d'obtenir une structure piézoélectrique 400', comme représenté sur la figure 4, après l'étape S43. 5 La figure 5 représente schématiquement un procédé de fabrication d'une structure piézoélectrique 500' dans lequel l'étape d'amincissement respective S53 comprend une étape d'exfoliation au niveau d'une zone de faiblesse 560 après assemblage de la structure piézoélectrique 500'. La zone de faiblesse 570 peut être générée par l'implantation d'espèces 10 ioniques et/ou atomiques, par exemple H ou He. Une telle approche est généralement connue sous le terme SmartCutTM. La figure 5 montre schématiquement que l'étape d'implantation peut être réalisée soit avant (étape SA1), soit après (étape SB1) la formation de l'au moins un évidement 540 (étapes SA2 et SB2) dans la couche de matériau piézoélectrique 520. 15 En outre, la figure 5 représente schématiquement les étapes consistant à fournir la couche adhésive facultative 530 à l'étape S51, comme cela est décrit dans le déroulement du processus de la figure 4, et l'étape d'assemblage S52. La figure 5 représente alors uniquement le scénario pour lequel la profondeur de l'au moins un évidement 540 est supérieure à la 20 profondeur de la zone de faiblesse 570, ce qui conduit ainsi à une structure piézoélectrique 500' avec l'au moins un évidement 540 laissé ouvert par l'étape d'amincissement S53. La présente invention ne se limite pas à de tels modes de réalisation, et on peut facilement adapter la profondeur afin d'obtenir des structures piézoélectriques finales conformes aux modes de 25 réalisation représentés sur les figures 2A à 2C, par exemple. L'épaisseur de couche de la couche piézoélectrique 520, avec l'évidement 540 laissé ouvert, ou non, peut être choisie pour se situer dans la plage s'étendant de 100 nm à 1 pm, ou même à 10 pm, voire même à 20 pm. REVENDICATIONS1. Hétérostructure (200, 400, 400', 500'), en particulier une structure piézoélectrique, comprenant une couche de recouvrement (220, 420, 520), 5 en particulier une couche de matériau piézoélectrique, la couche de recouvrement (220, 420, 520) ayant un premier coefficient de dilatation thermique, assemblée à un substrat de support (210, 410, 510), le substrat de support (210, 410, 510) ayant un second coefficient de dilatation thermique sensiblement différent du premier coefficient de dilatation 10 thermique, à une interface dans laquelle la couche de recouvrement (220, 420, 520) comprend au moins un évidement (240, 340, 440, 540) s'étendant depuis l'interface dans la couche de recouvrement (220, 420, 520). 2. Hétérostructure (200, 400, 400', 500') selon la revendication 1, dans 15 laquelle l'au moins un évidement (240, 340, 440, 540) forme une tranchée s'étendant sur l'ensemble de la couche de recouvrement (220, 420, 520). 3. Hétérostructure (200, 400, 400', 500') selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle des parties de la couche de recouvrement (220, 20 420, 520) séparées par l'au moins un évidement (240, 340, 440, 540) ont une extension latérale inférieure à une longueur critique prédéterminée au-dessus de laquelle une rupture due à un traitement thermique à une température prédéterminée se produirait. 25 4. Hétérostructure (200, 400, 400', 500') selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle l'au moins un évidement (240, 340, 440, 540) s'étend jusqu'à la surface de la couche de recouvrement (220, 420, 520) opposée à l'interface avec le substrat de support (210, 410, 510). 3037443 15 5. Hétérostructure (200, 400, 400', 500') selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle au moins un des coefficients de dilatation thermique présente une forte anisotropie. 6. Hétérostructure (200, 400, 400' 500') selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle le matériau de la couche de recouvrement (220, 420, 520) est un matériau piézoélectrique, choisi, en particulier, parmi du LTO, du LNO, de l'AIN et du ZnO. 7. Hétérostructure (200, 400, 400', 500') selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle le matériau du substrat de support (210, 410, 510) est choisi dans le groupe suivant : Si, Ge, GaAs, InP, SiGe, saphir. 8. Hétérostructure (200, 400, 400', 500') selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle le substrat de support (210, 410, 510) comprend une couche fonctionnelle (250) adjacente à l'interface. 9. Hétérostructure (200, 400, 400', 500') selon la revendication précédente, dans laquelle la couche fonctionnelle (250) fournit le substrat de 20 support (210, 410, 510) avec une résistivité électrique supérieure à 1 kOhm/cm, de préférence supérieure à 5 kOhm/cm. 10. Hétérostructure (200, 400, 400', 500') selon les revendications 8 et 9, dans laquelle la couche fonctionnelle (250) a une épaisseur inférieure à 25 10 pm, de préférence inférieure à 1 pm, ou encore plus préférentiellement inférieure à 100 nm. 11. Procédé de fabrication d'une hétérostructure (200, 400, 400', 500') comprenant une étape comprenant de fournir un substrat de support (210, 30 410, 510) et de fournir une couche de recouvrement (220, 420, 520), en particulier une couche de matériau piézoélectrique, une étape de formation 3037443 16 (SA2, SB2) d'au moins un évidement (240, 340, 440, 540) dans une surface de la couche de recouvrement (220, 420, 520), et une étape d'assemblage (S42, S52) du substrat de support (210, 410, 510) et de la couche de recouvrement (220, 420, 520) au niveau d'une interface d'assemblage entre 5 le substrat de support (210, 410, 510) et la surface de la couche de recouvrement (220, 420, 520) comprenant l'au moins un évidement (240, 340, 440, 540). 12. Procédé de fabrication d'une hétérostructure (200, 400, 400', 500') 10 selon la revendication 11, comprenant en outre une étape d'amincissement (S43) de la surface de la couche de recouvrement (220, 420, 520) opposée à l'interface d'assemblage. 13. Procédé de fabrication d'une hétérostructure (200, 400, 400', 500') 15 selon la revendication précédente 12, dans lequel l'étape d'amincissement (S43) comprend une étape d'implantation (SA1, SB1) d'espèces atomiques ou ioniques, en particulier H ou He, avant assemblage, pour former une zone de fragilisation (570) dans la couche de recouvrement (220, 420, 520), et une étape d'exfoliation (S53) au niveau de la zone de fragilisation après assemblage. 14. Procédé de fabrication d'une hétérostructure (200, 400, 400', 500') selon la revendication 12, dans lequel l'étape d'amincissement (S43) est exécutée par une technique choisie parmi le groupe de techniques suivantes : meulage, polissage, gravure, ou toute combinaison de celles-ci. 15. Procédé de fabrication d'une hétérostructure (200, 400, 400', 500') selon l'une des revendications 12 à 14, dans lequel l'étape d'amincissement (S43) ouvre l'au moins un évidement (240, 340, 440, 540).30