FR 3040487 A1 20170303 FR 1657842 A 20160822 1 Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à un capteur ther- mique pour capter le rayonnement électromagnétique, notamment le rayonnement thermique comportant une matrice de pixels composée d'un ensemble de pixels ayant un matériau de substrat et une plaque absorbante, portée au-dessus du matériau de substrat par des bras de bimétal. Etat de la technique Le document DE 697 36 225 T2 décrit à titre d'exemple, un capteur thermique pour saisir le rayonnement électromagnétique notamment le rayonnement thermique ; ce capteur se compose d'une matrice de pixels formée d'un grand nombre de pixels ; les pixels ont un matériau de substrat et un matériau absorbant sur le matériau de substrat. Plusieurs exemples de réalisation des pixels sont présentés. Le document EP 0 716 293 A 1 décrit un détecteur de rayonnement ayant un bras de déploiement, en bimétal, sensible ; ce bras est relié par une extrémité à une membrane absorbant le rayonnement ainsi qu'à un bras de débattement de référence qui est également un bras de bimétal. Sous l'influence du rayonnement incident arrivant sur la membrane, l'extrémité libre du bras sensible se rap- proche de l'extrémité libre du bras de référence du fait du réchauffement, ce qui modifie la capacité électrique entre les deux extrémités libres. Un principe de base avec d'autres exemples de détecteurs de rayonnement utilisant un élément formé de deux métaux est présen- té dans le document US 3.415.712 A. Les réalisations connues des pixels ont en commun qu'elles ne conviennent pas ou de façon très limitée pour être installées dans une très petite matrice de pixels pour réaliser un micro-bolomètre. En outre, la suspension des matériaux absorbants au-dessus du matériau de substrat subit des basculements, ce qui détériore la mesure du rayonnement technique et ainsi la qualité de génération d'images du capteur thermique. D'autres formes de réalisation de micro bolomètre utilisent des diodes et sont également connues selon l'état de la technique (voir par exemple DE 697 16 546 T2). 3040487 2 Le principe du micro-bolomètre à base diodes consiste par exemple à installer quatre diodes en série sur le pixel thermique-ment isolé pour en mesurer la température. Cette grandeur de mesure correspond par exemple à la différence de tension de deux pixels ali- 5 mentés de façon identique. Le premier pixel est un pixel actif qui se ca- ractérise par une importante isolation thermique et ainsi une excursion de température élevée sous l'effet du rayonnement incident. Le second pixel est thermiquement beaucoup moins relié au substrat et sert à compenser l'échauffement propre produit par l'alimentation même et le 10 décalage important lié à la structure de puce. Cette compensation est nécessaire car le signal de mesure proprement dit n'est que de quelques micro Volt/milli Volt pour un décalage d'environ 2,5 Volt. On connaît également des bolomètres fondés sur l'effet de bimétal avec exploitation optique qui sont installés à côté des petits 15 bras de bimétal du pixel et des structures de compensation des con- traintes de couches. L'inconvénient est le faible coefficient de remplissage et l'exploitation optique complexe qui est nécessaire. En outre, de tels bolomètres sont souvent réalisés en des matériaux non compatibles en technique CMOS et pour cette raison, ils ne peuvent être appliqués 20 dans le même procédé que celui du circuit d'exploitation ou avec des appuis disponibles en permanence. La présente invention est fondée sur le principe de fonc- tionnement connu d'un bolomètre avec une suspension par bimétal, thermosensible du pixel et qui assure en même temps son découplage 25 thermique. Cette disposition constitue électriquement un condensateur dont la plaque est le fond de la cavité et dont une autre plaque est constituée par le pixel lui-même, suspendu. Les pixels suspendus sont juxtaposés en grand nombre sous la forme d'une matrice de pixels de sorte que ce capteur thermique convient pour fournir des données générant 30 des images. On mesure la variation de capacité du fait de l'élévation de température du pixel, car celui-ci ou sa suspension se déforment et modifient la distance entre le pixel et le fond de la cavité. Pour amplifier l'effet de la mesure, on choisit la distance de repos des deux plaques du condensateur très petite, de façon caractéristique de l'ordre d'un ma- 3040487 3 nomètre. A cause des fortes contraintes des couches dans la fabrication des petits bras de bimétal, on ne peut pas choisir librement n'importe quelle distance de repos entre le pixel et le fond, selon la combinaison choisie des matériaux. Pour cette raison, il est souhaitable de compen- 5 ser cet effet. Au cas contraire, par exemple, une position inclinée du pixel au-dessus de la cavité, fausse le résultat. Du fait que dans les actionneurs de bimétal, le matériau tourné vers le substrat et celui tourné vers l'absorbeur, on a des coefficients de dilation thermique différents en fonction de la température. Déjà par le dépôt en cours de fabriquer 10 de tels pixels, ceux-ci se déforment par exemple vers le haut. Une éléva- tion de la température produit la poursuite de la déformation à cause des dilations différentes des deux matériaux. Si maintenant on installait entre ces deux petits bras, une plaque comme contre électrode d'un condensateur, cette plaque serait suspendue en position inclinée. Une 15 telle position inclinée entrainerait des défauts de linéarité de sorte que le signal de conversion purement électrique/thermique serait faussé, ce qui doit être évité. Une autre étude de ce thème est proposé dans la publica- tion « Polymer-Ceramic MEMS Bimorph as Thermal Infrared Sensors » 20 Clinton Gregory Warren, Université de Californie, Berkeley, Printemps 2010. L'inconvénient d'une mesure capacitive du rayonnement électromagnétique est la nécessité de réaliser le contact électrique des plaques mobiles du condensateur, c'est-à-dire de la plaque absorbante 25 ou des bras de bimétal. Or, cela créé une dérivation gênante de chaleur à travers le conducteur électrique en contact avec la plaque absorbante. But de l'invention La présente invention a pour but d'améliorer le capteur thermique de saisie du rayonnement électromagnétique en générant 30 une structure simplifiée de pixels qui a une linéarité ther- mique/électrique élevée. En particulier, l'invention a pour but de proposer une alternative à la saisie capacitive du rayonnement électromagnétique. 35 3040487 4 Exposé et avantages de l'invention A cet effet, l'invention a pour objet un capteur thermique du type défini ci-dessus, caractérisé en ce qu'au moins une bobine électrique est prévue dans le montage sur le matériau de substrat, et la va- 5 riation de la distance entre la plaque absorbante et le matériau de substrat modifie au moins une caractéristique électrique de la bobine. L'invention part de l'idée de réaliser la plaque absorbante, mobile sans nécessité de contact électrique de sorte qu'elle puisse servir uniquement pour modifier une propriété électrique de la bobine d'une 10 manière sans contact et une variation également sans contact en ce que la distance de la plaque absorbante par rapport à la bobine varie. Comme la bobine, selon l'invention, se trouve sur ou dans le matériau de substrat, et que la plaque absorbante peut modifier sa distance par rapport au matériau de substrat, on peut prendre la caractéristique 15 électrique de la bobine par exemple son inductance, de manière élec- trique de façon à en déduire une valeur de mesure correspondant à la variation de la caractéristique électrique. Lorsque le pixel est sollicité par un rayonnement électromagnétique, par exemple, par le rayonnement thermique, les bras de bimétal se déforment et modifient la dis- 20 tance de la plaque absorbante par rapport au substrat. On modifie ainsi une propriété de la bobine électrique intégrée dans un circuit oscillant. Cette variation de la propriété électrique peut, par exemple, concerner l'inductance de sorte que la fréquence d'oscillation du circuit oscillant varie en fonction de la distance de la plaque absorbante par rapport au 25 matériau de substrat et ainsi également du rayonnement notamment du rayonnement thermique. La plaque absorbante est réalisée pour avoir de bonnes propriétés absorbantes du rayonnement électromagnétique notamment du rayonnement thermique. La plaque absorbante a pour cela une pro- 30 priété pour influencer la propriété électrique de la bobine par la varia- tion de la distance avec la bobine. Pour cela, la plaque absorbante a une couche de métal du côté de la bobine et une couche absorbante au-dessus de la couche de métal recevant le rayonnement électromagnétique incident. En variante, au moins en partie, la couche est réalisée 35 en un matériau ayant une conductivité électrique suffisante (par 3040487 5 exemple, du silicium dopé). L'inductance de la bobine varie par exemple lorsque la distance de la plaque absorbante par rapport à la bobine diminue ; et réciproquement l'inductance augmente lorsque la plaque absorbante augmente sa distance par rapport à la bobine. 5 De façon avantageuse, les bras de bimétal sont symé- triques par rapport au centre de la plaque absorbante, et installés sur deux côtés opposés de cette plaque. Sous l'effet d'une action thermique par rayonnement électromagnétique, les bras de bimétal chauffent et leur disposition symétrique fait que la plaque absorbante conserve pra- 10 tiquement sa position parallèle au matériau de substrat car les deux bras de bimétal se déforment de la même manière. La disposition symétrique du point de vue thermique augmente la linéarité thermique/électrique entre le rayonnement thermique variable et la variation consécutive de la caractéristique électrique dans la bobine. 15 De façon particulièrement avantageuse, des premiers bras de bimétal sont fixés en un point de fixation au matériau de substrat et des deuxièmes bras de bimétal qui sont fixés par un point de fixation à la plaque absorbante. Les points de fixation des bras de bimétal au matériau de substrat et à la plaque absorbante sont eux-mêmes 20 symétriques par rapport au centre de la surface de la plaque absor- bante, ce qui évite que la plaque absorbante ne prenne une position inclinée sous l'effet des déformations des bras de bimétal. Les premiers bras de bimétal fixés au matériau de substrat ne chauffent pas de façon négligeable sous l'effet d'un rayonnement thermique incident ; les bras 25 de bimétal reliés à la plaque absorbante chauffent pratiquement régu- lièrement avec la plaque absorbante. En conséquence, les bras de bimétal reliés à la plaque absorbante ont une flexion plus forte que les bras de bimétal fixés au substrat. Entre les premiers bras de bimétal et les seconds bras de 30 bimétal, on a avantageusement réalisé une structure de découplage thermique pour relier entre elles, les extrémités libres des bras de bimétal. De façon particulièrement avantageuse, les bras de bimétal sont symétriques par rapport au centre de gravité entre les bras de bimétal. Selon un autre développement, les bras de bimétal et la 35 structure de découplage thermique entre les points de fixation au maté- 3040487 6 riau de substrat et à la plaque absorbante, ont une forme de méandres. Les bras de bimétal et la structure de découplage thermique ont une extension longitudinale qui est parallèle à la direction principale d'extension. La structure de découplage thermique forme ainsi une liai- 5 son mécanique des extrémités libres des bras de bimétal tout en for- mant en même temps une barrière thermique. La plaque absorbante présente avantageusement au moins une structure d'absorbeur et d'antenne plasmonique. Cela permet de modifier la caractéristique électrique de la bobine en modifiant la 10 distance de la plaque absorbante. On peut également envisager une couche magnétique sur la plaque absorbante. Enfin, on peut superposer plusieurs couches de matières et/ou les juxtaposer dans un plan du matériau de substrat. En résumé, l'invention a pour objet un capteur thermique 15 ayant une structure de pixels pour la détection inductive du rayonne- ment infrarouge. Les pixels ont comme composant principal, une plaque absorbante suspendue au-dessus d'un matériau de substrat, la suspension étant faite par des bras de bimétal qui peut comporter un oxyde de silicium (Si02). La distance entre la plaque absorbante et le matériau 20 de substrat est, par exemple, égale à X/4 de la longueur d'onde à détec- ter ; une très petite distance entre la plaque absorbante et la bobine peut produire une variation importante de la grandeur électrique de la bobine pour une variation très faible de la distance entre la plaque absorbante et la bobine. La bobine a, par exemple, une forme annulaire et 25 comporte des chemins conducteurs en cuivre appliqués dans ou sur le matériau de substrat ; les chemins conducteurs en cuivre peuvent être également en plusieurs couches pour augmenter l'inductance de la bobine. La couche de métal de la plaque absorbante est par exemple en cuivre ou en aluminium et si la plaque absorbante est magnétique ou 30 peut-être aimantée, elle comporte un Permalloy FeNi. La couche de la plaque absorbante qui forme la couche de métal peut, ne pas être, continue sur la surface mais peut avoir également des éléments géométriques tels que des fentes ou autres évidements. On peut ainsi modifier de manière particulière la propriété électrique de la bobine si la distance 35 de la bobine à la plaque absorbante varie. 3040487 7 Pour un système générateur d'images, les pixels sont regroupés dans une matrice formée d'un certain nombre de pixels dans la direction des lignes et dans la direction des colonnes. La matrice est avantageusement encapsulée sous vide par un procédé de liaison à 5 basse pression. Le matériau du substrat peut être réalisé de façon uni- forme pour l'ensemble de la matrice de pixels et être continu ; la structure des bobines, de la plaque absorbante et des bras de bimétal ainsi que la structure de compensation peuvent se réaliser en technique de construction et de liaison de microélectronique en particulier par un 10 procédé de dépôt en surface. On peut également envisager une bobine qui s'étale en grande surface sur plusieurs pixels en étant par exemple intégrée dans le substrat ou dans le couvercle du capteur. Pour le procédé de saisie du rayonnement électromagné- tique avec un capteur thermique, selon l'invention, on peut prévoir une 15 mesure directe de l'inductance par un oscillateur, la bobine de mesure étant un élément déterminant la fréquence par un circuit oscillant LC et dont la fréquence de résonance se détermine avec un compteur. On peut également envisager un intégrateur L en appliquant une tension continue à la bobine avec un courant croissant et avec un amplificateur 20 opérationnel, on le transforme en une tension de mesure. On peut éga- lement utiliser un convertisseur continu/continu dont le principe est fondé sur l'énergie de la bobine de mesure chargée dans un condensateur dont la tension est le signal de mesure. La mesure directe de l'inductance est également possible 25 en utilisant une résistance en parallèle avec par exemple un circuit de commutation électronique qui détermine la résistance en parallèle et la fréquence de résonance du circuit oscillant. Par le choix d'une capacité parallèle, on règle la fréquence de résonance et à partir de la résonance parallèle mesurée, on calcule l'inductance. On peut également envisager 30 une mesure directe de l'inductance par un diviseur de tension réactif avec par exemple une boucle de régulation de phase (PLL) qui détermine la relation de phase entre le signal sinus d'excitation et la tension du circuit oscillant LC. On peut également envisager d'intégrer la bobine de mesure dans des montages en pont et la fonction principale des compo- 3040487 8 sants électroniques est la démodulation du signal de mesure en disposant d'au moins une autre bobine comme référence. En variante, on peut saisir le rayonnement électromagné- tique notamment le rayonnement thermique en déterminant des coeffi- 5 cients de couplage entre au moins une bobine d'émission et au moins une bobine de réception ainsi qu'un troisième et un quatrième modes de réalisation en ce qu'on détermine la démodulation, la sommation et le filtrage passe-bas des signaux de forme sinusoïdale de la bobine d'émission et de la bobine de mesure qui détermine les coefficients de 10 couplage. L'avantage de plaque absorbante sans contact électrique et qui modifie uniquement la propriété électrique de la bobine en fonction de la variation de la distance est la suppression de la métallisation du branchement sur la plaque absorbante et ainsi du pixel, ce qui 15 donne une meilleure propriété thermique au capteur. La réalisation est simplifiée du fait qu'il ne faut plus de métallisation. Dessins La présente invention sera décrite, ci-après de manière plus détaillée à l'aide d'exemples de capteurs thermiques représentés 20 dans les dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 est une vue en plan d'une unique structure de pixel d'un capteur thermique selon l'invention, - la figure 2 est une vue de côté pixel de la figure 1 selon un premier mode de réalisation, 25 - la figure 3 est une vue de côté d'une autre forme de réalisation d'un pixel comportant une première bobine et une seconde bobine superposées sur le matériau du substrat, - la figure 4 montre un autre exemple de structure de pixel composée d'une première bobine et d'une seconde bobine, l'une dans l'autre 30 sur le matériau de substrat, - la figure 5 montre un autre exemple de réalisation d'une structure de pixel comportant une première bobine sur un premier côté du matériau de substrat et une autre bobine sur l'autre côté du matériau de substrat et, 3040487 9 - la figure 6 montre une matrice de pixels formant un capteur thermique générateur d'images ayant un ensemble de pixels. Description de modes de réalisation de l'invention La figure 1 est une vue en plan ou vue de dessous d'un 5 pixel 10 sur un matériau de substrat 11. Le matériau de substrat 11 porte une plaque absorbante 12 montée mobile par l'intermédiaire de bras de bimétal 13 et 14. Les premiers bras de bimétal 13 sont reliés au matériau de substrat 11 par des points de fixation 23. Les autres bras bilame 14 sont reliés à la plaque absorbante 12 par des points de fixa- 10 tion 24. Des structures 25 de découplage thermique sont prévues entre les extrémités libres des bras de bimétal; ces structures forment une structure en méandre avec les bras de bimétal 13, 14. Les bras de bimétal 13, 14 et les structures 25 de décou- plage thermique se trouvent dans les deux zones latérales de la plaque 15 absorbante 12. Lorsque celle-ci est chauffée par le rayonnement ther- mique, les bras de bimétal 14 fixés à la plaque absorbante 12 se déforment plus fortement que les bras de bimétal 13 fixés au matériau de substrat 11. Les structures 25 de découplage thermique relient les extrémités libres des bras de bimétal 13 et 14 et les isolent thermique- 20 ment l'un de l'autre. La structure en méandre des bras de bimétal 13, 14 et des structures 25 de découplage thermique a un centre de gravité S ; les bras de bimétal 13, 14 sont développés suivant une forme symétrique autour du centre de gravité S. Le centre de gravité S se trouve 25 ainsi au milieu entre les deux bras de bimétal 13, 14 dans la région de la structure 25 pour le découplage thermique. La réalisation des bras de bimétal 13, 14 telle que pré- sentée, fait que la plaque 12 se déplace en hauteur au dessus du matériau de substrat 11 sans que la plaque 12 ne bascule ; sous la plaque 30 absorbante 12 se trouve au moins une bobine qui n'apparait pas dans la vue de dessus ; elle se sera décrite de manière plus détaillée dans les différentes variantes en liaison avec les figures 2 à 5. La figure 2 est une vue de côté d'un premier mode de réa- lisation du pixel 10 avec le matériau de substrat 11 et au dessus de ce- 35 lui-ci, la plaque absorbante 12. La plaque absorbante 12 a une couche 3040487 10 métallique 21 et une couche absorbante 22 ; la couche métallique 21 est par exemple en aluminium ou en cuivre. On peut également envisager une couche métallique 21 en un matériau magnétique ou au moins susceptible d'être aimanté. 5 Le côté supérieur du matériau de substrat 11 tourné vers la plaque absorbante 12, comporte une bobine 15 dont les différentes spires conductrices de la bobine 15 sont représentées en section. Les bras de bimétal 13 et 14 sont également présentés en section. La section montre en outre la structure 25 de découplage thermique. Les bras 10 de bimétal 13 et 14 ainsi que la structure 25 de découplage thermique sont installés de façon symétrique dans les deux zones latérales de la plaque absorbante 12. La distance entre la face inférieure de la plaque absor- bante 12, c'est-à-dire la couche métallique 21 et la bobine 15 porte la 15 référence (d). Lorsque cette distance (d) entre la couche métallique 21 et la bobine 15 varie, la caractéristique électrique de la bobine 15, par exemple, son inductance, varie également. La figure 3 est une vue d'un autre exemple de réalisation du pixel 10 avec le matériau de substrat 11 et la plaque absorbante 12 20 montée avec découplage thermique par l'intermédiaire des bras de bi- métal 13, 14 et de la structure 25. La plaque absorbante 12 est réalisée avec une couche métallique 21 sur la face inférieure et une couche absorbante 22 ; la distance entre la surface supérieure du matériau de substrat 11 et la plaque absorbante 12 porte la référence (d). Les côtés 25 de la plaque absorbante 12 correspondent aux bras de bimétal 13, 14 et à la structure de compensation 25. Une première bobine 15 est appliquée sur la surface su- périeure du matériau de substrat 11 ; une autre bobine 16 est dans le matériau de substrat 11. Ainsi, les bobines 15, 16 se trouvent dans 30 plusieurs plans, ce qui permet d'augmenter l'inductance globale lorsque les bobines sont branchées en série. La figure 5 montre une autre vue de côté du pixel 10 avec le matériau de substrat 11 et la plaque absorbante 12 comprenant la couche métallique 21 et la couche absorbante 22. La plaque absorbante 35 12 est reçue par l'intermédiaire des bras de bimétal 13, 14 et par la 3040487 11 structure 25 au-dessus du matériau de substrat 11 pour assurer le découplage thermique. La distance entre la couche métallique 21 et la matière du substrat 11 porte la référence (d). La première bobine 19 se trouve sur le côté supérieur du matériau de substrat 11 qui est tourné 5 vers la plaque absorbante 12 ainsi qu'une autre bobine 20 sur le côté inférieur du matériau de substrat 11. La mesure de la propriété électrique globale des bobines 19, 20 réside dans le couplage entre les deux bobines. Plus la distance (d) entre le matériau de substrat 11 et la plaque absorbante 12 est faible et plus fort sera le couplage magnétique 10 entre les deux bobines 19 et 20. La figure 6 montre une matrice de pixel 1 composée d'un grand nombre de pixels 10 ; Chaque pixel 10 est installé sur le matériau de substrat commun 11 continu. Les différents pixels 10 sont en principe formés par la plaque absorbante 12 avec chaque fois un bras de 15 bimétal 13 et un bras de bimétal 14. Entre l'extrémité libre des bras bimétal 13, 14, on a la structure de découplage thermique 25. Ainsi, un arrangement formé par exemple d'une matrice de pixels 1 se compose d'un ensemble de pixels 10 ; uniquement, la réalisation des bras de bimétal 13, 14 diffère des exemples de réalisation précédents ; il ne s'agit 20 que d'exemples. 25 3040487 5 10 12 11 NOMENCLATURE DES ELEMENTS PRINCIPAUX 12 Pixel Matériau de sustrat Plaque absorbante 13, 14 Bras de bimétal 15 Bobine 16 Bobine 19, 20 Bobine 10 21 Couche métallique 22 Couche absorbante 23, 24 Point de fixation 25 Structure de découplage thermique (d) Distance entre la couche métallique 21 et la bobine 15 15 REVENDICATIONS1°) Capteur thermique pour capter le rayonnement électromagnétique, notamment le rayonnement thermique, comportant une matrice de pixels (1) composée d'un ensemble de pixels (10), les pixels (10) ayant un matériau de substrat (11) et une plaque absor- bante (12), portée au-dessus du matériau de substrat (11) par des bras de bimétal (13, 14), capteur thermique caractérisé en ce qu' au moins une bobine électrique (15, 16, 17, 18, 19, 20) est prévue dans le dispositif du matériau de substrat (11), et la variation de la distance (d) entre la plaque absorbante (12) et le matériau de substrat (11) modifie au moins une caractéristique électrique de la bobine (15, 16, 17, 18, 19, 20). 2°) Capteur thermique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la plaque absorbante (12) comporte une couche métallique (21) et une couche absorbante (22). 3°) Capteur thermique selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les bras de bimétal (13, 14) sont installés symétriquement par rapport au milieu de la plaque absorbante (12) sur deux côtés opposés de la plaque absorbante (12). 4°) Capteur thermique selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les premiers bras de bimétal (13) sont reliés au matériau de substrat (11) par un point de fixation (23) et les seconds bras de bimétal (14) sont reliés par un point de fixation (24) à la plaque absorbante (12). 5°) Capteur thermique selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que 3040487 14 par une structure (25) de découplage thermique entre les premiers bras de bimétal (13) et les seconds bras de bimétal (14), cette structure reliant les extrémités libres des bras de bimétal (13, 14). 5 6°) Capteur thermique selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les bras de bimétal (13, 14) sont symétriques par rapport au centre de gravité (S) formé entre les bras de bimétal (13,14). 10 7°) Capteur thermique selon l'une des revendications 5 ou 7, caractérisé en ce que les bras de bimétal (13, 14) et la structure (25) de découplage thermique ont un tracé en méandre pour le découplage thermique entre le point fixation (23) sur le support (11) et le point de fixation (24) à la plaque 15 absorbante (12). 8°) Capteur thermique selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la plaque absorbante (12) a au moins une structure notamment 20 d'absorbeur et d'antenne plamonique. 9°) Capteur thermique selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la plaque absorbante (12) comporte une couche magnétique. 25 10°) Capteur thermique selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que plusieurs bobines électriques (15, 16, 17, 18, 19, 20) sont superposées suivant des formes de méandre et /ou sont réalisées couchées dans un 30 plan.