FR 3048002 A1 20170825 FR 1651433 A 20160222 1 DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION La présente invention concerne en général les techniques de croissance de couches semi-polaires de nitrure (N) obtenues à partir d'un matériau pris parmi le gallium (Ga), l'indium (In) et l'aluminium (AI) sur une surface supérieure d'une couche cristalline. L'invention trouve pour application avantageuse le domaine des diodes électroluminescentes (DEL). ÉTAT DE LA TECHNIQUE Tous les dispositifs optoélectroniques commerciaux modernes et en particulier les diodes électroluminescentes (DEL) à forte intensité lumineuse qui ont déjà commencé à remplacer les ampoules d'éclairage à incandescence en raison de leur bien plus faible consommation électrique, utilisent des matériaux semi-conducteurs faits d'alliages à base de nitrure de gallium (GaN) et d'autres matériaux comme l'indium (In) et l'aluminium (AI). Ces matériaux sont obtenus dans des structures en couches où, typiquement, on doit réaliser une croissance hétéro-épitaxiale de la couche active du matériau à base de GaN à partir d'un substrat fait d'un matériau différent. Comme représentée sur la figure 1, la forme cristallographique stable d'alliages à base de GaN est la structure cristalline dite « wurtzite ». Dans cette structure hexagonale 100, il est commode de définir des plans cristallins tels que le plan « c » 110; le plan « a » 120 et le plan « m » 130. Comme il s'est avéré expérimentalement plus aisé de faire croître les matériaux à base de GaN selon la direction de l'axe « c » 112, perpendiculaire au plan du même nom, direction aussi qualifiée de polaire, la plupart des dispositifs produits le sont selon cette direction. Cependant, une conséquence négative de cette direction de croissance est qu'il permet à l'effet dit QCSE, acronyme de l'anglais « quantum confined Stark effect » 'c'est-à-dire « effet de confinement quantique de Stark », de se développer. Cet effet, qui est induit par les forts champs électriques de polarisation internes qui se développent dans les couches GaN dont la croissance a été effectuée selon l'axe c ou polaire, se traduit notamment par une baisse significative de l'efficacité de recombinaison des paires électron-trou dans les 3048002 2 puits quantiques de la diode et donc par une forte perte d'efficacité lumineuse de ces DELs. Pour surmonter les problèmes liés à la présence de ces forts champs électriques, il a été envisagé de faire croitre le GaN selon des plans 5 cristallographiques différents de l'axe polaire. Comme illustré en figure 1, les plans a et m, 120 et 130, sont des plans dans des directions non-polaires. On peut aussi envisager une croissance dans un plan intermédiaire, par exemple 140, dans une direction dite semi-polaire. La figure 2 illustre comment varie la discontinuité de polarisation totale 10 aux interfaces dans une hétérostructure à puits quantique GaN / InGaN en fonction de l'angle d'inclinaison par rapport à l'axe c. On note que cette discontinuité de polarisation est en effet maximale 210 pour l'orientation polaire (0°) et nulle 220 pour l'orientation non-polaire (90°). Elle passe aussi par zéro 230 pour une orientation semi-polaire (autour de 45°). 15 Différentes techniques ont bien été proposées pour obtenir une croissance, notamment semi-polaire, de couches à base de GaN réduisant ainsi fortement les effets de polarisation. Celles-ci ont permis d'obtenir une amélioration significative des performances des DELs ainsi produites, mais par épitaxie sur des substrats GaN. Ces substrats étant encore de taille limitée et 20 de coût prohibitif, ces techniques se sont avérées être peu susceptibles d'industrialisation. Par ailleurs, ces techniques doivent permettre de produire des couches ou templates sinon exemptes de tout défaut cristallographique au moins présentant des taux de défauts suffisamment faibles afin d'obtenir des rendements de fabrication élevés et donc de faibles coûts de production. 25 Ainsi un objet de la présente consiste à proposer une solution pour résoudre certaines au moins de ces contraintes. Plus précisément, un objet de l'invention consiste à proposer une solution susceptible de pouvoir produire à bas coût dans un environnement 30 industriel des substrats notamment d'orientation semi-polaire de grande taille présentant un niveau de défauts cristallographiques faible. Ces substrats, également désignés pseudo-substrats, peuvent par exemple servir de base 3048002 3 pour la formation par épitaxie d'autres structures telles que des LEDs par exemple. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RÉSUMÉ DE L'INVENTION Selon un mode de réalisation, la présente invention porte sur un 10 procédé permettant d'obtenir au moins une couche semi-polaire de nitrure obtenue à partir d'un matériau à base de gallium (Ga) et d'azote (N) sur une surface supérieure d'un substrat cristallin, le procédé comprenant au moins les étapes suivantes: graver une pluralité de rainures, de préférence parallèles à partir 15 de la surface supérieure du substrat cristallin, chaque rainure comprenant au moins deux facettes inclinées opposées, au moins l'une desdites deux facettes opposées présentant une orientation cristalline {111} ; - former un masque au-dessus de la surface supérieure du substrat cristallin de telle sorte que les facettes opposées auxdites facettes présentant 20 une orientation cristalline {111) soient masquées et que lesdites facettes présentant une orientation cristalline {111} ne soient pas masquées ; - former ladite couche semi-polaire de nitrure par croissance épitaxiale- à partir desdites facettes non masquées présentant une orientation cristalline {111}. 25 Ladite étape de formation de ladite couche semi-polaire comprend au moins les étapes suivantes - au moins une première phase de croissance épitaxiale, réalisée à partir desdites facettes non masquées présentant une orientation cristalline {111} de manière à former un germe dans une pluralité au moins de rainures parallèles; 30 - interruption de la première phase de croissance épitaxiale lorsque ledit germe présente une facette inclinée présentant une orientation cristalline (0001) et une facette supérieure présentant une orientation semi-polaire cristalline (1011); 3048002 4 - une étape de traitement de surface comprenant une modification d'une portion supérieure du germe par mise en présence du germe avec au moins un gaz comprenant du silicium (Si) de manière à former à la surface du germe une portion modifiée comprenant du silicium (Si); 5 - au moins une deuxième phase de croissance épitaxiale dudit matériau, réalisée à partir de ladite facette inclinée présentant une orientation cristalline (0001). Il s'est avéré que la présence de la portion modifiée comprenant du silicium permet de stopper ou de dévier les défauts et dislocations qui se 10 propagent depuis les facettes du substrat cristallin qui présentent une orientation cristalline {111} et plus précisément depuis l'interface Si {1111/ GaN ou Si {111]/AIN/GaN si une couche de AIN a été formé avant croissance du GaN. Les dislocations issues des facettes du substrat présentant une 15 orientation cristalline {111}, s'inclinent pendant la croissance du germe et débouchent sur la facette supérieure semi-polaire présentant une orientation cristalline (0001). Les défauts et dislocations ne parviennent pas, ou que peu, jusqu'aux facettes inclinées du germe qui présentent une orientation cristalline (0001). 20 Lors de la deuxième phase de croissance épitaxiale, la couche semi-polaire croît à partir de ces facettes inclinées présentant une orientation cristalline (0001) et recouvre le dessus de la portion modifiée comprenant du silicium qui surmonte la facette supérieure du germe. Ainsi, au-dessus de la portion modifiée comprenant du silicium, la couche semi-polaire présente peu ou pas 25 de défauts et dislocations. De préférence, la deuxième phase de croissance épitaxiale étant poursuivie jusqu'à coalescence de germes de rainures parallèles adjacentes. L'invention permet ainsi d'améliorer significativement la qualité des composants obtenus. 30 De manière optionnelle, le procédé de l'invention peut en outre avoir au moins l'une quelconque parmi les caractéristiques et étapes facultatives prises séparément ou en combinaison : 3048002 5 Selon un mode de réalisation, au cours de la deuxième phase de croissance épitaxiale ladite couche semi-polaire de nitrure (GaN) recouvre une partie au moins de la portion modifiée comprenant du silicium. 5 Selon un mode de réalisation, la portion modifiée comprenant du silicium est continue sur ladite facette supérieure du germe. La portion modifiée comprenant du silicium permet de bloquer ou dévier les dislocations se propageant dans le germe depuis la facette du substrat présentant une 10 orientation cristalline {1111. Selon un mode de réalisation, la portion modifiée comprenant du silicium est absente ou discontinue sur la facette inclinée présentant une orientation cristalline (0001). 15 Selon un mode de réalisation, la portion modifiée comprenant du silicium présente sur ladite facette inclinée une épaisseur plus faible que sur la facette supérieure et suffisamment faible pour permettre une reprise de croissance par épitaxie dudit matériau à partir de ladite facette inclinée 20 présentant une orientation cristalline (0001). Le substrat cristallin est un matériau à base de silicium. Il est par exemple constitué de silicium. 25 Selon un mode de réalisation, la portion modifiée comprenant du silicium comprend du gallium (Ga), de l'azote (N) et du silicium (Si). Selon un mode de réalisation, la portion modifiée comprenant du silicium qui est présente sur la facette supérieure a une épaisseur strictement 30 supérieure à une couche monoatomique et de préférence supérieure ou égale à seize couches monoatomiques. Selon un mode de réalisation, la portion modifiée comprenant du silicium présente sur la facette supérieure a une 3048002 6 épaisseur strictement supérieure à 0,3 nm, de préférence supérieure à 4 nm et de préférence supérieure à 5 nm. Selon un mode de réalisation, la portion modifiée comprenant du 5 silicium présente sur la facette inclinée a une épaisseur égale à une seule couche monoatomique. Selon un mode de réalisation, la portion modifiée comprenant du silicium présente sur la facette inclinée a une épaisseur égale ou inférieure à 0,3 nm 10 Selon un mode de réalisation, ladite modification d'une portion supérieure du germe comprend une exposition du germe à un flux combiné de gaz comprenant du SiH4 et du NH3. Selon un mode de réalisation, ladite modification d'une portion supérieure du germe comprend une exposition du germe à un flux combiné de 15 gaz comprenant du SiH4 et du NH3 et on contrôle l'épaisseur de la portion modifiée en régulant notamment le rapport de flux de SiH4 et NH3 et/ou en régulant la durée d'exposition c'est-à-dire la durée d'injection des gaz. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la portion modifiée comprenant du silicium est contrôlée en régulant au moins l'un des paramètres 20 suivants : débit de l'au moins un gaz, température et pression d'injection de l'au moins un gaz comprenant du silicium. Là où le germe est modifié pour former cette portion comprenant du Si, on ne voit pas apparaître une couche de cristallinité différente. Seule une variation de contraste chimique est observée à cette interface. La durée du 25 traitement, la température, la pression du réacteur et les flux de gaz utilisés pour ce traitement sont les paramètres d'ajustement qui pilotent l'épaisseur de cette portion interfaciale formant une zone de blocage des dislocations. Avantageusement et selon l'invention, cette formation « in situ » permet 30 de former automatiquement une zone modifiée comprenant du silicium qui soit non-continue sur la facette inclinée et continue sur la facette supérieure. Ce dépôt « in situ » permet de former une couche très fine et soigneusement contrôlée. 3048002 7 Selon un mode de réalisation, au moins la première phase de croissance épitaxiale est effectuée dans un réacteur et l'étape de modification d'une portion supérieure du germe est effectuée dans le même réacteur. Selon un mode de réalisation, la modification d'une portion supérieure 5 du germe est effectuée par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD - metalorganic chemical vapor deposition). Ainsi, le traitement de surface est réalisé in situ dans le même bâti d'épitaxie MOCVD, que celui utilisé pour la croissance du GaN. Selon un mode de réalisation, ladite interruption est déclenchée au bout 10 d'une durée prédéterminée en fonction des conditions utilisée parmi lesquelles figurent : le débit de gaz, la température, la pression. Selon un mode de réalisation, la teneur en silicium de la portion modifiée située au-dessus de la facette supérieure présentant une orientation 15 semi-polaire cristalline (1011) est comprise entre 3% et 20% et de préférence entre 3% et 10% en pourcentage atomique. La facette supérieure présentant une orientation cristalline (0001) est semi-polaire. Selon un mode de réalisation, le nitrure est du nitrure de gallium (GaN). 20 Par ailleurs, de manière également optionnelle, le procédé de l'invention peut en outre présenter au moins l'une quelconque parmi les caractéristiques et étapes facultatives prises séparément ou en combinaison : 25 Selon un mode de réalisation, le matériau est du GaN et avant l'étape de croissance épitaxiale dudit matériau à partir des facettes présentant une orientation cristalline {111}, on forme une couche tampon d'AIN sur les facettes présentant une orientation cristalline {111}. Ainsi ladite étape de croissance épitaxiale comprend : 30 - une première croissance épitaxiale d'un matériau à base de nitrure d'aluminium (AIN) à partir desdites facettes non masquées qui présentent une orientation cristalline {111} ; 3048002 8 puis au moins une seconde croissance épitaxiale d'un matériau à base de nitrure de gallium (GaN) à partir dudit matériau à base de nitrure d'aluminium (AIN). Cela permet notamment d'éviter le contact entre GaN et le silicium du 5 substrat et de réduire ainsi les risques de détérioration de type melt back etching (gravure de refusion). Selon un mode de réalisation, ladite direction principale selon lesquelles les rainures s'étendent, correspond à une direction commune au plan 10 de ladite surface supérieure du substrat cristallin et au plan (111) de ce même substrat. Selon un mode de réalisation non limitatif, le rapport molaire V/III dudit matériau comprenant du nitrure (N) et au moins l'un parmi le gallium (Ga), entre 15 50 et 7000. Selon un mode de réalisation non limitatif, ledit rapport molaire V/III dudit matériau comprenant du nitrure (GaN) et le gallium (Ga) est compris entre 400 et 800 et de préférence entre 550 et 750. Selon un mode de réalisation, l'étape de formation d'un masque comprend un dépôt directif d'un matériau de masquage, exécuté de telle sorte que tout le substrat cristallin soit recouvert à l'exception desdites facettes qui présentent une orientation cristalline {111}. Selon un mode de réalisation, le matériau de masquage comprend au moins l'un parmi les matériaux suivants: l'oxyde de silicium (SiO2), le nitrure de silicium (SiN), le nitrure de titane (TiN). 30 Selon un mode de réalisation, la pluralité de rainures parallèles présente un pas pl qui est compris entre 50 nm et 20 pm. 20 25 3048002 9 Selon un autre mode de réalisation, la présente invention a pour objet un dispositif microélectronique qui comprend au moins une couche semi-polaire de nitrure (N) d'un matériau pris parmi le gallium (Ga), la couche semi-polaire comprenant une portion plane et une pluralité des portions pyramidales 5 s'étendant depuis la portion plane. Le dispositif comprend à l'intérieur de chaque portion pyramidale ou à la base de chaque portion pyramidale, une portion de GaN incorporant du silicium et formant possiblement du SiN. Plus précisément cette portion du germe comprend des atomes de gallium, des atomes de silicium et des atomes d'azote. 10 Selon un mode de réalisation, ladite portion modifiée comprenant du silicium présente au moins une partie plane qui est parallèle à la portion plane et dont l'épaisseur est strictement supérieure à 1 monocouche, i.e., strictement supérieure à 0,3nm. 15 Selon un autre mode de réalisation, la présente invention a pour objet une ou plusieurs diodes électroluminescentes (LED) comprenant un dispositif microélectronique selon l'invention. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES 20 Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée d'un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d'accompagnement suivants dans lesquels : La FIGURE 1 illustre la structure cristallographique hexagonale d'alliages à 25 base de GaN et les plans de croissance polaire, non polaire et semi-polaire. La FIGURE 2 montre la discontinuité de la polarisation totale qui se développe en fonction de l'orientation de la croissance épitaxiale. La FIGURE 3, composée des figures 3a à 3d, illustre un type de technique qui a été développée pour s'affranchir des problèmes liés à une croissance cristalline 30 d'un matériau à base de GaN selon un axe polaire. La FIGURE 4, composée des figures 4a à 4g, illustre un exemple de procédé selon l'invention. 3048002 10 La FIGURE 5 montre des résultats expérimentaux obtenus avec le procédé de l'invention. Les figures sont données à titre d'exemples et ne sont pas limitatives de l'invention. Elles sont des représentations schématiques de principe, 5 destinées à faciliter la compréhension de l'invention et ne sont donc pas nécessairement à la même échelle que les applications pratiques. En particulier, les épaisseurs relatives des différentes couches et des germes ne sont pas représentatives de la réalité. 10 DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, le terme « sur », « surmonte », « recouvre » ou « sous-jacent » ou leurs équivalents ne signifient pas forcément « au contact de ». Ainsi par exemple, le dépôt d'une première couche sur une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que 15 les deux couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d'elle par au moins une autre couche ou au moins un autre élément. Dans la description qui suit, l'épaisseur ou la hauteur est prise selon 20 une direction perpendiculaire aux faces principales des différentes couches. Sur les figures, l'épaisseur ou la hauteur est prise selon la verticale. De même lorsqu'on indique qu'un élément est situé au droit d'un autre élément, cela signifie que ces deux éléments sont situés tous deux sur une même ligne perpendiculaire au plan principal du substrat, soit sur une même 25 ligne orientée verticalement sur les figures La figure 3, composée des figures 3a à 3d, illustre un type de techniques qui ont été développées dans les années passées pour s'affranchir des problèmes mentionnés précédemment et liés à une croissance cristalline 30 d'un matériau à base de GaN selon un axe polaire. La figure 3 concerne essentiellement des techniques dans lesquelles on parvient à faire croître une couche à base de GaN d'orientation semi-polaire en partant de facettes inclinées 310 de rainures 320 en V créées à la surface du substrat de départ 3048002 11 300. La croissance se fait selon une méthode qui a été initialement proposée par un groupe de chercheurs japonais et publiée en langue anglaise en 2002 dans le « Journal of crystal growth », vol. 242(1), pages 82-86, sous le titre « Growth of (1101) GaN on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate by 5 selective MOVPE » par Yoshio Honda et ses coauteurs. Comme illustré dans la figure 3 l'idée de base développée dans la publication ci-dessus est de permettre que la croissance épitaxiale se fasse essentiellement à partir d'une seule des facettes 310, 311 de chaque rainure 320 créée préalablement par gravure à la surface d'un substrat 300 qui a été 10 par ailleurs choisi dans ce cas avec une orientation cristalline décalée de sept degrés d'angle par rapport au plan (001) tel que défini par son indice standard d'orientation cristallographique dit de Miller. Typiquement, le substrat est en silicium monocristallin. Comme indiqué, les facettes 310, 311 opposées de chaque rainure 320 du substrat de silicium présentent alors une orientation 15 cristallographique qui est respectivement de (111) et de (111). Les rainures 320 s'étendent dans leur plus grande longueur selon une direction principale contenue dans un plan parallèle au plan dans lequel le substrat s'étend principalement. Cette direction principale est commune au plan de la surface supérieure du substrat 300 et au plan (111). 20 Pour un substrat 300 en silicium, la révélation des facettes 310 d'orientation {111} se fait par attaque chimique à l'aide de KOH ou hydroxyde de potassium. Le substrat 300 de départ est masqué et l'attaque chimique a lieu dans les ouvertures du masque 331, formant ainsi des rainures 320. Le temps d'attaque fixe la profondeur de gravure et donc la hauteur des facettes 25 {111} 310 exposées. Puisque la croissance de GaN a une orientation + c sur les facettes {111} 310 du silicium, l'orientation initiale du silicium est choisie précisément de façon à sélectionner l'orientation semi-polaire voulue de la surface de la couche de GaN. 30 Comme représenté sur la figure 3b la méthode consiste à protéger toutes les surfaces, à l'exception des facettes 310 d'orientation (111) à partir desquelles la croissance va être effectuée, en procédant au dépôt d'un masque 331. 3048002 12 Le masque 331 est par exemple obtenu par dépôt d'une couche 331 de masquage dans une direction inclinée par rapport à la perpendiculaire à la surface supérieure du substrat 300 de manière à recouvrir les surfaces des facettes 330. L'inclinaison est telle qu'elle laisse libre d'oxyde les seules facettes 310. La couche 331 de masquage est de préférence formée d'un diélectrique, par exemple de SiO2 ou de SiN ou de leur combinaison. Comme montré sur la figure 3c la croissance du matériau à base de 10 GaN se fait donc à partir des facettes 310 qui ne sont pas protégées par la couche de masquage 331, tel qu'un oxyde dans la direction notée [0001]. L'opération est poursuivie jusqu'à ce qu'une coalescence des zones adjacentes de croissance 340 du matériau à base de GaN se produise. On obtient alors, comme représenté sur la figure 4d, une couche semi-polaire continue 350 15 d'orientation (1011) dans ce cas. D'autres méthodes similaires sont envisageables, par exemple en partant d'un substrat de silicium d'orientation (113) qui permet d'obtenir une couche continue du matériau à base de GaN d'orientation (1122) ou encore en partant d'un substrat de silicium d'orientation (114), avec un décalage 20 d'orientation cristallographique de un degré d'angle par rapport à ce plan, qui permet d'obtenir une couche continue du matériau à base de GaN d'orientation (201). Un processus similaire existe également qui est adapté pour l'obtention de couches semi-polaires sur des substrats de saphir structurés. Toutefois, un problème commun à toutes ces couches hétéro- 25 épitaxiales est que la structure cristalline de celles-ci est fortement perturbée par la présence d'un grand nombre de défauts incluant, d'une part, des défauts dits BSF, acronyme de l'anglais « basal stacking fault », c'est-à-dire des fautes d'empilement et, d'autre part, des défauts dits TD, acronyme de l'anglais « threading dislocation » c'est-à-dire des dislocations filaires qui se propagent 30 dans toute la structure cristalline lors de la croissance du cristal. De nombreuses méthodes ont été proposées pour prévenir et/ou corriger les différents types de défauts cristallins produits lors de la croissance du matériau à base de GaN. 3048002 13 La présente invention décrit une solution qui permet de former une couche semi-polaire de nitrure avec un taux de défauts moindre. La figure 4, composée des figures 4a à 4g, illustre des étapes d'un 5 exemple de procédé de l'invention. Pour parvenir à l'étape illustrée en figure 4a, on effectue au préalable les étapes décrites ci-dessus en référence aux figures 3a et 3b. Dans le cas où la couche semi-polaire que l'on souhaite former est du nitrure de gallium (GaN), on forme une couche tampon 410 de nitrure 10 d'aluminium (AIN), directement au contact des facettes 310 présentant une orientation cristalline {111}, comme cela a été mentionné dans la description de la figure 3. Cette couche tampon 410 s'est avérée être efficace notamment, pour réduire les réactions chimiques entre le gallium et le silicium entrainant une gravure par refusion habituellement appelée « meltback etching ». 15 En effet, la croissance de GaN sur un substrat de silicium se heurte à des difficultés liées à l'apparition d'un phénomène de « melt-back etching » lors de l'étape de croissance de la couche de nitrure telle qu'une couche de GaN. Ce phénomène destructif s'explique par la réactivité du silicium avec le Gallium. Notamment, lors de la phase de croissance des cristallites le silicium voit sa 20 température augmenter suffisamment pour qu'il puisse réagir avec le gallium. Cette réaction entraine généralement le creusement de cavités dans le silicium. Ces cavités détériorent les qualités du substrat et donc les performances des LEDs. Par ailleurs, ils apparaissent de manière aléatoire à la surface du silicium ce qui conduit à une faible homogénéité des LED obtenues 25 à partir d'un même empilement de couches. La formation d'une couche tampon de nitrure d'aluminium (AIN) sur le silicium avant de commencer la croissance de GaN permet d'éviter ou de limiter cette gravure intempestive du silicium par le gallium. 30 On procède ensuite à la croissance de la couche semi-polaire à base de GaN à partir des facettes 310 présentant une orientation cristalline {111}. Si ces facettes 310 présentant une orientation cristalline {111} sont recouvertes 3048002 14 d'une couche tampon 410 d'AIN, alors la couche semi-polaire de GaN croît à partir de cette couche tampon 410 d'AIN. La croissance de la couche semi-polaire est interrompue avant coalescence des zones 340 et donc avant d'obtenir le résultat illustré en figure 5 3c et 3d. Comme représenté sur la figure 4a la croissance du matériau à base de GaN est néanmoins poursuivie jusqu'à obtention d'un germe 440 en vue d'une reprise de croissance ultérieure. Les paramètres permettant la croissance d'un germe 440 ou cristal 10 comme représenté sur la figure 4a sont choisis de manière à préserver une facette inclinée 442 avec une orientation cristalline (0001). Ce cristal présente également une face supérieure 441 dont l'orientation cristalline est (1011). Dans un exemple particulier et non limitatif de mise en oeuvre du 15 procédé de l'invention la croissance du matériau à base de GaN est effectuée dans une chambre ou enceinte confinée à une température de 1210°C, sous une pression de 300 millibars pendant une durée de 3000 secondes, soit 50 minutes. De préférence la croissance du germe 440 est effectuée par MOCVD, acronyme de metal organic chemical vapor deposition signifiant épitaxie en 20 phase vapeur aux organométalliques. Cette croissance est de préférence réalisée directement à partir de la couche tampon 410 d'AIN. Le rapport molaire V/III du nitrure à base de gallium est dans cet exemple de 650. Plus généralement il est compris entre 550 et 750. Naturellement en fonction des paramètres choisis pour la croissance on 25 obtiendra des formes de germes et des tailles de facettes possiblement différentes. C'est en contrôlant le temps de croissance que l'on s'assure que le germe 440 ne forme pas une pyramide complète et qu'il présente bien une facette inclinée 442 dont l'orientation cristalline est (0001). Par exemple pour 30 des rainures en V, de profondeur comprise entre 50 nm et 15 pm, une croissance du GaN pendant une durée de 3000 secondes permet d'obtenir dans chaque rainure 320 une facette inclinée 442 dont la largeur « I » est supérieure à 30 nm et de préférence comprise entre 100 et 2000 nm et de 3048002 15 préférence de l'ordre de 200 nm. Cette largeur I, référencée en figure 4a est prise selon une direction contenue dans le plan de ladite facette inclinée 442 et perpendiculaire à la direction principale selon laquelle la rainure 320 s'étend. De manière générale, pour déterminer le temps de croissance du 5 germe 440 et le stopper à temps pour qu'il forme une facette inclinée 442 dont l'orientation cristalline est (0001), on prend en compte en particulier les paramètres suivants : ratio de débit de gaz, température, pression etc. Comme illustré en figure 4b, on procède ensuite à une étape de 10 modification d'une portion supérieure du germe 440. Cette étape consiste en un traitement de surface du germe 440. Il permet d'obtenir une zone superficielle qui est modifiée par incorporation de silicium. Cette zone ou portion modifiée est référencée 450 sur les figures 4b et suivante. 15 Cette portion modifiée comprend du silicium (Si) et possiblement du nitrure de silicium (SiN). De manière plus générale cette portion modifiée 450 comprend au moins du gallium (Ga), de l'azote (N) et du silicium (Si). Selon un mode de réalisation elle contient uniquement du gallium (Ga), de l'azote (N) et du silicium (Si). 20 Naturellement en dehors de cette portion modifiée par cette étape de traitement, le germe 440 ne comprend pas de silicium. A titre d'exemple non limitatif, la teneur en silicium de la portion modifiée 450 située au-dessus de la facette supérieure 441 est de 5% atomique. Plus généralement la teneur en silicium de la portion modifiée 450 25 située au-dessus de la facette supérieure 441 est comprise entre 3% et 10% atomique. Plus généralement la teneur en silicium de la portion modifiée 450 située au-dessus de la facette supérieure 441 est comprise entre 3% et 20% atomique. Ces teneurs permettent de modifier la portion supérieure du GaN de manière à bloquer très efficacement les dislocations au niveau de la facette 30 supérieure 451 tout en permettant une reprise de croissance par épitaxie au niveau de la facette semi polaire 452 d'orientation (0001). 3048002 16 Cette portion modifiée 450 comprenant du silicium est au moins située sur la face supérieure 441 du germe 440. De préférence ce traitement se fait in-situ, dans la même chambre que l'opération précédente, en maintenant les mêmes conditions de pression et de 5 température. Avantageusement, la modification de cette portion 450 est de préférence réalisée par MOCVD. Ce type de traitement permet de limiter cette portion modifiée 450 à une épaisseur très faible comme cela sera précisé ci-dessous. Par ailleurs, cela permet de ne pas changer de chambre au cours des différentes étapes ce qui est avantageux en termes de simplicité et de coût de 10 procédé. La modification de cette portion 450, comprenant du Si dans ce cas, est par exemple effectuée en injectant dans la chambre, pendant 70 secondes dans cet exemple, d'une part : de l'ammoniac (NH3) sous forme gazeuse avec un débit de 5 slm, acronyme de l'anglais « standard liter per minute », c'est-à- 15 dire 5 « litres par minute » et, d'autre part : du silane (SiH4) avec un débit de 100 sccm, acronyme de l'anglais « standard cubic centimer per minute », c'est-à-dire 5 centimètres cube par minute. Naturellement des valeurs bien différentes de ces paramètres peuvent être utilisées pour obtenir la modification de cette portion 450. Pour contrôler l'épaisseur de cette portion modifiée on 20 jouera par exemple sur les paramètres suivants : température, rapport de flux des gaz, pression etc. Selon d'autres exemples non limitatifs on pourra prendre des valeurs parmi les intervalles suivants : - Flux de SiH4: entre 5 et 3000 sccm 25 - Flux de NH3: entre 0.2 et 15 slm - Température : entre 600 et 1200 °C - Pression: entre 20 et 800 mbar La portion modifiée comprenant du silicium 450 est une couche très 30 mince, dont l'épaisseur, prise sur la face supérieure 441 du germe 440 est supérieure à une épaisseur monoatomique (i.e., l'épaisseur d'une couche monoatomique ou monocouche du matériau constituant la portion modifiée 450) et de préférence supérieure à l'épaisseur de deux couches atomiques. Elle est plus généralement comprise entre une épaisseur monoatomique et seize couches atomiques c'est-à-dire, typiquement, dans une gamme d'épaisseur allant de 0,3 nanomètre (ou nm = 10-9 mètre) à 5 nm. 3048002 17 De manière plus générale la portion modifiée comprenant du silicium 450 est formée par injection de gaz dans la chambre pendant une durée comprise entre 10 et 100 secondes. De manière inattendue, on constate que la modification du GaN par 5 incorporation de silicium, se fait sélectivement sur la facette supérieure 441 de germe 440 et ne se fait pas ou pas de façon continue notamment sur la facette inclinée 442 d'orientation (0001). Il a été observé que sur la facette inclinée 442 du germe 440, le traitement par incorporation de Si n'est pas continu et laisse des régions dans 10 lesquelles il n'y a pas de Si. Cette discontinuité de la modification du germe permet qu'une reprise de croissance du GaN puisse ensuite se faire à partir de cette facette 442. Typiquement l'épaisseur de la portion modifiée comprenant du silicium 450, 15 prise sur la face inclinée 442 du germe 440 est égale ou strictement inférieure à une couche. Ainsi, la portion modifiée comprenant du silicium présente sur la facette inclinée une épaisseur inférieure ou égale 0,3 nm. A l'inverse, le traitement conduit à une modification du GaN continue sur toute la facette supérieure 441, formant ainsi une portion 450 continue 20 comprenant du Si sur cette facette supérieure 441. Ensuite, dans le même équipement et pendant par exemple 10 minutes sans que cette durée soit limitative dans ce contexte, on reprend la croissance du matériau à base de GaN en utilisant les mêmes conditions que pour la croissance initiale du germe 440. Comme le montre la figure 4c, après avoir 25 modifié la portion 450 par incorporation de silicium, la reprise de nucléation du matériau à base de GaN se produit alors uniquement à partir de la facette inclinée 442 d'orientation (0001). Le germe 440 présente alors l'extension 460 illustrée en figure 4c. On ne constate plus aucune nucléation sur la facette supérieure 441 d'orientation (10-1-1) couverte par la portion modifiée 450 30 comprenant du silicium. Cette absence de croissance du GaN à partir de la facette supérieure 441 alors que le GaN croît à partir de la facette inclinée 442 d'orientation (0001) 3048002 18 peut reposer sur plusieurs explications. Dans le cadre du développement de la présente invention, plusieurs explications ont été envisagées pour essayer de comprendre cette différence de croissance du GaN. Il est probable que c'est la combinaison de ces explications qui est à l'origine de cette différence de 5 croissance du GaN. Une explication envisageable serait que la discontinuité de la modification sur la facette inclinée 442 permette une reprise de croissance du GaN par épitaxie là où la facette inclinée 442 n'est pas modifiée alors que la modification continue sur la facette supérieure 441 bloque la reprise de 10 croissance. Une autre explication envisageable serait qu'à l'intersection entre la facette supérieure 441 et la facette inclinée 442 il y ait plus de liaison disponibles pour y ré-initier la croissance, ceci favorisant la croissance du GaN à cette intersection. 15 Une autre explication envisageable serait que les différences en termes de vitesse de dépôt et en termes de densité et de structure cristalline concernant la portion modifiée 450 comprenant du silicium sur la facette supérieure 441 d'une part et sur la facette supérieure 442 d'autre part, induisent des affinités différentes avec le GaN et la possibilité ou non de poursuivre une 20 croissance par nucléation. Comme montré sur les figures 4d à 4g, la croissance du matériau à base de GaN se poursuit ensuite latéralement 470 jusqu'à recouvrir complètement la portion modifiée 450 comprenant du silicium comme illustré par la figure 4f. 25 De manière particulièrement avantageuse, la portion modifiée 450 comprenant du silicium empêche la propagation des dislocations filaires (TD) dans la portion supérieure 445 du germe 440, c'est-à-dire la portion située au-dessus de la portion modifiée 450. Il semble qu'au contact de la portion 30 modifiée 450 comprenant du silicium ces dislocations se courbent et se propagent dans un plan parallèle à cette portion modifiée 450 mais sans la traverser. Les dislocations restent ainsi confinées dans la portion inférieure 446 3048002 19 du germe 440, c'est-à-dire la portion située au-dessous de la portion modifiée 450. Au niveau de la facette inclinée 442 d'orientation (0001), les dislocations ne se propagent pas dans la portion supérieure 445 du germe 440 5 située au-dessus de la portion modifiée 450 comprenant du silicium. La figure 4g illustre le résultat obtenu après poursuite de la croissance de la couche semi-polaire 480 jusqu'à coalescence des germes 440. Sur cette figure sont représentées de manière schématique les dislocations 500 qui se propagent depuis l'interface facettes {111}/ AIN /GaN 10 puis qui se courbent et dont la progression dans le plan est stoppée par la couche modifiée 450 comprenant du silicium. La couche semi-polaire 480 ainsi obtenue peut ensuite être détachée de son substrat 300 pour former un dispositif microélectronique. 15 La figure 5 montre des photos d'échantillons de cristaux de GaN qui ont été réalisés selon le procédé de l'invention décrit dans la figure précédente. Les photos ont été prises à l'aide d'un système de microscopie électronique dit STEM, acronyme de l'anglais « scanning transmission electron microscopy » c'est-à-dire « microscope électronique à balayage par transmission ». La 20 figure 5 montre des images en coupe de la zone d'un cristal dont la croissance a été obtenue comme décrit précédemment, c'est-à-dire à partir de la facette 442 d'un germe 440 pyramidal. Les photos ont été acquises avec différents grossissements dans l'axe de zone [1120] 510. On y voit que les dislocations filaires (TD) 500 sont complètement bloquées dans le plan où la portion 25 modifiée comprenant du silicium 450 est présente. Sur les observations réalisées sur les germes après modification par incorporation de Si, on ne voit pas apparaître une couche de cristallinité différente à l'interface où a été réalisé le traitement par incorporation de Si dans le GaN. Seule une variation de contraste chimique est vue à cette interface. La 30 durée du traitement, la température, la pression du réacteur et les flux de gaz utilisés pour ce traitement sont les paramètres d'ajustement qui pilotent l'épaisseur de cette zone interfaciale. 3048002 20 De nombreuses variantes peuvent être apportées au mode de réalisation non limitatif décrit en référence aux figures 3a et 3b et 4a à 4g. Par exemple, les rainures 320 ne sont pas nécessairement en V. Elles peuvent présenter un fond plat. Les facettes 310 présentant une orientation 5 cristallographique {111} peuvent ainsi s'arrêter sur un fond de rainure sans rejoindre directement les facettes opposées 311. L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits ci-dessus et s'étend à tous les modes de réalisation couverts par les revendications. REVENDICATIONS1. Procédé permettant d'obtenir au moins une couche semi-polaire (480) de nitrure obtenue à partir d'un matériau à base de gallium (Ga) et d'azote (N) sur une surface supérieure d'un substrat cristallin (300), le procédé 5 comprenant au moins les étapes suivantes: - graver une pluralité de rainures parallèles (320) à partir de la surface supérieure du substrat cristallin (300), chaque rainure (320) comprenant au moins deux facettes inclinées opposées (310, 311), au moins l'une (310) desdites deux facettes opposées (310, 311) présentant une orientation 10 cristalline {111) ; - former un masque (331) au-dessus de la surface supérieure du substrat cristallin (300) de telle sorte que les facettes (311) opposées auxdites facettes (310) présentant une orientation cristalline {111} soient masquées et que lesdites facettes (310) présentant une orientation cristalline {111} ne soient 15 pas masquées ; - former ladite couche semi-polaire (350) de nitrure par croissance épitaxiale à partir desdites facettes (310) non masquées présentant une orientation cristalline {111}; caractérisé en ce que ladite étape de formation de ladite couche semi-polaire 20 (350) comprend au moins les étapes suivantes - au moins une première phase de croissance épitaxiale, réalisée à partir desdites facettes (310) non masquées présentant une orientation cristalline {111} de manière à former un germe (440) dans une pluralité au moins de rainures parallèles (320); 25 - interruption de la première phase de croissance épitaxiale lorsque ledit germe (440) présente une facette inclinée (442) présentant une orientation cristalline (0001) et une facette supérieure (441) présentant une orientation semi-polaire cristalline (1011); - une étape de traitement de surface comprenant une modification d'une 30 portion supérieure du germe (440) par mise en présence du germe (440) avec au moins un gaz comprenant du silicium (Si) de manière à former à la surface du germe (440) une portion modifiée (450) comprenant du silicium (Si); 3048002 22 - au moins une deuxième phase de croissance épitaxiale dudit matériau, réalisée à partir de ladite facette inclinée (442) présentant une orientation cristalline (0001), la deuxième phase de croissance épitaxiale étant poursuivie jusqu'à coalescence de germes (440) de rainures parallèles (320) adjacentes. 2. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel au cours de la deuxième phase de croissance épitaxiale ladite couche semi-polaire (480) de nitrure (N) recouvre une partie au moins de la portion modifiée (450) comprenant du silicium. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la portion modifiée (450) comprenant du silicium est continue sur ladite facette supérieure (441) du germe (440). 15 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la portion modifiée (450) comprenant du silicium est absente ou discontinue sur la facette inclinée (442) présentant une orientation cristalline (0001). 20 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la teneur en silicium de la portion modifiée située au-dessus de la facette supérieure (441) présentant une orientation semi-polaire cristalline (1011) est comprise entre 3% et 20% en pourcentage atomique. 25 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite modification d'une portion supérieure du germe (440) comprend une exposition du germe (440) à un flux combiné de gaz comprenant du SiH4 et du NH3. 30 10 7. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel l'épaisseur de la portion modifiée (450) comprenant du silicium est contrôlée en régulant 3048002 23 au moins le rapport des débits de SiH4 et de NH3 et/ou en régulant la durée d'exposition. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans 5 lequel l'épaisseur de la portion modifiée (450) comprenant du silicium est contrôlée en régulant au moins l'un des paramètres suivants : débit, température et pression d'injection de l'au moins un gaz comprenant du silicium. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la portion modifiée (450) comprenant du silicium surmontant la facette supérieure (441) a une épaisseur strictement supérieure à une couche monoatomique et de préférence supérieure ou égale à seize couches monoatomiques. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la portion modifiée (450) comprenant du silicium surmontant la facette supérieure (441) a une épaisseur strictement supérieure à 0,3 nm et de préférence supérieure à 5 nm 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la portion modifiée (450) comprenant du silicium surmontant la facette inclinée (442) a une épaisseur inférieure ou égale à une seule couche monoatomique. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la portion modifiée (450) comprenant du silicium surmontant la facette inclinée (442) a une épaisseur égale ou inférieure à 0,3 nm 30 13.Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel au moins la première phase de croissance épitaxiale et la 25 3048002 24 modification d'une portion supérieure du germe (440) sont effectuées dans le même réacteur. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans 5 lequel la modification d'une portion supérieure du germe (440) est effectuée par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD). 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans 10 lequel ladite étape d'interruption est déclenchée au bout d'une durée prédéterminée. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la première phase de croissance épitaxiale dudit matériau à partir 15 de la facette (310) présentant une orientation cristalline {111} est interrompue avant que le germe (440) ne remplisse ladite rainure. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel avant l'étape de croissance épitaxiale dudit matériau à partir des 20 facettes (310) présentant une orientation cristalline {111}, on forme une couche tampon (410) d'AIN sur les facettes (310) présentant une orientation cristalline {111}. 18. Dispositif microélectronique comprenant au moins une couche semi- polaire (480) de nitrure de gallium (GaN), la couche semi-polaire (480) comprenant une portion plane (445) et une pluralité des portions pyramidales (446) s'étendant depuis la portion plane (445), caractérisé en ce qu'il comprend à l'intérieur de chaque portion pyramidale, une portion modifiée (450) comprenant du silicium. 19. Dispositif microélectronique selon la revendication précédente, dans lequel ladite portion modifiée (450) comprenant du silicium présente au 3048002 25 moins une partie plane qui est parallèle à ladite portion plane (445), l'épaisseur de ladite partie plane de la portion modifiée (450) étant strictement supérieure à 0,3nm. 5 20. Diodes électroluminescentes (LED) comprenant un dispositif microélectronique selon l'une quelconque des deux revendications précédentes.