FR 3040787 A1 20170310 FR 1501823 A 20150903 1 COMPOSANT POUR LA DÉTECTION D'UN RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS UNE GAMME DE LONGUEURS D'ONDE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL COMPOSANT DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne le domaine de la détection des rayonnements électromagnétiques dans la gamme des infrarouges et du visible et a plus précisément pour objet un composant destiné à la détection d'un rayonnement électromagnétique dans une première gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme des infrarouges et du visible et le procédé de fabrication d'un tel composant. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Pour certaines applications d'imagerie ou de spectroscopie dans l'infrarouge et le visible, il est nécessaire de pouvoir détecter et/ou mesurer uniquement les rayonnements électromagnétiques dont les longueurs d'onde sont comprises dans une gamme de longueurs d'onde prédéfinie. C'est pour répondre à ces besoins que les filtres optiques du type passe bande ont été développés. Ces filtres de type passe-bande peuvent en effet être associés avec des structures aptes à absorber un rayonnement électromagnétique. Ainsi, un tel filtre optique permet de transmettre à ces structures majoritairement la partie du rayonnement électromagnétique se trouvant dans une gamme de longueurs d'onde bien définie. C'est donc majoritairement cette partie du rayonnement électromagnétique qui sera détectée par ces structures. Par filtre passe bande dans une gamme de longueurs d'onde, il doit être entendu ci-dessus et dans le reste de ce document qu'un tel filtre recevant un rayonnement électromagnétique dont une partie du spectre est comprise dans la gamme de longueurs d'onde transmet majoritairement ladite partie, le reste du spectre étant au moins partiellement réfléchi et/ou absorbé. 3040787 2 De tels filtres passe bande sont basés sur les surfaces sélectives en fréquence déjà utilisées pour les radiofréquences. Les travaux de Kristensen et de ses collaborateurs publiés dans la revue scientifique Journal of Applied Physics volume 95 pages 4845 en 2004, illustrent une telle 5 application des surfaces sélectives en fréquence pour former un filtre passe bande dans une gamme de longueurs d'onde comprise dans les infrarouges. Un tel filtre optique, disposé sur un substrat de silicium pouvant intégrer une ou plusieurs structures semiconductrices, comporte : - une première couche de silice recouvrant le substrat, 10 - une couche métallique en aluminium recouvrant la première couche de silice et comprenant des trous traversants régulièrement répartis et dimensionnés pour former une surface sélective en fréquence, - une deuxième couche de silice recouvrant la couche métallique. Les trous traversants de la couche métallique sont également remplis de 15 silice. Ce type de filtre, de la même façon qu'une surface sélective en fréquence dans la gamme de fréquence des radiofréquences, permet de fournir un filtre passe bande dans une gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme des infrarouges. Ainsi, un tel filtre optique permet, en l'associant avec une à plusieurs structures absorbantes, de 20 former un composant pour détecter et/ou mesurer un rayonnement dans une gamme de longueurs d'onde donnée. Ce type de filtre décrit par Kristensen et ses collaborateurs présente néanmoins un certain nombre d'inconvénients. Avec un tel filtre optique la taille moyenne des motifs et donc leur période sont proches de la longueur d'onde de la lumière à filtrer. 25 Or le premier ordre de diffraction apparait à une longueur d'onde égale à la période. Il résulte ainsi de cette période, et de la diffraction qu'une telle période occasionne, l'apparition d'un pic parasite et une excitation du guidage de photons dans la silice. Cela a pour conséquence un gabarit de transmission avec un tel filtre optique non optimal, le pic de transmission du filtre optique étant fortement asymétrique, et une réjection dégradée. 3040787 3 EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention vise à remédier à plusieurs de ces inconvénients et a donc plus précisément pour objet la fourniture d'un composant destiné à la détection et/ou la mesure d'un rayonnement électromagnétique dans une première gamme de 5 longueurs d'onde comprise dans la gamme des infrarouges et du visible dont le filtre optique peut être à même de présenter un taux de transmission optimisé par rapport au filtre optique d'un composant de l'art antérieur. L'invention concerne à cet effet un composant destiné à la détection et/ou la mesure d'un rayonnement électromagnétique dans une première gamme de 10 longueurs d'onde comprise dans la gamme des infrarouges et du visible, le composant comportant : un support comportant une face de réception pour recevoir le rayonnement électromagnétique et au moins une première structure apte à absorber un rayonnement électromagnétique, 15 un filtre optique dont au moins une première portion associée à la première structure est du type filtre passe bande dans la première gamme de longueurs d'onde, le filtre optique étant disposé sur la face de réception du support de manière à filtrer le rayonnement électromagnétique transmis au support, le filtre optique comportant: 20 - une couche d'adaptation recouvrant au moins en partie la face de réception du support, la couche d'adaptation présentant un indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde qui est inférieur à 2, une couche métallique recouvrant la couche d'adaptation et comprenant des trous traversants régulièrement répartis et dimensionnés pour que la couche métallique forme une surface sélective en 25 fréquence. Chacun des trous traversants contient un matériau de remplissage dont l'indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde est supérieur à 2. Un matériau de remplissage de chacun des trous présentant un fort indice de réfraction par rapport à celui de la couche d'adaptation permet de fournir un filtre optique avec une réjection améliorée. Il en résulte pour un tel filtre optique un pic de 3040787 4 transmission plus étroit et avec une symétrie améliorée vis-à-vis d'un filtre optique de l'art antérieur, tel que celui décrit par Kristensen et ses collaborateurs. Le pas du réseau des trous traversants peut donc être inférieur aux longueurs d'onde de la première gamme de longueurs d'onde. 5 Ainsi avec une possibilité d'agencement des trous traversants avec un pas inférieur aux longueurs d'onde de la première gamme de longueurs d'onde, il est possible d'éviter les modes guidés photoniques dans le filtre optique qui pourraient réduire d'autant le taux de transmission. Le filtre optique d'un composant selon l'invention peut donc être à même de présenter un taux de transmission optimisé par rapport au filtre optique d'un 10 composant de l'art antérieur. La couche d'adaptation peu présenter un indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde qui est préférentiellement inférieur à 1,7, voire à 1,5 ou 1,2 et est idéalement sensiblement égale à 1. Par « une première gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme 15 des infrarouges et du visible », il doit être entendu ci-dessus et dans le reste de ce document que la première gamme de longueurs d'onde est comprise dans une gamme de longueurs d'onde incluant les longueurs d'onde du visible et des infrarouges. Ainsi la première gamme de longueurs d'onde peut tout aussi bien être totalement comprise dans la gamme du visible que dans la gamme des infrarouge voire inclure une partie de ses 20 longueurs d'onde comprises dans la gamme du visible et le reste de ses longueurs d'onde comprises dans la gamme des infrarouges. Dans chacun des trous traversant il peut être prévu un espace entre la couche métallique et le matériau de remplissage. Avec un tel espace entre la couche métallique et le matériau de 25 remplissage il est possible de prévoir une zone d'interface présentant un indice de réfraction inférieur à 2, préférentiellement à 1,5, soit en laissant cet espace vide soit en le remplissant avec un matériau adéquat. Une telle zone d'interface est particulièrement avantageuse. En effet, elle permet comme le montre les figures 4a et 4b de fournir un filtre optique avec un taux de transmission dans la première gamme de longueurs d'onde qui 30 optimisé. 3040787 5 Dans chaque trou traversant l'espace entre la couche métallique et le matériau de remplissage peut contenir un matériau d'interface, ledit matériau d'interface présentant un indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde inférieur à 2, préférentiellement à 1,7, voire 1,5. 5 Un tel matériau d'interface permet de fournir un espace entre la couche métallique et le matériau d'interface avec un indice de réfraction adéquat pour optimiser le un taux de transmission dans la première gamme de longueurs d'onde qui optimisé. De plus, contrairement à un espace laissé vide, qui est donc soumis aux aléas du changement d'atmosphère, l'indice de réfaction d'un tel matériau d'interface présente l'avantage d'être 10 stable dans le temps. Du matériau d'interface peut également être positionné entre le matériau de remplissage et la couche d'adaptation. Le matériau de remplissage peut être encapsulé dans le matériau d'interface de manière à ce que le matériau d'interface fasse interface entre le matériau 15 de remplissage et la couche de métal et soit positionné entre le matériau de remplissage et le support. Le matériau d'interface peut être sélectionné dans le groupe comportant les dioxydes de silicium, les sulfures de zinc, les nitrures de silicium. De tels matériaux présentent des indices de réfraction dans le visible et 20 les infrarouges particulièrement bas. Dans chaque trou traversant l'espace entre la couche métallique et le matériau de remplissage peut être vide de matériau. Un tel vide de matériau est particulièrement avantageux pour obtenir un indice de réfraction le plus faible possible et ainsi optimiser au mieux le taux de 25 transmission du filtre optique. Le matériau de remplissage peut être un matériau sélectionné dans le groupe comportant les siliciums, les germaniums et les tellurures de plomb. De tels matériaux permettent de fournir de fort indice de réfraction tout en étant parfaitement compatible avec les contraintes de fabrication de 30 l'optoélectronique. 3040787 6 Le matériau de remplissage peut être un matériau cristallin ou polycristallin, tel qu'un silicium cristallin ou un germanium cristallin. Le matériau de remplissage peut être un matériau amorphe, tel qu'un silicium ou un germanium amorphe. 5 Le matériau de la couche métallique peut être un sélectionné dans le groupe comportant le cuivre, l'argent, l'or, l'aluminium, le tungstène, le titane et leurs alliages. Le support comporte : un substrat dans lequel est aménagée au moins partiellement l'au 10 moins une première structure, l'au moins une première structure présentant une surface active par laquelle la première structure absorbe le rayonnement électromagnétique, - un capot disposé de manière à encapsuler la surface active de la première structure, la face du capot opposée à la surface active de la structure formant la face de détection du support. 15 De tel composant utilisant un capot, par exemple un bolomètre encapsulé, bénéficie particulièrement d'un filtre optique selon l'invention. La répartition des trous traversants dans la première et la deuxième portion du filtre optique est identique, et dans lequel les trous traversants de respectivement la première et la 20 deuxième portion sont dimensionnés pour que respectivement la première portion soit un filtre optique passe bande dans la première gamme de longueurs d'onde et que la deuxième portion soit un filtre optique passe bande dans la deuxième gamme de longueurs d'onde. Une telle configuration du filtre optique ouvre les applications de 25 mesures et d'imageries à plusieurs longueurs d'onde. En effet, avec un seul filtre, le composant peut comporter pour chaque portion une structure absorbante dédiée et ainsi mesurer avec ces structures les rayonnements électromagnétiques se trouvant dans la première et deuxième gamme de longueurs d'onde. On notera, de plus, que ceci est particulièrement avantageux lorsque ces structures absorbantes sont agencées sous la 30 forme d'une matrice. En effet, le pas du réseau de trous étant constant, il peut être choisi 3040787 7 comme étant une fraction unitaire du pas de la matrice de structures, c.a.d que le pas de la matrice est un multiple entier du pas du réseau de trous. La conception et la fabrication d'un composant comportant ces structures s'en trouve particulièrement facilitée. L'invention concerne Procédé de fabrication d'un composant destiné à la 5 détection d'un rayonnement électromagnétique dans une première gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme des infrarouges et du visible, le procédé comportant les étapes suivantes : - fourniture d'un support comportant au moins une première structure destinée à la détection de rayonnement électromagnétiques et une face de 10 réception pour recevoir le rayonnement électromagnétique, - formation d'une couche d'adaptation recouvrant au moins en partie la face de réception du support et présentant un indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde qui est inférieur à 2, - formation d'une couche métallique recouvrant la couche 15 d'adaptation et comprenant des trous traversants régulièrement répartis et dimensionnés pour former une surface sélective en fréquence, chacun des trous traversants contenant un matériau de remplissage dont l'indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde est supérieur à 2. L'invention concerne également Procédé de fabrication d'un composant 20 destiné à la détection d'un rayonnement électromagnétique dans une première gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme des infrarouges et du visible, le procédé comportant les étapes suivantes : - fourniture d'un substrat sacrificiel, - formation d'une couche métallique sur le substrat sacrificiel, la 25 couche métallique comprenant des trous traversants régulièrement répartis et dimensionnés pour former une surface sélective en fréquence, chacun des trous traversants contenant un matériau de remplissage dont l'indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde est supérieur à 2, - formation d'une couche d'adaptation sur la couche métallique de 30 manière à ce que la couche d'adaptation soit couverte par la couche métallique, la couche 3040787 8 d'adaptation présentant un indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde qui est inférieur à 2, - fourniture d'un support comportant au moins une première structure apte à absorber un rayonnement électromagnétique et une face de réception 5 pour recevoir le rayonnement électromagnétique ou d'une partie de support destinée à la formation d'un tel support et comportant la face de réception dudit futur support, - report de l'ensemble couche d'adaptation, couche métallique, substrat sacrificiel sur la face de réception de manière à ce que la couche d'adaptation recouvre au moins en partie la face de réception, 10 - suppression au moins en partie le substrat sacrificiel. De tels procédés de fabrication permettent de fabriquer un composant bénéficiant des avantages liés à l'invention. L'étape de formation de la couche métallique peut comporter les sous-étapes suivantes : 15 - dépôt du matériau de remplissage de manière à délimiter avec le matériau de remplissage au moins partiellement les trous traversants de la couche métallique, - dépôt d'une couche de matériau métallique de manière à remplir les espaces laissés libres par le matériau de remplissage de manière à former la couche 20 métallique. Une telle étape de formation de la couche métallique est particulièrement avantageuse pour fournir la couche métallique puisqu'elle utilise des étapes parfaitement compatibles avec les contraintes de fabrication de l'optoélectronique. Lors de l'étape de dépôt du matériau de remplissage, le dépôt peut être 25 réalisé de manière à ce que le matériau de remplissage soit entouré de matériau d'interface ceci pour définir lors du dépôt de matériau métallique un espace entre la couche de métallique et le matériau de remplissage. Un tel procédé de fabrication permet de fournir un composant bénéficient d'un taux de transmission optimisé. 3040787 9 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation, donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : 5 - les figures la et lb illustrent schématiquement un composant selon un premier mode de réalisation de l'invention avec en figure la une vue en coupe et en figure lb une vue de dessus illustrant les trous traversants ménagés dans la couche métallique du composant, - les figures 2a à 2c illustrent respectivement trois exemples de formes de 10 trous traversants pour une couche métallique d'un composant selon l'invention, - les figures 3a à 3h illustrent schématiquement les principales étapes de fabrication du composant illustré sur les figures la à lb, - les figures 4a et 4b illustrent graphiquement l'amélioration apportée par l'utilisation d'un matériau d'interface disposé entre la couche métallique et un matériau de 15 remplissage avec respectivement en figure 4a les spectres de transmission de filtres optiques selon l'invention ne comportant pas un tel matériau d'interface et en figures 4b ceux pour des filtres optiques selon l'invention comportant un tel matériau d'interface, - la figure 5 illustre des spectres de transmission pour des filtres optiques de composants selon une réalisation pratique de ce premier mode de réalisation de 20 l'invention avec quatre dimensionnements différents des trous traversants de la couche métallique, - les figures 6a et 6b illustrent schématiquement un composant selon un deuxième mode de réalisation de l'invention avec en figure 6a une vue en coupe et en figure 6b une vue de dessus illustrant les trous traversants ménagés dans la couche 25 métallique du composant. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas 30 nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. 3040787 10 Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS 5 Les figures la et lb illustrent un composant 1 selon l'invention. Un tel composant 1 est destiné à la détection et/ou la mesure d'un rayonnement électromagnétique dans une première gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme des infrarouges et du visible. Le composant 1 selon ce premier mode est plus particulièrement dédié à 10 la détection de rayonnement dans une première gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme des infrarouges. On notera que la gamme des infrarouges est divisée en trois sous-domaines que sont la gamme du proche infrarouge comprise entre 1 et 3 iam, la gamme de l'infrarouge moyen comprise entre 3 et 5 µm et l'infrarouge lointain correspondant aux longueurs d'onde comprises entre 8 et 14 p.m. 15 Un tel composant 1 comporte : - un support 10 comportant une première et une deuxième structure 111, 112 toutes deux aptes à absorber un rayonnement électromagnétique et une face de réception 121 pour recevoir le rayonnement électromagnétique, - un filtre optique 20 du type passe bande dans la première gamme de 20 longueurs d'onde, le filtre optique étant disposé sur la face de réception du support 10 de manière à filtrer le rayonnement électromagnétique transmis au support 10. Le support 10 comporte, comme illustré sur la figure la : - un substrat 100 dans lequel sont aménagées au moins partiellement la première et la deuxième structure 111, 112, 25 - la première et la deuxième structure 111,112 comportant chacune une surface active pour absorber le rayonnement électromagnétique filtré, ladite surface active étant supportée par le substrat 100 sur la figure la, 3040787 11 un capot 120 disposé de manière à encapsuler les surfaces actives des première et deuxième structures 111, 112, la face du capot opposée aux surfaces actives des structures 111, 112 formant la face de réception 121 du support 10. Le substrat 100 est un substrat semiconducteur classique dans lequel est 5 aménagée l'électronique de lecture des première et deuxième structures 111, 112. Classiquement le substrat 100 peut être un substrat en silicium. La première et la deuxième structure 111, 112, sont toutes deux des structures du type bolomètre. La première et la deuxième structure 111, 112 comportent toutes deux un circuit de lecture, non illustré, et une surface active par laquelle elles sont 10 référencées sur la figure la. La surface active de chacune de la première et la deuxième structure 111, 112 est supportée par le substrat 100 et est disposée de manière à recevoir le rayonnement électromagnétique reçu par la face de réception 121. De telles structures 111, 112 étant connues de l'homme du métier, elles ne sont pas décrites plus précisément dans ce document. 15 Le capot 120 permet d'encapsuler les surfaces actives des première et deuxième structures 111, 112 de manière à définir une atmosphère protectrice pour les surfaces actives de ces dernières. Le capot 120 est réalisé dans un matériau au moins partiellement, et préférentiellement totalement, transparent dans la première gamme de longueurs d'onde. Ainsi dans le cadre du premier mode de réalisation illustré sur la figure 20 la et une première gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme des infrarouges, le capot 120 peut être formé par un substrat silicium. En variante, le capot 120 peut également être en germanium. Le capot présente un indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde des infrarouges qui est généralement compris entre 2 et 4, voire entre 25 2,5 et 3,5 ou encore 2,6 et 3. Le capot 120 présente la face de réception 121 du support 10. Le filtre optique 20 est disposé sur le support en contact avec la face de réception 121. Le filtre optique 20 comporte : 30 - une couche de collage 210, 3040787 12 - une couche d'adaptation 220 recouvrant au moins en partie la face de réception du support 20, la couche d'adaptation 220 étant fixée à la face de réception 121 au moyen de la couche de collage 210, - une couche métallique 230 recouvrant la couche d'adaptation 220 et 5 comprenant des trous traversants 231 régulièrement répartis et dimensionnés pour que la couche métallique 230 forme une surface sélective en fréquence. La couche de collage 210 est réalisée dans un matériau au moins partiellement transparent dans la première gamme de longueurs d'onde et préférentiellement transparent dans cette même première gamme de longueurs d'onde. 10 La couche de collage 210 présente un indice de réfraction inférieur à celui du capot. Ainsi le matériau de la couche de collage 210 peut être un matériau présentant un indice de réfraction inférieur à 2, voire inférieur à 1,7. Ainsi, ce matériau de la couche de collage 210 peut être, par exemple, un polymère époxyde tel que le polymère époxyde commercialisé par EPO-TEK" sous la 15 référence EPO-TEKTM 360. En effet, un tel matériau de la couche de collage 210 présente un indice de réfraction dans le visible sensiblement égal à 1,5. La couche de collage 210 peut être relativement épaisse et ainsi être comprise entre 100 nm et 1,5 gm, voire entre 300 nm et 1 gm. Classiquement, la couche de collage peut être, par exemple, d'épaisseur de 300 nm. 20 La couche de collage 210 permet de fixer la couche d'adaptation 220 à la face de réception 121 du support 10. Ainsi la couche d'adaptation 220 recouvre la face de réception 121 du support 10. La couche d'adaptation 220 est réalisée dans un matériau au moins transparent dans la première gamme de longueurs d'onde et préférentiellement 25 transparent dans cette même première gamme de longueurs d'onde. La couche d'adaptation 220, de manière à fournir une symétrie d'indice de réfraction autour de la couche métallique 230 formant une surface sélective en fréquence, présente un indice de réfraction inférieur ou égal à 2 et préférentiellement inférieur à 1,7, ou 1,5 voire inférieur à 1,2 ou encore sensiblement égal à 1. 3040787 13 Ainsi, la couche d'adaptation 220 peut être réalisée dans un matériau sélectionné dans le groupe comportant le dioxyde de silicium Si02, le sulfure de zinc ZnS et le nitrure de silicium Si3N4. L'épaisseur de la couche d'adaptation 220 est comprise entre 50 nm et 1,5 p.m et préférentiellement entre 150 nm et 600 nm. 5 Par exemple, l'épaisseur de la couche d'adaptation 220 peut être comprise entre 250 et 350 nm pour une première gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme du moyen infrarouge et entre 550 et 650 nm pour une première gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme de l'infrarouge lointain. La couche métallique 230 recouvre la couche d'adaptation 220. 10 La couche métallique 230 présente une épaisseur supérieure à l'épaisseur de peau de manière à assurer que la couche métallique soit opaque vis-à-vis du rayonnement électromagnétique. Ainsi l'épaisseur de la couche métallique 230 est supérieur ou égale à -12j0 avec À, la borne inférieure de la première gamme de longueurs d'onde. Ainsi pour une application dans la gamme des infrarouges, c'est-à-dire une gamme 15 de longueurs d'onde supérieure 1 grn, l'épaisseur de la couche métallique est supérieure ou égale à 100 nm. La couche métallique est préférentiellement réalisée dans un métal sélectionné dans le groupe comportant le cuivre, l'argent, l'or, l'aluminium, le tungstène, le titane et leurs alliages. 20 La couche métallique 230 comporte des trous traversants 231 de manière à former une surface sélective en fréquence. La couche métallique comportant une première et une deuxième face, la première face étant celle en contact avec la couche d'adaptation, chaque trou 231 traversant débouche, par définition, dans chacune de la première et la deuxième face de la couche métallique 230. Les trous traversants 231 sont 25 répartis régulièrement sur la couche métallique 230 pour former un réseau régulier de trous traversants tel qu'un réseau carré ou un réseau hexagonal. Le pas du réseau de trous traversants 231, ou période, est préférentiellement choisi comme étant inférieur à la borne inférieure en longueur de la première gamme de longueurs d'onde ceci de manière à éviter tout mode guidé photonique dans le filtre optique 20. Ainsi, pour une première gamme de 3040787 14 longueurs d'onde dans la gamme du moyen infrarouge le pas du réseau de trous traversants 231 peut être choisi comme étant inférieur à 3 p.m. La figure lb illustre un exemple d'un tel arrangement des trous traversants 231. Le dimensionnement des trous traversants 231, selon le principe des 5 surfaces sélectives en fréquence, sont conformés et dimensionnés de manière à définir la première gamme de longueurs d'onde. Ainsi, les trous traversants 231 illustrés sur la figure lb sont des trous en forme de croix. Bien entendu, l'invention ne se limite pas à cette seule forme de trous traversants 231. Ainsi, les trous traversants 231 peuvent aussi bien être des trous 10 circulaires, qu'annulaires ou en croix, comme illustré sur les figures 2a à 2c ou peuvent être de toutes autres formes, telle que par exemple une forme carrée ou hexagonale. En fonction de la forme des trous traversants 231, les trous traversants peuvent présenter deux dimensions latérales A et B, l'une A étant une dimension dite maximale et l'autre B étant une dimension dite minimale. On peut ainsi voir sur la figure 15 2a, que les trous circulaires présentant une forme isotrope, ne comporte qu'une dimension caractéristique A tandis que les trous de forme annulaires et en croix présentent chacune une dimension maximale A et une dimension minimale B. Ainsi, dans le cas d'une forme annulaire, les dimensions maximale et minimale correspondent respectivement, comme illustré sur la figure 2b aux diamètres extérieur et intérieur de l'anneau. Pour une forme en 20 croix, telle qu'illustrée sur la figure 2c, les dimensions maximale A et minimale B correspondent respectivement à la largeur de la croix et à l'épaisseur des branches de la croix. La première gamme de longueurs d'onde dépend directement de ces deux dimensions latérales A et B. Ainsi, par exemple, la dimension maximale A peut être choisie entre 400 25 et 1400 nm pour une première gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme du moyen infrarouge et entre 800 et 2400 nm pour une première gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme des infrarouges lointains. De même, la dimension minimale B peut-elle être choisie entre 300 et 800 nm pour une première gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme du moyen infrarouge et entre 600 et 2000 nm pour une première 30 gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme des infrarouges lointains. Bien 3040787 15 entendu, la dimension minimale B est par définition choisie comme inférieure à la dimension maximale A. Plus généralement, les dimensions latérales A et B des trous traversants peuvent être aisément calculées par un homme du métier à partir de calculs de routine. De 5 tels calculs de routine sont parfaitement à la portée d'un homme du métier ayant eu connaissance de la présente divulgation. Il est à noter que le rapport de la dimension minimale B sur la dimension maximale A permet de définir la largeur du pic de transmission et donc de la première gamme de longueurs d'onde. Un rapport B sur A faible permet ainsi d'obtenir des pics plus 10 étroits tandis qu'un rapport B sur A s'approchant de 1 permet de maximiser la largeur des pics, tous autres paramètres restant égaux. Chaque trou traversant 231 contient un matériau de remplissage 232 dont l'indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde est supérieur à 2. Ce matériau de remplissage 232 présente préférentiellement un indice de réfraction dans 15 la première gamme de longueurs d'onde qui est supérieur à 3. Le matériau de remplissage 232 peut être choisi dans le groupe comportant le silicium aSi sous forme amorphe, le germanium aGe sous forme amorphe et le tellurure de plomb PbTe. Selon une possibilité de l'invention, notamment illustrée sur la figure 3h, il peut être prévu dans chacun des trous traversants 231 un espace 233 entre la couche 20 métallique 230 et le matériau de remplissage 232. Un tel espace 233 permet de créer, entre la couche métallique et le matériau de remplissage, une interface à faible indice de réfraction relativement à l'indice de réfraction du matériau de remplissage 232. Pour définir une telle interface à faible indice de réfraction, selon une première variante de cette possibilité, l'espace 233 entre la couche métallique 230 et le 25 matériau de remplissage 232 peut contenir un matériau d'interface 234. Ce matériau d'interface 234 est donc choisi comme présentant un indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde inférieur à celui du matériau de remplissage 232, préférentiellement inférieur à 2, voire à 1,5 ou à 1,2. Le matériau d'interface 234 peut ainsi être sélectionné dans le groupe 30 comportant le dioxyde de silicium Si02, le sulfure de zinc ZnS, le nitrure de silicium Si3N4. 3040787 16 Le matériau d'interface 234 peut également être identique à celui de la couche d'adaptation 220. Selon cette variante et comme illustré sur la figure 3h, le matériau d'interface 234 peut également faire interface entre le matériau de remplissage 232 et la 5 couche d'adaptation. De la même façon, le matériau d'interface 234 peut également complétement encapsuler le matériau de remplissage 232. Selon cette possibilité, telle qu'illustrée sur la figure 3h, la couche métallique 230 peut également être recouverte du matériau d'interface 234 à la fois sur sa face en regard de la couche d'adaptation 220, le matériau d'interface 234 faisant alors interface entre la couche d'adaptation et la couche 10 métallique 220, et sur sa face opposée à la couche d'adaptation 220.11 est à noter que dans ce cas, le matériau d'interface 234 présente préférentiellement un indice de réfraction proche de 1, c'est-à-dire inférieur à 2, préférentiellement inférieur à 1,7 ou 1,5 voire 1,2 et avantageusement égal à 1, pour limiter la rupture d'indice au niveau de chacune des faces de la couche métallique 230. 15 Selon une deuxième variante de cette possibilité, non illustrée, l'espace 233 entre le matériau de remplissage 232 et la couche métallique 230 peut être vide de matériau. De cette manière, l'espace présente l'indice de réfraction de l'air dans la première gamme de longueurs d'onde, c'est-à-dire un indice de réfraction égal à 1. On peut noter que selon une possibilité non illustrée sur la figure la 20 et présentée sur la figure 3h, la couche métallique 230 peut être recouverte, sur sa face opposée à la couche d'adaptation, d'une couche d'accroche, telle qu'une couche de dioxyde de silicium Si02 ou de nitrure de silicium Si3N4. Une telle couche d'accroche, formée sur la figure 3h par le matériau d'interface 234 présente préférentiellement un indice de réfraction proche de 1, c'est-à-dire inférieur à 2, préférentiellement inférieur à 1.7 ou 1,5, 25 voire 1,2, et avantageusement égal à 1. Les figures 3a à 3h illustrent un procédé de fabrication d'une structure selon ce premier mode de réalisation à la différence près que la couche d'adaptation 220 est fixée au capot 120 au moyen d'une couche de colle 210. Un tel procédé comporte les étapes suivantes : 30 fourniture d'un substrat sacrificiel 240, 3040787 17 formation sur le substrat sacrificiel 240 d'une couche diélectrique 235, telle qu'une couche de dioxyde de silicium Si02, telle qu'illustrée sur la figure 3a, dépôt d'une première couche d'accroche réalisée dans le 5 matériau d'interface 234, cette couche pouvant faire, par exemple, 35 nm d'épaisseur, dépôt sur la première couche d'interface d'une couche de matériau de remplissage 232, tel qu'un silicium sous forme amorphe, comme cela est illustré sur la figure 3b, gravure sélective de la couche de matériau de remplissage 10 232 de manière à définir la forme des trous traversants 231 de la couche métallique 230, dépôt sélectif de matériau d'interface 234 sur le matériau de remplissage 232 de manière à encapsuler le matériau de remplissage 232, comme cela est illustré sur la figure 3c, dépôt d'un métal, tel que du cuivre en contact avec la surface 15 de la première couche d'interface dans les espaces laissés libre par le matériau de remplissage 232 pour former la couche métallique 230, tel qu'illustré sur la figure 3d, dépôt d'une deuxième couche de matériau d'interface 234, telle qu'une couche de nitrure de silicium, comme cela est illustré sur la figure 3e, dépôt de la couche d'adaptation 220 en contact avec la 20 deuxième couche de matériau d'interface, tel qu'illustré sur la figure 3f, fourniture du capot 120, le capot 120 étant une partie de support 10 destinée à la formation d'un tel support 10 et comportant la face de réception 121 dudit futur support 10, fixation de la couche d'adaptation 220 par sa face opposée à 25 la couche métallique 230 sur le capot 120 au moyen d'une couche de collage 210, comme cela est illustré sur la figure 3g, suppression du substrat sacrificiel 240, comme illustré sur la figure 3h. Ainsi, après report du capot 120 sur le reste du support 10 de manière 30 à former le composant 1, le filtre optique 20 formé par la couche d'adaptation 220 et la 3040787 18 couche métallique 230 se trouve en contact avec la face de réception 121 du support 10 au moyen de la couche de collage 210. Avantageusement l'épaisseur de la couche diélectrique 235 est inférieure à l'épaisseur de la couche d'adaptation 220 divisé par 3. 5 De manière encore plus préférentielle, la coche diélectrique 235 est inférieure à 100 nm voire très inférieure à 100 nm, c'est-à-dire inférieure à 50 nm voire 20 nm. En effet, les inventeurs ont observé que de manière surprenante et à l'inverse de l'entendement de l'homme du métier, la section efficace est particulièrement importante avec un tel dimensionnement de la couche diélectrique 235. 10 On peut noter qu'en variante, lors de ce procédé de fabrication, le substrat sacrificiel peut ne pas être supprimé ou l'être que partiellement (c'est-à-dire être aminci). Selon cette variante, il est alors préférable que les épaisseurs cumulées de couche diélectrique 235 et du substrat 240 soit du même ordre de grandeur que l'épaisseur de la couche d'adaptation 220. 15 Selon une variante de ce mode de réalisation, il est également envisageable que l'étape de dépôt de la couche diélectrique 235 soit omise. Selon cette variante, il est également envisageable que lors de l'étape de suppression du substrat sacrificiel 240, la couche d'accroche soit également supprimée.L'étape de dépôt de métal pour former la couche métallique 230 peut être une étape selon le procédé damascène. 20 Une telle étape de dépôt selon le procédé damascène comporte les sous-étapes suivantes : dépôt d'une première couche de nucléation de métal, par exemple par pulvérisation cathodique, dépôt du reste de la couche métallique par un dépôt électrolytique, 25 recuit thermique, polissage de la couche métallique de manière à supprimer le métal déposé sur le matériau de remplissage 232. Les figures 4a et 4b illustrent des exemples de spectre en transmission de respectivement : 3040787 19 des filtres optiques 20 selon ce premier mode de réalisation dans lequel il n'est pas prévu d'espace 231 entre la couche métallique 230 et le matériau de remplissage 232, les trous traversants 231 étant donc complétement remplis de matériau de remplissage 232 tel que cela est illustré sur la figure la, 5 des filtres optiques 20 selon ce premier mode de réalisation et pour lesquels il est prévu un espace 231 entre le matériau de remplissage 232 et la couche métallique 230, ce dernier espace 231 étant rempli d'un nitrure de silicium Si3N4 en tant que matériau d'interface 234, tel que cela est illustré sur la figure 3h. Chacune de ces figures 4a et 4b illustrent le taux de transmission en 10 pourcentage en fonction de la longueur d'onde en micromètre. Bien entendu, de manière à permettre une comparaison entre les spectres en transmission des figures 4a et 4b, le dimensionnement des filtres optiques 20 utilisés pour effectuer les spectres de la figure 4b est identique à ceux utilisés pour effectuer les spectres de la figure 4a. On note ainsi une forte augmentation du taux de 15 transmission avec la présence du matériau d'interface 234 pour les filtres optiques 20 adaptés pour les gammes de longueurs d'onde d'un moyen infrarouge, ceux des infrarouges lointains étant peu affectés. Ainsi l'utilisation d'un espace 233 entre la couche métallique 230 et le matériau de remplissage 232 permet d'augmenter significativement le taux de 20 transmission pour les gammes de longueurs d'onde dans le moyen et le proche infrarouge. Afin d'illustrer de manière pratique le principe de l'invention, la figure 5 montre graphiquement plusieurs spectres en transmission 311, 312, 313, 314 de filtres optiques 20 selon une réalisation pratique de l'invention. Cette réalisation pratique de l'invention est conforme au composant 25 1 illustré sur la figure la pour laquelle les trous traversants 231 sont de forme annulaire, telle qu'illustrée sur la figure 2b. Les caractéristiques du composant 1 selon cette réalisation pratique sont les suivantes : un capot 120 en silicium cristallin Si d'indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde d'environ 3,5, 3040787 20 une couche d'adaptation 220 de 200 nm en dioxyde de silicium Si02 et d'indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde d'envivron 1,5, une couche métallique 230 en cuivre de 100 nm d'épaisseur, 5 des trous traversants 231 répartis selon un réseau carré dont le pas est de 1500 nm le matériau de remplissage est du silicium sous une forme amorphe aSi d'indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde d'environ 3,5, 10 un matériau d'interface en nitrure de silicium Si3N4d'indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde de 1,9. Les trous traversants 231 des filtres optiques 20 correspondant au premier, deuxième, troisième et quatrième spectre en transmission 311, 312, 313, 314 présentent respectivement une dimension maximale A de 520, 815, 815 et 720 nm. La 15 dimension minimale B respective des trous traversants 231 des filtres optiques 20 correspondant au premier, deuxième, troisième et quatrième spectre en transmission 311, 312, 313, 314 est respectivement égale à 0, 0, 420 et 590 nm. Bien entendu une dimension minimale B nulle correspond à un trou traversant dont la transversale est en forme de disque telle qu'illustrée sur figure 2a. 20 Ces mêmes spectres en transmission peuvent également être obtenus avec un pas de réseau des trous traversants 231 égal à 1 p.m. Dans ce cas, la dimension maximale A respective des trous traversants 231 des filtres optiques 20 correspondant au premier, deuxième, troisième et quatrième spectre en transmission 311, 312, 313, 314 est respectivement égale à 520, 770, 770 et 750 nm. Concernant la dimension 25 minimale B, celle-ci est égale pour les trous traversants 231 des filtres optiques 20 correspondant au premier, deuxième, troisième et quatrième spectre en transmission 311, 312, 313, 314 respectivement à 0, 250, 460 et 570 nm. Les figures 6a et 6b illustrent un composant selon un deuxième mode de réalisation de l'invention dans lequel le filtre optique 20 présente une première portion 30 21 dans laquelle le filtre est un filtre passe bande dans la première gamme de longueurs 3040787 21 d'onde et une deuxième portion 22 dans laquelle le filtre est un filtre passe bande dans une deuxième gamme de longueurs d'onde. Un composant 1 selon ce deuxième mode de réalisation se différencie d'un composant 1 selon le premier mode de réalisation en ce que le support 10 est constitué d'un unique substrat dans lequel une première et deuxième 5 structure 111, 112 sont aménagées et en ce que le filtre optique 20 est configuré pour permettre de filtrer deux gammes de longueurs d'onde. Le support 10 est dans ce mode de réalisation un substrat semiconducteur ou comportant au moins une couche semiconductrice, tel que par exemple un substrat silicium ou un substrat en semiconducteur III-V ou encore en 10 semiconducteur II-VI. Le support 10 comporte une première et une deuxième face, la première face formant face de réception 121 pour recevoir le rayonnement électromagnétique. La première et la deuxième structure 111, 112 sont toutes deux des 15 structures du type photodiode. Ainsi la première et deuxième structure 111, 112 peuvent être aussi bien des photodiodes du type PIN, c'est-à-dire comportant une zone intrinsèque, que des photodiodes à avalanche. Selon une autre possibilité de l'invention la première et la deuxième structure 111, 112 peuvent également être des photodétecteurs du type barrière également connus sous les dénominations nBn et pBp. 20 Chacune des structures 111, 112 présentent une surface active par laquelle la structure absorbe le rayonnement électromagnétique. Cette surface active de chacune des structures 111, 112 se trouve à la surface de la face de réception 121 du support 10. De cette manière, dans ce deuxième mode de réalisation, la surface active de chacune des structures 111, 112 est en contact avec le filtre optique 20. Avec une telle 25 configuration, l'association entre les première et deuxième portions 21, 22 avec respectivement la première et la deuxième structure 111, 112 est particulièrement facilitée. Contrairement au composant 1 selon le premier mode de réalisation, le placement du filtre optique 20 sur la face de réception du support se fait au moyen d'une 3040787 22 couche de collage 210, la couche de collage 210 faisant alors interface entre la couche d'adaptation 220 et la face de réception 121. Les trous traversant 231 sont ménagés dans la première et la deuxième portion 21, 22 du filtre optique 20 selon un réseau carré avec un pas constant. 5 Ainsi, la première et la deuxième portion 21, 22 du filtre optique 20 se distingue uniquement de par la forme des trous traversants 231 qu'elles contiennent. Le dimensionnement des trous traversants 231 de la première portion 11, notamment leurs dimensions maximale A et minimale B, est ainsi défini pour correspondre à la première gamme de longueurs d'onde tandis que le dimensionnement des trous traversants 231 de 10 la deuxième portion 22 est défini pour correspondre à la deuxième gamme de longueurs d'onde. De cette manière, ce sont majoritairement les parties du rayonnement électromagnétique se trouvant respectivement dans la première et la deuxième gamme de longueur d'onde qui sont transmises respectivement à la première et à la deuxième structure 111, 112. 15 Si le composant 1 selon ce deuxième mode de réalisation peut être fabriqué de manière similaire au procédé de fabrication décrit pour le premier mode de réalisation, il peut également être fabriqué en variante selon le procédé suivant. Ce procédé de fabrication comporte les étapes suivantes de : fourniture du support 10 comportant la première et la 20 deuxième structure 111, 112 et la face de réception 121 pour recevoir le rayonnement électromagnétique, formation de la couche d'adaptation 220 recouvrant au moins en partie la face de réception 121 du support 10 et présentant un indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde qui est inférieur à 1,5, 25 formation de la couche métallique 230 recouvrant la couche d'adaptation 220 et comprenant des trous traversants 231 régulièrement répartis et dimensionnés pour former une surface sélective en fréquence, chacun des trous traversants 231 contenant un matériau de remplissage 232 dont l'indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde est supérieur à 2. 3040787 23 Cette dernière étape de formation de la couche métallique 230 peut, de manière similaire au procédé de fabrication d'un composant selon le premier mode de réalisation, comporter pour former la couche métallique 230 une étape de dépôt de métal selon le procédé damascène. 5 On peut noter que quel que soit le mode de réalisation de l'invention, dans le cas où le filtre est associé à une unique structure semiconductrice, il est préférable que le pas du réseau de trous soit choisi de manière à correspondre aux dimensions de la structure. Dans le cas où le filtre serait associé à plusieurs structures semiconductrices agencées sous la forme d'une matrice, ceci en présentant une seule gamme de longueurs 10 d'onde ou des gammes de longueurs d'onde correspondant à chacune des structures semiconductrices, le pas du réseau de trous est préférentiellement choisi de manière à ce que le pas de la matrice corresponde à un multiple du nombre de pas du réseau de trous. Une telle caractéristique est particulièrement avantageuse pour permettre une bonne correspondance entre le filtre et les structures semiconductrices. 15 Si dans les modes de réalisation décrit ci-dessus chacun des composants 1 comporte une première et une deuxième structure, la portée de l'invention ne se limite pas aux seuls composants comportant deux structures. Ainsi, l'invention couvre ainsi aussi bien les composants monostructure que les composants comportant un nombre plus important de structures. Un composant selon l'invention peut donc également avoir 20 une centaine, voire plusieurs milliers ou encore plusieurs millions de structures sans que l'on sorte du cadre de l'invention. L'invention s'applique donc parfaitement aux capteurs du type photographique ou vidéo qui comportent des structures organisées sous forme de matrice. On peut également noter que conformément au deuxième mode de 25 réalisation, chacune des structures peut être associée à une portion du filtre optique et donc à une gamme de longueurs d'onde qui lui est propre. De cette manière il est possible avec un seul composant de détecter et/ou mesurer les différentes parties d'un rayonnement électromagnétique dans des gammes de longueurs d'onde parfaitement définies. Cette possibilité est particulièrement avantageuse puisqu'elle permet des 30 applications à la spectroscopie et d'imagerie à plusieurs gammes de longueurs d'onde. 3040787 24 On peut également noter que si l'invention vise plus particulièrement les composants comportant des structures du groupe comprenant les bolomètres, les photodiodes et les photodétecteurs à barrière, un composant 1 selon l'invention peut également comporter une structure d'un autre type qui est apte à absorber un 5 rayonnement électromagnétique sans que l'on sorte du cadre de l'invention. De même, si dans le premier mode de réalisation, le capot 120 permet d'encapsuler ensemble les surfaces actives de la première et la deuxième structure, un composant selon l'invention peut également comporter, sans que l'on sorte du cadre de l'invention, un à plusieurs capots encapsulant de manière individuelle chacune des 10 structures. REVENDICATIONS1. Composant (1) destiné à la détection et/ou la mesure d'un rayonnement électromagnétique dans une première gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme des infrarouges et du visible, le composant (1) comportant : un support (10) comportant une face de réception (121) pour recevoir le rayonnement électromagnétique et au moins une première structure (111, 112) apte à absorber un rayonnement électromagnétique, un filtre optique (20) dont au moins une première portion (21) associée à la première structure (111, 112) est du type filtre passe bande dans la première gamme de longueurs d'onde, le filtre optique (20) étant disposé sur la face de réception (121) du support (10) de manière à filtrer le rayonnement électromagnétique transmis au support (10), le filtre optique (20) comportant: - une couche d'adaptation (220) recouvrant au moins en partie la face de réception (121) du support (10), la couche d'adaptation (220) présentant un indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde qui est inférieur à 2, - une couche métallique (230) recouvrant la couche d'adaptation (220) et comprenant des trous traversants (231) régulièrement répartis et dimensionnés pour que la couche métallique (230) forme une surface sélective en fréquence, le composant (1) étant caractérisé en ce que chacun des trous traversants (231) contient un matériau de remplissage (232) dont l'indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde est supérieur à2. 2. Composant (1) selon la revendication 1, dans lequel dans chacun des trous traversants (231) il est prévu un espace (233) entre la couche métallique (230) et le matériau de remplissage (232). 3040787 26 3. Composant (1) selon la revendication 2, dans lequel dans chaque trou traversant (231) l'espace (233) entre la couche métallique (320) et le matériau de remplissage (232) contient un matériau d'interface (234), ledit matériau d'interface (234) présentant un indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde 5 inférieur à 2, préférentiellement à 1,7, voire 1,5. 4. Composant (1) selon la revendication 3, dans laquelle du matériau d'interface (234) est également positionné entre le matériau de remplissage (232) et la couche d'adaptation (220). 10 5. Composant (1) selon la revendication 3 ou 4, dans lequel le matériau d'interface (234) est sélectionné dans le groupe comportant les dioxydes de silicium, les sulfures de zinc, les nitrures de silicium. 15 6. Composant (1) selon la revendication 2, dans lequel dans chaque trou traversant (231) l'espace (233) entre la couche métallique (230) et le matériau de remplissage (232) est vide de matériau. 7. Composant (1) selon l'une quelconques des revendications 1 20 à 6, dans lequel le matériau de remplissage (232) est un matériau sélectionné dans le groupe comportant les siliciums, les germaniums et les tellurures de plomb. 8. Composant (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le matériau de la couche métallique (230) est un sélectionné dans le groupe 25 comportant le cuivre, l'argent, l'or, l'aluminium, le tungstène, le titane et leurs alliages. 9. Composant (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le support (10) comporte : un substrat (100) dans lequel est aménagée au moins partiellement l'au moins une première structure (111, 112), l'au moins une première 3040787 27 structure (111, 112) présentant une surface active par laquelle la première structure (111, 112) absorbe le rayonnement électromagnétique, un capot (120) disposé de manière à encapsuler la surface active de la première structure (111, 112), la face du capot (120) opposée à la surface active 5 (111, 112) de la structure formant la face de détection (121) du support (10). 10. Composant (1) selon l'une quelconque des revendications précédentes qui est adapté pour en outre détecter un rayonnement électromagnétique dans une deuxième gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme des infrarouges 10 et du visible, le composant (1) comportant en outre au moins une deuxième structure (112) destinée à la détection de rayonnement électromagnétique, le filtre optique (20) comportant au moins une deuxième portion (22) associée à la deuxième structure (112) et qui est du type filtre passe bande dans la deuxième gamme de longueurs d'onde. 15 11. Composant (1) selon la revendication 10, dans lequel la répartition des trous traversants (231) dans la première et la deuxième portion (22) du filtre optique est identique, et dans lequel les trous traversants (231) de respectivement la 20 première et la deuxième portion (21, 22) sont dimensionnés pour que respectivement la première portion soit un filtre optique passe bande dans la première gamme de longueurs d'onde et que la deuxième portion soit un filtre optique passe bande dans la deuxième gamme de longueurs d'onde. 25 12. Procédé de fabrication d'un composant (1) destiné à la détection d'un rayonnement électromagnétique dans une première gamme de longueurs d'onde comprise dans la gamme des infrarouges et du visible, le procédé comportant les étapes suivantes : 3040787 28 fourniture d'un support (10) comportant au moins une première structure (111, 112) destinée à la détection de rayonnement électromagnétiques et une face de réception (121) pour recevoir le rayonnement électromagnétique, formation d'une couche d'adaptation (220) recouvrant au 5 moins en partie la face de réception (121) du support (10) et présentant un indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde qui est inférieur à 2, formation d'une couche métallique (230) recouvrant la couche d'adaptation (220) et comprenant des trous traversants (231) régulièrement répartis et dimensionnés pour former une surface sélective en fréquence, chacun des trous 10 traversants (231) contenant un matériau de remplissage (232) dont l'indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde est supérieur à 2. 13. Procédé de fabrication d'un composant (1) destiné à la détection d'un rayonnement électromagnétique dans une première gamme de longueurs 15 d'onde comprise dans la gamme des infrarouges et du visible, le procédé comportant les étapes suivantes : fourniture d'un substrat sacrificiel (240), formation d'une couche métallique (230) sur le substrat sacrificiel (240), la couche métallique comprenant des trous traversants (231) 20 régulièrement répartis et dimensionnés pour former une surface sélective en fréquence, chacun des trous traversants (231) contenant un matériau de remplissage (232) dont l'indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde est supérieur à 2, formation d'une couche d'adaptation (220) sur la couche métallique (230) de manière à ce que la couche d'adaptation (220) soit couverte par la 25 couche métallique (230), la couche d'adaptation (220) présentant un indice de réfraction dans la première gamme de longueurs d'onde qui est inférieur à 2, fourniture d'un support (10) comportant au moins une première structure (111, 112) apte à absorber un rayonnement électromagnétique et une face de réception (121) pour recevoir le rayonnement électromagnétique ou d'une partie 3040787 29 (120) de support (10) destinée à la formation d'un tel support (10) et comportant la face de réception (121) dudit futur support (10), report de l'ensemble couche d'adaptation (220), couche métallique (230), substrat sacrificiel (240) sur la face de réception (121) de manière à ce 5 que la couche d'adaptation (220) recouvre au moins en partie la face de réception (121), suppression au moins en partie le substrat sacrificiel (240). 14. Procédé de fabrication selon la revendication 12 ou 13, dans lequel l'étape de formation de la couche métallique (230) comporte les sous-étapes suivantes : 10 - dépôt du matériau de remplissage (232) de manière à délimiter avec le matériau de remplissage au moins partiellement les trous traversants (231) de la couche métallique (232), - dépôt d'une couche de matériau métallique de manière à remplir les espaces laissés libres par le matériau de remplissage (232) de manière à former la couche 15 métallique (230). 15. Procédé de fabrication selon la revendication 14, dans lequel lors de l'étape de dépôt du matériau de remplissage, le dépôt est réalisé de manière à ce que le matériau de remplissage (232) soit entouré de matériau d'interface (234) ceci pour définir 20 lors du dépôt de matériau métallique un espace (233) entre la couche de métallique (230) et le matériau de remplissage (232).