FR 3038776 A1 20170113 FR 1556597 A 20150710 1 CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE DOMAINE TECHNIQUE Le domaine de l'invention est celui des cellules photovoltaïques et des procédés de fabrication de cellules photovoltaïques. ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEUR Actuellement, la technologie dominante pour les cellules solaires est basée sur l'utilisation du matériau silicium, sous sa forme mono- ou poly-cristalline. Une possibilité pour augmenter le rendement d'une cellule solaire à base de silicium consiste à ajouter sur cette dernière une couche de matériau III-V. Un matériau III-V est un alliage d'un ou plusieurs éléments de la colonne III du tableau de Mendeleïev avec un ou plusieurs éléments de la colonne V du tableau de Mendeleïev, à l'exclusion des matériaux III-V contenant de l'azote ou du bore. Cette couche de matériau III-V forme généralement une jonction p-n sur la cellule en silicium. Toutefois, l'épitaxie d'une couche de matériau III-V sur une couche de silicium pose de nombreux problèmes, notamment du fait du désaccord de paramètre de maille entre ces deux matériaux. Ainsi, dans le cas où le matériau III-V est du GaAsP, la différence de paramètre de maille entre le matériau III-V et le silicium est d'environ 4%, ce qui créé des dislocations dans le matériau III-V avec une densité d'environ 109cm-2. En outre, le matériau III-V et le silicium présentent des coefficients d'expansion thermiques très différents, ce qui peut faire fissurer la couche en matériau III-V. Ce phénomène est nommé dans la littérature en langue anglaise « epilayer cracking ». A cela s'ajoute le fait que le désaccord chimique entre le matériau III-V et le silicium induit une morphologie de nucléation de mauvaise qualité, ce qui génère la création de défauts d'empilement (nommé dans la littérature en langue anglaise « stacking faults ») et de micro fissures (nommé dans la littérature en langue anglaise « microtwins »). Enfin, la croissance d'un matériau polaire (III-V) sur un matériau qui ne l'est pas (Si) va induire la présence de parois d'antiphase dans la couche de III-V. Ces parois sont un défaut où l'on va avoir des liaisons entres atomes d'éléments III entres eux, ou bien atomes d'éléments V entres eux, alors que dans un cristal sans défaut, on devrait uniquement avoir des liaisons entres atomes d'éléments III avec des atomes d'éléments V. 3038776 2 L'ensemble de ces défauts cristallins entraîne une dégradation des performances de la cellule solaire. EXPOSE DE L'INVENTION 5 L'invention vise à remédier aux inconvénients de l'état de la technique en proposant une cellule solaire présentant des performances améliorées. Pour ce faire, un premier aspect de l'invention propose de faire croitre le matériau III-V dans 10 des cavités d'une couche de matériau diélectrique transparent afin de bloquer latéralement la propagation des dislocations. On évite ainsi que les dislocations ne se propagent jusqu'à la surface de la couche de matériau III-V épitaxiée. Toutefois, l'inconvénient d'une telle approche est que le substrat en silicium n'est pas entièrement recouvert de la couche en matériau III-V qui est la couche active absorbant la lumière. Pour remédier à ce problème, 15 une couche de microlentilles est déposée sur la cellule photovoltaïque ainsi formée afin de concentrer la lumière dans les cavités qui contiennent la couche active en matériau III-V. En outre, la position du point focal de chaque microlentille de la couche de microlentilles est ajustée grâce à la présence d'une couche transparente entre la couche de microlentilles et la surface supérieure des cavités. 20 Plus précisément, un premier aspect de l'invention concerne une cellule photovoltaïque comportant : un substrat en silicium ; une couche dite « barrière » en matériau diélectrique transparent, la couche barrière 25 étant déposée sur le substrat, la couche barrière étant traversée par au moins une cavité ; au moins une couche en matériau III-V formant une jonction p-n, la couche en matériau III-V étant déposée dans la cavité ; une couche dite « intercalaire » en matériau diélectrique transparent, la couche 30 intercalaire étant déposée sur la couche barrière; une couche de microlentilles déposée sur la couche intercalaire, la couche de microlentilles comportant au moins une microlentille, la microlentille présentant un point focal situé dans la cavité. 35 La cellule photovoltaïque ainsi formée est donc particulièrement avantageuse en ce qu'elle présente des performances améliorées grâce à la diminution de la densité de dislocations 3038776 3 dans la couche en matériau III-V du fait du dépôt de la couche en matériau III-V dans une cavité de la couche barrière. Par ailleurs, le fait que la couche en matériau III-V ne recouvre pas totalement le substrat en silicium ne pénalise pas le fonctionnement de la cellule grâce aux microlentilles qui permettent de concentrer la lumière dans les zones où le matériau III-V 5 se trouve, c'est-à-dire dans les cavités. La couche intercalaire permet d'ajuster la position du point focal des microlentilles de façon à ce que ce point focal se trouve à l'endroit voulu. En effet, on peut choisir l'épaisseur de la couche intercalaire de façon à obtenir l'écartement voulu entre la couche de microlentilles et le matériau III-V déposé dans la cavité. 10 La cellule photovoltaïque selon le premier aspect de l'invention peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-après prises individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles. Avantageusement, la couche barrière est traversée par plusieurs cavités, une couche en 15 matériau III-V étant déposée dans chaque cavité. Avantageusement, chaque microlentille présente un diamètre compris entre 0.5 lm et 50 pm, et de préférence entre 5 lm et 20 pm. 20 Avantageusement, chaque microlentille est configurée de façon à présenter une distance focale comprise entre 0.5 lm et 50 pm, et de préférence entre 5pm et 20pm. Avantageusement, la couche intercalaire présente une épaisseur comprise entre 50% et 100% de la distance focale de la microlentille. 25 Selon un premier mode de réalisation, la cellule photovoltaïque comporte dans chaque cavité une couche en matériau III-V, la couche en matériau III-V étant en AIGaAs. Selon un deuxième mode de réalisation, la cellule photovoltaïque comporte dans chaque 30 cavité un empilement de couches en matériau III-V, l'empilement comportant au moins deux couches en matériau III-V, chaque couche en matériau III-V formant une jonction p-n. Ce mode de réalisation permet d'avoir un meilleur rendement. Chaque matériau III-V est de préférence choisi en fonction de son paramètre de bande 35 interdite de façon à absorber le maximum de photons issus du spectre solaire et à respecter l'ajustement des courants, c'est-à-dire qu'ils sont de préférence choisis de façon à ce que 3038776 4 chaque sous cellule mise en série délivre le même courant. Ainsi selon un mode de réalisation, l'empilement de couches en matériau III-V comporte : une couche en GaAs ; 5 une couche en InGaP. Avantageusement, la cellule photovoltaïque comporte, dans chaque cavité, entre l'empilement de couches en matériau III-V et le substrat, une couche en germanium qui permet de réduire les défauts dans les couches en matériau III-V et de mieux maîtriser la 10 croissance des différentes couches. Avantageusement, le substrat en silicium forme une jonction p-n. On obtient ainsi une cellule multi-jonctions, ce qui permet d'avoir un meilleur rendement. 15 Avantageusement, la cellule photovoltaïque comporte en outre une jonction tunnel dans chaque cavité, ce qui permet de favoriser le passage des électrons entre la ou les jonction(s) p-n contenues dans chaque cavité et la jonction p-n formée par le substrat en silicium. Avantageusement, la couche barrière est une couche d'oxyde de silicium ou une couche de 20 nitrure de silicium. Un deuxième aspect de l'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque comportant les étapes suivantes : (a) dépôt d'une couche dite « barrière » en matériau diélectrique transparent sur un 25 substrat en silicium, (b) réalisation d'au moins une cavité dans la couche barrière, la cavité traversant la couche barrière ; (c) dépôt dans la cavité d'au moins une couche en matériau III-V formant une jonction p-n; 30 (d) dépôt sur la couche barrière d'une couche dite « intercalaire » en matériau diélectrique transparent; (e) formation d'une couche de microlentilles sur la couche intercalaire, la couche de microlentilles comportant au moins une microlentille, la microlentille étant configurée de façon à présenter un point focal situé dans la cavité. 35 Le procédé peut également présenter une ou plusieurs des caractéristiques ci-après prises 3038776 5 indépendamment ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles. Avantageusement, le procédé comporte en outre, entre les étapes (b) et (c), une étape de dépôt d'une couche de germanium. 5 Avantageusement, le procédé comporte en outre une étape de dépôt d'une seconde couche en matériau III-V formant une jonction p-n dans la cavité. Avantageusement, l'étape (e) de formation de la couche de microlentilles comporte les sous- 10 étapes suivantes : dépôt d'une couche de résine sur la couche intercalaire ; réalisation d'au moins quatre tranchées dans la couche de résine; traitement thermique de façon à faire fluer une partie de la couche de résine délimitée par les quatre tranchées. 15 BREVES DESCRIPTION DES FIGURES D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront à la lecture de la description détaillée qui suit, en référence aux figures annexées, qui représentent : La figure 1, une représentation schématique en coupe d'une cellule photovoltaïque 20 selon un mode de réalisation de l'invention ; La figure 2, une représentation schématique en vue de dessus de la cellule photovoltaïque de la figure 1 ; La figure 3, une représentation électrique schématique de la cellule photovoltaïque de la figure 1 ; 25 La figure 4, une représentation schématique en coupe d'une cellule photovoltaïque selon un autre mode de réalisation de l'invention ; Les figures 5a à 5i, une représentation schématique des étapes d'un procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque selon un mode de réalisation de l'invention. 30 DESCRIPTION DETAILLEE D'AU MOINS UN MODE DE REALISATION Une cellule photovoltaïque selon un mode de réalisation de l'invention va maintenant être décrite en référence aux figures 1 à 3. 35 Cette cellule photovoltaïque comporte un substrat 1 en silicium. Le substrat présente de préférence une durée de vie des porteurs minoritaires de l'ordre de la milliseconde. Le 3038776 6 substrat présente une épaisseur comprise entre 10 et 500 lm. Dans ce mode de réalisation le substrat présente une épaisseur de 200 Ce substrat en silicium forme de préférence une jonction p-n 27. Cette jonction p-n est appelée « jonction de base » 27 dans la suite. Pour ce faire, le substrat en silicium 1 comporte de préférence une zone dopée p 2 et une 5 zone dopée n 3. La jonction de base 27 est de préférence de type homo-jonction. La cellule photovoltaïque comporte également une couche dite « couche barrière » 4. Cette couche barrière 4 est déposée sur la jonction de base 27. La couche barrière 4 est de préférence réalisée dans un matériau diélectrique transparent non cristallin. Ce matériau 10 peut par exemple être un oxyde, par exemple du SiO2 ou du SiN. La couche barrière 4 présente de préférence une épaisseur e4 comprise entre 0 .5 lm et 30 et de manière plus préférentielle entre 2 lm et 5 L'épaisseur de la couche barrière 4 est choisie de façon à être suffisamment importante pour bloquer les dislocations d'un matériau 111-V déposé dans ses cavités. 15 La couche barrière 4 est traversée par au moins une cavité 5, et de préférence par plusieurs cavités 5. Chaque cavité 5 traverse la couche barrière 4 de part en part. Chaque cavité s'étend de préférence suivant une direction perpendiculaire à la surface du substrat 1. Chaque cavité présente de préférence une largeur 15 comprise entre 0.5 lm et 5 et de 20 manière plus préférentielle entre 1 lm et 3 lm de façon à bloquer les dislocations latéralement. La cellule photovoltaïque comporte également dans chaque cavité au moins une jonction p-n 6 formée par un matériau III-V. 25 Dans le mode de réalisation de la figure 1, chaque cavité est remplie par une couche en matériau 111-V 20. Le matériau 111-V utilisé dans ce mode de réalisation est de préférence de l'AIGaAs. La couche en matériau 111-V 20 comporte une partie inférieure 7 dans laquelle sont concentrées les dislocations. En effet, grâce à la présence de la couche barrière 4, la densité 30 de dislocations dans la couche en matériau 111-V 20 est réduite, et en outre, ces dislocations sont uniquement localisées dans la partie inférieure 7 de la couche en matériau 111-V 20. Ainsi, la couche en matériau 111-V 20 comporte également une partie supérieure 6 qui présente une densité de dislocations très faible, c'est-à-dire inférieure à 105cm-2 La partie supérieure 6 comporte une zone de matériau 111-V dopée p 17 et une zone de matériau 111-V 35 dopée n+ 18. La cavité est de préférence suffisamment profonde pour que la partie supérieure 6 absorbe l'essentiel de la lumière dans sa gamme d'absorption et, étant donné 3038776 7 qu'elle présente une faible densité de dislocations, les porteurs photogénérés ne recombinent pas. La cellule photovoltaïque comporte également de préférence une jonction tunnel 8. La 5 jonction tunnel permet de favoriser le transport des électrons de la jonction p-n 6 vers la jonction de base 27. Dans ce mode de réalisation, la jonction tunnel 8 a été représentée entre les parties inférieure 7 et supérieure 6 de la couche en matériau III-V 20. Toutefois, la jonction tunnel pourrait également être située à un autre endroit, par exemple entre la partie inférieure 7 de la couche en matériau III-V et la jonction de base 27. 10 La cellule photovoltaïque comporte également une couche de microlentilles 10. Cette couche de microlentilles 10 comporte plusieurs microlentilles 11 solidaires les unes des autres. Chaque microlentille 11 présente de préférence une forme hémisphérique. La couche de microlentilles 10 est de préférence réalisée en résine, de manière plus générale dans un 15 matériau transparent dans la gamme de longueur d'onde d'intérêt et que l'on peut mettre en forme par des micro-moulages et/ou par des traitements thermiques associés à des définitions de tranchées Chaque microlentille 11 est positionnée au-dessus d'une cavité 5, afin de concentrer la lumière dans cette cavité 5. La couche de microlentilles 10 comporte donc autant de microlentilles 11 que la couche barrière 4 comporte de cavités 5. Chaque 20 microlentille 11 est configurée de façon à focaliser la lumière reçue dans la cavité 5 qui se trouve en dessous d'elle. Plus précisément, chaque microlentille 11 présente de préférence un point focal situé dans la cavité qui se trouve en dessous de cette microlentille. Chaque microlentille 11 présente de préférence une distance focale comprise entre 2 et 5 lm Chaque microlentille 11 présente de préférence un diamètre dl, compris entre 5 et 2011m. 25 La cellule photovoltaïque comporte également une couche intercalaire 9 disposée entre la couche de microlentilles 10 et la couche barrière 4. Plus précisément, la couche intercalaire 9 est déposée sur la couche barrière 4 et la couche de microlentilles 10 est déposée sur la couche intercalaire 9. La couche intercalaire 9 est réalisée dans un matériau diélectrique 30 transparent. Ce matériau diélectrique transparent peut être un oxyde comme par exemple du SiO2, du SiN, une résine, il peut être également du « spin-on-glass », c'est-à-dire des billes de silices dissoutes dans un solvant que l'on dépose par centrifugation. La couche intercalaire 9 permet d'ajuster la distance entre la couche de microlentilles 10 et la couche en matériau III V contenue dans chaque cavité 5 de la couche barrière 4. En effet, 35 l'épaisseur e9 de la couche intercalaire 9 est choisie en fonction de la position voulue pour le point focal de chaque microlentille. 3038776 8 La cellule photovoltaïque comporte également des contacts métalliques avant 12 qui permettent de relier entre elles les jonctions p-n 6 se trouvant dans des cavités 5 adjacentes. Les jonctions p-n 6 se trouvant dans des cavités adjacentes peuvent ainsi être reliées en 5 parallèle. Chaque contact métallique avant 12 entoure de préférence une des jonctions p-n 6 en contactant à la fois une partie de la surface supérieure 13 de la couche barrière 4 et une partie de la surface supérieure 20 de la jonction p-n 6. Les contacts métalliques avant 12 sont reliés entre eux par une ligne métallique 19. Les lignes métalliques 19 sont ensuite reliées entre elles par des lignes additionnelles afin de former une électrode supérieure. 10 La cellule photovoltaïque comporte également au moins un contact métallique arrière 14. Ce contact métallique arrière 14 est de préférence formé par une couche métallique 15 déposée sur une surface inférieure 16 du substrat 1. 15 On obtient ainsi une cellule photovoltaïque dont le schéma électrique est représenté sur la figure 3. Les jonctions p-n 6 qui sont situées dans des cavités adjacentes sont connectées en parallèle entre elles, puis en série avec la jonction de base 27. Les jonctions p-n 6 en matériau III-V étant reliées en série à la jonction de base 27, il convient d'ajuster l'énergie de bande interdite du matériau III-V 20 utilisé ainsi que l'épaisseur de la zone dopée p 17 de 20 chaque jonction p-n 6 afin que chacune des jonctions p-n 6 et la jonction de base 27 produisent le même courant. Cette technique d'ajustement des courants est connue de l'art antérieur sous le nom de « current matching ». La figure 4 représente une cellule photovoltaïque selon un mode de réalisation de l'invention. 25 Dans ce mode de réalisation, la cellule photovoltaïque comporte dans chaque cavité 5 une couche de base en germanium 21. Sur cette couche de base en germanium, est déposée au moins une première couche en matériau III-V 20a. Dans ce mode de réalisation, une deuxième couche en matériau III-V 20b est déposée sur la première couche en matériau III-V 20a. Le dépôt de cette couche de base en germanium 21 au fond de la cavité est 30 particulièrement avantageux car la croissance des couches de germanium en cavité est particulièrement bien maîtrisée. En outre, la croissance des couches en matériau III-V 20a, 20b a ensuite lieu sur du germanium au lieu d'avoir lieu sur du silicium, ce qui limite la densité de dislocations dans les couches en matériau III-V 20a, 20b. C'est particulièrement vrai lorsque la première couche en matériau III-V 20a est en GaAs et que la deuxième 35 couche en matériau III-V 20b est en InGaP puisque ces matériaux présentent le même paramètre de maille que la couche de base en germanium 21. Ainsi, aucune dislocation 3038776 9 additionnelle n'est introduite dans les couches en matériau III-V 20a, 20b. Un autre avantage réside dans le fait que la croissance des couches de InGaP et de GaAs sur du germanium est très bien maîtrisée et peut être réalisée à l'échelle industrielle. 5 Afin d'améliorer la conduction des porteurs à l'intérieur de chaque cellule photovoltaïque, dans ce mode de réalisation, chaque cellule photovoltaïque comporte de préférence : une première jonction tunnel entre la première couche en matériau III-V 20a et la deuxième couche 20b en matériau III-V ; une deuxième jonction tunnel entre la première couche en matériau III-V 20a et la 10 couche de base 21. Dans ce cas le silicium sert uniquement de support et n'est pas actif contrairement au cas décrit en référence à la figure 1. Un procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque selon un mode de réalisation de 15 l'invention va maintenant être décrit en référence aux figures 5a à 5i. Le procédé comporte tout d'abord une étape 101 de formation d'une jonction p-n à partir d'un substrat 1 en silicium légèrement dopé n. Cette jonction p-n en silicium est appelée jonction de base 27. L'étape 101 de formation de la jonction de base comporte de préférence 20 les sous-étapes suivantes : Dépôt d'une première barrière à la diffusion 24 sur la face avant 23 du substrat 1. Cette première barrière à la diffusion 24 peut par exemple être une bicouche comportant une couche de SiO2 de 100 nm et une couche de SiN de 50 nm. Diffusion d'un dopant de type p. Ce dopant peut être par exemple du BCI3 ; 25 - Recuit ; Retrait de la première barrière à la diffusion. Cette étape de retrait peut être effectuée par gravure humide, par exemple à l'acide fluorhydrique (HF) ; Dépôt sur une face arrière 25 du substrat d'une deuxième barrière à la diffusion 26. Cette deuxième barrière à la diffusion peut par exemple être une bicouche 30 comportant une couche de SiO2 de 100 nm et une couche de SiN de 50 nm ; Diffusion d'un dopant de type n. Ce dopant peut par exemple être du POCI3; - Recuit ; - Retrait de la deuxième barrière à la diffusion. Cette étape de retrait peut être effectuée par gravure humide, par exemple à l'acide fluorhydrique (HF) ; 3038776 10 - Passivation par oxydation. Le procédé comporte ensuite une étape 102 de dépôt d'une couche 4 dite « couche barrière », d'un matériau diélectrique transparent non cristallin sur une surface supérieure 28 de la jonction de base 27. Lorsque cette couche barrière 4 est en SiO2, elle peut par exemple être 5 déposée par dépôt chimique en phase vapeur. Le procédé comporte ensuite une étape 103 de formation de cavités 5 dans la couche barrière 4. Cette étape 103 de formation de cavités est de préférence effectuée par lithographie et gravure sèche puis humide ou alors seulement par gravure sèche. Cette étape de gravure sèche est avantageuse car elle est anisotrope. Ensuite, la couche barrière 10 est gravée par gravure humides de façon à former des cavités 5 traversantes. Cette étape de gravure est isotrope, mais elle permet de ne pas détériorer les propriétés cristallines de la jonction de base 27. Le procédé comporte ensuite une étape 104 de dépôt d'une couche de matériau III-V 20 15 dans les cavités 5. La croissance du matériau III-V 20 dans les cavités 5 est réalisée par épitaxie, par exemple dans un équipement de MOCVD (d'après le terme anglais MetalOrganic Chemival Vapor Deposition) permettant de faire de l'épitaxie en phase vapeur. On pourra pour ce faire utiliser des précurseurs organométalliques, typiquement du tributylarsenic et du trimethylgalium. On pourrait également utiliser du triethylarsenic, ou des 20 composés hydrures type arsine et phosphine. Les précurseurs sont dilués dans de l'hydrogène. Après un nettoyage de la surface supérieure 28 de la jonction de base 27, par exemple dans des bains chimiques, avec une finition, on pourra procéder à un recuit sous hydrogène à une température comprise entre 600 et 1000°C. Puis, on réalisera une première couche de nucléation de matériau III-V, de préférence à basse température In, c'est-à-dire à 25 une température comprise entre 150°C et 450°C et àune pression Pn élevée, c'est-à-dire à une pression comprise entre 80 Torr et 720 Torr. La première couche de nucléation présente de préférence une épaisseur comprise entre 5 nm et 150 nm. On réalise ensuite une couche de croissance à plus haute température, c'est-à-dire à une température comprise entre 450°C et 750°C, et à pression plus faible, c'est-àdire à une pression comprise entre 5 Torr 30 et 80 Torr. Lors de l'étape de réalisation de la couche de nucléation comme lors de l'étape de croissance, on envoie de préférence dans le réacteur de croissance un mélange des précurseurs de l'arsenic et du gallium. La pression partielle du précurseur de l'arsenic est supérieure à celle du gallium. On pourra effectuer en fin de croissance un ou plusieurs cycles thermique(s) à des températures comprises entre 500°C et 950°C afin de diminuer la 35 densité de dislocations émergentes dans les couches. 3038776 11 Le procédé peut ensuite comporter une étape 105 de réalisation de contact métalliques avant et de contact métallique arrière. Le procédé comporte ensuite une étape 106 de dépôt à la surface de la couche barrière 4 5 d'une couche intercalaire 9 en matériau diélectrique transparent. Lorsque la couche intercalaire 9 est en SiO2, elle peut par exemple être déposée par dépôt chimique en phase vapeur. Lorsque la couche intercalaire est en résine, elle peut être déposée par dépôt à la tournette (ou « spin coating » en anglais). 10 Le procédé comporte ensuite une étape 107 de dépôt d'une couche de microlentilles 10 sur la couche barrière 9. Pour cela, une couche de résine 30 est tout d'abord déposée sur la couche barrière 9. La couche de résine 30 peut par exemple être déposée par dépôt à la tournette. On réalise 15 ensuite des tranchées 31 dans cette couche de résine 30. Les parties de la couche de résine entre deux tranchées 31 consécutives forment des plots 32. On fait ensuite fluer les plots 32 de résine par un traitement thermique de façon à former les microlentilles 11. En effet, lors de l'étape de traitement thermique, les plots 32 de résine minimisent leur énergie de surface, et donc leur surface. La surface de chaque plot 32 se modifie donc pour prendre une forme 20 hémisphérique. Naturellement l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits en référence aux figures et des variantes pourraient être envisagées sans sortir du cadre de l'invention. Ainsi, le procédé a été décrit dans le cas où une seule jonction p-n est formée dans chaque cavité. 25 Toutefois, un procédé analogue pourrait également être mis en oeuvre pour fabriquer des cellules photovoltaïques comportant plusieurs jonctions p-n dans chaque cavité. Dans ce cas, au lieu d'une étape de dépôt d'une seule couche de matériau III-V, le procédé pourrait comporter une étape de dépôt d'un empilement de couches en matériau III-V. Par ailleurs, préalablement à l'étape de dépôt de la ou des couches en matériau III-V, le procédé pourrait 30 comporter une étape de dépôt d'une couche de germanium dans chaque cavité. En outre, les cellules photovoltaïques pourraient comporter d'autres matériaux III-V que ceux décrits. Par ailleurs, l'invention a été décrite dans le cas de jonction pn. Toutefois, les jonctions pn pourraient également être remplacées par des jonctions np. Dans ce cas, le dopage de 35 chaque couche sera inversé. REVENDICATIONS1. Cellule photovoltaïque comportant : un substrat (1) en silicium ; une couche dite « barrière » (4) en matériau diélectrique transparent, la couche barrière (4) étant déposée sur le substrat (1), la couche barrière (4) étant traversée par au moins une cavité (5); au moins une couche en matériau III-V (20, 20a, 20b) formant une jonction p-n, la couche en matériau III-V (20, 20a, 20b) étant déposée dans la cavité (5); une couche dite « intercalaire » (9) en matériau diélectrique transparent, la couche intercalaire (9) étant déposée sur la couche barrière (4); une couche de microlentilles (10) déposée sur la couche intercalaire (9), la couche de microlentilles (10) comportant au moins une microlentille (11), la microlentille (11) présentant un point focal situé dans la cavité (5). 2. Cellule photovoltaïque selon la revendication précédente, dans laquelle chaque microlentille (11) présente un diamètre (d11) compris entre 0.5 lm et 50 et de préférence entre 5 lm et 20 3. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle chaque microlentille est configurée de façon à présenter une distance focale comprise entre 0.5 lm et 50 et de préférence entre 51..tm et 2011m. 4. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle la couche intercalaire présente une épaisseur comprise entre 50% et 100% de la distance focale de la microlentille. 5. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications 1 à 4, comportant dans la cavité (5) une couche en matériau III-V (20), la couche en matériau III-V (20) étant en AIGaAs. 6. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications 1 à 4, comportant, dans la cavité (5), un empilement de couches en matériau III-V, l'empilement comportant au moins deux couches en matériau III-V (20a, 20b), chaque couche en matériau III-V formant une jonction p-n. 3038776 13 7. Cellule photovoltaïque selon la revendication précédente, dans laquelle l'empilement de couches en matériau III-V comporte : une couche en GaAs (20a) ; une couche en InGaP (20b). 5 8. Cellule photovoltaïque selon la revendication précédente, comportant, dans la cavité, entre l'empilement de couches en matériau III-V (20a, 20b) et le substrat (1), une couche en germanium (21). 10 9. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle le substrat (1) en silicium forme une jonction p-n. 10. Cellule photovoltaïque selon l'une des revendications précédentes, comportant en outre une jonction tunnel (20) dans la cavité (5). 15 11. Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque comportant les étapes suivantes : (a) dépôt d'une couche dite « barrière » (4) en matériau diélectrique transparent sur un substrat (1) en silicium, (b) réalisation d'au moins une cavité (5) dans la couche barrière (4), la cavité (5) 20 traversant la couche barrière (4); (c) dépôt dans la cavité (5) d'au moins une couche en matériau III-V (20, 20a, 20b) formant une jonction p-n; (d) dépôt sur la couche barrière (4) d'une couche dite « intercalaire » (9) en matériau diélectrique transparent; 25 (e) formation d'une couche de microlentilles (10) sur la couche intercalaire (9), la couche de microlentilles (10) comportant au moins une microlentille (11), la microlentille (11) étant configurée de façon à présenter un point focal situé dans la cavité. 30 12. Procédé selon la revendication précédente, comportant en outre, entre les étapes (b) et (c), une étape de dépôt d'une couche de germanium (21). 13. Procédé selon l'une des revendications 11 ou 12, comportant en outre une étape de dépôt d'une seconde couche en matériau III-V (20a) formant une jonction p-n dans la cavité 35 (5). 3038776 14 14. Procédé selon l'une des revendications 11 à 13, dans lequel l'étape (e) de formation de la couche de microlentilles (10) comporte les sous-étapes suivantes : - dépôt d'une couche de résine (30) sur la couche intercalaire (9); - réalisation d'au moins quatre tranchées (31) dans la couche de résine (30); 5 - traitement thermique de façon à faire fluer une partie (32) de la couche de résine délimitée par les quatre tranchées (31). 10