FR 3036853 A1 20161202 FR 1554682 A 20150526 1 DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne le domaine de l'éclairage et en particulier l'utilisation de diodes électroluminescentes organiques qui, une fois alimentées par un courant électrique, émettent leur propre lumière. La présente invention reçoit pour application avantageuse un procédé de réalisation d'une telle diode électroluminescente organique. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE La diode électroluminescente, plus connue sous l'acronyme LED en anglais pour « Light Emitting Diode », est un semi-conducteur aux propriétés physiques telles, que la diode électroluminescente possède la faculté de convertir directement l'électricité en lumière, tout en étant d'une efficacité inégalée en termes de consommation énergétique. L'éclairage par diode électroluminescente permet une diffusion homogène du faisceau lumineux ; cet éclairage est notamment très proche de la lumière du jour. Ce sont ces caractéristiques avantageuses qui ont attiré les concepteurs à s'intéresser de plus en plus aux diodes électroluminescentes pour des applications automobiles, par exemple, ou encore dans le domaine de l'éclairage. Ces sources lumineuses représentent en outre d'excellentes opportunités pour les « designers ». Il est, par exemple, possible de combiner plusieurs diodes afin de créer des formes différentes, des jeux de luminance (les diodes électroluminescentes de type organique ayant par exemple un rayonnement lumineux plus faible que celui des autres diodes) et obtenir ainsi des effets visuels originaux. Néanmoins, les technologies actuelles connaissent des limites. Les diodes électroluminescentes organiques ont notamment un procédé de fabrication contraignant du fait de la forte sensibilité à l'eau et à l'air de la couche organique, nécessitant de ce fait une protection par encapsulation de cette couche. D'autre part, des dispositions doivent être prises pour éviter les court-circuits ; la réalisation de sources lumineuses de type diode électroluminescente organique en grande dimension nécessite, par exemple, une séparation de deux électrodes. Actuellement, les couches organiques sont déposées thermiquement à travers un pochoir commun et servent en d'autres termes à séparer l'anode et la cathode. Cependant, un des inconvénients est que la couche organique n'est pas entièrement protégée par la cathode et, est donc, de ce fait, particulièrement sensible à la dégradation ainsi qu'a l'oxydation. En termes de procédé de fabrication, le positionnement des différentes couches formant la diode requiert un usinage particulier des pochoirs utilisés lors d'étapes de masquage. 3036853 2 Une solution pour protéger notamment les couches organiques est de déposer une couche de protection de sorte à encapsuler l'empilement de couches (anode, couche organique, cathode) formant la diode électroluminescente organique. Pour ce 5 faire, il a été démontré que la technique de dépôt de monocouches atomiques (acronyme ALD en anglais pour « Atomic Layer Deposition ») permet de réaliser une couche de protection, de préférence formée en un matériau choisi parmi l'oxyde d'aluminium (A1203), le dioxyde de silicium (Si02) ou encore le dioxyde de titane (Ti02), d'excellente qualité, d'une épaisseur comprise entre 10 et 100 nanomètres 10 typiquement. Néanmoins, un des inconvénients de la technique de dépôt ALD est la difficulté à réaliser une étape de masquage permettant d'épargner les contacts électriques (typiquement les reprises de contact des électrodes : anode et cathode) des diodes électroluminescentes organiques. En effet, les reprises de contact ne sont pas lumineuses et servent au raccordement électrique extérieur à la diode 15 électroluminescente organique ; elles ne doivent par conséquent pas être couvertes par une couche de protection ; ladite couche de protection étant isolante électriquement. Compte tenu des contraintes liées au procédé de fabrication des diodes 20 électroluminescentes, la présente invention propose un procédé simplifié et moins coûteux, permettant la réalisation de reprises de contact pour une diode électroluminescente organique préservant une bonne encapsulation de la couche organique notamment, tout en favorisant une meilleure homogénéité lumineuse de ladite diode électroluminescente organique. 25 RESUME DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une diode électroluminescente organique comprenant une étape de formation d'un empilement de couches sur un substrat ; ledit empilement comprenant, successivement et dans 30 l'ordre, une première électrode déposée sur le substrat, une couche organique déposée au contact d'au moins une partie de la première électrode, une deuxième électrode déposée au contact d'au moins une partie de la couche organique ; la au moins l'une parmi la première électrode et la deuxième électrode comprenant une partie débordante non recouverte ni par la couche organique, ni par l'autre parmi la 35 première électrode et la deuxième électrode. 3036853 3 Avantageusement, le procédé comprend une étape de formation d'une couche de protection, ladite étape étant configurée de sorte à ce que la couche de protection recouvre au moins en partie la partie débordante, une étape de formation, au travers de la couche de protection, d'un accès à la partie débordante de l'au moins une parmi 5 la première électrode et la deuxième électrode, une étape de formation d'une couche métallique remplissant au moins en partie l'accès à la partie débordante de sorte à ce que la couche métallique soit en continuité électrique avec la partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode. 10 La présente invention concerne également une diode électroluminescente organique comprenant un empilement de couches sur un substrat ; ledit empilement comprenant, successivement et dans l'ordre, une première électrode déposée sur le substrat, une couche organique déposée au contact d'au moins une partie de la première électrode, une deuxième électrode déposée au contact d'au moins une partie 15 de la couche organique; la au moins l'une parmi la première électrode et la deuxième électrode comprenant une partie débordante non recouverte ni par la couche organique, ni par l'autre parmi la première électrode et la deuxième électrode. Avantageusement, la diode comprend une couche de protection, ladite couche de protection recouvrant au moins en partie la partie débordante. La diode comprend, au 20 travers de la couche de protection, un accès à la partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode. La diode comprend également une couche métallique remplissant au moins en partie l'accès à la partie débordante de sorte à ce que la couche métallique soit en continuité électrique avec la partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode. 25 Ainsi, l'effet technique de la présente invention est de proposer une solution d'encapsulation de couches minces de la diode électroluminescente organique, une garantie de fiabilité concernant la conductivité électrique à partir des électrodes de la diode, ainsi qu'une homogénéité lumineuse de ladite diode, tout en garantissant la 30 protection de la couche organique notamment lors de la formation des reprises de contact. De cette manière, les couches présentes dans le dispositif d'émission lumineuse organique, connues pour être particulièrement sensibles au l'eau et à l'oxygène, sont 35 protégées par les moyens mis en oeuvre. 3036853 4 BREVE INTRODUCTION DES FIGURES D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaitront à la lecture de la description détaillée qui suit, en regard des dessins annexés, donnés à titre d'exemples, non limitatifs, et sur lesquels : 5 - La FIGURE 1 illustre une vue schématique en coupe longitudinale d'un l'empilement sur un substrat de différentes couches formant une diode électroluminescente organique ; ledit empilement étant recouvert d'une couche de protection. - La FIGURE 2 illustre une vue schématique en coupe longitudinale d'un 10 l'empilement sur un substrat de différentes couches formant une diode électroluminescente organique, après la formation d'un accès, par ablation laser, à l'une au moins des électrodes au travers de la couche de protection. - La FIGURE 3A illustre une vue schématique en coupe longitudinale dudit empilement suite à une ablation totale ; des contacts métalliques étant réalisés au 15 niveau de chacune des électrodes formant la diode. - La FIGURE 3B illustre une vue schématique en coupe longitudinale dudit empilement, suite à une ablation partielle. Par souci de clarté, les éléments sur les figures ne sont pas représentés à l'échelle. 20 DESCRIPTION DETAILLEE Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, le terme « sur » ne signifie pas obligatoirement « au contact de ». Ainsi, par exemple, le dépôt d'une couche sur une autre couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches 25 sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que l'une des couches recouvre au moins partiellement l'autre en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d'elle par un film, encore une autre couche ou un autre élément. Il est également précisé qu'une couche peut comprendre une pluralité de couches. D'autre part, le terme « couche » ne veut pas forcément dire une répartition 30 pleine plaque sur le substrat. Avant d'entrer dans le détail de formes préférées de réalisation de l'invention en référence aux dessins notamment, d'autres caractéristiques optionnelles de l'invention, qui peuvent être mises en oeuvre de façon combinée selon toutes combinaisons ou de manière alternative, sont indiquées ci-après : 35 3036853 5 La formation de l'accès à la partie débordante comprend une fusion localisée du matériau de la couche de protection et du matériau d'au moins une partie de la partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode. 5 Selon un mode de réalisation, la fusion est réalisée sur toute l'épaisseur de la partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode, de sorte à atteindre le substrat. La fusion est réalisée de manière à former une portion électriquement conductrice, au moins sur les bords de l'accès à la partie débordante de l'au 10 moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode. La formation de la couche métallique est réalisée de sorte à ce que la couche métallique recouvre au moins en partie la portion électriquement conductrice. La formation de l'accès à la partie débordante comprend une gravure d'au 15 moins la couche de protection par ablation laser. L'étape de formation de l'empilement de couches est réalisée de sorte à ce que l'autre parmi la première électrode et la deuxième électrode comprend une partie débordante ne recouvrant ni la première électrode, ni la couche organique. 20 La formation de la couche de protection est réalisée de sorte à ce que la couche de protection soit électriquement isolante. La formation de la couche de protection comprend un dépôt par couche atomique. La formation de la couche métallique comprend une évaporation thermique 25 ou une pulvérisation cathodique. Une portion, avantageusement électriquement conductrice, est formée, au moins sur les bords de l'accès à la partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode. La portion électriquement conductrice comprend un alliage du matériau 30 formant la couche de protection et du matériau formant la partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode. La concentration du matériau de la couche de protection dans la portion électriquement conductrice est inférieure à 50%. La couche métallique recouvre au moins en partie la portion 35 électriquement conductrice. 3036853 6 L'autre parmi la première électrode et la deuxième électrode comprend une partie débordante ne recouvrant ni la première électrode, ni la couche organique. La couche de protection est réalisée en un matériau électriquement isolant. 5 La couche de protection comprend un matériau choisi parmi l'oxyde d'aluminium, l'oxyde de silicium, l'oxyde de titane. L'au moins une partie débordante de l'au moins une parmi la première électrode et la deuxième électrode comprend un empilement bicouche. Au moins l'une parmi la première couche métallique et la deuxième couche 10 métallique comprend une épaisseur supérieure à 100 nanomètres. La couche de protection comprend une épaisseur supérieure à 25 nanomètres, de préférence de l'ordre de 50 nanomètres. Comme indiqué précédemment, le procédé qui suit a pour but de réaliser au 15 moins une diode électroluminescente organique comprenant une couche de protection ; ladite couche de protection servant de couche d'encapsulation et de protection des couches sensibles telles que la couche organique. Dans une première étape, illustrée en figure 1, on forme un empilement de 20 couches sur un substrat 50. De manière avantageuse, le substrat 50 est une plaque plane réalisée en un matériau transparent. Optionnellement, le substrat 50 est en verre. Une première électrode 100 est, de préférence, déposée sur le substrat 50. Une couche organique 300 est avantageusement déposée de sorte à recouvrir une partie 25 de la première électrode 100. Préférentiellement, la première électrode 100 dépasse latéralement de la couche organique 300. Avantageusement, la première électrode 100 présente une partie débordante 150 non recouverte par la couche organique 300. Une deuxième électrode 200 est déposée de sorte à recouvrir au moins partiellement la couche organique 300. Selon un mode de réalisation préférentiel, la deuxième 30 électrode 200 s'étend au-delà de la couche organique 300 tel qu'illustré en figure 1. La deuxième électrode 200 dépasse latéralement de l'empilement de couches. La partie débordante 150 de la première électrode 100 et la partie débordante 250 de la deuxième électrode 200 ne sont ni superposées, ni en contact. Elles peuvent être situées sur des bordures opposées de l'empilement de couches. 35 Préférentiellement, la première électrode 100 constitue l'anode. La première électrode 100 est, typiquement, réalisée en un matériau métallique. 3036853 7 Selon un mode de réalisation où l'émission de la lumière se fait dans la direction opposée au substrat 50, la première électrode 100 est choisie en un matériau réfléchissant (voire semi-réfléchissant). La première électrode 100 peut être, par exemple, en aluminium. 5 Selon un mode de réalisation préférentiel où l'émission de la lumière se fait au travers du substrat 50, alors la première électrode 100 est choisie en un matériau transparent. De préférence, la première électrode 100 est composée d'une couche 101 par exemple à base d'oxyde d'indium dopé à l'étain (Indium Tin Oxide, ITO). De manière particulièrement avantageuse, la première électrode 100 comprend au moins 10 sur la partie débordante 150 une couche additionnelle 102 déposée sur la couche 101 préalablement formée. La couche additionnelle 102 comprend par exemple un matériau métallique tel que l'aluminium ou encore l'argent ou un alliage magnésium/argent. Optionnellement, la première électrode 100 est transparente à au moins 85%, afin de 15 permettre la transmission de la lumière. Selon un mode de réalisation préférentiel, la couche organique 300 est avantageusement disposée de sorte à être insérée entre la première électrode 100 et la deuxième électrode 200. La couche organique 300 est avantageusement composée d'une ou de plusieurs sous-couches. Ces sous-couches comprennent, de préférence, 20 des matériaux spécifiques, permettant d'améliorer l'injection d'électrons et de trous, et par conséquent, d'améliorer l'efficacité du dispositif d'émission lumineuse. A titre d'exemple, la couche organique 300 peut notamment comprendre une couche d'injection des trous, une couche de transport des trous, une couche d'émission de la lumière produite par la recombinaison des trous et des électrons, une couche de 25 transport des électrons et une couche d'injection des électrons. La deuxième électrode 200 constitue généralement la cathode. Avantageusement, la deuxième électrode 200 est transparente. Optionnellement, elle est semi-transparente. La deuxième électrode 200 est, typiquement, réalisée en un matériau métallique. La deuxième électrode 200 peut, par exemple, être en un 30 matériau tel que l'aluminium ou encore l'argent ou un alliage magnésium/argent. Elle est, de préférence, déposée par évaporation thermique. Les épaisseurs de la première électrode 100, de la couche organique 300 et de la deuxième électrode 200, sont, avantageusement, comprises entre 10 nanomètres et 200 nanomètres. 3036853 8 Selon un mode de réalisation préférentiel, les conditions de dépôt des différentes couches se font sous une atmosphère contrôlée. La présence, en effet, d'impuretés dépend de l'atmosphère dans laquelle les structures sont fabriquées. 5 Tel qu'illustré figure 1, après l'étape de formation d'un empilement de couches, il s'ensuit une étape de formation d'une couche de protection 400 au-dessus dudit empilement de couches. La couche de protection 400 est de préférence disposée de sorte à recouvrir tout l'empilement de couches. La couche de protection 400 a pour avantage de pouvoir être déposée par dépôt 10 de couches atomiques (acronyme ALD en anglais pour « Atomic Layer Deposition »). Préférentiellement, la couche de protection 400 est formée de sorte à posséder un taux de transmission de vapeur d'eau (acronyme VVVTR en anglais pour « VVater Vapor Transmission Rate ») de l'ordre de 10-4 g/m2/j. La couche de protection 400 est avantageusement formée en un matériau électriquement isolant. Elle comprend, 15 préférentiellement, un matériau inorganique choisi par exemple parmi l'Alumine (A1203), l'oxyde d'Aluminium (A10), le dioxyde de Silicium (5i02), l'oxyde de Titane (Ti02) ou encore le nitrate de Silicium (SiN), l'oxyde de Zirconium (Zr02), l'oxyde d'Hafnium (Hf02), l'oxyde de Tantale (Ta205), ou encore l'oxyde de Nobium (Nb205), l'oxyde d'Yttrium (Y203), l'oxyde de Magnésium (MgO), l'oxyde de Cérium (Ce02), 20 l'oxyde de Lanthane (La203), le titanate de Strontium (SrTiO3), le titanate de Barium (BaTiO3), le sulfure de Zinc (ZnS), le sulfure de Sélénium (ZnSe), le zinc Telluride (ZnTe), l'oxyde d'Indium (1n203), le dioxyde d'Etain (5n02), l'oxyde de Gallium (Ga203), l'oxyde de Nickel (NiO). 25 De manière particulièrement avantageuse, la couche de protection 400 possède une épaisseur permettant de former un revêtement uniforme et homogène sur l'empilement de couches. Selon un mode de réalisation préférentiel, la couche de protection 400 possède une épaisseur inférieure à 100 nanomètres et de préférence de l'ordre de 50 nanomètres. 30 La couche de protection 400 a l'avantage d'être formée de telle sorte à parfaitement suivre la rugosité de surface de l'empilement de couches. La couche de protection 400 a, en outre, la particularité de former un revêtement sur l'empilement de couches, et de ce fait, à l'isoler électriquement. D'autre part, la couche de protection 400, ainsi disposée, agit, de manière 35 particulièrement avantageuse, comme une barrière de protection étanche pour les couches sensibles telles que la première électrode 100, la couche organique 300 et la 3036853 9 deuxième électrode 200. L'encapsulation (notamment de la couche organique 300) obtenue est ainsi parfaitement réalisée. La figure 2 illustre l'étape de formation, au travers de la couche de protection 5 400, d'un accès 501, 502 à la partie débordante 150, 250 de la première électrode 100 et/ou de la deuxième électrode 200. De manière particulièrement avantageuse, la formation de l'accès 501, 502 à la partie débordante 150, 250 de l'au moins une parmi la première électrode 100 et la deuxième électrode 200 comprend une gravure d'au moins la couche de protection 400 par 10 ablation laser ou irradiation laser. Selon un exemple de réalisation non limitatif de l'invention, on utilise un laser de type Nd:YAG, avec une longueur d'onde de 1064 nanomètres, une énergie d'impulsion maximale de 1 millijoule, une durée d'impulsion 100 ns et un taux de répétition maximal de 80 kHz. 15 Les accès 501, 502, sous forme d'ouvertures, ont une profondeur préférentielle au moins égale à l'épaisseur de la couche de protection 400. Les accès 501, 502 ont, de préférence, une largeur d'au moins 10 microns. Les accès 501, 502 ont la particularité d'être séparés d'une distance au moins égale à 100 microns. Les accès 501, 502 ainsi formés, permettent un accès à la première électrode 100 et/ou à la 20 deuxième électrode 200. L'utilisation d'un laser a pour avantage de former des motifs de différentes formes dans la couche de protection 400. Le motif peut être choisi parmi une forme ronde, oblongue, carrée, ou encore rectangulaire. De manière particulièrement avantageuse, l'ablation laser ne nécessite pas d'étape de protection des zones non 25 exposées au laser, et évite donc le recours à un procédé complexe et potentiellement incompatible avec la fabrication de diodes électroluminescentes. L'ablation laser permet de supprimer localement la couche de protection 400 afin d'accéder aux électrodes 100, 200 au travers des accès 501, 502. Avantageusement, l'ablation laser introduit un chauffage local sur la couche de protection 400 et sur l'une 30 parmi la première électrode 100 et la deuxième électrode 200. Comme évoqué précédemment, l'ablation laser au travers d'au moins la couche de protection 400 provoque une fusion locale de ladite couche de protection 400 avec l'une parmi la première électrode 100 et la deuxième électrode 200. Cette fusion est à l'origine d'un dépôt d'une portion 601, 602, avantageusement électriquement conductrice, en 35 bordure des accès 501, 502 aux première et deuxième électrodes 100, 200, à la surface de la couche de protection 400. L'ensemble des portions 601, 602 créées à la 3036853 10 surface de la couche de protection 400 correspond à une zone altérée par fusion de la couche de protection 400 située en bordure des accès 501, 502, s'étalant dans un plan parallèle au substrat 10. On entend par bordure une certaine largeur sur le contour d'un accès 501, 502. 5 Ces portions 601, 602 proviennent de la fusion localisée générant un mélange, sous forme d'alliage, du matériau de la couche de protection 400 et du matériau d'au moins une partie de la partie débordante 150, 250 de la première électrode 100 et/ou de la deuxième électrode 200. La fusion est réalisée de manière à former une portion 601, 602 avantageusement électriquement conductrice. La portion 601, 602 10 électriquement conductrice comprend un alliage entre le matériau formant la couche de protection 400 et le matériau formant la partie débordante 150, 250 de l'au moins une parmi la première électrode 100 et la deuxième électrode 200. Avantageusement, la concentration du matériau de la couche de protection 400 dans la portion 601, 602 électriquement conductrice est inférieure à 50%. 15 La rugosité en surface de la zone altérée, soit l'épaisseur des portions 601, 602 électriquement conductrices, dépend principalement de l'épaisseur de la couche de protection 400. Les portions 601, 602 observées dans la zone altérée ont une hauteur comprise entre 50 nm et 200 nm pour une épaisseur de la couche de protection de 50 nm et une épaisseur de l'ITO de 150 nm, et une largeur minimale de 10 micron. Ces 20 portions 601, 602, dues à la fusion de la couche de protection 400 et de l'au moins parmi la première électrode 100 et la deuxième électrode 200, par laser, apparaissent sur le bord de la gravure. On entend par portion électriquement conductrice, une portion de couche comprenant un seuil de résistivité inférieur à 10-3 Ohm.m. 25 Les figures 3A et 3B illustrent l'étape de formation d'une couche métallique 701, 702. La figure 3A illustre un mode de réalisation où l'ablation laser est réalisée, de manière totale, de sorte à consommer toute l'épaisseur de la partie débordante 150, 250 de la première électrode 100 et/ou de la deuxième électrode 200. Dans le cas 30 préféré où la partie débordante 150 de la première électrode 100 comprend un empilement bicouche de type ITO/Aluminium, la fusion résultant de l'irradiation laser est réalisée sur toute l'épaisseur de la partie débordante 150, de sorte à atteindre le substrat 50. La figure 3B illustre un mode de réalisation préféré où l'ablation laser est réalisée, de manière partielle, de sorte à ne pas consommer toute l'épaisseur de la 35 partie débordante 150, 250 de la partie débordante 150, 250 de la première électrode 100 et/ou de la deuxième électrode 200. Dans le cas d'une ablation totale, la zone 3036853 11 gravée (c'est-à-dire l'accès 501, 502) lors de l'irradiation sera visible à partir de la face du substrat 50, opposée à la face à partir de laquelle sont déposées les couches formant la diode électroluminescente organique. Cela peut nuire à l'esthétique de la diode. Une ablation partielle est ainsi préférée sans être toutefois limitative de la 5 présente invention. La couche métallique 701, 702 est réalisée de sorte à remplir au moins en partie l'accès 501, 502 à la partie débordante 150, 250 de l'une au moins parmi la première électrode 100 et la deuxième électrode 200 de sorte à ce que la couche métallique 10 701, 702 soit en continuité électrique avec ladite partie débordante 150, 250. Avantageusement, la première couche métallique 701 est en contact direct avec la partie débordante 150 de la première électrode 100, et la deuxième couche métallique 702 est en contact avec la partie débordante 250 de la deuxième électrode 200; de sorte à ce que la première couche métallique 701 et la deuxième couche 15 métallique 702 soient en continuité électrique, respectivement, avec la première électrode 100 et la deuxième électrode 200. Avantageusement, la couche métallique 701, 702 recouvre au moins en partie la portion 601, 602 électriquement conductrice. Préférentiellement, la couche métallique 701, 702 comprend un matériau choisi 20 parmi l'aluminium, le titane, le cuivre, le chrome, l'argent, le zinc, le nickel, l'or, le platine, le magnésium. La couche métallique 700 est avantageusement réalisée par pulvérisation cathodique ou par évaporation thermique. Le dépôt sous vide permet avantageusement d'obtenir une couche métallique 701, 702 dont l'épaisseur est 25 comprise entre quelques nanomètres et quelques microns (par exemple, entre 50 nanomètres et 5 microns). De manière particulièrement avantageuse, le procédé selon l'invention permet de former une couche métallique 701, 702 faisant office de reprise de contact pour les 30 première et deuxième électrodes 100, 200, soit l'anode et la cathode, sans recourir à des étapes de masquage des électrodes 100, 200. Lesdites couches métalliques 701, 702 sont avantageusement en continuité électrique avec chacune des électrodes 100, 200 de la diode. De manière particulièrement avantageuse, la couche de protection 400 permet 35 de servir de couche d'encapsulation de couches sensibles telles que la couche organique 300. 3036853 12 La présente invention propose ainsi un procédé particulièrement simple et peu coûteux pour obtenir un dispositif d'émission lumineuse organique possédant une fiabilité et une homogénéité lumineuse accrues ; les couches sensibles de la diode 5 étant protégées de toutes dégradations pouvant survenir lors d'un procédé habituel de réalisation de diodes électroluminescentes organiques. D'autre part, le dispositif encapsulé est avantageusement compatible avec les exigences industrielles, également pour de grandes surfaces. 10 L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation précédemment décrits, mais s'étend à tous les modes de réalisation conformes à son esprit. REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une diode électroluminescente organique comprenant: - une étape de formation d'un empilement de couches sur un substrat (50) ; ledit empilement comprenant, successivement et dans l'ordre, une première électrode (100) déposée sur le substrat (50), une couche organique (300) déposée au contact d'au moins une partie de la première électrode (100), une deuxième électrode (200) déposée au contact d'au moins une partie de la couche organique (300) ; la au moins l'une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200) comprenant une partie débordante (150, 250) non recouverte ni par la couche organique (300), ni par l'autre parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200), caractérisé en ce qu'il comprend : - une étape de formation d'une couche de protection (400), ladite étape étant configurée de sorte à ce que la couche de protection (400) recouvre au moins en partie la partie débordante (150, 250), - une étape de formation, au travers de la couche de protection (400), d'un accès (501, 502) à la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200), - une étape de formation d'une couche métallique (701, 702) remplissant au moins en partie l'accès (501, 502) à la partie débordante (150, 250) de sorte à ce que la couche métallique (701, 702) soit en continuité électrique avec la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200). 2. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de l'accès (501, 502) à la partie débordante (150, 250) comprend une fusion localisée du matériau de la couche de protection (400) et du matériau d'au moins une partie de la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200). 3. Procédé selon la revendication précédente comprenant une fusion sur toute l'épaisseur de la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la 3036853 14 première électrode (100) et la deuxième électrode (200), de sorte à atteindre le substrat (50). 4. Procédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes 5 dans lequel la fusion est réalisée de manière à former une portion (601, 602) électriquement conductrice, au moins sur les bords de l'accès (501, 502) à la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200). 10 5. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de la couche métallique (701, 702) est réalisée de sorte à ce que la couche métallique (701, 702) recouvre au moins en partie la portion (601, 602) électriquement conductrice. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans 15 lequel la formation de l'accès (501, 502) à la partie débordante (150, 250) comprend une gravure d'au moins la couche de protection (400) par ablation laser. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'étape de formation de l'empilement de couches est réalisée de sorte à ce que 20 l'autre parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200) comprend une partie débordante (150, 250) ne recouvrant ni la première électrode (100), ni la couche organique (300). 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans 25 lequel la formation de la couche de protection (400) est réalisée de sorte à ce que la couche de protection (400) soit électriquement isolante. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de la couche de protection (400) comprend un dépôt par couche 30 atomique. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la formation de la couche métallique (701, 702) comprend une évaporation thermique ou une pulvérisation cathodique. 35 11. Diode électroluminescente organique comprenant : 3036853 15 un empilement de couches sur un substrat (50) ; ledit empilement comprenant, successivement et dans l'ordre, une première électrode (100) déposée sur le substrat (50), une couche organique (300) déposée au contact d'au moins une partie de la première électrode (100), une deuxième électrode 5 (200) déposée au contact d'au moins une partie de la couche organique (300) ; la au moins l'une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200) comprenant une partie débordante (150, 250) non recouverte ni par la couche organique (300), ni par l'autre parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200), 10 caractérisée en ce qu'elle comprend : une couche de protection (400), ladite couche de protection (400) recouvrant au moins en partie la partie débordante (150, 250), au travers de la couche de protection (400), un accès (501, 502) à la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la 15 deuxième électrode (200), une couche métallique (701, 702) remplissant au moins en partie l'accès (501, 502) à la partie débordante (150, 250) de sorte à ce que la couche métallique (701, 702) soit en continuité électrique avec la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la deuxième 20 électrode (200). 12. Diode selon la revendication précédente comprenant une portion (601, 602) électriquement conductrice, au moins sur les bords de l'accès (501, 502) à la partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la première électrode (100) et la 25 deuxième électrode (200). 13. Diode selon la revendication précédente dans laquelle la portion (601, 602) électriquement conductrice comprend un alliage du matériau formant la couche de protection (400) et du matériau formant la partie débordante (150, 250) de l'au moins 30 une parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200). 14. Diode selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans laquelle la concentration du matériau de la couche de protection (400) dans la portion (601, 602) électriquement conductrice est inférieure à 50%. 35 3036853 16 15. Diode selon l'une quelconque des trois revendications précédentes dans laquelle la couche métallique (701, 702) recouvre au moins en partie la portion (601, 602) électriquement conductrice. 5 16. Diode selon l'une quelconque des cinq revendications précédentes dans laquelle l'autre parmi la première électrode (100) et la deuxième électrode (200) comprend une partie débordante (150, 250) ne recouvrant ni la première électrode (100), ni la couche organique (300). 10 17. Diode selon l'une quelconque des six revendications précédentes dans laquelle la couche de protection (400) est réalisée en un matériau électriquement isolant. 18. Diode selon l'une quelconque des sept revendications précédentes dans 15 laquelle la couche de protection (400) comprend un matériau choisi parmi l'oxyde d'aluminium, l'oxyde de silicium, l'oxyde de titane. 19. Diode selon l'une quelconque des huit revendications précédentes dans laquelle l'au moins une partie débordante (150, 250) de l'au moins une parmi la 20 première électrode (100) et la deuxième électrode (200) comprend un empilement bicouche.