FR 3036849 A1 20161202 FR 1554830 A 20150528 B14127 - DD15286JB 1 PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN FILTRE INFRAROUGE ASSOCIÉ À UN CAPTEUR D'IMAGE Domaine La présente demande concerne un procédé de réalisation d'un filtre infrarouge associé à un capteur d'image. Exposé de l'art antérieur On considère ici des capteurs d'image constitués d'une matrice de pixels. La figure 1 représente schématiquement trois pixels d'une matrice de pixels d'un capteur d'image couleur classique. Sur un substrat semiconducteur 10 sont formés des pixels de différentes couleurs, dans l'exemple représenté un pixel bleu 12B, un pixel vert 12G et un pixel rouge 12R. Chaque pixel comprend une zone de photodétection 14B, 14G, 14R formée dans le substrat 10. Des éléments de transfert de charges 16B, 16G, 16R, dans l'exemple représenté des transistors MOS, sont prévus. Les zones de photodétection sont isolées les unes des autres par des tranchées isolantes 18 formées dans le substrat 10. Au-dessus du substrat 10 est prévu un empilement de niveaux d'interconnexion comprenant des pistes métalliques 20 noyées dans un matériau isolant 22. Des filtres colorés 24B, 24G, 24R sont formés en surface de l'empilement de niveaux d'interconnexion et sont recouverts de microlentilles 25. On 3036849 B14127 - DD15286JB 2 prévoit aussi parfois des pixels munis de filtres sélectionnant une bande dans le domaine du rouge ou du proche infrarouge, notamment dans une plage de longueurs d'onde comprises entre 600 nia et 1100 nia, par exemple pour des mesures de distance entre 5 le capteur et un objet, auquel cas la bande passante doit être étroite pour supprimer le signal provenant de la scène. Par ailleurs, il est connu que des filtres interférentiels peuvent être obtenus par dépôts successifs d'une alternance de couches diélectriques d'indices optiques faible et 10 élevé. Le nombre de couches alternées ainsi que leurs épaisseurs déterminent les propriétés du filtre. Comme le représente la figure 2 qui correspond à la figure 10 du brevet US N°5398133, un filtre passe-bande infrarouge a été réalisé par l'association d'un filtre passe-haut 26 et d'un 15 filtre passe-bas 28. Une alternance de couches (26-1 à 26-14) de silicium amorphe (indice optique élevé) et de nitrure de silicium (indice optique faible) forme le filtre passe-haut sur un support de verre 6. Une alternance de couches (28-1 à 28-13) des mêmes matériaux forme le filtre passe-bas sur le support de verre 6. 20 L'épaisseur de chaque couche est différente. Ce type de filtre a pour avantage d'avoir une transmission élevée et une bande passante étroite. De tels filtres peuvent être déposés en surface des niveaux d'interconnexion d'un capteur d'image, mais ne permettent pas de filtrer une bande du visible, notamment dans une plage de longueurs d'onde comprises entre 400 nia et 600 nia, en raison de l'absorption du silicium amorphe. Un autre inconvénient du filtre décrit dans le document US N°5398133 est qu'il comprend de nombreuses couches et a une épaisseur totale élevée. Un autre inconvénient est que, si on dépose un tel filtre en surface des niveaux d'interconnexion d'un capteur d'image, la présence du filtre éloigne d'autant les microlentilles du substrat de silicium. Il peut alors être difficile d'obtenir une focalisation efficace. 3036849 B14127 - DD15286JB 3 Résumé Il existe un besoin d'un capteur d'image incorporant des filtres dans l'infrarouge et éventuellement, en outre, dans le visible, de structure simple. 5 Ainsi, un mode de réalisation prévoit un procédé de réalisation simultanée d'un filtre passe-bande dans l'infrarouge d'un côté filtre, et de niveaux d'interconnexions d'un côté interconnexion d'un capteur d'image, comprenant les étapes suivantes : 10 a) former une première couche d'un matériau diélectrique d'indice de réfraction inférieur à 2,5 à la longueur d'onde de transmission maximale du filtre sur un substrat semiconducteur ; b) déposer une couche d'arrêt de gravure ; 15 c) déposer au moins une couche de silicium d'une première épaisseur ; d) éliminer, du côté interconnexion, ladite au moins une couche de silicium ; e) déposer une deuxième couche du matériau diélectrique 20 d'une deuxième épaisseur supérieure à la première épaisseur ; f) former dans la deuxième couche des pistes métalliques et des vias d'interconnexion, du côté interconnexion ; g) aplanir la surface à un niveau correspondant au niveau de la surface de la deuxième couche, là où la deuxième 25 couche ne recouvre pas ladite au moins une couche de silicium ; et h) répéter les étapes b) à g) au moins une fois, les valeurs des première et deuxième épaisseurs étant sélectionnées d'une répétition à une autre, en fonction de calculs impliquant 30 une étape de simulation et/ou en fonction des performances électriques visées. Selon un mode de réalisation, le silicium est du silicium amorphe. Selon un mode de réalisation, le matériau diélectrique 35 est de l'oxyde de silicium. 3036849 B14127 - DD15286JB 4 Selon un mode de réalisation, les première et deuxième couches et la couche de silicium sont déposées à une température comprise entre 350 C et 400°C. Selon un mode de réalisation, les première et deuxième 5 couches et la couche de silicium sont déposées à la même température. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, en outre, l'étape consistant à éliminer la couche d'arrêt de gravure du côté filtre avant de procéder à l'étape c). 10 Selon un mode de réalisation, ladite au moins une couche de silicium comprend une alternance de couches de silicium amorphe et de couches d'oxyde de silicium. Selon un mode de réalisation, la couche d'arrêt de gravure est en nitrure de silicium, en SiCH, ou en SiOCH. 15 Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, en outre, la formation, avant l'étape b), d'une connexion électrique avec un élément du substrat semiconducteur ou avec une grille d'un transistor à effet de champ formée sur le substrat semiconducteur. Un mode de réalisation prévoit également un capteur 20 d'image ayant une partie comprenant : des niveaux d'interconnexion formés sur un substrat semiconducteur recouvert d'une première couche d'un matériau diélectrique, comprenant des pistes conductrices séparées les unes des autres par des couches isolantes, reliées entre elles par des 25 vias traversant les couches isolantes ; et un filtre passe-bande dans l'infrarouge comprenant des niveaux de filtre adjacents aux niveaux d'interconnexion formés par une alternance de deuxièmes couches du matériau diélectrique, et de couches de silicium, l'indice de réfraction du matériau 30 diélectrique étant inférieur à 2,5 à la longueur d'onde de transmission maximale du filtre, l'une des deuxièmes couches diélectriques de chaque niveau de filtre étant identique à la couche isolante du niveau d'interconnexion adjacent. Selon un mode de réalisation, le capteur comprend, en 35 surface de ladite partie du capteur d'image et en regard du filtre 3036849 B14127 - DD15286JB 5 passe-bande infrarouge, une alternance de troisièmes couches de matériaux d'indices optiques différents, ajoutant au moins un niveau de filtre au filtre passe-bande infrarouge. Selon un mode de réalisation, le capteur comprend, en 5 outre, au moins un filtre optique formé par une couche de résine opaque aux longueurs d'onde du domaine du visible et transparente aux longueurs d'onde infrarouges, disposé en surface de ladite partie et en regard du filtre passe-bande infrarouge. Selon un mode de réalisation, le capteur comprend au 10 moins un filtre optique, formé par une alternance de couches de métal au moins partiellement transparentes et de quatrièmes couches de diélectriques, disposé en surface de ladite partie du capteur d'image et en regard du filtre passe-bande infrarouge. Selon un mode de réalisation, le capteur comprend, en 15 outre, des zones dédiées au domaine du visible comprenant des filtres colorés disposés en surface de ladite partie du capteur d'image. Selon un mode de réalisation, les filtres colorés sont composés d'une alternance de couches de métal au moins 20 partiellement transparentes et de cinquièmes couches de diélectriques. Selon un mode de réalisation, les filtres colorés sont des résines colorées. Selon un mode de réalisation, le capteur comprend des 25 première et seconde plaquettes, chacune ayant une face avant et une face arrière, la première plaquette comprenant du côté de sa face arrière un premier substrat semiconducteur dont une première zone de photodétection est sensible au rayonnement infrarouge ; la seconde plaquette comprenant du côté de sa face 30 arrière un second substrat semiconducteur dont une deuxième zone comporte des pixels sensibles au rayonnement dans le domaine visible et dont une troisième zone est transparente au rayonnement dans le domaine infrarouge, au moins l'une de la première plaquette ou de la seconde plaquette comprenant du côté de sa face 3036849 B14127 - DD15286JB 6 avant une structure comprenant les niveaux d'interconnexion et les niveaux de filtre ; et la face avant de la première plaquette étant accolée à la face avant de la seconde plaquette, de manière à aligner avec 5 la première zone la troisième zone, les niveaux de filtre, l'alignement desdits niveaux de filtre formant un filtre passe-bande infrarouge. Un mode de réalisation prévoit également un système comprenant : 10 une source laser destinée à projeter un rayonnement infrarouge sur au moins un objet ; et un capteur d'image tel que défini précédemment, adapté à détecter le rayonnement réfléchi par l'objet. Brève description des dessins 15 Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1, décrite précédemment, illustre la structure 20 d'un capteur d'image couleur classique ; la figure 2, décrite précédemment, est une vue en coupe d'un filtre interférentiel infrarouge ; les figures aA à 3J illustrent des étapes successives d'un premier mode réalisation d'un procédé de fabrication 25 simultanée de niveaux d'interconnexion et de niveaux d'un filtre infrarouge d'un capteur d'image ; les figures 4A. à 4E illustrent des étapes successives d'un deuxième mode de réalisation d'un procédé de fabrication simultanée de niveaux d'interconnexion et de niveaux d'un filtre 30 infrarouge d'un capteur d'image ; les figures SA à 5E illustrent des étapes successives d'un troisième mode de réalisation d'un procédé de fabrication simultanée de niveaux d'interconnexion et de niveaux d'un filtre infrarouge d'un capteur d'image ; 3036849 B14127 - DD15286JB 7 la figure 6A illustre une vue en coupe d'un mode de réalisation d'un capteur d'image ; la figure 6B est un diagramme représentant la transmission du filtre infrarouge représenté en figure aA dans 5 différentes configurations ; les figures 7 à 9 représentent des vues en coupe d'autres modes de réalisation d'un capteur d'image ; la figure 10 représente une application possible d'un mode de réalisation d'un capteur d'image destiné à être éclairé 10 par la face arrière ; et la figure 11 représente, de façon partielle et schématique, un mode de réalisation d'un système de mesure de distance. Description détaillée 15 De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Par souci de clarté, seuls les éléments qui sont utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés ici. 20 Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "gauche", "droite", ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", ou à des qualificatifs d'orientation, tels que le terme "vertical", il est fait référence à l'orientation 25 des figures. Sauf précision contraire, les mots "environ", "sensiblement" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. Les figures 3A à 3J illustrent des étapes d'un premier mode de réalisation d'un procédé de fabrication simultanée d'une alternance de couches formant, d'une part, des niveaux 30 d'interconnexion (côté gauche des figures) et, d'autre part, un filtre infrarouge (côté droit des figures). Ce procédé s'applique notamment au cas où on veut réaliser un capteur d'image dont la structure comprend au moins un pixel dédié à l'infrarouge. La description suivante sera faite 35 dans le cas particulier où un substrat semiconducteur 1 a 3036849 B14127 - DD15286JB 8 préalablement été revêtu d'une couche isolante 2, par exemple en oxyde de silicium (Si02), dans laquelle une connexion électrique 3 avec un élément du substrat semiconducteur 1 ou une grille de transistor MOS a été préparée. 5 Dans une première étape illustrée en figure aA, on a déposé une couche d'arrêt de gravure 4-1 sur la couche 2 de Si02. A l'étape de la figure 3B, on a retiré la couche d'arrêt de gravure 4-1 du côté droit afin qu'elle recouvre la couche 2 de Si02 seulement du côté gauche. 10 A l'étape de la figure 3C, on a déposé une couche 5-1 de silicium amorphe (a-Si), d'épaisseur el. A l'étape de la figure 3D, on a retiré par gravure la couche 5-1 de a-Si du côté gauche afin qu'elle recouvre la couche 2 de Si02 seulement du côté droit. 15 A l'étape de la figure 3E, on a déposé une couche 6-1 d'un matériau diélectrique ayant un indice de réfraction faible à la longueur d'onde de 850 nia, notamment dont l'indice de réfraction est inférieur à 2,5, de préférence inférieur à 2, d'épaisseur e2 supérieure à l'épaisseur el. Le matériau 20 diélectrique peut être le Si02 ou un diélectrique à faible permittivité (10w-k), c'est-à-dire dont la permittivité relative est inférieure à celle de Si02 qui est d'environ 3,6 à 850 rua, notamment un matériau de type minéral à base Si-0, comportant des radicaux organiques ou hydrures, tels que décrits dans le brevet 25 EP 1 109 221. On a désigné par la référence 7-1 la surface supérieure de la couche 6-1, là où cette couche 6-1 ne recouvre aucune des couches 4-1 et 5-1. Dans le cas où le matériau diélectrique est le 5i02, la couche d'arrêt de gravure est par exemple une couche de nitrure de silicium (SiN). Dans le cas où 30 le matériau diélectrique est un matériau à faible permittivité, la couche d'arrêt de gravure est par exemple une couche de SiCH ou de SiOCH. A l'étape de la figure 3F, on a gravé du côté gauche une portion de la couche 6-1 de 5i02 formant un évidement 10-1 de 35 profondeur inférieure à e2. On a réalisé, à la verticale de la 3036849 B14127 - DD15286JB 9 connexion 3, une seconde gravure dans l'évidement 10-1 jusqu'à la couche d'arrêt de gravure 4-1, formant un évidement 11-1 plus étroit que l'évidement 10-1. On comprendra que l'on peut réaliser simultanément plusieurs évidements de formes et de tailles 5 différentes. A l'étape de la figure 3G, on a retiré la portion de la couche d'arrêt de gravure 4-1 située au fond de l'évidement 11-1, puis on a déposé un métal 12-1, par exemple du cuivre, entrant en contact avec la connexion 3 au fond de l'évidement 11-1. De façon 10 classique, ce dépôt pourra être précédé du dépôt de couches barrière de diffusion (non représentées), par exemple des couches de Ti, Ta, TiN, TaN. A l'étape de la figure 3H, on a réalisé une planarisation de la structure pour éliminer toutes les couches situées au-dessus 15 de la surface 7-1. Cette planarisation pourra être réalisée, par exemple, par un procédé de polissage mécano-chimique (CMP). Le métal 12-1 restant dans les évidements 10-1 et 11-1 forme respectivement une piste conductrice 15-1 et un via 16-1 reliant la piste 15-1 à la connexion 3. 20 A titre de variante, la formation de la couche 6-1 de Si02 peut comprendre successivement le dépôt d'une première sous-couche de Si02, le dépôt d'une couche d'arrêt de gravure, par exemple en SiN, et le dépôt d'une deuxième sous-couche de Si02. L'épaisseur totale de la première sous-couche de Si02 et de la 25 couche d'arrêt de gravure est égale à l'épaisseur souhaitée du via 16-1 et l'épaisseur de la deuxième sous-couche de Si02 est égale à l'épaisseur de la piste 15-1. Ceci permet de mieux maîtriser les épaisseurs de chaque couche de Si02. Un exemple de procédé de fabrication de la piste conductrice 15-1 et du via 16- 30 1 par un procédé comprenant le dépôt de plusieurs sous-couches isolantes est décrit dans le brevet EP 1 109 221. La figure 31 illustre une répétition de la succession d'étapes des figures aA à 3E, sur la structure de la figure 3H. Ainsi on a procédé à la succession d'étapes suivante : - dépôt d'une couche d'arrêt de gravure 4-2 sur la couche 6-1 ; 3036849 B14127 - DD15286JB 10 - retrait de la couche d'arrêt de gravure 4-2 du côté droit ; - dépôt d'une couche 5-2 de a-Si d'épaisseur e12 ; - retrait de la couche 5-2 de a-Si du côté gauche ; et - dépôt d'une couche 6-2 de Si02 d'épaisseur e22 supérieure à 5 l'épaisseur e12. On a désigné par la référence 7-2 la surface supérieure de la couche 6-2, là où cette couche 6-2 ne recouvre aucune des couches 4-2 et 5-2. La figure 3J illustre le résultat de la succession d'étapes des figures 3F à 3H sur la structure de la figure 31. 10 Ainsi on a procédé à la succession d'étapes suivante : - gravure dans la couche 6-2 de Si02, du côté interconnexion, d'un premier évidement de profondeur inférieure à e22 ; - gravure, à l'intérieur du premier évidement, d'un second évidement dans la couche 6-2, plus étroit que le premier 15 évidement, jusqu'à la couche d'arrêt de gravure 4-2 ; - retrait de la portion de la couche d'arrêt de gravure 4-2 se trouvant au fond du second évidement ; - dépôt d'une couche de métal formant, dans les évidements, une piste conductrice 15-2 et un via 16-2 reliant la piste 15-2 à 20 la piste 15-1 ; et - planarisation de la structure au niveau de la surface 7-2. On a ainsi formé, en utilisant des étapes communes, un empilement de deux niveaux d'interconnexion du côté gauche de la figure et un empilement de deux niveaux de filtre infrarouge du 25 côté droit de la figure. L'alternance de couches de Si02 et de silicium amorphe constitue un filtre infrarouge dont les propriétés de filtrage dépendent du nombre de couches et de leurs épaisseurs. S'il est prévu une structure à plus de deux niveaux 30 d'interconnexion, le processus sera répété et le nombre de couches alternées de silicium amorphe et de 5i02 sera augmenté. Des logiciels de simulation optique sont utilisés pour déterminer les épaisseurs des couches de silicium amorphe pour former des filtres infrarouges aux propriétés désirées, en fonction des épaisseurs 35 de 5i02 optimisées pour obtenir les performances électriques 3036849 B14127 - DD15286JB 11 souhaitées, notamment en matière de capacités parasites inter-niveaux, en fonction de la densité d'interconnexion atteignable. A titre de variante, s'il est prévu une structure à plus de deux niveaux d'interconnexion, une couche de silicium amorphe 5 peut ne pas être présente à chaque niveau d'interconnexion. Les inventeurs ont mis en évidence que, de façon surprenante, il est possible d'obtenir un filtre infrarouge ayant une réponse spectrale convenable, malgré le faible nombre de couches du filtre infrarouge, et malgré les contraintes 10 spécifiques dues au fait que le filtre infrarouge est réalisé simultanément à des niveaux d'interconnexion, notamment le fait que chaque couche 6-1, 6-2 de Si02 a une épaisseur imposée après planarisation par les performances électriques visées des niveaux d'interconnexion et que la position de la base de chaque couche 15 5-1, 5-2 de a-Si est imposée par les performances électriques visées des niveaux d'interconnexion. Les figures 4A à 4E illustrent des étapes d'un deuxième mode de réalisation d'un procédé de fabrication simultanée d'une alternance de couches formant, d'une part, un filtre infrarouge 20 et, d'autre part, des niveaux d'interconnexion d'une structure de capteur d'image sur un substrat semiconducteur 1. Comme l'illustre la figure 4A, on part d'une structure identique à celle décrite précédemment en relation avec la figure aA. 25 A l'étape de la figure 4B, on a déposé une couche 5-1 de silicium amorphe (a-Si), d'épaisseur el, sur la couche d'arrêt de gravure 4-1. A l'étape de la figure 4C, on a effectué la succession d'étapes suivante : 30 - retrait par gravure de la couche 5-1 de a-Si du côté gauche afin qu'elle recouvre la couche 4-1 d'arrêt de gravure seulement du côté droit, cette couche d'arrêt de gravure n'étant pas gravée ; et - dépôt d'une couche 6-1 de Si02 d'épaisseur e2 supérieure à el. 35 On a désigné par la référence 8-1 la surface supérieure de la 3036849 B14127 - DD15286JB 12 couche 6-1, là où cette couche 6-1 ne recouvre pas la couche 51 de a-Si. A l'étape de la figure 4D, on a effectué la succession d'étapes suivante : 5 - gravure dans la couche 6-1 de Si02, du côté gauche, d'un premier évidement de profondeur inférieure à e2 ; - gravure, à l'intérieur du premier évidement et en regard de la connexion 3, d'un second évidement dans la couche 6-1, plus étroit que le premier, jusqu'à la couche d'arrêt de gravure 4- 10 1 ; - retrait de la portion de la couche d'arrêt de gravure 4-1 se trouvant au fond du second évidement ; - dépôt d'une couche de métal formant, dans les évidements, une piste conductrice 15-1 et un via 16-1 reliant la piste 15-1 à 15 la connexion 3 ; et - planarisation de la structure au niveau de la surface 8-1. A l'étape de la figure 4E, on a répété la succession d'étapes des figures 4A à 4D sur la structure de la figure 4D. Ainsi on a procédé à la succession d'étapes suivante : 20 - dépôt d'une couche d'arrêt de gravure 4-2 sur la couche 6-2 de Si02 ; - dépôt d'une couche 5-2 de a-Si d'épaisseur e12 ; - retrait de la couche 5-2 de a-Si du côté gauche ; - dépôt d'une couche 6-2 de Si02 d'épaisseur e22 supérieure à 25 l'épaisseur e12. On a désigné par la référence 8-2 la surface supérieure de la couche 6-2, là où cette couche 6-2 ne recouvre pas la couche 5-2 de a-Si ; - gravure dans la couche 6-2 de Si02, du côté gauche, d'un premier évidement de profondeur inférieure à e22 ; 30 - gravure à l'intérieur du premier évidement d'un second évidement dans la couche 6-2, plus étroit que le premier, jusqu'à la couche d'arrêt de gravure 4-2 ; - retrait de la portion de la couche d'arrêt de gravure 4-2 se trouvant au fond du second évidement ; 3036849 B14127 - DD15286JB 13 - dépôt d'une couche de métal formant, dans les évidements, une piste conductrice 15-2 et un via 16-2 reliant la piste 15-2 à la piste 15-1 ; et - planarisation de la structure au niveau de la surface 8-2. 5 On a ainsi formé, en utilisant des étapes communes, un empilement de deux niveaux d'interconnexion du côté gauche de la figure et un empilement de deux niveaux de filtre infrarouge du côté droit de la figure. Comme dans le cas des figures aA à 3J, s'il est prévu 10 plus de deux niveaux d'interconnexion, le processus sera répété et le nombre de couches alternées de silicium amorphe, de Si02 et d'arrêt de gravure sera augmenté. De même, des logiciels de simulation sont utilisés pour déterminer les épaisseurs des couches de silicium amorphe, en fonction des épaisseurs des 15 couches de Si02 et d'arrêt de gravure imposées par la réalisation des niveaux d'interconnexion, pour former des filtres infrarouges aux propriétés désirées. Comme dans le cas des figures aA à 3J, s'il est prévu une structure à plus de deux niveaux d'interconnexion, une couche de silicium amorphe peut ne pas être 20 présente à chaque niveau d'interconnexion. Les figures SA à 5E illustrent des étapes d'un troisième mode de réalisation d'un procédé de fabrication simultanée d'une alternance de couches formant, d'une part, un filtre infrarouge et, d'autre part, des niveaux d'interconnexion d'une structure de 25 capteur d'image sur un substrat semiconducteur 1. Comme l'illustre la figure SA, on part d'une structure identique à celle décrite précédemment en relation avec la figure aA. A l'étape de la figure 5B, au lieu de déposer une couche 30 unique de silicium amorphe (a-Si) comme dans le cas des figures 3C et 4B, on a déposé une alternance 20-1 de couches de Si02 et de a-Si sur la couche d'arrêt de gravure 4-1. Cette alternance 20-1 de couches comprend, dans l'exemple représenté, une couche de Si02 21-1, une couche de a-Si 22-1, une autre couche de Si02 3036849 B14127 - DD15286JB 14 23-1, et une autre couche de a-Si 24-1. L'alternance 20-1 de couches a une épaisseur totale e3. A l'étape de la figure 5C, on a effectué la succession d'étapes suivante : 5 - retrait de l'alternance de couches 20-1 du côté gauche ; et - dépôt d'une couche 6-1 de Si02 d'épaisseur e2 supérieure à l'épaisseur e3. On a désigné par la référence 8-1 la surface supérieure de la couche 6-1, là où cette couche 6-1 ne recouvre par l'alternance de couches 20-1. 10 A l'étape de la figure 5D, on a effectué la succession d'étapes suivante : - gravure dans la couche 6-1 de Si02, du côté gauche, d'un premier évidement de profondeur inférieure à l'épaisseur e2 ; - gravure, à l'intérieur du premier évidement et à la verticale 15 de la connexion 3, d'un second évidement dans la couche 6-1, plus étroit que le premier, jusqu'à la couche d'arrêt de gravure 4-1 ; - retrait de la portion de la couche d'arrêt de gravure 4-1 se trouvant au fond du second évidement ; 20 - dépôt d'une couche de métal formant, dans les évidements, une piste conductrice 15-1 et un via 16-1 reliant la piste 15-1 à la connexion 3 ; et - planarisation de la structure au niveau de la surface 8-1. A l'étape de la figure 5E, on a répété la succession 25 d'étapes des figures SA à 5D sur la structure de la figure 5D. Ainsi on a procédé à la succession d'étapes suivante : - dépôt d'une couche d'arrêt de gravure 4-2 sur la couche 6-1 ; - dépôt d'une alternance de couches 20-2 de Si02 et de a-Si sur la couche d'arrêt de gravure 4-2. Cette alternance de couches 30 20-1 comprend, dans l'exemple représenté, une couche de Si02 21-1, une couche de a-Si 22-1, une autre couche de Si02 23-1, et une autre couche de a-Si 24-1. L'alternance de couches 20-1 est d'épaisseur totale e32 - retrait de l'alternance de couches 20-2 du côté gauche ; 3036849 B14127 - DD15286JB 15 - dépôt d'une couche 6-2 de Si02 d'épaisseur e22 supérieure à l'épaisseur e32. On a désigné par la référence 8-2 la surface supérieure de la couche 6-2, là où cette couche 6-2 ne recouvre pas l'alternance de couches 20-2 ; 5 - gravure dans la couche 6-2 de Si02, du côté gauche, d'un premier évidement de profondeur inférieure à l'épaisseur e32 ; - gravure d'un second évidement dans la couche 6-2, plus étroit et situé à l'intérieur du premier évidement, jusqu'à la couche d'arrêt de gravure 4-2 ; 10 - retrait de la portion de la couche d'arrêt de gravure 4-2 se trouvant au fond du second évidement ; - dépôt d'une couche de métal formant, dans les évidements, une piste conductrice 15-2 et un via 16-2 reliant la piste 15-2 à la piste 15-1 ; et 15 - planarisation de la structure au niveau de la surface 8-2. On a ainsi formé, en utilisant des étapes communes, un empilement de deux niveaux d'interconnexion du côté gauche de la figure et un empilement de plusieurs niveaux de filtre infrarouge du côté droit de la figure. 20 Comme dans le cas des figures aA à 3J et 4A à 4E, s'il est prévu plus de deux niveaux d'interconnexion, le processus sera répété et le nombre de couches alternées de silicium amorphe, de Si02 et d'arrêt de gravure sera augmenté. Des logiciels de simulation sont utilisés pour déterminer les épaisseurs des 25 couches alternées de silicium amorphe et de Si02, en fonction des épaisseurs des couches de Si02 et des couches d'arrêt de gravure imposées par la réalisation des niveaux d'interconnexion, pour former des filtres infrarouges aux propriétés désirées. Dans les modes de réalisation exposés précédemment, les 30 dépôts des différentes couches doivent être réalisés à une température inférieure ou égale à 400°C pour éviter d'endommager les couches formant les interconnexions déjà présentes. Les couches de métal, d'oxyde de silicium et de silicium amorphe sont, par exemple, réalisées par dépôt physique en phase vapeur (PVD). 35 A titre de variante, les couches d'oxyde de silicium et de silicium 3036849 B14127 - DD15286JB 16 amorphe peuvent être déposées par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). Dans ce cas, la température de dépôt de ces deux matériaux empilés en alternance dans le filtre doit être identique et supérieure à 350°C pour amener une stabilité 5 mécanique, morphologique et thermique aux empilements. Cette méthode de dépôt est avantageuse dans le cadre d'un processus comprenant un recuit final à environ 400°C. En effet les inventeurs ont constaté une tendance à la délamination à certaines interfaces de a-Si et de Si02 après recuit à 400°C, pour des 10 niveaux de filtre déposés à une température inférieure à 350°C en PECVD. Dans les modes de réalisation exposés précédemment, les épaisseurs e2, e22 des couches de Si02 ont des valeurs sensiblement comprises entre 150 nia et 650 nia. Les épaisseurs el, 15 e12, (ou e3, e32) des couches de silicium amorphe (ou des alternances de couches de a-Si et de Si02) ont des valeurs sensiblement comprises entre 50 nia et 200 nia. Les couches d'arrêt de gravure ont des valeurs sensiblement comprises entre 20 nia et 50 rua. 20 L'épaisseur totale d'une superposition de couches déposées selon un mode de réalisation du procédé décrit précédemment est sensiblement comprise entre 0,5 gm et 10 pin, préférentiellement entre 1 gm et 3 gm. La figure 6A. est une vue en coupe d'un capteur d'images 25 formé sur un substrat semiconducteur 1 comprenant des zones de photodétection 100. Le substrat est revêtu d'une couche 2 de Si02 dans laquelle une connexion 3 avec un élément du substrat semiconducteur 1 ou une grille de transistor MOS a été préparée. Un empilement de niveaux d'interconnexion est représenté du côté 30 gauche de la figure et un empilement de niveaux de filtre est représenté du côté droit de la figure. Ces empilements sont formés selon un procédé correspondant au premier mode de réalisation décrit en relation avec les figures aA à 3J. Le côté gauche de la figure 6P, correspond à un empilement 35 de quatre niveaux d'interconnexion similaires aux niveaux 3036849 B14127 - DD15286JB 17 d'interconnexion représentés sur le côté gauche de la figure 3J. Cet empilement de niveaux comprend des pistes conductrices 15-1, 15-2, 15-3 séparées les unes des autres par des couches isolantes 6-1, 6-2, 6-3, 6-4 et reliées entre elles par des vias 16-1, 165 2, 16-3 traversant les couches isolantes. A titre d'exemple de réalisation, le dernier niveau d'interconnexion comprend un plot de connexion 17 faisant saillie à la surface de la partie supérieure du capteur d'image. Cette configuration d'interconnexion a été représentée uniquement à titre d'exemple. Diverses 10 configurations de niveaux d'interconnexion sont possibles. Le côté droit de la figure correspond à deux pixels dédiés à l'infrarouge Pl. Ce côté comprend un empilement de quatre niveaux de filtre similaires aux niveaux de filtre représentés du côté droit de la figure 3J. Cet empilement de niveaux comprend 15 une alternance de couches isolantes 2, 6-1, 6-2, 6-3, 6-4 et de couches de silicium amorphe 5-1, 5-2, 5-3, 5-4 formant un filtre infrarouge. De façon classique, au moins une couche de passivation 30 est déposée à la surface des niveaux d'interconnexion et de 20 filtre. La couche 30 est ouverte en regard du plot 17. Un recuit final, par exemple de 2 heures à 400°C en atmosphère de N2H2, peut être réalisé après le dépôt de la couche 30. Une couche de résine 40 sensiblement opaque pour la lumière visible et transparente aux infrarouges, couramment 25 appelée "résine noire", a été déposée à la surface de la couche de passivation 30 à droite sur la figure, au-dessus de l'empilement de niveaux de filtre. Une microlentille 41 est disposée sur la couche de résine 40, à la verticale de chaque zone de photodétection 100. Chaque pixel Pl comprend une zone de 30 photodétection, un filtre infrarouge, une couche de résine noire et une microlentille. La figure 6B est un diagramme représentant la transmission T du filtre de la figure 6A, en fonction de la longueur d'onde À. La courbe Cl correspond à la transmission du 35 filtre sans résine noire 40 et la courbe C2 correspond à la 3036849 B14127 - DD15286JB 18 transmission du filtre en présence d'une couche de résine noire 40. La résine noire 40 permet de supprimer la transmission parasite du filtre dans le domaine du visible. Ces courbes correspondent au cas où les épaisseurs des couches déposées sont 5 les suivantes : couche 2 5-1 6-1 5-2 6-2 5-3 6-3 5-4 6-4 épaisseur (nm) 390 50 100 50 330 180 430 80 570 Dans cette configuration, le pic de transmission est à une longueur d'onde de sensiblement 850 nm et est supérieur à 80 %. La largeur à mi-hauteur de ce pic vaut sensiblement 25 nia. Ces performances sont compatibles avec l'utilisation du capteur 10 d'images comme capteur de distance mettant en oeuvre un procédé de mesure de temps de vol ou TOF (acronyme anglais pour lime Of Flight) dans lequel la largeur à mi-hauteur du pic doit généralement être comprise entre 20 nm et 50 nm et le maximum de transmission doit être supérieur à 80 %. 15 La figure 7 est une représentation en coupe d'un capteur d'image formé sur un substrat semiconducteur 1 comprenant des zones de photodétection 101, 102, 103 et 104. Le côté gauche de la figure, comprenant des niveaux d'interconnexion et un pixel Pl muni d'un filtre infrarouge, est 20 identique à la représentation de la figure aA (pour un seul pixel Pl). Les éléments communs portent les mêmes références et ne seront pas détaillés à nouveau ici. La partie droite de la figure représente des pixels P2, P3, P4, dédiés au visible, chacun étant muni d'un filtre du domaine 25 visible 42, 43, 44 disposé à la verticale des zones de photodétection 102, 103 et 104. Les trois filtres 42, 43, 44 filtrent respectivement les couleurs rouge, verte et bleue (RGB). Ces filtres sont par exemple du type illustré en figure 4B de la demande de brevet US N°2012/0085944 du demandeur, et comportant 30 une alternance de couches de métal suffisamment fines pour être transparentes et de couches diélectriques. Les couches 3036849 B14127 - DD15286JB 19 diélectriques sont choisies pour laisser passer les couleurs choisies (RGB). Une couche de planarisation 50 met à un niveau unique la surface au-dessus des trois filtres 42, 43, 44 et de la couche 5 de résine noire 40. Pour chacun des pixels Pl, P2, P3 et P4, une microlentille 41 est disposée sur la surface plane formée par la couche 50. Selon un mode de réalisation, la couche de résine noire 40 peut être formée après la formation des filtres 42, 43, 44 et de la couche de planarisation 50. 10 La figure 8 illustre une variante de réalisation d'un capteur d'image similaire à celui de la figure 7, comprenant des niveaux d'interconnexion, un pixel dédié à l'infrarouge et trois pixels dédiés au visible. Les éléments communs aux figures 8 et 7 portent les mêmes références et ne seront pas détaillés à nouveau 15 ici. En figure 8, la couche de résine noire 40 de la figure 7 a été remplacée par un filtre infrarouge 45 réalisé par une alternance de couches de métal et de diélectrique de la même manière que les filtres 42, 43 et 44 de la figure 7. De façon avantageuse, le filtre 45 peut être réalisé au moins en partie de 20 façon simultanée avec les filtres 42, 43 et 44. Le filtre infrarouge 45 ne peut pas réaliser seul un filtrage sur une plage de fréquence réduite, ce qui est nécessaire pour l'utilisation du capteur d'images comme capteur de distance du type TOF. En effet, le filtre 45 ne peut pas comprendre un nombre important de couches 25 isolantes et métalliques en raison du fait que le taux d'absorption des couches métalliques peut être important et que les épaisseurs des filtres 42, 43, 44 et 45 doivent être égales. C'est pourquoi le filtre infrarouge 45 doit être associé au filtre infrarouge correspondant à l'empilement de couches 5-1, 5-2, 5-3 30 et 5-4 de silicium amorphe et de couches 6-1, 6-2, 6-3 et 6-4 d'oxyde de silicium. Selon un autre mode de réalisation, le filtre 45 est remplacé par un filtre infrarouge comprenant une alternance de couches de 5i02 et de couches de Si amorphe. Ceci permet, de façon 35 avantageuse, d'augmenter la transmission du filtre infrarouge 3036849 B14127 - DD15286JB 20 réalisé sur la couche de passivation 30. De préférence, chaque filtre 42, 43 et 44 comprend des couches de silicium amorphe en plus des couches isolantes et des couches métalliques, et le filtre infrarouge peut être réalisé au moins en partie de façon 5 simultanée avec les filtres 42, 43 et 44, les couches métalliques étant gravées au-dessus du pixel infrarouge Pl après chaque dépôt. La figure 9 illustre une autre réalisation d'un capteur d'image similaire à celui de la figure 7. Les éléments communs aux figures 9 et 7 portent les mêmes références et ne seront pas 10 détaillés à nouveau ici. En figure 9, les filtres réalisés par une alternance de couches de métal et de diélectriques 42, 43, 44 de la figure 7 ont été remplacés par des résines 52, 53 et 54 respectivement de couleurs rouge, verte et bleue. On pourra prévoir un capteur d'image similaire aux 15 réalisations des figures 7, 8 ou 9, dans lequel les couches (40 ou 45) déposées en surface de la couche de passivation 30 et en regard du filtre passe-bande infrarouge sont remplacées par une alternance de couches de silicium amorphe, de couches d'oxyde de silicium et, selon un mode de réalisation, de couches d'arrêt de 20 gravure. Cette alternance forme au moins un niveau de filtre similaire aux niveaux de filtre fabriqués selon un mode de réalisation du procédé décrit précédemment qui collabore avec ces niveaux de filtre pour former le filtre passe-bande infrarouge. On a décrit jusque maintenant des capteurs d'image 25 comprenant un substrat semiconducteur dont une face, appelée face avant, est revêtue d'une structure d'interconnexion et est destinée à recevoir un éclairement. On connait également des capteurs d'images comprenant un substrat semiconducteur dont une première face, appelée face 30 avant, est revêtue d'une structure d'interconnexion, et dont une deuxième face, appelée face arrière, est destinée à recevoir un éclairement. Ce type de structure est couramment utilisé dans la technique pour des capteurs d'image du domaine du visible. Néanmoins, les zones de photodétection dédiées à l'infrarouge ont 3036849 B14127 - DD15286JB 21 besoin d'une épaisseur de semiconducteur importante peu compatible avec la réalisation de capteurs à éclairement par la face arrière. La figure 10 illustre l'association d'un capteur du domaine du visible à éclairement par la face arrière et d'un 5 capteur infrarouge à éclairement par la face avant. Pour le capteur infrarouge, les niveaux d'interconnexion et de filtre sont fabriqués selon un mode de réalisation du procédé précédemment décrit. Une première plaquette 60 comporte un substrat 10 semiconducteur 61 revêtu d'une couche de Si02 62 et comprenant une zone de photodétection 64 dédiée à l'infrarouge. Une première structure d'interconnexion 65 a été fabriquée selon un mode de réalisation du procédé décrit précédemment, comprenant des niveaux d'interconnexion 66 et des premiers niveaux de filtre infrarouge 15 67. Les niveaux de filtre infrarouge 67 sont disposés en regard de la zone de photodétection 64. Une seconde plaquette 70 comporte un substrat semiconducteur aminci 71 comprenant des zones de photodétection 72, 73, 74 dédiées au visible et en configuration pour un 20 éclairement par la face arrière, ainsi qu'un espace libre transparent 75. Selon un mode de réalisation, l'espace libre 75 correspond, de façon avantageuse, à une zone du substrat semiconducteur 71. Cette seconde plaquette 70 comprend une seconde structure d'interconnexion 76, accolée, par exemple par collage 25 moléculaire, à la première structure d'interconnexion 65. La seconde structure 76 est fabriquée selon un mode de réalisation du procédé décrit précédemment et comprend des niveaux d'interconnexion 77 et des seconds niveaux de filtre infrarouge 78. Cette structure est disposée du côté de la face inférieure du 30 substrat semiconducteur aminci 74. Chaque zone de photodétection est revêtue d'un filtre coloré 81, 82, 83, formant des pixels P7, P8, P9 dédiés au visible. L'espace libre 75 est situé en regard des seconds niveaux de filtre 78, et est revêtu d'une couche de résine noire 84. Les seconds niveaux de filtre 78 sont alignés et 35 coopèrent avec les premiers niveaux de filtre infrarouge 67 pour 3036849 B14127 - DD15286JB 22 former un unique filtre passe-bande infrarouge. L'alignement de l'espace libre 75, de la résine noire 84, des niveaux de filtre 67, 78 des deux structures accolées, avec la zone de photodétection 64 forme un pixel P10 dédié à l'infrarouge. Ce 5 pixel P10 est similaire aux pixels dédiés à l'infrarouge des réalisations exposées précédemment. A titre de variante, la couche de résine noire 84 n'est pas présente. Dans ce cas, le substrat semiconducteur 71 peut être plus épais au niveau de la zone 75 de façon à former une surface plane avec les filtres colorés 81, 82 10 et 83. Ceci permet, de façon avantageuse, d'accroître l'absorption du spectre visible au niveau du pixel P10. Dans le présent mode de réalisation, un niveau de filtre infrarouge 67, 78 est formé dans chaque plaquette 60, 70. A titre de variante, un niveau de filtre infrarouge peut être réalisé seulement dans l'une des 15 plaquettes 60 ou 70. Ceci permet de réduire le nombre d'étapes du procédé de fabrication du capteur. Toutefois, la réponse spectrale obtenue du filtre infrarouge peut alors être moins favorable que celle obtenue avec les deux niveaux de filtre infrarouge 67, 78. Cette association forme ainsi un capteur d'image 20 comprenant des pixels P7, P8, P9 dédiés au visible destinés à être éclairés par la face arrière et un pixel P10 dédié à l'infrarouge destiné à être éclairé par la face avant. En pratique, des configurations de ce type sont répétées périodiquement et forment une matrice de pixels d'un capteur d'image. 25 La figure 11 représente un système de mesure de distance 85 comprenant un capteur d'image 86 (Image Sensor), tel que décrit précédemment, un projecteur 87 (Laser), par exemple une source laser, et un module de traitement 88 (Processing Unit) relié à la source laser 87 et au capteur d'image 86. Le module de traitement 30 88 peut comprendre un processeur adapté à exécuter un programme d'ordinateur stocké dans une mémoire. Le principe de fonctionnement du système 85 est le suivant. La source laser 87 émet un rayonnement 89 à la longueur d'onde du filtre infrarouge du capteur d'image 86. Le rayonnement 89 incident est réfléchi 35 sur un objet 90. Le capteur d'image 86 détecte le rayonnement 3036849 B14127 - DD15286JB 23 réfléchi 91. Selon un mode de réalisation, le module de traitement 88 est adapté à déterminer le temps que le rayonnement prend pour effectuer le trajet entre l'objet 90 et le capteur d'image 86. Cette mesure de temps de vol peut être effectuée indépendamment 5 par chaque pixel du capteur d'image, permettant ainsi d'obtenir une image tridimensionnelle complète de l'objet 90. Selon un autre mode de réalisation, la source laser 87 est adapté à projeter un motif ou plusieurs motifs sur l'objet et le capteur d'image 86 est adapté à acquérir des images de l'objet 90 sur lequel sont 10 projetés les motifs. Le module de traitement 88 est adapté à partir d'une analyse des images acquises à déterminer une image tridimensionnelle de l'objet 90. Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de 15 l'art. En particulier, les exemples de réalisations représentés en figures 7, 8 et 9 pourront être fabriqués selon le deuxième mode de réalisation du procédé décrit précédemment en relation avec les figures 4A. à 4E, selon le troisième mode de réalisation du procédé décrit précédemment en relation avec les figures SA à 20 5E, ou encore selon une combinaison des premier, deuxième et troisième modes de réalisation du procédé décrits précédemment. On a décrit des dépôts de silicium amorphe pour fabriquer le filtre infrarouge, on comprendra qu'on pourra, au lieu de silicium amorphe, déposer des couches de silicium 25 polycristallin. On pourra également déposer une couche antireflet composée d'une couche de 5i02 et d'une couche de SiN entre le substrat semiconducteur 1 et la couche 2 de 5i02. Les épaisseurs de ces couches peuvent être, par exemple, de sensiblement 25 nm 30 pour le 5i02 et de sensiblement 50 nia pour le SiN. Dans les réalisations exposées sur les figures 6, 7, 8, 9 et 10, on comprendra que les pixels formés par les zones de photodétection et les filtres associés pourront former une matrice de pixels selon une répétition périodique d'un motif donné, comme 35 par exemple une matrice de Bayer. 3036849 B14127 - DD15286JB 24 On comprendra que les interconnexions sont associées aux zones de photodétection des substrats, et que les connexions 17 pourront être disposées en surface autour de la matrice de pixels. L'homme de l'art pourra combiner divers éléments des 5 divers modes de réalisation et variantes décrits ci-dessus sans faire preuve d'activité inventive. REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation simultanée d'un filtre passe-bande dans l'infrarouge d'un côté filtre, et de niveaux d'interconnexions d'un côté interconnexion d'un capteur d'image, comprenant les étapes suivantes : a) former une première couche (2) d'un matériau diélectrique d'indice de réfraction inférieur à 2,5 à la longueur d'onde de transmission maximale du filtre sur un substrat semiconducteur (1) ; b) déposer une couche d'arrêt de gravure (4-1) ; c) déposer au moins une couche de silicium (5-1) d'une première épaisseur ; d) éliminer, du côté interconnexion, ladite au moins une couche de silicium (5-1) ; e) déposer une deuxième couche du matériau diélectrique 15 (6-1) d'une deuxième épaisseur supérieure à la première épaisseur ; f) former dans la deuxième couche (6-1) des pistes métalliques (15-1) et des vias (16-1) d'interconnexion, du côté interconnexion ; 20 g) aplanir la surface à un niveau correspondant au niveau (8-1) de la surface de la deuxième couche, là où la deuxième couche ne recouvre pas ladite au moins une couche de silicium (51) ; et h) répéter les étapes b) à g) au moins une fois, les 25 valeurs des première et deuxième épaisseurs étant sélectionnées d'une répétition à une autre, en fonction de calculs impliquant une étape de simulation et/ou en fonction des performances électriques visées. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le 30 silicium (5-1) est du silicium amorphe. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le matériau diélectrique est de l'oxyde de silicium. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les première et deuxième couches (2, 6-1) et la 3036849 B14127 - DD15286JB 26 couche de silicium (5-1) sont déposées à une température comprise entre 350 C et 400°C. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les première et deuxième couches (2, 6-1) et la 5 couche de silicium (5-1) sont déposées à la même température. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant, en outre, l'étape consistant à éliminer la couche d'arrêt de gravure (4-1) du côté filtre avant de procéder à l'étape c). 10 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel ladite au moins une couche de silicium comprend une alternance (20-1) de couches de silicium amorphe et de couches d'oxyde de silicium. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 15 à 7, dans lequel la couche d'arrêt de gravure (4-1) est en nitrure de silicium, en SiCH, ou en SiOCH. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant, en outre, la formation, avant l'étape b), d'une connexion électrique (3) avec un élément du substrat 20 semiconducteur (1) ou avec une grille d'un transistor à effet de champ formée sur le substrat semiconducteur. 10. Capteur d'image ayant une partie comprenant : des niveaux d'interconnexion formés sur un substrat semiconducteur (1) recouvert d'une première couche d'un matériau 25 diélectrique, comprenant des pistes conductrices (15-1, 15-2, 153) séparées les unes des autres par des couches isolantes (6-1, 6-2, 6-3, 6-4), reliées entre elles par des vias (16-1, 16-2, 163) traversant les couches isolantes ; et un filtre passe-bande dans l'infrarouge comprenant des 30 niveaux de filtre adjacents aux niveaux d'interconnexion formés par une alternance de deuxièmes couches (6-1, 6-2, 6-3) du matériau diélectrique, et de couches de silicium (5-1, 5-2, 5-3), l'indice de réfraction du matériau diélectrique étant inférieur à 2,5 à la longueur d'onde de transmission maximale du filtre, l'une 35 des deuxièmes couches diélectriques de chaque niveau de filtre 3036849 B14127 - DD15286JB 27 étant identique à la couche isolante du niveau d'interconnexion adjacent. 11. Capteur d'image selon la revendication 10, comprenant, en surface de ladite partie du capteur d'image et en 5 regard du filtre passe-bande infrarouge, une alternance de troisièmes couches de matériaux d'indices optiques différents, ajoutant au moins un niveau de filtre au filtre passe-bande infrarouge. 12. Capteur d'image selon la revendication 10, 10 comprenant, en outre, au moins un filtre optique formé par une couche de résine (40) opaque aux longueurs d'onde du domaine du visible et transparente aux longueurs d'onde infrarouges, disposé en surface de ladite partie et en regard du filtre passe-bande infrarouge. 13. Capteur d'image selon la revendication 10, comprenant au moins un filtre optique (45), formé par une alternance de couches de métal au moins partiellement transparentes et de quatrièmes couches de diélectriques, disposé en surface de ladite partie du capteur d'image et en regard du filtre passe-bande infrarouge. 14. Capteur d'image selon l'une quelconque des revendications 10 à 13, comprenant, en outre, des zones dédiées au domaine du visible comprenant des filtres colorés disposés en surface de ladite partie du capteur d'image. 15. Capteur d'image selon la revendication 14, dans lequel les filtres colorés (42, 43, 44) sont composés d'une alternance de couches de métal au moins partiellement transparentes et de cinquièmes couches de diélectriques. 16. Capteur d'image selon la revendication 14, dans lequel les filtres colorés sont des résines colorées (52, 53, 54). 17. Capteur d'image selon la revendication 10, comprenant des première et seconde plaquettes (60, 70), chacune ayant une face avant et une face arrière, la première plaquette (60) comprenant du côté de sa face arrière un premier substrat 3036849 B14127 - DD15286JB 28 semiconducteur (63) dont une première zone de photodétection (64) est sensible au rayonnement infrarouge ; la seconde plaquette (70) comprenant du côté de sa face arrière un second substrat semiconducteur (71) dont une deuxième 5 zone (72, 73, 74) comporte des pixels sensibles au rayonnement dans le domaine visible et dont une troisième zone (75) est transparente au rayonnement dans le domaine infrarouge, au moins l'une de la première plaquette ou de la seconde plaquette comprenant du côté de sa face avant une structure (65, 76) 10 comprenant les niveaux d'interconnexion (66, 77) et les niveaux de filtre (67, 78) ; et la face avant de la première plaquette (60) étant accolée à la face avant de la seconde plaquette (70), de manière à aligner avec la première zone (64) la troisième zone (75), les 15 niveaux de filtre (67, 78), l'alignement desdits niveaux de filtre formant un filtre passe-bande infrarouge. 18. Système (85) comprenant : une source laser (87) destinée à projeter un rayonnement infrarouge (89) sur au moins un objet (90) ; et 20 un capteur d'image (86) selon l'une quelconque des revendications 10 à 17, adapté à détecter le rayonnement réfléchi (91) par l'objet.