FR 3040488 A1 20170303 FR 1657689 A 20160810 Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à. un capteur de gaz comportant au moins un circuit intégré et au moins une couche sen- sible au gaz, reliée électriquement au circuit intégré et détectant la con- centration d'un certain gaz, le circuit intégré fournissant un signal électrique fondé sur la concentration de gaz détecté par la couche sensible au gaz. Etat de la technique A titre d'exemples, selon le document DE 198 42 112 C2, on connaît un capteur de gaz ayant un circuit intégré sur un substrat de dimensions appropriées. Le côté supérieur du substrat sur lequel est réalisé le circuit intégré comporte une structure d'électrodes de mesure et le dessus de la structure d'électrodes de mesure comporte la couche sensible au gaz. La couche sensible au gaz ne peut pas être plus grande que l'extension principale du substrat recevant ou formant le circuit intégré. En outre, cette solution a l'inconvénient qu'en général la couche sensible au gaz est appliquée sur le côté supérieur du corps de capteur. Or, les dimensions du corps de capteur sont limitées par la taille du circuit intégré ou du substrat correspondant. Pour agrandir la couche sensible au gaz, il faut agrandir le substrat, ce qui ne va pas dans le sens de la recherche de miniaturisation des circuits intégrés. En outre, il faut faire le contact à travers le substrat si le côté supérieur du corps de capteur apporte la couche sensible au gaz et que le contact avec le corps récepteur se fait par le côté inférieur du corps de capteur, no- tamment par les plots de contact. La figure la montre l'état de la technique avec un circuit intégré 10 (Chip). Le circuit intégré 10 comporte en général une plaquette de silicium de sorte qu'il faut des contacts traversant la plaquette de silicium. Cette technique dite à "travers le silicium" (technique TSV) est coûteuse. La mise en contact se fait par exemple à partir de la couche électroconductrice 15 sur le côté supérieur du circuit intégré 10 vers les plots de contact 17 du côté inférieur du circuit 10 par des contacts traversant 18. La réalisation des contacts traversant 18 qui en général passe dans la plaquette de silicium du circuit 10 est une solution coûteuse qu'il faudrait éviter. 3040488 2 La figure I b montre un autre capteur de gaz 1 muni d'un circuit intégré 10 et d'une plaquette de silicium ; le côté inférieur comporte également des plots de contact 17 qui sont munis de la couche 11 sensible au gaz. Dans ce cas, il ny a pas les contacts traversant 18 5 mais l'accessibilité à la couche sensible au gaz 11 est plus difficile pour les gaz à mesurer notamment si l'environnement est encombré par des masses de soudure 10, importantes avec les plots de contact 17. En plus, on a le risque de contamination par des projections de soudure sur la couche sensible au gaz 11 si le capteur de gaz 1 est ensuite sou- 10 dé sur un autre substrat. Les circuits intégrés 10 ont des plots de contact 17 et des masses de soudure 20 par lesquels le capteur de gaz 1 vient sur un corps récepteur ou support. L'un des côtés du circuit intégré 10 comporte des couches électroconductrices 15 ou des plots de contact 17 de 15 sorte que la surface a, en général, une couche de passivation 21 pour protéger le circuit intégré 10 contre les influences mécaniques ou élec- triques. Selon l'état de la technique, les capteurs de gaz sont fré- quemment logés dans un boîtier à couvercle. Cela signifie que la puce 20 sensible, le cas échéant, l'électronique d'exploitation appropriée, sont sous la forme de circuits dédiés (ASICs) installés sur un substrat, c'est-à-dire avec un châssis ou une plaque conductrice, en étant fixés par collage. La mise en contact des circuits avec le substrat se fait par des fils de liaison. Ensuite, on place un couvercle sur le capteur pour proté- 25 ger les composants contre les dommages. Le couvercle est muni d'une ouverture permettant aux gaz d'être détectés par la puce sensible. En variante, on peut également avoir un capteur de gaz sous forme de capteurs à puces libres qui est installé sur une simple puce de silicium, par exemple, sur une plaque de circuit. La puce, elle- 30 même, est fabriquée, par exemple, selon la technique connue CMOS et le côté actif qui est muni du circuit intégré porte les plots de contact. Les couches sensibles au gaz peuvent se situer sur le même côté que le circuit actif et les plots de contact mais cela est moins avantageux pour la sensibilité du capteur. En variante, on peut avoir 35 des couches sensibles au gaz sur le côté de la puce qui n'est pas tour- 3040488 3 née vers le côté actif du circuit intégré. Dans ce cas, il faut des contacts traversant passant à travers la puce et ainsi à travers la plaquette de silicium pour relier électriquement la surface active du circuit intégré à l'électronique d'exploitation sur le côté inférieur, avec la couche sensible 5 au gaz sur le côté supérieur. De façon caractéristique, de telles puces ont également des passivations avec différents polymères ou époxydes qui les protègent. La solution de la puce nue (sans couvercle) permet une construction très compacte mais elle est inappropriée notamment pour 10 détecter plusieurs gaz différents et aussi elle ne convient pas dans le cadre de la miniaturisation croissante des circuits intégrés. Dans le premier cas, pour détecter plusieurs gaz, il faut que la surface sensible, nécessaire pour les couches sensibles aux différents gaz/couches augmentent de taille et dépassent la taille de la puce. Pour des raisons de 15 coût, il n'est pas intéressant d'augmenter inutilement la surface de la puce, tout simplement pour avoir suffisamment de place pour les différentes couches sensibles au gaz ; cette solution n'est plus économique. Dans le second cas, c'est-à-dire dans le cadre de la miniaturisation de plus en plus poussée, la puce, elle-même, peut être réduite de manière 20 significative en changeant les noeuds de procédé CMOS tout en conser- vant sa fonctionnalité de sorte que la surface disponible pour la couche sensible au gaz sera diminuée et le cas échéant elle sera trop petite. La couche sensible au gaz ne peut, en général, pas être réduite de façon quelconque car les dimensions physiques, par exemple, la variation de 25 résistance ou la variation de capacité ou autre dimension physique va- riable deviendrait trop petite et serait neutralisée par des variations induites par le procédé ou par le bruit. Dans le domaine de la technique de construction et de connexion, il existe différentes propositions pour des composants élec- 30 troniques, tels que les capteurs, les éléments de passivation ou les puces de circuit intégrées, qui sont installés sur un substrat, c'est-à-dire qui sont intégrés directement. Le but est toujours de miniaturiser le composant formé du substrat avec des plans métalliques et des composants électroniques, c'est-à-dire des puces, des capteurs, des bobines 35 y compris des contacts électriques avec le substrat car en intégrant, on 3040488 4 gagne de la surface supplémentaire. Ainsi, on connait, par exemple, la nouvelle technique d'encapsulage eWLCSP avec au moins une puce intégrée dans un emballage moulé. Pour cela, on installe au moins une puce avec des écarts sur les côtés sur un film de support temporaire 5 pour une plaquette et on fait un surmoulage avec une masse de protec- tion thermodurcissable. Ensuite, on pourra détacher cette plaquette de moule du film de support temporaire et recàbler le côté inférieur ainsi dégagé à l'aide de plusieurs plans de polyimides et de métaux, c'est-à-dire que les plots de contact de la puce, seront restructurés avec des lo chemins conducteur pour placer un autre composant ou d'autres billes de soudure à l'emplacement correct. But de l'invention La présent invention a pour but de développer un capteur de gaz ayant une meilleure structure et permettant notamment d'avoir 15 de façon simple un capteur de gaz avec une couche sensible au gaz, agrandie sans influencer la taille du circuit intégré. L'invention a égale- ment pour but de simplifier la mise en contact de la couche sensible au gaz et/ou du circuit intégré. Exposé et avantages de l'invention 20 A cet effet, l'invention a pour objet un capteur de gaz du type défini ci-dessus, caractérisé en ce que le circuit intégré est entouré au moins en partie par une masse de protection pour former un corps de capteur dans lequel - le premier côté comporte au moins une couche sensible au gaz , 25 - le second côté du corps de capteur à l'opposé du premier côté com- porte des structures électroconductrices avec au moins un plot de contact, - les couches électroconductrices sur le premier côté étant reliées électriquement à un plot de contact du second côté, opposé. 30 L'invention englobe l'enseignement technique consistant à entourer au moins partiellement le circuit intégré avec une masse de protection de façon à former un corps de capteur dont le premier côté est réalisé au moins sur une partie de sa surface comme couche électroconductrice et sur le premier côté, on aura en outre la couche sensible 35 au gaz et le second côté à l'opposé du premier côté du corps de capteur 3040488 5 aura des structures électroconductrices avec au moins un plot de contact, les couches électroconductrices étant branchées sur le premier côté avec au moins un plot de contact relié au second côté, opposé. La nouvelle structure du capteur de gaz, selon 5 l'invention, assure le découplage de la couche sensible au gaz par rap- port au circuit intégré grâce à la masse de protection. Le circuit intégré, c'est-à-dire la puce, peut être enveloppé pour l'essentiel par la masse de protection, notamment en coulant la masse de protection autour du circuit intégré. Ensuite, sur la première surface du corps de capteur ainsi 10 formé, on installe, la couche sensible au gaz en plus des couches élec- troconductrices; le corps de capteur peut être dimensionné indépendamment des dimensions du circuit intégré. Si pour avoir des couches sensibles au gaz, de grandes dimensions, on pourra adapter la dimension de la masse de protection à la taille nécessaire d'au moins une 15 couche sensible au gaz alors que le circuit intégré peut être miniaturisé à un niveau quelconque. En particulier, en utilisant un noeud CMOS, on pourra réduire la forme de construction sans avoir des inconvénients de surface disponible pour la couche sensible au gaz, et cela de manière à réduire encore plus le coût. Il faut surtout ne pas utiliser de solution 20 nécessitant les plaquettes coùteuses comme cela est le cas dans l'état de la technique. La réalisation, selon l'invention, permet en outre une adaptation facile des couches sensibles au gaz, de sorte que le système sera adapté de manière appropriée, notamment d'abord comme pre- 25 mière étape du procédé. En particulier, en agrandissant le premier côté du corps de capteur, ainsi disponible, on pourra installer plusieurs couches sensibles au gaz qui permettront de détecter différents gaz. Ainsi, il ne s'agira plus de disposer un circuit intégré auquel est associée une certaine couche sensible au gaz, mais de coupler un circuit 30 intégré à plusieurs couches sensibles au gaz, détectant notamment dif- férents gaz L'agrandissement de la surface créée une plage de tolérance suffisante pour que les couches sensibles au gaz puissent être appliquées en utilisant différentes techniques (à résolution grossière) tels que le dépôt à la vapeur à travers des masses, la dispersion, l'impression, la 3040488 6 sérigraphie ou l'impression à travers des masses qui, en général, ne peuvent être appliquées directement sur un circuit intégré. Selon un développement avantageux du détecteur de gaz, selon l'invention, la mise en contact des couches électroconductrices 5 sur le premier côté du corps de capteur avec au moins un patin de con- tact sur le second côté du corps de capteur se fait par des contacts traversant reliant les deux côtés à travers la masse de protection. La structure du capteur de gaz, selon l'invention, avec une masse de protection pour former le corps de capteur, a l'avantage de ne plus faire 10 passer les contacts traversant à travers la plaquette de silicium, ce qui évite la coûteuse technique TSV (technique de traversée du silicium). Les contacts traversant peuvent être réalisés en passant dans la masse de protection à côté et notamment à distance du circuit intégré. On a ainsi, en particulier, l'avantage de passer dans la masse de protection si 15 les contacts traversant sont pour l'essentiel perpendiculaires au premier côté, et ainsi notamment également au second côté. On réalise un plot de contact du second côté du corps de capteur et en particulier plusieurs plots de contact pour assurer les liaisons mécaniques et électriques du corps de capteur avec un corps 20 récepteur ou corps de support. En particulier, les plots de contact peu- vent recevoir ou fixer des masses de soudure, c'est-à-dire par exemple des billes soudure, pour tenir le capteur de gaz sur le corps récepteur en assurant le contact à la fois électrique et mécanique. La couche sensible au gaz se trouve par conséquent notamment à l'opposé du corps 25 récepteur sur le corps de capteur. Selon un autre développement avantageux du capteur de gaz, le corps de capteur comporte une couche de passivation sur au moins un côté extérieur, notamment sur le premier côté ou sur le second côté opposé,. La couche de passivation permet de réduire les in- 30 fluences mécaniques ou électriques de la masse de protection ; on évite la rugosité de la surface, les charges de surface ou les dépôts et péné- tration d'humidité. Il est également avantageux que la couche électroconductrice du premier côté du corps de capteur présente une structure digitée 35 qui assure le contact local de la couche sensible au gaz. On peut ainsi 3040488 7 exploiter la variation de résistance ou de capacité de la couche en fonction de la concentration de gaz. Des circuits capacitifs appropriés de plaques conductrices sont envisageables ; cela signifie que les différentes couches des structures électroconductrices et les couches sen- 5 sibles au gaz peuvent être juxtaposées de façon dominante sur la masse de protection ou encore on peut superposer une pile de couche de manière appropriée. Les structures électroconductrices peuvent être appliquées sous la forme d'une pàte métallique dissoute par exemple d'aluminium ou de cuivre, en technique d'impression ou en technique 10 de projection ou aussi en technique de revêtement de surface, par exemple la pulvérisation, la galvanisation ou les techniques analogues. Les couches sensibles au gaz peuvent être des oxydes métalliques ou des couches organiques et le cas échéant, ces couches sont appliquées en technique d'impression ou de revêtement de surface. Les contacts 15 électriques traversant la masse de protection se réalisent en combinant les procédés de perçage et/ou de laser à la galvanisation ou à l'impression. Selon un autre développement avantageux du capteur de gaz, les couches électro-conductrices sont appliquées au moins en par- 20 tie en technique de lithographie à résolution fine, alors que la couche sensible au gaz est appliquée avec des techniques à résolution grossière tels que la sérigraphie, l'utilisation des gabarits, l'impression par jet d'encre, le dépôt à la vapeur à travers les masses ou les distributeurs. Selon un autre développement avantageux du capteur de 25 gaz, au moins une couche sensible au gaz dépasse par rapport aux di- mensions du circuit intégré sur le premier côté. Selon un autre développement avantageux du capteur de gaz, au moins une couche sensible au gaz est complètement à côté de la surface d'extension du circuit intégré sur le premier côté et à une plus 30 grande surface de base. Selon un autre développement avantageux du capteur de gaz, la couche électro-conductrice est réalisée sur le premier côté pour mettre en contact électrique une couche sensible au gaz et pouvoir l'exploiter notamment la couche électro-conductrice étant au moins en 35 partie réalisée sous la forme d'une structure digitée. 3040488 8 Selon un autre développement avantageux du capteur de gaz, il est prévu un élément de couverture logé sur la masse de protection et qui couvre le premier côté du corps de capteur. La couverture est réalisée pour former un volume intérieur sous l'élément de couvercle ; et 5 cet élément de couvercle ou élément de couverture est muni d'au moins un orifice permettant au gaz à détecter, d'arriver au moins sur la couche sensible au gaz. L'élément de couverture protège les couches sensibles au gaz et également les couches électro conductrices contre les dommages mécaniques. 10 Enfin, il est prévu sur le premier côté du corps de cap- teur, un autre élément de circuit électronique qui permet d'étendre la fonctionnalité du capteur de gaz. En intégrant d'autres composants électroniques tels que les circuits intégrés et autres capteurs MEMS (MEMS = système micro électro mécanique), on peut assurer d'autres 15 fonctionnalités avec le capteur de gaz ou encore le capteur de gaz pour- ra, par une extension par l'élément de circuit électronique, assurer l'exploitation des concentrations de gaz mesurée ou effectuer des exploitations analogues. L'élément de circuit électronique est, par exemple, monté par soudure directe d'une couche sensible au gaz par une liaison 20 électrique et/ou mécanique. En particulier, l'autre élément de circuit électronique se trouve également dans l'espace entre l'élément de couverture et le corps de capteur. Selon un autre développement avantageux du capteur de gaz le premier côté du corps de capteur comporte un autre capteur, no- 25 tamment un capteur à inertie ou un capteur de pression pour étendre la fonctionnalité du capteur de gaz. Dessins La présente invention sera décrite, ci-après, de manière plus détaillée à l'aide d'exemples de capteurs de gaz selon l'état de la 30 technique et selon l'invention, représentés dans les dessins annexés dans lesquels : - la figure la est une vue schématique d'un capteur de gaz, selon l'état de la technique, - la figure lb est un autre exemple de capteur de gaz, 35 selon l'état de la technique, 3040488 9 - la figure 2 est une vue en coupe de côté, schématique d'un capteur de gaz selon l'invention, - la figure 3 est une vue de dessus, coupée d'un capteur de gaz, selon l'invention, 5 - la figure 4 montre un ensemble formé de plusieurs capteurs de gaz, reliés par une masse de protection commune, - la figure 5 est une vue en coupe d'un autre exemple de réalisation d'un capteur de gaz muni d'un élément de couverture et d'un autre élément de circuit électronique, l'ensemble étant en vue en 10 coupe de côté, - la figure 6 est une vue de dessus du capteur de gaz selon la figure 5. Description de modes de réalisation de l'invention Il est rappelé que les figures la et lb représentant l'état 15 de technique ont déjà été décrites dans le préambule. La figure 2 est une vue de côté, coupée d'un premier mode de réalisation d'un capteur de gaz, selon l'invention. Le capteur de gaz 1 comporte un circuit intégré 10 encore appelé « Chip ». Le circuit intégré 10 est entouré d'une masse de protection 12 ; la masse de pro- 20 tection 12 a notamment été coulée autour du circuit intégré. La masse de protection 12 entoure ainsi pratiquement, complètement le circuit intégré 10 et ainsi la masse de protection 12 avec le circuit intégré 10 qu'elle recouvre, constitue un corps de capteur 13 qui est plus grand et a notamment une plus grande surface que le circuit intégré 10. 25 Le côté supérieur du corps de capteur 13 est le premier côté 14 ; le coté inférieur est le second côté 16. Le premier côté 14 porte plusieurs couches 11, sensibles au gaz qui peuvent détecter des gaz identiques ou différents et notamment leur concentration. Pour le branchement des couches 11, sensibles au gaz, on utilise les couches électro 30 conductrices 15 qui sont également appliquées sur le premier côté 14. Le second côté 16 du corps de capteur 13 comporte des plots de contact 17 ; d'autres structures électro conductrices peuvent se trouver sur le second côté 16. Les plots de contact 17 représentées sont reliés par des couches électro conductrices 15 sur le premier côté 14 du 35 corps de capteur 13 à l'aide de contact traversant 18. Les contacts tra- 3040488 10 versant 18 sont perpendiculaires à la masse de protection 12 et sont écartés du circuit intégré 10, c'est-à-dire qu'elle passe à côté de celui-ci. En conséquence, le premier côté 14 peut être relié aux couches électro conductrices 15 et notamment aux couches 11, sensibles au gaz pour 5 être relié au circuit intégré 10. La masse de protection 12 n'entoure pas le circuit 10 sur le second côté 16. En conséquence, on peut installer le circuit intégré 10 sur le second côté 16 et entre le circuit intégré 10 et le premier côté 14 s'étend la masse de protection 12 pour recevoir les couches 11, sensibles au gaz de sorte que les dimensions des couches, 10 sensibles au gaz 11, sont intégrées dans les dimensions globales du cir- cuit intégré 10. Les plots de contact 17 comportent des masses de sou- dure 20 qui permettent la mise en contact électrique avec un corps ré- cepteur 19 ; de plus, l'ensemble du corps de capteur 13 peut être tenu 15 mécaniquement sur le corps de support 19 par l'intermédiaire des masses de soudure 20, représenté sous la forme de billes de soudure. Le premier côté 14 et le second côté 16 ont des couches de passivation 21 qui peuvent passer sous la couche 11, sensible au gaz. Les contacts 18 traversent ainsi les couches de passivation 21. 20 La vue de dessus de la figure 3 montre des structures di- gitées 20 comme faisant partie des couches électroconductrices 15 et ces structures 22 assurent le branchement des couches, sensibles au gaz 11 ; les structures digitée s22 sont reliées au contact traversant 28. Selon une forme de réalisation, on peut utiliser différentes techniques 25 pour ainsi réaliser la base de différents matériaux pour les couches sensibles au gaz 11 et 11-1. A titre d'exemple, on peut d'une part appliquer les oxydes métalliques par pulvérisation et des semi conducteurs organiques par la technique d'impression. Cette solution permet d'utiliser des techniques très peu coûteuse et qui, à cause de la résolu- 30 tion, occupent une surface de base importante. Sur la vue de dessus, telle que représentée, le circuit intégré 10 qui est mis en évidence par un tracé en trait interrompu. La figure 4 montre plusieurs capteurs de gaz 1 qui ont été coulés les uns aux autres avec une masse de protection 12 com- 35 mune et que l'on séparera ensuite pour les utiliser. La masse de protec- 3040488 11 tion 12 comporte des circuits intégrés 10, écartés les uns des autres, et sur le premier côté 14 de la masse de protection 12 apparaissent les couches sensibles au gaz 11, associées à chacun des circuits 10. Le second côté 16 qui est le côté inférieur de la masse de protection 12 com- 5 porte les plots de contact 17 sur lesquels on a les masses de soudure 20. L'exemple de réalisation montre les capteurs de gaz 1 avec seulement une couche sensible au gaz 11 ; comme le montre la figure 3, les capteurs de gaz 1 peuvent également avoir plusieurs couches sensibles au gaz 11. 10 Les capteurs de gaz 1 tels que présentés sont séparés les uns des autres le long des lignes en trait interrompu ; pour cela, on couple la masse de protection 12. Le dessin montre également les circuits intégrés 10 et les contacts de capteurs, associés ainsi que les couches sensibles au gaz 11 comme éléments communs sur lesquels on 15 construit. Ce n'est qu'ensuite notamment après la fabrication des diffé- rents capteurs de gaz 10, que ceux-ci seront à nouveau divisés. La figure 5 montre un développement du mode de réalisation du capteur de gaz 1 ; la figure 6 montre une vue de dessus de ce mode de réalisation. Le capteur de gaz 1 comporte un circuit intégré 10, 20 noyé dans une masse coulée 12, formant ainsi le corps de capteur 13. Le côté supérieur de la masse de protection 12 comporte les couches sensibles au gaz 11, branchées par des couches électroconductrices 15. Les couches électroconductrices 15 sont reliées au côté inférieur par des contacts traversant 18 passants dans la masse de protection 12. 25 Le côté supérieur et le côté inférieur sont constitués par le premier et le second côté 14 et 16 du corps de capteur 13, comportant les couches de passivation 21. L'exemple de réalisation montre le capteur de gaz 1 avec un élément de couverture 23 prévu par exemple sur la masse de protec- 30 tion 12 et couvrant les couches 11, sensibles au gaz. Pour mesurer la concentration de certains gaz, l'élément de couverture 23 a une ouverture 25 à travers laquelle les gaz peuvent passer. L'exemple de réalisation montre notamment un autre élément de circuit électronique 24 découplé de la disposition de 35 l'élément de couverture 23 et qui se trouve également sur le premier cô- 3040488 12 té 14 du capteur de gaz 13. L'autre élément circuit électronique 24 permet d'étendre la fonctionnalité du capteur de gaz 1 ; il est également en contact électrique avec les couches électroconductrices 15 du premier côté 14 du capteur de gaz 13. 5 La vue de dessus de la figure 6 montre la disposition de l'élément du circuit électronique 24 à côté des couches sensibles au gaz 11 sur le côté supérieur de la masse de protection 12. La figure montre des structures digitées 23 pour le contact des couches sensibles au gaz 11, reliées au contact traversant 18. Le circuit intégré 10 sous la forme 10 d'une puce se trouve sous la couche de passivation 21 ; le circuit inté- gré 10 est entouré par un tracé en trait interrompu. L'invention ne se limite pas dans son application aux exemples donnés ci-dessus. Un certain nombre de variantes est envisageable qui applique la solution présentée pour d'autres formes de réali- 15 sation. NOMENCLATURE DES ELEMENTS PRINCIPAUX 20 1 Capteur de gaz 10 Circuit 11 Couche sensible au gaz 12 Masse de protection 25 13 Corps de capteur 14 Premier côté 15 Couche conductrice 16 Second côté 17 Plot de contact 30 18 Contact traversant 19 Corps de support 20 Masse de soudure 21 Couche de passivation 22 Structure digitée 35 24 Elément de circuit REVENDICATIONS1°) Capteur de gaz (1) comportant au moins un circuit intégré (10) et au moins une couche sensible au gaz (11), - la couche sensible au gaz (11) étant reliée électriquement au circuit intégré (10) et - la couche sensible (11) détectant la concentration d'un certain gaz et - le circuit intégré (10) fournissant un signal électrique fondé sur la concentration de gaz détecté par la couche sensible au gaz (11), capteur de gaz caractérisé en ce que le circuit intégré (10) est entouré au moins en partie par une masse de protection (12) pour former un corps de capteur (13) dans lequel - le premier côté (14) comporte au moins une couche sensible au gaz (11), - le second côté (16) du corps de capteur (13) à l'opposé du premier cô- té (14) comporte des structures électro conductrices avec au moins un plot de contact (17), - les couches électroconductrices (15) sur le premier côté sont reliées électriquement à un plot de contact (17) du second côté (16), opposé. 2°) Capteur de. gaz (1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la mise en contact des couches électroconductrices (15) sur le premier côté (14) du corps de capteur (13) avec au moins un plot de contact (17) sur le second côté (16) du corps de capteur (13) comporte des contacts traversant (18) qui s'étendent entre les deux côtés (14 16) en traversant la masse de protection (12). 3°) Capteur de gaz (1) selon la revendication 2, caractérisé en ce que les contacts traversant (18) passent à travers la masse de protection (12) à côté et à distance du circuit intégré (10). 4°) Capteur de gaz (1) selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que 3040488 15 les couches électroconductrices (15) sont appliquées au moins en partie en technique de lithographie à résolution fine, alors que la couche sensible au gaz (11) est appliquée avec des techniques à résolution grossière tels que la sérigraphie, l'utilisation de gabarits, l'impression par jet 5 d'encre, le dépôt à la vapeur à travers des masses ou des distributeurs. 5°) Capteur de gaz (1) selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu' au moins une couche sensible au gaz (11) dépasse par rapport aux di- 10 mensions du circuit intégré (10) sur le premier côté (14). 6°) Capteur de gaz (1) selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu' au moins une couche sensible au gaz (11) est complètement à côté de la 15 surface d'extension du circuit intégré 10) sur le premier côté (14) et à une plus grande surface de base. 7°) Capteur de gaz (1) selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que 20 la couche électroconductrice (15) est réalisée sur le premier côté (14) pour mettre en contact électrique une couche sensible au gaz (11) et pouvoir l'exploiter notamment la couche électroconductrice (15) étant au moins en partie réalisée sous la forme d'une structure digitée (22). 25 8°) Capteur de gaz (1) selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé par un élément de couverture (23) reçu sur la masse de protection (12) et couvrant le premier côté (4) du corps de capteur (13). 30 9°) Capteur de gaz (1) selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le premier côté (14) du corps de capteur (13) comporte un autre élément de circuit électronique (24) pour étendre la fonctionnalité du capteur de gaz (1). 3040488 16 10°) Capteur de gaz (1) selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le premier côté (14) du corps de capteur (13) comporte un autre capteur, notamment un capteur à inertie ou un capteur de pression pour 5 étendre la fonctionnalité du capteur de gaz (1). 10