FR 3042794 A1 20170428 FR 1560161 A 20151023 1 Procédé permettant la création de structures nanométriques par l'auto-assemblage de copolymères di - blocs. L'invention concerne un procédé permettant la création de structures nanométriques par l'auto-assemblage de copolymères di - blocs dont un des blocs est obtenu par (co)polymérisation d'au moins une entité cyclique répondant à la formule (I) et l'autre bloc est obtenu par (co)- polymérisation d'au moins un monomère vinylaromatique. X Y (I)= T Z Ou X= Si (R1,R2) ; Ge (R1,R2) Z= Si (R3,R4) ; Ge (R3,R4) ; 0; S; C (R3,R4) Y= 0; S; C (R5, R6) 1= 0; S; C (R7,R8) RI, R2, R3, R4, R5, R6, R-7, R8 sont choisis parmi l'hydrogène, les groupements alkyle linéaires, branchés, cycliques, avec ou sans hétéroatome, les groupements aromatiques avec ou sans hétéroatome. L'invention concerne aussi l'utilisation de ces matériaux dans les domaines de la lithographie dans lesquels les films de copolymères à blocs constituent des masques de lithographie dont l'un ou l'autre des domaines constitutifs de chaque bloc peut être sélectivement dégradé, du stockage de l'information dans lesquels les films de copolymères à 3042794 2 blocs permettent de localiser des particules magnétiques dans l'un ou l'autre des domaines constitutifs de chaque bloc pouvant être sélectivement dégradé. Le procédé s'applique également à la fabrication de membranes poreuses 5 ou de supports de catalyseurs dont l'un ou l'autre des domaines constitutifs de chaque bloc peut être sélectivement dégradé afin d'obtenir une structure poreuse. Le procédé s'applique avantageusement au domaine de la nanolithographie utilisant des masques de copolymères à blocs dont l'un ou 10 l'autre des domaines constitutifs de chaque bloc peut être sélectivement dégradé afin d'obtenir des résines positives ou négatives. L'invention concerne aussi les masques de copolymères à blocs obtenus selon le procédé de l'invention et les résines positives ou négatives ainsi obtenues, les 15 films de copolymères à blocs contenant des particules magnétiques dans l'un ou l'autre des domaines constitutifs de chaque bloc pouvant être sélectivement dégradé, les membranes poreuses ou de supports de catalyseurs dont l'un ou l'autre des domaines constitutifs de chaque bloc sont 20 sélectivement dégradé afin d'obtenir une structure poreuse. Le développement des nanotechnologies a permis de miniaturiser constamment les produits du domaine de la microélectronique et les systèmes micro-électro mécaniques 25 (MEMS) notamment. Aujourd'hui, les techniques de lithographie classiques ne permettent plus de répondre à ces besoins constants de miniaturisation, car elles ne permettent pas de réaliser des structures avec des dimensions inférieures à 60nm. 30 Il a donc fallu adapter les techniques de lithographie et créer des masques de gravure qui permettent de créer des motifs de plus en plus petits avec une grande résolution. Avec les copolymères à blocs il est possible de structurer 3042794 3 l'arrangement des blocs constitutifs des copolymères, par ségrégation de phase entre les blocs formant ainsi des nanodomaines, à des échelles inférieures à 50nm. Du fait de cette capacité à se nano-structurer, l'utilisation des copolymères 5 à blocs dans les domaines de l'électronique ou de l'optoélectronique est maintenant bien connue. Parmi les masques étudiés pour réaliser de la nanolithographie, les films de copolymères à blocs, notamment à base de Polystyrène-Poly (méthacrylate de méthyle), noté ci- 10 après PS-b-PMMA, apparaissent comme des solutions très prometteuses car ils permettent de créer des motifs avec une forte résolution. Pour pouvoir utiliser un tel film de copolymère à blocs comme masque de gravure, un bloc du copolymère doit être sélectivement retiré pour créer un film 15 poreux du bloc résiduel, dont les motifs peuvent être ultérieurement transférés par gravure à une couche sous-jacente. Concernant le film de PS-b-PMMA, le bloc de PMMA (Poly (méthacrylate de méthyle)) est retiré de manière sélective pour créer un masque de PS (Polystyrène) résiduel. 20 Pour ces masques, seuls les domaines de PMMA peuvent être dégradés sélectivement, l'inverse ne conduit pas à une sélectivité suffisante de dégradation des domaines de PS. Pour créer de tels masques, les nano-domaines doivent être orientés perpendiculairement à la surface de la couche sous- 25 jacente. Une telle structuration des domaines nécessite des conditions particulières telles que la préparation de la surface de la couche sous-jacente, mais aussi la composition du copolymère à blocs. Les ratios entre les blocs permettent de contrôler la forme 30 des nano-domaines et la masse moléculaire de chaque bloc permet de contrôler la dimension des blocs. Un autre facteur très important est le facteur de ségrégation de phase, encore dénommé paramètre d'interaction de Flory-Huggins et noté 3042794 4 « x ». Ce paramètre permet en effet de contrôler la taille des nano-domaines. Plus particulièrement, il définit la tendance des blocs du copolymère à blocs à se séparer en nano-domaines. Ainsi, le produit XN du degré de 5 polymérisation, N, et du paramètre de Flory-Huggins x, donne une indication sur la compatibilité de deux blocs et s'ils peuvent se séparer. Par exemple, un copolymère di-bloc de composition symétrique se sépare en micro-domaines si le produit XN est supérieur à 10.5. Si ce produit XN est 10 inférieur à 10.5, les blocs se mélangent et la séparation de phase n'est pas observée. Du fait des besoins constants de miniaturisation, on cherche à accroitre ce degré de séparation de phase, afin de réaliser des masques de nano-lithographie permettant d'obtenir de 15 très grandes résolutions, typiquement inférieures à 20nm, et de préférence inférieures à lOnm. Dans Macromolecules, 2008, 41, 9948, Y. Zhao et al ont estimé le paramètre de Flory-Huggins pour un copolymère à blocs de PS-b-PMMA. Le paramètre de Flory-Huggins x obéit à la 20 relation suivante : x = a+b/T, où les valeurs a et b sont des valeurs spécifiques constantes dépendantes de la nature des blocs du copolymère et T est la température du traitement thermique appliqué au copolymère à blocs pour lui permettre de s'organiser, c'est-à-dire pour obtenir une séparation de 25 phase des domaines, une orientation des domaines et une réduction du nombre de défauts. Plus particulièrement, les valeurs a et b représentent respectivement les contributions entropique et enthalpique. Ainsi, pour un copolymère à blocs de PS-b-PMMA, le facteur de ségrégation de phase obéit à la 30 relation suivante : x = 0,0282 + 4,46/T. Par conséquent, même si ce copolymère à blocs permet de générer des tailles de domaines légèrement inférieures à 20nm, il ne permet pas de descendre beaucoup plus bas en termes de taille de 3042794 5 domaines, du fait de la faible valeur de son paramètre d'interaction de Flory-Huggins x. Cette faible valeur du paramètre d'interaction de FloryHuggins limite donc l'intérêt des copolymères à blocs à base 5 de PS et PMMA, pour la réalisation de structures à très grandes résolutions. Pour contourner ce problème, M.D. Rodwogin et al., ACS Nano, 2010, 4, 725, ont démontré que l'on peut changer la nature chimique des deux blocs du copolymère à blocs afin 10 d'accroitre très fortement le paramètre de Flory-Huggins x et d'obtenir une morphologie souhaitée avec une très haute résolution, c'est-à-dire dont la taille des nano-domaines est inférieure à 20nm. Ces résultats ont notamment été démontré pour un copolymère triblocs de PLA-b-PDMS-b-PLA 15 (acide polylactique - polydiméthylsiloxane- acide polylactique). H. Takahashi et al., Macromolecules, 2012, 45, 6253, ont étudié l'influence du paramètre d'interaction de FloryHuggins x sur les cinétiques d'assemblage du copolymère et 20 de diminution des défauts dans le copolymère. Ils ont notamment démontré que lorsque ce paramètre x devient trop important, on assiste généralement à un ralentissement important de la cinétique d'assemblage, de la cinétique de ségrégation de phase entrainant également un ralentissement 25 de la cinétique de diminution des défauts au moment de l'organisation des domaines. Un autre problème, rapporté par S. Ji & al., ACS Nano, 2012, 6, 5440, se pose également lorsque l'on considère les cinétiques d'organisation des copolymères à blocs contenant 30 une pluralité de blocs tous chimiquement différents les uns des autres. En effet, les cinétiques de diffusion des chaines de polymère, et par conséquent, les cinétiques d'organisation et de diminution des défauts au sein de la 3042794 6 structure auto-assemblée, dépendent des paramètres de ségrégation x entre chacun des différents blocs. En outre, ces cinétiques sont également ralenties à cause de l'architecture multi-bloc du copolymère, car les chaines de 5 polymère présentent alors des degrés de liberté moindres pour s'organiser par rapport à un copolymère à blocs comportant moins de blocs. Les brevets US 8304493 et US 8450418 décrivent un procédé pour modifier des copolymères à blocs, ainsi que des 10 copolymères à blocs modifiés. Ces copolymères à blocs modifiés présentent une valeur du paramètre d'interaction de Flory-Huggins x modifiée, de manière telle que le copolymère à blocs présente des nano-domaines de petites tailles. Du fait que les copolymères à blocs PS-b-PMMA permettent 15 déjà d'atteindre des dimensions de l'ordre de 2Onm, la demanderesse a cherché une solution pour modifier ce type de copolymère à blocs afin d'obtenir un bon compromis sur le paramètre d'interaction de Flory-Huggins x, la vitesse et la température d'auto-assemblage. 20 La demande WO 2015087003 apporte des améliorations au système PS-b-PMMA, cependant les films obtenus ne permettent pas la fabrication de masques dont les domaines respectifs constitutifs des blocs des copolymères à blocs peuvent être 25 sélectivement éliminés. De manière surprenante, il a été découvert que des copolymères di - blocs dont un des blocs est issu de la polymérisation de monomères comprenant au moins une entité cyclique répondant à la formule (I) et l'autre bloc 30 comprenant un monomère vinylaromatique, présente les avantages suivants lorsqu'ils sont déposés sur une surface : 3042794 7 -Une cinétique d'auto-assemblage rapide (comprise entre 1 et 20 minutes) pour de faibles masses moléculaires conduisant à des tailles de domaines bien inférieurs à 10 nm, et ce à de basses températures (entre 333K et 603 K, et de préférence 5 entre 373 et 603 K). -La présence d'entités issues de monomères de la famille des (I), précurseurs de carbures de silicium ou de germanium après traitement plasma ou par pyrolyse, qui permettent 10 d'obtenir des masques durs lors de l'étape de gravure du masque. -l'orientation des domaines lors de l'auto-assemblage de tels copolymères à bloc ne nécessite pas de préparation du 15 support (pas de couche de neutralisation), l'orientation des domaines étant gouvernée par l'épaisseur du film de copolymère à blocs déposé. -Une élimination sélective de l'un ou l'autre des domaines 20 constitutifs de ces copolymères di-blocs qui rend possible la fabrication de résines positives ou négatives, pouvant être utilisées dans les domaines de la lithographie, des membranes poreuses ou des supports de catalyseurs ou de particules magnétiques. 25 Résumé de l'invention : L'invention concerne un procédé d'assemblage nano-structuré utilisant une composition comprenant un copolymère di- blocs dont un des blocs est issu de la polymérisation d'au moins 30 un monomère répondant à la formule suivante (I): Y (I)= 3042794 8 Ou X= Si (R1,R2) ; Ge (R1,R2) 5 Z= Si (R3,R4) ; Ge(R3,R4); 0; S; C(R3,R4) Y= 0; S; C(R5,R6) T= 0; S; C(R7,R8) avec R1=R2 et R3=R4 et R5=R6 et R7=R8 sont choisis parmi 10 l'hydrogène, les groupements alkyle linéaires, branchés, cycliques, avec ou sans hétéroatome, les groupements aromatiques avec ou sans hétéroatome, l'autre bloc comprenant un monomère vinylaromatique, et comprenant les étapes suivantes : 15 -Mise en solution du copolymère à blocs dans un solvant. -Dépôt de cette solution sur une surface. -Recuit. 20 Description détaillée : Par surface on entend une surface qui peut être plane ou non plane. Par recuit, on entend une étape de chauffage à une certaine 25 température permettant l'évaporation du solvant quand il est présent, et autorisant l'établissement de la nanostructuration recherchée en un temps donné (auto-assemblage). Par recuit, on entend également l'établissement de la nanostructuration du film de copolymère à bloc lorsque ledit 30 film est soumis à une atmosphère contrôlée de vapeurs de solvant(s), ces vapeurs donnant aux chaines de polymère suffisamment de mobilité pour s'organiser par elles-mêmes 3042794 9 sur la surface. Par recuit, on entend également une 5 quelconque combinaison monomériques blocs des l'invention des deux méthodes pré-citées. Les entités X utilisées pour la polymérisation dans un des copolymères di-blocs utilisés dans le procédé de sont représentées par la formule suivante (I): Y 10 ( I ) = T Z Ou X= Si (Ri, R2) ; Ge (Ri, R2) Z= Si (R3,R4); Ge (R3,R4); 0; S; C(R3,R4); 15 Y= 0; S; C(R5,R6) T= 0; S; C(R7,R8) RI, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8 sont choisis parmi l'hydrogène, les groupements alkyle linéaires, branchés, cycliques, avec 20 ou sans hétéroatome, les groupements aromatiques avec ou sans hétéroatome et R1=R2 et R3=R4etR5=R6 et R7=R8. De préférence X= Si(Ri,R2) où R1 et R2 sont des groupements alkyle linéaires, et de préférence des groupements méthyle, 25 Y= C(R5,R6) où R5 et R6 sont des atomes d'hydrogène, Z= C(R3,R4) où R3 et R4 sont des atomes d'hydrogène, T= C(R7,R8) où R7 et R8 sont des atomes d'hydrogène. Les entités monomériques utilisées dans l'autre bloc des 30 copolymères di-blocs utilisés dans le procédé de l'invention comprennent un monomère vinylaromatiques tels que le styrène ou les styrènes substitués notamment l'alpha-méthylstyrène, les styrènes silylés dans des proportions massiques 3042794 10 comprises entre 50 et 100% de préférence entre 75 et 100% et de façon préférée entre 90 et 100% au sein de cet autre bloc. Selon une préférence de l'invention, les entités monomériques utilisées dans l'autre bloc des copolymères di- 5 blocs utilisés dans le procédé de l'invention sont constituées de styrène. Les copolymères à blocs utilisés dans l'invention sont préparés par polymérisation anionique séquentielle. Une 10 telle synthèse est bien connue de l'homme du métier. Un premier bloc est préparé selon un protocole décrit par Yamaoka et coll., Macromolecules, 1995, 28, 7029-7031. Le bloc suivant est construit de la même manière en additionnant séquentiellement les monomères concernés. Un 15 des avantages de combiner l'enchainement de la polymérisation du bloc comprenant le monomère (I) avec des monomères vinylaromatiques et plus particulièrement du styrène est la non désactivation d'une partie du bloc comprenant l'entité (I) lors de la synthèse du deuxième bloc 20 d'une part, la non nécessité de rajouter du diphenyle ethylène pour ajuster les réactivités des espèces d'autre part. Dans le cas présent la faible différence de PKa de l'acide conjugué de l'anion qui propage et du PKa de l'acide conjugué des espèces initiatrices (typiquement inférieure à 25 2) autorise également l'incorporation de monomères vinylaromatiques et plus particulièrement du styrène (entre 0 et 75%, et de préférence entre 0 et 50%) au sein du bloc comprenant l'entité (I), ce qui permet un ajustement fin du paramètre de Flory Huggins. 30 Ainsi un copolymère di-bloc comprenant dans le premier bloc au moins un monomère répondant à la formule (I) et un composé vinylaromatique, et plus particulièrement du styrène, 3042794 11 l'autre bloc comprenant un composé styrénique et plus particulièrement du styrène est particulièrement intéressant dans le cadre du procédé de l'invention et constitue un autre aspect de l'invention. 5 L'invention concerne donc également les copolymères di-blocs dont le premier bloc est issu de la polymérisation d'au moins un monomère répondant à la formule (I) et un composé vinylaromatique, et plus particulièrement du styrène ; 10 l'autre bloc est issu de la polymérisation d'au moins un composé vinylaromatique et plus particulièrement du styrène. Une fois le copolymère à bloc synthétisé, il est dissout dans un solvant adéquat puis déposé sur une surface selon 15 des techniques connues de l'homme de métier comme par exemple la technique dite « spin coating », « docteur Blade », « knife system », « slot die system » mais tout autre technique peut être utilisée telle qu'un dépôt à sec, c'est-à-dire sans passer par une dissolution préalable. 20 On effectue par la suite un traitement thermique ou par vapeur de solvant, une combinaison des deux traitements, ou tout autre traitement connu de l'homme du métier, qui permet aux chaines de copolymère à blocs de s'organiser correctement 25 en se nanostructurant, et ainsi d'établir le film présentant une structure ordonnée. Les films ainsi obtenus ont une épaisseur jusqu'à 200 nm. Parmi les surfaces privilégiées, on citera le silicium, le silicium présentant une couche d'oxyde natif ou thermique, 30 le silicium hydrogéné ou halogéné, le germanium, le germanium hydrogéné ou halogéné, le platine et oxyde de platine, le tungstène et oxydes, l'or, les nitrures de titane, les graphènes. De préférence la surface est minérale et plus 3042794 12 préférentiellement du silicium. De manière encore plus préférentielle, la surface est du silicium présentant une couche d'oxyde natif ou thermique. Les surfaces peuvent être dites « libres » (surface plane ou 5 non plane et homogène tant d'un point de vue topographique que chimique) ou présenter des structures de guidage du copolymère à bloc « pattern », que ce guidage soit du type guidage chimique (appelé « guidage par chimie-épitaxie ») ou guidage physique/topographique (appelé « guidage par 10 graphoépitaxie »). On notera que dans le cadre de la présente invention, même si on ne l'exclue pas, il n'est pas nécessaire d'effectuer une étape de neutralisation (comme c'est le cas généralement 15 dans l'art antérieur) par l'utilisation de copolymère statistique convenablement choisi. Cela présente un avantage considérable car cette étape de neutralisation est pénalisante (synthèse du copolymère statistique de composition particulière, dépôt sur la surface). 20 L'orientation du copolymère à bloc est définie par l'épaisseur du film de copolymère à blocs déposé ou induite par l'utilisation d'un recuit par vapeurs de solvants. Elle est obtenue dans des temps relativement court, compris entre 1 et 20 minutes bornes comprises et de préférence compris 25 entre 1 et 5 minutes et à des températures comprises entre 333 et 603 K et de préférence entre 373K et 603 K et de façon encore préférentielle entre 373 et 403 K. Lorsqu'une étape de neutralisation s'avère nécessaire, un 30 autre avantage dans le choix des monomères utilisés dans les copolymères di-blocs utilisés dans le procédé de l'invention est le choix de la faible différence de PKa de l'acide conjugué de l'anion qui propage et du PKa de l'acide conjugué 3042794 13 des espèces initiatrices. Cette faible différence de PKa (typiquement inférieure à 2) permet l'enchainement statistique des monomères et ainsi de préparer facilement un copolymère statistique permettant la neutralisation de la surface, avec le cas échéant une fonctionnalisation permettant le 5 greffage du copolymère statistique sur la surface choisie. Ainsi, la surface peut être traitée par un copolymère statistique ainsi synthétisé préalablement au dépôt du copolymère di-bloc, le dit copolymère statistique comprenant l'entité (I) et un monomère vinyle aromatique, de préférence le styrène. L'invention concerne donc également un procédé dans lequel la surface 10 est traitée par un copolymère statistique comprenant des entités (I) et un monomère vinyle aromatique, de préférence le styrène, préalablement au dépôt du copolymère di-blocs ainsi qu'un copolymère statistique comprenant des entités (I) et un monomère vinyle aromatique, de préférence le styrène, avec comme préférence X= Si, Y, Z, T = C, et R1=R2=CH3, R3-R4-R5-R6-R7 R8 H. 15 Du fait de l'élimination sélective possible de l'un ou l'autre des domaines constitutifs de ces copolymères di-blocs utilisés dans le procédé de l'invention par un plasma adapté au domaine à éliminer, le procédé de l'invention rend possible la fabrication de résines positives ou négatives, 20 pouvant être utilisés dans les domaines de la lithographie, des membranes poreuses ou les supports de catalyseurs ou de particules magnétiques. Exemple 1 : Synthèse de Poly (1,1-diméthyl-silacyclobutane)-bloc-PS (PDMSB-b-PS). 25 Le 1,1-diméthyl-silacyclobutane (DMSB) est-un monomère de formule (I) ou X=Si(CH3)2, Y=Z=T= CH2. La polymérisation est conduite de façon anionique dans un mélange 50/50 (vol/vol) THF/heptane à -50°C par addition séquentielle des deux monomères 30 avec l'amorceur'butyl lithium secondaire (sec-BuLi).Typiquement, dans un ballon de 250 ml sec flammé équipé d'un agitateur magnétique, on introduit du chlorure de lithium (85mg), 20 ml de THF et 20 ml d'heptane. La solution est refroidie à -40°C. On introduit ensuite 0.3 ml à 1 mole/1 de_Sec BuLi (butyl lithium secondaire), suivi d'une addition de lg de 1,1 diméthylsilacyclobutane. Le mélange réactionnel est agité 1 h puis on ajoute 0.45 ml de styrène et le mélange réactionnel 3042794 14 est maintenu sous agitation durant lh. On termine la réaction par un ajout de méthanol dégazé, puis on concentre par évaporation partielle du solvant du milieu réactionnel, suivi d'une précipitation au méthanol. Le produit est ensuite 5 récupéré par filtration et séché à l'étuve à 50°C durant une nuit. Les caractéristiques macromoléculaires du copolymère à blocs synthétisé en exemple 1 sont reportées dans le tableau ci-dessous. Fraction PDMSB-b-PS Mn (kg/mol) D volumique PDMSB Exemple 1 28,2 1,13 0,2 10 Les masses moléculaires et les dispersités correspondant au rapport entre masse moléculaire en poids (Mw) et masse moléculaire en nombre (Mn), sont obtenus par SEC (Size exclusion Chromatography), en utilisant 2 colonnes en série 15 AGILENT 3pm ResiPore, en milieu THF stabilisé au BHT à un débit de lmL/min à 40°C avec des échantillons concentrés à lg/L, avec un étalonnage préalable avec des échantillons calibrés de polystyrène en utilisant un pack préparé Easical PS-2. 20 Exemple 2 : Synthèse de Poly (1,1-diméthyl-silacyclobutane)- bloc-PS (PDMSB-b-PS). On procède de même façon que pour l'exemple 1 : la polymérisation est conduite de façon anionique dans un 25 mélange 50/50 (vol/vol) THF/heptane à -50°C par addition séquentielle des deux monomères avec l'amorceur butyl lithium secondaire (sec-BuLi).Typiquement, dans un ballon de 250 ml sec flammé équipé d'un agitateur magnétique, on introduit du chlorure de lithium (80 mg), 30 ml de THF et 30 3042794 15 ml d'heptane. La solution est refroidie à -40°C. On introduit ensuite 0.18 ml à 1 mole/1 de Sec BuLi (butyl lithium secondaire), suivi d'une addition de 1.3 mL de 1,1 diméthylsilacyclobutane. Le mélange réactionnel est agité 1 5 h puis on ajoute 4.4 ml de styrène et le mélange réactionnel est maintenu sous agitation durant lh. On termine la réaction par un ajout de méthanol dégazé, puis on concentre par évaporation partielle du solvant du milieu réactionnel, suivi d'une précipitation au méthanol. Le produit est ensuite 10 récupéré par filtration et séché à l'étuve à 50°C durant une nuit. Les caractéristiques macromoléculaires du copolymère à blocs synthétisé en exemple 2 sont reportées dans le tableau ci-15 dessous : Fraction PDMSB-b-PS Mn (kg/mol) D volumique PDMSB Exemple 2 12,2 1,13 0,28 Les masses moléculaires et les dispersités correspondant au rapport entre masse moléculaire en poids (Mw) et masse moléculaire en nombre (Mn), sont obtenus par SEC (Size 20 exclusion Chromatography), en utilisant 2 colonnes en série AGILENT 3pm ResiPore, en milieu THF stabilisé au BHT à un débit de lmL/min à 40°C avec des échantillons concentrés à lg/L, avec un étalonnage préalable avec des échantillons calibrés de polystyrène en utilisant un pack préparé Easical 25 PS-2. Exemple 3: fabrication des films. Les films de l'exemple 1 ont été préparés sur des substrats en silicium par spin coating à partir de solution à 1% en 3042794 16 poids dans le THF. La promotion de l'auto-assemblage inhérent à la ségrégation de phases entre les blocs du copolymère a été obtenue par exposition durant 3h du film sous un flux continu de vapeur de THF produite par bullage d'azote au 5 sein d'une solution de THF. Ce dispositif permet de contrôler la pression de vapeur du THF dans la chambre d'exposition par dilution de cette dernière à l'aide d'un flux séparé d'azote pur de sorte à ce que le mélange total consiste en 8 sccm de vapeur de THF pour 2 sccm d'azote pur. Un tel 10 mélange a pour effet de gorger le film de solvant sans provoquer son démouillage vis-à-vis de la surface du substrat. Les films ainsi exposés sont ensuite figés à l'air en retirant rapidement le couvercle de la chambre d'exposition. 15 Un traitement plasma (plasma RIE CF4/02, 40W, l7sccm CF4 et 3sccm 02 durant 30 secondes) permet d'éliminer les domaines PDMSB pour générer une résine positive avant examen par microscopie AFM. De même, un traitement plasma (UV/03 5 minutes puis plasma riche en oxygène, 90 W, 10 sccm d'oxygène 20 5 sccm d'argon durant 30 secondes) permet d'éliminer les domaines PS pour générer une résine négative avant examen par microscopie AFM. Les images AFM sont données dans les figures 1 à 3 et 25 correspondent aux copolymères des exemples 1 (figure 1 et 2) et 2 (figure 3). La figure 1 est une image AFM topographique (3X3 }gym) montrant le résultat de l'auto-assemblage en film mince du copolymère 30 à blocs de l'exemple 1 présentant des cylindres orientés perpendiculairement au substrat, après élimination de la phase PDMSB (résine positive). 3042794 17 La figure 2 est une image AFM topographique (3X3 pm) montrant le résultat de l'auto-assemblage en film mince du même copolymère à blocs présentant des cylindres orientés perpendiculairement au substrat après élimination de la 5 phase PS (résine négative). Exemple 4: Le film de l'exemple 2 est traité thermiquement à 200°C pendant 20 min. 10 La figure 3 (2X2 pm) montre un assemblage du copolymère de l'exemple 2 avec une épaisseur de 70 nm, une période de 18.5 nm après traitement plasma RIE fluoré. 15 20 25 30