FR 3042634 A1 20170421 FR 1559914 A 20151016 B14521 - 03484-07 - BD16539 1 POINT MÉMOIRE MAGNÉTIQUE Domaine La présente demande concerne un point mémoire magnétique, et plus particulièrement un point mémoire magnétique de type à retournement induit par un courant. Exposé de l'art antérieur Le brevet français N°2 963 152 décrit un point mémoire magnétique tel que représenté schématiquement en figures lA, lB et 1C. Les figures lA et lB représentent respectivement une vue en coupe et une vue en perspective d'un point mémoire magnétique tel que décrit en relation avec les figures lc-lf, 2a-2b et 3a-3d du brevet français N°2 963 152. La figure 1C est une vue de dessus simplifiée de ce point mémoire. Comme l'illustrent les figures lA et lB, ce point mémoire comprend, au-dessus d'une piste conductrice 1, un plot 3. Le plot 3 comprend un empilement de régions dont chacune est formée d'une portion d'une couche mince ou d'un empilement de plusieurs couches minces. La piste conductrice 1 est par exemple formée sur un substrat 5 constitué d'une plaquette de silicium revêtue d'une couche d'oxyde de silicium et est connectée entre des bornes A et B. L'empilement constituant le plot 3 comprend successivement à partir de la piste 1, une région 10 en un matériau conducteur non magnétique, une région 11 en un matériau 3042634 B14521 - 03484-07 - BD16539 2 magnétique, une région 12 en un matériau non magnétique, une région 13 en un matériau magnétique et une électrode 14. Le matériau de la couche 12 peut être conducteur ; c'est de préférence un matériau isolant suffisamment mince pour pouvoir être traversé 5 par des électrons par effet tunnel. Il existe une différence structurelle entre les régions non magnétiques 10 et 12 de façon à avoir un système asymétrique dans une direction orthogonale au plan des couches. Cette différence peut résulter notamment d'une différence de matériau, d'épaisseur, ou de mode de croissance de 10 ces couches. Des listes de matériaux pouvant constituer les diverses couches sont données dans le brevet susmentionné. Les matériaux magnétiques des régions 11 et 13 sont formés dans des conditions telles qu'ils présentent une aimantation dirigée orthogonalement 15 au plan des couches. Le matériau magnétique de la couche 13 est formé dans des conditions telles qu'il conserve une aimantation intangible (couche piégée). La couche d'électrode supérieure 14 est connectée à une borne C. La programmation du point mémoire est effectuée en 20 faisant circuler un courant entre les bornes A et B, tandis qu'un champ H orienté horizontalement (parallèlement au plan des couches et à la direction du courant entre les bornes A et B) est appliqué. Selon les sens relatifs du courant entre les bornes A et B et du vecteur de champ H, la couche 11 est programmée de sorte que son aimantation s'oriente vers le haut ou vers le bas. Pour la lecture de ce point mémoire, une tension est appliquée entre la borne C et l'une ou l'autre des bornes A et B. Le courant résultant entre la borne C et l'une ou l'autre des bornes A et B prend des valeurs différentes selon le sens relatif des aimantations des couches 11 et 13 : valeur haute si les deux aimantations sont dans le même sens et valeur basse si les deux aimantations sont de sens opposés. Une caractéristique du point mémoire décrit ci-dessus est que sa programmation se fait grâce à un courant circulant 35 entre les bornes A et B et à un champ magnétique appliqué dans le 3042634 B14521 - 03484-07 - BD16539 3 plan des couches, parallèlement au courant. Aucun courant ne circule de la borne A ou B vers la borne C lors de la programmation. Ceci présente l'avantage de dissocier complètement les opérations de lecture et d'écriture du point mémoire. 5 De nombreuses variantes de réalisation sont possibles. Notamment, chaque couche décrite précédemment peut être constituée d'un empilement de couches de façon connue dans la technique pour acquérir les caractéristiques souhaitées. La portion de couche 10 en un matériau conducteur non 10 magnétique peut être omise, à condition que la piste 1 soit en un matériau non magnétique convenant à la croissance de la couche magnétique 11. La piste 1 peut alors présenter une surépaisseur sous le plot 3. Pour que le retournement de l'aimantation dans la couche 11 puisse se faire, il faut aussi que des couples de spin- 15 orbite soient présents dans la couche magnétique. Pour ce faire, il faut par exemple que la couche en contact avec cette couche 11 (ou séparée d'elle par une couche séparatrice fine) soit constituée d'un matériau ou composée de matériaux à fort couplage spin-orbite. Une autre solution est, par exemple, que le contact 20 entre la couche magnétique 11 et l'une ou l'autre des couches 10 et 12 crée ce couplage spin-orbite ; c'est ce qui peut par exemple arriver par hybridation de la couche magnétique 11 avec la couche 12 si celle-ci est constituée d'un isolant (voir "Spin-orbit coupling effect by minority interface resonance states in single- 25 crystal magnetic tunnel junctions", Y. Lu et al. Physical Review B, Vol. 86, p.184420 (2012)). On notera que le point mémoire des figures lA et 1B peut être décomposé en deux éléments : un élément de mémorisation comprenant la piste 1 munie des bornes A et B et les portions de 30 couches 10, 11 et 12, et un élément de lecture comprenant dans l'exemple donné ci-dessus les couches 13 et 14 et l'électrode C. Avec le même élément de mémorisation, divers modes de lecture pourraient être envisagés, par exemple une lecture optique. 3042634 B14521 - 03484-07 - BD16539 4 La figure 1C est une vue de dessus simplifiée du plot 3. Seule la piste 1 et le plot 3 sont représentés, ainsi que les bornes A et B connectées à des contacts 15 et 16. Comme on l'a indiqué précédemment, le point mémoire des 5 figures lA à 1C est programmable par l'application d'un courant entre les bornes A et B simultanément à l'application d'un champ magnétique ayant une composante non nulle selon la direction du courant. Des exemples de moyens de génération d'un champ magnétique sont donnés dans la demande de brevet susmentionnée. 10 L'application d'un champ externe ou la réalisation de couches magnétiques spécifiques propres à créer le champ H pose des problèmes de réalisation pratique. La demande de brevet US 2014/0010004 décrit un point mémoire magnétique qui peut être programmé par application d'un 15 courant en l'absence de champ magnétique. La figure 2 est une vue de dessous schématique d'un point mémoire magnétique correspondant à la figure 18A de cette demande de brevet. Un plot magnétique 20 comprend un empilement de portions de couches similaires aux couches du plot magnétique 3 décrit en relation avec les figures 20 lA à 1C. Le plot 20 a une forme de rectangle allongé. Deux électrodes 24A et 24B distinctes disposées aux extrémités du rectangle et dépassant d'un même grand côté du rectangle sont connectées à des bornes A et B et permettent de faire circuler un courant dans la couche magnétique 11. Le sens de l'écoulement du 25 courant, de la borne A vers la borne B ou de la borne B vers la borne A, définit la valeur programmée. Une telle configuration du point mémoire comportant des électrodes distinctes sous le plot pose divers problèmes de réalisation. Il existe un besoin pour un point mémoire programmable 30 par application d'un courant en l'absence de champ magnétique qui soit simple à réaliser et sensible à de faibles courants. Résumé Ainsi, un mode de réalisation prévoit un point mémoire magnétique, comprenant un plot comportant une portion de couche 35 magnétique entre une portion de couche conductrice et une portion 3042634 B14521 - 03484-07 - BD16539 5 de couche non magnétique, la couche magnétique ayant une aimantation perpendiculaire au plan des couches ; et une piste conductrice coudée comportant une portion centrale prolongée par deux bras, le plot étant disposé en totalité sur la piste, dans 5 lequel, pour chaque bras, un courant circulant vers le plot selon l'axe médian du bras voit la partie du plot la plus proche du bras en majorité sur sa gauche pour l'un des bras, et en majorité sur sa droite pour l'autre des bras. Selon un mode de réalisation, la couche conductrice et 10 la couche non magnétique diffèrent par leur épaisseur, leur composition ou leur structure. Selon un mode de réalisation, la couche magnétique a une épaisseur inférieure à 3 nm. Selon un mode de réalisation, le plot vu de dessus a la 15 forme d'un disque. Selon un mode de réalisation, pour chaque bras, la partie du plot la plus proche du bras comprend une portion allongée dans une direction faisant, en vue de dessus, un angle aigu avec l'axe médian du bras. 20 Selon un mode de réalisation, l'angle aigu est compris entre 30° et 60°. Selon un mode de réalisation, une au moins desdites portions allongées forme une pointe. Selon un mode de réalisation, une au moins desdites 25 portions allongées forme une pointe arrondie. Selon un mode de réalisation, la pointe arrondie a un rayon de courbure compris entre 1 et 10 nm. Selon un mode de réalisation, le plot a une forme allongée selon un axe et la piste est sensiblement coudée à angle 30 droit. Selon un mode de réalisation, le plot a une partie centrale en forme de rectangle allongé dans le sens de l'un des bras et disposé près du bord de ce bras le plus proche de l'autre bras. 3042634 B14521 - 03484-07 - BD16539 6 Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de programmation d'un point mémoire, comprenant une étape consistant à faire passer un courant d'un bras à l'autre, le sens du courant étant choisi pour obtenir la programmation souhaitée. 5 Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : 10 les figures lA, lB et 1C sont respectivement une vue en coupe et en perspective et de dessus d'un point mémoire magnétique ; la figure 2 est une vue de dessous schématique d'un point mémoire magnétique ; 15 les figures 3A et 3B sont respectivement une vue schématique en perspective et une vue schématique de dessus d'un mode de réalisation d'un point mémoire magnétique ; les figures 4A à 4C sont des vues de dessus schématiques d'autres modes de réalisation d'un point mémoire magnétique; et 20 les figures aA à 5C sont des vues de dessus schématiques d'autres modes de réalisation d'un point mémoire magnétique. Description détaillée De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, les diverses 25 figures ne sont pas tracées à l'échelle. Par souci de clarté, seuls les éléments qui sont utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Dans la description qui suit, sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position 30 absolue, tels que les termes "haut", "bas", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", etc., il est fait référence à l'orientation de l'élément concerné dans les figures lA, lB et 3A. Sauf précision contraire, les expressions "sensiblement" et "de l'ordre de" signifient, s'agissant d'une orientation, à 10 degrés près, de préférence à 5 degrés près. 3042634 B14521 - 03484-07 - BD16539 7 Les figures 3A et 3B sont respectivement une vue schématique en perspective et une vue schématique de dessus d'un mode de réalisation d'un point mémoire magnétique 30. Le point mémoire magnétique 30 comprend un plot 31. Le 5 plot 31 comprend, de bas en haut, une portion de couche conductrice 32, une portion de couche magnétique programmable 34 ayant une aimantation orthogonale au plan des couches, une portion de couche non magnétique 36 différente de la couche 32, une portion de couche magnétique 38 et une électrode 40. La couche conductrice 10 32 et la couche non magnétique 36 diffèrent par leur épaisseur, leur composition ou leur structure. L'électrode 40 est reliée à une borne C. Les couches 32, 34, 36, 38 et 40 sont similaires aux couches minces formant les régions respectives 10, 11, 12, 13 et 14 décrites précédemment en relation avec les figures lA à 1C. 15 Le plot 31 est formé dans sa totalité sur une piste conductrice 42 munie à ses extrémités de contacts avec des bornes A et B. La piste 42 est coudée et comprend deux bras 44A et 44B d'axes médians respectifs 45A et 45B. L'angle entre les axes médians 45A et 45B peut être compris entre 30° et 150°, de 20 préférence entre 60° et 120°, par exemple de l'ordre d'un angle droit. Les deux bras 44A et 44B se rejoignent au niveau d'une portion centrale 46 de la piste 42. Le plot 31 a en vue de dessus la forme d'un disque et est disposé sur la portion centrale 46 dans une position décentrée par rapport aux axes médians 45A et 25 45B. Un observateur placé sur l'axe médian 45A du bras 44A et regardant vers le plot selon l'axe médian 45A voit le plot essentiellement sur sa gauche. Si l'observateur se place sur l'axe médian 45B et regarde vers le plot selon l'axe médian 45B, il voit le plot essentiellement sur sa droite. 30 En fonctionnement, le point mémoire 30 est connecté à un dispositif non représenté adapté à faire circuler un courant entre les bornes A et B. Les inventeurs ont observé que le passage du courant de la borne A vers la borne B impose une orientation à l'aimantation de la couche programmable 34. Le passage du courant 35 de la borne B vers la borne A impose l'orientation inverse. Ainsi, 3042634 B14521 - 03484-07 - BD16539 8 la programmation du point mémoire est obtenue en l'absence de dispositif propre à créer un champ magnétique. On notera que la piste 42 est continue sous le plot 31 et s'étend autour du plot. Lorsque le courant de programmation 5 circule entre les bornes A et B, le cheminement du courant prend une configuration particulière dans la piste sous le plot et autour du plot, ainsi que dans les couches 32 et 34 du plot. En effet, le courant provenant du bras 44A voit le plot sur sa gauche. Le plot 31 est vu sur la droite par un courant provenant du bras 10 44B. Cette configuration du courant dans le plot, sous le plot et autour du plot permet la programmation. On soulignera que le plot 31 se situe intégralement sur la piste 42, ce qui permet de former facilement le plot à partir de la surface de la piste 42. De ce fait, la couche conductrice 15 32 peut être omise, à condition que le matériau et le procédé de fabrication de la piste 42 conviennent à la croissance de la couche magnétique programmable 34. La lecture du point mémoire 30 s'obtient, d'une manière similaire à la lecture décrite en relation avec les figures LA et 20 1B, en mesurant une résistance entre la borne C et la borne A ou B. Les couches supérieures 38 et 40, ainsi que la borne C, constituent un ensemble de lecture. A titre de variante, l'ensemble de lecture peut être omis, et remplacé par exemple par un dispositif de lecture électronique utilisant l'effet Hall 25 extraordinaire ou encore un dispositif de lecture optique. Les figures 4A à 5C sont des vues de dessus schématiques d'autres modes de réalisation d'un point mémoire magnétique. Par souci de clarté, des éléments des points mémoire décrits en relation avec les figures 4A à 5C ayant le même rôle que des 30 éléments du point mémoire 30 des figures 3A et 3B sont désignés par de mêmes références. Chacun des points mémoire magnétiques illustrés en figures 4A à 5C comprend un plot intégralement disposé sur une piste. Chaque plot comprend une portion d'un empilement de couches semblable à l'empilement de couches du plot 3042634 B14521 - 03484-07 - BD16539 9 31 décrit en relation avec les figures 3A et 3B. Chaque plot est surmonté d'un contact avec une borne C. En figure 4A un point magnétique 50 comprend un plot 51 formé sur une piste conductrice 52. La piste conductrice comprend 5 un coude central entre deux bras 44A et 44B, et le plot 51 est disposé sur le coude. L'angle entre les bras peut être compris entre 30° et 150°, de préférence entre 60° et 120°, par exemple de l'ordre d'un angle droit. Les bras 44A et 44B ont des axes médians respectifs 45A et 45B et sont munis à leurs extrémités de 10 contacts avec des bornes respectives A et B. En vue de dessus, le plot 51 a la forme d'un rectangle 53 allongé qui se prolonge à partir de chacun de ses petits côtés par deux pointes 55, 56. L'axe 54 du rectangle fait des angles compris entre 30 et 60°, par exemple sensiblement égaux à 45°, avec les axes médians 45A 15 et 45B, les deux bras 44A et 44B se situant d'un même côté de l'axe 54. L'axe médian 45A et l'axe 54 font un angle aigu 58A orienté dans le sens horaire, tandis que l'axe médian 45B et l'axe 54 font un angle aigu 58B orienté dans le sens antihoraire. Un courant circulant selon l'axe médian 45A vers le plot 20 51 voit la partie la plus proche du plot sur sa gauche. Un courant circulant selon l'axe médian 45B vers le plot 51 voit la partie la plus proche du plot sur sa droite. Ainsi, la circulation d'un courant entre les bornes A et B impose une orientation à l'aimantation de la couche programmable 34 dans les parties du 25 plot 51 les plus proches des bras 44A et 44B. Les inventeurs ont observé et démontré que, de manière remarquable, cette orientation imposée localement s'étend alors à l'aimantation de la couche 34 de l'ensemble du plot. Ainsi, le point mémoire magnétique 50 est programmable par un courant circulant entre les bornes A et B sans 30 qu'il soit besoin d'ajouter un champ magnétique. De plus, les parties du plot 51 les plus proches des bras 44A et 44B ont des formes de pointes. Les inventeurs ont observé et démontré que la présence de telles pointes permet avantageusement de programmer le point mémoire avec un courant 35 réduit. 3042634 B14521 - 03484-07 - BD16539 10 La figure 4B représente une variante 60 du point mémoire 50 décrit ci-dessus. Le point mémoire 60 comprend un plot 61 sur une piste 62. La piste 62 a des bras 44A et 44B disposés de la même manière que les bras 44A et 44B de la piste 52 du point 5 mémoire 50. Les bras sont reliés à une portion centrale 46. Le plot 61 a une forme et une disposition similaires à celles du plot 51, et s'étire en deux pointes 64 et 65 selon un axe 66. L'axe 66 forme avec les axes médians 45A et 45B des angles 68A et 68B identiques aux angles 58A et 58B du point mémoire 50. 10 La figure 4C représente une autre variante du point mémoire 50 décrit ci-dessus. Le point mémoire 70 comprend un plot 71 sur une piste 72. La piste 72 a des bras 44A et 44B disposés de la même manière que les bras 44A et 44B de la piste 52 du point mémoire 50. Les deux bras reliés à une portion centrale forment 15 un coude arrondi en forme de virage. Le plot 71 a une forme et une disposition similaires à celles du plot 51, et s'étire en deux pointes 74 et 75 selon un axe 76. L'axe 76 forme avec les axes médians 45A et 45B des angles 78A et 78B identiques aux angles 58A et 58B du point mémoire 50. 20 Les coudes des pistes 62 et 72 représentées en figures 4B et 4C permettent aux plots 61 et 71 d'être plus allongés que le plot 51 de la figure 4A et d'avoir des pointes plus acérées. De plus, la forme de chacun de ces coudes permet d'éviter qu'une partie du courant passe dans des parties du coude éloignées du 25 plot. De ce fait, les points mémoire 61 et 71 des figures 4B et 4C peuvent être programmés avec un courant inférieur, tout en conservant la forme simple du plot 51 de la figure 4A. En figure 5A, un point mémoire magnétique 80 comprend un plot 81 disposé sur une piste 82. La piste conductrice comprend 30 un coude central entre deux bras 44A et 44B, et le plot 81 est disposé sur le coude. L'angle entre les bras peut être compris entre 15° et 75°, de préférence entre 30° et 60°, par exemple de l'ordre de 45°. Le plot 81 comprend une partie centrale 83 disposée, sur la portion centrale de la piste, sur le bras 44B 35 près du bord situé du même côté que le bras 44A. La partie centrale 3042634 B14521 - 03484-07 - BD16539 11 83 a la forme d'un rectangle allongé dans la direction du bras 44B. La partie centrale 83 se prolonge à partir de chacun de ses petits côtés par des portions 84 et 85 en forme de pointe. La portion 84 s'étend du côté du bras 44B selon un axe 86 faisant un 5 angle aigu compris entre 30° et 60°, par exemple sensiblement égal à 45° avec l'axe médian 45B. La portion 85 s'étend en vis-à-vis du bras 44A selon l'axe médian 87 de la partie centrale 83 et sa pointe se rapproche du bord du bras 44A opposé au bras 44B. L'axe médian 45A et l'axe 87 font un angle aigu 88A orienté dans le sens 10 horaire, tandis que l'axe médian 45B et l'axe 86 font un angle aigu 88B orienté dans le sens antihoraire. En figure 5B, un point mémoire magnétique 90 comprend un plot 91 disposé sur une piste 92. La piste conductrice comprend un coude central entre deux bras 44A et 44B, et le plot 91 est 15 disposé sur le coude. L'angle entre les bras peut être compris entre 30° et 150°, de préférence entre 60° et 120°, par exemple de l'ordre d'un angle droit. Le plot 91 comprend une partie centrale 93 disposée sur la portion centrale de la piste sur le bras 44B près du bord situé du même côté que le bras 44A. La 20 partie centrale 93 a une forme de rectangle allongé dont les grands côtés sont parallèles à l'axe médian 45B. La partie centrale 93 se prolonge à partir de ses petits côtés par des portions en forme de pointe 94 et 95. La portion 94 s'étend du côté du bras 44B dans une direction 96 faisant avec l'axe médian 25 45B un angle compris entre 30° et 60°, par exemple sensiblement égal à 45°. La portion 95 s'étend en regard du bras 44A dans une direction 97 faisant avec l'axe médian 45A un angle compris entre 30° et 60°, par exemple sensiblement égal à 45°. L'axe médian 45A et l'axe 97 font un angle aigu 98A orienté dans le sens horaire, 30 tandis que l'axe médian 45B et l'axe 96 font un angle aigu 98B orienté dans le sens antihoraire. Les points mémoires 80 et 90 représentés en figures aA et 5B ont donc des portions en forme de pointe proches des bras. L'orientation de ces portions est telle que, lorsqu'un observateur 35 situé sur l'axe médian du bras 44A regarde le plot dans la 3042634 B14521 - 03484-07 - BD16539 12 direction de l'axe médian, il voit la pointe sur sa gauche. La pointe est sur la droite d'un observateur situé sur l'axe médian du bras 44B et regardant le plot. Ainsi, les points mémoire 80 et 90 peuvent être programmés de la même manière que les points 5 mémoire décrits précédemment en relation avec les figures 3A, 3B et 4A à 4C. Cependant, les pointes des plots des points mémoire 80 et 90 sont plus aiguës que les pointes des plots des points mémoire des figures 4A à 4C, ce qui permet une réduction supplémentaire avantageuse du courant de programmation. 10 Bien que les exemples particuliers de plots décrits en relation avec les figures 4A à 5B comprennent des portions en forme de pointe ayant des angles vifs, les formes réelles peuvent être arrondies. Les rayons de courbures peuvent être, par exemple, compris entre 1 et 10 nm. A titre de variante, les portions en 15 forme de pointe peuvent être remplacées par des portions arrondies allongées dans la même direction. La figure 5C représente une telle variante du point mémoire 80 de la figure 5A. Un point mémoire 100 comprend un plot 101 disposé sur la piste 82 du point mémoire 80. Le plot 101 20 comprend une portion centrale 103 similaire à la portion 83 du plot 80 et disposée de manière identique sur la branche 44B. La portion 103 se prolonge par des portions arrondies allongées selon les directions 86 et 87 de la figure 5A. Un avantage du point mémoire 100 est que les formes 25 arrondies du plot 101 en facilitent la réalisation, plus particulièrement lorsque les dimensions sont faibles. A titre d'exemple, les dimensions dans un sens orthogonal aux axes médians 45A et 45B, ou largeurs, des bras 44A et 44B des figures 3A à 5C, sont comprises entre 10 nm et 200 nm. Les largeurs des bras 44A 30 et 44B peuvent être différentes. A titre d'exemple, la densité de courant utilisée pour programmer le point magnétique est compris entre 105 A/cm2 et 108 A/cm2. La couche magnétique programmable peut comporter un 35 alliage présentant une anisotropie magnétique perpendiculaire 3042634 B14521 - 03484-07 - BD16539 13 propre, notamment FePt, FePd, CoPt, ou un alliage de terre rare / métal de transition, notamment GdCo, TdFeCo. La couche magnétique programmable peut comporter un métal ou un alliage présentant dans l'empilement une anisotropie magnétique perpendiculaire induite 5 par les interfaces, notamment Co, Fe, CoFe, Ni, CoNi. L'une des couches 32, 36 prenant en sandwich la couche magnétique programmable 34 peut être en un métal non magnétique, tel que Pt, W, Ir, Ru, Pd, Cu, Au, Bi, Hf ou en alliage de ces métaux ou sous la forme d'un empilement de plusieurs couches de 10 chacun de ces métaux. La couche conductrice 32 peut être en un matériau non magnétique ou antiferromagnétique. A titre d'exemple de matériaux antiferromagnétiques, on peut citer des alliages à base de Mn tels que IrMh, FeMh, PtMh, ou des alliages de ces composés comme PtFeMh 15 ou des oxydes tels ou CoOx ou NiOx. La couche non magnétique 36 surmontant la couche magnétique programmable peut être en un oxyde diélectrique tel que SiOx, AlOx, MgOx, TaOx, HfOx, ou en un nitrure diélectrique tel que SiN, BNx, d'une épaisseur propre à autoriser un effet 20 tunnel. L'épaisseur d'une des couches 32, 36 prenant en sandwich la couche magnétique programmable peut être comprise entre 0,5 nm et 200 nm, plus particulièrement entre 0,5 nm et 100 nm, et préférentiellement inférieure à 3 nm. 25 L'épaisseur de la couche magnétique programmable peut être inférieure à 3 nm. La couche magnétique 38 de l'ensemble de lecture peut être en un matériau magnétique, ou en un composé de matériaux magnétiques, ou comprendre plusieurs couches de matériaux 30 magnétiques et non magnétiques. Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, bien que des configurations particulières aient été décrites, d'autres configurations sont possibles dans 35 la condition que, pour chaque bras, un observateur extérieur placé 3042634 B14521 - 03484-07 - BD16539 14 sur le bras regardant le plot selon la direction de l'axe médian du bras voie la partie du plot la plus proche de lui en majorité sur sa gauche pour l'un des bras, et en majorité sur sa droite pour l'autre des bras. 5 De plus, chaque couche des plots des points magnétiques décrits précédemment peut être constituée d'un empilement de couches de façon connue dans la technique pour acquérir les caractéristiques souhaitées. En outre, bien que, dans les points mémoire magnétiques 10 décrits, les bras soient rectilignes, les bras peuvent aussi être incurvés en ayant dans leurs parties les plus proches du plot la même direction que les bras rectilignes, et ayant des axes médians définis par les axes médians des bras rectilignes. REVENDICATIONS1. Point mémoire magnétique, comprenant : un plot (31 ; 51 ; 61 ; 71 ; 81 ; 91 ; 101) comportant une portion de couche magnétique (34) entre une portion de couche conductrice (32) et une portion de couche non magnétique (36), la 5 couche magnétique ayant une aimantation perpendiculaire au plan des couches ; et une piste conductrice coudée (42 ; 52 ; 62 ; 72 ; 82 ; 92 ; 102) comportant une portion centrale prolongée par deux bras (44A, 44B), le plot étant disposé en totalité sur la piste, 10 dans lequel, pour chaque bras, un courant circulant vers le plot selon l'axe médian (45A, 45B) du bras voit la partie du plot la plus proche du bras en majorité sur sa gauche pour l'un des bras (44A), et en majorité sur sa droite pour l'autre des bras (44B). 15 2. Point mémoire magnétique selon la revendication 1, dans lequel la couche conductrice (34) et la couche non magnétique (36) diffèrent par leur épaisseur, leur composition ou leur structure. 3. Point mémoire magnétique selon la revendication 1 ou 20 2, dans lequel la couche magnétique (34) a une épaisseur inférieure à 3 nm. 4. Point mémoire magnétique (30) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le plot (31) vu de dessus a la forme d'un disque. 25 5. Point mémoire magnétique (50 ; 60 ; 70 ; 80 ; 90 ; 100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel, pour chaque bras (44A, 44B), la partie du plot la plus proche du bras comprend une portion allongée dans une direction faisant, en vue de dessus, un angle aigu avec l'axe médian (45A, 45B) du bras. 30 6. Point mémoire magnétique selon la revendication 5, dans lequel l'angle aigu est compris entre 30° et 60°. 7. Point mémoire magnétique (50 ; 60 ; 70 ; 80 ; 90) selon la revendication 5 ou 6, dans lequel une au moins desdites portions allongées forme une pointe. 3042634 B14521 - 03484-07 - BD16539 16 8. Point mémoire magnétique (50 ; 60 ; 70 ; 80 ; 90) selon la revendication 5 ou 6, dans lequel une au moins desdites portions allongées forme une pointe arrondie. 9. Point mémoire magnétique (50 ; 60 ; 70 ; 80 ; 90) 5 selon la revendication 8, dans lequel la pointe arrondie a un rayon de courbure compris entre 1 et 10 nm. 10. Point mémoire magnétique (50 ; 60 ; 70) selon l'une quelconque des revendications 5 à 9, dans lequel le plot (51 ; 61 ; 71) a une forme allongée selon un axe (54 ; 66 ; 76) et la 10 piste (52 ; 62 ; 72) est sensiblement coudée à angle droit. 11. Point mémoire magnétique (80 ; 90 ; 100) selon l'une quelconque des revendications 5 à 10, dans lequel le plot a une partie centrale (83 ; 93 ; 103) en forme de rectangle allongé dans le sens de l'un des bras (44B) et disposé près du bord de ce bras 15 le plus proche de l'autre bras. 12. Procédé de programmation d'un point mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, comprenant une étape consistant à faire passer un courant d'un bras à l'autre, le sens du courant étant choisi pour obtenir la programmation souhaitée.