FR 3038128 A1 20161230 FR 1555937 A 20150626 1 Domaine de l'invention L'invention est relative à un procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant un substrat. Elle s'adresse préférentiellement à la réalisation des dispositifs microélectroniques sensibles notamment à l'air sur substrats fins et ultrafins préalablement fixés sur des porteurs épais. L'une des applications potentielles avantageuses de cette technique concerne les micro-batteries solides réalisées sur des substrats par exemple en verre fin et ultrafin. Plus précisément, l'invention propose une technique de fabrication d'un système d'encapsulation performant tout en offrant une solution de séparation des batteries individuelles réalisées sur substrats fins et ultrafins. Etat de la technique Le développement et l'essor des systèmes intelligents embarqués, en anglais « smart systems », est conditionné par la levée d'un certain nombre de verrous technologiques. Outre les verrous liés aux matériaux actifs constituant les dispositifs microélectroniques et leurs procédés de mise en oeuvre et d'intégration, la problématique des substrats employés comme base de réalisation des organes microélectroniques est très déterminante pour ces applications. Ainsi, de nouveaux procédés préconisent l'emploi de substrats de plus en plus fins en vue de la réalisation de dispositifs microélectroniques répondant à des critères technologiques comme l'épaisseur réduite ou la flexibilité, et industriels comme le coût ou la disponibilité. Les principaux circuits concernés sont les dispositifs de stockage d'énergie comme les micro-batteries typiquement au lithium, les composants de l'électronique organique comme les diodes électroluminescentes organiques DELO ou OLED en anglais (Organic Light-Emitting Diodes), les cellules photovoltaïques organiques ou OPV en anglais (Organic PhotoVoltaic cells), les photodétecteurs organiques ou OPD en anglais (Organic PhotoDetectors) et les transistors de type TFT (Thin Film Transistor). Dans la pratique, les substrats minces et ultraminces doivent être maniés avec une extrême précaution en raison de leur fragilité mécanique. En effet, la multiplication, l'enchainement et la complexité des étapes établies lors des 303 812 8 2 procédés microélectroniques (telles que transfert, dépôt, gravure, nettoyage...) peuvent être destructrices pour des substrats fragiles. Cette difficulté technique a conduit à la mise au point de procédés industriels permettant une fixation temporaire des substrats fragiles sur des supports plus solides. Néanmoins, le 5 recours aux procédés de fixation temporaire des substrats fins et ultrafins impose une étape de désolidarisation en fin de procédé de réalisation. Le procédé de séparation des deux substrats est assez souvent complexe, couteux et incompatible avec les dispositifs microélectroniques. A titre d'exemple, les solutions de collage temporaire des substrats par traitement de 10 surface ou par emploi d'adhésifs sont incompatibles avec les dispositifs microélectroniques nécessitant des étapes technologiques réalisées à haute température. Ainsi, le document WO-A2-2013119737 propose une solution de collage localisé de substrats fragiles sur porte-substrats. Elle est basée sur la réalisation d'un traitement de surface adéquat permettant un collage de la partie 15 sous-jacente des zones périphériques des composants. Ce procédé de collage est incompatible avec les technologies qui nécessitent le recours aux étapes thermiques (souvent à des températures supérieures 400°C). La découpe des substrats fragiles par détourage permet la libération des composants. La profondeur des traits de détourage réalisés doit être identique à l'épaisseur du 20 substrat fragile limitant considérablement le choix de la technique de découpe. De plus, le support de substrat employé n'est pas réutilisable et l'opération de découpe nécessite la protection des couches actives en absence des couches d'encapsulation. Un autre problème commun à certains circuits employés dans des 25 composants microélectroniques tels que ceux cités plus haut (dont OLEDs, cellules capacitives ou autres) réside dans leur très forte sensibilité vis-à-vis des gaz oxydants. Cette sensibilité engendre l'emploi de systèmes d'encapsulation dont les performances requises varient d'une application à une autre. Ces performances sont fréquemment exprimées en termes de vitesses 30 de transmission de la vapeur d'eau (WVTR pour Water Vapor Transmission Rate) ou encore en vitesse de transmission de l'oxygène (OTR pour Oxygen Transmission Rate). Concrètement, les niveaux de barrière WVTR et OTR exigés pour des applications comme les micro-batteries au lithium sont 3038128 3 respectivement de l'ordre de 10-4 g/m2/j et de 10-4 cm3/m2/j. Bien que l'étanchéité obtenue soit en grande partie fonction du système d'encapsulation couvrant la face avant de ces composants, elle dépend également de la nature du substrat utilisé pour prévenir toute dégradation qui peut intervenir au niveau 5 de la face arrière. D'une façon générale, une protection hermétique doit prendre en considération l'étanchéité des deux faces du composant en plus de la protection latérale. Ainsi, il est fortement recommandé d'employer des substrats avec des propriétés barrières à l'humidité et l'oxygène pour les applications sensibles. 10 D'une manière générale, la problématique de réalisation des dispositifs microélectroniques sur substrat fragile est partiellement résolue par l'emploi des systèmes convoyeurs agissant comme supports et permettant le déplacement et le maniement de ces substrats fragiles durant les étapes technologiques. Les mécanismes de ces systèmes sont basés sur des techniques de fixation très 15 spécifiques comme le clampage électrostatique à électrode. Néanmoins, l'emploi des systèmes convoyeurs formés par la fixation des substrats fragiles sur des supports plus solides reste confronté aux difficultés de désolidarisation du substrat du support en fin de fabrication. La présente invention permet de remédier en tout ou partie aux 20 inconvénients techniques actuellement connus. Une solution proposée apporte une réponse aux problèmes précédemment exposés. En effet, les principes de cette invention ont trait à la problématique d'encapsulation des dispositifs microélectroniques réalisés sur substrats, de préférence fins donc fragiles, fixés délibérément sur des supports plus épais mais aussi aux difficultés de 25 désolidarisation des socles formés par les substrats fragiles et les supports épais. 3038128 4 Résumé de l'invention Un aspect de modes de réalisation de l'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant un substrat. Le procédé comprend une étape d'assemblage du substrat, par une zone de solidarisation 5 d'une première face du substrat, avec une zone de solidarisation d'une première face d'un support, puis une étape de désolidarisation du substrat relativement au support. De manière avantageuse, le procédé comprend : - après l'étape d'assemblage, la formation d'un film sur le substrat, ledit film étant configuré pour adhérer à une zone d'adhésion d'une deuxième face 10 du substrat opposée à la première face du substrat, la force d'adhésion entre le film et la zone d'adhésion de la deuxième face du substrat étant choisie supérieure à la force de solidarisation entre la zone de solidarisation du support et la zone de solidarisation de la première face du substrat ; - une traction sur le film avec une force de traction configurée pour 15 vaincre la force de solidarisation sans vaincre la force d'adhésion. Un autre aspect de modes de réalisation de l'invention s'adresse à un dispositif qui peut être obtenu par le procédé de l'invention. L'invention concerne aussi l'utilisation d'un film, notamment polymère, pour la séparation d'un substrat et d'un support, par traction sur le film. 20 Un intérêt potentiel de l'invention est de profiter de la présence du film pour s'en servir comme vecteur de désolidarisation du substrat relativement à son support. Le film produit ainsi deux fonctions, fort différentes, et évite le recours à des techniques complexes pour séparer substrat et support. 25 Introduction des Dessins Les dessins ci-joints sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. Ils représentent seulement un mode de réalisation de l'invention et permettront de la comprendre aisément. - La figure 1 est une vue de dessus d'un exemple de support. 30 - La figure 2 est une vue de profil du support de la figure 1. - La figure 3 est une vue de profil présentant un assemblage d'un substrat plus fin que le support sur ce dernier. - La figure 4 est une vue partielle en coupe montrant la fabrication d'un 3038128 5 composant électronique dans la partie substrat, sous forme d'un empilement capacitif simple. - La figure 5 présente en perspective un ensemble de composants répartis sur une face du substrat. 5 - La figure 6 montre, sur la base de l'exemple de la figure 5, le recouvrement par un film servant à encapsuler le substrat. - La figure 7 est une vue partielle en coupe illustrant la succession de couche ainsi obtenu, avec l'encapsulation offerte par le film. - La figure 8 présente une étape de la désolidarisation du substrat 10 relativement au support. - La figure 9 montre qu'une traction sur le film désolidarise le substrat relativement au support. - La figure 10 présente une variante de l'exemple de la figure 5. - La figure 11 montre une variante de la figure 3 ; 15 - La figure 12 offre une variant de la figure 7. Les épaisseurs des différentes couches représentées sur les figures ne sont pas forcément à l'échelle. Notamment, l'épaisseur du substrat peut être bien inférieure (par exemple de dix fois) à celle représentée simplement environ trois fois plus petite que celle du support. 20 Description détaillée D'autres buts et avantages apparaîtront au cours de la description qui suit qui présente des modes de réalisation de l'invention illustratifs mais non limitatifs 25 Avant d'entrer dans le détail de ces modes de réalisation, on introduit brièvement ci-après des variantes préférées mais non limitatives utilisables seules ou selon toutes combinaisons entre elles, l'invention est telle que : - la traction est opérée au moins en partie par traction exercée au niveau d'un bord du film 15 ; 30 - la formation du film 15 est configurée pour créer une portion de film 15 débordant de la deuxième face du substrat 5 ; de préférence, cette portion débordante fait saillie latéralement au-delà du substrat 5, de sorte qu'elle ne soit pas en vis-à-vis de ce substrat suivant l'épaisseur 3038128 6 de ce dernier ; - la traction est opérée au moins en partie par traction sur la portion de film 15 débordant ; - on forme, sur la première face du support 1, une zone périphérique 2 5 adjacente à la zone de solidarisation 4, et la formation du film 15 est configurée pour que le film 15 adhère sur la zone d'adhésion 7 de la deuxième face du substrat 5 et recouvre au moins une partie de la zone périphérique 5 ; la zone périphérique 2 est formée de sorte à ceinturer la zone de 10 solidarisation 4 de la première face du support 1 ; la zone périphérique 2 présente une énergie de surface inférieure à celle de la zone d'adhésion 7 ; - on opère un traitement de surface d'au moins une partie de la zone périphérique 2 de sorte à ce qu'elle présente une énergie de surface 15 inférieure à celle de la zone d'adhésion 7 ; formation d'au moins une marche entre la zone de solidarisation 3 de la première face du support 1 et la zone périphérique 2 de sorte à positionner la zone périphérique 2 en retrait de la zone de solidarisation de la première face du support 1 ; 20 la formation du film 15 est configurée pour ménager au moins un espace non rempli du matériau du film 15 au-dessus de la marche 3 ; l'utilisation de plusieurs marches successives dans la zone périphérique 2 permet d'avoir plusieurs vides successifs entre le support 1 et le film 15 et favoriser ainsi l'arrachement du film 15 dans cette zone 25 périphérique 2 ; la dimension en hauteur de la marche ou de l'ensemble des marches suivant l'épaisseur du support, est choisie supérieure ou égale à l'épaisseur du film 15; le substrat 5 est débordant de la marche 3 suivant un plan de la 30 première face du substrat 1; le support 1 comprend une cale 25 en appui, par une première face 26, sur une première face d'une partie sous-jacente du support 1, au moins une partie de la zone périphérique 2 étant formée par une deuxième 3038128 7 face de la cale 25, opposée à la première face 26 de la cale 25 ; la cale 25 est choisie avec une épaisseur égale à celle du substrat 5 ; la force de traction a au moins une composante non nulle suivant une dimension en épaisseur du substrat 5 ; 5 la force de traction est dirigée suivant la dimension en épaisseur du substrat ; la traction est opérée en plusieurs points, avantageusement, ces points sont alignés dans un plan contenu dans la zone périphérique 2 du film 15; 10 le film 15 est formé par laminage ; le film 15 est configuré pour encapsuler la deuxième face du substrat 5 le film 15 comporte au moins une première couche 15 de film configurée pour adhérer au moins sur la zone d'adhésion 7 de la 15 deuxième face du substrat 5, et au moins une deuxième couche 17 de film au-dessus de ladite première couche de film, l'au moins une deuxième couche de film comprenant au moins une couche étanche à l'atmosphère extérieure, telle l'eau et ses oxydants ; - on forme, dans le substrat, au moins une zone ruptable 24, plus fragile 20 que le reste du substrat 5, la traction étant configurée pour rompre la zone ruptable 24, le dispositif électronique comportant au moins un composant électronique à partir de la deuxième face du substrat 5 au moins en partie après l'étape d'assemblage et avant la formation du film 15; 25 - au moins un composant électronique est un empilement capacitif 9 ou une batterie ou un composant électrochrome ; dans ce cas, le film 15 est avantageusement transparent aux rayonnements dudit composant ; - on forme une pluralité de composants électroniques, les composants étant séparés par des zones ruptables 24. 30 Les caractéristiques indiquées précédemment ne sont qu'optionnelles. Le procédé de l'invention permet de fabriquer un dispositif dit électronique en ce sens qu'il comprend des parties électriques sur un support qui peut, de préférence, comprendre un substrat par exemple en matériau semi-conducteur 303 812 8 8 notamment en verre ou à base de silicium, ou encore en céramique, mica, quartz ou autre. Il peut s'agir d'un dispositif microélectronique. On entend par microélectronique notamment l'ensemble des techniques de microélectronique et de nanoélectronique. Les dispositifs que l'on peut former peuvent s'inscrire 5 dans des systèmes du type systèmes micro-électro-mécaniques dits MEMS et/ou avec des fonctions optiques. Ce dispositif peut ainsi comprendre des composants. Préférentiellement, il pourra s'agir de cellules de batteries, à base d'empilements d'électrodes formant des ensembles capacitifs. Il peut s'agir de composants plus simples, tels des lignes de distribution électrique. 10 Dans le cadre de la présente invention, des termes tels que « sur » ou « au-dessus » ne signifient pas obligatoirement « au contact de ». Ainsi, par exemple, la présence d'une couche sur une autre couche ne signifie pas obligatoirement qu'ils sont en contact. Cela ne signifie pas non plus que l'élément situé au-dessus de l'autre le recouvre totalement. 15 Le terme « épaisseur » s'entend, à moins qu'il en soit disposé autrement, d'une dimension suivant l'épaisseur du substrat, par exemple perpendiculairement à un plan d'une surface du substrat. De même, le terme « largeur» s'entend, à moins qu'il en soit disposé autrement, d'une dimension perpendiculaire à l'épaisseur du substrat. 20 Le substrat décrit plus loin est avantageusement un substrat fin, par exemple d'une épaisseur comprise entre 100 et 500 pm voire inférieure à 100 pm, généralement appelé substrat ultrafin. Le reste ou une partie des organes microélectroniques, tels des cellules de batteries, est réalisée sur le substrat fin. Le terme support ou porte substrat ou porteur, ou encore système 25 convoyeur s'entend notamment de substrats dits épais, ayant de préférence une épaisseur supérieure à 500 pm. En référence à la figure 1, un élément de départ du procédé de l'invention est un support 1 par exemple en verre. Il peut avoir la géométrie d'une plaque du type « wafer », par exemple avec un diamètre de 200 mm ou 300 mm, ou 30 celle d'une plaque rectangulaire. Son épaisseur permet de préférence de disposer d'une rigidité supérieure à celle du substrat 5 qui va lui être rapporté. Une première face du support 1, encore appelée face supérieure, sert à recevoir une première face, en vis-à-vis, du substrat 5. L'autre face 8 du 3038128 9 support peut être fixée sur un outillage. Ces deux faces sont préférentiellement planes. La première face est cependant avantageusement configurée pour offrir d'une part la capacité d'accueillir le substrat 5 et, d'autre part, pour permettre un 5 décollage de ce dernier par un effort appliqué sur un film 15 amené à recouvrir le substrat 5. Les étapes de formation et d'utilisation du film 15 sont présentées en détail plus loin. La première face du support 1 comporte à cet effet de préférence une première zone surfacique au niveau de laquelle le substrat 5 est solidarisable, dite zone de solidarisation 4. Une deuxième zone, dite zone 10 périphérique 2 assure le contact avec une partie du film 15 ; elle est adjacente à la zone de solidarisation 4 et permet le débordement du film relativement à la deuxième face du substrat 5 que le film va couvrir. Avantageusement, la zone périphérique 2 dispose d'une énergie de surface inférieure à celle de la zone de solidarisation 4. Cette énergie de surface inférieure peut être produite, 15 notamment, par une tension superficielle inférieure, une rugosité différente offrant une moindre adhérence, une porosité différente ou encore un caractère hydrophile (ou respectivement hydrophobe) moins marqué que celui de la zone de solidarisation. L'énergie de surface modifiée de la zone périphérique 2 peut être produite 20 par fonctionnalisation de la première face du support 1 à cet endroit, relativement à la zone de solidarisation 4. La fonctionnalisation peut être réalisée par des procédés de détourage mécanique ou par un traitement de surface adéquat. Les figures 1 et 2 montrent la fonctionnalisation par formation d'un relief, de préférence une marche 3, par exemple par micro-usinage 25 consistant à graver la marche 3 au niveau de la zone périphérique 2. On peut aussi conférer cette forme géométrique spécifique au support 1 lors de sa production. Une autre possibilité, privilégiée dans le cadre de cette invention, consiste à façonner le support 1 initialement plan par des techniques de fonctionnalisation de parties externes. Ces techniques font appel notamment 30 aux procédés d'usinage par abrasion réservés aux matériaux fragiles de dureté élevée comme les verres. L'opération d'usinage a pour objectif d'imposer au support 1, par enlèvement de la matière, des dimensions et/ou un état de surface (dont rugosité, intégrité mécanique et physico-chimique) de la zone 3038128 10 périphérique 2. A titre d'exemple, les procédés d'abrasion comme la rectification, le rodage ou le polissage confèrent à la pièce une forme géométrique précise et une rugosité contrôlée. La forme et la hauteur de la marche 3 ainsi que son procédé de réalisation sont des paramètres qui peuvent 5 être ajustés en fonction de la nature des dispositifs microélectroniques. La marche 3 créée au niveau de la zone périphérique 2 a de préférence une épaisseur supérieure ou égale à l'épaisseur du film 15. Elle a, dans les illustrations, un profil rectiligne perpendiculaire à la première face du support 1, mais ce cas n'est pas limitatif et un profil différent, par exemple oblique, peut 10 être retenu. La marche 3 peut posséder une hauteur au moins deux fois supérieure à l'épaisseur du film 15 ultérieurement formée. La hauteur peut par exemple être de 100 pm. On comprend que la marche 3 produit une zone périphérique 2 disposant d'une portion, typiquement en regard de l'espace 21 montré en figure 7, au niveau de laquelle le film 15 ne sera pas en contact, et 15 une portion, plus éloignée de la marche 3 en direction du bord du support, au niveau de laquelle un contact du film sera opéré ; cette configuration engendre, en moyenne une adhérence limitée entre le film 15 et la zone périphérique, limitant ainsi, autrement dit, l'énergie de surface globale de cette zone 2 relativement au film 15. 20 La zone périphérique 2 débouche de préférence au niveau de la tranche du support 1. Sa largeur, dans le plan de la première face du support 1 peut être de l'ordre de 10 fois la hauteur de la marche lorsque celle-ci est employée. Une autre manière de fonctionnalisation de la partie périphérique 2 est basée sur les techniques de traitement de surface. L'objectif visé est de 25 modifier l'énergie de surface d'une partie ou de la totalité de la zone saillante pour la rendre défavorable à l'adhésion du film 15. Le traitement de surface peut être choisi en fonction de la nature des adhésifs de laminage utilisés pour le film 15 et du matériau constituant le support 1 épais. Il inclut toutes les techniques permettant de réduire les forces de collage comme les procédés de 30 dépôt des couches minces, de traitement et gravure plasma ou encore d'abrasion mécanique ou chimique. Nous pouvons citer à titre d'exemple, les dépôts de couches minces de composition parfaitement stoechiométrique caractérisées par l'absence des liaisons pendantes type OH. 3038128 11 Dans le cas des figures 1 et 2, la zone périphérique est une zone délimitée par une corde tirée à partir du bord circulaire du support 1 et par une portion de ce bord. D'autres formes sont possibles. Par exemple, la zone périphérique peut former un contour fermé autour de la zone de solidarisation 4 5 de sorte à la ceinturer totalement. En outre la zone périphérique 2 peut être en plusieurs surfaces placées à différents endroits de la première face du support. Enfin, la figure 12 exposée en détail plus loin montre que la zone périphérique 2 peut, au moins en partie, être formée sur une partie amovible du support 1, sous forme de cale. La cale est choisie avantageusement en un matériau 10 favorisant l'adhésion avec le film 15 et par exemple en un même matériau que le substrat 5. La zone de solidarisation 4 reçoit, par sa première face, une zone de solidarisation 6 complémentaire du substrat 5, comme cela apparait en figure 3. Ce substrat 5 est avantageusement moins épais que le support 1 et peut être 15 de même nature, par exemple en verre ou non. On entend ici par substrat 5 non seulement la base de substrat 5 illustrée en figure 3 mais aussi globalement les composants qui seront éventuellement formés sur cette base, comme des empilements capacitifs 9 par exemple. La zone d'adhésion 7 de la deuxième face du substrat 5, au niveau de laquelle le film 15 sera déposé, comprend 20 donc potentiellement des surfaces de ces composants. En particulier, la surface supérieure des composants peut participer à la zone d'adhésion 7. La base de substrat 5 tel que présentée en figure 3 et servant de support de réalisation des composants microélectroniques est ici géométriquement en retrait par rapport au support 1, en ce sens qu'il ne couvre pas la marche 3. Par conséquent, il 25 présente naturellement une marche supplémentaire définie par son épaisseur. Dans cet exemple, le substrat 5 a la même forme et les mêmes dimensions que la zone de solidarisation 4. Le substrat 5 peut être fixé sur son support 1 en utilisant différentes techniques connues dans l'état de l'art. A titre indicatif, la fixation temporaire par 30 application d'un champ électrostatique sans recours à une électrode est l'une des techniques préférentielles qui présente la particularité d'être compatible au regard de l'application des micro-batteries. Cette technologie permet en effet une fixation même dans des conditions défavorables de température ou 3038128 12 d'environnement chimique, que l'on rencontre typiquement pour les fabrications de micro-batterie, avec des recuits et des attaques chimiques notamment. En exposant l'assemblage formé par le substrat et le support au champ électrostatique, des charges opposées se forment à l'interface des deux pièces, 5 par exemple deux verres, et tendent à renforcer l'attraction des surfaces et la qualité du clampage. Le protocole de clampage consiste ensuite à laminer le substrat 5 sur le support 1 tout en chassant l'air entre les deux pièces afin de prévenir la formation des bulles. Une maitrise du protocole de laminage garantie une bonne adhérence entre les deux surfaces. 10 Selon un exemple de réalisation, les assemblages sont formés par clampage électrostatique des matériaux verres AF32® de la société SCHOTT AG, ayant une rugosité RMS (en anglais Root Mean Square) préférentiellement inférieure ou sensiblement égale à 1 nm. Les caractéristiques thermiques et 15 mécaniques sont respectivement exprimées par les valeurs de coefficient d'expansion thermique à 3.2x10-6 K1 et le module de Young à 74.8 kN/mm2. L'épaisseur du support 1 est de l'ordre de 500pm alors que celle du substrat 5 ici en verre est de 50pm. Disposer d'une surface extérieure nette de toute trace de pollution et de particules étrangères impose un nettoyage fréquent. 20 L'opération de suppression des résidus organiques et particulaires consiste par exemple à tremper les deux verres dans des bains de détergents (savon) et d'ultrasons (2 minutes) suivis des procédés de rinçage à l'eau avant de procéder au séchage sous air des surfaces. Ces séquences d'opérations nettoyage/rinçage/séchage peuvent être répétées de nombreuses fois jusqu'à 25 élimination totale des résidus. Une charge haute tension de 5kV à polarité positive est appliquée à la surface du support 1 incluant la zone périphérique 2 en utilisant un chargeur haute tension électrostatique. En parallèle, une charge équivalente à polarité inverse est appliquée à la surface de contact du substrat 5. La mise en contact des deux verres par un procédé de laminage adapté (tel 30 qu'à une pression de 1 à 3 bars et à une vitesse d'environ 0.5 m/mn) permet au final la réalisation des assemblages selon la configuration de la figure 3. A ce stade, le substrat 5 est donc temporairement fixé sur le support 1, comme en figure 3. 3038128 13 La figure 4 montre que l'on a ensuite fabriqué un composant électronique, les composants pouvant être réalisés par empilement de différentes couches actives. Dans l'exemple de la figure 4, on a réalisé des connecteurs 11, 13, pour le raccordement électrique de chacune parmi deux électrodes 10, 12 5 empilées et espacées l'une de l'autre par un isolant 14. Les techniques habituelles de fabrication de cellules capacitives peuvent être mises en oeuvre, notamment avec des procédés de dépôts (dépositions sous vide par voie chimique ou vapeur par exemple) et de gravure (chimique ou plasma par exemple). Les matériaux conducteurs et isolants employés peuvent être 10 conventionnels. L'empilement 9 d'une batterie élémentaire présenté dans la figure 4 peut être constitué de collecteurs de courant cathodique et anodique (sous forme de connecteurs 11, 13 en figure 4) notamment de nature métallique (Titane, Or, Aluminium platine, tungstène ou tous autres métaux utilisés en tant que 15 collecteur) disposés sur le substrat par exemple en verre AF32®. Les couches actives de la micro-batterie désignent ici les électrodes, négative et positive 10, 12 et l'électrolyte qui est l'isolant 14 situé entre les deux électrodes. L'électrode positive 10 (cathode) est de préférence en un matériau ayant une bonne conductivité électronique et ionique (par exemple : TiOS, TiS2, LiTiOS, LiTiS2, 20 LiCoO2, V205). L'électrolyte est un isolant électronique avec une forte conductivité ionique (par exemple : LiPON, LiPONB, LiSiCON) L'électrode négative 12 est une couche qui peut être constituée exclusivement du lithium métallique ou d'un matériau sciemment lithié. La configuration de la figure 4 est donnée à titre indicatif afin d'illustrer les principes de cette invention. 25 La figure 5 présente un résultat potentiel, avec une pluralité de composants 9 en surface supérieure de l'ensemble. Ces étapes sont par la suite complétées par une encapsulation basée préférentiellement sur les techniques de laminage. Un film est formé au-dessus du substrat 5, au niveau d'une zone d'adhésion 7 du film 15, incluant 30 dorénavant les composants électroniques. Il n'est pas absolument nécessaire que le film 15 couvre l'intégralité de la deuxième face du substrat 5 comme en figure 6 mais il est bien entendu plus que souhaitable que le recouvrement isole pour le moins efficacement les composants de l'environnement extérieur. 3038128 14 De manière générale, le film 15 est une partie, de préférence à base ou faite de polymères, et formant une couche flexible au-dessus du substrat. De manière avantageuse, le film 15 est choisi dans la gamme des films barrières à l'humidité et à l'oxygène. Il peut s'agir par exemple d'un système multicouche 5 formé par l'alternance de couches adhésives et de couches barrières. Dans le cas des figures, le film 15 comprend une première couche 16 assurant l'adhésion et une deuxième couche 17 pouvant avoir plus spécifiquement une fonction de barrière à l'eau et/ou aux gaz. Suivant les cas d'application, il peut être utile d'utiliser des systèmes d'encapsulation très conformables permettant 10 d'accommoder la topographie de surface relative aux différents marches et reliefs formés aux contacts des différents éléments à recouvrir. La force d'adhésion du film 15, dans sa couche 16 servant à l'adhésion, vis-à-vis du substrat 5 incluant le ou les composants 9 microélectroniques est de préférence a minima deux fois plus importante que la force d'adhésion créée par 15 l'assemblage substrat 5 et support 1. Des exemples indicatifs sont donnés ci-après de manière plus précise pour cette encapsulation. Le film 15 d'encapsulation est sélectionné essentiellement pour ses propriétés barrières mais aussi pour ses propriétés mécaniques. En effet, une des spécificités des films d'encapsulation concerne 20 leurs propriétés d'accommodation de la topographie formée par l'ensemble des trois éléments (empilement de composants, épaisseur du substrat 5, hauteur de la marche 3). Dans la pratique, le film 15 peut comprendre une ou des couches barrières et une couche d'adhésif permettant son collage sur les composants fabriqués sur le substrat 5. Le procédé de collage fait appel par exemple aux 25 techniques telles que le laminage ou le scellement. Il est souhaitable que la force d'adhésion entre le film 15 et les différentes surfaces (composants, substrat, et éventuellement d'une partie de la zone périphérique 2) soit plus importante que la force d'adhésion créée lors de l'opération de clampage électrostatique entre le substrat 5 et le support 1. 30 Le film 15 peut se présenter sous forme d'un feuillard constitué d'une monocouche homogène ou bien sous forme d'un multicouche hétérogène. Il est optionnellement choisi dans la famille des matériaux hautement barrières aux éléments oxydants présents dans l'atmosphère. Les feuillards métalliques 3038128 15 (épaisseur inférieure à 300pm) à base d'aluminium ou à base d'acier (fer blanc, fer noir, fer chromé, acier inoxydable,...) sont des exemples typiques pour réaliser ce film 15. Optionnellement, ces feuillards peuvent être couplés avec des films thermoplastiques d'une épaisseur inférieure à 100 pm (PEN, PET, PP, 5 PI...) qui permettent de renforcer la tenue mécanique du système d'encapsulation. Le système d'encapsulation préconisé est équipé d'une couche agissant comme un adhésif dont l'épaisseur est fixée délibérément en fonction de plusieurs paramètres : épaisseur d'empilement 9, hauteur de la marche, 10 diamètre de la zone périphérique 2. Cela confère au système d'encapsulation la propriété de conformabilité garantissant ainsi une protection efficace des couches actives des empilements 9. L'adhésif peut être choisi prioritairement pour ses propriétés de collage, d'isolation électrique et de compatibilité chimique avec les couches actives du substrat 5 et de ses composants, tels des 15 empilements 9. Il peut être sensible à la pression, à la température ou aux rayons UV. Il est obtenu par exemple à partir des films polymères à base d'acrylique, de silicone, de caoutchouc ou d'un mélange de ces matières. Optionnellement, les adhésifs employés peuvent être chargés avec des inclusions particulaires ou des absorbeurs d'oxygène et d'eau permettant 20 d'améliorer leur étanchéité. Selon un mode de réalisation, le film 15 comprend un complexe d'aluminium (de 20pm d'épaisseur) et du PET (de 25pm d'épaisseur), pour la couche 17. Le film adhésif de la couche 16 est notamment un thermodurcissable d'une épaisseur de 25pm. Ces films peuvent être laminés 25 sur l'ensemble sous-jacent. Typiquement, les conditions de laminage sont choisies à 90°C pour la température, à 1 bar pour la pression et à 5cm/s pour la vitesse. Le film 15 d'encapsulation reporté est en contact direct avec le substrat 5 et l'ensemble des composants qu'il porte ainsi qu'une partie ou la totalité de la zone périphérique 2. L'opération de laminage est avantageusement réalisée de 30 façon à faire déborder une partie du film 15 par rapport aux dimensions du support 1 formant ainsi une longuette par exemple de quelques millimètres sous forme de partie de bordure 20 en figure 7. Cet effet est mis à profit pour réaliser les opérations de séparation ultérieure du substrat 5 relativement au 3038128 16 support 1. Le procédé de laminage est mis en oeuvre de façon à faire correspondre la partie adhésive du film 15 d'encapsulation avec les couches actives des composants microélectroniques (typiquement leur zone supérieure en saillie 5 relativement à un plan de la deuxième face du substrat 5), une partie du substrat 5 en dehors des composants et une partie du support 1 incluant la zone périphérique 2. En clair, le système d'encapsulation a une partie débordant du substrat 5 contenant les composants microélectroniques, de sorte à couvrir aussi une partie au moins du support 1 et notamment une partie au 10 moins de la zone périphérique 2. Il peut aussi déborder du support 1, comme le montre la position de la bordure 20 du film 15 en figure 7. Cette figure montre aussi que la marche 3 du support préserve un espace 21 entre le film 15 et une partie de la zone périphérique 2. Dans cet espace, aucun contact entre le film et le support 1 n'est produit et cela correspond à une zone de laquelle le film 15 pourra aisément être retiré. A l'issue du procédé de laminage, les composants microélectroniques réalisés sur le substrat 5 préalablement fixé sur le support 1 sont totalement encapsulés des espèces oxydantes. Selon les applications, notamment dans le cas des empilements capacitifs 9 illustrés, il peut être nécessaire de produire 20 des accès pour le raccordement électrique des composants, au travers du film 15. Les figures 6 et 7 montrent des exemples de tels accès. Par exemple, la figure 7 illustre un accès 18 au travers du film 15 pour accéder au connecteur 13 et un accès 19 pour accéder au connecteur 11. Les accès sont par exemple des trous perforés de section adaptée à la reprise de contact souhaitée. La 25 perforation du film est notamment faite par gravure laser ou par retrait mécanique. Avantageusement, ces ouvertures offrent une solution d'alignement lors du procédé de report et permettent de s'affranchir de la formation des bulles lors des procédés de laminage. Lorsque les étapes de fabrication sur le substrat 5 sont terminées, il s'agit 30 de désolidariser ce dernier du support 1. Le procédé de séparation du substrat et du support 1 peut par exemple comprendre une étape consistant à appliquer un mouvement de traction du film 15 sur les parties qu'il recouvre. La force appliquée est de préférence telle 3038128 17 qu'elle surmonte la force de solidarisation du substrat 5 et du support 1. Sa direction 22 a de préférence une composante non nulle, avantageusement majoritaire, suivant une direction perpendiculaire au plan de la deuxième face du substrat 5. Une trajectoire de mouvement appliquée au film par sa bordure 5 permet de produire cette force de séparation et cette trajectoire tend préférentiellement à éloigner la bordure du film du substrat 5. Dans la pratique, l'angle formé par la trajectoire de ce mouvement avec le plan de la zone périphérique 2 du support 1 peut être supérieur à 0° et sensiblement égal à 90°. La force de traction introduite est orientée préférentiellement selon un axe 10 vertical avec un tirage du bas vers le haut. Le ou les lieux d'application de cette force peuvent correspondre à des zones (ponctuelles ou linéaires ou surfaciques) de préhension de la longuette formant la partie 20. Par exemple, deux zones peuvent être réparties à égale distance du milieu de la largeur de la longuette. Optionnellement, il est possible de multiplier les points d'application 15 de la force pour renforcer l'étendue de la force de traction. Il est possible qu'au moins une zone d'application de force soit située à un coin du film, par exemple à deux coins se suivant du film 15, de sorte à solliciter tout le film lors de la traction. De plus, la force d'adhésion au niveau de l'interface formée par le film 15 20 et le substrat 5 embarquant les composants est avantageusement plus forte que la force d'adhésion au niveau de l'interface créée par le contact entre la partie adhésive du film 15 et la zone périphérique 2 du substrat 5. En outre, la zone périphérique 2 remplit de préférence le rôle d'une zone d'amorce du film 15 lors du procédé de séparation. Cette amorce est favorisée par la présence 25 d'un espace 21 comme en figure 7 et 8. Le volume engendré par cette zone vide présente la particularité d'être ajustable. Concrètement, ce volume peut être modulé en jouant sur plusieurs paramètres (tels que l'épaisseur du film 15, l'épaisseur du substrat 5, la marche 3 de la zone périphérique 2) permettant ainsi de faciliter la procédure de désolidarisation. La figure 9 montre le début de 30 la désolidarisation produite par traction sur le film, avec une zone 23 de désolidarisation qui va progressivement correspondre à toute la zone de solidarisation 4 d'origine. La valeur de la force de désolidarisation à appliquer dépend de la force de 3038128 18 résistance à la décohésion interfaciale de l'assemblage produit entre le support 1 et le substrat 5 lors du procédé préliminaire. En pratique, la nature et l'état de surface des matériaux, tels des verres, utilisés dans la fabrication des substrats 5 et des supports 1 sont des paramètres que l'on peut employer pour régler la 5 force du clampage et par conséquent la fiabilité du déclampage. Concrètement, les différences de coefficient d'expansion thermique et du module de Young entre, d'un côté le substrat 5 et, de l'autre, son support 1 peuvent impliquer un stress mécanique inhomogène des deux matériaux, synonyme de réduction de l'adhérence et de défaillance de l'assemblage. Afin de réduire ce stress 10 intrinsèque à l'assemblage, il est préféré d'utiliser des matériaux à valeur de coefficient d'expansion thermique et de module de Young les plus proches possible les uns des autres, notamment avec des seuils de tolérance entre 0 et 10%. Ainsi, le support 1 peut être choisi dans la même famille de matériaux que le substrat 5. A titre d'exemples non exhaustifs, on pourra employer les verres 15 issus de la famille des borosilicates. Il est possible aussi d'utiliser les dérivés des produits borosilicates comme les verres borosilicatés sans alcali ou encore les verres boro-alumino-silicatés-alcalino-terreux issus de terres rares alcalines. D'autre part, on peut améliorer la solidarisation du support 1 et du substrat 5 par l'application d'un nettoyage des deux surfaces avant l'opération de fixation. 20 Ce nettoyage consiste par exemple à réaliser des trempages dans des bains savonnés suivis d'ultrasons. L'enchaînement des opérations de nettoyage permet de réduire la rugosité des surfaces de contact des deux surfaces à assembler par élimination des défauts particulaires inhérents pour le procédé de clampage. 25 On peut aussi privilégier des verres thermiques qui présentent une haute résistance à la chaleur et aux changements de température tout en garantissant une très bonne conductivité thermique à travers l'assemblage (support 1/substrat 5), pour la réalisation de batteries par exemple. Le choix des matériaux des substrat et support peut être fonction de propriétés optiques ou 30 diélectriques spécifiques à d'autres applications comme les composants issus de la technologie de l'électronique organique. Dans le cas de support et de substrat en verre, le mouvement de pelage du film 15 en polymère peut être réalisé avec un équipement dédié. Le socle 3038128 19 formé par le support 1 et le substrat 5 contenant les composants électroniques protégés par le film 15 est maintenu par une aspiration sous vide. Selon la figure 8 et de façon préférentielle, ce mouvement au moins en partie perpendiculaire à l'épaisseur du film 15 et/ou du substrat 5 orienté du bas vers 5 le haut (soit à l'opposé du support 1) est initié au niveau de la longuette de la bordure 20 avec un angle de 90°C et une force de 6 N/cm (correspondant à une tension de surface) selon une vitesse constante de 300 mm/mn. Ainsi, la force de pelage F est très faible en comparaison à la force de rupture du film 15 par rapport au substrat 5 en verre, notamment du type AF32® et ses composants. 10 Après initiation de la rupture selon le schéma de la figure 9, les fissures matérialisées par l'élément 23 se propagent au niveau de l'interface formée. Ces fissures sont caractérisées par un angle entre support et substrat qui augmente progressivement avec la vitesse de sollicitation régissant le mouvement de traction du film 15. Dans ce cas, le film 15 reste solidaire 15 uniquement et entièrement du substrat 5 en verre AF32® comportant l'ensemble des composants fabriqués. Après avoir procédé à la séparation du substrat 5 relativement au support 1, une étape possible concerne en effet la séparation des composants en éléments unitaires. Il peut s'agir par exemple des méthodes de découpe de 20 l'état de l'art adaptées aux matériaux verres fragiles comme la découpe mécanique à scie ou encore la découpe laser (laser CO2, laser YAG, laser femto seconde ou laser excimer). Selon un mode de réalisation préférentiel, on réalise, avant formation du film 15, des zones ruptables 24 comme en figure 10 au niveau desquelles le 25 substrat 5 est plus fragile qu'ailleurs. Il peut s'agir de zones d'épaisseur moindre. Les zones 24 forment de préférence un maillage entourant individuellement les composants. Pour du verre par exemple, un traçage est effectué par filamentation laser engendrant des fissures médianes sur une profondeur de 20 pm du verre. La définition des traits de découpe est fixée par 30 les dimensions des composants. Cette étape est suivie par un procédé de rupture avant expansion du film 15 pour espacer les composants. Les composants se trouvent ainsi libres les uns des autres mais au contact du film 15. Suivant un mode de réalisation, une possibilité est offerte pour séparer 3038128 20 facilement des composants formés sur le substrat 5. La traction opérée sur le film lors de la séparation peut, dans ce cas, participer à cette étape d'individualisation des composants. Suivant une possibilité de mise en oeuvre, on effectue comme précédemment les opérations de traçage des chemins de 5 découpe du substrat 5 de préférence préalablement à la réalisation des couches actives des composants. Le résultat final reste celui de la figure 10, avant formation du film 15. Il est possible par exemple de positionner les chemins de découpe selon la taille des composants unitaires en utilisant la filamentation laser sur une profondeur contrôlée entre 10 et 20 pm du substrat 10 5. Dans ce cas, le procédé de rupture permet d'avoir l'ensemble des composants disposés sur le film 15 lors de l'étape de traction. Optionnellement, les composants disposés sur le substrat 5 peuvent être placés de manière rapprochée les uns des autres afin de réduire la surface de contact entre le film 15 et la deuxième face du substrat 5. Cette préconisation présente l'avantage 15 de réduire la longueur de collage du film adhésif entre les composants, notamment au niveau des zones 24. Par la suite, il suffit de procéder à la découpe du film 15 pour individualiser les composants par des techniques de l'état de l'art (mécanique ou laser). Il est envisageable de disposer le substrat 5 en retrait géométrique par 20 rapport au bord du support au niveau de la marche 3. Il y a ainsi une double marche : la marche 3 et une marche entre une partie de la première face du support 1 et le bord du susbtrat5, l'épaisseur du substrat 5 déterminant la hauteur de cette deuxième marche. Les autres étapes restent inchangées mais cette solution crée un deuxième espace vide sous le film 15. En effet, le film 15 25 doit accommoder lors du procédé de laminage la topographie créée par la double marche : la deuxième marche (par exemple de 100pm) est formée exclusivement par l'épaisseur du substrat 5 et la marche 3 est celle définissant la zone périphérique 2 du support 1. A l'inverse, dans le cas de la figure 11, le substrat 5 est débordant par 30 rapport au périmètre interne de la zone périphérique et de la marche 3. Il s'ensuit une modification de l'espace 21 vide qui ne sera pas au contact du film 15, ce qui peut être favorable à l'amorce de décohésion entre le film 15 et la zone périphérique 2.Selon une autre variante, le substrat peut déborder du 3038128 21 support, au moins dans une zone périphérique de sorte qu'un bord du film débordant du substrat soit libre. Un autre mode de réalisation visible en figure 12 consiste à former un support avec une base similaire au cas précédent, mais comprenant en outre 5 une partie amovible formant une cale 25. La cale 25 produit la zone périphérique 2 au niveau d'une de ses faces, repérée 27, destinée à être au contact du film. La face 26 opposée est au contact du reste du support 1. Cette cale produit ainsi une zone modifiée du support 1 au niveau de laquelle l'adhérence du film est modifiée relativement à l'adhérence produite au niveau 10 du substrat 5. 3038128 22 REFERENCES 1. Support 2. Zone périphérique 5 3. Marche 4. Zone de solidarisation 5. Substrat 6. Zone de solidarisation 7. Zone d'adhésion 10 8. Deuxième face 9. Empilement capacitif 10. Première électrode 11. Connecteur 12. Deuxième électrode 15 13. Connecteur 14. Isolant 15. Film 16. Première couche 17. Deuxième couche 20 18. Premier accès 19. Deuxième accès 20. Bordure de film 21. Espace 22. Direction de traction 25 23. Zone de désolidarisation 24. Zone ruptable 25. Cale 26. Première face 27. Deuxième face 30 REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant un substrat (5), le procédé comprenant une étape d'assemblage du substrat (5), par une zone de solidarisation (6) d'une première face du substrat (1), avec une zone de solidarisation (4) d'une première face d'un support (1), puis une étape de désolidarisation du substrat (5) relativement au support (1), caractérisé en ce qu'il comprend : - après l'étape d'assemblage, la formation d'un film (15) sur le substrat (5), ledit film (15) étant configuré pour adhérer à une zone d'adhésion (7) d'une deuxième face du substrat (5) opposée à la première face du substrat (5), la force d'adhésion entre le film (15) et la zone d'adhésion (7) de la deuxième face du substrat (5) étant choisie supérieure à la force de solidarisation entre la zone de solidarisation (4) du support (1) et la zone de solidarisation (6) de la première face du substrat (5); - une traction sur le film (15) avec une force de traction configurée pour vaincre la force de solidarisation, sans vaincre la force d'adhésion. 2. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la traction est opérée au moins en partie par traction exercée au niveau d'un bord du film (15). 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la formation du film (15) est configurée pour créer une portion de film (15) débordant de la deuxième face du substrat (5). 4. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la traction est opérée au moins en partie par traction sur la portion de film (15) débordant. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel on forme, sur la première face du support (1), une zone périphérique (2) adjacente à la zone de solidarisation, et dans lequel la formation du film (15) est configurée pour que le film (15) adhère sur la zone d'adhésion (7) de la deuxième face du substrat (5) et recouvre au moins une partie de la zone périphérique (2). 6. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la zone périphérique (2) est formée de sorte à ceinturer la zone de solidarisation (4) de la première face du support (1). 3038128 24 7. Procédé selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel la zone périphérique (2) présente une énergie de surface inférieure à celle de la zone d'adhésion (7). 8. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel on opère un 5 traitement de surface d'au moins une partie de la zone périphérique (2) de sorte à ce qu'elle présente une énergie de surface inférieure à celle de la zone d'adhésion (7). 9. Procédé selon l'une des revendications 5 à 8, comprenant la formation d'au moins une marche entre la zone de solidarisation (4) de la première face 10 du support (1) et la zone périphérique (2) de sorte à positionner la zone périphérique (2) en retrait de la zone de solidarisation de la première face du support (1). 10. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la formation du film (15) est configurée pour ménager au moins un espace (21) non rempli du 15 matériau du film (15) au-dessus de la marche (3). 11. Procédé selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel la dimension en hauteur de la marche (3) ou de l'ensemble des marches, suivant l'épaisseur du support (1), est choisie supérieure ou égale à l'épaisseur du film (15). 20 12. Procédé selon l'une des trois revendications précédentes, dans lequel le substrat (5) est débordant de la marche (3) suivant un plan de la première face du substrat (1). 13. Procédé selon l'une des revendications 5 à 12, dans lequel le support (1) comprend une cale (25) en appui, par une première face (26), sur une 25 première face d'une partie sous-jacente du support (1), au moins une partie de la zone périphérique (2) étant formée par une deuxième face de la cale (25), opposée à la première face (26) de la cale (25). 14. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel la cale (25) est choisie avec une épaisseur égale à celle du substrat (5). 30 15. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la force de traction a au moins une composante non nulle suivant une dimension en épaisseur du substrat (5). 3038128 25 16. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la traction est opérée en plusieurs points du film (15). 17. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le film (15) est formé par laminage. 5 18. Procédé selon l'une des revendications précédentes dans lequel le film (15) est configuré pour encapsuler la deuxième face du substrat (5). 19. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le film (15) comporte au moins une première couche (16) de film configurée pour adhérer au moins sur la zone d'adhésion (7) de la deuxième face du substrat 10 (5), et au moins une deuxième couche (17) de film au-dessus de ladite première couche (16) de film, l'au moins une deuxième couche (17) de film comprenant au moins une couche étanche à l'atmosphère extérieure. 20. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel on forme, dans le substrat, au moins une zone ruptable (24), plus fragile que le 15 reste du substrat (5), la traction étant configurée pour rompre la zone ruptable (24). 21. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel, le dispositif électronique comportant au moins un composant électronique, on forme ce dernier à partir de la deuxième face du substrat (5) au moins en partie 20 après l'étape d'assemblage et avant la formation du film (15). 22. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel au moins un composant électronique est un empilement capacitif (9) ou une batterie ou un composant électrochrome. 23. Procédé selon l'une des deux revendications précédentes en 25 combinaison avec la revendication 20, dans lequel on forme une pluralité de composants électroniques, les composants étant séparés par des zones ruptables (24).