FR 3045932 A1 20170623 FR 1662426 A 20161214 1 Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à un procédé de réali- sation de couches minces développées sélectivement pour des composants micromécaniques et les composants ainsi obtenus. Etat de la technique Le dépôt de couches atomiques (procédé de dépôt de couches atomiques ALD) est un procédé de dépôt de la catégorie des dépôts chimiques en phase gazeuse (procédé de dépôt chimique CVD) selon lequel on utilise au moins deux semi-réactions chimiques auto- limitatrices. Les avantages par rapport au procédé de dépôt est de per- mettre ainsi de contrôler et d'homogénéiser l'épaisseur de couche, notamment dans le domaine du nanomètre. De plus, avec différents réactifs, on peut déposer des couches minces de différentes matières. Pour la réalisation de composants dans le domaine de la micro et de la nano-technique, il faut générer une matière seulement dans des plages déterminées, localement limitées sur un substrat. Une possibilité consiste à déposer de la matière sur tout le substrat et d'enlever ensuite la matière déposée dans les plages appropriées du substrat, ce qui est une opération compliquée. De plus, il faut plusieurs étapes compliquées de photolithographie et de gravure. En outre, il faut des procédés de gravure spécifiques à chaque matière qui ont une sélectivité suffisante, notamment vis-à-vis du substrat. Une autre possibilité consiste à enlever la matière dépo- sée dans les zones non voulues en utilisant le procédé dit de soulève- ment (lift-off) en utilisant une couche de photorésist. Cela nécessite toutefois des étapes de chimie en voie humide qui se répercutent sur les autres parties de la couche déposée. En outre, le procédé lift-off convient en principe très peu pour les couches minces obtenues par dépôt de couches atomiques à cause de la très grande conformité de ce type de dépôt. Une autre possibilité consiste à éviter dès le départ, le dépôt de matière dans les zones non souhaitées. Le procédé ALD, peut sélectif par zones, c'est-à-dire le dépôt sélectif dans des plages prédéfinies d'un substrat. Pour cela, on applique sur le substrat de façon ca- ractéristique des couches SAM (monocouches auto-assemblées) de 3045932 2 molécules organiques. Ces couches évitent la réaction ou l'absorption du réactif à la surface du substrat et interdisent ainsi le développement des couches minces par dépôt de couches atomiques. En d'autres termes, dans les zones du substrat dans lesquelles on veut faire un dé- 5 pôt de couches atomiques, il faut préalablement enlever la monocouche SAM. La mise en structure de la couche SAM se fait de manière caractéristique par lithographie, ce qui nécessite là encore des étapes de mise en structure compliquées. En outre, on a pu montrer jusqu'alors que le procédé SAM ne permettait d'éviter le dépôt de couches minces par dé- 10 pôt de couches atomiques seulement pour des matières choisies. Le document US 7 160 819 B2 décrit un procédé de dépôt ALD sélectif d'oxyde de zinc sur une puce. Exposé et avantages de l'invention La présente invention a pour objet un procédé pour réali- 15 ser des couches minces développées de manière sélective pour des com- posants micromécaniques par dépôt de couches atomiques comprenant les étapes suivantes consistant à : A) utiliser un substrat ayant une face et un dos, B) chauffer localement le substrat en développant au moins une plage 20 chauffée à une première température, C) effectuer au moins un cycle de réaction de dépôt de couches atomiques en utilisant pour ce cycle de réaction de dépôt de couches atomiques au moins deux réactifs et développant une couche mince sur au moins une plage chauffée. 25 La présente invention repose sur l'idée de base d'un pro- cédé pour déposer de manière localement limitée une couche mince par au moins un cycle de réaction de dépôt de couches atomiques sans utiliser notamment une couche formant un masque. En outre, le procédé selon l'invention évite les procédés de mises en structure compliquées 30 par lithographie et gravure. A cet effet, on utilise un substrat ayant une face et un dos. Le substrat est chauffé localement pour développer une zone chauffée ayant une première température. Dans l'étape suivante, on effectue un cycle de réaction de dépôt de couches atomiques et pendant au moins un tel cycle de réaction, on utilise au moins deux réactifs 35 et on développe une couche mince sur au moins une plage chauffée. En 3045932 3 d'autres termes, pour le dépôt de la couche atomique, on sélectionne une chimie de réaction des réactifs qui, exclusivement à la première température, se traduit par un taux significatif de dépôt de réactif et finalement de la couche mince. Ainsi, le dépôt se fait exclusivement 5 dans la zone chauffée. Les avantages de ce procédé de dépôt avec chauffage local du substrat sont notamment ceux d'éviter les étapes de mise en structure distinctes telles que par exemple par lithographie ou gravure après le dépôt. Ainsi, ce procédé est notamment moins complexe et de ce fait 10 plus efficace du point de vue du coût. De plus, avec le procédé décrit, on peut déposer des couches minces sélectivement sur le substrat là où la mise en structure habituelle par lithographie et gravure n'est pas accessible car il n'existe par exemple pas de procédé de gravure sélective et parce que la mince couche déposée ne résisterait pas à de telles 15 étapes de procédé. A titre d'exemple, il y a notamment les impuretés générées par un photorésist ou l'oxydation des couches correspondantes lorsqu'on enlève le photorésist avec du plasma-oxygène. Selon un développement préférentiel, pour le cycle de réaction de dépôt de couches atomiques, on utilise comme réactif du 20 tétrachlorure de silicium et de l'eau. Ces réactifs permettent avec le pro- cédé décrit ici, de déposer d'une manière particulièrement sélective du dioxyde de silicium sur la plage chauffée à une première température. Cette première température de la plage chauffée est ici supérieure à 325°C. 25 Selon un développement préférentiel pour le cycle de réaction de dépôt de couches atomiques, on utilise les réactifs triméthyle méthyl-cyclopentadiène-diényle de platine et oxygène. Ce procédé permet de déposer en particulier du platine, d'une manière très efficace et sélective sur la plage chauffée à la première température. Cette pre- 30 mière température de la plage chauffée est ici supérieure à 200°C. Cela signifie que pour le dépôt sélectif par une élévation locale de température du substrat pour le procédé ALD décrit ici, on sélectionne une combinaison de réactifs qui, à une température plus faible que la première température, ne se traduit par aucun dépôt ou 35 aucun dépôt significatif de couche mince sur le substrat. 3045932 4 Selon un autre développement préférentiel, pendant au moins un cycle de réaction de dépôt de couches atomiques, on fait varier la première température de la plage chauffée en fonction d'au moins deux réactifs. Cela permet, par chauffage local du substrat, d'avoir la 5 température de dépôt optimale respective pour chaque étape distincte du cycle de réaction de dépôt de couches atomiques, c'est-à-dire que l'on règle la première température en fonction du premier ou du second réactif. Cela permet notamment de supprimer la limitation fondamentalement à une unique température de dépôt pendant un dépôt de couche 10 atomique. Selon un autre développement préférentiel, on maintient une ou plusieurs autres plages du substrat à la seconde température et on règle cette seconde température pour avoir exclusivement dans au moins une zone chauffée du substrat au moins un cycle de réaction de 15 dépôt de couches atomiques. Cela permet de déposer d'une manière particulièrement efficace, sélectivement, la mince couche, seulement sur une plage chauffée à la première température. Les autres plages du substrat qui sont à la seconde température restent ainsi sans couche mince, c'est-à-dire qu'elles ne sont pas concernées par le cycle de réac- 20 tion de dépôt de couches atomiques. Le réglage de la seconde tempéra- ture dans une ou plusieurs autres plages du substrat peut se faire notamment par refroidissement actif à l'aide d'un support de substrat. Selon un autre développement préférentiel, on effectue le chauffage local du substrat par absorption de rayonnement électroma- 25 gnétique développé localement et en particulier de lumière. La longueur d'onde ou la plage des longueurs d'onde de la lumière est choisie pour permettre l'absorption par le substrat. En particulier, on peut utiliser un laser, ce qui permet de chauffer le substrat d'une manière simple. Selon un autre développement préférentiel, on effectue le 30 chauffage local du substrat à l'aide d'au moins un dispositif de chauf- fage par résistance à partir de la face et/ou du dos du substrat. En particulier, le dispositif de chauffage par résistance peut être installé sur un support de substrat, ce qui permet de chauffer localement le substrat pendant le procédé décrit ci-dessus, sur le plan du substrat. Les 35 dispositifs de chauffage par résistance peuvent notamment être bran- 3045932 5 chés les uns aux autres pour avoir un contact électrique seulement à un ou à quelques endroits du substrat pour relier les résistances chauffantes. Cela permet de manière simple d'avoir une ou plusieurs plages chauffées à la première température sur le plan du substrat. 5 Selon un autre développement préférentiel, on a au moins un dispositif de chauffage par résistance fonctionnant avec des contacts électriques distincts, ce qui permet de chauffer localement plusieurs plages du substrat et en particulier indépendamment les unes des autres. 10 Selon un développement préférentiel, on commande un dispositif de chauffage par résistance à l'aide d'un circuit CMOS intégré dans le substrat (semi-conducteur complémentaire métal-oxyde). En particulier, le substrat comporte un circuit CMOS traité préalablement. Le circuit CMOS exécute la commande des différents dispositifs de 15 chauffage par résistance dans un ordre prédéfini. Pour avoir la syn- chronisation entre le cycle de réaction de dépôt de couches atomiques et la commande du dispositif de chauffage par résistance, on échange un signal d'horloge entre le réacteur ALD et le circuit de commande ou circuit CMOS du dispositif de chauffage par résistance. La première tem- 20 pérature d'au moins une plage chauffée du substrat se mesure par exemple à l'aide d'une thermistance ou d'une thermopile et se commande par réaction par la ligne de liaison avec le dispositif de chauffage par résistance correspondant. Cela permet un réglage précis et rapide de la première température pour la plage chauffée. 25 Selon un autre développement préférentiel, on réalise des structures thermiquement isolantes sur la face du substrat et on chauffe ces structures thermiquement isolées par chauffage local. Une délimitation précise de la plage de dépôt, c'est-à-dire par rapport à au moins une plage chauffée avec des degrés de liberté supplémentaires de 30 conception de cette zone, est possible si avant le cycle de réaction de dépôt atomique, on a réalisé des structures isolées sur le substrat. On peut par exemple avoir de telles structures thermiquement isolées sous la forme de membranes dégagées sur le substrat. Les structures thermiquement isolées permettent de chauffer localement plus rapidement 35 grâce à la masse thermique réduite. 3045932 6 En d'autres termes, on atteint plus rapidement la température optimale de dépôt dans des structures thermiquement isolées. L'extension est avant tout intéressante pour les composants dont la fabrication nécessite en particulier des structures chauffantes thermi- 5 quement isolées. Un exemple en est celui des capteurs de gaz. Dans le cas des capteurs de gaz, on augmente la sensibilité et la sélectivité, fréquemment à la fois pour des applications de différentes matières sensibles et pour les produits de catalyse et aussi par la gestion de ces matières à différentes températures. Pour cela, on dépose des matières 10 appropriées sur des structures thermiquement isolées avec des disposi- tifs de chauffage par résistance, notamment intégrés. Le procédé décrit ici permet ainsi notamment en utilisant le dispositif de chauffage par résistance, décrit, de réaliser successivement différentes structures thermiquement isolées, sensibles à la température des réactifs dans des 15 plages juxtaposées, ce qui évite la mise en structure ultérieure de la mince couche déposée après au moins un cycle de réaction de dépôt de couches atomiques. Selon un autre développement préférentiel, on règle la première température avec au moins une plage chauffée à l'aide d'au 20 moins un dispositif de chauffage par résistance, ce qui permet de régler graduellement la première température et notamment l'épaisseur de la mince couche déposée par un gradient de température approprié, contrôlé au moins dans la zone chauffée. En particulier, cela est possible si on connaît la vitesse de dépôt en fonction de la première température. 25 Le procédé décrit permet ainsi de réaliser d'une manière particulière- ment simple des filtres optiques (filtres Fabry-Pérot) pour les applications stéréoscopiques. Selon un autre développement préférentiel, on règle gra- duellement la première température pour au moins une plage chauffée 30 en procédant par absorption de rayonnement électromagnétique. Par une focalisation appropriée du rayonnement électromagnétique dans au moins une plage chauffée, on règle ainsi le gradient de la première température. Par le réglage graduel de la première température, on contrôle en particulier l'épaisseur de la couche mince déposée par un gradient 35 de température approprié que l'on contrôle dans la plage chauffée. 3045932 7 Bien que le procédé décrit ici le soit dans le cas de deux réactifs, il est évident que le cycle de réaction de dépôt de couches atomiques peut utiliser trois ou plus de réactifs. En particulier, avant de fournir chaque réactif, on rince le réacteur ALD avec du gaz inerte, par 5 exemple avec de l'argon. Cela permet d'influencer positivement le carac- tère autolimitant du dépôt de couches atomiques et d'éliminer du réacteur ALD, efficacement le réactif qui ne s'est pas déposé sur le substrat, entre chaque cycle de réaction de dépôt de couches atomiques à partir du réacteur ALD. 10 L'invention telle que décrite s'applique notamment à la fabrication de couches ayant une extension spatiale limitée et des épaisseurs de l'ordre de 100 nanomètres. Cela permet en particulier des adaptations dans la plage de la technique des microsystèmes et des semiconducteurs. En particulier, le procédé tel que décrit convient tout 15 particulièrement pour réaliser des couches minces catalytiques ou sen- sibles pour des capteurs de gaz. Description brève des dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l'aide d'exemples de réalisation représentés dans les 20 dessins annexés dans lesquels : la figure 1 est un schéma servant à décrire un procédé de réalisation de couches minces à développement sélectif pour des composants micromécaniques par dépôt de couches atomiques selon un premier mode de réalisation de l'invention, 25 la figure 2 est un schéma servant à décrire un procédé de réalisa- tion de couches minces à développement sélectif pour des composants micromécaniques par dépôt de couches atomiques selon un second mode de réalisation de l'invention, la figure 3 montre schématiquement la description de la commande 30 des dispositifs de chauffage par résistance correspondant à un se- cond mode de réalisation de la présente invention, les figures 4a, 4b sont des schémas servant à décrire un procédé de réalisation de couches minces à développement sélectif pour des composants micromécaniques par dépôt de couches atomiques se- 35 lon un troisième mode de réalisation de l'invention, 3045932 8 les figures 5a, 5b sont des schémas servant à décrire un procédé de réalisation de couches minces à développement sélectif pour des composants micromécaniques par dépôt de couches atomiques selon un quatrième mode de réalisation de l'invention. 5 Description de modes de réalisation de l'invention Dans les différentes figures, on utilisera les mêmes réfé- rences pour désigner les mêmes éléments ou des éléments de même fonction. La figure 1 est un schéma servant à décrire le procédé de 10 réalisation de couches minces à développement sélectif pour des com- posants micromécaniques par dépôt de couches atomiques selon un premier mode de réalisation de l'invention. A la figure 1, la référence 10 désigne dans le présent con- texte un substrat ayant une face (côté avant) 11 et un dos (côté arrière) 15 12. Le chauffage local du substrat 10 se fait par absorption de rayon- nement électromagnétique, par exemple d'une lumière L 1. Ainsi, on réalise une plage chauffée B1 à une première température T 1. La plage B2 du substrat 10 est ainsi maintenue à une seconde température T2 de sorte que seulement sur la plage chauffée B1 du substrat 10, on pourra 20 effectuer au moins un cycle de réaction de dépôt de couches atomiques. Pendant le cycle de réaction de dépôt de couches atomiques, on utilise au moins deux réactifs A 1, A2 et on développe une couche mince S1 sur la plage chauffée Bl. La figure 2 est un schéma servant à décrire un procédé 25 de réalisation de couches minces développées sélectivement pour des composants mécaniques par un dépôt de couches atomiques selon un second mode de réalisation de la présente invention. A la figure 2, la référence W1 désigne un dispositif de chauffage par résistance prévu sur la face 11 du substrat 10 dans le 30 plan du substrat. Le dispositif de chauffage par résistance W1 chauffe localement le substrat 10 et développe une plage chauffée B1 à la première température T 1. Pendant l'exécution du cycle de réaction de dépôt de couches atomiques utilisant deux réactifs A1, A2, il se développe une couche mince Si sur la plage chauffée B1 à la première température T 1. 3045932 9 Le dispositif de chauffage par résistance W1 présenté à la figure 2 peut être intégré directement au substrat 10. Le substrat 10 peut notamment comporter plusieurs tels dispositifs de chauffage par résistance W1 (voir figure 4a). Dans ce cas, on réalise une ou plusieurs 5 liaisons électriques E 1 dans le réacteur ALD avec le substrat pour ali- menter en énergie électrique tel ou tel dispositif de chauffage par résistance Wl. La figure 3 est une représentation schématique servant à décrire la commande des dispositifs de chauffage par résistance selon le 10 second mode de réalisation de la présente invention. La figure 3 correspond au substrat 10 présenté à la figure 2 et ayant des dispositifs de chauffage par résistance W 1. Comme le montre la figure 3, les liaisons électriques peuvent se faire soit par un support de substrat 30, c'est-à-dire à partir du dos 12, mais aussi par 15 des contacts électriques distincts E 1 sur la face 11. On peut avoir une autre liaison avec plusieurs dispositifs de chauffage par résistance W1 sur le substrat 10 par des chemins conducteurs appropriés. Ces chemins conducteurs sont conçus pour qu'en séparant mécaniquement les différentes structures du substrat 10, par exemple par sciage, on coupe 20 également les chemins conducteurs. Cette organisation et la commande des dispositifs de chauffage par résistance W1 permettent de déterminer le tracé de la première température T 1 sur le substrat 10 et ainsi la géométrie ou l'épaisseur des minces couches déposées (voir figures 5a et 5b). 25 Les figures 4a, 4b sont des représentations schématiques servant à décrire un procédé de réalisation de couches minces à développement sélectif pour des composants micromécaniques par dépôt de couches atomiques selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. 30 La figure 4b montre une vue en coupe d'une structure d'isolation thermique le long de la ligne de coupe A-A. A la figure 4a, la face 11 du substrat 10 comporte quatre dispositifs de chauffage par résistance W 1. Les dispositifs de chauffage par résistance W1 peuvent être commandés séparément les uns des 35 autres par des contacts électriques E 1 distincts. En d'autres termes, on 3045932 10 peut développer des plages B1 chauffées de manière décalée dans le temps. La commande décalée dans le temps des dispositifs de chauffage par résistance W1 sur le substrat 10 permet de déposer notamment successivement, différentes couches minces comportant différentes ma- 5 tières sur le substrat 10 par le dépôt de couches atomiques sans qu'il soit nécessaire d'enlever entretemps le substrat 10 du réacteur. Une telle commande est possible si l'on a des contacts électriques distincts E 1, E l', E 1", E 1"' pour commander les différents dispositifs de chauffage par résistance Wl. 10 Les dispositifs de chauffage par résistance W1 de la figure 4a peuvent être commandés par un circuit électronique, par exemple par un circuit CMOS Cl. Le circuit CMOS Cl permet de commander les différents dispositifs de chauffage par résistance W1 dans un ordre préalablement défini. Pour assurer la synchronisation entre les étapes 15 du procédé de dépôt ALD ou du cycle de réaction de dépôt de couches atomiques et la commande des différents dispositifs de chauffage par résistance W 1, on peut échanger un signal d'horloge entre le réacteur ALD et le circuit CMOS, Cl pour les dispositifs de chauffage par résistance Wl. 20 On peut avoir une délimitation plus précise de la plage de dépôt - c'est-à-dire au moins de la plage chauffée - avec des degrés de liberté supplémentaires de conception de cette plage si avant au moins un cycle de réaction de dépôt de couches atomiques, on réalise des structures d'isolation thermique 20 sur le substrat 10. On peut par 25 exemple avoir de telles structures d'isolation thermique 20 sous la forme de membranes dégagées M1 sur le substrat 10. Les structures d'isolation thermique 20 pourront être chauffées localement plus rapidement à cause de leur masse thermique plus réduite (figure 4b). Les figures 5a, 5b sont des schémas servant à décrire un 30 procédé de réalisation de couches minces développées sélectivement pour des composants micromécaniques par dépôt de couches atomiques selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention. Comme le montrent les figures 5a et 5b, le procédé décrit 35 permet de régler par la conception N1 de la structure d'isolation ther- 3045932 11 mique 20 dans le substrat 10 et/ou par un réglage graduel des températures T 1, T2 du dispositif de chauffage par résistance W 1, une épaisseur D 1, D2 de la couche mince Si. On utilise un profil de température entre la première température T 1 et la seconde température T2. Comme 5 le montre la figure 5a, la vitesse de dépôt AR augmente avec la tempéra- ture T. L'épaisseur de la couche mince Si varie entre une première couche D2 et une seconde couche D 1. Des couches ainsi obtenues s'appliquent notamment aux filtres optiques (filtres Fabry-Pérot) pour les applications spectroscopiques. 10 Le procédé décrit ci-dessus permet de réaliser des couches ayant une extension spatiale limitée avec des épaisseurs de l'ordre de 100 nanomètres. Cela permet notamment des applications dans le domaine des composants micromécaniques-microsystèmes et en technique des semi-conducteurs. Le procédé décrit ci-dessus est no- 15 tamment destiné à réaliser des couches catalytiques ou sensibles pour des capteurs de gaz. 20 3045932 12 NOMENCLATURE DES ELEMENTS PRINCIPAUX 10 Substrat 11 Face/côté avant 5 12 Dos/côté arrière 20 Structure d'isolation thermique Al, A2 Réactifs Bl, B2 Plages des substrats 10 C 1 Circuit CMOS D1, D2 Epaisseur d'une couche mince Si Couche mince El Contact électrique M1 Membrane dégagée 15 W1 Dispositif de chauffage par résistance REVENDICATIONS1°) Procédé pour réaliser des couches minces développées de manière sélective pour des composants micromécaniques par dépôt de couches atomiques comprenant les étapes suivantes consistant à : A) utiliser un substrat (10) ayant une face (11) et un dos (12), B) chauffer localement le substrat (10) en développant au moins une plage chauffée (B1) à une première température (T1), C) effectuer au moins un cycle de réaction de dépôt de couches atomiques en utilisant pour ce cycle de réaction de dépôt de couches atomiques au moins deux réactifs (A1, A2) et développant une couche mince (S1) sur au moins une plage chauffée (B1). 2°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le cycle de réaction de dépôt de couches atomiques utilise comme réactif le tétrachlorure de silicium (A1) et l'eau (A2). 3°) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le cycle de réaction de dépôt de couches atomiques utilise comme réactif le triméthyle méthyl-cyclopentadiène-diényle de platine (A 1) et l'oxygène (A2). 4°) Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que pendant au moins un cycle de réaction de dépôt de couches atomiques, on fait varier la première température (T 1) de la plage chauffée (B1) en fonction d'au moins deux réactifs (A1, A2). 5°) Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu' on maintient une ou plusieurs autres plages (B2) du substrat (10) à une seconde température (T2) et on règle cette seconde température (T2) pour effectuer le cycle de réaction de dépôt de couches atomiques ex- clusivement sur au moins une plage chauffée (B1) du substrat (10). 3045932 14 6°) Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu' on effectue le chauffage local du substrat (10) par absorption de rayonnement électromagnétique (L1). 5 7°) Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu' on effectue le chauffage local du substrat (10) par au moins un dispositif de chauffage par résistance (W1) de la face (11) et/ou du dos (12) du 10 substrat (10). 8°) Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu' on fait fonctionner le dispositif de chauffage par résistance (W1) par des 15 contacts électriques (E1) distincts. 9°) Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu' on commande au moins un dispositif de chauffage par résistance (W1) 20 par un circuit CMOS (Cl) intégré au substrat (10). 10°) Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu' on développe sur la face (11) du substrat (10) des structures d'isolation 25 thermique (20) et on chauffe localement les structures d'isolation ther- mique (20). 11°) Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu' 30 on règle graduellement la première température (T1) dans au moins une plage chauffée (B1) à l'aide d'au moins un dispositif de chauffage par résistance (W1). 12°) Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, 35 caractérisé en ce qu' 3045932 15 on règle la première température (T1) dans au moins une plage chauffée (BI) graduellement par absorption de rayonnement électromagnétique. 5