FR 3042379 A1 20170414 FR 1559618 A 20151009 B14292 - Multistate 1 CIRCUIT OPTOÉLECTRONIQUE À DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES Domaine La présente description concerne un circuit optoélectronique, notamment un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes. Exposé de l'art antérieur Il est souhaitable de pouvoir alimenter un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes avec une tension variable, par exemple alternative, notamment une tension sinusoïdale, par exemple la tension du secteur. La figure 1 représente un exemple de circuit optoélectronique 10 comprenant des bornes d'entrée IN' et IN2 entre lesquelles est appliquée une tension alternative VIN. Le circuit optoélectronique 10 comprend, en outre, un circuit redresseur 12 comportant un pont de diodes 14, recevant la tension VIN et fournissant une tension VALim redressée qui alimente des diodes électroluminescentes 16, par exemple montées en série avec une résistance 15. On appelle IALim le courant traversant les diodes électroluminescentes 16. La figure 2 est un chronogramme de la tension 20 d'alimentation VALim et du courant d'alimentation 'A= pour un exemple dans lequel la tension alternative VIN correspond à une tension sinusoïdale. Lorsque la tension VAtim est supérieure à la 3042379 B14292 - Multistate 2 somme des tensions de seuil des diodes électroluminescentes 16, les diodes électroluminescentes 16 deviennent passantes. Le courant d'alimentation 'A= suit alors la tension d'alimentation VALIm. Il y a donc une alternance de phases OFF d'absence 5 d'émission de lumière et de phases ON d'émission de lumière. Un inconvénient est que tant que la tension VALim est inférieure à la somme des tensions de seuil des diodes électroluminescentes 16, aucune lumière n'est émise par le circuit optoélectronique 10. Un observateur peut percevoir cette absence 10 d'émission de lumière lorsque la durée de chaque phase OFF d'absence d'émission de lumière entre deux phases ON d'émission de lumière est trop importante. Une possibilité pour augmenter la durée de chaque phase ON est de diminuer le nombre de diodes électroluminescentes 16. Un inconvénient est alors que la 15 puissance électrique perdue dans la résistance est importante. La publication US 2012/0056559 décrit un circuit optoélectronique dans lequel le nombre de diodes électroluminescentes recevant la tension d'alimentation VAtim augmente progressivement lors d'une phase de croissance de la tension d'alimentation et diminue progressivement lors d'une phase de décroissance de la tension d'alimentation. Ceci est réalisé par un circuit de commutation adapté à court-circuiter un nombre plus ou moins important de diodes électroluminescentes en fonction de l'évolution de la tension VAtim. Ceci permet de réduire la durée de chaque phase d'absence d'émission de lumière. Un inconvénient du circuit optoélectronique décrit dans la publication US 2012/0056559 est que le courant d'alimentation des diodes électroluminescentes ne varie pas de façon continue, c'est-à-dire qu'il y a de brusques interruptions de circulation du courant au cours de la variation de la tension. Ceci entraîne des variations dans le temps de l'intensité lumineuse fournie par les diodes électroluminescentes qui peuvent être perçues par un observateur. Ceci entraîne, en outre, une dégradation du taux de distorsion harmonique du courant alimentant les diodes électroluminescentes du circuit optoélectronique. 3042379 B14292 - Multistate 3 Résumé Un objet d'un mode de réalisation est de pallier tout ou partie des inconvénients des circuits optoélectroniques décrits précédemment. 5 Un autre objet d'un mode de réalisation est de réduire la durée des phases d'absence d'émission de lumière par le circuit optoélectronique. Un autre objet d'un mode de réalisation est que le courant alimentant les diodes électroluminescentes varie de façon 10 sensiblement continue. Un autre objet d'un mode de réalisation est que le courant alimentant les diodes électroluminescentes puisse être contrôlé de manière continue par un circuit extérieur au circuit optoélectronique. 15 Ainsi, un mode de réalisation prévoit un circuit optoélectronique destiné à recevoir une tension variable contenant une alternance de phases positives croissantes et décroissantes, le circuit optoélectronique comprenant : une pluralité de diodes électroluminescentes montées en 20 série ; un noeud relié à chaque diode électroluminescente, parmi au moins certaines diodes électroluminescentes de la pluralité de diodes électroluminescentes, par un circuit de conduction du courant adapté à prendre un état parmi plusieurs états dont au 25 moins des premier, deuxième et troisième états, la résistance électrique du circuit de conduction étant plus faible dans le troisième état que dans le deuxième état et étant plus faible dans le deuxième état que dans le premier état ; et un module de commande adapté, lors de chaque phase 30 croissante et de chaque phase décroissante, à commander le passage des circuits de conduction entre au moins les premier, deuxième et troisième états. Selon un mode de réalisation, chaque circuit de conduction comprend un transistor à effet de champ à grille métal-35 oxyde. 3042379 B14292 - Multistate 4 Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, en outre, un premier comparateur adapté à comparer la tension audit noeud à un premier seuil de tension et le module de commande comprend un automate fini relié au premier comparateur et adapté, 5 lors de chaque phase croissante et de chaque phase décroissante, à commander les circuits de conduction en fonction de signaux fournis par le premier comparateur. Selon un mode de réalisation, le circuit comprend un deuxième comparateur adapté à comparer la tension audit noeud à 10 un deuxième seuil de tension différent du premier seuil de tension et le module de commande est, en outre, relié au deuxième comparateur et est adapté, lors de chaque phase croissante et de chaque phase décroissante, à commander les circuits de conduction en fonction de signaux fournis par les premier et deuxième 15 comparateurs. Selon un mode de réalisation, le module de commande est adapté, lors de chaque phase croissante, à commander la mise au premier état ou au deuxième état de l'un des circuits de conduction à chaque fois que la tension audit noeud croît au-dessus du premier 20 seuil de tension, et est adapté, lors de chaque phase décroissante, à commander la mise au deuxième état ou au troisième état de l'un des circuits de conduction à chaque fois que la tension audit noeud décroît au-dessous du deuxième seuil de tension. 25 Selon un mode de réalisation, le circuit comprend, pour chaque circuit de conduction, un détecteur du courant traversant le circuit de conduction. Selon un mode de réalisation, les circuits de conduction sont répartis par rangs croissants de 1 à N selon l'ordre de début 30 d'émission de lumière des diodes électroluminescentes associées pour chaque phase croissante et décroissante. Le module de commande est adapté, pour chaque circuit de conduction de rang i traversé par du courant, à amener ledit circuit de conduction dans l'un desdits états en fonction des courants circulant dans les 35 circuits de conduction de rang i+1 à N. 3042379 B14292 - Multistate 5 Selon un mode de réalisation, chaque détecteur comprend une résistance. Selon un mode de réalisation, le circuit comprend une source de courant reliée audit noeud. 5 Selon un mode de réalisation, chaque détecteur comprend : au moins un premier miroir de courant comprenant un premier transistor à effet de champ reproduisant une partie du courant traversant le circuit de conduction ; 10 au moins un deuxième miroir de courant comprenant un deuxième transistor à effet de champ reproduisant une partie du courant fourni par la source de courant, et relié au premier transistor à effet de champ ; et au moins un circuit de fourniture d'un signal qui dépend 15 du potentiel au point milieu entre les premier et deuxième transistors. Selon un mode de réalisation, chaque diode électroluminescente comprend des diodes électroluminescentes élémentaires en parallèle et/ou en série. 20 Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : 25 la figure 1, décrite précédemment, est un schéma électrique d'un exemple d'un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes ; la figure 2, décrite précédemment, est un chronogramme de la tension et du courant d'alimentation des diodes 30 électroluminescentes du circuit optoélectronique de la figure 1 ; la figure 3 représente un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes ; 3042379 B14292 - Multistate 6 la figure 4 représente un diagramme de fonctionnement d'un mode de réalisation d'un procédé de commande du circuit optoélectronique représenté en figure 3 ; la figure 5 représente un mode de réalisation plus 5 détaillé d'un élément du circuit optoélectronique représenté en figure 3 ; les figures 6 et 7 représentent des schémas électriques d'autres modes de réalisation d'un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes ; 10 les figures 8 et 9 représentent des modes de réalisation plus détaillés d'un élément du circuit optoélectronique représenté en figure 7 ; et les figures 10 à 12 sont des chronogrammes de puissances et de tensions du mode de réalisation du circuit optoélectronique 15 de la figure 3 lors de la mise en oeuvre du mode de réalisation du procédé de commande illustré en figure 4. Description détaillée Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, les 20 diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Sauf précision contraire, les expressions "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près. De plus, on appelle "signal binaire" un signal qui alterne entre un premier état constant, par exemple un état bas, noté "0", 25 et un deuxième état constant, par exemple un état haut, noté "1". Les états haut et bas de signaux binaires différents d'un même circuit électronique peuvent être différents. En pratique, les signaux binaires peuvent correspondre à des tensions ou à des courants qui peuvent ne pas être parfaitement constants à l'état 30 haut ou bas. Par ailleurs, dans la présente description, on utilise le terme "connecté" pour désigner une liaison électrique directe, sans composant électronique intermédiaire, par exemple au moyen d'une piste conductrice, et le terme "couplé" ou le terme "relié", pour désigner soit une liaison électrique directe 3042379 B14292 - Multistate 7 (signifiant alors "connecté") soit une liaison via un ou plusieurs composants intermédiaires (résistance, condensateur, etc.). La figure 3 représente un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un circuit optoélectronique 20 comprenant un 5 dispositif de commutation de diodes électroluminescentes. Les éléments du circuit optoélectronique 20 communs avec le circuit optoélectronique 10 sont désignés par les mêmes références. En particulier, le circuit optoélectronique 20 comprend le circuit redresseur 12 recevant la tension d'alimentation VIN entre les 10 bornes IN' et IN2 et fournissant la tension VAtim redressée entre des noeuds AI et A2. A titre de variante, le circuit 20 peut recevoir directement une tension redressée, le circuit redresseur pouvant alors ne pas être présent. Le potentiel au noeud A2 peut correspondre au potentiel de référence bas, par exemple 0 V, par 15 rapport auquel sont référencées les tensions du circuit optoélectronique 20. Le circuit optoélectronique 20 comprend N ensembles en série de diodes électroluminescentes élémentaires, appelés diodes électroluminescentes globales Di dans la suite de la description, 20 où i est un nombre entier variant de 1 à N et où N est un nombre entier compris entre 2 et 200. Chaque diode électroluminescente globale D1 à DN comprend au moins une diode électroluminescente élémentaire. De préférence, chaque diode électroluminescente globale est composée de la mise en série et/ou en parallèle d'au 25 moins deux diodes électroluminescentes élémentaires. Dans le présent exemple, les N diodes électroluminescentes globales Di sont connectées en série, la cathode de la diode électroluminescente globale Di étant reliée à l'anode de la diode électroluminescente globale Di+l, pour i variant de 1 à N-1. 30 L'anode de la diode électroluminescente globale D1 est reliée au noeud AI. Les diodes électroluminescentes globales Di, i variant de 1 à N, peuvent comprendre le même nombre de diodes électroluminescentes élémentaires ou des nombres différents de diodes électroluminescentes élémentaires. 3042379 B14292 - Multistate 8 Le circuit optoélectronique 20 comprend une source de courant 30 ou une impédance dont une borne est reliée au noeud A2 et dont l'autre borne est reliée à un noeud A3. On appelle VCS la tension aux bornes de la source de courant 30 et Ics le courant 5 absorbé par la source de courant 30. Le circuit optoélectronique 20 peut comprendre un circuit, non représenté, qui fournit une tension de référence pour l'alimentation de la source de courant, éventuellement obtenue à partir de la tension VALIm. La source de courant 30 peut avoir une structure quelconque et peut notamment 10 correspondre à une résistance. La source de courant 30 peut être commandée de manière continue par un circuit externe au circuit optoélectronique 20. Le circuit 20 comprend un dispositif 32 de commutation des diodes électroluminescentes globales Di, i variant de 1 à N. 15 A titre d'exemple, le dispositif 32 comprend N circuits de conduction SW1 à SWN. Chaque circuit de conduction SWi, i variant de 1 à N, est monté entre le noeud A3 et la cathode de la diode électroluminescente globale Di. Chaque circuit SWi, i variant de 1 à N, est commandé par un signal Si fourni par un module de 20 commande 34. Pour i variant de 1 à N, on appelle Ii le courant circulant dans le circuit SWi. A titre de variante, le circuit SWN, qui protège la source de courant 30 des surtensions, peut ne pas être commandé par le module de commande 34 et être toujours passant ou peut ne pas être présent et la cathode de la diode 25 électroluminescente globale DN peut être connectée au noeud A3. Le module de commande 34 peut, en totalité ou en partie, être réalisé par un circuit dédié ou peut comprendre un microprocesseur ou un microcontrôleur adapté à exécuter une suite d'instructions stockées dans une mémoire. 30 Selon un mode de réalisation, chaque circuit SWi peut fonctionner dans K états de conduction différents, où K est un entier supérieur ou égal à 3. Un état de conduction est un état dans lequel le circuit ne laisse pas passer le courant ou laisse passer le courant avec une résistance qui peut être différente 35 selon l'état considéré. Parmi les K états de conduction du circuit 3042379 B14292 - Multistate 9 SWi, le circuit SWi peut fonctionner dans au moins K-1 états dans lesquels le circuit SWi permet le passage du courant avec des résistances électriques différentes selon le signal Si et au moins un état, dans lequel la résistance électrique du circuit SWi est 5 la plus élevée, qui peut correspondre à un état dans lequel le circuit SWi empêche le passage du courant. Le signal Si peut alors être un signal pouvant prendre plusieurs valeurs discrètes Si,1 à Si,K, chaque valeur du signal Si commandant l'un des états de l'interrupteur SWi. A titre d'exemple, l'état du circuit SWi 10 associé au signal Si,1 correspond à l'état bloqué dans lequel le circuit SWi empêche la circulation de courant et les états du circuit SWi associés respectivement aux signaux Si,2 à Si,K correspondent aux états dans lequel le circuit SWi a une résistance de plus en plus faible. A titre de variante, 15 différentes valeurs du signal Si peuvent commander un même état de conduction du circuit SWi. Le circuit optoélectronique 20 comprend un premier comparateur 36, par exemple un amplificateur opérationnel monté en comparateur, fournissant un signal DOWN au module de commande 20 34, dont l'entrée non inverseuse (+) est reliée au noeud A3 et dont l'entrée inverseuse (-) reçoit un seuil de tension VDowN fourni par un circuit 38. Selon un mode de réalisation, le comparateur 36 fournit le signal DOWN à deux états. Le signal DOWN est mis au premier état, par exemple "0", lorsque la tension VCS 25 est inférieure au seuil de tension VDowN. Le signal DOWN est mis au second état, par exemple "1", lorsque la tension VCS est supérieure au seuil de tension VDOWN- Le circuit optoélectronique 20 comprend un deuxième comparateur 40, par exemple un amplificateur opérationnel monté 30 en comparateur, fournissant un signal UP au module de commande 34, dont l'entrée inverseuse (-) est reliée au noeud A3 et dont l'entrée non inverseuse (+) reçoit un seuil de tension Vbp fourni par un circuit 42. Selon un mode de réalisation, le comparateur 40 fournit le signal UP à deux états. Le signal UP est mis au 35 premier état, par exemple "0", lorsque la tension VCS est 3042379 B14292 - Multistate 10 supérieure au seuil de tension Vûp. Le signal UP est mis au second état, par exemple "1", lorsque la tension VCS est inférieure au seuil de tension Viip, la tension Viip étant inférieure à la tension VDOWN- 5 Chaque circuit SWi est, par exemple, à base d'au moins un transistor, notamment un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde ou transistor MOS, à enrichissement ou à appauvrissement. Selon un mode de réalisation, chaque circuit de 10 conduction SWi correspond à un transistor MOS, par exemple à canal N, dont le drain est relié à la cathode de la diode électroluminescente globale Di, dont la source est reliée au noeud A3 et dont la grille reçoit le signal Si. Le transistor SWi peut fonctionner selon plus de deux états dont un état bloqué et au 15 moins deux états de conduction différents. Selon un autre mode de réalisation, le circuit de conduction SWi comprend deux transistors MOS, par exemple à canal N, entre la cathode de la diode électroluminescente globale Di et le noeud A3, le transistor connecté à la diode électroluminescente globale Di étant un 20 transistor haute tension monté en cascode et le transistor connecté au noeud A3 étant un transistor basse tension commandé par le signal Si. Ceci permet avantageusement d'augmenter la vitesse de commutation du circuit de conduction SWi. La figure 4 représente, sous la forme d'un diagramme de 25 fonctionnement, un mode de réalisation d'un procédé de commande des circuits de conduction SWi par le module de commande 34. Le procédé débute à l'étape 50. L'étape 50 correspond à une étape d'initialisation, par exemple au démarrage du circuit optoélectronique 20, c'est-à-dire 30 à la mise sous tension du circuit optoélectronique 20. A titre d'exemple, à l'étape 50, le module de commande 34 fournit les signaux Si à l'état Si,i, c'est-à-dire que tous les circuits de conduction SWi sont dans l'état où leur résistance est la plus forte. Le procédé se poursuit à l'étape 52. 3042379 B14292 - Multistate 11 A l'étape 52, le module de commande 34 maintient la fourniture des signaux Si à la dernière valeur déterminée tant que le module de commande 34 reçoit les signaux DOWN et UP à "0". A l'étape d'initialisation, aucun courant ne circulant dans les 5 diodes électroluminescentes globales D1 à DN, la tension VCS est naturellement tirée vers 0 V, et est donc inférieure à la tension Vûp, de sorte que le signal UP passe à "1". A l'étape 54, le module de commande 34 reçoit un signal UP à "1". Ceci signifie que la tension VCS a diminué au-dessous 10 de Vup. Le procédé se poursuit à l'étape 56. A l'étape 56, le module de commande 34 modifie les valeurs des signaux Si de façon à faire augmenter la tension VCS- Lorsque les circuits de conduction SW1 à SWi_i sont à l'état non passant, que les circuits de conduction SWi+1 à SWN sont à l'état 15 de conduction le plus passant et que le circuit de conduction SWi est dans l'un des états passants, une augmentation de la tension VCS peut être obtenue, dans le cas où l'état de conduction du circuit SWi n'est pas l'état le plus passant, en modifiant l'état de conduction du circuit de conduction SWi pour en augmenter la 20 conduction, ou, si l'état de conduction du circuit SWi est l'état le plus passant, en modifiant l'état du circuit SWi_i pour le mettre dans son état de conduction le moins passant. A l'étape 58, le module de commande 34 reçoit un signal DOWN à "1". Ceci signifie que la tension VCS a augmenté au-dessus 25 de VpowN. Le procédé se poursuit à l'étape 60. A l'étape 60, le module de commande 34 modifie les valeurs des signaux Si de façon à faire diminuer la tension VCS- Lorsque les circuits de conduction SW1 à SWi_i sont non passants, que les circuits de conduction SWi+1 à SWN sont à l'état de 30 conduction le plus passant et que le circuit de conduction SWi est dans l'un des états passants, une diminution de la tension VCS peut être obtenue en modifiant l'état de conduction du circuit de conduction SWi pour en diminuer la conduction. Si le circuit de conduction SWi est dans l'état non passant, l'état du circuit 3042379 B14292 - Multistate 12 de conduction SWi+1 est modifié pour rendre ce dernier moins passant. Le procédé continue alors à l'étape 52. On obtient ainsi une régulation de la tension VCS qui reste comprise entre les seuils de tension VUp et VDOWN quelles 5 que soient les variations de VALIM- Un mode de réalisation du procédé de commande du circuit optoélectronique va maintenant être décrit. Au début d'une phase ascendante de la tension VALim, c'est-à-dire, dans le cas où la tension VALim est obtenue à partir d'une tension VIN sinusoïdale, 10 lorsque VAtim croît depuis 0 V, les circuits de conduction SWi, i variant de 1 à N, sont dans l'état de conduction le plus passant. Dans une phase ascendante de la tension d'alimentation VAtim, pour i variant de 1 à N, alors que les diodes électroluminescentes globales D1 à Di_i sont passantes et que les diodes 15 électroluminescentes globales Di à DN sont bloquées, lorsque la tension aux bornes de la diode électroluminescente globale Di devient supérieure à la tension de seuil de la diode électroluminescente globale Di, celle-ci devient passante et un courant commence à circuler dans la diode électroluminescente 20 globale Di. Ceci entraîne une augmentation de la tension VCS- Lorsque la tension VCS augmente au-dessus du seuil de tension VDOWN, le module 34 commande alors le passage du circuit de conduction d'indice le plus faible parmi les circuits de conduction passants vers un état de moins en moins passant à 25 chaque fois que la tension VCS augmente au-delà de la tension VDOWN et ce jusqu'à atteindre l'état non passant. Au début d'une phase descendante de la tension d'alimentation VALim, c'est-à-dire, dans le cas où la tension VALim est obtenue à partir d'une tension VIN sinusoïdale, lorsque 30 VALim décroît depuis une valeur positive maximale, supérieure à la somme des tensions de seuil des diodes électroluminescentes D1 à DN, les circuits de conduction SWi, i variant de 1 à N-1, sont dans l'état non passant. Dans une phase descendante, les diodes électroluminescentes globales D1 à Di_i étant passantes et les 35 diodes électroluminescentes globales Di à DN étant bloquées, 3042379 B14292 - Multistate 13 lorsque la tension VCS diminue en dessous du seuil de tension Vûp, le module 34 commande alors le passage du circuit de conduction d'indice le plus fort parmi les circuits de conduction qui ne sont pas dans l'état le plus passant à un état de plus en plus passant 5 à chaque fois que la tension VCS diminue en dessous du seuil de tension Vûp et ce jusqu'à atteindre l'état de conduction le plus passant. De façon avantageuse, le mode de réalisation du procédé de commande des interrupteurs SWi décrit précédemment ne dépend 10 pas du nombre de diodes électroluminescentes élémentaires qui composent chaque diode électroluminescente globale Di et donc ne dépend pas de la tension de seuil de chaque diode électroluminescente globale. La figure 5 représente un mode de réalisation plus 15 détaillé du module de commande 34. Dans le présent mode de réalisation, le module de commande 34 comprend une machine à nombre fini d'états 70 (FSM), également appelée automate fini, à K*N états recevant les signaux DOWN et UP et fournissant un signal numérique Qi pour chaque circuit de conduction SWi. A titre 20 d'exemple, l'automate fini 70 peut fonctionner sur des fronts de UP et DOWN. Chaque valeur du signal numérique Qi code l'un des K états du circuit de conduction SWi. Le module de commande 34 comprend, en outre, un décodeur 72i (Decoder) pour chaque circuit de conduction SWi, i variant de 1 à N, chaque décodeur 72i recevant 25 le signal numérique Qi et fournissant un signal numérique Q'i. Le module de commande 34 comprend, en outre, un convertisseur numérique/analogique 74i (DAC) pour chaque circuit de conduction SWi, i variant de 1 à N, par exemple du type à modulation de largeur d'impulsion ou un réseau qui subdivise une tension en 30 plusieurs tensions intermédiaires, chaque convertisseur numérique/analogique 74i recevant le signal numérique Q'i et fournissant le signal Si. Le décodeur 72i permet de fournir un signal numérique Q'i adapté au fonctionnement du convertisseur 74i numérique/analogique associé. Le nombre de bits des signaux 3042379 B14292 - Multistate 14 numériques Qi et Q'i dépend du type de codage utilisé et de la précision du convertisseur numérique/analogique 74i. Selon un mode de réalisation, l'automate fini 70 utilise un compteur COMPT comprenant N*(K-1) bits et égal à la 5 concaténation des signaux Qi à QN et chaque signal numérique Qi comprend (K-1) bits. A l'initialisation du circuit optoélectronique, tous les bits du compteur sont mis à "0". En fonctionnement, l'automate fini 70 incrémente le compteur COMPT à la réception d'un signal UP à "1" ; si tous les bits sont mis à 10 "1", le compteur reste dans son état. L'automate fini 70 décrémente le compteur COMPT à la réception d'un signal DOWN à "1" ; si tous les bits sont mis à "0", le compteur reste dans son état. De façon avantageuse, les tensions maximales appliquées 15 aux composants électroniques, notamment les transistors MOS, des comparateurs 36, 40 restent faibles par rapport à la valeur maximale que peut prendre la tension VALIm. Il n'est alors pas nécessaire de prévoir, pour les comparateurs 36, 40, des composants électroniques pouvant supporter la valeur maximale que 20 peut prendre la tension VALIM- La figure 6 représente un schéma électrique d'un autre mode de réalisation d'un circuit optoélectronique 75 comprenant l'ensemble des éléments du circuit optoélectronique 20 à l'exception du comparateur 40 et du circuit 42 de fourniture du 25 seuil de tension Vbp qui ne sont pas présents. Le circuit optoélectronique 75 comprend, en outre, un inverseur 76 recevant le signal DOWN et fournissant au module de commande 34 le signal DOWNb qui est le complémentaire du signal DOWN. Le signal DOWNb est équivalent au signal UP décrit précédemment pour le circuit 30 optoélectronique 20 et peut être fourni à l'entrée du module de commande 34 qui, pour le circuit optoélectronique 20, reçoit le signal UP. Le module de commande 34 peut avoir la structure décrite précédemment en relation avec la figure 5. En particulier, le module de commande 34 peut comprendre un automate fini 70 35 fonctionnant comme cela a été décrit précédemment en relation avec 3042379 B14292 - Multistate 15 la figure 4. A titre de variante, le comparateur 36 peut être un comparateur à hystérésis. Selon un autre mode de réalisation, le comparateur 36 du circuit optoélectronique 75 est remplacé par une bascule de Schmitt, ayant deux tensions de seuil intrinsèques 5 VI, et VH, recevant la tension VCS et fournissant le signal DOWN. A titre d'exemple, quand la tension VCS augmente depuis 0 V, le signal DOWN reste à l'état "0" jusqu'à ce que la tension VCS dépasse le seuil de tension VH. A ce moment, le signal DOWN passe à l'état "1". Le signal DOWN reste à l'état "1" jusqu'au moment 10 où la tension VCS devient inférieure au seuil de tension VL. A ce moment, le signal DOWN passe à l'état "0". Le signal DOWN reste à l'état "0" jusqu'à ce que la tension VCS repasse au-dessus du seuil de tension VH. La figure 7 représente un schéma électrique d'un autre 15 mode de réalisation d'un circuit optoélectronique 80 comprenant l'ensemble des éléments du circuit optoélectronique 20 représenté en figure 3 à l'exception des comparateurs 36 et 40 et des circuit 38 et 42 de fourniture des tensions VDOWN et VUp qui ne sont pas présents et comprenant, en outre, pour chaque circuit de 20 conduction SWi, un capteur CTi du courant traversant le circuit de conduction SWi. Selon un mode de réalisation, le capteur CTi est monté entre le noeud A3 et le circuit de conduction SWi. Chaque capteur CTi fournit au moins un signal Mi au module de commande 34 qui indique si un courant Ii traverse ou non le circuit 25 de conduction SWi et qui éventuellement fournit une information quant à l'intensité du courant Ii. Selon un mode de réalisation, le signal Mi peut être un signal binaire à un premier niveau, par exemple "0", lorsqu'aucun courant Ii ne traverse le circuit de conduction SWi et à un deuxième niveau, par exemple "1", lorsqu'un 30 courant Ii traverse le circuit de conduction SWi. Un avantage du circuit optoélectronique 80 est qu'il permet de détecter dans quel circuit de conduction SWi circule un courant. Un mode de réalisation d'un procédé de commande des 35 circuits de conduction SWi par le module de commande 34 dans le 3042379 B14292 - Multistate 16 cas où chaque circuit de conduction SWi a trois états de conduction va maintenant être décrit. Le signal de commande Si du circuit de conduction SWi est déterminé de la façon suivante par le circuit de commande 34. Si un courant est détecté dans au moins l'un des 5 circuits de conduction SWi+2 à SWN, alors le circuit de conduction SWi est mis à l'état bloqué (signal de commande Si à la valeur Si,1). Si un courant est détecté dans le circuit de conduction SWi+1 et n'est pas détecté dans au moins l'un des circuits de conduction SWi+2 à SWN, alors le circuit de conduction SWi est 10 mis à l'état passant ayant une résistance électrique intermédiaire (signal de commande Si à la valeur Si,2). Si aucun courant n'est détecté dans au moins l'un des circuits de conduction SWi+1 à SWN, alors le circuit de conduction SWi est mis à l'état passant ayant la résistance électrique la plus faible (signal de commande Si à 15 la valeur Si,3)- De façon avantageuse, le mode de réalisation du procédé de commande des circuits de conduction SWi par le module de commande 34 décrit précédemment permet d'éviter une oscillation entre les ouvertures et les fermetures de deux circuits de 20 conduction successifs. En outre, un recouvrement entre les phases d'ouverture/de fermeture de deux circuits de conduction successifs est obtenu, ce qui permet d'éviter une interruption de la circulation du courant dans le circuit optoélectronique 20. La figure 8 représente un mode de réalisation du capteur 25 de courant CTi dans lequel le capteur de courant CTi comprend une résistance 82i reliant le noeud A3 au circuit de conduction SWi et un comparateur 84i, par exemple un amplificateur opérationnel monté en comparateur, fournissant le signal Mi, dont l'entrée non inverseuse (+) est reliée à l'une des bornes de la résistance 82i 30 et dont l'entrée inverseuse (-) est reliée à l'autre borne de la résistance 82i. La figure 9 représente un autre mode de réalisation du capteur de courant CTi. Le circuit de conduction SWi est représenté, à titre d'exemple, par un transistor MOS à canal N. 35 Le capteur de courant CTi comprend un transistor MOS 86i, par 3042379 B14292 - Multistate 17 exemple à canal P, monté en diode, dont la source est reliée à la source du circuit de conduction SWi, dont le drain est relié au noeud A3, et dont la grille est reliée au drain. Le capteur de courant CTi comprend, en outre, au moins un premier miroir de 5 courant formé par le transistor MOS 86i et par un transistor MOS 88i, par exemple à canal P, dont la source est reliée à la source du circuit de conduction SWi et dont la grille est reliée à la grille du transistor 86i. Le rapport entre la largeur du canal du transistor 86i et la largeur du canal du transistor 88i est noté 10 F1. L'intensité du courant Idetec 1 pouvant traverser le transistor 88i est égale à l'intensité du courant I'i, divisée par Fl. Dans le présent mode de réalisation, le capteur de courant CTi comprend en outre un deuxième miroir de courant formé par le transistor MOS 86i et par un transistor MOS 90i, par exemple à 15 canal P, dont la source est reliée à la source du circuit de conduction SWi, et dont la grille est reliée à la grille du transistor 86i. Le rapport entre la largeur du canal du transistor 86i et la largeur du canal du transistor 90i est noté F2. L'intensité du courant Idetec 2 pouvant traverser le transistor 20 90i est égale à l'intensité du courant I'i, divisée par F2. Dans le présent mode de réalisation, la source de courant 30 comprend un miroir de courant formé par un transistor MOS 92, par exemple à canal N, dont le drain reçoit un courant de référence IREF, dont la source est reliée au noeud A2, et dont la 25 grille est reliée au drain, et par un transistor MOS 94, par exemple à canal N, dont le drain est relié au noeud A3, dont la source est reliée au noeud A2, et dont la grille est reliée à la grille du transistor 92. Le courant traversant le transistor 94 est traversé par le courant Ics, circulant dans les diodes 30 électroluminescentes globales Di, qui est égal à IREF si les transistors 92 et 94 ont la même largeur de canal et sont saturés. Le capteur de courant CTi comprend un troisième miroir de courant formé par le transistor MOS 92 et par un transistor MOS 96i, par exemple à canal N, dont le drain est relié au drain 35 du transistor 88i, dont la source est reliée au noeud A2 et dont 3042379 B14292 - Multistate 18 la grille est reliée à la grille du transistor 92. Le rapport entre la largeur du canal du transistor 94 et la largeur du canal du transistor 96i est noté F3. Le capteur de courant CTi comprend un quatrième miroir de courant formé par le transistor MOS 92 et 5 par un transistor MOS 98i, par exemple à canal N, dont le drain est relié au drain du transistor 90i, dont la source est reliée au noeud A2 et dont la grille est reliée à la grille du transistor 92. Le rapport entre la largeur du canal du transistor 94 et la largeur du canal du transistor 98i est noté F4. Le capteur de 10 courant CTi comprend un comparateur 100i, par exemple une bascule de Schmitt, dont l'entrée est reliée au drain du transistor 96i et qui fournit un signal VSTO au module de commande 34 et un comparateur 102i, par exemple une bascule de Schmitt, dont l'entrée est reliée au drain du transistor 98i et qui fournit un 15 signal VST1 au module de commande 34. A titre d'exemple, selon la valeur de la tension drain-source du transistor 96i/98i, le signal VTSTO/VTST1 est à "0" ou à "1". Lorsqu'aucun courant ne circule dans le circuit de conduction SWi, les tensions drain-source des transistors 96i et 98i sont sensiblement nulles et les signaux 20 VTSTO et VTST1 sont, par exemple, à "0". Le niveau du potentiel en entrée du comparateur 100i (respectivement 102i) est imposé par le transistor 88i ou 96i (respectivement 90i ou 98i) dont la résistance à l'état passant est la plus faible. Lorsque l'intensité du courant Ii circulant dans le circuit de conduction 25 SWi est suffisante, la résistance à l'état passant du transistor 88i (respectivement 90i) devient inférieure à celle du transistor 96i (respectivement 98i) de sorte que le potentiel à l'entrée du comparateur 100i (respectivement 102i) s'élève et que le signal VTSTO (respectivement VTST1) passe à "1". Le rapport entre les 30 facteurs Fl et F3 définis précédemment (respectivement F2 et F4) sont choisis pour que le niveau du signal VTSTO (respectivement VTST1) bascule lorsque l'intensité du courant Ii dépasse un seuil donné. Le capteur CTi permet donc de mesurer deux seuils d'intensité du courant Ii. 3042379 B14292 - Multistate 19 Le mode de réalisation représenté en figure 9 permet de comparer l'intensité du courant Ii à deux seuils de courant. A titre de variante, un seul ou plus de deux seuils de détection peuvent être prévus. 5 Par rapport au mode de réalisation représenté en figure 8, le mode de réalisation du capteur CTi représenté en figure 9 permet, de façon avantageuse, de réduire la chute de tension due au capteur CTi. Il permet aussi de définir des seuils en courant proportionnels au courant Ics circulant dans les diodes 10 électroluminescentes et dans le transistor 94. Le nombre de niveaux de détection en courant permet en outre d'augmenter le nombre d'état de conduction des circuits de conduction SWi. La figure 10 représente des chronogrammes, obtenus par simulation, de la puissance PAtim fournie par le circuit 15 redresseur 12, de la puissance PLED utilisée par les diodes électroluminescentes D1 à DN, de la tension VCS, des seuils de tension V-DowN et Vup, des signaux UP et DOWN et des signaux S1 et S2 pour le circuit optoélectronique 20 tel que représenté en figure 3. Les figures 11 et 12 correspondent chacune à une partie 20 de la figure 10 à une échelle de temps agrandie. Pour ces simulations, la tension d'alimentation correspondait à la tension du secteur redressée. Les circuits de conduction SWi étaient des circuits à 5 états de conduction. Le seuil de tension VDOWN était égal à 4 V et le seuil de tension Vup était égal à 2 V. Dans le 25 chronogramme des signaux UP et DOWN de la figure 10, les pics apparaissant dans la phase ascendante PI de la tension d'alimentation VAtim correspondent à de brefs passages du signal DOWN à "1" et les pics apparaissant dans la phase descendante PII de la tension d'alimentation VALIM correspondent à de brefs 30 passages du signal UP à "1". Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. Bien que des modes de réalisation détaillés aient été décrits dans lesquels l'état de conduction le moins conducteur 35 électriquement de chaque circuit de conduction SWi correspond à 3042379 B14292 - Multistate 20 un état non passant, il est clair que ces modes de réalisation peuvent également être mis en oeuvre avec un circuit de conduction SWi pour lequel l'état le moins conducteur électriquement correspond néanmoins à un état dans lequel du courant circule au 5 travers du circuit SWi, par exemple un courant dont l'intensité est inférieure ou égale à la limite théorique qui est l'intensité maximale induisant une puissance dans le circuit de conduction SWi pouvant être dissipée sans causer de dysfonctionnement de celui-ci. REVENDICATIONS1. Circuit optoélectronique (20 ; 75 ; 80) destiné à recevoir une tension variable (VALIM) contenant une alternance de phases positives croissantes et décroissantes, le circuit optoélectronique comprenant : une pluralité de diodes électroluminescentes (Di) montées en série ; un noeud (A3) relié à chaque diode électroluminescente (Di), parmi au moins certaines diodes électroluminescentes de la pluralité de diodes électroluminescentes, par un circuit de conduction (SWi) du courant adapté à prendre un état parmi plusieurs états dont au moins des premier, deuxième et troisième états, la résistance électrique du circuit de conduction étant plus faible dans le troisième état que dans le deuxième état et étant plus faible dans le deuxième état que dans le premier état ; et un module de commande (34) adapté, lors de chaque phase croissante et de chaque phase décroissante, à commander le passage des circuits de conduction entre au moins les premier, deuxième et troisième états. 2. Circuit optoélectronique selon la revendication 1, dans lequel chaque circuit de conduction (SWi) comprend un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde. 3. Circuit optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, comprenant, en outre, un premier comparateur (36) adapté à comparer la tension (VCS) audit noeud à un premier seuil de tension (VDOWN) et dans lequel le module de commande (34) comprend un automate fini (70) relié au premier comparateur et adapté, lors de chaque phase croissante et de chaque phase décroissante, à commander les circuits de conduction en fonction de signaux fournis par le premier comparateur. 4. Circuit optoélectronique selon la revendication 3, comprenant un deuxième comparateur (40) adapté à comparer la tension (VCS) audit noeud à un deuxième seuil de tension (Vùp) différent du premier seuil de tension et dans lequel le module de 3042379 B14292 - Multistate 22 commande (34) est, en outre, relié au deuxième comparateur et est adapté, lors de chaque phase croissante et de chaque phase décroissante, à commander les circuits de conduction en fonction de signaux fournis par les premier et deuxième comparateurs. 5 5. Circuit optoélectronique selon la revendication 4, dans lequel le module de commande (34) est adapté, lors de chaque phase croissante, à commander la mise au premier état ou au deuxième état de l'un des circuits de conduction (SWi) à chaque fois que la tension (VCS) audit noeud (A3) croît au-dessus du 10 premier seuil de tension (VDOWN), et est adapté, lors de chaque phase décroissante, à commander la mise au deuxième état ou au troisième état de l'un des circuits de conduction à chaque fois que la tension (VCS) audit noeud (A3) décroît au-dessous du deuxième seuil de tension (Vup). 15 6. Circuit optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, comprenant, pour chaque circuit de conduction (SWi), un détecteur (CTi) du courant traversant le circuit de conduction. 7. Circuit optoélectronique selon la revendication 6, dans lequel les circuits de conduction (SWi) sont répartis par 20 rangs croissants de 1 à N selon l'ordre de début d'émission de lumière des diodes électroluminescentes (Di) associées pour chaque phase croissante et décroissante, dans lequel le module de commande (34) est adapté, pour chaque circuit de conduction (SWi) de rang i traversé par du courant, à amener ledit circuit de 25 conduction dans l'un desdits états en fonction des courants circulant dans les circuits de conduction de rang i+1 à N. 8. Circuit optoélectronique selon la revendication 6 ou 7, dans lequel chaque détecteur (CTi) comprend une résistance (82i). 30 9. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant une source de courant (30) reliée audit noeud (A3). 10. Circuit optoélectronique selon la revendication 9 dans sa dépendance à la revendication 6, dans lequel chaque 35 détecteur (CTi) comprend : 3042379 B14292 - Multistate 23 au moins un premier miroir de courant comprenant un premier transistor à effet de champ (88i) reproduisant une partie du courant traversant le circuit de conduction (SWi) ; au moins un deuxième miroir de courant comprenant un 5 deuxième transistor à effet de champ (96i) reproduisant une partie du courant fourni par la source de courant (30), et relié au premier transistor à effet de champ ; et au moins un circuit (100i) de fourniture d'un signal CVTSTO ) qui dépend du potentiel au point milieu entre les premier 10 et deuxième transistors. 11. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel chaque diode électroluminescente (Di) comprend des diodes électroluminescentes élémentaires en parallèle et/ou en série.