FR 3036534 A1 20161125 FR 1554494 A 20150520 B14169 - 13-T0-0850 1 COMMUTATEUR BIDIRECTIONNEL DE PUISSANCE À PERFORMANCES EN COMMUTATION AMÉLIORÉES Domaine La présente demande concerne un commutateur bidirectionnel de puissance. Exposé de l'art antérieur De nombreux types de commutateurs bidirectionnels de puissance ont déjà été proposés. De tels commutateurs sont par exemple utilisés connectés en série avec une charge à alimenter entre des bornes de fourniture d'une tension alternative d'alimentation (par exemple la tension secteur), pour contrôler la puissance fournie à la charge. Il existe un besoin pour un commutateur bidirectionnel de puissance palliant tout ou partie des inconvénients des commutateurs connus. Résumé Ainsi, un mode de réalisation prévoit un commutateur bidirectionnel de puissance comportant des premier et second thyristors connectés en antiparallèle entre des première et deuxième bornes de conduction du commutateur, le premier thyristor étant un thyristor à gâchette d'anode, le second thyristor étant un thyristor à gâchette de cathode, et les gâchettes des premier et second thyristors étant reliées à une même borne de commande 3036534 B14169 - 13-T0-0850 2 du commutateur, dans lequel au moins une diode ou au moins une résistance sépare la gâchette du premier thyristor de la gâchette du second thyristor. Selon un mode de réalisation, un premier dipôle relie 5 la gâchette du premier thyristor à la borne de commande et un deuxième dipôle relie la gâchette du deuxième thyristor à la borne de commande, chacun des premier et deuxième dipôles étant un résistance, une diode, une association en série d'une diode et d'une résistance, ou un fil conducteur ou une piste conductrice, 10 et au moins l'un des premier et deuxième dipôles comportant une diode ou une résistance. Selon un mode de réalisation, le premier dipôle est une diode dont l'anode est connectée à la gâchette du premier thyristor et dont la cathode est connectée à la borne de commande, 15 et le deuxième dipôle est une diode dont l'anode est connectée à la gâchette du deuxième thyristor et dont la cathode est connectée à la borne de commande. Selon un mode de réalisation, les premier et second thyristors sont de type à amorçage dans le quadrant Q1. 20 Selon un mode de réalisation, le premier dipôle est une diode dont la cathode est connectée à la gâchette du premier thyristor et dont l'anode est connectée à la borne de commande, et le deuxième dipôle est une diode dont la cathode est connectée à la gâchette du deuxième thyristor et dont l'anode est connectée à la borne de commande. Selon un mode de réalisation, les premier et second thyristors sont de type à amorçage dans le quadrant Q2. Selon un mode de réalisation, au moins l'un des premier et deuxième dipôles comprend une résistance de valeur supérieure à 10 ohms. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième thyristors sont disposés dans un même boîtier de protection comportant quatre bornes de connexion extérieures connectées respectivement aux première et deuxième bornes de conduction du commutateur, à la gâchette d'anode du premier thyristor, et à la 3036534 B14169 - 13-T0-0850 3 gâchette de cathode du deuxième thyristor, et les premier et deuxième dipôles sont disposés à l'extérieur du boîtier. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième thyristors et les premier et deuxième dipôles sont disposés dans 5 un même boîtier de protection comportant trois bornes de connexion extérieures connectées respectivement aux première et deuxième bornes de conduction et à la borne de commande du commutateur. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième dipôles sont intégrés dans la ou les puces semiconductrices 10 comprenant les premier et deuxième thyristors. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième dipôles sont des composants discrets reportés sur la ou les puces semiconductrices comprenant les premier et deuxième thyristors. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième 15 thyristors sont disposés dans des puces semiconductrices distinctes. Selon un mode de réalisation, les premier et deuxième thyristors sont intégrés dans une même puce semiconductrice et sont séparés par une région d'isolement. 20 Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : 25 la figure 1 est une représentation schématique d'un exemple d'un commutateur bidirectionnel de puissance ; la figure 2 est une représentation schématique d'un autre exemple d'un commutateur bidirectionnel de puissance ; la figure 3 est une représentation schématique d'un 30 autre exemple d'un commutateur bidirectionnel de puissance ; et la figure 4 est une représentation schématique d'un exemple d'une mode de réalisation d'un commutateur bidirectionnel de puissance. 3036534 B14169 - 13-T0-0850 4 Description détaillée De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures. Dans la présente description, on utilisera le terme "connecté" pour désigner une liaison 5 électrique directe, sans composant électronique intermédiaire, par exemple au moyen d'une ou plusieurs pistes conductrices ou d'un ou plusieurs fils conducteurs, et le terme "relié", pour désigner soit une liaison électrique directe (signifiant alors "connecté") soit une liaison via un ou plusieurs composants 10 intermédiaires (résistance, condensateur, diode, etc.). Sauf précision contraire, les expressions "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 20 % près, de préférence à 10 % près. Dans la présente description, on entend par commutateur 15 bidirectionnel de puissance un commutateur bidirectionnel en courant et en tension adapté à tenir des tensions relativement élevées à l'état ouvert, par exemple des tensions supérieures à 100 V et typiquement de l'ordre de 600 V ou plus. On s'intéresse ici plus particulièrement aux 20 commutateurs bidirectionnels de puissance du type comportant une association en antiparallèle de deux thyristors. Dans un tel commutateur, l'un des thyristors est utilisé pour conduire des courants d'une première polarité, et l'autre thyristor est utilisé pour conduire des courants de polarité 25 opposée. La fermeture d'un tel commutateur s'obtient en appliquant, sur une borne de commande du commutateur, un signal de commande apte à provoquer la mise en conduction du thyristor polarisé en direct. L'ouverture du commutateur s'effectue naturellement lorsque l'intensité du courant qui le traverse 30 descend en dessous d'un seuil de conduction du thyristor actif (le thyristor préalablement mis en conduction), ou courant de maintien (IH) de ce thyristor. Un problème qui se pose est que lors de l'ouverture d'un tel commutateur, par exemple à la fin d'une alternance du signal 35 d'alimentation de la charge, il se produit un phénomène de 3036534 B14169 - 13-T0-0850 5 recouvrement de charges entrainant l'inversion du courant circulant dans le thyristor actif. Normalement, ce courant inverse finit par s'annuler, et le commutateur reste bloqué jusqu'à la prochaine application d'un signal de déclenchement sur sa borne 5 de commande. Toutefois, si l'intensité et la durée du courant inverse circulant dans le thyristor actif sont trop importantes, il existe un risque d'amorçage intempestif (non commandé) de l'autre thyristor (le thyristor inactif) en raison de transferts de porteurs qui peuvent se produire entre les deux thyristors. En 10 pratique, la durée et l'amplitude du courant inverse circulant dans le thyristor actif lors de sa commutation de l'état passant vers l'état bloqué dépend de la pente de décroissance du courant circulant dans le commutateur et de la pente de croissance de la tension réappliquée aux bornes du commutateur lors de la 15 commutation. Plus ces pentes sont élevées, plus le courant de recouvrement est important, et plus le risque d'amorçage intempestif du thyristor inactif est important. Dans certaines applications, par exemple les applications de contrôle de moteur, il est important de pouvoir 20 disposer de commutateurs bidirectionnels ayant de bonnes performances de commutation, c'est-à-dire capables de s'ouvrir sans risque de réamorçage intempestif lorsque les pentes de variation du signal de puissance vu par le commutateur sont importantes. 25 En pratique, pour respecter les contraintes de performances en commutation requises dans certaines applications, les concepteurs de circuits doivent prendre des précautions relativement contraignantes, pouvant notamment conduire à augmenter le prix de revient du dispositif. Par exemple, pour 30 obtenir les performances en commutation souhaitées, les concepteurs de circuits sont souvent amenés à choisir des commutateurs surdimensionnés par rapport aux besoins effectifs de l'application en termes d'intensité de courant et d'amplitude de tension vues par le commutateur. En outre, ils peuvent être 35 contraints de connecter aux bornes du commutateur un circuit de 3036534 B14169 - 13-T0-0850 6 filtrage, par exemple un circuit RC, pour augmenter la robustesse du commutateur aux amorçages intempestifs. La figure 1 est une représentation schématique d'un triac TR. Les triacs sont parmi les commutateurs bidirectionnels 5 de puissance les plus classiques. Un triac correspond à l'association en antiparallèle de deux thyristors (non visibles sur la figure). L'anode du premier thyristor et la cathode du deuxième thyristor sont connectées à une première borne principale ou borne de conduction Al du triac. La cathode du premier thyristor 10 et l'anode du deuxième thyristor sont connectées à une deuxième borne principale ou borne de conduction A2 du triac. La gâchette ou borne de commande G d'un triac classique correspond à la gâchette des deux thyristors qui le constituent. Les signaux de commande appliqués sur la gâchette G sont référencés par rapport 15 à l'une des deux bornes de conduction Al et A2. Un triac classique est un composant monolithique, c'est-à-dire que les deux thyristors qui le constituent sont formés dans une même puce semiconductrice. Il n'est généralement pas prévu d'isolation entre les deux thyristors, qui peuvent partager de 20 mêmes couches semiconductrices notamment au niveau de leurs parties actives. Des transferts de porteurs sont donc susceptibles de se produire entre les deux thyristors, ce qui limite les performances en commutation d'un tel composant. La figure 2 est une représentation schématique d'un 25 autre exemple d'un commutateur bidirectionnel de puissance. Le commutateur de la figure 2 comprend deux thyristors à gâchette de cathode TH1 et TH2 connectés en antiparallèle. Dans cet exemple, les thyristors TH1 et TH2 sont isolés l'un de l'autre, c'est-à-dire qu'ils sont formés dans des puces semiconductrices 30 distinctes, ou qu'ils sont intégrés dans une même puce semiconductrice mais que leurs parties actives sont séparées par une région d'isolement. L'anode du thyristor TH1 et la cathode du thyristor TH2 sont connectées à une première borne principale ou borne de conduction Al du commutateur. La cathode du thyristor 35 TH1 et l'anode du thyristor TH2 sont connectées à une deuxième 3036534 B14169 - 13-T0-0850 7 borne principale ou borne de conduction A2 du commutateur. Les gâchettes de cathode des thyristors TH1 et TH2 sont connectées à deux bornes de commande Gl et G2 isolées l'une de l'autre. Si la tension entre les bornes Al et A2 est positive, 5 la fermeture du commutateur s'obtient en appliquant sur la borne de commande G2 un signal de commande référencé par rapport à la borne de conduction A2, apte à provoquer la mise en conduction du thyristor TH2. Si la tension entre les bornes Al et A2 est négative, la fermeture du commutateur s'obtient en appliquant sur 10 la borne de commande Gl un signal de commande référencé par rapport à la borne de conduction Al, apte à provoquer la mise en conduction du thyristor TH1. Dans un tel commutateur, les thyristors TH1 et TH2 étant isolés l'un de l'autre, les risques de transferts de porteurs 15 entre les deux thyristors et d'amorçage intempestif du thyristor inactif lors de l'ouverture du thyristor actif sont faibles. Un tel commutateur présente donc de bonnes performances en commutation. Toutefois, un inconvénient d'un tel commutateur est qu'il comprend deux bornes de commande isolées référencées par 20 rapport à des bornes de conduction distinctes du commutateur. Ce commutateur nécessite donc un circuit de commande relativement complexe. La figure 3 est une représentation schématique d'un autre exemple d'un commutateur bidirectionnel de puissance. Le 25 commutateur de la figure 3 comprend un thyristor à gâchette de cathode TH et un thyristor à gâchette d'anode AGT connectés en antiparallèle. Comme dans l'exemple de la figure 2, les deux thyristors TH et AGT sont isolés l'un de l'autre, c'est-à-dire qu'ils sont formés dans des puces semiconductrices distinctes, ou 30 qu'ils sont intégrés dans une même puce semiconductrice mais séparés l'un de l'autre par une région d'isolement. L'anode du thyristor AGT et la cathode du thyristor TH sont connectées à une première borne principale ou borne de conduction Al du commutateur. La cathode du thyristor AGT et l'anode du thyristor 35 TH sont connectées à une deuxième borne principale ou borne de 3036534 B14169 - 13-T0-0850 8 conduction A2 du commutateur. La gâchette de cathode GTH du thyristor TH et la gâchette d'anode GAGT du thyristor AGT sont connectées à une même borne de commande G du commutateur. La fermeture du commutateur s'obtient en appliquant sur 5 la borne de commande G un signal de commande référencé par rapport à la borne de conduction Al, apte à provoquer la mise en conduction du thyristor AGT si la tension entre les bornes Al et A2 est positive, et la mise en conduction du thyristor TH si la tension entre les bornes Al et A2 est négative. 10 Par rapport au commutateur de la figure 2, le commutateur de la figure 3 présente l'avantage de comprendre une unique borne de commande G référencée par rapport à l'une seulement des bornes de conduction du commutateur, ce qui simplifie la mise en oeuvre de sa commande. 15 Par rapport au triac de la figure 1, le commutateur de la figure 3 a comme avantage que les parties actives de ses deux thyristors sont isolées l'une de l'autre, ce qui limite les risques d'amorçage parasite du thyristor inactif lors de l'ouverture du thyristor actif. 20 Des essais réalisés sur des commutateurs du type décrit en relation avec la figure 3 ont toutefois montré que les performances en commutation de ce type de commutateur restent relativement faibles, notamment par rapport à un commutateur du type décrit en relation avec la figure 2. Une explication possible 25 réside dans le fait que les gâchettes GTH et GAGT des deux thyristors sont connectées, ce qui rend possible des transferts parasites de porteurs entre les deux thyristors. Une étude menée par la société demanderesse a notamment mis en exergue que lors de l'ouverture du thyristor AGT (à la fin d'une phase de 30 circulation d'un courant de l'électrode Al vers l'électrode A2 du commutateur), pendant la phase de recouvrement de charges dans le thyristor AGT, un courant relativement important, typiquement de l'ordre de quelques mA, transite du thyristor AGT vers le thyristor TH par l'intermédiaire des gâchettes GAGT et GTH des 35 deux thyristors. En outre, lors de l'ouverture du thyristor TH (à 3036534 B14169 - 13-T0-0850 9 la fin d'une phase de circulation d'un courant de l'électrode Al vers l'électrode A2 du commutateur), pendant une phase de recouvrement de charges dans le thyristor TH, un courant (moins important) transite du thyristor TH vers le thyristor AGT par 5 l'intermédiaire des gâchettes GTH et GAGT- Selon un aspect d'un mode de réalisation, on prévoit un commutateur bidirectionnel de puissance comportant un thyristor à gâchette d'anode et un thyristor à gâchette de cathode connectés en antiparallèle, les gâchettes des deux thyristors étant reliées 10 à une même borne de commande du commutateur et au moins une résistance ou au moins une diode séparant les gâchettes des deux thyristors. La figure 4 est une représentation schématique d'un exemple d'une mode de réalisation d'un commutateur bidirectionnel 15 de puissance. Le commutateur de la figure 4 comprend un thyristor à gâchette de cathode TH et un thyristor à gâchette d'anode AGT connectés en antiparallèle. Comme dans l'exemple de la figure 3, les thyristors TH et AGT sont isolés l'un de l'autre, c'est-à-dire qu'ils sont formés dans des puces semiconductrices 20 distinctes, ou qu'ils sont intégrés dans une même puce semiconductrice mais séparés l'un de l'autre par une région d'isolement. L'anode du thyristor AGT et la cathode du thyristor TH sont connectées à une première borne principale ou borne de conduction Al du commutateur. La cathode du thyristor AGT et 25 l'anode du thyristor TH sont connectées à une deuxième borne principale ou borne de conduction A2 du commutateur. Dans l'exemple de la figure 4, un élément Cl relie la gâchette d'anode GAGT du thyristor AGT à une borne de commande G du commutateur, et un élément C2 relie la gâchette d'anode GTH du 30 thyristor TH à la borne G. L'élément Cl est un dipôle dont une première extrémité est connectée à la gâchette GAGT du thyristor AGT et dont l'autre extrémité est connectée à la borne G, et l'élément C2 est un dipôle dont une première extrémité est connectée à la gâchette GTH du thyristor TH et dont l'autre 35 extrémité est connectée à la borne G. Chacun des éléments Cl et 3036534 B14169 - 13-T0-0850 10 C2 peut être une résistance, une diode, ou une simple piste conductrice (ou fil conducteur), par exemple en métal. Au moins l'un des éléments Cl et C2 est une résistance ou une diode, de sorte que la gâchette d'anode GAGT du thyristor AGT et la gâchette 5 de cathode GTH du thyristor TH ne sont pas directement connectées l'une à l'autre. Dans le cas où l'élément Cl ou C2 est une résistance, la valeur de la résistance est choisie nettement supérieure à la résistance normale d'une piste conductrice ou d'un fil conducteur, par exemple supérieure ou égale à 10 ohms. 10 Plusieurs possibilités apparaîtront à l'homme du métier quant au choix des éléments Cl et C2 permettant d'obtenir l'effet recherché, à savoir la limitation ou la suppression des courants parasites circulant entre les deux thyristors par l'intermédiaire de leurs électrodes de gâchettes respectives, tout en conservant 15 la possibilité de commander le commutateur par l'intermédiaire d'une unique borne de commande G référencée par rapport à l'une seulement de ses électrodes de conduction Al et A2. En préambule, on notera que les modes de réalisation décrits peuvent s'appliquer quels que soient les types d'amorçage 20 et les structures des thyristors TH et AGT. En particulier, les thyristors TH et AGT peuvent être des thyristors de type à amorçage dans le quadrant Q1 ou Q2. Un thyristor à amorçage dans le quadrant Q1 est un thyristor qui peut être commandé à l'état passant par injection d'un courant positif sur sa gâchette lorsque sa tension 25 anode-cathode est positive. Un thyristor à amorçage dans le quadrant Q2 est un thyristor pouvant être commandé à l'état passant par injection d'un courant négatif sur sa gâchette lorsque sa tension anode-cathode est positive. Dans la suite, on appellera respectivement TH Ql, TH Q2, AGT Q1 et AGT Q2 un thyristor à 30 gâchette de cathode TH de type à amorçage dans le quadrant Ql, un thyristor à gâchette de cathode TH de type à amorçage dans le quadrant Q2, un thyristor à gâchette d'anode AGT de type à amorçage dans le quadrant Ql, et un thyristor à gâchette d'anode AGT de type à amorçage dans le quadrant Q2. De plus, pour des thyristors 35 TH et AGT à structures verticales, quel que soit le type d'amorçage 3036534 B14169 - 13-T0-0850 11 choisi, la structure du thyristor TH ou AGT peut être telle que la borne de conduction du thyristor à laquelle est référencée la gâchette (à savoir la cathode pour le thyristor TH et l'anode pour le thyristor AGT) soit sur la même face du thyristor que la borne 5 de gâchette (structure verticale classique) ou soit sur la face du thyristor opposée à la gâchette (structure verticale dite de type ACS). Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à des thyristors TH et AGT à structure verticale, et peuvent notamment être mis en oeuvre en utilisant des 10 thyristors TH et AGT à structure planaire. Plus généralement, les thyristors TH et AGT peuvent être réalisés dans toute technologie connue et selon tout agencement connu de réalisation de thyristors à gâchette de cathode et de thyristors à gâchette d'anode. Le choix des éléments Cl et C2 sera fait en fonction du 15 type des thyristors TH et AGT utilisés. A titre d'exemple, les thyristors TH et AGT sont respectivement de type TH Q2 et AGT Q2, c'est-à-dire à amorçage en courant négatif. Dans ce cas, l'élément Cl peut être une diode dont l'anode est connectée à la gâchette GAGT du thyristor AGT et 20 dont la cathode est connectée à la borne G, et l'élément C2 peut être une diode dont l'anode est connectée à la gâchette GTH du thyristor TH et dont la cathode est connectée à la borne G. Dans une telle configuration, le commutateur est amorcé par application d'un courant négatif sur sa borne G (référencée par rapport à la 25 borne Al). Lors de la commutation à l'état ouvert, les diodes Cl et C2 bloquent les éventuels courants parasites susceptibles de circuler de la gâchette GAGT du thyristor AGT vers la gâchette GTH du thyristor TH, ou de la gâchette GTH du thyristor TH vers la gâchette GAGT du thyristor AGT. 30 A titre de variante, les thyristors TH et AGT sont respectivement de type TH Q1 et AGT Ql, c'est-à-dire à amorçage en courant positif. Dans ce cas, les éléments Cl et C2 peuvent être des diodes connectées en direct respectivement entre la borne G et la gâchette GAGT du thyristor AGT et entre la borne G et la 35 gâchette GTH du thyristor TH. Le commutateur peut alors être 3036534 B14169 - 13-T0-0850 12 amorcé par application d'un courant positif sur sa borne G (référencée par rapport à la borne Al). Lors de la commutation à l'état ouvert, les diodes Cl et C2 bloquent les éventuels courants parasites susceptibles de circuler de la gâchette GAGT du 5 thyristor AGT vers la gâchette GTH du thyristor TH, ou de la gâchette GTH du thyristor TH vers la gâchette GAGT du thyristor AGT. Plus généralement, d'autres choix de combinaison et d'orientation des éléments Cl et C2 peuvent être réalisés en 10 fonction des quadrants dans lesquels on souhaite pouvoir commander le commutateur. A titre de variante, l'un et/ou l'autre des éléments Cl et C2 peut être une résistance, par exemple de valeur comprise entre 10 et 200 ohms, ce qui permet non pas de bloquer mais de 15 limiter significativement les transferts parasites de porteurs entre les deux thyristors par l'intermédiaires de leurs gâchettes GAGT et GTH- A titre de variante, l'un et/ou l'autre des éléments Cl et C2 peut être une résistance connectée en série avec une diode. 20 Un avantage du mode de réalisation décrit en relation avec la figure 4 est qu'il permet, avec un coût relativement limité, d'améliorer significativement les performances en commutation d'un commutateur du type décrit en relation avec la figure 3. On notera en particulier que les éléments Cl et/ou C2 25 ajoutés par rapport au commutateur de la figure 3 sont relativement peu coûteux dans la mesure où il ne s'agit pas d'éléments destinés à supporter de fortes puissances, mais seulement à bloquer et/ou limiter les courants parasites circulant entre les gâchettes des deux thyristors. 30 A titre d'exemple, les thyristors AGT et TH peuvent être deux puces semiconductrices distinctes assemblées dans un même boîtier de protection comportant quatre bornes de connexion extérieures connectées respectivement aux bornes Al, A2, GAGT et GTH Cette configuration laisse la possibilité au concepteur du 3036534 B14169 - 13-T0-0850 13 circuit applicatif de choisir lui-même les éléments Cl et C2 à ajouter, en fonction des contraintes de l'application. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce cas particulier. A titre de variante, les 5 éléments Cl et/ou C2 sont disposés dans le même boîtier de protection que les thyristors TH et AGT, ce boîtier pouvant alors ne comporter que trois bornes de connexion extérieures connectées respectivement aux bornes Al, A2 et G du commutateur. A titre de variante, les thyristors TH et AGT sont 10 intégrés dans une même puce semiconductrice et séparés par une région d'isolement. Les éléments Cl et/ou C2 peuvent alors soit être des composants discrets soit être intégrés dans la puce comportant les thyristors TH et AGT. REVENDICATIONS1. Commutateur bidirectionnel de puissance comportant des premier (AGT) et second (TH) thyristors connectés en antiparallèle entre des première (Al) et deuxième (A2) bornes de conduction du commutateur, le premier thyristor (AGT) étant un thyristor à gâchette d'anode, le second thyristor (TH) étant un thyristor à gâchette de cathode, et les gâchettes (GAGT, GTH) des premier (AGT) et second (TH) thyristors étant reliées à une même borne de commande (G) du commutateur, dans lequel au moins une diode (Cl, C2) ou au moins une 10 résistance (Cl, C2) sépare la gâchette (GAGT) du premier thyristor (AGT) de la gâchette (GTH) du second thyristor (TH). 2. Commutateur selon la revendication 1, dans lequel un premier dipôle (Cl) relie la gâchette du premier thyristor (AGT) à la borne de commande (G) et un deuxième dipôle (C2) relie la 15 gâchette du deuxième thyristor (TH) à la borne de commande (G), chacun des premier (Cl) et deuxième (C2) dipôles étant un résistance, une diode, une association en série d'une diode et d'une résistance, ou un fil conducteur ou une piste conductrice, et au moins l'un des premier (Cl) et deuxième (C2) dipôles 20 comportant une diode ou une résistance. 3. Commutateur selon la revendication 2, dans lequel le premier dipôle (Cl) est une diode dont l'anode est connectée à la gâchette (GAGT) du premier thyristor (AGT) et dont la cathode est connectée à la borne de commande (G), et dans lequel le deuxième 25 dipôle (C2) est une diode dont l'anode est connectée à la gâchette (GTH) du deuxième thyristor (TH) et dont la cathode est connectée à la borne de commande (G). 4. Commutateur selon la revendication 3, dans lequel les premier (AGT) et second (TH) thyristors sont de type à amorçage 30 dans le quadrant Ql. 5. Commutateur selon la revendication 2, dans lequel le premier dipôle (Cl) est une diode dont la cathode est connectée à la gâchette (GAGT) du premier thyristor (AGT) et dont l'anode est connectée à la borne de commande (G), et dans lequel le deuxième 3036534 B14169 - 13-T0-0850 15 dipôle (C2) est une diode dont la cathode est connectée à la gâchette (GTH) du deuxième thyristor (TH) et dont l'anode est connectée à la borne de commande (G). 6. Commutateur selon la revendication 5, dans lequel 5 les premier (AGT) et second (TH) thyristors sont de type à amorçage dans le quadrant Q2. 7. Commutateur selon l'une quelconque des revendications 2 à 6, dans lequel au moins l'un des premier (Cl) et deuxième (C2) dipôles comprend une résistance de valeur supérieure à 10 ohms. 8. Commutateur selon l'une quelconque des revendications 2 à 7, dans lequel les premier (AGT) et deuxième (TH) thyristors sont disposés dans un même boîtier de protection comportant quatre bornes de connexion extérieures connectées respectivement aux première (Al) et deuxième (A2) bornes de conduction du commutateur, à la gâchette d'anode (GAGT) du premier thyristor (AGT), et à la gâchette de cathode (GTH) du deuxième thyristor (TH), et dans lequel les premier (Cl) et deuxième (C2) dipôles sont disposés à l'extérieur du boîtier. 9. Commutateur selon l'une quelconque des revendi- cations 2 à 7, dans lequel les premier (AGT) et deuxième (TH) thyristors et les premier (Cl) et deuxième (C2) dipôles sont disposés dans un même boîtier de protection comportant trois bornes de connexion extérieures connectées respectivement aux première (Al) et deuxième (A2) bornes de conduction et à la borne de commande (G) du commutateur. 10. Commutateur selon la revendication 9, dans lequel les premier (Cl) et deuxième (C2) dipôles sont intégrés dans la ou les puces semiconductrices comprenant les premier (AGT) et 30 deuxième (TH) thyristors. 11. Commutateur selon la revendication 9, dans lequel les premier (Cl) et deuxième (C2) dipôles sont des composants discrets reportés sur la ou les puces semiconductrices comprenant les premier (AGT) et deuxième (TH) thyristors. 3036534 B14169 - 13-T0-0850 16 12. Commutateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel les premier (AGT) et deuxième (TH) thyristors sont disposés dans des puces semiconductrices distinctes. 5 13. Commutateur selon l'une quelconque des revendi- cations 1 à 11, dans lequel les premier (AGT) et deuxième (TH) thyristors sont intégrés dans une même puce semiconductrice et sont séparés par une région d'isolement.