FR 3046496 A1 20170707 FR 1650048 A 20160105 1 Photorésistance à sensibilité améliorée Domaine de l'invention [1] L'invention concerne le domaine des photorésistances, et en particulier des 5 photorésistances organiques. Etat de la technique [2] Une photorésistance comporte typiquement deux électrodes associées à une couche photosensible de telle sorte qu'il résulte l'observation d'une résistivité de la 10 photorésistance en fonction d'un flux lumineux impactant la photorésistance. La photorésistance est dite organique lorsque la couche photosensible est formée par un matériau organique, notamment par un semi-conducteur organique. [3] Une telle photorésistance est caractérisée par un courant de fuite, aussi appelé courant d'obscurité, qui correspond au courant résiduel entre les électrodes 15 soumises à une tension donnée lorsque la photorésistance n'est pas illuminée par le flux lumineux, ou autrement dit lorsque la photorésistance est placée dans l'obscurité. [4] La sensibilité S d'une telle photorésistance est alors donnée par la formule suivante : 20 Courantlumière-Courantobscur = éeq. Puissancelumineusereçue où Courantiumière correspond au courant traversant la photorésistance lorsqu'elle est soumise à flux lumineux issu d'une source lumineuse de puissance connue Puissance lumineuse reçue, et où COUrantobscurité correspond à la valeur de courant 25 d'obscurité décrite précédemment. [5] Pour améliorer l'utilisation d'une photorésistance, il est préférable que cette dernière présente une sensibilité élevée. Pour cela il est usuel de jouer sur les caractéristiques de sa couche photosensible et/ou des électrodes en contact avec ladite couche photosensible. 30 Objet de l'invention [6] Il existe donc un besoin d'optimiser la sensibilité des photorésistances. 3046496 2 [7] On tend à satisfaire ce besoin en proposant une photorésistance comprenant deux électrodes reliées par une couche photosensible de la photorésistance, en outre la photorésistance comporte au moins une couche additionnelle en contact avec la couche photosensible pour avoir une action sur le comportement de la photorésistance vis-à-vis de la collecte des porteurs entre les deux électrodes en vue d'améliorer la sensibilité de la photorésistance. [8] Selon une réalisation, ladite au moins une couche additionnelle est une monocouche auto-assemblée située entre les deux électrodes et configurée de sorte à augmenter la résistivité de la couche photosensible à son interface avec ladite monocouche auto-assemblée pour réduire le courant d'obscurité de ladite photorésistance. [9] La couche photosensible peut être de conductivité de type P, et la monocouche auto-assemblée est alors de conductivité de type N. [0010] La couche photosensible peut être de conductivité de type N, et la 15 monocouche auto-assemblée est alors de conductivité de type P. [0011] Avantageusement, ladite au moins une couche additionnelle est une couche de PEDOT:PSS formée sur au moins une partie d'une face avant de la couche photosensible opposée à une face arrière de la couche photosensible en contact avec les électrodes. 20 [0012] Préférentiellement, la photorésistance comporte deux couches additionnelles dont l'une est formée par la monocouche auto-assemblée, et l'autre est formée par la couche de PEDOT:PSS. [0013] Notamment, au moins une partie de la couche photosensible est prise en sandwich entre la couche de PEDOT:PSS et la monocouche auto-assemblée. 25 [0014] Préférentiellement, la couche photosensible est formée par un matériau semiconducteur organique photosensible. [0015] L'invention est aussi relative à un procédé de fabrication d'une photorésistance telle que décrite, ce procédé comporte : une étape de formation de deux électrodes de la photorésistance ; une étape de formation d'une couche 30 photosensible de la photorésistance reliant les deux électrodes ; une étape de formation d'au moins une couche additionnelle de la photorésistance destinée à être en contact avec la couche photosensible pour avoir une action sur le comportement de la photorésistance vis-à-vis de la collecte des porteurs entre les deux électrodes en vue d'améliorer la sensibilité de la photorésistance. 3046496 3 [0016] Notamment, l'étape de formation de ladite au moins une couche additionnelle comporte la formation d'une monocouche auto-assemblée entre les deux électrodes. [0017] Avantageusement, l'étape de formation de ladite au moins une couche additionnelle comporte la formation une couche de PEDOT:PSS formée sur au moins 5 une partie d'une face avant de la couche photosensible opposée à une face arrière de la couche photosensible en contact avec les électrodes. Description des dessins [0018] L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, 10 donnée uniquement à titre d'exemple non limitatif, et faite en se référant aux dessins sur lesquels : - la figure 1 est une illustration schématique vue en coupe d'une réalisation d'une photorésistance selon un mode d'exécution de l'invention, - la figure 2 est un graphique en échelle logarithmique permettant de comparer les courants sous lumière (courbes C3 et C4) et d'obscurité (courbes Cl et C2) d'une photorésistance classique (courbes Cl et C3) avec ceux d'une photorésistance équipée d'une monocouche auto-assemblée sous la couche photosensible et d'une couche PEDOT:PSS par dessus la couche photosensible (courbes C2 et C4) en fonction de la tension appliquée aux bornes des photorésistances, - la figure 3 permet d'illustrer l'avantage de l'utilisation de la couche de PEDOT:PSS (courbe C6) par rapport à une photorésistance dépourvue d'une telle couche (courbe C5) en donnant l'évolution du courant sous illumination en échelle linéaire en fonction de la tension de bias, - la figure 4 illustre une étape de formation de deux électrodes notamment sur un substrat, - la figure 5 illustre la formation d'une monocouche auto-assemblée à partir de la structure de la figure 4, - la figure 6 illustre la formation d'une couche photosensible sur la structure 30 de la figure 5, - la figure 7 illustre la formation d'une couche de PEDOT:PSS sur la structure de la figure 6, - la figure 8 illustre un autre mode d'exécution comprenant une couche photosensible réalisée sur la structure de la figure 4, 3046496 4 - la figure 9 illustre la formation d'une couche de PEDOT:PSS sur la structure de la figure 8. [0019] Dans ces figures, les mêmes références sont utilisées pour désigner les mêmes éléments. 5 Description de modes particuliers de mise en oeuvre de l'invention [0020] Dans la suite de cette description, les caractéristiques et fonctions bien connues de l'homme du métier ne sont pas décrites en détails. [0021] Dans la présente description, les porteurs font référence, le cas échéant, à 10 des électrons et/ou à des trous. [0022] Dans la présente description, lorsque le mot « transparence » ou le mot « transparent » est utilisé, on fait référence à une transparence au flux lumineux auquel la photorésistance est destinée à être soumise. Notamment, ce flux lumineux est émis par une source de lumière. En particulier, la transparence d'un matériau à un 15 flux de lumière est définie lorsque ce matériau laisse passer au moins 90 % du flux lumineux quand ce dernier frappe son interface, on notera que cela ne veut pas dire que le matériau n'absorbe pas une partie de ce flux lumineux une fois rentré dans son volume. [0023] Pour étalonner une photorésistance, et en connaître ses caractéristiques, il 20 est possible d'appliquer le protocole suivant : placer la photorésistance dans l'obscurité et mesurer le courant d'obscurité pour différentes valeurs de tension fixées ; placer la photorésistance dans une enceinte comportant une source de lumière, par exemple une diode électroluminescente, dont le rendement courant/puissance lumineuse est connu (permettant ainsi de déterminer la puissance 25 de la source lumineuse en mesurant simplement son courant) et mesurer le courant de la photorésistance pour les différentes valeurs de tension fixées, il est alors facile de connaître les caractéristiques de la photorésistance en utilisant l'équation 1 donnée précédemment. Classiquement, le courant peut être mesuré à l'aide d'un multimètre. [0024] La présente photorésistance diffère de l'art antérieur notamment en ce qu'elle propose l'utilisation d'une couche additionnelle judicieusement placée de telle sorte à présenter une interface de contact avec la couche photosensible de la photorésistance entre les électrodes de la photorésistance. 3046496 5 [0025] En reprenant l'équation 1 décrite ci-avant, on propose ici d'améliorer la sensibilité de la photorésistance soit en augmentant le courant apte à la traverser lorsque la photorésistance est soumise à un flux lumineux, soit en diminuant le courant d'obscurité. Ces deux cas permettent d'améliorer indépendamment la 5 sensibilité de la photorésistance. On s'intéresse ici tout particulièrement au comportement des porteurs entre les deux électrodes pour proposer l'ajout d'au moins une couche additionnelle permettant du fait de son contact avec la couche photosensible d'avoir une action sur le comportement de la photorésistance vis-à-vis de la collecte des porteurs entre les électrodes. 10 [0026] La figure 1 représente une photorésistance 1 selon un mode d'exécution de l'invention. La photorésistance 1 comprend deux électrodes 2a, 2b reliées par une couche photosensible 3 de la photorésistance 1. Autrement dit, la couche photosensible 3 est en contact physique avec les deux électrodes 2a, 2b. Les deux électrodes 2a, 2b peuvent être transparente par exemple formées en ITO (acronyme 15 de l'anglais « Indium Tin Oxyde » pour oxyde indium-étain) d'épaisseur de l'ordre de 50nm, ou bien peuvent être formées dans un autre matériau métallique comme l'or l'argent ou le nickel, ou bien peuvent être formées en TCO (acronyme de l'anglais « Transparent Conducting Oxyde » pour oxyde transparent conducteur) et dans ce cas l'épaisseur des électrodes peut être de 100nm. La couche photosensible 3 est 20 préférentiellement formée par un matériau semi-conducteur organique photosensible, par exemple de type P3HT:PCBM, la photorésistance 1 est alors une photorésistance organique. La couche photosensible 3 présente avantageusement une épaisseur comprise entre 300nm et 800nm, et plus particulièrement entre 500nm et 700nm. En particulier, la couche photosensible 3 comporte une première face 4 dont une 25 première zone Z1 est en contact avec l'une des électrodes 2a et une deuxième zone Z2 est en contact avec l'autre des électrodes 2b. Par ailleurs, la couche photosensible 3 comporte une deuxième face 5 opposée à la première face 4. La distance séparant les première et deuxième faces 4, 5 donne l'épaisseur de la couche photosensible 3. La deuxième face 5 est préférentiellement la face destinée à 30 être orientée vers le flux lumineux. Le P3HT:PCBM est un polymère semi-conducteur de type P (donneur d'électrons) comprenant du P3HT acronyme pour poly(3- hexylthiophène), voire poly(3-hexylthiophène-2,5-diyl) mélangé à un accepteur d'électrons le PCBM acronyme pour [6,6]-phényl-C61-butanoate de méthyle. 3046496 6 [0027] En outre, la photorésistance 1 comporte au moins une couche additionnelle 6, 7 en contact avec la couche photosensible 3 pour avoir une action sur le comportement de la photorésistance vis-à-vis de la collecte des porteurs entre les deux électrodes 2a, 2b en vue d'améliorer la sensibilité de la photorésistance 1. Par 5 « avoir une action sur le comportement de la photorésistance vis-à-vis de la collecte des porteurs entre les deux électrodes », on entend notamment que ladite au moins une couche additionnelle 6, 7 n'est pas interposée entre l'une ou l'autre des électrodes 2a, 2b et la couche photosensible 3, et qu'une face de la couche additionnelle 6, 7 en contact avec l'une des faces de la couche photosensible 3 10 comporte au moins une portion qui ne se situe pas en regard de l'une ou l'autre des électrodes 2a, 3b. Autrement dit, ladite portion de ladite au moins une couche additionnelle 6, 7 ne se situe pas à l'aplomb d'une face d'injection/ou de collecte de porteurs de l'une ou l'autre des électrodes 2a, 2b dans la couche photosensible 3. [0028] Dans un premier cas, il est possible d'améliorer la sensibilité de la 15 photorésistance 1 en rendant la couche photosensible 3 moins conductrice électriquement entre les deux électrodes 2a, 2b. Dans ce premier cas, on cherche à réduire le courant d'obscurité. Dans l'obscurité, l'une des électrodes 2a va injecter des porteurs dans la couche photosensible 3, puis ces porteurs vont se propager dans la couche photosensible 3 pour être collectés par l'autre des électrodes 2b. La 20 propagation des porteurs dans l'obscurité est telle qu'il va se former un canal entre les deux électrodes 2a, 2b au niveau de la première face 4 de la couche photosensible 3 en contact avec les deux électrodes 2a, 2b. En augmentant la résistivité du canal, moins d'injection de porteurs sera possible, et par conséquent le courant dû à ces porteurs sera diminué. 25 [0029] Pour mettre en oeuvre le premier cas, ladite au moins une couche additionnelle 6 est préférentiellement une monocouche auto-assemblée 6 située entre les deux électrodes 2a, 2b, et configurée de sorte à augmenter la résistivité de la couche photosensible 3 à son interface avec ladite monocouche auto-assemblée 6 pour réduire le courant d'obscurité de ladite photorésistance 1. La monocouche auto- 30 assemblée 6 est aussi connue dans le domaine sous l'acronyme SAM pour l'anglais « Self-Assembled monolayer ». La monocouche auto-assemblée 6 permet de modifier la résistivité du canal évoqué précédemment. Plus particulièrement, la monocouche auto-assemblée 6 est en contact avec la première face 4 de la couche photosensible 3. Cette monocouche auto-assemblée 6 peut s'étendre entre les deux 3046496 7 électrodes 2a, 2b mais n'est pas en contact avec les électrodes 2a, 2b car cela aurait pour conséquence de modifier les travaux de sortie des électrodes 2a, 2b et par conséquent d'induire une mauvaise collection des porteurs photogénérés sous lumière. 5 [0030] Pour améliorer l'augmentation de la résistivité de la couche photosensible 3 à son interface avec la monocouche auto-assemblée 6, il est possible de tenir compte de la conductivité de la couche photosensible 3. Par conductivité on entend dans la présente description la conductivité électrique. En ce sens, si la couche photosensible 3 est de conductivité de type P, alors la monocouche auto-assemblée est de 10 conductivité de type N, notamment dans ce cas la monocouche auto-assemblée 6 est du 4-methoxythiophenol. Par contre, si la couche photosensible 3 est de type N, alors la monocouche auto-assemblée 6 est de conductivité de type P, notamment dans ce cas la monocouche auto-assemblée 6 est du pentafluoro-benzenethiol. On dit alors que l'on compense la couche photosensible 3 à son interface avec la monocouche 15 auto-assemblée 6, car si la couche photosensible 3 est de type P (porteuse de charge positives : trous), on introduit une monocouche auto-assemblée 6 de type N qui capte les trous, et inversement si la couche photosensible 3 est de type N (porteuse de charge négatives: électrons), on introduit une monocouche auto-assemblée 6 de type P qui capte les électrons. Autrement dit, pour améliorer la 20 photorésistance 1, il est possible d'utiliser des matériaux dopés pour former la couche photosensible 3 et la monocouche auto-assemblée 6. Concernant la couche photosensible 3, le matériau P3HT:PCBM présentant une conduction de type P, il est donc adapté pour la monocouche auto-assemblée 6 de type N. Pour la monocouche auto-assemblée 6 de type P, la couche photosensible 3 alors de conduction de type 25 N peut être du PCNEPV qui est l'acronyme de poly[oxa-1,4-phénylène-(1-cyano-1,2- vinylène)-(2-méthoxy-5-(3,7-diméthyloctyloxy)-1,4-phénylène)-1,2- (2-cyanovinylène)- 1,4-phénylène]. [0031] Le premier cas est notamment mis en oeuvre lorsque la photorésistance 1 est intégrée à un détecteur, à un imageur matriciel ou encore utilisée seule, en effet dans 30 ce cas le courant noir définit le seuil minimum de détection d'un tel détecteur ou imageur. [0032] Dans un deuxième cas, il est possible d'améliorer la sensibilité en augmentant au moins localement la conductivité de la couche photosensible 3. En fait, lorsque la photorésistance 1 est placée sous un flux lumineux cela génère des 3046496 8 porteurs au sein de la couche photosensible 3 qu'il faut récupérer/collecter au niveau des électrodes le plus rapidement possible pour éviter leurs recombinaisons. Il est donc proposé ici de fournir à ces porteurs un chemin énergétiquement plus favorable à suivre pour améliorer la collecte desdits porteurs par les électrodes 2a, 2b. Dans ce 5 cas, ladite au moins une couche additionnelle 7 permet de réaliser cette fonction. [0033] Pour mettre en oeuvre ce deuxième cas, ladite au moins une couche additionnelle peut être une couche de PEDOT:PSS 7 notamment formée sur au moins une partie d'une face avant - la deuxième face 5 évoquée précédemment - de la couche photosensible 3 opposée à une face arrière - la première face 4 évoquée 10 précédemment - de la couche photosensible 3 en contact avec les électrodes 2a, 2b, et notamment destinée à être orientée vers le flux lumineux. Autrement dit, cette couche de PEDOT:PSS 7 est transparente. Le PEDOT:PSS présente l'avantage d'avoir une conductivité électrique plus haute que la couche photosensible 3, notamment lorsque cette dernière est en P3HT:PCBM. Notamment, le PEDOT:PSS 15 peut être généralisé à une couche en matériau polymère ayant une conductivité plus élevée que la couche photosensible 3. Cette couche de PEDOT:PSS peut avoir une épaisseur de l'ordre du micromètre, et plus particulièrement comprise entre 200nm et 500nm. [0034] Le PEDOT :PSS ( poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate) 20 est un polymère qui est un mélange de deux composants ionomères, le PEDOT : poly(3,4-ethylenedioxythiophene) qui un polymère conjugué et le PSS : sodium polystyrène sulfonate qui est un polystyrène sulfoné . Le mélange forme un polymère transparent conducteur avec une très bonne conductivité. Il peut transporter des électrons comme des trous. En ce sens, dans le cadre de la présente invention le 25 PEDOT:PSS permet, d'une part, le passage du flux lumineux pour que celui-ci puisse générer des porteurs dans la couche photosensible 3, et d'autre part, de favoriser le transport des porteurs générés dans la couche photosensible 3 pour améliorer leur collecte et donc limiter leur recombinaison. [0035] Les premier et deuxième cas évoqués ci-dessus permettent chacun 30 d'améliorer la sensibilité. Ils peuvent être pris seuls ou en combinaison. En cas de combinaison des premier et deuxième cas, la photorésistance 1 comporte deux couches additionnelles 6, 7 dont l'une est formée par la monocouche auto-assemblée 6, et l'autre est formée par la couche de PEDOT:PSS 7. 3046496 9 [0036] La figure 2 est un graphique donnant le courant traversant la photorésistance 1 en fonction de la tension appliquée aux électrodes 2a, 2b selon quatre courbes C1, C2, C3, C4. Ces quatre courbes ont été obtenues selon le protocole décrit précédemment. La courbe Cl représente le courant en fonction de la tension lorsque 5 la photorésistance 1, dépourvue de la monocouche auto-assemblée 6 et de la couche de PEDOT:PSS, est placée dans l'obscurité. La courbe C2 représente le courant en fonction de la tension lorsque la photorésistance 1 comporte la monocouche auto-assemblée 6 et la couche de PEDOT:PSS, et est placée dans l'obscurité. La courbe C3 représente le courant en fonction de la tension lorsque la photorésistance 1, 10 dépourvue de la monocouche auto-assemblée 6 et de la couche de PEDOT:PSS, est placée sous un flux lumineux calibré. La courbe C4 représente le courant en fonction de la tension lorsque la photorésistance 1 comporte la monocouche auto-assemblée 6 et la couche de PEDOT:PSS, et est placée sous un flux lumineux calibré. Il est ainsi possible d'observer une réduction de l'ordre d'une décade sur le courant d'obscurité 15 en fonction de la mise en oeuvre ou non de la monocouche auto-assemblée 6 et de la couche de PEDOT:PSS (courbes Cl et C2). On constate que le courant de fuite/courant d'obscurité est plus élevé sans la monocouche auto-assemblée 6 qu'avec. En fait, la monocouche auto-assemblée 6 agit à son interface avec la couche photosensible 3 comme des sites de piégeage de porteurs. Ainsi, quand les 20 porteurs sont injectés d'une électrode vers une autre, ils sont piégés sur les sites (tentacules de polymère qui captent/piègent les porteurs), et par conséquent le flux de porteurs diminue par comparaison au courant de fuite s'il n'y a pas de monocouche auto-assemblée 6. Par ailleurs, les courbes C3 et C4 permettent aussi de visualiser le gain notamment associé à la couche de PEDOT:PSS. En résumé, le 25 gain du courant d'obscurité s'explique par la présence de la monocouche auto-assemblée 6 et le gain en courant de lumière est dû au PEDOT:PSS 7, chacun ayant un rôle différent. [0037] La figure 3 illustre le courant traversant la photorésistance en fonction de sa tension de bias en échelle linéaire. La courbe C5 représente l'évolution du courant 30 traversant la photorésistance 1 sans la couche de PEDOT :PSS 7 (et sans la monocouche auto-assemblée) sous lumière en fonction de la tension de bias, et la courbe C6 représente l'évolution du courant traversant la photorésistance 1 avec la couche de PEDOT :PSS 7 (et avec la monocouche auto-assemblée 6) sous lumière en fonction de la tension de bias. En fait cette figure 3 est une reprise sous échelle 3046496 10 linéaire des courbes sous illuminations (courbes C3 à C5 et C4 à C6) de la figure 2 permettant de montrer l'augmentation du gain sous lumière. La courbe C6 apparaît dédoublée car il est réalisé un aller retour sur le bias pendant l'expérience. Pour une tension de bias de 5V, on note une multiplication du courant traversant la 5 photorésistance 1 par trois grâce à l'utilisation de la couche de PEDOT:PSS 7. [0038] La combinaison des premier et deuxième cas est illustrée en figures 1 et 7. La figure 6 illustre le premier cas pris seul, et la figure 9 illustre le deuxième cas pris seul. Dans le cadre de la combinaison des premier et deuxième cas, chaque couche (la monocouche auto-assemblée et la couche de PEDOT:PSS ) intervient pour un 10 courant donné, la somme se traduit à travers l'équation 1 qui montre que le gain du PEDOT:PSS 7 a plus d'effet sur la sensibilité globale que la monocouche auto-assemblée 6 car le courant sous lumière est très élevé par rapport au courant d'obscurité (la monocouche auto-assemblée améliorant seulement le seuil de sensibilité de la photorésistance). 15 [0039] Préférentiellement, comme visible en figure 1, au moins une partie de la couche photosensible 3 est prise en sandwich entre la couche de PEDOT:PSS 7 et la monocouche auto-assemblée 6, on profite alors des deux faces pour améliorer deux caractéristiques de la sensibilité de la photorésistance à savoir augmenter le courant sous lumière et diminuer le courant d'obscurité. 20 [0040] Plus particulièrement, la photorésistance 1 comporte un substrat 8 sur lequel sont disposées les électrodes 2a, 2b ainsi que la monocouche auto-assemblée 7 alors formée sur le substrat 8 dans un espace situé entre les électrodes 2a, 2b. [0041] L'invention est aussi relative à un procédé de fabrication de la photorésistance 1 telle que décrite. Le figures 4 à 9 illustrent différentes étapes d'un 25 tel procédé. Les éléments représentés en pointillés sur les figures 6 à 9 sont des éléments recouverts et non visibles depuis l'extérieur. Notamment, le procédé de fabrication comporte les étapes suivantes : une étape de formation de deux électrodes 2a, 2b de la photorésistance (figure 4) ; une étape de formation d'une couche photosensible 3 de la photorésistance reliant les deux électrodes 2a, 2b 30 (figures 6 et 8) ; une étape de formation d'au moins une couche additionnelle 6, 7 (figures 5, 6, 7, 9) de la photorésistance 1 destinée à être en contact avec la couche photosensible 3 pour avoir une action sur le comportement de la photorésistance vis-à-vis de la collecte des porteurs entre les deux électrodes 2a, 2b en vue d'améliorer la sensibilité de la photorésistance 1. 3046496 11 [0042] L'étape de formation des deux électrodes 2a, 2b, préférentiellement transparentes, peut être réalisée par dépôt sur un substrat 8 adapté (figure 4). En particulier, les deux électrodes 2a, 2b peuvent être déposées par l'une des techniques suivantes : la sérigraphie, l'impression, l'évaporation par CVD acronyme 5 de l'anglais « Chemical Vapor Deposition » pour dépôt chimique en phase vapeur, l'évaporation par PVD acronyme de l'anglais « Pysical Vapor Deposition » pour dépôt physique en phase vapeur. D'autres techniques de dépôt des électrodes 2a, 2b peuvent aussi être envisagées par l'homme du métier. Ces électrodes peuvent présenter une épaisseur comprise entre 20nm et 100nm et préférentiellement égale à 10 50nm si il s'agit d'électrodes en métal (or, nickel, argent), ou comprise entre 70nm et 150nm et préférentiellement égale à 100nm si il s'agit de TCO. [0043] Le substrat 8 peut être flexible ou rigide, et transparent à la lumière. Par exemple, le substrat 8 peut être de type choisi parmi PEN (acronyme de Polyethylène Naphthalate), PET (aconyme de Polyéthylène Terephtalate), Kapton® (film Polyimide 15 développé par la société Dupont et correspondant à du poly (4,4'-oxydiphenylenepyromellitimide)), ou autre. Le substrat 8 est préférentiellement en verre ou plastique de telle sorte à permettre l'illumination de la couche photosensible 3 des deux côtés. [0044] Selon une mise en oeuvre particulière, les électrodes 2a, 2b peuvent être réalisées de la manière suivante : le substrat 8 de verre ou de plastique est recouvert 20 de 125 nm d'ITO déposé par pulvérisation puis nettoyé par bain à ultrasons successivement dans l'EDI (acronyme de eau dé ionisée), l'acétone et l'isopropanol durant 10 minutes pour chacun des bains. Le substrat 8 est ensuite séché sous flux d'azote. L'étape de formation des électrodes 2a, 2b comporte alors ensuite une étape de photo-lithographie réalisée pour définir le motif des électrodes 2a, 2b. Durant cette 25 étape de photo-lithographie, de la résine photosensible est déposée à la tournette sur la couche d'ITO. Un masque comportant les motifs des électrodes 2a, 2b est ensuite déposé sur la résine qui est enfin insolée sous une lampe à ultraviolets. La résine non insolée est retirée dans un bain chimique, et la couche d'ITO mise à nue est gravée pendant 5 minutes dans un bain d'acide chlorhydrique. La résine insolée est ensuite 30 retirée dans un bain chimique spécifique. Puis le substrat 8 est à nouveau nettoyé avec les mêmes bains à ultrasons pour obtenir in fine les deux électrodes 2a, 2b formées sur le substrat 8. 3046496 12 [0045] Préférentiellement, pour le premier cas, l'étape de formation de ladite au moins une couche additionnelle 6 (figure 5) comporte la formation, notamment avant l'étape de formation de la couche photosensible 3 (figure 6), de la monocouche auto-assemblée 6 entre les deux électrodes 2a, 2b, notamment de telle sorte que cette 5 monocouche auto-assemblée 6 ne soit pas en contact avec les deux électrodes 2a, 2b. En particulier, cette monocouche auto-assemblée 6 est déposée sur le substrat 8 entre les deux électrodes 2a, 2b formées sur ce substrat 8. Le dépôt de cette monocouche auto-assemblée 6 peut se faire par trempage dans une solution préalablement préparée ou par impression. Plus généralement, on dit que l'étape de 10 formation de la mono-couche auto-assemblée 6 est une étape de greffage. De préférence, la monocouche auto-assemblée 6 présente une épaisseur de l'ordre de la longueur de la molécule utilisée. En particulier, l'épaisseur de la monocouche auto-assemblée 6 est comprise entre 0,5nm et 1 nm. [0046] Toujours dans le premier cas, l'étape de formation de la couche 15 photosensible 3 est ensuite réalisée (figure 6) par dépôt de cette dernière sur les électrodes 2a, 2b et sur la monocouche auto-assemblée 6, notamment de telle sorte que cette dernière recouvre les parties libres des électrodes 2a, 2b et de la monocouche auto-assemblée 6 au préalable de son dépôt et vienne en contact avec le substrat 8. L'étape de formation de la couche photosensible 3 est notamment telle 20 qu'après son dépôt ladite couche photosensible 3 présente une épaisseur comprise entre 300nm et 800nm. [0047] Dans le deuxième cas, selon une première variante, la couche photosensible 3 est déposée sur les électrodes 2a, 2b, et notamment sur le substrat 8 entre les deux électrodes 2a, 2b (figure 8). Cette couche photosensible 3 peut présenter les 25 mêmes caractéristiques de matériau ou d'épaisseur que dans le premier cas. Ensuite, après formation de la couche photosensible 3, l'étape de formation de ladite au moins une couche additionnelle consiste alors à déposer sur la couche photosensible 3 une couche de PEDOT:PSS 7 (figure 9). Dans cette première variante, la monocouche auto-assemblée n'est pas présente dans la photorésistance 1. 30 [0048] Dans une deuxième variante du deuxième cas, ce dernier est pris en combinaison avec le premier cas. Dès lors, après formation de la couche photosensible 3, l'étape de formation de ladite au moins une couche additionnelle comporte en outre une étape de formation de la couche de PEDOT:PSS 7 formée sur au moins une partie d'une face avant de la couche photosensible 3 (figure 7) . On 3046496 13 comprend alors que l'étape de formation de ladite au moins une couche additionnelle comporte en fait la formation de deux couches additionnelles 6, 7 dont l'une - la monocouche auto-assemblée 6 - est réalisée avant l'étape de formation de la couche photosensible 3, et dont l'autre - la couche de PEDOT:PSS 7 - est formée après 5 l'étape de formation de la couche photosensible 3. [0049] Autrement dit, l'étape de formation de ladite au moins une couche additionnelle comporte la formation d'une couche de PEDOT:PSS 7 notamment formée sur au moins une partie de la face avant 5 de la couche photosensible 3 opposée à une face arrière de la couche photosensible 3 en contact avec les 10 électrodes 2a, 2b. La couche de PEDOT:PSS peut recouvrir la couche photosensible 3 jusqu'au substrat bien entendu si elle ne crée pas de court-circuit entre les électrodes. [0050] De manière générale applicable aux deux variantes du deuxième cas, la formation de la couche de PEDOT:PSS 7 peut être réalisée par dépôt, notamment de 15 type choisi parmi : un dépôt par enduction centrifuge, un dépôt par impression ou un dépôt par sérigraphie. En particulier, la couche de PEDOT:PSS peut être déposée par sérigraphie à travers un masque, et une fois la couche déposée 7, le substrat 8 est recuit sous flux d'azote à 110°C durant 20 minutes pour faire évaporer l'eau. [0051] Le PEDOT:PSS utilisé peut être celui de la société Heraeus:Clevios connu 20 sous la référence PVPAI4083e. [0052] La couche photosensible 3 peut être formée par la préparation d'une solution de P3HT:PCBM à une concentration totale de 50 mg/ml et un ratio polymère (P3HT):fullerène(PCBM) de 1:1 dans une solution de chlorobenzène. La solution est mise sous agitation durant 3 heures sur une plaque chauffante à 60°C. Le matériau 25 est ensuite déposé par sérigraphie à travers un masque préalablement dessiné pour avoir la bonne dimension de la photorésistance. Un recuit de 5 min à 80°C est ensuite réalisé pour faire évaporer le solvant. Bien entendu, le dépôt de cette solution peut aussi être réalisé par d'autres techniques comme la sérigraphie, l'enduction centrifuge ou l'impression. 30 [0053] De manière générale, la photorésistance et le procédé sont liés de telle manière que toutes les caractéristiques de la photorésistance peuvent être réalisées au cours d'étapes adaptées du procédé, et que toutes les caractéristiques structurelles décrites en combinaison avec le procédé, notamment les épaisseurs des couches et les matériaux utilisés, peuvent être intégrées à la photorésistance. 3046496 14 [0054] En particulier, bien que la face 5 de la couche photosensible 3 soit celle préférée à orienter vers la source du flux lumineux à quantifier, les gammes d'épaisseur données précédemment pour les électrodes 2a, 2b, la monocouche auto-assemblée 6, la couche de PEDOT:PSS 7 sont notamment telles que ces éléments 5 sont transparents pour permettre un éclairage de la photorésistance 1 aussi bien par sa face avant située au niveau de la couche de PEDOT:PSS 1 que de sa face arrière située au niveau de la monocouche auto-assemblée 6 ou du substrat 8 (alors lui aussi transparent). [0055] La photorésistance telle que décrite peut être utilisée pour former un capteur 10 de lumière, une matrice de détection à base de photorésistances ou autre imageur. [0056] Sur les figures 6 à 9, il est possible de noter que la couche photosensible 3 ne recouvre pas entièrement les électrodes, ceci a pour but de laisser au niveau de chaque électrode 2a, 2b une zone de prise de contact. REVENDICATIONS1. Photorésistance (1) comprenant deux électrodes (2a, 2b) reliées par une couche photosensible (3) de la photorésistance (1), caractérisée en ce que la photorésistance (1) comporte au moins une couche additionnelle (6, 7) en contact avec la couche photosensible (3) pour avoir une action sur le comportement de la photorésistance vis-à-vis de la collecte des porteurs entre les deux électrodes (2a, 2b) en vue d'améliorer la sensibilité de la photorésistance (1). 2. Photorésistance selon la revendication précédente, caractérisée en ce que ladite au moins une couche additionnelle est une monocouche auto-assemblée (6) située entre les deux électrodes (2a, 2b) et configurée de sorte à augmenter la résistivité de la couche photosensible (3) à son interface avec ladite monocouche auto-assemblée (6) pour réduire le courant d'obscurité de ladite photorésistance. 3. Photorésistance selon la revendication précédente, caractérisée en ce que la couche photosensible (3) est de conductivité de type P, et en ce que la monocouche auto-assemblée (6) est de conductivité de type N. 4. Photorésistance selon la revendication 2, caractérisée en ce que la couche photosensible (3) est de conductivité de type N, et en ce que la monocouche auto-assemblée (6) est de conductivité de type P. 5. Photorésistance selon la revendication 1, caractérisée en ce que ladite au moins une couche additionnelle (7) est une couche de PEDOT:PSS (7) formée sur au moins une partie d'une face avant (5) de la couche photosensible (3) opposée à une face arrière (4) de la couche photosensible (3) en contact avec les électrodes (2a, 2b). 6. Photorésistance selon la revendication 5 et l'une quelconque des revendications 2 à 4, caractérisée en ce qu'elle comporte deux couches additionnelles (6, 7) dont l'une est formée par la monocouche auto-assemblée (6), et l'autre est formée par la couche de PEDOT:PSS (7). 3046496 16 7. Photorésistance selon la revendication précédente, caractérisé en ce que au moins une partie de la couche photosensible (3) est prise en sandwich entre la couche de PEDOT:PSS (7) et la monocouche auto-assemblée (6). 5 8. Photorésistance selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la couche photosensible (3) est formée par un matériau semi-conducteur organique photosensible. 9. Procédé de fabrication d'une photorésistance (1) selon l'une quelconque des 10 revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte : - Une étape de formation de deux électrodes (2a, 2b) de la photorésistance (1), - Une étape de formation d'une couche photosensible (3) de la photorésistance (1) reliant les deux électrodes (2a, 2b), - Une étape de formation d'au moins une couche additionnelle (6, 7) de la 15 photorésistance (1) destinée à être en contact avec la couche photosensible (3) pour avoir une action sur le comportement de la photorésistance vis-à-vis de la collecte des porteurs entre les deux électrodes (2a, 2b) en vue d'améliorer la sensibilité de la photorésistance (1). 20 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'étape de formation de ladite au moins une couche additionnelle comporte la formation d'une monocouche auto-assemblée (6) entre les deux électrodes (2a, 2b). 11. Procédé selon l'une des revendications 9 ou 10, caractérisé en ce que l'étape de 25 formation de ladite au moins une couche additionnelle comporte la formation une couche de PEDOT:PSS (7) formée sur au moins une partie d'une face avant (5) de la couche photosensible (3) opposée à une face arrière de la couche photosensible (3) en contact avec les électrodes (2a, 2b).