FR 3037439 A1 20161216 FR 1555362 A 20150612 1 Dispositif électronique à plaque arrière évidée. La présente invention concerne le domaine des dispositifs électroniques. Des dispositifs électroniques comprennent une plaque incluant une couche arrière épaisse de substrat, une couche avant fine de substrat et une fine couche intermédiaire fine diélectrique située entre la couche arrière et la couche avant, et une structure électronique aménagée sur ladite couche avant de substrat, cette structure incluant des composants électroniques et des moyens de connexion électrique. Généralement, le substrat est en silicium et la couche intermédiaire diélectrique, dite enterrée, est en dioxyde de silicium et est obtenue par implantation d'ions en profondeur. Il a été observé que, dans de tels dispositifs électroniques, il existe un couplage capacitif entre la couche arrière et la structure électronique. Ce couplage capacitif engendre des perturbations de fonctionnement de la structure électronique notamment lorsque cette structure électronique met en oeuvre des signaux ondulatoires. Il est proposé un dispositif électronique qui comprend une plaque arrière incluant une couche arrière de substrat, une couche avant de substrat et une couche intermédiaire diélectrique, située entre la couche arrière et la couche avant, et qui comprend une structure électronique aménagée sur ladite couche avant de substrat, incluant des composants électroniques et des moyens de connexion électrique. Ladite couche arrière de substrat présente au moins une région locale pleine et au moins une région locale évidée, cette région locale évidée étant aménagée sur toute l'épaisseur de ladite couche arrière, de sorte que ladite couche arrière de substrat ne recouvre pas au moins une zone locale de la face arrière de ladite couche intermédiaire diélectrique, correspondant à ladite région locale évidée. 3037439 2 Ainsi, des couplages capacitifs perturbateurs entre la couche arrière et la structure électronique sont limités. La région locale pleine peut s'étendre, dans le sens de l'épaisseur de la plaque de substrat, en correspondance, au moins en 5 partie, avec au moins un plot avant de contact électrique extérieur de ladite structure électronique. Ladite région locale évidée peut s'étendre, dans le sens de l'épaisseur de la plaque de substrat, en correspondance, au moins en partie, avec au moins un composant électronique de ladite structure 10 électronique. Ladite région locale évidée peut être au moins en partie remplie d'au moins une matière de remplissage diélectrique. La matière de remplissage peut présenter une face arrière dans le plan de la face arrière de ladite plaque arrière. 15 La matière de remplissage peut recouvrir la face arrière de ladite région pleine et présenter une face arrière parallèle à la face arrière de ladite plaque arrière. Une couche intermédiaire peut être interposée entre ladite matière de remplissage et ladite plaque arrière. 20 Ladite région locale pleine peut comprendre une pluralité de piliers et/ou un cloisonnement en forme de nid d'abeille. Il est également proposé un procédé de traitement d'un dispositif électronique qui comprend une plaque incluant une couche arrière de substrat, une couche avant de substrat et une couche 25 intermédiaire diélectrique, située entre la couche arrière et la couche avant, et qui comprend une structure électronique aménagée sur ladite couche avant de substrat et incluant des composants électroniques et des moyens de connexion électrique incluant au moins un plot avant de contact électrique extérieur. 30 Ce procédé comprend : enlever localement, jusqu'à ladite couche intermédiaire, la matière de la couche arrière de façon à créer au moins une région locale évidée exempte de matière de cette couche arrière et à laisser subsister au moins une région locale pleine ; ladite région locale pleine s'étendant, dans le sens de l'épaisseur de la 3037439 3 plaque de substrat, en correspondance, au moins en partie, avec au moins un plot de contact électrique extérieur avant de ladite structure électronique ; ladite région locale évidée s'étendant, dans le sens de l'épaisseur de la plaque de substrat, en correspondance, au moins en 5 partie, avec au moins un composant électronique de ladite structure électronique. Le procédé peut comprendre en outre : remplir au moins en partie ladite région locale évidée par au moins une matière de remplissage diélectrique. 10 Un dispositif électronique et son procédé de traitement de ce dispositif vont maintenant être décrits à titre d'exemples de réalisation non limitatifs, illustrés par le dessin sur lequel : La figure 1 représente une coupe partielle d'un dispositif électronique, dans un état initial ; 15 - la figure 2 représente une coupe du dispositif électronique de la figure 1, selon une étape de traitement ; - la figure 3 représente une coupe du dispositif électronique de la figure 1, selon une autre étape de traitement ; - la figure 4 représente une vue arrière du di spositif 20 électronique de la figure 3 ; - la figure 5 représente une coupe du dispositif électronique de la figure 1, selon une autre étape de traitement ; - la figure 6 représente une coupe du dispositif électronique de la figure 1, selon une autre étape de traitement ; 25 - la figure 7 représente une coupe du dispositif électronique de la figure 1, selon une autre étape de traitement ; - la figure 8 représente une coupe du dispositif électronique de la figure 1, selon une variante de traitement ; - la figure 9 représente une vue arrière du di spositif 30 électronique de la figure 8 ; et - la figure 10 représente une vue arrière du dispositif électronique de la figure 1, selon une autre variante de traitement. Sur la figure 1, est illustrée une portion d'un dispositif électronique 1 dans un état initial, généralement inclus dans une 3037439 4 plaquette 2 comprenant une pluralité de dispositifs électroniques adjacents qui seront ultérieurement singularisés par découpe de la plaquette. Le dispositif électronique 1 comprend une plaque arrière 3 5 incluant une couche arrière de substrat 4, une couche avant fine de substrat 5 et une couche intermédiaire fine diélectrique 6, située entre la couche arrière 3 et la couche avant 5. La plaque 3 est en silicium et la couche intermédiaire diélectrique 6, dite enterrée, est en dioxyde de silicium et est obtenue 10 par implantation d'ions en profondeur dans la plaque 3. Le dispositif électronique 1 comprend en outre une structure électronique 7 réalisée sur la couche avant de substrat 5. Cette structure électronique 7 comprend une pluralité de composants électroniques 8 réalisés sur la couche avant de substrat 5 15 et un réseau 9 de connexion électrique aménagé dans une couche 10 sur plusieurs niveaux métalliques. Le réseau de connexion électrique 9 comprend, dans un dernier niveau métallique, une pluralité de plots avant 11 de contact électrique extérieur. 20 Les composants électroniques 8 peuvent être des transistors, des interrupteurs, des résistances électriques, de diodes, des mémoires, des capacités ou autres composants électroniques. Généralement, les composants électroniques 8 sont placés dans la zone médiane du dispositif électronique 1 et les plots avant 11 sont 25 placés dans une zone périphérique entre cette zone médiane et le bord du dispositif électronique 1. Néanmoins, des plots avant 9 peuvent être prévus dans la zone médiane du dispositif électronique 1, de préférence sans qu'il y ait de composants au-dessous de ces plots. On va maintenant décrire un traitement que l'on va appliquer 30 au dispositif électronique 1. Comme illustré sur la figure 2, on monte le dispositif électronique 1 sur une plaquette support 12, en fixant de façon temporaire la face avant 13 de la structure électronique 9 sur cette plaquette support 12 par l'intermédiaire d'une couche de colle 12a. 3037439 5 Puis, par photolithographie, on réalise sur la face arrière 14 du dispositif électrique 1, c'est-à-dire sur la face arrière de la couche arrière de substrat 4 de la plaque arrière 3, un masque 15 qui, par exemple, présente alors une ou plusieurs ouvertures traversantes 16. 5 Puis, comme illustré sur la figure 3, on procède à une attaque chimique de la couche arrière de substrat 4 au travers des ouvertures 16 du masque 15, jusqu'à la couche intermédiaire diélectrique 6, cette dernière constituant une barrière à l'attaque. Il en résulte que la couche arrière de substrat 4 comprend alors 10 une ou des régions locales pleines 17 et une ou des régions locales évidées 18, chaque région locale évidée 18 étant aménagée sur toute l'épaisseur de la couche arrière de substrat 4. Au regard de la surface du dispositif électronique 1, la ou les régions locales pleines 17 et la ou les régions locales évidées 18 sont complémentaires. 15 De la sorte, ladite couche arrière de substrat 4 ainsi évidée ne recouvre plus une ou des zones locales 19 de la face arrière de ladite couche intermédiaire diélectrique 6, correspondant à la ou aux régions locales évidées 18. Selon un exemple de réalisation illustré sur les figures 3 et 4, 20 la couche arrière de substrat 4 présente une pluralité de régions locales pleines 17a s'étendant ou laissées, dans le sens de l'épaisseur de la plaque arrière de substrat 3, respectivement en correspondance avec les plots avant 11 de la structure électronique 7. Par exemple, la surface couverte par les régions locales pleines 17a est plus grande 25 que la surface couverte par les plots avant 11 et déborde tout autour. Selon une variante de réalisation, plusieurs plots avant 11 pourraient être situés en correspondance avec une région locale pleine 17a de la couche arrière de substrat 4. La couche arrière de substrat 4 présente une région locale 30 évidée 18a qui s'étend sur tout le reste de la surface de la couche intermédiaire diélectrique 6. Plus précisément, la région locale évidée 18a s'étend, dans le sens de l'épaisseur de la plaque de substrat 3, en correspondance au moins avec la zone dans laquelle se situent les 3037439 6 composants électroniques 9 de la structure électronique 7 et de préférence sur une plus grande surface. Ainsi, les composants électroniques 9 ne sont pas soumis, ou de façon limitée, à des couplages capacitifs avec la matière de la couche 5 arrière diélectrique évidée 4. On peut alors procéder à l'enlèvement du masque 15, de la plaquette support 12 et de la couche de colle 12a et on peut laisser le dispositif électronique 1 pour son usage ultérieur. La partie restante de la face arrière 14, formée par les faces arrière des régions locales 10 pleines 17a constitue une surface de montage sur un support définitif. Néanmoins, ayant uniquement enlevé le masque 15, on peut procéder à un remplissage de la région locale évidée 18a de la couche arrière 4 par de la matière diélectrique, de plusieurs manières. Comme illustré sur la figure 5, on peut remplir uniquement la 15 région locale évidée 18a de la couche arrière 4 par une matière diélectrique, par exemple à base d'un polymère, de sorte que ce remplissage 20 présente une face arrière 21 s'étendant dans le plan de la face arrière 14 de la couche arrière évidée 4. Ainsi, le dispositif électronique 1 est renforcé et une surface de montage du dispositif 20 électronique 1 sur un support définitif est formée par les faces arrière des régions locales pleines 17a et par la face arrière 21 du remplissage 20. Comme illustré sur la figure 6, on peut remplir uniquement la région locale évidée 18a de la couche arrière 4 par une matière 25 diélectrique et on forme une couche de matière sur la face arrière des régions locales pleines 17a, de sorte que ce remplissage 22 présente une face arrière 23 s'étendant dans le plan situé en arrière de et parallèle à la face arrière 14 de la couche arrière évidée 4. Ainsi, une surface de montage du dispositif électronique 1 sur un support 30 définitif est formée par la face arrière 23 du remplissage 22. Comme illustré sur la figure 7, on peut réaliser tout d'abord une sous-couche 24 d'une première matière diélectrique sur la zone 19 de la couche intermédiaire diélectrique 6, sur les flancs et sur la surface arrière des régions locales pleines 17a, puis, sur cette sous- 3037439 7 couche 24, on peut effectuer un remplissage 25 d'une seconde matière diélectrique, par exemple tel que décrit en référence à la figure 6. Avantageusement, la première matière diélectrique présente une constante diélectrique plus faible que la constante diélectrique de la 5 seconde matière diélectrique. Les remplissages décrits ci-dessus peuvent être obtenus par étalement par épandage ou par centrifugation ou peuvent être obtenus par lamination d'un film. Selon un autre exemple de réalisation illustré sur les figures 8 10 et 9, l'opération d'attaque de la couche arrière 4 peut être telle que cette couche arrière 4, évidée, présente non seulement les régions pleines locales 17a mais également une pluralité de régions locales pleines auxiliaires 17b constituant des piliers de renforcement, placés par exemple en face de la zone couverte par les composants 15 électroniques 9, en prenant soin cependant que, de préférence, aucun pilier ne soit pas placé en correspondance, dans le sens de l'épaisseur du dispositif électronique 1, avec un ou des composants électriques les plus sensibles à un couplage capacitif avec la matière de la couche arrière de substrat 4. 20 Selon une variante de réalisation illustrée sur la figure 10, l'opération d'attaque de la couche arrière 4 peut être telle que cette couche arrière 4, évidée, présente, totalement ou sur au moins une région, éventuellement en combinaison avec au moins l'une des variantes de réalisation décrites précédemment, une région locale 25 pleine 17c comprenant un cloisonnement en forme de nid d'abeille, dont les alvéoles 26, qui découvrent localement la couche intermédiaire diélectrique 6, constituent une région locale évidée 18. Après quoi, on peut réaliser un remplissage de la région locale évidée 18 de la couche arrière 4, de façon équivalente à ce qui a été 30 décrit précédemment en référence aux figures 4, 5 et 6. Il résulte de ce qui précède que, tout en étant protégé contre des couplages capacitifs avec la matière de la couche arrière diélectrique évidée 4, le dispositif électronique 1 peut présenter des caractéristiques de résistance mécanique aptes à supporter des 3037439 8 pressions sur les plots de contact 11 lors de la mise en place de connections électriques sur ces plots, tels que des fils électriques. REVENDICATIONS1. Dispositif électronique comprenant une plaque arrière (3) incluant une couche arrière de substrat (4), une couche avant de substrat (5) et une couche intermédiaire diélectrique (6), située entre la couche arrière et la couche avant, et comprenant une structure électronique (7) aménagée sur ladite couche avant de substrat (5), incluant des composants électroniques et des moyens de connexion électrique, dans lequel ladite couche arrière de substrat (4) présente au moins une région locale pleine (17) et au moins une région locale évidée (18), cette région locale évidée étant aménagée sur toute l'épaisseur de ladite couche arrière, de sorte que ladite couche arrière de substrat ne recouvre pas au moins une zone locale (19) de la face arrière de ladite couche intermédiaire diélectrique (6), correspondant à ladite région locale évidée (18). 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel ladite région locale pleine (17) s'étend, dans le sens de l'épaisseur de la plaque de substrat, en correspondance, au moins en partie, avec au moins un plot avant (11) de contact électrique extérieur de ladite structure électronique. 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel ladite région locale évidée (18) s'étend, dans le sens de l'épaisseur de la plaque de substrat, en correspondance, au moins en partie, avec au moins un composant électronique (8) de ladite structure électronique. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite région locale évidée (18) est au moins en partie remplie d'au moins une matière de remplissage diélectrique (20, 22, 25). 5. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel la matière de remplissage présente une face arrière (21) dans le plan de la face arrière (14) de ladite plaque arrière (3). 6. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel la matière de remplissage recouvre la face arrière (14) de ladite région pleine (17) et présente une face arrière (23) parallèle à la face arrière (14) de ladite plaque arrière (3). 3037439 10 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, comprenant une couche intermédiaire (24) entre ladite matière de remplissage et ladite plaque arrière (3). 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 précédentes, dans lequel ladite région locale pleine comprend une pluralité de piliers et/ou un cloisonnement en forme de nid d'abeille. 9. Procédé de traitement d'un dispositif électronique comprenant une plaque incluant une couche arrière de substrat, une couche avant de substrat et une couche intermédiaire diélectrique, 10 située entre la couche arrière et la couche avant, et comprenant une structure électronique aménagée sur ladite couche avant de substrat et incluant des composants électroniques et des moyens de connexion électrique incluant au moins un plot avant de contact électrique extérieure, le procédé comprenant : 15 enlever localement, jusqu'à ladite couche intermédiaire (6), la matière de la couche arrière (4) de façon à créer au moins une région locale évidée (18) exempte de matière de cette couche arrière et à laisser subsister au moins une région locale pleine (17) ; ladite région locale pleine (17) s'étendant, dans le sens de 20 l'épaisseur de la plaque de substrat, en correspondance, au moins en partie, avec au moins un plot (11) de contact électrique extérieur avant de ladite structure électronique ; ladite région locale évidée (18) s'étendant, dans le sens de l'épaisseur de la plaque de substrat, en correspondance, au moins en 25 partie, avec au moins un composant électronique de ladite structure électronique. 10. Procédé selon la revendication 9, comprenant : remplir au moins en partie ladite région locale évidée (18) par au moins une matière de remplissage diélectrique (20, 22, 25). 30