FR 3040532 A1 20170303 FR 1558067 A 20150831 B14214 - 15-T0-0058 1 PUCE À MONTAGE EN SURFACE Domaine La présente demande concerne le domaine des puces semiconductrices. Elle vise plus particulièrement des puces dites à montage en surface, c'est-à-dire des puces comportant, sur au moins une face, des métallisations destinées à être brasées à un dispositif extérieur, par exemple un circuit imprimé ou une autre puce. Exposé de l'art antérieur Dans certaines applications, il existe un besoin pour des puces à montage en surface dans lesquelles les métallisations destinées à être brasées à un dispositif extérieur se prolongent par des portions latérales sur les flancs de la puce. Lorsque le brasage est effectué, une partie du matériau de brasage adhère aux portions latérales des métallisations, ce qui permet une inspection visuelle de la qualité des connexions. Ce besoin existe par exemple pour des domaines sensibles tels que le domaine automobile ou le domaine médical. Un exemple de procédé de réalisation d'une puce à 20 montage en surface comprenant une métallisation se prolongeant sur un flanc de la puce est décrit dans la demande de brevet 3040532 B14214 - 15-T0-0058 2 US2012/0054760. Ce procédé présente toutefois des inconvénients et pose notamment des difficultés pratiques de mise en oeuvre. Résumé Ainsi, un mode de réalisation prévoit une puce à 5 montage en surface réalisée dans et sur un substrat de silicium ayant une face avant et un flanc, la puce comprenant : au moins une métallisation destinée à être brasée à un dispositif extérieur, cette métallisation comprenant une première portion recouvrant au moins une partie de la face avant 10 du substrat, et une deuxième portion recouvrant au moins une partie du flanc du substrat ; et une région en silicium poreux, incluse dans le substrat, séparant la deuxième portion de la métallisation du reste du substrat. 15 Selon un mode de réalisation, la deuxième portion de la métallisation est disposée dans une rainure située sur le flanc du substrat. Selon un mode de réalisation, la puce comprend en outre : une zone active formée dans et sur le substrat et contenant un circuit électronique ; et au moins une région de contact connectée au circuit électronique et située sur la face avant de la puce, dans laquelle la première portion de la métallisation 25 est connectée à la région de contact. Selon un mode de réalisation, une couche d'isolation est disposée entre la face avant du substrat et la première portion de la métallisation. Selon un mode de réalisation, la région en silicium 30 poreux est en contact avec la couche d'isolation dans une zone de recouvrement. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de réalisation d'une puce à montage en surface dans et sur un substrat de silicium, le procédé comprenant les étapes 35 suivantes : 3040532 B14214 - 15-T0-0058 3 a) graver une ouverture depuis la face supérieure du substrat, cette ouverture définissant une partie d'un flanc de la puce ; b) former une région en silicium poreux s'étendant 5 dans le substrat à partir des parois latérales de l'ouverture ; et c) former une métallisation destinée à être brasée à un dispositif extérieur, cette métallisation comprenant une première portion recouvrant au moins une partie de la face 10 supérieure du substrat, et se prolongeant par une deuxième portion s'étendant sur au moins une partie d'une paroi latérale de l'ouverture. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre, après l'étape c), une étape de découpe selon une ligne de 15 découpe passant par l'ouverture. Selon un mode de réalisation, lors de l'étape de découpe, la zone de découpe a une largeur inférieure à la largeur des ouvertures. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une 20 étape de meulage de la face inférieure du substrat. Selon un mode de réalisation, à l'étape c), la formation de la métallisation comprend une étape de dépôt électrochimique. Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures 1A, 1B, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 4B et 4C 30 représentent schématiquement des étapes d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'une puce à montage en surface. Description détaillée De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, les diverses 35 figures ne sont pas tracées à l'échelle. 3040532 B14214 - 15-T0-0058 4 Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à 5 des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence à l'orientation des vues en coupe des figures lB, 2B, 3B, 4B, étant entendu que, dans la pratique, les dispositifs décrits peuvent être orientés différemment. Sauf précision contraire, 10 les expressions "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près, ou, s'agissant de qualificatifs d'orientation, à 10 degrés près, de préférence à 5 degrés près. Les figures lA, lB, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 4B et 4C 15 représentent schématiquement des étapes d'un exemple d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'une puce à montage en surface. Les figures lB, 2B, 3B, 4B sont des vues en coupe selon le plan B-B des figures lA, 2A, 3A, 4A. Les figures lA et 2A sont des vues en coupe selon le plan A-A des figures lB et 20 2B. Les figures 3A et 4A sont des vues de dessus. La figure 4C est une vue en perspective, coupée selon les plans B-B et C-C de la figure 4A. Les étapes décrites ci-après concernent la réalisation simultanée de plusieurs puces, par exemple identiques, à partir 25 d'un même substrat 1 de silicium. Par souci de simplification, seules deux portions de deux puces voisines sont représentées sur les figures, ces portions étant en vis-à-vis l'une de l'autre respectivement dans une partie gauche et dans une partie droite des figures. Chacune des puces comprend, dans et sur le substrat 1, une zone active 3 dans laquelle est formé un circuit électronique comprenant un ou plusieurs composants semiconducteurs (non représentés). La surface supérieure de la zone active 3 est intégralement recouverte par une couche d'isolation 5, à l'exception d'une ou plusieurs régions de contact 7 connectées au circuit électronique. Les étapes 3040532 B14214 - 15-T0-0058 5 décrites ci-après concernent plus particulièrement la réalisation, dans chaque puce, d'au moins une métallisation destinée à être brasée à un dispositif extérieur, cette métallisation comprenant une portion supérieure en contact avec 5 une ou plusieurs régions de contact 7 de la puce, et une portion latérale sur un flanc de la puce. Les figures LA et 1B représentent une étape dans laquelle on part du substrat 1, dans et sur lequel les zones actives 3, la couche d'isolation 5 et les régions de contact 7 10 ont été réalisées préalablement. A ce stade, la découpe du substrat en puces individuelles n'a pas encore eu lieu. Les zones actives 3 de puces voisines sont séparées, en vue de dessus, par des bandes d'espacement 9 à l'intérieur de chacune desquelles une ligne de découpe 11 est définie. Sur les figures, 15 seules une partie d'une bande d'espacement 9 et une partie correspondante d'une ligne de découpe 11 sont visibles. Dans l'exemple représenté, dans une bande 13, incluse dans la bande d'espacement 9 et contenant la ligne de découpe 11, la couche d'isolation 5 est retirée, laissant la surface du 20 substrat 1 apparente. Dans cet exemple, la largeur de la bande 13 est inférieure à la largeur de la bande d'espacement 9, et, vue de dessus, la bande 13 est strictement incluse dans la bande 9, c'est-à-dire que les bords de la bande 13 sont distants des bords de la bande 9. Ainsi, de chaque côté de la bande 13, la 25 couche d'isolation 5 recouvre le substrat 1 dans une partie de la bande d'espacement 9. Dans une portion de la bande 13 située entre deux puces voisines, une ou plusieurs ouvertures localisées 15 sont gravées dans le substrat 1, à partir de la face supérieure du 30 substrat. En vue de dessus, chaque ouverture 15 est traversée par la ligne de découpe 11 incluse dans la bande 13. La dimension des puces dans la direction de la ligne de découpe 11 est supérieure à la somme des dimensions des ouvertures 15 le long de la ligne de découpe. Autrement dit au moins un espace 17 3040532 B14214 - 15-T0-0058 6 non gravé est maintenu dans la bande 13 entre les puces le long de la ligne de découpe 11. Dans l'exemple représenté, deux ouvertures 15 sont visibles, chacune étant située entre une région de contact 7 de 5 la puce située en partie gauche des figures et une région de contact 7 de la puce située en partie droite des figures. Dans l'exemple représenté, les ouvertures 15 ont, en vue de dessus, la forme de rectangles, bien que d'autres formes soient possibles. Dans cet exemple, les ouvertures 15 s'étendent, 10 verticalement, sur une profondeur supérieure à l'épaisseur du substrat 1 occupée par les parties actives 3. Dans cet exemple, les ouvertures 15 ne sont pas traversantes, c'est-à-dire qu'elles s'étendent, verticalement, sur une profondeur inférieure à l'épaisseur du substrat 1. A titre de variante, les 15 ouvertures 15 peuvent être traversantes. Les ouvertures 15 peuvent être réalisées par un procédé de gravure plasma, par exemple par un procédé de type RIE, de l'anglais "Reactive Ion Etching" (gravure ionique réactive). Plus généralement, tout autre procédé permettant de 20 former des ouvertures localisées dans les bandes d'espacement peut être utilisé, par exemple une gravure chimique ou laser. Les figures 2A et 2B représentent une étape dans laquelle, après l'étape représentée en figures LA et 1B, des régions en silicium poreux 20 sont formées dans le substrat 1 à 25 partir des parois latérales et du fond des ouvertures 15. En vue de dessus, les régions en silicium poreux 20 sont comprises à l'intérieur de la bande d'espacement 9. Plus particulièrement, en vue de dessus, chaque ouverture 15 est entourée d'une région en silicium poreux 20, qui s'étend à partir des parois latérales 30 de l'ouverture 15 jusque dans des portions de substrat 1 situées sous la couche d'isolation 5. Ainsi, dans des zones de recouvrement 22, des portions des régions en silicium poreux 20 ont leurs faces supérieures en contact avec la face inférieure de la couche d'isolation 5. Dans l'exemple représenté, le fond 35 et les parois latérales de chaque ouverture 15 sont complètement 3040532 B14214 - 15-T0-0058 7 entourées par une région en silicium poreux 20, de sorte que l'ouverture 15 est isolée du reste du substrat par la région 20. Dans cet exemple, des zones de recouvrement 22 sont présentes de part et d'autre de la ligne de découpe 11 au niveau de chaque 5 ouverture 15. Les régions en silicium poreux 20 peuvent être réalisées par exemple par un procédé de dissolution électrochimique. Pour cela, un masque qui recouvre la face supérieure de l'assemblage des figures LA et 1B à l'exception 10 des ouvertures 15 peut être réalisé. L'ensemble peut ensuite être plongé dans une solution d'acide fluorhydrique entre une première électrode en vis-à-vis de la face inférieure de l'assemblage, et une deuxième électrode en vis-à-vis de la face supérieure de l'assemblage. La circulation d'un courant et un 15 éclairage éventuel avec une longueur d'onde appropriée, sont réglés de façon à provoquer, au niveau des parois latérales et du fond des ouvertures 15, la dissolution d'une partie du silicium du substrat 1. De cette manière, au niveau de chaque ouverture 15, une région du substrat 1 entourant l'ouverture 15 20 est transformée en silicium poreux. Dans l'exemple représenté, les régions de silicium poreux 20 associées aux différentes ouvertures 15 sont disjointes. A titre de variante, on peut former une région de silicium poreux continue s'étendant, en vue de dessus, sur toute la surface de la bande 13, cette région 25 débordant sous la couche d'isolation 5 au niveau des zones de recouvrement 22. Une fois les régions en silicium poreux 20 formées, une étape d'oxydation du silicium poreux peut être prévue, par exemple par oxydation thermique. L'oxydation du silicium poreux 30 permet d'augmenter les propriétés isolantes des régions 20. Cette étape d'oxydation est toutefois optionnelle. Les figures 3A et 3B représentent une étape dans laquelle, après l'étape représentée en figures 2A et 2B, des métallisations 30 destinées à être brasées à un dispositif 35 extérieur sont réalisées. Chaque métallisation 30 comprend au 3040532 B14214 - 15-T0-0058 8 moins une portion supérieure 30a recouvrant une partie de la face supérieure ou face avant d'au moins une des puces formées dans et sur le substrat 1, et une portion latérale 30b recouvrant au moins une partie d'une paroi latérale d'une 5 ouverture 15 bordant la puce. Sur chaque puce, au moins une région de contact 7 de la puce est en contact avec une portion supérieure 30a d'une métallisation 30. Dans l'exemple représenté, pour chacune des ouvertures 15, une métallisation 30 est réalisée, cette métallisation 30 10 recouvrant les parois latérales et le fond de l'ouverture 15, et se prolongeant par une première portion supérieure 30a sur la face supérieure de la puce située en partie gauche de la figure, et par une deuxième portion supérieure 30a sur la face supérieure de la puce située en partie droite de la figure. Dans 15 l'exemple représenté, chaque métallisation 30 a sa première portion supérieure 30a en contact avec une région de contact 7 de la puce située en partie gauche de la figure, et sa deuxième portion supérieure 30a en contact avec une région de contact 7 de la puce située en partir droite de la figure. 20 Les métallisations 30 sont par exemple réalisées par un procédé de dépôt électrochimique. Pour cela, un masque, non représenté, peut-être réalisé, ce masque recouvrant l'intégralité de la face supérieure de l'assemblage des figures 2A et 2B à l'exception des endroits où les métallisations 25 doivent être déposées. Une couche d'amorce peut ensuite être déposée, par exemple par un procédé de pulvérisation. Une fois la couche d'amorce déposée, un dépôt électrochimique peut être réalisé à partir de cette couche d'amorce, de façon à former les métallisations 30. A titre de variante, plusieurs dépôts 30 électrochimiques successifs peuvent être réalisés successivement pour obtenir des métallisations 30 comprenant plusieurs couches de métaux distincts. Plus généralement, tout autre procédé de dépôt adapté peut être utilisé pour former les métallisations 30. 3040532 B14214 - 15-T0-0058 9 Les figures 4A, 4B et 4C représentent une étape dans laquelle, après l'étape représentée en figures 3A et 3B, le substrat 1 est découpé en puces individuelles le long de chacune des lignes de découpe 11, par exemple par sciage, par découpe 5 laser ou chimique, par clivage, ou par tout autre procédé de découpe adapté. En vue de dessus, une bande ou zone de découpe 40 centrée sur la ligne de découpe 11 est retirée entre deux puces voisines de façon à dissocier les puces. La largeur des ouvertures 15 est supérieure à la largeur de la bande de découpe 10 40. Plus particulièrement, la largeur des ouvertures 15 est choisie de façon que les portions latérales 30b des métallisations 30 situées sur les flancs des puces ne soient pas retirées lors de la découpe. Pour cela, dans l'exemple représenté, la largeur L15 des ouvertures 15 est telle que L15 - 15 2*e30b > L40, e30b étant l'épaisseur des portions latérales 30b des métallisations 30, et L40 étant la largeur de la bande 40. Dans l'exemple représenté, avant l'étape de découpe proprement dite, une étape préalable de meulage de la face inférieure ou face arrière du substrat 1, est réalisée. Lors de 20 l'étape de meulage, une partie du substrat 1 est retirée sur toute la surface de l'assemblage depuis la face inférieure du substrat 1. Le meulage est interrompu avant d'atteindre les zones actives 3. Le meulage est par exemple interrompu à un niveau intermédiaire entre la face supérieure des portions de 25 métallisation 30 revêtant le fond des ouvertures 15, et la face inférieure des zones actives 3. Ainsi, à l'issue de l'étape de meulage, les ouvertures 15 débouchent sur la face arrière du substrat 1. A titre de variante, le meulage peut être interrompu avant d'atteindre le fond des ouvertures 15. Dans une autre 30 variante, l'étape de meulage peut être omise. Après la découpe, chacune des puces comprend au moins une métallisation 30 dont une portion supérieure 30a recouvre une partie de la face supérieure de la puce, et dont une portion latérale 30b recouvre une partie d'un flanc de la puce, au moins 35 une région 7 de la puce étant en contact avec une portion 3040532 B14214 - 15-T0-0058 10 supérieure 30a d'une métallisation 30. Chaque métallisation 30 a sa portion latérale 30b isolée du reste du substrat 1 par une région de silicium poreux 20. L'isolation des portions supérieures 30a des métallisations 30 est assurée notamment par 5 la couche isolante 5. Les zones de recouvrement 22 assurent la continuité de l'isolation entre l'isolation par la couche isolante 5 et l'isolation par les régions de silicium poreux 20. Chaque métallisation 30 est par exemple constituée d'une couche de cuivre recouverte d'une couche d'étain. 10 A titre d'exemple, les ouvertures 15 ont une largeur comprise entre 50 pin et 100 gm, les métallisations ont une épaisseur comprise entre 0,8 pin et 6 gm, et les bandes de découpe 40 ont une largeur comprise entre 10 fun et 30 gm. Les régions en silicium poreux 20 ont par exemple une épaisseur 15 comprise entre 10 et 50 gm. Un avantage du procédé décrit ci-dessus est qu'il permet d'obtenir des puces ayant, sur leur face avant, des métallisations 30 destinées à être brasées à un dispositif extérieur, ces métallisations 30 se prolongeant sur une partie 20 des flancs de la puce, ce qui permet de réaliser une inspection visuelle de la qualité des connexions. Un autre avantage des puces ainsi obtenues est que l'isolation entre les portions latérales 30b des métallisations 30 et le substrat 1 est réalisée par des régions en silicium 25 poreux 20 formées dans le substrat 1. Ainsi, il est possible d'adapter aisément l'épaisseur d'isolation en fonction des besoins de l'application. En particulier, on peut facilement réaliser des régions de silicium poreux 20 d'épaisseur importante, par exemple supérieure à 10 gm, ce qui permet 30 notamment de réduire les couplages capacitifs entre les métallisations 30 et le substrat 1. La présence de régions de silicium poreux 20 d'épaisseur importante permet en outre de limiter le risque de court-circuit entre une métallisation 30 et le substrat 1 au cours de l'étape de découpe. 3040532 B14214 - 15-T0-0058 11 Un autre avantage des puces obtenues par le procédé décrit ci-dessus est que, du fait que la largeur des ouvertures 15 est supérieure à la largeur de la bande de découpe 40, les portions latérales 30b des métallisations 30 peuvent présenter 5 des formes en creux. Plus particulièrement, dans l'exemple représenté, les portions latérales 30b des métallisations 30 ont la forme de canaux verticaux disposés dans des rainures verticales situées sur les flancs de la puce. Cette géométrie permet d'améliorer l'adhérence du matériau de brasage sur les 10 flancs de la puce. De plus, cette géométrie permet de faciliter le contrôle visuel de la brasure. En outre, cette géométrie permet de localiser le matériau de brasure à l'intérieur des canaux verticaux, limitant ainsi le risque de court-circuit entre des métallisations 30 voisines. 15 Un autre avantage du procédé décrit ci-dessus est que les espaces 17 non gravés, maintenus entre les puces le long de la ligne de découpe 11 lors de l'étape décrite en relation avec les figures lA et lB, peuvent recevoir des éléments utiles à la fabrication des puces, comme, par exemple, des repères 20 d'alignement permettant de faciliter le positionnement du substrat au cours des différentes étapes du procédé, des éléments de contrôle de gravure, ou des éléments de contrôle électrique. Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. 25 Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, l'étape décrite en relation avec les figures lA et lB de retrait de la couche d'isolation 5 dans une bande 13 s'étendant de part et d'autre de la ligne de découpe 11, est optionnelle. A titre de variante, la couche d'isolation 30 5 peut être conservée dans la bande 13, et les ouvertures 15 réalisées à partir de la face supérieure de la couche d'isolation 5. En outre, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas à l'exemple décrit en relation avec les figures lA 35 et lB dans lequel les ouvertures 15 s'étendent, verticalement, 3040532 B14214 - 15-T0-0058 12 sur une profondeur supérieure à l'épaisseur des zones actives 3 et inférieure à l'épaisseur du substrat 1. A titre de variante, les ouvertures 15 formées à l'étape décrite en relation avec les figures LA et 1B peuvent avoir une profondeur inférieure à 5 l'épaisseur des zones actives 3 ou traverser entièrement le substrat 1. De plus, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples susmentionnés dans lesquels seule la face supérieure du substrat 1 supporte des métallisations se 10 prolongeant sur les flancs du substrat. A titre de variante, chacune des faces supérieure et inférieure du substrat peut être munie de métallisations se prolongeant sur les flancs du substrat. A titre d'exemple, des métallisations de la face 15 inférieure et des métallisations de la face supérieure peuvent être reliées par des portions de métallisation situées sur les flancs du substrat. Lorsque le circuit électronique de la puce a des régions de contact sur la face inférieure du substrat, par exemple des contacts avec des composants à fonctionnement 20 vertical, les contacts peuvent de cette manière être ramenés vers des métallisations de la face supérieure destinées à être brasées à un dispositif extérieur. Les contacts de la face supérieure peuvent aussi être ramenés de cette manière vers des métallisations de la face inférieure destinées à être brasées, 25 par exemple, à une autre puce. A titre de variante, les métallisations de la face inférieure peuvent être indépendantes des métallisations de la face supérieure, c'est-à-dire non connectées à des métallisations de la face supérieure. REVENDICATIONS1. Puce à montage en surface réalisée dans et sur un substrat de silicium (1) ayant une face avant et un flanc, la puce comprenant : au moins une métallisation (30) destinée à être brasée à un dispositif extérieur, cette métallisation comprenant une première portion (30a) recouvrant au moins une partie de la face avant du substrat, et une deuxième portion (30b) recouvrant au moins une partie du flanc du substrat ; et une région en silicium poreux (20), incluse dans le 10 substrat, séparant la deuxième portion (30b) de la métallisation (30) du reste du substrat. 2. Puce selon la revendication 1, dans laquelle la deuxième portion (30b) de la métallisation (30) est disposée dans une rainure située sur le flanc du substrat (1). 15 3. Puce selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre : une zone active (3) formée dans et sur le substrat (1) et contenant un circuit électronique ; et au moins une région de contact (7) connectée au 20 circuit électronique et située sur la face avant de la puce, dans laquelle la première portion (30a) de la métallisation (30) est connectée à la région de contact (7). 4. Puce selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle une couche d'isolation (5) est disposée entre 25 la face avant du substrat (1) et la première portion (30a) de la métallisation (30). 5. Puce selon la revendication 4, dans laquelle la région en silicium poreux (20) est en contact avec la couche d'isolation (5) dans une zone de recouvrement (22). 30 6. Procédé de réalisation d'une puce à montage en surface dans et sur un substrat de silicium (1), le procédé comprenant les étapes suivantes : 3040532 B14214 - 15-T0-0058 14 a) graver une ouverture (15) depuis la face supérieure du substrat (1), cette ouverture définissant une partie d'un flanc de la puce ; b) former une région en silicium poreux (20) 5 s'étendant dans le substrat (1) à partir des parois latérales de l'ouverture (15) ; et c) former une métallisation (30) destinée à être brasée à un dispositif extérieur, cette métallisation (30) comprenant une première portion (30a) recouvrant au moins une partie de la face supérieure du substrat, et se prolongeant par une deuxième portion (30b) s'étendant sur au moins une partie d'une paroi latérale de l'ouverture (15). 7. Procédé selon la revendication 6, comprenant en outre, après l'étape c), une étape de découpe selon une ligne de découpe (11) passant par l'ouverture (15). 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel, lors de l'étape de découpe, une zone de découpe (40) de largeur inférieure à la largeur des ouvertures (15) est retirée. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 20 à 8, comprenant une étape de meulage de la face inférieure du substrat (1). 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 9, dans lequel, à l'étape c), la formation de la métallisation (30) comprend une étape de dépôt électrochimique.