FR 3046788 A1 20170721 FR 1750373 A 20170118 1 Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à un dispositif MEMS et à un procédé de gestion d'un tel dispositif MEMS. Etat de la technique Dans un système de projecteur adaptatif de véhicule, on utilise des micro-miroirs et des actionneurs MEMS correspondants pour la distribution horizontale de la lumière. Selon le document WO 2012/089387 A1, à titre d'exemple, on connaît un micro-miroir à entraînement magnétique. Le micro-miroir monté pivotant à l'aide de ressorts est pivoté à l'aide de deux boucles de chemins conducteurs alimentées en sens opposé et qui sont déviées par un champ magnétique externe. Le débattement du miroir est limité par des structures de butée. Pour commander exactement le micro-miroir il faut con- naître, de façon précise, la relation entre le courant d'entraînement ap- pliqué aux boucles conductrices et l'angle de rotation correspondant. Cette relation peut, toutefois, varier au cours du temps pour différentes raisons, par exemple, à cause d'une désaimantation partielle des aimants générant le champ magnétique externe. Exposé et avantages de l'invention La présente invention a pour but de remédier à ces inconvénients et a ainsi pour objet un dispositif MEMS comportant un substrat, un dispositif de micro-miroir installé sur le substrat ayant au moins un micro-miroir pivotant d'un angle de pivotement à partir d'une position de repos autour d'un axe, au moins une première butée sur le substrat, un dispositif actionneur qui applique une intensité de courant pour pivoter le dispositif de micro-miroir, un dispositif de mesure pour mesurer l'intensité du courant appliqué par le dispositif d'actionneur et mesurer la relation entre la position de pivotement du dispositif de mi- cro-miroir et l'intensité du courant appliqué, un dispositif reconnais- sant la position de butée du dispositif de micro-miroir dans laquelle le dispositif de micro-miroir pivoté de son angle de pivotement maximum et touche au moins une première butée lorsque le dispositif de mesure a mesuré que pour une variation de l'intensité du courant appliqué, il n'y a plus de variation de la position de pivotement du dispositif de micro- 3046788 2 miroir et/ou une variation de la position de pivotement du dispositif de micro-miroir pour une variation de l'intensité du courant appliqué qui varie d'au moins une valeur prédéfinie et un dispositif de calcul qui calcule la relation entre l'angle de pivotement et l'intensité du courant ap- 5 pliqué à l'aide de la relation mesurée par le dispositif de mesure entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir et de l'intensité du courant appliqué, de la position de butée détectée par le dispositif de reconnaissance et de l'angle de pivotement maximum, connu en position de butée. 10 En d'autres termes, la présente invention développe un dispositif MEMS ayant un substrat et un dispositif de micro-miroir installé sur le substrat ; ce dispositif a au moins un micro-miroir tournant autour d'un axe entre une position de repos et un angle de pivotement. Le dispositif MEMS comporte en outre une première butée sur le subs- 15 trat et un dispositif d'actionneur qui, lorsqu'on applique un courant fait pivoter le dispositif de micro-miroir ; il comporte également un dispositif de mesure pour mesurer l'intensité du courant appliqué par le dispositif d'actionneur et mesurer la relation entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir et l'intensité du courant appliqué. Un disposi- 20 tif de reconnaissance reconnait la position de butée du dispositif de mi- cro-miroir dans laquelle le dispositif de micro-miroir est pivoté selon l'angle de pivotement maximum et touche au moins une première butée si le dispositif de mesure a mesuré que pour une variation de l'intensité du courant appliqué, il n'y a plus de variation de la position de pivote- 25 ment du dispositif de micro-miroir et/ou une variation de la position de pivotement du dispositif de micro-miroir pour une variation du courant appliqué qui ne change pas d'au moins une valeur prédéfinie ou d'un pourcentage prédéfini. Un dispositif de calcul forme la relation entre l'angle de pivotement et l'intensité du courant appliqué que l'on mesure 30 à l'aide du dispositif de mesure. En fonction de la position de pivote- ment du dispositif de micro-miroir et de l'intensité du courant appliqué à l'aide de la relation mesurée par le dispositif de mesure entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir et l'intensité du courant appliqué, de la position de butée reconnue par le dispositif de 3046788 3 reconnaissance et de l'angle de pivotement maximum en position de butée. L'invention a également pour objet un procédé de gestion d'un dispositif MEMS consistant à pivoter le dispositif de micro-miroir 5 par le dispositif d'actionneur en appliquant une intensité de courant, mesurer avec le dispositif de mesure l'intensité du courant appliqué par le dispositif d'actionneur, mesurer avec le dispositif de mesure, la relation entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir et l'intensité du courant appliqué, reconnaître avec le dispositif de recon- 10 naissance la position de butée du dispositif de micro-miroir dès que l'on a mesuré que pour une variation de l'intensité du courant appliqué, il n'y a plus de variation de la position de pivotement du dispositif de micro-miroir et/ou une variation de la position de pivotement du dispositif de micro-miroir pour laquelle une variation de l'intensité du courant 15 appliqué a changé d'au moins une valeur prédéfinie et, calculer avec le dispositif de calcul, la relation entre l'angle de pivotement et l'intensité du courant appliqué à l'aide de la relation mesurée par le dispositif de mesure entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir et l'intensité du courant appliqué, de la position de butée détectée par le 20 dispositif de reconnaissance et d'un angle de pivotement maximum connu, en position de butée. En d'autres termes, la présente invention développe un procédé de gestion d'un dispositif MEMS consistant à faire pivoter le dispositif de micro-miroir en appliquant un courant par le dispositif ac- 25 tionneur. Le dispositif de mesure mesure alors l'intensité du courant appliqué par le dispositif actionneur. Le dispositif de mesure mesure également la relation entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir et l'intensité du courant appliqué. Le dispositif de reconnaissance reconnait la position de butée du dispositif de micro-miroir 30 dès que l'on a mesuré qu'une variation de l'intensité du courant appli- qué ne se traduit plus par une variation de la position de pivotement du dispositif de micro-miroir. Le dispositif MEMS a ainsi l'avantage de ne pas avoir be- soin de la connaissance précise du champ magnétique extérieur. Si la 35 relation entre l'angle de pivotement et l'intensité du courant évolue dans 3046788 4 le temps, comme cela peut être le cas pour la variation de l'aimantation d'aimants extérieurs, le dispositif de calcul peut recalculer la relation entre l'angle de pivotement et le courant appliqué. Cela garantit une précision élevée de la commande du dispositif de micro-miroir pour 5 n'importe quel angle de pivotement pendant toute la durée de vie du dispositif MEMS. Le dispositif MEMS peut ainsi s'appliquer à des procédés très sensibles nécessitant le réglage précis de l'angle de pivotement. Le dispositif MEMS est notamment applicable à des projecteurs d'images laser ou des projecteurs de véhicule. 10 Selon un développement préférentiel du dispositif MEMS, le dispositif de micro-miroirs est relié au substrat par au moins deux éléments de ressort. Le premier élément de ressort porte un premier demi-pont de Wheatstone et le second élément de ressort porte un second demi-pont de Wheatstone. Le premier demi-pont de Wheatstone et 15 le second demi-pont de Wheatstone sont reliés pour former un pont complet de Wheatstone. Le dispositif de mesure établit, par la mesure des tensions appliquées au pont complet de Wheatstone, la relation entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir et l'intensité du courant qui lui est appliqué. En mesurant la tension ap- 20 pliquée au pont complet de Wheatstone on peut déterminer la relation entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir et le courant appliqué, par une détermination précise. Selon un développement préférentiel du dispositif MEMS, le dispositif de micro-miroir comporte un dispositif de support. 25 Selon un développement préférentiel du dispositif MEMS, le dispositif de support s'appuie contre au moins une première butée si le dispositif de micro-miroir est pivoté de son angle de pivotement maximum. Selon un développement préférentiel du dispositif MEMS, 30 le dispositif de support a au moins une seconde butée et touche au moins une seconde butée qui touche une première butée lorsque le dispositif de micro-miroir est pivoté de son angle de pivotement maximum. Selon un développement préférentiel, le dispositif MEMS a un dispositif de mesure angulaire qui mesure l'angle de pivotement 35 maximum en position de butée. 3046788 5 Selon un développement préférentiel, le procédé de gestion du pivotement du dispositif de micro-miroir par le dispositif actionneur autour d'un angle de pivotement prédéfini s'obtient en appliquant un courant à l'aide de la relation calculée entre l'angle de pivotement et 5 le courant appliqué. Selon un développement préférentiel, le procédé de gestion consiste à mesurer l'angle de pivotement maximum en position de butée à l'aide du dispositif de mesure angulaire. Comme l'angle de pivotement maximum peut, par exemple, se mesurer de manière optique 10 dans la production du dispositif MEMS on le connaît. Cela permet au dispositif de calcul de former la relation exacte entre l'angle de pivotement et l'intensité du courant appliqué. Dessins La présente invention sera décrite ci-après, de manière 15 plus détaillée, à l'aide de différents modes de réalisation d'un dispositif MEMS représenté dans les dessins annexés dans lesquels : la figure 1 est une vue en coupe schématique d'un premier mode de réalisation d'un dispositif MEMS selon l'invention, la figure 2 est une vue de dessus schématique du premier mode 20 de réalisation du dispositif MEMS selon l'invention, la figure 3 est une vue de détail du premier mode de réalisation du dispositif MEMS selon l'invention, la figure 4 est le schéma d'un pont de Wheatstone complet selon le premier mode de réalisation de l'invention, 25 la figure 5 montre la relation entre la position de basculement du dispositif de micro-miroir et du courant qui lui est appliqué, les figures 6, 7 sont des vues en coupe schématiques du premier mode de réalisation de l'invention, la figure 8 est une vue en coupe schématique d'un second mode 30 de réalisation du dispositif MEMS selon l'invention, la figure 9 montre la relation entre l'angle de basculement et le courant appliqué, la figure 10 est un ordinogramme servant à décrire le procédé de fonctionnement d'un dispositif MEMS selon l'invention. 3046788 6 Dans toutes les figures, les éléments identiques ou de même fonction ainsi que les dispositifs identiques et de même fonction, sauf indication contraire, portent les mêmes références. La numérotation des étapes du procédé simplifie la présentation sans impliquer né- 5 cessairement un ordre chronologique. Plusieurs étapes du procédé peuvent, en effet, être effectuées simultanément. Description de modes de réalisation La figure 1 est une vue en coupe schématique d'un dis- positif MEMS 100 selon un mode de réalisation de la présente invention 10 et la figure 2 est une vue de dessus de ce dispositif MEMS 100 ; la fi- gure 1 est une section selon l'axe A-A de la figure 2. Le dispositif MEMS 100 se compose d'un substrat 101, de préférence un substrat semi-conducteur, par exemple en silicium et ayant une cavité 118. Un premier élément de ressort 202a et un second 15 élément de ressort 202b portent, sur le substrat 101, un dispositif de micro-miroir 112 dans la cavité 118. Le premier élément de ressort 202a et le second élément de ressort 202b peuvent être notamment des ressort de torsion. Le dispositif de micro-miroir 112 pivote autour d'un axe de rotation 201. Le dispositif de micro-miroir 112 comporte un dis- 20 positif de support 111, par exemple en silicium. Le dispositif de support 111 comporte un micro-miroir 102. Sous le micro-miroir 112, le substrat 101 a une première butée 104, inférieure. Le substrat 101 entoure ainsi le dispositif de micro-miroir 112 et au-dessus de ce dispositif de micro-miroir 112, il y a 25 une ouverture. La région supérieure du substrat 101 comporte ainsi une première butée haute 103. Le dispositif de support 111 comporte quatre secondes butées 105 autour du micro-miroir 102. Les secondes butées 105 sont notamment réalisées par gravure en tranchée. La largeur dl de la zone 30 de bord 109 de l'ouverture, qui définit la première butée haute 103, est plus petite que la largeur d2 mesurée dans la direction parallèle du dispositif de micro-miroir 112. Les secondes butées 105 sont ainsi partiellement couvertes en vue de dessus par la première butée haute 103. La figure 1 montre un premier axe 110 parallèle au subs- 35 trat 101 et un second axe 106 perpendiculaire au premier axe 110 et à 3046788 7 l'axe de rotation 201 ; le premier axe 110, le second axe 106 et l'axe de rotation ou axe de pivotement 201 se coupent au point 108 du dispositif de support 111. Dans la position de la figure 1, le dispositif de micro-miroir 112 est en position de repos, c'est-à-dire que l'angle de pivote- 5 ment a entre le premier axe 110 et le troisième axe 107, parallèlement au dispositif de support 111, est ainsi égal à 0°. Sous le substrat 101, c'est-à-dire sur le côté du substrat 101 non tourné vers le dispositif de micro-miroir 112, il y a un aimant 115 et une tôle de guidage de flux 116 qui entoure l'aimant 115 par sa 10 forme en U. Cette tôle est en une matière pour guider le flux magné- tique. Le côté inférieur du dispositif de micro-miroir 112 porte, sur le dispositif de support 111, une première boucle conductrice 113 rectangulaire et une seconde boucle conductrice 114 rectangulaire. La première boucle conductrice 113 a des éléments conducteurs 113a et 113b 15 parallèles à l'axe de rotation 201 et la seconde boucle conductrice 114 a des éléments conducteurs 114a, 114b parallèles à l'axe de rotation 201. La première boucle conductrice 113 et la seconde boucle conductrice 114 se trouvent sur des côtés différents du dispositif de support 111 par rapport à l'axe de rotation 201. 20 Le dispositif actionneur 203 applique une première in- tensité de courant I à la première et à la seconde boucles conductrices 113 ou 114 suivant un sens de circulation opposé. La ligne de champ magnétique 117 générée par l'aimant 115 est indiqué à titre d'exemple. Lorsqu'on applique un courant I par le dispositif d'actionneur 203 à la 25 première et à la seconde boucles conductrices 113, 114, la force de Lo- rentz (ou force électromagnétique) respective s'exerce sur le dispositif de micro-miroir 112. Comme le courant I est de sens opposé, la force de Lorentz agit sur la première boucle conductrice 113 et sur la seconde boucle conductrice 114 dans des directions opposées générant un mo- 30 ment qui bascule le dispositif de micro-miroir 112 autour de l'axe de rotation 201. Selon la figure 3, le premier élément de ressort 202a porte un premier demi-pont de Wheatstone 305 avec une première résistance R1 et une deuxième résistance R2. Une source de tension 301 35 est branchée entre la première résistance R1 et la seconde résistance 3046788 8 R2. Cette source fournit une tension d'alimentation Uo. Un second demi-pont de Wheatstone 306 est prévu sur le second élément de ressort 202b avec une troisième résistance R3 et une quatrième résistance R4 ; la masse 302 est raccordée entre la troisième résistance R3 et la qua- 5 trième résistance R4. La première extrémité 303a du premier demi-pont de Wheatstone 305 est reliée à la première extrémité 303b du second demi-pont de Wheatstone 306 si bien qu'un premier appareil de mesure de tension 401 mesure la première tension Ui. Une seconde extrémité 304a du premier demi-pont de Wheatstone 305 est reliée à la seconde 10 extrémité 304b du second demi-pont de Wheatstone 306 et un second appareil de mesure de tension 402 mesure une seconde tension U2. Le premier demi-pont de Wheatstone 305 et le second demi-pont de Wheatstone 306 forment un pont complet de Wheatstone 403. Le schéma correspondant est donné à la figure 4. 15 Le dispositif MEMS 100 a en outre un dispositif de me- sure 204 qui mesure le courant I appliqué par le dispositif actionneur 203. Le dispositif de mesure 204 est en outre couplé au premier appareil de mesure de tension 401 et au second appareil de mesure de tension 402. Le dispositif de mesure 204 mesure le courant I appliqué en 20 fonction de la position de pivotement du dispositif de micro-miroir 112. La « position » du dispositif de miroir 112 est un paramètre proportionnel à l'angle de pivotement a du dispositif de miroir 112 avec toutefois, un coefficient de conversion pour convertir la position de pivotement en un angle de pivotement a. Ce coefficient de conversion n'est pas connu 25 au préalable. Une modification de la position de pivotement du dispositif de micro-miroir 112, bascule le premier élément de ressort 202a et le second élément de ressort 202b autour de l'axe de rotation 201. Le premier élément de ressort 202a et le second élément de ressort 202b 30 subissent alors, par le pivotement du dispositif de micro-miroir 112, une charge mécanique, ce qui modifie la valeur des premières-quatrièmes résistances R1-R4. Par conséquence, cela modifie le rapport entre la première tension Ul mesurée par le premier appareil de mesure de tension 401 et la seconde tension U2 mesurée par le second appareil 35 de mesure de tension 402 ; en d'autres termes, cela modifie le rapport 3046788 9 p=ui/u2. Le rapport ou quotient 13 correspond ainsi à la position de pivotement du dispositif de micro-miroir 112. Le dispositif de mesure 204 calcule la variation de la position de pivotement du dispositif de micro-miroir 112 lorsqu'on modifie le courant I appliqué, en calculant la varia- 5 tion du quotient 13 lorsque le courant I appliqué varie. Le dispositif de mesure 204 mesure ainsi la relation entre le quotient 13 et l'intensité I du courant. Le dispositif de mesure 204 utilise la première tension Ul mesurée par le premier appareil de mesure de tension 401, la seconde tension U2 mesurée par le second appareil de mesure de tension 402 et 10 l'intensité I du courant appliqué par le dispositif de mesure 204. La figure 5 montre, à titre d'exemple, un diagramme donnant la relation entre le quotient 13 et l'intensité I du courant. On constate une montée linéaire du quotient 13 en fonction de l'intensité I du courant jusqu'à une intensité maximale Im.. Dans cette plage linéaire, 15 le dispositif de micro-miroir 112 occupe une position caractérisée par un angle de pivotement a>0 comme l'illustre la figure 6. La figure 7 montre la position de butées du dispositif de micro-miroir 112. Le dispositif de support 111 repose contre la première butée 104 et en même temps les deux secondes butées 105 touchent la 20 première butée haute 103. Le dispositif de micro-miroir 112 est ainsi pivoté d'un angle de pivotement maximum amax et la poursuite du pivotement est limitée par les premières butées 103 et 104. L'expression « position de butée » désigne la position du dispositif de micro-miroir 112 arrêté dans son pivotement par les premières butées 103, 104. 25 L'invention n'est pas limitée à ce qui précède. C'est ainsi, qu'entre autre, on peut n'avoir qu'une première butée basse 104 et qu'une première butée haute 103 ou encore le dispositif de micro-miroir 112 ne touche que la première butée basse 104 ou la première butée haute 103. 30 La relation entre le pivotement du dispositif de micro- miroir 112 et le courant I appliqué, tel que présentée à la figure 5, explicite la position de butée ; pour une intensité supérieure à l'intensité maximale I., la position de pivotement du dispositif de micro-miroir 112, c'est-à-dire le quotient 13 reste constant. Toutefois, la relation de la 35 figure 5 ne permet pas de calculer la relation entre l'angle de pivotement 3046788 10 a et l'intensité I du courant appliqué car la relation entre la position de pivotement, car on ne connaît pas le coefficient de proportionnalité entre le quotient 13 et l'angle de pivotement a. Le dispositif MEMS 100 comporte en outre un dispositif 5 de reconnaissance 205 qui permet de détecter la position de butée du dispositif de micro-miroir 112. Le dispositif de reconnaissance 205 reconnaît ainsi à l'aide de l'intensité I du courant mesuré par le dispositif de mesure, la relation avec la position de pivotement en ce qu'une variation de l'intensité I appliquée n'entraîne plus de variation de la position 10 de pivotement du dispositif de micro-miroir 112. En d'autres termes, le dispositif de reconnaissance 205 constate que le quotient 13 reste constant pour une intensité de courant I supérieure à l'intensité maximale Im.. Le dispositif de reconnaissance 205 reconnaît la position de butée du dispositif de micro-miroir 112, par le quotient 13 qui reste constant. 15 Le dispositif de reconnaissance 205 peut, toutefois, être réalisé pour reconnaître une position de butée du dispositif de miroir 112 si le coefficient de variation du quotient 13 selon l'intensité I du courant appliqué, diminue au moins d'un pourcentage prédéfini, par exemple de 10%, 20% ou 30%. En d'autres termes, le dispositif de re- 20 connaissance 205 reconnait que la pente du quotient 13 est une fonction de l'intensité I du courant appliqué pour un courant supérieur à I., et qui est au moins inférieur d'un pourcentage prédéfini à la pente linéaire du quotient 13 pour un courant I compris entre 0 et Imax et reconnaît ainsi une position de butée. 25 Le dispositif de reconnaissance 205 calcule l'intensité maximale Imax du courant et la position de pivotement maximale, c'est-à-dire le quotient maximum p.i.. Le dispositif MEMS 100 comporte un dispositif de calcul 206 qui calcule la relation entre l'angle de pivotement a et l'intensité I du courant appliqué. Le dispositif de calcul 206 30 utilise à cet effet la relation mesurée par le dispositif de mesure 204 entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir 112 et l'intensité I du courant appliqué, la position de butée détectée par l'installation de reconnaissance 205 et l'angle de pivotement maximal am., connu, pour la position de butée. L'angle de pivotement maximum 35 an= peut être une valeur connue prédéfinie qui est, par exemple, enre- 3046788 11 gistrée dans une mémoire du dispositif de calcul 206. L'angle de pivotement maximum amax peut être fourni comme paramètre connu par le fabriquant, en fonction du dispositif MEMS 100. La figure 9 montre la relation entre l'angle de pivotement 5 a et l'intensité I du courant appliqué, calculée par le dispositif de calcul 206. Le dispositif de calcul 206 utilise à cet effet la relation entre le quotient 13 du dispositif de micro-miroir 112 et de l'intensité I du courant appliqué. Le dispositif de calcul 206 calcule ainsi la relation entre l'angle de pivotement a et l'intensité I du courant comme relation de 10 proportionnalité liant le quotient 13 et l'intensité I. Les ordonnées sont remises à l'échelle par le dispositif de calcul 206, le quotient 13 variant de 1 à p.iax pour un angle de pivotement a variant de 0 à am.. Comme le montre la figure 8, selon un second mode de réalisation, le dispositif MEMS 500 comporte en option un dispositif de 15 mesure angulaire 801 qui mesure l'angle de pivotement maximum amax à la position de butée. Ainsi, en appliquant une intensité de courant I suffisamment grande par le dispositif d'actionneur 203, on fait pivoter le dispositif de micro-miroir 112 dans sa position de butée. Un dispositif émetteur 801a génère un signal lumineux 802 perpendiculaire au se- 20 cond axe 106 sur le dispositif de micro-miroir 112. Le signal lumineux 802 réfléchi par le micro-miroir 102 est reçu par un dispositif récepteur 80 1 b ; par la mesure de la distance entre le dispositif récepteur 80 1 b et le dispositif émetteur 801a et de la distance entre le dispositif émetteur 801a ou le dispositif récepteur 80 1 b et le dispositif de micro-miroir 112 25 on calcule l'angle de pivotement maximum am.. Cet angle de pivote- ment am., calculé peut alors être fourni au dispositif de calcul 206. La figure 10 est un ordinogramme servant à décrire le procédé de fonctionnement d'un dispositif MEMS en particulier de l'un des dispositifs MEMS décrit sous des formes de réalisation présentées 30 ci-dessus. Dans la première étape S1 du procédé, on fait pivoter le dis- positif de micro-miroirs 112 en appliquant une intensité de courant I par le dispositif actionneur 203. Le dispositif de mesure 204 mesure, dans une seconde étape S2, l'intensité I du courant appliqué par le dispositif actionneur 203. Le dispositif de mesure 204 mesure en outre 35 dans une troisième étape S3, la relation entre la position angulaire du 3046788 12 dispositif de micro-miroir 112 et le courant appliqué I. Le dispositif de mesure 204 peut notamment mesurer la relation de dépendance illustrée à la figure 5 du quotient 13 de la première tension Ul et la seconde tension U2 d'un pont de Wheatstone complet 403 en fonction du cou- 5 rant I appliqué. En particulier, le dispositif de mesure 204 mesure une variation de la position de pivotement lorsque varie l'intensité I du courant appliqué. Dans une quatrième étape S4, le dispositif de reconnais- sance 205 reconnaît la position de butée du dispositif de micro-miroir 10 112 dès que l'on a mesuré que pour une variation de l'intensité I du courant appliqué il n'y a plus de variation de la position de pivotement du dispositif de micro-miroir 112. Cela est le cas pour l'intensité maximale Iniax représentée à la figure 5. Le dispositif de reconnaissance 205 peut, toutefois, reconnaître également une position de butée du disposi- 15 tif de micro-miroir 112 si le taux de variation de la position de pivote- ment diminue au moins d'un pourcentage prédéfini pour l'intensité I du courant appliqué. Dans la cinquième étape S5, le dispositif de calcul 206 calcule la relation de dépendance entre l'angle de pivotement a et le 20 courant I appliqué à l'aide de la relation de dépendance mesurée entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir 112 et l'intensité du courant I appliqué, cette relation étant mesurée par le dispositif de mesure 204, pour la position de butée détectée par le dispositif de reconnaissance 205 et pour l'angle de pivotement maximum amax en posi- 25 tion de butée. Dans l'étape S5a en option, on peut au préalable mesurer l'angle de pivotement maximum amax en position de butée à l'aide du dispositif de mesure angulaire 801 comme illustré à la figure 8. En outre, dans une étape S6 en option, le dispositif 30 d'actionneur 203 pivote le dispositif de micro-miroir 112 selon un angle de pivotement fixé a en ce qu'il applique l'intensité de courant I correspondante selon la relation calculée entre l'angle de pivotement a et l'intensité I du courant. 35 3046788 13 NOMENCLATURE DES ELEMENTS PRINCIPAUX 100 101 5 103 104 105 106 10 107 108 109 110 15 111 112 113 115 116 117 118 25 201 202a 202b 203 204 30 205 206 301 302 303 35 303b Dispositif MEMS Substrat / côté du substrat Première butée haute Première butée basse Seconde butée Second axe perpendiculaire au premier axe et à l'axe de pivotement Troisième axe parallèle au dispositif de support Point d'intersection des axes dans le dispositif de support Zone de bord Premier axe parallèle au substrat Dispositif de support Dispositif de micro-miroir Première boucle conductrice rectangulaire Eléments conducteurs Seconde boucle conductrice rectangulaire Eléments conducteurs Aimant Tôle de flux Ligne de champ magnétique Cavité Axe de rotation / axe de pivotement Premier élément de ressort Second élément de ressort Dispositif actionneur Dispositif de mesure Dispositif de reconnaissance Dispositif de calcul Source de tension Masse Première extrémité du demi-pont 305 Première extrémité du second demi-pont 306 113a,113b 114 20 114a, 114b 3046788 304a 14 304b Seconde extrémité du premier demi-pont 305 Seconde extrémité du second demi-pont 306 305 Premier demi-pont de Wheatstone 306 Second demi-pont 5 401 Premier appareil de mesure de tension 402 Second appareil de mesure de tension 403 Pont de Wheatstone complet 500 Dispositif MEMS 801 Dispositif de mesure d'angle 10 801a Dispositif émetteur 80 lb Dispositif récepteur 802 d 1 d2 Signal lumineux largeur de la zone de bord de l'ouverture largeur mesurée du dispositif de micro-miroir 15 a angle de pivotement entre le premier axe 110 et un troisième axe 107 R Rapport des tension Ul/U2 I Courant appliqué par le dispositif d'actionneur Uo Tension d'alimentation 20 U2 Seconde tension mesurée R1 Première résistance R2 Seconde résistance R3 Troisième résistance R4 Quatrième résistance 25 REVENDICATIONS1°) Dispositif MEMS (100, 500) comportant : un substrat (101), un dispositif de micro-miroir (112) installé sur le substrat (101) ayant au moins un micro-miroir (102) pivotant d'un angle de pivo- tement (a) à partir d'une position de repos autour d'un axe (201), au moins une première butée (103, 104) sur le substrat (101), un dispositif actionneur (203) qui applique une intensité de courant (I) pour pivoter le dispositif de micro-miroir (112), un dispositif de mesure (204) pour mesurer l'intensité (I) du cou- rant appliqué par le dispositif actionneur (203) et mesurer la relation entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir (112) et l'intensité (I) du courant appliqué, un dispositif de reconnaissance (205) reconnaissant la position de butée du dispositif de micro-miroir (112) dans laquelle le dispositif de micro-miroir (112) est pivoté de son angle de pivotement maximum (a.) et touche au moins une première butée (103, 104) lorsque le dispositif de mesure (204) a mesuré que pour une variation de l'intensité (I) du courant appliqué il n'y a plus de variation de la position de pivotement du dispositif de micro-miroir (112) et/ou une variation de la position de pivotement du dispositif de micro-miroir (112) pour une variation de l'intensité (I) du courant appliqué qui varie d'au moins une valeur prédéfinie, et un dispositif de calcul (206) qui calcule la relation entre l'angle de pivotement (a) et l'intensité (I) du courant appliqué à l'aide de la re- lation mesurée par le dispositif de mesure (204) entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir (112) et de l'intensité (I) du courant appliqué, de la position de butée détectée par le dispositif de reconnaissance (205) et de l'angle de pivotement maximum (ctmax), connu, en position de butée. 2°) Dispositif MEMS (100, 500) selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif de micro-miroir (112) est relié au substrat (101) par au moins deux éléments de ressort (202a, 202b), 3046788 16 le premier élément de ressort (202a) portant un premier demi-pont de Wheatstone (305), le second élément de ressort (202b) portant un second demi-pont de Wheatstone (306), 5 le premier demi-point de Wheatstone (305) et le deuxième demi- pont de Wheatstone (306) étant reliés pour former un pont de Wheatstone complet (403) et, le dispositif de mesure (204) mesurant les tensions appliquées au pont complet de Wheatstone (403), mesure la relation entre la posi- 10 tion de pivotement du dispositif de micro-miroir (112) et de l'intensité (I) du courant appliqué. 3°) Dispositif MEMS (100, 500) selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que 15 le dispositif de micro-miroir (112) comporte un dispositif de support (111). 4°) Dispositif MEMS (100, 500) selon la revendication 3, caractérisé en ce que 20 le dispositif de support (111) touche au moins une première butée (104) lorsque le dispositif de micro-miroir (112) est pivoté d'un angle de pivotement maximum (a.). 5°) Dispositif MEMS (100, 500) selon la revendication 3, 25 caractérisé en ce que le dispositif de support (111) a au moins une seconde butée (105) et, cette seconde butée (105) du dispositif de support (111) touche au moins une première butée (103, 104) si le dispositif de micro-miroir (112) est pivoté de son angle de pivotement maximum (amax). 30 6°) Dispositif MEMS (100, 500) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte un dispositif de mesure angulaire (801) qui mesure l'angle de pivotement maximum (a.) en position de butée. 35 3046788 17 7°) Procédé de gestion d'un dispositif MEMS (100, 500) selon l'une des revendications 1 à 6, comprenant les étapes suivantes consistant à : pivoter (Si) le dispositif de micro-miroir (112) par le dispositif actionneur (203) en appliquant une intensité de courant (I), 5 mesurer (S2) avec le dispositif de mesure (204), l'intensité (I) du courant appliqué par le dispositif actionneur (203), mesurer (S3) avec le dispositif de mesure (204), la relation entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir (112) et l'intensité (I) du courant appliqué, 10 reconnaître (S4) avec le dispositif de reconnaissance (205) la posi- tion de butée du dispositif de micro-miroir (112) dès que l'on a mesuré que pour une variation de l'intensité (I) du courant appliqué, il n'y a plus de variation de la position de pivotement du dispositif de micro-miroir (112) et/ou la variation de la position de pivotement 15 du dispositif de micro-miroir (112) pour laquelle une variation de l'intensité (I) du courant appliqué a changé d'au moins une valeur prédéfinie, et calculer (S5) avec le dispositif de calcul (206), la relation entre l'angle de pivotement (a) et l'intensité (I) du courant appliqué à 20 l'aide de la relation mesurée par le dispositif de mesure (204) entre la position de pivotement du dispositif de micro-miroir (112) et l'intensité (I) du courant appliqué, de la position de butée détectée par le dispositif de reconnaissance (205) et d'un angle de pivotement maximum (a.) connu, en position de butée. 25 8°) Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en outre par l'étape suivante consistant à : pivoter (S6) avec le dispositif actionneur (203), le dispositif de micro-miroir (112) d'un angle de pivotement fixé (a) en appliquant une 30 intensité de courant (I) selon la relation calculée entre l'angle de pi- votement (a) et l'intensité (I) du courant appliqué. 9°) Dispositif selon l'une des revendications 7 ou 8, comportant en outre l'étape suivante consistant à : 3046788 18 - mesurer (S5a) avec le dispositif de mesure angulaire (801), l'angle de pivotement maximum (am.) en position de butée. 5