FR 3038917 A1 20170120 FR 1556770 A 20150717 1 DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un substrat germe de diamant monocristallin, pour la croissance homoépitaxiale de diamant par dépôt chimique en phase vapeur ainsi qu'un procédé de formation d'un monocristal de diamant. En outre, l'invention se rapporte à un substrat germe de diamant monocristallin obtenu par un procédé selon l'invention. ETAT DE LA TECHNIQUE Le développement de monocristaux de matériaux semiconducteurs de très haute pureté et de très haute qualité cristalline connait depuis plusieurs années un intérêt grandissant. En effet, ces monocristaux peuvent être utilisés pour la fabrication de composants électroniques de puissance, de détecteurs de rayonnements de forte énergie, de monochromateurs pour les rayonnements X synchrotron, de dispositifs optoélectroniques, optomécaniques, de dispositifs photoniques et de dispositifs électroniques performants. Cependant, ces monocristaux peuvent présenter des impuretés et des dislocations qui limitent les performances des composants obtenus. Une dislocation est un défaut bi-dimensionnel étendu correspondant à une discontinuité dans l'empilement parfait du réseau cristallin, c'est à dire à une déformation plastique du cristal. Bien que le déplacement induit ne concerne qu'un nombre très réduit d'atomes, l'implication à l'échelle macroscopique sur les propriétés du cristal est généralement très importante. L'identification et la réduction de la présence de ces défauts dans les monocristaux de matériaux semiconducteurs font l'objet d'intenses recherches. Ainsi c'est essentiellement l'amélioration de la qualité cristalline du carbure de silicium (SiC) obtenue par la suppression de défauts étendus tels que les « micropipes » qui a permis la pénétration de ce matériau dans des applications d'électronique de 3038917 2 puissance en remplacement des composants classiques à base de Si. De même, la fabrication de diodes laser à base de nitrures (GaN-AIGaN) n'a été possible qu'au prix d'une forte réduction de la densité de dislocations dans ces matériaux. Le diamant synthétisé par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma 5 (PACVD) n'est pas exempt de ce type de problèmes puisque des densités de dislocations de l'ordre de 104 à 107 cm-2 y sont généralement mesurées. La densité de dislocations est définie comme le nombre de dislocations unitaires présentes par unité de surface du cristal. En effet celles-ci étant généralement « traversantes » le long de la direction de croissance du cristal (« threading dislocations »), elles tendent 10 à émerger à la surface où elles peuvent être facilement dénombrées après révélation par des traitements adaptés. Les dislocations sont souvent à l'origine d'une biréfringence non désirée qui peut fortement compromettre l'utilisation du matériau pour des applications optiques. A certaines concentrations extrêmes, il est suspecté que les dislocations soient 15 aussi responsables de la coloration brune des cristaux, peut-être en association avec des lacunes. Enfin certains types de dislocations peuvent créer des niveaux d'énergie dans la bande interdite du diamant, modifiant les propriétés électroniques du matériau et créant par exemple des courants de fuite dans les diodes de puissance. 20 La présence de ces dislocations constitue à l'heure actuelle une limitation importante de ce matériau pour de nombreuses applications à forte valeur ajoutée. La qualité d'un monocristal obtenu par dépôt chimique en phase vapeur est dépendante de la qualité du substrat utilisé comme germe. En effet, le substrat peut contenir des dislocations qui se propagent dans le monocristal lors de sa croissance. 25 L'utilisation de substrats de très haute qualité obtenus par des techniques Haute Pression Haute Température (HPHT), ne contenant pratiquement pas de dislocations, pourrait permettre de produire des monocristaux de très haute qualité. En effet, si le polissage et le traitement de la surface de départ est effectué correctement, il a été montré qu'il est possible de fortement limiter la génération de 30 nouvelles dislocations dans la couche de diamant CVD homoépitaxiée et de conserver une faible densité de défauts. 3038917 3 Néanmoins, la disponibilité extrêmement réduite (2 ou 3 sociétés ou laboratoires dans le monde étant capables de les produire), la faible taille (quelques mm2) et le coût exorbitant (plusieurs milliers d'euros par échantillon) de tels substrats limitent fortement à l'heure actuelle leur utilisation à grande échelle pour la croissance CVD. 5 Il existe donc un besoin pour une solution permettant d'obtenir un monocristal de diamant par dépôt chimique en phase vapeur de très haute qualité cristalline et de haute pureté en initiant la croissance sur un germe de qualité modérée mais dont la disponibilité est grande et le coût réduit. 10 EXPOSE DE L'INVENTION Un but de l'invention est de proposer un substrat germe de diamant monocristallin pour la croissance homoépitaxiale de diamant par dépôt chimique en phase vapeur, permettant d'obtenir un monocristal de diamant de très haute qualité 15 cristalline et de haute pureté et présentant une densité de dislocations inférieure à celle du substrat germe. L'invention propose ainsi un substrat germe de diamant monocristallin, pour la croissance homoépitaxiale de diamant par dépôt chimique en phase vapeur, 20 présentant un corps constitué : - d'une paroi inférieure servant d'appui sur la base ou porte-substrat d'un réacteur, et - d'une ou de plusieurs parois extérieures latérales, et d'une ou de plusieurs parois extérieures supérieures sur lesquelles la croissance homoépitaxiale est réalisée, caractérisé en ce que l'intérieur du corps est ajouré par une ouverture traversante 25 s'étendant entre la ou les parois supérieures et la paroi inférieure, délimitant ainsi une ou plusieurs parois intérieures sur lesquelles la croissance homoépitaxiale est également réalisée, l'ouverture traversante présentant une largeur d'au moins 0,5 mm. 30 Les inventeurs ont constaté que le fait d'avoir une ouverture traversante entre la ou les parois supérieures et la paroi inférieure, permet d'obtenir un monocristal de 3038917 4 diamant par dépôt chimique en phase vapeur ayant une zone présentant une concentration fortement réduite en dislocations. La zone du monocristal de diamant ayant une concentration fortement réduite en dislocation correspond à la zone du monocristal obtenue après croissance et coalescence et se situant au-dessus de 5 l'ouverture traversante du substrat germe. Le substrat germe de diamant monocristallin selon l'invention peut également comprendre une ou plusieurs des caractéristiques ci-dessous, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : 10 - la (ou les) paroi(s) intérieure(s) est (sont) réalisée(s) pour être verticale(s) quand la paroi inférieure repose en appui sur une base ou un porte-substrat de réacteur ; et/ou - l'ouverture présente au moins deux parois intérieures, en regard, parallèles l'une à l'autre ; et/ou 15 - l'ouverture présente un pourtour rectangulaire, et deux paires de deux parois intérieures, en regard, parallèles l'une à l'autre ; et/ou - la ou les parois supérieures extérieures sont un plan (001) ou équivalent ; et/ou - les parois intérieures sont orientées entre les plans (100) et (010) ; et/ou - les parois intérieures sont orientées perpendiculaires à la paroi supérieure 20 définissant ainsi des plans cristallins quelconques ou (100) et équivalent, ou (110) ou équivalent ; et/ou - la largeur de l'ouverture est de plusieurs mm ; et/ou - l'ouverture est réalisée par découpe laser ; et/ou - la ou les parois supérieures extérieures et les parois intérieures forment un 25 angle quelconque inférieur à 90° ; et/ou - le corps a été réalisé par un procédé HPHT ou CVD, ou en diamant naturel ; et/ou - le corps est un parallélépipède rectangle, avantageusement un parallélépipède rectangle à base carrée ; et/ou 30 - les parois intérieures sont désorientées d'un angle inférieur à 10°, par exemple 3°, par rapport aux parois extérieures du corps ; et/ou 3038917 5 - le pourtour de l'ouverture est circulaire ou conique. L'invention se rapporte également à un procédé de formation d'un monocristal de diamant comprenant les étapes suivantes : 5 - on fournit un substrat de diamant monocristallin selon l'invention, ayant une densité de dislocations initiale supérieure ou égale à 104 cm-2, - on effectue une croissance homoépitaxiale par dépôt chimique en phase vapeur sur l'ensemble des parois du substrat de sorte que la croissance du diamant soit réalisée latéralement à la ou aux parois 10 intérieures et à la ou aux parois latérales extérieures formant des zones de croissance latérale conduisant ainsi à une coalescence du diamant qui croît à partir des parois intérieures et donc à une disparition progressive de l'ouverture, et normalement sur la ou les parois supérieures extérieures du cristal, définissant ainsi une zone de monocristal située au-dessus de l'ouverture 15 présentant une densité de dislocations inférieure d'au moins un à plusieurs ordres de grandeur de celle du substrat de départ. Le procédé selon l'invention peut comprendre également une étape de découpe de la zone coalescée au-dessus de l'ouverture afin d'en extraire un monocristal 20 contenant une faible densité de dislocations et pouvant à nouveau être utilisé pour une croissance homoépitaxiale. L'invention concerne également un substrat germe de diamant monocristallin obtenu par le procédé selon l'invention, présentant un taux de dislocations inférieur 25 ou égal à 103 cm-2 et une surface d'au moins 0,5x0,5 mm2. DESCRIPTION DES FIGURES 30 D'autres objectifs, caractéristiques et avantages sortiront de la description détaillée qui suit en référence aux dessins donnés à titre illustratif et non limitatif parmi 3038917 6 lesquels : - la figure 1 représente un substrat germe selon l'invention, - la figure 2 représente une vue de dessus d'un substrat germe selon l'invention, 5 - la figure 3 représente une vue en coupe d'un substrat germe selon l'invention ; - la figure 4 sont des images de substrats de diamant HPHT ajourés selon l'invention ; - Les figures 5a à 5c montrent dans une vue en coupe transverse, les 10 différentes étapes de la croissance du monocristal au cours d'un procédé selon l'invention. Figure 5a : substrat germe ajouré de départ, figure 5b : étape intermédiaire de croissance, figure 5c : étape finale après coalescence. Les dislocations sont représentées par des lignes noires. Le rectangle pointillé central indique la zone d'intérêt à faible densité de 15 dislocations ; - les figures 6a à 6d sont des images observées en imagerie de cathodoluminescence à 234 nm et à 120K d'un monocristal obtenu par un procédé selon l'invention aux points A, B, C, D représentés sur la figure 5 ; - Les figures 7a à 7c montrent dans une vue en coupe transverse, les 20 différentes étapes de la croissance du monocristal au cours d'un procédé selon l'invention lorsque la ou les parois supérieures extérieures et la ou les parois intérieures latérales forment un angle a quelconque inférieur à 90° ; - Les figures 8a à 8c montrent des images en microscopie optique laser de la surface d'un cristal obtenue en utilisant un substrat selon l'invention après 25 révélation des dislocations par un plasma de gravure H2/02. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION L'invention repose sur la mise en forme d'un substrat germe de diamant 30 monocristallin pour la croissance homoépitaxiale de diamant par dépôt chimique en phase vapeur. 3038917 7 Comme représenté aux figures 1 à 3, le substrat germe présente un corps 10 comprenant : - une paroi inférieure 12 servant d'appui sur la base ou porte-substrat d'un réacteur, 5 - une ou de plusieurs parois ou surfaces extérieures latérales 14 destinées à recevoir le dépôt chimique pour la croissance homoépitaxiale, et - une ou de plusieurs parois ou surfaces extérieures supérieures 16 destinées à recevoir le dépôt chimique pour la croissance homoépitaxiale. 10 Le corps 10 comprend également une ouverture traversante 20 s'étendant entre la ou les parois supérieures 16 et la paroi inférieure 12. L'ouverture traversante 20 délimite ainsi une ou plusieurs parois latérales intérieures 18 sur la ou lesquelles le dépôt chimique pour la croissance homoépitaxiale va également se faire, de façon sensiblement perpendiculaire à ces 15 parois latérales intérieures 18. Dans les monocristaux synthétiques, les défauts étendus, en particulier les dislocations traversantes, se propagent généralement selon des directions cristallines privilégiées afin de minimiser leur énergie et leur longueur. Le plus souvent ces directions sont perpendiculaires à la surface initiale du 20 substrat germe conduisant à un réseau dense de dislocations qui se traduit par une détérioration des propriétés du monocristal. L'ouverture traversante dans le substrat germe selon l'invention vise à promouvoir dans l'ouverture une croissance dans une direction latérale pour laquelle la propagation des dislocations est fortement inhibée. 25 La croissance s'effectue verticalement à partir des parois supérieures 16 et latéralement à partir des parois intérieures latérales 18. Lorsque la coalescence des fronts de croissance issus des zones latérales et supérieures est effective, la croissance se poursuit verticalement sur l'ensemble de la surface coalescée. Ainsi les dislocations traversantes 16A issues de la face supérieure 16 sont confinées dans le 30 secteur de croissance situé immédiatement au-dessus du substrat. Les dislocations 18A issues des parois intérieures 18 sont confinées latéralement dans l'ouverture du 3038917 8 substrat et se terminent sur les surfaces libres intérieures 19 de l'ouverture. A noter que la croissance s'effectue également latéralement à partir des parois extérieures latérales 14. Il en résulte que la zone de monocristal T obtenue après croissance et 5 coalescence dans ou au-dessus de l'ouverture traversante 20 du substrat germe selon l'invention présente une concentration fortement réduite en dislocations. Ceci est confirmé sur les images de cathodoluminescence des figures 6c et 6d qui montrent respectivement les dislocations présentes dans la zone au-dessus des parois extérieures supérieures 16 et dans la zone T. 10 Des monocristaux à faible densité de dislocations sont susceptibles de conduire à des propriétés d'usage optimisées pour l'optique ou l'électronique par exemple. Ainsi, il est préférable que l'ouverture traversante présente une largeur aussi grande que possible, de préférence d'au moins 0,5 mm, par exemple, voire avantageusement de plusieurs millimètres. 15 Selon un mode de réalisation de l'invention, le corps du substrat germe est un parallélépipède rectangle. Comme représenté aux figures 1 à 3, le corps peut être un parallélépipède rectangle à base carrée, ou encore un cube. Dans le cas du diamant synthétisé par dépôt chimique en phase vapeur, une forme particulièrement avantageuse de substrat germe est un monocristal 20 parallélépipède rectangle à base carrée dont toutes les faces sont orientées {100}. Ce type de substrat standard a typiquement mais de façon non limitative une base carrée ayant des longueurs par exemple comprises entre 2 et 9 mm et des hauteurs comprises entre 0,3 et 2 mm. Le corps d'un substrat germe selon l'invention peut être réalisé par un procédé 25 HPHT ou encore un procédé CVD ou du diamant naturel. L'ouverture traversante est avantageusement réalisée par découpe laser, ce type de technique de découpe étant bien maitrisé et relativement peu coûteux. Comme indiqué précédemment, il est préférable que l'ouverture traversante soit la plus grande possible afin de permettre d'obtenir une zone T de monocristal à faible 30 densité de dislocation aussi grande que possible et réalisée au-dessus de cette ouverture traversante 20. 3038917 9 Typiquement, pour un substrat germe selon l'invention obtenue à partir d'un substrat cubique, l'ouverture traversante peut être de forme carrée centrée par rapport aux parois extérieures latérales 14 du substrat, comme représenté sur les figures 1 à 3. 5 Dans le mode de réalisation des figures 1 à 3, les parois intérieures 18 de l'ouverture traversante carrée présentent la même orientation que celle des parois extérieures latérales 14 du substrat germe. Alternativement, le contour ou pourtour de l'ouverture traversante carrée peut présenter un angle supérieur ou égal à 0,5° et inférieur ou égal à 10° par rapport aux 10 parois extérieures latérales 14 du substrat germe. Alternativement, le pourtour de l'ouverture peut également être circulaire ou conique dans la mesure où la croissance latérale du monocristal de diamant dans l'ouverture peut être obtenue favorablement. Lorsque le substrat germe selon l'invention est réalisé à partir d'un substrat 15 monocristallin cubique de 3 mm de côté, l'ouverture traversante peut présenter une largeur de 1,5 à 2 mm conduisant à un substrat percé de forme « annulaire » comme illustré sur la figure 4. La (ou les) paroi(s) intérieure(s) 18 délimitée(s) par l'ouverture traversante peut (peuvent) être réalisée(s) pour être verticale(s) quand la paroi inférieure 12 repose en 20 appui sur une base ou un porte-substrat de réacteur CVD. Typiquement, l'ouverture 20 comprend au moins deux parois intérieures 18, en regard et parallèles l'une à l'autre conduisant à un substrat percé de forme « annulaire ». Ici comme illustré sur la figure 4, elle comprend deux paires de deux parois intérieures 18 lorsque l'ouverture présente un pourtour rectangulaire, en 25 particulier carré. Selon un mode de réalisation de l'invention illustré aux figures 1 à 3, les parois intérieures sont orientées perpendiculairement à la ou les parois extérieures supérieures 16, par exemple entre les plans (100) et (010). Alternativement, les parois intérieures latérales 18 peuvent être désorientées 30 d'un angle inférieur à 10°, par exemple 3°, par report aux parois extérieures latérales 14 du corps. 3038917 10 Afin d'assurer la résistance mécanique du substrat germe, il est préférable que l'épaisseur entre la ou les parois extérieures latérales 14 et la ou les parois intérieures latérales 18 soit d'au moins 500 pm. Selon le mode de réalisation représenté sur les figures 1 à 3, la ou les parois 5 extérieures supérieures 16 sont dans le plan (001) ou un plan équivalent. Selon des variantes de l'invention, la ou les parois extérieures supérieures 16 peuvent être comprises dans un plan (113) ou équivalent, ou un plan (111) ou équivalent, ou un plan (110) ou équivalent. Selon une variante de l'invention, la ou les parois extérieures supérieures 16 10 peuvent également comprendre un ensemble de plans présentant une désorientation cristallographique de quelques degrés par rapport à l'un des plans (001), (110), (113) et (111). Les inventeurs ont pu observer que lorsque la ou les parois supérieures extérieures 16 et la ou les parois intérieures latérales 18 forment un angle a 15 légèrement inférieur à 90 °, les dislocations 16A dies à la croissance homoépitaxiale à partir de la ou des parois supérieures extérieures 16 sont déviées vers une direction extérieure s'éloignant de l'ouverture traversante 20, ce qui permet d'obtenir une zone T à faible taux de dislocations de plus grande surface. Par exemple pour un angle a inférieur à 90° et supérieur ou égal à 50°, la talle 20 de la zone de monocristal T à faible densité est avantageusement augmentée, comme illustré sur la figure 7. L'invention se rapporte également à un procédé de formation d'un monocristal de diamant comprenant les étapes suivantes : 25 - on fournit un substrat germe de diamant monocristallin selon l'invention, ayant une densité de dislocations initiale supérieure ou égale à 104 cm-2, - on effectue une croissance homoépitaxiale par dépôt chimique en phase vapeur sur l'ensemble des parois du substrat, excepté sur la paroi inférieure 12. L'utilisation d'un substrat germe selon l'invention dans des conditions de 30 croissance optimisées permet que : 3038917 11 - la croissance homoépitaxiale du diamant soit réalisée normalement sur la ou les parois supérieures extérieures 16, - la croissance homoépitaxiale du diamant soit réalisée latéralement sur la ou les parois latérales extérieures 14, 5 - la croissance homoépitaxiale du diamant soit réalisée latéralement sur la ou les parois intérieures 18 formant des zones de croissance latérale dans l'ouverture traversante 20 conduisant à une coalescence du diamant qui croit latéralement à partir de ces parois intérieures, et donc à une disparition progressive de l'ouverture traversante, 10 Le mode de croissance du diamant permet de définir une zone située au-dessus de l'ouverture traversante présentant une densité de dislocations inférieure d'au moins un à plusieurs ordres de grandeur par rapport à celle du substrat germe de départ. Avantageusement, la bonne qualité cristalline ne se fait pas au détriment de la pureté du cristal puisqu'il n'est pas nécessaire d'ajouter de larges quantités d'azote 15 pendant la croissance. Les inventeurs ont pu vérifier par photoluminescence que le cristal ne contient qu'une faible quantité d'azote incorporée. En outre, la révélation des dislocations traversantes par gravure révèle que l'essentiel des dislocations est contenue dans le secteur de croissance situé 20 directement au-dessus des parois extérieures supérieures 16 du substrat germe comme illustré sur les photographies 8a à 8c. Cette gravure est réalisée sur une épaisseur faible, comprise entre 0,1 et 2 micromètres, juste suffisante pour permettre la détection des zones de défauts. La gravure est par exemple une gravure sèche en plasma microonde constitué d'un mélange de gaz tel que H2 - 02. (98:2) 25 A l'opposé, la zone centrale T du monocristal de diamant située au-dessus de l'ouverture traversante du substrat germe contient une densité de 1 à 2 ordres de grandeur plus faible, soit environ 103 cm-2. Une analyse fine en cathodoluminescence permet de mettre en évidence le bénéfice de l'invention (figure 6d). 30 En imageant la luminescence des excitons libres sous l'effet d'un faisceau électronique de MEB, il est possible de visualiser les dislocations qui apparaissent 3038917 12 comme des lignes noires en raison de recombinaisons non-radiatives des excitons sur ces défauts. L'image en figure 6a montre clairement que les dislocations issues du substrat 5 tendent à se propager préférentiellement selon les directions et , perpendiculairement aux parois supérieures extérieures 16 et aux parois latérales intérieures 18 du substrat germe. La zone du monocristal de diamant située directement au-dessus des parois extérieures supérieures 16 du corps du substrat germe contient une forte densité de 10 dislocations comme illustré en figure 6c alors que la zone de monocristal de diamant située au-dessus de l'ouverture traversante 20 en est presque exempte comme illustrée en figure 6d. On note toutefois que la zone de coalescence des fronts issus des différentes faces peut constituer une nouvelle source de défauts comme illustré en figure 6b 15 même si celle-ci semble relativement limitée. Le procédé selon l'invention peut également comprendre une étape de découpe de la zone de monocristal T obtenue après croissance et coalescence dans ou au-dessus de l'ouverture traversante 20 du substrat germe afin d'en extraire un 20 monocristal contenant une faible densité de dislocations et pouvant à nouveau être utilisé pour une croissance homoépitaxiale. Cette zone est illustrée par un rectangle pointillé sur les figures 5c et 7c. La croissance du diamant peut être réalisée par la technique de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PACVD). 25 La technique PACVD est généralement basée sur la création d'un plasma dans une région de basse ou moyenne pression sous un champ électrique provenant de l'application de micro-ondes dans une chambre à cavité résonante. Parmi tous les réacteurs de PACVD, ceux fonctionnant à des densités de puissance élevées sont préférés pour la croissance de couches de diamant épaisses, 30 étant connus pour fournir une meilleure qualité cristalline, avec des vitesses de croissance raisonnablement élevées, allant jusqu'à quelques dizaines de pm/h. 3038917 13 Ceci est essentiellement lié à une dissociation thermique plus efficace des espèces chimiques dans le plasma qui est essentielle à la croissance du diamant. Un réacteur PACVD fonctionne typiquement dans une plage de pression de 20 à 500 mbar, ou de manière préférée dans la plage de 100 à 300 mbar. 5 Les générateurs de micro-ondes utilisés sont généralement à des fréquences de 2,45 GHz ou 915 MHz bien que d'autres fréquences soient parfois utilisées. La puissance fournie au cours de la croissance est typiquement, pour une fréquence de 2,45 GHz, comprise dans l'intervalle 100 à 10000 W, ou de manière préférée dans la plage de 2000 à 5000 W et pour une fréquence de 915 MHz, dans la 10 plage 5000 à 60000 W, ou de manière davantage préférée dans la plage 20000 à 40000W. Un mélange d'hydrogène et de méthane, est nécessaire à la synthèse du diamant avec un rapport allant de 99:1 jusqu'à 50:50. Une composition de 90-99 : 101 est préférable pour assurer des conditions de fonctionnement stables et une bonne 15 qualité de cristal. Le débit total de gaz introduits dans le réacteur peut varier de 10 à 50000 sccm (standard centimètre cube par minute), de préférence de 100 à 1000 sccm. Une quantité importante d'autres gaz peut être ajoutée pour améliorer les vitesses de croissance ou la qualité de cristal. Ces gaz peuvent comprendre des gaz 20 halogènes (Ar, He, Ne ...) dans la gamme de 0-50%, de préférence 0-20%. L'azote est aussi parfois présent en tant qu'impureté, par exemple plusieurs parties par million, ppm ou ajouté intentionnellement. Cela conduit à accélérer les taux de dépôt et affecte les morphologies de surface. Un ajout d'azote sous la forme de N2 peut être utilisé dans la plage de 0 à 25 100000 ppm, de préférence dans la plage de 0 à 50 ppm. Un gaz contenant de l'oxygène peut également être ajouté sous la forme d'O2, CO ou CO2 dans la gamme 0 à 60%, car l'oxygène atomique attaque fortement les phases non-diamants. Enfin, des impuretés qui sont bien connues pour modifier la conductivité 30 électrique du diamant peuvent également être ajoutées afin de créer des accepteurs de type p (bore) ou des donneurs de type n (phosphore, arsenic). L'introduction d'un 3038917 14 gaz contenant des dopants à une concentration de 0 à 100000 ppm, ou plus généralement dans la gamme de 0 à 10000 ppm peut être réalisée. Au cours de la croissance, le substrat germe est maintenu à une température comprise entre 600 à 1200 °C, de manière préférée entre 750 à 950 °C. 5 La température est contrôlée soit par refroidissement du substrat en utilisant une circulation d'eau ou de gaz dans le porte substrat lorsque la température du plasma est très élevée, par exemple sous des densités de puissance élevées, ou dans certains cas par chauffage résistif du substrat lorsque la température du plasma est modérée, par exemple sous faibles densités de puissance. 10 La croissance du monocristal de diamant sur le substrat germe de l'invention est illustrée sur les figures 5a à 5c. Une vue d'une coupe verticale d'un substrat germe cubique 10 selon l'invention est représentée en figure 5a avant le dépôt par CVD. 15 En figure 5b, est représentée une vue en coupe du substrat 10 selon l'invention sur lequel un dépôt d'un monocristal de diamant 30 a commencé sur les parois extérieures supérieures 16, les parois extérieures latérales 14 et les parois intérieures latérales 18. En figure 5c, est représentée une vue en coupe du substrat 10 selon l'invention 20 lorsque le dépôt de monocristal est terminé. Comme représenté, le monocristal a coalescé au-dessus de l'ouverture traversante 20 du substrat germe. Les espèces précurseurs produites par dissociation dans le plasma conduisent à une croissance des parois supérieures et intérieures du substrat germe de telle sorte que l'ouverture se referme progressivement (figure 5b). Ainsi les dislocations 18A 25 issues des parois latérales intérieures 18 et les dislocations 16A issues des parois extérieures supérieures 16, qui sont sensiblement perpendiculaires aux surfaces à partir desquelles elles croissent, sont confinées dans le secteur de croissance situé au-dessus du substrat ou dans l'ouverture où elles se terminent sur une surface libre 19. Il en résulte que la zone T contient une densité fortement réduite en dislocations. 3038917 15 La zone T est située verticalement au-dessus de l'ouverture traversante 20, et n'est pas située verticalement au-dessus des parois extérieures supérieures 16 pour la réalisation illustrée sur la figure 5c. La zone T est située principalement verticalement au-dessus de l'ouverture 5 traversante 20, et en partie seulement verticalement au-dessus des parties des parois extérieures supérieures 16 qui sont les plus proches de l'ouverture traversante 20, pour la réalisation illustrée sur la figure 7c, en conséquence de la déviation des dislocations 16A fonction de l'angle a. 10 La vitesse de croissance du diamant est souvent supérieure lorsque la croissance s'effectue latéralement plutôt que normalement. Une vitesse latérale environ 2,5 fois plus grande que la vitesse normale a été mesurée. Ainsi la disparition complète d'une ouverture de 2 mm de largeur aura lieu pour une croissance verticale d'environ 400 pm. Il est avantageux d'utiliser des conditions de croissance conduisant 15 à des vitesses latérales élevées de manière à assurer une disparition rapide de l'ouverture. C'est seulement après cette étape que la plaque de diamant CVD à faible densité de dislocation peut en effet être extraite. Par ailleurs plus l'ouverture est grande et plus la zone exempte de dislocations sera étendue. A noter qu'il est aussi possible de réaliser une zone T' à dislocations réduites à 20 partir de la croissance latérale des parois extérieures latérales 14. L'invention ne se limite pas aux modes de réalisation décrits, en particulier, d'autres procédés de croissance du diamant par dépôt chimique en vapeur peuvent être utilisés comme par exemple la CVD par filament chaud (HFCVD) ou par plasma 25 DC, ainsi que les procédés à torche plasma, ou de type arc-jet. De manière plus générale, l'invention n'est pas limitée aux exemples décrits. Il est bien entendu que de nombreuses adaptations aux configurations décrites ci-dessus peuvent être introduites tout en conservant au moins certains des avantages de l'invention. 30 L'expression « comprenant un » doit être comprise comme synonyme de l'expression « comprenant au moins un », sauf lorsque le contraire est spécifié. REVENDICATIONS1. Substrat germe (10) de diamant monocristallin, pour la croissance homoépitaxiale de diamant par dépôt chimique en phase vapeur, présentant un corps constitué : - d'une paroi inférieure (12) servant d'appui sur la base ou porte-substrat d'un réacteur, et - d'une ou de plusieurs parois extérieures latérales (14), et d'une ou de plusieurs parois extérieures supérieures (16) sur lesquelles la croissance homoépitaxiale est 10 réalisée, caractérisé en ce que l'intérieur du corps est ajouré par une ouverture traversante (20) s'étendant entre la ou les parois extérieures supérieures (16) et la paroi inférieure (12), délimitant ainsi une ou plusieurs parois intérieures (18) sur lesquelles la croissance 15 homoépitaxiale est également réalisée, l'ouverture traversante (20) présentant une largeur d'au moins 0,5 mm. 2. Substrat germe de diamant monocristallin selon la revendication 1, caractérisé en ce que la (ou les) paroi(s) intérieures (18) est(sont) réalisée(s) pour être verticale(s) 20 quand la paroi inférieure (12) repose en appui sur une base ou un porte-substrat de réacteur. 3. Substrat germe de diamant monocristallin selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'ouverture traversante (20) présente au moins deux parois 25 intérieures (18), en regard, parallèles l'une à l'autre. 4. Substrat germe de diamant monocristallin selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'ouverture traversante (20) présente un pourtour rectangulaire, et deux paires de deux parois intérieures, en regard, parallèles l'une à l'autre. 30 3038917 17 5. Substrat germe de diamant monocristallin selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la ou les parois supérieures extérieures (16) sont un plan (001) ou équivalent. 5 6. Substrat germe de diamant monocristallin selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les parois intérieures (18) sont orientées entre les plans (100) et (010). 7. Substrat germe de diamant monocristallin selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la largeur de l'ouverture traversante (20) est de plusieurs mm. 8. Substrat germe de diamant monocristallin selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'ouverture traversante (20) est réalisée par découpe laser. 9. Substrat germe de diamant monocristallin selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la ou les parois supérieures extérieures (16) et les parois intérieures (18) forment un angle quelconque inférieur à 90°. 10. Substrat germe de diamant monocristallin selon l'une des revendications 1 à 9, 20 caractérisé en ce que le corps a été réalisé par un procédé HPHT. 11. Substrat germe de diamant monocristallin selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que le corps est un parallélépipède rectangle, avantageusement un parallélépipède rectangle à base carrée. 25 12. Substrat germe de diamant monocristallin selon l'une des revendications 1 à 2, 5 à 11, caractérisé en ce que le pourtour de l'ouverture traversante (20) est circulaire ou conique. 30 13. Procédé de formation d'un monocristal de diamant comprenant les étapes suivantes : 3038917 18 - on fournit un substrat de diamant monocristallin selon l'une quelconque des revendications précédentes, ayant une densité de dislocations initiale supérieure ou égale à 104 cm-2, - on effectue une croissance homoépitaxiale par dépôt chimique en phase vapeur sur 5 l'ensemble des parois extérieures supérieures (16), des parois extérieures latérales (14) et des parois intérieures (18) du substrat de sorte que la croissance homoépitaxiale du diamant soit réalisée normalement sur la ou les parois supérieures extérieures (16), la croissance homoépitaxiale du diamant soit réalisée latéralement sur la ou les 10 parois latérales extérieures (14), la croissance homoépitaxiale du diamant soit réalisée latéralement sur la ou les parois intérieures (18) formant des zones de croissance latérale dans l'ouverture traversante (20) conduisant à une coalescence du diamant qui croit latéralement à partir de ces parois intérieures (18), et donc à une disparition progressive de 15 l'ouverture traversante (20) définissant ainsi une zone T située au-dessus de l'ouverture traversante (20) présentant une densité de dislocations inférieure d'au moins un à plusieurs ordres de grandeur par rapport à celle du substrat germe de départ. 14. Procédé selon la revendication 13, comprenant une étape de découpe de la zone de monocristal T au-dessus de l'ouverture traversante (20) afin d'en extraire un monocristal contenant une densité de dislocations inférieure ou égale à 103 cm-2 et pouvant à nouveau être utilisé pour une croissance homoépitaxiale. 15. Substrat germe de diamant monocristallin obtenu par le procédé selon l'une des revendications 13 à 14, présentant un taux de dislocations inférieur ou égal à 103 cm-2 et une surface d'au moins 0.5x0.5 mm2.