FR 3037189 A1 20161209 FR 1653990 A 20160503 1 Procédé de séparation mécanique pour un double transfert de couche Arrière-plan de l'invention La présente invention concerne un procédé pour la séparation mécanique de couches, en particulier dans un processus de double transfert de couche. Le transfert de couches de dispositifs électroniques en utilisant le collage de plaques est utilisé couramment dans plusieurs applications de semi-conducteurs. Le double (ou dual) transfert de couche (DLT) d'un dispositif à couche active est particulièrement important lorsque l'on améliore des dispositifs à semi-conducteur, par exemple lorsque l'on remplace un substrat porteur initial portant une couche active par un nouveau substrat porteur en un matériau différent procurant une meilleure performance du dispositif à couche active. La Figure 1 illustre de façon schématique un exemple d'un processus DLT connu pour remplacer le substrat porteur initial d'un dispositif à couche active 100 par un nouveau substrat porteur. Dans ce processus connu, le dispositif à couche active 100 comprend un substrat porteur initial en Si ou en verre 101 portant une couche de dispositif active 102 avec une couche d'oxyde enfouie (BOX) 103 entre celles-ci. Selon le processus connu et comme cela est encore illustré dans la Figure 1, un substrat de manipulation temporaire en Si 104 est alors attaché à la couche active 102 sur le côté du dispositif à couche active 100 opposé au substrat porteur initial en Si 101, formant de ce fait un composite intermédiaire 105. Comme cela est encore illustré, le substrat porteur initial en Si 101 est ensuite détaché du composite intermédiaire 105, généralement par séparation mécanique en utilisant une lame ou un bord inséré à l'interface entre le substrat porteur initial en Si 101 et la couche BOX 103 ou, de façon alternative, par meulage et/ou gravure, formant ainsi un composite intermédiaire suivant 106. A ce stade, dans le cas d'une séparation mécanique, le substrat porteur initial 101 risque d'être endommagé et même brisé en raison de la contrainte créée sur celui-ci par la lame ou le bord. En cas de meulage et/ou de gravure, il y a des risques d'insertion de particules. Donc, à ce stade, il y a des risques que le substrat porteur initial 101 ne puisse pas être recyclé. Ces risques peuvent être acceptables selon que l'on désire, ou non, réutiliser le substrat porteur initial 101 pour d'autres processus. 3037189 2 La Figure 1 montre ensuite qu'un substrat porteur final à haute résistivité (HR) 107 est ensuite attaché, par exemple par collage direct ou par toute technologie de transfert de couche appropriée, à la couche de dispositif active 102 à la couche BOX 103, au lieu du substrat porteur initial en Si détaché 101, formant ainsi un composite intermédiaire 5 suivant 108. Selon les applications, il est connu d'utiliser des substrats homogènes (par exemple des substrats RF) ou composites (par exemple multicouche) pour le substrat final HR 107. En outre, il est connu que l'étape d'attachement peut nécessiter des étapes additionnelles complexes de préparation de surface. Le substrat de manipulation temporaire en Si 104 utilisé pendant le processus DLT 10 est ensuite détaché par séparation mécanique. Une lame ou un bord est introduit(e) à l'interface entre la couche active 102 et le substrat de manipulation temporaire en Si 104 afin de commencer la séparation mécanique le long de cette interface en vue d'obtenir le dispositif à couche active final désiré 110. Toutefois, à ce stade, la force mécanique requise pour enlever le substrat de 15 manipulation temporaire en Si 104 affecte l'intégrité de la structure collée. Donc, il peut se produire pendant cette étape de séparation mécanique un bris de plaque, endommageant en particulier la surface 109 de la couche active 102 et/ou endommageant le substrat porteur final HR 107. On connaît également des processus DLT alternatifs dans lesquels, en partant du 20 composite 106, un substrat porteur final en un matériau polymère est surmoulé sur le côté arrière de la couche active 102 au lieu d'être attaché à celle-ci par collage direct ou par des technologies de transfert de couche. Il est connu que, dans le composite obtenu, avant la séparation mécanique du substrat de manipulation temporaire en Si, le substrat porteur final est également attaché au substrat de manipulation temporaire en Si dans des 25 régions de bord de celui-ci. Donc, en plus du risque précité de bris de plaque, les processus DLT alternatifs connus présentent également des risques qu'une séparation complète du substrat de manipulation temporaire en Si ne puisse pas être réalisée correctement, en particulier dans les régions de bord à recouvrement attachées du substrat de manipulation 30 temporaire et du substrat porteur. Objet de l'invention 3037189 3 Un objet de la présente invention est dès lors de procurer un processus DLT amélioré pour remplacer le substrat porteur initial d'un dispositif à couche active en tenant compte des problèmes précités. En particulier, un objet de la présente invention est d'améliorer la séparation 5 mécanique du substrat de manipulation temporaire de la couche active en empêchant le bris de plaque et l'endommagement de la surface de la couche active. Description de l'invention L'objet de l'invention est atteint avec un procédé de séparation mécanique de couches, en particulier pour un processus de double transfert de couche, comprenant les 10 étapes suivantes : procurer un premier composite semi-conducteur comprenant une couche d'un substrat de manipulation et une couche active avec un côté principal avant et un côté principal arrière opposé audit côté principal avant, dans lequel la couche de substrat de manipulation est attachée au côté principal avant de la couche active; ensuite procurer une couche d'un substrat porteur sur le côté principal arrière de ladite couche 15 active ; et ensuite commencer la séparation mécanique de ladite couche de substrat de manipulation de façon à obtenir un deuxième composite semi-conducteur comprenant la couche de substrat porteur au côté principal arrière de la couche active. La couche de substrat de manipulation et la couche de substrat porteur sont dotées d'une structure mécanique sensiblement symétrique. 20 Dans ce contexte, une « structure mécanique sensiblement symétrique » signifie que, même si la couche de substrat de manipulation temporaire et la couche de substrat porteur final présentent des propriétés mécaniques intrinsèques différentes (élasticité/rigidité, résistance à la rupture, etc.) et/ou des géométries différentes (épaisseur, forme, etc.) l'une par rapport à l'autre, elles sont prévues de telle manière que 25 les propriétés mécaniques globales sur l'un et l'autre côté de la couche active soient substantiellement identiques lorsque l'on commence la séparation mécanique. Par conséquent, les contraintes mécaniques pendant l'étape de séparation mécanique sont distribuées de manière égale sur l'un et l'autre côté de la couche active, ce qui évite un bris de plaque ou une séparation incomplète, comme on l'exposera plus en détail ci- 30 après. Les propriétés mécaniques et géométriques telles que la rigidité et l'épaisseur du substrat porteur de remplacement peuvent être très différentes de celles du substrat de manipulation temporaire, qui est choisi initialement de façon à réaliser une séparation 3037189 4 mécanique réussie du substrat porteur original dans les premières étapes des processus DLT connus. Ces asymétries mécaniques et/ou géométriques peuvent même être plus grandes lorsque le substrat porteur de remplacement est fourni sous la forme d'un empilement composite de couches de matériaux possédant des propriétés mécaniques 5 différentes. Il a été observé que l'asymétrie mécanique (élasticité/rigidité, résistance à la rupture, etc.) entre le substrat de manipulation temporaire et le substrat porteur final HR affectait la force mécanique requise pour enlever le substrat de manipulation temporaire en Si. Il a également été observé que l'asymétrie géométrique (épaisseur, forme, etc.) 10 entre le substrat porteur final et le substrat de manipulation temporaire pouvait aussi affecter la séparation mécanique. Donc, après avoir posé le substrat porteur de remplacement sur la couche active, pour la séparation mécanique ultérieure du substrat de manipulation temporaire, la présente invention permet que les contraintes mécaniques soient étalées de manière 15 égale entre le substrat de manipulation temporaire et le substrat porteur de remplacement. Ceci minimise le niveau maximal de contrainte dans les matériaux pendant la séparation mécanique. En particulier, dans des modes de réalisation avantageux, on a trouvé que le fait d'avoir des valeurs similaires des produits du module de Young du matériau de substrat 20 par le cube de l'épaisseur de la couche, ou E.t3, pour le substrat de manipulation temporaire et le substrat porteur permettait d'obtenir des déformations similaires. Ici, par « produits E.t3 similaires », on veut dire que la différence entre les deux produits E.t3 devrait de préférence se situer dans une plage de 20% ou moins. Donc, un bris de plaque pourrait être évité. Au contraire, l'utilisation d'un substrat de manipulation temporaire et 25 d'un substrat porteur de remplacement présentant des produits E.t3 différents était plus susceptible de conduire à un bris de plaque. Dans certains modes de réalisation, il peut être avantageux de doter le substrat porteur de remplacement d'un ou de plusieurs chanfrein(s), de telle manière qu'un contact direct entre le substrat de manipulation temporaire et le substrat porteur de remplacement 30 puisse être évité. Ceci présente l'avantage de faciliter l'insertion d'une lame ou d'un bord à l'interface de séparation mécanique de telle manière que la pression puisse être appliquée de manière égale sur le substrat de manipulation temporaire et sur le substrat 3037189 5 porteur en vue de commencer la séparation mécanique du substrat de manipulation temporaire. Ceci a été trouvé particulièrement avantageux dans des modes de réalisation d'un processus DLT, dans lesquels le substrat porteur de remplacement peut être surmoulé 5 sur la couche de dispositif active. En effet, étant donné que le substrat porteur de remplacement doit présenter une adhérence élevée sur le côté arrière de la couche active ou du circuit actif, lorsqu'il est surmoulé sur la couche active, comme par exemple dans le processus DLT connu illustré dans la Figure 2, les bords du substrat de manipulation temporaire et du substrat porteur de remplacement présentent aussi une adhérence 10 élevée l'un à l'autre et, par conséquent, se brisent pendant la séparation mécanique, lorsqu'ils sont soumis à des efforts de compression excessifs. Ceci a également été trouvé avantageux dans des modes de réalisation, dans lesquels le substrat porteur de remplacement peut être fourni sous la forme d'une couche préformée, qui est attachée, éventuellement après des étapes optionnelles de préparation 15 de surface, sur le côté arrière de la couche active. Dans ces modes de réalisation, les bords chanfreinés peuvent être réalisés, par exemple par polissage ou gravure, sur la couche du substrat porteur de remplacement avant et/ou après sa fixation sur le côté arrière de la couche active. Dans certains modes de réalisation, on peut mettre en place une configuration 20 permettant le transfert d'une couche active d'un substrat de manipulation temporaire à un substrat porteur final ou de remplacement présentant une structure composite. Par exemple, on a trouvé qu'un substrat porteur de remplacement ayant une couche « souple », par exemple en un polymère, pouvait être avantageux pour limiter le risque de bris de plaque pendant la séparation mécanique du substrat de manipulation temporaire. 25 En particulier, pour des substrats porteurs de remplacement composites, on a trouvé avantageux de répliquer la structure mécanique du substrat porteur de remplacement sur le substrat de manipulation temporaire. Donc, la présente invention procure avantageusement une correction du comportement asymétrique de plaques liées par DLT avant la séparation mécanique du 30 substrat de manipulation temporaire. En particulier, pour éviter un bris de plaque et pour permettre une séparation complète du substrat de manipulation temporaire, la structure du substrat porteur final peut être répliquée sur le substrat de manipulation temporaire. La 3037189 6 présente invention a été trouvée particulièrement avantageuse pour les substrats porteurs finaux présentant des structures composites. Brève description des figures L'invention sera décrite plus en détail ci-dessous, en se basant sur des modes de 5 réalisation avantageux décrits en combinaison avec les figures suivantes: La Figure 1 illustre schématiquement un processus DLT connu; La Figure 2 illustre schématiquement un premier exemple de mode de réalisation d'un procédé de séparation mécanique selon la présente invention; La Figure 3 illustre schématiquement un deuxième exemple de mode de réalisation 10 d'un procédé de séparation mécanique selon la présente invention; et La Figure 4 illustre schématiquement un troisième exemple de mode de réalisation d'un procédé de séparation mécanique selon l'invention. Description détaillée de modes de réalisation La Figure 2 illustre schématiquement un premier exemple de mode de réalisation 15 de la présente invention. Dans ce mode de réalisation, une variante du procédé de séparation mécanique de couches selon la présente invention sera utilisée dans un processus DLT exécuté pour remplacer le substrat porteur original 201 dans un dispositif à couche active existant 200 par un nouveau substrat porteur 207, de préférence en améliorant les performances. Les premières étapes, S200 à S202, du processus DLT 20 illustré dans la Figure 2 peuvent être similaires à celles du processus DLT connu illustré dans la Figure 1. Donc, dans le premier mode de réalisation, à l'étape S200, le dispositif à couche active initial 200 est fourni et comprend une couche d'un substrat porteur initial 201 portant une couche de dispositif active 202. Dans le premier mode de réalisation, le 25 substrat porteur initial 201 peut être un substrat porteur en Si, mais dans un autre mode de réalisation, le substrat porteur initial 201 pourrait être un verre ou un saphir ou du AsGa ou analogue. En option, selon le processus utilisé pour fournir le dispositif à couche active initial 200, comme cela est illustré dans la Figure 2, la couche active 202 peut aussi comprendre une couche d'oxyde enfouie (BOX) 203 sur son côté arrière ou à l'interface 30 211 avec la couche de substrat porteur initial 201. Etant donné que la couche BOX 203 3037189 7 est en option dans tous les modes de réalisation décrits ci-après, l'interface 211 sera utilisée sans distinction pour décrire le côté arrière de la couche active 202 ou de la couche BOX 203 qui est attachée à la couche de substrat porteur 201. Ensuite, à l'étape S201, comme cela est encore illustré dans la Figure 2, une 5 couche d'un substrat de manipulation temporaire en Si 204 est attachée à un côté avant 209 de la couche active 202, qui est le côté libre opposé à l'interface 211 avec la couche de substrat porteur initial en Si 201, formant ainsi un composite intermédiaire 205. Alors que le Si est communément choisi comme matériau pour le substrat de manipulation temporaire 204, il sera clair pour l'homme du métier que d'autres matériaux pourraient 10 être choisis à sa place, en fonction spécialement des propriétés du substrat porteur initial 201 ou du nouveau substrat porteur 207, comme on l'expliquera ci-dessous. Ensuite, à l'étape S202, comme cela est encore illustré dans la Figure 2, la couche de substrat porteur initial en Si 201 est détachée du composite intermédiaire 205. La séparation mécanique est effectuée en utilisant une lame ou un bord inséré entre la 15 couche de substrat de manipulation temporaire en Si 204 et la couche de substrat porteur initial en Si 201 ou à l'interface 211 entre la couche de substrat porteur initial en Si 201 et la couche BOX 203, éventuellement en utilisant la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 204 comme point d'appui pour exercer une pression sur la couche de substrat porteur initial en Si 201. Etant donné que la couche de substrat de manipulation 20 en Si 204 n'est utilisée que de façon temporaire, il importe peu qu'elle puisse être endommagée pendant cette étape. Avec cette séparation mécanique, la couche de substrat porteur initial en Si 201 est détachée, formant ainsi un autre composite intermédiaire 206 dans lequel le côté arrière 211 est à présent libre. Ensuite, à l'étape S203, comme cela est encore illustré dans la Figure 2, une 25 couche homogène 207 d'un matériau à haute résistivité, par exemple un polymère tel que SU-8, ou un verre, ou une colle céramique, ou un matériau ayant une résistivité d'au moins 10 kfl.cm, est surmoulée sur le côté arrière 211 de la couche active 202 et/ou de la couche BOX 203. Ceci évite d'utiliser des étapes complexes de préparation de surface par comparaison avec le processus DLT connu illustré dans la Figure 1. Dans cette étape, 30 en raison du moulage, la couche de nouveau substrat porteur 207 et la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 204 adhèrent l'une à l'autre dans les régions de bord 212. 3037189 8 Afin d'éviter un bris de plaque lorsque l'on commence la séparation mécanique de la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 204, la couche du nouveau substrat porteur 207 devrait de préférence être dotée d'une structure mécanique similaire. En particulier, selon une variante avantageuse de la présente invention, la couche de 5 nouveau substrat porteur 207 peut être choisie avec un module de Young E2 et une épaisseur t2 tels que le produit E2.t23 concorde avec le produit E1.t13 de la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 204, c'est-à-dire que E2.t23 ..= E1.t13, de préférence avec une tolérance de 20 % ou moins. Donc, le matériau pour la couche de nouveau substrat porteur 207 peut être choisi en conséquence. En fait, dans des modes 10 de réalisation préférés, selon le matériau qui est choisi en premier lieu entre celui du substrat de manipulation temporaire 204 ou celui du nouveau substrat porteur 207, il est possible de choisir la couche, en particulier le matériau, de l'autre couche avec un module de Young approprié et une épaisseur appropriée de façon à satisfaire la relation ci-dessus dans les limites de la plage de tolérance donnée d'environ 20 % ou moins. En d'autres 15 termes, la couche de substrat de manipulation temporaire 204 et/ou la couche de nouveau substrat porteur 207 peuvent être choisies de telle manière que leurs produits E.t3 soient similaires, en particulier avec une tolérance de 20 % ou moins. A l'inverse, si une épaisseur prédéterminée t2 est désirée pour la couche de nouveau substrat porteur 207, il est également possible d'ajouter une étape d'amincissement optionnelle 20 intermédiaire de la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 204 de telle manière que son épaisseur t1 permette la correspondance précitée entre les produits E.t3. De cette façon, il est possible de doter la couche de nouveau substrat porteur 207 et la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 204 de structures et de propriétés mécaniques essentiellement symétriques, favorisant de ce fait une séparation mécanique 25 ultérieure complète de la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 204. Ensuite, à l'étape S204, comme cela est encore illustré dans la Figure 2, alternativement ou en complément à l'ajustement des produits E.t3, selon une autre variante avantageuse de la présente invention, les bords 213 de la couche de nouveau substrat porteur 207 peuvent être chanfreinés dans les régions de bord à recouvrement 30 212 avec la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 204, de telle manière qu'aucun ou que peu de contact n'existe entre la couche de nouveau substrat porteur 207 et la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 204. Ceci peut être réalisé par exemple par des procédés connus tels que la gravure, en particulier la gravure chimique, ou le polissage en biseau. De cette manière, il devient plus facile d'insérer une lame ou un bord entre la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 204 et la couche de 3037189 9 nouveau substrat porteur 207 pour commencer la séparation mécanique de la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 204. De plus, étant donné que c'est à présent la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 204 qui doit être détachée, la couche de nouveau substrat porteur 207 5 peut être un point d'appui pour utiliser la lame ou le bord pendant la séparation mécanique. Les bords chanfreinés 213 peuvent alors aussi empêcher avantageusement la couche de nouveau substrat porteur 207 d'être endommagée par l'action de levier de la lame ou du bord pendant la séparation mécanique. Donc, dans le premier mode de réalisation, le procédé de l'invention permet de 10 détacher la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 204 sans risquer de briser la plaque et sans endommager la couche de nouveau substrat porteur 207 ou la couche active 202. L'étape S205 dans la Figure 2 montre encore que, une fois que la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 204 est détachée, un nouveau dispositif final à couche active 210 est obtenu, dans lequel le nouveau substrat porteur 15 207, améliorant la performance, a remplacé le substrat porteur initial en Si 201 du dispositif à couche active initial 200. La Figure 3 illustre de façon schématique un deuxième exemple de mode de réalisation de l'invention. Dans ce mode de réalisation, une variante du procédé de séparation mécanique de couches selon la présente invention sera utilisée dans un autre 20 processus DLT, différent de celui du premier mode de réalisation, exécuté pour remplacer le substrat porteur original d'un dispositif à couche active existant par un nouveau substrat porteur 307, de préférence capable d'améliorer la performance. Comme cela est illustré dans la Figure 3, à l'étape S302, on procure un composite semi-conducteur 306 comprenant une couche d'un substrat de manipulation en Si 304 25 attachée à un côté avant 309 d'une couche active 302. Ladite couche active 302 comprend en option une couche d'un oxyde 303 sur son côté arrière 311. Dans ce mode de réalisation, le composite semi-conducteur 306 peut être à tout point de vue similaire au composite intermédiaire 206 du premier mode de réalisation. Donc, dans le deuxième mode de réalisation, bien que les deux premières étapes ne soient pas illustrées dans la 30 Figure 3, le composite 306 peut avoir été fourni dans des étapes S300 à S302 qui correspondent aux étapes S200 à S202 du premier mode de réalisation, respectivement. Donc, il est fait à cet égard référence à la description antérieure. 3037189 10 A l'étape S303, comme cela est illustré dans la Figure 3, une couche d'un matériau homogène à haute résistivité 307, par exemple un substrat RF ou un polymère tel que SU-8 ou un verre, ou une colle céramique, ou un matériau présentant une résistivité d'au moins 10 kn.cm, est fournie. Toutefois, contrairement au premier mode de réalisation 5 illustré dans la Figure 2, qui se rapporte à un processus DLT dans lequel la couche de nouveau substrat porteur 207 est surmoulée sur le côté arrière 211 de la couche active 202, le deuxième mode de réalisation se rapporte à un processus DLT dans lequel la couche de nouveau substrat porteur 307 est fournie sous la forme d'une couche déjà préformée avec un côté 314 configuré pour être attaché ou collé au côté arrière 311 de la 10 couche active 302. Ensuite, à l'étape S304, comme cela est encore illustré dans la Figure 3, selon une variante avantageuse de la présente invention, des régions de bord 313 du côté 314 peuvent être chanfreinées. Cette étape peut être exécutée par des procédés connus, tels que gravure, amincissement, polissage et analogues. 15 Ensuite, à l'étape S305, comme cela est encore illustré dans la Figure 3, la couche de nouveau substrat porteur 307 avec des bords chanfreinés 313 est attachée au côté arrière 311 de la couche active 302, formant un composite intermédiaire 308, qui est analogue au composite 208 à l'étape S204 du premier mode de réalisation et qui présente les mêmes avantages. Il est dès lors fait référence au premier mode de réalisation pour 20 plus de détails. Par exemple, il offre les mêmes avantages concernant l'insertion de la lame ou du bord pour commencer la séparation mécanique. L'homme du métier appréciera que, dans des variantes du deuxième mode de réalisation, l'étape S304 de biseautage des régions de bord 313 de la couche de nouveau substrat porteur 407 pourrait aussi être exécutée après l'étape S305 de pose de la couche 25 de nouveau substrat porteur 407 sur le composite 306. En outre, selon la technologie utilisée pour attacher la couche de nouveau substrat porteur 307 à la couche active 302, des étapes intermédiaires optionnelles de préparation de surface peuvent être requises mais ne sont pas essentielles pour la mise en oeuvre de l'invention. De plus, comme dans le premier mode de réalisation, il est également 30 préférable de faire concorder les produits E.t3 correspondants de la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 304 et de la couche de nouveau substrat porteur 307. Donc, des étapes additionnelles optionnelles d'amincissement de la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 304 pourraient également être avantageuses. 3037189 11 Donc, dans le deuxième mode de réalisation, le procédé de l'invention permet également de détacher la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 304 sans risquer de briser la plaque et sans endommager la couche de nouveau substrat porteur 307 ou la couche active 302. L'étape S305 dans la Figure 3 montre en outre que, une fois 5 que la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 304 a été détachée, un nouveau dispositif à couche active final 310 est obtenu, dans lequel un nouveau substrat porteur 307 avec des bords chanfreinés 313, améliorant la performance, a remplacé le substrat porteur initial en Si du dispositif à couche active initial. La Figure 4 illustre de façon schématique un troisième exemple de mode de 10 réalisation de l'invention. Dans ce mode de réalisation, une variante du procédé de séparation mécanique de couches selon la présente invention sera utilisée dans encore un autre type de processus DLT exécuté dans le but de remplacer le substrat porteur original d'un dispositif à couche active existant par un nouveau substrat porteur 407, de préférence capable d'améliorer la performance. 15 Comme cela est illustré dans la Figure 4, à l'étape S402, on procure un composite semi-conducteur 406, comprenant une couche d'un substrat de manipulation en Si 404 attachée à un côté avant 409 d'une couche active 402. Comme dans les modes de réalisation précédents, ladite couche active 402 peut en option comprendre une couche d'un oxyde 403 sur son côté arrière 411. Dans ce mode de réalisation, le composite semi- 20 conducteur 406 peut être à tout point de vue similaire aux composites intermédiaires 206 et 306 des modes de réalisation précédents. Donc, dans le troisième mode de réalisation, bien que les deux premières étapes ne soient pas illustrées dans la Figure 4, le composite 406 peut aussi avoir été fourni à des étapes S400 et S402, qui correspondent par exemple aux étapes S200 et S202 décrites dans le premier mode de réalisation, 25 respectivement. Donc, il est fait à cet égard référence à la description antérieure. Dans le troisième mode de réalisation, la couche de nouveau substrat porteur 407 est fournie sous la forme d'un substrat composite ou multicouche. A l'étape S403, comme cela est illustré dans la Figure 4, on fournit une couche de support mécanique 415, telle qu'un substrat de silicium monocristallin ou polycristallin. 30 D'autres matériaux tels qu'un verre ou un saphir ou du AsGa ou analogue pourraient également convenir. Ensuite, à l'étape S404, comme cela est encore illustré dans la Figure 4, au moins une couche d'un matériau à haute résistivité (HR) 416, tel qu'une colle céramique, un 3037189 12 polymère, un polysilicone, ou un matériau présentant une résistivité d'au moins 10 kn.cm, est déposée sur la couche de support mécanique 415, formant de ce fait le substrat porteur composite 407. Dans d'autres modes de réalisation, la couche HR 416 pourrait aussi être fournie sous la forme d'un empilement de couches de matériaux HR, déposées 5 l'une au-dessus de l'autre sur la couche de support mécanique 415. Par exemple, une couche 416 avec une épaisseur comprise entre environ 30 pm et environ 200 lm pourrait être déposée. Dans le troisième mode de réalisation, à l'étape S405, comme cela est encore illustré dans la Figure 4, suivant une variante avantageuse de la présente invention, la 10 structure mécanique de la couche de substrat composite 407, en particulier la structure de sa ou de ses couche(s) de matériau HR 416, est répliquée sur le côté libre 417 opposé à la couche active 402 du composite 406. Donc, essentiellement la même couche ou le même empilement de couches 416 est également déposé(e), dans le même ordre que pour la couche de nouveau substrat porteur 407, sur la surface libre 417 du premier 15 composite 406, formant de ce fait un autre composite intermédiaire 418, dans lequel la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 404 et la couche HR déposée 416 forment un nouveau composite de manipulation temporaire 419 pour manipuler la couche active 402. Ensuite, à l'étape S406, la surface libre 414 de la couche supérieure de 20 l'empilement ou de la couche unique 416 est attachée au côté arrière 411 de la couche active 402, qui peut être le côté arrière de la couche d'oxyde optionnelle 403, formant de ce fait un autre composite intermédiaire suivant 408, qui est comparable aux composites intermédiaires 208 et 308 des modes de réalisation précédents et qui présente des avantages analogues, comme les propriétés mécaniques de la couche du nouveau 25 substrat porteur composite 407 et du composite intermédiaire 418 sont essentiellement symétriques, favorisant de ce fait une étape ultérieure de séparation mécanique. L'homme du métier appréciera que, dans des variantes du troisième mode de réalisation, l'étape S405 de réplication de la structure mécanique de la couche de substrat composite 407, en particulier la structure de sa ou de ses couche(s) de matériau HR 416, 30 sur le côté libre 417 opposé à la couche active 402 du composite 406, pourrait aussi être exécutée après l'étape S406 de pose de la couche de nouveau substrat porteur 407 sur le côté arrière 411 de la couche active 402. 3037189 13 D'autres aspects avantageux des modes de réalisation précédents sont également compatibles avec le troisième mode de réalisation. Par exemple, dans une variante, des régions de bord de la couche de substrat porteur composite 407 pourraient également en option être chanfreinées comme cela est décrit dans le deuxième mode de réalisation. 5 Selon la technologie utilisée pour attacher la couche de nouveau substrat porteur composite 407 au côté arrière 411 de la couche active 402, des étapes intermédiaires optionnelles de préparation de surface peuvent être requises mais ne sont pas essentielles pour la mise en oeuvre de l'invention. En outre, comme dans le mode de réalisation précédent, il est également préférable de faire concorder les produits E.t3 10 correspondants dans toute la mesure du possible entre la couche de nouveau substrat porteur composite 407 et le composite de manipulation temporaire 419. Donc, une étape additionnelle d'amincissement de la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 404 pourrait en option être exécutée avant l'étape S405 de réplication de la structure mécanique de la couche de nouveau substrat porteur composite 407 sur le côté libre 417 15 du composite 406. Dans le troisième mode de réalisation, la séparation mécanique est ensuite commencée dans le composite intermédiaire 408, par exemple en insérant une lame ou un bord entre la couche de composite de manipulation temporaire 419 et la couche de nouveau substrat porteur composite 407, après l'étape S406. Le procédé de l'invention 20 permet une séparation complète du composite de manipulation temporaire 419, y compris la couche de substrat de manipulation temporaire en Si 404 avec la/les couche(s) HR répliquée(s) 416, sans risquer de briser la plaque et sans endommager la nouvelle couche de substrat porteur 407 ou la couche active 402. L'étape S407 dans la Figure 4 montre en outre que, une fois que le composite de manipulation temporaire 419 est 25 complètement détaché, un nouveau dispositif à couche active final 410 est obtenu, dans lequel le nouveau substrat porteur composite 407, améliorant la performance, a remplacé le substrat porteur initial du dispositif à couche active initial. La présente invention, en procurant un procédé de séparation mécanique de couches, dans lequel la structure mécanique du substrat porteur de remplacement est 30 répliquée sur le substrat de manipulation temporaire, évite les risques de bris de plaque ou d'endommagement de la couche active ou du nouveau substrat porteur pendant l'étape de séparation mécanique de processus DLT. REVENDICATIONS1. Procédé de séparation mécanique de couches, en particulier pour un processus de double transfert de couche, comprenant les étapes suivantes: procurer un premier composite semi-conducteur (206; 306; 406) comprenant une couche d'un substrat de manipulation (204; 304; 404) et une couche active (202; 302; 402) avec un côté principal avant (209; 309; 409) et un côté principal arrière (211; 311; 411) opposé audit côté principal avant (209; 309; 409), dans lequel la couche de substrat de manipulation (204; 304; 404) est attachée au côté principal avant (209; 309; 409) de la couche active (202; 302; 402); ensuite procurer une couche d'un substrat porteur (207; 307; 407) sur le côté principal arrière (211; 311; 411) de ladite couche active (202; 302; 402); et ensuite commencer la séparation mécanique de ladite couche de substrat de manipulation (204; 304; 404) de façon à obtenir un deuxième composite semi-conducteur (210; 310; 410) comprenant la couche de substrat porteur (207; 307; 407) au côté principal arrière (211; 311; 411) de la couche active (202; 302; 402); caractérisé en ce que la couche de substrat de manipulation (204; 304; 404) et la couche de substrat porteur (207; 307; 407) sont dotées d'une structure mécanique sensiblement symétrique. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche du substrat porteur (204; 304) et/ou la couche de substrat de manipulation (207; 307) sont choisies de telle manière que leurs produits E.t3 soient similaires, en particulier dans les limites d'environ 20 % ou moins. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, dans lequel le substrat porteur (207; 307) est doté d'une région de bord chanfreinée (213; 313). 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le substrat porteur (207; 307) est fourni sous la forme d'une couche d'un matériau homogène à haute résistivité, en particulier un matériau avec une résistivité d'au moins 10 kn.cm. 3037189 15 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche de substrat porteur (407) est fournie sous la forme d'une pile de couches composite comprenant: une couche de support mécanique (415); et 5 au moins une couche d'un matériau à haute résistivité (416) déposée sur celle-ci; et dans lequel la couche la plus haute (416) de matériau à haute résistivité est prévue, en particulier attachée, sur le côté principal arrière (411) de la couche active (402). 10 6. Procédé selon la revendication 5, comprenant en outre, avant l'étape de commencement de la séparation mécanique, une étape de réplication de ladite au moins une couche de matériau à haute résistivité (416) sur le substrat de manipulation temporaire (404), en particulier sur un côté libre (417) de celui-ci opposé à la couche active (402). 15 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 et 6, dans lequel la couche de support mécanique (415) est un substrat de silicium monocristallin ou polycristallin 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, dans lequel l'épaisseur de matériau déposé (416) se situe dans la plage de 30 pm à 200 pm. 20 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel le matériau à haute résistivité (416) est une colle céramique, un polymère ou un matériau ayant une résistivité d'au moins 10 kQ'cm. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre, avant l'étape de commencement de la séparation mécanique, une étape 25 d'amincissement de la couche de substrat de manipulation (204; 304; 404).