FR 3037438 A1 20161216 FR 1555248 A 20150609 1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE DE PIEGEAGE DE CHARGES DOMAINE DE L'INVENTION L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur comprenant une couche de piégeage de charges. ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION Les dispositifs intégrés sont usuellement élaborés sur des substrats en forme de plaquettes, qui servent principalement de support à leur fabrication. Toutefois, l'accroissement du degré d'intégration et des performances attendues de ces dispositifs entrainent un couplage de plus en plus important entre leurs performances et les caractéristiques du substrat sur lequel ils sont formés. C'est particulièrement le cas des dispositifs radiofréquences (RF), traitant des signaux dont la fréquence est comprise entre environ 3kHz et 300GHz, qui trouvent notamment leur application dans le domaine des télécommunications (téléphonie, Wi-Fi, Bluetooth."). A titre d'exemple de couplage dispositif/substrat, les champs électromagnétiques, issus des signaux hautes fréquences se propageant dans les dispositifs, pénètrent dans la profondeur du substrat et interagissent avec les éventuels porteurs de charge qui s'y trouvent. Il s'en suit une consommation inutile d'une partie de l'énergie du signal par perte d'insertion et des influences possibles entre composants par diaphonie (« crosstalk » selon la terminologie anglo-saxonne). Les dispositifs radiofréquences, tels que des commutateurs et syntoniseurs d'antennes ainsi que des amplificateurs de puissance, peuvent être élaborés sur des 3037438 2 substrats spécifiquement adaptés pour prendre en compte ces phénomènes et pour en améliorer les performances. On connaît ainsi les substrats de silicium sur isolant 5 (SOI, pour « Silicon On Insulator » selon la terminologie anglo-saxonne) comprenant, comme cela est représenté sur la figure 1 un substrat support 2, une couche de piégeage de charge 3 disposée sur le substrat support 3, une couche isolante 4 disposée sur la couche de piégeage 3, et une couche 10 superficielle de silicium 5 disposée sur la couche isolante. Le substrat support 2 peut présenter une résistivité supérieure à 1 kOhm.cm. La couche de piégeage 3 peut comprendre du silicium polycristallin non dopé. La couche de piégeage de charge 3 permet de réduire le couplage 15 dispositif/substrat cité précédemment, et ainsi d'assurer de bonnes performances des dispositifs RF. La fabrication de ce type de substrat est par exemple décrite dans les documents FR2860341, FR2933233, FR2953640, US2015115480. 20 La demanderesse a observé que l'application d'un traitement thermique rapide appliqué à un tel substrat SOI pouvait conduire à affecter les propriétés radiofréquences de ce substrat. Or ces traitements thermiques rapides sont particulièrement utiles pour traiter la surface d'un substrat 25 au cours de sa fabrication. C'est également une étape nécessaire dans les procédés de fabrication usuels des composants CMOS, par exemple pour l'activation des dopants. Plus précisément, la demanderesse a observé que la 30 mesure de caractérisation dite de distorsion de seconde harmonique se révèle être de l'ordre de 25% plus faible dans le cas d'un substrat ayant subi un traitement thermique rapide que dans le cas d'un substrat n'en ayant pas subi. 35 Cette mesure de caractérisation, dont on trouvera une description détaillée dans le document intitulé « White paper - RF SOI Characterisation » de janvier 2015 et publié par la société SOITEC, est particulièrement pertinente, car elle est 3037438 3 très représentative de la performance attendue d'un dispositif RF formé sur le substrat caractérisé. Et le niveau atteint par cette mesure sur les substrats 5 SOI présentant une couche de piégeage de charge, et ayant subi un traitement thermique rapide, n'est pas suffisamment élevé pour garantir le fonctionnement du dispositif RF dans les spécifications requises. 10 OBJET DE L'INVENTION Un but de l'invention est de proposer un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur comportant une étape 15 de traitement thermique rapide, qui ne présente pas les pertes de performances constatées. BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION 20 En vue de la réalisation de ce but, l'invention propose, dans son acceptation la plus large, un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur, le procédé comprenant une étape de traitement thermique rapide d'un 25 substrat comprenant une couche de piégeage de charge, et susceptible de détériorer une caractéristique RF de ce substrat. Ce procédé est remarquable en ce que l'étape de 30 traitement thermique rapide est suivi d'un traitement thermique de guérison du substrat entre 700° et 1100 °C pendant une durée d'au moins 15 secondes. De manière surprenante, la demanderesse a démontré qu'à 35 la suite de ce traitement thermique de guérison, le substrat présente la caractéristique radiofréquence attendue, c'est-à-dire au même niveau qu'un substrat qui n'aurait pas été traité par un traitement de thermique rapide. 3037438 4 Le traitement thermique de guérison est simple à mettre en oeuvre, il peut s'agir d'un traitement thermique à 950°C pendant une heure dans une atmosphère neutre ou réductrice 5 réalisé dans un four vertical conventionnel. Avantageusement, la caractéristique radiofréquence du substrat est évaluée par une mesure de distorsion de seconde harmonique. Comme on l'a indiqué précédemment, cette mesure 10 est très représentative de la performance RF d'un composant qui sera formé sur ce substrat. Préférentiellement, le traitement thermique rapide est réalisé dans un équipement de traitement thermique rapide tel 15 qu'un équipement du recuit thermique rapide (RIA selon les initiales de l'expression anglo-saxonne « Rapid Thermal Annealing) ou dans un équipement de recuit flash, qui sont communément utilisés dans les domaines de la fabrication des substrats et des composants semi-conducteurs. 20 Avantageusement, le traitement thermique rapide comprend l'exposition du substrat à une atmosphère de traitement pendant une durée maximale deux minutes à une température plateau comprise entre 1125 et 1250 °C. Ces 25 conditions de traitement sont particulièrement efficaces pour la fabrication d'un substrat ou d'un composant. Le traitement thermique de guérison, permettant au final de retrouver complètement ou partiellement la performance radiofréquence attendue de l'élément, ne consiste pas à choisir des 30 conditions de traitement thermique rapide dégradées qui viseraient à limiter leur impact sur la caractéristique RF du substrat. L'élément semi-conducteur peut être un substrat, par 35 exemple un substrat de silicium sur isolant (SOI) comportant une couche de piégeage de charge comme cela a été présenté en préambule, ou un dispositif à semi-conducteurs fabriqué sur ce substrat. En effet, de manière particulièrement intéressante, 3037438 5 le traitement thermique de guérison selon l'invention est particulièrement polyvalent et peut s'appliquer soit au cours de la fabrication d'un substrat, soit au cours de la fabrication d'un composant sur ce substrat. 5 De manière préférée, le traitement thermique de guérison est réalisé in situ dans l'équipement de traitement thermique rapide. On évite ainsi d'utiliser un équipement additionnel et on simplifie le procédé de fabrication de 10 l'élément. Très avantageusement, le traitement thermique de guérison est réalisé en contrôlant la baisse rapide de température de l'équipement à moins de 40 °C par seconde. 15 Le traitement thermique de guérison selon l'invention est particulièrement utile lorsque le substrat est une plaquette de 200mm au moins de diamètre. Pour ces tailles de plaquettes, il est en effet difficilement envisageable de se 20 passer d'un traitement thermique rapide pour la fabrication des substrats dont les spécifications sont exigeantes. Les moyens connus alternatifs (polissage mécano chimique, recuit long) ne permettent en effet pas de traiter uniformément la plaquette sur toute sa surface pendant une durée de traitement 25 courte. Préférentiellement, la couche de piégeage des charges est une couche de poly silicium. 30 BREVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise à la lumière de la description qui suit des modes de réalisation non limitatifs 35 de l'invention en référence aux figures ci-jointes parmi lesquelles : - la figure 1 représente un substrat présentant un couche de piégeage de charges de l'état de la technique; 3037438 6 - la figure 2 représente la séquence d'étapes d'un procédé de fabrication conforme à l'invention d'un élément semiconducteur ; - la figure 3 représente une configuration connue d'un 5 équipement de recuit thermique rapide ; - la figure 4 reproduit le profile de température d'un traitement thermique rapide dans un équipement de recuit thermique rapide. - la figure 5 représente un exemple de traitement 10 thermique de guérison selon un mode de mise en oeuvre de l'invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION 15 La figure 2 représente la séquence d'étapes composant un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur conforme à l'invention Par « éléments semi-conducteurs » on désigne indifféremment un substrat ou un dispositif à semi-conducteur, 20 notamment pour des applications dans le domaine de la RF. L'invention est donc applicable à la fabrication de l'un ou l'autre de ces éléments. Au cours d'une première étape, on fournit un substrat 1 25 comportant une couche de piégeage de charges 3. Préférentiellement, ce substrat 1 est un substrat de silicium sur isolant (SOI) présentant une couche de silicium superficiel 5, une couche isolante 4, par exemple en oxyde de 30 silicium, et un support 2. La couche de piégeage de charges 3 est positionnée entre la couche isolante 4 et le support 2. Ainsi que cela est documenté dans les documents formant l'état de la technique présenté en préambule, le substrat 1 35 peut être réalisé de multiples manières. Mais préférentiellement, celui-ci est fabriqué par application de 3037438 7 la technologie Smart CutTM, selon laquelle une couche de silicium oxydé destinée à former la couche superficielle de silicium 5 et la couche isolante 4 du substrat 1 est reportée sur un support 2 muni de la couche de piégeage 3. Cette étape 5 de report est traditionnellement suivie d'une séquence de finition du substrat 1 pour lui conférer les propriétés requises, en particulier pour ce qui concerne son état de surface. 10 Dans le cadre de la présente invention, le support 2 présente préférentiellement des caractéristiques de haute résistivité, supérieure à 1 k.ohm.cm. Il peut correspondre à un substrat de silicium de type P présentant une faible quantité d'oxygène interstitiel (désigné par l'expression 15 « Low Oi »)) comprise entre 6 et 10 ppm. Il peut également s'agir d'un substrat de silicium présentant une quantité élevée d'oxygène interstitiel (désigné par l'expression « High Oi ») supérieure à 26 ppm. Dans certaines circonstances, et notamment lorsque la 20 couche de piégeage 3 présente une épaisseur suffisante et supérieure à 30 microns, le support 2 peut présenter une résistivité standard, inférieure à 1 k.ohm.cm. De manière conventionnelle, le substrat 1 peut se 25 présenter sous la forme d'une plaquette circulaire dont le diamètre peut être de 200,300 voire même 450mm. La couche de piégeage 3 peut être de nature très variée, ainsi que cela est reporté dans les documents formant l'état 30 de la technique. D'une manière générale, il s'agit d'une couche non cristalline présentant des défauts structurels tels que des dislocations, des joints de grains, des zones amorphes, des interstices, des inclusions, des pores_ 35 Ces défauts structurels forment des pièges pour les charges susceptibles de circuler dans le matériau, par exemple 3037438 8 au niveau de liaisons chimiques non complètes ou pendantes. On prévient ainsi la conduction dans la couche de piégeage qui présente en conséquence une résistivité élevée. 5 De manière avantageuse, et pour des raisons de simplicité de mise en oeuvre, cette couche de piégeage 3 est formée d'une couche de silicium polycristalline. Son épaisseur, notamment lorsqu'elle est formée sur un support résistif, peut être comprise entre 1 à 3 pm. Mais d'autres épaisseurs inférieures 10 ou supérieures à cet intervalle sont tout à fait envisageables. La couche de piégeage 3 en silicium polycristallin peut être formée par dépôt sur le support 4, à partir d'une source 15 gazeuse de silicium, telle que du dichlorosilane ou du trichlorosilane, comme cela est bien connu en soi. Afin de maintenir la qualité polycristalline de cette couche au cours des traitements thermiques que peut subir le substrat 1, on peut avantageusement prévoir une couche amorphe, en dioxyde de 20 silicium par exemple, sur le substrat support 2 avant le dépôt de la couche de piégeage de charges 3. Dans une étape suivante d'un procédé conforme à l'invention, et toujours en relation avec la figure 2, on 25 applique un traitement thermique rapide au substrat 1. Cette étape de traitement thermique rapide peut faire partie de la séquence de finition du substrat 1 au cours de sa fabrication. Elle peut également correspondre à une étape de 30 fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs, par exemple une étape d'activation de dopants. Par « traitement thermique rapide, » on désigne une étape au cours de laquelle on expose le substrat 1 à une atmosphère 35 de traitement pendant une durée maximale de deux minutes à une température plateau de traitement. La température plateau du 3037438 9 traitement est typiquement comprise entre 1125 et 1250 degrés. Les phases de montée et de descente à la température plateau sont effectuées à fort gradient thermique de plus de 60°C/s, ce qui permet de limiter la durée totale du traitement. 5 La durée du plateau de traitement, selon l'équipement de traitement thermique rapide choisi, peut être très courte, de lors de quelques microsecondes dans un équipement du recuit flash, ou s'étendre à une durée de 15 à 45 secondes dans un 10 four de recuit rapide. L'atmosphère de traitement dépend de la finalité de ce traitement. Il peut s'agir par exemple d'une atmosphère neutre, réductrice, ou oxydante. 15 Pour appliquer ce traitement thermique rapide, on connaît par exemple, et comme cela est représenté schématiquement sur la figure 3, un équipement de recuit thermique rapide, comprenant une chambre en quartz 6 pour recevoir un substrat à 20 traiter. Le traitement est réalisé à l'aide de lampes de chauffage 7 disposées au-dessous et au-dessus du substrat. Lors du traitement, le substrat est maintenu horizontal dans la chambre sur un support formé de trois pointes 8. L'atmosphère de la chambre peut être contrôlée en y 25 introduisant un gaz choisi, qui peut être évacué par l'intermédiaire d'un échappement 9 dont l'ouverture est commandable. Le traitement thermique rapide est appliqué à l'aide de 30 cet équipement en fournissant la puissance électrique aux lampes 7 afin d'échauffer le substrat par rayonnement jusqu'à une température prédéterminée par exemple comprise entre 1150°C et 1250°C. La montée en température du substrat est très rapide, de l'ordre de 60°C par seconde ou plus, si bien 35 qu'il faut compter de 10 à 20 secondes pour atteindre la température plateau. Le traitement thermique est réalisé à cette température plateau pendant une durée de temps qui peut 3037438 10 atteindre dans cet équipement 30 secondes à deux minutes. A l'issue de cette durée, la puissance électrique fournie aux lampes 7 est interrompue et la température du substrat chute de manière très rapide, de l'ordre également de 60°C par 5 seconde. Il faut généralement compter 20 à 30 secondes pour réaliser le refroidissement du substrat et permettre son extraction de la chambre. Un profil de température typique obtenu dans cet équipement est par exemple reproduit sur la figure 4. On notera que le pyromètre équipant la chambre 6 et 10 permettant la mesure de température, n'est actif que pour des valeurs de température supérieures à environ 600°C à 700°C, ce qui explique la forme tronquée du relevé de la figure 4. A l'issue de ce traitement thermique rapide, il a été 15 observé, de manière tout à fait surprenante, que certaines caractéristiques RF du substrat 1 étaient détériorées. C'est notamment le cas de la mesure de distorsion de seconde harmonique, dont on n'a fait mention en introduction de la présente demande. 20 Sans lier la présente invention à une quelconque interprétation physique de ces résultats et des phénomènes qui pourraient entrer en jeu, il apparaît que la couche de piégeage 3 est particulièrement sensible au traitement 25 thermique rapide. Les défauts structurels ou les liaisons électrochimiques semblent se réorganiser sous l'effet de la température et/ou des rampes de température. Additionnellement, le profil particulier du traitement thermique rapide peut favoriser la génération en excès de 30 porteurs de charges saturant les propriétés de piégeage de la couche 3. Quelle qu'en soit l'origine, l'observation d'une caractéristique radiofréquence détériorée du substrat 1 ne 35 permet pas de garantir le fonctionnement d'un dispositif à semi-conducteur dans les spécifications requises sur le substrat 1. 3037438 11 En faisant référence à nouveau à la figure 2, l'invention prévoit de faire suivre l'étape de traitement thermique rapide par un traitement thermique de guérison du substrat 1 pour retrouver au moins partiellement les pertes mesurées de 5 performances. De manière particulièrement étonnante, un traitement thermique de guérison compris entre 700 et 1100°C pendant une durée de 15 secondes au moins semble suffisant pour que le 10 substrat 1 présent une caractéristique radiofréquence améliorée. L'atmosphère de traitement thermique de guérison peut être constituée d'un gaz neutre, tel que de l'argon, d'un gaz réducteur comme de l'hydrogène, ou même d'un mélange de ces deux types de gaz. Il peut s'agir par exemple d'azote 15 hydrogéné composé environ à 95 pour cent d'azote et à 5 pour cent d'hydrogène, et souvent désigné par la dénomination anglo-saxonne « forming gas ». Le traitement peut être effectué dans un four vertical 20 traditionnel. On applique alors dans ce cas un traitement à 950 °C environ pendant une heure environ sous argon ou sous azote. Ce traitement peut être précédé ou comprendre une phase d'oxydation afin de protéger la surface du substrat 1 de l'environnement de recuit. La couche d'oxyde formée peut alors 25 être éliminée à l'issue de l'étape de traitement thermique de guérison par une simple gravure chimique. De manière particulièrement avantageuse, le traitement thermique de guérison est réalisé in situ dans l'équipement de 30 traitement thermique rapide. En contrôlant l'énergie électrique fournie aux lampes 7 de la chambre 6 de l'équipement de recuit thermique rapide à l'issue du plateau de température, on peut, comme cela est 35 représenté sur la figure 5, faire suivre ce plateau d'un recuit à 950°C pendant une durée comprise, par exemple, entre 15 secondes et deux minutes. 3037438 12 Alternativement, ou en complément à ce recuit à 950°C, le traitement thermique de guérison peut être établi en contrôlant la baisse de température, au terme du plateau du 5 traitement thermique rapide, selon un gradient thermique moindre que 40°C par seconde. Ce refroidissement ralenti par rapport au traitement thermique rapide de l'état de la technique peut également être 10 simplement obtenu en ajustant la puissance électrique fournie aux lampes 7 au cours de cette phase de refroidissement. Quel que soit le mode de réalisation du traitement thermique de guérison choisi, on observe que la 15 caractéristique RF du substrat 1 est améliorée notamment celle de distorsion de seconde harmonique ainsi que cela et rendu apparent dans l'exemple qui suit. Deux types de substrats A et B présentant une couche de 20 piégeage 5 ont été préparés. Les deux types A et B de substrats de 300 mm de diamètre consistent en une couche superficielle de silicium 5 de 75 nm d'épaisseur et d'une couche isolante 4 d'oxyde de silicium de 200 nm d'épaisseur. La couche de piégeage 3 est constituée d'une couche de 25 silicium polycristallin de 1,7 pm d'épaisseur. Le substrat A comporte un support 4 présentant une résistivité de 17 k.ohms.cm et le substrat B de 5 k.ohm.cm. Ces substrats A et B sont structurellement conçus pour fournir une valeur de distorsion de seconde harmonique de 30 -100 dBm pour le substrat A et de -90 dBm pour le substrat B. Ces valeurs sont obtenues pour des substrats similaires n'ayant pas reçu de traitement thermique rapide. On applique à chacun de ces deux types de substrats A et B 35 les traitements suivants, et on procède à la mesure de la distorsion de seconde harmonique (HD2) pour chacun d'eux : 3037438 13 RIA seul : traitement thermique rapide dont le profil est donné sur la figure 3; RIA + TTH : traitement thermique à 950 °C pendant une heure sous argon après oxydation de protection, 5 après un traitement thermique rapide identique au traitement RIA précédent. RTA+ : traitement rapide thermique dont le profil est donné à la figure 5, comprenant à la suite du plateau à 1200°C, un traitement de guérison à 10 950°C. HD2 HD2 après HD2 après HD2 après attendu RIA seul RTA+TTH RTA+ Substrat A -100dBm -70dBm -101dBm -107dBm Substrat B -90dBm -70dBm -92dBm -97dBm Il est ainsi apparent sur le tableau précédent que le traitement thermique rapide affecte la performance mesurée du 15 substrat 1, et que celle-ci est au moins partiellement recouvrée après l'application d'un traitement thermique de guérison conforme à l'invention. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur, le procédé comportant une étape de traitement thermique rapide d'un substrat (1) comportant une couche de piégeage de charges (3) et susceptible de détériorer une caractéristique RF du substrat (1), le procédé étant caractérisé en ce que l'étape de traitement thermique rapide est suivi d'un traitement thermique de guérison du substrat entre 700°C et 1100°C, pendant une durée d'au moins 15 secondes. 2. Procédé de fabrication selon la revendication précédente - dans lequel le traitement thermique de guérison est réalisé dans une atmosphère neutre ou réductrice. 3. Procédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes dans lequel le traitement thermique de guérison consiste en un recuit à 950°C pendant une heure. 4. Procédé de fabrication selon la revendication 1 ou 2 dans lequel l'étape de traitement thermique rapide est réalisée dans un équipement de traitement thermique rapide, tel qu'un four de recuit rapide ou un dispositif de recuit flash. 5. Procédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel le traitement thermique de guérison est réalisé in-situ dans l'équipement de traitement thermique rapide. 6. Procédé de fabrication selon la revendication précédente dans lequel le traitement thermique de guérison consiste en un recuit à 950°C pendant une durée comprise entre 15 secondes et 2 minutes. 7. Procédé de fabrication selon la revendication 5 dans lequel 35 le traitement thermique de guérison est réalisé en contrôlant la baisse de température au terme du traitement thermique rapide à moins de 40°C/s. 3037438 15 8. Procédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes dans lequel le traitement thermique rapide comprend l'exposition du substrat (1) à une atmosphère -de traitement pendant une durée maximale de 2 minutes à une 5 température plateau comprise entre 1125°C et 1250°C. 9. Procédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes dans lequel l'élément semi-conducteur est un dispositif RF. 10 10. Procédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes dans lequel l'élément semi-conducteur est une plaquette de silicium sur isolant présentant un diamètre de 200 ou 300mm. 15 11. Procédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes dans lequel la couche de piégeage de charge (3) est une couche de silicium polycristallin. 20 12. Procédé de fabrication selon l'une des revendications précédentes dans lequel la caractéristique RF du substrat (1) est évaluée par une mesure de distorsion de seconde harmonique.