FR 3045936 A1 20170623 FR 1662885 A 20161220 1 Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à une installation de traitement de semi-conducteurs pour un substrat semi-conducteur comportant : un dispositif de serrage dont le côté de support de substrat reçoit un substrat semi-conducteur muni d'un sillon s'étendant à partir de la surface supérieure du substrat à l'opposé du côté de support de substrat du substrat respectif jusqu'à la surface inférieure du substrat tournée vers le côté de support de substrat, une installation d'alimentation pour introduire au moins une ma- tière de départ dans l'installation de traitement de semiconducteurs et pour la conduire sur la surface supérieure du substrat semi-conducteur, la matière de départ se transformant chimiquement ou physique- ment en une couche de matière remplissant au moins partielle- ment le sillon, et une installation d'évacuation pour évacuer le résidu de la matière de départ non transformée en une couche de matière hors de l'installation de traitement de semi-conducteurs. L'invention se rapporte également à un procédé pour remplir au moins partiellement le sillon d'un substrat semi-conducteur et un procédé pour former un contact de paroi latérale. Etat de la technique Selon l'état de la technique, on connaît des chambres de procédé et des procédés de dépôt de couches sur ou dans un substrat semi-conducteur. A titre d'exemple, le document DE 102 08 450 A 1 décrit une chambre de procédé usuelle et un procédé correspondant pour déposer des couches minces sur un substrat semi-conducteur par un dépôt de couches minces atomiques (procédé ALD) ou par un dépôt chimique en phase gazeuse (procédé CVD). La chambre de procédé usuelle comporte au moins un dispositif de serrage pour installer le substrat semi-conducteur, une installation d'alimentation pour introduire des composants précurseurs chimiques, des minces couches à déposer et une installation d'évacuation pour évacuer les parties non déposées du précurseur chimique hors de la chambre de procédé. 3045936 2 Exposé et avantages de l'invention La présente invention a pour objet une installation de traitement de semi-conducteurs du type défini ci-dessus caractérisée en ce que le dispositif de serrage comporte au moins un orifice de sortie de 5 matière faisant partie d'une installation d'évacuation, cet orifice de sor- tie de matière passant du côté de support de substrat au moins en partie à travers le dispositif de serrage pour conduire la matière de départ à travers le sillon. La présente invention réduit le temps nécessaire pour 10 remplir au moins partiellement un sillon en ce que l'on a un flux d'alimentation d'une matière de départ non seulement sur la surface supérieure du substrat (d'au moins un substrat semi-conducteur) mais également à travers un sillon. Ainsi, la présente invention, évite l'inconvénient général d'un temps de diffusion long, d'une part, car le 15 remplissage du sillon n'est plus à prendre en compte, et d'autre part, l'invention permet de remplir le sillon, même s'il a un diamètre relativement faible et/ou s'il est incliné, courbe et/ou replié, avec au moins une couche de matière (couche souhaitée). L'invention réagit ainsi au développement actuel du rétrécissement progressif des sillons dans les 20 substrats semi-conducteurs ; elle développe un équilibre entre le dépôt d'au moins une couche de matière entre le cas échéant plusieurs sillons et/ou une épaisseur de couche homogène de la couche de matière. L'installation de traitement de semi-conducteurs selon l'invention et le procédé correspondant pour remplir au moins partiel- 25 lement le sillon d'un substrat semi-conducteur selon l'invention partici- pent à l'intégration des composants dans un dispositif semi-conducteur réalisé avec au moins un substrat semi-conducteur. A titre d'exemple, les composants réalisables sont par exemple des résistances, des condensateurs, des bobines, des inductances, des antennes, des contacts, 30 des contacts traversants (contacts traversants, TSV), des contacts de paroi latérale, des cavités pour générer un son/des volumes arrières, des installations de refroidissement, des isolations (notamment pour un chauffage, des structures actives, des conduites de fluide, des structures de filtre et/ou des structures de catalyseur/des surfaces fonc- 35 tionnelles pour des détecteurs de gaz, des détecteurs chimiques et/ou 3045936 3 des détecteurs biologiques. Tous les exemples énoncés ci-dessus se réalisent de manière simple selon l'invention en respectant de manière fiable les conditions posées. En particulier, on peut miniaturiser les composants énoncés ci-dessus grâce à la présente invention et cela 5 d'une manière simplifiée. L'invention participe ainsi à la réduction de l'encombrement des composants. L'invention facilite la fabrication de systèmes conditionnés (systèmes SIP). Comme dispositifs semi-conducteurs, il y a les dispositifs MEMS, les détecteurs MEMS (par exemple des capteurs d'accélération, 10 des capteurs de pression), des micros MEMS, des composants de mé- moire, des dispositifs actionneurs, des dispositifs mécaniques, des dispositifs en microfluidiques pour des détecteurs de gaz, des détecteurs ou capteurs chimiques et/ou des détecteurs ou capteurs biologiques. L'invention s'utilise ainsi de multiples manières. 15 Selon un développement avantageux, l'installation de traitement de semi-conducteurs comporte au moins une installation d'aspiration et/ou de pompage qui permet d'aspirer la matière de départ à travers le sillon et un orifice de sortie de matière. Cela permet de déposer rapidement une couche de matière, par exemple une isolation 20 et/ou une métallisation pour avoir des sillons ayant un rapport d'aspect important. Cet avantage du procédé permet de réduire le coût de fabrication d'un dispositif semi-conducteur fabriqué avec un substrat semiconducteur dans l'installation de traitement de semi-conducteurs. De plus, le dispositif de serrage comporte au moins une 25 installation de refroidissement et/ou de chauffage pour mettre en tem- pérature l'orifice de sortie de matière. Cet orifice de sortie de matière pourra ainsi être mis en température à une température chaude ou froide (selon la réaction appliquée). A titre d'exemple, l'orifice de sortie de matière peut équi- 30 per un filtre ainsi qu'un piège de température. Le dépôt des résidus non consommés de la matière de départ évite le risque de bourrage de l'orifice de sortie de matière. En variante ou en complément, l'orifice de sortie de ma- tière est combiné à un dispositif de traitement des gaz d'échappement. 35 Les exemples de dispositifs de traitement des gaz d'échappement sont 3045936 4 par exemple un Bubbler ou un Flawamat. Cela permet d'utiliser également les avantages des dispositifs énoncés à titre d'exemples pour le mode de réalisation de l'installation de traitement de semi-conducteurs. De façon préférentielle, l'installation de traitement de se- 5 mi-conducteurs dépose au moins une couche de matière à partir d'une matière de départ par dépôt de couches minces atomiques, dépôt chimique en phase gazeuse et/ou dépôt en phase liquide. Tous les procédés de dépôt décrits conviennent très bien pour un dépôt contrôlé de manière fiable, d'une couche de matière, notamment d'une couche 10 mince (monocouche par monocouche) ainsi que pour des matières élec- tro-isolantes et/ou diélectriques et aussi pour des matières électroconductrices. L'avantage usuel du temps relativement important pour appliquer ces procédés de dépôt (notamment dans le cas d'un rapport d'aspect important) est évité par le procédé de dépôt dans l'installation 15 de traitement de semi-conducteurs selon l'invention. C'est pourquoi, ces procédés de dépôt s'appliquent d'une manière relativement économique grâce à l'installation de traitement de semi-conducteurs. L'installation de traitement de semi-conducteurs peut également s'utiliser pour des procédés en tranchée, des procédés de 20 gravure cryostatique, des procédés de gravure anodique, des procédés de gravure par voie humide et/ou le procédé de gravure chimique assisté par du métal dans les installations de traitement de semiconducteurs pour former au moins un sillon dans le substrat semiconducteur. La combinaison de l'installation de traitement de semi- 25 conducteurs qui permet d'exécuter un procédé de dépôt rapide et des bons procédés de mise en structure, améliore le traitement du substrat semi-conducteur. Suivant une autre caractéristique avantageuse, l'installation de traitement de semi-conducteurs réalise le procédé de 30 gravure chimique assisté par du métal dans l'installation pour former au moins un sillon à travers un substrat semi-conducteur et l'installation de traitement de semi-conducteurs comporte un dispositif électrique et/ou magnétique qui déplace la pièce métallique utilisée dans le procédé de gravure chimique par du métal pendant l'application 35 de ce procédé de façon à développer un sillon en forme de spirale et/ou 3045936 5 le long d'une droite avec un angle d'inclinaison compris entre 5° et 85° par rapport à la surface supérieure du substrat et/ou de la surface inférieure du substrat à travers le substrat semi-conducteur Les avantages et les possibilités de la forme de réalisation 5 de l'installation de traitement de semi-conducteurs ci-dessus apparaî- tront également dans la suite de la description. Les avantages développés ci-dessus résultent également de l'exécution du procédé correspondant pour remplir au moins partiellement le sillon d'un substrat semi-conducteur. Le procédé peut être 10 développé selon les formes de réalisation décrites ci-dessus de l'installation de traitement de semi-conducteurs. Ainsi, l'invention a pour objet un procédé pour remplir au moins partiellement un sillon traversant un substrat semi-conducteur comportant les étapes suivantes consistant à : 15 installer le substrat semi-conducteur (sur un côté de support de substrat d'un dispositif de serrage dans une installation de traitement de semi-conducteurs, * le substrat semi-conducteur étant orienté avec le sillon déjà réalisé ou au moins un sillon après la mise en place du subs- 20 trat semi-conducteur sur le côté de support de substrat dans le substrat semi-conducteur de façon que le sillon réalisé dans le substrat semi-conducteur s'étende de la surface supérieure du substrat non tournée vers le côté de support de substrat dans le substrat semi-conducteur jusqu'à la surface inférieure de 25 substrat orientée vers le côté de support de substrat du subs- trat semi-conducteur, introduire au moins une matière de départ qui peut se transformer physiquement ou chimiquement en une couche de matière dans l'installation de traitement de semi-conducteurs et faire passer la 30 matière de départ sur la surface supérieure du substrat pour rem- plir au moins partiellement le sillon avec une couche de matière, et évacuer le résidu de la matière de départ non transformée en une couche de matière hors de l'installation de traitement de semiconducteurs, 35 ce procédé étant caractérisé par l'étape suivante consistant : 3045936 6 faire passer au moins une matière de départ sur au moins un orifice de sortie de matière réalisé dans le dispositif de serrage, cet orifice de sortie de matière s'étendant du côté de support de substrat au moins partiellement à travers le dispositif de serrage en passant par le sillon. 5 A titre d'exemple, on peut remplir un sillon avec une première couche de matière et une seconde couche de matière constituant globalement une couche de matière pour former un contact traversant en ce que l'on dépose dans le sillon une couche isolante comme première couche de matière puis au moins partiellement un remplissage 10 conducteur comme seconde couche de matière. Le contact traversant ainsi obtenu peut s'utiliser à la place de fils de liaison externes réalisant ainsi un branchement peu encombrant. Les contacts traversants peuvent être collés par exemple par liaison Flip-Chip (billes) directement (sans fil) à une plaque de circuit. Un grand nombre de dispositifs semi- 15 conducteurs différents tels que par exemple des mémoires, des capteurs d'accélération et des capteurs de pression peuvent être fabriqués en plus petites dimensions et plus facilement grâce aux contacts traversants. Selon un développement avantageux, le procédé peut 20 également s'appliquer pour former au moins un contact de paroi laté- rale. Pour cela, après avoir réalisé un contact traversant dans le substrat semi-conducteur, on coupe une partie du substrat semi-conducteur du reste du substrat en formant une paroi latérale avec le reste du substrat semi-conducteur avec, dans la zone intérieure, un contact tra- 25 versant qui est ainsi dégagé comme contact de paroi latérale. Cela per- met une fabrication simple et économique de contact de paroi latérale dont la réalisation habituelle est longue et coûteuse. Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière 30 plus détaillée à l'aide des dessins annexés dans lesquels : la figure 1 est un schéma d'un mode de réalisation d'une installation de traitement de semi-conducteurs, les figures 2a-2d sont des sections schématiques d'un substrat semi-conducteur, servant à décrire un premier mode de réalisation 3045936 7 du procédé pour remplir au moins partiellement le sillon d'un substrat semi-conducteur, la figure 3 est une section schématique d'un substrat semiconducteur servant à décrite un second mode de réalisation du 5 procédé pour remplir au moins partiellement le sillon d'un substrat semi-conducteur, la figure 4 est une vue schématique d'un substrat servant à décrire un troisième mode de réalisation du procédé pour remplir au moins partiellement le sillon d'un substrat semi-conducteur, 10 la figure 5 est une section schématique d'un substrat semi- conducteur servant à décrire un quatrième mode de réalisation du procédé pour remplir au moins partiellement le sillon d'un substrat semi-conducteur, et les figures 6a et 6b sont des sections schématiques d'un substrat 15 semi-conducteur pour décrire une forme de réalisation du procédé servant à obtenir un contact de paroi latérale. Description de modes de réalisation La figure 1 est une représentation schématique d'un mode de réalisation d'une installation de traitement de semi- 20 conducteurs. L'installation de traitement de semi-conducteurs 10 représentée schématiquement à la figure 1 est destinée à traiter/poursuivre le traitement d'au moins un substrat semi-conducteur 12, notamment d'un dispositif semi-conducteur/composant micromé- 25 canique. L'installation de traitement de semi-conducteurs 10 comporte par exemple une chambre de procédé et/ou une chambre de dépôt. Mais la réalisation de l'installation de traitement de semi-conducteurs 10 n'est pas limitée à une telle réalisation sous forme de chambre. La figure 1 ne montre qu'à titre d'exemple une représentation figurée d'un 30 substrat semi-conducteur 12 dans une installation de traitement de semi-conducteurs 10. L'installation 10 permet également de traiter simultanément ou de poursuivre le traitement simultané d'un ensemble de substrats semi-conducteurs 12. Le substrat semi-conducteur 12 peut être par exemple une tranche, galette ou plaque de semi- 35 conducteur. Ce substrat semi-conducteur 12 est par exemple en sili- 3045936 8 cium, en nitrure de gallium, en 4H-SiC, en silicium-germanium et/ou en arséniure de gallium. Toutefois, le substrat semi-conducteur 12 peut également être un autre substrat semi-conducteur, un métal et/ou une matière électro-isolante. 5 L'installation de traitement de semi-conducteurs 10 com- porte un dispositif de serrage 14 dont le côté de support de substrat 16 reçoit le substrat semi-conducteur 12. Le côté de support de substrat 16 constitue ainsi le côté du dispositif de serrage 14 adjacent au substrat semi-conducteur 12. Le dispositif de serrage 14 est par exemple un 10 support de substrat et/ou une pièce de fixation d'un substrat semi- conducteur 12. Avant la mise en place d'un substrat semi-conducteur 12 dans l'installation de traitement de semi-conducteurs 10, on y réalise au moins un sillon 18 (encore appelé tranchée ou rainure), continu. En 15 variante, le sillon 18 peut également être réalisé seulement après la mise en place du substrat semi-conducteur 12 sur le côté de support de substrat 16 (dans l'installation de traitement de semi-conducteurs 10) et de structurer alors le substrat semi-conducteur 12. Le substrat semiconducteur 12 est installé sur le côté de support de substrat 16, c'est-à- 20 dire que le sillon 18 est réalisé dans le substrat semi-conducteur 12 pour que ce sillon 18 s'étende de la surface supérieure 20 du substrat semi-conducteur 12 non tourné vers le côté de support de substrat 16 jusque vers la surface de substrat 22 du substrat semi-conducteur 12 tournée vers le côté de support de substrat 16. 25 Le sillon 18 peut avoir une longueur/profondeur relati- vement importante et un diamètre relativement petit. Par exemple, le rapport d'aspect entre la longueur/profondeur du sillon 18 par le diamètre du sillon 18 est au moins égal à 10 :1, par exemple 20 :1 ou plus. L'installation de traitement de semi-conducteurs 10 com- 30 porte une installation d'alimentation 24 qui permet d'introduire dans l'installation de traitement de semi-conducteurs 10, une matière de départ (cela n'est pas représenté). La matière de départ (au moins une matière de départ) est une matière liquide et/ou gazeuse qui sera transformée chimiquement en une couche de matière remplissant au 35 moins partiellement le sillon 18. La couche de matière peut être une 3045936 9 matière inerte, une matière isolante, une matière conductrice, une matière souple et/ou une matière dure que l'on introduit dans le sillon 18. A titre d'exemple, l'installation de traitement de semi-conducteurs 10 forme au moins une couche de matière à partir d'une matière de départ 5 à l'aide d'un dépôt de couches minces atomiques (procédé de dépôt de couches minces atomiques ALD) d'un dépôt en phase gazeuse (procédé de dépôt chimique de vapeur CVD) et/ou un dépôt en phase liquide. En particulier, on peut utiliser Al(CH3)3 et/ou de l'eau (à l'état gazeux) comme matière de départ (pour faire le dépôt d'une couche mince ato- 10 mique) dans l'installation de traitement de semi-conducteurs. On peut également faire passer un gaz de nettoyage par l'installation d'alimentation 24 dans l'installation de traitement de semi-conducteurs 10. L'installation d'alimentation 24 équipe l'installation de traitement de semi-conducteurs 10 de façon que la matière de départ arrive avec cer- 15 titude à la surface supérieure 20 du substrat semi-conducteur 12. L'installation de traitement de semi-conducteurs 10 a au moins une installation d'évacuation 26-30 pour aspirer les résidus de la ou des matières de départ non transformées en couche de matière, hors de l'installation de traitement de semi-conducteurs 10. Avant tout, le 20 dispositif de serrage 14 comporte un orifice de sortie de matière 26 fai- sant partie de l'installation d'évacuation 26-30. L'orifice de sortie de matière 26 s'étend du côté de support de substrat 16 au moins partiellement à travers le dispositif de serrage 14. A titre d'exemple, l'orifice de sortie de matière 26 peut s'étendre à partir du côté de sup- 25 port de substrat 16 jusque vers le côté du dispositif de serrage 14 non tourné vers le côté de support de substrat 16. L'orifice de sortie de matière 26 est réalisé sur le dispositif de serrage 14 pour que la matière de départ puisse être conduite par le sillon 18 et (à partir du sillon 18) à travers l'orifice de sortie de matière 26. On peut ainsi appeler l'orifice de 30 sortie de matière 26, orifice « d'évacuation » du sillon 18 qui permet de guider la matière de sortie de façon ciblée à travers un sillon 18. La réalisation d'un orifice de sortie de matière 26 dans le dispositif de serrage 14 permet ainsi de conduire la matière de départ non seulement tangentiellement sur la surface supérieure 20 du subs- 35 trat semi-conducteur 12 mais également (avec pression/comme partie 3045936 10 d'un flux/flux aspiré) directement à travers un sillon 18. C'est pourquoi, pendant le dépôt d'une couche de matière, il n'est prévu aucune phase prolongée de diffusion. La formation de la couche de matière pour remplir au moins partiellement un sillon 18 se fait ainsi dans un temps 5 plus court. En particulier, le temps nécessaire à cet effet est en général de l'ordre de grandeur de celui des dépôts planaires. De plus, grâce à l'orifice de sortie de matière 26, on ne risque pas de développer un vide dans le sillon. La réalisation d'un orifice de sortie de matière 26 dans le 10 dispositif de serrage 14 assure la conduite d'un flux de matière de dé- part à travers un sillon 18 dans le substrat semi-conducteur et non seulement sur la surface 20 du substrat semi-conducteur. En utilisant l'orifice de sortie de matière 26 pour le procédé de dépôt, on pourrait ainsi appeler ce procédé « dépôt par flux de passage » (à travers un sil- 15 lon 18). Un avantage de ce dépôt par flux de passage est l'équilibrage : si certains sillons 18, du fait des irrégularités du procédé de gravure ou de dépôt, ont une croissance plus rapide, le passage à travers un tel sillon 18 sera réduit par rapport à un sillon de plus grand diamètre dans lequel le passage sera accentué. Par le réglage d'un paramètre approprié 20 du procédé, on peut ainsi arriver à un dépôt suffisamment régulier dans tous les sillons 18. Il convient de remarquer que l'orifice de sortie de matière 26 dans le dispositif de serrage 14 ne constitue pas un orifice/perçage approprié pour fixer/aspirer le substrat semi-conducteur 12. Au lieu de 25 cela, l'orifice de sortie de matière 26 est de préférence réalisé pour que la matière de départ puisse être aspirée/conduite de manière active hors du sillon 18 dans l'orifice de sortie de matière 26. Une pompe d'évacuation d'air usuelle, pour pomper l'air de la surface supérieure 20 du substrat en contournant le sillon 18 n'est pas synonyme d'orifice de 30 sortie de matière 26 (la pompe d'évacuation d'air, usuelle, est une pompe dont le fonctionnement génère une pression d'aspiration maximale sur la surface supérieure du substrat 20 et/ou sur un côté du substrat semi-conducteur 12 entre la surface supérieure 20 du substrat et sa surface inférieure 22 mais non dans un sillon 18 ou à la surface 35 inférieure 22 du substrat). 3045936 11 En option, on peut utiliser dans l'installation de traitement de semi-conducteurs 10, une autre installation d'évacuation 28 à l'aide de laquelle on évacue le résidu de la matière de départ restant à la surface supérieure du substrat 20, hors de l'installation de traitement 5 de semi-conducteurs 10. On peut également avoir d'autres matières de départ qui ne se déposent pas dans un sillon 18 mais de préférence à la surface supérieure du substrat 20 et que, selon un autre développement, on pourra évacuer par cette autre installation d'évacuation 28, par exemple en alternance avec les matières de départ décrites qui sont 10 destinées à être déposées dans un sillon 18. Cette autre installation d'évacuation 28 peut comporter par exemple une pompe d'évacuation d'air, usuelle pour pomper l'air de la surface supérieure du substrat 20 en contournant le sillon 18. De façon préférentielle, l'installation de traitement de se- 15 mi-conducteurs comporte également une installation d'aspiration et/ou de pompage 30 qui permet d'aspirer la matière de départ à travers un sillon 18 et (à partir d'au moins un sillon 18) à travers un orifice de sortie de matière 26. Cette installation d'aspiration et/ou de pompage 30 est de préférence conçue pour aspirer/pomper des gaz réac- 20 tifs/corrosifs. Bien que cela ne soit pas esquissé à la figure 1, le disposi- tif de serrage 14 peut comporter une installation de refroidissement et/ou de chauffage pour mettre en température l'orifice de sortie de matière, le filtre équipant l'orifice de sortie de matière 26, le piège de mise en température prévu sur un orifice de sortie de matière 26 et/ou le 25 dispositif de traitement des gaz d'évacuation relié à l'orifice de sortie de matière 26. Comme développement avantageux, l'installation de trai- tement de semi-conducteurs 10 peut également réaliser un procédé de développement de sillons (encore appelés tranchées ou rainures) (procé- 30 dé Trench), un procédé de gravure cryostatique, un procédure de gra- vure anodique, un procédé de gravure par voie humide et/ou un procédé de gravure chimique par du métal (procédé MACE) dans l'installation de traitement de semi-conducteurs 10 pour développer un sillon 18 dans le substrat semi-conducteur 12. L'installation de traite- 35 ment de semi-conducteurs 10, pour réaliser un procédé de gravure 3045936 12 chimique de métal dans l'installation de traitement de semiconducteurs 10, pour développer un sillon 18 dans un substrat semiconducteur 12 et comporter une installation électrique et/ou magnétique qui permet de déplacer/régler une pièce métallique utilisée pour 5 appliquer le procédé de gravure chimique par du métal. En particulier, la pièce métallique utilisée pour le procédé de gravure chimique par du métal sera déplacée pour structurer un sillon 18 avec un embranchement, une forme en spirale et/ou suivant un angle d'inclinaison compris entre 5° et 85° par rapport à la surface supérieure 20 du substrat 10 et/ou la surface inférieure 22 du substrat à travers le substrat semi- conducteur 12. Les autres procédés décrits peuvent également être réalisés avec l'installation de traitement de semi-conducteurs 10. Les figures 2a-2d sont des sections schématiques d'un substrat semi-conducteur servant à décrire un premier mode de réalisa- 15 tion du procédé pour remplir au moins partiellement un sillon dans le substrat semi-conducteur. Pour exécuter le procédé, on installe le substrat semi- conducteur 12 sur un côté de support de substrat 16 d'un dispositif de serrage 14 représenté schématiquement, dans l'installation de traite- 20 ment de semi-conducteurs 10 (figure 2a). A titre d'exemple, on réalise le sillon 18 (qui sera ultérieurement rempli au moins partiellement) dans le mode de réalisation des figures 2a-2d, après mise en place du substrat semi-conducteur 12 sur le côté de support 14 du substrat semiconducteur 12 de façon que le sillon 18 passe de la surface supérieure 25 20 du substrat semi-conducteur 12 qui est à l'opposé du côté de sup- port de substrat 16, jusqu'à la surface inférieure 22 du substrat semiconducteur 12 qui est orienté vers le côté de support de substrat 16. Selon une variante de réalisation du procédé, on peut installer le substrat semi-conducteur 12 avec un sillon 18 déjà réalisé, dans 30 l'installation de traitement de semi-conducteurs 10 et en l'orientant pour que le sillon 18 (après mise en place du substrat semi-conducteur 12 sur le côté de support de substrat 16) soit orienté à partir de la surface supérieure 20 du substrat jusqu'à sa surface inférieure 22. L'étape de procédé pour structurer le sillon 18 dans le 35 substrat semi-conducteur 12 est représentée schématiquement à la fi- 3045936 13 gure 2b. Seulement à titre d'exemple, le sillon 18 (après mise en place du substrat semi-conducteur 12 sur le côté de support de substrat 16) sera structuré par le procédé de gravure chimique avec du métal (procédé MACE). Pour, placer une pièce métallique 34 (par exemple une 5 couche mince poreuse de métal) dans une solution de gravure appro- priée ; comme que cette pièce de métal 34 fonctionne comme catalyseur pour la gravure, on la déplace à l'aide d'un champ électrique et/ou magnétique 36. La forme de la pièce métallique 34 et son mouvement produit par le champ électrique et/ou magnétique 36 de cette pièce 10 métallique 34, déterminent la forme et le tracé du sillon 18. A titre d'exemple, on pourra structurer le sillon 18 avec un rapport d'aspect souhaité (longueur/profondeur du sillon 18 par le diamètre du sillon 18), par exemple avec un rapport d'aspect d'au moins 10 :1 (par exemple 20 :1 ou plus) à travers le substrat semi-conducteur 12. Le 15 procédé de gravure chimique par du métal permet de réaliser le sillon 18 avec une très grande longueur/profondeur malgré son faible diamètre. Le positionnement/déplacement électrique et/ou magnétique de la pièce métallique 34 pendant la gravure permet également de structurer des sillons 18 inclinés, en forme de spirales et/ou qui vont en 20 s'élargissant. De plus, pendant le procédé de gravure chimique avec du métal, il suffira de respecter des mesures de protection réduites même très faibles au niveau du dispositif de serrage 14. Il est également possible de rendre poreuse une paroi du sillon 18 par le procédé de gravure chimique avec du métal. 25 La pièce métallique 34 est par exemple en argent, or, pla- tine, palladium et/ou iridium. La solution de gravure, appropriée, est par exemple HF ou du peroxyde d'hydrogène (H202). Mais on peut également envisager un grand nombre de pièces métalliques 34 et de solutions de gravure connues selon l'état de la technique qui ne seront pas 30 détaillées ici pour l'application du procédé de gravure chimique avec du métal. De plus, la réalisation du procédé décrit ci-dessus n'est en aucun cas limitée à un certain procédé de gravure. Le sillon 18 peut également être réalisé par un procédé de tranchée, un procédé de gravure cryostatique, un procédé de gravure anodique et/ou une gravure paroi humide 35 dans le substrat semi-conducteur 12. 3045936 14 La figure 2c montre le développement d'une couche de matière 38, 40 avec laquelle on remplit au moins partiellement le sillon 18. Pour cela, on conduit une matière de départ qui peut être transformée physiquement ou chimiquement en une couche de matière 38 et 40 5 dans l'installation de traitement de semi-conducteurs 10 et on l'applique contre la surface supérieure 20 du substrat semi-conducteur 12 (on la conduit ou on la pulvérise). La couche de matière 38 et 40 peut être formée avec une matière de départ par dépôt de couche atomique, dépôt en phase gazeuse chimique et/ou dépôt en phase liquide. 10 Pendant le développement de la couche de matière 38 et 40, on éva- cue/aspire le résidu de la matière de départ hors de l'installation de traitement de semi-conducteurs 10, résidu qui est celui de la matière non transformée en couche de matière 38 et 40. En particulier, on conduit/aspire la matière de départ par un orifice de sortie de matière 26 15 réalisé dans le dispositif de serrage 14 et qui passe du côté de support de substrat 16, au moins partiellement à travers le dispositif de serrage 14. Ainsi, le procédé décrit ici assure les avantages déjà développés ci-dessus. Même des sillons 18 ayant un très grand rapport 20 d'aspect, par exemple avec un rapport d'aspect d'au moins 10 :1, d'au moins 20 :1 ou plus, peuvent développer en toute sécurité une couche de matière 38 et 40 tout en ne risquant pas la formation de vide ou l'arrivée de « trous » gênants dans la couche de matière 38 et 40. En outre, on peut développer une couche de matière 38 et 40 dans des sil- 25 ions 18 inclinés, en forme de spirale et/ou allant en s'élargissant, en évitant tout vide ou trous dans la couche de matière 38 et 40. Les avantages de l'utilisation d'un orifice de sortie de matière 26 réalisé dans le dispositif de serrage 14 pour développer une couche de matière 38 et 40 permettent ainsi et surtout avec les avantages du procédé de gravure 30 chimique par du métal, de structurer un sillon 18. Pour les propriétés de l'orifice de sortie de matière 26 réalisées dans le dispositif de serrage 14, on se reportera aux explications données ci-dessus. Ce n'est qu'à titre d'exemple que dans le mode de réalisa- tion des figures 2a-2d, on remplit seulement partiellement le sillon 18 35 avec une première couche de matière 38 et avec une seconde couche de 3045936 15 matière 40 constituant la(les) au moins une couche(s) de matière 38 et 40. La première couche de matière 38 est de préférence une couche isolante 38 couverte au moins partiellement par la seconde couche de matière 40 qui est en métal. Au lieu de former la couche isolante 38 par un 5 procédé de dépose, on peut également obtenir la couche d'isolation 38 par oxydation thermique (la constante diélectrique peut être avantageusement baissée fortement en rendant poreuses les parois latérales). Ainsi la seconde couche de matière 40 pourra être déposée avec une faible épaisseur de couche si bien qu'il subsiste dans le sillon 18 un espace 10 libre entre la surface supérieure 20 du substrat et la surface inférieure 22 de celui-ci. En variante, on peut réaliser le sillon 18 comme contact traversant en ce que l'on remplit tout d'abord le sillon 18 partiellement avec la couche isolante 38 (comme première couche de matière 38) puis complètement avec un remplissage conducteur constituant la seconde 15 couche de matière 40. Comme étape en option du procédé, la figure 2d montre la fermeture des deux côtés du sillon 18 avec un remplissage partiel 42. Le remplissage partiel 42 peut être au moins rendu plan d'un côté. La figure 3 est une section schématique d'un substrat 20 semi-conducteur servant à décrire un second mode de réalisation du procédé pour remplir au moins partiellement un sillon du substrat semi-conducteur. Selon le mode de réalisation de la figure 3, on structure un sillon 18 par le procédé de gravure chimique par du métal suivant 25 une forme en spirale dans le substrat semi-conducteur 12. Ensuite, on remplit le sillon 18 (au moins partiellement) avec un remplissage conducteur 44. Malgré la forme en spirale du sillon 18, celui-ci sera rempli complètement sans vide, ni trous en utilisant l'orifice de sortie de matière 26 réalisé dans le dispositif de serrage 14. 30 En option, avant de remplir le sillon 18 avec le remplis- sage conducteur 44, on peut développer une couche isolante 38 sur les parois du sillon en spirale 18. Le sillon 18 rempli avec le remplissage conducteur 44 s'utilise par exemple comme inductance/bobine enfouie. Cela permet de réaliser à l'aide du procédé décrit ci-dessus des induc- 3045936 16 tances/bobines comme composants passifs (par exemple pour le déparasitage EMV ou pour une antenne). La figure 4 est une vue schématique d'un substrat pour décrire un troisième mode de réalisation du procédé consistant à rem- 5 plir au moins partiellement un sillon dans un substrat semi- conducteur. Comme le montre la figure 4, on peut également former des cavernes traversantes, liées, à l'aide du procédé décrit ici. Dans le procédé de la figure 4, on structure plusieurs sillons 18 parallèles dans 10 le substrat semi-conducteur 12. La surface intérieure des sillons 18 se- ra tout d'abord couverte d'une couche isolante 38 puis d'une seconde couche de matière 40 en métal. On obtient ainsi une double métallisation (métal/isolant/métal) en utilisant l'orifice de sortie de matière 26 réalisé dans le dispositif de serrage 14. Les structures obtenues de cette 15 manière peuvent s'utiliser par exemple comme des condensateurs en- fouis dans des dispositifs microfluidiques ou catalytiques. La figure 5 montre schématiquement une section d'un substrat semi-conducteur servant à décrire un quatrième mode de réalisation du procédé pour remplir au moins partiellement un sillon dans 20 le substrat semi-conducteur. Le procédé décrit ici permet de générer des contacts traversants 50 (perçages traversants avec contacts). On réalise notamment des contacts traversants 50 ayant un rapport d'aspect important. On peut également équiper un substrat semi-conducteur 12 relativement 25 épais selon le procédé décrit ici avec un contact traversant 50. Du fait du faible encombrement du contact traversant 50, on peut réaliser des puces plus petites, ce qui a l'avantage de l'économie dans la fabrication de puces avec au moins un contact traversant 50. A la place ou en complément d'un contact traversant 50 30 « droit/vertical », on peut également réaliser un contact traversant 50, en biais, à l'aide du procédé décrit ici. Dans le mode de réalisation de la figure 5, on réalise un sillon 18 avec le procédé de gravure chimique par du métal selon un angle d'inclinaison compris entre 5° et 85° par rapport à la surface supérieure 20 du substrat semi-conducteur et/ou de 35 la surface inférieure 22 du substrat, selon une droite 46 inclinée traver- 3045936 17 sant le substrat semi-conducteur 12. A titre d'exemple, on structure le sillon 18 le long d'une droite 46 inclinée selon un angle d'inclinaison compris entre 10° et 80°, notamment un angle d'inclinaison compris entre 15° et 75° par rapport à la surface supérieure 20 du substrat 5 et/ou à la surface inférieure 22 du substrat en traversant le substrat semi-conducteur 12. Ensuite, on remplit le sillon 18 avec une couche isolante 38 et avec un remplissage conducteur 44. Malgré sa direction inclinée, le sillon 18 est rempli de façon garantie grâce à l'orifice de sortie de matière 26 réalisé dans le dispositif de serrage 14. 10 En option, on peut développer une autre couche métal- lique 48 entre la couche isolante 38 et le remplissage conducteur 44. Le dépassement de l'autre couche métallique 48 par rapport au sillon 18 peut servir par exemple comme patin de test ou pour la fixation d'un encapsulage 52 (esquissé partiellement), par exemple un encapsulage 15 de silicium. Selon d'autres formes de réalisation, le sillon 18 peut aller en s'écartant. Un tel sillon 18 peut également se remplir de façon garantie grâce à l'orifice de sortie de matière 26 réalisé dans le dispositif de serrage 14. Cela peut servir à répartir des contacts/contacts traver- 20 sants 50 dans le substrat semi-conducteur (par exemple pour rempla- cer une couche de redistribution). Les figures 6a et 6b montrent schématiquement les sec- tions d'un substrat semi-conducteur servant à décrire une forme de réalisation du procédé pour former un contact de paroi latérale. 25 Pour appliquer le mode de réalisation décrit ici du procé- dé, on forme tout d'abord un contact traversant 50 (en biais) à travers un substrat semi-conducteur 12 comme cela est représenté schématiquement à la figure 5. Ensuite, comme le montre la figure 6a, on sépare la partie 12a du substrat semi-conducteur 12 par rapport au reste 12b 30 de ce substrat semi-conducteur 12. Cela se fait par exemple par sciage ou fraisage (dans une zone de séparation 54 prédéfinie). On choisit la partie séparée 12a du substrat semi-conducteur 12 pour former une paroi latérale 56 avec le reste 12b du substrat semi-conducteur 12 sur laquelle au préalable, on dégage la zone intérieure du canal traversant 35 50 comme constituant un contact de paroi latérale 58 (voir figure 6b). 3045936 18 La puce obtenue de cette manière peut s'installer par exemple perpendiculairement sur une plaque de circuit. Les matières possibles pour le substrat semi-conducteur 12 du procédé ci-dessus ont déjà été données. Tous les procédés décrits 5 peuvent être appliqués sont les techniques de grandes séries (en utili- sant un grand nombre de substrats semi-conducteurs 12). 10 3045936 19 NOMENCLATURE DES ELEMENTS PRINCIPAUX 10 Installation de traitement semi-conducteur 12 Substrat semi-conducteur 5 12a Partie séparée du substrat semi-conducteur 12b Reste du substrat semi-conducteur 14 Dispositif de serrage 16 Côté de support de substrat 18 Sillon 10 20 Surface supérieure du substrat 22 Surface inférieure du substrat 24 Installation d'alimentation 26-30 Installations d'évacuation / orifice de sortie de matière 30 Installation d'aspiration et/ou de pompage 15 34 Pièce métallique 38, 40 Couches de matière 38 Première couche de matière Seconde couche de matière 42 Remplissage partiel 20 44 Remplissage conducteur 48 Autre couche de métal 50 Contact traversant 54 Zone de séparation 56 Paroi latérale 25 58 Contact de paroi latérale REVENDICATIONS1°) Installation de traitement de semi-conducteurs (10) pour un substrat semi-conducteur (12) comportant : un dispositif de serrage (14) dont le côté de support de substrat (16) reçoit un substrat semi-conducteur (12) muni d'un sillon (18) s'étendant à partir de la surface supérieure (20) du substrat à l'opposé du côté de support (16) du substrat (12) respectif jusqu'à la surface inférieure (22) du substrat (12) tournée vers le côté de support de substrat (16), au moins une installation d'alimentation (24) pour introduire au moins une matière de départ dans l'installation de traitement de semi-conducteurs (10) et pour la conduire sur la surface supérieure (20) du substrat semi-conducteur (12), la matière de départ se transformant chimiquement ou physique- ment en une couche de matière (38, 40, 44, 48) remplissant au moins partiellement le sillon (18), et au moins une installation d'évacuation (26, 28, 30) qui permet d'évacuer le résidu de la matière de départ non transformé en une couche de matière (38, 40, 44, 48), hors de l'installation de traite- ment de semi-conducteurs (10), installation caractérisée en ce que le dispositif de serrage (14) comporte au moins un orifice de sortie de matière (26) faisant au moins partie d'une installation d'évacuation (26, 28, 30), cet orifice de sortie de matière (26) pas- sant du côté de support de substrat (16) au moins en partie à tra- vers le dispositif de serrage (14) pour diriger la matière de départ à travers le sillon (18). 2°) Installation de traitement de semi-conducteurs (10) selon la revendi- cation 1, caractérisée en ce qu' elle comporte au moins une installation d'aspiration et/ou de pompage (30) qui aspire la matière de départ à travers le sillon (18) et l'orifice de sortie de matière (26). 3045936 21 3°) Installation de traitement de semi-conducteurs (10) selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce que le dispositif de serrage (14) comporte une installation de refroidissement 5 et/ou de chauffage pour mettre en température l'orifice de sortie de ma- tière (26). 4°) Installation de traitement de semi-conducteurs (10) selon l'une des revendications 1 à 3, 10 caractérisée en ce que l'orifice de sortie de matière (26) comporte au moins un filtre et/ou au moins un piège de mise en température. 5°) Installation de traitement de semi-conducteurs (10) selon l'une des 15 revendications 1 à 4, caractérisée en ce que l'orifice de sortie de matière (26) est fixé à un dispositif de post-traitement des gaz d'échappement. 20 6°) Installation de traitement de semi-conducteurs (10) selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisée en ce que l'installation de traitement de semi-conducteurs (10) forme une couche de matière (38, 40, 44, 48) à partir d'une matière de départ à l'aide d'un 25 dépôt de couches minces atomiques, d'un dépôt chimique en phase ga- zeuse et/ou d'un dépôt en phase liquide. 7°) Installation de traitement de semi-conducteurs (10) selon l'une des revendications 1 à 6, 30 caractérisée en ce qu' elle applique le procédé de tranchée, le procédé de gravure cryostatique, le procédé de gravure anodique, le procédé de gravure par voie humide et/ou le procédé de gravure chimique assisté par du métal dans l'installation de traitement de semi-conducteurs (10) pour former un sillon (18) traversant le substrat semi-conducteur (12). 3045936 22 8°) Installation de traitement de semi-conducteurs (10) selon la revendication 7, caractérisée en ce qu' elle réalise le procédé de gravure chimique par du métal dans 5 l'installation (10) pour former au moins un sillon (18) à travers un subs- trat semi-conducteur (12) et l'installation de traitement de semiconducteurs (10) comporte un dispositif électrique et/ou magnétique par lequel la pièce métallique (34) utilisée dans le procédé de gravure chimique par du métal, sera déplacée pendant l'application de ce procé- 10 dé de façon à développer un sillon (18) en forme de spirale et/ou le long d'une droite (46) avec un angle d'inclinaison compris entre 5° et 85° par rapport à la surface supérieure (20) du substrat et/ou de la surface inférieure (22) du substrat à travers le substrat semi-conducteur (12). 15 9°) Procédé pour remplir au moins partiellement un sillon (18) traver- sant un substrat semi-conducteur (12) comportant les étapes suivantes consistant à : installer le substrat semi-conducteur (12) sur un côté de support de substrat (16) d'un dispositif de serrage (14) dans une installa- 20 tion de traitement de semi-conducteurs (10), * le substrat semi-conducteur (12) étant orienté avec le sillon (18) déjà réalisé ou au moins un sillon (18) après la mise en place du substrat semi-conducteur (12) sur le côté de support (16) dans le substrat semi-conducteur (12) de façon que le sillon 25 (18) réalisé dans le substrat semi-conducteur (12) s'étende de la surface supérieure (20) du substrat non tournée vers le côté de support de substrat (16) dans le substrat semi-conducteur (12) jusqu'à la surface inférieure de substrat (22) orientée vers le côté de support de substrat (16) du substrat semi- 30 conducteur (12), introduire au moins une matière de départ qui peut se transformer physiquement ou chimiquement en une couche de matière (38, 40, 44, 48) dans l'installation de traitement de semi-conducteurs (10) et faire passer la matière de départ sur la surface supérieure (20) 3045936 23 du substrat pour remplir au moins partiellement un sillon (18) avec une couche de matière (38, 40, 44, 48), et évacuer le résidu de la matière de départ non transformé en une couche de matière (38, 40, 44, 48) hors de l'installation de traite- 5 ment de semi-conducteurs (10), procédé caractérisé par l'étape suivante consistant : faire passer au moins une matière de départ sur au moins un orifice de sortie de matière (26) réalisé dans le dispositif de serrage (14), cet orifice de sortie de matière s'étendant du côté de support de substrat (16) au 10 moins partiellement à travers le dispositif de serrage (14) en passant par le sillon (18). 10°) Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que 15 la couche de matière (38, 40, 44, 48) est formée avec au moins une ma- tière de départ par le dépôt d'une couche mince atomique, le dépôt chimique en phase gazeuse et/ou le dépôt en phase liquide. 11°) Procédé selon la revendication 9 ou 10, 20 caractérisé en ce qu' on forme un sillon (18) avec une première couche de matière (38) et avec une seconde couche de matière (44, 48) constituant au moins une couche de matière (38, 40, 44, 48) comme contact traversant (50) en ce que l'on remplit au moins un sillon (18) tout d'abord partiellement avec 25 une couche isolante (38) constituant une première couche de matière (38) puis au moins partiellement avec un remplissage liquide (44) constituant une seconde couche de matière (44, 48). 12°) Procédé selon l'une des revendications 9 à 11, 30 caractérisé en ce qu' on réalise le sillon (18) après l'installation de traitement de semiconducteurs (12) sur le côté de support de substrat (16) par un procédé de tranchée, un procédé de gravure cryostatique, un procédé de gravure anodique, un procédé de gravure par voie humide et/ou un procédé de 35 gravure chimique par du métal dans le substrat semi-conducteur (12). 3045936 24 13°) Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce qu' on structure au moins un sillon (18) par le procédé de gravure chimique par du métal selon un tracé en spirale à travers le substrat semi- 5 conducteur (12). 14°) Procédé selon la revendication 12 ou 13, caractérisé en ce qu' on structure le sillon (18) par le procédé de gravure chimique par du 10 métal le long d'une droite (46) inclinée d'un angle d'inclinaison compris entre 5° et 85° par rapport à la surface supérieure (20) du substrat et/ou la surface inférieure (22) du substrat à travers le substrat semiconducteur (12). 15 15°) Procédé pour former au moins un contact de paroi latérale (58) avec les étapes consistant à : développer au moins un contact traversant (50) dans le substrat semi-conducteur (12) selon le procédé des revendications 11 et 14, et 20 séparer une partie (12a) du substrat semi-conducteur (12) par rap- port au reste (12b) du substrat semi-conducteur (12), en formant une paroi latérale (56) avec le reste (12b) du substrat semiconducteur (12) qui dégage une zone intérieure préalable d'un contact traversant (50) constituant au moins un contact de paroi laté- 25 rale (58).