FR 3040385 A1 20170303 FR 1657857 A 20160823 1 Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à un composant micromécanique comportant : - un plan d'élément de capteur réalisant une structure de cadre et à l'intérieur du plan d'élément de capteur, et une structure de capteur entourée par la structure de cadre et qui est au moins partiellement mobile et/ou déformable, - une première structure d'encapsulage fixée à la structure de cadre pour que le premier côté de la structure de capteur soit couvert par la première structure d'encapsulage, et - une seconde structure d'encapsulage fixée à la structure de cadre pour que le second côté de la structure de capteur non tourné vers le premier côté, soit couvert par la seconde structure d'encapsulage. L'invention se rapporte également à un procédé de fabri- cation d'un tel composant micromécanique. Etat de la technique Selon l'état de la technique, on connaît des composants micromécaniques pour des dispositifs de capteurs servant à détecter une grandeur physique ayant une structure de capteur réalisée sous la forme d'une couche de semiconducteur et/ou une couche métallique et qui sont réglables l'une par rapport à l'autre et/ou déformables pour qu'au moins une partie de la structure de capteur se déplace /se déforme à cause de l'augmentation de la diminution de la grandeur physique respective par rapport à une forme de réalisation. Selon l'état de la technique, il est également connu d'encapsuler une telle structure de capteur par une plaquette CMOS/IC et une plaquette de capsule pour protéger contre l'encrassage. Voir notamment la documentation http : / / www. invensense . com/ mens/ technology. html. Exposé et avantages de l'invention La présente invention a pour objet un composant micro- mécanique du type défini ci-dessus, caractérisé en ce qu'il comporte un premier circuit intégré dédié réalisé sur un premier côté intérieur d'un premier substrat de la première structure d'encapsulage, côté tourné vers le plan de l'élément de capteur, et relié électriquement à un pre- mier contact traversant et à un second contact traversant, 3040385 2 - le premier contact traversant passant dans la première structure d'encapsulage jusqu'au premier côté extérieur du premier substrat de la première structure d'encapsulage qui n'est pas tourné vers le premier côté intérieur de substrat, 5 - et le second contact traversant traverse soit la structure de cadre jusqu'au second côté intérieur de substrat tourné vers le plan de l'élément de capteur du second substrat de la seconde structure d'encapsulage, soit la structure de cadre et la seconde structure d'encapsulage jusqu'au second côté extérieur de substrat du second 10 substrat de la seconde structure d'encapsulage, qui est le second cô- té extérieur non tourné vers le second côté intérieur du substrat. L'invention a également pour objet un dispositif de cap- teur ayant au moins un composant micromécanique du type défini ci-dessus. 15 En outre, l'invention a pour objet un procédé de fabrica- tion d'un composant micromécanique comprenant les étapes suivantes, consistant à : - réaliser une structure de cadre et une structure de capteur dans un plan d'élément de capteur de façon qu'à l'intérieur du plan d'élément de 20 capteur, la structure de cadre entoure la structure de capteur, la struc- ture de capteur étant au moins partiellement mobile et/ou déformable, - fixer une première structure d'encapsulage à la structure de cadre de façon à couvrir un premier côté de la structure de capteur à l'aide de la première structure d'encapsulage, et 25 - fixer une seconde structure d'encapsulage à la structure de cadre pour couvrir le second côté de la structure de capteur non tourné vers le premier côté par la seconde structure d'encapsulage, procédé consistant à : - réaliser un premier circuit intégré dédié sur un futur premier côté 30 intérieur d'un premier substrat de la première structure d'encapsulage, ce futur côté intérieur de substrat étant orienté par rapport au plan de l'élément de capteur, - développer un premier contact traversant pour relier électriquement ce premier contact traversant au composant micromécanique terminé 35 sur le circuit intégré dédié et s'étendant à travers la première structure 3040385 3 d'encapsulage jusqu'au premier côté extérieur du premier substrat de la première structure d'encapsulage, et non tourné vers le premier côté intérieur de substrat, - développer un second contact traversant pour relier électriquement 5 ce second contact traversant à un composant micromécanique terminé sur le premier circuit intégré dédié par une liaison électrique et qui traverse soit la structure de cadre jusqu'au second côté intérieur du second substrat de la seconde structure d'encapsulage, ce côté intérieur étant tourné vers le plan de l'élément de capteur, soit la structure de 10 cadre, la seconde structure d'encapsulage s'étendant jusqu'à un second côté extérieur du second substrat de la seconde structure d'encapsulage, jusqu'à l'un des deux côtés intérieurs de substrat ce côté étant à l'opposé de la seconde structure d'encapsulage. Un tel composant micromécanique est par exemple desti- 15 né à un dispositif de capteur. L'invention permet d'augmenter la fonctionnalité d'un composant micromécanique pour un dispositif de capteur (notamment dans un capteur « bare-die » (puce sans capsule), pour la même surface de substrat utilisée pour le composant micromécanique. De même, 20 l'invention permet de miniaturiser le composant micromécanique pour un dispositif de capteur en conservant ses fonctions. La présente invention participe ainsi à l'amélioration significative d'un servo/capteur équipé avec un composant micromécanique. De plus, la miniaturisation du dispositif de capteur facilite son installation dans des positions sou- 25 haitées et augmente ainsi les possibilités d'application. Il est expressément mentionné que la technique, selon l'invention pour s'appliquer également à la réalisation des dispositifs de capteurs/composants sans fil et/ou sans boitier polymère enveloppant. En plus, l'invention permet de réaliser des composants microméca- 30 niques dont la structure de capteur MEMS est entourée des deux côtés par des circuits intégrés actifs ASIC. En même temps, l'invention facilite la coopération d'un circuit dédié du composant micromécanique de l'invention avec une installation/circuit formé à l'extérieur et avec lequel le composant micromécanique peut facilement et rapidement être mis 35 en liaison (communication électrique et mécanique). 3040385 4 En fixant le premier circuit dédié par le premier contact traversant au premier côté de substrat extérieur, on peut faire coopérer facilement le premier circuit intégré dédié avec un commutateur/moyen externe, léger et qui est relié mécaniquement et électriquement au pre- 5 mier côté extérieur du substrat. De plus, comme le circuit dédié, est re- lié au second contact traversant, il interagit par au moins un composant intérieur fonctionnel sur les deux côtés intérieurs de substrat ou sur une seconde installation/circuit externe, relié mécaniquement et électriquement au second côté de substrat. De plus, le second 10 côté intérieur du substrat ou le second côté d'échange du substrat peut également être réalisé avec un second circuit ou autre circuit dédié et avec lequel le premier circuit dédié coopère. Selon un développement avantageux du composant mi- cromécanique, le second contact traversant passe dans la structure de 15 cadre et la seconde structure d'encapsulage jusqu'au second côté exté- rieur du second substrat de la seconde structure d'encapsulage, un contact latéral de retour MEMS ou un second circuit dédié étant réalisé sur le second côté extérieur de substrat. Cela permet au contact côté arrière MEMS ou au second 20 circuit dédié, de coopérer en sécurité avec le premier circuit intégré dé- dié. Cela permet d'augmenter la fonctionnalité globale du composant micromécanique. De même, on peut transférer une fonction partielle du premier circuit intégré dédié vers le second circuit intégré dédié pour réaliser le premier circuit intégré dédié sur une plus petite surface. 25 Selon une variante de l'invention, le second contact tra- versant passe dans la structure de cadre jusqu'au second côté intérieur du second substrat de la seconde structure d'encapsulage et sur le second côté intérieur du substrat, on a le second circuit intégré dédié. De façon préférentielle dans ce cas, on réalise le second circuit dédié sur le 30 second côté intérieur du substrat. Cela donne également les avantages décrits ci-dessus. De façon préférentielle, le composant micromécanique a un troisième contact traversant entre le premier côté extérieur du premier substrat de la première structure d'encapsulage à travers la pre- 35 mière structure d'encapsulage, la structure de cadre et la seconde 3040385 5 structure d'encapsulage jusqu'au second côté extérieur du second substrat de la seconde structure d'encapsulage. Cela facilite la coopération d'un circuit/installation externe (premier circuit) relié électriquement et mécaniquement au premier côté extérieur de substrat de la première 5 structure d'encapsulage avec le circuit externe/installation externe (se- cond circuit) relié électriquement et mécaniquement au second côté extérieur du substrat de la seconde structure d'encapsulage. Cela peut également se faire avec le troisième contact traversant pour obtenir les avantages développés ci-dessus. 10 Selon un développement avantageux, la première struc- ture d'encapsulage et/ou la seconde structure d'encapsulage sont fixées à la structure de cadre à l'aide d'une liaison électroconductrice. Cela garantit un maintien fiable de chaque structure d'encapsulage sur le plan de l'élément de capteur tout en garantissant un bon échange des 15 signaux électriques. Par exemple, la première structure d'encapsulage et/ ou la seconde structure d'encapsulage sont fixées par une liaison eutectique constituant une liaison électroconductrice à la structure de cadre. Comme décrit ci-après, cette liaison convient pour régler précisément la 20 distance entre le premier/ second côté intérieur de substrat de la pre- mière-seconde structure d'encapsulage et de la surface de la structure-plan des éléments de capteur tournée vers celle-ci ainsi que pour relier électriquement les différentes structures. Les avantages développés ci-dessus s'appliquent égale- 25 ment à un dispositif de capteur équipé d'un composant microméca- nique. De plus, le procédé de fabrication correspondant présente les avantages du composant micromécanique, comme cela a été décrit. Selon l'invention, le procédé de fabrication d'un compo- 30 sant micromécanique comprenant les étapes suivantes, consiste à : - réaliser une structure de cadre et une structure de capteur dans un plan d'élément de capteur de façon qu'à l'intérieur du plan d'élément de capteur, la structure de cadre entoure la structure de capteur, la structure de capteur étant au moins partiellement mobile et/ou déformable, 3040385 6 - fixer une première structure d'encapsulage à la structure de cadre pour couvrir un premier côté de la structure de capteur à l'aide de la première structure d'encapsulage, et - fixer une seconde structure d'encapsulage à la structure de cadre 5 pour couvrir le second côté de la structure de capteur non tourné vers le premier côté, par la seconde structure d'encapsulage. Ce procédé étant caractérisé par les étapes suivantes consistant à : - réaliser un premier circuit intégré dédié sur un futur premier côté 10 intérieur d'un premier substrat de la première structure d'encapsulage, ce futur côté intérieur de substrat étant orienté par rapport au plan de l'élément de capteur, - développer un premier contact traversant pour le relier électriquement au composant micromécanique terminé sur le circuit intégré dédié 15 et s'étendant à travers la première structure d'encapsulage jusqu'au premier côté extérieur du premier substrat de la première structure d'encapsulage, et qui n'est pas tourné vers le premier côté intérieur de substrat, - développer un second contact traversant pour relier électriquement 20 ce second contact traversant à un composant micromécanique terminé sur le premier circuit intégré dédié par une liaison électrique et qui traverse soit la structure de cadre jusqu'à un second côté intérieur du second substrat de la seconde structure d'encapsulage, ce côté intérieur étant tourné vers le plan de l'élément de capteur, soit la structure de 25 cadre, la seconde structure d'encapsulage s'étendant jusqu'au second côté extérieur du second substrat de la seconde structure d'encapsulage jusqu'à l'un des deux côtés intérieurs de substrat, ce côté étant à l'opposé de la seconde structure d'encapsulage. La possibilité de réaliser le procédé de fabrication n'est 30 pas limité à l'ordre des étapes de procédé décrites ci-dessus. Il est ex- pressément indiqué que le procédé de fabrication tel que décrit ci-dessus, permet de développer le composant micromécanique. Par exemple, suivant une autre caractéristique, sur le se- cond côté extérieur du second substrat de la seconde structure 35 d'encapsulage, on réalise un contact latéral de retour MEMS ou un cir- 3040385 7 cuit intégré dédié et on réalise le second contact traversant pour qu'il s'étende sur le premier composant micromécanique jusqu'à la structure de cadre et que la seconde structure d'encapsulage s'étende jusqu'au second côté extérieur de substrat en étant reliée au contact, côté arrière 5 MEMS ou au second circuit intégré dédié, par une liaison électrique. Suivant une autre caractéristique, sur le second côté intérieur du second substrat de la seconde structure d'encapsulage, on réalise le second circuit intégré dédié et le second contact traversant s'étendant sur le composant micromécanique terminé, à travers la 10 structure de cadre jusqu'au second côté intérieur de substrat en étant relié électriquement au circuit intégré du second circuit dédié. Suivant une autre caractéristique, on réalise un troisième contact traversant qui s'étend sur le composant micromécanique terminé, entre le premier côté extérieur du premier substrat de la première 15 structure d'encapsulage à travers la première structure d'encapsulage, la structure de cadre et la seconde structure d'encapsulage jusqu'au second côté extérieur du second substrat de la seconde structure d'encapsulage. Les avantages développés ci-dessus s'appliquent égale- 20 ment au procédé de fabrication d'un dispositif de capteur. Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l'aide d'exemples de composants micromécaniques et de leur procédé de réalisation, représentés dans les dessins annexés dans 25 lesquels : - les figures la- 1 h représentent schématiquement un premier mode de réalisation d'un composant micromécanique et des sections servant à expliquer le procédé de fabrication de ce composant, - les figures 2a-2e sont des représentations schématiques d'un second 30 mode de réalisation du composant de micromécanique ainsi que des sections servant à décrire le procédé de fabrication de ce composant, - la figure 3 est un premier schéma d'un troisième mode de réalisation du composant micromécanique, et 3040385 8 - les figures 4a-4d sont des représentations schématiques d'un quatrième mode de réalisation du composant micromécanique et les sections servant à décrire son procédé de fabrication. Description de modes de réalisation de l'invention 5 Les figures la- lh montrent schématiquement un premier mode de réalisation du composant micromécanique ainsi que des sections servant à décrire son procédé de fabrication. Le composant micromécanique 10 représenté schémati- quement à la figure la est appliqué à un dispositif de capteur pour dé- 10 terminer/détecter au moins une grandeur physique telle que par exemple dans un dispositif de capteur pour déterminer/détecteur une accélération, une vitesse de rotation et/ou une pression. Il convient toutefois de remarquer que le composant micromécanique 10 n'est pas limitée à cette seule application. Le composant de micromécanique 10 15 peut être utilisé dans un grand nombre de type de dispositifs de capteur différents servant à déterminer au moins une grandeur physique. Le composant micromécanique 10 comporte un plan d'élément de capteur 12 dans lequel on a réalise une structure de cadre 14 entourant une structure de capteur 16 à l'intérieur du plan de 20 l'élément de capteur 12. La structure de capteur 16 est au moins en partie mobile et/ou déformable. La structure de capteur 16 peut notamment comporter une première infrastructure 16a, 16b mobile et/ ou déformable et qui est déplacée ou déformée par l'augmentation et/ou la diminution d'au moins une grandeur physique. De cette manière, en 25 reconnaissant ou détectant le déplacement/la déformation de la pre- mière infrastructure 16a et 16b de la structure de capteur 16, on pourra détecter/déterminer l'augmentation ou la diminution d'au moins une grandeur physique. Cette première infrastructure 16a, 16b est suspendue ou accrochée à une seconde infrastructure 16c fixe/indéformable 30 de la structure de capteur 16. Le plan de l'élément de capteur 12 notamment la structure de capteur 16 est au moins partiellement électroconducteur. Cette réalisation au moins partiellement électroconductrice de l'élément de plan de capteur 12, notamment de la structure de capteur 16, permet 35 de déterminer/détecter le déplacement/la déformation de la première 3040385 9 infrastructure 16a, 16b de la structure de capteur 16 à partir de la variation de capacité ou de la variation de tension et ainsi de prouver/déterminer l'augmentation ou la diminution de cette grandeur physique. Le plan de l'élément de capteur 12 est au moins en partie réa- 5 lisé en un matériau semi conducteur comme par exemple le silicium (silicium monocristallin, poly-silicium et/ ou épi-silicium) et ou le germanium (poly-germanium) et/ou au moins un métal. Il convient toutefois de remarquer que la réalisation du plan d'élément de capteur 12/structure de capteur 16 n'est pas limitée à une certaine matière ou 10 à la seule utilisation d'une matière exclusivement conductrice. Selon la forme de réalisation de la figure la, la structure de capteur 16 a au moins une électrode 16a qui est suspendue par un ressort 16b a au moins une seconde infrastructure 16c, fixe appartenant à la structure de capteur 16. A l'aide d'une telle structure de cap- 15 teur 16, on peut par exemple, déterminer des accélérations et/ou des vitesses de rotation. Mais, il convient de remarquer que la possibilité de réalisation de la structure de capteur 16 n'est pas limitée à l'exemple de la figure la. La structure de capteur 16 peut également comporter une membrane permettant de détecter/déterminer une variation de pression 20 ou une pression. Le composant micromécanique 10 a également une première structure d'encapsulage 18 et une seconde structure d'encapsulage 20. La première structure d'encapsulage 18 est formée d'un premier substrat 18a. De façon correspondante, la seconde struc- 25 ture d'encapsulage 20 est formée d'un second substrat 20a. Le premier substrat 18a et/ou le second substrat 20a peuvent être par exemple un substrat semi conducteur tel que notamment un substrat de silicium ou des résidus d'un tel substrat. La première structure d'encapsulage 18 est fixée à la structure de cadre 14 pour que le premier côté de la 30 structure de capteur 16 soit couvert par la première structure d'encapsulage 18. De façon correspondante, la seconde structure d'encapsulage 20 est fixée à la structure de cadre 14 pour que le second côté de la structure de capteur 16 non tourné vers le premier côté, soit couvert par la seconde structure d'encapsulage 20. En particulier, de 35 cette manière, on aura un encapsulage (complet) de la structure de 3040385 10 capteur 16 (à l'aide de la structure de cadre 14, de la première structure d'encapsulage 18 et de la seconde structure d'encapsulage 20). On ne risque pas, dans ces conditions, la pénétration de liquide ou de particules dans la structure de capteur 16. De manière préférentielle, 5 l'encapsulage hermétique de la structure de capteur 16 entoure les composants 14, 18, 20 en dépression/sous-vide dans le composant micromécanique. Cela permet d'améliorer la possibilité de déplacement/déformation d'une première infrastructure 16a et 16b de la structure de capteur 16 et ainsi la capacité de réaction et/ou la préci- 10 sion de la détection par la structure de capteur 16. Le composant micromécanique 10 a également un premier circuit intégré dédié 22 (circuit communément appelé circuit ASIC), qui est réalisé sur un premier côté intérieur de substrat 24 de la première structure d'encapsulage 18/du premier substrat 18a du plan 15 de l'élément de capteur 12. En réalisant le premier circuit intégré dédié 22 sur le premier côté intérieur de substrat 24 (dans la direction tournée vers le plan de l'élément de capteur 12), ce circuit est automatiquement protégé contre les saletés ou la pénétration de liquide. Pour une meilleure visibilité, la figure la ne représente qu'une contre- 20 électrode 22a (celle-ci est réalisée de manière non mobile) et des coupes partielles des chemins conducteur 22b, comme exemples, de composants possibles du premier circuit intégré, dédié 22. Mais il convient de remarquer que le premier circuit intégré dédié 22 peut également comporter en variante ou en complément, des exemples 22a et 22b, égale- 25 ment, d'autres composants de circuit. A l'aide de la contre-électrode 22a (au moins une contre-électrode), on peut détecter le déplacement/la déformation d'au moins une première infrastructure 16a et 16b de la structure de capteur 16 à l'aide de la variation de capacité et/ou de la variation de tension. La contre-électrode 22a (au moins une contre- 30 électrode) peut toutefois servir également à contrôler l'amortissement (dans le cas d'un frottement électrostatique). Le premier circuit intégré dédié 22 est relié électrique- ment à un premier contact traversant 26 ; ce contact traversant s'étend à travers le premier substrat 18a de la première structure 35 d'encapsulage 18 jusqu'au premier côté extérieur de substrat 28 à 3040385 11 l'opposé du premier côté intérieur de substrat 24 et appartenant à la première structure d'encapsulage 18/au premier substrat 18a. Le premier circuit intégré dédié 22 est également relié électriquement à un second contact traversant 30 qui traverse la structure de cadre 14 jus- 5 qu'au second côté intérieur de substrat 32 tourné vers le plan de l'élément de capteur 12 de la seconde structure d'encapsulage 20/second substrat 20a, ou encore traverse la structure de cadre 14 et le second substrat 20a de la seconde structure d'encapsulage 20 pour arriver jusqu'au second côté extérieur de substrat 34, non tourné vers 10 le second côté intérieur 32 de la seconde structure d'encapsulage 20/ou du second substrat 20a ; ce second côté extérieur de substrat 34 appartient à la seconde structure d'encapsulage 20/second substrat 20a. La liaison entre le premier circuit intégré dédié 22 par le premier contact traversant 26 au premier côté extérieur de substrat 28, 15 permet au premier circuit intégré dédié 22 de coopérer facilement avec au moins un composant fonctionnel (premier composant) réalisé à cet endroit ou avec un circuit externe/installation (premier circuit externe) relié mécaniquement et électriquement au premier côté extérieur de substrat 28. De plus, le premier circuit intégré dédié 22 grâce à sa liai- 20 son, par le second contact traversant 30, peut réagir avec au moins l'un des composants fonctionnels intérieurs réalisés sur le second côté de substrat 32 avec au moins un composant fonctionnel (second composant) sur le second côté extérieur 34 ou avec un (second) circuit externe/installation relié mécaniquement et électriquement au second 25 côté extérieur de substrat 34. Cela permet de miniaturiser le composant de micromécanique tout en conservant sa fonctionnalité. On peut également augmenter la fonctionnalité du composant micromécanique en conservant son volume et/ou son extension. Selon le mode de réalisation de la figure la, le premier 30 circuit intégré dédié 22 est relié à un contact arrière MEMS 36 réalisé sur le second coté extérieur de substrat 34. Cette liaison se fait par le second contact traversant 30 qui passe dans la structure de cadre 14 et le second substrat 20a de la seconde structure d'encapsulage 20 pour arriver jusqu'au second côté extérieur de substrat 34 de la seconde 35 structure d'encapsulage 20/second substrat 20a ; ce second côté exté- 3040385 12 rieur de substrat 34 est orienté à l'opposé du second côté intérieur de substrat 32 de la seconde structure d'encapsulage 20/second substrat 20a. (Le contact arrière MEMS 36 met la seconde structure d'encapsulage 20 à un potentiel bien défini et réduit ainsi la perturba- 5 tion électrique du signal de capteur). Contrairement à la première structure d'encapsulage 18 qui, du fait de la réalisation du premier circuit intégré dédié 22, sur le premier côté intérieur de substrat 24 peut être appelé plaquette ASIC/circuit ASIC, la seconde structure d'encapsulage 20 peut être ap- 10 pelée plaquette d'encapsulage. En particulier, le second côté intérieur de substrat 32 de la seconde structure d'encapsulage 20/du second substrat 20a, comporte une cavité/creux 38 pour agrandir la caverne entourant la structure de capteur 16 à l'intérieur du composant micromécanique. La cavité/creux 38 peut également servir à collecter 15 d'éventuels gaz émis et/ou pour maintenir la pression à un niveau faible. A titre d'exemple, sur le premier côté extérieur du substrat 28, on a fixé un (premier) composant de liaison 42a au premier contact traversant 26 par lequel le premier côté extérieur de substrat 28 est relié facilement (par exemple, par une soudure) électriquement et 20 mécaniquement au (premier) circuit externe/installation. Comme développement avantageux, le composant micromécanique 10 de la figure la comporte également un troisième contact traversant 40 ; celui-ci passe du premier côté extérieur de substrat 28 de la première structure d'encapsulage 18/premier substrat 18a à 25 travers la première structure d'encapsulage 18, la structure de cadre 14 et la seconde structure d'encapsulage 20 pour arriver jusqu'au second côté extérieur de substrat 34 de la seconde structure d'encapsulage 20/second substrat 20a. De plus, le premier côté extérieur de substrat 28 comporte un (second) composant de liaison 42b relié au troisième 30 contact traversant 40. Un (troisième) composant de liaison 42c est éga- lement relié électriquement du troisième contact traversant 40 sur le second côté extérieur de substrat 34. Dans le composant micromécanique de la figure 1, la première structure d'encapsulage 18 est fixée à la structure de cadre 14 35 par au moins une première liaison 44. A titre d'exemple, cette première 3040385 13 liaison 44 et une liaison eutectique 44 (par exemple une liaison CuSn, une liaison SiAu ou une liaison GeAL) qui permet de régler de manière précise à la valeur souhaitée, la distance souhaitée entre la première structure d'encapsulage 18 et le premier côté en face appartenant à la 5 structure de capteur 14. De plus, en réalisant la liaison eutectique 44, on a à peine, un étalement du matériau utilisé pour former la liaison eutectique 44. Le contact de la liaison eutectique 44 peut, pour cette raison, se faire d'une manière relativement précise et de façon miniaturiser. La seconde structure d'encapsulage 20 est également fixée à la 10 structure de cadre 14 par au moins une seconde liaison 46, et au moins la seconde structure d'encapsulage 20 est reliée à titre d'exemple, par une liaison silicium, directe 46 constituant la seconde liaison 46 à la structure de cadre 14. La liaison 44 respective et/ou 46 est de préférence électroconducrice et notamment elle peut faire partie de l'un des 15 contacts traversant 26, 30 ou 40. De plus, la structure de capteur 16, notamment son second côté inférieur 16b, peut être reliée par le premier circuit intégré dédié 22 par au moins une troisième liaison de 48. Cette troisième liaison 48 peut être réalisée en un même temps que la première liaison 44. 20 Comme la liaison électrique de la structure de capteur 16 est sans im- portance particulière ici, elle ne sera pas détaillée plus précisément. Il convient de remarquer que le composant micromécanique est mis en contact électrique sur ces deux côtés extérieurs 28 et 34 du substrat. Les signaux électriques peuvent être échangés entre les 25 deux côtés extérieurs 28 et 34 du substrat. Le composant microméca- nique 10 convient pour cela très bien pour une intégration hybride dans un noeud de capteur miniaturisé. De plus, il a une structure compacte sans nécessiter de couche auxiliaire supplémentaire. Un développement avantageux réside néanmoins dans au moins l'un des côtés exté- 30 rieurs 28, 34 du substrat comportant une surface de Flipchip et/ ou de Cu-Studbump. Pour les autres caractéristiques du mode de réalisation de la figure la, on se reportera à la description suivante d'un procédé de fabrication : 3040385 14 Tout d'abord, on décrira les étapes du procédé de fabrication d'une première structure encapsulée 18. A titre d'exemple par le développement du premier circuit intégré dédié 22, sur le premier côté intérieur 24 équipé ultérieurement pour le plan de l'élément de capteur 5 12, pour le premier substrat 18a de la première structure encapsulée 18. Pour cela, on forme une couche d'isolation 50 sur la surface du premier substrat 18a et ensuite on forme le premier circuit intégré 22, dédié, sur le côté de la couche isolante 50 à l'opposé du premier substrat 18a. Sur le premier circuit intégré dédié 22, on applique une 10 couche d'arrête 52 (par exemple du nitrure de silicium). Comme le montre la figure lb, la couche d'arrêt 52 (et le masque de gravure non représenté, réalisé sur celle-ci) a au moins un évidement traversant qui fixe la position au moins du premier contact traversant 26 (et éventuellement d'une partie du troisième contact traversant 40) dans le premier 15 substrat 18a. Par une étape de gravure, on réalise au moins une tran- chée 54 qui traverse partiellement le premier substrat 18a pour le premier contact traversant 26 (et éventuellement la partie du troisième contact traversant 40). A l'intérieur de la tranchée 54, on forme ensuite une couverture de paroi de tranchée 56, isolante, par exemple, en dépo- 20 sant du dioxyde de silicium (par exemple par le procédé LPCVD TEOS). La figure lb montre une section du premier substrat 18a après le dépôt d'au moins une matière conductrice 58 par exemple, du cuivre qui et formée d'au moins un remplissage conducteur 58a pour le premier contact traversant 26 (et éventuellement la partie du troisième contact tra- 25 versant 40). Enfin, on exécute une étape de polissage mécanochimique pour éviter que la couche d'arrêt 52 n'endommage le premier circuit intégré actif 22. La couche d'arrêt 52 peut, ensuite, être enlevée. Puis on dépose de manière ciblée un premier matériau pour la liaison 30 60 (par exemple du cuivre) sur au moins une position de la future liai- son 44 et 48. La figure le montre le résultat de cette opération. Pour réaliser la seconde structure d'encapsulage, comme représentée à la figure 1 d, on réalise une cavité/évidement 38 dans le futur second côté intérieur 32 du second substrat 20a de la seconde 35 structure d'encapsulage 20. La cavité 38 et la plage résiduelle du se- 3040385 15 cond côté intérieur 32 du substrat peuvent ensuite être recouvertes par une couche d'isolation 62 (par exemple, par une oxydation thermique). Puis à l'aide d'une étape de liaison, directe, au silicium, on fixe solidairement un troisième substrat 64 à la couche d'isolation 62. Le troisième 5 substrat 64 est meulé pour réduire son épaisseur à l'épaisseur de couche souhaitée pour le futur plan de l'élément de capteur 12. La figure 1 montre le résultat de l'opération. En option, on peut déposer un masque dur de dioxyde de silicium 66 dans une autre étape du procédé sur la surface du troisième 10 substrat 64 à l'opposé du second substrat. Le masque dur de dioxyde de silicium 66 peut être couvert dans ce cas par une couche d'arrêt 68 (par exemple du nitrure de silicium) ; en réalisant des évidements traversant la couche d'arrêt 68 (et un masque non esquissé qui la couvre), on fixe la position d'au moins un second contact traversant 30 (et éven- 15 tuellement d'une autre partie du troisième contact traversant 40) dans la future structure de cadre 14 et la future seconde structure d'encapsulage 20. Par une étape de gravure suivante, on peut graver au moins une tranchée 70 pour le second contact traversant 30 (et éventuellement l'autre partie du troisième contact traversant 40) qui s'étend 20 à travers le troisième substrat 64 et au moins en partie à travers le se- cond substrat 20a. Dans ce cas, également on muni la tranchée 70 d'une couverture isolante 72 par exemple en déposant du dioxyde de silicium. Le dépôt d'une matière électroconducrice telle que par exemple du cuivre, forme un remplissage conducteur 74 de la seconde tranchée 25 pour le second contact traversant 30 (et éventuellement l'autre partie du troisième contact traversant 40). La partie en saillie de la matière électroconducrice peut être enlevée par un polissage mécanochimique en usant la couche d'arrêt 68. La figure le montre le résultat de l'opération. 30 La couche d'arrêt 68 peut être enlevée une fois le polis- sage mécanochimique terminé. Ensuite, on dépose de manière ciblée un second matériau de départ 76 pour une liaison (par exemple de l'étain) pour une position correspondant à la future liaison 44 et 48. Comme le montre la figure 1f, on peut ensuite structurer le troisième substrat 64 35 pour former la structure de capteur 16 et la structure de châssis 14. La 3040385 16 figure 1f montre le résultat après enlèvement du masque dur de dioxyde de silicium 66. Les deux structures partielles résultant des étapes de procédés décrites ci-dessus peuvent ensuite être réunies par une étape 5 de liaison eutectique. Pour cela, on rapproche les matières premières de la liaison 60 et 76. Ensuite, on amincie le premier substrat 18a et le second substrat 20a suffisamment pour dégager le fond des tranchées 54 et 70. Sur les surfaces de substrat ainsi obtenues par cette réduction d'épaisseur, on forme des couches isolantes 78 et 80 (par exemple, 10 en déposant du dioxyde de silicium). Une oxydation thermique a l'avantage pour les couches isolantes 78 et 80, de ne pas couvrir le remplissage de tranchée 58a et 74, électroconducteur, sur les côtés de sortie 28 et 34 du substrat. Dans la mesure où il faut réaliser un contact de côté arrière 36 sur le second côté extérieur du substrat 34, on 15 peut à sa position, dégager une surface partielle du second substrat 20a en enlevant la couche d'isolation 80 qui continue de la couvrir. Le dépôt d'au moins une matière conductrice, permet de former le contact côté arrière 36 et/au moins un fond de contact 82 des futures structures de fixation 42a, 42b et 42c (voir figure 1g). 20 Dans la mesure où cela est souhaité, on peut munir le fond de contact 82 d'une zone marginale 84. Pour cela, on épaissit les couches d'isolation 78 et 80 (par le dépôt d'autres matériaux isolants) et on intègre le fond de contact 82 partiellement dans les couches isolantes 78, 80. Une autre étape de dépôt consiste alors à former au 25 moins de bord 84. En option, on peut également prévoir un plot de soudure 86 sur des structures de liaison 42a, 42b et 42c de façon à pouvoir facilement, relier électriquement les côtés extérieurs du substrat 28 et 34 par une soudure, mécaniquement pour les fixer à un circuit ou une installation extérieure. 30 Les figures 2a -2e montrent schématiquement un second mode de réalisation du composant micromécanique et des sections servant à décrire le procédé de fabrication. Le composant micromécanique 10 représenté à la figure 2a diffère du mode de réalisation décrit ci-dessus surtout par un second 35 circuit dédié 90 (circuit ASIC) réalisé à la place du contact, côté arrière 3040385 17 MEMS 36 sur le second côté extérieur de substrat 34 de la seconde structure d'encapsulage 20/second substrat 20. La seconde structure d'encapsulage 20 peut ainsi être considérée comme une autre puce ASIC avec un second côté extérieur actif de substrat 34. On réalise 5 néanmoins l'évidement 38 dans le second côté intérieur de substrat 32 de la seconde structure d'encapsulage 20/second substrat 20. Pour ne pas encombrer le dessin, la figure 2a ne montre que des coupes partielles des chemins conducteurs 90a comme les exemples de composants possibles pour le premier circuit dédié 22. 10 Les deux plaquettes ASIC réalisées sur le composant mi- cromécanique de la figure 2 peuvent avoir des dimensions identiques. De cette manière, on répartit de façon économe, en emplacement et en coût, des fonctions de circuits numérisés analogiques sur la plaquette ASIC la plus appropriée des deux plaquettes ASIC. Par exemple, la pre- 15 mière plaquette ASIC réalisée avec la première structure d'encapsulage 18, peut résulter d'un procédé à haute tension. La taille du noeud de la première plaquette ASIC est ainsi relativement grande et il est intéressant d'intégrer une partie analogique (partie de signal mélangé) sur la première plaquette ASIC. Avec l'option haute tension de la première 20 plaquette ASIC, on peut corriger les incompatibilités comme par exemple une quadrature (par exemple, sur une structure de capteur 16). Le second circuit ASIC ainsi réalisé avec la seconde structure en-capsulée 20 peut avoir des dimensions noeuds plus petites. La partie numérique est dans ce cas de préférence intégrée dans la seconde pla- 25 guette ASIC. La seconde plaquette ASIC peut avoir des composants supplémentaires tels que par exemple un micro contrôleur, un capteur de pression, un capteur d'humidité, une mémoire et/ou une mémoire EEPROM. Le second composant micromécanique de la figure 2a 30 comporte également au moins une seconde liaison 46 (entre la seconde structure d'encapsulage 20 et la structure de cadre 14) comme liaison eutectique). Pour les autres propriétés du composant micromécanique de la figure 2, on se reportera à la description du mode de réalisation précédent. 3040385 18 Ensuite, on décrira les étapes du procédé de fabrication du composant micromécanique 10 représenté à la figure 2a avec un degré élevé et avantageux de fonctionnalités. La première structure d'encapsulage 18 est réalisée 5 comme celle décrite ci-dessus à l'aide des figures lb et 1 c. Pour réaliser la seconde structure d'encapsulage 20 et le plan de l'élément de capteur 12, on réalise tout d'abord le second circuit dédié 90 sur le second substrat 20a ; le second circuit dédié 90 (sur le futur second côté extérieur de substrat 34) est réalisé sur une couche 10 isolante 92. Ensuite, on grave une tranchée 70 pour le second contact traversant 30 (éventuellement l'autre partie du troisième contact traversant 40) ; cette tranchée s'étend en partie sur le second substrat 20a. Dans ce cas également, la tranchée 70 est couverte au moins d'une couverture de paroi de tranchée 72 isolante et d'au moins un remplis- 15 sage de tranchée 74 conducteur. Pour protéger le produit obtenu de cette manière, on peut développer un substrat de support 94 par une liaison temporaire que l'on relie au second circuit intégré 90 d'application spécifique sur le côté du second substrat 20a. 20 Selon une autre étape du procédé, on réduit l'épaisseur du second substrat 20a jusqu'à dégager le fond de la tranchée 70. L'isolation peut ensuite être enlevée du fond de tranchée ainsi dégagé. De plus, on peut déposer une première matière de départ 96 (par exemple du cuivre) pour la liaison sur le fond de tranchée dégagé. On 25 aura ainsi de la matière pour une future étape de liaison eutectique. Le second côté intérieur de substrat 32 obtenu en réduisant l'épaisseur du second substrat 20a permet ensuite de graver la cavité 38. Dans ce cas également, on couvre le sol et les murs de l'évidement de fixation 38 (par exemple, par un dépôt) en couvrant avec une couche isolante 62. 30 (La couverture de la surface résiduelle du second côté intérieur de subs- trat 32 avec la couche isolante 62 n'est toutefois pas nécessaire). La figure 2b montre une autre étape du procédé par la- quelle on dépose une second matière de départ 98 pour la liaison (par exemple de l'étain) à la surface du troisième substrat 64. 3040385 19 Les matières de départ 96 et 98 de la liaison sont ensuite mises en contact pour réaliser une liaison eutectique. Après avoir relié par une liaison eutectique, on réduit l'épaisseur du troisième substrat 64 à l'épaisseur souhaitée du futur élément de capteur 12. Ensuite, on 5 fait un dépôt ciblé de la matière de départ 76 (par exemple, de l'étain) pour la seconde liaison comme cela a déjà été décrit sur la surface du troisième substrat 64 d'épaisseur réduite, cette surface étant opposée à la seconde surface d'encapsulage 20. Puis, on réalise au moins la structure de cadre 14 et la structure de capteur 16 ans dans le plan de 10 l'élément de capteur 12. La figure 2c montre le résultat de l'opération. La figure 2d représente un procédé de liaison eutectique réalisé ensuite. Selon ce procédé de liaison eutectique, on enlève le substrat de support 94 de la seconde structure d'encapsulage 20. Puis, on peut amincir le substrat 18a pour dégager le fond de la tranchée 54. 15 Pour les autres étapes du procédé de réalisation de la structure représentée aux figures 2e (et à la figure 2a), on se reportera aux descriptions données ci-dessus. La figure 3 montre schématiquement un composant mi- cromécanique 10 dont les deux structures d'encapsulage 18 et 20 sont 20 réalisées chacune sous la forme d'une plaquette ASIC. Dans ce cas, éga- lement, les deux plaquettes ASIC peuvent avoir des dimensions de noeuds différentes, ce qui est utile pour répartir les fonctions de commutation numériques et analogiques sur chacune des deux plaquettes ASIC appropriées. 25 Toutefois, pour la seconde structure d'encapsulage 20, le second circuit intégré dédié 90 est réalisé sur le second côté intérieur 32 du substrat de la structure d'encapsulage 20. Ainsi, dans ce cas, le second circuit intégré dédié 90 sera protégé automatiquement contre les saletés et les liquides grâce à l'encapsulage. De façon avantageuse, ce 30 second circuit intégré dédié 90 est dans ce cas, également muni d'une autre contre-électrode 90b. Cette contre-électro 90b peut servir à détecter un déplacement et/ou une déformation de la première infrastructure 16a, 16b de la structure de capteur 16 et/ ou contrôler l'amortissement (pour un frottement électrostatique). 3040385 20 Pour la fabrication du composant micromécanique 10 de la figure 3, on se reportera aux étapes de procédé déjà décrites et aux étapes de procédé qui seront décrites ultérieurement. Les figures 4a-4b montrent schématiquement un qua- 5 trième mode de réalisation du composant micromécanique et des sec- tions servant à décrire son procédé de fabrication. Pour fabriquer le composant micromécanique 10 repré- senté schématiquement à la figure 4a (avec un composant de liaison supplémentaire 42d), on réalise le second circuit intégré dédié 90 sur le 10 futur côté intérieur de la seconde structure d'encapsulage 20/second substrat 20a. Puis, on dépose de manière ciblée un premier matériau de départ de la première liaison 96 (par exemple du cuivre) sur le second circuit intégré dédié 90 (pour une future liaison eutectique entre le second substrat 20a et le troisième substrat 64). 15 De façon correspondante, sur le côté supérieur du troi- sième substrat 64, on dépose également une seconde matière première 98 (par exemple de l'étain) pour la liaison. Ensuite, par un procédé de gravure ionique, réactive profonde (DRIE), on enlève les zones non couvertures de la surface du troisième substrat 64, partiellement couverte, 20 avec la seconde matière première 98 de liaison, pour avoir une hauteur de cavité suffisante (bien que l'on renonce à développer des cavités/creux 38 dans le second côté intérieur 32 du substrat de la seconde structure d'encapsulage 20/du second substrat 20a. Le résultat de l'étape de procédé est ainsi décrit et représenté à la figure 4b. 25 Ensuite, on fixe l'un à l'autre le second substrat 20a et le troisième substrat 64 par un procédé de liaison eutectique (en utilisant les matières premières 96 et 98 pour la liaison). Puis, on amincit de nouveau le troisième substrat 64 à l'épaisseur de couche souhaitée pour le futur plan de l'élément de capteur 12. Ensuite, on dépose de 30 manière ciblée la seconde matière de départ 76 (par exemple de l'étain) décrite déjà ci-dessus sur la surface obtenue de cette manière du troisième substrat 64 qui est à l'opposé de celle de la seconde structure d'encapsulage 20. Comme le montre la figure 4c, on réalise la structure du troisième substrat 64 pour obtenir le plan d'élément de capteur 12 35 souhaité avec au moins la structure de cadre 14 et la structure de cap- 3040385 21 teur 16. Pour les autres étapes du procédé pour obtenir la structure représentée à la figure 4d (et à la figure 4a), on se reportera à la description déjà faite. Dans toutes les formes de réalisation décrites ci-dessus 5 qui ont des structures fonctionnelles (fonctions numériques/analogiques ou micromécaniques), on utilise de façon optimale la surface disponible/le volume disponible. De plus, pour toutes les formes de réalisation, on peut monter le composant micromécanique 10 à l'aide d'au moins une bille de soudage appropriée/patin de soudage 10 86, directement sur ou dans une plaque de circuit et/ ou un intermé- diaire (qui est également une installation/circuit externe). L'utilisation confirmée comme système de capteur « bare die » c'est-à-dire à puce non encapsulée permet une miniaturisation réduite au minimum. Il convient de remarquer une nouvelle fois que toutes les 15 formes de réalisation s'appliquent à un grand nombre de type de cap- teur différent. Par exemple, on peut réaliser une tranchée supplémentaire dans la seconde structure d'encapsulage 20 d'un capteur de pression, capacitif. Le volume fermé dans ce cas entre la structure de capteur 16 et le premier circuit dédié 22, permet de réaliser le volume 20 arrière du capteur de pression réalisé comme capteur de pression abso- lue. 25 3040385 22 NOMENCLATURE DES ELEMENTS PRINCIPAUX 10 Composant d'un dispositif de capteur 12 Plan de l'élément de capteur 5 14 Structure de cadre 16 Structure de capteur 16a, 16b Première infrastructure 16c Seconde infrastructure 18 Première structure d'encapsulage 10 18a Premier substrat 20 Seconde structure d'encapsulage 20 Structure d'encapsulage 20a Second substrat 22 Circuit intégré dédié/ASIC 15 22a Contre-électrode 22b Chemin conducteur 24 Premier côté intérieur du substrat 28 Premier côté extérieur du substrat 26 Premier contact traversant 20 30 Second contact traversant 32 Second côté intérieur du substrat 34 Second côté extérieur du substrat 36 Contact arrière 38 Cavité 25 40 Troisième contact traversant 42a,42b } Structure de liaison 42c } Structure de liaison 42c Troisième composant de liaison 44 Liaison eutectique 30 46 Seconde liaison 48 Troisième liaison 50 Couche d'isolation 52 Couche d'arrêt 58 Matériau conducteur 35 58a Remplissage conducteur la tranchée 3040385 23 60 Matière première de la première liaison 68 Couche d'arrêt 70 Tranchée 72 Couverture isolante de la tranchée 5 74 Remplissage conducteur de la tranchée 76 Matière de la liaison 76 Matière première de la liaison 78 Couche isolante 80 Couche isolante 10 82 Fond de contact 84 Zone de bord 86 Bille de soudure 90 Second circuit intégré dédié 90a Chemin conducteur 15 90b Contre-électrode 92 Couche isolante 94 Substrat de support 96 Matière première de la liaison 98 Matière première de la liaison 20 REVENDICATIONS1°) Composant micromécanique (10) comportant : - un plan d'élément de capteur (12) réalisant une structure de cadre (14) et à l'intérieur du plan d'élément de capteur (12), une structure de capteur (16) entourée par la structure de cadre (14) et qui est au moins partiellement mobile et/ou déformable, - une première structure d'encapsulage (18) fixée à la structure de cadre (14) pour que le premier côté de la structure de capteur (16) soit couvert par la première structure d'encapsulage (18), et - une seconde structure d'encapsulage (20) fixée à la structure de cadre (14) pour que le second côté de la structure de capteur (16) non tourné vers le premier côté, soit couvert par la seconde structure d'encapsulage (20), composant caractérisé en ce qu'il comporte - un premier circuit intégré dédié (22) réalisé sur un premier côté inté- rieur (24) d'un premier substrat (18a) de la première structure d'encapsulage (18), côté tourné vers le plan de l'élément de capteur (12), et qui est relié électriquement à un premier contact traversant (26) et un second contact traversant (30), - le premier contact traversant (26) passant dans la première structure d'encapsulage (18) jusqu'au premier côté extérieur (28) du premier substrat (18a) de la première structure d'encapsulage (18) qui n'est pas tourné vers le premier côté intérieur de substrat (24), - et le second contact traversant (30) traverse soit la structure de cadre (14) jusqu'au second côté intérieur (32) tourné vers le plan de l'élément de capteur (12) du second substrat (20a) de la seconde structure d'encapsulage (20), soit la structure de cadre (14) et la seconde structure d'encapsulage (20) jusqu'au second côté extérieur de substrat (34) du second substrat (20a) de la seconde structure d'encapsulage (20), qui est le second côté extérieur non tourné vers le second côté intérieur (32) du substrat. 2°) Composant micromécanique (10) selon la revendication 1, caractérisé en ce que 3040385 25 le second contact traversant (30) passe dans la structure de cadre (14) et la seconde structure d'encapsulage (20) jusqu'au second côté extérieur (34) du second substrat (20a) de la seconde structure d'encapsulage (20), et 5 un contact latéral de retour MEMS (36) ou un second circuit dédié (90) étant réalisés sur le second côté extérieur de substrat (34). 3°) Composant micromécanique (10) selon la revendication 1, caractérisé en ce que 10 le second contact traversant (30) passe dans la structure de cadre (14) jusqu'au second côté intérieur (32) du second substrat (20a) de la seconde structure d'encapsulage (20) et le second côté intérieur du substrat (32), a le second circuit intégré dédié (90). 15 4°) Composant micromécanique (10) selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le composant micromécanique (10) a un troisième contact traversant (40) s'étendant entre le premier côté extérieur (28) du premier substrat 20 (18a) de la première structure d'encapsulage (18) à travers la première structure d'encapsulage (18), la structure de cadre (14) et la seconde structure d'encapsulage (20) jusqu'au second côté extérieur (34) du second substrat (20a) de la seconde structure d'encapsulage (20). 25 5°) Composant micromécanique (10) selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la première structure d'encapsulage (18) et/ou la seconde structure d'encapsulage (20) sont fixées à la structure de cadre (14) à l'aide d'une 30 liaison électroconductrice (44, 46). 6°) Composant micromécanique (10) selon la revendication 5, caractérisé en ce que la première structure d'encapsulage (18) et/ou la seconde structure d'encapsulage (20) sont fixées à l'aide d'une liaison eutectique consti- 3040385 26 tuant au moins une liaison électroconductrice (44, 46) à la structure de cadre (14). 7°) Dispositif de capteur comportant un composant micromécanique 5 (10) selon l'une des revendications 1 à 6. 8°) Procédé de fabrication d'un composant micromécanique (10) comprenant les étapes suivantes, consistant à : - réaliser une structure de cadre (14) et une structure de capteur (16) 10 dans un plan d'élément de capteur (12) de façon qu'à l'intérieur du plan d'élément de capteur (12), la structure de cadre (14) entoure la structure de capteur (16), la structure de capteur (16) étant au moins partiellement mobile et/ou déformable, - fixer une première structure d'encapsulage (18) à la structure de 15 cadre (14) de façon à couvrir le premier côté de la structure de capteur (16) à l'aide de la première structure d'encapsulage (18), et - fixer une seconde structure d'encapsulage (20) à la structure de cadre (14) pour couvrir le second côté de la structure de capteur (16) non tourné vers le premier côté, par la seconde structure d'encapsulage (20), 20 procédé caractérisé par les étapes suivantes consistant à : - réaliser un premier circuit intégré dédié (22) sur un futur premier côté intérieur (24) d'un premier substrat (18a) de la première structure d'encapsulage (18), ce futur côté intérieur de substrat (24) étant orienté par rapport au plan de l'élément de capteur (12), 25 - développer un premier contact traversant (26) pour le relier électri- quement au composant micromécanique (10) terminé, sur le circuit intégré dédié (22) et s'étendant à travers la première structure d'encapsulage (18) jusqu'au premier côté extérieur (28) du premier substrat (18a) de la première structure d'encapsulage (18), et qui n'est 30 pas tourné vers le premier côté intérieur de substrat (24), - développer un second contact traversant (30) pour relier électriquement ce second contact traversant (30) à un composant micromécanique terminé (10) sur le premier circuit intégré dédié (22) par une liaison électrique et qui traverse soit la structure de cadre (14) jusqu'au 35 second côté intérieur (32) du second substrat (20a) de la seconde struc- 3040385 27 ture d'encapsulage (20), ce côté intérieur étant tourné vers le plan de l'élément de capteur (12), soit la structure de cadre (14), la seconde structure d'encapsulage (20) s'étendant jusqu'au second côté extérieur (34) du second substrat (20a) de la seconde structure d'encapsulage 5 (20), jusqu'à l'un des deux côtés intérieurs de substrat (32) ce côté étant à l'opposé de la seconde structure d'encapsulage (20). 9°) Procédé de fabrication selon la revendication 8, caractérisé en ce que 10 sur le second côté extérieur (34) du second substrat (20a) de la seconde structure d'encapsulage (20), on réalise un contact latéral de retour MEMS (36) ou un circuit intégré dédié (90), et on réalise le second contact traversant (30) pour qu'il s'étende sur le premier composant micromécanique (10) jusqu'à la structure de cadre 15 (14) et que la seconde structure d'encapsulage (20) s'étende jusqu'au second côté extérieur de substrat (34) en étant reliée au contact, côté arrière MEMS (36) ou au second circuit intégré dédié (90), par une liaison électrique. 20 10°) Procédé de fabrication selon la revendication 8, caractérisé en ce que sur le second côté intérieur (32) du second substrat (20a) de la seconde structure d'encapsulage (20), on réalise le second circuit intégré dédié (90) et le second contact traversant (30) s'étende sur le composant mi- 25 cromécanique (10) terminé, à travers la structure de cadre (14) jusqu'au second côté intérieur de substrat (32) en étant relié électriquement au circuit intégré (90) du second circuit dédié. 11°) Procédé de fabrication selon l'une des revendications 8 à 10, 30 caractérisé en ce qu' on réalise un troisième contact traversant (40) sur le composant micromécanique (10) terminé, entre le premier côté extérieur (28) du premier substrat (18a) de la première structure d'encapsulage (18) à travers la première structure d'encapsulage (18), la structure de cadre (14) et la 35 seconde structure d'encapsulage (20) jusqu'au second côté extérieur 3040385 28 (34) du second substrat (20a) de la seconde structure d'encapsulage (20). 12°) Procédé de fabrication d'un dispositif de capteur consistant à, 5 réaliser un composant micromécanique selon l'une des revendications à 8 à 11. 10