FR 3047348 A1 20170804 FR 1650856 A 20160203 B14422FR - 15-GR2-0135-82379649 1 PROTECTION DE DONNEES POUR UNE NE)IRE A AUTOTEST INTEGRE Domaine La présente demande concerne un circuit et un procédé de protection de données stockées dans une mémoire, et plus particulièrement un circuit et un procédé de protection de données pour des mémoires comprenant des circuits d'autotest intégrés (en anglais "Built-in self-test", ou BIST). Exposé de l'art antérieur Les mémoires vives telles que les SRAM (mémoires vives statiques) et les DRAM (mémoires vives dynamiques) comprennent généralement des circuits de test, tels que des circuits BIST, permettant le test des cellules mémoire formant la matrice mémoire. Par exemple, les séquences de test obtenues grâce à des circuits BIST peuvent inclure des séquences dans lesquelles des données de test sont écrites puis lues à partir de certaines parties de la matrice mémoire. Dans certaines applications, les mémoires peuvent être utilisées pour stocker des données sensibles, qui ne doivent pas être accessibles à des dispositifs non autorisés. Les données sensibles peuvent par exemple inclure des clés de chiffrement, des mots de passe ou des données financières ou médicales. Le circuit BIST d'une mémoire peut constituer un point d'entrée permettant à un attaquant d'accéder aux données sensibles. En 3047348- B14422FR - 15-GR2-0135-82379649 2 effet, le circuit BIST va généralement autoriser l'exécution de séquences de test, et parmi les séquences de test disponibles, certaines pourraient autoriser la lecture du contenu de la mémoire, comme par exemple un vidage de la mémoire. Par 5 conséquent, pour protéger des données sensibles, le circuit BIST peut être partiellement ou entièrement désactivé après avoir achevé un test à la fin du processus de fabrication, de telle façon que le contenu de la mémoire ne puisse plus être lu en utilisant une séquence de test BIST. Les circuits BIST peuvent 10 par exemple être désactivés en utilisant un fusible programmable à usage unique. Cependant, pour certaines mémoires, il peut être souhaitable d'autoriser un test pendant leur durée de vie. Si pendant sa durée de vie la mémoire commence par exemple à 15 dysfonctionner, un test peut être utilisé pour identifier la source du dysfonctionnement. Un tel diagnostic peut permettre à la mémoire d'être réparée, ou à la structure du circuit d'être améliorée pour des produits futurs. Il y a ainsi un besoin dans la technique pour une 20 solution permettant aux fonctions de test d'être utilisées sur une mémoire sans permettre l'obtention de données sensibles par des tiers non autorisés. Résumé C'est un objet de modes de réalisation de la présente 25 demande de traiter au moins partiellement un ou plusieurs besoins de l'art antérieur. Selon un aspect, on prévoit un procédé comprenant, en réponse à l'activation d'au moins un signal de commande requérant qu'un circuit de test d'une matrice mémoire déclenche un mode de 30 test de la mémoire permettant la lecture d'au moins une partie de la matrice mémoire, le lancement par un circuit de commande de test d'une séquence de sur-écriture pour sur-écrire les données stockées dans la matrice mémoire ; et l'activation, grâce au circuit de commande de test, du mode de test de la mémoire une 35 fois que la séquence de sur-écriture est achevée. 3047348 B14422FR - 15-GR2-0135-82379649 3 Selon un mode de réalisation, le mode de test de la mémoire est un mode point par point permettant un vidage des données stockées dans la matrice mémoire. Selon un mode de réalisation, la séquence de sur-5 écriture est effectuée par le circuit de test. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre la vérification, par le circuit de commande de test, que la séquence de sur-écriture a été achevée en se basant sur un signal d'état généré par le circuit de test. 10 Selon un mode de réalisation, la matrice mémoire est une matrice mémoire programmable. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre la détermination, grâce au circuit de commande de test en réponse à l'activation d'au moins un autre signal de commande 15 requérant qu'un autre mode de test de mémoire soit déclenché, de si la séquence de sur-écriture a déjà été appliquée ou non à la matrice mémoire ; et s'il est déterminé que la séquence de sur-écriture a déjà été appliquée, l'activation de l'autre mode de test de mémoire sans appliquer une nouvelle fois la séquence de 20 sur-écriture à la matrice mémoire. Selon un autre aspect, on prévoit un circuit de commande de test adapté à : lancer une séquence de sur-écriture pour sur-écrire des données stockées dans une matrice mémoire en réponse à l'activation d'au moins un signal de commande demandant qu'un mode de test de mémoire soit déclenché par un circuit de test de la matrice mémoire, le mode de test de la mémoire permettant la lecture d'au moins une partie de la matrice mémoire ; et activer le mode de test de la mémoire une fois que la séquence de sur-écriture est achevée. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande de test.est en outre adapté à déterminer, en réponse à l'activation d'au moins un autre signal de commande demandant qu'un mode de test supplémentaire soit déclenché, si la séquence de sur-écriture a déjà été appliquée à la matrice mémoire ; et, s'il est déterminé que la séquence de sur-écriture a déjà été appliquée, activer un 3047348 B14422FR - 15-GR2-0135-82379649 4 autre mode de test de mémoire sans appliquer une nouvelle fois la séquence de sur-écriture à la matrice mémoire. Selon un mode de réalisation, le mode de test de mémoire est un mode point par point permettant le vidage de données 5 stockées dans la matrice mémoire. Selon un autre aspect, on prévoit une mémoire sécurisée comprenant : le circuit de commande de test ci-dessus et le circuit de test adapté à mettre en oeuvre la séquence de sur-écriture. 10 Selon un mode de réalisation, le circuit de commande de test est en outre configuré pour vérifier que la séquence de sur-écriture a été achevée en se basant sur un signal d'état généré par le circuit de test. Selon un mode de réalisation, la matrice mémoire est une 15 matrice mémoire programmable. Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages ainsi que d'autres apparaîtront à la lecture de la description détaillée suivante de modes de réalisation, donnés à titre illustratif et non limitatif, 20 en référence aux dessins joints, dans lesquels : la figure 1 illustre schématiquement un circuit mémoire muni d'un circuit de test selon un mode de réalisation ; la figure 2 illustre schématiquement un circuit mémoire muni d'un circuit de test selon un mode de réalisation de la 25 présente demande ; la figure 3 est un organigramme illustrant les étapes d'un procédé de test d'un circuit mémoire selon un mode de réalisation de la présente demande ; et la figure 4 illustre schématiquement un système 30 comprenant des dispositifs mémoire sécurisés selon un mode de réalisation. Description détaillée Le terme "couple" ou "couplé" est utilisé ici pour désigner une connexion électrique entre deux composants qui peut 35 être une connexion directe, ou une connexion via un ou plusieurs 3047348 B14422FR - 15-GR2-0135-82379649 5 composants intermédiaires tels que des condensateurs, des amplificateurs tampons, etc. La figure 1 illustre schématiquement un circuit mémoire 100 incluant un circuit de test muni de circuits d'autotest 5 intégrés. Comme cela est illustré, le circuit mémoire 100 comprend une ou plusieurs matrices mémoire (MEMORY ARRAY(S)) 102, qui sont par exemple des SRAM (mémoires vives statiques), des DRAM (mémoires vives dynamiques), des mémoires FLASH, des EEPROM (mémoires mortes effaçables et programmables électriquement), des 10 Flash EEPROM, ou d'autres types de matrices mémoire programmables embarquées ou non. En plus de ses connexions normales d'entrée et de sortie, la matrice mémoire 102 est par exemple couplée à un circuit de test (BIST) 104 via une interface de test (TEST INTERFACE) 106, 15 qui comprend par exemple des lignes de données et d'adresses. Bien que le circuit de test 104 soit illustré séparément de la matrice mémoire 102, il sera clair pour l'homme de l'art qu'en pratique le circuit de test 104 peut être intégré à la matrice mémoire 102. Le circuit de test 104 est par exemple commandé par un circuit de 20 commande de test (BIST CONTROLLER) 108, qui sélectionne par exemple l'un d'une pluralité de modes de test disponibles pour exécution par le circuit de test 104 et qui fournit dans certains cas des données de test. Le circuit de commande de test 108 reçoit par exemple un signal de commande CMD sur une ou plusieurs lignes 25 d'entrée 110 indiquant qu'un mode de test doit être déclenché. Dans certains modes de test, des données de test de sortie (BIST DATA) sont fournies par des lignes de sortie 112 de la matrice mémoire 102. Les modes de test permettant aux données d'être lues ou 30 "vidées" de la matrice mémoire 102 posent problème quand les matrices mémoire stockent des données sensibles, puisqu'ils peuvent être utilisés par des attaquants pour accéder de façon non autorisée aux données sensibles. Il existe les solutions possibles suivantes pour éviter de telles brèches de sécurité, 35 dont chacune présente des inconvénients correspondants : 3047348 B14422FR - 15-GR2-0135-82379649 6 - le circuit de test 104 pourrait être configuré pour n'autoriser que des modes de test qui ne permettent pas des opérations de lecture ou de vidage de la mémoire. Cependant, une telle stratégie ralentirait ou rendrait impossible l'exécution 5 d'analyses de fiabilité dans le cas de problèmes de conception. Par ailleurs, revenir à des analyses et des diagnostics pendant la durée de vie de la mémoire serait lent ou impossible ; - le circuit de test 104 pourrait être muni d'un ou plusieurs fusibles programmables à usage unique 114, permettant 10 que des modes de test autorisent la désactivation permanente des opérations de lecture et de vidage de la mémoire à un moment spécifique après la fabrication, par exemple une fois que le test est achevé et avant que la mémoire quitte la zone de fabrication. Cependant, cette solution ralentirait ou rendrait impossible de 15 revenir à des analyses et des diagnostics pendant la durée de vie de la mémoire ; - le circuit de test 104 pourrait inclure des circuits de chiffrement permettant d'activer et de désactiver les modes de test qui permettent des opérations de lecture et de vidage de la 20 mémoire. Cependant, de tels circuits de chiffrement, qui nécessitent l'utilisation d'une clé secrète, pourraient ajouter une complexité et un coût supplémentaire. Par exemple, un équipement de test externe ATE devrait fournir la clé secrète au dispositif sous test (DUT). 25 La figure 2 illustre schématiquement un circuit mémoire selon un mode de réalisation de la présente demande. Comme cela est illustré, le circuit mémoire 200 comprend par exemple une ou plusieurs matrices mémoire (MEMORY ARRAY(S)) 202, qui sont par exemple des SRAM, des DRAM, des mémoires FLASH, 30 des EEPROM (mémoires mortes effaçables et programmables électriquement), des Flash EEPROM, ou d'autres types de matrices mémoire progranmables embarquées ou non. En vue du stockage de données sensibles dans ces matrices mémoire 202, il existe par exemple des circuits de sécurité, munis d'une forme de protection 35 contre les falsifications. Les matrices de données sont par 3047348 B14422FR - 15-GR2-0135-82379649 7 exemple sécurisées en brouillant les données qu'elles contiennent en utilisant une clé secrète. Par ailleurs, dans certains modes de réalisation les matrices mémoire peuvent intégrer un détecteur de champ magnétique capable de détecter une attaque externe telle 5 qu'une attaque laser ou une attaque EMP (impulsion électromagnétique) et, en réponse à la détection d'une telle attaque, de corrompre les données stockées par les matrices mémoire. Les matrices mémoire 202 sont couplées à un circuit de 10 test (BIST) 204 via une interface de test 206, qui comprend par exemple des lignes de données et d'adresses. Bien que le circuit de test 204 soit illustré séparément des matrices mémoire 202, il sera clair pour l'homme de l'art qu'en pratique le circuit de test 204 peut être intégré avec les matrices mémoire 202. Le circuit 15 de test 204 est par exemple commandé par un circuit de commande de test (BIST CONTROLLER) 208, qui sélectionne par exemple l'un d'une pluralité de modes de test disponibles pour exécution par le circuit de test 204 et qui fournit dans certains cas des données de test au circuit de test 204. L'un des modes de test permis par 20 le circuit de test 204 est par exemple un mode point par point (en anglais "bitmap mode"). Un mode point par point implique de fournir en sortie tout ou partie des données stockées dans les matrices mémoire 202. Les matrices mémoire 202 comprennent par exemple des lignes de sortie 212 fournissant les données (BIST 25 DATA) lues à partir des matrices mémoire 202 pendant un tel mode de test. Le circuit de commande de test 208 est par exemple capable d'effectuer une opération de sur-écriture pour sur-écrire tout ou partie des données stockées dans les matrices mémoire 202 30 avant d'autoriser le circuit de test 204 à entrer dans certains modes de test vulnérables, tel que le mode point par point. Pour cela, le circuit de commande de test 208 comprend par exemple un automate à états finis (FSM) 216, qui est adapté à déclencher l'écriture de valeurs de remplissage dans les matrices mémoire 35 202. Dans certains modes de réalisation, le FSM 216 génère les 3047348 B14422FR - 15-GR2-0135-82379649 8 valeurs de remplissage et les fournit par exemple sur des lignes de sortie 218 au circuit de test 204 via un multiplexeur 220. Le circuit de test 204 lance ensuite une séquence d'écriture pour écrire les valeurs de remplissage dans les matrices mémoire 202. 5 A titre de variante, le circuit de test 204 peut stocker ou être capable de générer des valeurs de remplissage, et le FSM 216 génère un ou plusieurs signaux de commande sur les lignes de sortie 218 pour le circuit de test 204 pour lancer la séquence de sur-écriture pour que le circuit de test 204 sur-écrive les 10 données dans les matrices mémoire 202. Dans certains modes de réalisation, les valeurs de remplissage produisent l'écriture d'un motif en damier sur les matrices mémoire 202. Cependant, dans d'autres modes de réalisation, les matrices mémoire 202 peuvent être remplies de 15 données différentes. Le multiplexeur 220 reçoit aussi par exemple une commande de test et/ou des signaux de données de test (BIST CMD) via un registre d'entrée 221 couplé à une ou plusieurs lignes d'entrée 222 du circuit de commande de test 208. Cette commande 20 de test ou ces signaux de données sont par exemple fournis au circuit mémoire 200 via un port d'accès de test (TAP) (non illustré en figure 2) couplé à une ou plusieurs lignes d'entrée 222. Le multiplexeur 220 est par exemple contrôlé par le FSM 216, qui décide, en se basant sur le signal de commande particulier BIST 25 CMD, soit d'accorder l'accès aux matrices mémoire directement en sélectionnant l'entrée du registre d'entrée 221 constituant le circuit de test, soit de lancer la séquence de remplissage en sélectionnant les signaux sur les lignes 218 du FSM 216 qui doivent être couplés au circuit de test 204 jusqu'à ce que la séquence de 30 sur-écriture soit achevée. Le circuit de test 204 exécute par exemple la séquence de sur-écriture via l'interface de test 206 avec la matrice mémoire 202, et active un signal B END de fin de procédé sur une ligne 223A quand le procédé est terminé. L'interface de test 206 35 génère aussi par exemple un signal d'état STATUS sur une ligne de 3047348 B14422FR - 15-GR2-0135-82379649 9 sortie 223B quand la séquence de sur-écriture est achevée. Les lignes 223A et 223B sont par exemple couplées à un ou plusieurs registres de sortie 224 des matrices mémoire 202. Les registres 224 sont par exemple couplés aux lignes de sortie 212 des matrices 5 mémoire 202 pour recevoir les données (BIST DATA) lues à partir des matrices mémoire 202. Les lignes 223A et 223B constituent aussi par exemple le circuit de commande de test 208 et, en se basant sur ces signaux, le FSM 216 génère par exemple un signal OW CPLT indiquant quand la séquence de sur-écriture a été achevée 10 avec succès. Ce signal OW CPLT est par exemple aussi fourni aux registres 224. Quand la séquence de sur-écriture a été achevée avec succès, le circuit de commande de test 208 permet au circuit de test 204 de déclencher le mode de test demandé, par exemple le 15 mode point par point, en commandant le multiplexeur 220 pour fournir le signal de commande et/ou les données de test du registre 221 au circuit de test 204. Par ailleurs, le circuit de commande 208, et en particulier le FSM 216, activent par exemple, via le signal OWCPLT, le registre 224 pour fournir les données BIST 20 DATA, lues dans les matrices de mémoire 202, sur les lignes de sortie 226 du circuit mémoire 200. Le fonctionnement du circuit de la figure 2 va maintenant être décrit plus en détail en relation avec la figure 3. 25 La figure 3 est un organigramme illustrant des étapes d'un procédé de test d'un circuit mémoire selon un exemple de réalisation. Initialement, on suppose que le circuit mémoire 200 doit être testé, et qu'une séquence d'initialisation de conception des 30 circuits de test BIST et de commande 204, 208 a bien été exécutée, comprenant par exemple une initialisation d'horloge, une initialisation d'alimentation, une initialisation de la mémoire, etc. A une étape initiale 301, une commande de mode de test 35 est reçue. 3047348 B14422FR - 15-GR2-0135-82379649 10 Une étape 302 implique ensuite de détecter, par exemple par le FSM 216, si le mode de test requis est vulnérable ou non. Le FSM 216 détecte par exemple quand le code d'instruction de la commande du mode de test indique qu'un mode point par point, ou 5 un autre mode de test dans lequel les données de la matrice mémoire peuvent être lues ou vidées, doit être déclenché. Si le mode de test n'est pas un mode de test vulnérable, l'étape suivante est par exemple une étape 303, dans laquelle le mode de test requis est déclenché directement. Sinon, si le mode de test est un mode 10 de test vulnérable, l'étape suivante est l'étape 304. A l'étape 304, on détermine par exemple si la sur-écriture de la matrice mémoire a déjà été effectuée ou non depuis la dernière fois que des données sensibles ont été stockées dans la mémoire. Le circuit de commande de test 208 comporte par exemple 15 un registre stockant un ou plusieurs bits de données indiquant quand une séquence de sur-écriture a été appliquée aux matrices mémoire, et ce registre est par exemple remis à zéro quand le fonctionnement normal des matrices mémoire reprend. Si les matrices mémoire ont déjà été sur-écrites, le procédé passe par 20 exemple directement à l'étape 303. De cette façon, un ou plusieurs modes de test vulnérables peuvent être déclenchés les uns après les autres, et il n'est pas nécessaire d'exécuter une séquence de sur-écriture à chaque fois. Si une sur-écriture n'a pas encore été exécutée, l'étape suivante est l'étape 305. 25 A une étape 305, les données stockées dans les matrices mémoire 202, incluant des données sensibles, sont sur-écrites, par exemple sous la commande du circuit de commande de test 208. En particulier, comme indiqué ci-dessus, le FSM 216 ou le circuit de test 204 sont par exemple utilisés pour générer des données de 30 remplissage qui seront écrites dans la matrice mémoire 202, et la séquence de sur-écriture sera effectuée pendant un nombre suffisant de cycles de mémoire pour sur-écrire tous les emplacements de mémoire dans les matrices mémoire 202. Chaque valeur de remplissage est par exemple un mot de données sur- 35 écrivant une ligne dans l'une des matrices mémoire 202, et le 3047348 B14422FR - 15-GR2-0135-82379649 11 circuit de test 204 comprend un programme de commande de ligne adressant chacune des lignes des matrices mémoire tour à tour dans le but de sur-écrire leur contenu, bien que la méthode particulière de sur-écriture dépende du type particulier de 5 mémoire utilisé. Comme mentionné ci-dessus, dans un exemple, les données de remplissage sont un motif en damier, dans lequel les cellules mémoire sont programmées alternativement avec des 0 logiques et des 1 logiques, de sorte que des cellules mémoire adjacentes de 10 chaque matrice mémoire soient programmées à des états logiques opposés. Bien sûr d'autres motifs pourraient être utilisés comme données de remplissage. A une étape ultérieure 306, on détermine au moyen du circuit de commande de test 208 si la séquence de sur-écriture 15 est achevée. Le signal d'état STATUS sur une ligne de sortie 223B du circuit de test 204 est par exemple utilisé comme indication du fait que chaque ligne de chaque matrice mémoire 202 a été sur-écrite. L'étape 306 est par exemple répétée jusqu'à ce que la séquence de sur-écriture soit achevée. Une fois achevée, l'étape 20 suivante est par exemple l'étape 303, dans laquelle le mode de test vulnérable requis est déclenché, et n'importe quelle opération de test impliquant des accès à la mémoire peut être autorisée. Par exemple, cette opération implique que le FSM 216 commande le multiplexeur 220 pour coupler le signal de commande 25 de test et/ou les données de test du registre d'entrée 221 au circuit de test 204, et d'activer les données de sortie du registre 224. La figure 4 illustre schématiquement un système 400, qui est par exemple un système embarqué (SoC). Le système 400 comprend 30 par exemple une pluralité de matrices mémoire sécurisées (SRAMO, SRAM1) 402, 404. La matrice mémoire 402 est par exemple couplée à une interface de test (TEST INTERFACE) 406 via un circuit de test (CTRL) 408, et la matrice mémoire 404 est par exemple couplée à l'interface de test 406 via un circuit de test (CTRL) 410. Les 35 circuits de test 408, 410 comprennent chacun par exemple un 3047348 B14422FR - 15-GR2-0135-82379649 12 circuit de test 204 et un circuit de commande de test 208 de la figure 2. L'interface de test 406 est par exemple couplée à un port d'accès de test (TAP) 412, permettant des communications extérieures. Par ailleurs, dans certains modes de réalisation, 5 l'interface de test 406 peut être couplée à des cibles non sécurisées 413, 414, qui sont par exemple des matrices mémoire pour lesquelles n'importe quel mode de test peut être déclenché sans opération de sur-écriture. Par ailleurs, l'interface de test 406 peut être couplée 10 à un sous-système 416 du système 400, qui comprend par exemple des matrices mémoire 418 (MEM1) et 420 (MEM2), un circuit de commande (SS_CTRL) 422, et des circuits de test (MEM1 CTRL, MEM2 CTRL) 424, 426 respectivement couplés aux mémoires 418, 420, et aux circuits de commande 422. Chacun des circuits de commande 15 424, 426 comprend par exemple le circuit de test 204 et le circuit de commande de test 208 de la figure 2. L'interface de test 406 est aussi par exemple couplée à un circuit de commande de système 428, qui est par exemple adapté à générer un signal de commande approprié BIST CMD dans le but de 20 requérir un mode de test point par point ou un autre mode de test vulnérable. Une requête est reçue par exemple via le TAP 412 pour qu'un mode point par point soit déclenché et le circuit de commande de système 428 reçoit cette requête et génère en réponse un signal de commande approprié. Un registre d'observation 430 est par 25 exemple inclus pour mettre en oeuvre le registre de sortie 224 du circuit de test de chaque circuit mémoire. Un avantage des modes de réalisation décrits ici est que les données sensibles d'un circuit mémoire peuvent être protégées d'un accès non autorisé via une interface de test d'une manière 30 simple sans recourir à un mécanisme de protection par chiffrement, tout en permettant des modes de test qui incluent des fonctions de vidage de mémoire. Ayant ainsi décrit au moins un mode de réalisation illustratif, diverses variantes, modifications et améliorations 35 apparaîtront à l'homme de l'art. Par exemple, il sera clair pour 3047348 B14422FR - 15-GR2-0135-82379649 13 l'homme de l'art que, bien que l'on ait décrit des modes de réalisation dans lesquels un circuit de test effectue la sur-écriture des données dans chacune des matrices mémoire, dans des variantes de réalisation, la séquence de sur-écriture pourrait 5 être mise en oeuvre par un autre circuit. Par ailleurs, l'utilisation de l'automate à états finis 216 de la figure 2 est simplement un exemple, et dans des variantes de réalisation d'autres mises en oeuvre pourraient être possibles. REVENDICATIONS1. Procédé comprenant : en réponse à l'activation d'au moins un signal de comuande (BIST CMD) requérant qu'un circuit de test (204) d'une matrice mémoire (202) déclenche un mode de test de la mémoire permettant la lecture d'au moins une partie de la matrice mémoire, le lancement par un circuit de commande de test (208) d'une séquence de sur-écriture pour sur-écrire les données stockées dans la matrice mémoire (202) ; et l'activation, grâce au circuit de commande de test 10 (208), du mode de test de la mémoire une fois que la séquence de sur-écriture est achevée. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le mode de test de la mémoire est un mode point par point permettant un vidage des données stockées dans la matrice mémoire (202). 15 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la séquence de sur-écriture est effectuée par le circuit de test (204). 4. Procédé selon la revendication 3, comprenant en outre la vérification, par le circuit de commande de test (208), que la 20 séquence de sur-écriture a été achevée en se basant sur un signal d'état (STATUS) généré par le circuit de test (204). 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la matrice mémoire (202) est une matrice mémoire programmable. 25 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant en outre : la détermination, grâce au circuit de commande de test (208) en réponse à l'activation d'au moins un autre signal de commande requérant qu'un autre mode de test de mémoire soit 30 déclenché, de si la séquence de sur-écriture a déjà été appliquée ou non à la matrice mémoire ; et s'il est déterminé que la séquence de sur-écriture a déjà été appliquée, l'activation de l'autre mode de test de 3047348 B14422FR - 15-GR2-0135-82379649 15 mémoire sans appliquer une nouvelle fois la séquence de sur-écriture à la matrice mémoire. 7. Circuit de commande de test adapté à : lancer une séquence de sur-écriture pour sur-écrire des 5 données stockées dans une matrice mémoire (202) en réponse à l'activation d'au moins un signal de commande demandant qu'un mode de test de mémoire soit déclenché par un circuit de test (204) de la matrice mémoire, le mode de test de la mémoire permettant la lecture d'au moins une partie de la matrice mémoire (202) ; et activer le mode de test de la mémoire une fois que la séquence de sur-écriture est achevée. 8. Circuit de commande de test selon la revendication 7, dans lequel le circuit de commande de test est en outre adapté à : déterminer, en réponse à l'activation d'au moins un autre signal de commande demandant qu'un autre mode de test soit déclenché, si la séquence de sur-écriture a déjà été appliquée à la matrice mémoire ; et s'il est déterminé que la séquence de sur-écriture a 20 déjà été appliquée, activer l'autre mode de test de mémoire sans appliquer une nouvelle fois la séquence de sur-écriture à la matrice mémoire. 9. Circuit de commande de test selon les revendications 7 ou 8, dans lequel le mode de test de mémoire est un mode point 25 par point permettant le vidage de données stockées dans la matrice mémoire (202). 10.Mémoire sécurisée comprenant : le circuit de commande de test de l'une quelconque des revendications 7 à 9 ; et 30 le circuit de test (204) adapté à mettre en oeuvre la séquence de sur-écriture. 11.Mémoire sécurisée selon la revendication 10, dans laquelle le circuit de commande de test (208) est en outre configuré pour vérifier que la séquence de sur-écriture a été 3047348 B14422FR - 15-GR2-0135-82379649 16 achevée en se basant sur un signal d'état généré par le circuit de test (204). 12.Mémoire sécurisée selon les revendications 10 ou 11, dans laquelle la matrice mémoire (202) est une matrice mémoire 5 programmable.