FR 3041152 A1 20170317 FR 1558407 A 20150910 B14419 - Phext 1 DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À CAPTEUR DE LUMIÈRE INTÉGRÉ Domaine La présente invention concerne de façon générale les dispositifs électroluminescents à base de matériaux semiconducteurs et leurs procédés de fabrication. Par dispositifs électroluminescents, on entend des dispositifs adaptés à effectuer la conversion d'un signal électrique en un rayonnement électromagnétique. Exposé de l'art antérieur Pour certaines applications, il est souhaitable de mesurer le rayonnement émis par un dispositif électroluminescent. C'est le cas notamment pour réaliser des tests au cours de la fabrication du dispositif électroluminescent ou lorsque le dispositif électroluminescent est en fonctionnement. La mesure du rayonnement émis par un dispositif électroluminescent peut être réalisée au moyen d'un capteur de lumière, comprenant au moins une photodiode, distincte du dispositif électroluminescent, ce qui entraîne un surcoût. En outre, pour réaliser une mesure en continu de la lumière, le capteur de lumière doit généralement être placé dans le champ d'émission du dispositif électroluminescent et, de ce fait, bloquer une partie du flux lumineux qui serait perçu par un observateur, ce qui n'est pas souhaitable. 3041152 B14419 - Phext 2 Il serait souhaitable de pouvoir réaliser le capteur de lumière de façon intégrée avec le dispositif électroluminescent. Ceci permettrait de mesurer facilement le rayonnement émis par le dispositif électroluminescent à des instants voulus, et notamment 5 de façon continue. La demande de brevet W02014/154657 décrit un dispositif optoélectronique comprenant un capteur de lumière intégré. Le dispositif optoélectronique comprend des diodes électroluminescentes ayant la forme de nanofils semiconducteurs. Certains 10 des fils, normalement utilisés pour réaliser des diodes électroluminescentes, sont modifiés pour former le capteur de lumière. Un inconvénient du dispositif optoélectronique décrit dans la demande de brevet W02014/154657 est qu'il utilise les 15 mêmes couches de puits quantiques pour l'émission et la détection. Ces couches sont transparentes aux longueurs d'ondes plus grandes que la longueur d'onde d'émission et ne sont donc pas adaptées à la détection de telles longueurs d'onde. Un autre inconvénient est que le capteur de lumière ne permet pas de dissocier 20 différentes longueurs d'onde, et ne permet donc pas, par exemple, la détermination de la couleur du rayonnement émis par le dispositif optoélectronique. Résumé Ainsi, un objet d'un mode de réalisation est de pallier 25 au moins en partie les inconvénients des dispositifs électroluminescents à capteur de lumière intégré décrits précédemment et de leurs procédés de fabrication. Un autre objet d'un mode réalisation est que le capteur de lumière est adapté à détecter la couleur du rayonnement fourni 30 par le dispositif optoélectronique. Un autre objet d'un mode réalisation est que le dispositif optoélectronique est adapté à modifier et/ou réguler la couleur du rayonnement fourni par les diodes électroluminescentes à partir des signaux fournis par le capteur de 35 lumière. 3041152 B14419 - Phext 3 Ainsi, un mode de réalisation prévoit un dispositif électroluminescent comprenant : un substrat au moins partiellement dopé d'un premier type de conductivité et comprenant une première face ; 5 des diodes électroluminescentes comprenant chacune au moins un élément semiconducteur tridimensionnel non dopé ou dopé du premier type de conductivité, les éléments semiconducteurs reposant sur une première partie continue de la première face ; et 10 au moins une région semiconductrice formant une photodiode, au moins partiellement dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité et s'étendant dans le substrat depuis une deuxième partie de la première face distincte de la première partie. 15 Selon un mode de réalisation, chaque élément semiconducteur tridimensionnel est majoritairement en un composé choisi parmi le groupe comprenant les composés III-V et les composés II-VI. Selon un mode de réalisation, le substrat est, au moins 20 en partie, en un matériau semiconducteur choisi parmi le groupe comprenant le silicium, le germanium, le carbure de silicium, les composés III-V ou le ZnO. Selon un mode de réalisation, le substrat comprend une deuxième face opposée à la première face, le dispositif 25 électroluminescent comprenant une première électrode au contact de la deuxième face ou de la première face. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une deuxième électrode au contact au moins de certaines des diodes électroluminescentes et une troisième électrode au contact de la 30 région semiconductrice du côté de la première face. Selon un mode de réalisation, la région semiconductrice est recouverte d'un filtre coloré. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes sont recouvertes d'une couche comprenant des 3041152 B14419 - Phext 4 luminophores et la région semiconductrice n'est pas recouverte de ladite couche comprenant les luminophores. Selon un mode de réalisation, les éléments semiconducteurs sont des nanofils, des microfils et/ou des 5 structures pyramidales de taille nanométrique ou micrométrique. Selon un mode de réalisation, la région semiconductrice est formée par implantation ionique de dopants. Selon un mode de réalisation, la région semiconductrice est formée par épitaxie. 10 Selon un mode de réalisation, les diodes électro- luminescentes sont réparties en ensembles de diodes électroluminescentes, le dispositif électroluminescent comprenant, pour au moins certains des ensembles, au moins deux régions semiconductrices formant des première et deuxième photodiodes, 15 chacune des deux régions semiconductrices étant au moins partiellement dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité et s'étendant dans le substrat depuis une deuxième partie de la première face distincte de la première partie. 20 Selon un mode de réalisation, les première et deuxième photodiodes ont des profondeurs de jonctions différentes et/ou sont recouvertes par des filtres de couleurs différents. Selon un mode de réalisation, les diodes électroluminescentes sont réparties en ensembles de diodes 25 électroluminescentes, ladite région semiconductrice étant située entre les deux ensembles. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un circuit de traitement de premiers signaux fournis par la photodiode et un circuit de commande des diodes électrolumi- 30 nescentes à partir de seconds signaux fournis par le circuit de traitement. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande est adapté, dans une phase d'étalonnage, à allumer successivement chaque ensemble de diodes électroluminescentes, le circuit de 35 traitement étant adapté à mesurer le rayonnement capté par la 3041152 B14419 - Phext 5 photodiode lorsque chaque ensemble de diodes électroluminescentes est allumé. Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, 5 seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est une coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un dispositif électroluminescent à 10 microfils ou nanofils ; les figures 2 à 5 sont des vues de dessus, partielles et schématiques, de dispositifs optoélectroniques représentant des agencements de diodes électroluminescentes et d'une photodiode ; 15 les figures 6 à 8 sont des coupes, partielles et schématiques, d'autres modes de réalisation d'un dispositif électroluminescent à microfils ou nanofils ; les figures 9 et 10 sont des vues de dessus, partielles et schématiques, de dispositifs optoélectroniques représentant 20 des agencements de diodes électroluminescentes et de photodiodes ; la figure 11 est une coupe, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation d'un dispositif électroluminescent à microfils ou nanofils ; la figure 12 est une vue de dessus, partielle et 25 schématique, du dispositif optoélectronique de la figure 11 ; et la figure 13 est un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un dispositif électroluminescent. Description détaillée Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés 30 par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme cela est habituel dans la représentation des circuits électroniques, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. En outre, seuls les éléments utiles à la compréhension de la présente description ont été représentés et sont décrits. 35 En particulier, les moyens de commande des dispositifs 3041152 B14419 - Phext 6 électroluminescents décrits ci-après sont à la portée de l'homme de l'art et ne sont pas décrits. Dans la suite de la description, sauf indication contraire, les termes "sensiblement", "environ" et "de l'ordre de" signifient "à 10 % près". Par ailleurs, dans 5 la présente description, on utilise le terme "connecté" pour désigner une liaison électrique directe, sans composant électronique intermédiaire, par exemple au moyen d'une piste conductrice, et le terme "couplé" ou le terme "relié", pour désigner soit une liaison électrique directe (signifiant alors 10 "connecté") soit une liaison via un ou plusieurs composants intermédiaires (résistance, condensateur, etc.). La présente description concerne des dispositifs électroluminescents comprenant des éléments semiconducteurs ayant la forme de microfils, de nanofils ou de pyramides. 15 Le terme "microfil" ou "nanofil" désigne une structure tridimensionnelle de forme allongée, par exemple cylindrique, conique ou tronconique, selon une direction privilégiée dont au moins deux dimensions, appelées dimensions mineures, sont comprises entre 50 nm et 2,5 pin, de préférence entre 300 nm et 20 2,5 pin, la troisième dimension, appelée dimension majeure, étant supérieure ou égale à 1 fois, de préférence supérieure ou égale à 5 fois et encore plus préférentiellement supérieure ou égale à 10 fois, la plus grande des dimensions mineures. Dans certains modes de réalisation, les dimensions mineures peuvent être inférieures ou égales à environ 1 pin, de préférence comprises entre 100 nm et 1 pin, plus préférentiellement entre 300 nm et 800 nm. Dans certains modes de réalisation, la hauteur de chaque microfil ou nanofil peut être supérieure ou égale à 500 nm, de préférence comprise entre 1 pm et 50 pin. Dans la suite de la description, on utilise le terme "fil" pour signifier "microfil ou nanofil". De préférence, la ligne moyenne du fil qui passe par les barycentres des sections droites, dans des plans perpendiculaires à la direction privilégiée du fil, est sensiblement rectiligne et est appelée par la suite "axe" du fil. La base du fil a, par exemple, une forme 3041152 B14419 - Phext 7 ovale, circulaire ou polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. Dans la suite de la description, le terme pyramide ou pyramide tronquée désigne une structure tridimensionnelle de forme 5 pyramidale. Cette structure pyramidale peut être tronquée, c'est-à-dire que le haut du cône est absent, laissant place à un plateau. La base de la pyramide est inscrite dans un polygone dont la dimension des côtés est de 100 nm à 10 pin, préférentiellement entre 1 et 3 pin. Le polygone formant la base de la pyramide peut 10 être un hexagone. La hauteur de la pyramide entre la base de la pyramide et le sommet ou le plateau sommital varie de 100 nm à 20 pin, préférentiellement entre 1 pm et 10 pin. Dans la suite de la description, des modes de réalisation vont être décrits dans le cas d'un dispositif 15 électroluminescent à diodes électroluminescentes comprenant des éléments semiconducteurs ayant la forme de microfils ou de nanofils. La figure 1 est une coupe, partielle et schématique, d'un dispositif électroluminescent 10 réalisé à partir de fils 20 tels que décrits précédemment et adapté à émettre un rayonnement électromagnétique. Le dispositif 10 comprend, du bas vers le haut en figure 1 : une première électrode de polarisation 12 ; 25 un substrat 14, par exemple semiconducteur, dopé d'un premier type de conductivité, par exemple dopé de type N, et comprenant des faces parallèles 16 et 18, la face 16 étant au contact de l'électrode 12 ; au moins une région semiconductrice 19 formée dans le 30 substrat 14, dopée ou partiellement dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité, par exemple dopée de types P, et s'étendant dans le substrat 14 depuis la face 18 sur une partie de l'épaisseur du substrat 14 ; des éléments semiconducteurs 20, qui dans le présent 35 mode de réalisation correspondent à des fils, cinq fils 20 d'axe 3041152 B14419 - Phext 8 parallèles étant représentés, chaque fil 20 comprenant une portion inférieure 21 du premier type de conductivité se prolongeant par une portion supérieure 22 du premier type de conductivité, la portion inférieure 21 reposant sur le substrat 14 et étant 5 éventuellement en contact avec le substrat 14 ou séparée du substrat 14 par une portion de germination non représentée en figure 1 ; une couche isolante électriquement 23 recouvrant la périphérie de la portion inférieure 21 de chaque fil 20 et 10 recouvrant la face 18 entre les fils 20 ; une coque 25 recouvrant la paroi extérieure 24 de la portion supérieure 22 de chaque fil 20, la coque 25 comprenant au moins un empilement d'une couche active recouvrant la portion supérieure 22 et d'une couche semiconductrice du deuxième type de 15 conductivité recouvrant la couche active ; une couche de seconde électrode 26 recouvrant chaque coque 25 ; une couche conductrice et réfléchissante 27, s'étendant sur la couche de seconde électrode 26 entre les fils 20 mais ne 20 s'étendant pas sur les fils 20 ; une troisième électrode 28 en contact avec la région semiconductrice 19 au travers d'une ouverture 31 prévue dans la couche isolante 23 ; et éventuellement, une couche d'encapsulation 29 25 recouvrant l'ensemble de la structure. Selon un autre mode de réalisation, la coque 25 peut recouvrir au moins en partie la portion inférieure 21 ainsi que la portion supérieure 22 de chaque fil 20. Dans ce cas, la couche isolante électriquement 23 recouvre la partie inférieure de la 30 coque 25. Le dispositif optoélectronique 10 peut, en outre, comprendre une couche de luminophores, non représentée, prévue sur la couche d'encapsulation 29 ou confondue avec celle-ci. Les luminophores sont adaptés, lorsqu'ils sont excités par la lumière 35 émise par les diodes électroluminescentes, à émettre de la lumière 3041152 B14419 - Phext 9 à une longueur d'onde différente de la longueur d'onde de la lumière émise par les diodes électroluminescentes. A titre d'exemple, les diodes électroluminescentes sont adaptées à émettre de la lumière bleue et les luminophores sont adaptés à émettre de 5 la lumière jaune lorsqu'ils sont excités par la lumière bleue. De ce fait, un observateur perçoit une lumière correspondant à une composition des lumières bleue et jaune et qui, selon la proportion de chaque lumière, peut être sensiblement blanche. La couleur finale perçue par l'observateur est caractérisée par ses 10 coordonnées chromatiques telles que définies par les normes de la Commission Internationale de l'Eclairage. Le dispositif optoélectronique 10 peut, en outre, comprendre une couche transparente disposée sur la couche de luminophores. Le dispositif optoélectronique 10 peut, en outre, 15 comprendre un élément diffusant sur la couche de luminophores ou sur la couche transparente permettant de renvoyer une partie de la lumière vers la photodiode. L'ensemble formé par un fil 20 et la coque 25 constitue une diode électroluminescente DEL. Lorsque plusieurs diodes 20 électroluminescentes DEL sont formées sur le substrat 14, elles peuvent être connectées en série et/ou en parallèle et former un ensemble de diodes électroluminescentes. L'ensemble peut comprendre de quelques diodes électroluminescentes DEL à quelques milliers de diodes électroluminescentes DEL. A titre d'exemple, 25 en figure 1, les diodes électroluminescentes DEL forment un groupe E de cinq diodes électroluminescentes DEL montées en parallèle. La jonction entre la région semiconductrice 19 dopée de type P et la partie dopée de type N du substrat 14, s'étendant autour de la région 19, forme une photodiode PH. La couche 30 d'encapsulation 29 recouvre, de préférence, les diodes électroluminescentes DEL et la photodiode PH. La première électrode 12 est reliée à un noeud Al, la deuxième électrode 26 est reliée à un noeud A2 et la troisième électrode 28 est reliée à un noeud A3. En fonctionnement, la 35 tension appliquée entre les électrodes 12 et 26 est telle que 3041152 B14419 - Phext 10 chaque diode électroluminescente DEL est passante de façon que la couche active de chaque diode électroluminescente DEL émette un rayonnement lumineux. Une partie du rayonnement émis par les couches actives des diodes électroluminescentes DEL peut être 5 capté par la photodiode PH. Etant donné que le rapport entre la puissance lumineuse captée par chaque photodiode PH et la puissance lumineuse émise par les diodes électroluminescentes DEL avoisinantes peut être connu, le signal fourni par chaque photodiode PH est donc représentatif de la puissance lumineuse 10 émises par les diodes électroluminescentes DEL. Selon un mode de réalisation, les photodiodes PH sont polarisées en inverse. Le courant inverse de chaque photodiode PH dépend alors du rayonnement lumineux capté par la photodiode PH. Dans le mode de réalisation représenté en figure 1, cela signifie 15 que le potentiel au noeud A3 et inférieur au potentiel au noeud Al. Selon un autre mode de réalisation, les photodiodes PH sont polarisées en direct. Les photodiodes PH peuvent alors être utilisées comme capteur de température. La photodiode PH est formée par une jonction entre des 20 régions d'un matériau semiconducteur ayant des dopages différents. Les fils 20 sont formés sur une zone 30 de la face 18 du substrat 14 et la région semiconductrice 19 est formée en dehors de cette zone 30. En particulier, la région semiconductrice 19 ne s'étend pas entre les fils 20. De préférence, la distance 25 minimale entre le bord de la région semiconductrice 19 et la base du fil 20 le plus proche est supérieure à 1 pin. Les figures 2 à 5 représentent des vues de dessus schématiques du dispositif optoélectronique 10 dans lesquelles on a représenté le contour de la région 30 sur laquelle est formé 30 l'ensemble E de diodes électroluminescentes par une ligne à tirets courts et dans lesquelles on a représenté le contour de la région semiconductrice 19 par une ligne continue. En figure 2, la photodiode PH est disposée le long d'un bord de l'ensemble E de diodes électroluminescentes. La photodiode 35 PH peut être disposée le long de tout ou partie d'un bord de 3041152 B14419 - Phext 11 l'ensemble E de diodes électroluminescentes. En figure 3, l'ensemble E de diodes électroluminescentes peut être réalisé sur une surface comprenant un évidement sur un bord dans lequel est réalisée la photodiode PH. Ceci permet avantageusement de réduire 5 la surface des espaces morts sur la tranche de circuit intégré sur laquelle est formé le dispositif optoélectronique 10. En figure 4, la photodiode PH est disposée tout autour de l'ensemble E de diodes électroluminescentes. Le signal mesuré par la photodiode PH permet alors avantageusement la détermination du rayonnement 10 émis sur la totalité de la périphérie de l'ensemble E de diodes électroluminescentes. En figure 5, l'ensemble E de diodes électroluminescentes est disposé autour de la photodiode PH. Le signal mesuré par la photodiode PH est alors avantageusement peu perturbé par des rayonnements électromagnétiques extérieurs. 15 Le substrat 14 peut correspondre à une structure monobloc ou correspondre à une couche recouvrant un support constitué d'un autre matériau. Le substrat 14 est de préférence un substrat semiconducteur, par exemple un substrat en silicium, en germanium, en carbure de silicium, en un composé III-V qui 20 n'est pas transparent à la longueur d'émission des diodes électroluminescentes, tel que du InGaN ou du GaAs. De préférence, le substrat 14 est un substrat de silicium monocristallin. De préférence, il s'agit d'un substrat semiconducteur compatible avec les procédés de fabrication mis en oeuvre en microélectronique. 25 Le substrat 14 peut correspondre à une structure multicouches de type silicium sur isolant, également appelée SOI (acronyme anglais pour Silicon On Insulator). L'épaisseur du substrat 14 est, par exemple, comprise entre 10 pin et 1,5 mm. Le substrat 14 est dopé du premier type de conductivité 30 au moins sur une partie de son épaisseur depuis la face 18. Lorsque le substrat 14 est monobloc, il peut être dopé de façon uniforme. A titre de variante, le substrat 14 peut comprendre une région dopée du premier type de conductivité s'étendant depuis la face 18 dans l'épaisseur du substrat 14, seulement sur une partie de 35 l'épaisseur du substrat 14, et reposant sur une région moins 3041152 B14419 - Phext 12 fortement dopée ou non dopée. Le substrat 14 est, par exemple, un substrat dopé du premier type de conductivité avec une concentration de dopants comprise entre 1*1015 atomes/cm3 et 2*1020 atomes/cm3, de préférence comprise entre 5*1017 atomes/cm3 5 et 5* 1019 atomes/cm3, par exemple environ 3*1018 atomes/cm3. Dans le cas d'un substrat 14 de silicium, des exemples de dopants de type P sont le bore (B) ou l'indium (In) et des exemples de dopants de type N sont le phosphore (P), l'arsenic (As), ou l'antimoine (Sb). La face 18 du substrat 10 de silicium peut être une face 10 (100) ou une face (111). La région semiconductrice 19 peut avoir une profondeur, mesurée depuis la face 18, comprise entre 200 nm et 4 pin, de préférence comprise entre 400 nm et 800 nm. La région 19 est, par exemple, dopée du deuxième type de conductivité avec une 15 concentration de dopants comprise entre 5*1016 atomes/cm3 et 1*1022 atomes/cm3, de préférence comprise entre 5*1017 atomes/cm3 et 5* 1019 atomes/cm3, par exemple environ 6*1018 atomes/cm3. Selon un mode de réalisation, la région semiconductrice 19 et la région semiconductrice 44, décrite par la suite, peuvent 20 être formées par implantation ionique de dopants. La profondeur d'implantation peut être choisie en fonction de la longueur d'onde à détecter, ce qui permet d'avoir un capteur sélectif à la couleur. Selon un autre mode de réalisation, la région semiconductrice 19 et la région semiconductrice 44 peuvent être formées par épitaxie. 25 Selon un mode de réalisation, la région semiconductrice 19 et la région semiconductrice 44 sont réalisées par au moins une étape d'implantation, qui peut être mise en oeuvre avant la formation des fils 20 et des coques 25 ou après la formation des fils 20 et des coques 25. De préférence, la région semiconductrice 19 est 30 réalisée par au moins une étape d'implantation mise en oeuvre après la formation des fils 20 et des coques 25. Ceci permet d'éviter une diffusion des dopants depuis la région semiconductrice 19 lors des étapes de formation des diodes électroluminescentes DEL. Lorsque la région semiconductrice 19 35 est réalisée par au moins une étape d'implantation mise en oeuvre 3041152 B14419 - Phext 13 après la formation des fils 20 et des coques 25, les fils 20 et les coques 25 peuvent être recouverts par une couche diélectrique de protection. Selon un autre mode de réalisation, la région 5 semiconductrice 19 peut se diviser en plusieurs sous-régions semiconductrices non dopées ou dopées du deuxième type de conductivité, avec une concentration de dopants qui diminue en s'éloignant de la face 18, de façon à améliorer le contact électrique entre la région semiconductrice 19 et la troisième 10 électrode 28 à travers l'ouverture 31 et pour améliorer le rendement de la photodiode. Dans ce cas, la région semiconductrice 19 peut être réalisée par plusieurs étapes d'implantation. La première électrode 12 peut correspondre à une couche conductrice qui s'étend sur la face 16 du substrat 14. Le matériau 15 formant l'électrode 12 est, par exemple, du siliciure de nickel (NiSi), de l'aluminium (Al), du siliciure d'aluminium (AlSi), du titane (Ti), du cuivre (Cu), du siliciure de tungstène (WSi2) ou du siliciure de titane (TiSi). La troisième électrode 28 peut avoir la même composition que la première électrode 12. 20 La couche isolante 23 peut être en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium (SiO2), en nitrure de silicium (SixNy, où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si3N4), en oxynitrure de silicium (notamment de formule générale SiOxNy, par exemple du Si2ON2), en 25 oxyde d'hafnium (Hf02) ou en diamant. A titre d'exemple, l'épaisseur de la couche isolante 23 est comprise entre 5 nm et 300 nm, par exemple égale à environ 100 nm. La couche isolante 23 peut avoir une structure monocouche ou correspondre à un empilement de deux couches ou de plus de deux couches. 30 Les éléments semiconducteurs 20 sont, au moins en partie, formés à partir d'au moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur est choisi parmi le groupe comprenant les composés III-V, les composés II-VI ou les semiconducteurs ou composés du groupe IV. 3041152 B14419 - Phext 14 Les éléments semiconducteurs 20 peuvent être, au moins en partie, formés à partir de matériaux semiconducteurs comportant majoritairement un composé III-V, par exemple un composé III-N. Des exemples d'éléments du groupe III comprennent le gallium (Ga), 5 l'indium (In) ou l'aluminium (Al). Des exemples de composés III-N sont GaN, AIN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN. D'autres éléments du groupe V peuvent également être utilisés, par exemple, le phosphore ou l'arsenic. De façon générale, les éléments dans le composé III-V peuvent être combinés avec différentes fractions 10 molaires. Les éléments semiconducteurs 20 peuvent être, au moins en partie, formés à partir de matériaux semiconducteurs comportant majoritairement un composé II-VI. Des exemples d'éléments du groupe II comprennent des éléments du groupe IIA, notamment le 15 béryllium (Be) et le magnésium (Mg) et des éléments du groupe IIB, notamment le zinc (Zn), le cadmium (Cd) et le mercure (Hg). Des exemples d'éléments du groupe VI comprennent des éléments du groupe VIA, notamment l'oxygène (0) et le tellure (Te). Des exemples de composés II-VI sont ZnO, ZnMg0, CdZnO, CdZnMg0, 20 CdHgTe, CdTe ou HgTe. De façon générale, les éléments dans le composé II-VI peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Les éléments semiconducteurs 20 peuvent comprendre un dopant. A titre d'exemple, pour des composés III-V, le dopant peut 25 être choisi parmi le groupe comprenant un dopant de type P du groupe II, par exemple, du magnésium (Mg), du zinc (Zn), du cadmium (Cd) ou du mercure (Hg), un dopant du type P du groupe IV, par exemple du carbone (C) ou un dopant de type N du groupe IV, par exemple du silicium (Si), du germanium (Ge), du sélénium (Se), du 30 souffre (S), du terbium (Tb) ou de l'étain (Sn). Lorsque les éléments semiconducteurs tridimensionnels 20 du dispositif optoélectronique correspondent à des fils, la hauteur totale de chaque fil peut être comprise entre 250 nm et 50 pin. Chaque fil 20 peut avoir une structure semiconductrice 35 allongée selon un axe sensiblement perpendiculaire à la face 18. 3041152 B14419 - Phext 15 Chaque fil 20 peut avoir une forme générale cylindrique, dont la base a, par exemple, une forme ovale, circulaire ou polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. Les axes de deux fils 20 adjacents peuvent être distants de 0,5 fun à 5 10 fun et de préférence de 1,5 fun à 5 gm. A titre d'exemple, les fils 20 peuvent être régulièrement répartis, notamment selon un réseau hexagonal. Selon un mode de réalisation, la portion inférieure 21 de chaque fil est principalement constituée d'un composé III-N, 10 par exemple du nitrure de gallium, dopé d'un premier type de conductivité, par exemple de type N. Le dopant de type N peut être le silicium. La hauteur de la portion inférieure 21 peut être comprise entre 200 nm et 25 gm. Selon un mode de réalisation, la portion supérieure 22 15 de chaque fil est, par exemple, au moins partiellement réalisée dans un composé III-N, par exemple du nitrure de gallium. La portion 22 peut être dopée du premier type de conductivité, par exemple de type N, ou ne pas être dopée de façon intentionnelle. La hauteur de la portion 22 peut être comprise entre 500 nm et 20 25 gm. A titre de variante, pour chaque fil 20, la couche isolante 23 peut s'étendre sur une partie de la portion supérieure 22, ne pas s'étendre sur la totalité de la portion inférieure 21 ou s'étendre sur une partie de la coque 25. A titre de variante, 25 la coque 25 peut s'étendre sur toute ou partie de la portion inférieure 21. Lorsque les éléments semiconducteurs tridimensionnels 20 du dispositif optoélectronique 10 correspondent à des pyramides, la hauteur de chaque pyramide peut être comprise entre 30 100 nm et 25 gm. Chaque pyramide peut avoir une structure semiconductrice allongée selon un axe sensiblement perpendiculaire à la face 18. La base de chaque pyramide peut avoir une forme générale de type ovale, circulaire ou polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. Les centres de 35 deux pyramides adjacentes peuvent être distants de 0,25 pm à 10 pm 3041152 B14419 - Phext 16 et de préférence de 1,5 fun à 5 gm. A titre d'exemple, les pyramides peuvent être régulièrement réparties, notamment selon un réseau hexagonal. Dans le cas d'un fil 20 composé principalement de GaN, 5 la structure cristalline du fil peut être du type wurtzite, le fil s'étendant selon la direction cristallographique c. La couche active de la coque 25 est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par le dispositif 10. La couche active peut comporter des moyens de 10 confinement. A titre d'exemple, la couche peut comprendre un puits quantique unique ou des puits quantiques multiples. La deuxième électrode 26 est adaptée à polariser la couche active recouvrant chaque fil 20 et à laisser passer le rayonnement électromagnétique émis par les diodes électro- 15 luminescentes DEL. Le matériau formant la deuxième électrode 26 peut être un matériau transparent et conducteur tel que de l'oxyde d'indium-étain (ou ITO, acronyme anglais pour Indium Tin Oxide), de l'oxyde de zinc dopé ou non à l'aluminium ou au gallium, ou du graphène. A titre d'exemple, la couche d'électrode 26 a une 20 épaisseur comprise entre 5 nm et 200 nm, de préférence entre 20 nm et 50 nm. La couche d'encapsulation 29 peut être réalisée en un matériau inorganique au moins partiellement transparent. A titre d'exemple, le matériau inorganique est choisi 25 parmi le groupe comprenant les oxydes de silicium du type SiOx où x est un nombre réel compris entre 1 et 2 ou SiOyNz où y est un nombre réel compris entre 0 et 2 et où z est un nombre réel compris entre 0 et 1 et les oxydes d'aluminium, par exemple A1203. Le matériau inorganique peut alors être déposé par CVD basse 30 température, notamment à une température inférieure à 300°C-400°C, par exemple par PECVD (acronyme anglais pour Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). La couche d'encapsulation 29 peut être réalisée en un matériau organique au moins partiellement transparent. A titre 35 d'exemple, la couche d'encapsulation 29 est un polymère silicone, 3041152 B14419 - Phext 17 un polymère époxyde, un polymère acrylique ou un polycarbonate. La couche d'encapsulation 29 peut alors être déposée par un procédé de dépôt à la tournette, par un procédé d'impression par jet ou par un procédé de sérigraphie. Un procédé de dispense par 5 doseur temps/pression ou par doseur volumétrique est également possible en mode automatique sur des équipements programmables. Un exemple de procédé de fabrication des diodes électroluminescentes DEL est décrit dans la demande de brevet US2014/0077151. 10 Selon un autre mode de réalisation, chaque élément semiconducteur 20 n'est pas en contact direct avec le substrat 14 mais repose sur une portion d'un matériau favorisant la croissance des éléments semiconducteurs 20, appelée plots de germination. A titre d'exemple, le matériau composant les plots de germination 15 peut être un nitrure, un carbure ou un borure d'un métal de transition de la colonne IV, V ou VI du tableau périodique des éléments ou une combinaison de ces composés. A titre d'exemple, les plots de germination peuvent être en nitrure d'aluminium (A1N), en oxyde d'aluminium (A1203), en bore (B), en nitrure de 20 bore (BN), en titane (Ti), en nitrure de titane (TiN), en tantale (Ta), en nitrure de tantale (TaN), en hafnium (Hf), en nitrure d'hafnium (HfN), en niobium (Nb), en nitrure de niobium (NbN), en zirconium (Zr), en borate de zirconium (ZrB2), en nitrure de zirconium (ZrN), en carbure de silicium (SiC), en nitrure et 25 carbure de tantale (TaCN), ou en nitrure de magnésium sous la forme MgxNy, où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 2, par exemple du nitrure de magnésium selon la forme Mg3N2. Les plots de germination peuvent être dopés du même type de conductivité que le substrat 14. Les plots de germination ont, 30 par exemple, une épaisseur comprise entre 1 nm et 100 nm, de préférence comprise entre 10 nm et 30 nm. A titre de variante, les plots de germination peuvent être remplacés par une couche de germination recouvrant le substrat 14 et interposée entre le substrat 14 et les éléments semiconducteurs 20. 3041152 B14419 - Phext 18 Lorsque les plots de germination sont en nitrure d'aluminium, ils peuvent être sensiblement texturés et posséder une polarité préférentielle. La texturation des plots de germination peut être obtenue par un traitement supplémentaire 5 réalisé après le dépôt des plots de germination. Il s'agit, par exemple, d'un recuit sous flux d'ammoniac (NH3). Dans le cas d'un fil 20 composé principalement de GaN, chaque plot de germination peut favoriser la croissance du GaN avec la polarité N. La figure 6 représente un autre mode de réalisation d'un 10 dispositif électroluminescent 40. Le dispositif électroluminescent 40 comprend l'ensemble des éléments du dispositif électroluminescent 10 représenté en figure 1 avec les différences suivantes : le substrat 14 est un substrat non dopé ou faiblement 15 dopé du deuxième type de conductivité, par exemple de type P ; une région semiconductrice 42, dopée du premier type de conductivité, par exemple de type N, plus fortement dopée que le substrat, s'étendant dans le substrat 14 depuis la totalité de la zone 30 de la face 18 sur laquelle reposent les fils 20 ; 20 une région semiconductrice 44 dopée du premier type de conductivité, par exemple dopée de type N, plus fortement dopée que le substrat, est formée dans la région semiconductrice 19 depuis la face 18 ; la première électrode 12 est remplacée par un plot 25 conducteur 48, relié au noeud Al, en contact avec la région semiconductrice 42 au travers d'une ouverture 50 prévue dans la couche isolante 23 et par un plot conducteur 52, relié au noeud Al, en contact avec la région semiconductrice 44 au travers d'une ouverture 54 prévue dans la couche isolante 23. 30 La région 42 est une région fortement dopée. De préférence, le type de conductivité de la région 42 est opposé au type de conductivité du substrat 14. A titre d'exemple, en figure 5, on a représenté un substrat 14 faiblement dopé de type P et une région 42 fortement dopée de type N. La concentration de 35 dopants de la région 42 est comprise entre 5*1016 atomes/cm3 et 3041152 B14419 - Phext 19 2*1020 atomes/cm3, de préférence entre 3*1017 atomes/cm3 et 5*1018 atomes/cm3. L'épaisseur de la région 42 est comprise entre 150 nm et plusieurs micromètres, de préférence entre 150 nm et 1 pin, plus préférentiellement entre 250 nm et 400 nm. 5 La région 44 est une région fortement dopée. De préférence, le type de conductivité de la région 44 est opposé au type de conductivité du substrat 14. A titre d'exemple, en figure 6, on a représenté un substrat 14 faiblement dopé de type P et une région 44 fortement dopée de type N. La concentration de 10 dopants de la région 44 est comprise entre 5*1016 atomes/cm3 et 2*1020 atomes/cm3, de préférence entre 3*1017 atomes/cm3 et 5*1018 atomes/cm3. L'épaisseur de la région 44 est comprise entre 150 nm et plusieurs micromètres, de préférence entre 150 nm et 1 gm, plus préférentiellement entre 150 nm et 400 nm. 15 En figure 6, on a, en outre, représenté des plots de germination 46 sous chaque fil 20. La figure 7 représente un autre mode de réalisation d'un dispositif électroluminescent 60. Le dispositif électrolumi- nescent 60 comprend l'ensemble des éléments du dispositif 20 électroluminescent 40 représenté en figure 6 à la différence que la couche d'encapsulation 29 ne recouvre pas la photodiode PH. Un tel mode de réalisation permet, de façon avantageuse, de capter, en plus du rayonnement fourni par l'ensemble de diodes électroluminescentes E, un rayonnement émis par une autre source 25 lumineuse. La figure 8 représente un autre mode de réalisation d'un dispositif électroluminescent 70. Le dispositif électroluminescent 70 comprend l'ensemble des éléments du dispositif électroluminescent 60 représenté en figure 7 et comprend, en 30 outre, un filtre coloré 72 recouvrant la photodiode PH. Le filtre coloré 72 peut être réalisé par une couche de résine colorée. Le filtre coloré 72 permet de façon avantageuse que la photodiode PH ne détecte l'intensité que d'une portion du spectre d'émission. Dans ce but, le spectre d'absorption du filtre doit être choisi 3041152 B14419 - Phext 20 de façon à transmettre uniquement la gamme de longueurs d'onde que l'on souhaite détecter. La figure 9 est une vue de dessus, partielle et schématique, d'un autre mode de réalisation d'un circuit 5 optoélectronique 80 comprenant trois ensembles El, E2 et E3 de diodes électroluminescentes et trois photodiodes PH1, PH2 et PH3. En figure 9, on a représenté le contour de la région 30 sur laquelle est formé chaque ensemble El, E2 et E3 de diodes électroluminescentes par une ligne à tirets courts et on a 10 représenté le contour de la région semiconductrice 19 associée à chaque photodiode PH1, PH2 et PH3 par une ligne continue. Selon un mode de réalisation, chaque ensemble El, E2 et E3 de diodes électroluminescentes fait partie d'un pixel d'affichage Pixl, Pix2 et Pix3. Un élément opaque, non représenté, par exemple un élément 15 réfléchissant, peut être disposé entre chaque paire de pixels adjacents. Les pixels d'affichage Pixl, Pix2 et Pix3 sont adaptés à émettre un rayonnement à des longueurs d'onde différentes. Dans ce but, selon un mode de réalisation, les compositions des couches actives des ensembles de diodes électroluminescentes El, E2 et E3 20 sont différentes et adaptées pour émettre des rayonnements à des longueurs d'onde différentes. Selon un autre mode de réalisation, chaque ensemble de diodes électroluminescentes El, E2 et E3 est recouvert d'un bloc de luminophores dont les compositions sont différentes et adaptées pour que les pixels Pixl, Pix2 et Pix3 25 émettent des rayonnements à des longueurs d'onde différentes. Les informations des intensités des lumières émises par les diodes électroluminescentes El, E2 et E3 et mesurées respectivement par les photodiodes PH1, PH2 et PH3 peuvent être utilisées de façon avantageuse pour ajuster les courants d'alimentation des diodes 30 électroluminescentes El, E2 et E3 et ainsi faire varier la couleur perçue par un observateur de l'ensemble des diodes électroluminescentes El, E2 et E3. Avantageusement, la couleur perçue par un observateur pourra être blanche. La figure 10 est une vue de dessus, partielle et 35 schématique, d'un autre mode de réalisation d'un circuit 3041152 B14419 - Phext 21 optoélectronique 85 comprenant quatre ensembles El, E2, E3 et E4 de diodes électroluminescentes agencés sur deux rangées et deux colonnes et une photodiode PH située au centre de l'agencement des ensembles El, E2, E3 et E4 de diodes électroluminescentes. 5 Selon un mode de réalisation, chaque ensemble El, E2, E3 et E4 de diodes électroluminescentes fait partie d'un pixel d'affichage Pixl, Pix2, Pix3 et Pix4. A titre d'exemple, un écran d'affichage peut être obtenu par la répétition de l'agencement représenté en figure 9 ou 10. Selon un mode de réalisation d'un procédé de 10 mesure ou d'étalonnage de la couleur, on peut allumer chaque pixel Pixl, Pix2, Pix3 et Pix4 successivement et faire une détection par la photodiode PH unique de l'intensité émise, pour constituer le spectre global et calculer le point de couleur. La figure 11 représente un autre mode de réalisation 15 d'un dispositif électroluminescent 90. Le dispositif électroluminescent 90 comprend l'ensemble des éléments du dispositif électroluminescent 70 représenté en figure 8 et comprend, en outre, une photodiode supplémentaire PH' pouvant avoir une structure analogue à la photodiode PH, les éléments de la 20 photodiode PH' étant désignés par les mêmes références que pour la photodiode PH auxquelles est ajouté une apostrophe. Selon un mode de réalisation, la jonction de la photodiode PH' est réalisée à une profondeur différente de la photodiode PH. La photodiode PH' permet avantageusement de capter un rayonnement à une longueur 25 d'onde différente de celle du rayonnement capté par la photodiode PH. Ceci peut être obtenu, par exemple, par une région 44' plus étendue en profondeur que la région 44. A titre d'exemple, la photodiode PH peut être adaptée pour capter principalement la lumière directement émise par l'ensemble de diodes électro- 30 luminescentes E et la photodiode PH' peut être adaptée pour capter principalement le rayonnement réémis par une couche de luminophores recouvrant l'ensemble E de diodes électroluminescentes. Selon un mode de réalisation, les photodiodes PH et PH' sont surmontées de filtres de couleur 72 et 72' différents. 35 Les photodiodes PH et PH' peuvent ainsi être utilisées pour 3041152 B14419 - Phext 22 obtenir une estimation du spectre d'émission de l'ensemble de diodes électroluminescentes E de façon à déterminer un point de couleur pour le dispositif électroluminescent 90. Le procédé de calibration du dispositif électroluminescent 90 et le procédé de 5 calcul du point de couleur peuvent être des procédés connus de l'homme du métier, par exemple les procédés décrits dans la publication de G. Eppeldauer, « Spectral Response Based Calibration Method of Tristimulus Colorimeters » J. Res. Natl. Inst. Stand. Techno1.103, 615 (1998). 10 La figure 12 représente une vue de dessus schématique d'un mode de réalisation du dispositif électroluminescent 90 dans laquelle l'ensemble de diodes électroluminescentes E peut être disposé autour de la première photodiode PH et la photodiode PH' est disposée autour de l'ensemble de diodes électroluminescentes 15 E. La figure 13 représente un schéma électrique équivalent d'un mode de réalisation d'un dispositif électroluminescent 100 comprenant trois ensembles El, E2, E3 de diodes électroluminescentes, trois photodiodes PH1, PH2, PH3, un circuit 20 de commande 102 (Driver) des ensembles El, E2, E3 de diodes électroluminescentes et un circuit de traitement 104 (Sensor) des signaux fournis par les photodiodes PH1, PH2, PH3. Le circuit de traitement 104 est adapté à échanger des données avec le circuit de commande 102 par un bus 106 d'échange de données. Les signaux 25 fournis par le circuit de traitement 104 peuvent, par exemple, servir à la régulation de l'intensité et/ou de la couleur de la lumière émise par les ensembles El, E2, E3 de diodes électroluminescentes via un contrôle des courants alimentant les diodes électroluminescentes. 30 Divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. On note que l'homme de l'art peut combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes sans faire preuve d'activité inventive. En particulier, le mode de réalisation représenté en figure 6 dans lequel la photodiode 35 PH n'est pas recouverte par la couche d'encapsulation 29 peut être 3041152 B14419 - Phext 23 combiné au mode de réalisation représenté en figure 1 dans lequel l'électrode 12 est située sur la face 16 du substrat 14 opposée à la face 18 sur laquelle reposent les fils 20. De même, le mode de réalisation représenté en figure 8 dans lequel la photodiode PH 5 est recouverte d'un filtre coloré 72 peut être combiné au mode de réalisation représenté en figure 1 dans lequel l'électrode 12 est située sur la face 16 du substrat 14 opposée à la face 18 sur laquelle reposent les fils 20. REVENDICATIONS1. Dispositif électroluminescent (10 ; 40 ; 60 ; 70 ; 80 ; 85 ; 90) comprenant : un substrat (14) au moins partiellement dopé d'un premier type de conductivité et comprenant une première face 5 (18) ; des diodes électroluminescentes (DEL) comprenant chacune au moins un élément semiconducteur tridimensionnel (20) non dopé ou dopé du premier type de conductivité, les éléments semiconducteurs reposant sur une première partie (30) continue de 10 la première face ; et au moins une région semiconductrice (19, 44) formant une photodiode (PH), au moins partiellement dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité et s'étendant dans le substrat depuis une deuxième partie de la 15 première face distincte de la première partie. 2. Dispositif électroluminescent selon la revendication 1, dans lequel chaque élément semiconducteur tridimensionnel (20) est majoritairement en un composé choisi parmi le groupe comprenant les composés III-V et les composés II-VI. 20 3. Dispositif électroluminescent selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le substrat (14) est, au moins en partie, en un matériau semiconducteur choisi parmi le groupe comprenant le silicium, le germanium, le carbure de silicium, les composés III-V ou le ZnO. 25 4. Dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le substrat (14) comprend une deuxième face (16) opposée à la première face, le dispositif électroluminescent comprenant une première électrode (12 ; 48) au contact de la deuxième face (16) ou de la première face (18). 30 5. Dispositif électroluminescent selon la revendication 4, comprenant une deuxième électrode (26) au contact au moins de certaines des diodes électroluminescentes (DEL) et une troisième électrode (28) au contact de la région semiconductrice (19) du côté de la première face (18). 3041152 B14419 - Phext 25 6. Dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la région semiconductrice (19, 44) est recouverte d'un filtre coloré (72). 7. Dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel les diodes électroluminescentes (DEL) sont recouvertes d'une couche (29) comprenant des luminophores et dans lequel la région semiconductrice (19, 44) n'est pas recouverte de ladite couche comprenant les luminophores. 8. Dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les éléments semiconducteurs (20) sont des nanofils, des microfils et/ou des structures pyramidales de taille nanométrique ou micrométrique. 9. Dispositif électroluminescent selon l'une quelconque 15 des revendications 1 à 8, dans lequel la région semiconductrice (19, 44) est formée par implantation ionique de dopants. 10. Dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la région semiconductrice (19, 44) est formée par épitaxie. 20 11. Dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel les diodes électroluminescentes (DEL) sont réparties en ensembles de diodes électroluminescentes (E), le dispositif électroluminescent comprenant, pour au moins certains des ensembles (E), au moins 25 deux régions semiconductrices (19, 44, 19', 44') formant des première et deuxième photodiodes (PH, PH'), chacune des deux régions semiconductrices étant au moins partiellement dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité et s'étendant dans le substrat depuis une deuxième 30 partie de la première face distincte de la première partie. 12. Dispositif électroluminescent selon la revendication 11, dans lequel les première et deuxième photodiodes (PH, PH') ont des profondeurs de jonctions différentes et/ou sont recouvertes par des filtres de couleurs différents (72, 72'). 3041152 B14419 - Phext 26 13. Dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel les diodes électroluminescentes (DEL) sont réparties en ensembles de diodes électroluminescentes (El, E2, E3, E4), ladite région 5 semiconductrice (19, 44) étant située entre les deux ensembles. 14. Dispositif électroluminescent selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, comprenant un circuit de traitement (104) de premiers signaux fournis par la photodiode (PH) et un circuit (102) de commande des diodes électroluminescentes (DEL) à 10 partir de seconds signaux fournis par le circuit de traitement. 15. Dispositif électroluminescent selon les revendications 13 et 14, dans lequel le circuit de commande (102) est adapté, dans une phase d'étalonnage, à allumer successivement chaque ensemble de diodes électroluminescentes (El, E2), le circuit de traitement étant adapté à mesurer le rayonnement capté par la photodiode (PH) lorsque chaque ensemble de diodes électroluminescentes est allumé.