FR 3042303 A1 20170414 FR 1559584 A 20151008 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 1 POINT MÉMOIRE MAGNÉTIQUE Domaine La présente demande concerne un point mémoire magnétique, et plus particulièrement un point mémoire magnétique de type à retournement induit par un courant. Exposé de l'art antérieur Le brevet français N°2 963 152 décrit un point mémoire magnétique tel que représenté schématiquement en figures lA, lB et 1C. Les figures lA et lB ci-après représentent respectivement une vue en coupe et une vue en perspective d'un point mémoire magnétique tel que décrit en relation avec les figures lc-lf, 2a-2b et 3a-3d du brevet français N°2 963 152. La figure 1C est une vue de dessus simplifiée de ce point mémoire. Comme l'illustrent les figures lA et lB, ce point mémoire comprend, au-dessus d'une piste conductrice 1, un plot 3. Le plot 3 comprend un empilement de régions dont chacune est formée d'une portion d'une couche mince ou d'un empilement de plusieurs couches minces. La piste conductrice 1 est par exemple formée sur un substrat 5 constitué d'une plaquette de silicium revêtue d'une couche d'oxyde de silicium et est connectée entre des bornes A et B. L'empilement constituant le plot 3 comprend successivement à partir de la piste 1, une région 10 en un matériau conducteur non magnétique, une région 11 en un matériau 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 2 magnétique, une région 12 en un matériau non magnétique, une région 13 en un matériau magnétique et une électrode 14. Le matériau de la couche 12 peut être conducteur ; c'est de préférence un matériau isolant suffisamment mince pour pouvoir 5 être traversé par des électrons par effet tunnel. Il existe une différence structurelle entre les régions non magnétiques 10 et 12 de façon à avoir un système asymétrique dans une direction orthogonale au plan des couches. Cette différence peut résulter notamment d'une différence de matériau, d'épaisseur, ou de mode 10 de croissance de ces couches. Des listes de matériaux pouvant constituer les diverses couches sont données dans la demande de brevet susmentionnée. Les matériaux magnétiques des régions 11 et 13 sont formés dans des conditions telles qu'ils présentent une 15 aimantation dirigée orthogonalement au plan des couches. Le matériau magnétique de la couche 13 est formé dans des conditions telles qu'il conserve une aimantation intangible (couche piégée). La couche d'électrode supérieure 14 est connectée à une borne C. 20 La programmation du point mémoire est effectuée en faisant circuler un courant entre les bornes A et B, tandis qu'un champ H orienté horizontalement (parallèlement au plan des couches et à la direction du courant entre les bornes A et B) est appliqué. Selon les sens relatifs du courant entre les bornes A et B et du vecteur de champ H, la couche 11 est programmée de sorte que son aimantation s'oriente vers le haut ou vers le bas. Pour la lecture de ce point mémoire, une tension est appliquée entre la borne C et l'une ou l'autre des bornes A et B. Le courant résultant entre la borne C et l'une ou l'autre des bornes A et B prend des valeurs différentes selon le sens relatif des aimantations des couches 11 et 13 : valeur haute si les deux aimantations sont dans le même sens et valeur basse si les deux aimantations sont de sens opposés. 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 3 Une caractéristique du point mémoire décrit ci-dessus est que sa programmation se fait grâce à un courant circulant entre les bornes A et B et à un champ magnétique appliqué dans le plan des couches, parallèlement au courant. Aucun courant ne 5 circule de la borne A ou B vers la borne C lors de la programmation. Ceci présente l'avantage de dissocier complètement les opérations de lecture et d'écriture du point mémoire. De nombreuses variantes de réalisation sont possibles. 10 Notamment, chaque couche décrite précédemment peut être constituée d'un empilement de couches de façon connue dans la technique pour acquérir les caractéristiques souhaitées. La portion de couche 10 en un matériau conducteur non magnétique peut être omise, à condition que la piste 1 soit en 15 un matériau non magnétique convenant à la croissance de la couche magnétique 11. La piste 1 peut alors présenter une surépaisseur sous le plot 3. Pour que le retournement de l'aimantation dans la couche 11 puisse se faire, il faut aussi que des couples de spin-orbite soient présents dans la couche 20 magnétique. Pour ce faire, il faut par exemple que la couche en contact avec cette couche 11 (ou séparée d'elle par une couche séparatrice fine) soit constituée d'un matériau ou composée de matériaux à fort couplage spin-orbite. Une autre solution est, par exemple, que le contact entre la couche magnétique 11 et 25 l'une ou l'autre des couches 10 et 12 crée ce couplage spin-orbite ; c'est ce qui peut par exemple arriver par hybridation de la couche magnétique 11 avec la couche 12 si celle-ci est constituée d'un isolant (voir "Spin-orbit coupling effect by minority interface resonance states in single-crystal magnetic 30 tunnel junctions", Y. Lu et al. Physical Review B, Vol. 86, p.184420 (2012)). On notera que le point mémoire des figures LA et 1B peut être décomposé en deux éléments : un élément de mémorisation comprenant la piste 1 munie des bornes A et B et 35 les portions de couches 10, 11 et 12, et un élément de lecture 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 4 comprenant dans l'exemple donné ci-dessus les couches 13 et 14 et l'électrode C. Avec le même élément de mémorisation, divers modes de lecture pourraient être envisagés, par exemple une lecture optique. 5 La figure 1C est une vue de dessus simplifiée du plot 3. Seule la piste 1 et le plot 3 sont représentés, ainsi que les bornes A et B connectées à des contacts 15 et 16. Comme on l'a indiqué précédemment, ce point mémoire est programmable par l'application d'un courant entre les bornes 10 A et B simultanément à l'application d'un champ magnétique ayant une composante non nulle selon la direction du courant. Des exemples de moyens de génération d'un champ magnétique sont donnés dans la demande de brevet susmentionnée. L'application d'un champ externe ou la réalisation de couches magnétiques 15 spécifiques propres à créer le champ H pose des problèmes de réalisation pratique. La demande de brevet US 2014/0010004 décrit un point mémoire magnétique qui peut être programmé par l'application d'un courant en l'absence de champ magnétique. La figure 2 est 20 une vue de dessous schématique d'un point mémoire magnétique correspondant aux figures 15C, 16C et 17C de cette demande de brevet. Un plot magnétique 20 comprend un empilement de portions de couches similaires aux couches du plot magnétique 3 décrit en relation avec les figures lA à 1C. Le plot 20 a une forme de 25 rectangle allongé et comprend, du côté de l'un de ses grands côtés, une portion 22 qui, en vue de dessus, s'étend dans une direction orthogonale au grand côté. Les deux extrémités opposées du rectangle sont reliées à des bornes A et B par des contacts 24A et 24B. La portion 22 confère au plot 20 une 30 asymétrie qui permet de programmer le point mémoire par la seule application d'un courant continu. Le sens de l'écoulement du courant, de la borne A vers la borne B ou de la borne B vers la borne A, définit la valeur programmée. La programmation de ce point mémoire dépend du sens 35 d'écoulement du courant continu traversant le dispositif. 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 5 On souhaite disposer d'un point mémoire dont la programmation ne dépende pas du sens d'un courant circulant entre deux bornes de programmation, le courant pouvant avoir une polarité quelconque ou même notamment être alternatif. 5 Résumé Ainsi, un mode de réalisation prévoit un point mémoire magnétique, comprenant : un plot comportant une portion de couche magnétique entre une portion de couche conductrice et une portion de couche différente de la couche conductrice, la couche 10 magnétique ayant une aimantation perpendiculaire au plan des couches ; une portion de métallisation sur laquelle le plot est disposé ; et des première, deuxième, troisième et quatrième branches de métallisation, chaque branche ayant un axe médian, dans lequel, pour chaque branche, un courant circulant vers le 15 plot selon la direction de l'axe médian voit la partie du plot la plus proche de la branche en majorité sur sa gauche pour les première et deuxième branches, et en majorité sur sa droite pour les troisième et quatrième branches. Selon un mode de réalisation, la couche magnétique a 20 une épaisseur inférieure à 3 nm. Selon un mode de réalisation, le point mémoire magnétique présente en vue de dessus un centre de symétrie. Selon un mode de réalisation, le point mémoire magnétique présente un plan de symétrie perpendiculaire au plan 25 des couches, les première et troisième branches étant symétriques l'une de l'autre par rapport au plan de symétrie et les deuxième et quatrième branche étant symétriques l'une de l'autre par rapport au plan de symétrie. Selon un mode de réalisation, pour chaque branche, la 30 partie du plot la plus proche de la branche comprend une portion allongée dans une direction faisant, en vue de dessus, un angle aigu avec l'axe médian de la branche. Selon un mode de réalisation, un au moins desdits angles aigus est compris entre 30° et 60°. 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 6 Selon un mode de réalisation, une au moins desdites portions allongées forme une pointe. Selon un mode de réalisation, une au moins desdites portions allongées forme une pointe arrondie. 5 Selon un mode de réalisation, la portion de métallisation et les première, deuxième, troisième et quatrième branches forment une croix, le plot étant de forme allongée et étant disposé au centre de la croix. Selon un mode de réalisation, le plot comprend une 10 portion centrale allongée dans une direction faisant un angle compris entre 0° et 30° degrés, de préférence entre 5° et 25°, avec l'axe médian de la troisième branche. Selon un mode de réalisation, les axes médians des première et deuxième branches sont sensiblement colinéaires et 15 les axes médians des troisième et quatrième branches sont sensiblement colinéaires, le plot étant de forme allongée et centré sur le point de rencontre des axes, et lesdits angles aigus étant compris entre 30° et 45°. Selon un mode de réalisation, les axes médians des 20 première et troisième branches sont sensiblement colinéaires et les axes médians des deuxième et quatrième branches sont sensiblement colinéaires, les axes médians des première et deuxième branches étant sensiblement parallèles, et les première et deuxième branches s'étendant dans des sens opposés. 25 Selon un mode de réalisation, les axes médians des deuxième et troisième branches sont sensiblement colinéaires et les axes médians des première et quatrième branches sont sensiblement orthogonaux aux axes médians des première et troisième branches. 30 Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de programmation d'un point mémoire, comprenant une étape consistant à faire passer un premier courant entre la première et la deuxième branche ou un deuxième courant entre la troisième et la quatrième branche. 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 7 Selon un mode de réalisation, le premier ou le deuxième courant est un courant alternatif. Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, 5 seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures lA et lB sont respectivement une vue schématique en coupe et une vue schématique en perspective d'un 10 point mémoire magnétique ; la figure 1C est une vue de dessus simplifiée du point mémoire magnétique illustré en figures lA et lB ; la figure 2 est une vue de dessus schématique d'un point mémoire magnétique ; 15 les figures 3A et 3B sont respectivement une vue schématique en perspective et une vue schématique de dessus d'un mode de réalisation d'un point mémoire magnétique ; la figure 4 illustre le fonctionnement du mode de réalisation représenté en figure 3 ; et 20 les figures SA à 5E sont des vues de dessus schématiques d'autres modes de réalisation d'un point mémoire magnétique. Description détaillée De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes 25 références aux différentes figures et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Par souci de clarté, seuls les éléments qui sont utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. Dans la description qui suit, sauf précision 30 contraire, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", etc., il est fait référence à l'orientation de l'élément concerné dans les figures lA, lB, 3A et 4. Sauf précision contraire, les expressions "approxima- 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 8 tivement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près, ou, s'agissant d'une orientation, à 15 degrés près, de préférence à 10 degrés près. Les figures 3A et 3B sont respectivement une vue 5 schématique en perspective et une vue schématique de dessus d'un mode de réalisation d'un point mémoire magnétique 30. Le point mémoire magnétique 30 comprend un plot 31 formé d'un empilement de portions de couches. Le plot 31 comprend, de bas en haut, une portion de couche conductrice 32, 10 une portion de couche magnétique programmable 34 ayant une aimantation 35 orthogonale au plan des couches, une portion de couche non magnétique 36 différente de la couche 32, une portion de couche magnétique 38 et une électrode 40. L'électrode 40 est reliée à une borne C. Les couches 32, 34, 36, 38 et 40 sont 15 similaires aux couches minces formant les régions respectives 10, 11, 12, 13 et 14 décrites en relation avec les figures lA à 1C. En particulier, les variantes décrites en relation avec les figures lA à 1C sont applicables. Le plot 31 est disposé sur la portion centrale d'une 20 métallisation 42 ayant, en vue de dessus, la forme d'une croix à quatre branches. Les quatre branches 44D, 44E, 44F et 44G ont des axes médians 45D, 45E, 45F, 45G formant des angles droits. Les branches sont connectées à des bornes respectives D, E, F et G par des contacts respectifs 46D, 46E, 46F et 46G situés aux 25 extrémités des branches. Le plot 31 a en vue de dessus la forme d'un rectangle allongé dans une direction 47 faisant des angles aigus sensiblement égaux à 45 degrés avec les axes 45D, 45E, 45F et 45G. Les angles aigus 48D et 48F entre les axes 45D et 45F 30 des branches opposées 44D et 44F et la direction 47 sont orientés dans le sens antihoraire. Les angles aigus 48E et 48G entre les axes 45E et 45G des branches opposées 44E et 44G et la direction 47 sont orientés dans le sens horaire. Dans cette configuration, un observateur placé sur l'une ou l'autre des 35 branches opposées 44D et 44F regardant le plot selon les axes 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 9 45D et 45F voit sur sa droite la partie du plot la plus proche de lui. Un observateur placé sur l'une ou l'autre des branches opposées 44E et 44G regardant le plot selon les axes 45E et 45G voit sur sa gauche la partie du plot la plus proche de lui. 5 En fonctionnement, le point mémoire 30 est connecté à un dispositif adapté à faire circuler un courant entre les bornes opposées D et F ou entre les bornes opposées E et G. Pour programmer le point mémoire 30, les inventeurs ont observé qu'une première orientation est imposée à 10 l'aimantation 35 par la circulation d'un courant entre les bornes opposées D et F, et qu'une orientation inverse est imposée par un courant s'écoulant entre les bornes opposées E et G. Ces orientations sont imposées quel que soit le sens du courant circulant entre les bornes D et F, respectivement E et 15 G. La figure 4 regroupe quatre vues de dessus schématiques V1 à V4 illustrant le fonctionnement du point mémoire 30. La vue V2 correspond à la vue V1 après rotation de 180°, la vue V3 correspond à la vue V1 après rotation de 90° 20 dans le sens antihoraire et la vue V4 correspond à la vue V3 après rotation de 180°. L'orientation de chacune des vues V1 à V4 est telle que les écoulements de courants sont représentés dans des sens identiques, de bas en haut. Dans la vue V1 en haut à gauche de la figure 4, la 25 borne E est située en haut de la figure. Un courant IGE circule de la borne G vers la borne E. Les inventeurs ont observé que le cheminement du courant IGE dans le plot 31 présente alors la propriété d'imposer une orientation à l'aimantation 35 de la couche magnétique programmable 34. Le cheminement du courant 30 dans le plot et l'action sur les spins des électrons qui en résulte ne sont pas uniformes dans l'ensemble de la couche programmable 34. Il est donc remarquable qu'une orientation imposée s'étende à l'aimantation de l'ensemble de la couche programmable 34. Dans cet exemple, l'orientation 54, dirigée de 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 10 la couche inférieure 32 vers la couche supérieure 36, est imposée à l'aimantation 35. Dans la vue V2 en bas à gauche de la figure 4, la borne E est située en bas de la figure. Un courant IEG s'écoule 5 dans le point mémoire 30 de la borne E vers la borne G. En vue de dessus, le point mémoire 30 est symétrique par rapport au centre du plot 31. Le cheminement du courant IEG dans le plot 31 est donc identique au cheminement du courant IGE. Ainsi, l'orientation 54 de l'aimantation 35 est dans le même sens que 10 dans la vue Vl. L'orientation imposée à l'aimantation 35 de la couche programmable 34 ne dépend pas du sens d'écoulement du courant circulant entre les bornes E et G. Dans la vue V3 en haut à droite de la figure 4, la borne D est située en haut de la figure. Un courant IFD s'écoule 15 dans le point mémoire 30 de la borne F vers la borne D. Le cheminement du courant IFD dans le plot 31 est l'image vue dans un miroir du cheminement du courant IGE de la vue Vl. Le miroir est perpendiculaire au plan de la figure 4 et parallèle aux branches dans lesquelles le courant s'écoule. L'action sur les 20 spins des électrons localisés responsables de l'aimantation qui résulte du passage du courant IFD est, par rapport au miroir, antisymétrique de l'action qui résulte du passage du courant IGE. Ainsi, une orientation 59, inverse de l'orientation 54 des vues V1 et V2, est imposée à l'aimantation 35 de la couche 25 magnétique programmable 34. Dans la vue V4 en bas à droite de la figure 4, la borne D est située en bas de la figure. Un courant IDF s'écoule dans le point mémoire 30 de la borne D vers la borne F. Le cheminement du courant IDF dans le plot 31 de la borne D vers la 30 borne F est identique au cheminement du courant IFD de la vue V3. De ce fait, l'orientation de l'aimantation de la couche programmable ne dépend pas du sens du courant circulant entre les bornes D et F. La lecture du point mémoire 30 s'obtient, d'une 35 manière similaire à la lecture décrite en relation avec les 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 11 figures LA et 1B, en mesurant une résistance entre la borne C et l'une quelconque des bornes D, E, F, et G. Les couches supérieures 38 et 40, ainsi que la borne C, constituent un ensemble de lecture. A titre de variante, l'ensemble de lecture 5 peut être omis, et remplacé par exemple par un dispositif de lecture électronique utilisant l'effet hall extraordinaire ou encore un dispositif de lecture optique. Les figures 5A à 5E sont des vues de dessus schématiques d'autres modes de réalisation d'un point mémoire 10 magnétique. Par souci de clarté, des éléments des points mémoire décrits en relation avec les figures aA à 5E et des éléments du point mémoire décrit en relation avec les figures 3A et 3B ayant le même rôle sont désignés par de mêmes références. Chacun des points mémoire magnétiques illustrés en 15 figures SA à 5E comprend un plot disposé sur une métallisation. Chaque plot comprend une portion d'un empilement de couches semblable à l'empilement de couches du plot 31 décrit en relation avec les figures 3A et 3B. Chaque plot est surmonté d'un contact avec une borne C. 20 En figure aA, un point mémoire magnétique 60 comprend un plot 61 disposé sur une métallisation 62 se prolongeant par quatre branches 44D, 44E, 44F et 44G. Les branches 44D et 44F s'étendent dans deux sens opposés selon des axes médians 45D et 45F sensiblement colinéaires. Les branches 44E et 44G s'étendent 25 dans deux sens opposés selon des axes médians 45E et 45G sensiblement colinéaires. Le plot 61 est centré sur un point de rencontre des axes 45D et 45E et a la forme d'un rectangle allongé dans une direction 66 faisant avec les axes médians des angles aigus égaux entre eux, par exemple compris entre 30 et 30 45°. En vue de dessus, les angles aigus 68D et 68F entre les axes 45D et 45F et la direction 66 sont orientés dans le sens antihoraire. Les angles aigus 68E et 68G entre les axes 45E et 45G et la direction 66 sont orientés dans le sens horaire. Le 35 point mémoire 60 est symétrique par rapport au centre du plot 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 12 61. De plus, le point mémoire est symétrique par rapport à un miroir perpendiculaire au plan de la figure 5B et contenant l'axe 66. Ainsi, le fonctionnement du point mémoire 60 est similaire au fonctionnement décrit en relation avec les figures 5 4A à 4D, pour des courants de programmation circulant entre les bornes E et F ou entre les bornes E et G. En figure 5B, un point mémoire magnétique 70 comprend un plot 71 disposé au centre de la métallisation 42 en forme de croix décrite en relation avec les figures 3A et 3B. Le plot 71 10 comprend une portion centrale 72 en forme de rectangle allongé selon une direction 73 faisant des angles aigus sensiblement égaux à 45 degrés avec les axes 45D, 45E, 45F et 45G. La portion 72 se prolonge à partir de chacun de ses petits côtés par des portions 74 et 75 en forme de pointe dans la direction 73. Les 15 angles aigus 78D et 78F entre les axes respectifs 45D et 45F des branches opposées 44D et 44F et la direction 73 sont orientés dans le sens antihoraire. Les angles aigus 78E et 78G entre les axes respectifs 45E et 45G des branches opposées 44E et 44G et la direction 73 sont orientés dans le sens horaire. 20 Le point mémoire 70 présente les mêmes symétries que le point mémoire 30 décrit en relation avec les figures 3A et 3B. Ainsi, le fonctionnement du point mémoire 70 est similaire au fonctionnement du point mémoire 30. En outre, les inventeurs ont observé que la présence 25 de portions 74, 75 en forme de pointe dans les parties du plot proches des branches présente l'avantage de permettre de programmer le point mémoire avec un courant plus faible. A titre de variante, la portion centrale 72 peut être omise, Les deux portions 74 et 75 formant alors les pointes d'un 30 losange disposé au centre de la croix et allongé dans la direction 73. En figure 5C, un point mémoire magnétique 80 comprend un plot 81 disposé au centre de la métallisation 42 décrite en relation avec les figures 3A et 3B. Le plot 81 comprend une 35 portion centrale 82 en forme de parallélogramme dont les grands 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 13 côtés font un angle aigu 83 inférieur à 45° avec la direction 45D. La portion centrale 82 se prolonge à partir de chacun de ses petits côtés par des portions 84 et 85 en forme de pointe dans des directions respectives 86 et 87 formant des angles 5 aigus avec les axes 45D, 45E, 45F et 45G. La pointe de la portion 85 se situe par exemple sensiblement au point de rencontre entre un bord de la branche 44D et un bord de la branche 44E. La pointe de la portion 85 se situe par exemple sensiblement au point de rencontre entre un bord de la branche 10 44F et un bord de la branche 44G. Les angles aigus 88D et 88F entre les axes respectifs 45D et 45F et la direction 86 sont orientés dans le sens antihoraire. Les angles aigus 88E et 88G entre les axes respectifs 45E et 45G et la direction 87 sont orientés dans le sens horaire. En vue de dessus, le point 15 mémoire 80 est symétrique par rapport au centre du plot 81. On peut en déduire que la programmation imposée par le passage d'un courant entre des bornes opposées ne dépend pas du sens du courant. A titre d'exemple, l'angle aigu 83 est de l'ordre de 20 15°. Les angles aigus 88D et 88F peuvent être de l'ordre de 45°. Le point mémoire 80 n'est pas symétrique par rapport à un miroir. Cependant, tout comme dans le point magnétique 30 décrit en relation avec les figures 3A et 3B, un courant circulant de l'une des branches 44D ou 44F vers le plot voit sur 25 sa droite la partie du plot la plus proche de lui. Un courant circulant de l'une des branches 44E ou 44G vers le plot voit sur sa gauche la partie du plot la plus proche de lui. Cette conformation du plot par rapport aux branches assure au point mémoire 80 un fonctionnement identique au fonctionnement du 30 point mémoire 30 des figures 3A, 3B et 4. En effet, lorsqu'un courant s'écoule entre les bornes D et F du point mémoire 30 et lorsqu'un courant s'écoule entre les bornes D et F du point mémoire 80, ces courants ont des cheminements similaires dans les parties des plots les plus 35 proches des branches 44D. De même, ces deux courants ont des 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 14 cheminements similaires dans les parties des plots les plus proches des branches 44F. Or, ces parties des plots les plus proches des branches déterminent l'orientation imposée à l'aimantation de la couche programmable 34. C'est pourquoi 5 lorsqu'un courant s'écoule de la borne D vers la borne F l'orientation imposée à l'aimantation des couches programmables est identique dans le point mémoire 80 et dans le point mémoire 30. Il en est de même pour des courants circulant de la borne F vers la borne D, de la borne E vers la borne G, et de la borne G 10 vers la borne E. Le point mémoire 80 peut avoir des portions 84 et 85 en forme de pointes plus aiguës que les portions 74 et 75 du point mémoire 70, ce qui présente l'avantage de permettre l'utilisation de courants d'écriture réduits pour programmer le 15 point mémoire. En figure 5D, un point mémoire magnétique 90 comprend un plot 91 disposé sur une métallisation 92 se prolongeant par quatre branches 44D, 44E, 44F et 44G. Les branches 44D et 44E s'étendent dans deux sens opposés selon des axes médians 20 respectifs 45D et 45E sensiblement colinéaires. Les branches 44F et 44G s'étendent de manière sensiblement parallèle aux branches 44D et 44E dans deux sens opposés selon des axes médians respectifs 45F et 45G sensiblement colinéaires. Les branches 44D et 44E sont d'un même côté de la métallisation 92. Le plot 91 25 comprend une portion centrale 93 en forme de rectangle allongé et centré entre les branches. Pour chaque branche respective 44D, 44E, 44F, 44G, la portion centrale 93 se prolonge, à partir de son petit côté le plus proche de la branche, par une portion allongée 94D, 94E, 94F, 94G dans une direction 96D, 96E, 96F, 30 96G faisant un angle aigu avec la branche. Chaque portion allongée 94D, 94E, 94F, 94G a la forme d'une pointe qui se rapproche du bord de la branche respective 44D, 44E, 44F, 44G le plus éloigné de la portion centrale 93. L'angle aigu 98D entre l'axe 45D et la direction 96D est orienté dans le sens 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 15 antihoraire. L'angle aigu 98E entre l'axe 45E et la direction 96E est orienté dans le sens horaire. L'angle aigu 98F entre l'axe 45F et la direction 96F est orienté dans le sens antihoraire. L'angle aigu 98G entre 5 l'axe 45G et la direction 96G est orienté dans le sens horaire. De plus, le point mémoire 90 présente les mêmes symétries que le point mémoire 30 décrit en relation avec les figures 3A et 3B. Ainsi, le fonctionnement du point mémoire 90 est similaire au fonctionnement du point mémoire 30 pour des courants de 10 programmation circulant entre les bornes D et F ou entre les bornes E et G. A titre d'exemple, les angles aigus 98D, 98E, 98F, 98G sont approximativement égaux et de l'ordre de 45°. Le point mémoire 90 présente l'avantage de comporter 15 des portions 94D, 94E, 94F, 94G en forme de pointe permettant de programmer le point mémoire avec un courant réduit. Le point mémoire 90 présente en outre l'avantage d'être alimenté par des branches parallèles dont la disposition facilite l'intégration du point mémoire dans un composant électronique, par exemple 20 dans une mémoire comportant de nombreux points mémoire. En figure 5E, un point mémoire magnétique 100 comprend un plot 101 disposé sur une métallisation 102 se prolongeant par quatre branches 44D, 44E, 44F et 44G. Les branches 44D et 44G s'étendent dans deux sens opposés selon des axes médians 25 respectifs 45D et 45G sensiblement colinéaires. Les branches 44E et 44F s'étendent d'un même côté des branches 44D et 44G dans une direction sensiblement perpendiculaire aux axes 45D et 45G, selon des axes médians 45E et 45F. Le plot 101 comprend une portion centrale 103 en forme de rectangle allongé selon l'axe 30 45D. La portion centrale 103 se situe entre les branches 44E et 44F et se trouve en majorité du côté des axes 45D et 45G opposé aux branches 44E et 44F. La portion centrale 103 se prolonge par chacun de ses petits côtés par des portions allongées 104 et 105 en formes de pointes. La portion 104 est située en regard des 35 branches 44D et 44E et s'étend dans une direction 106 en se 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 16 rapprochant du point de rencontre entre un côté de la branche 44D et un côté de la branche 44E. La portion 105 est située en regard des branches 44F et 44G et s'étend dans une direction 107 en se rapprochant du point de rencontre entre un côté de la 5 branche 44F et un côté de la branche 44G. L'angle aigu 108D entre l'axe 45D et la direction 106 est orienté dans le sens antihoraire. L'angle aigu 108F entre l'axe 45F et la direction 107 est orienté dans le sens antihoraire. L'angle aigu 108E entre l'axe 45E et la direction 106 est orienté dans le sens 10 horaire. L'angle aigu 108G entre l'axe 45G et la direction 107 est orienté dans le sens horaire. A titre d'exemple, l'angle aigu 108D est de l'ordre de 45°. L'angle aigu 108E peut être de l'ordre de 45°. Dans la configuration du point mémoire 100, un courant 15 circulant de l'une ou l'autre des branches 44D et 44F vers le plot selon les axes 45D et 45F voit sur sa droite la partie du plot la plus proche de lui. Un courant circulant de l'une ou l'autre des branches 44E et 44G vers le plot selon les axes 45E et 45G voit sur sa gauche la partie du plot la plus proche de 20 lui. Ainsi, le fonctionnement du point mémoire 100 est similaire au fonctionnement du point mémoire 80 décrit en relation avec la figure 5D. La disposition des branches peut faciliter la mise en oeuvre du point mémoire 100, par exemple dans un dispositif 25 électronique tel qu'une mémoire comportant de nombreux points mémoire. A titre de variante, la branche 44E du point mémoire 100 peut être remplacée par une branche 44E symétrique de la branche 44E représentée en figure 5E par rapport à l'axe 45D. On 30 notera que dans cette variante, l'angle aigu 108E et son orientation ne sont pas modifiés. A titre d'exemple, les dimensions des branches 44D à 44F des figures 3A, 3B et SA à 5E mesurées dans un sens orthogonal aux axes médians 45D à 45F, sont comprises entre 10 35 nm et 200 nm. 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 17 Le courant utilisé pour programmer le point magnétique est par exemple compris entre 105 A/cm2 et 108 A/cm2. La couche magnétique programmable peut comporter un alliage présentant une anisotropie magnétique perpendiculaire 5 propre, notamment FePt, FePd, CoPt, ou un alliage de terre rare / métal de transition, notamment GdCo, TdFeCo. La couche magnétique programmable peut comporter un métal ou un alliage présentant dans l'empilement une anisotropie magnétique perpendiculaire induite par les interfaces, notamment Co, Fe, 10 CoFe, Ni, CoNi. L'une des couches 32, 36 prenant en sandwich la couche magnétique programmable 34 peut être en un métal non magnétique, tel que Pt, W, Ir, Ru, Pd, Cu, Au, Bi, Hf ou en alliage de ces métaux ou sous la forme d'un empilement de plusieurs couches de 15 chacun de ces métaux. La couche conductrice 32 peut être en un matériau non magnétique ou antiferromagnétique. A titre d'exemple de matériaux antiferromagnétiques, on peut citer des alliages à base de Mn tels que IrMh, FeMn, PtMn, ou des alliages de ces 20 composés comme PtFeMn ou des oxydes tels ou CoOx ou NiOx. La conductivité de la couche inférieure 32 doit être suffisante pour permettre le passage d'un courant dans la phase d'écriture. La couche non magnétique 36 surmontant la couche magnétique programmable peut être en un oxyde diélectrique tel 25 que SiOx, AlOx, MgOx, TaOx, HfOx, ou en un nitrure diélectrique tel que SiN, BNx, d'une épaisseur propre à autoriser un effet tunnel. L'épaisseur d'une des couches 32, 36 prenant en sandwich la couche magnétique programmable peut être comprise 30 entre 0,5 nm et 200 nm, plus particulièrement entre 0,5 nm et 100 nm, et préférentiellement inférieure à 3 nm. L'épaisseur de la couche magnétique programmable peut être inférieure à 3 nm. La couche magnétique 38 de l'ensemble de lecture peut 35 être en un matériau magnétique, ou en un composé de matériaux 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 18 magnétiques, ou comprendre plusieurs couches de matériaux magnétiques et non magnétiques. Un avantage des points mémoire magnétiques décrits ci-dessus est que le courant de programmation peut-être alternatif, 5 et que s'il est continu on n'a pas à se soucier de son sens. Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, bien que des configurations particulières de plots disposés sur une métallisation aient été décrites, 10 d'autres configurations sont possibles dans la condition que, pour chaque branche, un observateur extérieur placé sur la branche regardant le plot selon la direction de l'axe médian de la branche voie la partie du plot la plus proche de la branche en majorité sur sa gauche pour deux des branches, et en majorité 15 sur sa droite pour les deux autres branches. De plus, bien que les plots des points mémoire magnétiques décrits ci-dessus aient tous des formes présentant des angles vifs, les formes réelles peuvent être arrondies. En particulier les pointes peuvent être arrondies, le rayon de 20 courbure étant de préférence compris entre 1 et 10 nm. En outre, le terme "métallisation" doit être interprété comme désignant un matériau conducteur métallique ou non métallique, par exemple un semiconducteur dopé. De plus, bien que dans les points mémoire décrits, la 25 couche de programmation soit recouverte d'une couche non magnétique, cette couche non magnétique peut être remplacée par une couche magnétique ou comprendre plusieurs couches de matériaux magnétiques et non magnétiques, l'important étant que les couches prenant en sandwich la couche de programmation 30 soient différentes. En outre, bien que, dans les points mémoire décrits, les métallisations se prolongent par des branches rectilignes, ces métallisations peuvent aussi se prolonger par des branches incurvées ayant dans leurs parties les plus proches du plot la 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 19 même direction que les branches rectilignes, et ayant des axes médians définis par les axes médians des branches rectilignes. REVENDICATIONS1. Point mémoire magnétique (30 ; 60 ; 70 ; 80 ; 90 ; 100), comprenant : un plot (31 ; 61 ; 71 ; 81 ; 91 ; 101) comportant une portion de couche magnétique (34) entre une portion de couche conductrice (32) et une portion de couche (36) différente de la couche conductrice, la couche magnétique ayant une aimantation (35) perpendiculaire au plan des couches ; une portion de métallisation (42 ; 62 ; 72 ; 82 ; 92 ; 102) sur laquelle le plot est disposé ; et des première, deuxième, troisième et quatrième branches (44D à 44G) de métallisation, chaque branche ayant un axe médian (45D à 45G), dans lequel, pour chaque branche, un courant circulant vers le plot selon la direction de l'axe médian voit la partie du plot la plus proche de la branche en majorité sur sa gauche pour les première et deuxième branches (44E, 44G), et en majorité sur sa droite pour les troisième et quatrième branches (44D, 44F). 2. Point mémoire magnétique (30 ; 60 ; 70 ; 80 ; 90 ; 20 100) selon la revendication 1, dans lequel la couche magnétique a une épaisseur inférieure à 3 nm. 3. Point mémoire magnétique (30 ; 60 ; 70 ; 80 ; 90) selon la revendication 1 ou 2, présentant en vue de dessus un centre de symétrie. 25 4. Point mémoire magnétique (30 ; 60 ; 70 ; 90) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, présentant un plan de symétrie perpendiculaire au plan des couches, les première et troisième branches (44E, 44D) étant symétriques l'une de l'autre par rapport au plan de symétrie et les deuxième et quatrième 30 branches (44G, 44F) étant symétriques l'une de l'autre par rapport au plan de symétrie. 5. Point mémoire magnétique (30 ; 60 ; 70 ; 80 ; 90 ; 100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel, pour chaque branche (44D à 44G), la partie du plot la 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 21 plus proche de la branche comprend une portion allongée (31 ; 61 ; 74, 75 ; 84, 85 ; 94D à 94G ; 104, 105) dans une direction faisant, en vue de dessus, un angle aigu avec l'axe médian (45D à 45G) de la branche. 5 6. Point mémoire magnétique (30 ; 60 ; 70 ; 80 ; 90 ; 100) selon la revendication 5, dans lequel un au moins desdits angles aigus est compris entre 30° et 60°. 7. Point mémoire magnétique (70 ; 80 ; 90 ; 100) selon la revendication 5 ou 6, dans lequel une au moins desdites 10 portions allongées (74, 75 ; 84, 85 ; 94D à 94G ; 104, 105) forme une pointe. 8. Point mémoire magnétique (70 ; 80 ; 90 ; 100) selon la revendication 5 ou 6, dans lequel une au moins desdites portions allongées (74, 75 ; 84, 85 ; 94D à 94G ; 104, 105) 15 forme une pointe arrondie. 9. Point mémoire magnétique (30 ; 70 ; 80) selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel la portion de métallisation (42) et les première, deuxième, troisième et quatrième branches (44D à 44G) forment une croix, le plot (31 ; 71 ; 81) étant de forme allongée et étant disposé au centre de la croix. 10. Point mémoire magnétique (80) selon la revendication 9, dans lequel le plot (81) comprend une portion centrale (82) allongée dans une direction faisant un angle (83) compris entre 0° et 30° degrés, de préférence entre 5° et 25°, avec l'axe médian (45D) de la troisième branche (44D). 11. Point mémoire magnétique (60) selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel les axes médians (45E, 45G) des première et deuxième branches (44E, 44G) sont sensiblement colinéaires et les axes médians (45D, 45F) des troisième et quatrième branches (44D, 44F) sont sensiblement colinéaires, le plot (61) étant de forme allongée et centré sur le point de rencontre des axes, et lesdits angles aigus (68D à 68G) étant compris entre 30° et 45°. 3042303 B14520 - 03484-06 - BD16538SG 22 12. Point mémoire magnétique (90) selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel les axes médians (45E, 45D) des première et troisième branches (44E, 44D) sont sensiblement colinéaires et les axes médians (45G, 45F) des 5 deuxième et quatrième branches (44G, 44F) sont sensiblement colinéaires, les axes médians (45E, 45G) des première et deuxième branches (44E, 44G) étant sensiblement parallèles, et les première et deuxième branches s'étendant dans des sens opposés. 10 13. Point mémoire magnétique (100) selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel les axes médians (45G, 45D) des deuxième et troisième branches (44G, 44D) sont sensiblement colinéaires et les axes médians (45E, 45F) des première et quatrième branches (44E, 44F) sont sensiblement 15 orthogonaux aux axes médians des première et troisième branches. 14. Procédé de programmation d'un point mémoire (30 ; 60 ; 70 ; 80 ; 90 ; 100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, comprenant une étape consistant à faire passer un premier courant (IGE, IEG) entre la première et la 20 deuxième branche (44E, 44G) ou un deuxième courant (IDF, IFD) entre la troisième et la quatrième branche (44D, 44F). 15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel le premier ou le deuxième courant (IGE, IEG) est un courant alternatif.