FR 3040531 A1 20170303 FR 1657688 A 20160810 1 Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à un dispositif de com- posants microélectroniques et à un smartphone équipé d'un tel dispositif. Etat de la technique Les capteurs d'infrarouge lointains pour prendre une image thermique sont intégrés sous forme de composants séparés dans les coques de smartphone ou encore sous forme de systèmes modulaires dans un smartphone ou un dispositif mobile. Un système modu- laire ainsi défini consiste à installer des composants distincts du capteur infrarouge lointain dans un boîtier. Les différents composants du capteur infrarouge lointain sont fabriqués par des procédés distincts. But de l'invention Le document US 2014/0253735 Al décrit un dispositif comportant un capteur d'images infrarouges. Exposé et avantages de l'invention La présente invention a pour objet un dispositif de com- posants microélectroniques comportant un dispositif de capteur pour saisir sur les deux faces, des images de thermographie à l'aide d'au moins une puce de capteur ayant une première surface, une seconde surface à l'opposé de la première surface ainsi qu'une surface latérale reliant la première surface à la seconde surface, au moins une lentille sur la première surface et sur la seconde surface ou chaque fois sur la première surface d'au moins une puce de capteur. Le dispositif de cap- teur est situé au moins par zone entre une première plaque de circuit et une seconde plaque de circuit et le dispositif de capteur est relié électriquement directement à la première plaque de circuit et à la seconde plaque de circuit. L'invention a également pour objet un smartphone équipé d'un tel dispositif de composants microélectroniques. La présente invention permet de fabriquer d'une manière particulièrement rapide et économique des dispositifs de composants microélectroniques permettant de saisir par les deux faces des images de thermographie, ces composants étant du niveau de la plaquette. En 3040531 2 particulier, l'invention permet de prendre des images de thermographie à l'aide des deux surfaces opposées d'une plaquette de capteur car une seule plaquette de capteur peut être sensible sur les deux faces, d'un côté pour l'infrarouge IR et/ou de l'autre, pour l'infrarouge lointain LIR. 5 Ainsi, le dispositif de composants microélectroniques se présente avec des dimensions très faibles et une intégration simple du système. Cela permet une fabrication très économique du dispositif de composants microélectroniques car les composants fonctionnels de ce dispositif ne sont pas fabriqués séparément et à l'unité mais au niveau 10 de la puce. Dans le présent contexte, l'expression « au niveau de la puce », signifie que les composants fonctionnels, par exemple la puce de capteur et le circuit d'exploitation sont des composants intégrés dans la puce. Cette solution a l'avantage de miniaturiser tout particulièrement 15 les différents dispositifs de composants microélectroniques car ils ne nécessitent pas de composants de circuit fabriqués séparément à côté de la puce de capteur. La puce de capteur peut notamment comporter un réseau de pixels pour détecter l'infrarouge lointain LIR ou l'infrarouge proche PIR. La résolution du réseau de pixels ou d'un 20 nombre de pixels dans la direction horizontale et/ou dans la direction verticale peut varier. On peut envisager une distance (le pas) irrégulière entre deux pixels d'un réseau. Le dispositif de capteur décrit ici est un composant mi- croélectronique distinct, autonome dans son fonctionnement. La liaison 25 électrique entre le dispositif de capteur et les autres composants mi- croélectroniques constitue un système. Selon un développement préférentiel, le dispositif de cap- teur présent sur les surfaces latérales de la puce de capteur, au moins par zone, des circuits d'exploitation et le dispositif de capteur est relié 30 électriquement au circuit d'exploitation par la première et la seconde plaque de circuit et la puce de capteur sur la première et la seconde surface détecte le rayonnement infrarouge. Le dispositif de capteur a ainsi une faible hauteur. La « hauteur » selon le présent contexte est la dimension verticale du dispositif de capteur ; le dispositif vertical est 35 transversal, notamment perpendiculaire à l'extension latérale du dispo- 3040531 3 sitif de capteur. Cela signifie qu'à l'aide d'une unique puce de capteur, on a deux surfaces de détection opposées, sensibles au rayonnement infrarouge lointain LIR et/ou au rayonnement infrarouge proche PIR. Selon un autre développement préférentiel, la puce de 5 capteur et les circuits d'exploitation sont des parties intégrales d'une même plaquette. En d'autres termes, la puce de capteur et les circuits d'exploitation ne sont pas fabriqués par des procédés distincts, ce qui permet de réaliser une puce de capteur dont les deux faces sont sensibles au rayonnement infrarouge lointain LIR et/ou au rayonnement 10 infrarouge proche PIR. Selon un autre développement préférentiel, un obturateur pivotant est prévu sur la première plaque de circuit et la seconde plaque de circuit, cet obturateur pivotant ou rotatif couvrant le dispositif de capteur. L'obturateur rotatif protège notamment la puce de capteur 15 sensible sur ses deux faces. Les obturateurs rotatifs sont sur les faces opposées l'une à l'autre de la première plaque de circuit et de la seconde plaque de circuit. En particulier, l'obturateur rotatif est entraîné mécaniquement par un moteur électrique pour se déplacer dans le chemin optique du dispositif de capteur. L'obturateur rotatif comporte un maté- 20 riau opaque au rayonnement infrarouge lointain LIR et/ou proche PIR. Cela simplifie en outre l'équilibrage du dispositif de capteur. Selon un autre développement, le dispositif de capteur comporte deux puces de capteur et un circuit d'exploitation, les deux puces étant reliées chacune par leur seconde surface au circuit 25 d'exploitation et le dispositif de capteur est relié électriquement par le circuit d'exploitation à la première et à la seconde plaque de circuit. En d'autres termes, la première surface des deux puces de capteur sert à la détection du rayonnement infrarouge lointain LIR et/ou proche PIR et comporte notamment une matrice de pixels. Comme le circuit 30 d'exploitation se trouve entre les deux puces de capteur, on peut alors supprimer l'obturateur rotatif car en particulier, du fait de la multiplicité des couches de métal dans le circuit d'exploitation, celui-ci est opaque au rayonnement LIR et/ou PIR. Selon un autre développement préférentiel, le dispositif 35 de capteur comporte deux puces de capteur et un intermédiaire, les 3040531 4 deux puces de capteur étant reliées par leur seconde surface respective à l'intermédiaire, le dispositif de capteur étant relié électriquement par l'intermédiaire à la première et à la seconde plaque de circuit et le côté de l'intermédiaire, à l'opposé de l'une des plaques de circuit, est muni 5 du circuit d'exploitation. Ainsi, l'intermédiaire permet de réduire la di- mension « verticale » du dispositif de capteur. L'intermédiaire peut fonctionner alors comme interface commune entre les deux puces de capteur ; il comporte notamment du silicium. En outre, il est possible de mettre en oeuvre même si l'une des puces de capteur est défaillante. 10 Selon un développement préférentiel, le circuit d'exploitation est interposé entre les deux puces de capteur et l'intermédiaire, ce qui permet d'exploiter, indépendamment l'une de l'autre, les deux puces de capteur. Selon un autre développement préférentiel, le côté de 15 l'intermédiaire à l'opposé des plaques de circuit, écarté latéralement par rapport au circuit d'exploitation, comporte un microcontrôleur, ce qui est un dispositif de composants microélectroniques particulièrement peut encombrant. Selon un autre développement préférentiel, le microcon- 20 trôleur se trouve sur l'une des plaques de circuit et l'intermédiaire ne comporte pas de microcontrôleur. Ainsi, le microcontrôleur et le dispositif de capteur se commandent indépendamment l'un de l'autre et le microcontrôleur peut notamment être remplacé de façon très simple. Selon un autre développement préférentiel, la puce de 25 capteur comporte un miroir métallique, qui permet de réfléchir simple- ment le rayonnement infrarouge. Selon un autre développement préférentiel, on réalise le vide entre la puce de capteur et la lentille pour réduire la dispersion du rayonnement infrarouge. De plus, le découplage thermique plus impor- 30 tant donne à la puce de capteur une plus grande sensibilité. Le vide se- ra maintenu constant, par exemple par la liaison directe par silicium entre la puce de capteur et la lentille. Selon un autre développement préférentiel, un capuchon est interposé entre la puce de capteur et la lentille. L'utilisation de ca- 35 puchons, par exemple fixés par une procédure anodique, réduit signifi- 3040531 5 cativement la largeur du cadre de liaison et ainsi la surface nécessaire par plaquette de capteur. Cela permet de régler très simplement la distance focale requise par rapport à la puce de capteur. Par exemple, le capuchon enferme le vide avec la puce de capteur. Dans ce cas, le vide 5 sera supprimé entre le capuchon et la lentille. Selon un autre développement préférentiel, un diaphragme est prévu entre la puce de capteur et/ou au moins un organe d'écartement et/ou au moins un actionneur. Cela permet de régler en particulier la distance focale requise par rapport à la puce de capteur à 10 l'aide de l'organe d'écartement en évitant l'influence de la lumière dif- fractée. Un actionneur permet notamment de focaliser très simplement le dispositif de capteur. Selon un autre développement préférentiel, la liaison électrique se fait à l'aide d'une matrice de billes (BGA). Cela permet de 15 brancher ou d'intégrer très simplement le dispositif de composants mi- croélectroniques dans le système avec d'autres composants comme par exemple des microcontrôleurs, des composants de mémoire ou des composants de circuit (convertisseur de tension) et/ou des plaques de circuit. En variante, l'utilisation de plots de connexion permet de réali- 20 ser les liaisons électriques. Selon un autre développement préférentiel, la distance entre la première et la deuxième surface ou chaque fois la première surface de la puce de capteur et la surface extérieure d'une lentille, se situe entre 500 microns et 2 millimètres. Grâce à la construction intégrée 25 fondée sur une plaquette commune recevant la puce de capteur et le circuit d'exploitation ainsi que la lentille, ces éléments seront fabriqués au niveau de la plaquette cela permet d'avoir une hauteur (dimension verticale) très réduite du dispositif de composants microélectroniques. Selon un autre développement préférentiel, le dispositif 30 de composants microélectroniques comporte une ou plusieurs lentilles en un matériau transparent à l'infrarouge (IR) et/ou à l'infrarouge lointain (LIR) et la lentille sera de forme convexe ou concave par rapport au plan de référence. Les lentilles peuvent être en silicium Si, en germanium Ge ou en un autre matériau semi-conducteur approprié. De plus, 35 les lentilles peuvent avoir des revêtements pour éviter par exemple la 3040531 6 réflexion à leur surface et dans ce cas, les revêtements seront appliqués en une ou deux couches ou en double couche sur la lentille. Selon un autre développement préférentiel, le dispositif de composants microélectroniques comporte une matrice de pixels pour 5 saisir le rayonnement infrarouge proche PIR et/ou le rayonnement in- frarouge lointain LIR. En d'autres termes, la puce de capteur comporte, sur sa face avant, un premier réseau de pixels. Le réseau de pixels peut reposer sur l'un des principes de conversion thermoélectrique suivant : conversion résistive, conversion pour diode PN ou conversion capacitive. 10 Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l'aide d'un dispositif de composants microélectroniques représenté dans les dessins annexés dans lesquels : la figure 1 est une vue en section, schématique, d'un premier mode 15 de réalisation d'un dispositif de composants microélectroniques servant à décrire ce dispositif ; la figure 2 est une vue en section perpendiculaire, schématique, d'un second mode de réalisation d'un dispositif de composants microélectroniques selon l'invention ; 20 la figure 3 est une vue en section schématique perpendiculaire d'un troisième mode de réalisation d'un dispositif de composants microélectroniques selon l'invention ; la figure 4 est une vue en section schématique perpendiculaire d'un quatrième mode de réalisation d'un dispositif de composants 25 microélectroniques selon l'invention ; la figure 5 est une vue en section schématique perpendiculaire d'un cinquième mode de réalisation d'un dispositif de composants microélectroniques selon l'invention ; la figure 6 est une vue en section schématique perpendiculaire 30 d'un sixième mode de réalisation d'un dispositif de composants mi- croélectroniques selon l'invention ; la figure 7 est une vue en section schématique perpendiculaire d'un septième mode de réalisation d'un dispositif de composants microélectroniques selon l'invention ; 3040531 7 la figure 8 est une vue en section schématique perpendiculaire d'un huitième mode de réalisation d'un dispositif de composants microélectroniques selon l'invention ; la figure 9 est une vue en section schématique perpendiculaire 5 d'un neuvième mode de réalisation d'un dispositif de composants microélectroniques selon l'invention ; la figure 10 est une vue en section schématique perpendiculaire d'un dixième mode de réalisation d'un dispositif de composants microélectroniques selon l'invention ; 10 la figure 11 est une vue schématique de face et de dos d'un Smart- phone équipé d'un dispositif de composants microélectroniques selon l'invention. Description de modes de réalisation La figure 1 est une section perpendiculaire schématique 15 d'un premier mode de réalisation d'un dispositif de composants microé- lectroniques. La figure 1 montre un dispositif de composants microé- lectroniques 100 comportant un dispositif de capteur 10. Le dispositif de capteur 10 est entouré d'un trait interrompu. Pour la saisie sur ses 20 deux faces, d'images de thermographie, le dispositif de capteur 10 com- porte, une puce de capteur S 1, comportant une première surface S11, une seconde surface S12 en regard de la première surface Sll et une surface latérale S13 reliant la première surface S1 1 à la seconde surface S12. Des lentilles L 1 équipent selon la figure 1, la première surface Sll 25 et la seconde surface S12 ; les lentilles Si sont à niveau avec la surface latérale S13 de la puce de capteur S 1. Le dispositif de capteur 10 est situé au moins par zone entre une première plaque de circuit 2 et une seconde plaque de circuit 3. En d'autres termes, le dispositif de capteur 10 est par exemple dans un passage de plaque de circuit imprimé. La 30 plaque de circuit imprimé 2 et la plaque de circuit imprimé 3 sont par exemple au moins en contact par zone. La liaison électrique entre le dispositif de capteur 10 et la première plaque de circuit 2 ainsi qu'avec la seconde plaque de circuit 3 se fait comme le montre la figure 1, notamment par l'intermédiaire de 3040531 8 circuits d'exploitation A1, A2 ; les circuits d'exploitation A1, A2 se trouvent sur les surfaces latérales S13 de la puce de capteur Si. A la figure 1, le dispositif de capteur 10 est relié électri- quement aux circuits d'exploitation A1, A2 et BGA 5 avec la première 5 plaque de circuit 2 et la seconde plaque de circuit 3. Cette réalisation de la puce de capteur S1 sur la première surface Sll et la seconde surface S12 convient pour la détection d'un rayonnement infrarouge. En d'autres termes, la puce de capteur S 1, a une matrice de pixels, sur la première surface Sll et sur la seconde surface S12. 10 La référence 8 à la figure 1 désigne des obturateurs rota- tifs équipant la première plaque de circuit 2 et la seconde plaque de circuit 3 ; les obturateurs rotatifs 8 sont par exemple installés sur les faces opposées de la première plaque de circuit 2 et de la troisième plaque de circuit 3. 15 Le dispositif de capteur 10 selon la figure 1 est relié élec- triquement par les circuits d'exploitation A1, A2 installés sur les faces latérales S13 de la puce de capteur, par l'intermédiaire de la matrice de billes de soudures BGA 5 à la première plaque de circuit 2 et à la seconde plaque de circuit 3. Le dispositif de capteur peut notamment être 20 relié électriquement exclusivement par les circuits d'exploitation A1, A2 et par le circuit BGA 5 à la première et à la seconde plaque de circuit 2, 3. La figure 2 est une section perpendiculaire schématique d'un second mode de réalisation du dispositif de composants microélec- 25 troniques selon l'invention. La figure 2 est fondée sur le dispositif de composants microélectroniques 100 de la figure 1 à la différence qu'entre la puce de capteur S1 et la lentille L 1, on a chaque fois un capuchon Kl. Comme le montre la figure 2, le capuchon K1 est à niveau avec la surface laté- 30 rale S13 de la puce de capteur S 1, ce qui permet de régler d'une ma- nière particulièrement simple la distance focale requise par rapport à la puce de capteur. La figure 3 est une vue en section perpendiculaire sché- matique d'un troisième mode de réalisation du dispositif de composants 35 microélectroniques. 3040531 9 La figure 3 est fondée sur le dispositif de composants microélectroniques 100, représenté à la figure 1, à la différence que le dispositif de capteur 10 (représenté dans le cadre tracé en trait interrompu) comporte deux puces de capteur 5 1, Si' et un circuit 5 d'exploitation A3 ; les deux puces de capteur Si, 5 l' sont reliées respec- tivement par leur seconde surface S12 au circuit d'exploitation A3 ; le dispositif de capteur 10 est relié électriquement par le circuit d'exploitation A3 par la matrice de billes de soudures BGA 5 à la première plaque de circuit 2 et à la seconde plaque de circuit 3 par une 10 liaison électrique. En d'autres termes, le circuit d'exploitation A3 qui est par exemple un circuit dédié ASIC, a une interface commune pour les deux puces de capteur 51, 51'. Cela signifie que le circuit d'exploitation A3 est réalisé comme un composant continu ; la première plaque de circuit 2 et la seconde plaque de circuit 3 sont reliées par une liaison BGA. 15 Comme le circuit d'exploitation A3 de la figure 3 n'est pas transparent aux rayons LIR et/ou IR, selon l'utilisation du composant microélectronique 100, on supprime les obturateurs 8 selon la figure 1. La figure 4 est une section perpendiculaire schématique d'un quatrième mode de réalisation du dispositif de composants microé- 20 lectroniques selon l'invention. Le quatrième mode de réalisation du dispositif de composants microélectroniques 100 est fondé sur le troisième mode de réalisation selon la figure 3 à la différence que le dispositif de capteur 10 ne comporte la lentille L 1 que d'un côté; entre la lentille L 1 et la puce de 25 capteur Si', on a le capuchon K 1. Entre la puce de capteur 5 1, la len- tille L 1 et le capuchon K 1, on développe le vide V. Sur le côté sans lentille, le dispositif de capteur 10 comporte uniquement le capuchon K 1. La figure 3 montre en variante un dispositif de capteur 10 à structure asymétrique. 30 La figure 5 est une section perpendiculaire schématique d'un cinquième mode de réalisation du dispositif de composants microélectroniques selon l'invention. La figure 5 est fondée sur le dispositif de composants mi- croélectroniques 100 de la figure 4 à la différence que les deux puces de 35 capteur 5 1, Si' ont chacune une lentille L 1 et entre les deux puces de 3040531 10 capteur S 1, Si' et les lentilles L 1 correspondantes, on a chaque fois le capuchon K 1. La figure 5 présente ainsi un dispositif de capteur 10 à structure symétrique. La figure 6 est une section perpendiculaire schématique 5 d'un sixième mode de réalisation du dispositif de composants microélec- troniques selon l'invention. La figure 6 est fondée sur le dispositif de composants mi- croélectroniques 100 de la figure 3 à la différence qu'à la place du circuit d'exploitation A3, on a un intermédiaire H qui écarte le circuit 10 d'exploitation A3, latéralement par rapport aux puces de capteur S 1, Si' sur le côté de l'intermédiaire II opposé à celui des plaques de circuit 2, 3. Le dispositif de capteur 10 est mise en évidence par un cadre en trait interrompu. La figure 7 est une section perpendiculaire schématique 15 d'un septième mode de réalisation du dispositif de composants microé- lectroniques selon l'invention. La figure 7 montre un dispositif de composants microé- lectroniques 100 fondé sur le dispositif de composants microélectroniques 100 de la figure 6 à la différence qu'il y a chaque fois des 20 capuchons K1 entre les puces de capteur Si, Si' et la lentille L 1 corres- pondante. La figure 8 est une vue en section perpendiculaire sché- matique d'un huitième mode de réalisation du dispositif de composants microélectroniques selon l'invention. 25 La figure 8 se fonde sur le dispositif de composants mi- croélectroniques 100 de la figure 7 à la différence que sur l'intermédiaire II, latéralement écarté par rapport au dispositif de capteur 10, on a en plus un microcontrôleur MC1 installé sur le côté de l'intermédiaire II à l'opposé de la seconde plaque de circuit 3. 30 La figure 9 est une vue en section perpendiculaire sché- matique d'un neuvième mode de réalisation du dispositif de composants microélectroniques selon l'invention. La figure 9 est fondée sur le dispositif de composants mi- croélectroniques 100 de la figure 8 à la différence que le microcontrô- 35 leur MC1 est sur la seconde plaque de circuit 3. Cela permet de 3040531 11 commander le microcontrôleur MC1 séparément du dispositif de capteur 10 à l'aide de la seconde plaque de circuit 3. La figure 10 est une section perpendiculaire schématique d'un dixième mode de réalisation du dispositif de composants microé- 5 lectroniques selon l'invention. La figure 10 est fondée sur le dispositif de composants microélectroniques de la figure 9 à la différence que l'on a chaque fois le circuit d'exploitation A3 entre les deux puces de capteur S 1, Si' et l'intermédiaire I1. Cela permet d'exploiter séparément et indépendam- 10 ment les deux puces de capteur Si, Si'. En outre, le dispositif de com- posants microélectroniques 100 de la figure 10 ne comporte pas de microcontrôleur MC1. La figure 11 est une vue de face et une vue arrière sché- matique d'un smartphone comportant un dispositif de composants mi- 15 croélectroniques selon un mode de réalisation de l'invention. La référence M1 désigne à la figure 11 un smartphone équipé d'un dispositif de composants microélectroniques 100. La figure 11 montre le smartphone M1 pour la vue de face VS et pour la vue arrière RS. Le dispositif de composants microélectroniques 100 est visible 20 de la face avant et de la face arrière du smartphone M1. Comme le montre la figure 11, le dispositif de composants microélectroniques 100 est intégré dans le smartphone M1. Cela peut se faire notamment à l'aide de la première et de la seconde plaque de circuit 2, 3 présentées dans les figures précédentes. 25 Le dispositif de composants microélectroniques décrit ci-dessus peut être en outre appliqué à des appareils mobiles et/ou à des noeuds de capteur. 3040531 12 NOMENCLATURE 100 Dispositif de composants microélectroniques 10 Dispositif de capteur 5 2 Première plaque de circuit 3 Seconde plaque de circuit 5 Matrice de billes de soudures BGA 8 Obturateur rotatif 10 Al, A2 Circuit d'exploitation K1 Capuchon Si, Si' Puce de capteur Sll Première surface S12 Seconde surface opposée à la première surface 15 S13 Surface latérale REVENDICATIONS1°) Dispositif de composants microélectroniques (100) comportant : un dispositif de capteur (10) pour saisir sur les deux faces des images de thermographie à l'aide d'au moins une puce de capteur (51) ayant une première surface (S11), une seconde surface (S12) à l'opposé de la première surface (S11) ainsi qu'une surface latérale (S13) reliant la première surface (S11) à la seconde surface (S12), au moins une lentille (L1) sur la première surface (S11) et sur la seconde surface (S12) ou chaque fois sur la première surface (S11) d'au moins une puce de capteur (S1), dispositif dans lequel le dispositif de capteur (10) est situé au moins par zone entre une première plaque de circuit (2) et une seconde plaque de circuit (3) et le dispositif de capteur (10) est relié électriquement directement à la première plaque de circuit (2) et à la seconde plaque de circuit (3). 2°) Dispositif de composants microélectroniques (100) selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif de capteur (10) comporte sur la surface latérale (S13) de la puce de capteur (S1), au moins par zone, les circuits d'exploitation (A1, A2), le dispositif de capteur (10) étant relié électriquement aux circuits d'exploitation (A1, A2) par la première et la seconde plaque de circuit (2, 3) et la puce de capteur (S1) détecte le rayonnement infrarouge sur la première surface (S1) et la seconde surface (S2). 3°) Dispositif de composants microélectroniques (100) selon la revendication 2, caractérisé en ce que la puce de capteur (S1) et les circuits d'exploitation (A1, A2) font partie intégrante d'une même plaquette. 4°) Dispositif de composants microélectroniques (100) selon les revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu' 3040531 14 un obturateur rotatif (8) est prévu respectivement sur la première plaque de circuit (2) et la seconde plaque de circuit (3) et cet obturateur rotatif (8) couvre le dispositif de capteur (10). 5 5°) Dispositif de composants microélectroniques (100) selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que le dispositif de capteur (10) comporte deux puces de capteur (Si, Si') et un circuit d'exploitation (A3), les deux puces de capteur (Si, Si') étant 10 reliées respectivement par leur seconde surface (S12) au circuit d'exploitation (A3), le dispositif de capteur (10) étant relié électriquement par le circuit d'exploitation (A3) à la première et à la seconde plaque de circuit (2, 3). 15 6°) Dispositif de composants microélectroniques (100) selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que le dispositif de capteur (10) comporte deux puces de capteur (Si, Si') et un intermédiaire (I1), et les deux puces de capteur (Si, Si') sont reliées 20 respectivement par leur seconde surface (S12) à l'intermédiaire (I1) et le dispositif de capteur (10) est relié par l'intermédiaire (I1) à la première et à la seconde plaque de circuit (2, 3), et le côté de la plaque de circuit (2, 3) non tourné vers l'intermédiaire (I1) comporte le circuit d'exploitation (A3). 25 7°) Dispositif de composants microélectroniques (100) selon la revendication 6, caractérisé en ce que le circuit d'exploitation (A3) respectif est prévu entre les deux puces de 30 capteur (S1, S1') et l'intermédiaire (I1). 8°) Dispositif de composants microélectroniques (100) selon la revendication 7, caractérisé en ce que 3040531 15 la plaque de circuit (2, 3) sur le côté opposé de l'intermédiaire (I1), on a un microcontrôleur (MC1) écarté latéralement du circuit d'exploitation (A3). 5 9°) Dispositif de composants microélectroniques (100) selon la revendi- cation 8, caractérisé en ce que le microcontrôleur (MC1) est sur l'une des plaques de circuit (2, 3) et l'intermédiaire (I1) ne comporte pas de microcontrôleur (MC1). 10 10°) Dispositif de composants microélectroniques (100) selon l'une des revendications 2 à 9, caractérisé en ce que la puce de capteur (1) comporte un miroir en métal (M1). 11°) Dispositif de composants microélectroniques (100) selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que le vide (V) est réalisé entre la puce de capteur (Si) et la lentille (L1). 12°) Dispositif de composants microélectroniques (100) selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce qu' un capuchon (K1) est prévu entre la puce de capteur et la lentille. 25 13°) Dispositif de composants microélectroniques (100) selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que la liaison électrique se fait à l'aide d'une matrice de billes de soudures 30 (BGA 5). 14°) Dispositif de composants microélectroniques (100) selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que 15 20 3040531 16 la distance (A) entre la première surface (S11) et la seconde surface (S12) ou respectivement la première surface (S11) de la puce de capteur (S1) et la surface extérieure (AL1) au moins d'une lentille (L1) est comprise entre 500 microns et 2,5 millimètres. 5 15°) Smartphone (M1) comportant un composant microélectronique (100) selon l'une des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que le dispositif de composants microélectroniques (100) est visible par la 10 face avant (VS) et la face arrière (RS) du smartphone et le dispositif de composants microélectroniques (100) est intégré au smartphone (M1) par l'intermédiaire de la première et de la seconde plaque de circuit (2, 3). 15